FR 2954622 A1 20110624 FR 0959274 A 20091221 1 OSCILLATEUR RADIOFREQUENCE [oo1i L'invention concerne un oscillateur radiofréquence [2] Par radiofréquence, on désigne des fréquences comprises entre 1 Mhz et quelques centaines de GHz, usuellement comprises entre 1 Mhz et 5 GHz. [3] Plus particulièrement, l'invention concerne un oscillateur radiofréquence intégrant un dispositif magnétorésistif au sein duquel circule un courant électrique polarisé en spin. Dans un tel oscillateur, le passage du courant provoque une variation périodique de la résistance du dispositif magnétorésistif. Un signal d'horloge est construit à partir de cette variation périodique. La période des variations de la résistivité, et donc la fréquence d'oscillation, peut être réglée en jouant sur l'intensité du courant qui traverse le dispositif magnétorésistif et/ou sur un champ magnétique externe. [4] De tels oscillateurs ont par exemple vocation à être utilisés dans le domaine 15 des radiotélécommunications car ils peuvent générer une large gamme de fréquences avec un facteur de qualité élevé. [5] Par facteur de qualité, on désigne ici le rapport suivant : Q = f/Af où : 20 - Q est le facteur de qualité, - f est la fréquence d'oscillation de l'oscillateur, et - Af est la largeur à mi-hauteur de la raie centrée sur la fréquence f dans le spectre de puissance de cet oscillateur. [006] Les oscillateurs radiofréquences sont issus de l'électronique de spin. 25 [007] L'électronique de spin utilise le spin des électrons comme degré de liberté supplémentaire afin de générer des effets nouveaux. La polarisation en spin d'un courant électrique résulte de l'asymétrie existant entre la diffusion des électrons de conduction de type "spin-up" (c'est-à-dire parallèle à l'aimantation locale) et de type "spin-down" (c'est-à-dire anti-parallèle à l'aimantation locale). Cette asymétrie conduit 30 à une asymétrie de la conductivité entre les deux canaux de spin-up et down, d'où une polarisation de spin nette du courant électrique. [008] Cette polarisation en spin du courant est à l'origine de phénomènes magnétorésistifs dans les multicouches magnétiques tels que la magnétorésistance géante (Baibich, M., Broto, J.M., Fert, A., Nguyen Van Dau, F., Petroff, F., Etienne, 35 P., Creuzet, G., Friederch, A. and Chazelas, J., " Giant magnetoresistance of (001)Fe/(001)Cr magnetic superlattices ", Phys.Rev.Lett., 61 (1988) 2472), ou la magnétorésistance tunnel (Moodera, JS., Kinder, LR., Wong, TM. and Meservey,R.. "Large magnetoresistance at room temperature in ferromagnetic thin film tunnel junctions", Phys.Rev.Lett 74 , (1995) 3273-6). [009] Par ailleurs, il a également été observé qu'en faisant passer un courant polarisé en spin à travers une couche mince magnétique, on pouvait induire un renversement de son aimantation en l'absence de tout champ magnétique externe (Katine, J.A., Albert, F.J., Buhrman, R.A., Myers, E.B., and Ralph, D.C., "Current- Driven Magnetization Reversa/ and Spin-Wave Excitations in Co /Cu /Co Pillars ", Phys.Rev.Lett. 84, 3149 (2000).). [0010] Le courant polarisé peut également générer des excitations magnétiques entretenues, également dénommées oscillations (Kiselev, S.I., Sankey, J.C., Krivorotov, LN., Emley, N.C., Schoelkopf, R.J., Buhrman, R.A., and Ralph, D.C., "Microwave oscillations of a nanomagnet driven by a spin-polarized current", Nature, 425, 380 (2003)). L'utilisation de l'effet de génération d'excitations magnétiques entretenues dans un dispositif magnétorésistif permet de convertir cet effet en une modulation de résistance électrique directement utilisable dans les circuits électroniques, et donc corollairement, susceptible d'intervenir directement au niveau de la fréquence. Le document US 5 695 864 décrit divers développements mettant en oeuvre le principe physique mentionné précédemment. Il décrit notamment la précession de l'aimantation d'une couche magnétique traversée par un courant électrique polarisé en spin. Les principes physiques mis en oeuvre ainsi que la terminologie utilisée sont également décrits et définis dans la demande de brevet FR 2 892 271. [0011] La fréquence d'oscillation de ces oscillateurs radiofréquences est ajustée en jouant sur l'intensité du courant qui le traverse et, éventuellement en plus, sur un champ magnétique externe. [0012] La demande de brevet US 2007/0 259 209 décrit un oscillateur radiofréquence comportant : - une couche libre dont l'aimantation précesse quand elle est traversée par un courant polarisé en spin perpendiculairement à son plan, - un injecteur de courant polarisé en spin dans la couche libre pour faire précesser de façon entretenue son aimantation, cet injecteur présentant une face d'injection du courant polarisé en spin directement en contact avec la couche libre, - un contact magnétorésistif présentant une face de mesure directement en contact avec la couche libre pour former, en combinaison avec la couche libre, une jonction tunnel permettant de mesurer la précession de l'aimantation de la couche libre, - un plot conducteur directement en contact avec la couche libre pour faire circuler à travers l'injecteur un courant électrique sans traverser le contact magnétorésistif. [0013] Le plot conducteur est particulièrement avantageux. En effet, si celui-ci était absent, l'intégralité du courant qui traverse l'injecteur devrait également traverser la jonction tunnel. La résistivité de la jonction tunnel devrait alors être faible pour pouvoir supporter les fortes densités de courant nécessaires à la précession sans claquage. Les jonctions tunnel de faible résistivité doivent avoir une barrière très fine (par exemple inférieure à un nanomètre). [0014] La barrière tunnel est la couche en matériau non magnétique permettant d'isoler magnétiquement une couche de référence du contact magnétorésistif de la couche libre tout en conservant la polarisation en spin du courant qui la traverse. [0015] Les matériaux non magnétiques sont ici définis comme des matériaux ne présentant pas d'aimantation mesurable en absence de champ magnétique extérieur. Il peut par exemple s'agir des matériaux dépourvus de propriété magnétique ou de matériaux paramagnétiques ou de matériaux diamagnétiques. [0016] Une barrière tunnel très fine correspond à un facteur RA très faible. Le facteur RA est le produit de la résistance de la barrière tunnel avec son aire (ici l'aire est la superficie de la section transversale de la barrière tunnel). [0017] Plus le facteur RA de la barrière tunnel est faible plus la plage de variation de la résistivité de la jonction tunnel est faible (par exemple inférieure à 10 %) et moins bonne est la sensibilité de la jonction tunnel à la précession de l'aimantation dans la couche libre. [0018] On comprend donc qu'en absence de ce plot conducteur, on se trouve devant une contradiction physique apparemment insoluble puisque la barrière tunnel doit à la fois être fine et épaisse ce qui oblige à avoir recours à des compromis peu satisfaisants. [0019] Bien que l'oscillateur radiofréquence décrit dans la demande US 2007/0259 209 fonctionne correctement, l'invention vise à l'améliorer encore plus. [0020] Elle a donc pour objet un oscillateur radiofréquence dans lequel au moins une partie des faces de mesure et d'injection sont disposées l'une en face de l'autre de chaque côté de la couche libre. [0021] L'amplitude de la précession de l'aimantation de la couche libre est plus forte juste en face de la face d'injection et s'atténue rapidement sur les côtés de cette face d'injection. Dès lors, en mesurant la précession de l'aimantation de la couche libre en face de la face d'injection, la sensibilité du contact magnétorésistif est accrue. [0022] Les modes de réalisation de cet oscillateur radiofréquence peuvent comporter une ou plusieurs des caractéristiques suivantes : ^ l'oscillateur comprend au moins une source de courant électriquement 35 raccordée à l'injecteur et/ou au contact magnétorésistif pour faire circuler du courant à travers les parties des faces de mesure et d'injection l'une en face de l'autre; ^ la face de mesure s'étend au-delà de la face d'injection; ^ la superficie de la face de mesure est au moins deux fois supérieure à la 40 superficie de la face d'injection; ^ la face d'injection s'étend au-delà de la face de mesure en direction du plot conducteur; ^ la totalité des faces de mesure et d'injection sont disposées l'une en face de l'autre; ^ l'oscillateur comporte une source de courant à laquelle sont raccordés en parallèle le plot conducteur et le contact magnétorésistif; ^ le facteur RA de la barrière tunnel du contact magnétorésistif est supérieur à 1 0pm2 et de préférence supérieur à 20 ou 50 Qpm2; ^ l'injecteur comprend un polariseur apte à polariser en spin le courant qui le traverse perpendiculairement au plan de sa couche et dont la direction de plus facile aimantation est perpendiculaire au plan de la couche libre; ^ l'injecteur comprend un polariseur et une couche non magnétique conductrice apte à découpler magnétiquement le polariseur de la couche libre de manière à ce que l'empilement du polariseur, de la couche non magnétique conductrice et de la couche libre forme une magnétorésistance géante; ^ l'injecteur comprend un polariseur et une couche non magnétique isolante apte à découpler magnétiquement le polariseur de la couche libre de manière à ce que l'empilement du polariseur, de la couche non magnétique isolante et de la couche libre forme une jonction tunnel; ^ le polariseur est un antiferromagnétique synthétique; et ^ la couche libre est un antiferromagnétique synthétique. [0023] Ces modes de réalisation de l'oscillateur radiofréquence présentent en outre les avantages suivants : û avoir la face de mesure qui s'étend au-delà de la face d'injection accroît encore plus la sensibilité du contact magnétorésistif ; û avoir la face d'injection qui s'étend au-delà de la face de mesure augmente également la sensibilité de l'oscillateur radiofréquence ; û avoir la totalité des faces de mesure et d'injection disposées l'une en face de l'autre 30 accroît la sensibilité de l'oscillateur radiofréquence car la précession de l'aimantation est uniquement mesurée là où elle est maximale ; û raccorder en parallèle le plot conducteur et le contact magnétorésistif à une même source de courant permet de n'utiliser qu'une seule source de courant pour générer à la fois le courant qui traverse uniquement l'injecteur et le courant qui traverse 35 l'injecteur et le contact magnétorésistif ; û utiliser un polariseur dont la direction de plus facile aimantation est perpendiculaire au plan de la couche libre permet d'améliorer l'amplitude de la précession de l'aimantation dans la couche libre et de générer des oscillations sans avoir à appliquer un champ magnétique externe; ù utiliser la face d'une barrière en matériau non magnétique isolant pour former la face d'injection accroît encore plus la sensibilité de l'oscillateur radiofréquence car les lignes de courant s'évasent plus pour franchir cette barrière ce qui permet d'être sensible à la précession de l'aimantation de la couche libre sur une surface supérieure à la superficie de la face d'injection. [0024] L'invention sera mieux comprise à la lecture de la description qui va suivre, donnée uniquement à titre d'exemple non limitatif et faite en se référant aux dessins sur lesquels : ù la figure 1 est une illustration schématique et en coupe verticale d'un premier mode 10 de réalisation d'un oscillateur radiofréquence, ù les figures 2 à 6 et la figure 8 sont des illustrations schématiques et en coupe verticale d'autres modes de réalisation d'un oscillateur radiofréquence, et ù la figure 7 est une illustration schématique, en coupe horizontale, du mode de réalisation de l'oscillateur radiofréquence de la figure 6. 15 [0025] Dans ces figures, les mêmes références sont utilisées pour désigner les mêmes éléments. [0026] Dans la suite de cette description, les caractéristiques et fonctions bien connues de l'homme du métier ne sont pas décrites en détail. En particulier, pour plus de détail sur la façon de réaliser les différentes couches des oscillateurs 20 radiofréquences décrits ici et en particulier sur les matériaux utilisables à cet effet, il est possible de se référer à la demande de brevet FR 2 892 271. [0027] Dans la suite de cette description, les termes « supérieur », « inférieur », « haut », « bas » sont définis par rapport à la direction verticale représentée par une flèche V sur les figures. 25 [0028] La figure 1 représente un oscillateur radiofréquence 2 en coupe verticale. [0029] L'oscillateur 2 comprend une couche libre 4 horizontale au-dessus de laquelle est disposé un injecteur 6 et en-dessous de laquelle est disposé un contact magnétorésistif 8. [0030] La couche 4 est une couche dont l'aimantation précesse lorsqu'elle est 30 traversée par un courant polarisé en spin perpendiculairement à son plan. Cette précession est entretenue lorsque l'intensité du courant polarisé en spin dépasse l'intensité d'un courant critique I. Sur la figure 1 comme sur les figures suivantes, la précession de l'aimantation de la couche 4 est symbolisée par des flèches P dont l'extrémité décrit un cercle C. Le diamètre de ce cercle C est représentatif de 35 l'amplitude de la précession de l'aimantation de la couche 4. [0031] La couche 4 est typiquement réalisée dans un matériau magnétique électriquement conducteur. Par exemple, la couche 4 est réalisée en permalloy, en alliage NiFe ou CoFe ou CoFeB ou formée d'une association de deux ou plusieurs couches comme NiFe/CoFe. Cette couche 4 est une couche magnétique douce, c'est-à-dire dont l'aimantation peut facilement s'orienter sous l'effet d'un faible champ extérieur. [0032] Ici, la plus grande dimension dans un plan horizontale de la couche 4 est typiquement inférieure à 10 pm et de préférence inférieure à 1 pm. Cette plus grande dimension est par exemple supérieure à 100 nm. Ici, la couche 4 a la forme d'un disque horizontal. Toutefois, d'autres formes sont possibles telles qu'une forme rectangulaire. [0033] L'injecteur 6 permet d'injecter un courant polarisé en spin dans la couche libre 4 propre à déclencher la précession entretenue de l'aimantation de cette couche 4. Ici, l'injecteur 6 se présente sous la forme d'un pilier dont la section horizontale est constante. Par exemple, sa section horizontale est circulaire. La plus grande dimension horizontale de ce pilier est au moins deux fois et de préférence au moins trois fois inférieure à la plus grande dimension de la couche libre 4. Par exemple, le diamètre du pilier est approximativement quatre fois inférieure au diamètre de la couche libre 4. [0034] L'injecteur 6 est disposé à proximité de la périphérie extérieure de la couche 4 [0035] Par exemple, l'injecteur 6 est réalisé par l'empilement des couches suivantes en allant du bas vers le haut : ù un espaceur 10, ù un polariseur 12, et ù une électrode conductrice 14. [0036] Le polariseur 12 polarise en spin le courant qui le traverse verticalement. A cet effet, il s'agit typiquement d'une couche réalisée en matériau magnétique conducteur dont l'épaisseur est suffisante pour polariser en spin les électrons qui la traversent verticalement. Par exemple, l'épaisseur du polariseur 12 est comprise entre 5 nm et 100 nm. [0037] La direction de plus facile aimantation du polariseur 12 est perpendiculaire au plan de la couche 4 et représentée par une flèche K. [0038] Pour plus d'information sur la réalisation d'un tel polariseur, il est possible de se référer à la demande de brevet FR 2 817 998. [0039] L'espaceur 10 permet de découpler magnétiquement le polariseur 12 de la couche libre 4 tout en conservant la polarisation en spin du courant qui le traverse verticalement. A cet effet, l'épaisseur de l'espaceur 10 est choisie judicieusement pour remplir ces fonctions. Cet espaceur 10 présente une face supérieure en contact avec le polariseur 12 et une face inférieure 16, appelée ici « face d'injection » directement en contact avec la face supérieure de la couche libre 4. [0040] Ici, l'espaceur 10 est réalisé dans un matériau non magnétique électriquement conducteur de manière à ce que la combinaison de l'injecteur 6 et de 40 la couche libre 4 forme une magnétorésistance géante (plus connue sous l'acronyme GMR (Giant Magneto Resistance)). Par exemple, l'espaceur 10 est réalisé en métal tel que du cuivre. [0041] L'électrode 14 disposée sur le polariseur 12 permet de raccorder l'injecteur 6 à une source de courant ou à un potentiel de référence tel que la masse. [0042] Le contact magnétorésistif 8 permet de mesurer la précession de l'aimantation de la couche 4. Plus précisément, la combinaison de ce contact magnétorésistif 8 avec la couche 4 joue le rôle d'un transducteur capable de transformer la précession de l'aimantation de la couche 4 en une variation de résistance. [0043] A cet effet, l'association du contact magnétorésistif 8 et de la couche libre 4 forme une jonction tunnel ou TMR (Tunnel Magneto Resistance). [0044] Ici, le contact 8 est structuré sous la forme d'un pilier dont la section horizontale est constante. Plus précisément, ce contact 8 est conformé de façon à recouvrir toute la face inférieure de la couche 4. Le contact 8 a donc ici le même diamètre que celui de la couche libre. Ce diamètre est typiquement au moins trois fois supérieur au diamètre de la face d'injection 16. [0045] Le contact 8 est formé de l'empilement successif des trois couches suivantes : û une barrière tunnel 20, û une couche de référence 22, et û une électrode conductrice 24. [0046] La couche de référence 22 présente une direction d'aimantation fixe par rapport à celle de la couche libre 4. Ici, cette direction d'aimantation, représentée par une flèche M, est parallèle au plan de la couche 4. Cette couche 22 peut être une couche simple relativement épaisse (de quelques nanomètres à quelques dizaines de nanomètres, typiquement de l'ordre de 20 nm) réalisée en cobalt, en alliage CoFe ou NiFe par exemple. La couche 22 sert de couche de référence pour la lecture de la magnétorésistance. Elle doit donc être magnétiquement plus stable que la couche 4, c'est-à-dire que sa polarisation doit être plus difficile à modifier que celle de la couche 4. Pour cela, on joue par exemple sur son épaisseur. Par contre, la couche 22 n'a pas pour fonction de polariser en spin les électrons qui la traversent. [0047] Pour réduire l'épaisseur de cette couche 22, celle-ci peut aussi être laminée par insertion de quelques (typiquement 2 à 4) très fines couches en cuivre, d'argent ou d'or d'épaisseur de l'ordre de 0,2 à 0,5 nm. Ces couches insérées sont suffisamment fines pour assurer un fort couplage d'échange dans l'ensemble de la couche laminée de sorte que le piégeage de cette couche reste fort. [0048] La composition typique d'une telle couche de référence laminée peut être (CoFe 1 nm/Cu 0,3 nm)3/CoFe 1 nm). Cette couche de référence peut également être constituée par un antiferromagnétique synthétique plus connu sous l'acronyme SAF (Synthetic Antiferromagnetic) du type (CoFe 3 nm/Ru 0,7 nm)/CoFe 2,5 nm. [0049] Un antiferromagnétique synthétique ou artificiel est un empilement d'au moins deux sous-couches ferromagnétiques, chaque sous-couche étant couplée magnétiquement avec chaque sous-couche ferromagnétique adjacente par un couplage RKKY (Ruderman-Kittel-Kasuya-Yosida) antiferromagnétique. De plus, les sous-couches ferromagnétiques d'un antiferromagnétique synthétique sont dimensionnées pour que l'aimantation globale de l'antiferromagnétique synthétique soit nulle en absence de champ magnétique extérieur. [0050] Pour obtenir un couplage RKKY, les sous-couches ferromagnétiques sont séparées les unes des autres par de fines sous-couches non magnétiques. [0051] Selon l'épaisseur de la sous-couche non magnétique, le couplage RKKY obtenu est : • soit « antiferromagnétique », c'est-à-dire que les moments magnétiques des deux sous-couches couplées sont antiparallèles, • soit « ferromagnétique », c'est-à-dire que les moments magnétiques des deux 15 sous-couches couplées sont parallèles. [0052] Dans un antiferromagnétique synthétique, l'épaisseur de la ou des sous-couches non magnétiques est systématiquement choisie pour obtenir un couplage RKKY antiferromagnétique. [0053] Pour plus d'informations sur le couplage RKKY, il est possible de se référer 20 aux deux articles suivants : S. Parkin et al., Physical Review B 44 N°13 (1991) et S. Parkin et al. Physical Review Letters 64 N°19 (1990). [0054] La couche de référence peut être également piégée par une couche antiferromagnétique de manière à fixer son aimantation dans une direction particulière. Une telle couche antiferromagnétique peut être en Ir2oMn8o d'épaisseur 25 de 6 à 10 nm ou en Pt50Mn5o d'épaisseur comprise entre 15 et 30 nm. [0055] La barrière 20 remplit sensiblement la même fonction que l'espaceur 10. Elle est typiquement réalisée dans un matériau non magnétique électriquement isolant. Par exemple, la barrière 20 est ici réalisée en oxyde de magnésium (MgO) de 0,5 à 3 nm d'épaisseur. Cette barrière pourrait aussi être réalisée en oxyde d'aluminium 30 (Alumine AI2O3) d'épaisseur comprise entre 0,5 et 1,5 nm. [0056] Cette barrière 20 présente une face supérieure 26 appelée ici « face de mesure » directement en contact avec la face inférieure de la couche libre 4. Cette face 26 s'étend donc au-delà de la face 16 dans une direction horizontale et, plus précisément, en direction d'un plot conducteur 30. Typiquement, le diamètre de la 35 face 26 est au moins deux fois et, de préférence, au moins trois fois supérieur à celui de la face 16. [0057] La face inférieure de la barrière 20 est directement en contact avec la couche de référence 22. [0058] A cause de ses dimensions, la barrière 20 présente un facteur RA élevé c'est-à-dire au moins supérieur à 1 ou 5 Qpm2 et de préférence supérieur à 20 ou 50 Opm2. Ce facteur RA élevé accroît la sensibilité de l'oscillateur radiofréquence 2. [0059] L'électrode 24 est disposée sous la couche de référence 22. Elle permet de raccorder électriquement le contact 8 à une source de courant ou à un potentiel de référence. [0060] Du fait que les dimensions horizontales de la couche libre 4 sont plusieurs fois supérieures aux dimensions horizontales de la face 16, une partie de la face supérieure de la couche 4 n'est pas occupée par l'injecteur 6. Le plot conducteur 30 est directement déposé sur cette partie dégagée de la face supérieure de la couche 4. Ce plot 30 permet de faire circuler du courant au travers de l'injecteur 6 en limitant la quantité de courant qui traverse le contact 8. Typiquement ce plot 30 est disposé à proximité de la périphérie de la couche 4 diamétralement opposé à l'injecteur 6. Ainsi, le plot 30 est espacé de l'injecteur 6 par une distance horizontale D au moins supérieure à 20 nm. Typiquement, la distance D est également inférieure à 500 nm ou 1 pm. [0061] Ici, le plot 30 a la forme d'un pilier vertical circulaire dont le diamètre est par exemple compris entre 50 et 150 nm. [0062] Le plot 30 est réalisé dans un matériau métallique non magnétique tel que 20 par exemple du cuivre. [0063] Ici, le plot 30 est raccordé à la masse. [0064] L'oscillateur 2 comprend également une source de courant 32 apte à générer un courant électrique qui traverse l'injecteur 6. A cet effet, la source de courant 32 est directement raccordée à l'électrode 14 de l'injecteur 6. Le courant généré par la 25 source 32 circule à travers l'injecteur 6 en allant du haut vers le bas comme représenté par la ligne de courant 34. [0065] L'oscillateur 2 comprend également ici une autre source de courant 36 apte à générer un courant au travers du contact magnétorésistif 8 pour assurer la lecture du signal utile. La source 36 est conçue pour que l'intensité du courant qui traverse le 30 contact magnétorésistif 8 soit au moins deux fois et, de préférence, au moins dix fois inférieure à celle du courant qui traverse l'injecteur 6. [0066] Lors du fonctionnement de l'oscillateur 2, l'injecteur 6 polarise en spin le courant généré par la source 32. Ce courant polarisé en spin provoque alors la précession de l'aimantation de la couche libre 4. Cette précession de l'aimantation se 35 propage, à partir de la surface d'injection 16 dans la couche libre 4 en s'atténuant d'autant plus que l'on est éloigné de la face d'injection. [0067] Etant donné que la couche 4 et le plot 30 sont réalisés dans des matériaux bons conducteurs, l'essentiel du courant qui traverse l'injecteur 6 circule dans la couche 4 puis le plot 30 avant d'atteindre la masse. Ceci est représenté par une ligne 40 de courant 38. [0068] En parallèle, le courant injecté par la source de courant 36, d'intensité beaucoup plus faible que le courant circulant dans le plot 30, traverse la barrière tunnel 20 permettant ainsi la mesure de la magnétorésistance. Ainsi, la variation de la résistance de la jonction tunnel causée par la précession de l'aimantation de la couche libre 4 est mesurable. Par exemple, cette variation de résistance est représentée par la variation d'une tension VAC entre la masse et l'électrode 24. [0069] Du fait que la face d'injection 16 se trouve en face de la face de mesure 26, le contact magnétorésistif 8 est sensible à la précession de l'aimantation de la couche 4 ayant la plus forte amplitude. Cela contribue donc à augmenter la sensibilité de l'oscillateur 2. [0070] De plus, étant donné que le contact magnétorésistif présente une résistivité beaucoup plus élevée que celle du plot 30, on estime que les lignes de courant qui traversent ce contact 8 tendent à s'étaler au niveau de la barrière 20 comme représenté par les flèches 40. Ainsi, le contact magnétorésistif est non seulement sensible à la précession de l'aimantation juste à la verticale de l'injecteur 6 mais également à la précession de l'aimantation dans l'ensemble de la couche 4. Cela augmente également la sensibilité de l'oscillateur 2. [0071] Enfin, le facteur RA de la barrière 20 est ici élevé. [0072] La figure 2 représente un oscillateur 50 similaire à l'oscillateur 2 mais dans lequel les positions de l'injecteur et du contact magnétorésistif ont été inversées par rapport à celles représentées dans la figure 1. Plus précisément, l'oscillateur radiofréquence 50 comprend un injecteur 52 situé sous la couche libre 4 et un contact magnétorésistif 54 situé sur la couche libre 4. [0073] L'injecteur 52 est par exemple identique à l'injecteur 6 à l'exception du fait que son diamètre est égal au diamètre de la couche libre 4 de manière à ce que la face 16 d'injection recouvre la totalité de la face inférieure de la couche 4. [0074] Le contact 54 est par exemple identique au contact 8 à l'exception que son diamètre est au moins deux fois et de préférence au moins trois fois inférieur au diamètre de la couche libre 4. Dans ces conditions, la face d'injection 16 s'étend au- delà de la face de mesure 26 en direction du plot 30. Par exemple, la face 16 a un diamètre au moins trois fois supérieur à celui de la face de mesure. [0075] Le contact 54 est diamétralement opposé au plot 30 de manière à être séparé de celui-ci par la distance D. Comme précédemment cette distance D est supérieure à 20 nm et, de préférence, inférieure à 1 [gym ou 500 nm. [0076] Dans ce mode de réalisation de l'oscillateur radiofréquence 50, la source de courant 32 est directement raccordée au plot 30 tandis que l'électrode 14 est raccordée à la masse. [0077] La source de courant 36 est quant à elle toujours directement raccordée à l'électrode 24. Des lignes de courant 56 et 58 illustrent la circulation du courant dans 40 l'oscillateur 50. [0078] Dans ce mode de réalisation, étant donné que la face de mesure est en face de la face d'injection, la sensibilité de l'oscillateur est accrue. De plus, puisque la couche 10 est conductrice, la propagation de la précession de l'aimantation dans la couche 4 permet d'amplifier la précession de l'aimantation à l'aplomb de la face de mesure 26. [0079] La figure 3 représente un oscillateur radiofréquence 60 identique à l'oscillateur radiofréquence 50 à l'exception du fait qu'une seule source de courant 62 est utilisée pour faire circuler le courant à travers le plot 30 et le contact magnétorésistif 54. Ici, la source de courant 62 est directement raccordée au plot 30 et à l'électrode 24 du contact 54. Ainsi, le plot 30 et le contact 54 sont raccordés en parallèle aux bornes de la source 62. [0080] Des lignes de courant 64 et 66 illustrent la circulation du courant dans l'oscillateur 60. La tension VAC entre l'électrode 24 et l'électrode 14 est représentative de la précession de l'aimantation dans la couche 4. Un condensateur 68 isole les bornes entre lesquelles la tension VAC est mesurée de l'électrode 24. [oo8l] La figure 4 représente un oscillateur radiofréquence 70 identique à l'oscillateur radiofréquence 50 à l'exception du fait que l'injecteur 52 est remplacé par un injecteur 72. [0082] L'injecteur 72 est par exemple identique à l'injecteur 52 sauf que l'espaceur 10 est remplacé par une barrière tunnel 74 réalisée dans un matériau non magnétique électriquement isolant. Typiquement, cette barrière 74 présente une faible résistivité. Par exemple, le facteur RA de la barrière 74 est strictement inférieure 5 Qpm2. La résistivité de la barrière 74 reste cependant très supérieure (par exemple dix fois supérieure) à la résistivité d'un espaceur réalisé dans un matériau non magnétique électriquement conducteur. [0083] On estime que cette résistivité accrue de la barrière 74 provoque un étalement des lignes de courant tel que représenté par les flèches 76 et 78 au niveau de l'interface entre la face d'injection 16 et la couche libre 4. Cet étalement des lignes de courant au niveau de cette interface améliore la sensibilité de l'oscillateur 70. [0084] La figure 5 représente un oscillateur radiofréquence 80 identique à l'oscillateur radiofréquence 50 à l'exception du fait que l'injecteur 52 est remplacé par un injecteur 82. L'injecteur 82 est identique à l'injecteur 52 sauf que celui-ci est conformé de manière à ce que la totalité des faces d'injection 16 et de mesure 26 sont en face l'une de l'autre de chaque côté de la couche 4. [0085] Par exemple, à cet effet, le diamètre de l'espaceur 10 et du polariseur 12 sont réduits et égaux au diamètre de la face de mesure 26. L'espace libre situé en dessous de la couche 4 libéré par la réduction du diamètre de l'espaceur 10 et du polariseur 12 est par exemple rempli d'un matériau non magnétique électriquement isolant tel qu'un diélectrique 84. [0086] Dans ce mode de réalisation, la précession de l'aimantation dans la couche 4 est uniquement mesurée à l'emplacement où l'amplitude de celle-ci est maximale. Ceci améliore la sensibilité de l'oscillateur radiofréquence 80. De plus, dans ce mode de réalisation, la distance D qui sépare le contact magnétorésistif 54 du plot 30 peut être quelconque. [0087] Les figures 6 et 7 représentent un oscillateur radiofréquence 90 identique à l'oscillateur radiofréquence 2 à l'exception que l'injecteur 6 est remplacé par plusieurs injecteurs disposés sur la face supérieure de la couche 4. A titre d'illustration, l'injecteur 6 est ici remplacé par quatre injecteurs 92 à 95 régulièrement répartis autour du plot 30. Par exemple, chaque injecteur 92 à 95 est identique à l'injecteur 6. [0088] Ici, chaque injecteur 92 à 95 est raccordé à sa propre source de courant. Seules deux sources de courant 96 et 98 sont représentées sur la figure 6. [0089] Le fonctionnement de cet oscillateur 90 se déduit du fonctionnement de l'oscillateur 2. [0090] L'utilisation de plusieurs injecteurs permet d'augmenter le facteur de qualité et la puissance du signal mesuré par le contact magnétorésistif 8. [0091] La figure 8 représente un oscillateur radiofréquence 100 identique à l'oscillateur radiofréquence 2 à l'exception du fait que l'injecteur 6 et le contact magnétorésistif 8 sont remplacés, respectivement, par un injecteur 102 et un contact magnétorésistif 104. [0092] L'injecteur 102 est par exemple identique à l'injecteur 6 sauf que le polariseur 12 est remplacé par un polariseur 106 dont l'aimantation (flèche K) est parallèle au plan de la couche libre 4. [0093] Le contact magnétorésistif 104 est par exemple identique au contact 8 sauf 25 que la couche de référence 22 est remplacée par une couche de référence 108 dont l'aimantation est cette fois-ci perpendiculaire au plan de la couche 4. [0094] Dans ce mode de réalisation, la source de courant 32 est raccordée entre le plot 30 et l'électrode 14 de l'injecteur 102. Des flèches 110 et 112 représentent schématiquement des lignes de courant circulant au travers de cet oscillateur 100. 30 [0095] Dans ce mode de réalisation, le polariseur est par exemple remplacé par une couche de référence piégée ou par un SAF. [0096] De nombreux autres modes de réalisation sont possibles. Par exemple, d'autres dispositions des injecteurs que celle décrite en regard des figures 6 et 7 sont possibles. En particulier, les différents injecteurs peuvent être des anneaux 35 concentriques placés autour du plot 30. [0097] En variante, tous les injecteurs du mode de réalisation des figures 6 et 7 ou seulement certains d'entre eux sont raccordés à une même source de courant. [0098] L'enseignement donné en regard des figures 6 et 7 peut être appliqué aux oscillateurs 50, 70 et 80. Dans le cas des oscillateurs 50 et 70, plusieurs contacts 40 magnétorésistifs sont répartis sur la face supérieure de la couche libre 4. Dans le cas de l'oscillateur 80, cela conduit à augmenter, de part et d'autre de la même couche libre 4, le nombre d'injecteurs et de contacts magnétorésistifs dont les faces sont totalement en vis-à-vis les unes des autres. [0099] Dans l'ensemble des modes de réalisation décrits, le polariseur peut être remplacé par une couche de référence dont l'aimantation est piégée dans une direction fixe non nécessairement perpendiculaire au plan de la couche libre. [00100] Le sens du courant généré par la ou les sources de courant peut être inversé de sorte que les différentes lignes de courant représentées ne sont données ici qu'à titre d'illustration d'un mode possible de fonctionnement. [00101] La source de courant qui fait circuler le courant au travers du contact magnétorésistif peut être omise si le courant qui traverse naturellement la barrière tunnel est suffisant pour permettre la mesure de la variation de résistance de la jonction tunnel. [00102] Les deux sources de courant peuvent être remplacées par une seule source de courant en raccordant en parallèle le plot 30 et le contact magnétorésistif aux bornes d'une seule et unique source de courant. La majorité du courant traverse alors l'injecteur puis le plot conducteur car la barrière tunnel présente une résistivité beaucoup plus élevée. Ceci a par exemple été représenté dans le mode de réalisation de la figure 3. [00103] Quel que soit le mode de réalisation décrit, l'espaceur de l'injecteur peut être remplacé par une barrière tunnel en matériau non magnétique isolant de manière à former, en combinaison avec la couche libre, une jonction tunnel. Dans ce cas, pour conserver une bonne conductivité, le facteur RA de la barrière tunnel est de préférence choisi inférieur à 5 Qpm2. [00104] Le plot conducteur peut être formé par un empilement de plusieurs métaux non magnétiques conducteurs. [00105] La couche libre peut être formée d'un empilement de couches. Typiquement, cet empilement de couches forme alors un SAF. REVENDICATIONS1. Oscillateur radiofréquence comportant : - une couche libre (4) dont l'aimantation précesse quand elle est traversée par un courant polarisé en spin perpendiculairement à son plan, - un injecteur (6; 52; 72 ; 82; 92-95; 102) de courant polarisé en spin dans la couche libre pour faire précesser de façon entretenue son aimantation, cet injecteur présentant une face d'injection (16) du courant polarisé en spin directement en contact avec la couche libre, - un contact magnétorésistif (8; 54; 104) présentant une face de mesure (26) directement en contact avec la couche libre pour former, en combinaison avec la couche libre, une jonction tunnel permettant de mesurer la précession de l'aimantation de la couche libre, - un plot conducteur (30) directement en contact avec la couche libre pour faire circuler à travers l'injecteur un courant électrique sans traverser le contact magnétorésistif, caractérisé en ce qu'au moins une partie des faces de mesure (26) et d'injection (16) sont disposées l'une en face de l'autre de chaque côté de la couche libre (4). 2. Oscillateur selon la revendication 1, dans lequel l'oscillateur comprend au moins une source (32, 36; 62; 96, 98) de courant électriquement raccordée à l'injecteur et/ou au contact magnétorésistif pour faire circuler du courant à travers les parties des faces de mesure et d'injection l'une en face de l'autre. 3. Oscillateur selon l'une quelconque des revendications précédentes, dans lequel la 25 face de mesure (26) s'étend au-delà de la face d'injection (16). 4. Oscillateur selon la revendication 3, dans lequel la superficie de la face de mesure (26) est au moins deux fois supérieure à la superficie de la face d'injection (16). 5. Oscillateur selon l'une quelconque des revendications 1 à 2, dans lequel la face d'injection (16) s'étend au-delà de la face de mesure (26) en direction du plot 30 conducteur. 6. Oscillateur selon l'une quelconque des revendications 1 à 2, dans lequel la totalité des faces de mesure (26) et d'injection (16) sont disposées l'une en face de l'autre. 7. Oscillateur selon l'une quelconque des revendications précédentes, dans lequel l'oscillateur comporte une source de courant (62) à laquelle sont raccordés en 5 parallèle le plot conducteur (30) et le contact magnétorésistif (54). 8. Oscillateur selon l'une quelconque des revendications précédentes, dans lequel le facteur RA de la barrière tunnel (20) du contact magnétorésistif est supérieur à 1 0pm2 et de préférence supérieur à 20 ou 50 Qpm2. 9. Oscillateur selon l'une quelconque des revendications précédentes, dans lequel 10 l'injecteur (102) comprend un polariseur (106) apte à polariser en spin le courant qui le traverse perpendiculairement au plan de sa couche et dont la direction de plus facile aimantation est perpendiculaire au plan de la couche libre (4). 10.Oscillateur selon l'une quelconque des revendications précédentes, dans lequel l'injecteur comprend un polariseur (12) et une couche non magnétique conductrice 15 (10) apte à découpler magnétiquement le polariseur de la couche libre (4) de manière à ce que l'empilement du polariseur, de la couche non magnétique conductrice et de la couche libre forme une magnétorésistance géante. 11.Oscillateur selon l'une quelconque des revendications 1 à 9, dans lequel l'injecteur comprend un polariseur (12) et une couche non magnétique électriquement isolante 20 (74) apte à découpler magnétiquement le polariseur de la couche libre (4) de manière à ce que l'empilement du polariseur, de la couche non magnétique et de la couche libre forme une jonction tunnel. 12.Oscillateur selon la revendication 10 ou 11, dans lequel le polariseur est un antiferromagnétique synthétique. 25 13. Oscillateur selon l'une quelconque des revendications précédentes, dans lequel la couche libre est un antiferromagnétique synthétique.