FR 2962429 A1 20120113 FR 1155947 A 20110701 1 Domaine de l'invention La présente invention se rapporte à un procédé de fabrication d'un composant ayant au moins un premier élément microstructuré ou nanostructuré, ainsi qu'un composant avec un tel élément. Etat de la technique Habituellement, on loge les capteurs micromécaniques dans des boîtiers. On distingue entre les boîtiers avec des pattes de contact encore appelées "boîtes avec conducteurs" et les boîtes avec des surfaces de contact encore appelées "boîtes sans pattes conductrices". En particulier, on peut placer un capteur micromécanique dans un boîtier de base préfabriqué, injecté, c'est-à-dire un boîtier prémoulé que l'on ferme ensuite avec un couvercle. En fonction de l'emplacement du montage, les capteurs micromécaniques peuvent être exposés à des contraintes très diverses. En particulier, les capteurs micromécaniques tels que les capteurs des systèmes ESP installés dans le boîtier de commande, peuvent être exposés à des contraintes de vibrations. Une possibilité de protéger le capteur contre les vibrations, consiste à l'installer sur une plaque métallique elle-même placée sur une couche de gel. Une autre possibilité est décrite dans le document DE 10 2005 041 577 selon lequel, on atténue des vibrations externes gênantes par un élément de câblage. Exposé et avantages de l'invention La présente invention a pour objet un procédé de fabrication d'un composant ayant un composant micro ou nanostructuré, procédé comprenant les étapes suivantes : - utiliser un substrat ayant au moins une zone intérieure rigide, au moins une zone souple et au moins une zone extérieure rigide, la zone intérieure rigide étant entourée par la zone souple et celle-ci est elle-même entourée par la zone extérieure rigide, - appliquer au moins un premier composant micro ou nanostructuré sur la zone intérieure rigide, 2 - mettre en contact électrique le premier composant micro ou nanostructuré avec la zone intérieure rigide et/ou avec la zone extérieure rigide, et - appliquer une masse d'amortissement sur le premier composant micro ou nanostructuré. L'expression "zone souple", désigne notamment une zone qui sous la même action d'une force, se déforme de manière plus élastique et/ou de manière dilatable et/ou de manière plus déformable que la "zone intérieure rigide" et la "zone extérieure rigide". A titre d'exemple, la "zone souple" peut être plus élastique et/ou plus extensible et/ou plus déformable d'un coefficient 5 et notamment 10 qu'une "zone intérieure rigide" et qu'une "zone extérieure rigide" sous l'effet d'une même force. L'expression "masse d'amortissement" signifie dans le sens de la présente invention, notamment une masse qui absorbe de l'énergie mécanique, notamment de l'énergie vibratoire et peut la transformer en énergie interne par exemple en frottement. L'expression "élément microstructuré ou nanostructuré" au sens de la présente invention, désigne notamment un élément de composant ayant des dimensions de la structure interne de l'ordre de - 1 nm à 100 µm. Les dimensions de la structure interne sont les dimensions de structures à l'intérieur du composant, telles que par exemple des sillons, des entretoises ou des chemins conducteurs. De tels éléments de composant sont utilisés en technique des microsystèmes ou des systèmes micro-électromécaniques. L'expression "mise en contact électrique" signifie dans le cadre de la présente invention, à la fois un contact direct et un contact indirect. Par exemple, un contact électrique direct d'un élément de composant pourra se faire avec une zone à l'aide d'un contact électrique prévu sur l'élément de composant et d'un contact électrique qui se trouve dans la zone concernée, le contact électrique de l'élément de composant touchant la zone de contact électrique. Un contact électrique indirect entre un élément de composant et une zone, peut par exemple consister à relier un contact électrique de l'élément de composant par au moins un autre élément, par exemple un autre élément de 3 composant, un conducteur électrique, par exemple un chemin conducteur ou un fil ou encore une matière électroconductrice, telle que par exemple un adhésif électroconducteur, avec un contact électrique de la zone. Le procédé selon l'invention permet de réaliser avantageusement des composants ayant des éléments microstructurés et nanostructurés, amortis vis-à-vis des vibrations. Grâce à l'utilisation d'une masse d'amortissement, on peut ainsi améliorer de manière significative l'amortissement par comparaison à l'amortissement par l'air ou par un ressort. De plus, on peut avantageusement adapter individuellement l'amortissement par la sélection de la matière de la masse d'amortissement. Un avantage particulier est que la structure selon l'invention permet de réaliser un effet d'amortissement dans toutes les directions de l'espace. Cela permet d'utiliser de tels composants pratiquement à chaque emplacement d'application. De plus, de tels composants auront des dimensions plus faibles que celles des composants connus avec des plaques métalliques montées sur du gel. En outre, le procédé selon l'invention peut s'appliquer avantageusement de manière économique et avec un nombre réduit d'étapes de procédé. Selon un développement du procédé, la masse d'amortissement est un gel, une mousse, des granulés, un élastomère ou une combinaison de ceux-ci. A titre d'exemple, la masse d'amortissement peut être une mousse à base de matière plastique choisie dans le groupe comprenant le polypropylène, le polyéthylène, le polyéthylènetéréphthalate, le polyuréthane ou des combinaisons de ces matières. En particulier, la mousse peut être appliquée sur place (in situ) et/ou se développer après son application. C'est ainsi que l'on peut réaliser avantageusement une liaison par la forme. Mais il est également possible de développer la mousse avant son application sur le premier élément microstructuré ou nanostructuré. La masse d'amortissement peut également être un granulé. La masse d'amortissement peut être par exemple du sable ou une matière pulvérulente. Comme le granulé a en général une forte 4 densité, lors de l'utilisation du granulé comme masse d'amortissement, on peut avantageusement utiliser le granulé en plus comme masse et améliorer ainsi le comportement oscillant et amortissant. De plus, la masse d'amortissement peut également être un élastomère tel qu'un élastomère thermoplastique. Les élastomères améliorent également le comportement vis-à-vis de l'oscillation et de l'amortissement. En particulier, l'élastomère peut être développé sur place (in situ) par l'application et se développer ensuite ou dans le cas d'un élastomère thermoplastique, il peut être appliqué à l'état plastique ou à l'état chauffé. Cela permet d'obtenir avantageusement aussi une liaison par la forme. Selon un autre développement du procédé, la masse d'amortissement est un gel. L'utilisation d'un gel a l'avantage que le gel est en général transparent. Ainsi, après application, on peut faire un contrôle de qualité pour confirmer l'existence d'une liaison par la forme. En outre, les gels peuvent présenter une caractéristique d'adhérence, qui leur est propre, et s'utiliser ainsi sans agent intermédiaire. En outre, les gels sont plastiquement déformables à la température ambiante et peuvent ainsi avantageusement être appliqués par une liaison par la forme sur des composants thermosensibles. En particulier, la masse d'amortissement peut être un gel de silicone. La masse d'amortissement peut avoir par exemple une viscosité dans une plage de ? 5000 mPa.s à 10000 mPa.s, et notamment de ? 2000 mPa.s à 8000 mPa.s, par exemple de ? 3000 mPa.s à 4500 mPa.s, en particulier selon la norme DIN EN ISO 3219 et/ ou avoir un coefficient de consistance dans une plage de - 20 mm/ 10 à 100 mm/ 10, en particulier une plage - 40 mm/ 10 à 80 mm/ 10, par exemple une plage - 60 mm/ 10 à 80 mm/ 10, et d'une manière toute particulière, avec la norme DIN ISO 2137 (pénétration sous 9,38 g cône creux) et/ou une constante diélectrique, correspondant à une plage ? 2 à 6,5, en particulier une plage ? 2,5 à 3, par exemple une plage ? 2,6 à 2,8, que l'on détermine par la norme DIN VDE 0303 T4, 50 Hz. La viscosité de la masse d'amortissement peut être adaptée avantageusement aux exigences d'un premier composant micro ou nanostructuré. De façon préférentielle, la masse d'amortissement est 5 appliquée par une liaison par la forme sur le premier élément micro ou nanostructuré du composant. En particulier, on peut appliquer la masse d'amortissement sur le premier élément micro ou nanostructuré de façon que la masse d'amortissement couvre le premier élément micro ou nanostructuré en particulier, par une liaison par la forme. io L'expression "couvrir" dans le sens de la présente invention, signifie que la masse d'amortissement couvre les surfaces extérieures de l'élément correspondant qui, avant l'application de la masse d'amortissement, sont dégagées, par exemple la surface supérieure et les surfaces latérales en entrant en contact avec celles-ci. 15 Le cas échéant, dans la mesure où le premier élément micro ou nanostructuré a une surface de base plus petite que la zone intérieure rigide, la masse d'amortissement peut en outre couvrir les zones partielles adjacentes au premier composant micro ou nanostructuré dans la zone intérieure rigide. 20 Dans le cadre d'un autre mode de réalisation du procédé, la masse d'amortissement couvre en plus, partiellement ou complètement la zone souple. A titre d'exemple, la masse d'amortissement peut couvrir le premier élément micro ou nanostructuré et le cas échéant, les zones partielles adjacentes au 25 premier élément micro ou nanostructuré de la zone intérieure et de la zone souple. Dans le cadre d'un mode de réalisation du procédé, on applique la masse d'amortissement sur le premier élément micro ou nanostructuré, de façon que la masse d'amortissement couvre le 30 premier élément micro ou nanostructuré et le cas échéant les zones partielles adjacentes au premier élément micro ou nanostructuré de la zone intérieure rigide et de la zone souple, en couvrant l'une des zones partielles entourant la zone souple de la zone extérieure rigide. Cela permet de découpler d'une manière particulièrement bonne, le premier 6 élément micro ou nanostructuré par rapport aux vibrations d'origine externe. L'application de la masse d'amortissement peut se faire par exemple par distribution à l'aide d'une aiguille de distribution ou par impression, par exemple par impression au pochoir, sérigraphie ou impression avec une raclette. En particulier, pour appliquer la masse d'amortissement, on peut utiliser une pièce de forme qui définit la forme de la masse d'amortissement. La pièce de forme peut avoir une zone extérieure rigide correspondant au contour de la forme ou une pièce de forme appliquée sur la zone extérieure rigide et qui s'enlève de nouveau, telle que par exemple un tamis ou un pochoir, notamment un masque d'impression au pochoir. A titre d'exemple, la structure de forme peut être réalisée sur la zone extérieure rigide, de façon que cette structure de forme contourne ou entoure la zone souple ou une zone partielle adjacente à la zone souple de la zone extérieure rigide. Suivant un autre développement du procédé, la pièce de forme est une structure en châssis. De manière préférentielle, la structure en châssis est réalisée sur la zone extérieure rigide, de façon que la structure en châssis délimite la masse d'amortissement, en particulier pour qu'elle la délimite de manière périphérique, l'entoure et/ou l'encadre. Notamment, la surface de la structure de châssis qui est à l'opposé de la zone extérieure rigide, par rapport au plan de la zone extérieure rigide, est plus haute que la surface de l'élément micro ou nanostructuré, non tournée vers la zone intérieure rigide. A titre d'exemple, la structure de châssis peut avoir une hauteur rapportée au plan de la zone extérieure rigide qui se situe dans une plage ? 100 µm à 5000 µm et en particulier dans une plage 300 µm à 2000 µm et d'une manière toute particulière, dans une plage ? 600 µm à 1200 µm. Dans le cadre d'un autre mode de réalisation du procédé, la structure de forme, est une structure d'arrêt de fluage. L'expression "d'arrêt de fluage" signifie dans le cadre de la présente invention, en 7 particulier une structure qui définit par un effet capillaire l'extension de la masse d'amortissement. Par exemple, la structure d'arrêt de fluage, peut être une encoche, une nervure, une fente, un intervalle ou un bossage. L'arrêt de fluage peut notamment avoir une profondeur ou une hauteur rapportée au plan de la zone extérieure rigide qui se situe dans une plage ? 10 µm à 200 µm, en particulier une plage 20 µm à 80 µm et à titre d'exemple, une plage ? 40 µm à 60 µm. Le rapport d'aspect peut se situer dans une plage ? 2 et 100, notamment dans une plage ? 10 à 80 et en particulier, dans une plage ? 20 à 60. Dans le cadre du procédé selon l'invention, on peut avoir en outre au moins un second élément micro ou nanostructuré du composant. En particulier, le premier élément micro ou nanostructuré peut correspondre à la zone intérieure rigide ou à la zone extérieure rigide. Dans la mesure où le second élément micro ou nanostructuré est appliqué sur la zone extérieure rigide, il s'agit de préférence pour ce second élément micro ou nanostructuré, d'un élément micro ou nanostructuré insensible aux vibrations. En particulier, la structure de forme peut comporter au moins un second élément micro ou nanostructuré, notamment insensible aux vibrations et/ ou au moins un chemin conducteur. En particulier, la structure de forme peut être réalisée par plusieurs seconds éléments micro ou nanostructurés et/ou chemins conducteurs. C'est ainsi qu'à titre d'exemple, on augmente l'utilisation de l'espace par exemple la densité d'intégration du système, si on diminue le besoin de matière supplémentaire. Le ou les chemins conducteurs peuvent être déjà développés sur le substrat ou être intégrés dans le substrat et/ou sur le substrat. Comme le second élément micro ou nanostructuré peut par exemple, être appliqué en même temps que le premier élément micro ou nanostructuré sur le substrat, notamment sur la zone extérieure rigide. Selon un autre développement du procédé, la pièce de forme est un pochoir ou gabarit appliqué sur la zone extérieure rigide avant d'appliquer la masse d'amortissement et que l'on enlève de nouveau une fois la masse d'amortissement appliquée. La pièce de 8 forme peut par exemple être un pochoir réalisé de façon que la masse d'amortissement, soit tout d'abord appliquée sur le composant micro ou nanostructuré, le cas échéant les zones partielles adjacentes au premier élément micro ou nanostructuré de la zone intérieure rigide et le cas échéant la zone souple et le cas échéant, une zone partielle entourant la zone souple de la zone extérieure rigide. Selon un autre développement du procédé, le pochoir est chauffé. Cela permet d'assurer la prise du gel au niveau du bord et d'augmenter d'autant la stabilité de forme du gel. C'est ainsi que de manière avantageuse, on simplifie l'enlèvement du pochoir et l'application d'une masse enveloppe décrite ultérieurement, ainsi que l'arrachage de la masse d'amortissement lors de l'enlèvement du pochoir. I1 est possible de placer le premier élément micro ou nanostructuré et la masse d'amortissement (et le cas échéant la zone souple, le cas échéant la zone intérieure rigide, le cas échéant la zone extérieure rigide et/ou le cas échéant le second élément micro ou nanostructuré), dans le boîtier. Par exemple, le boîtier peut être un boîtier pré-injecté, un capuchon de boîtier pré-injecté ou un couvercle pré-injecté. De façon préférentielle, le premier élément micro ou nanostructuré et la masse d'amortissement (et le cas échéant la zone souple, le cas échéant la zone intérieure rigide, le cas échéant la zone extérieure rigide et/ou le cas échéant le second élément micro ou nanostructuré), peuvent être logés dans un conditionnement formé par la masse enveloppe. Selon un autre développement du procédé, celui-ci comprend en outre l'étape de procédé suivante : - application d'une masse d'enrobage sur la masse d'amortissement. Cela permet avantageusement de supprimer un boîtier prémoulé, coûteux. La masse d'enrobage peut être appliquée sur la structure de forme et/ou sur une partie de la zone extérieure rigide. De façon préférentielle, on applique la masse d'enrobage sur la masse d'amortissement qui couvre le premier élément micro ou nanostructuré et le cas échéant les zones partielles adjacentes au 9 premier composant micro ou nanostructuré et appartenant à la zone intérieure rigide et couvrant la zone extérieure souple. En particulier, la masse d'enrobage peut être appliquée sur une masse d'amortissement qui couvre le premier élément micro ou nanostructuré et le cas échéant, les zones partielles adjacentes au premier élément micro ou nanostructuré de la zone intérieure rigide et la zone souple, ainsi qu'une zone partielle entourant la zone souple dans la première zone extérieure. Cette solution a l'avantage de ne pas bloquer la zone souple par la masse d'enrobage et de protéger l'élément de composant par un boîtier ayant des caractéristiques d'amortissement de vibrations. L'application de la masse d'enrobage peut se faire par un procédé de distribution, d'impression, d'immersion, de pulvérisation, de coulée, d'injection et/ou d'application à la presse. La masse d'enrobage peut ainsi être notamment une masse moulée, une masse coulée, une masse injectée, une masse injectée-coulée, une masse injectée à la presse et/ou une masse pressée. De façon avantageuse, la masse enveloppe, après application de la masse d'amortissement et/ou de la structure de forme et/ou la zone extérieure rigide, assure une liaison par la forme. La masse d'enrobage peut durcir après son application. Cela peut se faire par l'évacuation du solvant et/ou par la réticulation le cas échéant sous l'action de la chaleur et/ou d'un rayonnement ultraviolet. Le durcissement se fait de préférence par rayonnement ultraviolet dans le cas de composants sensibles à la chaleur. La masse d'enrobage peut comporter au moins un composant choisi dans le groupe comprenant des résines époxydes, des polyacrylates, des polyoxyméthylènes et/ou des silicones. De plus, la masse d'enrobage peut contenir des matières de remplissage. De cette manière, on peut avantageusement régler les caractéristiques de la matière constituant la masse d'enrobage. De façon préférentielle, la masse d'enrobage utilisée a une conductivité électrique faible, un faible coefficient de dilatation thermique, une homogénéité poussée, un indice de réfraction faible et/ou un faible retrait au moment du durcissement. 10 Le substrat peut être par exemple une plaque de circuit, en particulier le substrat peut être un flan d'une plaque de circuit à usage multiple. Le substrat peut par exemple comporter un matériau choisi dans le groupe comprenant du cuivre, de la résine époxyde, du tissu de verre-résine époxyde, des alliages de cuivre-tungstène ou leurs combinaisons. En particulier, la zone intérieure rigide et/ou la zone extérieure rigide du substrat, peuvent comporter un ou plusieurs de ces matériaux. La zone souple peut avoir pour cela une fonction purement mécanique. Par exemple, la zone souple peut servir d'élément de ressort pour amortir les oscillations engendrées. A côté d'une fonction mécanique, la zone souple peut avoir en plus une fonction électrique. Par exemple, la zone souple peut comporter un ou plusieurs chemins conducteurs. En particulier, le ou les chemins conducteurs seront réalisés pour que la zone intérieure rigide soit mise en contact avec la zone extérieure rigide par un ou des chemins conducteurs. En particulier, le ou les chemins conducteurs peuvent avoir une forme de méandre. Cela permet de compenser avantageusement les contraintes générées par les oscillations. La zone souple du substrat peut, par exemple, se réaliser grâce à un ou plusieurs dégagements obtenus par exemple par emboutissage, par laser ou par fraisage dans le substrat. En particulier, la zone intérieure rigide peut être située de manière décalée, parallèlement par rapport à la zone extérieure rigide dans un autre plan, notamment plus haut. Cela permet d'avoir avantageusement un meilleur amortissement des oscillations dans la direction horizontale. De plus, la zone intérieure rigide et/ou la zone extérieure rigide, peuvent déborder et chevaucher une partie de la zone souple. Cela permet d'optimiser la surface latérale du composant. Par exemple, un dégagement entourant la zone intérieure rigide peut être réalisé dans le substrat. Pour former la zone souple, on peut remplir le dégagement avec un matériau souple, par exemple avec une matière plastique souple et/ou presser un tel matériau comme couche de façon que le matériau souple soit en contact avec la zone 11 intérieure rigide et avec la zone extérieure rigide. En particulier ce dégagement peut être rempli d'une matière plastique souple, en particulier d'une matière plastique souple thermoplastique et/ ou comme couche, enfoncée. A titre d'exemple, la matière plastique souple peut être -0-, =CO, -S-, SO2-, -(CH)2-, -C(CF3)2- ou des oligosiloxanes formant des organes d'écartement. En variante ou en plus, pour réaliser la zone souple, on peut prévoir un ou plusieurs dégagements entre la zone intérieure rigide et la zone extérieure rigide dans le substrat pour que la zone intérieure rigide reste reliée à la zone extérieure rigide par un ou plusieurs segments de substrat non découpés ou dégagés. Les dégagements et/ou les segments de substrat sans dégagement, peuvent alors avoir notamment une forme de méandre. Cela s'est avéré comme particulièrement avantageux pour amortir les vibrations. Pour protéger le composant micro ou nanostructuré contre les influences de l'environnement, il est avantageux également dans ce cas de remplir ou de couvrir les dégagements avec un matériau souple, notamment avec une matière plastique souple et en particulier une matière thermoplastique souple. On peut, par exemple, remplir les dégagements en coulant une matière plastique souple, telle qu'une matière plastique à base de polyimide, tel que par exemple -0-, =CO, -S-, SO2-, -(CH)2-, - C(CF3)2- ou des oligosiloxanes formant des organes d'écartement. Pour réaliser un composant ayant une zone intérieure rigide décalée parallèlement par rapport à la zone extérieure rigide, on peut par exemple, chauffer une zone souple d'une matière thermoplastique de la zone souple et repousser la zone intérieure rigide hors du plan de la zone extérieure rigide. En variante ou en plus, on peut en outre munir la zone intérieure rigide d'une masse pour compenser le système vibrant. La zone intérieure rigide peut avoir une masse sur le côté en regard du composant micro ou nanostructuré. La masse peut être constituée par exemple par un corps métallique. L'application du premier composant micro ou nanostructuré sur la zone intérieure rigide, peut se faire par collage. En utilisant une colle électroconductrice ou la technique des puces 12 retournées, on peut en même temps réaliser le contact électrique avec le premier composant micro ou nanostructuré. Il est toutefois également possible que la zone intérieure rigide comporte un moyen de fixation pour recevoir et/ou pour fixer le premier composant micro ou nanostructuré, et ce composant étant engagé dans le moyen de fixation. Le moyen de fixation peut par exemple comporter une cavité dans la zone intérieure rigide. L'avantage de cette solution est de ne pas utiliser de colle pour l'accrochage ou la fixation, car la masse d'amortissement permet de fixer le premier l0 composant micro ou nanostructuré. Pour assurer en même temps le branchement électrique du premier composant micro ou nanostructuré, lorsqu'on installe ce premier composant, celui-ci peut comporter une surface de contact électrique qui, lorsqu'on applique le premier composant micro ou 15 nanostructuré, vient en contact électrique avec la zone intérieure rigide ou le moyen de fixation. En variante ou en plus, le premier composant micro ou nanostructuré peut être branché par une liaison par un fil (branchement de contact par fil). Une liaison par fil peut se faire par 20 exemple en technique de microsoudage. Le contact électrique entre le premier composant micro ou nanostructuré et le substrat peut se faire par des fils soudés par exemple à des surfaces de contact du premier composant micro ou nanostructuré et une surface de contact (patin de contact) du substrat, par soudage. 25 La zone extérieure rigide sur le côté à l'opposé du côté muni du premier composant micro ou nanostructuré ou de la masse d'amortissement ou de la structure de forme, est équipée d'un contact électrique. Ce contact électrique permet de réaliser la liaison soudée avec l'autre plaque de circuit. 30 La liaison soudée peut se faire par exemple par une surface de soudage (patin de soudage) ou une soudure et/ ou une bille de soudage. La liaison soudée peut se faire par exemple par une surface de soudage (patin de soudage) comme dans le cas du réseau LGA "surface de soudage", c'est-à-dire une surface de soudage ou par une 35 bosse de soudage comme dans le procédé BGA "bosse de soudage". Par 13 la liaison soudée, on peut notamment régler la distance entre la zone intérieure rigide et une plaque de circuit voisine. C'est ainsi que par exemple, pour des composants soumis à de fortes oscillations, on adapte de manière correspondante la liaison soudée. Par exemple, la distance entre la zone intérieure rigide et la plaque de circuit voisine dans le cas d'un boîtier LGA, peut se situer dans une plage ? 10 µm à 200 µm, notamment une plage ? 40 µm à 100 µm et dans le cas d'un boîtier BGA, elle peut se situer dans une plage de ? 10 µm à 400 µm et en particulier dans une plage ? 80 µm à 300 µm. Dans le cadre d'un autre développement du procédé, on utilise un substrat ayant plusieurs zones intérieures rigides, des zones souples et des zones extérieures rigides, avec chaque fois une zone intérieure rigide entourée par une zone souple qui est elle-même entourée par une zone extérieure rigide, si bien que sur la zone intérieure rigide, est appliqué chaque fois au moins un premier composant micro ou nanostructuré, ce premier composant micro ou nanostructuré étant relié électriquement à une zone intérieure rigide et/ou à une zone extérieure rigide et on applique sur les premiers composants micro ou nanostructurés, une masse d'amortissement avec le cas échéant, une masse d'enrobage sur la masse d'amortissement ; puis, le montage est divisé en systèmes simples par sciage. Cela permet avantageusement de réaliser simultanément plusieurs pièces en même temps sous la forme d'un flan multiple. On peut avantageusement raccourcir la chaîne de production et diminuer la consommation en matériau. Le premier et/ou le second composant micro ou nanostructuré et notamment le premier composant micro ou nanostructuré, peuvent être par exemple un composant semi-conducteur. En particulier, le premier et/ou le second composant micro ou nanostructuré et notamment le premier composant micro ou nanostructuré peuvent être choisis dans le groupe comprenant les micro ou nanosystèmes électromécaniques (NEMS, MEMS), des circuits intégrés spécifiques à une application (circuit ASIC), des éléments de capteurs et des combinaisons de ceux-ci. Par exemple, le premier et/ou le second composant micro ou nanostructuré, et en particulier le 14 premier composant micro ou nanostructuré, peuvent être choisis dans le groupe comprenant les capteurs de pression, les capteurs d'accélération, les capteurs de température, les capteurs de vitesse de rotation, les capteurs de débit massique, les capteurs magnétiques, les capteurs de gaz, les capteurs Hall, les capteurs d'humidité, les capteurs APS (capteur de pixel actif), les capteurs CCD (capteur à dispositif de couplage de charge), les capteurs CIS (capteur d'image de contact), les capteurs Diac (diode pour courant alternatif), les capteurs DPS (capteur de pixel numérique), les multiplicateurs d'électrons, les réseaux de porte, les thyristors GTO (thyristors de coupure de porte), les relais semi-conducteurs, les mémoires semi-conductrices, les microprocesseurs, les puces neuromorphes, les capteurs à coupleur optique (PSD, dispositif sensible à la position), les cellules solaires, les amplificateurs opérationnels à retour de courant, les thyristors, les phototyristors, les actionneurs à thyristors, les thyristors tétrodes, les piles de thyristors, les capteurs TOF (capteur de temps de parcours), les mémoires à accès direct. De manière avantageuse, les composants sensibles aux vibrations, sont appliqués sur la zone intérieure rigide. Les composants sensibles aux vibrations, peuvent également être prévus sur d'autres zones extérieures rigides et le cas échéant, en plus, comme structure de mise en forme pour la masse d'amortissement. Un mode de réalisation donné à titre d'exemple est celui d'un amortisseur d'accélération amorti en vibration, ainsi qu'un capteur magnétique amorti en vibration. Un autre objet de l'invention est celui des composants, notamment des composants électriques et/ou mécaniques par exemple un composant électromécanique, par exemple réalisé par un procédé selon l'invention et comportant un substrat avec au moins un premier composant micro ou nanostructuré et une masse d'amortissement. Le substrat comporte au moins une zone intérieure rigide, au moins une zone souple et au moins une zone extérieure rigide, la zone intérieure rigide étant entourée par la zone souple et la zone souple est elle-même entourée par la zone extérieure rigide. Le premier composant micro ou nanostructuré étant installé sur la zone intérieure rigide en étant relié électriquement à la 15 zone intérieure rigide et/ou à la zone extérieure rigide, et la masse d'amortissement couvrant le premier composant micro ou nanostructuré. Grâce à l'utilisation de la masse d'amortissement, on peut avantageusement améliorer de façon significative l'amortissement par comparaison avec un amortissement pneumatique ou à ressort. De plus, on peut avantageusement adapter de manière individuelle, l'amortissement par le choix du matériau de la masse d'amortissement. Un avantage particulier est en plus le fait que la structure selon l'invention, permet d'avoir un effet d'amortissement dans toutes les directions de l'espace. Cela permet d'utiliser des pièces existant à pratiquement chaque emplacement d'application. De plus, de telles pièces ou composants pourront avoir une dimension plus petite que les dimensions des composants usuels avec des plaques métalliques installées. Pour les autres avantages du composant selon l'invention, on se référera de manière explicite aux avantages déjà décrits ci-dessus et qui concernent la relation avec le procédé selon l'invention. Suivant un mode de réalisation du composant, la masse d'amortissement est un gel, une mousse, des granulés, un élastomère ou une combinaison de ces éléments. Par exemple, la masse d'amortissement peut être une mousse fondée sur une matière plastique choisie dans le groupe comprenant : le polypropylène, le polyéthylène, le polyéthylènephtalate, le polyuréthane ou des combinaisons de ceux-ci. Mais la masse d'amortissement peut être des granulés tels que du sable ou une matière pulvérulente. De plus, la masse d'amortissement peut également être un élastomère tel qu'un élastomère thermoplastique. Suivant un autre développement du composant, la masse d'amortissement est un gel. En particulier, la masse d'amortissement est un gel de silicone. La masse d'amortissement peut avoir par exemple une viscosité dans une plage ? 5000 mPa.s à 10000 mPa.s et en particulier dans une plage ? 2000 mPa.s à 8000 mPa.s par exemple une plage ? 3000 mPa.s à 4500 mPa.s, notamment définie selon la 16 norme DIN EN ISO 3219 et/ou une caractéristique de consistance dans une plage ? 20 mm/ 10 à 100 mm/ 10, en particulier une plage - 40 mm/ 10 à 80 mm/ 10 et par exemple une plage ? 60 mm/ 10 à - 80 mm/ 10, notamment définie préalablement selon la norme DIN ISO 2137 (pénétration d'un cône creux avec 9,38 g) et/ou une constante diélectrique dans une plage ? 2 à 6, 5, en particulier une plage ? 2,5 à - 3, par exemple une plage ? 2,6 à 2,8 déterminée à l'aide de la norme DIN VDE 0303 T4, 50 Hz. De manière préférentielle, la masse d'amortissement couvre le premier composant micro ou nanostructuré, notamment par une liaison par la forme. La masse d'amortissement peut, le cas échéant, c'est-à-dire dans la mesure où le premier composant micro ou nanostructuré a une surface de base plus petite que la zone intérieure rigide, couvrir en plus les zones partielles de la zone intérieure rigide adjacente au premier composant micro ou nanostructuré. Suivant un autre développement du composant, la masse d'amortissement couvre en plus au moins en partie ou complètement la zone souple. Par exemple, la masse d'amortissement peut couvrir le premier composant micro ou nanostructuré et le cas échéant les zones partielles de la zone intérieure rigide et les zones souples adjacentes au premier composant micro ou nanostructuré. En outre, la masse d'amortissement peut couvrir une zone partielle adjacente à la zone souple ou une zone partielle entourant la zone souple de la zone extérieure rigide. Suivant un autre développement du composant, la masse d'amortissement couvre le premier composant micro ou nanostructuré et le cas échéant, les zones partielles adjacentes au premier composant micro ou nanostructuré de la première zone intérieure et la zone souple ainsi qu'une zone partielle adjacente de la zone souple pour la zone extérieure rigide. Suivant un autre développement, le composant comporte en outre une structure de forme réalisée sur la zone extérieure rigide. En particulier, la structure de forme peut être réalisée sur la zone extérieure rigide, pour que cette structure de forme, entoure la zone 17 souple ou une zone partielle adjacente à la zone souple et appartenant à la zone extérieure rigide ou contourne cette zone. Dans le cadre d'un autre développement du composant, la pièce de forme est réalisée comme structure en châssis. De façon préférentielle, la structure en châssis est réalisée sur la zone extérieure rigide pour que cette structure en châssis limite la masse d'amortissement, en particulier l'entoure, la délimite et/ou l'encadre. En particulier, la surface de la structure en châssis non tournée vers la zone extérieure rigide, peut être plus haute par rapport au plan de la zone extérieure rigide, que la surface non tournée vers la zone intérieure rigide du composant micro ou nanostructuré. Par exemple, la structure en châssis peut avoir, par rapport au plan de la zone extérieure rigide, une hauteur dans une plage ? 100 µm à 5000 µm et notamment une plage ? 300 µm à 2000 µm et par exemple une plage ? 600 µm à 1200 µm. Selon un autre mode de réalisation du procédé, la structure de forme est une structure d'arrêt de fluage. L'expression "structure d'arrêt de fluage " dans le cadre de la présente invention, désigne en particulier une structure qui définit l'extension par effet capillaire de la masse d'amortissement. Par exemple, la structure d'arrêt de fluage peut être une encoche, une rainure, une fente, une entaille ou un bossage. L'arrêt de fluage peut notamment avoir une hauteur ou une profondeur par rapport au plan de la zone extérieure rigide situé dans une plage ? 10 µm à 200 µm, notamment une plage ? 20 µm à 80 µm et en particulier une plage ? 40 µm à 60 µm. Le rapport d'aspect peut se situer dans une plage ? 2 à 100 et notamment dans une plage ? 10 à 80 et par exemple dans une plage ?20à60. Le composant selon l'invention peut en outre comporter au moins un second composant micro ou nanostructuré. Le second composant micro ou nanostructuré peut être réalisé par exemple sur le premier composant micro ou nanostructuré, sur la zone intérieure rigide ou sur la zone extérieure rigide. Dans la mesure où le second composant micro ou nanostructuré se trouve sur la zone extérieure rigide, il s'agit de préférence pour le second composant micro ou 18 nanostructuré, d'un composant micro ou nanostructuré sensible aux vibrations. En particulier, la structure de forme peut comporter au moins un second composant micro ou nanostructuré, notamment insensible aux vibrations et/ ou au moins un chemin conducteur. Par exemple, la structure de forme peut être réalisée par plusieurs seconds composants micro ou nanostructurés et/ou chemins conducteurs. En outre, le premier composant micro ou nanostructuré et la masse d'amortissement (et le cas échéant la zone souple, le cas échéant la zone intérieure rigide, le cas échéant la zone extérieure rigide et/ou le cas échéant le second composant micro ou nanostructuré) peuvent être logés dans un boîtier. Le boîtier peut être un boîtier injecté, un capuchon formant boîtier, réalisés préalablement par injection ou un couvercle préinjecté. Par exemple, le composant peut avoir un boîtier qui entoure le premier composant micro ou nanostructuré, la masse d'amortissement et le cas échéant la zone souple, ainsi que le cas échéant le second composant micro ou nanostructuré. Il peut s'agir d'un couvercle fixé de manière amovible au substrat ou d'un capuchon fixé de manière amovible au substrat. Le boîtier est de préférence un revêtement formé par une masse d'enrobage. Dans le cadre d'un autre développement, le premier composant micro ou nanostructuré et la masse d'amortissement, sont conditionnés par un revêtement formé avec une masse d'enrobage. De façon préférentielle, la masse d'enrobage entoure une masse d'amortissement qui couvre le premier composant micro ou nanostructuré et le cas échéant les zones partielles de la zone intérieure rigide adjacente au premier composant micro ou nanostructuré, ainsi que la zone souple. En particulier, la masse d'enrobage peut couvrir une masse d'amortissement qui couvre le premier composant micro ou nanostructuré et le cas échéant, les zones partielles de la zone intérieure rigide adjacente au premier composant micro ou nanostructuré et la zone souple, ainsi qu'une zone partielle entourant la zone souple de la zone extérieure rigide. 19 La masse d'enrobage peut être au moins un composant choisi dans le groupe comprenant des résines époxydes, des polyacrylates, des polyoxyméthylènes et/ou des silicones. De plus, la masse d'enrobage peut contenir des matières de remplissage ou charge. De cette manière, on peut régler avantageusement les propriétés du matériau constituant la masse d'enrobage. De façon préférentielle, la masse d'enrobage utilisée, a une faible conductivité électrique, un faible coefficient de conduction thermique, une homogénéité élevée, un faible indice de réfraction et/ou un faible retrait au durcissement; Le substrat peut être par exemple une plaque de circuit. Notamment, le substrat peut être un flan de plaques de circuit à usage multiple. Par exemple, le substrat peut comporter un matériau choisi dans le groupe comprenant le cuivre, la résine époxyde, le tissu de verre-résine époxyde, des alliages de cuivre-tungstène ou leurs combinaisons. En particulier, la zone intérieure rigide et/ou la zone extérieure rigide du substrat, peuvent comporter un ou plusieurs des ces matériaux. Notamment, la zone intérieure rigide peut être coulissée parallèlement à la zone extérieure rigide et se situer dans un autre plan, notamment un plan plus haut. Cela permet avantageusement d'avoir un meilleur amortissement horizontal des vibrations. De plus, la zone intérieure rigide et/ou la zone extérieure rigide, peuvent déborder et avoir une partie qui déborde sur la zone souple. De cette manière, on optimise la surface latérale du composant. La zone souple peut avoir une simple fonction mécanique. Par exemple, la zone souple peut servir d'élément de ressort pour amortir les vibrations générées. A côté d'une fonction mécanique, la zone souple peut avoir en plus une fonction électrique. Par exemple, la zone souple peut comporter un ou plusieurs chemins conducteurs. Suivant un autre développement du composant, la zone souple comporte au moins un chemin conducteur. En particulier, le chemin conducteur peut relier électriquement la zone intérieure rigide à la zone extérieure rigide. Le chemin conducteur peut par exemple avoir une forme de méandres. La zone souple peut être réalisée notamment en un matériau souple, par exemple une matière plastique souple telle qu'une 20 matière thermoplastique souple. Par exemple, la matière plastique souple peut être une matière plastique à base de polyimide, par exemple -0-, =CO, -S-, SO2-, -(CH)2-, -C(CF3)2- ou des oligosiloxanes formant des organes d'écartement. En variante ou en plus, la zone souple peut être réalisée par un ou plusieurs dégagements dans le substrat entre la zone intérieure rigide et la zone extérieure rigide et qui sont réalisés dans le substrat pour que la zone intérieure rigide reste reliée à la zone extérieure rigide par un ou plusieurs segments de substrat non munis de dégagements. Les dégagements et/ou les segments de substrat sans dégagement peuvent avoir notamment une forme de méandre. Pour protéger le composant micro ou nanostructuré contre l'influence de l'environnement, il est avantageux que dans ce cas également, les dégagements soient remplis ou couverts d'un matériau souple, notamment d'une matière plastique souple, par exemple d'une matière thermoplastique souple. Comme matière plastique souple, on peut envisager une matière plastique à base de polyimide, par exemple -0-, =CO, -S-, SO2-, -(CH)2-, -C(CF3)2- ou des oligosiloxanes formant des organes d'écartement. En variante ou en plus, la zone intérieure rigide peut être munie en plus d'une masse pour compenser les vibrations du système. La zone intérieure rigide peut avoir une masse sur le côté opposé à celui du composant micro ou nanostructuré. Par exemple, la masse peut être réalisée par un corps métallique. La zone intérieure rigide peut par exemple avoir un support ou une fixation pour recevoir et/ ou pour fixer le premier composant micro ou nanostructuré. Le premier composant micro ou nanostructuré peut ainsi être placé dans la fixation. La fixation peut être une cavité dans la zone intérieure rigide. En variante ou en plus, le premier composant micro ou nanostructuré peut avoir une surface de contact électrique en liaison avec la fixation ou avec une surface de contact sur la zone intérieure rigide par l'intermédiaire d'un adhésif électroconducteur ou par une mise en contact selon la technique de puces retournées. 21 Le premier composant micro ou nanostructuré peut être branché électriquement par une liaison par fil (contact par fil). Une liaison par fil peut se faire par exemple en technique des microsoudures. Le branchement électrique entre le premier composant micro ou nanostructuré et le substrat, peut se faire par des fils par exemple soudés à une surface de contact du premier composant micro ou nanostructuré et une surface de contact (patin) du substrat. La zone extérieure rigide peut comporter un contact sur le côté à l'opposé de la masse d'amortissement. Le contact permet de réaliser une liaison soudée avec une autre plaque de circuit. La liaison soudée peut se faire par exemple par une surface de soudage (patin de soudage) ou une soudure et/ ou une bille de soudage. La liaison soudée peut se faire par exemple par une surface de soudage (patin de soudage) comme dans le cas du réseau LGA "surface de soudage", c'est-à-dire une surface de soudage ou par une bosse de soudage comme dans le procédé BGA "bosse de soudage". Par la liaison soudée, on peut notamment régler la distance entre la zone intérieure rigide et une plaque de circuit voisine. C'est ainsi que par exemple, pour des composants soumis à de fortes oscillations, on adapte de manière correspondante la liaison soudée. Par exemple, la distance entre la zone intérieure rigide et la plaque de circuit voisine dans le cas d'un boîtier LGA, peut se situer dans une plage ? 10 µm à 200 µm, notamment une plage ? 40 µm à 100 µm et dans le cas d'un boîtier BGA, elle peut se situer dans une plage de ? 10 µm à 400 µm et en particulier dans une plage ? 80 µm à 300 µm. Le premier et/ou le second composant micro ou nanostructuré, notamment le premier composant micro ou nanostructuré, peuvent être par exemple un composant semi-conducteur. Suivant un autre développement du composant, le premier et/ou second composant micro ou nanostructuré, notamment le premier composant micro ou nanostructuré peut être choisi dans le groupe comprenant les micro ou nanosystèmes électromécaniques (NEMS, MEMS), des circuits intégrés spécifiques à une application (circuit ASIC), des éléments de capteurs et des combinaisons de ceux-ci. 22 Par exemple, le premier et/ou le second composant micro ou nanostructuré, et en particulier le premier composant micro ou nanostructuré, peuvent être choisis dans le groupe comprenant les capteurs de pression, les capteurs d'accélération, les capteurs de température, les capteurs de vitesse de rotation, les capteurs de débit massique, les capteurs magnétiques, les capteurs de gaz, les capteurs Hall, les capteurs d'humidité, les capteurs APS (capteur de pixel actif), les capteurs CCD (capteur à dispositif de couplage de charge), les capteurs CIS (capteur d'image de contact), les capteurs Diac (diode pour courant alternatif), les capteurs DPS (capteur de pixel numérique), les multiplicateurs d'électrons, les réseaux de porte, les thyristors GTO (thyristors de coupure de porte), les relais semi-conducteurs, les mémoires semi-conductrices, les microprocesseurs, les puces neuromorphes, les capteurs à coupleur optique (PSD, dispositif sensible à la position), les cellules solaires, les amplificateurs opérationnels à retour de courant, les thyristors, les phototyristors, les actionneurs à thyristors, les thyristors tétrodes, les piles de thyristors, les capteurs TOF (capteur de temps de parcours), les mémoires à accès direct. De manière avantageuse, les composants sensibles aux vibrations, sont appliqués sur la zone intérieure rigide. Les composants sensibles aux vibrations, peuvent également être prévus sur d'autres zones extérieures rigides et le cas échéant, en plus, comme structure de mise en forme pour la masse d'amortissement. Un mode de réalisation donné à titre d'exemple est celui d'un amortisseur d'accélération amorti en vibration, ainsi qu'un capteur magnétique amorti en vibration. Pour les autres caractéristiques et avantages du composant selon l'invention, on se référera explicitement aux explications données en liaison avec le procédé de l'invention. Dessins La présente invention sera décrite ci-après de manière plus détaillée à l'aide de modes de réalisation de composants selon l'invention et de leur procédé de fabrication représentés dans les dessins annexés dans lesquels : 23 - les figures la-c sont des sections schématiques d'un mode de réalisation d'un composant selon l'invention pour expliciter le dépôt à la vapeur, - les figures 2a-d sont des vues en perspectives schématiques explicitant une variante du procédé de l'invention, - la figure 3 est une vue de dessus schématique d'un autre mode de réalisation d'un composant selon l'invention, - les figures 4a, 4b sont des sections schématiques explicitant une autre variante du procédé de l'invention, - les figures 5a, 5b sont des sections schématiques explicitant une autre variante du procédé de l'invention, - les figures 6a-6d sont des sections schématiques explicitant une autre variante du procédé de l'invention, - la figure 7 est une section schématique d'une autre variante du composant selon l'invention, et - la figure 8 est une vue de dessus schématique d'un autre mode de réalisation d'un composant selon l'invention. Description de modes de réalisation de l'invention Les figures 1 a-1 c montrent un mode de réalisation d'un composant selon l'invention ayant un substrat avec une zone intérieure rigide la, une zone souple lb, une zone extérieure rigide 1c et des contacts 11. Les figures 1 a-1 c montrent que la zone intérieure rigide la est entourée par la zone souple ou flexible lb et que la zone souple lb est elle-même entourée par la zone extérieure rigide 1c. Le premier composant micro ou nanostructuré 2 est installé sur la zone intérieure rigide la et il est en contact électrique avec la zone intérieure rigide la par l'intermédiaire d'une liaison par fil 10. Le composant comporte une masse d'amortissement 3, la masse d'amortissement 3 du premier composant micro ou nanostructuré 2, qui couvre les zones partielles adjacentes au premier composant micro ou nanostructuré 2 sur la zone intérieure rigide la, la zone souple lb et la zone partielle de la zone extérieure rigide 1c entourant la zone souple lb. A la figure 1, le composant est représenté à l'état non mis en vibrations. Les figures lb et 1c montrent le débattement au cours d'une vibration dans la 24 direction z de la zone intérieure rigide la ; le mouvement se fait par rapport à l'autre plaque de circuit 14 et il est exécuté complètement. Les figures 2a-2d montrent une variante du procédé de réalisation selon l'invention d'un composant selon l'invention. La figure 2a montre tout d'abord un substrat avec au moins une zone intérieure rigide la, au moins une zone souple lb et au moins une zone extérieure rigide 1c ; la zone intérieure rigide la est entourée par la zone souple lb et cette dernière est entourée par la zone extérieure rigide 1c. La figure lb montre qu'un premier composant micro ou nanostructuré 2 a été appliqué sur la zone intérieure rigide la. La figure 2b montre que le premier composant micro ou nanostructuré 2 est relié électriquement par une liaison par fil 10 à la zone extérieure rigide 1c. La figure 2c montre une masse d'amortissement 3 appliquée sur le premier composant micro ou nanostructuré 2. La masse d'amortissement 3 couvre ainsi à la fois le composant 2, la liaison par fil 12 et la zone souple lb et aussi en partie la zone extérieure rigide 1c. La figure 2d montre une masse enveloppe 6 appliquée sur la masse d'amortissement 3 et qui loge le composant. La figure 3 montre un autre mode de réalisation du composant selon l'invention selon une vue de dessus. On remarque la zone intérieure rigide la, la zone souple lb et la zone extérieure rigide 1c ; la zone intérieure rigide la est entourée par la zone souple lb elle- même entourée par la zone extérieure rigide 1c. Le premier composant micro ou nanostructuré 2 est installé sur la zone intérieure rigide la en étant en contact électrique avec la zone intérieure rigide la par l'intermédiaire d'une liaison par fil 10. La figure 3 montre que la zone souple lb comporte des chemins conducteurs 7 en forme de méandres qui relient électriquement la zone intérieure rigide la à la zone extérieure rigide 1c. A la figure 3, on remarque des contacts 11 sous la zone extérieure rigide lc. Les figures 4a et 4b montrent une autre variante du procédé de l'invention. Les figures 4a et 4b montrent que lorsqu'on 25 applique la masse d'amortissement 3, on ne peut pas utiliser le gabarit 4 qui définirait la forme de la masse d'amortissement 3 dans la zone extérieure rigide 1c. A l'aide d'une raclette 13, on applique la masse d'amortissement 3 sur le composant micro ou nanostructuré 2. Il apparaît en outre que la zone extérieure rigide 1c est équipée sur le côté en regard du composant micro ou nanostructuré 2 et de la masse d'amortissement 3 avec des contacts 11. Ces contacts permettent de réaliser une liaison par des soudures avec une autre plaque de circuit. La figure 4b montre l'étape du procédé après enlèvement du gabarit (non représenté). Les figures 5a et 5b montrent que la masse d'amortissement 3 peut également être appliquée à l'aide d'une aiguille distributrice 15 sur le premier composant micro ou nanostructuré 2. Pour cela, on définit la forme de la masse d'amortissement 3 par une structure d'arrêt de fluage 17a qui entoure la zone souple lb. La figure 5b montre l'opération à la fin de l'application. La masse d'amortissement 3 de ce mode de réalisation, a une surface convexe. Les figures 6a, 6b montrent une autre variante du procédé de l'invention. La figure 6a montre comment réaliser avec un outil de moulage 16, une structure de châssis 17b formée d'une masse enveloppe 6 sur la zone extérieure rigide 1c. La figure 6b montre un premier composant micro ou nanostructuré 2 appliqué sur la zone intérieure rigide la, ainsi qu'une liaison par fil 10 reliant électriquement le composant 2 à la zone intérieure rigide 1 a par contact électrique. La figure 6b montre en outre que la surface de la structure de châssis 17b à l'opposé de la zone extérieure rigide lc, est plus haute que la surface du composant micro ou nanostructuré 2 non tournée vers la zone intérieure rigide la lorsqu'on se réfère au plan de la zone extérieure rigide lc. La figure 6c montre une coupe à la fin de l'application de la masse d'amortissement 3 sur le premier composant micro ou nanostructuré 2. La masse d'amortissement 3 couvre alors à la fois le composant 2, la liaison par fil 10 et la zone souple lb et aussi en partie la zone extérieure rigide lc. La structure de châssis 17b délimite la masse d'amortissement 3 appliquée. 26 La figure 6d montre l'étape après la fin de l'application d'une masse enveloppe 6 ou d'un dispositif de recouvrement tel que par exemple un couvercle sur la masse d'amortissement 3. La figure 7 montre une autre variante du composant selon l'invention. La figure 7 montre le composant ayant un substrat avec une zone intérieure la rigide, une zone souple lb et une zone extérieure rigide 1c ; la zone intérieure rigide la est entourée par la zone souple lb qui est elle-même entourée par la zone extérieure rigide 1c. La zone intérieure rigide la se trouve décalée parallèlement dans un plan plus haut que la zone extérieure rigide le ; la zone souple lb relie les deux zones d'extrémité la, 1c qui se trouvent dans une position inclinée. Le premier composant à micro ou nanostructure 2 est installé sur la zone intérieure rigide la en étant en contact électrique avec cette zone intérieure rigide la. Le composant comporte une masse d'amortissement 3. La masse d'amortissement 3 couvre la zone partielle adjacente au premier composant micro ou nanostructuré 2 et appartenant à la zone intérieure rigide la, ainsi que la zone souple 12 et une zone partielle de la zone extérieure rigide 1c et qui entoure la zone souple lb. La figure 8 montre une vue de dessus schématique d'un autre mode de réalisation d'un composant selon l'invention. On remarque deux zones intérieures rigides la entourées par une zone souple lb (communes). La zone souple lb est elle-même entourée par une zone extérieure rigide 1c. La zone souple a, dans ces conditions, la forme du nombre huit.30 NOMENCLATURE la zone intérieure rigide lb zone souple 1C zone extérieure rigide 2 composant micro ou nanostructuré 3 masse d'amortissement 4 gabarit/ motif 6 masse enveloppe 7 chemin conducteur en forme de méandres 10 liaison électrique par fil 11 contact 14 plaque de circuit aiguille de distribution 15 16 outil de moulage 17a structure d'arrêt/fluage 17b structure de châssis20 REVENDICATIONS1 °) Procédé de fabrication d'un composant ayant un composant (2) micro ou nanostructuré, procédé comprenant les étapes suivantes : utiliser un substrat ayant au moins une zone intérieure rigide (la), au moins une zone souple (lb) et au moins une zone extérieure rigide (1c), la zone intérieure rigide (la) étant entourée par la zone souple (lb) et celle-ci est elle-même entourée par la zone extérieure rigide (1 c) , - appliquer au moins un premier composant micro ou nanostructuré 10 (2) sur la zone intérieure rigide (la), mettre en contact électrique le premier composant micro ou nanostructuré (2) avec la zone intérieure rigide (la) et/ou avec la zone extérieure rigide (1c), et - appliquer une masse d'amortissement (3) sur le premier composant 15 micro ou nanostructuré (2). 2°) Procédé selon la revendication 1, caractérisé en ce que la masse d'amortissement (3) est un gel, une mousse, des granulés, un 20 élastomère ou une combinaison de ces matériaux et en particulier un gel. 3°) Procédé selon la revendication 1, caractérisé en ce que 25 la masse d'amortissement (3) couvre en plus en partie ou totalement la zone souple (lb). 4°) Procédé selon la revendication 1, caractérisé en ce que 30 la masse d'amortissement (3) est appliquée sur le premier composant micro ou nanostructuré (2) de façon que la masse d'amortissement (3) couvre le premier composant micro ou nanostructuré (2) et le cas échéant les zones partielles adjacentes au premier composant micro ou nanostructuré de la zone rigide (la) et de la zone souple (lb) encourant l'une des zones partielles entourant la zone souple (lb) de la zone extérieure rigide (1 c) . 5°) Procédé selon la revendication 1, caractérisé en ce que pour appliquer la masse d'amortissement (3), on utilise un gabarit (4) qui définit la forme de la masse d'amortissement (3), le gabarit (4) étant : * une structure de moule (17a, 17b) réalisée sur la zone extérieure 1 o rigide (1c), notamment une structure de châssis (17b) ou une structure d'arrêt de fluage (17a), ou * un gabarit (4), notamment susceptible d'être chauffé, qui est appliqué avant d'appliquer la masse d'amortissement (3), sur la zone extérieure rigide (1c) et que l'on enlève de nouveau après avoir 15 appliquer la masse d'amortissement (3). 6°) Procédé selon la revendication 1, caractérisé en ce qu' il comporte en outre l'étape suivante : 20 - application d'une masse enveloppe (6) sur la masse d'amortissement (3). 7°) Procédé selon la revendication 1, caractérisé en ce qu' 25 - on utilise un substrat ayant plusieurs zones intérieures (la) rigides, des zones souples (lb) et des zones extérieures rigides (1c), * chaque fois une zone intérieure rigide (la) étant entourée par une zone souple (lb) et cette dernière est elle-même entourée par une zone extérieure rigide (1 c), 30 * on applique sur la zone intérieure rigide (la), chaque fois au moins un premier composant micro ou nanostructuré (2), * le premier composant micro ou nanostructuré (2) est mis en contact avec une zone intérieure rigide (la) et/ ou avec une zone extérieure rigide (1c) par contact électrique,* on applique une masse d'amortissement (3) sur les premiers composants micro ou nanostructurés (2), et le cas échéant, on applique une masse enveloppe (6) sur la masse d'amortissement (3) et on divise le substrat en ses éléments. 8°) Composant, notamment composant électromécanique comprenant : - un substrat ayant au moins une zone intérieure rigide (la), au moins une zone souple (lb) et au moins une zone extérieure rigide (1c), * la zone intérieure rigide (la) étant entourée par la zone souple (lb), elle-même entourée par la zone extérieure rigide (1c), * au moins un premier composant micro ou nanostructuré (2), * le premier composant micro ou nanostructuré (2) étant installé sur la zone intérieure rigide (la) en étant en contact électrique avec la zone intérieure rigide (la) et/ ou la zone extérieure rigide (1c), et - une masse d'amortissement (3) qui couvre le premier composant micro ou nanostructuré (2). 9°) Composant selon la revendication 8, caractérisé en ce que la masse d'amortissement est un gel, une mousse, des granulés, un élastomère ou une combinaison de ces matériaux et en particulier un gel. 10°) Composant selon la revendication 8, caractérisé en ce que la masse d'amortissement (3) couvre en outre partiellement ou totalement la zone souple (lb). 11 °) Composant selon la revendication 8, caractérisé en ce que la masse d'amortissement (3) couvre le premier composant micro ou nanostructuré (2) et le cas échéant, les zones partielles adjacentes au premier composant micro ou nanostructuré (2) et appartenant à la zoneintérieure rigide (la) et la zone souple (lb), ainsi qu'une zone partielle de la zone extérieure rigide (1c) entourant la zone souple (lb). 12°) Composant selon la revendication 8, caractérisé en ce que le premier composant micro ou nanostructuré (2) et la masse d'amortissement (3) sont logés dans une enveloppe avec une masse enveloppe (6). 13°) Composant selon la revendication 8, caractérisé en ce qu' il comprend en outre une structure de forme (17a, 17b) réalisée sur la zone extérieure rigide (1c), notamment une structure de châssis (17b) ou une structure d'arrêt de fluage (17a) réalisée sur la zone extérieure rigide (1 c) de façon que la structure de forme (17a, 17b) entoure la zone souple (lb) ou une zone partielle de la zone extérieure rigide (1c) adjacente à la zone souple (lb). 14°) Composant selon la revendication 8, caractérisé en ce que la zone souple (lb) comprend au moins un chemin conducteur (7), notamment en forme de méandres, reliant électriquement la zone intérieure rigide (la) à la zone extérieure rigide (1c). 15°) Composant selon la revendication 8, caractérisé en ce que le premier (2) et/ ou le second (5) composants micro ou nanostructurés, notamment le premier composant micro ou nanostructuré (2), est choisi dans le groupe comprenant les micro ou nanosystèmes électromécaniques, les circuits intégrés dédiés à une application, les éléments de capteur ou leurs combinaison.