FR 2939962 A1 20100618 FR 0858584 A 20081215 Domaine technique et art antérieur La présente invention se rapporte au domaine de la réalisation des plaques ou substrats semi-conducteurs multicouches (également dénommées "multilayer semiconductor wafers") réalisés par transfert d'au moins une couche formée à partir d'un substrat initial sur un substrat final, la couche transférée correspondant à une portion du substrat initial. La couche transférée peut comprendre en outre tout ou partie d'un composant ou d'une pluralité de microcomposants. Plus précisément, la présente invention concerne le problème des déformations inhomogènes qui apparaissent lors du transfert d'une couche depuis un substrat dit "substrat donneur" sur un substrat final dit "substrat receveur". De telles déformations ont notamment été observées dans le cas de la technologie d'intégration tridimensionnelle de composants (3D-integration) qui nécessite le transfert d'une ou plusieurs couches de microcomposants sur un substrat support final mais aussi dans le cas de transfert de circuits ou encore dans la fabrication d'imageurs éclairés en face arrière. La ou les couches transférées comprennent des microcomposants (électroniques, optoélectroniques, etc.) réalisés au moins en partie sur un substrat initial, ces couches étant ensuite empilées sur un substrat final qui peut éventuellement comporter lui-même des composants. En raison notamment de la taille très réduite et du nombre important de microcomposants présents sur une même couche, chaque couche transférée doit être positionnée sur le substrat final avec une grande précision afin de respecter un alignement très strict avec la couche sous-jacente. En outre, il peut être nécessaire de réaliser des traitements sur la couche après son transfert, par exemple pour former d'autres microcomposants, pour découvrir en surface des microcomposants, pour réaliser des interconnections, etc. Cependant, la déposante a constaté, qu'après transfert, il existe des cas où il est très difficile, voire impossible, de former des 1 microcomposants supplémentaires en alignement avec les microcomposants formés avant le transfert. Ce phénomène de désalignement est décrit en relation avec les figures 1A à lE qui illustrent un exemple de réalisation d'une structure tridimensionnelle comprenant le transfert, sur un substrat final, d'une couche de microcomposants formée sur un substrat initial, et la formation d'une couche additionnelle de microcomposants sur la face exposée du substrat initial après collage. Les figures 1A et 1B illustrent un substrat initial 100 sur lequel est formée une première série de microcomposants 11. Les microcomposants 11 sont formés par photolithographie au moyen d'un masque permettant de définir les zones de formation de motifs correspondant aux microcomposants 11 à réaliser. Le substrat initial 100 est ici formé d'une structure de type SOI (Silicium sur Isolant) comprenant de façon connue un substrat support 103 (par exemple en silicium), une couche d'oxyde enterré 102 (par exemple en SiO2) et une couche active en matériau semi-conducteur 101 sur laquelle les microcomposants 11 ont été réalisés. Comme illustrée sur la figure 1C, la face de la couche active 101 comprenant les microcomposants 11 est ensuite mise en contact intime avec une face d'un substrat final 120. Le collage entre le substrat initial 100 et le substrat final 120 est réalisé en général par adhésion moléculaire. On obtient ainsi une couche enterrée de microcomposants 11 à l'interface de collage entre les substrats 100 et 120. Après le collage et tel que représenté sur la figure 1D, le substrat initial 100 est aminci afin de retirer le substrat support 103, la couche d'oxyde 102 et une partie de la couche 101 présentes au-dessus de la couche de microcomposants 11. L'amincissement du substrat initial comprend une étape de retrait mécanique qui est réalisée par meulage (en anglais "grinding") ou par polissage, en particulier par polissage mécano-chimique (CMP), technique de polissage bien connue qui met en oeuvre un tissu associé à une solution de polissage contenant à la fois un agent (ex. NH4OH) apte à attaquer chimiquement la surface de la couche et des particules abrasives (ex. particules de silice) aptes à attaquer mécaniquement ladite surface. L'étape de retrait mécanique (meulage ou polissage) peut être suivie d'une étape de retrait réalisée par gravure chimique sélective. On obtient alors une structure composite 150 formée du substrat final 120 et de la partie subsistante de la couche active 101 après amincissement. Comme représentée sur la figure 1E, l'étape suivante dans la réalisation de la structure tridimensionnelle consiste à former une deuxième couche de microcomposants 12 au niveau de la surface exposée de la couche 101, ou à réaliser des étapes technologiques complémentaires sur cette surface exposée, en alignement avec les composants compris dans la couche 101 (prise de contact, interconnexions, etc.). Par souci de simplification, on appellera "microcomposants" dans la suite de ce texte, les dispositifs résultant des étapes technologiques réalisées sur ou dans les couches et dont le positionnement doit être contrôlé avec précision. Il peut donc s'agir de composants actifs ou passifs, de simple prise de contact ou interconnexions. Ainsi, afin de former les microcomposants 12 en alignement avec les microcomposants 11 enterrés, on utilise un masque de photolithographie similaire à celui utilisé pour former les microcomposants 11. Les couches transférées, comme la couche 101, comprennent typiquement des marques à la fois au niveau des microcomposants et au niveau de la tranche formant la couche qui sont notamment utilisées par des outils de positionnement et d'alignement pendant les étapes de traitement technologiques telles que celles mises en oeuvre lors d'une photolithographie. Cependant, même en utilisant des outils de positionnement, des décalages se produisent entre certains des microcomposants 11 et 12, tels que les décalages 011, A22, A33, A44, indiqués sur la figure 1E (correspondant respectivement aux décalages observés entre les couples de microcomposants 111/121, 112/122, 113/123 et 114/124). Ces décalages résultent de déformations inhomogènes qui apparaissent dans la couche provenant du substrat initial au moins en partie lors de l'étape d'amincissement par retrait mécanique. En effet, lors du retrait mécanique par meulage, polissage ou équivalent, une pression importante et non uniforme est appliquée par l'outil (par exemple meule ou tête de polissage) sur le substrat initial qui présente une épaisseur de quelques microns. L'application de cette pression non uniforme et les mouvements de l'outil engendrent des contraintes (en tension et/ou en compression) dans le substrat résultant en des déformations inhomogènes aussi bien dans le plan de la couche que dans d'autres directions. Dans le cas d'une couche comprenant des microcomposants, ces déformations inhomogènes entraînent des déplacements au niveau de certains microcomposants 11. Aussi, certains des microcomposants 12 formés sur la surface exposée du substrat après transfert présentent des variations de position avec ces microcomposants 11 qui peuvent être de l'ordre de plusieurs centaines de nanomètres, voire du micron. Ce phénomène de désalignement (encore appelé "overlay") entre les deux couches de microcomposants 11 et 12 peut être source de courts-circuits, de distorsions dans l'empilement ou de défauts de connexion entre les microcomposants des deux couches. Ce phénomène de désalignement conduit ainsi à une réduction de la qualité et de la valeur des plaques de semi-conducteurs multicouches fabriquées. L'impact de ce phénomène devient de plus en plus critique en raison des exigences sans cesse croissantes vis-à-vis de la miniaturisation des microcomposants et de leur densité d'intégration par couche. Les problèmes d'alignement lors de la fabrication de structures tridimensionnelles sont bien connus. Le document Burns et al., "A Wafer- Scale 3-D Circuit Intergration Technology", IEEE Transactions On Electron Devices, vol. 53, No. 10, oct. 2006, décrit une méthode pour détecter les variations d'alignement entre des substrats collés. Le document Haisma et al., "Silicon-Wafer Fabrication And (Potential) Applications Of Direct-Bonded Silicon", Philips Journal of Research, Vol. 49, No. '/2, 1995, souligne l'importance de la planéité des plaques en particulier lors des étapes de polissage afin d'obtenir des plaques finales de bonne qualité. D'une manière plus générale, il n'est pas souhaitable d'introduire des déformations hétérogènes dans un substrat lors de son transfert sur un autre substrat. Par conséquent, il existe un besoin de techniques d'amincissement qui minimisent l'apparition de déformations inhomogènes dans la couche résultante. Ainsi, il est connu du document US 6 821 376 un procédé de décollement de deux éléments d'une structure par introduction au niveau de l'interface de collage d'un fluide destiné à exercer une force permettant de décoller tout ou partie des éléments. Dans un mode de réalisation particulier, le fluide est introduit dans des cavités ménagées sur la surface d'un des deux éléments au niveau de l'interface de collage. Le décollement entre les deux éléments est réalisé par mise sous pression du fluide dans les cavités. Cependant, la réalisation de cavités sur la face de collage d'un des éléments affaiblit la force de collage entre les éléments par réduction de la surface de l'interface de collage. Or, si la force de collage entre les deux éléments est trop faible, certains traitements, tels que la formation d'une couche de microcomposants, peuvent entraîner une séparation des éléments non souhaitée à ce stade de fabrication. En outre, l'introduction et la mise sous pression du fluide doivent être précisément contrôlées pour permettre une mise sous pression sensiblement uniforme dans tout le volume des cavités afin d'exercer une force de séparation bien répartie entre les deux éléments. Autrement, il existe un risque de déformation, voire de rupture, d'un ou des deux éléments. Par ailleurs, la mise sous pression du fluide dans les cavités nécessite d'établir une étanchéité entre le volume formé par les cavités et le volume extérieur aux cavités. Cette étanchéité est réalisée au moyen de joints disposés entre les parois externes des éléments de la structure et l'enceinte dans laquelle est placée la structure. Une telle étanchéité est relativement compliquée à mettre en oeuvre et à maîtriser. En effet, pour assurer une bonne étanchéité, les joints doivent être maintenus contre les éléments avec une certaine pression d'appui. Cette pression d'appui exerce une force qui s'oppose à celle appliquée par le fluide sous pression pour permettre la séparation des éléments. Résumé de l'invention L'invention a pour but de remédier aux inconvénients précités, en proposant une solution permettant de minimiser l'apparition de déformations inhomogènes dans une structure lors de son amincissement. Plus particulièrement, l'invention propose une solution pour décoller deux plaques d'une même structure dont la mise en oeuvre est simple et fiable, et ce sans affaiblir significativement le collage entre les deux plaques. A cet effet, l'objet de l'invention concerne un procédé d'amincissement d'une structure comprenant au moins deux plaques assemblées l'une avec l'autre, une des deux plaques comportant au moins un canal sur sa surface en regard de l'autre plaque, procédé dans lequel on introduit un fluide à l'état supercritique dans le ou les canaux, et on modifie l'état du fluide pour le faire passer de l'état supercritique à l'état gazeux. Ainsi, grâce à ses propriétés physiques et notamment sa grande diffusivité, le fluide supercritique pénètre facilement dans le ou les canaux présents au niveau de l'interface de collage. Ensuite, en faisant passer le fluide de l'état supercritique à l'état gazeux, on provoque une augmentation soudaine du volume du fluide qui crée une force de séparation s'exerçant de façon sensiblement uniforme dans tout le volume du ou des canaux. On évite ainsi l'apparition de déformations inhomogènes qui pourraient être introduites par les étapes traditionnelles d'amincissement mécanique et/ou chimique dans les plaques lors de leur séparation. L'utilisation d'un fluide supercritique qui possède un grand pouvoir de diffusivité permet de former un ou des canaux de très petites dimensions, ce qui permet d'utiliser qu'une faible portion de la surface de contact présente entre les deux plaques pour la réalisation des canaux. On assure ainsi un bon collage entre les plaques tout en permettant l'amincissement de la structure. Selon un aspect de l'invention, le fluide utilisé est du CO2 à l'état supercritique. Le CO2 peut être utilisé seul ou avec un autre fluide tel que 6 de l'eau. Dans ce dernier cas, le fluide composé de CO2 et d'un autre fluide doit pouvoir être placé en état supercritique. Selon un aspect de l'invention, le ou les canaux ne débouchent pas à l'extérieur de la structure. Dans ce cas, le procédé comprend en outre, avant l'introduction du fluide à l'état supercritique, la formation à partir de la surface externe de la structure d'au moins une ouverture d'accès à un ou plusieurs canaux. L'ouverture d'accès peut présenter une dimension inférieure à celle du ou des canaux. Selon un autre aspect de l'invention, le ou les canaux débouchent à la périphérie de la structure. Dans ce cas, le ou les canaux peuvent comporter une restriction au voisinage de la périphérie de la structure. La présente invention concerne également un procédé de réalisation d'une structure composite tridimensionnelle comprenant une étape de réalisation d'une première couche de microcomposants sur une face d'un premier substrat, une étape de collage de la face du premier substrat comportant la couche de microcomposants sur un deuxième substrat et une étape d'amincissement du premier substrat conformément au procédé d'amincissement de l'invention, le premier substrat étant constitué d'une structure comprenant au moins deux plaques assemblées l'une avec l'autre, une des deux plaques comportant au moins un canal sur sa surface en regard de l'autre plaque. L'utilisation du procédé d'assemblage de la présente invention permet, lors du transfert d'une couche de microcomposants, d'éliminer ou au moins de limiter le phénomène de désalignement ("overlay") issu de l'étape traditionnelle d'amincissement chimique et/ou mécanique et de réaliser des plaques de semi-conducteurs multicouches de très grande qualité. La couche de microcomposants peut notamment comporter des capteurs d'images. Brève description des figures D'autres caractéristiques et avantages de l'invention ressortiront de la description suivante de modes particuliers de réalisation de l'invention, donnés à titre d'exemples non limitatifs, en référence aux dessins annexés, sur lesquels: - les figures 1A à 1E sont des vues schématiques montrant la réalisation d'une structure tridimensionnelle selon l'art antérieur, - les figures 2A à 2E sont des vues schématiques d'un procédé d'amincissement par adhésion moléculaire conformément à un mode de réalisation de l'invention, les figures 3 et 4 illustrent schématiquement différentes variantes de formes de canaux à la surface d'une plaque, - les figures 5A à 5E, sont des vues schématiques montrant la réalisation d'une structure tridimensionnelle mettant en oeuvre le procédé d'amincissement de la présente invention, - la figure 6 est un organigramme des étapes mises en oeuvre lors de la réalisation de la structure tridimensionnelle illustrée dans les figures 5A à 5E, - la figure 7 illustre schématiquement une structure détourée partiellement conformément à un mode de réalisation de l'invention. Exposé détaillé de modes de réalisation de l'invention La présente invention s'applique, d'une manière générale, à l'amincissement d'une structure comprenant au moins deux plaques assemblées entre elles, par adhésion moléculaire par exemple, l'amincissement selon l'invention étant réalisé par l'introduction d'un fluide supercritique au niveau de la zone d'interface entre les deux plaques, puis par le passage du fluide de l'état supercritique à l'état gazeux. De façon connue, lorsqu'un fluide est placé dans des conditions de pression et de température supérieures à un "point critique", c'est-à-dire lorsque sa température et sa pression sont respectivement supérieures à une température critique Tc et à une pression critique Pc, le fluide est dans un état supercritique et on parle alors de fluide supercritique. A titre d'exemple, pour le dioxyde de carbone CO2, ce point critique correspond à une température critique Tc=31,1°C et à une pression critique Pc=73,8 bars. Un fluide à l'état supercritique présente une viscosité proche de celle d'un gaz et une densité proche de celle du liquide, ce qui lui confère un grand pouvoir de diffusivité par rapport à un fluide à l'état état liquide. On peut noter, plus particulièrement, que les fluides supercritiques présentent une viscosité comprise entre 10 et 30 pPa.s tout comme le gaz, et qu'ils présentent une densité comprise entre 0,2 et 0,5 g.cm-3, ce qui est proche de la densité des liquides comprise entre 0,6 et 1,6 g.cm-3. Ces propriétés de viscosité et de densité confèrent un bon pouvoir de diffusivité aux fluides supercritiques (diffusivité comprise entre 0,1.10-3 cm2.s-1 à 1.10-3 cm2.s-1). Un mode de mise en oeuvre d'un procédé d'amincissement va maintenant être décrit en relation avec les figures 2A à 2E. Comme représentée sur la figure 2A, une structure 200 à amincir est formée par assemblage d'une première plaque 201 avec une deuxième plaque 202. La structure 200 peut comporter en outre une couche supplémentaire (non représentée) de type couche d'oxyde interposée entre les plaques 201 et 202. Conformément à l'invention, des canaux 203 ont été ménagés sur la surface 202a de la plaque 202 destinée à être mise en contact avec la plaque 201 lors de l'assemblage. Les canaux 203 peuvent être formés par gravure sèche chimique, photolithographie. Une fois les plaques 201 et 202 assemblées l'une contre l'autre par collage par adhésion moléculaire ou par d'autres techniques (par exemple par utilisation de colles), on obtient une structure 200 comprenant un réseau de canaux enterrés 203 (figure 2B). Dans le mode de réalisation présenté ici, les canaux 203 ne débouchent pas sur la périphérie externe de la structure. Une ouverture 204 est alors réalisée à partir de la face arrière de la plaque 202 afin de former un accès aux canaux 203 depuis l'extérieur. Lorsque la dimension des canaux, c'est-à-dire leur section de passage, est supérieure à la limite de diffusion du fluide à l'état supercritique, l'ouverture 204 permettant l'accès aux canaux 203 présente de préférence une dimension inférieure à celle des canaux afin de gêner la sortie du gaz lors du passage de l'état supercritique à l'état gazeux et favoriser ainsi la mise sous pression, le tout en permettant évidemment l'introduction du fluide à l'état supercritique. L'ouverture 204 peut être réalisée notamment par gravure chimique. L'accès aux canaux peut également être obtenu par détourage périphérique de la plaque comportant les canaux comme décrit ci-après en relation avec la figure 7. Sur la figure 2C, la structure est placée dans une enceinte hermétique 300 dans laquelle on introduit du dioxyde de carbone CO2 à l'état gazeux via un conduit d'alimentation 301. Sur la figure 2D, on fait varier dans l'enceinte les conditions de pression et de température afin de faire chauffer le CO2 au-delà de sa température critique (31,1°C) et de le comprimer au-dessus de sa pression critique (73,8 bar). La température dans l'enceinte 300 peut être contrôlée par des moyens de chauffage de type résistifs, inductifs ou autre (non représentés). La compression du CO2 peut être réalisée en contrôlant la quantité de CO2 introduit dans l'enceinte 300 par le conduit d'alimentation 301. On fait ainsi passer le CO2 de l'état gazeux à l'état supercritique. Comme indiqué précédemment, dans cet état supercritique, le CO2 possède notamment un grand pouvoir de diffusivité qui lui permet de s'introduire dans les canaux enterrés 203 de la structure 200 par l'intermédiaire de l'ouverture 204 formant un accès aux canaux par la face arrière de la plaque 202, Ainsi, comme énoncé précédemment, le CO2 à l'état supercritique se répartit uniformément dans tout le volume formé par les canaux enterrés, ce qui serait beaucoup plus difficile à obtenir, voire impossible, avec un fluide à l'état gazeux ou à l'état liquide en raison de leur diffusivité moindre. La grande diffusivité du fluide à l'état supercritique permet une bonne pénétration et une répartition optimale du fluide dans de tels canaux. Par ailleurs, le CO2 à l'état supercritique s'introduit et circule facilement dans des canaux de très petites dimensions comme, par exemple, des canaux présentant une section comprise entre 100 et 250 nm (de côté ou de diamètre). La pénétration du CO2 à l'état liquide ou gazeux dans de telles sections de canaux est beaucoup plus difficile, voire impossible. Des canaux ayant des sections plus importante, notamment de l'ordre de 1 micron, peuvent bien entendu être aussi utilisés avec du CO2 à l'état supercritique. Ensuite, comme illustré sur la figure 2E, on fait à nouveau varier la pression P afin de faire passer le CO2 de l'état supercritique à l'état gazeux. Cette variation consiste à baisser la pression dans l'enceinte 300 afin d'obtenir une pression P inférieure à la pression critique Pc, par exemple en ouvrant un conduit d'évacuation 302. Le fluide va donc passer de façon soudaine de l'état supercritique à l'état gazeux, ce qui a pour conséquence une augmentation du volume du CO2 présent dans les canaux. A cet instant, le CO2 cherche à s'échapper des canaux. Or, le CO2 à l'état gazeux circule difficilement dans les canaux 203 en raison de la diffusivité moindre du CO2 à l'état gazeux. En outre, le seul chemin ouvert vers l'extérieur est constitué par l'ouverture 204, ce qui gêne l'échappement du CO2 qui se trouve provisoirement "piégé" dans les canaux 203. Ce changement d'état du CO2 va ainsi provoquer une surpression dans les canaux 203 et créer ainsi une force de séparation Fs entre les deux plaques. Grâce à la répartition sensiblement uniforme de canaux 203 sur l'ensemble de l'interface de collage entre les deux plaques et la création d'une force de séparation sensiblement identique dans les canaux, on provoque ainsi un démontage équilibré des deux plaques (figure 3C). Ainsi, le procédé d'amincissement de l'invention, tout en étant simple et fiable à mettre en oeuvre, permet de réduire le nombre de déformations inhomogènes à la surface des plaques en comparaison avec un amincissement réalisé par meulage, polissage ou tout autre retrait mécanique équivalent. Les figures 3 et 4 montrent d'autres formes de canaux qui peuvent être ménagées sur la face de collage d'une des deux plaques de la structure afin de permettre son démontage par introduction d'un fluide à l'état supercritique et par changement de l'état du fluide tels que décrits précédemment. La figure 3 représente une plaque 400 sur laquelle ont été réalisés quatre canaux 401 à 404 formant des cercles concentriques centrés sur la plaque. Un canal de distribution 405 débouchant sur la périphérie de la plaque 400 a en outre été réalisé afin de permettre l'accès aux canaux 401 à 404 depuis l'extérieur pour l'introduction du fluide supercritique. Le nombre de canaux concentriques ainsi que de canal de distribution peut bien entendu varier. La figure 4 présente une plaque 500 sur laquelle un seul canal 501 est ménagé. Le canal 501 présente une forme de spirale qui s'étend depuis le centre de la plaque jusqu'au bord de celle-ci où il forme une ouverture d'accès 502 par laquelle un fluide supercritique peut être introduit. Afin de gêner l'échappement du fluide lors de son passage à l'état gazeux et favoriser ainsi la surpression du canal 501, une restriction 503 peut être formée au voisinage de l'ouverture 502 (lorsque la dimension du canal (section de passage) est supérieure à la limite de diffusion du fluide à l'état supercritique). La présente invention ne se limite pas aux seules réalisations de canaux représentées sur les figures 2A, 3 et 4 et comprend toute autre variante permettant une répartition sensiblement uniforme des canaux sur la surface d'une plaque. Par ailleurs, lorsque le ou les canaux ne débouchent pas à la périphérie externe de la structure, l'accès à ces derniers depuis l'extérieur peut être obtenu par une opération de détourage. La figure 7 représente une structure 700 formée par assemblage d'une première plaque 701 avec une deuxième plaque 702 comportant des canaux 703 qui ne débouchent pas originellement à la périphérie de la structure. Comme représentée sur la figure 7, la structure 700 a subi un détourage périphérique au niveau de la deuxième plaque 702 permettant aux canaux 703 de déboucher à l'extérieur de la structure. Le détourage peut être réalisé par meulage, polissage, gravure sèche, ou gravure humide. Selon une variante, le détourage peut être effectué avant assemblage sur une des deux faces des plaques mises en contact. Le procédé de l'invention est applicable à de nombreux matériaux et en particulier les matériaux semi-conducteurs tels que le silicium, le germanium, le verre, le quartz, etc. Un domaine particulier mais non exclusif du procédé d'amincissement de la présente invention est celui de la réalisation de structures tridimensionnelles. Un procédé de réalisation d'une structure tridimensionnelle par transfert sur un substrat final d'une couche de microcomposants formée sur un substrat initial conformément à un mode de réalisation de l'invention est maintenant décrit en relation avec les figures 5A à 5E et 6. La réalisation de la structure tridimensionnelle débute par la réalisation d'une structure ou substrat initial 600 par collage d'une première plaque 601 sur une deuxième plaque 602, par exemple en silicium (figure 5A, étape Si). Le collage peut être réalisé par adhésion moléculaire ou au moyen d'un adhésif. La structure ou substrat initial 600 peut être, par exemple une structure de type SOI avec éventuellement une couche d'oxyde entre les deux plaques (non représentée). Conformément à l'invention, la surface 602a de la plaque 602 destinée à être mise en contact avec la plaque 601 comporte des canaux 603 qui se croisent au voisinage du centre de la plaque 602 au niveau d'une ouverture 604. Un fois le substrat initial 600 ainsi réalisé, on forme une première série de microcomposants 610 à la surface de la structure ou substrat initial 600 (figure 5B, étape S2). Les microcomposants 610 sont formés par photolithographie au moyen d'un masque permettant de définir les zones de formation de motifs correspondant aux microcomposants 610 à réaliser. Lors de la formation des microcomposants 610 par photolithographie, le substrat initial 600 est maintenu sur un dispositif porte-substrat (non représenté) comprenant un plateau support sur lequel est plaqué le substrat initial, par exemple au moyen d'un système électrostatique ou de succion associé au plateau support. La face du substrat initial 600 comprenant les microcomposants 610 est ensuite collée avec une face d'une plaque ou substrat final 650 (étape S3, figure 5C) en vue d'un collage par adhésion moléculaire. Une couche d'oxyde, par exemple en SiO2, peut en outre être formée sur la face du substrat initial 600 comprenant les microcomposants 610 et/ou sur la face du substrat final 650 destinée à être mise en contact intime. On procède ensuite à l'amincissement du substrat initial 600 en mettant en oeuvre les opérations précédemment décrites en relation avec les figures 2C et 2E, à savoir placer le substrat initial 200 dans une enceinte où est introduit du CO2, mettre le CO2 dans un état supercritique afin que celui-ci pénètre dans les canaux 603 par l'ouverture 604, et faire passer le CO2 de l'état supercritique à l'état gazeux de manière à provoquer la séparation des plaques 601 et 602 (étape S4, figure 5D). On procède ensuite à un traitement de surface de la face exposée de la plaque 601 afin d'éliminer les motifs ou reliefs présents (résidus de canaux). Comme représentée sur la figure 5E, l'étape suivante dans la réalisation de la structure tridimensionnelle consiste à former une deuxième couche de microcomposants 640 au niveau de la surface exposée de la plaque 601 (figure 5E, étape S5). Afin de former les microcomposants 640 en alignement avec les microcomposants 610 enterrés, on utilise un masque de photolithographie similaire à celui utilisé pour former les microcomposants 610. De même que lors de la formation des microcomposants 610, la structure composite 680, formée du substrat final 650 et de la plaque 601, est maintenue plaquée sur un plateau support d'un dispositif porte-substrat (non représenté). Le masque de photolithographie est alors appliqué à la surface libre de la plaque 601. Dans une variante, la structure tridimensionnelle est formée par un empilement de plaque, chaque plaque provenant d'une structure amincie par le procédé de la présente invention, et chaque plaque étant en alignement avec les plaques directement adjacentes. Grâce au procédé d'amincissement de l'invention, le substrat initial 600 a pu être aminci sans déformation issue de l'amincissement ou tout du moins avec une réduction des déformations telle qu'il n'est plus observé de décalages significatifs des microcomposants 610 après amincissement. On peut ainsi limiter ces décalages résiduels issus de l'amincissement à des valeurs inférieures à 200 nm, voire 100 nm de manière homogène sur toute la surface de la plaque. Les microcomposants 640, même de tailles très réduites (par exemple REVENDICATIONS1. Procédé d'amincissement d'une structure (200) comprenant au moins deux plaques (201, 202) assemblées l'une avec l'autre, une (202) des deux plaques comportant au moins un canal (203) sur sa surface (202a) en regard de l'autre plaque (201), caractérisé en ce qu'il comprend l'introduction d'un fluide à l'état supercritique dans ledit au moins un canal (203) et le passage du fluide de l'état supercritique à l'état gazeux. 2. Procédé d'amincissement selon la revendication 1, caractérisé en ce que ledit fluide est du dioxyde de carbone. 3. Procédé d'amincissement selon la revendication 1 ou 2, caractérisé en ce que ledit au moins un canal (203) ne débouche pas à l'extérieur de la structure et en ce que le procédé comprend en outre, avant l'introduction du fluide à l'état supercritique, la formation à partir de la surface externe de la structure d'au moins une ouverture d'accès (204) audit au moins un canal. 4. Procédé selon la revendication 3, caractérisé en ce que l'ouverture d'accès (204) présente une dimension inférieure à celle dudit au moins un canal (203). 5. Procédé d'amincissement selon la revendication 1 ou 2, caractérisé en ce que ledit au moins un canal (703) ne débouche pas à l'extérieur de la structure (700) et en ce que le procédé comprend en outre, une étape de détourage de la plaque (702) comportant ledit au moins un canal. 6. Procédé selon la revendication 1 ou 2, caractérisé en ce que ledit au moins un canal (501) débouche à la périphérie de la structure. 7. Procédé selon la revendication 6, caractérisé en ce que ledit canal (501) comporte une restriction (503) au voisinage de la périphérie de la structure. 8. Procédé d'amincissement selon l'une quelconque des revendications 1 à 7, caractérisé en ce qu'on forme sur une des deux plaques, un canal ou un ensemble de canaux (203, 401-404, 501, 603, 703) réparti de manière sensiblement uniforme sur la surface de la plaque en regard de l'autre plaque. 9. Procédé selon l'une quelconque des revendications 1 à 8, caractérisé en ce que ledit au moins un canal présente une section comprise entre 100 nm et 250 nm. 10. Procédé de réalisation d'une structure composite tridimensionnelle (680) comprenant une étape de réalisation d'une première couche de microcomposants (610) sur une face d'un premier substrat (600), une étape de collage de la face du premier substrat comportant la couche de microcomposants sur un deuxième substrat (650) et une étape d'amincissement du premier substrat réalisée conformément au procédé d'amincissement selon l'une quelconque des revendications 1 à 9, le premier substrat (600) étant constitué d'une structure comprenant au moins deux plaques (601, 602) assemblées l'une avec l'autre, une (602) des deux plaques comportant au moins un canal (603) sur sa surface en regard de l'autre plaque. 11. Procédé selon la revendication 10, caractérisé en ce qu'il comprend en outre une étape de réalisation d'une deuxième couche de microcomposants (640) sur la face du premier substrat opposée à la face comportant la première couche de microcomposants (610). 12. Procédé selon la revendication 10 ou 11, caractérisé en ce qu'il comprend, avant l'étape de collage, une étape de formation d'unecouche d'oxyde sur la face du premier substrat (600) comportant la première couche de microcomposants (610). 13. Procédé selon l'une quelconque des revendications 10 à 12, caractérisé en ce que le premier substrat est une structure de type SOI. 14. Procédé selon l'une quelconque des revendications 10 à 13, caractérisé en ce qu'au moins la première couche de microcomposants comporte des capteurs d'images.