FR 2961033 A1 20111209 FR 1054504 A 20100608 B10278 - 10-T0-089 1 PROTECTION ANTI-FOUDRE POUR LIAISON TÉLÉPHONIQUE Domaine de l'invention La présente invention concerne une structure de protection d'un circuit électronique connecté à une ligne de liaison téléphonique contre des surtensions rapides, dues par exemple à la foudre. Exposé de l'art antérieur La figure 1 représente de façon très schématique un circuit électronique 1 connecté à des rails 3 et 5 d'une liaison téléphonique 7. Le circuit 1 est adapté à émettre et/ou à recevoir des signaux, respectivement VTIp et VRING, sur les rails 3 et 5. Les signaux VTIp et VRING sont par exemple des signaux de parole, des signaux de sonnerie, etc. Le circuit 1 est en outre connecté à des bornes d'alimentation 9 de potentiel haut VH et 11 de potentiel bas VL. Le circuit 1 est par exemple un circuit de type SLIC, de l'anglais "Subscriber Line Interface Circuit", adapté à faire interface entre une ligne de liaison téléphonique analogique, et des équipements numériques d'un réseau téléphonique. Des surtensions ponctuelles brutales, dues par exemple à la foudre, peuvent survenir sur les rails 3 et/ou 5. Ces surtensions sont susceptibles d'endommager des composants du circuit 1. On prévoit donc généralement de connecter à la ligne B10278 - 10-T0-089 2 téléphonique 7, entre les rails 3 et 5, une structure de protection 13, capable d'évacuer rapidement des courants importants susceptibles d'apparaître lorsqu'une surtension survient sur le rail 3 et/ou sur le rail 5. Dans un exemple, la structure 13 comprend des thyristors 15, 17, 19 et 21, respectivement connectés en direct entre la masse et le rail 3, entre le rail 3 et la masse, entre la masse et le rail 5, et entre le rail 5 et la masse. La structure 13 comprend en outre des diodes Zener 23, 25, 27 et 29, respectivement connectées en direct entre une gâchette de cathode du thyristor 15 et la masse, entre la masse et une gâchette d'anode du thyristor 17, entre une gâchette de cathode du thyristor 19 et la masse, et entre la masse et une gâchette d'anode du thyristor 21. On notera que le terme "masse" désigne ici un potentiel de référence commun à tous les éléments du dispositif, par exemple un potentiel proche de 0 V. En pratique, la structure 13 pourra être reliée à la masse via une borne de masse du circuit 1, ou via un rail de masse (non représenté) compris dans la liaison 7. Dans la suite de la description, on désignera par "potentiel positif" et "potentiel négatif", des potentiels respectivement supérieur au potentiel de masse et inférieur au potentiel de masse, et chaque fois que des valeurs numériques de potentiel seront données en exemple, on considèrera que ces valeurs font référence à un potentiel de masse égal à 0 V. En cas de surtension positive sur le rail 3, le thyristor 17, polarisé en direct, est susceptible d'être rendu passant. Si la surtension dépasse un certain seuil, la diode Zener 25 devient passante par effet d'avalanche. Il circule alors un courant entre le rail 3 et la masse, passant par la jonction PN entre l'anode et la gâchette d'anode du thyristor 17, et par la diode Zener 25. Le thyristor 17 est donc rendu passant et la surtension est évacuée vers la masse. B10278 - 10-T0-089 3 En cas de surtension négative sur le rail 3, le thyristor 15 est susceptible d'être rendu passant. Si la surtension dépasse un certain seuil, la diode Zener 23 devient passante par effet d'avalanche pour la surtension négative. Il circule alors un courant négatif entre le rail 3 et la masse, passant par la jonction PN entre la gâchette de cathode et la cathode du thyristor 15. Le thyristor 15 est donc rendu passant et la surtension est évacuée vers la masse. En cas de surtension positive ou négative sur le rail 5, un schéma d'évacuation similaire s'applique, à travers les thyristors 21 ou 19 et les diodes Zener 29 ou 27. Ainsi, la structure 13 permet d'évacuer toute surtension susceptible de survenir sur les rails 3 et 5. Le seuil de déclenchement pour une surtension positive est donc égal à la tension d'avalanche d'une diode Zener (25 ou 29) plus la chute de tension en direct d'une jonction PN (de l'ordre de 0,6 V). Le seuil de déclenchement pour une surtension négative est égal à l'opposé de la tension d'avalanche d'une diode Zener (23 ou 27) moins la chute de tension en direct d'une jonction PN. Un inconvénient de ce type de structure est que les tensions d'avalanche des diodes Zener doivent être adaptées aux valeurs maximale et minimale susceptibles d'être prises par les signaux VTIp et VRING lors du fonctionnement normal du dispositif. Ceci conduit en fait, pour tenir compte de la dispersion des composants, à choisir des tensions d'avalanche nettement supérieures aux excursions normales des signaux VTIP et VRING par rapport à la masse. La figure 2 est un schéma électrique correspondant au schéma de la figure 1, dans lequel la structure de protection 13 à seuils de déclenchement fixes a été remplacée par une structure de protection 31 dont les seuils de déclenchement sont liés aux tensions d'alimentation du circuit 1. La structure 31 est connectée non seulement aux rails 3 et 5, mais aussi aux bornes d'alimentation 9 et 11 du circuit 1 à protéger. Elle B10278 - 10-T0-089 4 comprend des thyristors 15, 17, 19 et 21, connectés comme en figure 1. La structure 31 comprend en outre un transistor NPN 33, un transistor PNP 35, un transistor NPN 37 et un transistor PNP 39. Les émetteurs des transistors 33, 35, 37 et 39 sont respectivement connectés à la gâchette de cathode du thyristor 15, à la gâchette d'anode du thyristor 17, à la gâchette de cathode du thyristor 19, et à la gâchette d'anode du thyristor 21. Les collecteurs de ces transistors sont tous connectés à la masse. Les bases des transistors 33 et 37 sont connectées à la borne d'alimentation basse 11 (VL), et les bases des transistors 35 et 39 sont connectées à la borne d'alimentation haute 9 (VH). En cas de surtension positive sur le rail 3, le thyristor 17, polarisé en direct, est susceptible d'être rendu passant. La surtension est reportée par la jonction PN entre l'anode et la gâchette d'anode du thyristor 17 sur l'émetteur du transistor 35. Si la surtension dépasse un certain seuil, le potentiel de l'émetteur du transistor 35 dépasse le potentiel de base de ce transistor (c'est à dire VH) qui devient passant. Il circule alors un courant entre le rail 3 et la masse, passant de l'anode à la gâchette d'anode du thyristor 17, et par le transistor 35. Le thyristor 17 est donc rendu passant et la surtension est évacuée vers la masse. Les autres polarités de surtensions sont évacuées de façon similaire par l'un des autres thyristors, en notant que les surtensions négatives sont référencées à un seuil lié au potentiel d'alimentation basse VL. Le seuil de déclenchement pour une surtension positive est donc égal au potentiel d'alimentation haute VH plus deux fois la chute de tension en direct d'une jonction PN (de l'ordre de 1,2 V). Le seuil de déclenchement pour une surtension négative est égal au potentiel d'alimentation basse VL moins deux fois la chute de tension en direct d'une jonction PN. On utilise ce type de structure lorsque les potentiels d'alimentation VH et VL du circuit à protéger, présents sur des bornes du circuit, correspondent aux valeurs maximales et B10278 - 10-T0-089 minimales susceptibles d'être prises, en fonctionnement normal, par les signaux VTIp et VRING- On utilise également ce type de structure lorsque le circuit à protéger comprend des bornes de référence entre lesquelles est établie une tension de référence 5 correspondant au niveau de tension des signaux présents sur la ligne. Toutefois, la structure 31 présente l'inconvénient de perturber les potentiels des bornes de référence auxquelles elle est connectée. Dans certains cas, le circuit à protéger reçoit sur ses bornes d'accès une tension d'alimentation de niveau très inférieur au niveau de tension des signaux VTlp et VRING. Le circuit à protéger comprend alors des convertisseurs pour fournir des niveaux de tension adaptés à la ligne téléphonique, et ces niveaux de tension ne sont pas accessibles sur des bornes d'accès du circuit. Résumé Ainsi, un objet d'un mode de réalisation de la présente invention est de prévoir une structure de protection d'un circuit connecté à une ligne téléphonique, palliant au moins en partie certains des inconvénients des solutions existantes. Un objet d'un mode de réalisation de la présente invention est de prévoir une structure de protection auto-adaptative, c'est-à-dire dont les seuils de déclenchement s'adaptent automatiquement aux niveaux de tension des signaux qui parcourent la ligne téléphonique dans un mode de fonctionnement donné. Un objet d'un mode de réalisation de la présente invention est de prévoir une telle structure ne nécessitant pas la connaissance préalable des niveaux de tension des signaux qui parcourent la ligne téléphonique. Un objet d'un mode de réalisation de la présente invention est de prévoir une telle structure ne nécessitant pas d'être connectée à des bornes de référence définissant le niveau de tension des signaux parcourant la ligne. B10278 - 10-T0-089 6 Ainsi, un mode de réalisation de la présente invention prévoit une structure de protection d'un circuit connecté à des premier et second rails d'une liaison téléphonique contre des surtensions, comprenant : des première et deuxième diodes en anti-série entre les premier et second rails ; un premier condensateur en parallèle avec une première résistance entre un premier noeud commun aux première et deuxième diodes et un point de potentiel bas de référence ; et un élément de protection adapté à évacuer des surtensions rapides entre l'un quelconque des rails et le point de potentiel bas de référence lorsque ces surtensions dépassent un premier seuil lié au potentiel du premier noeud. Selon un mode de réalisation de la présente invention, le premier seuil est un seuil bas inférieur au potentiel bas de 15 référence. Selon un mode de réalisation de la présente invention, la structure de protection comprend en outre : des troisième et quatrième diodes en anti-série entre les premier et second rails, les première et quatrième diodes étant reliées en série, 20 et les deuxième et troisième diodes étant reliées en série ; et un second condensateur en parallèle avec une seconde résistance entre un second noeud commun aux troisième et quatrième diodes et ledit point de potentiel bas, dans lequel l'élément de protection est adapté à évacuer des surtensions rapides entre 25 l'un quelconque des rails et le point de potentiel bas lorsque ces surtensions dépassent un second seuil lié au potentiel du second noeud. Selon un mode de réalisation de la présente invention, le second seuil est un seuil haut, supérieur au potentiel bas de 30 référence. Selon un mode de réalisation de la présente invention, l'élément de protection comprend : des premier à quatrième thyristors connectés en direct, respectivement entre le point de potentiel bas et le premier rail, entre le premier rail et le 35 point de potentiel bas, entre le point de potentiel bas et le B10278 - 10-T0-089 7 second rail, et entre le second rail et le point de potentiel bas ; et des premier et second transistors NPN, et des premier et second transistors PNP, dont les émetteurs sont respectivement connectés à une gâchette de cathode du premier thyristor, à une gâchette de cathode du troisième thyristor, à une gâchette d'anode du deuxième thyristor, et à une gâchette d'anode du quatrième thyristor, et dont les collecteurs sont connectés au point de potentiel bas, les bases des transistors PNP étant connectées au second noeud commun, et les bases des transistors NPN étant connectées au premier noeud commun. Selon un mode de réalisation de la présente invention, l'élément de protection comprend des premier et second thyristors, connectés en direct, respectivement entre le point de potentiel bas et le premier rail, et entre le point de potentiel bas et le second rail ; des premier et deuxième transistors NPN dont les émetteurs sont respectivement connectés à une gâchette de cathode du premier thyristor, et à une gâchette de cathode du deuxième thyristor, dont les collecteurs sont connectés au point de potentiel bas, et dont les bases sont connectées au premier noeud commun ; et des troisième et quatrième diodes connectées en direct respectivement entre le premier rail et le point de potentiel bas, et entre le second rail et le point de potentiel bas. Selon un mode de réalisation de la présente invention, le premier condensateur a une capacité comprise entre 100 et 300 nF, et la première résistance est comprise entre 3 et 6 MS . Un autre mode de réalisation de la présente invention prévoit un circuit d'interface de ligne d'abonné associé à une structure de protection du type susmentionné. Un autre mode de réalisation de la présente invention prévoit un procédé de protection d'un circuit intégré connecté à des premier et second rails d'une ligne téléphonique contre des surtensions, comprenant les étapes suivantes mémoriser, pendant une phase d'initialisation, le niveau de tension maximal ou minimal des signaux appliqués aux premier et second rails ; B10278 - 10-T0-089 8 et déclencher un élément de protection connecté entre les premier et second rails et à un point de potentiel bas de référence, lorsqu'une surtension rapide dépassant un seuil lié audit niveau maximal ou minimal, survient entre l'un quelconque des rails et le point de potentiel bas de référence. Brève description des dessins Ces objets, caractéristiques et avantages, ainsi que d'autres seront exposés en détail dans la description suivante de modes de réalisation particuliers faite à titre non-limitatif en relation avec les figures jointes parmi lesquelles : la figure 1, précédemment décrite, représente de façon schématique un dispositif comprenant un circuit connecté à des rails d'une ligne téléphonique, et une structure de protection de ce circuit contre des surtensions ; la figure 2, précédemment décrite, représente de façon schématique un autre exemple d'une structure de protection contre des surtensions d'un circuit connecté à des rails d'une ligne téléphonique ; les figures 3A à 3C sont des chronogrammes illustrant de façon schématique des exemples d'évolution de signaux parcourant, en fonctionnement normal, les rails d'une ligne téléphonique ; la figure 4 représente de façon schématique un mode de réalisation d'une structure de protection auto-adaptative d'un circuit connecté à des rails d'une ligne téléphonique ; et la figure 5 représente de façon schématique un autre mode de réalisation d'une structure de protection auto-adaptative, spécifiquement adaptée au cas où seuls des signaux négatifs sont appliqués sur la ligne téléphonique. Description détaillée Par souci de clarté, de mêmes éléments ont été désignés par de mêmes références dans les différentes figures. Dans un réseau téléphonique, plusieurs modes de fonctionnement sont possibles, dans lesquels les signaux VT1p et B10278 - 10-T0-089 9 VRING parcourant les rails 3 et 5 de la ligne téléphonique 7 (figures 1 et 2) sont à des niveaux de tension très différents. Les figures 3A à 3C sont des chronogrammes illustrant de façon schématique des exemples d'évolution des signaux VTIp et VRING pendant le fonctionnement normal du réseau téléphonique. La figure 3A correspond à un mode de fonctionnement dans lequel la ligne 7 est parcourue par un signal de sonnerie à l'attention d'un abonné du réseau. On parlera ci-après de "mode sonnerie". Dans ce cas, le signal VTIp est un signal sinusoïdal d'amplitude crête à crête de 284 V, centré sur -46 V, de fréquence égale à 50 Hz. Le signal VRING est un signal continu de -2 V. La figure 3B correspond au cas où la ligne 7 est inactive, c'est-à-dire qu'aucune communication n'est établie ou sur le point de s'établir. On parlera ci-après de "mode veille". Dans ce cas, les signaux VTIp et VRING sont des signaux continus, respectivement de -46 V et -2 V. La figure 3C correspond à un mode de fonctionnement dans lequel la ligne 7 est parcourue par un signal de parole. On parlera ci-après de "mode parole". Dans ce cas, le signal VTIp est un signal sonore modulé d'amplitude crête à crête égale à 2,8 V, centré sur -46 V. Le signal VRING est également un signal d'amplitude crête à crête égale à 2,8 V, mais centré sur -2 V. D'autres modes de fonctionnements, non représentés, peuvent également être rencontrés, dans lesquels les signaux VTIp et VRING prennent des formes et/ou des niveaux de tension différents. La figure 4 représente de façon schématique un mode de réalisation d'une structure auto-adaptative 41 de protection contre des surtensions d'un circuit 1 connecté à des rails 3 et 5 d'une ligne téléphonique 7. Le circuit 1 est par exemple adapté à émettre et/ou à recevoir, sur les rails 3 et 5, des signaux VTIp et VRING du type décrit en relation avec les figures 3A à 3C. Dans cet exemple, le circuit 1 est connecté à B10278 - 10-T0-089 10 des bornes d'alimentation 43 de potentiel haut VDD et 45 de potentiel bas (ici la masse). Le potentiel VDD est par exemple d'approximativement 5 V. La structure 41 comprend un élément de protection 31 similaire à celui décrit en relation avec la figure 2. Cet élément de protection est connecté entre les rails 3 et 5, comme en figure 2. Les bases des transistors 33 et 37 de l'élément 31 sont connectées à un noeud N, et les bases des transistors 35 et 39 de l'élément 31 sont connectées à un noeud P. L'élément de protection 31 est capable d'évacuer rapidement des courants importants lorsqu'une surtension positive, de niveau supérieur à un seuil lié au potentiel du noeud P, ou négative, de niveau inférieur à un seuil lié au potentiel du noeud N, survient sur le rail 3 ou sur le rail 5. Le seuil de déclenchement pour une surtension positive est égal au potentiel du noeud P plus deux fois la chute de tension en direct d'une jonction PN (de l'ordre de 1,2 V). Le seuil de déclenchement pour une surtension négative est égal au potentiel du noeud N moins deux fois la chute de tension en direct d'une jonction PN. La structure de protection 41 comprend en outre un élément 49 adapté à mémoriser le niveau de tension des signaux VT1P et VRING parcourant les rails 3 et 5, pendant le fonctionnement normal du réseau. L'élément de mémorisation 49 comprend des diodes 51, 53, 55 et 57, connectées en direct, respectivement entre le rail 5 et le noeud P, entre le rail 3 et le noeud P, entre le noeud N et le rail 3, et entre le noeud N et le rail 5. L'élément 49 comprend en outre une résistance 59 en parallèle avec un condensateur 61, entre le noeud P et la masse, et une résistance 63 en parallèle avec un condensateur 65, entre le noeud N et la masse. Lorsque la structure de protection 41 n'est pas connectée, ou lorsque les rails 3 et 5 sont laissés flottants, les condensateurs 61 et 65 sont déchargés. Ainsi, à un instant B10278 - 10-T0-089 11 t0 de mise en route de la portion de réseau comprenant le circuit 1, les rails 3 et 5, et la structure 41, les potentiels des noeuds N et P sont sensiblement égaux au potentiel de masse. Les diodes 51 et 53 sont passantes pour des signaux VRING et VTIp positifs de niveau supérieur à leur chute de tension en direct VF (de l'ordre de 0,6 V), et non passantes pour des signaux de niveau inférieur à VF. Les diodes 55 et 57 sont passantes pour des signaux VTIp et VRING négatifs de niveau inférieur à -VF et non 10 passantes pour des signaux de niveau supérieur à -VF. Si l'un au moins des signaux VTIp et VRING atteint un niveau positif supérieur à VF, le condensateur 61 se charge progressivement à une valeur VMAX - VF, VMAX étant le niveau maximal atteint par le plus positif des signaux VTlp et VRING. 15 Ainsi, après un temps d'initialisation, le potentiel du noeud P se stabilise à V - VF. En revanche, si les signaux VTIp et VRING restent tous deux inférieurs à VF, le potentiel du noeud P est maintenu égal au potentiel de masse. 20 Si l'un au moins des signaux VTIp et VRING atteint un niveau négatif inférieur à -VF, le condensateur 65 se charge progressivement à une valeur VMIN + VF, VMIN étant le niveau minimal atteint par le plus négatif des signaux VTlp et VRING. Ainsi, après un temps d'initialisation, le potentiel du noeud N 25 se stabilise à VMIN + VF. En revanche, si les signaux VTIp et VRING restent tous deux supérieurs à -VF, le potentiel du noeud N est maintenu égal au potentiel de masse. A titre d'exemple, lorsque le dispositif est en mode 30 sonnerie (voir figure 3A), après une période d'initialisation, le potentiel du noeud P se stabilise à V - VF, et le potentiel du noeud N se stabilise à VMIN + VF. Les seuils de déclenchement haut et bas de la structure de protection 41 en cas de surtension brutale, s'établissent donc respectivement à : 35 VMAX - VF + 2VF = VMAX + VF (= 96,6 V dans cet exemple), et B10278 - 10-T0-089 12 VMIN + VF - 2VF = VMIN - VF (= -188,6 V dans cet exemple). Lorsque le dispositif est en mode veille (voir figure 3B), après une période d'initialisation, les seuils de déclenchement haut et bas de la structure de protection 41 en cas de surtension brutale, s'établissent respectivement à : VGND + 2VF, où VGND est le potentiel de masse, et VMIN + VF - 2VF = VMIN - VF, soit 1,2 V et -46,6 V dans cet exemple. Lorsque le dispositif est en mode parole (voir figure 3C), après une période d'initialisation, les seuils de déclenchement haut et bas de la structure de protection 41 en cas de surtension brutale, s'établissent respectivement à : VGND + 2VF (= 1,2 V dans cet exemple), et VMIN + VF - 2VF = VMIN - VF (= -47,4 V - 0,6 V = -48 V dans cet 15 exemple). La structure de protection proposée permet d'évacuer tout type de surtension brutale, positive ou négative, susceptible de survenir sur la ligne téléphonique. Un avantage d'une telle structure est que les seuils 20 de déclenchement de la protection s'adaptent automatiquement, après une courte période d'initialisation, au niveau de tension des signaux parcourant la ligne, et ce alors que la structure de protection est reliée uniquement aux rails 3 et 5 de la ligne et à la masse. 25 Cette structure de protection peut donc être utilisée quel que soit le circuit à protéger, même lorsque les niveaux de tension minimal et maximal des signaux susceptibles de parcourir la ligne téléphonique ne sont pas connus au préalable. Les capacités des condensateurs 61 et 65 doivent être 30 choisies suffisamment faibles pour permettre une charge rapide à la mise en route du dispositif ou lors d'un changement de mode de fonctionnement. De plus, le condensateur 61 et la résistance 59 d'une part, et le condensateur 65 et la résistance 63 d'autre part, doivent définir des produits R * C suffisamment élevés 35 pour conduire à une décharge relativement lente des B10278 - 10-T0-089 13 condensateurs. En particulier, dans le mode sonnerie, les condensateurs 61 et 65 ne doivent pas se décharger de façon significative entre deux crêtes du signal sinusoïdal à 50 Hz. Les inventeurs ont déterminé que des condensateurs présentant une capacité comprise entre 100 et 300 nF, et capables de tenir une tension de l'ordre de 250 V, et des résistances de 3 à 6 MQ, constituent généralement un bon compromis. Ces valeurs sont en outre compatibles avec une intégration des condensateurs. L'invention ne se restreint toutefois pas à ces valeurs particulières. La figure 5 représente de façon schématique un mode de réalisation simplifié d'une structure de protection auto-adaptative 71, spécifiquement adaptée au cas où la ligne téléphonique est parcourue uniquement par des signaux VT1P et VRING négatifs. La structure 71 comprend un élément de protection 73, connecté entre les rails 3 et 5 et à un noeud N, capable d'évacuer rapidement des courants importants lorsqu'une surtension positive supérieure à la chute de tension en direct d'une diode, ou négative de niveau inférieur à un seuil lié au potentiel du noeud N, survient sur le rail 3 ou sur le rail 5. Dans cet exemple, l'élément de protection 73 comprend, des thyristors 75 et 77, connectés en direct, respectivement entre la masse et le rail 3, et entre la masse et le rail 5, et des diodes 79 et 81, connectées en direct, respectivement entre le rail 3 et la masse, et entre le rail 5 et la masse. L'élément de protection 73 comprend en outre des transistors NPN 83 et 85. Les émetteurs des transistors 83 et 85 sont respectivement connectés à la gâchette de cathode du thyristor 75, et à la gâchette de cathode du thyristor 77. Les collecteurs de ces transistors sont connectés à la masse, et leurs bases sont connectées au noeud N. Le seuil de déclenchement pour une surtension positive est égal à la chute de tension en direct VF d'une diode (79 ou 81). Le seuil de déclenchement pour une surtension négative est B10278 - 10-T0-089 14 égal au potentiel du noeud N moins deux fois la chute de tension en direct d'une jonction PN. La structure de protection 71 comprend en outre un élément 87 adapté à mémoriser le niveau de tension le plus négatif des signaux VT1P et VRING parcourant les rails 3 et 5, pendant le fonctionnement normal du réseau. L'élément de mémorisation 87 comprend des diodes 91 et 93, connectées en direct, respectivement entre le noeud N et le rail 5, et entre le noeud N et le rail 3. L'élément 87 comprend en outre une résistance 95 en parallèle avec un condensateur 97, entre le noeud N et la masse. A un instant t0 de mise en route de la portion de réseau téléphonique comprenant le circuit 1, les rails 3 et 5, et la structure 71, le condensateur 97 est déchargé, et le potentiel du noeud N est sensiblement égal au potentiel de masse. Le condensateur 97 se charge progressivement à une valeur VMIN + VF, VMIN étant le niveau minimal atteint par le plus négatif des signaux VT1P et VRING- Ainsi, après un temps d'initialisation, les seuils de déclenchement haut et bas de la structure de protection 71 en cas de surtension brutale sur le rail 3 ou sur le rail 5, s'établissent respectivement à VF, et VMIN + VF - 2VF = VMIN - VF. Des modes de réalisation particuliers de la présente invention ont été décrits. Diverses variantes et modifications apparaîtront à l'homme de l'art. En particulier, on a décrit ici des structures de protection contre des surtensions comprenant : un élément de mémorisation du niveau de tension maximal (et/ou minimal) des signaux parcourant une ligne téléphonique, et un élément de protection adapté à évacuer des surtensions rapides sur la ligne, lorsque ces surtensions dépassent le niveau mémorisé. L'invention ne se restreint pas à aux exemples 35 d'élément de protection mentionnés ci-dessus. L'homme de l'art B10278 - 10-T0-089 15 saura mettre en oeuvre le fonctionnement recherché en utilisant d'autres éléments de protection adaptés à évacuer des surtensions lorsque ces surtensions dépassent un seuil lié à un potentiel de référence appliqué à une borne de l'élément de protection. Par ailleurs, une structure de protection pour ligne téléphonique est généralement constituée d'un puce indépendante, adaptée à être reliée à la ligne téléphonique du côté du circuit à protéger. Toutefois, la structure proposée pourra aussi être intégrée au circuit que l'on souhaite protéger. REVENDICATIONS1. Structure de protection (41 ; 71) d'un circuit connecté à des premier (3) et second (5) rails d'une liaison téléphonique contre des surtensions, comprenant : des première (57 ; 91) et deuxième (55 ; 93) diodes en 5 anti-série entre les premier et second rails ; un premier condensateur (65 ; 97) en parallèle avec une première résistance (63 ; 95) entre un premier noeud (N) commun aux première et deuxième diodes et un point de potentiel bas de référence ; et 10 un élément de protection (31 ; 73) adapté à évacuer des surtensions rapides entre l'un quelconque des rails et le point de potentiel bas de référence lorsque ces surtensions dépassent un premier seuil lié au potentiel du premier noeud (N). 15 2. Structure de protection selon la revendication 1, dans lequel le premier seuil est un seuil bas inférieur au potentiel bas de référence. 3. Structure de protection (41) selon la revendication 1 ou 2, comprenant en outre : 20 des troisième (53) et quatrième (51) diodes en antisérie entre les premier et second rails, les première (57) et quatrième (51) diodes étant reliées en série, et les deuxième (55) et troisième (53) diodes étant reliées en série ; et un second condensateur (61) en parallèle avec une 25 seconde résistance (59) entre un second noeud (P) commun aux troisième et quatrième diodes et ledit point de potentiel bas, dans lequel ledit élément de protection (31) est adapté à évacuer des surtensions rapides entre l'un quelconque des rails et le point de potentiel bas lorsque ces surtensions 30 dépassent un second seuil lié au potentiel du second noeud (P). 4. Structure de protection selon la revendication 3, dans lequel le second seuil est un seuil haut, supérieur au potentiel bas de référence.B10278 - 10-T0-089 17 5. Structure de protection selon la revendication 3 ou 4, dans lequel ledit élément de protection (31) comprend : des premier à quatrième thyristors (15, 17, 19, 21) connectés en direct, respectivement entre le point de potentiel bas et le premier rail (3), entre le premier rail (3) et le point de potentiel bas, entre le point de potentiel bas et le second rail (5), et entre le second rail (5) et le point de potentiel bas ; et des premier (33) et second (37) transistors NPN, et des premier (35) et second (39) transistors PNP, dont les émetteurs sont respectivement connectés à une gâchette de cathode du premier thyristor (15), à une gâchette de cathode du troisième thyristor (19), à une gâchette d'anode du deuxième thyristor (17), et à une gâchette d'anode du quatrième thyristor (21), et dont les collecteurs sont connectés au point de potentiel bas, les bases des transistors PNP étant connectées au second noeud commun (P), et les bases des transistors NPN étant connectées au premier noeud commun (N). 6. Structure de protection (71) selon la 20 revendication 1 ou 2, dans laquelle ledit élément de protection (73) comprend : des premier (75) et second (77) thyristors, connectés en direct, respectivement entre le point de potentiel bas et le premier rail (3), et entre le point de potentiel bas et le 25 second rail (5) ; des premier (83) et deuxième (85) transistors NPN dont les émetteurs sont respectivement connectés à une gâchette de cathode du premier thyristor (75), et à une gâchette de cathode du deuxième thyristor (77), dont les collecteurs sont connectés 30 au point de potentiel bas, et dont les bases sont connectées au premier noeud commun (N) ; et des troisième (79) et quatrième (81) diodes connectées en direct respectivement entre le premier rail (3) et le point de potentiel bas, et entre le second rail (5) et le point de 35 potentiel bas.B10278 - 10-T0-089 18 7. Structure de protection selon l'une quelconque des revendications 1 à 6, dans laquelle le premier condensateur a une capacité comprise entre 100 et 300 nF, et dans laquelle la première résistance est comprise entre 3 et 6 MS . 8. Circuit (1) d'interface de ligne d'abonné associé à une structure de protection selon l'une quelconque des revendications 1 à 7. 9. Procédé de protection d'un circuit intégré connecté à des premier (3) et second (5) rails d'une ligne téléphonique contre des surtensions, comprenant les étapes suivantes : mémoriser, pendant une phase d'initialisation, le niveau de tension maximal ou minimal des signaux (VTIP, VRING) appliqués aux premier et second rails ; et déclencher un élément de protection connecté entre les premier et second rails et à un point de potentiel bas de référence, lorsqu'une surtension rapide dépassant un seuil lié audit niveau maximal ou minimal, survient entre l'un quelconque des rails et le point de potentiel bas de référence.