FR 2965823 A1 20120413 FR 1058137 A 20101007 r INJECTEURS DE GAZ DE THERMALISATION POUR GENERER PLUS DE GAZ PRECURSEUR, SYSTEMES DE DEPOT DE MATERIAU INCLUANT CES INJECTEURS ET PROCEDES ASSOCIES DOMAINE En règle générale, les modes de réalisation de l'invention concernent des systèmes pour le dépôt de matériaux sur des substrats, des composants de ces systèmes et des procédés de préparation et d'utilisation de ces composants et systèmes. Plus particulièrement, les modes de réalisation de l'invention concernent les systèmes de dépôt chimique en phase vapeur pour déposer des matériaux semi-conducteurs de type III-V sur des substrats, des composants de ces systèmes, et des procédés de préparation et d'utilisation de ces composants et systèmes. CONTEXTE Le dépôt chimique en phase vapeur (CVD) est un procédé chimique qui est utilisé pour déposer des matériaux solides sur des substrats, et est couramment utilisé dans la fabrication d'appareils semi- conducteurs. Dans les procédés de dépôt chimique en phase vapeur, un substrat est exposé à un ou plusieurs gaz réactifs, qui réagissent, se décomposent, ou réagissent ainsi que se décomposent de telle manière que cela entraîne le dépôt d'un matériau solide sur la surface du substrat. Un type particulier de procédé CVD est indiqué dans l'art comme étant l'épitaxie en phase vapeur (VPE). Dans les procédés VPE, un substrat est exposé à une ou plusieurs vapeurs réactives dans une chambre réactionnelle, qui réagissent, se décomposent, ou réagissent ainsi que se décomposent de telle manière que cela entraîne le dépôt épitaxial d'un matériau solide sur la surface du substrat. Les procédés VPE sont souvent utilisés pour déposer des matériaux semi-conducteurs de type III-V. Lorsque l'une des vapeurs réactives dans un procédé VPE comprend une vapeur d'hydrure, le procédé peut être nommé épitaxie en phase vapeur aux hydrures (HVPE). Les procédés HVPE sont utilisés pour former des matériaux semi-conducteurs de type III-V tels que, par exemple, le nitrure de gallium (GaN). Dans de tels procédés, la croissance épitaxiale de GaN sur un substrat est causée par une réaction en phase vapeur entre du chlorure de gallium (GaCl) et de l'ammoniac (NH3) qui est réalisée dans une chambre réactionnelle à des températures élevées comprises entre environ 500 °C et environ 1000 °C. Le NH3 peut être fourni par une source standard de NH3 gazeux. Dans certains procédés, la vapeur de GaCl est fournie en faisant passer du chlorure d'hydrogène (HCl) gazeux (qui peut être fourni par une source standard de HC1 gazeux) sur du gallium (Ga) liquide chauffé pour former in situ du GaCl dans la chambre réactionnelle. Le gallium liquide peut être chauffé à une température comprise entre environ 750 °C et environ 850 °C. Le GaCl et le NH3 peuvent être dirigés vers (par exemple, sur) une surface d'un substrat chauffé, tel qu'une tranche de matériau semi-conducteur. Le brevet US n° 6 179 913, délivré le 30 janvier 2001 à Solomon et al., décrit un système d'injection de gaz pour une utilisation dans ces systèmes et procédés. Dans de tels systèmes, il peut être nécessaire d'ouvrir la chambre réactionnelle à l'atmosphère pour réapprovisionner la source de gallium liquide. En outre, il peut ne pas être possible de nettoyer in situ la chambre réactionnelle dans ces systèmes. Afin de résoudre ces problèmes, des procédés et des systèmes ont été développés qui utilisent une source externe d'un précurseur de GaCl3, qui est directement injecté dans la chambre réactionnelle. Des exemples de ces procédés et systèmes sont décrits, par exemple, dans la demande de publication de brevet US n° US 2009/0223442 Al, qui a été publiée le 10 septembre 2009 au nom de Arena et al. BREF RESUME Ce résumé sert à introduire une sélection de concepts d'une forme simplifiée, ces concepts étant en outre décrits dans la description détaillée ci-dessous de certains exemples de modes de réalisation de la présente invention. Ce résumé n'a pas pour but d'identifier les caractéristiques clés ou les caractéristiques essentielles du sujet revendiqué, ni pour but d'être utilisé pour limiter la portée du sujet revendiqué. Dans certains modes de réalisation, la présente invention comprend un procédé de dépôt d'un matériau, tel qu'un matériau semi-conducteur, sur un substrat. Un gaz source peut être introduit dans un injecteur de gaz de thermalisation, et le gaz source peut être décomposé thermiquement dans l'injecteur de gaz de thermalisation pour former un gaz précurseur et >>n sous-produit. Le sous-produit peut être mis à réagir avec un réactif liquide dans l'injecteur de gaz de thermalisation pour former un gaz précurseur additionnel. Le gaz précurseur et le gaz précurseur additionnel peuvent être injectés de l'injecteur de gaz de thermalisation dans un espace dans une chambre réactionnelle, et le matériau peut être déposé sur le- substrat dans la chambre réactionnelle en utilisant le gaz précurseur. Dans d'autres modes de réalisation, la présente Invention comprend des injecteurs de gaz de thermalisation pour injecter un ou plusieurs gaz dans une chambre réactionnelle d'un système de dépôt. Les injecteurs de gaz de thermalisation comprennent une entrée, une conduite de thermalisation, un contenant de liquide configuré pour contenir un réactif liquide dans celui-ci, et une sortie. Un chemin se prolongeant de l'entrée, à travers la conduite de thermalisation vers un espace intérieur dans le contenant de liquide, et de l'espace intérieur dans le contenant de liquide vers la sortie. La conduite de thermalisation peut posséder une longueur qui est supérieure à la distance la plus courte entre l'entrée et le contenant de liquide. Dans encore d'autres modes de réalisation, la présente invention comprend des systèmes de dépôt comprenant une chambre réactionnelle et au moins un injecteur de gaz de thermalisation qui est configuré pour injecter un ou plusieurs gaz dans la chambre réactionnelle. L'injecteur de gaz de thermalisation comprend une entrée, une conduite de thermalisation, un contenant de liquide configuré pour contenir un réactif liquide dans celui-ci, et une sortie. Un chemin se prolongeant de l'entrée, à travers la conduite de thermalisation vers un espace intérieur dans le contenant de liquide, et de l'espace intérieur dans le contenant de liquide vers la sortie. La conduite de thermalisation peut posséder une longueur qui est supérieure à la distance la plus courte entre l'entrée et le contenant de liquide. BREVE DESCRIPTION DES DESSINS La présente invention peut être mieux comprise en se référant à la description détaillée suivante des exemples de modes de réalisation de la présente invention, qui sont illustrés dans les figures jointes, dans lesquelles : la figure 1A est une vue transversale illustrant schématiquement un exemple de mode de réalisation d'un système de dépôt de l'invention qui comprend une chambre réactionnelle et au moins un injecteur de gaz tel que décrit ici ; la figure 1B est une vue transversale schématique de la chambre réactionnelle illustrée sur la figure lA prise le long de la ligne de coupe 1B-1B illustrée sur celle-ci ; la figure 2 illustre schématiquement un exemple de mode de réalisation d'un injecteur de gaz de l'invention, un ou plusieurs de ceux-ci pouvant être utilisés dans les modes de réalisation des systèmes de dépôt de l'invention, tels que le système de dépôt de la figure 1 ; la figure 3 est une coupe en perspective partielle élargie d'une partie de l'injecteur de gaz de la figure 2 ; la figure 4 illustre schématiquement un autre mode de réalisation d'un injecteur de gaz de l'invention qui est similaire à celui de la figure 2, mais comprend en outre des éléments chauffants actifs et passifs ; la figure 5 illustre schématiquement un exemple d'un autre mode de réalisation d'un injecteur de gaz de l'invention, un ou plusieurs de ceux-ci pouvant être utilisés dans les modes de réalisation des systèmes de dépôt de l'invention, tels que le système de dépôt de la figure 1 ; la figure 6 illustre schématiquement un autre mode de réalisation d'un injecteur de gaz de l'invention qui est similaire à celui de la figure 5, mais comprend en outre des éléments chauffants actifs et passifs ; la figure 7 illustre schématiquement un autre mode de réalisation d'un injecteur de gaz, un ou plusieurs de ceux-ci pouvant être utilisés pour injecter des gaz précurseurs dans les chambres réactionnelles des modes de réalisation des systèmes de dépôt de l'invention, tels que le système de dépôt de la figure 1 ; et la figure 8 illustre schématiquement un exemple d'un autre mode de réalisation d'un système de dépôt de l'invention. DESCRIPTION DETAILLEE DES MODES DE RÉALISATION DE L'INVENTION Les illustrations présentées ici ne sont pas les vues réelles d'un composant, dispositif ou système particulier, mais sont simplement des représentations idéalisées qui sont utilisées pour décrire les modes de réalisation de la présente invention. Comme utilisé ici, le terme « matériau semi-conducteur de type III-V » signifie et comprend n'importe quel matériau semi-conducteur qui est au moins majoritairement composé d'un ou plusieurs éléments du groupe IIIA du tableau périodique (B, Al, Ga, In et Ti) et d'un ou plusieurs éléments du groupe VA du tableau périodique (N, P, As, Sb et Bi). Par exemple, les matériaux semi-conducteurs de type III-V comprennent, sans limitation, GaN, GaP, GaAs, InN, InP, InAs, AIN, AIP, AlAs, InGaN, InGaP, InGaNP, etc. Des injecteurs de gaz améliorés ont récemment été développés pour une utilisation dans des procédés et systèmes qui utilisent une source externe d'un précurseur de GaC13 qui est injecté dans la chambre réactionnelle, tels que ceux décrits dans la demande de publication de brevet US n° US 2009/0223442 Al mentionnée ci-dessus. Des exemples de tels injecteurs de gaz sont décrits, par exemple dans la demande de brevet US n° de série 61/157 112 qui a été déposée le 3 mars 2009 au nom de Arena et al. Comme utilisé ici, le terme « gaz » comprend les gaz (fluides qui n'ont ni forme indépendante, ni volume) et les vapeurs (gaz qui comprennent un liquide diffusé ou une matière solide suspendue dans celui-ci) et les termes « gaz » et « vapeur » sont utilisés ici en tant que synonymes. Les modes de réalisation de la présente invention comprennent, et utilisent, de nouveaux injecteurs de gaz décrits plus en détail ci-dessous. Dans certains modes de réalisation, le système de dépôt (100) peut comprendre une chambre réactionnelle CVD, et peut comprendre une chambre réactionnelle VPE (par exemple une chambre réactionnelle HVPE). Comme exemples non limitatifs, le système de dépôt (100) peut comprendre un système de dépôt tel que décrit dans la demande de publication de brevet US n° US 2009/0223442 Al mentionnée ci-dessus, ou un système de dépôt tel que décrit dans la demande de brevet US n° de série 61/157 112 mentionnée ci-dessus. Un exemple non limitatif d'un mode de réalisation d'un système de dépôt (100) de l'invention qui comprend une chambre réactionnelle (102) et un ou plusieurs injecteurs de gaz (tels que décrits plus en détail ci-dessous) est décrit ci-dessous en se référant aux figures lA et 1B. Dans la description suivante du système de dépôt (100) et, plus particulièrement, de la chambre réactionnelle (102) du système de dépôt (100), les termes « longitudinal » et « transversal » sont utilisés pour indiquer les sens par rapport à la chambre réactionnelle (102) à partir des perspectives des figures lA et 1B, le sens longitudinal étant le sens vertical à partir des perspectives de la figure lA et le sens s'étendant dans le plan de la figure 1B, et les sens transversaux ou latéraux étant ceux s'étendant horizontalement d'un point de vue de chacune des figures lA et 1B. Les sens transversaux sont également nommés sens s'étendant « d'un côté à l'autre du réacteur ». Le système de dépôt (100) comprend la chambre réactionnelle (102), une structure de support de substrat (104) (par exemple un suscepteur) configurée pour supporter un ou plusieurs substrats à travailler (106) sur lesquels on souhaite déposer ou sinon fournir un matériau dans le système de dépôt (100). Par exemple, les substrats à travailler (106) peuvent comprendre des dés ou des tranches. Le système de dépôt (100) comprend en outre des éléments chauffants (108) (figure 1B), qui peuvent être utilisés pour chauffer de manière sélective le système de dépôt (100), de sorte qu'une température moyenne dans la chambre réactionnelle (102) puisse être contrôlée dans une plage de températures élevées souhaitable pendant les processus de dépôt. Les éléments chauffants (108) peuvent comprendre, par exemple, des éléments chauffants résistants ou des éléments chauffants rayonnants. Comme illustré sur la figure 1B, la structure de support de substrat (104) peut être montée sur un axe (110), qui peut être couplé (par exemple couplé de manière structurelle directement, couplé de manière magnétique, etc.) à un dispositif d'entraînement (112) tel qu'un moteur électrique qui est confi guré pour entraîner la rotation de l'axe (110) et, par conséquent, la structure de support de substrat (104) dans la chambre réactionnelle (102). Dans certains modes de réalisation, une ou plusieurs de la chambre réactionnelle (102), de la structure de support de substrat (104), de l'axe (110) et de tout autre composant dans la chambre réactionnelle (102) peuvent être au moins dans l'ensemble constitué d'un matériau céramique réfractaire tel qu'un oxyde de céramique (par exemple la silice (quartz), l'alumine, la zircone, etc.), un carbure (par exemple le carbure de silicium, le carbure de bore, etc.) ou un nitrure (par exemple le nitrure de silicium, le nitrure de bore, etc.). Le système de dépôt (100) comprend en outre un système d'écoulement de gaz utilisé pour injecter un ou plusieurs gaz dans la chambre réactionnelle (102) et pour éjecter les gaz hors de la chambre réactionnelle (102). En se référant à la figure 1A, le système de dépôt (100) peut comprendre trois conduites d'arrivée de gaz (114A, 114B, 114C) qui transportent les gaz provenant des sources de gaz respectives (128A, 128B, 128C). Facultativement, des vannes de gaz (117A, 117B, 117C) peuvent être utilisées pour contrôler de manière sélective le flux de gaz à travers les conduites d'arrivée de gaz (114A, 114B, 114C) respectives. Dans certains modes de réalisation, au moins l'une des sources de gaz (128A, 128B, 128C) peut comprendre une source externe de GaC13r InC13 ou A1C13, comme décrit dans la demande de publication de brevet US n° US 2009/0223442 Al. GaCl3, InC13 et AlCl3 peuvent exister sous la forme d'un dimère tel que, par exemple Ga2C16r In2C16 et Al2C16 respectivement. En conséquence, au moins l'une des sources de gaz (128A, 128B, 128C) peut comprendre un dimère tel que Ga2C16r In2C16 ou Al2C16. Comme exemple non limitatif, une ou plusieurs sources de gaz (128A, 128B, 128C) peuvent offrir un débit massique de vapeur de GaC13 avec un composant précurseur du groupe III à environ 25 grammes par heure ou plus, ou même à environ 50 grammes par heure ou plus. En outre, dans certains modes de réalisation, une ou plusieurs des sources de gaz (128A, 128B, 128C) peuvent être capable de maintenir un tel débit massique pendant au moins 500 processus de dépôt, au moins 1 000 processus de dépôt, au moins 2 000 processus de dépôt, ou même au moins 3 000 processus de dépôt. Dans les modes de réalisation dans lesquels une ou plusieurs des sources de gaz (128A, 128B, 128C) sont ou comprennent une source de GaC13i la source de GaC13 comprend un réservoir de GaC13 liquide maintenu à une température d'au moins 120 °C (par exemple d'environ 130 °C) et peut comprendre un moyen physique pour améliorer la vitesse d'évaporation du GaC13 liquide. Un tel moyen physique peut comprendre, par exemple, un dispositif configuré pour agiter le GaC13 liquide, un dispositif configuré pour pulvériser le GaC13 liquide, un dispositif configuré pour faire circuler un gaz vecteur rapidement sur le GaC13 liquide, un dispositif configuré pour faire barboter un gaz vecteur dans le GaC13 liquide, un plongeur, tel qu'un dispositif piézoélectrique, configuré pour disperser de manière ultrasonique le GaC13 liquide, et analogues. Comme exemple non limitatif, un gaz vecteur, tel que He, N2r H2 ou Ar, peut être mis à barboter dans le GaC13 liquide, tandis que le GaC13 liquide est maintenu à une température d'au moins 120 °C, de sorte que le gaz source puisse inclure un ou plusieurs gaz vecteurs. Le flux de la vapeur de GaC13 dans un ou plusieurs injecteurs de gaz (150A, 150B, 150C) peut être contrôlé dans certains modes de réalisation de l'invention. Par exemple, dans des modes de réalisation dans lesquels un gaz vecteur est mis à barboter dans le GaC13 liquide, le flux de GaC13 à partir de la source de gaz (128A, 128B, 128C) dépend d'un ou plusieurs facteurs, y compris par exemple de la température de CaC13, de la pression au-dessus du GaC13 et du flux du gaz vecteur qui barbote dans le GaC13. Alors que le débit massique de GaC13 peut être, en principe, contrôlé par l'un quelconque de ces paramètres, dans certains modes de réalisation, le débit massique de GaC13 peut être contrôlé en faisant varier le flux du gaz vecteur en utilisant un contrôleur de débit massique. Dans certains modes de réalisation, la ou plusieurs sources de gaz (128A, 128B, 128C) peuvent contenir environ 25 kg ou plus de GaC13, environ 35 kg ou plus de GaCl3 ou même environ 50 kg ou plus de GaC13. Par exemple, la source de GaC13 peut contenir entre environ 50 et 100 kg de GaC13 (par exemple entre environ 60 et 70 kg). En outre, les multiples sources de GaC13 peuvent être reliées entre elles pour former une source unique des sources de gaz (128A, 128B, 128C) en utilisant une rampe à gaz pour permettre de passer d'une source de gaz à une autre sans interrompre le fonctionnement et/ou l'utilisation du système de dépôt (100). La source de gaz vide peut être retirée et remplacée par une nouvelle source pleine tandis que le système de dépôt (100) reste fonctionnel. Dans certains modes de réalisation, les températures des conduites d'arrivée de gaz (114A, 114B, 114C) peuvent être contrôlées entre les sources de gaz (128A, 128B, 128C) et les injecteurs de gaz (150A, 150B, 150C). Les températures des conduites d'arrivée de gaz (114A, 114B, 1140) et des capteurs, contrôleurs de débit massique et analogues associés peuvent augmenter progressivement d'une première température (par exemple d'environ 120 °C ou plus) à la sortie des sources de gaz (128A, 128B, 128C) respectives jusqu'à une seconde température (par exemple d'environ 160 °C ou moins) au niveau des injecteurs de gaz (150A, 150B, 150C) afin d'empêcher la condensation des gaz (par exemple la vapeur de GaC13) dans les conduites d'arrivée de gaz (114A, 114B, 114C) et analogues. Facultativement, la longueur des conduites d'arrivée de gaz (114A, 114B, 114C) entre les sources de gaz (128A, 128B, 128C) respectives et les injecteurs de gaz (150A, 150B, 150C) respectifs peut être d'environ trois pieds ou moins, d'environ deux pieds ou moins, ou même d'environ un pied ou moins. La pression des gaz sources peut être contrôlée en utilisant un ou plusieurs systèmes de contrôle de pression. Chacune des trois conduites d'arrivée de gaz (114A, 114B, 114C) s'étend vers l'un des trois injecteurs de gaz (150A, 150B, 150C) respectifs. Ceci est décrit plus en détail ci-dessous dans plusieurs modes de réalisation différents. Dans des modes de réalisation supplémentaires, le système de dépôt (100) peut comprendre moins de trois (par exemple un(e) ou deux) conduites d'arrivée de gaz et injecteurs de gaz respectifs, ou le système de dépôt (100) peut comprend plus de trois (par exemple quatre, cinq, etc.) conduites d'arrivée de gaz et injecteurs de gaz respectifs. Dans le mode de réalisation des figures lA et 1B, les injecteurs de gaz (150A, 150B, 150C) sont entièrement situés à l'extérieur de la chambre réactionnelle (102). Cependant, dans d'autres modes de réalisation, les injecteurs de gaz (150A, 150B, 150C) peuvent être entièrement placés à l'intérieur de la chambre réactionnelle (102) ou au moins une partie des injecteurs de gaz (150A, 150B, 150C) peut se prolonger au moins partiellement dans la chambre réactionnelle (102). Le système de dépôt (100) peut en outre comprendre trois évents (116A, 116B, 116C) qui offrent une communication fluide entre l'extérieur et l'intérieur de la chambre réactionnelle (102). Chaque évent (116A, 116B, 116C) peut offrir une communication fluide par l'intermédiaire d'une paroi, du plafond et/ou du fond de la chambre réactionnelle (102) entre l'un des injecteurs de gaz (150A, 150B, 150C) respectifs et l'une des conduites de dispersion de gaz (118A, 118B, 118C) respectives dans la chambre réactionnelle (102). Les conduites de dispersion de gaz (118A, 118B, 118C) dans la chambre réactionnelle (102) peuvent être utilisées pour transporter les gaz vers les sites souhaités dans l'enceinte et peuvent comprendre des ouvertures (120) en des sites sélectionnés le long des conduites de dispersion de gaz (118A, 118B, 118C). Les ouvertures (120) peuvent être situées et configurées pour injecter des gaz à l'intérieur de la chambre réactionnelle (102) selon des sens choisis par rapport aux substrats à travailler (106) portés par la structure de support de substrat (104). Comme illustré sur les figures lA et 1B, les conduites de dispersion de gaz (118A, 118C) peuvent converger l'une avec l'autre, de sorte que les gaz se trouvant dans celles-ci peuvent être mélangés ensemble avant leur sortie par les orifices (120). Les gaz transportés par les conduites de dispersion de gaz (118A, 118C), tels que les gaz précurseurs et les gaz vecteurs, peuvent ainsi circuler dans le sens longitudinal à travers la chambre réactionnelle (102) (sens vertical par rapport à la figure 1A) et peuvent être injectés depuis les ouvertures (120) dans des sens se prolongeant vers les substrats à travailler (106) de manière longitudinale dans la chambre réactionnelle (102), les sens étant orientés au moins dans l'ensemble parallèlement aux principales surfaces exposées sur le dessus des substrats à travailler (106). Le gaz transporté par la conduite de dispersion de gaz (118B), tel que le gaz précurseur et le gaz vecteur, peut également circuler dans le sens longitudinal à travers la chambre réactionnelle (102) et peut être injecté depuis les ouvertures (120) dans la conduite de dispersion de gaz (118B) dans des sens se prolongeant vers les substrats à travailler (106) longitudinalement à travers la chambre réactionnelle (102), les sens étant orientés au moins dans l'ensemble parallèlement aux principales surfaces exposées sur le dessus des substrats à travailler (106). Les conduites de dispersion de gaz (118A, 118B, 118C) peuvent être supportées et maintenues en place dans la chambre réactionnelle (102) en utilisant des supports de conduite. L'agencement et la configuration particuliers des conduites de dispersion de gaz (118A, 118B, 118C) est simplement un ou une des nombreux agencements et configurations qui peuvent être utilisé(e)s dans les modes de réalisation de l'invention, et d'autres modes de réalisation des chambres réactionnelles (102) de l'invention peuvent avoir des configurations et agencements différents des conduites de dispersion de gaz dans la chambre réactionnelle (102). Les conduites de dispersion de gaz (118A, 118B, 35 118C) peuvent être activement chauffées, passivement chauffées ou chauffées de manière passive et active. Par exemple, les éléments de production de chaleur (non illustrés) peuvent être positionnés de manière adjacente à au moins une partie des conduites de dispersion de gaz (118A, 118B, 118C). Dans certains modes de réalisation, les conduites de dispersion de gaz (118A, 118B, 118C) sont chauffées par les éléments de chauffage (108). Facultativement, les structures de transfert thermique passif (par exemple les structures comprenant des matériaux qui se comportent de manière similaire à un corps noir) peuvent être situées de manière adjacente à ou proche d'au moins une partie des conduites de dispersion de gaz (118A, 118B, 118C) dans la chambre réactionnelle (102) pour améliorer le transfert de chaleur vers les conduites de dispersion de gaz (118A, 118B, 118C). Les structures de transfert thermique passif (par exemple les structures comprenant des matériaux qui se comportent de manière similaire à un corps noir) peuvent être présentes dans la chambre réactionnelle (102) comme décrit par exemple dans la demande de publication de brevet US n° US 2009/0214785 Al, qui a été publiée le 27 août 2009 au nom de Arena et al. Par exemple, une plaque de transfert thermique (124) (représentée sur les figures 1A et 1B par une ligne en pointillé) peut être placée dans la chambre réactionnelle (102) de sorte que la plaque de transfert thermique (124) se prolonge à travers la chambre réactionnelle (102) sur la structure de support de substrat (104) et les substrats à travailler (106) supportés par la structure de support de substrat (104). La plaque de transfert thermique (124) peut faciliter dans un procédé de thermalisation, la circulation des gaz à proximité de la plaque de transfert thermique (124) en absorbant le rayonnement des éléments chauffants (tels que les éléments chauffants (108)) et irradiant de nouveau la chaleur absorbée dans les gaz du procédé. Une telle structure de transfert thermique passif peut améliorer le transfert de chaleur à l'intérieur de la chambre réactionnelle (102), et peut améliorer l'homogénéité et la consistance de la température dans la chambre réactionnelle (102). Les structures de transfert thermique passif peuvent comprendre des matériaux ayant des valeurs d'émissivité élevées (proche de l'unité) (matériaux de corps noir) qui sont également capables de supporter les environnements corrosifs à température élevée que l'on peut rencontrer dans le système de dépôt (100). Ces matériaux peuvent comprendre par exemple le nitrure d'aluminium (AIN), le carbure de silicium (SiC) et le carbure de bore (B4C) qui ont respectivement des valeurs d'émissivité de 0, 98, 0,92 et 0, 92. Les sous-produits gazeux, les gaz vecteurs et tout gaz précurseur en excès peuvent être évacués hors de la chambre réactionnelle (102) par l'intermédiaire d'une sortie de chambre (126). Comme mentionné précédemment, un ou plusieurs injecteurs de gaz (150A, 150B, 150C) du système de dépôt (100) des figures 1A et 1B peuvent être ou comprendre l'un des divers modes de réalisation des injecteurs de gaz décrits plus en détail ci-dessous. Dans certains modes de réalisation, un injecteur de gaz de la présente invention peut comprendre un injecteur de gaz de thermalisation comme décrit dans la demande de brevet US n° de série 61/157 112, mais incluant en outre un réservoir configuré pour contenir un réactif liquide pour une réaction avec un gaz source (ou un produit de décomposition ou réactionnel d'un gaz source). Par exemple, le réservoir peut être configuré pour contenir un métal liquide ou un autre élément, tel que par exemple du gallium (Ga) liquide, de l'aluminium (Al) liquide ou de l'indium (In) liquide. Dans d'autres modes de réalisation de l'invention, le réservoir peut être configuré pour contenir un réactif solide pour une réaction avec un gaz source (ou un produit de décomposition ou réactionnel d'un gaz source). Par exemple, le réservoir peut être configuré pour contenir un volume solide d'un ou plusieurs matériaux tels que par exemple le silicium (Si) solide ou le magnésium (Mg) solide. La figure 2 est une vue en perspective d'un mode de réalisation d'un injecteur de gaz (200) de l'invention. Comme illustré sur la figure 2, l'injecteur de gaz (200) comprend une entrée (202), une sortie (204), une conduite de thermalisation (206) et un contenant (210). Le contenant (210) est configuré pour contenir un réactif liquide dans celui-ci. Par exemple, un métal liquide, tel que le gallium liquide, l'indium liquide, l'aluminium liquide, etc., peut être placé dans le contenant (210). Un gaz source, tel que par exemple le GaC13r et un ou plusieurs gaz vecteurs (par exemple H2) peuvent être alimentés vers l'entrée (202). Le gaz source peut circuler à partir de l'entrée (202) dans la conduite de thermalisation (206). La conduite de thermalisation (206) peut être configurée pour chauffer le gaz source circulant dans la conduite de thermalisation (206) pendant un temps souhaitable (par exemple un temps de séjour), qui peut être une fonction de la zone transversale du circuit du flux dans la conduite de thermalisation (206), le débit du gaz source dans la conduite de thermalisation (206) et la longueur globale de la conduite de thermalisation (206). La conduite de thermalisation (206) peut être façonnée et configurée pour être située proche d'un ou plusieurs éléments chauffants actifs ou passifs, comme décrit plus en détail ci-dessous. En outre, la conduite de thermalisation (206) peut comprendre une ou plusieurs sections incurvées ou un ou plusieurs tours de sorte que la longueur de l'espace physique occupé par la conduite de thermalisation (206) est significativement inférieure à la longueur réelle du circuit du flux dans la conduite de thermalisation (206). En d'autres termes, une longueur de la conduite de thermalisation (206) peut être plus longue que la distance la plus courte entre l'entrée (202) et le contenant de liquide (210). Dans certains modes de réalisation, la longueur de la conduite de thermalisation (206) peut être au moins deux fois la distance la plus courte entre l'entrée (202) et le contenant de liquide (210), au moins environ trois fois la distance la plus courte entre l'entrée (202) et le contenant de liquide (210), ou même au moins environ quatre fois la distancé la plus courte entre l'entrée (202) et le contenant de liquide (210)7 Par exemple, la conduite de thermalisation (206) peut avoir une configuration en serpentin, comme illustré sur la figure 2, qui comprend une pluralité de sections linéaires en général parallèles reliées ensemble bout à bout par des sections incurvées qui se prolongent par l'intermédiaire d'un angle de 180°. La conduite de thermalisation (206) peut comprendre un tube qui est au moins en grande partie constitué d'un matériau réfractaire tel que le quartz par exemple. Dans certains modes de réalisation, le gaz source 35 peut se décomposer au moins partiellement dans la conduite de thermalisation (206). Par exemple, dans des modes de réalisation dans lesquels le gaz source comprend le Gac13 et un gaz vecteur comprenant de l'H2r le gaz source peut se décomposer pour former du GaCl gazeux et du chlorure d'hydrogène (HCl). Les gaz circulent de la conduite de thermalisation (206) dans le contenant (210). La figure 3 est une coupe en perspective partielle élargie du contenant (210). Comme illustré sur la figure 3, le contenant (210) comprend une paroi inférieure (212), une paroi supérieure (214) et au moins une paroi latérale (216). Dans le mode de réalisation des figures 2 et 3, le réservoir possède une forme en général cylindrique de sorte que la paroi inférieure (212) et la paroi supérieure (214) ont chacune une forme circulaire et sont chacune au moins planes dans l'ensemble, et de sorte que la paroi latérale (216) est au moins cylindrique (par exemple tubulaire) dans l'ensemble. Dans d'autres modes de réalisation de l'invention, le réservoir peut être configuré selon d'autres configurations géométriques. La paroi inférieure (212), la paroi supérieure (214) et la ou les parois latérales (216) définissent ensemble un corps creux, dont l'intérieur définit un réservoir pour contenir un réactif liquide tel que du gallium liquide. L'espace intérieur dans le contenant creux (210) peut être partiellement rempli avec un réactif liquide. Par exemple, le contenant (210) peut être rempli avec un réactif liquide jusqu'au niveau indiqué par la ligne en pointillé (220) sur la figure 3, de sorte qu'un vide ou espace (222) soit présent au-dessus du réactif liquide dans le contenant (210). Les gaz circulant hors de la conduite de thermalisation (206) peuvent être injectés dans l'espace (222) au-dessus du réactif liquide dans le contenant (210). Comme exemple non limitatif, les gaz circulant hors de la conduite de thermalisation (206) peuvent circuler à travers la paroi inférieure (212) dans un tube (224). Dans certains modes de réalisation, le tube (224) peut comprend une partie intégrale de la conduite de thermalisation (206) qui se prolonge dans le contenant (210). Le tube (224) peut se prolonger dans le réactif liquide placé dans le contenant de liquide au niveau de l'espace (222) au-dessus du réactif liquide. Le tube (224) peut comprendre un coude de 90° de sorte qu'une partie terminale du tube (224) se prolonge de manière horizontale au-dessus du réactif liquide. Comme illustré sur la figure 3, une ouverture peut être présente dans la paroi latérale cylindrique du tube (224) sur un de ses côtés surface du réactif liquide, de circulant dans le tube (224) vont par l'ouverture (226). Les l'ouverture (226) peuvent être d'ouverture dans un sens orienté réactif liquide pour favoriser une plusieurs composants des gaz et le faisant face à la sorte que les gaz sortir du tube (224) gaz sortant par dirigés hors de vers la surface du réaction entre un ou réactif liquide. Par exemple, dans des modes de réalisation dans lesquels le gaz source comprend du GaC13 transporté dans un gaz vecteur tel que l' H2r et le gaz source s'est décomposé pour comprendre du GaCl gazeux et une espèce chlorée telle que par exemple du chlorure d'hydrogène (HC1) dans la conduite de thermalisation (206), le réactif liquide dans le contenant de liquide peut comprendre du gallium liquide, qui peut réagir avec le gaz chloré (par exemple HC1) généré dans la conduite de thermalisation (206) pour former du GaCl gazeux additionnel. Les gaz dans l'espace (222) au-dessus du réactif liquide dans le contenant (210) peuvent circuler hors du contenant par l'intermédiaire de l'évent (228). Par exemple, l'évent (228) peut être situé dans la paroi supérieure (214) du contenant au- dessus de la partie du tube (224) se prolongeant horizontalement. L'évent (228) peut conduire à une conduite de sortie (230) dont l'extrémité peut définir la sortie (204) de l'injecteur de gaz (200). Les divers composants du contenant (210) peuvent 10 être au moins dans l'ensemble constitués d'un matériau réfractaire tel que le quartz par exemple. Le GaCl peut être un gaz précurseur souhaitable pour la formation de GaN. Par conséquent, en convertissant l'espèce chlorée en excès telle que par 15 exemple le chlorure d'hydrogène gazeux (HCl), ceci entraîne la décomposition thermique du GaC13 et de l'H2 (dans des systèmes qui utilisent un gaz source comprenant du GaC13 et de l' H2) en GaCl additionnel, et les effets néfastes de l'espèce chlorée en excès sur le 20 matériau de GaN déposé peuvent être évités, car la quantité de l'espèce chlorée qui entre dans la chambre réactionnelle (102) peut être réduite. Ces effets néfastes peuvent comprendre, par exemple, l'incorporation d'atomes de chlore dans le réseau 25 cristallin du nitrure de gallium et le craquage ou la délamination du film de GaN déposé. L'introduction de chlorure d'hydrogène (HC1) gazeux en excès dans la chambre réactionnelle peut entraîner l'action du chlorure d'hydrogène en tant qu'attaquant chimique sur 30 le GaN dans la chambre réactionnelle, réduisant ainsi la vitesse de croissance ou empêchant même la croissance de GaN. En outre, en faisant réagir l'espèce chlorée en excès avec le gallium liquide pour former du GaCl additionnel, l'efficacité du système de 35 dépôt (100) peut être améliorée. La figure 4 illustre un autre mode de réalisation d'un injecteur de gaz de thermalisation (300) qui comprend l'injecteur de gaz (200) de la figure 2, ainsi que des composants chauffants actifs et passifs pour chauffer au moins la conduite de thermalisation (206) et le contenant (210) de l'injecteur de gaz (200). En d'autres termes, au moins un élément chauffant peut être placé à proximité de la conduite de thermalisation (206) et du contenant de liquide (210) pour chauffer au moins un de la conduite de thermalisation (206) et du contenant de liquide (210) de l'injecteur de gaz (200). Comme illustré sur la figure 4, l'injecteur de gaz de thermalisation (300) comprend un élément chauffant passif cylindrique (302) qui est placé dans un espace en général cylindrique qui est entouré par la conduite de thermalisation (206) de l'injecteur de gaz (200). L'élément chauffant passif (302) peut être au moins en grande partie constitué de matériaux ayant des valeurs d'émissivité élevées (proche de l'unité) (matériaux de corps noir) qui sont également capables de supporter les environnements corrosifs, à température élevée que l'on peut rencontrer dans le système de dépôt (100). Ces matériaux peuvent comprendre par exemple le nitrure d'aluminium (AIN), le carbure de silicium (SiC) et le carbure de bore (B4C) qui ont respectivement des valeurs d'émissivité de 0, 98, 0,92 et 0, 92. L'élément chauffant passif (302) peut être solide ou creux. Dans certains modes de réalisation, l'élément chauffant passif (302) peut être creux, et un thermocouple peut être positionné dans l'espace intérieur de l'élément chauffant passif dans un but de régulation et de surveillance de la température. Dans d'autres modes de réalisation, un thermocouple cylindrique peut être positionné autour de l'élément chauffant passif (203) et entre l'élément chauffant passif (302) et la conduite de thermalisation (206) environnant. Dans d'autres modes de réalisation, les éléments chauffants passifs cylindriques creux peuvent être placés sur et autour d'une ou plusieurs sections linéaires de la conduite de thermalisation (206). Dans ces modes de réalisation, un thermocouple cylindrique peut être positionné entre les éléments chauffants passifs cylindriques creux et les sections de la conduite de thermalisation (206) entourée par les éléments chauffants passifs cylindriques creux. L'injecteur de gaz de thermalisation (300) peut également comprendre un élément chauffant actif (304). L'élément chauffant actif (304) peut entourer au moins partiellement la conduite de thermalisation (206) et le contenant (210) de l'injecteur de gaz (200). Dans certains modes de réalisation, l'élément chauffant actif (304) peut être en général cylindrique et peut totalement se prolonger autour d'au moins une partie de la conduite de thermalisation (206) et du contenant (210) comme illustré sur la figure 4. L'élément chauffant actif (304) peut comprendre par exemple au moins un d'un élément chauffant résistant, un élément chauffant inductif et un élément chauffant rayonnant. Une chemise isolante (306) peut entourer au moins en grande partie l'injecteur de gaz (200), l'élément chauffant passif (302) et l'élément chauffant actif (304), comme illustré sur la figure 4, de sorte à améliorer l'efficacité du procédé de chauffage par lequel l'élément chauffant actif (304) et l'élément chauffant passif (302) chauffent la conduite de thermalisation (206) (ou au moins le ou les gaz contenus dans celle-ci) et le contenant (310) (ou au moins le réactif liquide et le ou les gaz contenus dans celui-ci). Les éléments chauffants actifs et passifs de l'injecteur de gaz de thermalisation (300) sont capables de chauffer la conduite de thermalisation (206), le contenant (210) et le gaz source à des températures comprises entre environ 500 °C et environ 1 000 °C. La figure 5 illustre un autre mode de réalisation d'un injecteur de gaz (400) de l'invention. L'injecteur de gaz (400) de la figure 5 est similaire à l'injecteur de gaz (200) de la figure 2 et comprend une entrée (202), une sortie (204), une conduite de thermalisation (406) et un contenant (210). Le contenant (210) peut être tel que décrit pour les figures 2 et 3. La conduite de thermalisation (406) est dans l'ensemble similaire à la conduite de thermalisation (206) de la figure 2, mis à part que la conduite de thermalisation (406) se prolonge le long d'un chemin en spirale (c'est-à-dire qu'elle a une configuration en spirale) au lieu d'avoir une configuration en serpentin, comme c'est le cas de la conduite de thermalisation (206) de la figure 2. Comme illustré sur la figure 5, les modes de réalisation de l'invention peuvent également comprendre un boîtier extérieur (450). Le boîtier extérieur (450) peut être configuré pour renfermer et protéger au moins la conduite de thermalisation (406) et le contenant (210) de l'injecteur de gaz (400). Le boîtier extérieur (450) peut également servir de conduite conduisant un gaz additionnel qui peut être utilisée par exemple pour transporter des gaz de purge (par exemple des gaz inertes). Par exemple, le boîtier extérieur (450) peut comprendre un orifice d'entrée (452) et un orifice de sortie (454) de sorte qu'un gaz puisse circuler dans le boîtier extérieur (450) entre l'orifice d'entrée (452) et l'orifice de sortie (454). Dans d'autres modes de réalisation de. l'invention, un boîtier extérieur (450) peut être présent sur l'injecteur de gaz (200) de la figure 2, l'injecteur de gaz (300) de la figure 4 ou tout autre injecteur de gaz décrit ci-dessous. En se référant toujours à la figure 5, en fonctionnement, un gaz source tel que le GaC13 et un gaz vecteur tel que l'H2 entrent dans l'injecteur de gaz (400) par l'intermédiaire de l'entrée (202) avec un débit d'entrée qui est habituellement de l'ordre de plusieurs centaines de centimètres cubiques standard par minute (sccm). Cependant, le débit peut être aussi élevé que vingt à trente litres standard par minute (SLM) ou plus. Les précurseurs gazeux, tels que le GaCl, sortent de l'injecteur de gaz (400) par l'intermédiaire de la sortie (204) à des températures comprises entre environ 500 °C et environ 1 000 °C. Un gaz de purge inerte, tel que le N2 ou un mélange de N2 et d'H2r entre dans le boîtier extérieur (450) par l'intermédiaire de l'orifice d'entrée (452) avec un débit d'entrée d'environ 1 à 5 SLM et maintient une surpression au moins à l'intérieur du boîtier extérieur (450). Le gaz de purge inerte sort du boîtier extérieur (450) par l'intermédiaire du port de sortie (454). Le gaz de purge peut également être chauffé lorsqu'il passe dans le boîtier extérieur (450). La figure 6 illustre un autre mode de réalisation d'un injecteur de gaz de thermalisation (500) qui comprend un injecteur de gaz similaire dans l'ensemble à l'injecteur de gaz (400) de la figure 5, mais sans boîtier extérieur (454). Par conséquent, l'injecteur de gaz (500) comprend une conduite de thermalisation (406) et un contenant (210) comme précédemment décrit dans cette demande. L'injecteur de gaz (500) comprend en outre une entrée (202) et une sortie (204). L'injecteur de gaz de thermalisation (500) de la figure 6 comprend en outre des éléments chauffants actifs et passifs tels que ceux précédemment décrits pour l'injecteur de gaz (300) de la figure 4. En particulier, l'injecteur de gaz (500) de la figure 6 comprend l'élément chauffant passif cylindrique (302) décrit précédemment, qui est placé dans un espace en général cylindrique qui est entouré par la conduite de thermalisation en spirale (406) de l'injecteur de gaz (500). L'injecteur de gaz de thermalisation (500) peut également comprendre un élément chauffant actif (304) et une chemise isolante (306), comme précédemment décrit pour la figure 4. Comme précédemment décrit, les éléments chauffants actifs et passifs de l'injecteur de gaz de thermalisation (500) sont capables de chauffer la conduite de thermalisation (406) et le contenant (210) à des températures comprises entre environ 500 °C et environ 1 000 °C. En se référant de nouveau à la figure 1A, dans certains modes de réalisation de l'invention, deux injecteurs de gaz (150A, 150B, 150C) ou plus peuvent être utilisés pour générer un précurseur métallique du groupé III commun pour offrir un débit accru du précurseur métallique du groupe III spécifique dans la chambre réactionnelle (102). Chaque injecteur de gaz (150A, 150B, 150C) peut être seulement capable d'offrir un précurseur métallique du groupe III et un ou plusieurs gaz vecteurs à un débit maximal, qui peut être une fonction de la taille de l'injecteur de gaz et des capacités de la source de gaz (128A, 128B, 128C). Par conséquent, pour de grandes chambres réactionnelles (102) qui nécessitent des débits d'entrée relativement importants du précurseur métallique du groupe III, le nombre d'injecteurs de gaz utilisés pour alimenter un précurseur métallique du groupe III unique peut être sélectionné de sorte que la somme des débits individuels des injecteurs de gaz donne le débit d'entrée total souhaitable du précurseur métallique du groupe III dans la chambre réactionnelle. Dans d'autres modes de réalisation de l'invention, deux injecteurs de gaz (150A, 150B, 150C) ou plus peuvent être utilisés pour générer différents précurseurs métalliques du groupe III qui peuvent être utilisés pour déposer des composés nitrures de groupe III qui comprennent deux éléments du groupe III différents ou plus tels que par exemple InGaN, AlGaN, InAlGaN, etc. A titre d'exemple et sans limitation, le premier injecteur de gaz (150A) peut être utilisé pour fournir le GaCl (en convertissant le GaC13 et l'H2 en GaCl gazeux par décomposition thermique du GaC13 et de l'H2, et par réaction de l'espèce chlorée résultant d'une telle décomposition thermique du GaC13 et de l'H2 avec du gallium liquide), le troisième injecteur de gaz (150C) peut être utilisé pour fournir l'InCl (en convertissant l'InC13 et le N2 en InCl gazeux par décomposition thermique de l'InC13 et du N2r et par réaction de l'espèce chlorée résultant d'une telle décomposition thermique de l'InC13 et du N2 avec de l'indium liquide), et le deuxième injecteur de gaz (150B) peut être utilisé pour fournir de l'ammoniac (NH3) gazeux. Le système de dépôt (100) peut comprendre un nombre quelconque d'injecteurs de gaz souhaitables nécessaires pour fournir les débits souhaités de chaque gaz précurseur nécessaires pour déposer un quelconque matériau semi-conducteur de type III-V souhaité. Dans encore d'autres modes de réalisation de l'invention, au moins l'un des injecteurs de gaz (150A, 150B, 150C) peut être utilisé pour générer un précurseur dopant (par exemple du chlorure de fer (FeCl), une espèce chlorosilane ou une espèce chlorure de magnésium) qui peut être utilisé pour transporter un dopant (par exemple des ions ou des atomes de fer, de silicium, de magnésium) dans la chambre réactionnelle (102). Pendant le procédé de dépôt, le précurseur dopant peut se décomposer et/ou réagir avec une autre substance dans la chambre réactionnelle (102) de sorte à provoquer l'incorporation du dopant dans le matériau semi-conducteur de type III-V à déposer. Dans ces modes de réalisation, il peut ne pas être nécessaire de décomposer thermiquement le précurseur dopant dans l'injecteur de gaz utilisé pour injecter le précurseur dopant. Par exemple, l'injecteur de gaz peut comprendre un réservoir configuré pour contenir un réactif solide pour une réaction avec un gaz source (ou un produit de décomposition ou de réaction d'un gaz source). Par exemple, le réservoir peut être configuré pour contenir un volume solide d'un ou plusieurs matériaux tels que par exemple du silicium (Si) solide ou du magnésium (Mg) solide. Par conséquent, la figure 7 illustre un exemple d'injecteur de gaz (500) qui peut être utilisé pour injecter de tels précurseurs dopants dans la chambre réactionnelle (102). L'injecteur de gaz (500) comprend une entrée (202), une sortie (204) et un contenant (210) comme précédemment décrit par rapport aux figures 2 et 3. Une conduite généralement linéaire (502) peut s'étendre de l'entrée (202) au contenant (210) (à la place de la conduite de thermalisation (206) des figures 2 et 3). Le contenant (210) peut être configuré pour contenir un réactif métallique liquide dans celui-ci, tel que par exemple de l'aluminium liquide, de l'indium liquide, du fer liquide, etc. L'injecteur de gaz (500) peut également comprendre des éléments chauffants actifs et/ou passifs, tels que par exemple l'élément chauffant actif (304) et la chemise isolante (306) précédemment décrits par rapport à l'injecteur de gaz (300) de la figure 4. Les éléments chauffants actifs et/ou passifs peuvent être utilisés pour chauffer le contenant (210) (ou au moins le liquide contenu dans celui-ci) à des températures suffisantes pour maintenir le métal dans le contenant (210) à l'état liquide.Un gaz source, tel que de l'acide chlorhydrique (HC1) gazeux, peut être fourni à partir d'une source de gaz (128A, 128B, 128C) à l'entrée (202). Le gaz source peut circuler de l'entrée (202) à travers la conduite (502) vers le contenant (210), où le gaz source peut réagir avec le réactif métallique liquide dans le contenant pour former un gaz précurseur (par exemple InCl, AlCl, FeCl, etc.). Le gaz précurseur peut circuler hors du contenant (210) vers la sortie (204). Le débit des gaz à travers l'injecteur de gaz (500) par rapport aux débits des autres injecteurs de gaz du système de dépôt (100) peut être réglé de manière sélective afin de régler la concentration des éléments déposés à partir du précurseur dopant dans le matériau semi-conducteur de type III-V résultant. Comme mentionné précédemment, les injecteurs de gaz (150A, 150B, 150C) du système de dépôt (100) des figures lA et 1B peuvent être entièrement situés à l'extérieur de la chambre réactionnelle (102) (comme illustré sur les figures lA et 1B), entièrement situés dans la chambre réactionnelle (102) ou au moins une partie des injecteurs de gaz (150A, 150B, 150C) peut s'étendre au moins partiellement dans la chambre réactionnelle (102), La figure 8 illustre un autre mode de réalisation d'un système de dépôt (600) de la présente invention qui est au moins en grande partie similaire au système de dépôt (100) des figures lA et 1B, mis à part que les injecteurs de gaz (150A, 150B, 150C) sont situés dans la chambre réactionnelle (102). Comme décrit ci-dessus, les modes de réalisation des injecteurs de gaz de thermalisation de l'invention peuvent être utilisés pour injecter des précurseurs métalliques du groupe III gazeux dans une chambre réactionnelle pour le traitement de nitrures de type III. Par exemple, dans certains modes de réalisation, les injecteurs de gaz de thermalisation de l'invention peuvent être utilisés pour convertir le GaC13 et l'H2 en GaCl gazeux par décomposition thermique du GaC13 et de l'H2, et par réaction d'une espèce chlorée (par exemple du chlorure d'hydrogène (HCl)) résultant d'une telle décomposition thermique du GaC13 et de l'H2 dans du gallium liquide, et pour injecteur le GaCl dans une chambre réactionnelle pour le dépôt de GaN dans un procédé HVPE. Des exemples non limitatifs supplémentaires de modes de réalisation de l'invention sont décrits ci-dessous. Mode de réalisation 1 : Procédé de dépôt d'un matériau semi-conducteur sur un substrat, le procédé comprenant : l'introduction d'un gaz source dans un injecteur de gaz de thermalisation ; la décomposition thermique du gaz source dans l'injecteur de gaz de thermalisation pour former un gaz précurseur et un sous-produit ; la réaction du sous-produit avec un réactif liquide dans l'injecteur de gaz de thermalisation pour former un gaz précurseur additionnel ; l'injection du gaz précurseur et du gaz précurseur additionnel de l'injecteur de gaz de thermalisation dans un espace dans une chambre réactionnelle ; et le dépôt du matériau sur le substrat dans la chambre réactionnelle en utilisant le gaz précurseur. Mode de réalisation 2 : Procédé selon le mode de réalisation 1, dans lequel l'introduction du gaz source dans l'injecteur de gaz de thermalisation comprend l'introduction d'un gaz vecteur et d'au moins un de GaCl3r InC13 et A1C13 dans l'injecteur de gaz de thermalisation. Mode de réalisation 3 : Procédé selon le mode de réalisation 2, dans lequel l'introduction d'un gaz vecteur et d'au moins un de GaC13r InC13 et A1C13 dans l'injecteur de gaz de thermalisation comprend l'introduction d'H2 et de GaC13 dans l'injecteur de gaz de thermalisation. Mode de réalisation 4 : Procédé selon le mode de réalisation 2, dans lequel la décomposition thermique du gaz source dans l'injecteur de gaz de thermalisation pour former le gaz précurseur et le sous-produit comprend la décomposition d'au moins un de GaC13r InC13 et A1C13 pour former au moins un du GaCl, InCl et A1C1 et une espèce chlorée. Mode de réalisation 5 : Procédé selon le mode de réalisation 4, dans lequel la décomposition d'au moins un de GaC13r InC13 et A1C13 pour former au moins un du GaCl, InCl et AlCl et une espèce chlorée comprend la décomposition de GaC13 pour former du GaCl et de l'HC1. Mode de réalisation 6 : Procédé selon le mode de réalisation 5, dans lequel la réaction du sous-produit avec le réactif liquide dans l'injecteur de gaz de thermalisation pour former le gaz précurseur additionnel comprend la réaction de l'HC1 avec du gallium liquide pour former du GaCl additionnel. Mode de réalisation 7 . Procédé selon l'un quelconque des modes de réalisation 1 à 6, comprenant en outre : l'introduction d'un autre gaz source comprenant au moins un de l'Incl3 et de l'A1C13 dans un autre injecteur de gaz de thermalisation ; la décomposition thermique de l'autre gaz source dans l'autre injecteur de gaz de thermalisation pour former un gaz précurseur comprenant au moins un de l'InCl et de l' AlCl et un sous-produit comprenant du chlore ; la réaction du sous-produit comprenant du chlore avec un réactif liquide comprenant de l'indium liquide et/ou de l'aluminium liquide dans l'autre injecteur de gaz de thermalisation pour former un gaz précurseur additionnel comprenant au moins un de l'InCl additionnel et de l'Ain additionnel ; et l'injection du gaz précurseur et du gaz précurseur additionnel de l'autre injecteur de gaz de thermalisation dans l'espace dans la chambre réactionnelle. Mode de réalisation 8 : Procédé selon le mode de réalisation 7, dans lequel le dépôt du matériau sur le substrat dans la chambre réactionnelle en utilisant le gaz précurseur comprend le dépôt d'au moins un d' InGaN et d'AlGaN. Mode de réalisation 9 : Procédé selon l'un quelconque des modes de réalisation 4 à 6, dans lequel la réaction du sous-produit avec le réactif liquide dans l'injecteur de gaz de thermalisation pour former le gaz précurseur additionnel comprend la réaction de l'espèce chlorée avec au moins un du gallium liquide, de l'indium liquide et de l'aluminium liquide pour former au moins un du GaCl additionnel, de l'InCl additionnel et de l'AlCl additionnel. Mode de réalisation 10 : Procédé selon l'un quelconque des modes de réalisation 1 à 9, comprenant en outre la sélection du réactif liquide pour comprendre un métal liquide. Mode de réalisation 11 : Procédé selon le mode de réalisation 10, comprenant en outre la sélection du réactif liquide pour comprendre au moins un du gallium liquide, de l'indium liquide et de l'aluminium liquide. Mode de réalisation 12 : Procédé selon l'un quelconque des modes de réalisation 1 à 11, comprenant en outre : l'introduction d'un autre gaz source dans un autre injecteur de gaz ; la réaction de l'autre gaz source avec un autre réactif liquide dans l'autre injecteur de gaz pour former un gaz précurseur dopant ; l'injection du gaz précurseur dopant de l'autre injecteur de gaz dans l'espace dans la chambre réactionnelle ; et le dopage du matériau déposé sur le substrat dans la chambre réactionnelle en utilisant le gaz précurseur dopant. Mode de réalisation 13 Procédé selon le mode de réalisation 12, dans lequel l'introduction de l'autre gaz source dans l'autre injecteur de gaz comprend l'introduction d'HC1 gazeux dans l'autre injecteur de gaz. Mode de réalisation 14 : Procédé selon le mode de réalisation 12 ou le mode de réalisation 13, comprenant en outre la sélection de l'autre réactif liquide pour comprendre au moins un du fer liquide, de l'indium liquide et de l'aluminium liquide. Mode de réalisation 15 : Injecteur de gaz de thermalisation pour l'injection d'un ou plusieurs gaz dans une chambre réactionnelle d'un système de dépôt, comprenant : une entrée ; une conduite de thermalisation ; un contenant de liquide configuré pour contenir un réactif liquide dans celui-ci ; une sortie ; et un chemin se prolongeant de l'entrée, à travers la conduite de thermalisation vers un espace intérieur dans le contenant de liquide, et de l'espace intérieur dans le contenant de liquide vers la sortie ; dans lequel la conduite de thermalisation possède une longueur supérieure à la distance la plus courte entre l'entrée et le contenant de liquide. Mode de réalisation 16 : Injecteur de gaz de thermalisation selon le mode de réalisation 15, comprenant en outre un métal liquide dans le contenant de liquide. Mode de réalisation 17 : Injecteur de gaz de thermalisation selon le mode de réalisation 15, comprenant en outre au moins un du gallium liquide, de l'indium liquide et de l'aluminium liquide dans le contenant de liquide. Mode de réalisation 18 : Injecteur de gaz de thermalisation selon l'un quelconque des modes de réalisation 15 à 17, comprenant en outre au moins un élément chauffant placé à proximité d'au moins un de la conduite de thermalisation et du contenant de liquide. Mode de réalisation 19 : Injecteur de gaz de thermalisation selon le mode de réalisation 18, dans lequel au moins un élément chauffant comprend un élément chauffant passif au moins constitué dans l'ensemble d'au moins un de nitrure d'aluminium (AIN), de carbure de silicium (SiC) et de carbure de bore (B4C). Mode de réalisation 20 : Injecteur de gaz de thermalisation selon le mode de réalisation 18 ou le mode de réalisation 19, dans lequel le au moins un élément chauffant comprend un élément chauffant actif. Mode de réalisation 21 : Injecteur de gaz de thermalisation selon le mode de réalisation 20, dans lequel l'élément chauffant actif comprend au moins un d'un élément chauffant résistant, un élément chauffant inducteur et un élément chauffant rayonnant. Mode de réalisation 22 _ Injecteur de gaz de thermalisation selon l'un quelconque des modes de réalisation 15 à 21, dans lequel la longueur de la conduite de thermalisation est au moins deux fois la distance la plus courte entre l'entrée et le contenant de liquide. Mode de réalisation 23 : Injecteur de gaz de thermalisation selon le mode de réalisation 22, dans lequel la longueur de la conduite de thermalisation est au moins quatre fois la distance la plus courte entre l'entrée et le contenant de liquide. Mode de réalisation 24 : Injecteur de gaz de thermalisation selon l'un quelconque des modes de réalisation 15 à 23, dans lequel au moins un de la conduite de thermalisation et du contenant de liquide est au moins constitué(e) en grande partie de quartz. Mode de réalisation 25 : Système de dépôt, comprenant : une chambre réactionnelle ; et au moins un injecteur de gaz de thermalisation configuré pour injecter un ou plusieurs gaz dans la chambre réactionnelle, l'injecteur de gaz de thermalisation comprenant : une entrée ; une conduite de thermalisation ; un contenant de liquide configuré pour contenir un réactif liquide dans celui-ci ; une sortie ; et un chemin se prolongeant de l'entrée, à travers la conduite de thermalisation vers un espace intérieur dans le contenant de liquide, et de l'espace intérieur dans le contenant de liquide vers la sortie ; dans lequel la conduite de thermalisation possède une longueur supérieure à la distance la plus courte entre l'entrée et le contenant de liquide. Mode de réalisation 26 : Système de dépôt selon le mode de réalisation 25, dans lequel le au moins un injecteur de gaz de thermalisation est placé à l'extérieur de la chambre réactionnelle. Mode de réalisation 27 : Système de dépôt selon le mode de réalisation 25, dans lequel le au moins un injecteur de gaz de thermalisation est placé au moins partiellement dans la chambre réactionnelle. Mode de réalisation 28 : Système de dépôt selon l'un quelconque des modes de réalisation 25 à 27, comprenant en outre : au moins une source de gaz ; et au moins une conduite d'arrivée de gaz configurée pour transporter un gaz source de la source de gaz vers l'entrée du au moins un injecteur de gaz de thermalisation. Mode de réalisation 29 : Système de dépôt selon le mode de réalisation 28, dans lequel la au moins une source de gaz comprend une source d'au moins un de GaC13r InC13 et A1C13. Mode de réalisation 30 : Système de dépôt selon l'un quelconque des modes de réalisation 25 à 29, comprenant en outre un métal liquide dans le contenant de liquide. Mode de réalisation 31 : Système de dépôt selon l'un quelconque des modes de réalisation 25 à 29, comprenant en outre au moins un du gallium liquide, de l'indium liquide et de l'aluminium liquide dans le contenant de liquide. Mode de réalisation 32 : Système de dépôt selon l'un quelconque des modes de réalisation 25 à 31, comprenant en outre au moins un élément chauffant placé à proximité d'au moins un de la conduite de thermalisation et du contenant de liquide. Mode de réalisation 33 : Système de dépôt selon le mode de réalisation 32, dans lequel le au moins un élément chauffant comprend un élément chauffant passif au moins constitué dans l'ensemble d'au moins un de nitrure d'aluminium (AIN), de carbure de silicium (SiC) et de carbure de bore (B4C). Mode de réalisation 34 : Système de dépôt selon le mode de réalisation 32 ou le mode de réalisation 33, dans lequel le au moins un élément chauffant comprend un élément chauffant actif. Mode de réalisation 35 : Système de dépôt selon le mode de réalisation 34, dans lequel l'élément chauffant actif comprend au moins un d'un élément chauffant résistant, un élément chauffant inducteur et un élément chauffant rayonnant. Mode de réalisation 36 : Système de dépôt selon l'un quelconque des modes de réalisation 25 à 35, dans lequel la longueur de la conduite de thermalisation est au moins deux fois la distance la plus courte entre l'entrée et le contenant de liquide. Mode de réalisation 37 : Système de dépôt selon l'un quelconque des modes de réalisation 25 à 36, dans lequel le ou les injecteurs de gaz de thermalisation comprennent deux injecteurs de gaz de thermalisation ou plus. Mode de réalisation 38 : Système de dépôt selon le mode de réalisation 37, dans lequel les deux injecteurs de gaz de thermalisation ou plus comprennent : un premier injecteur de gaz de thermalisation, du gallium liquide placé dans le contenant de liquide du premier injecteur de gaz de thermalisation ; et un deuxième injecteur de gaz de thermalisation, au moins un de l'indium liquide et de l'aluminium liquide placé(s) dans le contenant de liquide du deuxième injecteur de gaz de thermalisation. Mode de réalisation 39 : Système de dépôt selon le mode de réalisation 38, comprenant en outre : une première source de gaz configurée pour fournir du GaC13 à l'entrée du premier injecteur de gaz de thermalisation ; et une seconde source de gaz configurée pour fournir au moins un de l'InC13 et de l'AlCl3 à l'entrée du deuxième injecteur de gaz de thermalisation. Mode de réalisation 40 : Système de dépôt selon l'un quelconque des modes de réalisation 25 à 39, comprenant en outre : un autre injecteur de gaz configuré pour injecter un gaz précurseur dopant dans la chambre réactionnelle, l'autre injecteur de gaz comprenant : une entrée ; une conduite ; un contenant de liquide configuré pour contenir un réactif dopant liquide dans celui-ci ; une sortie ; et un chemin se prolongeant de l'entrée, par l'intermédiaire de la conduite de thermalisation vers un espace intérieur dans le contenant de liquide, et de l'espace intérieur dans le contenant de liquide vers la sortie ; et une source de gaz configurée pour fournir de l'HC1 gazeux à l'entrée de l'autre injecteur de gaz. Mode de réalisation 41 : Système de dépôt selon le mode de réalisation 40, comprenant en outre un dopant liquide dans le contenant de liquide. Mode de réalisation 42 : Système de dépôt selon le mode de réalisation 41, dans lequel le dopant liquide comprend du fer liquide. Mode de réalisation 43 : Système de dépôt selon l'un quelconque des modes de réalisation 25 à 42, dans lequel au moins un de la conduite de thermalisation et le contenant de liquide est au moins constitué(e) en grande partie de quartz. REVENDICATIONS1. Injecteur de gaz de thermalisation pour l'injection d'un ou plusieurs gaz dans une chambre 5 réactionnelle d'un système de dépôt, comprenant : une entrée ; une conduite de thermalisation ; un contenant de liquide configuré pour contenir un réactif liquide dans celui-ci ; 10 une sortie ; et un chemin se prolongeant de l'entrée, à travers la conduite de thermalisation vers un espace intérieur dans le contenant de liquide, et de l'espace intérieur dans le contenant de liquide vers la sortie ; 15 dans lequel la conduite de thermalisation possède une longueur supérieure à la distance la plus courte entre l'entrée et le contenant de liquide. 2. Injecteur de gaz de thermalisation selon la 20 revendication 1, comprenant en outre un métal liquide dans le contenant de liquide. 3. Injecteur de gaz de thermalisation selon la revendication 1, comprenant en outre au moins un du 25 gallium liquide, de l'indium liquide et de l'aluminium liquide dans le contenant de liquide. 4. Injecteur de gaz de thermalisation selon la revendication 1, dans lequel au moins un de la conduite 30 de thermalisation et du contenant de liquide est au moins constitué(e) en grande partie de quartz. 5. Injecteur de gaz de thermalisation selon la revendication 1, comprenant en outre au moins unélément chauffant placé à proximité de la au moins une conduite de thermalisation et du contenant de liquide. 6. Injecteur de gaz de thermalisation selon la revendication 5, dans lequel le au moins un élément chauffant comprend un élément chauffant passif au moins constitué dans l'ensemble de nitrure d'aluminium (AIN), de carbure de silicium (SiC) et/ou de carbure de bore (B4C) 7. Injecteur de gaz de thermalisation selon la revendication 5, dans lequel le au moins un élément chauffant comprend un élément chauffant actif. 15 8. Injecteur de gaz de thermalisation selon la revendication 7, dans lequel l'élément chauffant actif comprend au moins un d'un élément chauffant résistant, un élément chauffant inducteur et un élément chauffant rayonnant. 20 9. Injecteur de gaz de thermalisation selon la revendication 1, dans lequel la longueur de la conduite de thermalisation est au moins deux fois la distance la plus courte entre l'entrée et le contenant de liquide. 25 10. Injecteur de gaz de thermalisation selon la revendication 9, dans lequel la longueur de la conduite de thermalisation est au moins quatre fois la distance la plus courte entre l'entrée et le contenant de 30 liquide. 11. Système de dépôt, comprenant : une chambre réactionnelle ; et au moins un injecteur de gaz de thermalisation 35 selon l'une des revendications 1 à 10, configuré pour 10injecter un ou plusieurs gaz dans la chambre réactionnelle. 12. Système de dépôt selon la revendication 11, dans lequel le au moins un injecteur de gaz de thermalisation est placé à l'extérieur de la chambre réactionnelle. 13. Système de dépôt selon la revendication 11, dans lequel le au moins un injecteur de gaz de thermalisation est placé au moins partiellement dans la chambre réactionnelle. 14. Système de dépôt selon la revendication 11, 15 comprenant en outre au moins une source de gaz ; et au moins une conduite d'arrivée de gaz configurée pour transporter un gaz source de la source de gaz vers l'entrée du au moins un injecteur de gaz de 20 thermalisation. 15. Système de dépôt selon la revendication 14, dans lequel la au moins une source de gaz comprend une source d'au moins un de GaCl3r InC13 et AlCl3. 25 16. Système de dépôt selon la revendication 11, comportant : un premier injecteur de gaz de thermalisation, du gallium liquide placé dans le contenant de liquide du 30 premier injecteur de gaz de thermalisation ; et un deuxième injecteur de gaz de thermalisation, au moins un de l'indium liquide et de l'aluminium liquide placé(s) dans le contenant de liquide du deuxième injecteur de gaz de thermalisation. 35 17. Système de dépôt selon la revendication 16, comprenant en outre : une première source de gaz configurée pour fournir du GaC13 à l'entrée du premier injecteur de gaz de 5 thermalisation ; et une seconde source de gaz configurée pour fournir au moins un de l'InC13 et de l'A1C13 à l'entrée du deuxième injecteur de gaz de thermalisation. 10 18. Système de dépôt selon la revendication 11, comprenant en outre : un autre injecteur de gaz configuré pour injecter un gaz précurseur dopant dans la chambre réactionnelle, l'autre injecteur de gaz comprenant : 15 une entrée ; une conduite ; un contenant de liquide configuré pour contenir un réactif dopant liquide dans celui-ci ; une sortie ; et 20 un chemin se prolongeant de l'entrée, par l'intermédiaire de la conduite de thermalisation vers un espace intérieur dans le contenant de liquide, et de l'espace intérieur dans le contenant de liquide vers la sortie ; et 25 une source de gaz configurée pour fournir de l'HC1 gazeux à l'entrée de l'autre injecteur de gaz. 19. Système de dépôt selon la revendication 11, comprenant en outre un dopant liquide dans le contenant 30 de liquide. 20. Système de dépôt selon la revendication 19, dans lequel le dopant liquide comprend du fer liquide. 35 21. Procédé de dépôt d'un matériau semi-conducteur sur un substrat, le procédé comprenant : l'introduction d'un gaz source dans un injecteur de gaz de thermalisation d'un système de dépôt selon l'une des revendications 11 à 20 ; la décomposition thermique du gaz source dans l'injecteur de gaz de thermalisation pour former un gaz précurseur et un sous-produit ; la réaction du sous-produit avec un réactif 10 liquide dans l'injecteur de gaz de thermalisation pour former un gaz précurseur additionnel ; l'injection du gaz précurseur et du gaz précurseur additionnel de l'injecteur de gaz de thermalisation dans un espace de la chambre réactionnelle ; et 15 le dépôt du matériau sur le substrat dans la chambre réactionnelle en utilisant le gaz précurseur. 22. Procédé selon la revendication 21, dans lequel l'introduction du gaz source dans l'injecteur de 20 gaz de thermalisation comprend l'introduction d'un gaz vecteur et d'au moins un de GaC13i InC13 et AlCl3 dans l'injecteur de gaz de thermalisation. 23. Procédé selon la revendication 22, dans 25 lequel l'introduction d'un gaz vecteur et d'au moins un de GaC13r InC13 et A1C13 dans l'injecteur de gaz de thermalisation comprend l'introduction d' H2 et de GaC13 dans l'injecteur de gaz de thermalisation. 30 24. Procédé selon la revendication 22, dans lequel la décomposition thermique du gaz source dans l'injecteur de gaz de thermalisation pour former le gaz précurseur et le sous-produit comprend la décomposition d'au moins un de GaC13r InC13 et A1C13 et d' H2 pourformer au moins un du Gan, InCl et AlCl et d'une espèce chlorée. 25. Procédé selon la revendication 24, dans lequel la décomposition d'au moins un de GaCl3r InC13 et A1C13 et d' H2 pour former au moins un du GaCl, InCl et A1C1 et de l' HC1 comprend la décomposition de GaCl3 et d'H2 pour former du GaCl et d'une espèce chlorée. 26. Procédé selon la revendication 25, dans lequel la réaction du sous-produit avec le réactif liquide dans l'injecteur de gaz de thermalisation pour former le gaz précurseur additionnel comprend la réaction d'une espèce chlorée avec du gallium liquide pour former du GaCl additionnel. 27. Procédé selon la revendication 26, comprenant en outre : l'introduction d'un autre gaz source comprenant au 20 moins un de l'Inc13 et de l'A1C13 dans un autre injecteur de gaz de thermalisation ; la décomposition thermique de l'autre gaz source dans l'autre injecteur de gaz de thermalisation pour former un gaz précurseur comprenant au moins un de 25 l'InCl et de l'AlCl et un sous-produit comprenant du chlore ; la réaction du sous-produit comprenant du chlore avec un réactif liquide comprenant un de l'indium liquide et de l'aluminium liquide dans l'autre 30 injecteur de gaz de thermalisation pour former un gaz précurseur additionnel comprenant au moins un de l'InCl additionnel et de l'AlCl additionnel ; et l'injection du gaz précurseur et du gaz précurseur additionnel de l'autre injecteur de gaz dethermalisation dans l'espace dans la chambre réactionnelle. 28. Procédé selon la revendication 27, dans lequel le dépôt du matériau sur le substrat dans la chambre réactionnelle en utilisant le gaz précurseur comprend le dépôt d'au moins un d'InGaN et d'AlGaN. 29. Procédé selon la revendication 24, dans lequel la réaction du sous-produit avec le réactif liquide dans l'injecteur de gaz de thermalisation pour former le gaz précurseur additionnel comprend la réaction d'une espèce chlorée avec au moins un du gallium liquide, de l'indium liquide et de l'aluminium liquide pour former au moins un du GaCl additionnel, de l'InCl additionnel et de l'AlCl additionnel. 30. Procédé selon la revendication 21, comprenant en outre la sélection du réactif liquide pour 20 comprendre un métal liquide. 31. Procédé selon la revendication 21, comprenant en outre la sélection du réactif liquide pour comprendre au moins un du gallium liquide, de l'indium 25 liquide et de l'aluminium liquide. 32. Procédé selon la revendication 21, comprenant en outre : l'introduction d'un autre gaz source dans un autre 30 injecteur de gaz ; la réaction de l'autre gaz source avec un autre réactif liquide dans l'autre injecteur de gaz pour former un gaz précurseur dopant ;l'injection du gaz précurseur dopant de l'autre injecteur de" gaz dans l'espace dans la chambre réactionnelle ; et le dopage du matériau déposé sur le substrat dans 5 la chambre réactionnelle en utilisant le gaz précurseur dopant. 33. Procédé selon la revendication 32, dans lequel l'introduction de l'autre gaz source dans 10 l'autre injecteur de gaz comprend l'introduction d'HCl gazeux dans l'autre injecteur de gaz. 34. Procédé selon la revendication 32, comprenant en outre la sélection de l'autre réactif liquide pour 15 comprendre au moins un du fer liquide, de l'indium liquide et de l'aluminium liquide.