FR 2953665 A1 20110610 FR 0905938 A 20091208 AMPLIFICATEUR DISTRIBUE HYPERFREQUENCES LARGE BANDE ET GRANDE DYNAMIQUE ET STRUCTURES HYPERFREQUENCES UTILISANT UN TEL AMPLIFICATEUR L'invention concerne les amplificateurs hyperfréquences des chaînes d'émission/réception des systèmes embarqués fonctionnant sur une large 5 bande passante. Une des fonctions de base constituant les chaînes d'émission/réception est l'amplification dont il est souvent nécessaire de contrôler le gain. Le contrôle de gain de la chaîne, et en particulier d'une chaîne de réception, permet d'augmenter sa dynamique effective et 10 d'adapter ses caractéristiques au niveau du signal à traiter, et ceci en temps réel. Le contrôle de gain de la chaîne peut prendre deux formes qui sont en général réalisées de façon différente : - soit sous la forme d'un dispositif amplificateur dont le gain peut être 15 ajusté de façon continue, - soit sous la forme d'un autre dispositif amplificateur dont le gain peut prendre deux (ou plus) valeurs discrètes, aussi connu sous le nom de « plot de gain ». 20 Les systèmes fonctionnant avec une large bande passante imposent à cette fonction amplificatrice de posséder les caractéristiques suivantes : fonctionner sur une large bande de fréquence, être capable de commuter d'une valeur de gain à une autre en un temps limité, qui peut être très court ( 30 Dans le cas d'une chaîne d'amplification dont le gain doit pouvoir être ajusté de façon continue en fonction du signal à traiter, il existe deux méthodes principales connues de réalisation du dispositif amplificateur : Une première méthode est basée sur la combinaison d'un amplificateur de gain fixe et d'un atténuateur ajustable en série. Une deuxième méthode est basée sur le contrôle du point de polarisation des composants actifs du ou des amplificateurs du dispositif 5 d'amplification. Avec la première méthode, l'utilisation d'un atténuateur ajustable comporte l'avantage de sa relative facilité de mise en oeuvre et la bonne connaissance de ce type de fonction. Que l'atténuateur soit composé 10 d'éléments de commutation à base de diodes (généralement du type « PIN ») ou de transistors à effet de champ non polarisés (désignés aussi par le terme de « transistors froids »), un atténuateur ajustable est simple à concevoir et à utiliser. L'atténuateur ajustable possède deux caractéristiques principales: 15 son minimum d'atténuation, ou atténuation résiduelle, c'est-à-dire ses pertes lorsque l'atténuation est réglée à son minimum et sa dynamique d'atténuation, c'est-à-dire l'atténuation maximale diminuée de l'atténuation résiduelle. Le critère principal pour définir la dynamique d'atténuation est que le gain de la chaîne d'amplification (exprimé en dB) doit varier d'une quantité 20 fixe entre deux états d'atténuation, dans toute la bande de fréquence utile. Plus cette bande est large et plus l'atténuation minimale sera importante. II existe deux manières d'envisager la combinaison d'un amplificateur et d'un atténuateur ajustable: 25 - l'atténuateur ajustable est placé avant l'amplificateur. Une telle combinaison comporte l'inconvénient d'une augmentation du facteur de bruit: de la chaîne pour des signaux faibles (en général en réception) du fait que lorsque le signal est le plus faible, l'atténuateur est réglé à l'atténuation minimale et la valeur en dB de l'atténuation résiduelle vient directement 30 s'ajouter au facteur de bruit de l'amplificateur qui suit l'atténuateur. - l'atténuateur ajustable est placé après l'amplificateur. Dans ce dernier cas, la puissance maximale de sortie de la chaîne d'amplification est diminuée de la valeur de l'atténuation utilisée, c'est-à-dire l'atténuation résiduelle pour des signaux faibles ou une plus forte atténuation pour des 35 signaux forts. En outre, l'amplificateur reste exposé directement aux signaux les plus forts (pour lesquels l'atténuateur sera réglé à l'atténuation maximale), ce qui peut avoir des conséquences dommageables en termes de linéarité se traduisant par la génération de signaux harmoniques ou de produits d'intermodulation. Dans les deux configurations, le gain maximal du dispositif est égal, lorsque le signal traité est le plus faible, au gain de l'amplificateur diminué de l'atténuation résiduelle de l'atténuateur ajustable. Plus cette atténuation résiduelle est forte, plus il faudra augmenter le gain de l'amplificateur qui suit l'atténuateur et par conséquent la consommation dudit amplificateur. La seconde méthode, consistant à contrôler le point de polarisation des composants actifs d'un amplificateur, est encore plus difficile à mettre en oeuvre que la première méthode par le fait qu'elle a tendance à cumuler les inconvénients cités ci-dessus : - le facteur de bruit et la puissance (ou la linéarité) de sortie de l'amplificateur sont très dépendants des points de polarisation des composants actifs dudit amplificateur. L'utilisation d'une modification de ces points de polarisation pour ajuster le gain va en général à l'encontre des objectifs recherchés. Dans le cas d'un dispositif amplificateur dont le gain peut prendre deux (ou plus) valeurs discrètes, aussi connu sous le nom de « plot de gain », un dispositif amplificateur est classiquement réalisé en insérant deux composants de base, tels qu'un amplificateur, un atténuateur ou une simple ligne de transmission, entre 2 commutateurs. Les figures la, 1 b et 1 c représentent trois exemples type de dispositifs de réglage de gain, de l'état de l'art, par valeurs discrètes de gain. La figure la montre le cas d'utilisation d'un amplificateur hyperfréquence 10 et un atténuateur 20 entre deux commutateurs commandés simultanément afin de permettre de choisir pour le signal une voie parmi deux, un commutateur d'entrée Cl et un commutateur de sortie C2. Les points communs 12 des commutateurs Cl, C2 sont respectivement reliées, l'un à l'entrée E du dispositif et, l'autre à la sortie S du dispositif. Les commutateurs Cl et C2, mis en position d'amplification, appliquent respectivement un signal d'entrée Ue reçu à l'entrée E du dispositif électronique de réglage de gain, à une entrée eA de l'amplificateur et un signal de sortie Us fournit par une sortie sA de l'amplificateur, à la sortie S du dispositif. En position de transmission avec atténuation du signal d'entrée Ue 5 vers la sortie S du dispositif, les commutateurs Cl et C2 relient directement l'entrée E à la sortie S par l'atténuateur 20. Si Att (dB) est la valeur de l'atténuation de l'atténuateur, G (dB) est le gain de l'amplificateur 10 et P (dB) les pertes d'un commutateur (en supposant pour simplifier que les commutateurs Cl et C2 sont identiques), le 10 dispositif peut prendre 2 valeurs de gain Gt, selon la position des commutateurs : • Gt = -2*P-Att, dans la position atténuée (branche supérieure), • Gt = -2*P+G, dans la position amplifiée (branche inférieure). Le plot de gain est caractérisé par la différence entre ces deux 15 valeurs, soit G+Att. Dans le cas où l'atténuateur 20 est remplacé par une simple connexion (à pertes nulles en première approximation) telle que représentée à la figure lb, le principe est le même avec Att=0 dB. Dans le cas ou l'amplificateur est remplacé par une simple connexion 20 22 telle que représentée à la figure 1c, le dispositif peut s'appeler « plot d'atténuation » et le principe est le même avec G=0 dB. Dans l'hypothèse où le dispositif à gain est placé près de l'antenne dans une chaîne de réception, la solution utilisant le dispositif fonctionnant par valeurs discrètes de gain est privilégiée pour ne pas trop dégrader le 25 facteur de bruit de la chaîne. Or, l'utilisation de commutateurs, tels que les commutateurs Cl, C2 des figures la, 1 b, 1 c, a pour conséquence une dégradation directe du facteur de bruit de la fonction ainsi réalisée. En effet, les commutateurs étant des structures passives, les pertes du commutateur d'entrée Cl (exprimées en dB) viennent directement se sommer au facteur 30 de bruit (en dB) généré par le reste de la fonction (amplificateur + commutateur de sortie C2). D'autre part, l'utilisation des deux commutateurs Cl, C2 pour réaliser ces fonctions (plot de gain ou d'atténuation) entraîne l'augmentation des pertes de la chaîne quel que soit le chemin parcouru (à gain max. ou à gain 35 min.). En effet, sur l'ensemble de ces deux fonctions, seules les pertes côté atténuateur (plot d'atténuation) peuvent être compensées directement par une réduction équivalente de la valeur de l'atténuateur, mais cela se fait alors au détriment de la différence de gain entre les deux voies. Dans le cas d'une chaîne de réception utilisant plusieurs plots de gain pour gérer la dynamique, il est souvent nécessaire au final d'ajouter un ou plusieurs autre(s) amplificateur(s) pour compenser l'ensemble de ces pertes. Afin d'éviter les inconvénients des dispositifs de contrôle de gain des chaînes d'émission/réception, l'invention propose un amplificateur distribué Amp1 comportant, une ligne de transmission d'entrée Lg d'un signal hyperfréquences d'entrée Ue ayant un accès d'entrée et un accès de sortie, une ligne de transmission de sortie Ldl ayant un accès de sortie étant la sortie de l'amplificateur distribué et un accès d'entrée, les lignes de transmission d'entrée Lg et sortie Ldl étant activement couplées par n cellules amplificatrices CI11, CI12,...Cll i,...Cll n, i étant l'ordre de la cellule considérée compris entre 1 et n, chaque cellule amplificatrice CI11, CI12,...Cll i,...Cll n comportant : - une entrée ec et une sortie sc hyperfréquences, - au moins un élément actif d'entrée ayant une capacité d'entrée 20 Cgs11, Cgs12,...Cgsl i,...Cgsl n connectée entre ladite entrée ec et un potentiel de référence, les cellules amplificatrices comportant chacune une entrée de commande Cdl pour être mises simultanément, soit dans un état amplificateur pour amplifier le signal appliqué à leur entrée ec 25 hyperfréquences, soit dans un état bloqué pour isoler leur entrée ec de leur sortie sc hyperfréquences, caractérisé en ce que chacune des cellules amplificatrices CI11, CI12,...Cll i,...ClI n, est connectée par son entrée ec hyperfréquences à la ligne de transmission d'entrée Lg par l'intermédiaire d'une capacité série 30 d'entrée de cellule respective Ccl 1, Cc12,..Cc1 i,...Cc1 n, pour réaliser, avec la capacité d'entrée Cgsl i de l'élément actif, un diviseur de tension capacitif respectif, de rapport k1 i, du signal hyperfréquences d'entrée Ue, avec k1 i = Ccl i/(Cc1 i +Cgsl i), un signal hyperfréquence Vgl i appliqué à l'entrée ec de la cellule 35 amplificatrice d'ordre i considérée, étant Vgl i = Ue.k1 i. Avantageusement l'élément actif d'entrée est un premier transistor à effet de champ d'un montage cascode à transistors ayant ledit premier transistor à effet de champ monté en source commune en série avec un deuxième transistor à effet de champ montre en grille commune, le drain D du premier transistor à effet de champ étant connecté à la source S du deuxième transistor à effet de champ, l'entrée ec de la cellule amplificatrice étant la grille G du premier transistor à effet de champ, la sortie sc de ladite cellule amplificatrice étant le drain D du deuxième transistor à effet de champ, la capacité d'entrée du montage cascode constitué des 2 éléments actifs étant la capacité grille/source Cgsi du premier transistor à effet de champ. L'invention concerne aussi une structure distribuée contrôlable en gain comportant une entrée E et au moins une sortie SI de signal hyperfréquence. Ladite structure comporte un amplificateur distribué Amp1 selon l'invention, l'entrée E étant reliée à l'accès d'entrée de la ligne de transmission d'entrée Lg et la sortie SI de signal étant reliée à l'accès de sortie de l'amplificateur distribué Amp1, une impédance de charge de ligne de sortie Zs1 d'impédance caractéristique de la ligne de transmission sortie Ld1 connectée à l'accès d'entrée de ladite ligne de transmission de sortie Ld1, une impédance de charge de ligne d'entrée Zg d'impédance caractéristique de la ligne de transmission d'entrée Lg connectée à l'accès de sortie (4) de ladite ligne de transmission d'entrée Lg. Dans une réalisation de la structure distribuée, les capacités série d'entrée de cellule Cc11, Cc12,...Cc1 i,...Cc1 n, de l'amplificateur distribué Amp1, selon l'invention ont des valeurs identiques, soit Cc11=Cc12=,..Cc1 i..=Cc1 n, les éléments actifs des cellules amplificatrices étant les mêmes, les capacités d'entrées des éléments actifs sont aussi identiques soit Cgs11= Cgsi 2, ..=Cgs1 i,..= Cgs1 n de façon à obtenir un gain G de l'amplificateur distribué en fonction de la fréquence du signal d'entrée Ue constant dans la bande passante de l'amplificateur. Dans une autre réalisation de la structure distribuée, les valeurs des capacités série d'entrée de cellule Cc11, Cc12,...Cc1 i,...Cc1 n sont différentes de façon à obtenir un gain de l'amplificateur distribué en fonction de la fréquence présentant une pente, ou de façon à compenser une pente naturelle de la réponse en fréquence de l'amplificateur distribué. L'invention concerne aussi une structure distribuée double contrôlable en gain comportant une entrée E, une sortie S1 et une autre sortie S2 de signal hyperfréquence. La structure distribuée double comporte un amplificateur distribué Amp1 selon l'invention, l'entrée E étant reliée à l'accès d'entrée de la ligne de transmission d'entrée Lg et la sortie S1 de signal étant reliée à l'accès de sortie de l'amplificateur distribué Amp1, une impédance de charge de ligne de sortie Zs1 d'impédance caractéristique de la ligne de transmission de sortie Ldl connectée à l'accès d'entrée de ladite ligne de transmission de sortie Ldl, une impédance de charge de ligne d'entrée Zg d'impédance caractéristique de la ligne de transmission d'entrée Lg connectée à l'accès de sortie de ladite ligne de transmission d'entrée Lg. Cette structure distribuée double comporte, en outre, un autre amplificateur distribué Amp2 ayant un nombre p de cellules amplificatrices Cl21, C122,...C12j,...C12p, j étant un nombre entier compris entre 1 et p, pour former avec l'amplificateur distribuée Amp1 deux voies de signal amplificatrices, la ligne de transmission d'entrée Lg de l'autre amplificateur distribué Amp2 étant celle de l'amplificateur distribuée Amp1 comportant l'entrée de signal E, l'autre amplificateur distribué Amp2 ayant une autre ligne de transmission de sortie Ld2 ayant l'accès de sortie connectée à l'autre sortie S2 et l'accès d'entrée connectée à une autre impédance de charge de ligne de sortie Zs2, chaque cellule amplificatrice Cl21, Cl22,...C12j,...C12p dudit autre amplificateur distribué Amp2 ayant son entrée ec hyperfréquences reliée directement à la ligne de transmission d'entrée Lg commune aux deux amplificateurs distribués, sa sortie sc hyperfréquences étant connectée à sa ligne de transmission de sortie Ld2, les cellules amplificatrices dudit autre amplificateur distribué Amp2 comportant chacune une entrée de commande Cd2 pour être mises simultanément soit dans un état amplificateur pour amplifier le signal appliqué à leur entrée hyperfréquences ec, soit dans un état bloqué pour isoler leur entrée ec de leur sortie hyperfréquences sc. L'invention concerne aussi une autre structure distribuée double contrôlable en gain comportant une entrée E, une sortie S1 et une autre sortie S2 de signal hyperfréquence. Cette autre structure distribuée double comporte un amplificateur distribué Amp1 selon l'invention, l'entrée E étant reliée à l'accès d'entrée de la ligne de transmission d'entrée Lg et la sortie S1 de signal étant reliée à l'accès de sortie de l'amplificateur distribué Amp1, une impédance de charge de ligne de sortie Zs1 d'impédance caractéristique de la ligne de transmission de sortie Ld1 connectée à l'accès d'entrée de ladite ligne de transmission de sortie Ld1, une impédance de charge de ligne d'entrée Zg d'impédance caractéristique de la ligne de transmission d'entrée Lg connectée à l'accès de sortie (4) de ladite ligne de transmission d'entrée Lg. Cette autre structure distribuée double comporte, en outre, un autre amplificateur distribué Amp2 ayant un nombre p de cellules amplificatrices Cl21, Cl22,...C12j,...C12p, j étant un nombre entier compris entre 1 et p pour former avec l'amplificateur distribuée Amp1 deux voies de signal amplificatrices, la ligne de transmission d'entrée Lg de l'autre amplificateur distribué Amp2 étant celle de l'amplificateur distribuée Amp1 comportant l'entrée de signal E, l'autre amplificateur distribué Amp2 ayant une autre ligne de transmission de sortie Ld2 ayant l'accès de sortie connectée à l'autre sortie S2 et l'accès d'entrée connectée à une autre impédance de charge de ligne de sortie Zs2, chaque cellule amplificatrice Cl21, C122,...C12j,...C12p dudit autre amplificateur distribué Amp2 comportant un autre élément actif d'entrée ayant une autre capacité d'entrée Cgs21, Cgs22,...Cgs2j,...Cgs2p connectée entre ladite entrée ec et un potentiel de référence, chaque cellule amplificatrice Cl21, Cl22,...C12j,...Cl1p de l'autre amplificateur distribué Amp2 étant connectée par son entrée hyperfréquences ec à la ligne de transmission d'entrée Lg par l'intermédiaire d'une autre capacité série d'entrée de cellule respective Cc21, Cc22,..Cc2j,...Cc2p, pour réaliser, avec la capacité d'entrée Cgs21, Cgs22,...Cgs2j,...Cgs2p de l'autre élément actif d'entrée, un autre diviseur de tension capacitif respectif, de rapport k2j, du signal hyperfréquences d'entrée Ue, avec k2j = Cc2j/(Cc2j +Cgs2j), un autre signal hyperfréquence Vg2j appliqué à l'entrée ec de la 5 cellule amplificatrice d'ordre j considérée étant Vg2j = Ue.k2j, les cellules amplificatrices dudit autre amplificateur distribué Amp2 comportant chacune une entrée de commande Cd2 pour être mises simultanément soit dans un état amplificateur pour amplifier le signal appliqué à leur entrée hyperfréquences ec, soit dans un état bloqué pour 10 isoler leur entrée ec de leur sortie hyperfréquence sc. L'invention concerne aussi un plot de gain ayant une entrée Ep de signal et une sortie Sp de plot de gain. Le plot de gain comporte une structure distribuée double selon l'invention et un commutateur 2 voies vers 1 15 voie comportant une entrée de contrôle pour être commuté, soit dans une position de premier gain G1 d'amplification reliant alors la sortie de plot Sp à la sortie S1 de l'amplificateur distribué Amp1, soit dans une position de deuxième gain G2 d'amplification reliant ladite sortie de plot Sp à la sortie S2 de l'autre amplificateur distribué Amp2, une électronique de commande EC 20 fournissant des signaux de commande de position du commutateur 2 voies vers 1 voie et d'état des cellules amplificatrices de l'un Amp1 et de l'autre Amp2 amplificateurs distribués. L'invention sera mieux comprise à l'aide d'exemples de réalisations 25 d'un amplificateur distribué, selon l'invention, et des structures comportant un tel amplificateur en référence aux dessins indexés dans lesquels : - les figures la, 1 b et 1c, déjà décrites, représentent trois exemples type de dispositifs de réglage de gain, de l'état de l'art, par valeurs discrètes de gain ; 30 - la figure 2 représente un amplificateur distribué de l'état de l'art ; - la figure 3 représente un exemple de réalisation d'une cellule amplificatrice de l'amplificateur distribué de la figure 2 ; - la figure 4 représente une structure distribuée comportant un amplificateur distribué selon l'invention ; - la figure 5 montre un schéma équivalant simplifié d'un transistor à effet de champ ; - la figure 6 montre le principe de réalisation d'un diviseur capacitif comportant la capacité d'entrée du transistor à effet de champ de la figure 5. - la figure 7 montre une structure distribuée double asymétrique comportant un amplificateur distribué selon l'invention ; - la figure 8 montre une autre structure distribuée double asymétrique comportant deux amplificateurs distribués selon l'invention ; - la figure 9 montre un plot de gain réalisé à partir de la structure distribuée de la figure 7 ; - la figure 10 représente un exemple de réalisation sur circuit monolithique du plot de gain de la figure 9 ; - les figures 11 a, 11 b représentent respectivement la courbe de gain et de facteur de bruit en fonction de la fréquence, du plot de gain de la figure 15 9 dans la configuration de gain maximal ; - les figures 11 c, 11 d, respectivement la courbe de gain et de facteur de bruit fonction de la fréquence du plot de gain de la figure 9 dans la configuration de gain minimal ; - la figure 11 e montre l'écart de gain entre le gain min et le gain max 20 en fonction de la fréquence, du plot de gain de la figure 9 ; - Les figures 12a etl2b comparent respectivement le facteur de bruit et le gain du plot de gain de la figure 9 et d'un amplificateur distribué simple, dans la même bande de fréquences de fonctionnement et ; - Les figures 13a etl3b représentent l'évolution de la puissance à 25 1dB de compression respectivement en entrée et en sortie du plot de gain de la figure 9 pour les deux états de gain. La solution proposée pour réaliser un plot de gain consiste dans l'utilisation d'une structure distribuée double mais non symétrique et à 30 combiner les différentes fonctions d'amplification, de commutation et d'atténuation ou éventuellement de variation continue de gain au sein d'une seule structure active ce qui permet d'éviter les pertes inhérentes à un commutateur passif des structures de type plot de gain de l'état de l'art. L'utilisation dans les structures hyperfréquences selon l'invention d'amplificateurs distribués permet, d'autre part, d'obtenir une large bande de fréquence de fonctionnement. En premier lieu, nous rappelons le principe de la structure distribuée. La figure 2 représente un amplificateur distribué de l'état de l'art. L'amplificateur distribué est un dispositif électronique bien connu comportant deux lignes de transmission Lg, Ld parcourues par un signal utile et activement couplées entre elles par des cellules amplificatrices CI1, Cl2,... Cli,.. CIn, comportant un ou plusieurs éléments actifs, une ligne de transmission d'entrée Lg d'un signal d'entrée Ue comportant un accès d'entrée 1 et un accès de sortie 4 et une ligne de transmission de sortie Ld comportant un accès d'entrée 3 et un accès de sortie 2. Les cellules amplificatrices CI1, Cl2,... Cli,.. CIn qui lient les deux lignes de transmission sont représentés par des triangles sur la figure 2 Le nombre n de cellules amplificatrices n'est pas déterminant et peut être, très généralement, n'importe quel entier à partir de 1. Dans la pratique, ce nombre n est souvent compris entre 2 et 6. Les éléments actifs des cellules amplificatrices peuvent être, par exemple, de simples transistors à effet de champ, auquel cas, la ligne d'entrée Lg est appelée aussi « ligne de grille » et la ligne de sortie Ld « ligne de drain ». Ces lignes de transmission de grille Lg et de drain Ld sont des lignes artificielles constituées des capacités internes aux transistors auxquelles sont connectées des inductances L (éventuellement liées entre elles par des mutuelles inductances). Les lignes de transmission ont un comportement très constant depuis les fréquences basses (le continu en théorie, les limitations pratiques venant des circuits de polarisation) jusqu'à des fréquences de coupures liées à la taille des transistors, donc aux caractéristiques fondamentales du circuit (gain, puissance de sortie), ce qui confère à ce type de circuit un comportement dit « large bande ». L'amplificateur distribuée représenté à la figure 2 est utilisé en entrant sur l'accès 1 de la ligne de transmission d'entrée Lg et en sortant sur l'accès 2 de la ligne de transmission de sortie Ld. Les autres accès 3 et 4 sont en principe chargés par des résistances appelées résistances terminales (notées Zg et Zd) ou charges annexes égales en principe à l'impédance caractéristique de la ligne de transmission à laquelle chacune est connectée. Dans le cas d'une réalisation en MMIC, pour Monolithic Microwave Integrated Circuits en langue anglaise, les connexions des charges annexes 5 se font généralement sur la puce et les accès 3 et 4 ne sont pas disponibles. La figure 3 représente un exemple de réalisation d'une cellule amplificatrice Cli (de rang i) de l'amplificateur distribuée de la figure 2 comportant deux transistors à effet de champ T1, T2 montés en cascode. 10 L'entrée ec de la cellule amplificatrice Clii s'effectue par la grille du transistor à effet de champ Ti monté en source commune et la sortie sc par le drain de l'autre transistor T2 à effet de champ monté en grille commune. D'autres types de combinaison de deux transistors ou plus peuvent être utilisés. II est aussi possible d'utiliser des transistors bipolaires, dans une 15 configuration simple en émetteur commun, ou dans d'autres configurations pouvant combiner deux transistors ou plus. Dans ces cas, la ligne de transmission d'entrée Lg et de sortie Ld seront appelées respectivement « ligne de base » Lb et « ligne de collecteur » Lc. Dans ce qui suit, nous prendrons pour hypothèse l'utilisation de 20 cellules amplificatrices (ou actives) utilisant un ou plusieurs transistors à effet de champ (type MESFET, pour Metal Semiconductor Field Effect Transistor ou HEMT, pour High Electron Mobility Transistor en langue anglaise). 25 La figure 4 représente une structure distribuée comportant un amplificateur distribué selon l'invention. La structure de la figure 4 comporte un amplificateur distribué Amp1 à n cellules amplificatrices Cll 1, CI12,...Cll i,...Cll n, i étant l'ordre de la cellule considérée compris entre 1 et n, comportant une ligne de 30 transmission d'entrée Lg d'un signal hyperfréquences d'entrée Ue couplée par l'intermédiaire des n cellules amplificatrices à une ligne de transmission de sortie Ld1. La ligne de transmission d'entrée Lg comporte l'accès d'entrée 1 et l'accès de sortie 4 et la ligne de transmission de sortie Ld1 l'accès de sortie 35 21, étant la sortie de l'amplificateur distribué Amp1, et l'accès d'entrée 31. Chaque cellule amplificatrice CI11, CI12,...Cll i,...ClI n comporte une entrée ec et une sortie sc hyperfréquences. Au moins un élément actif d'entrée est connecté à l'entrée ec de la cellule amplificatrice. L'élément actif est, dans cet exemple, un premier transistor à effet de champ T1 d'un montage cascode du premier T1 et d'un deuxième T2 transistors à effet de champ tel que représenté dans son principe à la figure 3. Le premier transistor T1 est un transistor monté en source commune. De façon connue, l'étage cascode présente à son entrée par la grille du premier transistor Ti, une capacité d'entrée Cgsl i, i étant le rang de la cellule amplificatrice considérée, soit dans le cas du transistor à effet de champ T1, la capacité grille/source notée Cgsl i. Pour expliquer simplement le principe, nous considérons le schéma équivalent du premier transistor T1 ou transistor d'entrée du montage cascode de la figure 3. La figure 5 montre un schéma équivalent simplifié du transistor à effet de champ T1 (schéma unilatéral) pour lequel le paramètre S12 = 0 à toutes les fréquences, dans une première approximation. La figure 6 montre le principe de réalisation d'un diviseur capacitif comportant la capacité d'entrée du transistor à effet de champ T1 de la figure 5. La source du transistor T1 est reliée à un potentiel de référence, par exemple une masse M. Le schéma équivalent du transistor à effet de champ T1 comporte la capacité d'entrée Cgs entre sa grille et sa source et un générateur de courant 30 fournissant un courant de drain Gm.Vg, Gm étant la transconductance du transistor à effet de champ et Vg la tension appliquée aux bornes de la capacité d'entrée Cgs. En ajoutant une capacité Cc (que nous désignerons comme capacité série d'entrée de cellule par la suite) en série avec l'entrée de l'élément actif (soit la grille du transistor à effet de champ T1), on réalise un diviseur de tension capacitif de la tension d'entrée Ue tel que représenté à la figure 6 comportant les deux capacités Cc et Cgs en série. Le diviseur capacitif ainsi obtenu produit une diminution de la tension de commande Vg appliquée à l'entrée du transistor d'entrée T1 par rapport à 35 la tension d'entrée Ue, dans un rapport k = Vg/Ue =Cc/(Cc+Cgs). Cette diminution de la tension de grille Vg par rapport à la tension d'entrée Ue se propageant sur la ligne de transmission d'entrée Lg de l'amplificateur distribué se reporte proportionnellement au courant commandé Id du générateur de courant 30 par l'intermédiaire de la transconductance Gm. Le gain global de la structure distribuée correspondante représentée à la figure 4 diminue donc également. La capacité d'entrée Cgs dans les cas du transistor à effet de champ 10 T1 peut être celle de tout autre élément actif, par exemple celle d'un transistor bipolaire (cette capacité d'entrée pourrait être notée Cbe pour capacité, par exemple, base/émetteur), le principe étant de réaliser un pont diviseur capacitif avec une capacité d'entrée Cc connectée entre l'entrée ec de la cellule amplificatrice et la ligne de transmission d'entrée Lg. 15 En se référant à nouveau à la structure de la figure 4, chacune des cellules amplificatrices C111, C112,...Cll i,...Cll n est connectée par son entrée hyperfréquences ec à la ligne de transmission d'entrée Lg par l'intermédiaire d'une capacité série d'entrée de cellule Cc11, 20 Cc12,..Cc1 i,...Cc1 n respective, pour réaliser, avec la capacité d'entrée respective Cgs11, Cgsl 2,...Cgsl i,...Cgsl n de l'élément actif d'entrée considéré (soit le premier transistor Ti du montage cascode) de la cellule amplificatrice considérée Cl1 i, un diviseur de tension capacitif respectif, de rapport k1 i, du signal hyperfréquences d'entrée Ue avec : 25 k1 i = Cc1 i/(Ccl i +Cgsli). L'élément actif considéré (soit le ou les transistors des cellules) peuvent être de taille différente selon la cellule considérée et, par conséquent, les capacités d'entrée Cgs1 i desdits éléments actifs peuvent être de valeur différente selon la cellule considérée. 30 Le signal hyperfréquence appliqué à l'entrée ec de la cellule amplificatrice d'ordre i considérée est un signal atténué Vg1 i = Ue.k1 i, k1 i étant un nombre inférieur ou égal à 1. Le rapport k1 i et donc le signal d'entrée Vg1 i appliqué à l'entrée de la cellule amplificatrice dépendent par conséquent de la valeur de la capacité série d'entrée Ccl i et de la capacité d'entrée Cgsl i de l'élément actif de la cellule amplificatrice considérée CI1 i Dans une réalisation particulière, les capacités série d'entrée de cellule Cc11, Cc12,...Cc1 i,...Cc1 n, de l'amplificateur distribué, selon l'invention ont des valeurs identiques, soit Cc11=Cc12=,..Cc1 i..=Cc1 n, et les éléments actifs des cellules amplificatrices sont les mêmes, ainsi les capacités d'entrées des éléments actifs sont aussi identiques soit Cgsl 1= Cgs12, ..=Cgsl i,..= Cgsl n de façon à obtenir un gain G de l'amplificateur distribué en fonction de la fréquence du signal d'entrée Ue constant dans la bande passante de l'amplificateur. Dans d'autres réalisations les valeurs des capacités série d'entrée de cellule Cc11, Cc12,...Cc1 i,...Cc1 n de l'amplificateur distribué selon l'invention peuvent être différentes de façon à obtenir une réponse en fréquence présentant une pente, ou de façon à compenser une pente naturelle de l'amplificateur. Les cellules amplificatrices Cll 1, CI12,...Cll i,...Cli n comportent chacune une entrée de commande Cdl pour être mises simultanément, soit dans un état amplificateur pour amplifier le signal appliqué à leur entrée hyperfréquences ec, soit dans un état bloqué pour isoler leur entrée ec de leur sortie hyperfréquence sc. Lorsque l'ensemble des cellules amplificatrices sont dans l'état bloqué, amplificateur distribué présente idéalement un gain G = -..dB (dans la pratique un gain qui a une valeur négative de quelques dizaines de dB) et lorsque les cellules sont dans l'état amplificateur, l'amplificateur distribué présent un gain nominal G positif exprimé en dB. L'avantage d'une telle structure distribuée, selon l'invention, est que le gain de chaque cellule amplificatrice CI11, CI12,...CI1 i,...Cll n peut être ajusté par le choix de la valeur de la capacité série d'entrée de cellule Cc1 i de la cellule amplificatrice considérée CI1 i et par conséquent le gain G de l'amplificateur distribué. Un autre avantage de cette structure selon l'invention réside dans le fait que, pour un signal d'entrée Ue fort, le pont diviseur capacitif (Cc1 i en série avec Cgsl i) permet de diminuer l'amplitude du signal appliqué à l'entrée de l'élément actif sélectionné, évitant de saturer cet élément et limitant les effets de non-linéarité (génération de fréquences harmoniques et de produits d'intermodulation). La puissance disponible en sortie de la structure distribuée est du même ordre de grandeur que celle d'une structure comportant une voie d'amplification non atténuée, ce qui est impossible à réaliser avec un amplificateur simple suivi d'un atténuateur commandé. Une autre caractéristique de la structure distribuée selon l'invention est que les cellules amplificatrices de l'amplificateur distribué peuvent être contrôlées en gain par l'utilisation de capacités série d'entrée de cellule Ccl i dont la valeur est commandable par une tension. Cette structure élémentaire comportant une simple voie d'amplification peut être déclinée en d'autres structures distribuées doubles selon l'invention mais non symétriques consistant à utiliser une ligne de transmission d'entrée Lg (ou ligne de grille) commune à deux structures distribuées simples. La figure 7 montre une structure distribuée double asymétrique comportant un amplificateur distribué selon l'invention. La structure distribuée double de la figure 7 comporte, outre l'amplificateur distribué Amp1, selon l'invention, de la structure de figure 4, un autre amplificateur distribué Amp2 ayant un nombre p de cellules amplificatrices Cl21, C122,...C12j,...C12p, j étant un nombre entier compris entre 1 et p, et une autre sortie S2. Dans la réalisation particulière représentée à la figure 7 le nombre des cellules des amplificateurs Amp1, Amp2 est identique soit p=n. L'autre amplificateur distribué Amp2 comporte la ligne de transmission d'entrée Lg de l'amplificateur distribué selon l'invention. La ligne de transmission d'entrée Lg est donc commune aux deux amplificateurs distribués Amp1, Amp2. L'entrée de signal E est commune aux deux amplificateurs distribués qui forment deux voies de signal amplificatrices. Une première voie de l'entrée E vers la sortie SI et une deuxième voie de l'entrée E vers la sortie S2. L'autre amplificateur distribué Amp2 comporte une autre ligne de 35 transmission de sortie Ld2 ayant l'autre accès de sortie 22 connectée à l'autre sortie S2 de la structure double et un accès d'entrée 32 connectée à une autre impédance de charge de ligne de sortie Zs2. Chaque cellule amplificatrice Cl21, C122,...C12j,...Cl2p de l'autre amplificateur distribué Amp2 comporte son entrée ec hyperfréquences reliée directement à la ligne de transmission d'entrée Lg commune aux deux amplificateurs distribués, sa sortie sc hyperfréquences étant connectée à sa ligne de transmission de sortie Ld2 comme dans les amplificateurs distribués classiques de l'état de l'art. Comme dans l'amplificateur distribué Amp1, les cellules amplificatrices Cl21, C122,...C12j,...C12p dudit autre amplificateur distribué Amp2 comportent chacune une entrée de commande Cd2 pour être mises simultanément soit dans un état amplificateur pour amplifier le signal appliqué à leur entrée hyperfréquences ec, soit dans un état bloqué pour isoler leur entrée ec de leur sortie hyperfréquences sc. La figure 8 montre une autre structure distribuée double asymétrique comportant deux amplificateurs distribués selon l'invention. La structure distribuée double de la figure 8 comporte, outre l'amplificateur distribué Amp1, selon l'invention, de la structure de figure 4, un autre amplificateur distribué Amp2 aussi réalisé selon l'invention ayant un nombre p de cellules amplificatrices Cl21, C122,...C12j,...C12p, j étant un nombre entier compris entre 1 et p, et une autre sortie S2. Dans la réalisation particulière représentée à la figure 8 le nombre des cellules des amplificateurs Amp1, Amp2 est identique soit p=n. L'autre amplificateur distribué Amp2 comporte la ligne de transmission d'entrée Lg de l'amplificateur distribué Amp1 selon l'invention. Comme dans la réalisation de la figure 7, la ligne de transmission d'entrée Lg est donc commune aux deux amplificateurs distribués Amp1, Amp2. L'entrée de signal E est commune pour les deux amplificateurs distribués qui forment deux voies de signal amplificatrices. L'autre amplificateur distribué Amp2 comporte une autre ligne de transmission de sortie Ld2 ayant l'autre accès de sortie 22 connectée à l'autre sortie S2 de la structure double et une extrémité d'entrée 32 connectée à une autre impédance de charge de ligne de sortie Zs2 de l'autre amplificateur distribué. Chaque cellule amplificatrice Cl21, C122,...C12j,...C12p de l'autre amplificateur distribué Amp2 comporte, dans cette réalisation, l'entrée ec hyperfréquences reliée à la ligne de transmission d'entrée Lg dudit autre amplificateur distribué par l'intermédiaire d'une autre capacité série d'entrée Cc2j respective mais de valeur différente de la capacité de même rang (j=i) de l'amplificateur distribuée Amp1. De manière générale, les capacités série d'entrée de cellule CI11, C112,...Cl1 i,...C11 n de l'amplificateur Amp1 peuvent être de valeur différente. il en est de même pour celles Cl21, C122,...C12j,...Cl2p de l'autre amplificateur Amp2. De manière encore plus générale, les valeurs de toutes les capacités série d'entrée de cellule de l'amplificateur distribuée Amp1 sont de valeurs très sensiblement différentes de toutes les autres capacités d'entrée série de cellule de l'autre amplificateur distribué Amp2 de façon à obtenir deux amplificateurs distribuées de gains respectifs G1, G2 sensiblement différents. La figure 9 montre un plot de gan réalisé à partir de la structure distribuée de la figure 7. Le plot de gain de la figure 9 comporte une structure distribuée comportant deux voies d'amplification de gain différent G1, G2, une entrée de signal Ep et une sortie de signal amplifié Sp, un commutateur Cp 2 voies vers 1 voie comportant trois plots, un plot commun 50 connectée à une sortie Sp du plot de gain et deux autres plots de commutation 52, 54 connectés respectivement à l'une SI et à l'autre S2 sortie de la structure distribuée double. Le plot de gain comporte une entrée de commande Ct pour le choix du gain, soit G1, soit G2. Par exemple le choix du gain peut être déterminé en fonction du niveau signal d'entrée Ue appliqué à l'entrée du plot. Un signal de commande Ucp appliqué à l'entrée Ct de commande du plot de gain peut prendre deux états. Dans un premier état correspondant au choix du gain G1 du plot de gain, le commutateur Cp 2 voies vers 1 voie est commandé pour relier la sortie SI de la structure distribuée à la sortie Sp du plot et simultanément, la sortie SI de l'amplificateur distribué Amp1 étant reliée par le commutateur Cp à la sortie Sp de plot de gain, est mis dans l'état amplificateur, l'autre amplificateur distribué Amp2 étant mis dans l'état bloqué. Dans un deuxième état correspondant au choix du gain G2 du plot de gain, le commutateur Cp 2 voies vers 1 voie est commandé pour relier l'autre sortie S2 de la structure distribuée à la sortie Sp du plot de gain et simultanément, l'autre amplificateur distribué Amp 2 étant reliée par le commutateur Cp à la sortie de plot de gain est mis dans l'état amplificateur, l'amplificateur distribué Amp1 étant mis dans l'état bloqué. Le plot de gain réalisé avec une structure distribuée double selon l'invention comporte l'avantage de ne pas dégrader le facteur de bruit de l'amplificateur distribué seul par le fait qu'il n'est pas nécessaire d'utiliser un commutateur d'entre Cl comme c'est le cas du dispositif classique représenté à la figure 1. Dans d'autres réalisations du plot de gain de la figure 9 le nombre de cellules amplificatrices des amplificateurs distribués Amp1 et Amp2 des deux voies peuvent être différents. Par exemple, la voie de plus fort gain (sortie S2) ayant l'amplificateur Amp2 peut comporter plus de cellules amplificatrices que la voie de plus faible gain (sortie SI) soit p>n. Les éléments actifs dans les cellules de l'amplificateur Amp2 peuvent être aussi de plus forte puissance que les éléments actifs des cellules de l'amplificateur Amp1. Le mode de réalisation de ce nouveau type d'amplificateur distribué et des structures distribuées doubles est parfaitement compatible avec une technologie de type « MMIC ». La figure 10 représente un exemple de réalisation sur circuit monolithique du plot de gain de la figure 9 basé sur la technologie PH25 de 30 la société de nom commercial UMS. La structure distribuée double de la figure 10 comporte 4 cellules actives sur chaque voie et le commutateur de sortie 2 vers 1 est réalisé à partir de transistors à effet de champ froids c'est-à-dire des transistors non polarisés en tension continue entre leur source et leur drain. Le montage 35 comporte également une alimentation continue en +6V, une alimentation continue en -5V ainsi qu'un circuit de commande (compatible avec le standard TTL) permettant de commander à partir d'une tension de commande d'entrée le niveau de gain de la structure de la façon suivante : - tension de commande d'entrée à +0.8V : le plot de gain est à son niveau de gain maximal (Gmax), - tension de commande de sortie à +2V : le plot de gain est à son niveau de gain minimal (Gmin). Les cellules amplificatrices de la structure distribuée double sont réalisées à partir de transistors à effet de champ et comportent : - un montage cascode, c'est-à-dire un transistor en source commune suivi d'un transistor en grille commune, pour la voie à gain maximal, - un transistor seul monté en source commune pour la voie à gain minimal. Les figures 11a, 11 b représentent respectivement la courbe de gain Gmax et de facteur de bruit NF en fonction de la fréquence F, du plot de gain de la figure 9 dans la configuration de gain maximal et les figures 11c, 11d, respectivement la courbe de gain Gmin et de facteur de bruit NF fonction de la fréquence F pour le plot de gain dans la configuration de gain minimal. La figure 11 e montre l'écart de gain en dB entre le gain min et le gain max en fonction de la fréquence F du plot de gain de la figure 9. La structure plot de gain de l'invention permet donc d'obtenir : - des niveaux de gain constants sur de très large bande passante 25 pour les 2 états de fonctionnement, - un différentiel de gain entre ces 2 états de fonctionnement extrêmement constant sur la bande d'utilisation, - une très bonne adaptation aux accès de la structure quel que soit l'état de gain. 30 Les figures 12a et 12b comparent respectivement le facteur de bruit et le gain G (paramètre S21) du plot de gain de la figure 9 et d'un amplificateur distribué simple (voir courbe en pointillé) fonctionnant dans la même bande de fréquence et réalisé dans la même technologie (PH25 de 35 chez UMS). La structure de plot de gain selon l'invention présente un facteur de bruit NF équivalent à l'amplificateur seul et ce pour un gain en puissance équivalent. La différence de gain entre les 2 structures est due en grande partie aux pertes du commutateur de sortie Cp utilisé pour le plot de gain qui viennent se soustraire au gain de la structure distribuée double. En terme de facteur de bruit, la structure de plot de gain selon l'invention telle que représentée à la figure 9 permet donc de gagner l'équivalent des pertes du commutateur d'entrée Cl nécessaire à une structure classique comme celle représentée figure 1. Les figures 13a et 13b représentent l'évolution de la puissance à 1 dB de compression respectivement en entrée et en sortie du plot de gain de la figure 9 pour les deux états de gain. On s'intéresse ici à une caractéristique importante du plot de gain : la puissance de sortie pour une compression de gain de 1 dB (notée PldB_out), c'est-à-dire pour une puissance d'entrée (notée PldB_in) provoquant une saturation du signal telle que le gain global est 1 dB plus faible que sa valeur en petit signal. On constate que, lorsque le gain chute de 12 dB environ (correspondant à la différence de gain entre les 2 états), la puissance P1dB_out ne chute que d'environ 4dB : PIdB out=l3dBm pour un gain linéaire d'environ 12 dB dans le premier cas, P1dB out=9dBm pour un gain d'environ 0 dB dans le second cas. Si l'on se réfère à l'état de l'art, la réalisation d'une fonction à gain ajustable permettant de maintenir, à l'état gain maximal, le niveau de facteur de bruit équivalent à celui d'un amplificateur seul ne peut se faire qu'au travers d'une mise en série d'un amplificateur suivi d'un atténuateur ajustable. A titre de comparaison avec le plot de gain représenté aux figures 9 et 10, l'utilisation d'un atténuateur ajustable à la suite d'un amplificateur fixe impliquerait une chute de 12 dB de P1dB_out pour une chute de gain de 12dB. Par ailleurs, il est important de noter que dans l'exemple de réalisation du plot de gain des figures 9 et 10, la voie correspondant au gain minimal a été dimensionnée pour consommer le moins possible. A cet effet, chaque cellule amplificatrice de cette voie est réalisée avec un seul transistor dont la taille (et donc la consommation) est inférieure aux transistors des montages cascodes utilisés dans la voie à gain max. Si l'on souhaitait maintenir le niveau de PldB_out constant quelque soit l'état du plot de gain, il faudrait utiliser les mêmes cellules amplificatrices entre les deux voies d'amplification et régler le différentiel de gain uniquement avec les capacités série d'entrée de cellule de l'amplificateur distribué (par exemple les capacités série d'entrée de cellule Cd 1, Cc12,...Ccl i,,..Cc1 n de l'amplificateur Amp1, voir Figure 9) mises en série avec les grilles des transistors à effet de champ. Cela aurait pour conséquence d'avoir la même consommation quel que soit l'état du plot de gain. REVENDICATIONS1. Amplificateur distribué Amp1 comportant, une ligne de transmission d'entrée Lg d'un signal hyperfréquences d'entrée Ue ayant un accès d'entrée (1) et un accès de sortie (4), une ligne de transmission de sortie Ldl ayant un accès de sortie (2)(21) étant la sortie de l'amplificateur distribué et un accès d'entrée (3) (31), les lignes de transmission d'entrée Lg et sortie Ldl étant activement couplées par n cellules amplificatrices CI11, CI12,...Cl1 i,...Cl1 n, i étant l'ordre de la cellule considérée compris entre 1 et n, chaque cellule amplificatrice CI11, CI12,...Cll i,...Cll n comportant : - une entrée ec et une sortie sc hyperfréquences, - au moins un élément actif d'entrée (T1) ayant une capacité d'entrée Cgsll, Cgs12,...Cgsl i,...Cgs1 n connectée entre ladite entrée ec et un potentiel de référence, les cellules amplificatrices comportant chacune une entrée de commande Cdl pour être mises simultanément, soit dans un état amplificateur pour amplifier le signal appliqué à leur entrée ec hyperfréquences, soit dans un état bloqué pour isoler leur entrée ec de leur sortie sc hyperfréquences, caractérisé en ce que chacune des cellules amplificatrices CI11, CI12,...Cli i,...Cl1 n, est connectée par son entrée ec hyperfréquences à la ligne de transmission d'entrée Lg par l'intermédiaire d'une capacité série d'entrée de cellule respective Cc11, Cc12,..Cc1 i,...Cc1 n, pour réaliser, avec la capacité d'entrée Cgs1 i de l'élément actif d'entrée (T1), un diviseur de tension capacitif respectif, de rapport k1 i, du signal hyperfréquences d'entrée Ue, avec k1 i = Ccl i/(Cc1 i +Cgs1 i), un signal hyperfréquence Vgli appliqué à l'entrée ec de la cellule amplificatrice d'ordre i considérée étant Vg1 i = Ue.k1 i. 2. Amplificateur distribué selon la revendication 1, caractérisé en ce que l'élément actif d'entrée est un premier transistor à effet de champ (Ti) d'un montage cascode à transistors ayant ledit premier transistor à effet de champ (Ti) monté en source commune en série avec un deuxième transistor à effet de champ (T2) montre en grille commune, le drain D du premiertransistor à effet de champ étant connecté à la source S du deuxième transistor à effet de champ, l'entrée ec de la cellule amplificatrice étant la grille G du premier transistor (T1) à effet de champ, la sortie sc de ladite cellule amplificatrice étant le drain D du deuxième transistor à effet de champ (T2), la capacité d'entrée du montage cascode constitué des 2 éléments actifs étant la capacité grille/source (Cgsi) du premier transistor à effet de champ (T1). 3. Structure distribuée contrôlable en gain comportant une entrée E et au moins une sortie SI de signal hyperfréquence, caractérisée en ce qu'elle comporte un amplificateur distribué Amp1 selon l'une des revendications 1 ou 2, l'entrée E étant reliée à l'accès d'entrée (1) de la ligne de transmission d'entrée Lg et la sortie SI de signal étant reliée à l'accès de sortie (21) de l'amplificateur distribué Amp1, une impédance de charge de ligne de sortie Zs1 d'impédance caractéristique de la ligne de transmission sortie Ld1 connectée à l'accès d'entrée (31) de ladite ligne de transmission de sortie Ld1, une impédance de charge de ligne d'entrée Zg d'impédance caractéristique de la ligne de transmission d'entrée Lg connectée à l'accès de sortie (4) de ladite ligne de transmission d'entrée Lg. 4. Structure distribuée selon la revendication 3, caractérisée en ce que les capacités série d'entrée de cellule Cc11, Cc12,...Cc1 i,...CcI n, de l'amplificateur distribué Amp1, ont des valeurs identiques, soit Cc11=Cc12=,..Cc1 i..=CcI n, les éléments actifs des cellules amplificatrices étant les mêmes, les capacités d'entrées des éléments actifs sont aussi identiques soit Cgsl 1= Cgsl 2, ..=Cgs1 i,..= Cgsl n de façon à obtenir un gain G de l'amplificateur distribué en fonction de la fréquence du signal d'entrée Ue constant dans la bande passante de l'amplificateur. 5. Structure distribuée selon la revendication 3, caractérisée en ce que les valeurs des capacités série d'entrée de cellule Cc11, Cc12,...Cc1 i,...Cc1 n sont différentes de façon à obtenir un gain (G) de l'amplificateur distribué en fonction de la fréquence (F) présentant une pente, ou de façon à compenser une pente naturelle de la réponse en fréquence de l'amplificateur distribué. 6. Structure distribuée double contrôlable en gain comportant une entrée E, une sortie S1 et une autre sortie S2 de signal hyperfréquence, caractérisée en ce qu'elle comporte un amplificateur distribué Amp1 selon l'une des revendications 1 ou 2, l'entrée E étant reliée à l'accès d'entrée (1) de la ligne de transmission d'entrée Lg et la sortie S1 de signal étant reliée à l'accès de sortie (21) de l'amplificateur distribué Amp1, une impédance de charge de ligne de sortie Zsl d'impédance caractéristique de la ligne de transmission de sortie Ldl connectée à l'accès d'entrée (31) de ladite ligne de transmission de sortie Ldl, une impédance de charge de ligne d'entrée Zg d'impédance caractéristique de la ligne de transmission d'entrée Lg connectée à l'accès de sortie (4) de ladite ligne de transmission d'entrée Lg et en ce qu'elle comporte, en outre, un autre amplificateur distribué Amp2 ayant un nombre p de cellules amplificatrices Cl21, C122,...C12j,...Cl2p, j étant un nombre entier compris entre 1 et p, pour former avec l'amplificateur distribuée Amp1 deux voies de signal amplificatrices, la ligne de transmission d'entrée Lg de l'autre amplificateur distribué Amp2 étant celle de l'amplificateur distribuée Amp1 comportant l'entrée de signal E, l'autre amplificateur distribué Amp2 ayant une autre ligne de transmission de sortie Ld2 ayant l'accès de sortie (22) connectée à l'autre sortie S2 et l'accès d'entrée (32) connectée à une autre impédance de charge de ligne de sortie Zs2, chaque cellule amplificatrice C121, C122,...Cl2j,...Cl2p dudit autre amplificateur distribué Amp2 ayant son entrée ec hyperfréquences reliée directement à la ligne de transmission d'entrée Lg commune aux deux amplificateurs distribués, sa sortie sc hyperfréquences étant connectée à sa ligne de transmission de sortie Ld2, les cellules amplificatrices dudit autre amplificateur distribué Amp2 comportant chacune une entrée de commande Cd2 pour être mises simultanément soit dans un état amplificateur pour amplifier le signal appliqué à leur entrée hyperfréquences ec, soit dans un état bloqué pour isoler leur entrée ec de leur sortie hyperfréquences sc. 7. Structure distribuée double contrôlable en gain comportant une entrée E, une sortie S1 et une autre sortie S2 de signal hyperfréquence, caractérisée en ce qu'elle comporte un amplificateur distribué Amp1 selon l'une des revendications 1 ou 2, l'entrée E étant reliée à l'accèsd'entrée (1) de la ligne de transmission d'entrée Lg et la sortie SI de signal étant reliée à l'accès de sortie (21) de l'amplificateur distribué Amp1, une impédance de charge de ligne de sortie Zs1 d'impédance caractéristique de la ligne de transmission de sortie Ld1 connectée à l'accès d'entrée (31) de ladite ligne de transmission de sortie Ld1, une impédance de charge de ligne d'entrée Zg d'impédance caractéristique de la ligne de transmission d'entrée Lg connectée à l'accès de sortie (4) de ladite ligne de transmission d'entrée Lg et en ce qu'elle comporte, en outre, un autre amplificateur distribué Amp2 ayant un nombre p de cellules amplificatrices Cl21, C122,...Cl2j,...Cl2p, j étant un nombre entier compris entre 1 et p, pour former avec l'amplificateur distribuée Amp1 deux voies de signal amplificatrices, la ligne de transmission d'entrée Lg de l'autre amplificateur distribué Amp2 étant celle de l'amplificateur distribuée Amp1 comportant l'entrée de signal E, l'autre amplificateur distribué Amp2 ayant une autre ligne de transmission de sortie Ld2 ayant l'accès de sortie (22) connectée à l'autre sortie S2 et l'accès d'entrée (32) connectée à une autre impédance de charge de ligne de sortie Zs2, chaque cellule amplificatrice Cl21, C122,...C12j,...C12p dudit autre amplificateur distribué Amp2 comportant un autre élément actif d'entrée ayant une autre capacité d'entrée Cgs21, Cgs22,...Cgs2j,...Cgs2p connectée entre ladite entrée ec et un potentiel de référence, chaque cellule amplificatrice Cl21, C122,...Cl2j,...Cl1p de l'autre amplificateur distribué Amp2 étant connectée par son entrée hyperfréquences ec à la ligne de transmission d'entrée Lg par l'intermédiaire d'une autre capacité série d'entrée de cellule respective Cc21, Cc22,..Cc2j,...Cc2p, pour réaliser, avec la capacité d'entrée Cgs21, Cgs22,...Cgs2j,...Cgs2p de l'autre élément actif d'entrée, un autre diviseur de tension capacitif respectif, de rapport k2j, du signal hyperfréquences d'entrée Ue, avec k2j = Cc2j/(Cc2j + Cgs2j), un autre signal hyperfréquence Vg2j appliqué à l'entrée ec de la cellule amplificatrice d'ordre j considérée étant Vg2j = Ue.k2j, les cellules amplificatrices dudit autre amplificateur distribué Amp2 comportant chacune une entrée de commande Cd2 pour être mises simultanément soit dans un état amplificateur pour amplifier le signalappliqué à leur entrée hyperfréquences ec, soit dans un état bloqué pour isoler leur entrée ec de leur sortie hyperfréquence sc. 8. Plot de gain ayant une entrée Ep de signal et une sortie Sp de plot de gain, caractérisé en ce qu'il comporte une structure distribuée double selon l'une des revendications 6 ou 7 et un commutateur (Cp) 2 voies vers 1 voie comportant une entrée de contrôle (Ct) pour être commuté, soit dans une position de premier gain G1 d'amplification reliant alors la sortie de plot Sp à la sortie SI de l'amplificateur distribué Amp1, soit dans une position de deuxième gain G2 d'amplification reliant ladite sortie de plot Sp à la sortie S2 de l'autre amplificateur distribué Amp2, une électronique de commande EC (60) fournissant des signaux de commande de position du commutateur (Cp) 2 voies vers 1 voie et d'état des cellules amplificatrices de l'un Amp1 et de l'autre Amp2 amplificateurs distribués. 9. Structure distribuée double selon la revendication 7, caractérisée en ce que les valeurs de toutes les capacités série d'entrée de cellule de l'amplificateur distribuée Amp1 sont de valeurs très sensiblement différents de toutes les autres capacités série d'entrée de cellule de l'autre amplificateur distribué Amp2 de façon à obtenir deux amplificateurs distribuées de gains respectifs G1, G2 sensiblement différents.