FR 2946796 A1 20101217 FR 0953908 A 20090611 1 DISPOSITIF MICROELECTRONIQUE DOTE D'UNE MATRICE D'ELEMENTS A BASE D'UN POLYMERE CONDUCTEUR A COEFFICIENT DE TEMPERATURE POSITIF DESCRIPTION DOMAINE TECHNIQUE L'invention concerne le domaine de la microélectronique et des circuits intégrés. Elle prévoit la réalisation d'un dispositif microélectronique comportant un ou plusieurs circuits électroniques et des éléments d'interconnexion formant au moins un via destiné à connecter des niveaux métalliques entre eux et à véhiculer un courant électrique. Ces éléments d'interconnexion comportent un matériau particulier pour former des moyens de protection contre des surintensités ou des phénomènes d'échauffement dans le dispositif. ART ANTERIEUR Le document : � Low-resistance, power saving, miniature type polymer PTC thermistors � provenant de la société TDK et datant d'octobre 2003, présente un dispositif électronique doté d'une couche de polymère conducteur CTP (CTP pour � coefficient de température positif �) située entre des électrodes et servant de protection contre des surintensités ou des surchauffes. Dans le domaine de la microélectronique, les dispositifs microélectronique sont généralement 2 dotés d'un ou plusieurs circuits intégrés comprenant un ou plusieurs niveaux d'interconnexions métalliques, formés de lignes conductrices horizontales reliées entre elles par des éléments conducteurs verticaux également appelés � nias �. Dans ce domaine, des systèmes apportant une protection aux circuits intégrés contre des conditions de surintensité ou de surchauffe, sont connus. Parmi ces systèmes figurent des fusibles intégrés à action unique, qui, la plupart du temps, sont détruits après une seule utilisation, c'est-à-dire dès lorsqu'une surintensité survient. Il se pose le problème de trouver un nouveau moyen de protection contre des surintensités intégré dans un dispositif microélectronique doté d'un ou plusieurs circuits intégrés, qui ne soit pas limité à une utilisation unique, et qui réponde à des critères de faible encombrement et de faible coût de mise en œuvre. EXPOSÉ DE L'INVENTION L'invention concerne tout d'abord un procédé de réalisation d'un dispositif microélectronique comprenant sa fabrication par : a) réalisation sur un substrat d'un ou plusieurs composants d'au moins un circuit électronique et d'un ou plusieurs niveaux métalliques d'interconnexion du circuit électronique dans au moins une couche isolante, b) réalisation d'une pluralité d'éléments d'interconnexions orthogonaux au plan principal du 3 substrat, traversant ladite couche isolante, lesdits éléments étant à base d'un matériau polymère conducteur à coefficient de température positif. Les éléments d'interconnexion à base d'un matériau polymère conducteur à coefficient de température positif forment des moyens de protection, à utilisations multiples, à la fois contre des surintensités, et contre une surchauffe du dispositif. Ces éléments d'interconnexion peuvent ainsi jouer le rôle de fusibles, thermiques et/ou électriques, réutilisables. Les éléments d'interconnexion forment un organe de sécurité, permettant d'interrompre ou limiter le courant électrique entre des plots conducteurs ou des zones conductrices, lorsque la température dépasse un certain seuil prédéterminé ou qu'un courant destiné à traverser ces éléments dépasse un certain seuil prédéterminé. Les éléments d'interconnexion peuvent être connectés au dernier niveau métallique parmi lesdits niveaux métalliques d'interconnexion des composants. Les éléments d'interconnexion peuvent être également agencés selon une matrice de X*Y éléments d'interconnexion (avec X et/ou Y des entiers supérieurs à 1) et comportant une ou plusieurs rangées verticales et une ou plusieurs rangées horizontales d'éléments d'interconnexion. Selon une possibilité, la matrice peut être formée d'une pluralité d'autres éléments d'interconnexions orthogonaux au plan principal du substrat, traversant ladite couche isolante, lesdits autres éléments étant à base d'un matériau du circuit électronique susceptible d'atteindre une température supérieure à un seuil prédéterminé lorsque le dispositif fonctionne dans une gamme de courants donnée, peut être effectuée. Les éléments à base de matériau polymère conducteur à coefficient de température positif sont alors disposés à l'étape b) en fonction de ladite zone d'échauffement localisée. Les éléments à base de polymère conducteur à 10 coefficient de température positif, peuvent être formés sur une première zone conductrice, et prévus pour relier électriquement la première zone conductrice à une deuxième zone conductrice. Le procédé peut comprendre préalablement à l'étape b), ou à l'étape a), ou à la fabrication du dispositif, une étape de 15 détermination d'au moins un courant maximal destiné à circuler entre la première zone conductrice et la deuxième zone conductrice, lorsque le dispositif fonctionne dans une gamme de températures donnée, le nombre d'éléments et la taille des éléments à base de polymère conducteur à coefficient de 20 température positif formés à l'étape b), étant prévus en fonction de ladite valeur de courant maximal déterminée. Préalablement à l'étape b), ou à l'étape a) ou à la fabrication du dispositif, une étape de détermination d'au moins une zone (Z) d'échauffement du circuit électronique, susceptible 25 d'atteindre une température supérieure à un seuil prédéterminé lorsque le dispositif fonctionne dans une gamme de courant donnée, peut être prévue. Les éléments sont disposés à l'étape b) en fonction de ladite au moins une zone d'échauffement localisée. 30 L'invention concerne également un dispositif microélectronique comprenant - un substrat, une pluralité de composants formant un circuit électronique sur le substrat, 35 - une pluralité de niveaux métalliques superposés d'interconnexions des composants, lesdits niveaux métalliques étant situés dans au moins une couche isolante reposant sur le substrat, - une pluralité d'éléments verticaux de connexion à base d'un matériau polymère conducteur à 5 coefficient de température positif, lesdits éléments traversant une épaisseur de la couche isolante et étant connectés à au moins à une zone conductrice d'un niveau d'interconnexion donné. Lesdits éléments peuvent être connectés à 10 au moins à une autre zone conductrice d'un autre niveau d'interconnexion différent dudit niveau donné. Les éléments à base de matériau polymère conducteur à coefficient de température positif peuvent être agencés selon une matrice. 15 La matrice peut comprendre des éléments conducteurs à base de matériau métallique. Les éléments d'interconnexion à base de polymère conducteur à coefficient de température positif, peuvent être connectés au dernier niveau 20 métallique parmi lesdits niveaux métallique d'interconnexion. Les éléments à base d'un matériau polymère conducteur à coefficient de température positif peuvent relier et connecter électriquement une première zone 25 conductrice et une deuxième zone conductrice. Le nombre et la taille des éléments d'interconnexion à base de matériau polymère conducteur à coefficient de température positif, peuvent être alors prévus de manière à limiter le courant entre la première zone 30 conductrice et une deuxième zone conductrice à une valeur de courant prédéterminée. 6 Les éléments à base de matériau polymère conducteur à coefficient de température positif peuvent être disposés au niveau d'une zone d'échauffement localisée prédéterminée du circuit électronique. BRÈVE DESCRIPTION DES DESSINS La présente invention sera mieux comprise à la lecture de la description d'exemples de réalisation donnés, à titre purement indicatif et nullement limitatif, en faisant référence aux dessins annexés sur lesquels : - les figures 1A-1C donnent des exemples de dispositif microélectronique suivant l'invention, doté d'une matrice d'éléments d'interconnexion à base de matériau polymère conducteur à CTP positif ; - la figure 2, illustre un exemple de profil d'évolution de la résistivité d'un matériau polymère conducteur à CTP positif en fonction de la température ; - la figure 3, donne différents exemples de profils d'évolution de la résistivité en fonction de la température, de différents types de matériaux polymères conducteurs à CTP positif ; - les figures 4A-4D, illustrent un exemple de procédé de réalisation d'un dispositif microélectronique suivant l'invention. Des parties identiques, similaires ou équivalentes des différentes figures portent les mêmes références numériques de façon à faciliter le passage d'une figure à l'autre. 7 Les différentes parties représentées sur les figures ne le sont pas nécessairement selon une échelle uniforme, pour rendre les figures plus lisibles. EXPOSÉ DÉTAILLÉ DE MODES DE RÉALISATION PARTICULIERS Un premier exemple de dispositif microélectronique, mis en oeuvre suivant l'invention, va à présent être décrit. Ce dispositif est formé sur un substrat, par exemple semi-conducteur et comprend un ou plusieurs circuits électroniques intégrés, ainsi que plusieurs niveaux superposés d'interconnexions MI,", Mn, du ou des circuits. Chaque niveau d'interconnexion Mk peut être formé d'un ou plusieurs éléments de connexion horizontaux, c'est-à-dire des éléments parallèles ou sensiblement parallèles au plan principal du substrat (le plan principal du substrat étant un plan parallèle au plan [ 0 ; 1 ; j ] du repère orthogonal [ 0 ; 1 ; j ; k ] donné sur les figures 1A-1C), et d'un ou plusieurs éléments de connexion verticaux, communément appelés � nias �, perpendiculaires ou sensiblement perpendiculaires au plan principal du substrat. Les éléments d'interconnexion sont situés dans une ou plusieurs couches isolantes formées sur le substrat (le substrat ainsi que la ou les couches isolantes n'étant pas représentés sur les figures 1A-1C). Sur la figure 1A, un dernier niveau 30 métallique Mn d'interconnexion d'un dispositif 8 microélectronique est représenté et comporte une matrice de X*Y éléments d'interconnexion 105 verticaux, destinés à acheminer un courant entre un plot conducteur 106 du dernier niveau Mn, c'est-à-dire le plus éloigné du substrat, et un autre plot conducteur 104 d'un niveau inférieur, par exemple de l'avant dernier niveau métallique Mn_1. Le plot conducteur 106 du dernier niveau Mn peut être relié à une ligne métallique horizontale (non représentée), par exemple à base de cuivre, tandis que le plot conducteur 104 de l'avant dernier niveau Mn_1 est relié à une autre ligne métallique horizontale 103. Les éléments d'interconnexion 105 de la matrice sont formés d'un matériau 110 polymère conducteur à coefficient de température positif (ou PTC selon la terminologie anglo-saxonne pour � positive temperature coefficient �). Le matériau polymère conducteur à coefficient de température positif peut être par exemple à base de Polyacéthylène (PA), du Polythiophène (PT), du Poly(3-alkyl)thiophène, du Polypyrrole (PPy), ou de la Polyaniline (PANi), et comporter des particules telles que des particules conductrices ou des particules de carbone. Les éléments d'interconnexion 105 forment des moyens de protection, à utilisations multiples, à la fois contre des surintensités, et contre une surchauffe du dispositif. Les éléments d'interconnexion 105 peuvent ainsi jouer le rôle de fusibles, thermiques et/ou électriques, réutilisables. 9 Les éléments d'interconnexion 105 forment un organe de sécurité, permettant de limiter ou d'interrompre le courant électrique entre les plots 104 et 106, lorsque la température dépasse un certain seuil prédéterminé ou qu'un courant destiné à traverser ces éléments dépasse un certain seuil prédéterminé. Le nombre, la taille des éléments 105 d'interconnexion verticaux à base de matériau 110 sont prévus d'une part en tenant compte de la conductance du matériau polymère à CTP pour avoir une résistance inférieure ou égale à celle d'un plot classique métallique et d'autre part, de manière à définir un de courant maximal, que la matrice d'éléments est destinée à empêcher de véhiculer entre les plots 105, 106 ou que l'on souhaite admettre au maximum dans la ligne conductrice 103, la température dépendant de ce courant maximal, elle sera automatiquement limitée en fonction de la température critique du polymère conducteur à CTP. Le nombre et la taille des éléments 105 d'interconnexion verticaux peuvent être prévus également en fonction d'une grandeur seuil de température que l'on ne souhaite pas dépasser. La grandeur seuil de température dépend également de la loi d'évolution de la résistivité en température propre au matériau 110 polymère conducteur à coefficient de température positif que l'on a choisi. A l'aide d'un logiciel tel que par exemple le logiciel ANSYS de la société ANSOFT, on peut déterminer par simulation, une puissance maximale 10 susceptible d'être dissipée par le dispositif à la température seuil Tmax. La puissance dissipée par les éléments 105 dépend d'une densité de courant traversant ces éléments. Ainsi, à partir d'une évaluation de cette densité de courant, en connaissant le profil de résistivité du polymère à CTP positif choisi, on détermine la hauteur, la section des éléments 105 d'interconnexion, ainsi que leur nombre. Sur la figure 1B, une variante du dispositif de la figure 1A est donnée. Dans cet exemple, la matrice d'éléments de connexion comporte une alternance d'éléments 105 à base de matériau 110 polymère conducteur à coefficient de température positif, et d'éléments 205 conducteurs à base d'un matériau métallique, par exemple tel que du Cuivre, ou du Tungstène, ou de l'Aluminium. Dans ce cas, les éléments 105 de la matrice sont prévus pour acheminer un courant et sont susceptibles de jouer réutilisables, tandis que pour rôle d'acheminer un et 106. Sur la figure le rôle de fusibles les autres éléments 205 ont courant entre les plots 104 1C, une autre variante du dispositif des figures 1A et 1B est donnée. La matrice d'éléments de connexion comporte des éléments de connexion 105 verticaux à base d'un matériau 110 polymère conducteur à coefficient de température positif, localisés sur une zone Z de connexion d'un composant ou connectée à un composant ou un circuit, et 11 qui est a été déterminée comme une zone d'échauffement important de ce composant ou de ce circuit. Le composant peut être par exemple un microprocesseur ou un circuit analogique fonctionnant à une fréquence élevée, ou une alimentation en tension. La zone Z peut avoir été préalablement déterminée comme zone d'échauffement important par simulation par exemple à l'aide d'un logiciel tel que par exemple le logiciel ANSYS de la société ANSOFT, au cours de laquelle on identifie des zones du dispositif d'échauffement le plus important lorsque ce dernier est en fonctionnement. La zone Z peut avoir été préalablement déterminée comme une zone susceptible d'atteindre une certaine gamme de températures pour une gamme de courants donnée circulant dans le dispositif. Dans ce cas, la zone Z joue le rôle d'un capteur de température dont la résistance électrique pourra être utilisée par un circuit de régulation indépendant. Dans l'un ou l'autre des exemples de dispositif qui viennent d'être donnés, un circuit de contrôle de la résistance de la matrice d'éléments 105 peut être prévu. Un tel circuit de contrôle peut être prévu pour détecter des augmentations de résistance de la matrice dues par exemple à une augmentation de la température globale. Un tel circuit peut être prévu pour limiter les courants d'alimentation d'un circuit intégré connecté à la matrice d'éléments d'interconnexion 105. Un tel circuit de contrôle peut être réalisé par exemple à l'aide d'une diode ou d'un transistor intégré. 12 Un exemple de profil d'évolution de la résistivité d'un polymère conducteur à coefficient de température positif est donné sur la figure 2. Sur cette figure la courbe C1 de variation de la résistance du polymère conducteur à coefficient de température positif est exprimée en unité logarithmiques. Cette courbe comporte une zone (portion P1 de la courbe C1) dite de � faible résistivité � dans laquelle, pour des températures inférieures à une température TF(°c) appelée température normale de fonctionnement, le polymère conducteur a une faible résistivité évoluant peu en fonction de la température. Cette courbe comporte ensuite une zone de croissance (portion P2 de la courbe C1) importante entre la température TF (°c) et une température Tc (°C) appelée température caractéristique de transition, ainsi qu'au-delà de la température T°c. Puis, le polymère comporte (portion P3 de la courbe C1) une zone de forte résistivité pour des températures supérieures à une température Tc (°C) . Le dépassement d'une densité de courant admissible entraîne un échauffement du polymère. Le coefficient de température de la résistance du polymère étant positif, la résistance d'un élément de connexion 105 formé à base de ce polymère augmente, ce qui a tendance à faire chuter la tension aux extrémités des éléments de connexion 105, et à limiter le courant et sa densité de courant traversant la matrice d'éléments 105. La température des éléments de connexion 105 a tendance à décroître. 13 Si le dispositif est soumis à une température ambiante très élevée, par exemple de l'ordre de 125°C ou 150°C pour un microprocesseur, la densité de courant traversant la matrice est limitée par la résistance accrue du polymère et n'entraîne pas d'échauffement supplémentaire. La matrice d'élément 105 est ainsi susceptible de fonctionner également en limiteur thermique et comme moyen de protection contre un emballement thermique. La température caractéristique de transition Tc ainsi que le profil de résistivité dépendent de la nature et de la composition du polymère. Ces paramètres peuvent être modulés en adaptant la charge en particules conductrices que contient le polymère conducteur. La température caractéristique de transition Tc ainsi que le profil de résistivité du polymère conducteur à CTP (Coefficient de température positif) utilisé, peuvent être adaptés en fonction de l'application désirée pour le dispositif décrit en liaison avec les figures 1A-1C. Des exemples différents de profils de résistivité en fonction de la température, de 3 matériaux polymères à coefficient de température positif différents sont donnés sur la figure 3. Le premier exemple de profil (courbe Cio) est celui d'un premier polymère ayant une faible résistivité RO lorsqu'inférieur à la température Tc, et 14 une transition abrupte à partir de la température Tc, passant de RO à 10000*RO. Un tel polymère peut permettre d'assurer une fonction de disjoncteur, qui, dès lors qu'il atteint la température critique Tc augmente brusquement sa résistivité de manière à ne plus conduire de courant. Un polymère tel que le Polyethylène, l'ethylène, le propylène-diène, un terpolymère, chargé en carbone peut avoir un profil de ce type. Le deuxième exemple de profil (courbe C20) est celui d'un deuxième matériau polymère ayant une faible résistivité RO et une transition plus progressive que dans le premier exemple, de sorte qu'une augmentation de résistivité, de RO à 10000*RO, se fait dans une gamme de température AT de l'ordre de 5°C. Le deuxième matériau peut permettre d'assurer une régulation en température. Dès lors qu'un tel matériau augmente en température et atteint une température dans la gamme AT, cela entraine une augmentation de résistivité de manière à induire une baisse du courant de la matrice d'éléments de connexion formés à base de ce matériau, ce qui a tendance à induire une baisse de température. Le troisième exemple de profil (courbe Cao) est celui d'un troisième polymère ayant une résistivité plus importante en dessous de la température critique Tc et une transition plus progressive que dans les deux exemples précédents, de sorte qu'une augmentation de résistivité, de 10*R0 à 10000*R0, se fait dans une gamme de température AT de l'ordre de 5°C. 15 Une matrice d'éléments à base d'un tel polymère peut permettre d'assurer une régulation en température. Pour former une matrice à l'aide d'un tel polymère, on peut prévoir un nombre plus important d'éléments conducteurs 105 que pour une matrice formée à l'aide du deuxième polymère correspondant au deuxième exemple de profil. Lorsque la densité de courant J traversant la matrice est telle, ou que la température des éléments 105 est telle que la température Tc n'est pas atteinte, les éléments 105 conduisent et leur résistivité varie peu. Lorsque la densité de courant J traversant la matrice est telle, ou que la température des éléments 105 est telle, que la température de transition Tc est dépassée, cela induit une augmentation de la résistance de la matrice de connexion, l'augmentation créant une chute de tension et une baisse de la densité de courant traversant la matrice et parvenant jusqu'au plot 104, ce qui crée une baisse de la température des éléments 105 de la matrice, jusqu'à un équilibre thermique où l'échauffement des élément 105 et la dissipation générée par ces éléments 105 s'équilibre. Un procédé de réalisation d'un dispositif microélectronique suivant l'invention, doté d'une pluralité de circuits superposés et d'éléments verticaux d'interconnexions appelés � supervias � formés à base d'un polymère conducteur à coefficient de température positif, va à présent être décrit en liaison avec les figures 4A-4D. 16 On réalise tout d'abord un dispositif comprenant une pluralité de circuits intégrés superposés. Le dispositif comprend ainsi au moins un premier circuit C100 et au moins un deuxième circuit C200, formé au-dessus du premier circuit C100. Les circuits C100, C200 peuvent être par exemple de l'un ou l'autre des types suivants : électronique, RF, optoélectronique, logique, mémoire, MEMS, un ou plusieurs composants passifs. Le dispositif que l'on réalise peut comporter au moins un premier circuit d'un premier type et au moins un deuxième circuit d'un type différent, choisis par exemple parmi les types de circuits précités. Le premier circuit C100 est formé sur un substrat 200 et comporte une pluralité de composants 202, par exemple notamment des transistors, ainsi qu'une pluralité de k niveaux métalliques M1,...,Mk d'interconnexion des composants réalisés dans une couche isolante 213. Le deuxième circuit C200 peut être formé sur un deuxième substrat 300 et peut comporter également une pluralité de composants 302, ainsi qu'une pluralité de p niveaux métalliques d'interconnexion des composants 302, situés dans une couche isolante 313. Le premier circuit C100 et le deuxième circuit C200 peuvent être formés indépendamment, puis assemblés, par exemple par un procédé de collage retournement dans lequel on retourne le deuxième 17 substrat 300, on aligne les deux substrats 200, 300, l'un par rapport à l'autre puis on colle, par exemple par collage moléculaire les deux circuits C100, C200, l'un sur l'autre. Une interface 320 de collage, qui peut être formée d'une épaisseur isolante, par exemple à base d'oxyde de silicium sépare les interconnexions des deux circuits C100 et C200 (figure 4A). Ensuite on peut réaliser un amincissement du deuxième substrat 300, de manière à diminuer son épaisseur et ne conserver qu'une épaisseur qui peut être par exemple de l'ordre de plusieurs micromètres, par exemple de l'ordre de 15 pm à 30 }gym. Ensuite, une couche de matériau diélectrique 303, par exemple du SiO2, peut être réalisée sur le deuxième substrat 200. Puis (figure 4B), on forme des ouvertures 406, 408 traversant notamment ledit deuxième substrat 300, la couche isolante 313, l'interface de collage 220. Les ouvertures 406, 408 peuvent être réalisées par exemple par photolithographie et gravure et débouchent respectivement sur au moins une zone métallique 240 du premier circuit C100 et sur au moins une zone métallique 340 du deuxième circuit C200. Une ou plusieurs tranchées parallèles au plan principal du substrat (défini sur la figure 4B comme un plan passant par le substrat et parallèle au plan [0; i ; j ] du repère orthogonal [0; i ; j ; k ] ) peuvent également être formées dans la couche de matériau 18 diélectrique 403, dont au moins une tranchée 407 dévoilant l'embouchure des ouvertures 406 et 408. Les ouvertures 406, 408 peuvent être agencées de manière à traverser des zones d'isolation 305 STI (STI pour � shallow trench isolation �) du deuxième circuit C200. Les ouvertures 406, 408 peuvent avoir un diamètre D (mesuré sur la figure 4B dans une direction parallèle au vecteur j du repère orthogonal [O;1;j;k]) compris par exemple entre 1 et 5 pm ou entre 5 et 10 pm. Les ouvertures 406, 408 peuvent également avoir une hauteur H (mesurée sur la figure 4B dans une direction parallèle au vecteur k du repère orthogonal [O;1;j;k]) compris par exemple entre 15 pm et 20 pm ou entre 15 pm et 30 pm. Les ouvertures 406, 408 peuvent être ainsi éventuellement prévues avec des dimensions plus élevées que celles (resp. ceux) des vias des dispositifs classiques. Ensuite, on forme une fine couche isolante 433 sur les parois des ouvertures 406, 408, de manière à recouvrir des parties du deuxième substrat 300 dévoilées par les ouvertures 406, 407. Une telle fine couche isolante 433 peut permettre d'empêcher de mettre les vias qui sont destinés à être réalisés dans les ouvertures 406, 408 en court circuit avec le substrat 300. 19 Une telle fine couche isolante 433 peut être par exemple à base d'un diélectrique tel que du SiO2. Puis, on effectue un remplissage des ouvertures 406, 408 à l'aide d'un matériau polymère conducteur 455 à coefficient de température positif. Le polymère conducteur à coefficient de température positif peut être à base de polyaniline ou formé d'un matériau organique à base de carbone ayant des propriétés conductrices naturelles ou obtenues par dopage. Le remplissage peut être effectué à une température inférieure à 200°C. Le polymère conducteur peut être par exemple formé par dépôt CVD (CVD pour � Chemical Vapor Deposition �) ou PVD (PVD pour � Physical Vapor Deposition �. La technique de remplissage est adaptée en fonction de la taille des ouvertures 406, 408, à remplir et du facteur de forme de ces dernières. Pour des facteurs de forme entre 5 et 10, la viscosité du polymère conducteur peut être adaptée entre 1 et 104 Ctps et jusqu'à des facteurs de forme (rapport hauteur sur largeur des motifs) la viscosité du polymère peut être comprise entre 104 et 105 centipoises. Le remplissage peut être éventuellement suivi d'une étape de polissage mécano-chimique CMP. Un recuit thermique ou par UV peut permettre de faire fluer la couche déposée et éliminera les solvants résiduels et de réorganiser la structure chimique du polymère. 20 Avec le dépôt d'un tel polymère, on peut se prémunir d'étapes de réalisation d'un empilement de couches telles que des couches de barrière de diffusion ou d'accrochage lorsque les interconnexions sont à base de cuivre. Le polymère conducteur, bien qu'ayant une conductivité plus faible que le cuivre, est particulièrement adapté à la réalisation de nias de dimension importantes ou de rapport de formes importants. Après remplissage, on a formé un premier élément d'interconnexion à base de matériau polymère 455 la première ouverture dévoile une première zone conductrice 240 connectée à un des niveaux métalliques M1...,Mk du premier circuit et au moins une deuxième ouverture dévoile une deuxième zone conductrice 340 connectée à un des niveaux métalliques M'l...,M'p du deuxième circuit C200, ledit remplissage conduisant à la formation d'au moins un premier élément 352 à base du matériau donné 455 connecté à la première zone conductrice 240 et d'au moins un deuxième élément 354 à base du matériau donné connecté à la deuxième zone conductrice 340. Ensuite, la tranchée 407 est comblée à l'aide d'un matériau métallique par exemple tel que du cuivre (figure 4D). REVENDICATIONS1. Procédé de réalisation d'un dispositif microélectronique comprenant sa fabrication par : a) réalisation sur un substrat d'un ou plusieurs composants d'au moins un circuit électronique et d'un ou plusieurs niveaux métalliques d'interconnexion du circuit électronique dans au moins une couche isolante, b) réalisation d'une pluralité d'éléments d'interconnexions (105) orthogonaux au plan principal du substrat, traversant ladite couche isolante, lesdits éléments (105) étant à base d'un matériau (110) polymère conducteur à coefficient de température 15 positif. 2. Procédé selon la revendication 1, dans lequel les éléments d'interconnexion (105) sont connectés au dernier niveau métallique parmi lesdits 20 niveaux métalliques d'interconnexion des composants. 3. Procédé selon l'une des revendications 1 ou 2, dans lequel les éléments (105) d'interconnexion sont agencés en matrice. 25 4. Procédé selon l'une des revendications 1 à 3, la matrice étant formée en une pluralité d'autres éléments d'interconnexions (205) orthogonaux au plan principal du substrat, traversant ladite couche 30 isolante, lesdits autres éléments (205) étant à base d'un matériau métallique. 10 22 5. Procédé selon l'une des revendications 1 à 4, comprenant préalablement à l'étape b), ou à l'étape a) ou à la fabrication du dispositif, une étape de détermination d'au moins une zone (Z) d'échauffement du circuit électronique susceptible d'atteindre une température supérieure à un seuil prédéterminé lorsque le dispositif fonctionne dans une gamme de courant donnée, les éléments étant disposés à l'étape b) en fonction de ladite au moins une zone d'échauffement localisée. 6. Procédé selon l'une des revendications 1 à 5, dans lequel les éléments à base de polymère conducteur à coefficient de température positif, sont formés sur une première zone conductrice (104), et prévus pour relier électriquement la première zone conductrice à une deuxième zone conductrice (106), le procédé comprenant préalablement à l'étape b), ou à l'étape a) ou à la fabrication du dispositif, une étape de détermination d'au moins un courant maximal destiné à circuler entre la première zone conductrice et la deuxième zone conductrice, lorsque le dispositif fonctionne dans une gamme de températures donnée, le nombre d'éléments et la taille des éléments à base de polymère conducteur à coefficient de température positif formés à l'étape b), étant prévus en fonction de ladite valeur. 7. Dispositif microélectronique compre- nant . - un substrat 23 - une pluralité de composants formant un circuit électronique sur le substrat, - un ou plusieurs niveaux métalliques superposés d'interconnexions des composants, lesdits niveaux métalliques étant situés dans au moins une couche isolante reposant sur le substrat, - une pluralité d'éléments (105) d'interconnexion orthogonaux au plan principal du substrat et à base d'un matériau (110) polymère conducteur à coefficient de température positif, lesdits éléments traversant une épaisseur de la couche isolante et étant connectés à au moins une ligne conductrice d'un niveau d'interconnexion donné. 8. Dispositif selon la revendication 7, dans lequel les éléments à base de matériau (110) polymère conducteur à coefficient de température positif sont agencés selon une matrice. 9. Dispositif selon l'une des revendications 7 ou 8, la matrice comprenant en outre des éléments (205) conducteurs à base de matériau métallique. 10. Dispositif selon l'une des revendications 7 à 9, dans lequel les éléments d'interconnexion (105) à base de polymère conducteur à coefficient de température positif, sont connectés au dernier niveau métallique parmi lesdits niveaux métallique d'interconnexion. 24 11. Dispositif selon l'une des revendications 7 à 10, dans lequel les éléments (105) à base d'un matériau polymère conducteur à coefficient de température positif relient et connectent électriquement une première zone conductrice (104) et une deuxième zone conductrice (106), le nombre et la taille éléments d'interconnexion (105) à base de matériau (110) polymère conducteur à coefficient de température positif, étant prévus de manière à limiter le courant entre la première zone conductrice (104) et une deuxième zone conductrice (106) à une valeur de courant prédéterminée. 12. Dispositif selon l'une des revendications 7 à 11, les éléments à base de matériau polymère conducteur à coefficient de température positif étant disposés au niveau d'une zone d'échauffement localisée prédéterminée du circuit électronique.