FR 2955700 A1 20110729 FR 1050565 A 20100128 B9842 - 09-GR3-187 1 PHOTODIODE DE CAPTEUR D'IMAGE Domaine de l'invention La présente invention concerne un capteur d'image et un procédé de formation d'un capteur d'image, et en particulier un capteur d'image comprenant un réseau de pixels. Arrière-plan de l'invention Des capteurs d'image monolithiques comprennent des photodiodes et des transistors formés dans un substrat de silicium. Plus particulièrement, de tels capteurs d'image comprennent un réseau de pixels dont chacun comprend une photo- diode pincée couplée à un noeud de lecture par un transistor de transfert. La charge accumulée par la photodiode pendant une durée d'intégration peut être transférée au noeud de lecture par le transistor de transfert. La lecture de la tension stockée sur le noeud de lec- ture est réalisée en utilisant un circuit de lecture, comprenant généralement un transistor à source suiveuse dont la grille est couplée au noeud de lecture. En outre, un transistor de remise à zéro est également couplé à la source, permettant à la tension sur la source d'être remise à zéro après chaque lecture. Pour réduire le nombre de composants, le circuit de lecture est souvent partagé par une ou plusieurs photodiodes. B9842 - 09-GR3-187 2 La sensibilité et donc la qualité du capteur d'image sont dans une certaine mesure déterminées par la capacité de stockage de charge de chaque photodiode du capteur d'image. En particulier, si la photodiode se sature pendant une durée d'intégration et ne peut plus stocker davantage de charge, il en résulte une réduction de la qualité d'image. Résumé de l'invention Des modes de réalisation de la présente invention visent à traiter au moins partiellement un ou plusieurs des 10 problèmes de l'art antérieur. Selon un aspect de la présente invention, il est prévu un capteur d'image comprenant une pluralité de pixels dont chacun comprend : une région de recueil de charge comprenant une région de type N délimitée par des régions de type P et 15 surmontée d'une couche de type P ; et une électrode de grille isolée disposée au-dessus de ladite couche de type P et agencée pour recevoir une tension de grille pour transporter des charges stockées dans la région de recueil de charge à travers la couche de type P. 20 Selon un mode de réalisation, d'au moins un côté, une des régions de type P est une région de type P fortement dopée entre la région de recueil de charge et une tranchée d'isolement. Selon un mode de réalisation, la région de recueil de 25 charge est délimitée sur au moins un côté par une région de substrat de type P, et dans lequel la couche de type P a une concentration de dopage plus faible que le substrat de type P. Selon un mode de réalisation, une région de lecture est disposée à côté de l'électrode de grille isolée, et ladite 30 tension de grille transporte des charges à travers la couche de type P vers la région de lecture. Selon un mode de réalisation, le noeud de lecture recouvre partiellement la région de recueil de charge. Selon un mode de réalisation, la région de recueil de 35 charge a une profondeur comprise entre 0,5 et 2 }gym. B9842 - 09-GR3-187 3 Selon un mode de réalisation, la région de recueil de charge a une largeur comprise entre 0,05 et 0,4 pm. Selon un mode de réalisation, la région de type N de la région de recueil de charge a une concentration de dopage dans la plage de 1015 à 1017 at./cm3. Selon un mode de réalisation, la couche de type P a une concentration de dopage comprise entre 1016 et 1018 at./cm3. Selon un mode de réalisation, la couche de type P a une épaisseur comprise entre 20 et 150 nm. Selon un mode de réalisation, chaque pixel comprend en outre un transistor à source suiveuse formé dans une région de pixel délimitée par des tranchées d'isolement, le transistor à source suiveuse étant isolé d'au moins un côté par isolement à tranchée peu profonde. Selon un aspect de la présente invention, il est prévu un dispositif électronique comprenant le capteur d'image ci-dessus. Selon un aspect de la présente invention, il est prévu un téléphone mobile comprenant le capteur d'image ci-dessus. Selon un aspect de la présente invention, il est prévu un procédé de fabrication d'un capteur d'image comprenant la formation de chaque pixel du capteur d'image en : délimitant une région de type N d'une région de recueil de charge par des régions de type P, la région de recueil de charge étant surmontée par et une couche de type P ; et formant, au-dessus la couche de type P, une électrode de grille isolée agencée pour recevoir une tension de grille pour transporter des charges à travers la couche de type P. Selon un mode de réalisation, le procédé comprend en 30 outre la formation d'un noeud de lecture dans le substrat de type P de façon adjacente à l'électrode de grille. Brève description des dessins Ces objets, caractéristiques et avantages, ainsi que d'autres seront exposés en détail dans la description suivante B9842 - 09-GR3-187 4 de modes de réalisation particuliers faite à titre non-limitatif en relation avec les figures jointes parmi lesquelles : la figure 1 est une vue en coupe représentant un exemple d'un pixel d'un capteur d'image ; la figure 2 est une vue en coupe représentant un pixel d'un capteur d'image selon un mode de réalisation de la présente invention ; la figure 3 est un graphique illustrant des concentrations de dopants pour former une photodiode du pixel de la figure 2 selon un mode de réalisation de la présente invention ; la figure 4 représente schématiquement un exemple de circuit de pixel ; et la figure 5 représente un dispositif de capture d'image électronique selon des modes de réalisation de la 15 présente invention. Dans les figures, de mêmes éléments sont désignés par de mêmes références. En outre, des références directionnelles dans la présente description telles que en surplomb, recouvrant, latérales, au-dessus, en dessous, etc. s'appliquent à des 20 circuits orientés de la façon illustrée dans les vues en coupe correspondantes. Description détaillée La figure 1 est une vue en coupe illustrant un pixel 100 d'un capteur d'image. Comme cela est représenté, dans un 25 substrat de silicium de type P 102, une région de pixel est délimitée des deux côtés par des tranchées d'isolement 104, 106. Une photodiode est formée près de la surface du substrat de type P 102 et comprend une région de type N légèrement dopée 108 entourée d'une région de type P fortement dopée 110, de tous 30 côtés sauf d'un côté latéral 112. Des charges résultant de la lumière frappant la région de pixel du pixel 100 sont accumulées dans la région 108 pendant une phase d'intégration du capteur d'image. Ces charges sont ensuite transférées pendant une phase de transfert de la région 108 vers un noeud de lecture 114 par 35 un transistor de transfert comprenant un empilement de grille B9842 - 09-GR3-187 formé à la surface du substrat de type P 102 entre la région de type P fortement dopée 110 et le noeud de lecture 114. Lors d'un transfert, des charges quittent la région 108 par le côté 112 vers le noeud de lecture 114 en passant par un canal produit en 5 appliquant une tension de transfert à l'électrode de grille 116 du transistor de transfert. Comme cela a été expliqué ci-dessus, il serait souhaitable d'augmenter le volume de la région de type N 108 pour que plus de charges puissent être stockées. Toutefois, la largeur de la région de type N 108 est limitée par la largeur du pixel et ne peut donc être augmentée sans augmenter la largeur du pixel, d'où il résulterait une augmentation de la dimension totale du capteur d'image. D'autre part, il est difficile d'augmenter l'épaisseur de la région de type N 108 dans l'agencement de la figure 1 car ceci conduirait à une plus grande distance entre des parties de la région de type N 108 et l'électrode de grille 116 du transistor de transfert, ce qui conduirait à un transfert de charge inadéquat pendant la phase de transfert. La figure 2 est une vue en coupe illustrant un pixel 200 formé dans un substrat de type P 202 et délimité des deux côtés par des isolements à tranchées profondes (DTI) 204, 206. La photodiode du pixel 200 est constituée d'une région de type N faiblement dopée (N-) 208 dans le substrat de type P 202. Dans ce mode de réalisation, la région 208 a une largeur légèrement inférieure à la largeur de la région de type N 108 de la figure 1 mais une beaucoup plus grande épaisseur. En particulier, alors que l'épaisseur de la région de type N 108 est par exemple voisine de 0,2 }gym et sa largeur voisine de 0,4 }gym, l'épaisseur de la région 208 est par exemple d'environ 1,2 }gym et sa largeur d'environ 0,2 }gym, et ceci implique donc une augmentation d'ensemble du volume de 50 pourcent. Dans des variantes de réalisation, la région 208 peut avoir une largeur dans la plage de 0,05 à 0,4 }gym et une profondeur dans la plage de 0,5 à 2 }gym. B9842 - 09-GR3-187 6 Une région de type P fortement dopée (P+) 210 forme une barrière disposée entre la région de type N 208 et la tranchée profonde 204. Dans cet exemple, le noeud de lecture 214, constitué par exemple d'une région de type N fortement dopée, est disposé d'un côté en projection de la région de type N 208, mais peut déborder partiellement au-dessus de cette région 208. Le transfert de charge de la région de type N 208 au noeud de lecture 214 est possible en raison d'une structure différente du transistor de transfert dans le pixel 200 par rapport au cas du pixel 100. En particulier, l'empilement de grille du transistor de transfert est formé directement au-dessus de la région de type N 208. En figure 2, par souci de clarté, seule l'électrode isolée de grille 216 de l'empilement de grille du transistor de transfert est représentée et non pas l'isolant de grille, les espaceurs, etc.. La région de type N 208 est par exemple espacée de la surface du substrat de type P d'une distance d'environ 100 nm, ce qui laisse une couche 218 de silicium de type P ayant la même concentration de dopage que le substrat de type P 202 ou une concentration légèrement inférieure, par exemple entre 1016 et 1018 at./cm3, à travers laquelle des charges sont transférées vers le noeud de lecture 214 pendant la phase de transfert. Ainsi, pendant le transfert de la région de type N 208 au noeud de lecture 214, des charges sont attirées dans la région de canal 218 par une tension positive appliquée à l'électrode de grille 216, comprise par exemple entre 1 et 3 V, et, une fois dans la couche de type P 218, les charges sont attirées vers la région de source formée par le noeud de lecture 214. De plus, la région de type P 210 aide à empêcher la génération du courant d'obscurité et à assurer le vidage des charges en les repoussant quand une tension de transfert est appliquée à l'électrode de grille 216. Dans des variantes de réalisation, une telle barrière n'est pas utilisée, par exemple s'il y a un plus grand écart entre la région de type N 208 et le B9842 - 09-GR3-187 7 bord du pixel 100 ou si la tranchée 204 est active, ce qui signifie qu'elle contient un corps conducteur auquel peut être appliqué une tension qui aide à la fois à empêcher la génération du courant d'obscurité à l'interface oxyde/silicium de la tranchée DTI 204, et à assurer le vidage des charges quand la tension de transfert est appliquée. Dans des variantes de réalisation, l'épaisseur de la couche de type P 218 séparant la région de type N 208 de la couche d'isolement du transistor de transfert pourrait être comprise entre 20 et 150 nm. Dans ce mode de réalisation, un transistor 220 formant un transistor à source suiveuse pour lire la tension sur le noeud de lecture 214 est également disposé dans la région de pixel du pixel 200. Ce transistor 220 est isolé du reste du pixel par un isolement à tranchée peu profonde (STI) 222 et est disposé entre l'isolement à tranchée peu profonde 222 et l'isolement à tranchée profonde 206. L'électrode de grille 224 du transistor 220 est couplée au noeud de lecture 214. La source et le drain du transistor 220 (non représentés en figure 2) sont par exemple formés de part et d'autre de l'empilement de grille entre l'isolement à tranchée peu profonde 222 et l'isolement à tranchée profonde 206. Pendant la phase d'intégration, la lumière tombant sur la région de pixel délimitée par les isolements à tranchée profonde 204, 206 fournit une accumulation de charges dans la région 208. Le capteur d'image est par exemple éclairé par la face arrière. En d'autres termes, il est disposé de sorte que la lumière tombe sur la face du dispositif opposée à celle sur laquelle le transistor de transfert est formé. Ainsi, la profon- deur supplémentaire de la région de type N 208 facilite l'accumulation des charges résultant de la lumière arrivant de la face arrière. La figure 3 est un graphique illustrant à titre d'exemple les concentrations de dopage de type P et de type N en travers de la photodiode, par exemple à la profondeur d'un trait B9842 - 09-GR3-187 8 en pointillés 226 dans le substrat de la figure 2. Une implantation profonde à haute énergie peut être utilisée pour obtenir des concentrations de dopants satisfaisantes sur une profondeur de 1,2 }gym ou plus. Les exemples de concentration de dopage selon l'axe y en atomes par cm3 sont approchés et l'axe y utilise une échelle logarithmique. Les valeurs s de distance sont représentées sur l'axe x et correspondent par exemple à la distance en allant de la gauche vers la droite à partir de l'isolement à tranchée profonde 204 de la figure 2. Le dopage de type P utilisé pour former la région de type P fortement dopée 210 résulte par exemple des concentra- tions de dopage illustrées par la courbe 302, présentant une concentration de dopage maximum de 1019 at./cm3 ou plus et chutant à une concentration très faible inférieure à 1014 at./cm3 en se déplaçant dans la région de type N 208. Le dopage de type P utilisé pour former le substrat de type P résulte par exemple des concentrations de dopage illustrées par la courbe 304 ayant un maximum d'environ 1018 at./cm3 et chutant à une concentration inférieure à 1014 at./cm3 quand on se déplace dans la région de type N 208. Le dopage de la région de type N est illustré par la courbe en pointillés 306 et atteint par exemple un maximum de 1017 at./cm3 près du centre de la région 208 et chute à des valeurs inférieures à 1014 at./cm3 quand on se déplace vers les régions de type P 210 et 202 de chaque côté. Les points de croisement des courbes 302, 304 avec la courbe 306, désignés respectivement par les références 308 et 310 en figure 3, correspondent par exemple à des concentrations de dopage dans la plage de 1016 à 1017 at./cm3 et c'est la distance entre ces points qui détermine la largeur de la région de type N, égale dans cet exemple à environ 0,2 }gym. Ainsi, la région de type N 208 est pincée entre les région de type P, permettant d'obtenir une région de type N relativement étroite et profonde et autorisant l'évacuation des charges de cette région de la photodiode par une région centrale au niveau de B9842 - 09-GR3-187 9 dopage le plus élevé grâce à un contrôle latéral de l'anode de type N constituée de la région 208 par les cathodes constituées par des régions 210 et 202. Ainsi, ceci favorise un transfert de charge à partir du haut de la région 208. La figure 4 représente un exemple de circuit de pixel 400 d'un capteur d'image comprenant un circuit de pixel de type 2T. Dans cet exemple, les photodiodes 402, 404 des deux régions de pixels sont couplées à un noeud de lecture commun 214 par l'intermédiaire de transistors de transfert respectifs 406, 408 qui reçoivent des tensions de transfert correspondantes TGO et TG1. Chacune des photodiodes 402, 404 a par exemple la structure décrite ci-dessus en relation avec la figure 2. Le circuit de lecture du circuit de pixel 400 comprend un transistor à source suiveuse 220 ayant sa grille couplée au noeud de lecture 214 et sa source couplée à une ligne de sortie 410. Un transistor de remise à zéro 412 est couplé entre le noeud de lecture 214 et une tension de remise à zéro VRST, et reçoit sur sa grille un signal de remise à zéro permettant de réinitialiser à la tension VRST le noeud de lecture 214. La figure 5 représente un dispositif électronique 500, comprenant un microprocesseur 502 et un capteur d'image 504 comprenant par exemple un réseau de pixels tel que décrit ici et associé à un circuit de commande 506 qui produit des signaux pour commander les circuits de pixel du capteur d'image, tel que des tensions de transfert pour application à la grille du transistor de transfert, des tensions de lecture et/ou des signaux de remise à zéro du noeud de lecture. Le circuit de lecture 508 est également couplé au capteur d'image, comprenant par exemple des commutateurs et des condensateurs pour échantil- lonner et mémoriser des valeurs de tension vues à partir des lignes de lecture de colonne du capteur d'image 504. Une mémoire 510 mémorise des images captées par le capteur d'image et un affichage 512 affiche les images captées. Le dispositif électronique 500 est par exemple un 35 appareil photographique et/ou une caméra numérique, un disposi- B9842 - 09-GR3-187 10 tif portable ou une console de jeu portable ayant des capacités de capture d'image, une caméra d'ordinateur, un calculateur portable ou autre dispositif de capture d'image numérique comprenant un capteur d'image adapté à capter des images fixes ou mobiles. Un avantage des modes de réalisation décrits ici est que la dimension de la région N 208 de la photodiode peut être agrandie sans réduire l'efficacité du transfert de charge vers le noeud de lecture 214. Alors que plusieurs modes de réalisation particuliers ont été décrits, il sera clair pour l'homme de l'art que diverses modifications et variantes peuvent être utilisées. Par exemple, dans certains modes de réalisation, les isolements par tranchées profondes 204, 206 qui délimitent les pixels peuvent être remplacés par des isolements par tranchées peu profondes. Dans certains modes de réalisation, le transistor à source suiveuse 220 n'est pas formé dans la région de pixel mais au voisinage des pixels, en même temps que d'autres transistors tels que les transistors de remise à zéro et de lecture des circuits de pixel. En outre, bien que le noeud de lecture 214 ait été décrit comme recouvrant partiellement la région de type N 208, dans certains modes de réalisation, il pourrait ne pas recouvrir la région de type N 208. En tout cas, une couche appropriée de type P 218 est réalisée entre le noeud de lecture 214 et la région 208. Bien qu'un exemple d'un circuit de pixel soit représenté en figure 4, il sera clair pour l'homme de l'art que la structure de la photodiode décrite ci-dessus peut être utilisée dans divers circuits de pixel. Il sera clair pour l'homme de l'art que les caractéristiques décrites en relation avec les divers modes de réalisation peuvent être combinées de diverses manières. REVENDICATIONS1. Capteur d'image comprenant une pluralité de pixels dont chacun comprend : une région de recueil de charge (208) comprenant une région de type N (208) délimitée par des régions de type P (202, 210) et surmontée d'une couche (218) de type P ; et une électrode de grille isolée (216) disposée au-dessus de ladite couche de type P et agencée pour recevoir une tension de grille pour transporter des charges stockées dans la région de recueil de charge à travers la couche de type P. 2. Capteur d'image selon la revendication 1, dans lequel, d'au moins un côté, une des régions de type P est une région de type P fortement dopée entre la région de recueil de charge et une tranchée d'isolement (204). 3. Capteur d'image selon la revendication 1 ou 2, dans lequel la région de recueil de charge (208) est délimitée sur au moins un côté par une région de substrat de type P (202), et dans lequel la couche de type P (218) a une concentration de dopage plus faible que le substrat de type P. 4. Capteur d'image selon l'une quelconque des revendi- cations 1 à 3, dans lequel une région de lecture (214) est disposée à côté de l'électrode de grille isolée, et dans lequel ladite tension de grille transporte des charges à travers la couche de type P vers la région de lecture. 5. Capteur d'image selon la revendication 4, dans 25 lequel le noeud de lecture (214) recouvre partiellement la région de recueil de charge (208). 6. Capteur d'image selon l'une quelconque des revendications 1 à 5, dans lequel la région de recueil de charge (208) a une profondeur comprise entre 0,5 et 2 }gym. 30 7. Capteur d'image selon l'une quelconque des revendications 1 à 6, dans lequel la région de recueil de charge (208) a une largeur comprise entre 0,05 et 0,4 }gym. 8. Capteur d'image selon l'une quelconque des revendications 1 à 7, dans lequel la région de type N de la région deB9842 - 09-GR3-187 12 recueil de charge (208) a une concentration de dopage dans la plage de 1015 à 1017 at./cm3. 9. Capteur d'image selon l'une quelconque des revendications 1 à 8, dans lequel la couche de type P (218) a une concentration de dopage comprise entre 1016 et 1018 at./cm3. 10. Capteur d'image selon l'une quelconque des revendications 1 à 9, dans lequel la couche de type P (218) a une épaisseur comprise entre 20 et 150 nm. 11. Capteur d'image selon l'une quelconque des revendi- cations 1 à 10, dans lequel chaque pixel comprend en outre un transistor à source suiveuse (220) formé dans une région de pixel délimitée par des tranchées d'isolement (204, 206), le transistor à source suiveuse étant isolé d'au moins un côté par isolement à tranchée peu profonde (222). 12. Dispositif électronique comprenant le capteur d'image selon l'une quelconque des revendications 1 à 11. 13. Téléphone mobile comprenant le capteur d'image selon l'une quelconque des revendications 1 à 11. 14. Procédé de fabrication d'un capteur d'image comprenant la formation de chaque pixel du capteur d'image en : délimitant une région de type N d'une région de recueil de charge (208) par des régions de type P (202, 210), la région de recueil de charge étant surmontée par et une couche (218) de type P ; et formant, au-dessus la couche de type P (218), une électrode de grille isolée (216) agencée pour recevoir une tension de grille pour transporter des charges à travers la couche de type P. 15. Procédé selon la revendication 14, comprenant en 30 outre la formation d'un noeud de lecture (214) dans le substrat de type P de façon adjacente à l'électrode de grille (216).