FR 2944139 A1 20101008 FR 0901595 A 20090401 CIRCUIT INTEGRE REALISE EN SOI PRESENTANT DES TRANSISTORS A TENSIONS DE SEUIL DISTINCTES L'invention concerne les circuits intégrés, et en particulier les circuits intégrés réalisés sur un substrat de type silicium sur isolant (SOI). La technologie SOI consiste à séparer une fine couche de Silicium (quelques dizaines de nm) d'un substrat en Silicium par une couche d'isolant relativement épaisse (quelques centaines de nanomètres en règle générale). Les circuits intégrés réalisés en technologie SOI présentent un certain nombre d'avantages. De tels circuits présentent généralement une plus faible consommation électrique pour des performances équivalentes. De tels circuits induisent également des capacités parasites plus faibles, qui permettent d'améliorer la vitesse de commutation. De plus, le phénomène de déclenchement parasite (latchup en langue anglaise) rencontré par les transistors CMOS en technologie Bulk peut être évité. De tels circuits s'avèrent donc particulièrement adaptés pour des applications de type SOC ou MEMS. On constate également que les circuits SOI sont moins sensibles aux effets des radiations ionisantes et s'avèrent ainsi plus fiables dans des applications où de telles radiations peuvent induire des problèmes de fonctionnement, notamment des applications spatiales. Les circuits intégrés SOI réalisés peuvent notamment comprendre des mémoires vives de type SRAM ou des portes logiques. Comme illustré à la figure 1, une cellule mémoire SRAM se compose de deux inverseurs Invl et lnv2 connectés en configuration bascule bistable et de deux transistors d'accès TAT et TAF connectés à des lignes de bits BLT et BLF. Les transistors d'accès TAT et TAF sont commandés par une ligne de mot WL. Les exigences auxquelles doit répondre la cellule mémoire sont : une stabilité suffisante garantissant le fonctionnement de la cellule lors des opérations de lecture, écriture ou rétention ; un courant de conduction maximal pour accroître la rapidité d'accès à la 30 cellule; une taille de cellule minimale pour accroître la densité d'intégration ; et un courant de rétention minimal pour réduire la consommation électrique en statique. Deux types de cellules mémoire sont développés concurremment. Un 35 premier type de mémoire dit 4T utilise deux transistors de conduction pour former les inverseurs de la bascule bistable. La figure 4 du brevet US 6 442 060 illustre un exemple de cellule mémoire SRAM réalisée selon cette architecture. Cependant, bien que cette architecture de cellule mémoire permette théoriquement d'obtenir une très forte densité, la présence de noeuds internes 40 flottants implique un compromis de dimensionnement entre les exigences de stabilité en lecture et de stabilité en rétention. Afin d'accroître la stabilité en lecture et en rétention, plusieurs études proposent des circuits dynamiques contrôlant individuellement les transistors des cellules mémoire. La densité de cellules d'une mémoire réalisée en architecture 4T s'avère alors en pratique relativement réduite, ce qui rend encore cette architecture d'un intérêt industriel relativement limité. Un second type de mémoire dit 6T utilise quatre transistors pour former les inverseurs. La figure 2 du brevet US6 442 060 illustre un exemple de cellule mémoire SRAM réalisée selon cette architecture. Certains circuits mémoire doivent intégrer à la fois des cellules mémoire favorisant la rapidité d'accès aux noeuds de stockage et des cellules mémoire favorisant une consommation électrique réduite en rétention. De tels circuits mémoire s'avèrent délicats à réaliser, la topologie et la conception des deux types de mémoire étant radicalement différentes pour que chacune présente soit une bonne rapidité d'accès soit une consommation réduite en rétention. Pour des technologies de gravure à 45nm ou moins, Il devient délicat d'accroître la densité de cellules tout en conservant de bonnes marges au bruit à la fois en lecture et en écriture. Les dispersions de fabrication sur les paramètres électriques du transistor deviennent plus critiques avec des gravures de plus en plus fines, ce qui accroît la sensibilité des circuits intégrés face à différentes sources de bruit : couplage capacitif, couplage inductif, bruit d'alimentation. La réduction de la consommation statique de portes logiques tout en augmentant leur vitesse de basculement fait également robjet de nombreuses recherches. Certains circuits intégrés en cours de développement intègrent à la fois des portes logiques à faible consommation et des portes logiques à vitesse de basculement élevée. Pour générer ces deux types de portes logiques sur un même circuit intégré, on rabaisse la tension de seuil de certains transistors des portes logiques à accès rapide, et on augmente la tension seuil d'autres transistors des portes logiques à faible consommation. En technologie Bulk, la modulation du niveau de tension de seuil de transistors de même type est effectuée en différenciant le niveau de dopage de leur canal. Cependant, en technologie FDSOI (pour Fully Depleted Silicium On Isolant en langue anglaise, désignant du Silicium sur isolant totalement déplété), le dopage du canal est quasiment nul. Ainsi, le niveau de dopage du canal des transistors ne peut donc pas présenter de variations importantes, ce qui empêche de différencier les tensions de seuil par ce biais. Une solution proposée dans certaines études pour réaliser des transistors de même type à tensions de seuil distinctes est d'intégrer différents matériaux de grille pour ces transistors. Cependant, la réalisation pratique d'un tel circuit intégré s'avère techniquement délicate et économiquement prohibitive. Il existe donc un besoin pour des circuits intégrés présentant des transistors à niveaux de seuil différents qui puissent être réalisés avec une 5 complexité réduite L'invention vise à résoudre un ou plusieurs de ces inconvénients. L'invention porte ainsi sur un circuit intégré comprenant une couche active semi-conductrice séparée d'une couche substrat semi-conductrice par une couche de matériau isolant enterrée, comprenant : 10 -des premier et deuxième transistors ; - un premier plan de masse disposé à l'aplomb du premier transistor entre la couche de matériau isolant enterrée et la couche substrat de silicium ; - un second plan de masse disposé à l'aplomb du deuxième transistor entre la couche de matériau isolant enterrée et la couche substrat de 15 silicium ; - le premier transistor présente un type de dopage de son plan de masse opposé à celui de sa source, et présente une première tension de seuil ; -le deuxième transistor présente un type de dopage de son plan de masse identique à celui de sa source, et présente une deuxième tension 20 de seuil ; - l'épaisseur de la couche de matériau isolant enterrée au niveau des premier et deuxième transistors est suffisamment fine de sorte que la première tension de seuil est supérieure à la deuxième tension de seuil lorsqu'une même différence de potentiel de référence est appliquée entre 25 la source et le plan de masse des premier et deuxième transistors. Selon une variante, la première tension est comprise dans une première plage et est fonction de la différence de potentiel appliquée entre la source et le plan de masse du premier transistor, et la deuxième tension est comprise dans 30 une deuxième plage de valeurs et est fonction de la différence de potentiel appliquée entre la source et le plan de masse du deuxième transistor, la valeur maximale de la première plage étant supérieure à la valeur maximale de la deuxième plage. Selon une autre variante, la valeur maximale de la première plage est 35 supérieure d'au moins 10% à la valeur minimale de la première plage, et la valeur minimale de la deuxième plage est inférieure d'au moins 10% à la valeur maximale de la deuxième plage. Selon une variante, la valeur maximale de la première plage est supérieure d'au moins 40mV à la valeur minimale de la première plage, et la 40 valeur minimale de la deuxième plage est inférieure d'au moins 40mV à la valeur maximale de la deuxième plage. Selon encore une variante, l'épaisseur de la couche de matériau isolant est suffisamment fine pour qu'une réduction de la différence de potentiel entre la source et le plan de masse des premier et deuxième transistors induise une hausse des première et deuxième tensions de seuil. Selon encore une autre variante, le circuit comprend : -une ligne de mot ; - deux lignes de bit ; - une cellule mémoire de type 4T incluant lesdits premier et deuxième transistors et incluant également des troisième et quatrième transistors, le troisième transistor présentant une structure similaire à celle du premier transistor pour présenter une même tension de seuil, le quatrième transistor présentant une structure similaire à celle du deuxième transistor pour présenter une même tension de seuil, les premier et deuxième transistors étant de types opposés, les premier et troisième transistors étant connectés pour former une bascule bistable présentant deux noeuds de stockage, les deuxième et quatrième transistors étant commandés par la ligne de mot pour connecter sélectivement les noeuds de la bascule bistable à des lignes de bit respectives. Selon une variante, les plans de masse des premier et troisième 20 transistors sont confondus et les plans de masse des deuxième et quatrième transistors sont confondus. Selon encore une variante, les plans de masse des premier, deuxième, troisième et quatrième transistors sont confondus. Selon une autre variante, la différence de potentiel entre la source des 25 premier et troisième transistors et leur plan de masse respectif est sensiblement nulle, et la différence de potentiel entre la source des deuxième et quatrième transistors et leur plan de masse respectif est sensiblement égale à une tension Vdd. Dans un autre mode de réalisation, un circuit intégré comprend : 30 -une ligne de mot ; - deux lignes de bit ; - une cellule mémoire de type 4T incluant lesdits premier et deuxième transistors et incluant également des troisième et quatrième transistors et des troisième et quatrième plans de masse disposés à l'aplomb 35 respectivement des troisième et quatrième transistors entre la couche de matériau isolant enterrée et la couche substrat de silicium, le troisième transistor étant du même type que le premier transistor, le quatrième transistor étant du même type que le deuxième transistor, les premier et deuxième transistors étant de types opposés, les premier et troisième 40 transistors étant connectés pour former une bascule bistable présentant deux noeuds de stockage, les premier et deuxième plans de masse étant connectés à la grille du premier transistor et les troisième et quatrième plans de masse étant connectés à la grille du troisième transistor, les deuxième et quatrième transistors étant commandés par la ligne de mot pour connecter sélectivement les noeuds de la bascule bistable à des lignes de bit respectives. Selon une variante, les plans de masse des premier et deuxième transistors sont confondus et les plans de masse des troisième et quatrième transistors sont confondus. Selon encore une variante, les premier et troisième transistors sont de 10 type nMOS. Selon encore un mode de réalisation, le circuit intégré comprend des première et deuxième cellules mémoire de type 6T présentant chacune, une ligne de mot, deux lignes de bit, deux transistors de charge et deux transistors de conduction connectés pour former une bascule bistable présentant deux 15 noeuds de stockage, chaque cellule mémoire comprenant en outre deux transistors d'accès commandés par la ligne de mot pour connecter sélectivement les noeuds de la bascule bistable aux lignes de bit respectives, le premier transistor formant un transistor d'accès de la première cellule mémoire et le deuxième transistor formant un transistor d'accès de la seconde cellule 20 mémoire, les premier et deuxième transistors étant de même type. Selon une variante, les transistors d'accès et les transistors de conduction des cellules mémoire sont de type nMOS et les transistors de charge des cellules mémoire sont de type pMOS. Selon une autre variante, le premier transistor présente une différence de 25 potentiel entre sa source et son plan de masse sensiblement nulle, et le deuxième transistor présente une différence de potentiel entre sa source et son plan de masse sensiblement égale à une tension Vdd. Selon encore une variante, les transistors de conduction des cellules mémoire présentent un type de dopage de leur plan de masse identique à celui 30 du plan de masse de leur transistor d'accès, une épaisseur de la couche de matériau isolant identique à celle de leur transistor d'accès et une polarisation de leur plan de masse identique à celle du plan de masse de leur transistor d'accès. Selon encore une autre variante, un plan de masse est commun pour un 35 transistor de conduction et pour un transistor d'accès d'une des cellules mémoire. Selon encore une variante, les transistors de charge d'une des cellules mémoire présentent un plan de masse commun. Selon encore un autre mode de réalisation, le circuit intégré comprend 40 des première et deuxième portes logiques, chaque porte logique comprenant au moins deux transistors commandés par des bornes d'entrée respectives, ledit premier transistor formant un desdits transistors de la première porte logique et ledit second transistor formant un desdits transistors de la deuxième porte logique. Selon une variante, lesdits premier et deuxième transistors sont de type 5 nMOS. Selon encore une variante, la différence de potentiel entre le plan de masse du premier transistor et sa source est nulle, et la différence de potentiel entre le plan de masse du second transistor et sa source est égale à une tension Vdd. 10 Selon une autre variante, la couche de matériau isolant enterrée présente une épaisseur inférieure à 50nm et la largeur de la grille desdits transistors est inférieure à 50nm. Selon encore une autre variante, la couche de matériau isolant enterrée présente une épaisseur inférieure à la longueur de grille d'un desdits transistors. 15 D'autres caractéristiques et avantages de l'invention ressortiront clairement de la description qui en est faite ci-après, à titre indicatif et nullement limitatif, en référence aux dessins annexés, dans lesquels : - la figure 1 est une représentation schématique d'une cellule mémoire ; 20 -la figure 2 est une vue en coupe d'un transistor réalisé sur un substrat SOI muni d'une couche isolante enterrée ; - la figure 3 illustre la tension de seuil d'un transistor nMOS en fonction de différents paramètres ; - la figure 4 est un tableau fournissant des niveaux de tension de seuil d'un 25 transistor nMOS et d'un transistor pMOS en fonction de différents paramètres ; - la figure 5 illustre le courant de conduction d'un transistor nMOS en fonction de différents paramètres ; - la figure 6 illustre le courant de fuite d'un transistor nMOS en fonction de différents paramètres ; 30 -la figure 7 est un schéma électrique d'un exemple de cellule mémoire de type 4T selon l'invention ; -la figure 8 est un diagramme représentant respectivement les courants de drain en fonction de la tension de grille (de IOFF à ION) d'un transistor de conduction et d'un transistor d'accès ; 35 -la figure 9 est un diagramme représentant la marge de stabilité d'une cellule mémoire en mode lecture et en mode rétention en fonction de l'épaisseur de la couche isolante ; -la figure 10 est un diagramme représentant la marge de stabilité d'une cellule mémoire en mode lecture et en mode rétention en fonction du dopage du 40 plan de masse ; - la figure 11 est un diagramme représentant le courant de lecture de la cellule et le courant de fuite consommé en fonction de l'épaisseur de la couche isolante ; - la figure 12 est un tableau illustrant les performances électriques 5 respectives de deux types de cellules mémoire ; -les figures 13 et 14 sont des topologies pour les deux types de cellules mémoire comparées dans le tableau de la figure 12 ; - la figure 15 est une topologie d'une matrice de cellules mémoire ; -la figure 16 est un diagramme représentant une plage de tension de 10 polarisation d'une couche substrat ; - la figure 17 est un schéma électrique d'une variante de cellule mémoire de type 4T ; - la figure 18 est un schéma électrique d'un premier exemple de cellule mémoire de type 6T intégrée dans un circuit selon l'invention ; 15 -la figure 19 est une vue en perspective de la cellule mémoire de la figure 18 selon un exemple de topologie ; - la figure 20 est une topologie d'une matrice de cellules mémoire selon la figure 18 ; -la figure 21 est un schéma électrique d'un autre exemple de cellule 20 mémoire de type 6T intégrée dans un circuit selon l'invention ; -la figure 22 est une vue en perspective de la cellule mémoire de la figure 21 selon un exemple de topologie ; - la figure 23 est une topologie d'une matrice de cellules mémoire selon la figure 21 ; 25 -la figure 24 est un schéma électrique d'un exemple de porte logique intégrée dans le substrat d'un circuit selon l'invention ; -la figure 25 est une topologie de la porte logique de la figure 24 ; - la figure 26 est un schéma électrique d'un autre exemple de porte logique intégrée dans le substrat d'un circuit selon l'invention ; 30 -la figure 27 est une topologie de la porte logique de la figure 26 ; -la figure 28 est une représentation schématique d'un circuit intégré comprenant des portes logiques selon la figure 2 et des portes logiques selon la figure 26 ; -la figure 29 est un schéma électrique de mémoire de type 4T à 35 polarisation dynamique des plans de masse. On se propose de réaliser l'invention sur un circuit intégré muni de transistors, un premier transistor pouvant avoir une première tension de seuil alors qu'un second transistor peut avoir une deuxième tension de seuil. Afin de 40 moduler les tensions de seuil de ces transistors dans des plages de valeurs différentes, le premier transistor a un dopage de son plan de masse opposé à celui de sa source, alors que le deuxième transistor a un dopage de son plan de masse identique à celui de sa source. On utilise une épaisseur de couche isolante sous les transistors suffisamment faible pour que la première tension de seuil soit supérieure à la deuxième tension de seuil pour l'application d'une même différence de potentiel de référence. Les tensions de seuil et les différences de potentiel entre une source et un plan de masse seront identifiées en valeur absolue dans ce qui suit. La figure 2 représente un exemple de structure de transistor 1 réalisé en technologie SOI et muni d'un plan de masse. Le transistor 1 comprend une couche substrat de silicium 101. Le transistor 1 comprend une couche enterrée de matériau isolant 103 séparé de la couche substrat 101 par l'intermédiaire d'un plan de masse 102. La couche isolante 103 est surmontée par une couche active de silicium dans laquelle une source S, un canal 104 et un drain D sont ménagés. Le plan de masse 102 permet d'améliorer le contrôle électrostatique du transistor en limitant la pénétration des champs électriques générés par le drain et la source sous le canal 104. La réduction du couplage électrostatique latéral réduit les effets canaux courts et limite l'effet de déplétion par le drain DIBL. Le canal 104 est recouvert par une couche d'oxyde de grille 105. L'oxyde de grille 105 est surmonté par un empilement de grille comprenant une grille métallique 108 et une couche de polysilicium 111. L'empilement est délimité latéralement par des espaceurs 110. Des tranchées d'isolation 106 et 107 sont placées autour du transistor 1 entre la surface de la couche active de Silicium jusqu'en dessous de la partie inférieure du plan de masse 102 dans la couche de substrat 101. Les figures 3 et 4 illustrent des résultats de tests réalisés avec les paramètres de transistors présentant les caractéristiques suivantes : VDD=1 V L (longueur de grille effective)= 33nm de longueur de grille physique 30 Ts1 (épaisseur du canal)=8nm N0p (dopage du plan de masse)=1018cm"3 Ns (dopage de la couche substrat)=3*1015cm-3 Le potentiel de source est référencé à 0V Le canal 104 est faiblement dopé (équivalent au dopage NS du substrat). 35 La figure 3 illustre la variation de la tension de seuil pour un transistor nMOS en fonction de différents paramètres. Pour référence, la figure 3 illustre également la tension de seuil d'un transistor nMos dépourvu de plan de masse (courbe référencée W/O GP). Les deux paramètres influençant la tension de 40 seuil des transistors testés sont : l'épaisseur de la couche isolante (Tbox) et la polarisation du plan de masse par rapport à la source (Vbg-s désigne la tension entre le plan de masse et la source). Sur le diagramme de gauche, le dopage du plan de masse est opposé à celui du drain et de la source de son transistor (dopage P+ du plan de masse pour un transistor nMOS dont la source et le drain présentent un dopage N). Sur le diagramme de droite le dopage est identique (dopage N+ du plan de masse pour un transistor nMOS dont la source et le drain présentent un dopage N). Pour une épaisseur de couche isolante donnée, on constate que la tension de seuil du transistor à dopage opposé varie sur une première plage en fonction de la tension de polarisation, tandis que la tension de seuil du transistor à dopage identique varie sur une deuxième plage en fonction de la tension de polarisation. Pour une épaisseur de couche isolante de 10nm, la première plage s'étend entre 430 et 600mV et la deuxième plage s'étend entre 200 et 460mV. La valeur supérieure de la première plage est supérieure à la valeur supérieure de la deuxième plage. Lorsqu'une même tension de référence est appliquée entre le plan de masse et la source des transistors à dopage identique et à dopage opposé, la tension de seuil du transistor à dopage opposé est supérieure à la tension de seuil du transistor à dopage identique. On constate également que l'amplitude des première et deuxième plages s'accroît lorsqu'on diminue répaisseur de la couche isolante. Plus la couche isolante est fine, plus la valeur supérieure de la première plage augmente et plus la valeur inférieure de la deuxième plage baisse. Pour une épaisseur donnée de la couche isolante et avec un type de dopage donné du plan de masse, la tension de seuil des transistors varie respectivement dans les première et deuxième plages. Une baisse de la différence de potentiel entre le plan de masse et la source induit une hausse de la tension de seuil des transistors. Avec une couche isolante fine, un dopage opposé (dopage P+ du plan de masse pour un transistor nMOS) et une différence de tension réduite entre le plan de masse et la source, la tension de seuil du transistor est sensiblement augmentée par rapport au transistor de référence sans plan de masse. Une telle tension de seuil relevée sera désignée par la suite par Vth. Avec une couche isolante fine, un dopage identique (dopage N+ du plan de masse pour un transistor nMOS) et une différence de tension de Vdd entre le plan de masse et la source, la tension de seuil du transistor est sensiblement diminuée par rapport au transistor de référence sans plan de masse. Dans les autres cas (dopage identique avec Vbg-s=0 ou dopage opposé avec Vbg-s=Vdd), la tension de seuil est modifiée dans une moindre mesure par rapport au transistor de référence sans plan de masse, même avec une épaisseur de la couche isolante très faible. La tension de seuil du transistor de référence servira de tension de référence et sera désignée par le terme tension de seuil standard Vt. Dans rexemple illustré à la figure 3, la tension standard Vt du transistor nMOS est comprise entre 460 et 480mV en fonction de l'épaisseur de la couche isolante. Une augmentation de la différence de potentiel entre la source et le drain d'un transistor à tension de seuil Vth rapproche la tension de seuil de ce transistor de la tension de seuil standard Vt. Un changement de type de dopage du plan de masse d'un transistor à tension de seuil Vth conduit à un transistor à tension de seuil standard Vt. Bien que la figure 3 illustre le fonctionnement de transistors nMos, des résultats similaires sont obtenus. Les tensions Vth, Vtl et Vts des nMos et pMos pourront être légèrement différentes pour une même épaisseur de couche isolante. On pourra par exemple considérer qu'une tension de seuil est de type Vth ou Vtl si elle diffère d'au moins 5% par rapport à la tension de seuil standard Vts, de préférence d'au moins 10%, voire d'au moins 20%. On pourra également considérer qu'une tension de seuil est de type Vth ou Vtl si elle diffère d'au moins 30mV par rapport à la tension de seuil standard Vts, de préférence d'au moins 40mV, voire d'au moins 60mV. La figure 4 synthétise les variations de tensions de seuil obtenues pour une couche isolante fine en fonction de la polarisation et du dopage du plan de masse respectivement pour un transistor nMOS et pour un transistor pMOS. Vth correspond à une tension de seuil relevée, Vtl correspond à une tension de seuil rabaissée et Vt correspond à une tension de seuil standard. Gp-n désigne un plan de masse dont le dopage est de type n, Gp-p désigne un plan de masse dont le dopage est de type p. Pour obtenir un transistor nMOS à tension de seuil rabaissée Vtl, on applique une différence de potentiel Vdd entre le plan de masse présentant un dopage de type n et la source. Pour obtenir un transistor nMOS à tension de seuil relevée Vth, on applique la polarisation de la source sur un plan de masse présentant un dopage de type p. Pour obtenir un transistor pMOS à tension de seuil relevée Vth, on applique la polarisation de la source sur un plan de masse présentant un dopage de type n. Pour obtenir un transistor pMOS à tension de seuil rabaissée Vtl, on applique une différence de potentiel Vdd entre le plan de masse présentant un dopage de type p et la source. La figure 5 illustre l'évolution du courant de conduction d'un transistor nMOS en fonction des différents paramètres. Trois paramètres influencent le courant de conduction des transistors testés : l'épaisseur de la couche isolante, la polarisation du plan de masse et le dopage du plan de masse. Le courant de conduction d'un transistor de référence sans plan de masse est également illustré. Un dopage du plan de masse opposé à celui du drain et de la source permet de réduire le courant de conduction, tandis qu'un dopage identique à celui du drain et de la source permet d'accroître le courant de conduction. Plus la différence de potentiel entre le plan de masse et la source est importante, plus le courant de conduction est important. La variation des paramètres testés permet ainsi d'obtenir une augmentation du courant de conduction atteignant 200 pA/pm pour une couche isolante de 10nm d'épaisseur. La variation des paramètres testés permet également d'obtenir une diminution du courant de conduction atteignant 130pA/pm pour une couche isolante de 10nm d'épaisseur. Des résultats similaires sont obtenus avec un transistor pMOS. La figure 6 illustre l'évolution du courant de fuite en fonction des différents paramètres pour un transistor nMOS. Trois paramètres influencent le courant de fuite des transistors testés : l'épaisseur de la couche isolante, la polarisation du plan de masse et le dopage du plan de masse. Le courant de fuite d'un transistor de référence sans plan de masse est également illustré. Un dopage du plan de masse opposé à celui de la source associé à une différence de potentiel entre le plan de masse et la source réduite (transistor à seuil Vth) permet de réduire le courant de fuite par rapport au transistor de référence. Un dopage du plan de masse identique à celui de la source associé à une différence de potentiel Vdd entre le plan de masse et la source (transistor à seuil Vtl) accroît le courant de fuite par rapport au transistor de référence. Pour une couche isolante inférieure à 50nm, la variation des paramètres testés permet ainsi d'obtenir une modulation comprise entre 2 et 6 décades du courant de fuite entre un transistor à seuil Vth et un transistor à seuil Vtl. Les lignes en traits discontinus sur les figures 3, 5 et 6 représentent la limite entre ce qui sera considéré comme une couche isolante fine et une couche isolante épaisse. Pour les dimensions des transistors mis en oeuvre dans ces simulations, cette limite est approximativement de 50 nm. On constate en effet que des variations de tensions de seuil ou de courants de conduction deviennent significatives par rapport au transistor de référence sans plan de masse lorsque l'épaisseur de la couche isolante est inférieure à 50 nm. Avec L la longueur de grille du transistor, l'épaisseur Tbox de la couche isolante sera ainsi avantageusement choisie selon la règle suivante : Tbox La figure 7 représente le schéma électrique d'une cellule mémoire 2 de type 4T selon l'invention. Deux transistors de conduction MDL et MDR de type nMOS sont connectés de façon à former une bascule bistable, de façon connue en soi. Les transistors de conduction MDL et MDR sont réalisés dans des couches actives de Silicium. Les couches actives de Silicium surmontent une couche isolante placée au-dessus d'un plan de masse. Le plan de masse des transistors de conduction est connecté à la masse. La cellule mémoire 2 comprend deux transistors d'accès MAL et MAR de type pMOS. Les transistors d'accès MAL et MAR sont réalisés dans des couches actives de Silicium. Les couches actives de Silicium surmontent une couche isolante réalisée au-dessus d'un plan de masse. Le plan de masse des transistors d'accès est connecté à la masse. La source des transistors d'accès MAL et MAR est connectée respectivement aux lignes de bit BLL et BLR respectivement. La grille des transistors d'accès MAL et MAR est connectée à une ligne de mot WL. La source des transistors de conduction MDL et MDR est connectée à la masse. Le drain des transistors de conduction MDL et MDR est connecté au drain respectif des transistors d'accès MAL et MAR. La fonction des transistors de conduction MDL et MDR est de maintenir le noeud de stockage de niveau logique 0 proche du potentiel de masse en rétention. La fonction des transistors d'accès MAL et MAR est de maintenir le noeud de stockage de niveau logique 1 proche du potentiel Vdd en rétention et de permettre l'accès aux potentiels des noeuds de stockage lors des cycles de lecture et d'écriture. Les plans de masse ménagés sous les transistors MDL et MDR et MAL et MAR sont connectés à la masse. Une différence de potentiel de Vdd est appliquée entre la source et le plan de masse des transistors d'accès MAL et MAR, comme cela ressortira par la suite. Une différence de potentiel nulle est appliquée entre la source et le plan de masse des transistors de conduction MDL et MDR. Le dopage (P+) du plan de masse des transistors d'accès MAL et MAR (pMOS) est identique au dopage de leur source. Le dopage (P+) du plan de masse des transistors de conduction MDL et MDR (nMOS) est opposé au dopage de leur source. La cellule mémoire est avantageusement réalisée avec des transistors d'accès de type pMOS et des transistors de conduction de type nMOS, car les wafers sont habituellement fournis avec un dopage de type P par défaut, ce qui facilite la formation d'un plan de masse avec un dopage P+ approprié pour la modulation des tensions de seuil de ces transistors. La couche isolante sur laquelle les transistors MDL et MDR et MAL et MAR sont réalisés est fine au sens de l'invention, c'est-à-dire que son épaisseur permet de faire varier les tensions de seuil des transistors MDL et MDR et MAL et MAR avec les dopages et les polarisations appliqués sur leur plan de masse. Les transistors de conduction MDL et MDR présentent ainsi une tension de seuil relevée Vth. Les transistors d'accès MAL et MAR présentent ainsi une tension de seuil rabaissée Vtl. Les transistors d'accès MAL et MAR peuvent utiliser un plan de masse commun puisque celui-ci peut présenter le même type de dopage et la même polarisation. De même, les transistors de conduction MDL et MDR peuvent utiliser un plan de masse commun puisque celui-ci peut présenter le même type de dopage et la même polarisation. Le plan de masse peut même être commun aux transistors d'accès et aux transistors de conduction puisqu'il présente la même polarisation et le même type de dopage pour tous ces transistors. En mode rétention des données, les lignes de bit BLL et BLR et la ligne de mot WL sont polarisées au potentiel d'alimentation Vdd. Les transistors d'accès MAL et MAR sont alors à l'état bloqué. Dans l'exemple illustré, le transistor de conduction MDL est également dans un état bloqué contrairement au transistor MDR. La condition pour garder le potentiel du noeud L proche de Vdd et ainsi conserver le niveau logique 1 est que le courant de fuite traversant le transistor d'accès MAL (Imal-off) soit supérieur d'au moins 2 à 3 décades à la somme du courant de fuite traversant le transistor de conduction MDL (Imdl-off) et de celui tiré par la grille du transistor MDR (Imdr-g) r 1 MAL-01 • � I MDL-0! F + 1 MDR-G La cellule mémoire 2 proposée permet de satisfaire cette condition : les transistors d'accès MAL et MAR présentent une tension de seuil rabaissée Vtl (cf figure 4) qui permet d'accroître leur courant de fuite, alors que les transistors de conduction MDL et MDR présentent une tension de seuil relevée Vth (cf figure 4) qui permet de réduire leur courant de fuite (cf figure 5). Le respect de la condition de maintien du potentiel d'un noeud au niveau Vdd en mode rétention est ainsi facilité. La figure 8 (courant de drain en fonction de la tension de grille) montre notamment qu'avec des longueurs de grille Lg appropriées pour les transistors de conduction MDL et MDR et les transistors d'accès MAL et MAR (respectivement 55nm et 45nm), la condition sur les courants de fuite est aisément respectée puisqu'on obtient un écart entre les courants de conduction des transistors d'accès et des transistors de conduction de 2,5 décades. Il n'est alors pas nécessaire de prévoir des circuits additionnels de rafraîchissement des données dans les noeuds de stockage de la cellule mémoire 2. Le contrôle de la tension de seuil des différents transistors peut être réalisé simplement sur l'ensemble des cellules par la structure de ces cellules et par la polarisation appropriée des plans de masse. La complexité du circuit intégrant la cellule mémoire 2 peut ainsi être réduite et sa densité peut être accrue. Il est également possible d'éviter l'utilisation de circuits modifiant dynamiquement la tension de seuil des transistors des cellules, qui nécessiteraient la présence de contacts de substrat au niveau de la cellule. La complexité du circuit intégrant la cellule mémoire 2 peut ainsi être réduite et sa densité peut être accrue. En mode lecture, les lignes de bit BLL et BLR sont préalablement chargées à Vdd, puis la ligne de mot est polarisée à Vss (ou à un potentiel supérieur) pour rendre conducteurs les transistors MAL et MAR et ainsi permettre l'accès aux noeuds de stockage de la cellule mémoire 2. La stabilité de la cellule mémoire 2 dans le mode lecture dépend de la relation entre les courants de conduction des transistors de conduction et d'accès connectés au noeud de stockage de niveau logique O. Dans l'exemple de la figure 7, la condition pour garder le potentiel du noeud R proche de Vss (niveau logique 0) est que le courant de conduction qui traverse le transistor d'accès MAR (Invar-on) soit inférieur (d'au moins un facteur 2 à 3) au courant de conduction du transistor MDR (Imdr-on): I ;LMR-ON Le compromis de stabilité en rétention et en lecture de la cellule mémoire 2 peut être optimisé en fonction de l'épaisseur de la couche isolante et du dopage du plan de masse, comme cela ressort des diagrammes des figures 9 et 10. Ces diagrammes délimitent une zone d'optimisation dans la partie en pointillés, à la fois pour l'épaisseur Tbox de la couche isolante (figure 9) et pour le dopage NEP du plan de masse (figure 10), pour les paramètres de transistors suivants : VDD=1 V L (largeur de grille)=45nm Ts (épaisseur du canal)=8nm NEP (dopage du plan de masse)=1018cm-3 Ns (dopage de la couche substrat)=3*1015cm-3 Le potentiel de source est référencé à 0V Les courbes SNM correspondent à la stabilité en lecture, tandis que les 15 courbes RNM correspondent à la stabilité en rétention. En mode écriture, une différence de potentiel est appliquée entre les lignes de bit BLL et BLR. La ligne de mot est ensuite polarisée à Vss pour rendre conducteurs les transistors d'accès MAL et MAR. En fonction de la différence de potentiel appliquée entre les lignes de bit BLL et BLR, la cellule commute : si la 20 ligne de bit BLL est à l'état logique 0 et si la ligne de bit BLR est à l'état 1, alors le noeud L passe à 0 et le noeud R passe à 1. Bien que les tests effectués correspondent à une technologie FDSOI, des résultats similaires peuvent également être obtenus avec des technologies dites Localized FDSOI' et `Silicon on Nothing'. 25 Le diagramme de la figure 11 illustre la variation du courant consommé par la cellule en rétention (lleak) et du courant de cellule (ICeä) en fonction de l'épaisseur Tbox de la couche isolante selon une simulation. La ligne en traits discontinus illustre une limite de courant de fuite maximum qui peut être choisie 30 pour déterminer le dimensionnement des transistors. Une épaisseur de la couche isolante de 30 nm s'avère appropriée. L'épaisseur de la couche isolante pourra bien entendu être adaptée en fonction de la dimension des transistors. Ainsi, on peut envisager d'adapter l'épaisseur Tbox de la couche isolante approximativement de la façon suivante : Tbox La figure 17 est un schéma électrique dune variante de cellule mémoire 2 de type 4T réalisée en logique inverse. Dans cet exemple, la cellule mémoire 2 comprend des transistors de charge MLL et MLR de type pMOS formant les noeuds de stockage et des transistors d'accès MAL et MAR de type nMOS. Les transistors d'accès MAL et MAR sont formés sur une couche isolante mince surmontant un plan de masse présentant une différence de potentiel Vdd avec leur source et présentant un dopage N+ (dopage identique à celui de la source). Les transistors de charge MLL et MLR sont formés sur une couche isolante mince surmontant un plan de masse présentant une différence de potentiel nulle avec leur source et présentant un dopage N+ (dopage opposé à celui de la source). Les transistors d'accès MAL et MAR présentent ainsi une tension de seuil rabaissée Vtl alors que les transistors de charge MLL et MLR présentent une tension de seuil relevée Vth (cf figure 4). Les conditions de stabilité en lecture et en rétention sont donc ainsi plus aisément satisfaites avec cette cellule mémoire 2 en logique inverse. La figure 29 représente le schéma électrique d'une cellule mémoire 10 de type 4T dans lequel les plans de masse présentent une polarisation dynamique. Deux transistors de conduction MDL et MDR de type nMOS sont connectés de façon à former la bascule bistable avec deux noeuds de stockage R et L. Les transistors de conduction MDL et MDR surmontent une couche isolante réalisée au-dessus d'un plan de masse à dopage P+. La cellule mémoire 10 comprend deux transistors d'accès MAL et MAR de type pMOS. Les transistors d'accès MAL et MAR surmontent une couche isolante réalisée au-dessus d'un plan de masse à dopage P+. Les plans de masse des transistors MDL et MAL sont connectés au potentiel de grille du transistor MDR. Les plans de masse des transistors MDR et MAR sont connectés au potentiel de grille du transistor MDR. Dans l'exemple illustré, le noeud de stockage L mémorise une valeur de 1, alors que le noeud de stockage R mémorise une valeur de O. Le potentiel appliqué sur le plan de masse des transistors MDL et MAL est donc à la masse. La tension de seuil du transistor MDL est donc à Vth alors que la tension de seuil du transistor MAL est à Vtl (cf Fig. 4). Le potentiel appliqué sur le plan de masse des transistors MDR et MAR est donc à Vdd. La tension de seuil du transistor MDL est donc à Vt et la tension de seuil du transistor MAL est également à Vt (cf Fig. 4). Ainsi, on garantit d'une part la stabilité en rétention du noeud L à 1 avec des courants de fuite respectifs appropriés pour MDL et MAL, et d'autre part une consommation réduite pour le transistor MAR qui présente une tension de seuil supérieure à celle du transistor MAL: cette tension de seuil supérieure n'est pas préjudiciable au fonctionnement de la cellule 10 puisque la rétention du noeud R à 0 n'impose pas la même condition sur les courants de fuite. Les principales étapes d'un exemple de procédé de fabrication d'un circuit intégré de type FDSOI incluant de telles cellules mémoire pourront être les suivantes : en partant d'un wafer de type SOI, une couche d'isolant dépassant 140nm d'épaisseur peut être affinée par oxydation thermique et gravure humide. Des tranchées d'isolation sont ensuite formées. Des plans de charge aux dopages appropriés sont ensuite implantés sous les transistors nMOS et pMOS. Un diélectrique à constante diélectrique élevée tel que du HfZrO2 est déposé avec une épaisseur d'approximativement 2.5nm. Une grille métallique (par exemple en ALD TiN d'une épaisseur de 10nm) et une couche de polysilicium de 80 nm sont déposées pour former l'empilement de grille. Une lithographie à 193nm combinée à un rognage permet d'obtenir les dimensions de grille désirées. Des espaceurs de décalage de 10nm sont réalisée, puis on effectue une épitaxie sélective de 10nm dans des régions d'extension afin de réduire la résistance d'accès. Des extensions surélevées subissent une implantation. On réalise ensuite un espaceur de type Dshape, on réalise l'implatation de la source et du drain (activées par un procédé de type RTP spikes annear à 1080°C) puis une étape de siliciuration (NiPtSi). Des couches de nitride peuvent être ajoutées pour améliorer les performances. L'invention trouve également une application dans les cellules mémoire de type 6T, théoriquement plus rapides et présentant une moindre densité d'intégration que des cellules de mémoire de type 4T. Les cellules mémoire de type 6T sont également théoriquement plus stables en modes rétention et présentent une marge en écriture plus réduite. La figure 18 est un schéma électrique d'une cellule mémoire 4 de type 6T d'un circuit intégré selon l'invention. La cellule mémoire 4 de la figure 18 est destinée à optimiser la consommation électrique. De façon connue en soi, la cellule mémoire 4 comprend deux transistors d'accès MAL et MAR de type nMOS, deux transistors de conduction MDL et MDR de type nMOS et deux transistors de charge MLL et MLR de type pMOS. Les transistors de conduction MDL et MDR et les transistors de charge MLL et MLR sont connectés de façon connue en soi pour former une bascule bistable présentant des noeuds de stockage L et R. Les noeuds de stockage L et R sont sélectivement raccordés à la tension Vdd respectivement par l'intermédiaire des transistors de charge MLL et MLR. Les noeuds de stockage L et R sont sélectivement raccordés à la masse respectivement par l'intermédiaire des transistors de conduction MDL et MDR. Les noeuds de stockage L et R sont sélectivement raccordés aux lignes de bit BLL et BLR respectivement par l'intermédiaire des transistors d'accès MAL et MAR. La grille des transistors d'accès MAL et MAR est connectée à une ligne de mot WL. La grille du transistor de charge MLL et la grille du transistor de conduction MDL sont connectées au noeud de stockage R. La grille du transistor de charge MLR et la grille du transistor de conduction MDR sont connectées au noeud de stockage L. L'utilisation des transistors d'accès MAL et MAR de type nMOS permet théoriquement un accès aux noeuds de stockage de la cellule mémoire 4 plus rapide qu'avec une cellule mémoire selon la figure 7. Comme illustré dans la topologie en coupe de la figure 19, les transistors nMOS MAL et MDL sont réalisés sur une couche isolante BOX et surplombent un plan de masse GPP+. Les transistors nMOS MAR et MDR sont réalisés sur une couche isolante BOX fine surplombant un autre plan de masse GPP+. Le dopage des plans de masse GPP+ est opposé à celui de la source des transistors nMOS. Les plans de masse GPP+ sont connectés au potentiel de masse. La différence de potentiel entre ces plans de masse et la source de leurs transistors nMOS est donc nulle. Par conséquent, on obtient une tension de seuil relevée Vth pour les transistors nMOS (cf Tableau de la figure 4). Les transistors de charge MLL et MLR de type pMOS sont réalisés sur la couche isolante BOX et surplombent un plan de masse GPN+. Le dopage des plans de masse GPN+ est opposé à celui de la source des transistors pMOS MLL et MLR. Une différence de potentiel nulle entre le plan de masse GPN+ et la source des transistors MLL et MLR est appliquée. Par conséquent, on obtient une tension de seuil relevée Vth pour les transistors pMOS (cf Tableau de la figure 4). La figure 20 est une topologie d'une matrice 5 de 4 par 4 cellules mémoire 4. Les références 52 désignent les plans de masse de type P+. Les plans de masse 52 sont polarisés par l'intermédiaire des points de contact 51. Les références 54 désignent les plans de masse de type N+. Les plans de masse 54 sont polarisés par l'intermédiaire des points de contact 53. Dans la légende, les zones identifiées par MI correspondent aux zones de métallisation. Les zones identifiées par Gr correspondent à des grilles. Les zones identifiées par Zd correspondent à des zones de diffusion. Les zones identifiées par Sn correspondent à des implantations de caissons de substrat de type N. Pour gagner en densité d'intégration, la connexion électrique des couches substrat de type N et P est réalisée à la périphérie de la matrice, à l'extérieur des cellules mémoire 6. Afin de simplifier la réalisation des cellules mémoire 4, les transistors de charge MLL et MLR surplombent un même plan de masse GPN+. La figure 21 est un schéma électrique d'une cellule mémoire 6 de type 6T d'un circuit intégré selon l'invention. La cellule mémoire 6 de la figure 22 est destinée à optimiser le temps d'accès aux noeuds de stockage L et R. De façon connue en soi, la cellule mémoire 6 comprend deux transistors d'accès MAL et MAR de type nMOS, deux transistors de conduction MDL et MDR de type nMOS et deux transistors de charge MLL et MLR de type pMOS. Les transistors de conduction MDL et MDR et les transistors de charge MLL et MLR sont connectés pour former une bascule bistable présentant des noeuds de stockage L et R. Les noeuds de stockage L et R sont sélectivement raccordés à la tension Vdd respectivement par l'intermédiaire des transistors de charge MLL et MLR. Les noeuds de stockage L et R sont sélectivement raccordés à la masse respectivement par l'intermédiaire des transistors de conduction MDL et MDR. Les noeuds de stockage L et R sont sélectivement raccordés aux lignes de bit BLL et BLR respectivement par l'intermédiaire des transistors d'accès MAL et MAR. La grille des transistors d'accès MAL et MAR est connectée à une ligne de mot WL. La grille du transistor de charge MLL et la grille du transistor de conduction MDL sont connectées au noeud de stockage R. La grille du transistor de charge MLR et la grille du transistor de conduction MDR sont connectées au noeud de stockage L. L'utilisation des transistors d'accès MAL et MAR de type nMOS permet théoriquement un accès aux noeuds de stockage de la cellule mémoire 6 plus rapide qu'avec une cellule mémoire selon la figure 7. Comme illustré dans la topologie en coupe de la figure 22, les transistors nMOS MAL et MDL sont réalisés sur une couche isolante BOX et surplombent un plan de masse GPN+. Les transistors nMOS MAR et MDR sont réalisés sur une couche isolante BOX fine surplombant un autre plan de masse GPN+. Le dopage des plans de masse GPN+ est identique à celui de la source des transistors nMOS. Les plans de masse GPN+ sont connectés au potentiel Vdd. La différence de potentiel entre ces plans de masse et la source des transistors nMOS est donc de Vdd. Par conséquent, on obtient une tension de seuil rabaissée Vtl pour les transistors nMOS (cf Tableau de la figure 4). Les transistors de charge MLL et MLR de type pMOS sont réalisés sur la couche isolante BOX et surplombent un plan de masse GPP+. Le dopage des plans de masse GPP+ est identique à celui de la source des transistors pMOS MLL et MLR. Une différence de potentiel de Vdd entre le plan de masse GPP+ et la source des transistors MLL et MLR est appliquée. Par conséquent, on obtient une tension de seuil rabaissée Vtl pour les transistors pMOS (cf Tableau de la figure 4). La figure 23 est une topologie d'une matrice 7 de 4 par 4 cellules mémoire 6. Les références 72 désignent les plans de masse de type P+. Les plans de masse 72 sont polarisés par l'intermédiaire des points de contact 71. Les références 74 désignent les plans de masse de type N+. Les plans de masse 74 sont polarisés par l'intermédiaire des points de contact 73. Dans la légende, les zones identifiées par M1 correspondent aux zones de métallisation. Les zones identifiées par Gr correspondent à des grilles. Les zones identifiées par Zd correspondent à des zones de diffusion. Les zones identifiées par Sn correspondent à des implantations de caissons de substrat de type N. Le tableau suivant fournit des résultats de simulations réalisées pour une cellule mémoire 4 et une cellule mémoire 6. Cellule : SNM (mV) RNM (mV) ICELL (pAlpm) ILEAK (pAlpm) 6 195 339.8 26.5 15092 4 274.6 441.9 11.8 0.235 Conformément aux attentes, on constate que le courant de fuite d'une cellule 4 est très inférieur au courant de fuite d'une cellule 6. La cellule mémoire 4 munie de transistors à tension de seuil relevée présente ainsi une consommation électrique réduite en rétention. Le courant de fuite de la cellule mémoire 6 pourra cependant être réduit en augmentant l'épaisseur de la couche isolante BOX. De plus, cette cellule mémoire 4 présente une stabilité en lecture et en écriture supérieure à la cellule mémoire 6. Conformément aux attentes, on constate également que le courant de lecture de la cellule mémoire 6 est supérieur au courant de lecture de la cellule mémoire 4. Par conséquent, la vitesse d'accès aux noeuds de stockage de la cellule 6 est supérieure. L'invention permet ainsi de réaliser sur un même circuit intégré deux types de cellules mémoire présentant des propriétés distinctes à partir d'une même technologie, en différent pour l'essentiel le dopage et la polarisation des plans de masse des transistors de ces cellules mémoire. Bien que les exemples de cellules mémoire des figures 18 et 21 utilisent des transistors de charge MLL et MLR de type pMOS et des transistors d'accès MAL et MAR et deux transistors de conduction MDL et MDR de type nMOS, les cellules mémoire de type 6T peuvent également être réalisées en logique inverse. Les cellules mémoire 4 à faible consommation et les cellules mémoire 6 à accès rapide seront par exemple intégrées dans un circuit mémoire. Les cellules mémoire 4 pourront être utilisées pour des applications basse consommation et les cellules mémoire 6 pourront être utilisées pour des applications nécessitant une plus grande bande passante de calculs. L'invention s'applique avantageusement à des circuits intégrés comprenant des portes logiques devant présenter des propriétés électriques distinctes. La figure 24 est un schéma électrique d'une porte logique 8a destinée à présenter une consommation électrique réduite. Des transistors pMOS P1a et P2a et des transistors nMOS Nia et N2a sont connectés de façon connue en soi pour former une porte NAND2 présentant une borne de sortie Y. Des bornes de commande A et B commandent respectivement les grilles des transistors P1a, N2a et P2a, Nia. Les transistors pMOS et nMOS surplombent une couche d'isolant fine, permettant la modulation des tensions de seuil comme détaillé auparavant. Les transistors pMOS sont réalisés sur un substrat subN dont le dopage est de type N, ce substrat étant implanté sous forme de caisson dans un substrat de type P par défaut. Les transistors pMOS sont réalisés à l'aplomb d'un plan de masse GPn+ dont le dopage est de type N. La différence de potentiel entre le plan de masse GPn+ et la source des transistors pMOS est nulle. Par conséquent, les transistors pMOS présentent une tension de seuil relevée (cf figure 4). Les transistors nMOS sont réalisés sur un substrat subP dont le dopage est de type P. Les transistors nMOS sont réalisés à l'aplomb d'un plan de masse GPp+ dont le dopage est de type P. La différence de potentiel entre le plan de masse GPp+ et la source des transistors nMOS est sensiblement nulle. Par conséquent, les transistors nMOS présentent une tension de seuil relevée (cf figure 4). La figure 25 représente un exemple de dessin pour la porte logique 8a. Les zones identifiées par Ps correspondent à des contacts électriques de substrats. Dans cet exemple, les contacts électriques de substrat sont implémentés dans la cellule de la porte logique et directement connectés à Vdd ou à la masse. Les contacts électriques de substrat peuvent également être réalisés à rextérieur de la cellule afin d'accroître la densité en portes logique du circuit intégré. La zone Met correspond à une zone de métallisation. La zone Zdif correspond à une zone de diffusion. La zone G correspond à la grille des transistors. La zone Ct correspond à des contacts. La partie surplombant le plan de masse GPp+ correspond aux transistors nMOS, tandis que la partie surplombant le plan de masse GPn+ correspond aux transistors pMOS. La figure 26 est un schéma électrique d'une porte logique 8b destinée à présenter un courant de conduction élevé. Des transistors pMOS P1 b et P2b et des transistors nMOS N1b et N2b sont connectés de façon connue en soi pour former une porte NAND2 présentant une borne de sortie Y. Des bornes de commande A et B commandent respectivement les grilles des transistors PI b, N2b et P2b, N1b. Les transistors pMOS et nMOS surplombent une couche d'isolant fine, permettant la modulation de leur tension de seuil comme détaillé auparavant. Les transistors pMOS sont réalisés sur un substrat subP dont le dopage est de type P. Les transistors pMOS sont réalisés à raplomb d'un plan de masse GPp+ dont le dopage est de type P. La différence de potentiel entre le plan de masse GPp+ et la source des transistors pMOS est de Vdd (connexion du substrat à la masse). Par conséquent, les transistors pMOS présentent une tension de seuil rabaissée (cf figure 4). Les transistors nMOS sont réalisés sur un substrat subN dont le dopage est de type N, ce substrat étant implanté dans le substrat de type P. Les transistors nMOS sont réalisés à l'aplomb d'un plan de masse GPn+ dont le dopage est de type N. La différence de potentiel entre le plan de masse GPn+ et la source des transistors nMOS est de Vdd (connexion du substrat à Vdd). Par conséquent, les transistors nMOS présentent une tension de seuil rabaissée (cf figure 4). La figure 27 représente un exemple de topologie pour la porte logique 8b. Les zones identifiées par Ps correspondent à des contacts électriques de substrats. La zone Met correspond à une zone de métallisation. La zone Zdif correspond à une zone de diffusion. La zone G correspond à la grille des transistors. La zone Ct correspond à des contacts. La partie surplombant le plan de masse GPn+ correspond aux transistors nMOS, tandis que la partie surplombant le plan de masse GPp+ correspond aux transistors pMOS. La figure 28 représente schématiquement la disposition de différentes portes logiques de ces deux différentes sortes sur un circuit intégré 9. Les portes logiques ou cellules Cel peuvent être réalisées de façon à former des bandes présentant un même type de transistors disposés sur un plan de masse commun. Des rangées de cellules logiques sont séparées par des zones Ps de contact électrique. On disposera ainsi d'une bande de plan de masse dopée P surplombée par des transistors nMOS, d'une bande de plan de masse dopée P surplombée par des transistors pMOS, d'une bande de plan de masse dopée N surplombée par des transistors nMOS et d'une bande de plan de masse dopée N surplombée par des transistors pMOS. Les plans de masse dopés P sont connectés à Vdd, tandis que les plans de masse dopés N sont connectés à la masse, ce qui simplifie la connectique d'alimentation. Le circuit 9 peut ainsi présenter des portes logiques présentant différentes caractéristiques électriques, sans pour autant complexifier son processus de fabrication. Il n'est notamment pas nécessaire d'utiliser différents types de métaux pour réaliser les grilles des transistors du circuit 9. Bien que seule des portes logiques NAND2 aient été illustrées, l'invention s'applique bien entendu à tout autre type de porte logique. Bien que l'invention ait été décrite jusqu'alors dans des applications numériques, on peut également appliquer l'invention à des circuits analogiques comprenant des transistors utilisés en régime linéaire. REVENDICATIONS1. Circuit intégré (2) comprenant une couche active semi-conductrice séparée d'une couche substrat semi-conductrice (101) par une couche de matériau isolant enterrée (103), comprenant : - des premier (MDL) et deuxième (MAL) transistors ; - un premier plan de masse disposé à l'aplomb du premier transistor (MDL) entre la couche de matériau isolant enterrée (103) et la couche substrat de silicium (101); -un second plan de masse disposé à l'aplomb du deuxième transistor (MAL) entre la couche de matériau isolant enterrée et la couche substrat de silicium ; caractérisé en ce que : - le premier transistor (MDL) présente un type de dopage de son plan de masse opposé à celui de sa source, et présente une première tension de seuil (Vth) ; - le deuxième transistor (MAL) présente un type de dopage de son plan de masse identique à celui de sa source, et présente une deuxième tension de seuil (Vtl) ; -l'épaisseur de la couche de matériau isolant enterrée au niveau des premier et deuxième transistors est suffisamment fine de sorte que la première tension de seuil est supérieure à la deuxième tension de seuil lorsqu'une même différence de potentiel de référence est appliquée entre la source et le plan de masse des premier et deuxième transistors. 2. Circuit intégré selon la revendication 1, dans lequel la première tension est comprise dans une première plage et est fonction de la différence de potentiel appliquée entre la source et le plan de masse du premier transistor, dans lequel la deuxième tension est comprise dans une deuxième plage de valeurs et est fonction de la différence de potentiel appliquée entre la source et le plan de masse du deuxième transistor, la valeur maximale de la première plage étant supérieure à la valeur maximale de la deuxième plage. 3. Circuit intégré selon la revendication 2, dans lequel la valeur maximale de la première plage est supérieure d'au moins 10% à la valeur minimale de la première plage, et dans lequel la valeur minimale de la deuxième plage est inférieure d'au moins 10% à la valeur maximale de la deuxième plage. 4. Circuit intégré selon la revendication 2 ou 3, dans lequel la valeur maximale de la première plage est supérieure d'au moins 40mV à la valeur minimale de la première plage, et dans lequel la valeur minimale de la deuxième plage est inférieure d'au moins 40mV à la valeur maximale de la deuxième plage. 5. Circuit intégré selon l'une quelconque des revendications précédentes, dans lequel l'épaisseur de la couche de matériau isolant (103) est suffisamment fine pour qu'une réduction de la différence de potentiel entre la source et le plan de masse des premier et deuxième transistors induise une hausse des première et deuxième tensions de seuil. 6. Circuit intégré selon l'une quelconque des revendications précédentes, comprenant : -une ligne de mot (WL) ; - deux lignes de bit (BLR, BLR) ; - une cellule mémoire de type 4T (2) incluant lesdits premier (MDL) et deuxième (MAL) transistors et incluant également des troisième (MDR) et quatrième (MAR) transistors, le troisième transistor présentant une structure similaire à celle du premier transistor pour présenter une même tension de seuil, le quatrième transistor présentant une structure similaire à celle du deuxième transistor pour présenter une même tension de seuil, les premier (MDL) et deuxième (MAL) transistors étant de types opposés, les premier (MDL) et troisième transistors (MDR) étant connectés pour former une bascule bistable présentant deux noeuds de stockage, les deuxième (MAL) et quatrième (MAR) transistors étant commandés par la ligne de mot pour connecter sélectivement les noeuds de la bascule bistable à des lignes de bit respectives. 7. Circuit intégré selon la revendication 6, dans lequel les plans de masse des premier et troisième transistors (MDL, MDR) sont confondus et dans lequel les plans de masse des deuxième et quatrième transistors (MAL, MAR) sont confondus. 8. Circuit intégré selon la revendication 7, dans lequel les plans de masse des premier, deuxième, troisième et quatrième transistors sont confondus. 9. Circuit intégré selon rune quelconque des revendications 6 à 8, dans lequel la différence de pôtentiel entre la source des premier et troisième transistors et leur plan de masse respectif est sensiblement nulle, et dans lequel la différence de potentiel entre la source des deuxième et quatrième transistors et leur plan de masse respectif est sensiblement égale à une tension Vdd. 10. Circuit intégré selon l'une quelconque des revendications 1 à 5, comprenant : -une ligne de mot (WL) ; - deux lignes de bit (BLR, BLR) ;-une cellule mémoire de type 4T (2) incluant lesdits premier (MDL) et deuxième (MAL) transistors et incluant également des troisième (MDR) et quatrième (MAR) transistors et des troisième et quatrième plans de masse disposés à l'aplomb respectivement des troisième (MDR) et quatrième (MAR) transistors entre la couche de matériau isolant enterrée (103) et la couche substrat de silicium (101), le troisième transistor étant du même type que le premier transistor, le quatrième transistor étant du même type que le deuxième transistor, les premier (MDL) et deuxième (MAL) transistors étant de types opposés, les premier (MDL) et troisième transistors (MDR) étant connectés pour former une bascule bistable présentant deux noeuds de stockage, les premier et deuxième plans de masse étant connectés à la grille du premier transistor et les troisième et quatrième plans de masse étant connectés à la grille du troisième transistor, les deuxième (MAL) et quatrième (MAR) transistors étant commandés par la ligne de mot pour connecter sélectivement les noeuds de la bascule bistable à des lignes de bit respectives. 11. Circuit intégré selon la revendication 10, dans lequel les plans de masse des premier et deuxième transistors (MDL, MAL) sont confondus et dans lequel les plans de masse des troisième et quatrième transistors (MDR, MAR) sont confondus. 12. Circuit intégré selon l'une quelconque des revendications 6 à 11, dans lequel les premier et troisième transistors (MDL, MDR) sont de type nMOS. 25 13. Circuit intégré selon rune quelconque des revendications 1 à 5, comprenant des première (4) et deuxième (6) cellules mémoire de type 6T présentant chacune, une ligne de mot, deux lignes de bit, deux transistors de charge (MLL, MLR) et deux transistors de conduction (MDL, MDR) connectés pour 30 former une bascule bistable présentant deux noeuds de stockage, chaque cellule mémoire comprenant en outre deux transistors d'accès (MAL, MAR) commandés par la ligne de mot pour connecter sélectivement les noeuds de la bascule bistable aux lignes de bit respectives, le premier transistor formant un transistor d'accès de la première cellule mémoire (4) et le deuxième 35 transistor formant un transistor d'accès de la seconde cellule mémoire (6), les premier et deuxième transistors étant de même type. 14. Circuit intégré selon la revendication 13, dans lequel les transistors d'accès (MAL, MAR) et les transistors de conduction (MDL, MDR) des cellules mémoire 40 sont de type nMOS et dans lequel les transistors de charge (MLL, MLR) des cellules mémoire sont de type pMOS. 15. Circuit intégré selon la revendication 14, dans lequel le premier transistor présente une différence de potentiel entre sa source et son plan de masse sensiblement nulle, et dans lequel le deuxième transistor présente une différence de potentiel entre sa source et son plan de masse sensiblement égale à une tension Vdd. 16. Circuit intégré selon l'une quelconque des revendications 13 à 15, dans lequel les transistors de conduction (MDL, MDR) des cellules mémoire présentent un type de dopage de leur plan de masse identique à celui du plan de masse de leur transistor d'accès, une épaisseur de la couche de matériau isolant (103) identique à celle de leur transistor d'accès et une polarisation de leur plan de masse identique à celle du plan de masse de leur transistor d'accès. 17. Circuit intégré selon la revendication 16, dans lequel un plan de masse est commun pour un transistor de conduction et pour un transistor d'accès d'une des cellules mémoire. 18. Circuit intégré selon l'une quelconque des revendications 13 à 17, dans lequel les transistors de charge d'une des cellules mémoire présentent un plan de masse commun. 19. Circuit intégré selon l'une quelconque des revendications précédentes, comprenant des première (8a) et deuxième (8b) portes logiques, chaque porte logique comprenant au moins deux transistors commandés par des bornes d'entrée (A,B) respectives, ledit premier transistor (NI a) formant un desdits transistors de la première porte logique (8a) et ledit second transistor (Nlb) formant un desdits transistors de la deuxième porte logique (8b). 20. Circuit intégré selon la revendication 19, dans lequel lesdits premier et deuxième transistors sont de type nMOS. 21. Circuit intégré selon la revendication 20, dans lequel la différence de potentiel entre le plan de masse du premier transistor et sa source est nulle, et dans lequel la différence de potentiel entre le plan de masse du second transistor et sa source est égale à une tension Vdd. 22. Circuit intégré selon l'une quelconque des revendications précédentes, dans lequel la couche de matériau isolant enterrée (103) présente une épaisseur inférieure à 50nm et dans lequel la largeur de la grille desdits transistors est inférieure à 50nm. 23. Circuit intégré selon l'une quelconque des revendications précédentes, dans lequel la couche de matériau isolant enterrée (103) présente une épaisseur inférieure à la longueur de grille d'un desdits transistors.