FR 2961214 A1 20111216 FR 1155238 A 20110615 La présente invention concerne en général le domaine du polissage chimico-mécanique. En particulier, la présente invention concerne une composition de polissage chimicomécanique stabilisée et un procédé pour le polissage chimico- mécanique de matériaux semi-conducteurs et, plus particulièrement, un procédé pour le polissage chimicomécanique de couches diélectriques provenant de structures semi-conductrices, par exemple dans des procédés de type diélectrique intercouche (« interlevel dielectric ou ILD) et d'isolation par tranchées (« shallow trench isolation ou ST1). Les circuits plc'ce élaboré ire. jres modernes sont fabriqués par un dans Ieo-uel les circuits électroniques de grandes quantités de ces dispositifs semi-conducteurs sont fore sur une seule structure -i ailleurs, des circuits i é. sous forme de matrices voisines sur un subst commun de la structure s naUC P 1(1_1 régions de rainure au niveau de la surface sont sit ees entre matrices, là où les matrices seront coupées en morceaux pour former des circuits intégrés discrets. À l'intérieur des matrices, la surface de la structure semi-conductrice est caractérisée par des régions en relief qui sont causées par la formation des dispositifs semi-conducteurs. Ces régions en relief forment des ensembles et sont séparées par des régions plus basses d'une hauteur inférieure sur le substrat en silicone de la structure semi-conductrice. Les dispositifs actifs doivent être isolés par des matériaux diélectriques afin d'empêcher l'intermodulation et l'interférence de signaux entre eux. De manière classique, il existe deux principales techniques d'isolation. L'une est nommée diélectrique intercouche (ILD). L'autre est appelée isolation par tranchées (STI). La structure ILD est principalement utilisée pour séparer des fils ou des fiches métalliques dans le circuit intégré. Les matériaux d'isolation diélectriques (par exemple la silice et nitrure de silicium) sont typir ment développés ou déposé, entre les espaces et sur le de:s,s des lignes ou des fiches (11 ce qui crée face non planaire . igue z, cars vert teur dan, ure e,S prolc .fofqn'à une mut cible qui c. stance predefinie au- être disposés silicone dessus du niveau des sommets des ensembles, manière idéale, une surface plane va se formt La STI est un procede de fabrication de conduc rs très utilisé pour former des structures d'isolation in d'isoler de rière électrique les dit ents composants actifs formés dans les circuits intégrés. Dans la technique STI, la première étape est la formation d'une pluralité de tranchées en différents endroits prédéfinis dans le substrat, généralement par gravure anisotropique. Ensuite, de la silice est déposée dans chacune de ces tranchées. La silice est ensuite polie par PCM, jusqu'au nitrure de silicium (couche d'arrêt) pour former la structure STI. Afin d'obtenir un polissage efficace, la suspension de polissage offre typiquement une grande sélectivité impliquant la vitesse d'élimination de la silice par rapport au nitrure de silicium (« sélectivité »). Une suspension de PCM classique pour les procédés ILD et STI comprend une forte concentration d'abrasifs pour améliorer son efficacité. Malheureusement, les abrasifs sont chers et une utilisation accrue de ces derniers devient inabordable. Une composition de polissage ayant une teneur en abrasif réduite pour l'élimination d'oxyde de silicium est décrite dans le brevet américain US 7 018 560 de Liu et al. Liu et al. décrivent une cemp ition aqueuse de poli comprenant : un inhibiteur de corrosion pour limiter l'élimination d'un métal d'interc ; un p7 acide ; de: 1), le_ aL--e ; et un sel d' ium contena un , nc _d -ec R2, 30 groupe aryle, allyle, ax possède une longueur de chaîne carbonée de 2 à 15 atomes de carbone et le sel d'ammonium contenant un composé organique ros ele une concentration qui a (I) et P ; dans laquelle RI est choisi parmi un groupe alkyle en C1-C15 saturé ou insaturé, un groupe aryle en C6-C,5 et un groupe aralkyle en C6-C,5 ; dans laquelle R2, R3, R4, R5, R6 et R7 sont chacun indépendamment choisis parmi un atome d'hydrogène, un groupe alkyle en C1-C15 saturé ou insaturé, un groupe aryle en C6-C,5, un groupe aralkyle en C6-C,5, un groupe alkaryle en C6-C15 ; et, dans laquelle l'anion de formule (I) peut être n'importe quel anion ou une combinaison d'anions qui équilibre la charge 2+ sur le cation dans la formule (I) ; et de 0 à 1 % en poids d'un composé d'ammonium quaternaire choisi parmi l'hydroxyde de tétraméthylammonium, l'hydroxyde de tétraéthylammonium, l'hydroxyde de tétrapropylammonium, l'hydroxyde de tétr isonropylarsson de dcycloprop: _nt :étrabu nium, Inn ,.x r_ e e tétra - de tétrs -onimi, ' -y :1 N ~ de tétra-, anion(s) 2- R4 R225 présente invention concerne une composition de polissage chimico-mécauigt initia : de l'eau ; une granulométrie moyenne 5 poids d'une substance , )n,o enant, co-ne (orposants à poids d'abrasif ayant à 150 nm ; de 0,001 à 1 % en selon la formule (II) : anion (II) dans laquelle A est choisi parmi N et P ; dans laquelle chaque R8 est indépendamment choisi parmi un atome d'hydrogène, un groupe alkyle en C1-C15 saturé ou insaturé, un groupe aryle en C6-C15, un groupe aralkyle en C6-C15 et un groupe alkaryle en C6-C15 ; et, dans laquelle l'anion dans la formule (II) peut être n'importe quel anion qui équilibre la charge + sur le cation de formule (II) ; et au moins un de (a) 0,001 à 1 % en poids d'une substance diquaternaire de formule (I) R4 R5 R6 aniom,) R7 dans chaque est ndasnn Iaguell ch( -C15 s.1 e c_1 Vt' groupe aralkyle en ; dans g elle R7 se chacun ndep idamment choisis n 2- (I) choisi ami N en et un R4, R5, R6 et un atone d'hydrogène, un groupe alkyle en C1-C15 saturé ou insaturé, un -pe aryle en C6-Cl5r un gro- 7,1_alktyle en C6-C16, un gro-pe alkarjle du C6-C16 ; et, dans le l'anion dans la formule (I) c- tre n'importe anion ou une , o-bin d'anions ibre la charge 2+ sur le cation formule (I) ; et, (b) 0,005 à 1 % en poli d'un coup d'ammonium quaternaire choisi parmi l'hydroxyde tétraméthylarnunonium, 10hydroxyde de tétraéthylammonium, l'hydroxyde de tétrapronylammonium, l'hydroxyde de tétra- IO isopropylammonium, l'hydroxyde de tétracyclopropylammonium, l'hydroxyde de tétrabutylammonium, l'hydroxyde de tétraisobutylammonium, l'hydroxyde de tétratertbutylammonium, l'hydroxyde de tétrasecbutylammonium, l'hydroxyde de tétra- cyclobutylammonium, l'hydroxyde de tétrapentylammonium, 15 l'hydroxyde de tétracyclopentylammonium, l'hydroxyde de tétrahexylammonium, l'hydroxyde de tétracyclohexylammonium et des mélanges de ceux-ci. La présente invention concerne une composition de polissage chimico-mécanique, comprenant, comme composants 20 initiaux : de l'eau de 0,1 à 40 % en poids d'abrasif ayant une granulométrie moyenne de 5 à 150 nm ; de 0,001 à 1 % en poids d'une substance diquaternaire de formule (I) : 2+ 2- X R6 alll()11(q R7 C6-CIE R4, cnu. chacun I én (1) choisi ,r- N roaen 25 d'hydrogène, un groupe alkyle en C1-C saturé ou insaturé, un groupe le en C6-C15, un gros '- en C6-C15 e - un groupe lcar -le en C6-C15 ; et, daus laquelle l'anion formule {1 peut être n'importe quel anion ou une combinaison d'anions qui libre la charge 2+ sur le cati de formule (1) ; et, de 0,001 à 1 % en poids d'une su ace adamantyle selon la formule (II) anion (II) dans laquelle A est choisi parmi N et P ; dans laquelle chaque R8 est indépendamment choisi parmi un atome d'hydrogène, un groupe alkyle en C1-C15 saturé ou insaturé, un groupe aryle en C6-C15, un groupe aralkyle en C6-C15, un groupe alkaryle en C6-C15 ; et, dans laquelle l'anion dans la formule (II) peut être n'importe quel anion qui équilibre la charge + sur le cation de formule (II). La présente invention concerne une composition de polissage chimico-mécanique, comprenant, comme composants nitiais : de l'eau ; de 0,1 à 40 % en poids d'abrasif ayar une , ,7o- e de à 15C e ; e 0,001 à poids d' ne ubs adamar anion (II) dans laquelle A est choisi parmi N et P ; dans laquelle chaque R8 est indépendamment choisi parmi un atome d'hydrogène, un groupe alkyle en C1-C15 saturé ou insaturé, un groupe aryle en C6-C15, un groupe aralkyle en C6-C15 et un groupe alkaryle en C6-C15 ; et, dans laquelle l'anion dans la formule (II) peut être n'importe quel anion qui équilibre la charge + sur le cation de formule (II) ; et de 0,005 à 1 % en poids d'un composé d'ammonium quaternaire choisi parmi l'hydroxyde de tétraméthylammonium, l'hydroxyde de tétraéthylammonium, l'hydroxyde de tétrapropylammonium, l'hydroxyde de tétraisopropylammonium, l'hydroxyde de tétracyclopropylammonium, l'hydroxyde de tétrabutylammonium, l'hydroxyde de tétraisobutylammonium, l'hydroxyde de tétratertbutylammonium, l'hydroxyde de tétrasecbutylammonium, l'hydroxyde de tétracyclobutylammonium, l'hydroxyde de tétrapentylammonium, l'hydroxyde de tétracyclopentylammonium, l'hydroxyde de tèr , l'hyC -de de teitracyclo 1 srenium et dE ceux- idn )nc e rne un iMpOO po sage chimie contact 1 tir que au n -eau d'une polissage chimico-mécanique et le substrat avec une portance négative de 0,69 à 34,5 kPa ; la distribution de la composition de pot i= a _ chimicoe apique é sur le t -pan de poli. chîrIca-mécanique au niveau ou proche de l'interface entre le tampon de polissage cnimico m° et le substrat la composition de poliss aqe .imico mécanique ayant un pH de 2 à 6. La présente invention concerne un procédé pour le polissage chimico-mécanique d'un substrat compre=nant : la fourniture d'un substrat, le substrat comprenant du dioxyde de silicium la fourniture d'une composition de polissage chimico-mécanique de la présente invention la fourniture d'un tampon de polissage chimico-mécanique ; la création d'un contact dynamique au niveau d'une interface entre le tampon de polissage chimico-mécanique et le substrat avec une portance négative de 0,69 à 34,5 kPa ; et la distribution de la composition de polissage chimico-mécanique sur le tampon de polissage chimico-mécanique au niveau ou proche de l'interface entre le tampon de polissage chimico-mécanique et le substrat ; la composition de polissage chimico-mécanique ayant un pH de 2 à 6 ; et, la composition de polissage chimicomécanique présentant une vitesse d'élimination du dioxyde de silicium d'au moins 1500 Â/minute. utilisé Ici et dans ep- erence à une -edificat:_p --o. de 1' ça c a ilicium (pour d' e tir mesurée en Airin :c ;d...tant de 30 ppoan- e a:a tyle de :ale {11) à poil signifie cpe vitesse d'éliminat'pe sine. oai ée de 10 %. que l'eqp esion sp Lee va re satisfaite, e lorsque l'ajout de la substance adamantyle formule (II) à la comeosition de polissage chimico-mécanique a un effet minimal sur la vitesse d'élimination de l'oxyde de silicium : (la valeur absolue de (Ao-A) i-)*100 Le choix de la formulation spécifique de la composition de polissage chimico-mécanique utilisée dans le procédé de polissage chimico-mécanique de la présente invention est un facteur clé pour obtenir des vitesses d'élimination du dioxyde de silicium cibles. Le substrat approprié pour une utilisation dans le procédé de polissage chimico-mécanique la présente invention pour le polissage chimico-mécanique comprend un substrat semiconducteur ayant déposé sur celui-ci du dioxyde de silicium. Facultati le substrat comprend du dioxyde de silicium déposé sur au moins un composé choisi parmi SiC, Si.CN, SiCO et un polysili (de manière prof entre toutes Si Les aorasi, pos tion e "'s aie Lon een , re= in re ',lie pour une UtiI 9 n dans la30 PO Hère et des mélanges comprenant au moins l'un appropriés co ,s =lent par rple la silice (Si02), l'alumine (Al203), la zircone (ZrO9), mar g d1_ts . Les oxydes inorc MnO2), de titane (TiO2) ou des combe_ a ions comp7 ça au moins l'1 des oxydes pi ced nts. Les formes modif ev de ces o: inorganiques, telles que les particules d'oxyde ino enduites d'un polymère organique et les particules enduites d'un composé organique, peuvent également être utilisées si souhaité. Les carbures, les borures et les nitrures métalliques appropriés comprennent par exemple le carbure de silicium, le nitrure de silicium, le carbonitrure de silicium (SiCN), le carbure de bore, le carbure de tungstène, le carbure de zirconium, le borure d'aluminium, le carbure de tantale, le carbure de titane ou des combinaisons comprenant au moins l'un des carbures, borures et nitrures métalliques précédents. De préférence, l'abrasif est un abrasif de silice colloïdale. L'abrasif dans la composition de polissage chimico- mécanique de la présente invention a de préférence une granulométrie moyenne de 5 à 150 nm ; plus préférablement de 20 à 100 nm ; encore plus préférablement de 20 à 60 nm ; et de manière préférée entre toutes de 20 à 50 nm. L'abrasif dans la c=po..~ïtion de polis:, chimico- ~ 'îï_'17.00Ccil71 ,de composés mécanique de poids, plus pi ::_ l eu tout de 1 à en poids l'oxyde de cérium (CeO2), e invention comprend de 0,1 à 40 % en sas plus De co 60 l30 10 % en poids d'un abrasif de silice colloïdale allant une granulométrie ;yen ne de 60 nm. De ni e préférée entre toutes, la compés. ni de polissage chiaJco mécanique de la présente invent comprend de 1 à 10 - en poids d'un abrasif _cn 5 de silice colloïta -, une granulométrie moyenne, de 20 à 50 nm. De préférence, la composition de polissage chimicomécanique de la présente invention comprend de 0,001 à 1 % en poids, plus préférablement de 0,01 à 0,1 % en poids, de 10 manière préférée entre toutes de 0,01 à 0,05 % en poids d'une substance adamantyle selon la formule (II) : + anion (II) dans laquelle A est choisi parmi N et P (de préférence N) ; dans laquelle chaque R8 est indépendamment choisi parmi 15 un atome d'hydrogène, un groupe alkyle en C1-C15 saturé ou insaturé, un groupe aryle en C6-C15, un groupe aralkyle en C6-C15 et un groupe alkaryle en C6-C15 (de préférence un atome d'hydrerîène et un (_J o ope alkyle en C ; plus préférablement et ce Jiyle ; de man 20 entre ` es un ç ; et, dans ' e la forrale (II) :bée charge + s l'an ar_ la ( n _z 1 a_ Uri 2ge 25 manie pre entre toutes un anion éiréé 'de) Plus préférablement, la composition de polissage chimico-mécanique de la présente invention comprend de 0,001 à 1 % en poids, plus ' arl de 0,01 à 0, 1 % en po i, , de manière preie utes de 0,01 à 0,05 en poids d'une substance adcJa Dyle, dans le la .stance adamantyle est une substance d'adamant 8anemnium de formule (II) ; dans laquelle A est N ; dans laquelle chaq_e i8 est indépendamment choisi parmi un atome d'hydrogène, groupa alkyle en C1-C saturé ou insaturé, un groupe aryle en C6-C15, un groupe aralkyle en C6-CI5 et un groupe alkaryle en C6-C15 (de préférence un atome d'hydrogène et un groupe alkyle en Cl-C4 ; plus préférablement un atome d'hydrogène et un groupe méthyle ; de manière préférée entre toutes un groupe méthyle) ; et, dans laquelle l'anion dans la formule (II) peut être n'importe quel anion qui équilibre la charge + sur le cation de formule (II) (de préférence l'anion dans la formule (II) est choisi parmi un anion halogène, un anion hydroxyde et un anion nitrure ; plus préférablement un anion halogène et un anion hydroxyde ; de manière préférée entre toutes un anion hydroxyde). De manière préférée entre toutes, la composition de polissage chimico-mécanique de la présente invention comprend de 0,01 à 0,05 % en poids d'une substance d'adamantylammonium répondant à la formule suivante off L'inclusion de la de ans la stabilité a eeepes polis sage cc).- mécanique la présente invention avec un effet minimal sur la a.~itesse d'élimination de 1' o~r~~de de silicium. De pref de , la vitesse d'élimination de i' e de silicium, (A), en A/min, exhibée par la composition polissage chimicoemécas ae de la ente invention, comme mesurée dans les conditions ( polissage décrites dans les Exemples, est 95 % (plus préférablement % 99 % ; de manière préférée entre toutes 99 %) de la vitesse d'élimination de 1' de de silicium, (A5), obtenue dans des conditions idéales mises à part que la substance adamantyle de formule (II) est absente de la composition de polissage chimico-mécanique. L'eau contenue dans la composition de polissage chimicomécanique de la présente invention est de préférence une eau désionisée et/ou une eau distillée pour limiter les impuretés secondaires. Facultativement, la composition de polissage chimicomécanique de la présente invention comprend, comme composant initial : une substance diquaternaire de formule (I) : (I) dans laquelle chaque X est indépendamment choisi parmi N chaque X est N dans laquelle RI est asis pars' (Dupe alkyle en e ou --aLaré, un et un 0roi. en (de eece alkyle -ore -ablemen un anion(s) 2- groupe groupe a:sac:an )encii groupe akyl{ ,- suturé ou ré, un gros -De aryle en C6-C15, un groupe aralkyle en C6° et un groupe alkaryle en C6-C,5 (de préférence atome d' ~ackrogèue et un groupe alkyle en CI-Cd ; plus pre raslement atome d'hydrog sa et un groupe 1 yle ; de niere préférée entre toutes un groupe mesr ; et, dans l'anion dans la formule (I) peut être n'importe quel anion ou une combinaison d'anions qui équilibre de la charge 2+ sur le cation de formule (I) (de préférence le ou les anions dans la formule (I) sont choisis parmi les anions halogènes, les anions hydroxydes, les anions nitrates, les anions sulfates et les anions phosphates ; plus préférablement les anions halogènes et les anions hydroxydes ; de manière préférée entre toutes les anions hydroxydes). De préférence, la composition de polissage chimico-mécanique de la présente invention comprend, comme composant initial, de 0,001 à 1 % en poids (plus préférablement de 0,01 à 0,1 % en poids, de manière préférée entre toutes de 0,01 à 0,05 % en poids) d'une substance diquaternaire de formule (I). De manière préférée entre toutes, la composition de polissage chimico-mécanique de la présente invention comprend de 0,01 à 0,05 % en poids d'une substance diquaternaire de formule (I), dans laquelle X est N ; RI est un groupe -(CH2)6- ; et, dans laquelle R2, R3, R4, R5, R6 et R7 sont chacun un groupe (CH2)3CH3. L'inclusion de la substance diquaternaire de formule (I) accélère la vitesse d'élimination du dior~yde de silice. Fas a s-ssI , la -rs( ition 0 i M e 0100050 poids (de préferenoe de 0 do 0,0'75 à 0,75 30 de 0, 5 5 à 0,05 osos is os, parmi de h dros72 de dosopylasmon 'h dro> c tétrabutylammonium, l'hylrox-e de tétrahexyld7monium, l'hydroxyde de te` ' ycichexyl monium et des mélanges de ceux-ci (de manière Ceree entre toutes choisi parmi l'hydroxyde de tétraéthylamronium (TEAH), 10 l'hydroxyde de tétraméthylammonium (TMAH) et l'hydroxyde de tétrabutylammonium (TBAH)). La composition de polissage chimico-mécanique de la présente invention comprend en outre facultativement d'autres additifs choisis parmi les dispersants, les tensioactifs, les 15 tampons et les biocides. La composition de polissage chimico-mécanique de la présente invention est facultativement exempte d'agent d'inhibition de la corrosion. Le terme « exempte d'agent d'inhibition de la corrosion tel qu'utilisé ici et dans les 20 revendications annexées signifie que la composition de polissage chimico-mécanique ne comprend pas de benzotriazole ; 1,2,3-benzotriazole ; 5,6-diméthyl-1,2,3-benzotriazole ; 1-(1,2-dicarboxyéthyl)benzotriazole ; 1-[N,N-bis(hydroxyléthyl)aminométhylibenzotriazole ou 25 1-(hydroxy] hyl)benzotriazole. ' ion de po" chimico-e signifi 30 p a7e ne ie le les 7,,rsuif-, par isoprop =mium, l'hydroxyde de tétracyclopropylarnonium, l'hydroxyde tétraisobut l'h -oxyde de tétratertbuty .=enium, l'hydroxyde ae tétrasecbutyl,=cnium, de 1-rronium, dbutylamnonii , l'hydroxyde de tétrapE acyclopentylammopium, l'hya .oxyae de potassium) et les sels de périodate (par exemple le périodate de potassium). La ((no( n de poli chimico-mécanique de la offre use ef -cité sur une plage de pH de la composition de polissage chimico- de mécanique utilisée offre une efficacité sur une plage de pH de 2 à 5. De manière préférée entre toues, la composition de polissage chimico-mécanique utilisée offre une efficacité sur une plage de pH de 2 à 4. Les acides appropriés pour ajuster 10 le pH de la composition de polissage chimico-mécanique comprennent, par exemple, l'acide phosphorique, l'acide nitrique, l'acide sulfurique et l'acide chlorhydrique. Les bases appropriées pour un ajustement du pH de la composition de polissage chimico-mécanique comprennent, par exemple, 15 l'hydroxyde d'ammonium et l'hydroxyde de potassium. De préférence, la composition de polissage chimico- mécanique de la présente invention exhibe une vitesse d'élimination du dioxyde de silicium > 1500 À/minute ; plus préférablement > 1800 À/minute ; de manière préférée entre 20 toutes > 2000 À/minute. De préférence, la composition de polissage chimicomécanique de la présente invention comprend, comme composants initiaux : de l'eau ; de 0,1 à 40 % en poids (de préférence de 0,1 à 20 en poids, encore plus préférablemeni ' à 20 % en 25 poids, manière préférée entre toute de 1 à 10 % en nids) d' In o à 15C 20 à 30 nm, ; de 0,001 à en O, Cl 30 -abiemen- de t, , 06 % dicta rusai ule (I) + 2- ,HIOII(',) (1) dans e chaque X est indepenaaTment choisi parmi N et P, de préférence chaque X est N ; dans laquelle R' est choisi parmi un groupe alkyle en CI-C15 saturé ou insaturé, un groupe aryle en C6-C15 et un groupe aralkyle en C6-C15 (de préférence un groupe alkyle en C4-C20 ; plus préférablement un groupe alkyle en C2-C6 ; de manière préférée entre toutes un groupe -(CH2)6-) ; dans laquelle R2, R5, R4, R5, R6 et R7 sont chacun indépendamment choisis parmi un atome d'hydrogène, chacun indépendamment choisi parmi un atome d'hydrogène, un groupe alkyle en C1-C15 saturé ou insaturé, un groupe aryle en C6-C15, un groupe aralkyle en C6-C,5 et un groupe alkaryle en C6-C15 (de préférence un atome d'hydrogène et un groupe alkyle en C1-C4 ; plus préférablement un atome d'hydrogène et un groupe méthyle ; de manière préférée entre toutes un groupe méthyle) ; et, dans laquelle l'anion dans la formule (I) peut être n'importe quel anion ou une combinaison d'anions qui équilibre de la charge 2+ sur le cation de formule (I) (de préférence le ou les anions dans la formule (I) sont choisis parmi les anions halogenes, les anions hydroxydes, les anions nitrates, les anions sulfates et les ar ; plus eent le-7 bal les - -anie- ,00l à p 0, 01 à C,I poids ; - , L,ri e'.. (Loi à 0, 05 poids) adas -,' -le (7r. 19 R7 anion - - (II) dans laquelle A est choisi parmi N et P (de préférence N) ; dans laquelle chaque R8 est indépendamment choisi parmi un atome d'hydrogène, un groupe alkyle en C1-C15 saturé ou 5 insaturé, un groupe aryle en C6-C15, un groupe aralkyle en C6- C15 et un groupe alkaryle en C6-C15 (de préférence un atome d'hydrogène et un groupe alkyle en Cl-C4 ; plus préférablement un atome d'hydrogène et un groupe méthyle ; de manière préférée entre toutes un groupe méthyle) ; et, dans laquelle 10 l'anion dans la formule (II) peut être n'importe quel anion qui équilibre la charge + sur le cation de formule (II) (de préférence l'anion dans la formule (II) est choisi parmi un anion halogène, un anion hydroxyde et un anion nitrure ; plus préférablement un anion halogène et un anion hydroxyde ; de 15 manière préférée entre toutes un anion hydroxyde) ; et, de 0 à 1 % en poids (de préférence, de 0,005 à 1 % en poids ; plus préférablement de 0,005 à 0,075 % en poids, de manière e toute. 0,005 à 0,05 t ids) d'un co',posé ; la revendications annex 25 stc->ck cage. ici et da. 1-c,eca.nique de la une abilité au isé siçtl iie crue la viscosité de la composition de polissage chimico-mécanique du sujet .ente de moins de 5 % après un stockage à 55 °C pendant une semaine, la viscosité étant eu se utilisant un viscosimètre de Brookfield DV-I+ à 20 en utilisant un rotor 'Pile de Brookfield fixé à une esse 100 tr -lute. Plus préférablement, la c -pd ition dse polissage chimico-mécanique de la présente invention possède une stabilité au stockage prolongé. Le terme « stabilité au stockage prolongé tel qu'utilisé ici et dans les revendications annexées signifie que la viscosité de la composition de polissage chimico-mécanique du sujet augmente de moins de 15 % après un stockage à 55 °C pendant 4 semaines, la viscosité étant mesurée en utilisant un viscosimètre de Brookfield DV-I+ à 20 °C en utilisant un rotor mobile #S00 de Brookfield fixé à une vitesse de 100 tr/minute. Le procédé de polissage chimico-mécanique de la présente invention comprend : la fourniture d'un substrat, le substrat comprenant du dioxyde de silicium (facultativement du dioxyde de silicium et au moins un composé choisi parmi SiC, SiCN, Si3N4, SiCO et un polysilicium ; de préférence le dioxyde de silicium déposé sur du nitrure de silicium) ; la fourniture d'une composition de polissage chimico-mécanique de la présente invention, la composition de polissage chimicoméca 'que ec:oree it, co me composants initiaux : de l'eau ; de 0,1 à ^0 cm poids (de préférence de 0,1 à 20 % en poids, de 0 ,ol à en poids d'une R2 (1) dans laquelle cnedie ind edduederlt choisi parmi N et P, de préférence chaque est LI ; dans laquelle RI est choisi parmi un groupe alkyle en C1-C15 saturé ou insaturé, un 5 groupe aryle en C6-C15 et un groupe aralkyle en C6-C15 (de préférence un groupe alkyle en C4-CIO ; plus préférablement un groupe alkyle en C2-C6 ; de manière préférée entre toutes un groupe -(CH2)6-) ; dans laquelle R2, R3, R4, R5, R6 et R7 sont chacun indépendamment choisis parmi un atome d'hydrogène, un 10 groupe alkyle en CI-CI5 saturé ou insaturé, un groupe aryle en C6-C15, un groupe aralkyle en C6-C15 et un groupe alkaryle en C6-C15 (de préférence un atome d'hydrogène et un groupe alkyle en C1-C4 ; plus préférablement un atome d'hydrogène et un groupe méthyle ; de manière préférée entre toutes un groupe 15 méthyle) ; et, dans laquelle l'anion dans la formule (I) peut être n'importe quel anion ou une combinaison d'anions qui équilibre de la charge 2+ sur le cation de formule (I) (de préférence le ou les anions dans la formule (I) sont choisis parmi les anions halogènes, les anions hydroxydes, les anions 20 nitrai anions sulfates es les anions phosphates ; plus ions halo. e unions cri ; ; hyddnx de à m. 2- 2+ aniow anion -- - - -- (II) dans laquelle A est choisi parmi N et P (de préférence N) ; dans laquelle chaque R8 est indépendamment choisi parmi un atome d'hydrogène, un groupe alkyle en C1-C15 saturé ou insaturé, un groupe aryle en C6-C15, un groupe aralkyle en C6-C15 et un groupe alkaryle en C6-C25 (de préférence un atome d'hydrogène et un groupe alkyle en C1-C4 ; plus préférablement un atome d'hydrogène et un groupe méthyle ; de manière préférée entre toutes un groupe méthyle) ; et, dans laquelle l'anion dans la formule (II) peut être n'importe quel anion qui équilibre la charge + sur le cation de formule (II) (de préférence l'anion dans la formule (II) est choisi parmi un anion halogène, un anion hydroxyde et un anion nitrure ; plus préférablement un anion halogène et un anion hydroxyde ; de manière préférée entre toutes un anion hydroxyde) ; et, de 0 à 1 % en poids (de préférence de 0,005 à 1 % en poids ; plus préférablement de 0,005 à 0,075 % en poids, de manière préf tout de 0,005 à 0,05 % en poids) d'un eompo 4 25 i oo m caniqüe .0 nive ü cru proche de 1' interface entre le tampon de polissage chimico-mécanique et le substrat ; la composition de polissage chimico-mécanique ayant un pH de 2 à 6, c e préférence de 2 â 5, de manière préférée entre to te de a 4 ; le dic silicium et le nitr re de silici exp_ sés i la co.... position de polis ac;e chimico-mécanique ; et la composition de polissage chimi mécanique exhibant une vitesse d'ination du dioxyde de silicium > 1500 Âlminute ; de préférence > 1800 A/minute ; plus préférablement > 2000Iminute. De préférence, la composition de polissage chimico-mécanique utilisée exhibe en outre une sélectivité du dioxyde de silicium au nitrure de silicium > 5 :1, plus préférablement > 6 :1. De préférence, l'abrasif utilisé dans la composition de polissage chimicomécanique est une silice colloïdale et la composition de polissage chimico-mécanique utilisée exhibe une vitesse d'élimination du dioxyde de silicium d'au moins 1500 Âlminute ; de préférence d'au moins 1800 Âlminute ; plus préférablement d'au moins 2000 Âlminute avec une vitesse de plateau de 93 révolutions par minute, une vitesse de support de 87 révolutions par minute, un débit de la composition de polissage chimico-mécanique de 200 ml/minute, et une portance négative nominale de 20,7 kPa (3 psi) sur une machine de polis>age de 200 mm (par exemple une machine de polissage de Applied Materials) où le tampon de polissage chimico-mécanique comprend une couche auicu?E non pci ,uréthane eolaire et éthane (par P .ohm de polissage en oçet_ de la prés e s e ubs 0 rat, le u nitrure d4posé sur du nitrure de silicium ; la fourniture d'une composition de po? a e chi r;i_co _ ,.ecanique de la présente-ention comprenant, comme co.np Exemple comparatif Cl et exemples Al et A2 Préparation des compositions de polissage chimico-mécanique Les compositions de polissage chimico-mécanique utilisées dans l'exemple comparatif de polissage PC1 et les exemples de polissage PAl et PA2 (nommées respectivement compositions de polissage chimico-mécanique Cl, Al et A2) sont préparées en combinant les composants avec les quantités indiquées dans le tableau 1 et en ajustant le pH des compositions au pH final indiqué dans le tableau 1 avec de l'acide phosphorique ou de l'acide nitrique comme indiqué. Tableau 1 as i t (% en poids) rash (% en poids) TMAA=` (% en poids) Ex HBHMAH~ en poids) C 5 0,0 0 5 0,0 0, 0 0,0J Inc.). e n invention pif I--st. peî onic Materia3s, )scc pi o The e_r. c )n de K ec' o ï Trials, d PL_5 ' ~ Eî 5 The diammon t:1 ma-Aldrich Co. ( grade pur) C HO ,dre Ce de mé In, -1-adamar =pi d de grade de réac régulier de Sachem, Inn. le pH est ajusté selon le besoin en utilisant du HNO3 ou du KOH pour obtenir la valeur indiquée. Exemple comparatif PC1 et exemples 221 et PAl 10 Tests de polissage cnimico-mécanique Les de polissage pour évaluer d'élimination du dioxyde de silicium sont réalisés en utilisant les =positions de polissage chimi mécanique e,- man. , 2ç é dl ici na I or: '" po- ails de 0 ideetl£:«w dans b SSe so ce s Y-COS a UrI a2Ë nacnine exe 15 polissage rincé de Applé cd Materials polissage en polyuréthane IcioloT'm (commercialement disponible chez Rodrs Mans Electronic Materials CMP Inc.) avec une portscm rooinale de 20,7 Da (3 psi), un débit de la composition de polissage chimico-mécanique de 200 ml/minute, une - de rotation de table de 93 tr/minute et une vitesse de rotation de support de 87 tr/minute. Les vitesses d'élimination du dioxyde de silicium sont déterminées en mesurant l'épaisseur du film avant et après le polissage en utilisant un outil de métrologie FX200 de KLA-Tencor. Les résultats des expériences de mesure de la vitesse d'élimination du dioxyde de carbone sont donnés dans le tableau 2. Tableau 2 Exemple de Composition de Vitesse polissage # polissage d'élimination du SiO2 (A/min) PC1 Cl 2488 PA1 Al 2475 PA2 A2 2471 Test de stabilité accélérée Les compositions de polissage préparées selon l'exemple comparatif Cl et les exemples Al et A2 sont soumises à un test de vieillissement accéléré pour évaluer la. stabilité de ces 20 compositions. De manière spécifique, compositions de. polissage sont placées dans un 'our réglé d 55 C pendant une 'ode de , sema e shqs posnion suce -suree endomada en- polissage de la présente invention exhibent une stabilité significa aaent améliorée. Tableau 3 Composition de poli aga A2 Al Cl Initiale 1,3 2,3 1,2 1,2 1,2 1,2 Viscosité (cP) 3,5 Gélifiée 1,4 1,6 1,3 1,3 Semaine Semaine Semaine 2 3 4 Géli Précipité formé 5 REVENDICATIONS1. position de polissage chimico-mécanique, co , _, comme composants initiaux : l'eau ; de 0,001 à 1 % en poids d'une substance adamantyle de formule (II) : anion dans laquelle A est choisi parmi N et P ; dans laquelle 10 chaque R8 est indépendamment choisi parmi un atome d'hydrogène, un groupe alkyle en C1-C15 saturé ou insaturé, un groupe aryle en C6-C15, un groupe aralkyle en C6-C15, un groupe alkaryle en C6-C15 ; et, dans laquelle l'anion dans la formule (II) peut être n'importe quel anion qui équilibre la 15 charge + sur le cation dans la formule (II) ; de 0 à 1 % en poids d'une substance diquaternaire de formule (I) : x x R6 2+ 2- allI0111,,) R2 R (I) lie cl- a, cr choisi parmi N 20 et P ; da- choie en C1-C15 s&' insaturé, un gree e aryle en '.'6-CIE et ungroupe aralkyle en C6-CI=, ; dans laquelle R2, , R4, R6, R6 R7 sont chacun in ne -armoent choisis parmi un atome d'hy , un groupe al en CI-C6 soturP ou ire turé, groupe aryle en C6-C15, un groupe aralkyle C6-C15, un groupe alkaryle en C6-C15 ; et, dans laoL e l'anion de formule (1) peut être n'importe quel anion ou une combinaison d'anions qui équilibre la charge 2+ sur le cation dans la formule (1) ; et de 0 à 1 % en poids d'un composé d'amronium quaternaire choisi parmi l'hydroxyde de tétra hylamnonium, l'hydroxyde de tétraéthylammonium, l'hydroxyde de tétrapropylammonium, l'hydroxyde de tétraisopropylammonium, l'hydroxyde de tétracyclopropylammonium, l'hydroxyde de tétrabutylammonium, l'hydroxyde de tétraisobutylammonium, l'hydroxyde de tétratertbutylammonium, l'hydroxyde de tétrasecbutylammonium, l'hydroxyde de tétracyclobutylammonium, l'hydroxyde de tétrapentylammonium, l'hydroxyde de tétracyclopentylammonium, l'hydroxyde de tétrahexylammonium, l'hydroxyde de tétracyclohexylammonium et des mélanges de ceux-ci. 2. Composition de polissage chimico-mécanique selon la revendication 1, caractérisée en ce qu'elle comprend, comme composant initial, au moins un de (a) 0,001 à 1 % en poids d'une substance diquaternaire de formule (1) ; et, 0,005 à 1 % en poids d'un composé d'a0000nium 3. , ion de chi mica selon Ja dIcation 1, carac ( ee°p:eO e pcios d' e subs osa._. in di maire ,P 4. Composition de polissage chimico-n-éeanique selon la revendication dans laquelle X est N ; RI est un groupe - et, clan laquelle R2, R3, R4, R5, R6 et R7 sont chic un groupe - (CH2) 3CH3 5. Composition c'e polissage chimico- 2 anique selon la revendication 1, dans laquelle A est N et dans laquelle chaque R8 est un groepe -CH3. 10 6. Composition de polissage chimico-mécanique selon la revendication 3, dans laquelle A est N et dans laquelle chaque R8 est un groupe -CH3. 7. Procédé pour le polissage chimico-mécanique d'un 15 substrat, comprenant la fourniture d'un substrat, le substrat comprenant du dioxyde de silicium ; la fourniture d'une composition de polissage chimicomécanique selon la revendication 1 ; 20 la fourniture d'un tampon de polissage chimico- mécanique ; la création d'un contact dynamique au niveau d'une interface entre le tampon de polissage chimico-mécanique et le trat avec une portance ive de 0,69 à 34,5 kPa ; et 25 la distribution de la composition de polis, imico- e sur le auc de poli ,age veau fJ 'â. procne iii: pO, poli - age -er e- el en la Lee- e ndic , _7 S el la e aniq-Je C071_ end, CO.: `le en ce non la eepc.7 ion de p 6. 30corpoeants initiaux : de 1 à 10 % en poids d'un abrasif de silice colloïdale ayant granula :7esuie layeme de 20 à 60 ; de 0,01 à o, en poids d'une substance digua ternaire de rnul et de 0,01 à 0,05 % en poids d' substance ana tyle de formule (II) ; dans laquelle chaq est N ; un groupe -(CH2)6- ; dans laquelle R2, R3, R6, R6 et R7 sont chacun un groupe -(CH2)2 H3 ; dans laquelle le ou les anions dans la formule (I) sont deux anions hydroxydes ; dans laquelle A est N ; et dans laquelle chaque R8 est un groupe -CH3, dans laquelle l'anion dans la formule (II) est un anion hydroxyde. 9. Procédé selon la revendication 8, dans lequel l'abrasif est une silice colloïdale ; et dans lequel la composition de polissage chimico-mécanique exhibe une vitesse d'élimination du dioxyde de silicium d'au moins 1500 A/minute avec une vitesse de plateau de 93 révolutions par minute, une vitesse de support de 87 révolutions par minute, un débit de la composition de polissage chimico-mécanique de 200 mi/minute, et une portance négative nominale de 20,7 kPa sur une machine de polissage de 200 mm où le tampon de polissage chimico-mécanique comprend une couche de polissage en polyuréthane comprenant des microparticules de polymère à fleur alvéolaire et un sous- , non tissé imprégné de polyuréthane. 10. 0c la eqicati 7, Jans qu le substrat cos pree en outre au composé chois parmi SiC, SiCN, SiCO icium.