FR 2964254 A1 20120302 FR 1056861 A 20100830 SUPPORT DE DISPOSITIF A DIODE ELECTROLUMINESCENTE ORGANIQUE, UN TEL DISPOSTIF A DIODE ELECTROLUMINESCENTE ORGANIQUE ET SON PROCEDE DE FABRICATION L'invention concerne un support de dispositif à diode électroluminescente organique, ledit dispositif et sa fabrication. Un dispositif OLED (pour « Organic Light Emitting Diodes » en anglais) comporte un matériau ou un empilement de matériaux électroluminescents organiques, et est encadré par deux électrodes, l'une des électrodes, l'anode en général, étant constituée par celle associée au substrat verrier et l'autre électrode, la cathode en général, étant agencée sur les matériaux organiques à l'opposé de l'anode. L'OLED émet de la lumière par électroluminescence en utilisant l'énergie de recombinaison de trous injectés depuis l'anode et d'électrons injectés depuis la cathode. Dans le cas où l'électrode associée au substrat est transparente, les photons émis traversent cette électrode transparente ainsi que le substrat verrier support de LOLED pour fournir de la lumière en dehors du dispositif. Une OLED trouve généralement son application dans un écran de visualisation ou plus récemment dans un dispositif d'éclairage. Pour un système d'éclairage, la lumière extraite de LOLED est de préférence une lumière « blanche » en émettant dans certaines, voire toutes longueurs d'onde du spectre visible. Elle doit l'être en outre de manière homogène. On parle à ce sujet plus précisément d'une émission lambertienne, c'est-à-dire obéissant à la loi de Lambert en étant caractérisée par une luminance photométrique égale dans toutes les directions. Une OLED présente une faible efficacité d'extraction de lumière : le rapport entre la lumière qui sort effectivement du substrat verrier et celle émise par les matériaux électroluminescents organiques est relativement faible, de l'ordre de 0,25. Ce phénomène, s'explique notamment, par le fait qu'une certaine quantité de photons reste emprisonnée entre la cathode et l'anode. Il est donc recherché des solutions pour améliorer l'efficacité d'une OLED, à savoir augmenter le gain en extraction tout en fournissant une lumière, de préférence blanche, et la plus homogène possible. On entend par homogène dans la suite de la description, une homogénéité en intensité, et dans l'espace. Il est aussi connu d'apporter à l'interface verre-anode soit une couche diffusante formée par un liant et des particules diffusantes soit une structure à saillies périodiques, qui constitue un réseau de diffraction et permet ainsi d'augmenter le gain en extraction. Le document US 2004/0227462 montre à cet effet une OLED dont le substrat transparent de support de l'anode et de la couche organique est texturé. La surface du substrat présente ainsi une alternance d'excroissances et de creux, dont le profil est suivi par l'anode et la couche organique, déposés dessus. Le profil du substrat est obtenu en appliquant un masque de résine photosensible sur la surface du substrat dont le motif correspond à celui recherché des excroissances, puis en gravant la surface au travers du masque. Cependant, un tel procédé n'est pas facile à mettre en oeuvre de façon industrielle sur de grandes surfaces de substrat, et est surtout trop onéreux, tout particulièrement pour des applications d'éclairage. Ce réseau de l'art antérieur optimise le gain d'extraction autour d'une certaine longueur d'onde mais en revanche ne favorise pas une émission de lumière blanche, au contraire, il a tendance à sélectionner certaines longueurs d'onde et émettra par exemple davantage dans le bleu ou le rouge. Le document US 2006/0192483 propose quant à lui d'agencer sur le substrat en verre un réseau diffractif en silice bidimensionnel ayant des périodicités distinctes en fonction des régions suivant un vecteur de translation donné pour pallier le manque d'uniformité de la luminance. Ce réseau diffractif est éventuellement surmonté d'une couche haut indice en ZnO de surface plane, pour éviter des défaillances électriques, et ensuite de l'anode transparente en ITO. La longueur de la périodicité est entre 80% et 120% de la longueur moyenne périodique. La longueur de la périodicité est entre 0,1 pm et 5 pm. La hauteur du réseau est comprise entre 80% et 120% de la hauteur moyenne. La hauteur du réseau est entre 50 nm et 20 pm. A nouveau, l'extraction de la lumière blanche n'est pas satisfaisante. Le document WO 2008/121414 propose quant à lui une structure qui consiste à insérer entre le système électroluminescent organique d'indice de réfraction 1,7 -1,8 et la première électrode une grille d'indice optique entre 1 et 1,5. Cette grille suivant les exemples est hexagonale ou rectangulaire. Le matériau bas indice est choisi parmi de la silice, du TiO2, de l'aérogel (silice, carbone, alumine..), du téflon. Suivant les essais, la grille est large de 0,5 à 1,2 pm, la grille est espacée de 4 à 8 pm. Dans un exemple préféré, la grille est large de 0,8 pm espacée de 5 pm et la première électrode est en ITO de 100 nm d'épaisseur. Cette structure proposée améliore certes l'extraction de la lumière, mais la puissance lumineuse n'est pas satisfaisante. L'invention a pour but de proposer un support pour dispositif OLED alternatif, avec à la fois un gain en extraction de lumière (blanche en particulier) de l'OLED satisfaisant et avec une puissance lumineuse satisfaisante, notamment support simple à fabriquer à l'échelle industrielle, et fiable, à moindre coût. La présente a pour premier objet un support pour dispositif à diode électroluminescente organique comportant : - un substrat transparent de premier indice de réfraction optique n1 donné avec une première face principale dite interne et une deuxième face principale dite externe, la face interne comportant : un réseau, (essentiellement) diélectrique, notamment non métallique, sous forme de couche(s) arrangée(s) de manière discontinue composant ainsi un ensemble de motifs, dits bas indice, le réseau ayant un deuxième indice de réfraction optique n2 inférieur ou égal à 1,6, les motifs bas indice étant de hauteur submicronique, de largeur moyenne Al de motifs inférieure ou égale à 6 pm, et I(d)es motifs étant disjoints et les motifs adjacents étant alors espacés d'une distance intermotifs donnée et/ou I(d)es motifs étant interconnectés, notamment en grille, avec une distance intramotifs donnée, la distance B1, qui est la moyenne des distances intermotifs et/ou intramotifs, est micronique supérieure à la largeur Al et inférieure ou égale à 50 pm, la distance B1 étant apériodique, une première électrode, notamment transparente, sous forme de couche(s) avec un troisième indice de réfraction optique n3 donné supérieur ou égal à 1,7, la première électrode ayant une résistance carré inférieure à 30 ohm par carré, de préférence inférieure à 10 ohm par carré, encore plus préférentiellement inférieure à 5 ohms par carré. En outre, - au moins une fraction d'épaisseur de la première électrode est au-dessus dudit réseau et en contact avec la surface du réseau la plus éloignée du substrat ou est espacée du réseau de motifs bas indice (par une couche sous jacente), - le réseau est enterré dans un milieu haut indice, le milieu haut indice comprenant la première électrode comme couche(s) la (les) plus éloignée(s) du substrat, le milieu haut indice ayant un quatrième indice de réfraction n4 supérieur ou égal à 1,7. D'une part, vis-à-vis de l'OLED proposée dans le document WO 2008/121414 l'extraction de l'OLED selon l'invention est comparable, voire améliorée car les motifs bas indice se trouvent au coeur de la structure guidante haut indice (comprenant le système OLED et le milieu haut indice selon l'invention incluant la première électrode) diffusant ainsi efficacement la lumière. La Demanderesse a en outre constaté que du fait qu'une partie importante de l'anode du dispositif de l'art antérieur est recouverte par ce matériau bas indice isolant électrique, toute cette surface de l'OLED finale de l'art antérieur est inactive. Diminuer drastiquement l'épaisseur des brins ou augmenter considérablement l'espacement entre les brins pourrait permettre d'augmenter la surface active de l'OLED, mais cela au détriment de l'efficacité d'extraction. Ainsi un compromis qui permettrait d'optimiser la surface active tout en conservant une extraction lumineuse correcte ne permettrait pas de retrouver l'intégralité de la surface active. Selon l'invention, les motifs bas d'indice (pour un contraste d'indice avec le milieu haut indice) sont en-dessous du système OLED et couvert (au moins en partie) par la première électrode pour que la totalité de l'OLED selon l'invention soit électriquement active, ce qui permet d'augmenter la puissance lumineuse émise en conservant d'excellentes performances d'extraction lumineuse. Une très faible conduction supra-motif (sur, au-dessus des motifs) suffit pour distribuer le courant. D'autre part, vis-à-vis de l'OLED proposée dans le document US 2006/0192483, l'extraction en lumière de l'OLED selon l'invention est améliorée qu'il s'agisse de lumière polychromatique (notamment blanche, pour l'éclairage général en particulier) ou monochromatique (pour un éclairage décoratif par exemple). En effet, ce réseau diffractif de l'art antérieur ne permet d'améliorer l'extraction lumineuse que sélectivement, ajoutant une forte dépendance angulaire (néfaste pour tout type de lumière) et colorimétrique (néfaste pour la lumière blanche) de l'émission lumineuse, les différents ordres de diffraction ayant des profils angulaires d'émission très marqués. Ainsi, le caractère apériodique, voire aléatoire de la distance B1 entre les motifs sur l'ensemble du réseau bas indice selon l'invention permet d'obtenir une distribution angulaire de la lumière émise quasi lambertienne et un gain en extraction pour une large bande de longueurs d'onde (pas d'effet colorimétrique visible). Il n'y a pas d'effets de diffraction. En outre, la largeur des motifs du réseau permet d'améliorer le pouvoir d'extraction sans craindre la diffraction. La largeur moyenne Al (voire la largeur maximale) des motifs du réseau est de préférence inférieure ou égale à 3 pm et supérieure à 100 nm. Dans la présente invention, on entend par réseau enterré dans un milieu essentiellement) haut indice, un réseau à l'intérieur d'un milieu (essentiellement) haut indice. Dans la présente invention, on entend par indice de réfraction optique l'indice de réfraction mesuré à 550 nm. Il peut s'agir de l'indice moyen dans le cas de multicouches continues (couche de fond multicouche et/ou réseau multicouche et/ou électrode multicouche et/ou système électroluminescent organique multicouche...). On définit l'indice moyen de multicouches continues par la somme des indice n; fois l'épaisseur e; de chaque couche sur l'épaisseur totale e du milieu soit Lnl.el /e . Le milieu haut indice est essentiellement haut indice au sens où il peut comprendre (en dehors du réseau naturellement) sans être pénalisé : - une couche bas indice, sensiblement continue, avec un taux occupation > à 90 %, d'indice de réfraction inférieur à 1,7, d'épaisseur inférieure ou égale à 20 nm, - ou une pluralité de couches dites bas indice, chacune sensiblement continue, avec un taux occupation > à 90 %, d'indice de réfraction inférieur à 1,7, d'épaisseur inférieure ou égale à 20 nm, notamment espacées entre elles d'une distance inférieure à 40 nm, voire à 20 nm, la ou les couches bas indice ayant une épaisseur (cumulée si plusieurs couches) inférieure à 0,20 fois l'épaisseur du milieu haut indice. Dans la présente invention, en l'absence de précision, on définit une couche (ou revêtement) haut indice comme ayant un indice de réfraction supérieur ou égal à 1,7. Dans une configuration, le milieu haut indice peut comprendre une première électrode dite à grille planarisée formée d'une couche métallique qui est discontinue, agencée au-dessus du réseau et au-dessus de l'espace entre motifs, avec un taux occupation Le milieu haut indice peut comporter une couche de fond haut indice directement sur le substrat et/ou une couche haut indice sous le réseau et sur une couche de fond (haut indice ou bas indice), choisie parmi : - une couche barrière aux alcalins du substrat choisi verrier, notamment en nitrure de silicium S13N4 éventuellement dopé; d'oxycarbure de silicium, d'oxynitrure de silicium, d'oxycarbonitrure de silicium, d'oxyde de zinc et d'étain, notamment d'épaisseur entre 5 et 1000 nm, voire inférieure à 500 nm, voire à 150 nm, de préférence entre 20 et 150 nm en incluant ces valeurs, - et/ou une couche, notamment de fond, d'arrêt de gravure de la première électrode notamment à base d'oxyde d'étain SnO2, de Si3N4, notamment d'épaisseur entre 5 et 300 nm en incluant ces valeurs, - et/ou une couche notamment de fond hydrophile sur le substrat choisi plastique, couche choisie parmi une couche de nitrure, notamment en nitrure de silicium, et/ou une couche d'oxyde notamment en oxyde de titane, en zircone, - et/ou une couche de fond, uniquement sous le réseau, qui est une couche de lissage du substrat sous jacent est choisie parmi - une couche (essentiellement) non cristallisée en un oxyde simple ou mixte, par exemple déposée sous vide, notamment une couche choisie à base d'oxyde mixte à base de zinc et d'étain (SnXZnyOZ ou « ZTO »), à base d'oxyde mixte d'indium et d'étain (ITO), ou à base d'oxyde mixte d'indium et de zinc (IZO), d'épaisseur entre 5 et 1000 nm, de préférence d'épaisseur inférieure ou égale à 500 nm voire à 150 nm, une couche sol gel, notamment en ZrO2, en TiO2, d'épaisseur entre 5 et 1000 nm, de préférence d'épaisseur inférieure ou égale à 500 nm voire à 150 nm, et/ou une couche de fond vitreuse, par exemple en fritte de verre fondue, sur le substrat choisi en verre minéral. Pour enterrer de manière simple le réseau, le milieu haut indice peut comprendre une couche (essentiellement) haut indice, notamment transparente, déposée sur et entre les motifs, de préférence sur toute la hauteur du réseau, couche qui est une monocouche ou une multicouche. Pour enterrer de manière simple le réseau, l'espace entre les motifs peut être rempli au moins en partie par la première électrode et la première électrode couvrir directement le réseau. La première électrode peut avoir une indice (moyen) n3 entre 1,8 à 2,2. La première électrode peut être sous forme de couche(s) mince(s) déposée(s) par exemple par dépôt(s) en phase vapeur, notamment par pulvérisation magnétron, par évaporation. La première électrode peut comprendre principalement (au moins 80% en épaisseur d'électrode), voire est constituée d'une monocouche (continue) à base d'au moins un oxyde transparent conducteur notamment choisie à base d'oxyde de zinc dopé notamment à l'aluminium (AZO) ou au gallium (GZO), à base d'oxyde mixte d'indium et d'étain (ITO) ou à base d'oxyde mixte d'indium et de zinc (IZO), d'oxyde mixte d'Indium, Gallium et de Zinc (IGZO) notamment d'épaisseur au moins égale à 100 nm et inférieure à 1500 nm, voire inférieure ou égale à 500 nm. La première électrode peut aussi comprendre un empilement, essentiellement haut indice notamment transparent, de couches (minces, continues), notamment d'épaisseur totale inférieure à 500 nm, voire inférieure à 300 nm comportant dans cet ordre : - une première sous couche haut indice à base d'oxyde transparent conducteur, - une première couche fonctionnelle métallique à propriétés intrinsèques de conductivité électrique, la couche fonctionnelle étant à base d'un matériau pur qui est de préférence de l'argent, ou à base dudit matériau pur allié ou dopé avec un autre matériau choisi parmi : Ag Au, Pd, Al, Pt, Cu, Zn, Cd, ln, Si, Zr, Mo, Ni, Cr, Mg, Mn, Co, Sn, notamment d'épaisseur comprise entre 3 et 20 nm, - une surcouche haut indice à base d'oxyde transparent conducteur, - et éventuellement entre la première couche fonctionnelle métallique et la surcouche au moins une fois la séquence suivante : une couche séparatrice haut indice à base d'oxyde transparent conducteur, une autre couche fonctionnelle métallique. Naturellement l'indice (moyen) n3 de cet empilement à couche(s) fonctionnelle(s) métallique(s) reste haut indice même avec les fines couches fonctionnelles métalliques et les éventuelles ultrafines couches métalliques sous ou surbloqueur. Une sous-couche ou surcouche de l'empilement à couche(s) fonctionnelle(s) métallique(s) contribue à l'amélioration des performances électriques de la première électrode (conductivité électrique et/ou adaptation du travail de sortie par différentes fonctions) : - sous-couche de croissance (ou de contact) ayant pour objet de favoriser la cristallinité de la couche métallique, - couche de lissage pour réduire la diffusion électronique aux interfaces, - couche de protection aux agressions extérieures parmi lesquelles : bombardement ionique pendant le dépôt d'une autre couche, humidité, corrosion, migration d'alcalins. Pour les choix de la couche de contact, d'une couche de lissage, d'une couche dite sur bloqueur ou sous bloqueur, on peut se référer aux demandes de brevets WO 30 2008/029060 et WO 2008/059185 et WO 2009/083693. De préférence, pour des raisons de coût, l'épaisseur totale en matériau contenant de l'indium dans la première électrode sous forme d'empilement à couche(s) fonctionnelle(s) métallique(s) peut être inférieure ou égale à 60 nm, de préférence inférieure ou égale à 50 nm. Plus largement, de préférence l'épaisseur totale en matériau contenant de l'indium dans le milieu haut indice peut être inférieure ou égale à 60 nm, de préférence inférieure ou égale à 50 nm. De préférence, pour favoriser l'injection de courant et/ou limiter la valeur de la tension de fonctionnement, la surcouche, voire la ou les couche(s) séparatrice(s) de l'empilement à couche(s) fonctionnelle(s) métallique(s) présente une résistivité électrique, à l'état massif, inférieure ou égale à 10' ohm.cm, de préférence inférieure ou égale à 106 ohm.cm, voire même inférieure ou égale 104 ohm.cm. Notamment l'empilement à couche(s) fonctionnelle(s) métallique(s) peut être de préférence exempt de surcouche d'épaisseur (totale) supérieure ou égale à 15 nm voire supérieure ou égale 10 nm même 5 nm à base de nitrure de silicium, d'oxyde de silicium, d'oxynitrure de silicium, d'oxycarbure de silicium, à base d'oxycarbonitrure de silicium, ou encore à base d'oxyde de titane. Comme déjà décrit la première électrode peut aussi comprendre par exemple une couche métallique, en argent ou en aluminium et/ou en cuivre et avec son revêtement de planarisation, cette couche métallique étant ici discontinue, notamment arrangée en grille, couche par exemple et est de préférence fabriquée sans étape de gravure chimique ou ionique. Elle peut être fabriquée notamment par masquage tel que décrit dans la demande de brevet WO 2008/132397. On emploie par exemple la même nature de masque (en adaptation la largeur des ouvertures et la taille des blocs du masque si nécessaire) que pour le masque servant pour former le réseau bas indice selon l'invention. A noter qu'on peut aussi choisir d'avoir une électrode planarisée arrangée en grille haut indice telle que fabriquée comme décrit ci-dessus, par exemple en oxyde transparent conducteur (ITO, AZO...). Pour une meilleure efficacité, le taux de remplissage (autrement dit le taux de couverture sur la surface totale couverte par le réseau) du réseau peut être entre 1 et 40 % en incluant ces valeurs, de préférence entre 3 et 20 % en incluant ces valeurs, voire entre 5 et 15 % en incluant ces valeurs, taux par exemple mesuré par contraste au microscope (optique ou électronique) sur une surface de référence par exemple d'au moins 300x300 pm2. Les motifs peuvent être de toute forme, notamment géométrique, notamment avoir une section sensiblement en créneau, arrondi au sommet. Les motifs peuvent être unidimensionnels (plots,..) ou bidimensionnel : motifs allongés, en lignes courbes ou droites ... Comme déjà indiqué les motifs peuvent être disjoints (plots, lignes espacées...) et/ou (partiellement) interconnectés, notamment en forme de maille (avec des ruptures de mailles possibles), donnant un réseau arrangé en grille apériodique (aléatoire), la distance B1 étant alors la distance intramaille. Le dépôt du réseau de matériau bas indice peut être fait en utilisant des techniques conventionnelles de photolithographie. Toutefois, dans un procédé avantageux selon l'invention, les dimensions considérées (motifs de largeur de l'ordre de la longueur d'onde visible, et de préférence taux de remplissage de la surface du substrat d'environ 15%) sont tout à fait compatible avec un procédé avec un masque aléatoire. Les avantages sont nombreux, notamment : - bas coût, - réseau non périodique (empêchant les effets de diffraction). Concernant les dimensions du réseau : - la distance B1 peut être avantageusement inférieure à 50 pm, de préférence inférieure ou égale à 30 pm voire inférieure ou égale à 10 pm, et même inférieure ou égale à 6 pm, et de préférence avec une distribution de distances entre motifs définie par un écart type supérieur à 10% de la valeur moyenne, par exemple mesurable par microscopie optique, - et de préférence la distance maximale apériodique intermotifs ou intramotifs peut être avantageusement inférieure ou égale à 100 pm voire à 50 pm, et par exemple avec une distance intramotifs excluant un écart de plus de 50% entre une distance maximale suivant un premier axe et une distance suivant un deuxième axe oblique, notamment perpendiculaire, et/ou - la largeur moyenne Al de motifs peut être inférieure ou égale à 5 pm, voire à inférieure ou égale 2 pm, et de préférence la largeur Al est apériodique avec une distribution de largeurs Al des motifs défini par un écart type supérieur à 50% de la valeur moyenne, par exemple mesurable par microscopie optique, - et de préférence la largeur maximale de motifs du réseau peut être avantageusement inférieure ou égale à 10 pm voire à 5 pm, et/ou - la hauteur moyenne (et de préférence maximale) des motifs peut être inférieure ou égale à 300 nm, voire inférieure ou égale à 200 nm, voire inférieure ou égale à 150 nm - notamment pour limiter les défaillances électriques dans le cas du dépôt de la première électrode sur et entre les motifs -, la hauteur moyenne est de préférence supérieure à 50 nm, voire supérieure ou égale à 80 nm. Le réseau diélectrique peut comprendre (voire est constitué de) une couche de silice, notamment sol-gel, qui de préférence est une couche (sol gel) poreuse avec un n1 inférieur ou égal à 1,5 voire inférieur ou égal à 1,4 voire même à inférieur ou égal à 1,3. Une couche bas indice structurée (par exemple par embossage) peut être porteuse en surface dite externe (surface opposée à la face interne substrat) du réseau des motifs bas indice. Ainsi cette couche est d'épaisseur supérieure à la hauteur des motifs, laissant une épaisseur de couche pleine sous jacente au réseau d'épaisseur au maximum inférieure 40 nm et inférieure à 1/10 de la hauteur maximale du réseau. Le substrat transparent peut être un verre minéral notamment un verre dit pelliculaire d'épaisseur entre 20 pm et 75 pm en incluant ces valeurs, par exemple un verre dit ultramince tel que proposé par Nippon Electric Glass et décrit dans la demande de brevet JP2010132347. On choisit de préférence un verre industriel, notamment les silicates, de préférence à bas coût. Il s'agit de préférence d'un verre silicosodocalcique. Le substrat transparent selon l'invention peut être un substrat flexible léger. Le substrat selon l'invention peut par exemple être ou comporter un film polymère constitué en tout polymère thermoplastique transparent de propriétés appropriées. Des exemples de polymères thermoplastiques appropriés comprennent, notamment, le polyéthylène téréphtalate (PET), le polyéthylène naphtalate (PEN), le polycarbonate, le polyuréthane, le polyméthacrylate de méthyle, les polyamides, les polyimides, ou encore les polymères fluorés tels que l'éthylène tétrafluoroéthylène (ETFE), le polyfluorure de vinylidène (PVDF), le polychlorotrifluoréthylène (PCTFE), l'éthylène de chlorotrifluoréthylène (ECTFE), les copolymères éthylène-propylène fluorés (FEP), en polyester, en polyamide. Le support peut comporter au-dessus de la première électrode un système électroluminescent organique, notamment d'épaisseur comprise entre 50 et 1000 nm, le système électroluminescent organique émettant de préférence une lumière polychromatique, notamment blanche. Sur la première électrode sont ainsi déposées (directement) le système avec la ou les couches organiques de I'OLED haut indice généralement la ou les couches électroluminescentes organiques entre d'autres couches organiques. L'indice n4 peut être à partir de 1,8, voire au-delà (1,9 même plus). L'indice n3 peut être indifféremment inférieur égal ou supérieur à n4. L'OLED est à émission par le bas et éventuellement aussi par le haut suivant que l'électrode supérieure (la deuxième électrode) est réfléchissante ou respectivement semi réfléchissante, ou même transparente (notamment de TL comparable à la première électrode typiquement à partir de 60% et de préférence supérieure ou égale à 80%). De manière avantageuse, le réseau ayant une hauteur moyenne donnée, le système électroluminescent organique et le milieu optique peuvent former un guide optique d'épaisseur Dl donnée (sans exclure la les éventuelles épaisseurs de couche(s) bas indice; la ou les épaisseurs de couches métalliques), le milieu du réseau, défini comme la moitié de la hauteur moyenne, est à une distance D2 de la surface (la plus éloignée du substrat) du système électroluminescent organique supérieure ou égale à 0,3 Dl (en comptant les couches bas indice) voire supérieure ou égale à 0,4 Dl, et inférieure ou égale à 0,7 Dl voire à inférieure ou égale 0,6 Dl, la deuxième électrode (directement) sur le système électroluminescent organique étant par exemple réfléchissante, métallique. Dans une configuration spécifique, le système électroluminescent organique, le milieu optique et une deuxième électrode (semi transparente) haut indice (directement) sur le système électroluminescent organique forment un guide optique d'épaisseur Dl donnée, le milieu du réseau, défini comme la moitié de la hauteur moyenne, est à une distance D2 de la surface (externe) de la deuxième électrode supérieure ou égale à 0,3 Dl voire supérieure ou égale à 0,4 Dl, et inférieure ou égale à 0,7 Dl voire inférieure ou égale 0,6 Dl. Le réseau selon l'invention se trouvant en plein milieu de la structure guidante haut indice, à l'endroit où le champ électrique est le plus intense, il diffuse très efficacement les rayons. Plus le guide optique est mince (notamment avec un substrat bas indice) plus le champ électrique a un maximum d'intensité important et le réseau est avantageusement centré sur ce maximum pour être le plus efficace. Une telle position garantit une meilleure efficacité qu'avec un réseau directement sur le substrat bas indice ou sur une couche de fond bas indice car alors ce réseau est dans une zone de bord où le champ électrique est moins intense. Dans le cas où le substrat est haut indice, le guide optique est relativement épais (même avec un substrat ultramince) le champ électrique est plus étalé et le réseau peut être décentré sans perdre d'efficacité. Le support peut s'utiliser comme support dans un dispositif à diode électroluminescente organique pour l'éclairage. Le dispositif à diode électroluminescent organique, notamment pour l'éclairage, peut inclure le support. Le réseau ayant une hauteur moyenne donnée Le système électroluminescent organique selon l'invention peut être d'épaisseur inférieure ou égale à 250 nm, voire à 150 nm l'épaisseur du milieu haut indice dans la partie sous jacente au réseau est inférieure à 200 nm, voire à 150 nm, l'épaisseur de la première électrode est inférieure à 200 nm, voire à 100 nm, la hauteur moyenne du réseau est au moins égale à 50 nm voire à 100 nm et de préférence inférieure à 200 nm. Le système électroluminescent organique, notamment pour l'éclairage, selon l'invention, peut être d'épaisseur supérieure à 250 nm, voire à 400 nm et inférieure à 1100 nm, l'épaisseur du milieu haut indice dans la partie sous jacente au réseau est inférieure à 1100 nm, voire à 800 nm, l'épaisseur de la première électrode sus jacente au réseau et d'une éventuelle couche entre les brins est supérieure à 250 nm voire à 400 nm et inférieure à 1000 nm, la hauteur moyenne du réseau est au moins égale à 50 nm voire à 100nm et de préférence inférieure à 200 nm. Le système OLED est de préférence prévu pour émettre un rayonnement polychromatique peut être défini à 0° par des coordonnées (x1, y1) dans le diagramme colorimétrique CIE XYZ 1931, coordonnées données donc pour un rayonnement à la normale. Le système OLED peut être de préférence adapté pour émettre une lumière (sensiblement) blanche, le plus proche possible des cordonnées (0,33 ; 0,33) ou des coordonnées (0,45 ; 0,41), notamment à 0°. Pour produire de la lumière sensiblement blanche plusieurs méthodes sont possibles notamment les suivantes: mélange de composés (émission rouge vert, bleu) dans une seule couche, empilement sur la face des électrodes de trois structures organiques (émission rouge vert, bleu) ou de deux structures organiques (jaune et bleu). L'OLED peut être arrangée pour produire une lumière polychromatique uniforme, notamment pour un éclairage homogène, sur une seule zone ou pour produire différentes zones lumineuses, de même intensité ou d'intensité distincte. L'OLED peut faire partie d'un vitrage multiple, notamment un vitrage sous vide ou avec lame d'air ou autre gaz. Le dispositif peut aussi être monolithique, comprendre un vitrage monolithique pour gagner en compacité et/ou en légèreté. L'OLED peut être collée ou de préférence feuilletée avec un autre substrat plan dit capot, de préférence transparent tel qu'un verre, à l'aide d'un intercalaire de feuilletage. L'OLED peut former un panneau d'éclairage, ou de rétro-éclairage (sensiblement blanc et/ou uniforme) notamment de surface (pleine) d'électrode supérieure ou égale à 1x1 cm2, voire jusqu'à 5x5 cm2 même 10x10 cm2 et au-delà. Ainsi, LOLED peut être conçue pour former un seul pavé éclairant (avec une seule surface d'électrode) en lumière polychromatique (sensiblement blanche) ou une multitude de pavés éclairants (avec plusieurs surfaces d'électrode) en lumière polychromatique (sensiblement blanche), chaque pavé éclairant doté d'une surface (pleine) d'électrode supérieure ou égale à 1x1 cm2, voire 5x5 cm2, 10x10 cm2 et au-delà. L'invention concerne également les diverses applications que l'on peut trouver à ces OLED, formant une ou des surfaces lumineuses transparentes et/ou réfléchissantes (fonction miroir) disposés aussi bien en extérieur qu'en intérieur. Le dispositif peut former (choix alternatif ou cumulatif) un système éclairant, décoratif, architectural, etc.), un panneau d'affichage de signalisation - par exemple du type dessin, logo, signalisation alphanumérique, notamment un panneau d'issue de secours. Lorsque les électrodes et la structure organique de LOLED sont choisies transparentes, on peut réaliser notamment une fenêtre éclairante. L'amélioration de l'éclairage de la pièce n'est alors pas réalisée au détriment de la transmission lumineuse. En limitant en outre la réflexion lumineuse notamment du côté extérieur de la fenêtre éclairante, cela permet aussi de contrôler le niveau de réflexion par exemple pour respecter les normes anti-éblouissement en vigueur pour les façades de bâtiments. Plus largement, le dispositif, notamment transparent par partie(s) ou entièrement, peut être : - destiné au bâtiment, tel qu'un vitrage lumineux extérieur, une cloison lumineuse interne ou une (partie de) porte vitrée lumineuse notamment coulissante, - destiné à un véhicule de transport, tel qu'un toit lumineux, une (partie de) vitre latérale lumineuse, une cloison lumineuse interne d'un véhicule terrestre, aquatique ou aérien (voiture, camion train, avion, bateau, etc.), - destiné au mobilier urbain ou professionnel tel qu'un panneau d'abribus, une paroi d'un présentoir, d'un étalage de bijouterie ou d'une vitrine, une paroi d'une serre, une dalle éclairante, - destiné à l'ameublement intérieur, un élément d'étagère ou de meuble, une façade d'un meuble, une dalle éclairante, un plafonnier, une tablette éclairante de réfrigérateur, une paroi d'aquarium, - destiné au rétro-éclairage d'un équipement électronique, notamment d'écran de visualisation ou d'affichage, éventuellement double écran, comme un écran de télévision ou d'ordinateur, un écran tactile. Les OLED sont généralement dissociées en deux grandes familles suivant le matériau organique utilisé. Si les couches électroluminescentes sont des petites molécules, on parle de SMOLED (« Small Molecule Organic Light Emitting Diodes » en anglais). D'une manière générale la structure d'une SM-OLED consiste en un empilement de couches d'injection de trous ou « HIL» pour « Hole Injection Layer» en anglais, couche de transport de trous ou « HTL» pour « Hole Transporting Layer» en anglais, couche émissive, couche de transport d'électron ou « ETL » pour « Electron Transporting Layer » en anglais. Des exemples d'empilements électroluminescents organiques sont par exemple décrits dans le document intitulé «four wavelength white organic light emitting diodes using 4, 4'- bis- [carbazoyl-(9)]- stilbene as a deep blue emissive layer» de C.H. Jeong et autres, publié dans Organics Electronics 8 (2007) pages 683-689. Si les couches électroluminescentes organiques sont des polymères, on parle de PLED (« Polymer Light Emitting Diodes » en anglais). L'empilement de couches organiques d'un dispositif l'OLED comprend donc au moins une couche centrale électroluminescente organique pour produire une lumière, de préférence blanche, intercalée entre une couche de transport d'électrons et une couche de transport de trous, elles-mêmes intercalées entre une couche d'injection d'électrons et une couche d'injection de trous. Il existe des dispositifs OLED comportant une couche « HTL » (Hole Transport Layer en anglais) fortement dopée comme décrits dans US7274141 et pour lesquels la dernière couche de la première électrode n'a pas nécessairement la fonction d'adaptation du travail de sortie. Il existe des systèmes OLEDS d'épaisseur entre 100 et 500 nm, typiquement 350 nm ou des systèmes OLED plus épais par exemple de 800 nm comme décrits dans l'article intitulé « Novaled PIN OLED® Technology for High Performance OLED Lighting », de Philip Wellmann, relatif à la conférence Lighting Korea, 2009. La seconde électrode de l'OLED, ou électrode supérieure ou encore généralement cathode, est en matériau électriquement conducteur et de préférence (semi)réfléchissant, en particulier un matériau métallique du type argent ou aluminium. Chacune des couches du milieu haut indice est de préférence peu absorbante, notamment d'absorption dans le visible inférieur à 10-2 cm-1. De préférence, le milieu haut indice peut comprendre voire être constitué de couches essentiellement inorganiques ou hybrides (organique inorganique). L'invention concerne aussi un procédé de fabrication du support de dispositif à diode électroluminescente organique tel que défini précédemment et qui comprend : - la fourniture du substrat transparent haut indice ou du substrat transparent bas indice avec au moins une couche haut indice dudit milieu haut indice, notamment couche de fond, - avant la formation complète de la première électrode dans le cas où l'électrode est en partie sous le réseau, ou avant la formation de la première électrode dans le cas ou l'électrode (directement ou non) sur le réseau (et éventuellement entre les motifs), la formation du réseau diélectrique de motifs bas indice à couche(s) avec la distance B1 aléatoire, sans étape(s) de photolithographie ni de gravure (ionique ou chimique), - notamment pour (achever) l'enterrement du réseau dans le milieu haut indice, le dépôt (d'au moins une couche haut indice (de préférence dépôt non sélectif c'est- à-dire entre les motifs et sur les motifs). L'invention concerne également un procédé de fabrication du support de dispositif à diode électroluminescente organique tel que défini précédemment dont la formation du réseau diélectrique de motifs bas indice avec une distance B1 aléatoire comprend : - le dépôt sur le substrat haut indice ou sur une couche (bas indice ou haute indice du milieu haut indice), notamment couche de fond haut indice, d'une couche de masquage par voie liquide (notamment une couche sol gel fissurable, par exemple de silice), - le séchage de la couche de masquage jusqu'à l'obtention d'un masque avec des interstices avec une distance B entre interstices aléatoire sensiblement égale à la distance aléatoire B1 des motifs du réseau (souhaité), - le dépôt au travers des interstices du masque et de préférence sur le masque de couche(s) en matériau(x) du réseau de motifs bas indice jusqu'à remplir au moins une fraction de la profondeur des interstices, - l'enlèvement du masque, jusqu'à laisser révéler le réseau diélectrique de motifs bas indice. L'invention concerne également un procédé de fabrication du support du dispositif à diode électroluminescente organique tel que défini comme suit : - le dépôt par voie liquide est un dépôt d'une solution de particules colloïdales stabilisées et dispersées dans un solvant, - les particules ayant une température de transition vitreuse Tg donnée, le dépôt et le séchage du masque sont mis en oeuvre à une température inférieure à ladite température Tg, notamment formant un maillage à bord sensiblement droit, notamment un réseau bidimensionnel d'interstices, - le dépôt au travers des interstices de couche(s), notamment de silice, du réseau de motifs bas indice, est en phase gazeuse, - l'enlèvement du masque est de préférence par voie liquide. Après séchage on obtient ainsi des amas de nanoparticules, amas de tailles variables et séparés par les interstices elles-mêmes de tailles variables. Pour obtenir les ouvertures sur toute la profondeur, il est nécessaire à la fois : - de choisir des particules de taille limitée (nanoparticules), pour favoriser leur dispersion, avec préférablement une dimension caractéristique (moyenne) entre 10 et 300 nm en incluant ces valeurs, voire entre 50 et 150 nm en incluant ces valeurs, - de stabiliser les particules dans le solvant (notamment par traitement par des charges de surface, par exemple par un tensioactif, par contrôle du PH), pour éviter qu'elles ne s'agglomèrent entre elles, qu'elles précipitent et/ou qu'elles ne tombent par gravité. En outre, on ajuste la concentration (totale) de particules, préférablement entre 5% et 50% en volume en incluant ces valeurs, voire entre 10% et 50% en volume en incluant ces valeurs, encore plus préférentiellement entre 20% et 40% en incluant ces valeurs. En cas de mélange de particules, la solution a une concentration en volume d'au moins 80% de particules de Tg supérieure à la température de séchage. L'écart entre la température de transition vitreuse Tg donné des particules et la température de séchage est de préférence supérieur à 10°C voire 20°C. L'invention concerne également un procédé de fabrication du dispositif à diode électroluminescente organique tel que défini précédemment dont le masque présente une épaisseur inférieure à 5 pm, de préférence inférieure ou égale à 3 pm, notamment entre 0,5 et 3 pm en incluant ces valeurs, et avant le dépôt de couche(s) du réseau de motifs bas indice, le masque est porté à une température supérieure ou égale à 0,8 fois Tg, élargissant ainsi les interstices jusqu'à une largeur moyenne Al inférieure ou égale à 5 pm voire inférieure ou égale à 2 pm et une distance moyenne B1 inférieure ou égale à 10 pm voire inférieure ou égale à 6 pm. Pour un tel masque assez mince (et à interstices étroites), on préfère diluer suffisamment la solution colloïdale dans de l'eau, pour avoir une concentration (totale) de particules inférieure ou égale à 35%. On réduit ainsi fortement la taille des craquelures qui sont ensuite élargies suffisamment par la haute température subie par le masque (recuit par exemple) produisant une compaction du masque. L'invention concerne également un procédé de fabrication du dispositif à diode électroluminescente organique dont le substrat est en verre et dont la formation du réseau en sol-gel de silice comprend les étapes suivantes : - la fourniture d'un sol de précurseur du matériau constitutif de la couche de silice notamment un composé hydrolysable tel qu'un alcoxyde de silicium, dans un solvant notamment aqueux et/ou alcoolique, mélangé éventuellement avec un agent porogène, - un dépôt d'une couche dudit sol de silice, - une étape éventuelle d'élimination de solvant, - un embossage (partiel ou complet) de la couche avec un masque porteur de motifs complémentaires desdits motifs bas indice. Cette couche sol gel de silice peut être poreuse et obtenue par élimination d'un agent porogène notamment solide, le procédé comprenant, après l'embossage, la formation du réseau de motifs bas indice en sol gel de silice poreux, par ladite élimination de l'agent porogène à l'aide d'un traitement thermique, notamment à partir de 350°C voire 500°C, ou même 600°C suivi de préférence d'une opération de trempe (thermique). L'embossage peut s'effectuer de préférence à une température comprise entre 65°C et 150°C, de préférence entre 100°C et 120°C notamment pour des sols gels à base silane, notamment TEOS. La surface peut être suffisamment durcie avant séparation du masque et du produit. Aussi, le motif est par exemple de préférence rigidifié (ou au moins commence à se rigidifier) pendant le contact et/ou après le contact, par au moins l'un des traitements suivants : traitement thermique, radiatif, par une exposition à une atmosphère contrôlée, le ou les traitements modifiant les propriétés mécaniques de la surface. La présente invention est maintenant décrite à l'aide d'exemples uniquement illustratifs et nullement limitatifs de la portée de l'invention, et à partir des illustrations ci-jointes, dans lesquelles la figure 1 représente une vue schématique en coupe d'un support pour OLED conformément à l'invention dans un premier mode de réalisation, les figures 2a et 2b représentent en vue de dessus le masque du réseau à motifs bas indice d'un support pour OLED conformément à l'invention, sous forme d'une image obtenue par microscopie et d'un calque de cette image, les figures 3a à 4b représentent chacune en vue de dessus le réseau diélectrique à motifs bas indice d'un support pour OLED conformément à l'invention, sous forme d'images obtenues par microscopie et de calques de ces images, la figure 5 représente schématiquement en vue de dessus un autre réseau à motifs bas indice d'un support pour OLED conformément à l'invention. La figure 1, qui n'est pas à l'échelle pour une meilleure compréhension, montre schématiquement en vue de coupe un support 10 pour dispositif à diode électroluminescente organique 100 dans une première configuration qui comporte successivement : - un substrat transparent bas indice 1, par exemple plastique (de préférence en PET ou PEN d'épaisseur de 50 à 250 pm) ou en verre « bas indice » (notamment sodocalcique, d'épaisseur de 0,7 mm à 3 mm ou un verre pelliculaire), qui comporte sur une première face principale dans cet ordre, - un milieu haut indice 10 enterrant un réseau bas indice 3 comportant successivement : - une couche de fond 2 déposée directement sur le substrat, couche haut indice, transparente et (sensiblement) continue, avec un indice de réfraction n5 supérieur ou égal à 1,7, - d'éventuelles autres couches haut indice (non montrées), - un réseau diélectrique 3 de motifs bas indice 30 avec un deuxième indice de réfraction optique n2 inférieur ou égal à 1,6, réseau présentant une distance entre motifs ou intra motifs B1 apériodique et une largeur de motifs Al, les motifs étant 1 D ou 2D, disjoints ou jointifs, par exemple interconnectés et formant une grille irrégulière, - entre le réseau apériodique 3 et sur le réseau, une première électrode transparente sous forme d'un premier revêtement électro-conducteur 4, qui est l'anode, avec un indice de réfraction optique n3 supérieur ou égal à 1,7. La couche de fond haut indice 2 peut être en S;3N4 déposée par pulvérisation magnétron, plus précisément déposée par pulvérisation réactive à l'aide d'une cible en silicium dopée à l'aluminium, sous une pression de 0,25 Pa dans une atmosphère argon/azote. Son épaisseur est par exemple de 100 nm. La couche de fond recouvre le substrat (à l'émargeage près) et sert aussi : - de barrière aux alcalins dans le cas du verre, - et/ou de couche hydrophile dans le cas du plastique, - d'arrêt de gravure lors de la gravure notamment acide de la première électrode. Des couches haut indice, notamment transparentes, peuvent être agencées sous le réseau, sur la couche de fond, voire entre les motifs, sont par exemple en AIN, en TCO tels que SnZnO, ZnO, ITO, en TiO2, ZrO2 avec ou sans présence d'éléments dopants. Le réseau bas indice quant à lui est par exemple une couche de silice SiO2 et de préférence une couche de silice (sol-gel) poreuse pour abaisser l'indice de réfraction. La première électrode 4, de préférence l'anode, comporte par exemple un revêtement électro-conducteur transparent haut indice tel qu'à base d'oxyde d'indium dopé à l'étain (ITO) ou un empilement à l'argent. L'empilement à l'argent comprend une éventuelle sous-couche d'oxyde mixte à base de zinc et d'étain éventuellement dopée ou une couche d'oxyde mixte d'indium et d'étain (ITO) ou une couche d'oxyde mixte d'indium et de zinc (IZO), une couche de contact à base d'oxyde métallique, choisie parmi ZnOX dopée ou non, SnyZn,OX, ITO ou IZO, une couche fonctionnelle métallique, par exemple à l'argent, à propriété intrinsèque de conductivité électrique, une éventuelle fine couche de surblocage directement sur la couche fonctionnelle, la fine couche de surblocage comprenant une couche métallique d'épaisseur inférieure ou égale à 5 nm et/ou une couche avec une épaisseur inférieure ou égale à 10 nm qui est à base d'oxyde métallique sous stoechiométrique, d'oxynitrure métallique sous stoechiométrique ou de nitrure métallique sous stoechiométrique (et éventuellement une fine couche de sous blocage directement sous la couche fonctionnelle), une surcouche à base d'oxyde métallique par exemple d'adaptation du travail de sortie. Sur les éventuelles couches de fond et/ou couche d'arrêt de gravure humide et/ou sous couches est agencée n fois la structure suivante, avec n un nombre entier supérieur ou égal à 1 (notamment n=2 soit une bicouche à l'argent) : la couche de contact, éventuellement une fine couche de sous blocage, la couche fonctionnelle, la fine couche de surblocage. La couche finale reste la surcouche. On peut ainsi citer un empilement à l'argent par exemple comme décrit dans les 35 documents WO2008/029060 et WO2008/059185 ou encore WO2009/083693. Le tableau 1 ci-après résume la nature et l'épaisseur géométrique en nanomètres des différents exemples d'empilements à bicouches argent et d'un empilement à monocouche argent, ainsi que leurs principales caractéristiques optiques et électriques. Exemples de première n°1 n°2 n°3 n°4 n°5 électrode Couches/ e(nm) SnZn:SbOX 5 7 4 6 5 ZnO:Al 5 3 6 4 5 Ag 8 9 11 9 12 Ti 0,5 On réalise ensuite sur le système organique une seconde électrode sous forme d'un second revêtement électro-conducteur (non montré) qui est réfléchissante destiné à renvoyer la lumière émise par le système organique vers la direction opposée, celle du substrat transparent 1 depuis lequel sort la lumière (top emission). Le milieu haut indice 10 complété par le système électroluminescent à matériau(x) organique(s) forme un guide optique haut indice 100 d'épaisseur Dl donnée (hors l'épaisseur du réseau naturellement), incluant l'éventuelle grille métallique de l'électrode à grille ou des éventuelles couches métalliques d'une électrode à empilement de couches). Les épaisseurs sont de préférence choisies de façon à ce que le réseau bas indice soit placé suffisamment proche du centre du guide d'onde haut indice. Dans la configuration de la figure 1 (réseau sur la couche de fond, première électrode entre le réseau et couvrant directement le réseau), avec les épaisseurs de 100 nm pour la couche de fond haut indice, notamment S13N4, d'environ 100 nm de la première électrode haut indice (empilement multicouche à l'argent par exemple), de 100 nm de l'empilement organique d'indice moyen 1,8, et le réseau de hauteur 80 nm, l'épaisseur Dl de guide est de 300 nm environ, le milieu du réseau (à 40 nm) est centré de manière optimale dans le guide d'onde à une distance D2 (en comptant les couches bas indice, métalliques) de 140 nm de la surface externe du guide (surface du système organique). Dans le cas d'une OLED épaisse, c'est-à-dire où l'empilement organique avec la première électrode est de plusieurs centaines de nm (notamment du fait d'une épaisseur de couche HTL importante afin de limiter la sensibilité aux défauts électriques), il convient d'augmenter d'autant l'épaisseur de la couche de fond. Dans la configuration de la figure 1 (réseau sur la couche de fond, première électrode entre le réseau et couvrant directement le réseau), avec les épaisseurs : - de 800 nm pour la couche de fond, notamment S13N4, - d'environ 150 nm de la première électrode, notamment en ITO, - de 650 nm de l'empilement organique d'indice moyen 1,8, - et le réseau de hauteur 80 nm l'épaisseur Dl de guide est de 1600 nm environ, le milieu du réseau (à 40 nm) est centré de manière optimale dans le guide d'onde à une distance D2 de 760 nm (en comptant les couches bas indice) de la surface externe du guide (surface du système organique). Dans la configuration de la figure 1 (réseau sur la couche de fond, première électrode entre le réseau et couvrant directement le réseau), avec les épaisseurs : - de 800 nm pour la couche de fond, notamment S13N4, - d'environ 100 nm de la première électrode, notamment empilement multicouche à l'argent, - de 800 nm de l'empilement organique d'indice moyen 1,8, - et le réseau de hauteur 80 nm l'épaisseur Dl de guide est de 1700 nm environ, le milieu du réseau (à 40 nm) est centré de manière optimale dans le guide d'onde à une distance D2 de 860 nm (en comptant les couches bas indice) de la surface externe du guide (surface du système organique). Si en première variante, on choisit une deuxième électrode en couche haut indice (TCO...) notamment en ITO (par exemple de 100 - 150 nm d'épaisseur), le guide optique comprend cette deuxième électrode et il faut inclure son épaisseur dans l'épaisseur dans Dl et dans l'évaluation de D2. Dans une première variante non montrée, le verre est haut indice et par exemple le réseau est déposé directement sur le verre ou sur une couche de fond haut indice mince. Le réseau n'a pas nécessairement à être centré dans le guide d'onde pour être le plus efficace. Dans une deuxième variante non montrée, on dépose en reprise une couche de S13N4 directement entre les motifs et sur le réseau bas indice entre et sur les motifs 30, la première électrode 4 est alors déposée directement sur cette couche haut indice. La première électrode peut être alors un empilement tel que déjà décrit ou encore une grille métallique planarisée par un revêtement haut indice par exemple obtenu par dépôt sur un masque craqué ou encore une couche TCO. Dans la configuration de cette deuxième variante (réseau sur la couche de fond, couche en reprise entre le réseau et couvrant directement le réseau et première électrode au-dessus), avec les épaisseurs : de 100 nm pour la couche de fond haut indice 2, S13N4, d'environ 100 nm de la couche en reprise de S13N4, d'environ 20 nm de la première électrode haut indice 4 (empilement monocouche à l'argent par exemple), de 100 nm de l'empilement organique 5 d'indice moyen 1,8, et le réseau de hauteur 80 nm, l'épaisseur Dl de guide est de 320 nm environ, le milieu du réseau (à 40 nm) est centré de manière optimale dans le guide d'onde à une distance D2 de 160 nm de la surface externe du guide (surface du système organique). Des exemples plus détaillés de fabrication du réseau diélectrique bas indice suivent. 20 EXEMPLE 1 DE FABRICATION - Etape n°1 de dépôt d'un masque Sur une couche haut indice (de préférence la couche de fond) ou sur un substrat 25 notamment en verre minéral haut indice, on dépose par une technique de voies humides, par « spin coating » un mélange de deux solutions de deux types de particules colloïdales à base de copolymère acrylique stabilisées dans de l'eau. La première solution contient des premières particules colloïdales présentant une dimension caractéristique comprise de 80 à 100 nm et sont commercialisées par la 30 société DSM sous la marque Neocryl XK 52® et sont de température de transition vitreuse Tgl égale à 115°C et sont diluées à 40% dans de l'eau. La deuxième solution contient des deuxièmes particules colloïdales présentant une dimension caractéristique comprise de 190 nm et sont commercialisées par la société DSM sous la marque Neocryl XK 240® et sont de température de transition vitreuse Tg2 35 inférieure à 30°C et sont diluées à 52% dans de l'eau. Ce sont les premières particules (« dures ») qui rendent le masque fissurable en choisissant un séchage inférieur à Tgl de préférence la température ambiante. Les deuxièmes particules contribuent à l'adhésion du masque sur le substrat ou la couche sous-jacente. On choisit de mélanger 97 volumes de la première solution avec 3 volumes de la deuxième solution. La concentration totale en particules dans le mélange des deux solutions est d'environ 40 % en volume et le mélange a une concentration en volume de plus de 95% des premières particules. L'épaisseur du masque est de 8 à 10 pm. On procède alors au séchage de la couche incorporant les particules colloïdales de manière à faire évaporer le solvant et à former les interstices. Ce séchage peut être réalisé par tout procédé approprié et de préférence à une température inférieure à Tg (séchage à l'air chaud ...), par exemple à température ambiante. Lors de cette étape de séchage le système s'auto-arrange suivant un arrangement irrégulier. On obtient un masque stable sans avoir recours à un recuit. On obtient un réseau bidimensionnel d'interstices à contour fermé entourant des blocs de taille variable. Le masque présente une largeur variable, apériodique d'interstices entre 1,5 et 5,7 pm, et une longueur variable, apériodique d'un bloc entre 15 et 65 pm. On peut modifier le rapport longueur sur largeur également en adaptant par exemple le coefficient de frottement entre les colloïdes compactées et la surface de la couche de fond, ou encore la taille des nanoparticules, voire aussi la vitesse d'évaporation, ou la concentration initiale en particules, ou la nature du solvant, ou l'épaisseur dépendant de la technique de dépôt... Dans un deuxième mode de réalisation, on dépose un mélange : - d'une première solution de colloïdes de silice de dimension caractéristique inférieure à 10 nm, par exemple le produit TMA vendu par la société Aldrich diluées à 40% dans de l'eau et de Tg supérieure à 1000°C ; - d'une deuxième solution de polyacrylamide dissout à 30% dans de l'eau. La concentration totale en particules dans le mélange des solutions est d'environ 36 % en volume. On choisit de mélanger 90 volumes de la première solution avec 10 volumes de la deuxième solution. L'épaisseur du masque est de 5 pm environ. Le masque présente une largeur variable, apériodique d'interstices entre 1 et 2 pm, et une longueur variable, apériodique d'un bloc entre 15 et 35 pm. On obtient un réseau bidimensionnel d'interstices 31 à contour fermé entourant des blocs 32 de taille variable. Les figures 2a et 2b montrent un tel masque. Dans un troisième mode de réalisation, on dépose le mélange des deux solutions déjà décrites pour le premier exemple. On choisit encore de mélanger 97 volumes de la première solution avec 3 volumes de la deuxième solution, mais en diluant avec de l'eau pour que la concentration totale en particules dans le mélange chute à environ 30% en volume. Le mélange conserve une concentration en volume de plus de 95% des premières particules. L'épaisseur du masque est limitée à 2,5 pm environ. On réalise ensuite un traitement thermique (15 min à 140°C dans une étuve sous air) du masque sec et craquelé pour élargir les fissures. Le masque présente alors une largeur variable, apériodique d'interstices entre 0,5 pm et 1 pm et une longueur variable, apériodique d'un bloc entre 3 et 8 pm. Une étude morphologique du masque (dans tous les exemples ci-dessus) a montré que les interstices présentent un profil de fissure droit. Le profil de fissure présente un avantage certain pour : - déposer, notamment en une seule étape, une forte épaisseur de matériau, - conserver un motif, en particulier de forte épaisseur, conforme au masque après avoir retiré celui-ci. - Etape n°2 de dépôt de matériau(x) du réseau diélectrique à motifs bas indice On procède au dépôt, au travers du masque, du matériau du réseau à motifs bas indice jusqu'à remplir une fraction des interstices. Cette phase de dépôt peut être réalisée par voie dépôt en phase gazeuse par exemple par pulvérisation magnétron. On procède au dépôt du matériau sur le masque et à l'intérieur du réseau d'interstices de manière à venir remplir les fissures, le remplissage s'effectuant au moins selon une fraction d'épaisseur du réseau d'interstices-. On choisit ainsi de déposer de la silice par pulvérisation magnétron d'épaisseur de 30 nm à 200 nm, de préférence autour de 80 à 100 nm. On forme un réseau diélectrique bas indice, avec une largeur moyenne apériodique des motifs Al et une distance moyenne apériodique B1 semblables aux dimensions du masque. - Etape n°3 de révélation du réseau diélectrique à motifs bas indice Afin de révéler la structure de grille à partir du masque, on procède à une opération de « lift off ». Cette opération est facilitée par le fait que la cohésion des colloïdes résulte de forces faibles, type Van der Waals (pas de liant ou de collage résultant par un recuit). Le masque colloïdal est alors immergé dans une solution contenant de l'eau et de l'acétone (on choisit la solution de nettoyage en fonction de la nature des particules colloïdales) puis rincé de manière à ôter toutes les parties revêtues de colloïdes. On pourra accélérer le phénomène grâce à l'utilisation d'ultrasons pour dégrader le masque de particules colloïdales et laisser apparaître les parties complémentaires (le réseau d'interstices rempli par le matériau) qui conformeront la grille. On a représenté aux figures 3a à 4b les deux morphologies en vue de dessus du réseau diélectrique à motif bas indice obtenues avec les deux derniers masques décrits plus haut (deuxième et troisième modes de réalisation). Le réseau obtenu selon le troisième mode de réalisation (figures 4a et 4b) est plus dense et est préféré. - Etape n°4 de dépôt de matériau(x) de première électrode Pour la configuration de la figure 1, la première électrode - par exemple un empilement multicouches à l'argent déjà décrit - est déposée entre les motifs et sur les motifs du réseau bas indice. Le réseau bas indice n'est pas affecté par le dépôt de la première électrode, et en outre la Rcarré de la première électrode est similaire à celle sur un substrat plan. Pour une configuration alternative, on dépose une couche en reprise du matériau de la couche de fond. Ensuite on dépose la première électrode par exemple identique à celle décrite pour la première configuration. EXEMPLE 2 DE FABRICATION Dans un autre exemple, le réseau à motifs bas indice est une couche sol-gel de silice poreuse, et est obtenu par embossage. La couche sol-gel à base de silice est obtenue avec un précurseur TEOS ou MTEOS et rendue poreuse par élimination d'un agent porogène. Il est ainsi possible d'abaisser l'indice de réfraction du matériau en-dessous de 1,5 voire à 1,3, ce qui augmente le contraste d'indice donc l'efficacité de diffusion lumineuse. La première étape consiste, comme dans l'exemple précédent, à déposer une couche de 100 nm de Si3N4, par exemple par pulvérisation cathodique sur un substrat en verre. La fabrication d'une couche poreuse de type sol-gel sur la couche de fond comporte d'abord les étapes successives suivantes : - la préparation d'un sol de précurseur du matériau constitutif de la couche de silice, notamment un composé hydrolysable tel qu'un halogénure ou un alcoxyde de silicium, dans un solvant notamment aqueux et/ou alcoolique, - le mélange avec un agent porogène, notamment solide sous forme de particules, les particules étant de préférence de taille supérieure ou égale à 20 nm, notamment entre 40 et 100 nm, - le dépôt du mélange sur la couche de fond. L'agent porogène solide peut comprendre de manière avantageuse des billes de préférence polymériques notamment de type PMMA, copolymère méthyl méthacrylate/acide acrylique, polystyrène. Le dépôt sur le substrat peut être réalisé par pulvérisation, par immersion et tirage à partir du sol de silice (ou « dip coating »), par centrifugation (ou « spin coating »), par coulée (« flow-coating »), par rouleau (« roll coating »). Le motif du réseau bas indice est ensuite défini par embossage de la couche déposée à l'aide d'un tampon porteur de motifs complémentaires desdits motifs bas indice souhaités. Le procédé d'embossage d'une couche sol-gel est classique. La couche subit ensuite un traitement thermique à au moins 500°C, voire à au moins 600°C pendant une durée de préférence inférieure ou égale à 15 minutes, voire à 5 minutes suivi d'une trempe. Il permet d'une part de cuire la couche texturée, et d'autre part d'évaporer les nanoparticules organiques, afin d'abaisser l'indice de réfraction du réseau bas indice. Comme exemple de couche sol-gel poreuse, on peut se référer aux couches décrites dans la demande de brevet WO 2008/059170 (exemples de cette demande avec un agent porogène huile ou particulaire ou exemples donnés de l'art antérieur avec un agent porogène classique). La figure 5 montre de manière schématique un exemple de réseau bas indice 3 formé de plots répartis aléatoirement et de taille variable, réseau formé par exemple par embossage d'une couche sol-gel de silice. 10 15 20 REVENDICATIONS1. Support (10) pour dispositif à diode électroluminescente organique (1000) comportant : - un substrat transparent (1) de premier indice de réfraction optique n1 donné avec une première face principale dite interne et une deuxième face principale dite externe, la face interne comportant : - un réseau (3) diélectrique, sous forme de couche(s) arrangée(s) de manière discontinue composant ainsi un ensemble de motifs (30), dits bas indice, le réseau ayant un deuxième indice de réfraction optique n2 inférieur ou égal à 1,6, les motifs bas indice étant de hauteur submicronique, de largeur moyenne Al de motifs inférieure ou égale à 6 pm, et les motifs étant disjoints et les motifs adjacents étant alors espacés d'une distance intermotifs donnée et/ou les motifs étant interconnectés, notamment en grille, avec une distance intramotifs donnée, la distance B1, qui est la moyenne des distances intermotifs et/ou intramotifs, étant micronique supérieure à la largeur Al et inférieure ou égale à 50 pm, - une première électrode (4), notamment transparente, sous forme de couche(s), avec un troisième indice de réfraction optique n3 donné supérieur ou égal à 1,7, la première électrode ayant une résistance carré inférieure à 30 ohms par carré, caractérisé en ce que - la distance B1 est apériodique, 25 - au moins une fraction d'épaisseur de la première électrode (4) est au-dessus dudit réseau (3), et est en contact avec la surface du réseau (3) la plus éloignée du substrat (1) ou est espacée du réseau (3) de motifs bas indice, - le réseau (3) est enterré dans un milieu haut indice (100), le milieu haut indice comprenant la première électrode (4) comme couche(s) la (les) plus 30 éloignée(s) du substrat, le milieu haut indice ayant un quatrième indice de réfraction n4 supérieur ou égal à 1,7. 2. Support (10) pour dispositif à diode électroluminescente organique (1000) selon la revendication 1 caractérisé en ce que le premier indice de réfraction optique n1 du substrat (1) est inférieur ou égal à 1,6, le milieu haut indice (100) est au- 35 dessus du substrat (1) dit bas indice et est à couche(s). 3. Support pour dispositif à diode électroluminescente organique selon la revendication 1 caractérisé en ce que le premier indice de réfraction optique n1 du substrat est supérieur ou égal à 1,7, le milieu haut indice comporte le substrat dit haut indice, notamment en verre minéral. 4. Support (10) pour dispositif à diode électroluminescente organique (1000) selon l'une des revendications précédentes caractérisé en ce que le milieu haut indice (100) comporte une couche dite de fond transparente (2), directement sur la face interne du substrat, couche sous le réseau (3) et éventuellement entre les motifs bas indice, voire même enterrant le réseau, couche de fond haut indice avec un cinquième indice de réfraction n5 supérieur ou égal à 1,7. 5. Support (10) pour dispositif à diode électroluminescente organique (1000) selon l'une des revendications précédentes caractérisé en ce que le milieu haut indice (100), comporte une couche de fond haut indice (2) directement sur la face interne du substrat et/ou sous le réseau ou une couche haut indice sous le réseau et sur une couche de fond, choisie parmi : une couche, notamment de fond, barrière aux alcalins (2) du substrat choisi verrier, notamment en nitrure de silicium éventuellement dopé, d'oxycarbure de silicium, d'oxynitrure de silicium, d'oxycarbonitrure de silicium, d'oxyde de zinc et d'étain, et/ou une couche, notamment de fond, d'arrêt de gravure (2) de la première électrode (4) notamment à base d'oxyde d'étain, de nitrure de silicium, et/ou une couche, notamment de fond, haut indice hydrophile sur le substrat choisi plastique, couche de fond choisie parmi une couche de nitrure, notamment en nitrure de silicium, et/ou une couche d'oxyde notamment en oxyde de titane, en zircone, et/ou une couche de fond uniquement sous le réseau qui est une couche de lissage du substrat sous jacent, qui est choisie parmi : une couche non cristallisée en un oxyde simple ou mixte, notamment choisie à base d'oxyde mixte à base de zinc et d'étain, à base d'oxyde mixte d'indium et d'étain, ou à base d'oxyde mixte d'indium et de zinc, une couche sol-gel, notamment en ZrO2; en TiO2, et/ou une couche de fond vitreuse haut indice, par exemple en fritte de verre fondue, sur le substrat choisi en verre minéral. 6. Support (10) pour dispositif à diode électroluminescente organique (1000) selon l'une des revendications précédentes caractérisé en ce que le milieu haut indicecomprend une couche haut indice (4), notamment transparente, déposée sur et entre les motifs, de préférence sur toute la hauteur du réseau. 7. Support (10) pour dispositif à diode électroluminescente organique (1000) selon l'une des revendications précédentes caractérisé en ce que l'espace entre les motifs (30) est rempli au moins en partie par la première électrode (4) et la première électrode couvre directement le réseau. 8. Support (10) pour dispositif à diode électroluminescente organique (1000) selon l'une des revendications précédentes caractérisé en ce que la première électrode (4) comprend : - principalement une monocouche haut indice à base d'au moins un oxyde transparent conducteur notamment choisie à base d'oxyde de zinc dopé aluminium, à base d'oxyde mixte d'indium et d'étain ou à base d'oxyde mixte d'indium et de zinc, notamment d'épaisseur au moins égale à 100 nm et inférieure à 1500 nm, - et/ou un empilement essentiellement haut indice (4), notamment transparent, de couches comportant dans cet ordre : - une première sous-couche haut indice à base d'oxyde transparent conducteur, - une première couche fonctionnelle métallique à propriétés intrinsèques de conductivité électrique, la couche fonctionnelle étant à base d'un matériau pur qui est de préférence de l'argent, ou à base dudit matériau pur allié ou dopé avec un autre matériau choisi parmi : Ag, Au, Pd, Al, Pt, Cu, Zn, Cd, In, Si, Zr, Mo, Ni, Cr, Mg, Mn, Co, Sn, - une surcouche haut indice à base d'oxyde transparent conducteur, - et éventuellement entre la première couche fonctionnelle métallique et la surcouche au moins une fois la séquence suivante : - une couche séparatrice haut indice à base d'oxyde transparent conducteur, - une autre couche fonctionnelle métallique. 14. Support (10) pour dispositif à diode électroluminescente organique (1000) selon l'une des revendications précédentes caractérisé en ce que le taux de remplissage du réseau (3) est entre 1 et 40 % en incluant ces valeurs, de préférence entre 3 et 20 % en incluant ces valeurs. 15. Support (10) pour dispositif à diode électroluminescente organique (1000) selon l'une des revendications précédentes caractérisé en ce que la hauteur moyennedes motifs (30) est inférieure ou égale à 300 nm, voire inférieure ou égale à 200 nm, et la hauteur moyenne est de préférence supérieure à 50 nm. 11. Support (10) pour dispositif à diode électroluminescente organique (1000) selon l'une des revendications précédentes caractérisé en ce que la distance B1 est inférieure ou égale à 30 pm voire inférieure ou égale à 10 pm, de préférence avec une distribution de distances définie par un écart type supérieur à 10% de la valeur moyenne et en ce que de préférence la distance maximale apériodique entre motifs du réseau (3) est inférieure ou égale à 100 pm. 12. Support (10) pour dispositif à diode électroluminescente organique (1000) selon l'une des revendications précédentes caractérisé en ce que la largeur moyenne Al de motifs (30) est inférieure ou égale à 5 pm, voire inférieure ou égale 2 pm, et de préférence la largeur Al est apériodique avec une distribution de largeurs des motifs définie par un écart-type supérieur à 50% de la valeur moyenne et en ce que de préférence la largeur maximale de motifs du réseau est inférieure ou égale à 10 pm voire à 5 pm. 13. Support (10) pour dispositif à diode électroluminescente organique (1000) selon l'une des revendications précédentes caractérisé en ce que le réseau comprend une couche de silice (3), notamment sol-gel, qui de préférence est une couche poreuse avec l'indice n1 inférieur ou égal à 1,5 voire inférieur ou égal à 1,4. 14. Support (10) pour dispositif à diode électroluminescente organique (1000) selon l'une des revendications précédentes caractérisé en ce que le substrat (1) est en verre minéral, notamment un verre dit pelliculaire d'épaisseur entre 20 pm et 75 pm en incluant ces valeurs ou en ce que le substrat est en plastique. 15. Support (10) pour dispositif à diode électroluminescente organique (1000) selon l'une des revendications précédentes caractérisé en ce que le milieu haut indice (100) est constitué de couches essentiellement inorganiques. 16. Support (10) pour dispositif à diode électroluminescente organique (1000) selon l'une des revendications précédentes caractérisé en ce qu'il comporte au-dessus de la première électrode (4) un système électroluminescent organique (5), notamment d'épaisseur comprise entre 50 et 1000 nm, le système électroluminescent organique émettant de préférence une lumière polychromatique, notamment blanche. 17. Support (10) pour dispositif à diode électroluminescente organique (1000) selon la revendication précédente caractérisé en ce que le réseau ayant une hauteur 35 moyenne donnée, le système électroluminescent organique (5) et le milieuoptique forment un guide optique (110) d'épaisseur Dl donnée, le milieu du réseau (3), défini comme la moitié de la hauteur moyenne du réseau, est à une distance D2 de la surface du système électroluminescent organique (5) qui est supérieure ou égale à 0,3 Dl voire supérieure ou égale à 0,4 Dl, et inférieure ou égale à 0,7 Dl voire à inférieure ou égale 0,6 Dl, la deuxième électrode sur le système électroluminescent organique étant réfléchissante, notamment métallique, ou en ce que, le système électroluminescent organique (5), le milieu optique et une deuxième électrode haut indice sur le système électroluminescent organique forment un guide optique d'épaisseur Dl donnée, le milieu du réseau (3), défini comme la moitié de la hauteur moyenne du réseau, est à une distance D2 de la surface de la deuxième électrode supérieure ou égale à 0,3 Dl voire supérieure ou égale à 0,4 Dl, et inférieure ou égale à 0,7 Dl voire inférieure ou égale 0,6 Dl. 18. Utilisation du support (10) selon l'une quelconque des revendications 1 à 17, comme support dans un dispositif à diode électroluminescente organique (1000) pour l'éclairage. 19. Dispositif à diode électroluminescent organique (1000), notamment pour l'éclairage, incluant le support (10) selon l'une quelconque des revendications précédentes de support. 20. Dispositif à diode électroluminescente organique (1000), selon la revendication 19 caractérisé en ce que le système électroluminescent organique (5) est d'épaisseur inférieure ou égale à 250 nm l'épaisseur du milieu haut indice (110) dans la partie sous-jacente au réseau (2) est inférieure à 200 nm , l'épaisseur de la première électrode (4) est inférieure à 200 nm, la hauteur moyenne du réseau est au moins égale à 50 nm et de préférence inférieure à 200 nm. 21. Dispositif à diode électroluminescente organique, notamment pour l'éclairage, selon la revendication 19 caractérisé en ce que le système électroluminescent organique est d'épaisseur supérieure à 250 nm, voire à 400 nm et inférieure à 1100 nm, l'épaisseur du milieu haut indice dans la partie sous-jacente au réseau est inférieure à 1100 nm, l'épaisseur de la première électrode sus-jacente au réseau et d'une éventuelle couche entre les brins est supérieure à 250 nm et inférieure à 1000 nm, la hauteur moyenne du réseau est au moins égale à 50 nm et de préférence inférieure à 200 nm.22. Dispositif à diode électroluminescent organique (1000) selon l'une des revendications 19 à 21 caractérisé en ce qu'il est : - destiné au bâtiment, tel qu'un vitrage lumineux extérieur, une cloison lumineuse interne ou une (partie de) porte vitrée lumineuse notamment coulissante, - destiné à un véhicule de transport, tel qu'un toit lumineux, une (partie de) vitre latérale lumineuse, une cloison lumineuse interne d'un véhicule terrestre, aquatique ou aérien, - destiné au mobilier urbain ou professionnel tel qu'un panneau d'abribus, une paroi d'un présentoir ou d'une vitrine, une paroi d'une serre, une dalle éclairante, - destiné à l'ameublement intérieur, tel qu'un élément d'étagère ou de meuble, une façade d'un meuble, une dalle éclairante, un plafonnier, une tablette éclairante de réfrigérateur, une paroi d'aquarium, - destiné au rétro-éclairage d'un équipement électronique, notamment d'un écran de visualisation ou d'affichage éventuellement double écran, comme un écran de télévision ou d'ordinateur, un écran tactile, - un miroir éclairant, notamment pour l'éclairage d'une paroi de salle de bains ou d'un plan de travail de cuisine, ou pour être un plafonnier. 23. Procédé de fabrication du support (10) de dispositif à diode électroluminescente organique (1000) selon l'une des revendications précédentes de support caractérisé en ce qu'il comprend : - la fourniture du substrat transparent haut indice ou du substrat transparent bas indice (1) avec au moins une couche (2) haut indice dudit milieu haut indice (100), notamment une couche de fond, - avant la formation complète de la première électrode (3) dans le cas où l'électrode est en partie sous le réseau, ou avant la formation de la première électrode (3) dans le cas ou l'électrode est sur le réseau, la formation du réseau diélectrique de motifs bas indice à couche(s) (3) avec la distance B1 aléatoire, sans étape de photolithographie ni de gravure. 24. Procédé de fabrication du support de dispositif à diode électroluminescente organique (1000) selon la revendication précédente de procédé caractérisé en ce que la formation du réseau diélectrique de motifs bas indice (3) avec une distance B1 aléatoire comprend :- le dépôt sur le substrat haut indice ou sur une couche (2) du milieu haut indice (100), notamment couche de fond haut indice, d'une couche de masquage par voie liquide, - le séchage de la couche de masquage jusqu'à l'obtention d'un masque avec des interstices (31) avec une distance B entre interstices aléatoire sensiblement égale à la distance aléatoire B1 des motifs (30) du réseau (3), - le dépôt au travers des interstices (31) du masque de couche(s) en matériau(x) du réseau de motifs bas indice jusqu'à remplir au moins une fraction de la profondeur des interstices, - l'enlèvement du masque, jusqu'à laisser révéler le réseau diélectrique (3) de motifs bas indice (30). 25. Procédé de fabrication du support du dispositif à diode électroluminescente organique (1000) selon la revendication précédente de procédé caractérisé en ce que: - le dépôt par voie liquide est un dépôt d'une solution de particules colloïdales stabilisées et dispersées dans un solvant, - les particules ayant une température de transition vitreuse Tg donnée, le dépôt et le séchage du masque sont mis en oeuvre à une température inférieure à ladite température Tg, - le dépôt au travers des interstices de couche(s) du réseau de motifs bas indice, est en phase gazeuse - l'enlèvement du masque est de préférence par voie liquide. 26. Procédé de fabrication du dispositif à diode électroluminescente organique (1000) selon la revendication précédente de procédé caractérisé en ce que le masque présente une épaisseur inférieure à 5 pm, de préférence inférieure ou égale à 3 pm, et en ce que, avant le dépôt de couche(s) du réseau de motifs bas indice, le masque est porté à une température supérieure ou égale à 0,8 fois Tg, élargissant ainsi les interstices jusqu'à une largeur moyenne Al inférieure ou égale à 5 pm voire inférieure ou égale à 2 pm et une distance moyenne B1 inférieure ou égale à 10 pm voire inférieure ou égale à 6 pm. 27. Procédé de fabrication du dispositif à diode électroluminescente organique (1000) selon la revendication 24 caractérisé en ce que, le substrat est en verre et en ce que la formation du réseau choisi en sol-gel de silice comprend les étapes suivantes :- la fourniture d'un sol de précurseur du matériau constitutif de la couche de silice notamment un composé hydrolysable tel qu'un alcoxyde de silicium, dans un solvant notamment aqueux et/ou alcoolique, mélangé éventuellement avec un agent porogène, - un dépôt d'une couche dudit sol de silice, - une étape éventuelle d'élimination de solvant, - un embossage de la couche avec un masque porteur de motifs complémentaires desdits motifs bas indice. 28. Procédé de fabrication du dispositif à diode électroluminescente organique 10 (1000) selon la revendication précédente de procédé caractérisé en ce que la couche sol-gel de silice est poreuse et est obtenue par élimination d'un agent porogène notamment solide, le procédé comprenant, après l'embossage, la formation du réseau de motifs bas indice en sol gel de silice poreux, par ladite élimination de l'agent porogène à l'aide d'un traitement thermique, notamment à 15 partir de 350°C suivi de préférence d'une opération de trempe.