FR 2940522 A1 20100625 FR 0859077 A 20081224 B9146 - DD11031E0 1 PHOTODÉTECTEUR COMPRENANT UNE RÉGION SEMICONDUCTRICE TRÈS MINCE Domaine de l'invention La présente invention concerne un photodétecteur. La présente invention concerne un tel photodétecteur comprenant une couche semiconductrice d'une épaisseur nettement inférieure à la longueur d'onde de la lumière que l'on souhaite détecter. Exposé de l'art antérieur Les photodétecteurs actuels comprennent généralement une couche semiconductrice associée à un dispositif de transfert de charges. Lorsqu'un faisceau lumineux éclaire la couche semiconductrice, les photons incidents forment des paires électrons/trous dans celle-ci. Ces porteurs sont ensuite transférés par le dispositif de transfert de charges vers un circuit électronique qui permet leur quantification. La profondeur moyenne de formation des paires électrons/trous dans une couche semiconductrice dépend de la longueur d'onde du faisceau lumineux incident et du matériau semiconducteur utilisé : plus la longueur d'onde est élevée, plus les paires électrons/trous sont susceptibles de se former profondément dans une couche semiconductrice. Par exemple, pour absorber environ 99 % de lumière rouge, il est nécessaire d'avoir une couche de silicium d'une épaisseur d'environ 10 }gym. Pour de la lumière bleue, une couche de silicium ayant une B9146 - DD11031EO 2 épaisseur de l'ordre de 3 pm suffit à atteindre un tel taux d'absorption. On note que ces épaisseurs sont très supérieures aux longueurs d'onde des ondes lumineuses que l'on détecte. On cherche généralement à réduire la taille des pixels d'un photodétecteur. La réduction de la surface occupée par chaque pixel sur la couche semiconductrice pose notamment des problèmes d'isolation des régions photosensibles entre elles. En effet, pour éviter les interférences entre pixels voisins, on prévoit généralement de former des tranchées isolantes autour de chacun d'eux. Si la couche semiconductrice est relativement épaisse, les tranchées isolantes occupent une surface non négligeable de la couche semiconductrice, ce qui n'est pas compatible avec la diminution de la taille globale des pixels. On est donc amené à réduire l'épaisseur des couches semiconductrices. Cependant, comme on l'a indiqué précédemment, la formation de couches actives très minces ne permet pas une absorption et une détection de toute la lumière incidente. On a donc proposé d'augmenter l'épaisseur équivalente de la couche semiconductrice en faisant passer les photons deux ou plusieurs fois dans cette couche. Ainsi, on peut prévoir un miroir d'un côté de la couche semiconductrice pour assurer un double passage dans celle-ci. On peut également prévoir, de part et d'autre de la couche semiconductrice, des éléments réfléchissants pour former des structures de type Fabry-Pérot. En pratique, ces éléments réfléchissants sont des miroirs de Bragg qui sont généralement épais, constitués par exemple d'un empilement de 10 à 30 couches quart d'onde. On perd donc l'avantage de la réduction d'épaisseur de la couche semiconductrice active. On a alors proposé d'utiliser un autre effet pour diminuer l'épaisseur des couches semiconductrices de photodétection. Cet effet consiste à tirer profit de phénomènes physiques d'oscillation groupée d'électrons (résonances plasmons). B9146 - DD11031EO 3 En figure 1, sur un substrat semiconducteur 11 s'étendent de nombreuses bandes métalliques 13 formant, en surface du substrat 11, un réseau périodique. Le photodétecteur de la figure 1 est éclairé par un faisceau lumineux représenté par des flèches 15. Lorsque la période P du réseau constitué des bandes 13 est égale au rapport entre la longueur d'onde du faisceau lumineux 15 et l'indice optique du matériau semiconducteur 11, il apparaît, aux interfaces métal-semiconducteur, des résonances plasmons de surface. Ces résonances permettent le confinement des photons, et donc de la zone de formation des paires électrons/trous, dans le substrat 11, au voisinage des bandes métalliques 13. Cependant, une structure telle que celle de la figure 1 a l'inconvénient d'être très sélective en fréquence. De plus, l'efficacité d'une telle structure dépend fortement de l'angle d'incidence et de la polarisation du faisceau lumineux 15. Enfin, la période P doit être de l'ordre du rapport entre la longueur d'onde du faisceau lumineux 15 et l'indice optique du matériau semiconducteur 11, ce qui ne permet pas d'envisager des détecteurs élémentaires plus petits. La figure 2 illustre un autre photodétecteur comprenant des régions semiconductrices très minces 21 qui s'étendent verticalement entre des régions métalliques 23. Le photodétecteur est éclairé par un faisceau lumineux 25. Dans ce photodétecteur métallique à cavités semiconductrices verticales apparaissent des résonances plasmons de surface couplées entre deux interfaces semiconducteur/métal en regard. Cependant, pour que les résonances plasmons de surface couplées se forment entre deux interfaces semiconducteur/métal en regard, les cavités semiconductrices 21 doivent être très étroites, d'une épaisseur très inférieure à la longueur d'onde de la lumière considérée. Un problème se pose alors pour la fabrication de cette structure. Ainsi, il existe un besoin d'un photodétecteur moins 35 sélectif en fréquence que les photodétecteurs à résonances B9146 - DD11031EO 4 plasmons connus, moins dépendant de la polarisation et de l'angle d'incidence du faisceau lumineux à détecter et dont la taille peut être largement inférieure à la longueur d'onde du faisceau lumineux incident. Par ailleurs, il est souhaitable de pouvoir réaliser des photodétecteurs dans lesquels le matériau semiconducteur puisse être choisi parmi une large gamme de composés semiconducteurs dont certains ne peuvent être déposés qu'en couche extrêmement mince. Résumé Un objet d'un mode de réalisation de la présente invention est de prévoir un photodétecteur comprenant une couche semiconductrice très mince et présentant au moins l'une des caractéristiques suivantes : - être moins sélectif en fréquence que les dispositifs à résonances plasmons connus, c'est-à-dire que le spectre d'absorption présente une largeur à mi-hauteur de l'ordre du tiers de la longueur d'onde à détecter ; - être peu sensible à l'angle d'incidence du faisceau 20 lumineux incident ; - être peu sensible à la polarisation du faisceau lumineux incident ; - être capable de sélectionner l'une des deux polarisations fondamentales ; et 25 - avoir des dimensions inférieures à la longueur d'onde d'un faisceau lumineux à détecter. Ainsi, un mode de réalisation de la présente invention prévoit un photodétecteur comprenant au moins une portion d'une couche semiconductrice formée sur au moins une portion d'une 30 couche réfléchissante et destinée à être éclairée par un faisceau lumineux, au moins un plot étant formé sur la portion de la couche semiconductrice, le plot et la portion de la couche réfléchissante étant métalliques ou en un matériau à permittivité négative, au moins une dimension du plot étant 35 inférieure au rapport entre la longueur d'onde du faisceau B9146 - DD11031EO lumineux et le double de l'indice optique de la couche semi-conductrice. Selon un mode de réalisation de la présente invention, la couche semiconductrice a une épaisseur inférieure au quart du 5 rapport entre la longueur d'onde du faisceau lumineux et l'indice optique de la couche semiconductrice, typiquement de l'ordre du dixième de ce rapport. Selon un mode de réalisation de la présente invention, la portion de la couche semiconductrice comporte une jonction PN 10 ou PIN horizontale ou verticale. Selon un mode de réalisation de la présente invention, plusieurs plots, de forme carrée ou rectangulaire, sont formés en surface de la portion de la couche semiconductrice, les plots étant placés périodiquement selon une période inférieure à 15 0,75 À/n, À étant la longueur d'onde dudit faisceau lumineux, n étant l'indice optique de la couche semiconductrice. Selon un mode de réalisation de la présente invention, une couche de matériau transparent recouvre le photodétecteur. Selon un mode de réalisation de la présente invention, 20 le photodétecteur comprend en outre une couche d'accrochage et/ou à gradient d'indice à l'interface entre la couche réfléchissante et la couche semiconductrice. Selon un mode de réalisation de la présente invention, le ou les plots et la couche réfléchissante sont en un métal 25 adapté à créer, lorsque la couche semiconductrice est éclairée, un mode plasmon de cavité dans cette couche semiconductrice. Selon un mode de réalisation de la présente invention, la couche réfléchissante est en un métal dont l'épaisseur est supérieure à l'épaisseur de peau de ce métal, pour la longueur 30 d'onde dudit faisceau lumineux. Selon un mode de réalisation de la présente invention, le ou les plots métalliques ont une épaisseur comprise entre une fois et trois fois l'épaisseur de peau du métal les constituant, pour la longueur d'onde dudit faisceau lumineux. B9146 - DD11031EO 6 Selon un mode de réalisation de la présente invention, le ou les plots et la couche réfléchissante sont en un matériau ayant une permittivité négative, par exemple un cristal ionique, destiné à former, lorsque la couche semiconductrice est éclairée, des phonons à l'interface entre ledit matériau et la couche semiconductrice. Un autre mode de réalisation de la présente invention prévoit un capteur d'images multi-spectral comprenant plusieurs photodétecteurs élémentaires tels que décrit ci-dessus, les dimensions du ou des plots de chaque photodétecteur élémentaire étant adaptées au spectre à détecter. Brève description des dessins Ces objets, caractéristiques et avantages, ainsi que d'autres seront exposés en détail dans la description suivante de modes de réalisation particuliers faite à titre non-limitatif en relation avec les figures jointes parmi lesquelles : les figures 1 et 2, précédemment décrites, illustrent deux photodétecteurs à résonances plasmons connus permettant l'absorption de faisceaux lumineux dans des couches semiconductrices minces ; la figure 3 illustre un photodétecteur à résonances plasmons selon un mode de réalisation de la présente invention ; les figures 4, 5 et 6 illustrent des variantes d'un photodétecteur selon un mode de réalisation de la présente invention ; les figures 7A et 7B sont des courbes illustrant des avantages d'un photodétecteur selon un mode de réalisation de la présente invention ; les figures 8A, 8B et 8C illustrent trois formes 30 possibles des plots supérieurs d'un photodétecteur selon un mode de réalisation de la présente invention ; et la figure 9 illustre une variante d'un photodétecteur selon un mode de réalisation de la présente invention. Par souci de clarté, de mêmes éléments ont été 35 désignés par de mêmes références aux différentes figures et, de B9146 - DD11031EO 7 plus, comme cela est habituel dans la représentation de dispositifs semiconducteurs, les diverses figures ne sont pas tracées à l'échelle. Description détaillée Les inventeurs proposent un photodétecteur comportant une couche semiconductrice très mince dont l'absorption est améliorée. Pour cela, ils proposent une structure de type métalsemiconducteur-métal verticale qui a de plus l'avantage d'être peu sensible à l'angle d'incidence et à la fréquence optique du faisceau lumineux incident, comme nous le verrons par la suite. Cette structure peut également être configurée de façon à être peu dépendante de la polarisation du faisceau lumineux incident ou à sélectionner l'une des deux polarisations fondamentales du faisceau lumineux incident. Dans ce qui précède et dans la description qui suit, on parle de la création de résonances plasmons de surface ou de modes plasmons à l'interface entre un métal et un matériau semiconducteur. On notera que l'on pourra également prévoir des structures similaires à celles présentées ici dans lesquelles les régions métalliques sont remplacées par des régions en un matériau ayant une permittivité négative dans le domaine spectral que l'on considère. De tels matériaux sont par exemple des matériaux semiconducteur très fortement dopés ou encore des cristaux ioniques tel que le carbure de silicium. La formation de régions en l'un de ces matériaux plutôt qu'en un métal permet la formation, non pas de résonances plasmons de surface, mais de résonances phonons de surface. On notera que ces deux résonances provoquent des effets similaires sur les photons lumineux incidents. La figure 3 illustre un mode de réalisation d'un photodétecteur à résonances plasmons. Sur une couche métallique 31 est formée une couche en un matériau semiconducteur 33 ayant une épaisseur e inférieure au quart du rapport entre la longueur d'onde d'un faisceau lumineux éclairant le dispositif (flèches 35) et l'indice B9146 - DD11031EO 8 optique de la couche semiconductrice 33. On notera que la couche semiconductrice 33 aura de préférence une épaisseur de l'ordre du dixième de ce rapport. La couche semiconductrice 33 est par exemple en silicium, en germanium, en un composé III-V ou encore en un matériau à faible bande interdite tel que l'InSb ou les composés de type CdHgTe. L'utilisation de l'un ou l'autre de ces matériaux pour former la couche semiconductrice 33 dépend de la longueur d'onde du faisceau lumineux que l'on souhaite détecter. En effet, ces différents matériaux permettent de couvrir une gamme de longueur d'onde allant du proche ultraviolet (400 nm) à l'infrarouge (15 pin). Sur la couche semiconductrice 33 est formé un plot métallique 37. Le photodétecteur est éclairé par la face comprenant la couche semiconductrice 33 et le plot métallique 37, comme cela est représenté en figure 3 par les flèches 35. La couche métallique 31 a de préférence une épaisseur supérieure à l'épaisseur de peau du métal la constituant à la fréquence du faisceau lumineux 35. Le plot métallique 37 a de préférence une épaisseur comprise entre une fois et trois fois l'épaisseur de peau du métal qui le constitue à cette même fréquence. A titre d'exemple, le métal du plot 37 et de la couche 31 pourra être de l'or, de l'argent, de l'aluminium ou encore un alliage de ces matériaux ayant des propriétés optiques similaires. Dans l'exemple représenté, le plot 37 a une forme rectangulaire en vue de dessus. La structure de la figure 3 permet d'utiliser la résonance électromagnétique apparaissant au sein du sandwich métal-semiconducteur-métal pour renforcer l'absorption de la couche semiconductrice 33, la couche métallique 31 et le plot métallique 37 formant un résonateur plasmonique de type cavité horizontale. Les résonances plasmons de cavité permettent, de façon connue, le confinement des photons incidents dans la couche semiconductrice 33, entre le plot métallique 37 et la couche métallique 31. Pour que le photodétecteur fonctionne B9146 - DD11031EO 9 correctement et que les modes plasmons de cavité se forment, la largeur L du plot 37 doit être telle que : n~ ff ùA(X), (Équation 1) 2 neff étant l'indice optique effectif du mode plasmon, supérieur à l'indice optique de la couche semiconductrice 33, A(À) étant un terme positif qui traduit le décalage spectral lié à des déphasages ou à des absorptions dans le photodétecteur. Plus simplement, la largeur du plot 37 doit être telle que : L Comme dans le cas de la structure de la figure 3, des modes plasmons de surface se forment dans le plot semiconducteur 39, à l'interface entre le plot métallique 37 et le plot semiconducteur et à l'interface entre la couche métallique 31 et B9146 - DD11031EO 10 le plot semiconducteur 39, lorsque le photodétecteur est éclairé par un faisceau lumineux 41 de longueur d'onde adaptée. La formation des modes plasmons permet une meilleure absorption dans le plot semiconducteur 39. Les modes plasmons dans le plot semiconducteur 39 apparaissent lorsque la largeur du plot métallique 37 et la longueur d'onde du faisceau lumineux satisfont à l'équation (1) ou (2). La figure 5 illustre une variante de photodétecteur dans laquelle plusieurs plots sont formés en surface d'une même couche semiconductrice. Sur une couche métallique 31 est formée une couche semiconductrice mince 33. Sur la couche semiconductrice 33 sont formés de nombreux plots métalliques 43. Dans l'exemple représenté, les plots 43 sont, en vue de dessus, carrés et sont formés périodiquement en surface de la couche semiconductrice 33. Chaque dimension des plots métalliques 43 en surface de la couche semiconductrice 33 respecte l'équation (1) ou (2). La périodisation des plots 43 permet de former des photodétecteurs plus grands. Dans le cas d'une distribution périodique des plots 43 20 en surface de la couche de silicium 33, la période D du réseau doit être telle que : D 25 La figure 6 illustre une variante d'un photodétecteur comprenant une couche semiconductrice mince 33 en surface duquel est formé un réseau de plots rectangulaires 45 dont au moins la largeur L répond à l'équation (1) ou (2). La période D des plots 45, en surface de la couche 33 répond à l'équation (3). Sur la 30 face inférieure de la couche semiconductrice 33 est formé un réseau de bandes 47 qui sont situés au moins en regard des plots 45. Des modes plasmons apparaissent ainsi aux interfaces semiconducteur/métal. B9146 - DD11031EO 11 On notera que la formation de plots 45 rectangulaires favorise l'absorption d'un faisceau lumineux polarisé perpendiculairement à la direction principale des bandes 45 (polarisation TM). La formation de plots carrés tels que les plots 43 de la figure 5 permet d'avoir un photodétecteur peu dépendant de la polarisation du faisceau lumineux incident. On peut ainsi former un photodétecteur destiné à sélectionner l'une ou l'autre des polarisations fondamentales TE ou TM. Les figures 7A et 7B sont des courbes illustrant des 10 avantages des photodétecteurs présentés ici. En figure 7A sont représentées, en fonction de la longueur d'onde d'un faisceau incident, deux courbes 51 et 53, respectivement du pouvoir réflecteur R d'un photodétecteur à base de mercure tellure cadmium (CdHgTe ou CMT) tel que ceux 15 présentés ci-dessus, et de l'absorption A du semiconducteur. Le photodétecteur que l'on considère ici est dimensionné pour optimiser la détection d'un faisceau lumineux polarisé transverse magnétique ayant une longueur d'onde de 5000 nm. Pour cela, les dimensions du photodétecteur sont choisies telles que 20 l'équation (1) ou (2), et si besoin l'équation (3), soient satisfaites. Pour un faisceau lumineux ayant une longueur d'onde de 5000 nm, l'absorption dans la couche de CdHgTe du photodétecteur est de l'ordre de 0,77 et le pouvoir réflecteur quasi nul. 25 Contrairement aux photodétecteurs plasmons connus qui ont l'inconvénient de présenter une bande de détection très petite, le photodétecteur considéré ici présente une absorption qui diminue relativement peu, et un pouvoir réflecteur qui augmente relativement peu, lorsque la longueur d'onde du faisceau 30 lumineux varie de 200 nm autour de la longueur d'onde de 5000 nm. La largeur à mi-hauteur du pic d'absorption est de l'ordre de 1700 nm, ce qui est de l'ordre du tiers de la longueur d'onde du faisceau incident. La figure 7B représente deux courbes 55 et 57, 35 respectivement du pouvoir réflecteur R d'un photodétecteur à B9146 - DD11031EO 12 base de CdHgTe et de l'absorption A du semiconducteur dans le cas d'un photodétecteur tel que présenté ici, en fonction de l'angle d'incidence du faisceau lumineux, le photodétecteur étant dimensionné pour absorber correctement le faisceau lumineux considéré. On note, sur les courbes 55 et 57, qu'une variation de l'angle d'incidence 0 du faisceau lumineux de l'ordre de 50° ne fait quasiment pas varier l'absorption et le pouvoir réflecteur du photodétecteur. Ainsi, les photodétecteurs des figures 3 à 6 permettent une détection large bande peu dépendante de l'angle d'incidence du faisceau lumineux. De plus, la formation d'un photodétecteur comprenant une couche semiconductrice mince permet la réalisation de pixels petits isolés entre eux correctement. La couche semiconductrice 33, 39 pourra être prévue de façon à comprendre différentes régions permettant la collecte des porteurs photogénérés. Par exemple, on pourra prévoir de former localement une jonction PN verticale ou horizontale dans la couche semiconductrice 33, 39 ou encore une structure de type diode PIN (non représentée) verticale ou horizontale. Dans ce cas, les électrons photogénérés peuvent être stockés dans les régions dopées de type N de la couche semiconductrice et la détection se fait en transférant ces électrons à un circuit électronique, par exemple à l'aide d'un transistor de transfert. Une fois les charges formées dans la portion semiconductrice 33 ou 39, plusieurs solutions sont possibles pour lire ces charges. Une première solution consiste à polariser un ou plusieurs des plots métalliques 37, 43, 45 formés en surface de la couche semiconductrice à une première tension et à polariser la couche ou les plots inférieurs 31, 47 à une seconde tension. Le passage d'un courant résultant de cette polarisation est alors représentatif de l'éclairement du photodétecteur. Une variante consiste à polariser un ou plusieurs plots métalliques 43, 45, en surface de la couche semiconductrice 33, 39 à une B9146 - DD11031EO 13 première tension, et à polariser d'autres plots métalliques 43, 45 à une seconde tension. La détection est réalisée alors uniquement à partir de la face supérieure du photodétecteur. Les figures 8A, 8B et 8C représentent trois variantes possibles de ce dernier cas, et plus précisément trois structures possibles des plots métalliques formés en surface d'une couche semiconductrice 33 et permettant la photodétection. Dans l'exemple de la figure 8A, les plots métalliques formés en surface de la couche semiconductrice sont séparés en deux ensembles 61 et 63 ayant une forme de base de peigne, les peignes 61 et 63 étant interdigités. Chaque peigne 61 et 63 comporte une bande principale d'où s'étendent des bandes secondaires. Les peignes 61 et 63 sont prévus de telle façon que la largeur de la bande principale et des bandes secondaires réponde à l'équation (1) ou (2). Les bandes secondaires ont une période satisfaisant à l'équation (3). Dans l'exemple de la figure 8B, les plots métalliques formés en surface de la couche semiconductrice 33 sont séparés en deux ensembles de doigts 65 et 67. Chaque ensemble de doigts est constitué d'une bande principale et de doigts secondaires qui s'étendent de la bande principale en ayant une forme sensiblement circulaire. Les bandes principales et les doigts secondaires répondent aux équations (1) ou (2) et (3). Dans l'exemple de la figure 8C, des plots carrés 68, répartis sous forme d'une matrice en surface d'une couche semiconductrice 33, ne sont pas polarisés. Les dimensions et la période des plots 68 répondent aux équations (1) ou (2) et (3). Les plots 68 sont encadrés par deux électrodes 69A et 69B permettant la collecte. La figure 9 illustre une variante de réalisation d'un photodétecteur. Le photodétecteur comprend une couche semiconductrice 33 sur laquelle sont formés des plots 73, 75 et 77 en métal ou en un matériau dont la permittivité est négative sur la bande de fréquence considérée. En dessous de la couche 33, au moins en regard des plots 73, 75 et 77, sont formées des B9146 - DD11031EO 14 portions métalliques 71. Les plots 73, 75 et 77 ont des largeurs différentes en surface de la couche semiconductrice 33. Comme la largeur des plots est liée à la longueur d'onde de la lumière photodétectée, les plots 73, 75 et 77 permettent la détection de lumières ayant des longueurs d'ondes différentes. Ainsi, le photodétecteur de la figure 9 permet la détection sélective de trois faisceaux lumineux de différentes longueurs d'onde. En figure 9, une couche transparente 79 est formée sur le photodétecteur. Cette couche permet de protéger le photodétecteur. On notera que l'on pourra prévoir une telle couche sur chacune des variantes précédemment décrites. Cette couche pourra également avoir une forme adaptée à focaliser le faisceau lumineux incident vers chaque détecteur élémentaire (forme de lentille hémisphérique au-dessus de chaque plot 73, 75, 77 par exemple). Les photodétecteurs précédemment décrits peuvent être utilisés par exemple pour former un capteur d'images couleur. Chaque photodétecteur élémentaire du capteur d'images comprend alors des plots 73, 75, 77 dimensionnés pour détecter une couleur donnée (rouge, vert, bleu). Ces photodétecteurs sont assemblés en une matrice de pixels couleur. A titre d'exemple de dimensions, le plus gros des photodétecteurs élémentaires, celui destiné à détecter les ondes lumineuses de couleur rouge (À 600 nm), comportant une couche de silicium (n 4), comprendra un plot dont au moins une dimension est de l'ordre de 50 nm. Cette dimension est particulièrement petite par rapport aux dimensions courantes des photodétecteurs classiques à création directe de paires électrons/trous dans une couche semiconductrice. De plus, "l'isolement" entre photodétecteurs élémentaires est simple à réaliser et occupe une surface minimale du fait qu'il suffit d'interrompre une couche semiconductrice extrêmement mince. On pourra, de la même façon, prévoir un capteur d'images multi-spectral autre qu'un capteur couleur. B9146 - DD11031EO 15 Des modes de réalisation particuliers de la présente invention ont été décrits. Diverses variantes et modifications apparaîtront à l'homme de l'art. En particulier, bien que l'on ait décrit ici des photodétecteur comprenant des plots supérieurs et une couche inférieure en un métal, on comprendra que la variante dans laquelle le photodétecteur comprend des plots supérieurs et une couche inférieure en un matériau ayant une permittivité négative à la fréquence considérée pourra être appliquée à chacune des variantes décrites ici. REVENDICATIONS1. Photodétecteur comprenant au moins une portion d'une couche semiconductrice (33, 39) formée sur au moins une portion d'une couche réfléchissante (31, 47) et destinée à être éclairée par un faisceau lumineux (35, 41), au moins un plot (37, 43, 45) étant formé sur la portion de la couche semiconductrice (33, 39), le plot et la portion de la couche réfléchissante étant métalliques ou en un matériau à permittivité négative, au moins une dimension du plot étant inférieure au rapport entre la longueur d'onde du faisceau lumineux et le double de l'indice optique de la couche semi-conductrice. 2. Photodétecteur selon la revendication 1, dans lequel la couche semiconductrice (33, 39) a une épaisseur inférieure au quart du rapport entre la longueur d'onde du faisceau lumineux et l'indice optique de la couche semiconductrice, typiquement de l'ordre du dixième de ce rapport. 3. Photodétecteur selon la revendication 1 ou 2, dans lequel la portion de la couche semiconductrice (33, 39) comporte 20 une jonction PN ou PIN horizontale ou verticale. 4. Photodétecteur selon l'une quelconque des revendications 1 à 3, dans lequel plusieurs plots, de forme carrée ou rectangulaire, sont formés en surface de la portion de la couche semiconductrice (33, 39), les plots étant placés 25 périodiquement selon une période inférieure à 0,75 À/n, À étant la longueur d'onde dudit faisceau lumineux, n étant l'indice optique de la couche semiconductrice. 5. Photodétecteur selon l'une quelconque des revendications 1 à 4, comprenant en outre une couche de matériau 30 transparent (79) recouvrant le photodétecteur. 6. Photodétecteur selon l'une quelconque des revendications 1 à 5, comprenant en outre une couche d'accrochage et/ou à gradient d'indice (38) à l'interface entre la couche réfléchissante (31, 47) et la couche semiconductrice (33, 39).B9146 - DD11031EO 17 7. Photodétecteur selon l'une quelconque des revendications 1 à 6, dans lequel le ou les plots (37, 43, 45) et la couche réfléchissante (31, 47) sont en un métal adapté à créer, lorsque la couche semiconductrice (33, 39) est éclairée, un mode plasmon de cavité dans cette couche semiconductrice. 8. Photodétecteur selon la revendication 7, dans lequel la couche réfléchissante (31, 47) est en un métal dont l'épaisseur est supérieure à l'épaisseur de peau de ce métal, pour la longueur d'onde dudit faisceau lumineux. 9. Photodétecteur selon la revendication 8, dans lequel le ou les plots métalliques (37, 43, 45) ont une épaisseur comprise entre une fois et trois fois l'épaisseur de peau du métal les constituant, pour la longueur d'onde dudit faisceau lumineux. 10. Photodétecteur selon l'une quelconque des revendications 1 à 6, dans lequel le ou les plots (37, 43, 45) et la couche réfléchissante (31, 47) sont en un matériau ayant une permittivité négative, par exemple un cristal ionique, destiné à former, lorsque la couche semiconductrice (33, 39) est éclairée, des phonons à l'interface entre ledit matériau et la couche semiconductrice. 11. Capteur d'images multi-spectral comprenant plusieurs photodétecteurs élémentaires selon l'une quelconque des revendications 1 à 10, les dimensions du ou des plots (37, 43, 45) de chaque photodétecteur élémentaire étant adaptées au spectre à détecter.