FR 2956208 A1 20110812 FR 1050845 A 20100205 METHODE DE DETERMINATION SANS CONTACT DE CARACTERISTIQUES D'UN PHOTOCONVERTISSEUR. La présente invention concerne une méthode de 5 détermination de la tension maximale de circuit ouvert d'un matériau photoconvertisseur. Les cellules solaires, par exemple en couche mince, comme les cellules au silicium amorphe, au CdTe, au GaAs ou autres composés III-V, ou les cellules à base 10 de semi-conducteurs composés comme le diséleniure de cuivre, de galium et d'indium, sont basées sur un empilement de couches de matériaux photoconvertisseurs et de matériaux de collecte du courant. Etant donné la difficulté de mise au point d'un 15 dispositif complet, il est préférable de pouvoir choisir avec soin le matériau photoconvertisseur à utiliser. Afin de sélectionner au mieux le matériau photoconvertisseur, on détermine les propriétés optoélectroniques du matériau permettant d'en déduire le 20 rendement qu'il serait possible d'obtenir avec un dispositif complet. A cet effet, en particulier pour la technologie en couche mince, la mise au point d'étapes technologiques spécifiques est souvent nécessaire pour s'affranchir de 25 l'influence des contacts qui, à défaut, risquent d'influencer, voir de contrôler, les propriétés du système contacts/ matériau photoconvertisseur. L'optimisation de ces prises de contacts peut ainsi être longue et sans valeur ajoutée véritable pour la 30 réalisation du dispositif photovoltaïque où, certes des prises de contacts seront nécessaires, mais celles-ci sont alors sujettes à d'autres contraintes technologiques. Ainsi, il existe un besoin pour une méthode 35 permettant de mesurer directement sur le matériau 2 photoconvertisseur, sans besoin de mise en forme ni de prise de contacts, les propriétés optoélectroniques permettant d'évaluer le rendement d'une cellule solaire obtenue à partir de ce matériau photoconvertisseur. L'invention se propose de répondre à ce besoin en fournissant une méthode de détermination sans contact de la tension maximale de circuit ouvert d'un matériau photoconvertisseur. L'invention propose ainsi une méthode de détermination de la tension maximale de circuit ouvert (Vco) d'un matériau photoconvertisseur soumis à une intensité lumineuse de mesure I0, la méthode comprenant les étapes suivantes . - on mesure l'intensité de photoluminescence du matériau photoconvertisseur en éclairant le matériau photoconvertisseur au moyen d'une première source lumineuse à une première intensité lumineuse I1 et à une première longueur d'onde (A1) correspondant à une première énergie d'excitation supérieure à l'énergie d'absorption (Eg) du matériau photoconvertisseur, la première intensités lumineuses (I1) étant sensiblement égale à l'intensité lumineuse de mesure IO - on mesure l'absorptivité du matériau photoconvertisseur à une deuxième longueur d'onde (À2) sensiblement égale à la longueur d'onde de photoluminescence du matériau photoconvertisseur en éclairant le matériau photoconvertisseur au moyen d'une deuxième source lumineuse à la deuxième longueur l'onde (À2) et à une deuxième intensité lumineuse I2, et - on détermine la tension maximale de circuit ouvert (Vco) du matériau photoconvertisseur à l'intensité lumineuse de mesure IO au moyen de l'absorptivité et de l'intensité de photoluminescence mesurées, les première et deuxième sources lumineuses (I1, I2) et 35 le matériau photoconvertisseur étant disposés de manière à ce que les processus d'absorption et d'émission de photoluminescence soient équivalents. Avantageusement, la méthode selon l'invention permet de déterminer la tension en circuit ouvert atteignable par un matériau photoconvertisseur donné directement sans besoin de mise en forme ni de prise de contact. Une méthode selon l'invention peut en outre comporter l'une ou plusieurs des caractéristiques optionnelles suivantes, considérées individuellement ou selon toutes les combinaisons possibles : - la tension en circuit ouvert (Vco) est déterminée au moyen de l'équation suivante : 2n' v2 IPL = a(v2) 2 avec c ihv ùgVco -1 exp kT ~ IP, étant l'intensité de photoluminescence du matériau photoconvertisseur mesurée en éclairant le matériau photoconvertisseur à la première intensité lumineuse I1, en particulier il s'agit de la densité d'énergie radiante par intervalle de fréquence, a(v2) étant l'absorptivité du photoconvertisseur mesurée à la deuxième longueur d'onde (À2=c*v2) sensiblement égale à la longueur d'onde de photoluminescence du matériau photoconvertisseur et à la deuxième intensité lumineuse I2, nv2 étant l'indice optique du matériau photoconvertisseur à la longueur d'onde de photoluminescence du matériau photoconvertisseur, c étant la vitesse du rayonnement électromagnétique dans 30 le vide, v étant la fréquence correspondant à la longueur d'onde de photoluminescence du matériau photoconvertisseur, h étant la constante de Planck, 4 k étant la constante de Boltzmann T étant la température à la surface du photoconvertisseur, q étant la valeur d'une charge élémentaire, et Vco étant la tension en circuit ouvert du matériau photoconvertisseur ; - le matériau photoconvertisseur, les première et deuxième sources lumineuses et le dispositif de mesure optique sont disposés de manière à ce que l'angle solide d'insolation du matériau photoconvertisseur soit sensiblement égal à l'angle solide de collecte du dispositif de mesure optique ; - le photoconvertisseur est disposé dans une structure de sphère intégrante de manière à être indirectement éclairé par les première et deuxième sources lumineuses ; et - les mesures de l'absorptivité et/ou de l'intensité de photoluminescence sont réalisées au moyen d'une diode ou d'un spectromètre, avec ou sans modulation du signal au niveau de l'échantillon pour en accroître la sensibilité. L'invention se rapporte également à une méthode de détermination du rendement énergétique d'un matériau photoconvertisseur, la méthode comprenant les étapes suivantes . - on détermine la tension maximale de circuit ouvert (Vco) du matériau photoconvertisseur à une intensité lumineuse de mesure IO par une méthode selon l'invention, on détermine le photocourant du matériau photoconvertisseur en mesurant l'absorptivité du matériau à une troisième intensité lumineuse I3 sensiblement égale à l'intensité lumineuse de mesure IO et à différentes longueurs d'onde, - on détermine le rendement énergétique du matériau photoconvertisseur à l'intensité lumineuse IO selon : Rendement = Vco*Icc*FF/Pinc, avec Icc le photocourant du matériau photoconvertisseur, Vco la tension maximale de circuit ouvert du matériau photoconvertisseur; FF le facteur de forme du matériau photoconvertisseur, et Pinc la puissance incidente. 5 Le facteur de forme FF peut être calculé à partir de l'une des formules connues, par exemple la formule suivante FF= (vco-ln(0,7+vco))/(1+vco), où vco=Vco/k*T. L'invention se rapporte également à un méthode de détermination de la puissance extractible d'un matériau photoconvertisseur illuminé par une source lumineuse d'intensité I0, la méthode comprenant les étapes suivantes . on détermine la tension maximale de circuit ouvert Vco du matériau photoconvertisseur à une pluralité d'intensités lumineuses Ij comprissent entre I0/20 et IO par une méthode selon l'invention, on détermine le photocourant Icc du matériau photoconvertisseur par une méthode selon l'invention, - on détermine la puissance extractible du matériau photoconvertisseur en traçant Icc*Ij/I0 en fonction de Vco (Ij) . La puissance extractible est obtenue en traçant Icc*Ij/I0 en fonction de Vco(I0) et en considérant la 25 surface du plus grand rectangle inscrit entre - l'axe vertical passant par V=0 - la droite horizontale d'ordonnée I=I0 - la courbe sus-mentionnée Icc*Ij/I0 fonction de Vco(Ij) 30 La puissance cherchée est égale à la surface du rectangle. Selon un mode de réalisation de l'invention, le photocourant du matériau photoconvertisseur est déterminé au moyen de l'équation suivante : 6 Icc = Ja(v)cKv)dv avec Icc étant le photocourant du matériau photoconvertisseur déterminé, a(v) étant l'absorptivité du matériau photoconvertisseur 5 à l'intensité lumineuse de mesure I0, et Ï(v) étant le flux de lumière incident. L'invention sera mieux comprise à la lecture de la description qui va suivre, donnée uniquement à titre d'exemple et faite en se référant aux dessins annexés 10 dans lesquels : la figure 1 est une représentation schématique d'un dispositif permettant la mesure d'absorptivité d'un matériau photoconvertisseur selon un mode de réalisation de l'invention ; la figure 2 est une représentation schématique d'un dispositif permettant la mesure de l'intensité de photoluminescence d'un matériau photoconvertisseur selon un mode de réalisation de l'invention ; et la figure 3 représente un dispositif permettant la mise en oeuvre d'une méthode selon l'invention. Pour des raisons de clarté, les différents éléments représentés sur les figures ne sont pas nécessairement à l'échelle. On entend par « processus d'absorption et d'émission photoluminescence équivalent » au sens de l'invention des processus d'absorption et d'émission qui se correspondent géométriquement par renversement temporel. Selon un mode de réalisation de l'invention, le 30 matériau photoconvertisseur est éclairé de sorte que l'angle moyen et l'ouverture angulaire des rayons incidents et émis soient les mêmes. Les inventeurs ont observés que dans les conditions de circuit ouvert, l'énergie émise par 15 20 25 luminescence par un matériau photoconvertisseur peut être liée à une mesure de la capacité du matériau à éviter les pertes par recombinaisons des électrons. Ces pertes par recombinaison d'électrons font concurrence à la puissance électrique collectable, ce qui signifie que le flux absolu luminescent émis par un matériau photoconvertisseur peut être utilisé pour déterminer la tension maximale de circuit ouvert (Vco) maximum pouvant être atteinte dans un dispositif complet sous les mêmes conditions d'illumination. La valeur de la tension en circuit ouvert Vco d'un matériau photoconvertisseur peut apparaître dans la relation entre le rayonnement spectral et la séparation des quasi niveaux de Fermi des porteurs qV. Les inventeurs ont observé que pour un matériau photoconvertisseur dans certaines conditions, le lien entre le rayonnement spectral et la séparation des quasis niveaux de fermi des porteurs qV peut être donné par l'équation de Planck généralisée: 2nvz v z avec c IPL =a(v2) '2 avec exp kT ~ IP, étant l'intensité de photoluminescence du matériau, a(v2) étant l'absorptivité du photoconvertisseur mesurée à la deuxième longueur d'onde (À2=c*v2) sensiblement égale à la longueur d'onde de photoluminescence du matériau photoconvertisseur et à la deuxième intensité lumineuse I2, nv2 étant l'indice optique du matériau photoconvertisseur à la longueur d'onde de photoluminescence du matériau photoconvertisseur, c étant la vitesse du rayonnement électromagnétique dans le vide, v étant la fréquence correspondant à la longueur d'onde de photoluminescence du matériau photoconvertisseur, 8 h étant la constante de Planck, k étant la constante de Boltzmann T étant la température à la surface du photoconvertisseur, q étant la valeur d'une charge élémentaire, et Vco étant la tension en circuit ouvert du matériau photoconvertisseur. La quantité q*Vco représente l'énergie libre maximum qui peut être extraite du matériau photoconvertisseur, et qui peut être déterminée si les indices d'absorption et de réfraction, qui permettent de déterminer l'absorptivité a(v) à la fréquence v, sont connus. La quantité q*Vco peut être mesurée au moyen d'un dispositif optique approprié, comme par exemple une sphère intégrante, en utilisant la loi de Kirchoff par laquelle l'émissivité et l'absorptivité optiques sont égales à chaque fréquence. Selon un mode de réalisation de l'invention, la méthode selon l'invention comprend une première étape de mesure de l'intensité de photoluminescence du matériau photoconvertisseur. Comme représenté à la figure 1, le matériau photoconvertisseur 10 peut être disposé sur l'une des ouvertures d'une sphère intégrante 12. Le matériau photoconvertisseur 10 est éclairé au moyen d'une première source lumineuse, non représentée. La première source lumineuse est disposée à l'extérieure de la sphère intégrante 12 et éclaire le matériau photoconvertisseur 10 au travers d'une ouverture 14 dans la sphère intégrante 12. La première source lumineuse éclaire le matériau photoconvertisseur 10 à une première intensité I1 et à une première longueur d'onde Al correspondant à une première énergie d'excitation supérieure à l'énergie 9 d'absorption (Eg) du matériau photoconvertisseur 10. Selon un mode de réalisation, un dispositif 16 permettant de sélectionner la première longueur d'onde Al peut être disposé entre la première source lumineuse et le matériau photoconvertisseur 10. Le matériau photoconvertisseur 10 est disposé dans la sphère intégrante 12 de sorte à être éclairé indirectement par la première source lumineuse. Ainsi, les processus d'absorption du rayonnement incident et de photoluminescence sont équivalents, c'est-à-dire qu'ils se correspondent géométriquement par renversement temporel. Dans le mode de réalisation représenté à la figure 1, le matériau photoconvertisseur est éclairé de sorte que l'angle moyen d'incidence et l'ouverture angulaire des rayons incidents et de photoluminescence soient les mêmes. L'intensité de photoluminescence du matériau photoconvertisseur 10 peut être mesurée par un dispositif de mesure 18 placé sur un bord de la sphère intégrante 12. Tout dispositif de mesure connu de l'homme du métier peut être utilisé. En particulier, on peut employer un dispositif comprenant une diode permettant une mesure d'intensité lumineuse et un filtre sélectif, par exemple un filtre de type « notch » ou un réseau de diffraction, permettant de filtrer les longueurs d'ondes afin de ne mesurer l'intensité qu'autour de la longueur d'onde de photoluminescence du matériau photoconvertisseur 10. Avantageusement, le dispositif de mesure peut être un spectromètre. La méthode selon l'invention comprend également une étape de mesure de l'absorptivité du matériau photoconvertisseur 10 à une des longueurs d'onde d'émission détectable de photoluminescence dudit matériau photoconvertisseur 10. 10 Selon un mode de réalisation de l'invention et comme représenté à la figure 2, afin de mesurer l'absorptivité, le matériau photoconvertisseur 10 peut être disposé dans une sphère intégrante, par exemple la même que celle utilisée pour la mesure de l'intensité de photoluminescence. Le matériau photoconvertisseur 10 est éclairé au moyen d'une deuxième source lumineuse à la deuxième longueur l'onde À2 et à une deuxième intensité lumineuse I2, arbitraire pourvu qu'elle soit adaptée à la sensibilité du détecteur utilisé. De préférence, la deuxième longueur d'onde À2 est sensiblement égale à la longueur d'onde de photoluminescence du matériau photoconvertisseur et la deuxième intensité lumineuse I2 est sensiblement égale à la première intensité I1. Le matériau photoconvertisseur 10 est disposé dans la sphère intégrante 12 de la même manière que pour la mesure de photoluminescence. Ainsi, les processus d'absorption du rayonnement incident et de luminescence sont équivalents, c'est-à-dire qu'ils se correspondent géométriquement par renversement temporel. L'absorptivité du matériau photoconvertisseur 10 est obtenue par mesure de la réflectivité en supposant que la transmission du matériau photoconvertisseur 10 est quasi nulle. Selon un mode de réalisation de l'invention, une surface réfléchissante peut être placée à l'arrière du matériau photoconvertisseur 1Ode façon à renvoyer toute la lumière incidente. Dans les conditions de mesure représentées aux figures 1 et 2, l'équation de Planck généralisée est applicable et permet de déduire la tension maximale de circuit ouvert Vco du matériau photoconvertisseur 10 des mesures d'absorptivité et de photoluminescence. Selon un mode de réalisation de l'invention, il 11 est également possible de mesurer l'intensité de photoluminescence et l'absorptivité du matériau photoconvertisseur 10 au moyen d'un montage optique permettant que l'angle solide d'insolation du matériau photoconvertisseur 10 soit sensiblement égal à l'angle solide de collecte du dispositif de mesure optique. Un exemple d'un tel montage optique est représenté sur la figure 3. Le matériau photoconvertisseur 10 est éclairé par une source lumineuse 20. Le rayonnement issu de la source lumineuse 20 est focalisé sur le matériau photoconvertisseur en utilisant un premier dispositif optique 22, comprenant, par exemple, une lentille convergente. Le montage optique est configuré de sorte que l'axe du rayonnement lumineux incident soit sensiblement perpendiculaire au plan du matériau photoconvertisseur 10. Le rayonnement incident est divisé de préférence au moyen d'une lame partiellement réfléchissante placée entre le premier dispositif optique 22 et le matériau photoconvertisseur 10 de manière à former un angle d'environ 45° avec l'axe de rayonnement lumineux incident. Les rayonnements réfléchis ou émis par photoluminescence par le matériau photoconvertisseur 10 sont redirigés vers un dispositif de mesure 24 via la lame semi-réfléchissante 25 et un deuxième dispositif de focalisation 26. Le deuxième dispositif de focalisation peut comprendre une lentille convergente, focalisant les rayonnements réfléchis ou émis par photoluminescence sur le dispositif de mesure 24. Selon un mode de réalisation de l'invention, le matériau photoconvertisseur 10 peut être insolé avec un spectre solaire de référence, la partie spectrale proche 12 et inférieure au seuil d'absorption Eg du matériau photoconvertisseur étant filtrée pour que la photoluminescence puisse être détectée au voisinage du seuil d'absorption Eg. Dans ce cas, l'intensité de photoluminescence dans la bande d'émission proche du seuil d'absorption Eg permet de remonter à l'énergie libre extractible du matériau sous cette même insolation. Par ailleurs, dans des conditions données d'excitation, la mesure de l'absorptivité du matériau photoconvertisseur 10 dans une plage spectrale supérieure au seuil d'absorption du matériau et couvrant le spectre à convertir permet d'obtenir le maximum du photocourant qui peut être généré dans ces mêmes conditions d'insolation. En effet, le photocourant est borné par la quantité de photons absorbés, dans les cas usuels où un photon absorbé ne peut produire qu'une seule pair électron/trou. Le nombre et le choix des points dans la plage spectrale déterminent la précision de la valeur de la 20 tension en circuit ouvert déterminée. Dans les structures photovoltaïques optimisées ou/et de bons matériaux, la collecte des porteurs photogénérés est bonne et le rendement quantique interne est en effet proche de l'absorptivité du matériau 25 photoconvertisseur, par exemple entre 80 et 90% de celle-ci. Des mesures de conductivités, voir de mobilité, selon les méthodes connues peuvent venir valider l'hypothèse d'une collecte efficace. L'invention se rapporte également à une méthode 30 de détermination du rendement énergétique d'un matériau photoconvertisseur soumis à une intensité lumineuse de mesure I0. La méthode de détermination du rendement peut comprendre en outre une étape de détermination de la 35 tension maximale de circuit ouvert (Vco) du matériau photoconvertisseur à une intensité lumineuse de mesure IO par une méthode selon invention. La méthode de détermination du rendement selon l'invention comprend en outre une étape de détermination du photocourant du matériau photoconvertisseur. Le photocourant peut être déterminé en mesurant l'absorptivité du matériau à différentes longueurs d'onde de façon à couvrir le spectre à convertir. Le nombre de valeurs déterminées gouverne la précision de la détermination effectuée. Selon un mode de réalisation de l'invention, le photocourant du matériau photoconvertisseur est déterminé au moyen de l'équation suivante : Icc = Ja(v)cKv)dv avec Icc étant le photocourant du matériau photoconvertisseur déterminé, a(v) étant l'absorptivité du matériau photoconvertisseur à l'intensité lumineuse de mesure I0, et Ï(v) étant le flux lumineux incident. Les inventeurs ont observés que le flux lumineux incident affecte à la fois le photocourant mais également la tension maximale de circuit ouvert Vco. Le tracé de la courbe du photocourant Icc en fonction de la tension maximale de circuit ouvert Vco pour une gamme de flux incident permet d'obtenir la caractéristique tension-courant du matériau photoconvertisseur. A partir de la caractéristique tension-courant du matériau photoconvertisseur, l'homme du métier peut déduire le courant d'obscurité, à savoir le courant électrique résiduel dans le matériau photoconvertisseur en l'absence d'éclairement lumineux. Le courant d'obscurité permet d'obtenir la quantité de recombinaison radiative pour avoir le rendement radiatif. Le rendement énergétique du matériau 14 photoconvertisseur à l'intensité lumineuse IO est proportionnel au produit de la tension maximale de circuit ouvert Vco et du photocourant. L'invention ne se limite pas aux modes de réalisation décrits et ne sera pas interprétée de façon limitative, et englobe tout mode de réalisation équivalent. En particulier l'équation de Planck généralisée est applicable à tout système présentant plusieurs seuils d'absorption, ou des absorptions multiphotoniques, à savoir des processus à plusieurs photons. REVENDICATIONS1. Méthode de détermination de la tension maximale de circuit ouvert (Vco) d'un matériau photoconvertisseur soumis à une intensité lumineuse de mesure I0, la méthode comprenant les étapes suivantes : - on mesure l'intensité de photoluminescence du matériau photoconvertisseur en éclairant le matériau photoconvertisseur au moyen d'une première source lumineuse à une première intensité lumineuse I1 et à une première longueur d'onde (A1) correspondant à une première énergie d'excitation supérieure à l'énergie d'absorption (Eg) du matériau photoconvertisseur, où la première intensité lumineuse I1 est sensiblement égale à l'intensité lumineuse de mesure I0, - on mesure l'absorptivité du matériau photoconvertisseur à une deuxième longueur d'onde (À2) sensiblement égale à l'une des longueurs d'onde de photoluminescence du matériau photoconvertisseur en éclairant le matériau photoconvertisseur au moyen d'une deuxième source lumineuse à la deuxième longueur l'onde (À2) et à une deuxième intensité lumineuse I2, et - on détermine la tension maximale de circuit ouvert (Vco) du matériau photoconvertisseur à l'intensité lumineuse de mesure IO au moyen de l'absorptivité et de l'intensité de photoluminescence mesurées, caractérisée en ce que les première et deuxième sources lumineuses et le matériau photoconvertisseur sont disposés de manière à ce que les processus d'absorption et d'émission de photoluminescence soient équivalents. 2. Méthode selon la revendication 1, dans laquelle la tension en circuit ouvert (Vco) est déterminée au moyen 35 de l'équation suivante :211,2 vz IPL =a(v 2) z c (hv ù gVco exp kT ~ IP, étant l'intensité de photoluminescence du matériau photoconvertisseur mesurée en éclairant le matériau photoconvertisseur à la première intensité lumineuse I1, a(v2) étant l'absorptivité du photoconvertisseur mesurée à la deuxième longueur d'onde (À2=c*v2) sensiblement égale à la longueur d'onde de photoluminescence du matériau photoconvertisseur et à la deuxième intensité lumineuse I2, nv2 étant l'indice optique du matériau photoconvertisseur à la longueur d'onde de photoluminescence du matériau photoconvertisseur, c étant la vitesse du rayonnement électromagnétique dans 15 le vide, v étant la fréquence correspondant à la longueur d'onde de photoluminescence du matériau photoconvertisseur, h étant la constante de Planck, k étant la constante de Boltzmann 20 T étant la température à la surface du photoconvertisseur, q étant représente la valeur d'une charge élémentaire, et Vco étant la tension en circuit ouvert du matériau photoconvertisseur ; 25 3. Méthode selon l'une quelconque des revendications 1 ou 2, dans laquelle le matériau photoconvertisseur (10), les première et deuxième sources lumineuses et le dispositif de mesure optique (18) sont disposés de manière à ce que 30 l'angle solide d'insolation du matériau photoconvertisseur (10) soit sensiblement égal à l'angle solide de collecte du dispositif de mesure optique (18). , avec 17 4. Méthode selon l'une quelconque des revendications précédentes, dans laquelle le matériau photoconvertisseur (10) est disposé dans une structure de sphère intégrante (12) de manière à être indirectement éclairé par les première et deuxième sources lumineuses. 5. Méthode selon l'une quelconque des revendications précédentes, dans laquelle les mesures de l'absorptivité et/ou de l'intensité de photoluminescence sont réalisées au moyen d'une diode ou d'un spectromètre. 6. Méthode de détermination du rendement énergétique d'un matériau photoconvertisseur, la méthode comprenant les étapes suivantes . - on détermine la tension maximale de circuit ouvert (Vco) du matériau photoconvertisseur (10) à une intensité lumineuse de mesure IO par une méthode selon l'une quelconque des revendications précédentes, - on détermine le photocourant du matériau photoconvertisseur en mesurant l'absorptivité du matériau à une troisième intensité lumineuse I3 sensiblement égale à l'intensité lumineuse de mesure IO et à différentes longueurs d'onde, on détermine le rendement énergétique du matériau 25 photoconvertisseur à l'intensité lumineuse IO selon : Rendement = Vco*Icc*FF/Pinc, avec Icc le photocourant du matériau photoconvertisseur, Vco la tension maximale de circuit ouvert du matériau photoconvertisseur; 30 FF le facteur de forme du matériau photoconvertisseur, et Pinc la puissance incidente. 7. Méthode selon la revendication 6, dans laquelle le photocourant du matériau photoconvertisseur est déterminé 35 au moyen de l'équation suivante :18 Icc = Ja(v)cKv)dv , avec Icc le photocourant du matériau photoconvertisseur est déterminé, a(X) l'absorptivité du matériau photoconvertisseur à 5 l'intensité lumineuse de mesure I0, et (1)(X) le flux lumineux incident. 8. Méthode de détermination de la puissance extractible d'un matériau photoconvertisseur illuminé par une source 10 lumineuse d'intensité I0, la méthode comprenant les étapes suivantes . - on détermine la tension maximale de circuit ouvert Vco du matériau photoconvertisseur à une pluralité d'intensités lumineuses Ij comprissent entre IO/20 et IO 15 par une méthode selon l'une quelconque des revendications 1 à 5, on détermine le photocourant Icc du matériau photoconvertisseur par une méthode selon l'une des revendications 6 ou 7, 20 - on détermine la puissance extractible du matériau photoconvertisseur en traçant Icc*Ij/I0 en fonction de Vco (Ij) . 25