FR 2959864 A1 20111111 FR 1001958 A 20100506 ALTATECH 5.FRD 1 Dispositif et procédé d'inspection de plaquettes semi-conductrices en mouvement L'invention relève du domaine de l'inspection et du contrôle de plaquettes semi-conductrices ou substrats en cours ou en fin de fabrication, ou lors de la réalisation 5 de circuit intégrés. La tendance à l'accroissement des diamètres des plaquettes semi-conductrices fait que celles-ci doivent être manipulées avec un soin extrême et sont de plus en plus fragiles. Par ailleurs, la gravure de plus en plus fine des motifs d'une plaquette semi-conductrice rend chaque composant de la plaquette de plus en plus sensible aux défauts 10 de fabrication. De façon classique, l'inspection visuelle des plaquettes semi-conductrices par un opérateur, est réalisée. L'oeil humain est en effet capable de discerner les défauts de relativement petite taille sur des plaquettes semi-conductrices ayant, pour un observateur non exercé, l'aspect d'un miroir. Plus la qualité de fabrication est élevée, plus l'oeil humain est capable de repérer des défauts de petite 15 taille. L'évolution des techniques de gravure allant dans le sens d'une finesse toujours accrue, fait que l'aeil humain atteint des limites, notamment pour certains types de défauts. La tâche d'inspection visuelle des plaquettes semi-conductrices est lente, fastidieuse et onéreuse. Dans une salle blanche de production de plaquettes semi- 20 conductrices, il est souhaitable de réduire la présence humaine qui constitue une source de contamination importante. Les machines d'inspection sont généralement lentes, relativement peu performantes et dépendantes de l'opérateur (donc dont les résultats sont peu reproductibles). Enfin, l'inspection visuelle ne génère pas de données statistiques suffisantes sur des positions, notamment dans le plan de la plaquette, tailles 25 ou types de défauts, ceci étant souhaitable pour le suivi statistique de procédés et la recherche des causes de défaillances ou de problèmes. L'invention vient améliorer la situation. Le dispositif d'inspection de défauts de plaquettes semi-conductrices, comprend un organe de détection de défauts de surface à partir des variations de la 30 pente d'une surface de la plaquette, un organe de détection de défauts de surface à partir des variations de l'intensité lumineuse réfléchie par une surface de la plaquette, en une pluralité de points un organe de détection de l'intensité lumineuse diffusée par la surface de la plaquette, plusieurs sources lumineuses, et un mécanisme de détection et de classification monté en aval desdits organes de détection. La première source lumineuse commune peut comprendre un élément de projection sur la surface de la plaquette, et une mire comprenant une alternance de franges de lumière continue et de bandes sombres. L'élément de projection peut comprendre un écran de luminosité au moins égale à 300 cd/cm2. Le dispositif peut comprendre un capteur de prise d'image commun auxdits organes de détection. Ledit capteur de prise d'image peut être apte à détecter le déplacement des franges réfléchies par le substrat. L'organe de détection de défauts de surface à partir des variations de l'intensité lumineuse réfléchie peut comprendre un élément de calcul de l'intensité en une pluralité de points de l'image pour générer une image des intensités réfléchies. Le mécanisme de détection et de classification peut comprendre une grille de classification selon qu'un défaut est visible ou pas dans l'image des intensités réfléchies, et est visible ou pas dans une image des variations de la pente de la surface de la plaquette. Le dispositif d'inspection peut faire partie d'une machine comprenant un bras de transport de plaquettes muni d'au moins un élément de support de plaquettes, une pince de saisie de plaquettes à deux branches distantes configurées pour tenir des bords opposés de la plaquette, la pince étant montée à rotation sur un arbre pour pouvoir tourner la plaquette entre une position sensiblement horizontale et une position sensiblement verticale, et au moins deux systèmes d'inspection disposés d'un côté et de l'autre de la plaquette en position sensiblement verticale, symétriquement par rapport au plan passant par la plaquette. Le mécanisme de détection et de classification peut être relié à une sortie dudit système d'inspection, la grille de classification prenant en compte selon qu'un défaut est visible ou pas sur les deux faces de la plaquette en des lieux proches. La machine peut être indépendante du dispositif d'inspection. En effet, le système d'inspection offre des images en sortie à partir desquelles le système de détection et de classification fait son analyse pour fournir en sortie un fichier-résultat comprenant la nature, la position et les caractéristiques des défauts (telles que la taille, l'amplitude, ...) ainsi qu'une image de la zone comprenant le défaut. Cette analyse peut être faite directement après production de l'image ou à posteriori sur une station déportée dans laquelle on introduira les fichiers images obtenus. Ce procédé est décrit dans le document FR2931295. Le dispositif d'inspection de plaquettes semi-conductrices peut comprendre au moins un bras de transport de plaquettes muni au moins d'un élément de support de plaquettes. Ledit bras est configuré pour déplacer au moins une plaquette selon une trajectoire comprenant au moins une partie sensiblement rectiligne. L'au moins un élément de support peut définir une surface de support de façon à maintenir la plaquette sensiblement horizontale. Le dispositif peut comprendre au moins une caméra linéaire à intégration temporelle, disposée au-dessus du bras de transport. La caméra peut être munie d'un champ recoupant la partie rectiligne de ladite trajectoire de façon que la surface supérieure d'une plaquette semi-conductrice soit observée par ladite caméra au cours de son déplacement le long d'une partie rectiligne de la trajectoire. Le dispositif peut comprendre au moins une caméra linéaire disposée au-dessus de la trajectoire. Le dispositif peut comprendre une ou plusieurs caméras linéaires disposées sous la trajectoire pour observer une surface inférieure de la plaquette, les éléments de support présentant un premier écartement ou une première forme lors d'un trajet aller et un deuxième écartement différent du premier écartement ou une forme différente de la première forme lors d'un trajet retour, permettant une inspection de la quasi-totalité de la surface inférieure de la plaquette, une partie lors du trajet aller et une partie complémentaire lors du trajet retour de la plaquette le long de la partie rectiligne de la trajectoire. Le dispositif peut comprendre deux bras de transport de plaquettes munis d'éléments de support, les éléments de support d'un premier bras présentant un écartement différent ou une forme différente des éléments de support du deuxième bras, le premier bras étant configuré pour réaliser un trajet aller d'une plaquette, le trajet retour étant assuré par le deuxième bras permettant ainsi une inspection de l'ensemble de la surface inférieure de la plaquette, pour partie lors du trajet aller et pour partie lors du trajet retour. La caméra peut comprendre une matrice rectangulaire de pixels, par exemple comprenant plus de 2000 pixels en longueur et plus de 48 pixels en largeur, et un élément sommateur pour réaliser la somme des pixels d'une largeur lors de l'inspection d'une surface d'une plaquette semi-conductrice. La ou les caméras peuvent être sensibles aux rayonnements ultra-violets. Le dispositif peut comprendre une source de lumière comprenant une barrette de diodes électroluminescentes. Le dispositif peut comprendre un système d'inspection de bord de plaquette semi-conductrice, comprenant un microscope confocal chromatique pourvu d'une voie d'éclairage et d'une voie d'analyse. La voie d'éclairage peut comprendre une source lumineuse polychromatique, une fente et un objectif à chromatisme axial comportant une lentille au moins réalisée dans un matériau dont le nombre d'Abbe est inférieur à 50. La voie d'analyse peut comprendre ledit objectif, une fente de filtrage chromatique et un capteur d'intensité lumineuse dans cet ordre. La fente de la voie d'éclairage et la fente de la voie d'analyse peuvent être disposées sensiblement à la même distance optique du bord de plaquette à inspecter. Le mécanisme de détection et de classification peut être relié à une sortie du système d'inspection de bord. La grille de classification peut prendre en compte selon qu'un défaut est visible ou pas sur une image fournie par le système d'inspection de bord. La fente de la voie d'éclairage peut former un organe de linéarisation. La source lumineuse peut comprendre un ensemble de diodes électroluminescentes et un organe d'homogénéisation de l'intensité lumineuse le long de la ligne. Le procédé d'inspection de défauts de plaquettes semi-conductrices, comprend les étapes suivantes: des variations de la pente d'une surface de la plaquette sont mesurées par un premier organe de détection de défauts de surface, des variations de l'intensité lumineuse réfléchie par une surface de la plaquette sont mesurées par le même organe lors de la même acquisition, ladite surface de la plaquette étant éclairée par une source lumineuse commune, des défauts de surface sont classés par un mécanisme de détection et de classification monté en aval desdits organes de détection. Un procédé d'inspection de défaut de plaquettes semi-conductrices peut comprendre les étapes de mesure des variations de la pente d'une surface de la plaquette par un premier organe de détection de défaut de surface, de mesure des variations de l'intensité lumineuse réfléchie par une surface de la plaquette par un deuxième organe de détection de défaut de surface, ladite surface de la plaquette étant éclairée par une source lumineuse, de classement des défauts de surface par un mécanisme de détection et de classification monté en aval desdits organes de détection. Le premier organe de détection de défaut de surface et le deuxième organe de détection de défaut de surface peuvent être actifs en temps masqué au cours d'une inspection d'une autre propriété de ladite plaquette. Une plaquette reposant sur au moins un élément de support appartenant à un bras de transport peut être déplacée selon une trajectoire comprenant au moins une partie rectiligne. Au cours de la partie rectiligne de la trajectoire, au moins une caméra linéaire à intégration de temps peut effectuer une observation de la surface supérieure de la plaquette. L'inspection peut être effectuée avant et/ou après une inspection statique. Les étapes suivantes peuvent être prévues: une plaquette semi-conductrice reposant sur au moins un élément de support appartenant à un bras de transport est déplacée selon une trajectoire comprenant au moins une partie rectiligne, et au cours de la partie rectiligne de la trajectoire, au moins une caméra linéaire à intégration de temps effectue une observation de la surface supérieure de la plaquette. L'invention sera mieux comprise à la lecture de la description détaillée de quelques modes de réalisation pris à titre d'exemples nullement limitatifs et illustrés par les dessins annexés sur lesquels : la figure 1 est une vue schématique en perspective d'une machine d'inspection de disques plats, tels que des plaquettes semi-conductrices ; la figure 2 est une vue de face en élévation de la machine de la figure 1, des éléments de châssis et de capot ayant été retirés ; la figure 3 est une vue de dessus de la machine de la figure 1; la figure 4 est une vue schématique de côté de la pince dans une première position; la figure 5 est une vue schématique de côté de la pince dans une deuxième position; la figure 6 est une vue en coupe transversale d'une branche de la pince ; les figures 7 et 8 sont des organigrammes d'étapes de procédé ; la figure 9 est une vue de dessus d'une machine d'inspection de disques plats ; la figure 10 est une vue schématique d'un ensemble d'inspection de défauts ; la figure 11 est un organigramme d'étapes d'inspection de défauts ; la figure 12 est une vue schématique d'une plaquette semi-conductrice ; la figure 13 est une vue de détail de la figure 12 ; la figure 14 est une vue schématique d'un dispositif d'inspection de bord de plaquettes semi-conductrices ; la figure 15 est une variante de la figure 14 ; la figure 16 est une vue schématique d'un dispositif d'inspection selon un mode de réalisation ; la figure 17 est une vue schématique d'une unité de traitement. les figures 18 à 23 sont des vues schématiques illustrant la détection des défauts de surface par la pente locale; et les figures 24 et 25 sont des vues schématiques illustrant la détection des défauts par capteur linéaire en champ noir. De façon générale, les machines d'inspection actuelle sont prévues pour une plaquette semi-conductrice en position horizontale reposant sur un plateau, voir US 2008/7726, JP 100 56 046 et KR 2004 0024795. Il en va de même du document EP 1 194 803 qui propose en outre une structure catadioptrique complexe. La solution généralement retenue consiste en l'utilisation d'une surface de référence d'une planéité meilleure que celle mesurable, sur laquelle la plaquette est posée ou maintenue pendant la mesure. Cette surface de référence est en général celle d'un support massif. Le contact entre cette surface et la plaquette est source de contamination de la face arrière. Par ailleurs, cette méthode masque la face arrière pendant la mesure de la face avant. La demanderesse a mis au point une machine d'inspection de plaquettes en position verticale statique, voir FR 2931295 . Une excellente sensibilité de détection de 10 défauts perpendiculairement au plan de la plaquette est obtenue. Souhaitant obtenir une excellente sensibilité de détection de défauts parallèlement au plan de la plaquette à des cadences élevées, la Demanderesse a conçu une machine d'inspection de plaquettes au vol. L'inspection au vol permet de maintenir 15 la cadence des procédés voisins, notamment en amont et en aval. L'inspection se fait en temps masqué. Par ailleurs, la recherche d'une sensibilité élevée parallèlement au plan de la plaquette a permis de maintenir la plaquette en position horizontale. Le Demanderesse s'est rendue compte qu'une inspection en temps masqué en position horizontale pouvait mettre à profit des déplacements de la plaquette entre des machines 20 existantes, notamment dans la machine selon FR 2931295 à laquelle le lecteur est invité à se reporter. La plaquette est déplacée en position sensiblement horizontale lors de l'inspection. On entend ici par sensiblement verticale à +/- 1 ° près. Les surfaces opposées de la plaquette sont dites supérieure et inférieure par convention, même lorsque la plaquette est en position verticale, par référence à la position horizontale de la 25 plaquette supportée par la fourche au cours du déplacement. Les éléments de support prévus pour supporter une plaquette peuvent former une fourche. Les éléments de support peuvent ainsi déplacer la plaquette en position horizontale tout en occultant une partie de la surface inférieure de la plaquette et en 30 laissant libre une autre partie. La fourche assure une bonne stabilité mécanique de la plaquette semi-conductrice et une déformation sous son propre poids dans des limites acceptables au cours de l'examen au cours du mouvement. Le bras de transport peut comprendre au moins deux axes d'articulation. Le bras de transport peut être supporté par une tourelle. La tourelle peut supporter deux bras de transport de plaquettes. La tourelle peut être montée à translation sur une glissière. La tourelle à deux bras de transport permet d'optimiser le mouvement de la plaquette entre un stockage de plaquettes et la pince de saisie. Le dispositif peut comprendre une unité de commande configurée pour commander la prise d'images par la ou les caméras et, le cas échéant un éclairage par au moins une source de lumière. L'unité de commande peut comprendre au moins une sortie reliée à une caméra et au moins une sortie reliée à la source de lumière correspondante pour synchroniser ladite caméra et ladite source de lumière. La source de lumière peut comprendre une barrette de diodes électroluminescentes. Chaque image peut être prise pendant une durée d'exposition de l'ordre de 100 millisecondes à 3 secondes. Le temps de transfert par les caméras peut être de l'ordre de 50 millisecondes à 1 seconde. Le dispositif peut comprendre au moins une caméra linéaire disposée au-dessus de la trajectoire. Dans le cas d'une utilisation de plusieurs caméras, chacune sera utilisée pour l'inspection d'une partie de la surface afin d'améliorer la résolution du système et la sensibilité de détection de défauts. L'inspection peut être effectuée à partir d'un dispositif selon la demande de brevet FR2914422 à laquelle le lecteur est invité à se reporter, modifié par l'adjonction d'un organe de détection de défauts de surface à partir des variations de l'intensité lumineuse réfléchie par une surface de la plaquette. Ledit organe peut comprendre un module de calcul recevant des données en provenance d'un capteur commun avec l'organe de détection de défauts de surface à partir des variations de la pente d'une surface de la plaquette. Le capteur commun peut comprendre une caméra, notamment de type CCD. La source lumineuse commune aux deux organes de détection peut comprendre un écran vidéo recevant un signal d'émission d'une mire. Dans un mode de réalisation, on met en oeuvre une ou plusieurs caméras à intégration temporelle également connues sous l'acronyme « TDI » pour « time delay integration » en langue anglaise. Ce type de caméra est décrit dans le document EP2088763. Une caméra TDI comprend une matrice d'éléments capteurs et un bloc de compensation configuré pour compenser le filé dû au déplacement de la plaquette durant le temps d'exposition. Les charges générées dans les éléments capteurs sont déplacées virtuellement à la même vitesse. Le déplacement peut être réalisé à la lecture de la matrice d'éléments capteurs au moyen d'un registre de lecture à décalage. Le décalage peut être calculé en fonction de la vitesse de déplacement de la plaquette. Dans ce mode de réalisation, on illumine la surface de la plaquette avec un système d'éclairage intense qui pourra être à base de LEDs. Le système d'éclairage est focalisé sur la zone en regard de la caméra TDI. L'orientation du faisceau est faite de manière que la lumière directement réfléchie sur la surface soit hors de l'ouverture de la caméra. La caméra detecte dans ce cas uniquement la lumière diffusée par la surface ou par des éléments présents sur celle-ci, qu'ils appartiennent au substrat ou qu'ils soit accrochés sur la surface. Le dispositif peut comprendre une caméra linéaire disposée sous la trajectoire pour observer une surface inférieure de la plaquette. Des éléments de support peuvent présenter un premier écartement ou une première forme lors d'un trajet aller et un deuxième écartement différent ou une différente forme du premier écartement ou de la première forme lors d'un trajet retour. On peut inspecter l'ensemble de la surface inférieure de la plaquette, une partie lors du trajet aller et une partie au moins complémentaire lors du trajet retour de la plaquette le long de la partie rectiligne de la trajectoire. Le dispositif peut comprendre deux bras de transport de plaquettes munis d'éléments de support, les éléments de support d'un premier bras présentant un écartement différent des éléments de support du deuxième bras, le premier bras étant configuré pour réaliser un trajet aller d'une plaquette, le trajet retour étant assuré par le deuxième bras permettant ainsi une inspection de l'ensemble de la surface inférieure de la plaquette, pour partie lors du trajet aller et pour partie lors du trajet retour. La ou les caméras peut être sensible aux rayonnements ultra-violets. La caméra peut comprendre une matrice rectangulaire de pixels, comprenant plus de 2000 pixels en longueur et plus de 100 pixels en largeur, et un élément sommateur pour réaliser la somme des pixels d'une largeur lors de l'inspection d'une surface d'une plaquette semi-conductrice. L'inspection est effectuée avant et/ou après une inspection statique, notamment au cours d'un déplacement de la plaquette vers ou en provenance de l'inspection statique. Lors du déplacement en provenance de l'inspection statique, la partie de la surface inférieure de la plaquette occultée par les éléments de transport peut être distincte de la partie occultée par les éléments de transport lors du déplacement vers l'inspection statique. L'écartement ou la forme des éléments de transport peut être différent à l'aller et au retour. Le positionnement relatif des éléments de transport par rapport à la surface inférieure de la plaquette peut être différent à l'aller et au retour. Le dispositif d'inspection peut faire partie d'une machine comprenant un bras de transport de plaquettes muni d'au moins un élément de support de plaquettes, une pince de saisie de plaquettes à deux branches distantes configurées pour tenir des bords opposés de la plaquette, la pince étant montée à rotation sur un arbre pour pouvoir tourner la plaquette entre une position sensiblement horizontale et une position sensiblement verticale, et au moins un système d'inspection disposé d'un côté et d'un autre système disposé symétriquement par rapport au plan passant par la plaquette, lui faisant face. Chaque système d'inspection peut comprendre au moins une source de lumière et d'au moins une caméra disposée d'un côté et au moins une source de lumière, chaque caméra étant positionnée pour capter la lumière réfléchie par la surface de la plaquette lui faisant face et chaque source de lumière étant positionnée pour émettre un faisceau incident vers ladite surface. Le bras de transport peut comprendre au moins deux axes d'articulation et être supporté par une tourelle supportant au moins un bras de transport de plaquettes, la tourelle étant montée à translation sur une glissière. Chaque branche de la pince peut présenter une rainure, notamment de forme générale en V, ménagée sur une surface disposée en regard de l'autre branche. Au moins une des branches peut être montée à pivotement selon un axe sensiblement perpendiculaire au plan de la plaquette tenue entre lesdites branches. Les éléments de transport peuvent présenter un encombrement latéral inférieur à l'ouverture entre les branches de la pince. Chaque source de lumière peut comprendre un moniteur, notamment un écran LCD, La caméra peut être disposée au-dessus de la source de lumière. Une unité de commande peut être configurée pour commander l'affichage de raies parallèles par les sources de lumière. L'unité de commande peut comprendre au moins une sortie reliée à une caméra et au moins une sortie reliée à la source de lumière correspondante pour synchroniser ladite caméra et ladite source de lumière. L'unité de commande peut être configurée pour commander une zone ovale éclairée de la source de lumière et un bord extérieur sombre. L'unité de commande peut être configurée pour commander l'affichage de couleurs différentes simultanément par les sources de lumière. L'unité de commande peut être configurée pour commander un éclairage alterné par lesdites sources de lumière. Lors de l'inspection de plaquettes semi-conductrices, une plaquette semi-conductrice à inspecter est apportée par au moins un élément de support appartenant à un bras de transport, des branches distantes faisant partie d'une pince saisissent des bords opposés de la plaquette, la pince tourne autour d'un arbre faisant passer la plaquette d'une position sensiblement horizontale à une position sensiblement verticale, une source de lumière disposée d'un côté de la plaquette et une source de lumière disposée de l'autre côté de la plaquette de façon symétrique par rapport à un plan passant par ladite plaquette émettent un faisceau incident vers la surface de la plaquette faisant face respectivement à chaque source de lumière, et une caméra disposée d'un côté et une caméra disposée de l'autre côté de la plaquette captent la lumière réfléchie par la surface de la plaquette lui faisant face. La caméra linéaire à intégration temporelle prend des images au cours des phases de transport aller et retour par l'élément de support. Sur les figures 1 à 3, la machine d'inspection 1 a été représentée capot ouvert. Plus précisément, sur la figure 1, le capot avant et l'un des capots latéraux sont ouverts. Sur la figure 2, le capot avant est ouvert. Sur la figure 3, le capot de dessus est ouvert. Bien entendu, en état de fonctionnement, la machine d'inspection 1 est munie de ses capots fermés. Les capots sont opaques pour éviter l'introduction de lumière parasite susceptible de venir perturber les caméras. En outre, sur la figure 1, l'un des deux écrans, la caméra correspondante et le support de la pince ont été omis afin de mieux voir les autres pièces. De même, sur la figure 2, la pince et le support de pince ont été omis, le substrat y étant présenté en position d'inspection, sensiblement vertical. Comme on peut le voir sur les figures 1 à 5, la machine d'inspection 1 comprend un bâti 2, par exemple de type mécano-soudé formant une chambre d'inspection 3 et une chambre d'alimentation 4 séparées par une cloison 5 percée d'une fenêtre 6. Le bâti 2 est recouvert par les capots. La chambre d'inspection 3 présente une structure symétrique par rapport à un plan vertical passant le milieu des figures 2 et 3. La machine d'inspection 1 comprend une alimentation 8 en air filtré de type laminaire permettant de générer un déplacement d'air du haut vers le bas de la chambre 3 comme montré par les flèches 7. L'alimentation 8 en air forme également la paroi supérieure de la chambre 3. Le plancher de la chambre de mesure est constitué d'un empilement de 2 grilles dont l'une peut être décalée de l'autre, ceci permettant de contrôler le débit d'air sortant par cette issue, et ainsi de contrôler la surpression dans la chambre de mesure. La machine d'inspection 1 comprend deux écrans vidéo 9 et 10 montés symétriquement, notamment par rapport à un plan vertical passant par le centre de la machine d'inspection 1 ou encore passant par le substrat I l à inspecter maintenu en position verticale, voir figures 1 et 2. Chaque écran 9, 10 repose sur un support 12, par exemple du type articulé permettant une orientation de l'écran 9, 10 selon un axe sensiblement parallèle au plan du substrat 11, par exemple un axe sensiblement horizontal, et le réglage en translation de la position de l'écran 9, 10 par rapport à la surface mesurée. Les écrans 9 et 10 sont montés en regard l'un de l'autre à distance et légèrement orientés vers le haut, par exemple avec un angle compris entre 10 et 30°. Les écrans 9 et 10 peuvent être du type LCD. Les écrans 9, 10 présentent une hauteur supérieure à 1,6 fois le diamètre du substrat à inspecter, par exemple une hauteur de 54 cm pour un substrat de 300 mm de diamètre et une hauteur de 72 cm pour un substrat de 450 mm de diamètre. Les côtés de l'écran d'illumination sont dits hauteur et largeur par convention. On entend par hauteur la dimension la plus petite de la zone d'affichage de l'écran, par 30 référence à l'orientation de l'écran en utilisation d'afficheur vidéo habituelle. La machine d'inspection comprend également deux caméras 13, 14 situées dans la chambre d'inspection 3. Les caméras 13, 14 peuvent être supportées par les supports 12. Un support 12 est commun à un écran, 9 ou 10 et à une caméra 13 ou 14. La caméra 13 est cachée sur la figure 1 par un montant du bâti 2. Les caméras 13, 14 peuvent également être réglées en position, notamment en hauteur, en largeur et en longueur, la longueur correspondant à la distance horizontale par rapport au substrat 11. En outre, les caméras 13 et 14 peuvent être réglées en orientation angulaire. Les caméras peuvent être de type CCD (Charge Coupled Device en anglais) ou CMOS (Complementary Metal Oxyde Semiconductor). L'écran 9 et la caméra 13 forment un premier système d'inspection. L'écran 10 et la caméra 14 forment un deuxième système d'inspection. Les premier et deuxième systèmes d'inspection sont symétriques. Les positions respectives de l'écran 9, du substrat 11 et de la caméra 13 d'un côté, de l'écran 10, du substrat 11 et de la caméra 14 de l'autre côté de la chambre d'inspection 3 sont choisies de façon que chaque écran 9, 10 émette un faisceau incident atteignant le substrat 11 sur sa face correspondante Il a, 1 lb respectivement et que la caméra 13, 14 capte le faisceau réfléchi par ladite surface 11 a, 11 b. Les faces 11 a et 11 b sont parallèles. Le faisceau incident n'atteint pas en totalité le substrat 11. Les positions relatives sont choisies de façon que la surface 1l a, llb soit suffisamment éclairée pour permettre à la caméra 13, 14 de détecter un signal lumineux représentatif de défauts de la surface lla, llb. La luminosité et le contraste de l'écran 9, 10 sont réglés à des niveaux élevés pour favoriser la détection des défauts par les caméras 13, 14. Par ailleurs, les surfaces inactives de la chambre 3 présentent une absorption maximale des longueurs d'onde utilisées. En d'autres termes, les surfaces inactives de la chambre d'inspection 3 sont de couleur noire. On limite ainsi la perturbation des caméras 13, 14. Les caméras 13, 14 étant inclinées par rapport à la normale aux surfaces 11 a, 1 lb, présentent une légère distorsion, la distance entre l'extrémité supérieure de la surface lla et l'objectif de la caméra étant inférieure à la distance entre l'extrémité inférieure de la surface 1la et l'objectif de la caméra 13. Il en va de même pour la caméra 14 par rapport à la surface llb lui faisant face. À cet effet, les caméras 13, 14 peuvent comprendre un objectif basculant permettant d'obtenir une image nette de la totalité de la surface inspectée par un basculement du plan focal. La machine d'inspection 1 comprend une pince 15 de maintien du substrat 11. La pince 15, visible sur les figures 1 et 3 est représentée plus en détail sur les figures 4 et 5 offrant au substrat 11 une position respectivement horizontale de réception et verticale d'inspection. La pince 15 comprend une base 16 reposant sur le bâti 2, une tourelle 17 et deux branches 18 et 19. La base 16 peut présenter une forme générale de parallélépipède rectangle. La tourelle 17 est articulée sur la base 16 selon un axe sensiblement horizontal et passant par la fenêtre 6. La tourelle est prévue pour assurer une rotation d'au moins 90°. Une rotation de 180° peut permettre de retourner un substrat 11 ce qui peut s'avérer intéressant dans certaines applications. La rotation de la tourelle 17 peut être assurée par un entraînement électromécanique disposé dans la base 16, par exemple un moteur pas à pas. Les branches 18 et 19 sont symétriques par rapport à un plan normal au substrat 11, lorsque ledit substrat 11 est porté par lesdites branches 18 et 19. Chaque branche 18, 19 est articulée sur la tourelle 17 selon un axe propre, décalé par rapport à l'axe de pivotement de la tourelle 17 et normale au substrat 11. Dans une variante, les branches 18 et 19 peuvent être coaxiales. Dans une autre variante, l'une des branches est stationnaire par rapport à la tourelle 17 et l'autre branche est articulée. La tourelle 17 comprend un organe d'actionnement des branches 18, 19, par exemple sous la forme de deux moteurs pas à pas ou encore d'un moteur pas à pas et d'un engrènement permettant aux branches 18 et 19 de rester symétriques quelque soit leur position angulaire. Les branches 18 et 19 peuvent pivoter entre deux positions de travail, une position ouverte utilisée pour approcher ou éloigner le substrat 11 et une position en prise avec le bord extérieur l i c du substrat 11. Les figures 4 et 5 montrent la position en prise. Plus particulièrement, chaque branche 18, 19 présente une forme coudée de façon que l'encombrement de la tourelle 17 soit inférieur au diamètre du substrat 11. En d'autres termes, les branches 18, 19 présentent une forme d'accent circonflexe. Les branches 18, 19 présentent chacune une face interne 18a, 19a en regard de la face interne de l'autre branche 19, 18, et prévue pour venir en contact avec le bord extérieur 11c du substrat 11. La face interne 18a, 19a présente une rainure 20 allongée parallèlement à l'axe de pivotement de la tourelle 17. La rainure 20 visible sur la figure 6, peut présenter une section transversale en V ou alternativement en demi-cercle ou en ogive pour convenablement coopérer avec le bord extérieur l i c du substrat 11 et assurer une retenue aussi bien dans la position horizontale du substrat 1l illustrée sur la figure 4 que dans la position verticale illustrée sur la figure 5 et dans des positions intermédiaires et ce, avec un faible serrage réduisant à des valeurs négligeables la déformation du substrat 11, notamment le flambage en position d'inspection. La machine d'inspection 1 comprend un organe de manipulation 21 de substrat prévu pour apporter un substrat 11 à la pince 15 avant inspection et pour décharger le substrat de la pince 15 après l'inspection. L'organe de manipulation 21 est disposé dans la chambre d'alimentation 4. L'organe de manipulation 21 peut se présenter sous la forme d'un robot pourvu d'un élément de travail capable de passer par la fenêtre 6 ménagée dans la cloison 5. La machine d'inspection 1 comprend deux conteneurs 22, 23 amovibles pour stocker une pluralité de substrats 11. Les conteneurs 22, 23 sont supportés par une paroi de la chambre 4 du côté opposé à la cloison interne 5. Les conteneurs 22, 23 peuvent du type auto-obturant de manière à se fermer lors d'une séparation d'avec la machine d'inspection 1. De même, la paroi de la chambre de manipulation 4 est munie d'une fenêtre au droit des conteneurs 22, 23, préférablement munie d'un obturateur automatique fermant la chambre d'alimentation 4 avant le retrait complet des conteneurs 22, 23. On limite ainsi la pollution des substrats 11 et des chambres de la machine d'inspection 1 par des poussières. La machine d'inspection 1 comprend un organe de préalignement 24 pour les substrats 11. L'organe de préalignement 24 peut être disposé le long de la cloison 5 à une extrémité longitudinale de la chambre d'alimentation 4. En outre, la machine d'inspection 1 comprend une unité de commande et de traitement 26 pouvant se présenter sous la forme d'une baie électronique. L'unité de commande 26 est disposée à l'extrémité de la chambre d'alimentation 4 opposée à l'organe de préalignement 24 avec une cloison de séparation 27. L'unité de traitement 26 peut également être en contact avec la cloison 5. L'unité de commande 26 est reliée aux écrans 9 et 10, aux caméras 13 et 14, à la pince 15 et à l'organe de manipulation 21. L'organe de manipulation 21 comprend une tourelle 28 capable de se déplacer en translation par rapport au bâti 2 selon un axe parallèle à la cloison 5. Ainsi, l'organe de manipulation 21 peut venir à proximité de l'ouverture 25a vers l'organe de préalignement 24 dans une position et venir au droit de la fenêtre 6, en face de la pince 15 dans une autre position, ou encore en face du conteneur 22, ou en face du conteneur 23. La tourelle 28 peut se déplacer le long d'une glissière 29 solidaire du bâti 2. L'organe de manipulation 21 comprend un bras 30 à deux axes d'articulation, supporté par la tourelle 28, et une fourche 31 supporté par l'extrémité du bras 30 opposé à la tourelle 28. Les axes d'articulation du bras 30 peuvent être sensiblement verticaux. En d'autres termes, le bras 30 est muni de deux axes d'articulation parallèles entre eux et normaux au plan d'un substrat 11 reposant sur la fourche 31. En fonctionnement, voir figure 7, l'unité de commande 26 commande l'organe de manipulation 21, la pince 15, les écrans 9 et 10 et les caméras 13 et 14. L'organe de manipulation 21 vient se présenter en face du conteneur 22 contenant une pluralité de substrats à inspecter. La fourche 31 passe sous un substrat 11 puis soulève ledit substrat 11 de quelques centaines de microns à quelques millimètres et se retire dudit conteneur 22 en supportant le substrat 11. L'organe de manipulation 21 déplace ensuite le substrat 11 jusqu'à l'organe de préalignement 24 qui assure un positionnement convenable du substrat 11, par exemple au moyen de trois doigts animés d'un mouvement radial et entrant en contact avec le bord extérieur l i c du substrat 11. Puis la fourche 31 assure une reprise du substrat 11 et le fait passer à travers la fenêtre 6 pour l'amener entre les branches 18 et 19 de la pince 15. La fourche 31 se situe très légèrement en dessous des branches 18 et 19 de façon que le substrat 1l soit situé au niveau des branches 18 et 19. Les branches 18 et 19 viennent serrer sur le bord extérieur 11c du substrat 11. La fourche 31 s'abaisse pour se dégager du substrat 11 désormais maintenu entre les branches 18 et 19, en particulier dans les rainures 20. L'organe de manipulation 21 rétracte alors la fourche 31, par exemple dans la chambre de manipulation 4. Le substrat 11 maintenu entre les pinces 18 et 19 dans une position d'origine sensiblement horizontale, est tourné d'un quart de tour pour l'amener dans la position sensiblement verticale illustrée sur la figure 1. L'unité de commande 26 procède ensuite à l'inspection proprement dite en commandant l'éclairage par l'écran 9 de la face lia du substrat 11 immobilisé par la pince 15. L'écran 9 affiche des raies sensiblement verticales alternativement lumineuses et noires, puis des raies sensiblement horizontales 35 alternativement lumineuses (blanches ou de couleur), et noires, et ce, q fois avec q compris entre 1 et 20. Simultanément, la caméra 13 effectue une prise d'images, par exemple pendant une durée comprise entre 100 et 3000 milli secondes. La caméra 13 peut effectuer une succession de prises d'images pour chaque type de raie. Puis l'écran 9 est éteint et l'écran 10 allumé pour éclairer la face llb du substrat 11. L'écran 10 affiche des raies semblables à celles de l'écran 9, notamment des raies verticales 34, voir figure 2. La caméra 14 prend simultanément un ou plusieurs images. Les images prises par les caméras 13 et 14 sont transférées à l'unité de commande 26 qui assure un traitement en vue de la vérification de la présence de défaut, notamment de défauts de planéité ou d'aspect des faces 1la et 1 lb du substrat. Ce mode de fonctionnement en séquentiel peut avantageusement être remplacé par un mode simultané, où le système écran-caméra inspectant la face supérieure et celui inspectant la face inférieure travaillent de façon autonome et simultanée. Dans un mode de réalisation, l'éclairage est assuré par l'ensemble de la surface des écrans 9 et 10. La Demanderesse s'est aperçue qu'il était intéressant de limiter l'éclairage à une zone ovale 32 sur les écrans 9 et 10 correspondant à la projection géométrique des faces Il a et 1 lb respectivement du substrat 1l sur les écrans 9 et 10. Dans ce cas, les raies verticales 34 puis horizontales 35 sont affichées dans la zone ovale 32, le bord extérieur 33 de l'écran restant noir. On réduit la quantité de lumière diffusée dans la chambre d'inspection 3 et on réduit la perturbation des caméras 13 et 14 qui peuvent alors fournir un signal de qualité améliorée. Ensuite, la phase d'immobilité du substrat 11 en position sensiblement verticale étant terminée, la tourelle 17 de la pince 15, commandée par l'unité de commande 26, tourne sensiblement d'un quart de tour pour remettre le substrat 11 en position sensiblement horizontale. La fourche 31 de l'organe de manipulation 21 s'avance sous le substrat 11 à une distance de sécurité, par exemple de l'ordre de quelques millimètres, puis se déplace verticalement en remontant à faible vitesse jusqu'à proximité de la face inférieure l lb du substrat 11. Les branches 18 et 19 passent alors de la position en prise à la position ouverte, le substrat 11 reposant sur la fourche 31. La fourche 11 quitte la chambre d'inspection 3 et se déplaçant à travers la chambre d'alimentation 4, vient disposer le substrat 11 dans le conteneur 22 ou 23. Le cycle peut alors être répété. Bien entendu, pour augmenter la productivité de la machine d'inspection, l'organe de manipulation 21 peut être commandé pour prendre un substrat 11 et l'apporter à l'organe de préalignement 24 pendant les étapes au cours desquelles le substrat 11 précédemment apporté à la pince 15 est en cours d'inspection par les caméras 13 et 14. Comme on peut le voir sur l'organigramme de la figure 7, les étapes d'éclairage par l'écran 9, 10 et d'observation par la caméra 13, 14, peuvent être répétées jusqu'à l'obtention de données suffisamment précises. Le nombre de sous-étapes p peut être compris entre 1 et 10. Dans le mode de réalisation de la figure 9, l'organe de manipulation 21 peut être muni d'une tourelle 28 supportant deux bras 30, 33 chacun muni d'une fourche 31, 32. La productivité de la machine d'inspection 1 peut alors être améliorée en suivant l'organigramme de la figure 8 dans la mesure où l'une des fourches dite amont, peut être dédiée aux étapes de manipulation préalables à l'inspection par les caméras 13 et 14, tandis que la fourche supplémentaire dite aval peut être dédiée aux étapes de manipulation postérieures à l'inspection par les caméras 13 et 14 pour ramener le substrat 11 inspecté de la pince 15 dans le conteneur 22 ou 23. Plusieurs étapes peuvent être effectuées simultanément selon les durées respectives de chaque étape et notamment la durée de l'inspection par les caméras 13 et 14. Plus particulièrement, la fourche amont peut sortir un substrat de l'organe de pré alignement 24 alors que le substrat précédent est en cours d'inspection par les caméras 13 et 14, la fourche amont restant alors en attente de la sortie du substrat précédent par la fourche aval. Dès que la fourche aval a extrait le substrat 11 précédent de la chambre de traitement 3, la fourche amont peut introduire le substrat suivant dans ladite chambre de traitement 3. En d'autres termes, la durée entre deux étapes d'inspection par les caméras 13 et 14 est diminuée d'où un rendement plus élevé. Par ailleurs, la fourche amont a deux manipulations à faire, l'amenée d'un substrat 11 à l'organe de préalignement 24, puis l'amenée du substrat 11 à la pince 15, tandis que la fourche aval a une opération de manipulation à réaliser: l'amenée du substrat 11 inspecté au conteneur aval 23. L'unité de commande 26 peut donner la priorité à la fourche amont 31, ce qui permet là encore de réduire légèrement le temps de cycle. Ainsi, la fourche aval peut rester avec un substrat inspecté en attente de rangement, tandis que la fourche amont effectue une autre opération, par exemple le prélèvement d'un substrat dans le conteneur 22 pour l'amener à l'organe de préalignement 24, ou encore le prélèvement d'un substrat 11 dans l'organe de préalignement 24. Par ailleurs, l'unité de commande 26 peut être configurée pour faire fonctionner simultanément les sources de lumière formées par les écrans 9 et 10. Les conteneurs 22 et 23 peuvent servir l'un de conteneur amont et l'autre de conteneur aval. Les conteneurs 22 et 23 peuvent servir l'un après l'autre, un substrat 11 prélevé dans le conteneur 22 y retournant après inspection, éventuellement dans la même position. L'ensemble d'inspection 40, voir figure 10, comprend une machine d'inspection 1 équipée comme ci-dessus. L'ensemble d'inspection 40 comprend, en outre ou en alternative, un organe de détection 45 de défauts de surface à partir des variations de la pente d'une surface de la plaquette, un organe de détection 41 de défauts de surface à partir des variations de l'intensité lumineuse réfléchie par une surface de la plaquette, et un mécanisme de détection et de classification 42 monté en aval desdits organes de détection. L'organe de détection 45 comprend un capteur de prise d'images 46 pour détecter des franges réfléchies par le substrat. Le capteur de prise d'images 46 peut fournir des données d'image à l'organe de détection 41. Le capteur de prise d'images 46 peut être une caméra de type Le capteur de prise d'images peut être une caméra comportant un détecteur Kodak ®. Le capteur de prise d'images peut être capable de prendre une image en une durée d'acquisition inférieure à 250 ms, préférablement inférieure à 150 ms. Le capteur de prise d'images 46 peut prendre de 10 à 14 images lors du déplacement d'un substrat dans son champ. Il est ainsi possible d'inspecter au moins 60 substrats par heure, préférablement 70 ou 80. Les opérations autres que l'acquisition des images, notamment le transfert, sont effectuées en temps masqué. En d'autres termes, le transfert d'une image a lieu pendant l'acquisition de l'image suivante ou d'une image de la face opposée. L'organe de détection 41 comprend une source lumineuse. La source lumineuse est pourvue d'un élément de projection lumineuse sur la surface de la plaquette 11, par exemple un écran vidéo, notamment de luminosité d'au moins 300 cd/cm2, préférablement supérieure à 500 cd/cm2; et d'une mire affichée par l'écran vidéo. La mire comprend une alternance de franges de lumière continue et de bandes sombres. Le mécanisme de détection et de classification 42 est monté en aval de l'organe de détection 41. L'ensemble d'inspection 40, voir figure 10, peut comprendre une caméra à intégration temporelle 44. L'ensemble d'inspection 40 peut comprendre un système d'inspection de bord de plaquettes semi-conductrices 701. Le mécanisme de détection et de classification 42 peut comprendre un tableau de critères de défauts indiquant quel type de défaut se retrouve, peut se retrouver et ne se retrouve pas avec tel type d'inspection, voir ci dessous. La demanderesse s'est rendu compte qu'un type de défaut donné pouvait être détecté par un mode d'inspection, ne pas être détecté ou encore être détecté sous certaines conditions. Ceci est principalement dû à la morphologie des défauts et à leur signature en fonction de la technologie utilisée. Les défauts présentant du relief ont par exemple une signature visible avec une technologie, alors que des défauts présentant uniquement de l'absorption de surface seront non visible par le biais de cette technologie. Il peut se produire aussi que certains défauts de types différents présentent des signatures comparables s'ils sont observés avec une même technologie, alors qu'une autre technologie pourra permettre d'obtenir des résultats différents. La combinaison de technologies permettra alors de discriminer ces défauts par une comparaison des résultats obtenus par chacune des technologies. Le tableau 1 ci après est donné en exemple d'un mode de réalisation dans lequel une zone non transférée pendant une étape de fabrication est détectée par inspection de réflectivité et éventuellement par inspection topographique simple face, une ligne de glissement non traversante est détectée par inspection topographique simple face, une ligne de glissement traversante est détectée par inspection topographique double face, un point chaud apparaissant pendant le dépôt de couches minces est détecté par inspection de réflectivité et par inspection à intégration temporelle sous champ sombre, un point d'arrachement est détecté par inspection de réflectivité et par inspection topographique double face, une tache ou inhomogénéité locale d'indice de réfraction ou d'épaisseur est détectée par inspection de réflectivité, une marbrure liée à une variation lente d'épaisseur est détectée par inspection de réflectivité, une ébréchure est détectée par inspection de bord, une fracture est détectée par inspection de bord et éventuellement par inspection à intégration temporelle sous champ sombre, une petite particule de quelques microns est détectée par inspection à intégration temporelle sous champ sombre, une ligne de clivage est détectée par inspection à intégration temporelle sous champ sombre et par inspection de réflectivité et par inspection topographique simple face et par inspection topographique double face, une grosse particule de quelques dizaines de microns est détectée par inspection à intégration temporelle sous champ sombre et par inspection de réflectivité et éventuellement par inspection topographique simple face, une marque de contact avec un élévateur est détectée par inspection à intégration temporelle sous champ sombre et par inspection topographique simple face, une rayure de faible largeur est détectée par inspection à intégration temporelle sous champ sombre, une rayure de grande largeur est détectée par inspection à intégration temporelle sous champ sombre et par inspection de réflectivité et par inspection topographique simple face, et une marque de doigt de maintien de chambre de traitement thermique est détectée par inspection topographique simple face. Inspection de bord L'inspection de la tranche d'un substrat semi-conducteur 101 se fait en faisant tourner le substrat devant un système de vision, de type caméra matricielle ou linéaire. Par tranche de substrat, on entend le côté 104 sensiblement perpendiculaire aux surfaces supérieure et inférieure du substrat, le biseau supérieur 103 ou chanfrein, le biseau inférieur 105 ou chanfrein, la zone proche du bord supérieur 102 et la zone proche du bord inférieur 106, cf figures 12 et 13. Pour des contrôles par prélèvement ou échantillonnage ou pour l'analyse de zones limitées à une faible partie de la surface du bord, on peut utiliser des systèmes d'inspection lents très performants avec un faible champ d'observation et un fort grossissement. Parmi ces systèmes lents, la microscopie confocale peut être choisie. Toutefois, la vitesse d'acquisition des équipements de microscopie confocale ne permet pas de les utiliser en contrôle systématique de production de masse telle que la pratique l'industrie du semi-conducteur. Or, la demanderesse a constaté que l'augmentation du diamètre des substrats et la complexification des processus de fabrication, par la succession d'un grand nombre d'étapes et de traitements thermiques, augmente les contraintes mécaniques internes qu'ils subissent et augmente, par voie de conséquence, le risque de propagation de défauts, par exemple de microfissures situées sur le bord du substrat. Par ailleurs, l'augmentation du rendement, au sens du nombre de puces par substrat à diamètre égal, conduit à disposer des puces à proximité des bords. L'inspection des bords présente donc un intérêt de plus en plus grand. Le codage chromatique est utilisé dans le cadre de la mesure de distance pour régler le focus sur des équipements destinés à la photolithographie dans le domaine du semi-conducteur. La mesure d'épaisseur ou de distance nécessite une analyse chromatique de la lumière réfléchie afin de convertir cette information en paramètre géométrique de l'objet mesuré. Cette conversion est lente. L'inspection de bord fait appel à la microscopie confocale chromatique basée sur la microscopie confocale et à l'exploitation de l'aberration chromatique du système optique utilisé. En général, un microscope confocal réajuste mécaniquement le point de focalisation de l'optique et en déduit la morphologie de la surface. Ce réajustement mécanique est lent et susceptible de provoquer des pannes. De plus, les mouvements étant généralement associés à des frottements, ils se révèlent souvent sources de particules, ce qui est à proscrire dans un environnement de production de composants micro électroniques. Grâce à l'invention, on utilise une étroite plage de longueur d'ondes bien focalisée grâce à laquelle on obtient une image nette. L'analyse de la longueur d'ondes permet de déterminer, si cela est souhaité, la distance entre le capteur chromatique confocal et l'objet analysé. Avec un système optique à aberration chromatique forte, comportant au moins une lentille réalisée dans un matériau avec un nombre d'Abbe inférieur à 50, voire 35, des focalisations différentes se produisent pour des longueurs d'ondes différentes. Il en résulte un étalement spatial du point focal et une grande profondeur de champ. La profondeur de champ pourra atteindre plusieurs millimètres. En conservant la longueur d'ondes ou une étroite plage de longueur d'ondes correspondant à la longueur d'ondes bien focalisée, on obtient un système autofocus optique. Ce système autofocus peut se passer de mouvement mécanique. Ceci est obtenu grâce aux fentes disposées à la même distance optique de la surface à inspecter ou encore de l'objectif, dans la mesure où l'objectif appartient à la fois à la voie d'éclairage et à la voie d'analyse. On peut ainsi réaliser une acquisition multipoint chacun ayant les propriétés avantageuses ci-dessus. La séparation des voies d'éclairage et d'analyse peut être effectuée par une lame semi-réfléchissante disposée entre la fente et l'objectif pour la voie d'éclairage et entre l'objectif et la fente de filtrage chromatique pour la voie d'analyse. La fente forme un organe de linéarisation. Un dispositif d'inspection 701 de bord de plaquettes semi-conductrices comprend un microscope confocal chromatique pourvu d'une voie d'éclairage et d'une voie d'analyse. La voie d'éclairage comprend une source lumineuse polychromatique, une fente et un objectif à chromatisme axial choisi pour présenter une aberration chromatique, comportant au moins une lentille réalisée dans un matériau avec un nombre d'Abbe inférieur à 50. La voie d'analyse comprend ledit objectif, une fente de filtrage chromatique et un capteur d'intensité lumineuse dans cet ordre. La fente de la voie d'éclairage et la fente de la voie d'analyse sont disposées sensiblement à la même distance optique du bord de la plaquette à inspecter. En d'autres termes, lesdites fentes peuvent se situer à la même distance optique du bord de l'objectif. On parvient ainsi à filtrer spatialement les longueurs d'ondes non focalisées sur le bord de la plaquette semi-conductrice en cours d'inspection. Un procédé d'inspection de bord de plaquettes semi-conductrices peut comprendre des étapes au cours desquelles on éclaire le bord par une source lumineuse polychromatique, le faisceau incident passant par une fente et par un objectif présentant une aberration, comportant au moins une lentille réalisée dans un matériau avec un nombre d'Abbe inférieur à 50, et on recueille le faisceau réfléchi après qu'il a passé par ledit objectif puis par une fente de filtrage chromatique configurée pour filtrer spatialement les longueurs d'ondes non focalisées sur le bord de la plaquette semi-conductrice. Le recueil est effectué par un capteur d'intensité lumineuse. La source lumineuse peut comprendre un ensemble de diodes électroluminescentes, par exemple sous la forme d'une barrette, et un organe d'homogénéisation de l'intensité lumineuse au long de la ligne. Le dispositif peut comprendre une unité de traitement reliée à une sortie du capteur pour recevoir et analyser un signal d'intensité lumineuse. On peut prévoir une pluralité de capteurs d'intensité lumineuse pour inspecter une pluralité de facettes dudit bord, l'unité de traitement pouvant comprendre un assembleur de données de sortie des capteurs d'intensité lumineuse générant un fichier des résultats d'inspection pour ladite pluralité de capteurs. L'unité de traitement peut comprendre un discriminateur de défaut du bord générant un classement par type de défaut, par position, réflectivité, forme ou dimension. Le dispositif peut comprendre un analyseur chromatique de la lumière rétrodiffusée ou réfléchie par un bord de la plaquette semi-conductrice avec une sortie reliée à l'unité de traitement. L'unité de traitement comprenant alors un extracteur générant des données de distance entre l'objectif et le bord de la plaquette semi-conductrice. L'objectif peut présenter un diamètre optique inférieur à 100mm, ce qui permettra par un encombrement plus faible d'intégrer le système dans un environnement restreint. La surface à inspecter est disposée à une distance comprise dans la zone d'aberration chromatique axiale, en d'autres termes à une distance comprise entre la longueur d'ondes de la lumière incidente présentant la focalisation la plus courte et la longueur d'ondes de la lumière incidente présentant la focalisation la plus longue. Le dispositif permet de faire un contrôle d'une tranche du bord de substrat et ce indépendamment d'un mécanisme de réglage de focalisation. Par une mesure continue de la tranche lors de la rotation du substrat, une image de la périphérie complète du substrat peut être réalisée. Le dispositif d'inspection utilise l'information d'intensité lumineuse fournie par le capteur pour offrir une image en niveau de gris avec un équipement économique et une acquisition très rapide permettant ainsi de proposer un système compatible avec une production de masse. Le dispositif présente une fonction d'autofocus automatique le rendant particulièrement simple, fiable et rapide, notamment par rapport aux systèmes d'imageries classiques. Le dispositif permet l'observation d'un grand champ avec des points dont la distance par rapport à l'objectif optique peut varier plus qu'avec un système d'imagerie classique présentant le même agrandissement. A titre optionnel, la mesure de topographie par analyse chromatique de la lumière réfléchie peut être effectuée pour des applications plus précises et à plus faible cadence telle que l'analyse a posteriori de défauts détectés. La mesure de topographie peut aussi être utilisée pour quantifier la tombée de bord information particulièrement intéressante pour les substrats qui ont été reconditionnés et donc repolis. La position de l'objectif par rapport à la surface à inspecter pourra se situer entre quelques millimètres et quelques centimètres de distance. Ceci permet de dégager le volume à proximité du substrat, volume généralement utilisé pour la manipulation du substrat par un ou plusieurs robots. Afin de collecter un maximum de lumière pour l'ouverture numérique donnée, on cherchera néanmoins à maintenir une faible distance entre la surface à contrôler et l'objectif. La vitesse de rotation du substrat peut être comprise entre 0,1 et 10 tours par minute pour un substrat de 300 mm de diamètre, par exemple entre 1 et 10 tours par minute pour l'analyse d'intensité lumineuse. Cette vitesse de rotation sera à ajuster pour un substrat de diamètre différent afin de conserver une vitesse linéaire proche, par exemple dans une plage comprise entre 0,1 et 10 mètres par seconde, plus particulièrement entre 1 et 10 mètres par seconde pour l'analyse d'intensité lumineuse. La résolution du capteur peut être comprise entre 128 et 10 000 pixels. La résolution peut être adaptée à la taille des défauts recherchés et à la cadence souhaitée. La source lumineuse peut comprendre une lampe à arc de type xénon, une lampe à incandescence, halogène ou une source à diodes électroluminescentes. Les diodes électroluminescentes sont avantageuses en termes de durée de vie, de faible consommation et de faible échauffement. La lumière incidente générée par la source passe ensuite par la fente de la voie d'éclairage pour linéariser le faisceau. L'ensemble constitué par la source lumineuse et la fente de la voie incidente constitue une source lumineuse linéaire. Le faisceau incident passe ensuite par une lame semi-réfléchissante puis par l'objectif avant d'atteindre la surface à inspecter. Le faisceau réfléchi par la surface à inspecter passe par l'objectif puis par la lame semi-réfléchissante et en ressort selon un axe distinct de l'axe de la voie incidente. Le faisceau réfléchi passe ensuite par la fente de filtrage chromatique assurant un filtrage spatial des longueurs d'ondes non focalisées sur la surface à inspecter d'où une amélioration de la netteté de l'image. En aval de la fente de filtrage chromatique, le faisceau réfléchi est essentiellement constitué par la longueur d'ondes ou l'étroite plage de longueur d'ondes focalisées et offre donc une image nette. Plus le chromatisme axial de l'objectif est élevé, plus une différence de longueur d'ondes se traduit par une différence élevée de distance de focalisation. Le faisceau réfléchi atteint ensuite le capteur d'intensité lumineuse. La sortie du capteur d'intensité lumineuse est reliée à l'unité de traitement. Comme on peut le voir sur la figure 14, le microscope confocal chromatique 107 comprend une voie d'éclairage 110 pour éclairer un objet 130 à inspecter, par exemple le bord d'un substrat semi-conducteur et une voie d'analyse 120 fournissant un signal de sortie à une unité de traitement et d'analyse 125. La voie d'éclairage 110 et la voie d'analyse 120 comprennent des parties communes notamment une lame semiréfléchissante 114 et un objectif 115. La voie d'éclairage 110 peut comprendre une source à large spectre 111 émettant un faisceau lumineux, une fente de filtrage spatial 112 recevant ledit faisceau lumineux, une optique de collimation 113 comprenant une ou plusieurs lentilles, ladite lame semi-réfléchissante 114 et ledit objectif 115. La lame semi-réfléchissante 114 reçoit le faisceau incident en provenance de l'optique de collimation 113. Le faisceau incident est dirigé vers l'objectif 115 à partie de la sortie de la lame semi-réfléchissante 114. L'objectif 115 présente un fort chromatisme axial, par exemple dont une lentille au moins est réalisé dans un matériau caractérisé par une aberration chromatique de nombre d'Abbe inférieur à 50. A titre d'exemple, le nombre d'Abbe peut être égal à 35. Le faisceau incident atteint l'objet à inspecter 130 après la sortie de l'objectif 115. La source 111 peut comprendre une barrette de diodes 111a, un homogénéiseur l l lb et une lentille de sortie 111c. La voie d'analyse 120 comprend ledit objectif à fort chromatisme axial 115, la lame semi-réfléchissante 114 transmettant le faisceau réfléchi selon un axe différent de l'axe d'entrée du faisceau incident, vers une optique de focalisation qui rempliera la fonction inverse de l'optique de collimation 113, respectant le principe du retour inverse de la lumière. La voie d'analyse 120 comprend également une fente de filtrage spatial 122 disposée en aval de l'optique de focalisation 121. La fente 122 est disposée également à une distance de l'objet à inspecter 130 égale à la distance entre la fente de filtrage spatial 112 de la voie d'éclairage 110 et ledit objet à inspecter 130. En aval de la fente de filtrage spatial 122, la voie d'analyse 120 comprend un capteur linéaire 124, disposé sur le trajet du faisceau réfléchi. Le capteur linéaire 124 peut se présenter sous la forme d'un ensemble d'éléments capteurs disposés en barrette. Les éléments capteurs peuvent être du type CCD ou encore CMOS. La sortie du microscope 107 en aval du capteur 124 est reliée à une unité de traitement et d'analyse 125 illustrée plus en détail sur la figure 17. Grâce à la présence des fentes de filtrage spatial 112 et 122 et au fort chromatisme axial de l'objectif 115, les longueurs d'ondes non focalisées sur la surface de l'objet à inspecter 130 sont filtrées en raison de leur décalage spatial rapport à la longueur d'onde focalisée, ce décalage étant d'autant plus grand que le chromatisme axial de l'objectif 115 est élevé. En sortie de la fente de filtrage spatial 122 de la voie d'analyse 120, le faisceau réfléchi filtré comprend une étroite plage de longueurs d'ondes sensiblement centrée sur la longueur d'onde focalisée, d'où une image d'une grande netteté et le fait que le faisceau réfléchi filtré est représentatif des défauts de la surface inspectée de l'objet 130. Dans ce mode de réalisation, le microscope 107 effectue une mesure de réflectivité de la surface à inspecter de l'objet 130. Des variations de la réflectivité sont représentatives de défauts de la surface inspectée. Il est possible d'en déduire des informations relativement précises sur la taille et le type de défauts. Dans le mode de réalisation illustré sur la figure 15, la voie d'analyse 120 du microscope 107 comprend, en outre, un élément dispersif 123 disposé entre la fente de filtrage spatial 122 et le capteur 124 sur le trajet du faisceau réfléchi filtré. L'élément dispersif 123 aura pour fonction de séparer spatialement les longueurs d'ondes. Le spectre ainsi obtenu sera projeté sur un capteur, et l'information de la longueur d'onde la plus intense sera alors disponible, et donnera une image de la distance de focalisation optimale. L'élément dispersif 123 peut être un réseau de diffraction. Le microscope 107 fournit alors en sortie un signal représentatif de la distance locale du microscope 107 par rapport à la surface inspectée de l'objet 130 dont est déduite la topographie de la surface inspectée. Une unité de traitement de l'information chromatique réalise une conversion de la longueur d'onde en distance entre le bord de plaquette à inspecter et l'objectif du capteur. Ce mode de réalisation fournit un signal relativement lourd à traiter. Il s'avère intéressant pour un contrôle sur échantillon ou sur des substrats semi-conducteurs présentant des défauts détectés par d'autres moyens, par exemple par un microscope 107 selon le mode de réalisation de la figure 14 susceptible d'être intégré dans une chaîne de fabrication de substrats semi-conducteurs. On peut donc prévoir un microscope selon le mode de réalisation de la figure 14 disposé sur la chaîne de fabrication et inspectant un grand nombre, voire la totalité, des substrats semi-conducteurs fabriqués et un microscope selon le mode de réalisation de la figure 15 pour inspecter des substrats semi-conducteurs présentant des défauts précédemment détectés, cette inspection pouvant être 2 à 10 fois plus lente que la précédente. Le microscope selon le mode de réalisation de la figure 4 est alors disposé à part de la chaîne de fabrication afin de recevoir les substrats semi-conducteurs sélectionnés en raison de leurs défauts. Dans le mode de réalisation illustré sur la figure 16, une pluralité de microscopes 107, 137 et 147 sont disposés pour inspecter le bord d'un substrat semi-conducteur 101. Les microscopes 17, 137 et 147 peuvent être conformes au mode de réalisation de la figure 14. Le microscope 107 est positionné en face du côté 104 du substrat 101. Le microscope 137 est disposé au-dessus du substrat 101 pour inspecter le biseau supérieur 103 et la zone proche du bord supérieur 102. Le microscope 147 est disposé sous le substrat 101 pour inspecter le biseau inférieur 105 et la zone proche du bord inférieur 106. Les sorties des microscopes 107, 137 et 147 peuvent être reliées à une unité de traitement et d'analyse commune, voire figure 17. L'unité de traitement et d'analyse 125 comprend une pluralité de cartes d'acquisition, ici au nombre de trois. Chaque carte d'acquisition 151, 152, 153 est reliée à la sortie d'un microscope confocal chromatique 107, 137, 147. L'unité de traitement et d'analyse 125 peut comprendre également un organe de reconstruction d'images 154 configuré pour générer une image à partir des images fournies en sortie par les cartes d'acquisition 151, 152, 153. L'organe de reconstruction d'images procède à une comparaison de l'extrémité supérieure de l'image du côté 104 avec l'extrémité inférieure de l'image du biseau supérieur 103 et une comparaison du bord inférieur de l'image du côté 104 avec le bord supérieur de l'image du biseau inférieur 105. L'organe de reconstruction d'images 154 effectue une détection d'un recouvrement éventuel à partir du résultat de la comparaison et un assemblage. L'unité de traitement et d'analyse 125 comprend un ou plusieurs organes de traitement d'images 155, par exemple sous forme logicielle, pour faciliter la détection des défauts. Les organes de traitement d'images 155 peuvent effectuer des opérations de dilatation, d'érosion, de contour, etc... Par ailleurs, les organes de traitement d'images 155 peuvent comprendre une bibliothèque de défauts et un comparateur pour comparer les défauts suspectés à des défauts connus et répertoriés dans la bibliothèque. L'organe de traitement d'images 155 est configuré pour générer en sortie un fichier de résultats, notamment sous la forme d'un fichier image. Dans un autre mode de réalisation, on pourra avoir un traitement des images avant reconstruction, permettant ainsi d'avoir un traitement facilité par une taille d'image plus petite. Une combinaison des résultats permettra de produire un fichier résultat de synthèse. Topographie simple face En référence aux figures 18 et 19, le dispositif suivant l'invention comporte des moyens de projection 201 sur un substrat 202 d'une mire 203 constituée d'une alternance de franges 204 de lumière continue et de bandes sombres 205, ladite mire 203 étant représentée sur la figure 19. Le substrat 202 est positionné sur un support, non représenté sur les figures, de type annulaire, ou de type à trois ou quatre points d'appui pour un substrat d'un diamètre de 300mm par exemple. Les franges 204 de lumière et les bandes sombres 205 présentent sensiblement 15 la même largeur; toutefois, les franges 204 de lumière et les bandes sombres 205 peuvent présenter des largeurs respectives quelconques. Ces moyens de projection 201 sont constitués d'un écran 206, tel qu'un écran plasma ou LCD, acronyme de «Liquid Crystal Display», par exemple, positionné au 20 dessus dudit substrat 202 à proximité de la normale audit substrat 202, connecté à des moyens d'émission d'un signal visuel, tel qu'un ordinateur 207 par exemple, et recevant un signal visuel comportant une succession de franges lumineuses 204 et de bandes sombres 205. 25 On utilise de préférence un écran LCD de type 50 pouces. En effet, l'homogénéité des pixels des écrans LCD s'avère plus adaptée à la détection des lignes de glissement que celle des pixels des écrans plasma. La distance entre un tel écran 206 et un substrat 202 d'un diamètre de 300mm est par exemple de 60cm. 30 L'écran 206 peut également être remplacé par un écran de projection sur lequel on projette une mire avec un projecteur. Dans tous les cas, l'écran 206 est de préférence disposé perpendiculairement à l'axe optique pour obtenir une résolution homogène sur le substrat entier. La mire 203 correspond à une lumière structurée dans le plan de l'écran 206. Dans l'exemple de réalisation de la mire 203 représentée sur la figure 19, la distribution de l'intensité I(x) perpendiculairement aux franges est globalement crénelée (figure 22), c'est-à-dire que l'intensité bascule périodiquement entre 0 et 100%. De préférence, la mire 203 est constituée par des franges parallèles, où la 10 distribution de l'intensité I(x) perpendiculairement aux franges est approximativement sinusoïdale (figure 21). Lorsque la période de la sinusoïdale correspond à une dizaine de pixels d'un écran 206, la distribution de l'intensité prend l'allure correspondant à la figure 22. Dans cet exemple de réalisation, on utilise de préférence des franges 204 très fines, correspondant par exemple à une dizaine de pixels de l'écran 206. Avec un écran 206 de 1000 pixels, ceci correspond à une centaine de franges lumineuses 204 qui sont réfléchies par le substrat 202. Lesdits moyens de projection 201 pourront être substitués par tout autre moyen de projection équivalent apte à projeter sur le substrat une mire 203 constituée d'une alternance de franges 204 de lumière continue et de bandes sombres. 25 Ces moyens pourront par exemple consister en une source de lumière continue et sinusoïdale, i.e. une lumière non cohérente, et en une grille positionnée entre ladite source de lumière et le substrat ou bien encore en une source lumineuse cohérente comportant deux ondes sphériques procurant par interférence entre lesdites ondes des franges sinusoïdales. 30 Le dispositif comporte, par ailleurs, des moyens de déplacement relatif de la mire 203 et du substrat 202 suivant au moins une direction. Dans cet exemple particulier 15 20 de réalisation, lesdits moyens de déplacement consistent avantageusement en un algorithme de traitement du signal vidéo transmis à l'écran 206 de manière à décaler les franges 204 de lumière et les bandes sombres 205 d'un demi, d'un ou de plusieurs pixels à des intervalles de temps réguliers ou irréguliers. En effet, la période des franges n'est pas nécessairement commensurable avec les pixels. De préférence, la mire 203 est déplacée d'un seul pixel. Dans le cas de franges lumineuses 204 ayant une intensité sinusoïdale avec un pas de dix pixels à l'écran, on enregistre ainsi dix images différentes. Ladite mire 203 peut être déplacée soit pas à pas, c'est-à-dire par un déplacement discret, soit de manière continue dans une ou plusieurs directions. En référence à la figure 18, le dispositif comporte un capteur 208 en vu 15 d'enregistrer notamment des images des franges 204 réfléchies par le substrat 202 et leurs déplacements. Ce capteur 208 consiste avantageusement en une caméra numérique comportant un capteur de type CCD acronyme de « Charge-Coupled Device » de 11 millions de pixels. La caméra est accommodée sur le substrat 202 et non sur l'image miroir de l'écran se réfléchissant dans le substrat 202. Une telle caméra permet 20 d'effectuer une prise d'image en 150ms, puis de transférer les données à l'ordinateur en 300ms environ. Ainsi, en une seconde on acquiert une image suffisamment précise pour pouvoir résoudre les lignes de glissement avec le procédé selon l'invention. Pour une séquence de dix images, l'acquisition des données dure donc environ dix secondes. Il est ainsi possible de traiter deux voire trois substrats par minute et, ainsi, plus de cent 25 substrats par heure. Ce capteur 208 est connecté à l'ordinateur 207 qui reçoit les informations relatives aux images réfléchies par le substrat 202 afin de les traiter. 30 Plus la résolution du capteur 208 est haute plus le dispositif suivant l'invention détecte des défauts de surfaces du substrat de petite taille.10 Par ailleurs, dans cet exemple particulier de réalisation, l'écran 206, le substrat 202 et le capteur 208 sont fixes de sorte que le dispositif ne génère pas de vibration, n'est pas source de contamination liées au frottement de pièces, et ne se dérègle pas. Par ailleurs, le dispositif est peu sensible aux vibrations. Ces informations sont traitées par des moyens de détermination de la courbure de la surface du substrat 202 à partir des déplacements des franges 204 de la mire 203. Ces moyens de détermination de la courbure de la surface du substrat 202 10 consistent en un algorithme enregistré sur un support de l'ordinateur 207 et apte à calculer le décalage de phase des franges 204 de la mire 203 en chaque point de la surface du substrat 202 à partir du signal transmis par le capteur 208 puis à en déduire le rayon courbure audit point de la surface du substrat 202. 15 Le dispositif comporte par ailleurs des moyens de détermination de la présence d'un défaut de surface sur le substrat 202 à partir des variations de la pente de la surface du substrat. Ces moyens de détermination de la présence d'un défaut de surface consistent en un second algorithme enregistré sur un support de l'ordinateur 207 et apte à calculer les valeurs de pente en chaque point de la surface du substrat à partir des 20 décalages de phases calculés par le premier algorithme. De manière particulièrement avantageuse, le dispositif comporte des moyens de détermination de la localisation spatiale des défauts sur la surface du substrat 202. Lesdits moyens de détermination de la localisation spatiale des défauts consistent en un 25 algorithme apte à calculer l'abscisse et l'ordonnée par rapport à un point de référence solidaire du substrat 202 de chaque point de la surface dudit substrat 202 présentant un rayon de courbure supérieur ou égal à une valeur seuil déterminée. Selon une variante d'exécution, lesdits moyens de détermination de la 30 localisation spatiale des défauts pourront consister en un algorithme apte à calculer l'abscisse et l'ordonnée par rapport à un point de référence solidaire du substrat 202 de5 chaque point de la surface dudit substrat 202 présentant une distribution locale de la pente statistiquement différente de la distribution de la pente du reste du substrat 202. Dans l'exemple de réalisation suivant l'invention, en référence à la figure 20, le substrat 202 consiste en un substrat semi-conducteur de type SOI (acronyme de « Silicon On Insulator ») et présente une forme de disque muni d'une encoche 209 radiale à sa périphérie. Cette encoche 209 forme le point de référence d'un repère orthonormé dans lequel les défauts détectés 210 à la surface dudit substrat 202 peuvent être localisés. Accessoirement, le dispositif comporte des moyens de détermination de la nature des défauts de surface consistant en un algorithme enregistré sur un support de l'ordinateur 207 et apte à calculer l'amplitude et/ou la longueur et/ou la forme et/ou l'orientation de chaque défaut 210 de surface détecté puis à comparer ces valeurs avec celles d'une base de données. Ainsi, le dispositif permet de détecter et de distinguer plusieurs types de défauts de surface, notamment des micro-défauts, par exemple cristallins, tels que des lignes de glissement à la périphérie du substrat ou des impacts du support dans des zones disposées à mi-chemin entre le centre et le bord du substrat, dont les dimensions sont de l'ordre de plusieurs centaines de micromètres pour la longueur et de l'ordre du nanomètre pour la profondeur. Le dispositif permet également de détecter des zones dites « non-transférées » (ZNT) apparaissant lors d'un procédé de fabrication comportant une étape de transfert d'une couche puis une étape de détachement suivant le procédé SmartCutTM Afin de limiter le dépôt de poussières sur le substrat 202 et les contraintes gravitationnelles susceptibles de procurer une déformation du substrat 202, qui peuvent altérer la détection des défauts 210, ledit substrat 202 est avantageusement positionné verticalement. Par ailleurs, le dispositif peut avantageusement comprendre des moyens pour générer un flux, de préférence laminaire, d'un fluide pour minimiser les contaminations du substrat par les poussières, le substrat 202 s'étendant de préférence dans le flux ou à proximité et parallèlement à ce dernier. On expliquera maintenant le fonctionnement du dispositif en référence aux figures 18 à 21 Une mire 203, constituée de franges 204 dont l'intensité lumineuse présente 10 une distribution sinusoïdale sur l'axe perpendiculaire aux franges (figure 19) est projetée, dans une étape (figure 11), sur le substrat 202 de manière à générer des franges réfléchies par la surface dudit substrat. L'intensité de l'image réfléchie par le substrat peut s'écrire sous la forme: 15 I=Io(1+Aocos('3 +x)) Où Io, Ao, I et x sont des inconnues et représentent respectivement l'intensité moyenne de l'image réfléchie par le substrat 202, le contraste des franges 204, l'angle de 20 phase et une coordonnée spatiale d'une première direction prédéterminée. Afin de déterminer ces valeurs en chaque point de l'image réfléchie, on opère, dans une étape suivante, un déplacement relatif de la mire 203 et du substrat 202 suivant au moins une direction, de manière à déplacer les franges 204 de la mire 203 sur le 25 substrat 202, puis on enregistre, dans une étape, les déplacements des franges 204 réfléchies par le substrat 202 au moyen du capteur 208, afin de déterminer l'intensité moyenne Io, le contraste Ao et la phase 1 de l'image réfléchie en chaque point de l'image. Afin de déterminer l'intensité moyenne Io, le contraste Ao et la phase 1 de l'image réfléchie en chaque point de l'image, il est nécessaire d'acquérir une séquence 30 d'images. La séquence d'images comporte de préférence entre trois et dix images.5 De préférence, deux séquences d'images sont acquises en utilisant pour une première séquence d'images une mire 203 comprenant des franges 204 parallèles s'étendant dans une première direction, lesdites franges 204 étant déplacées orthogonalement à la direction desdites franges 204, et pour une seconde séquence d'images une mire 203 comprenant des franges 204 parallèles s'étendant dans une direction perpendiculaire à la direction des franges 204 de la première séquence d'images, lesdites franges 204 étant déplacées orthogonalement à la direction desdites franges 204. De manière particulièrement avantageuse, la et/ou les séquences d'images sont acquises en projetant une mire 203 dont les franges 204 s'étendent parallèlement et/ou perpendiculairement à un axe cristallin principal du substrat 202. Ledit axe cristallin du substrat peut être matérialisé par une encoche 209 radiale à la périphérie dudit substrat 202, cf figure 20. Il est ainsi possible d'utiliser plusieurs séquences d'images, chaque séquence utilisant une mire 203 dont les franges 204 sont parallèles à un des axes cristallins principaux du substrat 202. De préférence, on enregistre une séquence de dix images par axe. Une telle disposition permet de détecter plus efficacement les lignes de glissement apparues sur un substrat monocristallin, lesdites lignes de glissement qui présentent une longueur de l'ordre de plusieurs centaines de microns substantiellement supérieure à leur largeur, à l'échelle atomique, étant généralement alignées avec l'axe cristallin du substrat 202. Ainsi, une séquence de trois images est suffisante pour déterminer avec précision les déplacements des franges 204 puis la présence ainsi que la localisation des défauts 210 sur le substrat comme on le verra plus loin. On détermine alors la courbure de la surface du substrat 202 à partir des déplacements des franges 204 de la mire 203. On notera que la courbure en chaque point de la surface du substrat 202 est calculée en déterminant le champ des pentes locales à partir des mesures de la phase des images réfléchies à partir des déplacements des franges 204 de la mire 203 puis en dérivant ledit champ des pentes locales. On entend par pente locale la tangente locale à la surface et par courbure le rayon de courbure local. Dans une étape ultérieure, on détecte au moins un défaut de surface sur le substrat 202 à partir des variations de la courbure de la surface du substrat 202 calculée précédemment. De manière avantageuse, cette étape de détection d'au moins un défaut se décompose en une première étape pour déterminer des points de la surface du substrat 202 présentant un rayon de courbure supérieur ou égal à une valeur seuil déterminée et/ou une distribution locale de la courbure statistiquement différente de la distribution de la courbure du reste du substrat 202 et en une seconde étape de détermination de la localisation spatiale des défauts 210 à partir des variations de la pente et/ou de la courbure de surface du substrat 202. Cette localisation spatiale des défauts 210 est déterminée à partir d'un point de référence du substrat 202 comme décrit précédemment. En l'espèce, en référence à la figure 20, le substrat 202 consiste en un disque plat comportant à sa périphérie une encoche 209 radiale formant le point de référence. Le procédé suivant l'invention peut comporter une étape de détermination de la nature des défauts de surface détectés qui est obtenue en déterminant l'amplitude et/ou la longueur et/ou la forme et/ou l'orientation de chaque défaut de surface détecté, notamment par mesure de réflectivité, puis filtrage fréquentiel géométrique et seuillage,puis en comparant l'amplitude et/ou la longueur et/ou la forme et/ou l'orientation de chaque défaut de surface détecté avec une base de données afin de déterminer la nature des défauts de surface détectés dans une étape. Après le seuillage, une étape de classification peut être menée. L'étape de classification peut prendre en compte des données de défauts issues d'une prise d'images à intégration temporelle, d'une inspection de bord et d'une analyse topographique double face. Le déplacement relatif de la mire 203 et du substrat 202 peut être réalisé suivant deux directions orthogonales. Le procédé suivant l'invention ainsi que le dispositif mettant en oeuvre ledit procédé sont particulièrement adaptés à la détection de micro-défauts sur des substrats mono-cristallins notamment en utilisant des franges 204 parallèles alignées avec le réseau cristallin du substrat. Par ailleurs, les lignes de glissement ressortent ainsi mieux que les rayures superficielles du substrat 202 qui sont, bien entendu, indépendantes des axes cristallins de ce dernier. 10 De préférence, le procédé comporte l'analyse de la surface entière du substrat 202 jusqu'à sa périphérie, en une seule séquence d'images de type « pleine plaque », notamment avec un débit de l'ordre de 100 substrats par heure. Dans ces conditions, le procédé permet d'obtenir une haute résolution lors de la détection de défauts peu profonds, c'est-à-dire des défauts présentant une profondeur de l'ordre de quelques 15 nanomètres. La face arrière du substrat pourra également être analysée. A cet effet, le dispositif pourra comprendre un second écran projetant une mire sur la face arrière dudit substrat et un second capteur, les deux faces dudit substrat étant analysées 20 simultanément. Selon une variante d'exécution, le dispositif pourra comprendre des moyens pour retourner le substrat, tel qu'une pince robotisée par exemple saisissant ledit substrat à sa périphérie, les deux faces du substrat étant alors analysées successivement. Un exemple de capteur linéaire 124 est donné sur les figures 24 et 25. Le 25 capteur linéaire 124 présente la forme d'une barrette. La source 111 comprend des diodes lumineuses. La source 111 est dirigée vers une surface principale du substrat 101. Il peut s'agir de la surface supérieure ou de la surface inférieure. Le substrat 101 est déplacé dans le sens des flèches. L'orientation de la source 111 et du capteur linéaire 124 est telle que le capteur linéaire 124 est voisin mais en dehors du faisceau réfléchi 30 par la surface du substrat 101. Le capteur linéaire 124 est positionné en dehors du faisceau incident pour éviter une ombre portée sur la surface du substrat 101. Une surface théorique parfaite génèrerait de la lumière réfléchie tandis qu'une surface réelle5 avec des défauts génère de la lumière réfléchie et de la lumière diffractée. Le capteur linéaire 124 capte de la lumière diffractée correspondant aux défauts. La partie sombre du champ du capteur linéaire 124 correspond à des zones de la surface du substrat 101 où d'éventuels défauts sont absents ou non détectés en raison des limitations technologiques du capteur linéaire 124. 39 TABLEAU 1 Dénomination Défaut Champ Reflectivité Topographie Topographie Inspection Commentaires sombre sim 8 le face AR + AV de bord Zone non transférée Manque de matière au niveau du SOI9 défaut pendant le transfert de la couche mince Ligne de glissement non Disclocation cristalline de quelques nm de haut traversante sur quelques centaines de microns de long Ligne de glissement traversante Point chaud Défaut apparaissant pendant les étapes de dépôt de couches minces Point d'arrachement Idem zone non transférée mais ponctuel Tache Inhomogénéité locale d'indice de réfraction ou d'épaisseur, diamètre de quelques centaines de µm à quelques mm Marbrure liée à variation Variation lente sur des surfaces de plusieurs cm2 d'épaisseur Ebréchure défaut sur le bord de plaque Fracture amorce de rupture de plaque partant du bord pouvant se propager sur surface Petite Particule (quelques µm) Présentes sur surface ou bord de plaque Lignes de clivage Amorce de rupture partant de n'importe ou sur la surface Grosse particule Présente sur surface ou bord de plaque 40 Dénomination Défaut Champ Reflectivité Topographie Topographie Inspection Commentaires sombre sim le face AR + AV de bord Zone de contact avec élévateur Zone appelée "lift mark" générant une modification à la surface du substrat aux endroit ou il touchait l'élévateur Rayure de faible largeur Rayure de grande largeur Marques de doigt de maintien Point de contact entre support et wafer lors d'étapes de traitement thermique, générant par un gradient thermique trop fort des lignes de glissement et/ou une micro rayure locale Signature présente systématiquement Signature présente dans certaines conditions REVENDICATIONS1. Dispositif d'inspection (40) de défauts de plaquettes semiconductrices (11), comprenant un organe de détection (45) de défauts de surface à partir des variations de la pente d'une surface de la plaquette, caractérisé par le fait qu'il comprend: a) un organe de détection (41) de défauts de surface à partir des variations de l'intensité lumineuse réfléchie par une surface de la plaquette, en une pluralité de points. un organe de détection de l'intensité lumineuse diffusée par la surface de la plaquette, c) une source lumineuse (9, 10), et d) un mécanisme de détection et de classification (42) monté en aval desdits organes de détection. 2. Dispositif selon la revendication 1, dans lequel la source lumineuse (9,10) comprend un élément de projection sur la surface de la plaquette, d'une mire comprenant une alternance de franges de lumière continue et de bandes sombres, l'élément de projection comprenant un écran de luminosité au moins égale à 300 cd/cm2. 3. Dispositif selon la revendication 1 ou 2, comprenant un capteur de prise d'image (46) commun auxdits organes de détection, ledit capteur de prise d'image étant apte à mesurer l'intensité lumineuse locale au cours du déplacement des franges réfléchies par le substrat, l'organe de détection (41) de défauts de surface à partir des variations de l'intensité lumineuse réfléchie comprenant un élément de calcul de l'intensité en une pluralité de points de l'image pour générer une image des intensités réfléchies. 4. Dispositif selon l'une des revendications précédentes, dans lequel le mécanisme de détection et de classification (42) comprend une grille de classification selon qu'un défaut est visible ou pas dans l'image des intensités réfléchies, et est visible ou pas dans une image des variations de la pente de la surface de la plaquette. 5. Dispositif selon la revendication 4, dans lequel ledit dispositif d'inspection fait partie d'une machine (1) comprenant un bras de transport de plaquettes muni d'au moins un élément de support de plaquettes, une pince (15) de saisie de plaquettes à deux branches distantes configurées pour tenir des bords opposés de la plaquette, la pince étant montée à rotation sur un arbre pour pouvoir tourner la plaquette entre une position sensiblement horizontale et une position sensiblement verticale, et au moins deux systèmes d'inspection disposés d'un côté et de l'autre de la plaquette en positionsensiblement verticale, symétriquement par rapport au plan passant par la plaquette, le mécanisme de détection et de classification (42) étant relié à une sortie dudit système d'inspection, la grille de classification prenant en compte selon qu'un défaut est visible ou pas sur les deux faces de la plaquette en des lieux proches. 6. Dispositif selon la revendication 4 ou 5, comprenant au moins un bras de transport de plaquettes (30) muni au moins d'un élément de support de plaquettes, ledit bras étant configuré pour déplacer au moins une plaquette selon une trajectoire comprenant au moins une partie sensiblement rectiligne, les éléments de support définissant une surface de support sensiblement horizontale de façon à maintenir la plaquette sensiblement horizontale, le dispositif comprenant au moins une caméra linéaire à intégration temporelle (44), disposée au-dessus du bras de transport, la caméra possédant un champ recoupant la partie rectiligne de ladite trajectoire de façon que la surface supérieure d'une plaquette semi-conductrice soit observée par ladite caméra au cours de son déplacement le long d'une partie rectiligne de la trajectoire, le mécanisme de détection et de classification (42) étant relié à une sortie de ladite caméra, la grille de classification prenant en compte selon qu'un défaut est visible ou pas sur une image fournie par ladite caméra. 7. Dispositif selon la revendication 6, comprenant au moins deux caméras linéaires disposées au-dessus de la trajectoire. 8. Dispositif selon la revendication 6 ou 7, comprenant au moins une caméra linéaire disposée sous la trajectoire pour observer une surface inférieure de la plaquette, les éléments de support présentant un premier écartement ou une première forme lors d'un trajet aller et un deuxième écartement différent du premier écartement ou une deuxième forme différente de la première lors d'un trajet retour, permettant une inspection de l'ensemble de la surface inférieure de la plaquette, une partie lors du trajet aller et au moins une partie complémentaire lors du trajet retour de la plaquette le long de la partie rectiligne de la trajectoire. 9. Dispositif selon l'une des 3 revendications précédentes, comprenant deux bras de transport de plaquettes munis d'éléments de support, les éléments de support d'un premier bras présentant un écartement différent ou une forme différente des éléments de support du deuxième bras, le premier bras étant configuré pour réaliser un trajet aller d'une plaquette, le trajet retour étant assuré par le deuxième bras permettant ainsi une inspection de l'ensemble de la surface inférieure de la plaquette, pour partie lors du trajet aller et pour partie lors du trajet retour. 10. Dispositif selon l'une des 4 revendications précédentes, dans lequel la caméra (44) comprend une matrice rectangulaire de pixels, comprenant plus de 2000 pixels enlongueur et plus de 48 pixels en largeur, et un élément sommateur pour réaliser la somme des pixels d'une largeur lors de l'inspection d'une surface d'une plaquette semi-conductrice, la ou les caméras étant sensibles aux rayonnements ultra-violets, le dispositif comprenant en outre une source de lumière comprenant une barrette de diodes électroluminescentes. 11. Dispositif selon l'une des revendications 4 à 10, comprenant un système d'inspection de bord de plaquettes semi-conductrices (701), comprenant un microscope confocal chromatique (107) pourvu d'une voie d'éclairage (110) et d'une voie d'analyse (120), la voie d'éclairage (110) comprenant une source lumineuse polychromatique (111), une fente (112) et un objectif (115) à chromatisme axial comportant une lentille au moins réalisée dans un matériaux dont le nombre d'Abbe est inférieur à 50, et la voie d'analyse (120) comprenant ledit objectif, une fente de filtrage chromatique (122) et un capteur d'intensité lumineuse (124) dans cet ordre, la fente de la voie d'éclairage et la fente de la voie d'analyse étant disposées sensiblement à la même distance optique du bord de plaquette à inspecter, le mécanisme de détection et de classification étant relié à une sortie du système d'inspection de bord, la grille de classification prenant en compte selon qu'un défaut est visible ou pas sur une image fournie par le système d'inspection de bord (701). 12. Procédé d'inspection de défauts de plaquettes semi-conductrices, dans lequel des variations de la pente d'une surface de la plaquette sont mesurées par un premier organe de détection de défauts de surface, des variations de l'intensité lumineuse réfléchie par une surface de la plaquette sont mesurées par un deuxième organe de détection de défauts de surface, ladite surface de la plaquette étant éclairée par une source lumineuse, des défauts de surface sont classés par un mécanisme de détection et de classification monté en aval desdits organes de détection. 13. Procédé selon la revendication 12, dans lequel le premier organe de détection de défauts de surface et le deuxième organe de détection de défauts de surface sont actifs en temps masqué au cours d'une inspection d'une autre propriété de ladite plaquette. 14. Procédé selon la revendication 12 ou 13, dans lequel une plaquette semi-conductrice reposant sur au moins un élément de support appartenant à un bras de transport est déplacée selon une trajectoire comprenant au moins une partie rectiligne, et au cours de la partie rectiligne de la trajectoire, au moins une caméra linéaire à intégration de temps effectue une observation de la surface supérieure de la plaquette. 15. Procédé selon la revendication 14, dans lequel ladite inspection est effectuée avant et/ou après une inspection statique.