FR 2959028 A1 20111021 FR 1052866 A 20100415 PROCEDE DE LITHOGRAPHIE ELECTRONIQUE PAR PROJECTION DE CELLULES A GRANDE MAILLE La présente invention s'applique au domaine de la lithographie électronique. Pour permettre la gravure de motifs dont la dimension critique est inférieure à 50nm, il faut intégrer dans les procédés de photolithographie optique des méthodes de correction des distorsions optiques de plus en plus complexes à la fois au stade de la conception et de la production des masques et au stade de l'exposition. Les coûts des équipements et des développements io pour une nouvelle génération de technologie augmentent en conséquence dans des proportions très élevées. Aujourd'hui, les dimensions critiques accessibles en photolithographie sont supérieures ou égales à 65 nm. La génération 32-45 nm est en cours de développement et il n'existe pas de solution viable envisagée pour les noeuds technologiques inférieurs à 22 nm. 15 De son côté, la lithographie électronique permet dores et déjà la gravure de motifs de 22 nm ; elle ne nécessite pas de masque et offre un temps de développement assez court, ce qui permet une meilleure réactivité et flexibilité dans la réalisation d'améliorations aux technologies et aux designs. En revanche, les temps de production sont structurellement sensiblement 20 plus élevés qu'en photolithographie puisqu'il faut réaliser une exposition par pas (avec un « stepper »), alors que la photolithographie ne nécessite qu'une exposition par couche. Pour les design à motifs répétitifs tels que circuits mémoires et les mers de portes (gate arrays), on a développé une technologie de projection de cellule dans laquelle un motif complet (ou 25 cellule) est gravé en un seul shot. Une méthode de cette nature est décrite dans le brevet US 5,808,310. Dans cette technologie de projection de cellule, le technologue se pose inlassablement le problème de réduire le temps d'écriture et donc le nombre et la durée des shots pour réduire le temps et le coût de production d'un 30 composant. La présente invention apporte une réponse à ce problème en agrandissant le maillage de cellules ce qui permet de réduire le temps d'écriture. Avantageusement, dans une technologie de 22 nm de dimension critique, une cellule de 2,4 pm2 procure une réduction du nombre de shots, et donc du 35 temps de production, d'un facteur proche de 4. A cet effet, l'invention prévoit un procédé de lithographie rayonnante par projection d'au moins un bloc sur un substrat résiné comprenant une étape de fracturation dudit bloc en cellules élémentaires à projeter sur ledit substrat s et une étape de formage desdites cellules par une source rayonnante à travers au moins deux niveaux de stencils, ledit procédé étant caractérisé en ce que la maille desdites cellules élémentaires est dimensionnée par l'ouverture numérique maximale dudit procédé. io Avantageusement, le dimensionnement de la maille desdites cellules élémentaires est contrôlé par la taille d'ouvertures positionnées sur le niveau de stencil le plus proche du substrat. Avantageusement, la maille des cellules élémentaires est supérieure is d'environ 125% à la maille normale des cellules du procédé. Avantageusement, la maille normale des cellules du procédé est d'environ 1,6 pm x 1,6 pm. 20 Avantageusement, le procédé de l'invention comprend en outre une étape de calcul de la largeur de shots à implanter à l'extérieur d'un bord de bloc, une étape de calcul de modulation de dose sur les bords dudit bloc, lesdits calculs étant liés par une relation fonctionnelle faisant intervenir la latitude en énergie du procédé, et une étape d'implantation desdits shots à l'extérieur 25 dudit bloc. Avantageusement, l'étape de calcul de modulation de dose sur les bords dudit bloc comprend une sous-étape de calcul de ladite dose par convolution de la dose rayonnée avec le motif du bord. Avantageusement, l'étape de calcul de modulation de dose sur les bords dudit bloc comprend une sous-étape de calcul de ladite dose par appel d'une table de paramètres. 30 Avantageusement, le procédé de l'invention comprend en outre une étape de calcul d'au moins un espacement entre le bord du bloc et les shots à implanter à l'extérieur dudit bloc. Pour mettre en oeuvre le procédé, l'invention prévoit également un programme d'ordinateur comprenant des instructions de code de programme permettant l'exécution du procédé de lithographie rayonnante par projection d'au moins un bloc sur un substrat résiné lorsque le programme est exécuté sur un ordinateur, ledit programme comprenant un module de fracturation io dudit bloc en cellules élémentaires à projeter sur ledit substrat et un module apte à commander le formage desdites cellules par une source rayonnante à travers au moins deux niveaux de stencils, ledit programme d'ordinateur étant caractérisé en ce que ledit module est apte à commander le formage desdites cellules élémentaires à une dimension déterminée par l'ouverture 15 numérique maximale dudit procédé.. Avantageusement, ledit module est apte à commander le formage desdites cellules élémentaires par contrôle de la taille d'ouvertures positionnées sur le niveau de stencil le plus proche du substrat. 20 Avantageusement, le programme d'ordinateur de l'invention comprend en outre un module apte à effectuer le calcul de la largeur de shots à implanter à l'extérieur d'un bord de bloc et le calcul de modulation de dose sur les bords dudit bloc, lesdits calculs étant liés par une relation fonctionnelle 25 faisant intervenir la latitude en énergie du procédé, et un module apte à réaliser l'implantation desdits shots à l'extérieur dudit bloc. Avantageusement, le programme d'ordinateur de l'invention comprend en outre un module apte à effectuer le calcul d'au moins un espacement entre le 30 bord du bloc et les shots à implanter à l'extérieur dudit bloc. L'invention permet également de réduire le nombre de doses élevées (et donc le nombre de shots de longue durée). Globalement, elle procure donc une réduction cumulative des temps de production. L'invention est en outre 35 particulièrement avantageuse lorsqu'elle est appliquée sur un design à tous les blocs de plus de 5 pm de largeur, à tous les blocs opaques et aux blocs d'entrées/sorties. L'invention sera mieux comprise, ses différentes caractéristiques et 5 avantages ressortiront de la description qui suit de plusieurs exemples de réalisation et de ses figures annexées dont : - Les figures 1 a, 1 b et l c représentent respectivement les deux niveaux d'un dispositif de lithographie électronique, l'illustration de leur superposition et divers résultats de ladite superposition; io - La figure 2 représente de manière graphique la dose rayonnée par un dispositif de lithographie électronique en fonction de la dimension critique du design pour quatre types de motifs à graver ; - La figure 3 représente la manière dont est gravée une cellule dans un mode de réalisation de l'invention ; 15 - Les figures 4a et 4b représentent respectivement un ensemble de blocs à graver et cet ensemble gravé par un procédé de l'art antérieur; - Les figures 5a et 5b représentent respectivement une vue du niveau de cellules factices à graver et cet ensemble gravé par un procédé 20 selon un mode de réalisation de l'invention ; - Les figures 6a et 6b représentent respectivement une vue du niveau de cellules à graver et cet ensemble gravé par un procédé de selon une variante de l'invention ; - La figure 7 illustre le procédé de resizing des bords du bloc à graver 25 selon une variante de l'invention. Les figures 1 a, 1 b et 1c représentent respectivement les deux niveaux d'un dispositif de lithographie électronique, l'illustration de leur superposition et divers résultats de ladite superposition. 30 Dans un dispositif classique de lithographie électronique, le motif à graver est d'abord fracturé en cellules fonctionnelles élémentaires, 140a, aptes à être gravées sur un substrat résiné. Ledit substrat résiné peut être un wafer en silicium, en un autre matériau III-V ou en verre, sur lequel les fonctions d'un circuit électronique sont destinées à être gravées par écriture rayonnante 35 directe, ledit rayonnement pouvant être un rayonnement électronique ou un rayonnement ionique. Ledit substrat peut également être un masque qui sera ensuite utilisé pour graver un wafer constitué des mêmes matériaux que ci-dessus, ladite gravure utilisant un procédé de gravure électronique ou ionique ou un procédé de lithographie optique. Dans la suite de la description, le procédé de l'invention sera illustré par des exemples de réalisation selon un procédé de lithographie électronique par écriture directe sur un wafer de nature quelconque, sans que ces exemples puissent être considérés comme limitatifs du champ d'application complet de l'invention. Le procédé de l'invention est particulièrement adapté à la reproduction de io blocs fonctionnels à motifs répétitifs tels que des mémoires dynamiques, statiques, vives ou mortes, réinscriptibles ou non réinscriptibles, ainsi qu'à des circuits du type mers de portes (gate arrays). Une machine apte à réaliser le procédé de l'invention après des adaptations de son logiciel de pilotage et/ou d'au moins un des supports de stencils, qui 15 sont explicitées dans la suite de la description est par exemple une machine de marque VISTECTM ou ADVANTESTTM Dans un tel procédé servant d'exemple de réalisation, une source d'électrons, 110a, rayonne sur le substrat par l'intermédiaire de deux niveaux de stencils, 120a et 130a, qui comportent des figures élémentaires telles que 20 des carrés, des rectangles ou des triangles, représentés sur la figure l c. Les figures élémentaires des deux niveaux de stencils, 120a et 130a, sont composées entre elles, de telle sorte que les dimensions de la cellule élémentaire qui sera gravée sur le substrat, 140a, correspondent au design recherché. La composition des deux stencils est effectuée de manière 25 connue de l'homme de l'art. Un logiciel configuré à cet effet pilote la rotation des supports des stencils pour que les figures élémentaires des deux stencils soient correctement alignées au moment de l'émission du shot par la source d'électrons, 110a. Selon l'invention, la maille d'une cellule élémentaire 140a qui est gravée sur 30 le substrat est choisie la plus grande possible en fonction des paramètres de la machine utilisée tels que garantis par le constructeur pour une résolution optimale sur des motifs. Ainsi lorsque la résolution de la machine de lithographie est garantie par le constructeur pour une maille de 1,6 pm x 1,6 pm, ce qui correspond à une technologie de dimension critique de 45 et 32 35 nm, il est possible d'utiliser une maille d'environ 2,4 pm x 2,4 pm pour des motifs à graver qui ne comportent pas de lignes à haute résolution. Il s'agit de l'ouverture numérique maximale de la machine, qui est utilisable sans perte de résolution dans le cas de ces applications. On obtient ainsi une augmentation de 125% de la superficie de la maille moyenne des cellules au s milieu du motif, soit une division par deux environ du nombre de shots et donc du temps d'exposition.. Malgré ses avantages, l'augmentation de la taille des cellules n'est pas une idée qui vient naturellement à l'esprit de l'homme du métier dont la priorité est l'amélioration de la résolution. Il en est même dissuadé par les fabricants de machines qui imposent normalement io un réglage de l'ouverture numérique moyen permettant l'utilisation sans modification du réglage de la machine pour tous types de motifs, notamment à haute résolution. Ainsi, Vistec garantit ses performances pour une maille de 1,6 x 1,6 pm au maximum, alors qu'il est possible d'utiliser avantageusement des shots de taille bien plus grande (2,4 pm x 2,4 pm). On 15 peut envisager d'aller encore au-delà avec d'autres machines. En outre, une modification de l'ouverture numérique sur le premier stencil impose une procédure de réglage complexe. En revanche, il est possible de modifier l'ouverture numérique sur le 2ème stencil sans réglage des paramètres machine. 20 La figure 2 représente de manière graphique la dose rayonnée par un dispositif de lithographie électronique en fonction de la dimension du design pour quatre types de motifs à graver. Les quatre courbes, 210, 220, 230 et 240 représentent les évolutions de 25 doses nécessaires pour graver des motifs en fonction de leur dimension dans quatre cas, respectivement : - Une 1 ère ligne insérée dans un réseau dense où les lignes et les espaces ont des largeurs égales (1 :1); - Une 2ème ligne insérée dans un réseau semi-dense où les 30 espaces ont une largeur égale à deux fois celle des lignes (1 :2); - Une ligne isolée ; - Un ensemble de points de contact. La droite verticale, 250, représente la dimension critique du procédé. La figure 3 représente la manière dont est gravée une cellule dans un mode de réalisation de l'invention. Les deux niveaux de stencil 120a et 130a doivent être positionnés l'un part rapport à l'autre de manière dynamique de telle manière que la source s d'électrons, 110a, puisse combiner les deux ouvertures de ces stencils pour graver sur le substrat une cellule 140a de maille moyenne de 2,4 pm x 2,4 pm, ou une autre maille correspondant à l'ouverture numérique maximale de la machine de lithographie utilisée. io Les figures 4a et 4b représentent respectivement un ensemble de blocs à graver et cet ensemble gravé par un procédé de l'art antérieur. La figure 4a représente le bloc à graver après fracturation. La figure 4b représente le bloc gravé. 15 Les figures 5a et 5b représentent respectivement une vue du niveau de cellules à graver et cet ensemble gravé par un procédé selon un mode de réalisation de l'invention. La figure 5a représente le bloc à graver après fracturation. On note sur le bord, une bande 510a qui représente une dose rayonnée ajoutée à 20 l'extérieur du motif à graver. Cette bande est présente à titre de variante. Dans ce mode de réalisation avantageux, on laisse un espace entre le motif à graver et la bande rajoutée et, éventuellement, on ajoute au moins une deuxième bande extérieure séparée également de la première par un espace. Dans toutes les configurations, cet espacement améliore la latitude 25 en énergie du procédé. Expérimentalement, on constate qu'un espacement compris entre 0,2 fois la largeur de bande et 3 fois la largeur de bande est efficace. selon le procédé divulgué par la demande de brevet déposée par la demanderesse de la présente demande sous le numéro 1052862. Dans le procédé décrit par cette demande de brevet, qui vise une correction 30 des effets de proximité inhérents aux procédés de lithographie pour les géométries inférieures à 50 nm, on calcule la dose à appliquer à l'extérieur du motif soit par convolution de la dose rayonnée avec le motif à graver soit en utilisant une table de paramètres. Le calcul combiné de la modulation de dose à appliquer et de la taille du motif nouveau est effectué de manière à préserver la latitude en énergie du procédé selon un calcul dont un exemple est donné ci-dessous en commentaire à la figure 7. La figure 5b représente le bloc gravé. La comparaison visuelle des figures 4b et 5b permet de constater la diminution très importante du nombre de cellules et donc du temps d'exposition qui résulte de l'utilisation du procédé de l'invention. Une des difficultés liées à l'utilisation du procédé de l'invention est le contrôle de l'ouverture numérique sur le premier stencil. En effet, cette procédure io suppose en règle générale un setup complet. En revanche, le redimensionnement des motifs sur le deuxième stencil permet d'obtenir une augmentation de l'ouverture sans avoir à effectuer ce setup. Cette variante de réalisation est donc particulièrement avantageuse. 15 Les figures 6a et 6b représentent respectivement une vue du niveau de cellules à graver et cet ensemble gravé par un procédé de selon une autre variante de l'invention. Sur la figure 6a, on observe un espacement, 620a, entre la bande ajoutée à l'extérieur du motif, 510a, de la figure 5a et le motif à graver. Dans certaines 20 configurations, cet espacement permet d'optimiser la latitude en énergie du procédé. Un autre mode de réalisation avantageux consiste à laisser un espace entre le motif à graver et la bande rajoutée et, éventuellement, à ajouter au moins une deuxième bande extérieure séparée également de la première par un espace. Dans toutes les configurations, cet espacement 25 améliore la latitude en énergie du procédé. Expérimentalement, on constate qu'un espacement compris entre 0,2 fois la largeur de bande et 3 fois la largeur de bande est efficace. Le calcul du positionnement de la bande supplémentaire 510a est illustré par la figure 7 dans un mode de réalisation où la modulation de dose est calculée 30 à partir d'une convolution de la dose rayonnée avec le motif à graver. La géométrie du motif additionnel est ensuite modifiée dans au moins une dimension pour optimiser la latitude en énergie du procédé. Plus précisément, on calcule le déplacement, 750, à effectuer selon cette dimension en recherchant l'intersection de la droite, 740, tangente à la 35 courbe de dose reçue, 720, au point où la dose reçue est égale au seuil de sensibilité de la résine à 0,5 avec la droite, 730, qui matérialise ledit seuil de sensibilité, puis en effectuant le déplacement vers le point d'intersection de cette dernière droite avec le profil de la dose rayonnée, 710. Le calcul combiné dose/motifs peut être itéré deux ou trois fois. s La modulation de la dose à appliquer sur les motifs peut également être calculée à partir d'une table de paramètres sans calcul de convolution, notamment lorsque la modulation n'est appliquée que sur les shots extérieurs aux motifs, les autres shots étant appliqués à la valeur normalisée du procédé, ou à une valeur inférieure de l'ordre de 30% à celle-ci. io La méthode de l'invention a été décrite dans un exemple d'application à un procédé de lithographie électronique par écriture directe. Elle peut également être appliquée à un autre procédé d'écriture directe utilisant d'autres particules telles que des ions ou à des procédés de lithographie électronique 15 ou à un procédé d'écriture optique utilisant des masques. Les exemples décrits ci-dessus sont donc donnés à titre d'illustration certains de modes de réalisation de l'invention. Ils ne limitent en aucune manière le champ de l'invention qui est défini par les revendications qui suivent. REVENDICATIONS1. Procédé de lithographie rayonnante par projection d'au moins un bloc sur un substrat résiné comprenant une étape de fracturation dudit bloc en cellules élémentaires (140a) à projeter sur ledit substrat et une étape de formage desdites cellules par une source rayonnante (110a) à travers au moins deux niveaux de stencils (120a, 130a), ledit procédé étant caractérisé io en ce que la maille desdites cellules élémentaires (140a) est dimensionnée par l'ouverture numérique maximale dudit procédé. 2. Procédé de lithographie selon la revendication 1, caractérisé en ce que le dimensionnement de la maille desdites cellules élémentaires est 15 contrôlé par la taille d'ouvertures positionnées sur le niveau de stencil (130a) le plus proche du substrat. 3. Procédé de lithographie selon l'une quelconque des revendications 1 à 2, caractérisé en ce que la maille des cellules 20 élémentaires (140a) est supérieure d'environ 125% à la maille normale des cellules du procédé. 4. Procédé de lithographie selon la revendication 3, caractérisé en ce que la maille normale des cellules du procédé est d'environ 1,6 pm x 1,6 25 pm. 5. Procédé de lithographie selon l'une quelconque des revendications 1 à 4, caractérisé en ce qu'il comprend en outre une étape de calcul de la largeur de shots à implanter à l'extérieur d'un bord de bloc, une 30 étape de calcul de modulation de dose sur les bords dudit bloc, lesdits calculs étant liés par une relation fonctionnelle faisant intervenir la latitude en énergie du procédé, et une étape d'implantation desdits shots à l'extérieur dudit bloc. 35 6. Procédé de lithographie selon la revendication 5, caractérisé en ce que l'étape de calcul de modulation de dose sur les bords dudit bloccomprend une sous-étape de calcul de ladite dose par convolution de la dose rayonnée avec le motif du bord. 7. Procédé de lithographie selon la revendication 5, caractérisé en s ce que l'étape de calcul de modulation de dose sur les bords dudit bloc comprend une sous-étape de calcul de ladite dose par appel d'une table de paramètres. 8. Procédé de lithographie selon l'une quelconque des io revendications 6 à 7, caractérisé en ce qu'il comprend en outre une étape de calcul d'au moins un espacement entre le bord du bloc et les shots à implanter à l'extérieur dudit bloc. 9. Programme d'ordinateur comprenant des instructions de code 15 de programme permettant l'exécution du procédé de lithographie rayonnante par projection d'au moins un bloc sur un substrat résiné selon la revendication 1 lorsque le programme est exécuté sur un ordinateur, ledit programme comprenant un module de fracturation dudit bloc en cellules élémentaires à projeter sur ledit substrat et un module apte à commander le 20 formage desdites cellules par une source rayonnante à travers au moins deux niveaux de stencils, ledit programme d'ordinateur étant caractérisé en ce que ledit module est apte à commander le formage desdites cellules élémentaires à une dimension déterminée par l'ouverture numérique maximale dudit procédé.. 25 10. Programme d'ordinateur selon la revendication 9, caractérisé en ce ledit module est apte à commander le formage desdites cellules élémentaires par contrôle de la taille d'ouvertures positionnées sur le niveau de stencil (130a) le plus proche du substrat. 30 11. Programme d'ordinateur selon l'une quelconque des revendications 9 à 10, caractérisé en ce qu'il comprend en outre un module apte à effectuer le calcul de la largeur de shots à implanter à l'extérieur d'un bord de bloc et le calcul de modulation de dose sur les bords dudit bloc, 35 lesdits calculs étant liés par une relation fonctionnelle faisant intervenir lalatitude en énergie du procédé, et un module apte à réaliser l'implantation desdits shots à l'extérieur dudit bloc. 12. Programme d'ordinateur selon l'une quelconque des s revendications 9 à 11, caractérisé en ce qu'il comprend en outre un module apte à effectuer le calcul d'au moins un espacement entre le bord du bloc et les shots à implanter à l'extérieur dudit bloc. io