FR 2945355 A1 20101112 FR 1056865 A 20100830 PROCEDE DE PROTECTION THERMIQUE D'UN CRISTAL A SCINTILLATION DANS UN DETECTEUR A SCINTILLATION Demandes connexes La présente demande revendique l'avantage de la demande provisoire US n° 61/104115, déposée le 9 octobre 2008, de la demande provisoire US n° 61/160734, déposée le 17 mars 2009 et de la demande provisoire US n° 61/160746, déposée le 17 mars 2009. Contexte de l'invention La présente invention concerne généralement des détecteurs à scintillation et, plus particulièrement, une protection thermique pour les détecteurs à scintillation. Cette section est destinée à présenter au lecteur les divers aspects de la technique qui peuvent être liés aux divers aspects de la présente invention, qui sont décrits et/ou revendiqués ci-dessous. Le présent examen a pour objet de fournir au lecteur des informations de contexte afin de permettre une meilleure compréhension des divers aspects de la présente invention. Par conséquent, on doit comprendre que ces spécifications doivent être lues sous cet angle, et non en tant qu'acceptations de l'art antérieur. Les détecteurs à scintillation sont utilisés dans diverses installations pour détecter des rayonnements nucléaires et électromagnétiques. En présence de tels rayonnements, un cristal à scintillation peut produire des longueurs d'onde de lumière détectables. Cette lumière peut être convertie en un signal électrique par un dispositif de détection de lumière, tel qu'un tube photomultiplicateur, et le signal électrique peut être analysé ultérieurement pour déterminer, par exemple, une quantité de rayonnement détecté. A titre d'exemple, les détecteurs à scintillation peuvent aider à la détermination indirecte de la lithologie d'une formation en détectant la diffusion des rayons gamma dans une formation souterraine, ainsi qu'à la détermination directe de la lithologie d'une formation en détectant les rayons gamma induits par les neutrons dus aux neutrons émis dans la formation souterraine. Lorsque les détecteurs à scintillation sont utilisés pour la diagraphie de fond de trou, les cristaux à scintillation de ces détecteurs à scintillation peuvent être soumis à une augmentation ou une diminution rapide de température du fait de la chaleur provenant de la formation environnante. Certains détecteurs à scintillation, tels que les détecteurs à cristal de NaI(TI), peuvent fonctionner correctement à des températures pouvant atteindre 200 °C sans aucune protection. Un grand nombre des nouveaux matériaux scintillants, tels que le LaBr3:Ce et le LaC13:C, parmi d'autres, peuvent fonctionner à des températures supérieures à 200 °C. Un grand nombre des nouveaux matériaux scintillants, cependant, bien qu'ils soient capables de fonctionner à une température très élevée, peuvent avoir tendance à se fissurer ou se briser s'ils sont chauffés ou refroidis trop rapidement. Résumé Certains aspects de même étendue que les modes de réalisation revendiqués à l'origine sont présentés ci-dessous. On doit comprendre que ces aspects sont présentés simplement pour fournir au lecteur un bref résumé de certaines formes que les modes de réalisation pourraient prendre et que ces aspects ne sont pas destinés à limiter l'étendue du sujet actuellement présenté. En effet, les modes de réalisation peuvent englober divers aspects qui peuvent ne pas être présentés ci-dessous. Les modes de réalisation de la présente invention concernent des systèmes, des procédés et des dispositifs pour protéger thermiquement un cristal à scintillation d'un détecteur à scintillation. Dans un exemple, un scintillateur protégé thermiquement peut comprendre un cristal à scintillation et un élément de protection thermique, qui peut entourer partiellement le cristal à scintillation. L'élément de protection thermique peut être configuré pour éviter que le cristal à scintillation ne subisse un taux de variation de température suffisant pour entraîner sa fissuration et/ou une sortie de lumière non uniforme, ou une combinaison des deux. Brève description des dessins Les avantages du sujet actuellement présenté peuvent devenir évidents lors de la lecture de la description détaillée qui suit et avec référence aux dessins, sur lesquels : la figure 1 est un schéma de principe d'un système de diagraphie utilisant un détecteur à scintillation protégé thermiquement, selon un mode de réalisation ; la figure 2 est une vue schématique en coupe d'un détecteur à scintillation protégé thermiquement utilisant un cristal à scintillation hygroscopique, selon un mode de réalisation ; la figure 3 est une vue schématique en coupe d'un détecteur à scintillation protégé thermiquement utilisant un cristal à scintillation non hygroscopique, selon un mode de réalisation ; la figure 4 est une vue schématique en coupe d'un détecteur à scintillation protégé thermiquement dans lequel une couche anti-choc et une couche thermiquement conductrice sont combinées, selon un mode de réalisation ; la figure 5 est une vue schématique en coupe d'un détecteur à comportant un 20 s'étendant surscintillation protégé thermiquement élément de protection thermique un tube photomultiplicateur, selon un mode de réalisation ; la figure 6 est une vue schématique en coupe d'un détecteur à scintillation protégé thermiquement comportant un élément de protection thermique 25 s'étendant partiellement sur un tube photomultiplicateur, selon un mode de réalisation ; la figure 7 est une vue schématique en coupe d'un détecteur à scintillation protégé thermiquement utilisant un vase Dewar partiellement ouvert intégré 30 avec un logement d'un cristal à scintillation, selon un mode de réalisation ; la figure 8 est une vue schématique en coupe d'un détecteur à scintillation protégé thermiquement utilisant un vase Dewar étendu partiellement ouvert avec un blindage magnétique, selon un mode de réalisation ; la figure 9 est une vue schématique en coupe d'un détecteur à scintillation protégé thermiquement utilisant un vase Dewar étendu partiellement ouvert intégré avec un logement d'un cristal à scintillation, selon un mode de réalisation ; la figure 10 est une vue en perspective d'une couche de dispositif de chauffage haute température intégrée dans un détecteur à scintillation protégé thermiquement, selon un mode de réalisation ; la figure 11 est une vue schématique en coupe d'un détecteur à scintillation utilisant le dispositif de chauffage de la figure 10, selon un mode de réalisation ; la figure 12 est un organigramme décrivant un mode de réalisation d'un procédé pour effectuer une procédure de chauffage en utilisant le détecteur à scintillation protégé thermiquement de la figure 11 ; et la figure 13 est un organigramme décrivant un mode de réalisation d'un procédé pour effectuer une procédure de refroidissement en utilisant le détecteur à scintillation protégé thermiquement de la figure 11. Description détaillée Un ou plusieurs modes de réalisation spécifiques de la présente invention vont être décrits ci-dessous. Dans un effort pour fournir une description concise de ces modes de réalisation, les caractéristiques d'une mise en oeuvre réelle ne sont pas toutes décrites dans la description. On doit apprécier que dans le développement d'une telle mise en oeuvre réelle, comme dans tout projet technique ou de conception, de nombreuses décisions spécifiques à la mise en oeuvre doivent être prises pour atteindre les buts spécifiques des développeurs, tels que la conformité avec les contraintes liées aux systèmes et commerciales, qui peuvent varier d'une mise en oeuvre à une autre. De plus, on doit apprecier qu'un tel effort de développement pourrait être complexe et prendre du temps, mais serait néanmoins une tâche courante de conception, de fabrication et de production pour les hommes du métier ayant le bénéfice de cette invention. Les présents modes de réalisation concernent généralement des détecteurs à scintillation destinés à être utilisés dans des environnements à haute température (par exemple, environ 200 °C et plus), qui peuvent comprendre des puits souterrains. Spécifiquement, parce que l'entrée et la sortie dans /de ces environnements à haute température peuvent entraîner un échauffement rapide et un refroidissement rapide des cristaux à scintillation capables de fonctionner à haute température, les cristaux à scintillation non protégés peuvent se fissurer ou se briser du fait des contraintes de température. Par conséquent, diverses méthodes de protection thermique passives et actives pour les cristaux à scintillation sont fournies ci-dessous. Ces méthodes de protection thermique peuvent être plus simples, plus petites et moins coûteuses que les vases Dewar complets classiques, qui peuvent utiliser une conception complexe et mécaniquement fragile et qui peuvent généralement comprendre une grande masse thermique avec un long obturateur pour permettre une utilisation prolongée du détecteur à scintillation avant qu'il ne dépasse sa température de conception. Comme décrit dans la présente invention, un ou plusieurs éléments de protection thermique intégrés dans le boîtier du scintillateur peuvent réduire le taux de variation de température subi par le détecteur à scintillation, ce qui peut limiter les contraintes thermiques internes et peut réduire le risque d'endommagement du scintillateur provoqué par ces contraintes. De plus ou en variante, les modes de réalisation de boîtiers de scintillateurs incorporant ces éléments de protection thermique peuvent assurer une distribution de température uniforme dans le cristal à scintillation. Cette distribution de température uniforme peut améliorer la performance de spectroscopie du cristal à scintillation, étant donné que la sortie de lumière du cristal à scintillation peut être fonction de la température locale du matériau scintillant. Si la sortie de lumière du cristal à scintillation n'est pas uniforme, la résolution en énergie et la performance de spectroscopie associée peuvent être dégradées. Dans l'invention qui suit, les éléments de protection thermique peuvent à la fois réduire la contrainte thermique et assurer une plus grande uniformité de la sortie de lumière en réduisant les gradients thermiques dans le matériau du cristal à scintillation. Dans un exemple d'un élément de protection thermique passif incorporé dans un boîtier de scintillateur, une ou plusieurs couches d'isolation thermique peuvent entourer partiellement le cristal à scintillation. Ces couches d'isolation thermique peuvent réduire le taux de transfert de chaleur à et du cristal à scintillation. De même, une ou plusieurs couches thermiquement conductrices peuvent entourer partiellement le cristal à scintillation pour assurer un chauffage et un refroidissement plus uniformes du cristal à scintillation. Dans un autre exemple, un vase Dewar partiellement ouvert peut entourer partiellement le cristal à scintillation. Ces éléments de protection thermique peuvent être étendus au-delà du composant de scintillateur pour entourer partiellement un composant de tube photomultiplicateur (PMT) du détecteur à scintillation, ce qui peut améliorer davantage la protection thermique du cristal à scintillation du détecteur à scintillation. De plus, certains modes de réalisation du vase Dewar partiellement ouvert peuvent être modifiés pour comprendre également un blindage magnétique. Comme indiqué ci-dessus, un élément de protection thermique incorporé dans un boîtier de scintillateur peut également empêcher activement que les contraintes de température n'endommagent le cristal à scintillation. Les mesures actives peuvent comprendre, par exemple, le fait d'entourer partiellement le cristal à scintillation d'un dispositif de chauffage. Avant de placer le détecteur à scintillation dans un environnement à haute température, le dispositif de chauffage peut chauffer le cristal à scintillation de sorte que le taux de variation de température ne dépasse pas une quantité seuil (par exemple, 2 °C par minute). De même, lorsque le détecteur à scintillation est retiré de l'environnement à haute température, le dispositif de chauffage peut chauffer occasionnellement le cristal à scintillation alors que le cristal refroidit pour éviter que la température ne varie à un taux qui dépasserait la quantité seuil. De cette manière, les contraintes de température dues à une variation rapide de température peuvent être évitées activement. Ces mesures actives peuvent être combinées avec les mesures passives examinées ci-dessus. En pensant à ce qui précède, la figure 1 représente un mode de réalisation d'un système de diagraphie 10 utilisant un détecteur à scintillation protégé thermiquement. Comme illustré sur la figure 1, le système de diagraphie 10 peut comprendre un outil de fond de trou 12 et des éléments de circuit de traitement de données 14. A titre d'exemple, l'outil de fond de trou 12 peut être un outil de câble pour la diagraphie d'un puit existant, ou peut être installé dans un ensemble de forage pour effectuer une diagraphie en cours de forage (LWD). Le système de traitement de données 14 peut être incorporé dans l'outil de fond de trou 12 ou peut être à un emplacement à distance. L'outil de fond de trou 12 peut comprendre un logement externe 16 qui comprend divers composants de diagraphie. Dans certains modes de réalisation, une source de rayonnement 18 peut être utilisée pour émettre un rayonnement dans une formation environnante, laquelle peut émettre un rayonnement tel que des neutrons, des rayons gamma, et/ou d'autres particules, ou un rayonnement électromagnétique. A titre d'exemple, la source de rayonnement 18 peut être une source électronique de neutrons, telle qu'un MinitronTM de Schlumberger Technology Corporation. Dans d'autres modes de réalisation, l'outil de fond de trou 12 peut ne pas comprendre la source de rayonnement 18. Si une source de rayonnement 18 est utilisée, un blindage 20 peut empêcher qu'un rayonnement errant ne se propage directement vers un détecteur à scintillation protégé thermiquement 22. Le détecteur à scintillation 22 peut comprendre un composant de scintillateur 24 et un composant de tube photomultiplicateur 26. Un cristal à scintillation dans le composant de scintillateur 24 peut générer une lumière en présence d'un certain rayonnement (par exemple, des rayons X ou des rayons gamma), ce qui peut se produire spontanément dans la formation environnante ou lorsque le rayonnement de la source de rayonnement 18 interagit avec la formation environnante. Le composant de tube photomultiplicateur 26 peut générer un signal électrique à partir de la lumière générée par le cristal à scintillation dans le composant de scintillateur 24. Comme décrit ci-dessous, un boîtier englobant le composant de scintillateur 24 peut incorporer des éléments de protection thermique passifs et/ou actifs pour le cristal à scintillation du composant de scintillateur 24 qui entoure partiellement le cristal à scintillation. Dans certains modes de réalisation, l'élément de protection thermique et/ou le boîtier pour le cristal à scintillation du composant de scintillateur 24 peuvent s'étendre sur la totalité ou une partie du composant de tube photomultiplicateur 26. Comme examiné ci-dessous, le composant de scintillateur 24 peut comprendre un cristal a scintillation à haute température. Un tel cristal à scintillation à haute température peut être hygroscopique ou non hygroscopique. Des exemples de cristaux à scintillation à haute température hygroscopiques comprennent des cristaux à scintillation de LaBr3:Ce et/ou LaC13:C disponibles auprès de Saint- Gobain, ainsi que des cristaux à scintillation La-halogénures mélangés disponibles auprès de General Electric Company. Divers cristaux à scintillation à base d'oxyde avec une excellente performance à haute température peuvent également être utilisés, un grand nombre d'entre eux étant non hygroscopiques. Ceux-ci peuvent comprendre, par exemple, du LuAP:Ce, LuYAP:Ce, YAP:Ce, LuAG:Pr et du LPS (lutétium pyro-silicate, Lu2Si2O7), pour n'en citer que quelques uns. Les cristaux à scintillation à haute température mentionnés ci-dessus peuvent être capables de fonctionner à des températures très supérieures à 200 °C. Cependant, les cristaux à scintillation peuvent se fissurer ou se briser s'ils sont soumis à des variations rapides de température. Ainsi, comme décrit plus en détail ci-dessous, les détecteurs à scintillation protégés thermiquement 24 peuvent comprendre des mesures passives et/ou actives pour éviter ces variations rapides de température. Les mesures passives peuvent comprendre une isolation thermique ou un vase Dewar partiellement ouvert pour réduire le transfert de chaleur de la formation environnante dans le cristal à scintillation. Les mesures actives peuvent comprendre le contrôle du taux d'augmentation de la température du cristal a scintillation par le chauffage du cristal à scintillation avant et après l'entrée du détecteur à scintillation dans un environnement à haute température. Les signaux provenant des détecteurs à scintillation protégés thermiquement 22 peuvent être transmis au système de traitement de données 14 en tant que données 28. Le système de traitement de données 14 peut comprendre un ordinateur à usage général, tel qu'un ordinateur personnel, configuré pour exécuter divers logiciels, comprenant un logiciel mettant en oeuvre une technique pour la détermination des propriétés d'une formation sur la base d'un rayonnement détecté par les détecteurs à scintillation 22. Dans certains modes de réalisation, le système de traitement de données 14 peut être un processeur intégré dans l'outil de fond de trou 12. L'outil de fond de trou 12 peut transmettre les données 28 aux éléments de circuit d'acquisition de données 30 du système de traitement de données 14 par l'intermédiaire, par exemple, d'une liaison descendante de communication de système de télémesure ou d'un câble de communication. Après avoir reçu les données 28, les éléments de circuit d'acquisition de données 30 peuvent transmettre les données 28 à des éléments de circuit de traitement de données 32. Conformément à un ou plusieurs sous-programmes mémorisés, les éléments de circuit de traitement de données 32 peuvent traiter les données 28 pour vérifier une ou plusieurs propriétés d'une formation souterraine entourant l'outil de fond de trou 12, qui peuvent être indiquées par un rapport 34. Les éléments de circuit de traitement de données 32 peuvent utiliser n'importe quelle technique appropriée pour déterminer les propriétés de la formation souterraine. Les figures 2 à 9 représentent des modes de réalisation des détecteurs à scintillation 22 incorporant des mesures passives pour protéger les cristaux à scintillation à haute température. Spécifiquement, les figures 2 à 6 représentent des modes de réalisation utilisant une isolation thermique et les figures 7 à 9 représentent des modes de réalisation utilisant un vase Dewar partiellement ouvert, qui peut également être considéré comme une isolation thermique, mais qui, du fait de ses caractéristiques, peut apporter certains avantages supplémentaires. Avec référence d'abord à la figure 2, le détecteur à scintillation protégé thermiquement 22 peut comprendre le composant de scintillateur 24 et le composant de photomultiplicateur 26. Le composant de scintillateur 24 peut comprendre un cristal a scintillation 36, une couche réfléchissante 38, une couche anti-choc 40, une couche de conducteur thermique 42, une couche d'isolation thermique 44 et un logement de scintillateur 46. En général, les diverses couches entourant ou entourant partiellement le cristal à scintillation 36 peuvent former le � boîtier � qui encapsule ou encapsule partiellement le cristal à scintillation 36. Dans le mode de réalisation de la figure 2, le cristal à scintillation 36 peut être enfermé hermétiquement derrière un couplage optique 48 et une fenêtre 50 pour éviter que l'humidité n'endommage le cristal à scintillation 36. A ce titre, le cristal à scintillation 36 peut être un cristal à scintillation hygroscopique ou non hygroscopique capable de fonctionner dans des conditions de températures élevées. Ces cristaux à scintillation peuvent comprendre, par exemple, des cristaux à scintillation de LaBr3:Ce ou LaC13:Ce disponibles auprès de Saint-Gobain, des cristaux à scintillation de La-halogénures mélangés disponibles auprès de General Electric Company, et/ou des cristaux à scintillation à base d'oxyde avec une excellente performance à haute température tels que du LuAP:Ce, LuYAP:Ce, YAP:Ce, LuAG:Pr et du LPS (lutétium pyro-silicate, Lu2Si2O7). La couche réfléchissante 38 peut entourer le cristal à scintillation 36 pour réfléchir la lumière générée par le cristal à scintillation 36 vers le composant photomultiplicateur 26. La couche réfléchissante 38 peut comprendre, par exemple, du Téflon�, du Al203 ou du TiO2, ou d'autres matériaux sous la forme de feuilles, de formes moulées, de poudres ou de peinture. La couche suivante entourant la couche réfléchissante 38 peut être la couche anti-choc 40. La couche anti-choc 40 peut être capable de se contracter ou de se dilater pour faire face à la dilatation et/ou la contraction thermiques différentielles du cristal à scintillation 36. Le matériau anti-choc 40 peut être un matériau solide tel qu'un élastomère à haute température (par exemple, du Viton ou un élastomère à base de silicone) et/ou peut comprendre des ressorts radiaux ou axiaux. L'élastomère peut comprendre des nervures ou d'autres caractéristiques pour fournir un espace pour sa dilatation ou sa contraction thermique tout en fournissant un support mécanique au scintillateur 36. La couche de conducteur thermique 42 et la couche d'isolation thermique 44 peuvent fonctionner de concert pour réduire le taux de variation de température à n'importe quel endroit particulier du cristal à scintillation 36. En particulier, la couche d'isolation thermique 44 peut réduire le taux auquel la chaleur est transférée entre le logement de scintillateur 46 et les couches restantes entre le logement de scintillateur 46 et le conducteur thermique 42. La couche d'isolation thermique 44 peut comprendre, par exemple, divers élastomères et matériaux similaires (par exemple, une feuille de Viton ou du silicone), de la fibre de verre, un aérogel, des matières plastiques (par exemple, du polyétheréthercétone), des matériaux en Téflon� tels qu'une résine polymère de perfluoroalkoxy (PFA), du polytrétrafluoroéthylène (PTFE), ou de l'éthylène propylène fluoré (FEP), et/ou un film de polyimide tel que du Kapton�. Comme illustré sur la figure 2, la couche d'isolation thermique peut entourer partiellement le cristal à scintillation 36, en laissant une ouverture pour le couplage optique 48 et la fenêtre 50. La couche de conducteur thermique 42 peut répartir toute chaleur transférée à travers la couche d'isolation thermique 44 uniformément sur la surface du scintillateur 36. Dans certains modes de réalisation, la couche de conducteur thermique 42 peut couvrir une plus grande surface de cristal à scintillation 36 en s'étendant dans le centre du cristal à scintillation 36 à travers un trou percé dans le scintillateur 36. La couche de conducteur thermique 42 peut comprendre n'importe quel matériau thermiquement conducteur, tel que l'aluminium, le cuivre, ou l'acier inoxydable. Le logement de scintillateur 46 peut représenter n'importe quel logement standard pour un cristal à scintillation. Dans certains modes de réalisation, une couche de conducteur thermique supplémentaire peut entourer la totalité ou une partie du logement de scintillateur 46 pour garantir que la chaleur est répartie uniformément sur la surface du logement de scintillateur 46. Etant donné que le cristal à scintillation 36 peut être un cristal à scintillation hygroscopique, le logement de scintillateur 46 peut être réalisé de manière à isoler le cristal à scintillation 36 de l'humidité externe. A ce titre, un couplage optique 48 peut joindre le cristal à scintillation 36 à une fenêtre optique 50 fixée au logement de scintillateur 46. Le composant photomultiplicateur 26 peut, de même, comprendre un couplage optique 48 et une fenêtre 50 pour une connexion au composant de scintillateur 24. Le composant photomultiplicateur peut comprendre un tube photomultiplicateur 52, qui peut ne pas nécessairement comprendre une protection thermique, étant donné qu'un grand nombre des tubes photomultiplicateurs 52 disponibles peuvent être capables de fonctionner dans des conditions de températures variant rapidement. Dans d'autres modes de réalisation, le composant photomultiplicateur 26 peut comprendre une plaque à micro-canaux (MCP) au lieu de la structure de multiplicateur standard ou le composant photomultiplicateur 26 peut être une photodiode à avalanche (APD). De plus, bien que le composant photomultiplicateur 26 soit illustré comme étant couplé optiquement au composant de scintillateur 24, qui est enfermé hermétiquement pour protéger le cristal à scintillation 36, il peut également être possible de monter le cristal à scintillation 36 directement sur le tube photomultiplicateur 52, si les deux sont enfermés dans un boîtier unique fermé hermétiquement. La figure 3 représente un autre mode de réalisation du détecteur à scintillation 22 illustré sur la figure 2. Le mode de réalisation du détecteur à scintillation 22 de la figure 3 est sensiblement identique à celui de la figure 2, comprenant le composant de scintillateur 24 et le composant photomultiplicateur 26. Le composant de scintillateur 24 peut, de même, comprendre le cristal à scintillation 36, la couche réfléchissante 38, la couche anti-choc 40, la couche de conducteur thermique 42, la couche d'isolation thermique 44 et le logement de scintillateur 46. Cependant, le cristal à scintillation 36 peut être un cristal à scintillation non hygroscopique, tel qu'un cristal à scintillation à base d'oxyde avec des capacités haute température, tel que du LuAP:Ce, LuYAP:Ce, YAP:Ce, LuAG:Pr et du LPS (lutétium pyro-silicate, Lu2Si207) . Parce que le cristal à scintillation 36 est non hygroscopique, les éléments de protection thermique ne doivent pas être enfermés hermétiquement dans le logement de scintillateur 46. A ce titre, le couplage optique 48 et la fenêtre 50 peuvent être omis du composant de scintillateur 24. Comme dans le mode de réalisation examiné ci-dessus, le couplage optique 48 et la fenêtre optique 50 du composant photomultiplicateur 26 peuvent coupler optiquement le cristal à scintillation 36 au tube photomultiplicateur 52. La figure 4 représente un autre mode de réalisation du détecteur à scintillation 22, dans lequel la couche anti-choc 40 peut être combinée dans la couche d'isolation thermique 44. Comme le mode de réalisation du détecteur à scintillation 24 de la figure 2, le mode de réalisation du détecteur à scintillation 22 de la figure 4 peut comprendre le composant de scintillateur 24 et le composant photomultiplicateur 26. Le composant de scintillateur 24 peut, de même, comprendre le cristal à scintillation 36, la couche réfléchissante 38, la couche de conducteur thermique 42, la couche d'isolation thermique 44 et le logement de scintillateur 46. Comme dans les modes de réalisation examinés ci-dessus, les couplages optiques 48 et les fenêtres optiques 50 peuvent coupler optiquement le cristal à scintillation 36 au tube photomultiplicateur 52. Cependant, la couche d'isolation thermique 44 peut être conçue pour incorporer les caractéristiques anti-choc associées à la couche anti-choc 40 des modes de réalisation des figures 2 et 3 ci-dessus. Le matériau pourrait être un élastomère à haute température (par exemple, du Viton ou un élastomère de silicone à haute température). Dans certains modes de réalisation, lorsque la couche réfléchissante 38 utilise un réflecteur métallique, tel que de l'argent, la couche réfléchissante 38 peut également être combinée dans la couche d'isolation thermique 42. Il conviendrait de noter que, dans certains modes de réalisation, la couche de conducteur thermique 42 peut être éliminée entièrement si la protection thermique fournie par la couche d'isolation thermique 44 est suffisante. Autrement dit, si la conductivité thermique du matériau du cristal à scintillation 36 et le taux réduit d'augmentation de la température obtenu par la couche d'isolation thermique 44 sont suffisants pour protéger le cristal à scintillation 36 d'une contrainte thermique excessive, la couche de conducteur thermique 42 peut également être omise. Pour certaines applications de l'outil de fond de trou 12, telles que traverser une zone de drainage par la vapeur pendant une diagraphie, la température de l'environnement alentour peut augmenter très rapidement. Dans de telles conditions extrêmes, les mesures de protection thermique examinées ci-dessus peuvent ne pas protéger suffisamment tous les éléments du détecteur à scintillation 22. Pour protéger le tube photomultiplicateur 52 de ces températures élevées, ainsi que pour empêcher le transfert de chaleur à travers la fenêtre 50 par l'intermédiaire du tube photomultiplicateur 52, les mesures de protection thermique décrites ci-dessus peuvent être adaptées. En particulier, ces adaptations peuvent prendre deux formes, comprenant le montage du détecteur à scintillation 22 entier à l'intérieur d'un logement thermiquement protecteur et l'élargissement des protections thermiques décrites ci-dessus pour couvrir la totalité ou une partie du tube photomultiplicateur 52. Dans le premier cas, les mesures de protection thermique peuvent ne pas être intégrées dans le logement du composant de scintillateur 24, mais le diamètre extérieur du détecteur à scintillation 22 peut être élargi. Pour conserver le même diamètre, la taille du cristal à scintillation 36 peut être réduite. Le deuxième cas, dans lequel les éléments thermiquement protecteurs ont été élargis pour couvrir la totalité ou une partie du tube photomultiplicateur 52, est illustré sur la figure 5. En général, la protection thermique peut ne pas s'étendre sur de quelconques éléments générant de la chaleur, tels que des résistances, des diodes ou des composants électroniques actifs qui peuvent être montés sur le tube photomultiplicateur 52 pour fournir la tension de fonctionnement correcte ou pour amplifier les signaux disponibles à la sortie du photomultiplicateur. De plus, l'extension de la protection thermique au-delà de la fenêtre du photomultiplicateur aide à assurer une répartition de température plus uniforme sur la photocathode et de ce fait une meilleure performance de spectroscopie. Le mode de réalisation du détecteur à scintillation 22 de la figure 5 peut comprendre le composant de scintillateur 24 et le composant photomultiplicateur 26. Le composant de scintillateur 24 peut comprendre le cristal à scintillation 36, la couche réfléchissante 38, la couche anti-choc 40, la couche de conducteur thermique 42, la couche d'isolation thermique 44 et le logement de scintillateur 46. Comme dans les modes de réalisation examinés ci-dessus, les couplages optiques 48 et les fenêtres optiques 50 peuvent coupler optiquement le cristal à scintillation 36 au tube photomultiplicateur 52. Dans le mode de réalisation de la figure 5, cependant, la couche d'isolation thermique 44 et la couche de conducteur thermique 42 peuvent s'étendre sur le tube photomultiplicateur 52, entourées par un logement externe 46. Cela peut réduire la quantité de chaleur qui peut atteindre le cristal à scintillation 36 par l'intermédiaire du tube photomultiplicateur 52. La couche de conducteur thermique 42 ne devrait pas s'étendre sur le tube de photomultiplicateur 52 pour éviter qu'une chaleur excessive n'atteigne le cristal à scintillation 36 à travers la couche de conducteur thermique 42. Comme montré sur la figure 6, la couche d'isolation thermique 44 peut s'étendre uniquement jusqu'où elle permettra une réduction optimale du transfert de chaleur au cristal à scintillation 36 à partir d'un environnement à haute température externe. Sur la figure 6, le composant de scintillateur 24 du détecteur à scintillation 22 peut comprendre le cristal à scintillation 36, la couche réfléchissante 38, la couche anti-choc 40, la couche de conducteur thermique 42, la couche d'isolation thermique 44 et le logement de scintillateur 46. Comme dans les modes de réalisation examinés ci-dessus, les couplages optiques 48 et les fenêtres optiques 50 peuvent coupler optiquement le cristal à scintillation 36 au tube photomultiplicateur 52 du composant photomultiplicateur 26. A la différence des modes de réalisation décrits ci-dessus, le mode de réalisation du détecteur à scintillation 22 de la figure 6 peut comprendre une protection thermique partielle sur le tube photomultiplicateur 52. La longueur non protégée thermiquement du tube photomultiplicateur 52 est indiquée par L1r tandis que la longueur protégée thermiquement est indiquée par L2. L'extension de la longueur L2 au-delà d'une certaine distance peut permettre de réduire la protection thermique du cristal à scintillation 36, mais peut entraîner des coûts de fabrication, un poids et une taille supplémentaires du détecteur à scintillation 22. Par conséquent, les distances L1 et L2 optimales peuvent être déterminées par une modélisation de la réduction du transfert de chaleur au cristal à scintillation 36 à diverses valeurs de L1 et/ou L2. Les figures 7 à 9 représentent des modes de réalisation du détecteur à scintillation protégé thermiquement 22 utilisant un vase Dewar partiellement ouvert pour obtenir une protection thermique par rapport à un échauffement et un refroidissement rapides. Dans le mode de réalisation de la figure 7, le détecteur à scintillation 22 peut comprendre le composant de scintillateur 24 et le composant photomultiplicateur 26. Le composant de scintillateur 24 peut comprendre le cristal à scintillation 36, la couche réfléchissante 38, la couche anti-choc 40, la couche de conducteur thermique 42 et le logement de scintillateur 46. Comme dans les modes de réalisation examinés ci-dessus, les couplages optiques 48 et les fenêtres optiques 50 peuvent coupler optiquement le cristal à scintillation 36 au tube photomultiplicateur 52. Le logement de scintillateur 46 peut être construit pour former un vase Dewar partiellement ouvert qui amène un vide 54 à séparer les deux couches de logement 46. A la suite de la construction du vase Dewar partiellement ouvert, les deux couches de logement 46 peuvent comprendre un queusot 56 et une soudure 58. On doit comprendre que certains détails concernant la construction du vase Dewar partiellement ouvert, tels que les supports internes, les réflecteurs de rayonnement thermique, etc., ne sont pas montrés, étant donné qu'ils sont bien connus dans l'art. Comme dans les modes de réalisation examinés ci-dessus, certains éléments thermiquement protecteurs peuvent s'étendre de manière à couvrir la totalité ou une partie du tube photomultiplicateur 52, ce qui peut également servir à protéger thermiquement le cristal à scintillation 36 d'une manière similaire à un obturateur dans un vase Dewar classique. Dans le mode de réalisation illustré sur la figure 7, une couche d'isolement électrique et/ou d'isolation thermique 60 peut protéger une partie du tube photomultiplicateur 52 au-dessous de la couche externe du logement de scintillateur 46. La distance précise sur laquelle la couche 60 et le logement de scintillateur 46 peuvent s'étendre peut être déterminée par une modélisation thermique et/ou électrique. La couche 60 peut couvrir quelques, le cas échéant, composants générant de la chaleur du tube photomultiplicateur 52, tels que les résistances, les diodes, ou des composants électroniques actifs qui peuvent être montés sur le tube photomultiplicateur 52. La figure 8 illustre un autre mode de réalisation du détecteur à scintillation 22 illustré sur la figure 7, dans lequel le vase Dewar partiellement ouvert peut être complètement séparé du logement de scintillateur 46. Dans le mode de réalisation de la figure 8, le détecteur à scintillation 22 peut comprendre le composant de scintillateur 24 et le composant photomultiplicateur 26. Le composant de scintillateur 24 peut comprendre le cristal à scintillation 36, la couche réfléchissante 38, la couche anti-choc 40, la couche de conducteur thermique 42 et le logement de scintillateur 46. Comme dans les modes de réalisation examinés ci-dessus, les couplages optiques 48 et les fenêtres optiques 50 peuvent coupler optiquement le cristal à scintillation 36 au tube photomultiplicateur 52. Le vase Dewar partiellement ouvert peut être formé par une paroi interne 62 et une paroi externe 64 jointes par une soudure 58, et le vide peut être fait dans l'espace entre elles pour produire un vide isolant 54. Comme dans le mode de réalisation de la figure 7, un queusot 56 peut être utilisé lors de la formation du vase Dewar partiellement ouvert. Dans certains modes de réalisation, il peut ne pas être pratique ou souhaitable d'étendre le vase Dewar partiellement ouvert sur le tube photomultiplicateur 52. Dans ces conditions, la paroi interne 62 et la paroi externe 64 peuvent être raccourcies approximativement à la longueur du vase Dewar partiellement ouvert de la figure 7. Le vase Dewar partiellement ouvert peut couvrir quelques, le cas échéant, composants générant de la chaleur du tube photomultiplicateur 52, tels que des résistances, des diodes, ou des composants électroniques actifs qui peuvent être montés sur le tube photomultiplicateur 52. Parce que le vase Dewar partiellement ouvert est construit de manière à recouvrir l'extrémité avant du tube photomultiplicateur 52, une fuite thermique à partir du photomultiplicateur 52 peut être réduite, ce qui peut assurer une température plus uniforme du cristal à scintillation 36. En effet, le photomultiplicateur 52 peut efficacement protéger thermiquement le cristal à scintillation 36 d'une manière similaire à un obturateur dans un vase Dewar classique. De plus, la forme du vase Dewar partiellement ouvert peut également résulter en une température uniforme d'une photocathode du tube photomultiplicateur 52. Une température de photocathode non uniforme peut conduire à une répartition particulière non uniforme du rendement quantique (QE) du tube photomultiplicateur 52 et, en conséquence, peut conduire à une médiocre performance de spectroscopie. En utilisant le mode de réalisation de la figure 8, la fonction de protection thermique fournie par le vase Dewar partiellement ouvert peut être combinée avec une fonction de blindage magnétique. Spécifiquement, les matériaux de la paroi interne 62 et de la paroi externe 64 du vase Dewar partiellement ouvert peuvent être choisis pour protéger magnétiquement le tube photomultiplicateur 52. Par exemple, la paroi interne 62, la paroi externe 64, ou à la fois la paroi interne 62 et la paroi externe 64 peuvent être réalisées en des matériaux présentant une grande perméabilité magnétique. De plus ou en variante, la paroi interne 62 peut comporter une couche d'un matériau présentant une très grande perméabilité et une saturation relativement faible (par exemple, l'Admu 80 de AD-Vance Magnetics), et la paroi externe 64 peut être réalisée en un matériau ou peut comporter une couche d'un matériau présentant une faible perméabilité et une plus grande saturation (par exemple, du fer doux). La figure 9 illustre un autre mode de réalisation du détecteur à scintillation 22 de la figure 7, dans lequel le vase Dewar partiellement ouvert peut être formé dans le logement de scintillateur 46, mais qui peut s'étendre de manière à couvrir la totalité ou une partie du tube photomultiplicateur 52. Dans le mode de réalisation de la figure 9, le détecteur à scintillation 22 peut comprendre le composant de scintillateur 24 et le composant photomultiplicateur 26. Le composant de scintillateur 24 peut comprendre le cristal à scintillation 36, la couche réfléchissante 38, la couche anti-choc 40, la couche de conducteur thermique 42 et le logement de scintillateur 46. Comme dans les modes de réalisation examinés ci-dessus, les couplages optiques 48 et les fenêtres optiques 50 peuvent coupler optiquement le cristal à scintillation 36 au tube photomultiplicateur 52. Les deux couches de logement de scintillateur 46 peuvent s'étendre de manière à couvrir la totalité ou une partie du tube photomultiplicateur 52, un vase Dewar partiellement ouvert pouvant être formé entre elles. A ce titre, le détecteur à scintillation 22 peut également comprendre la soudure 58 et le queusot 56. Certains modes de réalisation peuvent également comprendre la couche d'isolement électrique et/ou d'isolation thermique 60. Pour isoler thermiquement efficacement le cristal à scintillation 36, la couche 60 peut couvrir quelques, le cas échéant, composants générant de la chaleur du tube photomultiplicateur 52, tels que les résistances, les diodes, ou des composants électroniques actifs qui peuvent être montés sur le tube photomultiplicateur 52. Le logement de scintillateur 46 et les fenêtres optiques 50 dans les modes de réalisation des figures 7 à 9 sont illustrés comme enfermant hermétiquement le cristal à scintillation 36. Cependant, si le cristal à scintillation 36 est non hygroscopique, le cristal à scintillation 36 peut, en variante, être couplé directement à la fenêtre 50 du tube photomultiplicateur 52, comme illustré généralement ci-dessus avec référence à la figure 3. De plus, même si le cristal à scintillation 36 est hygroscopique, le cristal à scintillation 36 peut être couplé directement à la fenêtre 50 du tube photomultiplicateur 52 si le tube photomultiplicateur 52 est enfermé hermétiquement avec le cristal à scintillation 36. Les figures 10 à 13 décrivent une manière de réaliser activement une protection thermique pour le cristal à scintillation 36 du détecteur à scintillation protégé thermiquement 22. Parce que certains cristaux à scintillation (par exemple, LaBr3) peuvent se fissurer ou se briser si le taux de variation de température dépasse un taux de variation de seuil (par exemple, 2 °C par minute), la figure 10 illustre un dispositif de chauffage 66 qui peut être utilisé pour éviter que le cristal à scintillation 36 ne chauffe ou refroidisse trop rapidement. Spécifiquement, le dispositif de chauffage 66 peut préchauffer le cristal à scintillation 36 avant que le cristal à scintillation 36 ne pénètre dans un environnement à haute température pour éviter des augmentations de température excessives, et peut fournir de la chaleur occasionnellement après que le cristal à scintillation 36 est sorti de l'environnement à haute température pour éviter des diminutions de température excessives. Le dispositif de chauffage 66 peut, par exemple, être un coussin ou un manchon chauffant en polyimide, tel que le dispositif de chauffage Kapton� de Hi-Heat Industries. Comme illustré sur la figure 10, le dispositif de chauffage 66 peut recevoir de l'énergie électrique par l'intermédiaire de conducteurs électriques 68. L'énergie électrique peut se propager à travers un trajet résistif 70 pour générer de la chaleur. Dans certains modes de réalisation, le dispositif de chauffage 66 peut être un film flexible gravé sur une feuille de métal, tel que du polyimide. Un tel dispositif de chauffage 66 peut supporter des plages de températures extrêmes, comprenant des températures élevées (par exemple, 200 °C ou plus). Le dispositif de chauffage 66 peut avoir des temps de chauffage courts et une réponse rapide, étant donné que le trajet résistif 70 peut être plus stable. A ce titre, le dispositif de chauffage 66 peut ainsi être idéal pour servir dans des environnements rudes tels que des formations souterraines. Le dispositif de chauffage 66 peut être relativement mince, ayant une épaisseur D d'environ 0,005 pouce, et peut comprendre un circuit de commande, ainsi que des capteurs de température et d'autres dispositifs classiques en tant que dispositifs de chauffage. En utilisant les capteurs de température, le circuit de commande peut exécuter des algorithmes tels que décrits ci-dessous avec référence aux figures 12 et 13 pour chauffer et refroidir un cristal à scintillation 36 pour éviter une variation de température excessive. De plus ou en variante, le système de traitement de données 14 peut commander le dispositif de chauffage 66, auquel cas le système de traitement de données 14 peut exécuter ces algorithmes. Il conviendrait de noter que le dispositif de chauffage 66 peut avoir une densité de puissance importante ; dans un mode de réalisation, le dispositif de chauffage 66 peut avoir une densité de 5 watts par pouce carré, à 120 V. Pour chauffer le cristal à scintillation 36 du détecteur à scintillation 22, le dispositif de chauffage 66 peut être monté sur une partie du logement externe 46 ou installé à l'intérieur du logement 46. Généralement, si le dispositif de chauffage 66 est monté sur le logement externe 46, une autre protection thermique ne devrait pas être utilisée par le détecteur à scintillation 22. De plus ou en variante, le dispositif de chauffage 66 peut être disposé à l'intérieur d'un détecteur à scintillation 22 qui utilise des mesures de protection thermique passives. Une telle configuration est illustrée sur la figure 11. La figure 11 représente un mode de réalisation du détecteur à scintillation protégé thermiquement 22 qui utilise le dispositif de chauffage 66, avec certains algorithmes de commande, pour éviter un échauffement et/ou un refroidissement rapides du cristal à scintillation 36. Bien que le détecteur à scintillation 22 de la figure 11 soit illustré comme comprenant des mesures passives (par exemple, la couche d'isolation thermique 44 et/ou la couche de conducteur thermique 42), le dispositif de chauffage 66 peut être utilisé avec ou sans cette protection thermique passive. Dans le mode de réalisation de la figure 11, le détecteur à scintillation 22 peut comprendre le composant de scintillateur 24 et le composant photomultiplicateur 26. Le composant de scintillateur 24 peut comprendre le cristal à scintillation 36, la couche réfléchissante 38, la couche anti-choc 40, la couche de conducteur thermique 42, la couche d'isolation thermique 44 et le logement de scintillateur 46. Comme pour les modes de réalisation examinés ci-dessus, les couplages optiques 48 et les fenêtres optiques 50 peuvent coupler optiquement le cristal à scintillation 36 au tube photomultiplicateur 52. Couplé thermiquement à la couche de conducteur thermique 42, le dispositif de chauffage 66 peut amener la chaleur à atteindre de manière uniforme le cristal à scintillation 36 pour éviter qu'il se fissure ou se brise. Un capteur de température 72, s'il n'est pas intégré dans le dispositif de chauffage 66, peut mesurer la température superficielle du cristal à scintillation 36. Un circuit de commande associé au dispositif de chauffage 66, ou les éléments de circuit de traitement de données 14 peuvent déterminer quand le dispositif de chauffage 66 est actif sur la base des températures détectées par le capteur de température 72. La figure 12 est un organigramme 74 décrivant un mode de réalisation d'un procédé pour effectuer une procédure de chauffage en utilisant le dispositif de chauffage 66, qui peut chauffer lentement le cristal à scintillation 36 avant son introduction dans un environnement à haute température, tel qu'un puits souterrain. Le procédé fourni par l'organigramme 74 de la figure 12 peut être mis en oeuvre par des éléments de circuit de commande inclus dans le dispositif de chauffage 66 ou par les éléments de circuit de traitement de données 14. A une première étape 76, les éléments de circuit de commande peuvent commencer la procédure de chauffage parce que le détecteur à scintillation 22 doit être placé dans un environnement à haute température. A l'étape 78, le dispositif de chauffage 66 peut être activé, amenant le cristal à scintillation 66 à être chauffé. Comme indiqué par le bloc de décision 80, si la température du cristal à scintillation 86 a atteint une température cible (par exemple, la température attendue d'une formation de fond de trou), le dispositif de chauffage 66 peut être désactivé à l'étape 82. Le détecteur à scintillation 22 peut ensuite pénétrer dans l'environnement à haute température sans subir une augmentation rapide de la température du cristal à scintillation 36, qui peut entraîner l'endommagement du cristal à scintillation 36. Si la température cible n'a pas été atteinte, le processus peut avancer au bloc de décision 84. Au bloc de décision 84, les éléments de circuit de commande peuvent examiner si l'augmentation de température s'est approchée d'un taux de variation de seuil et/ou l'a dépassé. Le taux de variation de seuil particulier peut varier en fonction des caractéristiques du cristal à scintillation 36. A titre d'exemple, si le cristal à scintillation 36 est constitué de LaBr3, le taux de variation de température maximum de conception peut être de 2 °C par minute. Si le taux d'augmentation de température ne dépasse pas le taux de variation de seuil, le dispositif de chauffage 66 peut continuer de chauffer le cristal à scintillation 36 jusqu'à ce que la température cible soit atteinte, comme montré au bloc de décision 80, ou jusqu'à ce que le taux de variation s'approche du seuil, comme montré au bloc de décision 84. D'autre part, si le taux de variation de température s'approche du taux de variation de seuil, la quantité d'énergie fournie au dispositif de chauffage 66 peut être diminuée et/ou le dispositif de chauffage 66 peut être désactivé brièvement, à l'étape 86. Lorsque le dispositif de chauffage 66 redevient actif, le processus peut se poursuivre jusqu'à ce que le cristal à scintillation 36 atteigne la température cible. La figure 13 décrit un mode de réalisation d'un procédé pour réguler un refroidissement du détecteur à scintillation 22 en utilisant le dispositif de chauffage 66, qui peut garantir que le cristal à scintillation 36 ne refroidit pas trop rapidement après avoir quitté un environnement à haute température, tel qu'un puits souterrain. Le procédé fourni par l'organigramme 88 de la figure 13 peut être mis en oeuvre par des éléments de circuit de commande inclus dans le dispositif de chauffage 66 ou par les éléments de circuit de traitement de données 14. Les éléments de circuit de commande peuvent surveiller en continu le taux de refroidissement à l'étape 90 en comparant la température actuelle avec les températures précédentes. Au bloc de décision 92, les éléments de circuit de commande peuvent contrôler le taux de refroidissement pour voir s'il dépasse un taux de variation de seuil. Si c'est le cas, le dispositif de chauffage 66 peut être activé brièvement à l'étape 94. Cette activation peut se poursuivre jusqu'à ce que le taux de refroidissement tombe au-dessous du seuil, et le dispositif de chauffage est désactivé à l'étape 96. Comme indiqué ci-dessus, le taux de variation de seuil particulier peut varier en fonction des caractéristiques du cristal à scintillation 36. A titre d'exemple, si le cristal à scintillation 36 est constitué de LaBr3, le taux de variation de température maximum de conception peut être de 2 °C par minute pour un cristal avec un diamètre d'environ 2,5 pouces (6,35 cm) et une longueur de 3 pouces (7,62 cm). Le taux de variation maximum autorisé est fonction de la taille du cristal, et peut être calculé par des techniques de modélisation. Par ailleurs, la quantité de chaleur fournie par le dispositif de chauffage 66 peut être calibrée pour être suffisante pour éviter que le cristal à scintillation 36 ne refroidisse trop rapidement, tout en permettant encore que la température du cristal à scintillation 36 continue de diminuer. Bien que les modes de réalisation présentés dans la présente description puissent faire l'objet de diverses modifications et prendre d'autres formes, des modes de réalisation spécifiques ont été présentés à titre d'exemple sur les dessins et ont été décrits en détail dans le présent document. Cependant, on doit comprendre que l'invention ne doit pas être limitée aux formes particulières décrites. La description est destinée à couvrir toutes les modifications, tous les équivalents et toutes les variantes tombant dans l'étendue de l'invention telle que définie par les revendications jointes qui suivent. REVENDICATIONS1. Procédé de protection thermique d'un cristal à scintillation dans un détecteur à scintillation, le 5 procédé consistant à : activer un dispositif de chauffage pour chauffer un cristal à scintillation (36) dans un détecteur à scintillation (22) ; lorsqu'un taux de variation de température du 10 cristal à scintillation dépasse un taux de variation de seuil, désactiver le dispositif de chauffage jusqu'à ce que le taux de variation de température du cristal à scintillation ne dépasse pas le taux de variation de seuil ; et 15 désactiver le dispositif de chauffage lorsque le cristal à scintillation atteint une température cible. 2. Procédé selon la revendication 1, dans lequel le dispositif de chauffage est activé pour chauffer le 20 cristal à scintillation, dans lequel le dispositif de chauffage est disposé dans un élément de protection thermique entourant partiellement le cristal à scintillation. 25 3. Procédé selon la revendication 1, dans lequel le dispositif de chauffage est activé pour chauffer le cristal à scintillation, dans lequel le dispositif de chauffage a une épaisseur inférieure à environ 0,01 pouce (0,0254 cm). 30 4. Procédé selon la revendication 1, dans lequel le dispositif de chauffage est activé pour chauffer le cristal à scintillation, dans lequel le dispositif de chauffage comprend un film de polyimide sur une surface métallique gravée. 5. Procédé selon la revendication 1, dans lequel le dispositif de chauffage est activé pour chauffer le cristal à scintillation, dans lequel le dispositif de chauffage a une densité de puissance d'au moins 7750 watts par mètre carré (5 watts par pouce carré) à 120 V. 6. Procédé selon la revendication 1, dans lequel le taux de variation de seuil est proportionnel à moins de 2 °C par minute lorsque le cristal à scintillation a un diamètre d'environ 6,35 cm (2,5 pouces) et une longueur d'environ 7,62 cm) (3 pouces).