FR 2937895 A1 20100507 FR 0806143 A 20081104 Moule présentant une surface nanostructurée pour réaliser des pièces polymères nanostructurées et procédé de fabrication d'un tel moule. Domaine technique de l'invention L'invention concerne un moule pour pièces en matériau polymère comprenant un support métallique et au moins une surface nanostructurée destinée à venir en contact avec ledit matériau polymère. L'invention concerne également un procédé de fabrication d'un tel moule. État de la technique 15 Les matériaux polymères sont largement utilisés pour réaliser des biens de consommation courante. De tels matériaux permettent en effet de produire en très grandes quantités et à faible coût de nombreux produits, par exemple dans le domaine du conditionnement, ou des composants dans le domaine 20 de l'automobile, de la téléphonie mobile, des instruments médicaux, des énergies renouvelables... En général, les pièces sont réalisées par des procédés de fabrication classiques dans le domaine de la plasturgie. En particulier, elles peuvent être réalisées par moulage, soit à l'aide d'un procédé d'injection plastique, soit à l'aide d'un procédé d'emboutissage. Le 25 procédé d'injection plastique implique une fusion du matériau polymère dans un moule tandis que l'emboutissage correspond à un thermoformage du matériau polymère, réalisé à l'aide d'un moule (également appelé matrice) à une température inférieure à la température de fusion du matériau polymère. 30 Les matériaux polymères sont également employés depuis quelques années dans des marchés de niche, pour lesquels les quantités produites sont moindres mais les exigences en termes de procédé de fabrication, de qualité10 et de fonctionnalité sont plus élevées. C'est, par exemple, le cas dans le domaine de la réalisation de dispositifs microfluidiques, de bio-puces, d'hologrammes,... De tels domaines nécessitent la réalisation de pièces miniaturisées d'une très grande précision quant à leur forme et à leur dimension. En particulier, la surface de ces pièces est en général structurée, c'est-à-dire qu'elle comporte un motif défini par des zones en relief et des zones en creux et les dimensions de ces zones (largeur, hauteur, pas) sont d'ordre micrométrique et, de plus en plus, d'ordre nanométrique. Dans ce dernier cas, on parle de surface dite nanostructurée, plus connue sous le ~o terme anglo-saxon � nanopatterned surface �. Par ailleurs, ces pièces miniaturisées, à forte valeur ajoutée, commencent à être employées dans les marchés plus traditionnels des biens de consommation courante, qui nécessitent la production de gros volumes et 15 des coûts de fabrication faibles. Ainsi, pour ce type de marchés, l'enjeu actuel est de pouvoir utiliser les procédés de fabrication classiques dans le domaine de la plasturgie (moulage par injection ou par emboutissage), qui sont des procédés 20 facilement industrialisables et rentables, tout en maîtrisant la complexité, les dimensions et l'état de surface des pièces réalisées. En particulier, l'enjeu consiste à obtenir des pièces polymères présentant des surfaces nanostructurées correspondant parfaitement à la partie complémentaire de la surface du moule utilisé dans ces procédés de fabrication. 25 À titre d'exemple, les disques d'enregistrement optique de données, tels que les CD-Rom, sont réalisés en formant une piste présentant un motif ayant une taille inférieure au micromètre dans un substrat polymère par exemple en polycarbonate. Or, de tels disques sont, généralement, fabriqués en 30 grande quantité, par un procédé de moulage par injection, à l'aide d'un moule ou d'un support matrice, également connu sous le nom anglo-saxon de � master disk � ou de � stamper �. Une des faces libres du support matrice est structurée sous une forme complémentaire au motif prédéterminé désiré pour les disques. En général, le support matrice métallique, destiné à servir de moule lors de la fabrication par moulage par injection des disques optiques, est, en général, obtenu à partir d'un modèle original préalablement structuré. La durabilité, l'entretien, la maintenance et le vieillissement des moules utilisés et plus particulièrement de leurs surfaces sont des facteurs clefs pour assurer une qualité pérenne des objets produits. Or, l'ensemble de ces ~o contraintes est encore plus limitant lors d'un passage d'une échelle macroou microscopique vers une échelle nanoscopique. La phase de démoulage est également une des étapes cruciales du procédé de fabrication, car cette phase joue un rôle important pour la productivité des pièces polymères réalisées. En effet, cette phase peut générer un grand nombre de rebuts s'il 15 existe une mauvaise reproductibilité de la surface du moule ou bien des rayures à la surface dudit moule ... Elle peut aussi perturber le procédé de fabrication, par exemple en cas d'encrassement dû à un éventuel collage du polymère dans le moule. 20 Actuellement, la formation d'une surface nanostructurée pour des moules métalliques peut être réalisée en formant une nanostructure par lithographie par faisceau d'électrons, puis en rapportant cette nanostructure à la surface d'un film métallique. La nanostructure créée par lithographie par faisceau d'électrons peut également servir de masque dur pour graver un motif 25 nanostructuré dans un substrat qui formera le moule. Cependant, la technique de lithographie par faisceau d'électrons est longue et très coûteuse. De plus, elle n'est adaptée qu'à des applications particulières pour lesquelles l'organisation des motifs prévaut, en particulier dans le domaine optique et électronique. Des approches alternatives sont actuellement 30 considérées pour nanostructurer un moule à plus faible coût. Par exemple, il a déjà été proposé de micro- ou nanostructurer des feuilles d'aluminium par anodisation, afin de les utiliser comme moules pour réaliser des pièces en polyoléfine. Objet de l'invention L'invention a pour but de proposer un moule ayant une durée de vie améliorée et permettant de réaliser, de manière fiable et précise, des pièces en matériau polymère nanostructurées. Selon l'invention, ce but est atteint par le fait qu'un moule comprenant un support métallique et au moins une surface nanostructurée destinée à venir en contact avec ledit matériau polymère, est caractérisé en ce que ladite surface nanostructurée est constituée par la surface libre d'un revêtement bicouche d'une épaisseur comprise entre environ 100 nm et environ 10 �m et formé: - d'une couche mince barrière en contact avec le support métallique et - d'une couche mince en carbone quasi-diamant nanostructurée selon un motif prédéterminé présentant un rapport de forme supérieur à 1. Selon un développement de l'invention, le motif est constitué d'une pluralité d'ouvertures traversant ladite couche mince en carbone quasi-diamant depuis sa surface libre jusqu'à l'interface entre ladite couche mince en carbone quasi-diamant et la couche mince barrière. Selon un mode particulier de réalisation, la couche mince barrière est en nitrure de chrome. Elle peut également être en carbure de silicium hydrogéné. 30 L'invention a pour but de proposer un procédé de fabrication d'un tel moule, facile à mettre en oeuvre et à faible coût.25 Selon l'invention, ce but est atteint par le fait que le revêtement bicouche est formé sur le support métallique par au moins les étapes successives suivantes : le dépôt successif, sur au moins une partie du support métallique, de la couche mince barrière et d'une couche mince en carbone quasi-diamant, la formation, à la surface libre de ladite couche mince en carbone quasi-diamant, d'un masque dur formé par une première opération de gravure chimique sélective en phase sèche réalisée à travers un réseau d'interstices délimité par des nanoparticules préalablement déposées sur la surface libre dudit masque dur et la formation du motif prédéterminé dans la couche mince en carbone quasi-diamant par une seconde opération de gravure chimique sélective en phase sèche réalisée à travers le masque dur, ladite gravure s'arrêtant à l'interface entre la couche mince en carbone quasi-diamant et la couche mince barrière. Description sommaire des dessins D'autres avantages et caractéristiques ressortiront plus clairement de la description qui va suivre de modes particuliers de réalisation de l'invention donnés à titre d'exemples non limitatifs et représentés aux dessins annexés, dans lesquels : la figure 1 représente, schématiquement et en coupe un mode particulier de réalisation d'un moule selon l'invention. les figures 2 à 9 représentent, schématiquement et en coupe, différentes étapes d'un procédé particulier de réalisation du moule selon la figure 1. les figures 10 à 12 sont des clichés obtenus par microscopie électronique à balayage de différents assemblages de nanoparticules pouvant être déposées à la surface du masque dur, lors du procédé particulier de réalisation d'un moule. Description de modes particuliers de réalisation La figure 1 illustre un mode particulier de réalisation d'un moule 1, adapté pour réaliser par moulage (par exemple par injection plastique ou par emboutissage) des pièces en matériau polymère présentant une surface nanostructurée. Le moule 1 comporte un support métallique 2 par exemple formé par un ~o matériau métallique ou un alliage métallique, par exemple choisi parmi l'aluminium, l'acier, le laiton... . Le support métallique 2 constitue la partie principale du moule assurant, en particulier, la tenue mécanique du moule 1. De plus, un revêtement 3 constitué de deux couches minces superposées 15 recouvre au moins en partie une surface du support métallique 2. Un tel revêtement permet de munir le moule 1 d'une surface nanostructurée 3a, destinée à être mise en contact avec un matériau polymère lors de la fabrication de pièces en matériau polymère. 20 Le revêtement 3, également appelé revêtement bicouche, est ainsi formé d'une couche mince barrière 4 en contact avec le support métallique 2 et sur laquelle est disposée une couche mince nanostructurée 5, en carbone quasi-diamant, également, appelé DLC (� diamond-like carbon �) ou carbone diamant amorphe. Le revêtement a, de plus, une épaisseur comprise entre 25 environ 100 nm et environ 10 pm. La couche mince barrière 4 permet, en particulier, de réaliser la nanostructuration de la couche mince en carbone quasi-diamant lors du procédé d'élaboration du moule 1 sans endommager le support métallique 2. 30 Elle peut, par exemple, être en carbure de silicium hydrogéné. Ce matériau permet aussi d'assurer une adhésion optimum entre la couche en carbone quasi-diamant et le matériau inorganique du moule 1. Dans ce cas, la couche mince barrière 4 a avantageusement une épaisseur comprise entre 50nm et 500nm. La couche mince barrière 4 peut être aussi être en nitrure de chrome. Dans ce cas, elle a avantageusement une épaisseur comprise entre environ 50 nm et environ 500nm. La couche mince 4 en nitrure de chrome joue alors non seulement le rôle de barrière physique lors de la nanostructuration de la couche mince 5 en DLC, mais le nitrure de chrome étant un matériau à faible coefficient de frottement, la couche mince barrière 4 permet également io d'améliorer l'aptitude au démoulage du moule. Ainsi, la couche mince en DLC 5 est, plus particulièrement, nanostructurée selon un motif prédéterminé formant la surface nanostructurée 3a du moule 1. Un tel motif correspond, plus particulièrement, à la partie complémentaire 15 du motif souhaité pour les pièces en matériau polymère réalisées à l'aide du moule 1. Par conséquent, la forme du motif est déterminée par celle souhaitée pour le motif des pièces en matériau polymère. En particulier, sur la figure 1, le motif est constitué d'une pluralité d'ouvertures 6 formées dans la couche mince en DLC 5 et traversant ladite couche mince 5 depuis sa 20 surface libre 5a jusqu'à l'interface 7 entre la couche mince 5 et la couche mince barrière 4. Par ailleurs, le motif présente des dimensions nanométriques, c'est-à-dire des zones en creux par rapport au reste de la couche mince en DLC 5 dont 25 la hauteur et la largeur sont de dimensions nanométriques et donc avantageusement comprises entre environ 5 nm et environ 500 nm. En particulier, le rapport de forme, c'est-à-dire le rapport moyen entre la hauteur des zones en creux dudit motif et la largeur des zones en creux, est au moins supérieur à 1. Ainsi, le motif présente des zones en creux ayant une 30 hauteur (ou profondeur) supérieure à leur largeur. Un tel rapport de forme élevé, supérieur à 1, est, en particulier, requis pour des pièces en matériau polymère présentant une surface autonettoyante, par exemple dans le domaine des nouvelles générations de téléphones portables. Ainsi, sur la figure 1, pour chaque ouverture 6, le rapport entre la hauteur H de l'ouverture 6 et la largeur L de l'ouverture 6 est supérieur à 1. H correspond aussi, sur la figure 1, à l'épaisseur de la couche mince en DLC 5. À titre d'exemple, chaque ouverture 6 peut avoir une hauteur H égale à 50 nm et une largeur L égale à 20 nm et elle peut être séparée d'une ouverture adjacente par un pas de 50 nm. Un tel moule 1 présente l'avantage d'intégrer une surface nanostructurée destinée à être transférée négativement par moulage aux pièces en matériau polymère réalisées. Ainsi, le fait de nanostructurer l'outil plutôt que les pièces en matériau polymère permet de réaliser les pièces de manière fiable et précise. De plus, la nanostructuration n'est pas ici directement réalisée dans le support métallique, qui forme en général dans l'état de la technique, le moule 1. Elle est au contraire réalisée dans un revêtement de dimensions micrométriques recouvrant le support métallique. La nanostructuration est, plus particulièrement, réalisée dans une couche mince en carbone quasi-diamant tandis qu'une couche mince barrière est disposée entre ladite couche mince en carbone quasi-diamant et le support métallique pour protéger le support métallique lors de la réalisation de la nanostructuration. Ceci contribue également à améliorer la fiabilité et la précision des pièces en matériau polymère réalisée. De plus, la couche mine nanostructurée rapportée sur le support métallique correspond à une couche sacrificielle fonctionnelle et recyclable. Les contraintes de cycles et de durée de vie du moule sont ainsi transférées du support métallique vers cette couche sacrificielle qui est moins chère à fabriquer que le support métallique si celui-ci était nanostructuré. 9 Enfin, le choix du carbone quasi-diamant (DLC) pour réaliser la couche mince nanostructurée 5 est particulièrement avantageux dans la mesure où le DLC est non seulement un matériau à faible coefficient de frottement, ce qui facilite l'étape de démoulage lors de la réalisation des pièces en matériau polymère, tout en pouvant être nanostructuré facilement et de manière économique. De plus, les motifs réalisés dans une couche en DLC peuvent avoir diverses formes possibles. Ainsi, un tel moule permet d'obtenir le meilleur compromis possible entre la faisabilité technique pour réaliser des pièces en matériau polymère nanostructurées et la faisabilité économique. En particulier, les figures 2 à 9 illustrent les différentes étapes de réalisation d'un moule 1 selon la figure 1 et plus particulièrement la nanostructuration de la couche mince en DLC. La couche mince barrière 4 est ainsi préalablement déposée sur le support métallique 2. Puis, comme représenté sur la figure 4, une couche mince en DLC 5 est déposée sur la surface libre de la couche mince barrière 4. À ce stade du procédé, la couche mince en DLC 5 n'est pas encore nanostructurée. Ainsi, sur la figure 4, elle est sous la forme d'une couche mince d'une épaisseur constante, recouvrant la totalité de la surface libre de la couche mince barrière 4. Les couches minces 4 et 5 peuvent, par exemple, être déposées par dépôt physique en phase vapeur (PVD) ou bien par dépôt chimique en phase vapeur (CVD) à l'aide d'au moins un précurseur organo-métallique. A titre d'exemple, les couches 4 et 5 peuvent être déposées par un procédé CVD assisté par un plasma basse fréquence (40 kHz). Une couche 4, en carbure de silicium amorphe, est réalisée à partir d'un mélange de C4H12Si et d'argon (50%-50%) avec un espace inter-électrode de 200 mm, une densité 10 de puissance plasma de 0,10 W/cm2, une pression de gaz de 4 Pa et une température inférieure à 150 °C. La couche 5, en DLC, est réalisée à partir d'un mélange de C4H12 et d'hydrogène (80%-20%), un espace inter-électrode de 200 mm, une densité de puissance plasma de 0,32 W/cm2, une pression de gaz de 4 Pa et une température inférieure à 150 °C. Par ailleurs, l'épaisseur des couches 4 et 5 est déterminée par la durée du dépôt de chaque couche. Ensuite, comme représenté aux figures 5 à 9, la couche mince en DLC 5 est 10 nanostructurée à l'aide d'un masque dur nanostructuré 8, formé sur la surface libre de la couche mince en DLC 5. Plus particulièrement, le masque dur 8 est réalisé en déposant un film mince 9 sur la totalité de la surface libre de ladite couche mince en DLC 5 (figure 5). 15 Le film mince 9 présente une épaisseur constante qui est, de préférence comprise entre 10nm et 50nm. Par ailleurs, le film mince 9 est constitué d'un matériau apte à former un masque dur adapté à la nanostructuration de la couche mince en DLC 5. Avantageusement, un tel matériau est choisi parmi l'oxyde de silicium, le carbure de silicium hydrogéné, le nitrure de silicium, un 20 matériau métallique tel que l'aluminium, le cuivre, le chrome, et un nitrure métallique tel que le nitrure de chrome... Le film mince 9 est, par exemple, déposé par PVD ou par CVD. Un tel masque dur 8 présente l'avantage d'être une couche sacrificielle, 25 pouvant être retirée chimiquement une fois la couche mince en DLC 5 nanostructurée. De plus, avantageusement, le même matériau que celui utilisé pour réaliser la couche mince barrière 4 peut être utilisé pour réaliser le masque dur 8. Ceci permet alors de simplifier l'étape d'élimination du masque dur 8. En exemple, lorsque la couche mince barrière 4 est en 3o carbure de silicium hydrogéné, ce matériau peut également être utilisé pour réaliser le film mince 9 et donc le masque dur 8. Des nanoparticules 10, c'est-à-dire des particules de dimensions nanométriques, sont ensuite déposées sur la surface libre dudit film mince 9 (figure 6) de telle manière qu'elles délimitent un réseau d'interstices 11. Le réseau d'interstices 11 peut être organisé ou non. Les nanoparticules ont, en particulier, une taille moyenne inférieure à 200 nm. Elles peuvent être déposées par tout type de méthodes adaptées selon le type de motif souhaité (forme, dimensions,...) pour le masque dur 8 et donc pour le type de motif souhaité pour la couche mince en DLC 5. À titre d'exemple, les nanoparticules peuvent être déposées par : une technique de pulvérisation magnétron associée à une condensation de la vapeur sous formes d'agrégats dans un étage à haute pression et à un tri en masse de ces agrégats avant dépôt sur la surface libre du film mince 9. A titre d'exemple, la société MANTIS commercialise ce type d'équipement sous l'appellation � Nanocluster Deposition � un procédé CVD assisté par injection liquide (Un tel procédé est par exemple décrit dans la demande internationale WO-A-2006/070130). une technique de dépôt du type Langmuir-Blodgett permettant le transfert d'une monocouche de nanoparticules d'un bain liquide vers la surface libre du film mince 9, par immersion puis retrait contrôlé de celui-ci. La société NANOMETRIX commercialise ce type d'équipement sous l'appellation � Driven Monolayer Assembly Process � ou procédé � DMA �. Le choix de la méthode utilisée dépend, plus particulièrement, du type de motif souhaité pour le masque dur. En effet, la méthode employée détermine le type de matériaux constituant les nanoparticules 10, leur taille moyenne et le type de réseau d'interstices formé. Ainsi, la technique de dépôt par pulvérisation magnétron permet de déposer nanoparticules d'un métal choisi parmi l'argent, l'or, le palladium, le platine, le cuivre, le titane, le zirconium,...ou d'un alliage ou d'un composé métallique tel que l'oxyde de titane ou l'oxyde de zirconium, ou de silicium ou d'e l'un de ses composés tels que le carbure de silicium, l'oxyde de silicium et le nitrure de silicium. Les nanoparticules 10 ont, en particulier, une taille moyenne comprise entre environ 1 nm et environ 10 nm avec un réseau d'interstices 10 présentant un faible taux d'organisation. La technique de dépôt CVD assisté par injection liquide permet quant à elle de déposer des nanoparticules d'oxyde de fer ou d'un métal tel que l'argent, le platine et le cuivre.... Les nanoparticules ont une taille moyenne comprise entre environ 1 nm et environ 50 nm avec un réseau d'interstices 10 présentant un faible taux d'organisation. Enfin, avec le procédé Langmuir-Blodgett, les nanoparticules 10 déposées peuvent être des nanoparticules d'un matériau choisi parmi le carbure de silicium, l'oxyde de silicium, le nitrure de silicium, un matériau polymère, l'oxyde de titane et l'oxyde de zirconium en oxyde de silicium ou en polymère et elles ont une taille moyenne inférieure à 500 nm et elles sont par ailleurs déposées avec un taux d'organisation très élevé. À titre d'exemple, les figures 10 à 12 représentent respectivement des clichés obtenus par microscopie électronique à balayage de nanoparticules déposées selon les trois méthodes de dépôt mentionnées ci-dessus. Ainsi, les nanoparticules 10 sur la figure 10 sont des nanoparticules en alliage d'or et palladium déposées par pulvérisation magnétron et d'une taille moyenne de 1, de 3 ou de 5 nm. Sur la figure 11, des nanoparticules 10 en argent ont été déposées par un procédé CVD par injection liquide. Elles ont une taille moyenne de 50 nm. Enfin, les nanoparticules 10 de la figure 12 déposées par le procédé Langmuir-Blodgett sont en oxyde de silicium et elles ont une 3o taille moyenne de 50 nm. Sur chacun des clichés 10 à 12, on constate la 13 présence d'un réseau d'interstices 11 délimité par les nanoparticules 10 et à travers lequel pourra être réalisée l'ouverture du masque dur 8. Une fois les nanoparticules 10 déposées à la surface du film mince 9, une opération de gravure chimique sélective en phase sèche est réalisée à travers le réseau d'interstices 11 crée. Cette opération est schématisée par les flèches F1 sur la figure 7. Elle permet, alors, de nanostructurer le film mince 9 et donc former le masque dur 8. En particulier, la gravure permet d'éliminer les parties du film mince 9 non recouvertes par les nanoparticules 10. Ces parties correspondent, plus particulièrement aux parties libres du film mince 9. La gravure chimique en phase sèche est, en particulier, sélective vis-à-vis du matériau constituant le film mince 9. Ainsi, le composant chimique utilisé pour réaliser l'opération de gravure chimique permet de graver le film mince 9 plus rapidement que la couche mince en DLC 5. À titre d'exemple, une gravure chimique par plasma à l'aide d'un composé fluoré permet de graver un film mince 9 en carbure (hydrogéné) ou en oxyde de silicium plus rapidement que des nanoparticules 10, métalliques, en alliage métallique ou en polymère (la sélectivité de gravure du film mince 9 par rapport aux nanoparticules 10 est typiquement supérieure de 10 pour 1 également notée � 10 :1 �) et plus rapidement que la couche mince en DLC 5 (la sélectivité de gravure du film mince 9 par rapport au DLC est typiquement supérieur à 10:1). À titre d'exemple, la nanostructuration du masque dur 8 peut être réalisée sur un équipement industriel du type NEXTRAL NE110 avec un débit de 2 Ncm3/min de SF6 et de 20 Ncm3/min de CHF3, une puissance plasma de 20 Watts, une polarisation de 300 V et une pression de 50 mT.30 14 Une opération de gravure chimique sélective en phase sèche, schématisée par les flèches F2 sur la figure 8, est ensuite réalisée à travers le masque dur 8, afin de réaliser les ouvertures 6 dans la couche mince en DLC 5 et donc former le motif prédéterminé dans la couche mince nanostructurée 5 en DLC. À ce stade, la gravure chimique est sélective dans la mesure où elle permet d'attaquer chimiquement le carbone quasi-diamant, sans attaquer le matériau formant le masque dur 8 et ni celui formant la couche mince barrière 4. En particulier, la gravure de la couche mince en DLC 5 est plus rapide que celle du masque dur 8. Ainsi, un plasma oxygène offre une sélectivité de 22 pour 1 (22 :1) entre le DLC et un masque dur 8 en carbure (hydrogéné) ou oxyde de silicium. Cela permet d'envisager l'emploi d'un masque dur très fin (par exemple d'une épaisseur de l'ordre de 10 nm d'épaisseur), ce qui présente l'avantage de réaliser très rapidement la nanostructuration du masque dur (c'est-à-dire d'obtenir un temps d'ouverture du masque dur 8 faible), ce qui est compatible avec la durée de vie du motif en exposition plasma (gravure physique du motif sous l'effet du bombardement d'ions). Le temps de gravure de la couche en DLC 5 est relativement supérieur à celui du temps d'ouverture du masque 8, ce qui permet d'éliminer physiquement les parties de la couche en DLC non recouvertes par le masque dur 8. La gravure de la couche mince en DLC 5 à travers le masque 8 peut également être réalisée sur un équipement industriel du type NEXTRAL NE110 avec un débit de 80 Ncm3/min d'oxygène, une puissance plasma de 10 Watts, une polarisation de 320 V et une pression de 20 mT. De plus, la gravure est arrêtée par la couche mince barrière 4. Ainsi, les ouvertures 6 formées dans la couche mince en DLC 5 sont traversantes depuis la surface libre de la couche mince en DLC 5 jusqu'à l'interface 7 30 entre les couches minces 4 et 5. Le moule 1 est alors obtenu après le retrait du masque dur 8 (figure 9). Le retrait du masque dur 8 est, par exemple, 15 réalisé par une opération de gravure analogue à celle utilisée pour graver le film mince 9 et ouvrir le masque dur 8. Il est à noter que les nanoparticules 10 étant de faible dimension et de masse peu élevée, elles sont faiblement liées à la surface du film mince 9. Elles sont progressivement et entièrement retirées de la surface du masque dur 8, sous l'effet du bombardement ionique inhérent aux différentes opérations de gravure chimique sélective en phase sèche. Il est donc important de maîtriser le temps de gravure pour ouvrir le masque dur 8 afin de ne pas éliminer les nanoparticules 10 lors de cette étape de gravure. Le temps de gravure du masque dur 8 est, en général, très court dans la mesure où le masque dur est très fin. Par conséquent, ceci explique pourquoi les nanoparticules 10 ne peuvent pas être utilisées directement comme masque pour nanostructurer la couche mince 5 en DLC. Elles seraient éliminées avant que la couche mince 5 en DLC ne soit nanostructurée sur toute son épaisseur. L'emploi des nanoparticules 10 permet également à la couche mince en DLC 5 de n'être quasiment pas affectée par l'étape de gravure du film mince 9 destiné à ouvrir le masque dur 8. Les nanoparticules 10 sont, ensuite, entièrement éliminées pendant l'étape de gravure de la couche mince en DLC 5 et éventuellement pendant le retrait du masque dur 8. La formation du revêtement bicouche 3 sur le support métallique 2 peut éventuellement être localisée sur une partie seulement de la surface du support métallique 2. Dans ce cas, le procédé de réalisation du moule 1 peut comporter des étapes supplémentaires permettant de localiser le dépôt puis la nanostructuration du revêtement bicouche. Ainsi, l'étape de dépôt des couches 4 et 5 peut être précédée d'une étape de dépôt d'une couche en résine photosensible sur la surface du support métallique, suivie d'une opération de photolithographie. L'opération de photolithographie permet de créer des ouvertures dans la couche en résine destinées à délimiter les zones où seront déposées les couches minces 4 et 5. La couche en résine photosensible est retirée après la création du masque dur 8, par exemple par une opération dite de � lift-off �. La réalisation d'un moule 1 selon le procédé décrit aux figures 2 à 9 et plus particulièrement la nanostructuration de la couche mince en DLC présentent l'avantage d'être faciles à mettre en oeuvre et à faible coût tout en garantissant l'obtention d'un moule de qualité. De plus, la couche mince en DLC nanostructurée peut, facilement être retirée lorsque cela s'avère nécessaire, en nettoyant le DLC par un plasma d'oxygène. Une nouvelle couche mince nanostructurée en DLC peut ensuite être redéposée en répétant les différentes étapes du procédé et représentées sur les figures 4 à 9. Un tel moule peut, avantageusement, être utilisé pour réaliser des pièces nanostructurées en matériau polymère, utilisées dans de nombreux domaines : cellules solaires dans le domaine photovoltaïque, tableaux de bord non réfléchissant présentant des nanotextures dans le domaine automobile, hologrammes dans le domaine de l'étiquetage pour améliorer la traçabilité et éviter la contrefaçon, pièces présentant des surfaces autonettoyantes et super-hydrophobes... De plus, un tel moule peut également être utilisé, pour ses facultés à réduire le taux de défectivité sur les pièces polymères, les sources de contamination, les consommables chimiques de démoulage et de nettoyage du moule, dans des domaines tels que : • l'emboutissage de concentrateurs optiques micro/nano-structurés pour les applications photovoltaïques • l'injection de nanostructures pour les applications dans le domaine automobile (anti-reflet et auto-nettoyage) • l'emboutissage de la prochaine génération de composants de sécurité • la réalisation de surfaces biologiquement actives contre l'adhésion de bactéries/protéines ou pour la croissance de cellules • la réalisation de membranes iso-poreuses. Revendications1. Moule (1) pour pièces en matériau polymère comprenant un support métallique (2) et au moins une surface nanostructurée (3a) destinée à venir en contact avec ledit matériau polymère, caractérisé en ce que ladite surface nanostructurée (3a) est constituée par la surface libre d'un revêtement bicouche (3) d'une épaisseur comprise entre environ 100 nm et environ 10 �m et formé: d'une couche mince barrière (4) en contact avec le support métallique et d'une couche mince (5) en carbone quasi-diamant nanostructurée selon un motif prédéterminé présentant un rapport de forme supérieur à 1. 2. Moule selon la revendication 1, caractérisé en ce que le motif est constitué d'une pluralité d'ouvertures (6) traversant la couche mince en carbone quasi-diamant (5) depuis sa surface libre (5a) jusqu'à l'interface (7) entre ladite couche mince en carbone quasi-diamant (5) et la couche mince barrière (4). 3. Moule selon l'une quelconque des revendications 1 et 2, caractérisé en ce que la couche mince barrière (4) est en nitrure de chrome. 4. Moule selon l'une quelconque des revendications 1 et 2, caractérisé en ce que la couche mince barrière (4) est en carbure de silicium hydrogéné. 5. Moule selon l'une des revendications 3 et 4, caractérisé en ce que la couche mince barrière (4) a une épaisseur comprise entre 50nm et 500nm. 6. Moule selon l'une quelconque des revendications 1 à 5, caractérisé en 30 ce que le support métallique (2) comporte un matériau métallique choisi parmi l'aluminium, l'acier et le laiton. 1825 7. Procédé de fabrication d'un moule selon l'une quelconque des revendications 1 à 6, caractérisé en ce que le revêtement bicouche (3) est formé sur le support métallique (2) par au moins les étapes successives suivantes : le dépôt successif, sur au moins une partie du support métallique (2), de la couche mince barrière (4) et d'une couche mince en carbone quasi-diamant (5), - la formation, à la surface libre de ladite couche mince en carbone quasi-diamant (5), d'un masque dur (8) formé par une première opération de gravure chimique sélective en phase sèche réalisée à travers un réseau d'interstices (11) délimité par des nanoparticules (10) préalablement déposées sur la surface libre dudit masque dur (8) et la formation du motif prédéterminé dans la couche mince en carbone quasi-diamant (5) par une seconde opération de gravure chimique sélective en phase sèche réalisée à travers le masque dur (8), ladite gravure s'arrêtant à l'interface (7) entre la couche mince en carbone quasi-diamant (5) et la couche mince barrière (4). 8. Procédé selon la revendication 7, caractérisé en ce que le masque dur (8) est constitué d'un matériau choisi parmi l'oxyde de silicium, le carbure de silicium hydrogéné, le nitrure de silicium, l'aluminium, le cuivre, le chrome et un nitrure métallique. 9. Procédé selon l'une des revendications 7 et 8, caractérisé en ce que le 25 masque dur (8) a une épaisseur comprise entre environ 10nm et environ 50nm. 10. Procédé selon l'une quelconque des revendications 7 à 9, caractérisé en ce que les nanoparticules (10) sont des nanoparticules d'un matériau choisi 30 parmi l'argent, l'or, le palladium, le platine, le cuivre, le titane, le zirconium, l'oxyde de titane, l'oxyde de zirconium, le silicium, le carbure de silicium, l'oxyde de silicium et le nitrure de silicium et elles sont déposées par un procédé de pulvérisation magnétron 11. Procédé selon l'une quelconque des revendications 7 à 9, caractérisé en ce que les nanoparticules (10) sont des nanoparticules d'un oxyde de fer ou d'un métal choisi parmi l'argent, le platine et le cuivre et elles sont déposées par dépôt chimique en phase vapeur assisté par injection liquide. 12. Procédé selon l'une quelconque des revendications 7 à 9, caractérisé en ~o ce que les nanoparticules (10) sont des nanoparticules d'un matériau choisi parmi le carbure de silicium, l'oxyde de silicium, le nitrure de silicium, un matériau polymère, l'oxyde de titane et l'oxyde de zirconium et elles sont déposées par un procédé de type Langmuir-Blodgett.