FR 2940539 A1 20100625 FR 0807395 A 20081223 DISPOSITIF ELECTRO-OPTIQUE DE DEFLEXION D'UN FAISCEAU LASER, PROCEDE DE FABRICATION DE CELUI-CI ET ANTENNE A BALAYAGE L'invention porte sur un dispositif électro-optique de déflexion de 5 faisceaux laser. Un dispositif électro-optique de déflexion de faisceaux laser est apte à défléchir un faisceau laser. La fonction de déflexion des faisceaux laser trouve un grand nombre d'applications dans des domaines civiles (interconnexions optiques, io communication laser, systèmes de projection laser) ainsi que militaires avec des applications optroniques telles que la désignation de cibles, les contre-mesures infrarouges ou l'imagerie active. Plus particulièrement, l'invention porte sur un dispositif électrooptique de déflexion de faisceau laser émettant à une longueur d'onde 15 lambda À comprenant : - un substrat transparent pour ladite longueur d'onde lambda, réalisé dans un matériau électro-optique quadratique présentant une face plane définie par une première direction et une seconde direction perpendiculaire à la première direction, 20 - un réseau périodique d'électrodes s'étendant linéairement le long de la face plane dans la seconde direction, Ce type de dispositif présente les avantages de résoudre un nombre important de directions par dimension spatiale, d'offrir un temps de réponse faible (de l'ordre de 10 microsecondes) et de défléchir des rayons 25 lumineux de longueurs d'ondes comprises typiquement entre 500nm et 7pm dans le cas de céramiques électro-optiques de type PLZT ou PMN-PT. Un dispositif du type précité est décrit dans la publication suivante : "Optimal cascade operation of optical phased-array deflectors", Appl. Opt. 37, 6196-6212 (1998) de J.A. Thomas, Y. Fainman. 30 Dans ce dispositif, le substrat quadratique est réalisé en PLZT et N électrodes sont déposées à la surface du substrat quadratique réalisé en matériau électro-optique. Plus précisément, deux peignes d'électrodes inter-digitées sont déposés à la surface d'un substrat. Les électrodes d'un premier peigne sont connectées à la masse. Chaque électrode du second peigne est mise à un potentiel choisi de manière à ce que les déphasages créés par les modulateurs décrivent une rampe de phase. Le nombre de directions résolues par un tel dispositif est égal à N/2. Un tel dispositif présente l'inconvénient de mettre en jeu des champs électriques de commande très élevés. Les champs électriques sont de l'ordre de 7 à 8 V/pm pour une longueur d'onde de 633nm, soit plus de 10V/pm à 1.55pm. lo Pour que le dispositif résolve un nombre de directions égal à N-1, il est possible de connecter chaque électrode à un générateur de tension, cependant, comme il sera explicité ultérieurement, il faudrait alors doubler les champs électriques de commande du dispositif. Etant donnés la saturation de l'effet électro-optique dans le 15 matériau (typiquement 2-5V/pm), et le seuil de claquage électrique dans l'air (de l'ordre de 10V/pm), il est difficilement envisageable d'augmenter le champ électrique appliqué déjà élevé. En effet, lorsqu'on dépasse le champ électrique de saturation de l'effet électro-optique, la réponse électro-optique du matériau sature (i.e. le 20 déphasage induit par le champ électrique tend vers un plafond). Dans ce cas, l'augmentation du champ électrique appliqué devient inopérante et ne produit qu'un très faible déphasage supplémentaire. Lorsqu'on dépasse le seuil de claquage électrique dans l'air, il apparaît un arc électrique entre deux électrodes adjacentes, ce qui 25 endommage le composant. II est par ailleurs décrit dans le brevet US 5,668,657 un dispositif dans lequel des sillons sont réalisés dans le substrat pour former des électrodes linéaires, parallèles entre elles et régulièrement espacées. La 30 profondeur de ces électrodes reste faible, de l'ordre du micromètre. Ce dispositif présente l'inconvénient de nécessiter des champs électriques de commande importants, le champ électrique nécessaire entre deux électrodes consécutives étant typiquement supérieur à 5V/pm. Pour pallier aux inconvénients précités, il est proposé dans la 35 présente invention un dispositif électro-optique de déflexion de faisceaux laser permettant de résoudre un grand nombre de directions avec de faibles champs électriques de commande. Il est également proposé un procédé de fabrication d'un tel dispositif électro-optique selon l'invention. Il est par ailleurs proposé une antenne à balayage comprenant un dispositif électro-optique selon l'invention. A cet effet l'invention a pour objet un dispositif électro-optique de déflexion d'un faisceau laser émettant à une longueur d'onde lambda lo comprenant : un substrat transparent pour ladite longueur d'onde lambda, réalisé dans un matériau électro-optique quadratique présentant une face plane définie par une première direction et une seconde direction perpendiculaire à la première direction, 15 - un réseau périodique d'électrodes s'étendant linéairement le long de la face plane dans la seconde direction, - chaque électrode étant réalisée dans un sillon dont la surface est rendue au moins partiellement conductrice, chaque sillon s'étendant linéairement le long de la face plane dans la seconde direction et étant 20 creusé, dans une troisième direction, depuis la face plane sur une profondeur de sillon, deux sillons adjacents étant espacés d'une tranche de substrat d'épaisseur de tranche, caractérisé en ce que le rapport de l'épaisseur de tranche divisée par la profondeur d'un sillon est inférieur ou égal à environ 1/5. 25 Le dispositif selon l'invention peut présenter en outre, une ou plusieurs des caractéristiques suivantes prises ensemble ou séparément : - le rapport de l'épaisseur de tranche divisée par la profondeur d'un sillon est compris entre 1/5 et 1/10; - l'épaisseur de tranche est comprise entre 20 micromètres et 30 500 micromètres et en ce que la profondeur d'un sillon est comprise entre 100 micromètres et 3 millimètres; - le substrat est réalisé dans un matériau quadratique du type céramique de PLZT ou de PMN-PT; - le substrat est réalisé dans un matériau transparent à des longueurs d'onde Lambda comprises entre 500 nanomètres et 7 micromètres; - il comporte en outre des moyens de commande des électrodes, lesdits moyens de commande permettant de connecter une première série d'électrodes dites électrodes commandées à des potentiels et une seconde série d'électrodes dites électrodes non-commandées à la masse; - deux électrodes adjacentes comprennent une électrode commandée et une non-commandée, le sous-ensemble formé entre deux io électrodes non-commandées, consécutives étant un modulateur de phase élémentaire; - il comporte en outre des moyens de commande des électrodes, lesdits moyens de commande connectant toutes les électrodes, dites électrodes commandées à des potentiels, le sous-ensemble formé entre ls deux électrodes commandées étant un modulateur de phase élémentaire; - un modulateur de phase élémentaire est apte à produire un déphasage maximal de 2n; L'invention a également pour objet un procédé de réalisation d'un dispositif selon l'invention, caractérisé en ce qu'il comprend les étapes 20 suivantes : - la réalisation d'un outil de perçage comprenant des motifs faisant saillie sur un socle ; - la réalisation, dans le substrat, de sillons, images des motifs, en faisant vibrer l'outil de façonnage au voisinage du substrat. 25 Le procédé selon l'invention peut présenter en outre, une ou plusieurs des caractéristiques suivantes prises ensemble ou séparément : l'outil de perçage est réalisé par un procédé LIGA ; - l'étape de réalisation des sillons, images des motifs, est effectuée en faisant vibrer l'outil de perçage sur le substrat à une fréquence 30 ultrasonore; - dans l'étape de réalisation des sillons, on dispose une interface abrasive entre la face plane du substrat et l'outil de perçage; - au moins les motifs de l'outil de perçage sont réalisés en Nickel ; - il comprend en outre une étape dans laquelle la surface de chaque sillon est rendue conductrice; L'invention a également pour objet une antenne à balayage optique comportant au moins un dispositif selon l'invention, caractérisé en 5 ce qu'elle comprend en outre au moins un élément optique. L'antenne à balayage selon l'invention peut présenter en outre, une ou plusieurs des caractéristiques suivantes prises ensemble ou séparément : elle comprend un unique dispositif selon l'invention; io - elle comprend un premier dispositif selon l'invention et un second dispositif selon l'invention, le second dispositif étant disposé derrière le premier dispositif dans la direction de propagation d'un faisceau incident polarisé rectilignement, le premier dispositif et le second dispositif étant disposés de sorte que le premier champ électrique créé par le premier 15 dispositif est perpendiculaire à la direction de propagation et parallèle au premier champ électrique incident du faisceau incident sur le premier dispositif et en ce que le second champ électrique créé par le second dispositif est perpendiculaire à la direction de propagation et perpendiculaire au premier électrique crée par le premier dispositif, ladite antenne 20 comprenant en outre un premier élément optique apte à aligner le second champ électrique incident du second faisceau incident à l'entrée du second dispositif avec le champ électrique créé par le second dispositif; - le premier élément optique est une lame demi-onde placée dans un plan perpendiculaire à la direction de propagation du faisceau 25 incident et dont l'un des axes optiques forme un angle de 45° avec le premier champ électrique créé par le premier dispositif et avec le second champ électrique (Ê) créé par le second dispositif ; - elle comprend à l'entrée de chaque dispositif un élément optique d'entrée apte à focaliser le faisceau incident au centre des tranches 30 dudit dispositif ainsi qu'un élément optique de sortie disposé en sortie de l'antenne, apte à recollimater le champ électrique sortant ; - les éléments optique d'entrée et de sortie sont des matrices de microlentilles soit cylindriques, soit sphériques. D'autres caractéristiques et avantages de l'invention apparaîtront à l'aide de la description qui suit faite en regard de dessins annexés qui représentent : la figure 1, une représentation schématique en perspective, du dispositif selon l'invention, - la figure 2, une représentation schématique d'une coupe, selon le plan M, du dispositif selon l'invention, - la figure 3a, une représentation schématique en perspective d'un premier mode de réalisation du dispositif selon l'invention; la figure 3b, io une représentation d'une coupe, selon le plan M, du premier mode de réalisation du dispositif selon l'invention, - la figure 4a, une représentation schématique en perspective d'un second mode de réalisation du dispositif selon l'invention; la figure 4b, une représentation d'une coupe, selon le plan M, du second mode de is réalisation du dispositif selon l'invention, - les figure 5a, 5b et 5c, une représentation schématique du procédé selon l'invention. La figure 5a représente l'outil de perçage utilisé dans le procédé selon l'invention, la figure 5b représente l'étape de report des motifs de l'outil de perçage sur le substrat et la figure 5c représente le 20 substrat dans lequel des sillons ont été formés par report des motifs de l'outil de perçage sur celui-ci, - la figure 6, une représentation schématique d'une antenne selon un premier mode de réalisation de l'invention. - La figure 7, une représentation schématique en perspective 25 d'une antenne selon un second mode de réalisation de l'invention, - La figure 8a, une représentation de la variation du taux de remplissage en fonction de l'angle de déflexion pour un dispositif dans lequel la rampe de phase du champ incident a une pente nulle. - La figure 8b, , une représentation du profil en champ lointain 30 du faisceau sortant d'une antenne comprenant un dispositif selon l'invention et des éléments optiques d'entrée et de sortie, de l'angle de balayage proportionnel à la coordonnée dans l'espace de Fourier. - La figure 9a, une représentation schématique en vue de dessus d'une antenne selon un troisième mode de réalisation de l'invention 35 comprenant deux dispositifs selon l'invention ainsi que des éléments optiques d'entrée de chaque dispositif et de sortie de l'antenne. La figure 9b, une représentation schématique en vue de latérale d'une antenne selon un troisième mode de réalisation de l'invention comprenant deux dispositifs selon l'invention ainsi que des éléments optiques d'entrée de chaque dispositif et de sortie de l'antenne. Sur les figures 1 et 2, on a représenté un dispositif électro-optique 1 de déflexion de faisceaux laser, en perspective. Pour plus de clarté, les io moyens de commande ne sont pas représentés sur ces deux figures. On a représenté trois directions, une première direction X, une seconde direction Y et une troisième direction Z, perpendiculaires deux à deux. L'orientation des entités du dispositif sera décrite par rapport à ces trois directions. 15 Le dispositif 1 électro-optique comprend un substrat 3. Le substrat 3 est réalisé dans un matériau électro-optique. Le matériau électro-optique est quadratique c'est à dire que l'application d'un champ électrique sur le matériau produit une variation de l'indice de réfraction du matériau proportionnelle au carré du champ 20 appliqué. Plus particulièrement, la variation de l'indice de réfraction est indépendante de la polarité du champ électrique appliqué sur le matériau. Le matériau électro-optique est par exemple une céramique du type Plomb Lanthane Zirconium Titanate (PLZT) ou du type Plomb Magnésium Niobate û Plomb Titanate (PMN-PT). 25 Le PLZT et le PMN-PT sont transparents aux faisceaux lumineux présentant une longueur d'onde de 500nm à 7pm. On illumine le dispositif selon l'invention d'un faisceau incident de longueur d'onde lambda pour laquelle le matériau est transparent. Le PMN-PT présente un coefficient électro-optique supérieur à 30 celui du PLZT mais une saturation de l'effet électro-optique plus précoce. Le PMN-PT est plus efficace pour les champs électriques faibles et présente une constante diélectrique beaucoup plus élevée que celle du PLZT. Le PLZT peut quant à lui, conduire à des déphasages plus importants que le PMN-PT. Comme représenté sur les figures 1 et 2, le substrat 3 comprend une face 9 définie dans un plan formé par la première direction X et la seconde direction Y perpendiculaire à la première direction X. N sillons 5, dont seulement 8 sont représentés sur les figures là 4, sont réalisés dans le substrat quadratique 3 et forment un réseau périodique de sillons. Plus précisément, chaque sillon 5 est creusé depuis la face 9 plane du substrat, dans la troisième direction Z et présente dans cette direction une profondeur de sillon h. La troisième direction Z est sensiblement perpendiculaire à la face plane 9. io Les sillons 5 s'étendent linéairement dans la seconde direction Y appelée direction de sillon et présentent, dans le plan perpendiculaire à cette direction, une section en U de largeur de sillon de. Chaque sillon présente un plan de symétrie P s'étendant dans le plan formé par la seconde direction Y et la troisième direction Z. 15 On s'intéresse ici à la largeur des sillons 5 dans la partie centrale du substrat, la partie centrale du substrat étant la partie illuminée par les rayons laser. Les sillons 5 peuvent avantageusement être élargis en extrémité pour établir aisément les connexions entre les sillons et des générateurs de 20 tension ou avec la masse. Le dispositif 1 comprend un réseau périodique de N électrodes 6 formées par les N sillons 5 dont la surface 7 est rendue au moins partiellement conductrice. La surface d'un sillon est rendue conductrice, par exemple, par dépôt d'une couche métallique 8 sur toute la surface 7 des 25 parois des N sillons. En variante, on rend conductrice uniquement la partie de la surface d'un sillon comprenant les surfaces latérales 13 jusqu'aux plots de connexion disposés au fond des N sillons. Les N sillons 5 sont régulièrement espacés et séparés deux à 30 deux par une tranche de substrat 10 d'épaisseur de tranche da fixe. La droite centrale Dc d'une tranche 10 est la droite passant par le centre d'une tranche 10 et parallèle à la direction des électrodes 6, c'est-à-dire à la seconde direction Y1. Le nombre N d'électrodes réalisées dans le substrat est de l'ordre 35 d'au moins plusieurs dizaines. Sur les figures 3a et 3b, représentant un premier mode de réalisation du dispositif 1, chaque électrode 6 est une électrode commandée ci, c2,...; c'est-à-dire qu'elle est mise à un potentiel VI, V2, ..., VN au moyen de moyens de commande 12 auxquels chaque électrode est reliée via un connecteur 11. Le connecteur 11 est relié à l'électrode par l'intermédiaire d'un plot de connexion disposé au fond du sillon 5. Chaque électrode 6 est ainsi connectée à un générateur de tension appliquant un potentiel VI, V2, ..., VN. On choisi l'indice i d'une électrode c; en fonction de sa position io dans la direction X, l'électrode commandée la plus proche d'un premier bord du substrat est notée ci, l'électrode commandée adjacente est notée c2. Ainsi on incrémente l'indice i d'une électrode commandée c;, à chaque fois qu'on rencontre une électrode commandée en se déplaçant dans la direction X, depuis une première extrémité du substrat 3. 15 Le dispositif 1 comprend N-1 modulateurs de phase élémentaires 14 de largeur de modulateur d et peut résoudre N-1 directions. Deux directions adjacentes sont dites résolues, lorsque deux faisceaux laser pointant dans ces directions sont distincts, c'est-à-dire distants d'au moins leur largeur à mi hauteur. 20 Un modulateur de phase élémentaire 14 est défini par le sous ensemble compris entre deux électrodes commandées consécutives et s'étend jusqu'aux plans de symétrie (P) définis par les deux électrodes commandées consécutives. Dans le mode de réalisation représenté sur les figures 3a et 3b, un 25 modulateur de phase élémentaire 14 comprend une unique tranche de matériau. L'ouverture du modulateur est égale à l'épaisseur de tranche da. La largeur de modulateur d d'un modulateur élémentaire est donnée par la formule ci-dessous : d= da+de 30 où de est la largeur d'un sillon. Sur les figures 4a et 4b, représentant un second mode de réalisation, le dispositif 1 comprend une série d'électrodes commandées ci, c2,..., cNi2 et une série d'électrodes non commandées mi, m2,..., mN/2. Plus précisément, deux électrodes 6 adjacentes, comprennent une électrode i0 commandée ci, c2,..., cN/2 et une électrode non commandée m1,m2,...mN/2 qui est mise à la masse sur commande des moyens de commande 12. On choisi l'indice i d'une électrode non commandée m; en fonction de sa position dans la direction X, l'électrode non commandée la plus proche d'un premier bord du substrat est notée mi, l'électrode non commandée adjacente est notée m2. Ainsi on incrémente l'indice i d'une électrode non commandée m;, à chaque fois qu'on rencontre une électrode non commandée en se déplaçant dans la direction X, depuis une première extrémité du substrat 3. i0 Le dispositif 1, selon le second mode de réalisation, comprend N/2 modulateurs 14' de phase élémentaires de largeur de modulateur d' et peut résoudre N/2 directions. Un modulateur 14' de phase élémentaire est, dans le mode de 15 réalisation représenté sur la figure 4b, le sous-ensemble compris entre deux électrodes non commandées successives. Les deux extrémités d'un modulateur 14' passent par le plan de symétrie (P) des deux électrodes non commandées. II comprend deux tranches 10 de substrat d'épaisseur da séparées par une électrode commandée de largeur de et deux demi 20 électrodes non commandées présentant une largeur totale de. Dans ce mode de réalisation, la largeur du modulateur est donné par la formule ci-dessous : d'= 2 *(da+de) La période p du dispositif est définie par la distance entre les plans 25 de symétrie de deux sillons d'électrodes consécutives, la période p du dispositif est donc égale à la largeur d du modulateur dans le mode de réalisation représentés sur les figures 3a, 3b. La période p des électrodes du dispositif est égale à la moitié de la largeur du modulateur dans le mode de réalisation des figures 4a et 4b. 30 On va maintenant décrire le fonctionnement du dispositif selon l'invention. Comme représenté sur la figure 2, le dispositif de déflexion 1 est illuminé par un faisceau laser 2. Le faisceau laser est polarisé rectilignement et est envoyé sur le substrat 3 dans la direction du faisceau incident Zi qui est parallèle à la troisième direction Z, perpendiculaire à la face plane 9 du substrat 3. L'orientation relative entre le faisceau laser incident 2 et le substrat 3 est choisie de manière à ce que le champ électrique E de l'onde électromagnétique du faisceau laser incident 2, appelé dans la suite du texte champ électrique incident E soit parallèle au champ électrique É' généré par les électrodes 6 alimentées en tension. Le champ électrique É' généré par le dispositif 1 est, en première io approximation, perpendiculaire aux faces latérales 13 de celles-ci. Les faces latérales 13 d'un sillon 5 s'étendent dans le plan formé par la seconde direction Y et la troisième direction Z. La direction du champ électrique incident É est la première direction X. 15 Le champ électrique incident Ê est défléchi par ledit dispositif 1 d'un angle 0 dans le plan formé par le champ électrique incident É et par la direction de propagation Zi du faisceau incident 2, c'est-à-dire le plan formé par la seconde direction Y et la troisième direction Z, comme décrit ci-dessous. 20 L'angle de déflexion 0 d'un faisceau incident 2 polarisé rectilignement dépend du déphasage subit par le champ électrique incident É sous l'influence de l'ensemble des modulateurs élémentaires 14, 14' Plus particulièrement, l'angle de déflexion 0 dépend de la rampe de phase produite par l'ensemble des modulateurs élémentaires 14, 14'. 25 Dans le mode de réalisation représenté sur les figures 3a et 3b, la tension de chaque électrode commandée ci, c2,..., est déterminée de manière à ce que cp(i) = a id, le faisceau incident 2 est ainsi défléchi d'un angle 0 tel que sin(0)=a x X12'it. a est la pente de la rampe de phase cp(i) générée en rad.m-1. 30 i est l'indice de l'électrode 6 commandée c;. y(i) est la phase du champ électrique incident. La distribution des déphasages A (p, du champ électrique incident induits par chaque modulateur de phase 14 décrit ainsi une rampe de phase de pente a = (2itI2)sin(0), c'est-à-dire : 35 Aço, =mod(aid,2z) 12 Dans le mode de réalisation représenté sur les figures 4a et 4b, la tension de chaque électrode commandée c,, c2,..., est déterminée de manière à ce que cp(i) = a id', le faisceau incident 2 est ainsi défléchi d'un angle e tel que sin(0)=a x 2J2ir. La distribution des déphasages A9, induits par chaque modulateur de phase 14' décrit ainsi une rampe de phase de pente a = (2itI2)sin(0), c'est-à-dire : Dgp; =mod(a i d' , 27c) Ces dernières équations montrent notamment que le déphasage maximal que doivent être capables de produites les modulateurs de phase élémentaires 14, 14' est de 2ir. Pour un matériau électro-optique quadratique de coefficient 15 électro-optique R et d'indice no, un rayon incident de longueur d'onde lambda subit un déphasage 4cp; à la traversée d'un modulateur de phase individuel 14, 14' donné par : 3 2 o(P; =- n°R V' xe dans le mode de réalisation selon la figure da i 3, et 20 ac; =R V. \2 xe dans le mode de réalisation selon la figure 4, ai V; désignant le potentiel de l'électrode commandées c;. e est la distance d'interaction entre le champ électrique créé par le dispositif É' et le champ électrique É de l'onde électromagnétique incidente, et da est l'épaisseur d'une tranche de matériau 10 séparant deux électrodes 25 consécutives 6. Dans le cas d'un dispositif comprenant des électrodes 6 formées en surface de sillons 5, creusés dans le substrat 3, la distance d'interaction e est égale à la profondeur du sillon h. En effet, le champ électrique appliqué É' par le dispositif est uniforme sur la hauteur h des électrodes 6. Le champ 30 électrique créé par le dispositif et le champ électrique de l'onde électromagnétique incidente coexistent donc sur toute la hauteur h des électrodes. 13 Le facteur de forme f d'un modulateur élémentaire est défini par l'équation suivante : f ù a = a Dans le mode de réalisation représenté sur les figures 3a et 3b, 5 V;+1 et V; sont respectivement les tensions des électrodes commandées c;+1 et c; encadrant le modulateur de phase individuel 14. Il suit que la différence de tension AV.ax maximale entre deux électrodes commandées successives ci et ci+1 qui est la différence de tension nécessaire pour induire un déphasage de 27T du champ électrique du 10 rayon incident est : A Vmax ù V.+1 ù V + max no Re De même, dans le mode de réalisation suivant les figures 4a et 4b, V; désigne le potentiel de l'électrode commandée c; encadrée par deux électrodes non commandées m; et m;+1, pour former un modulateur de phase 15 élémentaire. Le potentiel des électrodes commandées m; et m;+1 est égal à 0. Il suit que le potentiel V; maximal que l'on doit appliquer à l'électrode commandée c; qui est le potentiel nécessaire pour générer un déphasage de 2n du champ électrique du rayon incident est : 2M2 A max ù V ù 0 max V,. max �\ no Re 20 Dans le dispositif selon l'invention, le facteur de forme f est choisi de manière à être nettement inférieur à , typiquement inférieur ou égal 1/5 et de préférence compris entre 1/5 et 1/10. Dans le dispositif 1 selon l'invention, la profondeur d'un sillon h 25 est comprise entre 0,1 mm et 3 mm. L'épaisseur de tranche da est comprise entre 0,02mm et 0,5mm. L'épaisseur de tranche est de préférence comprise entre 0,4 mm et 0,5 mm car plus l'épaisseur de tranche est faible, plus le dispositif est fragile et la métallisation des sillons complexe. 30 Le fait de pouvoir réaliser une structure présentant un facteur de forme f faible nous permet de travailler dans les conditions optimales pour le substrat c'est-à-dire dans une gamme de champ électrique inférieure au 2À.d a champ électrique de saturation de l'effet électro-optique dans le matériau (typiquement 2-5V/pm) ainsi qu' au seuil de claquage électrique dans l'air (de l'ordre de 10V/pm). Cela permet d'éviter l'endommagement du matériau ou la perte d'énergie par diffusion dans celui-ci. En effet, pour un facteur de forme f donné, on choisit l'épaisseur de tranche da et la profondeur des sillons h de manière à appliquer des champs électriques É' inférieurs ou égaux à 2V/dam. La valeur maximale E'max du champ électrique créé par le dispositif est donnée par la formule suivante : E' max _ AVmax =+ da 22f da no R D'après les équations ci-dessus, pour une épaisseur de tranche da donnée, la différence de tension maximale AV,nax entre deux électrodes consécutives diminue lorsque le facteur de forme f diminue. Le dispositif selon l'invention présente donc l'avantage de nécessiter une faible tension d'alimentation ce qui permet de mettre en oeuvre le dispositif selon les figures 3a et 3b. Cependant, dans le mode de réalisation suivant les figures 4a et 4b, où N/2 directions sont résolues, le potentiel maximum d'une électrode commandée est égal à la différence de potentiel maximum entre deux électrodes consécutives. Le potentiel d'une électrode commandé est donc toujours inférieur ou égal à AVmax. Dans le mode de réalisation des figures 3a et 3b, où N-1 directions sont résolues, la différence de potentiel maximale entre deux électrodes consécutives est égale à la différence de potentiel maximale entre les électrodes commandées consécutives ci+1 et ci : Vi+1 ù Vi = 4Vmax = � 22,d no Re Le potentiel appliqué à l'électrode commandée ci dépend cette fois-ci 30 du potentiel appliqué à l'électrode commandée i-1, et d'une manière générale, à l'ensemble de la suite des Vi. Le potentiel maximal appliqué à une électrode commandée ci est donné par la relation suivante : Vi max = 2 x AVmax = 2 x 23 d a 1noRe On a donc une tension de commande maximale deux fois supérieure dans le mode de réalisation selon les figures 3a et 3b que dans le mode de réalisation selon les figures 4a et 4b. Par contre le nombre de directions résolues est double. Le PMN-PT présente un coefficient électro-optique R plus important que le PLZT. A facteur de forme f fixé, la largeur de tranche da correspondant à un champ électrique maximal donné (typiquement 2V/pm) est inférieure dans un substrat de PLZT à celle d'un substrat de PMN-PT. io Cela conduit à une réalisation plus difficile du dispositif à base de PLZT, mais une charge capacitive des générateurs de tensions réduite. De plus, pour une géométrie donnée correspondant à un champ électrique maximal inférieur à la saturation du PMN-PT, on doit appliquer une tension maximale plus faible pour un dispositif réalisé à base de PMN-PT, au 15 détriment toutefois de la charge capacitive des générateurs de tension qui sera plus importante du fait de la plus grande constante diélectrique du PMNPT. 20 On va maintenant décrire le procédé de fabrication du dispositif électro-optique de déflexion d'un faisceau laser 2 selon l'invention. Les étapes du procédé sont représentées schématiquement sur les figures 5a, 5b et 5c. On réalise un substrat 3 en matériau électro-optique 25 quadratique, par exemple du type PLZT ou PMN-PT, présentant une face plane 9. Le substrat 3 est monobloc. On réalise un outil de perçage 15 comprenant des motifs 16 faisant saillie sur un socle 17. Les motifs 16 sont complémentaires des sillons 5 du dispositif 1 30 selon l'invention. Plus particulièrement, les motifs 16 forment, en partie centrale de l'outil de perçage, une suite de N barres 18, formant chacune un parallélépipède rectangle. Les barres 18 sont séparées deux à deux d'une distance de séparation des motifs dm fixe. En extrémité de l'outil de perçage, les motifs 16 peuvent présenter, comme les sillons 5 des zones d'élargissement. Les motifs 16 présentent une épaisseur de motif hm au moins égale à la profondeur de sillon h, une distance de séparation des motifs dm supérieure ou égale à l'épaisseur da de tranches 10 et une largeur de motifs Lm inférieure ou égale à la largeur de sillon de. La période de l'outil de perçage doit être égale à la période du dispositif à savoir : da+de=dm+Lm. De préférence, l'épaisseur hm est supérieure d'au moins 20% à la hauteur de sillon h pour pallier à l'usure de l'outil. Les motifs 16 présentent une épaisseur de motif hm comprise entre environ 0,5 et environ 2 mm et une largeur de motif Lm comprise entre environ 20 micromètres et environ 200 micromètres, deux motifs adjacents étant séparés par une distance de séparation des motifs dm comprise entre environ 40 micromètres et environ 400 micromètres. Une barre 18 s'étend longitudinalement sur une longueur égale à la longueur sur laquelle s'étend la partie non élargie d'un sillon 5. L'outil de perçage 15 présente de préférence des motifs réalisés dans un matériau plus dur que celui du substrat 3, de préférence en métal, par exemple le Nickel. En variante, l'outil de perçage est entièrement réalisé dans un matériau plus dur que celui du substrat 3, par exemple le Nickel. La conformation de l'outil de perçage 15 est réalisée par un procédé de fabrication de micro-objets de haute précision, par exemple, par un procédé LIGA ("Rôntgenlithographie, Galvanoformung, Abformung"). Le procédé LIGA est un procédé séquentiel de fabrication de micro-objets de haute précision. Le procédé s'effectue classiquement en 5 grandes étapes : • définition du produit et fabrication des masques de travail; • irradiation : impression de la résine non cachée par le masque ; • développement : révélation de la structure en résine par attaque chimique (solvant) ; • électroformage : dépôt de métal pour obtention d'une structure métallique réplique négative de la résine ; • moulage : utilisation de la structure métallique comme d'un moule pour la fabrication en série de micro objets. La combinaison de la très haute intensité et du parallélisme extrême (très faible divergence) du faisceau de rayons X utilisés dans cette méthode, permet des réaliser des structures micrométriques ayant des parois abruptes et lisses. lo Le procédé LIGA permet de réaliser des motifs 16 de taille micrométrique, présentant une épaisseur importante. Il est en effet possible de réaliser un motif dont l'épaisseur peut dépasser 10 fois sa largeur. On grave le substrat 3 pour y réaliser des sillons 5. La gravure du substrat est réalisée par usinage ultrasonore au 15 moyen de l'outil de perçage 15. On fait vibrer l'outil de perçage 15 à une fréquence ultrasonore en affleurement du substrat 3. L'outil de perçage 15 est orienté de sorte que les motifs 16 soient face à une surface plane 9 du substrat 3 et est mis en vibration longitudinale 20 selon une troisième direction Z. La troisième direction Z est la direction dans laquelle seront creusés les sillons dans le substrat 3. L'outil de perçage 15 est séparé du substrat 3 par une interface abrasive 22, par exemple constituée de grains abrasifs transportés par un fluide, par exemple de l'eau. 25 A cet effet, lorsqu'il est mis en vibration, l'outil de perçage projette des grains abrasifs sur le substrat de sorte que les grains retirent de la matière du substrat 3 aux endroits les plus proches du substrat. L'outil de perçage est fixé à un oscillateur mécanique dont la fréquence de vibration est une fréquence ultrasonore de l'ordre d'au moins 30 10 kHZ et par exemple comprise entre 10 et 40 kHZ. La fréquence est choisie de manière à être suffisante pour conférer aux particules abrasives une énergie cinétique telle que le choc de la particule abrasive sur le substrat conduise à l'éjection ou ablation de matière du substrat. Ce procédé permet de réaliser des ablations précises de 35 petite taille. Les motifs 16 sont, à l'issue de cette étape, empreints dans le substrat 3, formant les sillons 5. Des électrodes 6 sont ensuite formées dans les sillons 5 en rendant conductrices au moins les faces latérales 13 jusqu'aux plots de connexion, par exemple, par dépôt d'une couche 8 de métal sur la surface de chaque sillon 5. Le procédé comprend une étape de polissage optique du substrat afin d'améliorer l'état de surface du substrat 3 et de retirer l'excédent de métal issu de la métallisation des électrodes. Pour plus de clarté, sur les figures suivantes, on n'a pas représenté les moyens de commande 12 ni les connecteurs 11. On va maintenant décrire une antenne à balayage à deux dimensions comprenant un premier dispositif et un second dispositif selon l'invention ainsi que des éléments optiques. Comme représenté sur la figure 6, l'antenne 19 comprend deux dispositifs Dl et D2 électro-optiques de déflexion d'un faisceau laser 2 selon l'invention et un élément optique 20. Les deux dispositifs électro-optiques Dl, D2 de déflexion d'un faisceau laser 2 selon l'invention sont disposés l'un derrière de l'autre dans la direction de propagation Zi du faisceau incident 2. Les deux dispositifs Dl et D2 sont illuminés par un faisceau laser 2 qui traverse en premier lieu le premier dispositif Dl puis le second dispositif D2. Le faisceau incident 2, illuminant le dispositif Dl, est polarisé rectilignement et présente un premier champ électrique incident È perpendiculaire à la direction de propagation Zi. Le dispositif Dl est disposé de sorte à créer un premier champ électrique e, parallèle au premier champ électrique incident É . Le dispositif D2 est disposé de sorte à créer un second champ électrique ÉZ perpendiculaire au premier champ électrique incident É et à l'axe de propagation Zi. A cet effet, on oriente le premier dispositif Dl et le second dispositif D2 comme suit. La face plane 9 du substrat 3 de chacun des dispositifs Dl, D2 s'étend dans le plan formé par la première direction XI, X2 et la seconde direction Y1, Y2, appelée direction d'électrode Y1, Y2 de chacun des dispositifs Dl et D2. La seconde direction Y1 du premier dispositif Dl est appelée première direction d'électrode Y1 et la seconde direction Y2 du second dispositif D2 est appelée seconde direction d'électrode D2. Les directions X1, X2, Y1, Y2 étant perpendiculaires à la troisième direction Z commune aux deux dispositifs. La troisième direction Z est parallèle à l'axe de propagation Zi du faisceau incident 2. Le plan formé par la première direction X1 du premier dispositif Dl et la seconde direction Y1 du premier dispositif Dl est parallèle au plan formé par la première direction X2 du second dispositif D2 et la seconde direction Y2 du second dispositif D2. Les sillons 5 de chacun de ces dispositifs sont creusés dans la 15 troisième direction Z comme explicité précédemment. Les sillons 5 du premier dispositif Dl s'étendent perpendiculairement aux sillons 5 du second dispositif D2. En d'autres termes, la première direction d'électrode Y1 du premier dispositif Dl est perpendiculaire à la seconde direction d'électrodes Y2 du second dispositif 20 D2. Le premier dispositif Dl et le second dispositif D2 sont séparés par un élément optique 20. L'élément optique 20 est apte à aligner le second champ électrique incident F du second faisceau incident 2' en entrée du second 25 dispositif D2 avec le champ électrique ÉZ créé par le second dispositif D2. L'élément optique 20 est, dans le mode de réalisation représenté sur la figure 6, une lame demi-onde 20, placée dans un plan perpendiculaire à la direction de propagation du faisceau incident 2 de manière à ce qu'un de ses axes optiques (axe lent ou axe rapide) Yo forme un angle de 45° avec le 30 premier champ électrique É, créé par le premier dispositif Dl et avec le second champ électrique È créé par le second dispositif D2. En d'autres termes, l'axe optique Yo de la lame demi-onde 20 forme un angle de 45° avec la première direction d'électrodes Y1 du premier dispositif Dl et la seconde direction des électrodes Y2 du second dispositif 35 D2. On va maintenant décrire le fonctionnement de l'antenne à balayage selon l'invention. Le premier champ électrique incident É est orienté parallèlement au premier champ électrique É; créé par les électrodes 6 du premier dispositif Dl, c'est-à-dire parallèlement à la première direction Xl du premier dispositif D1 ou perpendiculairement à la première direction d'électrodes Y1. Le faisceau incident 2 est défléchi par le premier dispositif Dl d'un io angle 91 dans le plan formé par le premier champ électrique incident É du faisceau incident 2 et la direction du faisceau Zi. Le faisceau incident 2 est donc défléchi dans le plan formé par la première direction Xl du premier dispositif Dl et la direction du faisceau Zi. Ce plan est le plan vertical sur le mode de réalisation représenté sur la 15 figure 6. Plus précisément, le dispositif Dl comportant N-1 ou N/2 modulateurs de phase élémentaire découpe le faisceau incident 2 en N-1 ou N/2 sous-faisceaux incidents, de direction de propagation Zi, et de champ électrique Êi = Ê x exp(i x (pi), où j est l'indice du modulateur de phase compris 20 entre 1 et N-1 ou N/2, et (pi est le déphasage produit par le modulateur j. En champ lointain, les interférences entre ces sous-faisceaux en sortie de Dl n'ont lieu de manière constructive que dans la direction 9, dépendant de la pente de la rampe de phase définie par les (pi. En champ proche, c'est à dire à la sortie immédiate du dispositif Dl, on peut donc considérer que le champ 25 électrique du faisceau sortant 2s du premier dispositif Dl a la même direction que le champ électrique du premier faisceau incident sur le premier dispositif Dl. Le champ électrique du faisceau sortant 2s du premier dispositif Dl est parallèle à la première direction Xl du premier dispositif et 30 perpendiculaire à la seconde direction X2 du second dispositif D2, soit perpendiculaire au second champ électrique ÉZ crée par celui-ci. Afin que le second faisceau incident 2' sur le second dispositif D2, soit défléchi par le second dispositif D2, le second champ électrique incident F du second faisceau incident 2' doit être parallèle à la direction du second champ électriqueÈ2, c'est-à-dire parallèle à la première direction X2 du second dispositif D2. A cet effet, la lame demi-onde 20, dévie la direction de polarisation du faisceau sortant 2s du premier dispositif Dl de 90° de sorte qu'à la sortie de la lame demi-onde 20, le champ électrique incident i' du second faisceau incident 2' sur le second dispositif D2 soit parallèle au second champ électrique ÉZ créé par le second dispositif D2. Le second faisceau incident 2' sur le second dispositif est ensuite défléchi d'un angle 02 , par le second dispositif D2, dans le plan formé par le second champ électrique incident i--' du second faisceau incident 2' et la direction du faisceau Zi. Ce plan est le plan horizontal sur le mode de réalisation représenté sur la figure 6. Le faisceau sortant de l'antenne 2sa a donc subi deux déflexions par rapport au faisceau incident 2. Le faisceau incident 2 subissant deux déflexions successives dans deux plans perpendiculaires l'un avec l'autre, on réalise un balayage bidimensionnel. On réalise ainsi avec 2 dispositifs selon le mode de réalisation représenté sur la figure 3, un scanneur 2D apte à résoudre (N - 1) * (N - 1) 20 directions. La commande électrique de l'antenne doit comporter N*N générateurs de tension, capable chacun de délivrer une tension maximale donnée par: VJImax 2xAVmax =2x 2Xd o n Re 25 et un champ électrique maximal de : Emax = (vi+1 Vinmax x da = daax _ Ida x n3R Par exemple, si on choisit da=100pm et f=1/10, alors pour un substrat de PMN-PT pour lequel on a Rù7x10-16 m2V"2 et noù2.45, on a : Emax o0.55V/pm 30 et Vi l max , 11 o V Sur la figure 7, on a représenté un second mode de réalisation d'une antenne à balayage 19b unidimensionnelle selon une second mode de réalisation de l'invention. L'antenne à balayage 19b comprend un dispositif Dl ainsi qu'un élément optique d'entrée 21 apte à coupler le faisceau incident 2 au travers des tranches 10, c'est-à-dire à focaliser le faisceau incident sur la droite centrale des tranches 10. Cela permet de maximiser l'énergie transmise par le dispositif. La droite centrale d'une tranche 10 est la droite passant par le centre io d'une tranche 10 et parallèle à la direction des électrodes 6, c'est-à-dire à la seconde direction Y1. L'antenne à balayage 19b comprend un élément optique de sortie 23 disposé en sortie de l'antenne 19b apte à recollimater le faisceau sortant 2s. A la sortie de l'antenne les rayons Rs du faisceau sortant 2sb sont, tout 15 comme les rayons R du faisceau incident 2 , parallèles entre eux. Les éléments optiques d'entrée 21 et de sortie 23 sont réalisés sous forme de matrices de microlentilles cylindriques. Les deux matrices de microlentilles présentent chacune un réseau de lentilles 24 accolées les unes aux autres et s'étendant parallèlement les unes 20 aux autres dans une direction de lentille DL. La période des lentilles p, est égale à la période p des électrodes 6 du réseau, c'est-à-dire à la largeur d'un modulateur individuel 14 pour un dispositif selon le mode de réalisation des figures 3a et 3b. Le dispositif Dl est disposé de la même manière que le dispositif Dl 25 dans le premier mode de réalisation de l'antenne à balayage selon l'invention. L'élément optique d'entrée 21 est disposé en entrée du dispositif Dl dans l'axe de propagation Zi du faisceau lumineux incident 2. L'élément optique de sortie 23 est disposé en sortie du dispositif Dl dans l'axe de propagation du rayon incident Zi. 30 L'élément optique d'entrée 21 et l'élément optique de sortie 23 sont disposés de part et d'autre du dispositif Dl de sorte que la direction de lentilles DL soit parallèle à la direction de sillons 5 du dispositif Dl c'est-à-dire parallèle à la seconde direction Y1 et de sorte que les lentilles 24 soient parallèles les unes aux autres dans la première direction X1. Plus précisément, l'élément optique d'entrée 21 et l'élément optique de sortie 23 sont placés sur l'axe de propagation du faisceau incident Zi, à une distance d, des droites centrales Dc des tranches 10 donnée par : d,=fo-ho/2*(1-1 /no) où fo est la distance focale des lentilles, ho est l'épaisseur totale du dispositif Dl selon l'axe Zi, et no est l'indice de réfraction du substrat. De plus, l'élément optique d'entrée 21 et l'élément optique de sortie 24 sont placés de sorte que la droite centrale Dc d'une tranche 10 soit située sur l'axe optique d'une lentille 23. Lorsque le dispositif Dl est un dispositif selon le mode de réalisation des figures 4a et 4b, la distance d,, sur l'axe de propagation Zi entre l'élément optique d'entrée 21 et la droite centrale Dc des tranches peut être supérieure à la distance focale fo des lentilles. 15 Dans ce cas la période p, des lentilles est égale au double de la période p du réseau, c'est-à-dire à la largeur d'un modulateur individuel 14'. On appelle taux de remplissage, le rapport de l'énergie du faisceau sortant 2sb de l'antenne divisée par l'énergie du faisceau incident. 20 Une antenne 19b selon le second mode de réalisation de l'invention présente un taux effectif de remplissage important. Il en résulte un gain sur la transmission de l'énergie du faisceau incident 2 par l'antenne et sur la répartition d'énergie du champ électrique du faisceau sortant 2sb par rapport à un dispositif Dl seul selon l'invention. 25 Le taux de remplissage d'un dispositif Dl selon l'invention est égal à 0,5 alors que le taux de remplissage d'une antenne 19b selon le second mode de réalisation est égal au taux de remplissage des micro-lentilles, qui est typiquement de 0,9. II en résulte d'une part un gain direct sur la transmission de l'antenne 30 par rapport à un dispositif seul, et d'autre part un gain sur la répartition d'énergie dans le champ lointain. Sur la figure 8a, on a représenté la variation du taux de remplissage T en fonction de l'angle de déflexion pour un dispositif Dl dans lequel la rampe de phase cp(i) du champ incident a une pente nulle. La moitié de l'énergie du faisceau sortant 2sb est située dans le lobe central et la moitié de l'énergie incidente est située dans les lobes latéraux pour un taux de remplissage total égal à 1/2. L'efficacité de balayage, définie par l'énergie défléchie dans le lobe principal divisée par l'énergie incidente sur le composant, est donc égale à 25%. Sur la figure 8b, on a représenté le profil en champ lointain du faisceau sortant 2sb. L'axe vertical de la figure 8b représente ainsi l'intensité du faisceau sortant 2sb normalisée IN à l'intensité incidente. L'axe horizontal représente quant à lui l'angle de balayage 0 proportionnel à la coordonnée io dans l'espace de Fourier. Pour simplifier le propos, on se place dans le cas où la rampe de phase y(i) du champ incident créé par le dispositif Dl a une pente nulle. Pour un taux de remplissage de 0,9, on a 90% de l'énergie du faisceau sortant 2s située dans le lobe central. L'efficacité de balayage, 15 définie par l'énergie défléchie dans le lobe principal divisée par l'énergie incidente sur le composant, est donc égale à 81%. D'autre part, les éventuelles inhomogénéités de phase de lentille à lentille peuvent être compensées par le dispositif selon l'invention (par une calibration préalable, ou par une rétro-action visant à optimiser le profil du 20 faisceau en champ lointain). Sur les figures 9a et 9b, on a représenté une antenne 19c bidimensionnelle selon un troisième mode de réalisation de l'invention. L'antenne 19c comprend une antenne 19a selon le premier mode de réalisation de l'invention équipée d'éléments optiques d'entrée 21, 22 pour 25 chacun des premier et second dispositifs Dl et D2 et d'un élément optique de sortie 23 d'antenne. L'élément optique d'entrée 21 du premier dispositif Dl présente la même structure et la même disposition que l'élément optique d'entrée 21 du dispositif de l'antenne selon le second mode de réalisation. 30 L'élément optique de sortie 23 de l'antenne est disposé par rapport au second dispositif D2, de la même manière qu'est disposé l'élément optique de sortie 23 de l'antenne 19b selon le second mode de réalisation. L'élément optique d'entrée 22 du second dispositif est apte à modifier la direction du faisceau sortant 2s du premier dispositif Dl de manière à ce que le second faisceau incident 2' sur le second dispositif D2 soit focalisé au centre des tranches 10 du second dispositif D2. L'élément optique d'entrée 22 du second dispositif est réalisé sous forme d'une matrice de lentilles 25 sphériques. L'efficacité de balayage de l'antenne 19c selon le troisième mode de réalisation est nettement supérieure à celle de l'antenne 19a selon le premier mode de réalisation pour des performances de déflexion identiques. En effet, pour une antenne à balayage à une dimension de taux de remplissage donné selon les figures 4, le rapport entre l'énergie dans le lobe principal en champ lointain et l'énergie incidente, ou efficacité de balayage, est donné par le taux de remplissage au carré (hors pertes dues aux réflexion aux interfaces). De même, pour une antenne à deux dimensions 19a et 19c, l'efficacité de balayage est donnée par le taux de remplissage à la puissance 4. Selon 19a, le taux de remplissage typique est de 0.5 pour une efficacité de balayage de 0.54 = 6.5% . Dans le cas de 19c, on a un taux de remplissage typique de 0.9, soit une efficacité de balayage de 0.94=65.6%. REVENDICATIONS1. Dispositif électro-optique (1) de déflexion d'un faisceau laser (2) émettant à une longueur d'onde lambda (X) comprenant : • un substrat (3) transparent pour ladite longueur d'onde lambda, réalisé dans un matériau électro-optique quadratique présentant une face plane (9) définie par une première direction (X) et une seconde direction (Y) perpendiculaire à la première direction (X) • un réseau périodique d'électrodes (6) s'étendant linéairement io le long de la face plane (9) dans la seconde direction (Y) • chaque électrode (6) étant réalisée dans un sillon (5) dont la surface (7) est rendue au moins partiellement conductrice, chaque sillon (5) s'étendant linéairement le long de la face plane (9) dans la seconde direction (Y) et étant creusé, dans une troisième direction Z, depuis la face plane (9) 15 sur une profondeur de sillon (h), deux sillons (5) adjacents étant espacés d'une tranche (10) de substrat d'épaisseur de tranche (da) , caractérisé en ce que le rapport de l'épaisseur de tranche (da) divisée par la profondeur d'un sillon (h) est inférieur ou égal à environ 1/5. 20 2. Dispositif électro-optique (1) selon la revendication précédente, caractérisé en ce que le rapport de l'épaisseur de tranche (da) divisée par la profondeur d'un sillon (h) est compris entre 1/5 et 1/10. 3. Dispositif électro-optique (1) selon l'une quelconque des 25 revendications précédentes caractérisé en ce que l'épaisseur de tranche (da) est comprise entre 20 micromètres et 500 micromètres et en ce que la profondeur d'un sillon (h) est comprise entre 100 micromètres et 3 millimètres. 30 4. Dispositif électro-optique (1) selon l'une quelconque des revendications précédentes, caractérisé en ce que le substrat (3) est réalisé dans un matériau quadratique du type céramique de PLZT ou de PMN-PT. 5. Dispositif électro-optique (1) selon l'une quelconque des 35 revendications précédentes, caractérisé en ce que le substrat (3) est réalisé 26dans un matériau transparent à des longueurs d'onde Lambda (À) comprises entre 500 nanomètres et 7 micromètres. 6. Dispositif électro-optique (1) selon l'une quelconque des revendications précédentes, caractérisé en ce qu'il comporte en outre des moyens de commande (12) des électrodes (6), lesdits moyens de commande (12) permettant de connecter une première série d'électrodes (6) dites électrodes commandées (ci, c2,...) à des potentiels (VI, V2....) et une seconde série d'électrodes (6) dites électrodes non-commandées (m,, m2...) io à la masse. 7. Dispositif électro-optique (1) selon la revendication 6, caractérisé en ce que deux électrodes (6) adjacentes comprennent une électrode commandée (ci, c2, ...) et une non-commandée (m,, m2...), le sous- 15 ensemble formé entre deux électrodes non-commandées (m,, m2...), consécutives étant un modulateur de phase élémentaire (14'). 8. Dispositif électro-optique (1) selon l'une quelconque des revendications 1 à 5, caractérisé en ce qu'il comporte en outre des moyens 20 de commande (12) des électrodes (6), lesdits moyens de commande (12) connectant toutes les électrodes (6), dites électrodes commandées (c,, c2,...) à des potentiels (VI, V2...), le sous-ensemble formé entre deux électrodes commandées (c,, c2, ...) étant un modulateur de phase élémentaire (14). 25 9. Dispositif électro-optique (1) selon l'une quelconque des revendications 7 à 8 caractérisé en ce qu'un modulateur de phase élémentaire (14) est apte à produire un déphasage maximal de 2n. 10. Procédé de réalisation d'un dispositif (1) selon l'une quelconque des 30 revendications précédentes, caractérisé en ce qu'il comprend les étapes suivantes : • la réalisation d'un outil de perçage (15) comprenant des motifs (16) faisant saillie sur un socle (17) ; 5• la réalisation, dans le substrat (3), de sillons (5), images des motifs (16), en faisant vibrer l'outil de façonnage (15) au voisinage du substrat (3). 11. Procédé de réalisation d'un dispositif selon la revendication 10, caractérisé en ce que l'outil de perçage (15) est réalisé par un procédé LIGA. 12. Procédé de réalisation d'un dispositif selon l'une quelconque de 10 revendications 10 à 11, caractérisé en ce que l'étape de réalisation des sillons (5), images des motifs (16), est effectuée en faisant vibrer l'outil de perçage (15) sur le substrat (3) à une fréquence ultrasonore. 13. Procédé de réalisation d'un dispositif selon l'une quelconque de 15 revendications 10 à 12, caractérisé en ce que dans l'étape de réalisation des sillons (5), on dispose une interface abrasive (22) entre la face plane (9) du substrat (3) et l'outil de perçage (15). 14. Procédé de réalisation d'un dispositif selon l'une quelconque de 20 revendications 10 à 13, caractérisé en ce qu'au moins les motifs (16) de l'outil de perçage (15) sont réalisés en Nickel. 15. Procédé de réalisation d'un dispositif selon l'une quelconque de revendications 10 à 14, caractérisé en ce qu'il comprend en outre une étape 25 dans laquelle la surface (7) de chaque sillon (5) est rendue conductrice. 16.Antenne (19a, 19b, 19c) à balayage optique comportant au moins un dispositif (Dl, D2) selon l'une quelconque des revendications 1 à 9, caractérisé en ce qu'elle comprend en outre au moins un élément optique 30 (20, 21, 22, 23). 17.Antenne (19a, 19b, 19c) à balayage optique selon la revendication précédente caractérisée en ce qu'elle comprend un unique dispositif (Dl). 35 18.Antenne (19a) à balayage optique selon la revendication 16, caractérisée en ce qu'elle comprend un premier dispositif (Dl) et un second dispositif (D2), le second dispositif (D2) étant disposé derrière le premier dispositif (Dl) dans la direction de propagation (Zi) d'un faisceau incident (2) polarisé rectilignement, le premier dispositif (Dl) et le second dispositif (D2) étant disposés de sorte que le premier champ électrique (É;) créé par le premier dispositif (Dl) est perpendiculaire à la direction de propagation (Zi) et parallèle au premier champ électrique incident (Ê) du faisceau incident (2) io sur le premier dispositif (Dl) et en ce que le second champ électrique (Ê ) créé par le second dispositif (D2) est perpendiculaire à la direction de propagation (Zi) et perpendiculaire au premier électrique (É;) crée par le premier dispositif (Dl), ladite antenne (19) comprenant en outre un premier élément optique (20) apte à aligner le second champ électrique incident (F ) 15 du second faisceau incident (2') à l'entrée du second dispositif (D2) avec le champ électrique (Ê ) créé par le second dispositif (D2). 19.Antenne (19a) à balayage optique selon la revendication précédente, caractérisée en ce que le premier élément optique (20) est une lame demi- 20 onde placée dans un plan perpendiculaire à la direction de propagation (Zi) du faisceau incident (2) et dont l'un des axes optiques (Yo) forme un angle de 45° avec le premier champ électrique (É;) créé par le premier dispositif (Dl) et avec le second champ électrique (Ê) créé par le second dispositif (D2). 25 20.Antenne (19b, 19c) à balayage optique selon l'une quelconque des revendications 16 à 19, caractérisée en ce qu'elle comprend à l'entrée de chaque dispositif (Dl, D2) un élément optique d'entrée (21, 22) apte à focaliser le faisceau incident (2, 2') au centre des tranches (10) dudit 30 dispositif (Dl, D2) ainsi qu'un élément optique de sortie (23) disposé en sortie de l'antenne (19b, 19c), apte à recollimater le champ électrique sortant (2sa, 2sb, 2sc). 21.Antenne (19b, 19c) à balayage optique selon la revendication 35 précédente, caractérisé en ce que les éléments optique d'entrée (21, 22) etde sortie (23) sont des matrices de microlentilles soit cylindriques (24), soit sphériques (25).