FR 2959025 A1 20111021 FR 1001683 A 20100420 i PROCEDE ET DISPOSITIF DE PHOTOLITHOGRAPHIE La présente invention concerne la photolithographie, notamment pour la fabrication de circuits électroniques et de circuits intégrés. L'industrie électronique et microélectronique utilise des procédés photosensibles pour former des circuits sur des plaquettes de circuit imprimé ou des microcircuits sur des plaquettes en un matériau semi-conducteur. Ces procédés mettent en oeuvre un ou plusieurs masques physiques lors de différentes étapes de fabrication. Selon sa polarité positive ou négative, chaque masque cache ou laisse visible une partie de la plaquette devant subir un traitement tel que l'implant d'un dopage, le retrait d'une résine, le io dépôt d'aluminium, etc. La fabrication d'un circuit intégré peut ainsi mettre en oeuvre plusieurs dizaines de masques, chaque masque correspondant à une étape de traitement de la plaquette. L'utilisation de masques dans la fabrication de circuits imprimés ou intégrés présente de nombreux inconvénients. 15 Le coût lié à l'utiliisation de masques est d'autant plus élevé que la fabrication de certains circuits requiert un grand nombre de masques et que la précision requise des formes des motifs est importante. Il en résulte des problèmes de manipulation, de stockage et d'archivage. Une fois qu'un masque est réalisé, il n'est plus modifiable. La modification d'un circuit 20 entraîne la modification d'un et le plus souvent de plusieurs masques, et donc la fabrication de nouveaux masques. Une telle modification peut donc présenter un coût élevé. Elle n'est donc effectuée que si elle est vraiment nécessaire, ce qui limite le processus d'innovation et freine l'évolution des circuits. 25 Durant la fabrication de circuits sur une plaquette, la plaquette doit être déplacée entre plusieurs postes de traitement d'une chaîne de fabrication, plusieurs des postes pouvant mettre en oeuvre un masque. II en résulte des problèmes d'alignement de chaque plaquette qui doit être rigoureusement positionnée sous les masques pour que le traitement 30 appliqué par un masque à la plaquette coïncide avec un traitement réalisé avec un autre masque à un poste précédent. Par ailleurs, le changement de masque sur un poste de traitement est une opération délicate. II en résulte qu'une chaîne de fabrication est dédiée pendant une durée déterminée à la fabrication d'un circuit, et il est délicat et fastidieux de changer les masques d'une chaîne de fabrication pour fabriquer un autre circuit. Généralement la fabrication de masques est confiée à un fabricant externe. Le fabricant de circuits doit donc transmettre toutes les données de fabrication de ses circuits au fabricant de masques, ce qui peut entraîner des problèmes de sécurité et de confidentialité. Tous les circuits produits par une chaîne de fabrication utilisant un jeu de masques sont identiques. II n'est donc pas possible de produire d'autres io circuits sans équiper la chaîne de fabrication d'un autre jeu de masques. Il n'est pas non plus possible de personnaliser les circuits. Par ailleurs, les masques s'usent et doivent être renouvelés régulièrement. II en résulte qu'un circuit produit avec un jeu de masques neuf n'aura pas les mêmes qualités qu'un circuit produit avec un jeu de masques en fin de vie. Dans le 15 cas de masques à dimension critique, leur renouvellement doit être fréquent pour éviter un taux de circuits obtenus mis au rebut important. Certaines étapes de fabrication d'un circuit intégré et notamment des étapes de découpe d'une couche de résine ou d'aluminium peuvent faire intervenir un laser. Cette solution offre une certaine souplesse de 20 modification du circuit puisqu'il est relativement aisé de modifier le trajet du faisceau laser sur le circuit, mais présente l'inconvénient d'augmenter sensiblement la durée du traitement et de diminuer les cadences de fabrication. En effet, le faisceau laser doit balayer toute la surface du circuit, et il n'est pas possible de traiter plusieurs circuits en parallèle avec un 25 unique faisceau laser. Des modes de réalisation concernent un procédé de photolithographie comprenant une étape de projection d'un faisceau lumineux au travers d'un masque sur une couche photosensible pour former sur la couche photosensible une image d'un motif de masque formé par le 30 masque. Selon un mode de réalisation, le procédé comprend des étapes de commande d'une couche d'éléments actifs du masque, pour que faisceau lumineux après avoir traversé la couche d'éléments actifs reproduise le motif de masque sur la couche photosensible, les éléments actifs étant répartis dans la couche conformément à une organisation matricielle en lignes et en 35 colonnes transversales aux lignes, chaque élément actif étant contrôlé individuellement pour prendre un état transparent à la lumière du faisceau lumineux, ou bien un état opaque ou réfléchissant la lumière du faisceau lumineux, en fonction d'un signal de commande fourni à l'élément actif. Selon un mode de réalisation, le procédé comprend des étapes d'application à chaque élément actif d'un signal de commande, pour mettre l'élément actif dans un état défini par un coefficient de transmission de la lumière du faisceau, entre un état totalement transparent, et un état totalement opaque ou réfléchissant. Selon un mode de réalisation, le procédé comprend des étapes de io commande de plusieurs couches superposées d'éléments actifs du masque, pour que l'ensemble des couches superposées forme le motif de masque projeté sur la couche photosensible. Selon un mode de réalisation, chaque élément actif d'une des couches est, dans la direction du faisceau lumineux, exactement superposé 15 à un élément actif d'une autre des couches, ou décalé dans une direction perpendiculaire au faisceau lumineux par rapport à un élément actif d'une autre des couches. Selon un mode de réalisation, le procédé comprend une étape de fourniture de données de motif à une unité de contrôle commandant la 20 couche d'éléments actifs pour reconstituer un motif de masque correspondant aux données de motif. Selon un mode de réalisation, le procédé comprend une étape de dépôt sur la plaquette d'une couche de résine sensible à la lumière du faisceau lumineux, réalisée avant l'étape de projection, et une étape de 25 développement consistant à retirer à l'aide d'un solvant des zones de la couche de résine qui ont ou n'ont pas été exposées au faisceau lumineux au travers du masque. Des modes de réalisation concernent également un procédé de fabrication d'un circuit sur une plaquette, comprenant des étapes 30 d'application du procédé de photolithographie tel que défini précédemment, à une plaquette sur laquelle est formée une couche photosensible. Selon un mode de réalisation, le procédé comprend une étape d'insertion dans le motif de masque reproduit par la couche d'éléments actifs d'une marque identifiant de manière unique des circuits formés sur la 35 plaquette. Des modes de réalisation concernent également un dispositif de photolithographie comprenant : une source de lumière émettant un faisceau lumineux auquel est sensible une couche photosensible, une optique de projection configurée pour transmettre le faisceau lumineux perpendiculairement à un masque formant un motif de masque, une optique de focalisation configurée pour projeter le faisceau lumineux ayant traversé le masque sur une couche photosensible au faisceau lumineux et former une image du motif de masque sur la couche photosensible. Selon un mode de réalisation, le masque comprend une couche d'éléments actifs répartis dans la couche conformément à une organisation matricielle en lignes et en colonnes transversales aux lignes, chaque élément actif étant contrôlé io individuellement pour prendre un état transparent à la lumière du faisceau lumineux, ou bien un état opaque ou réfléchissant la lumière du faisceau lumineux, en fonction d'un signal de commande fourni à l'élément actif. Selon un mode de réalisation, le dispositif comprend une unité de contrôle configurée pour fournir à chaque élément actif un signal de 15 commande, mettant l'élément actif dans un état défini par un coefficient de transmission de la lumière du faisceau, entre un état totalement transparent, et un état totalement opaque ou réfléchissant. Selon un mode de réalisation, le dispositif comprend plusieurs couches superposées d'éléments actifs, et une unité de contrôle configurée 20 commander l'ensemble des couches superposées afin de former l'image du motif de masque sur la couche photosensible. Selon un mode de réalisation, chaque élément actif d'une des couches est, dans la direction du faisceau lumineux, exactement superposé à un élément actif d'une autre des couches, ou décalé dans une direction 25 perpendiculaire au faisceau lumineux par rapport à un élément actif d'une autre des couches. Selon un mode de réalisation, l'unité de contrôle est configurée pour recevoir des données de motif permettant de reconstituer un motif de masque à l'aide d'une ou plusieurs couches d'éléments actifs. 30 Selon un mode de réalisation, l'optique de focalisation est configurée pour que les dimensions du motif de masque soient égales à une ou plusieurs dizaines de fois celles de l'image du motif de masque projeté sur la couche photosensible. 35 Des exemples de réalisation de l'invention seront décrits dans ce qui suit, à titre non limitatif en relation avec les figures jointes parmi lesquelles : la figure 1 est une vue en perspective schématique d'un dispositif de photolithographie, selon un mode de réalisation, la figure 2 est une vue en perspective schématique d'un dispositif de photolithographie, selon un autre mode de réalisation, les figures 3A, 3B et 3C représentent schématiquement différentes configurations de superposition de couches d'éléments actifs superposées. La figure 1 représente un dispositif de photolithographie. Sur la figure 1, le dispositif de projection LPS comprend une source de lumière 1 émettant un faisceau lumineux 6, une optique de projection 2, un masque 3, io et une optique de focalisation 4. L'optique de projection 2 comprend classiquement une ou plusieurs lentilles pour transmettre le faisceau lumineux 6 provenant de la source 1 au masque 3. L'optique de focalisation 4 comprend classiquement une ou plusieurs lentilles pour focaliser la lumière ayant traversé le masque 3 sur une zone 8 d'une couche photosensible 9 15 formée à la surface d'une plaquette 5. L'optique de projection 2 peut être configurée pour transformer le faisceau lumineux divergent émis par la source 1 en un faisceau à rayons parallèles. L'optique de focalisation 4 peut ainsi être configurée pour projeter une image nette du motif de masque 7 sur la couche photosensible 9 sur plaquette 5. Le dispositif de projection LPS 20 permet ainsi de projeter un motif formé par le masque 3 sur la zone 8 en vue d'y réaliser un ou plusieurs circuits. La plaquette 5 peut être de type plaquette de circuit imprimé ou plaquette en un matériau semi-conducteur (wafer). Les optiques 2 et 4 peuvent être configurées pour que les rayons lumineux du faisceau 6 soit parallèles et atteignent le masque 3 25 perpendiculairement. Selon un mode de réalisation, le masque 3 comprend une couche 11 d'éléments actifs 12 disposés conformément à une organisation matricielle en lignes et en colonnes transversales aux lignes. Chaque élément actif 12 est contrôlé individuellement pour prendre soit un état transparent à la 30 lumière émise par la source 1, soit un état opaque ou réfléchissant, en fonction d'un signal électrique de commande fourni à l'élément actif par une unité de contrôle CTLU. Le contrôle individuel des éléments actifs 12 peut être effectué par exemple par un dispositif classique d'adressage en ligne et en colonne. La couche 11 peut être formée sur un substrat 10 en un 35 matériau transparent à la lumière émise par la source 1. L'unité de contrôle CTLU est configurée pour commander la couche 11 de manière à y faire apparaître un motif de masque correspondant à des données de motif fournies par un serveur de masque DTS. A cet effet, le serveur de masque DTS dispose d'un accès à une base de données MDB mémorisant sous forme numérique des données de motifs. La base de données MDB peut ainsi mémoriser des données de motif permettant de reconstituer sur la couche 11 tous les motifs de masque nécessaires à la fabrication de plusieurs circuits. Si une modification doit être apportée à un circuit, il est facile de modifier un ou plusieurs motifs de io masque mémorisés dans la base de données MDB. Il est également possible de modifier un motif de masque de manière dynamique à chaque nouvelle plaquette 5 introduite dans le dispositif LPS. Cette disposition permet par exemple de marquer chaque plaquette ou chaque circuit sur la plaquette par un code d'identification unique, par exemple un code à barres 15 qui est généré et inséré dans le motif du masque par l'unité de contrôle CTLU au début du traitement d'une nouvelle plaquette avec un motif de masque. Le serveur DTS peut être connecté à plusieurs dispositifs de projection comme celui représenté sur la figure 1. Ainsi, plusieurs dispositifs 20 LPS peuvent être utilisés pour fabriquer un même circuit afin d'augmenter les cadences de production, chaque motif de masque nécessaire à la fabrication du circuit étant envoyé aux dispositifs LPS. Plusieurs chaînes de fabrication comportant chacune un ou plusieurs dispositifs LPS peuvent être connectées au serveur DTS. L'attribution d'une chaîne de fabrication à un 25 circuit peut ainsi être aisément modifiée. A cet effet, il suffit de commander le serveur DTS pour qu'il distribue les jeux de motifs de masques aux chaînes de fabrication en fonction des circuits à fabriquer sur chaque chaîne. La couche 11 peut être de type afficheur transparent par exemple à cristaux liquides nématiques et/ou cholestériques, ou de type TOLED 30 (Transparent Organic Light Emitting Diode) ou comportant une couche d'éléments électrochromophores. De nombreux documents publiés décrivent des exemples de tels afficheurs. Ainsi, pour plus de détail sur la constitution et le fonctionnement de tels afficheurs, on peut par exemple se reporter aux brevets US 6 104 367, EP 0 758 100 ou aux demandes de brevet 35 WO2008/59722, US 2008/0186564. Selon un mode de réalisation, chaque élément actif 12 est configuré pour prendre un état quelconque défini par un coefficient de transmission de la lumière émise par la source 1, entre un état totalement transparent, et un état totalement opaque ou réfléchissant, en fonction d'un signal de commande fourni par l'unité de contrôle CTLU. Grâce à cette disposition, les contours de l'image 8 projetée du motif de masque sur la couche photosensible 9 peuvent être lissés en ajustant le coefficient de transmission des éléments actifs 12 situés au voisinage des contours du motif. La figure 2 représente un dispositif de photolithographie selon un io autre mode de réalisation. Sur la figure 2, le dispositif de projection diffère de celui de la figure 1 en ce qu'il comprend un masque 3' comportant deux ou davantage de couches 11, 11' identiques superposées. Chaque couche Il, 11' est commandée par une unité de contrôle CTLU, CTLU1 configurée pour commander les éléments actifs 12 d'une des deux couches 11, 11' de 15 manière à ce l'ensemble des couches superposées reproduise un motif de masque 7. Chaque couche 11, 11' peut être formée sur un substrat transparent respectif 10, 10' ou bien un seul substrat transparent supportant toutes les couches 11, 11'. Les motifs de masque fournis par le serveur de masque DTS aux couches 11, 11' peuvent être identiques ou différents. S'ils 20 sont différents, les motifs de masque sélectionnés dans la base MDB et transmis aux couches 11, 11' sont configurés pour que leur superposition permette de former une image de motif souhaité sur la couche photosensible 9. II est à noter que cette superposition de couches est possible si l'ensemble des rayons lumineux du faisceau 6 atteint le masque 3 25 perpendiculairement à celui-ci. La superposition de plusieurs couches 11, 11' permet d'obtenir, si nécessaire, une plus grande opacité du motif de masque vis-à-vis de la lumière émise par la source 1, ou d'augmenter la définition du motif de masque, et ainsi la finesse des motifs de masque susceptibles d'être formés 30 dans la couche photosensible 9 sur la plaquette 5. Ainsi, les figures 3A à 3C représentent différentes configurations de couches d'éléments actifs superposées. Pour augmenter l'opacité du motif de masque, les éléments actifs 12 de chaque couche 11, 11' peuvent être exactement superposés dans la direction 13 du faisceau lumineux (figure 3A). Si la définition du motif 35 de masque doit être augmentée, les éléments actifs 12 d'une couche peuvent être décalés (dans une direction perpendiculaire à celle du faisceau lumineux) par rapport aux éléments actifs de l'autre couche dans la direction 13 du faisceau lumineux (figure 3B). Il est à noter que si les deux couches 11, 11' sont superposées dans la configuration de la figure 3B, l'opacité du masque constitué par les deux couches se trouve également augmentée. Le décalage des éléments actifs 12 d'une couche 11 par rapport à ceux de l'autre couche 11' n'est pas nécessairement égal au rayon ou à la moitié de la largeur des éléments actifs, mais peut être égal à une fraction de cette dimension, notamment si le masque comprend davantage de deux couches io 11, 11', comme représenté sur la figure 3C. La figure 3C représente ainsi trois couches 11, 11' et Il", les couches 11 et 11" étant décalées l'une par rapport à l'autre d'une distance égale au rayon des éléments actifs 12, tandis que la couche 11' disposée entre les deux couches 11 et Il", est décalée par rapport aux deux autres couches d'une distance égale à la moitié du 15 rayon des éléments actifs. Pour augmenter la définition de l'image projetée 8, il peut également être envisagé d'augmenter le rapport de réduction de l'optique de focalisation 4 (rapport entre les dimensions du masque 3 et celles de l'image 8 sur la couche photosensible 9). L'augmentation de ce rapport conduit à 20 diminuer la taille de l'image du motif 8 projetée sur la couche photosensible 9, et/ou à augmenter les dimensions du masque 3 pour disposer de davantage d'éléments actifs 12, et donc celles des optiques de projection 2, et de focalisation 4. Le rapport de réduction (rapport des dimensions du motif de masque 7 sur les dimensions de l'image 8 du motif de masque sur la 25 surface photosensible 9) de l'optique de focalisation 4 qui est classiquement de l'ordre de 4 ou 5 peut ainsi être augmenté pour atteindre une ou plusieurs dizaines, par exemple 10 ou 20. Il est à noter qu'en jouant sur la taille de l'image du motif 8, on agit sur la vitesse de fabrication du circuit, tandis qu'en jouant sur la taille du 30 masque, on agit sur le coût et l'encombrement du dispositif de projection LPS, LPS', et en particulier sur le coût et l'encombrement des lentilles des optiques de projection 2 et de focalisation 4 qui doivent être autant que possible exemptes de défauts optiques pour éviter les déformations de l'image du motif projeté 8 par rapport au motif de masque 7. L'invention s'applique notamment à la fabrication de circuits intégrés, notamment dans le but de former un masque de résine photosensible sur la surface d'une plaquette en un matériau semi-conducteur. Un tel masque de résine étant utilisé pour réaliser une gravure ou une implantation, le masque de résine servant à protéger des zones qui ne doivent pas être gravées ou implantées. Après l'opération de gravure ou d'implantation, le masque de résine est éliminé. Dans une première étape d'un procédé de photolithographie, une résine est déposée et étalée sur une plaquette en un matériau semi-conducteur. L'étalement de la résine sur la plaquette est généralement réalisée par centrifugation en déposant la résine au centre de la plaquette et en faisant tourner celle-ci autour de son axe. Le type de résine et la vitesse de rotation de la plaquette sont des facteurs importants pour uniformiser et contrôler l'épaisseur de la couche de résine. 15 Dans une seconde étape, la plaquette est déposée dans un dispositif de projection LPS, LPS' d'un motif de masque. Cette étape consiste à exposer certaines parties de la couche de résine sur la plaquette 5, définies par un motif de masque à un flux lumineux dont l'énergie est apte à transformer chimiquement toute la couche de résine exposée pour la rendre 20 soluble dans un solvant adéquat. Si l'image projetée 8 ne couvre pas la presque totalité de la plaquette 5, cette étape est répétée autant de fois que nécessaire, en déplaçant la plaquette par rapport au faisceau lumineux projeté 6. Des marques sont généralement prévues dans le motif de masque pour permettre d'aligner les motifs projetés successivement. La plaquette 25 peut ensuite être chauffée pour stabiliser la résine non insolée et ainsi obtenir des profils droits après une étape de développement. Dans une troisième de développement, la résine de la plaquette est mise en contact avec un solvant qui dissout les zones qui ont été soumises à l'énergie du faisceau lumineux 6. Le solvant peut être déposé sur la résine 30 au centre de la plaquette qui est mis en rotation autour de son axe pour couvrir toute la couche de résine. La plaquette est ensuite rincée à l'eau puis séchée. Elle peut également être chauffée pour consolider la résine restante et lui donner une résistance apte à supporter une opération de gravure ou d'implantation. Il est à noter que dans certains procédés mettant en oeuvre 35 d'autres types de résines photosensibles et d'autres solvants, ce sont au i0 contraire les zones exposées au faisceau lumineux qui deviennent insolubles au solvant utilisé durant l'étape de développement. Dans ce cas, l'étape de développement permet de retirer la résine dans les zones qui n'ont pas été exposées au faisceau lumineux. La qualité du masque de résine ainsi formé sur la plaquette 5 dépend des propriétés de la résine choisie, du temps d'exposition de la couche de résine, de la netteté et de la définition de l'image du masque 8, et de l'énergie fournie par le faisceau lumineux (qui dépend de sa longueur d'onde). io Il apparaîtra clairement à l'homme de l'art que la présente invention est susceptible de diverses variantes de réalisation et diverses applications. En particulier, le procédé de photolithographie décrit précédemment ne s'applique pas nécessairement à la fabrication d'un circuit intégré ou à la formation d'un circuit sur une plaquette de circuit imprimé. Ce procédé de 15 photolithographie peut s'appliquer à tous les domaines où il est connu de le mettre en oeuvre. Par ailleurs, l'étape de formation de la couche photosensible n'est pas nécessaire car le support auquel est appliquée la photolithographie peut déjà comporter une telle couche, comme c'est le cas des plaquettes de circuit 20 imprimé commercialisées. II est à noter également que l'invention ne nécessite pas la mise en oeuvre d'un serveur de motifs tel que le serveur DTS. Il peut en effet être prévu une unité de contrôle mémorisant des motifs de masques et commandant les éléments actifs 12 pour reproduire l'un des motifs de 25 masque mémorisés. REVENDICATIONS1. Procédé de photolithographie comprenant une étape de projection d'un faisceau lumineux (6) au travers d'un masque (3, 3') sur une couche photosensible (9) pour former sur la couche photosensible une image (8) d'un motif de masque (7) formé par le masque, caractérisé en ce qu'il comprend des étapes de commande d'une couche (11, 11') d'éléments actifs (12) du masque (3, 3'), pour que faisceau lumineux (6) après avoir traversé la couche d'éléments actifs reproduise le motif de masque (7) sur la couche photosensible (9), les éléments actifs étant répartis dans la couche conformément à une organisation matricielle io en lignes et en colonnes transversales aux lignes, chaque élément actif étant contrôlé individuellement pour prendre un état transparent à la lumière du faisceau lumineux, ou bien un état opaque ou réfléchissant la lumière du faisceau lumineux, en fonction d'un signal de commande fourni à l'élément actif. 15 2. Procédé selon la revendication 1, comprenant des étapes d'application à chaque élément actif (12) d'un signal de commande, pour mettre l'élément actif dans un état défini par un coefficient de transmission de la lumière du faisceau (6), entre un état totalement transparent, et un état 20 totalement opaque ou réfléchissant. 3. Procédé selon la revendication 1 ou 2, comprenant des étapes de commande de plusieurs couches (11, 11') superposées d'éléments actifs (12) du masque (3'), pour que l'ensemble des couches superposées forme le 25 motif de masque (7) projeté sur la couche photosensible (9). 4. Procédé selon la revendication 3, dans lequel chaque élément actif (12) d'une des couches (11, 11') est, dans la direction du faisceau lumineux (6), exactement superposé à un élément actif d'une autre des couches (11, 30 11), ou décalé dans une direction perpendiculaire au faisceau lumineux par rapport à un élément actif d'une autre des couches. Il 5. Procédé selon l'une des revendications 1 à 4, comprenant une étape de fourniture de données de motif à une unité de contrôle (CTLU, CTLU1) commandant la couche (11, 11') d'éléments actifs (12) pour reconstituer un motif de masque (7) correspondant aux données de motif. 6. Procédé selon l'une des revendications 1 à 5, comprenant une étape de dépôt sur la plaquette (5) d'une couche de résine (9) sensible à la lumière du faisceau lumineux (6), réalisée avant l'étape de projection, et une étape de développement consistant à retirer à l'aide d'un solvant des zones io de la couche de résine qui ont ou n'ont pas été exposées au faisceau lumineux au travers du masque (3, 3'). 7. Procédé de fabrication d'un circuit sur une plaquette, caractérisé en ce qu'il comprend des étapes d'application du procédé de photolithographie 15 selon l'une des revendications 1 à 6, à une plaquette (5) sur laquelle est formée une couche photosensible (9). 8. Procédé selon la revendication 7, comprenant une étape d'insertion dans le motif de masque reproduit par la couche (11) d'éléments actifs (12) 20 d'une marque identifiant de manière unique des circuits formés sur la plaquette (5). 9. Dispositif de photolithographie comprenant : une source de lumière (1) émettant un faisceau lumineux (6) auquel 25 est sensible une couche photosensible (9), une optique de projection (2) configurée pour transmettre le faisceau lumineux perpendiculairement à un masque (3) formant un motif de masque (7), une optique de focalisation (4) configurée pour projeter le faisceau 30 lumineux ayant traversé le masque sur une couche (9) photosensible au faisceau lumineux et former une image (8) du motif de masque sur la couche photosensible, caractérisé en ce que le masque (3, 3') comprend une couche (11, 11') d'éléments actifs (12) répartis dans la couche conformément à une 35 organisation matricielle en lignes et en colonnes transversales aux lignes, chaque élément actif étant contrôlé individuellement pour prendre un état transparent à la lumière du faisceau lumineux (6), ou bien un état opaque ou réfléchissant la lumière du faisceau lumineux, en fonction d'un signal de commande fourni à l'élément actif. 10. Dispositif selon la revendication 9, comprenant une unité de contrôle (CTLU, CTLU1) configurée pour fournir à chaque élément actif (12) un signal de commande, mettant l'élément actif dans un état défini par un coefficient de transmission de la lumière du faisceau (6), entre un état lo totalement transparent, et un état totalement opaque ou réfléchissant. 11. Dispositif selon la revendication 9 ou 10, comprenant plusieurs couches (11, 11') superposées d'éléments actifs (12), et une unité de contrôle (CTLU, CTLU1) configurée commander l'ensemble des couches 15 superposées afin de former l'image (8) du motif de masque sur la couche photosensible (9). 12. Dispositif selon la revendication 11, dans lequel chaque élément actif (12) d'une des couches (11, 11') est, dans la direction du faisceau 20 lumineux (6), exactement superposé à un élément actif d'une autre des couches (11, 11), ou décalé dans une direction perpendiculaire au faisceau lumineux par rapport à un élément actif d'une autre des couches. 13. Dispositif selon l'une des revendications 10 à 12, dans lequel 25 l'unité de contrôle (CTLU, CTLU1) est configurée pour recevoir des données de motif permettant de reconstituer un motif de masque (7) à l'aide d'une ou plusieurs couches (11, 11') d'éléments actifs (12). 14. Dispositif selon l'une des revendications 9 à 13, dans lequel 30 l'optique de focalisation (4) est configurée pour que les dimensions du motif de masque (7) soient égales à une ou plusieurs dizaines de fois celles de l'image (8) du motif de masque projeté sur la couche photosensible (9).