FR 2961632 A1 20111223 FR 1002580 A 20100618 MÉMOIRE MAGNETOELECTRIQUE L'invention porte sur une mémoire de type magnétoélectrique, et notamment sur une mémoire magnétoélectrique à accès direct. Plus précisément l'invention porte sur un élément de mémoire magnétoélectrique, sur une cellule de mémoire basée sur un tel élément, sur une mémoire comprenant une pluralité de telles cellules ainsi que sur un circuit logique programmable utilisant de telles cellules en tant que moyens de stockage d'une configuration logique. Les mémoires non-volatiles sont des dispositifs électroniques d'une très grande importance. Elles peuvent être utilisées en particulier en tant que mémoires de masse, en remplacement des disques durs d'ordinateur, mais également pour stocker la configuration d'un composant numérique programmable tel qu'un réseau prédiffusé programmable par l'utilisateur (FPGA, de l'anglais « Field Programmable Gate Array »), en remplacement des mémoires volatiles (SRAM) utilisées actuellement dans la grande majorité de ces composants. Une mémoire non volatile devrait présenter une densité de stockage élevée, des temps d'accès extrêmement rapides (équivalent à ceux d'une mémoire vive statique - SRAM - conventionnelle), une faible 20 consommation et une durée importante de rétention de l'information. A présent, plusieurs technologies de mémoire sont en cours d'étude et de validation, à des stades de maturité différents. Parmi ces technologies, celles basées sur les effets de nature magnétique paraissent particulièrement prometteuses. Pour une revue de l'état actuel de développement des mémoires non-volatiles 25 magnétiques on peut se rapporter à l'article de Mark H. Kryder et Chang Soo Kim, « After Hard Drives-What Cornes Next? », IEEE Transactions on Magnetics, vol. 45, No. 10, pp. 3406-3413, octobre 2009. La liste de technologies dressée par cette publication omet un principe qui suscite l'intérêt de nombreux laboratoires : les mémoires 30 magnétoélectriques, dans lesquelles l'information, enregistrée sous une forme magnétique, serait écrite par une commande électrique de faible énergie, typiquement de type tension, et lue de façon magnétique. En principe, de telles mémoires pourraient exploiter des matériaux dits multiferro'iques, possédant une phase ferroélectrique et une phase ferromagnétique couplées entre elles. La théorie prédit un faible nombre de ces matériaux possédant ces caractéristiques de façon intrinsèque, principalement en raison de conditions de symétrie cristallines contraignantes qu'il est nécessaire d'avoir pour que les deux effets « ferroélectrique » et « ferromagnétique » existent simultanément. Aucun matériau remplissant les bonnes conditions et possédant des effets suffisamment marqués à température ambiante n'existe à l'heure actuelle. Une autre solution est la combinaison de matériaux magnétiques et ferroélectriques, ou plus généralement piézoélectriques ou électrostrictifs, couples par le biais de contraintes mécaniques de manière à simuler un comportement multiferroïque. L'article de V. Novosad et al. « Novel magnetostrictive memory device », J. Appl. Phys., Vol. 87, No. 9, 1er mai 2000, ainsi que le brevet US 6,339,543, décrivent une mémoire magnétoélectrique utilisant en tant qu'éléments de stockage de l'information des particules magnétiques de forme ellipsoïdale, de taille suffisamment petite pour ne consister que d'un seul domaine magnétique. En raison de leur anisotropie de forme, ces particules présentent deux orientations d'aimantation stables, opposées entre elles et alignées avec le grand axe de l'ellipse. Des lignes en matériau électrostrictif se croisant à 90° sont déposées sur un substrat, une particule magnétique étant positionnée au niveau de chaque croisement avec son grand axe orienté à 45° par rapport aux lignes. En appliquant aux lignes électrostrictives des signaux de tension adaptés, il est possible d'induire une contrainte mécanique tournante au niveau d'une particule déterminée ; par effet magnétoélastique inverse, cela induit à son tour une rotation de l'aimantation. Si leur temporisation et leur amplitude sont choisies d'une manière opportune, ces signaux de tension peuvent provoquer un basculement de l'aimantation de cette particule d'un état stable à l'autre. Un tel dispositif présente plusieurs inconvénients. Premièrement il est très sensible à la synchronisation des signaux électriques, ce qui complique son pilotage et limite son temps de réponse ; cela est dû au fait que le champ de contraintes mécaniques doit tourner pour « guider » la rotation du vecteur d'aimantation. Deuxièmement, une opération d'écriture ne peut que retourner l'état d'aimantation d'une particule; cela signifie que pour écrire un « 0 » ou un « 1 » dans une cellule de mémoire, il est nécessaire au préalable de lire son contenu pour déterminer si un tel retournement doit être effectué ou pas. L'article de M. Overby et al. « GaMnAs-based hybrid multiferroic memory device », Applied Physics Letters 92, 192501 (2008) décrit une autre mémoire magnétoélectrique basée sur une couche épitaxiale de GaMnAs (semiconducteur magnétique) déposée sur un substrat en GaAs qui est aminci et fixé à un cristal piézoélectrique. La couche de GaMnAs présente deux axes d'aimantation facile, le long de directions cristallines respectives, qui correspondent à deux directions d'aimantation stables. L'application d'une contrainte mécanique, rendue possible par le cristal piézoélectrique, permet la commutation d'un état stable à l'autre. Un tel dispositif est complexe à fabriquer, car la connaissance des deux axes d'aimantation facile présuppose un contrôle fin des conditions de croissance épitaxiale. Par ailleurs, malgré l'application d'une contrainte mécanique, une barrière énergétique subsiste toujours entre les deux états stables : cela signifie que la commutation doit être assistée thermiquement, ou se vérifie par effet tunnel, ce qui est susceptible de limiter la vitesse de réponse de la mémoire. Le fonctionnement du dispositif n'a été démontré qu'à des températures cryogéniques. L'invention vise à procurer une mémoire non-volatile de type magnétoélectrique ne présentant pas au moins certains des inconvénients de l'art antérieur. Conformément à l'invention un tel but peut être atteint par un 25 élément de mémoire magnétoélectrique comprenant : - un élément magnétique présentant un axe d'aimantation facile aligné le long d'un premier axe ; - un moyen pour appliquer audit élément magnétique un champ de polarisation magnétique aligné le long d'un deuxième axe non 30 parallèle audit premier axe, l'intensité dudit champ étant choisie de telle manière que l'élément magnétique présente deux directions d'équilibre stable de son aimantation, ces directions n'étant pas opposées entre elles ; un substrat piézoélectrique ou électrostrictif couplé mécaniquement avec ledit élément magnétique ; et - au moins une première et une deuxième électrode, agencées pour appliquer un champ électrique au substrat piézoélectrique ou électrostrictif de telle manière que ledit substrat exerce sur ledit élément magnétique une contrainte mécanique non isotrope, de direction principale généralement orientée selon un troisième axe, coplanaire mais distinct desdits premier et deuxième axes, ladite contrainte mécanique étant suffisamment intense pour induire une commutation de l'état d'aimantation dudit élément magnétique par couplage magnétostrictif. Par « élément magnétique » on entend un élément réalisé en un matériau pouvant présenter un ordre magnétique même en l'absence d'un champ magnétique externe. Il peut notamment s'agir d'un élément ferromagnétique, ferrimagnétique, spérimagnétique voire même antiferromagnétique. Dans ce dernier cas, il n'y a pas d'aimantation macroscopique ; il y a néanmoins une direction d'alignement/antialignément des spins : il est donc possible de définir un « axe d'aimantation facile » et des états magnétiques stables. Tous les matériaux de ce type sont plus ou moins magnétostrictifs ; concrètement, cependant, il est opportun que le matériau constituant l'élément magnétique présente un coefficient magnétostrictif b1'2 relativement important, par exemple supérieur ou égal à IMpa et de préférence supérieur ou égal à 10 MPa, par exemple compris entre 10 et 100 MPa. Pour la définition du coefficient magnétostrictif il est possible de se rapporter aux articles suivants : - E. du Trémolet de Lachaisserie, J. C. Peuzin « Magnetostriction and internai stresses in thin films: the cantilever method revisited », Journal of Magnetism and Magnetic Materials, Vol. 136, pp. 189 - 196 (1994) ; et - E. du Trémolet de Lachaisserie « Definition and 30 measurement of the surface magnetoelastic coupling coefficients in thin films multilayers », Phys. Rev. B, 51 (22), pp. 15925 - 15932 (1995). Contrairement au dispositif décrit dans le brevet US 6,339,543 et dans l'article précité de V. Novosad et aI, l'invention permet d'inscrire la 2961632 s valeur d'un bit sans avoir à connaître l'état présent de la mémoire. En outre, l'écriture se fait de manière simple et rapide, sans que se posent des problèmes de synchronisation entre plusieurs signaux de tension. Contrairement au dispositif décrit par l'article précité de M. 5 Overby et al., les deux états magnétiques stables de l'élément de mémoire ne sont pas obtenus en exploitant deux axes d'anisotropie du matériau magnétique, mais grâce à l'effet combiné d'un seul axe d'anisotropie (géométrique et/ou dû à la structure microscopique du matériau) et d'un champ de polarisation magnétique. Il en résulte un dispositif plus robuste, plus facile à 10 fabriquer et offrant plus de flexibilité au concepteur. La barrière énergétique entre les deux états stables peut être complètement supprimée lors de la commutation. Selon d'autres caractéristiques avantageuses de l'invention, prises isolément ou en combinaison : 15 - Ledit élément magnétique peut être constitué d'un seul domaine magnétique. - Ledit élément magnétique peut présenter une forme allongée (elliptique, rectangulaire, en losange...), déterminant en tout ou en partie ledit axe d'aimantation facile par anisotropie de forme. Ce mode de 20 réalisation est particulièrement avantageux, car la direction et l'intensité de l'anisotropie peuvent être déterminées facilement, et indépendamment des propriétés intrinsèques du matériau. - En variante ou en complément, ledit élément magnétique peut présenter une structure microscopique (mono- ou polycristalline, voire 25 amorphe) anisotrope déterminant en tout ou en partie ledit axe d'aimantation facile. Avantageusement, ladite structure microscopique anisotrope peut être obtenue en fabriquant ledit élément par dépôt en présence d'un champ magnétique externe. L'élément de mémoire peut comporter un moyen pour générer ledit champ de polarisation magnétique sous la forme d'un champ magnétique externe : il peut s'agir d'une bobine ou d'un autre conducteur parcouru par un courant, d'un aimant permanent ou bien d'une couche de polarisation par champ de fuite. - En variante ou en complément, ledit élément magnétique peut comporter un moyen pour générer ledit champ de polarisation magnétique sous la forme d'un champ d'échange. On comprendra que le champ de polarisation magnétique n'e donc pas nécessairement un champ magnétique au sens propre. - L'élément de mémoire peut comporter un moyen pour générer un dit champ de polarisation magnétique sensiblement perpendiculaire audit axe d'aimantation facile (plus généralement, formant un angle de l'ordre de 80° - 1000 avec ledit axe). Dans ce cas, lesdites électrodes peuvent être agencées de telle manière que ledit substrat exerce sur ledit élément magnétique une contrainte mécanique non isotrope formant un angle moyen compris entre 40° et 50°, et de préférence d'environ 45°, aussi bien avec ledit axe d'aimantation facile qu'avec ledit champ de polarisation magnétique. - Lesdites électrodes peuvent épouser la forme de l'élément magnétique. Ledit élément magnétique peut être déposé sur ledit substrat. - En variante, ledit élément magnétique peut être encastré dans ledit substrat. Cette variante convient particulièrement bien aux éléments 20 magnétiques conducteurs. Un autre objet de l'invention est une cellule de mémoire comprenant un élément de mémoire magnétoélectrique selon l'une des revendications précédentes et un capteur magnétique pour déterminer la direction de l'aimantation dudit élément magnétique. Ledit capteur peut 25 notamment être choisi parmi : un capteur à effet Hall et un capteur à magnétorésistance, magnétorésistance à effet tunnel, magnétorésistance géante ou magnétorésistance colossale. Encore un autre objet de l'invention est une mémoire non- volatile à accès direct comprenant une pluralité de telles cellules de mémoire 30 agencées selon un schéma matriciel par lignes et par colonnes, les premières électrodes des cellules d'une même colonne étant reliées électriquement entre elles, ainsi que les deuxièmes électrodes des cellules d'une même ligne. Encore un autre objet de l'invention est un circuit logique programmable comprenant une pluralité de telles cellules de mémoire en tant que moyen de stockage d'une configuration logique. D'autres caractéristiques, détails et avantages de l'invention ressortiront à la lecture de la description faite en référence aux dessins annexés donnés à titre d'exemple et qui représentent, respectivement : - La figure 1, un schéma d'un élément de mémoire selon un mode de réalisation de l'invention ; La figure 2, un profil d'énergie magnétique de l'élément de 10 mémoire de la figure 1 pour trois états de contrainte différents, mettant en évidence la commutation entre les deux états magnétiques d'équilibre ; - la figure 3, une représentation géométrique des états magnétiques d'équilibre de l'élément de mémoire de la figure 1 ; Les figures 4A et 4B, le champ de contraintes mécanique 15 dans l'élément magnétique de l'élément de mémoire de la figure 1 pour deux états de contrainte différents ; - Les figures 5A à 5C, trois moyens de génération d'un champ de polarisation magnétique selon trois variantes de l'invention ; - Les figures 6A et 6B, deux configurations admissibles de 20 l'élément de mémoire de la figure 1 ; Les figures 6C et 6D, deux autres configurations de l'élément de mémoire de la figure 1, admissibles seulement à condition que l'élément magnétique ne soit pas conducteur ; - Les figures 7A et 7B, respectivement, les surfaces 25 équipotentielles dans un élément de mémoire selon un mode de réalisation de l'invention, et une géométrie possible des électrodes déterminée sur la base de ces surfaces équipotentielles ; - La figure 8, une représentation schématique d'une mémoire non-volatile à accès direct selon un mode de réalisation de 30 l'invention ; et La figure 9, une représentation schématique d'un circuit logique programmable selon un mode de réalisation de l'invention. La géométrie d'une cellule de mémoire magnétoélectrique CM selon un mode de réalisation de l'invention est illustrée par la figure 1. La cellule de mémoire comprend un élément de mémoire EM de type bistable, présentant deux états stables et des moyens susceptibles d'induire une commutation entre ces états, et un moyen de lecture ML. L'élément de mémoire EM se base sur un élément magnétique ELM de forme ellipsoïdale, de dimensions suffisamment petites pour assurer qu'il ne comprenne qu'un seul domaine magnétique par exemple, son plus grand axe peut présenter une longueur de l'ordre de 100 nm ou moins. Comme expliqué plus haut, par « élément magnétique » on entend un élément réalisé en un matériau pouvant présenter un ordre magnétique même en l'absence d'un champ magnétique externe, tel qu'un matériau ferromagnétique ou ferrimagnétique. De par sa forme, l'élément magnétique ELM possède une direction privilégiée de l'aimantation, appelée « axe d'aimantation facile », ou simplement « axe facile », suivant son grand axe. Cette direction d'aimantation facile est identifiée sur la figure par la référence al. On remarquera que cette anisotropie de forme ne fait pas de distinction entre le sens positif ou négatif de l'axe facile al. Un champ magnétique de polarisation, indiqué par Hp, est appliqué selon une direction a2 perpendiculaire à celle de l'axe d'aimantation facile a, ; dans le cas de l'exemple, cette direction a2 est donc parallèle au petit axe de l'ellipse. Contrairement à l'anisotropie de forme selon al, le champ de polarisation favorise l'aimantation de l'élément ELM dans une direction parallèle au sens positif de l'axe a2 et rend plus difficile son aimantation dans une direction opposée. L'intensité de ce champ est choisie comprise entre -/2 et 1 fois l'intensité du champ magnétique équivalent caractérisant l'anisotropie de forme. De manière conventionnelle on définit des axes X, Y formant un angle de 45° par rapport à a, et a2 ; dans le système de coordonnées XOY (0 étant l'origine) ainsi défini, l'axe a, est orienté selon la bissectrice du premier et du deuxième quadrant, et l'axe a2 selon la bissectrice du deuxième et du troisième quadrant. Sur la figure 2, la courbe EMo (en trait continu) montre, en coordonnées polaires, le profil de l'énergie magnétique du système, c'est à dire l'énergie magnétique stockée dans l'élément ELM en fonction de l'angle entre le vecteur d'aimantation et l'axe X. On peut voir que ce profil présente deux minimas d'énergie, c'est à dire deux orientations d'aimantation stables. Dans le cas particulier où l'axe a2 et perpendiculaire à a, et l'intensité du champ Np vaut -ji/2 fois l'intensité du champ magnétique équivalent caractérisant l'anisotropie de forme, ces orientations stables sont exactement dans les directions -X et Y. Ces orientations (ou « positions ») d'équilibre stable sont indiquées par les références PI et P2. Elles sont séparées par une barrière énergétique. L'élément ELM constitue donc un élément bistable, susceptible de stocker un bit d'information : par exemple, un état d'aimantation selon l'orientation stable PI peut représenter un zéro logique et un état d'aimantation selon l'orientation stable P2 un « un » logique, ou inversement. La figure 3 montre de manière plus schématique l'orientation des axes al et a2 et des positions d'équilibre PI, P2. La figure 3 se rapporte au cas plus général où les orientations d'équilibre ne coïncident pas avec les axes -X et Y. L'élément magnétique ELM est encastré dans un substrat piézoélectrique SP. Deux électrodes EL1, EL2 sont déposées sur (ou encastrées dans) ce substrat pour le polariser dans la direction OX. En fonction du signe du potentiel Vp appliqué entre ces deux électrodes, le substrat piézoélectrique SP génère une contrainte mécanique axx en compression ou en traction dont la direction principale est orientée dans la direction OX, qui est appliquée à l'élément magnétique ELM. Ce dernier présente un effet magnétoélastique : par conséquent, la contrainte mécanique axx modifie le profil de l'énergie magnétique du système. Sur la figure 2, la courbe en trait pointillé EM1 illustre le profil d'énergie magnétique du système en présence d'une contrainte mécanique axx en traction. On peut voir qu'il y a un seul point d'équilibre stable P'1, correspondant à une aimantation orientée dans la direction -X. La situation est illustrée également sur la figure 4A, où la référence M indique le vecteur d'aimantation. On comprend qu'après relâchement des contraintes (lorsque Vp reprend une valeur nulle) le système se trouve nécessairement dans l'état-PI, indépendamment de son état initial (avant l'application de la différence de potentiel Vp). Toujours sur la figure 2, la courbe en trait hachuré EM2 illustre le profil d'énergie magnétique du système en présence d'une contrainte mécanique 6xx en compression. On peut voir qu'il y a un seul point d'équilibre stable P'2, correspondant à une aimantation orientée dans la direction +Y. La situation est illustrée également sur la figure 4B. On comprend qu'après relâchement des contraintes (lorsque Vp reprend une valeur nulle) le système se trouve nécessairement dans l'état P2, indépendamment de son état initial (avant l'application de la différence de potentiel Vp). On a donc montré que l'application d'un signal électrique Vp aux électrodes EL1, EL2 permet de modifier l'état d'aimantation de l'élément ELM. L'état d'aimantation de ce dernier, et donc la valeur du bit stocké par la cellule de mémoire, dépend seulement du signe de Vp, et pas de l'état avant application du signal. La cellule de mémoire peut donc être écrite sans qu'il soit nécessaire de la lire au préalable. Un moyen de lecture ML est représenté de manière schématique sur la figure 1. Il peut s'agir de tout type de capteur magnétique, par exemple du type à effet Hall, à magnétorésistance, magnétorésistance à effet tunnel, magnétorésistance géante ou magnétorésistance colossale. Il peut être intégré ou discret. En général, la lecture n'est pas destructive. Afin de valider le concept et sa faisabilité, des simulations par éléments finis ont été réalisées pour évaluer les contraintes générées, et leur effet sur l'aimantation de l'élément magnétique. Les simulations pour évaluer les contraintes ont été effectuées avec les paramètres suivants : Taille de l'élément magnétique : grand axe : 45nm, petit axe: 25nm, épaisseur 20nm, orientation 45°. Distance inter électrodes 130nm. Longueur des électrodes : 120nm. Hauteur des électrodes : 50nm. Matériau des électrodes et de l'élément magnétique : caractérisé par un module d'Young de 110 GPa. Épaisseur du matériau piézoélectrique : 60nm. Substrat piézoélectrique : titanate-zirconate de plomb, dit PZT-5 5H, encastré à la base. Pour une tension de commande de -0,4V, l'allongement relatif suivant OX de l'élément magnétique est d'environ 1,2.10"3 et la contrainte tensile est supérieure a 100 Mpa. Réciproquement, pour une tension de commande de +0,4V, l'allongement relatif de l'élément magnétique est 10 d'environ -1,2.10-3. Dans le substrat piézoélectrique, la valeur maximale du champ électrique n'excède pas 10 MV/m, ce qui est compatible avec la plupart des matériaux piézoélectriques usuels, pour lesquels le champ disruptif est typiquement de l'ordre de 50 MV/m. La marge de manoeuvre permet 15 d'envisager une réduction de la taille de la cellule : la baisse de dimension de la partie piézoélectrique active peut être compensée par une augmentation de la tension de commande, tout en restant dans les limites de fonctionnement du matériau. Des simulations magnétiques ont aussi été effectuées en 20 considérant un élément magnétique en Terfenol (Tbo,3Dyo,7Fe1,9), ayant les dimensions indiquées plus haut et caractérisé par les propriétés suivantes : Coefficients magnétostrictifs : ,s 00=100.10-6 et A111=1700.10-6. Aimantation à saturation: 1,2 Tesla. Coefficient d'échange: 1,1.10-" J/m. 25 Valeur du champ magnétique de polarisation Hp : 150 kA/m=1875 Oe. La valeur absolue des contraintes laxxI vaut 100 Mpa, comme évaluée à l'aide de la simulation mécanique. Les résultats des simulations (figures 4A et 4B) montrent que, 30 quel que soit l'état initial de l'aimantation, l'application d'une tension de -0,4V réoriente l'aimantation suivant l'axe -X (état PI), alors qu'une tension de +0,4V réoriente l'aimantation suivant l'axe +Y (état P2). A la suppression de la commande, l'aimantation reste dans l'état nouvellement défini : les simulations montrent que le système reste stabilise dans le nouveau minimum local d'énergie. L'élément magnétique ELM peut présenter une forme autre qu'ellipsoïdale, par exemple en rectangle, losange, « L », ou toute autre forme susceptible d'induire une inhomogénéité magnétique « de forme ». L'anisotropie magnétique, d'ailleurs, ne doit pas nécessairement être, ou être exclusivement, d'origine géométrique. Elle peut aussi être due à la structure microscopique de l'élément. Une anisotropie de ce type est présente naturellement dans certains matériaux cristallins. Elle peut aussi être obtenue dans les matériaux polycristallins ou amorphes, par exemple en fabriquant l'élément magnétique par dépôt dans un champ magnétique externe. Cette anisotropie microstructurelle peut être combinée avec une anisotropie de forme, ou être utilisée seule. Dans ce dernier cas, l'élément magnétique peut même présenter une forme circulaire. Il n'est pas indispensable que l'élément magnétique soit constitué d'un seul domaine magnétique, même si cela est généralement préféré. En tout cas, l'élément magnétique devrait présenter des petites dimensions, de préférence inférieures à 1pm, voire inférieures ou égales à 100 nm, afin d'optimiser la densité de stockage de l'information. L'élément magnétique peut être réalisé en un seul matériau et présenter une structure homogène, ou bien être micro- ou nanostructuré etfou avoir une structure composite, par exemple de type multicouche. Comme cela a été expliqué plus haut, l'« élément magnétique » peut être réalisé en tout matériau susceptible de présenter un ordre magnétique même en l'absence d'un champ magnétique externe. Il peut notamment s'agir d'un matériau ferromagnétique, ferrimagnétique, spérimagnétique voire même antiferromagnétique. Tous ces matériaux présentent un effet magnétoélastique ou magnétostrictif plus ou moins intense. En pratique, pour un bon fonctionnement de l'invention, cet effet ne devrai pas être trop faible ; en particulier, un matériau utilisé pour la mise en oeuvre de l'invention devrait présenter un coefficient magnétostrictif b'2 supérieur ou égal à 1 Mpa, et de préférence supérieur ou égal à 10 MPa, au moins le long d'un axe. Le Terfenol est spécialement indiqué en raison de ses coefficients magnétostrictifs particulièrement importants. Comme cela a été mentionné plus haut, le champ de polarisation magnétique ne doit pas nécessairement être un champ magnétique au sens propre ; il peut aussi s'agir d'un « champ magnétique équivalent », dû à des interactions d'échange. Si le champ de polarisation magnétique est effectivement de nature magnétique, il peut être généré par une ou plusieurs bobines (BI, B2), autres conducteurs parcourus de courant, ou aimants permanents (figure 5A). II pourra également s'agir d'un « champ de fuite » généré par une couche de polarisation magnétique (aimant permanent) CPM disposée au-dessous (ou au-dessus) de l'élément ELM et séparé de ce dernier par une couche séparatrice CS ayant une épaisseur généralement supérieure à 10 nm (figure 5B). Une polarisation d'échange peut être obtenue grâce à une couche de polarisation d'échange CPE disposée au-dessous (ou au-dessus) de l'élément ELM et séparé de ce dernier par une couche séparatrice CS' ayant une épaisseur de l'ordre de 1 - 10 nm ou moins (figure 5C). Les techniques de polarisation par champ magnétique (figures 5A et 5B) peuvent agir sur plusieurs éléments magnétiques en même temps. Quelle que soit sa nature physique, le champ de polarisation magnétique ne doit pas nécessairement être perpendiculaire à l'axe d'aimantation facile, bien qu'il soit généralement préféré que l'angle entre les axes al et a2 soit compris entre 80° et 100°. En revanche, il est essentiel que ces deux axes ne soient pas parallèles entre eux. Le rapport entre l'intensité du champ de polarisation magnétique et celle du champ magnétique équivalent caractérisant l'anisotropie de forme (ou microstructurelle) du matériau magnétique dépend de l'angle entre les axes al et a2. Ce rapport doit être choisi de manière à permettre l'existence de deux orientations d'équilibre stables. Dans le cas de l'exemple, où al et a2 sont perpendiculaires entre eux, ce rapport doit être compris entre h/2 et 1. Comme le montre la figure 3, les deux orientations d'équilibre stable ne sont pas nécessairement alignées avec les axes X et Y. Il n'est pas non plus essentiel qu'elles soient disposées symétriquement de part et d'autre de l'axe a2. En effet, cette symétrie existe seulement si l'axe a2 est perpendiculaire à l'axe al. L'axe X d'application des contraintes mécaniques doit être distinct des axes al et a2, mais il ne doit pas nécessairement bissecter l'angle 5 formé par ces deux axes. Le substrat SP ne doit pas nécessairement être piézoélectrique : il peut aussi être électrostrictif. A ce propos, il faut souligner que l'effet électrostrictif est quadratique : il n'est donc pas possible de passer d'une contrainte compressive à une contrainte en traction simplement en 10 inversant la différence de potentiel aux bornes des électrodes. Pour ce faire, il est nécessaire d'utiliser une tension de polarisation Vo à laquelle se superpose le signal Vp, moins intense. Dans ces conditions, le matériau électrostrictif polarisé peut être caractérisé par un coefficient piézoélectrique « équivalent ». En fait, tous les matériaux diélectriques sont plus au moins 15 électrostrictifs, mais en pratique seuls des matériaux piézoélectriques ou électrostrictifs présentant un coefficient piézoélectrique équivalent suffisamment élevé (50 pmN ou plus, au moins le long d'un axe) pourront être utilisés en pratique avec des résultats satisfaisants. Ce qui est essentiel pour le fonctionnement de l'élément de 20 mémoire de l'invention est qu'une modification du champ de contraintes mécaniques auquel est soumis l'élément magnétique, obtenue par voie électrique, induise un changement de son état magnétique. La modification du champ de contrainte mécanique peut être autre qu'un simple changement de signe, comme dans l'exemple. Elle peut être obtenue en utilisant une 25 configuration d'électrodes autre que celle de la figure 1. L'élément magnétique ELM peut être encastré dans le substrat SP, comme dans l'exemple, ou être déposé sur sa surface. D'autres formes de couplage mécanique peuvent aussi être envisagées. Ces options ne sont pas toujours équivalentes. Lorsque l'élément magnétique ELM est conducteur, il ne 30 peut pas simplement être déposé sur la surface du substrat, car un tel agencement conduit à la courbure des lignes de champ électrique dans le substrat et à l'annulation des contraintes mécaniques. Les figures 6A - 6D montrent quatre configurations possibles pour un élément magnétique conducteur, et les lignes de champ électriques correspondantes : - Figure 6A : élément magnétique encastré, électrodes enterrées : pas de courbure des lignes de champ, configurations acceptable. - Figure 6B : élément magnétique encastré, électrodes simplement déposées : pas de courbure des lignes de champ, configurations acceptable. - Figure 6C : élément magnétique simplement déposé, électrodes enterrées : courbure importante des lignes de champ, configurations 10 non acceptable. - Figure 6D : élément magnétique simplement déposé, électrodes simplement déposées : courbure importante des lignes de champ, configurations non acceptable. Les configurations des figures 6C et 6D sont en revanche 15 acceptables dans le cas d'un élément magnétique non conducteur, n'induisant pas de courbure des lignes de champ. Le cas d'un élément magnétique conducteur est particulièrement important, car les meilleurs matériaux magnétostrictifs connus actuellement sont les composés de type Tb-TM ou Sm-TM où TM représente 20 un alliage de métaux de transition. Pour diminuer l'encombrement de la cellule de mémoire, il faut pouvoir rapprocher les électrodes de l'élément magnétique. On adaptera alors leur forme pour garder une forme des lignes de champ électrique dans le matériau piézoélectrique ou électrostrictif compatible avec la génération des 25 contraintes anisotropes dans le plan. Une bonne solution est de considérer des électrodes suivant la forme des surfaces équipotentielles qui seraient engendrées par des électrodes planes situées à une grande distance de l'élément magnétique. De telles surfaces équipotentielles SE sont illustrées sur la figure 7A. La figure 7B montre des électrodes EL1, EL2 ayant la forme 30 d'équipotentielles ; on peut considérer qu'elles épousent la forme de l'élément magnétique ELM. Plusieurs cellules de mémoire CM"... CM2'3... peuvent être agencées dans une structure matricielle par lignes et colonnes pour former une mémoire non-volatile à accès direct MME, comme représenté sur la figure 8. Sur cette figure, la référence « CM2'3 indique la cellule de mémoire située au croisement de la deuxième ligne et de la troisième colonne de la matrice. Chaque cellule de mémoire présente une première et une deuxième électrode (ELi2'3 et EL12'3 dans le cas de la cellule CM2'3). Toutes les « premières électrodes » des cellules d'une même colonne sont connectées électriquement entre elles par l'intermédiaire de conducteurs respectifs CI, C2, C3 ... De la même façon, toutes les « deuxièmes électrodes » des cellules d'une même ligne sont connectées électriquement entre elles par l'intermédiaire de conducteurs respectifs L&, L2, L3 ... Il est facile de se rendre compte du fait que pour enregistrer un « 1 » ou un « 0 » logique dans la cellule CM''i il suffit d'appliquer une différence de potentiel du signe opportun et pour une durée adéquate entre les conducteurs L; et Ci. Un deuxième jeu de lignes L';, C'i peut être utilisé pour connecter les capteurs des différentes cellules, formant ainsi une structure matricielle de lecture. La mémoire MME peut être utilisée comme support de stockage de masse, ou pour d'autres applications. Par exemple, elle peut servir à stocker la configuration logique d'un circuit logique programmable, comme cela est représenté schématiquement sur la figure 9. Sa vitesse de commutation est de l'ordre de la nanoseconde, comme dans les FeRam (mémoires ferroélectriques). Une taille des cellules de l'ordre de 50 nm x 50 nm parait réaliste, ce qui conduit à une capacité d'environ 40 Gbits/cm2. Un des avantages majeurs de la technologie de l'invention réside dans sa faible consommation, et donc dissipation thermique, qui favorise une intégration verticale par superposition de plusieurs couches constituées chacune par une matrice de cellules de mémoire. REVENDICATIONS1. Elément de mémoire magnétoélectrique comprenant - un élément magnétique (ELM) présentant un axe d'aimantation facile aligné le long d'un premier axe (al) ; - un moyen (BI, B2, PM, CPE) pour appliquer audit élément magnétique un champ de polarisation magnétique (Hp) aligné le long d'un deuxième axe (a2) non parallèle audit premier axe, l'intensité dudit champ étant choisie de telle manière que l'élément magnétique présente deux directions d'équilibre stable de son aimantation (PI, P2), ces directions n'étant pas opposées entre elles ; - un substrat (SP) piézoélectrique ou électrostrictif couplé mécaniquement avec ledit élément magnétique ; et - au moins une première (EL') et une deuxième (EL2) électrode, agencées pour appliquer un champ électrique au substrat piézoélectrique ou électrostrictif de telle manière que ledit substrat exerce sur ledit élément magnétique une contrainte mécanique non isotrope, de direction principale généralement orientée selon un troisième axe (OX), coplanaire mais distinct desdits premier et deuxième axes, ladite contrainte mécanique étant suffisamment intense pour induire une commutation de l'état d'aimantation dudit élément magnétique par couplage magnétostrictif. 2. Elément de mémoire magnétoélectrique selon la revendication 1, dans lequel ledit élément magnétique est constitué d'un seul domaine magnétique. 3. Elément de mémoire magnétoélectrique selon l'une des 25 revendications précédentes dans lequel ledit élément magnétique présente une forme allongée, déterminant en tout ou en partie ledit axe d'aimantation facile par anisotropie de forme. 4. Elément de mémoire magnétoélectrique selon l'une des revendications précédentes dans lequel ledit élément magnétique présente une 30 structure microscopique anisotrope déterminant en tout ou en partie ledit axe d'aimantation facile. 5. Elément de mémoire magnétoélectrique selon la revendication 4 dans lequel ladite structure microscopique anisotrope estobtenue en fabriquant ledit élément par dépôt en présence d'un champ magnétique externe. 6. Elément de mémoire magnétoélectrique selon l'une des revendications précédentes comportant un moyen (BI, B2, CPM) pour générer 5 ledit champ de polarisation magnétique sous la forme d'un champ magnétique externe. 7. Elément de mémoire magnétoélectrique selon l'une des revendications précédentes comportant un moyen (CPE) pour générer ledit champ de polarisation magnétique sous la forme d'un champ d'échange. 10 8. Elément de mémoire magnétoélectrique selon l'une des revendications précédentes comportant un moyen pour générer un dit champ de polarisation magnétique sensiblement perpendiculaire audit axe d'aimantation facile. 9. Elément de mémoire magnétoélectrique selon la 15 revendication 8, dans lequel lesdites électrodes sont agencées de telle manière que ledit substrat exerce sur ledit élément magnétique une contrainte mécanique non isotrope formant un angle moyen compris entre 40° et 50°, et de préférence d'environ 45°, aussi bien avec ledit axe d'aimantation facile qu'avec ledit champ de polarisation magnétique. 20 10. Elément de mémoire magnétoélectrique selon l'une des revendications précédentes, dans lequel lesdites électrodes épousent la forme de l'élément magnétique. 11. Elément de mémoire magnétoélectrique selon l'une des revendications précédentes dans lequel ledit élément magnétique est encastré 25 dans ledit substrat. 12. Elément de mémoire magnétoélectrique selon l'une des revendications 1 à 10 dans lequel ledit élément magnétique est déposé sur ledit substrat. 13. Cellule de mémoire comprenant un élément de mémoire 30 magnétoélectrique selon l'une des revendications précédentes et un capteur magnétique (ML) pour déterminer la direction de l'aimantation dudit élément magnétique. 14. Cellule de mémoire selon l'une des revendications précédentes dans laquelle ledit capteur est choisi parmi : un capteur à effet Hall et un capteur à magnétorésistance, magnétorésistance à effet tunnel, magnétorésistance géante ou magnétorésistance colossale. 15. Mémoire non-volatile à accès direct (MME) comprenant une pluralité de cellules de mémoire (CM", CM2'3) selon l'une des revendications 13 ou 14 agencées selon un schéma matriciel par lignes et par colonnes, les premières électrodes des cellules d'une même colonne étant reliées électriquement entre elles, ainsi que les deuxièmes électrodes des cellules d'une même ligne. 16. Circuit logique programmable (CLP) comprenant une pluralité de cellules de mémoire selon l'une des revendications 13 ou 14 en tant que moyen de stockage d'une configuration logique.15