FR 2959597 A1 20111104 FR 1053360 A 20100430 1 PROCEDE POUR OBTENIR UNE COUCHE D'AIN A FLANCS SENSIBLEMENT VERTICAUX DESCRIPTION DOMAINE TECHNIQUE ET ART ANTÉRIEUR L'invention concerne des techniques de gravure d'un matériau tel que l'AlN, en vue de réaliser une couche de ce matériau avec un ou des flancs droits, c'est-à-dire sensiblement perpendiculaires à une surface sur laquelle cette couche est déposée ou formée. On entend par « sensiblement perpendiculaire » le fait que le flanc fasse avec ladite surface un angle supérieur ou égal à 75°. Ce type de matériau est mis en oeuvre dans la réalisation de composants MEMS, par exemple du type requérant une couche piézoélectrique ou diélectrique à flancs droits. On en fait usage également dans la préparation de résonateurs acoustiques. Un tel résonateur comporte une couche piézoélectrique qui doit avoir un ou des flancs verticaux, afin d'empêcher la propagation d'ondes parasites. Enfin, ce type de matériau est aussi mis en oeuvre dans la réalisation de MEMS à détection capacitive, qui nécessitent des « gap » fins et verticaux, ou encore dans la réalisation de gyroscopes. L'article de G. Piazza, paru dans Journal of Microelectromechanical Systems, volume 15, numéro 6, page 1406-1418, intitulé «Piezoelectric Aluminium Nitride Vibrating Contour-Mode MEMS 2 Resonators », 2006, décrit notamment la mise en oeuvre de l'AlN dans un résonateur MEMS. Cependant, à l'heure actuelle, on ne connaît pas de technique permettant de graver l'AlN avec des flancs droits. Les techniques de gravure sèche ou humide présentent toutes un caractère isotrope. Elles résultent en un ou des flancs ne présentant pas le caractère de verticalité souhaité: le matériau est en effet alors gravé suivant une direction verticale, mais aussi suivant une direction horizontale. Il se pose donc le problème de trouver une technique de réalisation d'une couche d'AlN avec un flanc droit, c'est-à-dire sensiblement perpendiculaire à un substrat sur lequel la couche est réalisée. EXPOSÉ DE L'INVENTION L'invention concerne d'abord un procédé de réalisation d'une couche d'AlN à au moins un flanc sensiblement vertical ou perpendiculaire par rapport à une surface d'un substrat, la surface dudit substrat présentant une topologie comportant au moins un motif de type marche, ce procédé comportant : - le dépôt de la couche d'AlN, au moins sur ledit motif de la topologie, et sur au moins une partie sans topologie, - la formation, par dessus la couche d'AlN, d'une couche de masque, dont au moins un bord est positionné au voisinage d'au moins un bord ou un flanc de la marche du motif, ou aligné avec au moins un bord 3 ou un flanc de ladite marche, selon un plan sensiblement perpendiculaire à la surface du substrat, - la gravure de la couche d'AlN à travers le masque. On entend par « sensiblement vertical perpendiculaire » le fait que le flanc fasse avec ladite surface un angle supérieur ou égal à 75°. Un tel procédé peut comporter une étape préalable de formation de la topologie du substrat, par gravure de la surface du substrat, de manière à obtenir au moins le motif de type marche. La marche peut présenter au moins un flanc latéral formant un angle au moins égal à 15° par rapport à la perpendiculaire à la surface du substrat dans ou sur lequel elle est réalisée. Selon un mode de réalisation particulier, le substrat comporte une sous-couche, dont une surface forme, avec la surface du substrat, le motif de type marche. Cette sous-couche peut être obtenue par dépôt d'une couche uniforme de matériau, puis gravure au moins de cette couche, pour obtenir le motif de type marche. Au moins une partie de la sous-couche et/ou au moins une partie de la couche de masque peut former une électrode. La sous-couche peut être en titane (Ti) ou en silicium (Si), ou en molybdène (Mo), ou en platine (Pt), ou en nitrure de silicium. La topologie ou le motif de type marche ou la sous-couche peut avoir une épaisseur comprise entre 10 nm et 1 }gym. 4 La couche de masque peut être en silice (SiO2), ou en molybdène (Mo), ou en platine (Pt) ou en une résine adhérente. Elle a par exemple une épaisseur comprise entre 10 nm et 10 pm. Un procédé selon l'invention peut en outre comporter la réalisation d'un flanc incliné par gravure de la couche d'AlN. Un procédé selon l'invention peut en outre permettre de réaliser au moins un trou à bords verticaux, le diamètre du trou et l'épaisseur de la couche d'AlN ayant préférentiellement un rapport diamètre/épaisseur inférieur à 0,5. L'invention concerne également un substrat hétérogène à couche d'AlN, comportant : - un substrat support, dont une surface présente une topologie comportant au moins un motif de type marche, - une couche d'AlN, recouvrant ledit motif, au moins un flanc de cette couche d'AlN étant positionnée au voisinage d'au moins un bord de la marche du motif, ou étant aligné avec un bord de la marche du motif, selon un plan sensiblement perpendiculaire à ladite surface du substrat. La topologie peut résulter d'une gravure de la surface du substrat de manière à obtenir au moins le motif de type marche. La marche peut présenter au moins un flanc latéral formant un angle au moins égal à 15° par rapport à la perpendiculaire à la surface du substrat dans ou sur lequel elle est réalisée. Le substrat peut comporter une sous-couche, dont une surface forme, avec la surface du substrat, le motif de type marche. La sous couche peut être formée au moins en 5 partie sur une couche formant une topologie en surface du substrat support. Un substrat selon l'invention peut comporter en outre au moins un trou à bords verticaux, le rapport entre le diamètre de ce trou et l'épaisseur de la couche d'AlN étant de préférence inférieur ou égal à 0, 5. BRÈVE DESCRIPTION DES DESSINS - Les figures 1A à 1D représentent des étapes d'un procédé selon l'invention, - les figures 2A et 2B représentent une variante d'un procédé selon l'invention, - la figure 3 représente un agrandissement d'une partie d'un substrat sur lequel la variante des figures 2A et 2B peut être mise en oeuvre, - la figure 4 représente un substrat obtenu par combinaison de deux modes de réalisation d'un procédé selon l'invention, - les figures 5A - 5D représentent un autre mode de réalisation d'un procédé selon l'invention, les figures 6A - 6D représentent encore un autre mode de réalisation d'un procédé selon l'invention. 20 25 6 EXPOSÉ DÉTAILLÉ DE MODES DE RÉALISATION DE L'INVENTION Un premier mode de réalisation de l'invention va être décrit en liaison avec les figures 1A à 1D. Sur un substrat 2, par exemple en silicium ou en saphir, on forme, par exemple par dépôt, une couche 4, qui peut être continue ou connexe mais qui ne l'est pas nécessairement: dans l'exemple de la figure 1A, cette couche comporte une première partie 4 qui est séparée d'une deuxième partie 4' par une ouverture 6 qui laisse apparaître la surface 2' du substrat 2. Cette ouverture est par exemple obtenue par gravure d'une couche initiale continue du matériau des parties 4,4', gravure qui s'arrête sur la surface 2' du substrat 2. Les références 12 et 14 désignent les flancs respectivement des portions 4' et 4 de cette couche, de part et d'autre de l'ouverture 6. Deux autres flancs sont désignés par les références 10 et 12, à gauche et à droite de la figure 1A. Autrement dit, cette couche 4, 4', de même que la topologie 4a, 4'a, 4b formée dans les modes de réalisation des figures 5A-5D et 6A-6D, est bordée ou entourée d'une surface 2' du substrat située à un niveau inférieur par rapport au niveau de la couche 4, 4' ou de la topologie 4a, 4'a, 4b. Dans le cas des figures 2A-2B, c'est une partie surélevée de la couche 4 (la partie de cette couche qui est sur la couche 3) qui est bordée ou entourée d'une partie non surélevée de cette même couche 4 (la partie de cette couche 4 qui est directement sur le substrat 2). 7 Tous ces flancs 10, 12, 14, 16 sont droits, c'est-à-dire sensiblement perpendiculaires à la surface 2' du substrat 2 ou forment avec la perpendiculaire à cette surface un angle inférieur ou égal à 15°. Le matériau de la couche 4, 4' est par exemple du titane (Ti) ou du silicium (Si), ou du molybdène (Mo), ou du platine (Pt), ou du nitrure de silicium (SiN ou Si3N4) ou encore de l'oxyde de silicium (SiO2). Cette couche 4, 4' peut avoir une épaisseur de l'ordre de 200 nm, ou, plus généralement, comprise entre 10 nm et 1 }gym ou encore entre 100 nm et 300 nm. Au moins une partie de cette couche 4, 4' peut former une électrode. Eventuellement, une couche 7 de texturation ou de germination, qui permettra d'aider à l'orientation du matériau 31 qui sera ensuite déposé, peut avoir été préalablement formée en surface du substrat 2. On procède ensuite (figure 1B) au dépôt d'une couche 31 d'AlN, par exemple d'épaisseur environ égale à 1 }gym ou, plus généralement, comprise entre 10 nm et 5 }gym. Une technique de dépôt pouvant être utilisée est la technique PVD («Physical Vapor Deposition »). Cette couche 31 est déposée uniformément sur les portions 4, 4' de la couche obtenue précédemment (dite aussi sous-couche ou couche de topologie), ainsi que sur les parties de la surface 2' du substrat 2 qui sont mises à nu. 8 On procède ensuite (figure 1C) sur la couche 31 à une étape de réalisation d'un masque dur 40, 40', dont les bords 20, 22, 24 sont alignés avec les bords 10, 12, 14 de la sous-couche 4, 4'. Là encore, une ou plusieurs parties de ce masque peut former une électrode, par exemple d'un dispositif non représenté sur les figures. Autrement dit, ces bords 20, 22, 24 définissent avec, respectivement, chacun des bords 10, 12, 14 de la couche 4, 4' un plan qui est sensiblement perpendiculaire à la surface 2' du substrat 2. En fait, ce plan pourra ne pas être strictement perpendiculaire à la surface 2', mais être légèrement incliné par rapport à la direction perpendiculaire, par exemple d'un angle compris entre 0° et 15°. Cette couche de masque 40, 40' a une épaisseur qui peut être comprise par exemple entre 10 nm et 10 }gym. Elle peut être par exemple en molybdène Mo ou en nitrure de silicium (SiN, Si3N4). L'alignement des bords 20, 22, 24 avec, respectivement, chacun des bords 10, 12, 14 peut être obtenu avec une précision de l'ordre du }gym ou de moins de 1 }gym, par exemple une précision de ±1 }gym sur un stepper 1X, ±150 nm pour des lithographies en UV profond (dites « deep uv ») et de ± 50 nm pour des lithographies de type « ebeam ». Dans cet exemple, et comme on le voit sur la figure 1C, le flanc droit 26 du masque 40 n'est, lui, pas aligné avec le flanc droit 16 de la sous- couche 4. 9 On procède ensuite à une étape de gravure, comme représenté en figure 1D. Cette étape va permettre de graver la couche 31 de matériau AIN, dans des zones qui ne sont pas protégées par le masque 40, 40'. Cette gravure est poursuivie jusqu'à la surface 2' du substrat 2, cette surface 2' réapparaît donc après que la gravure soit terminée. Du fait des conditions d'alignement des bords du masque 40, 40' avec ceux de la sous-couche 4, 4', on obtient des flancs 30, 32, 34, de la couche 31, alignés avec les flancs correspondant de la sous-couche 4, 4' et de la couche de masque 40, 40'. Autrement dit, ces flancs 30, 32, 34 de la couche d'AIN 31 sont perpendiculaires à la surface 2' du substrat 2, ou leur inclinaison par rapport à cette perpendiculaire est inférieure à quelques degrés, par exemple inférieure à ±15°. Dans l'exemple qui a été représenté sur les dessins, la gravure conduit à la formation d'un trou 60, entre deux portions 31a, 31b d'AIN qui sont situées sous les portions 40, 40' de masque dur. Les parois de ce trou sont les flancs 32, 34 qui, comme indiqué ci-dessus, sont perpendiculaires à la surface 2' de la couche 2. Avec cette technique, il est possible d'obtenir un trou de diamètre 0 d'environ 10pm, plus généralement compris entre 100 nm et 100 }gym et/ou un trou qui traverse la couche 31, et dont le rapport du diamètre 0 à l'épaisseur H de la couche est inférieur ou égal à environ (O/H Sur ces figures, partant d'un substrat 2 identique à celui décrit précédemment, on forme d'abord une couche 3, d'épaisseur e, en vue de la création d'une topologie dans la future sous-couche 4 (ou, là encore, couche de topologie). Cette couche 3 peut être par exemple une couche servant à définir une électrode. Elle est par exemple en SiO2 ou en SiN ou en molybdène (Mo) ou en platine(Pt). Son épaisseur e est par exemple comprise entre 10 nm et 1 }gym, ou entre 100 nm et 300 nm. On peut préalablement réaliser, comme dans le premier mode, une sous-couche 7' de texturation. Cette sous-couche texture alors la couche 3, qui texture elle-même la couche 31. On dépose ensuite une couche 4, dont la 25 nature et l'épaisseur peuvent être celles déjà citées pour le premier mode de réalisation. On obtient donc, après ce dépôt, une couche 4 dont une partie repose directement sur la surface 2' du substrat 2, et dont une autre partie repose sur la surface 3' de la couche 30 3. Les bords 13a, 13b de la couche 3 se traduisent, dans la couche déposée 4, par des flancs 10a, 10b qui 20 11 peuvent être légèrement inclinés par rapport à une direction perpendiculaire à la surface 2'. Cet aspect est représenté de manière plus détaillée en figure 3, où l'on voit que le flanc 10a définit, avec un plan horizontal (on prend ici comme référence la surface 3' de la couche 3) un angle R qui peut être de l'ordre de 80° ou plus. On a donc, là encore, engendré une marche dans la couche 4, de hauteur sensiblement égale à l'épaisseur e de la couche 3. Les bords de cette marche ne sont pas nécessairement strictement perpendiculaires à la surface 2' du substrat 2. On procède ensuite au dépôt de la couche 31 d'AlN, là encore par exemple par technique PVD, d'une part sur la surface de cette couche 4 dans ses parties non surélevées, mais aussi sur la surface de cette couche 4 dans la partie qui est surélevée du fait de la présence du motif 3. Puis, on forme de nouveau une couche de masque 40, dont les flancs 20, 22 sont alignés - au sens et de la manière déjà expliqués ci-dessus - avec les flancs 13a, 13b de la couche 3 et les flancs 10a, 10b de la couche 4. Cette couche de masque peut former une ou plusieurs électrodes. On procède ensuite (figure 2B) à une gravure de la couche 31, ce qui conduit à la formation de flancs 30, 32 de cette couche 31. Ces flancs sont perpendiculaires à la surface 3' de la couche 3 ou à la surface 4' de la couche 4 du fait de l'alignement qui vient d'être évoqué. 12 Dans ce deuxième mode de réalisation, les épaisseurs et les matériaux pour les couches 4, 31, 40, peuvent être identiques ou similaires aux épaisseurs et matériaux indiqués ci-dessus, dans le cadre du premier mode de réalisation. Quant à la couche 3, elle peut être par exemple en dioxyde de silicium (SiO2), ou en nitrure de silicium (SiN), ou en molybdène (Mo), ou en platine (Pt) et avoir une épaisseur qui peut être comprise, comme la sous-couche 4, entre 10 nm et 1 }gym. Selon ce deuxième mode de réalisation, on ne grave pas nécessairement la sous couche 4, mais on crée une topologie, ou une marche, ou un relief, à la surface de cette sous-couche 4 par la formation, antérieurement, d'une couche sous jacente 3 présentant des flancs qui se traduiront, lors du dépôt de la sous- couche 4, également par des flancs 10a, 10b. On procède ensuite à la gravure de la couche 31, dans les zones non situées sous la couche 40 de masque. Comme précédemment, on grave la couche 31 sur toute son épaisseur, mais on met alors à jour la surface 4' de la sous-couche 4. On obtient donc une portion 31a en AIN, avec des flancs latéraux 30, 32, dont on constate, là encore, qu'ils sont perpendiculaires à la surface horizontale définie ici par la surface supérieure 4' de la sous-couche 4. Autrement dit, il est possible d'utiliser la couche 3 pour former une topologie ou un relief dans la sous-couche 4 dont les bords 10a, 10b, vont, à leur tour, permettre d'aligner les bords de la couche 40 de masque, et de définir les zones dans lesquelles des 13 flancs verticaux de la couche 31 seront obtenus, après gravure. Dans ce deuxième mode de réalisation on peut aussi réaliser un ou des trous comme le trou 60 de la figure 1D, avec des flancs verticaux et avec les caractéristiques géométriques déjà mentionnées ci-dessus. On peut par exemple, pour cela, configurer la forme de la topologie de la sous-couche 4 et la forme du masque 40, comme en figure 1C. On peut, à cette fin, graver la sous-couche 4 après son dépôt sur le substrat 2 et sur la couche 3, puis, après dépôt de la couche 31 d'AlN, réaliser un masque 40 qui présente lui aussi des zones gravées, alignés avec la zone gravée de la sous-couche 4. On peut en outre réaliser, là aussi, un ou plusieurs flancs inclinés, comme le flanc 36 de la figure 1D. Il est possible, comme illustré en figure 4, de combiner les deux modes de réalisation. On peut donc réaliser une première partie 31a de la couche d'AlN sur une topologie obtenue à partir d'une couche telle que la couche 3, et réaliser une deuxième partie 31b de la couche d'AlN à l'aide d'une topologie obtenue par gravure de la partie de la sous-couche 4 déposée directement sur la surface 2' du substrat 2. On peut par exemple réaliser un trou 60' dans cette deuxième partie grâce à une gravure préalable de cette sous-couche 4. Encore un autre mode de réalisation de l'invention va être décrit en liaison avec les figures 5A à 5D. 14 On réalise en surface d'un substrat 2, par exemple en silicium ou en saphir, une topologie, donc une surface présentant des variations d'altitude. Des parties 4a, 4'a sont donc surélevées par rapport au reste de la surface 2'. Ces parties présentent des bords 10, 12, 14 sensiblement perpendiculaires à cette surface 2'. En variante, on peut avoir une seule partie surélevée, par exemple la partie 4'a de la figure 5A. Autrement dit, la partie surélevée peut être continue ou connexe. Ces portions 4a, 4'a peuvent être obtenues par gravure d'un substrat 2 initialement uniformément plan, elles peuvent donc être en même matériau que le substrat 2. On procède ensuite (figure 5B) au dépôt d'une couche 31 d'AlN, qui peut avoir les mêmes caractéristiques, notamment d'épaisseur, que celles déjà indiqué ci-dessus, par exemple en liaison avec les figures 1A - 1D. Les mêmes techniques de dépôts que celles déjà indiquées ci-dessus peuvent être utilisés. Cette couche 31 est déposée uniformément sur les portions surélevées 4a, 4a' du substrat, ainsi que sur les autres parties de la surface 2' du substrat 2 qui sont à un niveau inférieur. On procède ensuite (figure 5C) sur la couche 31 à une étape de réalisation d'un masque dur 40, 40', dont les bords 20, 22, 24 sont alignés avec les bords 10, 12, 14 des zones 4a, 4'a. Une ou plusieurs parties de ce masque peut former une électrode, par exemple d'un dispositif non représenté sur les figures. 15 Autrement dit, ces bords 20, 22, 24 définissent avec, respectivement, chacun des bords 10, 12, 14 un plan qui est sensiblement perpendiculaire à la surface 2' du substrat 2. En fait, là encore, ce plan pourra ne pas être strictement perpendiculaire à la surface 2', mais être légèrement incliné par rapport à la direction perpendiculaire, par exemple d'un angle compris entre 0° et 15°. Cette couche de masque 40, 40' a une épaisseur qui peut être comprise par exemple entre 10 nm et 10 }gym. Elle peut être par exemple en molybdène Mo ou en nitrure de silicium (SiN, Si3N4). Seul l'un des flancs représentés, le flanc droit 26 du masque 40 n'est, lui, pas aligné avec le flanc droit 16 de la zone 4a de topologie. On procède ensuite à une étape de gravure, comme représenté en figure 5D. Cette étape va permettre de graver la couche 31 de matériau AIN, dans des zones qui ne sont pas protégées par le masque 40, 40'. Cette gravure est poursuivie jusqu'à la surface 2' du substrat 2, cette surface 2' réapparaît donc après que la gravure soit terminée. Du fait des conditions d'alignement des bords du masque 40, 40' avec ceux de la topologie 4a, 4'a, on obtient des flancs 30, 32, 34, de la couche 31, alignés avec les flancs correspondant de la topologie 4a, 4'a et de la couche de masque 40, 40'. Autrement dit, ces flancs 30, 32, 34 de la couche d'AIN 31 sont perpendiculaires à la surface 2' du substrat 2, ou leur inclinaison par rapport à cette perpendiculaire est inférieure à quelques degrés, par exemple inférieure à ±15°. 16 Dans l'exemple illustré, la gravure conduit à la formation d'un trou 60, entre deux portions 31a, 31b d'AlN qui sont situées sous les portions 40, 40' de masque dur. Les parois de ce trou sont les flancs 32, 34 qui, comme indiqué ci-dessus, sont perpendiculaires à la surface 2' de la couche 2. Avec cette technique, il est possible d'obtenir un trou de diamètre 0 d'environ 10pm, plus généralement compris entre 100 nm et 100 pm et/ou un trou qui traverse la couche 31, et dont le rapport du diamètre 0 à l'épaisseur H de la couche est inférieur ou égal à environ 1/2. Comme déjà indiqué ci-dessus, le flanc droit 26 de la couche de masque 40 n'est pas aligné avec le flanc droit 16 de la couche 4 de croissance. Il en résulte donc un flanc 36 de la couche 31b qui n'est pas perpendiculaire à la surface 2' de substrat 2, mais définit, avec cette surface 2', un angle a. Selon encore un autre exemple de réalisation de l'invention, qui va être décrit en liaison avec les figures 6A à 6D, on réalise en surface d'un substrat 2, une topologie avec une surface qui présente une marche 10, celle-ci délimitant une partie 4b surélevée par rapport au reste de la surface 2'. Cette configuration peut résulter de la gravure d'un substrat initialement uniformément plan. Puis on procède comme décrit ci-dessus dépôt d'une couche d'AlN 31 (figure 6B), formation d'une couche de masque 40 (figure 6C) dont le bord 20 est aligné avec le bord 10 et gravure (figure 6D). 17 Du fait de la condition d'alignement du bord 20 du masque 40 (qui peut être une électrode) avec celui de la topologie 4'b, on obtient un flanc 30 de la couche 31, aligné avec le flanc correspondant de la sous-couche 4'b et de la couche de masque 40. Autrement dit, ce flanc 30 de la couche d'AlN 31 est perpendiculaire à la surface 2' du substrat 2, ou son inclinaison par rapport à cette perpendiculaire est inférieure à quelques degrés, par exemple inférieure à ±15°. Dans les deux modes de réalisation des figures 5A - 5D et 6A - 6D : - la surface supérieure des portions 4a, 4'a, 4b peut être surélevée, par rapport à la surface 2', d'une hauteur ou d'une épaisseur de l'ordre de 200 nm, ou, plus généralement, comprise entre 10 nm et 1 }gym ou encore entre 100 nm et 300 nm, - la référence 7 désigne une éventuelle couche 7 de texturation ou de germination, ayant la même fonction que dans les exemples précédents, - la nature et/ou l'épaisseur de la couche de masque 40, 40' peut être celle des exemples précédents, - les techniques de dépôts, de gravure et d'alignement peuvent être les mêmes que dans les exemples précédents. Dans un procédé ou un dispositif selon l'invention, les flancs droits 30, 32, 34 de la couche d'AlN sont définis par les bords des sous-couches 4, 4' de croissance ou de la topologie 4a, 4'a, 4b formée en surface du substrat 2. 18 La topologie ou le relief peut être obtenue par gravure de cette même couche (cas des figures 1A-1D), ou par croissance de cette couche sur une topologie préexistante (cas des figures 2A et 2B), ou par gravure du substrat 2 (cas des figures 5A - 6D). L'angle réel des flancs 30, 32, 34 de la couche d'AlN est obtenu par la précision d'alignement des flancs de la ou des sous-couches 4, 4' et des bords du ou des masques 40, 40'. La pente de chaque flanc 30, 32, 34 est définie par un bord du masque dur 40, 40' et un bord de la sous-couche 4, 4' de croissance ou de la topologie 4a, 4'a, 4b. Ces exemples de réalisation montrent en outre que, dans un même dispositif, on peut obtenir des portions présentant des flancs droits 30, 32, 34, et une ou des portions présentant un ou des flancs inclinés tel que le flanc 36. Dans tous les exemples présentés ci-dessus . - la gravure utilisée pour la couche 31 est de préférence une gravure humide, par exemple au H3PO4 chaud (à température sensiblement comprise entre 100°C et 140°C), - et/ou le substrat initial 2 peut être un substrat hétérogène, par exemple de types multicouche, ou bien de type homogène ou massif (ou « bulk»). Tout ou partie des portions de masque 40, 40' peut être éliminée après gravure de la couche d'AIN. Quel que soit le mode de réalisation retenu, la technique présentée ci-dessus permet 19 d'obtenir des flancs droits dans une couche d'AlN, sans surgravure. Elle permet en outre d'obtenir des gravures de petites dimensions latérales, avec des « gap » fins, et/ou de faire un ou des trous droits 60 avec des petites dimensions, c'est-à-dire de réaliser des nias. REVENDICATIONS1. Procédé de réalisation d'une couche d'AIN à flancs sensiblement verticaux par rapport à une surface (2') d'un substrat (2), la surface dudit substrat présentant une topologie (4, 4', 4a, 4'a, 4b) comportant au moins un motif de type marche (10, 12, 14, 16), ce procédé comportant : - le dépôt de la couche d'AIN (31), au moins sur ledit motif de la topologie, - la formation, par dessus la couche d'AIN, d'une couche (40, 40') de masque, dont au moins un bord est positionné au voisinage d'au moins un bord (10, 12, 14) ou un flanc (10a, 10b) de la marche du motif, selon un plan sensiblement perpendiculaire à la surface (2') du substrat (2), - la gravure de la couche d'AIN (31) à travers le masque. 2. Procédé selon la revendication 1, comportant une étape préalable de formation de la topologie (4a, 4'a, 4b) du substrat, par gravure de la surface (2') du substrat (2), de manière à obtenir au moins le motif de type marche. 3. Procédé selon l'une de revendications 1 ou 2, la marche présentant au moins un flanc latéral (10, 12, 14, 16) formant un angle au moins égal à 15° par rapport à la perpendiculaire à la surface (2') du substrat (2) dans ou sur lequel elle est réalisée. 21 4. Procédé selon l'une des revendications 1 à 3, dans lequel le substrat comporte une sous-couche (4, 4'), dont une surface forme, avec la surface du substrat, le motif de type marche. 5. Procédé selon la revendication 4, la sous-couche (4, 4') étant obtenue par dépôt d'une couche uniforme de matériau, puis gravure au moins de cette couche, pour obtenir le motif de type marche. 6. Procédé selon l'une des revendications 4 ou 5, la sous-couche étant obtenue par dépôt sur une couche (3) formant une topologie en surface (2') de substrat (2). 7. Procédé selon l'une des revendications 4 à 6, au moins une partie de la sous-couche (4, 4') formant une électrode. 20 8. Procédé selon l'une des revendications 4 à 7, la sous-couche étant en titane (Ti) ou en silicium (Si), ou en molybdène (Mo), ou en platine (Pt), ou en nitrure de silicium. 25 9. Procédé selon l'une des revendications 1 à 8, la topologie ou le motif de type marche ou la sous-couche ayant une épaisseur comprise entre 10 nm et 1 }gym. 10 15 22 10. Procédé selon l'une des revendications précédentes, la gravure de la couche d'AlN (31) étant une gravure humide. 11. Procédé selon l'une des revendications précédentes, au moins une partie de la couche de masque (40, 40') formant une électrode. 12. Procédé selon l'une des revendications précédentes, la couche d'AlN ayant une épaisseur comprise entre 10 nm et 5 }gym. 13. Procédé selon l'une des revendications précédentes, la couche de masque (40, 40') étant en silice (SiO2), ou en molybdène (Mo), ou en platine (Pt) ou en une résine adhérente. 14. Procédé selon l'une des revendications précédentes, la couche de masque (40, 40') ayant une épaisseur comprise entre 10 nm et 10 }gym. 15. Procédé selon l'une des revendications précédentes, comportant en outre la réalisation d'un flanc incliné (36) par gravure de la couche d'AlN (39). 16. Procédé selon l'une des revendications précédentes, comportant en outre la réalisation d'un trou (60) à bords verticaux. 3023 17. Substrat hétérogène à couche d'AIN, comportant : - un substrat support (2), dont une surface présente une topologie (4a, 4'a, 4b) comportant au 5 moins un motif de type marche, - une couche d'AIN (31), recouvrant ledit motif, au moins un flanc (30, 32, 34) de cette couche d'AIN étant positionnée au voisinage d'au moins un bord (10, 12, 14, 10a, 10b) de la marche du motif, selon un 10 plan sensiblement perpendiculaire à une surface (2') du substrat (2). 18. Substrat selon la revendication précédente, la topologie résultant d'une gravure de la 15 surface du substrat de manière à obtenir au moins le motif de type marche. 19. Substrat selon l'une de revendications 17 ou 18, la marche présentant au moins un flanc 20 latéral (12, 12, 14, 16) formant un angle au moins égal à 15° par rapport à la perpendiculaire à la surface (2') du substrat (2) dans ou sur lequel elle est réalisée. 25 20. Substrat selon l'une des revendications 17 à 19, dans lequel le substrat comporte une sous-couche (4, 4'), dont une surface forme, avec la surface du substrat, le motif de type marche. 30 21. Substrat selon la revendication précédente, la sous couche (4, 4') étant au moins en partie sur une couche (3) formant une topologie en surface (2') du substrat support (2). 22. Substrat selon la revendication précédente, comportant en outre un trou (60) à bords verticaux, le rapport entre le diamètre de ce trou et l'épaisseur de la couche d'AlN étant inférieur ou égal à 0, 5.