FR 2937135 A1 20100416 FR 0957148 A 20091013 1 Domaine de l'invention La présente invention concerne un composant électronique comportant sur un substrat au moins une électrode et au moins une zone sensible aux gaz. La zone sensible aux gaz étant munie d'au moins une couche électroconductrice, sensible aux gaz et l'électrode est en contact avec la couche sensible aux gaz. Etat de la technique Les composants électroniques ayant au moins une électrode et une zone sensible aux gaz munie d'au moins une couche sensible aux gaz, sont par exemple les transistors à effet de champ sensibles aux gaz. On utilise ces transistors pour détecter des espèces déterminées de gaz, contenues dans une veine de gaz. Pour cela, on choisit la couche sensible aux gaz pour avoir des réactions aussi spécifiques que possible avec les gaz. De manière générale, les couches sensibles aux gaz, comportent à cet effet des composants métalliques qui ont en partie une activité catalytique et qui sont en partie présents sous une forme de nanocristaux. Pour avoir une réaction plus rapide vis-à-vis des gaz, les couches sensibles aux gaz sont en général très minces et au moins en partie poreuses. La porosité permet d'obtenir une surface spécifique importante qui accélère la réaction du ou des gaz. Pour régler le point de fonctionnement d'un transistor à effet de champ fonctionnant comme générateur de signal, il est nécessaire de mettre en contact électrique cette couche sensible aux gaz. La réaction du gaz avec la couche sensible aux gaz, modifie alors le potentiel résultant, appliqué au canal du transistor à effet de champ et ainsi, l'intensité du courant dans le transistor. Pour avoir une réaction aussi grande que possible aux gaz et ainsi, une variation aussi grande que possible du potentiel résultant, dans le cas des transistors à effet de champ connus selon l'état de la technique, on occupe si possible toute la zone sensible aux gaz avec la couche sensible aux gaz, et on dispose des électrodes à l'extérieur de cette zone sensible aux gaz. Dans le cas des transistors à effet de champ sensibles aux gaz, fabriqués actuellement, on applique les électrodes de branchement électrique de la matière sensible aux gaz de la couche 2 sensible aux gaz, dès la fabrication du générateur de signal. De manière générale, des électrodes ont une autre composition et une autre structure que la matière sensible aux gaz. Cela peut se traduire par des difficultés, par exemple des fissures ou ruptures au niveau des points de contact entre l'électrode et la couche sensible aux gaz lorsque les composants sont fortement sollicités d'une manière thermique. Exposé et avantages de l'invention La présente invention a pour but de remédier à ces inconvénients et concerne à cet effet un composant électronique du type défini ci-dessus, caractérisé en ce qu'au moins une partie de l'électrode couvre une partie de la zone sensible aux gaz. En recouvrant une partie de la zone sensible aux gaz par au moins une électrode, on obtient un contact durable, fiable et contrôlable, pour la couche sensible aux gaz. Un autre avantage du composant électronique selon l'invention, est de permettre d'effectuer des contrôles de fonctionnement dès la fabrication, avant que la couche sensible aux gaz ne soit appliquée. Cela est possible du fait qu'au moins une électrode couvre une partie de la zone sensible aux gaz fonctionnant comme zone de porte et ainsi, contrairement aux transistors à effet de champ connus selon l'état de la technique, on est directement en contact avec la zone sensible aux gaz fonctionnant comme zone de porte. La matière dans laquelle est fabriquée l'électrode est de préférence un métal noble par exemple le palladium, le platine, l'or, le rhénium, le ruthénium, ainsi que les alliages de ces métaux ou encore une matière électroconductrice et résistante chimiquement, comme le titane, le nitrure de titane ou le nitrure de tantale. Pour améliorer l'accrochage des métaux nobles utilisés comme matière pour l'électrode sur des semi-conducteurs telle que par exemple le nitrure de gallium ou le carbure de silicium, on utilise souvent le titane, le zirconium, le nitrure de titane ou le siliciure de tantale, les alliages nickel-chrome et leurs oxydes correspondants. Comme matière pour la zone sensible aux gaz servant de zone de porte, on utilise des matières isolantes telles que par exemple des oxydes comme l'oxyde de silicium (SiO2), l'oxyde d'aluminium 3 (Al2O3), l'oxyde de zirconium (ZrO2) ou l'oxyde de hafnium (HfO2), les nitrures tels que le nitrure de silicium (Si3N4) ou le nitrure de bore (BN), des carbures tels que le carbure de silicium (SiC) et des siliciures tels que le siliciure de tantale (TaSi2) ou encore le siliciure de tungstène (WSi2) ou le diamant. La matière servant à la fabrication de la couche sensible aux gaz est de préférence choisie dans le groupe comprenant les métaux nobles tels que palladium, platine, or, rhénium rhodium ou ruthénium ainsi que leurs alliages et une nanostructure des métaux nobles et/ou de métaux, d'oxydes métalliques et/ou d'autres oxydes ou carbures. L'application de l'électrode se fait par exemple par dépôt à la vapeur, pulvérisation ou autres procédés des techniques de couches minces. De préférence, on applique l'électrode par dépôt à la vapeur ou pulvérisation. Il est en outre possible par une application multiple, de réaliser une couche sensible aux gaz, plus mince dans certaines zones et des surfaces d'électrodes plus épaisses, ayant une résistance surfacique moindre pour réaliser un branchement électrique faiblement ohmique avec la couche sensible aux gaz. Ce procédé permet de former des arêtes arrondies entre la couche sensible aux gaz et les électrodes. L'application d'au moins une couche sensible aux gaz se fait également de préférence par dépôt à la vapeur ou pulvérisation. En variante, la couche sensible aux gaz est composée de la matière contenue dans un milieu liquide, gazeux ou de type plasma et qui, après séchage ou dépôt, forme une couche solide, compacte et sensible, obtenue par infiltration. Pour éviter des ruptures des arêtes dans la zone de contact de l'électrode avec la couche sensible aux gaz, il est avantageux que l'électrode soit réalisée dans la même matière que la couche sensible aux gaz. En variante, il est également possible de réaliser l'électrode en une matière ayant des propriétés analogues ou identiques à celles de la matière de la couche sensible aux gaz. Il est notamment avantageux que la matière de l'électrode et celle de la couche sensible aux gaz, présentent un coefficient de dilatation en température pratiquement identique. Il en résulte que la dilatation de la couche sensible aux gaz et celle de l'électrode sous l'effet de la température, 4 seront pratiquement identiques ce qui évite une rupture d'arête au niveau de la surface limite entre la couche sensible aux gaz et l'électrode. Pour avoir un contact aussi bon que possible entre l'électrode et la couche sensible aux gaz, il est en outre avantageux que l'électrode comporte une structure avec des cavités et des saillies. Les cavités et les saillies augmentent la surface ce qui donne une plus grande zone de contact entre l'électrode et la couche sensible aux gaz. Il en résulte l'avantage que même en cas de rupture d'arête, dans une zone de l'électrode, les autres zones restent en contact avec la couche sensible aux gaz et n'entraînent pas de défaut de fonctionnement du composant électronique. Selon un mode de réalisation de l'invention, au moins deux électrodes sont en contact avec la couche sensible aux gaz et chaque électrode couvre au moins une partie de la zone sensible aux gaz. Le cas de deux électrodes en contact avec la couche sensible aux gaz, permet de mesurer le contact électrique avec la couche sensible ainsi que, les propriétés de la couche sensible telles que par exemple la constance de la résistance de la couche. La mesure peut se faire par exemple en quatre points. La possibilité de mesurer des propriétés de la couche sensible aux gaz permet de détecter de façon précoce les possibles variations, mais aussi le décrochage de la couche sensible aux gaz. On peut ainsi remplacer suffisamment à temps le composant électronique avant toute défaillance de son fonctionnement. Selon un mode de réalisation particulièrement avantageux de l'invention, deux électrodes sont en contact avec la couche sensible aux gaz et la structure des électrodes est d'une structure interdigitée. Dans le cas d'une structure interdigitée, chaque électrode comporte des parties en saillie sous la forme de doigts et ces parties en saillie des deux électrodes s'interpénètrent à la manière de peignes. Mais cette disposition évite tout contact direct entre les électrodes. La zone située entre les électrodes est remplie totalement ou partiellement par la matière de la couche sensible aux gaz. En variante, cette couche sensible aux gaz peut couvrir l'ensemble de la zone du capteur y compris les électrodes. De manière générale, le composant électronique a au moins une autre électrode qui n'est pas en contact avec la zone sensible 5 aux gaz. Si le composant électronique est un transistor à effet de champ, de manière générale, on a au moins deux autres électrodes qui ne sont pas en contact avec la zone sensible aux gaz. Les deux électrodes servent l'une d'électrode de source et l'autre d'électrode de drain. Si le composant électronique comporte au moins une autre électrode qui n'est pas en contact avec la zone sensible aux gaz, cela permet d'effectuer un test de fonctionnement sur les électrodes pendant le fonctionnement. De manière avantageuse, toutes les électrodes qui sont en contact avec la couche sensible aux gaz, seront mises à un potentiel défini. Les électrodes qui ne sont pas en contact avec la couche sensible aux gaz, verront leurs potentiels modifiés. Les électrodes non en contact avec la zone sensible aux gaz sont par exemple celles situées sous la couche sensible aux gaz ou à côté de celle-ci, parallèlement au canal ou perpendiculairement à celui-ci. Les surfaces des électrodes non en contact avec la couche sensible aux gaz, permettent de mesurer les variations dans le canal du générateur de signal. En particulier, cela permet de détecter les variations d'isolation entre la zone de porte et le canal. Selon un mode de réalisation particulièrement avantageux, la zone sensible aux gaz du composant électronique est la zone de porte dans le cas d'un transistor à effet de champ sensible aux gaz. En fonction du matériau de la couche sensible aux gaz appliquée sur la zone sensible aux gaz, on peut détecter différents gaz. Pour pouvoir détecter par exemple plusieurs gaz différents avec un transistor à effet de champ sensible aux gaz, il est possible d'appliquer plusieurs couches sensibles aux gaz sur la zone sensible aux gaz. Dans ce cas, on peut détecter un autre gaz ou un autre composant d'un gaz avec chaque couche sensible aux gaz. 6 De manière avantageuse, si la zone sensible aux gaz est la zone de porte d'un transistor à effet de champ sensible aux gaz, l'électrode qui est en contact avec la couche de matière sensible aux gaz et qui couvre une partie de la zone sensible aux gaz, est une électrode de porte du transistor à effet de champ. L'utilisation de la même matière ou d'une matière analogue pour l'électrode et la couche sensible aux gaz, permet par exemple de modifier la matière de l'électrode pour que sa résistance spécifique soit plus faible que celle de la matière de la couche sensible aux gaz. Cette solution a l'avantage que les éventuelles variations de résistance dépendant du gaz se produiront principalement dans la zone définie à l'extérieur de l'électrode de sorte que le branchement électrique de la zone de capteur ne change que de manière négligeable. De plus, il est par exemple possible d'appliquer la matière servant à fabriquer l'électrode avec une épaisseur de couche plus importante que la matière de la couche sensible aux gaz. Pour cela, on applique plusieurs couches de matière pour l'électrode. L'épaisseur de couche la plus grande de l'électrode ou la modification de la matière pour l'électrode, par exemple pour avoir une résistance spécifique moindre, permet d'éviter une rupture d'arête au niveau de la surface limite entre la couche sensible aux gaz et l'électrode, par exemple sous l'effet des contraintes thermiques. En appliquant plusieurs couches, on peut optimiser la forme des arêtes pour éviter la rupture, par exemple, on peut employer une structure arrondie ou une diode. A côté de l'utilisation comme transistor à effet de champ sensible aux gaz, on peut utiliser les dispositifs d'électrodes décrits ci-dessus pour les appliquer également à d'autres capteurs de gaz chimiques, par exemple sous la forme d'une structure scellée ou d'une diode Schottky. Dessins La présente invention sera décrite ci-après de manière plus détaillée à l'aide d'exemples de réalisation représentés dans les dessins annexés dans lesquels : 7 - la figure 1 est une vue de dessus d'un premier mode de réalisation d'un composant électronique selon l'invention, - la figure 2 est une vue de dessus d'un second mode de réalisation d'un composant électronique selon l'invention, - les figures 3.1...3.5 montrent des variantes de réalisation pour le branchement d'un revêtement de porte d'un transistor à effet de champ. Description de modes de réalisation de l'invention La figure 1 est une vue de dessus d'un premier mode de réalisation d'un composant électronique selon l'invention. Le composant électronique 1 utilisé par exemple comme générateur de signal servant à détecter les gaz, comprend une zone 3 sensible aux gaz. Si le composant électronique est un transistor à effet de champ, sensible aux gaz, la zone sensible 3 est, de façon générale, la zone de porte du transistor à effet de champ. La zone sensible aux gaz 3 peut par exemple être munie ou occupée de couches différentes sensibles aux gaz. Les différentes couches sensibles aux gaz permettent d'obtenir des réactions très spécifiques vis-à-vis des gaz. De manière générale, les couches sensibles aux gaz contiennent des composants métalliques. Ceux-ci peuvent avoir en partie une activité catalytique. En variante, il est également possible de réaliser l'ensemble de la couche sensible aux gaz en un matériau à activité catalytique. De façon générale, les composants métalliques de la couche sensible aux gaz se présentent au moins en partie sous une forme de nanocristaux. La forme nanocristalline permet une réaction plus rapide des gaz sur ou dans la couche sensible aux gaz, car cette couche est de préférence très mince et de manière générale, elle est au moins en partie poreuse. L'épaisseur de la couche sensible aux gaz peut se situer de manière générale dans une plage de 10 nm jusqu'à 10 �m. Comme matière pour les couches sensibles aux gaz, il convient d'utiliser, en fonction des gaz à détecter ou des composants de gaz à détecter, par exemple des métaux nobles tels que le palladium, le platine, l'or, le rhénium, le rhodium ou le ruthénium et leurs alliages ainsi que, des nanostructures de métaux nobles et/ou de métaux, des 8 oxydes métalliques et/ou d'autres oxydes ou carbures. La matière qui convient à chaque cas pour l'espèce à détecter, est choisie de manière connue en soi. Pour régler un potentiel défini et ainsi un point de fonctionnement du générateur de signal, il est nécessaire de brancher électriquement la couche sensible aux gaz. Le branchement électrique de la couche sensible aux gaz se fait à l'aide d'au moins une électrode 5. Si le composant électronique 1 est un transistor à effet de champ, l'électrode 5 est l'électrode de porte. La mise en contact électrique de l'électrode 5 se fait dans chaque cas par un branchement électrique 7. Le branchement électrique 7 de l'électrode 5, peut se faire d'une manière quelconque. Selon l'invention, l'électrode 5 est réalisée pour qu'une de des parties de l'électrode 5 couvre la zone 3 sensible aux gaz. Dans le mode de réalisation présenté à la figure 1, les électrodes 5 sont en forme de L; une première branche 9 d'une électrode se trouve à l'extérieur de la zone sensible aux gaz 3 et la seconde branche 11 est appliquée au bord de la zone sensible aux gaz 3. Le recouvrement de la zone sensible aux gaz 3 par l'électrode 5 se fait ainsi au niveau de la seconde branche 11. La surface de la zone 3 sensible aux gaz non couverte par l'électrode 5, est occupée par au moins une couche sensible aux gaz. Ainsi la couche sensible aux gaz est adjacente à l'électrode 5. Il se forme une surface limite entre l'électrode 5 et la couche sensible aux gaz. Cette surface limite sert en même temps de contact électrique entre l'électrode 5 et la couche sensible aux gaz. Pour éviter que sous l'effet des contraintes thermiques, il ne se produise une rupture d'arête au niveau de la surface limite entre l'électrode 5 et la couche sensible aux gaz, il est avantageux de réaliser l'électrode 5 et cette couche sensible aux gaz, dans la même matière. En variante, il est également possible de réaliser par exemple l'électrode 5 et la couche sensible aux gaz dans deux matières différentes mais qui auront pratiquement le même coefficient de dilatation thermique. Si l'électrode 5 et la couche sensible aux gaz sont de la même matière, cela permet de réaliser l'électrode 5 avec par exemple 9 une plus grande épaisseur de couche que la couche sensible aux gaz. Cette plus grande épaisseur de couche s'obtient par exemple en appliquant plusieurs fois de la matière sur la zone de l'électrode. Si la ou les électrodes et la couche sensible aux gaz sont réalisées dans la même matière, on peut fabriquer les électrodes et la couche sensible aux gaz par exemple au cours de la même opération. En outre, il est possible de modifier par exemple légèrement la matière des électrodes 5 pour avoir une résistance moindre au niveau des électrodes. La modification de la matière des électrodes 5 se fait par exemple par addition d'une matière ayant une bonne conductivité électrique. Cela peut se faire par exemple sous la forme d'un alliage contenant la matière avec laquelle on réalise également la couche sensible aux gaz. Le composant électronique 1 réalisé sous la forme d'un transistor à effet de champ, comprend en outre une zone de canal 13. La zone de canal 13 comporte de manière générale le branchement de source et le branchement de drain du transistor à effet de champ. Le branchement de source et le branchement de drain n'ont, en général, aucun contact direct avec la couche sensible aux gaz qui est mise en contact avec les électrodes 5. De façon générale, la zone de canal 13 avec le branchement de source et le branchement de drain, les électrodes 5 et la zone sensible aux gaz 3 avec les différentes couches sensibles aux gaz, sont réalisées sur un matériau semi-conducteur constituant le substrat. Comme matière semi-conductrice du substrat, on utilise habituellement Si, SiC ou (Al)GaN ou d'autres semi-conducteurs avec une bande interdite supérieure à 2 V. Comme les électrodes 5 couvrent en partie la zone sensible aux gaz 3, il est possible de contrôler le fonctionnement par exemple déjà au cours de la fabrication du générateur de signal. En particulier, on peut effectuer ce contrôle de fonctionnement avant d'appliquer la couche sensible aux gaz sur la zone 3 sensible aux gaz. Pour le fonctionnement, on peut également contrôler le bon fonctionnement du composant électronique 1. Pour cela, on applique un potentiel défini, aux électrodes 5 en contact avec la couche sensible aux gaz. L'électrode de source et l'électrode de drain dans la zone de canal 10 13 et qui sont par exemple parallèles au canal 13 ou orthogonales à celui-ci, verront leurs potentiel modifié. Les surfaces des électrodes en liaison avec la couche sensible aux gaz, permettent de mesurer les variations dans le canal 13 du générateur de signal. On peut en particulier détecter les variations de l'isolation entre la zone de porte et la zone de canal 13. Dans le cas d'au moins deux électrodes 5 comme celles présentées à la figure 1, il est en outre possible de mesurer le contact électrique de la couche sensible aux gaz et les propriétés telles que par exemple la constance de la résistance de la couche. La mesure se fait alors par exemple par une mesure en quatre points. Cela permet de détecter de façon anticipée, les éventuelles variations ou décrochages de la couche et de remplacer à temps le composant électronique 1. La figure 2 montre un second mode de réalisation d'un composant électronique 1. Le composant électronique 1 de la figure 2 se distingue du composant électronique 1 de la figure 1 par la forme des électrodes 5. A la différence des électrodes 5 en forme de L représentées à la figure 1, les électrodes 5 de la figure 2, ont des parties en saillie 15 en forme de doigts. Entre les parties en saillie en forme de doigts 15, il y a des cavités 17. Deux électrodes 5 sont appliquées sur la zone 3 sensible aux gaz, les parties en saillie 15 d'une électrode venant dans les cavités 17 de l'autre électrode 5. Il en résulte une structure interdigitée des électrodes 5. Cette structure interdigitée, permet un bon contact des électrodes 5 avec la zone sensible aux gaz 3 et la couche sensible aux gaz ; cela donne en outre, une faible résistance du passage. De plus, grâce à leur structure, représentée à la figure 2, les électrodes ont une surface limite beaucoup plus grande avec la couche sensible aux gaz que cela n'est par exemple le cas des électrodes de la figure 1. On pourra ainsi compenser une rupture d'arête qui se produit par exemple sur une partie de l'électrode par le contact dans les autres zones. A côté des structures des électrodes 5 présentées aux figures 1 et 2, on peut également donner n'importe quelle autre forme aux électrodes 5. Grâce à cette liberté de forme que l'on peut donner aux électrodes 5, il est possible de donner à la zone sensible aux gaz 3, 11 couverte par la couche sensible aux gaz, n'importe quelle forme souhaitée. Cela permet de créer une zone définie de manière précise dans laquelle on applique la couche sensible aux gaz. Dans la conception des électrodes 5, il suffit de veiller à ce que celles-ci couvrent une partie de la zone sensible aux gaz 3. Les figures 3.1...3.5 sont des vues de dessus de variantes de réalisation d'une mise en contact selon l'invention du revêtement de porte. A la figure 3.1, l'électrode 5 de contact électrique avec la io couche sensible aux gaz 3, est de forme annulaire. L'électrode est appliquée au moins en partie sur la couche sensible aux gaz. L'électrode 5 peut s'appliquer complètement sur la couche sensible aux gaz et dans ce cas, les dimensions extérieures de la couche sensible aux gaz et de l'électrode 5, sont les mêmes ou encore l'électrode 5 peut chevaucher la 15 couche 3 sensible aux gaz. Dans le cas du mode de réalisation de la figure 3.2, les électrodes 5 couvrent chacune sensiblement un tiers de la zone sensible aux gaz 3. Les électrodes 5 ont, dans ces conditions, une forme rectangulaire. 20 La figure 3.3 montre un mode de réalisation avec des électrodes 5 en forme de L. Le mode de réalisation de la figure 3.3 correspond pour l'essentiel à celui de la figure 1. Toutefois, du fait de la forme rectangulaire de la zone sensible aux gaz 3, la surface de cette zone 3 non couverte par les électrodes 5 est plus petite que dans le 25 mode de réalisation de la figure 1. Les figures 3.4 et 3.5 montrent d'autres variantes de réalisation. Les électrodes ont chaque fois une structure interdigitée sur la zone de forme rectangulaire 3 sensible aux gaz; les électrodes 5 s'interpénètrent par des parties en saillie en forme de doigts. Les parties 30 en saillie sont réalisées dans la direction des branchements électriques 7 comme à la figure 3.4 ou transversalement à la direction des branchements électriques 7 comme dans le cas de la figure 3.5. Cela signifie que dans le mode de réalisation de la figure 3.4, le courant traversant le transistor à effet de champ dans la zone de porte, est 35 dirigé transversalement aux doigts des électrodes 5, dans le cas de la 12 figure 3.5, le courant circule dans la direction des doigts des électrodes 5.5 REVENDICATIONS1 °) Composant électronique comportant sur un substrat, au moins une électrode (5) et au moins une zone (3) sensible aux gaz, la zone (3) sensible aux gaz étant munie d'au moins une couche s électroconductrice, sensible aux gaz et l'électrode (5) est en contact avec la couche sensible aux gaz, caractérisé en ce qu' au moins une partie de l'électrode (5) couvre une partie de la zone sensible aux gaz (3). 10 2°) Composant électronique selon la revendication 1, caractérisé en ce que le matériau dans lequel est fabriquée l'électrode (5) est choisi dans le groupe comprenant : le palladium, le platine, l'or, le rhénium, le 15 rhodium, le ruthénium et des alliages de ceux-ci, le titane ou le nitrure de titane et le nitrure de tantale. 3°) Composant électronique selon la revendication 1, caractérisé en ce que 20 le matériau dans lequel est fabriquée la couche sensible aux gaz, est choisi dans le groupe comprenant : le palladium, le platine, l'or, le rhénium, le rhodium, le ruthénium et leurs alliages ainsi que des nanostructures de métaux nobles et/ou de métaux et/ou d'oxydes métalliques. 25 4°) Composant électronique selon la revendication 1, caractérisé en ce que l'électrode (5) est fabriquée dans le même matériau que la couche sensible aux gaz. 30 5°) Composant électronique selon la revendication 1, caractérisé en ce que l'électrode (5) a une structure avec des cavités (17) et des saillies (15) pour obtenir une grande surface de contact pour la couche sensible aux 35 gaz. 14 6°) Composant électronique selon la revendication 1, caractérisé en ce qu' au moins deux électrodes (5) sont en contact avec la couche sensible aux gaz et chaque électrode (5) couvre au moins une partie de la zone sensible aux gaz (3). 7°) Composant électronique selon la revendication 1, caractérisé en ce que deux électrodes (5) sont en contact avec la couche sensible aux gaz et la structure des électrodes est une structure interdigitée. 8°) Composant électronique selon la revendication 1, caractérisé en ce qu' il comporte au moins une autre électrode qui n'est pas en contact avec la zone sensible aux gaz (3). 9°) Composant électronique selon la revendication 1, caractérisé en ce que la zone (3) sensible aux gaz est une zone de porte d'un transistor à effet de champ sensible aux gaz. 10°) Composant électronique selon la revendication 9, caractérisé en ce que l'électrode (5) en contact avec la couche de matériau sensible aux gaz, est une électrode de porte. 11°) Composant électronique selon la revendication 1, caractérisé en ce que le matériau de l'électrode (5) est modifié pour avoir une résistance spécifique inférieure à celle du matériau de la couche sensible aux gaz.35