FR 2950477 A1 20110325 FR 0956448 A 20090918 La présente invention se rapporte au domaine de la cristallisation du silicium et vise en particulier à proposer un procédé utile pour la formation d'un film mince de silicium cristallin en surface d'un substrat. Elle concerne également les dispositifs, par exemple électroniques ou optoélectroniques, 5 et en particulier photovoltaïques, comportant un film mince de silicium cristallin obtenu selon un tel procédé. La technologie de fabrication de cellules photovoltaïques en couches minces implique la formation d'un dépôt d'une couche mince de semi-conducteur, par exemple de silicium, sur un support. Pour former ce dépôt de silicium cristallin en couches minces, différentes voies sont 10 possibles. Parmi les technologies les plus couramment retenues pour former une couche mince de silicium polycristallin de 5 à 50 µm d'épaisseur sur un substrat, on peut tout particulièrement citer la technique dite de croissance par épitaxie en phase liquide (LPE) et les techniques de dépôt chimique en phase vapeur (« Chemical Vapor Deposition » ou CVD en langue anglaise) et de dépôt physique 15 en phase vapeur (« Physical Vapor Deposition » ou PVD en langue anglaise). Ainsi, les techniques CVD et notamment la CVD assistée par plasma (« Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition » ou PECVD en langue anglaise) permettent de déposer des films de silicium dans une gamme de températures comprises entre 300 °C et 600 °C. Néanmoins, ces films restent amorphes ou cristallisés mais à très petits grains et une recristallisation (recuit 20 thermique) pour augmenter la taille des grains est alors nécessaire. Les supports doivent alors pouvoir résister à des températures inférieures à 600 °C environ afin de recristalliser le silicium. En outre, ce procédé n'est généralement pas intéressant économiquement pour obtenir avec cette technologie des épaisseurs de couches suffisantes, et notamment supérieures à 2 µm. Des technologies alternatives ont été développées, comme par exemple la technologie 25 dite de « Metal Induced Crystallization » qui consiste à déposer préalablement une fine couche de métal sur le substrat considéré, puis à procéder à un recuit thermique à une température plus faible que celle nécessaire à la cristallisation du silicium amorphe. Par cette technologie, les grains obtenus ont généralement une taille supérieure à 100 µm. Cependant, du fait du contact intime avec le métal, il se produit alors une contamination de la couche de silicium cristallisée par celui-ci, rendant nécessaire une étape supplémentaire de dépôt épitaxial pour la réalisation de la couche active. Une autre technologie consiste à déposer préalablement une couche de germes apte à initier la croissance du silicium du fait d'un paramètre de maille favorable. Il est ainsi connu de Ji et al. (« Poly-Si thin films by metal-induced growth for photovoltaic applications », Solar Energy Materials & Solar Cells 85 (2005) 313-320) de procéder à un dépôt pleine surface d'un film de cobalt de 50 nm d'épaisseur puis de procéder à un recuit thermique à une température de l'ordre de 700 °C, de sorte à former des germes de CoSi2 qui jouent le rôle de germes pour la recristallisation d'une couche de silicium. Cette technique conduit cependant elle aussi à une forte contamination métallique de la couche de silicium ainsi formée. Il demeure donc un besoin d'un procédé utile pour former une couche mince de silicium polycristallin en surface d'un substrat, qui ne présente pas les inconvénients précités. Il demeure en particulier un besoin pour un procédé permettant de diminuer la contamination, notamment métallique, de la couche mince de silicium obtenue. La présente invention vise précisément à répondre à ces besoins. Les inventeurs ont en effet découvert qu'il est possible de préparer un film mince de silicium cristallin présentant une contamination, notamment métallique, significativement réduite 20 sous réserve de mettre en oeuvre un procédé particulier. Le procédé selon l'invention requiert notamment la formation d'un réseau spécifique de germes, aptes à initier la croissance du silicium, en surface de la face d'un matériau à revêtir d'une couche de silicium polycristallin. Ainsi, la présente invention concerne, selon un premier de ses aspects, un procédé pour 25 former une couche mince de silicium polycristallin en surface d'au moins une face d'un substrat, comprenant au moins les étapes consistant à : - former sur ladite face dudit substrat un réseau de germes dans lequel lesdits germes sont répartis de manière non contigüe et possèdent une taille au moins 25 fois inférieure à la taille de l'espacement entre deux germes voisins, - procéder au dépôt sur ladite face portant lesdits germes, d'une couche de silicium, et - exposer l'ensemble à un traitement thermique propice à la cristallisation dudit silicium. En d'autres termes, en ce qui concerne la taille de l'espacement entre deux germes, celle-ci est au moins égale à 25 fois ou 25 fois plus grande que la taille des germes. Le procédé selon l'invention est avantageux à plusieurs titres. Tout d'abord, il met en oeuvre une quantité de matière contenue dans les germes 10 significativement réduite par rapport aux technologies connues de l'art antérieur, et permet d'obtenir des grains de silicium de taille très supérieure à la taille des germes qui leur ont donné naissance. Il permet en outre de s'affranchir significativement du problème de contamination, notamment métallique, rencontré avec les technologies conventionnelles. Le procédé selon l'invention permet ainsi d'obtenir un bon compromis entre la taille des 15 grains de silicium et le budget thermique, tout en ne dégradant pas la pureté du matériau déposé. L'invention concerne également, selon un autre de ses aspects, un dispositif, par exemple électronique ou optoélectronique, et en particulier photovoltaïque, comportant un film mince de silicium polycristallin obtenu par le procédé conforme à l'invention. Au sens de l'invention, on entend désigner par « film mince » ou « couche mince » un 20 film d'épaisseur inférieure ou égale à 50 µm, de préférence inférieure ou égale à 20 µm, par exemple comprise entre 1 et 15 µm. Par « taille », on entend désigner au sens de l'invention la largeur moyenne de la section horizontale la plus élevée d'un germe, mesurée par exemple par analyse d'image par MEB (microscopie électronique à balayage). 25 Par «taille de l'espacement entre les germes », on entend désigner au sens de l'invention la dimension moyenne mesurée entre deux germes consécutifs par exemple par analyse d'image par MEB (microscopie électronique à balayage). Les expressions « compris entre... et... », « allant de ... à ... » et « variant de ... à ... » sont équivalentes et entendent signifier que les bornes sont incluses, sauf mention contraire. GERME Au sens de l'invention, le terme « germe » entend désigner un monocristal à partir duquel peut avoir lieu la cristallisation du silicium. Selon un mode de réalisation, le germe peut être un monocristal de silicium. Selon un autre mode de réalisation, le germe peut être un monocristal d'un composé autre que le silicium monocristallin, et en particulier un monocristal d'un composé présentant un faible désaccord de maille avec le silicium cristallin. Il peut notamment s'agir d'un composé présentant un désaccord de maille avec le silicium cristallin inférieur à 2 %, de préférence inférieur à 1,5 %, en particulier inférieur à 1 %. Au sens de l'invention, l'expression « désaccord de maille » entend désigner l'écart relatif entre le paramètre de maille du silicium cristallin (noté as) et le paramètre de maille du germe considéré (noté agerme). A titre d'exemple de tels composés, on peut notamment citer les siliciures, c'est-à-dire les composés formés de silicium et d'un autre élément, et en particulier les siliciures métalliques. Il peut notamment s'agir d'un siliciure d'un métal choisi parmi Fe, Co, Mn, Ni, Ti, V et leurs mélanges. Selon un mode préféré de réalisation, le germe sera choisi parmi le siliciure de nickel 20 NiSi2 et le siliciure de cobalt CoSi2. Ces matériaux ont un paramètre de maille qui favorise la germination des cristaux de silicium. Comme précisé ci-dessus, la taille de ces germes est déterminante selon l'invention. A titre illustratif et non limitatif, les germes peuvent avoir une taille (dite encore taille moyenne ou encore diamètre moyen) inférieure ou égale à 200 nm, de préférence comprise entre 5 25 et 200 nm, notamment entre 5 et 100 nm, en particulier entre 5 et 50 nm, par exemple entre 5 et 40 nm, de préférence entre 10 et 20 nm. Comme indiqué précédemment, les germes sont organisés de manière non contigüe sur la face du substrat à traiter. Dans le cadre de la présente invention, la taille de l'espacement entre deux germes voisins est telle que le rapport (taille de l'espacement entre les germes)/(taille des germes) soit supérieur ou égal à 25, notamment supérieur ou égal à 50, en particulier supérieur ou égal à 100, de préférence supérieur ou égal à 500, voire supérieur ou égal à 1000. A titre illustratif et non limitatif, les germes peuvent être séparés entre eux d'un espacement de taille supérieure ou égale à 1 µm, par exemple comprise entre 1 et 50 µm, en particulier entre 2 et 20 µm, notamment entre 5 et 10 µm. Selon un mode préféré de réalisation, la taille desdits germes peut être comprise entre 10 et 100 nm et la taille de l'espacement entre lesdits germes peut être comprise entre 2 et 20 µm. Les germes, et plus particulièrement la structure régulière de germes organisée sous forme d'un réseau dans lequel les germes sont disposés de manière non contigüe, peuvent être obtenus selon tout procédé connu de l'homme du métier. Selon un premier mode de réalisation, les germes peuvent être formés sur ladite face du substrat par pulvérisation cathodique magnétron d'une cible du matériau destiné à former les germes, en particulier d'une cible d'un matériau possédant un paramètre de maille propice à la germination de cristaux de silicium, et notamment d'une cible de siliciure métallique. La cible du matériau destiné à former les germes peut être préparée par tout procédé 20 connu de l'homme du métier, par exemple par des méthodes de type fonderie ou par des technologies de type frittage de poudres. Selon cette variante, la quantité de matière déposée par unité de surface est notamment fonction de la puissance appliquée à la cathode et de la vitesse de déplacement du substrat. Selon un mode de réalisation, la puissance appliquée à la cathode peut varier de 0,2 à 25 10 W/cm2, de préférence de 0,5 à 5 W/cm2. Selon un mode de réalisation, la vitesse de déplacement du substrat peut varier de 5 cm/mn à 5 m/mn, de préférence de 10 cm/mn à 50 cm/mn. Quant à la taille des germes, elle peut être ajustée au regard de la pression de gaz dans l'enceinte qui contrôle la condensation de la matière en nanoparticules. Selon un mode de réalisation convenant notamment pour obtenir des germes de taille moyenne de l'ordre de 10 nm, cette pression peut varier de 2 à 100 Pa, de préférence de 5 à 50 Pa. Il est donc possible de moduler la taille des germes et leur répartition en faisant varier les paramètres de puissance appliquée à la cathode, de vitesse de déplacement du substrat, et de pression de gaz dans l'enceinte. Cette première variante de réalisation est illustrée en Exemple 1. Selon un autre mode de réalisation, les germes peuvent être générés sur ladite face du substrat par un procédé de photolithographie ou de lithographie par faisceau d'électrons. Il peut notamment s'agir d'un procédé consistant à déposer sur tout ou partie du substrat une couche de résine photosensible positive (c'est-à-dire une résine pour laquelle une exposition à un rayonnement produit une transformation chimique des macromolécules entraînant une solubilité accrue des zones exposées dans le révélateur), puis à insoler ladite couche par un faisceau électronique (« electron-beam » ou « e-beam » en langue anglaise) avec un diamètre de spot et un espacement de spots adaptés en fonction du diamètre moyen des germes et de la distance moyenne entre les germes recherchés. La résine est ensuite développée et les zones insolées sont dissoutes dans un solvant approprié (révélation). Un dépôt pleine plaque du matériau destiné à former les germes peut être alors réalisé, 20 par exemple par un procédé de dépôt tel que décrit précédemment. La mise en oeuvre d'une technique de lift-off permet enfin d'éliminer la résine et de ne laisser sur la surface du substrat que les germes souhaités. Cette deuxième variante de réalisation est illustrée en Exemple 2. Selon un mode de réalisation, les germes déposés peuvent subir préalablement à leur 25 mise en contact avec la couche de silicium à cristalliser, un traitement thermique propice à l'amélioration de leur cristallinité à une température inférieure à la température de fusion desdits germes. Pour CoSi2, il peut notamment s'agir d'un recuit à une température comprise entre 1100 °C et 1300 °C, de préférence entre 1200 °C et 1250 °C. Pour NiSi2, il peut notamment s'agir d'un recuit à une température comprise entre 800 °C et 950 °C, de préférence entre à 850 °C et 900 °C. Un tel recuit thermique permet avantageusement d'améliorer la cristallinité des germes, et en particulier la régularité de leur paramètre de maille, et donc de favoriser la germination de cristaux de silicium à leur contact. COUCHE DE SILICIUM Le silicium utilisé pour former la couche requise dans le procédé selon l'invention peut 10 être amorphe ou nanocristallin. Au sens de l'invention, on entend désigner par : - « silicium amorphe », du silicium non cristallin, c'est-à-dire dans lequel les atomes ne sont pas disposés de façon ordonnée à longue distance dans un réseau cristallin. - « silicium nanocristallin », du silicium amorphe comprenant des cristaux de silicium de 15 taille inférieure à 100 nm. Le silicium utilisé dans le procédé selon l'invention peut être dopé ou non dopé. Ainsi, le silicium utilisé dans le procédé selon l'invention peut être dopé, notamment par un dopant de type P tel que par exemple le bore, l'aluminium, l'indium et le gallium ou par un dopant de type N tel que par exemple le phosphore, l'antimoine et l'arsenic. 20 Le silicium peut être déposé par toute technique de dépôt connue de l'homme du métier pour obtenir des couches minces sur un support. Selon un mode de réalisation, le silicium peut être déposé par des procédés de dépôt à basse pression sous vide partiel. A titre d'exemple de tels procédés de dépôt, on peut notamment citer : 25 - les techniques de dépôt physique en phase vapeur (« Physical Vapor Deposition » ou PVD en langue anglaise), à l'image par exemple de l'évaporation sous vide assisté ou non par faisceau d'électrons, de la pulvérisation cathodique, et en particulier de la pulvérisation cathodique magnétron, des procédés par arcs et de la pulvérisation par faisceau d'ion ; et - les techniques de dépôt chimique en phase vapeur (« Chemical Vapor Deposition » ou CVD en langue anglaise), à l'image par exemple de la CVD thermique, de la CVD à partir de précurseurs organométalliques (« OrganoMetallic Chemical Vapor Deposition » ou OMCVD en langue anglaise), de la CVD assistée par laser (« Laser Chemical Vapor Deposition » ou LCVD en langue anglaise) et de la CVD assistée par plasma (« Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition » ou PECVD en langue anglaise). Le choix d'une technique de dépôt convenable fait partie des compétences de l'homme 10 du métier, qui sélectionnera la technique adaptée en fonction notamment de la nature du substrat considéré ainsi que des propriétés de dépôt recherchées. De préférence, le silicium est déposé par une technique de dépôt physique en phase vapeur, notamment par pulvérisation cathodique, et en particulier par pulvérisation cathodique magnétron. Ce type de dépôt permet en effet avantageusement d'obtenir des vitesses de croissance 15 élevées. Selon un mode de réalisation, on dépose sur les germes une couche de silicium d'épaisseur supérieure ou égale à 1 µm, notamment comprise entre 2 et 25 µm, de préférence comprise entre 5 et 20 µm, et en particulier de l'ordre de 10 µm. Comme indiqué précédemment, le procédé selon l'invention permet d'obtenir un film 20 mince de silicium polycristallin ayant une taille de grains supérieure ou égale à 1 µm. Selon un mode de réalisation, la taille des grains du silicium polycristallin obtenu selon le procédé conforme à l'invention (notée tgrain) est supérieure à la taille des germes à partir desquels ils ont été initiés d'au moins un facteur de 25, par exemple d'un facteur supérieur ou égal à 50, en particulier supérieur ou égal à 100, de préférence supérieur ou égal à 500, de préférence supérieur ou 25 égal à 1000. La taille des grains du silicium polycristallin obtenu selon le procédé conforme à l'invention peut être par exemple de l'ordre de celle de l'espacement figurant initialement entre les germes. A titre illustratif et non limitatif, les grains de silicium peuvent avoir une taille supérieure ou égale à 1 µm, en particulier supérieure ou égale à 5 µm. SUBSTRAT Dans le cadre de la présente invention, le terme « substrat » fait référence à une structure de base à la surface de laquelle est formé le dépôt cristallin de silicium considéré selon l'invention. Le procédé selon l'invention peut avantageusement être mis en oeuvre sur des substrats de nature chimique variée. Il peut être de nature très diverse, par exemple inorganique, voire de nature composite c'est-à-dire formé de plusieurs matériaux distincts. Le substrat peut ainsi être à base de silicium, de céramique, de verre, d'un métal et/ou d'un composé céramique-métal et se présenter généralement sous la forme d'une plaque, d'une feuille ou d'un film. Selon un mode de réalisation, le substrat comprend un matériau céramique, un verre ou un matériau composite céramique-verre. A titre d'exemple de substrats convenables, on peut notamment citer la mullite et l'alumine. Le procédé selon l'invention peut également être mis en oeuvre sur des substrats de pureté variée. Pour des raisons évidentes, la pureté du substrat dépendra de l'application visée, et 20 pourra varier dans une large mesure, notamment pour des raisons économiques. Il est bien entendu possible, selon l'invention, de traiter préalablement le substrat, avant l'étape de dépôt des germes à proprement parler, et par exemple de déposer préalablement une couche barrière apte à isoler le substrat de la couche de silicium, et de limiter ainsi sa contamination. Ainsi, selon un mode de réalisation, la face du substrat considérée selon l'invention peut 25 être revêtue en surface d'une couche barrière, par exemple une couche en céramique, notamment en TaN, ZrN, Si3N4, SiC ou SiO2. La couche barrière peut présenter une épaisseur supérieure ou égale à 50 nm, par exemple comprise entre 100 nm et 1 µm. Comme indiqué précédemment, le procédé selon l'invention comprend également une étape de traitement thermique de la couche de silicium. Une telle étape peut être utile pour favoriser la croissance des grains de silicium. Selon un mode de réalisation, le recuit thermique peut être effectué à une température allant de 400 à 800 °C, de préférence allant de 500 à 700 °C. Selon un mode de réalisation, l'étape de recuit thermique peut avoir une durée comprise entre 2 et 12 heures, de préférence entre 4 et 8 heures. Bien entendu, la température et la durée du recuit dépendent notamment de la nature du substrat. L'ajustement des conditions de température et de durée font clairement partie des compétences de l'homme du métier. Comme indiqué précédemment, le procédé selon l'invention permet avantageusement de diminuer, voire d'éviter, une contamination préjudiciable de la couche mince de silicium polycristallin obtenue par le procédé conforme à l'invention par les germes, en particulier par des germes métalliques. Sans totalement éliminer toute contamination, le procédé selon l'invention permet de la limiter à des seuils auxquels celle-ci n'est pas préjudiciable aux propriétés, notamment électroniques ou optoélectroniques, recherchées. Selon un mode de réalisation, la concentration en impuretés, notamment métalliques, dans la couche mince de silicium polycristallin obtenue par le procédé selon l'invention est inférieure ou égale à 1015 cm 3, en particulier inférieure ou égale à 1013 cm 3, de préférence inférieure ou égale à 1012 cm3. La contamination peut être mesurée par toute technique connue de l'homme du métier. En particulier, dans le cas d'une contamination métallique, elle peut être par exemple évaluée par spectroscopie de transitoire de capacité DLTS (« Deep Level Transient Spectroscopy » en langue anglaise). Cette technique, connue de l'homme du métier, consiste dans l'analyse de l'émission et de la capture des pièges associés aux variations de la capacité d'une jonction p-n ou d'une diode Schottky. Les exemples figurant ci-après sont présentés à titre illustratif et non limitatif du 5 domaine de l'invention. EXEMPLES Exemple 1 Un substrat alumine de surface 10 x 10 cm' et de pureté 99 % est revêtu d'une couche barrière de 100 nm d'épaisseur de Si3N4 déposé par PECVD. 10 Des germes de siliciure de nickel présentant un diamètre moyen de 10 nm et séparés entre eux d'une distance moyenne de 10 µm sont déposés par condensation de nanoparticules formées par pulvérisation magnétron. Les conditions sont les suivantes : puissance appliquée à la cathode : 1,5 W/cm ; vitesse de déplacement du substrat : 30 cm/mn ; pression de gaz dans l'enceinte : 15 Pa. 15 Une couche de 10 µm de silicium de type p (dopage à 1016 atomes de bore par cm3) est ensuite déposée par évaporation par faisceaux d'électrons (e-beam). L'ensemble est soumis à un recuit de 8h à 600 °C. La taille moyenne des grains obtenus dépasse les 5 µm. Il est possible d'estimer la pollution métallique de la couche après recuit dans le cas le 20 moins favorable où tout le métal se dissout dans la matrice de Si. Avec les valeurs données ci-dessus, on arrive sur des concentrations en impuretés métalliques inférieures à 1012 cm-3. Même dans ce cas défavorable de dissolution totale, la pollution reste donc acceptable. Des mesures réalisées par DLTS ne permettent pas de détecter de contamination par le nickel, ce qui est cohérent avec un seuil de détéction DLTS de l'ordre de 10-4 fois le dopage. 25 Exemple 2 Un substrat mullite de surface 10 x 10 cm' et de pureté 99 % est revêtu d'une couche barrière de 100 nm d'épaisseur de TaN déposée par pulvérisation cathodique magnétron. Une couche de résine photosensible de type positif (polyméthacrylate de méthyle) d'épaisseur 1 µm est déposée sur toute la surface de l'échantillon. Cette résine est insolée par faisceau électronique (e-beam), avec un diamètre de spot de l'ordre de 10 nm et un espacement de spots de 10 µm. Après révélation (c'est-à-dire dissolution des zones insolées) dans un solvant (mélange alcool isopropylique et méthyl isobutyl cétone), un dépôt en pleine plaque de siliciure de cobalt d'épaisseur 10 nm est réalisée par pulvérisation cathodique magnétron. Une technique de lift-off est ensuite mise en oeuvre pour éliminer la résine et ne laisser sur la surface que les plots de siliciure de cobalt. Une couche de 10 µm de Si de type n (dopage à 2x1016 atomes de phosphore par cm3) est ensuite déposée par pulvérisation magnétron. L'ensemble est soumis à un recuit de 6h à 700 °C. La taille moyenne des grains obtenus dépasse les 5 µm. Par le même calcul que dans l'Exemple 1, la concentration en impuretés métalliques reste inférieure à 1012 cm 3 même dans le cas le plus défavorable de dissolution totale. Des mesures réalisées par DLTS ne permettent pas de détecter de contamination par le cobalt, ce qui est cohérent avec un seuil de détection DLTS de l'ordre de 10-4 fois le dopage. REVENDICATIONS1. Procédé pour former une couche mince de silicium polycristallin en surface d'au moins une face d'un substrat, comprenant au moins les étapes consistant à : - former sur ladite face dudit substrat un réseau de germes dans lequel lesdits germes 5 sont répartis de manière non contigüe et possèdent une taille au moins 25 fois inférieure à la taille de l'espacement entre deux germes voisins, - procéder au dépôt sur ladite face portant lesdits germes, d'une couche de silicium, et - exposer l'ensemble à un traitement thermique propice à la cristallisation dudit 10 silicium. 2. Procédé selon la revendication précédente, dans lequel le rapport (taille de l'espacement entre les germes)/(taille des germes) est supérieur ou égal à 50, en particulier supérieur ou égal à 100, de préférence supérieur ou égal à 500, voire supérieur ou égal à 1000. 3. Procédé selon l'une quelconque des revendications précédentes, dans lequel la 15 taille desdits germes est inférieure ou égale à 200 nm, de préférence comprise entre 5 et 200 nm, notamment entre 5 et 100 nm, en particulier entre 5 et 50 nm, par exemple entre 5 et 40 nm, de préférence entre 10 et 20 nm. 4. Procédé selon l'une quelconque des revendications précédentes, dans lequel la taille de l'espacement entre lesdits germes est supérieure ou égale à 1 µm, par exemple comprise 20 entre 1 et 50 µm, en particulier entre 2 et 20 µm, notamment entre 5 et 10 µm. 5. Procédé selon l'une quelconque des revendications précédentes, dans lequel la taille desdits germes est comprise entre 10 et 100 nm et la taille de l'espacement entre lesdits germes est comprise entre 2 et 20 µm. 6. Procédé selon l'une quelconque des revendications précédentes, dans lequel 25 lesdits germes sont des monocristaux d'un composé présentant un faible désaccord de maille avec le silicium cristallin, et notamment un désaccord de maille inférieur à 2 %, de préférence inférieur à 1,5 %, en particulier inférieur à 1 %. 7. Procédé selon la revendication précédente, dans lequel lesdits germes sont des monocristaux de siliciures, notamment de siliciures métalliques, et en particulier d'un siliciure 30 d'un métal choisi parmi Fe, Co, Mn, Ni, Ti, V et leurs mélanges. 8. Procédé selon la revendication précédente, dans lequel lesdits germes sont choisis parmi le siliciure de nickel NiSi2 et le siliciure de cobalt CoSi2. 9. Procédé selon l'une quelconque des revendications précédentes, dans lequel les germes sont formés sur ladite face du substrat par pulvérisation cathodique magnétron d'une cible du matériau destiné à former les germes, en particulier d'une cible d'un matériau possédant un paramètre de maille propice à la germination de cristaux de silicium, et notamment d'une cible de siliciure métallique. 10. Procédé selon l'une quelconque des revendications 1 à 8, dans lequel les germes sont générés sur ladite face du substrat par un procédé de photolithographie ou de lithographie par faisceau d'électrons. 11. Procédé selon l'une quelconque des revendications précédentes, dans lequel ladite couche de silicium a une épaisseur supérieure ou égale à 1 µm, notamment comprise entre 2 et 25 µm, de préférence comprise entre 5 et 20 µm, et en particulier de l'ordre de 10 µm. 12. Procédé selon l'une quelconque des revendications précédentes, dans lequel les germes subissent préalablement à leur mise en contact avec la couche de silicium à cristalliser, un traitement thermique propice à l'amélioration de leur cristallinité à une température inférieure à la température de fusion desdits germes. 13. Procédé selon l'une quelconque des revendications précédentes, dans lequel ladite face du substrat est revêtue en surface d'une couche barrière, par exemple une couche en céramique, notamment en TaN, ZrN, Si3N4, SiC ou SiO2. 14. Procédé selon l'une quelconque des revendications précédentes, dans lequel la concentration en impuretés, notamment métalliques, dans ladite couche mince de silicium polycristallin est inférieure ou égale à 1015 cm-3, en particulier inférieure ou égale à 1013 cm-3, de préférence inférieure ou égale à 1012 cm-3. 15. Procédé selon l'une quelconque des revendications précédentes, dans lequel les grains de silicium formant ladite couche mince de silicium polycristallin possèdent une taille supérieure à la taille des germes à partir desquels ils ont été initiés d'au moins un facteur de 25, par exemple d'un facteur supérieur ou égal à 50, en particulier supérieur ou égal à 100, de préférence supérieur ou égal à 500, de préférence supérieur ou égal à 1000. 16. Procédé selon l'une quelconque des revendications précédentes, dans lequel les grains de silicium formant ladite couche mince de silicium polycristallin ont une taille supérieure 30 ou égale à 1 µm, en particulier supérieure ou égale à 5 µm. 17. Dispositif, par exemple électronique ou optoélectronique, et en particulier photovoltaïque, comportant un film mince de silicium polycristallin obtenu par le procédé selon l'une quelconque des revendications précédentes. 18. Dispositif selon la revendication précédente, dans lequel la concentration en impuretés, notamment métalliques, dans ladite couche mince de silicium polycristallin est inférieure ou égale à 1015 cm 3, en particulier inférieure ou égale à 1013 cm 3, de préférence inférieure ou égale à 1012 cm3.5