FR 2956669 A1 20110826 FR 1051285 A 20100223 La présente invention se rapporte au domaine de la cristallisation de matériaux et vise en particulier à proposer un procédé utile pour former un dépôt cristallin d'un matériau en surface d'un substrat. Elle concerne également les dispositifs, par exemple électroniques ou 5 optoélectroniques, comportant un film mince de matériaux cristallisés obtenu selon un tel procédé. De nos jours, de nombreux secteurs d'activité, à l'image par exemple de la chimie de spécialité, de la pharmacie ou encore de la microélectronique, mettent en oeuvre des matériaux sous la forme de cristaux. 10 Le processus de cristallisation mis en oeuvre pour obtenir industriellement de tels cristaux est très important car il conditionne leur structure (faciès, taille,...) et leur pureté, et exerce, en conséquence, une grande influence sur leurs propriétés physiques, chimiques et/ou électroniques résultantes. Dans le domaine de l'électronique, on recherche, en outre, généralement à 15 obtenir des cristaux sous la forme de films minces à partir de matériaux organiques ou inorganiques, dans lesquels la cristallisation est homogène, et de préférence contrôlée. L'exemple des semi-conducteurs organiques détaillé ci-après est une bonne illustration des problématiques se posant de façon générale dans le domaine de l'électronique pour obtenir un film mince de matériaux cristallisés. 20 Les semi-conducteurs organiques connaissent actuellement un essor considérable dans le monde de l'électronique et des technologies de l'information. Ils peuvent en effet être substitués au silicium dans la fabrication de dispositifs électroniques ou optoélectroniques comme par exemple des dispositifs électroluminescents organiques, des dispositifs photovoltaïques organiques et des transistors organiques. 25 Cet essor résulte notamment du fait que ces composés sont avantageux à plusieurs titres. Tout d'abord, ils présentent l'intérêt d'être mécaniquement flexibles et relativement peu coûteux. Par ailleurs, leur dépôt à l'état de film mince en surface d'un substrat ne 30 requiert pas la mise en oeuvre d'une technologie spécifique. L'ensemble des techniques conventionnelles de dépôt telles que dépôt en solution, dépôt en phase vapeur, dépôt à la tournette, dépôt par évaporation et revêtement au rouleau de même que des techniques d'impression classiques telles que le jet d'encre sont envisageables. En revanche, ces techniques ne permettent malheureusement pas d'accéder à des films minces de semi-conducteur organique présentant une structure cristalline de taille convenable et suffisamment homogène pour leur conférer de bonnes propriétés électriques. Il est à noter que cette problématique se pose également de façon analogue avec d' autres matériaux que les semi-conducteurs organiques, et notamment avec d'autres matériaux pour l'électronique tels que par exemple les diélectriques organiques (en particulier le polystyrène) ou les alliages inorganiques (en particulier les alliages du type In Cu Ga Se, utilisés dans les dispositifs photovoltaïques). Les applications de semi-conducteurs organiques sous la forme de films minces restent donc actuellement limitées au regard de leur faible conductivité électrique, conséquence directe d'une organisation structurale non optimisée du semi-conducteur organique au niveau du film mince formé. Deux alternatives sont principalement considérées à ce jour pour pallier aux déficiences précitées et plus particulièrement pour améliorer l'ordre structural des semi-conducteurs organiques dans des couches minces. La première consiste à chauffer le substrat, généralement préalablement à l'étape de dépôt du semi-conducteur organique, pour favoriser une croissance organisée 20 des cristaux du semi-conducteur organique. Or, une telle étape de chauffage peut endommager, de façon irréversible, certains des constituants du dispositif visé. Elle augmente en outre nécessairement les coûts énergétiques de fabrication, ainsi que le temps de fabrication. La seconde consiste à concevoir de nouvelles molécules de semi-conducteur 25 organique à partir de molécules déjà connues, de manière à doter ces nouvelles molécules de semi-conducteur organique d'une meilleure aptitude à la cristallisation. Toutefois, la conception de nouvelles molécules est généralement très coûteuse. Qui plus est, la modification de la structure moléculaire de semi-conducteurs organiques peut être préjudiciable aux propriétés électriques et/ou mécaniques du matériau 30 dans le dispositif résultant. En outre, la modification de la structure moléculaire du semi-conducteur organique peut également affecter ses propriétés physico-chimiques, par exemple sa solubilité. En conséquence, ces deux alternatives ne s'avèrent pas totalement satisfaisantes. Afin de suppléer à ces inconvénients, d'autres techniques de cristallisation ont déjà été proposées. Par exemple, le document US 2007/0243658 décrit un procédé de fabrication d'un film mince de semi-conducteurs organiques cristallisés sur un substrat comprenant une première étape de revêtement dudit substrat avec une solution dudit semi-conducteur organique suivie d'une étape de cristallisation dudit semi-conducteur organique initiée à partir de l'extrémité dudit revêtement. Plus récemment, le document US 2009/0101893 a décrit un procédé de fabrication d'un transistor organique à couche mince impliquant d'« ensemencer » la surface devant être cristallisée avec des sites de cristallisation destinés à initier la cristallisation d'un dépôt consécutif de semi-conducteur organique. La présente invention vise, pour sa part, à proposer un nouveau procédé utile 15 pour former un dépôt cristallin d'un matériau en surface d'au moins une face d'un substrat, dont la mise en oeuvre soit simple, reproductible et peu coûteuse. Elle vise notamment à permettre l'obtention d'un dépôt, en particulier d'un film mince, cristallisé dans lequel l'homogénéité de la cristallisation est optimisée au moins une zone prédéterminée dite « zone d'intérêt ». 20 Ainsi, la présente invention concerne, selon un premier de ses aspects, un procédé utile pour former un dépôt cristallin d'un matériau sur au moins une zone de surface d'au moins une face d'un substrat, comprenant au moins les étapes consistant à : i. déterminer, sur ladite face, la surface sur laquelle doit être formé ledit dépôt cristallin, dite zone d'intérêt, 25 ii. générer, sur ladite face, au moins un défaut, ledit défaut étant situé à l'extérieur de ladite zone d'intérêt, iii. déposer sur ladite zone d'intérêt au moins un film continu d'un milieu solvant comprenant au moins ledit matériau à cristalliser, ledit film venant au moins au contact dudit défaut de manière à initier la germination localisée et/ou la croissance dudit matériau au 30 voisinage immédiat de ce défaut, et iv. exposer l'ensemble à des conditions favorables à la croissance d'un cristal correspondant sur la zone d'intérêt. De manière surprenante, les inventeurs ont en effet constaté qu'il est possible d'optimiser la qualité des cristaux au niveau d'une zone d'intérêt prédéterminée devant être cristallisée sous réserve d'introduire préalablement à l'initiation du phénomène de cristallisation un défaut à proximité, et plus particulièrement à la périphérie, de la zone d'intérêt à cristalliser. En effet, dans le cadre de la présente invention, ce défaut a pour vocation d'initier, de façon directe ou induite, la germination et/ou la croissance du matériau à cristalliser, de manière localisée au niveau dudit défaut. Le procédé selon l'invention est avantageux à plusieurs titres. Tout d'abord, le film de matériau obtenu grâce au procédé selon l'invention est cristallisé de façon homogène sur l'ensemble de la zone d'intérêt. Selon un mode avantageux de réalisation, ce dépôt cristallin peut être même constitué d'un seul grain monocristallin du matériau considéré. Ainsi, dans le cas où le matériau à cristalliser est un semi-conducteur organique, le procédé selon l'invention permet d'obtenir un dépôt cristallin présentant une très bonne mobilité des porteurs de charges, et donc des propriétés électriques très satisfaisantes, dans la zone d'intérêt. Enfin, le procédé selon l'invention présente l'avantage d'être facile à mettre en oeuvre, dans la mesure où il est compatible avec la mise en oeuvre de techniques conventionnelles de dépôt ou d'impression, et d'être ainsi peu coûteux. L'invention concerne également, selon un autre de ses aspects, un dispositif, par exemple photovoltaïque ou photoconducteur, comprenant un film mince obtenu par le procédé selon l'invention. Il s'agit avantageusement de transistors, notamment à effet de champ et de diodes. PROCEDE Le procédé selon l'invention implique, dans un premier temps, de déterminer sur la face du substrat considéré une zone de surface particulière correspondant à la surface sur laquelle le dépôt cristallin du matériau considéré est destiné à être formé. Cette zone de surface particulière est intitulée « zone d'intérêt » dans le cadre de la présente invention. Pour des raisons évidentes, il existe toujours une zone dans laquelle le dépôt cristallin doit être le plus homogène possible, et en particulier le plus exempt de défauts cristallins possible. Par « défaut cristallin », on entend notamment désigner les interfaces entre deux cristaux dans une structure polycristalline (également appelés joints de grains). La « zone d'intérêt » au sens de l'invention peut ainsi être définie comme étant la surface où le dépôt cristallin doit être le plus uniforme possible, voire être constitué d'un seul grain monocristallin. Des exemples de « zones d'intérêt » au sens de l'invention sont indiqués ci-après, à titre illustratif et non limitatif. Ainsi, lorsque le matériau à cristalliser est un semi-conducteur organique, la « zone d'intérêt » au sens de l'invention est la surface au sein de laquelle un courant d'électrons ou de trous doit être transporté. Ainsi, dans le cas particulier d'un transistor, la « zone d'intérêt » au sens de l'invention associée à un matériau à cristalliser de type semi-conducteur organique est la zone du canal comprise entre les électrodes de source et de drain. D'autres exemples de zones d'intérêt au sens de l'invention se trouvent notamment dans les diodes, les capacités, en particulier les capacités MIS (métaUisolant/semi-conducteur), ou encore les détecteurs optiques. Le procédé selon l'invention comprend une deuxième étape (ii) consistant à générer, sur la face du substrat considérée, au moins un défaut, ledit défaut ainsi généré étant situé à l'extérieur de la zone d'intérêt déterminée lors de l'étape (i). Le défaut considéré dans le cadre de la présente invention peut notamment être choisi parmi un défaut de surface et un germe du matériau à cristalliser. Selon une première variante de réalisation, le défaut peut être un défaut de surface. De préférence, il s'agira d'un défaut de surface ayant une énergie de surface inférieure à l'énergie de surface du milieu solvant. Du fait de cette différence en termes d'énergie de surface, un tel défaut de surface pourra provoquer localement un démouillage du milieu solvant à son voisinage immédiat au cours de l'étape (iii) du procédé selon l'invention. Un tel démouillage induit alors localement un état de sursaturation du matériau à cristalliser au sein du milieu solvant le contenant, initiant ainsi la germination dudit matériau, dont la croissance en cristaux va progresser essentiellement au niveau de la zone d'intérêt, localisée au-delà de ce défaut. Ces phénomènes de démouillage induit au sein d'un milieu solvant par un défaut et de sursaturation consécutive sont déjà connus de l'homme du métier. Ils sont illustrés, de façon schématique, en FIGURE 1. Comme schématisé en FIGURE la, un substrat (1) comprend sur une de ses faces (2) une zone d'intérêt (3). Un défaut (4) est généré sur le substrat (1) en dehors de la zone d'intérêt (3). Lors de l'étape (iii) du procédé selon l'invention, un milieu solvant (5) comprenant au moins le matériau à cristalliser est déposé sous la forme d'un film continu sur la zone d'intérêt (3), ledit film venant au moins au contact du défaut (4), comme schématisé en FIGURE lb. La présence du défaut (4) induit à son voisinage un démouillage du milieu solvant (5) représenté en FIGURE 1c. Comme représenté schématiquement en FIGURE 1 d, ce démouillage conduit à la formation de zones (5a) au sein du milieu solvant (5) dans lesquelles la concentration en matériau à cristalliser est plus élevée par rapport à celle du milieu solvant, induisant ainsi un phénomène de sursaturation apte à provoquer la germination dudit matériau de façon localisée à ce niveau. Le cristal qui se forme à partir de ces germes va croître de façon inhomogène sur toute l'étendue d'une zone adjacente (5b) qui est dite «perturbée» par comparaison à une zone qui lui est consécutive (5c) dans laquelle l'homogénéité du cristal s'acquiert (zone dite « monocristalline »). Lorsque le défaut est un défaut de surface, il peut notamment s'agir d'un défaut de relief généré soit directement à partir de la surface du substrat, soit indirectement à partir d'un composé distinct du substrat. Selon un mode de réalisation, il peut s'agir d'un défaut de relief généré directement à partir de la surface du substrat considéré. A titre d'exemples de tels défauts de relief, on peut par exemple citer des aspérités de surface telles que des rayures, des trous ou des nano-indentations. Il peut également s'agir d'un réseau de défauts de relief disposés les uns par rapport aux autres selon un réseau organisé. De tels défauts de relief peuvent être générés directement à partir de la surface du substrat par un traitement physico-chimique, par exemple par piquage, par grenaillage, par gravure, par laser, par emboutissage, ou par plasma. Selon un autre mode de réalisation, le défaut de surface peut être un défaut de relief généré indirectement à partir d'un composé distinct du substrat, par exemple un 10 nano-objet tel qu'une nanoparticule, un nanofil ou un nanotube Il peut en particulier s'agir d'une nanoparticule choisie parmi les nanoparticules semi-conductrices telles que les nanoparticules de Si, de Ge ou de pentacéne ; les nanoparticules isolantes telles que les nanoparticules de silice, de polystyrène, ou de Téflon ; les nanoparticules conductrices telles que les nanoparticules 15 de Ni, PDOT (poly(3,4-ethylenedioxythiophene)) ou ITO (indium tin oxyde), et les nanoparticules céramiques telles que les nanoparticules de titanate de baryum BaTiO2. Selon une deuxième variante de réalisation, le défaut peut être un germe (c'est-à-dire une phase cristalline primaire), du matériau à cristalliser. 20 Selon cette deuxième variante de réalisation, le défaut aura pour effet d'initier la croissance du matériau à cristalliser de façon localisée, à partir de ce germe préexistant. Comme indiqué précédemment, les défauts considérés peuvent être générés par toute méthode conventionnelle connue de l'homme du métier. 25 Le défaut généré au cours de l'étape (ii) du procédé selon l'invention peut être de toute taille, sous réserve que celle-ci convienne à l'initiation de la germination localisée et/ou de la croissance dudit matériau à son voisinage immédiat. La taille moyenne du défaut peut être ajustée de façon conventionnelle par l'homme du métier, en fonction notamment de la nature du substrat et/ou de la nature du 30 matériau à cristalliser et/ou de la nature du milieu solvant et/ou de la dimension de la zone d'intérêt, ainsi que des propriétés recherchées. Cette taille sera de préférence inférieure à l'épaisseur du dépôt cristallin envisagée sur la zone d'intérêt. A titre illustratif, le défaut considéré selon l'invention peut avoir une taille moyenne allant de 10 nm à 150 nm, de préférence de 10 nm à 50 nm. Dans le cadre de la présente invention, le défaut généré au cours de l'étape (ii) doit être situé à l'extérieur de la zone d'intérêt. En d'autres termes, le défaut ne doit pas exister préalablement sur le substrat, mais doit être au contraire généré volontairement au regard de la zone d'intérêt déterminée 10 au cours de l'étape (i). Le défaut doit en outre être généré à l'extérieur, c'est-à-dire en dehors, de cette zone d'intérêt. A titre illustratif, le défaut peut notamment être situé à une distance moyenne allant de 1 µm à 5000 µm, à l'extérieur de ladite zone d'intérêt. 15 Selon un mode de réalisation, la zone d'intérêt peut être exempte de défauts de surface au sens de l'invention. Le procédé selon l'invention comprend également une troisième étape (iii) consistant à déposer sur la zone d'intérêt déterminée au cours de l'étape (i), au moins un 20 film continu d'un milieu solvant comprenant au moins le matériau à cristalliser considéré selon l'invention, ledit film venant au moins au contact dudit défaut de manière à initier la germination localisée et/ou la croissance dudit matériau au voisinage immédiat de ce défaut. Il peut notamment s'agir d'un film mince, c'est-à-dire un film d'épaisseur 25 inférieure ou égale à 1 mm, de préférence inférieure ou égale à 200 µm. Ce film doit être continu, c'est-à-dire qu'un même film ininterrompu doit être déposé sur la zone d'intérêt et au moins jusqu'au contact avec le défaut. Un tel film continu peut être obtenu par toute technique de dépôt connue de l'homme du métier pour former des films minces sur un support. 30 Le choix d'une technique de dépôt convenable fait partie des compétences de l'homme du métier, qui sélectionnera la technique adaptée en fonction notamment de la nature du substrat considéré ainsi que des propriétés de dépôt recherchées. Selon un mode de réalisation, le film peut être déposé par stamping, dépôt à la tournette, héliogravure, flexographie, impression jet d'encre, offset, ou encore sérigraphie. Pour des raisons évidentes, le matériau à cristalliser doit être présent à l'état de soluté au sein du milieu solvant, et en particulier il doit être présent en une concentration inférieure à sa concentration de sursaturation critique. Par « concentration de sursaturation critique », on entend désigner, au sens de l'invention, la limite entre l'état de soluté et l'état solide, c'est-à-dire le stade où le matériau franchit l'équilibre soluté/milieu solvant pour précipiter. Comme indiqué précédemment, lorsque le défaut est un défaut de surface, cette mise en contact est propice à la formation localisée de germes du matériau à cristalliser, c'est-à-dire de monocristaux dudit matériau à partir desquels peut avoir lieu la cristallisation. Cette germination du matériau à cristalliser est en effet provoquée en ce cas par l'obtention d'un état de sursaturation localisé au voisinage dudit défaut de surface. En revanche, lorsque le défaut est un germe du matériau à cristalliser, cette mise en contact permet d'initier la croissance du matériau à cristalliser de façon localisée à partir de ce germe préexistant. Les conditions à respecter pour qu'un état de sursaturation puisse effectivement être atteint de façon localisée au voisinage immédiat du défaut de surface et/ou pour favoriser la croissance d'un cristal font partie des compétences de l'homme du métier. En particulier, l'épaisseur du film déposé au cours de l'étape (iii) et/ou la taille moyenne du défaut de surface généré au cours de l'étape (ii) peuvent être ajustées l'une par rapport à l'autre de façon convenable pour qu'un tel état de sursaturation puisse être atteint. Selon un mode de réalisation, le film déposé peut avoir une épaisseur inférieure à 1 mm, de préférence inférieure à 200 µm. Selon un mode de réalisation, le rapport entre l'épaisseur du défaut de surface et l'épaisseur du film déposé peut être inférieur à 1.30 Le procédé selon l'invention comprend enfin une quatrième étape (iv) consistant à exposer l'ensemble à des conditions favorables à la croissance du cristal correspondant sur la zone d'intérêt. Cette étape peut notamment comprendre au moins l'évaporation du milieu solvant. Les conditions à mettre en oeuvre pour réaliser cette étape relèvent des compétences de l'homme du métier. Il est par ailleurs entendu, au sens de l'invention, que la localisation et/ou les caractéristiques du défaut ainsi que les conditions de l'étape (iv) doivent être ajustées par l'homme du métier afin que le dépôt cristallin formé dans la zone d'intérêt soit de bonne qualité, notamment homogène, et de préférence constitué d'un seul grain monocristallin du matériau à cristalliser. Il est en effet connu que la croissance d'un cristal est relativement inhomogène à proximité de la zone de germination, dans une zone dite « zone perturbée » dont l'étendue varie notamment avec les conditions opératoires. Le défaut devra donc être généré à une distance suffisamment grande de la zone d'intérêt pour que, dans les conditions opératoires mises en oeuvre, celle-ci ne soit pas affectée par cette zone perturbée transitoire. MATERIAU A CRISTALLISER Les matériaux considérés dans le cadre de la présente invention sont des matériaux aptes à cristalliser à partir d'une solution liquide. En particulier, il pourra s'agir de matériaux organiques ou inorganiques possédant une forte valeur ajoutée dans le domaine de l'électronique lorsqu'ils se présentent sous une forme cristallisée. Il pourra notamment s'agir de matériaux organiques ou inorganiques dotés de propriétés isolantes ou conductrices à l'état cristallisé. A titre d'exemple de tels matériaux, on peut notamment citer des diélectriques organiques (en particulier le polystyrène), des alliages inorganiques (en particulier les alliages du type In Cu Ga Se, utilisés dans les dispositifs photovoltaïques) ou encore des semi-conducteurs organiques, notamment tels que décrits ci-après. Semi-conducteur organique Selon un mode préféré de réalisation, le matériau considéré selon l'invention est un semi-conducteur organique. Les semi-conducteurs organiques considérés dans le cadre de la présente 5 invention peuvent être de deux types. Il peut s'agir de molécules de faible masse moléculaire (couramment appelées «petites molécules »), et notamment de molécules de masse moléculaire inférieure à 1000 g/mol, ou de polymères constitués de macromolécules de plus grande masse moléculaire. 10 Ces deux types de semi-conducteurs organiques ont pour point commun de présenter un système conjugué provenant de l'alternance de simples et de doubles liaisons carbone-carbone. A titre de semi-conducteur organique de faible masse moléculaire, on peut par exemple citer ceux de type polyacène, oligo-thiophène ou phtalocyanine. 15 A titre de semi-conducteur organique polymère, on peut par exemple citer ceux de type polyacétylène, polyphénylène, polythiophène ou poly(phénylène/vinylène). Il pourra notamment s'agir d'un semi-conducteur organique choisi parmi l'un de pentacène, tétracène, anthracène, naphthalène, alpha-6-thiophène, alpha-4-thiophène, pérylène et ses dérivés, rubrène et ses dérivés, coronène et ses dérivés, diimide 20 tétracarboxylique de pérylène et ses dérivés, dianhydride tétracarboxylique de pérylène et ses dérivés, polythiophène et ses dérivés, polyparaphenylène-vinylène et ses dérivés, polyparaphénylène et ses dérivés, polyfluorène et ses dérivés, copolymère polyfluorène-oligothiophène et ses dérivés, polythiophène-vinylène et ses dérivés, un copolymère aromatique hétérocyclique de polythiophène et ses dérivés, oligonaphthalène 25 et ses dérivés, alpha-5-thiophène oligothiophène et ses dérivés, phthalocyanine qui ne contient pas de métal et ses dérivés, dianhydride pyromellitique et ses dérivés, diimide pyromellitique et ses dérivés, dianhydride d'acide tétracarboxylique de pérylène et ses dérivés, diimide tétracarboxylique de pérylène et ses dérivés, diimide tétracarboxylique de naphtalène et ses dérivés ou dianhydride-acide tétracarboxylique de naphtalène et ses 30 dérivés. Selon un mode préféré de réalisation, le semi-conducteur organique est choisi parmi le pentacène, le tétracène et l'anthracène. Il s'agira de préférence du penthacène. SUBSTRAT Dans le cadre de la présente invention, le terme « substrat » fait référence à une structure de base à la surface de laquelle est formé le dépôt cristallin du matériau considéré selon l'invention. Le procédé selon l'invention peut avantageusement être mis en oeuvre sur des substrats variés. Ce substrat peut donc être de nature très diverse, organique ou inorganique, voire de nature composite c'est-à-dire formé de plusieurs matériaux distincts. Le substrat peut être ainsi à base de silicium, de verre, d'un métal et/ou d'une résine et se présenter généralement sous la forme d'une plaque, d'une feuille ou d'un film. Il s'agira plus particulièrement d'un substrat à base de résine. A titre d'exemple de matériaux susceptibles de former un tel substrat, on peut notamment citer la silice, le silicium, le téraphtalate de polyéthylène (PET), le naphtalate de polyéthyle (PEN), le polyimide (PI), le polyéther imide (PEI), le polyéther sulfone (PES), le polysulfone (PSF), le sulfure de polyphénylène (PPS), le polyéther éther cétone (PEEK), le polyacrylate (PA), le polyamide imide (PAI), le polystyrène, le polyéthylène, le polypropylène, une résine polyamine, une résine carbonate ou encore une résine cellulosique. Il peut notamment s'agir d'un matériau composite formé par des zones conductrices, notamment métalliques, juxtaposées à des zones isolantes. Le substrat peut, le cas échéant, subir préalablement à son traitement selon l'invention, une à plusieurs transformations dédiées par exemple à lui conférer des spécificités particulières telles que par exemple une fonctionnalisation avec un ou plusieurs matériaux annexes, tels que par exemple des métaux pour former une ou plusieurs électrodes. Ainsi, le procédé selon la présente invention s'avère particulièrement avantageux pour former les films minces, par exemple de semi-conducteurs organiques, requis dans le domaine de l'électronique et notamment des transistors. MILIEU SOLVANT Au sens de l'invention, le terme « milieu solvant » entend désigner indifféremment un unique solvant ou un mélange de solvants. Par « solubilité », on entend, au sens de la présente invention, la quantité molaire maximale de composé que l'on peut dissoudre ou dissocier, à une température donnée, dans un litre de solvant. La solubilité d'un soluté est la concentration du soluté qui est une caractéristique de l'état d'équilibre entre le soluté et le milieu solvant associé. La solution ainsi obtenue est dite saturée. Un milieu solvant sera dit sursaturé lorsqu'il contiendra plus de composé qu'il ne peut en contenir à l'équilibre. Ce composé y sera alors présent en partie à l'état solide. Au sens de l'invention, on entend donc par « milieu solvant » une phase liquide ayant la propriété de solubiliser très facilement et donc une grande quantité du matériau considéré. Le volume du milieu solvant requis pour la mise en oeuvre du procédé selon l'invention peut varier dans une large mesure, en fonction notamment de ses propriétés physico-chimiques intrinsèques ainsi que de la nature et/ou de la quantité de matériau à déposer ou encore de sa température. Le volume du milieu solvant est notamment ajusté de sorte que la concentration en matériau par rapport audit milieu solvant soit inférieure à la concentration de sursaturation critique dudit matériau dans ce milieu à la température de mise en oeuvre du procédé, et par exemple à la température ambiante. En d'autres termes, le volume du milieu solvant est ajusté pour que la quantité en matériau associée puisse y être présente, pour l'essentiel, à l'état de soluté c'est-à-dire sous une forme soluble. Ainsi, par exemple au moins 98 % en poids, voire 100 % en poids dudit matériau peut être présent sous une forme solubilisée dans ledit milieu solvant. En d'autres termes, la solution du matériau dans le milieu solvant peut comprendre moins de 2 % en poids, voire être totalement exempte de précipité dudit matériau. Selon un mode de réalisation, le procédé selon l'invention peut comprendre une étape consistant à formuler ledit matériau à l'état de soluté dans le milieu solvant. APPLICATIONS Le procédé selon l'invention s'avère particulièrement avantageux pour former des films minces, par exemple de semi-conducteurs organiques requis dans le domaine de l'électronique, et notamment des transistors. En particulier, selon un mode de réalisation, le matériau à cristalliser peut être un semi-conducteur organique, la zone d'intérêt la zone du canal d'un transistor et le défaut peut être généré sur au moins l'une des électrodes dudit transistor ou à l'extérieur des électrodes. Dans ce cas, les défauts cristallins, notamment les joints de grain, seront avantageusement localisés au voisinage dudit défaut, par exemple sur l'électrode en question, tandis que le cristal formé s'étendra dans la zone du canal, de préférence sous la forme d'un seul grain monocristallin. Le procédé selon l'invention peut être également mis en oeuvre à l'égard de tout dispositif nécessitant la présence d'un film mince d'un matériau de très bonne qualité cristalline, à l'image par exemple des diodes, des capacités MIS et des détecteurs Par exemple, le dispositif peut être une diode, le matériau à cristalliser étant un semi-conducteur et la zone d'intérêt étant située entre les deux électrodes. En particulier, ladite zone d'intérêt est la zone active d'une diode et ledit défaut est généré sur au moins l'une des électrodes de la diode. Il peut également s'agir d'une capacité, le matériau à cristalliser étant alors un isolant et la zone d'intérêt étant située entre les deux armatures de la capacité. Selon un autre mode de réalisation, ledit matériau à cristalliser est un isolant, par exemple le polystyrène et ladite zone d'intérêt est l'oxyde de grille d'un transistor ou le diélectrique d'une capacité et ledit défaut est généré à l'extérieur des électrodes. Une représentation schématique d'un transistor susceptible d'être obtenu par le procédé conforme à l'invention est illustrée en FIGURE 2. Ce transistor est composé d'une première électrode de source (11), d'un dépôt diélectrique (12), d'une électrode de drain (13), d'une électrode de grille (14), et d'un film cristallin de semi-conducteur organique (15) formé selon le procédé conforme à l'invention. Le substrat (18) est présent sur la face opposée du dépôt diélectrique. L'électrode de source (11) ou de drain (13) est pourvue d'au moins un défaut de surface, en l'occurrence une nanoparticule (4). Le film cristallin de semi-conducteur organique (15) est obtenu par mise en présence dudit défaut de surface (4) avec un milieu solvant comprenant au moins le matériau à déposer à l'état de soluté. En effet, cette mise en présence conduit à la germination localisée dudit semi-conducteur organique au voisinage dudit défaut (4), cette germination étant le point de départ de la cristallisation dudit semi-conducteur organique. Les exemples de réalisation indiqués ci-après ou représentés en Figures 1 et 2 sont uniquement donnés à titre illustratif et non limitatif de l'invention. Figure 1 : Représentation schématique des phénomènes de démouillage et de sursaturation induits par la présence d'un défaut au sens de l'invention. Figure 2 : Représentation schématique d'un transistor susceptible d'être obtenu par le procédé conforme à l'invention EXEMPLES Un transistor ayant les caractéristiques suivantes a été préparé en mettant en oeuvre le procédé selon l'invention. Sur un substrat sous forme d'une plaque en PEN (polyéthylène naphtalate), on a déposé de l'Au sur toute la plaque puis on a réalisé une gravure chimique (avec masque) pour définir les électrodes (source et drain). On a ensuite généré un défaut en déposant du Teflori par jet d'encre sous la forme de gouttes de 10 µm3, à une distance de 10 µm de l'électrode de source On a ensuite déposé par héliographie le semi-conducteur (pentacène liquide), sur toute la plaque. Le milieu solvant a ensuite été évaporé à 60 °C pendant 3 mn puis à 100 °C pendant 1 mn. On a enfin procédé au dépôt du diélectrique (polystyrène) par sérigraphie, puis au dépôt par jet d'encre d'Ag pour constituer la grille du transistor REVENDICATIONS1. Procédé utile pour former un dépôt cristallin d'un matériau sur au moins une zone de surface d'au moins une face d'un substrat, comprenant au moins les étapes consistant à : i. déterminer, sur ladite face, la surface sur laquelle doit être formé ledit dépôt cristallin, dite zone d'intérêt, ii. générer, sur ladite face, au moins un défaut, ledit défaut étant situé à l'extérieur de ladite zone d'intérêt, iii. déposer sur ladite zone d'intérêt au moins un film continu d'un milieu solvant comprenant au moins ledit matériau à cristalliser, ledit film venant au moins au contact dudit défaut de manière à initier la germination localisée et/ou la croissance dudit matériau au voisinage immédiat de ce défaut, et iv. exposer l'ensemble à des conditions favorables à la croissance d'un cristal correspondant sur la zone d'intérêt. 2. Procédé selon la revendication 1, dans lequel ledit défaut est choisi parmi un défaut de surface et un germe dudit matériau à cristalliser. 3. Procédé selon la revendication 2, dans lequel ledit défaut est un défaut de surface ayant une énergie de surface inférieure à l'énergie de surface dudit milieu solvant. 4. Procédé selon la revendication 3, dans lequel ledit défaut de surface est un défaut de relief généré soit directement à partir de la surface du substrat, soit indirectement à partir d'un composé distinct du substrat. 5. Procédé selon la revendication 4, dans lequel ledit défaut de surface est un défaut de relief généré directement à partir de la surface dudit substrat, en particulier par un traitement physico-chimique, par exemple par piquage, par grenaillage, par gravure, par laser, par emboutissage, ou par plasma. 6. Procédé selon la revendication 4, dans lequel ledit défaut de surface est un défaut de relief généré indirectement à partir d'un composé distinct du substrat, par exemple un nano-objet tel qu'une nanoparticule, un nanofil ou un nanotube. 7. Procédé selon la revendication 2, dans lequel ledit défaut est un germe dudit matériau à cristalliser 8. Procédé selon l'une quelconque des revendications précédentes, dans lequel l'étape (iv) comprend au moins l'évaporation dudit milieu solvant. 9. Procédé selon l'une quelconque des revendications précédentes, dans lequel le dépôt cristallin formé sur la zone d'intérêt est constitué d'un seul grain monocristallin dudit matériau. 10. Procédé selon l'une quelconque des revendications précédentes, dans lequel ledit matériau à cristalliser est un semi-conducteur organique. 11. Procédé selon la revendication 10, dans lequel ladite zone d'intérêt est la zone du canal d'un transistor et ledit défaut est généré sur au moins l'une des électrodes dudit transistor ou à l'extérieur des électrodes. 12. Procédé selon la revendication 10, dans lequel ladite zone d'intérêt est la 10 zone active d'une diode et ledit défaut est généré sur au moins l'une des électrodes de la diode. 13. Procédé selon l'une quelconque des revendications 1 à 9, dans lequel ledit matériau à cristalliser est un isolant, par exemple le polystyrène. 14. Procédé selon la revendication 13, dans lequel ladite zone d'intérêt est 15 l'oxyde de grille d'un transistor ou le diélectrique d'une capacité et ledit défaut est généré à l'extérieur des électrodes.