FR 2947380 A1 20101231 FR 0954382 A 20090626 Domaine technique et art antérieur La présente invention se rapporte au domaine de la réalisation des plaques ou substrats semi-conducteurs multicouches (également dénommées "multilayer semiconductor wafers") réalisés par transfert d'au moins une couche formée à partir d'un substrat initial sur un substrat final, la couche transférée correspondant à une portion du substrat initial. La couche transférée peut comprendre en outre tout ou partie d'un composant ou d'une pluralité de microcomposants. Plus précisément, la présente invention concerne le problème des déformations hétérogènes qui apparaissent lors du transfert d'une couche depuis un substrat dit "substrat donneur" sur un substrat final dit "substrat receveur". De telles déformations ont notamment été observées dans le cas de la technologie d'intégration tridimensionnelle de composants (3D-integration) qui nécessite le transfert d'une ou plusieurs couches de microcomposants sur un substrat support final mais aussi dans le cas de transfert de circuits ou encore dans la fabrication d'imageurs éclairés en face arrière. La ou les couches transférées comprennent des microcomposants (électroniques, optoélectroniques, etc.) réalisés au moins en partie sur un substrat initial, ces couches étant ensuite empilées sur un substrat final qui peut éventuellement comporter lui-même des composants. En raison notamment de la taille très réduite et du nombre important de microcomposants présents sur une même couche, chaque couche transférée doit être positionnée sur le substrat final avec une grande précision afin de respecter un alignement très strict avec la couche sous-jacente. En outre, il peut être nécessaire de réaliser des traitements sur la couche après son transfert, par exemple pour former d'autres microcomposants, pour découvrir en surface des microcomposants, pour réaliser des interconnections, etc. Cependant, la déposante a constaté, qu'après transfert, il existe des cas où il est très difficile, voire impossible, de former des 1 microcomposants supplémentaires en alignement avec les microcomposants formés avant le transfert. Ce phénomène de désalignement est décrit en relation avec les figures 1A à 1E qui illustrent un exemple de réalisation d'une structure tridimensionnelle comprenant le transfert, sur un substrat final, d'une couche de microcomposants formée sur un substrat initial, et la formation d'une couche additionnelle de microcomposants sur la face exposée du substrat initial après collage. Les figures 1A et 1B illustrent un substrat initial 10 sur lequel est formée une première série de microcomposants 11. Les microcomposants 11 sont formés par photolithographie au moyen d'un masque permettant de définir les zones de formation de motifs correspondant aux microcomposants 11 à réaliser. Comme illustrée sur la figure 1C, la face du substrat initial 10 comprenant les microcomposants 11 est ensuite mise en contact intime avec une face d'un substrat final 20. Le collage entre le substrat initial 10 et le substrat final 20 est réalisé en général par adhésion moléculaire. On obtient ainsi une couche enterrée de microcomposants 11 à l'interface de collage entre les substrats 10 et 20. Après le collage et tel que représenté sur la figure 1D, le substrat initial 10 est aminci afin de retirer une portion de matière présente au-dessus de la couche de microcomposants 11. On obtient alors une structure composite 30 formée du substrat final 20 et d'une couche 10a correspondant à la portion restante du substrat initial 10. Comme représentée sur la figure 1E, l'étape suivante dans la réalisation de la structure tridimensionnelle consiste à former une deuxième couche de microcomposants 12 au niveau de la surface exposée du substrat initial 10 aminci, ou à réaliser des étapes technologiques complémentaires sur cette surface exposée, en alignement avec les composants compris dans la couche 10a (prise de contact, interconnexions, etc.). Par souci de simplification, on appellera "microcomposants" dans la suite de ce texte, les dispositifs ou tout autres motifs résultant des étapes technologiques réalisées sur ou dans les couches et dont le positionnement doit être contrôlé avec précision. Il peut donc s'agir de composants actifs ou passifs, de simple prise de contact ou interconnexions. Ainsi, afin de former les microcomposants 12 en alignement avec les microcomposants 11 enterrés, on utilise un masque de photolithographie similaire à celui utilisé pour former les microcomposants 11. Les couches transférées, comme la couche 10a, comprennent typiquement des marques à la fois au niveau des microcomposants et au niveau de la tranche formant la couche qui sont notamment utilisées par des outils de positionnement et d'alignement pendant les étapes de traitement technologiques telles que celles mises en oeuvre lors d'une photolithographie. Cependant, même en utilisant des outils de positionnement, des décalages se produisent entre certains des microcomposants 11 et 12, tels que les décalages A11, A22, A33, O44, indiqués sur la figure 1E (correspondant respectivement aux décalages observés entre les couples de microcomposants 111/121, 112/122, 113/123 et 114/124). Ces décalages ne résultent pas de transformations élémentaires (translation, rotation ou leurs combinaisons) qui pourraient avoir pour origine un assemblage imprécis des substrats. Ces décalages résultent de déformations inhomogènes qui apparaissent dans la couche provenant du substrat initial lors de son assemblage avec le substrat final. En fait, ces déformations entraînent des déplacements locaux et non uniformes au niveau de certains microcomposants 11. Aussi, certains des microcomposants 12 formés sur la surface exposée du substrat après transfert présentent des variations de position avec ces microcomposants 11 qui peuvent être de l'ordre de plusieurs centaines de nanomètres, voire du micron. Ce phénomène de désalignement (encore appelé "overlay") entre les deux couches de microcomposants 11 et 12 peut être source de courts-circuits, de distorsions dans l'empilement ou de défauts de connexion entre les microcomposants des deux couches. Ainsi, dans le cas où les microcomposants transférés sont des imageurs formés de pixels et que les étapes de traitement post transfert visent à former sur chacun de ces pixels des filtres de couleur, on a observé une perte de la fonction de colorisation pour certains de ces pixels. Ce phénomène de désalignement conduit ainsi à une réduction de la qualité et de la valeur des plaques de semi-conducteurs 2947380 . 4 multicouches fabriquées. L'impact de ce phénomène devient de plus en plus critique en raison des exigences sans cesse croissantes vis-à-vis de la miniaturisation des microcomposants et de leur densité d'intégration par couche. 5 Les problèmes d'alignement lors de la fabrication de structures tridimensionnelles sont bien connus. Le document Burns et al., "A Wafer-Scale 3-D Circuit Intergration Technology", IEEE Transactions On Electron Devices, vol. 53, No. 10, oct. 2006, décrit une méthode pour détecter les variations d'alignement entre des substrats collés. Le document Haisma et 10 al., "Silicon-Wafer Fabrication And (Potential) Applications Of Direct-Bonded Silicon", Philips Journal of Research, Vol. 49, No. 1/2, 1995, souligne l'importance de la planéité des plaques en particulier lors des étapes de polissage afin d'obtenir des plaques finales de bonne qualité, c'est-à-dire avec le moins de décalages possibles entre les 15 microcomposants. Cependant, ces documents ne traitent que du problème du positionnement des plaques lors de leur assemblage. Comme expliqué précédemment, la déposante a constaté que, même en alignant parfaitement deux plaques entre elles lors de leur mise en contact (au moyen de marques prévues à cet effet), des déplacements inhomogènes 20 de certains microcomposants se produisent à la suite de l'initiation de l'onde de collage. Résumé de l'invention 25 L'invention a pour but de proposer une solution qui permet de limiter les déformations inhomogènes qui apparaissent dans un substrat lors de son transfert sur un autre substrat. A cet effet, la présente invention propose un procédé de collage 30 par adhésion moléculaire entre au moins une plaque inférieure et une plaque supérieure comprenant le positionnement de la plaque supérieure sur la plaque inférieure, procédé dans lequel, conformément à l'invention, on applique une force de contact sur le bord périphérique d'au moins une des deux plaques de manière à initier une onde de collage entre les deux 35 plaques. Grâce au procédé de l'invention, on évite un contact mécanique entre l'outil d'initiation d'application de la force de contact et la face d'une plaque. On réduit ainsi les déformations inhomogènes engendrées dans la plaque tout en réalisant un collage par adhésion moléculaire sur l'ensemble des surfaces des deux plaques en contact, la composante verticale et/ou les vibrations résultant de l'application de la force de contact permettant d'initier une onde de collage. En outre, en appliquant une force de contact sur le bord périphérique d'une des deux plaques, même si l'on induit des déformations, celles-ci sont localisées en bordure de plaques, c'est-à-dire en dehors des zones utiles de la plaque. En minimisant et en isolant ainsi les déformations habituellement engendrées par l'application d'un point de contact sur l'une des surfaces des plaques pour réaliser le collage par adhésion moléculaire, on réduit fortement les risques de désalignement ou distorsion ("overlay") lors de la formation ultérieure de couches supplémentaires de microcomposants. Selon une caractéristique particulière de l'invention, au moins une cale est utilisée pour maintenir les deux plaques en position lors de l'application de la force de contact. Dans le cas où les plaques comportent chacune un repère d'alignement tels qu'une encoche ("notch") ou un méplat, une cale est placée de préférence au niveau des repères d'alignement afin de maintenir l'alignement micrométrique des deux plaques réalisé lors du positionnement de ces dernières avant le collage par adhésion moléculaire. La cale est disposée de préférence à une position diamétralement opposée à l'endroit d'application de la force de contact. La force de contact peut être appliquée sur le bord périphérique d'une seule plaque ou des deux plaques en même temps suivant la taille et la forme de l'outil utilisé. La force de contact peut être dirigée suivant une direction sensiblement parallèle au plan des plaques ou former un angle avec celui-ci. La force de contact peut être appliquée sur le bord d'une ou des deux plaques suivant une direction formant un angle avec le plan des plaques compris entre -90° et +90°. En contrôlant l'angle avec lequel la force de contact est appliquée sur l'une des plaques ou les deux, il est possible d'ajuster dans une certaine mesure la composante verticale de la force de contact. En effet, plus l'angle entre la direction d'application de la force de contact et le plan des plaques est grand, plus la composante verticale sera élevée, et inversement. Selon un aspect de l'invention, la force de contact est appliquée sur le bord périphérique de la plaque supérieure, ladite force étant dirigée suivant une direction formant un angle avec le plan de ladite plaque supérieure qui est supérieur à 0° et inférieur à +45°. Selon un autre aspect de l'invention, la force de contact est appliquée sur le bord périphérique de la plaque inférieure, ladite force étant dirigée suivant une direction formant un angle avec le plan de ladite plaque inférieure qui est supérieur à -45° et inférieur à 0°. En limitant l'angle formé entre la direction d'application de la force de contact et le plan des plaques, on crée une composante verticale de force de contact permettant d'initier une onde de collage dont la grandeur est inférieure à celle de la force de contact, ce qui permet de minimiser les déformations et les contraintes sur la face de la plaque. Selon encore un autre aspect de l'invention, l'intensité de la force de contact appliquée correspond à une pression mécanique inférieure à 2 MPa. La force de contact est de préférence appliquée sur le bord périphérique d'au moins une des deux plaques par au moins une impulsion. L'impulsion peut être répétée une ou plusieurs fois jusqu'à initiation d'une onde de collage. La force de contact peut être appliquée par appui d'un outil sur le bord périphérique d'une ou des deux plaques. L'extrémité de l'outil destinée à venir en appui sur le bord d'une ou des deux plaques comprend de préférence sur sa surface un matériau choisi parmi au moins le Téflon�, la silicone et un polymère. La présente invention concerne également un procédé de réalisation d'une structure composite tridimensionnelle comprenant une étape de réalisation d'une première couche de microcomposants sur une face d'une première plaque ou substrat et une étape de collage de la face de la première plaque comportant la couche de microcomposants sur une deuxième plaque ou substrat caractérisé en ce que l'étape de collage est réalisée conformément au procédé de collage par adhésion moléculaire de l'invention. L'utilisation du procédé de collage par adhésion moléculaire de la présente invention permet, lors du transfert d'une couche de microcomposants, d'éliminer ou de limiter le phénomène de désalignement ("overlay") et de réaliser des plaques de semi-conducteurs multicouches de très grande qualité. La couche de microcomposants peut notamment comporter des capteurs d'images. La présente invention a également pour objet un appareil de collage par adhésion moléculaire entre au moins une plaque inférieure et une plaque supérieure comprenant un dispositif porte-substrat et un outil d'application d'une force de contact, appareil dans lequel, l'outil d'application est agencé pour appliquer une force de contact sur le bord périphérique d'au moins une des deux plaques de manière à initier une onde de collage entre les deux plaques. Selon un aspect particulier, l'appareil comprend en outre au moins une cale pour maintenir le bord périphérique des deux plaques en alignement l'une par rapport à l'autre. Selon un autre aspect, le dispositif porte-substrat comprend un plateau support présentant des défauts de planéité inférieurs à 15 microns. Brève description des figures D'autres caractéristiques et avantages de l'invention ressortiront de la description suivante de modes particuliers de réalisation de l'invention, donnés à titre d'exemples non limitatifs, en référence aux dessins annexés, sur lesquels : - les figures 1A à 1E, sont des vues schématiques montrant la réalisation d'une structure tridimensionnelle selon l'art antérieur, - les figures 2A et 2B sont des vues schématiques d'un procédé de collage par adhésion moléculaire conformément à un mode de réalisation de l'invention, la figure 2C montre une variante de forme des repères d'alignement des plaques de la figure 2A, - la figure 3 est un graphique montrant les composantes verticale et horizontale résultant de l'application d'une force de contact conformément à l'invention, les figures 4 et 5 sont des vues schématiques montrant une mise en oeuvre d'un procédé de collage par adhésion moléculaire de l'invention avec des plaques présentant respectivement une tombée de bord de géométrie différente, les figures 6A à 6D, sont des vues schématiques montrant la réalisation d'une structure tridimensionnelle mettant en oeuvre le procédé de collage par adhésion moléculaire de la présente invention, - la figure 7 est un organigramme des étapes mises en oeuvre lors de la réalisation de la structure tridimensionnelle illustrée dans les figures 6A à 6D. Exposé détaillé de modes de réalisation de l'invention La présente invention s'applique d'une manière générale à la réalisation de structures composites comprenant au moins le collage par adhésion moléculaire d'un premier substrat ou plaque sur un deuxième substrat ou plaque. Le collage par adhésion moléculaire est une technique bien connue en soi. Pour rappel, le principe du collage par adhésion moléculaire est basé sur la mise en contact direct de deux surfaces, c'est- à-dire sans l'utilisation d'un matériau spécifique (colle, cire, brasure, etc.). Une telle opération nécessite que les surfaces à coller soient suffisamment lisses, exemptes de particules ou de contamination, et qu'elles soient suffisamment rapprochées pour permettre d'initier un contact, typiquement à une distance inférieure à quelques nanomètres. Dans ce cas, les forces attractives entre les deux surfaces sont assez élevées pour provoquer l'adhérence moléculaire (collage induit par l'ensemble des forces attractives (forces de Van Der Waals) d'interaction électronique entre atomes ou molécules des deux surfaces à coller). L'adhésion moléculaire est réalisée par initiation d'un point de contact sur une plaque en contact intime avec une autre plaque afin de déclencher la propagation d'une onde de collage à partir de ce point de contact. On appelle ici "onde de collage" le front de liaison ou d'adhésion moléculaire qui se propage à partir du point d'initiation et qui correspond à la diffusion des forces attractives (forces de Van Der Waals) depuis le point de contact sur toute la surface de contact intime entre les deux plaques (interface de collage). Le point de contact est initié typiquement par application d'une pression mécanique sur la surface exposée d'une des deux plaques. La déposante a démontré que les déplacements relatifs entre certains motifs ou microcomposants dans une même plaque apparaissent à la suite de l'étape de collage par adhésion moléculaire de cette plaque sur une autre. Plus précisément, des expériences réalisées par la déposante ont pu mettre en évidence que des contraintes (en tension et/ou en compression) sont engendrées au niveau du point de contact, c'est-à-dire l'endroit où est appliquée la pression mécanique. Ces contraintes sont à l'origine des déformations inhomogènes apparaissant dans la plaque et, par conséquent, des déplacements relatifs et inégaux de certains motifs ou microcomposants les uns par rapport aux autres. La déposante a observé que les déformations sont principalement localisées au niveau et autour du point de contact et que ces déformations sont élastiques. Ces déformations peuvent s'étendre sur un rayon allant jusqu'à 15 cm autour du point de contact lorsque celui-ci résulte d'un contact mécanique d'un outil, par exemple un stylet, sur la surface d'une des deux plaques. Par conséquent, en appliquant un point de contact sur une des faces ou surfaces exposées d'une des deux plaques, on crée des déformations dans la partie utile de la plaque, c'est-à-dire la partie destinés à former des dispositifs tels que des microcomposants. Par conséquent, la présente invention propose une solution qui permet d'initier une onde de collage entre deux plaques sans application directe d'un point de contact mécanique sur la surface d'une des deux plaques. A cet effet, selon le procédé de l'invention, une onde de collage est initiée entre deux plaques par application d'une force de contact sur le bord périphérique d'une des deux plaques. On entend par "bord périphérique" d'une plaque toute partie de plaque qui est située en périphérie de plaque et qui est non parallèle aux faces ou surfaces de celle-ci. Le bord périphérique peut correspondre à la tranche de la plaque ou à des surfaces inclinées ou arrondies comme c'est souvent le cas lorsque la plaque comporte en périphérie de ses surfaces une "tombée de bord" (également connu sous les termes anglais de "edge rounding") dont le rôle est de faciliter leur manipulation et d'éviter les bris de bords qui pourraient se produire si ces bords étaient saillants, de tels bris étant sources de contamination en particules des surfaces des plaques. L'application de la force de contact en bord périphérique de plaque peut être réalisée au moyen d'un outil. Sur la figure 2A, une première plaque ou substrat 20 est placée dans une machine de collage comprenant un dispositif porte-substrat 40. Le dispositif porte-substrat 40 comprend un plateau support 40a qui présente des défauts de planéité de préférence inférieurs à 15 microns. Le plateau support 40a maintient la première plaque 20, par exemple au moyen d'un système électrostatique ou de succion associé au plateau support 40a ou par simple gravité, en vue de son assemblage par adhésion moléculaire avec une deuxième plaque ou substrat 30. Les systèmes associés de maintien de la plaque (électrostatique ou par succion) sont utilisés dans la mesure où il a été vérifié qu'ils ne déforment pas la plaque afin de ne pas entrainer une augmentation des problèmes de désalignement ("overlay"). Une fois la plaque 20 maintenue sur le plateau support, on vient positionner la surface ou face inférieure 31 de la plaque 30 en regard de la surface supérieure 21 de la plaque 20 (figure 2B). Comme expliqué précédemment et de façon bien connue, les surfaces 21 et 31 respectivement des plaques 20 et 30 destinées à être collées ont été préparées (polissage, nettoyage, traitement hydrophobe/hydrophile, etc.) pour permettre une adhésion moléculaire. Selon un aspect de l'invention, le bord périphérique des plaques 20 et 30 est en contact avec une cale 41 afin notamment d'éviter un décalage du positionnement des plaques l'une par rapport à l'autre lors de l'application de la force de contact. Dans l'exemple décrit ici, les plaques 20 et 30 comportent chacune un repère d'alignement 23, 33 en forme d'encoche ("notch") qui facilite leur positionnement (alignement microscopique) avant collage. Dans ce cas, la cale 41 est de préférence en contact avec le bord des plaques 20 et 30 au niveau des repères d'alignement 23 et 33 de manière à assurer la conservation de l'alignement micrométrique entre les deux plaques lors de l'application de la force de contact. La cale 41 présente une forme et/ou des dimensions lui permettant de pénétrer au moins partiellement dans les repères 23 et 33. La figure 2C illustre un autre exemple dans lequel des plaques 30' et 40' comportent des repères d'alignement 33' et 43' en forme de méplat. Dans ce cas la cale 41' présente de préférence une forme rectangle permettant un bon contact avec les repères 33' et 43'. Comme décrit ci-après, la force de contact est appliquée de préférence à un endroit du bord périphérique d'une ou des deux plaques qui est diamétralement opposé à celui en contact avec la cale. Dans certains cas, on peut utiliser une ou plusieurs cales supplémentaires. C'est notamment le cas, lorsque, comme illustré sur la figure 2A, on souhaite avoir une cale 41 au niveau des repère 23 et 33. S'il n'est pas possible d'appliquer la force de contact à un endroit du bord d'une ou des deux plaques diamétralement opposé à la cale 41, par exemple en raison de l'encombrement de la machine de collage utilisée, on utilisera une cale supplémentaire 42 qui sera disposée à un endroit diamétralement opposé à celui disponible pour appliquer la force de contact. Dans certains cas, comme notamment ceux où l'on applique la force de contact sur le bord des deux plaques simultanément, il peut être préférable de ne pas maintenir la plaque inférieure plaquée sur un plateau support (par succion ou force électrostatique par exemple) mais de seulement poser cette dernière sur le plateau, la ou les cales étant alors les seuls moyens de maintien des plaques en position. Sur la figure 2B, l'initiation d'un point de contact pour l'adhésion moléculaire est réalisée au moyen d'un outil 50. Comme illustré très schématiquement sur la figure 2B, l'outil 50 présente une forme de stylet comportant une extrémité libre 51 avec laquelle on exerce une force de contact sur le bord périphérique d'au moins une des deux plaques 20, 30. La force de contact peut être appliquée sur un bord d'une plaque seulement ou sur le bord des deux plaques simultanément, et ce suivant une direction sensiblement parallèle au plan des plaques ou suivant une direction formant un angle avec le plan des plaques, l'angle étant compris entre -90° et +90°. Dans le mode de mise en oeuvre décrit ici, la force de contact appliquée avec l'outil 50 sur le bord périphérique d'une au moins des deux plaques est orientée suivant une direction formant un angle avec le plan P des plaques qui est de préférence supérieur à 0° et inférieur à �45°. Plus précisément, lorsqu'une force de contact F est appliquée sur le bord périphérique 32 de la plaque supérieure 30, l'outil 50 est orientée par rapport au plan P des plaques suivant un angle 8F supérieur à 0° et inférieur à +45°. De même, lorsqu'une force de contact F' est appliquée sur le bord périphérique 22 de la plaque supérieure 20, l'outil 50 est orienté par rapport au plan P des plaques suivant un angle 0F, inférieur à - 45° et supérieur 0°. Comme illustré sur la figure 3 pour le cas où la force de contact est appliquée sur le bord périphérique 32 de la plaque supérieure 30, l'angle OF formé entre la direction d'application du vecteur de force de contact et le plan des plaques crée une composante de force verticale Fv permettant d'initier une onde de collage. Cet angle est en outre inférieur à +45° afin de minimiser la composante verticale Fv qui ne peut être déterminée précisément en raison de l'absence de contact mécanique direct avec la surface de la plaque. En limitant l'angle à une valeur inférieure à 45° par rapport au plan de la plaque, l'amplitude ou la grandeur de la composante verticale appliquée Fv perpendiculairement au plan de la plaque est au moins deux fois inférieure à celle de la force de contact F. Il est toutefois précisé qu'une onde de collage peut être également initiée en appliquant une force de contact suivant une direction sensiblement parallèle au plan des plaques. En effet, dans ce cas, la force de contact induit une vibration qui rapproche les plaques entre elles et permet d'initier une onde de collage. En choisissant conformément à l'invention, un point d'application de la force de contact localisé sur le bord périphérique de celle-ci, on minimise l'impact des déformations sur la qualité de la plaque. En effet, même si des déformations sont créées à l'issue de l'application de la force de contact, ces dernières s'étendent sur une zone restreinte en bord de plaque qui est située en dehors de la partie utile de la plaque. Afin de minimiser encore l'apparition de déformations en surface de plaque, la pression mécanique exercée sur la surface de la plaque par la composante verticale résultant de la force de contact est de préférence inférieure à 1 Mégapascal (MPa). Pour obtenir cette limitation de la pression mécanique au niveau de la composante verticale, on peut, par exemple, contrôler la valeur de la pression mécanique exercée par la force de contact F sur le bord périphérique de la plaque. L'amplitude ou la grandeur de la force de contact F peut être contrôlée en reliant l'outil 50 à un dynamomètre 52. En connaissant la valeur de la surface de contact 51a de l'outil 50 avec le bord périphérique de la plaque, qui peut-être, par exemple, comprise entre 0,3 mm2 et 1 mm2, il est possible de contrôler la pression mécanique exercée en contrôlant la force de contact F exercée par l'outil sur la plaque (force d'appui=pression mécanique x surface d'appui). Comme indiqué précédemment, l'amplitude de la composante verticale de la force de contact et, par conséquent, la pression mécanique exercée en surface de plaque, étant divisées au moins par 2 par rapport à celles de la force de contact, il suffit d'exercer une pression mécanique sur le bord périphérique de la plaque inférieure à 2 MPa pour assurer une pression mécanique inférieure à 1 MPa sur la surface de plaque. En outre, comme illustrée sur la figure 3, la force de contact F présente principalement une composante horizontale FH. La force de contact appliquée avec l'outil est transmise sous forme d'une brève impulsion (choc) dont la durée est typiquement inférieure à 1 seconde ou à une demi-seconde. Si une onde de collage n'est pas initiée lors d'une première impulsion, celle-ci peut être répétée jusqu'à initiation de l'onde de collage. L'outil d'appui et plus particulièrement son extrémité destinée à venir en contact avec le bord périphérique de la plaque peut être réalisée ou recouverte d'un matériau tel que le Téflon�, la silicone ou un polymère. D'une manière générale, l'extrémité de l'outil est réalisée ou recouverte avec un matériau suffisamment rigide afin de pouvoir transmettre la force de contact d'une manière fiable. En effet, un matériau trop souple pourrait se déformer et conduire à une surface de contact imprécise. En outre, un matériau trop rigide pourrait conduire à la formation de défauts (empreinte) sur la plaque. Le procédé de collage par adhésion moléculaire de l'invention peut être mis en oeuvre de façon automatique dans une machine ou appareil de collage. Dans ce cas, la machine comprend un dispositif porte- substrat similaire à celui décrit précédemment et un outil relié à un actionneur (par exemple un vérin ou un bras mécanique). La machine comprend en outre une servocommande destinée à piloter l'actionneur. La servocommande pilote l'actionneur de manière à contrôler l'angle d'application de la force de contact appliquée par l'outil. La pression mécanique exercée par l'outil peut également être contrôlée par la servocommande qui reçoit des données d'un capteur de force et les compare avec une valeur de force d'appui prédéterminée en fonction de la pression mécanique que l'on souhaite appliquer et de la surface de l'extrémité de l'élément d'appui. L'appareil de collage peut comprendre en outre une ou plusieurs cales destinées à assurer l'alignement micrométrique entre les plaques ainsi que leur maintien dans cet alignement lors de l'application de la force de contact. La figure 4 montre l'application du procédé de collage par adhésion moléculaire de l'invention entre deux plaques 320 et 330 comportant respectivement sur leur bord périphérique 322 et 332 une tombée de bord sous forme de chanfreins. De même que décrit précédemment, l'onde de collage est initiée par application, au moyen d'un outil 350, d'une force de contact F sur le bord périphérique d'une des deux plaques 320, 330. La figure 5 montre l'application du procédé de collage par adhésion moléculaire de l'invention entre deux plaques 420 et 430 comportant respectivement sur leur bord périphérique 422 et 432 une tombée de bord de forme arrondie. De même que décrit précédemment, l'onde de collage est initiée par application, au moyen d'un outil 450, d'une force de contact F sur le bord périphérique d'une des deux plaques 420, 430. Le procédé de l'invention est applicable à l'assemblage de tout type de matériau compatible avec le collage moléculaire et en particulier les matériaux semi-conducteurs tels que le silicium, le germanium, le verre, le quartz, le saphir etc. Les plaques à assembler peuvent notamment être d'un diamètre de 100 mm, 150 mm, 200 mm ou 300 mm. Les plaques peuvent en outre comprendre des microcomposants sur la majorité de leur surface ou seulement sur une zone limitée. Un domaine particulier mais non exclusif du procédé de collage de la présente invention est celui de la réalisation de structures tridimensionnelles. Un procédé de réalisation d'une structure tridimensionnelle par transfert d'une couche de microcomposants formée sur un substrat initial sur un substrat final conformément à un mode de réalisation de l'invention est maintenant décrit en relation avec les figures 6A à 6D et 7. La réalisation de la structure tridimensionnelle débute par la formation d'une première série de microcomposants 110 à la surface d'une plaque ou substrat initial 100 (figure 6A, étape Si). Les microcomposants 110 peuvent être des composants entiers et/ou seulement une partie de ceux-ci. Le substrat initial 100 peut être une structure monocouche, par exemple une couche de silicium, ou structure multicouche telle qu'une structure de type SOI. Les microcomposants 110 sont formés par photolithographie au moyen d'un masque permettant de définir les zones de formation de motifs correspondant aux microcomposants 110 à réaliser. Lors de la formation des microcomposants 110 par photolithographie, le substrat initial 100 est maintenu sur un dispositif porte-substrat 120. Le dispositif porte-substrat comprend un plateau support 120a sur lequel est plaqué le substrat initial 100, par exemple au moyen d'un système électrostatique ou de succion associé au plateau support 120a. La face du substrat initial 100 comprenant les microcomposants 110 est ensuite positionnée en regard d'une face d'une plaque ou substrat final 200 (étape S2, figure 6B) en vue d'un collage par adhésion moléculaire. Une couche d'oxyde, par exemple en SiO2, peut en outre être formée sur la face du substrat initial 100 comprenant les microcomposants 110 et/ou sur la face du substrat final 200 destinée à être mise en contact intime. Conformément à l'invention, une force de contact F est appliquée sur le bord périphérique 210 du substrat final 200 au moyen d'un outil 250 (étape S3). La force F est appliquée suivant une direction formant un angle avec le plan du substrat supérieur à 0° et inférieur à 45°. La pression mécanique exercée sur le bord 210 du substrat 200 est de préférence inférieure à 2 MPa. L'application de la force de contact entraîne la propagation d'une onde de collage sur l'interface entre le substrat initial 100 et le substrat final 200. Les deux substrats sont alors collés ensemble par adhésion moléculaire sur la totalité de leur surface en contact (interface de collage), et ce sans ou quasiment sans déformation dans le substrat initial 100 comportant les microcomposants 110. On obtient ainsi une couche enterrée de microcomposants 110 à l'interface de collage entre les substrats 100 et 200. Dans une variante de l'étape S2, c'est la plaque ou substrat final 200 qui est placé sur le dispositif porte-substrat et c'est le substrat 100 pourvu de microcomposants qui est positionné en regard de ce substrat 200. Une force de contact F est alors appliquée sur le bord périphérique 210 du substrat final 200 et/ou sur le bord périphérique du substrat 100 au moyen d'un outil 250. Après le collage et tel que représenté sur la figure 6C, le substrat initial 100 est aminci afin de retirer une portion de matière présente au-dessus de la couche de microcomposants 110 (étape S4). Dans le cas où le substrat 100 est un substrat de type SOI, on peut utiliser avantageusement la couche isolante enterrée pour délimiter l'épaisseur de la couche 100a restante. On obtient alors une structure composite 300 formée du substrat final 200 et d'une couche 100a correspondant à la portion restante du substrat initial 100. Le substrat initial 100 peut être aminci notamment par polissage mécano-chimique (CMP), par gravure chimique, ou par clivage ou fracture le long d'un plan de fragilisation formée préalablement dans le substrat par implantation atomique. Comme représentée sur la figure 6D, l'étape suivante dans la réalisation de la structure tridimensionnelle consiste à former une deuxième couche de microcomposants 140 au niveau de la surface exposée du substrat initial 100 aminci (figure 6D, étape S5). Les microcomposants 140 peuvent correspondre à des parties complémentaires de microcomposants 110 pour former un composant fini et/ou à des composants distincts destinés à fonctionner avec des microcomposants 140. Afin de former les microcomposants 140 en alignement avec les microcomposants 110 enterrés, on utilise un masque de photolithographie similaire à celui utilisé pour former les microcomposants 110. De même que lors de la formation des microcomposants 110, la structure composite 300, formée du substrat final 200 et de la couche 100a, est maintenue sur un plateau support 130a d'un dispositif porte-substrat 130 identique au dispositif 120. Le masque de photolithographie est alors appliqué à la surface libre de la couche 100a. Dans une variante, la structure tridimensionnelle est formée par un empilement de couche, chaque couche ayant été reportée par le procédé d'assemblage de la présente invention, et chaque couche étant en alignement avec les couches directement adjacentes. Dans une autre variante encore, le substrat final 200 comporte lui aussi des microcomposants. Grâce au procédé de collage par adhésion moléculaire de l'invention, le substrat initial 100 a pu être collé sur le substrat final sans déformation ou tout du moins avec une réduction des déformations telle qu'il n'est plus observé de décalage significatifs des microcomposants 110 avant et après transfert du substrat initial 100 sur le substrat final 200. On peut ainsi limiter ces décalages résiduels à des valeurs inférieures à 200 nm, voire 100 nm de manière homogène sur toute la surface de la plaque. Les microcomposants 140, même de tailles très réduites (par exemple REVENDICATIONS1. Procédé de collage par adhésion moléculaire entre au moins une plaque inférieure (20) et une plaque supérieure (30) comprenant le positionnement de la plaque supérieure sur la plaque inférieure, caractérisé en ce qu'on applique une force de contact (F) sur le bord périphérique (22, 32) d'au moins une des deux plaques (30, 20) de manière à initier une onde de collage entre les deux plaques. 2. Procédé selon la revendication 1, caractérisé en ce que le bord périphérique (22, 32) des deux plaques (20, 32) est en contact avec au moins une cale (41). 3. Procédé selon la revendication 2, caractérisé en ce que le bord périphérique (22, 32) des plaques (20, 30) comportent chacun un repère d'alignement (23; 33), ladite au moins une cale étant en contact avec lesdits bords au niveau des repères d'alignement. 4. Procédé selon l'une quelconque des revendications 1 à 3, caractérisé en ce que la force de contact (F) est appliquée sur le bord périphérique (22; 32) d'une des deux plaques (20; 30) ou sur le bord périphérique (22, 32) des deux plaques (20, 30) simultanément, ladite force de contact étant dirigée suivant une direction sensiblement parallèle au plan desdites plaques ou suivant une direction formant un angle avec le plan desdites plaques. 5. Procédé selon l'une quelconque la revendication 4, caractérisé en ce que l'angle est compris entre -90° et +90°. 6. Procédé selon la revendication 4 ou 5, caractérisé en ce que la force de contact (F) est appliquée sur le bord périphérique (32) de la plaque supérieure (30), ladite force étant dirigée suivant une direction formant un angle avec le plan de ladite plaque supérieure (30) qui est supérieur à 0° et inférieur à +45°.35 7. Procédé selon la revendication 4 ou 5, caractérisé en ce que la force de contact est appliquée sur le bord périphérique (22) à de la plaque inférieure (22), ladite force étant dirigée suivant une direction formant un angle avec le plan de ladite plaque inférieure (20) qui est supérieur à -45° et inférieur à 0°. 8. Procédé selon l'une quelconque des revendications 1 à 7, caractérisé en ce que l'intensité de la force de contact (F) appliquée correspond à une pression mécanique inférieure à 2 MPa. 9. Procédé selon l'une quelconque des revendications 1 à 8, caractérisé en ce que la force de contact (F) est appliquée sur le bord périphérique (22; 32) d'au moins une des deux plaques (20, 30) par une ou plusieurs impulsions. 10. Procédé selon l'une quelconque des revendications 1 à 9, caractérisé en ce que la force de contact (F) est appliquée par appui d'un outil (50) sur le bord périphérique d'au moins une des deux plaques. 20 11. Procédé de réalisation d'une structure composite tridimensionnelle comprenant une étape de réalisation d'une première couche de microcomposants (110) sur une face d'une première plaque (100) et une étape de collage par adhésion moléculaire de la face de la première plaque comportant la couche de microcomposants sur une 25 deuxième plaque (200) caractérisé en ce que l'étape de collage est réalisée conformément au procédé de collage par adhésion moléculaire selon l'une quelconque des revendications 1 à 10. 12. Procédé selon la revendication 11, caractérisé en ce qu'il 30 comprend, après l'étape de collage, une étape d'amincissement de la première plaque (100). 13. Procédé selon la revendication 11 ou 12, caractérisé en ce qu'il comprend en outre une étape de réalisation d'une deuxième couche 35 de microcomposants (140) sur la face de la première plaque (100) 15opposée à la face comportant la première couche de microcomposants (110). 14. Procédé selon l'une quelconque des revendications 11 à 13, caractérisé en ce qu'il comprend, avant l'étape de collage, une étape de formation d'une couche d'oxyde sur la face de la première plaque comportant la première couche de microcomposants. 15. Procédé selon l'une quelconque des revendications 11 à 14, caractérisé en ce que la première plaque (100) est une structure de type SOI. 16. Procédé selon l'une quelconque des revendications 11 à 15, caractérisé en ce qu'au moins la première couche de microcomposants (110) comporte des capteurs d'images. 17. Appareil de collage par adhésion moléculaire entre au moins une plaque inférieure et une plaque supérieure comprenant un dispositif porte-substrat et un outil d'application d'une force de contact, caractérisé en ce que l'outil d'application est agencé pour appliquer une force de contact sur le bord périphérique d'au moins une des deux plaques de manière à initier une onde de collage entre les deux plaques. 18. Appareil selon la revendication 17, caractérisé en ce qu'il comprend en outre au moins une cale pour maintenir le bord périphérique des deux plaques en alignement l'une par rapport à l'autre. 19. Appareil selon la revendication 17 ou 18, caractérisé en ce que le dispositif porte-substrat comprend un plateau support présentant des défauts de planéité inférieurs à 15 microns.