FR 2938369 A1 20100514 FR 0857646 A 20081112 Procédé de fabrication d'une couche d'un matériau antiferromagnétique à structures magnétiques contrôlées La présente invention concerne un procédé de fabrication de couches antiferromagnétiques, et plus particulièrement celles qui sont utilisées en électronique de spin. Les matériaux doivent leurs propriétés magnétiques au fait que cer- tains atomes possèdent une ou plusieurs sous-couches atomiques ayant un électron célibataire dont le spin magnétique n'est pas annulé par le spin op-posé d'un autre électron. La plupart de ces matériaux possèdent plusieurs électrons célibataires, dont la somme algébrique des moments magnétiques élémentaires n'est pas nulle. On peut distinguer quatre principales catégories de matériaux magné- tiques : - les matériaux ferromagnétiques et ferrimagnétiques ; - les matériaux diamagnétiques ; - les matériaux paramagnétiques ; - les matériaux antiferromagnétiques. La première catégorie est formée par les matériaux ferromagnétiques et ferrimagnétiques. Ces derniers sont caractérisés en ce que le moment magnétique d'un atome est fortement couplé au moment magnétique des atomes voisins par le couplage d'échange, qui tend à aligner dans une même direction les moments magnétiques de tous les atomes à l'intérieur d'un même domaine magnétique (dit domaine de Weiss). Pour les matériaux ferromagnétiques, chacun de ces atomes aimantés dans une même direction a la même intensité d'aimantation. Concernant les matériaux ferrimagnétiques, dont le comportement magnétique est très proche de celui des matériaux ferromagnétiques. Là aussi, les moments magnétiques des atomes d'un même domaine sont dans une même direction, mais dans le ferrimagnétisme les électrons périphériques sont différemment répartis entre les deux spins lorsqu'on passe d'un atome à l'autre, de sorte que l'intensité d'aimantation varie selon chaque atome. Dans les deux cas toutefois (ferri- magnétique et ferromagnétique), l'existence des domaines magnétiques et leur formation sont régies par les mêmes lois : dès lors, on parlera dans toute la suite de la description indifféremment de matériaux ferrimagnétiques ou de matériaux ferromagnétiques. Lorsqu'ils ne sont pas saturés mais dans un état désordonné ou fai- blement aimanté, les matériaux ferromagnétiques sont ainsi constitués d'une pluralité de domaines magnétiques (domaines de Weiss) séparés entre eux par des parois magnétiques (par exemple des parois de Bloch) : un domaine magnétique est une microstructure magnétique dans laquelle les moments magnétiques sont tous orientés dans une même direction. Les domaines magnétiques ont des formes irrégulières, dont les dimensions sont de l'ordre de quelques centaines de nanomètres, voire un micron, et l'aimantation y est très intense. Les orientations magnétiques de deux domaines juxtaposés sont a priori quelconques, ce qui cause un bruit magnétique lorsque le matériau est parcouru par un courant de spin. En effet, chaque électron traver- sant un domaine magnétique y subit un transfert de spin dépendant de l'écart entre son orientation magnétique et celle du domaine considéré. Pour les couches dures (� hard layer � en anglais) de matériau ferromagnétique, la somme algébrique des moments magnétique de tous les domaines a une valeur non nulle fixe déterminant son aimantation macros- copique. Soumis à un champ magnétique extérieur, ces matériaux orientent leurs domaines magnétiques dans le sens du champ extérieur. Plus ce champ est intense, plus les domaines magnétiques qui s'orientent selon sa direction sont nombreux, ceci jusqu'à la saturation, qui correspond à l'alignement de tous les domaines magnétiques dans la direction du champ ex- térieur. Les matériaux ferromagnétiques durs ont une structure atomique qui rend difficile une réorientation aléatoire des aimantations des domaines magnétiques après suppression du champ magnétique extérieur. Toutes ces propriétés magnétiques disparaissent, de manière réversible, sous l'effet de l'agitation thermique au-delà de la température de Curie. On notera que la stabilité de ces couches dures peut être assurée par sa forme et/ou par couplage d'échange avec une couche antiferromagnétique. La seconde catégorie de matériaux magnétiques est constituée par les matériaux diamagnétiques caractérisés en ce la quasi totalité des ato- mes ne possède pas de sous-couche atomique ayant un électron célibataire ; pour chaque sous-couche, le moment magnétique créé par un électron est donc annulé par le moment magnétique de l'électron qui lui est apparié. Le moment magnétique résultant pour chaque atome a une direction, a priori aléatoire, mais une intensité nulle. Il n'existe pas de couplage magnétique entre deux atomes voisins. Toutefois, lorsqu'un tel matériau est soumis à un champ magnétique extérieur, le moment magnétique de chaque atome tend à s'orienter très légèrement dans le sens inverse de ce champ, formant progressivement, à mesure que l'intensité du champ croît, des domaines magnétiques. Leur intensité d'aimantation reste très inférieure à l'aimantation d'un matériau ferromagnétique ; il n'est d'ailleurs pas envisageable d'atteindre la saturation. La troisième catégorie concerne les matériaux paramagnétiques qui sont, caractérisés en ce que leurs atomes possèdent des sous-couches atomiques ayant au moins un électron célibataire. Il n'existe cependant pas de couplage entre deux atomes voisins ni d'ordre magnétique à grande dis-tance. Lorsqu'ils sont soumis à un champ magnétique extérieur, le moment magnétique de chaque atome tend à s'orienter très légèrement, dans le sens de ce champ, formant progressivement, lorsque l'intensité du champ croît, des domaines magnétiques. Leur intensité d'aimantation reste très inférieure à l'aimantation d'un matériau ferromagnétique et aucune rémanence n'est observée après une exposition à un champ extérieur. A nouveau, il n'est donc pas du tout envisageable d'atteindre la saturation. La quatrième catégorie de matériaux magnétiques est celle des maté- riaux antiferromagnétiques. Leurs atomes ont des couches saturées, dont les moments magnétiques de spin s'annulent deux à deux. Leur moment magnétique a une intensité totalement nulle, au point d'annuler toute interaction avec un champ magnétique extérieur. Ils possèdent néanmoins une structure antiferromagnétique caractérisée par l'ordonnancement en deux sous réseaux d'aimantation opposée, dont la résultante est nulle. Les sous réseaux s'ordonnent néanmoins en domaines magnétiques, dits domaines de Néel, qui séparent des régions où l'ordre antiferromagnétique a nucléé selon des orientations cristallographiques différentes bien qu'équivalentes en symétrie. Sans intervention autre que la croissance du matériau, ces domaines sont attendus naturellement plus petits (d'un à deux ordres de grandeur) que les domaines de Weiss des matériaux ferromagnétiques. Dans le cas particulier des couches minces (de 1 à 100 nm), ces domaines sont dé- limités entre eux par le fait qu'un même domaine présente à sa surface extérieure l'un des sous réseaux d'aimantation, orienté dans une certaine direction, la couche atomique immédiatement à l'intérieur de ce domaine étant bien évidemment constituée du sous-réseau d'aimantation opposée (même direction et sens contraire). Cet ordonnancement, existe en dessous de la température de Néel et disparaît, de manière réversible, au-dessus pour laisser place à un léger paramagnétisme ou une absence d'ordre magnétique. Ces domaines de Néel sont à l'origine du bruit magnétique lorsque le matériau est parcouru par un courant de spin, de manière comparable aux domaines de Weiss pour les matériaux ferro ou ferrimagnétiques. Certaines techniques connues permettent d'obtenir des couches antiferromagnétiques dont la couche atomique surfacique (externe) correspond à un réseau aimanté dans une direction, la couche atomique immédiatement plus profonde (interne) correspondant bien évidemment au réseau aimanté dans la direction opposée. Un tel arrangement permet aux atomes de la couche surfacique externe d'établir une action magnétique d'échange avec les atomes d'un matériau placé en contact immédiat. En plaçant en contact une couche ferromagnétique, on peut imposer, par couplage d'échange, la direction magnétique de cette couche ferromagnétique. Puisque la couche antiferromagnétique est totalement insensible au champ magnétique exté- rieur, elle verrouille ainsi l'orientation de la couche ferromagnétique. On obtient ainsi le couplage ferromagnétique/antiferromagnétique utilisé pour produire des � couches dures � et mentionné plus haut, à direction d'aimantation fixe, dans les magnéto résistances géantes, les vannes de spin, les mémoires magnétiques et plus généralement toute l'électronique de spin. On constate, quel que soit le matériau magnétique, la présence de domaines magnétiques (Weiss, Néel,...) séparés par des parois ; ces mi- crostructures magnétiques seront désignées par la suite par le terme générique de domaine magnétique. Comme déjà mentionné plus haut, les domaines magnétiques, quels qu'ils soient, sont à l'origine d'un bruit (bruit de Barkhausen) induit par le dé- placement des parois de ces domaines. Dès lors, il est utile, en électronique de spin, d'avoir des couches magnétiques dont les domaines magnétiques sont les plus grands possibles, afin de limiter ce bruit. Une manière de réduire le nombre de petits domaines consiste à appliquer un champ magnétique suffisamment fort au matériau magnétique de sorte que ce dernier ne contienne quasiment plus de parois et soit mono-domaine. Cette solution n'est toutefois pas applicable aux couches de matériau antiferromagnétique, leur absence de sensibilité au champ magnétique extérieur ne permettant pas d'agir sur la dimension des domaines. Une solution connue pour agrandir les domaines de Néel d'une cou- che antiferromagnétique consiste à utiliser le procédé suivant : - choisir des matériaux ferromagnétique et antiferromagnétique tels que la température de Néel du matériau antiferromagnétique soit infé- rieure à la température de Curie du matériau ferromagnétique ; - fabriquer une couche antiferromagnétique ; - placer cette couche antiferromagnétique en contact très étroit avec une couche ferromagnétique ; - faire subir à l'ensemble un recuit à une température supérieure à la température de Néel de la couche antiferromagnétique et inférieure à la température de Curie du matériau ferromagnétique, en appliquant, une fois à cette température, un champ magnétique extérieur apte à agrandir les domaines magnétiques ; préférentiellement, on sature magnétiquement la couche ferromagnétique pour avoir un seul domaine magnétique. Ce procédé présente néanmoins les inconvénients suivants : - le traitement thermique peut provoquer de l'inter-diffusion des atomes entre les couches, conduisant à une dégradation importante des caractéristiques des jonctions. Pour limiter ce phénomène, dépendant des lois thermodynamiques, il convient d'éliminer systématiquement tous les matériaux antiferromagnétiques à température de Néel élevée, qui sont précisément ceux qui confèrent au dispositif final de spintronique la plus grande stabilité, et devraient de ce fait être privilégiés; typiquement, des matériaux antiferromagnétiques tels que Fe2O3 ne sont pas utilisables dans la mesure où ils présentent une température de Néel d'environ 650°C. Un recuit à une température de l'ordre de 700°C (au-delà de la température de Néel de la couche antiferromagnétique) avec une couche métallique au-dessus de la couche antiferromagnétique entrainerait des inter-diffusions technologi- quement inacceptables. - l'ensemble des couches est soumis au même traitement thermique, ce qui est contre-indiqué pour certaines applications. En effet, à l'issu de ce traitement, on obtient un mono-domaine magnétique ; en revanche, si l'on souhaite obtenir des domaines suffisamment grands mais différents, il est alors nécessaire de découper les jonctions individuelles par lithographie à l'issue du traitement ; - le recuit, généralement effectués entre 200 et 300 °C pendant 30 à 60 minutes, peut générer des recristallisations, qui induisent des inhomogénéités rédhibitoires, notamment du point de vue des propriétés magnétiques. Cela peut gêner certaines applications comme les mémoires magnétiques de type MRAM où de nombreuses jonctions doivent posséder des propriétés magnétiques identiques ; - ce procédé est utilisé avec des substrats qui sont généralement choisis pour être inertes par rapport aux métaux ; en revanche, la migra- tion des éléments de dopage occasionnée par le recuit rendrait son application extrêmement délicate pour des substrats tels que le silicium, qui seraient pourtant particulièrement intéressants pour une intégration avec des composants électroniques. En outre, la maîtrise de ce procédé sur les domaines magnétiques reste limitée. En conclusion, le procédé connu décrit ci-dessus a une utilisation extrêmement limitée et n'est guère applicable pour de nombreux circuits d'électronique de spin. Dans ce contexte, la présente invention a pour but de fournir un pro-cédé de fabrication d'une couche antiferromagnétique permettant de supprimer les domaines de Néel de petite dimension et d'augmenter significativement la dimension des domaines de Néel restants tout en s'affranchissant des limitations mentionnées ci-dessus (inter-diffusion, inapplicabilité du pro-cédé à des matériaux antiferromagnétiques ayant une température de Néel trop élevée, recristallisations, homogénéité du traitement, inapplicabilité à des substrats tels que le silicium). A cette fin, l'invention propose un procédé de fabrication d'une cou- che antiferromagnétique comportant les étapes suivantes : - dépôt sur un substrat d'une première couche sur une épaisseur suffisante pour établir un ordre magnétique déterminé parmi l'un des ordres suivants : o ferrimagnétique, o ferromagnétique, o paramagnétique, o diamagnétique ; - après établissement dudit ordre ferrimagnétique, ferromagnétique, paramagnétique ou diamagnétique, application d'un champ magnétique dont l'amplitude et la durée sont suffisants pour déplacer les parois des domaines magnétiques de ladite première couche d'une première répartition statistique vers une deuxième répartition statistique, ladite deuxième répartition statistique présentant : • une taille minimale de domaines magnétiques strictement supé- rieure à la taille minimale des domaines magnétiques de la première répartition statistique et ; • pour une aire donnée, des domaines magnétiques dont le péri-mètre est supérieur à celui des domaines de la première répartition statistique ; - dépôt, sur ladite première couche dont les parois des domaines magnétiques ont été déplacées, d'une seconde couche d'un matériau antiferromagnétique dans lequel peut s'intégrer par diffusion lors de la croissance l'un au moins des composants du matériau de ladite première couche. On entend par matériau antiferromagnétique dans lequel peut s'intégrer par diffusion lors de la croissance l'un au moins des composants du matériau de la première couche : - soit un matériau ayant la même formule chimique que celle du matériau de la première couche ; - soit un matériau ayant une formule chimique incluant partiellement la formule chimique de la première couche ; on peut citer Fe2O3 comme exemple de composant d'une première couche ferromagnétique y- Fe2O3, et comme seconde couche antiferromagnétique LaFeO3 : il est clair que des groupements Fe2O3 diffusent alors dans le couche anti- ferromagnétique LaFeO3. On peut aussi citer Fe comme première couche et FeMn comme seconde couche antiferromagnétique : dans ce cas ce sont les atomes Fe qui diffusent dans la couche FeMn. On note que le champ magnétique extérieur appliqué doit avoir une certaine amplitude pour obtenir le déplacement des domaines ; typiquement, lors de l'aimantation d'un matériau ferro- ou ferrimagnétique, lorsqu'un champ magnétique appliqué a une amplitude trop faible, la réponse du ma- tériau peut être réversible. Dans ce cas, les spins peuvent suivre, au moins partiellement, le champ extérieur appliqué mais les parois de domaines ne bougent pas. Lorsque le champ magnétique est coupé, les spins reviennent à leur état initial et rien n'a changé. Dès lors, selon l'invention, il est nécessaire d'appliquer un champ magnétique dépassant ce phénomène pour ob- tenir un déplacement des parois. De même que pour le champ magnétique, on entend par temps nécessaire au basculement des domaines, le temps nécessaire pour que le déplacement des parois perdure dans une position stable après suppression du champ magnétique. Si on applique un champ magnétique pendant un temps trop bref et/ou avec un champ magnétique trop faible, les modifications seront réversibles. Le déplacement des parois se fait typiquement à l'échelle des millisecondes, un champ magnétique de plus forte amplitude ayant tendance à raccourcir légèrement cette valeur. Il faut donc laisser le champ présent pendant le temps nécessaire pour que les parois se déplacent effectivement, et dans le cas d'une impulsion brève suivie d'une pré-cession de Larmor, ajouter au temps de déplacement des parois le temps nécessaire à la stabilisation des spins électroniques. L'amplitude du champ et le temps d'application de ce champ dépendent du matériau. De façon générale, il s'agit de vaincre la zone réversible d'aimantation. Grâce à l'invention, la couche antiferromagnétique va recopier la ré-partition statistique des domaines de la première couche magnétique, la- quelle aura des domaines magnétiques agrandis au moment du dépôt des premières épaisseurs atomiques de couche antiferromagnétique, ces premières couches étant en nombre suffisant pour que s'établisse l'ordre ferro-magnétique. L'ordre antiferromagnétique s'établit sur des distances grandes par rapport à d'autres ordres (plusieurs nanomètres) magnétiques ou struc- turaux (inférieur au nanomètre). La croissance de la couche antiferromagnétique s'effectue à partir d'une première couche soit ferrimagnétique ou ferromagnétique, soit para ou diamagnétique : l'ordre antiferromagnétique s'installe après une épaisseur suffisante de matériau ferri, ferro, para ou diamagnétique. Dans tous les cas, cette première couche doit avoir une épaisseur suffisante pour que s'établisse l'ordre ferri, ferro, para ou diamagnétique. Cet ordre correspond généralement à l'épaisseur d'au moins trois ou quatre couches atomiques (typiquement de l'ordre d'un nanomètre). Le procédé de l'invention consiste à intervenir à un stade suffisamment précoce sur la croissance de la couche antiferromagnétique, afin d'éviter les problè- mes de l'art antérieur. Lorsque l'ordre antiferromagnétique n'est pas encore établi, il peut être manipulé en modifiant les domaines magnétiques de la première couche (couche initiale) par application d'un champ magnétique extérieur (permanent ou non). La demanderesse a en effet eu la surprise de constater que la répartition statistique de la couche antiferromagnétique re- copie la répartition statistique de la couche initiale. Dès lors, on modifie l'état antiferromagnétique de la couche antiferromagnétique en appliquant un champ magnétique avant la transition vers l'ordre antiferromagnétique et en modifiant les domaines de la couche initiale. On peut donc ainsi piloter la taille, la forme ou la répartition statistique des domaines de Néel antiferromagnétiques sans recourir à des recuits ou des méthodes post-élaboration. Le procédé selon l'invention permet donc d'avoir recours en électronique de spin à des matériaux antiferromagnétiques ayant une température de Néel élevée et à des matériaux ferromagnétiques couplés par échange avec des températures de Curie inférieures à la température de Néel de la couche antiferromagnétique. Il convient de noter que le champ magnétique n'est appliqué qu'à par-tir du moment où l'ordre ferro, ferri, para ou diamagnétique est établi. Le procédé selon l'invention diffère donc totalement de procédés connus pour influencer la formation de films métalliques, magnétiques ou non, à l'aide d'un champ magnétique dans un plan parallèle à la surface du substrat visant à empêcher les électrons de haute énergie issue d'une source plasma de bombarder et donc d'altérer, la surface du film lors de son élaboration : ces procédés ne visent absolument pas à influencer la répartition des domaines magnétiques par application d'un champ magnétique à une couche initiale dont l'ordre magnétique est établi. Ces procédés concourent encore moins à permettre à une couche antiferromagnétique de croître sur la couche initiale et de recopier la distribution statistique des domaines magnéti- ques de la couche initiale. Le procédé selon l'invention peut également présenter une ou plu-sieurs des caractéristiques ci-dessous, considérées individuellement ou selon toutes les combinaisons techniquement possibles : - ledit champ magnétique est appliqué pendant un temps au moins égal à celui requis pour le basculement spécifié desdits domaines magnétiques ; - le matériau antiferromagnétique de ladite seconde couche a la même formule chimique que celle du matériau de ladite première couche ; - ladite première couche est une couche ferrimagnétique ou ferroma- gnétique, et ledit temps d'application du champ magnétique est au moins égal au temps nécessaire au basculement desdits domaines ; - ladite première couche est réalisée dans un matériau ferrimagnétique y-Fe2O3 de sorte qu'on modifie l'état antiferromagnétique de ladite seconde couche de a-Fe2O3 en appliquant un champ magnétique sur ladite première couche avant la transition vers l'ordre antiferromagnétique ; - ladite première couche est une couche paramagnétique ou diama- gnétique, ledit temps d'application étant supérieur ou égal au temps nécessaire à l'établissement de l'ordre antiferromagnétique de ladite seconde couche ; - ledit champ magnétique est appliqué après une épaisseur de ladite première couche supérieure ou égale à l'épaisseur nécessaire pour que s'établisse l'ordre magnétique de ladite première couche ; - ledit champ magnétique est appliqué après une épaisseur de ladite première couche supérieure ou égale à une épaisseur de l'ordre de deux à trois couches atomiques ; - ledit champ magnétique est appliqué selon une direction parallèle à un axe d'anisotropie cristalline du matériau de ladite première couche ; - ladite application du champ magnétique se fait en dehors de l'enceinte de dépôt dans laquelle est mis en oeuvre ledit procédé ; - ladite application du champ magnétique se fait à l'intérieur de l'enceinte dans laquelle est mis en oeuvre ledit procédé via des moyens magnétiques tels qu'au moins un aimant permanent ou au moins une bobine sous vide agencé directement dans ladite en-ceinte ; - le dépôt desdites première et deuxième couches se fait dans une en- ceinte de croissance par épitaxie par jets moléculaires avec une pression, pendant le dépôt, inférieure ou égale à 10.8 bars et préférentiellement inférieure ou égale à 10-9 bars ; - la température de dépôt est comprise entre la température ambiante et 450°C ; - la croissance de ladite première couche est réalisée sur un substrat nettoyé de toute contamination ; - le dépôt desdites première et deuxième couches se fait en utilisant l'une des techniques suivantes : o dépôt par ablation laser ; o épitaxie par jets moléculaires ; o dépôt par voie chimique tel qu'un dépôt chimique en phase vapeur CVD ou une électrochimie ; - ledit substrat utilisé est un substrat du type AI2O3(0001) ou Pt(111) ; - ledit champ magnétique appliqué est un champ suffisant pour provoquer le déplacement des parois magnétiques et limité au plus à la va-leur de champ saturant pour le matériau de ladite première couche ; - ledit champ magnétique n'est pas uniforme dans l'espace et présente au moins une première région soumise à une première valeur uni-forme de champ magnétique en intensité et direction, et au moins une autre valeur uniforme de champ magnétique en intensité et direction, créant une structuration de l'espace en zones magnétiquement distinctes ; - on applique une impulsion de champ magnétique suffisamment intense pour écarter de leur position initiale les spins magnétiques des électrons d'une telle manière qu'après suppression du champ magné-tique ces spins se réalignent par une précession de Larmor dans une nouvelle orientation déterminée par la brève impulsion de champ ma- gnétique. La présente invention a également pour objet une structure magnétique comportant au moins une couche antiferromagnétique obtenue par le procédé selon l'invention. Avantageusement, la structure magnétique selon l'invention comporte au moins une couche ferromagnétique déposée sur ladite couche antiferromagnétique et dont la configuration des domaines magnétiques est identique à celle de ladite couche antiferromagnétique. D'autres caractéristiques et avantages de l'invention ressortiront clai- rement de la description qui en est donnée ci-dessous, à titre indicatif et nul- lement limitatif, en référence aux figures annexées, parmi lesquelles : - la figure 1 illustre les différentes étapes du procédé selon l'invention; - la figure 2 représente une image des domaines magnétiques obser- vés sur une couche ferrimagnétique d'épaisseur 2 nm de y-Fe2O3 ; - la figure 3 représente une image des domaines magnétiques observés sur une couche antiferromagnétique d'épaisseur 10 nm de a-Fe2O3 ; - la figure 4 représente l'évolution statistique du périmètre des domai- nes ferri- ou antiferromagnétiques de couches de Fe2O3 d'épaisseur 2, 3.5, 6, 20 et 30 nm en fonction de l'aire de ces domaines ; - la figure 5 représente l'évolution statistique du périmètre des domaines magnétiques en fonction de l'aire de ces domaines pour deux couches antiferromagnétiques de a-Fe2O3 d'une épaisseur de 10 nm obtenues respectivement avec et sans le traitement sous champ magnétique dans la phase précoce de la croissance du procédé selon l'invention ; - la figure 6 représente l'évolution statistique du périmètre des domaines magnétiques en fonction de l'aire de ces domaines pour différen- tes couches antiferromagnétiques de Fe2O3 et une couche antiferro- magnétique de LaFeO3 d'épaisseur 40 nm ; - la figure 7 représente une image des domaines ferromagnétiques d'une couche de 2 nm de Co et des domaines d'une couche antiferromagnétique de Fe2O3 d'une épaisseur de 20 nm obtenue par le procédé selon l'invention. Dans toutes les figures, les éléments communs portent les mêmes numéros de référence. Le procédé selon l'invention utilise de manière avantageuse la constatation surprenante faite par la demanderesse que la répartition statistique des domaines magnétiques est identique dans un film ferrimagnétique de y-Fe2O3, d'épaisseur inférieure à 3 nm, et dans un film antiferromagnétique de a-Fe2O3 d'épaisseur supérieure à 3 nm. Ce phénomène est tout d'abord illustré par les figures 2 et 3. La figure 2 représente une image des domaines magnétiques obser- vés sur une couche ferrimagnétique d'épaisseur 2 nm de y-Fe2O3. L'image est réalisée par spectromicroscopie à partir d'une source de photons mono-énergétique polarisée circulairement d'une énergie proche des seuils d'absorption L2 ou L3 du Fe ; l'image résulte de la différence pondérée des images observées pour des polarisations circulaire droite et gauche. La di-rection des photons incidents est indiquée par une flèche sur l'image. Les zones blanches de l'image représentent les domaines magnétiques ayant des moments magnétiques orientés suivant la direction des photons inci- dents. Les zones noires représentent les domaines magnétiques ayant des moments magnétiques opposés à la direction des photons incidents. Les zones grises représentent des domaines magnétiques dont la direction des moments magnétiques se situe entre celle des zones blanches et noires. La figure 3 représente une image des domaines magnétiques obser- vés sur une couche antiferromagnétique d'épaisseur 10 nm de a-Fe2O3 obtenu après croissance sur un film ferrimagnétique de y-Fe2O3. Comme nous l'avons déjà mentionné plus haut, l'ordre antiferromagnétique nécessite des échelles assez grandes pour s'établir et la croissance d'une couche antiferromagnétique s'effectue via le passage par une première couche ayant un ordre différent (ferrimagnétique, ferromagnétique, diamagnétique ou para-magnétique). Selon un mode de réalisation préférentielle, la première couche est une couche ferrimagnétique. Dans le cas présent, la phase ferrimagnétique y-Fe2O3 est stable jusqu'à une épaisseur de 3.5 nm avant de bas-culer vers la phase a-Fe2O3 qui est antiferromagnétique. Avec une même formule chimique (Fe2O3), on passe ainsi d'une phase ferrimagnétique à une phase antiferromagnétique. L'image est réalisée par spectromicroscopie à partir d'une source de photons mono-énergétique polarisée linéairement d'une énergie proche des seuils d'absorption L2 ou L3 du Fe ; l'image résulte de la différence pondérée des images observée pour des polarisations linéaire horizontale et verticale. La direction des photons incidents est indiquée par une flèche sur l'image. Les zones blanches représentent les domaines magnétiques ayant des moments magnétiques parallèles ou antiparallèles à la direction des photons incidents. Les zones grises ou noires représentent les domaines magnétiques ayant des moments magnétiques sensiblement perpendiculaires à la direction des photons incidents. L'homme du métier constate sur les deux images des figures 2 et 3 que les parois de domaines magnétiques sont sensiblement identiques. Ce phénomène surprenant est confirmé par la figure 4 qui représente l'évolution statistique du périmètre L des domaines ferri- ou antiferromagnétiques de couches de Fe2O3 d'épaisseurs t égales à 2, 3,5, 6, 20 et 30 nm en fonction de l'aire A de ces domaines. Dans toute la suite de la descrip- tion, on entend par périmètre de domaine magnétique la longueur de la frontière du domaine magnétique. Plus précisément, la couche d'épaisseur 2 nm est une couche ferrimagnétique y-Fe2O3 et les couches d'épaisseurs 3,5, 6, 20 et 30 nm sont des couches antiferromagnétiques a-Fe2O3. La répartition statistique des domaines magnétiques est identique dans la couche ferrima- gnétique de y-Fe2O3 d'épaisseur 2 nm et dans les couches antiferromagnétiques de a-Fe2O3 d'épaisseur supérieure ou égale à 3,5 nm. En d'autres termes, le pourcentage de domaines répartis suivant certaines classes de dimensions est identique pour le matériau ferrimagnétique et le matériau antiferromagnétique. Ce résultat est valable quelle que soit l'épaisseur des échantillons antiferromagnétiques. La répartition statistique des tailles de domaines obéit dans les deux cas aux lois statistiques d'un modèle d'Ising en champ aléatoire, typique des matériaux ferromagnétiques. La dimension fractale obtenue à partir des images des domaines est de 1,89�0.02 et le coefficient de rugosité est de 0,60�0.04 qui correspondent aux exposants attendus dans l'hypothèse d'une équation de propagation de domaines ferromagnétiques (régie plus précisément par une équation de type Kardar-Parisi-Zhang). Or il n'était pas attendu de voir les frontières des domaines antiferromagnétiques répondant à un modèle conçu pour les phénomènes physiques propagatoires. Le procédé selon l'invention utilise avantageusement les répartitions statistiques identiques entre la couche antiferromagnétique et la couche initiale sur laquelle elle croît. La figure 1 illustre les différentes étapes 1 à 3 du procédé selon l'invention. Sous sa forme la plus générale, l'invention consiste en un procé- dé de fabrication d'une couche antiferromagnétique dont les domaines magnétiques sont déterminés par l'application d'un champ magnétique extérieur. Ce procédé comporte ainsi une première étape 1 consistant à déposer, sur un substrat, une première couche magnétique (ferri, ferro, para ou diamagnétique). La seconde étape 2 consiste, après dépôt d'une épaisseur suffisante pour que s'établisse l'ordre magnétique (ferri, ferro, para ou diamagnétique) du matériau de la première couche, c'est-à-dire en pratique au moins trois ou quatre couches atomiques, à appliquer un champ magnétique extérieur d'amplitude suffisante pour provoquer le déplacement des parois de domaines magnétiques de la première couche, pendant un temps au moins égal au temps de basculement de ces domaines. En d'autres termes, on applique un champ magnétique dont l'amplitude et la durée sont suffisants pour dé-placer les parois des domaines magnétiques de la première couche d'une première répartition statistique vers une deuxième répartition statistique, la deuxième répartition statistique présentant : - une taille minimale de domaines magnétiques strictement supérieure à la taille minimale des domaines magnétiques de la première répartition statistique et ; - pour une aire donnée, des domaines magnétiques dont le périmètre est supérieur à celui des domaines de la première répartition statisti- que. Selon la troisième étape 3, on fait croître sur la première couche ferri, ferro, para ou diamagnétique dont les domaines magnétiques sont modifiés, une couche antiferromagnétique d'un matériau dans lequel peut s'intégrer par diffusion lors de la croissance l'un au moins des composants du maté- riau de la première couche ; cette seconde couche antiferromagnétique, qui peut avantageusement être de même composition chimique que la première couche, forme une structure magnétique dont les domaines de Néel recopient la forme et les dimensions des domaines de Weiss de la première couche. Selon un mode de réalisation préférentiel de l'invention, le matériau utilisé pour la première couche est un matériau ferrimagnétique ; l'invention trouve une application particulièrement intéressante dans le cas du matériau ferrimagnétique y-Fe2O3. Selon un premier mode de réalisation du procédé selon l'invention, la première couche (couche initiale) est déposée en couche mince sur un substrat dans un environnement exempt de contamination et sans réaction chimique face au matériau déposé, de préférence sous ultravide (typique- ment un vide résiduel inférieur à 10-9 mbar). Dans le cas de Fe2O3, on peut utiliser un substrat de a-AI2O3(0001) ou de Pt(111) et une enceinte de croissance avec un vide résiduel de 5.10-10 mbar. Le substrat de Pt évite la présence d'effets de charges pour certaines mesures. La croissance des films de Fe2O3 est réalisée sur un substrat net- toyé de toute contamination à l'aide d'un plasma d'oxygène atomique et d'une évaporation d'atome de Fe à partir d'une source d'épitaxie par jets moléculaires MBE (� Molecular Beam Epitaxy �). Les évaporants sont de grande pureté (99,999% pour le Fe ici) et évaporés avec des flux de l'ordre de 0,1 nm/min. La pression pendant le dépôt reste meilleure que 10-8 mbar pour une source plasma d'oxygène qui dissocie environ 10% des atomes d'oxygène. La couche de Fe2O3 peut être réalisée dans une large gamme de températures allant de la température ambiante jusqu'à 450°C. Comme mentionné plus haut, à un stade précoce de la croissance, pour une épaisseur telle que l'ordre ferrimagnétique est établi (y-Fe2O3) mais pas encore l'ordre antiferromagnétique (a-Fe2O3), on applique un champ magnétique saturant. Dans l'exemple donné ici, la croissance a été arrêtée pour une épaisseur de 2 nm et l'échantillon a été soumis à une induction magnétique de 2 Teslas pendant 30 sec avec une vitesse de montée en champ de l'ordre de 5 minutes et une descente en champ de l'ordre de 5 minutes également. Le champ magnétique peut être appliqué dans n'importe quelle direction mais un résultat particulièrement efficace sur l'anisotropie magnétique sera obtenu lorsqu'il est appliqué dans une direction de facile aimantation, en particulier pour des matériaux présentant une forte anisotropie magnétocristalline. Pour y-Fe2O3, cette anisotropie magné- tocristalline est faible ; dès lors, l'orientation de l'échantillon peut être quel-conque. Comme nous allons le voir, l'application du champ magnétique permet de modifier la distribution statistique des domaines magnétiques. La croissance est ensuite poursuivie jusqu'à une épaisseur suffisante pour que l'ordre antiferromagnétique s'établisse et pour mener à la croissance d'une couche (deuxième couche) antiferromagnétique de a-Fe2O3. L'épaisseur finale pourra être choisie en fonction de l'application, les domai- nes antiferromagnétiques restants figés par la suite. Pour le matériau cité en exemple, des épaisseurs allant jusqu'à 30 nm ont été testés. Le résultat de ce procédé est illustré par la figure 5 qui représente l'évolution statistique du périmètre des domaines magnétiques en fonction de l'aire de ces domaines pour deux couches antiferromagnétiques de a-Fe2O3 d'une épaisseur de 10 nm obtenues respectivement avec et sans le traitement sous champ magnétique dans la phase précoce (après établissement de l'ordre ferrimagnétique) de la croissance. Les points de forme ronde sont relatifs à une couche déposée direc- terrent sans champ magnétique. Les points de forme carrée sont relatifs à une couche de Fe2O3 obtenue par le procédé selon l'invention dont la croissance a été stoppée pour une épaisseur de 2 nm où une induction magnétique de 2 Tesla a été appliquée pendant 30 secs avec une vitesse de montée et de descente en champ de l'ordre de 5 min. La croissance a ensuite été poursuivie jusqu'à une épaisseur de 10 nm. On constate que la classe d'universalité statistique de la seconde courbe est conservée mais que cette seconde courbe est décalée verticale-ment et que les domaines les plus petits ont été supprimés. En d'autres ter-mes, on observe deux effets liés à l'application du champ magnétique: - on augmente, pour une aire donnée, le périmètre des domaines ma- gnétiques ; - on supprime la partie basse de la courbe correspondant à des domaines de taille réduite. Dans l'exemple illustré en figure 5, la répartition statistique des do- maines antiferromagnétique est modifiée de sorte que le périmètre des domaines magnétiques pour une aire donné se trouve multiplié par un facteur proche de 3. L'effet pourra être modulé en fonction de l'intensité du champ appliqué (selon qu'il est saturant ou non pour le matériau) ou des caractéris- tiques des matériaux (notamment la valeur du champ coercitif et l'anisotropie magnétocristalline du matériau). Ce double effet qui consiste non seulement à supprimer les domaines les plus petits mais également à augmenter les domaines déjà grands s'explique par le fait que la couche antiferromagnétique recopie la distribution statistique des domaines de la couche ferrimagnétique sur laquelle elle croit ; dès lors, en agissant sur la distribution statistique des domaines de la couche ferrimagnétique, on agit sur la distribution statistique des domaines de la couche antiferromagnétique. La répartition statistique dans a-Fe2O3 est donc modifiée lorsqu'un champ magnétique est appliqué à y-Fe2O3 avant de finir la croissance, cette modification étant réalisable sans nécessiter de traitement thermique. En d'autres termes, on modifie l'état antiferromagnétique de la couche de a-Fe2O3 en appliquant un champ magnétique avant la transition vers l'ordre antiferromagnétique. On peut ainsi piloter la taille, la forme ou la répartition statistique des domaines antiferromagnétique sans recourir à des recuits thermiques ou des méthodes post-élaboration. A l'aide de ce procédé, une anisotropie magnétique déterminée pourra être � imprimée � dans le matériau antiferromagnétique grâce à l'action d'un champ magnétique sur la phase précoce qui existe pour une épaisseur inférieure à l'apparition de l'ordre antiferromagnétique. Selon la réalisation préférentielle où l'on applique un champ magnétique pendant le temps requis pour le dé-placement des domaines, les champs à appliquer seront typiquement de l'ordre de 0,01 Teslas pour des temps d'au moins quelques millisecondes. Le procédé selon l'invention s'applique bien entendu à d'autres maté- riaux que le Fe2O3. Ainsi, la figure 6 représente l'évolution statistique du périmètre des domaines magnétiques en fonction de l'aire de ces domaines pour différentes couches antiferromagnétiques de Fe2O3 (points de forme ronde) et une couche antiferromagnétique de LaFeO3 (points de forme car-rée) d'épaisseur 40 nm. On observe que la répartition des domaines pour un autre composé antiferromagnétique, à savoir LaFeO3, suit les mêmes lois statistiques que Fe2O3, (à nouveau le modèle d'Ising en champ aléatoire caractérisé par une dimension fractale de 1.9�0.02 et un coefficient de rugosité de 0.58�0.04). On notera par ailleurs que les couches de LaFeO3 desquelles les images ont été traités et comparées pour l'obtention de la distribution statistique ont été déposées sur des substrats de SrTiO3(001) par ablation laser pulsé sous une pression partielle d'oxygène de 10-4 mbar et pour une température de substrat de 1300°C. Ce procédé d'obtention est donc radicalement différent du procédé d'obtention des couches de Fe2O3 (pression partielle d'O2 importante et procédé très rapide dans le cas de La-FeO3 et très peu d'O2 et réaction plus lente dans le cas de Fe2O3). Les observations des domaines antiferromagnétiques ne dépendent donc pas du mode de préparation des couches antiferromagnétiques. D'autres méthodes de croissances, par exemple par voie chimique (du type dépôt chimique en phase vapeur CVD ou électrochimie) pourrait également être utilisées, la seule condition étant de partir d'un matériau antiferromagnétique issu d'un matériau ayant un ordre magnétique différent (ici typiquement un ordre ferrimagnétique). Bien entendu, le procédé selon l'invention n'est pas limité aux modes de réalisation qui viennent d'être décrits à titre indicatif et nullement limitatif en référence aux figures 1 à 6. Notamment, l'invention a été plus particulièrement décrite dans le cas d'une première couche ferrimagnétique ; comme nous l'avons déjà mention- né, les propriétés des couches ferro et ferrimagnétiques étant très proches, l'invention s'applique aussi à une couche initiale ferromagnétique. Par ail-leurs, le procédé est également applicable à des premières couches initia-les paramagnétiques ou diamagnétiques. Ainsi, à titre d'exemple il existe une taille nanométrique critique pour laquelle des grains de Ni-Mn transitent d'un ordre paramagnétique à un ordre antiferromagnétique [cf. notamment Ladwig et al. Journal of Electronic Materials 32 (2003) pp 1155-1159] : on peut donc envisager de mettre en oeuvre le procédé avec une couche initiale (première couche) paramagnétique de Ni-Mn qui transite vers une seconde couche antiferromagnétique de Ni-Mn. De même, des films minces de Cr sont souvent diamagnétiques alors que le chrome massif adopte un ordre antiferromagnétique [cf. notamment K. Schrôder et S. Nayak, Physica Status Solidi (b) 172 (1992) pp 679-686]. On peut donc également envisager de mettre en oeuvre le procédé avec une couche initiale (première couche) diamagnétique de Cr et une seconde couche antiferromagnétique de Cr. De même que pour le procédé précédemment décrit, une anisotropie magnétique déterminée pourra être � imprimée � dans le matériau antifer- romagnétique grâce à l'action d'un champ magnétique sur la phase précoce qui existe pour une épaisseur inférieure à l'apparition de l'ordre antiferromagnétique. Pour des couches initiales paramagnétiques ou diamagnétiques, l'application du champ magnétique se fera jusqu'à ce que l'épaisseur soit suffisante pour que l'ordre antiferromagnétique s'établisse. Pour une phase précoce paramagnétique, un champ modéré de quelques 0,01 T à quelques 0,1 T sera suffisant. Dans le cas d'utilisation d'une première couche diamagnétique, la susceptibilité magnétique limitée des matériaux diamagnétiques impose d'appliquer des champs magnétiques d'amplitude plus importante pour influencer ces derniers, typiquement de 1 à plusieurs Tesla, voire supérieure. Par ailleurs, dans l'exemple décrit, la croissance a été arrêtée et l'échantillon a été sorti de la chambre de croissance par épitaxie pour être soumis à un champ magnétique. Bien entendu, il est également possible d'appliquer le champ magnétique directement dans la chambre de crois- sance. En désignant par le terme � moyens magnétiques � l'ensemble des dispositifs permettant d'appliquer un champ magnétique à l'endroit où s'effectue le dépôt MBE (ou autre), ces moyens magnétiques peuvent être constitués soit par au moins un aimant permanent soit par au moins une bobine sous vide agencée directement dans la chambre. Le procédé selon l'invention trouve une application immédiate en électronique de spin également désignée par le terme spintronique. La spintronique est une discipline en plein essor, qui consiste à utiliser le spin de l'électron comme degré de liberté supplémentaire par rapport à l'électronique classique sur silicium qui n'utilise que sa charge. Le spin a en effet une in- fluence importante sur les propriétés de transport dans les matériaux ferro-magnétiques. De nombreuses applications de l'électronique de spin en particulier les mémoires ou les éléments logiques utilisent des empilements de couches magnétorésistives comprenant au moins deux couches ferroma- gnétiques séparées par une couche non-magnétique. L'une des couches ferromagnétiques est piégée dans une direction fixe et sert de couche de référence tandis que l'aimantation de l'autre couche peut être commutée relativement facilement par l'application d'un moment magnétique par un champ magnétique ou un courant polarisé en spin. Ces empilements peuvent être des jonctions tunnels magnétiques lorsque la couche séparatrice est isolante ou des structures dites de vannes de spin lorsque la couche séparatrice est métallique. Dans ces structures, la résistance électrique varie en fonction de l'orientation relative des aimanta- tions des deux couches ferromagnétiques. Comme nous l'avons déjà mentionné, l'aimantation d'une de ces couches ferromagnétiques (appelée couche dure ou � Nard Layer �, HL) est fixe. La stabilité de cette couche peut être assurée par sa forme et/ou par couplage d'échange avec une couche antiferromagnétique. Ce couplage d'échange nécessite le dépôt d'une couche ferromagnétique sur une couche antiferromagnétique, cette dernière pouvant être une couche antiferromagnétique de synthèse. On voit ici tout l'intérêt du procédé selon l'invention puisque le gabarit magnétique crée via ce procédé pourra être utilisé pour se propager dans les couches de jonctions magnétiques de type vanne de spin ou jonctions tunnel. Les domaines magnétiques de la couche antiferromagnétique sont en effet également recopiés par la couche ferromagnétique que l'on ferra croître sur celle-ci. Ce phénomène est illustré par la figure 7 qui représente : - une image (à gauche) des domaines magnétiques d'une couche fer- romagnétique de 2 nm de Co déposée sur une couche antiferromagnétique de Fe2O3 d'une épaisseur de 20 nm obtenue par le procédé selon l'invention et ; - une image (à droite) des domaines d'une couche antiferromagnétique de Fe2O3 d'une épaisseur de 20 nm obtenue par le procédé selon l'invention. Les images sont réalisée par spectromicroscopie à partir d'une source de photons mono-énergétique polarisée circulairement d'une énergie proche des seuils d'absorption L2 ou L3 du Co pour l'image de gauche et du Fe pour l'image de droite; l'image résulte de la différence pondérée des images observée pour des polarisations linéaire horizontale et verticale pour l'observation des domaines antiferromagnétiques et circulairement gauche et droite pour l'observation des domaines ferromagnétiques. La direction des photons incidents est indiquée par une flèche sur l'image. Pour l'image de la couche antiferromagnétique, les zones blanches représentent les domaines magnétiques ayant des moments magnétiques parallèles ou antiparallèles à la direction des photons incidents (représentés par une flèche noire double). Les zones grises ou noires représentent les domaines magnétiques ayant des moments magnétiques sensiblement perpendiculaires à la direction des photons incidents (représentés par une flèche blanche double). Pour l'image de la couche ferromagnétique, les zones noires représentent les domaines magnétiques ayant des moments magnétiques opposés à la direction des photons incidents (représentés par une flèche blanche). Les zones blanches représentent des domaines magnétiques dont la direction des moments magnétiques se situe suivant la direction des photons incidents (représentés par une flèche noire). Comme on peut l'observer sur ces deux images, la couche de Co reproduit la même configuration de domaines magnétiques que la couche anti- ferromagnétique de Fe2O3 sous-jacente. Ainsi, avec un champ magnétique suffisamment intense pendant la phase précoce, il est tout à fait envisageable d'obtenir des couches mono-domaine (ou en tout état de cause, d'éliminer les domaines de tailles réduites et d'augmenter les tailles des domaines restant) afin de réduire le bruit lié aux domaines magnétiques de tailles réduites. Le procédé selon l'invention ouvre la voie à des applications en spintronique permettant l'utilisation de matériaux antiferromagnétiques ayant une température de Néel élevée (c'est notamment le cas de Fe2O3 dont la température de Néel est environ égale à 650°C) et à l'utilisation de matériaux ferromagnétiques ayant des températures de Curie plus basse (on s'affranchit de l'exigence d'une température de Curie élevée via l'absence de traitement thermique). Dans le cas d'une application visant à obtenir des domaines de tailles plus grandes (voire même un mono-domaine), on imprime une anisotropie magnétique macroscopique à l'ensemble des matériaux utilisés à l'aide d'un champ magnétique macroscopique. On notera toutefois qu'il est également possible d'utiliser un champ magnétique appliqué localement, par exemple via une pointe de MFM (Microscopie à Force Magnétique), en dessinant les domaines magnétiques et en créant ainsi un gabarit de forme de domaines et en déposant ensuite le matériau ferromagnétique sur la couche antiferromagnétique obtenu par le procédé selon l'invention, par exemple pour l'élaboration de capteurs magnétiques de type vanne de spin ou jonction tunnel qui reprendront la forme des domaines imprégnés au départ dans la couche ferrimagnétique initiale.10 REVENDICATIONS1. Procédé de fabrication d'une couche antiferromagnétique comportant les étapes suivantes : - dépôt (1) sur un substrat d'une première couche sur une épaisseur suffisante pour établir un ordre magnétique déterminé parmi l'un des ordres suivants : o ferrimagnétique, o ferromagnétique, o paramagnétique, o diamagnétique ; - après établissement dudit ordre ferrimagnétique, ferromagnétique, paramagnétique ou diamagnétique, application (2) d'un champ magné-tique dont l'amplitude et la durée sont suffisants pour déplacer les pa- rois des domaines magnétiques de ladite première couche d'une première répartition statistique vers une deuxième répartition statistique, ladite deuxième répartition statistique présentant : • une taille minimale de domaines magnétiques strictement supérieure à la taille minimale des domaines magnétiques de ladite première répartition statistique et ; • pour une aire donnée, des domaines magnétiques dont le péri-mètre est supérieur à celui des domaines de ladite première ré-partition statistique ; - dépôt (3), sur ladite première couche dont les parois des domaines magnétiques ont été déplacées, d'une seconde couche d'un matériau antiferromagnétique dans lequel peut s'intégrer par diffusion lors de la croissance l'un au moins des composants du matériau de ladite première couche. 2. Procédé selon la revendication précédente caractérisé en ce que le champ magnétique est appliqué pendant un temps au moins égal à celui requis pour le basculement spécifié desdits domaines magnétiques. 3. Procédé selon l'une des revendications précédentes caractérisé en ce que le matériau antiferromagnétique de ladite seconde couche a la même formule chimique que celle du matériau de ladite première couche 4. Procédé selon l'une des revendications précédentes caractérisé en ce que ladite première couche est une couche ferrimagnétique ou ferromagnétique, et ledit temps d'application du champ magnétique est au moins égal au temps nécessaire au basculement desdits domaines. 10 5. Procédé selon l'une des revendications précédentes caractérisé en ce que ladite première couche est réalisée dans un matériau ferrimagnétique y-Fe2O3 de sorte qu'on modifie l'état antiferromagnétique de ladite seconde couche de a-Fe2O3 en appliquant un champ magnétique sur 15 ladite première couche avant la transition vers l'ordre antiferromagnétique. 6. Procédé selon l'une des revendications 1 à 3 caractérisé en ce que la-dite première couche est une couche paramagnétique ou diamagnétique, 20 ledit temps d'application étant supérieur ou égal au temps nécessaire à l'établissement de l'ordre antiferromagnétique de ladite seconde couche. 7. Procédé selon l'une des revendications précédentes caractérisé en ce que ledit champ magnétique est appliqué après une épaisseur de ladite 25 première couche supérieure ou égale à l'épaisseur nécessaire pour que s'établisse l'ordre magnétique de ladite première couche. 8. Procédé selon l'une des revendications précédentes caractérisé en ce que ledit champ magnétique est appliqué après une épaisseur de ladite 30 première couche supérieure ou égale à une épaisseur de l'ordre de deux à trois couches atomiques.5 9. Procédé selon l'une des revendications précédentes caractérisé en ce que ledit champ magnétique est appliqué selon une direction parallèle à un axe d'anisotropie cristalline du matériau de ladite première couche. 10. Procédé selon l'une des revendications précédentes caractérisé en ce que ladite application du champ magnétique se fait en dehors de l'enceinte de dépôt dans laquelle est mis en oeuvre ledit procédé. 11. Procédé selon l'une des revendications 1 à 9 caractérisé en ce que ladite application du champ magnétique se fait à l'intérieur de l'enceinte dans laquelle est mis en oeuvre ledit procédé via des moyens magnétiques tels qu'au moins un aimant permanent ou au moins une bobine sous vide agencé directement dans ladite enceinte. 12. Procédé selon l'une des revendications précédentes caractérisé en ce que le dépôt desdites première et deuxième couches se fait dans une enceinte de croissance par épitaxie par jets moléculaires avec une pression, pendant le dépôt, inférieure ou égale à 10-8 bars et préférentielle-ment inférieure ou égale à 10-9 bars. 13. Procédé selon la revendication précédente caractérisé en ce que la température de dépôt est comprise entre la température ambiante et 450°C. 14. Procédé selon l'une des revendications précédentes caractérisé en ce que la croissance de ladite première couche est réalisée sur un substrat nettoyé de toute contamination. 15. Procédé selon l'une des revendications 1 à 11 caractérisé en ce que le dépôt desdites première et deuxième couches se fait en utilisant l'une des techniques suivantes : - dépôt par ablation laser ; - épitaxie par jets moléculaires ;- dépôt par voie chimique tel qu'un dépôt chimique en phase vapeur CVD ou une électrochimie. 16. Procédé selon l'une des revendications précédentes caractérisé en ce que ledit substrat utilisé est un substrat du type AI203(0001) ou Pt(111). 17. Procédé selon l'une des revendications précédentes caractérisé en ce que ledit champ magnétique appliqué est un champ suffisant pour provoquer le déplacement des parois magnétiques et limité au plus à la valeur de champ saturant pour le matériau de ladite première couche. 18. Procédé selon l'une des revendications précédentes caractérisé en ce que ledit champ magnétique n'est pas uniforme dans l'espace et pré- sente au moins une première région soumise à une première valeur uni-forme de champ magnétique en intensité et direction, et au moins une autre valeur uniforme de champ magnétique en intensité et direction, créant une structuration de l'espace en zones magnétiquement distinctes. 19. Structure magnétique comportant au moins une couche antiferromagnétique obtenue par le procédé selon l'une des revendications précédentes. 20. Structure magnétique selon la revendication précédente caractérisée en ce qu'elle comporte au moins une couche ferromagnétique déposée sur ladite couche antiferromagnétique et dont la configuration des domaines magnétiques est identique à celle de ladite couche antiferromagnétique.30