FR 2953335 A1 20110603 FR 0905726 A 20091127 SYSTEME D'EMISSION LASER, HETEROSTRUCTURE ET ZONE ACTIVE A SOUS-PUITS QUANTIQUES COUPLES, UTILISATION POUR UNE EMISSION LASER A 1,55 MICROMETRES DOMAINE TECHNIQUE La présente invention se rapporte au domaine de la réalisation de systèmes d'émission lumineuse à semi-conducteurs III-V à base d'antimoine, intégrées de manière monolithique sur un substrat. Ce type de source revêt une importance notable, notamment dans le domaine des télécommunications optiques longue distance où l'émission/réception se fait à une longueur d'onde égale à 1,55 µm, Elle se rapporte plus particulièrement à une zone active pour système d'émission lumineuse, comprenant une succession de couches dont au moins une partie est composée de semi-conducteurs III-V à base d'antimoine, ces couches étant agencées de manière à former au moins un puits quantique entouré de barrières en vue de générer une émission lumineuse. Elle se rapporte également à une hétérostructure comprenant au moins une couche de confinement optique entourant au moins une telle zone active, un système d'émission laser comprenant une telle hétérostructure laser déposée sur un substrat, ainsi que l'utilisation d'une telle zone active en vue d'émettre un faisceau lumineux à une longueur d'onde de 1,55 tm. ÉTAT DE LA TECHNIQUE ANTERIEURE Un des enjeux dans le domaine de la réalisation de systèmes d'émission lumineuse consiste à pouvoir utiliser de manière optimale les semi-conducteurs antimoniurés (Ill-Sb), en mettant à profit leurs propriétés uniques. Ces derniers présentent en effet des raccordements de bandes variés, de faibles masses effectives des porteurs, ainsi qu'une large gamme de gaps allant de l'infrarouge proche à l'infrarouge moyen. A cet égard, plusieurs agencements de couches ont été divulgués pour émettre à des longueurs d'onde comprises entre 2,1 et 2,5 lum (spectre infrarouge pour lequel l'absorption des molécules d'eau atmosphérique est très faible), ou plus généralement à des longueurs d'onde comprises entre 1,9 et 3,1 tm. En particulier, la publication « Room temperature operation of a 2,25 lum electrically pumped laser fabricated on a silicon substrate » (Rodriguez et al. ; Applied Physics Letters ; No. 94 ; p. 061124 ; 2009) décrit une structure permettant de générer une émission laser à 2,25 µm, comprenant : 10 - un substrat Silicium (Si), - un pseudo-substrat comprenant : o une couche de nucléation en alliage antimoine aluminium (AlSb) et o une couche tampon épaisse en alliage antimoine gallium (GaSb), - une première couche de confinement dopée n (Alos0Gao,,oAso,o6sbo,94), 15 - une zone active, insérée au centre d'un guide d'onde d'épaisseur 600 nm ((Alos5Gao,65Aso,o3Sbo,97), comprenant : o deux puits quantiques d'épaisseur 11 nm (Gao,651no,35Aso,06Sbo,94) et o des barrières d'épaisseurs 30 nm (AIo,35Gao,65Aso,o33bos7), une seconde couche de confinement dopée p (Alo;soGao,loAso,06Sbo;94), et 20 - une couche de contact (GaSb). Cet empilement de couches peut être réalisé suivant des méthodes de déposition en phase vapeur ou par épitaxie par jets moléculaires. Le puits quantique résultant est dit de type I (les électrons et les trous sont confinés dans le même matériau). Le substrat est généralement constitué en antimoniure de gallium (GaSb), en arséniure d'indium (InAs), en arséniure de gallium (GaAs) ou en silicium (Si). Il peut être dopé n ou p, ou semi-isolant. . Son épaisseur est typiquement de l'ordre de 400 à 500 µm. La couche tampon (ou pseudo-substrat) permet d'initier la croissance épitaxiale. Elle améliore la qualité cristalline de la surface sur laquelle l'hétérostructure est épitaxiée. 25 30 Elle se compose d'un empilement de couches AlSb et GaSb, dans le cas d'un substrat de silicium, de GaSb dans le cas où le substrat est en GaSb ou GaAs, ou d'InAs dans le cas où le substrat est en InAs. Le dopage peut être de type n ou p. Son épaisseur est typiquement de quelques centaines de nanomètres à quelques micromètres. II peut également servir de couche de contact inférieure. Les couches de confinement optique sont en accord de maille sur GaSb ou InAs. Elle sont généralement en AIGaAsSb (avec 40% à 95% d'aluminium). Leur épaisseur est 10 typiquement de un à quelques micromètres. Le dopage de la couche inférieure est du même type que la couche tampon, celui de la couche supérieure est opposé à celui de la couche inférieure. En fonction du mode d'émission lumineuse choisi, des couches guide d'onde peuvent 15 être adjointes. Elles sont généralement en AIGaAsSb (avec 0% à 70% d'aluminium), en accord de maille sur GaSb ou InAs. Leur indice de réfraction est supérieur à celui des couches de confinement optique, pour assurer le guidage d'une onde. Elles présentent une moins grande proportion d'aluminium que les couches de confinement optique, afin de diminuer l'énergie de bande interdite et augmenter 20 l'indice de réfraction. Elles sont en général faiblement ou pas dopées. La zone active forme le coeur de l'héterostructure laser. Elle est composée d'un empilement de deux matériaux généralement faiblement ou pas dopés, l'un à plus grande énergie de bande interdite (la barrière) que l'autre (le puits quantique). La 25 barrière est en AlGaAsSb (avec 0% à 70% d'aluminium) et le puits en GaInAsSb (avec 0% à 60% d'indium). Une hétérostructure laser comporte typiquement entre un et cinq puits quantiques. Au niveau de la zone active, la composition de chaque matériau fixe son « gap », 30 c'est-à-dire la séparation énergétique entre ses bandes de conduction et de valence. La longueur d'onde d'émission lumineuse est déterminée par le gap des barrières et des puits quantiques, le raccordement des bandes à l'interface puits/barrière et l'épaisseur des puits et des barrières. La barrière énergétique ou énergie de confinement est définie comme l'écart séparant le niveau confiné sur lequel se trouve la particule (électron ou trou) et le bord de bande (conduction ou valence) des barrières. Elle participe à la stabilité thermique du dispositif résultant : si elle est faible, une particule peut sortir facilement du puits dès lors que la température augmente, tandis que si elle est élevée, la particule reste confinée dans le puits malgré une augmentation de la température. Par ailleurs, toute différence des paramètres de maille entre le puits quantique et sa barrière induit une contrainte dans le puits quantique. Cette contrainte s'écrit tradi- tionnellement c = (apuits - abarrfère)/apufts où a; est le paramètre de maille de i. Elle modi- fie la structure de bandes du puits quantique (écart entre bandes, masses effectives, densité d'états,..) et donc influe sur les performances des lasers basés sur cette zone active. Une contrainte compressive comprise entre E=1% et e=2% est généralement utilisée pour obtenir les lasers présentant les meilleures performances (voir la publication « Band-structure engineering in strained semiconductor lasers », O'Reilly et al. ; IEEE Journal of Quantum Electronics ; Vol. 30 ; N°2 ; p. 366 ; février 1994). De plus, le gain de la zone active est proportionnel à son volume. Ce type d'architecture de zone active à base d'antimoniures permet de réaliser des composants performants uniquement dans une gamme de longueurs d'onde s'étendant de 1,9 à 3,1 !.m. 25 Le problème technique qui se pose alors concerne donc la fabrication d'une zone active, à base de semi-conducteurs antimoniurés (III-Sb), qui permette une émission lumineuse efficace à des longueurs d'onde inférieures à 1,8 µm, et plus particulièrement à une longueur d'onde de 1,55 µm pour des applications en télécommunication optique. 30 Une solution, pour diminuer la longueur d'onde jusqu'à 1,55 µm, consiste à réduire la proportion d'indium et à supprimer l'arsenic au sein du puits et à réduire l'épaisseur20 du puits. Or une faible épaisseur nuit à l'efficacité du puits, dans la mesure où le recouvrement des fonctions d'onde des électrons et des trous, l'énergie de confine-ment des porteurs dans le puits, le nombre d'états électroniques et la probabilité de capture des porteurs dans le puits sont faibles. Par ailleurs, la contrainte est alors diminuée, ce qui entraîne une baisse des performances du système. Pour toutes ces raisons, les sources lumineuses à semi-conducteurs antimoniurés (III-Sb) sont plutôt utilisées dans la gamme 1,9 à 3,1 p,m. 10 Quelques agencements de structures à base de semi-conducteurs antimoniurés (111-Sb) ont été néanmoins divulgués, comme par exemple dans la publication « GalnSb/AIGaAsSb strained quantum well semiconductor lasers for 1,55 operation » (Almuneau et al. Semicond Sci. Tecnhol. ; No. 14 ; pp. 89-92 ; 1999). La structure de la zone active y est composée de la manière suivante : 15 ù une première barrière (AIo,35Gaos5Aso,o2Sbos8), - une succession de puits quantiques (Gaosslno,o4Sb) et de barrières (Alo,2Gao,8Aso,o2Sbos8) alternés, - une dernière barrière (AIo,35Gaos5Aso,o2Sbos8), 20 Une structure analogue est également décrite dans la publication « 1,54 tm GaSb/AIGaSb multi-quantum-well monolithic laser at 77 K grown on miscut Si substrate using interfacial misfit arrays » (Jallipalli et al. ; Electronic Letters ; Vol. 43 ; No. 22 ; 2007). 25 De telles hétérostructures présentent deux inconvénients majeurs. D'une part, le puits quantique est très étroit, ce qui induit un faible confinement, un faible recouvrement des fonctions d'ondes et un faible gain. D'autre part, la contrainte du puits est très faible (c û 0,25%). Pour obtenir une émission laser à 1,55 tm, ces architectures de l'art antérieur nécessitent soit une température cryogénique, soit une 30 température ambiante mais en régime d'alimentation pulsé. Pour ces raisons, les performances de ces composants, et en particulier les densités de courant de seuil, sont insatisfaisantes et incompatibles avec les applications de télécommunication optique. Par conséquent, il n'est pas résolu dans l'art antérieur le problème de la conception d'une zone active pour réaliser un système d'émission lumineuse à base de semi-conducteurs antimoniurés (III-Sb), qui soit susceptible d'émettre à des longueurs d'onde inférieures à 1,8 !am (en particulier de l'ordre de 1,55 !,m), tout en préservant des performances compatibles avec des applications de télécommunication optique. OBJET DE L'INVENTION Un but de l'invention est donc de réaliser une zone active présentant un confinement et un désaccord de paramètre de maille autorisant une émission lumineuse qui soit performante à des longueurs d'onde inférieures à 1,8 µm. Ce problème est résolu selon l'invention par une zone active telle que décrite précédemment, comprenant également au moins une couche apte à former une barrière intermédiaire, agencée par rapport à un puits quantique de manière à former au moins deux sous-puits quantiques couplés les uns aux autres. 20 Grâce à l'invention, on réalise la séparation d'au moins un puits quantique en plusieurs sous-couches et l'adjonction entre ces sous-couches d'une couche supplémentaire comportant un matériau (par exemple aluminium, phosphore, etc.), dans une composition et une épaisseur telles que ce nouveau matériau puisse jouer 25 le rôle de barrière intermédiaire et que les sous-couches ainsi constituées deviennent des sous-puits quantiques couplés les uns aux autres Ces barrières intermédiaires permettent de maintenir une longueur d'onde d'émission inférieure à 1.8 µm, malgré l'augmentation du désaccord de paramètre de maille et 30 de l'épaisseur des puits quantiques de la zone active. Le puits quantique résultant est dit de type 1 (les électrons et les trous sont confinés dans le même matériau).15 L'homme du métier comprendra que l'invention est à comparer avec une structure classique à puits quantique simple, avec laquelle on cherche à réaliser une émission laser à une longueur d'onde préalablement choisie (inférieure à 1.8 !,m). On cherche donc ici à obtenir les mêmes caractéristiques d'émission (en termes de longueur d'onde) avec le système selon l'invention que celles que l'on obtiendrait avec système à puits quantique simple. Grâce à l'adjonction de ces barrières intermédiaires, pour obtenir ces mêmes caractéristiques, on constitue une pluralité de sous-puits quantiques fortement 10 couplés dont la somme des épaisseurs est supérieure à celle du puits quantique simple. L'épaisseur totale du puits résultant de l'ajout du matériau est donc supérieure à celle d'un puits quantique classique, ce qui offre un meilleur confinement des électrons, sans que la longueur d'onde d'émission lumineuse ni la stabilité thermique du dispositif n'en soient affectées. 15 En outre, l'ajout de ces barrières intermédiaires permet, de par leurs propriétés (en particulier celle de diminuer la longueur d'onde d'émission), l'ajout de matériaux à désaccord de paramètre de maille plus importants (mais dont une propriété est d'augmenter la longueur d'onde d'émission) dans les sous-puits quantiques. 20 De préférence, toutes les couches de la zone active sont composées de matériaux semi-conducteurs III-V à base d'antimoine. Ainsi constituée, la zone active peut être intégrée dans une hétérostructure (elle-même préférentiellement composée de ces mêmes matériaux), en vue d'une intégration monolithique à un substrat de GaSb, 25 d'InAs, de GaAs, de Si ou autre. Afin d'émettre à une longueur d'onde de 1,55 µm en partant d'une composition de couches à base d'antimoine, il est particulièrement bien adapté de disposer de l'aluminium dans les sous-barrières. Ainsi, de préférence, un matériau composant au 30 moins une couche formant une barrière intermédiaire comporte au moins un élément parmi l'aluminium (Al) et le phosphore (P). L'homme du métier notera qu'il est possible d'obtenir un effet analogue avec tout élément qui permet d'augmenter le gap du matériau du puits quantique, par exemple avec du phosphore au lieu de l'aluminium. Afin de favoriser le couplage des sous-puits quantiques, il est prévu que l'épaisseur d'au moins une couche formant une barrière intermédiaire soit faible. L'invention concerne également une hétérostructure pour système d'émission lumineuse, comprenant au moins une couche de confinement optique entourant au 10 moins une zone active selon l'un des modes de réalisation ci-dessus. De préférence, toutes les couches de cette hétérostructure sont composées de matériaux semi-conducteurs III-V à base d'antimoine, ce qui permet une intégration monolithique de l'hétérostructure à un substrat de GaSb, d'InAs, de GaAs ou de Si. Selon une première variante de mise en oeuvre, l'hétérostructure comprend au moins deux couches aptes à former un guide d'onde lumineuse en vue de générer une émission laser par la tranche de cette hétérostructure. 20 Selon une deuxième variante de mise en oeuvre, l'hétérostructure comprend au moins deux couches réflectives aptes à former une cavité optique en vue de générer une émission laser par la surface de cette hétérostructure. Selon une troisième variante de mise en oeuvre, l'hétérostructure est agencée de 25 façon à former une diode électroluminescente. L'invention concerne également un système d'émission lumineuse comprenant une hétérostructure laser selon l'un des modes de réalisation ci-dessus, cette hétérostructure étant déposée sur un substrat. L'invention concerne enfin l'utilisation d'une zone active selon l'un des modes de réalisation ci-dessus, en vue d'émettre un faisceau lumineux à une longueur d'onde sensiblement égale à 1,55 !,m. 15 30 Pour cela, selon un mode particulier de réalisation, les couches de la zone active sont réalisées à partir d'antimoine (Sb), d'indium (In), d'arsenic (As), de gallium (Ga), ainsi que d'au moins un élément parmi l'aluminium (Al) et le phosphore (P), dans des proportions et avec des épaisseurs de couches déterminées de manière à générer une émission laser (9) à une longueur d'onde sensiblement égale à 1,55 µm. BREVE DESCRIPTION DES DESSINS L'invention sera mieux comprise à la lecture de la description détaillée d'un exemple 10 non limitatif de réalisation, accompagnée de figures représentant respectivement : - la figure 1, un schéma d'un système d'émission lumineuse selon un mode de réalisation particulier de l'invention (deux puits quantiques, composés chacun de trois sous-puits quantiques), - la figure 2, un schéma illustrant l'augmentation de la largeur du puits 15 quantique offerte par l'adjonction de barrières intermédiaires permettant de conserver la même longueur d'onde d'émission conformément à l'invention, et - la figure 3, un schéma d'un exemple de procédé de fabrication d'un système d'émission lumineuse selon l'invention. 20 Pour une meilleure lisibilité, sur ces figures, des références numériques identiques se rapportent à des éléments techniques similaires. EXPOSE DETAILLE DE MODES DE REALISATION PARTICULIERS 25 On a représenté sur la figure 1 un système d'émission laser (par la tranche) selon un premier mode de réalisation de l'invention. Les valeurs des épaisseurs et les compositions des couches sont données ci-après dans le but de générer une émission laser à 1,55 µm. L'homme du métier pourra cependant adapter l'invention à partir de ces données afin de réaliser des zones actives, des hétérostructures et des 30 systèmes d'émission lumineuse analogues, sans pour autant sortir du cadre de la présente invention. Ce système d'émission laser 1 comporte : - un substrat 2, - un pseudo-substrat 3, - une hétérostructure laser 4, et - une couche de contact 8. Le substrat 2 peut être notamment en silicium (Si) ou en antimoniure de gallium (GaSb). II présente un dopage de type n afin de pouvoir contacter le laser par la face arrière du substrat. Dans le cas où le substrat 2 est en antimoniure de gallium, l'hétérostructure 4 est disposée directement sur le substrat 2. Dans le cas où le substrat 2 est en silicium, ce dernier doit être recouvert par un 15 pseudo-substrat 3, préalablement au dépôt de l'hétérostructure 4. Ce pseudosubstrat 3 correspond à une couche tampon 31 d'épaisseur 1,5 !lm en antimoniure de gallium (GaSb) épitaxiée sur une couche de nucléation 30 d'épaisseur 5 nm en antimoniure d'aluminium (AlSb). La couche 31 permet de fixer le paramètre de maille du cristal du pseudo-substrat 3, ainsi que d'éliminer des dislocations provenant de 20 l'interface entre le substrat 2 et la couche de nucléation. Ce pseudo-substrat 3 sert ainsi de plateforme pour l'épitaxie de la structure laser elle-même. Toujours dans le cas où le substrat 2 est en silicium, un problème récurrent lors de l'épitaxie de matériaux polaires comme les matériaux III-V sur un matériau non- 25 polaire tel que le silicium est la formation de défauts appelés « parois d'inversion ». Ces défauts résultent en une rupture de la symétrie du cristal III-V, entraînant une dégradation de la qualité électrique et optique du matériau. Une méthode classique pour supprimer ces défauts consiste à désorienter légèrement le substrat 2 dans la direction [001], par exemple de 4°, ce qui permet une suppression optimale des 30 parois d'inversions dans le cas de l'épitaxie d'AISb (couche de nucléation 31) sur Si. L'hétérostructure laser 4 se compose de : 10 - deux couches de composition graduelle 40 et 43, - deux couches de confinement optique 41 et 42, et - une zone active 5. La couche inférieure de composition graduelle 40 permet de passer progressivement du pseudo-substrat 3 à la couche inférieure de confinement optique 41. Elle est composée de AIX Ga1 _X As, Sb,_ä et son épaisseur est de 300 nm. Son dopage est similaire à celui du pseudo-substrat 3. 10 La couche supérieure de composition graduelle 43 est également utilisée pour moduler progressivement l'énergie de bande interdite du matériau de la couche supérieure de confinement 42. Elle est composée de AIX Ga1 _X As7 Sb,_ä et son épaisseur est de 300 nm. Son dopage est opposé à celui de la couche inférieure 40. 15 La couche inférieure de confinement 41 est composée en Alo,9 Gao,, Aso,o, Sbo93, son épaisseur est de 1500 nm. Elle est dopée n. La couche supérieure de confinement 42 est similaire à la couche inférieure 41 (composée en Alo,9 Gao, Aso,07 Sbo,93, d'épaisseur 1500 nm), avec néanmoins un 20 dopage de type p. La zone active 5 se compose de trois barrières 50, 51 et 52, qui séparent deux puits quantiques 6 et 7. 25 Les barrières 50, 51 et 52 sont constitués de AI0,35 Gaos5 Aso,o3 Sbo,97 et présentent une épaisseur de 20 nm chacune. Chaque puits quantique 6 ou 7 se compose de deux barrières intermédiaires 61 et 63 (pour le puits 6) ou 71 et 73 (pour le puits 7), qui séparent trois sous-puits quantiques 30 60, 62 et 64 (pour le puits 6) ou 70, 72 et 74 (pour le puits 7). Les barrières intermédiaires sont constituées de A10,68 In Sb, d'épaisseur 0,46 nm chacune, tandis que les sous-puits quantiques sont constituées de Gao.B In Sb, d'épaisseur 2,2 nm chacune. Ainsi constitué, grâce à l'ajout d'aluminium à l'intérieur des puits quantiques 6 et 7 (dans des couches très fines 61, 63, 71 et 73), et du fait de la grande énergie de bande interdite des barrières en AI0.68 In Sb, le gap du matériau du puits est augmenté, ce qui, en retour, permet d'élargir le puits (donc de diminuer la longueur d'onde, en particulier pour la rendre inférieure à des valeurs telles que 1,8 !lm) tout en maintenant une forte proportion d'indium et ainsi une forte contrainte. 10 On a représenté ici le cas de puits quantiques composés chacun de trois sous-puits et deux barrières intermédiaires. L'homme du métier saura cependant adapter ces puits quantiques avec un nombre de sous-puits quantiques (et donc de barrières intermédiaires) différent. En particulier, pour réaliser un puits quantique à une seule barrière intermédiaire et deux sous-puits, il pourra disposer dans un puits une 15 barrière intermédiaire en Alo,68 In Sb, d'épaisseur 0,46 nm, séparant deux sous-puits quantiques en Gao,6 In Sb, d'épaisseur 2,4 nm chacune. Afin de réaliser une émission 9 par la tranche, on réalise un guide d'onde en disposant deux couches 44 et 45, en Alos5 Gao,65 Aso;os Sbo,97, d'épaisseur 300 nm 20 chacune, de manière à entourer la zone active 5. Ces deux couches se présentent comme deux barrières (identiques en composition à celles à l'intérieur de la zone active), mais d'épaisseurs plus grandes. Dans un autre mode de réalisation, il peut être réalisé une émission par la surface à 25 partir de ce système. Dans un autre mode de réalisation, il peut également être réalisé une diode électroluminescente à partir de ce système. 30 Des couches de composition et/ou de dopage graduel peuvent également être ajoutées entre la couche tampon et la première couche de confinement, entre cette première couche et la première couche guide d'onde, entre la seconde couche guide d'onde et la seconde couche de confinement, et entre cette seconde couche et la couche de contact supérieure. La figure 1 illustre le cas d'une zone active à deux puits quantiques (et donc trois barrières), mais l'homme du métier saura adapter l'invention à N puits quantiques (et donc N+1 barrières), N pouvant être un entier quelconque. De même, chaque puits quantique peut disposer d'un nombre de sous-puits quantiques (et donc de barrières intermédiaires) différents, dans la mesure où les compositions des couches et les matériaux sont agencés pour générer l'émission lumineuse à la longueur d'onde souhaitée (1,55 [.m dans cet exemple). La figure 2 illustre l'augmentation de la largeur du puits quantique offerte par l'adjonction de barrières intermédiaires conformément à l'invention. La partie A de cette figure 2 montre trois types de structure de zone active. La partie B montre trois niveaux de barrières énergétiques induites par les types de structure de la partie A. 15 Sur la partie A de la figure 2, on a représenté à gauche une structure de zone active conforme à l'art antérieur, avec deux barrières 41 et 42 (par exemple en A10,35 Gao,65 Aso,o3 Sbo,97) entourant un puits quantique 60 (par exemple en Gao,8 In Sb, d'épaisseur 3,6 nm). Pour maintenir une forte contrainte à l'intérieur de la zone active, il convient 20 de disposer d'un puits suffisamment étroit (voir à gauche de la partie B de la figure 2), ce qui limite dès lors la réduction de la longueur d'onde d'émission laser. Toujours sur la partie A de la figure 2, on a représenté au milieu une variante de structure de zone active selon l'invention, avec deux barrières 41 et 42 (par exemple 25 en A10,35 Gao,65 Aso,o3 Sbo,97) entourant un puits quantique formé d'une barrière intermédiaire 61 (en A10,68 In Sb, d'épaisseur 0,46 nm) séparant deux sous-puits 60 et 62 (en Gao,8 In Sb, d'épaisseur 2,4 nm). Tout en maintenant une contrainte à l'intérieur de la zone active qui soit égale ou supérieure à celle de la structure conforme à l'art antérieur (voir au milieu de la partie B de la figure 2), on a pu élargir 30 le puits quantique, qui est passé de 3,6 nm à 5,26 nm (deux fois 2,4 nm pour les sous-puits et 0,46 nm pour la barrière intermédiaire). 13 10 Toujours sur la partie A de la figure 2, on a représenté à droite une variante de structure de zone active selon l'invention, avec deux barrières 41 et 42 (par exemple en Alo,36 Gaose Aso,03 Sbo,97) entourant un puits quantique formé de deux barrières intermédiaires 61 et 63 (en AI0,68 In Sb, d'épaisseur 0,46 nm) séparant trois sous-puits 60, 62 et 64 (en Gao,8 In Sb, d'épaisseur 2,2 nm). Tout en maintenant une contrainte à l'intérieur de la zone active qui soit égale à celle de la structure conforme à l'art antérieur, on a pu encore élargir le puits quantique, qui est passé de 3,6 nm à 7,52 nm (trois fois 2,2 nm pour les sous-puits et deux fois 0,46 nm pour les barrières intermédiaires). Dans chacune des variantes de l'invention décrite ci-dessus, l'épaisseur des barrières intermédiaires est très faible au regard de celles des sous-puits quantiques, ce qui favorise un fort couplage entre ces sous-puits quantiques à l'intérieur même d'un puits quantique. Dans l'exemple ci-dessus, illustré par la figure 2, l'élément qui a été ajouté dans le puits quantique est de l'aluminium. L'homme du métier saura cependant adapter la structure décrite avec d'autres éléments aptes à permettre d'augmenter la gap du matériau à l'intérieur du puits, en particulier avec du phosphore, sans pour autant sortir du cadre de l'invention. On a représenté sur la figure 3 un procédé de fabrication d'un système d'émission lumineuse comportant une zone active selon l'invention. Lors de la première étape (I), il est procédé à la préparation du substrat 2 de silicium. Ce substrat est préalablement chauffé pour pouvoir démarrer une épitaxie sur une surface parfaitement propre. La température de désoxydation nécessaire dépend du matériau composant le substrat (550°C pour GaSb, 600°C pour GaAs, etc.). Dans le cas du substrat de silicium, la température est beaucoup plus élevée (supérieure à 900°C) et les réacteurs à épitaxie par jets moléculaires (EJM) utilisés ne sont généralement pas conçus pour atteindre de telles températures. Pour cette raison, la désoxydation se déroule en deux étapes, en vue de nettoyer le substrat à plus basse température. Lors d'une première le substrat de Si subit un traitement chimique ex situ., Dans la deuxième étape, le substrat est introduit dans la chambre de croissance où il est chauffé à 800°C, puis maintenu à cette température pendant trente minutes. L'évolution de l'état de surface du substrat 2 est suivi in situ par diffraction d'électrons de haute énergie en incidence rasant (RHEED). Lors de la seconde étape (Il) du procédé, on réalise l'épitaxie du pseudo-substrat 3 sur le substrat 2, de la manière suivante : - La température du substrat 2 est tout d'abord descendue à 510°C. La surface est mise sous flux d'atomes d'antimoine, équivalent à une pression 10 de 1,3.10"6 Torr. - La couche de nucléation 30 en AISb est ensuite épitaxiée à 510°C. La vitesse de déposition est de 1 Angstrôm par seconde, en gardant le même flux d'antimoine qu'à l'étape précédente. L'épaisseur totale d'AISb déposé est de 5 nm et est dopé de type n par adjonction d'un flux de tellure. La densité 15 volumique d'atomes dopant dans la couche de nucléation est fixée à 2.1018 cm-3. Toujours à une température de 510°C, une couche tampon 31 de GaSb (dopée de manière identique à la couche de nucléation 30) est alors déposée. Cette couche d'épaisseur 1,5 µm est épitaxiée à une vitesse de 3 Angstrôm 20 par seconde. Dans le cas où le substrat est en GaSb, cette première étape (I) est réalisée de manière différente. Le substrat GaSb est monté directement sur support molybdène puis introduit dans le réacteur EJM sans préparation chimique. L'échantillon est alors 25 dégazé à 150°C dans la chambre d'introduction, puis désoxydé à 550°C pendant 20 minutes sous flux de Sb dans la chambre de croissance. Il n'y a dans ce cas aucune couche de nucléation et la couche tampon est moins épaisse. Les étapes III à vil visent ensuite à réaliser l'hétérostructure 4, à l'intérieur de 30 laquelle se trouve la zone active 5 selon l'invention. Lors de la troisième étape (III), on dépose une couche inférieure de composition graduelle 40, composée de AIX Ga1 _X Asy Sb,_y., de même dopage que le pseudo- substrat 3, d'épaisseur 300 nm, avec une vitesse de 3 Angstrôm par seconde. Lors de la quatrième étape (IV), on dépose la couche inférieure de confinement 41, composée de Alo,9 Gao,, Aso,07 Sbo,93, d'épaisseur 1500 nm, à 510°C, avec une vitesse de 3 Angstrôm par seconde. La température de l'échantillon est alors descendue à 430°C pour le dépôt de la zone active 5. Lors de la cinquième étape (V), on dépose cette zone active 5. On a représenté ici une zone active à un puits quantique et deux barrières, mais l'on pourra aisément procédé à d'autres variantes de zones actives, en particulier celle décrite plus haut et illustrée par la figure 1. Cette zone active peut par exemple se composer de trois puits quantiques séparés par des barrières en Al035 Gao,65 Aso,037 Sbo,97 d'épaisseur 20 nm. Chaque puits quantique est muni de trois couches en Gao,8 Ino,2 Sb d'épaisseur 2,2 nm et de deux couches en Alo,68 Ino,2 Sb d'épaisseur 0,46 nm, disposées alternativement. Lors de la sixième étape (VI), on dépose la couche supérieure de confinement 42, similaire à la couche inférieure 41, avec néanmoins un dopage de type p (béryllium). 20 La température d'épitaxie de cette couche est de 450°C. Lors de la septième étape (VII), on dépose la couche supérieure de composition graduelle 43, de dopage opposé à celui de la couche 42, composée de Al Ga1 _X Asy Sb,_,,., symétrique de la couche inférieure 40, d'épaisseur 300 nm. Enfin, lors de la huitième étape (VIII), on dépose la couche de contact 8, d'épaisseur 300 nm, compose en GaSb fortement dopé p, à une température de 450°C. Le procédé de fabrication du composant laser proprement dit débute alors, et utilise 30 des techniques classiques de photolithographie optique, de gravure chimique et de dépôts métalliques. Des rubans lasers, de largeur comprise entre 10 et 100 µm, de longueur comprise entre 0,5 et 2 mm, sont finalement clivés et montés sur embases en cuivre. 25 Lors d'étapes supplémentaires, en vue de réaliser une émission par la tranche, on ajoute des étapes supplémentaires de dépôt de couches guide d'onde 44 et 45, telles que décrites précédemment en référence à la figure 1. La couche inférieure 44 est déposée entre l'étape IV et l'étape V (i.e. entre la couche 41 et la zone active 5), tandis que la couche supérieure 45 est déposée entre l'étape V et l'étape VI (i.e. entre la zone active 5 et la couche 42). Le composant optoélectronique ainsi réalisé permet d'obtenir une émission à 1,55 µm, dont la particularités sont les suivantes : - dans le cas d'un substrat de GaSb, un fonctionnement en régime continu, à température ambiante et avec une densité de courant de seuil de l'ordre de 440 A/cm2 (à comparer avec des ordres de grandeur de 4 kA/cm2 des composants de l'art antérieur), et dans le cas d'un substrat de Si, un fonctionnement en régime pulsé, pour la 15 première fois à température ambiante. Les modes de réalisation précédemment décrits de la présente invention sont donnés à titre d'exemples et ne sont nullement limitatifs. II est entendu que l'homme du métier est à même de réaliser différentes variantes de l'invention sans pour autant 20 sortir du cadre du brevet. En particulier, il pourra être envisagé de réaliser un système d'émission laser associant, dans un même circuit monolithique, plusieurs fonctions optiques et électroniques, ce qui permettrait d'augmenter le nombre de fonctionnalités ainsi que 25 de réduire les coûts de fabrication. REVENDICATIONS1. Zone active (5) pour système (1) d'émission lumineuse, comprenant une succession de couches (50-52,60-64,70-74) dont au moins une partie est composée de semi-conducteurs III-V à base d'antimoine, lesdites couches (50-52,60-64,70-74) étant agencées de manière à former au moins un puits quantique (6,7) entouré de barrières (51,52,53) en vue de générer une émission lumineuse (9), caractérisée en ce que ladite zone active (5) comprend également au moins une couche (61,63;71,73) apte à former une barrière intermédiaire, agencée par rapport à un puits quantique (6;7) de manière à former au moins deux sous-puits quantiques (60,62,64;70,72,74) couplés les uns aux autres. 2. Zone active (5) selon la revendication 1, dans lequel toutes les couches (50- 52,60-64,70-74) de la zone active (5) sont composées de matériaux semi-conducteurs III-V à base d'antimoine. 3. Zone active (5) selon la revendication 1 ou 2, dans lequel le matériau composant au moins une couche (61,63;71,73) formant une barrière intermédiaire comporte au moins un élément parmi l'aluminium (Al) et le phosphore (P). 4. Zone active (5) selon l'une des revendications 1 à 3, dans lequel l'épaisseur d'au moins une couche (61,63;71,73) formant une barrière intermédiaire est faible. 5. Hétérostructure (4) pour système (1) d'émission lumineuse, comprenant au moins une couche (41,42) de confinement optique entourant au moins une zone active (5) selon l'une des revendications précédentes. 6. Hétérostructure (4) selon la revendication précédente, dans lequel toutes les couches de ladite hétérostructure (4) laser sont composées de matériaux semi-conducteurs III-V à base d'antimoine.30 7. Hétérostructure (4) selon la revendication 5 ou 6, comprenant au moins deux couches aptes à former un guide d'onde lumineuse en vue de générer une émission laser (9) par la tranche de ladite hétérostructure (4). 8. Hétérostructure (4) selon la revendication 5 ou 6, comprenant au moins deux couches réflectives aptes à former une cavité optique en vue de générer une émission laser (9) par la surface de ladite hétérostructure (4). 9. Hétérostructure (4) selon la revendication 5 ou 6, agencée de façon à former une diode électroluminescente. 10. Système (1) d'émission lumineuse comprenant une hétérostructure (4) selon l'une des revendications 5 à 9, déposée sur un substrat (2). 11. Utilisation d'une zone active (5) selon l'une des revendications 1 à 4, en vue d'émettre un faisceau lumineux à une longueur d'onde sensiblement égale à 1,55 µm. 12. Utilisation d'une zone active (5) selon la revendication précédente, dans lequel les couches (50-52,60-64,70-74) de la zone active (5) sont réalisées à partir d'antimoine (Sb), d'indium (In), d'arsenic (As), de gallium (Ga), ainsi que d'au moins un élément parmi l'aluminium (Al) et le phosphore (P), dans des proportions et avec des épaisseurs de couches déterminées de manière à générer une émission laser (9) à une longueur d'onde sensiblement égale à 1,55 µm