FR 2939256 A1 20100604 FR 0858161 A 20081201 OSCILLATEUR RADIOFREQUENCE A VANNE DE SPIN OU A JONCTION TUNNEL DOMAINE DE L'INVENTION La présente invention appartient au domaine des oscillateurs radiofréquences mettant en oeuvre la technologie des systèmes magnétiques en couches minces. Elle vise plus particulièrement de tels oscillateurs radiofréquences mettant en oeuvre des 10 vannes de spin ou des jonctions tunnel magnétiques comportant un empilement magnétique d'au moins une couche magnétique libre, une couche magnétique piégée, lesdites couches étant interfacées par une couche intermédiaire. ETAT ANTERIEUR DE LA TECHNIQUE Les oscillateurs radiofréquences sont destinés à fonctionner dans des gammes de fréquences élevées typiquement comprises entre quelques dizaines de mégahertz et quelques dizaines de gigahertz. 20 Afin de satisfaire les exigences nées du développement, notamment de la téléphonie mobile (cellulaires, portables), outre de la saturation des bandes de fréquences attribuées à la télécommunication, on a proposé de remplacer l'allocation statique desdites bandes de fréquence par une allocation dynamique. Ce principe repose sur la capacité d'analyser le spectre de fréquences, et d'identifier les bandes de fréquences libres afin de pouvoir les 25 utiliser. On parle alors de � radio opportuniste �. Cependant, afin de mettre en oeuvre ce principe d'allocation dynamique de fréquences, les dispositifs le mettant en oeuvre doivent disposer d'oscillateurs à très larges bandes, et par ailleurs être très performants en bruit de phase, et donc à fort coefficient de qualité Q = f/Af. 15 Une solution technique propre à satisfaire ces exigences consiste en la mise en oeuvre d'oscillateurs radiofréquences à électronique de spin. Avec de tels oscillateurs, on dispose d'une large bande de fréquences avec un facteur de qualité Q élevé, outre une accordabilité en fréquence aisée et mettant en oeuvre une architecture relativement simple. L'électronique de spin utilise le spin des électrons comme degré de liberté supplémentaire, afin de générer des effets nouveaux. On a montré qu'en faisant passer un courant polarisé en spin à travers une couche mince 10 magnétique, on produit un renversement de son aimantation en l'absence de tout champ magnétique externe. Le courant polarisé en spin peut également générer des excitations magnétiques entretenues, également dénommées oscillations. L'utilisation de l'effet de génération d'excitations magnétiques entretenues dans un dispositif magnétorésistif permet de convertir cet effet en une modulation de résistance électrique directement utilisable dans 15 les circuits électroniques et donc, corolairement, susceptible d'intervenir directement au niveau de la fréquence. Le document US-5 695 864 décrit divers développements mettant en oeuvre le principe mentionné ci-dessus, et décrit notamment la précession de l'aimantation d'une couche 20 magnétique traversée par un courant électrique polarisé en spin. On a représenté en relation avec la figure 1 un empilement des couches magnétiques susceptibles de constituer un tel oscillateur radiofréquence. Cet empilement est inséré entre deux zones de contact électriques 5', 5, par exemple réalisé en cuivre ou en or. 25 La couche 2 de cet empilement, dite � couche piégée �, présente une aimantation à orientation fixe. Elle peut être constituée d'une couche simple, d'épaisseur typique comprise entre 5 et 100 nanomètres, et par exemple réalisée en cobalt, ou plus généralement en un alliage à base de cobalt et/ou de fer et/ou de nickel (par exemple CoFe ou NiFe). Cette couche piégée 2 peut être simple ou synthétique. Elle remplit la fonction de polariseur. 30 Ainsi, des électrons du courant électrique traversant les couches constitutives du dispositif magnétorésistif perpendiculairement à leur plan, réfléchis ou transmis par le polariseur, sont5 polarisés avec une direction de spin parallèle à l'aimantation qu'a la couche 2 à l'interface opposé à celle en contact avec une couche antiferromagnétique 6, à laquelle elle est associée et destinée à figer l'orientation de son aimantation. Cette couche 2 reçoit sur sa face opposée à la face recevant la couche antiferromagnétique 6 une autre couche 3 faisant fonction d'espaceur. Cette couche 3 est de nature métallique, typiquement une couche de cuivre de 3 à 10 nanomètres d'épaisseur, ou est constituée d'une fine couche isolante de type oxyde d'aluminium, d'une épaisseur typique comprise entre 0,5 à 1,5 nanomètre, ou d'oxyde de magnésium, d'une épaisseur typique comprise entre 0,5 à 3 nanomètres. De l'autre côté de l'espaceur 3, est mise en place une couche 1, dite � couche libre �, généralement d'épaisseur plus faible que celle de la couche 2. Cette couche peut être simple ou composite. Elle peut également être couplée à une couche antiferromagnétique 4 rapportée sur celle-ci au niveau de sa face opposée à l'interface de la couche 1 avec l'espaceur 3, elle doit simplement rester plus � libre � que la couche piégée. Cette couche 4 est par exemple constituée d'alliage de type Ir80Mn20, de FeMn ou de PtMn. Le matériau de la couche 1 est en général un alliage à base de cobalt et/ou de fer et/ou de nickel. Avec les dispositifs de l'art antérieur, on peut ainsi obtenir des émissions radiofréquences très fines sous champ magnétique fort et hors du plan. Cependant, l'amplitude du signal utile reste faible, ce qui peut s'avérer rédhibitoire pour certaines applications. On a ainsi pu mesurer à l'analyseur de spectre sur de tels dispositifs des puissances (intégrées sur la bande RF) de l'ordre de -100dBm. Cette puissance rend compte de la variation de la résistance dynamique générée du fait de l'oscillation d'aimantation de la magnétorésistance. Ainsi, l'objectif premier recherché par la présente invention est de conserver voire d'améliorer la qualité des émissions radiofréquences obtenues en termes de finesse, tout en augmentant significativement la puissance afin de se rapprocher autant que faire ce peut des puissances nécessaires pour l'utilisation de tels oscillateurs dans les chaînes de réception radiofréquences. EXPOSE DE L'INVENTION L'invention propose donc un oscillateur radiofréquence intégrant un dispositif magnétorésistif au sein duquel est susceptible de circuler un courant électrique. Ce dispositif magnétorésistif comprend : - une première couche magnétique, dite � couche piégée �, dont l'aimantation est de direction fixe ; - une seconde couche magnétique dite � couche libre � ; - une couche amagnétique, dite � couche intermédiaire �, interposée entre la première et la seconde couche. Il comprend également des moyens aptes à faire circuler un courant d'électrons dans lesdites couches constitutives de l'empilement précité et selon une direction perpendiculaire au plan qui contient lesdites couches. Selon l'invention, au moins l'une des trois couches constitutives du dispositif magnétorésistif comporte au moins une zone de constriction du courant électrique la traversant. 20 Si la couche intermédiaire est électriquement conductrice, cette ou ces zones de constriction se situent dans l'une au moins des trois couches constitutives de l'empilement et est (sont) de largeur ou de diamètre tout particulièrement réduit, et typiquement d'une dimension subnanométrique jusqu'à 50 nanomètres, et typiquement inférieure à 10 nanomètres. 25 Si la couche intermédiaire est électriquement isolante, cette ou ces zones de constriction se situent dans l'une des deux couches magnétiques, et est (sont) de largeur ou de diamètre tout particulièrement réduit, et typiquement d'une dimension subnanométrique jusqu'à 200 nanomètres. 415 On observe en effet que de par la présence d'une ou de plusieurs de telles constrictions dans l'empilement magnétorésistif, de fortes densités de courant sont créées localement et peuvent induire une précession locale de l'aimantation de la couche libre, même si celle-ci est d'une taille (c'est-à-dire de diamètre) micrométrique. En raison de cette possibilité de disposer de plus fortes densités de courant locales, la variation de la résistance dynamique est plus importante et donc le signal utile plus élevé. Il est possible même, pour de très fortes densités de courant, d'atteindre des régimes où la précession de l'aimantation de ladite couche libre se fait suivant de grands angles et hors du plan de ladite couche (et non plus dans le plan comme pour les plus faibles densités de courant). Dans ce cas, on obtient des excitations radiofréquences de plus grande amplitude encore, car les trajectoires de l'aimantation induisent une oscillation de l'aimantation de 360° dans le plan, permettant ainsi de profiter de la totalité de l'amplitude de la magnétorésistance. On a pu mesurer par exemple sur une jonction tunnel selon l'invention une puissance de û 40dBm. Avantageusement, on réalise plusieurs de ces constrictions dans la couche considérée, permettant alors d'obtenir non plus un mais N oscillateurs (dans un plan perpendiculaire à la direction du courant), alors en parallèle. Il a été montré (voir "Mutual Phase-locking of Microwave Spin Torque Nano-Oscillators" - S. Kala, MR. Pufall, WH. Rippard et al ; NATURE Vol. 437, issue : 7057, pages 389-392, 2005) que dans ce cas, les oscillateurs en parallèle peuvent se coupler par onde de spin et émettre de manière cohérente. La puissance totale émise est alors proportionnelle à N2. Selon un premier mode de réalisation de l'invention, la couche intermédiaire de l'empilement magnétorésistif est constituée par un espaceur réalisé en métal et notamment en cuivre. Dans cette configuration, la ou les constrictions peuvent résulter du dépôt d'une matrice en un matériau isolant selon une couche discontinue, propre à former des ilots. Cette matrice isolante peut être constituée d'oxyde de type SiO2, AlOx, TiO2, MgO. Les îlots peuvent également résulter de l'oxydation partielle, notamment par plasma ou par oxydation naturelle sous pression partielle d'oxygène, d'une couche métallique, et notamment des couches magnétiques elles-mêmes. Les îlots d'oxyde sont alors typiquement constitués de CoOx ou CoFeOx. Les zones de constriction ainsi obtenues présentent des diamètres typiques s'étendant entre 1 et quelques dizaines de nanomètres. Selon une variante avantageuse, il est possible d'adjoindre à l'empilement magnétorésistif 10 un polariseur à aimantation perpendiculaire par rapport au plan des couches constitutives de l'empilement, ledit polariseur étant positionné de manière adjacente à la couche libre. Il peut typiquement être réalisé à base d'alliage de cobalt et de platine ou de cobalt et de gadolinium ou une multicouche cobalt/platine. 15 La mise en oeuvre d'un tel polariseur permet d'induire la formation d'oscillations radiofréquences en champ magnétique appliqué nul et de plus grande amplitude tout en appliquant des densités de courant plus faibles. Le polariseur est séparé de ladite couche libre par un espaceur métallique, par exemple également réalisé en cuivre. 20 Selon un second mode de réalisation de l'invention, la couche intermédiaire résulte d'une bicouche composée d'un électrolyte solide sur lequel a été déposée une électrode soluble métallique, dissoute partiellement dans ledit électrolyte soit par photodissolution (UV), soit par traitement thermique. La structure ainsi obtenue est soumise à une tension propre à générer un ou plusieurs nano-chemins ou nano-fils conducteurs, s'étendant entre la couche 25 piégée et la couche libre, constitutifs des constrictions de l'invention. L'électrolyte solide peut être composée d'une matrice isolante à base de chalcogenures, tels que par exemple GeSe, GeS, CuS, Ag2S, et l'électrode soluble est par exemple constituée de cuivre ou d'argent. 30 Il est connu qu'en jouant sur la tension appliquée sur ladite bicouche, il est possible de faire varier la résistance des nano-fils. Selon une variante du mode de réalisation précédent, il est également possible de remplacer 5 le chacogenure par un oxyde tunnel de type SiO2, TiO2, NiO2, SrTiO3, MgO, Al203. Selon encore un autre mode de réalisation de l'invention, la constriction est limitativement réalisée au niveau de la couche piégée et résulte de la réalisation proprement dite de ladite couche. A cet effet, après dépôt de la couche libre et de la couche intermédiaire en l'espèce 10 constituée d'une barrière tunnel, on procède à la réalisation d'un nanocontact ou injecteur constitué par la couche piégée (associée à la couche antiferromagnétique assurant le piégage de la direction de son aimantation). L'ensemble de l'empilement est ensuite encapsulé dans une matrice diélectrique. 15 Selon encore un autre mode de réalisation de l'invention, la ou les constrictions sont ménagées au dessus de la couche intermédiaire, constituée alors d'une barrière tunnel, et résulte de la mise en oeuvre d'un électrolyte solide associé à une électrode soluble, en l'espèce constituée par la couche magnétique de ladite couche piégée qui vient se dissoudre dans l'électrolyte solide par photodissolution ou traitement thermique. En appliquant une 20 tension supérieure à une tension seuil (cf. ci-dessus), on forme ainsi de manière irréversible un filament conducteur ferromagnétique au-dessus la barrière tunnel dont le diamètre dépend de la tension appliquée, et plus précisément au sein de la matrice résultant de la dissolution partielle de la couche magnétique de la couche piégée au sein de l'électrolyte solide. 25 BREVE DESCRIPTION DES FIGURES La manière dont l'invention peut être réalisée et les avantages qui en découlent ressortiront mieux des exemples de réalisation qui suivent, donnés à titre indicatif et non limitatif, à 30 l'appui des figures annexées et dans lesquelles les mêmes références correspondent aux mêmes éléments. Comme déjà dit, la figure 1 est une représentation schématique d'un oscillateur radiofréquence conforme à l'état antérieur de la technique. Les figures 2a à 2d illustrent schématiquement différentes formes de réalisation de l'invention selon un premier mode de celles-ci. La figure 3 est une variante de l'un des modes de réalisation décrits en figure 2 intégrant un polariseur adjacent à la couche libre. La figure 4 est une illustration d'un second mode de réalisation de l'invention mettant en oeuvre un nano-chemin conducteur entre la couche libre et la couche piégée. Les figures 5a et 5b illustrent schématiquement la mise en oeuvre d'une bicouche électrolyte solide/électrode soluble pour la réalisation de la structure décrite en figure 4. Les figures 6a et 6b illustrent une variante des figures 5a et 5b. Les figures 7a à 7e Illustrent le procédé de réalisation d'un nanocontact constitutif de la couche piégée et définissant un mode de réalisation d'une constriction conforme à la présente invention. Les figures 8a et 8b illustrent une autre forme de réalisation de l'invention, mettant en oeuvre également une bicouche électrolyte solide/électrode soluble, cette dernière étant constituée par la couche ferromagnétique de la couche piégée. MODES DE REALISATION DE L'INVENTION On a schématisé en relation avec les figures 2a à 2d différentes variantes possibles d'une première forme de réalisation de l'invention. Au sein de ces figures, on a plus particulièrement représenté les seuls empilements des couches magnétiques. Dans celles-ci, la couche libre oscillante 1 présente une épaisseur typique comprise entre 2 et 50 nanomètres. Elle est réalisée à base d'alliages de fer, cobalt et nickel tel que par exemple CoFe, CoFeB, NiFe, etc .. . La couche piégée 2 est d'épaisseur équivalente et est réalisée en même matériau. Le piégeage de son aimantation dans le plan de ladite couche est assuré par interaction d'échange avec une couche antiferromagnétique telle que réalisée par exemple à base d'alliages PtMn, IrMn, NiMn, non représentée sur lesdites figures par souci de clarté. Ces deux couches ferromagnétiques, respectivement couche libre 1 et couche piégée 2 sont séparées l'une de l'autre par un espaceur métallique, typiquement réalisé en cuivre 3. Selon l'invention, on réalise au sein de l'empilement ainsi décrit des constrictions en termes de conduction électrique, orientées perpendiculairement au plan des couches, ou parallèlement au sens du courant électrique traversant ledit empilement. Ces constrictions présentent un diamètre variant typiquement entre 1 et quelques dizaines de nanomètres. Le nombre de ces constrictions dépend du diamètre de l'empilement. En effet, après réalisation de l'empilement, celui-ci peut être structuré (ou patterné) afin de lui conférer une section transversale circulaire : on parle alors d'empilements dits en �piliers �. Le diamètre de ces piliers est susceptible de varier entre 50 et quelques centaines de nanomètres. Au sein de la figure 2a, ces constrictions 8 résultent du dépôt d'une matrice isolante 7 au sein de l'espaceur métallique 3. Ladite matrice est en l'espèce constituée d'ilots, qui viennent ainsi s'intercaler au sein de l'épaisseur de l'espaceur 3, créant ainsi autant de constrictions. Ces ilots sont constitués d' oxydes déposés de manière non continue. Ces oxydes peuvent par exemple être constitués de SiO2, AlOx, TiO2, MgO, etc ... . Alternativement, ces ilots peuvent être constitués de couches métalliques partiellement oxydées par oxydation plasma sous pression partielle d'oxygène, voire par oxydation naturelle également sous pression partielle d'oxygène pendant quelques minutes préalablement au dépôt de la couche piégée 2. Ces oxydes métalliques sont par exemple CoOx, CoFeOx, ... . Après dépôt de la couche piégée 2 et de la couche antiferromagnétique (non représentée) avec laquelle elle est en couplage d'échange, l'empilement peut être ensuite patterné en forme de pilier de section transversale circulaire, dont le diamètre, comme déjà dit, est susceptible de varier entre 50 nanomètres et quelques centaines de nanomètres. Puis, les électrodes, typiquement réalisées en cuivre (ou en or ou en aluminium ou en rhodium ou en ruthénium), sont ensuite rapportées de part et d'autre du pilier pour permettre l'application du courant électrique traversant les couches constitutives du pilier perpendiculairement à leur plan. En variante il est possible de conserver des dimensions plus importantes pour l'empilement (typiquement 10 �m) associé à une zone d'injection de courant de dimensions nanométriques (zone conductrice de faible diamètre (entre 40 nanomètres et 200 nanomètres) dans une couche isolante, par exemple d'Al2O3, déposée sur la couche antiferromagnétique au contact de la couche piégée. L'ensemble obtenu est soumis à champ magnétique statique de quelques dizaines à quelques centaines d'Oersted afin d'induire des excitations radiofréquences au sein de la couche libre 1. Dans l'exemple de la figure 2a, on observe une alternance de constrictions et d'espaceurs sur toute la hauteur de la couche de l'espaceur. En variante, au sein de la figure 2b, les ilots sont noyés dans la couche constitutive de l'espaceur 3. A cette fin, on procède par exemple à un premier dépôt métallique, par exemple de cuivre, puis on dépose la matrice d'oxyde, et enfin, on réalise un nouveau dépôt métallique, par exemple de cuivre. Ces ilots sont répartis à intervalles périodiques, afin de constituer une pluralité de constrictions 8. Lesdits ilots pourraient également être situés d'un côté et/ou de l'autre au sein de la couche constitutive de l'espaceur, par exemple en ne réalisant qu'un seul dépôt de cuivre sur l'exemple précédent. Au sein des figures 2c et 2d, les nano-constrictions sont réalisées non pas au sein de l'espaceur 3, mais respectivement au sein de la couche piégée 2 et au sein de la couche libre 1. Dans ces deux dernières hypothèses, on peut procéder par exemple tout d'abord au dépôt d'une couche d'un alliage CoFe d'environ 1 à 2 nanomètres d'épaisseur par pulvérisation cathodique, puis au dépôt d'une couche d'oxyde très fine inférieure au nanomètre, discontinue. Cette discontinuité résulte de la finesse de la couche d'oxyde, qui lors de son dépôt, se forme spontanément sous la forme d'ilots. Au besoin, les conditions de croissance (température, pression, temps par exemple) peuvent être optimisées pour favoriser ce type de croissance en ilots. Enfin, on dépose sur l'ensemble une nouvelle couche d'alliage CoFe d'épaisseur typique entre 1 et 4 nanomètres. Ici encore, en variante, l'une des deux couches d'alliage pourrait être omise. Dans une alternative, on procède au dépôt d'une couche d'un alliage CoFe de 1 à 2 nanomètres d'épaisseur que l'on soumet ensuite à oxydation plasma sous pression partielle d'oxygène ou oxydation naturelle, également sous pression partielle d'oxygène, pendant quelques minutes avant dépôt éventuel d'une nouvelle couche d'alliage CoFe de 1 à 4 nanomètres. L'oxydation étant très faible, elle génère des défauts localisés créant la discontinuité. Encore dans une autre alternative, on dépose une couche d'alliage CoFe, puis une couche fine de magnésium ou d'aluminium (inférieur à 1 nanomètre d'épaisseur) que l'on oxyde partiellement, soit naturellement, soit sous pression partielle d'oxygène, pour obtenir une couche d'oxyde, et enfin on dépose éventuellement une nouvelle couche d'alliage CoFe. Là encore, ce sont les défauts locaux qui sont sources de discontinuité. Quelle que soit la couche de l'empilement au sein de laquelle sont réalisées ces constrictions, on obtient un nombre N de nano-constrictions 8 en parallèle, dans un même plan parallèle au plan desdites couches, limitant le passage du courant électrique I traversant l'empilement selon une direction perpendiculaire à ce plan. Il en résulte une augmentation locale de la densité de courant au niveau de chacune de ces constrictions, induisant, en présence d'un champ magnétique extérieur, la précession locale de l'aimantation de la couche libre 1, selon une puissance de sortie relativement élevée, typiquement voisine de û 50dBm, et rendant ainsi susceptible la mise en oeuvre d'un tel dispositif pour les applications envisagées, notamment dans le cadre de la téléphonie mobile. En raison de la présence de ces différentes constrictions, on obtient N nano-oscillateurs couplés par ondes de spin au sein d'un même dispositif. Selon une variante de ces formes de réalisation représentées à la figure 3, on adjoint du côté de la couche libre 1 un polariseur 9 à aimantation perpendiculaire au plan général qui le reçoit, séparé de ladite couche libre par un espaceur 10 à base de cuivre. Ce polariseur peut être réalisé à base d'alliage de cobalt et de platine, de cobalt et de gadolinium, voire être constitué d'une alternance de multicouches Co/Pt. L'avantage de la mise en oeuvre d'un tel polariseur réside dans la possibilité d'induire des oscillations radiofréquences à champ magnétique nul et de plus grande amplitude tout en appliquant des densités de courant plus faibles. Selon un second mode de réalisation de l'invention, représenté au sein de la figure 4, les nano-constrictions sont constituées d'un ou plusieurs chemins ou fils conducteurs 11 s'étendant entre la couche libre 1 et la couche piégée 2. Dans cette réalisation, la couche intermédiaire faisant fonction d'espaceur 3 est constituée d'une bicouche, respectivement constituée avant tout traitement d'un électrolyte solide 12 et d'une électrode soluble 13. L'électrolyte solide 12 est par exemple constituée d'un chalcogenure de type GeSe, GeS, GeTe, Ag2S, CuS d'épaisseur typique comprise entre 1 et 5 nanomètres, et l'électrode soluble 13 est par exemple constituée d'une couche de cuivre ou d'argent d'épaisseur comprise entre 1 et 5 nanomètres (voir figures 5a et 5b). L'électrolyte solide est déposée sur la couche libre 1 par les techniques classiques, telles que PVD (� Physical Vapor Deposition �), CVD (� Chemical Vapor Deposition �) ou par évaporation. Ces techniques de dépôt s'appliquent également pour l'électrode soluble. Afin d'aboutir à la création d'un nano-chemin ou d'un nano-fil conducteur 11, constitutif de la constriction visée par l'invention, on soumet tout d'abord la bicouche ainsi constituée à un traitement de photodissolution (par exemple par traitement ultraviolet) ou un traitement thermique, aboutissant à la dissolution à tout le moins partielle de la couche 13 constitutive de l'électrode soluble au sein d'un électrolyte solide 12. Ce faisant, on aboutit par exemple à la constitution d'une matrice de type CuGeSe ou CuGeS ou encore AgGeS. L'épaisseur de l'électrode n'est pas modifiée de manière notable. Après traitement de dissolution de l'électrode soluble au sein de l'électrolyte solide, on soumet l'ensemble de l'empilement décrit, c'est-à-dire couche piégée, bicouche et couche libre, à une tension supérieure à la tension seuil Vth, typiquement comprise entre 0,2 Volt et 1 Volt, il se crée des nano-chemins ou nano-fils conducteurs de manière irréversible et donc permanents entre la couche piégée et la couche libre. La taille et la résistance électrique de ces nano-chemins sont fixées par le courant de saturation. On dispose ainsi de zones de constriction limitées à quelques atomes ou à quelques nanomètres, permettant à ce nouveau des densités de courant élevées, but poursuivi par la présente invention. Cette forme de réalisation particulière permet de contrôler la résistance du dispositif et la largeur du nanochemin en ajustant la tension de polarisation du dispositif V bias. De plus, elle permet de fabriquer des dispositifs de grand diamètre, typiquement de plusieurs centaines de nanomètres, puisqu'aussi bien le courant traversant le dispositif est confiné par 20 les nanochemins. Selon une variante de cette forme de réalisation visée au sein des figures 6a et 6b, la bicouche constitutive de la couche intermédiaire 3 est composé d'un oxyde 14 faisant fonction de barrière tunnel type SiO2, TiO2, NiO2, SrTiO3, MgO, Al2O3, d'épaisseur typique 25 comprise entre 1 et 5 nanomètres, et d'une électrode soluble 15 par exemple réalisée en cuivre ou en argent. L'électrode soluble peut être partiellement dissoute dans l'oxyde tunnel par traitement thermique de type recuit. Là encore, en appliquant au dispositif une tension supérieure à la tension seuil, on forme un 30 ou plusieurs filaments de cuivre ou d'argent à l'intérieur de l'oxyde tunnel, permettant d'assurer le confinement du courant à l'intérieur du dispositif. Selon une autre forme de réalisation de l'invention, plus particulièrement décrite en relation avec les figures 7a à 7e, le dispositif ne comporte plus qu'une seule zone de constriction, en l'espèce constituée par la couche piégée elle-même. Celle-ci est ainsi constituée d'un nano-contact ou injecteur de courant, tel que par exemple réalisé conformément aux enseignements de la demande de brevet français FR.0850906 du même déposant. Ainsi, une fois l'empilement magnétique réalisé et déposé sur l'électrode inférieure 16 en cuivre ou en or par exemple, et en l'espèce constituée d'une couche libre 1, du type de celle précédemment décrite, d'une barrière tunnel 17, constitué d'un oxyde de type SiO2, TiO2, NiO2, SrTiO3, MgO, Al2O3, d'une couche ferromagnétique 2, par exemple réalisée en un alliage à base de cobalt, couplée à une couche antiferromagnétique 18, par exemple réalisée en un alliage à base de manganèse, on dépose sur ledit empilement une couche 19, par exemple réalisée en tantale, constitutive d'un masque dur destiné à s'opposer à l'action de la gravure intervenant subséquemment et donc à protéger provisoirement l'empilement magnétique lors de ladite étape de gravure. On dépose ensuite une résine 20 au dessus du masque dur 19 (figure 7b), selon une zone correspondant à la dimension recherchée du nano-plot ou nano-injecteur à réaliser. A cet effet, la résine est déposée pleine plaque puis insolée par traitement UV à travers un masque de chrome, ou insolée par un faisceau d'électrons dans un masqueur � e-beam �, pour obtenir la dimension souhaitée. L'ensemble est alors soumis à une gravure propre à évacuer le masque dur, la couche antiferromagnétique et la couche ferromagnétique jusqu'à la barrière tunnel 17, sauf à l'aplomb des plots et de la couche de résine 20, pour définir la dimension et plus exactement le diamètre du nano-plot ou injecteur que l'on souhaite obtenir. La gravure peut par exemple être réalisée par IBE (� Ion Beam Etching �) ou encore par RIE (� Reactive Ion Etching �) avec arrêt de gravure sélectif sur la barrière tunnel. Des espèces chimiques de type Co/NH3, CH3OH, C2H5OH ou C3H7OH peuvent être utilisées pour cette gravure sélective. On élimine ensuite la résine résiduelle. On procède alors à l'encapsulation de l'ensemble résultant de cette dernière étape, cette encapsulation étant réalisée au moyen d'un matériau diélectrique 21 type silice ou alumine. Cette encapsulation peut être réalisée par dépôt PVD (figure 7c). On procède alors à une nouvelle étape de photolithographie et gravure, afin de conférer à l'empilement, et notamment à la couche libre, ses dimensions définitives au regard de l'électrode inférieure 16 (figure 7d). Un nouveau dépôt de diélectrique 21 encapsulant est alors réalisé. On procède ensuite à une étape de planarisation par exemple par CMP (Polissage Mécano Chimique - selon l'acronyme anglo-saxon � Chemical mechanical polishing �), jusqu'à aboutir au niveau supérieur du nano-plot ou injecteur à l'obtention d'une surface plane apte à recevoir l'électrode supérieure 22. Ce faisant, on obtient un nanoplot ou injecteur conducteur de dimensions réduites, 15 typiquement de 10 à 200 nanomètres constituant la constriction électrique conforme à la présente invention. Selon une mode de réalisation de l'invention illustré au sein des figures 8a et 8b, on réalise les constrictions par chemins conducteurs, cette fois non plus réalisés au niveau de 20 l'espaceur, mais au dessus de la barrière tunnel faisant fonction d'espaceur. A cet effet, on dépose sur la couche d'oxyde tunnel 14, elle-même déposée sur la couche libre 1, et constituée par exemple d'AlOx, MgO, StO d'une épaisseur typique de 1 à 2 nanomètres, une matrice isolante 23 à base de chalcogenure, par exemple de type GeSe, 25 GeS, CuS, Ag2S, d'épaisseur comprise entre 1 et 5 nanomètres. On dépose au dessus de l'ensemble ainsi réalisé, une couche ferromagnétique par exemple réalisée en cobalt, constitutive de la couche piégée 2 (couplée par couplage d'échange avec une couche antiferromagnétique non représentée), qui va en outre constituer l'électrode 30 soluble et être dissoute dans la matrice chalcogenure 23 par photodissolution ou traitement thermique. En appliquant à l'empilement ainsi réalisé une tension supérieure à une tension seuil, on forme de manière irréversible un filament conducteur ferromagnétique 25 au dessus de la barrière tunnel 14. Là encore, le diamètre de ce filament conducteur est dépendant de la tension V bias. Le filament conducteur 25 devient donc une nanosource d'injection des électrons polarisés en spin, alors même que la couche libre 1 peut rester de taille (diamètre) micrométrique et ce, afin d'obtenir une meilleure cohérence des oscillations et une faible largeur de raie. 10 Ce mode de réalisation permet de contrôler la résistance du dispositif et la largeur du filament conducteur par action sur la tension V bias. Il permet également une meilleure cohérence de rotation de l'aimantation dans la couche libre et une plus grande simplicité de fabrication. La couche piégée comporte un filament en cobalt par exemple avec contrôle de son anisotropie de forme par action sur la tension V bias. Ainsi, plus la tension appliquée est faible, plus le filament sera étroit et plus son anisotropie sera grande. Dans ce cas, des oscillations peuvent être obtenues en champ nul. On obtient avec un tel dispositif un grand signal de sortie via la jonction tunnel magnétique ainsi obtenue. 15 20 REVENDICATIONS1. Oscillateur radiofréquence intégrant un dispositif magnétorésistif au sein duquel est susceptible de circuler un courant électrique, ledit dispositif magnétorésistif comprenant : - une première couche magnétique, dite � couche piégée � (2), dont l'aimantation est de direction fixe ; - une seconde couche magnétique dite � couche libre � (1) ; - une couche amagnétique (3), dite � couche intermédiaire �, interposée entre la première et la seconde couche, dite couche intermédiaire ; l'oscillateur comprenant en outre des moyens (16, 22) aptes à faire circuler un courant d'électrons dans lesdites couches constitutives de l'empilement précité et selon une direction perpendiculaire au plan qui contient lesdites couches ; caractérisé en ce que au moins l'une des trois couches constitutives du dispositif magnétorésistif comporte au moins une zone de constriction (8, 11, 25) du courant électrique la traversant. 2. Oscillateur radiofréquence selon la revendication 1, caractérisé en ce que la couche intermédiaire est électriquement conductrice et en ce que la ou les zones de constriction du courant d'électrons présentent une largeur ou un diamètre dont les dimensions sont comprises entre le nanomètre et 50 nanomètres. 3. Oscillateur radiofréquence selon la revendication 1, caractérisé en ce que la couche intermédiaire est électriquement isolante, en ce que la ou les zones de constriction du courant d'électrons sont réalisées dans au moins l'une des deux couches magnétiques (1, 2), et en ce qu'elles présentent une largeur ou un diamètre dont les dimensions sont comprises entre le nanomètre et 200 nanomètres 4. Oscillateur radiofréquence selon l'une des revendications 1 à 3, caractérisé en ce qu'il est constitué d'un nombre N d'oscillateurs en parallèle, correspondant au nombre de zones de constrictions du courant d'électrons réalisées, lesdits oscillateurs étant couplés entre eux par onde de spin. 5. Oscillateur radiofréquence selon l'une des revendications 1 et 2, caractérisé en ce que la couche intermédiaire (3) de l'empilement magnétorésistif est constituée par un espaceur réalisé en métal, et notamment en cuivre. 10 6. Oscillateur radiofréquence selon la revendication 5, caractérisé en ce que la ou les zones de constriction du courant d'électrons résultent du dépôt d'une matrice en un matériau isolant selon une couche discontinue réalisée au sein de l'espaceur (3), de la couche libre (1) ou de la couche piégée (2). 15 7. Oscillateur radiofréquence selon la revendication 6, caractérisé en ce que la matrice est constituée d'oxyde appartenant au groupe comprenant SiO2, AlOx, TiO2, MgO. 8. Oscillateur radiofréquence selon la revendication 5 à 7, caractérisé en ce que la ou les zones de constriction du courant d'électrons résultent du dépôt d'une couche 20 métallique au sein de la couche libre (1), de l'espaceur (3) ou de la couche piégée (2), ladite couche métallique subissant postérieurement à son dépôt une oxydation partielle, par plasma ou par oxydation naturelle sous pression partielle d'oxygène, générant localement des discontinuités. 25 9. Oscillateur radiofréquence selon la revendication 5 à 8, caractérisé en ce que la ou les zones de constriction du courant d'électrons résultent de la réalisation d'ilots d'oxyde au sein de la couche libre (1), ou de la couche piégée (2), obtenus par oxydation de la couche magnétique considérée, libre ou piégée.5 10. Oscillateur radiofréquence selon l'une des revendications 1 à 9, caractérisé en ce que le dispositif magnétorésistif comporte en outre un polariseur (9) à aimantation perpendiculaire par rapport au plan des couches constitutives de l'empilement, ledit polariseur étant positionné de manière adjacente à la couche libre (1), et séparé de celle-ci par un espaceur (10). 11. Oscillateur radiofréquence selon la revendication 10, caractérisé en ce que le polariseur est réalisé à base d'alliage de cobalt et de platine, de cobalt et de gadolinium ou une multicouche cobalt/platine. 12. Oscillateur radiofréquence selon l'une des revendications 1 et 3, caractérisé en ce que la couche intermédiaire résulte d'une bicouche composée d'un électrolyte solide sur lequel a été déposée une électrode soluble métallique, dissoute partiellement dans ledit électrolyte soit par photodissolution (UV), soit par traitement thermique, l'empilement magnétique en résultant étant est soumis à une tension propre à générer un ou plusieurs nano-chemins ou nano-fils conducteurs (11) au sein de la couche intermédiaire, s'étendant entre la couche piégée (2) et la couche libre (1), et constitutifs des zones de constrictions. 13. Oscillateur radiofréquence selon la revendication 12, caractérisé en ce que l'électrolyte solide est composée d'une matrice isolante à base de chalcogenure choisi dans le groupe comprenant GeSe, GeS, CuS, Ag2S, et en ce que l'électrode soluble est constituée de cuivre ou d'argent. 14. Oscillateur radiofréquence selon la revendication 12, caractérisé en ce que l'électrolyte solide est composée d'une matrice isolante composée d'un oxyde tunnel choisi dans le groupe comprenant SiO2, TiO2, NiO2, SrTiO3, MgO, Al2O3, et en ce que l'électrode soluble est constituée de cuivre ou d'argent. 15. Oscillateur radiofréquence selon l'une des revendications 1 et 3, caractérisé en ce que le dispositif magnétorésistif ne comporte qu'une zone de constriction du courant d'électrons, et en ce que ladite zone de constriction est constituée par la couche piégée réalisée en forme de nano-contact ou d'injecteur de courant. 16. Oscillateur radiofréquence selon la revendication 1 ou 3, caractérisé en ce que la couche intermédiaire est constitué d'un oxyde tunnel, en ce que ladite couche reçoit sur sa face opposée à la face en contact avec la couche libre (1) une couche composée d'un électrolyte solide (23), revêtu à son tour de la couche piégée, ladite couche piégée étant partiellement dissoute dans l'électrolyte solide par photodissolution ou par traitement thermique, l'empilement magnétique en résultant étant est soumis à une tension propre à générer un ou plusieurs nano-chemins ou nano-fils conducteurs (25) au sein de la matrice (24) résultant de la dissolution partielle de la couche piégée au sein de l'électrolyte solide, s'étendant entre la couche piégée (2) et la couche libre (1), et constitutifs des zones de constrictions. 17. Oscillateur radiofréquence selon la revendication 16, caractérisé en ce que l'électrolyte solide est composée d'une matrice isolante à base de chalcogenure choisi dans le groupe comprenant GeSe, GeS, CuS, Ag2S, et en ce que l'oxyde tunnel est réalisé en un oxyde choisi dans le groupe comprenant d'AlOx, MgO, StO.