FR 2935538 A1 20100305 FR 0855852 A 20080901 1 SUBSTRAT POUR COMPOSANT ÉLECTRONIQUE OU ÉLECTROMÉCANIQUE ET NANOELEMENTS DESCRIPTION DOMAINE TECHNIQUE La présente invention concerne les dispositifs électroniques ou électromécaniques avec nanoéléments. Plus particulièrement, elle propose un substrat pour au moins un composant électronique ou électromécanique et un ou plusieurs nanoéléments, ce substrat étant une structure multicouche. ÉTAT DE LA TECHNIQUE ANTÉRIEURE Les nanoéléments sont utilisés par exemple dans la réalisation de dispositifs électroniques. Ils sont généralement obtenus par croissance catalytique CVD, qui est l'abréviation anglaise de � Chemical Vapor Deposition �, soit en français � dépôt chimique en phase vapeur �. Leurs propriétés notamment électroniques et/ou électromécaniques permettent de construire des dispositifs électroniques ou électromécaniques très performants, comme des transistors CMOS, des interconnexions ou des actionneurs. Dans la technique antérieure, il est connu des structures multicouches permettant la croissance des nanoéléments. Elles sont généralement formées d'un support de base qui peut être dans un matériau semi-conducteur, par exemple du silicium monocristallin, recouvert d'une couche catalytique ou d'un empilement 2 de couches dont une au moins est catalytique, généralement à base de métaux, à partir de laquelle vont croître les nanoéléments, généralement en silicium ou en carbone. Par la suite on désignera par � système catalytique�, la couche catalytique ou l'empilement de couches dont une au moins est catalytique pour la croissance de nanoéléments. Une telle structure est incluse dans la description du document US 2007/0045691A, elle est illustrée en figure 1. Elle est formée d'une couche isolante 102 en oxyde de silicium (SiO2), reposant sur un support de base 101 en silicium et d'un système catalytique 103 sus-jacent à la couche d'oxyde 102. Ce système catalytique 103 permet la croissance de nanoéléments 104, en l'occurrence des nanotubes. Pour séparer les groupes de nanoéléments 104 entre eux, on a formé des éléments isolants 105 qui délimitent des caissons 107. Chaque groupe de nanoéléments se trouve dans un caisson. Ces éléments isolants 105 servent de support à une électrode multicouche 106. Cette électrode 106 est celle d'un composant électronique déporté tel un dispositif mémoire (non représenté), généralement réalisé dans une zone du substrat 101 juxtaposée à la zone décrite à la figure 1 : ces deux zones sont connectées électriquement par l'électrode 106. Cette structure présente l'inconvénient majeur de ne pas disposer les nanoéléments et le composant électronique à proximité immédiate l'un de l'autre, ce qui génère des problèmes de compacité et par là des problèmes de capacité et de résistance 3 parasites de connexion. Mais si le système catalytique et le composant électronique étaient disposés à proximité immédiate, ils pourraient interagir et se détériorer mutuellement ou bien le système catalytique pourrait perturber le fonctionnement du composant électronique. EXPOSÉ DE L'INVENTION La présente invention a pour but de réaliser un substrat permettant la croissance d'un ou plusieurs nanoéléments et la mise en place d'au moins un composant électronique ou électromécanique, qui ne présente pas les inconvénients de l'art antérieur, à savoir notamment, le risque d'interaction entre le matériau catalytique et le composant électronique ou électromécanique pouvant conduire à leur détérioration mutuelle. En effet, un risque est que le système catalytique peut être dégradé, à cause des traitements physiques et chimiques que subit la structure au cours des étapes de fabrication du composant. Or, pour une croissance performante des nanoéléments, ce système catalytique doit être de bonne qualité. Les contraintes exercées sur la structure au cours du procédé de fabrication ne doivent pas l'altérer. Un autre risque provient du fait que les dispositifs catalytiques sont généralement contaminants pour les composants électroniques ou électromécaniques, notamment les transistors sur silicium, ce qui risque de perturber leur fonctionnement. Un but de l'invention est donc de proposer un substrat destiné à supporter au moins un composant 4 électronique ou électromécanique et un ou plusieurs nanoéléments et qui comporte un système catalytique dans lequel le système catalytique ne risque pas d'interagir avec le composant tout en jouant son rôle de façon optimale lors de la croissance des nanoéléments. Un autre but de l'invention est de proposer un substrat destiné à supporter au moins un composant électronique ou électromécanique et un ou plusieurs nanoéléments dans lequel les nanoéléments pourront être accessibles. Pour atteindre ces objectifs de performances, la présente invention propose un substrat destiné à supporter au moins un composant électronique ou électromécanique et un ou plusieurs nanoéléments, formé d'un support de base, d'un système catalytique, d'une couche barrière, et d'une couche apte à accueillir le composant électronique ou électromécanique. Le système catalytique repose sur le support de base sans contact avec la couche apte à accueillir le composant électronique ou électromécanique et la couche barrière est placée en sandwich entre le système catalytique et la couche apte à accueillir le composant électronique ou électromécanique, cette couche barrière étant sans contact avec le support de base. Le système catalytique peut être formé d'un ou de deux groupes de couches, chaque groupe comportant au moins une couche catalytique. Au moins un des groupes peut comporter en outre une couche de protection sur la couche catalytique et/ou une couche de support sous la couche catalytique. Il est possible que, lorsque le système catalytique comporte deux groupes de couches, la couche de support soit commune aux deux groupes. 5 En variante, le système catalytique peut être formé d'une couche catalytique prise en sandwich entre deux couches de support, les deux couches de support étant éventuellement prises en sandwich entre deux couches de protection. La couche catalytique peut être réalisée à base de fer, de nickel, de cobalt, ces éléments étant pris seuls ou en alliage. La couche de protection et la couche de support peuvent être réalisées dans un matériau choisi parmi Al2O3r SiN, SiC, SiON, TiN, TiO2, ou TaN. Le support de base, la couche barrière et/ou la couche apte à accueillir le composant électronique ou électromécanique peuvent être multicouches. La présente invention propose aussi un dispositif électronique ou électromécanique comportant au moins une structure comprenant un substrat ainsi caractérisé. La structure comporte en outre au moins un composant électronique ou électromécanique disposé sur ou dans la couche apte à accueillir le composant électronique ou électromécanique, au moins un caisson creusé dans le substrat mettant à nu localement le système catalytique sur lequel un ou plusieurs nanoéléments prennent appui. Le caisson peut avoir des flancs qui interrompent transversalement la couche barrière 6 laissant apparaître une tranche de la couche barrière, cette tranche contribuant à former les flancs du caisson. Il est possible que le système catalytique 5 mis à nu localement forme un fond du caisson. En variante, le caisson peut avoir des flancs qui interrompent transversalement le dispositif catalytique laissant apparaître une tranche du système catalytique, cette tranche contribuant à former les 10 flancs du caisson, le support de base, mis à nu localement, formant un fond du caisson. La structure peut comprendre, en outre, au moins un dispositif de contact logé dans un autre caisson creusé dans le substrat, le caisson des 15 nanoéléments et le caisson du dispositif de contact ayant chacun un fond, le caisson des nanoéléments et le caisson du dispositif de contact étant opposés par leurs fonds. Le dispositif électronique ou 20 électromécanique peut comporter plusieurs structures empilées les unes sur les autres. La présente invention concerne également un procédé de fabrication d'un substrat ainsi caractérisé, dans lequel : 25 .on forme le système catalytique sur le support de base; .on forme la couche barrière sur le système catalytique; .on forme la couche apte à accueillir 30 le composant électronique ou électromécanique sur la couche barrière. 7 On peut former la couche barrière et la couche apte à accueillir le composant électronique ou électromécanique à partir : . d'une part d'une première couche de collage recouvrant le support de base, lui-même recouvert du système catalytique, la première couche de collage étant sus-jacente au système catalytique ou étant une couche superficielle du système catalytique, . et d'autre part d'une deuxième couche de collage recouvrant un substrat semi-conducteur auxiliaire, ce substrat ayant subi une implantation ionique pour le fragiliser au niveau d'un plan situé à une certaine distance de l'interface entre ce substrat et la deuxième couche de collage, en assemblant le support de base et le substrat semi-conducteur auxiliaire par adhésion moléculaire de leurs couches de collage, leurs couches de collage assemblées donnant la couche barrière, puis en effectuant une fracture thermique du substrat semi-conducteur auxiliaire au niveau de l'implantation ionique, une couche du substrat semi-conducteur auxiliaire restant collée à la couche barrière suite à cette fracture donnant la couche apte à accueillir le composant électronique ou électromécanique. En variante, on peut former la couche barrière et la couche apte à accueillir le composant électronique ou électromécanique à partir . d'une part d'une première couche de collage recouvrant le support de base, lui-même recouvert du système catalytique, la première couche de 8 collage étant sus-jacente au système catalytique ou étant une couche superficielle du système catalytique, . et d'autre part d'une deuxième couche de collage recouvrant un substrat de type SOI, possédant une couche isolante électriquement prise en sandwich entre deux couches semi-conductrices d'épaisseurs différentes, la deuxième couche de collage recouvrant la couche semi-conductrice la moins épaisse, en assemblant le support de base et le substrat de type SOI par adhésion moléculaire de leurs couches de collage, leurs couches de collage assemblées donnant la couche barrière, puis en éliminant la couche semi-conductrice la plus épaisse et la couche isolante électriquement du substrat de type SOI, la couche semi-conductrice la moins épaisse du substrat de type SOI donnant la couche apte à accueillir le composant électronique ou électromécanique. BRÈVE DESCRIPTION DES DESSINS La présente invention sera mieux comprise à la lecture de la description d'exemples de réalisations donnés, à titre purement indicatif et nullement limitatif, en faisant référence aux dessins annexés, sur lesquels : la figure 1, déjà décrite, est une structure multicouche connue de l'art antérieur ; la figure 2 représente un substrat conforme à l'invention ; 9 les figures 3A à 3E représentent différents systèmes catalytiques utilisés dans le substrat de l'invention ; les figures 4A à 4D représentent différentes étapes d'un premier procédé de réalisation d'un substrat selon l'invention utilisant la technologie Smart CutTM; les figures 5A à 5D représentent différentes étapes d'un second procédé de réalisation d'un substrat selon l'invention ; les figures 6A à 6F illustrent un exemple de procédé de fabrication d'un dispositif électronique ou électromécanique suivant l'invention ; les figures 7A à 7D représentent un autre 15 exemple de procédé de réalisation d'un dispositif électronique ou électromécanique suivant l'invention. EXPOSÉ DÉTAILLÉ DE MODES DE RÉALISATION PARTICULIERS La figure 2 représente un substrat selon 20 l'invention. Il est formé d'un empilement à partir d'un support de base 301. Ce support de base 301 est de préférence en matériau semi-conducteur. Il peut être par exemple en silicium mono cristallin, en germanium ou en un mélange de ces matériaux. Sur ce support de 25 base 301 repose un système catalytique 302 pour la croissance d'un ou plusieurs nanoéléments. Ce système catalytique est généralement formé d'un ou plusieurs groupes de couches. Les nanoéléments peuvent être par exemple des nanotubes de carbone, des nanofils, des 30 nanofibres etc. Sur ce système catalytique repose une couche barrière 303. Cette couche barrière 303 est 10 généralement formée d'oxyde de silicium ou d'un oxyde métallique, comme par exemple l'oxyde d'aluminium. C'est cette couche barrière 303 qui, grâce à sa position dans l'empilement, isole le système catalytique 302, d'un composant électronique ou électromécanique, non représenté, qui sera réalisé sur et/ou dans une couche 304 superficielle apte à l'accueillir. Cette couche 304 est, par exemple, en silicium mono cristallin, en germanium ou en un mélange de ces matériaux. Cette couche 304 apte à accueillir le composant électronique ou électromécanique recouvre la couche barrière 303. Ce substrat peut être par exemple de type SOI, de l'anglais � Semiconductor On Insulator �, soit � semi-conducteur sur isolant �. Le composant non représenté peut être aussi bien un composant électronique qu'un composant électromécanique. Plus particulièrement, ce substrat peut former un substrat avec plan de masse enterré. Dans ce cas, le système catalytique forme le plan de masse, s'il présente des conditions de conduction électrique suffisantes, en plus de ses propriétés catalytiques. Ces substrats, avec plan de masse enterré, présentent un avantage vis à vis des substrats utilisés classiquement, car ils permettent d'activer plus facilement les composants électroniques qu'ils accueillent. En effet, dans ces substrats, les champs électriques appliqués restent confinés au dessus du plan de masse. Les nanoéléments peuvent alors permettre une prise de contact sur le système catalytique qui joue le rôle de plan de masse. 11 La figure 3A présente un exemple de système catalytique 400 qui peut être utilisé dans le substrat de l'invention. Il ne comporte qu'un seul groupe de couches empilées, chacune de ces couches pouvant elle même être formée d'une pluralité de sous couches. Le groupe de couches est formé d'une couche de support 401, sur laquelle repose une couche catalytique 402 pour la croissance de nanoéléments, et d'une couche de protection 403 sus jacente à la couche catalytique 402. Cette couche de protection 403 doit être retirée localement pour permettre la croissance des nanoéléments à partir de la couche catalytique 402 mise à nu. La couche de protection 403 et la couche de support 401 ont pour rôle de confiner de façon efficace la couche catalytique 402. La couche de support 401 est formée par exemple d'au moins un élément choisi parmi : Al2O3r SiN, SiC, SiON, TiN, TiO2, TaN. Son épaisseur peut être comprise entre environ 1 nm et 100 nm. On cherche à ce que la couche de support 401 et la couche catalytique 402 permettent une croissance efficace des nanoéléments. La couche catalytique 402 peut être réalisée à base de Fe, Ni ou Co, ces éléments étant pris seuls ou en alliage. Cette couche catalytique 402 a une épaisseur qui peut être comprise entre environ 0,1 nm et 10 nm. Il est possible que la couche catalytique 402 soit un multicouche, tel qu'un bicouche comme illustré sur la figure 3B. La couche de protection 403 est telle qu'il est possible de la retirer par gravure sans endommager la couche catalytique 402 lors de l'utilisation du substrat. Elle est formée par exemple d'un matériau choisi parmi : 12 Al2O3 SiN, SiC, SiON, TiN, TiO2, ou TaN. Son épaisseur peut aller de 1 à 100 nm par exemple. On cherche à ce que la couche de protection 403 et la couche de support 401 soient chimiquement et thermiquement stables pendant toutes les étapes de fabrication du substrat ainsi que lors de son utilisation. La figure 3B présente une variante du système catalytique de la figure 3A. Il a été retourné par rapport à celui de la figure 3A, ce qui permet aux nanoéléments de croître vers le bas. De plus, la couche catalytique 402 est un bicouche formé d'une première sous-couche 402.1 telle que décrite précédemment et d'une seconde sous-couche 402.2 d'intérêt pour la croissance et l'utilisation des nanoéléments. La seconde sous-couche 402.2 peut être formée par exemple, de silicium et avoir une épaisseur comprise environ entre 1 et 10 nm. La première sous-couche 402.1 se trouve du côté de la couche de protection 403 et peut être formée par exemple, de fer et avoir une épaisseur comprise environ entre 0,1 et 1 nm. La figure 3C représente un troisième mode de réalisation du système catalytique 400. Ce système catalytique possède deux groupes de couches tels que décrits à la figure 3A accolés et empilés en ordre inverse. La croissance des nanoéléments peut se faire d'un côté, de l'autre ou de part et d'autre du système catalytique selon la ou les couche(s) catalytique(s) qui aura(ont) été mise(s) à nu. Les groupes de couches sont accolés par leurs couches de support 401. Mais maintenant, les deux couches de support n'en forment plus qu'une. 13 La figure 3D illustre encore un autre mode de réalisation simplifié du dispositif catalytique de nanoéléments. Il comporte maintenant une seule couche catalytique 402 prise en sandwich entre deux couches de support 401. Optionnellement, les deux couches de support 401 peuvent être prises en sandwich entre deux couches de protection 403 comme illustré à la figure 3E. Ces deux dernières configurations permettent également la croissance de nanoéléments d'un côté, de l'autre ou de part et d'autre du système catalytique. La présente invention propose aussi un procédé de fabrication du substrat de l'invention. Les figures 4A à 4D illustrent un premier exemple de réalisation de ce procédé utilisant la technologie Smart CutTM, décrite, par exemple, dans le document US 6,372,609 B1. A partir d'un support auxiliaire 500, en silicium monocristallin massif par exemple, on réalise sur une de ses faces, une couche dite de collage 501 en oxyde. Cette couche de collage 501 peut être en oxyde thermique ou bien une couche d'oxyde déposé. C'est cette couche de collage 501 qui va former ultérieurement, en partie, la couche barrière 403. Une implantation ionique, par exemple d'hydrogène est réalisée (figure 4A). Cela crée une zone fragilisée 502 localisée en profondeur dans le support auxiliaire 500 sous la couche de collage 501. Elle est formée de microcavités (non représentées) qui vont permettre la fracture dans une étape ultérieure. Dans une autre étape représentée en figure 4B, on réalise sur un support de base 503, en silicium monocristallin, un système catalytique 400 tel que 14 décrit précédemment. On peut former sur le système catalytique 400, une couche de collage 504 comme décrit à la figure 4A. Si l'on ne réalise pas la couche de collage 504, la couche de protection 403 du système catalytique 400 peut servir de couche de collage pour l'adhésion moléculaire, si son matériau est approprié. Cette variante n'est pas représentée. Dans une autre étape représentée en figure 4C, on effectue le collage par adhésion moléculaire entre les deux structures construites au cours des deux précédentes étapes et représentées en figure 4A, 4B. Le collage s'effectue entre les deux couches de collage 501, 504 ou entre la couche de collage 501 et la couche de protection 403 qui sont mises en contact. Pour améliorer la qualité du collage, il est possible au préalable de traiter les surfaces qui vont être mises en contact. Il peut s'agir d'un traitement chimique et/ou d'un polissage mécano chimique et/ou d'un traitement de surface de type plasma par exemple. Dans une autre étape, dite de fracture, on expose la structure de la figure 4C à un traitement thermique de l'ordre de 250°C à 600°C afin de la scinder en deux au niveau de la zone fragilisée 502. On obtient alors deux parties, la première est un élément en silicium monocristallin réutilisable. La seconde partie est le substrat selon l'invention. Il est représenté en figure 4D. Il est formé du support de base en silicium monocristallin 503, recouvert du système catalytique 400, puis de la couche barrière 403, puis d'une couche fine superficielle de silicium monocristallin 304. Par � couche fine �, on veut dire 15 que la couche est moins épaisse que le support de base 503. Cette couche fine superficielle 304 est la couche apte à accueillir le composant électronique ou électromécanique. Il est possible d'effectuer un traitement de cette couche fine 304, afin d'assurer un bon état de surface, et de lui donner une épaisseur déterminée. Il consiste, par exemple, d'une part à effectuer un recuit à haute température pour consolider l'interface de collage, et d'autre part à effectuer un polissage de cette couche fine afin d'ajuster son épaisseur finale. La présente invention propose un second exemple de procédé de fabrication d'un substrat selon l'invention. Les figures 5A à 5D illustrent ce procédé. La figure 5A présente un premier empilement de couches 603 formé d'un support de base 600, en silicium monocristallin massif par exemple, sur lequel repose un système catalytique 601, tel que décrit précédemment, recouvert d'une couche de collage 602, qui peut être en oxyde de silicium par exemple. Il est possible de se passer de la couche de collage 602 comme on l'a vu précédemment. Dans ce cas, la couche de protection du système catalytique 601 peut la remplacer, si son matériau est approprié pour l'adhésion moléculaire. La figure 5B présente un autre empilement qui est un substrat de type SOI 604 recouvert d'une couche de collage 608, en oxyde de silicium par exemple. Le substrat de type SOI 604 comporte une couche électriquement isolante 606, par exemple de l'oxyde de silicium, prise en sandwich entre deux couches semi-conductrices 607, 605. L'une des couches 16 semi-conductrices 605 est plus épaisse que l'autre, référencée 607. Les couches semi-conductrices peuvent être en silicium mono cristallin. La couche de collage 608 recouvre la couche semi-conductrice la plus fine 607. Les deux couches de collage ne sont pas absolument nécessaires, néanmoins un des deux empilements 603 ou 604 devra avoir une couche de collage en tant que couche superficielle. On assemble, à la figure 5C, les deux empilements obtenus précédemment, par adhésion moléculaire entre la couche de collage 602 du premier empilement 603 et la couche de collage 608 du second empilement 604, si les deux empilements ont chacun une couche de collage. On obtient un empilement représenté en figure 5C. Il se compose d'une succession de couches à partir du support de base 600, à savoir, dans cet ordre : le système catalytique 601, la couche de collage 602 du premier empilement, la couche de collage 608 surmontant le substrat SOI 604, la couche semi- conductrice la plus fine 607 du substrat SOI 604, la couche électriquement isolante 606 du substrat SOI 604, la couche semi-conductrice la plus épaisse 605 du substrat SOI. Si le substrat SOI 604 n'est pas doté d'une couche de collage, l'assemblage s'effectue par adhésion moléculaire entre la couche de collage 602 du premier empilement 603 et la couche semi-conductrice la plus fine 607 du substrat SOI 604. Si le premier empilement 603 ne présente pas de couche de collage, l'assemblage s'effectue par adhésion moléculaire entre la couche de collage 606 17 dont est équipé le substrat SOI 604 et le système catalytique 601 du premier empilement 603. Ensuite, dans une autre étape, on vient retirer la couche semi-conductrice 605 la plus épaisse du substrat SOI 604, par rodage mécanique, puis par gravure chimique. C'est la couche électriquement isolante 606 qui sert de couche d'arrêt de la gravure. On obtient un empilement tel que représenté en figure 5D, comprenant à partir, du support de base 600, dans cet ordre : le système catalytique 601, la ou les couches de collage 602, la couche semi-conductrice la plus fine 607 du substrat SOI 604 et la couche électriquement isolante 606 du substrat SOI 604. Par gravure humide et/ou sèche, la couche électriquement isolante 606 du substrat SOI 604 est retirée. On obtient un empilement tel que décrit dans le premier mode de réalisation, et représenté en figure 4D. On va maintenant décrire un dispositif électronique ou électromécanique doté d'un ou plusieurs nanoéléments selon l'invention et un procédé de réalisation du dispositif à partir du substrat ainsi décrit. Les figues 6A à 6D illustrent ce procédé. La figure 6A montre un substrat 700 selon l'invention muni d'au moins un composant électronique ou électromécanique 708 réalisé sur et dans la couche apte à accueillir le composant électronique ou électromécanique 704. Il est formé d'un empilement de couches avec dans cet ordre, le support de base en matériau semi-conducteur 301, le système catalytique 18 702, la couche barrière 703, et enfin la couche 704 apte à accueillir le composant électronique ou électromécanique 708 sur et dans laquelle on a réalisé le composant électronique ou électromécanique. On creuse au moins un caisson 705 dans le substrat à partir de la couche apte à accueillir le composant électronique ou électromécanique 704. Ce caisson 705 possède un fond qui met à nu localement le système catalytique 703. Le caisson 705 est obtenu, par exemple, par gravure sèche de type plasma réactif. La gravure permet de dégager la couche apte à accueillir le composant électronique ou électromécanique 704, et la couche barrière 703 comme illustré sur la figure 6B. La gravure ne doit pas détériorer le composant électronique ou électromécanique 708. On verra ultérieurement que le caisson peut être creusé à partir du substrat de base. Le caisson 705 comporte des flancs. La couche barrière 703 est interrompue transversalement et possède une tranche 703a mise à nu qui contribue à former les flancs du caisson 705. Il en est de même pour la couche apte à accueillir le composant électronique ou électromécanique 704. La tranche de la couche apte à accueillir le composant électronique ou électromécanique 704 est référencée 704a. Dans une autre étape illustrée à la figure 6C, on effectue la croissance d'un ou plusieurs nanoéléments 707, par exemple des nanotubes de carbone dans le caisson 705. La croissance peut être une croissance CVD thermique, à partir d'un gaz carboné. Pour cela, on chauffe le substrat 700 à une température 19 comprise entre environ 400°C et 900°C. Cette augmentation de température a pour effet de structurer le système catalytique 702, par exemple sous la forme de nanoparticules. On met alors le substrat 700 au contact d'un gaz carboné, comme par exemple C2H2, CH4, CH3COOH ou CO, que l'on peut éventuellement mélanger avec d'autres gaz tels que par exemple NH3, H2, H20 sous forme vapeur, He ou N2. Le gaz carboné se décompose alors au contact du système catalytique 702 donnant lieu à un dépôt de carbone solide sur ce système catalytique 702 mis à nu localement. Pour des conditions expérimentales bien choisies telles que par exemple une température de 700°C, une couche catalytique à base de Fer de 1 nm d'épaisseur, une couche support à base d'alumine de 20 nm d'épaisseur, une pression de l'ordre de 1 hPa, un mélange gazeux comportant C2H2, le carbone solide s'auto organisera afin de permettre la croissance des nanoéléments. Les nanoéléments 707 peuvent être alignés verticalement ou horizontalement ou même emmêlés. Dans l'exemple décrit, les nanoéléments 707 poussent sensiblement verticalement à partir du fond du caisson 705, vers son ouverture. Grâce aux différents dispositifs catalytiques de nanoéléments décrits précédemment, il est également possible de faire croître les nanoéléments vers le bas si le caisson est creusé dans le support de base 301 comme on le verra ultérieurement. Si le système catalytique 702 est un conducteur électrique, qu'il y a plusieurs zones de croissance de nanoéléments et qu'il est nécessaire de 20 dissocier électriquement différentes zones du substrat 700, c'est-à-dire, par exemple d'éviter que toutes les zones de croissance des nanoéléments soient au même potentiel électrique, on peut délimiter des zones en gravant par exemple par gravure sèche de type plasma réactif une tranchée 710 autour du caisson 705, cette tranchée 710 traversant de part en part la couche apte à accueillir le composant électronique ou électromécanique 704, la couche barrière 703, le système catalytique 702 mais ne traversant que partiellement le support de base 301. On peut se référer à la figure 6D. Cette tranchée 710 pourra éventuellement ensuite être remplie avec un matériau électriquement isolant (non représenté) pour renforcer mécaniquement le dispositif. En variante, il est possible de faire croître un ou plusieurs nanoéléments 709 sensiblement horizontalement. Le caisson 705 est gravé, depuis la couche apte à accueillir le composant électronique ou électromécanique 704, mais plus profondément que dans l'exemple précédent, de manière que son fond mette à nu localement le support de base 301 ou soit localisé dans le support de base 301. Le système catalytique 702 est interrompu transversalement et il possède une tranche 702a qui est mise à nu et qui contribue à former les flancs du caisson 705. Il en est de même pour la couche barrière 703 et la couche apte à accueillir le composant électronique ou électromécanique 704. Le résultat est illustré en figure 6E. Au cours d'une autre étape illustrée à la figure 6F, on effectue une croissance sensiblement horizontale d'au 21 moins un nanoélément 709 à partir de la tranche 702a mise à nu du système catalytique 702. Le nanoélément 709 joint un flanc du caisson 705 à l'autre. Cette configuration peut être utilisable dans des applications de capteurs ou de circuits reconfigurables. La présente invention propose un troisième procédé de réalisation d'un dispositif électronique ou électromécanique selon l'invention. On part d'un substrat 700 muni d'au moins un composant électronique ou électromécanique 708 et doté d'au moins un caisson comme illustré à la figure 6B. Le fond du caisson référencé maintenant 711 met à nu le système catalytique 702. Au lieu de former un ou plusieurs nanoéléments dans le caisson 711, on va loger dans le caisson 711 un dispositif de contact 800 qui permet un contact électrique. Ce dispositif de contact 800 peut venir en contact avec le composant électronique 708. Dans le cas de la figure 7A, il a une section ayant la forme d'un T. A la figure 7B, on grave un deuxième caisson 801 à partir du support de base 301 et dont le fond met à nu le système catalytique 702. Il s'agit d'un caisson pour des nanoéléments. Les deux caissons 711 et 801 sont placés � dos à dos �, c'est-à-dire qu'ils sont opposés par leurs fonds mais ils peuvent aussi être décalés latéralement. Si le système catalytique 702 le permet, c'est-à-dire s'il est notamment conforme à l'une des configurations des figures 3B à 3E, il est possible d'effectuer une croissance vers le bas d'un ou 22 plusieurs nanoéléments 802 dans le caisson 801. La figure 7C illustre une telle structure avec deux caissons 711, 801 placés dos à dos, l'un accueillant un dispositif de contact 800 et l'autre un ou plusieurs nanoéléments 802. La structure 100 obtenue à la figure 7C au lieu d'être utilisée seule peut être utilisée avec une ou plusieurs autres en les empilant. Sur la figure 7D, on a représenté un empilement avec deux structures 100. Elles sont assemblées entre elles en faisant coïncider les nanoéléments 802 d'une structure avec un dispositif de contact 800 de l'autre structure 100 voisine. On pourrait bien sûr empiler les unes sur les autres plus de deux structures. Il est bien sûr possible dans la structure d'inverser les nanoéléments et les contacts. Les nanoéléments peuvent alors être placés dans un caisson ouvert du côté du composant électronique ou électromécanique et le contact dans un caisson dont est doté le support de base. Bien que plusieurs modes de réalisation de la présente invention aient été représentés et décrits de façon détaillée, on comprendra que différents changements et modifications puissent être apportés sans sortir du cadre de l'invention. REVENDICATIONS1. Substrat destiné à supporter au moins un composant électronique ou électromécanique (305) et un ou plusieurs nanoéléments (707), formé d'un support de base (301), d'un système catalytique (302), d'une couche barrière (303), et d'une couche apte à accueillir le composant électronique ou électromécanique (304), caractérisé en ce que le système catalytique (302) repose sur le support de base (301) sans contact avec la couche apte à accueillir le composant électronique ou électromécanique (304) et en ce que la couche barrière (303) est placée en sandwich entre le système catalytique (302) et la couche apte à accueillir le composant électronique ou électromécanique (304), cette couche barrière (303) étant sans contact avec le support de base (301). 2. Substrat selon la revendication 1, dans lequel le système catalytique (302) est formé d'un ou de deux groupes de couches, chaque groupe comportant au moins une couche catalytique (402). 3. Substrat selon la revendication 2, dans lequel au moins un groupe de couches comporte une couche de protection (403) sur la couche catalytique (402) et/ou une couche de support (401) sous la couche catalytique (402). 4. Substrat selon la revendication 3, dans lequel lorsque le système catalytique (400) comporte 24 deux groupes de couches, la couche de support (401) est commune aux deux groupes. 5. Substrat selon la revendication 1, dans lequel le système catalytique (400) est formé d'une couche catalytique (402) prise en sandwich entre deux couches de support (401), les deux couches de support étant éventuellement prises en sandwich entre deux couches de protection (403). 6. Substrat selon l'une des revendications 2 à 5, dans lequel la couche catalytique (402) est réalisée à base de fer, de nickel, de cobalt, ces éléments étant pris seuls ou en alliage. 7. Substrat selon l'une des revendications 2 à 6, dans lequel la couche de protection (403) et la couche de support (401) sont réalisées dans un matériau choisi parmi Al2O3r SiN, SiC, SiON, TiN, TiO2, ou TaN. 20 8. Substrat selon l'une des revendications précédentes, dans lequel le support de base (301) et/ou la couche barrière (302) et/ou la couche apte à accueillir le composant électronique ou 25 électromécanique (304) sont multicouches. 9. Dispositif électronique ou électromécanique, caractérisé en ce qu'il comporte au moins une structure comprenant un substrat selon l'une 30 des revendications précédentes (700), au moins un composant électronique ou électromécanique (708)15 25 disposé sur ou dans la couche apte à accueillir le composant électronique ou électromécanique (704), au moins un caisson (705) creusé dans le substrat mettant à nu localement le système catalytique (702) sur lequel un ou plusieurs nanoéléments (707) prennent appui. 10. Dispositif électronique ou électromécanique selon la revendication 9, dans lequel le caisson (705) a des flancs qui interrompent transversalement la couche barrière (703) laissant apparaître une tranche de la couche barrière (703.a) qui contribue à former les flancs du caisson (705). 11. Dispositif électronique ou électromécanique selon l'une des revendications 9 ou 10, dans lequel le système catalytique de (702) mis à nu localement forme un fond du caisson. 12. Dispositif électronique ou électromécanique selon l'une des revendications 9 ou 10, dans lequel le caisson (705) a des flancs qui interrompent transversalement le système catalytique (702) laissant apparaître une tranche du système catalytique (702.a) qui contribue à former les flancs du caisson (705), le support de base (301) mis à nu localement, formant un fond du caisson (705). 13. Dispositif électronique ou électromécanique selon l'une des revendications précédentes, dans lequel la structure comprend en outre au moins un dispositif de contact (800) logé dans un 26 autre caisson (711) creusé dans le substrat, le caisson des nanoéléments (801) et le caisson du dispositif de contact (711) ayant chacun un fond, le caisson des nanoéléments (801) et le caisson du dispositif de contact (711) étant opposés par leurs fonds. 14. Dispositif électronique ou électromécanique selon l'une des revendications précédentes, comportant plusieurs structures (100) empilées les unes sur les autres. 15. Procédé de fabrication d'un substrat selon l'une des revendications 1 à 8, dans lequel .on forme le système catalytique (400) sur le support de base (503) ; .on forme la couche barrière (504) sur le système catalytique(400) ; .on forme la couche apte à accueillir le composant électronique ou électromécanique (304) sur la couche barrière (403). 16. Procédé de fabrication selon la revendication 15, dans lequel on forme la couche barrière (403) et la couche apte à accueillir le composant électronique ou électromécanique (304) à partir . d'une part d'une première couche de collage (504) recouvrant le support de base (503) lui-même recouvert du système catalytique (400), la première couche de collage (504) étant sus-jacente au système 27 catalytique (400) ou étant une couche superficielle du système catalytique, et d'autre part d'une deuxième couche collage (501) recouvrant un substrat semi-conducteur auxiliaire (500), ce substrat auxiliaire (500) ayant subi une implantation ionique (502) pour le fragiliser sous la deuxième couche de collage, en assemblant le support de base (503) et le substrat semi-conducteur auxiliaire par adhésion moléculaire de leurs couches de collage, leurs couches de collage assemblées donnant la couche barrière (403) ; - puis en effectuant une fracture thermique du substrat semi-conducteur auxiliaire (500) au niveau de l'implantation ionique (502), une couche du substrat semi-conducteur auxiliaire (500) restant collée à la couche barrière (403) suite à cette fracture donnant la couche apte à accueillir le composant électronique ou électromécanique (304). 17. Procédé de fabrication selon la revendication 15, selon lequel on forme la couche barrière (403) et la couche apte à accueillir le composant électronique ou électromécanique à partir : d'une part d'une première couche de collage (602) recouvrant le support de base (600) lui- même recouvert du système catalytique (601), la première couche de collage (602) étant sus-jacente au système catalytique (601) ou étant une couche superficielle du système catalytique, 28 et d'autre part d'une deuxième couche de collage (608) recouvrant un substrat de type SOI, possédant une couche isolante électriquement (606) prise en sandwich entre deux couches semi-conductrices (605, 607) d'épaisseurs différentes, la deuxième couche de collage recouvrant la couche semi-conductrice la moins épaisse, en assemblant le support de base (603) et le substrat de type SOI (604) par adhésion moléculaire de leurs couches de collage, leurs couches de collage assemblées donnant la couche barrière ; - puis en éliminant la couche semi-conductrice la plus épaisse (605) et la couche isolante électriquement du substrat de type SOI (606), la couche semi-conductrice la moins épaisse du substrat (607) de type SOI donnant la couche apte à accueillir le composant électronique ou électromécanique.