FR 2933195 A1 20100101 FR 0854300 A 20080626 Système de réflectométrie rayons X dispersive en énergie DOMAINE DE L'INVENTION La présente invention concerne le domaine de la métrologie par réflectométrie rayons X (RX) et plus particulièrement le domaine de la réflectométrie RX dispersive en énergie. ETAT DE LA TECHNIQUE La réflectométrie RX permet d'obtenir à partir d'une courbe de réflectivité spéculaire des informations sur l'épaisseur, la rugosité et la densité de couches minces (c'est-à-dire des couches ayant des épaisseurs typiquement de 2 Angstrôms [A] à 2000 Angstrôms [Al). La réflectométrie RX dispersive en énergie consiste à mesurer la variation du rapport de l'intensité du rayonnement réfléchi sur l'intensité du rayonnement incident (on appelle ce rapport la réflectivité) en fonction de l'énergie du rayonnement utilisé pour déterminer ce type de paramètres (épaisseurs, densités, rugosité). A titre d'illustration, la figure 1 a illustre une simulation de mesure de réflectométrie RX dispersive en énergie pour un échantillon donné, l'angle d'incidence du rayonnement X sur l'échantillon étant fixe. L'énergie (E) et la longueur d'onde (À) d'un rayonnement étant proportionnels (on a la relation suivante entre les deux paramètres : À [A] = 12,39 / E [keV]), il est également possible d'analyser la variation de la réflectivité en fonction de la longueur d'onde pour déterminer le même type de paramètres. La figure 1 b illustre une simulation de mesure de réflectométrie RX en fonction de la longueur d'onde pour le même échantillon que sur la figure la. On précise que l'on utilisera par la suite le terme unique de réflectométrie dispersive en énergie quelque soit le type de paramètre analysé (longueur d'onde ou énergie) et le dispositif de détection utilisé (c'est-à-dire quelque soit sa résolution) Un équipement de réflectométrie dispersif en énergie est typiquement constitué d'une source rayons X adaptée pour illuminer un échantillon avec un rayonnement polychromatique sous un angle d'incidence donné (l'angle d'incidence étant défini comme l'angle formé par la direction moyenne du faisceau RX par rapport à la surface moyenne de l'échantillon), et d'un détecteur ou d'un ensemble de détecteurs adaptés pour discriminer le rayonnement X réfléchi par l'échantillon en fonction de l'énergie du faisceau incident. Ce type de technique de mesure se différencie des mesures de réflectométrie dispersive en angle consistant à mesurer la variation de la réflectivité en fonction de l'angle d'incidence du rayonnement X utilisé. A titre d'illustration, la figure 2 illustre une simulation de courbe de réflectométrie dispersive en angle, l'énergie du rayonnement X utilisé étant fixe. L'instrumentation par réflectométrie rayons X permet de déterminer différents paramètres physiques d'une couche mince de matériaux ou d'un ensemble de couches minces à partir d'une courbe de variation de la réflectivité en fonction d'un des deux paramètres expérimentaux évoqués ci-dessus (l'angle d'incidence du faisceau incident ou son énergie ou la longueur d'onde). Outre l'épaisseur totale ou la densité des couches, la réflectométrie rayons X permet également de déterminer les épaisseurs individuelles dans le cas d'un empilement de couches mais également la rugosité des interfaces d'un empilement de couches. L'une des applications industrielles possibles de la réflectométrie rayons X est le contrôle de procédés de dépôt de couches minces métalliques dans l'industrie semi-conducteur. Les équipements de réflectométrie RX actuellement utilisés (typiquement des équipements de réflectométrie dispersifs en angle) ne sont toutefois pas satisfaisants puisqu'ils nécessitent une surface de mesure sur l'échantillon assez étendue ce qui réduit d'autant les zones actives des wafer. Cet inconvénient impacte directement le coût de fabrication des wafers et des solutions alternatives sont donc recherchées. Un but de la présente invention est donc de proposer un système de réflectométrie RX dispersif en énergie permettant de résoudre cet inconvénient, et d'effectuer notamment des mesures de réflectivité sur des zones tests de dimensions réduites, dont toutes les dimensions sont inférieures à 300 micromètres (pm). EXPOSE DE L'INVENTION A cette fin, on propose un système de réflectométrie rayons X dispersif en énergie pour analyser un échantillon, comprenant : - une source pour émettre un faisceau de rayons X, ladite source étant couplée à un dispositif optique de collection comprenant des moyens pour focaliser le faisceau émis par la source avec une taille de spot inférieure à 100 pm dans les deux dimensions et selon un angle d'incidence donné par rapport à l'échantillon, - un dispositif de détection permettant de mesurer l'intensité du faisceau de rayons X réfléchi par l'échantillon en fonction de l'énergie des rayons X sur une plage d'énergie de mesure prédéfinie, caractérisé en ce que la source comprend des moyens pour émettre un faisceau de rayons X selon un spectre polychromatique d'énergies inférieures à 3 keV, et en ce le dispositif optique de collection est agencé par rapport à l'échantillon pour focaliser le faisceau selon un angle d'incidence fixé pour que la projection du spot sur l'échantillon ait un facteur d'élongation inférieur à 10. Des aspects préférés mais non limitatifs de système de réflectométrie dispersive en énergie sont les suivants : - la source comprend des moyens pour émettre un faisceau de rayons X selon un spectre polychromatique d'énergie défini dans la gamme comprise entre 60 eV et 2,5 keV, et en ce que le dispositif optique de collection est agencé par rapport à l'échantillon pour focaliser le faisceau selon un angle d'incidence compris entre 10° et 50°; - la source comprend des moyens pour émettre un faisceau de rayons X selon un spectre polychromatique d'énergie compris entre 60 eV et 600 eV, et en ce que le dispositif optique de collection est agencé par rapport à l'échantillon pour focaliser le faisceau selon un angle d'incidence de 40° ; - Système selon la revendication 2, caractérisé en ce que la source comprend des moyens pour émettre un faisceau de rayons X selon un spectre polychromatique d'énergie compris entre 200 eV et 2,5 keV, et en ce que le dispositif optique de collection est agencé par rapport à l'échantillon pour focaliser le faisceau selon un angle d'incidence de 12° ; - le dispositif de détection comprend un détecteur mobile, et un ensemble monochromateur mobile comprenant au moins un monochromateur ; - l'ensemble monochromateur comprend plusieurs monochromateurs interchangeables ; - l'ensemble monochromateur comprend trois miroirs multicouches interchangeables, lesdits miroirs étant adaptés pour réfléchir sélectivement des rayons X suivant des gammes d'énergie différentes les unes des autres ; - les trois miroirs multicouches comprennent un miroir multicouche W/Si, un miroir multicouche Mo/B4C, et un miroir multicouche Mo/Si ; - le dispositif optique de collection est un miroir à réflexion totale de forme toroïdale ou ellipsoïdale ; - le dispositif optique de collection comprend des fentes de définition placées en entrée ou en sortie, lesdites fentes ayant des formes et des dimensions ajustables de manière à pouvoir ajuster la résolution angulaire de la mesure de réflectivité pour compenser une variation de résolution énergétique sur la plage d'énergie de mesure souhaitée ; - le système de réflectométrie comprend en outre un canon à électrons permettant d'effectuer des mesures de fluorescence par rayons X sur un échantillon excité par faisceau d'électrons. DESCRIPTION DES FIGURES D'autres caractéristiques et avantages de l'invention ressortiront encore de la description qui suit, laquelle est purement illustrative et non limitative et doit être lue en regard des dessins annexés, sur lesquels : - la figure la est une courbe simulée illustrant l'évolution de la réflectivité pour un empilement TaN (50,0 A) / Ta (50,0 A) / Cuivre (400,0 A) en fonction de l'énergie du rayonnement incident pour un angle d'incidence fixé (0=12°) ; - la figure 1 b est une courbe simulée illustrant l'évolution de la réflectivité pour un empilement TaN (50,0 A) / Ta (50,0 A) / Cuivre (400,0 A) en fonction de la longueur d'onde du rayonnement incident pour un angle d'incidence fixé (0=12°) ; - la figure 2 est une courbe simulée illustrant l'évolution de la réflectivité pour un empilement TaN (50,0 A) / Ta (50,0 A) / Cuivre (400,0 A) en fonction de l'angle d'incidence pour une énergie fixée (E=8.05keV) ; - les figures 3a et 3b illustrent l'influence de l'angle d'incidence sur la taille du spot projeté sur l'échantillon illuminé ; - la figure 4 est une représentation schématique d'un système de réflectométrie dispersif en énergie selon l'invention dans lequel le dispositif de détection est composé d'un monochromateur et d'un détecteur associé en configuration de cercle de Rowland ; - la figure 5 est une représentation schématique d'un système de réflectométrie dispersif en énergie selon l'invention sur laquelle sont illustrées deux positions respectives de mesures d'un monochromateur mobile et du détecteur associé afin de mesurer l'intensité du faisceau réfléchit par l'échantillon en fonction de l'énergie. DESCRIPTION DETAILLEE DE L'INVENTION Les dimensions des zones de test nécessaires aux mesures de réflectométrie RX correspondent à la taille du spot du faisceau de rayons X tel qu'il est projeté sur l'échantillon. On précise que le spot est défini comme la section du faisceau de rayons X qui est perpendiculaire à la direction générale de propagation des rayons X. Or la taille du spot projeté sur l'échantillon dépend essentiellement de l'angle d'incidence du faisceau de rayons X (c'est à dire l'angle formé par la direction moyenne du faisceau RX par rapport à la surface moyenne de l'échantillon). En effet, plus l'angle d'incidence est faible (faisceau RX rasant), plus la taille du spot projeté sur l'échantillon sera grande. Ce phénomène est illustré aux figures 3a et 3b qui représentent un faisceau F de rayons X focalisé par une optique d'illumination suivant une largeur de spot P (la focalisation n'apparaît pas sur la figure 3 car l'angle de convergence est très faible par rapport à l'angle d'incidence du faisceau) avec des angles d'incidence différents, de 10° et de 0,3° respectivement. On observe sur ces figures que la taille du spot P projeté sur l'échantillon, SE et SE' respectivement, augmente lorsque l'angle d'incidence du faisceau de rayons X devient plus rasant. On appelle �facteur d'élongation � l'agrandissement de la dimension du spot projeté dans la direction de propagation des rayons X par rapport à la même dimension du spot projeté si le faisceau frappait l'échantillon perpendiculairement (incidence normale). Le système de réflectométrie RX dispersif en énergie proposé intègre une source 1 à rayons X émettant un spectre d'énergie polychromatique d'énergie inférieure à 3 keV, et une optique de collection 2 pour conditionner le faisceau de rayons X émis par la source 1 sur un échantillon E dont on souhaite mesurer la réflectivité en fonction de l'énergie du faisceau incident. On utilise préférentiellement une optique de collection 2 permettant de conditionner le faisceau RX selon un effet optique bidimensionnel (typiquement un effet de focalisation bidimensionnel). Le faisceau F de rayons X conditionné par l'optique de collection 2 impacte l'échantillon E avec un angle d'incidence O. Dans le cas de l'invention, l'angle d'incidence 0 est fixé à une valeur comprise en 10 et 50° environ. Une telle valeur d'angle d'incidence permet de restreindre l'élongation du spot de rayons X produit par l'optique de collection 2 au niveau de l'échantillon par rapport à des mesures standard de réflectométrie effectuées à des énergies plus élevées (typiquement l'énergie Cuivre Kalpha) et donc à des angles d'incidence rasants. Les systèmes de réflectométrie RX dispersifs en énergie (ou dispersifs en angle) actuels utilisent en effet une source RX à haute énergie (de l'ordre de 8 keV pour une radiation Cuivre Kalpha) et sont donc agencés pour que le faisceau RX frappe l'échantillon avec une incidence rasant. Ainsi même pour une taille de spot réduite, par exemple inférieure à 100 pm dans les deux dimensions, la projection du faisceau de rayons X sur l'échantillon atteint une dimension supérieure à quelques millimètres dans la dimension donnée par le plan de réflexion moyen de l'échantillon (qui est le plan de la figures 3a et 3b). Comme cela est illustré sur les figures 3a et 3b, pour un spot P de rayons X de même dimension produit par l'optique de collection 2, la projection SE du spot de rayons X est beaucoup plus faible dans le cas de l'invention c'est-à-dire pour des angles d'incidence de 10° à 50° en comparaison à la projection SE, obtenue avec un angle d'incidence rasant de l'ordre de 0,3° (pour lequel on obtient un facteur d'élongation de l'ordre de 200). La valeur de 0 de 0,3° correspond à une valeur typique proche de l'angle critique des matériaux classiquement étudiés dans l'industrie semi-conducteurs lorsque ceux-ci sont analysés à une énergie de 8 keV. On précise que l'angle critique correspond à l'angle donnant approximativement la moitié de la réflexion totale. Lors des mesures de réflectométrie dispersives en angles à une énergie de 8 keV cet angle d'incidence de 0,3° est ainsi typiquement utilisé parmi la plage de mesure ce qui conduit à une élongation importante du spot projeté sur l'échantillon. Dans le cas de l'invention, la valeur de l'angle d'incidence 0 est fixée en fonction de la plage d'énergie de mesure avec laquelle on souhaite effectuer la mesure de réflectométrie dispersive en énergie. Comme cela est illustré sur la figure 1, on cherche ainsi typiquement à intégrer la mesure entre une valeur d'énergie Ec, que l'on appelle énergie critique, permettant de déterminer la valeur de réflectivité proche de la réflexion totale du matériau à analyser, et une valeur d'énergie EL, que l'on appelle énergie limite, au-delà de laquelle la réflectivité est très faible voire quasi nulle. On obtient ainsi une plage d'énergie de mesure DEM comprise entre Ec et EL. Les valeurs de Ec et EL sont fixées en fonction du type d'échantillon mesuré. Pour les types d'échantillons particuliers que l'on cherche à mesurer (typiquement des couches métalliques d'épaisseurs comprises entre 20 Angstrôms [A] et 2000 Angstrôms [Al), la valeur de Ec est typiquement de l'ordre de 200 eV (soit environ 60 A en échelle de longueur d'onde) pour un angle d'incidence de 12°, et de l'ordre de 60 eV (soit environ 200 A en échelle de longueur d'onde) dans le cas où l'angle d'incidence est de 40°. De même on précise que dans le domaine principal d'application de l'invention, c'est-à-dire pour le contrôle de procédés de dépôt de couches minces métalliques dans l'industrie semi-conducteur, on a une plage de mesure DEM qui est au maximum de l'ordre de 2,2 keV. Ainsi, pour que la projection du spot sur l'échantillon ait un facteur d'élongation inférieur à 10, la plage de mesure (c'est à dire le spectre du rayonnement polychromatique issu de la source RX) est définie dans une gamme comprise entre 60 eV (soit une longueur d'onde d'environ 200 A) et 2,5 keV (soit une longueur d'onde de 5 A), l'angle d'incidence du faisceau de rayons X étant compris en 10° et 50°. Le tableau 1 illustre deux plages de mesures DEM et les angles d'incidences associés correspondant à deux configurations privilégiées de l'invention. Tableau 1 û Plages de mesures AEM et angles d'incidences 6 associés pour deux configurations privilégiées de l'invention Plage de mesure DEM 0 Entre Ec= 60eV et E~= 600eV 40° Entre Ec = 200eV et E~ = 2,5keV 12° Comme il a déjà été indiqué, la source 1 de rayons X émet un rayonnement polychromatique afin de pouvoir effectuer une mesure de réflectométrie dispersive en énergie. La source 1 de rayons X émet ainsi significativement et de manière relativement homogène dans la plage d'énergie correspondant à la plage de mesure DEM. Selon une version privilégiée de l'invention, la source de rayons X est une source de type interaction électron-matière à anode fixe ou tournante dite à faisceau blanc ou à rayonnement de freinage. Dans le cas d'une source à interaction électron-matière, l'anode pourra être une anode en tungstène et la source sera configurée pour générer un rayonnement de freinage dans le spectre voulu. La source peut également être une source à décharge plasma ou à interaction laser-gaz. Dans la gamme d'énergie de fonctionnement du système de réflectométrie selon l'invention, c'est-à-dire pour un spectre d'énergie de mesure inférieur à 3 keV, la génération de rayonnement de freinage à partir d'une anode en matériau solide peut être rendue délicate par l'auto-absorption du rayonnement émis par l'anode. Pour éviter ce problème, on peut utiliser une source à interaction laser-gaz dont la cible génératrice de rayons X est un gaz comme de l'argon (comme les sources commercialisés par la société EPPRA). Dans ce cas, on pourra utiliser un mélange de gaz pour réaliser une source rayons avec un spectre suffisamment large. Une autre solution pour générer un rayonnement X d'énergie inférieure à 3 keV avec un spectre polychromatique suffisamment large, peut consister à utiliser deux à trois sources de rayons X émettant chacune un spectre d'énergie donné. Ces deux ou trois sources spécifiques constituent ainsi une source pouvant émettre des rayons X selon un spectre polychromatique large. On pourra ainsi utiliser une source émettant dans le domaine de l'extrême ultra-violet (entre 10 et 20 nm environ) couplée à une source émettant dans la fenêtre de l'eau (source émettant entre 2 et 5 nm environ), couplées éventuellement à une troisième source émettant dans le spectre intermédiaire entre ces deux sources. Chacune des sources pourra alors être couplée à son propre dispositif de détection 3 c'est-à-dire adapté à détecter la gamme d'énergie correspondante émise par la source. Le système de réflectométrie rayons X selon l'invention est équipé d'un dispositif de détection 3 discriminant en énergie. Ce dispositif de détection 3 est ainsi adapté pour détecter et mesurer l'intensité du signal réfléchi par l'échantillon en fonction de l'énergie du faisceau incident F sur la plage de mesure DEM souhaitée. Selon une application privilégiée de l'invention, le dispositif de détection est un dispositif de détection de spectromètre rayons X adapté pour caractériser les éléments légers (mesure spectrométrique pour les éléments du tableau périodique allant du Beryllium au Phosphore). De façon préférée, comme cela est illustré sur la figure 4, on utilise des ensembles de détection dits dispersifs en longueur d'onde, constitués d'un monochromateur 300 (qui peut être un monochromateur multicouche ou un cristal monochromateur) et d'un détecteur 310 (qui peut notamment être un détecteur proportionnel à gaz). Typiquement le cristal monochromateur 300 a une courbure cylindrique donnée par la forme du cercle de Rowland (R) assurant les conditions nécessaires pour une focalisation sur le détecteur 310 du rayonnement émis par l'échantillon et collecté par le monochromateur. Lorsque, pour un rayonnement de longueur d'onde À donnée, le monochromateur 300 se trouve en condition de Bragg, c'est-à-dire lorsque l'angle d'incidence 3 du rayonnement RX sur le cristal, la longueur d'onde À et la distance d qui est la distance inter-réticulaire dans le cas d'un cristal monochromateur (ou la période du multicouche dans le cas d'un monochromateur multicouche) répondent à la loi de Bragg, le rayonnement de longueur d'onde donné est diffracté par le monochromateur 300. La détection du signal réfléchi par l'échantillon E à plusieurs énergies peut s'effectuer à l'aide de plusieurs systèmes de détection agencés autour de l'échantillon chacun étant constitué d'un monochromateur 300 fixe adapté pour réfléchir une énergie donnée et d'un détecteur 310 associé. On désigne cette configuration comme une configuration fixe à multi-détection simultanée. Selon une application privilégiée de l'invention, l'équipement de réflectométrie dispersive est constitué d'un dispositif de détection qui est un ensemble de détection de spectromètre de fluorescence rayons-X séquentiel comportant un détecteur mobile et un ensemble monochromateur mobile constitué d'au moins un monochromateur . Ainsi par un déplacement contrôlé du monochromateur 300 et du détecteur 310 il est possible d'ajuster l'angle d'incidence 3 sur le monochromateur 300 du rayonnement réfléchi par l'échantillon tout en maintenant les conditions du cercle de Rowland. La figure 5 illustre ce principe. Il est représenté sur cette figure un dispositif de détection séquentiel avec deux positions d'un même monochromateur représentées par les monochromateurs 301 et 302. Ces deux positions sont obtenues par un déplacement des monochromateurs selon l'axe D. Différentes mécaniques permettent de déplacer le détecteur de manière synchronisée avec le monochromateur tout en respectant les conditions du cercle de Rowland. La variation de l'angle d'incidence 3 illustrée sur la figure 5 (avec le passage d'un angle [3' à R") permet donc une variation de la longueur d'onde (et donc de l'énergie) qui est diffractée par le monochromateur (la longueur d'onde diffractée par le monochromateur en position 301 est différente de la longueur d'onde diffractée par le monochromateur en position 302). Plusieurs énergies peuvent alors être détectées de manière séquentielle par le même ensemble de détection 3 avec des positions différentes du monochromateur 300 et du détecteur 310. Pour couvrir une large plage d'énergie de mesure DEM, comme cela est requis pour le domaine d'application de l'invention, l'utilisation de plusieurs monochromateurs est nécessaire dans une configuration où un dispositif de détection séquentiel est utilisé. Typiquement deux à trois monochromateurs à revêtement multicouche pourront être utilisés. L'ensemble monochromateur peut ainsi être constitué d'une tourelle permettant par une rotation autour d'un axe d'interchanger les monochromateurs comme cela est le cas par exemple dans les spectromètres à sonde électronique commercialisés par la société CAMECA (équipement dits EPMA correspondant à l'acronyme du terme anglo-saxon Electron Probe Microanalysis). Le tableau ci-dessous précise les gammes d'énergie pouvant être détectées et le monochromateur correspondant pour une configuration donnée de dispositif de détection séquentiel (cas où on fixe l'angle d'incidence à une valeur d'environ 40°). Tableau 2- Liste des paramètres de détection pour un angle d'incidence de 40° Monochromateur 2d du monochromateur Gamme d'analyse (d=Période du multicouche) W/Si 6,1 nm 680 eV à 280 eV Mo/B4C 14 nm 100 à 400 eV Mo/Si 14 à 20 nm 60 à 100 eV Un équipement de réflectométrie dispersive en énergie avec un dispositif de détection séquentiel intégrant les monochromateurs décrits ci-dessus permet donc d'effectuer des mesures de réflectométrie dispersive en énergie avec une plage de mesure DEM de l'ordre de 600 eV à partir d'une énergie critique Ec de l'ordre de 60 eV (correspondant à une longueur d'onde d'environ 200 A). Il est ainsi possible d'acquérir des courbes de réflectométrie dispersive en énergie telles qu'illustrées à la figure la pour des empilements de couches minces utilisés traditionnellement en microélectronique (on précise que les courbes de réflectométrie de la figure la ont été simulées pour une autre plage de mesure et un autre angle d'incidence que la configuration présentée ci-dessus). En outre, la zone de test sur l'échantillon est réduite puisque l'élongation du spot rayons X sur le plan d'analyse est limitée, grâce à l'angle d'incidence élevé. En effet, avec la configuration selon l'invention intégrant les monochromateurs décrits dans le tableau 1, il est possible d'utiliser un angle d'incidence de l'ordre de 40°, l'angle de réflexion étant également de 40° ce qui permet de limiter le facteur d'élongation du faisceau F incident sur l'échantillon à une valeur de l'ordre de 1,5 (comme il a été précisé ci-dessus ce facteur d'agrandissement se produit essentiellement dans une dimension). A partir d'un faisceau incident F dont la taille de spot sur l'échantillon (non projeté) est de l'ordre de 50 pm, on peut ainsi obtenir une mesure de réflectométrie sur une zone test d'échantillon de 50 pm par 75 pm, ce qui représente un avantage significatif par rapport aux configurations de réflectométrie de l'art antérieur. Conditionnement du faisceau incident Le faisceau incident émis par la source 1 est conditionné par l'ensemble optique de collection 2 qui permet de réfléchir efficacement un spectre polychromatique, notamment dans la plage de mesure AEM souhaitée. La fonction de l'ensemble optique de collection est également de collecter le faisceau divergent issu de la source et de le focaliser sur un petit spot S au niveau de l'échantillon avec des dimensions préférentiellement inférieures à 100 pm. La focalisation réalisée par l'ensemble optique de collection est effectuée avec une très faible convergence a dans le plan de réflexion R de l'échantillon (on définira ce plan comme le plan perpendiculaire au plan d'analyse de l'échantillon intégrant la direction générale de propagation des rayons-X issus de l'optique de collection 20). A ce titre, la convergence a est fixée par rapport à l'angle d'incidence 0 du faisceau F sur l'échantillon et est de l'ordre de 1% de cette valeur pour obtenir des mesures de réflectométrie suffisamment précises. Pour un angle d'incidence de 40° l'angle de convergence a tolérée dans le plan de réflexion R est de 0,4°. La convergence a' du faisceau de rayons X qui peut être tolérée dans le plan perpendiculaire horizontal au plan de réflexion R peut être plus élevée. Cette convergence est fixée de manière à limiter la distribution d'angle d'incidence sur l'échantillon à la tolérance voulue (à savoir 1% de l'angle d'incidence). Une convergence a' de l'ordre de 1° ou plus pourra être tolérée dans le domaine d'application de l'invention. Le tableau 2 ci-dessous précise les paramètres de fonctionnement d'un ensemble optique de collection 20 adapté pour focaliser sur l'échantillon le faisceau émis par un foyer ponctuel de la source 1 avec un grandissement de 1 (par rapport à la taille de la source) et un angle d'incidence de 40° sur l'échantillon. Le miroir décrit ci-dessous dans le tableau 2 est adapté pour réfléchir un spectre polychromatique compris entre 60 eV et 500 eV avec une réflectivité de 80 % environ. Tableau 3 û Exemple de paramètres de fonctionnement de l'optique de collection Revêtement Nickel 10 nm Angle d'incidence moyen sur le miroir 3° Longueur L du miroir 33 mm Distance centre du miroir à la source (p) 250 mm Distance centre du miroir à l'échantillon (q) 250 mm Convergence a 0,4° Stratéqie de mesure Nous allons maintenant évoquer des stratégies d'acquisition de mesures adaptées à la technique décrite ci-dessus. Les cristaux analyseurs multicouches décrits ci-dessus permettent de filtrer un rayonnement polychromatique avec une certaine sensibilité (typiquement de l'ordre de 1% de la longueur d'onde filtrée). Néanmoins les analyseurs multicouches ne constituent pas un filtre parfait et compte-tenu du niveau de sensibilité recherché pour atteindre le niveau de dynamique voulu sur l'intensité des faisceaux réfléchis, il peut être nécessaire de prendre des précautions pour ne pas créer des artefacts de mesures en mesurant un signal parasite correspondant à une autre énergie que l'énergie voulue lors du balayage du monochromateur dans le dispositif de détection 3. En effet, comme cela est illustré à la figure 1, on cherche à atteindre une dynamique de 106. Pour un angle d'incidence de 12° du faisceau de rayons X sur l'échantillon, l'échantillon réfléchit donc avec un facteur 106 fois plus élevé à une énergie de 20 eV qu'à une énergie de 2 keV. Il ressort d'une telle caractéristique de l'échantillon que lors d'une mesure séquentielle du signal réfléchi à une énergie donnée (la mesure séquentielle étant obtenue par un déplacement du monochromateur comme illustré sur la figure 5 avec un déplacement le long de l'axe D), un comptage parasite pourra être effectué, celui-ci étant d'autant plus préjudiciable pour les mesures à des énergies plus élevées (aux alentours de 2 keV) pour lesquels le signal réfléchi par l'échantillon est faible en théorie (et pourra d'autant plus facilement être parasité). Pour pallier à un tel artefact il peut être prévu d'acquérir la mesure de réflectométrie dispersive en énergie en deux temps avec une première exposition de l'échantillon à des énergies faibles puis une deuxième exposition à des énergies élevées en filtrant les faibles énergies. Le risque de parasitage décrit ci-dessus est alors réduit. Pour cela un filtre mobile peut être utilisé sur la source pour filtrer les rayons X de faibles énergies pendant l'acquisition du spectre de réflectométrie aux énergies plus élevées. En ce qui concerne l'acquisition du spectre aux faibles énergies, on peut choisir dans le cas d'une source rayons X à rayonnement de freinage de faire varier la tension d'accélération pour extraire uniquement des rayons X à faibles énergies de la source. Dans un deuxième temps l'augmentation de la tension d'accélération permettra d'extraire des rayons X à haute énergie. Cette augmentation de la tension d'accélération devra être couplée à l'utilisation d'un filtre mobile pour filtrer les faibles énergies. Confiquration de l'équipement Compte-tenu de l'énergie des radiations utilisées (rayons X mous, avec une énergie inférieure à 3 keV) l'ensemble du système de réflectométrie revendiqué est mis sous vide. Selon une application privilégiée de l'invention, celui-ci est compartimenté pour ne pas entrainer de contamination par des débris éventuels de la source. Selon une autre application privilégiée de l'invention, le système de réflectométrie dispersive en énergie est couplé à un canon à électrons analogue à ceux utilisés dans des microsondes électroniques EPMA. On pourra notamment utiliser le dispositif de détection 3 pour détecter le signal de fluorescence émis par un échantillon E excité par le faisceau électronique émis par le canon à électrons. Ainsi, on peut avoir un équipement rayons X constitué de plusieurs modules de mesures permettant d'effectuer en complément de la mesure de réflectométrie rayons X d'autres caractérisations par rayons X, ou autres. Le lecteur aura compris que de nombreuses modifications peuvent être apportées sans sortir matériellement des nouveaux enseignements et des avantages décrits ici. Par conséquent, toutes les modifications de ce type sont destinées à être incorporées à l'intérieur de la portée du système réflectométrie rayons X selon l'invention. REVENDICATIONS1. Système de réflectométrie rayons X dispersif en énergie pour analyser un échantillon, comprenant : - une source (1) pour émettre un faisceau de rayons X, ladite source (1) étant couplée à un dispositif optique de collection (2) comprenant des moyens pour focaliser le faisceau émis par la source (1) avec une taille de spot inférieure à 100 pm dans les deux dimensions et selon un angle d'incidence donné par rapport à l'échantillon, - un dispositif de détection (3) permettant de mesurer l'intensité du faisceau de rayons X réfléchi par l'échantillon en fonction de l'énergie des rayons X sur une plage d'énergie de mesure prédéfinie, caractérisé en ce que la source (1) comprend des moyens pour émettre un faisceau de rayons X selon un spectre polychromatique d'énergies inférieures à 3 keV, et en ce le dispositif optique de collection (2) est agencé par rapport à l'échantillon pour focaliser le faisceau selon un angle d'incidence fixé pour que la projection du spot sur l'échantillon ait un facteur d'élongation inférieur à 10. 2. Système selon la revendication 1, caractérisé en ce que la source (1) comprend des moyens pour émettre un faisceau de rayons X selon un spectre polychromatique d'énergie défini dans la gamme comprise entre 60 eV et 2,5 keV, et en ce que le dispositif optique de collection (2) est agencé par rapport à l'échantillon pour focaliser le faisceau selon un angle d'incidence compris entre 10° et 50°. 3. Système selon la revendication 2, caractérisé en ce que la source (1) comprend des moyens pour émettre un faisceau de rayons X selon un spectre polychromatique d'énergie compris entre 60 eV et 600 eV, et en ce que le dispositif optique de collection (2) est agencé par rapport à l'échantillon pour focaliser le faisceau selon un angle d'incidence de 40°. 4. Système selon la revendication 2, caractérisé en ce que la source (1) comprend des moyens pour émettre un faisceau de rayons X selon un spectre polychromatique d'énergie compris entre 200 eV et 2,5 keV, et en ce que le dispositif optique de collection (2) est agencé par rapport à l'échantillon pour focaliser le faisceau selon un angle d'incidence de 12°. 5. Système selon l'une des revendications 1 à 2, caractérisé en ce que le dispositif de détection (3) comprend un détecteur mobile, et un ensemble monochromateur mobile comprenant au moins un monochromateur. 6. Système selon la revendication 5, caractérisé en ce que l'ensemble monochromateur comprend plusieurs monochromateurs interchangeables. 7. Système selon l'une des revendications 5 ou 6, caractérisé en ce que l'ensemble monochromateur comprend trois miroirs multicouches interchangeables, lesdits miroirs étant adaptés pour réfléchir sélectivement des rayons X suivant des gammes d'énergie différentes les unes des autres. 8. Système selon la revendication 7, caractérisé en ce que les trois miroirs multicouches comprennent un miroir multicouche W/Si, un miroir multicouche Mo/B4C, et un miroir multicouche Mo/Si. 9. Système selon l'une des revendications 1 à 8, caractérisé en ce que le dispositif optique de collection (2) est un miroir à réflexion totale de forme toroidale ou ellipsoidale 10. Système selon l'une des revendications 1 à 9, caractérisé en ce que le dispositif optique de collection (2) comprend des fentes de définition placées en entrée ou en sortie, lesdites fentes ayant des formes et des dimensions ajustables de manière à pouvoir ajuster la résolution angulaire de la mesure de réflectivité pour compenser une variation de résolution énergétique sur la plage d'énergie de mesure souhaitée. 11. Système selon l'une des revendications 1 à 10, caractérisé en ce qu'il comprend en outre un canon à électrons permettant d'effectuer des mesures de fluorescence par rayons X sur un échantillon excité par faisceau d'électrons.