FR 2957716 A1 20110923 FR 1051918 A 20100318 i L'invention se rapporte d'une manière générale à la fabrication de substrats destinés à des applications dans les domaines de l'électronique, l'optique ou l'optoélectronique. Elle concerne plus précisément un procédé de finition d'un substrat connu sous l'acronyme de "SeOI", d'après la terminologie anglaise de "Semiconductor On Insulator" qui signifie "semiconducteur sur isolant". L'invention trouve une application particulière dans la finition d'un substrat « SOI », dans lequel le semiconducteur est du silicium. Parmi les différents procédés de fabrication utilisés, on peut citer 10 ceux utilisant des étapes de collage et de transfert de couche. Un exemple d'un tel procédé est décrit ci-après. Conformément à ce procédé, on crée une zone de fragilisation au sein d'un premier substrat, dit "donneur", recouvert d'une couche d'isolant, par exemple par implantation d'espèces atomiques et/ou ioniques. Ce substrat est 15 ensuite collé par adhésion moléculaire à un second substrat, dit "receveur". Ensuite, le substrat donneur est séparé en deux parties, le long de cette zone de fragilisation, par exemple par un recuit de détachement (« exfoliation » ou« splitting » en anglais), de sorte que l'on transfert sur le substrat receveur, une épaisseur voulue du matériau du substrat donneur ainsi que la couche 20 d'isolant. On pourra se référer par exemple à ce sujet au procédé connu sous la marque déposée « Unibond » de la demanderesse. La figure 1 jointe est une représentation graphique d'une photo prise au microscope électronique à balayage qui montre une vue en coupe du bord d'un 25 substrat SOI, immédiatement après son recuit de détachement. Ce substrat SOI comprend une couche d'isolant 2 enterrée entre un support 1 en silicium et une couche superficielle 3 de silicium. On voit clairement que le bord latéral 20 de la couche d'isolant 2 (ici de l'oxyde de silicium) est potentiellement largement exposé à une attaque chimique. 30 Or, des traitements complémentaires sont fréquemment effectués sur un tel substrat SOI (ou SeOI) notamment pour améliorer son état de surface, en particulier réduire sa rugosité ou pour renforcer le collage entre deux couches. De tels traitements impliquent souvent une attaque chimique, par exemple à l'acide fluorhydrique (HF). Un tel traitement appliqué à un substrat SOI, tel que celui représenté sur la figure 1, aboutit à une délamination du substrat par l'attaque latérale de la 5 couche d'isolant 2. Afin de pallier à ce problème, on connait déjà, d'après le document US 6 939 783, un procédé de traitement d'un substrat SOI par un recuit thermique rapide (connu de l'homme du métier sous la dénomination anglaise de « RTA » qui signifie « Rapid Thermal Annealing »), ce traitement ayant pour effet de créer une 10 encapsulation latérale du bord de la couche d'oxyde de silicium 2 par le silicium situé au dessus. La figure 2 jointe est une représentation graphique d'une photo prise au microscope électronique à balayage, qui montre une vue en coupe transversale du bord d'un substrat SOI à l'issue d'un tel traitement. Comme on peut le constater, 15 le silicium de la couche superficielle 3 du SOI s'est déplacé et recouvre le bord latéral 20 de l'oxyde de silicium 2 en protégeant celui-ci. Cette portion d'encapsulation est référencée 30. Or, la demanderesse a effectué des essais et a malheureusement constaté que les effets bénéfiques protecteurs attendus de l'encapsulation n'étaient 20 pas toujours obtenus car le bord de la couche de silicium 3 transférée peut présenter des irrégularités par rapport au cas idéal représenté sur la figure 2. La demanderesse a découvert que des défauts, présents au bord d'un substrat SeOI ou SOI, et bien que faisant partie d'une zone d'exclusion au sein de laquelle aucun composant électronique ne sera produit, peuvent perturber le 25 phénomène d'encapsulation. Parmi ceux-ci, un premier type de défauts dénommés « îlots » (« flakes » en anglais) est constitué par des morceaux du substrat apparus lors du détachement et qui se sont décollés puis recollés notamment sur le bord du substrat. De tels ilots 31 sont visibles sur la figure 3 jointe, qui représente de 30 façon schématique un substrat SOI vu en coupe transversale. Un second type de défauts dénommé « bord dentelé » (ou « jaggededge » en anglais) est constitué par des extensions de la surface de la couche supérieure de silicium au-delà du bord habituel de la surface transférée. De tels défauts 32 sont visibles sur la figure 3 précitée et sur la figure 35 4 jointe qui est une représentation graphique d'une photographie prise au microscope électronique à balayage, d'un bord de substrat SOI vu de dessus. La demanderesse a ainsi découvert que l'encapsulation obtenue, lorsqu'elle est réalisée par un traitement RTA, pouvait être perturbée, notamment être trop fine au niveau du sommet des bords dentelés 32. Lorsque cette encapsulation est effectuée par un traitement d'épitaxie, elle peut également être perturbée, voire même complètement anarchique au niveau des îlots 31 sur lesquels une plus grande quantité de matériau d'encapsulation peut être formée, avec par exemple la formation d'excroissances de matière. L'encapsulation peut même ne pas être complète selon la forme des irrégularités présentes au bord du substrat (bord de plaque), et de ce fait, certaines portions de l'isolant enterré peuvent rester accessibles à une attaque chimique par exemple par de l'acide fluorhydrique (HF). Par ailleurs, certains ilots ou des morceaux de bord dentelé sont susceptibles de se détacher du substrat receveur avant l'encapsulation et de se redéposer sur la couche superficielle 3 du substrat SeOl, puis être définitivement scellés par l'encapsulation, générant ainsi des défauts sur cette couche. La figure 5 jointe est une représentation d'une photographie prise au microscope électronique à balayage d'un substrat de type SOI, sur laquelle on peut observer cette encapsulation de mauvaise qualité, et notamment la portion de l'isolant enterré, mal encapsulée, qui a subi une attaque par de l'acide fluorhydrique. L'invention a donc pour but de résoudre les inconvénients précités de l'état de la technique. L'invention a notamment pour objet de fournir un procédé de finition d'un substrat de type SeOI qui permette d'avoir une encapsulation de très bonne qualité du bord latéral de l'isolant enterré, c'est-à-dire une encapsulation homogène, telle que le bord latéral de l'isolant soit recouvert sur sa totalité d'une couche de matériau semi-conducteur d'épaisseur relativement constante et que le bord de cette couche forme une couronne régulière à une distance constante du bord de la plaque. A cet effet, l'invention concerne un procédé de finition d'un substrat de type semi-conducteur sur isolant SeOI comprenant une couche d'isolant enterrée entre deux couches de matériau semi-conducteur. Conformément à l'invention, ce procédé comprend successivement : - un détourage de la périphérie annulaire dudit substrat de façon à obtenir un substrat détouré, - une encapsulation du substrat détouré, de façon à recouvrir le bord 35 latéral détouré de ladite couche d'isolant enterrée, à l'aide d'un matériau semi-conducteur. Selon d'autres caractéristiques avantageuses et non limitatives de l'invention, prises seules ou en combinaison : . l'encapsulation du substrat détouré est effectuée immédiatement après le détourage, . le détourage est effectué par meulage du bord annulaire périphérique dudit substrat SeOl, . le détourage est effectué par gravure du bord annulaire périphérique dudit substrat SeOl, . l'encapsulation du substrat détouré est réalisée en le soumettant à 10 un traitement de recuit thermique rapide (RTA), . le traitement de recuit thermique rapide (RTA) est conduit à une température comprise entre 1150°C et 1300°C, pendant une durée comprise entre 15 secondes et 5 minutes environ, . le traitement de recuit thermique rapide (RTA) est conduit sous une 15 atmosphère d'hydrogène et/ou d'argon, . l'étape d'encapsulation du substrat détouré est réalisée par épitaxie, . l'étape d'encapsulation du substrat détouré est réalisée par un traitement de recuit thermique rapide (RTA) et une épitaxie, . l'étape d'encapsulation du substrat détouré est réalisée par un 20 recuit à l'aide d'un laser, . le détourage comprend les étapes consistant à : - déposer une couche d'un matériau de protection sur une zone annulaire périphérique dudit substrat SeOl, à l'aide d'un plasma, - réaliser une gravure partielle dudit matériau de protection à l'aide 25 d'un plasma, de façon à conserver un anneau de matériau de protection sur la face avant dudit substrat SeOl, cet anneau s'étendant à distance du bord latéral dudit substrat, et à délimiter ainsi une zone annulaire périphérique réduite dudit substrat accessible à un plasma, - générer un plasma de gravure partielle, localisé au niveau de ladite 30 zone annulaire périphérique réduite du substrat SeOl, de façon à graver le matériau présent dans cette zone sur une certaine épaisseur, - retirer ledit anneau de matériau de protection à l'aide d'un plasma. . le détourage est réalisé dans une enceinte de formation d'un plasma isotrope. . le détourage est réalisé par des étapes consistant à : - introduire ledit substrat SeOI à l'intérieur d'une enceinte de formation d'un plasma isotrope, équipée d'un élément supérieur isolant en forme de disque et de deux électrodes, l'une d'entre elle, dite "inférieure" étant entourée d'un élément inférieur isolant de contour circulaire, ledit substrat étant disposé dans ladite enceinte de sorte que sa face arrière soit au contact de ladite électrode inférieure et dudit élément isolant inférieur, de façon à définir une zone d'exclusion en face arrière, non accessible au plasma et l'isolant supérieur étant positionné à distance de la face avant dudit substrat SeOl, de façon à définir une zone d'exclusion en face avant également non accessible au plasma, les diamètres extérieurs des deux éléments isolants, inférieur et supérieur, étant inférieurs au diamètre du substrat SeOI à détourer, le reste de ce substrat constituant ladite zone annulaire périphérique accessible au plasma, - déposer ladite couche d'un matériau de protection sur la dite zone annulaire périphérique, à l'aide d'un plasma formé dans ladite enceinte, - rapprocher l'isolant supérieur de la face avant dudit substrat SeOI et réaliser ladite gravure partielle du matériau de protection, - tout en maintenant l'isolant supérieur dans sa position, graver une épaisseur du matériau constituant ledit substrat SeOl, - écarter l'isolant supérieur de la face avant dudit substrat et retirer ledit anneau de matériau de protection, . les étapes de détourage et d'encapsulation sont suivies d'une étape 25 d'oxydation sacrificielle puis d'une étape de désoxydation. . lesdites étapes d'oxydation sacrificielle et de désoxydation sont suivies d'un traitement de recuit thermique rapide RTA, puis éventuellement d'une seconde oxydation sacrificielle et d'une seconde désoxydation, cette dernière n'étant toutefois pas indispensable puisque l'encapsulation est alors réalisé par la 30 dernière étape de recuit rapide RTA. . les étapes de finition du substrat de type semiconducteur sur isolant SeOI comprennent une première série d'étapes incluant un traitement de recuit thermique rapide RTA suivi d'une oxydation sacrificielle et d'une désoxydation et en ce que cette première série d'étapes précède lesdites étapes de détourage et 35 d'encapsulation du substrat. D'autres caractéristiques et avantages de l'invention apparaîtront de la description qui va maintenant en être faite, en référence aux dessins annexés, qui en représentent, à titre indicatif mais non limitatif, un mode de réalisation possible. Sur ces dessins, outre ceux déjà décrits : - les figures 6A à 6C sont des schémas représentant les différentes étapes de procédé conformes à l'invention, - les figures 7A à 7D sont des schémas représentant en coupe transversale une partie du substrat à détourer et d'une installation permettant la mise en oeuvre du détourage, respectivement lors des différents stades d'avancement du détourage. Sur les schémas des figures 3, 6A à 6C et 7A à 7D, on notera que les proportions respectives des différentes couches ou éléments représentés n'ont pas toujours été respectées, certaines zones ayant volontairement été agrandies à des fins explicatives. Le procédé conforme à l'invention est un procédé, dit de "finition", d'un substrat du type semiconducteur sur isolant SeOl, car il concerne des étapes effectuées après le recuit de détachement qui aboutit au transfert de couche(s) et à la formation de ce substrat comprenant une couche d'isolant enterrée entre deux couches de matériau semiconducteur. Le procédé conforme à l'invention va maintenant être décrit en faisant référence aux figures 6A à 6C. En se reportant à la figure 6A, on peut voir un substrat 4 de type SeOl, qui comprend successivement une couche superficielle 41 de matériau semiconducteur, une couche d'isolant enterrée 42 et un support 43 également réalisé en matériau semiconducteur. Comme on peut le voir sur cette figure, à l'issue de l'étape de transfert de couche(s), le substrat SeOI obtenu 4 présente des défauts du type précité, à savoir des ilots 44, dont un seul est visible sur cette figure, et un bord périphérique annulaire dentelé référencé 45. La première étape du procédé conforme à l'invention consiste à effectuer un détourage du bord annulaire périphérique du substrat 4. Cette étape est illustrée sur la figure 6B. Ses modalités de mise en oeuvre seront décrites ci-après. Cette étape de détourage a pour effet de retirer sur une certaine largeur L le bord de la couche superficielle 41 et le bord de la couche d'isolant enterré 42. De préférence, ce détourage est mené de façon à détourer le substrat à une distance constante et contrôlée du bord physique du substrat. Optionnellement, le détourage pourrait également être mené jusqu'à enlever une partie de la périphérie annulaire du support 43 sur une profondeur P. L est une largeur variant typiquement de 0.5 à 3 mm. L est choisie légèrement supérieure à la largeur de la couronne présente sur le SeOI de façon à éliminer par détourage les défauts de type ilots ou bord dentelé et à obtenir une couronne de largeur constante après détourage. P varie de 0 à quelques milliers d'angstrôms, typiquement 500-10 1000À (50 à 100 nm). Sur la figure 6B, le substrat support 43 n'a pas été représenté détouré. Le substrat détouré est référencé 4'. L'étape suivante représentée sur la figure 6C, consiste à réaliser l'encapsulation du bord latéral détouré 420 de l'isolant enterré 42. Cette étape a pour 15 effet de faire fluer le matériau semiconducteur constituant la couche superficielle 41 en regard de ce rebord 420, ce qui a pour effet de le protéger et de le rendre inaccessible à des attaques chimiques ultérieures, en évitant ainsi les phénomènes de délamination. La portion du matériau 41 encapsulant l'isolant 42 est référencée 20 410. Le substrat détouré et encapsulé est référencé 4". Les modalités de mise en oeuvre de cette étape d'encapsulation seront décrites ci-après. De préférence, l'étape d'encapsulation est effectuée immédiatement après celle de détourage, de façon à éviter toute contamination accidentelle du 25 substrat détouré avant l'encapsulation et à limiter au maximum le risque d'altération de la qualité du bord de film obtenu par détourage. L'encapsulation doit être pratiquée avant que le bord ne perde sa régularité. Le film constitué de la couche superficielle 41 et de l'isolant enterré 42 n'est encore que faiblement collé au substrat support receveur 43 et il convient de renforcer son bord notamment pour 30 éviter des arrachements ou rayures. Selon une variante de réalisation, l'encapsulation peut également être effectuée immédiatement après une étape de nettoyage elle même effectuée après le détourage. Détourage : 35 Ce détourage peut être effectué par diverses techniques et notamment par un meulage mécanique ou une étape de gravure. Le meulage peut être réalisé, par exemple, en plaçant le substrat 4 sur un support entrainé en rotation, en amenant à proximité de son chant, un patin de polissage, éventuellement recouvert d'une solution abrasive (« slurry » en anglais) et en appliquant celui-ci sur le bord du substrat 4 sur une largeur L à détourer. On pourra se référer à ce sujet aux documents US-6 797 632 et US-2007/0243694 qui décrivent le détourage par meulage et/ou polissage. Le détourage peut également être effectué par gravure humide ou sèche. La gravure humide consiste à former un masque de protection sur une portion centrale de la face avant 411 de la couche superficielle 41, ce masque étant d'un diamètre inférieur à celui de cette couche 41, de façon à laisser une zone périphérique annulaire non protégée. Le substrat est ensuite exposé successivement à des solutions de gravure spécifiques des matériaux constituant la couche superficielle 41 et la couche d'isolant 42, de façon à attaquer et à retirer les bords non protégés du substrat 4. La gravure à sec consiste à soumettre le bord du substrat 4 non protégé par un masque, à une attaque gazeuse, par exemple à l'aide d'un plasma isotrope ou anisotrope. On pourra se référer par exemple au document US-2009/0170285 qui 20 décrit un procédé de gravure à sec. Lorsque l'on souhaite obtenir un bord détouré particulièrement franc, c'est-à-dire perpendiculaire ou quasiment perpendiculaire au plan de la face avant 411, on peut utiliser l'installation et le procédé de détourage qui vont maintenant être décrits en liaison avec les figures 7A à 7D. 25 Sur ces figures, le substrat 4 est chanfreiné, de sorte que sa face avant 411 se décompose en une zone centrale plane non chanfreinée 411a et une zone périphérique chanfreinée 41lb et que, de même, sa face arrière 430 se décompose en une zone plane non chanfreinée 430a et une zone chanfreinée 430b. Son bord latéral est référencé 46. 30 Le détourage est réalisé à l'intérieur d'un réacteur 5 de formation de plasma, tel que celui représenté sur les figures 7A à 7D. Ce réacteur comprend une enceinte 50, à l'intérieur de laquelle sont installés deux éléments isolants 53, 54 et deux électrodes 51, 52, ces dernières étant reliées à une alimentation électrique non représentée sur les figures. 35 Le substrat à détourer 4 repose sur l'électrode inférieure 52 et l'élément isolant inférieur 54, par sa face arrière 430. L'électrode inférieure 52 est entourée par l'élément inférieur isolant 54 de contour circulaire. De préférence, l'électrode 52 est circulaire et l'élément isolant 54 est annulaire. Par ailleurs, l'isolant supérieur 53 présente la forme d'un disque et 5 l'électrode 51 qui l'entoure est de forme annulaire. L'élément isolant supérieur 53 est monté sur des moyens moteurs, non représentés sur les figures, qui permettent son déplacement selon un axe vertical perpendiculaire au plan médian du substrat 4. Il peut ainsi être déplacé entre une position représentée sur la figure 7D, dans laquelle il est écarté au maximum du 10 substrat 4 à détourer et une position représentée sur les figures 7B et 7C, dans laquelle il est rapproché de ce substrat 4. Les gaz utilisés pour la formation du plasma sont introduits à l'intérieur de l'enceinte 50 via des canalisations, par exemple ici au nombre de deux, référencées 55 et 56. 15 Les matériaux volatils, produits lors de la réaction qui se déroule à l'intérieur de l'enceinte 50, peuvent être évacués hors de celle-ci par des moyens d'aspiration et un orifice non représentés sur les figures. Les électrodes 51 et 52 sont mises sous tension, ce qui a pour effet de créer un champ électrique à l'intérieur de l'enceinte 50 et de transformer les gaz 20 introduits dans les canalisations 55 et 56 en un plasma. Différents paramètres, tels que la température et la pression régnant à l'intérieur de l'enceinte 50, la nature, le débit et les ratios des gaz introduits à l'intérieur de l'enceinte 50, la fréquence du plasma ainsi que la puissance appliquée aux bornes des électrodes 51 et 52 ont une incidence sur la composition chimique 25 du plasma formé et sur sa nature, à savoir un plasma de dépôt ou un plasma de gravure. Ces paramètres seront détaillés ci-après. De préférence, le plasma formé tant pour le dépôt que pour la gravure est isotrope. Ceci signifie que de préférence l'action du plasma est réalisée par le biais de radicaux créés dans le plasma, et éventuellement pourrait être réalisée 30 par le biais d'ions accélérés dans la gaine du plasma. Le fait que la face arrière 430 du substrat 4 soit au contact de l'électrode inférieure 52 et de l'isolant inférieur 54, permet de définir une zone d'exclusion en face arrière, référencée 540, non accessible au plasma, car masquée. Comme on peut le voir sur les figures, le diamètre extérieur de 35 l'isolant 54 correspond exactement au diamètre de la zone d'exclusion en face 2957716 io arrière 540 puisque le substrat 4 à détourer est directement au contact de l'isolant 54. En outre, le substrat à détourer 4 est bien évidemment disposé de façon à être centré par rapport à l'isolant annulaire 54. Par ailleurs, l'isolant supérieur 53 permet également de définir sur la face avant 411 du substrat, une zone dite "d'exclusion en face avant" 530, non accessible au plasma. Le diamètre de la zone d'exclusion en face avant 530 dépend non seulement du diamètre de l'isolant supérieur 53, mais également de son écartement par rapport au substrat à détourer 4. Ainsi, plus l'isolant 53 est écarté de la face avant 411 du substrat et plus la zone d'exclusion en face avant 530 présente un faible diamètre (voir figure 7A), et inversement, plus il s'en rapproche et plus le diamètre de cette zone 530 est grand (voire figure 7B). La zone périphérique annulaire du substrat 4 qui reste accessible au 15 plasma, c'est-à-dire la zone qui s'étend hors des zones 530 et 540 précitées, est référencée 500. Les différentes étapes du procédé de détourage vont maintenant être décrites. Après que le substrat à détourer 4 a été introduit dans l'enceinte 5, de 20 façon que sa face arrière 430 repose contre l'élément isolant 54 et l'électrode inférieure 52, les paramètres de formation du plasma sont réglés de façon à déposer sur ladite zone annulaire accessible 400, une couche d'un matériau de protection 6. De préférence, ce matériau de protection 6 est un polymère. De préférence encore, il s'agit d'un polymère du type polyéthylène, 25 obtenu à l'aide d'un plasma formé à partir d'éthylène C2H4. On rapproche ensuite l'isolant supérieur 53 de la face avant 411 du substrat 4, de façon à agrandir la zone d'exclusion en face avant 530 et à en augmenter le diamètre. On notera que l'isolant 53 n'est jamais amené au contact de la face supérieure 411 du substrat, de façon à éviter d'endommager celle-ci ou de la 30 contaminer. Dans cette position, illustrée sur la figure 7B, les paramètres du plasma sont adaptés, de façon à réaliser une gravure partielle du matériau de protection 6. Cette gravure est partielle, de sorte qu'elle permet de conserver uniquement un anneau 60 de matériau de protection sur la face avant 411 du 35 substrat 4. Cette gravure partielle est possible du fait de l'agrandissement de la zone d'exclusion en face avant 530. Dans la position de l'isolant 53 représenté sur la figure 7A, la zone où se trouve l'anneau 60 est accessible par le plasma et le matériau de protection 6 a pu y être déposé. En revanche, lorsque l'isolant 53 est abaissé, la portion du matériau de protection correspondant à l'anneau 60 n'est plus accessible par le plasma et de ce fait n'est pas gravée par celui-ci. En d'autres termes, lorsque l'aire de la zone d'exclusion en face avant 530 augmente, celle de la zone accessible 500 diminue. La zone accessible réduite porte la référence 500'. La nature du plasma de gravure du matériau de protection 6 est bien évidemment fonction de la nature chimique de ce matériau. A titre d'exemple, pour un matériau de protection en polyéthylène, la gravure s'effectue à l'aide d'un plasma à base d'oxygène, (02). L'étape suivante est illustrée sur la figure 6C. Tout en maintenant l'isolant supérieur 53 dans la position représentée sur la figure 7B, la nature des gaz introduits à l'intérieur de l'enceinte 50 est modifiée de façon à créer un plasma apte à graver le matériau de la couche superficielle 41 au niveau de la zone annulaire périphérique accessible au plasma 500'. Les paramètres sont ensuite modifiés pour graver la couche d'isolant 42. A titre d'exemple, lorsque le matériau constituant la couche superficielle 41 est du silicium, le plasma de gravure est un mélange d'argon et de SF6 (hexafluorure de soufre) et éventuellement d'azote et lorsque le matériau constituant l'isolant 42 est de l'oxyde, le plasma de gravure est alors un mélange d'azote et de CHF3 (trifluorométhane) ou encore un mélange d'oxygène (02) et de tétrafluorométhane (CF4). Comme représenté sur la figure 7C, on obtient un substrat 4 détouré à sa périphérie non seulement sur sa face avant, sa face arrière mais également son côté. Si nécessaire le détourage peut être poursuivi pour graver une partie du support 43 sur une profondeur P. Enfin, comme représenté sur la figure 7D, on écarte ensuite l'isolant supérieur 53 de la face avant 41 du substrat 4 et l'on modifie les paramètres du plasma de façon à créer un plasma de gravure permettant le retrait de l'anneau 60 de matériau de protection. Ce plasma de gravure est généralement le même que celui utilisé dans l'étape de gravure représentée sur la figure 7B. Pour toutes les étapes qui viennent d'être décrites et qui concernent l'emploi d'un plasma de dépôt ou d'un plasma de gravure, la fréquence 35 conventionnelle du plasma est de 13.56 MHz. La puissance est de l'ordre de 100 à 500 W. La durée d'application du plasma varie entre 5 et 40 secondes. La combinaison de la puissance et de la durée du plasma induit notamment un effet sur l'épaisseur gravée. Enfin, la pression à l'intérieur de l'enceinte est de l'ordre de quelques Ton (1 Torr étant égal à environ 102 Pa). Encapsulation : Cette encapsulation peut être réalisée par un traitement de recuit thermique rapide, connu sous l'acronyme "RTA" d'après la terminologie anglaise de "Rapid Thermal Annealing", précéder avantageusement d'une étape de nettoyage Typiquement, il peut s'agir d'un nettoyage standard tel qu'une séquence : ozone (03)/ RCA, ce dernier traitement consistant à traiter les surfaces, successivement avec : - un premier bain d'une solution connue sous l'acronyme "SC1" (d'après la terminologie anglo-saxonne de "Standard Clean 1" qui signifie "solution de nettoyage standard 1"), et qui comprend un mélange d'hydroxyde d'ammonium (NH4OH), de peroxyde d'hydrogène (H2O2) et d'eau déionisée, - un second bain d'une solution connue sous l'acronyme "SC2" (d'après la terminologie anglo-saxonne de "Standard Clean 2" qui signifie "solution de nettoyage standard 2"), et qui comprend un mélange d'acide chlorhydrique (HCl), de peroxyde d'hydrogène (H2O2) et d'eau déionisée. Le traitement de RTA est effectué à une température élevée pendant une courte période. De préférence, ce traitement thermique est effectué à une température comprise entre environ 1 150° C et 1 300° C, de préférence encore à environ 1200° C. Ce traitement est conduit pendant une durée de 15 secondes à 5 minutes, de préférence moins de 3 minutes. Ce RTA est réalisé de préférence dans une atmosphère d'hydrogène et/ou d'argon. Le traitement d'encapsulation peut également être effectué par épitaxie. L'encapsulation peut également être réalisée par un traitement de RTA suivi d'une épitaxie ou l'inverse, ces étapes étant réalisées dans les mêmes conditions que celles décrites précédemment. L'encapsulation peut également être réalisée par un recuit au laser, (connu sous la terminologie anglaise de "laser anneal"), ce recuit pouvant éventuellement être local et limité au bord du film détouré comprenant la couche superficielle 41 et l'isolant 42. Le procédé conforme à l'invention présente donc de nombreux avantages. Il permet d'obtenir une largeur L1 de couronne périphérique autour de la partie encapsulée, non seulement régulière tout autour du substrat SeOI mais également reproductible d'un substrat à l'autre (voir figure 6C). Le procédé conforme à l'invention permet en outre de réduire sensiblement la défectivité globale des substrats réalisés. En effet, l'étape de détourage permet non seulement d'éliminer les îlots 44 et les bords dentelés 45, mais également une grande proportion des particules présentes au bord et qui, en l'absence d'une telle étape, seraient susceptibles de se déposer sur la couche superficielle 41 du SeOI lors de l'étape de nettoyage précédant le traitement de RTA. Sans cette étape de détourage, de telles particules de matériau semiconducteur peuvent être déplacées de la périphérie vers le centre du substrat et être définitivement scellées sur ce substrat lors du traitement de RTA. Enfin, l'invention trouve une application particulière dans des 15 traitements de finition incluant des étapes d'oxydation sacrificielle et de désoxydation. On citera deux exemples de procédé incluant les étapes de finition conformes à l'invention. Un premier procédé comprend ainsi les étapes suivantes : 20 - détachement pour effectuer le transfert de couche(s) et obtenir le substrat SOI, - détourage suivi d'un traitement d'encapsulation conforme au procédé de l'invention, - première oxydation sacrificielle, suivie d'une première 25 désoxydation, - traitement de RTA, - éventuellement une seconde étape d'oxydation sacrificielle suivie d'une seconde étape de désoxydation. Un second procédé est le suivant : 30 - détachement pour effectuer le transfert de couche(s) et obtenir le substrat SOI, - traitement de RTA, - première oxydation sacrificielle, suivie d'une première désoxydation, 35 - détourage suivi d'un traitement d'encapsulation conforme au procédé de l'invention, - éventuellement une seconde étape d'oxydation sacrificielle suivie d'une seconde étape de désoxydation. Ces deux procédés sont particulièrement utilisés pour fournir des substrats destinés aux applications SOI partiellement ou totalement appauvri (connus sous la terminologie anglaise de "partially depleted SOI" ou ' fully depleted SOI"). REVENDICATIONS1. Procédé de finition d'un substrat (4) de type semi-conducteur sur isolant SeOI comprenant une couche d'isolant (42) enterrée entre deux couches de matériau semi-conducteur (41, 43), caractérisé en ce qu'il comprend successivement : - un détourage de la périphérie annulaire dudit substrat (4) de façon à obtenir un substrat détouré (4'), - une encapsulation du substrat détouré (4'), de façon à recouvrir le bord latéral détouré (420) de ladite couche d'isolant (42) enterrée, à l'aide d'un matériau semi-conducteur (410). 2. Procédé selon la revendication 1, caractérisé en ce que l'encapsulation du substrat détouré (4') est effectuée immédiatement après le détourage. 3. Procédé selon la revendication 1 ou 2, caractérisé en ce que le détourage est effectué par meulage du bord annulaire périphérique dudit substrat SeOI (4). 4. Procédé selon la revendication 1 ou 2, caractérisé en ce que le détourage est effectué par gravure du bord annulaire périphérique dudit substrat SeOI (4). 5. Procédé selon l'une des revendications précédentes, caractérisé en ce que l'encapsulation du substrat détouré (4') est réalisée en le soumettant à un traitement de recuit thermique rapide (RTA). 6. Procédé selon la revendication 5, caractérisé en ce que le traitement de recuit thermique rapide (RTA) est conduit à une température comprise entre 1150°C et 1300°C, pendant une durée comprise entre 15 secondes et 5 minutes environ. 7. Procédé selon la revendication 5 ou 6, caractérisé en ce que le traitement de recuit thermique rapide (RTA) est conduit sous une atmosphère d'hydrogène et/ou d'argon. 8. Procédé selon l'une des revendications 1 à 4, caractérisé en ce que l'étape d'encapsulation du substrat détouré (4') est réalisée par épitaxie. 9. Procédé selon l'une des revendications précédentes, caractérisé en ce que l'étape d'encapsulation du substrat détouré (4') est réalisée par un traitement de recuit thermique rapide (RTA) et une épitaxie. 10. Procédé selon l'une des revendications 1 à 4, caractérisé en ce que l'étape d'encapsulation du substrat détouré (4') est réalisée par un recuit à l'aide d'un laser. 11. Procédé selon l'une des revendications précédentes, caractérisé en ce que le détourage comprend les étapes consistant à :- déposer une couche d'un matériau de protection (6) sur une zone annulaire périphérique dudit substrat SeOI (4), à l'aide d'un plasma, - réaliser une gravure partielle dudit matériau de protection (6) à l'aide d'un plasma, de façon à conserver un anneau (60) de matériau de protection sur la face avant (411) dudit substrat SeOI (4), cet anneau (60) s'étendant à distance du bord latéral (46) dudit substrat, et à délimiter ainsi une zone annulaire périphérique réduite (500') accessible à un plasma, - générer un plasma de gravure partielle, localisé au niveau de ladite zone annulaire périphérique réduite du substrat SeOI (4), de façon à graver le matériau présent dans 10 cette zone (500') sur une certaine épaisseur, - retirer ledit anneau de matériau de protection (6) à l'aide d'un plasma. 12. Procédé selon la revendication 10, caractérisé en ce que le détourage est réalisé dans une enceinte (50) de formation d'un plasma isotrope. 13. Procédé selon la revendication 11, caractérisé en ce que le détourage est réalisé 15 par des étapes consistant à : - introduire ledit substrat SeOI (4) à l'intérieur d'une enceinte (50) de formation d'un plasma isotrope, équipée d'un élément supérieur isolant (53) en forme de disque et de deux électrodes (51, 52), l'une d'entre elle (52), dite "inférieure" étant entourée d'un élément inférieur isolant (54) de contour circulaire, ledit substrat (4) étant 20 disposé dans ladite enceinte (5) de sorte que sa face arrière (430) soit au contact de ladite électrode inférieure (52) et dudit élément isolant inférieur (54), de façon à définir une zone d'exclusion en face arrière (540), non accessible au plasma et l'isolant supérieur (53) étant positionné à distance de la face avant (411) dudit substrat SeOI (4), de façon à définir une zone d'exclusion en face avant (530) 25 également non accessible au plasma, les diamètres extérieurs des deux éléments isolants, inférieur (54) et supérieur (53), étant inférieurs au diamètre du substrat SeOI (4) à détourer, le reste de ce substrat constituant ladite zone annulaire périphérique (500) accessible au plasma, - déposer ladite couche d'un matériau de protection (6) sur la dite zone annulaire 30 périphérique (500), à l'aide d'un plasma formé dans ladite enceinte (50), - rapprocher l'isolant supérieur (53) de la face avant (411) dudit substrat SeOI et réaliser ladite gravure partielle du matériau de protection (6), - tout en maintenant l'isolant supérieur (53) dans sa position, graver une épaisseur du matériau constituant ledit substrat SeOI (4), 35 - écarter l'isolant supérieur (53) de la face (411) avant dudit substrat et retirer ledit anneau de matériau de protection (60). 14. Procédé selon l'une des revendications précédentes, caractérisé en ce que les étapes de détourage et d'encapsulation sont suivies d'une étape d'oxydation sacrificielle puis d'une étape de désoxydation. 15. Procédé selon la revendication 13, caractérisé en ce que lesdites étapes d'oxydation sacrificielle et de désoxydation sont suivies d'un traitement de recuit thermique rapide RTA, puis éventuellement d'une seconde oxydation sacrificielle et d'une seconde désoxydation. 16. Procédé selon la revendication 13, caractérisé en ce que les étapes de finition du substrat de type semiconducteur sur isolant SeOI (4) comprennent une première série d'étapes incluant un traitement de recuit thermique rapide RTA suivi d'une oxydation sacrificielle et d'une désoxydation et en ce que cette première série d'étapes précède lesdites étapes de détourage et d'encapsulation du substrat.