FR 2966636 A1 20120427 FR 1004198 A 20101026 i ELEMENT MAGNETIQUE INSCRIPTIBLE. La présente invention a pour objet un élément magnétique inscriptible du type à retournement induit par un courant. Le retournement de l'aimantation d'une couche ou d'un petit élément magnétique se fait communément au moyen d'un champ magnétique appliqué. La direction de celui-ci est par exemple changée suivant que l'on veuille retourner l'aimantation dans un sens ou dans un autre. C'est ce principe qui est à la base de l'écriture dans des pistes magnétiques ou des disques durs d'ordinateur : l'élément à retourner est mécaniquement placé au voisinage du générateur de champ 1 o magnétique de façon à localiser spatialement ce champ. C'est en effet la structure même du champ magnétique, par définition non localisé dans l'espace, qui soulève de nombreuses difficultés pour son intégration dans des dispositifs. Ainsi, lorsque qu'aucune actuation mécanique n'est possible ou désirée, par exemple dans le cas des mémoires magnétiques solides de type "MRAM" (magnetic random access memory) 15 ou des dispositifs logiques, il faut localiser suffisamment le champ magnétique pour que celui-ci n'agisse que sur la cellule cible sans impacter ses voisines. Ce problème devient de plus en plus important lorsque les différentes cellules mémoire ou logiques sont disposées très proches les unes des autres afin d'augmenter les densités. La possibilité de manipuler l'aimantation au moyen d'un courant 20 polarisé en spin qui a été démontrée tout d'abord théoriquement en 1996 a apporté une première solution à ce problème. Ce principe physique, appelé couple de transfert de spin (STT pour spin transfer torque en anglais) nécessite la présence, pour manipuler l'aimantation au niveau du point mémoire, d'au moins deux couches magnétiques séparées par un métal non magnétique (pour une structure de type vanne de spin) ou 25 par un isolant (pour une structure de type jonction tunnel magnétique), les deux couches ayant leur aimantations non colinéaires. L'explication physique détaillée diffère suivant que l'on est en présence d'une structure vanne de spin ou jonction tunnel magnétique mais globalement le courant se polarise en spin à la traversée de la première couche magnétique, pour ensuite exercer un couple sur l'aimantation de la 30 seconde couche au moyen de la composante non colinéaire de la polarisation du courant. Lorsque les densités de courant sont suffisantes, l'aimantation de la seconde couche magnétique peut être retournée à la fois pour les vannes de spin et les jonctions tunnel magnétiques. Comme décrit par exemple dans le Brevet US 7 009 877 publié le 35 7 Mars 2006 et dans la Demande US 2009/129143 publiée le 21 Mai 2009, le courant électrique traverse nécessairement la jonction perpendiculairement au plan des couches. Cette possibilité de manipuler localement l'aimantation d'un élément magnétique de taille sub-micronique au moyen d'un courant électrique a tout de suite généré des possibilités d'application. De nos jours, c'est l'intégration de ce principe dans les nouvelles architectures de cellules mémoire MRAM et des composants logiques qui est recherchée par les acteurs industriels. Cette intégration se heurte pour l'instant à différentes difficultés qui semblent entrelacées. l0 Le retournement par STT nécessite la présence au niveau du point mémoire d'au moins deux couches magnétiques séparées par un espaceur non magnétique. L'écriture se fait comme décrit ci-dessus en injectant un courant de forte densité à travers tout l'empilement perpendiculairement au plan des couches magnétiques, tandis que la lecture se fait au moyen de la magnétorésistance de 15 l'empilement : magnétorésistance géante (GMR) pour les vannes de spin, et magnétorésistance tunnel (TMR) pour les jonctions tunnel magnétiques. De nos jours, toutes les applications ou presque sont basées sur l'utilisation de jonctions tunnel magnétiques. Ainsi, si le signal GMR n'est que de quelques pourcents, le signal TMR de jonctions à base de MgO est communément supérieur à 100%. Les jonctions tunnel 20 ont néanmoins le désavantage de présenter des valeurs du produit résistance * surface (RA) importantes. Ainsi, pour une densité de courant typique de 107 A/cm2 nécessaire au retournement par STT, la tension aux bords de la jonction est de 10V pour un RA de l 00n. µm2, 1V pour un RA de 10 a µm2 et 0.1V pour un RA de 1 a µm2. Hormis pour la valeur la plus faible, la puissance dissipée dans la jonction est alors importante 25 ce qui est préjudiciable à la fois en terme de consommation énergétique et d'endommagement de la dite jonction. De plus, les valeurs importantes de TMR utiles à la lecture sont souvent obtenues pour des empilements présentant des valeurs de RA importantes. Cela explique les recherches actuelles pour obtenir des jonctions 30 tunnel présentant de fortes valeurs de TMR et de faibles valeurs de RA. De plus, même pour des valeurs relativement faibles de tension aux bords de la jonction, des phénomènes de vieillissement accéléré de la jonction dus aux cycles en tension ont été observés en fonctionnement. De nombreuses études sont consacrées actuellement à ce point à la fois pour optimiser les matériaux dans les géométries existantes mais aussi 35 pour définir de nouvelles géométries permettant de découpler autant que possible les problématiques d'écriture et de lecture par exemple en utilisant des géométries à trois terminaux. En résumé, une difficulté réside dans l'impossibilité d'optimiser indépendamment la lecture et l'écriture car, dans les dispositifs à transfert de spin 5 (STT) connus, les deux phénomènes sont intrinsèquement liés. Une autre difficulté inhérente encore à ce lien provient de la complexité toujours plus grande des empilements. Ainsi, si l'on veut que l'effet de transfert de spin (STT) ne se fasse ressentir que dans la couche à retourner pour stocker l'aimantation, il faut par exemple stabiliser les autres couches au moyen par lo exemple d'un couplage d'échange avec un matériau antiferromagnétique ; si l'on veut augmenter l'amplitude du transfert STT, il faut optimiser les couches polarisantes ; si l'on veut diminuer les champs magnétiques rayonnés sur les couches sensibles, il faut utiliser par exemple des bicouche antiferromagnétiques artificielles ; etc... Il en résulte que les empilements magnétiques typiques de cellules 15 MRAM ou composants logiques peuvent comporter plus de 10 ou 15 couches différentes de matériaux divers. Ceci pose ensuite des difficultés dans les étapes de structuration et notamment dans l'étape de gravure qui est un des points de blocage les plus importants pour l'intégration de ces empilements magnétiques. Une autre voie de recherche est de manipuler l'aimantation au 20 moyen d'un champ électrique local. Ceci peut être partiellement accompli en modifiant l'anisotropie d'un matériau au moyen d'un champ électrique extérieur, le retournement de l'aimantation s'effectuant au moyen d'un champ magnétique appliqué. Une telle technique est décrite dans l'article de T. MARUYAMA et collaborateurs intitulé « Large voltage-induced magnetic anisotropy charge in a few 25 atomic layers of iron » (Nature Nanotechnology, vol. 4, March 2009 - Macmillan Publishers Ltd.). Cette technique ne permet actuellement que de réduire l'anisotropie du matériau. Les processus d'écriture et de lecture sont alors les mêmes que ceux décrits ci-dessus, ainsi que leurs inconvénients. 30 La présente invention a pour objet un élément magnétique inscriptible qui, pour inverser l'aimantation, ne nécessite la présence que d'une couche magnétique (ayant une aimantation parallèle à son plan) et qui fonctionne sans que l'empilement ne soit traversé par un courant d'écriture perpendiculairement au plan des couches. 35 L'invention concerne ainsi un élément magnétique inscriptible comportant un empilement de couches présentant une couche magnétique d'écriture, caractérisé en ce que l'empilement comporte une couche centrale en au moins un matériau magnétique présentant une aimantation ayant une direction d'aimantation parallèle au plan de la couche centrale, celle-ci étant prise en sandwich entre une première et une deuxième couches externes en matériaux non magnétiques, la première couche externe comportant un premier matériau non magnétique et la deuxième couche externe comportant un deuxième matériau non magnétique différent du premier matériau non magnétique, au moins le deuxième matériau non magnétique étant électriquement conducteur, en ce qu'il comporte un dispositif pour faire passer un courant d'écriture à travers la deuxième couche externe et la couche centrale dans lo une direction de courant parallèle au plan de la couche centrale et faisant un angle a de 90° f 60°, notamment de 90° ± 30° et plus particulièrement de 90° ± 15° avec ladite direction d'aimantation parallèle au plan de la couche centrale, pour générer dans la couche centrale un champ magnétique effectif (ou champ de spin-orbite), ce courant d'écriture étant appliqué, soit dans un premier sens, soit dans un deuxième 15 sens opposé au premier sens pour orienter la direction d'aimantation dans un premier sens d'aimantation ou dans un deuxième sens d'aimantation opposé au premier sens d'aimantation. La présente invention présente l'important avantage supplémentaire de permettre des opérations d'écriture sans application d'un champ magnétique 20 externe. Le champ magnétique efficace (ou champ magnétique de spin-orbite) est dû au champ Rashba et à l'interaction d'échange s-d, agissant sur l'aimantation locale, ainsi qu'il sera expliqué plus loin dans la description. L'idée de base de l'invention est d'utiliser le champ magnétique de 25 spin-orbite pour manipuler l'aimantation de la couche magnétique. Ceci est réalisé selon l'invention, sans avoir besoin d'un champ magnétique appliqué, en orientant l'aimantation de la couche magnétique de préférence colinéairement à la direction du champ magnétique de spin-orbite qui est fixée par la géométrie de l'empilement, des interfaces, et la direction du courant. La direction du courant d'écriture est de 30 préférence perpendiculaire à ladite direction de l'aimantation. Le courant électrique d'écriture circule parallèlement à la couche magnétique et ne traverse pas l'empilement dans une direction perpendiculaire au plan des couches, et la mémoire peut être écrite ou effacée en agissant, sur le sens dudit courant et plus particulièrement en appliquant une impulsion de courant, sans qu'il soit 35 besoin d'appliquer un champ magnétique externe. La couche centrale a avantageusement une épaisseur comprise entre 0,1 nm et 5 nm et de préférence inférieure ou égale à 3 nm. La couche centrale comporte avantageusement un métal ou un alliage de métaux présentant dans l'empilement une anisotropie magnétique planaire, notamment Co, Fe, Ni, CoXFey, NiXFey, CoXNiy, etc..., l'aimantation de cette couche centrale étant contenue dans le plan de la couche centrale. Au moins une couche externe conductrice est avantageusement en un métal non magnétique de préférence Pt, W, Ir, Ru, Pd, Cu, Au, Ag, Bi, ou en un alliage de ces métaux, ou bien en un semiconducteur fortement dopé (dopage++) tel que Si, Ge, ou GaAs. L'épaisseur d'une telle couche conductrice est par exemple comprise entre 0,5 nm et 100 nm, plus particulièrement entre 1 nm et 10 nm et de préférence inférieure ou égale à 5 nm. Les deux couches externes peuvent être électriquement conductrices, mais elles sont alors choisies en deux dits métaux ou alliages de métaux non magnétiques différents. L'épaisseur d'une couche externe conductrice n'a pas de lien avec l'épaisseur de la couche centrale. La première couche externe, lorsqu'elle est électriquement non conductrice, est avantageusement en un oxyde diélectrique de préférence SiOx, AIOx, MgOx, TiOx, TaOx ZnO, HfO ou bien un nitrure diélectrique tel que SiNx, BNx, ou bien encore en un semiconducteur (par exemple Si, Ge, AsGa) intrinsèque ou très faiblement dopé de façon que la résistivité soit supérieure à 0,1 n.cm (soit un niveau de dopage typiquement inférieur à 1016/cm3 pour Si ou Ge) et de préférence supérieure à 1 S2.cm. L'épaisseur de cette couche externe est par exemple comprise entre 0,5 nm et 200 nm, notamment entre 0,5 nm et 100 nm. Elle est plus particulièrement comprise entre 0,5 nm et 5 nm, préférentiellement inférieure à 3 nm, notamment si la lecture de l'élément mémoire se fait au moyen d'un signal de magnétorésistance tunnel. Dans tous les cas, l'épaisseur de cette couche n'a pas de lien avec l'épaisseur de la couche centrale. La densité du courant d'écriture est comprise par exemple entre 104 A/cm2 et 109 A/cm2, et plus particulièrement entre 105 A/cm2 et 108 A/cm2. La première couche externe peut être recouverte d'une couche de lecture en matériau magnétique et d'une électrode de lecture. Un dispositif peut être couplé à l'électrode de lecture pour faire passer un courant de lecture à travers l'empilement ainsi formé et pour mesurer la résistance aux bornes de l'empilement. Dans le cas où la première couche externe est en métal non magnétique, elle forme avec la couche centrale, la couche de lecture et l'électrode de 35 lecture une vanne de spin. L'épaisseur de la première couche externe est alors comprise entre 0,5 nm et 10 nm et de préférence inférieure à 5 nm. Dans le cas où la première couche externe est diélectrique, elle forme avec la couche centrale, la couche de lecture et l'électrode de lecture une jonction tunnel magnétique. Dans ce cas, l'épaisseur de la première couche externe est comprise entre 0,5 nm et 5 nm et de préférence inférieure à 3 nm. La première couche externe et la couche centrale forment avantageusement un plot. La deuxième couche externe peut comporter une région en surépaisseur qui fait partie du plot. Une piste est avantageusement formée soit par la deuxième couche externe, soit par une piste électriquement conductrice qui borde la deuxième couche externe. L'invention concerne également un dispositif magnétique inscriptible, comportant une pluralité de plots tels que définis ci-dessus et en ce que la deuxième couche externe comporte une dite piste qui leur est commune. L'invention concerne enfin un dispositif magnétique inscriptible, caractérisé en ce que la première couche externe, la couche centrale et une région en surépaisseur constituant la deuxième couche externe forment un plot, et en ce qu'il comporte une pluralité desdits plots, ainsi qu'une piste électriquement conductrice bordant la deuxième couche externe desdits plots pour injecter ledit courant à travers la deuxième couche externe et la couche centrale de chacun desdits plots, la deuxième couche externe étant en un matériau électriquement conducteur différent de celui de la piste électriquement conductrice. L'invention sera mieux comprise à la lecture de la description ci-après, en liaison avec les dessins dans lesquels les figures la à 1g illustrent des mises en oeuvre de l'invention, dont les figures 2a et 2b représentent un mode de réalisation intégré dans une cellule mémoire magnétique de type "MRAM", et dont les figures 3a et 3b illustrent des modes de réalisation dans chacun desquels plusieurs éléments de mémoire sont représentés pour illustrer l'architecture de la mémoire. L'empilement mis en oeuvre dans le cadre de la présente invention, à savoir une couche magnétique centrale, en sandwich entre deux couches externes non magnétiques, dont au moins une est conductrice, les deux couches externes étant en des matériaux différents, a pour effet de créer une asymétrie d'inversion qui génère un champ électrique non compensé dans la couche centrale magnétique. Les électrons se propageant dans ce champ électrique sont soumis dans leur référentiel propre à un champ magnétique appelé champ Rashba R dont la direction est perpendiculaire à la fois au courant circulant dans la couche conductrice et au champ électrique. Ce champ magnétique s'applique donc sur les électrons de conduction. Les inventeurs ont montré qu'un champ magnétique effectif (dénommé également champ magnétique de spin-orbite) résultant de ce champ Rashba et de l'interaction d'échange couplant le spin des électrons itinérants et localisés s'applique sur l'aimantation locale. L'article de Ioan Mihai MIRON et Collaborateurs, intitulé « Current-driven spin torque induced by the Rashba effect in a ferromagnetic metal layer », et publié dans Nature Materials / Advance Online Publications, vol. 9, pages 230-234 en Mars 2010 (Macmillan Publishers Ltd) montre un empilement comportant une couche de Pt (3 nm) une couche de Co (0,6 nm) ayant une aimantation perpendiculaire à son plan et donc parallèle à l'axe z, et une couche de AIOx (2 nm) parcourue par un courant circulant parallèlement à l'axe x. Cet empilement présente un champ magnétique effectif Heff (ou champ magnétique de spin-orbite) selon le troisième axe du trièdre, l'axe y. Cette configuration est de fait inappropriée à la réalisation d'une mémoire, car ce champ magnétique est perpendiculaire à l'aimantation de la couche magnétique. De manière surprenante, les inventeurs ont montré que cet obstacle théorique pouvait être franchi dans une configuration différente de celle décrite dans l'article précité en permettant une orientation de l'aimantation de la couche magnétique de préférence colinéaire à la direction du champ magnétique effectif généré par le courant. Lorsqu'un courant d'écriture est injecté dans la couche centrale, mais perpendiculairement à la direction de l'aimantation qui est dans le cas présent située dans le plan de la couche centrale magnétique, il est généré un champ de spin-orbite colinéaire à la direction de l'aimantation et un changement du sens de l'aimantation peut être obtenu selon l'invention en fonction du sens de circulation du courant d'écriture injecté, sans application d'un champ magnétique externe. Ce changement du sens de l'aimantation continue à être obtenu selon l'invention lorsque la direction du courant dans le plan de la couche centrale n'est pas perpendiculaire à la direction d'aimantation, mais forme avec celle-ci un angle a de 90° ± 30°, notamment de 90° ± 30°, et plus particulièrement de 90° ± 15°. En effet, le champ magnétique effectif garde une composante colinéaire à la direction d'aimantation de la couche centrale. Aux figures 1 a à 1g, la référence 15 désigne un substrat qui est un isolant électrique, afin de ne pas court-circuiter la structure. Il peut être notamment constitué par un oxyde diélectrique (SiO2, AIOx, MgOx, TiOx, TaOx, ZnO, HfO), ou par un nitrure par exemple SiNx. Il peut être seul ou déposé sur un autre substrat par exemple en silicium. La référence 13 désigne la couche magnétique plane dont l'aimantation est parallèle à son plan. La référence 16 désigne l'orientation de l'aimantation qui est contenue dans le plan de la couche magnétique 13. Les références 14 et 12 désignent les couches externes non magnétiques. La référence 11 désigne la direction du courant d'écriture qui est parallèle au plan de la couche 13, mais qui, dans cet exemple, est perpendiculaire à l0 l'aimantation. Comme indiqué ci-dessus, la direction du courant peut former un angle a (figure 1d) de 90° f 60° (30° La direction 16 d'aimantation dans les plots 18a à 18c est de préférence perpendiculaire à l'axe longitudinal de la piste conductrice 14 qui est parallèle à la direction 11 de circulation du courant. Pour obtenir une telle direction d'aimantation qui est colinéaire à la direction du champ de spin-orbite, on peut réaliser par exemple un plot elliptique par exemple 18c, dont le grand axe est perpendiculaire à l'axe longitudinal de la piste conductrice 14 (la surépaisseur 14' est optionnelle) pour obtenir une anisotropie de forme selon la direction désirée. La couche magnétique 13 présente une direction d'aimantation située dans son plan et a une épaisseur assez fine pour que le champ électrique dû aux 1 o interfaces ne soit pas négligeable. Son épaisseur ne dépasse typiquement pas 3 nm et elle est au maximum de 5 nm. Tous les matériaux magnétiques présentant une aimantation planaire (Co, Fe, Ni, CoxFey, NixFey, CoxNiy, etc) peuvent être utilisés. On peut aussi prendre des matériaux magnétiques non métalliques comme par exemple des semi-conducteurs magnétiques tels que GaMnAs (GaAs dopé au Mn), le 15 InMnAs, le Mnx Ge(1-x), le ZnO dopé ou bien encore le TiOx. Les deux couches non-magnétiques 12 et 14 doivent être différentes afin de créer une asymétrie d'inversion dans la structure globale. On choisit deux matériaux différents pour chacune de ces couches, par exemple un diélectrique pour l'une des deux et un métal pour l'autre, mais on peut choisir aussi un métal pour 20 chacune d'entre elles. Le cas où les deux couches 12 et 14 sont électriquement non conductrices n'est possible que si on ne structure pas un plot, mais une piste. On fait alors circuler le courant dans la couche centrale 13 qui constitue une piste. Ainsi, chacune des deux couches non magnétiques 12 et 14 peut être constituée des matériaux suivants, avec la condition que ces couches soient différentes 25 pour que l'empilement 12, 13, 14 présente une asymétrie d'inversion, un oxyde diélectrique (SiOx, AIOx, MgOx, TiOx, TaOx, ZnO, HfOx...), un nitrure diélectrique, (SiNx, BNx,...), un métal non magnétique (Pt, Pd, Cu, Au, Bi, Ir, Ru, W,...) un alliage non magnétique de ces métaux, un composé semi-conducteur organique ou non (par exemple GaAs, Si, Ge dopé ou non) un graphène lié si besoin à un "buffer" de 30 croissance par exemple un métal (comme l'Ir, Ru, Ni) ou un composé semi-conducteur comme le SiC. Une couche électriquement non conductrice est par exemple en un matériau semiconducteur (par exemple Si, Ge, GaAs) intrinsèque ou faiblement dopé de façon que leur résistivité soit supérieure à 0,1 aom (ce qui correspond à un niveau 35 de dopage typiquement inférieur à 1016/cm3 pour Si ou Ge) et de préférence supérieure à 1 n.cm. Pour une couche électriquement conductrice en matériau semiconducteur, il convient de prévoir un semiconducteur fortement dopé (dopage++), avec par exemple dans le cas de Si ou Ge, une densité de porteurs de 1018/cm3 ou plus. Dans le cas ou les couches non magnétiques sont l'une ou l'autre conductrices, les deux couches externes ne doivent pas avoir la même composition. L'épaisseur des couches 12 et 14 peut être choisie dans une large gamme de valeurs, typiquement de 0,5 à 200 nm d'épaisseur et plus particulièrement entre 0,5 nm et 100 nm. Néanmoins, dans le cas de couches 12 et/ou 14 métalliques, on privilégie des couches fines, typiquement inférieures à 5 nm et généralement inférieures à 10 nm, de façon à ne pas trop diminuer le courant efficace passant dans la couche magnétique à cause de ces canaux conducteurs en parallèle. Dans le cas de couches isolantes, celles-ci peuvent être prises épaisses, jusqu'à environ 200 nm d'épaisseur, sauf si l'empilement est intégré à une mémoire lue par jonction tunnel magnétique (TMR), auquel cas cette épaisseur devra être typiquement inférieure à 3 nm. Ces différentes couches peuvent être déposées par toute technique connue telle que : évaporation, pulvérisation, dépôt par voie électrochimique, croissance chimique,.... La couche 14 peut être omise dans certaines géométries. La couche magnétique 13 est alors déposée directement sur le substrat isolant 15 (qui fait fonction de couche non magnétique) et la couche non magnétique 12 est en un matériau différent de celui constituant le substrat 15 choisie de façon à ce que l'empilement présente l'asymétrie d'inversion. Il faut néanmoins remarquer que dans le cas où des plots sont structurés, la couche 14 doit être présente et constituée d'un matériau conducteur électrique de façon à pouvoir injecter du courant dans les plots structurés (ici 18a et 18b). L'élément à retourner, que ce soit la piste représentée (Figure la ou lb) ou un plot reporté ou structuré sur la piste (Figures 1c à 1g), est connecté par des électrodes conductrices connues en soi, de façon à injecter un courant d'écriture dans la direction 11. Les densités de courant peuvent être comprises entre 104 A/cm2 et 109 A/cm2 et plus particulièrement entre 105 A/cm2 et 108 A/cm2. Ce courant d'écriture ne traverse pas perpendiculairement aux couches l'empilement (12, 13, 14), lequel n'est susceptible d'être traversé perpendiculairement aux couches que par le courant de lecture dont l'intensité est beaucoup plus faible. L'injection de courant dans la piste 14 dans le sens de la flèche 11 (ou en sens inverse) permet de commuter l'aimantation de la couche 13 au moyen du champ magnétique effectif produit sur l'aimantation par l'interaction spin-orbite et le couplage d'échange. L'aimantation est orientée dans le plan de la couche centrale magnétique 13 et dans cet exemple perpendiculairement à la direction d'injection de courant. Le champ magnétique effectif est parallèle à l'aimantation, ce qui permet une inscription des points mémoire par retournement de l'aimantation en fonction du sens lo du courant injecté. Si la direction d'aimantation de la couche centrale n'est pas perpendiculaire à la direction d'injection de courant, l'inscription reste possible tant que ces directions ne sont pas colinéaires, car le champ magnétique effectif garde une composante colinéaire à la direction d'aimantation de la couche. On choisira un angle 15 a entre la direction d'injection de courant et la direction d'aimantation de 90° ± 60°, notamment 90° ± 30°et plus particulièrement de 90° ± 15°. Lorsque a est différent de 90°, le champ magnétique de spin-orbite aligne sur lui l'aimantation lors de l'application du courant d'écriture. L'aimantation reprend sa direction, mais avec le sens opposé lors de l'arrêt de l'impulsion du courant 20 d'écriture. En changeant le sens du courant d'écriture, la direction d'aimantation est conservée, mais le sens en est inversé. Les figures 2a et 2b sont un exemple d'empilement utilisable dans une cellule de mémoire MRAM. La référence 53 désigne la couche centrale magnétique prise en 25 sandwich entre deux matériaux non magnétiques différents 52 et 54 avec une surépaisseur 54' (optionnelle), pour réaliser l'empilement tel que décrit ci-dessus, sur un substrat 55 électriquement isolant. La référence 51 désigne la direction du courant dans la piste 54, et 56 la direction de l'aimantation dans la couche 53, qui dans cet exemple est prise 30 perpendiculairement à la direction d'injection du courant. Au-dessus de l'empilement sont disposées pour la lecture une couche 58 d'un matériau magnétique et une électrode supérieure 59 pouvant contenir une ou plusieurs couches conductrices (magnétiques ou non magnétiques). La fonction de la couche 58 est de permettre que la structure 53, 52, 35 58 présente des valeurs de résistance électrique différentes suivant le sens de l'aimantation 56 de la couche 53 (signal de magnétorésistance). Elle n'intervient que pour la lecture et n'a aucun effet sur la manipulation de l'aimantation de la couche 53. En d'autres termes, l'écriture et la lecture sont définies de manière indépendante et peuvent être optimisées séparément. L'électrode 59 peut comporter une couche ou bien, de manière connue en soi, un empilement de différentes couches fonctionnelles. Il peut contenir par exemple : un empilement définissant un antiferromagnétique synthétique de façon à limiter les champs rayonnés sur la couche que l'on cherche à manipuler 53 ; par exemple un empilement comprenant une couche ferromagnétique séparée de la couche ferromagnétique 58 par une très fine couche d'un matériau métallique non magnétique, typiquement 0,3 nm de Ru, les valeurs des aimantations des deux couches ferromagnétiques étant le plus proche possible, de telle sorte que le couplage antiferromagnétique entre elles qui est dû à la présence de la couche de ruthénium résulte en un champ total rayonné par ces trois couches sur la couche 53 soit nul, soit quasi nul ; ou bien un matériau magnétique antiferromagnétique couplé par échange à la couche 58 de façon à stabiliser cette couche 58 dite de référence ; ou bien des matériaux conducteurs non magnétiques pour réaliser des contacts électriques ; ou encore une combinaison de ces différentes possibilités par exemple un matériau antiferromagnétique adjacent à un matériau ferromagnétique de manière à stabiliser l'aimantation de celui-ci par le couplage entre ces deux matériaux, ce matériau ferromagnétique étant séparé de la couche 58 par une fine couche métallique, typiquement 0,3nm de Ru de façon que le couplage magnétique entre ces deux couches ferromagnétiques soit antiferromagnétique. Enfin, le premier matériau magnétique est recouvert d'une ou plusieurs couches conductrices non magnétiques, par exemple 5nm de Ta recouvert de 7nm de Ru. On trouvera des exemples de telles combinaisons par exemple dans des empilements magnétiques utilisés pour le retournement par STT décrit dans B. DIENY et al., Int. J. Nanotechnology, vol. 7, 591 (2010). Deux configurations principales peuvent être distinguées suivant la nature de la couche non magnétique 52 : si elle est en métal non magnétique, la structure 53, 52, 58 est de type vanne de spin, tandis que si la couche 52 est diélectrique, la structure 53, 52, 58 est du type jonction tunnel magnétique. Le signal de magnétorésistance étant beaucoup plus important pour ces structures, ce seront celles-ci qui seront privilégiées. De même, pour optimiser le signal de magnétorésistance, on privilégie dans l'un et l'autre cas, la configuration dans laquelle l'aimantation de la couche 58 est colinéaire, soit parallèle, soit antiparallèle, à celle de la couche 53. Dans le cas où la couche 52 est électriquement conductrice, par exemple en métal non magnétique, son épaisseur est avantageusement inférieure à 10 nm et de préférence inférieure à 5 nm, tandis que dans le cas où la couche 52 est diélectrique, son épaisseur est avantageusement inférieure à 5 nm et de préférence inférieure à 3 nm. A, B et C (Figure 2a et 21)) désignent trois bornes de connexion électrique. Dans la phase d'écriture, un courant est injecté entre les bornes A et B (de façon équivalente, une tension est appliquée entre ces bornes de façon à faire circuler un courant). Le courant passe dans la couche magnétique 53 et produit dans cette couche un champ magnétique efficace dû au champ Rashba et à l'interaction d'échange s-d, agissant sur l'aimantation locale (voir l'article précité de Ioan Mihai MIRON et collaborateurs). Ce champ efficace Heffest dénommé de façon équivalente champ magnétique de spin-orbite ou champ effectif Heff. Ce champ de spin-orbite, créé par le courant d'écriture appliqué, permet selon l'invention, la manipulation de l'aimantation. Dans le cas où la couche 52 est constituée par un matériau diélectrique, le courant d'écriture injecté latéralement ne passe pas à travers cette couche et ne l'endommage pas. Une fois le courant d'écriture interrompu, la direction d'aimantation est conservée. La lecture de l'information stockée, typiquement l'orientation de l'aimantation dans la couche centrale 53, se fait aussi bien pour une structure de type jonction tunnel que de type vanne de spin, en injectant un courant de lecture de faible intensité (par exemple de l'ordre de quelques µA ou de quelques dizaines de µA pour le cas d'une jonction tunnel) entre les bornes C et B (ou de façon équivalente entre les bornes C et A, et en mesurant la tension entre ces bornes, ou bien en appliquant une tension constante entre les bornes B et C (ou de façon équivalente entre les bornes A et C), et en mesurant le courant qui circule entre ces bornes de façon à mesurer dans tous cas la résistance entre ces bornes. Celle-ci présente deux valeurs différentes selon que l'aimantation de la couche 53 est parallèle ou anti-parallèle à l'aimantation de la couche de référence 58. Le courant de lecture a une faible valeur de sorte que la barrière tunnel (dans le cas où la couche 52 est diélectrique) ne saurait être endommagée. Des exemples d'architecture de mémoire seront maintenant présentés en relation avec les figures 3a et 3b. On retrouve la couche magnétique 100 ayant une direction d'aimantation 107 contenue dans le plan de la couche 100 (qui correspond aux couches 13 et 53 des figures le à 1g, 2a et 2b) prise en sandwich entre deux couches non-magnétiques 101 et 102 (qui correspondent aux couches 12 et 14 des figures la à 1f et 52 et 54 des figures 2a et 2b). Les plots peuvent présenter une région en surépaisseur 102' (qui correspond aux régions 14' et 54' des figures le à 1g, 2a et 2b). Cette région 102' est conductrice et fait partie de la piste électriquement conductrice 102, lorsqu'elle est dans le même matériau que celle-ci ou bien constitue une deuxième couche non magnétique lorsqu'elle est dans un matériau différent. Ici, pour simplifier, la couche 101 comprend à la fois cette couche 12 ou 52, mais aussi des couches magnétiques et non magnétiques permettant de définir un empilement de type jonction tunnel (ou vanne de spin) et ainsi de pouvoir lire l'état d'aimantation de la couche 100 (à la façon des couches 52, 58 et 59 des figures 2a et 2b). Le retournement de l'aimantation de la couche 100 se fait au moyen d'un courant parcourant l'électrode inférieure 102 et la couche centrale magnétique 100. Pour ce faire, la seconde couche non magnétique 102 constituant le sandwich est ici structurée sous la forme d'une piste d'amenée de courant. Cette piste 20 peut aussi être constituée par exemple d'une autre couche d'un autre matériau située sous la couche 102. L'injection du courant est contrôlée par un ou deux transistors (pour chaque plot). Deux cas peuvent être pris pour exemple soit on utilise deux 25 transistors 103a et 103b fonctionnant en commutation, reliés par des pistes non représentées soit au potentiel de masse, soit à une tension choisie pour faire circuler le courant désiré (figure 3a), soit un seul transistor 103a, l'autre extrémité 105 (point B) de la piste 102 étant connectée à une piste portée à un potentiel constant (Figure 3b). Pour un point mémoire donné, l'injection de courant pour l'écriture 30 peut se faire selon deux variantes. On utilise dans une première variante deux transistors 103a et 103b fonctionnant en commutation, dont la borne libre est portée alternativement à la masse pour l'un et à une tension Vdd pour l'autre, la tension Vdd étant choisie pour faire circuler un courant de valeur choisie, dans un sens ou dans l'autre suivant que le 35 transistor 103a ou le transistor 103b est porté à la tension Vdd. 10 15 On utilise dans une deuxième variante un seul transistor 103a, l'autre extrémité de la piste 102 étant portée en 105 à une tension fixe. Dans ce cas, deux modes de fonctionnement sont alors possibles : - Fonctionnement symétrique : La piste connectée au transistor 103a est portée au potentiel Vdd (ou à la masse) tandis que l'autre piste connectée en bout de la piste 102 en 105 est connectée à la masse (ou à Vdd). Cette configuration permet de générer plus de courant que celle qui suit. Fonctionnement asymétrique : La piste conductrice connectée à l'extrémité de la piste 102 en 105 est portée à un potentiel intermédiaire, par exemple Vdd /2, tandis que celle reliée au transistor 103a est portée respectivement au potentiel Vdd ou à la masse suivant le sens souhaité pour le courant. Cette configuration permet de générer moins de courant. Dans la configuration de l'invention, le courant d'écriture peut être envoyé sur une surface bien plus petite que celles utilisées dans les techniques conventionnelles, et ce courant est suffisant pour faire fonctionner le dispositif. Dans cet exemple de réalisation, on fait une économie de consommation sur le fonctionnement. Dans les deux variantes, et pour la deuxième variante, que le fonctionnement soit symétrique ou asymétrique, l'inversion du sens de courant d'écriture permet d'écrire les points mémoire. REVENDICATIONS1) Elément magnétique inscriptible comportant un empilement de couches présentant une couche magnétique d'écriture, caractérisé en ce que l'empilement comporte une couche centrale (13, 53, 100) en au moins un matériau magnétique présentant une aimantation ayant une direction d'aimantation parallèle au plan de la couche centrale (13, 53, 100), celle-ci étant prise en sandwich entre une première (12, 52, 101) et une deuxième (14, 54, 102) couches externes en matériaux non magnétiques, la première couche externe (12, 52, 101) comportant un premier matériau non magnétique et la deuxième couche externe (14, 54, 102) comportant un lo deuxième matériau non magnétique différent du premier matériau non magnétique, au moins le deuxième matériau non magnétique étant électriquement conducteur, en ce qu'il comporte un dispositif pour faire passer un courant d'écriture à travers la deuxième couche externe (14, 54, 102) et la couche centrale (13, 53, 100) dans une direction de courant parallèle au plan de la couche centrale (13, 53, 100) et faisant un 15 angle a de 90° t 60°, notamment de 90° ± 30° et plus particulièrement 90° ± 15° avec ladite direction d'aimantation, pour générer dans la couche centrale (13, 53, 100) un champ magnétique effectif, ce courant étant appliqué soit dans un premier sens, soit dans un deuxième sens opposé au premier sens, pour orienter la direction d'aimantation dans un premier sens d'aimantation ou dans un deuxième sens 20 d'aimantation opposé au premier sens d'aimantation. 2) Elément magnétique selon la revendication 1, caractérisé en ce que la direction du courant d'écriture est perpendiculaire à ladite direction d'aimantation. 3) Elément de mémoire selon une des revendications précédentes, 25 caractérisé en ce que la couche centrale (13, 53, 100) a une épaisseur comprise entre 0,1 nm et 5 nm et de préférence inférieure ou égale à 3 nm. 4) Elément magnétique selon une des revendications précédentes, caractérisé en ce que la couche centrale (13, 53, 100) comporte un métal ou un alliage de métaux présentant dans l'empilement une anisotropie magnétique planaire, 30 notamment Co, Ni, Fe, CoXFey, Ni,,Fey, Co,(Niy. 5) Elément magnétique selon une des revendications précédentes, caractérisé en ce qu'au moins une couche externe est électriquement conductrice et est en un métal non-magnétique, tel que Pt, W, Ir, Ru, Pd, Cu, Au, Ag, Bi ou en un alliage de ces métaux, ou bien en un matériau semiconducteur fortement dopé. 35 6) Elément magnétique selon la revendication 5, caractérisé en ce que l'épaisseur d'une dite couche externe électriquement conductrice est compriseentre 0,5 nm et 100 nm, et plus particulièrement entre 1nm et 10 nm et de préférence inférieure ou égale à 5 nm. 7) Elément magnétique selon une des revendications 5 ou 6, caractérisé en ce que les deux couches externes sont électriquement conductrices et 5 sont en deux dits matériaux ou alliages non magnétiques différents. 8) Elément magnétique selon une des revendications 1 à 6, caractérisé en ce que la première couche externe est électriquement non conductrice et est notamment en un oxyde diélectrique tel que SiOx, AIOx, MgOx, TiOx, TaOx, ZnO, HfOx ou un nitrure diélectrique tel que SiNx, BNx. 10 9) Elément magnétique selon une des revendications 1 à 6, caractérisé en ce que la première couche externe est en un semiconducteur tel que Si, Ge, ou GaAS, intrinsèque ou faiblement dopé, avec une résistivité supérieure à 0,1 S2.cm et de préférence supérieure à 1 n.cm. 10) Elément magnétique selon une des revendications 8 ou 9, 15 caractérisé en ce que l'épaisseur d'une dite première couche externe électriquement non conductrice est comprise entre 0,5nm et 200 nm, et plus particulièrement entre 0,5 nm et 100 nm et préférentiellement inférieure à 3 nm. 11) Elément magnétique selon une des revendications précédentes, caractérisé en ce que le courant d'écriture présente une densité de courant comprise 20 entre 104 A/cm2 et 109 A/cm2 et de préférence entre 105 A/cm2 et 108 A/cm2 12) Elément magnétique selon une des revendications précédentes, caractérisé en ce que la première couche externe (52) est recouverte d'une couche de lecture (58) en matériau magnétique et d'une électrode de lecture (59). 13) Elément magnétique selon la revendication 12, caractérisé en ce 25 que la première couche externe (52) est en métal non-magnétique et en ce qu'elle forme avec la couche centrale (53), la couche de lecture (58) et l'électrode (59) une vanne de spin, et en ce que l'épaisseur de la première couche externe (52) est comprise entre 0,5 nm et 10 nm et de préférence comprise entre 0,5 nm et 5 nm. 14) Elément magnétique selon la revendication 12, caractérisé en ce 30 que la première couche externe (52) est électriquement non conductrice et en ce qu'elle forme avec la couche centrale (53), la couche de lecture (58) et l'électrode de lecture (59) une jonction tunnel magnétique, et en ce que l'épaisseur de la première couche externe (12, 52, 101) est comprise entre 0,5 nm et 5 nm et de préférence inférieure à 3 nm. 15) Elément magnétique selon une des revendications précédentes, caractérisé en ce qu'au moins la première couche externe (54, 102) et la couche centrale (53, 100) forment un plot. 16) Elément magnétique selon la revendication 15, caractérisé en ce 5 que le deuxième couche externe (54, 102) comporte une région (54', 102') en surépaisseur qui fait partie du plot. 17) Dispositif magnétique inscriptible, caractérisé en ce qu'il comporte une pluralité de plots selon une des revendications 15 ou 16 et en ce que la deuxième couche externe comporte une piste (54, 102) qui leur est commune. l0 18) Dispositif magnétique inscriptible caractérisé en ce que la première couche externe (52, 101), la couche centrale (53, 100) et une région en surépaisseur (54', 102') constituant la deuxième couche externe forment un plot selon la revendication 16, et en ce qu'il comporte une pluralité desdits plots, ainsi qu'une piste (54, 102) électriquement conductrice bordant la deuxième couche externe (54', 15 102') desdits plots pour injecter ledit courant à travers la deuxième couche externe (54', 102') et la couche centrale (53, 100) de chacun desdits plots, la deuxième couche externe étant en un matériau électriquement conducteur différent de celui de la piste électriquement conductrice (54, 102). 20