FR 2944142 A1 20101008 FR 0952110 A 20090402 B9479 1 STRUCTURE ÉLECTRONIQUE À COUCHE ÉPITAXIÉE SUR SILICIUM FRITTÉ Domaine de l'invention La présente invention concerne le domaine des matériaux semiconducteurs et notamment les structures électroniques utilisables dans le domaine photovoltaïque, ainsi que dans divers autres domaines, comme en microélectronique, optique, optoélectronique etc. Exposé de l'art antérieur La demande de brevet français N° 03/04676, du même inventeur, ayant pour titre "Matériau semiconducteur obtenu par frittage" décrit un procédé de fabrication de plaquettes de silicium polycristallin par frittage de poudres de silicium. Ces plaquettes peuvent être utilisées dans les domaines énumérés ci-dessus. Elles peuvent par exemple servir à réaliser des cellules photovoltaïques. Néanmoins, les cellules réalisées directement avec ces plaquettes peuvent présenter des performances limitées comparables à celles utilisant du silicium polycristallin classique. Un objet de la présente invention est de prévoir des structures électroniques utilisables dans divers domaines électroniques et permettant la réalisation de cellules photovoltaïques de qualité élevée. B9479 2 De façon générale, d'autres objets de la présente invention se déduiront de la description de la présente invention. On notera qu'un des objets de la présente invention est de réaliser des structures électroniques et/ou des cellules photovoltaïques plus avantageuses ou de manière plus avantageuse que dans l'art antérieur. Résumé Ainsi, un mode de réalisation de la présente invention prévoit une structure électronique comprenant : - une première zone comportant des grains de silicium de taille inférieure à 100 micromètres ; - une deuxième zone superposée à la première zone et comportant des grains de silicium de taille supérieure ou égale à 100 micromètres, les première et deuxième zones formant support ; et - une ou plusieurs couches d'un matériau semi-conducteur épitaxié sur la deuxième zone. Dans un mode de réalisation de la présente invention, le support présente un dopage de concentration supérieure à 1018 atomes/cm3 à l'aide de dopants d'un premier et/ou d'un deuxième type, et la ou au moins une des couches épitaxiées présente un dopage de concentration inférieure à 1018 atomes/cm3 à l'aide de dopants du premier et/ou du deuxième type. Selon un mode de réalisation de la présente invention, l'épaisseur de la ou des couches épitaxiées est inférieure à la taille des grains de silicium de la deuxième zone. Selon un mode de réalisation de la présente invention, la structure comprend une première couche épitaxiée adjacente au support et dopée par un dopant de même nature que le support et une deuxième couche épitaxiée plus mince que la première couche, dopée par un dopant de nature différente de celui du support. Selon un mode de réalisation de la présente invention, la structure comprend une couche épitaxiée adjacente au support et dopée par un dopant de nature différente de celui du support. Selon un mode de réalisation de la présente invention, le support comporte des troisièmes zones à dopage du premier B9479 3 type alternant avec des quatrièmes zones à dopage du deuxième type, et la couche épitaxiée, dopée par un dopant du deuxième type, comporte des cinquièmes zones dopées du premier ou du deuxième type, le dopage des cinquièmes zones provenant de la diffusion des dopants des troisièmes et quatrièmes zones. Selon un mode de réalisation de la présente invention, une couche épitaxiée comporte plusieurs sous-couches de matériaux de nature différente. Selon un mode de réalisation de la présente invention, les matériaux des sous-couches sont soit du silicium pur, soit du germanium pur, soit un alliage de silicium et de germanium de formule SixGel_x, x étant un paramètre pouvant varier de 0 à 1 et dépendant de la sous-couche considérée. Selon un mode de réalisation de la présente invention, le dopage du premier type est un dopage de type N ou N+ et le dopage du deuxième type est un dopage de type P ou P+. Selon un mode de réalisation de la présente invention, l'épaisseur du support est supérieure à 100 micromètres, l'épaisseur de la première zone étant comprise entre une épaisseur minimale égale à zéro et une épaisseur maximale égale à l'épaisseur du support moins 100 micromètres. Selon un mode de réalisation de la présente invention, le support n'est pas plan et/ou a une forme quelconque. La présente invention concerne aussi une cellule photovoltaïque comportant une structure électronique telle que décrite ci-dessus. Selon un mode de réalisation de la présente invention, la cellule photovoltaïque comporte une couche antireflet et/ou des prises de contact ohmique disposées sur les deux faces de la cellule ou sur une des faces seulement de la cellule. La présente invention concerne aussi un procédé pour réaliser une structure électronique comprenant les étapes suivantes : a) réalisation d'une plaquette par frittage de poudres 35 de silicium ; B9479 4 b) dopage de la plaquette à l'aide de dopants d'un premier et/ou d'un deuxième type, de concentration supérieure à 1018 atomes/cm3, l'étape b) pouvant être faite au cours de l'étape a) ; c) recristallisation d'une face de la plaquette pour faire croître la taille des grains de silicium, la majorité des grains de silicium adjacents à la face recristallisée présentant une taille supérieure ou égale à une grandeur déterminée ; et d) dépôt par épitaxie d'une ou plusieurs couches d'un matériau semiconducteur dopé à l'aide de dopants du premier et/ou du deuxième type, l'étape de recristallisation c) étant réalisée de sorte que la grandeur déterminée soit supérieure ou égale à l'épaisseur de la ou des couches épitaxiées. Selon un mode de réalisation de la présente invention, 15 la plaquette est fondue sur toute son épaisseur au cours de l'étape de recristallisation. Brève description des dessins Ces objets, caractéristiques et avantages, ainsi que d'autres seront exposés en détail dans la description suivante 20 de modes de réalisation particuliers faite à titre non-limitatif en relation avec les figures jointes parmi lesquelles : les figures 1 à 6 illustrent un procédé pour réaliser des structures électroniques selon la présente invention ; la figure 7 représente une structure électronique 25 selon la présente invention ; et les figures 8 à 11 représentent des cellules photovoltaïques selon la présente invention. Description détaillée Par souci de clarté, de mêmes éléments peuvent avoir 30 été désignés par de mêmes références aux différentes figures et, de plus, comme cela est habituel dans les demandes de brevets d'invention, les diverses figures ne sont pas tracées à l'échelle. En figure 1, une enceinte 1 renferme un piston 35 inférieur 3 et un piston supérieur 4. Entre les pistons inférieur et supérieur a été placée de la poudre de silicium 6. B9479 L'enceinte 1 comprend une ouverture d'entrée de gaz 7 et une ouverture de sortie de gaz 9. Un flux de gaz G est établi entre les ouvertures 7 et 9. L'enceinte 1 est portée à une température T. Une pression P 5 est appliquée entre les pistons 3 et 4. Les poudres de silicium 6 sont frittées et se transforment en une plaquette rigide de silicium fritté. Les conditions de frittage peuvent être assez variées. Par exemple, la taille de poudres 6 n'est pas 10 critique. Par exemple, la granulométrie des poudres peut être comprise entre 10 nanomètres et 100 micromètres. La qualité des poudres n'est pas critique non plus. Comme on le verra par la suite, on peut utiliser des poudres de silicium de qualité solaire ("solar grade" en anglais) ou de 15 qualité électronique ("electronic grade" en anglais). On peut aussi utiliser des poudres de type métallurgique dites poudres MG ("Metallurgical grade") ou bien des poudres de silicium métallurgique amélioré dites poudres u-MG ("Up-graded-Metallurgical Silicon" en anglais). 20 La température T peut être comprise entre 1000 et 1400°C. La pression P peut être comprise entre 5 et 100 mégapascals. La température T et la pression P peuvent être appliquées conjointement, au cours d'une ou de plusieurs étapes de compression à chaud, ou bien successivement, lors d'une ou de 25 plusieurs étapes de compression suivies d'un traitement thermique. La température T et/ou la pression P ne sont pas nécessairement fixes au cours du frittage. La pression du gaz G peut par exemple varier entre quelques hectopascals et plus ou moins 1000 hectopascals. Le gaz 30 G peut être de l'argon. On peut y ajouter de l'hydrogène pour réduire l'oxygène présent dans les poudres, ainsi qu'un autre gaz, par exemple un gaz halogéné, pour purifier les poudres. La demande de brevet français N° 08/55149, du même inventeur, déposée le 28 juillet 2008 et portant pour titre "Fabrication et 35 purification d'un solide semiconducteur", décrit divers gaz et modes opératoires pour purifier une plaquette frittée après ou B9479 6 en cours de réalisation. On pourra utiliser l'enseignement de cette demande de brevet dans la présente invention. Par exemple, les pistons 3 et 4 peuvent être poreux afin de laisser passer le gaz dans les canaux de porosité du matériau en cours de frittage. Le flux de gaz peut être maintenu ou non pendant tout le frittage. On notera d'ailleurs que la présence d'un flux de gaz n'est pas essentielle, et l'on peut réaliser les plaquettes frittées sans circulation de gaz. La figure 2 représente une plaquette de silicium fritté 10, obtenue après frittage tel que décrit en relation avec la figure 1. La plaquette 10 a une longueur L, une largeur 1 et une épaisseur h. Par exemple, on peut réaliser des plaquettes carrées de 150 millimètres de côté ayant une épaisseur h comprise entre 100 et 500 micromètres. On peut aussi réaliser des plaquettes de forme circulaire, losangique, hexagonale, la forme pouvant être quelconque, mais de préférence payable. La plaquette 10 n'est pas non plus nécessairement plane, mais peut être adaptée à une forme souhaitée, par exemple la forme d'une tuile de toit. La plaquette 10 est formée de grains 12 de petite taille, symbolisés par des croix en figure 2. En général, le frittage augmente peu la taille des grains. Par exemple, si l'on a utilisé des poudres de l'ordre de un micromètre, les grains 12 auront une taille pouvant aller de 1 à 3 micromètres selon les conditions de frittage. La plaquette 10 peut être réalisée sous forme non poreuse ou poreuse, la porosité pouvant être contrôlée par les conditions de formation de la plaquette. En outre, la plaquette 10 est dopée, de type N et/ou de type P, avec une préférence pour les types N+ et/ou P+. Les types P+ ou N+ s'entendent comme correspondant à des concentrations de dopant supérieures à 1018 atomes/cm3, par exemple comprises entre 1018 et 1021 atomes/cm3, et les types P ou N s'entendent comme correspondant à des concentrations de dopant inférieures à 1018 atomes/cm3, par exemple comprises B9479 7 entre 1015 et 1018 atomes/cm3. Le dopage peut être réalisé au cours du frittage. Par exemple, on peut utiliser des poudres déjà dopées, ou bien des dopants sont mélangés aux poudres de silicium ou fournis par le gaz G qui circule dans les canaux de porosité. Dans le cas de plaquettes poreuses, le dopage peut aussi être réalisé après frittage, c'est-à-dire après la formation de la plaquette 10. Par exemple, les dopants peuvent être introduits en injectant un gaz, un produit liquide ou visqueux qui pénètre dans la plaquette 10 par l'intermédiaire des canaux de porosité. On peut aussi badigeonner une ou les deux faces de la plaquette avec une pâte contenant des dopants et faire pénétrer les dopants par diffusion. Les dopants peuvent être ajoutés en une ou plusieurs fois. Le dopage peut être homogène, présenter un gradient ou être localisé, c'est-à-dire présent dans une ou plusieurs parties distinctes de la plaquette. La figure 3 représente un exemple de plaquette 10 présentant un dopage localisé. En figure 3, la plaquette 10 présente des zones 15 dopées de type N+ alternant avec des zones 17 dopées de type P+. Les zones 15 et les zones 17 se présentent sous forme de bandes occupant toute la largeur 1 et toute l'épaisseur h de la plaquette 10. La largeur des zones 15 est par exemple de l'ordre de 2 millimètres et la largeur des zones 17 de l'ordre de 1 millimètre. Le dopage des zones 15 et 17 est réalisé après formation de la plaquette 10, qui a été réalisée ici sous forme poreuse. Les dopages peuvent par exemple être réalisés par injection de liquide ou d'un produit visqueux dans les pores de la plaquette. On peut aussi réaliser les zones 15 et 17 par sérigraphie suivie d'une étape de recuit pour diffusion des dopants. Entre les zones 15 et 17 se trouvent des zones 18. Les zones 18, par exemple d'une largeur de l'ordre de un millimètre, peuvent renfermer un isolant, comme de la silice SiO2. L'isolant peut avoir été introduit par un procédé similaire à celui utilisé pour le dopage, par exemple en badigeonnant les parties B9479 8 correspondantes des faces de la plaquette avec une pâte contenant de la silice et en la faisant pénétrer au travers des porosités. Un isolant n'est pas nécessairement injecté dans les zones 18. C'est notamment le cas si la plaquette 10 a été réalisée à partir de poudres non dopées ou faiblement dopées de qualité solaire ou électronique, car ces poudres, une fois frittées, présentent une résistivité très nettement supérieure à celle des zones dopées N+ ou P+. Par contre, il est recommandé d'injecter un isolant dans les zones 18 si les poudres utilisées sont des poudres de qualité MG ou u-MG. En effet, dans ce cas, le silicium métallurgique risque d'être conducteur et de créer des courants de fuite perturbateurs. Bien entendu, la figure 3 n'est qu'un exemple de 15 dopage localisé, et on peut imaginer des motifs autres que des bandes pour les zones 15 et 17. Une fois la plaquette 10 réalisée et dopée, une face de la plaquette 10 est recristallisée, comme cela va être décrit en relation avec la figure 4. 20 En figure 4, une enceinte 20 renferme un contre-piston inférieur 23 et un contre-piston supérieur 24. La plaquette 10 est placée entre les contre-pistons inférieur et supérieur. Les contre-pistons 23 et 24 n'exercent aucune pression particulière sur la plaquette 10. Le contre-piston 23 est porté à une 25 température T1 inférieure au point de fusion du silicium, c'est-à-dire inférieure à 1414°C. Le contre-piston 24 est porté à une température T2 supérieure au point de fusion du silicium. Il en résulte que le contre-piston 24 va faire fondre la face supérieure de la plaquette 10, qui va ensuite recristalliser. 30 L'étape de recristallisation est courte, typiquement de quelques secondes à quelques minutes après fusion de la face supérieure de la plaquette. L'étape de recristallisation peut avoir lieu dans la même enceinte que celle qui a servi au frittage de la figure 1. 35 Les pistons 3 et 4 jouent alors le rôle des contre-pistons 23 et 24. B9479 9 L'étape de recristallisation peut être réalisée par d'autres techniques. Par exemple, on peut créer à la surface supérieure de la plaquette une zone fondue par un faisceau d'énergie, comme un faisceau lumineux, et on déplace la zone fondue de façon à balayer toute la surface de la plaquette. Il existe aussi d'autres méthodes utilisant aussi un système de balayage, dans lesquelles une zone est fondue sur toute l'épaisseur. Selon la technique utilisée, afin de garder sa forme à la plaquette, l'on peut s'abstenir de faire fondre les bords, qui seront recoupés. La figure 5 représente une plaquette 25 correspondant à la plaquette 10 après recristallisation. Si elle n'a pas été totalement fondue, ce qui est le cas en figure 5, la plaquette 25 présente une partie supérieure 26 à gros grains 27 et une partie inférieure 28 à petits grains 29. Les grains 29 correspondent aux grains 12 de la figure 2 et sont représentés de la même manière. Les grains 27 ont une taille moyenne d. La taille des grains 27 est typiquement supérieure ou égale à 100 micromètres. Le procédé de fabrication d'une structure électronique selon la présente invention se poursuit par une étape de dépôt par épitaxie, comme cela va être décrit en relation avec la figure 6. En figure 6, la plaquette 25 est placée sur un support non représenté dans une enceinte 30 permettant un dépôt de silicium par épitaxie. Une couche épitaxiée 32 de silicium est déposée sur la face supérieure de la plaquette. L'épaisseur de la couche épitaxiée est e. L'épitaxie reproduit la structure de la surface de la plaquette, et des cristaux 34 se forment dans la couche 32 en continuité des cristaux 27. Les cristaux 34 reproduisent les cristaux 27 de la zone recristallisée. L'épaisseur e de la zone épitaxiée est choisie plus petite que la taille d des cristaux 27. Typiquement, l'épaisseur e est de l'ordre de 20 à 50 micromètres. La couche 32 est dopée avec des dopants de type N ou de type P, de préférence au cours de l'étape d'épitaxie. La concentration des dopants est de B9479 10 préférence inférieure à 1018 atomes/cm3. Le dépôt par épitaxie peut être fait par CVD ("Chemical Vapor Deposition") à partir de gaz silane ou trichlorosilane, par dépôt ou évaporation sous vide, par exemple avec une température comprise entre 900 et 1200°C. On évitera de dépasser 1200°C pour éviter d'avoir des remontées d'impuretés et de dopants de la plaquette 25 dans la couche épitaxiée. Aux alentours de 1200°C, un dépôt par épitaxie d'une vingtaine de micromètres prend généralement environ une vingtaine de minutes. On notera que le dépôt épitaxié 32 est fait sur une surface propre. Ainsi, si un oxyde, par exemple de 1 nanomètre d'épaisseur, s'est formé à la surface supérieure de la plaquette, on l'enlève par réduction avant le dépôt épitaxié. La figure 7 représente une structure électronique 35 selon la présente invention. En figure 7, la structure 35 comporte une zone 28 à petits grains, une zone 26 à gros grains et une zone épitaxiée 32. La zone 28 peut être d'épaisseur très faible, comme un micromètre. Les zones 26 et 28 sont fortement dopées. Les zones 26 et 28 servent de support à la structure et, du fait de leur dopage, peuvent servir d'électrode arrière de la structure. La zone épitaxiée est faiblement dopée. Le rôle de la zone épitaxiée est de servir de couche active. La zone épitaxiée peut présenter un dopage homogène, ou plusieurs couches de dopage différent en nature ou en concentration. La zone épitaxiée peut être réalisée en silicium pur, ou en un alliage de silicium et d'un autre matériau semi-conducteur, comme le germanium. La couche épitaxiée peut aussi présenter plusieurs couches de matériaux de nature différente. La structure 35 peut servir à réaliser des cellules photovoltaïques ainsi que divers autres éléments, comme des composants électroniques ou opto-électronques de type circuits intégrés. Parmi les avantages de la structure 35 par rapport aux structures de l'art antérieur, on notera les avantages suivants : B9479 11 a) Les zones 26 et 28, formant la base de la structure 35, peuvent avoir été réalisées avec du silicium métallurgique, par exemple de type u-MG, ce qui rend la structure peu coûteuse. b) La zone 28, quand elle existe, est une zone pouvant être poreuse et présenter des canaux de porosité ouverte. Ces canaux peuvent être mis à profit, si besoin est, par exemple pour injecter de l'aluminium, formant et améliorant le contact ohmique. c) Pendant la croissance épitaxiale, on peut réaliser une succession de couches de dopage et/ou de matériaux différents, adaptés au dispositif final à réaliser. Ainsi, la zone épitaxiée peut comporter une couche assez épaisse dopée de type P, par exemple de l'ordre de 20 micromètres, surmontée d'une couche dopée de type N d'épaisseur faible, par exemple de moins de 1 micromètre. On notera ici qu'on peut déposer par épitaxie une couche dopée P+ dite couche BSF ("Back Surface Field") entre la zone 26 et la zone 32. Une telle couche BSF peut présenter un intérêt dans certaines réalisations de cellules photovoltaïques, pour empêcher la recombinaison des porteurs créés par la lumière. d) Le procédé selon la présente invention permet une économie d'étapes technologiques, dans la mesure où il n'y a pas d'étape ultérieure de diffusion pour créer les couches N ou P. On va maintenant décrire diverses cellules photo- voltaïques et leurs modes de réalisation à partir d'une structure électronique selon la présente invention, en relation avec les figures 8 à 11. En figure 8, une cellule photovoltaïque 38 selon la présente invention est réalisée à partir d'une structure 30 électronique 40 selon la présente invention. La structure 40 comprend une zone 41 à petits grains de silicium dopée de type P+, une zone 42 dopée de type P+ à gros grains de silicium, une couche 43 dopée de type P et une couche 44 dopée de type N ou N+. Les zones 41 et 42 proviennent 35 du frittage de poudres de silicium, la zone 42 provenant d'une recristallisation en surface, réalisée comme cela a été décrit B9479 12 précédemment. Les couches 43 et 44 sont deux couches de silicium déposées par épitaxie. Les zones 41 et 42 ont une épaisseur globale de l'ordre de 100 à 500 micromètres, la couche 43 a une épaisseur typique de l'ordre de 20 micromètres, et la couche 44 a une épaisseur typique de l'ordre du micromètre. Sur la couche 44 de la structure 40, se trouve une couche antireflet 45, dont la surface peut avoir été texturée pour capter le maximum de lumière. La couche antireflet est une couche très mince, typiquement de l'ordre de 0,1 micromètre, en général en nitrure de silicium. Des plots métalliques 46 formant peigne, par exemple en aluminium, sont reliés à une borne de sortie 47. Sur la face inférieure de la cellule 38, en contact avec la zone 41 se trouve une couche de métallisation 48, par exemple en aluminium, reliée à une borne 49 formant l'autre borne de sortie de la cellule 38. La réalisation de la couche 45 et des prises de contact est classique et leur mode de réalisation ne sera pas décrit de manière spécifique. Le fonctionnement de la cellule 38 est le suivant. Des porteurs de charge sont créés par un flux de photons au niveau de la jonction PN des couches 43 et 44. Les porteurs de charge créés par la lumière dans les zones 43 et 44 sont évacués vers les bornes 47 et 49 via les zones conductrices respectives, dopées P+ et/ou métalliques. La structure 40 constitue pratiquement à elle seule la totalité de la cellule photovoltaïque 38. La cellule 38 est ainsi avantageuse car la structure 40 est bon marché et réalisable avec peu d'étapes technologiques. Ainsi, par exemple, les divers dopages peuvent être réalisés au cours de la formation des différentes zones ou couches, ce qui évite des étapes postérieures de dopage. On notera en outre qu'un avantage important de la structure 40 réside dans la différence de microstructure entre la zone 41 d'une part et les zones 42,43, et 44 d'autre part. La zone 41, constituée de grains en général microniques, c'est-à- dire de un à quelques micromètres, présente en effet une densité B9479 13 de joints de grains très supérieure aux autres zones, ce qui permet de piéger d'éventuelles impuretés introduites dans la ou les couches épitaxiées, comme des impuretés métalliques. Cet effet de piégeage ("gettering effet" en anglais) se produit notamment pendant les étapes de fabrication de la structure, en particulier lorsque ces étapes ont lieu à température élevée comme c'est le cas par exemple pour les étapes de dépôt. On va maintenant décrire, en relation avec la figure 9, une variante de la cellule photovoltaïque de la figure 8. En figure 9, une cellule photovoltaïque 50 selon la présente invention comprend une structure électronique 60 selon la présente invention. La structure électronique 60 comprend une zone 61 dopée de type N+ à petits grains de silicium, une zone 62 dopée de type N+ à gros grains de silicium, et une couche 63 dopée de type P. Les zones 61 et 62 proviennent du frittage de poudres de silicium, la zone 62 provenant d'une recristallisation en surface, réalisée comme cela a été décrit précédemment. La couche 63 est une couche de silicium déposée par épitaxie. Les zones 61 et 62 ont une épaisseur globale de l'ordre de 100 à 500 micromètres, et la couche 63 a une épaisseur typique de l'ordre de 20 micromètres. Sur la couche 63 de la structure 60, se trouve une couche antireflet 65. Des prises de contact 66 sont reliées à une borne de sortie 67 de la cellule photovoltaïque 50. Sur la face inférieure de la cellule 50, en contact avec la zone 61 se trouve une couche de métallisation 68 reliée à une borne 69 formant l'autre borne de sortie de la cellule 50. La couche antireflet et les diverses prises de contact de la figure 9 sont analogues à la couche antireflet et aux prises de contact correspondantes de la figure 8 et ne seront pas précisées davantage. Le fonctionnement de la cellule 50 de la figure 9 est le suivant. Lors de la formation de la couche 63 par épitaxie, les dopants de la couche 62 diffusent légèrement en formant, dans la B9479 14 zone épitaxiée, une zone 70 dopée de type N, représentée en pointillés en figure 9. La jonction PN nécessaire au fonctionnement de la cellule se trouve ici au niveau de la zone 70 et de la couche 63. Une fois créés par la lumière, les porteurs de charge migrent vers les bornes 67 et 69 de la cellule photovoltaïque. La cellule photovoltaïque 50 présente, comme la cellule 38 de la figure 8, tous les avantages liés à l'utilisation d'une structure électronique selon la présente invention. De plus, elle présente les avantages suivants. D'une part, comme le support fritté 61, 62 participe à la jonction, il est inutile de prévoir, comme en figure 8, une couche épitaxiée dopée de type N ou N+ sur la couche épitaxiée de type P. La cellule 50 est donc plus simple à réaliser que la cellule 38 et il en résulte une économie de temps et de prix de fabrication. D'autre part, du fait que la jonction PN se trouve à la base de la couche 63, adjacente à la couche 62, on évite l'absorption d'énergie par la couche 44 de la figure 8, qui se produit du fait que la couche N ou N+ est en surface. On va maintenant décrire, en relation avec la figure 10, une autre variante de la cellule photovoltaïque de la figure 8. En figure 10, une cellule photovoltaïque 75 selon la 25 présente invention comprend une structure électronique 80 selon la présente invention. La structure électronique 80 comprend une zone 81 à petits grains de silicium dopée de type P+, une zone 82 dopée de type P+ à gros grains de silicium, une couche 83 formée de 30 plusieurs sous-couches 83-1 à 83-n dopées de type P et une couche 84 dopée de type N ou N+. Les zones 81 et 82 proviennent du frittage de poudres de silicium, la zone 82 provenant d'une recristallisation en surface réalisée comme cela a été décrit précédemment. Les zones 81 et 82 ont une épaisseur globale de 35 l'ordre de 100 à 500 micromètres. La couche 84 a une épaisseur typique de l'ordre du micromètre. B9479 15 La couche 83 est formée de sous-couches 83-i, i allant de 1 à n, qui ont été déposées par épitaxie et dopées de type P. Chaque sous-couche 83-i est formée d'un matériau de formule chimique SixGe1_x, la valeur de x pouvant varier de 0 à 1. Ainsi, la sous-couche 83-1, au contact de la zone 82 peut être du germanium pur, tandis que les sous-couches suivantes sont des alliages de silicium et de germanium avec une proportion croissante de silicium, pour arriver à du silicium pur dans la sous-couche 83-n. La couche 83 a une épaisseur totale typique de l'ordre de 20 à 50 micromètres. De préférence, le nombre de sous-couches 83-i est limité, par exemple égal à trois ou quatre. Trois sous-couches 83-1 à 83-3 ont été représentées en figure 10. Chacune des couches peut être dopée pendant le dépôt avec des concentrations variables de dopants. En plus de la structure électronique 80, la cellule photovoltaïque 75 comporte une couche antireflet 85, des plots de métallisation 86 reliés à une première borne 87 de la cellule, ainsi qu'une couche de métallisation arrière 88 reliée à une deuxième borne 89 de la cellule. Ces éléments ayant déjà été décrits et ayant une fonction analogue, ils ne seront pas explicités davantage. Outre les avantages liés à l'utilisation d'une structure électronique selon la présente invention (faible coût, simplicité de fabrication, etc), la cellule photovoltaïque de la figure 9 est avantageuse car elle présente un rendement plus élevé que la cellule 38 de la figure 8. En effet, les bandes interdites du silicium, du germanium et des alliages silicium-germanium étant différentes, davantage de paires électron-trou sont créées car l'énergie des photons est mieux utilisée que dans le cas du silicium pur. En particulier, le partie infrarouge du spectre solaire est convertie avec un rendement plus élevé si l'on réalise une structure où les couches sont plus riches en silicium sur la face exposée à la lumière et plus riches en germanium dans les couches sous jacentes. Par ailleurs l'utilisation de germanium permet d'avoir une mobilité des porteurs plus élevée et une B9479 16 meilleure conductivité, ainsi qu'un meilleur contact ohmique avec les zones conductrices. La figure 11 représente un autre mode de réalisation de cellule photovoltaïque selon la présente invention. En figure 11, une cellule photovoltaïque 90 comprend une structure électronique 95 selon la présente invention. La structure 95 comprend un support inférieur 100 et une couche supérieure 102. Le support inférieur 100 provient d'une plaquette de silicium fritté dopée comme cela est décrit en figure 3. Ainsi, le support 100 comprend des zones 105 dopées de type N+, alternant avec des zones 107 dopées de type P+. Les zones 105 ont typiquement une largeur de l'ordre de deux millimètres et les zones 107 typiquement une largeur de l'ordre de un millimètre. Entre les zones 105 et 107 se trouvent des zones 108 pouvant avoir été rendues isolantes par adjonction d'un isolant dans les canaux de porosité. Le support 100 présente des gros grains, de taille typiquement supérieure ou égale à 100 micromètres, à sa face supérieure, en contact avec la couche 102. Ces gros grains proviennent d'une recristallisation en surface et n'ont pas été représentés en figure 11 pour ne pas surcharger la figure. Le support 100 présente, en général, des petits grains dans sa partie inférieure, qui est restée poreuse. L'épaisseur du support 100 est de l'ordre de 100 à 500 micromètres, comme dans le cas des cellules décrites précédemment. La couche 102 provient du dépôt de silicium par épitaxie sur la surface recristallisée du support 100. La couche 102 est dopée de type P. A la base de la couche 102, au contact du support 100, se trouvent des zones 110 dopées de type N et des zones 112 dopées de type P. Les zones 110 sont adjacentes aux zones 105 et les zones 112 sont adjacentes aux zones 107. Les zones 110 et les zones 112 ont été obtenues au cours d'une étape de diffusion qui a fait diffuser les dopants des zones 105 et 107 dans la couche 102. La diffusion peut être obtenue par chauffage à une B9479 17 température de l'ordre de 900°C après le dépôt par épitaxie de la couche 102. Une diffusion se produit aussi pendant le dépôt par épitaxie de la couche 102 et une étape ultérieure de diffusion peut s'avérer inutile. Sur la face supérieure de la couche 102, se trouve une couche antireflet 114, analogue à la couche antireflet des cellules précédemment décrites. Sur la face inférieure de la structure 95, se trouvent des plots 115 en regard des zones 105 et des plots 117 en regard des zones 107. Les plots 115 et 117 sont métalliques, par exemple en aluminium. Les plots 115 sont reliés à une borne 120 et les plots 117 sont reliés à une borne 130. Les bornes 120 et 130 forment les deux bornes de sortie de la cellule 90. Le fonctionnement de la cellule photovoltaïque 90 est le suivant. La jonction PN se trouve au niveau des zones 110 et de la couche épitaxiée 102. Les zones 107 sont moins larges que les zones 105 car leur fonction est différente. En effet, les zones 107 servent, par l'intermédiaire des zones 112, à faciliter le contact ohmique avec la zone épitaxiée 102. Les zones 105 dopées de type N+ servent aussi à faciliter le contact ohmique avec les zones métalliques 115. La cellule photovoltaïque 90 présente d'une part tous les avantages liés à la présence d'une structure électronique selon la présente invention. D'autre part, dans la cellule 90, tous les contacts électriques sont faits sur la face inférieure de la cellule. Il n'y a pas de peigne collecteur à la surface de la cellule exposée au rayonnement. Il en résulte qu'une plus grande surface est disponible pour recevoir le rayonnement, d'où un rendement amélioré de la cellule. En outre, la cellule 90 ne présente pas de dopages spécifiques en surface, comme la couche 44 de la figure 8, qui sont en général assez élevés et absorbent une partie de la lumière. On notera que la cellule photovoltaïque 90 ne peut pas être réalisée avec un substrat classique, en silicium B9479 18 monocristallin ou polycristallin, car un substrat monocristallin ou polycristallin ne permet pas de réaliser le dopage illustré en figure 3. Divers modes de réalisation avec diverses variantes ont été décrits ci-dessus. On notera que l'homme de l'art pourra modifier ou combiner divers éléments de ces divers modes de réalisation et variantes sans faire preuve d'activité inventive. Par exemple, dans les cellules 38, 50 et 90, la couche épitaxiée pourra comporter plusieurs sous-couches de compositions SixGel-x variables et de dopage variable comme dans le cas de la cellule 75. Aussi, les diverses épaisseurs et grandeurs n'ont été données qu'à titre indicatif. Par exemple, vu le faible coût du frittage, les supports des structures ou cellules selon la présente invention peuvent être plus épais, par exemple de un à plusieurs millimètres si cela est souhaité. Ainsi, l'épaisseur de la couche épitaxiée a été décrite de l'ordre de 20 à 50 micromètres. Il va de soi que la couche épitaxiée peut être moins épaisse, par exemple de 10 micromètres, ou plus épaisse, par exemple aller jusqu'à 100 ou 150 micromètres. Bien entendu, dans tous les exemples de structures électroniques ou de cellules décrits précédemment, la nature des dopants peut être inversée. Par exemple, les zones dopées de type P ou P+ d'une structure ou cellule peuvent être remplacées par des zones dopées de type N ou N+, les zones dopées de type N ou N+ de la structure ou de la cellule étant remplacées par des zones de type P ou P+. On notera aussi que les structures selon la présente invention, qui permettent de réaliser des cellules photovoltaïques, peuvent être utilisées dans d'autres dispositifs, la zone épitaxiée servant de zone active. Des exemples de telles applications sont par exemple des circuits intégrés de type électronique ou optoélectronique. REVENDICATIONS1. Structure électronique (35, 40, 60, 80, 95) comprenant : - une première zone (28, 41, 61, 81) comportant des grains de silicium de taille inférieure à 100 micromètres ; - une deuxième zone (26, 42, 62, 82) superposée à la première zone et comportant des grains de silicium de taille supérieure ou égale à 100 micromètres, les première et deuxième zones formant support ; et - une ou plusieurs couches (32, 43, 44, 63, 83, 84, 102) d'un matériau semiconducteur épitaxié sur la deuxième zone. 2. Structure (35, 40, 60, 80, 95) selon la revendication 1, dans laquelle le support présente un dopage de concentration supérieure à 1018 atomes/cm3 à l'aide de dopants d'un premier et/ou d'un deuxième type, et dans laquelle la ou au moins une des couches épitaxiées présente un dopage de concentration inférieure à 1018 atomes/cm3 à l'aide de dopants du premier et/ou du deuxième type. 3. Structure (35, 40, 60, 80, 95) selon l'une quelconque des revendications 1 et 2, dans laquelle l'épaisseur de la ou des couches épitaxiées est inférieure à la taille des grains de silicium de la deuxième zone. 4. Structure (40) selon l'une quelconque des revendications 1 à 3, comprenant une première couche épitaxiée (43) adjacente au support et dopée par un dopant de même nature que le support (41, 42) et une deuxième couche épitaxiée (44) plus mince que la première couche, dopée par un dopant de nature différente de celui du support. 5. Structure (60) selon l'une quelconque des revendications 1 à 3, comprenant une couche épitaxiée (63) adjacente au support et dopée par un dopant de nature différente de celui du support (61, 62). 6. Structure (95) selon l'une quelconque des revendications 1 à 3, dans laquelle le support (100) comporte des troisièmes zones (105) à dopage du premier type alternantB9479 20 avec des quatrièmes zones (107) à dopage du deuxième type, et dans laquelle la couche épitaxiée (102), dopée par un dopant du deuxième type, comporte des cinquièmes zones (110, 112) dopées du premier ou du deuxième type, le dopage des cinquièmes zones provenant de la diffusion des dopants des troisièmes et quatrièmes zones. 7. Structure (80) selon l'une quelconque des revendications précédentes, dans laquelle une couche épitaxiée (83) comporte plusieurs sous-couches (83-i) de matériaux de 10 nature différente. 8. Structure (80) selon la revendication 7, dans laquelle les matériaux des sous-couches sont soit du silicium pur, soit du germanium pur, soit un alliage de silicium et de germanium de formule SixGel_x, x étant un paramètre pouvant 15 varier de 0 à 1 et dépendant de la sous-couche considérée. 9. Structure selon l'une quelconque des revendications précédentes, dans lequel le dopage du premier type est un dopage de type N ou N+ et le dopage du deuxième type est un dopage de type P ou P+. 20 10. Structure selon l'une quelconque des revendications précédentes, dans laquelle l'épaisseur du support est supérieure à 100 micromètres, l'épaisseur de la première zone étant comprise entre une épaisseur minimale égale à zéro et une épaisseur maximale égale à l'épaisseur du support moins 100 25 micromètres. 11. Structure selon l'une quelconque des revendications précédentes, dans laquelle le support n'est pas plan et/ou a une forme quelconque. 12. Cellule photovoltaïque (38, 50, 75, 90), 30 comportant une structure électronique selon l'une quelconque des revendications précédentes. 13. Cellule photovoltaïque (38, 50, 75, 90) selon la revendication 12, comportant une couche antireflet et/ou des prises de contact ohmique disposées sur les deux faces de la 35 cellule ou sur une des faces seulement de la cellule.B9479 21 14. Procédé pour réaliser une structure électronique (35, 40, 60, 80, 95) comprenant les étapes suivantes : a) réalisation d'une plaquette (10) par frittage de poudres de silicium ; b) dopage de la plaquette à l'aide de dopants d'un premier et/ou d'un deuxième type, de concentration supérieure à 1018 atomes/cm3, l'étape b) pouvant être faite au cours de l'étape a) ; c) recristallisation d'une face de la plaquette pour faire croître la taille des grains de silicium, la majorité des grains de silicium adjacents à la face recristallisée présentant une taille supérieure ou égale à une grandeur déterminée ; et d) dépôt par épitaxie d'une ou plusieurs couches d'un matériau semiconducteur dopé à l'aide de dopants du premier et/ou du deuxième type, l'étape de recristallisation c) étant réalisée de sorte que la grandeur déterminée soit supérieure ou égale à l'épaisseur de la ou des couches épitaxiées. 15. Procédé selon la revendication 14, dans lequel la plaquette est fondue sur toute son épaisseur au cours de l'étape 20 de recristallisation.