FR 2951025 A1 20110408 FR 0956860 A 20091001 B9730 - ST-09-GR1-189 1 PROCÉDÉ D'AJUSTEMENT À LA FABRICATION D'UN CIRCUIT COMPRENANT UN ÉLÉMENT RÉSONANT Domaine de l'invention La présente invention concerne un procédé d'ajustement à la fabrication de la capacité d'un condensateur reposant sur un substrat. Un exemple d'application de la présente invention concerne un procédé d'ajustement à la fabrication de la fréquence d'un circuit comportant un élément résonant, par exemple d'un oscillateur monolithique utilisant des résonateurs à ondes acoustiques de volume, couramment désignés dans la technique par résonateurs BAW, de l'anglais "Bulk Acoustic Wave". Exposé de l'art antérieur Les oscillateurs sont principalement utilisés dans des dispositifs électroniques pour fournir des signaux d'horloge à des fréquences de référence. De façon courante, un oscillateur comprend des éléments de circuit oscillant, et un résonateur à quartz qui permet de fixer avec précision la fréquence d'oscillation. Une alternative aux oscillateurs à quartz est d'utiliser des oscillateurs à résonateur BAW. L'utilisation des résonateurs BAW permet de mettre en oeuvre des fréquences d'oscillation plus élevées, par exemple de l'ordre de quelques B9730 - ST-09-GR1-189 2 centaines de MHz à quelques dizaines de GHz. On pourra également produire des fréquences d'horloge moins élevées en utilisant, à la sortie de l'oscillateur, un circuit diviseur de fréquence. En outre, les résonateurs BAW présentent les avantages d'être peu encombrants et d'avoir un bon facteur de qualité. On a notamment proposé de réaliser un oscillateur à résonateur BAW à structure monolithique, c'est-à-dire un oscillateur dans lequel les éléments de circuit oscillant et le résonateur sont assemblés dans et sur une même puce de circuit intégré. Les éléments de circuit oscillant peuvent être réalisés dans et sur un substrat semiconducteur, par exemple une tranche de silicium. Le résonateur BAW est ensuite déposé au dessus de ce substrat et connecté aux éléments de circuit oscillant. Un tel oscillateur présente les avantages d'être très compact et d'offrir de bonnes performances électriques. La figure 1 est une vue en coupe représentant de façon schématique un résonateur BAW 1 formé sur un substrat semiconducteur 3. Dans cet exemple, le substrat est revêtu d'un isolant 4. Le résonateur 1 comprend un coeur résonnant, ou résonateur piézoélectrique 5, constitué de deux électrodes 5a, 5c entre lesquelles est disposée une couche 5b en un matériau piézoélectrique. Lorsqu'un champ électrique est créé dans la couche piézoélectrique par application d'une différence de potentiels entre les électrodes, il en résulte une perturbation mécanique sous la forme d'ondes acoustiques. Ces ondes se propagent dans le résonateur. La résonance fondamentale s'établit lorsque la longueur d'onde acoustique dans le matériau piézoélectrique correspond sensiblement à deux fois l'épaisseur de la couche piézoélectrique 5b. On prévoit un dispositif d'isolation acoustique entre le coeur résonnant et le substrat pour éviter la déperdition des ondes acoustiques dans le substrat. Il existe principalement deux types de résonateurs BAW : les résonateurs BAW déposés sur une membrane, et les résonateurs BAW montés sur le substrat. B9730 - ST-09-GR1-189 3 Les résonateurs BAW déposés sur une membrane, tels que le résonateur 1 de la figure 1, sont plus connus sous le nom de FBAR (de l'anglais "Film Bulk Acoustic Wave Resonator") ou TFR (de l'anglais "Thin Film Resonator"). Ils comprennent un évidement 7 entre le coeur résonnant et le substrat. Une membrane 8 supporte les diverses couches du résonateur au dessus de l'évidement 7. Les résonateurs BAW montés sur le substrat, plus connus sous le nom SMR (de l'anglais "Solidly Mounted Resonator"), sont isolés du substrat par un réflecteur acoustique, couramment un miroir de Bragg. La figure 2 représente un schéma électrique simplifié d'un oscillateur à résonateur BAW. Cet oscillateur comprend divers éléments d'un circuit 23, connecté entre une borne d'alimentation de potentiel haut VCC et une borne de potentiel bas, par exemple la masse, et un résonateur BAW 25, relié aux éléments de circuit 23. Le circuit 23 comprend notamment des éléments actifs adaptés à entretenir des oscillations et à amplifier le signal de sortie OUT, et des éléments passifs, par exemple des condensateurs. Le résonateur BAW 25 permet de sélectionner la fréquence des oscillations. La figure 3 reprend le circuit de la figure 2 et représente de façon plus détaillée le circuit 23 dans le cas d'un oscillateur Colpitts. Dans cet exemple, le circuit 23 comprend notamment un transistor MOS 31 connecté, en série avec une source de courant 33, entre la borne d'alimentation de potentiel haut VCC et la masse. Deux condensateurs 35 et 37 sont connectés en série entre la grille du transistor 31 et la masse. Une résistance 39 est connectée entre la borne d'alimentation de potentiel haut VCC et la grille du transistor 31. La borne commune aux condensateurs 35 et 37 est reliée au drain du transistor 31. Le résonateur BAW 25 est connecté entre la grille du transistor 31 et la masse. La sortie de l'oscillateur est reliée à la source du transistor 31. B9730 - ST-09-GR1-189 4 L'amplification du signal de sortie et l'entretien des oscillations sont assurés par le transistor 31 et la source de courant 33. La fréquence du signal de sortie OUT est notamment liée à la fréquence de résonance du résonateur 25 et aux capacités des condensateurs 35 et 37. Dans la pratique, il est difficile, à la fabrication, d'obtenir une fréquence d'oscillation à la précision souhaitée. Une première source d'imprécision provient des dispersions de fabrication des résonateurs BAW. En effet, les procédés de dépôt des différentes couches d'un résonateur BAW ne permettent pas d'obtenir une fréquence de résonance à la précision souhaitée. On observe notamment des variations sensibles de la fréquence de résonance entre des résonateurs fabriqués à partir d'une même tranche de substrat. Pour cette raison, comme l'illustre la figure 1, il est prévu, à la surface du résonateur 1, une couche d'ajustement de fréquence 9, par exemple en nitrure de silicium. La présence de cette couche modifie le comportement du résonateur et notamment sa fréquence de résonance. Lors d'une étape de fabrication, la couche 9 est amincie par gravure localisée, par exemple par gravure ionique, jusqu'à s'approcher de la fréquence de résonance visée. Malgré cet ajustement, la précision des résonateurs BAW n'est pas idéale. Une deuxième source d'imprécision provient des dispersions de fabrication des éléments de circuit 23. En effet, malgré le soin apporté à la réalisation de ces éléments, on observe des écarts de comportement entre des circuits formés dans et sur une même tranche de substrat. Pour pallier à ce manque de précision on utilise généralement dans le circuit 23, au moins pour une partie de l'un des condensateurs 35 et 37, une capacité variable, par exemple une matrice de capacités commutées. On peut ainsi corriger finement la fréquence du signal de sortie de chaque oscillateur lors d'une étape finale d'étalonnage lorsque le B9730 - ST-09-GR1-189 résonateur BAW est connecté au circuit 23 et que l'oscillateur est alimenté. Un inconvénient de ce mode d'étalonnage est que, pour pouvoir compenser l'imprécision importante susmentionnée de la 5 fréquence d'oscillation, il faut prévoir une matrice de capacités commutées de taille importante. Résumé Un objet d'un mode de réalisation de la présente invention est de pallier tout ou partie des inconvénients des 10 oscillateurs à résonateur BAW classiques. Un objet d'un mode de réalisation de la présente invention est de proposer un procédé de réalisation d'oscillateurs à résonateur BAW minimisant l'imprécision de la fréquence d'oscillation. 15 Un objet d'un mode de réalisation de la présente invention est de proposer un tel procédé permettant de minimiser ou de supprimer la matrice de capacités commutées d'étalonnage. Un objet d'un mode de réalisation de la présente invention est de proposer un tel procédé facile à mettre en 20 oeuvre. Un objet d'un mode de réalisation de la présente invention est de proposer un procédé d'ajustement à la fabrication d'un circuit comportant un élément résonant. Un objet plus général d'un mode de réalisation de la 25 présente invention est de proposer un procédé d'ajustement à la fabrication de la capacité d'un condensateur. Ainsi, un mode de réalisation de la présente invention prévoit un procédé d'ajustement à la fabrication de la capacité d'un condensateur reposant sur un substrat, ce procédé 30 comprenant les étapes suivantes : a) former, parallèlement à la surface du substrat, une première électrode et la recouvrir d'une couche diélectrique ; b) former, sur une première portion de la couche diélectrique, une deuxième électrode ; c) mesurer la capacité entre la première électrode et la deuxième 35 électrode, et en déduire la capacité à ajouter pour obtenir la B9730 - ST-09-GR1-189 6 capacité visée ; d) amincir une seconde portion de la couche diélectrique, non recouverte par la deuxième électrode, de façon que l'épaisseur de cette seconde portion soit adaptée à la réalisation de la capacité déduite ; et e) former une troisième électrode sur la portion amincie et la connecter à la deuxième électrode. Un autre mode de réalisation de la présente invention prévoit un procédé d'ajustement à la fabrication d'un oscillateur comportant des éléments de circuit et un résonateur, cet oscillateur comportant en outre un condensateur relié aux éléments de circuit de façon que la fréquence d'oscillation soit liée à la capacité du condensateur, ce procédé comportant les étapes suivantes réaliser les éléments de circuit et le résonateur et les connecter ; et former, connecter, et ajuster le condensateur par le procédé susmentionné, l'étape c) de mesure de la capacité à ajouter comprenant en outre une étape intermédiaire de mesure de la fréquence de sortie du circuit. Selon un mode de réalisation de la présente invention, l'étape d) d'amincissement est réalisée par gravure ionique de la seconde portion de la couche diélectrique. Selon un mode de réalisation de la présente invention, le résonateur est un résonateur BAW déposé sur une membrane. Selon un mode de réalisation de la présente invention, le résonateur est un résonateur BAW à miroir de Bragg. Selon un mode de réalisation de la présente invention, les électrodes et la couche diélectrique du condensateur sont réalisés à partir des mêmes matériaux que le résonateur BAW. Selon un mode de réalisation de la présente invention, les première et deuxième électrodes sont en molybdène, la troisième électrode est en un alliage de cuivre et d'aluminium, et la couche diélectrique est en oxyde de silicium. Selon un mode de réalisation de la présente invention, la troisième électrode recouvre tout ou partie de la deuxième électrode de façon à assurer un contact électrique entre ces deux électrodes. B9730 - ST-09-GR1-189 7 Selon un mode de réalisation de la présente invention, les deuxième et troisième électrodes sont électriquement reliées entre elles par un fil. Selon un mode de réalisation de la présente invention, 5 le résonateur est un résonateur à base de MEMS. Un mode de réalisation de la présente invention prévoit un condensateur reposant sur un substrat, comportant : une première électrode parallèle à la surface du substrat ; sur la première électrode, une couche diélectrique comportant une 10 première région, et une seconde région, accolée à la première région, d'épaisseur inférieure à celle de la première région ; une deuxième électrode recouvrant la première région ; et une troisième électrode recouvrant la seconde région et recouvrant tout ou partie de la deuxième électrode de façon que les 15 deuxième et troisième électrodes soient électriquement reliées entre elles. Brève description des dessins Ces objets, caractéristiques et avantages, ainsi que d'autres seront exposés en détail dans la description suivante 20 de modes de réalisation particuliers faite à titre non-limitatif en relation avec les figures jointes parmi lesquelles : la figure 1, précédemment décrite, est une vue en coupe représentant de façon schématique un résonateur BAW ; la figure 2, précédemment décrite, représente le 25 schéma électrique simplifié d'un oscillateur à résonateur BAW ; la figure 3, précédemment décrite, représente le schéma électrique d'un oscillateur à résonateur BAW de type Colpitts ; et les figures 4 à 6 sont des vues en coupe illustrant de 30 façon schématique des étapes d'un exemple de procédé d'ajustement à la fabrication d'un oscillateur à résonateur BAW. Description détaillée Par souci de clarté, de mêmes éléments ont été désignés par de mêmes références aux différentes figures et, de 35 plus, comme cela est habituel dans la représentation des B9730 - ST-09-GR1-189 8 circuits intégrés, les diverses figures ne sont pas tracées à l'échelle. Les figures 4 à 6 sont des vues en coupe illustrant de façon schématique des étapes d'un exemple de procédé d'ajustement à la fabrication d'un oscillateur à résonateur BAW. Les figure 4 à 6 représentent de façon schématique un exemple de réalisation d'un oscillateur à résonateur BAW à structure monolithique 41 formé dans et sur un substrat semiconducteur 3 revêtu d'un isolant 4. On notera que la présence de l'isolant 4 est optionnelle. Bien que chacune de ces figures représente un oscillateur unique, dans la pratique, de nombreux oscillateurs sont formés simultanément dans et sur une même tranche semiconductrice. Divers éléments d'un circuit 23, connecté entre une borne d'alimentation de potentiel haut VCC et une borne de potentiel bas, par exemple la masse, sont formés dans et sur le substrat 3. A titre d'exemple, on pourra réaliser dans et sur le substrat 3 des éléments d'un circuit oscillant de type Colpitts, tel que décrit en relation avec la figure 2. Un résonateur BAW 25 est formé au dessus ou à côté de la zone de substrat 3 dans et sur laquelle sont formés les éléments de circuit 23. Dans cet exemple, le résonateur BAW 25 est un résonateur BAW déposé sur une membrane, tel que décrit en relation avec la figure 1. Les électrodes 5a et 5c du résonateur BAW 25 sont connectées aux éléments de circuit 23. Ces connexions sont représentées de façon schématique par les traits 43a et 43c. A titre d'exemple, les connexions 43a et 43c comprennent des nias. Un aspect d'un mode de réalisation de la présente invention est de prévoir de former, à côté du résonateur 25, un condensateur ajustable 45, ce condensateur étant connecté aux éléments de circuit 23 de façon que la fréquence d'oscillation soit liée à la capacité de ce condensateur. B9730 - ST-09-GR1-189 9 La figure 4 illustre de façon schématique une première étape d'un exemple de procédé d'ajustement à la fabrication de l'oscillateur 41. On prévoit de former, à côté du résonateur 25, au dessus du substrat 3, une électrode inférieure 45a du condensateur 45, et de recouvrir cette électrode d'une couche en un matériau diélectrique. On prévoit en outre de former, à la surface d'une portion 47b de cette couche diélectrique, une électrode supérieure 47c. A ce stade de la fabrication, une portion 49b de la couche diélectrique n'est pas recouverte par une électrode supérieure, et la capacité du condensateur 45 est liée à la surface de l'électrode supérieure 47c et à l'épaisseur de la couche diélectrique 47b. Les électrodes 45a et 47c sont connectées aux éléments de circuit 23. On alimente alors l'oscillateur et on mesure la fréquence du signal de sortie OUT. On en déduit la capacité à ajouter, en parallèle à la capacité actuelle du condensateur 45, pour obtenir précisément la fréquence d'oscillation visée. A titre d'exemple, pour alimenter l'oscillateur et mesurer sa fréquence de sortie à l'aide de pointes de test, on pourra prévoir, à la surface de la tranche semiconductrice, des plots de contact (non représentés), reliés aux éléments de circuit 23. Dans la pratique, on pourra alimenter et tester plusieurs oscillateurs d'une même tranche en même temps, en utilisant une carte de test comportant un grand nombre de pointes. On pourra en outre, si le degré de précision recherché s'y prête, tester la tranche de substrat par zones, c'est-à-dire tester un oscillateur d'une zone prédéfinie, et en déduire la capacité à ajouter, en parallèle, au condensateur 45, pour tous les oscillateurs voisins, compris dans cette zone. La figure 5 illustre de façon schématique une deuxième étape d'un exemple de procédé d'ajustement à la fabrication de l'oscillateur 41. On aminci la portion 49b de la couche diélectrique, de 35 façon à réaliser, à partir de cette portion 49b, un condensateur B9730 - ST-09-GR1-189 10 ayant précisément la capacité précédemment déduite de la mesure de la fréquence d'oscillation. En effet, sachant que les portions 47b et 49b de la couche diélectrique ont été déposée à la même épaisseur, et connaissant les surfaces des portions 47b et 49b, on peut en déduire l'amincissement que doit subir la portion de diélectrique 49b, pour que le condensateur 45 final ait la capacité souhaitée. L'amincissement de la portion de diélectrique 49b peut avantageusement être réalisé par gravure ionique, comme l'étape d'ajustement de la fréquence de résonance d'un résonateur BAW décrite ci-dessus. A titre d'exemple, la tranche semiconductrice sur laquelle sont formés les oscillateurs est balayée par un faisceau 51 d'ions de gravure. La vitesse de balayage est contrôlée de façon à s'attarder sur les oscillateurs pour lesquels ont veut graver une épaisseur plus importante que les autres. Une telle technique d'amincissement permet de réaliser des condensateurs ayant des capacités extrêmement précises. Comme pour l'étape de mesure de la fréquence d'oscillation ci- dessus, l'amincissement du diélectrique 49b pourra être réalisé de façon simultanée sur plusieurs oscillateurs voisins, par exemple en augmentant le diamètre du faisceau d'ions de gravure. La figure 6 illustre de façon schématique une étape finale d'un exemple de procédé d'ajustement à la fabrication de l'oscillateur 41. On forme, au dessus de la portion amincie 49b de la couche diélectrique, une électrode supérieure 49c, que l'on connecte à l'électrode supérieure 47c voisine. On forme ainsi un unique condensateur 45 ayant précisément la valeur souhaitée. Pour relier entre elles les électrodes supérieures 47c et 49b, on pourra prévoir que l'électrode 49c recouvre au moins partiellement l'électrode 47c. Une alternative, non représentée, est de prévoir une connexion par fil. Les électrodes supérieures 47c et 49c du condensateur 35 45 occupent de préférence une large surface. A titre d'exemple, B9730 - ST-09-GR1-189 11 chacune de ces électrodes pourra avoir une surface de l'ordre de 1000 µm2 à 10000 µm2. Il en résulte que les éventuelles imprécisions liées à la délimitation de la surface des deux régions du condensateur 45 sont négligeables. Pour limiter le nombre d'étapes de fabrication, on préférera utiliser, pour former la capacité 45, des matériaux du résonateur BAW 25. A titre d'exemple, les électrodes 45a et 47c pourront être réalisées en même temps que les électrodes 5a et 5c du résonateur BAW, par exemple en molybdène. De même, la couche diélectrique 47b, 49b, pourra être formée en même temps et à partir du même matériau que l'une des couches suivantes : la couche piézoélectrique 5b, par exemple du nitrure d'aluminium, une couche, non représentée, de compensation en température, par exemple en oxyde de silicium, couramment disposée entre la couche piézoélectrique 5b et l'électrode supérieure 5c, ou la couche supérieure d'ajustement de fréquence 9, par exemple en nitrure de silicium. L'électrode supérieure 49c nécessite quant à elle une étape de fabrication dédiée. On pourra par exemple réaliser cette électrode en un alliage de cuivre et d'aluminium identique à celui généralement utilisé pour former des plots de contact, non représentés. Pour améliorer la précision de l'étape d'amincissement de la couche diélectrique, il est souhaitable de prévoir, lors du dépôt de cette couche, la capacité approximative que devra avoir le condensateur 45. Pour cela, on pourra prévoir, après le dépôt de la couche 47b, 49b, de mesurer par ellipsométrie les épaisseurs des différentes couches diélectriques formant le condensateur 45. Selon un avantage d'un mode de réalisation de la présente invention, le procédé proposé permet d'ajuster de façon très précise, lors d'une étape finale de fabrication, la fréquence d'un oscillateur. La matrice de capacités commutées B9730 - ST-09-GR1-189 12 habituellement prévue pour réaliser cet ajustement peut donc être supprimée. Un avantage du mode de réalisation décrit ci-dessus est qu'il met en oeuvre uniquement des étapes de réalisation 5 classiques d'un oscillateur à résonateur BAW. Une des difficultés de réalisation de l'étape d'ajustement en fréquence des résonateurs BAW est que le décalage de la fréquence lié à l'ajustement de l'épaisseur n'est pas constant à l'échelle d'une tranche. Cette différence de la 10 sensibilité fréquentielle des résonateurs est liée aux dispersions technologiques. La solution proposée permet d'ajuster la fréquence du résonateur BAW (et par extension de l'oscillateur) au moyen d'une capacité dont la sensibilité en fonction de l'épaisseur ajustée est constante à l'échelle de la 15 tranche. Cette propriété augmente par conséquence la précision pouvant être atteinte pour corriger finement la fréquence d'oscillation. On a décrit ci-dessus une application particulière d'un mode de réalisation de la présente invention. Plus 20 généralement, on prévoit l'ajustement à la fabrication, de tout dispositif dont le comportement est lié à la capacité d'un condensateur. On prévoit alors, lors d'une étape finale de fabrication, de tester le dispositif, puis de corriger d'éventuels écarts de comportement, en ajustant la capacité du 25 condensateur de la façon décrite ci-dessus. A titre d'exemple, on pourra mettre en oeuvre un tel procédé pour ajuster à la fabrication la fréquence d'un oscillateur à base de MEMS (de l'anglais "MicroElectroMechanical Systems"). 30 En outre, on pourra également mettre en oeuvre le procédé proposé pour fabriquer des condensateurs ayant des capacités très précises. On pourra en effet ainsi corriger les erreurs liées aux imprécisions des procédés de dépôt des différentes couches d'une capacité. B9730 - ST-09-GR1-189 13 Selon une variante de réalisation des procédés proposés, on prévoit, pour l'ajustement de la capacité 45, de former une électrode supérieure temporaire recouvrant l'entière surface de la couche diélectrique, de tester le dispositif, de retirer l'électrode supérieure temporaire, de modifier l'épaisseur de la couche diélectrique, puis de former une électrode supérieure définitive. L'électrode supérieure temporaire sera par exemple retirée par gravure ionique, selon le même procédé que l'étape d'amincissement de la couche diélectrique. Des modes de réalisation particuliers de la présente invention ont été décrits. Diverses variantes et modifications apparaîtront à l'homme de l'art. En particulier, on a décrit ci-dessus un procédé d'ajustement à la fabrication d'un oscillateur à résonateur BAW déposé sur une membrane. L'homme de l'art saura mettre en oeuvre le fonctionnement recherché pour ajuster un oscillateur à résonateur BAW monté sur le substrat. En outre, les modes de réalisation décrits ci-dessus prévoient d'amincir, par gravure ionique, la couche diélectrique de la capacité à ajuster. L'invention ne se retreint pas à cet exemple particulier. L'homme de l'art saura utiliser tout autre procédé adapté à amincir la couche diélectrique REVENDICATIONS1. Procédé d'ajustement à la fabrication de la capacité d'un condensateur (45) reposant sur un substrat (3), ce procédé comprenant les étapes suivantes : a) former, parallèlement à la surface du substrat, une 5 première électrode (45a) et la recouvrir d'une couche diélectrique ; b) former, sur une première portion (47b) de la couche diélectrique, une deuxième électrode (47c) ; c) mesurer la capacité entre la première électrode 10 (45a) et la deuxième électrode (47c), et en déduire la capacité à ajouter pour obtenir la capacité visée ; d) amincir une seconde portion (49b) de la couche diélectrique, non recouverte par la deuxième électrode (47c), de façon que l'épaisseur de cette seconde portion soit adaptée à la 15 réalisation de la capacité déduite ; et e) former une troisième électrode sur la portion amincie et la connecter à la deuxième électrode. 2. Procédé d'ajustement à la fabrication d'un oscillateur (41) comportant des éléments de circuit (23) et un 20 résonateur (25), cet oscillateur comportant en outre un condensateur (45) relié aux éléments de circuit (23) de façon que la fréquence d'oscillation soit liée à la capacité du condensateur, ce procédé comportant les étapes suivantes : 25 réaliser les éléments de circuit (23) et le résonateur (25) et les connecter ; et former, connecter, et ajuster le condensateur (45) par le procédé de la revendication 1, l'étape c) de mesure de la capacité à ajouter, comprenant une étape intermédiaire de mesure 30 de la fréquence de sortie du circuit. 3. Procédé selon la revendication 1 ou 2, dans lequel l'étape d) d'amincissement est réalisée par gravure ionique de la seconde portion (49b) de la couche diélectrique.B9730 - ST-09-GR1-189 15 4. Procédé selon la revendication 2 ou 3, dans lequel le résonateur (25) est un résonateur BAW déposé sur une membrane. 5. Procédé selon la revendication 2 ou 3, dans lequel 5 le résonateur est un résonateur BAW à miroir de Bragg. 6. Procédé selon la revendication 4 ou 5, dans lequel les électrodes (45a, 47c, 49c) et la couche diélectrique (47b, 49b) du condensateur (45) sont réalisés à partir des mêmes matériaux que le résonateur BAW. 7. Procédé selon la revendication 6, dans lequel les première (45a) et deuxième (47c) électrodes sont en molybdène, la troisième électrode (49c) est en un alliage de cuivre et d'aluminium, et la couche diélectrique (47b, 49b) est en oxyde de silicium. 8. Procédé selon l'une quelconque des revendications 1 à 7, dans lequel la troisième électrode (49c) recouvre tout ou partie de la deuxième électrode (47c) de façon à assurer un contact électrique entre ces deux électrodes. 9. Procédé selon l'une quelconque des revendications 1 20 à 7, dans lequel les deuxième (47c) et troisième (49c) électrodes sont électriquement reliées entre elles par un fil. 10. Procédé selon la revendication 2 ou 3, dans lequel le résonateur est un résonateur à base de MEMS. 11. Condensateur (45) reposant sur un substrat (3), 25 comportant : une première électrode (45a) parallèle à la surface du substrat sur la première électrode (45a), une couche diélectrique comportant une première région (47b), et une 30 seconde région (49b), accolée à la première région (47b), d'épaisseur inférieure à celle de la première région ; une deuxième électrode (47c) recouvrant la première région (47b) ; et une troisième électrode (49c) recouvrant la seconde 35 région (49b) et recouvrant tout ou partie de la deuxième 10 15B9730 - ST-09-GR1-189 16 électrode de façon que les deuxième et troisième électrodes soient électriquement reliées entre elles.