FR 2940321 A1 20100625 FR 0807179 A 20081219 La présente invention concerne une machine permettant le dépôt, sous vide, de matériaux en couches minces sur un substrat. La technologie de dépôt couche mince est employée dans de nombreux domaines de l'industrie, avec principalement deux grandes utilisations. La première est l'optique où l'on dépose sur un substrat généralement translucide au moins une couche mince (d'épaisseur comprise entre quelques dizaines de nanomètres et plusieurs microns) de matériau afin d'obtenir des finitions de surface telles que antireflets, filtres optiques, couche anti-rayure, couche métallique ou semi métallique. Le substrat est dans ce cas en verre ou en matériau organique transparent. Les substrats ainsi traités se caractérisent par des épaisseurs importantes (de l'ordre de quelques mm), des dimensions modestes (de l'ordre de quelques cm, jusqu'au m) et des pièces discontinues. Les matériaux déposés peuvent être des métaux ou des diélectriques. La seconde est la microélectronique où le dépôt de couches minces de matériaux essentiellement métalliques est appliqué à la réalisation de filtres anti-rayonnement électromagnétique. Le substrat est dans ce cas un film très mince en matériau organique tressé ou non tressé souple, en papier, en tissu synthétique ou encore en film plastique. Les substrats ainsi traités se caractérisent par des épaisseurs faibles (de l'ordre de quelques 10èmes de mm) et une présentation en film continu afin de pouvoir réaliser des dimensions les plus grandes possibles (de l'ordre de plusieurs dizaines ou centaines de m). Dans le domaine du dépôt de couches minces, le procédé de pulvérisation cathodique (sputtering en anglais) est connu et le plus répandu. Le principe de ce procédé est de réaliser un arrachement moléculaire de particules métalliques ou diélectriques depuis une cible constituée d'un matériau, sous vide et sous plasma gazeux, pour projeter ledit matériau vers un substrat, sur lequel il se dépose. Le procédé de pulvérisation cathodique repose sur l'emploi d'une anode et d'une cathode entre lesquelles est appliquée une différence de potentiel. Le substrat est disposé entre l'anode et la cathode. Le matériau à déposer est placé, sous forme d'une cible disposée au niveau et associé avec la cathode. L'application de ladite différence de potentiel, dans une enceinte sous vide poussé, crée un plasma, désintègre progressivement ladite cible et projette le matériau issu en direction de l'anode. Durant cette projection ledit matériau rencontre le substrat à la surface duquel il s'intègre et réalise un dépôt. Une version de ce procédé de pulvérisation cathodique augmenté d'au moins un 35 magnétron, permettant d'augmenter la densité de dépôt (magnetron sputtering en anglais), est elle aussi connue. De même, il est connu d'utiliser des magnétrons pour augmenter l'efficacité du décapage ionique (etching en anglais). La dimension des chambres de pulvérisation est jusqu'à ce jour réduite pour des raisons liées au principe. Une augmentation de la dimension nécessite un éloignement de l'anode et de la cathode, afin d'introduire le substrat dans l'intervalle. Ceci s'accompagne d'une inévitable dispersion du faisceau de projection qui ne permet pas de garantir une bonne uniformité de la couche pulvérisée. En pratique, pour une distance anode/cathode supérieure à 170 mm, il n'est plus possible de réaliser des couches uniformes et denses. Parmi les machines de dépôt, sous vide, de couches minces existantes, on trouve des machines de laboratoire présentant généralement une chambre unique de traitement de dimensions réduites, limitant ainsi autant la taille maximale des substrats traités, que le débit de production atteignable. On trouve encore des machines de production comportant plusieurs modules successifs dédiés chacun au dépôt d'un matériau. Une pollution par un matériau de dépôt différent ou par un gaz réactif est préjudiciable à la qualité du dépôt obtenu. Aussi, afin de ne pas mélanger les ambiances au sein des modules successifs, ces machines sont généralement équipées de sas étanches entre les modules. Ces sas, réalisés par des vannes à tiroir, sont généralement fermés et ne s'ouvrent que pour laisser le passage aux substrats d'un module à l'autre, entre deux étapes de dépôt. Une telle architecture fonctionne étape par étape ou périodiquement, traite les substrats par lot à chaque étape/période et ne permet pas de traiter des substrats de type continu en film. La présente invention remédie à ces différents inconvénients en permettant de traiter des pièces de grandes dimensions, continues ou discontinues, à une cadence de production élevée. Les caractéristiques de l'invention permettent de réaliser des modules de pulvérisation cathodique fonctionnels avec une distance cathode/anode de l'ordre de 400 mm. II est de plus possible de réaliser des modules de pulvérisation doubles avec une distance cathode/anode de l'ordre de 2x400 mm. 3o L'invention a pour objet une machine de dépôt sous vide, sur un substrat, de matériau en couche mince par pulvérisation cathodique, comprenant un chemin de transport et de guidage apte à véhiculer le substrat afin de le faire transiter depuis un module sas d'introduction du substrat vierge, jusqu'à un module sas d'extraction du substrat traité, en passant successivement et dans l'ordre au travers d'au moins un 35 module de préparation du substrat, et d'au moins un module de pulvérisation cathodique, tous les modules présentant une atmosphère individuellement contrôlée en pression, en température, et en pression partielle de gaz réactif, une chambre de transfert présentant une atmosphère contrôlée en basse pression limite, en température, et en pression partielle de gaz réactif, réunissant tous les modules de manière à ce que le substrat transite par la chambre de transfert à chaque changement de module. Selon une autre caractéristique de l'invention, la machine comprend encore un dispositif de laminage du vide au niveau de chaque transition entre un module et la chambre de transfert, ou entre la chambre de transfert et un module, afin de permettre le passage du substrat tout en limitant les échanges de gaz entre les modules. Selon une autre caractéristique de l'invention, le dispositif de laminage du vide comprend des ailettes pilotées en orientation autour d'un axe parallèle au plan de cheminement du substrat. Selon une autre caractéristique de l'invention, lesdits modules sont alignés et la chambre de transfert est rectiligne et disposée au dessus des modules. Selon une autre caractéristique de l'invention, le module de préparation du substrat 15 est un module de décapage ionique. Selon une autre caractéristique de l'invention, un module de pulvérisation cathodique comporte au moins une anode, cette anode étant solidaire du chemin de transport et de guidage, et disposée au plus prêt du substrat. Selon une autre caractéristique de l'invention, un module de pulvérisation 20 cathodique comporte encore une pluralité d'au moins une cathode, ladite cathode étant éloignée du substrat. Selon une autre caractéristique de l'invention, la distance entre anode et cathode est au moins égale à 400 mm. Selon une autre caractéristique de l'invention, un injecteur de gaz réactif est disposé 25 au plus près de ladite cathode. Selon une autre caractéristique de l'invention, ladite cathode est cylindrique et rotative autour d'un axe parallèle au plan de cheminement du substrat. Selon une autre caractéristique de l'invention, ladite cathode est équipée d'un masque intercalé entre ladite cathode et le substrat, au plus près de ladite cathode, ledit 30 masque présentant une forme apte à homogénéiser un plasma issu de ladite cathode, afin de produire un dépôt de matériau uniforme. Selon une autre caractéristique de l'invention, le masque est sensiblement plan, et présente une ouverture ovoïdale dont le grand axe est aligné avec l'axe de la cathode. Selon une autre caractéristique de l'invention, ledit masque présente deux parois, et 35 l'injecteur de gaz réactif est disposé entre les deux parois. Selon une autre caractéristique de l'invention, ladite cathode est appariée avec un masque au sein d'un sous-ensemble globalement remplaçable. Selon une autre caractéristique de l'invention, ladite cathode est disposée sur une porte du module de pulvérisation cathodique ouvrant vers l'extérieur. Selon une autre caractéristique de l'invention, le chemin de transport et de guidage. au sein d'un module de pulvérisation cathodique, présente un parcours aller et retour sensiblement en forme de U, autour d'une anode centrale, en présentant la face du substrat devant recevoir un dépôt face à une première pluralité d'au moins une cathode pendant le parcours aller et face à une seconde pluralité d'au moins une cathode pendant le parcours retour. Io Selon une autre caractéristique de l'invention, la ou les pluralités de cathodes sont mobiles selon une direction parallèle au plan de cheminement du substrat. L'invention concerne encore une seconde machine de dépôt sous vide de matériaux en couches minces par pulvérisation cathodique, comportant une première aile comprenant une machine selon l'un quelconque des modes de réalisation précédents, 15 une seconde aile comprenant une machine selon l'un quelconque des modes de réalisation précédents, les modules sas d'extraction des deux ailes se confondant en un seul module sas d'extraction, ledit module sas d'extraction étant précédé d'un module de pressage, réalisant un pressage des substrats traités issus des deux ailes, l'un contre l'autre. 20 Selon une autre caractéristique de l'invention, le module de pressage réalise, sous vide et à basse température, un pressage des deux substrats issus desdites deux ailes, les faces ayant reçu le/les dépôt(s) étant disposées en regard l'une contre l'autre. Selon une autre caractéristique de l'invention, les deux ailes comportent un même nombre de module. 25 D'autres caractéristiques, détails et avantages de l'invention ressortiront plus clairement de la description détaillée donnée ci-après à titre indicatif en relation avec des dessins sur lesquels : - la figure 1 présente une première machine de dépôt, - la figure 2 présente l'interface entre un module et une chambre de transfert, 30 - la figure 3 illustre un module de préparation, - la figure 4 illustre un module de pulvérisation cathodique, - la figure 5 présente une deuxième machine de dépôt. A la figure 1 est représentée une première machine de dépôt sous vide, sur un substrat 18, de matériaux en couches minces par pulvérisation cathodique, selon 35 l'invention. Une telle machine fonctionne en mode totalement automatique et est construite autour du cheminement du ou des substrats 18. Elle comprend un chemin de transport et de guidage 17 dudit substrat 18. Ce chemin de transport et de guidage 17 peut évoluer en fonction de la taille, forme, matière et type (continu, discontinu) du/des substrat 18. II est apte à véhiculer le substrat 18, au travers de la machine, afin de le faire transiter depuis un module sas d'introduction 2, 16, du substrat vierge 18, jusqu'à un module sas d'extraction 3, 4, du substrat traité 18' après dépôt d'une ou plusieurs couches de matériau. Ce faisant, le substrat 18 passe, successivement et dans l'ordre, au travers d'au moins un module de préparation du substrat 6, 7, 14, 15, et d'au moins un module de pulvérisation cathodique 8-13. ~o Le procédé de pulvérisation cathodique nécessite une ambiance parfaitement contrôlée en terme de pression de vide, de température et, le cas échéant, de pression partielle de gaz réactif. Tous les modules 2-16 présentent une atmosphère individuellement contrôlée en pression, en température, et en pression partielle de gaz réactif, et ceci de manière totalement automatique. La précision très exigeante des 15 différents automatismes de régulation d'ambiance est conforme aux besoins du procédé de pulvérisation cathodique. Afin de répondre aux exigences poussées en terme de vide, de régulation thermique et de pression partielle de gaz réactif, d'isolement nécessaire entre les modules 2-16 successifs constituants la machine, et pour éviter tout risque de pollution d'un 20 module par l'autre, tout en garantissant une continuité des conditions d'ambiance (une rupture de la chaîne de vide est incompatible avec la qualité attendue du produit fini), tout en permettant un transit d'un substrat 18, continu ou non, ladite machine comprend avantageusement une chambre de transfert 1 réunissant tous les modules 2-16. La chambre de transfert 1 est conformée de telle manière que le substrat 18 effectue un 25 passage par la chambre de transfert 1 à chaque passage entre deux modules successifs 2-16. Ainsi, lors d'un changement de module 2-16, le substrat 18 sort d'un module, transite par la chambre de transfert 1 et entre dans le module suivant. Ainsi, le substrat 18 ne passe jamais directement d'un module dont l'ambiance peut être chargée d'un gaz réactif et/ou d'un matériau à pulvériser, vers un autre module contenant une ambiance 30 pouvant être différente en terme de gaz ou de matériau. La chambre de transfert 1, a priori exempte de matériau et de gaz réactif, assure ainsi un rôle de tampon antipollution entre deux modules 2-16. De plus, la chambre de transfert 1 présente, à l'instar des modules 2-16, une atmosphère contrôlée en pression, en température, et en pression partielle de gaz réactif. Les consignes de pression et de température étant sensiblement 35 les mêmes que dans les modules 2-16, la chambre de transfert 1 assure ainsi autour du substrat 18 une continuité de l'ambiance. La chambre de transfert 1 permet encore avantageusement de ne pas accoler deux modules 2-16 successifs et de permettre de laisser entre deux tels modules 2-16 un espace d'accès pour la maintenance, par exemple au moins égal à 1200 mm. La figure 2 représente un détail de la jonction entre la chambre de transfert 1 et l'un quelconque des modules 8. Guidé et entraîné par le chemin de transport et de guidage 17, un substrat 18 avant traitement, ici un substrat continu de type film, arrive par la chambre de transfert 1. II pénètre dans le module 8 par une première ouverture 20. II parcourt le module 8 aller et retour pour y subir un traitement. Le substrat 18' après traitement ressort par une seconde ouverture 20' pour revenir dans la chambre de to transfert 1. Il peut alors poursuivre son parcours vers un module suivant. La figure 2 illustre une caractéristique importante de l'invention : un dispositif de laminage du vide, par exemple constitué des ailettes 19, est disposé à la jonction entre le module 7 et la chambre de transfert 1. Ledit dispositif de laminage du vide 19 obture la totalité de la surface de jonction, à l'exclusion des deux ouvertures 20, 20'. 15 Les ailettes 19 sont pilotées en orientation afin de réaliser un laminage du vide. La régulation des pressions partielles réactives gazeuses à l'intérieur des modules 2-16 est réalisée de façon automatique, le pilotage des écrans de laminage ou ailettes mobiles 19 est réalisé en fonction des valeurs mesurées pouvant être indiquées par : des centrales de régulation automatiques des flux gazeux ou � mass-flow �, des mesures de pressions 20 partielles, des données issues d'un spectromètre de masse, de la vitesse de défilement des substrats, le cas échéant de mesures optiques, réalisées in situ, visant à contrôler l'épaisseur de la couche de matériau déposée, afin de permettre à l'écran de laminage 19 de s'ouvrir ou de se fermer en fonction des valeurs mesurées, afin de maintenir la pression partielle nominale souhaitée, et ceci malgré la présence des ouvertures 20, 20'. 25 Ce type d'équipement 19 est disposé à l'interface entre chaque module 2-16 de la machine et la chambre de transfert 1. La chambre de transfert 1 est équipée d'au moins une pompe cryogénique 22 dédiée à la réalisation du vide. Les modules 2-16 sont équipés, chacun, d'au moins une pompe cryogénique 21 dédiée à la réalisation du vide. Ces pompes 21, 22 sont 30 également dotées d'écrans de laminage 19 du vide. Les ailettes 19 de laminage constituent un élément majeur pour le fonctionnement de ce nouveau principe de régulation de pression. Elles permettent d'éviter une fermeture d'une vanne tiroir comme dans les machines de l'art antérieur actuellement commercialisées (Pégasus, Sputter inline systems, Leybold et autres), tout en assurant 35 une parfaite stabilité des pressions partielles programmées pour chaque gaz réactif au sein de chaque module. Ces ailettes 19 permettent ainsi la réalisation des ouvertures linéaires 20, 20', qui autorisent la libre circulation des substrats 18, 18' en continu dans la machine. Un tel traitement en continu permet de réduire les temps de production comparativement à un mode périodique de traitement par lot. Ceci permet surtout l'utilisation de substrats 5 continus de grande longueur. L'ambiance en termes de pression et température, est contrôlée dans la totalité de la machine. La chambre de transfert permet un transfert entre les différents modules 2-16 sans rupture de cette ambiance. Aux deux extrémités de la machine, sont disposés deux modules sas particuliers. A to la première extrémité ou extrémité d'entrée, la machine comprend un module sas d'introduction 2, 16, ou de chargement. A la seconde extrémité ou extrémité de sortie, la machine comprend un module sas d'extraction 3, 4, ou de déchargement. Ces modules sas 2, 3, 4, 16, tant d'introduction que d'extraction sont sensiblement identiques. Un module d'introduction permet d'introduire le ou les substrats 18 vierges dans la 15 machine. Un substrat de type continu en film se présente sous la forme d'un rouleau qui va être déroulé par le chemin de transport et de guidage 17 depuis le module sas d'introduction 2, 16. Un module d'extraction 3, 4 permet d'extraire le ou les substrats 18' de la machine après traitement. Ces modules sas 2, 3, 4, 16, fonctionnent de la manière suivante. Un module sas 2, 20 3, 4, 16, est relié à la chambre de transfert 1 par une ouverture sélectivement obturable, par exemple au moyen d'une vanne tiroir. Un module sas 2, 3, 4, 16, est encore relié au monde extérieur à la machine par une porte. Lorsque ladite ouverture est obturée, la porte peut être ouverte pour laisser entrer, respectivement sortir, le substrat 18, 18', par exemple sous forme de rouleau. La machine est prévue pour accommoder des rouleaux 25 enroulant des lés de 1400 mm de largeur pour une longueur de 100 à 200 m. L'ouverture de la porte a pour effet que l'ambiance dans le module revient à la pression atmosphérique. Afin d'éviter, ou du moins de réduire, les risques de pollution, les modules sas 2, 3, ouvrent avantageusement sur des salles blanches, par exemple de qualité 1000. La porte est ensuite refermée. Le vide est ensuite réalisé à l'intérieur du module sas 2, 3, 30 4, 16, afin de présenter une ambiance comparable avec celle de la chambre de transfert 1 et de l'ensemble de la machine. La consigne de vide indicative employée est de 2.10-6 mb. A ce stade, les vannes tiroirs peuvent être ouvertes et le substrat peut transiter entre la chambre de transfert 1 et le module 2, 3. L'ouverture des vannes tiroirs peut encore être automatiquement déclenchée par l'atteinte de la consigne de vide. 35 Dans le cas d'un module sas d'introduction 2, le déroulement et le transport du substrat 18 vers la chambre de transfert 1 peut aussi être automatiquement déclenché par l'atteinte de la consigne de vide. Avantageusement, un module sas 2, 3, est équipé d'un piège cryogénique à particules, par exemple de type � polycold �, placé sous la vanne à tiroir. Un tel piège capte les pollutions éventuellement introduites lors de l'ouverture. De plus, ce piège capte. 5 avant l'entrée du substrat 18 dans la chambre de transfert 1, la vapeur d'eau issue de la désorption des substrats 18. Ainsi, un module sas 2, 3, principalement un module d'introduction 2, amorce et participe au dégazage du substrat 18. Les matériaux des substrats 18 à traiter se répartissent en cinq catégories : - les matériaux minéraux (les verres d'optiques) qui peuvent supporter des Io températures allant jusqu'à 400°C, les matériaux cristallins et métalloïdes, les métaux ferreux et non ferreux, - les matériaux organiques qui ne peuvent en aucun cas être chauffés, les tissus qui ne peuvent en aucun cas être chauffés. 15 Pour les matériaux organiques, une température sensiblement égale à 35° est préconisée, tant pour le stockage, que pour le traitement. Dans le cas d'un module sas d'extraction 3, il peut être utile d'ajouter un moyen de chauffage, de régulation et de maintien de la température entre 35°C et 38°C. Lors d'une mise à la pression atmosphérique (ouverture de la porte d'un module 20 sas), seul de l'azote est injecté dans le module 2, 3. A titre indicatif, la dimension interne d'un module sas 2, 3, peut être : Profondeur 2000 mm x Largeur 1400 mm x Hauteur 2300 mm. Selon un second mode de réalisation d'une seconde machine détaillée plus loin, le module d'extraction 3, 4, est amené à accueillir un rouleau produit plus gros. Dans ce dernier cas, les dimensions sont 25 augmentées : Profondeur 2000 mm x Largeur 1600 mm x Hauteur 2300 mm. L'aménagement intérieur d'un module sas 2, 3, peut être modifié pour accueillir un substrat 18 continu en rouleau avec un support de déroulement automatique, ou un ou plusieurs substrats discontinus avec un support adapté aux formes et tailles des substrats, traités par lots, en continu ou encore de manière périodique. 30 De manière générale, la température ambiante dans toute la machine est de 35°C. La régulation sur cette consigne est effectuée en prenant en compte l'échauffement, pouvant être important, du substrat 18 pendant son passage dans les modules de pulvérisation cathodique 8-13. Pour permettre d'évacuer des calories ainsi produites, un circuit fermé de fluide 35 (eau) froid peut circuler dans les modules 2-16 et la chambre de transfert 1. Cette eau cyclée présente une température toujours inférieure au point de rosée. Un refroidissement 2940321 q efficace est obtenu avec une eau circulant sous une pression de 6 à 8 bars et un débit de 300 I/mn. Un second circuit fermé de fluide (eau) chaud peut circuler dans les modules 2-16 et la chambre de transfert 1. Cette eau cyclée présente une température de 85°C et une pression supérieure à 5 bars. Un cyclage de cette eau chaude pendant 2 heures est appliqué, en phase de maintenance préventive hebdomadaire, afin de réaliser un dégazage de tous les éléments de la machine. Entre le module sas d'introduction 2 et le module sas d'extraction 3, est disposée une série de modules 2-16. to Un premier module, disposé immédiatement après le module d'introduction 2, est un module de préparation 6, 15 du substrat 18. Un tel module de préparation comprend typiquement un module 6, 15, de décapage ionique. Ce module 6, 15, réalise un décapage du substrat 18, nécessaire avant tout dépôt cathodique. Un tel module 6, 15, illustré à la figure 3, est équipé de moyens permettant de 15 réaliser un décapage de surface du substrat 18 à l'aide d'un procédé Etching. Un tel procédé comprend, par exemple, un usinage ionique réalisé par plasma gazeux 27, au moyen d'au moins un canon à ions 26, par exemple du type à courant continu basse tension. Une telle opération est typiquement réalisée sous une pression partielle de gaz réactif comprise entre 5.103 mb et 5.10-2 mb. Afin de réaliser un plasma permanent dans 20 ce module 6, des apports gazeux peuvent être réalisés avec des gaz neutres comme l'argon, l'oxygène ou encore le néon, le gaz réactif pouvant être changé en fonction du matériau du substrat dont la surface est à décaper. En se référant à la figure 3, est représenté un tel module 6. Ce module 6 partage, avec tous les autres modules 2-16, les caractéristiques suivantes. II est relié à la chambre 25 de transfert 1. L'interface avec ladite chambre 1 est équipée d'ailettes 19 de laminage du vide. Le module comporte au moins un dispositif de régulation du gaz réactif 25 encore nommé mass-flow. L'enceinte dudit module est avantageusement close par au moins une (ici deux) porte 23, utilisée uniquement à des fins de maintenance. Cette porte 25 comporte avantageusement au moins un hublot 24 de visualisation. Le substrat 18 est 30 avantageusement guidé au travers du module par le chemin de transport et de guidage 17 selon un parcours aller et retour. Le vide est assuré dans l'enceinte du module par au moins une centrale de vide comprenant au moins une pompe cryogénique 21. Un module 2-16 peut encore, avantageusement, comprendre, de manière optionnelle, une vanne tiroir 31, permettant d'isoler complètement le module relativement 35 à la chambre de transfert 1. Ceci est principalement utilisé pour des opérations de maintenance, afin de pas être obligé, en cas d'intervention sur un module 2-16 ou sur la 2940321 lo chambre de transfert 1, de remettre à la pression atmosphérique la totalité de la machine. Ce module 6 comprend encore les caractéristiques spécifiques d'un module de décapage ionique suivantes. Il comporte au moins un (ici quatre) canon de décapage 26. Ce canon 26, de type électrostatique, comprend une cathode et fonctionne grâce à une 5 anode 28 disposée de manière centrale, reliée au chemin de transport et de guidage 17 et placée au plus près du substrat 18, ledit substrat étant intercalé entre ledit canon de décapage 26 et ladite anode 28 afin de recevoir le bombardement 27. L'anode 28 peut être semblable à l'anode 29 des modules de pulvérisation cathodique. De manière optionnelle, la machine peut encore comprendre un second module 7, io 14, de préparation, placé après le module de décapage 6, 15. Un tel second module de préparation 7, 14, comprend un module de chauffage 7, 14, du substrat 18. Un tel module de chauffage 7, 14, est nécessairement situé en amont des modules 8-13 de pulvérisation cathodique. Ce module 7, 14, concerne principalement les matériaux minéraux qui peuvent supporter des températures allant jusqu'à 400°C. 15 Un tel module de chauffage 7, 14, placé en début de chaîne de fabrication, agit favorablement sur l'activation du dégazage de la vapeur d'eau, obligatoirement existante. Il contribue ainsi à une amélioration de la qualité de préparation du substrat 18, qui entraîne une amélioration de la qualité des traitements de dépôt réalisés postérieurement, et ainsi, une amélioration de la qualité des produits obtenus. 20 Le module de chauffage 7, 14, comporte des moyens de chauffage de puissance indicative comprise entre 15 et 20 kW. Il comporte des moyens de régulation permettant une régulation par palier et un contrôle de la température de très grande précision. A titre indicatif, la dimension interne d'un module de préparation 6, 7, 14, 15, peut être : Profondeur 2000 mm x Largeur 1100 mm x Hauteur 2300 mm. La consigne de vide 25 indicative employée est de 2.10-7 mb. Selon une variante de réalisation, il est encore possible de combiner le module de décapage 6, 15, et le module de chauffage 7, 14, sous forme d'un module unique réalisant les deux fonctions de décapage puis de chauffage. En se référant à nouveau à la figure 1, la machine selon l'invention est 30 avantageusement organisée de telle manière que lesdits modules 2-16 soient alignés, la chambre de transfert 1 étant rectiligne. Selon une caractéristique avantageuse de l'invention, la chambre de transfert 1 est disposée au dessus des modules 2-16, comme illustré. Après le ou les modules de préparation 6, 7, toujours dans le sens de transport du 35 substrat 18, est disposé au moins un module de pulvérisation cathodique 8-13 au sein duquel est réalisé au moins un dépôt encore nommé revêtement. Un tel module de pulvérisation cathodique 8-13 est représenté à la figure 4. A titre indicatif, la dimension interne d'un module de pulvérisation cathodique 8-13, peut être : Profondeur 2000 mm x Largeur 1100mm x Hauteur 2300mm. La consigne de vide indicative employée est de 2.10-7 mb. En plus des caractéristiques générales, partagées avec tous les modules 2-16, telles que décrites ci-dessus, un module de pulvérisation cathodique 8-13 comporte spécifiquement les caractéristiques suivantes. II comporte au moins une anode 29 (ici deux). Ladite anode 29 est solidaire électriquement du chemin de transport et de guidage 17, et est disposée au plus prêt du substrat 18. Le module 8-13 comporte encore une to pluralité de cathodes 30. Pour le module 8 représenté, ladite pluralité comporte deux blocs comprenant chacun six cathodes 30. Un premier bloc est disposé du côté "aller" de circulation du substrat 18 et un second bloc est disposé du côté "retour". Les modules de pulvérisation cathodique 8-13 sont avantageusement dotés de magnétrons. Un magnétron selon un procédé connu, crée un champ magnétique à 15 proximité du substrat 18 qui accélère les particules projetées et augmente ainsi la qualité de la couche déposée. II est à noter que tous les modules de pulvérisation cathodique 8-13 peuvent avantageusement être totalement identiques. Chacun possède ses moyens de régulation propre, permettant ainsi de créer et maintenir une ambiance spécifique dans son 20 enceinte. Le seul élément qui peut évoluer d'un module de pulvérisation cathodique à l'autre est le ou les matériaux déposés. Tous les paramètres associés à un changement de matériau déposé sont configurables ou pilotables. Ainsi un module de pulvérisation est réellement universel. Le changement de matériau s'effectue en changeant de cathode 30. Le changement de gaz réactif est effectué en changeant l'alimentation dudit gaz. S'il est 25 nécessaire de modifier une température, une pression de vide, une pression partielle de gaz ou une différence de potentiel anode/cathode, ces paramètres peuvent être pilotés, afin d'adapter le module à sa nouvelle fonction. Un module peut encore ne pas être utilisé. Ainsi une machine comprenant un nombre N de modules peut réaliser de 0 à N traitements, offrant ainsi une grande 30 versatilité à la machine. Dans le cas où un module n'est pas utilisé pour une fabrication, le substrat peut traverser normalement le module, qui ne fonctionne pas, mais présente cependant une ambiance en continuité avec le reste de la machine. Selon une variante optionnelle, il est encore possible que le chemin de transport et de guidage 17 permette un aiguillage 35 direct, ne faisant pas passer le substrat 18 dans le module. La forme linéaire de la chambre de transfert 1 combinée au parcours aller et retour du substrat 18 dans les modules 2-16 permet une interface chambre de transfert 1 / module 2-16 sur une seule face d'un module 2-16. Ainsi, un aiguillage évitant un module 2-16 est facilement réalisable. Ceci est un avantage de la forme linéaire de la chambre de transfert 1 Si le module 2-16 comporte une vanne tiroir 31 optionnelle en entrée, il est dans ce 5 cas possible d'isoler le module 2-16 non utilisé. Il est avantageux que ladite cathode 30 soit la plus éloignée possible de l'anode 29 et du substrat 18. Un grand espace entre cathode 30 et anode 29 permet une introduction de substrat 18 de grande dimension principalement selon l'épaisseur, tout en autorisant un éloignement de la cathode 30 relativement au substrat 18. l0 Une grande distance entre la cathode 30 et le substrat 18 évite que la chaleur importante de la cathode 30 n'entraîne une surchauffe du substrat 18, préjudiciable pour les matériaux organiques. Cette caractéristique est très importante, en ce qu'elle contribue (avec un système de refroidissement efficace) à permettre à la machine de traiter des matériaux présentant un point de fusion bas, tel que des films plastiques. 15 Dans la machine selon l'invention, la distance entre anode 29 et cathode 30 est au moins égale à 400 mm. Lorsque la pulvérisation cathodique est en fonctionnement, de part la présence d'une différence de potentiel entre cathode 30 et anode 29, un dépôt régulier de matériau pulvérisé nécessite un mouvement relatif régulier du substrat par rapport à la pluralité de 20 cathodes 30. Le substrat 18 est, sous l'action du chemin de transport et de guidage 17, soumis à un mouvement de défilement régulier et continu dans l'ensemble de la machine et particulièrement au sein d'un module 8. La pluralité de cathodes 30 peut donc être fixe et garantir un dépôt régulier de matériau par défilement du substrat 18 devant la cathode 30. 25 II est connu de l'homme du métier aujourd'hui, qu'au-delà de 170 mm d'écart entre anode et cathode, la pulvérisation devient trop erratique par affaiblissement du taux et du rendement de pulvérisation et produit des dépôts irréguliers. Afin de réaliser un dépôt de qualité avec un écart supérieur à 400 mm, l'invention comprend les caractéristiques intéressantes suivantes. 30 Afin de mettre en oeuvre le procédé de pulvérisation cathodique sous vide, la présence d'un gaz réactif neutre est nécessaire pour permette la production d'un plasma qui permet la pulvérisation assurant le dépôt de matériau sur le substrat 18. Afin de contrôler la quantité de ce gaz et de l'injecter là où il est nécessaire, un injecteur de gaz réactif (non représenté) est avantageusement disposé au plus près de la cathode 30. 35 L'injection de gaz réactif au plus près de la cathode 30 permet d'améliorer la focalisation du plasma. _ Le procédé de pulvérisation cathodique nécessite un matériau à pulvériser et à projeter sur le substrat 18. Ce matériau est constitué sous forme de cible 32, constituée dudit matériau, généralement de haute pureté et aggloméré par exemple par frittage. Ladite cible 32 est placée à proximité immédiate de la cathode 30 et se confond avec ladite cathode 30. Jusqu'à présent, les cibles/cathodes ont été réalisées sous des formes carrées, rectangulaires ou rondes, mais toujours sensiblement planes et parallèles au plan du substrat 18. Une telle forme ne permet pas un contrôle de la forme du plasma et, de plus, ladite forme de plasma évolue sensiblement en fonction de l'usure de la cathode suite à la pulvérisation. to Selon une caractéristique importante de l'invention, la cible 32/cathode 30 est cylindrique et rotative autour de l'axe dudit cylindre, ledit axe étant disposé parallèle au plan de cheminement du substrat 18. Avantageusement, cet axe est encore perpendiculaire à la direction de cheminement. Une telle disposition permet de présenter au substrat 18 un secteur de cylindre. La forme de ce secteur, et ainsi son influence sur la 15 forme du plasma, évolue peu en fonction de la variation du diamètre dudit cylindre, variation qui résulte de l'inévitable usure de ladite cible 32. Il convient, pour conserver un plasma de forme sensiblement identique, de contenir cette variation entre un diamètre maximum et un diamètre minimum donnés. Une telle forme cylindrique permet ainsi un contrôle de la forme du plasma. La forme cylindrique permet encore un rechargement 20 aisé lorsque le diamètre minimum est atteint. La rotation permet, de plus, de répartir l'usure de la cible 32, tout en reproduisant la cible 32 quasiment identique à elle-même et d'augmenter ainsi sa durée d'utilisation avant d'atteindre le diamètre minimum. La machine selon l'invention accepte des cibles 32 de longueur (selon l'axe du cylindre) de l'ordre de 1,80 m. Ceci permet de pulvériser sur un substrat 18 d'une largeur de 1,50 m. 25 Selon une autre caractéristique importante permettant de focaliser le plasma et ainsi d'augmenter la distance anode/cathode, chaque cathode 30 est accompagnée d'un masque 33. Ce masque 33 est intercalé entre ladite cathode 30 et le substrat 18. Avantageusement, ledit masque 33 est placé au plus près de la cible 32 /la cathode 30. Ledit masque 33 présente une forme apte à homogénéiser un plasma issu de ladite 30 cathode 30 afin de produire un dépôt de matériau uniforme. Cette forme dudit masque 33 est déterminée précisément par modélisation numérique du plasma, en optimisant la forme du masque 33 jusqu'à obtenir un plasma régulier. Pour cela, le masque 33 se présente sous forme d'une plaque, sensiblement plane, 35 formant écran à la pulvérisation entre la cible 32 et le substrat 18. Cette plaque écran est percée d'une ouverture 34 en son centre pour le passage du matériau projeté. Ladite ouverture 34 est symétrique, selon un axe obtenu par projection orthogonale de l'axe de rotation de la cathode 30 sur le plan de ladite plaque 33. De manière surprenante, alors qu'une ouverture rectangulaire (de largeur constante le long dudit axe de symétrie) semblait s'imposer, il a été constaté qu'un rétrécissement de ladite ouverture 34 au niveau des extrémités dudit cylindre de la cible 32 permettait, au contraire, d'homogénéiser le plasma issu de ladite cathode 30 afin d'obtenir un dépôt uniforme sur toute la longueur de la cathode 30, ou ce qui est équivalent, sur toute la largeur du substrat 18. Une forme ovoïdale de l'ouverture 34 dudit masque 33 est donc une caractéristique importante permettant de réaliser un dépôt uniforme. Un mode de réalisation intéressant consiste à réaliser ledit masque 33 afin qu'il présente deux parois sensiblement parallèles. En disposant de plus la sortie de l'injecteur de gaz réactif entre les deux parois, le gaz réactif est injecté de manière à sortir par ladite ouverture 34, au plus près de la cathode 30/ cible 32 du plasma. La forme de ladite ouverture 34 est adaptée en fonction du matériau constitutif de la cible 32/cathode 30 afin d'obtenir une pulvérisation uniforme. Il est alors avantageux, afin d'éviter tout risque d'interversion dans un couple masque 33-cible 32, d'apparier chaque cathode 30/cible 32 avec son masque 33 au sein d'un sous-ensemble. Ledit sous-ensemble est avantageusement démontable du module 8-13 en une seule pièce. Ainsi, lorsqu'une cathode 30 doit être démontée pour être rechargée en matériau cible, elle reste accompagnée de son masque 33. Afin de simplifier ledit démontage de cathode 30, lors d'une maintenance, pour une opération de rechargement ou encore pour modifier la configuration du module 8-13 en changeant de matériau déposé, une cathode 30 est avantageusement disposée sur une porte 23 du module de pulvérisation cathodique. Ainsi ladite cathode 30 est aisément accessible depuis l'extérieur du module afin de pouvoir être remplacée. Selon une caractéristique avantageuse de l'invention, le chemin de transport et de guidage 17, au sein d'un module 8-13 de pulvérisation cathodique, présente un parcours aller et retour sensiblement en forme de U, autour d'une anode centrale 29, en présentant la face du substrat 18 devant recevoir un dépôt face à une première pluralité d'au moins une cathode 30 pendant le parcours aller et face à une seconde pluralité d'au moins une cathode 30 pendant le parcours retour. Le fait que le substrat 18 soit guidé au travers du module 8-13 selon un parcours aller devant un premier bloc de cathode 30, puis ensuite selon un parcours retour devant un second bloc de cathode 30, permet de configurer un module 8-13 de pulvérisation cathodique pour déposer un premier matériau au moyen du premier bloc selon une première couche et, un second matériau au moyen du second bloc selon une deuxième couche. Bien entendu ces premier et second matériaux peuvent être identiques et l'on obtient alors une couche de matériau déposé d'épaisseur double. Il est encore possible, au sein d'un même bloc contenant plusieurs cathodes 30, d'associer une cible 32 de matériau différent pour chaque cathode 30 afin de pulvériser 5 différents matériaux. Les cibles étant généralement réalisées par frittage, il est possible, au sein d'une même cible 32/cathode 30, de panacher plusieurs matériaux qui, dans ce cas, seront pulvérisés conjointement pour former une couche unique composite. Le changement du matériau constitutif de la cible 32, parmi des matériaux -o métalliques ou diélectriques, permet de changer le matériau déposé et ainsi la fonction du module 8-13. II a été vu précédemment qu'un mouvement relatif du substrat 18 relativement à la cathode 30 était nécessaire à un dépôt régulier. Ce mouvement peut être obtenu par le défilement du substrat 18. Avantageusement, la cathode 30, ou un ensemble de 15 cathodes, la totalité des cathodes ou la première ou la seconde pluralité de cathodes 30, est mobile. Une telle mobilité dans un plan parallèle au plan de cheminement du substrat 18, selon une direction parallèle au déplacement du substrat 18, peut permettre de réaliser un dépôt uniforme sur un substrat immobile. Ceci peut être appliqué à un traitement 20 périodique de substrat, cheminant par étapes successives, par exemple avec arrêt dans chacun des modules 2-16. Ceci peut être appliqué à des substrats discontinus traités par lots, ou encore à un substrat continu mais déplacé périodiquement par tronçons de longueur correspondant à un module 8-13. Une telle mobilité, qui peut être combinée à un mouvement de déplacement du 25 substrat 18, de même sens ou de sens contraire, peut encore permettre de réduire l'échauffement du substrat 18 en limitant le temps d'exposition du substrat 18 à la cathode 30. Toutes ces possibilités confèrent à la machine de dépôt de nombreuses possibilités de configuration et, ainsi, une grande versatilité. 30 Une telle première machine permet ainsi, de manière configurable en ce qui concerne le choix et la succession des matériaux constitutifs, de réaliser, sur un substrat 18 en film continu, un dépôt de couches minces successives de qualité supérieure. II est ainsi possible de traiter des rouleaux de 200 m de substrat film d'une largeur de 1500 mm avec cette première machine. 35 Un produit particulièrement intéressant dans le domaine de la protection électromagnétique est obtenu en collant, l'un sur l'autre, un premier et un second substrats 18 film traités par dépôt de couches pulvérisées successives, la face du premier substrat comprenant le dépôt contre la face du second substrat comprenant le dépôt. Pour fabriquer automatiquement un tel produit, il est intéressant de construire une deuxième machine de dépôt sous vide de matériaux en couches minces par pulvérisation cathodique. Cette deuxième machine, représentée à la figure 5, comporte une première aile 2, 3, 6-10, comprenant une machine semblable à la première machine décrite précédemment, et une seconde aile 4, 11-16, comprenant une machine semblable à la première machine décrite précédemment. Les modules sas d'extraction 3, 4, du substrat traité 18' des deux ailes se confondant en un seul module sas d'extraction, ici figuré au centre. Ledit module sas d'extraction, 3, 4, devenant éventuellement un peu plus grand afin d'accueillir un rouleau de substrat 18' double, superposant les substrats traités issus des deux ailes. Ledit module sas d'extraction 3, 4, est, de plus, précédé d'un module de pressage 5, réalisant un pressage des substrats traités 18' issus des deux ailes, l'un contre l'autre. Le procédé de pressage, qui fait l'objet d'un autre brevet de la demanderesse, réalise, sous certaines conditions, un assemblage des deux substrats traités particulièrement performant. Ces conditions sont plus particulièrement décrites dans ledit autre brevet. Pour les besoins du présent brevet, il convient de savoir que ces conditions regroupent : un matériau particulier déposé dans le dernier module 10, 11, une ambiance de vide poussé dans l'enceinte du module de pressage 5, une action mécanique de pressage des substrats l'un contre l'autre et enfin une température très basse. Ainsi, ledit module de pressage 5 réalise, sous vide et à basse température, un pressage des deux substrats issus desdites deux ailes, les faces ayant reçu le/les dépôt(s) étant disposées en regard l'une contre l'autre. Ce pressage réalise un collage particulièrement efficace des deux substrats traités qui forment, après pressage, un unique film continu qui vient s'enrouler sur un rouleau dans le module d'extraction 3 unique. A titre indicatif, la dimension interne du module de pressage 5, peut être : Profondeur 2000 mm x Largeur 1600 mm x Hauteur 2500 mm. La consigne de vide 30 indicative employée est de 2.10-' mb. Les deux substrats traités 18' issus des deux ailes sont dirigés par le chemin de transfert 17 dans le module de pressage 5. Ce module comprend deux rouleaux de guidage qui dirigent les substrats traités vers deux rouleaux de pressage, en baissant la température desdits substrats, deux rouleaux de pressage dont la pression est 35 automatiquement réglée. Le module de pressage 5 est entièrement constitué d'une double paroi formant une cavité d'une épaisseur de 50 mm. A l'intérieur de cette cavité circule, à un débit de 300 litres/s, en circuit fermé, un fluide issu du système de refroidissement. Sa température ne dépasse pas la limite du point de rosée. La stabilité des pressions partielles est réalisée automatiquement, par laminage des flux de pompage. Un premier ensemble d'équipements cryogéniques (polycold, réseaux de canalisations, radiateurs et thermocouples) est intégré dans ce module de pressage 5 et permet d'obtenir des températures négatives inférieures à : -150°C à +/- 10°C. Le seuil de réglage de la température est de : - 110°C. Un second ensemble d'équipements cryogéniques est intégré dans le module de lo pressage 5. Ses performances réfrigérantes sont identiques au premier ensemble, mais il est pourvu d'une précision de régulation de température plus fine : - 150°C +/- 2°C. Le second système réfrigérant est relié aux deux rouleaux de guidage et de pressage. Selon une caractéristique avantageuse, la machine est symétrique en ce qu'elle comporte pour chacune de ses ailes, un même nombre de modules. Les modules de 15 pulvérisation cathodique 8-13 étant identiques et universels, il est possible de réaliser deux films avec des dépôts de matériaux différents pour chaque aile. Les matériaux ainsi déposés peuvent cependant être complémentaires entre les deux substrats. Au contraire, il est possible de réaliser deux films avec des séquences de matériaux déposés parfaitement identiques pour chaque aile. Ceci est particulièrement adapté à la réalisation 20 de certains filtres électromagnétiques qui profitent d'une telle symétrie miroir des couches déposées sur les deux substrats. Une telle machine à deux ailes permet, avantageusement, de réaliser un film double "sandwich" avec des couches déposées protégées entre deux films. Elle permet aussi, par configuration, d'utiliser les deux ailes séparément pour simplement doubler la 25 production d'un produit mono substrat. Dans ce dernier cas, les substrats 18' ne sont pas pressés dans le moule de pressage, et le sas d'extraction comporte deux rouleaux, si des substrats continus sont traités. La machine, tant la première que la deuxième, est équipée d'un automate de pilotage interfaçant tous les capteurs (température, pression, pression partielle, position, 30 vitesse, contact, spectromètre de masse, épaisseur de dépôt, force, ..) et tous les actionneurs (portes, ailettes, vannes, moteurs, pompes, chauffage, générateur cryogénique, canons ioniques, rotation des cibles, mobilité des cathodes, chemin de transport et de guidage, ...), afin de contrôler l'ensemble du fonctionnement de la machine et le déroulement du procédé de manière entièrement automatique. Cet automate de 35 pilotage comporte une interface homme machine afin de configurer, au préalable, le procédé, de le commander, puis ensuite de le suivre au cours de son déroulement. 25 REVENDICATIONS1. Machine de dépôt sous vide, sur un substrat (18), de matériau en couche mince par pulvérisation cathodique, comprenant un chemin de transport et de guidage (17) apte à véhiculer le substrat (18) afin de le faire transiter depuis un module sas d'introduction (2, 16) du substrat vierge (18), jusqu'à un module sas d'extraction (3, 4) du substrat traité (18'), en passant successivement et dans l'ordre au travers d'au moins un module de préparation (6, 7, 14, 15) du substrat (18), et d'au moins un module (8-13) de pulvérisation cathodique, tous les modules (2-16) présentant une atmosphère individuellement contrôlée en pression, en température, et en pression partielle de gaz réactif, caractérisé en ce qu'il comprend encore une chambre de transfert (1) présentant une atmosphère contrôlée en basse pression limite, en température, et en pression partielle de gaz réactif, réunissant tous les modules (2-16) de manière à ce que le substrat (18) transite par la chambre de transfert (1) à chaque changement de module (2-16). 2. Machine selon la revendication 1, comprenant encore un dispositif de laminage du vide (19) au niveau de chaque transition entre un module (2-16) et la chambre de transfert (1) ou entre la chambre de transfert (1) et un module (2-16), afin de permettre le passage du substrat (18) tout en limitant les échanges de gaz entre les modules (2-16). 3. Machine selon la revendication 2, où le dispositif de laminage du vide (19) comprend des ailettes (19) pilotées en orientation autour d'un axe parallèle au plan de cheminement du substrat (18). 4. Machine selon l'une quelconque des revendications 1 à 3, où lesdits modules (2-16) sont alignés et où la chambre de transfert (1) est rectiligne et disposée au dessus des modules (2-16). 30 5. Machine selon l'une quelconque des revendications 1 à 4, où le module de préparation (6, 7, 14, 15) du substrat (18) est un module de décapage ionique (6, 15). 6. Machine selon l'une quelconque des revendications 1 à 5, où un module de pulvérisation cathodique (8-13) comporte au moins une anode (29), cette anode (29) étant 35 solidaire du chemin de transport et de guidage (17), et disposée au plus prêt du substrat (18). 7. Machine selon l'une quelconque des revendications 1 à 6, où un module de pulvérisation cathodique (8-13) comporte encore une pluralité d'au moins une cathode (30), ladite cathode (30) étant éloignée du substrat (18). 8. Machine selon l'une quelconque des revendications 1 à 7, où la distance entre anode (29) et cathode (30) est au moins égale à 400 mm. 9. Machine selon l'une quelconque des revendications 7 ou 8, comprenant encore un to injecteur de gaz réactif disposé au plus près de ladite cathode (30). 10. Machine selon l'une quelconque des revendications 7 à 9, où ladite cathode (30) est cylindrique et rotative autour d'un axe parallèle au plan de cheminement du substrat (18). 15 11. Machine selon l'une quelconque des revendications 7 à 10, où ladite cathode (30) est équipée d'un masque (33) intercalé entre ladite cathode (30) et le substrat (18), au plus près de ladite cathode (30), ledit masque (33) présentant une forme apte à homogénéiser un plasma issu de ladite cathode (30) afin de produire un dépôt de matériau uniforme. 20 12. Machine selon la revendication 11, où le masque (33) est sensiblement plan, et présente une ouverture (34) ovoïdale dont le grand axe est aligné avec l'axe de la cathode (30). 13. Machine selon l'une quelconque des revendications 11 ou 12, où ledit masque (33) 25 présente deux parois (35), et où l'injecteur de gaz réactif est disposé entre les deux parois. 14. Machine selon l'une quelconque des revendications 11 à 13, où ladite cathode (30) est appariée avec un masque (33) au sein d'un sous-ensemble globalement remplaçable. 15. Machine selon l'une quelconque des revendications 7 à 14, où ladite cathode (30) est disposée sur une porte (23) du module (8-13) de pulvérisation cathodique ouvrant vers l'extérieur. 35 16. Machine selon l'une quelconque des revendications 7 à 15, où le chemin de transport et de guidage (17), au sein d'un module (8-13) de pulvérisation cathodique, présente un 30 5parcours aller et retour sensiblement en forme de U, autour d'une anode centrale (29), en présentant la face du substrat (18) devant recevoir un dépôt face à une première pluralité d'au moins une cathode (30) pendant le parcours aller et face à une seconde pluralité d'au moins une cathode (30) pendant le parcours retour. 17. Machine selon l'une quelconque des revendications 7 à 16, où la ou les pluralités de cathodes (30) sont mobiles selon une direction parallèle au plan de cheminement du substrat (18). 10 18. Machine de dépôt sous vide de matériaux en couches minces par pulvérisation cathodique, caractérisé en ce qu'elle comporte une première aile comprenant une machine selon l'une quelconque des revendications précédentes, une seconde aile comprenant une machine selon l'une quelconque des revendications précédentes, les modules sas d'extraction (3, 4) du substrat traité (18') des deux ailes se confondant en un 15 seul module sas d'extraction (3, 4), ledit module sas d'extraction étant précédé d'un module de pressage (5), réalisant un pressage des substrats traités (18') issus des deux ailes, l'un contre l'autre. 19. Machine selon la revendication 18, où le module de pressage (5) réalise, sous vide et 20 à basse température, un pressage des deux substrats (18') issus desdites deux ailes, les faces ayant reçu le/les dépôt(s) étant disposées en regard l'une contre l'autre. 20. Machine selon l'une quelconque des revendications 18 ou 19, où les deux ailes comportent un même nombre de module (2-16).