FR 2965972 A1 20120413 FR 1058271 A 20101012 L'invention concerne un cache canon à ions destiné à recouvrir la sortie d'un canon à ions, un dispositif et un procédé de dépôt de matériaux par évaporation sous vide comprenant au moins un tel cache canon à ions. L'invention est plus particulièrement destinée au domaine du traitement de surface sur des lentilles ophtalmiques, et sur des verres de lunettes. Quelle que soit la nature minérale, organique ou composite, de leur matière constitutive, il est connu qu'il est souvent nécessaire d'appliquer aux lentilles ophtalmiques, après fabrication, un traitement de surface de nature à en renforcer certaines caractéristiques ou de nature à leur conférer des caractéristiques particulières. Il peut s'agir, par exemple, d'un traitement antireflet et/ou d'un traitement de durcissement. La présente invention vise plus particulièrement le cas où la réalisation d'un tel traitement se fait par dépôt d'un revêtement formé d'au moins une couche de matériau, et où, pour un tel dépôt, il est procédé par évaporation, et, plus précisément, par évaporation sous vide. Le plus souvent, le revêtement est un revêtement multicouche, c'est-à-dire un revêtement impliquant l'empilement de plusieurs couches les unes sur les autres. Les diverses couches ainsi mises en ceuvre peuvent être constituées de matériaux différents, de matériaux identiques déposés sous des épaisseurs différentes, ou, encore, de matériaux identiques déposés sous des épaisseurs identiques. Dans ce dernier cas, les couches sont déposées avec des paramètres d'évaporation différents, de sorte que leurs propriétés physico-chimiques sont différentes. Par exemple, pour un traitement antireflet, il est ainsi couramment procédé à un empilement multicouche comprenant une alternance de couches de bas indice, et de haut indice de réfraction, et une couche hydrophobe. Un tel traitement antireflet est réalisé dans un dispositif de dépôt de matériaux par évaporation sous vide. Un dispositif de dépôt de matériaux par évaporation sous vide comprend une enceinte de traitement délimitée par des parois latérales, un porte-substrats, une source de matériaux (typiquement oxydes métalliques et/ou silice) évaporables, Les matériaux évaporables peuvent être évaporés par bombardement avec un faisceau d'électrons, le dispositif comprenant alors un canon à électrons apte à bombarder d'électrons la source de matériaux pour générer un faisceau de matériaux évaporés dirigé vers le porte-substrats. Les matériaux évaporables peuvent être aussi évaporés par chauffage dans un creuset à effet Joule. Le dispositif de dépôt peut comprendre un canon à ions comprenant une sortie apte à générer un faisceau d'ions dirigé vers le porte-substrats, muni généralement d'un cache canon à ions mobile, de préférence en rotation, entre une position d'obturation a), et une position de dégagement b) de la sortie du canon à ions. Le traitement avec un canon à ions a pour but, typiquement, de préparer la surface du substrat avant dépôt d'une couche (traitement appelé IPC « Ion Pre Cleaning ») ou, lors du dépôt d'une couche, de la densifier (procédé IAD « Ion Aided Deposition »), de l'oxyder, ou de la rendre transparente. Avant l'émission du faisceau d'ions sur les substrats, le canon à ions subit une étape d'amorçage, pendant laquelle le cache canon en acier inoxydable est positionné au dessus du canon à ions. La tension appliquée à l'anode est classiquement comprise entre 90 volts et 140 volts. Le cache canon à ions recouvre le canon à ions tant que la température souhaitée pour l'évaporation du matériau à évaporer n'est pas atteinte et tant que le canon à ions n'a pas atteint un régime de fonctionnement stabilisé, c'est-à-dire que ses paramètres de fonctionnement (tension, intensité) ne sont pas stables. Lorsque le système est stabilisé, le cache canon à ions est dégagé et le dépôt de matériaux peut débuter. Sans vouloir être limité par une théorie, les inventeurs pensent qu'au cours de cette étape d'amorçage, des ions émis par le canon à ions frappent la surface interne ou inférieure du cache et provoquent une pulvérisation d'acier inoxydable. Les salissures, émises par le cache canon à ions, et qui s'ajoutent aux salissures émises par les sources d'évaporation, se déposent sur les accessoires, les parois de l'enceinte de traitement, et le canon à ions. Ces salissures se déposent plus particulièrement sur le diffuseur en titane, le filament en tungstène du canon à ions, et à l'intérieur de ce dernier, ce qui perturbe le fonctionnement normal du canon à ions, en créant des difficultés d'amorçage et des instabilités lors du fonctionnement du canon à ions. De plus, les salissures générées par le canon à ions, et les sources d'évaporation sur les parois latérales de l'enceinte de traitement, et le canon à ions impliquent la nécessité de procéder à un démontage, et un nettoyage régulier de ces derniers. Ce nettoyage comprend une opération de sablage des parois de l'enceinte de traitement et des éléments constituant le canon à ions. Typiquement, cette opération de nettoyage est réalisée environ tous les 32 cycles d'évaporations au maximum, voire plus fréquemment pour des procédés avec des étapes IAD, et entraîne l'arrêt total du dispositif de dépôt de matériaux. De plus, une fois que le canon à ions et les parois de l'enceinte de traitement sont remontés, il est nécessaire, pour que le dispositif de dépôt soit opérationnel, de réaliser un dégazage d'au moins 30 min pour désorber les gaz accumulés sur les parois latérales de l'enceinte de traitement qui présentent de grandes surfaces. Ces opérations de nettoyage entraînent des temps de maintenance longs et coûteux, pendant lesquels le dispositif de dépôt est inutilisable. L'invention a pour but de proposer un cache canon à ions permettant de limiter ou d'éviter complètement la pollution du canon à ions, et des parois du dispositif de dépôt de matériaux par évaporation sous vide, lorsque le canon à ions fonctionne sous cache. A cet effet, l'invention concerne un cache canon à ions présentant une surface interne destinée à recouvrir la sortie d'un canon à ions. Selon l'invention, au moins ladite surface interne du cache canon est formée d'au moins un matériau ayant un rendement de pulvérisation égal ou inférieur à 1 avec des ions Ar+ incidents à une énergie de 600 eV. Dans différents modes de réalisation possibles, la présente invention concerne également les caractéristiques suivantes qui pourront être considérées isolément ou selon toutes leurs combinaisons techniquement possibles et apportent chacune des avantages spécifiques : - le cache canon est entièrement formé d'au moins un matériau ayant un rendement de pulvérisation inférieur à 1 ; - la surface interne du cache canon est formée par un revêtement déposé sur un substrat ; le matériau ayant un rendement de pulvérisation égal ou inférieur à 1 est choisi parmi le carbone, le silicium, le titane, le tantale, le tungstène, le niobium, le zirconium, le hafnium et le molybdène ; - le rendement de pulvérisation du matériau ayant un rendement de pulvérisation égal ou inférieur à 1 est inférieur à 0,8, et de préférence inférieur à 0,6 avec des ions Ar+ incidents à une énergie de 600 eV. L'invention fournit ainsi un cache canon à ions permettant au canon à ions de fonctionner en étant recouvert par ce cache canon, lors de l'étape d'amorçage, sans entraîner, ou très peu, la pulvérisation des matériaux constituant ce cache canon. L'invention permet d'éviter ou de limiter la pollution du canon à ions et des parois du dispositif de dépôt de matériaux. Il est possible d'appliquer des tensions d'anode plus importantes. L'invention permet également de réaliser un plus grand nombre de cycles de traitement entre deux opérations de nettoyage des parois latérales de l'enceinte de traitement, et ainsi de limiter les temps de maintenance. L'invention concerne également un dispositif de dépôt de matériaux par évaporation sous vide comprenant un porte-substrats, un canon à ions comprenant une sortie apte à générer un faisceau d'ions dirigé vers le porte-substrats, et au moins une source d'évaporation de matériaux. Selon l'invention, le dispositif de dépôt comprend au moins un cache canon à ions tel que défini précédemment, ledit cache canon à ions ayant au moins une surface interne formée d'au moins un matériau ayant un rendement de pulvérisation égal ou inférieur à 1 avec des ions Ar+ incidents à une énergie de 600 eV. La présente invention concerne également la caractéristique suivante qui pourra être considérée isolément : - le dispositif de dépôt de matériaux comprend deux caches canon à ions ayant au moins une surface interne formée d'au moins un matériau ayant un rendement de pulvérisation égal ou inférieur à 1 avec des ions Ar+ incidents à une énergie de 600 eV. Ainsi, l'invention permet d'adapter le cache canon à ions en fonction de la nature et de l'énergie des ions argon incidents. La présente invention concerne encore un procédé de dépôt de matériaux, selon lequel l'évaporation des matériaux est réalisée dans un dispositif de dépôt comprenant au moins un cache canon à ions tel que défini précédemment, ledit cache canon à ions ayant au moins une surface interne formée d'au moins un matériau ayant un rendement de pulvérisation égal ou inférieur à 1 avec des ions Ar+ incidents à une énergie de 600 eV. De préférence, dans le procédé selon l'invention, le faisceau d'ions émis par le canon à ions comprend des ions Ar+.35 L'invention sera décrite plus en détail, mais de façon non limitative, en référence aux dessins annexés dans lesquels : la figure 1 représente schématiquement un dispositif de dépôt de matériaux par évaporation sous vide, selon un mode de réalisation de l'invention ; - la figure 2 représente des courbes de rendement de pulvérisation de différents matériaux en fonction de l'énergie des ions argon incidents ; la figure 3 représente un cache canon comprenant un substrat recouvert d'un revêtement, selon un mode de réalisation de l'invention. La figure 1 représente un dispositif de dépôt de matériaux par évaporation sous vide comprenant une enceinte de traitement 10 délimitée par des parois latérales 11, un porte-substrats 7, et un canon à ions 3 positionné à proximité d'une des parois latérales 11 de l'enceinte de traitement. Le canon à ions 3 présente une sortie 4 apte à générer un faisceau d'ions 9 dirigé vers le porte-substrats 7. Le dispositif de dépôt de matériaux par évaporation sous vide comprend au moins une source d'évaporation de matériaux, qui peut être une source d'évaporation de matériaux par effet Joule ou un creuset 10 destiné à être bombardé d'électrons par un canon à électrons 15 pour provoquer l'évaporation du matériau. Dans cet exemple, le dispositif de dépôt de matériaux comprend une seule source d'évaporation de matériaux constituée d'un creuset 10 associé à un canon à électrons 15. Un cache canon à ions 1 est mobile en rotation entre une position d'obturation a), et une position de dégagement b) de la sortie 4 du canon à ions. Ces éléments sont encastrés dans un support (ou fausse platine)(non représenté). Le support ou fausse platine est une plaque plane, en inox, disposée horizontalement dans laquelle les différents éléments du dispositif cités ci-dessus sont encastrés. Le canon à électrons 15 est apte à bombarder d'électrons la source de matériaux 10 afin de générer un faisceau de matériaux évaporés 12 dirigé vers le porte-substrats 7. Le cache canon à ions 1 présente une surface interne 2 destinée à recouvrir la sortie 4 du canon à ions 3. La surface interne 2 (ou inférieure) est la surface du cache canon 1 qui est directement en regard de la sortie du canon à ions 3. Le cache canon à ions 1 peut avoir une section circulaire, elliptique, de quadrilatère, ou autre. Le cache canon à ions 1 présente une surface supérieure à celle de la sortie 4 du canon à ions, de façon à recouvrir entièrement cette sortie 4 de canon à ions. Lorsque le cache canon à ions 1 est en position d'obturation a), sa surface interne 2 se situe à quelques centimètres au dessus du filament de tungstène du canon à ions (4 cm à 6 cm par exemple), et à quelques centimètres au dessus de l'anode du canon à ions (8 cm à 10 cm par exemple). Le dispositif de dépôt de matériaux comprend des moyens de rotation permettant au cache canon à ions 1 d'être mobile en rotation. Ces moyens de rotation comprennent un axe de rotation 16 qui est, dans cet exemple, vertical et perpendiculaire à la surface interne 2 du cache canon à ions, comme illustré sur la figure 3. L'axe de rotation 16 est relié au cache canon à ions 1 par l'intermédiaire d'une tige 17 perpendiculaire à l'axe de rotation 16. La tige 17 est à la fois fixée sur l'axe de rotation 16, et sur la partie supérieure du cache canon à ions 1. La tension de l'anode peut être comprise entre 90 eV et 140 eV. Par exemple, lors de l'étape d'amorçage pendant laquelle le cache canon 1 est en position d'obturation a), la tension de l'anode peut être typiquement de 140 eV et l'intensité du courant de 3,5 A. Au moins la surface interne 2 du cache canon à ions 1 est formée d'au moins un matériau ayant un rendement de pulvérisation égal ou inférieur à 1 avec des ions Ar+ incidents sur la surface interne 2 du cache canon à ions 1, à une énergie de 600 eV. La figure 2 représente des courbes de rendement de pulvérisation (S) de différents matériaux constituant le cache canon à ions en fonction de l'énergie (E) des ions argon incidents. L'axe des abscisses 13 représente l'énergie (E) en électron-volt (eV) des ions argon incidents sur le cache canon à ions 1. L'axe des ordonnées 14 représente le rendement de pulvérisation (S) qui se définit comme le rapport entre le nombre d'atomes pulvérisés sur le nombre d'ions incidents sur le cache canon à ions 1. Par exemple, un rendement de pulvérisation de 0,3 signifie que pour trois ions argon incidents sur le cache canon à ions 1, il y a un atome pulvérisé sur la surface interne 2 du cache canon à ions 1. Le rendement de pulvérisation permet de prévoir la vitesse de dépôt pour un matériau cible donné. Il dépend du gaz utilisé (plus il est lourd, plus le rendement de pulvérisation est élevé), du matériau constituant le cache, de l'énergie des ions incidents (tension d'anode), et de l'angle d'incidence des ions. Le seuil de pulvérisation correspond à la quantité minimale d'énergie nécessaire pour expulser un atome de la cible : il varie de 5 ev à 40 ev. Le seuil de pulvérisation dépend essentiellement de l'ion incident (Ar+ ou O+) ainsi que du matériau constituant la cible. Par exemple, avec le gaz argon, le seuil de pulvérisation est de 13 eV pour l'aluminium, et de 33 eV pour le tungstène. De préférence, le ou les matériaux constituant le cache canon à ions 1 présentent un seuil de pulvérisation supérieur aux tensions d'anode utilisées. La figure 2 montre que plus l'énergie E des ions argon incidents augmente, et plus le rendement de pulvérisation est élevé. De préférence, le matériau ayant un rendement de pulvérisation égal ou inférieur à 1 est choisi parmi le carbone, le silicium, le titane, le tantale, le tungstène, le niobium, le zirconium, le hafnium et le molybdène. De préférence, le rendement de pulvérisation du matériau ayant un rendement de pulvérisation égal ou inférieur à 1 est inférieur à 0,8 avec des ions Ar+ incidents à une énergie de 600 eV. D'après la figure 2, les matériaux ayant un rendement de pulvérisation inférieur à 0,8 comprennent le carbone, le silicium, le titane, le tantale, le tungstène, le niobium, et le zirconium. De manière encore plus préférée, le rendement de pulvérisation du matériau ayant un rendement de pulvérisation égal ou inférieur à 1 est inférieur à 0,6 avec des ions Ar+ incidents à une énergie de 600 eV. D'après la figure 2, les matériaux ayant un rendement de pulvérisation inférieur à 0,6 comprennent le carbone, le silicium, et le titane. Le carbone est le matériau qui présente le rendement de pulvérisation le plus bas. Le rendement de pulvérisation du carbone est inférieur à 0,2 avec des ions Ar+ incidents à une énergie variant de 100 eV à 600 eV. Le rendement de pulvérisation du silicium est compris entre 0,5 et 0,1. Il est de 0,1 avec des ions Ar+ incidents à une énergie d'environ 100 eV, et augmente jusqu'à environ 0,5 avec des ions Ar+ incidents à une énergie de 600 eV. Dans un mode de réalisation possible, le cache canon à ions 1 est entièrement formé d'au moins un matériau ayant un rendement de pulvérisation inférieur à 1 avec des ions Ar+ incidents à une énergie de 600 eV. (Epaisseur du cache canon de 1 mm à 10 mm, de préférence de 2 mm à 5 5 mm). Alternativement, le cache canon peut être formé de plusieurs matériaux ayant un rendement de pulvérisation inférieur à 1 avec des ions Ar+ incidents à une énergie de 600 eV. Dans un autre mode de réalisation possible, la surface interne 2 du cache 10 canon à ions 1 est formée par un revêtement 5 déposé sur un substrat 6. L'épaisseur de ce revêtement 5 est généralement supérieure à 0,5 mm. L'épaisseur du revêtement 5 est adaptée en fonction de la nature, et de l'énergie des ions Ar+ incidents, et du rendement de pulvérisation du ou des matériaux constituant le revêtement 5. Typiquement, les épaisseurs de ce revêtement 5 sont 15 de 1 mm à 3 mm. Plus l'énergie des ions Ar+ incidents est élevée, et plus l'épaisseur du revêtement 5 est élevée. Plus le rendement de pulvérisation du ou des matériaux constituant le revêtement 5 est élevé, et plus l'épaisseur du revêtement 5 est 20 élevée. Par exemple, le substrat 6 peut être en acier inoxydable, et recouvert sur sa face interne 6' d'une couche d'au moins un matériau ayant un rendement de pulvérisation inférieur à 1 avec des ions Ar+ incidents à une énergie de 600 eV, formant le revêtement 5. 25 La face interne 6' du substrat est celle qui est en regard de la sortie 4 du canon à ions 3 lorsque le cache canon à ions 1 est en position d'obturation a). De préférence, le revêtement 5 recouvre toute la surface interne 2 du substrat. En variante, le revêtement 5 peut être multicouches en comprenant au moins 30 deux couches de matériaux ayant un rendement de pulvérisation inférieur à 1, de nature différente. Des essais comparatifs ont été réalisés dans un dispositif de dépôt de matériaux par évaporation sous vide, équipé d'un canon à ions 3 « Mark 2/ Veeco ». Une première série d'essais a été réalisée avec le canon à ions 3 recouvert 35 avec un cache canon 1 en carbone en forme de carré de 12cm x 12cm (surface approximativement identique à celle du cache canon en inox). L'épaisseur du cache canon 1 en carbone est de 5mm. Une deuxième série d'essais a été réalisée avec le canon à ions 3 recouvert d'un cache canon 1 en inox (304L) rond sans rebord, afin de ne pas masquer la pulvérisation de métal. Avant chaque essai de chaque série d'essais, le canon à ions 3 a été nettoyé afin de ne pas récupérer de la salissure et de ne pas fausser les résultats. Le gaz utilisé est de l'argon. La tension d'anode est de 150 volts. Le fonctionnement du canon à ions 3 a été fixé à 240 secondes. Trois intensités de courant d'anode ont été testées pour chaque série d'essais: 3A, 3,5A et 4A. Des verres (en l'occurrence des lentilles ophtalmiques) biplans minéraux crown ayant un indice de réfraction de 1,523 ont été posés horizontalement et verticalement sur la fausse platine du dispositif de dépôt de matériaux (donc dans la partie basse de l'enceinte) afin de visualiser les dépôts parasites sur ces verres et de pouvoir faire des analyses. Cette disposition des verres n'est bien évidemment pas la disposition habituelle des verres, qui sont disposés sur le porte-substrat lorsqu'ils sont traités. Dans le cas présent, comme expliqué ci-dessus, les verres servent d'indicateur de dépôts parasites. Le tableau comparatif ci-dessous donne des pourcentages de niveau de transmission (Tv) mesurés avec un hazemètre Hazegard pour les verres biplans minéraux crown obtenus après les deux séries d'essais ci-dessus, et un verre biplan minéral crown de référence non exposé à une pulvérisation de matériaux : Mesure de Tv (%) sur des verres biplans minéraux crown 1,523 240s 150V 240s 240s 3A 150V 3,5A 150V 4A Verre minéral de 92% 92% 92% référence (non exposé) Première série 92% 92% 92% d'essais : Ar+ sur cache en carbone Deuxième série 74% 68% 55% d'essais : Ar+ sur cache en inox 304L Les résultats ci-dessus montrent que les niveaux de transmission Tv mesurés sur des verres biplans minéraux crown sont identiques (92%) pour le verre minéral de référence, et le verre minéral obtenu après fonctionnement du canon à ions sous un cache canon 1 en carbone, quelle que soit l'intensité d'anode la. La deuxième série d'essais avec le cache canon 1 en inox montre que le dépôt d'inox sur le verre est très important pour une intensité d'anode la supérieure à 3A. Le niveau de transmission Tv varie de 740/0 pour une intensité d'anode de 3A, jusqu'à 550/0 pour une intensité d'anode de 4A. La première série d'essais avec le cache canon 1 en carbone montre qu'il n'y a aucun dépôt visible sur le verre, ou mesurable en transmission, même avec des intensités d'anode la très élevées. Avec le cache canon 1 en carbone, il n'a été constaté (contrôle visuel et mesure de Tv%) aucune pulvérisation de matière ni autour du canon à ions, ni sur le canon à ions. Il n'y a eu aucune déformation, ni aucune abrasion du cache canon 1 en carbone malgré des énergies, des courants ioniques et des temps d'exposition très élevés, contrairement au cache canon en inox qui finit par se déformer et perdre de l'inox par évaporation. Le cache canon 1 en carbone reste comme «neuf». Avec le cache canon en carbone 1, aucun problème d'évacuation de charges, ni d'arc électrique n'a été constaté, le carbone étant bon conducteur. Dans un mode de réalisation possible de l'invention, le dispositif de dépôt de matériaux comprend plusieurs caches canon 1 ayant au moins une surface interne 2 formée d'au moins un matériau ayant un rendement de pulvérisation égal ou inférieur à 1 avec des ions Ar+ incidents à une énergie de 600 eV. De préférence, le dispositif de dépôt de matériaux comprend deux caches canon 1 ayant au moins une surface interne 2 formée d'au moins un matériau ayant un rendement de pulvérisation égal ou inférieur à 1. Le ou les matériaux ayant un rendement de pulvérisation égal ou inférieur à 1 peuvent être différents pour chaque cache canon 1, et adaptés à l'énergie et à la nature des ions incidents qui peuvent être des ions Ar+ ou O+, par exemple. Le cache canon 1 utilisé pour recouvrir la sortie du canon à ions 4 est fonction de l'énergie et de la nature des ions incidents. Par exemple, lorsque l'énergie des ions incidents augmente, le premier cache canon comprenant un ou plusieurs matériaux ayant le rendement de pulvérisation le plus élevé, et recouvrant initialement la sortie du canon à ions 4, est remplacé par un second cache canon ayant un rendement de pulvérisation plus faible. L'invention fournit ainsi un cache canon à ions permettant au canon à ions de fonctionner sous cache, sans pulvérisation de matériaux provenant du cache 5 canon sur le canon à ions et sur les parois du dispositif de dépôt de matériaux. REVENDICATIONS1. Cache canon à ions (1) présentant une surface interne (2) destinée à recouvrir la sortie (4) d'un canon à ions (3), caractérisé en ce que: - au moins ladite surface interne (2) du cache canon (1) est formée d'au moins un matériau ayant un rendement de pulvérisation égal ou inférieur à 1 avec des ions Ar+ incidents à une énergie de 600 eV. 2. Cache canon à ions (1) selon la revendication 1, caractérisé en ce que le cache canon est entièrement formé d'au moins un matériau ayant un rendement de pulvérisation inférieur à 1. 3. Cache canon à ions (1) selon la revendication 1, caractérisé en ce que la surface interne (2) du cache canon est formée par un revêtement (5) déposé sur un substrat (6). 4. Cache canon à ions (1) selon l'une quelconque des revendications 1 à 3, caractérisé en ce que le matériau ayant un rendement de pulvérisation égal ou inférieur à 1 est choisi parmi le carbone, le silicium, le titane, le tantale, le tungstène, le niobium, le zirconium, le hafnium et le molybdène. 5. Cache canon à ions (1) selon l'une quelconque des revendications 1 à 4, caractérisé en ce que le rendement de pulvérisation du matériau ayant un rendement de pulvérisation égal ou inférieur à 1 est inférieur à 0,8, et de préférence inférieur à 0,6 avec des ions Ar+ incidents à une énergie de 600 eV. 6. Dispositif de dépôt de matériaux par évaporation sous vide comprenant un porte-substrats (7), un canon à ions (3) comprenant une sortie (4) apte à générer un faisceau d'ions (9) dirigé vers le porte-substrats (7), et au moins une source d'évaporation de matériaux (10),caractérisé en ce que le dispositif de dépôt comprend : - au moins un cache canon à ions (1) tel que défini selon l'une quelconque des revendications 1 à 5, ledit cache canon à ions (1) ayant au moins une surface interne (2) formée d'au moins un matériau ayant un rendement de pulvérisation égal ou inférieur à 1 avec des ions Ar+ incidents à une énergie de 600 eV. 7. Dispositif de dépôt de matériaux selon la revendication 6, caractérisé en ce qu'il comprend deux caches canon à ions (1) ayant au moins une surface interne (2) formée d'au moins un matériau ayant un rendement de pulvérisation égal ou inférieur à 1 avec des ions Ar+ incidents à une énergie de 600 eV. 8. Procédé de dépôt de matériaux, caractérisé en ce que l'évaporation des matériaux est réalisée dans un dispositif selon la revendication 6 ou 7. 9. Procédé selon la revendication 8 caractérisé en ce que le faisceau d'ions est un faisceau comprenant des ions Ar+.