FR 2934679 A1 20100205 FR 0855227 A 20080729 DISPOSITIF ET PROCEDE DE DETECTION D'UN RAYONNEMENT INFRAROUGE AU MOYEN D'UNE MATRICE DE BOLOMETRES RESISTIFS DOMAINE DE L'INVENTION La présente invention a trait au domaine de l'imagerie infrarouge et de la pyrométrie bolométrique. Plus particulièrement, la présente invention concerne le domaine de la correction 10 d'une non-uniformité spatiale de la réponse d'une matrice de détection à bolomètres résistifs. ETAT ANTERIEUR DE LA TECHNIQUE 15 Dans le domaine des détecteurs infrarouges, il est connu d'utiliser des dispositifs agencés sous forme matricielle, et susceptibles de fonctionner à température ambiante, c'est-à-dire ne nécessitant pas de refroidissement à de très basses températures, contrairement aux dispositifs de détection appelés "détecteurs quantiques", qui nécessitent un fonctionnement à très basse température, typiquement 20 celle de l'azote liquide. Ces détecteurs non refroidis utilisent traditionnellement la variation d'une grandeur physique d'un matériau approprié, en fonction de la température, au voisinage de 300K. Dans le cas des détecteurs bolométriques, cette grandeur physique est la 25 résistivité électrique dudit matériau. Un tel détecteur non refroidi associe généralement : - des moyens d'absorption du rayonnement infrarouge et de conversion de celui-ci en chaleur ; 30 - des moyens d'isolation thermique du détecteur, de telle sorte à permettre à celui-ci de s'échauffer sous l'action du rayonnement infrarouge ; - des moyens de thermométrie qui, dans le cadre d'un détecteur bolométrique, mettent en oeuvre un élément résistif ; - et des moyens de lecture des grandeurs électriques fournis par les moyens de 35 thermométrie.5 Les détecteurs destinés à l'imagerie infrarouge sont classiquement réalisés sous la forme d'une matrice de détecteurs bolométriques élémentaires, ou bolomètres, agencée selon une ou deux dimensions, ladite matrice étant suspendue au dessus d'un substrat, généralement réalisé en silicium, via des bras de soutien au niveau de chaque détecteur élémentaire. Il est usuellement ménagé dans le substrat des moyens d'adressage séquentiel des détecteurs élémentaires et des moyens d'excitation électrique et de pré-traitement des signaux électriques générés par ces détecteurs élémentaires. Ces moyens d'adressage séquentiel, d'excitation électrique et de pré-traitement sont donc formés dans le substrat et constituent un circuit de lecture. Pour obtenir l'image d'une scène par l'intermédiaire de ce détecteur, on projette la scène à travers une optique adaptée sur la matrice de détecteurs élémentaires, et des stimuli électriques cadencés sont appliqués par l'intermédiaire du circuit de lecture à chacun des détecteurs élémentaires, ou à chaque rangée de tels détecteurs, afin d'obtenir un signal électrique constituant l'image de la température atteinte par chacun desdits détecteurs élémentaires. Ce signal est traité de manière plus ou moins élaborée par le circuit de lecture, puis éventuellement par un dispositif électronique extérieur au boîtier afin de générer l'image thermique de la scène observée. Un tel détecteur présente de nombreux avantages en termes de coût de fabrication et d'utilisation mais également des inconvénients qui limitent ses performances. Plus particulièrement, il se pose un problème d'uniformité de la formation du signal par la matrice de bolomètres. En effet, du fait d'une dispersion dans le comportement des bolomètres, qui ne produisent pas tous le même niveau de sortie lorsqu'ils sont portés à une même température de fonctionnement, et qui ne répondent pas tous exactement de la même manière face au même rayonnement infrarouge en provenance de la scène, l'image d'une scène uniforme formée par le détecteur présente un bruit spatial fixe. Les causes d'une telle dispersion sont nombreuses. On peut citer comme cause principale la dispersion technologique des bolomètres qui se traduit par une dispersion de résistance, impliquant pour les détecteurs une variation de leurs niveaux de sortie, ceci même lorsque la matrice est illuminée par une scène uniforme. Une autre cause de dispersion de signal est la dérive thermique du substrat et de sa distribution spatiale de température, du fait que les bolomètres suivent la température du substrat qui les supporte. Usuellement, le décalage du niveau de sortie d'un bolomètre particulier par rapport à la moyenne des niveaux de sortie des bolomètres de la matrice lorsque celle-ci est illuminée par une scène uniforme, est désigné sous le terme d� Pour compenser la dispersion d'offset des bolomètres, qui est la principale cause de limitation de la qualité des signaux fournis par le détecteur, de nombreuses techniques de correction ont été mises au point. Un premier type de correction d'offset, par exemple décrit dans le document US 2002/022938, consiste à acquérir une image de référence, à savoir celle d'une scène uniforme. Cette image de référence est alors mémorisée dans le système (ce terme entend l'ensemble des fonctions électro-mécaniques et logicielles qui mettent en oeuvre le détecteur ou capteur), et ensuite soustraite, numériquement ou analogiquement, à chaque image acquise par celui-ci. La formation de l'image de référence est usuellement réalisée au moyen d'un obturateur essentiellement isotherme, que l'on ferme pour obtenir la scène uniforme. Cette première technique présente l'inconvénient de rendre inopérant le détecteur pendant toute la durée d'acquisition de l'image de référence. En outre, l'installation d'un obturateur présente un surcoût non négligeable et augmente les sources de défaillance mécanique du systèmeainsi que sa consommation d'énergie. Le second type de correction de la dispersion des offsets se base sur le fait que l'offset d'un bolomètre résistif dépend de la température de celui-ci. Dans ce second type de correction des bolomètres, par exemple décrit dans le document US 5 811 808, des tables d'offsets pour différentes températures prédéterminées du capteur sont mémorisées de manière permanente dans le système. Celui-ci est équipé d'un capteur thermométrique mesurant la température du substrat, et une unité de traitement d'informations sélectionne alors une des tables d'offset mémorisée en fonction de la température mesurée, ou bien crée une nouvelle table d'offset par interpolation de tables mémorisées en fonction de la température mesurée. La table d'offset sélectionnée ou créée est alors soustraite de l'image courante détectée. Ce type de correction ne nécessite donc pas d'obturateur, mais se révèle cependant moins efficace que le premier type de correction. En outre, la précision de la correction par interpolation est d'autant meilleure que le nombre de points de référence et le degré du polynôme d'interpolation sont élevés. Or, une interpolation de qualité nécessite des quantités importantes de ressources de calcul, et de mémorisation d'un nombre suffisant de tables. De plus, le temps d'acquisition d'une table d'offsets est important. Ainsi, le coût de fabrication d'un détecteur mettant en oeuvre la seconde technique devient prohibitif dès lors que l'on souhaite un échantillonnage précis du domaine de températures de fonctionnement du détecteur. Le but de la présente invention est de résoudre les problèmes susmentionnés, en proposant une technique de correction efficace et précise, qui ne nécessite pas d'obturateur, tout en utilisant une quantité limitée de tables. EXPOSE DE L'INVENTION A cet effet, l'invention a pour objet un dispositif de détection d'un rayonnement infrarouge, comportant un substrat, une matrice d'au moins une ligne d'éléments de détection dudit rayonnement comportant chacun un bolomètre résistif d'imagerie, ladite matrice étant formée au dessus du substrat , ledit dispositif comportant des moyens de mesure de température en au moins un point dudit substrat (dite température plan focal, ou TPF), et des moyens de correction du signal formé à partir de chaque bolomètre en fonction de la température mesurée au au moins un point du substrat. Selon l'invention, les moyens de correction sont aptes à corriger le signal formé à 30 partir du bolomètre, à l'aide d'un modèle physique prédéterminé du comportement en température dudit bolomètre. La température du bolomètre résistif, et par conséquent sa résistance électrique, dépendent de la température de la scène observée dont la puissance infrarouge est 35 projetée sur la matrice de bolomètre via l'optique et est captée par chaque bolomètre, mais surtout de la température plan focal. Les bolomètres étant des éléments de détection thermique, ils sont suspendus au dessus du substrat contenant le circuit de lecture par des bras d'isolation thermique. Par conduction thermique, la température plan focal influe directement sur la température du bolomètre. On peut admettre comme ordre d'idée que la contribution du plan focal à la température du bolomètre est d'environ 99% contre environ 1% pour la température de scène. Le comportement du bolomètre, c'est-à-dire son niveau de sortie, quelle que soit la température de scène, dépend donc principalement de la température plan focal. La température plan focal fixe donc le point de fonctionnement en température des bolomètres. Les dispersions de résistance des bolomètres varient aussi en fonction de la température du plan focal. L'évolution de la résistance d'un bolomètre particulier peut être estimée en fonction de la température plan focal, et par conséquent aussi l'évolution de la dispersion (puisque chacun peut être connu). Une modélisation fidèle du comportement en température du bolomètre permet donc de garantir la pérennité (c'est-à-dire la validité au cours du temps) de la correction lors des changements de température plan focal. Le terme � comportement � d'un bolomètre définit ici la correspondance répétable entre la température plan focal, qui constitue le point de repos thermique de fonctionnement du bolomètre, et la résistance électrique du bolomètre formé sur ce substrat qui en résulte, pour des conditions d'éclairement IR données, à toute température plan focal. Cette correspondance est établie de préférence à l'aide d'un � modèle physique �, exprimant la loi de comportement de la résistance en fonction de T plan focal dans ces conditions optiques de référence. On notera qu'un modèle physique désigne ici une ou plusieurs relations mathématiques, comme une fonction ou un système d'équations différentielles par exemple, dont les sorties sont calculables quelle que soit la valeur de ses entrées à partir d'un seul jeu de paramètres comportementaux identifiés. En d'autres termes, un modèle physique du comportement en température d'un bolomètre permet de déterminer l'offset de celui-ci en fonction de la température plan focal mesurée, sans qu'il soit besoin d'utiliser un obturateur ou une interpolation d'une pluralité de tables. De plus, les modèles physiques utilisent un nombre limité de paramètres de sorte que l'identification des paramètres est moins coûteuse que l'identification de la 35 pluralité de tables de l'état de la technique. Selon l'invention, les moyens de mesure de la température comportent au moins une sonde de mesure de la température du substrat. Selon un mode de réalisation particulier de l'invention, les moyens de mesure de la température comprennent une pluralité de sondes de mesure de température aptes à mesurer la température du substrat en une pluralité de points de celui-ci et des moyens de modélisation de la distribution spatiale de la température du substrat en fonction de la température mesurée en la pluralité de points du substrat, et en ce que les moyens de correction sont aptes à corriger le signal formé à partir du bolomètre en fonction de la température modélisée du substrat au voisinage de celui-ci. En d'autres termes, le substrat peut présenter une non-uniformité spatiale de sa température. A l'aide d'une modélisation de la distribution spatiale de la température du substrat, il est possible de déterminer la température de celui-ci en dessous de chaque bolomètre et donc d'accroître la précision de la correction. Avantageusement, les moyens de correction sont aptes à estimer une résistance du 15 bolomètre correspondant à l'exposition de la matrice à une scène uniforme de température sensiblement égale à la température plan focal mesurée. Lesdits moyens de correction sont aptes à estimer la résistance du bolomètre selon la relation : 20 Re., (i, j ) = Rab., (i,j)•C(T es) où : ^ Rest (i, j) est la résistance du bolomètre estimée, ^ Rabs (i, j) est une résistance de référence prédéterminée du bolomètre, ^ C(TneS) est un paramètre dépendant de la température plan focal mesurée 25 Tes exprimée en degrés Kelvin. De préférence, le paramètre C(TneS) est calculé selon la relation : C(Tmes ) = exp 30 où : E A ~kTes ^ EA est une énergie d'activation prédéterminée du bolomètre, ^ k est la constante de Bolzmann, Ainsi, les moyens de correction sont aptes à corriger des niveaux de sortie, des 35 dispersions en comportements en température des bolomètres de la matrice. Ces dispersions en comportement sont caractérisées par les termes Rabs et Ea Ces moyens de correction peuvent également être aptes à calculer une quantité de correction du niveau de sortie du bolomètre en fonction de la résistance estimée de celui-ci. Avantageusement, les moyens de correction sont réalisés au moins partiellement dans ledit substrat. Avantageusement, les résistances de référence des bolomètres de la matrice peuvent être tabulées dans une mémoire permanente intégrée au substrat. Selon une variante de l'invention, les moyens de correction sont réalisés sous la forme d'un circuit électronique intégré au substrat. L'invention a également pour objet un procédé de détection d'un rayonnement 15 infrarouge à l'aide d'une matrice d'au moins une ligne d'éléments de détection dudit rayonnement comportant chacun un bolomètre résistif d'imagerie, ladite matrice étant formée au dessus d'un substrat, ledit procédé comportant une étape de lecture des bolomètres de la matrice, une étape de mesure de température en au moins un point du substrat, et une étape de correction du signal formé à partir de chaque 20 bolomètre en fonction de la température mesurée au au moins un point du substrat. Selon l'invention, l'étape de correction consiste à corriger le signal formé à partir du bolomètre à partir d'un modèle physique prédéterminé du comportement en température de celui-ci. BREVE DESCRIPTION DES FIGURES L'invention sera mieux comprise à la lecture de la description qui va suivre, donnée uniquement à titre d'exemple et réalisée en relation avec les dessins annexés, dans 30 lesquels des références identiques désignent des éléments identiques ou analogues, et dans lesquels : ^ la figure 1 est une vue schématique d'un dispositif de détection bolométrique selon l'invention ; ^ la figure 2 est une vue schématique d'un agencement d'un bolomètre 35 d'imagerie, d'un circuit de compensation et d'un circuit de mesure entrant dans la constitution du dispositif de la figure 1 ; et ^ la figure 3 est un organigramme du fonctionnement du système de la figure 1. 25 MODE DE REALISATION DE L'INVENTION On a illustré schématiquement sur la figure 1 sous la référence générale 10, un détecteur bolométrique d'acquisition d'une scène dans le rayonnement infrarouge thermique, ce détecteur étant incorporé dans le plan focal d'une optique d'une caméra infrarouge. Un tel détecteur comporte : ^ Une matrice bidimensionnelle 12 d'imagerie comprenant n lignes et m colonnes de bolomètres résistifs d'imagerie 14 à membrane suspendue, où n et m sont des entiers supérieurs ou égaux à 1. La matrice d'imagerie 12 est agencée dans le plan focal d'une optique transparente aux infrarouges de la caméra et suspendue au-dessus d'un substrat réfléchissant ; ^ Un circuit de lecture 16 formé dans le substrat. Le circuit de lecture 16 comprend un circuit d'adressage ligne par ligne de la matrice d'imagerie 12 et, pour chaque colonne de celle-ci, un circuit de mesure apte à être connecté à chaque bolomètre d'imagerie 14 de la colonne adressée ; ces circuits de mesure sont représentés collectivement par le bloc 18, qui comprend en outre des moyens de multiplexage des signaux vers la ou les sortie(s) analogique(s) ^ Le circuit de lecture 16 comporte en outre une ligne 20 de circuits de compensation comprenant un ou plusieurs bolomètres de compensation en relation avec chaque colonne de la matrice d'imagerie 12 ; ^ Au moins une sonde de température 22 formée dans le substrat et mesurant une température de celui-ci ; et ^ Un circuit de conversion 24 connecté au circuit de lecture 16 et à la sonde de température 22 pour convertir des signaux analogiques délivrés par ceux-ci en des signaux numériques. Une telle structure de détecteurs bolométriques est classique et ne sera pas expliquée plus en détail par la suite. Pour de plus amples informations, on pourra utilement se reporter au document � Uncooled amorphous silicon enhancement for 25,um pixel pitch achievement� de E. Mottin et al, Infrared Technology and Application XXVIII, SPIE, vol. 4820. Le détecteur bolométrique 10 est par ailleurs connecté à une unité de traitement d'informations 26, mettant en oeuvre un algorithme de traitement des signaux délivrés par celui-ci pour déterminer une image infrarouge de la scène projetée sur la matrice 12, ainsi qu'une compensation d'une dispersion des comportements des bolomètres d'imagerie 14, comme cela sera expliqué plus en détail par la suite. 8 L'unité de traitement d'informations 26 est par exemple mise en oeuvre dans un ordinateur personnel comportant, de manière connue, une unité centrale de traitement, ou unité CPU 28, associée à une mémoire vive 30, et à une mémoire de masse 32, tel un disque dur par exemple. L'unité 26 est par ailleurs connectée à un écran d'affichage 34 pour la visualisation des images infrarouges capturées par la caméra. Sur la figure 2, on a illustré un agencement élémentaire préféré : ^ d'un bolomètre d'imagerie 14 de la matrice 12 ; ^ d'un circuit de mesure 40 du circuit de lecture 16 pour la mesure du bolomètre d'imagerie 14 ; et ^ d'un circuit de compensation 42 de la ligne 20 pour la compensation d'un courant de mode commun circulant dans le bolomètre d'imagerie 14 lors de la lecture de celui-ci. Le bolomètre 14 est soumis à un rayonnement infrarouge IR issu d'une scène et est connecté à une tension constante VDET par une première borne A. Le circuit de mesure 40 comprend : ^ un amplificateur opérationnel 44 dont une borne non-inverseuse (+) est mise à une tension constante VB US prédéterminée ; ^ un condensateur 46, de capacité Chi, prédéterminée, connecté entre une borne inverseuse (-) de l'amplificateur 44 et une sortie de celui-ci ; ^ un interrupteur de remise à zéro 48 connecté en parallèle au condensateur 46 et pilotable au moyen d'un signal � Reset � ; ^ un interrupteur de lecture 50, pilotable au moyen d'un signal Select, et connecté à la borne inverseuse (-) de l'amplificateur opérationnel ; et ^ un premier transistor MOS 52 d'injection, dont la grille est mise à une tension GFID constante prédéterminée, dont la source est connectée à une seconde borne B du bolomètre 14, et dont le drain est connecté à l'autre borne de l'interrupteur 50 de lecture. Le circuit de compensation 42 du courant de mode commun traversant le bolomètre d'imagerie 14 comprend un bolomètre résistif de compensation 54 réalisé dans le même matériau que le bolomètre d'imagerie 14, présentant une faible résistance thermique vers le substrat et pourvu, de manière optionnelle, d'un écran 56 contre le rayonnement issu de la scène. On notera que la résistance du bolomètre de compensation 54 varie de manière négligeable par rapport à celle du bolomètre d'imagerie 14, lorsqu'il est soumis à un flux infrarouge incident, car le bolomètre de compensation 54 est insensible au rayonnement infrarouge issu de la scène. Il peut être ainsi considéré que la résistance du bolomètre de compensation est sensiblement constante à la température du plan focal donnée. Le bolomètre de compensation 56 est connecté à l'une de ses bornes à une tension prédéterminée VSK et à l'autre de ses bornes à la source d'un second transistor MOS d'injection 58 du circuit de compensation 42. Le drain du transistor 58 est connecté à l'entrée inverseuse de l'amplificateur opérationnel 44 et la grille est connectée à une tension prédéterminée GSK. Au début d'un cycle de lecture du bolomètre 14, l'interrupteur de remise à zéro 48, qui est dans un état fermé suite à un cycle de décharge du condensateur 46, est basculé dans un état ouvert par réglage du signal � Reset � à une valeur appropriée. L'interrupteur de lecture 50, qui est dans un état ouvert, est basculé dans un état fermé par réglage de la commande � Select �. Le circuit électronique réalise une opération d'intégration de la différence entre le courant lac = Vac/Rao traversant le bolomètre 14 et le courant Icomp = Vcomp/RCOmp traversant le bolomètre de compensation 54, dont le résultat s'exprime sous forme de tension aux bornes du condensateur 46. Les tensions Vac et Vcomp vues respectivement aux bornes des bolomètres actifs et de compensation résultent des diverses tensions d'alimentation et de commande des transistors 52 et 58, de telle manière à définir un point de fonctionnement adéquat pour le bolomètre actif d'une part, et une compensation efficace de mode commun du bolomètre de compensation d'autre part, il n'est pas besoin d'exprimer plus avant les relations de détail que l'homme du métier sait définir d'après le schéma de la Figure 2. Lorsqu'une durée d'intégration OTnt prédéterminée s'est écoulée depuis le début du cycle de lecture, l'interrupteur de lecture 50 est basculé dans son état ouvert. 30 La tension ou niveau en sortie de l'amplificateur 44, qu'on appellera Nbnat, qui contient le signal provenant du bolomètre d'imagerie 14 de résistance Rao , s'exprime, en admettant pour simplifier, que Rao varie peu pendant la durée d'intégration OT;nr , selon la relation : Nbnat = VBUS ù AT;nr X 1/camp Vac (1) Cint Rcomp Rac 35 où : ^ V61 est la tension aux bornes du bolomètre d'imagerie 14 ; ^ Roest la résistance du bolomètre d'imagerie 14 ; ^ Vcomp est la tension aux bornes du bolomètre de compensation 54 ; et ^ Romp est la résistance du bolomètre de compensation 54. c Le circuit de conversion 24, qui est connecté à l'amplificateur 44, convertit la tension analogique Nbrut en une valeur numérique. Le circuit 24 délivre cette valeur numérique à l'unité de traitement d'informations 26 qui détermine en fonction de celle-ci une valeur de pixel d'image correspondante, comme cela est bien connu. 10 L'agencement et le fonctionnement des éléments venant d'être décrits sont classiques et ne seront donc pas expliqués plus en détail pour des raisons de concision. Pour de plus amples détails, on pourra par exemple se référer aux documents suivants : ^ � Uncooled amorphous silicon enhancement for 25,um pixel pitch achievement � 15 de E. Mottin et al, Infrared Technology and Application XXVIII, SPIE, vol. 4820; ^ � 320 x 240 uncooled microbolometer 2D array for radiometric and process control applications � de B. Fieque et al., Optical System Design Conference, SPIE, vol. 5251; et ^ � Low cost amorphous silicon based 160 x 120 uncooled microbolometer 2D 20 array for high volume applications � de C Trouilleau et al., Optical System Design Conference, SPIE, vol. 5251. Il va maintenant être décrit, en relation avec l'organigramme de la figure 3, un procédé de compensation des offsets des bolomètres d'imagerie 14 de la matrice 12, 25 mis en oeuvre à l'aide du dispositif venant d'être décrit. Dans une première phase d'initialisation 60, mise en oeuvre avant la première utilisation du détecteur selon l'invention, par exemple en usine, une résistance de référence est déterminée pour chacun des bolomètres d'imagerie 14 de la matrice 12. 30 Cette phase d'initialisation 60 comprend une étape 62 pendant laquelle le détecteur 10 est exposé à une scène uniforme de température constante, tout en s'assurant que la température du plan focal du détecteur, et donc des bolomètres d'imagerie 14 et du substrat, soit sensiblement égale à la température de la scène. Parallèlement, la 35 température du substrat est mesurée par la sonde de température 22 et la mesure délivrée après conversion numérique à l'unité de traitement d'informations 26, est conservée sous le paramètre Tref.5 Dans une étape 64 suivante, un cycle de lecture particulier de la matrice est mis en oeuvre, dans lequel la compensation du courant de mode commun mise en oeuvre par les circuits de compensation 42 est désactivée. Pour un bolomètre d'imagerie 14 particulier, seul le courant traversant celui-ci est donc intégré par le circuit de mesure 40 associé. A la fin de la lecture de ce bolomètre, la tension Vaut en sortie de l'amplificateur 44 s'exprime donc selon la relation : Vaut = VBUS + AT nt X Vaa (2) Cint R Dans le cas particulier de l'étape 64, la tension VFID est usuellement portée à VDD. La résistance série du transistor 52 est négligeable et on peut admettre l'expression simplifiée : Vas = VBUS û VDET De préférence, les tensions VBUS et VDET sont choisies proches l'une de l'autres pour éviter qu'un courant trop important ne traverse le bolomètre d'imagerie et provoque un échauffement préjudiciable de celui-ci par effet joule. 20 On notera que pour la mise en oeuvre de l'étape de lecture 64, une durée d'intégration ATnt plus courte et/ou une capacité Cint plus importante, qui devra dans ce cas être prévue dans le circuit de lecture, peuvent être choisies pour éviter une saturation du condensateur 46. 25 Une fois la lecture de la matrice 12 terminée, une résistance de référence Rabs est calculée, lors d'une étape suivante 66, pour chaque bolomètre d'imagerie 14 par l'unité de traitement d'informations 26 à partir d'un modèle physique du comportement en température de sa résistance. 30 Plus particulièrement, en 66, l'unité de traitement d'informations 26 calcule la résistance de référence selon les relations : ac 15 Rabs (i,j) = Rac.exp EA k.Tef ~ (3) 35 VBUSûVDET Oint R _ ac (Vaut û VBUS) X Cint (4) où : ^ exp est la fonction exponentielle, ^ EA est une énergie prédéterminée d'activation du bolomètre, ^ k est la constance de Bolzmann, ^ et Tref est la température du substrat mesurée lors de l'étape 60. Une fois l'étape d'initialisation 60 terminée, il est ainsi obtenu une table bidimensionnelle Rabs de résistances de référence pour les bolomètres d'imagerie de la matrice 12. Cette table est alors mémorisée dans la mémoire de masse 32 de l'unité de traitement d'informations 26. Une fois le détecteur sorti d'usine et mis en service par un utilisateur, le procédé se poursuit pour la correction en temps réel des offsets de la matrice d'imagerie 12. Lors d'une mise sous tension du système, la table de résistances de référence est chargée, en 68, dans la mémoire vive 30 de l'unité de traitement d'informations 26. Toujours en 68, deux tables bidimensionnelles de dimensions correspondant à celles de la matrice d'imagerie 12, à savoir une table Rest de résistances estimées et une table NC de niveaux de sortie, sont initialisées à zéro et mémorisées dans la 20 mémoire vive 30. Dans une étape 70 suivante, la matrice 12 est exposée à une scène à observer. Ensuite, ou parallèlement à l'étape 70, une mesure de la température du substrat est réalisée en 72 à l'aide de la sonde 22 et la valeur de température est mémorisées en 25 tant que paramètre l '.es . Le procédé se poursuit alors par une étape 74 de lecture classique (avec ébasage) des bolomètres d'imagerie 14 de la matrice 12, comme cela a été décrit précédemment. Les différentes tensions (ou niveaux de sortie) Nbrut mesurées associées à ces 30 bolomètres sont numérisées et mémorisées dans la mémoire vive 30. Un test est alors mis en oeuvre en 76 par l'unité 26 pour déterminer si la valeur absolue de la différence entre les valeurs Tref et Tes est supérieure à une valeur de seuil prédéterminée, par exemple égale à 0,2 degré Kelvin. 13 35 Si le résultat de ce test est positif, une résistance estimée Rest (i, j) est calculée en 78 pour chaque bolomètre de la matrice 12 par l'unité 26. Cette résistance estimée du bolomètre est calculée en fonction de la résistance de référence Rabs (i, j) correspondante de la table Rabs , selon la relation : (5) Rest(i,j)=Rabs(i,j).exp i La valeur Rest (i, j) remplace alors la valeur correspondante de la table Rest . Une fois l'étape 78 terminée, une résistance estimée a donc été calculée pour chaque bolomètre de la matrice d'imagerie 12 et mémorisée dans la table Rest . Le procédé se poursuit alors par une étape 80 de calcul, pour chaque bolomètre d'imagerie de la table 12, d'un niveau de sortie devant la scène uniforme NC(i, j) par l'unité 26 selon les relations : NC(i,j) =VBUSùoint ~Ieomp ùIa,(i,j)) (6) Cint L'homme du métier sait exprimer ICO12p lorsque le MOS 58 est en régime saturé, à 20 partir des paramètres technologiques et de la configuration du circuit, selon la relation : I - -(1+2.Rcamp.Ap(VSKùGSKùVhp))ù +4.Re0mp.Ap(VSKùGSKùVil, ) (7) omp ù 2.A .R a p co.; 25 D'autre part Iac s'exprime, lorsque le MOS 52 est en régime saturé, par la relation : ù(1+2.Rest(i, j).An(GFIDùVthn))ù +4.Rest(i, j).An(GFIDùVthn) Iac(i,j) _ 7 z (8) ù 2.An .Rest (( (i , / ) où ^ Ap et An sont des facteurs technologiques connus des MOS 58 et 52 30 respectivement ; ^ Vthp et Vthn sont les tensions de seuil connues des MOS 58 et 52 respectivement ; et ^ VFID et GSK étant les tensions appliquées sur les grilles des transistors 52 et 58 respectivement, connues également. Les niveaux continus NC(i, j) nouvellement calculés remplacent alors les valeurs de la table NC correspondant aux bolomètres d'imagerie. Une fois l'étape 80 terminée, un niveau de scène uniforme, dit continu, a donc été calculé pour chaque bolomètre de la matrice d'imagerie 12 et mémorisé dans la table NC. L'étape 80 est suivie d'une étape 82 de correction par l'unité 26 de la tension de sortie numérisée Nbrut (i, j) de chaque bolomètre d'imagerie selon la relation : NCOrr(i,J) =Nbrut(i, j) û NC(i, j) + NC (9) où NeOyr(i, j) est la tension de sortie numérisée corrigée et NC est la valeur moyenne des tensions de sortie devant une scène uniforme calculées lors de l'étape 80. 15 Si le test mis en oeuvre lors de l'étape 76 est négatif, c'est-à-dire si la température du substrat n'a pas varié de manière significative entre deux cycles de lecture de la matrice d'imagerie 12, l'étape 76 boucle sur l'étape de correction 82. La correction de niveau continu est alors réalisée sur la base d'une matrice NC de niveaux continus calculée lors d'un cycle précédent. 20 L'étape 82 se poursuit alors par l'affichage, ou plus généralement l'exploitation, en 84, de l'image corrigée de la scène capturée par la matrice 12, puis en 86 du réglage de la valeur de température Tref à la valeur Tmes . L'étape 86 boucle alors sur l'étape 70 d'exposition pour l'accomplissement d'un nouveau cycle de lecture. Comme il est possible de le constater, le système de détection selon l'invention utilise les notions suivantes. Pour la correction des niveaux continus ou l'offset des bolomètres d'imagerie, un 30 modèle physique de ceux-ci selon la relation (5) est utilisé. Ce modèle ne nécessite qu'une table de résistance de référence, et éventuellement en complément une table d'énergie d'activation (qu'il est très facile d'acquérir à partir de l'enregistrement initial des matrices NC à deux températures de plan focal suffisamment différentes, en conditions spatialement isothermes), pour connaître le comportement de la 35 matrice d'imagerie sur tout le domaine de fonctionnement en températures de plan focal de celle-ci. 10 25 Par ailleurs, à partir d'un modèle physique du bolomètre d'imagerie, il est possible de prédire l'offset du bolomètre en simulant une illumination de la matrice d'imagerie par une scène uniforme. En effet, dans le cas d'une telle illumination, usuellement réalisée au moyen d'un obturateur mécanique, les températures de chaque élément de la matrice, du substrat et de la scène sont sensiblement égales. Ainsi, à chaque cycle de lecture de la matrice, l'application d'un modèle physique, tel que celui de la relation (5) à l'ensemble des bolomètres permet de simuler le comportement de la matrice à une illumination par une scène uniforme de température égale à celle mesurée du substrat. Outre cette relation (5), le modèle physique peut être affiné pour prendre en compte le phénomène bien connu d'auto-échauffement lié au courant de polarisation des bolomètres 14 lors de la lecture. Un tel comportement simulé est représenté par les tables Rest et NC. Les niveaux continus de signal correspondants NC(i j) en sortie des circuits de lecture 40 s'ils étaient placés devant une scène uniforme à la température du plan focal sont donnés par la relation (6). Le niveau de sortie corrigé devant une scène quelconque Ncorr (i, j) d'un bolomètre selon la relation (9) correspond donc bien à une tension de sortie de celui-ci, dans laquelle un offset Nbrut ûNC(i, j) par rapport à une tension de sortie moyenne Nb,,t de la matrice est annulé. Bien entendu d'autres modes de réalisation sont possibles. Dans le mode de réalisation venant d'être décrit, l'énergie d'activation EA, par exemple fournie par le constructeur des bolomètres d'imagerie, est supposée identique pour tous les bolomètres d'imagerie. Ceci se justifie notamment dans le cas où le matériau bolométrique utilisé pour les bolomètres d'imagerie est du silicium amorphe. On observe en effet dans un tel cas que la dispersion parmi les énergies d'activation des bolomètres est parfaitement négligeable et qu'il n'est donc pas besoin d'en tenir compte. Toutefois, dans des applications spécifiques demandant une précision accrue ou bien dans le cas d'utilisation d'un matériau bolométrique présentant une dispersion de l'énergie d'activation non négligeable d'un bolomètre à l'autre, une énergie d'activation est déterminée lors de l'étape d'initialisation 60 pour chaque bolomètre. Ces énergies sont alors mémorisées dans la mémoire de masse 32 sous forme d'une table de dimensions correspondant à celles de la matrice d'imagerie et est utilisée lors de la correction d'offset. Par exemple, l'énergie d'activation d'un bolomètre d'imagerie est déterminée lors de l'étape 60 d'initialisation en mettant en oeuvre deux fois les étapes 62 et 64 avec des températures de plan focal différentes, mais devant une scène uniforme et de température identique. L'unité de traitement d'informations 26 calcule alors l'énergie d'activation du bolomètre 14 selon les relations : Eg = k. (Tref 2 T ef l) . ln R (10) (T efz ù T efi) Rz où TYefl et Tell sont les températures de deux scènes uniformes, et RI et R2 sont les 15 résistances mesurées du bolomètre pour ces deux températures respectivement. Il a été décrit un dispositif dans lequel une mesure de température est effectuée à l'aide d'une sonde unique. En variante, plusieurs sondes de température sont implantées dans le substrat du détecteur, et une table de température, notée T es (i, j) 20 est établie, à partir des signaux fournis par la pluralité de sondes de température. La relation (5) est alors remplacée par la relation : Res~ (i, j) = Rabs (i, j). exp EA (5bis) kT mes(L, j) i 25 On notera qu'à moins d'installer une sonde de température à proximité de chaque bolomètre, ce qui est une possibilité directe pour obtenir la table Tmes (i, j), on obtient un résultat très acceptable au moyen d'un nombre réduit de sondes, disposées par exemple sur le pourtour de la matrice. La table Tmes(i, j) est ensuite 30 établie par exemple à l'aide d'un modèle thermique spatial qui approxime la distribution de température plan focal au voisinage immédiat de chaque bolomètre, en fonction de l'échantillonnage spatial fourni par la pluralité limitée de sondes de température. Dans un tel cas, la correction de l'offset d'un bolomètre d'imagerie tient compte de la dispersion spatiale de température plan focal, dont l'effet est éliminé par la correction numérique établie à l'aide de la table Tes (i, j). La précision de la correction est donc accrue. On remarquera à cet égard que les bolomètres d'imagerie peuvent donc être considérés individuellement pour la correction de leur offset dans la mesure où la relation (9) reste inchangée pour les raisons évoquées précédemment pour la valeur Nbrut Il a été décrit un dispositif de détection dans lequel l'unité de traitement d'informations 26 ainsi que la ou les tables de paramètres utilisées pour le modèle physique des bolomètres d'imagerie sont externes à la caméra infrarouge. 15 En variante, l'unité de traitement d'informations 26 est intégrée dans un boîtier de la caméra. Dans cette variante, la mémoire de masse est remplacée par une mémoire morte pour le stockage des tables de paramètres. L'unité de traitement d'informations 26 est alors par exemple réalisée sous la forme d'une carte électronique. 20 Dans une autre variante, les tables de paramètres sont enregistrées dans une mémoire morte ou de type flash, directement formée dans le substrat dans lequel est défini par ailleurs le circuit de lecture. 25 Dans une autre variante dans laquelle l'unité 26 est intégrée à la caméra, le circuit de conversion 24 ainsi que l'unité de traitement d'informations 26 sont réalisés dans le même substrat que celui qui porte par ailleurs le circuit de lecture. Bien entendu d'autres modèles physiques que celui de la relation (5) peuvent être 30 utilisés en fonction du degré de précision souhaité et de la puissance de calcul de l'unité de traitement d'informations 26, bien que celui de la relation (5) soit privilégié pour sa précision et sa simplicité. Le dispositif venant d'être décrit présente donc les avantages suivants : 10 ^ l'utilisation d'un modèle physique permet une correction plus précise que celle mise en oeuvre à partir d'une interpolation de tables multiples. En effet, une interpolation, qui ne recouvre aucune réalité physique, reste moins précise dans la modélisation du comportement des bolomètres qu'un modèle physique de ceux-ci, qui reflète avec un degré élevé de précision la réalité des phénomènes ; ^ l'utilisation d'un modèle physique permet de prendre en compte avec précision des températures de scène en dehors de la gamme de températures des tables à interpoler, c'est-à-dire permet d'extrapoler ; l'utilisation d'un modèle physique ne nécessite qu'un nombre limité de tables, voire ne nécessite qu'une table unique dans le cas du modèle de la relation (5). Ainsi, des économies de mémoires sont réalisés, ce qui est avantageux dans le cas où les tables sont mémorisées dans des mémoires mortes ou de types flash ; et la correction d'offset selon l'invention ne nécessite pas d'élément mécanique tel qu'un obturateur par exemple. Toutefois, la correction selon l'invention simule l'utilisation d'un obturateur qui est usuellement le moyen le plus efficace d'obtenir une scène uniforme et donc le moyen le plus précis pour déterminer les offsets des bolomètres. La présente invention trouve application dans le domaine des capteurs d'image ou thermométriques à détection bolométrique, quelle que soit la bande de fréquences de détection ou du type de matériau bolométrique utilisé pour fabriquer les bolomètres d'imagerie et de référence, comme par exemple du silicium amorphe (a-Si), les oxydes de vanadium (VOx), du métal (Ti). REVENDICATIONS1. Dispositif de détection d'un rayonnement infrarouge comportant : ^ un substrat ; ^ une matrice (12) d'au moins une ligne d'éléments de détection dudit rayonnement comportant chacun un bolomètre résistif d'imagerie (14), ladite matrice étant formée au dessus du substrat ; ^ des moyens (18) de lecture des bolomètres de la matrice, ^ des moyens (22) de mesure de température en au moins un point du substrat ; ^ et des moyens (26) de correction du signal formé à partir de chaque bolomètre (14) en fonction de la température mesurée en au moins un point du substrat, caractérisé en ce que les moyens (26) de correction sont aptes à corriger le signal formé à partir du bolomètre (14) à l'aide d'un modèle physique prédéterminé du comportement en température de celui-ci. 2. Dispositif de détection d'un rayonnement infrarouge selon la revendication 1, caractérisé en ce les moyens (22) de mesure de la température comportent au moins une sonde de mesure de la température du substrat. 3. Dispositif de détection selon la revendication 2, caractérisé en ce que les moyens de mesure de la température comprennent une pluralité de sondes de mesure de température aptes à mesurer la température du substrat en une pluralité de points de celui-ci et des moyens de modélisation de la distribution spatiale de la température du substrat en fonction de la température mesurée en la pluralité de points du substrat, et en ce que les moyens de correction sont aptes à corriger le signal formé à partir du bolomètre en fonction de la température modélisée du substrat au voisinage de celui-ci. 4. Dispositif de détection d'un rayonnement infrarouge selon l'une des revendications 1, ou 2, caractérisé en ce que les moyens (26) de correction sont aptes à estimer une résistance du bolomètre correspondant à l'exposition de la matrice à une scène uniforme de température sensiblement égale à la température mesurée. 5. Dispositif de détection d'un rayonnement infrarouge selon la revendication 4, caractérisé en ce que les moyens (26) de correction sont aptes à estimer la résistance du bolomètre selon la relation : Res~ (i, j) = Rabs (i, j)•C(T es ) où Rest(i, j) est la résistance du bolomètre estimée, Rabs(i, j) est une résistance de référence prédéterminée du bolomètre, et C(T111es) est un paramètre dépendant de la température mesurée Tes du substrat. 6. Dispositif selon la revendication 4, caractérisé en ce que le paramètre C(T111es) est calculé selon la relation : E C(Tmes) = exp k T A mes où EA est une énergie d'activation prédéterminée du bolomètre, k est la constante de Bolzmann, et Tes est la température mesurée exprimée en degrés Kelvin. 7. Dispositif de détection d'un rayonnement infrarouge selon les revendications 4 ou 5 et la revendication 6 prises ensembles, caractérisé en ce que les moyens (26) de correction sont aptes à calculer une quantité de correction du niveau de sortie continu du bolomètre en fonction de la résistance estimée de celui-ci. 8. Dispositif de détection d'un rayonnement infrarouge selon l'une quelconque des revendications précédentes, caractérisé en ce les moyens de correction sont réalisées au moins partiellement dans ledit substrat. 9. Dispositif de détection d'un rayonnement infrarouge selon les revendications 5 et 8, caractérisé en ce que les résistances de référence des bolomètres de la matrice sont tabulées dans une mémoire permanente intégrée au substrat. 10. Dispositif de détection d'un rayonnement infrarouge selon l'une des revendications 8 et 9, caractérisé en ce que les moyens de correction (26) sont réalisés sous la forme d'un circuit électronique intégrée au substrat.30 11. Procédé de détection d'un rayonnement infrarouge à l'aide d'une matrice (10) d'au moins une ligne d'éléments de détection dudit rayonnement comportant chacun un bolomètre résistif d'imagerie (14), ladite matrice étant formée au dessus d'un substrat, ledit procédé comportant : ^ une étape de lecture des bolomètres de la matrice résultant en la formation d'un signal relatif à chaque bolomètre, ^ une étape (74) de mesure de température en au moins un point du substrat, ^ et une étape (74-86) de correction du signal relatif à chaque bolomètre en fonction de la température mesurée en au moins un point du substrat, caractérisé en ce que l'étape de correction (74-86) consiste à corriger le signal relatif au bolomètre à partir d'un modèle physique prédéterminé du comportement en température de celui-ci.