FR 2948318 A1 20110128 FR 0955124 A 20090722 PROCEDE DE REALISATION D'UN DISPOSITIF A ELEMENT GRAPHIQUE DESCRIPTION 5 DOMAINE TECHNIQUE L'invention concerne un procédé de réalisation d'un dispositif à élément graphique. L'invention permet notamment la réalisation d'un ou plusieurs dispositifs, pouvant être réalisés de manière 10 collective, et comprenant des éléments graphiques de dimensions microscopiques et/ou nanoscopiques, représentant par exemple des données telles que du texte et/ou des images et/ou des dessins, enfouis au sein d'un ou plusieurs objets massifs sous forme de 15 vignettes pouvant comporter une ou plusieurs fenêtres transparentes permettant de les voir. L'invention permet notamment de marquer un objet, par exemple dans un but décoratif et/ou dans un but d'identification ou encore de traçabilité, tel 20 qu'un bijou, un verre de montre, une fenêtre d'un écran d'équipement électronique, une pierre précieuse ou semi-précieuse, ou tout objet à forte valeur ajoutée ou à hautes exigences en matière de sécurité (pièces de sécurité d'un véhicule ou éléments du domaine médical 25 tels que des prothèses). ÉTAT DE LA TECHNIQUE ANTÉRIEURE Afin d'authentifier un produit d'origine, il est par exemple connu de graver sur le produit en question des données d'identification en mettant en 30 oeuvre des techniques issues de la micro-électronique, 2 par exemple par photolithographie et gravure du produit. Il est également connu de réaliser des objets comportant des décorations ou graphismes de tailles micrométriques par la mise en oeuvre de ces mêmes techniques. Toutefois, la durabilité et la robustesse mécanique de ces décorations ou de ces données d'identification réalisées en surface des objets sont généralement médiocres. Le document US 5 972 233 A décrit un procédé de réalisation d'un élément graphique pour bijou, dans lequel un substrat est gravé selon le motif de l'élément graphique. Une couche réfléchissante est disposée contre une première face du substrat qui est ensuite solidarisé, au niveau d'une seconde face opposée à la première face, avec un bijou. Là encore, la durabilité et la robustesse mécanique d'un tel élément graphique ne sont pas 20 satisfaisant. EXPOSÉ DE L'INVENTION Un but de la présente invention est de proposer un procédé de réalisation d'un dispositif à élément graphique permettant de personnaliser une 25 surface, par exemple plane, d'un objet par l'ajout d'un élément graphique enfoui et protégé, et donc infalsifiable, et qui ne présente pas les inconvénients de l'art antérieur. 3 Pour cela, la présente invention propose un procédé de réalisation d'un dispositif à élément graphique, comportant au moins les étapes de : a) réalisation d'au moins un empilement comportant au moins une couche sacrificielle disposée entre au moins un premier substrat et au moins une couche protectrice, et au moins un élément graphique réalisé au niveau d'une première face de la couche protectrice opposée à une seconde face de la couche protectrice telle que ladite seconde face soit disposée contre la couche sacrificielle, b) solidarisation dudit empilement avec au moins un second substrat telle que l'élément graphique soit disposé entre le premier substrat et le second substrat, c) désolidarisation de la couche sacrificielle vis-à-vis de la couche protectrice. Ainsi, il est possible de réaliser un dispositif à élément graphique (graphismes et/ou textes et/ou éléments d'identification) comportant des motifs microscopiques et/ou nanoscopiques, permettant d'obtenir de très importantes quantités d'informations et/ou d'éléments décoratifs encapsulés de manière durable, inaltérable et infalsifiable grâce à la protection réalisée par la couche protectrice vis-à-vis de l'environnement extérieur. Ce procédé permet de reporter un élément graphique sur un objet, appelé second substrat, sans le dénaturer compte tenu de la faible épaisseur de la couche protectrice, par exemple comprise entre environ 100 nm et 100 pm. 4 L'élément graphique peut être réalisé, au cours de l'étape a), en gravant au moins la première face de la couche protectrice selon un motif de l'élément graphique. Ainsi, l'élément graphique est formé par des creux réalisés par gravure dans la première face de la couche protectrice. Dans ce cas, l'étape b) de solidarisation peut comporter un collage moléculaire de la couche protectrice contre le second substrat mis en oeuvre dans un environnement sous vide. Un tel collage moléculaire permet notamment d'obtenir un dispositif possédant une excellente tenue thermique. De plus, la couche protectrice peut être à base d'oxyde, par exemple de l'oxyde de silicium, ou de nitrure de silicium, le second substrat pouvant comporter une face à base d'oxyde, par exemple de l'oxyde de silicium, ou de nitrure de silicium, la couche protectrice et le second substrat pouvant être collés moléculairement l'un à l'autre, au cours de l'étape b), au niveau de la première face de la couche protectrice et de ladite face du second substrat. L'étape a) de réalisation de l'empilement peut comporter la mise en oeuvre des étapes suivantes : - réalisation d'un empilement comportant la couche sacrificielle disposée entre le premier substrat et la couche protectrice, et une couche destinée à former l'élément graphique disposée contre la première face de la couche protectrice, - gravure de la couche destinée à former l'élément graphique selon un motif de l'élément graphique, les portions restantes de ladite couche gravée formant l'élément graphique, - dépôt d'une couche recouvrant la couche protectrice et l'élément graphique, 5 - planarisation de la couche recouvrant la couche protectrice et l'élément graphique. La couche destinée à former l'élément graphique peut être à base d'un matériau au moins partiellement opaque à la lumière visible, et/ou visible à la lumière infrarouge et/ou ultraviolette. Dans une autre variante, l'étape a) de réalisation de l'empilement peut comporter la mise en oeuvre des étapes suivantes . - réalisation d'un empilement comportant la couche sacrificielle disposée entre le premier substrat et la couche protectrice, et une couche de masque disposée contre la première face de la couche protectrice, - gravure de la couche de masque selon un motif inverse du motif de l'élément graphique, - dépôt d'un matériau sur la première face de la couche protectrice à travers la couche de masque gravée, formant l'élément graphique, - suppression de la couche de masque gravée, - dépôt d'une couche recouvrant la couche protectrice et l'élément graphique, - planarisation de la couche recouvrant la couche protectrice et l'élément graphique. L'étape b) de solidarisation peut comporter un collage moléculaire de la couche recouvrant la 6 couche protectrice et l'élément graphique contre le second substrat. Un tel collage moléculaire permet notamment d'obtenir un dispositif possédant une excellente tenue thermique. La couche recouvrant la couche protectrice et l'élément graphique peut être à base d'un matériau diélectrique. La couche recouvrant la couche protectrice et l'élément graphique peut être à base d'oxyde, par exemple de l'oxyde de silicium, ou de nitrure de silicium, le second substrat pouvant comporter une face à base d'oxyde, par exemple de l'oxyde de silicium, ou de nitrure de silicium, la couche recouvrant la couche protectrice et l'élément graphique, et le second substrat pouvant être collés moléculairement l'un à l'autre, au cours de l'étape b), au niveau de ladite face du second substrat. L'étape c) de désolidarisation peut comporter une application d'une contrainte mécanique entre la couche sacrificielle et la couche protectrice, et/ou, lorsque le premier substrat est à base d'un matériau au moins partiellement transparent et la couche sacrificielle à base d'au moins un matériau apte à se décomposer, une irradiation laser de la couche sacrificielle à travers le premier substrat, et/ou, lorsque la couche sacrificielle est à base d'un matériau fusible, un traitement thermique à une température supérieure ou égale à la température de fusion dudit matériau fusible, et/ou une attaque 7 chimique par une solution apte à décomposer le matériau de la couche sacrificielle. La couche protectrice et/ou le second substrat peuvent être à base d'au moins un matériau optiquement transparent. Ainsi, il est possible de voir l'élément graphique à travers la couche protectrice et/ou à travers le second substrat. Il est également possible que ni la couche protectrice ni le second substrat ne soit à base d'un matériau optiquement transparent. Dans ce cas, il est par exemple possible que le matériau de la couche protectrice et/ou le matériau du second substrat soit choisis afin de pouvoir lire l'élément graphique par exemple par infrarouges ou ultra-violets, ces matériaux étant par exemple du silicium. Les étapes a) à c) peuvent être mises en oeuvre de manière collective pour la réalisation de plusieurs dispositifs à éléments graphiques. Le procédé peut comporter en outre, entre l'étape a) de réalisation de l'empilement et l'étape b) de solidarisation, les étapes de : - dépôt d'une couche de protection contre une face de l'empilement opposée au premier substrat, - gravure d'au moins la couche protection, délimitant les dispositifs à éléments graphiques, - découpe des couches restantes non gravées de l'empilement au niveau des zones gravées au moins dans la couche de protection, - retrait de la couche de protection. 8 BRÈVE DESCRIPTION DES DESSINS La présente invention sera mieux comprise à la lecture de la description d'exemples de réalisation donnés à titre purement indicatif et nullement limitatif en faisant référence aux dessins annexés sur lesquels : - les figures 1A à 1H représentent les étapes d'un procédé de réalisation d'un dispositif à élément graphique, objet de la présente invention, selon un premier mode de réalisation, - les figures 2A à 2D représentent les étapes d'un procédé de réalisation d'un dispositif à élément graphique, objet de la présente invention, selon un second mode de réalisation. Des parties identiques, similaires ou équivalentes des différentes figures décrites ci-après portent les mêmes références numériques de façon à faciliter le passage d'une figure à l'autre. Les différentes parties représentées sur les figures ne le sont pas nécessairement selon une échelle uniforme, pour rendre les figures plus lisibles. Les différentes possibilités (variantes et modes de réalisation) doivent être comprises comme n'étant pas exclusives les unes des autres et peuvent se combiner entre elles. EXPOSÉ DÉTAILLÉ DE MODES DE RÉALISATION PARTICULIERS On se réfère tout d'abord aux figures 1A à 1H qui représentent les étapes d'un procédé de 9 réalisation d'un dispositif à élément graphique 100 selon un premier mode de réalisation. Comme représenté sur la figure 1A, on réalise tout d'abord un empilement comportant un substrat 102 pouvant être à base d'un matériau transparent ou non à la lumière. Ce substrat peut par exemple être un wafer, ou une plaquette, de diamètre par exemple égal à environ 200 mm, par exemple à base de semi-conducteur tel que du silicium, ou de verre. Une couche sacrificielle 104 est disposée sur le substrat 102 et est recouverte par une couche protectrice 106. Le matériau de la couche sacrificielle 104 est choisi afin de pouvoir réaliser par la suite une séparation, ou une désolidarisation, du substrat 102 par rapport à la couche protectrice 106. La couche sacrificielle 104 est par exemple à base de SiNX, par exemple du Si3N4. Dans ce cas, le substrat 102 peut être réalisé à partir d'un matériau transparent tel que du verre afin de pouvoir réaliser par la suite la séparation du substrat 102 et de la couche protectrice 106 par la mise en oeuvre d'un retrait par laser, également appelé � laser liftoff �, dans lequel l'irradiation de la couche sacrificielle 104 par un faisceau laser à travers le substrat transparent 102 entraîne une décomposition de ce matériau, désolidarisant ainsi la couche sacrificielle 104 de la couche protectrice 106. Dans une autre variante, la couche sacrificielle 104 peut être à base d'un matériau fusible, par exemple du germanium, c'est-à-dire un 10 matériau apte à fondre à partir d'une certaine température (par exemple 937°C dans le cas du germanium) et réaliser ainsi la séparation de la couche protectrice 106 par rapport au substrat 102. Dans cette variante, le substrat 102 peut être à base d'un matériau non transparent. Dans une autre variante, la couche sacrificielle 104 peut être à base de silicium poreux, ce qui permettra de réaliser un démontage mécanique de la couche sacrificielle 104 vis-à-vis de la couche protectrice 106, par exemple par l'insertion d'une lame entre la couche protectrice 106 et la couche sacrificielle 104. Dans une autre variante, la couche sacrificielle 104, par exemple à base de Ge ou de Si3N4, peut être éliminée par attaque chimique (avec par exemple une solution à base de H2O2 dans le cas d'une couche sacrificielle à base de Ge ou une solution à base H3PO4 dans le cas d'une couche sacrificielle à base de Si3N4), réalisant ainsi la séparation de la couche protectrice 106 et du substrat 102. Dans ces variantes ne mettant pas en oeuvre une irradiation par faisceau laser de la couche sacrificielle 104 à travers le substrat 102, ce substrat 102 peut être à base d'un matériau non transparent. La couche protectrice 106 est par exemple déposée sur la couche sacrificielle 104 et est à base, par exemple, d'oxyde (tel que du SiO2) et/ou d'alumine et/ou de diamant (tel que du carbone type diamant DLC) et/ou de nitrure (tel que du Si3N4) et/ou de résine et/ou d'au moins un diélectrique. L'épaisseur de la couche protectrice 106 est par exemple comprise entre environ 100 nm et 100 pm afin de pouvoir protéger 11 mécaniquement l'élément graphique qui sera réalisé par la suite au niveau de la couche protectrice 106. Afin de pouvoir observer cet élément graphique à travers la couche protectrice 106, il est possible de réaliser cette couche protectrice 106 à base d'un matériau optiquement transparent. Le degré de transparence de la couche 106 peut être variable. Ainsi, l'épaisseur et le matériau de la couche 106 peuvent être choisis afin que l'élément graphique, qui sera réalisé par la suite, puisse être visible à travers la couche transparente 106. Une couche 108, dans laquelle l'élément graphique est destiné à être réalisé, est disposée sur une face supérieure 107 de la couche protectrice 106 qui est opposée à la face de la couche protectrice 106 en contact avec la couche sacrificielle 104. Cette couche 108 peut être à base de n'importe quel matériau, et notamment, lorsque la couche protectrice 106 et/ou l'objet sur lequel l'élément graphique sera solidarisé sont transparents, un matériau présentant un contraste vis-à-vis des matériaux qui seront disposés par la suite sur la couche 108 (notamment les éléments référencés 110 et 116 sur la figure 1H) étant donné que l'élément graphique pourra être observé à travers la couche protectrice 106 et/ou l'objet transparent. Il est également possible que le matériau de la couche 108 soit au moins partiellement opaque à certaines longueurs d'ondes. Par exemple, si l'élément graphique est destiné à être vu à la lumière visible (longueurs d'ondes comprises entre environ 380 nm et 780 nm) la couche 108 peut être à base de métal. La couche 108 peut également être réalisée à partir d'un matériau 12 présentant un contraste dans la gamme des longueurs d'ondes de la lumière infrarouge (longueurs d'ondes comprises entre environ 780 nm et 1 mm) ou ultraviolette (longueurs d'ondes comprises entre environ 380 nm et 10 nm). L'épaisseur de la couche 108 est par exemple comprise entre environ 10 nm et 1 }gym, et de préférence comprise entre environ 50 nm et 200 nm. La couche 108 est ensuite gravée afin que les portions restantes 109, ou les espaces ou creux formés entre les portions gravées de la couche 108, forment l'élément graphique souhaité (figure 1B). Cet élément graphique représente par exemple des données. De plus, les portions restantes 109 ou les espaces formés entre les portions restantes ont par exemple des dimensions dont la limite inférieure correspond aux limites technologiques des techniques de gravure utilisées. La technique de gravure mise en oeuvre peut être choisie en fonction de la nature du matériau de la couche 108. Il est possible de déposer une couche de masque, par exemple à base d'un matériau minéral, sur la couche 108, de réaliser une gravure de la couche de masque selon le motif de l'élément graphique, puis de graver la couche 108 à travers le masque réalisé sur la couche 108. Le masque est ensuite supprimé. Dans une variante, il est possible de réaliser l'élément graphique en déposant tout d'abord sur la face 107 de la couche protectrice 106 une couche de masque, par exemple à base de résine. Cette couche de résine est alors gravée afin de former un masque dont le motif correspond au 13 motif inverse de l'élément graphique. Le matériau destiné à former l'élément graphique, par exemple du métal ou tout autre matériau adapté et par exemple similaire au matériau de la couche 108 décrite précédemment, est alors déposé sur la face 107 de la couche protectrice 106 à travers le masque, formant ainsi l'élément graphique. Enfin, le masque de résine est supprimé afin de ne conserver sur la face 107 de la couche protectrice 106 que le matériau formant l'élément graphique. Les portions de matériau formant l'élément graphique sont donc similaires aux portions 109 de la couche 108 formant l'élément graphique représentées sur la figure 1B. Comme représenté sur la figure 1C, on réalise ensuite le dépôt puis la planarisation, par exemple mécano-chimique, d'une couche 110, ou d'un empilement de couches, à base d'au moins un matériau compatible avec un collage moléculaire qui sera décrit plus loin. Cette couche 110 recouvre totalement les portions restantes 109 de la couche 108 formant l'élément graphique, ainsi que les portions de la face 107 de la couche transparente 106 qui ne sont pas recouvertes par les portions restantes 109 de la couche 108. La couche 110 est par exemple à base d'un matériau diélectrique, et peut notamment être à base d'oxyde, par exemple du SiO2. La planarisation permet de rendre une face supérieure 112 de la couche 110 compatible, notamment en ce qui concerne la rugosité et la topologie de la surface, pour la mise en oeuvre ultérieure d'un collage moléculaire de la couche 110, au niveau de la face supérieure 112, avec l'objet 14 destiné à recevoir l'élément graphique. La couche 110 peut être réalisée afin que l'épaisseur de cette couche se trouvant au-dessus des portions restantes 109 de la couche 108 soit comprise entre environ 10 nm et 10 }gym, et de préférence comprise entre environ 10 nm et 1 }gym. Bien que la réalisation d'un seul dispositif à élément graphique 100 soit décrite en liaison avec les figures 1A à 1H, d'autres dispositifs à éléments graphiques peuvent également être réalisés à partir de l'empilement de couches précédemment décrit, autour du dispositif 100. Ainsi, les étapes précédemment décrites relatives à la gravure de la couche 108, au dépôt de la couche 110 et à la planarisation de la couche 110 peuvent être mises en oeuvre de manière collective pour tous les dispositifs réalisés à partir de l'empilement de couches 102, 104, 106 et 108 formant dans ce cas un wafer (ou plaquette). De plus, en réalisant une planarisation de la couche 110 de manière collective pour tous les dispositifs du wafer, une telle planarisation n'engendre alors pas d'effet de bord (phénomène d'arrondissement des bords) au niveau des bords de la couche 110 de chaque dispositif, ce qui facilite par la suite le collage moléculaire qui sera réalisé au niveau de la face 112 de la couche 110. On dépose ensuite, sur la face 112 de la couche 110, une couche de protection 114, par exemple à base de Si3N4, de résine, ou encore de carbone (figure ID). Cette couche de protection 114 permet de protéger les couches 102, 104, 106, 109 et 110 d'une gravure sèche ou humide réalisée au moins à travers 15 cette couche de protection 114 pour délimiter des portions de ces couches qui feront parties du dispositif 100. Cette gravure peut également être réalisée à travers les autres couches 110 et/ou 106 et/ou 104. Sur l'exemple de la figure 1D, cette gravure est réalisée à travers les couches 114, 110 et 106. Cette étape de gravure permet donc de délimiter � en surface � le dispositif 100 des autres dispositifs réalisés parallèlement sur le même wafer. Une découpe, par exemple par sciage, est alors réalisée à travers le substrat 102, et éventuellement une ou plusieurs des autres couches 104, 106 et 110 si celles-ci n'ont pas été précédemment gravées, au niveau des délimitations précédemment réalisées par gravure, permettant d'obtenir une puce individuelle 115 (figure 1E). Comme représenté sur la figure 1F, la couche de protection 114 est ensuite supprimée. Dans une variante, il est possible de retirer la couche de protection 114 préalablement à la découpe réalisée dans le substrat 102. Des étapes de préparation au collage moléculaire de la face 112 peuvent alors être mises en oeuvre de manière collective ou individuelle pour la puce 115 ou l'ensemble des puces issues de l'empilement initial des couches 102, 104, 106, 108 et 110. Ces étapes de préparation peuvent être des étapes de nettoyage chimique de la surface 112 par des solutions du type CARO, SC1, etc., et/ou des étapes de préparation mécanique, par exemple un brossage, et/ou des étapes de traitement UV, à l'ozone, ou de type 16 plasma permettant d'activer les molécules de la couche 110 au niveau de la surface 112. On réalise ensuite un collage moléculaire de la puce 115 avec un second substrat 116 (substrat sur lequel il est possible de disposer au préalable une couche d'oxyde), au niveau de la face 112 de la couche diélectrique 110 (figure 1G). Ce second substrat 116 correspond à l'objet destiné à comporter l'élément graphique, c'est-à-dire l'objet à identifier et/ou à décorer (bijou, verre de montre, pierre précieuse, écran de dispositif électronique,...). Le dispositif 100 est ensuite achevé en séparant le substrat 102 et la couche sacrificielle 104 de la couche protectrice 106 par la mise en oeuvre d'une des techniques de séparation décrite précédemment en fonction de la nature du matériau de la couche sacrificielle 104 (retrait par laser lorsque le substrat 102 est transparent et que le matériau de la couche sacrificielle 104 est apte à se décomposer ou à réaliser un dégazage, traitement thermique lorsque la couche sacrificielle 104 est à base d'un matériau fusible, application d'une contrainte mécanique pour séparer mécaniquement la couche sacrificielle 104 de la couche protectrice 106, ou attaque chimique pour éliminer la couche sacrificielle 104) comme cela est représenté sur la figure 1H. On se réfère maintenant aux figures 2A à 2D qui représentent les étapes d'un procédé de réalisation d'un dispositif à élément graphique 200 selon un second mode de réalisation. 17 De manière analogue au premier mode de réalisation, on réalise tout d'abord un empilement comportant le substrat 102, la couche sacrificielle 104 disposée sur le substrat 102 et recouverte par la couche protectrice 106 (figure 2A). Les matériaux et/ou les épaisseurs de ces couches sont par exemple sensiblement similaires aux matériaux et/ou aux épaisseurs précédemment décrits en liaison avec le premier mode de réalisation. Dans ce second mode de réalisation, le matériau de la couche protectrice 106 est de préférence un matériau transparent, par exemple du SiO2. Toutefois, contrairement au premier mode de réalisation, l'empilement de couches réalisé dans ce second mode de réalisation ne comporte pas la couche 108 dans laquelle l'élément graphique était gravé. Dans ce second mode de réalisation, l'élément graphique est gravé directement dans la couche protectrice 106, au niveau de sa face supérieure 107 qui est opposée à la face en contact avec la couche sacrificielle 104 (voir figure 2B). Des creux 202 sont donc réalisés par exemple par photolithographie et gravure, ou par gravure à travers un masque réalisé temporairement sur la couche protectrice 106, dans la face supérieure 107 de la couche protectrice 106, ces creux 202 formant l'élément graphique. Il est possible de déposer ensuite, sur la face supérieure 107 de la couche protectrice 106, une couche de protection afin de protéger les couches 106, 104 et 102 d'une gravure sèche ou humide réalisée au moins à travers la couche de protection pour 18 délimiter des portions de ces couches qui feront parties du dispositif 200. Cette gravure peut également être réalisée à travers les autres couches 106 et 104. Cette gravure peut être réalisée au travers de l'empilement sur une épaisseur comprise entre environ 10 nm et 500 nm, et de préférence comprise entre environ 10 nm et 100 nm. Cette étape de gravure de la couche de protection permet donc de délimiter le dispositif 200 des autres dispositifs réalisés parallèlement sur le même wafer. En effet, de manière analogue au premier mode de réalisation, bien que la réalisation d'un seul dispositif à élément graphique soit représenté sur les figures 2A à 2D, plusieurs autres dispositifs à élément graphiques, non représentés, sont également réalisés à partir de l'empilement de couches précédemment décrit, par la mise en oeuvre collective des étapes décrites en liaison avec les figures 2A et 2B. Une découpe, par exemple par sciage, est alors réalisée à travers le substrat 102, et éventuellement les couches 104 et 106 si ces couches n'ont pas été gravées au préalable, au niveau des délimitations précédemment réalisées par gravure dans la couche de protection, permettant d'obtenir une puce individuelle, la couche de protection étant ensuite supprimée. Là encore, il est possible que la couche de protection soit retirée préalablement à la mise en oeuvre de la découpe à travers le substrat 102. Dans une variante de réalisation, il est possible, préalablement au dépôt de la couche de protection, de déposer un matériau, tel qu'un métal ou du polysilicium, dans les creux 202. Le dépôt d'un tel 19 matériau permet notamment, lorsque la couche protectrice 106 et/ou le second substrat 116 sont à base d'un matériau optiquement transparent, d'améliorer le contraste pour l'observation de l'élément graphique qui est alors formé par les creux et par le matériau déposé dans les creux. On réalise ensuite un collage moléculaire de la couche protectrice 106 avec le second substrat 116, c'est-à-dire l'objet à identifier et/ou à décorer, au niveau de la face supérieure 107 de la couche protectrice 106 comportant l'élément graphique (figure 2C). Dans ce second mode de réalisation, la face du second substrat 116 destinée à être solidarisée à la couche protectrice 106 peut être préalablement recouverte d'une couche d'oxyde 204, par exemple de même nature que l'oxyde de la couche protectrice 106, rendant compatible le collage moléculaire entre le second substrat 116 et la couche transparente 106. De plus, compte tenu de la présence des creux 202 au niveau de la face 107 destinée à être collée moléculairement, ce collage moléculaire est réalisé de préférence dans une chambre sous vide. Le dispositif 200 est ensuite achevé en séparant le substrat 102 et la couche sacrificielle 104 de la couche protectrice 106 par la mise en oeuvre d'une des techniques de séparation décrite précédemment en fonction de la nature du matériau de la couche sacrificielle 104 (retrait par laser lorsque le substrat 102 est transparent, traitement thermique lorsque la couche sacrificielle 104 est à base d'un 20 matériau fusible, application d'une contrainte mécanique pour séparer mécaniquement la couche sacrificielle 104 de la couche protectrice 106, ou attaque chimique pour éliminer la couche sacrificielle 104) comme cela est représenté sur la figure 2D. REVENDICATIONS1. Procédé de réalisation d'un dispositif (100, 200) à élément graphique (109, 202), comportant au moins les étapes de : a) réalisation d'au moins un empilement comportant au moins une couche sacrificielle (104) disposée entre au moins un premier substrat (102) et au moins une couche protectrice (106), et au moins un élément graphique (109, 202) réalisé au niveau d'une première face (107) de la couche protectrice (106) opposée à une seconde face de la couche protectrice (106) telle que ladite seconde face soit disposée contre la couche sacrificielle (104), b) solidarisation dudit empilement avec au moins un second substrat (116) telle que l'élément graphique (109, 202) soit disposé entre le premier substrat (102) et le second substrat (116), c) désolidarisation de la couche sacrificielle (104) vis-à-vis de la couche protectrice (106). 2. Procédé selon la revendication 1, dans lequel l'élément graphique (202) est réalisé, au cours de l'étape a), en gravant au moins la première face (107) de la couche protectrice (106) selon un motif de l'élément graphique (202). 3. Procédé selon la revendication 2, dans lequel l'étape b) de solidarisation comporte un collage moléculaire de la couche protectrice (106) contre le 22 second substrat (116) mis en oeuvre dans un environnement sous vide. 4. Procédé selon la revendication 3, dans lequel la couche protectrice (106) est à base d'oxyde de silicium ou de nitrure de silicium, le second substrat (116) comportant une face (204) à base d'oxyde de silicium ou de nitrure de silicium, la couche protectrice (106) et le second substrat (116) étant collés moléculairement l'un à l'autre, au cours de l'étape b), au niveau de la première face (107) de la couche protectrice (106) et de ladite face (204) du second substrat (116). 5. Procédé selon la revendication 1, dans lequel l'étape a) de réalisation de l'empilement comporte la mise en oeuvre des étapes suivantes : - réalisation d'un empilement comportant la couche sacrificielle (104) disposée entre le premier substrat (102) et la couche protectrice (106), et une couche (108) destinée à former l'élément graphique (109) disposée contre la première face (107) de la couche protectrice (106), - gravure de la couche (108) destinée à former l'élément graphique (109) selon un motif de l'élément graphique, les portions restantes de ladite couche (108) gravée formant l'élément graphique (109), - dépôt d'une couche (110) recouvrant la couche protectrice (106) et l'élément graphique (109), 23 - planarisation de la couche (110) recouvrant la couche protectrice (106) et l'élément graphique (109). 6. Procédé selon la revendication 5, dans lequel la couche (108) destinée à former l'élément graphique (109) est à base d'un matériau au moins partiellement opaque à la lumière visible, et/ou visible à la lumière infrarouge et/ou ultraviolette. 7. Procédé selon la revendication 1, dans lequel l'étape a) de réalisation de l'empilement comporte la mise en oeuvre des étapes suivantes : - réalisation d'un empilement comportant la couche sacrificielle (104) disposée entre le premier substrat (102) et la couche protectrice (106), et une couche de masque disposée contre la première face (107) de la couche protectrice (106), - gravure de la couche de masque selon un motif inverse du motif de l'élément graphique, - dépôt d'un matériau sur la première face (107) de la couche protectrice (106) à travers la couche de masque gravée, formant l'élément graphique, - suppression de la couche de masque gravée, - dépôt d'une couche (110) recouvrant la couche protectrice (106) et l'élément graphique, planarisation de la couche (110) recouvrant la couche protectrice (106) et l'élément graphique. 24 8. Procédé selon l'une des revendications 5 à 7, dans lequel l'étape b) de solidarisation comporte un collage moléculaire de la couche (110) recouvrant la couche protectrice (106) et l'élément graphique (109) contre le second substrat (116). 9. Procédé selon l'une des revendications 5 à 8, dans lequel la couche (110) recouvrant la couche protectrice (106) et l'élément graphique (109) est à base d'un matériau diélectrique. 10. Procédé selon la revendication 8, dans lequel la couche (110) recouvrant la couche protectrice (106) et l'élément graphique (109) est à base d'oxyde de silicium ou de nitrure de silicium, le second substrat (116) comportant une face (204) à base d'oxyde de silicium ou de nitrure de silicium, la couche (110) recouvrant la couche protectrice (106) et l'élément graphique (109), et le second substrat (116) étant collés moléculairement l'un à l'autre, au cours de l'étape b), au niveau de ladite face (204) du second substrat (116). 11. Procédé selon l'une des revendications précédentes, dans lequel l'étape c) de désolidarisation comporte une application d'une contrainte mécanique entre la couche sacrificielle (104) et la couche protectrice (106), et/ou, lorsque le premier substrat (102) est à base d'un matériau au moins partiellement transparent et la couche sacrificielle (104) à base d'au moins un matériau apte à se décomposer, une 25 irradiation laser de la couche sacrificielle (104) à travers le premier substrat (102), et/ou, lorsque la couche sacrificielle (104) est à base d'un matériau fusible, un traitement thermique à une température supérieure ou égale à la température de fusion dudit matériau fusible, et/ou une attaque chimique par une solution apte à décomposer le matériau de la couche sacrificielle (104). 12. Procédé selon l'une des revendications précédentes, dans lequel la couche protectrice (106) et/ou le second substrat (116) sont à base d'au moins un matériau optiquement transparent. 13. Procédé selon l'une des revendications précédentes, dans lequel les étapes a) à c) sont mises en oeuvre de manière collective pour la réalisation de plusieurs dispositifs (100, 200) à éléments graphiques. 14. Procédé selon la revendication 13, comportant en outre, entre l'étape a) de réalisation de l'empilement et l'étape b) de solidarisation, les étapes de : - dépôt d'une couche de protection (114) 25 contre une face (112) de l'empilement opposée au premier substrat (102), - gravure d'au moins la couche de protection (114), délimitant les dispositifs (100, 200) à éléments graphiques, 30 - découpe des couches restantes non gravées (110, 108, 106, 104, 102) de l'empilement au niveau des 15 20 26 zones gravées au moins dans la couche de protection (114), - retrait de la couche de protection (114).5