FR 2941324 A1 20100723 FR 0950389 A 20090122 i La présente invention concerne un procédé de traitement d'une structure de type semi-conducteur sur isolant (SeOI), comprenant successivement un substrat support, une couche d'oxyde et une couche mince d'un matériau semi-conducteur, et plus particulièrement un procédé de traitement permettant d'éviter un délaminage de la couche semi-conductrice lors du traitement thermique de dissolution des oxydes. Dans le domaine des structures de type semi-conducteur sur isolant (SeOI), il est connu d'appliquer un traitement thermique pour provoquer une diffusion d'au moins une partie de l'oxygène de la couche d'oxyde enterrée à travers la couche mince semi-conductrice de manière à diminuer ou faire disparaître l'épaisseur de cette couche d'oxyde. Cette étape de dissolution peut être appliquée sur l'ensemble de la structure ou bien être appliquée de manière locale, c'est-à-dire pour dissoudre û partiellement ou en totalité û la couche d'oxyde dans des régions déterminées de la structure SeOl, correspondant à un motif désiré, tout en conservant dans les autres régions la couche d'oxyde initiale. On parle alors de � dissolution locale � de la couche d'oxyde. L'application de ce traitement thermique est susceptible de provoquer, un phénomène de démouillage, ainsi que le mentionne le document ef WO2007/048928. Il a été observé par les inventeurs de la présente invention que ce phénomène s'initiait en particulier à la périphérie de la structure, et plus généralement en tout endroit de la structure où l'oxyde enterré est exposé, c'est-à-dire où il est en contact avec l'extérieur, ou en tout endroit où la couche mince est si fine (quelques dizaines de nanomètres ou moins), qu'elle devient instable morphologiquement lorsque la structure est portée à une haute température, exposant ainsi l'oxyde enterré. Ce phénomène de démouillage est d'autant plus marqué que l'épaisseur de la couche mince est faible (comme par exemple inférieure à 100 nm). Il est accompagné d'un phénomène de gravure de l'oxyde enterré, lorsque celui ci est exposé à l'atmosphère de traitement et en contact avec la couche mince par exemple en Si, suivant la réaction : SiO2 + Si -> 2 SiO (gazeux) Au niveau des � points triples � de contact Si/SiO2/ atmosphère de traitement, l'oxyde enterré (SiO2) réagit avec le silicium de la couche mince pour former des complexes SiO, volatiles, qui sont entraînés dans l'atmosphère de traitement. Pour rappel, dans les substrats de type semi-conducteur sur isolant (SeOl) obtenus par collage, il n'y a pas de collage sur le bord des substrats assemblés en raison de la présence de chanfreins périphériques sur les faces mises en contact. Ainsi, après transfert de la couche mince, par exemple de silicium, le substrat final présente une couronne périphérique où le transfert n'a pas eu lieu et au niveau de laquelle l'oxyde enterrée est exposée. Les phénomènes de démouillage et de gravure conduisent en une zone étendue défectueuse sur une distance pouvant atteindre 1 cm en périphérie du substrat, lorsque celui ci est exposé à un traitement thermique, par exemple un traitement thermique de dissolution. Cette défectuosité peut également se produire en tout autre endroit du substrat de départ, pour laquelle l'oxyde enterré est exposé directement, ou sous une épaisseur réduite de couche mince. Il peut s'agir de défauts traversants (aussi appelés `défaut HF') dans la couche mince et rendant donc l'oxyde enterré exposé à l'atmosphère de traitement. Il peut également s'agir de zones du substrat pour laquelle la couche mince présente une épaisseur bien moindre que l'épaisseur moyenne de cette couche, rendant susceptible l'exposition de l'oxyde enterré à l'atmosphère de traitement si l'épaisseur de la couche mince diminuait au cours du traitement. Ces phénomènes rendent le substrat impropre à toutes utilisations pour les domaines d'application habituels de ces substrats, tels que la fabrication de composants électroniques (composants � mémoire � et composants � logiques � par exemple), dans les zones où cette défectuosité est apparue. L'un des buts de l'invention est donc de remédier à cet inconvénient en proposant un procédé de conception simple et peu onéreux pour l'obtention d'une structure de type semi-conducteur sur isolant (SeOl) ne comportant pas de phénomène de démouillage ou de gravure sur tout ou partie de sa périphérie au moins. A cet effet, et conformément à l'invention, il est proposé un procédé de traitement d'une structure de type semi-conducteur sur isolant, comprenant successivement un substrat support, une couche d'oxyde et une couche mince d'un matériau semi-conducteur, ladite structure présentant une couronne périphérique dans laquelle la couche d'oxyde est exposée, ledit procédé comprenant l'application d'un traitement thermique principal dans une atmosphère neutre ou réductrice contrôlée, et dans des conditions de température et de durée contrôlées, de manière à inciter au moins une partie de l'oxygène de la couche d'oxyde à diffuser à travers la couche mince semi-conductrice, conduisant à diminuer de manière contrôlée l'épaisseur de la couche d'oxyde, ledit procédé étant remarquable en ce qu'il comporte au moins une étape de recouvrement d'au moins une partie périphérique exposée de la couche d'oxyde, préalablement audit traitement thermique. Par l'expression "au moins une partie périphérique exposée de la couche d'oxyde", on entend qu'on recouvre également les zones à proximité de la partie exposée de l'oxyde enterré dans lesquelles l'épaisseur de la couche mince est faible. En effet, cette épaisseur est amenée à être réduite au cours du traitement thermique de sorte que la couche d'oxyde sous jacente pourrait être exposée ou devenir morphologiquement instable, au cours du traitement. Ainsi, pour un recuit à 1100°C, il faut avantageusement prévoir au moins l0nm de couche au dessus de l'oxyde, et à 1200°C, il faut avantageusement prévoir au moins 50nm de couche au dessus de l'oxyde à proximité de la périphérie. Selon des caractéristiques avantageuses et non limitatives de ce 20 procédé: - le traitement thermique principal est effectué dans des conditions de température et de durée contrôlées, de manière à inciter au moins une partie de l'oxygène de la couche d'oxyde à diffuser à travers la couche mince semi-conductrice, conduisant à diminuer de manière contrôlée l'épaisseur de la couche 25 d'oxyde ; - le traitement thermique principal est un traitement thermique de lissage ; - un traitement thermique additionnel, dit de fluage est appliqué directement avant ledit traitement thermique principal, afin de provoquer le fluage 30 de la couche semi-conductrice sur la partie périphérique exposée de la couche d'oxyde ; - le traitement thermique de fluage est effectué par application très rapide d'un traitement thermique à une température finale de l'ordre de 1200°C ; - le traitement thermique de fluage est mené à la température finale 35 pendant une durée inférieure à 3 minutes ; - le traitement thermique de fluage est réalisé par une montée en température supérieure à 20°C/seconde, préférentiellement de l'ordre de 50°C/seconde ; - la couche d'oxyde présente une épaisseur de l'ordre de 10 nm, 5 tandis que ladite couche mince présente une épaisseur au moins dix fois plus importante ; - le traitement thermique de fluage est mené sous une atmosphère d'hydrogène et/ou d'argon ; - préalablement au traitement thermique principal et/ou 10 postérieurement au traitement thermique de fluage, un masque est formé sur la partie périphérique exposée de l'oxyde enterré ; - le masque est formé localement sur la couche semi-conductrice afin de permettre une dissolution locale lors de l'étape de traitement thermique ; - ladite couche de matériau semi-conducteur est en silicium ; 15 - ladite couche d'oxyde est en oxyde de silicium. D'autres avantages et caractéristiques de l'invention ressortiront mieux de la description qui va suivre de plusieurs variantes d'exécution, données à titre d'exemples non limitatifs, du procédé conforme à l'invention, en référence aux dessins annexés sur lesquels : 20 - la figure 1 illustre une structure de type semi-conducteur sur isolant préalablement à un traitement de dissolution de l'oxyde conforme à l'invention, - la figure 2 est une représentation du détail de la couronne de la structure de type semi-conducteur sur isolant représentée sur la figure 1, - la figure 3 illustre une étape du procédé de traitement de la structure 25 suivant l'invention, - les figures 4 et 5 illustrent les étapes d'une variante d'exécution du procédé de traitement suivant l'invention, - les figures 6 à 8 illustrent les étapes d'une autre variante d'exécution du procédé de traitement suivant l'invention. 30 En référence à la figure 1, on applique un traitement de dissolution, décrit plus en détail plus loin, à une structure de type semi-conducteur sur isolant (SeOI), comprenant successivement de sa base vers sa surface un substrat support 1, une couche d'oxyde 2 et une couche semi-conductrice 3. Le substrat support 1 joue essentiellement un rôle de raidisseur de la 35 structure SeOl. A cet effet, il présente typiquement une épaisseur de l'ordre de quelques centaines de micromètres. Le substrat support 1 peut être un substrat massif ou bien composite, c'est-à-dire constitué d'un empilement d'au moins deux couches de matériaux 5 différents. Le substrat support 1 peut ainsi comprendre l'un des matériaux suivants : Si, Ge, SiGe, GaN, saphir. La couche semi-conductrice comprend au moins un matériau semi-conducteur, tel que Si, Ge ou SiGe. 10 La couche semi-conductrice 3 peut éventuellement être composite, c'est-à-dire constituée d'un empilement de couches de matériaux semi-conducteurs. Le matériau de la couche semi-conductrice 3 peut être monocristallin, polycristallin ou amorphe. Il peut être poreux ou non, dopé ou non. De manière particulièrement avantageuse, la couche semi- 15 conductrice 3 est adaptée pour recevoir des composants électroniques. La couche mince semi-conductrice 3 présente une épaisseur inférieure à 5000 À, et de préférence inférieure à 2500 À pour permettre une diffusion suffisamment rapide de l'oxygène. En effet, plus la couche semi-conductrice 3 est épaisse, plus la vitesse de dissolution de l'oxyde est lente. 20 Ainsi, la diffusion de l'oxygène à travers une couche semi-conductrice 3 d'épaisseur supérieure à 5000 À est très lente et de ce fait peu avantageuse sur un plan industriel. La couche d'oxyde 2 est enterrée dans la structure, entre le substrat support 1 et la couche semi-conductrice 3; elle est donc généralement désignée, 25 dans le langage du métier, par l'acronyme BOX (� Buried Oxyde layer �). La structure SeOI est fabriquée par toute technique de report de couches connue de l'homme du métier, impliquant un collage. On peut citer parmi ces techniques le procédé Smart-Cut (marque déposée) qui comprend principalement les étapes suivantes : 30 i) formation d'une couche d'oxyde 2 sur le substrat support 1 ou sur un substrat donneur comprenant la couche semi-conductrice 3, ii) formation d'une zone de fragilisation dans le substrat donneur, la zone de fragilisation définissant la couche mince semi-conductrice 3 à transférer, iii) collage du substrat donneur sur le substrat support, la couche 35 d'oxyde 2 étant située à l'interface de collage iv) fracture du substrat donneur le long de la zone de fragilisation pour transférer la couche mince semi-conductrice 3 sur le substrat support 1. Ce procédé est connu de l'homme du métier et ne sera donc pas décrit en détail ici. On pourra se référer par exemple à � Silicon-On-Insulator Technology : Materials to VLSI, 2nd Edition � de Jean-Pierre Colinge, Kluwer Academic Publishers, p.50-51. On peut également employer un procédé consistant à coller, sur le substrat support 1, un substrat donneur comprenant la couche semi-conductrice 3, l'un et/ou l'autre des substrats étant recouvert d'une couche d'oxyde 2, puis à réduire l'épaisseur du substrat donneur par sa face arrière de sorte à ne laisser sur le substrat support 1 que la couche mince semi-conductrice 3. La structure SeOI ainsi obtenue peut ensuite être soumise à des traitements classiques de finition (polissage, planarisation, nettoyage...). Dans ces procédés de formation de la structure SeOl, la couche d'oxyde 2 est formée sur le substrat donneur ou sur le substrat support 1 par une oxydation thermique (auquel cas l'oxyde est un oxyde du matériau du substrat ayant subi l'oxydation) ou bien par un dépôt, par exemple d'oxyde de silicium (SiO2). La couche d'oxyde 2 peut également être une couche d'oxyde natif, résultant d'une oxydation naturelle du substrat donneur et/ou du substrat support 1 en contact avec l'atmosphère. En revanche, des essais réalisés sur les structures SOI obtenues par le procédé SIMOX n'ont pas permis d'observer de dissolution de l'oxyde, ce qui a été attribué à une qualité inférieure de l'oxyde, due à son mode d'obtention. On pourra se référer à cet égard à l'article de L. Zhong et al, Applied Physics Letters 67, 3951 (1995). On précise qu'avant de procéder au collage, on peut mettre en oeuvre, sur l'une et/ou l'autre des surfaces en contact, des étapes de nettoyage ou d'activation plasma bien connues de l'homme du métier, afin de renforcer l'énergie de collage. Afin de limiter la durée du traitement de dissolution, la couche d'oxyde 2 de la structure SeOI présente en général une épaisseur fine ou ultrafine, c'est-à-dire entre 50 et 1000 À, de préférence entre 100 et 250 À. Par ailleurs, en référence à la figure 2, la structure SeOI obtenue par l'un des procédés décrit précédemment présente à sa périphérie une zone dite couronne 4 dans laquelle la couche d'oxyde 2, notamment son flanc, est exposée, c'est-à-dire qu'une partie de la couche d'oxyde est au contact de l'atmosphère. Cette couronne 4 peut s'étendre sur tout ou partie de la périphérie de la structure SeOl. En référence à la figure 3, le procédé suivant l'invention consiste à déposer un masque 5 sur la couronne 4 préalablement au traitement thermique de dissolution de telle manière que la couche d'oxyde 2, et notamment son flanc, ne soit pas au contact de l'atmosphère. De préférence, le masque 5 recouvre non seulement l'oxyde exposé mais également la partie périphérique de la couche semi-conductrice 3 qui est amincie. En effet, l'épaisseur de cette couche tend à diminuer au cours du traitement de dissolution. La présence du masque sur la périphérie de la couche semi-conductrice (sur une largeur de quelques micromètres) permet donc d'éviter que l'oxyde situé sous cette zone plus fine ne vienne à être exposé au cours de la dissolution, par effet d'amincissement et/ou par instabilité morphologique à haute température. Ce masque 5 est obtenu dans un matériau pouvant former barrière à la diffusion des atomes d'oxygène lors du traitement thermique de dissolution et il est de nature à résister aux conditions du traitement thermique de dissolution. Ledit masque 5 peut ne recouvrir que la couronne 4, pour permettre ultérieurement une dissolution dite �pleine plaque �, c'est-à-dire une dissolution de la couche d'oxyde sur l'ensemble de la structure. Selon une variante, le masque peut également être déposé sur des zones déterminées de la couche semi-conductrice en vue de procéder à une dissolution locale. De manière particulièrement avantageuse, on procède dans la même étape à la formation du masque sur la couronne et sur les zones de la couche semi-conductrice en-dessous desquelles on souhaite ne pas dissoudre l'oxyde. La formation de ce masque 5 peut être obtenue en employant des techniques classiques de photolithographie. Typiquement, le procédé de formation du masque comprend les étapes successives suivantes : - Formation d'une couche du matériau destiné à constituer le masque, sur toute la surface de la couche semi-conductrice, par dépôt ; - Dépôt d'une couche de résine photosensible sur toute la surface de la couche précédente ; - Insolation locale de la résine au travers d'un masque 35 photolithographique ; - Elimination sélective des zones insolées, par dilution dans un solvant par exemple ; - Ensuite, gravure, à travers les ouvertures formées dans la résine, des zones de la couche de masque alors exposées. La gravure est typiquement une gravure sèche (plasma) à laquelle la résine est résistante. Le matériau du masque est en revanche gravé par ce plasma. Cet exemple n'est bien sûr pas limitatif et toute technique permettant de former le masque sur les zones souhaitées du SOI peut être employée. Ainsi, le nitrure de silicium (de formule générale SiN comprenant différents coefficients stoechiométriques possibles) est un matériau préféré pour former le masque car il est facile à mettre en oeuvre (c'est-à-dire à déposer, puis à retirer après le traitement de dissolution) et ne contamine pas le silicium. Toutefois, tout autre matériau formant barrière à la diffusion de l'oxygène et résistant aux conditions du traitement peut être utilisé pour le masque. Le masque 5 est typiquement d'une épaisseur comprise entre 1 et 50 nm, de préférence de l'ordre de 20 nm. Après le dépôt du masque 5, le procédé comporte donc une étape de traitement thermique de dissolution qui consiste à appliquer un traitement thermique dans une atmosphère neutre ou réductrice contrôlée, et dans des conditions de température et de durée contrôlées, de manière à inciter au moins une partie de l'oxygène de la couche d'oxyde 2 à diffuser à travers la couche mince semi-conductrice 3, conduisant à diminuer de manière contrôlée l'épaisseur d'oxyde. On notera que la présence du masque 5 sur la couronne permet d'éviter de déclencher le phénomène de démouillage et/ou gravure de la structure SeOI au niveau de la couronne périphérique et dans son voisinage. De manière préférentielle, on choisira la structure initiale de telle manière qu'elle ne présente aucun ou un nombre réduit de défauts traversant la couche mince supérieure, aptes à exposer la couche d'oxyde sous-jacente, c'est-à-dire enterrée (on parle alors de � défaut HF �) On évite ou on limite ainsi le nombre d'endroits dans lesquels on pourrait initier le phénomène de démouillage ou de gravure de l'oxyde par l'atmosphère de traitement de dissolution. Ainsi, dans le cas d'un SOI (couche mince en Si), on pourra choisir des substrats présentant aucun ou moins de cinq "défauts HF" par plaque de 300 mm, ce qui se trouve être une défectivité atteignable à ce jour. Dans la suite de la description, on prendra pour exemple l'application du traitement de dissolution à une structure dans laquelle la couche mince semi-conductrice est en silicium, c'est-à-dire une structure � silicium sur isolant � (SOI). Les mécanismes de dissolution de l'oxyde dans une structure SOI sont décrits en détail dans l'article d'O. Kononchuk et al, �Internal Dissolution of Buried Oxide in SOI Wafers �, Solid State Phenomena Vols. 131-133 (2008) pp 113-118, auquel on pourra se référer. Lors du traitement, la structure SOI est placée dans un four dans lequel on génère un flux gazeux pour former une atmosphère neutre ou réductrice. Le flux gazeux peut ainsi comprendre de l'argon, de l'hydrogène et/ou un mélange de ceux-ci. Il est important de noter que le phénomène de dissolution ne se produit que lorsqu'il existe un gradient suffisant entre la concentration d'oxygène dans l'atmosphère et la concentration d'oxygène à la surface de la couche d'oxyde. Ainsi, on considère que la teneur en oxygène de l'atmosphère dans le four doit être inférieure à 10 ppm, ce qui, tenant compte des fuites, impose une teneur en oxygène dans le flux de gaz inférieure à 1 ppb. On pourra à cet égard se référer à l'article de Ludsteck et al, � Growth model for thin oxides and oxide optimization �, Journal of Applied 20 Physics, Vol. 95, No. 5, Mars 2004. Ces conditions ne peuvent être obtenues dans un four classique, qui génère trop de fuites pour permettre d'atteindre une teneur aussi faible ; le four doit être spécialement conçu pour une étanchéité optimale (diminution du nombre de pièces pour éviter les joints, utilisation de pièces massives...). 25 Au contraire, une concentration en oxygène dans l'atmosphère supérieure à 10 ppm stoppe la dissolution et favorise une oxydation du silicium exposé. Dans le cas d'un SOI, le traitement de dissolution est appliqué à une température comprise entre 1100 et 1300°C, de préférence de l'ordre de 1200°C. 30 Pour des structures SOI ultra fines, (couche mince de silicium de 200 Angstrôm ou moins), on pourra envisager des températures de dissolution entre 1050°C et 1100°C. Ces structures SOI ultra fines étant particulièrement sensibles au phénomène de démouillage, on cherchera en effet à baisser la température de traitement. Io On notera également que le phénomène de dissolution peut également s'observer à ces basses températures dans la mesure où la couche supérieure de silicium est effectivement ultra-fine. En effet, plus la température est élevée, plus la vitesse de dissolution 5 de l'oxyde est élevée. La température du traitement doit toutefois rester inférieure à la température de fusion du silicium. Par exemple, pour dissoudre une épaisseur d'oxyde de 20 À sous une couche mince de silicium de 1000 À, les conditions du traitement thermique sont : 1100°C pendant 2 heures, 1200°C pendant 10 minutes, ou 1250°C pendant 4 10 minutes. On souligne toutefois que ces valeurs sont dépendantes en particulier de la concentration résiduelle en oxygène dans le four de dissolution. Ainsi, des épaisseurs dissoutes plus importantes ont aussi été observées. Après ce traitement thermique de dissolution, le masque 5 peut être retiré par gravure sèche ou humide. 15 Il est bien évident que le masque 5 pourra être retiré par tout moyen approprié connu de l'homme du métier sans pour autant sortir du cadre de l'invention. Selon une variante d'exécution du procédé conforme à l'invention, en référence à la figure 4, on applique, préalablement à un traitement de dissolution 20 tel que décrit précédemment, un traitement thermique dit de fluage à une structure de type semi-conducteur sur isolant (SeOI), comprenant successivement de sa base vers sa surface un substrat support 1, une couche d'oxyde 2 et une couche semi-conductrice 3, ladite structure comportant également une couronne 4 dans laquelle la couche d'oxyde 2 est exposée. 25 Ce traitement thermique de fluage consiste à appliquer rapidement à la structure une température de l'ordre de 1200°C pendant une durée inférieure à 3 minutes, ledit traitement thermique de fluage étant de préférence mené sous une atmosphère d'hydrogène et/ou d'argon. Ce traitement thermique de fluage, en référence à la figure 5, 30 provoque le fluage de la couche semi-conductrice 3 jusqu'à ce que cette dernière recouvre la partie périphérique exposée de l'oxyde enterré, c'est-à-dire jusqu'à ce que le semi-conducteur de ladite couche 3 recouvre intégralement l'oxyde qui était initialement au contact de l'atmosphère. Il peut également conduire à masquer l'oxyde enterré au niveau des défauts traversants présents à la surface de la plaque. 35 L'épaisseur du matériau semi-conducteur recouvrant l'oxyde doit être suffisante pour éviter que l'oxyde ne vienne à être exposé ou soit rendu morphologiquement instable au cours du traitement de dissolution du fait de l'amincissement, mentionné plus haut, de la couche semi-conductrice pendant ce traitement. Ainsi, il est préférable que la couche d'isolant soit d'une épaisseur relativement faible en comparaison avec la couche supérieure de matériau semi-conducteur (par exemple l0nm d'oxyde enterré pour une couche mince de 70nm). Cette configuration permet de faciliter l'encapsulation de la couche enterrée par fluage de la couche semi-conductrice. Ainsi, après fluage, l'épaisseur de la couche semi-conductrice au niveau de la partie périphérique antérieurement exposée de l'oxyde enterré et de son voisinage, peut alors être supérieure à l0nm, voire 50nm ou plus. Par ailleurs, une épaisseur relativement faible de la couche d'isolant permet de réduire le temps nécessaire de dissolution. On pourra ainsi choisir une épaisseur d'isolant comprise entre 5nm et 50 nm, typiquement entre 10 et 25nm. On applique alors un traitement thermique de dissolution tel que décrit précédemment afin d'obtenir la dissolution de l'oxyde sans provoquer de détérioration périphérique de la structure. Des étapes intermédiaires entre l'étape de fluage et l'étape de dissolution doivent être évitées ou limitées afin de ne pas exposer l'oxyde enterré (amincissement par oxydation sacrificielle par exemple, ou autre traitement thermique de lissage...). On pourra néanmoins tolérer certains traitements de nettoyage ou d'oxydations sacrificielles dans la mesure où ceux-ci ne viennent pas amincir trop fortement la couche traitée. Ainsi, si on observe au microscope électronique une coupe transversale d'un bord de SOI après différents traitements, on constate : - nettoyage avant traitement thermique : l'oxyde "latéral est exposé" ; - après ce traitement thermique : l'efficacité du phénomène de fluage est mis en avant ; - après une étape d'amincissement par oxydation/désoxydation de la structure précédente afin d'amener l'épaisseur de la couche mince semi-conductrice à l'épaisseur finale voulue, on observe que l'oxyde enterré n'est pas exposé. Par conséquent, la structure pourrait subir un traitement de dissolution, sans risquer de provoquer un phénomène de démouillage. Selon une dernière variante d'exécution du procédé conforme à l'invention, en référence aux figure 6 à 8, préalablement à un traitement de dissolution, on applique de la même manière que précédemment un traitement thermique dit de fluage à une structure de type semi-conducteur sur isolant (SeOI), comprenant successivement de sa base vers sa surface un substrat support 1, une couche d'oxyde 2 et une couche semi-conductrice 3, ladite structure comportant également une couronne 4 dans laquelle la couche d'oxyde 2 est exposée. Ce traitement thermique de fluage consiste à appliquer à la structure une température de l'ordre de 1200°C pendant une durée inférieure à 3 minutes, ledit traitement thermique de fluage étant de préférence mené sous une atmosphère neutre ou réductrice par exemple d'hydrogène et/ou d'argon. Ledit traitement thermique de fluage, en référence à la figure 7, provoque le fluage de la couche semi-conductrice 3 jusqu'à ce que cette dernière recouvre la quasi-totalité de la couronne 4, c'est-à-dire jusqu'à ce que le semi-conducteur de ladite couche 3 recouvre la plus grande partie l'oxyde qui était initialement au contact de l'atmosphère. Dans cet exemple de réalisation particulier, la couche semi-conductrice 3 recouvre, après le traitement thermique de fluage, le flanc de la couche d'oxyde 2 ; néanmoins, l'arête supérieure de ladite couche d'oxyde 2 reste au contact de l'atmosphère. Le procédé comporte ensuite, en référence à la figure 8, une étape de formation d'un masque 5 sur la couronne 4 afin de recouvrir totalement la couche d'oxyde 2, c'est-à-dire toutes les parties de la couche d'oxyde 2 qui sont au contact de l'atmosphère après le traitement thermique de fluage. Ledit masque 5 est obtenu dans tout matériau formant barrière à la diffusion de l'oxygène et résistant aux conditions d'un traitement thermique de dissolution. De plus, il est formé par tout procédé approprié tel que décrit précédemment. On applique ensuite un traitement thermique de dissolution tel que décrit précédemment afin d'obtenir la dissolution de l'oxyde sans provoquer de défauts en périphérie de la structure, puis le masque 5 peut être retiré par gravure ou tout autre moyen approprié connu de l'homme du métier. Enfin, il est bien évident que les exemples que l'on vient de décrire 30 ne sont que des illustrations particulières du procédé conforme à l'invention, en aucun cas limitatifs quant aux domaines d'application de l'invention. En particulier, l'invention s'applique à tout traitement thermique effectué à sur une structure de type SeOl, l'épaisseur de la couche supérieure étant relativement fine, la température du traitement et l'épaisseur de la couche semi- 35 conductrice pouvant conduire à provoquer un phénomène de démouillage de la couche mince au cours du traitement thermique. Exemple 1 : Fabrication d'un substrat SOI présentant au final une couche 5 d'oxyde enterré de 4 nm. On fabrique tout d'abord un SOI présentant une couche d'oxyde de l0nm et une couche mince de 3000 nm. Cela est obtenu par : - Implantation d'ions dans un substrat donneur, collage par 10 l'intermédiaire d'une couche d'oxyde de 10 nm sur un substrat receveur et fracture au niveau de la zone implantée. (procédé Smart Cut (marque déposée) standard) ; - "RTA" ("rapid thermal annealing" pour "traitement de recuit rapide") pour lisser la surface et "encapsuler" l'oxyde enterré sur la zone périphérique (et au niveau des défauts traversants à la surface de la plaque) ; 15 - Oxydation sacrificielle de la couche de manière à amener la couche superficielle à une épaisseur finale de 2000A. On vérifie que cette étape n'a pas conduit à exposer l'oxyde enterré au niveau des zones périphériques ; - Traitement thermique de dissolution à 1200°C pendant 3 heures environ pour amener à un oxyde enterré de 4 nm. 20 Sur le produit final, on n'observe pas de dégradation du nombre de défauts avant et après le traitement de dissolution, que ce soit au niveau du centre de plaque qu'en périphérie. 25 Exemple 2 On fournit un substrat SOI comportant une couche mince de 300 nm et un oxyde enterré de 10 nm. 30 On forme un masque de dissolution (par étapes classiques de lithographie) qui masque les zones où la couche d'oxyde doit être préservée. Le masque s'étend également sur la partie périphérique de la plaque (quelques microns de part et d'autre du flanc d'oxyde). On procède alors à un traitement thermique de dissolution à 1150°C 35 pendant 1 heure, pour faire disparaître entièrement l'oxyde enterré au niveau des ouvertures du masque. 13 On procède alors au retrait du masque et on constate qu'il n'existe pas de détérioration de la défectivité finale. REVENDICATIONS1. Procédé de traitement d'une structure de type semi-conducteur sur isolant, comprenant successivement un substrat support (1), une couche d'oxyde (2) et une couche mince d'un matériau semi-conducteur (3), ladite structure présentant une couronne périphérique dans laquelle la couche d'oxyde (2) est exposée, ledit procédé comprenant l'application d'un traitement thermique principal dans une atmosphère neutre ou réductrice contrôlée, caractérisé en ce qu'il comporte une étape de recouvrement d'au moins une partie périphérique exposée de la couche d'oxyde (2), préalablement audit traitement thermique. 2. Procédé selon la revendication 1, caractérisé par le fait que ledit principal le traitement thermiques est effectué dans des conditions de température et de durée contrôlées, de manière à inciter au moins une partie de l'oxygène de la couche d'oxyde (2) à diffuser à travers la couche mince semi-conductrice (3), conduisant à diminuer de manière contrôlée l'épaisseur de la couche d'oxyde (2). 3. Procédé selon la revendication 1 ou 2, caractérisé par le fait que ledit traitement thermique principal est un traitement thermique de lissage. 4. Procédé suivant l'une des revendications précédentes caractérisé en ce qu'un traitement additionnel, thermique dit de fluage est appliqué directement avant ledit traitement thermique principal, afin de provoquer le fluage de la couche semi-conductrice sur la partie périphérique exposée de la couche d'oxyde (2). 5. Procédé suivant la revendication 4, caractérisé en ce que le traitement thermique de fluage est effectuée par application très rapide d'un traitement thermique à une température finale de l'ordre de 1200°C. 6. Procédé selon la revendication 5, caractérisé par le fait que ledit traitement thermique de fluage est réalisé par une montée en température supérieure 25 à 20°C/seconde, préférentiellement de l'ordre de 50°C/seconde. 7. Procédé selon l'une quelconque des revendications 4 ou 6, caractérisé en ce que le traitement thermique de fluage est mené à la température finale pendant une durée inférieure à 3 minutes. 8. Procédé selon l'une des revendications précédentes, caractérisé par 30 le fait que ladite couche d'oxyde (2) présente une épaisseur de l'ordre 10 nm, tandis que ladite mince (3) présente une épaisseur au moins dix fois plus importante. 9. Procédé selon l'une quelconque des revendications 4 à 8, caractérisé en ce que le traitement thermique de fluage est mené sous une atmosphère d'hydrogène et/ou d'argon. 10. Procédé suivant l'une quelconque des revendications 5 précédentes caractérisé en ce que, préalablement au traitement thermique principal et/ou postérieurement au traitement thermique de fluage, un masque est formé sur la la partie périphérique exposée de l'oxyde enterré. 11. Procédé suivant la revendication 10, caractérisé en ce que le masque est formé localement sur la couche semi-conductrice (3) afin de permettre 10 une dissolution locale lors de l'étape de traitement thermique. 12. Procédé selon l'une des revendications précédentes, caractérisé par le fait que ladite couche de matériau semi-conducteur (3) est en silicium. 13. Procédé selon l'une des revendications précédentes, caractérisé par le fait que ladite couche d'oxyde (2) est en oxyde de silicium.