FR 2965620 A1 20120406 FR 1003909 A 20101004 i PROCEDE ET DISPOSITIF DE DETECTION DE METAUX DANS UN FLUIDE La présente invention concerne la détection de métaux dans un fluide tel que l'eau ou l'air. La présente invention s'applique notamment à la détection de pollutions par des métaux lourds. Certains métaux produits par l'activité humaine sont rejetés dans la s nature et induisent une pollution de l'eau ou de l'air. Certains métaux comme l'arsenic, le cadmium, le chrome, le cuivre, le mercure, le nickel, le plomb et le zinc ont des effets sur la santé et la biosphère. II est donc souhaitable de détecter la présence de tels métaux. Dans l'industrie de fabrication des composants à base de semi-conducteurs, certaines étapes de fabrication utilisent de l'eau ultrapure. Il est également souhaitable dans ce domaine de pouvoir détecter la présence de métaux dans l'eau utilisée afin de prévenir toute contamination métallique des composants fabriqués. Parmi les procédés de détection et d'analyse connus, il existe des ls procédés de spectrométrie par absorption ou par émission de plasma, des procédés basés sur la fluorescence sous l'effet de rayons X et des procédés colorimétriques. Ces procédés mettent en ceuvre des équipements très coûteux et nécessitent le prélèvement et le transport d'échantillons d'eau dans un laboratoire où les échantillons peuvent être analysés. Certaines 20 analyses nécessitent des prétraitements tels qu'une filtration, et l'ajout d'additifs chimiques. Ces procédés présentent les inconvénients d'être longs, coûteux et peu fiables en raison du risque non négligeable de contamination des échantillons durant leur transport, leur stockage ou leur prétraitement. Il existe également des procédés électrochimiques de détection et 25 d'analyse in-situ, c'est-à-dire ne nécessitant pas de transport et de stockage d'échantillons, ni de prétraitement. Ces procédés consistent à mesurer une ou plusieurs caractéristiques électriques d'un échantillon, telles que l'intensité d'un courant traversant l'échantillon, la tension entre des électrodes plongées dans l'échantillon et la résistance électrique de 30 l'échantillon. La détection ou l'analyse est effectuée à partir des caractéristiques électriques mesurées. Récemment, on a également développé des micro-capteurs électrochimiques formés dans un film. La présente invention vise à proposer un procédé alternatif de détection de traces de métaux qui soit très peu coûteux, tout en présentant s une grande sensibilité de détection. A cet effet, elle se base sur la découverte qu'une photodiode ayant été contaminée par des atomes de métal par exemple durant sa fabrication, fournit en l'absence de lumière un signal plus fort qu'une photodiode non contaminée. Des modes de réalisation concernent un procédé de détection io d'atomes métalliques dans un fluide comprenant des étapes consistant à : disposer une photodiode comprenant une surface photosensible, dans une zone à l'abri de la lumière, en contact avec un fluide à analyser, chauffer la surface photosensible de la photodiode à une température suffisante pour permettre à des atomes métalliques qui se sont déposés sur la surface ls photosensible de migrer au travers de la surface photosensible, acquérir un signal relatif à l'éclairement de la photodiode, et déterminer à partir du signal acquis une mesure représentative d'un état de contamination de la photodiode par des atomes métalliques. Selon un mode de réalisation, le procédé comprend une étape de 20 régulation de la température du fluide au voisinage de la photodiode, pour la maintenir à une valeur sensiblement constante. Selon un mode de réalisation, le procédé comprend des étapes de mesure de la température du fluide au voisinage de la photodiode et de correction de la mesure représentative d'un état de contamination de la 25 photodiode en fonction de la température mesurée. Selon un mode de réalisation, les étapes de chauffage de la surface photosensible de la photodiode, d'acquisition d'un signal représentatif de l'éclairement de la photodiode, et de détermination d'une mesure, sont effectuées périodiquement. 30 Selon un mode de réalisation, la mesure est corrigée en retranchant une mesure initiale ou une mesure précédente. Selon un mode de réalisation, la photodiode appartient à un imageur comportant une multiplicité de photodiodes et une surface photosensible au travers de laquelle peuvent migrer des atomes métalliques qui se sont 35 déposés sur l'imageur, le procédé comprenant des étapes d'acquisition de 3 signaux relatifs à l'éclairement de photodiodes de l'imageur et de détermination d'une mesure représentative d'un état de contamination de l'imageur en fonction des signaux acquis. Selon un mode de réalisation, le procédé comprend des étapes consistant à recouvrir la surface photosensible de l'imageur par une couche en un matériau isolant, et creuser des puits dans la couche isolante pour permettre à des atomes métalliques d'atteindre la jonction PN de photodiodes de l'imageur. Selon un mode de réalisation, le procédé comprend des étapes de io dépôt d'une couche protectrice sur la couche isolante, et de retrait de la couche protectrice à la mise en service de l'imageur. Des modes de réalisation concernent également un dispositif de détection d'atomes métalliques dans un fluide, configuré pour mettre en oeuvre le procédé défini précédemment. 15 Selon un mode de réalisation, chaque photodiode comprend une jonction PN non recouverte par une région dopée. Selon un mode de réalisation, le dispositif comprend une couche isolante recouvrant la surface photosensible de chaque photodiode, la couche isolante comportant un puits permettant à des atomes métalliques 20 d'atteindre la surface photosensible de chaque photodiode. Selon un mode de réalisation, le dispositif comprend un anneau résistif formé autour du puits pour chauffer la surface photosensible de la photodiode à une température suffisante pour permettre à des atomes métalliques déposés sur la surface photosensible de la photodiode de migrer 25 dans le matériau semi-conducteur dans lequel est formé la photodiode. Selon un mode de réalisation, le dispositif comprend un capteur de température pour mesurer la température ambiante au voisinage de la photodiode. Selon un mode de réalisation, le dispositif comprend un imageur 30 comportant une multiplicité de photodiodes, et une surface photosensible recouverte d'une couche isolante percée de puits permettant à des atomes métalliques d'atteindre la surface photosensible de chaque photodiode. Selon un mode de réalisation, chaque puits est obturé par une couche protectrice destinée à être retirée à la mise en service du dispositif. 35 4 Des exemples de réalisation de l'invention seront décrits dans ce qui suit, à titre non limitatif en relation avec les figures jointes parmi lesquelles : la figure 1 représente des courbes de variation du courant traversant une photodiode en fonction de la tension de polarisation de la photodiode, la figure 2 représente schématiquement un circuit électronique d'un imageur de type CMOS classique, les figures 3A à 3D représentent des étapes de fabrication d'un imageur CMOS d'un détecteur de métaux, selon un mode de réalisation, les figures 4 et 5 représentent en coupe transversale une photodiode io formée dans un substrat semi-conducteur, selon deux modes de réalisation, la figure 6 représente un détecteur de métaux, selon un mode de réalisation, installé dans une canalisation dans laquelle circule un fluide à analyser, la figure 7 représente schématiquement un circuit électronique du ls détecteur selon un mode de réalisation, la figure 8 représente une séquence d'étapes exécutées par le circuit électronique de la figure 7. La figure 1 représente des courbes de variation du courant traversant une photodiode en fonction d'une tension de polarisation de la photodiode. 20 La figure 1 montre trois zones de fonctionnement d'une photodiode délimitées en fonction de la tension fournie entre les bornes de la photodiode. La photodiode présente une zone de fonctionnement FWD lorsqu'elle est polarisée en direct. Dans cette zone de fonctionnement, le courant traversant la photodiode reste nul sensiblement jusqu'à une valeur 25 Vd, où la photodiode devient passante et laisse totalement passer le courant. Lorsqu'elle est polarisée en inverse, la photodiode présente deux zones de fonctionnement RVS, puis BKD lorsque la tension de polarisation inverse atteint une valeur Vbr. Dans la zone RVS, la photodiode laisse 30 passer un courant non nul en l'absence de lumière (courbe Cl), et qui augmente progressivement (courbes C2, C3) en fonction de l'intensité lumineuse à laquelle la photodiode est soumise. Dans la zone BKD, un phénomène d'avalanche s'est déclenché dans la photodiode qui laisse alors passer un fort courant inverse. Pour mesurer une intensité lumineuse, la photodiode est donc polarisée en inverse, donc dans la zone de fonctionnement RVS. Dans cette zone le courant Ir traversant la diode peut être modélisé par l'équation suivante : 5 Ir=ld+lp (1) dans laquelle Id représente un courant parasite généré par la photodiode dans le noir (en l'absence de flux lumineux) et Ip représente le courant généré par la photodiode sous l'effet d'un flux lumineux. Le courant Ip est généré par certains photons du flux lumineux présentant suffisamment d'énergie pour générer des électrons libres formant le courant généré. Le courant Ip est proportionnel à l'intensité du flux lumineux reçu par la photodiode. Le courant Id est égal à un courant It qui dépend de la température ambiante. Le courant It peut être modélisé par l'équation suivante : It = Is -qVr 1 - e kT (2) dans laquelle Is est une constante, q est la charge électrique d'un porteur (électron / trou), K est la constante de Boltzmann, Vr est la tension de polarisation inverse de la photodiode, et T est la température ambiante. En d'autres termes, le courant It résulte de la génération par effet thermique d'électrons libres et de trous au voisinage de la jonction PN formant la photodiode. Dans la technologie CMOS à 0.18 pm, le courant It est de l'ordre de 2.10 exp-18 A à 25°C. Il a été découvert qu'en présence d'atomes métalliques au voisinage ou dans la jonction PN de la photodiode, le courant Id est plus élevé, en raison de l'apparition d'un courant le dû à la présence de tels atomes. Le courant Id généré par la photodiode polarisée en inverse, en l'absence de lumière peut alors être modélisé par l'équation suivante : Id = It + le (3) En effet, la présence d'atomes métalliques au voisinage de la jonction PN augmente le nombre de paires d'électrons-trous à une température donnée. Un mode de réalisation vise à exploiter ce phénomène pour détecter la présence de métaux dans un fluide tel que de l'eau ou de l'air. A cet effet, un imageur CMOS pouvant présenter un faible coût et un grand nombre de photodiodes apparaît adapté. La figure 2 représente un imageur CMOS classique CS comprenant une matrice de pixels PX disposés en lignes et en colonnes transversales s aux lignes. Chaque pixel PX comprend une photodiode, un amplificateur AMI pour amplifier le courant fourni par la photodiode, et un transistor de sélection M1 pour permettre la lecture du pixel, c'est-à-dire l'acquisition d'un signal représentatif d'un flux lumineux reçu par la photodiode. Les grilles des transistors M1 de chaque ligne de pixels sont connectées à un circuit de lo décodage de ligne RDC permettant ainsi d'activer l'acquisition de signaux fournis par chaque ligne de pixels. Les drains des transistors M1 de chaque colonne de pixels sont connectés à un transistor de sélection de colonne M2 dont la grille est commandée par un circuit de décodage de colonne CDC. Les drains des transistors M2 sont connectés à un amplificateur AM2 qui ls fournit le signal d'un pixel sélectionné par les circuits de décodage de ligne RDC et de colonne CDC par l'intermédiaire du transistor M1 du pixel et du transistor M2 de la colonne de pixel à laquelle appartient le pixel sélectionné. Les figures 3A à 3D illustrent des étapes de fabrication d'un imageur CS utilisable comme détecteur de métaux, après la formation de pixels PX 20 dans un substrat semi-conducteur SUB. La figure 3A illustre des étapes de dépôt sur le substrat SUB d'une couche isolante IN2 et de formation d'anneaux résistifs MR autour des pixels PX, les anneaux résistifs étant noyés dans la couche IN2. Chaque anneau résistif MR a pour fonction de chauffer une 25 photodiode afin de favoriser la migration d'atomes métalliques présents sur la surface photosensible PS de la photodiode dans la zone de jonction PN de la photodiode. A cet effet, chaque anneau résistif MR est destiné à être relié à une source de courant électrique afin de dégager la chaleur nécessaire au chauffage d'une photodiode, par exemple à une température 30 de l'ordre de 300 à 400°C. Chaque anneau résistif MR est par exemple réalisé en tungstène. La figure 3B représente une étape de formation de puits DW dans la couche IN2 pour dégager la surface photosensible PS de la photodiode de chaque pixel PX. Ces puits peuvent être réalisés par exemple par 35 photolithographie. La largeur des puits DW est adaptée à la largeur des 7 pixels PX et peut atteindre par exemple 0.25 pm pour une profondeur de 1.3 pm. La profondeur des puits DW correspond sensiblement à l'épaisseur de la couche isolante IN2, de manière à ne laisser au maximum qu'une très faible épaisseur d'isolant sur le semi-conducteur formant les photodiodes. s Bien entendu, l'épaisseur de la couche d'isolant pouvant rester au dessus des photodiodes influe sur la quantité d'atomes métalliques susceptibles d'atteindre la jonction PN des photodiodes et donc sur la sensibilité de la détection de tels atomes. La figure 3C représente une étape de dépôt sur la couche IN2 avec io ses puits DW, d'une autre couche protectrice IN3. Cette étape vise à fermer temporairement les puits DW, et ainsi à éviter que des poussières et des atomes métalliques atteignent la surface du substrat (surface photosensible PS) avant la mise en service du détecteur. La figure 3D représente une étape de réduction de l'épaisseur de la ls couche protectrice IN3. Cette étape peut être réalisée par polissage mécanique. Cette étape est optionnelle et dépend de l'épaisseur de la couche IN3 à l'issue de l'étape de dépôt de la couche IN3 (figure 3C). La couche protectrice IN3 est destinée à être retirée à la mise en service du détecteur, pour ouvrir les puits DW et ainsi permettre à des atomes 20 métalliques de pénétrer dans les puits et d'atteindre les photodiodes de l'imageur CS. Le retrait de la couche IN3 peut être effectué par abrasion par exemple à l'aide d'un papier abrasif au diamant. Bien entendu, les étapes illustrées par les figures 3C et 3D peuvent être remplacées par d'autres procédés, par exemple par l'utilisation d'un film 25 adhésif disposé sur la couche IN2 afin d'obstruer les puits DW, et destiné à être retiré à la mise en service du détecteur. II est à noter que l'imageur CS diffère d'un imageur classique en ce que la surface photosensible PS de l'imageur est laissée en partie à l'air libre ou recouverte d'une mince pellicule d'isolant. Au contraire, dans les 30 imageurs classiques, les zones du substrat formant les pixels sont recouvertes de filtres colorés et de microlentilles. La figure 4 représente une des photodiodes PH formées dans le substrat semi-conducteur SUB de l'imageur CS. Le substrat est faiblement dopé par un dopage de type P. La photodiode PH comprend une couche 35 LP2 dopée P, de faible épaisseur, formée en profondeur dans le substrat, 8 une couche LN dopée N formée au dessus de la couche LP2, et une couche superficielle LP1 dopée P+, de faible épaisseur, formée au dessus de la couche LN. Les interfaces entre la couche LN et les couches LP1 et LP2 forment la jonction PN de la photodiode. La surface supérieure (sur la figure) s de la couche LP1 constitue la surface photosensible PS de la photodiode PH. La photodiode PH est isolée latéralement d'autres photodiodes formées dans le substrat SUB pour former un imageur, par des zones isolantes IN1 qui peuvent être formées dans des caissons WP dopés P+. La couche LP1 est recouverte par la couche isolante IN2 dans laquelle est formée un io anneau résistif MR et un puits DW au centre de l'anneau MR, atteignant la couche LP1 (surface photosensible PS) ou laissant une mince pellicule isolante sur la couche LP1. La figure 5 représente une photodiode PHI formée dans un substrat semi-conducteur SUB, selon un autre mode de réalisation. Le substrat est ls faiblement dopé par un dopage de type P. La photodiode PHI comprend deux zones adjacentes formées en surface du substrat, à savoir une zone ZP dopée P et une zone ZN dopée N. La photodiode PHI est isolée latéralement d'autres photodiodes adjacentes réalisées dans le substrat SUB pour former un imageur, par une zone isolante IN1 formée dans le 20 substrat autour des zones ZP et ZN. Comme précédemment décrit en référence aux figures 3A à 3D, le substrat SUB est recouvert d'une couche isolante IN2 qui est percée d'un puits DW au-dessus de chaque photodiode, pour dégager les zones ZP et ZN. La couche isolante IN2 englobe des anneaux résistifs MR formés autour de chaque photodiode PHI. Ainsi, la 25 jonction PN formée par les zones ZP, ZN, est directement exposée à la surface du substrat SUB, constituant la surface photosensible PS de la photodiode PHI. Cette disposition permet de réduire le temps nécessaire à un atome contaminant d'atteindre la zone sensible où il sera détectable. Dans les modes de réalisation des figures 4 et 5, la structure des 30 photodiodes (dimensions et formes des zones dopées, intensités des dopages) peuvent être adaptées pour obtenir une sensibilité de détection souhaitée. La figure 6 représente un dispositif de détection de métaux MDT, selon un mode de réalisation. Le dispositif MDT est installé dans une 35 canalisation OP dans laquelle circule le fluide à analyser. Le dispositif MDT 9 comprend un imageur tel que l'imageur CS décrit précédemment. La canalisation OP est configurée pour maintenir l'imageur CS à l'abri de la lumière. A cet effet, la canalisation OP peut présenter par exemple des chicanes (non représentées). La température du fluide dans la canalisation s peut être régulée pour être maintenue constante à une valeur de consigne. A cet effet, la canalisation peut être équipée de moyens de chauffage HC, d'un capteur de température et d'un circuit de régulation connecté au capteur de température et aux moyens de chauffage. Les moyens de chauffage peuvent comprendre un fil résistif enroulé autour de la canalisation OP. Dans io un autre mode de réalisation, les moyens de chauffage peuvent être associés non pas à la canalisation OP, mais au dispositif de détection MDT. Dans un autre mode de réalisation, les moyens de chauffage peuvent être omis. La mesure fournie par l'imageur peut alors être corrigée en tenant compte de la température de l'imageur, fournie par un capteur de ls température. La figure 7 représente des circuits électroniques du dispositif de détection de métaux MDT. Sur la figure 7, le dispositif MDT comprend l'imageur CS, et un processeur PRC connecté à l'imageur CS. Le processeur, par exemple de type microprocesseur ou microcontrôleur, 20 commande le temps d'intégration IT des pixels PX de l'imageur CS, et commande le chauffage des photodiodes de l'imageur en commandant la fourniture d'un courant d'alimentation HC aux anneaux résistifs MR autour des photodiodes de l'imageur. Le processeur PRC fournit des adresses AD de sélection de pixels PX de l'imageur et reçoit en retour des signaux de 25 lecture MSx des pixels sélectionnés. L'imageur CS peut être associé à un capteur de température TPS fournissant au processeur PRC des mesures de température TP de l'imageur. L'ensemble des circuits représentés sur la figure 7 peut être intégré dans un composant unique. L'imageur CS peut être commandé par le processeur PRC pour 30 réaliser périodiquement une phase de mesure de contamination. La figure 8 représente une séquence d'opérations pouvant être exécutées par le processeur PRC durant une telle phase de mesure. Chaque phase de mesure comprend des étapes S1 à S3 d'activation de l'alimentation électrique des anneaux résistifs MR autour des photodiodes de l'imageur 35 CS. La durée d'activation des anneaux résistifs MR est adaptée pour 2965620 io permettre aux éléments contaminants qui ont pu se déposer sur la surface sensible des photodiodes PH, PHI de se diffuser dans le substrat semi-conducteur au voisinage de la jonction PN formant la photodiode. L'étape de chauffage est suivie d'une étape de repos S4 durant laquelle les anneaux MR ne sont plus alimentés et refroidissent. L'étape de repos S4 est suivie d'une étape S5 de commande du temps d'intégration IT des pixels PX de l'imageur CS. Cette étape est suivie d'une séquence de lecture de l'imageur CS comprenant des étapes S6 à S8. Cette étape consiste à sélectionner successivement ou par groupes, tous les pixels PX de l'imageur, ou io seulement certains de ces pixels, pour acquérir un signal issu de chaque pixel ou groupe de pixels, et en déduire une mesure pour chaque pixel ou groupe de pixels (étape S6). A l'étape S8, les mesures obtenues sont additionnées entre elles. Le résultat de l'addition des mesures est considéré comme une mesure de contamination SMS. 15 Lorsque tous les pixels ont été lus, le processeur peut effectuer une acquisition de la température TP à l'étape S9, et déterminer à l'étape S10 une mesure de contamination corrigée f(SMS, TP) en fonction de la température acquise TP et de la mesure SMS obtenue à l'issue des étapes S6 à S8. La fonction f permettant de déterminer la mesure de contamination 20 corrigée peut être déterminée lors d'une phase de calibration, en établissant des courbes ou des abaques donnant une valeur de correction à ajouter ou à retrancher à la mesure SMS, en fonction de la température ambiante TP et éventuellement en fonction de la mesure elle-même, pour obtenir une mesure à une température de référence, par exemple à 20°C. A noter que 25 les étapes S9 et S10 peuvent être omises si la canalisation OP ou le dispositif MDT est équipé de moyens de régulation de la température ambiante. A noter également que la mesure de température TP peut aussi être effectuée avant l'acquisition des signaux issus de l'imageur CS (avant l'étape S6). 30 La séquence d'étapes de la figure 8 peut être exécutée une première fois lors d'une phase d'initialisation du détecteur MDT, sans activer les anneaux résistifs MR, pour obtenir une mesure de référence MRF représentative de l'état de l'imageur CS à sa mise en service. Une mesure de contamination corrigée peut ensuite être obtenue en retranchant la 35 mesure de référence MRF d'une mesure corrigée en température f(SMS, ii TP) pour obtenir une valeur CMS représentative d'un état de contamination de l'imageur CS. Comme le dispositif de détection fonctionne en accumulant des contaminants métalliques, la concentration d'atomes des contaminants s augmente au cours du temps. Une valeur représentative de l'évolution de l'état de contamination peut donc également être calculée en retranchant de chaque mesure corrigée, la mesure corrigée obtenue lors de la phase de mesure précédente. Grâce à ces dispositions, le dispositif de détection présente un coût io très faible. Ce dispositif permet de surveiller l'état de contamination d'un fluide en temps réel, sans avoir à prélever des échantillons, sans aucune réaction chimique, et sans qu'il soit nécessaire d'effectuer un traitement préalable d'échantillons. Ce dispositif présente également une grande sensibilité en étant capable de détecter des traces de métaux dans un fluide ls tel que l'air ou l'eau. Il apparaîtra clairement à l'homme de l'art que la présente invention est susceptible de diverses variantes de réalisation et diverses applications. En particulier, l'invention n'est pas limitée à un détecteur comprenant un imageur, mais peut être réalisée à partir d'une seule photodiode telle que la 20 photodiode PH ou PHI précédemment décrite. La mise en oeuvre de plusieurs photodiodes par l'intermédiaire d'un imageur permet simplement d'augmenter la sensibilité du détecteur. Il n'est pas non plus nécessaire de disposer le détecteur dans une canalisation dans laquelle circule le fluide à analyser. II suffit simplement que 25 le détecteur, et en particulier la surface photosensible de la photodiode ou de l'imageur soit en contact avec le fluide à analyser. REVENDICATIONS1. Procédé de détection d'atomes métalliques dans un fluide, caractérisé en ce qu'il comprend des étapes consistant à : disposer une photodiode (PH, PHI) comprenant une surface photosensible, dans une zone à l'abri de la lumière, en contact avec un s fluide à analyser, chauffer la surface photosensible (PS) de la photodiode à une température suffisante pour permettre à des atomes métalliques qui se sont déposés sur la surface photosensible de migrer au travers de la surface photosensible, 10 acquérir un signal (MSx) relatif à l'éclairement de la photodiode, et déterminer à partir du signal acquis une mesure (CMS) représentative d'un état de contamination de la photodiode par des atomes métalliques. 2. Procédé selon la revendication 1, comprenant une étape de 15 régulation de la température du fluide au voisinage de la photodiode (PH, PHI ), pour la maintenir à une valeur sensiblement constante. 3. Procédé selon la revendication 1, comprenant des étapes de mesure de la température du fluide (TP) au voisinage de la photodiode (PH, 20 PHI) et de correction de la mesure (CMS) représentative d'un état de contamination de la photodiode en fonction de la température mesurée. 4. Procédé selon l'une des revendications 1 à 3, dans lequel les étapes de chauffage de la surface photosensible de la photodiode (PH, 25 PHI), d'acquisition d'un signal représentatif de l'éclairement de la photodiode, et de détermination d'une mesure, sont effectuées périodiquement. 5. Procédé selon la revendication 4, dans lequel la mesure (CMS) est 30 corrigée en retranchant une mesure initiale ou une mesure précédente (MRF). 12 6. Procédé selon l'une des revendications 1 à 5, dans lequel la photodiode (PH, PHI) appartient à un imageur (CS) comportant une multiplicité de photodiodes et une surface photosensible au travers de laquelle peuvent migrer des atomes métalliques qui se sont déposés sur l'imageur, le procédé comprenant des étapes d'acquisition de signaux relatifs à l'éclairement de photodiodes de l'imageur et de détermination d'une mesure représentative d'un état de contamination de l'imageur en fonction des signaux acquis. 7. Procédé selon la revendication 6, comprenant des étapes consistant à recouvrir la surface photosensible de l'imageur (CS) par une couche en un matériau isolant (IN2), et creuser des puits (DW) dans la couche isolante pour permettre à des atomes métalliques d'atteindre la jonction PN de photodiodes (PH, PH2) de l'imageur. 8. Procédé selon la revendication 7, comprenant des étapes de dépôt d'une couche protectrice (IN3) sur la couche isolante (IN2), et de retrait de la couche protectrice à la mise en service de l'imageur (CS). 9. Dispositif de détection d'atomes métalliques dans un fluide, caractérisé en ce qu'il est configuré pour mettre en oeuvre le procédé selon l'une des revendications 1 à 8. 10. Dispositif selon la revendication 9, dans lequel chaque photodiode 25 (PHI) comprend une jonction PN non recouverte par une région dopée. 11. Dispositif selon la revendication 9 ou 10, comprenant une couche isolante (IN2) recouvrant la surface photosensible (PS) de chaque photodiode (PH, PHI), la couche isolante comportant un puits (DW) 30 permettant à des atomes métalliques d'atteindre la surface photosensible de chaque photodiode. 12. Dispositif selon la revendication 11, comprenant un anneau résistif (MR) formé autour du puits (DW) pour chauffer la surface 35 photosensible de la photodiode (PH, PHI) à une température suffisante pourpermettre à des atomes métalliques déposés sur la surface photosensible de la photodiode de migrer dans le matériau semi-conducteur dans lequel est formé la photodiode. s 13. Dispositif selon l'une des revendications 9 à 12, comprenant un capteur de température (TPS) pour mesurer la température ambiante au voisinage de la photodiode (PH, PHI). 14. Dispositif selon l'une des revendications 9 à 13, comprenant un 10 imageur (CS) comportant une multiplicité de photodiodes (PH, PH1), et une surface photosensible recouverte d'une couche isolante (IN2) percée de puits (DW) permettant à des atomes métalliques d'atteindre la surface photosensible de chaque photodiode. 15 15. Dispositif selon l'une des revendications 9 à 14, dans lequel chaque puits (DW) est obturé par une couche protectrice (IN3) destinée à être retirée à la mise en service du dispositif (MDT).