FR 2953646 A1 20110610 FR 1001792 A 20100427 PHOTODÉTECTEUR ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION La présente demande de brevet revendique la priorité de la demande de brevet coréen No. 10-2009-0 119 308, déposée le 3 décembre 2009. La présente invention décrite dans ce document concerne un photodétecteur et son procédé de fabrication ; et plus particulièrement un photo-détecteur comprenant un guide d'onde et son procédé de fabrication. Un dispositif photorécepteur qui convertit un signal non électrique (par exemple, une lumière) en signal électrique peut trouver des applications dans divers domaines techniques. Des dispositifs photo-récepteurs sont actuellement de plus en plus utilisés dans le domaine des semi-conducteurs en plus du domaine de la communication optique où une lumière est utilisée comme support d'informations et un capteur d'image convertit la lumière provenant d'un objet en signal électrique. En raison de cette tendance, il est fourni continuellement de grands efforts pour appliquer le dispositif photorécepteur à divers dispositifs. La présente invention propose un photodétecteur présentant très peu de défauts et son procédé de fabrication. La présente invention propose également un photo-25 détecteur dont la fabrication est plus efficace et son procédé de fabrication. Des modes de réalisation de la présente invention concernent des procédés de fabrication d'un photo- détecteur, comprenant la formation d'une première couche semi-conductrice monocristalline et d'un guide d'onde optique faisant saillie à partir de la première couche semi-conductrice monocristalline ; la formation d'une couche d'isolation sur la première couche semi- conductrice monocristalline pour recouvrir le guide d'onde optique ; la formation gravure de la couche d'isolation la surface supérieure du guide d'une ouverture par de manière à exposer d'onde optique ; la formation d'une seconde couche semi-conductrice la surface supérieure du dans l'ouverture ; et la monocristalline à partir de guide d'onde optique exposé, formation de manière sélective d'une couche polysemiconductrice à partir de la surface supérieure de la seconde couche semi-conductrice monocristalline, la couche polysemi-conductrice étant dopée avec des dopants. Dans certains modes de réalisation, la formation de la seconde couche semi-conductrice monocristalline et la formation de la couche polysemi-conductrice peuvent être effectuées successivement dans la même chambre réactionnelle. Dans d'autres modes de réalisation, les procédés peuvent comprendre en outre le dopage de la première couche semi-conductrice monocristalline avec des dopants d'un premier type conducteur, dans lequel le dopage de la première couche semi-conductrice monocristalline avec des dopants est réalisé avant la formation de la seconde couche semi-conductrice monocristalline. Dans d'autres modes de réalisation, la couche polysemi-conductrice peut être dopée avec des dopants d'un second type conducteur opposé au premier type conducteur ; et la couche polysemi-conductrice peut être dopée avec les dopants du second type conducteur par un procédé in situ. Dans d'autres modes de réalisation, la première couche semi-conductrice monocristalline peut comprendre du silicium monocristallin et la seconde couche semi-conductrice monocristalline comprend du germanium monocristallin ou du silicium-germanium monocristallin. Dans d'autres modes de réalisation, la formation de la première couche semi-conductrice monocristalline peut comprendre la mise en oeuvre d'un procédé de gravure sèche sur une couche de silicium d'un substrat de type silicium sur isolant (SOI). Dans d'autres modes de réalisation, la seconde couche semi-conductrice monocristalline et la couche polysemi-conductrice peuvent être formées par dépôt chimique en phase vapeur sous pression réduite (RPCVD) ou par dépôt chimique en phase vapeur sous ultravide (UHVCVD). Dans d'autres modes de réalisation, la formation de la seconde couche semi-conductrice monocristalline peut comprendre une première étape effectuée à une première température et une seconde étape effectuée à une seconde température après l'exécution de la première étape, la seconde température étant différente de la première température. Dans un mode de réalisation, la seconde température est plus élevée que la première température. Dans d'autres modes de réalisation, la première étape peut comprendre l'utilisation de GeH4 gazeux à une température d'environ 300 °C à environ 500 °C et sous une pression d'environ 30 torr à environ 80 torr ; et la seconde étape peut comprendre l'utilisation de GeH4 gazeux à une température d'environ 600 °C à environ 700 °C et sous une pression d'environ 30 torr à environ 80 torr. Dans d'autres modes de réalisation, la formation de la couche polysemi-conductrice peut comprendre l'utilisation d'au moins un gaz choisi parmi SiH4 et GeH4 et d'un gaz vecteur et peut être réalisée à une température d'environ 650 °C à environ 750 °C et sous une pression d'environ 30 torr à environ 80 torr. Dans d'autres modes de réalisation, la formation de la couche polysemi-conductrice peut comprendre en outre l'utilisation d'HCl gazeux. Dans d'autres modes de réalisation, l'ouverture peut posséder une largeur qui est identique à la largeur du guide d'onde optique ou plus étroite que la largeur du guide d'onde optique. Dans d'autres modes de réalisation, la formation 25 de l'ouverture peut comprendre la mise en oeuvre d'un procédé de gravure sèche. La présente invention a également pour objet un photodétecteur comprenant : un substrat ; une couche d'oxyde enterrée et une première couche semi- 30 conductrice monocristalline empilées sur le substrat de manière séquentielle ; un guide d'onde optique faisant saillie à partir de la première couche semi-conductrice monocristalline ; une seconde couche semi-conductrice monocristalline possédant une paroi latérale qui est auto-alignée avec une paroi latérale du guide d'onde 5 optique ; et une couche polysemi-conductrice possédant une paroi latérale qui est auto-alignée avec les parois latérales du guide d'onde optique et de la seconde couche semi-conductrice monocristalline, dans lequel le guide d'onde optique comprend une partie faisant saillie à partir de la première couche semi-conductrice monocristalline et la surface supérieure de la seconde couche semi-conductrice monocristalline n'est pas planarisée. Dans certains modes de réalisation, la surface supérieure de la couche polysemi-conductrice peut avoir le même profil que la seconde couche semi-conductrice monocristalline. Dans d'autres modes de réalisation, le photodétecteur peut comprendre en outre : une première couche d'isolation intercalaire sur la première couche semi-conductrice monocristalline pour entourer les parois latérales du guide d'onde optique, dans laquelle le bord de la surface supérieure du guide d'onde optique est disposé plus bas que la surface supérieure de la première couche d'isolation intercalaire. Dans d'autres modes de réalisation, la surface supérieure de la couche polysemi-conductrice peut être disposée plus haut que la surface supérieure de la première couche d'isolation intercalaire. Dans d'autres modes de réalisation, le photodétecteur peut comprendre en outre : une seconde couche d'isolation intercalaire sur la première couche d'isolation intercalaire ; un premier contact d'électrode connecté électriquement à la couche polysemi-conductrice et pénétrant dans la seconde couche d'isolation intercalaire ; et un second contact d'électrode connecté électriquement à la première couche semi-conductrice monocristalline et pénétrant dans la première couche d'isolation intercalaire et la seconde couche d'isolation intercalaire. Dans d'autres modes de réalisation, le photodétecteur peut comprendre en outre une couche de siliciure entre la couche polysemi-conductrice et le second contact d'électrode, dans laquelle la couche polysemi-conductrice comprend du polysilicium. Dans d'autres modes de réalisation, la première couche semi-conductrice monocristalline peut être dopée avec des dopants d'un premier type conducteur ; la couche polysemi-conductrice peut être dopée avec des dopants d'un second type conducteur opposé au premier type conducteur ; et la seconde couche semi-conductrice monocristalline est un semi-conducteur intrinsèque. Les dessins joints sont inclus pour permettre une meilleure compréhension de la présente invention et sont incorporés au présent mémoire et en constituent une partie. Les dessins illustrent des exemples de modes de réalisation de la présente invention et, conjointement avec la description, servent à expliquer les principes de la présente invention. Sur les dessins : les figures 1 à 4 sont des vues en coupe de fabrication illustrant les modes de réalisation de la présente invention ; et la figure 5 est un schéma de procédé illustrant un 5 procédé de fabrication selon les modes de réalisation de la présente invention. Ci-dessous dans ce document, un procédé de fabrication d'un photodétecteur et un photodétecteur fabriqués grâce à ce procédé seront décrits selon les 10 modes de réalisation de la présente invention en se référant aux dessins joints. Les modes de réalisation décrits ci-dessous sont fournis pour permettre à l'homme du métier de comprendre l'étendue de la présente invention, mais la présente invention n'est 15 pas limitée à ceux-ci. Les modes de réalisation de la présente invention peuvent être modifiés en d'autres formes appartenant à l'idée technique et à l'étendue de la présente invention. Dans le mémoire, « et/ou » signifie qu'au moins un des composants mentionnés est 20 inclus. Ces termes sont utilisés seulement pour faire la distinction entre un élément et un autre. On comprendra également que quand il est mentionné qu'une couche (ou un film) se trouve « sur » une autre couche ou un substrat, elle peut être directement sur l'autre 25 couche ou sur le substrat, ou des couches intermédiaires peuvent également être présentes. On comprendra que bien que les termes premier/première et second/seconde soient utilisés dans ce document pour décrire divers éléments, ces éléments ne sont pas 30 limités par ces termes. Sur les figures, les dimensions 8 des couches et des régions sont exagérées pour rendre l'illustration plus claire. Un procédé de fabrication d'un photodétecteur va être décrit en se référant aux figures 1 à 5 selon les modes de réalisation de la présente invention. Les figures 1 à 4 sont des vues en coupe de fabrication illustrant les modes de réalisation de la présente invention. La figure 5 est un schéma de procédé illustrant un procédé de fabrication selon les modes de réalisation de la présente invention. En se référant à la figure 1, un substrat de type silicium sur isolant (SOI) peut être préparé. Le substrat de type SOI comprend un substrat de silicium 100, une couche d'isolation enterrée 110 sur le substrat de silicium 100 et une première couche semi-conductrice monocristalline 120 sur la couche d'isolation enterrée 110. En se référant à la figure 2, un guide d'onde optique peut être formé par la gravure de la première couche semi-conductrice monocristalline 120 dans l'opération S1. La première couche semi-conductrice monocristalline 120 peut être gravée par gravure sèche. Le guide d'onde optique 123 peut être une partie faisant saillie à partir de la première couche semi- conductrice monocristalline gravée 121. Par exemple, la surface supérieure du guide d'onde optique 123 peut être plus élevée que la surface supérieure de la première couche semi-conductrice monocristalline gravée 121. En outre, le guide d'onde optique 123 peut avoir une paroi latérale se prolongeant à partir d'une surface supérieure de la première couche semi-conductrice monocristalline gravée 121. Le guide d'onde optique 123 et la première couche semi-conductrice monocristalline gravée 121 peuvent être dopés avec des premiers dopants conducteurs. Par exemple, le guide d'onde optique 123 et la première couche semi-conductrice monocristalline gravée 121 peuvent être dopés avec des dopants de type p. Le guide d'onde optique 123 et la première couche semi- conductrice monocristalline gravée 121 peuvent être dopés avant et/ou après la formation du guide d'onde optique 123. Une première couche d'isolation intercalaire 130 peut être formée sur la première couche semi- conductrice monocristalline gravée 121. La première couche d'isolation intercalaire 130 peut être formée de manière à recouvrir le guide d'onde optique 123. La surface supérieure de la première couche d'isolation intercalaire 130 peut être planarisée. Une ouverture 131 qui expose la surface supérieure du guide d'onde optique 123 peut être formée par gravure de la première couche d'isolation intercalaire 130 dans l'opération S2. Après la formation d'un masque de gravure sur la première couche d'isolation intercalaire 130, l'ouverture 131 peut être formée en mettant en oeuvre un procédé de gravure sèche qui utilise le masque de gravure comme masque. La largeur dl de l'ouverture 131 peut être sensiblement identique à la largeur d2 du guide d'onde optique 123 ou inférieure à la largeur d2 du guide d'onde optique 123. L'ouverture 131 peut ainsi exposer sélectivement la 10 surface supérieure du guide d'onde optique 123. En outre, la paroi latérale du guide d'onde optique 123 peut être entourée par la première couche d'isolation intercalaire 130 et peut ne pas être exposée par l'ouverture 131. Dans un mode de réalisation, la paroi latérale du guide d'onde optique 123 définie par la première couche d'isolation intercalaire gravée 130 peut être alignée avec la paroi latérale de la première couche d'isolation intercalaire 130 en contact avec la paroi latérale du guide d'onde optique 123. En se référant à la figure 3, une seconde couche semi-conductrice monocristalline 132 peut être formée à partir de la surface supérieure du guide d'onde optique 123 dans l'ouverture 131 dans l'opération S3. La seconde couche semi-conductrice monocristalline 132 peut être formée sélectivement sur la surface supérieure du guide d'onde optique 123. C'est-à-dire que la seconde couche semi-conductrice monocristalline 132 peut ne pas être sensiblement formée sur la paroi latérale de la première couche d'isolation intercalaire 130 et la surface inférieure de la première couche d'isolation intercalaire 130. La seconde couche semi-conductrice monocristalline 132 peut être formée par dépôt chimique en phase vapeur sous pression réduite (RPCVD) ou/ou par dépôt chimique en phase vapeur sous ultravide (UHVCVD). La formation de la seconde couche semi-conductrice monocristalline 132 peut comprendre un premier procédé de formation effectué à une température relativement plus basse et un second procédé de formation effectué à une température relativement plus élevée que celle du premier procédé de formation. Le premier procédé de formation peut être effectué à une température située dans une plage allant d'environ 300 °C à environ 500 °C. Pendant le premier procédé de formation, une pression dans la chambre réactionnelle peut être d'environ 30 torr à environ 80 torr. Le premier procédé de formation comprend l'introduction d'un premier gaz source contenant du germanium dans la chambre réactionnelle. Dans un mode de réalisation, le premier procédé de formation comprend l'introduction de GeH4 gazeux dans la chambre réactionnelle. Le premier gaz source peut être introduit dans la chambre réactionnelle avec un débit d'environ 50 sccm à environ 150 sccm. Dans le premier procédé de formation, du H2 gazeux peut être utilisé en tant que premier gaz vecteur. Le premier gaz vecteur peut être introduit dans la chambre réactionnelle avec un débit d'environ 10 slm à environ 30 slm. La seconde couche semi-conductrice monocristalline 132 formée par le premier procédé de formation peut avoir une épaisseur d'environ 100 nm à environ 200 nm. Le second procédé de formation est effectué après le premier procédé de formation. Le second procédé de formation peut être effectué à une température située dans une plage allant d'environ 600 °C à environ 700 °C. Le second procédé de formation peut être réalisé dans les mêmes conditions de pression que celles du premier procédé de formation. Par exemple, pendant le second procédé de formation, une pression dans une chambre réactionnelle peut être d'environ 30 torr à environ 80 torr. Le second procédé de formation comprend l'introduction d'un second gaz source contenant du germanium dans la chambre réactionnelle. Dans un mode de réalisation, le second procédé de formation comprend l'introduction de GeH4 gazeux dans la chambre réactionnelle. Le second gaz source peut être introduit dans la chambre réactionnelle avec un débit d'environ 20 sccm à environ 50 sccm. Dans le second procédé de formation, du H2 gazeux peut être utilisé en tant que second gaz vecteur. Le second gaz vecteur peut être introduit dans la chambre réactionnelle avec un débit d'environ 10 slm à environ 30 slm. La seconde couche semi-conductrice monocristalline 132 formée par le premier procédé de formation peut être plus épaisse que la seconde couche semi-conductrice monocristalline 132 formée par le premier procédé de formation. Par exemple, la seconde couche semi-conductrice monocristalline 132 formée par le second procédé de formation peut avoir une épaisseur d'environ 500 nm à environ 1 000 nm. Le premier procédé de formation et le second procédé de formation peuvent être effectués successivement dans la même chambre réactionnelle. Un procédé est mis en oeuvre pour former une couche polysemi-conductrice dans la chambre réactionnelle dans laquelle est effectué le second procédé de formation. Par conséquent, une couche polysemi-conductrice 133 peut être formée sur la seconde couche semi-conductrice monocristalline 132 dans l'opération S4. La seconde couche polysemi-conductrice 133 peut être formée sélectivement sur la surface supérieure de la seconde couche semi-conductrice monocristalline 132. 13 Un procédé de formation de la couche polysemiconductrice 133 et le second procédé de formation peuvent être effectués successivement. C'est-à-dire que la chambre réactionnelle dans laquelle le premier et le second procédé de formation sont effectués peut être utilisée de manière identique pour former la couche polysemi-conductrice 133. En outre, une pression dans la chambre réactionnelle pendant la formation de la couche polysemi-conductrice 133 peut être sensiblement identique à celle du premier et du second procédé de formation. Un procédé de formation de la couche polysemi-conductrice 133 peut être effectué à une température située dans la plage allant d'environ 650 °C à environ 750 °C. La formation de la couche polysemi-conductrice 133 comprend l'utilisation d'un gaz source polysemiconducteur raffiné présentant une pureté élevée. Par exemple, le gaz source polysemi-conducteur peut être au moins un gaz choisi parmi des gaz comprenant des éléments semi-conducteurs, tels que SiH4 et SiH2C12. Le gaz source polysemi-conducteur peut être introduit dans la chambre réactionnelle avec un débit d'environ 100 sccm à environ 400 sccm. Pendant le procédé de formation de la couche polysemi-conductrice 133, du H2 gazeux peut être utilisé comme gaz vecteur. En outre, du HC1 gazeux peut être introduit dans la chambre réactionnelle pour effectuer la formation sélective de la couche polysemi-conductrice 133. Le HC1 gazeux peut être introduit dans la chambre réactionnelle avec un débit d'environ 10 scm à environ 100 scm. 14 La couche polysemi-conductrice 133 peut être dopée. La couche polysemi-conductrice 133 peut être dopée grâce à un procédé in situ. Dans ce cas, un gaz de dopage peut être introduit dans la chambre réactionnelle pendant la formation de la couche polysemi-conductrice 133. Le gaz de dopage peut être choisi en fonction du type conducteur du dopant se trouvant dans la première couche semi-conductrice monocristalline 121. Si les dopants utilisés pour doper la première couche semi-conductrice monocristalline 121 présentent un premier type conducteur, le gaz de dopage peut être choisi parmi un des gaz de dopage du second type conducteur. Par exemple, quand la première couche semi-conductrice monocristalline 121 contient des dopants de type p, le gaz de dopage utilisé pour doper la couche polysemi-conductrice 133 peut être un gaz comprenant P, (par exemple, PH3). Comme autre exemple, si la première couche semi-conductrice monocristalline 121 contient des dopants de type n, le gaz de dopage utilisé pour doper la couche polysemi-conductrice 133 peut être un gaz comprenant B, (par exemple, B2H6). Puisque la seconde couche polysemi-conductrice 133 peut être sélectivement formée sur la surface supérieure de la seconde couche semi-conductrice monocristalline 132, une caractéristique d'un photodétecteur comprenant un guide d'onde optique peut être améliorée. Quand une couche polysemi-conductrice dopée par implantation d'ions dans la couche polysemi-conductrice est formée après la formation et la planarisation de la couche polysemi-conductrice sur le guide d'onde optique, des défauts peuvent se former dans la seconde couche semi-conductrice monocristalline adjacente à la couche polysemi-conductrice pendant l'implantation des ions. En outre, l'épaisseur de la couche polysemi-conductrice ne peut pas être ajustée facilement à cause de l'implantation des ions, de sorte que l'augmentation du rendement quantique est limitée. Dans un autre procédé, par exemple, après la formation de la couche semi-conductrice monocristalline dopée sur la seconde couche semi-conductrice monocristalline 132, quand la couche polysemi-conductrice est formée par le modelage de la couche semi-conductrice monocristalline, le coût de fabrication peut augmenter à cause du procédé de modelage. Cependant, si la couche polysemi-conductrice 133 est formée sélectivement selon les modes de réalisation de la présente invention, la formation de défauts peut être minimisée dans la seconde couche semi-conductrice monocristalline 132 pendant la formation de la couche polysemi-conductrice 133. En outre, en vertu du procédé de formation du photodétecteur selon les modes de réalisation de la présente invention, l'épaisseur de la couche polysemi-conductrice 133 peut être ajustée facilement, de sorte qu'un photodétecteur possédant un rendement quantique amélioré peut être formé. En outre, quand la couche polysemi-conductrice 133 est formée sélectivement sur la seconde couche semi-conductrice monocristalline 132 selon les modes de réalisation de la présente invention, il n'est pas nécessaire d'effectuer un procédé de photolithographie et un procédé de gravure pour le modelage, de sorte que le coût du procédé peut être réduit. En conséquence, le rendement de fabrication peut être amélioré. En se référant à la figure 4, une seconde couche d'isolation intercalaire 140 peut être formée sur la première couche d'isolation intercalaire 130. Des orifices de contact peuvent être formés pour exposer la surface supérieure de la couche polysemi-conductrice 133 et la surface supérieure de la première couche semi-conductrice monocristalline 121 par gravure de la seconde couche d'isolation intercalaire 140. Le premier et le second contact 142 et 144 peuvent être formés par le remplissage des orifices de contact avec un matériau conducteur. Le premier et le second contact 142 et 144 comprennent au moins un matériau conducteur choisi parmi un semi-conducteur dopé, un métal et un composé métallique. Avant le remplissage du premier et du second contact 142 et 144 avec le matériau conducteur, un procédé est en outre effectué pour métalliser la surface supérieure de la couche polysemi-conductrice 133 et la surface supérieure de la première couche semi-conductrice monocristalline 121. Quand la couche polysemi-conductrice 133 comprend du polysilicium, le procédé de métallisation peut être un procédé de formation de siliciure. Le procédé de formation de siliciure est un procédé dans lequel un procédé de traitement thermique est effectué après le dépôt d'une couche métallique dans les orifices de contact. Les motifs conducteurs 146 et 148 peuvent être formés sur les orifices de contact 142 et 144. Les motifs conducteurs 146 et 148 peuvent être de type îlot ou de type trace. En se référant à la figure 4, un photodétecteur est décrit selon un mode de réalisation de la présente invention. Ce qui a été décrit précédemment peut être omis. En se référant à la figure 4, l'oxyde enterré 110 peut être disposé sur le substrat 100 et la première couche semi-conductrice monocristalline 121 peut être disposée sur l'oxyde enterré 110. Le guide d'onde optique 123 peut être disposé sur la première couche semi-conductrice monocristalline 121. Le guide d'onde optique 123 peut prendre diverses formes selon que l'application est pour un dispositif de type anneau ou de type ligne. Le guide d'onde optique 123 peut avoir des parois latérales se prolongeant vers le haut à partir de la surface supérieure de la première couche semi-conductrice monocristalline 121 et sa surface supérieure disposée plus haut que la surface supérieure de la première couche semi-conductrice monocristalline 121. Le guide d'onde optique 123 peut comprendre un semi-conducteur monocristallin. Par exemple, le guide d'onde optique 123 peut être une partie de la première couche semi-conductrice monocristalline 121. C'est-à- dire que le guide d'onde optique 123 peut comprendre le même matériau semi-conducteur que celui de la première couche semi-conductrice monocristalline 121. Dans un mode de réalisation, le guide d'onde optique 123 peut être formé par la gravure d'une partie de la première couche semi-conductrice monocristalline 121. Le guide d'onde optique 123 et la première couche semi- 18 conductrice monocristalline gravée 121 peuvent être dopés avec des premiers dopants conducteurs. La première couche d'isolation intercalaire 130 est formée sur la première couche semi-conductrice monocristalline 121. La première couche d'isolation intercalaire 130 peut comprendre une ouverture 131 qui expose la surface supérieure du guide d'onde optique 123. Le guide d'onde optique 123 peut remplir une partie inférieure de l'ouverture 131. La largeur de l'ouverture 131 peut être sensiblement identique à la largeur du guide d'onde optique 123. Dans un mode de réalisation, la paroi latérale de l'ouverture 131 peut être auto-alignée avec la paroi latérale du guide d'onde optique 123. Une seconde couche semi-conductrice monocristalline 132 est disposée dans l'ouverture 131. La seconde couche semi-conductrice monocristalline 132 peut avoir une surface supérieure plus basse que la première couche d'isolation intercalaire 130. Par exemple, la seconde couche semi-conductrice monocristalline 132 peut avoir la partie de bord de la surface supérieure plus basse que la surface supérieure de la première couche d'isolation intercalaire adjacente 130. De plus, la seconde couche semi- conductrice monocristalline 132 peut avoir le milieu de la surface supérieure plus basse que la surface supérieure de la première couche d'isolation intercalaire adjacente 130. Dans un mode de réalisation, la surface supérieure de la seconde couche semi- conductrice monocristalline 132 peut ne pas être planarisée. C'est-à-dire que la seconde couche semi- conductrice monocristalline 132 peut avoir la surface supérieure relativement plus élevée au niveau de la partie centrale et peut avoir une surface supérieure relativement plus basse au niveau de la partie de bord. La seconde couche semi-conductrice monocristalline 132 peut comprendre des éléments semi-conducteurs différents de ceux de la première couche semi-conductrice monocristalline 121 et du guide d'onde optique 123. Par exemple, la première couche semi- conductrice monocristalline 121 et le guide d'onde optique 123 comprennent du silicium monocristallin, et la seconde couche semi-conductrice monocristalline 132 peut comprendre du germanium monocristallin. Comme autre exemple, la première couche semi-conductrice monocristalline 121 et le guide d'onde optique 123 comprennent de silicium monocristallin, et la seconde couche semi-conductrice monocristalline 132 peut comprendre du silicium-germanium monocristallin. La seconde couche semi-conductrice monocristalline 132 peut être une couche de semi-conducteur véritable qui n'est pas dopée avec des dopants. La seconde couche semi-conductrice monocristalline intrinsèque 132 peut avoir une épaisseur d'environ 600 nm à environ 1 200 nm. Une couche polysemi-conductrice 133 peut être formée sur la seconde couche semi-conductrice monocristalline 132. Au moins une partie de la couche polysemi-conductrice 133 peut remplir l'ouverture 131. Par exemple, la partie de bord de la couche polysemiconductrice 133 peut être disposée dans l'ouverture 131. La couche polysemi-conductrice 133 peut avoir le milieu de sa surface supérieure plus élevé que le bord de sa 20 surface supérieure. La couche polysemi-conductrice 133 peut avoir le milieu de sa surface supérieure plus élevée que la surface supérieure de la première couche d'isolation intercalaire 130. En variante, la couche polysemi-conductrice 133 peut avoir le milieu de sa surface supérieure sensiblement identique à la surface supérieure de la première couche d'isolation intercalaire 130 ou plus basse que la surface supérieure de la première couche d'isolation intercalaire 130. Le profil de la surface supérieure de la couche polysemi-conductrice 133 peut être sensiblement identique à celui de la seconde couche semi-conductrice monocristalline 132. La couche polysemi-conductrice 133 peut comprendre un semi- conducteur dans un état polycristallin. Par exemple, la couche polysemi-conductrice 133 peut comprendre du polysilicium. Un premier contact 142 peut être disposé sur la couche polysemi-conductrice 133. Le premier contact 142 peut pénétrer dans la seconde couche d'isolation intercalaire 140 sur la première couche d'isolation intercalaire 130. Une couche de composé métallique-semi-conducteur peut être intercalée entre la couche polysemi-conductrice 133 et le premier contact 142. La couche de composé métallique-semi-conducteur peut comprendre un siliciure métallique, par exemple. Le premier motif conducteur 146 peut être disposé sur le premier contact 142. Le motif conducteur 146 peut être de type îlot ou de type trace. Le second contact 144 peut être disposé de manière à pénétrer dans la seconde couche d'isolation intercalaire 140 et la première couche d'isolation intercalaire 130 sur la première couche semi-conductrice monocristalline 121. Le second contact 144 peut être connecté électriquement à la première couche semi-conductrice monocristalline 121. Une couche de composé métallique-semi-conducteur peut être disposée entre le second contact 144 et la première couche semi-conductrice monocristalline 121. Une couche de composé métallique-semi-conducteur (par exemple, un siliciure métallique) peut être disposée entre le second contact 144 et la première couche semi-conductrice monocristalline 121. Le second motif conducteur 148 peut être disposé sur le second contact 144. Le second motif conducteur 148 peut être de type îlot ou de type trace. Selon les modes de réalisation de la présente invention, une couche polysemi-conductrice peut être formée sélectivement à partir d'une couche semi-conductrice monocristalline. Par conséquent, les procédés de formation de la couche polysemi-conductrice peuvent être simplifiés. En outre, les défauts de dispositif pouvant se former lors de la formation de la couche polysemi-conductrice peuvent être réduits du fait que les procédés sont simplifiés. Il doit être considéré que le sujet décrit ci-dessus est illustratif et non restrictif, et que les revendications jointes sont destinées à couvrir toutes les modifications, les améliorations et les autres modes de réalisation qui relèvent de l'esprit véritable et de l'étendue de la présente invention. Par conséquent, dans le cadre le plus étendu autorisé par 22 la loi, l'étendue de la présente invention doit être déterminée par la plus large interprétation permise des revendications suivantes et de leurs équivalents, et ne doit pas être restreinte ou limitée par la description détaillée précédente. REVENDICATIONS1. Procédé de fabrication d'un photodétecteur, le procédé étant caractérisé en ce qu'il comprend : la formation d'une première couche semi- conductrice monocristalline (120, 121) et d'un guide d'onde optique (123) faisant saillie à partir de la première couche semi-conductrice monocristalline (120, 121) ; la formation d'une couche d'isolation (130) sur la première couche semi-conductrice monocristalline (120, 121) pour recouvrir le guide d'onde optique (123) ; la formation d'une ouverture (131) par gravure de la couche d'isolation (130) de manière à exposer la surface supérieure du guide d'onde optique (123) ; la formation d'une seconde couche semi-conductrice monocristalline (132) à partir de la surface supérieure du guide d'onde optique exposé (123), dans l'ouverture (131) ; et la formation de manière sélective d'une couche polysemi-conductrice (133) à partir de la surface supérieure de la seconde couche semi-conductrice monocristalline (132), la couche polysemi-conductrice (133) étant dopée avec des dopants. 2. Procédé selon la revendication 1, dans lequel la formation de la seconde couche semi-conductrice monocristalline (132) et la formation de la couche polysemi-conductrice (133) sont effectuées successivement dans la même chambre réactionnelle. 3. Procédé selon la revendication 1, comprenant en outre le dopage de la première couche semi-conductrice 24 monocristalline (120, 121) avec des dopants d'un premier type conducteur, dans lequel le dopage de la première couche semi-conductrice monocristalline (120, 121) avec des dopants est réalisé avant la formation de la seconde couche semi-conductrice monocristalline (132). 4. Procédé selon la revendication 3, dans lequel : la couche polysemi-conductrice (133) est dopée avec des dopants d'un second type conducteur opposé au premier type conducteur ; et la couche polysemi-conductrice (133) est dopée avec les dopants du second type conducteur par un procédé in situ. 5. Procédé selon la revendication 1, dans lequel la première couche semi-conductrice monocristalline (120, 121) comprend du silicium monocristallin et la seconde couche semi-conductrice monocristalline (132) comprend du germanium monocristallin ou du silicium-germanium monocristallin. 6. Procédé selon la revendication 1, dans lequel la formation de la première couche semi-conductrice monocristalline (120, 121) comprend la mise en oeuvre d'un procédé de gravure sèche sur une couche de silicium d'un substrat de type silicium sur isolant (SOI). 7. Procédé selon la revendication 1, dans lequel la seconde couche semi-conductrice monocristalline (132) et la couche polysemi-conductrice (133) sont formées par dépôt chimique en phase vapeur sous pression réduite (RPCVD) ou par dépôt chimique en phase vapeur sous ultravide (UHVCVD). 8. Procédé selon la revendication 1, dans lequel la formation de la seconde couche semi-conductrice monocristalline (132) comprend une première étape effectuée à une première température et une seconde étape effectuée à une seconde température après l'exécution de la première étape, la seconde température étant différente de la première température et plus élevée que la première température. 9. Procédé selon la revendication 8, dans lequel : la première étape comprend l'utilisation de GeH4 gazeux à une température d'environ 300 0C à environ 500 0C et sous une pression d'environ 30 torr à environ 80 torr ; et la seconde étape comprend l'utilisation de GeH4 gazeux à une température d'environ 600 0C à environ 700 0C et sous une pression d'environ 30 torr à environ 80 torr. 10. Procédé selon la revendication 1, dans lequel la formation de la couche polysemi-conductrice (133) comprend l'utilisation d'au moins un gaz choisi parmi SiH4 et GeH4 et d'un gaz vecteur et est réalisée à une température d'environ 650 0C à environ 750 0C et sous une pression d'environ 30 torr à environ 80 torr. 11. Procédé selon la revendication 10, dans lequel la formation de la couche polysemi-conductrice (133) comprend en outre l'utilisation d'HCl gazeux. 12. Procédé selon la revendication 1, dans lequel l'ouverture (131) possède une largeur qui est identique à la largeur du guide d'onde optique (123) ou plus étroite que la largeur du guide d'onde optique (123).26 13. Procédé selon la revendication 1, dans lequel la formation de l'ouverture (131) comprend la mise en oeuvre d'un procédé de gravure sèche. 14. Photodétecteur caractérisé en ce qu'il 5 comprend : un substrat ; une couche d'oxyde enterrée et une première couche semi-conductrice monocristalline (120, 121) empilées sur le substrat de manière séquentielle ; 10 un guide d'onde optique (123) faisant saillie à partir de la première couche semi-conductrice monocristalline (120, 121) ; une seconde couche semi-conductrice monocristalline (132) possédant une paroi latérale qui 15 est auto-alignée avec une paroi latérale du guide d'onde optique (123) ; et une couche polysemi-conductrice (133) possédant une paroi latérale qui est auto-alignée avec les parois latérales du guide d'onde optique (123) et de la 20 seconde couche semi-conductrice monocristalline (132), dans lequel le guide d'onde optique (123) comprend une partie faisant saillie à partir de la première couche semi-conductrice monocristalline (120, 121) et la surface supérieure de la seconde couche semi- 25 conductrice monocristalline (132) n'est pas planarisée. 15. Photodétecteur selon la revendication 14, dans lequel la surface supérieure de la couche polysemiconductrice (133) a le même profil que la seconde couche semi-conductrice monocristalline (132). 30 16. Photodétecteur selon la revendication 14, comprenant en outre : une première couche d'isolation intercalaire (130) sur la première couche semi-conductrice monocristalline (120, 121) pour entourer les parois latérales du guide d'onde optique (123), dans laquelle une partie de bord de la surface supérieure du guide d'onde optique (123) est disposée plus bas que la surface supérieure de la première couche d'isolation intercalaire (130). 17. Photodétecteur selon la revendication 16, dans lequel au moins une partie de la surface supérieure de la couche polysemi-conductrice (133) est disposée plus haut que la surface supérieure de la première couche d'isolation intercalaire (130). 18. Photodétecteur selon la revendication 16, comprenant en outre : une seconde couche d'isolation intercalaire (140) sur la première couche d'isolation intercalaire (130) ; un premier contact d'électrode (146, 142) connecté électriquement à la couche polysemi-conductrice (133) et pénétrant dans la seconde couche d'isolation intercalaire (140) ; et un second contact d'électrode (148, 144) connecté électriquement à la première couche semi-conductrice monocristalline (120, 121) et pénétrant dans la première couche d'isolation intercalaire (130) et la seconde couche d'isolation intercalaire (140). 19. Photodétecteur selon la revendication 18, comprenant en outre une couche de siliciure entre la couche polysemi-conductrice (133) et le second contact d'électrode (148, 144), dans laquelle la couche polysemi-conductrice (133) comprend du polysilicium.28 20. Photodétecteur selon la revendication 14, dans lequel : la première couche semi-conductrice monocristalline (120, 121) est dopée avec des dopants 5 d'un premier type conducteur ; la couche polysemi-conductrice (133) est dopée avec des dopants d'un second type conducteur opposé au premier type conducteur ; et la seconde couche semi-conductrice monocristalline 10 (132) est un semi-conducteur intrinsèque.