FR 2961012 A1 20111209 FR 1154918 A 20110607 Domaine de l'invention La présente invention se rapporte à un procédé de fabrication d'un composant à contact traversant ainsi qu'un composant réalisé par ce procédé. Etat de la technique Les structures de contact électrique traversant un substrat ou une zone d'un substrat existent sous différentes réalisations. De telles structures de contact encore appelées structures VIA (Vertical interconnect access), ou contact traversant sont de plus en plus utilisées car ces structures favorisent la réalisation de composants peu encombrants. On peut également superposer plusieurs composants, verticalement et les relier électriquement par des contacts traversants ce qui permet d'obtenir des dispositifs de faibles dimensions (dimensions latérales). Les procédés connus de réalisation d'un contact traversant consistent à isoler une zone de substrat appartenant à un substrat électroconducteur qui fonctionnera comme « chemin conducteur » par rapport à la matière environnante du substrat. Cela se fait avec le procédé de gravure de sillon pour générer une structure en sillon entourant la zone de substrat, cette structure ayant en général un grand rapport d'aspect. La zone de substrat concernée est suspendue sur sa face supérieure à des éléments isolants. On ferme ainsi la structure en sillon et on réalise une surface lisse. La fermeture de la structure en sillon évite l'introduction aléatoire et accidentelle de matière qui pourrait détériorer les caractéristiques d'isolation du sillon ou réduire la fiabilité du contact traversant. La surface supérieure lisse permet ou facilite la réalisation des étapes de procédé suivantes telles que par exemple les procédés CMOS (Complementary Metal Oxide Semiconductor) et MEMS (Micro-Electro-Mechanical System). Dans les procédés connus on réalise une structure en sillon ayant une géométrie prédéfinie qui s'ouvre légèrement et qui sera ensuite remplie par exemple avec une couche d'oxyde assurant l'isolation et un matériau de remplissage tels que du polysilicium. Ensuite on applique un procédé d'aplanissement pour lisser la surface. La forme prédéterminée du sillon est réglée d'une manière relativement précise et le remplissage complet du sillon ainsi que l'opération d'aplanissement font que ce procédé est relativement compliqué et difficilement contrôlable. Un autre procédé connu consiste à réaliser une structure en sillon relativement étroite fermée à proximité de la surface par le dépôt d'une couche d'oxyde. Pour que le point de fermeture descende aussi profondément que possible une variante de ce procédé prévoit tout d'abord de déposer un premier oxyde sur lequel on applique une gravure en retrait anisotrope et ensuite on dépose un second oxyde. On peut prévoir une étape d'aplanissement pour lisser la fermeture réalisée par l'oxyde. Ce procédé nécessite également un travail important et de plus il ne peut s'appliquer que dans certains cas. D'une part les moyens à mettre en oeuvre augmente fortement avec l'augmentation de la largeur du sillon que l'on veut fermer et d'autre part, on ne peut pas réaliser des structures en sillon très étroites et en même temps très profondes. But de l'invention l,a présente invention a pour but de développer un procédé de fabrication d'un composant à contact traversant qui soit plus simple, plus économique, et remédiant aux inconvénients à des solutions connues. Exposé et avantages de l'invention A cet effet l'invention a pour objet un procédé de fabrication d'un composant à contact traversant comprenant les étapes 25 de procédé suivantes - utiliser un substrat, - réaliser une couche isolante sur le substrat, - structurer la couche isolante, la couche isolante étant enlevée au moins dans une zone 30 prédéfinie de gravure de sillon, entourant une zone de substrat, - réaliser une opération de gravure pour laquelle la couche isolante structurée sert de masque pour enlever la matière du substrat dans la zone de gravure de sillon et réaliser une structure de sillon entourant la zone de substrat, et réaliser une couche métallique sur la couche isolante qui ferme la structure en sillon. Le procédé selon l'invention est relativement simple à mettre en oeuvre et robuste. Le procédé se caractérise par un nombre réduit d'opérations. II est avantageux que la couche isolante serve à la fois de masque de gravure pour l'opération de gravure et de couche d'isolation du composant. La structure en sillon est fermée (hermétiquement) par une couche métallique réalisée sur la couche isolante au lieu de remplir la structure en sillon avec des couches w d'isolation ou de remplissage comme cela se fait dans les procédés complexes selon l'état de la technique. L'utilisation de la couche métallique permet en outre de réaliser une fermeture relativement robuste c'est-à-dire mécaniquement stable de la structure en sillon. La couche métallique réalisée aura une surface plane de sorte que pour les 15 éventuelles opérations à effectuer ensuite il n'est pas nécessaire d'aplanir cette surface. La couche métallique peut en même temps servir de couche de câblage ou de couche pour la réalisation de chemins conducteurs. Le procédé est en outre compatible avec les procédés connus MEMS et CMOS (du point de vue de la température et de la 20 contamination). La réalisation du contact traversant rie nécessite pas d'étape effectuée à haute température ce qui permet d'utiliser ce procédé comme dernière étape du procédé VIA. à la suite de procédés ou d'étapes de procédés antérieurs, sensibles à la température. Selon une caractéristique préférentielle on effectue 25 l'opération de gravure en contre-dépouille de la couche isolante structurée et on donne une forme évasée ou élargie à la zone supérieure de la structure en sillon adjacente à la couche isolante structurée. Cela permet d'éviter avec une très grande fiabilité que la zone de substrat entourée par la structure en sillon soit reliée ou court-circuitée par la 30 matière de la couche métallique utilisée pour réaliser la couche métallique et qui arrive le cas échéant dans la structure en sillon et serait en contact avec le segment de substrat entourant la structure en sillon. Cela est également vrai de façon correspondante pour 35 une autre caractéristique préférentielle selon laquelle l'opération de gravure réalise également une forme évasée ou élargie dans la zone inférieure de la structure en sillon. Selon une autre caractéristique préférentielle en structurant on enlève en plus une partie de la couche isolante dans la zone d'ouverture à l'intérieur de la zone de gravure en sillon. En outre avant d'effectuer l'opération de gravure on réalise une couche protectrice couvrant la zone d'ouverture évitant d'enlever la matière du substrat dans la zone d'ouverture. Après l'opération de gravure on enlève la couche protectrice. Cette procédure permet par une réalisation simple de relier la couche métallique (appliquée ensuite) et la zone de substrat entourée par la structure en sillon. Suivant une autre caractéristique préférentielle, la couche isolante a une structure en forme de grille dans la zone de gravure de sillon ce qui permet de fermer en toute sécurité la structure en sillon par la couche métallique. Cela est même possible si la structure en sillon a une largeur de sillon relativement importante et si la couche métallique n'a qu'une épaisseur relativement faible. Selon une autre caractéristique préférentielle, on réalise la couche métallique en formant plusieurs couches partielles. Cela permet par exemple d'utiliser des métaux différents et/ou de réaliser des couches partielles avec des dispositions différentes ou des paramètres différents. Cela permet d'optimiser selon les applications respectives la couche métallique ainsi formée de couches partielles. On peut par exemple appliquer une première couche métallique ayant une faible résistance de contact puis la couche suivante qui assure une bonne fermeture de la structure en sillon et une dernière couche ayant une bonne résistance à des milieux critiques qui pourraient arriver sur la surface. Suivant une autre caractéristique on enlève une partie d'au moins l'une des couches partielles avant de développer une autre couche partielle de l'ensemble. Cet enlèvement peut par exemple permettre de réduire l'épaisseur d'une couche partielle appliquée d'abord sur une surface plane avec une épaisseur plus grande dépassant de l'ouverture ou qui sera fermée plus loin suivant la géométrie de cette zone. Ainsi pour une couche métallique qui aura en moyenne une épaisseur très faible, on aura une épaisseur de couche plus importante dans la zone de fermeture au niveau de la structure en sillon. Suivant un autre développement préférentiel, le substrat est muni d'une couche d'arrêt de gravure sur l'une de ses faces. Cette couche d'arrêt de gravure permet de terminer l'opération de gravure lorsqu'on atteint la couche d'arrêt de gravure. L'invention a également pour objet un composant caractérisé en ce qu'il comprend : un substrat, un contact traversant réalisé dans le substrat et ayant une zone de substrat et une structure en sillon entourant la zone de substrat, une couche isolante structurée sur le substrat et qui est enlevé au moins dans la zone de la structure en sillon, et une couche métallique sur la couche isolante pour fermer la structure en sillon. Ce composant se réalise d'une manière relativement simple et économique. 11 se caractérise par une fermeture mécaniquement stable de sa structure en sillon. Dessins Un procédé de fabrication d'un composant à contact traversant ainsi que la structure d'un tel composant seront décrits ci-après à l'aide des dessins annexés dans lesquels : - les figures 1 à 5 montrent différentes étapes de fabrication d'un 25 composant à contact traversant, représenté chaque fois par une vue en coupe schématique, - la figure 6 montre un ordinogramme du procédé de fabrication d'un composant avec contact traversant, - les figures 7 à 9 montrent d'autres composants à contact traversant 30 représentés chaque fois en vue en coupe schématique. Description de modes de réalisation de l'invention Les formes de réalisation du procédé de fabrication d'un composant à contact traversant selon l'invention seront décrites ci- après montrant qu'il s'agit de procédés relativement simples et robustes 35 et ne nécessitant qu'un nombre relativement réduit d'étapes opératoires. Dans ce procédé de fabrication on utilise les étapes de procédé usuel en technique des semi-conducteurs ou des microsystèmes tels que par exemple les procédés CMOS et MEMS ainsi que les matières usuelles qui ne seront pas détaillées. Il est également à remarquer qu'en plus des étapes de procédés représentées et décrites, d'autres étapes de procédés seront utilisées pour compléter la fabrication des composants présentés. Les figures 1 à 5 montrent un procédé de fabrication d'un composant 11.1 à contact traversant représenté chaque fois en vue en coupe schématique. Les étapes du procédé sont en outre regroupées dans le diagramme de la figure 6. Le composant 111 réalisé est par exemple un circuit intégré ou une puce semi-conductrice. A titre d'exemple il y a les circuits dédiés (circuits ASIC, Application Specific Integrated Circuit), les composants de mémoire ou les processeurs ou les microprocesseurs. Au début du procédé, dans l'étape 101 (figure 6) on utilise un substrat 120 qui n'est représenté que partiellement aux figures 1 à 5. Le substrat 120 est par exemple une plaquette en silicium dopée pratiquement complètement ou au moins dans une certaine zone (celle du futur contact traversant) pour être électroconductrice. Le substrat 120 ainsi utilisé présente, comme le montre en outre la figure 1, un côté 121 appelé ci-après côté inférieur 121 avec d'autres structures et couches qui seront réalisées dans le cadre des procédés usuels. Il s'agit par exemple d'un transistor 160 réalisé dans le substrat 120 et dont les zones à conductivité ou dopage différent sont schématisées par des traits interrompus. Le côté inférieur 121 comporte également une couche isolante structurée 138 et une couche électroconductrice structurée 158. La couche 158 par exemple en métal ou en polysilicium dopé, sert de chemin conducteur et aussi de structure de contact pour le transistor 160 ou les zones dopées de celui-ci. La couche isolante 138 qui est par exemple une couche d'oxyde de silicium, comporte des ouvertures 136 à la fois dans la zone du transistor 160 et aussi une ouverture 137 dans la zone du futur contact traversant. La couche 158 qui est prévue sur la couche isolante 138 au- delà des ouvertures 136, 137, arrive au niveau de celles-ci directement contre le substrat 120 ou son côté 121 pour réaliser la liaison électrique avec le transistor 160 et la zone de substrat 1.25 du futur contact traversant. Par une étape ultérieure 102 (voir figure 6) comme le montre la figure 2, on réalise un masque de gravure ou masque dur sur le côté 122 du substrat 120 à l'opposé du côté inférieur 121. Cet autre côté est appelé côté supérieur 122. Pour cela on applique tout d'abord une couche isolante ou couche diélectrique 130 par exemple en oxyde de silicium sur le côté supérieur 122 du substrat 120. Pour cela on applique la couche 130 par exemple par le procédé CVD (procédé de dépôt chimique à la vapeur) en grande surface sur le substrat 120. On peut par exemple utiliser le procédé TEOS avec du tetraéthylorthosilicate (TESO) comme matière première. En variante on peut également réaliser la couche 130 en développant un oxyde thermique sur le côté 122 du substrat. Ensuite on réalise une structure dans la couche isolante 130 pour enlever ou ouvrir la couche isolante 130 comme le montre la figure 2 dans la zone prédéterminée 132 ainsi que dans une autre zone prédéterminée 133 pour dégager le substrat 120 au niveau de ces zones. Pour structurer la couche isolante 130 on applique le procédé usuel de gravure par photo-lithogravure. La zone 132 qui définit la forme latérale du sillon réalisé par le futur procédé de gravure est prédéfinie et sera appelée ci-après « zone de gravure de sillon 132 » présente en vue de dessus une forme fermée entourant la zone de substrat 125 par exemple la forme d'un rectangle ou d'un cercle (ces formes ne sont pas représentées). La zone de substrat 125 ainsi entourée est schématisée à la figure 2 à l'aide de traits interrompus. La zone d'ouverture 133 encore appelée « zone de poinçonnement » 133 sur laquelle on réalise ultérieurement le contact électrique avec le substrat 120 est également entourée par la zone de gravure de sillon 132 ou se trouve à l'intérieur de cette zone de gravure de sillon 132. Après avoir réalisé la structure dans la couche isolante 130 on applique une autre couche protectrice 135 sur le substrat 120 c'est-à-dire sur la couche isolante 130 à l'intérieur de la zone de gravure de sillon 132 pour couvrir la zone d'ouverture 133 c'est-à-dire le substrat 120 préalablement dégagé comme représenté à la figure 2. La couche protectrice 135 évite l'attaque du substrat 120 par gravure au-dessus ou dans la zone d'ouverture 133. Comme matière pour la couche protectrice 135 on a par exemple un Photolack. Après avoir réalisé la couche protectrice 135 le masque de gravure est terminé. Ensuite, dans l'étape 103 (voir figure 6) on exécute une opération de gravure de sillons ; la couche isolante structurée 130 qui couvre en partie la couche protectrice 135 fonctionne comme masse pour le substrat 120. Comme procédé de gravure de sillon on utilise par exemple un procédé de gravure en profondeur par des ions réactifs (procédé DRIE, Deep Reactive ions Etching).Un exemple possible est le procédé BOSCH consistant à répéter successivement une étape de gravure et une étape de passivation. Dans le procédé de gravure de sillon on enlève la matière du substrat dans la zone de gravure du sillon 132 de sorte que comme le montre la figure 3 on réalise une structure en sillon 140 entourant la zone de substrat 125. La zone de substrat 125 et la structure en sillon 140 constituent la partie conductrice et la partie isolante d'un contact traversant. La zone de substrat 125 sera également appelée ci-après zone de contact traversant 125 qui est isolée vis-à-vis de la matière environnante du substrat 120 par la structure en sillon 140. Le procédé de gravure de sillon est poursuivi jusqu'à atteindre la couche isolante 138 sur le côté inférieur 121 du substrat 120 et qui (comme la couche isolante 130 et la couche protectrice 135 sur le côté supérieur 122 du substrat 120) ne sera pas attaquée par le procédé de gravure ou ne le sera pratiquement pas et fonctionne ainsi comme « couche d'arrêt de gravure ». Le procédé de gravure de sillon se fait de préférence pour que le sillon d'isolation ou la structure en sillon 1.40 présente un rapport d'aspect relativement grand c'est-à--dire que la profondeur du sillon est beaucoup plus grande que sa largeur. Ainsi la structure en sillon 140 n'occupera qu'une surface relativement réduite du substrat 120 ou des côtés 121, 122 du substrat. C'est pourquoi l'opération de gravure de sillon se fait avec une gravure en contre-dépouille de la couche isolante 130 au niveau du côté supérieur 122 du substrat 120 et à cet endroit la structure en sillon 140 a une forme allant en s'élargissant ou en s'évasant en direction du côté supérieur 122. Pour expliciter, la figure 3 montre une zone de sillon 142 élargie principalement sous la forme d'une rainure. II est en outre prévu d'effectuer la gravure du sillon pour que sa structure S 140 présente également une forme s'ouvrant ou s'élargissant en direction du côté inférieur 121 ; à la figure 3 cette zone élargie 143 du sillon comporte plusieurs rainures. En variante, la zone 143 du sillon peut avoir la forme d'une seule rainure. Entre les zones 142, 143 du sillon la structure présente un segment « droit » avec des parois 10 verticales ou parallèles. Les zones de sillon 142, 143 élargies de la structure en sillon 140 à l'aide desquelles comme décrit ultérieurement, on garantit les caractéristiques d'isolation de la structure en sillon 140 se réalisent par le choix approprié des paramètres de gravure utilisés pour les procédés de gravure. 15 Dans le cadre de l'étape 103 (voir figure 6) après avoir réalisé la structure en sillon 140 comme le montre la figure 3, on enlève la couche protectrice 135 pour dégager de nouveau le substrat 120 dans la zone d'ouverture 133. Dans le cas d'une couche protectrice 135 formée avec du Photolack, on enlève la couche en utilisant de l'acétone 20 ou un autre solvant. Dans l'étape 104 suivante (voir figure 6) on applique, comme le montre la figure 4, une couche métallique 150 sur une grande surface du substrat 120 c'est-à-dire la couche isolante 130. La couche métallique 150 est notamment réalisée également dans la zone de 25 gravure 1.32 (utilisée pour la structure en sillon 140) ce qui ferme hermétiquement la structure en sillon 140. La couche métallique 150 est en outre appliquée directement dans la zone d'ouverture 133 sur le substrat 120 pour réaliser un contact électrique entre la couche métallique 150 et la zone de contact traversant 125. Comme matière 30 métallique pour la couche 1.50 on utilise par exemple de l'aluminium, du nickel ou du titane. On peut également utiliser des métaux différents comme cela sera explicité ultérieurement. On peut également faire un dépôt par couche, le cas échéant dans la structure en sillon 140 comme le montre la figure 4 avec d'autres couches métalliques 152, 153. lo Les procédés possibles pour réaliser la couche métallique 150 sont notamment des procédés de dépôt comme par exemple le procédé de pulvérisation ou le procédé de dépôt à la vapeur. Un procédé de dépôt orienté évite dans une très large mesure le dépôt au niveau du bord ou sur la paroi de la structure en sillon 140 et ainsi d'éventuelles liaisons électriques entre la zone de contact traversant 125 et le substrat 120 entourant la structure en sillon 140 (par le dépôt de métal) et qui détérioreraient ou annuleraient la caractéristique d'isolation de la structure en sillon 140. xo Mais dans le cas d'un dépôt de métal relativement non directionnel ou d'un dépôt au niveau du bord supérieur du sillon comme l'indique la couche métallique 152 à la figure 4, on évitera une telle liaison non souhaitable en réalisant la gravure en contre-dépouille sous la couche isolante 130. Comme la zone de sillon 142, est élargie à 15 cet endroit dans la, structure en sillon 140, la couche métallique 152 dans la structure en sillon 140 et la couche métallique 150 à la surface, c'est-à-dire des segments de la couche métallique 150 qui, comme le montre la figure 4 pénètrent également dans la zone de gravure de sillon 132 et viennent quelque peu en saillie dans la structure en sillon 140, 20 « enveloppant » la couche isolante 132, mais ces couches seront séparées en toute sécurité grâce à leur écartement suffisant. Pour un éventuel dépôt sur la couche isolante 138 qui est schématisée à la figure 4 par la couche métallique 153, on évite la liaison électrique entre la zone de contact traversant 125 et le segment 25 de substrat qui entoure la structure en sillon 1 40 par la zone de sillon 143 élargie à cet endroit. La réalisation de la couche métallique 150 offre la possibilité de fermer de manière simple la structure en sillon 140 au lieu de remplir cette structure 140 avec une matière de remplissage en 30 appliquant un procédé complexe. A l'aide de la couche métallique 150 on réalise une fermeture relativement plus robuste et mécaniquement plus stable de la structure en sillon 140. De plus, la couche métallique 150 peut être appliquée sur le substrat 120 ou sur la couche isolante 130 de façon que la couche métallique 150 (au-delà de la zone de 35 gravure de sillon 132) présente une surface supérieure relativement plane. On évite ainsi d'avoir à appliquer un procédé d'aplanissement, compliqué pour les éventuels procédés ultérieurs nécessitant une surface supérieure plane. Après l'application de la couche métallique 1.50 et la couverture de la structure en sillon 140 avec la couche 150 on peut effectuer d'autres opérations pour compléter le composant 111. Ces procédés qui sont regroupés dans l'étape 105 dans le diagramme de la figure 6 comprennent notamment la mise en structure de la couche métallique 150 comme cela est indiqué à la figure 5 pour le composant 11.1. Pour structurer la couche métallique 150 on applique un procédé de gravure et de mise en structure par photolithographie. Ainsi la couche métallique 150 sert non seulement à fermer la structure en sillon 140 mais également à réaliser un plan de chemin conducteur ou de câblage. Dans ce contexte, le transistor 160 du côté inférieur 121 du substrat 120 pourra être mis en contact par la couche métallique 150 au niveau du côté supérieur 122 du substrat car la couche métallique 150 est reliée par la zone d'ouverture 133 à la zone de contact traversant 125 adjacente à la couche conductrice 158 reliée au transistor 160. La couche isolante 130 servant de masque de gravure pour l'opération de gravure de sillon, est utilisée ainsi (comme la couche isolante 138) pour isoler le « chemin conducteur » par rapport au substrat 120 au-delà de la structure en sillon 140. Dans le cadre de l'étape 105 on peut effectuer d'autres opérations telles que par exemple la mise en structure et/ou le revêtement ou la réalisation de la couche fonctionnelle sur le substrat 120 ou sur la couche métallique 150 (couche structurée). Ces différentes opérations ne sont pas représentées. On peut en outre envisager un procédé de séparation pour séparer le composant 111. Le composant 111 peut également se placer dans un boîtier, être branché et/ou monté avec un ou plusieurs autres composants ou être réuni à ceux-ci ; le branchement électrique du composant 111 se fait par exemple par des liaisons par fil. Pour expliciter un tel type de branchement, la figure 5 montre une partie d'un fil de liaison 190 reliée à la couche métallique 150. A côté des avantages du procédé développé ci-dessus, on a également l'avantage que toutes les opérations pour réaliser le contact traversant et en particulier la réalisation de la couche isolante 130 et de la couche métallique 150 se font sans appliquer une température élevée ; ces opérations peuvent s'effectuer en appliquant des températures inférieures à environ 500° C. Cela permet d'utiliser les étapes 102 W.. 105 du procédé résumé à la figure 6 comme dernière étape du procédé « VIA » à la suite d'opérations préalables du procédé et qui sont sensibles à la température. Pour le procédé de la figure 6 on peut modifier les différentes étapes et/ou opérations. On peut envisager des variantes qui peuvent se combiner entre elles et qui seront détaillées ultérieurement. Il est en outre remarqué que certains détails déjà décrits ne seront pas repris et les avantages cités s'appliquent dans les mêmes conditions. Il est par exemple possible de réaliser la couche métallique 150 de l'étape 104 en réalisant successivement plusieurs couches partielles sur le substrat 120 ou la couche isolante 130 ; pour cela on utilise chaque fois un procédé de pulvérisation ou de dépôt à la vapeur. Ces procédés ne sont pas représentés. Les couches partielles peuvent être faites avec des métaux différents. Il est également possible que toutes les couches partielles ou plusieurs couches partielles soient faites avec le même métal mais toutefois de manière différente par exemple dans des installations différentes ou avec des paramètres d'installation différents. Cela permet d'optimiser la couche métallique 150 composée de couches partielles, du point de vue des propriétés et des fonctions différentes. Par exemple la couche métallique 150 peut se composer de trois couches métalliques parmi lesquelles la première couche métallique ou couche inférieure aura une résistance de contact faible par rapport à la zone de substrat 125 ; la seconde couche métallique (couche intermédiaire) réalisera une fermeture mécaniquement stable de la structure en sillon 140 et la troisième couche métallique ou couche supérieure aura une résistance élevée vis-à-vis des milieux critiques risquant d'arriver sur la surface supérieure. II est également avantageux de déposer la couche métallique 150 au cours de plusieurs étapes ou sous la forme de plusieurs couches partielles et dans l'intervalle, d'enlever chaque fois une partie de la couche 150 (ou d'au moins l'une des couches partielles), par exemple en effectuant une opération de gravure pulvérisation (pulvérisation inverse). Ce procédé permet de réduire fortement l'épaisseur de la couche métallique 150 ou d'une couche partielle au niveau de sa surface étalée par comparaison à l'épaisseur au niveau de l'ouverture c'est-à-dire en particulier dans la zone de gravure de sillon 132 ou de fermer une telle zone suivant sa géométrie. Cela permet de réaliser une épaisseur de couche plus importante dans la zone de gravure de sillon 132 pour une épaisseur moyenne relativement réduite de la couche métallique 150. Une autre variante possible concerne le composant 112 présenté à la figure 7 (détail du composant). Pour la réalisation du composant 112 en structurant la couche isolante 130 dans le cadre de l'étape 102 on ne réalise pas de zone de gravure de sillon 132 continue ou bouclée (en vue de dessus), mais une zone de gravure de sillon 131 en forme de grille avec des barres relativement étroites ; la zone de gravure de sillon 131 en forme de grille comme la zone de gravure de sillon 132, continue (en vue de dessus) entoure une zone de substrat 125 et est utilisée pour graver une structure en sillon 141 (étape 103). Les branches de la grille seront complètement gravées en contre-dépouille (gravure en dessous) lors de la gravure de sillon. La réalisation en forme de grille de la zone de gravure de sillon 131 a pour conséquence que la couche métallique 150 selon l'étape 104 ne ferme pratiquement plus toute la largeur du sillon mais seulement certaines « alvéoles » de la grille. Ainsi une structure en sillon 141 avec des sillons relativement larges pourra être fermée en toute sécurité par la couche métallique 150 même si la couche métallique 150 n'a qu'une épaisseur relativement réduite. Le procédé de la figure 6 n'est pas limité à la fabrication des composants 111, 112 ou des circuits intégrés représentés aux figures 5 et 7 mais peut également servir à la fabrication d'autres composants. Il s'agit notamment de composants micromécaniques. A titre d'exemple la figure 8 montre un détail d'un tel composant micromécanique 113 utilisé par exemple comme capteur d'accélération ou comme capteur de vitesse de rotation. Le composant 113 comporte un substrat 120 avec un contact traversant c'est-à-dire une zone de contact traversant 125 et une structure en sillon 140 ainsi que des couches 130, 150 dans la zone du côté supérieur 122 du substrat. Le côté inférieur 121 du substrat 120 comporte un montage formé d'une couche isolante 139 munie d'une couche conductrice 159 en partie intégrée ou noyée. La couche isolante est par exemple une couche d'oxyde de silicium. La couche conductrice 159 est par exemple une couche de polysilicium (dopage) fonctionnant comme structure de chemin conducteur ou structure de contact reliée par une ouverture dans la couche isolante 139, directement avec la zone de contact traversant 1.25. Une couche fonctionnelle conductrice 170 est adjacente à la couche isolante 139. La couche fonctionnelle 170 est par exemple une couche de épi-polysilicium c'est-à-dire une couche de silicium polycristallin développée par un procédé épitaxial et qui peut être dopé en option. La couche fonctionnelle 170 est réalisée dans une zone sous la forme d'une structure micromécanique 171, dégagée (microstructure ou structure MEMS) avec des éléments fonctionnels mobiles. La structure micromécanique 171 ou une partie de celle-ci est reliée à un bord à la couche conductrice 159. Un autre substrat 180 est relié par une couche de liaison 185 à la couche fonctionnelle 170. Cet autre substrat180 qui comporte par exemple du silicium, est un substrat de couverture ou une plaquette de couverture qui ferme hermétiquement la structure micromécanique 171. Pour la fabrication du contact traversant du composant 113 selon le procédé de la figure 6 il est possible dans l'étape 101 de développer d'abord le substrat 120 avec un montage comprenant les couches 139, 159, 170, la structure micromécanique 171 n'étant pas encore réalisée ou dégagée. Ensuite on peut effectuer les opérations 102, 103, 104 décrites ci-dessus et pour lesquelles la couche isolante 139 pourra fonctionner comme couche d'arrêt de gravure pour le procédé de gravure (étape 103). Dans le cadre de l'étape 105 suivante, on réalise la structure de la couche métallique 150 et on développe la structure micromécanique 171 en appliquant le procédé MEMS ; la couche fonctionnelle 170 est reliée par la couche de liaison 185 au substrat 180 et comme l'indique la figure 8, un fil de liaison 190 est relié à la couche métallique 150. Le fil de liaison 190 est relié électriquement par la couche métallique 150, la zone de contact traversant 125 et la couche conductrice 159 avec la structure micromécanique 171 pour qu'en fonctionnement du composant 113 on applique par exemple un potentiel électrique prédéfini à la structure micromécanique 171. A. la place de la succession des opérations données à titre d'exemple ci-dessus, on peut également effectuer les opérations du procédé dans un ordre différent. Par exemple le substrat 120 peut avoir déjà la structure micromécanique 171 et être fourni le cas échéant avec le substrat 180 relié à la couche fonctionnelle 170 dans l'étape 101 avant d'effectuer les étapes 102, 103, 104. Une autre variante possible du procédé de fabrication concerne le composant 114 représenté partiellement à la figure 9. Ce composant a principalement la même structure que le composant 111 de la figure 5. Mais à la différence du composant 111, le composant 114 porte sur son côté supérieur 122 du substrat 120 un autre élément 161 qui est branché par la zone de contact traversant 125. L'élément 161 est par exemple un autre élément de circuit ou. une surface métallique ou un chemin métallique. Cet autre élément 161 comporte un métal ou une autre matière qui ne doit pas être attaquée au cours du procédé de gravure servant à réaliser la structure en sillon 140 (étape 103) ou du moins ne doit pratiquement pas être attaquée. L'élément 161 peut être entouré d'une telle matière. Dans cette réalisation on supprime la réalisation décrite ci-dessus de la couche protectrice 135 et son enlèvement. Les modes de réalisations présentés dans les figures constituent des formes de réalisation préférentielles ou données à titre d'exemple pour l'invention. A. la place des formes de réalisation on peut envisager d'autres formes avec d'autres variantes et d'autres combinaisons des caractéristiques décrites. Pour les matières il est par exemple possible d'utiliser 35 d'autres matières. On peut également utiliser d'autres substrats ayant une autre structure ou une autre construction ou réalisés avec un autre matériau semi-conducteur que le silicium et dans lequel on réalise un contact traversant par les opérations de gravure décrites ci-dessus. On peut également effectuer d'autres procédés que ceux s détaillés ci-dessus ou réaliser d'autres éléments et structures. Pour le composant 114 de la figure 9 il est possible de remplacer l'élément séparé 161 par plusieurs éléments en contact avec la zone de substrat 125. Il est également possible d'utiliser un élément enfoui » dont une zone partielle où un côté se situe dans le même plan 10 que le côté supérieur 122 du substrat 120. Dans la zone du côté inférieur 121 du substrat 120 on peut également avoir d'autres éléments en contact avec la zone de substrat 125. De telles réalisations avec un ou plusieurs éléments supplémentaires sur le côté supérieur et/ou le côté inférieur 122, 121 du substrat 120 et qui sont branchés 15 par la zone de contact traversant 125 ou viennent de façon adjacente à cette zone, peuvent également s'envisager pour des autres composants 111, 112, 113 des figures 5, 7 et 8. On remarque également que le procédé n'est pas limité à la réalisation d'un unique contact traversant dans le substrat. Le 20 procédé permet de réaliser plusieurs ou un grand nombre de contacts traversants dans le substrat et qui pourront se faire pratiquement simultanément ou en parallèle. Il est également possible de réaliser le procédé décrit dans un autre ordre et aussi de façon commune. Un exemple est celui 25 de la réalisation des couches isolantes 130, 138 du composant 111 de la figure 5. A la place des couches 130, 138 réalisées séparément sur le côté supérieur 121 et le côté inférieur 122 du substrat 120 on peut également réaliser les deux couches 130, 138 au cours d'une même opération sur le substrat 120 par exemple par croissance thermique. 30 On remarque également qu'à la place des structures en sillon 140, 141 on peut également réaliser d'autres structures en sillon ayant une autre forme et une autre géométrie. Un exemple est celui d'une structure en sillon ayant une forme élargie uniquement dans sa zone supérieure. On peut choisir une telle géométrie de façon qu'en 35 réalisant la couche métallique pour fermer la structure en sillon il ne se produise pas de dépôt ou seulement un dépôt négligeable de matière métallique dans la zone inférieure de la structure en sillon.5 NOMENCLATURE 101 étapes du procédé 102 étapes du procédé 103 étapes du procédé 104 étapes du procédé 105 étapes du procédé 11.1 composant 113 composant 114 composant 120 substrat 121 côté inférieur du substrat 122 côté supérieur 125 zone de substrat 130 couche isolante ou couche diélectrique 131 zone de gravure de sillon 132 zone de gravure de sillon 132 zone prédéfinie 133 zone d'ouverture 135 couche protectrice 136 ouverture 137 ouverture 138 couche isolante structurée 140 structure en sillon 142 zone de sillon 143 zone de sillon 150 couche métallique 153 couche métallique 158 couche métallique/couche conductrice 159 couche conductrice 160 transistor 161 élément séparé 170 couche fonctionnelle 171 structure micromécanique35 REVENDICATIONS1°) Procédé de fabrication d'un composant avec des contacts traversants, procédé comprenant les étapes suivantes : - utiliser un substrat (120), - réaliser une couche isolante (130) sur le substrat (120), structurer la couche isolante (130), * la couche isolante (130) étant enlevée au moins dans une zone prédéfinie (131, 132) de gravure de sillon, entourant une zone de substrat (125), - réaliser une opération de gravure pour laquelle la couche isolante structurée (130) sert de masque pour enlever la matière du substrat dans la zone de gravure de sillon (131, 132) et réaliser une structure en sillon (140) entourant la zone de substrat (125), et 15 - réaliser une couche métallique (150) sur la couche isolante (130) qui ferme la structure en sillon (140). 2°) Procédé selon la revendication 1, caractérisé en ce qu' 20 on réalise l'opération de gravure en faisant une gravure en contre-dépouille de la couche isolante structurée (130), et - la structure en sillon (140) présente une forme élargie (142) dans la zone supérieure adjacente à la couche isolante structurée (130). 25 3°) Procédé selon la revendication 1, caractérisé en ce qu' on effectue l'opération de gravure pour que la structure en sillon (140) présente une forme élargie (143) dans sa zone inférieure. 30 4°) Procédé selon la revendication 1, caractérisé en ce que pour la mise en structure on enlève en plus une partie de la couche isolante (130) dans la zone d'ouverture (133) à l'intérieur de la zone de gravure de sillon (131, 132),avant d'effectuer l'opération de gravure on réalise une couche protectrice (135) ouvrant la zone d'ouverture (133) qui évite l'enlèvement de la matière du substrat dans la zone d'ouverture (133), et la couche protectrice (135) est enlevée après l'opération de gravure. 5°) Procédé selon la revendication 1, caractérisé en ce que dans la zone de gravure de sillon (131) la couche isolante (130) a la 10 forme d'une grille. 6°) Procédé selon la revendication 1, caractérisé en ce que l'on réalise la couche métallique (150) en réalisant plusieurs couches 15 partielles. 7°) Procédé selon la revendication 6, caractérisé en ce qu' on enlève au moins une partie des couches partielles avant de réaliser 20 une autre couche partielle. 8°) Procédé selon la revendication 1, caractérisé en ce qu' on utilise un substrat (120) dont un côté est muni d'une couche 25 d'arrêt de gravure (138, 139), et - on termine le procédé de gravure lorsqu'on atteint la couche d'arrêt de gravure (138, 1.39). 9°) Composant, 30 caractérisé en ce qu'il comprend : un substrat (120), un contact traversant réalisé dans le substrat: (120) et ayant une zone de substrat (125) et une structure en sillon (1.40) entourant la zone de substrat (125),une couche isolante (130) structurée sur le substrat (120) et qui est enlevée au moins dans la zone de la structure en sillon (140), et une couche métallique (150) sur la couche isolante (130) pour fermer la structure en sillon (140). 10°) Composant selon la revendication 9, caractérisé en ce que la structure en sillon (140) présente une forme élargie (142, 143) respective dans une zone supérieure adjacente à la couche isolante structurée (130) et dans une zone inférieure. 15