FR 2953607 A1 20110610 FR 0905965 A 20091209 Dispositif de couplage d'une onde électromagnétique entre un guide d'onde et un guide métallique à fente, procédé de fabrication dudit dispositif Domaine technique de l'invention L'invention est relative à un dispositif de couplage d'une onde 10 électromagnétique comportant : un guide d'onde, un guide métallique à fente. 15 État de la technique La taille des composants électroniques est en constante diminution, permettant l'augmentation de la densité d'intégration de ces composants sur une même puce. 20 Dans le domaine de l'optoélectronique, il a été nécessaire de diminuer en conséquence la taille des guides d'onde pour accéder optiquement à ces composants avec une bonne efficacité. Sans précautions particulières, l'efficacité de couplage est sensiblement égale au rapport entre la surface du 25 mode optique véhiculé par le guide d'onde et la surface caractéristique du dispositif à adresser. La miniaturisation des circuits optiques a déjà conduit à une miniaturisation des guides optiques planaires, dont la section peut descendre jusqu'à des so dimensions de l'ordre de 200nm par 400nm. Cependant, ces diminutions ne5 sont pas suffisantes lorsque l'on cherche à accéder, par exemple, à un nanofil de 50nm. Le document « Theorical investigation of compact couplers between dielectric slab waveguides and two-dimensional metal-dielectric-metal plasmonic waveguides » publié dans « Optic Express » Vol. 15, No. 3 du 5 février 2007 décrit un dispositif de couplage d'une onde électromagnétique. Un tel dispositif, illustré aux figures 1, 2 et 3, utilise un guide en silicium en deux éléments 1 a, 1 b et un guide en argent 2 de type métal-diélectriquemétal interposé entre les deux éléments la, 1 b. Les éléments la, 1 b et le guide en argent 2 sont disposés bout-à-bout. Le guide de type métaldiélectrique-métal 2 est constitué par deux éléments 3a, 3b en argent séparés par une fente 4 comblée de diélectrique. La fente 4 ainsi délimitée est sensiblement coaxiale avec l'axe central des éléments formant le guide 15 en silicium 1 a, 1 b, où l'amplitude du champ électromagnétique généré par l'onde est maximum. Un tel dispositif est complexe à fabriquer car il nécessite un ajustement parfait des différents éléments mis bout-à-bout. Cette structure forme un dispositif résonnant dont le taux de transmission est très sensible à la longueur d'onde incidente. De plus, un tel dispositif induit 20 un problème de réflexion, en effet, une partie de l'onde incidente se déplace dans le guide silicium 1 a et est transmise dans le guide en argent 2 mais une autre est réfléchie. Ainsi, un tel couplage n'est pas satisfaisant car il induit une baisse significative de l'efficacité du couplage de l'onde électromagnétique. 25 Objet de l'invention Un objet de l'invention vise à réaliser un couplage compact et efficace entre 30 un guide d'onde et un guide métallique à fente. On tend vers cet objectif par le fait que le guide métallique à fente est formé par deux éléments métalliques coplanaires et espacés l'un de l'autre de sorte à délimiter la fente, et en ce que le guide métallique à fente est disposé dans un plan décalé par rapport au plan du guide d'onde et recouvre partiellement ledit guide d'onde. Selon un développement, le guide d'onde et le guide métallique à fente sont séparés par un intervalle. Selon un perfectionnement, le guide d'onde et le guide métallique à fente ont des indices effectifs dont le rapport est compris entre 0,8 et 1,2. Selon un autre perfectionnement, la longueur de recouvrement partiel du guide d'onde par le guide métallique à fente est un multiple impair d'une longueur de couplage effectif entre les deux guides. Selon un mode de réalisation, le guide d'onde étant formé par deux éléments, ledit guide métallique à fente est disposé de manière à recouvrir partiellement deux portions proximales desdits éléments. L'invention est aussi relative à un procédé de fabrication d'un dispositif de couplage caractérisé en ce qu'il comporte sur un substrat les étapes successives suivantes : former un guide d'onde, former un guide métallique à fente dans un plan décalé par rapport au plan du guide d'onde de sorte que la fente soit délimitée par deux éléments métalliques coplanaires et que le guide métallique à fente recouvre partiellement le guide d'onde. 25 Selon un développement, le guide d'onde est encapsulé ou recouvert en partie par un matériau diélectrique dont l'indice de réfraction est compris entre 1 et 2,5, avant la formation du guide à fente. Selon un mode de réalisation, le substrat étant un substrat muni d'une couche de silicium sur isolant, le guide d'onde est un guide en silicium délimité par la gravure de la couche en silicium jusqu'à la couche d'isolant. Selon un développement, la formation du guide métallique à fente est réalisée par les étapes successives suivantes : graver deux cavités dans le matériau diélectrique encapsulant ou recouvrant en partie le guide d'onde, remplir les deux cavités par du métal. Description sommaire des dessins D'autres avantages et caractéristiques ressortiront plus clairement de la description qui va suivre de modes particuliers de réalisation de l'invention donnés à titre d'exemples non limitatifs et représentés aux dessins annexés, dans lesquels : La figure 1 illustre un dispositif de couplage selon l'art antérieur. La figure 2 illustre le dispositif de couplage de la figure 1 selon une coupe A- A. La figure 3 illustre le dispositif de couplage de la figure 1 selon une coupe C- C. La figure 4 illustre respectivement la propagation d'une composante TM et TE d'une onde électromagnétique dans un guide d'onde. La figure 5 illustre une vue de dessus d'un mode de réalisation selon l'invention. La figure 6 illustre une vue en coupe selon A-A de la figure 5. La figure 7 illustre un autre mode de réalisation d'un dispositif selon l'invention. La figure 8 illustre des courbes représentatives de l'évolution de l'indice effectif en fonction de la largeur d'un guide d'onde en silicium. La figure 9 illustre un autre mode de réalisation de l'invention. La figure 10 illustre une vue de côté du dispositif de la figure 9. La figure 11 illustre un autre mode de réalisation de l'invention. Les figures 12 à 16 illustrent un procédé de fabrication d'un dispositif selon l'invention. Description de modes préférentiels de réalisation Comme illustré à la figure 4, lorsqu'une onde électromagnétique aussi appelée dans ce domaine onde optique (pour une gamme de longueur d'onde comprise du visible au proche et moyen infrarouge) se propage selon un axe longitudinal du guide d'onde 1 comme indiqué par le vecteur d'onde k, cette onde se décompose en deux états de polarisation. Un premier état forme une composante transverse électrique (TE « Transverse Electric » en anglais) et un second état forme une composante transverse magnétique (TM pour « Transverse Magnetic » en anglais). La composante TM comporte un champ électrique E perpendiculaire au plan du guide et un champ magnétique H parallèle au plan du guide. La composante TE comporte quant à elle un champ magnétique H perpendiculaire au plan du guide et un champ électrique E parallèle au plan du guide. Comme illustré aux figures 5 et 6, le dispositif de couplage d'une onde électromagnétique comporte un guide d'onde 1, par exemple formé par un guide en silicium, pouvant se présenter sous la forme d'un ruban. Un tel guide d'onde peut être un matériau de type III ou IV ou un alliage de ces types de matériaux tels que InP, GaS, InGaS. Avantageusement, le guide d'onde 1 est transparent à l'onde considérée. De manière générale, le guide d'onde 1 peut être un guide plan partiellement gravé (guide arrête) et/ou localement structuré pour contenir, par exemple des réseaux pour le couplage du guide d'onde 1 à une fibre optique. Le dispositif de couplage comporte en outre un guide métallique à fente 2, de préférence formé par deux éléments métalliques 3a, 3b coplanaires et espacés l'un de l'autre de manière à former ladite fente 4. À titre d'exemple, les éléments métalliques 3a, 3b peuvent être formés en argent ou en cuivre. Le guide métallique à fente 2 est disposé dans un plan P2 décalé par rapport au plan P1 du guide d'onde 1 et recouvre partiellement ledit guide d'onde 1 (figure 6). Ce recouvrement permet l'interaction des champs évanescents des deux guides pour réaliser le couplage. De préférence, les deux guides 1, 2 sont maintenus à distance l'un de l'autre par un diélectrique permettant de limiter la réflexion, la diffusion ou l'absorption de l'onde. Autrement dit, le guide d'onde 1 et le guide métallique à fente 2 peuvent être séparés par un intervalle D. Lorsqu'une onde électromagnétique se propage dans un guide, une partie de cette onde pénètre dans le milieu environnant, générant ainsi un champ dit évanescent. Cette longueur de pénétration est proportionnelle au rapport d'indices de réfraction du guide et de son milieu environnant. Grâce au couplage d'un guide d'onde 1 avec un guide métallique à fente 2 tel que décrit, le champ évanescent du guide d'onde peut être progressivement accumulé par le guide métallique à fente 2 quand les deux guides sont proches l'un de l'autre. Ce processus est également réciproque. Dans un mode de réalisation illustré aux figures 5 et 6, le guide d'onde 1 est constitué par un seul élément formant un ruban, de préférence en silicium. Le guide à fente 2 métallique, par exemple en argent, est formé par deux éléments métalliques 3a, 3b, coplanaires, et espacés l'un de l'autre de manière à délimiter ladite fente 4. La fente 4 est, de préférence, orientée selon un axe longitudinal Al du guide d'onde 1. De préférence, la fente 4 est centrée de sorte qu'elle soit comprise dans un plan perpendiculaire au plan du guide d'onde 1 et passant par son centre, l'intersection des deux plans forme alors l'axe longitudinal Al du guide d'onde 1. La vue de la figure 5 étant une vue de dessus du dispositif de couplage, le guide métallique à fente 2 est disposé au dessus du guide d'onde 1 de sorte que le guide métallique à fente 2 recouvre partiellement le guide d'onde 1. Le mode de réalisation des figures 5 et 6 et n'est pas limitatif, ainsi de manière générale, io le guide métallique à fente 2 et le guide d'onde 1 peuvent être sensiblement désorientés et décentrés. Selon une variante de réalisation illustrée à la figure 7, le guide d'onde 1 est constitué de deux éléments 1 a et lb qui ne sont pas réalisés sur un même 15 axe, le guide métallique à fente 2 est alors courbé pour relier les deux éléments 1 a et 1 b. Sur la figure 7, les deux éléments la et 1 b sont espacés l'un de l'autre et leurs axes longitudinaux sont perpendiculaires. Selon un mode particulier de réalisation le champ électromagnétique dans le 20 guide à fente étant transverse, seuls les modes propres du guide d'onde 1 polarisés TE sont couplés, c'est-à-dire que seule la composante TE se propage dans le guide à fente 2 tandis que la composante TM reste cantonnée au guide d'onde 1. Ainsi, le dispositif de couplage est aussi appelé coupleur co-directionnel. 25 Dans l'exemple de réalisation à base de guide d'onde 1 en silicium et de guide métallique à fente 2 en argent, le couplage est réalisé entre les modes fondamentaux (de plus haut indice effectif) TE des deux guides, ce mode couplé au guide métallique à fente 2 permet un confinement du couplage 30 dans la fente dudit guide à fente 2. La densité de puissance obtenue dans le guide à fente 2 est alors exacerbée de l'ordre de 100. L'utilisation des champs évanescents permet d'augmenter l'efficacité du couplage par rapport au couplage bout-à-bout de l'art antérieur. Le mécanisme de couplage entre le guide d'onde 1 et le guide métallique à fente 2 peut être illustré à l'aide d'équations obtenues dans une approche perturbative des équations de Maxwell, pour un système simplifié où les deux guides sont identiques. Ces équations seront suffisantes pour traduire la propagation de l'onde dans un système couplé et les paramètres qui influencent ce couplage. Une description approfondie est effectuée par A.Yariv dans « coupled mode theory for guided wave optics », IEEEJ. Quant. Elec. 9, 919, 1973. Le guide d'onde 1 et le guide métallique à fente 2 peuvent être mono-mode ou multi-modes en fonction de la largeur et/ou de la hauteur du guide d'onde 1 et de la largeur et/ou de l'épaisseur (ou hauteur) des éléments métalliques 3a, 3b du guide métallique à fente 2. II est aussi possible de jouer sur la largeur de la fente pour faire une sélection de mode(s) à coupler et former ainsi un filtre de mode(s). Selon un développement, un mode du guide d'onde 1 et un mode du guide métallique à fente 2 ont un même indice effectif et sont couplés. Un mode correspond à une configuration spatiale du champ électromagnétique induit par la propagation d'une onde électromagnétique dans le guide associé audit mode. Selon la répartition du champ électromagnétique, un mode donné voit un indice différent des matériaux constituant le guide et l'indice vu par chaque mode défini un indice effectif. Un indice effectif peut être défini comme le rapport de la longueur d'onde dans le vide sur la longueur d'onde dans le milieu à traverser. L'efficacité de couplage optimal (F) est définie comme étant la fraction de puissance transmise d'un premier guide vers un second guide au bout d'une distance caractéristique LL aussi appelée longueur de couplage effectif: F = 1 2 (1), 1+ Lneff,L Oneff, S avec L, = (2), 2 jLn eff, S + An2ff L où, Â est la longueur d'onde d'opération (onde se déplaçant dans le dispositif de couplage), Oneff L est la différence entre les indices effectifs des modes supportés par les guides en l'absence de couplage. Ces modes sont appelés modes locaux. Oneff S : est la différence entre les indices effectifs des modes (appelés supermodes) supportés par la structure de couplage comprenant les deux guides juxtaposés (guide d'onde et guide métallique à fente). Ces deux supermodes sont par construction de symétrie opposée. On parle alors de supermodes symétrique et antisymétrique. Cette quantité physique est dépendante de l'intervalle Di qui sépare les deux guides. Cette distance Di conditionne la longueur de couplage L, ainsi que le taux de puissance transférée. Le transfert de puissance d'un guide à l'autre est un processus harmonique et donc réversible. En considérant une puissance nominale Po injectée dans le guide d'onde 1, la puissance collectée ou transmise dans le guide métallique à fente 2 à la position z s'exprime de la façon suivante : P~2(z)=Po.Fsine 2L .z (3) D'après la relation (3), le transfert de puissance du premier guide vers le second guide est optimal pour des multiples impairs de la longueur caractéristique de couplage Lc. L'efficacité du couplage peut être perfectionnée en fonction de la distance séparant le guide d'onde 1 et le guide métallique à fente 2, de leurs indices effectifs, de la longueur du guide métallique à fente 2 ou encore la longueur de recouvrement partielle entre les guides. Ainsi, selon un premier perfectionnement, il est préférable d'utiliser deux guides 1, 2 dont les indices effectifs neff, des modes non couplés, sont sensiblement égaux de sorte que le terme F de l'équation (1) tende vers l'unité. De préférence, le rapport de l'indice effectif du guide d'onde 1 avec l'indice effectif du guide métallique à fente 2 est compris entre 0,8 et 1,2, et préférentiellement égal à 1. L'indice effectif d'un mode peut varier en fonction des dimensions (largeur et épaisseur) du guide considéré, une telle variation est décrite dans « Silicon photonics » Reed, G.T., Knights, A.P., ed. Wiley (2004). Afin de permettre une interaction optimale des modes du guide d'onde 1 et du guide métallique à fente 2, il est possible de fixer l'indice effectif d'un premier guide, puis d'ajuster les dimensions géométriques d'un second guide à coupler avec le premier pour obtenir un accord d'indice effectif entre les modes propres de chacun des guides. Dans l'exemple, l'indice effectif des modes supportés par ces guides peut être calculé numériquement par un solveur de mode en utilisant la méthode FDTD (pour finite-difference frequency-domain en anglais). Dans cet exemple particulier, la géométrie, et donc l'indice effectif neff, du guide à fente 2 est fixé. Les dimensions du guide d'onde 1 en silicium vont être caractérisées en fixant, par exemple, sa hauteur, et en faisant varier sa largueur pour obtenir un indice effectif sensiblement égal à celui du guide métallique à fente 2. L'indice effectif du guide métallique à fente 2 dépend de 11 la largeur 11de la fente 4, de la hauteur h1 de la fente 4 (figure 6) et du type de matériau utilisé. Selon l'exemple, le guide métallique à fente 2 est réalisé en argent, la largeur I. de la fente 4 est de 25nm et la hauteur h1 de la fente 4 est de 50nm, l'indice effectif d'un tel guide est fixé à 2,25 à la figure 8 (courbe s Ag). Sur cette figure 8, une courbe Si est aussi reportée, cette courbe illustre l'évolution de l'indice effectif ne du guide silicium par rapport à sa largeur Wsi. Dès lors, la figure 8 permet de déterminer un point de croisement des courbes Ag et Si où les indices effectifs des deux guides sont égaux. Ainsi, pour le guide métallique à fente 2 en argent précédemment décrit, la largeur 10 préférentielle du guide en silicium associé est de 410nm. Dans cet exemple particulier, la largeur du guide d'onde en silicium 1 dépend donc de l'indice effectif du guide métallique à fente 2. Cette largeur du guide silicium 1 sera différente si l'on change le métal du guide à fente ou si les 15 dimensions de la fente 4 varient. Selon un deuxième perfectionnement, l'intervalle Di séparant les deux guides 1, 2 est ajusté pour optimiser la longueur et l'efficacité de couplage. Dans le cas particulier où les indices effectifs des deux guides lorsque ces derniers 20 ne sont pas couplés sont rigoureusement identiques, l'équation (1) est égale à un et l'intervalle Di influe uniquement sur la longueur de couplage Lc et donc sur la compacité du dispositif. Selon l'exemple particulier utilisant un guide 1 ruban en silicium et un guide 2 25 en argent à fente, il a été réalisé quatre dispositifs de test chacun associé à un intervalle Di de séparation de 250nm, 150nm, 100nm, et 50nm. Le graphique de la figure 8 illustre les variations des indices effectifs des supermodes pair et impair de la structure en fonction de la largeur du guide en silicium. Les courbes Cl, C2, C3, C4 sont respectivement associées aux 30 distances 250nm, 150nm, 100nm, et 50nm dans le supermode impair et les courbes Cl', C2', C3', C4' sont respectivement associées aux distances 12 250nm, 150nm, 100nm, et 50nm dans le supermode pair. La lecture du graphique obtenu à la figure 8 permet de déterminer que plus les guides sont proches, plus l'écart d'indice effectif entre les supermodes pair et impair est important au point de croisement. En effet, au point de croisement de la courbe Ag et Si, la constante de couplage est d'autant plus grande que l'écart d'indice effectif entre les supermodes pair et impair est important, en accord avec la relation précédente (1). Un intervalle Di faible, équivalent à un écart d'indice effectif io des supermodes grand, est donc préférable pour augmenter l'efficacité du couplage. Or, plus l'écart d'indice effectif est important, plus la force ou puissance de couplage augmente. Un intervalle faible est donc préférable pour augmenter l'efficacité du couplage. 15 De préférence, l'intervalle Di séparant les deux guides a un minimum de 10nm et un maximum de l'ordre de la longueur d'onde de travail ou d'opération, c'est-à-dire fonction de la longueur de l'onde que l'on cherche à coupler. En effet, sans décalage, l'intervalle de séparation pourrait être nul et les guides en contact. Un tel contact entre les deux guides génèrerait une 20 diffraction de l'onde électromagnétique, et donc une perte de l'efficacité du couplage. De plus, la mise en contact du guide métallique à fente 2 avec le guide d'onde 1 en silicium 1 risquerait de contaminer les propriétés optiques par migration des espèces métalliques dans le guide en silicium. 25 Selon un troisième perfectionnement, la longueur de recouvrement partiel Lr du guide d'onde 1 par le guide métallique à fente 2 est un multiple impair d'une longueur de couplage effectif Lc (équation (2)) entre les deux guides 1, 2. La longueur de couplage effectif Lc est définie comme étant la longueur la plus courte pour laquelle la puissance injectée dans le guide d'onde 1 est 30 maximale dans le guide métallique à fente 2. Ce transfert de puissance dans le guide métallique à fente 2 est périodique, ladite période étant de Lb =2L,, Lb étant aussi appelée longueur de battement. Ainsi, la longueur de recouvrement sera de préférence égale à la longueur de couplage ou plus généralement à un multiple impair (2n+1)*Lc pour transmettre l'onde électromagnétique d'un guide à l'autre, avec n un entier positif ou nul. L'utilisation d'un guide métallique à fente 2 dont la longueur totale est égale à la longueur de recouvrement qui est un multiple impair de la longueur de couplage Lc permet avantageusement de confiner la composante TE dans le guide métallique à fente 2. Dès lors, la composante TE se retrouve dans le guide à fente 2 et la composante TM continue de se propager dans le guide d'onde 1. La longueur de couplage et l'efficacité du couplage peuvent aussi être optimisées par une étude paramétrique réalisée à l'aide de simulations numériques en utilisant par exemple la méthode FDTD (finite-difference frequency-domain en anglais). Cette méthode numérique est utilisée pour simuler la propagation des ondes électromagnétique dans les structures. Le mode opératoire de l'exemple utilise un faisceau gaussien généré dans le guide ruban 1 en silicium et se propageant selon k. La longueur d'onde de travail a été choisie autour de 1550nm. Selon l'exemple particulier du guide à fente 2 en argent et du guide silicium 1, la longueur de couplage Lc pour laquelle 75% de puissance est transmisse au guide métallique à fente 2 est égale à 0,91Àm. Elle traduit une grande différence d'indice des deux supermodes, c'est-à-dire une grande force de couplage qui en conséquence permet une forte compacité du dispositif. Cette caractéristique signifie aussi que le déphasage entre les deux supermodes, autrement dit le couplage, sera donc peu sensible à la longueur d'onde et aux dimensions géométriques des guides (grande tolérance de fabrication). Bien entendu, les différents perfectionnements cités ci-dessus peuvent être utilisés en combinaison, leur synergie permet d'obtenir une efficacité optimale du dispositif de couplage Selon un mode de réalisation particulier illustré aux figures 9 et 10, le guide d'onde est formé par deux éléments 1 a, 1 b, de préférence alignés selon un même axe. Le guide métallique à fente 2 est disposé de manière à recouvrir partiellement deux portions proximales 1 a, 1 b desdits éléments sur des longueurs de recouvrement Lri et Lr2. Ceci permet de réaliser selon le sens k de propagation de l'onde électromagnétique un premier couplage entre l'élément la du guide d'onde et le guide métallique à fente 2, puis un second couplage entre le guide métallique à fente 2 et l'élément lb du guide d'onde. Selon un mode de réalisation, seules les composantes TE traversent le guide à fente, ces dernières sont les seules à être couplées lors du second couplage. De préférence, les longueurs de recouvrement Lr, et Lr2 du guide d'onde par le guide à fente 2 au niveau de chaque portion d'élément 1 a, 1 b sont respectivement égales à un multiple impair de la longueur de couplage effectif L,. Les méthodes de détermination de la longueur de couplage effectif L, précédemment décrites s'appliquent à ce mode de réalisation. Lorsque le guide d'onde est formé par deux éléments la, 1 b, les deux portions proximales peuvent optionnellement être amincies pour réduire la section du guide d'onde de sorte que le signal non couplé au guide métallique à fente 2 ne soit pas réfléchi par le bout du guide d'onde. Le dispositif de couplage, et ses modes de réalisation, peut, en plus de permettre le couplage des deux guides, être utilisé pour réaliser des composants optoélectroniques (détecteurs, émetteurs, composants d'optiques non linéaires) en fonction de la nature du milieu constituant la fente du guide métallique à fente 2. En effet, un tel couplage permet d'exacerber l'interaction lumière-matière par le confinement dans la fente pour rendre les dispositifs plus performants (sensibilité, efficacité, non-linéarité). L'utilisation d'un guide métallique à fente 2 permet selon les applications d'utiliser les deux éléments métalliques 3a, 3b le constituant comme des électrodes pour, par exemple, détecter ou appliquer une différence de tension aux bornes de ladite fente. Une autre application peut être la détection ou l'émission stimulée d'objets sub-microniques tels que des nano-fils, nano-antennes, boîtes quantiques, etc. En effet, les composantes TE de l'onde électromagnétique confinées dans le guide à fente 2 peuvent converger plus facilement vers un objet de quelques nanomètres placé dans ladite fente. Comme précédemment, les éléments métalliques 3a, 3b du guide à fente 2 peuvent former des électrodes aptes à appliquer un stimulus ou à mesurer des valeurs. La fente peut aussi être remplie par un matériau présentant des propriété optiques particulières telles que la non linéarité avec des matériaux du type SiOx (silice chargée en nanocristaux de silicium) ou du type polymère. Le matériau peut aussi avoir des propriétés d'émission et être de type SiOx (silice chargée en nanocristaux de silicium) dopé avec des ions Erbium ou de la famille III-V (AsGa ou InP). Le matériau peut aussi avoir des propriétés de modulation et être du type BST ou PZT (matériaux ferroélectriques qui possèdent des propriétés piezo-électriques). Autrement dit, la fente peut être comblée par un matériau non linéaire, un matériau à propriétés d'émission ou un matériau à propriétés de modulation. Dans une variante, il est possible de remplir la fente 4 avec du germanium ou de la silice chargée de nanocristaux de silicium et de se servir des éléments métalliques 3a, 3b pour appliquer une tension au matériau comblant la fente pour le rendre plus ou moins transparent. Ceci permet par exemple de former des filtres de modulation d'amplitude ou de phase de l'onde considérée. Une autre application peut être la séparation des ondes TE et TM dans deux guides d'onde 1 a, 1 b. Un dispositif utilisant l'invention pour réaliser une telle fonction est illustré à la figure 11. Un tel dispositif de séparation comporte un premier guide d'onde 1 a couplé à un premier guide métallique à fente 2a. La longueur de recouvrement Lr, du premier guide métallique à fente 2a sur le premier guide d'onde la est un multiple impair de la longueur de couplage, 1 o permettant ainsi de confiner la composante TE dans le premier guide métallique à fente 2a. Dans le cas particulier de la figure 11, le guide d'onde 1 a est continu et la longueur de recouvrement Lr, est égale à la longueur Lf du premier guide métallique à fente 2a. Selon l'axe k de déplacement de l'onde électromagnétique dans le premier guide d'onde la, seule la 1s composante TM est présente après le premier guide métallique à fente 2a car cette dernière n'a pas été couplée. Le premier guide à fente 2a est couplé à un second guide à fente 2b lui-même couplé à un second guide d'onde 1 b. La longueur de recouvrement Lr2 du second guide d'onde par le guide à fente est, de préférence, égale à un multiple impair de la longueur de 20 couplage Lc pour permettre le transfert de la composante TE dans le second guide d'onde 1 b. A titre d'exemple de réalisation, l'onde électromagnétique peut être amenée dans le dispositif de couplage par une fibre optique soit par la méthode 25 réseau, soit par la méthode taper. Dans la méthode réseau, le guide d'onde 1 comporte une pluralité de nervures à sa surface, chaque nervure étant, de préférence, perpendiculaire à l'axe longitudinal du guide d'onde. La fibre optique est orientée dans une 30 direction proche de la normale au plan contenant les nervures, c'est-à-dire au plan du guide. 17 Dans la méthode « taper » le guide d'onde 1 comporte, par exemple, une extrémité divergente ou convergente (taper inversé) mise en aboutement avec la fibre optique dans le plan des guides. Une telle réalisation est décrite dans le document « IEEE photonics technologiy letters » Volume 17 n° 12 de Roelkens et al. Un procédé de réalisation d'un dispositif de couplage illustré aux figures 12 à 16 comporte, sur un substrat, les étapes successives suivantes : former un guide d'onde 1 (figures 12 et 13), former un guide métallique à fente 2 (figures 15 et 16) dans un plan décalé par rapport au plan du guide d'onde 1 de sorte que le guide métallique à fente recouvre partiellement le guide d'onde 1 et que la fente 4 soit délimitée par deux éléments métalliques 3a, 3b coplanaires. De préférence, la fente 4 du guide à fente 2 est orientée selon un axe longitudinal Al du guide d'onde. Selon un développement, après formation du guide d'onde 1, ce dernier est encapsulé ou recouvert en partie, avant la formation du guide à fente 2, par un matériau diélectrique 8 de faible indice de réfraction par rapport à l'indice de réfraction du guide d'onde 1, ce matériau diélectrique 8 est de préférence de l'oxyde de silicium (figure 14). Par faible indice, on entend un matériau dont l'indice de réfraction est compris entre 1 et 2,5. Cette encapsulation permet notamment de décaler les deux guides l'un de l'autre et de participer à la formation du guide métallique à fente 2. De préférence, le dispositif de couplage peut être avantageusement réalisé comme illustré à la figure 12 à partir d'un substrat 5 de type SOI (silicium 6 sur isolant 7). Ainsi, l'étape de formation du guide d'onde 1 est réalisée par gravure partielle ou totale de la couche supérieure 6 de silicium. Par gravure totale, on entend la gravure de la couche supérieure de silicium 6 jusqu'à la 18 couche d'isolant 7 pour former le guide d'onde 1 en silicium. Une gravure partielle permet, par exemple, de former des nervures pour le couplage à une fibre optique comme décrit précédemment. Selon une variante, la formation du guide métallique à fente 2 est réalisée par les étapes successives suivantes : graver deux cavités 9a, 9b dans le matériau diélectrique 8 (figure 15) encapsulant ou recouvrant en partie le guide d'onde 1, à ce stade, les deux cavités 9a, 9b sont séparées par une paroi délimitant la largeur io maximum et la hauteur maximum de la fente, remplir les deux cavités par du métal, de préférence de l'argent ou du cuivre (figure 16), l'épaisseur de métal déposée définissant la hauteur de la fente. 15 II est aussi possible d'encapsuler le guide d'onde 1 puis de réaliser sur l'encapsulation une couche ayant des propriétés optiques particulières tel que défini précédemment (émission, modulation, non-linéarité). De préférence, cette couche sera du germanium ou de la silice chargée en nanocristaux. Les cavités pourront alors être réalisées dans cette dernière 20 couche et la fente sera automatiquement comblée par le matériau correspondant. De préférence, le guide à fente 2 est réalisé par la méthode Damascène, c'est-à-dire que le diélectrique 8 encapsulant ou recouvrant en partie le guide 25 d'onde 1 est gravé partiellement ou totalement au-dessus du guide d'onde 1 pour réaliser des cavités de dimensions égales aux dimensions des éléments métalliques 3a, 3b et pour délimiter la fente 4 du guide à fente. Le métal peut ensuite être déposé sur tout le substrat avant qu'un polissage ne vienne, de préférence, retirer tout le métal présent en dehors desdites cavités 9a, 9b. 30 Dans le cas où il y a gravure totale, les éléments métalliques 3a, 3b se retrouvent en contact avec le guide d'onde 1. Dans le cas particulier 19 précédemment décrit où le procédé comporte une couche supplémentaire ayant des propriétés optiques particulières, cette dernière peut être gravée jusqu'au diélectrique 8 et les élément métalliques 3a, 3b sont alors en contact avec le diélectrique 8. Ainsi, le matériau dans la fente, c'est-à-dire séparant les deux éléments 3a, 3b formant le guide métallique à fente 2 peut être différent de celui qui encapsule le guide d'onde 1 ou recouvre partiellement le guide d'onde 1. Le matériau peut aussi être retiré après formation des éléments métalliques 3a, io 3b pour laisser libre la fente. La méthode Damascène présente l'avantage de permettre la réalisation d'une fente 4 entre les deux éléments métalliques 3a, 3b, de préférence en cuivre et/ou argent, dont les bords sont plus abrupts et moins rugueux que 15 ceux obtenus par une gravure directe des métaux. De préférence, le métal utilisé pour former les éléments métalliques 3a, 3b est un métal ayant un faible indice de réfraction. Ceci permet d'améliorer le fonctionnement du guide métallique à fente en diminuant les pertes de dissipation pouvant être causées par la rugosité de la fente. Cette méthode permet aussi l'utilisation 20 de matériaux dont la gravure directe n'est pas facilement reproductible comme par exemple le cuivre. Selon un mode de réalisation, le procédé comporte entre l'étape de gravure des cavités 9a, 9b et l'étape de remplissage des cavités 9a, 9b une étape 25 d'attaque chimique au niveau desdites cavités 9a, 9b pour permettre l'amincissement de la paroi définissant les dimensions de la fente. Il est ainsi possible de réaliser une fente dont la largeur peut être comprise entre 10 et 100nm grâce à une lithographie optique (DUV). 30 20 Selon un mode de réalisation particulier, après l'étape de remplissage des cavités pour former le guide à fente, une étape d'attaque chimique sélective du matériau situé entre les deux éléments métalliques est réalisée afin de permettre le remplissage de la fente par un autre matériau différent de celui encapsulant le guide d'onde 1. Une des applications de ce mode de réalisation est la détection de particules. Ces dernières peuvent être piègées dans la fente mise à l'air, de préférence par un système micro-fluidique, pour modifier la constante de propagation de io l'onde électromagnétique dans ledit guide à fente et ainsi l'efficacité du couplage au guide d'onde. La variation de l'efficacité permet alors de détecter certaines particules. Afin de protéger le guide à fente 2, il est possible de l'encapsuler par un 15 diélectrique de faible indice de réfraction, par exemple de l'oxyde de silicium. Un tel indice de réfraction peut être compris entre 1 et 2,5 Le dispositif de couplage est, de préférence, réalisé à base de métaux non contaminants (cuivre, aluminium, etc.) pour pouvoir utiliser les mêmes 20 moyens de fabrication que ceux utilisés dans les domaines de la microélectronique et la photonique sur silicium. Le dispositif de couplage décrit ci-dessus peut servir de brique élémentaire dans un circuit optique et permet de réaliser des interconnexions optiques à 25 des distances très faibles. Il présente l'avantage d'une très bonne efficacité et d'une compacité élevée. Revendications1. Dispositif de couplage d'une onde électromagnétique comportant un guide d'onde (1), un guide métallique à fente (2), caractérisé en ce que le guide métallique à fente (2) est formé par deux éléments métalliques (3a, 3b) coplanaires et espacés l'un de l'autre de sorte à délimiter la fente, et en ce que le guide métallique à fente (2) est disposé dans un plan (P2) décalé par rapport au plan (P1) du guide d'onde (1) et recouvre partiellement ledit guide d'onde (1). 2. Dispositif selon la revendication 1, caractérisé en ce que le guide d'onde 15 (1) et le guide métallique à fente (2) sont séparés par un intervalle (Di). 3. Dispositif selon l'une des revendications 1 et 2, caractérisé en ce que le guide d'onde (1) et le guide métallique à fente (2) ont des indices effectifs dont le rapport est compris entre 0,8 et 1,2. 4. Dispositif selon l'une quelconque des revendications 1 à 3, caractérisé en ce que la longueur de recouvrement (Lr) partiel du guide d'onde (1) par le guide métallique à fente (2) est un multiple impair d'une longueur de couplage effectif (Lc) entre les deux guides. 25 5. Dispositif selon l'une quelconque des revendications 1 à 4, caractérisé en ce que le guide d'onde étant formé par deux éléments (la, 1 b), ledit guide métallique à fente (2) est disposé de manière à recouvrir partiellement deux portions proximales desdits éléments (1 a, 1 b). 21 20 30 22 6. Dispositif selon la revendication 5, caractérisé en ce que la longueur de recouvrement partiel (Lr,, Lr2) du guide d'onde par le guide métallique à fente (2) au niveau de chaque portion est un multiple impair d'une longueur de couplage effectif (Lc). 7. Dispositif selon l'une quelconque des revendications 1 à 6, caractérisé en ce les éléments métalliques (3a,3b) forment des électrodes. 8. Dispositif selon la revendication 7, caractérisé en ce que la fente (4) est 10 comblée de germanium. 9. Dispositif selon la revendication 7, caractérisé en ce que la fente est comblée par un matériau non linéaire ou un matériau à propriétés d'émission ou un matériau à propriétés de modulation. 15 10. Procédé de fabrication d'un dispositif de couplage caractérisé en ce qu'il comporte sur un substrat (5) les étapes successives suivantes: former un guide d'onde (1), former un guide métallique à fente (2) dans un plan décalé par rapport au 20 plan du guide d'onde (1) de sorte que la fente (4) soit délimitée par deux éléments métalliques (3a,3b) coplanaires et que le guide métallique à fente (2) recouvre partiellement le guide d'onde (1). 11.Procédé selon la revendication 10, caractérisé en ce que le guide d'onde 25 (1) est encapsulé, ou recouvert en partie, par un matériau diélectrique (8) dont l'indice de réfraction est compris entre 1 et 2,5, avant la formation du guide à fente (2). 12. Procédé selon l'une des revendications 10 et 11 caractérisé en ce que le 30 substrat (5) étant un substrat muni d'une couche de silicium (6) sur isolant5(7), le guide d'onde (1) est un guide en silicium délimité par la gravure de la couche en silicium (6) jusqu'à la couche d'isolant (7). 13. Procédé selon l'une des revendications 11 et 12, caractérisé en ce que la 5 formation du guide métallique à fente (2) est réalisée par les étapes successives suivantes : graver deux cavités (9a, 9b) dans le matériau diélectrique (8) encapsulant ou recouvrant en partie le guide d'onde (1), remplir les deux cavités (9a, 9b) par du métal. 10 14. Procédé selon la revendication 13, caractérisé en ce qu'il comporte entre l'étape de gravure des cavités (9a, 9b) et l'étape de remplissage des cavités (9a, 9b) une étape d'attaque chimique au niveau desdites cavités (9a, 9b). 15