FR 2948308 A1 20110128 FR 1056116 A 20100726 La prescntc invention se rapporte à del, patins de po(issa~gc trtilcs puer le polissage ou l aplanissement de sunstrats serai conducteurs. La production de semiconductcurs inrpliprrc de nraniérc t~piquc pILI,dCurs processus de polis ,irpc en c(~mhinai~(~n avec rulc ,(~lutioii de poli,sa~ue, telle dr.r'unc hàtc de hOlissucc contenant un ahrasil ou un liquide réactif' sans abrasif'. cnlcv c de la mutticrc en excès d'une nianicrc qui aplanit ou maintient une planéité pour la réception d'une couche suis ante. 1 :empilage de ces couches se combine d'une manière qui l'orme un circuit intégré. La fabrication de ces dispositifs à semi-conducteur continue à devenir plus complexe du fait des demandes de dispositifs avec des vitesses de fonctionnement cicvéc.s, des courants de fluide plus faibles et une consommation d-éncrgie réduite. E:n termes d'architecture de dispositif, ceci se traduit par des géométries à caractéristique plus fine et des nombres accrus de niveaux de métallisation. Ces exigences de conception de dispositif toujours plus strictes conduisent à l'adoption d'espacement de ligne de plus en plus petit avec une augmentation correspondante de densité de tracé ou de motif. L'échelle plus petite et la complexité accrue des dispositifs ont conduit à des demandes plus fortes de consommables de polissage mécano-chimique, tels que des patins de polissage et des solutions de polissage. De plus, du fait que les tailles des circuits intégrés diminuent, une défectivité induite par le polissage mécano-chimique, telle qu'une rayure, devient un problème plus sérieux. Par ailleurs, une épaisseur de film qui diminue des circuits intégrés exige des améliorations dans les défectivités tout en procurant simultanément une topographie acceptable pour un substrat de plaquette ; ces exigences de topographie demandent des spécifications de planéité, de creusement de ligne et de polissage à faible érosion de surface toujours plus strictes, Historiquement, des patins de polissage en pol~urcihanc moulé ont procure l inic~griic mécanique et la tesistuncc chimique paru' la plupart des allons de polissant utilisées pouf lubrique' des circuits intégrés. Par exemple. des patins de polissant en p01v11rct11a11e 1)111 une r~sist ) ou de matière diélectrique inter-métallique ( I. 11 y a un besoin continu pour des patins de polissage qui ont un taux dienlc curent accru en cotnhinaison avec dc> pertorriiunCes de delecti~ ite et une uniformité de plaquette acceptables. Ln particulier, il y inc demande pour des patin, de polissage convenant u un polissage ILD u ce un taux d'enlèvement d'oxyde accéléré en combinaison a\ ce des performances de polissage à aplanissement et dcleclivitc acceptables. Un aspect de la présente invention prévoit un patin de polissage prévu pour le polissage de substrats semi-conducteurs à motif contenant au moins du cuivre, une matière diélectrique, une barrière ou du tungstène, le patin de polissage comprenant une matrice polymère, la matrice polymère étant un produit de réaction polyuréthane d'un mélange polyol, d'une polyamine ou d'un mélange polyamine et de diisocyanate de toluène, le mélange polyol étant un mélange de 15 à 77 pourcent en poids de polypropylène glycol total et de polytétraméthylène éther glycol et le mélange de polypropylène glycol et de polytétraméthylène éther glycol ayant un rapport en poids du polypropylène `plyc•ol sur le polytétraméthylène éther glycol d'un rapport de 20 à 1 jusqu'à un rapport de 1 à 20, la polyamine ou le mélange de polyamine étant de 8 à 50 pourcent en poids et le diisocyanate de toluène étant de 15 à 35 pourcent en poids de monomère total ou de monomère de diisocyanate de toluène ayant partiellement réagi. Un autre aspect. de la presente invention prcyoit un patin de polissage prcv u pou'- le polissage de suhstr,us senti-conducteurs à motif contenant ait moins du enivre. une urttière diclectrigiu. truc hu riere ou du lui tcnc. le patin de polis;ac corupren,ant inc matrice pot}nitre. la matrice polymère étant un produit de réaction l~ol~urcthanc~ d'un ntclan~_=c 11olvol. dune polyamine ion d'un ntc~lan~~c poIvuniine et de dit>ocvaltatc de toluène. le ntcluriec polvHl étant Un Illel,tn,ec: de 21) ~i pourcent en Poids de polvprupvlcne elveol total et de p0lv1clrantclHlcne alter lulvc'ol Cl le ittcl,tn~_'e de ix>l~prop~ILne ~tivcoi et de pol~tctr,unc~ilt~lete éther ~el~c~,l ,Mani un r,upl,nrt en poids (lu pokprop~lcne I~.rol ,11r le pulllctr,uuctllvletie éther eh^col dun rapport de 1à à 1 ittsgtl u mi nippant de 1 ù 1à. Iut polyamine ou le ulclan_'e de polvan1ine ,tant de 10 u f5 iudurccnt en poids t l tlii,oc~anate cle tolucne ctUnt de Jt) l' U) pourcent en f~oid~ de monomère ou de monomère total ou de nionomcre (le diisoc}anate de toluène avant partiellement réagi. L'in\ ention prev oit un patin de polissage pré~ir prr l'aplanissement d'an moins un suhsudl ii senti-conducteur. optique ou magl tiglle, le patin de polissage comprenant une matrice polvnière. l n particulier. on a decouvert qu'une matrice polymère prosenant d'un produit de réaction pol}uréthane d'une polyamine et d'un mélange de polspropslcne col (PPG). de p o lvtetrametlivlcne éther glycol (Pl %IF G) et de diisoc.anate de toluène procure un patin niultitoriction utile pour le polissage de cuivre et ILD. En particulier, des patins Iabriquès avec ces plages peuvent procurer des performances de polissage améliorées comparés à des patins de polissage IC1000 standards de l'industrie a la fois pour des applications ILD et de cuivre. Les patins de polissage de l'invention sont efficaces pour le polissage de cuivre. En particulier, les patins peu s ent augmenter le taux d'enlèvement de cuivre sans une augmentation correspondante de défectivité. En variante, les patins peuvent réduire la défectivité sans une diminution correspondante du taux d'enlèvement. Pour la présente description, le taux d'enlèvement se réfère au taux d'enlèvement tel qu'exprimé en . lminute. Les patins de polissage sont particulièrement appropriés pour le polissage et l'aplanissement de matières diélectriques ILD comme dans des applications à matière diélectrique inter-couche (ILD) et sont appropriés pour des applications non ferreuses, comme l'aluminium, le cuivre et le tungstène. Les patins procurent un taux d'enlèvement amélioré par rapport aux patins courants, speciaiement dans les 30 premières secondes de polissage. La Jeponse acccicrée des patins pendant la première partie du polissage rend possible un della accru de plaquette en raccourcissenit le temps de polissage nécessaire pour enleser rote (luantitc spüeilicc de niatiere d'Une siirtace de plaquette riy 1 cnlcv enient pour un polis me II,I7 avec de la silice lmnee 30 secondes peut cire supérieur n i -,O A/minute. Par ailleurs. l'invention peul procurer un 30 tauy d'eulcvenient au moins lt) poncent plus clerc que le taux (l'enle~ement i 3f) 1 yr , ci?ilue~ uolnlc lpar pàtill', uc pi)~~~~aee ell pol ~ lu -ditine (C' 10 i o da(Is ie 111euie essai de lt>liss~l~~e. iIL loi)) pst une ddiioniina(iun c0uiniercale (le Dors' ldectr�onie 11~iterials ou ses Filiale t. De nrarii.'r;e nvlllitaneuve. le t,iu_v d'enlevenient luth les purins de polisso1ee de 1 \culi u il trcirte secondes leur le lolissnce de pinyucttes n feuille de J'OS a\ cc un abrasif contenant de 1a silice est cua1 ou supérieur au tau \ d'ente\ entent pour des patins de polissage IC1000 pour le polissage de plaquettes à feuille de TEOS a\ CC un ;ihrasif Contenant cic la silice à la lois à trcutc et à soixante secondes. IC 11)0(1'\' peut augmenter le taux d'crnlevcrnent de i I OS a\ cc le temps de polissage du tait qu'il comprend un isocvanatc aliphatique qui tend à donner un caractère thermoplastique à des pièces Ilabriquecs à partir des inuredierlts. Lc caractère thermoplastique des patins de poussage IC10H) s'avère faciliter urne augmentation de contact entre le patin de polissage et la plaquette avec une augmentation du tarir d'enlèvement jusqu'à cc qu'un certain maxjmoln dans le taux d'enlèv cmcnt apparaisse. ['ne surface de contact patin- plaquette croissante à des niveaux toujours purs élcves s'a~èrc diminuer le taux d'enlév ornent lorsqu'une pression de contact localisa, d'aspérité sur la plaquette diminue. Bien que le taux d'enlèvement puisse augmenter avec une teneur en abrasif croissante, une amélioration par rapport au taux d'enlèvement de patin de polissage IC1010 indépendante du niveau d'abrasif représente une avancée importante dans les performances de polissage. Par exemple, ceci facilite une augmentation de taux d'enlèvement avec une faible défectivité et peut diminuer les coûts de pâte. En plus du taux d'enlèvement, une non-uniformité à l'échelle de la plaquette représente également une considération de performance de polissage importante. De manière typique, du fait qu'une uniformité de plaquette polie est importante pour obtenir le nombre maximum de puces bien polies, la non-tutïfornmite à l'intérieur de la plaquette doit être inférieure à 6 pourcent. Pour la présente description. les � pot uréthanes � sont dos produits obtenus à partir d'isocranates difonctionncls ou pol}-fonctionncls, par exemple vies pol^éthcrruiécs, dos pol~isocvanura(es_ des pol~urethanes, dos pol. urées. des pol~urclhanc urces. clos copolymères dc• cctir-Ci et des nnéIaanpacs de roux-ci. I)cs patins cle poli Un rapport PPG/PTMEG d'un rapport de 2 à 1 jusqu'à un rapport de 1 à 2 est particulièrement intéressant pour un polissage de cuivre et ILD à fort taux. De plus, un rapport PPG/PTM IG d'un rapport de 20 à 1 jusqu'à un rapport de 2 à 1 et de préférence d'un rapport de 15 à 1 jusqu'à un rapport de 2 à 1 est particulièrement intéressant pour un polissage de cuivre et ILD à faible défaut. D'une manière similaire, un rapport PPG/PTMEG de 1 à 20 jusqu'à 1 à 2 et de préférence de 1 à 15 jusqu'à un 1 à 2 est également particulièrement intéressant pour un polissage de cuivre et 1ID à faible défaut. Le mélange liquide comprend du diisocyanate de toluène (TDI) comme monomère ou monomère ayant partiellement réagi à 15 à 35 pourcent en poids. Pour la présente description, le monomère ou monomère ayant partiellement réagi TDI représente le pourcent en poids de monomère TDI ou de monomère TDI ayant réagi dans un pré-polymère avant durcissement du polyuréthane. De préférence, le monomère ou nrouoniére ayant partiellement réagi TDI représente 20 â 30 pourcent en poids. De maniera optionnelle, le diisoc~anatc ilc toluène aromatique peut contenir de l'isocyarratc aliphatique. De préférence. 1'i~~~e~anate aromatique poklouclionncl contient nnoins de 15 pourcent en poids (I'isocyanaies aliphatiques et de picicrencc moins de 12 pourcent en poids d'isoc>anale aliphatique. Dc prélelencc eueere, le mélange contient seulement des niveau.y d'impureté (I anale aliphatique. tin cyeruplc parliculicr de pré polvrui're à hase de PI \II ( approprie iO capuhIc de produire des polvincres clans celte plage (le diisoc~anatc ilc toluène cst le pré-polvrncre \dipienc1.1 7501) 1ulpriqué par (hcnuura. Des c.vcnrples de picpolvntcres ,r l~a~e de PPG ,rppioprics comprennent Ir pie-polvincrc \diprcne I l(;" loi) et I1 �Mo \. De phis. 1 1 751)1). I 1 G7-1Ol) et 11 Gc)(G.A represenicnt clos pI ' pul~nrcres u iail~lc kic\au~rle lil~rr étui ont moins de III polnrcenl en poids clrrcnn de inonomcres IDI .-I et 2.( libres et ont une disirihution de poids moléculaire de prépolYnleiC plus CUnstaIltC qnc de,., pI'e poIvn1CI'Cs ConvcntiOnilck. Ides pI'C pol~mCCes faiblement libres a\ ce unc cOnstantc de poids moléculaire de pré-polyni~~rc améliorée et un monomère a faible'soc vanale libre facilitant une structure de polymère plus régulière. et contribuent à une constance de patin de polissa~cc améliorée. lai matrice pol y mère a de manière l y pique des rmitiCres premières incluses av cc un rapport molaire de poli angine N112 sur prll}`ol 01-1 d'un rapport de 4 â 5 jusq u.'a un rapport de 5 à I : et un rapport molaire de Polyol 0I1 sur isocyanatc NCO d'un rapport de 0,9 à 1,0 jusqu'a un rapport de 1,1 à 1,0. Certains des groupes OH peuvent provenir de polyols à faible poids moléculaire ou d'eau, ajoutée de manière intentionnelle ou par exposition à de l'humidité accidentelle. Le polyol ou la pot}amine peut avoir réagi partiellement avec de l'isoc) anate afin de former un pré-polymère avant de produire la matrice polymère finale ou peut être ajouté à l' isocyanate dans un processus en une seule étape. De manière typique, le mélange de réaction contient de 8 à 50 pourcent en poids d'une polyamine ou d'un mélange contenant une polyamine. De préférence, le ge contient de 10 à 45 pourcent en poids de la polyamine ou du mélange contenant une polyamine. Par exemple, il est possible de mélanger la polyamine avec une amine alcoolique ou une monoamine. Pour la présente description, les polyamines contiennent des diamines et d'autres amines multifonctionnelles. Des exemples de polyamines comprennent des diamines ou des polyamines aromatiques, telles que 4,4'- méthylène-bis-o-chloroaniline (MBCA), 4,4'-méthylène-bis- (3-chloro-2,6- ditliylan il me) (MCDEA) ; diméthylthiotolucnediamine ; triméth^.Ieneglycol di-p- anlinohenioate : polvtétramethilcnco.xyde di-1l--anlilrohenzoate polytétraméthylen_e- oxvdc 1110110-p-arninObenioalc ; polmpropxlcneoyvdc di p-aminohcnzoate pol\ prop~lcncov de mono-p-aininohenioaic 1?-bis(2-aminophcn\ lthio)ctlianc lncihvrlcne-his-aniline : diccihvltoluèncdiani ne 5-tort-?.L et 3-icri-hul^l toluèredianiine : 5-icrt-a1v1 ?.-I ei -tant uilvl-2Jntolucncdiarriue et clllorotc>lucncdi,inuinc. 1 ne addition de N1H(A replesenie la polyaminc prclPrcr il est possible de 1,1hripticr des pl,lvini'res d urctluluc pou' des patins de pl,li�a~ac avec unc nliyuc clapc de mclaunc (ni IlvCC l'utiliation de prc pol~rucres. I_es composants (In poly unie utilise pour fahripUer le patin de polissage nl de prcicrence Cl1(1 ls de Telle soue pue la iuo pliolonic dC patin l'e>illllinle' est slahlC ici (,icilenierlt rcl~ri~duclihlc. r cycnllplc. I'~r du rrcl,ulee de i. I' illcith~ J aie his 0- cliloro La matière polymère polyuréthane est de préférence formée à partir d'un produit de réaction pré-polymère de diisocyanate de toluène avec un mélange polytétraméthylène éther glycol/polypropylène glycol et une polyamine. De préférence, la polyamine est une diamine aromatique. De préférence encore, la diamine aromatique est de la 4,4'-méthylène-bis-o-chloroaniline ou de la 4,4'-méthylène-bisù(3-chloro-2,6- diéthylaniline). Le patin de polissage est utile à la fois dans des configurations poreuses et non poreuses ou non chargées. Le patin de polissage fini a de préférence une densité de 0,4 à 1,3 -/em3. Pour des patins poreux, les patins de polissage en polyu ont (1e nianiere typique une densité de 0,5 h 1 g/cm', il est possible d'ajouter (le lu porosité par I inicrniddiaire de dissolution de gaz_ d'agents de soulfluge, de nioussage uiccanigiio et d iniroduclion de ruirrosphdmcs croises. Inn fonction du oiseau de porl~sïlc et de la composition, le Matin (1e polia~_=e. a de nlaniemC tvpi(Iuc (1110 dureté Shore 1) de 2)) u 71). Pour lit présente description. 1'sai Shore 1) comprend le lait de conditionner des échantillons (le potin cri les playlnl dans une hune (1ite relative ii .7,0 poiircent 2O pCridunt cinq jour', u k uv nu l essai et en utilisant une nlétllodolo~ie décrite dans 31omn10 A I S\1 D22111 afin d'anieliorem la rcproduclihilité des usais de (hélé. 1.0 porosité a dC n1,11 iéme typique un cli(Intelro niovoi de 50 uni. De prcl~~r~ncr, la pot) itc apparail ;l pa lir de particules pvnléres crrus,s av~ull une forure ~phcriq '. DC pr~'lemence, lei p;lrticdcs potvn1L'I '> ~'11otH0 ont tin dhnnletre illoven pondéré de i 4)) fun. Pour la présente description, le diamètre moyen pondéré représente le diameorc des particules polymères creuses avant moulage : et les partieules peuv eut a\ ou- une forme sphériqueou non sphérique. De preterenee encore. le partietiles pc lyni 'res creuse, ont un diamètre moyen pondère de 10 Tableau 1 1' lonhit 11)[ TLI miur nin~ Hl I iit.il '11\11 (1 nrly t'PG i~rt ln Cn max min uu 111111 n;l~ mm ~'- Ott { Pif nriy ris, R n ( ~n (( .n en en ni~l,` hr~i~i,i ~' Jii iirl.~ ris) hi 1 ~r~i~l•~ I 1 1 is.l)h s (,s~ (,,.'I s-.r,; I 11 h 1 I a~,s~l l.~ t (I`)' (,.~~I h_°[c 1 (,. 1 1( l H 2 1.1-5. 1!i,s6 211,52 14. 56,30 21,613 ,,.4 50,11 .55.2.2. 6 1 I I s.06 I 56. 1 57,65 1 1( 5o.so 31,54 7 24,54 19,86 26. 54 91- 20 ) 24,53 25,54 . 30,85 ,06 s.os 56,21 5 (-5 75,41 26,11 30,50 31,54 9 54 19.s6 j 'O., 2 84.91. 0 6 24H 30.] 80s8 10 1 1 )•)16, 9 ) ,5-5 î 41,60 -12.68 12,61 12,59 11 25,16 18,66 I).22 22,02 54.00 40, 41,42 12,'4 12,53. 12 27,81 28,66 17,27 17 80 33,55 54,92 41,09 42,14 12,45 12,74 13 27,51 2 ,3 1 18,15 s.69 32,97 54,34 40,65 -11473 12,32 12,60 .... 2 14 27,96 28,61 16,83 17,33 s4 55,21 41,32 4141 12,52 6..22 12,51 15 27,66 28,50 17,71. 18,25 54,63 40,87 11,96 12,39 12,67 16 21,98 22,89 14,33 14,92 62.1' 63,69 10,63 10,92 51,56 52,77 17 21,44 22,30 16,44 17,10 60,60 62,12 10,36 10,65 50,24 51,47 18 21,76 22,65 15,19 15,41 61,55 63,05 10,52 1.0,81. 51,02 52,24 19 21,54 22,41 16,03 16,67 60,91. 62,43 1.0,41. 10,70 50,50 51,72 20 21,87 22,77 14,76 15,37 61,87 63,37 10,58 10,87 51,29 52,51 21 21,65 22,53 15,61 16,24 61,23 62,74 10,47 10,76 50,76 51,98 22 29,66 30,62 17,76 18,37 51,01 52,59 25,51 26,21 25,51. 26,38 23 30,51. 31,53 15,39 15,93 52,54 54,10 26,27 26,96 26,27 27,14 24 30,22 31,22 1.6,19 16,76 52,02 53,59 26,01 26,71 26,01 26,88 25 30,22 31,22 16,19 16,76 52,02 53,59 26,01 26,71 26,01. 26,48 26 29,66 30,62 17,76 18,37 51,01. 52,59 25,51 26,21 25,51 26,38 27 29,11 30,04 1.9,27 19,91. 50,05 51,62 25,02 23,73 25,02 28 10.0-1 19,27 19.91. 50,05 2 25,02 25,89 30,5 I.', 1, 39 12 H x.'.. 11 1 ,1H) 0,27 26.% 14 i0 - 26686 7P.6() .110 ,6 15 24. 1� 1 H) i 22,00 ).66 51,0( 62. .16.66 14 . (0)6 20,6 658 51,15 25,46 6,66 s -6) 66 i. I n.00 ),(ä)^ 18 H i Ji() ) (666 iu.60 37 30 60 À. ,62 51,46 36 ,56 17.0; I 52 5)).62 5 2H5 10,74 4 H2 10,18 10,5 2 is ) 2s.09 2 0) is )9 H 9,66 J)),i)I) 40 31)�_ 13(~u ,64 l ,~.ä 1U,~ , 1l,Ul 4,311 I l 41 08 22.2)) 13,60 14,17 5 2,64 55 ~1 10,7_; 11,111 42,01 4-4.24 42 ~n 20 j 31,91 I4.) 4,92 ) ,1 4..00 111.6. 111,02 45 97 A 1().-41 21.) ) 1 15,6 16. 64,96 0,60 O.00 6.~,_?O 61,96 B 10,44 1 20,29 15,63 16_ 1 N$.2 6-49)6 0,00 f),i)t) H. 5 6-1.O6 C 19,85 20,77 13,70 14,3 4 6 o59 66,43 0,00 02)1) (~ 4.5J 06,43 D 19,53 20,77 13,70 1434 N-0 X9 66,45 0,00 00110 6 4,59 66,45 E 1).5~ 2077 13,70 14,34 6.1.s9 66,45 0,00 0,00 6-4.59 66,48 F 91,41 20,29 15,63 163'1 02,38 64,96 0,00 0,00 63,25 64,96 G 19,85 20,77 13,70 14,34 64,89 66,45 0,00 0,00 1,89 66,45 H 19,41 20,29 15,63 16,34 63,38 64,96 0,00 0,00 63,38 64,96 1 28,07 28,81 22,60 23,20 47,99 49,33 47,99 49,33 0,00 0,00 J 28,07 28,81 22,60 23,20 47,99 49,33 47,99 49,33 0,00 0,00 K 27,48 28,18 24,24 24,86 46,96 48,29 46,96 48,29 0,00 0,00 L 31,18 32,39 13,04 13,65 53,96 55,78 0,00 0,00 53,96 55,78 M 21,38 22,09 19,86 20,30 51,24 52,35 51,24 52,35 0,00 0,00 Tableau 2 ha on 1)1111c (1c porc nominale Niveau de pore nominal (% en poids) 20 2,25 0 4 6 20 7 20 20 20 ï i. 0 0.75 20 0,75 0 14 0,75 20 0,75 20 0 17 20 20 0,75 7 20 21. 20 0,75 22 2 9 20 0 2,25 24 20 2,25 25 20 0,75 26 20 0,75 27 20 2 20 2,25 2,25 0,75 .5 29 20 0 20 2,25 4 31 20 2 2 20 1,34 4 4 20 2,25 0 C 4(1 tu 0,5 4U F 40 0,5 40 1,25 H 20 20 0,75 40 0,75 K 20 0,275 20 M 40 1.5 Des niveaux de pore sont représentés dans le tableau 2 comme pourcent en poids nominal afin de donner une compréhension plus constante du volume de pore du fait que des types et des tailles de microsphère creuse différents ont des densités différentes pour les mêmes volumes de pore. Tous les niveaux de pore sont exprimés en teiines de pourcent en poids de Expancel 551 DE40d42. Pour des essais de polissage de cuivre, des patins de polissage d'exemple faisaient 2,0 mm d'épaisseur et étaient rainurés avec un pas de 3,0 mm, une largeur de 0,51 mm, une rainure circulaire de 0,76 mm de profondeur avec un dessin de rainure d'axe x-y superpose ayant un pas de 14,7 mm et empilés sur le sous-patin SP2310. Ils ont cté testés sur une polisseuse Mirra� de Applied Materials, Inc. Un rodage initial de patin a cté réalise en utilisant un disque de conditionnement Dia~crid� AD313G150 30 av CC une I�)rce %crs IC 1)as de 62 liPu pendant 60 minutes suivi par un polissage de 20 plaquettes de cuivre factices pendant 0) secondes chacune en utilisant une y itesse de r0latll)11 (Ic platine (lc 93 1Oins par minute. ln7C v tusse de rotation de tete de support de plaquette de 87 11,iirs par nlinutc et une f()rce ~crs le pas de 20.7 POa. La pâte de lioliss,lpe était 1,1'1.2 ni et etail d111vrcc sui la surface de patin de polis,acc â un débit (IL' 01) lnl/nlinutc Cl Chili Uliliscc polir un 10(14:10 (]e patin initial et peur 10(11 le pulissa~~e (I(' pla(InCtic. 1ln IICUoy I_ir IL' 1 uny et lu (Ictcctiv IL.' ('luil réuli Des taux d'enté veriterit étaient mesurés en comparant des mesures de plaquette pré-polie avec des mesures d'épaisseur de filin de plaquette pré-polie en utilisant l'outil ResMap RS200 de CDE Corporation. Pour les patins représentés dans le tableau 3, la défectivité était mesurée en utilisant l'outil Orhot"1 WF-720 d'Applied Materials avec un moyen de rayure. Les défauts identifiés étaient ensuite revus en utilisant un microscope Leica et des rayures, des stries et des ondulations étaient comptées. Des micro-rayures et des ondulations sont définies comme celles 10 p.m. I :Huon 3 1 [ 1 Tableau 4 Echantillon CU RR RR normal CU NU% Compte de Compte de 20,7 kPa pour moyenne NU% - normal pour revue de revue normal (Àlminute) de contrôle 20,7 moyenne de défectivité SP- SP- t pour (Âlminute) kPa contrôle 1 (20,7 kPa) moyenne de contrôle 2 7301 1,00 2,2 0,7 66 1.30 10 7549 1,1.4 4,1. 0,9 1.0 0,49 11 6989 1,06 3,3 0,7 10 0,44 12 7572 1,14 6,6 1,6 13 0.61 13 7075, 1,09 3,4 0,9 9 0.52 14 f,~i~)( 1,07 2,3 0,6 10 0,57 t; s? 1.04 .ft 0,7 6 11.34 16 r r r.`r-t l.n u. t. 5 (ru r 1.1. oor, u,_1 6 u 0.^(i n.2 4 u,r ~s ) r r,1t; ~.u' Lt 0,6 5 ii: pi h_; (s U~~ I - 0.5 5 ., I -160 3,7 0,9 18 821S 4 2,5 0,5 0,67 7S .' 1 1,08 3,6 0,5 45 0,59 26 0,7 0,7 171 28 0,7 0,7 0,19 1,13 6,7 1,3 1,10 35 1,18 4,1 0,8 20 1,07 36 6700 1. .09 7.0 1,4 9 0,82 37 7706 1,18 3,9 0,8 18 0,92 38 6491 1,05 4,5 0,9 15 1,32 39 6176 1,00 4,1 0,8 1.7 1,58 40 7961 1,14 4,4 0,9 26 0,71. 41 8174 3,6 0,7 32 0,86 42 7232 0,7 37 1,01 5981 0,91 7,4 1.2 47 1,88 6876 1,00 5,9 1,0 39 1,00 (U RR : Taux d'enlc v crlcnt. du cuivre en utilisant le patin de l'exemple lZl. normal pour nm)ennu de corolle : Taux d'enlèvement du cuivre en utilisant le patin de l'exemple dli~ i,u pur le taus ci'cnlcvrnlcnt niu cri du cuivre en utilisant un patin CCJP4410 CU NLINun unir ~lnnirc du cuivre en utilisant le patin de l'exemple NU% - normal pleur iii vanne de cnntrcrlc : Nr+n uniformité du cuivre en utitikunt le paon dL l'cycmplc i,ec par la non -unii),rmilc nu~vrnnr Diu cuivre cll utilisant patin ('t 151410 Crmlplc rlc rrvuc de dcicutivitc S1'-1 I)cicniiuitc dd'Huc Lacs palin~ (1'cycIniIc lt) ït 15. ~_~. 1. _' IO ut 1I Tableau 5 l:chantillon RR 30 RR 60 WIW RR 30 RR 60 N° de Comptes sec�) rides secondes NU secondes secondes comptes de dc(,aut (1\lnllnute) (.A/Ininulc') ( ) IIormuhhse normalise dC déplut nom-L(IX (.A /minute) (~Atminute) 22 `3876 4143 4,0 1. t 1.(o 39* 0.55 ?3 4{t73 4395 3,5 t .1 1.1 1 16 0.48 i i5 1.(n l 5 I I, gin, 4,2 1.11; 1.(I, t4 s 5,1 U. H ,1 a 1 a i 1.04 16i 1,71 tin) 12,1 1,00 tcprescaté uuc (n.enn. c plusicurs playucitcs 1z 1z 'tO ctontles \ Venkventent du cuivTe en [anisant un patin de 'n[ >u aides nié tIlsst 1 nu scLon,ics: tain, d-cinc^etrtint du cuivre en utilisant un patin nlu Ç: \CInpIcI accu 6t) sucun~_fe, ale unit. \VI\\ NU (%) : non uniformité dans la plaquette entniles normalisé tau \ \ Liment al() secondes en utilisant un patin de l'etutnple diti.é par un taux (enie \ entent minet-1 a di seLondes en utilisant un patin CUI' 1-1 [ 0 RR 60 secondes normalisé : tour dIenlè^nnent nu secondes en utilisant un patin delle cmplc divisé par un lauiç d'unie cillent moyen à 60 secondes en utilisant an patin CUP4410 Les patins d'exemple 22 et 23 donnaient 15 pourcent d'augmentation de taux d'enlèvement à 30 secondes par rapport au patin IC1010 et 10 pourcent d'augmentation de taux d'enlèvement à 60 secondes, alors qu'ils donnaient environ 50 pourcent de défauts en moins. Les patins d'exemple 27 et 30 à 33 donnaient des taux similaires au IC 1010, mais donnaient moins de défauts. Le patin de polissage en polyuréthane multifonction de l'invention facilite le polissage dans une pléthore d'applications de polissage. Par exemple, le patin de polissage PPG/PTMEG-polyamine-TDI est efficace pour les applications de poli,sagè tic cuivre à Fort taux. cui\ re faible délècti\ ité, plaquette à motif, 'IFOS, TEOS Iota taux. -1rOS t faible délectl\ ilé et S-11. En particulier, le patin de polissage peut tlUgHICHICI le taux d'CHIC CMCHI pour dcn, appliCatiOln, dC cuire et TLOS avec une delcuti ité Lailll alerte améliorée pal' rapport aU de pu! l 1 ICIOOO la 1)01\ 01 unique. Dune manière similaire. le patin de polissage peut diminuer la (lek:JR Ité polir dd,t ,Ippildalaill\ de cil] \ IC (lu LOS avec Hll taux aient ou dIlléliOrd par rapport an, patins de poli~saee 111000 polyol REVENDICATIONS1. Patin de pulissaac COI1\ Cflàllt dii polissage de 111l',I_n1t,, serai condticte(.trs a COInenàlit an moins LIU CHI\ I-C, une n11,1nel-C1 dIelCell'IqLlC, une barrière ou du t(InsplIlle, le 'latin de q0ll',,,dge étant CaFaCteFINC en ce Une matrice pol^.niere, la matrice pol.).mère étant un produit de réaction, polyuréthane d'un mélange polyol, d'une polyamine ou d'un mélange polyamine et, de diisocyanate de toluène, le mélange polyol étant un mélange de 15 à 77 pourcent en poids de polypropylène glycol total et de polytétraméthylène éther glycol et le mélange de polypropylène glycol et de polytétrniléthyletie éther glycol ayant un rapport en poids du polypropylène glycol sur le polytétnnnéthylène éther glycol d'un rapport de 20 à 1 jusqu'à un rapport de 1 à 20, la polyamine ou le mélange de polyamine étant de 8 à 50 pourcent en poids et le diisocyanate de toluène étant de 15 à 35 pourcent en poids de monomère total ou de monomère de diisocyanate de toluène ayant partiellement réagi. 2. Patin de polissage selon la revendication 1, caractérisé en ce que le rapport en poids du polypropylène glycol sur le polytétraméthylène éther glycol est d'un rapport de 2 à 1 jusqu'à un rapport de 1 à 2. 3. Patin de polissage selon 1 revendication 1, caractérisé en ce que le rapport en poids du pol^ pl lenc glycol sur le poltellamethylène éther glycol est d'un rapport de 20 à 1 jusql('à un rapport de 2 à 1. 4. Paon de polissage selon la revendication 1. caractérisé en ce que le rapport pokk du pol prop^lene sur le pol^iétrainc(HIene cihcr iii^col est d'un rapport de 1 2() jusqu'à rapport de I à Patin de selon lune clos revendication, C,111àClell C ce pue Matin de C une durcie Blanc l) de 2(1 J O.6. Patin de polissage coin errant au polissage de substrats serai conducteurs motif contenant au moins du cuire. une matière diélectrique. une barrière ou du tungstène. le patin de polissage étant caractérise en cc qu'il comprend une matrice polymère, la matrice polyiucrc étant un produit de réaction polyurdihanc d'un mélange polyol. thune polyamine ou d'un mélange polyamine et de diinocvanate de toluène. le mélanec polyol étant un mélange de 20 à 75 pourcent en poids total de polypropylène ~~lycol et de polytétraméthylène éther glycol et le mélange de polypropylène glycol et de polytctrainéthvUme 21hcr glycol ayant un rapport en poids du polypropylène glycol sur le polvtctramétL lève éther glycol d'un rapport de 15 à 1 jusqu'à un rapport de 1 à 15, la polyamine ou le mélange de polyamine étant de 10 à 45 pourcent en poids et le diisocyanatc de toluène étant de 20 à 30 pourcent en poids de monomère ou de monomère total ou de monomère de diisocyanatc de toluène ayant partiellement réagi. 7. Patin de polissage selon la revendication 6, caractérisé en ce que le rapport en poids du polypropylène glycol sur le polytétraméthylène éther glycol est d'un rapport de 15 à 1 jusqu'à un rapport de 2 à 1. 8. Patin de polissage selon la revendication 6, caractérisé en ce que le rapport en poids du polypropylène glycol sur le polytétraméthylène éther glycol est d'un 20 rapport de 1 à 15 jusqu'à un rapport de 1 à 2, 9. Patin de polissage selon l'une quelconque des revendications 6 à 8, caractérisé en ce que le patin de polissage à une dureté Shore D de 20 à 70. 25 10, Patin de polissage selon l'une quelconques dès revendications Ô â 9, caractérise en ce (Ille le niclan~ac polyol prov kilt d'un mélange prc-polymère et le niélan~ac pré polymère comprend le diisocyimatc de toluène.