FR 2935787 A1 20100312 FR 0804946 A 20080909 Caloduc hétérogène et procédé de fabrication Domaine technique de l'invention L'invention concerne un caloduc qui comporte successivement, dans une cavité contenant un liquide caloporteur, une zone d'évaporation, une zone adiabatique et une zone de condensation, la zone adiabatique comportant un réseau capillaire reliant la zone d'évaporation à la zone de condensation, la zone d'évaporation et une première partie d'un réseau capillaire étant formées dans un premier élément, au moins en partie en matériau semiconducteur. L'invention concerne également un procédé de fabrication d'un tel caloduc. État de la technique Les caloducs sont des systèmes qui transfèrent la chaleur pour disperser l'énergie thermique sur une grande distance. Ils se présentent classiquement 20 sous la forme d'une enceinte hermétique, en matériau thermoconducteur, classiquement en métal, qui renferme un liquide en équilibre avec sa phase vapeur, en absence de tout autre gaz. Le transfert de chaleur s'effectue de manière passive, par des cycles d'évaporation du liquide sur une partie chaude et de condensation sur une partie froide. Le liquide se condense sur 25 la partie froide et revient vers la zone d'évaporation, soit par gravité soit par un phénomène de capillarité. Ces dispositifs, passifs, ne nécessitent pas d'apport extérieur d'énergie. Ils sont utilisés dans de nombreuses applications. Ils sont, notamment, utilisés pour évacuer la chaleur dans des systèmes où les contraintes d'espace empêchent l'utilisation de systèmes de 30 refroidissement classique, comme un radiateur ou un système de convection active. Plus particulièrement, des caloducs plats à réseau microcapillaire15 sont utilisés dans les circuits électroniques où la miniaturisation et l'amélioration des performances des composants électroniques entraînent une augmentation de la densité de chaleur dégagée en fonctionnement. Des caloducs de petites tailles ont été développés pour répondre aux contraintes de taille des composants électroniques. L'intégration d'un caloduc dans un système électronique, à proximité de la source de chaleur, permet d'optimiser l'évacuation de la chaleur, évitant ainsi la dégradation du composant. A titre d'exemple, les brevets US6216343, US6167948 et US6158502 décrivent des caloducs plats métalliques à réseau capillaire ainsi que leur procédé de fabrication pour des applications en microélectronique. Par ailleurs, le brevet US5179043 divulge un procédé de fabrication de microcaloducs triangulaires ou trapézoïdaux, intégrés dans le substrat de silicium d'un composant électronique. L'utilisation d'un caloduc en silicium supprime une interface thermique entre le composant semiconducteur et le caloduc, améliorant ainsi la conductivité thermique entre les deux éléments. Le réseau capillaire formé reste, néanmoins, limité à des structures simples. Le brevet US5947193 décrit un caloduc plat miniaturisé, en silicium, présentant un réseau capillaire amélioré. La structure optimisée du réseau, obtenue par gravure plasma ("reactive ion etching" , noté RIE), comporte plusieurs motifs diffusant le fluide caloporteur dans plusieurs directions et ayant des formes améliorant la force capillaire. La vitesse de circulation du fluide caloporteur à l'intérieur du caloduc en est, de ce fait, augmentée, améliorant ainsi l'efficacité du caloduc.30 Objet de l'invention L'invention a pour but un caloduc ainsi qu'un procédé de fabrication d'un tel caloduc remédiant aux inconvénients de l'art antérieur. En particulier, l'invention a pour but un caloduc, présentant une bonne conductivité thermique, peu encombrant et peu coûteux. Il est destiné à être facilement intégré dans un système électronique selon un procédé de fabrication industriel, facile à mettre en oeuvre et économiquement viable. Selon l'invention, ce but est atteint par le fait que - le premier élément comporte une première sous-cavité débouchant sur une première face de scellement, - la zone adiabatique, la zone de condensation et une seconde partie du réseau capillaire sont formées dans un second élément constitué d'un ou de plusieurs matériaux différents du matériau semiconducteur du premier élément, et - le second élément comporte une seconde sous-cavité débouchant sur une seconde face de scellement, les premier et second éléments étant scellés par les première et seconde faces de scellement, au niveau d'une jonction des première et seconde parties du réseau capillaire. Selon l'invention, le procédé de fabrication comporte les étapes suivantes: - réalisation du premier élément à partir d'au moins une plaque en matériau semiconducteur, avec gravure de la première partie du réseau capillaire du premier élément, - réalisation du second élément avec gravure de la seconde partie du réseau capillaire, -hybridation, par scellement, du premier élément et du second élément au 3o niveau de leurs faces de scellement après alignement des première et seconde parties du réseau capillaire. 3 Description sommaire des dessins D'autres avantages et caractéristiques ressortiront plus clairement de la description qui va suivre de modes particuliers de réalisation de l'invention 5 donnés à titre d'exemples non limitatifs et représentés aux dessins annexés, dans lesquels : - la figure 1 représente, schématiquement et en coupe, un premier mode particulier de réalisation du caloduc selon l'invention, - les figures 2 et 3 représentent, schématiquement et, respectivement, en 1 o perspective et en coupe selon AA, le premier élément du caloduc selon la figure 1, - les figures 4 et 5 représentent, schématiquement et respectivement, en perspective et en coupe selon BB, le second élément du caloduc selon la figure 1, 15 - les figures 6 à 11 représentent, schématiquement et en coupe, différentes étapes d'un procédé de fabrication du premier élément selon les figures 2 et 3, - les figures 12 à 14 représentent, schématiquement et en coupe, différentes étapes d'un procédé de fabrication du second élément selon les figures 4 et 20 5, - les figures 15 et 16 représentent, schématiquement et en coupe, les différentes étapes d'hybridation et de scellement des premier et second éléments du caloduc selon la figure 1, - les figures 17 à 20 représentent, schématiquement et en coupe, différentes 25 étapes d'un procédé de fabrication du premier élément d'un second mode de réalisation du caloduc selon l'invention. - les figures 21 et 22 représentent, schématiquement et respectivement, en vue de dessus et en coupe selon CC, un mode de réalisation particulier d'un second élément d'un caloduc selon le second mode de réalisation. - les figures 23 et 24 représentent, schématiquement et en coupe, les étapes d'hybridation et de scellement d'un premier élément selon la figure 20 et d'un second élément selon les figures 21 et 22, - la figure 25 illustre une application d'un caloduc selon l'invention. Description de modes de réalisation particuliers de l'invention Le caloduc représenté à la figure 1 comporte successivement (de gauche à 1 o droite sur la figure 1), dans une cavité 1 contenant un fluide caloporteur, une zone d'évaporation 2, une zone adiabatique 3 et une zone de condensation 4. La zone adiabatique 3 comporte un réseau capillaire 5 qui relie la zone d'évaporation 2 à la zone de condensation 4. 15 La zone d'évaporation 2 et une première partie 5a du réseau capillaire 5 sont réalisées dans un premier élément 6, au moins en partie en matériau semiconducteur, de préférence en silicium. Un composant à refroidir 7, source de chaleur, peut être soit en contact avec une face externe du premier élément 6, au niveau de la zone d'évaporation 2 du fluide 20 caloporteur, initialement sous forme liquide, soit directement intégré dans la partie en matériau semiconducteur du premier élément 6, au niveau de la zone d'évaporation 2. Cette dernière solution présente l'avantage d'éliminer l'interface thermique entre le composant à refroidir 7 et le premier élément 6, favorisant ainsi la diffusion de chaleur. 25 Comme illustré aux figures 2 et 3, le premier élément 6 comporte la première partie 5a du réseau capillaire et une première sous-cavité 1 a, débouchant sur une première face de scellement 8. La première partie 5a du réseau capillaire peut, avantageusement, comporter des picots 9 au niveau de la 30 zone d'évaporation 2. La présence des picots 9 augmente la surface de contact solide / liquide et favorise ainsi l'évaporation du liquide caloporteur.5 Le premier élément 6 est, avantageusement, constitué par une première plaquette 10 et une seconde plaquette 11 en matériau semiconducteur, scellées l'une à l'autre au niveau d'une bordure périphérique 12 délimitant la sous-cavité 1 a. La première partie 5a du réseau capillaire est formée, au moins partiellement, dans la première plaquette 10, de préférence, dans les deux plaquettes 10 et 11. Dans une variante, non représentée, seule la première plaquette 10 est en matériau semiconducteur, la seconde plaquette 11 étant en matériau non semiconducteur. La première partie 5a du réseau capillaire est alors formée, entièrement, sur la première plaquette 10. La zone adiabatique 3 et la zone de condensation 4, ainsi qu'une seconde partie 5b du réseau capillaire 5, sont formées dans un second élément 13 constitué d'un ou de plusieurs matériaux différents du matériau semiconducteur du premier élément 6. A titre d'exemple, le premier élément 6 est en silicium et le second élément 13 à base d'arséniure de gallium (AsGa) ou de phosphure d'indium (InP) ou encore de germanium (Ge). Avantageusement, le second élément 13 est constitué d'un ou de plusieurs matériaux non semiconducteurs. De préférence, le second élément 13 est en matériau métallique, en céramique, en matière plastique ou en matériau composite. A titre d'exemple, le premier élément 6 peut être en silicium et le second élément 13 constitué d'une première partie en alliage fer/nickel et d'une seconde partie en cuivre. L'utilisation d'un second élément 13 constitué de plusieurs matériaux permet d'étager les différences de dilation des matériaux et de compenser les contraintes de cisaillement sur plusieurs interfaces. Comme représenté sur les figures 4 et 5, le second élément 13 comporte la seconde partie 5b du réseau capillaire et une seconde sous-cavité 1 b débouchant sur une seconde face de scellement 14. Lorsque le second élément 13 est en matériau non métallique, par exemple, en plastique ou en céramique, la seconde face de scellement 14 est recouverte d'une couche métallique, afin d'accommoder les différences de conductivité thermique équivalente (CTE) entre les matériaux des premier et second éléments 6 et 13 et garantir alors une meilleure interface thermique 1 o entre ces éléments 6 et 13. Le second élément 13 comporte, de préférence, deux plaquettes 15 et 16, en matériau non semiconducteur, scellées l'une à l'autre au niveau d'une bordure périphérique 17 délimitant la sous-cavité 1 b. La seconde partie 5b du réseau capillaire est formée, au moins partiellement, dans la première plaquette 15, de préférence, dans les deux plaquettes 15 et 15 16. Avantageusement, le second élément 13 est beaucoup plus long que le premier élément 6. En effet, il est important d'utiliser un matériau semiconducteur, essentiellement au niveau de la zone d'évaporation 2, en 20 contact avec le composant à refroidir 7. De préférence, le premier élément 6 a une taille correspondant sensiblement à celle de la zone d'évaporation 2. En revanche, plus la longueur du second élément 13 est importante, plus la conductivité thermique équivalente est grande. 25 Au niveau de la jonction 18 des deux éléments 6 et 13, les motifs de la première partie 5a du réseau capillaire correspondent à ceux de la seconde partie 5b du réseau capillaire, afin de ne pas rompre la continuité du réseau capillaire. La jonction 18 assure la continuité du réseau capillaire 5. Avantageusement, les structures des première et seconde parties 5a et 5b 30 du réseau capillaire 5 sont analogues au moins au niveau de la jonction 18 et connectées bout à bout, comme illustré sur les figures 1 à 5. Le réseau capillaire 5 peut être constitué par des rainures et/ou des nervures et/ou des pores sur au moins une face interne de chaque élément 6 et 13. Les rainures et/ou nervures du réseau capillaire 5 sont, avantageusement, disposées perpendiculairement aux faces de scellement 8 et 14, au moins à proximité de la jonction 18, pour permettre un alignement exact entre les rainures et/ou nervures. Dans le mode de réalisation préférentiel illustré à la figure 3, la première partie 5a du réseau capillaire comporte des rainures et/ou des nervures io allant de la première face de scellement 8 vers la zone d'évaporation 2. Elle comporte, de préférence, également des picots 9 au niveau de la zone d'évaporation 2. Les rainures et/ou nervures peuvent former un arc de cercle à l'extrémité du réseau proche de la zone d'évaporation 2, pour diffuser le liquide caloporteur au plus près de la zone chaude, améliorer la répartition du 15 fluide dans cette zone 2 et ainsi favoriser son évaporation. Les sous-cavités 1 a et 1 b respectives des éléments 6 et 13, doivent être assez grandes pour fournir un volume suffisant pour le passage du flux de vapeur. Le flux de vapeur ne doit pas être entravé par l'écoulement du liquide 20 caloporteur dans le réseau capillaire 5, de la zone de condensation 4 vers la zone d'évaporation 2, afin d'éviter un phénomène d'assèchement. Une structure particulière du réseau capillaire 5, notamment une structure en canaux semi-clos, par exemple, délimités par des éléments en forme de champignon, isolant partiellement la zone vapeur de la zone liquide, telle que 25 décrit dans le brevet US6056044, peut également être envisagée pour minimiser cet effet. A titre d'exemple, un caloduc présentant une forme de tube plat de 6 cm de long et 1 mm d'épaisseur a été réalisé avec un premier élément 6 de 0,5 cm 30 de long et un second élément 13 de 5,5 cm de long, comprenant une zone adiabatique 3 de 4 cm de long et une zone de condensation 4 de 0,5 cm de long. Les rainures ont, par exemple, une hauteur d'environ 200 �m. Dans les éléments 6 et 13, du type représenté aux figures 2 et 4, un espace d'environ 300�m, sépare verticalement les rainures formées dans la plaquette 10 ou 15, des rainures formées dans la plaquette 11 ou 16. Le caloduc décrit ci-dessus, allie les avantages des caloducs métalliques conventionnels et des caloducs en silicium. En effet, le fait d'utiliser un premier élément 6 en matériau semiconducteur, permet de réaliser une interface thermique améliorée entre la zone d'évaporation 2 et la source de chaleur. Lorsque la source de chaleur est également en matériau semiconducteur, les conductivités thermiques équivalentes (CTE) du premier élément 6 et de la source de chaleur sont compatibles, assurant ainsi une meilleure interface thermique. Les procédés de gravure actuels du silicium offrant des possibilités de réalisation de motifs très fins, jusqu'à 10 �m, il peut également être envisagé de réaliser un réseau capillaire 5 complexe afin d'optimiser les échanges thermiques solide/liquide à l'intérieur de la zone d'évaporation 2, difficilement envisageable pour des matériaux métalliques. De plus, le second élément 13 étant constitué d'un ou de plusieurs matériaux différents du matériau semiconducteur du premier élément 6, il peut être envisagé de réaliser, à moindre coût, un second élément 13 suffisamment long pour offrir une conductivité thermique importante et pouvant faire partie intégrante d'un système électronique de type boîtier. Le procédé de fabrication du caloduc décrit ci-dessus, comporte, de préférence, la réalisation simultanée, de plusieurs premiers éléments 6, puis après réalisation d'au moins un second élément 13, l'hybridation des éléments 6 et 13 au niveau de leurs faces de scellement respectives 8 et 14. Le mode de fabrication collectif des premiers éléments 6 et, éventuellement, des seconds éléments 13 permet de fabriquer le caloduc à une échelle industrielle. Le procédé de fabrication illustré, à titre d'exemple, aux figures 6 à 16 est particulièrement adapté à la fabrication de caloducs plats, selon les figures 1 à 5. Un tel caloduc plat est utilisé dans des dispositifs dans lesquels la taille du composant est critique. Ce procédé de fabrication comporte, tout d'abord, la réalisation simultanée d'une pluralité d'éléments 6 à partir de deux plaques 19 et 20 en matériau semiconducteur. L'une des plaques (19 sur les figures 6 à 10) est, de préférence, plus épaisse que l'autre plaque 20. Pour former les sous-cavités 1 a, une première gravure profonde est réalisée dans une face (supérieure sur la figure 6) des deux plaques 19 et 20, de manière à délimiter des espaces ouverts 21a, séparés par des bords 22. Les premières parties 5a des réseaux capillaires sont, ensuite, gravées, de préférence, par gravure plasma de type RIE. Les rainures et/ou nervures des réseaux capillaires 5a ainsi formés s'étendent horizontalement dans le plan des figures 6 à 11. Enfin, les deux plaques 19 et 20 sont scellées par les bords 22, de façon à faire coïncider les espaces 21 a des deux plaques 19 et 20 et former des espaces fermés 21 (figure 7). Chaque espace fermé 21 est, ensuite, ouvert par une découpe 23, perpendiculairement aux plaques 19 et 20 (verticalement sur la figure 8). Ceci permet de libérer les premières faces de scellement 8 (verticales sur la figure 8) des plaques 19 et 20, de chaque premier élément 6. La découpe 23 traverse totalement la plaque 20 et partiellement la plaque 19. Un dépôt électrolytique de brasure, de préférence sans flux, d'un matériau de brasage 24, par exemple, un alliage orlétain (AuSn), est réalisé pour obtenir une couche de métal conducteur, au moins sur les faces de scellement 8. Ce dépôt est effectué par dépôt directionnel oblique (selon une direction indiquée par des flèches sur la figure 9) par rapport à la face externe (horizontale sur la figure 9) de la plaque 20. En pratique, le dépôt se fait simultanément sur la face externe de la plaque 20 et sur les faces de scellement 8 des plaques 19 et 20. Avantageusement, une couche de germination favorisant le dépôt électrolytique est, au préalable, déposée par dépôt directionnel selon le même angle oblique, sur les faces de scellement 8 et sur la face externe de la plaque 20, par exemple, par dépôt métallique directionnel. Ensuite, l'ensemble constitué par les plaques 19 et 20 est retourné et posé sur un film adhésif 25, comme représenté à la figure 10, la plaque 20 la plus mince étant en contact avec le film 25. Les premiers éléments 6 sont ensuite séparés les uns des autres, par exemple, par amincissement de la face arrière de la plaque en matériau semiconducteur 19 (figure 11). En variante, la plaque 20 peut être en matériau non semiconducteur. Les premières parties 5a des réseaux capillaires peuvent être réalisées uniquement sur la plaque en matériau semiconducteur 19, destinée à être en contact avec le composant à refroidir 7. Par ailleurs, les espaces 21a peuvent être gravés dans une seule des plaques 19 ou 20. Les seconds éléments 13 sont, de préférence, également formés 20 collectivement, comme représenté sur les figures 12 à 14. Plusieurs seconds éléments 13 sont réalisés, simultanément, à partir de deux plaques 26 et 27, constituées d'un ou de plusieurs matériaux différents du matériau semiconducteur du premier élément, avantageusement, en matériau non semiconducteur. Pour former les sous-cavités 1 b, une première gravure 25 profonde est réalisée dans une face (supérieure sur la figure 12) de chacune des plaques 26 et 27, de manière à délimiter des espaces 28a ouverts, séparés par des bords 29. Les secondes parties 5b des réseaux capillaires sont gravées au moins sur une des deux plaques 26 et 27. Comme pour la réalisation des premiers éléments 6, les cavités 1 b peuvent être réalisées 30 uniquement sur une des plaques 26 ou 27 et les secondes parties 5b des réseaux, sur l'autre plaque 26 ou 27. Toute technique de gravure15 conventionnelle, adaptée au matériau utilisé, peut être utilisée. A titre d'exemple, la gravure peut être réalisée par lithographie, gravure électrochimique, injection plastique ou encore électroérosion à partir d'outil en carbure de tungstène. Les deux plaques 26 et 27 sont ensuite scellées par leurs bords 29, de façon à faire coïncider les espaces 28a des deux plaques 26 et 27 et former des seconds espaces 28, en forme de canaux, ouverts à leurs deux extrémités, parallèlement au plan de la figure 13. L'une des extrémités 30 de l'ensemble constitué par les plaques 26 et 27, est destinée à former les faces de scellement 14 et peut être métallisée avec un matériau de brasage 24, par exemple, par dépôt d'une couche de métal conducteur, de préférence, en alliage or/étain (figure 14). Cette métallisation est nécessaire uniquement pour des plaques 26 et 27 non métalliques, par exemple, en céramique ou en matière plastique. Des ouvertures 32, débouchant sur l'autre extrémité de l'ensemble 31, sont destinées au remplissage ultérieur des cavités 1 (figure 15). Les premiers éléments 6 sont positionnés sur l'extrémité 30, éventuellement métallisée, afin de faire coïncider chaque première sous-cavité 1 a avec une seconde sous-cavité 1 b. Les premières parties 5a des réseaux capillaires sont ensuite alignées sur les secondes parties 5b correspondantes, des réseaux capillaires. L'alignement est, avantageusement, un alignement optique assurant une parfaite connexion de la première et de la seconde partie 5a et 5b de chaque réseau capillaire. De cette connexion dépend la continuité de l'écoulement, donc la vitesse d'écoulement et, par voie de conséquence, l'efficacité d'évacuation de chaleur du caloduc. Les premiers et seconds éléments 6 et 13 sont ensuite hybridés, par scellement, au niveau de leurs faces de scellement 8 et 14, par exemple, par brasage ou collage. Le scellement par brasage est réalisé en déposant un matériau de brasage 24 sur au moins une face de scellement 8 et 14 avant hybridation, en exerçant ensuite une pression, avantageusement sur les premiers éléments 6 puis en chauffant la zone de brasure. Dans ce mode de réalisation préférentiel, plusieurs premiers éléments 6, positionnés sur un ensemble 31, sont hybridés simultanément. Les manipulations successives des premiers éléments 6 peuvent être effectuées à l'aide de têtes de préemption, de préférence, par aspiration. Comme représenté à la figure 15, les cavités 1 ainsi formées sont, ensuite mises sous vide, simultanément, de façon collective, par les ouvertures 32 des seconds éléments 13. Enfin, les ouvertures 32 sont scellées, après remplissage (figure 16) partiel des cavités 1 par le fluide caloporteur, par exemple, par de l'eau, de l'ammoniac ou du glycol. Les caloducs sont ensuite individualisés par découpe des plaques 26 et 27 de l'ensemble 31. La réalisation collective des premiers éléments 6, d'une part et des seconds éléments 13, d'autre part, ainsi que l'hybridation simultanée de plusieurs premiers éléments 6 sur les seconds éléments 7 correspondants permettent d'envisager la fabrication industrielle de tels caloducs. Un autre mode de réalisation du procédé de fabrication d'un caloduc illustré, à titre d'exemple, aux figures 17 à 24 est, particulièrement adapté à la fabrication d'un caloduc selon la figure 24. Un tel caloduc est, plus particulièrement, utilisé pour des dispositifs dans lesquels la taille du composant à refroidir 7 n'est pas critique. Le second élément 13, représenté aux figures 21 et 22, peut faire partie intégrante d'un boîtier. Une pluralité de premiers éléments 6, comme représenté à la figure 20, est réalisée à partir d'une plaque 19 en matériau semiconducteur, par gravure successive des sous-cavités 1 a débouchant sur les premières faces de scellement 8 et des première parties 5a des réseaux capillaires (figure 17). Un matériau de brasage 24, par exemple, un alliage or/étain (AuSn), peut ensuite être déposé (figure 18) par dépôt électrolytique de brasure, de préférence sans flux, sur les faces de scellement 8 des premiers éléments 6. Une couche de germination favorisant le dépôt électrolytique, est alors, avantageusement, déposée sur les faces de scellement 8 avant le dépôt électrocatalytique de brasure. La plaque 19 est ensuite retournée et posée sur un film adhésif 25, comme représenté à la figure 19. Les premiers éléments 6 sont alors séparés par découpe de la plaque 19 comme illustré à la figure 20. Le film adhésif 25 peut ensuite être retiré. Chaque premier élément 6 est alors hybridé avec un second élément 13 représenté aux figures 21 et 22. Cet élément 13 présente une sous-cavité 1 b débouchant sur sa face de scellement 14 (face supérieure sur la figure 22) du second élément 13. Il comporte une ouverture 32 constituant un orifice de bouchage sur une face latérale (face latérale droite sur la figure 22). Comme précédemment, la face de scellement 14 peut être métallisée si le second élément 13 est non métallique, par exemple, en céramique ou en matériau plastique. La face de scellement 8 du premier élément 6 est positionnée sur la face de scellement 14 du second élément 13, éventuellement métallisée, afin de faire coïncider la première sous-cavité 1 a avec la seconde sous-cavité 1 b. Comme précédemment, les manipulations successives du premier élément 6 s'effectuent à l'aide de têtes de préemption, de préférence, par aspiration. La première partie 5a du réseau capillaire est, ensuite, alignée sur la seconde partie 5b du réseau capillaire. Puis, comme représenté à la figure 23, les premier et second éléments 6 et 13 sont hybridés individuellement, au niveau de leurs faces de scellement 8 et 14, soit par brasage soit par collage. L'alignement est, avantageusement, un alignement optique assurant une parfaite connexion des première et seconde parties 5a et 5b du réseau capillaire au niveau de leur jonction 18. Comme précédemment, la cavité 1 ainsi formée, est mise sous vide par l'ouverture 32 du second élément 13 et remplie partiellement par le fluide caloporteur. L'ouverture 32 est enfin scellée (figure 24) pour obtenir le caloduc.30 L'utilisation du caloduc décrit ci-dessus trouve tout son intérêt dans des systèmes où les contraintes de place sont importantes, notamment dans les systèmes plats, mais également dans des systèmes portables nécessitant une autonomie en énergie. La figure 25 représente un exemple d'application d'un caloduc intégré dans un téléphone portable. La zone d'évaporation 2 se situe au niveau du ou des composants à refroidir (en haut sur la figure 25) et la zone adiabatique 3 est suffisamment longue pour évacuer la chaleur dégagée par le ou les composant(s) à refroidir. La zone de condensation 4 est située dans la partie inférieure du portable sur la figure 25. De nombreuses applications peuvent être envisagées, notamment pour le refroidissement de diodes laser d'émission dans lesquelles les densités de puissance sont élevées et dans le cas de systèmes devant respecter des contraintes environnementales et dimensionnelles sévères.15 Revendications1. Caloduc qui comporte successivement dans une cavité (1) contenant un fluide caloporteur, une zone d'évaporation (2), une zone adiabatique (3) et une zone de condensation (4), la zone adiabatique (3) comportant un réseau capillaire (5) qui relie la zone d'évaporation (2) à la zone de condensation (4), la zone d'évaporation (2) et une première partie (5a) d'un réseau capillaire (5) étant formées dans un premier élément (6), au moins en partie en matériau semiconducteur, caloduc caractérisé en ce que le premier élément (6) comporte une première sous-cavité (1 a) débouchant sur une première face de scellement (8), en ce que la zone adiabatique (3), la zone de condensation (4) et une seconde partie (5b) du réseau capillaire (5) sont formées dans un second élément (13) constitué d'un ou de plusieurs matériaux différents du matériau semiconducteur du premier élément (6), et en ce que le second élément (13) comporte une seconde sous-cavité (1 b) débouchant sur une seconde face de scellement (14), les premier (6) et second éléments (13) étant scellés par les première (8) et seconde faces de scellement (14), au niveau d'une jonction (18) des première (5a) et seconde parties (5b) du réseau capillaire (5). 2. Caloduc selon la revendication 1, caractérisé en ce que les première (5a) et seconde parties (5b) du réseau capillaire (5) ont des structures analogues au moins au niveau de la jonction (18) et sont connectées bout à bout. 3. Caloduc selon l'une des revendications 1 et 2, caractérisé en ce que le second élément (13) est constitué d'un ou de plusieurs matériaux non semiconducteurs. 30 4. Caloduc selon la revendication 3, caractérisé en ce que le second élément (13) est en matériau métallique. 1625 5. Caloduc selon la revendication 3, caractérisé en ce que le second élément (13) est en matériau non métallique, avec une couche métallique (24) sur la seconde face de scellement (14). 6. Caloduc selon l'une quelconque des revendications 1 à 5, caractérisé en ce que le réseau capillaire (5) comporte des rainures et/ou des nervures et/ou des pores sur au moins une face interne de chaque élément (6, 13). 10 7. Caloduc selon la revendication 6, caractérisé en ce que les rainures et/ou les nervures du réseau capillaire (5) sont perpendiculaires aux faces de scellement (8, 14), au moins à proximité de la jonction (18). 8. Caloduc selon l'une quelconque des revendications 1 à 7, caractérisé en 15 ce qu'au moins l'un des élément (6, 13) comporte une première plaquette (10, 15) et une seconde plaquette (11, 16), scellées l'une à l'autre au niveau d'une bordure périphérique (12, 17) délimitant la sous-cavité (1 a, 1 b) dudit élément (6, 13), les première et seconde parties (5a, 5b) correspondantes du réseau capillaire (5) étant formées, au moins partiellement, dans la première 20 plaquette (10, 15). 9. Caloduc selon la revendication 8, caractérisé en ce que la première plaquette (10) du premier élément (6) est en matériau semiconducteur. 25 10. Caloduc selon l'une quelconque des revendications 1 à 9, caractérisé en ce que la première partie (5a) du réseau capillaire (5) comporte des picots (9), au niveau de la zone d'évaporation (2). 11. Caloduc selon l'une quelconque des revendications 1 à 10, caractérisé 30 en ce qu'un composant à refroidir (7) est intégré dans la partie en matériau5 semiconducteur du premier élément (6), au niveau de la zone d'évaporation (2) du caloduc. 12. Procédé de fabrication d'un caloduc selon l'une quelconque des revendications 1 à 11, caractérisé en ce qu'il comporte les étapes suivantes: - réalisation dudit premier élément (6) à partir d'au moins une plaque (19) en matériau semiconducteur, avec gravure de la première partie (5a) du réseau capillaire (5) du premier élément (6), - réalisation dudit second élément (13) avec gravure de la seconde partie (5b) du réseau capillaire (5), - hybridation, par scellement, du premier élément (6) et du second élément (13) au niveau de leurs faces de scellement (8, 14) après alignement des première et seconde parties du réseau capillaire (5a, 5b). 13. Procédé de fabrication selon la revendication 12, caractérisé en ce que le second élément (13) est réalisé à partir de deux plaques (26, 27), constituées d'un ou de plusieurs matériaux différents du matériau semiconducteur du premier élément (6). 14. Procédé de fabrication selon l'une des revendications 12 et 13, caractérisé en ce que le premier et/ou second éléments (6, 13) sont réalisés collectivement. 15. Procédé de fabrication selon l'une quelconque des revendications 12 à 14, caractérisé en ce que le scellement est obtenu par brasage ou collage. 16. Procédé de fabrication selon la revendication 15, caractérisé en ce que le scellement étant réalisé par brasage, un matériau de brasage 24 est déposé sur au moins une face de scellement (8, 14) avant hybridation.30 17. Procédé de fabrication selon l'une quelconque des revendications 12 à 16, caractérisé en ce que ledit second élément (13) comportant initialement une ouverture (32) pour le remplissage de la cavité (1), le procédé comporte, après hybridation, la mise sous vide de la cavité (1) par ladite ouverture (32) du second élément (13) et le scellement de ladite ouverture (32) du second élément (13) après remplissage partiel de la cavité (1) par le fluide caloporteur.10