FR 2938376 A1 20100514 FR 0857581 A 20081107 1 PROCEDE DE PREPARATION D'UNE COUCHE DE MONOSILICIURE DE NICKEL NiSi SUR UN SUBSTRAT EN SILICIUM DESCRIPTION DOMAINE TECHNIQUE La présente invention a trait à un procédé de préparation d'une couche de monosiliciure de nickel NiSi sur un substrat en silicium appartenant, par exemple, à une structure semi-conductrice, cette couche de siliciure NiSi présentant une stabilité de phases à haute température (par exemple, à des températures de l'ordre de 700°C), une stabilité morphologique de films et qui plus est, une résistivité faible. Ce procédé trouve tout particulièrement son application dans la réalisation de dispositifs électroniques semi-conducteurs, tels que des transistors MOS comprenant des parties en silicium, et pour lequel une couche en siliciure est nécessaire pour notamment diminuer la résistance de contact entre les différentes parties en silicium, tels que la source et le drain d'un transistor MOS et assurer la connexion entre ses parties et les niveaux d'interconnexion. Encore plus particulièrement, ce procédé peut trouver son application dans la réalisation de dispositifs électroniques semi-conducteurs, comportant un niveau inférieur de transistor comprenant une couche de siliciure obtenu par le procédé de l'invention et un niveau supérieur de transistor, tel que des transistors à base de germanium. 2 ÉTAT DE LA TECHNIQUE ANTÉRIEURE Comme mentionné précédemment, il peut être important d'incorporer dans des dispositifs semi-conducteurs à base de silicium une couche de siliciure destinée à limiter la résistance de contact entre les différentes parties du dispositif en silicium, telles que la source et le drain dans un transistor. Les principaux siliciures utilisés dans ce type de contexte sont le disiliciure de titane TiSi2, le disiliciure de cobalt CoSi2 et le siliciure de nickel NiSi, la préférence portant sur le siliciure de nickel NiSi, notamment pour les technologies sub-65 nm du fait de sa plus faible température de formation par rapport aux autres siliciures, de sa faible résistivité et de la faible consommation de silicium requise pour le former. Toutefois, le siliciure de nickel NiSi présente les inconvénients suivants : - une faible stabilité thermique, dans la mesure où, à une température proche de 600°C et à des températures supérieures, il s'ensuit un phénomène de démouillage entre la couche de NiSi et la zone en silicium sous-jacente (la couche de NiSi se transformant en agglomérats et perdant ainsi son caractère de film), et ainsi une dégradation importante du contact siliciure-silicium ; - qui plus est, au-delà d'une température d'environ 750°C, il s'ensuit une transformation de phase du NiSi en disiliciure de nickel NiSi2, cette dernière engendrant une augmentation de la résistivité de la couche et une dégradation de la qualité de 3 contact entre la couche et les zones en Si sous-jacentes, du fait de la forte rugosité de surface entre la phase NiSi2 nouvellement formée et les zones en silicium sous-jacentes. Comme il ressort de la figure 3 représentant un graphique illustrant la résistance de film R de NiSi (en Q/carré symbolisé Q/sq) en fonction du temps t (en min) appliqué pour différentes températures de recuit (respectivement 550°C pour la courbe a, 600°C pour la courbe b, 650°C pour la courbe c, et 700°C pour la courbe d), la résistance de film de NiSi augmente significativement pour des températures de recuit croissantes. Ainsi, le siliciure NiSi reste intègre après 25 minutes de traitement à 550°C, tandis qu'en moins de 2 minutes à 600°C, il s'ensuit une augmentation significative de la résistance de film. Cette augmentation de la résistance de film traduit un changement de morphologie du film (du fait d'un phénomène d'agglomération) et le film ne remplit ainsi plus son rôle de contact de faible résistivité pour toute température au-delà de 600°C. Il est donc exclu de pouvoir utiliser du monosiliciure de nickel NiSi dans une architecture qui nécessite des températures de traitement au-delà de 600°C. Afin de palier les problèmes de démouillage de NiSi et retarder la formation de NiSi2, diverses solutions ont été proposées consistant : - soit en l'addition d'un élément d'alliage dans le nickel (lequel élément d'alliage étant soluble dans NiSi) ; et/ou 4 - soit en l'addition d'un élément non soluble dans le siliciure NiSi. Ainsi, il a été montré par Mangelinck et al., dans Applied Physics Letters, 75(1999), 1736 et par Cheng et al. dans Journal of Vacuum Science Technology A 18 (2000), 1776 que l'addition d'un élément soluble tel le Pt, Pd et Rh, en particulier le platine Pt, permettait d'éviter la formation de NiSi2, en particulier en deçà de 850°C pour Pt. Le platine Pt permet, notamment, de retarder la formation de NiSi2 en favorisant la réaction entre NiSi et le silicium sous- jacent en augmentant ainsi la température de germination de NiSi2. Outre son rôle sur le retard à la germination de NiSi2, le platine agit également sur le retard à l'agglomération de NiSi. L'ajout de Pt dans NiSi augmente ainsi les paramètres de maille et modifie la texture du siliciure de manière à rendre la couche moins sensible au démouillage. Il a été montré également par Detavernier et al., Electrochemical Society Transactions 3 (2006) 13 et Deduytsche et al., Journal of Applied Physics 101 (2007) que des éléments tels que le W, Ti, Ta, Mo, Cr permettent de retarder l'agglomération de NiSi (ou en d'autres termes, le démouillage du film de NiSi) vers des températures plus élevées qu'en l'absence de ces éléments, ces éléments incorporés se distribuant au niveau des joints de grains de NiSi lors de sa formation. Toutefois en procédant à l'ajout des 30 éléments susmentionnés, il s'ensuit généralement une augmentation de la résistivité du film de NiSi, ce qui est contre-productif dans la mesure où le but de ce type de film est, entre autres, de diminuer les résistances séries entre les éléments sous-jacents à ce film. 5 Ainsi, il subsiste un véritable besoin pour un procédé de fabrication d'un film de monosilicure de nickel NiSi à partir d'un substrat en silicium qui présente à la fois une stabilité de phase à haute température (c'est-à-dire sans transformation de phase de NiSi en NiSi2) et une stabilité morphologique de film à haute température (c'est-à-dire sans phénomène de démouillage de film) tout en présentant une résistivité faible. EXPOSÉ DE L'INVENTION Les inventeurs ont ainsi découvert, de manière surprenante, un procédé comprenant une séquence d'étapes et des ingrédients qui permettent de répondre au besoin susmentionné. L'invention a trait ainsi, selon un premier objet, à un procédé de fabrication d'une couche de monosiliciure de nickel NiSi sur un substrat en silicium comprenant successivement les étapes suivantes . a) une étape d'incorporation sur une partie de l'épaisseur dudit substrat en silicium d'un élément choisi parmi W, Ti, Ta, Mo, Cr et les mélanges de ceux-ci ; b) une étape de dépôt sur ledit substrat implanté d'une couche de nickel et d'une couche d'un élément choisi parmi Pt, Pd, Rh et des mélanges de ceux-ci ou d'une couche comprenant à la fois du nickel 6 et un élément choisi parmi Pt, Pd, Rh et des mélanges de ceux-ci ; c) une étape de chauffage à une température efficace pour obtenir la formation d'une couche comprenant du siliciure de nickel éventuellement sous forme de monosiliciure de nickel NiSi ; d) une étape d'incorporation de fluor dans ladite couche obtenue en c) ; et e) éventuellement une étape de chauffage à une température efficace pour transformer la couche mentionnée en c) intégralement en siliciure de nickel NiSi. Ainsi, grâce à cette séquence d'étapes, l'on résout ainsi les problèmes liés à : - la transformation du film de NiSi en agglomérats lorsque le film est exposé à des températures élevées (par exemple, de l'ordre de 700°C) grâce notamment à l'ajout d'un élément choisi parmi W, Ti, Ta, Mo et Cr) ; - la transformation de NiSi en NiSi2 lorsque le film est exposé à des températures élevées (par exemple, de l'ordre de 700°C) grâce notamment à l'ajout d'un élément décalant la température de germination de NiSi2 vers des températures plus élevées que celles existant en l'absence d'un tel élément, cet élément étant choisi parmi Pt, Pd et Rh et les mélanges de ceux-ci ; - l'augmentation de résistance du film du fait de l'incorporation des deux types d'éléments susmentionnés, grâce à l'ajout d'un élément (en 7 particulier, le fluor) permettant de compenser une telle augmentation de résistance. Il importe que la séquence d'étapes du procédé susmentionné soit respectée de sorte à ce que les effets de chacun des éléments mentionnés ci-dessus soient remplis. Il ne pouvait être déduit d'emblée que l'introduction dans NiSi des espèces susmentionnées puissent conférer les avantages mentionnés ci-dessus. En effet, le comportement de plusieurs espèces, en quantité minoritaire, dans un système reste difficile à prévoir, car l'introduction d'espèces dans un système modifie l'équilibre thermodynamique de celui-ci. A titre d'exemple, ce phénomène est très bien illustré par l'expérience de Darken, dans laquelle une même quantité de carbone est initialement présente dans les deux phases du couple Fe(C)/FeSi(C). Alors que le système semble être à l'équilibre, le carbone se redistribue de façon non uniforme entre les deux phases du à la présence de silicium. Ainsi la première étape du procédé consiste à incorporer sur une partie de l'épaisseur d'un substrat en silicium un élément choisi parmi W, Ti, Ta, Mo, Cr et les mélanges de ceux-ci. Par substrat en silicium, on entend un substrat comprenant des zones en silicium, cela n'excluant pas le fait que ce substrat puisse contenir des zones qui ne soient pas en silicium, tel que des zones isolantes, par exemple en oxyde de silicium. Le substrat en silicium peut correspondre, par exemple, lorsque le procédé est mis en oeuvre dans 8 le cadre de réalisation d'un transistor MOS, au canal, à la source et/ou au drain dudit transistor, qui sont tous en silicium. L'étape d'incorporation de l'élément susmentionné a) peut se faire classiquement par implantation ionique. De façon pratique, dans le cas de l'implantation ionique, l'on soumet le substrat en silicium à un faisceau d'ions d'un élément choisi parmi W, Ti, Ta, Mo, Cr et les mélanges de ceux-ci de sorte à ce que les éléments pénètrent dans l'épaisseur du substrat en silicium. Par cette technique, il est possible de régler la quantité d'éléments à incorporer dans l'épaisseur du substrat en silicium en réglant le courant d'ions ainsi que la profondeur de pénétration desdits ions dans l'épaisseur dudit substrat en réglant la tension d'accélération. L'énergie d'implantation sera réglée en fonction de l'élément que l'on souhaite implanter et l'épaisseur de silicium que l'on souhaite traiter. A titre d'exemple, la dose sera fixée de 5.1013 at/cm2 à 1.1015 at/cm2 pour une épaisseur de 20 nm à implanter. Typiquement, l'épaisseur du substrat de silicium sur laquelle doit être incorporé l'élément susmentionné est celle correspondant à l'épaisseur de couche de monosiliciure SiNi que l'on souhaite obtenir, cette épaisseur pouvant aller classiquement de 10 nm à 40 nm. La teneur en élément est choisie classiquement de sorte à éviter tout démouillage du siliciure formé par rapport au silicium, cette teneur 9 ne devant toutefois pas être trop importante pour ne pas trop dégrader la résistivité du monosiliciure de nickel NiSi qui sera formé et sa résistance de contact avec le silicium sous-jacent. L'élément incorporé dans la première étape a) sera présent avantageusement en une teneur allant de 0,05% à 1% atomique par rapport au nombre total d'atomes de silicium du substrat. Avantageusement, l'élément incorporé dans la première étape est l'élément tungstène. Une fois l'étape a) réalisée, le procédé de l'invention peut comprendre, avant la mise en oeuvre de l'étape de dépôt b), une étape de nettoyage de la surface du substrat. Le but du nettoyage est d'enlever l'oxyde de silicium SiO2, qui recouvre, le cas échéant, la surface de silicium, la présence de cet oxyde étant susceptible de bloquer la siliciuration. Il peut s'agir soit d'un oxyde natif soit d'un oxyde déposé avant les étapes d'implantation ionique. Après l'éventuelle étape de nettoyage ou lorsque le nettoyage n'est pas nécessaire, après l'étape d'incorporation a), le procédé de l'invention comprend une étape de dépôt d'une couche de nickel et d'une couche d'un élément choisi parmi Pt, Pd, Rh et des mélanges de ceux-ci ou d'une couche comprenant à la fois du nickel et un élément choisi parmi Pt, Pd, Rh et des mélanges de ceux-ci. L'élément nickel est l'élément qui est destiné à entrer dans la constitution du siliciure de nickel NiSi. 10 L'élément choisi parmi Pt, Pd, Rh et les mélanges de ceux-ci est destiné à stabiliser la phase NiSi lorsqu'elle sera formée, notamment à éviter d'une part la formation de NiSi2 lorsque la couche de NiSi sera soumise à des températures élevées (telles qu'une température de 700°C), l'inconvénient de NiSi2 étant à la fois de présenter une forte résistivité et de nécessiter une forte consommation de silicium (plus d'une fois et demi que NiSi) et d'autre part, l'agglomération de NiSi. Que ce soit selon le mode où le dépôt se fait par le biais de deux couches distinctes ou le mode où le dépôt se fait par le biais d'une seule couche comprenant les deux éléments, l'élément Ni représentera avantageusement au moins 90% atomique(à savoir au moins 90% du total des atomes comprenant Ni, les éléments déposés Pd, Pt, Rh ou les mélanges de ceux-ci), tandis que l'élément choisi parmi Pd, Pt, Rh ou les mélanges de ceux-ci représentera avantageusement au plus 10% atomique par rapport au nombre total d'atomes (à savoir au plus 10% du total des atomes comprenant Ni, les éléments déposés Pd, Pt, Rh ou les mélanges de ceux-ci). Le dépôt des deux couches ou d'une seule couche lorsque celle-ci comprend les deux éléments peut être effectué par tout type de techniques de dépôt de couche métallique. A titre d'exemple, on peut citer : - le dépôt chimique en phase vapeur (connue sous l'abréviation CVD) ; - la pulvérisation cathodique ; 11 - l'évaporation sous faisceau d'électrons. L'étape de dépôt sera réalisée, avantageusement, à une température inférieure à 100°C, en vue notamment d'éviter lors du dépôt la formation prématurée de siliciure. L'épaisseur de la couche ou des couches peut aller de 1 nm à 100 nm, de préférence, de 5 à 20 nm. Ensuite, le procédé de l'invention comprend une étape de chauffage à une température efficace afin que le nickel puisse réagir avec le silicium pour former un siliciure de nickel dont au moins une partie peut être du monosiliciure de nickel. Sans être lié par la théorie, lors de cette étape, l'élément choisi parmi W, Ti, Ta, Mo, Cr et les mélanges de ceux-ci, peu soluble dans le siliciure en train de se former est repoussé au niveau des joints de grains du siliciure assurant ainsi, par effet mécanique, une meilleure tenue du siliciure. Au terme de ce premier traitement thermique, le siliciure formé peut être un mélange de NiSi et d'autres siliciures plus riches en nickel. L'étape de chauffage peut être réalisée par un procédé thermique dit rapide (connu également par l'expression anglaise � Rapid Thermal Processing � et l'abréviation RTP). Comme type particulier de procédé thermique dit rapide, on peut citer le recuit thermique sous lampe (correspondant à l'expression anglaise � lamp- based Rapid Thermal Annealing RTA), dont la durée de traitement est généralement de quelques dizaines de 12 secondes à quelques minutes, un recuit de type spike RTA ou flash RTA. Ces recuits ultra-rapides correspondent à des durées de traitement de l'ordre de quelques secondes dans le cas du recuit du type � spike � à quelques millisecondes dans le cas du recuit du type � flash �. Avantageusement, l'étape de chauffage est réalisée sous une atmosphère comprenant un gaz inerte, tel que l'argon Ar ou l'azote N2. Cette étape de chauffage peut être réalisée à une température allant de 200 à 600°C, par exemple pendant une durée allant de quelques fractions de secondes (notamment lorsque le chauffage est réalisé par recuit spike) à 10 minutes pour des épaisseurs de couches métalliques de 1 nm à 100 nm. Le plus souvent, l'épaisseur des couches métalliques varie de 5 nm à 15 nm, la température de 300 à 450°C et la durée de 30 secondes à 2 minutes. Sur le substrat sur lequel sont déposées les couches métalliques et lorsque ce substrat comporte des zones autres que des zones en silicium, telles que des zones diélectriques en oxyde métallique, il se peut qu'il subsiste, lorsque l'étape de chauffage est achevée, du métal n'ayant pas réagi sur lesdites zones autres que les zones en silicium. Dans ce cas, le procédé de l'invention peut comporter une étape de retrait dudit métal desdites zones, cette étape de retrait pouvant consister à mettre en contact le substrat avec une solution apte à éliminer sélectivement le métal par rapport au siliciure formé. 13 A titre d'exemple, lorsque le substrat comporte des zones en silicium sur lequel une couche de siliciure de nickel a été formée et des zones en silice recouvertes d'une couche métallique (Pd+Ni) n'ayant pas réagi, l'étape de retrait peut consister à mettre en contact le substrat avec une solution permettant de graver sélectivement le métal par rapport au siliciure. Dans le cas du nickel, on utilise généralement un mélange H2SO4/H2O2/H2O. Une fois le siliciure formé lors de l'étape de chauffage susmentionnée, le procédé de l'invention comprend une étape d'incorporation de fluor dans la couche de siliciure formée. Cet élément de fluor est important pour compenser l'altération de la résistivité et de la résistance de contact générée par l'addition des éléments métalliques, tels que W et Pt. L'adjonction de fluor dans la couche de siliciure présente un double effet : - une diminution de la résistivité du siliciure de nickel NiSi formé ; - une stabilisation du NiSi formé. Cette étape d'incorporation est réalisée classiquement par implantation ionique de fluor. Avantageusement, la quantité intégrale de fluor implanté doit être contenue dans la couche de siliciure. Ainsi, l'énergie d'implantation sera fixée de telle sorte à ce que le fluor soit cantonné uniquement dans la couche de siliciure. La dose d'implantation peut être dans la gamme allant de 1.1013 à 1.1015 at.cm2. 14 Enfin, le procédé de l'invention peut comprendre, lorsque la première étape de chauffage n'a pas été suffisante pour transformer la couche intégralement en monosiliciure de nickel NiSi, une seconde étape de chauffage, à une température de chauffage efficace pour transformer l'intégralité de la couche de siliciure en monosiliciure de nickel NiSi. Qui plus est, cette étape de chauffage peut contribuer à supprimer les défauts générés par l'implantation de fluor (tels qu'une amorphisation), lors de l'étape précédente et à distribuer uniformément le fluor dans la couche de siliciure. Comme pour la première étape de chauffage, l'étape de chauffage peut être réalisée par un procédé thermique dit rapide (connu également par l'expression anglaise � Rapid Thermal Processing � et l'abréviation RTP). Comme type particulier de procédé thermique dit rapide, on peut citer le recuit thermique sous lampe (correspondant à l'expression anglaise � lampbased Rapid Thermal Annealing RTA) ou un recuit spike, tels que décrits ci-dessus pour la première étape de chauffage. Avantageusement, l'étape de chauffage est réalisée sous une atmosphère comprenant un gaz inerte, tel que l'argon Ar ou l'azote N2. Cette étape de chauffage peut être réalisée à une température allant de 350°C à 600°C, par exemple pendant une durée allant de quelques fractions de secondes (notamment lorsque le chauffage est réalisé par recuit spike) à 10 minutes pour des épaisseurs de couches métalliques de 1 nm à 100 nm. Le plus souvent, 15 l'épaisseur des couches métalliques varie de 5 nm à 15 nm, la température de 300 à 450°C et la durée de 30 secondes à 2 minutes. Généralement, la température appliquée lors de cette seconde étape de chauffage sera supérieure à celle appliquée lors de la première étape. L'invention a aussi trait à une couche de monosiliciure de nickel NiSi sur un substrat en silicium susceptible d'être obtenue par un procédé tel que défini précédemment, ladite couche comprenant : - un élément choisi parmi W, Ti, Ta, Mo, Cr et les mélanges de ceux-ci ; - un élément choisi parmi Pd, Pt, Rh et des mélanges de ceux-ci ; et - du fluor ; cette couche pouvant présenter une épaisseur allant de 10 nm à 40 nm. L'élément choisi parmi W, Ti, Ta, Mo, Cr et les mélanges de ceux-ci est présent, avantageusement en une teneur allant de 0,05 à 1% atomique par rapport au nombre total d'atomes de Si du substrat. D'autres éléments caractéristiques des couches déjà décrits dans le cadre du procédé de réalisation sont également valables dans ce cas de figure. Comme annoncé précédemment, les couches de siliciures obtenues selon le procédé de l'invention revêtent des zones en silicium et peuvent ainsi trouver leur application dans des dispositifs électroniques, tels que des dispositifs électroniques comportant des zones semi-conductrices en silicium, tels que les transistors MOS. 16 Ainsi, l'invention peut avoir trait à un procédé de fabrication d'un dispositif électronique comprenant au moins une zone en silicium comprenant successivement : - une étape de réalisation des éléments constitutifs dudit dispositif, l'un au moins desdits éléments constitutifs étant en silicium ; - une étape de dépôt sur chaque élément constitutif en silicium d'une couche de siliciure, laquelle est obtenue par la mise en oeuvre du procédé tel que défini ci-dessus. Le dispositif électronique peut être un transistor MOS comportant des zones en silicium, tel que le drain, la source, la grille. L'invention a trait également à un dispositif électronique comprenant au moins un élément constitutif en silicium, ledit élément étant recouvert d'une couche en monosiliciure de nickel NiSi susceptible d'être obtenue par un procédé tel que défini ci-dessus, ladite couche comprenant : - un élément choisi parmi W, Ti, Ta, Mo, Cr et les mélanges de ceux-ci ; - un élément choisi parmi Pd, Pt, Rh et des mélanges de ceux-ci ; et - du fluor, ce dispositif pouvant être un transistor MOS, auquel cas les éléments constitutifs en silicium recouverts d'une couche en monosiliciure de nickel NiSi telle que définie ci-dessous sont la source, le drain et la grille. 17 Un exemple de transistor est représenté sur la figure 1, comprenant respectivement : - un substrat en silicium 1 ; - une source et un drain respectivement numérotés 3 et 5 ; - une grille 7 ; - des espaceurs 9 ; - des couches de siliciure déposées respectivement sur la source, le drain et la grille, lesdites couches étant numérotées respectivement 11, 13 et 15. Du fait des caractéristiques des couches de siliciure obtenues par le procédé de l'invention, le procédé de l'invention peut être mis en oeuvre dans le cadre de dispositifs plus complexes, tels que des dispositifs comportant plusieurs niveaux de composants électroniques, tels que des composants transistor MOS. Ainsi l'invention a trait aussi à un circuit intégré tridimensionnel de type MOS comprenant : * un premier niveau comportant au moins un transistor de type n-MOS formé dans une couche semi-conductrice en silicium ; * des couches de monosiliciure de nickel NiSi sur les parties en silicium dudit transistor, lesdites parties étant la source, le drain et la grille, ladite couche de monosiliciure de nickel NiSi étant susceptible d'être obtenue par un procédé tel que défini précédemment, ladite couche comprenant : - un élément choisi parmi W, Ti, Ta, Mo, Cr et les mélanges de ceux-ci ; 18 - un élément choisi parmi Pd, Pt, Rh et des mélanges de ceux-ci ; et - du fluor ; et * un second niveau sur ledit premier niveau comprenant une couche semi-conductrice en germanium comprenant au moins un transistor de type p-MOS. Un exemple de tel circuit est représenté sur la figure 2, ce circuit comprenant : - un substrat en silicium 17 ; - un couche d'oxyde enterré 19 déposé sur une face dudit substrat ; - un niveau inférieur 21 comprenant un transistor MOS comprenant respectivement un substrat en silicium orienté (001) 23, une source et un drain respectivement numérotés 25 et 27, une grille 29, des espaceurs 31 et des couches de siliciure déposées respectivement sur la source, le drain et la grille, lesdites couches étant numérotées respectivement 33, 35 et 37 ; - un niveau supérieur 39 surmontant le niveau inférieur 21, ledit niveau supérieur comprenant un transistor MOS comprenant respectivement un substrat en germanium orienté (001) 41, une source, un drain et une grille respectivement numérotés 43, 45 et 47 ; - des interconnections métalliques 49 reliant les deux niveaux. Les couches de siliciures obtenues conformément au procédé de l'invention sont aptes à subir, sans dégradation, les budgets thermiques nécessaires à la réalisation du deuxième niveau (ou niveau supérieur). En effet, une fois le premier niveau 19 (ou niveau inférieur) achevé, le siliciure formé sur les parties en silicium du premier niveau subit tous les traitements thermiques des différentes étapes permettant la réalisation du second niveau (telles que le dépôt épitaxié de germanium à au moins 650°C pendant au moins 5 minutes). Avec des siliciures tels qu'obtenus avec les procédés de l'art antérieur, il s'ensuivait un démouillage de la couche de siliciure et/ou la formation de NiSi2, engendrant une augmentation de la résistivité et de la résistance de contact, ce qui dégradait considérablement les performances des transistors. Enfin l'invention a trait aussi à un procédé de fabrication d'un circuit intégré tridimensionnel de type MOS tel que défini précédemment, à savoir comportant des transistors de conductivité différentes, lesdits transistors étant formés respectivement dans des première et seconde couches semi-conductrices superposées, comprenant successivement : - une étape de fabrication d'un premier niveau comportant au moins un transistor de type n-MOS formé dans une couche semi-conductrice en silicium ; - une étape de dépôt d'une couche de monosiliciure de nickel sur les parties en silicium dudit transistor, lesdites parties étant la source, le drain et la grille, ladite couche de monosiliciure de nickel étant obtenue par la mise en oeuvre du procédé tel que défini ci-dessus ; - une étape de transfert sur le premier niveau d'une couche semi-conductrice en germanium, 20 constituant ainsi un second niveau sur ledit premier niveau ; - une étape de fabrication dans ledit second niveau d'au moins un transistor de type p-MOS dans la couche semi-conductrice en germanium. Hormis l'étape de dépôt de la couche de siliciure, les étapes de procédé se déroulent d'une façon similaire à celles décrites dans FR 2 896 620, incorporée ici par référence. Le premier niveau comporte des transistors de type n-MOS, formés dans une première couche semi-conductrice en silicium, celle-ci ayant, de préférence, une orientation adaptée à la fabrication de transistor de type n-MOS. Le premier niveau peut comporter une couche diélectrique déposée sur ledit transistor. Le deuxième niveau déposé sur le premier niveau (entre lesquelles s'intercale, éventuellement, la couche diélectrique susmentionnée) comporte des transistors du type p-MOS formés dans une seconde couche semi-conductrice et recouverts, éventuellement, par une couche diélectrique. La seconde couche semi-conductrice est généralement en germanium ayant une orientation adaptée à la fabrication de transistor de type p-MOS. Les transistors sont réalisés classiquement respectivement dans la couche de silicium pour les transistors n-MOS et dans la couche de germanium pour les transistors p-MOS. Cette réalisation comporte les étapes suivantes . 21 - gravure de la couche de silicium ou germanium pour délimiter le canal du transistor ; - réalisation de la source et du drain disposés de part et d'autre du canal et en contact électrique avec celui-ci ; - dépôt d'une grille de contrôle disposée au-dessus du canal et séparée au moins de celui-ci par un diélectrique de contrôle et une grille flottante et, éventuellement un diélectrique tunnel ; - réalisation d'espaceurs par dépôt de diélectrique, lesdits espaceurs flanquant les faces de l'empilement diélectrique tunnel-grille flottante- diélectrique de contrôle-grille de contrôle ; - dopage par implantation ionique avec des dopants n (tels que As, P) pour les transistors n-MOS et avec des dopants p (tels que B) pour les transistors p-MOS. L'étape de transfert de la couche semi-conductrice de germanium peut se faire par collage moléculaire et amincissement ou par le procédé Smart Cut� (implantation d'hydrogène, collage et détachement). Lorsque les niveaux comportent plusieurs transistors, lesdits transistors sont reliés électriquement par l'intermédiaire de vias, qui peuvent être réalisés par gravure sèche. De même, les transistors appartenant à des niveaux différents peuvent être reliés électriquement par le biais de vias verticaux, qui, outre le fait d'interconnecter directement les parties à connecteur de deux transistors distincts, permettent aussi la connexion de 22 ceux-ci à d'autres éléments du circuit le cas échéant, ces nias pouvant être réalisés par gravure sèche. Comme mentionné ci-dessus, l'élément fluor contribue à abaisser la résistance de film de la couche de monosiliciure de nickel NiSi, laquelle est augmentée par la présence conjointe d'un élément choisi parmi W, Ti, Ta, Mo, Cr et les mélanges de ceux-ci et d'un élément choisi parmi Pd, Pt, Rh et des mélanges de ceux-ci. C'est pourquoi l'invention a également trait à l'utilisation de l'élément fluor pour diminuer la résistance de film d'une couche en monosiliciure de nickel NiSi comprenant à la fois un élément choisi parmi W, Ti, Ta, Mo, Cr et les mélanges de ceux-ci et un élément choisi parmi Pd, Pt, Rh et des mélanges de ceux-ci. L'invention va maintenant être décrite par rapport à l'exemple ci-dessous donné à titre illustratif et non limitatif. BRÈVE DESCRIPTION DES DESSINS La figure 1 représente une vue en coupe d'un transistor MOS comprenant sur certaines parties de celui-ci une couche de siliciure obtenu par le procédé de l'invention. La figure 2 représente une vue en coupe d'un dispositif comprenant un premier niveau comprenant un transistor n-MOS et comprenant un second niveau comprenant un transistor p-MOS. La figure 3 est un graphique illustrant la résistance de film R de NiSi (en Q/carré symbolisé Q/sq) en fonction du temps t (en min) appliqué pour 23 différentes températures de recuit (respectivement 550°C pour la courbe a, 600°C pour la courbe b, 650°C pour la courbe c, et 700°C pour la courbe d). Les figures 4a et 4b sont des graphiques représentant l'évolution de la résistance de film R (en Q/carré symbolisé Q/sq) en fonction du temps t (en min) à 600°C pour différents films NiSi (courbes a), NiSi+F (courbes b), NiSi+W (courbes c) et NiSi+W+F (courbes d). Les figures 5a et 5b sont des graphiques représentant l'évolution de la résistance de film R (en Q/carré symbolisé Q/sq) en fonction du temps t (en min) à 650°C pour différents films : - NiSi (courbe a), NiSi+F (courbe b), NiSi+W (courbe c) et NiSi+W+F (courbe d) pour la figure 5a ; - Ni(Pt)Si (courbe a), W+Ni(Pt)Si (courbe b) et W+Ni(Pt)Si+F (courbe c) pour la figure 5b. EXPOSÉ DÉTAILLÉ DE MODES DE RÉALISATION PARTICULIERS EXEMPLE Cet exemple illustre la préparation d'une couche de NiSi selon un mode de réalisation du procédé de l'invention, la préparation comprenant les étapes suivantes . - dépôt d'une couche d'oxyde thermique sur une plaque de silicium, afin de limiter les effets des impacts ioniques de la dose de W à une épaisseur de 20 nm ; - incorporation de tungstène W dans un substrat en silicium par implantation ionique à raison de 5.1014 at/cm2 à une énergie de 60 keV, de sorte à 24 circonscrire le tungstène sur une épaisseur sensiblement égale à 20 nm, ce qui correspond à une concentration inférieure à 0,5% atomique de W dans le silicium; - le retrait de la couche d'oxyde thermique protecteur ; - un dépôt successif sur le silicium d'une couche métallique par pulvérisation cathodique (PVD) de Ni et de Pt, la teneur de platine par rapport au nickel étant proche de 8% atomique; - une étape de traitement thermique sous atmosphère contrôlée et inerte par RTA à une température proche de 450°C durant 60 secondes ; - une incorporation de fluor par implantation dans le siliciure formé après traitement thermique, de sorte à ce que la dose de F soit de 1.1015 at/cm2 à une énergie de 7 KeV, ce qui confine toute la dose de F dans la couche de siliciure ; - une étape de traitement thermique à différentes températures (650°C et 700°C), les échantillons ainsi traités étant soumis ensuite à une mesure de résistance de film. Les essais ont été réalisés en pleine plaque, préalablement implantées par du As, afin de simuler les conditions rencontrées dans le cadre d'un transistor n-MOS. Cette pré-implantation permet notamment de vérifier si des interactions non désirées se produisent entre le dopant (As) et les éléments additionnels, à savoir ici le Ni, le Pt et le F. A titre comparatif, les mêmes mesures ont été réalisées pour des échantillons n'ayant subi qu'une 25 implantation W et/ou F sans Pt dans Ni(figures 4a-4b et 5a) et avec présence de Pt dans Ni (figures 5b). Ainsi, les figures 4a, 4b sont des graphiques représentant l'évolution de la résistance de film R (en Q/carré) en fonction du temps t (en min) à 600°C pour différents films NiSi (courbes a), NiSi+F (courbes b), NiSi+W (courbes c) et NiSi+W+F (courbes d), la figure 4b représentant un zoom en ordonnée de la courbe 4a. Les figures 5a et 5b sont des graphiques représentant l'évolution de la résistance de film R (en Q/carré) en fonction du temps t (en min) à 650°C pour différents films : - NiSi (courbe a), NiSi+F (courbe b), NiSi+W (courbe c) et NiSi+W+F (courbe d) pour la figure 5a ; - Ni(Pt)Si (courbe a), W+Ni(Pt)Si (courbe b) et W+Ni(Pt)Si+F (courbe c). De ces courbes, on peut déduire que l'élément W apporte une stabilité aux films dans lequel il est incorporé, lorsque ce film est soumis à des températures égales à 600°C, même après un recuit d'une heure et demi (voir courbes c pour figures 4a et 4b par rapport aux courbes a et b de ces mêmes figures). L'ajout combiné de W et Pt contribue à augmenter la résistance de film (à comparer la courbe a de la figure 5a à t=0 avec la courbe b de la figure 5b à t=0). F contribue à diminuer la résistance de film (voir courbes c et d de la figure 4b et courbes b et c de la figure 5b). 26 A 650°C (figure 5a), on peut constater une dégradation de la résistance de film, du fait que probablement le film NiSi s'agglomère et de la transformation d'une partie de NiSi en NiSi2. L'apport de platine devient donc nécessaire à partir de 650°C (figure 5b). L'effet cumulé de W et Pt stabilise NiSi (courbe b) mais la présence cumulée contribue à donner un film de résistance de film élevée. La présence de F contribue à abaisser la résistance de film à des valeurs attractives tout en conservant la stabilité de film induite par l'action combinée de W et Pt (courbe c). REVENDICATIONS1. Procédé de fabrication d'une couche de monosiliciure de nickel NiSi sur un substrat en silicium comprenant successivement les étapes suivantes . a) une étape d'incorporation sur une partie de l'épaisseur dudit substrat en silicium d'un élément choisi parmi W, Ti, Ta, Mo, Cr et les mélanges de ceux- ci ; b) une étape de dépôt sur ledit substrat implanté d'une couche de nickel et d'une couche d'un élément choisi parmi Pt, Pd, Rh et des mélanges de ceux-ci ou d'une couche comprenant à la fois du nickel et un élément choisi parmi Pt, Pd, Rh et des mélanges de ceux-ci ; c) une étape de chauffage à une température efficace pour obtenir la formation d'une couche comprenant du siliciure de nickel éventuellement sous forme de monosiliciure de nickel NiSi ; d) une étape d'incorporation de fluor dans ladite couche obtenue en c) ; et e) éventuellement une étape de chauffage à une température efficace pour transformer la couche mentionnée en c) intégralement en monosiliciure de nickel NiSi. 2. Procédé selon la revendication 1, dans lequel l'étape d'incorporation a) est réalisée par implantation ionique. 28 3. Procédé selon la revendication 1 ou 2, dans lequel l'étape d'incorporation est réalisée sur une épaisseur du substrat allant de 10 nm à 40 nm. 4. Procédé selon l'une quelconque des revendications précédentes, dans lequel l'élément incorporé de l'étape a) est présent en une teneur allant de 0,05 à 1% atomique par rapport au nombre total d'atomes du silicium du substrat. 5. Procédé selon l'une quelconque des revendications précédentes, dans lequel l'élément incorporé dans l'étape a) est le tungstène. 6. Procédé selon l'une quelconque des revendications précédentes, dans lequel le nickel représente au moins 90% atomique du total des atomes de nickel et des éléments choisis parmi Pd, Pt, Rh et les mélanges de ceux-ci. 7. Procédé selon l'une quelconque des revendications précédentes, dans lequel l'étape b) est réalisée à une température inférieure à 100°C. 8. Procédé selon l'une quelconque des revendications précédentes, dans lequel l'étape de chauffage c) est réalisée à une température allant de 200 à 600°C. 9. Procédé selon l'une quelconque des revendications précédentes, dans lequel l'étape 29 d'incorporation du fluor est réalisée par implantation ionique. 10. Couche de monosiliciure de nickel NiSi sur un substrat en silicium susceptible d'être obtenue par un procédé tel que défini selon l'une quelconque des revendications 1 à 9, ladite couche comprenant : - un élément choisi parmi W, Ti, Ta, Mo, Cr et les mélanges de ceux-ci ; - un élément choisi parmi Pd, Pt, Rh et des mélanges de ceux-ci ; et - du fluor. 11. Couche selon la revendication 10, dans lequel l'élément choisi parmi W, Ti, Ta, Mo, Cr et les mélanges de ceux-ci est présent en une teneur allant de 0,05 à 1% atomique par rapport au nombre total d'atomes de silicium du substrat. 12. Couche selon la revendication 10 ou 11, présentant une épaisseur allant de 10 nm à 40 nm. 13. Couche selon l'une quelconque des revendications 10 à 12, dans lequel le nickel du monosiliciure de nickel représente au moins 90% atomique du total des atomes de nickel et des éléments choisis parmi Pd, Pt, Rh et les mélanges de ceux-ci. 14. Procédé de fabrication d'un dispositif électronique comprenant au moins une zone en silicium comprenant successivement : 30 - une étape de réalisation des éléments constitutifs dudit dispositif, l'un au moins desdits éléments constitutifs étant en silicium ; - une étape de dépôt sur chaque élément constitutif en silicium d'une couche de monosiliciure de nickel NiSi, laquelle est obtenue par la mise en oeuvre du procédé tel que selon l'une quelconque des revendications 1 à 9. 15. Procédé selon la revendication 14, dans lequel le dispositif est un transistor MOS. 16. Dispositif électronique comprenant au moins un élément constitutif en silicium, ledit élément étant recouvert d'une couche en monosiliciure de nickel NiSi susceptible d'être obtenue par un procédé tel que défini selon l'une quelconque des revendications 1 à 9, ladite couche comprenant : - un élément choisi parmi W, Ti, Ta, Mo, Cr et les mélanges de ceux-ci ; - un élément choisi parmi Pd, Pt, Rh et des mélanges de ceux-ci ; et - du fluor. 17. Dispositif électronique selon la revendication 16, qui est un transistor MOS, lesdits éléments constitutifs en silicium recouverts en monosiliciure de nickel telle que définie à la revendication 16 étant la source, le drain et la grille. 31 18. Procédé de fabrication d'un circuit intégré tridimensionnel de type MOS comportant des transistors de conductivité différentes, lesdits transistors étant formés respectivement dans des première et seconde couches semi-conductrices superposées, comprenant successivement : - une étape de fabrication d'un premier niveau comportant au moins un transistor de type n-MOS formé dans une couche semi-conductrice en silicium ; - une étape de dépôt d'une couche de monosiliciure de nickel sur les parties en silicium dudit transistor, lesdites parties étant la source, le drain et la grille, ladite couche de monosiliciure de nickel NiSi étant obtenue par la mise en oeuvre du procédé tel que selon l'une quelconque des revendications 1 à 9 ; - une étape de transfert sur le premier niveau d'une couche semi-conductrice en germanium, constituant ainsi un second niveau sur ledit premier niveau ; - une étape de fabrication dans ledit second niveau d'au moins un transistor de type p-MOS dans la couche semi-conductrice en germanium. 19. Circuit intégré tridimensionnel de type MOS comprenant : * un premier niveau comportant au moins un transistor de type n-MOS formé dans une couche semi-conductrice en silicium ; * des couches de monosiliciure de nickel NiSi sur les parties en silicium dudit transistor, 30 32 lesdites parties étant la source, le drain et la grille, ladite couche de monosiliciure de nickel NiSi étant susceptible d'être obtenue par un procédé tel que défini selon l'une quelconque des revendications 1 à 9, ladite couche comprenant : - un élément choisi parmi W, Ti, Ta, Mo, Cr et les mélanges de ceux-ci ; - un élément choisi parmi Pd, Pt, Rh et des mélanges de ceux-ci ; et - du fluor ; et * un second niveau sur ledit premier niveau comprenant une couche semi-conductrice en germanium comprenant au moins un transistor de type p-MOS. 20. Utilisation de l'élément fluor pour diminuer la résistance de film d'une couche en monosiliciure de nickel NiSi comprenant à la fois un élément choisi parmi W, Ti, Ta, Mo, Cr et les mélanges de ceux-ci et une élément choisi parmi Pd, Pt, Rh et des mélanges de ceux-ci.