FR 2959876 A1 20111111 FR 1001930 A 20100505 Dispositif thermoélectrique à variation de la hauteur effective des plots d'un thermocouple et procédé de fabrication du dispositif Domaine technique de l'invention L'invention est relative à un dispositif thermoélectrique comprenant : - un premier plot dans un premier matériau, ancré au niveau de sa 10 première extrémité à un support, - un second plot dans un second matériau, ancré au niveau de sa première extrémité audit support, - un élément de connexion électrique muni de première et seconde zones de contact respectivement en contact électrique avec le premier plot et le 15 second plot, de sorte à former un thermocouple. État de la technique 20 Une architecture classique d'un dispositif thermoélectrique à deux thermocouples 1 a, 1 b est illustrée à la figure 1. Chaque thermocouple 1 a, 1 b est formé par deux plots 2a, 2b reliés l'un à l'autre à l'une de leur extrémité par un élément de connexion électrique 3. Un premier plot 2a est, de préférence, formé dans un matériau de type P et un second plot 2b est, de 25 préférence, formé dans un matériau de type N. Le dispositif peut comporter une pluralité de thermocouples 1 a, 1 b tels que décrits ci-dessus mis en série et reliés entre eux par des connecteurs 4a métalliques pour optimiser le rendement du dispositif. Des connecteurs métalliques 4b, 4c se trouvent aux extrémités de la série de thermocouples pour assurer les connexions 30 électriques du dispositif.5 Le dispositif thermoélectrique peut être utilisé soit en mode Seebeck, soit en mode Peltier. Il comporte un réservoir côté chaud 5 à température Th et un réservoir côté froid 6 à température Tf. En mode Seebeck, le dispositif produit de l'énergie à partir d'un gradient de température entre le côté chaud 5 et le côté froid 6. Ce mode est aussi appelé mode générateur de puissance. En mode Peltier, l'application d'un courant aux bornes du dispositif permet de générer un gradient de température entre le côté chaud 5 et le côté froid 6. Ce mode est aussi appelé mode refroidisseur. En fait, le rendement du dispositif thermoélectrique dépend des matériaux utilisés, de la géométrie du module, et de l'environnement d'utilisation. Ainsi, un dispositif est soit optimisé pour le mode refroidisseur, soit utilisé pour le mode générateur de puissance, mais jamais pour les deux à la fois. Objet de l'invention L'objet de l'invention vise à réaliser un dispositif qui puisse être optimisé à la fois pour le mode générateur de puissance et pour le mode refroidisseur. On tend vers cet objectif en ce que le dispositif comprend des moyens pour 25 faire varier la position des première et seconde zones de contact au niveau des premier et second plots. Selon un mode de réalisation, les moyens pour faire varier la position des zones de contact comprennent l'élément de connexion électrique, ledit 30 élément de connexion étant mobile le long desdits premier et second plots.20 Selon un développement, l'élément de connexion mobile est porté par une membrane dont la déformation permet un coulissement de l'élément de connexion le long des premier et second plots. Selon un perfectionnement, l'élément de connexion comprend des moyens pour faire varier son épaisseur dans une direction perpendiculaire à sa direction de coulissement et située dans un plan parallèle au plan des premier et second plots. Ces moyens pour faire varier l'épaisseur de l'élément de connexion peuvent comprendre un matériau apte à changer de volume sous l'action d'une stimulation. L'invention est aussi relative à un procédé de fabrication d'un dispositif thermoélectrique comportant les étapes suivantes : - former sur un substrat de support deux plots en matériau thermoélectrique électriquement isolés l'un de l'autre, - former un élément mobile reliant électriquement les deux plots, et apte à se déplacer selon une direction perpendiculaire au substrat. Selon un développement, après formation des plots, une couche d'encapsulation est déposée pour former un moule délimitant au moins partiellement l'élément mobile. Selon une variante, les plots sont formés par les étapes suivantes : - déposer une couche en matériau thermoélectrique, - former un motif de gravure ayant une direction longitudinale et comportant deux zones reliées par une portion centrale, les dimensions transversales et longitudinales des zones étant supérieures à la dimension transversale de la portion centrale, - graver la couche en matériau thermoélectrique au moyen du motif de gravure, graver partiellement de manière isotrope la couche en matériau thermoélectrique pour libérer les plots. Selon un mode de réalisation du procédé, le motif de gravure étant formé par une première couche sacrificielle inférieure et une deuxième couche sacrificielle supérieure, la couche d'encapsulation forme une surface plane commune avec la deuxième couche sacrificielle, et la cavité est formée par élimination du motif de gravure au niveau de la portion centrale jusqu'à la couche d'encapsulation, et par retrait d'une partie de la couche 10 d'encapsulation au moins sous une partie de la portion centrale. Description sommaire des dessins 15 D'autres avantages et caractéristiques ressortiront plus clairement de la description qui va suivre de modes particuliers de réalisation de l'invention donnés à titre d'exemples non limitatifs et représentés aux dessins annexés, dans lesquels : 20 La figure 1 illustre un dispositif selon l'art antérieur équipé de deux thermocouples reliés en série. La figure 2 illustre un mode de réalisation d'un dispositif selon l'invention en position optimisée Seebeck. La figure 3 illustre le dispositif de la figure 2 en position optimisée Peltier. 25 La figure 4 illustre la puissance générée par le dispositif en mode Seebeck en fonction de la hauteur des plots. La figure 5 illustre la puissance générée par le dispositif en mode Peltier en fonction de la hauteur des plots. Les figures 6 et 7 illustrent un perfectionnement du mode de réalisation des 30 figures 2 et 3. La figure 8 illustre un dispositif comportant trois thermocouples reliés en série. Les figures 9 et 10 illustrent un autre mode de réalisation d'un dispositif thermoélectrique, respectivement en mode Seebeck et en mode Peltier. Les figures 11 à 16 illustre une première partie d'étapes d'un procédé de fabrication d'un dispositif thermoélectrique. Les figures 17 et 18 illustrent en trois dimensions un produit obtenu à la suite de la première partie d'étapes. Les figures 19 à 22 illustrent la seconde partie d'étapes du procédé. 10 Description de modes préférentiels de réalisation Les modes de réalisations décrits ci-après permettent de modifier la hauteur 15 effective des plots pour optimiser soit le mode générateur, soit le mode refroidisseur au sein d'un même thermocouple. Selon un premier mode de réalisation illustré à la figure 2, le dispositif thermoélectrique comprend un premier plot 2a dans un premier matériau, et 20 un second plot 2b dans un second matériau. Le premier plot 2a est ancré au niveau de sa première extrémité 7a à un support 8, et le second plot 2b est ancré au niveau de sa première extrémité 7b audit support 8. De préférence, un connecteur métallique 4 est interposé au niveau de chaque plot entre la première extrémité 7a, 7b correspondante et le support 8. Ces connecteurs 25 permettent, par exemple, de relier en série, le cas échéant, plusieurs thermocouples du dispositif. Un élément de connexion électrique 3 relie les premier et second plots 2a, 2b de sorte à former un thermocouple 1 a. Cet élément de connexion électrique 3 est muni de première et seconde zones de contact 9a, 9b respectivement en contact électrique avec le premier plot 30 2a et le second plot 2b. Les plots 2a, 2b sont, de préférence, formés dans deux matériaux différents permettant de former un thermocouple. Ces plots a, 2b peuvent être formés dans un même matériau thermoélectrique, le premier plot étant dopé N et le second plot étant dopé P. Le matériau thermoélectrique peut aussi être un semi-métal comme le bismuth, l'antimoine, etc., ou un semiconducteur dégénéré comme le silicium, un alliage de silicium et de germanium, etc. Le dispositif comprend en outre des moyens pour faire varier la position des première et seconde zone de contact 9a, 9b au niveau des premier et second plots 2a, 2b. Ceci permet en fait de faire varier la hauteur effective des plots en modulant la longueur du chemin électrique entre la première extrémité 7a, 7b de chaque plot 2a, 2b et la zone de contact 9a, 9b associée. Autrement dit, l'élément de connexion électrique 3 est apte à se déplacer de sorte à éloigner ou rapprocher les zones de contact 9a, 9b du support 8, c'est-à-dire selon l'axe Y sur la figure 2. Sur la figure 2, le dispositif favorise le mode Seebeck, la hauteur effective des premier et second plots 2a, 2b est égale à Ls qui correspond à la longueur du chemin électrique entre la première extrémité 7a, 7b d'un plot 2a, 2b et la zone de contact 9a, 9b associée audit plot de l'élément de connexion électrique 3. De préférence, la hauteur LS est inférieure ou égale à la hauteur réelle LP,ot des plots 2a, 2b. Sur la figure 3, le dispositif est optimisé en mode Peltier, ainsi la hauteur effective des premier et second plot 2a, 2b est définie par la longueur du chemin électrique entre la première extrémité 7a, 7b d'un plot 2a, 2b et la zone de contact 9a, 9b associée audit plot de l'élément de connexion électrique 3. Sur la figure 3, cette hauteur effective est égale à Lp, Lp étant inférieure à LS Sur les figures 2 et 3, la distance, entre la première extrémité 7a, 7b d'un plot 2a, 2b et la zone de contact 9a, 9b associée, est calculée à partir d'une partie de la zone de contact 9a, 9b qui est la plus proche de la première extrémité 7a, 7b. Autrement dit, ces moyens pour faire varier la position des première et seconde zones de contact 9a, 9b au niveau des premier et second plots 2a, 2b permettent en fait de moduler la hauteur effective des premier et second plots 2a, 2b. Ainsi, le dispositif est capable de s'adapter à l'environnement extérieur, par exemple la température entre le côté chaud 5 et le côté froid 6, pour optimiser le mode de fonctionnement sélectionné. À titre d'exemple, il est possible de caractériser un dispositif en tenant compte des paramètres définis ci-dessous dans la table I : Type Paramètre Variable Valeurs Paramètres Température réservoir chaud Th 350K thermiques Température réservoir froid T, 300K Paramètres Coefficient Seebeck S 4,00E-04 V/K matériaux Conductivité thermique À 1 ,5W/m/K Résistivité électrique p 1,60E-050.m Conductivité thermique matrice 2'mat 0,026W/m/K Paramètres Nombre de plots n 4,20E+04 géométriques Écart plot-bord du dispositif écart 1,00E-04m Hauteur des plots L variable Côté plots b 8,00E-06m Surface des plots 6,40E-11 m2 Espace entre deux plots d 4,00E-05m Surface du dispositif Ate 1,00E-04m2 Paramètres Surface de diffusion thermique Ahs 2,00E-04m2 d'échanges thermiques Coefficient de transfert de chaleur h 1,00E+03W/m2/K Paramètres Résistance de contact R,. 1,00E-110.m2 électriques Résistance interne du dispositif Flint VAR en f2 Table I Dans cette table, les paramètres thermiques définissent les températures aux bornes du dispositif (côté chaud Th et côté froid Tf des thermocouples en Kelvin). Les paramètres matériaux définissent les caractéristiques des matériaux utilisés pour former les plots comme le coefficient Seebeck, la conductivité thermique, la résistivité électrique, et aussi la conductivité thermique de la matrice qui correspond au matériau de remplissage entre les plots (dans l'exemple il s'agit d'air). Les paramètres géométriques définissent le dispositif par le nombre de plots n (avec n/2 étant égal au nombre N de thermocouples), la hauteur L des plots, la section des plots Anp définie dans le cas présent par un carré de côté b, l'espace d entre deux plots adjacents, la surface du dispositif Ate sur laquelle sont répartis les plots, ainsi que la distance entre les plots les plus extérieurs et le bord du dispositif (l'écart bord-plot nécessaire pour des considérations de réalisation technologique). Les paramètres d'échange thermique sont la surface d'échange Ahs et le coefficient de transfert h entre le dispositif et l'environnement (côté froid). Les paramètres électriques définissent la résistance électrique de contact R, correspondant à la résistance électrique entre un plot et son élément de connexion et la résistance interne Rire correspondant à la résistance interne du dispositif mesurée aux bornes de la série de thermocouples comprenant les résistances de contact et les résistances électriques des plots. Avec de tels paramètres, la puissance électrique en mode Seebeck, et la puissance en refroidissement du mode Peltier peuvent s'écrire sous la forme d'équations. Les équations qui vont suivre sont basées sur un modèle prenant en compte les paramètres intervenants d'un point de vue électrique et thermique, ainsi que les paramètres liés à l'environnement dans lequel sera introduit le dispositif. En effet, la température disponible pour une utilisation du côté froid est à une température Tt, ne correspondant pas réellement à la température froide du thermocouple, qui est en fait à une température T, supérieure à la température Tf. C'est donc la différence de température dû dispositif Th-Tc qui est prise en compte dans les équations et non la différence de température de l'environnement Th-Tf. Dans l'exemple et selon les caractéristiques de la table I, les côtés chaud Th et froid Tf sont respectivement à des températures de 350 Kelvin et 300 Kelvin. La surface du module Afe est imposée à 1 cm2 sur laquelle sont répartis 42000 plots, soit 21000 thermocouples, chaque plot ayant une section en forme de carré de 8x8ium2. Enfin les paramètres liés à l'échangeur thermique ont une surface Ahs de 2cm2 et un coefficient de transfert de chaleur h de 1000W.m-2.K 1. Ainsi, la puissance électrique Qgen en mode Seebeck peut s'exprimer selon 15 l'équation : N2xS2x(ThùTc(L))2 gen (1) Dans l'équation (1), T, est une inconnue et dépend de L, tout comme la 20 résistance interne R;nf, et N représente le nombre de thermocouples (N=n/2). Flint peut être définie selon l'équation : R;n, (L) = 2N x P x L + 2R, (2) A A nP nP Pour connaître l'expression de Tc, il faut écrire l'équation présentant le bilan des puissances entrant au niveau du dispositif thermoélectrique avec la chaleur quittant le côté froid soit : 4R L(L) x Ahs 25 SSeeb + Pcond + Pj = Phs (3) où P$eeb représente l'effet Seebeck, Poond représente le transfert de chaleur par conduction, Pi les pertes par effet Joules et Phs le transfert de chaleur par convection. Ces quatre termes font intervenir Tc, et aboutissent à la résolution de l'équation : (2Nx2xATxAnp Âah.xATx(A1eù2NAnp) 1 2 L + L +NxSxTxl+2R;xl =(T~ùTf)hAhs (4) où OT représente la différence de température entre Th et Tc, Xair la conductivité thermique de l'air et I le courant traversant les thermocouples. Cette équation 4 montre que Tc est aussi fonction du paramètre L. Ainsi les 15 équations (1) et (4) démontrent la dépendance de Qgen en fonction de la hauteur L des plots. Selon les variables fixées dans la table I, la figure 4 illustre l'évolution de Qgen en fonction de la hauteur effective des plots. Sur cette figure, il est possible d'observer un point Qgen_max de 15,4mW.cm-2 pour une hauteur de plot de 35µm. 20 Cette valeur Lseeb peut aussi être obtenue analytiquement en résolvant l'équation : (ô(Qen)max\) = 0 = aL L LSeebN2 x S2 x (Th ù Tc (L))2 \ 4 x (R1n, (L))2 x Ahs aL (5) 25 Des tests ont aussi été effectués pour le mode Peltier. En prenant en compte les effets Peltier, Joule et la conduction thermique, la puissance en froid d'un dispositif thermoélectrique favorisant l'effet Peltier peut s'écrire sous la forme : Qfratd =NxSxIxT',(L)-21R;,,t(L)xI(L)2-K(L)x(Th -T',(L)) (6) Cette équation 6 fait aussi intervenir la variable L représentative de la hauteur des plots, I le courant traversant la série de thermocouples, et où K(L) représente la conductance thermique totale définie par : K2NxÂxAnp + 2ai,x(A1e-2NxAnp) (7) (L) = L L En application des équations (6) et (7), la figure 5 représente l'évolution de °froid en fonction de la hauteur L des plots. Dans le cas présent, les paramètres d'entrée sont différents du mode Seebeck. Ainsi, un courant 15 d'entrée égal à 10mA traverse la série de thermocouples. Dans ces conditions, si la hauteur des plots était égale à celle déterminée précédemment pour le mode Seebeck, une puissance °froid de 7,6W serait obtenue. La lecture de la courbe de la figure 5 montre que cette valeur de 20 7,6W est loin d'être optimale. En effet, la figure 5 montre bien qu'une hauteur moins élevée de plots permet d'obtenir une puissance °froid ma, optimale de 16,2W. Cette hauteur de plots optimisée Peltier est de 11µm, elle est en effet bien plus faible que celle nécessaire pour optimiser un même dispositif thermoélectrique pour l'effet Seebeck. 25 Cette démonstration valide donc les avantages particuliers que présente le dispositif dont le thermocouple comporte des plots à hauteur effective variable, et le gain qu'il peut apporter en étant sélectivement optimisé pour le mode Seebeck, ou pour le mode Peltier. 10 Selon un exemple particulier de réalisation, les moyens pour faire varier la position des première et seconde zones 9a, 9b comprennent l'élément de connexion électrique 3. L'élément de connexion 3 est alors mobile le long desdits plots 2a, 2b. Dans cet exemple de réalisation, c'est donc la mobilité de l'élément de connexion 3 qui permet de moduler la hauteur effective des plots 2a, 2b comme représenté aux figures 2 et 3. Sur les exemples de réalisation des figures 2 et 3, l'élément de connexion 3 mobile peut être porté par une membrane 10 dont la déformation permet un coulissement de l'élément de connexion 3 le long des premier et second plots 2a, 2b. La membrane 10 peut être reliée au support 8 par au moins un pilier 11a, 11 b (sur les figures 2 et 3, le dispositif comporte deux piliers disposés de part et d'autre des plots 2a, 2b). Bien entendu, il ne s'agit que d'un exemple particulier de réalisation, l'homme du métier pouvant adapter le fonctionnement de la membrane par tout autre type de moyens permettant, par exemple, à l'élément de connexion 3 de coulisser entre les plots 2a, 2b selon la direction longitudinale desdits plots, c'est-à-dire selon l'axe Y sur les figures 2 et 3. Lorsque le thermocouple 1 a est en fonctionnement, le contact électrique entre l'élément de connexion 3 et les premier et second plots 2a, 2b est assuré que cela soit en position haute, ou en position basse (mode Seebeck ou Peltier). Dans certains cas, les erreurs de conception lors de la réalisation du dispositif ne permettent pas d'assurer une équidistance parfaite entre les premier et second plots 2a, 2b, ceci peut alors induire un certain jeu fonctionnel entre l'élément de connexion 3 et les premier et second plots 2a, 2b. Ce jeu fonctionnel provoque une perte de contact électrique entre l'élément de connexion 3 et les premier et second plots 2a, 2b du thermocouple, qui devient alors inutilisable. De la même manière, une erreur de conception qui induirait un rapprochement localisé des premier et second plots 2a, 2b risquerait d'endommager le thermocouple lors du coulissement de l'élément de connexion 3 électrique pour passer de la position Seebeck à la position Peltier, ou inversement. Ainsi, l'élément de connexion 3 peut comporter des moyens pour faire varier son épaisseur dans une direction (selon l'axe X aux figures 6 et 7) perpendiculaire à sa direction de coulissement (selon l'axe Y sur les figures 6 et 7) et située dans un plan parallèle au plan des premier et second plots 2a, 2b. Les moyens pour faire varier l'épaisseur de l'élément de connexion 3 peuvent comporter un matériau 12 apte à changer de volume sous l'action d'une stimulation, par exemple un changement de température, ou l'application d'une tension prédéterminée. Bien entendu, le changement de volume est réversible pour permettre le contact électrique entre les plots 2a, 2b et l'élément de connexion 3 lorsque le matériau 12 est dilaté, et pour permettre à l'élément de connexion 3 de coulisser lorsque le matériau 12 est rétracté. À titre d'exemple, il peut être utilisé du Nafion®, du Lipon®, ou du polypyrroles sous certaines conditions. Les stimulations peuvent être électriques, thermiques ou optiques. Le matériau 12 apte à changer de volume est, par exemple, une tranche en matériau à changement de volume formée dans l'élément de connexion 3 électrique, ladite tranche étant, de préférence, dans un plan parallèle au plan comportant la direction de coulissement et perpendiculaire au plan des premier et second plots 2a, 2b. Sur la figure 6, l'élément de connexion 3 électrique est en position haute optimisée Seebeck, et les zones de contact 9a, 9b de l'élément de connexion 3 électrique sont respectivement en contact avec les premier et second plots 2a, 2b. Sur la figure 7, la stimulation est appliquée si bien que le matériau apte à changer de volume se rétracte de sorte à créer un jeu fonctionnel suffisant, entre l'élément de connexion 3 et les deux plots 2a, 2b, pour permettre à l'élément de connexion 3 de coulisser entre les plots 2a, 2b sans endommager ces derniers. Ainsi, l'élément de connexion 3 électrique peut être abaissé en direction du support 8 jusqu'à la position optimisée Peltier, puis le matériau apte à changer de volume se dilate, par exemple grâce à une nouvelle stimulation, de sorte à ce que les zones de contact 9a, 9b de l'élément de connexion électrique 3 viennent assurer le lien électrique au niveau des plots 2a, 2b. Le dispositif peut aussi comporter plusieurs thermocouples reliés entre eux en série. Un tel dispositif est illustré à la figure 8, la membrane 10 suspendue au-dessus des plots 2a, 2b comporte alors une pluralité d'éléments de connexion 3a, 3b, 3c électrique, électriquement isolés les un des autres. Sur la figure 8, trois thermocouples 1 a, 1 b, 1c sont reliés en série au niveau du support 8 par des connecteurs 4a, 4b, 4c, 4d en contact avec la première extrémité de chaque plot. Les différents modes de réalisation ne sont pas limités à une membrane déformable comportant les éléments de connexion 3 électrique sur une face orientée vers le support 8. Ainsi, il est possible d'utiliser tout type de moyens permettant un déplacement d'un élément de connexion électrique le long des plots, par exemple un rail apte à se déplacer selon l'axe Z et/ou X et/ou Y. Selon un exemple de réalisation illustré aux figures 9 et 10, l'élément de connexion 3 est mobile, et comporte deux éléments 3a, 3b de contact déplaçable indépendamment l'un de l'autre. Il est ainsi possible d'optimiser chaque plot 2a, 2b individuellement. À titre d'exemple, la seconde extrémité de chaque plot 2a, 2b est en forme de biseau 13a, 13b, et la zone de contact 9a, 9b associée de l'élément de connexion 3 a une forme de biseau complémentaire. Il est alors possible de modifier la hauteur effective des plots 2a, 2b en modifiant la position des zones de contact 9a, 9b par rapport aux plots 2a, 2b. Sur la figure 9, le dispositif comporte un thermocouple dont l'élément de connexion 3 électrique comprend deux éléments de contact 3', 3" chacun munis d'une zone de contact 9a, 9b en position Seebeck. Sur la figure 10, le même dispositif est en position Peltier, les éléments de contact 3', 3" ont subi un déplacement vers le support 8, c'est-à-dire selon l'axe X et l'axe Y. La hauteur effective Lp est alors définie par la distance séparant la première extrémité du plot 7a et la partie la plus proche (9a, 9b) de l'élément de contact 3', 3" associé. Dans les exemples donnés ci-dessus, c'est la partie haute du dispositif qui se déplace, c'est-à-dire l'élément de connexion et la membrane associée. Bien entendu, il est aussi possible de réaliser le même type de dispositif en fixant l'élément de connexion et en rendant mobile les plots d'un même thermocouple. Selon un autre exemple (non représenté), il est aussi possible de former les plots sur une face d'un premier support, puis de former sur une face d'un second support, destinée à venir en regard de la face du premier support, un élément de connexion électrique muni de première et seconde zones de contact destinées à venir respectivement en contact électrique avec le premier plot et le second plot. II suffit alors de prévoir des moyens pour faire varier la distance entre la face du premier support portant les plots et la face du second support portant l'élément de connexion électrique. Le procédé de fabrication d'un dispositif thermoélectrique tel que défini ci-dessus comporte au moins les étapes suivantes: - former sur un substrat de support deux plots en matériau thermoélectrique électriquement isolés l'un de l'autre, - former un élément mobile reliant électriquement les deux plots, et apte à se déplacer selon une direction perpendiculaire au substrat. En fait, l'élément de connexion mobile peut être formé après les plots, à partir d'une couche d'encapsulation, de préférence réalisée en matériau sacrificiel. Cette couche d'encapsulation permet de former un moule délimitant au moins partiellement l'élément mobile. A titre d'exemple particulier illustré à partir de la figure 11, le procédé peut comporter, sur un substrat de support 101, la formation de connecteurs électriques 102a, 102b au niveau de chaque futur plot du thermocouple. Sur les figures 11 et 12, les connecteurs 102a, 102b sont, par exemple, formés par le dépôt d'une couche électriquement conductrice 102 (figure 11), qui est ensuite structurée de sorte à délimiter les connecteurs électriques 102a, 102b (figure 12). Ensuite une couche 103 dans un matériau, de préférence thermoélectrique, est déposée au-dessus des connecteurs 102a, 102b, puis est recouverte d'une première couche sacrificielle 104, par exemple une couche de diélectrique d'un premier type (figure 12). Le matériau thermoélectrique peut être choisi parmi ceux listés précédemment. La couche en matériau thermoélectrique 103 peut être, après son dépôt, dopée localement, par exemple par implantation ionique, pour former au niveau de chaque futur thermocouple un plot dopé type N et un plot dopé type P. Au moins un pilier de support 105a, 105b de membrane peut ensuite être structuré (figure 13). Ce pilier peut avoir une forme circulaire au centre de laquelle sont disposés les connecteurs 102a, 102b, ou être un simple pilier longitudinal perpendiculaire au substrat 101, destiné à supporter la membrane à une de ses extrémités. Sur la figure 13 deux piliers 105a, 105b de support de membrane sont structurés de part et d'autre des connecteurs électriques 102a, 102b. À titre d'exemple, le ou les piliers 105a, 105b peuvent être réalisés par structuration de la couche thermoélectrique 103 et de la première couche sacrificielle 104, par exemple par des étapes de lithographie et de gravure pour former au moins une zone vide (deux dans le cas où la membrane est supportée par deux piliers) dont le fond est délimité par le substrat de support 101. Chaque zone vide est ensuite comblée par le dépôt d'un matériau destiné à former les piliers 105a, 105b, avantageusement le matériau utilisé pourra être conducteur comme le Cu, Al, TiN, ou tout métal standard utilisé en microélectronique et comptatible avec les techniques de dépôt de type CVD ou PVD. La formation des piliers 105a, 105b est, de préférence, suivie d'une planarisation mécano-chimique jusqu'à la première couche sacrificielle 104, de sorte à former une surface sensiblement plane au niveau de laquelle affleurent la première couche sacrificielle 104 et le sommet des piliers 105a, 105b. Selon une variante non représentée, il est aussi possible de former les piliers en premier lieu sur le substrat de support 101, c'est-à-dire avant le dépôt de la couche électriquement conductrice 102, de la couche thermoélectrique 103 et de la première couche sacrificielle 104. Après la formation des piliers 105a, 105b, une deuxième couche sacrificielle 106 est déposée sur la première couche sacrificielle 104 comme illustré à la figure 14. De préférence, la deuxième couche sacrificielle 106 est d'un matériau différent de celui de la première couche sacrificielle 104 pour permettre de graver sélectivement les différentes couches. Ensuite, la deuxième couche sacrificielle 106 est structurée selon un motif. La figure 15 illustre une vue de dessus de l'empilement, la première couche visible est donc la deuxième couche sacrificielle 106. Sur cette deuxième couche sacrificielle 106, le motif présente un axe longitudinal Al qui passe par les deux piliers 105a, 105b. Ce motif peut se présenter sous la forme d'une poutre comportant deux zones 107a, 107b, disposées au-dessus des connecteurs électriques 102a, 102b. Ces deux zones 107a, 107b sont reliées entre elles par une portion centrale 107c de la poutre. La poutre comporte en outre une portion latérale 107d reliée à l'une des zones 107a et passant au-dessus d'un des piliers 105a. Une autre portion latérale 107e est reliée à l'autre zone 107b, et passe au-dessus de l'autre pilier 105b. Cette structuration selon le motif qui comprend les dessins des deux zones 107a, 107b, de la portion centrale 107c et des portions latérales 107d, 107e, permet ensuite une gravure sélective, par exemple par gravure par plasma anisotrope en se servant de la structuration de la deuxième couche sacrificielle 106 comme masque dur, de la première couche sacrificielle 104 et de la couche en matériau thermoélectrique 103 jusqu'au substrat de support 101 ou des connecteurs 102a, 102b. La figure 16 illustre une vue de dessus de l'empilement après la gravure anisotrope où l'on remarque que les piliers et les connecteurs 102a, 102b ont été libérés. Comme illustré en vue tridimensionnelle à la figure 17, les futurs plots 108a, 108b sont à la fois reliés entre eux par une première paroi 109a, au niveau de la portion centrale 107c, et sont respectivement reliés aux piliers 105a, 105b par une deuxième et une troisième paroi 109b, 109c au niveau de la portion latérale associée 107d, 107e. Les plots 108a, 108b peuvent être libérés par tout type de méthode connue par l'homme du métier, par exemple par implantation ionique puis par gravure. Sur l'exemple particulier des figures 15 à 18, le motif 107a, 107b, 107c, 107d, 107e est structuré de sorte à faciliter la formation et la libération des plots 108a, 108b par gravure isotrope. Ainsi, après la gravure anisotrope selon le motif 107a, 107b, 107c, 107d, 107e, les plots 108a, 108b sont reliés entre eux par la première paroi 109a, le plot 108a est relié au pilier 105a par la deuxième paroi 109b, et le plot 108b est relié au pilier 105b par la troisième paroi 109c (figure 17). La gravure isotrope de la couche thermoélectrique 103 permet de supprimer les parois 109a, 109b, 109c (figure 18). Dans cet exemple, les portions latérales 107d, 107e, la portion centrale 107c et les zones 107a, 107b ont respectivement des largeurs D3, Dl et D2 (figure 15), perpendiculaires à l'axe longitudinal Al passant par les deux piliers 105a, 105. Les dimensions Dl et D3 sont, de préférence, identiques, et la dimension D2 des zones 107a, 107b est supérieure à la plus grande dimension entre Dl et D3. De même, la dimension D4 des zones 107a, 107b, selon l'axe longitudinal Al, est supérieure à la plus grande dimension entre D1 et D3. Ces contraintes permettent alors, après la gravure anisotrope du motif, de libérer les plots 108a, 108b comme illustré à la figure 18 par gravure isotrope de la couche thermoélectrique 103, les plots se retrouvant alors amincis. Autrement dit, de manière générale, les plots peuvent être formés par le dépôt d'une couche en matériau thermoélectrique 103 sur le substrat de support 101, suivi par la formation d'un motif de gravure ayant une direction longitudinale et comportant deux zones 107a, 107b reliées par une portion centrale 107c, les dimensions transversales et longitudinales des zones 107a, 107b étant supérieures à la dimension transversale de la portion centrale 107c. Ensuite, la couche en matériau thermoélectrique 103 est gravée au moyen du motif de gravure, et enfin la couche en matériau thermoélectrique 103 est gravée partiellement de manière isotrope pour libérer les plots 108a, 108b. Après libération des plots 108a, 108b, le tout est, de préférence, noyé dans une troisième couche sacrificielle 110 formant la couche d'encapsulation précédemment évoquée. Cette troisième couche sacrificielle 110 est, de préférence, formée dans un matériau différent de la première et de la seconde couche sacrificielle 104, 106. Comme indiqué précédemment, le choix de matériaux différents permettra par la suite de graver sélectivement les différentes couches sacrificielles. La troisième couche sacrificielle 110 est ensuite aplanie pour former une surface plane avec la deuxième couche sacrificielle 106, par exemple par CMP, ou CMP suivi d'une gravure. Ensuite, il est possible de former comme illustré à la figure 19, qui est une vue en coupe de l'empilement, une cavité 111 ouverte dans l'empilement en gravant sélectivement, selon le dessin de la portion centrale 107c, la seconde couche sacrificielle 106, la première couche sacrificielle 104, et une partie de la troisième couche sacrificielle 110. De préférence, la troisième couche sacrificielle 110 est gravée de manière isotrope jusqu'à affleurement de flancs latéraux des premier et second plots 108a, 108b dans la cavité 111. Ensuite, la cavité 111 peut être comblée par un matériau électriquement conducteur qui formera à la fois une partie de l'élément de connexion et de la membrane. Enfin, la première couche sacrificielle 104 et la troisième couche sacrificielle 110 peuvent être retirées, la membrane étant alors en partie formée par la deuxième couche sacrificielle 106 qui n'est pas totalement retirée. Autrement dit, le motif 107a, 107b, 107c, 107d, 107e de gravure peut être formé par une première couche sacrificielle 104 inférieure et une deuxième couche sacrificielle 106 supérieure. La couche d'encapsulation, formée dans le cas présent par la troisième couche sacrificielle 110, forme une surface plane commune avec la deuxième couche sacrificielle 106. Ensuite, la cavité 111 est formée par élimination du motif de gravure au niveau de la portion centrale 107c jusqu'à la couche d'encapsulation, et par retrait d'une partie de la couche d'encapsulation au moins sous une partie de la portion centrale 107c. Selon un mode de réalisation préféré illustré aux figures 19 et 20, après aplanissement de la troisième couche sacrificielle 110, la deuxième couche sacrificielle 106 est éliminée sélectivement jusqu'à la première couche sacrificielle 104. Cette étape (non représentée) permet de délimiter une cavité ouverte dont la forme générale reprend celle du motif défini précédemment. Autrement dit, la cavité a une forme délimitée par les deux zones 107a, 107b, la portion centrale 107c et les portions latérales 107d, 107e. Sur la figure 20, les deux zones 107a, 107b, la portion centrale 107c et les portions latérales 107d, 107e sont, de préférence, respectivement comblées par des premier, deuxième et troisième matériaux 112a, 112b, 112c. L'exemple suivant donne une méthode pouvant être utilisée pour remplir les zones 107a, 107b et portions 107c, 107d, 107e de matériaux différents. Dans l'exemple, la dimension Dl de la portion centrale 107c est supérieure à deux fois la dimension D3 des portions latérales 107e, 107d, et la dimension D2 des zones 107a, 107b ainsi que la dimension D4 des zones 107a, 107b sont supérieures à deux fois la dimension définie par la largeur Dl (figure 15). Ceci permet dans une première étape de remplir les portions latérales 107d, 107e en déposant par dépôt conforme une couche en troisième matériau 112c d'épaisseur équivalente à la moitié de D3, et de retirer le troisième matériau 112c au niveau des zones 107a, 107b et de la portion centrale 107c sur une épaisseur égale à la moitié de D3, sans retirer le troisième matériau 112c des portions latérales 107d, 107e. Puis dans une seconde étape la portion centrale 107c est remplie en déposant, par dépôt conforme, une couche en deuxième matériau 112b d'épaisseur équivalente à la moitié de D1. Le deuxième matériau 112b est ensuite retiré au niveau des zones 107a, 107b, sur une épaisseur égale à la moitié de Dl sans retirer le second matériau 112b de la portion centrale 107c. Enfin, les zones 107a, 107b peuvent être comblées avec le premier matériau 112a. La figure 19 illustre l'étape suivante au cours de laquelle une cavité 111 est formée par retrait du deuxième matériau 112b, de la première couche sacrificielle 104 au niveau de la portion centrale 107c, et d'une partie de la troisième couche sacrificielle 110 jusqu'à affleurement de flancs latéraux des premier et second plots 108a, 108b dans la cavité 111. De préférence, le retrait de la partie de la troisième couche sacrificielle 110 est réalisé par gravure isotrope pour permettre aux plots d'affleurer dans la cavité 111. Sur la figure 21, les premier et troisième matériaux 112a, 112b sont sélectivement éliminés jusqu'à affleurement du reste de la première couche sacrificielle 104. La dernière étape illustrée à la figure 22 consiste à former l'élément de connexion 113 entre les deux plots 108a, 108b, ledit élément de connexion 113 étant en contact avec lesdits plots 108a, 108b, et à former la membrane 114 portant ledit élément de connexion 113. La membrane 114 est ancrée aux sommets des piliers de support 105a, 105b. Pour finir, le reste des première et troisième couches sacrificielles 104, 110 est retiré sélectivement. Selon une variante, les premier et troisième matériaux ne sont pas éliminés, et la cavité 111 est directement comblée par un matériau électriquement conducteur. La membrane 114 est alors formée par les premier et troisième matériaux et le matériau remplissant la cavité. Enfin, le reste des première et troisième couches sacrificielles 104, 110 est retiré sélectivement. Pour obtenir le dispositif final. Selon un développement, le dispositif thermoélectrique comporte la formation de plusieurs thermocouples comme décrit précédemment. La membrane et les éléments de connexion sont alors formés en deux temps avec interposition d'une couche électriquement isolante entre chaque élément et la membrane de sorte à éviter le court-circuit des thermocouples. Selon une variante non représentée, après la formation de l'élément de connexion, un trou est formé dans ce dernier en direction du substrat de support. Ce trou est ensuite comblé par un matériau à changement de volume pour former les moyens pour faire varier l'épaisseur de l'élément de connexion. Revendications1. Dispositif thermoélectrique comprenant : - un premier plot (2a) dans un premier matériau, ancré au niveau de sa première extrémité (7a) à un support (8), - un second plot (2b) dans un second matériau, ancré au niveau de sa première extrémité (7b) audit support (8), - un élément de connexion électrique (3) muni de première et seconde zones de contact (9a, 9b) respectivement en contact électrique avec le premier plot (2a) et le second plot (2b), de sorte à former un thermocouple (1 a), dispositif caractérisé en ce qu'il comprend des moyens pour faire varier la position des première et seconde zones de contact (9a, 9b) au niveau des premier et second plots (2a, 2b). 2. Dispositif selon la revendication 1, caractérisé en ce que les moyens pour faire varier la position des zones de contact (9a, 9b) comprennent l'élément de connexion électrique (3), ledit élément de connexion (3) étant mobile le long desdits premier et second plots (2a, 2b). 3. Dispositif selon la revendication 2, caractérisé en ce que l'élément de connexion mobile (3) est porté par une membrane (10) dont la déformation permet un coulissement de l'élément de connexion (3) le long des premier et second plots (2a, 2b). 4. Dispositif selon la revendication 3, caractérisé en ce que l'élément de connexion (3) comprend des moyens pour faire varier son épaisseur dans une direction perpendiculaire à sa direction de coulissement et située dans un plan parallèle au plan des premier et second plots (2a, 2b). 23 5. Dispositif selon la revendication 4, caractérisé en ce que les moyens pour faire varier l'épaisseur de l'élément de connexion (3) comprennent un matériau (12) apte à changer de volume sous l'action d'une stimulation. 6. Procédé de fabrication d'un dispositif thermoélectrique caractérisé en ce qu'il comporte les étapes suivantes : - former sur un substrat de support (101) deux plots (108a, 108b) en matériau thermoélectrique électriquement isolés l'un de l'autre, - former un élément mobile (113) reliant électriquement les deux plots et apte à se déplacer selon une direction perpendiculaire au substrat (101). 8. Procédé selon la revendication 6, caractérisé en ce qu'après formation des plots (108a, 108b), une couche d'encapsulation (110) est déposée pour 15 former un moule délimitant au moins partiellement l'élément mobile (113). 9. Procédé selon l'une des revendications 6 et 7, caractérisé en ce que les plots sont formés par les étapes suivantes : - déposer une couche en matériau thermoélectrique (103), 20 - former un motif de gravure ayant une direction longitudinale et comportant deux zones (107a, 107b) reliées par une portion centrale (107c), les dimensions transversales et longitudinales des zones (107a, 107b) étant supérieures à la dimension transversale de la portion centrale (107c), - graver la couche en matériau thermoélectrique (103) au moyen du motif 25 de gravure, - graver partiellement de manière isotrope la couche en matériau thermoélectrique (103) pour libérer les plots (108a, 108b). 9. Procédé selon les revendications 7 et 8, caractérisé en ce que le motif de 30 gravure étant formé par une première couche sacrificielle (104) inférieure et une deuxième couche sacrificielle (106) supérieure, la couched'encapsulation (110) forme une surface plane commune avec la deuxième couche sacrificielle (106), et la cavité (111) est formée par élimination du motif de gravure au niveau de la portion centrale (107c) jusqu'à la couche d'encapsulation (110), et par retrait d'une partie de la couche d'encapsulation au moins sous une partie de la portion centrale (107c).