FR 2954580 A1 20110624 FR 0959340 A 20091222 PROCEDE DE REALISATION D'UN COMPOSANT MICROELECTRONIQUE NON PLAN DOMAINE DE L'INVENTION La présente invention a trait à la réalisation de composants microélectroniques courbés concaves. Elle trouve particulièrement application dans le domaine des capteurs d'images. ETAT DE LA TECHNIQUE Les imageurs électroniques comprennent usuellement un capteur d'image plan semi-conducteur réalisé en silicium selon la technologie CMOS ou CCD, et une optique qui forme une image de la scène observée sur le capteur d'image. 15 Toutefois, l'utilisation d'une simple lentille convergente en tant qu'optique n'est pas satisfaisante dans la mesure où l'image formée par une telle lentille n'est pas plane mais sphérique, phénomène connu sous le nom de « courbure de champ ». De fait, l'image projetée par une lentille convergente sur un capteur plan est soit nette au centre mais pas sur les bords soit l'inverse. Ceci explique notamment la fabrication d'optiques 20 complexes, formées de groupes de lentilles, ayant en outre subi des traitements de surface spécifiques afin de conformer les images qu'elles produisent au caractère plan du capteur. Cependant, même à l'heure actuelle, les optiques les plus complexes introduisent toujours un certain nombre d'aberrations, tant géométriques que chromatiques, au rang desquelles 25 figurent les distorsions en barillet et en coussinet, les aberrations sphériques (ou aberrations dites de « lumière diffuse »), le coma, l'astigmatisme, le vignettage, les éblouissements, la lumière parasite (reflet), ou encore les franges chromatiques. De telles aberrations nécessitent d'être corrigées, directement lors de la formation des 30 images par l'utilisation d'optiques complexes et encombrantes, et/ou a posteriori par la mise en oeuvre d'algorithmes de traitements d'image nécessitant d'importantes puissances de calcul. Ainsi, la nature plane des capteurs induit directement des aberrations et la correction de celles-ci implique des objectifs encombrants et coûteux ainsi que des calculateurs puissants embarqués dans les caméras et les appareils photographiques 35 numériques.10 Une manière efficace de faire disparaître les erreurs induites par la courbure de champ est de modifier la forme du capteur d'image de façon à ce qu'il soit sensiblement de même forme que l'image formée par l'optique. Le fait de pouvoir courber le capteur permet donc, non seulement de corriger les aberrations, mais également de concevoir des caméras et des appareils photographiques compacts et bon marché et ne nécessitant pas de grandes puissances de calcul. On conçoit donc aisément l'intérêt de concevoir des capteurs courbés dans le domaine de la formation d'image. Les figures 1 et 2 illustrent un procédé de fabrication d'un imageur à capteur concave selon l'état de la technique et décrit par exemple, dans le document US 7 390 687. Selon ce procédé, un capteur plan 100 est tout d'abord réalisé à la surface d'un substrat 15 102 dans lequel sont par ailleurs réalisés un circuit de lecture 104 dudit capteur 100 ainsi que des connexions 106, le tout étant encapsulé dans un boitier 108 apte ultérieurement à recevoir une optique (non représentée). Le capteur plan 100 et le substrat 102 sont amincis pour présenter la souplesse nécessaire afin d'être courbés. 20 Cet ensemble est ensuite reporté sur un deuxième substrat 110 dans lequel est formée une cavité concave 112, présentant la forme finale recherchée pour le capteur 100. Un passage 114 est par ailleurs réalisé depuis la face arrière du substrat 110 jusqu'à la cavité 112. 25 La cavité 112 est alors mise sous vide. Il se crée ainsi un différentiel de pression qui induit l'affaissement du capteur 100 et du substrat 102 dans la cavité 112. Ces derniers se conforment ainsi à la cavité 112 et le substrat 102 est solidarisé à la cavité 112 par la présence d'un film de colle préalablement déposé dans la cavité 112. 30 Toutefois, le substrat 102 et le capteur 100 sont reportés sur le substrat 110 alors que la cavité 112 est déjà formée. Avant d'être conformé à celle-ci, le substrat 102 et le capteur 100 ne reposent donc sur rien. De fait, il est difficile, voire impossible, de modifier le substrat 102 et le capteur 100 une 35 fois ceux-ci reportés sur la cavité 112. Par exemple il est difficile d'ajouter au substrat 102 ou au capteur 100 de nouveaux éléments tels qu'une couche de protection ou des microlentilles. En effet, la modification du substrat 102 et du capteur 100, que cette modification soit mécanique (polissage, collage, etc...), chimique (dépôt sous vide,10 attaque par plasma, etc...), ou physique (photolithographie), implique nécessairement d'appliquer une pression sur ceux-ci. Le substrat 102 et le capteur 100 se courbent donc au-dessus de la cavité 112 rendant alors leur modification délicate à l'aide des procédés classiques. Par ailleurs, une variation du différentiel de pression appliqué au substrat 102 et au capteur 100 amène ceux-ci à vibrer, rendant là encore toute modification délicate. Pour pallier ces inconvénients, il convient alors de contrôler très précisément le différentiel de pression auquel ils sont soumis afin de les maintenir plans à tout instant, ce qui s'avère impossible sans une connaissance précise de la pression exercée par les procédés. Ainsi, le procédé de l'état de la technique décrit ci-dessus ne permet aucune modification du substrat 102 et du capteur 100 une fois ceux-ci reportés sur la cavité 112. Ces derniers doivent être réalisés de manière définitive avant leur report. Notamment, ils doivent être reportés alors qu'ils sont souples en raison de leur épaisseur réduite. Le processus de fabrication de l'imageur est donc fortement contraint. De plus, la souplesse des circuits électroniques réalisés en silicium est usuellement obtenue lorsque leur épaisseur est inférieure à 50 micromètres. A de telles épaisseurs, leur préhension est délicate et toute erreur de manipulation peut induire des pliures ou des vrillages non souhaités. D'ailleurs, dans l'exemple de procédé exposé ci-dessus, le substrat 102 et le capteur 100 sont fixés au boîtier 108 pour faciliter leur manipulation et ainsi gagner en facilité de manipulation, boîtier qui fait obstacle à une modification ultérieure de l'imageur une fois le substrat 102 et le capteur 100 conformés à la cavité 112. EXPOSE DE L'INVENTION Le but de la présente invention est de résoudre les problèmes susmentionnés en proposant un procédé alternatif de réalisation d'un composant microélectronique non plan, et notamment concave, à l'aide d'une cavité conformée en conséquence, et par la mise en oeuvre de l'application d'un différentiel de pression, qui diminue sensiblement les contraintes imposées par la réalisation de la concavité et autorise une manipulation aisée de celui-ci à tout instant de sa fabrication. A cet effet, l'invention a pour objet un procédé de fabrication d'un composant microélectronique non plan, et notamment concave, comprenant la superposition d'une couche intégrant un circuit actif souple au-dessus d'une cavité conformée selon le profil que l'on souhaite conférer audit composant, formée dans un substrat et l'application d'un différentiel de pression de part et d'autre de ladite couche, induisant l'affaissement du circuit souple dans la cavité, et donc sa conformation avec celle-ci. Selon l'invention, la superposition du circuit souple et de la cavité est réalisée : ^ par remplissage préalable de la cavité par un matériau apte à être enlevé sélectivement par rapport au substrat et au circuit souple ; ^ puis, par report ou formation du circuit souple sur la cavité ainsi remplie ; ^ puis, par formation d'au moins un passage d'accès à la cavité remplie ; et par attaque sélective du matériau remplissant la cavité via le au moins passage d'accès afin d'ôter ledit matériau. En d'autres termes, une fois la cavité remplie, le substrat recevant celle-ci présente sensiblement les mêmes propriétés mécaniques qu'un substrat plein. De fait, toutes les contraintes liées à la cavité avant l'attaque du matériau remplissant la cavité disparaissent. Notamment, il est possible, au choix, de réaliser directement le circuit souple sur le substrat à l'aide de procédés classiques, de reporter le circuit souple une fois celui-ci fabriqué ou encore de reporter un bloc épais comprenant le circuit souple puis d'amincir celui-ci par des procédés classiques. Il est encore possible de modifier le circuit souple une fois celui-ci superposé au substrat car il repose sur une surface pleine. Par circuit « souple », on entend un circuit susceptible de se déformer sans engendrer d'altération de sa structure. Typiquement, cette souplesse résulte de l'épaisseur de la couche qui le contient, et s'agissant du silicium, cette couche est d'une épaisseur maximum de 50 micromètres. Par « concave », on entend ici un volume ménagé en creux. Par exemple, le circuit souple est constitué d'un circuit CMOS classique, aminci à une 30 épaisseur comprise entre 2 et 50 microns permettant d'obtenir sous pression atmosphérique une courbure du substrat aminci avec une flèche de 10 à 200um. La formation du ou des passages peut par ailleurs être réalisée une fois le circuit souple superposé sur la cavité, ou bien le circuit souple peut comporter des orifices permettant 35 l'accès au matériau remplissant la cavité. Selon des modes de réalisation particuliers de l'invention, le procédé comporte une ou plusieurs des caractéristiques suivantes. Le matériau remplissant la cavité est de la résine apte à être enlevée par un plasma d'oxygène. Le circuit souple est collé sur le substrat par collage moléculaire. Notamment : ^ le circuit souple est recouvert d'une couche d'oxyde de silicium; ^ le substrat est recouvert d'une couche d'oxyde de silicium une fois la cavité formée et remplie ; ^ le circuit souple est reporté sur le substrat, avec la couche d'oxyde de silicium du circuit souple déposée sur la couche d'oxyde de silicium du substrat ; et un chauffage des couches d'oxyde de silicium est réalisé. Le chauffage permet notamment de renforcer le collage moléculaire. Le au moins un passage est bouché en prenant soin de placer la cavité sous une première pression, et par exemple sous vide ou sous pression réduite, le différentiel de pression étant réalisé en soumettant ensuite l'ensemble à une seconde pression supérieure à la première pression. Selon un mode particulier de réalisation de l'invention, le circuit souple affaissé est solidarisé avec la cavité. Notamment, on recouvre le fond de la cavité d'un premier matériau, et la surface du matériau de remplissage de la cavité d'un second matériau, lesdits premier et second matériaux étant aptes à former un système eutectique. Une fois le matériau de remplissage de la cavité ôté, le circuit souple est solidarisé à la cavité en portant le composant à la température eutectique du système eutectique. Le composant microélectronique est un capteur d'image. L'invention s'applique toutefois à tout type de composant microélectronique que l'on souhaite courber. BREVE DESCRIPTION DES FIGURES L'invention sera mieux comprise à la lecture de la description qui suit, donnée uniquement à titre d'exemple, et réalisée en relation avec les dessins annexés, dans lesquels des références identiques désignent des éléments identiques ou fonctionnellement analogues, et dans lesquels : ^ les figures 1 et 2 sont des vues schématiques en section d'un imageur électronique à illumination par la face arrière lors de sa fabrication selon un procédé de l'état de la technique ; 35 ^ les figures 3 à 19 sont des vues en section d'un imageur électronique lors de différentes étapes de fabrication selon le procédé selon l'invention ; ^ les figures 20 et 21 sont respectivement des vues de dessus d'un substrat dans lequel sont formées plusieurs cavités et d'une galette comportant une pluralité de capteurs d'image pour une fabrication simultanée de plusieurs imageurs concaves ; et ^ les figures 22 à 24 sont des vues en section d'un substrat dit de poignée lors d'une variante de réalisation d'une cavité concave. DESCRIPTION DETAILLEE DE L'INVENTION Il va à présent être décrit un procédé de fabrication d'un imageur électronique à illumination par la face arrière (ou imageur « back sicle» selon l'expression anglo-saxonne), dont le capteur d'image est concave. 15 Le procédé débute (figures 3A et 3B) par la formation d'un substrat en silicium 12 épais sur lequel est déposé une couche en SiO2 14 d'une épaisseur comprise entre 0,05 et 1 micromètre. La couche 14 servira ultérieurement de couche d'arrêt lors de l'amincissement du substrat 12, comme cela sera expliqué plus en détail par la suite. 20 Un circuit de détection en silicium 16, d'une épaisseur de 2 à 5 micromètres, est formé sur la couche 14 et comporte des éléments unitaires de détection 18 (phototransistors ou photodiodes par exemple), ou « pixels », ainsi que des composants électroniques de traitement analogique et logique de l'imageur. Il constitue donc le circuit actif au sens de l'invention. 25 Sur le circuit 16 sont réalisées des interconnexions métalliques 22 pour la lecture et la polarisation des composants du circuit 16, ces interconnexions sont environnées de diélectrique tel que le SiO formant une couche 20, d'une épaisseur de 1,5 à 4 micromètres. . 30 Enfin, une couche d'oxyde de silicium SiO 24, d'une épaisseur comprise entre 1 et 5 micromètres, est déposée sur la couche de diélectrique 20 comprenant les interconnexions. La couche 24 est ensuite planarisée, par exemple au moyen d'un polissage mécano-chimique, afin de permettre un collage moléculaire ultérieur avec un 35 autre substrat, dit « substrat poignée », comme cela sera expliqué plus en détail par la suite.10 Par exemple, le circuit de détection 16 est un circuit rectangulaire, dont les dimensions sont comprises entre 1 et 5 millimètres, et qui comporte un réseau de pixels de 1 à 10 micromètres de côté pour un nombre total de pixels compris entre 300 000 et 12 000 000. On retiendra que le circuit de détection 16 et la couche de diélectrique 20 comprenant les interconnexions sont classiques et définissent les couches fonctionnelles du capteur d'image de l'imageur. On notera ici que tout type de capteurs et de technologies (CMOS, CCD) peut être ici réalisé, le choix de ceux-ci étant fonction de l'application visée. Par conséquent, le circuit de détection 16 et la couche de diélectrique 20 comprenant les interconnexions ne seront pas expliqués plus en détail par la suite. On notera simplement que l'épaisseur des éléments 16 et 20 rend ceux-ci souples. Le procédé comporte par ailleurs la formation d'un substrat en silicium dit « de poignée » 30 sur lequel est réalisé le dépôt d'une couche de résine 32 d'une épaisseur par exemple comprise entre 10 et 100 micromètres (figure 4). Une cavité concave 34 est alors formée dans la résine 32 à l'aide d'un moule convexe dont la forme est le « négatif » de la forme souhaitée pour le circuit de détection 16 (figure 5). L'épaisseur de la couche de résine 32 est choisie de telle manière que l'épaisseur résiduelle e de celle-ci une fois la cavité formée soit la plus fine possible, par exemple de l'ordre de 1 micromètre. Une gravure ionique est alors réalisée sur la couche de résine 32 avec une sélectivité résine/silicium sensiblement égale à 1. La forme de la cavité 34 imprimée dans la couche de résine 32 est ainsi transférée dans la couche de silicium 30 pour réaliser une cavité concave 36 dans la couche 30 (figure 6). Si la sélectivité de la gravure est égale à 1, la cavité 34 est exactement transférée dans la couche 30. En variante, la forme de la cavité 34 est transférée avec un facteur d'amplification en choisissant une sélectivité inférieure à 1 ou avec un facteur d'atténuation en choisissant une sélectivité supérieure à 1. Dans une telle variante où une sélectivité différente de 1 est choisie, la forme du moule formant la cavité 34 dans la couche de résine 32 et l'épaisseur de cette couche sont adaptées de manière à obtenir dans la couche de silicium 30 la forme finale souhaitée pour le circuit de détection 16. La résine résiduelle est alors retirée de la couche 30 et une oxydation thermique de la couche 30 est réalisée sur une épaisseur 38 comprise entre 50 nanomètres et 0,5 micromètre, par exemple dans un four d'oxydation. Une couche de métal 40, d'une épaisseur comprise entre 100 nanomètres et 1 micromètre, est ensuite déposée dans la cavité 36 (figure 7). Le métal est par exemple déposé sur toute la surface de la couche 38 puis le métal déposé hors de la cavité 36 est retiré de manière appropriée, par exemple au moyen d'un masquage suivi d'une attaque chimique sélective par rapport à l'oxyde de silicium 38 ou bien par polissage mécanochimique. Le métal de la couche 40 constitue l'un des composants d'un système eutectique qui permettra la soudure ultérieure de la couche 24 avec le fond d'une cavité concave, comme cela sera expliqué plus en détail par la suite. Les métaux formant le système eutectique sont choisis pour que la température de fusion de ce système soit inférieure à la température de fusion des matériaux fragiles de l'imageur, notamment le métal des interconnexions de la couche 20 ou encore le matériau de micro lentilles ultérieurement formées. Par exemple, le métal de la couche 40 est de l'étain destiné à être combiné avec de l'or pour former le système eutectique dont la température de fusion est inférieure à 240°C. Le procédé se poursuit alors (figure 8) par le dépôt d'une résine 42 de type polyimide de manière à remplir la cavité 36 suivi du retrait de la résine déposée hors de la cavité 36 afin de laisser libre la couche 38 d'oxyde de silicium sur la portion plane de la couche 30. L'ensemble est alors recuit à une température au moins égale à la température maximale que subira ledit ensemble dans la suite du procédé selon l'invention de manière à dégazer préventivement la résine 42 contenue dans la cavité 36. 25 Une couche de métal 26, d'une épaisseur comprise entre 100 nanomètres et 1 micromètre, est déposée sur la résine de remplissage 42 (figure 9). Le métal constitutif de la couche 26 est, pour le système eutectique considéré, le complémentaire du métal constitutif de la couche de métal 40. Par exemple, si la couche de métal 26 est réalisée en étain, la couche de métal 40 est constituée d'or. Le système eutectique or/étain obtenu présente une 30 température de fusion comprise entre 200°C et 240°C en fonction des proportions relatives de ces deux métaux. Une couche de diélectrique 37, par exemple en SiO, d'épaisseur comprise entre 0,1 et 2 micromètres est alors déposée à une température inférieure à la température de recuit 35 précédente pour réaliser le scellement de la cavité 36. L'ensemble formant le substrat poignée 30 est alors planarisé par exemple au moyen d'un polissage mécanochimique.20 L'ensemble comportant le circuit de détection 16 et l'ensemble formant le substrat poignée 30 sont alors reportés l'un sur l'autre de manière à mettre en correspondance les couches 24 et 37 d'oxyde de silicium (figures 10A et l0B). Un collage moléculaire à basse température de ces couches est alors réalisé pour solidariser les deux ensembles, puis ce collage est renforcé en chauffant le tout à une température inférieure à la température de recuit de la résine 42. Une seule couche 44 d'oxyde de silicium est ainsi obtenue. Le substrat 12 agencé sous le circuit de détection 16 est ensuite aminci (figure 11) de manière à pouvoir réaliser une détection de rayonnement électromagnétique par la face arrière 46 de l'imageur, la couche 14 en SiO2 servant de couche d'arrêt à l'amincissement du substrat 12. Dans le mode de réalisation présenté, le substrat 12 est entièrement retiré. Le circuit de détection 16 d'épaisseur comprise entre 1 et 5 micromètres réalise alors la capture des photons comme cela est connu en soi de l'état de la technique des imageurs à illumination par la face arrière. Une fois l'amincissement du substrat 12 réalisé, l'ensemble est alors retourné (figure 12). Le procédé se poursuit alors par la finalisation de l'imageur en fonction de l'application visée. Par exemple, si une détection dans le domaine visible est visée, le procédé se poursuit par le dépôt par photogravure de pastilles de résines colorées en rouge 48, en vert 50 et en bleu 52 en regard des pixels du circuit de détection 16, afin de définir un matriçage de détection RVB, comme cela est connu en soi du domaine de la détection en couleurs. Des microlentilles 54 en résine transparente sont ensuite réalisées sur les pastilles de résines 48, 50, 52 afin de focaliser le rayonnement électromagnétique sur les éléments de détection unitaire 18 (figure 3B) du circuit 16 (figure 13). Les microlentilles 54 sont alors durcies par un recuit réalisé à une température comprise entre 200°C et 240°C. Les microlentilles 54 sont alors protégées par le dépôt d'une résine non durcie 56 sur toute la surface 46 (figure 14), suivi du retrait de ladite résine hors de la zone des microlentilles 54, pour dégager des surfaces dans lesquelles des puits seront formés, comme expliqué ci-après. Un dépôt à basse température, inférieure à 150°C, d'un oxyde de silicium est ensuite réalisé pour protéger la résine déposée sur les microlentilles 54. On notera ici que c'est la nature pleine du substrat de poignée 30, la cavité 36 étant remplie, qui autorise l'utilisation des techniques classiques d'amincissement du substrat 12, de photolithographie des pastilles de résines 48, 50, 52 ou encore de réalisation des microlentilles 54. Une fois la partie détection et optique 57 de l'imageur finalisées, le procédé se poursuit par la courbure de cette partie 57. Plus particulièrement, des puits de vidage 58 sont formés par photogravure au travers de 10 la couche 14 du circuit 16, de la couche 20 et de la couche 44 pour atteindre la cavité 36, et plus particulièrement la résine 42 remplissant celle-ci. Les puits 58 sont formés en périphérie des pixels du circuit 16 et présentent un diamètre choisi pour un rebouchage ultérieur sans difficulté. Par exemple le diamètre des puits 58 est compris entre 400 nanomètres et 2 micromètres. 15 Une fois les puits 58 formés, une attaque sélective de la résine 42 est réalisée, notamment à l'aide d'un plasma d'oxygène amené jusqu'à ladite résine par les puits 58. Ce plasma d'oxygène est connu pour interagir avec les composés organiques tels que la résine ou le polyimide en créant des composés volatils qui s'échappent par les puits 58. La résine 42 20 remplissant la cavité 36 est alors entièrement retirée de celle-ci (figure 16). Une fois la cavité 36 vidée, celle-ci est à une pression identique à la pression extérieure grâce aux puits 58. Il n'existe donc à ce stade aucun différentiel de pression entre la cavité et l'environnement, quelle que soit la pression de ce dernier. Le procédé se poursuit alors par la mise sous vide de l'ensemble et du dépôt sous vide d'un oxyde de silicium 60 de manière à boucher les puits 58 (figures 17A et 17B). Une fois les puits 58 rebouchés, le vide auquel était soumis l'ensemble est cassé, par 30 exemple par une remise à la pression atmosphérique. Ceci provoque alors l'affaissement des couches agencées au dessus de la cavité 36 et leur conformation à la cavité 36, notamment celle du circuit de détection 16 (figures 18A et 18B), du fait du différentiel de pression entre le vide régnant au sein de la cavité 36 alors vidée de la résine 42, et la pression atmosphérique s'exerçant sur la surface 46. 25 35 Le procédé se poursuit alors par le retrait des protections déposées sur les micro lentilles 54 (couche de SiO2 et résine) à l'aide d'une photolithographie. La résine est retirée sélectivement des microlentilles 54 car ces dernières ont été recuites, et donc durcies, à une température d'au moins 200°C alors que la résine de protection a subi un recuit d'une température de 150°C. (figure 19). L'ensemble est alors porté à la température de fusion du système eutectique or/étain formé des couches 26 et 40, de sorte que la couche d'oxyde 24, et par suite toutes les couches formées au dessus de celle-ci, sont solidarisées avec le fond de la cavité. Il a été décrit la formation d'un capteur concave. Une pluralité de capteurs concaves peut cependant être réalisée simultanément. Par exemple, le substrat poignée comporte une pluralité de cavités, de préférence circulaires pour s'approcher au mieux de la forme concave sphérique recherchée pour les capteurs d'image, formées de la manière décrite précédemment, comme cela est illustré à la figure 20. De manière correspondante, plusieurs circuits de détection et leurs connexions associées peuvent être réalisés dans un même élément, comme cela est illustré à la figure 21. Les figures 22 à 24 illustrent une variante de fabrication de la cavité 36. Selon cette variante, un masque dur 70, d'une épaisseur comprise entre 100 nanomètres et 1 micromètre, est formé à la surface du substrat 30 (figure 22). La dureté du masque 70 est ici définie par rapport à un polissage ultérieur qui n'attaquera pas, ou peu, ledit masque. Une photogravure du masque 70 est ensuite réalisée à l'endroit où la cavité sera formée dans le substrat 30 (figure 23), puis un polissage mécanochimique est réalisé. Ce type de polissage produit naturellement une surface concave proche de la forme désirée pour la cavité lorsqu'il est appliqué sur une grande surface (figure 24). La présente invention vient d'être décrite dans le cadre de la fabrication d'un imageur muni d'un capteur concave. On comprendra évidemment que la présente invention trouve application à tout type de composants électroniques nécessitant d'avoir une surface concave. Par exemple, la cavité 36 est plane et inclinée d'un angle prédéterminé par rapport au plan du substrat poignée, de sorte qu'il est obtenu un circuit plan et incliné par rapport au substrat. Des micromiroirs inclinés par rapport à une surface de référence peuvent ainsi être obtenus. REVENDICATIONS1. Procédé pour la réalisation d'un composant microélectronique non plan, et notamment concave, consistant : ^ à superposer une couche intégrant un circuit actif souple (16, 20, 24) au-dessus d'une cavité (36) conformée selon le profil souhaité dudit composant, ladite cavité étant formée dans un substrat (30) ; et ^ à appliquer un différentiel de pression de part et d'autre de ladite couche induisant l'affaissement du circuit souple (16, 20, 24) dans la cavité (36), et donc sa conformation avec celle-ci ; caractérisé en ce que la superposition du circuit souple (16, 20, 24) et de la cavité (36) est réalisée : ^ par remplissage de la cavité (36) au moyen d'un matériau (42) apte à être sélectivement enlevé par rapport au substrat (30) et au circuit souple (16, 20, 24) ; ^ puis, par report ou formation du circuit souple (16, 20, 24) sur la cavité (36) ainsi remplie ; ^ puis, par formation d'au moins un passage (58) d'accès à la cavité remplie ; et ^ par attaque sélective du matériau (42) remplissant la cavité (36) via le au moins un passage (58) afin d'ôter ledit matériau. 2. Procédé pour la réalisation d'un composant microélectronique non plan selon la revendication 1, caractérisé en ce que le matériau (42) remplissant la cavité (36) est de la résine apte à être enlevée par un plasma oxygène. 3. Procédé pour la réalisation d'un composant microélectronique non plan selon l'une des revendications 1 et 2, caractérisé en ce que le circuit souple (16, 20, 24) est collé sur le substrat (30) par collage moléculaire. 4. Procédé pour la réalisation d'un composant microélectronique non plan selon la revendication 3, caractérisé : ^ en ce que le circuit souple (16, 20, 24) est recouvert d'une couche d'oxyde de silicium (24) ; ^ en ce que le substrat (30) est recouvert d'une couche d'oxyde de silicium (37) une fois la cavité (36) formée et remplie; ^ en ce que le circuit souple (16, 20, 24) est reporté sur le substrat (30), avec la couche d'oxyde de silicium (24) du circuit souple (16, 20, 24) déposée sur la couche d'oxyde de silicium (37) du substrat (30) ; ^ et en ce qu'un chauffage des couches d'oxyde de silicium (24, 37) est réalisé. 5. Procédé pour la réalisation d'un composant microélectronique non plan selon l'une des revendications 1 à 3, caractérisé en ce que le au moins un passage (58) est bouché après placement de la cavité vidée du matériau (42) sous une première pression, le différentiel de pression étant réalisé en portant ensuite l'ensemble à une seconde pression supérieure à la première pression. 6. Procédé pour la réalisation d'un composant microélectronique non plan selon l'une quelconque des revendications précédentes, caractérisé en ce que le circuit souple affaissé (16, 20, 24) est solidarisé avec la cavité (36). 7. Procédé pour la réalisation d'un composant microélectronique non plan selon la revendication 6, caractérisé : ^ en ce que le fond de la cavité (36) est recouvert d'un premier matériau ; ^ en ce que la surface du matériau de remplissage (42) de la cavité est recouverte d'un second matériau, le premier et le second matériau étant apte à former un système eutectique ; ^ et en ce qu'une fois le matériau (42) remplissant de la cavité (36) a été ôté, le circuit souple (16, 20, 24) est solidarisé à la cavité (36) en portant le composant à la température de fusion eutectique du système eutectique. 8. Procédé pour la réalisation d'un composant microélectronique non plan selon l'une quelconque des revendications précédentes, caractérisé en ce que le composant micro électronique est un capteur d'image.