FR 2955853 A1 20110805 FR 1000405 A 20100202 i PROCÉDÉ DE FABRICATION DE NANO-BÂTONNETS ÉPITAXIÉS SUR UN SUPPORT, NANO-BÂTONNETS ÉPITAXIÉS OBTENUS PAR UN TEL PROCÉDÉ ET SUPPORT D'ENREGISTREMENT DE DONNÉES NUMÉRIQUES L'invention concerne un procédé de fabrication de nanobâtonnets de cobalt épitaxiés sur un support solide, des nano-bâtonnets de cobalt épitaxiés obtenus par un tel procédé et l'utilisation de tels nano-bâtonnets de cobalt épitaxiés comme média de stockage d'information de haute densité. L'invention concerne donc un procédé d'initiation de la croissance et de croissance de nanobâtonnets de cobalt sur un support solide. L'invention vise donc un procédé de fabrication de nano-bâtonnets de cobalt dont la croissance est initiée sur un support solide lisse. Ainsi, le procédé est adapté pour permettre la formation d'un matériau monolithique formé de nano-bâtonnets de cobalt épitaxiés sur un support solide. Un tel procédé de fabrication de nano-bâtonnets de cobalt épitaxiés sur un support solide et les nano-bâtonnets de cobalt épitaxiés sur ledit support solide obtenus par un tel procédé trouvent leurs applications dans les domaines de la micro- et de la nanoélectronique, en particulier comme supports pour le stockage d'informations et pour la catalyse pour lesquels des nano-particules supportées de haute densité de répartition sont recherchées. On connaît (cf Wetz et al, 2007, Materials Science and Engineering C, 27, 1162-1166) un procédé d'élaboration de nano-bâtonnets de cobalt en solution. Un tel procédé ne permet pas de réaliser une monocouche de nano-bâtonnets supportés sur un substrat. Un tel procédé ne permet pas non plus d'obtenir une croissance d'une monocouche de nano-bâtonnets qui soit régulière et homogène sur une grande surface d'un substrat et ne permet pas non plus de former un support magnétique adapté pour le stockage d'informations à haute densité et de résistance mécanique accrue. On connaît aussi des procédés d'élaboration de nano- bâtonnets métalliques dans lesquels on utilise un moule ou empreinte -en particulier des membranes d' alumine anodisées- pour guider la croissance de nano-bâtonnets métalliques. De tels procédés ne permettent pas d'obtenir des nano-bâtonnets de diamètre de section droite transversale suffisamment faible -notamment inférieur à 10 nm-. La mise en oeuvre d'un tel procédé est complexe et nécessite de nombreuses étapes de préparation de la membrane poreuse et de séparation des bâtonnets formés et de la membrane poreuse. En outre, un tel procédé ne permet pas de former des nano-bâtonnets monocristallins. Dans un autre type de solution connue (cf par exemple FR 2 895 419), on réalise une croissance de colonnes à partir des saillies d'un substrat nano-structuré. Une telle solution vise à permettre une croissance épitaxiale initiale de nano-colonnes et une relaxation desdites nano-colonnes pour former une couche continue à partir desdites nano-colonnes relaxées. Cette solution ne permet pas la formation de nano-bâtonnets supportés à partir d'un support lisse. Cette solution est limitée à un procédé de fabrication d'une couche continue relaxée. Cette solution est en outre limitée dans ses applications au cas du dépôt de silicium, de germanium, de nitrure de gallium, de diamant, le carbure de silicium, de phosphure d'indium, d'arséniure de gallium, d'arséniure d'indium et de silicium-germanium sur un substrat choisi parmi le silicium, le germanium, l'arséniure de gallium, le carbure de silicium, le phosphure d'indium, le saphir, le diamant, la zircone et l'oxyde de magnésium. On connaît aussi (cf Grütter et al, (1994), Physical Review B, 49 ; 3, 2021-2029) un procédé de croissance de structures dendrimères par dépôt de cobalt en phase vapeur sur un substrat de platine. Un tel procédé est complexe dans sa mise en oeuvre en cela qu'il nécessite des installations de vaporisation du cobalt sous pression réduite. En outre, un tel procédé ne permet pas de former une monocouche de nano-bâtonnets métalliques. On connaît aussi de WO 2006/079871 un procédé pour déposer des nanoparticules de métal sur un support. Dans un tel procédé, on réalise une décomposition de précurseurs métalliques en solution, de façon à former des nanoparticules en suspension qui sédimentent sur un support solide. Un tel procédé est limité dans ses applications au dépôt par sédimentation de nanoparticules métalliques sur un support de silice, de verre, d'alumine, de carbone, de céramique ou de saphir. Un tel procédé ne permet pas de former un réseau organisé de nanobâtonnets. En outre, un tel procédé ne permet pas d'épitaxier des nanoparticules sur un support solide. L'invention vise à pallier l'ensemble des inconvénients 5 précédemment évoqués. L'invention vise ainsi à proposer un procédé de fabrication d'une monocouche de nano-bâtonnets de cobalt épitaxiés sur un support solide qui ne nécessite pas de structuration du support à l'échelle nanométrique. En particulier, l'invention vise à proposer un tel procédé ne nécessitant aucune étape préalable de 10 traitement du support par lithographie, ni aucune étape complexe de dépôt d'une pluralité d'amorces de croissance -notamment à une résolution de l'ordre du nanomètre-. L'invention vise donc à proposer un procédé de fabrication de nano-bâtonnets de cobalt épitaxiés sur un support solide à partir d'un substrat lisse, 15 c'est-à-dire un procédé adapté pour former un assemblage monolithique du support et des nano-bâtonnets. Par ailleurs, l'invention vise aussi à proposer un tel procédé qui soit simple dans sa mise en oeuvre et qui ne nécessite, pour l'étape de croissance des nano-bâtonnets de cobalt, aucune étape de dépôt métallique sous vide. 20 L'invention vise aussi à proposer un procédé de fabrication de nano-bâtonnets de cobalt épitaxiés sur un support solide par traitement dudit support par une composition liquide. L'invention vise aussi un procédé de fabrication de nanobâtonnets de cobalt adapté pour permettre une croissance de nano-bâtonnets 25 spécifiquement sur une zone prédéterminée d'un substrat. L'invention vise en outre à proposer des nano-bâtonnets de cobalt épitaxiés sur un support solide dans laquelle les nano-bâtonnets de cobalt sont de grande homogénéité cristalline et sont ferromagnétiques à température ambiante. L'invention vise également à proposer un support d'enregistrement magnétique de haute capacité de stockage en particulier un support d'enregistrement magnétique de haute densité et de grande dimension. L'invention vise également à atteindre tous ces objectifs à moindre coût, en proposant un procédé de faible coût de revient ne nécessitant pas la mise en oeuvre d'un traitement de surface par lithographie à haute résolution. L'invention vise aussi à proposer un tel procédé réalisé à partir de moyens, et notamment de composants chimiques, usuels ou éventuellement nouveaux mais peu onéreux. L'invention vise de surcroît à proposer une telle solution qui préserve les habitudes de travail des personnels, soit facile à utiliser, et n'implique pour sa mise en oeuvre que peu de manipulations, en particulier de croissance de nano-bâtonnets sous vide poussé. Pour ce faire l'invention concerne un procédé de fabrication 15 de nano-bâtonnets formés de cobalt [Co] épitaxiés sur un support solide, dans lequel : - on prépare une solution liquide, dite solution métallique, comprenant : o un milieu solvant liquide, 20 o une concentration initiale d'au moins un composé précurseur du cobalt, o une concentration initiale d'une composition basique formée d'au moins un composé amphiphile basique, o une concentration initiale d'une composition acide formée d'au moins 25 un composé amphiphile acide, - on immerge dans ladite solution métallique au moins une portion de surface libre dudit support, ladite portion de surface étant formée de platine [Pt] cristallin, - on maintient, lors d'une étape de croissance, ladite solution 30 métallique avec le support au repos dans un réacteur : o à une température prédéterminée comprise entre 50°C et 200°C, notamment entre 75°C et 200°C, particulièrement de l'ordre de 100°C, o sous atmosphère d'une composition gazeuse -notamment d'une composition gazeuse réductrice- à une pression prédéterminée comprise entre 500 hPa et 10 000 hPa, notamment comprise entre 1000 hPa et 10 000 hPa, et, o pendant une durée, dite durée de croissance, prédéterminée, de façon à entraîner une croissance par épitaxie de nano-bâtonnets de cobalt à partir du platine cristallin de chaque portion de surface libre dudit support, ladite croissance par épitaxie des nano-bâtonnets de cobalt se développant selon une plus grande dimension des nano-bâtonnets de cobalt, lesdits nano-bâtonnets de cobalt étant disjoints les uns des autres. Dans toute la suite : - le terme « nano-bâtonnet » désigne une structure solide allongée présentant une plus grande dimension (L) -en particulier la longueur du nano-bâtonnet- et une plus petite dimension (C) -en particulier la plus grande dimension de la section droite transversale du nano-bâtonnet- dont le rapport L/ f est supérieur à 3. Il est possible que la section droite transversale des nanobâtonnets de cobalt soit une section circulaire et la plus petite dimension des nano- bâtonnets de cobalt est le diamètre moyen des nano-bâtonnets. Il est aussi possible que la section droite transversale des nano-bâtonnets de cobalt soit une section ovale ou elliptique et la plus petite dimension (f) de tels nano-bâtonnets de cobalt est le plus grand diamètre de la section droite transversale. Il est aussi possible que la section droite transversale des nano-bâtonnets de cobalt soit une section polygonale -notamment hexagonale, en particulier de forme d'un hexagone régulier- et la plus petite dimension (f) de tels nano-bâtonnets de cobalt est la plus grande diagonale de la section droite transversale ; - le terme de croissance « par épitaxie » de nano-bâtonnets de cobalt épitaxiés sur une portion de surface d'un support solide formé de platine cristallin désigne une croissance de nano-bâtonnets de cobalt épitaxiés à partir d'au moins une portion de surface extérieure libre du support solide et dans laquelle au moins un axe cristallin des nano-bâtonnets de cobalt épitaxiés est sensiblement parallèle à au moins un axe cristallin dudit support solide. En particulier, l'empilement des atomes correspondant à la structure cristalline des nano-bâtonnets de cobalt et l'empilement des atomes correspondant à la structure cristalline du support solide coïncident sur la zone de croissance initiale s'étendant à l'interface entre lesdits nano-bâtonnets de cobalt supportés et le support solide. Dans un procédé de croissance de nano-bâtonnets de cobalt épitaxiés sur un support solide, le réseau cristallin est continu au travers de l'interface séparant les nano-bâtonnets de cobalt et le support solide. Dans un tel procédé, on initie la croissance et on fait croître les nano-bâtonnets de cobalt à partir d'un support de platine cristallin de façon à former un monolithe de nano-bâtonnets de cobalt épitaxiés sur au moins une portion de surface dudit support de platine cristallin. En particulier, dans un tel procédé selon l'invention on ne réalise aucun traitement préalable, spécifique et connu en lui-même, de ladite portion de surface libre, adapté pour permettre une croissance de nano-bâtonnets de cobalt disjoints. En particulier, une telle portion de surface ne présente pas de micro- et/ou nanostructure susceptible d'être obtenue par lithographie préalable du support et/ou par l'application d'un masque -notamment d'une structure poreuse- adapté pour permettre une initiation latéralement discontinue de la croissance de nano-bâtonnets de cobalt supportés et/ou par dépôt d'une couche discontinue d'un matériau d'amorçage. Ainsi, dans un procédé selon l'invention, on réalise une telle croissance par épitaxie de nano-bâtonnets de cobalt à partir d'une portion de surface d'un support solide formée de platine [Pt] cristallin. Avantageusement, la portion de surface du support solide est formée de platine monocristallin. Cependant, dans un procédé selon l'invention, il est possible que la portion de surface du support solide soit formée de platine polycristallin texturé (111) c'est-à-dire qu'elle est formée d'une pluralité de cristallites monocristallins de platine exposant tous un même plan cristallographique de croissance en regard de la solution métallique. Les inventeurs ont constaté que, de façon totalement surprenante, le traitement d'au moins une portion de surface d'un support solide formé de platine cristallin dans une solution de précurseur du cobalt permet d'obtenir, non pas une croissance de nano-bâtonnets en suspension telle que décrite dans EP 1 339 075 ni une croissance de nanoparticules telle que décrite dans WO 2006/079871, mais une croissance anisotrope de nano-bâtonnets de cobalt par épitaxie à partir de la portion de surface du support de platine cristallin. Les nanobâtonnets de cobalt épitaxiés se développent à partir d'au moins une portion de surface libre du support et forment une monocouche de nano-bâtonnets de cobalt épitaxiés de grande homogénéité sur toute ladite portion de surface du support. En variante et avantageusement, dans un tel procédé on ne forme pas de nano-bâtonnet de cobalt libre en suspension, non supporté sur la portion de surface de platine et non épitaxié sur ladite portion de surface du support solide. Avantageusement, la portion de surface libre du support solide présente une aire suffisante pour permettre une croissance par épitaxie d'une pluralité de nano-bâtonnets de cobalt à partir de cette portion de surface. Avantageusement, la portion de surface libre du support solide est lisse. Par portion de surface libre lisse, on entend que ladite portion de surface libre ne présente pas un état de surface artificiellement modulé -notamment à l'échelle de la plus petite dimension de chaque nano-bâtonnet de cobalt-. Dans une première variante d'un procédé selon l'invention, la portion de surface du support solide est une couche continue de platine d'un seul tenant s'étendant en surface d'un substrat solide distinct du support solide. Dans cette variante, on réalise la croissance des nano-bâtonnets de cobalt à partir de la totalité de la surface du support solide immergée dans la solution métallique. Dans une deuxième variante d'un procédé selon l'invention, la portion de surface du support est une couche continue (c'est à dire qu'elle peut être décrite dans sa totalité de façon continue) de platine mais ne couvrant pas en totalité la surface d'un substrat solide distinct du support solide. Dans cette variante la portion de surface du support présente des trous limités latéralement par le support formé de platine. Dans cette deuxième variante d'un procédé selon l'invention, les nano-bâtonnets de cobalt ne croissent pas sur le substrat non couvert par le support solide de platine. Dans une troisième variante d'un procédé selon l'invention, la portion de surface du support est une couche discontinue formée de platine et forme une pluralité de portions (ou îlots) de portions de surface disjointes les unes des autres et supportant les nano-bâtonnets épitaxiés. Ainsi, les inventeurs ont observé qu'un procédé selon l'invention, dans lequel on forme une juxtaposition d'îlots de portions de surface d'un support solide formées de platine cristallin lisse et homogène et recouvrant au moins partiellement le substrat solide distinct du platine, permet ultérieurement la croissance épitaxiale de nano-bâtonnets de cobalt sur cette portion de surface et ne permet pas une telle croissance à partir du substrat solide distinct de ladite (desdites) portion(s) de surface du support solide. En tout état de cause, dans ces trois variantes d'un procédé selon l'invention, la(les) portion(s) de surface est(sont) lisse(s) et exempte(s) de micro- et/ou nanostructures susceptibles d'être obtenues par la mise en oeuvre de procédés de nano-lithographie. Ainsi, avantageusement dans un procédé selon l'invention, on ne réalise, préalablement à l'étape de croissance des nano-bâtonnets de cobalt à partir de la portion de surface du support, aucun traitement visant à structurer ladite portion de surface et à permettre une initiation latéralement discontinue de la croissance des nano-bâtonnets de cobalt à partir de cette structure et la formation de nano-bâtonnets de cobalt épitaxiés. Dans un tel procédé selon l'invention, il se produit naturellement une initiation de la croissance d'une pluralité de nanobâtonnets de cobalt à partir d'au moins une portion de surface formée de platine solide cristallin. Avantageusement et selon l'invention, on choisit le composé précurseur du cobalt dans le groupe formé des complexes de coordination du cobalt 30 et des complexes organométalliques du cobalt. Avantageusement, on choisit le composé précurseur du cobalt dans le groupe formé des complexes de coordination du cobalt comprenant au moins une liaison azote-cobalt, notamment des amidures de cobalt, en particulier du bis(triméthylsilyl)amido cobalt de formule Co[N(SiMe3)2]2. Avantageusement, on choisit le composé précurseur du cobalt dans le groupe formé des complexes de coordination du cobalt comprenant au moins une liaison oxygène-cobalt, notamment des carboxylates de cobalt de formule générale Co(OOCR2), où R est une chaine alkyle comprenant entre 2 et 20 atomes de carbone. En particulier, on choisit le composé précurseur du cobalt dans le groupe formé du laurate de cobalt de formule Co[OOC(CH2)10CH3]2 et des bétadicétonates de cobalt, notamment l'acétylacétonate de cobalt de formule Co(C5H7O2)2. Avantageusement, on choisit le composé précurseur du cobalt dans le groupe formé des complexes de coordination du cobalt comprenant des liaisons oxygène-cobalt et des liaisons azote-cobalt. Avantageusement, on choisit le composé précurseur du cobalt dans le groupe formé des complexes organométalliques du cobalt, notamment du Co(i3-C8H13)( i4C8H12), du Co(C5H5)2, du Co[(i5-C9H17) 21 et du CO2(C5012)2. Avantageusement, on choisit le composé précurseur du cobalt dans le groupe formé des complexes organométalliques du cobalt comprenant au moins une liaison oxygène-cobalt et/ou au moins une liaison azote-cobalt. Avantageusement et selon l'invention, la portion de surface dudit support est plane et les nano-bâtonnets de cobalt épitaxiés sur ladite portion de surface du support solide de platine [Pt] cristallin s'étendent sensiblement parallèlement les uns aux autres. Ainsi, dans un procédé selon l'invention, la croissance de nano-bâtonnets de cobalt par épitaxie à partir de la portion de surface plane formée de platine cristallin est adaptée pour permettre la formation des nanobâtonnets de cobalt épitaxiés présentant des directions principales d'allongement sensiblement parallèles. 2955853 io Avantageusement, les nano-bâtonnets de cobalt épitaxiés obtenus par un procédé selon l'invention présentent une direction principale d'allongement sensiblement normale à la surface du support solide. Avantageusement et selon un mode particulier de réalisation 5 de l'invention, la portion de surface du support solide est formée de platine cristallin (111) et les nano-bâtonnets de cobalt présentent une direction principale longitudinale sensiblement normale à la surface dudit support solide. Avantageusement et selon l'invention, on immerge la portion de surface du support dans la solution de croissance de façon que la portion de 10 surface libre dudit support solide soit orientée vers le bas. Dans cette variante avantageuse d'un procédé selon l'invention, on réalise une initiation de la croissance des nano-bâtonnets de cobalt à partir de la(des)dite(s) portion(s) de surface horizontale du support solide, la croissance desdits nano-bâtonnets de cobalt se développant verticalement dans le sens de la gravité. 15 Avantageusement, on choisit le composé amphiphile basique dans le groupe formé des amines aliphatiques présentant un nombre d'atomes de carbone compris entre 4 et 20 -en particulier la décylamine (CH3-(CH2)9-NH2), la undécylamine (CH3-(CH2)lo-NH2), la dodécylamine (CH3-(CH2)11-NH2), la tridécylamine (CH3-(CH2)12-NH2), la tétradécylamine (CH3-(CH2)13-NH2), la 20 pentadécylamine (CH3-(CH2)14-NH2), 1'hexadécylamine (CH3-(CH2)15-NH2), l'heptadécylamine (CH3-(CH2)16-NH2) et 1'octadécylamine (CH3-(CH2)17-NH2)-. Ainsi, le composé amphiphile basique est une amine à chaine carbonée non ramifiée. Préférentiellement, l'amine aliphatique non ramifiée est la 1 -hexadécylamine. 25 Le composé amphiphile basique peut aussi être une amine à chaine carbonée ramifiée présentant un nombre d'atomes de carbone compris entre 4 et 20. Avantageusement, on choisit le composé amphiphile basique dans le groupe formé des amines aromatiques substituées en position ortho ou méta ou para du cycle aromatique avec une chaine aliphatique -notamment une chaine hydrocarbonée- présentant un nombre d'atomes de carbone compris entre 4 et 20. 2955853 Il Avantageusement, le composé amphiphile acide est choisi dans le groupe formé des acides aliphatiques -notamment des acides carboxyliques-présentant un nombre d'atomes de carbone compris entre 4 et 20. Préférentiellement, le composé amphiphile acide peut être choisi dans le groupe 5 formé des acides aliphatiques saturés -notamment l'acide laurique- des acides aliphatiques insaturés -notamment l'acide oléique-, des acides aliphatiques ramifiés -notamment l'acide adamantane-carboxylique-. Avantageusement, on choisit le composé amphiphile acide dans le groupe formé des acides aromatiques substituées en position ortho ou méta 10 ou para du cycle aromatique avec une chaine aliphatique -notamment une chaine hydrocarbonée- présentant un nombre d'atomes de carbone compris entre 4 et 20. Avantageusement et selon l'invention, la durée de croissance est inférieure à 500 h, notamment comprise entre 20 min et 150 h, notamment entre 3 h et 150 h, en particulier de l'ordre de 24 h. 15 Avantageusement et selon l'invention, la concentration initiale du composé précurseur du cobalt dans la solution métallique est inférieure à 100 mM, notamment comprise entre 1001aM à 5 mM, en particulier de l'ordre de 2,5 mM. Avantageusement et selon l'invention, le support solide est 20 une couche de platine cristallin s'étendant en surface d'au moins l'une des faces principales d'un substrat formé d'un matériau solide distinct du platine. Avantageusement, la portion de surface du support formé de platine présente une épaisseur comprise entre 1 nm et 50 nm -notamment comprise entre 10 et 20 nm-. Avantageusement, le support solide peut aussi être une pièce 25 de platine massif. Avantageusement et selon l'invention, le substrat est formé d'un matériau solide cristallin -notamment choisi dans le groupe formé de l'alumine cristalline de formule Al2O3 et du saphir de formule a-Al2O3. Cependant, il est aussi possible que le substrat soit formé d'un matériau solide amorphe -notamment de 30 verre-. Avantageusement et selon l'invention, la proportion molaire du(des) composé(s) amphiphile(s) acide(s) et du(des) composé(s) amphiphile(s) basique(s) [composé(s) amphiphile(s) acide(s) / composé(s) amphiphile(s) basique(s)] est supérieure ou égale à 1. Avantageusement, la proportion molaire du(des) composé(s) précurseur(s) du cobalt et du(des) composé(s) amphiphile(s) acide(s) [composé(s) précurseur(s) du cobalt / composé(s) amphiphile(s) acide(s)] est comprise entre 0,2 et 10, notamment entre 0,2 et 5. Avantageusement, la proportion molaire du(des) composé(s) précurseur(s) du cobalt et du(des) composé(s) amphiphile(s) basique(s) [composé(s) précurseur(s) du cobalt / composé(s) amphiphile(s) basique(s)] est comprise entre 0,2 et 10, notamment entre 0,2 et 5. En particulier, le composé amphiphile acide étant l'acide laurique et le composé amphiphile basique étant l'hexadécylamine, la proportion de l'acide laurique, de l'hexadécylamnine et du(des) composé(s) précurseur(s) du cobalt dans la solution métallique est sensiblement de l'ordre de 1/1/1. Avantageusement et selon l'invention, le milieu solvant liquide est formé d'au moins un composé solvant organique. Avantageusement, le milieu solvant liquide est formé d'au moins un composé solvant organique choisi dans le groupe formé du toluène, de l'anisole, du mésitylène, du décane, des polyols et des amines. Avantageusement, on forme la portion de surface du support solide par tout procédé physique (PVD) et/ou chimique (CVD) de dépôt de platine cristallin à partir d'un composé précurseur du platine connu en lui-même de l'homme du métier. A titre d'exemple non limitatif, on forme la portion de surface du support solide par pulvérisation cathodique sous vide d'une cible de platine, par évaporation thermique ou par faisceau électronique, par épitaxie par jet moléculaire, par dépôt atomique en couche, par ablation laser, par électrodéposition, MOCVD. Avantageusement, un tel procédé de dépôt de platine cristallin est en outre adapté pour permettre la formation d'une portion de surface d'un support solide d'épaisseur sensiblement comprise entre 1 nm et 50 nm. Avantageusement, on choisit la composition gazeuse dans le groupe formé de l'hydrogène (H2), du monoxyde de carbone (CO) et de leurs mélanges. Avantageusement, il est possible que la composition gazeuse comprenne au moins un gaz inerte -notamment de l'argon-. Avantageusement dans une variante selon l'invention, la solution métallique comprend en outre au moins un composé réducteur notamment choisi dans le groupe formé des hydrures de lithium, des hydrures de bore, des hydrures d'aluminium et des alcools -notamment des polyols-. L'invention s'étend par ailleurs à des nano-bâtonnets de 10 cobalt épitaxiés sur une portion de surface d'un support solide dans lesquels : - lesdits nano-bâtonnets de cobalt épitaxiés sur ledit support solide sont : o dressés à partir de l'une de leurs extrémités longitudinales sur le support solide ; 15 o disjoints les uns des autres et distribués de façon régulière sur ladite portion de surface ; - ladite portion de surface du support étant formée de platine solide cristallin, caractérisés en ce que chaque nano-bâtonnet de cobalt présente un tronçon basal 20 formé au contact d'une zone, dite zone d'interface, de ladite portion de surface du support, ledit tronçon basal présentant au moins une direction cristalline sensiblement parallèle à au moins une direction cristalline de la zone d'interface de la portion de surface du support solide. Les nano-bâtonnets de cobalt épitaxiés selon l'invention sont 25 uniformément répartis sur la portion de surface du support solide. Avantageusement et selon l'invention, les nano-bâtonnets de cobalt sont orientés sensiblement parallèlement les uns aux autres. En variante, avantageusement et selon l'invention, les nano- bâtonnets de cobalt s'étendent selon une direction principale d'allongement 30 sensiblement perpendiculaire à la surface du support solide. En variante, avantageusement et selon l'invention, les nano-bâtonnets de cobalt s'étendent selon une direction principale d'allongement sensiblement perpendiculaire à la surface du support solide et la portion de surface du support solide est formée de platine monocristallin. Avantageusement et selon l'invention, les nano-bâtonnets de cobalt présentent en section droite transversale un diamètre moyen inférieur à 10 nm -notamment un diamètre moyen compris entre 4 nm et 9 nm- en particulier un diamètre moyen compris entre 6 nm et 7 nm. Avantageusement et selon l'invention, les nano-bâtonnets de cobalt épitaxiés sur le support solide présentent une longueur moyenne comprise 10 entre 20 nm et 1 µm. Avantageusement et selon l'invention, les nano-bâtonnets de cobalt forment une monocouche en surface de ladite portion de surface du support. Par monocouche de nano-bâtonnets, on entend que chaque nano-bâtonnet de la pluralité de nano-bâtonnets de cobalt épitaxiés sur le support solide s'étend à partir 15 de la portion de surface dudit support sur une distance de l'ordre de grandeur de la longueur moyenne de la pluralité de nano-bâtonnets de cobalt épitaxiés sur le support de platine. Avantageusement et selon l'invention, chaque nano-bâtonnet de la pluralité de nano-bâtonnets de cobalt épitaxiés sur la portion de support de 20 platine lisse présente une structure monocristalline. On détermine le caractère monocristallin de chaque nano-bâtonnet supporté de la pluralité de nano-bâtonnets de cobalt épitaxiés par des méthodes connues en elles-mêmes de l'homme du métier, par exemple par microscopie électronique à transmission (MET). En particulier, avantageusement et selon l'invention, chaque nano-bâtonnet de cobalt 25 de la pluralité de nano-bâtonnets de cobalt supportés par un support de platine présente une structure cristalline de type hexagonale compacte. Avantageusement et selon l'invention, la zone d'interface de la portion de surface du support est formée de platine présentant une structure cristalline unique du type cubique à face centrée. 30 Avantageusement et selon l'invention, les nano-bâtonnets de cobalt présentent sur la portion de surface du support une densité surfacique supérieure à 1,6 1015 nano-bâtonnets de cobalt par mètre carré de ladite portion de surface du support. Avantageusement et selon un mode particulier de réalisation de l'invention, les nano-bâtonnets de cobalt épitaxiés sur le support solide présentent une direction principale longitudinale sensiblement normale à la surface dudit support solide. L'invention s'étend aussi à l'utilisation d'une monocouche de nano-bâtonnets de cobalt supportés pour la fabrication d'un support d'enregistrement de données numériques de haute densité dans laquelle on réalise un renversement de l'aimantation des nano-bâtonnets de cobalt. L'invention vise aussi un support d'enregistrement de données numériques de haute densité comprenant des nano-bâtonnets de cobalt épitaxiés sur un support solide de platine cristallin. Avantageusement, on réalise le renversement de l'aimantation 15 d'au moins un nano-bâtonnet de cobalt épitaxié sur le support solide par un courant polarisé en spin. Avantageusement, le support d'enregistrement de données numériques présente une surface de grande dimension -notamment supérieure à 1 centimètre carré-. 20 L'invention concerne également un procédé de fabrication de nano-bâtonnets de cobalt supportés par un support, des nano-bâtonnets de cobalt supportés obtenus par un tel procédé et l'utilisation de tels nano-bâtonnets de cobalt supportés caractérisés en combinaison par tout ou partie des caractéristiques mentionnées ci-dessus ou ci-après. 25 D'autres buts, caractéristiques et avantages de l'invention apparaîtront à la lecture de la description suivante qui se réfère aux figures annexées représentant des modes de réalisation préférentiels de l'invention, donnés uniquement à titre d'exemples non limitatifs, et dans lesquelles : - la figure 1 est un schéma synoptique d'un procédé de 30 fabrication de nano-bâtonnets de cobalt épitaxiés sur un support selon l'invention, - la figure 2 est un schéma synoptique d'une première variante d'un procédé de fabrication de nano-bâtonnets de cobalt épitaxiés sur un support solide selon l'invention, - la figure 3 est une représentation schématique en coupe de 5 nano-bâtonnets de cobalt épitaxiés sur un support solide selon une première variante de l'invention, - la figure 4 est une représentation schématique en coupe de nano-bâtonnets de cobalt épitaxiés sur un support selon une deuxième variante de l'invention, 10 - la figure 5 est une vue de la face extérieure grossie 150 000 fois en microscopie électronique à balayage de nano-bâtonnets de cobalt épitaxiés sur un support de platine selon une première variante de l'invention, - la figure 6 est une vue de la face extérieure grossie 120 000 fois en microscopie électronique à balayage de nano-bâtonnets de cobalt épitaxiés 15 sur un support de platine selon une première variante de l'invention, ladite monocouche étant inclinée par rapport au faisceau d'électrons, - la figure 7 est une vue de la face extérieure grossie 9 000 fois en microscopie électronique à balayage de nano-bâtonnets de cobalt épitaxiés sur un support de platine selon une première variante de l'invention, 20 - la figure 8 est une vue en coupe grossie 145 000 fois en microscopie électronique à transmission de nano-bâtonnets de cobalt épitaxiés sur un support de platine selon une première variante de l'invention, - la figure 9 est une vue en coupe grossie 825 000 fois en microscopie électronique à transmission de nano-bâtonnets de cobalt épitaxiés sur 25 un support de platine selon une première variante de l'invention, - la figure 10 est une vue en coupe grossie 3 800 000 fois en microscopie électronique à transmission de nano-bâtonnets de cobalt épitaxiés sur un support de platine selon une première variante de l'invention, - la figure 11 est une vue en coupe en microscopie 30 électronique à transmission d'un détail de la zone d'interface de nano-bâtonnets de cobalt épitaxiés sur un support de platine selon une première variante de l'invention, - la figure 12 est une vue de la face extérieure en microscopie électronique à balayage de nano-bâtonnets de cobalt épitaxiés sur un support de platine selon une deuxième variante de l'invention, - la figure 13 est une vue de la face extérieure grossie 100 000 fois en microscopie électronique à balayage de nano-bâtonnets de cobalt épitaxiés sur un support de platine selon une première variante de l'invention, ladite monocouche étant inclinée par rapport au faisceau d'électrons, - la figure 14 est une vue grossie 100 000 fois obtenue par microscopie électronique à balayage de la surface extérieure de nano-bâtonnets de cobalt épitaxiés sur un support de platine selon une première variante de l'invention, - la figure 15 est une vue inclinée obtenue par microscopie électronique à balayage de la surface extérieure de nano-bâtonnets de cobalt épitaxiés sur un support de platine selon une première variante de l'invention, - la figure 16 est une vue grossie 50 000 fois obtenue en microscopie électronique à balayage de la surface extérieure de nano-bâtonnets de cobalt épitaxiés sur un support de platine selon une première variante de l'invention. Dans un procédé de fabrication de nano-bâtonnets 2 de cobalt épitaxiés sur un support 5 de platine selon l'invention représenté en figure 1, on prépare, sous atmosphère d'un gaz inerte -notamment d'argon- exempt d'oxygène et d'humidité, lors d'une étape 9 de mélange, une solution 10 métallique comprenant une quantité d'au moins un composé 11 précurseur de cobalt, une quantité d'une composition basique comprenant au moins un composé 13 amphiphile basique et une quantité d'une composition acide comprenant au moins un composé 14 amphiphile acide dans un milieu 15 solvant liquide. Dans un mode particulier de réalisation d'un procédé selon l'invention, on prépare d'abord par mélange 9 une composition formée du(des) composé(s) 11 précurseur(s) de cobalt, du(des) composé(s) 13 amphiphile(s) basique(s) et du(des) composé(s) 14 amphiphile(s) acide(s), puis on solubilise ladite composition formée dans le milieu 15 solvant liquide. On réalise cette solubilisation, par exemple, par agitation magnétique ou par traitement aux ultrasons. Dans un autre mode particulier de réalisation non représenté d'un procédé selon l'invention, on prépare sous atmosphère d'un gaz inerte - notamment d'argon- exempt d'oxygène et d'humidité une solution du(des) composé(s) précurseur(s) de cobalt dans un milieu solvant liquide et une solution formée du(des) composé(s) amphiphile(s) basique(s) et du(des) composé(s) amphiphile(s) acide(s) dans un milieu solvant liquide que l'on mélange l'une avec l'autre. Il est aussi possible de préparer une solution du(des) composé(s) amphiphile(s) basique(s) dans un milieu solvant liquide et une solution du(des) composé(s) amphiphile(s) acide(s)dans un milieu solvant liquide que l'on mélange pour former une composition intermédiaire de ligands amphiphiles. Dans chacune de ces variantes d'un procédé selon l'invention on réalise la solution métallique sous atmosphère d'un gaz inerte -notamment d'argon- pour préserver le(s) composé(s) précurseur(s) de cobalt de la dégradation par l'oxygène ou par l'eau. On place la solution 10 métallique dans un réacteur étanche aux gaz adapté pour permettre le chauffage de ladite solution 10 métallique et un ajustement de la pression à l'intérieur du réacteur, afin de réaliser une étape 16 de croissance des nano-bâtonnets 2 de cobalt et de formation d'une monocouche 1 de nano-bâtonnets 2 de cobalt épitaxiés sur le support 5. Dans le procédé de la figure 1, on traite lors d'une étape 3 préalable, un substrat 7 formé d'au moins un matériau solide cristallin -notamment formé d'alumine cristalline (Al203)- distinct du matériau solide constitutif de la portion 8 de support 5 solide. Ce traitement 3 préalable est effectué par des moyens physiques et/ou chimiques de dépôt de platine [Pt] cristallin métallique non oxydé en surface du substrat 7. On dépose ainsi du platine [Pt] cristallin métallique non oxydé formant une portion 8 de surface lisse du support 5 solide et s'étendant sur au moins l'une des surfaces 6 principales du substrat 7. On place ensuite le substrat 7 ainsi traité et doté de la portion 8 du support 5 solide au contact de la solution 10 métallique dans le réacteur étanche aux gaz. Dans un procédé selon l'invention, on place le substrat 7 dans le réacteur étanche aux gaz de préférence avec la face libre de la portion 8 de surface du support 5 orientée vers le bas de façon à éviter toute sédimentation incontrôlée de nano-bâtonnets 2 de cobalt sur le support 5 solide. Cependant, dans un procédé selon l'invention, il est aussi possible, en variante, de placer le substrat 7 dans le réacteur étanche aux gaz avec la face libre de la portion 8 de surface du support 5 orientée vers le haut. On introduit ensuite dans le réacteur étanche aux gaz une composition gazeuse réductrice, par exemple de l'hydrogène (H2), de façon à purger ledit réacteur étanche aux gaz de toute composition gazeuse oxydante résiduelle. On chauffe ensuite la solution 10 métallique à une température comprise entre 50°C et 200°C et on ajuste la pression à l'intérieur du réacteur étanche aux gaz en ajustant la quantité de ladite composition gazeuse réductrice introduite dans le réacteur. On obtient une monocouche 1 de nano-bâtonnets 2 de cobalt supportés et épitaxiés sur la portion 8 de surface du support 5 de platine en quelques heures. Les nano-bâtonnets 2 de cobalt épitaxiés sur le support 5 de platine présentent une longueur moyenne comprise entre 20 nm et 1 µm et un diamètre moyen de section droite transversale circulaire inférieur à 10 nm, en particulier compris entre 6 nm et 9 nm. Dans la variante représentée en figure 2, après l'étape 3 de traitement préalable du substrat 7, on réalise une étape 21 de structuration de la portion 8 de surface du support 5 solide. On réalise cette étape 21 de structuration par gravure en éliminant sélectivement des parties de la portion 8 de surface du support 5 de platine, tout en préservant d'autres parties 4 de la portion 8 de surface du support 5 de platine. On forme ainsi une couche discontinue comprenant des parties de support 5 solide disjointes séparées par des parties exemptes de support 5 solide de platine [Pt] cristallisé. On obtient alors, lors de l'étape 16 de croissance des nano-bâtonnets 2 de cobalt épitaxiés sur la portion 8 de surface du support 5 de platine, une monocouche 1 de nano-bâtonnets 2 de cobalt épitaxiés sous la forme de fagots de nano-bâtonnets 2 de cobalt épitaxiés. Les inventeurs ont constaté que la croissance, en particulier la croissance par épitaxie des nano-bâtonnets de cobalt, n'est observée qu'en regard du support 5 de platine. Il est aussi possible de former une couche continue (c'est-à-dire exempte de portion non dotée de support 5 solide) de ladite portion 8 de surface du support 5 s'étendant en surface du substrat 7, ladite portion 8 de surface du support 5 ne couvrant cependant que partiellement le substrat 7. La croissance des nano-bâtonnets 2 de cobalt épitaxiés sur une portion 8 de surface du support 5 solide de platine se produit à partir de la portion 8 de surface dudit support 5, telle qu'elle est obtenue à l'issue du dépôt de platine, sans traitement préalable de ladite portion 8 de surface du support 5 visant à modifier l'état de surface de ladite portion 8 de surface. Une monocouche 1 de nano-bâtonnets 2 de cobalt selon l'invention représentée schématiquement en figure 3 est formée d'une couche du substrat 7 présentant une surface 6 principale sur laquelle s'étend le support 5 de platine solide lisse. Le support 5 de platine présente deux faces principales dont l'une est liée par épitaxie sur le substrat 7 solide cristallin et l'autre, dite face de croissance, supporte les nano-bâtonnets 2 de cobalt. Dans une monocouche 1 de nano-bâtonnets de cobalt épitaxiés selon l'invention, le tronçon 19 de croissance initiale de chaque nano-bâtonnet 2 de cobalt épitaxié sur le support 5 de platine présente une structure cristalline dans laquelle les directions cristallines sont sensiblement parallèles aux directions cristallines de la zone 20 d'initiation de la croissance des nano-bâtonnets 2 de cobalt s'étendant en regard du tronçon 19 de croissance de chaque nano-bâtonnet 2 de cobalt. Une monocouche 1 de nano-bâtonnets 2 de cobalt épitaxiés selon une première variante de l'invention représentée schématiquement en figure 4 est formée d'un substrat 7 présentant une surface 6 principale sur laquelle repose une pluralité de portions 8 de surface du support 5 de platine disjointes les unes des autres. Les portions 8 de surface du support 5 de platine présentent chacune deux faces principales dont l'une s'étend en regard du substrat 7 et l'autre, dite face de croissance, supporte les nano-bâtonnets 2 de cobalt. Dans une monocouche 1 de nano-bâtonnets 2 de cobalt épitaxiés selon l'invention, le tronçon 19 de croissance initiale de chaque nano-bâtonnet 2 de cobalt épitaxié présente une structure cristalline dans laquelle les directions cristallines sont sensiblement parallèles aux directions cristallines de la zone 20 d'initiation de la croissance des nano-bâtonnets 2 de cobalt s'étendant en regard du tronçon 19 de croissance de chaque nanobâtonnet 2 de cobalt épitaxié. Dans cette variante d'une monocouche 1 de nanobâtonnets 2 de cobalt selon l'invention, seule la face de croissance des portions 8 de croissance supporte les nano-bâtonnets 2 de cobalt. Les parties surfaciques du substrat 7 exemptes de support 5 solide de platine ne supportent pas de nanobâtonnet 2 de cobalt. EXEMPLE 1 On prépare sous atmosphère d'argon une solution A par dissolution d'acide laurique (LA) dans du toluène, une solution B par dissolution d'hexadécylamine (HDA) dans du toluène et une solution C par dissolution du précurseur de cobalt Co[N(Si(CH3)2]2 dans du toluène. On mélange les solutions A, B et C de façon à former une solution finale E. Le rapport molaire de Co[N(Si(CH3)2]2 / HDA / LA est de 1 / 0,8 / 1,2 et la concentration de Co[N(Si(CH3)2]2 est de 2,5 mM dans la solution E. On prépare les solutions A, B et C sous atmosphère d'argon de façon à prévenir toute introduction incontrôlée d'agent oxydant -notamment d'oxygène et d'eau- dans les solutions C et E. On traite un substrat d'alumine cristalline Al2O3 (0001) de forme carrée et de dimensions 1 cm sur 1 cm par pulvérisation cathodique à une température de 500°C de façon à former une couche de 20 nm d'épaisseur de platine épitaxié sur le substrat cristallin Al2O3 (0001). On place le substrat dans un réacteur de volume total interne de 80 mL de façon que la couche de platine épitaxié soit orientée vers le bas en regard du fond du réacteur. On place 10 mL de la solution E dans le réacteur de façon à ce que le substrat soit en contact avec la solution E et on établit une atmosphère d'hydrogène sous une pression de 3000 hPa. Le réacteur est chauffé pendant 70 heures à 100°C. La figure 5 présente une vue d'une monocouche de nanobâtonnets 2 de cobalt épitaxiés sur une couche 8 de platine déposée sur un substrat 7 monocristallin d'alumine Al2O3 (0001). Le diamètre moyen de la section droite transversale est de l'ordre de 8 nm. La figure 6 présente une vue surfacique inclinée obtenue en microscopie à balayage à plus fort grossissement d'une monocouche 1 de nanobâtonnets 2 de cobalt épitaxiés sur une couche 8 de platine déposée sur un substrat 7 monocristallin d'alumine Al2O3 (0001). La figure 6 montre l'organisation des nano- bâtonnets 2 de cobalt qui s'étendent parallèlement les uns aux autres. La figure 7 présente un vue surfacique en microscopie à balayage à faible grossissement d'une monocouche 1 de nano-bâtonnets 2 de cobalt épitaxiés sur une couche 8 de platine déposée sur un substrat 7 monocristallin d'alumine Al2O3 (0001). La figure 7 montre une zone de la monocouche 1 de dimensions 8,7 µm x 5,7 µm présentant une couverture sensiblement homogène de nano-bâtonnets 2 de cobalt. La figure 8 présente une vue en coupe d'une monocouche de nano-bâtonnets de cobalt [Co] épitaxiés sur une couche de platine [Pt] déposée sur un substrat 7 monocristallin d'alumine Al2O3 (0001). La figure 8 présente une monocouche 1 de nano-bâtonnets 2 de cobalt, lesdits nano-bâtonnets 2 de cobalt étant sensiblement parallèles entre eux et perpendiculaires au plan de la surface principale du substrat 7 d'alumine. La longueur moyenne des nano-bâtonnets 2 de cobalt mesurée sur la figure 8 est sensiblement de l'ordre de 230 nm. Le diamètre moyen des nano-bâtonnets 2 de cobalt mesuré sur la figure 8 est sensiblement de l'ordre de 7,5 nm. Le détail de l'encadré a) de la figure 8 est agrandi et présenté en figure 9. La figure 9 présente une vue en coupe d'une monocouche de nano-bâtonnets de cobalt [Co] épitaxiés sur une couche de platine [Pt] déposée sur un substrat 7 monocristallin d'alumine Al2O3 (0001). L'épaisseur moyenne de la couche 5 de platine est de l'ordre de 10 nm et le diamètre moyen des nanobâtonnets 2 de cobalt mesuré sur la figure 9 est sensiblement de l'ordre de 7 nm. Le détail de l'encadré b) de la figure 9 est agrandi et présenté en figure 10. La figure 10 présente une vue en coupe d'une monocouche 1 de nano-bâtonnets 2 de cobalt [Co] épitaxiés sur une couche de platine [Pt] déposée sur un substrat 7 monocristallin de saphir Al2O3 (alpha-Al2O3). Le détail de l'encadré c) de la figure 10 est agrandi et présenté en figure 11. La figure 11 présente une vue d'un détail en coupe d'une monocouche 1 de nano-bâtonnets 2 de cobalt [Co] épitaxiés sur une couche de platine [Pt]. Les alignements des plans réticulaires du cobalt identifiés par des doubles traits parallèles montrent l'épitaxie des bâtonnets de cobalt sur le support de platine. Le platine présente une cristallisation cubique à face centrée (cfc) correspondant au platine métallique massif cristallin. Le cobalt cristallise en phase hexagonale compacte (hcp) qui est la phase stable pour le cobalt métallique massif cristallin en dessous de 425°C. Il a été montré que les nano-bâtonnets de cobalt épitaxiés sur 10 un support de platine cristallin obtenus selon un tel procédé peuvent être soumis à un traitement aux ultrasons sans détérioration des nano-bâtonnets. EXEMPLE 2 Des nano-bâtonnets de cobalt épitaxiés sur un support de platine monocristallin -lui-même épitaxié sur un substrat cristallin d'alumine 15 (Al2O3)- ont été obtenus selon des variantes d'un procédé tel que décrit dans l'exemple 1 et dans les conditions spécifiques décrites dans le tableau 1 suivant. Figure 13 Figure 14 Figure 15 Figure 16 Proportions molaires initiales : 1/0,8/2,4 1/1/1 1/1/1 1/0,3/0,7 précurseur de Co/HDA/LA Température de croissance, °C 100 100 100 100 Solvant Toluène Toluène Toluène Toluène [précurseur de Co], mM 5 2,5 5 5 Durée de croissance, heures 120 72 120 98 Tableau 1 EXEMPLE 3 On procède comme décrit à l'exemple 1. Le rapport molaire 20 de Co[N(Si(CH3)2]2 / HDA / LA est de 1 / 1 / 1 et la concentration de Co[N(Si(CH3)2]2 est de 5 mM dans la solution E. On traite un substrat d' alumine cristalline Al2O3 (0001) de forme carrée et de dimensions 1 cm sur 1 cm par pulvérisation cathodique à une température de 500°C de façon à former une couche de 20 nm d'épaisseur de platine épitaxié sur le substrat cristallin Al2O3 (0001). On réalise ensuite une étape de gravure de la surface du substrat par un faisceau ionique focalisé (FIB) de façon à délimiter des îlots disjoints de platine de dimensions de 100 nm x 150 nm et uniformément répartis. On place le substrat dans un réacteur de volume total interne de 200 mL de façon que la couche de platine épitaxié soit orientée vers le bas en regard du fond du réacteur. On place 40 mL de la solution E dans le réacteur de façon à ce que le substrat soit en contact avec la solution E et on établit une atmosphère d'hydrogène sous une pression de 3000 hPa. Le réacteur est chauffé pendant 62 heures à 100°C. La figure 12 est une vue surfacique d'une monocouche 1 de nano-bâtonnets 2 de cobalt obtenue à partir d'une couche discontinue de platine formant des îlots disjoints de dimensions sensiblement de 100 nm sur 150 nm. Les nano-bâtonnets 2 de cobalt répartis sur les îlots de platine se présentent sous la forme de fagots répartis de façon discontinue sur la surface de la monocouche de nano-bâtonnets. REVENDICATIONS1/ Procédé de fabrication de nano-bâtonnets (2) formés de cobalt [Co] épitaxiés sur un support (5) solide, dans lequel : - on prépare une solution liquide, dite solution (10) métallique, comprenant : o un milieu (15) solvant liquide, o une concentration initiale d'au moins un composé (11) précurseur du cobalt, o une concentration initiale d'une composition basique formée d'au moins un composé (13) amphiphile basique, o une concentration initiale d'une composition acide formée d'au moins un composé (14) amphiphile acide, - on immerge dans ladite solution (10) métallique au moins 15 une portion (8) de surface libre dudit support (5), ladite portion (8) de surface étant formée de platine [Pt] cristallin, - on maintient, lors d'une étape (16) de croissance, ladite solution (10) métallique avec le support (5) au repos dans un réacteur : o à une température prédéterminée comprise entre 50°C et 200°C, 20 o sous atmosphère d'une composition gazeuse à une pression prédéterminée comprise entre 500 hPa et 10 000 hPa, et, o pendant une durée, dite durée de croissance, prédéterminée, de façon à entraîner une croissance par épitaxie de nano-bâtonnets (2) de cobalt à partir du platine cristallin de chaque portion (8) de surface libre dudit support (5), 25 ladite croissance par épitaxie des nano-bâtonnets (2) de cobalt se développant selon une plus grande dimension des nano-bâtonnets (2) de cobalt, lesdits nano-bâtonnets (2) de cobalt étant disjoints les uns des autres. 2/ Procédé selon la revendication 1, caractérisé en ce qu'on choisit le composé (11) précurseur du cobalt dans le groupe formé des complexes de 30 coordination du cobalt et des complexes organométalliques du cobalt. 3/ Procédé selon l'une des revendications 1 et 2, caractérisé en ce que ladite portion (8) de surface libre dudit support (5) solide est plane et les nano-bâtonnets (2) de cobalt épitaxiés sur la portion (8) de surface du support (5) solide de platine [Pt] cristallin s'étendent sensiblement parallèlement les uns aux autres. 4/ Procédé selon l'une des revendications 1 à 3, caractérisé en ce que la durée de croissance est inférieure à 500 h. 5/ Procédé selon l'une des revendications 1 à 4, caractérisé en ce que la concentration initiale du composé (11) précurseur du cobalt est 10 inférieure à 100 mM. 6/ Procédé selon l'une des revendications 1 à 5, caractérisé en ce que le support (5) solide est une couche de platine cristallin s'étendant en surface d'au moins l'une des faces (6) principales d'un substrat (7) formé d'un matériau solide distinct du platine. 15 7/ Procédé selon la revendication 6, caractérisé en ce que le substrat est formé d'un matériau solide cristallin -notamment choisi dans le groupe formé de l'alumine cristalline de formule Al2O3 et du saphir de formule a-Al2O3. 8/ Procédé selon l'une des revendications 1 à 7, caractérisé en ce que le milieu (15) solvant liquide est formé d'au moins un composé solvant 20 organique. 9/ Nano-bâtonnets (2) de cobalt [Co] épitaxiés sur au moins une portion (8) de surface d'un support (5) solide dans lesquels : - lesdits nano-bâtonnets (2) de cobalt épitaxiés sur ledit support (5) solide sont : 25 o dressés à partir de l'une de leurs extrémités longitudinales sur le support (5) solide ; o disjoints les uns des autres et distribués de façon régulière sur chaque portion (8) de surface ; - chaque portion (8) de surface du support (5) étant formée 30 de platine solide cristallin, caractérisés en ce que chaque nano-bâtonnet (2) de cobalt présente un tronçon (19) basal formé au contact d'une zone, dite zone (20) d'interface, d'une portion (8) de surface du support (5), ledit tronçon (19) basal présentant au moins une direction cristalline sensiblement parallèle à au moins une direction cristalline de la zone (20) d'interface de la portion (8) de surface du support (5) solide. 10/ Nano-bâtonnets (2) de cobalt épitaxiés sur un support (5) solide selon la revendication 9, caractérisés en ce que lesdits nano-bâtonnets (2) de cobalt sont orientés sensiblement parallèlement les uns aux autres. 11/ Nano-bâtonnets (2) de cobalt épitaxiés sur un support (5) solide selon l'une des revendications 9 ou 10, caractérisés en ce que les nanobâtonnets (2) de cobalt s'étendent selon une direction principale d'allongement sensiblement perpendiculaire à la surface du support (5) solide. 12/ Nano-bâtonnets (2) de cobalt épitaxiés sur un support (5) solide selon l'une des revendications 9 à 11, caractérisés en ce que les nano- bâtonnets (2) de cobalt présentent en section droite transversale un diamètre moyen inférieur à 10 nm. 13/ Nano-bâtonnets (2) de cobalt épitaxiés selon l'une des revendications 9 à 12, caractérisés en ce que les nano-bâtonnets (2) de cobalt épitaxiés sur le support (5) solide présentent une longueur moyenne comprise entre 20 nm et 1µm. 14/ Nano-bâtonnets (2) de cobalt épitaxiés selon l'une des revendications 9 à 13, caractérisés en ce qu'ils forment une monocouche (1) en surface de chaque portion (8) de surface du support (5) solide. 15/ Nano-bâtonnets (2) de cobalt épitaxiés selon l'une des revendications 9 à 14, caractérisés en ce que chaque nano-bâtonnet (2) de la pluralité de nano-bâtonnets (2) de cobalt épitaxiés sur le support (5) de platine lisse présente une structure monocristalline. 16/ Nano-bâtonnets (2) de cobalt épitaxiés selon l'une des revendications 9 à 15, caractérisés en ce que les nano-bâtonnets (2) de cobalt épitaxiés présentent sur une portion (8) de surface du support (5) une densitésurfacique supérieure à 1,6 1015 nano-bâtonnets (2) de cobalt par mètre carré de ladite portion (8) de surface du support (5). 17/ Support d'enregistrement de données numériques de haute densité comprenant des nano-bâtonnets (2) de cobalt selon l'une des 5 revendications 9 à 16 épitaxiés sur un support (5) solide de platine cristallin.