FR 2955666 A1 20110729 FR 1050514 A 20100126 L'invention concerne un procédé d'estimation quantitative de défauts présents dans des objets ou des structures, à partir de mesures de grandeurs physiques réalisées en surface, afin de permettre une évaluation non destructive (END). Aujourd'hui, les dispositifs de contrôle non destructifs nécessitent généralement l'éclairage d'un objet par une onde caractérisée par une ou plusieurs grandeurs physiques (champ magnétique, électrique, électromagnétique, ultrasons, thermique infrarouge, rayons X ou ondes TeraHz...). Cette grandeur physique, qualifiable de primaire, entre en interaction avec l'objet observé (cible), et peut être directement à l'origine du phénomène ou de l'image obtenue (absorption des rayons X dans les différentes parties du corps humain traversé, par exemple), ou donner naissance à une grandeur secondaire. Citons par exemple le cas de l'imagerie par courants de Foucault, dans laquelle l'onde électromagnétique incidente crée des nappes de courants induits dans le matériau (conducteur) : ce sont ces nappes de courants qui seront perturbées par un défaut, caractérisé dans ce cas par une variation des propriétés électriques du matériau (conductivité, perméabilité, permittivité). L'image de ces perturbations est généralement obtenue par un ensemble de détecteurs placés en surface et qui donne dans le meilleur des cas (absence de diffraction, `éclairage' uniforme de l'objet) une image résultant de la superposition de l'ensemble des propriétés de l'objet, dans toute son épaisseur. L'exemple le plus simple est encore celui de la radiographie à rayons X dans laquelle l'image résulte de l'ensemble des parties du corps traversé par les ondes, ce qui rend l'interprétation difficile. Pour obtenir une image en 3 dimensions, il faut `enrichir' l'ensemble des signaux perçus : c'est le scanner à rayons X, où N images sont obtenues pour N angles d'observation différents. Ce cas est plus simple que la plupart des problèmes de contrôle non destructifs (CND) : absence de diffraction, et accès aux deux `faces' de l'objet à imager. En CND industriel, il y a très rarement un accès aux deux faces de l'objet ou de la structure à contrôler, et l'utilisation de ce type de techniques est alors très souvent impossible : il faut le recours à l'utilisation de capteurs à courants de Foucault, ultrasonores, infrarouges, etc...Ces capteurs donnent des images très éloignées de la forme réelle des défauts pour deux raisons majeures : - d'une part, il y a superposition des images observées (il peut y avoir plusieurs fissures enfouies sous la surface inspectée), et - d'autre part, l'image peut résulter de la perturbation de la grandeur secondaire. Par exemple, la figure 1 montre l'image de la partie réelle (Real) et de la partie imaginaire (imag) d'un champ magnétique en surface d'un matériau conducteur (2017A, anciennement Au4G) comportant une fissure débouchante. Cette image a été obtenue avec un imageur à courants de Foucault à détection magnéto-optique (ECI) tel que décrit dans les documents WO2005/001467 et WO 2007/135265, auxquels il est possible de se rapporter pour de plus amples informations. Les axes X et Y sont en dixième de millimètres. Dans cet exemple, en relation avec la figure 2, il est possible de considérer que l'éclairage du champ magnétique a induit des nappes (1) de courants orientées selon l'axe Y (dans la zone inspectée), dont la présence de cette fissure débouchante (2) a modifié le trajet, créant par induction un champ (3,4) détectable en surface. Il y a plusieurs problèmes pour `reconstruire' la géométrie réelle du défaut : les nappes de courants sont différentes en chaque plan de profondeur Z, le défaut peut donc en affecter plusieurs, et l'appareil de mesure ne donne pas toujours toutes les composantes de la grandeur physique rayonnée par le défaut vers la surface (champ magnétique ou électrique, dans le cas de l'ECI). Un but de l'invention est de fournir un procédé d'estimation de défauts présent dans des objets (ou des structures) ne présentant pas les défauts et inconvénients précités. A cet effet, il est prévu, selon l'invention, un procédé d'estimation quantitative de défauts éventuellement présents dans un objet comportant au moins une surface extérieure, le procédé comportant des étapes de : a) « éclairage » de la surface extérieure de l'objet à l'aide un champ ondulatoire inductif à une fréquence prédéterminée ; b) relevé, au niveau de la surface extérieure de l'objet, d'un champ ondulatoire induit (H) ; c) élaboration, à partir des propriétés du matériau formant l'objet, d'une matrice de couplage T associée à une profondeur Z de l'objet depuis la surface extérieure ; H 0 0 3 d) résolution du système matricielle ( = Ti) afin de déterminer un vecteur J à la profondeur Z ; e) extraction d'un sous-vecteur JS du vecteur J , correspondant à un éventuel défaut présent dans l'objet à la profondeur Z ; et f) Estimation quantitative du défaut éventuel à partir du sous-vecteur JS à la profondeur Z. Avantageusement, mais facultativement, le procédé selon l'invention présente au moins l'une des caractéristiques suivantes : - lors de l'étape f), une sous-étape f1) de tamisage est effectuée afin de ne garder que les composantes du sous-vecteur JS dont une phase et un module du champ ondulatoire induit à la profondeur Z, que ces composantes représentent, sont en accord avec ceux du champ ondulatoire inductif ; - pour une profondeur Z, les étapes a) à f) sont réalisées pour au moins deux orientations d'« éclairages » de la surface extérieure de l'objet à l'aide un champ ondulatoire inductif ; - les au moins deux estimations obtenues selon les au moins deux « éclairages » sont fusionnées à l'aide d'une analyse en composantes principales pour obtenir une estimation quantitative du défaut éventuel à la profondeur Z ; - le procédé comporte en outre une étape de reconstruction tridimensionnelle du défaut éventuel en répétant n fois les étapes a) à f) pour n profondeurs Z distinctes ; - lors de l'étape de reconstruction tridimensionnelle, une sous-étape préalable de tamisage progressif est effectuée pour réaliser les n estimations quantitatives ; - pour une itération p, 1 - les figures 16 à 23 illustrent l'application du procédé selon l'invention en utilisant des fréquences distinctes en fonction de la profondeur d'estimation ; - la figure 24 est une vue schématique tridimensionnelle illustrant un voxel comportant un défaut ; - la figure 25 est une vue de dessus d'un plaque épaisse massive comportant une fissure en « T » ; et, - les figures 26 à 29 illustrent les résultats obtenus sur la plaque de la figure 25 en introduisant la notion de champ tournant dans le procédé selon l'invention. • I - PRINCIPE DE LA METHODE Le principe du procédé selon l'invention consiste à établir des équations globales d'une interaction entre une onde et un objet pour obtenir un modèle d'une image perçue par un système d'instrumentation (ici à titre d'exemple non limitatif, un imageur à courants de Foucault à détection magnéto-optique (ECI) tel que décrit dans les documents WO2005/001467 et WO 2007/135265). Une étape d'inversion de ces équations globales permet de `remonter' à la perturbation affectant une grandeur secondaire (dans le système ECI qui nous sert ici d'exemple, les nappes de courants d'excitation), puis aux caractéristiques du défaut lui-même, à savoir dans ce cas les variations de conductivité. Il est bien entendu que cet exemple sert de fil conducteur, mais le procédé selon l'invention reste applicable à tout système dont les équations de propagation des grandeurs sont connues, en particulier à tout système mettant en oeuvre des phénomènes ondulatoires. D'autre part, il est à noter que le terme « objet » désigne un objet seul, ou un ensemble d'objets, ou encore une ou des structures, destiné((e)s) à être analysé((e)s) pour estimation des défauts selon le procédé selon l'invention Le premier problème, c'est qu'il est quasiment impossible, sauf dans des cas `canoniques' simples, d'établir ces équations de façon analytique. La solution proposée, sur laquelle repose le procédé selon l'invention, consiste à introduire dans la problématique régissant l'interaction des différents milieux de l'objet considéré la notion de matrice de couplage. Ce concept est directement issu de l'application de la méthode dite DPSM' (pour « Distributed Points Sources Method », en terminologie anglo-saxonne, qui se traduit par « Méthode distribuée de sources ponctuelles »), qui est décrite plus en détail dans les documents WO2004/044790 et WO2007/071735, auxquels il est possible de référer pour plus d'informations. L'idée de la méthode DPSM consiste à mailler les objets ou les interfaces de l'objet et d'associer à chacune des mailles élémentaires un point test situé au barycentre de la maille, et des points sources (dites sources ponctuelles) situés de part et d'autre du point test. De ce fait, le problème initial, complexe et continu, laisse place à un ensemble d'équations analytiques permettant d'obtenir les grandeurs physiques dans tous les milieux, par simple superposition des contributions de chaque source rayonnant dans le milieu considéré. La valeur même des sources est obtenue par résolution d'un ensemble de N équations à N inconnues (les sources ponctuelles), ces équations étant écrites pour vérifier les conditions aux limites sur les points test issus du maillage. • Il- MISE EN EQUATION - CAS ELECTROMAGNETIQUE et des courants de Foucault En référence aux figures 3 et 4, nous allons expliciter la mise en équation servant de base au procédé selon l'invention. En figure 3, est représenté un objet 10 qui est, dans l'exemple qui nous occupe, électriquement conducteur et assimilé comme semi infini. Une boucle de courant 16 est positionnée à distance et en regard d'une surface supérieure 18 de l'objet 10. Cette boucle de courant 16 est alimentée par un courant électrique alternatif de voltage V(t) et d'intensité I(t), t étant le temps. La boucle de courant 16 génère alors vers l'objet 10 un champ magnétique inductif 14. En réponse, l'objet 10 émet un champ magnétique induit 12 et, au niveau de sa surface supérieure 18, une nappe 20 de courants de Foucault. En figure 4, la vue schématique en coupe du problème de la figure 3 est représentée : le plan Z=0 correspond à la surface supérieure 18 de l'objet 10 testé, un dispositif d'excitation en champ alternatif (ici la boucle de courant 16), situé dans le milieu ou médium 1 (ici l'air ) `éclaire' l'objet 10, constitué ici du milieu ou médium 2, et crée à l'intérieur des nappes de courants qui décroissent et se déphasent avec la profondeur Z. Un défaut éventuellement présent dans l'objet 10 est situé, ici, à une profondeur Z=-Zdef au sein du milieu 2. Comme cela est expliqué dans les documents WO2004/044790 et W02007/071735, la méthode DPSM permet de calculer les grandeurs associées aux différentes sources ponctuelles JmO, JaO et Jsl , où : - JmO sont les sources ponctuelles au niveau de l'interface (que représente la surface 18) modélisant la transmission des grandeurs liées au dispositif d'excitation du milieu 1 vers le milieu 2, - JaO sont les sources ponctuelles au niveau de l'interface (que représente la surface 18) modélisant la transmission des grandeurs du milieu 2 vers le milieu 1, - Jsl sont les sources ponctuelles associées au défaut éventuellement présent dans l'objet 10 modélisant une perturbation des grandeurs dans le milieu 2. Rappelons que le défaut éventuellement présent dans l'objet est caractérisé par une variation locale des propriétés électriques (ici la conductivité) et plus généralement des grandeurs associées aux sources ponctuelles. A l'aide de la méthode DPSM appliqué à la situation illustrée aux figures 3 et 4, nous pouvons établir que le champ électrique Él dans l'objet 10, à une profondeur Z1 donnée, s'écrit : El = Q1B'B = Q10"'MO (1) où Q1B est une matrice de couplage entre la nappe de courants ÎB du dispositif d'excitation au niveau de la boucle de courant 16 et les points situés sur le plan d'observation à profondeur Z1, et Qlo est une matrice de couplage entre la nappe de courants JMO du dispositif d'excitation situé à Z=0 (nappe associée aux sources ponctuelles JmO) et les points situés sur le plan d'observation à profondeur Z1. De là, nous en déduisons une valeur de la densité des courants en chacun de ces points situés sur le plan, en multipliant le champ par la conductivité 61 en chaque point de ce plan d'observation à profondeur Z1 (61 est une matrice diagonale), et en supposant que le champ électrique soit peu affecté par la présence du défaut éventuellement présent dans l'objet. La conductivité de l'objet sans défaut est 6 0 : .h = 61.E1 = (60 - 061)•E1 (2) 20 Les courants de perturbation vont être définis à partir de la perturbation de la conductivité A61 autour de 60, qui est vue comme la superposition d'une densité de courants de perturbation J31 avec une densité de courant initial sans perturbation : JSl = -061.E1 (3) Donc, si nous arrivons à trouver le vecteur densité de courants de perturbation lm correspondant alors au défaut éventuellement présent dans l'objet et observé au niveau de la surface 18, nous aurons bien une carte de la variation de conductivité sur ce plan à profondeur Z1. La densité de courants lm correspond aux courants de perturbation, correspondant dans le cas d'espèce au champ 3 et 4 de la figure 2. Nous allons maintenant définir une liste de points tests Pt situés à la surface 18 de l'objet 10 (aux points de contact des sphères contenant les sources ponctuelles JmO et JaO), et mesurer le champ magnétique en ces points Pt. JmO sont les sources ponctuelles qui rayonnement depuis la surface 18 (à Z=0) dans le milieu 2 de l'objet. JaO sont les sources ponctuelles qui rayonnent depuis la surface 18 vers le milieu 1 situé au dessus (ici, de l'air). Les équations de continuité de chaque côté 1 et 2 de l'interface que représente la surface 18 s'écrivent : 4 = A2 II1 aAlII1 aÂz l'^1 an l^2 an où Al et A2 sont des potentiel vecteurs aux points Pt, respectivement dans le milieu 1 et dans le milieu 2, et p1 et p2, la perméabilité respective des milieux 1 et 2 Nous rappelons que pour le potentiel vecteur A, dans un repère orthonormé: (4) eù %11 R11 eù%kR1Ns RINs Ax = 4n • Jx Âx = [Wxx] • Jx (5) e %Np1 R1Vp 1 Où k est le nombre d'onde et R .Ns re Ns et un point d'observation Np. DonceùjNpNs RNpNs résente la distance entre une source Wxx 0 0 0 Wyy 0 0 0 Wzz =W•J Jÿ Ji (6) Ax Ay Az A= Pour la dérivée selon la obtenons: normale à l'interface, en un point, nous aAx aAx aAx ax ay az aAy aAy aAy ax ay az aAz aAz aAz ax ay az ny (7) Comme la normale est selon l'axe des Z dans cet exemple: aAx aAx aAx ax ay az aAy aAy aAy ax ay az aAz aAz aAz ax ay az -0- aAx ai.µ [(z ûCzi ] ).Jxi 4n az 0 aAy ai.µ ù Czi) ] (8) 1 az 4~ .[(z •Jyi aAz ai.µ [(zûCzi).Jzi] az 4n aÂ(i. ) az Où Cz est la coordonnée selon OZ du En appelant aA(r) = dnA(r) et avec an nous obtenons en écriture matricielle: oint source i. jk.Ri 1 ai ù 2 .k+ dnA = dnAx dnÂy = dnAz - Yzx 0 0 - T 0 Yzy 0 0 0 Yzz Jÿ Jz 10 15 De là, le champ électrique E peut s'écrire : E _ ù aA = ù jcùA (10) Et le champ magnétique fi" , en un point : az'µ - 4~ .[ (z ù Czi )•Jyi +(yùCyi ).Jz, ] B(i^) _ L 4OE' 41 7c .[ù (x ù Cx~ ).Jz, + (z ù Czi ).Jx, ] az'µ - 47c .[ (yùCyi ).Jx, +(xùCx~)•Jy, ] (11) Soit, en écriture matricielle : Bx -0 ùBzy Byz - Jz B= By = Bzx 0 ù Bxz Jÿ =X•J Bz ùByx Bxy 0 Ti (12) Les structures de ces matrices renseignent sur la grandeur à mesurer : par exemple, si l'orientation la nappe de courants d'excitation est selon l'axe Y, donc que Jx et Jz sont nuls, il ne sera possible de ne mesurer que Bx et Bz, ou uniquement le champ électrique Ey. Ceci est très important car cela permet de comprendre et d'optimiser la structure de l'instrumentation. Des équations de continuité (4), nous élaborons le système matriciel suivant : Co, = 0 JAO 0 - 0 0 MOAO WOS1 +WOMO ùWoAO 1/111*Yos1 +1/µ1*YOM0 -1/112 *YOAO (13) =T.J1 Js1 IMO Dans lequel, les matrices W calculent le potentiel vecteur A aux points test Pt situés en surface 18, à Z=O. Les matrices Y calculent la dérivée selon la normale à la surface 18 du potentiel vecteur aux mêmes points, et la matrice M calcule les composantes du champ H en ces points. De là, par inversion de cette relation, nous pouvons trouver la liste complète des sources ponctuelles J (JmO, Ja0 et Jsl) car H est connu par la mesure sur la surface 18 de l'objet 10. Le champ H mesuré en surface est soit le champ magnétique B, soit le champ électrique E. La matrice de couplage T est élaborée à partir des matrices M, W et Y. C'est une matrice inversible. En résolvant analytiquement le système matriciel (13), tout calcul fait, cela donne : Ho =MOAO•(WONr0 * WOAO ùYONr0 *YOAO) WOMO * WOS1 ùYONr0 *10S1)*JSl -Mosteq Jsi (13') En pratique et de manière générale, le procédé d'estimation quantitative de défauts présents dans un objet comporte les étapes suivantes : a) « éclairage » d'une surface de l'objet à l'aide un champ ondulatoire inductif, notamment un champ électromagnétique ou ultrasonore, etc... b) relevé, au niveau de la surface de l'objet, d'un champ ondulatoire induit Col à l'aide d'un dispositif de mesure. La résolution du dispositif de mesure nous indique le maillage maximal pouvant être considéré pour la méthode DPSM qui permet d'élaborer le système matriciel (13) c) élaboration d'une matrice de couplage T, à partir des propriétés du matériau de l'objet d) résolution du système matriciel (13) afin de déterminer le vecteur Jl à la profondeur Z1 e) extraction du sous-vecteur JSl correspondant à un éventuel défaut présent dans l'objet à la profondeur Z1. f) Estimation quantitative du défaut éventuel à partir du sous-vecteur Jsl à la profondeur Z1. Afin d'estimer en trois dimensions le défaut éventuel, il suffit de répéter les étapes précédentes pour différentes profondeurs Z. Nous allons illustrer dans ce qui suit le procédé selon l'invention par un exemple. • III ù EXEMPLE D'APPLICATION : COURANTS EQUIVALENTS AUX FISSURES Dans cet exemple du procédé selon l'invention, nous allons illustrer une application de ce procédé selon l'invention dans le cadre d'un champ magnétique inductif et des courants de Foucault. Pour cela, nous allons estimer avec le procédé selon l'invention, à des profondeurs Z différentes de l'objet, les nappes de courants Js qui synthétisent le champ mesuré au niveau du défaut éventuellement présent dans ledit objet. Pour plus de simplicité dans la description, et pour en montrer la robustesse du procédé selon l'invention, nous allons négliger le rôle de l'interface. Pour cela, nous avons vu que l'équation (13') permet de calculer le champ Ho+ à Z=O+ (dans le milieu 1, juste au-dessus de la surface 18). Il existe une autre équation qui permette le calcul direct du champ Ho_ à Z=0- (dans le milieu 2, juste ne dessous de la surface 18) : dans le cas où seule la composante normale du champ ondulatoire induit, qui est continue à la traversée de l'interface, est mesurée, et que les matériaux en présence sont amagnétiques, nous pouvons assimiler Ho+ = Ho_ et écrire directement que : Ho =Most •Js1 (14) Cette équation sera par la suite appelée équation d'observation. La densité de courants de perturbation, lm = ùO61•É1, qui en résulte et qui apparaît dans le modèle issu de la méthode DPSM, est multiplié par la surface frontale du défaut :AS = OX.AZ et par AY qui est le pas de maillage (rappelons que les courants Js sont homogènes à des Ampères.mètres). Nous avons donc la hauteur AZ du défaut en chaque maille de pas OXAY : JSIDPSM = AS.AY.(ùO61.E1) (15) Le terme AS.AY représente le volume du voxel élémentaire. Dans la suite de l'exposé, nous confondrons JSIDPSM avec lm pour plus de simplicité dans l'écriture. Les figures 5 à 8 illustrent quelques résultats obtenus sur une fissure débouchante de 10mm de large (perpendiculaire (figures 5 et 6) et parallèle (figures7 et 8) à la nappe de courants d'excitation) dans un objet 10, avec un appareil (imageur ECI) qui ne mesure que la composante Hz du champ induit en surface, et une nappe d'excitation issue du champ inductif orientée selon l'axe OY. La figure 5 illustre le champ Hz [(a) : partie réelle, (b) :partie imaginaire] mesuré par l'imageur ECI pour une excitation de 1600 Hz, pour un défaut de type fissure débouchante orientée selon Ox (Longueur, ouverture, profondeur de la fissure = 10 X 0,1 X 1,2 mm) dans un empilage de tôles 2017A (anciennement AU4G) sur une surface de 30X30mm formant l'objet 10 (d), et estimation par le procédé selon l'invention de la nappe DPSM équivalente à une profondeur Z=0,5 mm (c). Il est à noter que les images de champ ont, ici, une résolution spatiale de 0,1 X 0,1 mm, les images des nappes DPSM ont une résolution de 1 X lmm (dimensionnement du maillage), pour de raisons pratiques de mise en oeuvre. Il est possible d'avoir un maillage dont le dimensionnement correspond à la résolution des images de champ effectivement relevées par l'imageur ECI. Dans le cas illustré, cette résolution a été abaissée en regroupant des ensembles de 10 pixels par 10 pixels des images de champ dont les valeurs ont été moyennées avant de résoudre le système matriciel (14). La figure 6 illustre le résultat du procédé selon l'invention pour l'estimation des nappes de courants DPSM, entre 0 et 3.5 mm de profondeur, pour le défaut (orienté selon Ox) de la figure 5 La figure 7 illustre le champ Hz [(a) : partie réelle, (b) : partie imaginaire] mesuré par l'imageur ECI pour une excitation de 1600 Hz, pour un défaut de type fissure débouchante orientée selon Oy (Longueur, ouverture, profondeur de la fissure = 10 X 0,1 X 1,2 mm) dans un empilage de tôles 2017A (anciennement AU4G) sur une surface de 30X30mm formant l'objet 10 (d), et estimation par le procédé selon l'invention de la nappe DPSM équivalente à une profondeur Z=0,5 mm (c). Comme précédemment, il est à noter que les images de champ ont, ici, une résolution spatiale de 0,1 X 0,1 mm, les images des nappes DPSM ont une résolution de 1 X l mm (dimensionnement du maillage), pour de raisons pratiques de mise en oeuvre. Il est possible d'avoir un maillage dont le dimensionnement correspond à la résolution des images de champ effectivement relevées par l'imageur ECI. Dans le cas illustré, cette résolution a été abaissée en regroupant des ensembles de 10 pixels par 10 pixels des images de champ dont les valeurs ont été moyennées avant de résoudre le système matriciel (14). La figure 8 illustre le résultat du procédé selon l'invention pour l'estimation des nappes de courants DPSM, entre 0 et 3.5 mm de profondeur, pour le défaut (orienté selon Oy) de la figure 7. • IV- PREMIERE EVOLUTION : TRI DES COURANTS PAR NAPPE EN PROFONDEUR Dans le chapitre précédent, ont été validés les concepts de courants de perturbation, puisque nous constatons que l'inversion de la matrice DPSM de couplage F nous donne bien une nappe de courant concentrée Js dans le défaut, et de sens inverse à celui de l'excitation (voir les figures 5, 6, 7 et 8). Toutefois, la précision n'est pas suffisante pour caractérisé le défaut. Comme il faut à chaque fois inverser la matrice équivalente Mosleq de l'équation (13') pour obtenir l'éventuel défaut à la profondeur Z1, et que la mesure du champ ondulatoire induit au niveau de la surface 18 génère du bruit, il est souhaitable de régulariser la matrice équivalente lors de son inversion. Pour cela, nous allons prendre en compte des informations a priori sur les courants d'excitation. En effet, les exemples des figures 6 et 8 montrent que sur les nappes de courants DPSM estimées pour des profondeurs au-delà de Z=-1.5mm, le défaut est toujours présent alors que ce dernier fait en fait 1.2mm de profondeur. L'idée est maintenant de regarder les nappes de courants DPSM à différentes profondeurs et de ne garder que les courants estimés dont la phase et le module sont en accord avec ceux des courants d'excitation à profondeur donnée. Nous appelons cette opération le « tamisage ». La figure 9 illustre un exemple pris sur la fissure débouchante orientée selon Oy de la figure 7. Cette figure 9 représente des nuages de points dans le plan complexe, pour chacune des nappes de courants DPSM estimées, en fonction de la profondeur. Les points dans le secteur angulaire 30 correspondent aux points sélectionnés par tamisage en amplitude et en phase. La figure 10 illustre l'application de ce tamisage pour une nappe de courants DPSM estimées à la profondeur 0,5 mm avant (à gauche) et après tamisage (à droite), pour les défauts selon Ox (a) et selon Oy (b). La figure 11 illustre un exemple de tamisage inclut dans le procédé selon l'invention qui permet l'estimation des nappes de courants DPSM, entre 0 et 3,5 mm de profondeur, pour le défaut (orienté selon Oy) de la figure 7, après opération de tamisage en module et en phase, en fonction de leur concordance avec les nappes d'excitation du champ inductif appliqué. La profondeur réelle du défaut est 1.2mm. • V- DEUXIEME EVOLUTION : TAMISAGE PROGRESSIF (ITERATIF) Le tamisage progressif consiste à estimer les sources de courant DSPM de la couche p à une profondeur Zp donnée, en prenant en compte les nappes de courants estimées dans la couche précédente p-1 à une profondeur Zp-1. Pour mettre en oeuvre cette approche itérative, le procédé selon l'invention retranche à chaque itération p tout ou partie de la cartographie relevée du champ Hz(Zp_1 ) qui serait due uniquement aux sources estimées et tamisées dans la couche précédente p-1, de la cartographie relevée du champ Hmesuré(Zp) considérée. Les sources de courants en couche de profondeur Zp sont donc estimées à l'itération p à partir de la cartographie de champ : Hz (Zp) = Hmesuré (Zp ) ù K.Hz (Zp_1 ) (16) dans laquelle K est un coefficient de « réinjection » qui peut varier de 0 (pas de tamisage progressif) à 1 (tamisage progressif complet). Première hypothèse - « l'emporte pièce » : les sources de courants DSPM correspondant au défaut sont des sources virtuelles qui viendraient annuler, dans le défaut, les courants de Foucault induit dans le matériau. Ces sources sont alors considérées comme rayonnantes dans le matériau de l'objet. De ce fait, Hz(Zp_I) comprend alors ces sources de la couche p-1 et sera retranché de la cartographie relevé Hmesuré (Zp) de la couche p. La figure 12 illustre une reconstruction par le procédé selon l'invention des nappes de courant DPSM, par tamisage progressif avec K=0,3, à gauche (a) avant tamisage, à droite (b) après tamisage. Le défaut a une profondeur réelle de 1,2mm. Il est orienté selon Ox et la nappe de courant d'excitation est selon Oy (figure 5). La figure 13, quant à elle, montre le tamisage utilisé (le secteur angulaire de tamisage correspond au déphasage dphi de l'onde d'excitation dans la profondeur dZ considérée (ici dZ=0,5mm à 1600Hz, et dphi = 10°). Seconde hypothèse : nous considérons maintenant une nouvelle hypothèse de travail : les sources DSPM correspondent aux courants, toujours orientés selon l'axe Oy, qui apparaissent aux « abords » du défaut, c'est à dire autour des parois et sous le défaut. Ces sources sont sélectionnées pour former) (Zp_I) . Ces courants correspondent aux courants d'excitation qui sont déviés autour et sous le défaut. Selon cette hypothèse, le champ magnétique de réaction dû à la circulation de ces courants « de défaut » se propage dans l'air (c'est-à-dire dans le volume d'air du défaut). Nous prenons donc en compte cette nouvelle hypothèse dans le tamisage progressif pour estimer avec le procédé selon l'invention, à chaque itération les contributions du champ magnétique de réaction dues aux sources de courants aux abords du défaut. Nous obtenons alors les résultats de la figure 15(reconstruction des nappes de courant DPSM « aux abords » du défaut, par tamisage progressif avec K=0,3, à gauche (a) avant tamisage, à droite (b) après tamisage. Profondeur réelle du défaut : 1,2mm, défaut orienté selon Ox et nappe de courant d'excitation selon Oy), avec le tamisage de la figure 14 (tamisage utilisé (le secteur angulaire de tamisage correspond au déphasage dphi de l'onde d'excitation dans la profondeur dZ considérée (ici dZ=0,5mm à 1600Hz, et dphi = 10°). Il est à noter, après tamisage, la présence des courants Jy «autour» du défaut en surface, et des courants circulant « sous » le défaut en couche Z=1,5mm. • VI- TROISIEME EVOLUTION : FORMULATION GLOBALE MULTIFREQUENCES Toujours pour améliorer la précision de l'estimation du défaut présent dans l'objet, l'idée maintenant est de trouver une formulation globale pour tenir compte d'un « enrichissement » du signal disponible en disposant d'une palette de fréquences d'excitation. Pour cela, nous allons écrire l'équation d'observation à différentes fréquences et en considérant simultanément la contribution de plusieurs couches de nappes de courants DPSM à des profondeurs différentes. A une profondeur Z1 et pour une fréquence d'excitation F1, l'équation d'excitation s'écrit, pour un courant d'excitation lo de fréquence F1 situé en surface, l'équation : E1 = Qio •1MO est réécrite Ëi 1 = Q F' co Il en résulte une densité de courants de perturbation : lFls1 = AS.AY.(ùA 1.EF11) Le champ H mesuré s'exprime par l'équation d'observation, en Z=O, vue précédemment : HF10 =MF1os1.1F1s1 =MF1os1.A 1•Qiol.i (19) Equation qui s'écrit plus simplement sous la forme, pour la couche de profondeur Z1 et la fréquence F1: HF1 = M11 .1s11 = M11 •A61 •Ql1.1M01 (20) Il est visible que si 1si1 dépend de la fréquence, A61 n'en dépend pas, et comme A61 est une matrice diagonale et Q11.1-mol un vecteur colonne, l'équation (2) s'écrit : H--FI = M11.1s11 = M11.diag(.Q11.1MO1).A61 (21) Il en est déduit, pour trois fréquences par exemple et à partir de la relation (15) précédente, l'écriture matricielle suivante : (17) (18) =0V HF1 HF2 HF3 M11.diag(Q11.JMO1) M12.diag(Q21.1MO1) M21.diag(Q12.1MO2) M22•diag(Q22.1MO2) M31.d1ag(Q13.1M03) M32.dlag(Q23.1M03 ) M13 .dlag(Q31.1M01) M23 .dl ag (Q32.1 M 02 ) M33.d1ag(Q33.1M03 ) (22) où AV est le voxel considéré dans l'objet analysé. Observation : Nous remarquons que plus l'indice de la colonne augmente, plus le trajet dans le matériau augmente et plus l'atténuation s'accentue. De même, plus l'indice de la ligne augmente, plus la fréquence diminue (par convention) et plus l'atténuation est faible en fonction de la profondeur dans le matériau. Donc, si l'étagement des fréquences est tel que la première ligne ne conserve que le premier terme (c'est un peu caricatural, mais assez réaliste), la deuxième ligne les deux premiers termes, etc,... une matrice triangulaire inférieure bien conditionnée sera obtenue. Elle aura l'aspect d'une matrice d'intégration et sera facile à inverser pour retrouver les couches de valeurs de o (x, y) à chaque profondeur Z et ainsi reconstruire une image proche de la forme réelle du défaut. Ceci est rendu possible par la vitesse de calcul de la méthode, compatible avec du temps réel et donc l'exploitation par un opérateur en CND. Nous allons voir dans le paragraphe suivant que l'on peut enrichir l'information et essayer d'accéder à plusieurs informations sur le contenu de chaque voxel discrétisant l'objet ainsi analysé Illustration : Dans l'exemple suivant, nous nous intéressons à un défaut volumique de type manque de matière, qui s'étend sur trois couches dans un milieu conducteur (alliage d'aluminium), selon la figure 16. La distribution du champ magnétique normal résultant en surface de l'interaction de l'onde émise par l'ECI avec le défaut complexe est calculée par la méthode DPSM à trois fréquences f1 (ici 100 kHz), f2 (ici 10 kHz) et f3 (ici 1 kHz) et représentée en module figure 17. La mise en oeuvre de la technique d'inversion multifréquence présentée ci-dessus permet d'obtenir les estimations de nappes de courants DPSM suivants : 1. dans le cas d'images de champ présentant un rapport signal sur bruit favorable (64dB) : les trois couches du défaut de la figure 16 sont correctement estimées (figure 18), alors même que l'estimation faite à l'aide des fréquences f1, f2 et f3 exploitées isolément donne des résultats moins pertinents pour les couches les plus profondes (figure 19). 2. Dans le cas d'images de champ présentant un rapport signal sur bruit plus défavorable (44 dB) : les résultats d'estimation multifréquences sont présentés dans les figures en partie réelle (figure 20), imaginaire (figure 21) et en module (figure 22). Les résultats présentés ci dessus peuvent être améliorés en affinant la discrétisation (maillage) du domaine d'étude, limitée pour des raisons pratiques à 18 X 18 pixels par couches. Ces résultats doivent être comparés à ceux obtenus dans les même conditions mais en utilisant une seule fréquence d'observation (figure 23 : estimation des couches DPSM relatives au défaut, après inversion mono-fréquence à fl=100kHz, puis f2 = 10kHz puis f3=1kHz pour le défaut de la figure 16, à partir d'images de champ synthétiques de rapport signal sur bruit 44dB). Ces résultats valident la faisabilité et l'intérêt de l'approche multifréquence de l'estimation des couches de nappes de courants DPSM pour une amélioration de la caractérisation des défauts complexes. • VII- QUATRIEME EVOLUTION : CHAMP TOURNANT En fait, dans l'expression précédente (22), les valeurs de 6z qui composent le vecteur 61, par exemple, sont considérées comme constantes dans le voxel AV = OX.AY.AZ . Si nous nous intéressons de plus près à cette équation, nous voyons que dans le voxel considéré, autour de la profondeur Z1, Z2, ou Z3, 6z s'écrit plutôt comme une intégrale volumique : 1 +4X12 +4Y/2 +4212 = J 6 (x, y, z).dx.dy.dz OXOYAZ AX/2 -4Y/2 -AZ/2 Remarquons que cette écriture intègre le volume du voxel AV qui apparaissait dans l'équation générale matricielle précédente (22). Si la conductivité n'évolue que de façon lente à l'intérieur du voxel et d'un voxel à l'autre, il est possible de confondre 6 (x, y, z) avec ai, qui devient la valeur volumique moyenne de 6 (x, y, z) dans le voxel considéré. Si la variation est brutale (présence de fissure par exemple), alors il convient d'examiner le problème différemment. D'une part, s'il n'y a que deux valeurs prises par la variation de conductivité 6z , à savoir 0 ou o , 6z s'écrit : 1 4X12 4Y/2 4Z/2 6 = 6 (x, y, z).dx.dy.dz = G° .dv (24) OXOYOZ 4x/2 -4Yi2 -4z i2 AV dv =dx.dy.dz est le volume du défaut (22, fig 24) situé à l'intérieur du voxel AV (24, fig 24). (23) D'autre part, dans un appareil à courants de Foucault l'ECI, la perception du défaut se fera essentiellement sur la surface perpendiculaire aux courants induits, l'information étant proportionnelle à la surface projetée sur ce plan : surface verte si les courants d'excitation sont orientés selon l'axe OX, surface bleue dans l'autre cas (axe OY). Par conséquent, le signal recueilli conduisant à l'estimation de la variation de conductivité dans le pixel prendra la forme suivante : * Excitation selon l'axe OY : nous `voyons' la section maximale correspondant à un Y donné, signal peu dépendant de la `profondeur' réelle du 10 défaut selon OY : 1 AX/2 +AZ/2 a .dx.dz û 6 0.dx.dz 6oz = f 6 (x, y, z).dx.dz = DY. ù OXOYOZ oxiz AZ/2 A V OX. OZ * Excitation selon l'axe OX : nous `voyons' la section maximale correspondant à un X donné, signal peu dépendant de la `profondeur' réelle du défaut selon OX : (25) 1 +AY/2 +4Z/2 15 6 iYoZ OXOYOZ . J-AY/2 J-AZ/2 x, y, .dy.dz 6o.dy.dz = 6o.dy.dz = 0X. ù AV DY.OZ (26) Nous voyons que si nous voulons reconstituer la géométrie exacte de l'objet à l'intérieur du voxel, il nous manque au moins une équation, car il faut estimer dx, dy, et dz. Illustration : la figure 25 montre une image de fissure 40 en forme de `T' 20 dans un plaque 50massive épaisse (20mm) en inconel (conductivité 1MS/m). La profondeur du défaut est 1mm, et les ouvertures sont 1mm: si nous considérons que dz est connu (et par exemple égal ou fixé par convention à OZ ), alors il est possible de retrouver, d'après les deux expressions précédentes (25 et (26), les valeurs de dx et dy en créant une excitation respectivement selon les axes OY et 25 OX. La figure 26 montre les cartographies de champ Hz relevées à la surface de la cible à l'aide de l'imageur ECI. Ces cartographies résultent des interactions entre les courants d'excitation et le défaut, quand ceux-ci sont orientés selon OY (vignettes du haut) et OX (vignettes du bas). 30 La figure 27 montre les résultats d'estimation des nappes de courants DPSM, pour des profondeurs différents, dans le cas de l'excitation selon OY (vignettes de gauche) et selon OX (vignettes de droite). Dans les deux cas, les estimations sont obtenues sans tamisage. Nous remarquons que la barre du « T » orientée selon OX est particulièrement bien estimée quand elle est excitée selon OY, et vice-versa. Nous remarquons également que les nappes de courants estimées en profondeur ne sont pas « physiques » (pas de défaut au delà de 1 mm). La figure 28 montre les même estimations, mais après tamisage en module et en phase. Les nappes de courants non « physiques » qui sont estimées en profondeur sont largement éliminées. Enfin, la figure 29 présente un résultat d'estimation des nappes de courants DPSM, à partir des résultats obtenus selon OX et OY. Les nappes de courants « pertinentes » obtenues dans les deux cas sont conservées dans l'estimation finale à l'aide d'une analyse en composante principale (sans (à gauche) ou avec (à droite) tamisage). Nous remarquons que les nappes de courants estimées permettent de visualiser les deux barres du « T » avec des intensités équivalentes. Il se dégage de ces équations que, dans un appareil à courants de Foucault comme l'imageur ECI qui est apte à `éclairer' l'objet sous un angle a quelconque dans le plan XOY, (dans cet exemple, nous avons supposé dans les calculs précédents que les lignes de courants induites étaient orientées selon l'axe OY, ou OX ce qui donne respectivement a =7r /2 ou a = 0 ), les variations de a (x, y) sont essentiellement détectables selon l'axe transversal aux courants induits (axe OX), et intégrées (ou filtrées, dans un cas plus général) selon l'autre axe (OY). Il est à remarquer que, plus généralement, nous considérerons que l'intégration selon l'axe d'excitation, de ûX/2 à +3X/2 (respectivement DY) peut comporter une fonction de transfert et devenir une convolution (par exemple, dans le cas des courants de Foucault, si nous conservons la valeur maximum de a (x, y) au lieu d'intégrer simplement selon l'axe OX (respectivement OY), la réponse impulsionnelle devient analogue à celle d'un `bloqueur d'ordre 0'. Si nous résumons les concepts précédents en introduisant la notion d'axe de projection ou axe préférentiel de détectabilité, ainsi qu'un axe de projection quelconque U , nous allons faire apparaître perpendiculairement à cet axe une projection de a (x, y) selon une fonction de transfert connue (intégration ou bloqueur d'ordre 0,...). Par contre, nous verrons bien les détails selon l'axe transversal aux courants. Cela revient à convoluer avec une fonction de transfert bidimensionnel, présentant une résolution différente selon les axes OX et OY. Nous considérons ici que le signal présente des propriétés de séparabilité. Pour donner un exemple simple, si nous prenons la valeur maximale de a (x, y) pour chaque valeur de x, (ce qui correspond à l'ombre portée de a (x, y) sur un plan y=constante), l'argument de l'intégrale selon l'axe OX 10 devient o 11 x(x, y) si les courants d'excitation sont orientés selon l'axe OX : 1 ( +DY / z a i(x) Dy 'JoYi2a Y (x, y).dy (27) et a, (x, y) selon l'axe OY si les courants d'excitation sont orientés selon OY: 1 +oxiz a ~ (y) = 0X .f ~~za (x, y).dx (28) Pour un courant d'excitation orienté selon un axe U quelconque, formant 15 un angle a avec l'axe OX, nous obtiendrions dans le nouveau repère [U,V] où V est perpendiculaire à ù , de coordonnées (u,v): 1 r+Umax a (v) = .J a (u cos(a) ù v sin(a), u sin(a) + v cos(a)).du (29) AU U min Soit : 1 f+U max a (x sin(a) + y cos(a)) = .J a (u cos(a) ù v sin(a), u sin(a) + v cos(a)).du AU -u min 20 (30) Nous retrouvons les relations précédentes si a = 0. Par exemple : U est orienté selon l'axe OX, V selon OY, et cela donne : = DU (+Umm a (u cos(a), v cos(a)).du (31) a (y cos(a)) J Umin Soit : 25 a (y) = 1 +Umax a (u, v).du = 1 J+~/ a (x, y).dx (32) DU Umin puy AX/z Cette relation nous rapproche des méthodes classiques de tomographie (à rayons X par exemple), dans lesquelles un objet est `éclairé' selon des angles différents : l'image résulte de l'intégration de l'atténuation le long du trajet parcouru par le rayon d'excitation, mais est bien résolue sur l'axe transversal. L'objet (a (x, y) dans notre cas) est alors reconstitué par des méthodes telles que la transformée de Fourier inverse par exemple. Donc pour reconstituer l'image d'un pixel, nous pouvons `enrichir' aisément l'information selon un champ tournant' Remarque : Relations de changement de repère : "cos(a) ùsin(a)(u' y~ sin(u) cos(a) v Et: cos(a) sin(a)(x' V ù sin(a) cos(a)~ y • VIII- REALISATION D'UN DISPOSITIF APTE A METTRE EN OEUVRE LE PROCEDE SELON L'INVENTION La réalisation d'un dispositif destiné à mettre en oeuvre le procédé selon l'invention qui vient d'être décrit va être brièvement abordée. Un tel dispositif comprend un système instrumental et un module d'estimation automatique de défauts, dans le cas servant d'exemple de la technique d'imagerie à courants de Foucault. Le dispositif, ici dans cet exemple, comporte un imageur d'ECI (décrit dans les documents WO2005/001467 et WO 2007/135265, auxquels il est possible de se rapporter pour de plus amples informations), auquel est associé un ordinateur (de type PC par exemple) accueillant une interface homme machine (IHM) permettant de configurer et de piloter l'acquisition des images de champ magnétique et d'opérer l'estimation automatique et la visualisation des défauts. Le module de d'estimation automatique de défauts peut opérer, de préférence, en temps réel, c'est à dire que l'estimation de défaut s'effectue au fil de l'acquisition des images CF (courants de Foucault). En effet, connaissant la structure à inspecter (par exemple joint riveté aéronautique dont la constitution sans défaut est connue), il est possible de pré-calculer les matrices de couplages nécessaires à la mise en oeuvre du procédé selon l'invention, aux fréquences d'excitation jugées pertinentes. Dès lors il est possible d'effectuer l'estimation des sources issues de la méthode DPSM en temps réel à partir de ces matrices préétablies. De manière générale, le procédé selon l'invention que nous venons de décrire permet donc l'estimation quantitative de défaut en END en retrouvant les caractéristiques d'un défaut à partir des observations d'une grandeur physique effectuées en surface de la structure, et de la connaissance des interactions entre l'objet à caractériser (le défaut) et l'onde émise par le dispositif mettant en oeuvre ledit procédé selon l'invention. Actuellement, dans la pratique, cette estimation n'est possible que dans des cas triviaux, d'abord parce que le problème est « mal posé » (les observations disponibles sont insuffisantes pour « remonter» aux propriétés de l'objet recherché) et ensuite parce que nous ne disposons pas, dans le cas général, d'une expression analytique des interactions qui soit inversible. Il est alors possible de procéder à une modélisation numérique ou semianalytique des interactions, et à l'implantation d'un algorithme itératif d'ajustement des paramètres du modèle de telle sorte que le système s'approche au mieux des observations. Après convergence de cet algorithme d'optimisation, les paramètres estimés permettent de caractériser le défaut. Cette approche nécessite toutefois une mise en oeuvre très coûteuse en temps de calcul (modèles d'interactions exhaustifs donc lourds, procédé itératif) et pose le problème de la convergence et de la robustesse de l'algorithme itératif dont la résolution nécessite l'introduction de connaissances a priori plus ou moins fortes sur le défaut recherché. Toutefois, elle est rarement mise en oeuvre à partir de données expérimentales, et est peu compatible avec une exploitation industrielle, en particulier dans le domaine de I'END par courants de Foucault. D'autres méthodes, plus pragmatiques, et abondamment employées, consistent à travailler à partir de base de données de défauts, soit pour restreindre l'espace d'investigation de l'inversion, soit encore pour procéder à une inversion « partielle » des signaux fournis par le système instrumental ; il s'agit alors d'identifier des défauts de types connus par comparaison de leur « signature » (signal en courants de Foucault typique fourni par le système instrumental pour un défaut donné) avec celles présentes dans la base de données. Il est procédé généralement de la façon suivante : - extraction d'un ou plusieurs paramètres « pertinents » de la signature de défaut, - à partir desquels, une estimation d'une ou plusieurs caractéristiques du défaut (présence, profondeur, longueur, etc...) est réalisée. Une grande variété de paramètres et de techniques d'identification peut être employée. Une variante consiste à construire un modèle comportemental (boîte noire) des interactions système instrumental / défaut, par apprentissage toujours à partir d'une base de données. L'estimation d'un ou plusieurs paramètres du défaut considéré se fait par interpolation ou généralisation des configurations de défauts connus, par exemple à l'aide de réseaux neuronaux artificiels. Toutefois, les résultats d'inversion restent partiels, dans la mesure où cela ne remonte qu'à un nombre réduit de caractéristiques des défauts. Ces méthodes, efficaces lorsqu'il s'agit de détecter un défaut donné, ou bien de discerner des classes de défauts pré-définies, se montrent toutefois peu robustes lorsque des situations inattendues sont rencontrées (défaut trop éloigné de ceux contenus dans la base de données, données expérimentales bruitées), et ne permettent pas une estimation quantitative des défauts. En outre, elles nécessitent la création de base de données étendues (éventuellement difficiles à élaborer pour des géométries complexes) et la mise en ouvre de techniques d'apprentissage, ainsi que des phases de calibration pour une utilisation expérimentale. Ces méthodes ne se présentent donc pas comme des solutions générales au problème de l'estimation de défaut par les courants de Foucault. Une combinaison de ces deux approches a été proposée dans le document FR2885697. Elle consiste à procéder à une estimation linéaire des interactions système instrumental / défaut, dans le cas de défaut connus (modèle d'interactions estimé, calibration), puis à procéder à une estimation de défaut inconnus en résolvant le problème inverse linéarisé. A ce jour, cette approche ne s'avère probante que pour l'estimation de défauts débouchants de type entaille dont les propriétés sont proches de celles des défauts utilisés pour la calibration. Par ailleurs, le processus d'inversion présente les mêmes inconvénients que ceux exposés précédemment, liés aux problèmes de durée, de convergence et de robustesse du procédé itératif utilisé. Le procédé selon l'invention permet de résoudre les problèmes évoqués ci dessus. Comme nous l'avons vu, le procédé selon l'invention s'appuie sur la méthode DPSM (décrite plus en détail dans les documents WO2004/044790 et WO2007/071735, auxquels il est possible de référer pour plus d'informations) pour laquelle les matrices de couplages qui modélisent les interactions dans les milieux peuvent être pré-calculées pour la configuration de la structure inspectée. Il en résulte que le procédé d'estimation de défauts selon l'invention peut être effectué en temps réel, au fil des acquisitions des images fournies par le système instrumental. Par ailleurs, le procédé selon l'invention ne nécessite pas la constitution de bases de données de défaut, ni de connaissance a priori sur la forme et la position du défaut rencontré : simple à mettre en oeuvre, il résout le problème de robustesse vis à vis de situations atypiques. Le procédé selon l'invention ne se réduit pas à l'estimation d'une ou plusieurs caractéristiques du défaut. Il opère une « reconstruction » tridimensionnelle du défaut, quelle qu'en soit la forme. Il présente donc une capacité de généralisation forte. En outre, les premiers essais effectués à partir de données expérimentales en courants de Foucault( qui ont servis d'exemples pour décrire le procédé selon l'invention) ont prouvé la robustesse de la technique vis à vis du bruit de mesure. Le procédé selon l'invention est donc parfaitement compatible avec une exploitation industrielle. Enfin, il faut noter que le procédé selon l'invention peut être aisément enrichi par une approche multifréquence, impulsionnelle, multiorientation, et même multitechniques (courants de Fourcault/ultrasons, Electrique / électromagnétique...), grâce au caractère générique de sa formulation. Toutefois, le procédé selon l'invention étant générique et multi physique, d'autres domaines d'applications de I'END sont aussi visés, tels que les techniques ultrasons, électrostatiques, acoustiques, thermiques, d'imagerie photothermique, etc..., ainsi que les techniques couplées (multiphysiques). Le domaine de la microscopie acoustique est également un domaine d'application immédiat de l'invention. En outre, cette technique trouvera des applications dans des domaines connexes, tels que l'imagerie RADAR ou SONAR, ou encore la géophysique... Nous avons vu que le procédé selon l'invention diffère des techniques actuellement employées pour l'estimation de défaut dans les structures en cela : • qu'il peut être exploité en temps réel (au cours des acquisitions de données) • qu'il ne nécessite pas d'algorithme d'estimation itératif • qu'il ne nécessite pas la construction de base de données de défauts • qu'il ne nécessite pas de connaissance a priori sur la forme ou la localisation du défaut recherché • qu'il est robuste au bruit des données expérimentales. • qu'il peut être facilement automatisable. • qu'il exploite de manière originale un modèle d'interaction onde/milieu lui ù même original Le procédé selon l'invention résout donc les problèmes liés au manque de robustesse, de difficulté de mise en oeuvre, et de manque de généralisation des techniques couramment employées. Il s'affranchit également des temps de calcul prohibitifs et de la nécessité de connaissance a priori qui rendent les méthodes les plus élaborées difficiles à mettre en oeuvre en contexte industriel. Les avantages du procédé selon l'invention sont liés à ses performances (rapidité et capacité de généralisation de l'estimation de défaut) ainsi qu'à sa simplicité de mise en oeuvre. Le procédé selon l'invention pourra être facilement exploitable en contexte industriel, et présente des avantages très marqués en termes de sécurité (estimation quantitative de défaut dans les structures) et d'économie. Sur ce dernier point, un fort gain peut être attendu de l'utilisation du procédé selon l'invention, dans la mesure où une estimation rapide et quantitative des défauts permet de réduire les coûts et le nombre des inspections, ainsi que d'optimiser la maintenance et le cycle de vie des structures industrielles. Bien entendu, il est possible d'apporter à l'invention de nombreuses modifications sans pour autant sortir du cadre de celle-ci. REVENDICATIONS1. Procédé d'estimation quantitative de défauts éventuellement présents dans un objet (10) comportant au moins une surface extérieure (18), le procédé comportant des étapes de : a) « éclairage » de la surface extérieure de l'objet à l'aide un champ ondulatoire inductif (14) à une fréquence prédéterminée ; b) relevé, au niveau de la surface extérieure de l'objet, d'un champ ondulatoire induit (H) ; c) élaboration, à partir des propriétés du matériau formant l'objet, d'une 10 matrice de couplage T associée à une profondeur Z de l'objet depuis la surface extérieure ; d) résolution du système matricielle ( = Ti) afin de déterminer un H 0 0 vecteur J à la profondeur Z ; e) extraction d'un sous-vecteur JS du vecteur J , correspondant à un 15 éventuel défaut présent dans l'objet à la profondeur Z ; et f) Estimation quantitative du défaut éventuel à partir du sous-vecteur JS à la profondeur Z. 2. Procédé selon la revendication 1, caractérisé en ce que, lors de l'étape f), une sous-étape f1) de tamisage est effectuée afin de ne garder que les 20 composantes du sous-vecteur JS dont une phase et un module du champ ondulatoire induit à la profondeur Z, que ces composantes représentent, sont en accord avec ceux du champ ondulatoire inductif. 3. Procédé selon la revendication l ou 2, caractérisé en ce que, pour une profondeur Z, les étapes a) à f) sont réalisées pour au moins deux orientations 25 d'« éclairages » de la surface extérieure de l'objet à l'aide un champ ondulatoire inductif. 4. Procédé selon la revendication 3, caractérisé en ce que les au moins deux estimations obtenues selon les au moins deux « éclairages » sont fusionnées à l'aide d'une analyse en composantes principales pour obtenir une estimation quantitative du défaut éventuel à la profondeur Z. 5. Procédé selon l'une des revendications 1 à 4, caractérisé en ce qu'il comporte en outre une étape de reconstruction tridimensionnelle du défaut éventuel en répétant n fois les étapes a) à f) pour n profondeurs Z distinctes. 6. Procédé selon la revendication 5, caractérisé en ce que, lors de l'étape de reconstruction tridimensionnelle, une sous-étape préalable de tamisage progressif est effectuée pour réaliser les n estimations quantitatives. 7. Procédé selon la revendication 6, caractérisé en ce que, pour une itération p, 1 8. Procédé selon la revendication 7, caractérisé en ce que les composantes de Hz(Zp_I) correspondent au défaut éventuel estimé lors de l'itération p-1, ou aux abords dudit défaut. 9. Procédé selon l'une des revendications 1 à 8, caractérisé en ce que, pour une profondeur Z donnée, il est associé une fréquence propre prédéterminée pour le champ ondulatoire inductif utilisé dans l'étape a). 10. Dispositif d'estimation quantitative de défauts éventuellement présents dans un objet (10) comportant des moyens d'émission (16) d'un champ ondulatoire inductif (14), des moyens d'enregistrement d'un relevé d'un champ ondulatoire induit (12 ;20) sur une surface (18) de l'objet, et des moyens de traitement destinés à mettre en oeuvre un procédé selon l'une des revendications 1 à 9.