FR 2945662 A1 20101119 FR 0953293 A 20090518 LD-RI GRB09-1605FR Déposants : Etablissement public à caractère scientifique, culturel et professionnel dit : INSTITUT POLYTECHNIQUE DE GRENOBLE et Etablissement public à caractère scientifique, culturel et professionnel dit UNIVERSITE JOSEPH FOURIER Procédé de gravure d'un matériau en présence d'un gaz Invention de : BAILLET Francis GONDREXON Nicolas Procédé de gravure d'un matériau en présence d'un gaz La présente invention concerne le domaine de la gravure d'un matériau. La présente invention peut concerner plus particulièrement le domaine de la fabrication des composants semiconducteurs, dans lequel il est généralement prévu, en cours de fabrication, de nombreuses étapes sélectives de gravure d'un matériau par rapport à un autre ou d'autres, le domaine de la récupération de tranches semiconductrices comportant des défauts, dans lequel, on veut éliminer une couche superficielle pour récupérer un substrat sous-jacent, éventuellement déjà muni d'un certain nombre de couches conformées de façon appropriée, et le domaine de l'amélioration de l'état de surface d'une couche d'un matériau De façon générale, quand on veut éliminer une couche déposée sur un substrat, de façon sélective par rapport à une autre couche, après avoir éventuellement masqué une partie de la couche à éliminer si on veut n'en éliminer qu'une partie, deux procédés principaux existent dans le domaine de la fabrication des composants semiconducteurs. La première famille de procédés consiste en une attaque �humide� dans laquelle on immerge la structure dont on veut attaquer une couche dans un produit de gravure, typiquement à base d'acide chlorhydrique ou fluorhydrique. Plusieurs mélanges ont été développés pour permettre une attaque sélective d'une couche par rapport à une autre, par exemple une couche d'oxyde de silicium par rapport à une couche de nitrure de silicium, une couche d'oxyde de silicium par rapport à du silicium, une couche d'un métal par rapport à une couche d'isolant. Dans cette famille, le document US-A- 6 746 967 décrit un procédé d'oxydation du nickel dans une solution oxydante à PH contrôlé. Simplement pour accélérer l'oxydation, la présence d'ultrasons basse fréquence modifie la barrière énergétique nécessaire l'attaque du nickel par la solution. La seconde famille de procédés, appelée attaque "sèche", consiste à placer la structure portant la couche à éliminer dans un plasma contenant des agents de gravure, par exemple des radicaux actifs de chlore, de fluor, d'oxygène, etc. La seconde famille de procédés présente de nombreux avantages par rapport à la première, notamment du fait qu'elle permet des attaques anisotropes, et qu'elle présente souvent une meilleure sélectivité de gravure entre deux matériaux. Toutefois, elle présente l'inconvénient de nécessiter des appareillages complexes et, dans le cas où la couche à graver est portée par une tranche de silicium, de ne permettre de traiter qu'une ou deux tranches de silicium à la fois. Par contre, la première famille de procédés, bien que souvent impossible à mettre en oeuvre quand on veut procéder à des attaques fortement sélectives d'un matériau par rapport à un autre matériau, présente l'avantage de permettre des traitements par lots, de nombreuses plaquettes pouvant être disposées dans une nacelle puis immergées dans la solution de gravure. Diverses variantes de ces deux familles de procédés sont connues de l'homme de métier. Par exemple, en ce qui concerne le procédé de gravure �humide�, on propose parfois pour améliorer le résultat d'appliquer un champ électrique entre le matériau à graver et la solution de gravure. Une troisième famille de procédés, plus généralement utilisée pour le nettoyage, le dégraissage de surfaces, consiste à plonger la surface dans un bain de nettoyage, par exemple de l'alcool, et à appliquer au milieu liquide des vibrations acoustiques à des fréquences acoustiques relativement basses, couramment de l'ordre de 20 à 45 kHz. Alors, les vibrations aident à décoller les particules de salissure de la surface à nettoyer. Par ailleurs, dans les procédés de gravure �humide�, on utilise couramment des mélangeurs pour faire circuler le liquide de gravure sur la surface du matériau à graver et éventuellement des ondes acoustiques basse fréquence, entre 1 à 40 kHz, pour améliorer le mélange. Par exemple, dans le document US-A- 4 544 066, la solution est agitée par des ultrasons basse fréquence pour uniformiser la réaction sur la surface. La présente invention a pour objet un procédé de gravure d'une structure incluant au moins un matériau à graver. I1 est proposé un procédé de gravure d'une structure incluant au moins un matériau à graver, qui comprend : - choisir au moins une espèce chimique apte à réagir avec le matériau à graver, - choisir au moins un composé soluble apte à libérer l'espèce chimique précitée, - réaliser une solution contenant ledit composé, - placer la structure dans une position telle que la surface du matériau à graver soit en présence de la solution et de bulles additionnelles d'un gaz, - et produire dans la solution des ultrasons à haute fréquence, à au moins une fréquence, apte à générer des bulles réactives de cavitation telles que l'espèce chimique est générée en présence desdites bulles additionnelles et réagit avec le matériau à graver en produisant un composé soluble ou un précipité. L'interface entre la solution et le gaz peut être formée au moins en partie par la surface physique de la solution, au-dessus de laquelle se trouve le gaz, la surface à graver du matériau à graver étant placée en correspondance avec la surface physique de la solution et tournée du côté de la solution. La surface physique de la solution peut être perturbée ou agitée. La surface à graver du matériau à graver peut être immergée dans la solution. Les bulles additionnelles de gaz peuvent être contenues, dispersées ou générées dans la solution. Les bulles de gaz peuvent résulter de l'injection du gaz dans la solution. Les bulles additionnelles de gaz peuvent être générées sous l'effet d'un émetteur d'ultrasons à basse fréquence. Les ultrasons à basse fréquence peuvent avoir une fréquence inférieure à 50 KHz. La fréquence des ultrasons à haute fréquence peut être au moins dix fois supérieure à la fréquence des ultrasons à basse fréquence. La fréquence des ultrasons à haute fréquence peut être comprise entre 100 kHz et 3 MHz. La fréquence des ultrasons à haute fréquence peut être comprise entre 200 kHz et 600 kHz. Pour la gravure sélective d'une structure comprenant au moins un premier matériau à graver et au moins un second matériau, l'espèce chimique choisie et le composé soluble peuvent ne pas réagir avec le second matériau. La durée de la production des ultrasons à haute fréquence peut être déterminée pour éliminer le matériau à graver en totalité ou en partie, pour réduire la rugosité de surface du matériau à graver ou pour réduire l'épaisseur du matériau à graver. La présente invention va maintenant être exposée plus en détail par la description de modes particuliers de réalisation, à titre d'exemples non limitatifs en relation avec des appareillages de gravure représentés schématiquement sur le dessin annexé sur lequel : - la figure 1 représente une coupe verticale d'un appareillage, une structure à graver étant placée au-dessus d'une solution ; - la figure 2 représente une coupe verticale d'un appareillage, une structure à graver étant immergée dans une solution ; - la figure 3 représente une autre structure à graver ; et - la figure 4 une autre structure à graver immergée dans l'appareillage de la figure 2. Sur la figure 1, on a représenté un appareillage qui comprend une cuvette ou enceinte 10 qui contient une solution liquide 11 et un émetteur d'ultrasons 12 ou autre source d'ondes acoustiques, au moins en partie introduit dans la solution 11, apte à générer des ondes d'ultrasons à haute fréquence dans cette solution 1l, pour produire des bulles réactives de cavitation dans la solution 11. Une structure 1 incluant, par exemple, une couche 2 sur laquelle est formée une couche 4 en un matériau à graver est placée dans une position telle qu'une surface 4a à graver de cette couche 4 est placée substantiellement en correspondance avec la surface physique lla de la solution 11, au-dessus de laquelle se trouve un gaz G, la surface 4a étant tournée vers le bas du côté de la solution 1. Plus précisément, la surface 4a à graver de la couche 4 est placée de telle sorte que, lorsque la surface physique 1 la de la solution 11 est stable, il existe un interstice entre cette surface physique 1 la et la surface 4a à graver, cet interstice contenant le gaz G. Selon un exemple, la surface physique 1 la de la solution 11 peut être à l'air libre de telle sorte que le gaz G est de l'air. Selon un autre exemple, la cuvette ou enceinte 10 peut comprendre un couvercle 13 et peut ainsi contenir, au-dessus de la surface physique lla de la solution 11, un gaz G choisi autre que de l'air. Lorsque l'émetteur d'ultrasons 12 à haute fréquence est activé, des bulles réactives de cavitation sont générées dans la solution 11, comme on le décrira plus loin, et plus particulièrement dans sa couche surfacique. Ces bulles réactives de cavitation produisent une agitation de la surface physique lla de la solution 11, de telle sorte que la solution entre en contact avec la surface 4a du matériau à graver 4 et que cette surface à graver 4a est en présence de l'interface entre la solution et le gaz G, ce gaz G prenant la forme de bulles additionnelles différentes des bulles de cavitation. Des bulles additionnelles de gaz peuvent également se trouver introduites dans la couche surfacique de la solution 11. En complément, un agitateur 14 de la solution 11 pourrait être adjoint pour provoquer une augmentation de l'agitation de la surface physique lia de la solution 11. Sur la figure 2, on a représenté un appareillage qui comprend également une cuvette ou enceinte 10 qui contient une solution liquide 11 et un émetteur d'ultrasons 12 ou autre source d'ondes acoustiques, au moins en partie introduit dans la solution 11, apte à générer des ondes d'ultrasons à haute fréquence dans cette solution 11, pour produire des bulles réactives de cavitation dans la solution 11. Une structure 1 incluant également, par exemple, une couche 2 sur laquelle est formée une couche 4 en un matériau à graver, est au moins partiellement immergée dans la solution 11 dans une position telle qu'une surface 4a à graver de la couche 4 est immergée dans la solution 11, cette surface 4a à graver étant préférentiellement placée verticalement ou de façon inclinée. Les autres surfaces de la couche 4 et les autres surfaces de la structure ne devant pas être attaquées sont inattaquables ou protégées par exemple par un masque. L'appareillage de la figure 2 comprend en outre un générateur 15 de bulles de gaz G, différentes des bulles réactives de cavitation. Selon un exemple, un générateur 15 peut être formé par un émetteur d'ultrasons à basse fréquence, de fréquence inférieure à 50 kHz, générant par cavitation des bulles additionnelles de gaz G dans la solution 11. La fréquence des ultrasons à haute fréquence peut être au moins égale à 10 fois la fréquence des ultrasons à basse fréquence. La durée de vie des bulles additionnelles est notablement plus longue que la durée de vie des bulles réactives de cavitation. Selon un autre exemple, un générateur 15 peut être formé par un injecteur de bulles additionnelles d'un gaz G choisi. Dans les cas ci-dessus, les bulles additionnelles de gaz G produites dans la solution 11 présentent un volume nettement supérieur à celui des bulles réactives de cavitation générées, par exemple au moins 100 fois plus grand, voire plusieurs centaines de fois plus grand. De la sorte, la surface 4a à graver du matériau 4 peut se trouver en présence de bulles additionnelles de gaz G, contre sa surface immergée 4a à graver et à proximité de cette surface. On va maintenant décrire des exemples relativement à des matériaux à graver et des solutions adaptées pour la gravure de matériaux par rapport à d'autres matériaux à ne pas graver, en mettant en oeuvre l'appareillage de la figure 1 ou celui de la figure 2. Exemple 1. La structure 1, telle que représentée sur la figure 3, peut comprendre une tranche de silicium 2 revêtue d'une couche isolante 3, par exemple une couche d'oxyde de silicium gravée selon un certain motif pour présenter des inégalités d'épaisseur, par exemple en damier, et revêtue d'une couche de cuivre 4. De façon courante, en pratique, une couche intermédiaire d'accrochage, par exemple une couche de nitrure de titane TiN est disposée à l'interface entre la couche d'oxyde 3 et la couche de cuivre 4. A titre d'exemple d'ordre de grandeur, la tranche de silicium 2 peut présenter une épaisseur de plusieurs centaines de �m et la couche de cuivre 4 peut présenter une épaisseur de l'ordre de 1 �m. Dans une variante représentée sur la partie droite de la figure 3, on peut chercher à éliminer totalement la couche de cuivre 3, pour récupérer le substrat sous-jacent. Selon une autre variante représentée sur la partie gauche de la figure 3, on peut chercher à éliminer localement une partie de la couche 4 non protégée par un masque 5 pour réaliser une étape intermédiaire de fabrication d'un dispositif semiconducteur. Pour graver la couche de cuivre 4 de la structure 1 dans la solution 1l, on peut faire les choix suivants. On peut choisir une solution 11 contenant des molécules n'attaquant ni le cuivre ni le silicium ni le masque et susceptibles de libérer une espèce chimique apte à réagir avec le cuivre, sans que cette espèce chimique ne réagisse avec le silicium et avec le matériau constituant le masque. On peut choisir des ondes acoustiques d'ultrasons à haute fréquence aptes à générer des bulles réactives de cavitation, c'est-à-dire des ondes acoustiques ayant une fréquence supérieure à 100 kHz, par exemple comprise entre 100 kHz et 3 MHz, de préférence comprise entre 200 kHz et 3 MHz, et encore de préférence de l'ordre de 200 à 600 kHz. Dans ces plages de fréquences, la taille des bulles réactives de cavitation peut atteindre des valeurs de l'ordre de 1 �m pour des fréquences de l'ordre de 400 kHz et diminue encore jusqu'à des valeurs de l'ordre de 0,1 �m pour des fréquences de l'ordre de 1 MHz. Selon un exemple particulier, pour attaquer la couche 4 de cuivre, on peut choisir une solution d'HC1 à une mole par litre et on peut choisir un émetteur d'ultrasons 12 fournissant des ondes acoustiques à une fréquence de l'ordre de 400 kHz et à une puissance de l'ordre de 300 watts. Dans ces conditions, des bulles réactives de cavitation à durée d'existence très courte, dans lesquelles les pressions peuvent atteindre des valeurs de l'ordre de plusieurs atmosphères et les températures peuvent avoisiner plusieurs milliers de degrés, sont générées, notamment et plus particulièrement à la surface de la plaquette 1, et engendrent la formation de l'espèce chimique C1° à partir des molécules d'HC1. L'espèce chimique C1° engendrée réagit avec le cuivre en produisant du CuC1 ou du CuC12. La gravure obtenue est bien spécifique au phénomène de création de l'espèce chimique active C1°. En effet, du cuivre en contact avec une solution d'HC1 de même concentration ne réagit pas. Pour les épaisseurs indiquées ci-dessus, on peut obtenir une élimination complète de la couche 4 de cuivre métallique, totalement ou localement, sans attaque ou gravure de la couche 3 de d'oxyde de silicium, c'est-à-dire sans gravure qui pourrait être supérieure à environ un nanomètre. Exemple 2. Disposant d'une structure 1 incluant une plaquette de silicium 2 portant une couche d'oxyde de silicium 4, on peut chercher à éliminer cette couche d'oxyde de silicium. Disposant d'une solution 11 de NaOH (soude) à 1 mole par litre et on émet dans cette solution des ondes acoustiques à une fréquence de l'ordre de 400 kHz et à une puissance de l'ordre de 300 watts. Dans ces conditions, comme dans l'exemple précédent, des bulles réactives de cavitation générées dans la solution, notamment et plus particulièrement à la surface de la plaquette 1, engendrent la formation de l'espèce chimique OH°, à partir des molécules NaOH. L'espèce chimique OH° engendrée réagit avec l'oxyde de silicium en produisant du Na2SiO4. La couche d'oxyde de silicium peut être éliminée, sans aucune attaque du silicium sous-j acent. Exemple 3. Disposant d'une plaquette de silicium portant une couche de cuivre comme dans l'exemple I ou une couche d'oxyde de silicium comme dans l'exemple 2, on peut chercher à réduire la rugosité de la surface de cette couche. Pour cela, on peut mettre en oeuvre par exemple respectivement les conditions de l'exemple 1 ou de l'exemple 2, mais on limite la durée d'action de l'émetteur 12 à ultrasons à haute fréquence à une durée telle que seule la matière constituant les rugosités ou aspérités est attaquée au moins partiellement. L'attaque des rugosités est d'autant plus efficace que la densité des bulles de cavitation est plus importante à l'extrémité de ces rugosités ou aspérités. Exemple 4. Disposant d'une plaquette 1 présentant une couche de cuivre comme dans l'exemple 1 ou une couche d'oxyde de silicium comme dans l'exemple 2, on peut chercher à réduire l'épaisseur de cette couche. Pour cela, on peut mettre en oeuvre par exemple les conditions de l'exemple I ou de l'exemple II, mais on limite et on contrôle la durée d'action de l'émetteur 12 à ultrasons à haute fréquence, de telle sorte que l'épaisseur restante de la couche atteigne une valeur souhaitée. Considérant les exemples qui précèdent, on va maintenant décrire de façon plus particulière la gravure sélective d'un premier matériau 4 par rapport à un second matériau 2, d'une structure 1, en prenant les dispositions suivantes. On choisit une espèce chimique apte à réagir avec le premier matériau à graver et à ne pas réagir avec le second matériau. On choisit un composé soluble qui n'attaque pas ces matériaux et apte à libérer l'espèce chimique sélectionnée. Ayant réalisé une solution contenant ce composé et ayant immergé la structure dans la solution, on produit dans la solution des ultrasons à une fréquence apte à générer des bulles de cavitation. I1 en résulte que les bulles réactives de cavitation, dans lesquelles les pressions atteignent des valeurs de l'ordre de plusieurs atmosphères et la température avoisine plusieurs milliers de degrés, engendrent la production, dans la solution et notamment au voisinage de la surface solide à traiter, de l'espèce chimique choisie, qui réagit sélectivement avec le premier matériau en produisant un composé soluble ou un précipité, sans attaquer le second matériau. Pour effectuer le choix de l'espèce chimique adaptée et du composé soluble adapté, l'homme de l'art saura utiliser par exemple le logiciel "facstage" contenant la base de données européenne SGTE pour déterminer une espèce chimique susceptible de réagir avec un premier matériau pour produire un composé soluble ou facilement effritable ou un précipité, cette espèce chimique ne réagissant pas avec un second matériau. La base de données SGTE n'est pas la seule base de données thermodynamique à la disposition de l'homme de l'art. D'autres bases existent telles que par exemple le logiciel "thermocalc". Pour avoir accès au logiciel "thermocalc" ou au logiciel "factsage", il suffit de se connecter sur les sites Internet suivants : http://www.thermocalc.com ; www.factsage.com ; www.gtt-technologies.com Ces bases servent de support à des logiciels qui, par minimisation d'énergie de Gibbs, sont capables de donner les composés thermodynamiquement stables qui se formeront par réaction chimique à partir d'un mélange de départ donné. Par thermodynamiquement stable, on entend un produit qui serait obtenu après un temps de réaction infini. On peut par exemple observer ce qui suit. - un mélange de départ silice + cuivre solide + HC1 dilué à 1 Mole par litre n'évolue pas (reste stable). Si on ajoute dans le calcul qu'il existe en solution des radicaux C1°, le cuivre solide se transformera totalement en CuC12 et Cul+ mais la silice n'évoluera pas. - un mélange de départ de silicium + silice et de soude à 1 mole par litre est un mélange thermodynamiquement stable (pas d'évolution). Si l'on ajoute au calcul que l'on va former en solution les espèces chimiques OH° ou Na', le logiciel de thermodynamique montre que la silice sera transformée en composé H4SiO4 solide alors que le silicium restera stable. L'homme de l'art saura déterminer quelles espèces chimiques peuvent se former dans une solution donnée et tester, en utilisant les logiciels susmentionnés, quelles phases (composés ou corps purs) seront stables en solution et lesquelles évolueront par réaction chimique. On peut noter les exemples suivants, pour le choix d'une espèce chimique destinée à graver un premier matériau sans attaquer un second matériau d'une plaquette. L'espèce chimique OH° peut être active pour attaquer ou graver Si, sans attaquer SiGe. L'espèce chimique H° peut être active pour graver InSnO3, sans attaquer SiO2. L'espèce chimique C1° peut être active pour attaquer ou graver Cu, sans attaquer SiO2. L'espèce chimique F° peut être active pour attaquer ou graver Si, sans attaquer un polymère. L'espèce chimique C1° peut être active pour attaquer ou graver Au, sans attaquer une céramique AIN. L'espèce chimique OH° ou l'espèce chimique C1° peuvent être actives pour attaquer ou graver Al, sans attaquer Al2O3. L'espèce chimique OH° peut être active pour attaquer ou graver W, sans attaquer Al2O3. L'espèce chimique Cl' peut être active pour attaquer ou graver Cu, sans attaquer SiO2 ou une céramique TiN. L'espèce chimique H° ou l'espèce chimique Cl' peuvent être actives pour attaquer ou graver InSnO2, sans attaquer un polymère ou un verre. L'espèce chimique Na° ou l'espèce chimique F° peuvent être actives pour attaquer ou graver SiO2, sans attaquer Al. L'espèce chimique H° ou l'espèce chimique F° peuvent être actives pour attaquer ou graver Al2O3, sans attaquer W. L'espèce chimique Br° peut être active pour attaquer ou graver TiN, sans attaquer SiO2. L'espèce chimique K° peut être active pour attaquer ou graver Si3N4, sans attaquer SiO ou un polymère. L'espèce chimique Cl' peut être active pour attaquer ou graver une céramique TaN, sans attaquer SiO2. Par ailleurs, l'homme de l'art saura, par des essais simples, déterminer dans chaque cas particulier la concentration de la solution choisie, la fréquence optimale et la puissance optimale des ultrasons pour que l'effet des bulles de cavitation produites engendre l'attaque souhaitée, ainsi que la durée du traitement à appliquer au premier matériau à graver. On peut noter la grande simplicité du procédé de mise en oeuvre, et le fait que l'on peut traiter simultanément, dans une même solution, un lot de structures 1. Dans un autre exemple représenté sur la figure 4, il est proposé de réaliser le nettoyage de l'extrémité de pointes 2 de contact électrique salie par un dépôt de particules 4 à enlever, en particulier l'attaque chimique de particules d'aluminium déposées ou accrochées sur des pointes en tungstène utilisées pour effectuer le test de puces électroniques, les extrémités salies des pointes 2 étant plongées dans une solution 11 de l'appareillage de la figure 2. Dans ce cas, on peut choisir une solution de NaCl, qui n'attaque ni l'aluminium ni le tungstène mais qui pourra libérer des espèces chimiques Cl' pour attaquer l'aluminium sans attaquer le tungstène. Dans l'ensemble des exemples de gravure qui viennent d'être décrits, on va maintenant décrire les effets des bulles additionnelles de gaz G mentionnées plus haut. Les bulles additionnelles de gaz G se trouvent en présence des bulles de cavitation. Des bulles de cavitation peuvent se trouver en contact avec les bulles additionnelles de gaz G et peuvent se mélanger aux bulles additionnelles de gaz G. Les bulles additionnelles du gaz G ont une durée de vie nettement supérieure à celle des bulles actives de cavitation. Les bulles additionnelles de gaz G ont pour effet principal d'accroître notablement la vitesse d'attaque du matériau à graver, ceci notamment pour les raisons suivantes. L'effet principal est d'augmenter la surface de contact entre les bulles de gaz et la solution. Sachant que, dans cette zone d'interface, les échanges ou transferts d'espèces chimiques entre le gaz additionnel G et la solution sont augmentés, les espèces chimiques créées dans les bulles de cavitation sont plus nombreuses pour l'attaque du matériau à attaquer. Le gaz additionnel participe à la réaction chimiquement et/ou en modifiant des paramètres chimiques de réaction. Le gaz G choisi peut participer à l'attaque en apportant un composé chimique adapté. Par exemple, l'oxygène de l'air choisi comme gaz G peut contribuer fortement à l'attaque du silicium (Si), l'aluminium (Al), le tungstène (W). Dans d'autres exemples, le chlorure d'hydrogène (HC1) choisi comme gaz G peut contribuer fortement à l'attaque du cuivre (Cu), de l'aluminium (Al). Dans le cas où le gaz G choisi contient de l'argon (Ar) qui peut être apte à modifier des paramètres chimiques de réaction, les bulles actives de cavitation deviennent beaucoup plus énergétiques. REVENDICATIONS1. Procédé de gravure d'une structure (1) comprenant au moins un matériau à graver (4), comprenant : - choisir au moins une espèce chimique apte à réagir avec le matériau à graver (4), - choisir au moins un composé soluble apte à libérer l'espèce chimique précitée, - réaliser une solution (11) contenant ledit composé, - placer la structure (1) dans une position telle que la surface du matériau à graver soit en présence de la solution et de bulles additionnelles d'un gaz (G), - et produire dans la solution des ultrasons à haute fréquence, à au moins une fréquence, apte à générer des bulles réactives de cavitation telles que l'espèce chimique est générée en présence desdites bulles additionnelles et réagit avec le matériau à graver en produisant un composé soluble ou un précipité. 2. Procédé selon la revendication 1, dans lequel l'interface entre la solution et le gaz est formée au moins en partie par la surface physique de la solution, au-dessus de laquelle se trouve le gaz, et dans lequel la surface à graver du matériau à graver est placée en correspondance avec la surface physique de la solution et tournée du côté de la solution. 3. Procédé selon la revendication 2, dans lequel la surface physique de la solution est perturbée ou agitée. 4. Procédé selon la revendication 1, dans lequel la surface à graver du matériau à graver est immergée dans la solution. 5. Procédé selon l'une quelconque des revendications précédentes, dans lequel les bulles additionnelles de gaz sont contenues, dispersées ou générées dans la solution. 6. Procédé selon l'une quelconque des revendications précédentes, dans lequel les bulles de gaz résultent de l'injection du gaz dans la solution. 7. Procédé selon l'une quelconque des revendications précédentes, dans lequel les bulles additionnelles de gaz sont générées sous l'effet d'un émetteur d'ultrasons à basse fréquence. 8. Procédé selon la revendication 7, dans lequel les ultrasons à basse fréquence ont une fréquence inférieure à 50 KHz. 9. Procédé selon la revendication 7, dans lequel la fréquence des ultrasons à haute fréquence est au moins dix fois supérieure à la fréquence des ultrasons à basse fréquence. 10. Procédé selon l'une quelconque des revendications précédentes, dans lequel la fréquence des ultrasons à haute fréquence est comprise entre 100 kHz et 3 MHz. 11. Procédé selon l'une quelconque des revendications précédentes, dans lequel la fréquence des ultrasons à haute fréquence est comprise entre 200 kHz et 600 kHz. 12. Procédé selon l'une quelconque des revendications précédentes, pour la gravure sélective d'une structure (1) comprenant au moins un premier matériau à graver (4) et au moins un second matériau (2), dans lequel l'espèce chimique choisie et le composé soluble ne réagissent pas avec le second matériau (3). 13. Procédé selon l'une quelconque des revendications précédentes, dans lequel la durée de la production des ultrasons à haute fréquence est déterminée pour éliminer le matériau à graver en totalité ou en partie, pour réduire la rugosité de surface du matériau à graver ou pour réduire l'épaisseur du matériau à graver.