FR 2962141 A1 20120106 FR 1002734 A 20100630 Arrière-plan de l'invention La présente invention se rapporte au domaine de la réalisation de structures semi-conducteurs multicouches (également dénommées "multilayer semiconductor wafers" en anglais) réalisées par transfert d'au moins une couche sur un substrat final. Un tel transfert de couche est obtenu par collage, par exemple par adhésion moléculaire, d'une première plaque (ou substrat initial) sur une deuxième plaque (ou substrat final), la première plaque étant en général amincie après collage. La couche transférée peut comprendre en outre tout ou partie d'un composant ou d'une pluralité de microcomposants. La présente invention s'applique plus particulièrement aux structures multicouches obtenues par collage, et présentant, au niveau de l'interface de collage, une faible énergie de surface (inférieure à 1 3/m2) comme par exemple les structures de type SOS (pour « Silicium Sur Saphir », ou « Silicon-on-Sapphire » en anglais). Le terme SOS désigne les structures multicouches comprenant une première plaque de silicium reportée sur un substrat en saphir cristallin (AI2O3). SOS est une technologie parmi la famille SOI (« Silicium sur Isolant » ou « Silicon-On- Isolant » en anglais). La technologie SOS est en particulier utilisée dans les applications radiofréquences en raison de ses bonnes performances en termes notamment d'isolation électrique et de dissipation thermique. L'invention concerne le problème des fragments de matériau qui apparaissent de manière indésirable sur la surface exposée de la couche transférée lors de la fabrication d'une structure multicouche, de type SOS par exemple. Ce phénomène de contamination a été observé à la suite d'une étape technologique mettant en oeuvre une gravure chimique d'au moins une partie d'une structure multicouche SOS. Cette étape technologique peut correspondre, par exemple, à une gravure chimique réalisée sur la première plaque d'une structure multicouche SOS lors d'une étape d'amincissement. Ce problème de contamination a été plus particulièrement observé lorsque qu'il n'a pas été possible de stabiliser complètement l'interface de collage entre les deux plaques de la structure multicouche SOS. La technique fréquemment utilisée, au cours de la fabrication de structures multicouches pour nettoyer la surface d'une couche transférée après une étape de gravure chimique, consiste à réaliser une étape de rinçage (ou de nettoyage) au moyen d'un jet sous pression. En général, on applique manuellement un jet d'eau (ou une solution de rinçage quelconque) sous pression sur la surface de la plaque à nettoyer. Cependant, la Déposante a constaté que l'efficacité de cette technique reste limitée puisqu'elle ne permet d'éliminer que partiellement les fragments présents à la surface de la plaque à nettoyer. Par ailleurs, cette technique de rinçage nécessite une intervention humaine, ce qui limite l'industrialisation de l'étape de rinçage. Il existe donc aujourd'hui un besoin pour un procédé permettant d'empêcher que de tels fragments de matériau viennent contaminer une structure multicouche, notamment du type SOS, lors de sa fabrication. Objet et résumé de l'invention A cet effet, la présente invention propose un procédé de désoxydation d'une structure multicouche, la structure multicouche comprenant une plaque collée sur un substrat au niveau d'une interface de collage, une couche d'oxyde de collage étant disposée entre la plaque et le substrat, le procédé comprenant une étape de gravure chimique de la plaque, caractérisé en ce qu'il comprend en outre : avant l'étape de gravure chimique, une étape de désoxydation par gravure chimique à l'acide fluorhydrique de la structure multicouche de manière à éliminer une portion périphérique de la couche d'oxyde de collage. De manière avantageuse, le procédé de l'invention permet d'éliminer une portion périphérique de la couche d'oxyde de collage d'une structure multicouche SOS, portion à partir de laquelle des fragments peuvent se détacher lors d'une étape ultérieure de gravure chimique et ainsi venir contaminer la surface de la structure SOS. L'invention permet en particulier de minimiser la source des fragments d'oxyde susceptibles de venir contaminer la surface exposée d'une structure SOS lors d'une étape technologique ultérieure mettant en oeuvre une gravure chimique. La présente invention s'applique en particulier lorsque le substrat est en saphir. Le procédé de l'invention s'applique en particulier lorsque la structure multicouche présente au niveau de l'interface de collage une énergie de surface inférieure à 1 ]/m2. Par ailleurs, la plaque peut comprendre des microcomposants. Dans ce document, on entend par « microcomposants », tous dispositifs ou motifs résultant des étapes technologiques réalisées sur les plaques d'une structure multicouche. Il peut s'agir en particulier de composants actifs ou passifs, de simples prises de contact ou d'interconnexions. Dans un mode de réalisation particulier, la plaque est une plaque de type SOI ou une plaque comprenant un empilement de couches dont au moins l'une d'elles fait office de couche d'arrêt lors de l'étape de gravure chimique. Dans une mise en oeuvre particulière de l'invention, l'étape de gravure chimique correspond à une étape d'amincissement chimique de la plaque. Par ailleurs, lorsque la plaque amincie est en silicium, l'étape de 20 gravure chimique peut mettre en oeuvre une solution de TMAH et/ou une solution de KOH. Le procédé de désoxydation selon l'invention peut comprendre en outre une étape d'amincissement mécanique de la plaque, l'étape de désoxydation étant réalisée après l'étape d'amincissement mécanique. 25 L'étape de désoxydation peut également comprendre l'immersion d'au moins une partie de la structure multicouche dans une solution d'acide fluorhydrique de préférence inférieure ou égale à 10% en poids. L'utilisation d'une solution d'acide fluorhydrique inférieure ou 30 égale à 10% permet de contrôler de manière optimale la vitesse de gravure de la partie exposée de la couche d'oxyde de collage située en périphérie de la structure multicouche. Dans un mode de réalisation particulier, l'étape de désoxydation est réalisée sur une durée comprise entre 1 et 5 minutes. 35 La couche d'oxyde de collage peut quant à elle être une couche de dioxyde de silicium (SiO2). L'invention concerne également un procédé de fabrication d'une structure multicouche comprenant les étapes successives suivantes : formation d'une couche d'oxyde de collage sur au moins une plaque ou un substrat, collage de la plaque sur le substrat au moyen de la couche d'oxyde de collage de manière à former la structure multicouche, recuit de la structure multicouche, amincissement mécanique de la plaque, et amincissement chimique de la plaque, le procédé étant caractérisé en ce qu'il comprend en outre l'élimination d'une portion périphérique de la couche d'oxyde de collage conformément au procédé de désoxydation défini ci-avant ou conformément à l'une quelconque de ces variantes ci-dessus. Brève description des dessins D'autres caractéristiques et avantages de la présente invention ressortiront de la description faite ci-dessous, en référence aux dessins annexés qui en illustrent un exemple de réalisation dépourvu de tout caractère limitatif. Sur les figures : les figures 1A à 1D sont des vues schématiques représentant un procédé de réalisation connu d'une structure multicouche de type SOS ; - la figure 2 représente, sous forme d'un organigramme, les principales étapes du procédé illustré en figures 1A à 1D; les figures 3, 4 et 5 représentent, de façon schématique, un procédé de désoxydation et un procédé de fabrication selon un mode de réalisation particulier de l'invention. Description détaillée d'un mode de réalisation La présente invention s'applique, d'une manière générale, à la désoxydation d'une structure multicouche de façon à minimiser la source des fragments de matériau susceptibles d'apparaître sur la surface exposée de la structure au cours de son procédé de fabrication. L'invention s'applique en particulier aux structures multicouches de type SOS. On réalise une structure multicouche SOS en collant une première plaque sur une deuxième plaque, ou substrat, en saphir constituant le support de la première plaque. Les plaques composant une structure multicouche se présentent généralement sous la forme de tranches ou "wafers" au contour généralement circulaire et peuvent présenter différents diamètres, notamment des diamètres de 100 mm, 150 mm, 200 mm ou 300 mm. Toutefois, il peut également s'agir de plaques de forme quelconque, comme une plaque de forme rectangulaire, par exemple. Ces plaques présentent de préférence un bord chanfreiné, à savoir un bord comprenant un chanfrein supérieur et un chanfrein inférieur. Ces chanfreins sont en général de forme arrondie. Toutefois, les plaques peuvent présenter des chanfreins ou tombées de bord de différentes formes telles qu'une forme en biseau. Le rôle de ces chanfreins est de faciliter la manipulation des plaques et d'éviter les bris de bords qui pourraient se produire si ces bords étaient saillants, de tels bris étant sources de contamination en particules des surfaces des plaques. Un exemple de procédé de fabrication connu d'une structure multicouche SOS est à présent décrit en référence aux figures lA à 1D et 20 2. Comme représenté en figures 1A à 1D, une structure multicouche SOS 111 est formée par assemblage d'une première plaque 108 avec une deuxième plaque (ou substrat) 110 en saphir cristallin (étape E11). Dans cet exemple, la première plaque 108 correspond à une 25 structure SOI comprenant une couche d'oxyde enterrée 104 intercalée entre deux couches de silicium (i.e. la couche supérieure 101 et la couche inférieure 102). Les première et deuxième plaques 108 et 110 présentent ici le même diamètre. Elles pourraient toutefois avoir des diamètres différents. 30 Dans l'exemple décrit ici, on procède à l'oxydation de toute la surface de la première plaque 108, et ce avant collage sur la deuxième plaque 110. Cette oxydation est réalisée au moyen d'un traitement thermique en milieu oxydant et permet de former une couche d'oxyde 106 (dite couche d'oxyde de collage) sur toute la surface de la première 35 plaque 108 avant collage sur la deuxième plaque 110. Dans le cas présent, la couche d'oxyde 106 est une couche de SiO2. Une couche d'oxyde de collage 106 se retrouve ainsi à l'interface de collage entre la première plaque 108 et le substrat 110 et permet un meilleur collage entre celles-ci. Selon une première alternative, on peut déposer une couche d'oxyde de collage sur la face à assembler (dite face de collage) de la première plaque 108, et ce avant collage sur la deuxième plaque 110. Selon une autre alternative, il est possible, avant collage des deux plaques 108 et 110, de former une couche d'oxyde de collage sur la face de collage du substrat 110, ou alternativement, de former une couche d'oxyde de collage sur la face de collage de chacune des deux plaques 108 et 110. Les alternatives ci-dessus permettent, comme dans l'exemple de la figure 1B, d'intercaler une couche d'oxyde de collage entre les deux plaques 108 et 110 avant collage. Par ailleurs, la première plaque 108 présente un bord chanfreiné, à savoir un bord comprenant un chanfrein supérieur 107a et un chanfrein inférieur 107b. La deuxième plaque 110 présente de la même manière un bord comprenant un chanfrein supérieur 109a et un chanfrein inférieur 109b. Dans l'exemple décrit ici, l'assemblage de la première plaque 108 et du substrat 110 est réalisé au moyen de la technique d'adhésion moléculaire bien connue de l'homme du métier. D'autres techniques de collage peuvent toutefois être utilisées, comme par exemple le collage anodique, métallique, ou avec adhésif. Pour rappel, le principe du collage par adhésion moléculaire est basé sur la mise en contact direct de deux surfaces, c'est-à-dire sans l'utilisation d'un matériau spécifique (colle, cire, brasure, etc.). Une telle opération nécessite que les surfaces à coller soient suffisamment lisses, exemptes de particules ou de contamination, et qu'elles soient suffisamment rapprochées pour permettre d'initier un contact, typiquement à une distance inférieure à quelques nanomètres. Dans ce cas, les forces attractives entre les deux surfaces sont assez élevées pour provoquer l'adhérence moléculaire (collage induit par l'ensemble des forces attractives (forces de Van Der Waals) d'interaction électronique entre atomes ou molécules des deux surfaces à coller). On notera que la première plaque 108 peut comprendre des microcomposants (non représentés sur les figures) au niveau de sa face de collage avec la deuxième plaque 110, notamment dans le cas de la technologie d'intégration tridimensionnelle de composants (3D-integration) qui nécessite le transfert d'une ou plusieurs couches de microcomposants sur un support final, ou encore dans le cas de transfert de circuits comme par exemple dans la fabrication d'imageurs éclairés en face arrière. Une fois l'étape E11 de collage réalisée, la structure multicouche 111 subit un recuit modéré de renforcement de l'interface de collage (par exemple de 100°C à 400°C pendant 2 heures) qui a pour but de renforcer le collage entre la première plaque 108 et la deuxième plaque 110 (étape E12). Après ce recuit, on procède en général à l'amincissement de la première plaque 108 de manière à former une couche transférée d'une épaisseur déterminée (par exemple, de 60 pm environ) sur la plaque support 110. Cette opération d'amincissement comprend généralement une étape de gravure. Or, la Déposante a constaté l'apparition de fragments de matériaux indésirables sur la surface exposée de la première plaque 108 à la suite d'une étape d'amincissement impliquant une phase chimique. Une étude approfondie a permis de mettre en évidence le mécanisme de formation de ces fragments. Le mécanisme de formation est décrit plus en détail en relation avec les figures 1C et 1D qui illustrent un exemple d'étape d'amincissement de la première plaque 108. L'étape d'amincissement comprend dans cet exemple deux sous-étapes distinctes. La première plaque 108 est tout d'abord amincie mécaniquement à l'aide d'une meule ou tout autre outil apte à user mécaniquement le matériau de la première plaque 108 (« grinding » en anglais) (sous-étape E13). Cette première sous-étape d'amincissement permet d'éliminer la majeure partie de la couche supérieure 102 de façon à ne conserver qu'une couche résiduelle 112 (figure 1C). On procède ensuite à une deuxième sous-étape d'amincissement correspondant à une gravure chimique de la couche résiduelle 112 (sous- étape E14). Cette deuxième sous-étape consiste à placer la structure multicouche 111 dans un bain comprenant une solution de gravure 120 (figure ID). Dans l'exemple décrit ici, la solution de gravure utilisée est une solution de TMAH permettant de graver le silicium de la première plaque 108. D'autres solutions d'attaque chimique peuvent toutefois être envisagées, celles-ci étant choisies notamment en fonction de la composition de la première plaque à amincir. Pour des plaques à amincir en silicium, on peut par exemple utiliser une solution de TMAH ou une solution de KOH. La couche d'oxyde enterrée 104 intercalée entre les couches 101 et 102 de la première plaque 108 sert de couche d'arrêt lors de la gravure chimique qui est alors interrompue au niveau de la couche d'oxyde 104. La gravure chimique permet ainsi d'éliminer la couche résiduelle 112. La Déposante a cependant observé qu'à l'issue de la gravure chimique, des fragments de matériau 118 étaient présents sur la surface exposée de la première plaque 108. Ces fragments 118 présentent typiquement une taille supérieure à 2 pm. Une étude a permis de démontrer que ces fragments de matériau sont des débris provenant des bords de la première plaque. Plus précisément, en raison de la présence de bords chanfreinés sur les première et deuxième plaques, la force de collage au voisinage de la périphérie des deux plaques est limitée. Malgré l'étape (E12) de recuit modéré de renforcement de l'interface de collage, une portion annulaire en périphérie de la première plaque 108 située au voisinage du chanfrein inférieur 107b présente un mauvais collage (voire l'absence totale de collage) sur la deuxième plaque 110. La Déposante a observé que, lors de la gravure chimique (E14) de l'étape d'amincissement, la solution de gravure 120 a tendance à graver latéralement les bords de la première plaque 108 ainsi que la couche d'oxyde de collage 106. Cette action de gravure latérale cause notamment des cassures non contrôlées de la couche d'oxyde de collage 106, et plus particulièrement au niveau de la portion périphérique de la couche d'oxyde 106 qui est exposée à l'attaque de la solution de gravure 120. Ce phénomène de cassure entraîne ainsi la formation de débris ou de fragments d'oxydes 118 (de SiO2, dans le cas présent) provenant, au moins en partie, de cette portion périphérique de la couche d'oxyde de collage 106. Ces fragments d'oxyde viennent alors se déposer en partie sur la surface exposée de la première plaque amincie 108 (figure 1D) lors de la gravure chimique E14. A noter que, sous l'action de gravure latérale de la solution de gravure 120, des fragments d'oxyde, de silicium et/ou de circuit provenant des bords de la première plaque 108 sont également susceptibles de venir polluer la surface exposée de cette dernière. La Déposante a donc mis au point un procédé de désoxydation permettant d'éliminer une portion périphérique de la couche d'oxyde de collage 106 de la structure multicouche 111. Un exemple de mise en oeuvre du procédé de désoxydation selon l'invention, et plus généralement, un exemple de mise en oeuvre du procédé de fabrication selon l'invention est à présent décrit en référence aux figures 3, 4 et 5. On considère dans cet exemple une structure multicouche 211 identique à la structure 111 représentée en figure 1C, à savoir une structure multicouche SOS obtenue à l'issue des étapes de collage (E11), de recuit (E12) et d'amincissement mécanique (E13) comme décrites ci-dessus. Plus précisément, la structure multicouche 211 considérée est constituée d'une première plaque 208 collée sur une deuxième plaque (ou substrat) 210 en saphir, une couche d'oxyde de collage 206 ayant été formée (par oxydation) sur toute la face de la première plaque 208 avant collage sur la deuxième plaque 210. La première plaque 208 est constituée d'une couche d'oxyde enterrée 204 (identique à la couche 104) intercalée entre deux couches de silicium, à savoir une couche supérieure 212 amincie mécaniquement (identique à la couche 112) et une couche inférieure 201 (identique à la couche 101). On notera cependant que la deuxième plaque 210 n'est pas nécessairement en saphir. Alternativement, la plaque 210 peut par exemple être en silicium. Comme indiqué précédemment, l'invention s'applique plus généralement aux structures multicouches obtenues par collage, et en particulier à celles présentant une faible énergie de surface (inférieure à 1 J/m2) au niveau de leur interface de collage. Par ailleurs, comme indiqué ci-avant en référence aux figures 1A et 1B, d'autres modes de réalisation peuvent être mis en oeuvre pour disposer une couche d'oxyde de collage entre les plaques 208 et 210. Il est ainsi possible de former une couche d'oxyde de collage sur la surface de collage de la première plaque 208 et/ou sur la surface de collage de la deuxième plaque 210, avant collage des deux plaques. Ainsi, lorsque le substrat 210 est en silicium par exemple, il est possible d'oxyder la totalité de la surface du substrat avant collage avec la première plaque 208, en prenant soin dans ce cas à ce que la couche d'oxyde formée soit suffisamment épaisse pour résister à l'étape (E20) de désoxydation. Une fois l'étape d'amincissement mécanique (E13) effectuée, la structure multicouche 211 subit une étape (E20) de désoxydation. Au cours de cette étape de désoxydation, la structure multicouche 211 est placée dans une solution de gravure 222 comprenant de l'acide fluorhydrique (HF). Lorsque l'hétérostructure 211 est immergée dans la solution de gravure 222, l'acide fluorhydrique attaque en premier lieu la couche d'oxyde de collage 206 au niveau de sa partie exposée au voisinage de la périphérie des plaques. L'étape E20 de désoxydation permet ainsi d'éliminer la portion périphérique de la couche d'oxyde de collage 206 à partir de laquelle des fragments peuvent se détacher lors d'une gravure chimique ultérieure et venir contaminer la surface de la structure. Dans cet exemple, la solution de gravure 222 présente une concentration en HF en poids (notée CHF) de 10% et l'étape E20 de désoxydation consiste à immerger la structure multicouche 211 dans cette solution de gravure 222 pendant un temps T compris entre 1 et 2 minutes. A noter que d'autres concentrations CHF en HF sont cependant envisageables. Le temps T pendant lequel la structure multicouche 211 est exposée à l'action de gravure de la solution 222 est alors choisi en fonction de la concentration CHF choisie, de façon à contrôler la quantité de la couche d'oxyde de collage 206 que l'on souhaite éliminer en périphérie. En effet, si la structure multicouche subit une attaque HF pendant un temps T excessif, l'acide fluorhydrique s'infiltre trop profondément à l'interface de collage entre les plaques 208 et 210, dégradant de ce fait la qualité du collage entre ces deux plaques. En général, le temps T est choisi de manière à être inférieur à 5 minutes. Suite à l'étape E20 de désoxydation, on procède à l'étape de gravure chimique E14 comme décrit ci-avant. L'étape de gravure E14 permet d'éliminer la couche résiduelle 212. Pour se faire, on immerge la structure multicouche 211 dans une solution de gravure 220 identique à la solution de gravure 120 décrite en référence à la figure 1D. Comme indiqué ci-dessus, pour des plaques à amincir en silicium, cette solution de gravure peut par exemple comprendre une solution de TMAH ou une solution de KOH. Comme expliqué précédemment, la Déposante a observé que la couche d'oxyde de collage 206 en bord de plaque 208 est à l'origine de la formation de fragments d'oxyde venant polluer la surface de la structure multicouche 211 lors de l'étape de gravure E14. L'élimination d'une portion périphérique de cette couche d'oxyde 206 (i.e. la portion exposée) lors de l'étape E20 de gravure HF permet de réduire de manière très significative les fragments d'oxyde 218 susceptibles de se déposer sur la surface exposée de l'hétérostructure 211 lors de l'étape E14. Aussi, l'invention permet de manière avantageuse de minimiser la source des fragments d'oxyde susceptibles de venir contaminer la surface exposée de la structure multicouche 211 lors d'une étape de gravure ultérieure, telle que l'étape E14 par exemple. Dans l'exemple décrit ici, l'étape E14 correspond à une étape d'amincissement chimique de la première plaque 208. On comprendra cependant que l'invention permet, de la même manière, de minimiser la source de fragments d'oxyde avant la réalisation d'une étape technologique quelconque mettant en oeuvre une gravure chimique. Cette étape technologique peut par exemple mettre en oeuvre une solution de TMAH ou une solution de KOH. Une telle étape technologique peut, par exemple, avoir pour objet la formation d'un ou de plusieurs microcomposants (dans la première plaque 208 par exemple). L'invention permet en particulier de réduire, voire d'éviter totalement, l'apparition sur la surface exposée de la première plaque 208 de fragments d'oxyde provenant de la couche d'oxyde de collage 206 (comme représenté en figure 1D). Toutefois, on réalise en général en outre une étape de rinçage 35 une fois l'étape de gravure E14 effectuée. Le procédé de désoxydation de l'invention est également avantageux en ce que ses paramètres d'application (notamment CHF et T) sont contrôlables et reproductibles. Cette technique peut ainsi être optimisée et automatisée à des fins industrielles. L'étape E20 de gravure HF peut en effet être intégrée dans un procédé de fabrication conventionnel d'une structure multicouche de type SOS. Le substrat 210 en saphir est avantageux en ce qu'il est capable de résister au deux gravures chimiques successives, à savoir les gravures réalisées lors des étapes E20 puis E14. On notera par ailleurs que le substrat 210 de saphir peut contenir différents types d'impuretés sous forme de traces (titane, fer, vanadium...) et ce, dans des concentrations quelconques. Une fois l'étape E14 de gravure au TMAH réalisée, la couche résiduelle 212 est totalement éliminée. Le procédé de désoxydation selon l'invention s'applique à tous types de structure multicouche obtenue par collage, et plus particulièrement, aux structures multicouches SOS dont les plaques présentent des bords chanfreinés (ou des tombées de bord d'une forme quelconque) et/ou qui ne peuvent être portés à des températures élevées afin de stabiliser parfaitement l'interface de collage. REVENDICATIONS1. Procédé de désoxydation d'une structure multicouche (211), ladite structure multicouche comprenant une plaque (208) collée sur un substrat (210) au niveau d'une interface de collage, une couche d'oxyde de collage (206) étant disposée entre la plaque et le substrat, le procédé comprenant une étape (E14) de gravure chimique de ladite plaque, caractérisé en ce qu'il comprend en outre : avant l'étape de gravure chimique, une étape (E20) de désoxydation par gravure chimique à l'acide fluorhydrique de la structure multicouche de manière à éliminer une portion périphérique de ladite couche d'oxyde de collage. 2. Procédé selon la revendication 1, dans lequel la structure 15 multicouche présente au niveau de l'interface de collage une énergie de surface inférieure à 13/m2. 3. Procédé selon la revendication 2 ou 3, ladite plaque comprenant des microcomposants. 4. Procédé selon l'une quelconque des revendications 1 à 3, dans lequel ladite plaque est une plaque de type SOI ou une plaque comprenant un empilement de couches dont au moins une fait office de couche d'arrêt lors de ladite étape de gravure chimique. 5. Procédé selon l'une quelconque des revendications 1 à 4, dans lequel l'étape de gravure chimique correspond à une étape d'amincissement chimique de ladite plaque. 30 6. Procédé selon l'une quelconque des revendications 1 à 5, dans lequel l'étape de gravure chimique met en oeuvre une solution de TMAH ou une solution de KOH. 7. Procédé selon l'une quelconque des revendications 1 à 6, 35 comprenant en outre une étape (E13) d'amincissement mécanique de 20 25 2.962141 14 ladite plaque, l'étape de désoxydation étant réalisée après ladite étape d'amincissement mécanique. 8. Procédé selon l'une quelconque des revendications 1 à 7, 5 dans lequel l'étape de désoxydation comprend l'immersion d'au moins une partie de la structure multicouche dans une solution (222) d'acide fluorhydrique inférieure ou égale à 10% en poids. 9. Procédé selon l'une quelconque des revendications 1 à 8, 10 dans lequel l'étape de désoxydation est réalisée sur une durée comprise entre 1 et 5 minutes. 10. Procédé selon l'une quelconque des revendications 1 à 9, dans lequel ladite couche d'oxyde de collage est une couche de dioxyde 15 de silicium (SiO2). 11. Procédé de fabrication d'une structure multicouche (211) comprenant les étapes successives suivantes : formation d'une couche d'oxyde de collage (206) sur au moins 20 une plaque (208) ou un substrat (210), collage (E11) de ladite plaque sur ledit substrat au moyen de la couche d'oxyde de collage de manière à former ladite structure multicouche, recuit (E12) de ladite structure multicouche, 25 amincissement mécanique (E13) de la plaque, et amincissement chimique (E14) de la plaque, ledit procédé étant caractérisé en ce qu'il comprend en outre l'élimination (E20) d'une portion périphérique de ladite couche d'oxyde de collage conformément au procédé de désoxydation défini dans l'une 30 quelconque des revendications 1 à 10.