FR 2936652 A1 20100402 FR 0805382 A 20080930 DISPOSITIF OPTOELECTRONIQUE ORGANIQUE ET SON PROCEDE D'ENCAPSULATION. La présente invention concerne un dispositif optoélectronique organique, tel qu'un dispositif d'affichage, d'éclairage ou de signalisation, qui est protégé de l'air ambiant par une encapsulation étanche à couche(s) mince(s) inorganique(s), et un procédé d'encapsulation d'un tel dispositif. L'invention s'applique à des dispositifs de type à au moins une diode organique, comme des dispositifs à diodes électroluminescentes organiques (� OLED �) tels que des microafficheurs ou microécrans, à cellules photovoltaïques ou encore à transistors organiques à couches minces (� TFT �), à titre non limitatif. De manière connue, les dispositifs optoélectroniques organiques, tels que les � OLED �, les dispositifs à cellules photovoltaïques et ceux à � TFT � organiques nécessitent d'être encapsulés, pour assurer la protection de leurs composants sensibles contre les espèces gazeuses de l'atmosphère (principalement l'oxygène et la vapeur d'eau). En effet, si cette protection n'est pas convenablement réalisée, il risque de se produire une dégradation ultérieure du dispositif qui se manifeste principalement par l'apparition de points noirs non émissifs dans le cas des � OLED �, qui sont en fait la résultante de la pénétration de la vapeur d'eau dans la diode, ce qui dégrade l'interface cathode (ou anode) / film(s) organique(s). Cette encapsulation peut être typiquement réalisée grâce à l'utilisation d'un capot de verre collé sur le dispositif organique à l'aide d'une colle spécifique présentant notamment une faible perméabilité à l'eau. En général, on ajoute un absorbeur d'humidité solide ou � getter � entre le substrat et le capot pour prolonger la durée de vie du dispositif. L'encapsulation par capot est bien adaptée aux dispositifs rigides, mais elle ne l'est pas pour les dispositifs à supports souples (e.g. écrans flexibles). Cette technique encapsulation n'est pas non plus envisageable en cas de manque de place sur le circuit du substrat, par exemple pour un microafficheur sur � CMOS � (semi-conducteur à oxyde de métal 2 complémentaire), et elle est à éviter si l'on souhaite minimiser le poids du dispositif, en particulier dans le cas de grandes surfaces d'émission. Dans tous ces cas où l'encapsulation par capot ne convient pas, on adopte généralement une encapsulation dite � monolithique �, i.e. par des couches minces possédant de bonnes qualités de barrière à l'oxygène et à la vapeur d'eau, notamment. Les matériaux les plus utilisés pour cette application sont en général des oxydes et/ou nitrures diélectriques de formule SiOX, SiNX, SiOXNy, AIXOy déposés usuellement par des techniques de dépôt chimique en phase vapeur (� CVD � pour �Chemical Vapor deposition �) éventuellement assisté par plasma (� PECVD � pour � Plasma Enhanced Chemical Vapor deposition �) ou de dépôt de couche atomique (� ALD � pour � Atomic Layer Deposition �), techniques préférées au dépôt physique en phase vapeur (� PVD � pour Physical Vapor Deposition �) qui, comme la pulvérisation, sont la plupart du temps trop agressives vis-à-vis des semi- conducteurs organiques ou bien conduisent à la formation de films aux propriétés insatisfaisantes pour des applications de barrière du fait de nombreux défauts de type trous d'épingles (� pinholes � en anglais) de ces films obtenus par évaporation. En effet, les techniques de � PECVD � et d'� ALD � présentent l'avantage de générer des films déposés présentant beaucoup moins de défauts que ceux obtenus par les. techniques � PVD �. Les structures d'encapsulation à couche inorganique unique actuellement obtenus par ces techniques � PECVD � ou � ALD � présentent néanmoins des propriétés d'imperméabilité aux gaz de l'atmosphère qui laissent encore à désirer du fait des défauts qui subsistent malgré tout dans ces couches. Par exemple, si l'on décide d'améliorer l'imperméabilité à la vapeur d'eau d'un film de PET commercial de perméabilité voisine de 1 g/m2/jour en déposant à sa surface par � PECVD � à basse température un film inorganique en nitrure de silicium (cas d'un ernballage alimentaire), on améliorera au mieux d'un facteur 100 cette imperméabilité et l'empilement PET/SiNX aura alors dans le meilleur des cas une perméabilité à la vapeur d'eau d'environ 10"2 g/m2/jour. 3 Le document US-A-2002/0003403 présente un dispositif � OLED � à deux couches d'encapsulation superposées sur la zone d'émission et respectivement constituées d'une couche d'oxyde diélectrique par exemple déposée par un dépôt de couche atomique (� ALD � pour � Atomic Layer Deposition �), et d'une couche polyrnérique par exemple en parylène. On peut également citer les documents US-A-2007/0099356 et US-A-2007/0275181 qui enseignent d'utiliser la technique � ALD � pour déposer une couche d'encapsulation sur des unités électroluminescentes. Ces couches d'encapsulation déposées par � ALD � présentent l'avantage d'être � conformantes � (i.e. se conforment aux reliefs de la surface concernée) et sans défauts tout en présentant une densité élevée, ce qui leur confère des propriétés de barrière relativement satisfaisantes vis-à-vis de l'humidité et de l'oxygène ambiants (des perméabilités à la vapeur d'eau de 5.103 g/m2/jour et de 1,7.10"5 g/m2/jour à 38° C ont été respectivement obtenues pour des films d'AI203 de 20 nm et de 25 nm). Néanmoins, un inconvénient de ces couches inorganiques déposées par � ALD � sur des dispositifs à diodes organiques réside dans l'utilisation de précurseurs du dépôt � ALD � qui contiennent des oxydants réactifs et de l'eau susceptibles d'altérer les caractéristiques des composants sous-jacents lors du dépôt des premières monocouches, et qui sont d'autant plus réactifs que le dépôt � ALD � est réalisé à plus basse température. En particulier, le dépôt � ALD � de l'oxyde AI203 utilise notamment un couple de gaz précurseurs au dépôt tels que le triméthyl aluminium couplé à la vapeur d'eau ou à l'ozone (TMA/ H20 ou TMA/ 03) et, comme illustré à la figure 3 annexée à la présente description, cette altération des composants organiques se traduit, dans le cas d'un dispositif � OLED �, par la modification de la caractéristique IVL de ce dispositif (voir les deux courbes densité de courant I (mA/cm2) û tension U (V), respectivement sans et avec un dépôt par � ALD � de la couche d'Al203). Il existe également des structures d'encapsulation multicouches de type à empilements multicouches organique/ inorganique/ 4 organique/ inorganique/ ..., comme ceux commercialisés sous la dénomination Barix�, où la couche polymérique inférieure de chaque empilement unitaire organique/ inorganique (� dyacl � en anglais) qui est déposée sous vide par évaporation permet de � décorréler � les défauts d'une couche inorganique à une autre afin d'augmenter la sinuosité du trajet pour la vapeur d'eau et de retarder ainsi sa diffusion à travers la structure d'encapsulation. De cette manière, on sait aujourd'hui réduire la perméabilité à la vapeur d'eau d'une telle structure à des valeurs proches de 10-6 g/m2/jour, ce qui procure une durée de vie suffisante pour envisager la commercialisation de dispositifs d'affichage � OLED � ainsi encapsulés. On connaît par ailleurs des structures d'encapsulation multicouches consistant en un empilement alterné de couches d'un nitrure et d'un oxyde, e.g. de type SiNx/ SiOX/ SiNx/ SiOX/ ... (empilement commercialisé par Philips sous la dénomination � NONON �). La société General Electric commercialise également de telles structures qui présentent en plus des interfaces progressives. D'une manière générale, ces structures d'encapsulation multicouches connues présentent l'inconvénient d'impliquer des durées de dépôt relativement longues, du fait de la réalisation séquentielle des couches de différentes natures, comme cela est notamment le cas de la structure précitée de type Barix� qui impose de réaliser les dépôts successifs dans deux chambres différentes, l'une étant un réacteur d'évaporation pour le dépôt sous vide du polymère et l'autre étant une chambre de pulvérisation réactive pour déposer la couche inorganique. Un but de la présente invention est de proposer un dispositif optoélectronique organique, tel qu'un dispositif d'affichage, d'éclairage ou de signalisation par exemple à diodes électroluminescentes organiques (� OLED �), à cellules photovoltaïques ou à transistors organiques à couches minces (� TFT �), le dispositif étant pourvu d'une structure d'encapsulation étanche qui permette de remédier à l'ensemble des inconvénients précités. A cet effet, un dispositif selon l'invention est tel qu'est intercalé entre le dispositif et cette structure un film de protection à base d'une colle réticulée par un rayonnement électromagnétique ou par voie thermique et de viscosité à l'état non réticulé égale ou supérieure à 0,5 Pa.s dans les conditions normales ambiantes, de telle sorte que ce film s'oppose à la migration dans le dispositif d'oxydant(s) et/ou d'eau pouvant altérer des composants de ce dernier, et que cette colle soit suffisamment visqueuse pour ne pas s'infiltrer dans ces composants. Par � conditions normales ambiantes �, on entend de manière 10 connue une température de 20° C, une humidité relative de 65 % et une pression atmosphérique de 101 325 Pa. On notera que ce film de protection selon l'invention permet de protéger efficacement les composants organiques du dispositif vis-à-vis de gaz oxydants et/ou de vapeur d'eau extérieurs à ce film, qui peuvent 15 notamment être utilisés lors de la formation de la structure d'encapsulation surmontant ce film. On notera également que cette viscosité d'au moins 0,5 Pa.s de la colle permet d'assurer la protection précitée sans engendrer, suite à l'application de la colle, de phénomène de � dégât des eaux � vis-à-vis des 20 composants sous-jacents qui serait susceptible de rendre le dispositif non fonctionnel. En effet, la Demanderesse a établi que des colles analogues mais plus fluides s'infiltraient la plupart du temps dans le dispositif par les défauts de l'électrode recouverte, typiquement la cathode (d'épaisseur usuellement comprise entre 10 nm et 30 nm dans le cas de dispositifs � OLED � à 25 émission par le sommet de la structure électroluminescente), générant des points noirs et des figures dendritiques affectant tait les caractéristiques IVL que de luminance LV des � OLED �. Avantageusement, la colle choisie est de grade optique, i.e. transparente dans le domaine visible, pour l'émission lumineuse au travers. 30 Selon une autre caractéristique de l'invention, ladite structure d'encapsulation peut comprendre au moins une couche mince inorganique qui est en contact avec ledit film de protection sous-jacent et qui est de préférence obtenue par un dépôt de couche atomique (� ALD �), un dépôt chimique en phase vapeur assisté par plasma ou non (� PECVD � ou � CVD �), un dépôt physique en phase vapeur (� PVD �) ou une pulvérisation. Avantageusement, ladite structure d'encapsulation comprend une unique couche mince inorganique. On notera que ce film de protection selon l'invention permet en outre de servir de couche � planarisante � pour le dépôt de cette couche inorganique d'encapsulation, i.e. facilitant ce dépôt par une interface rendue plus plane. Il peut également servir, par exemple si la couche sous-jacente est un diélectrique comme du SiO, à relâcher les contraintes sur la couche inorganique d'encapsulation. De préférence, ladite couche inorganique est à base d'au moins un composé diélectrique compatible avec ladite colle et choisi dans le groupe constitué par les composés de formule SiOX, SiNX, SiOXNy, ZnSe, ZnO, Sb2O3, les oxydes d'aluminium et les oxydes transparents conducteurs (OTC, e.g. les oxydes d'étain-indium), cette couche inorganique étant obtenue par un dépôt de couche atomique (� ALD �) et le(s)dit(s) oxydant(s) et/ou l'eau étant issus de précurseurs gazeux de ce dépôt, tels que de l'ozone et/ou de la vapeur d'eau. Dans ce cas, ce composé diélectrique peut être avantageusement un oxyde d'aluminium de formule AI2O3, et lesdits précurseurs comprennent alors du triméthyl aluminium couplé à de la vapeur d'eau ou à de l'ozone. Avantageusement, cette couche inorganique déposée par � ALD � peut présenter une épaisseur comprise entre 10 nm et 50 nm, ledit film de protection présentant une épaisseur comprise entre 1 pm et 10 pm. Selon une autre caractéristique de l'invention, ladite colle peut être une colle réticulable par un rayonnement ultraviolet choisie dans le groupe constitué par les colles acrylate et les colles époxy. De préférence, on utilise une colle époxy, monocomposant ou bicomposants, dont la viscosité à l'état non réticulé est supérieure à 0,5 Pa.s et est par exemple comprise entre 0,5 Pa.s et 0,6 Pa.s dans les conditions normales ambiantes. 7 Selon une autre caractéristique de l'invention, ledit dispositif comprend un substrat (semi-conducteur, de préférence en silicium) revêtu sur l'une au moins de ses faces d'une unité électroluminescente par exemple de type � OLED � (étant précisé que tous autres composants électroluminescents pourraient être utilisés) comportant au moins deux électrodes interne et externe entre lesquelles est intercalée une structure émettrice de lumière et dont l'une au moins est transparente à la lumière émise, et ce dispositif est tel que la structure d'encapsulation recouvre cette électrode externe. Un procédé d'encapsulation selon l'invention d'un dispositif tel que défini ci-dessus comprend les étapes successives. suivantes : a) on enduit dudit film de protection non réticulé au moins une face externe du dispositif, par exemple la face d'émission d'une unité électroluminescente, ce film présentant par exemple une épaisseur comprise entre 1 pm et 10 pm, puis b) on dépose sur ce film ainsi traité au moins une couche mince inorganique destinée à former ladite structure d'encapsulation et d'épaisseur par exemple comprise entre 10 nm et 50 nm, au moyen d'un dépôt de couche atomique (� ALD �), d'un dépôt chimique en phase vapeur assisté par plasma ou non (� PECVD � ou � CVD �), d'un dépôt physique en phase vapeur (� PVD �) ou d'une pulvérisation, le dépôt de cette couche inorganique impliquant la réaction du ou des oxydant(s) et/ou de vapeur d'eau avec ce film, étant précisé que l'on réticule ce film par rayonnement électromagnétique ou par voie thermique, avant ou après l'étape b). Le film est avantageusement réticulé avant l'étape b), mais il peut l'être après si l'étape b) peut être mise en oeuvre sans altérer les propriétés (notamment de barrière) du film de protection à l'état non réticulé. Selon une autre caractéristique préférentielle de l'invention, l'on traite préalablement à l'étape b) la surface exterre dudit film de protection par des gaz précurseurs du dépôt de ladite couche inorganique, lequel dépôt 30 8 consiste alors en un dépôt de couche atomique (� ALD �) d'au moins un composé diélectrique compatible avec ladite colle et. choisi dans le groupe constitué par les composés de formule SiOX, SiNX, SiOXNY, ZnSe, ZnO, Sb2O3, les oxydes d'aluminium et les oxydes transparents conducteurs (OTC, e.g. les oxydes d'étain-indium). On notera que ce dépôt par � ALD � peut être mis en oeuvre à basse température (i.e. à une température compatible avec les couches organiques, soit typiquement inférieure à 100° C) et permet d'obtenir une couche de densité élevée et de perméabilité très réduite qui épouse au plus près les micro- ou nanoreliefs des surfaces en regard. A titre encore plus préférentiel, ladite couche inorganique déposée par � ALD � est à base d'oxyde d'aluminium de formule AI2O3, et lesdits gaz précurseurs sont formés par les couples triméthyl aluminium/ vapeur d'eau ou triméthyl aluminium/ ozone. Avantageusement, ladite colle peut être une colle époxy monocomposant dont la viscosité à l'état non réticulé est au moins égale à 0,5 Pa.s dans les conditions normales ambiantes. D'autres avantages, caractéristiques et détails de l'invention ressortiront du complément de description qui va suivre en référence aux dessins annexés, donnés uniquement à titre d'exemples et dans lesquels : la figure 1 est une vue schématique éclatée en coupe transversale d'un dispositif � OLED � selon un exemple de réalisation l'invention, qui est surmonté d'un film adhésif de protection et d'une couche mince inorganique d'encapsulation, la figure 2 est une photographie d'une diode � OLED � revêtue d'un film adhésif de protection non conforme à l'invention, montrant l'altération de cette diode par infiltration de la colle utilisée pour ce film, la figure 3 est un graphique montrant l'impact négatif d'un dépôt par � ALD � d'une couche d'Al203 sur une diode � OLED � non revêtue du film de protection selon l'invention, par la comparaison des caractéristiques 9 IVL de cette diode (densité de courant en ordonnée et tension en abscisse) dépourvue d'encapsulation et suite à ce dépôt � ALD, respectivement, et la figure 4 est un graphique montrant en ordonnée les deux caractéristiques IVL et de luminance LV (la densité de courant I et la luminance L figurant en ordonnée) en fonction de la tension U d'une diode � OLED � revêtue d'un même film de protection selon l'invention. Le dispositif optoélectronique 1 illustré à la figure 1 est par exemple électroluminescent et est surmonté d'une structure d'encapsulation 10 à unique couche mince inorganique 11 déposée de préférence par un dépôt � ALD � d'un oxyde transparent diélectrique de formule AI203. ll convient de noter que les diverses couches de la figure 1 ne sont pas représentées à l'échelle de leurs épaisseurs et longueurs respectives dans le plan de coupe. Ce dispositif 1 est dans cet exemple un microécran � OLED � comprenant de manière connue un substrat 2 typiquement en silicium revêtu d'une unité électroluminescente 3 définissant une zone active 4 et une zone de connexion électrique 5. L'unité électroluminescente 3 comporte deux électrodes interne 7 et externe 8 entre lesquelles est intercalée une structure émettrice de lumière 9, l'une au moins des électrodes 8 (dans cet exemple l'électrode externe) étant transparente ou semi-transparente à la lumière émise par la structure 9 afin de faire rayonner la lumière émise via la zone active 4 vers l'extérieur du dispositif 1. L'électrode externe 8 est de préférence constituée d'un métal tel que l'argent, l'aluminium ou le samarium pour les propriétés de transparence de ces métaux dans le domaine visible ainsi que pour leur conductivité électrique à faible épaisseur (l'épaisseur de l'électrode externe 8 est par exemple comprise entre 10 nm et 30 nm). La structure émettrice � OLED � 9 est par exemple constituée d'un empilement de films organiques conçu pour transférer les électrons et les trous qui proviennent des électrodes 7 et 8 et qui sont recombinés pour générer des excitons et donc l'émission de lumière. 2936652 io Selon l'invention, on a appliqué un film adhésif de protection 12 sur la face externe d'émission du dispositif 1 (i.e. notamment sur l'électrode externe 8 dans l'exemple de la figure 1) préalablement au dépôt de la couche inorganique 11 d'encapsulation, en utilisant pour former ce film une 5 colle réticulable par rayonnement ou par voie thermique, de viscosité au moins égale à une valeur critique déterminée par la Demanderesse (0,5 Pa.$), pour éviter la pénétration de la colle dans l'unité électroluminescente 3 par infiltration à travers les défauts de l'électrode 8 (de 20 nm d'épaisseur environ) et de préférence transparente dans le visible. On a utilisé à titre d'exemple 10 pour former ce film 12 une colle époxy monocomposant dont la viscosité à l'état non réticulé est égale ou supérieure à 0,5 Pa.s, telle qu'une colle commercialisée par la société Epoxy Technology sous la dénomination générique � 0G �, les colles � 0G 114-4 � ou � OG 142-13 � ayant été testées avec succès. 15 En effet, la Demanderesse a mis en évidence lors d'essais de collage la présence indésirable de dendrites et de points noirs sur la structure émettrice de lumière 9 de l'unité 3 venant court-circuiter la caractéristique IVL et altérer les propriétés de luminance de cette dernière, suite à l'application sur le dispositif 1 de colles non conformes à l'invention (de viscosité à l'état 20 non réticulé inférieure à 100 mPa.$). En particulier, on a testé la colle commercialisée sous la dénomination � 0G 146 � ou � OG146-6 � par la société Epoxy Technology, de viscosité proche de 0,04 Pa.s, avec la formation de ces dendrites et points noirs (clairement visibles à la photographie de la figure 2). Le dispositif � OLED � obtenu n'est alors pas 25 exploitable. Ce film 12 selon l'invention est en fait destiné à protéger l'unité 3 de la migration d'oxydant(s) et de vapeur d'eau qui sont inclus dans les gaz précurseurs du dépôt � ALD � et qui sont susceptibles d'altérer cette unité 3 lors du dépôt par � ALD � des premières monocouches, ces 30 précurseurs étant par exemple du triméthyl aluminium couplé à de la vapeur d'eau ou à de l'ozone (TMA/ H20 ou 03). Il On a obtenu, par application de cette colle sur l'unité électroluminescente 3, un film de protection 12 de quelques microns d'épaisseur que l'on réticule par rayonnement UV, pour les exemples précités de colles époxy utilisées � 0G 114-4 � et � 0G 142-13 �. On a ensuite déposé de manière connue par �ALD � sur ce film 12 la couche mince inorganique 11 d'encapsulation à base d'AI2O3, via les gaz précurseurs précités TMA/ H20 ou TMA/ 03, pour l'obtention de monocouches présentant une épaisseur totale voisine de 25 nm. Comme illustré à la figure 4, les deux caractéristiques IVL (densité de courant en mA/cm2 - tension en V) et de luminance L (luminance lumineuse en Cd/m2 - tension en V) mesurées pour une même diode � OLED � revêtue du film de protection 12 selon l'invention décrit ci-dessus (i.e. constitué de la colle � 0G 114-4 � ou � 0G 142-13 �) ne sont sensiblement pas affectées par le dépôt � ALD � de la couche 11 d'AI2O3 et sont chacune satisfaisantes. En résumé, le film adhésif 12 selon l'invention permet de conserver à l'unité électroluminescente 3 ses caractéristiques IVL courant û tension et LV de luminance sensiblement intactes, en dépit du dépôt par � ALD � d'un oxyde inorganique mis en oeuvre par des précurseurs nuisibles au fonctionnement de cette unité 3. REVENDICATIONS1) Dispositif optoélectronique organique (1), tel qu'un dispositif d'affichage, d'éclairage ou de signalisation par exemple à diodes électroluminescentes organiques (� OLED �), à cellules photovoltaïques ou à transistors organiques à couches minces (� TFT �), le dispositif étant pourvu d'une structure d'encapsulation étanche (10), caractérisé en ce qu'est intercalé entre ce dispositif et ladite structure un film de protection (12) à base d'une colle réticulée par un rayonnement électromagnétique ou par voie thermique et de viscosité à l'état non réticulé égale ou supérieure à 0,5 Pa.s dans les conditions normales ambiantes, de telle sorte que ce film s'oppose à la migration dans le dispositif d'oxydant(s) et/ou d'eau pouvant altérer des composants (9) de ce dernier, et que cette colle soit suffisamment visqueuse pour ne pas s'infiltrer dans ces composants. 2) Dispositif (1) selon la revendication 1, caractérisé en ce que ladite colle est choisie transparente dans le domaine visible. 3) Dispositif (1) selon la revendication 1 ou 2, caractérisé en ce que ladite structure d'encapsulation (10) comprend au moins une couche mince inorganique (11) qui est en contact avec ledit film de protection (12) sous-jacent et qui est obtenue par un dépôt de couche atomique (� ALD �), un dépôt chimique en phase vapeur assisté par plasma ou non (� PECVD � ou � CVD �), un dépôt physique en phase vapeur (� PVD �) ou une pulvérisation. 4) Dispositif (1) selon la revendicatior 3, caractérisé en ce que ladite couche inorganique (11) est à base d'au moins un composé diélectrique compatible avec ladite colle et choisi dans le groupe constitué par les composés de formule SiOx, SiNX, SiOXNy, ZnSe, ZnO, Sb2O3, les oxydes d'aluminium et les oxydes transparents conducteurs (OTC), cette couche inorganique étant obtenue par un dépôt de couche atomique (� ALD �) etle(s)dit(s) oxydant(s) et/ou l'eau étant issus de précurseurs gazeux de ce dépôt, tels que de l'ozone et/ou de la vapeur d'eau. 5) Dispositif (1) selon la revendication 4, caractérisé en ce que ledit composé diélectrique est un oxyde d'aluminium de formule AI2O3, et en ce que lesdits précurseurs comprennent du triméthyl aluminium couplé à de la vapeur d'eau ou à de l'ozone. 6) Dispositif (1) selon la revendication 4 ou 5, caractérisé en ce que ladite couche inorganique (11) présente une épaisseur comprise entre 10 nm et 50 nm, ledit film de protection (12) présentant une épaisseur comprise entre 1 pm et 10 pm. 7) Dispositif (1) selon une des revendications 3 à 6, 15 caractérisé en ce que ladite structure d'encapsulation (10) comprend une unique couche mince inorganique (11). 8) Dispositif (1) selon une des revendications précédentes, caractérisé en ce que ladite colle est une colle réticulable par un rayonnement 20 ultraviolet choisie dans le groupe constitué par les colles acrylate et les colles époxy. 9) Dispositif (1) selon la revendication 8, caractérisé en ce que ladite colle est une colle époxy monocomposant dont la viscosité à l'état non 25 réticulé est comprise entre 0,5 Pa.s et 0,6 Pa.s dans les conditions normales ambiantes. 10) Dispositif (1) selon une des revendications précédentes, comprenant un substrat (2) revêtu sur l'une au moins de ses faces d'une unité 30 électroluminescente (3) par exemple de type � OLED � comportant au moins deux électrodes interne (7) et externe (8) entre lesquelles est intercalée une structure émettrice de lumière (9) et dont l'une au moins est transparente à la14 lumière émise, caractérisé en ce que ladite structure d'encapsulation (10) recouvre ladite électrode externe. 11) Procédé d'encapsulation d'un dispositif (1) selon une des 5 revendications précédentes, caractérisé en ce qu'il comprend les étapes successives suivantes : a) on enduit dudit film de protection (12) non réticulé au moins une face externe du dispositif, par exemple la face d'émission d'une unité électroluminescente (3), ce film présentant par exemple une épaisseur 10 comprise entre 1 pm et 10 pm, puis b) on dépose sur ce film ainsi traité au moins une couche mince inorganique (11) destinée à former ladite structure d'encapsulation (10) et d'épaisseur par exemple comprise entre 10 nm et 50 nm, au moyen d'un dépôt de couche atomique (� ALD �), d'un dépôt chimique en phase vapeur 15 assisté par plasma ou non (� PECVD � ou � CVD �), d'un dépôt physique en phase vapeur (� PVD �) ou d'une pulvérisation, le dépôt de cette couche inorganique impliquant la réaction du ou des oxydant(s) et/ou de vapeur d'eau avec ce film, ce film de protection étant réticulé par un rayonnement 20 électromagnétique ou par voie thermique, avant ou après l'étape b). 12) Procédé selon la revendication 11, caractérisé en ce que l'on traite préalablement à l'étape b) la surface externe dudit film de protection (12) par des gaz précurseurs du dépôt de ladite couche inorganique (11), 25 lequel dépôt consiste en un dépôt de couche atomique (� ALD �) d'au moins un composé diélectrique compatible avec ladite colle et choisi dans le groupe constitué par les composés de formule SiOx, SiNx, SiOXNy, ZnSe, ZnO, Sb2O3, les oxydes d'aluminium et les oxydes transparents conducteurs (OTC). 30 13) Procédé selon la revendication 12, caractérisé en ce que ladite couche inorganique (11) déposée par � ALD � est à base d'oxyde d'aluminium de formule AI2O3, et en ce que lesdits gaz précurseurs sont 15 formés par les couples triméthyl aluminium/ vapeur d'eau ou triméthyl aluminium/ ozone. 14) Procédé selon une des revendications 11 à 13, caractérisé en ce que ladite colle est choisie dans le groupe constitué par les colles acrylate et les colles époxy réticulables par un rayonnement ultraviolet, de préférence une colle époxy monocomposant dont la viscosité à l'état non réticulé est au moins égale à 0,5 Pa.s dans les conditions normales ambiantes.10