FR 2953327 A1 20110603 FR 1059905 A 20101130 Contexte de l'invention [0001] Des chambres de gravure au plasma sont couramment utilisées pour graver une ou plusieurs couches formées sur un substrat semiconducteur. Pendant la gravure, le substrat prend appui sur un support de substrat situé à l'intérieur de la chambre. Un support de substrat comprend typiquement un mécanisme de serrage. Des bagues latérales peuvent être disposées autour du support de substrat (c'est-à-dire autour du substrat) pour confiner le plasma à l'espace situé au-dessus du substrat et/ou pour protéger le support de substrat de l'érosion par le plasma. Les bagues latérales, parfois désignées sous le nom d'anneaux de focalisation, peuvent être des pièces sacrificielles (c'est-à-dire consommables). Des anneaux de bord conducteurs et non conducteurs sont décrits dans les brevets U.S. détenus en commun Nos 5 805 408 ; 5 998 932 ; 6 013 984 ; 6 039 836 et 6 383 931. [0002] Des techniques lithographiques peuvent être utilisées pour former des motifs géométriques sur une surface du substrat. Pendant un traitement lithographique, un motif tel qu'un motif de circuit intégré peut être projeté à partir d'un masque ou d'un réticule et être transféré sur un revêtement photosensible (par exemple une résine photosensible) formé sur la surface du substrat. La gravure au plasma peut quant à elle être utilisée pour transférer le motif formé dans la couche de résine photosensible sur une ou plusieurs couches formées sur le substrat, qui sont sous-jacentes à la couche de résine photosensible. [0003] Pendant la gravure au plasma, un plasma est formé au-dessus de la surface du substrat par application d'un rayonnement électromagnétique radiofréquence (RF) à un gaz (ou à un mélange de gaz) à basse pression. En ajustant le potentiel électrique du substrat, on peut diriger des espèces chargées dans le plasma afin qu'elles soient 2 incidentes sur la surface du substrat et enlèvent ainsi du matériau (par exemple des atomes). [0004] La gravure au plasma peut être rendue plus efficace en utilisant des gaz qui sont chimiquement réactifs avec le matériau à graver. La technique dite de "gravure ionique réactive" combine les effets de l'impact énergétique du plasma aux effets de gravure chimique d'un gaz réactif. [0005] Un sous-produit de la gravure peut se déposer de façon indésirable sur un bord latéral (par exemple un bord biseauté) ou sur la face inférieure du substrat. Le dépôt d'un sous-produit qui peut se volatiliser pendant les traitements ultérieurs, peut avoir un effet défavorable sur le rendement du processus. Pour rendre maximal le rendement, il serait souhaitable de réduire l'accumulation de polymère sur la face inférieure et sur le bord biseauté du substrat. Résumé de l'invention [0006] On décrit ici un ensemble formant anneau de bord utilisé dans une chambre de gravure au plasma, l'ensemble formant anneau de bord comportant un anneau de couplage diélectrique apte à entourer un support de substrat dans la chambre de gravure au plasma, et un anneau de bord conducteur supporté par l'anneau de couplage diélectrique de telle façon qu'un substrat supporté par le support de substrat soit en surplomb au-dessus d'une partie de l'anneau de bord conducteur. Brève description des figures [0007] La figure 1 est une illustration d'une chambre de 30 gravure au plasma à plaques parallèles. [0008] La figure 2A représente un ensemble formant anneau de bord monté sur un support de substrat dans une chambre de gravure au plasma à plaques parallèles, conformément à un mode de réalisation. 35 [0009] La figure 2B représente un ensemble formant anneau de bord monté sur un support de substrat dans une chambre de gravure au plasma à plaques parallèles, conformément à un autre mode de réalisation. [0010] La figure 3 représente une vue de dessus d'un anneau de couplage diélectrique, tel qu'illustré sur la 5 figure 2A. [0011] La figure 4 représente une vue en coupe transversale passant par une ligne A de la figure 3. [0012] La figure 5 représente une vue de dessus d'un anneau de bord conducteur tel qu'illustré sur la figure 2A. 10 [0013] La figure 6 représente une vue en coupe transversale suivant la ligne D de la figure 5. [0014] La figure 7 représente une vue en coupe transversale suivant la ligne C de la figure 5. [0015] La figure 8 représente une vue de dessus d'un 15 anneau de couplage diélectrique tel que représenté sur la figure 2B. [0016] La figure 9 représente une vue en coupe transversale suivant la ligne A de la figure 8. [0017] La figure 10 représente une vue de dessus d'un 20 anneau de bord conducteur tel qu'illustré sur la figure 2B. [0018] La figure 11 représente une vue en coupe transversale suivant la ligne B de la figure 10. Description détaillée [0019] Dans une chambre de gravure au plasma à plaques 25 parallèles dans laquelle un gaz de traitement est introduit par l'intermédiaire d'une électrode en pomme de douche et dans laquelle un substrat semiconducteur prenant appui sur un support de substrat est gravé par un plasma produit par application d'énergie RF par l'intermédiaire de la pomme de 30 douche et/ou du support de substrat, l'uniformité du plasma peut être affectée par le couplage RF entre le support de substrat et le plasma. [0020] Pour améliorer l'uniformité du plasma, un ensemble formant anneau de bord peut être configuré de 35 façon à entourer le support de substrat dans la chambre de gravure au plasma. L'ensemble formant anneau de bord 4 comprend un anneau de bord conducteur et un anneau de couplage diélectrique agencé de façon que l'anneau de couplage diélectrique entoure le support de substrat et que l'anneau de bord conducteur{ prenne appui sur l'anneau de couplage diélectrique. L'anneau de bord conducteur peut réduire le dépôt de sous-produit sur la face inférieure et le long du bord de substrat, augmenter l'uniformité de gravure par le plasma du substrat et/ou réduire l'usure des éléments constitutifs de la chambre de gravure au plasma. L'anneau de couplage diélectrique peut avoir pour fonction de réduire le couplage RF et les arcs indésirables formés entre l'anneau de bord conducteur et le support de substrat. [0021] L'ensemble formant anneau de bord peut être intégré à des chambres de gravure au plasma couplées par induction, à hélicon, à résonance électronique cyclotronique, à plaques parallèles, ou d'autres types de chambres de gravure au plasma,. A titre d'exemple, un plasma haute densité peut être produit dans un réacteur au plasma couplé par transformateur (TCPTm), ou dans un réacteur à résonance électronique cyclotronique (ECR). Des réacteurs à plasma couplés par transformateur dans lesquels de l'énergie RF est injectée par induction dans le réacteur, peuvent être obtenus chez Lam Research Corporation, Frémont, Californie, États-Unis. Un exemple de réacteur à plasma à haut flux pouvant produire un plasma haute densité est décrit dans le brevet U.S. N°5 948 704 détenu en commun. Des réacteurs à plaques parallèles, des réacteurs à résonance cyclotronique électronique (ECR) et des réacteurs à plasma couplés par transformateur (TCPTm) sont décrits dans les brevets U.S. N°4 340 462 ; 4 948 458 ; 5 200 232 et 5 820 723 détenus en commun. [0022] A titre d'exemple, un plasma peut être produit dans une chambre de gravure a plaques parallèles telle que la chambre de gravure au plasma bifréquence décrite dans le brevet U.S. N° 6 090 304 détenu en commun. Une chambre de gravure au plasma à plaques parallèles préférée est un réacteur à plasma bifréquence couplé de façon capacitive comportant une électrode en pomme de douche supérieure et un support de substrat. A titre d'illutation, des modes de réalisation de l'ensemble formant anneau de bord sont décrits ici en référence à une chambre de gravure au plasma du type à plaques parallèles. [0023] Une chambre de gravure au plasma à plaques parallèles est illustrée sur la figure 1. La chambre de gravure au plasma 100 comprend une chambre 110, un sas de chargement d'entrée 112, et un sas de chargement de sortie facultatif 114 dont d'autres détails sont fournis dans le brevet U.S. N° 6 824 627 détenu en commun. [0024] Les sas de chargement 112 et 114 (le cas échéant) comportent des dispositifs de transfert permettant de transférer des substrats tels que des tranches depuis un dispositif d'alimentation en tranches 162, à travers la chambre 110, et de façon à les faire sortir vers un réceptacle pour tranches 164. Une pompe de sas de chargement 176 peut produire une pression de vide souhaitée dans les sas de chargement 112 et 114. [0025] Une pompe à vide 172 telle qu'une turbopompe est apte à maintenir une pression souhaitée dans la chambre. Pendant la gravure au plasma., la pression dans la chambre est régulée et est de préférence maintenue à un niveau suffisant pour entretenir un plasma. Une pression de chambre trop élevée peut avoir l'inconvénient de contribuer l'arrêt de la gravure alors qu'une pression de chambre trop basse peut conduire à une extinction du plasma. Dans un réacteur à plasma à densité moyenne, tel qu'un réacteur à plaques parallèles, il est préférable que la pression de chambre soit maintenue à une valeur inférieure à environ 26,6 Pa (200 mTorr) (par exemple inférieure à 13,3 Pa (100 mTorr) ou inférieure à 6,7 Pa (50 mTorr)) (par "environ", on entend ici ±10 %). [0026] La pompe à vide peut être raccordée à un orifice de sortie présent dans une paroi du réacteur et peut être régulée par une soupape 173 afin de commander la pression régnant dans la chambre. Il est préférable que la chambre à vide soit capable de maintenir une pression dans la chambre qui soit inférieure à 26,6 Pa (200 mTorr) pendant qu'on fait passer des gaz de gravure dans la chambre. [0027] La chambre 110 comporte un ensemble à électrode supérieure 120 comportant une électrode supérieure 125 (par exemple une électrode en pomme de douche) et un support de substrat 150. L'ensemble à électrode supérieure 120 est monté dans un logement supérieur 130. Le logement supérieur 130 peut être déplacé verticalement par un mécanisme 132 afin d'ajuster l'entrefer entre l'électrode supérieure 125 et le support de substrat 150. [0028] Une source de gaz de gravure 170 peut être raccordée au logement 130 pour délivrer un gaz de gravure comprenant un ou plusieurs gaz à l'ensemble à électrode supérieure 120. Dans une chambre de gravure préférée, l'ensemble à électrode supérieure comprend un système de distribution de gaz qui peut être utilisé pour délivrer des gaz réactifs et/ou porteurs dans une région proche de la surface d'un substrat. Des systèmes de distribution de gaz, qui peuvent comprendre un ou plusieurs anneaux, injecteurs et/ou pommes de douche pour gaz (par exemple des électrodes en pomme de douche), sont décrits dans les brevets U.S. N° 6 333 272 ; 6 230 651 ; 6 013 155 et 5 824 705 détenus en commun. [0029] Il est préférable que l'électrode supérieure 125 comprenne une électrode en pomme de douche qui comporte des trous de passage de gaz (non représentés) permettant de distribuer à travers ceux-ci un gaz de gravure. L'électrode en pomme de douche peut comprendre une ou plusieurs plaques formant chicanes mutuellement espacées verticalement qui peuvent favoriser la répartition souhaitée du gaz de gravure. L'électrode supérieure et le support de substrat peuvent être constitués d'unmatériau approprié quelconque tel que du graphite, du silicium, du carbure de silicium, de l'aluminium (par exemple de l'aluminium anodisé), ou des combinaisons de ceux-ci. Une source de liquide de transfert thermique 174 peut être raccordée à l'ensemble à électrode supérieure 120 et une autre source de liquide de transfert thermique peut être raccordée au support de substrat 150. [0030] Les figures 2A et 2B représentent les détails d'un support de substrat 250, comportant un ensemble formant anneau de bord 270 conformément à deux modes de réalisation respectifs. Le support de substrat 250 peut intégrer un mandrin électrostatique (ESC) (non représenté) permettant de bloquer de façon électrostatique un substrat sur une surface supérieure 255 (surface de support) du support de substrat 250. Le support de substrat 250 peut être alimenté par une source RF et des circuits associés (non représentés) permettant de produire une adaptation RF, etc. Le support de substrat 250 est de préférence régulé en température et peut facultativement comporter un dispositif de chauffage (non représenté). Le support de substrat 250 est apte à supporter un substrat semiconducteur unique tel qu'une tranche de 200 mm ou de 300 mm sur la surface de support 255. [0031] Le support de substrat 250 comporte de préférence des passages situés dans celui-ci pour introduire de l'hélium sous le substrat 210 afin de refroidir le substrat 210 pendant sa gravure au plasma en quantité suffisante pour éviter la combustion de la résine photosensible sur le substrat. Un procédé de régulation de la température du substrat par introduction d'un gaz sous pression dans un espace situé entre le substrat et la surface du support de substrat est décrit dans le brevet U.S. N°6 140 612 détenu en commun. [0032] Comme illustré dans le mode de réalisation de la 35 figure 2A, un anneau de couplage diélectrique 285 est supporté par une surface formant bride 260 du support de substrat 250, avec ou sans fixation mécanique ou par adhésif. Un anneau de bord conducteur 280 prend appui sur une surface supérieure de l'anneau de couplage diélectrique 285. Une protubérance 310 de l'anneau de couplage diélectrique 285 est disposée entre le support de substrat 250 et l'anneau de bord conducteur 280. Un substrat 210 peut être supporté/bloqué sur la surface de support 255. Pour réduire l'exposition du support de substrat 250 aux ions/espèces réactives présents dans le plasma, le support de substrat 250 a de préférence des dimensions choisies de façon que le substrat 210 surplombe la surface 255 du support de substrat et la protubérance 310 et soit superposé à au moins une partie radialement intérieure 281 de l'anneau de bord conducteur 280. [0033] L'anneau de bord conducteur 280 peut être constitué d'un matériau semiconducteur ou électriquement conducteur tel que du silicium (par exemple du silicium monocristallin ou du silicium polycristallin) ou du carbure de silicium (par exemple du carbure de silicium déposé par dépôt chimique en phase vapeur). Du fait de l'exposition directe au plasma, l'anneau de bord conducteur 280 est de préférence constitué de matériaux de pureté élevée. L'anneau de bord conducteur 280 peut être électriquement flottant ou peut être électriquement couplé à une terre continue. [0034] Un mode de réalisation préféré de l'anneau de couplage diélectrique est représenté sur les figures 3 et 4. L'anneau de couplage diélectrique 285 est constitué d'un corps annulaire 320 et d'une protubérance annulaire 310. L'anneau diélectrique 285 peut facultativement comprendre un trou étagé 330 s'étendant axialement dans le corps annulaire 320, destiné à recevoir une broche d'accrochage. [0035] Se référant à la figure 4, l'anneau de couplage diélectrique 285 présente une surface cylindrique intérieure 321 ayant un diamètre de 29,4 à 29,7 cm (11,6 à 11,7 pouces) et une hauteur¢de 1,24 cm à 1,27 cm (0,49 à 0,50 pouce) ; une surface extérieure cylindrique 323 ayant 9 un diamètre de 33,5 cm à 33,8 cm (13,2 à 13,3 pouces), une hauteur de 0,99 cm à 1,01 cm (0,39 à 0,40 pouce) et concentrique par rapport à la surface cylindrique intérieure 321 ; une surface inférieure 322 perpendiculaire à un axe central de la surface cylindrique extérieure 323 et s'étendant depuis une périphérie inférieure de la surface cylindrique extérieure 323 vers une périphérie inférieure de la surface cylindrique intérieure 321 ; une surface supérieure 324 perpendiculaire à l'axe central de la surface cylindrique extérieure 323 et s'étendant vers l'intérieur d'une périphérie supérieure de la surface cylindrique extérieure 323 ; une protubérance annulaire 310 s'étendant vers l'extérieur depuis une périphérie supérieure de la surface cylindrique intérieure 321 et vers le haut depuis une périphérie intérieure de la surface supérieure 324 ; la protubérance annulaire 310 ayant une hauteur de 0,23 à 0,28 cm (0,09 à 0,11 pouce) et une largeur de 0,10 à 0,12 cm (0,04 à 0,05 pouce). [0036] Les bords supérieurs de la protubérance annulaire 310 ont des chanfreins de 45° d'une largeur d'au plus 0,03 cm (0,01 pouce). Tous les autres bords de l'anneau diélectrique 285 peuvent être arrondis selon des rayons appropriés (par exemple de 0,03, 0,05 et 0,13 cm (0,01, 0,02 et 0,05 pouce)). Un trou étagé facultatif 330 est constitué d'un vide cylindrique supérieur 331 et d'un vide cylindrique inférieur 332 concentrique par rapport au vide cylindrique supérieur 331. Un axe central des vides 331 et 332 est parallèle à l'axe central de l'anneau de couplage diélectrique 285 et est situé à une distance radiale de 15,5 cm à 15,7 cm (6,1 à 6,2 pouces) par rapport à l'axe central de l'anneau de couplage diélectrique 285. Le vide cylindrique supérieur a un diamètre de 1,02 à 1,14 cm (0,40 à 0,45 pouce) et une profondeur, mesurée par rapport à la surface supérieure 324, de 0,51 à 0,53 cm (0,20 à 0,21 pouce). Le vide cylindrique inférieur 332 a un diamètre de 0,51 à 0,64 cm (0,20 à 0,25 pouce) et une profondeur, mesurée par rapport à la surface inférieure 322, de 0,46 à 0,51 cm (0,18 à 0,20 pouce). Le bord du trou étagé 330 et la surface supérieure 324 et le bord du trou étagé 330 et la surface inférieure 322 ont des chanfreins 450 d'une largeur d'environ 0,03 cm (0,01 pouce). [0037] Pour minimiser la contamination par des particules provenant de l'anneau de couplage 285, les surfaces exposées de l'anneau de couplage 285 peuvent facultativement être gravées au moyen d'acide fluorhydrique (HF) à 20 % en poids pendant environ 60 minutes à la température ambiante. [0038] Un mode de réalisation préféré de l'anneau de bord conducteur est représenté sur les figures 5-7. L'anneau de bord conducteur 280 a une surface cylindrique intérieure 540 ayant un diamètre de 29,7 à 29,9 cm (11,7 à 11,8 pouces) et une hauteur de 0,241 à 0,267 cm (0,095 à 0,105 pouce), une surface cylindrique extérieure 520 ayant un diamètre de 33,91 à 34,16 cm (13,35 à 13,45 pouces) et une hauteur de 0,25 à 0,28 cm (0,10 à 0,11 pouce), et concentrique par rapport à la surface cylindrique intérieure 540, une surface inférieure 530 perpendiculaire à l'axe central de la surface cylindrique intérieure 540 et s'étendant vers l'extérieur sur environ 1,78 à 2,03 cm (0,7 à 0,8 pouce) par rapport à une périphérie inférieure de la surface cylindrique intérieure 540, une surface supérieure 510 perpendiculaire à un axe central de la surface cylindrique extérieure 520 et s'étendant vers l'intérieur sur 1,3 à 1,5 cm (0,5 à 0,6 pouce) par rapport à une périphérie supérieure de la surface cylindrique extérieure 520, une première surface annulaire 550a ayant une largeur de 0,10 à 0,13 cm (0,04 à 0,05 pouce), perpendiculaire à l'axe central de la surface cylindrique intérieure 540 et s'étendant vers l'extérieur depuis une périphérie supérieure de la surface cylindrique intérieure 540, une surface tronconique 550b ayant un angle d'ouverture de 119° à 121° et une largeur de 0,51 à 0,56 cm (0,20 à 0,22 pouce), concentrique par rapport à la surface cylindrique intérieure 540 et s'étendant vers le haut et vers l'extérieur depuis une périphérie extérieure de la première surface annulaire 550a, vers une périphérie intérieure de la surface supérieure 510, une seconde surface annulaire 560a ayant une largeur de 0,165 à 0,191 cm (0,065 à 0,075 pouce), perpendiculaire à l'axe central de la surface cylindrique extérieure 520 et s'étendant vers l'intérieur depuis une périphérie inférieure de la surface cylindrique extérieure 520, une surface cylindrique 560b ayant une hauteur de 0,216 à 0,241 cm (0,085 à 0,095 pouce) concentrique par rapport à la surface cylindrique extérieure 520 et s'étendant d'une périphérie intérieure de la seconde surface annulaire 560a vers une périphérie extérieure de la surface inférieure 530. L'anneau de bord conducteur 280 peut facultativement présenter un trou traversant 570 ayant un diamètre uniforme de 0,74 à 0,79 cm (0,29 à 0,31 pouce), pour recevoir une broche d'accrochage. Un axe central du trou traversant 570 est parallèle à l'axe central de la surface cylindrique extérieure 520 et est situé à une distance radiale de 15,5 à 15,7 cm (6,1 à 6,2 pouces) par rapport à l'axe central de la surface cylindrique extérieure 520. [0039] Tous les bords de l'anneau de bord conducteur 280 peuvent être arrondis à des rayons appropriés, par exemple de 0,013, 0,02, 0,05 et 0,07 cm (0,005, 0,01, 0,02 et 0,03 pouce). Pour minimiser la contamination par des particules provenant de l'anneau conducteur 280, l'anneau de bord conducteur 280 peut facultativement être gravé à l'acide. [0040] Se référant aux figures 2A, 3-7, lorsqu'il est installé sur le support de substrat 250, l'anneau de bord conducteur 280 et l'anneau de couplage 285 sont concentriques. Le trou traversant 570 et le trou étagé 330, s'ils sont présents, sont concentriques. L'épaisseur de l'anneau de bord conducteur 280 entre les surfaces 550a et 530 est sensiblement égal à la hauteur de la protubérance annulaire 310 (entre les surfaces 311 et 324). L'anneau de bord conducteur 280 est de préférence constitué de matériaux électriquement conducteurs, tels que du silicium monocristallin dopé par du bore. [0041] Dans un mode de réalisation préféré, la surface cylindrique intérieure 540 de l'anneau de bord conducteur 280 est en contact avec, ou est situé à proximité de la protubérance 310 de l'anneau de couplage diélectrique 285, et la surface cylindrique intérieure 321 de l'anneau de couplage diélectrique 285 est en contact avec, ou est situé à proximité d'une périphérie extérieure du support de substrat 250. Tel qu'il est utilisé ici, le terme "proche de" signifie qu'un interstice (par exemple un interstice annulaire) formé entre l'anneau de bord conducteur 280 et l'anneau de couplage diélectrique 285 ou qu'un interstice formé entre l'anneau de couplage diélectrique 285 et le support de substrat 250 est inférieur à environ 0,02 cm (0,01 pouce), et mieux encore inférieur à environ 0,013 cm (0,005 pouce). [0042] La surface 311 de l'anneau de couplage diélectrique 285 et la surface 550a de l'anneau de bord conducteur 280 sont de préférence positionnées à proximité immédiate de la face inférieure du substrat 210. La surface 311 et la surface 550a sont de préférence sensiblement coplanaires et configurées de façon à être sous-jacentes à la partie du substrat 210 qui est en surplomb au-dessus de la surface 255 du support de substrat. [0043] Les matériaux convenant pour une utilisation en tant qu'anneau de couplage diélectrique 285 comprennent des matériaux céramiques tels que de l'oxyde de silicium (par exemple du quartz) ou de l'oxyde d'aluminium, et des matériaux polymères tels que le Vespel® et le Kapton® ou autres. L'anneau de couplage diélectrique 285 est de préférence constitué de quartz. [0044] Comme illustré dans le mode de réalisation de la figure 2B, un anneau de couplage diélectrique 295 prend appui sur la surface formant bride 260 du support de substrat 250, avec ou sans fixation mécanique ou par adhésif. Un anneau de bord conducteur 290 prend appui sur une surface supérieure de l'anneau de couplage diélectrique 295. Le substrat 210 peut être supporté par/bloqué sur la surface de support 255. Pour réduire l'exposition du support de substrat 250 aux ions/espèces réactives présentes dans le plasma, le support de substrat 250 a de préférence des dimensions telles que le substrat 210 soit en surplomb au-dessus de la surface de support de substrat 255 et soit superposé à au moins une partie radialement intérieure 291 de l'anneau de bord conducteur 290. [0045] L'anneau de bord conducteur 290 peut être constitué d'un matériau semiconducteur ou électriquement conducteur tel que du silicium (par exemple du silicium monocristallin ou du silicium polycristallin) ou du carbure de silicium (par exemple du carbure de silicium déposé par dépôt chimique en phase vapeur). Du fait de l'exposition directe au plasma, l'anneau dé bord conducteur 290 est de préférence constitué de matériaux de pureté élevée. L'anneau de bord conducteur 290 peut être électriquement flottant ou peut être électriquement relié à une terre continue. [0046] Un mode de réalisation préféré de l'anneau de couplage diélectrique est représenté sur les figures 8 et 9. L'anneau de couplage diélectrique 295 consiste en un corps annulaire 820. [0047] Se référant à la figure 9, l'anneau de couplage diélectrique 295 a une surface cylindrique intérieure 921 ayant un diamètre de 29,4 à 29,7 cm (11,6 à 11,7 pouces) et une hauteur de 0,99 à 1,02 cm (0,39 à 0,40 pouce) ; une surface cylindrique extérieure 923 ayant un diamètre de 33,53 à 33,78 cm (13,2 à 13,3 pouces), une hauteur de 0,99 à 1,02 cm (0,39 à 0,40 pouce) et concentrique par rapport à la surface cylindrique intérieure 921 ; une surface inférieure 922 perpendiculaire à un axe central de la surface cylindrique extérieure 923 et s'étendant depuis une périphérie inférieure de la surface cylindrique extérieure 923 à une périphérie inférieure de la surface cylindrique intérieure 921 ; une surface supérieure 924 perpendiculaire à l'axe central de la surface cylindrique extérieure 923 et s'étendant depuis une périphérie supérieure de la surface cylindrique extérieure 923 à une périphérie supérieure de la surface cylindrique intérieure 921. [0048] Tous les bords de l'anneau diélectrique 295 peuvent être arrondis à des rayons appropriés (par exemple de 0,02, 0,05, 0,089, 0,10 et 0,13 cm (0,01, 0,01, 0,035, 0,04 et 0,05 pouce). Il est préférable que le bord compris entre la surface supérieure 924 et la surface cylindrique intérieure 921 soit arrondie à un rayon de 0,10 cm (0,04 pouce) ; que le bord compris entre la surface inférieure 922 et la surface cylindrique intérieure 921 soit arrondi à un rayon de 0,089 cm (0,035 pouce) ; que le bord compris entre la surface inférieure 922 et la surface cylindrique intérieure 923 soit arrondi à un rayon de 0,05 cm (0,02 pouce) ; et que le bord compris entre la surface inférieure 924 et la surface cylindrique extérieure 923 soit arrondi à un rayon de 0,05 cm (0,02 pouce). [0049] Un mode de réalisation préféré de l'anneau de bord conducteur est représenté sur les figures 10-11. L'anneau de bord conducteur 290 a une surface cylindrique intérieure 1140 ayant un diamètre de 29,5 à 29,7 cm (11,6 à 11,7 pouces) et une hauteur de 0,241 à 0,267 cm (0,095 à 0,105 pouce), une surface cylindrique extérieure 1120 ayant un diamètre de 33,91 à 34,16 cm (13,35 à 13,45 pouces) et une hauteur de 0,25 à 0,28 cm (0,10 à 0,11 pouce) et concentrique par rapport à la surface cylindrique intérieure 1140, une surface inférieure 1130 perpendiculaire à un axe central de la surface cylindrique intérieure 1140 et s'étendant vers l'extérieur sur 2,0 à 2,3 cm (0,8 à 0,9 pouce) depuis une périphérie inférieure de la surface cylindrique intérieure 1140, une surface supérieure 1110 perpendiculaire à un axe central de la 15 surface cylindrique extérieure 1120 et s'étendant vers l'intérieur sur 1,3 à 1,5 cm (0,5 à 0,6 pouce) depuis une périphérie supérieure de la surface cylindrique extérieure 1120, une première surface annulaire 1150a ayant une largeur de 0,23 à 0,25 cm (0,09 à 0,10 pouce), perpendiculaire à l'axe central de la surface cylindrique intérieure 1140 et s'étendant vers l'extérieur depuis une périphérie supérieure de la surface cylindrique intérieure 1140, une surface tronconique 1150b ayant un angle d'ouverture de 119° à 121° et une largeur de 0,51 à 0,56 cm (0,20 à 0,22 pouce), concentrique par rapport à la surface cylindrique intérieure 1140 et s'étendant vers le haut et vers l'extérieur depuis une périphérie extérieure de la première surface annulaire 1150a vers une périphérie intérieure de la surface supérieure 1110, une seconde surface annulaire 1160a ayant une largeur de 0,165 à 0,191 cm (0,065 à 0,075 pouce), perpendiculaire à l'axe central de la surface cylindrique extérieure 1120 et s'étendant vers l'intérieur Vil'une périphérie inférieure de la surface cylindrique extérieure 1120, une surface cylindrique 1160b ayant une hauteur de 0,216 à 0,241 cm (0,085 à 0,095 pouce), concentrique par rapport à la surface cylindrique extérieure 1120 et s'étendant depuis une périphérie intérieure de la seconde surface annulaire 1160a vers une périphérie extérieure de la surface inférieure 1130. Tous les bords de l'anneau de bord conducteur 290 peuvent être arrondis à des rayons appropriés, par exemple de 0,013, 0,02, 0,05 et 0,07 cm (0,05, 0,01, 0,02 et 0,03 pouce). [0050] Se référant aux figures 2B, 8-11, lorsqu'ils sont installés sur le support de substrat 250, l'anneau de bord conducteur 290 et l'anneau de couplage 295 sont concentriques. L'anneau de bord conducteur 290 est de préférence constitué dei'' matériaux électriquement conducteurs, tels que du silicium monocristallin dopé par du bore. [0051] Dans un mode de réalisation préféré, la surface cylindrique intérieure 1140 de l'anneau de bord conducteur 290 est en contact avec, ou est situé à proximité d'une périphérie extérieure du support de substrat 250. Tel qu'il est utilisé ici, le terme "proche de" signifie qu'un interstice (par exemple un interstice annulaire) formé entre l'anneau de bord conducteur 290 et le support de substrat 250 est inférieur à,environ 0,025 cm (0,01 pouce), et mieux encore, inférieur à environ 0,013 cm (0,005 pouce). [0052] Les matériaux convenant pour une utilisation en tant qu'anneau de couplage diélectrique 295 comprennent des matériaux céramiques tels que de l'oxyde de silicium (par exemple du quartz), ou de l'oxyde d'aluminium, et des matériaux polymères tels que le Vespel® et le Kapton®, ou autres. L'anneau de couplage diélectrique 295 est de préférence constitué d'oxyde d'aluminium. [0053] Bien que l'anneau de couplage diélectrique et que l'anneau de bord conducteur aient été décrits en détail en référence à des modes de réalisation particuliers de ceux-ci, il apparaîtra à l'homme du métier que diverses transformations et modifications peuvent être réalisées et que des équivalents peuvent être utilisés. REVENDICATIONS1. Composant d'un ensemble formant anneau de bord (270) utilisé dans une chambre de gravure au plasma (100) dans laquelle un anneau de couplage diélectrique (285, 295) est apte à entourer un support de substrat (250) dans la chambre de gravure au plasma (100) et dans laquelle un anneau de bord conducteur (280, 290) est apte à entourer et à prendre appui sur l'anneau de couplage diélectrique (285, 295) afin qu'un substrat (210) prenant appui sur le support de substrat (250) soit en surplomb au-dessus d'une partie de l'anneau de bord conducteur (280, 290), le composant comprenant : l'anneau de couplage diélectrique (285, 295) ayant une surface cylindrique intérieure (321, 921) ayant un diamètre de 29,4 à 29,7 cm (11,6 à 11,7 pouces) et une hauteur de 1,24 à 1,27 cm (0,49 à 0,50 pouce), une surface extérieure cylindrique (323) ayant un diamètre de 33,5 à 33,8 cm (13,2 à 13,3 pouces), une hauteur de 0,99 à 1,01 cm (0,39 à 0,40 pouce) et concentrique par rapport à la surface cylindrique intérieure (321, 921), une surface inférieure (322, 922) perpendiculaire à un axe central de la surface cylindrique extérieure (323, 923) et s'étendant depuis une périphérie inférieure de la surface cylindrique extérieure (323, 923) vers une périphérie inférieure de la surface cylindrique intérieure (321, 921), une surface supérieure (324, 924) perpendiculaire à l'axe central de la surface cylindrique extérieure (323, 923) et s'étendant vers l'intérieur depuis une périphérie supérieure de la surface cylindrique extérieure (323, 923), une protubérance annulaire (310) s'étendant vers l'extérieur depuis une périphérie supérieure de la surface cylindrique intérieure (321, 921) et vers le haut depuis une périphérie intérieure de la surface supérieure (324, 924), la protubérance annulaire (310) ayant une hauteur de 0,23 à 0,28 cm (0,09 à 0,11 pouce) et une largeur de 0,10 à 0,12 cm (0,04 à 0,05 pouce) ; et/oul'anneau de bord conducteur (280, 290) ayant une surface cylindrique intérieure (540, 1140) ayant un diamètre de 29,7 à 29,9 cm (11,7 à 11,8 pouces) et une hauteur de 0,241 à 0,267 cm (0,095 à 0,105 pouce), une surface cylindrique extérieure (520, 1120) ayant un diamètre de 33,91 à 34,16 cm (13,35 à 13,45 pouces) et une hauteur de 0,25 à 0,28 cm (0,10 à 0,11 pouce) et concentrique par rapport à la surface cylindrique intérieure (540, 1140), une surface inférieure (530, 1130) perpendiculaire à un axe central de la surface cylindrique intérieure (540, 1140) et s'étendant vers l'extérieur sur environ 1,8 à 2,0 cm (0,7 à 0,8 pouce) par rapport à une périphérie inférieure de la surface cylindrique intérieure (540, 1140), une surface supérieure (510, 1110) perpendiculaire à un axe central de la surface cylindrique extérieure (520, 1120) et s'étendant vers l'intérieur sur 1,3 à 1,5 cm (0,5 à 0,6 pouce) depuis une périphérie supérieure de la surface cylindrique extérieure (520, 1120), une première surface annulaire (550a, 1150a) ayant une largeur de 0,10 à 0,13 cm (0,04 à 0,05 pouce), perpendiculaire à l'axe central de la surface cylindrique intérieure (540, 1140) et s'étendant vers l'extérieur depuis une périphérie supérieure de la surface cylindrique intérieure (540, 1140), une surface tronconique (550b, 1150b) ayant un angle d'ouverture de 119° à 121° et une largeur de 0,51 à 0,56 cm (0,20 à 0,22 pouce), concentrique par rapport à la surface cylindrique intérieure (540, 1140) et s'étendant vers le haut et vers l'extérieur depuis une périphérie extérieure de la première surface annulaire (550a, 1150a) vers une périphérie intérieure de la surface supérieure (510, 1110), une seconde surface annulaire (560a, 1160a) ayant une largeur de 0,165 à 0,191 cm (0,06 à 0,075 pouce), perpendiculaire à l'axe central de la surface cylindrique extérieure (520, 1120) et s'étendant vers l'intérieur depuis une périphérie inférieure de la surface cylindrique extérieure (520, 1120), une surface cylindrique(560b, 1160b) ayant une hauteur de 0,216 à 0,241 cm (0,085 à 0,095 pouce), concentrique par rapport à la surface cylindrique extérieure (520, 1120) et s'étendant depuis une périphérie intérieure de la seconde surface annulaire (560a, 1160a) vers une périphérie extérieure de la surface inférieure (530, 1130). 2. Composant selon la revendication 1, comprenant l'anneau de couplage diélectrique (285, 295), dans lequel l'anneau de couplage diélectrique (285, 295) comprend en outre un trou traversant étagé (570) entre la surface supérieure (324, 924) et la surface inférieure (322, 922) et constitué d'un vide cylindrique supérieur (331) et d'un vide cylindrique inférieur (332) concentrique par rapport au vide cylindrique supérieur (331) ; un axe central du vide cylindrique supérieur (331) et du vide cylindrique inférieur (332) étant parallèle à un axe central de l'anneau de couplage diélectrique (285, 295) et étant situé à une distance radiale de 15,5 cm à 15,7 cm (6,1 à 6,2 pouces) par rapport à l'axe central de l'anneau de couplage diélectrique (285, 295) ; le vide cylindrique supérieur (331) ayant un diamètre de 1,02 à 1,14 cm (0,40 à 0,45 pouce) et une profondeur de 0,51 à 0,53 cm (0,20 à 0,21 pouce) ; le vide cylindrique inférieur (332) a un diamètre de 25 0,51 à 0,64 cm (0,20 à 0,25 pouce) et une profondeur d'environ 0,46 à 0,51 cm (0,18 à 0,20 pouce). 3. Composant selon la revendication 1 ou 2, comprenant l'anneau de couplage diélectrique (285, 295), l'anneau de couplage diélectrique (285, 295) étant 30 constitué de quartz ou d'un matériau céramique ou d'un matériau polymère. 4. Composant selon la revendication 1, comprenant l'anneau de bord conducteur (280, 290), dans lequel l'anneau de bord conducteur (280, 290) comprend en outre un 35 trou traversant (570) ayant un diamètre uniforme de 0,74 à 0,79 cm (0,29 à 0,31 pouce), dans lequel un axe central dutrou traversant (570) est parallèle à un axe central de l'anneau de bord conducteur (280, 290) et est situé à une distance radiale de 15,5 à 15,7 cm (6,1 à 6,2 pouces) de l'axe central de l'anneau de bord conducteur (280, 290). 5. Composant selon la revendication 1 ou 4, comprenant l'anneau de bord conducteur (280, 290), l'anneau de bord conducteur (280, 290) étant constitué de silicium monocristallin dopé par du bore. 6. Composant selon la revendication 4 ou 5, dans lequel la première surface annulaire (550a, 1150a) de l'anneau de bord conducteur (280, 290) présente la même étendue qu'une surface supérieure (510, 1110) de la protubérance (310) de l'anneau de couplage diélectrique (285, 295) lorsque l'anneau de bord conducteur (280, 290) est monté sur l'anneau de couplage diélectrique (285, 295). 7. Composant d'un ensemble formant anneau de bord (270) utilisé dans une chambre de gravure au plasma (100), dans lequel un anneau de couplage diélectrique (285, 295) est apte à entourer un support de substrat (250) dans la chambre de gravure au plasma (100) et dans laquelle un anneau de bord conducteur (280, 290) est apte à entourer et à prendre appui sur l'anneau de couplage diélectrique (285, 295) afin qu'un substrat (210) prenant appui sur le support de substrat (250) soit en surplomb au-dessus d'une partie de l'anneau de bord conducteur (280, 290), le composant comprenant : l'anneau de couplage diélectrique (285, 295) ayant une surface cylindrique intérieure (321, 921) ayant un diamètre de 29,4 à 29,7 cm (11,6 à 11,7 pouces) et une hauteur de 0,99 à 1,02 cm (0,39 à 0,40 pouce), une surface cylindrique extérieure (323, 923) ayant un diamètre de 33,5 à 33,8 cm (13,2 à 13,3 pouces), une hauteur de 0,99 à 1,01 cm (0,39 à 0,40 pouce) et concentrique par rapport à la surface cylindrique intérieure (321, 921), une surface inférieure (322, 922) perpendiculaire à un axe central de la surface cylindrique extérieure( 323, 923) et s'étendantdepuis une périphérie inférieure de la surface cylindrique extérieure (323, 923) vers une périphérie inférieure de la surface cylindrique intérieure (321, 921), une surface supérieure perpendiculaire à l'axe central de la surface cylindrique extérieure (323, 923) et s'étendant depuis une périphérie supérieure de la surface cylindrique extérieure (323, 923) vers une périphérie supérieure de la surface cylindrique intérieure (321, 921) ; et/ou l'anneau de bord conducteur (280, 290) ayant une surface cylindrique intérieure (540, 1140) ayant un diamètre de 29,7 à 29,9 cm (11,6 à 11,7 pouces) et une hauteur de 0,241 à 0,267 cm (0,095 à 0,105 pouce), une surface cylindrique extérieure (520, 1120) ayant un diamètre de 33,91 à 34,16 cm (13,35 à 13,45 pouces) et une hauteur de 0,25 à 0,28 cm (0,10 à 0,11 pouce), et concentrique par rapport à la surface cylindrique intérieure (540, 1140), une surface inférieure (530, 1130) perpendiculaire à un axe central de la surface cylindrique intérieure et s'étendant vers l'extérieur sur environ 2,0 à 2,3 cm (0,8 à 0,9 pouce) depuis une périphérie inférieure de la surface cylindrique intérieure (540, 1140), une surface supérieure (510, 1110) perpendiculaire à un axe central de la surface cylindrique extérieure (520, 1120) et s'étendant vers l'intérieur sur 1,3 à 1,5 cm (0,5 à 0,6 pouce) depuis une périphérie supérieure de la surface cylindrique extérieure (520, 1120), une première surface annulaire (550a, 1150a) ayant une largeur de 0,23 à 0,25 cm (0,09 à 0,10 pouce), perpendiculaire à l'axe central de la surface cylindrique intérieure (540, 1140) et s'étendant vers l'extérieur depuis une périphérie supérieure de la surface cylindrique intérieure (540, 1140), une surface tronconique (550b, 1150b) ayant un angle d'ouverture de 119° à 121° et une largeur de 0,5 à 0,56 cm (0,2 à 0,22 pouce), concentrique par rapport à la surface cylindrique intérieure (540, 1140) et s'étendant vers le haut et vers l'extérieur depuis une périphérie extérieurede la première surface annulaire vers une périphérie intérieure de la surface supérieure, une seconde surface annulaire (550a, 1150a) ayant une largeur de 0,15 à 0,191 cm (0,06 à 0,075 pouce), perpendiculaire à l'axe central de la surface cylindrique extérieure (520, 1120) et s'étendant vers l'intérieur depuis une périphérie inférieure de la surface cylindrique extérieure (520, 1120), une surface cylindrique (560b, 1160b) ayant une hauteur de 0,216 à 0,241 cm (0,085 à 0,095 pouce), concentrique par rapport à la surface cylindrique extérieure (520, 1120) et s'étendant depuis une périphérie intérieure de la seconde surface annulaire (560b, 1160b) vers une périphérie extérieure de la surface inférieure (530, 1130). 8. Composant selon la revendication 7, comprenant l'anneau de couplage diélectrique (285, 295), l'anneau de couplage diélectrique (285, 295) étant constitué de quartz ou d'un matériau céramique ou d'un matériau polymère. 9. Composant selon la revendication 7, comprenant l'anneau de bord conducteur (280, 290), l'anneau de bord conducteur (280, 290) étant constitué de silicium monocristallin dopé par du bore.