FR 2933237 A1 20100101 FR 0854213 A 20080625 ARCHITECTURE D'INTERCONNECTIONS HORIZONTALES A BASE DE NANOTUBES DE CARBONE DOMAINE DE L'INVENTION La présente invention concerne un dispositif d'interconnexions horizontales, basé sur la croissance horizontale de nanotubes de carbone (CNT). ETAT ANTERIEUR DE LA TECHNIQUE Les nanotubes de carbone constituent une solution potentielle pour réaliser des interconnections, notamment grâce à la formation de vias ou lignes d'interconnexion. Concernant les lignes d'interconnexion, un matériau très dense, constitué d'un toron de 15 nanotubes à une paroi (acronyme SWCNT pour l'expression anglo-saxonne �singlewalled carbon nanotube �) ou à petit nombre de parois (acronyme MWCNT pour l'expression anglo-saxonne � multi-walled carbon nanotube �), est susceptible d'établir une connexion entre des plots conducteurs selon le schéma de la figure 1. 20 Une solution technique envisageable pour réaliser ce type de produit consiste à utiliser la croissance catalytique de nanotubes de carbone. De fait, des nanotubes de plusieurs millimètres de longueur on déjà été réalisés [1], ce qui est suffisant pour les applications envisagées. 25 Toutefois, des difficultés techniques pour réaliser un tel produit sont encore à surmonter: - la localisation de la croissance de nanotubes sur les flancs de la structure ; - le guidage des nanotubes d'un plot au plot adjacent ; - la réalisation d'une connexion avec une très forte densité de CNT connectés électriquement. 30 Le dernier point apparaît comme particulièrement délicat. En effet et à ce jour, les très fortes densités de nanotubes n'ont été obtenues que sur des films isolants [2]. 10 L'objectif de l'invention est donc de proposer une solution technique permettant de résoudre ces problèmes, et notamment de surmonter la difficulté de déposer une couche de catalyseur, pour initier la croissance des nanotubes, sur des parois verticales. EXPOSE DE L'INVENTION La présente invention rapporte pour la première fois la possibilité d'utiliser des nanotubes de carbone pour réaliser des connexions horizontales entre des plots électriques. Ainsi et selon un premier aspect, la présente invention concerne un dispositif qui permet d'établir une connexion électrique horizontale entre au moins deux plots électriques et qui est basé sur des nanotubes de carbone horizontaux reliant les parois verticales des plots. De manière spécifique et en relation avec le procédé de fabrication décrit ci-après, le dispositif selon l'invention concerne des plots réalisés à l'aide d'un empilement de couches d'au moins deux matériaux, l'un catalysant la croissance des nanotubes et l'autre jouant le rôle d'espaceur entre les couches favorisant la croissance. Ainsi, cet empilement de couches ou multicouche, qui alterne avantageusement les deux 20 types de matériaux, assure à la fois la croissance horizontale des nanotubes de carbone, mais aussi une division nanométrique stable en température du catalyseur. L'intérêt du multicouche catalytique est de réaliser une structure à pas nanométrique dans une direction, assurant une fragmentation stable en température de la couche de métal. Son 25 dépôt est facile et on évite ainsi le problème de dépôt d'un catalyseur de croissance sur les flancs verticaux d'une structure. Une autre fonction de cet empilement est d'assurer la conduction électrique. Ainsi au moins l'un des matériaux, voire les deux, sont conducteurs électriques. Plusieurs agencements sont envisageables : Selon un premier mode de réalisation, c'est le matériau catalyseur qui est conducteur électrique. Il s'agit avantageusement d'un métal, notamment du fer (Fe), ou d'un alliage 35 métallique. 30 En combinaison avec ce matériau catalyseur conducteur électrique, deux options sont possibles : Le matériau jouant le rôle d'espaceur peut être un diélectrique. Il s'agit avantageusement d'un oxyde tel que l'alumine (oxyde d'aluminium), la silice (oxyde de silicium) ou l'oxyde de magnésium (MgO). Alternativement, le matériau jouant le rôle d'espaceur est également conducteur électrique. Il s'agit avantageusement d'un semi-conducteur, tel que le silicium (Si), ou d'un oxyde conducteur tel que l'ITO (oxyde d'indium dopé à l'étain) ou l'oxyde de ruthénium (RuO). Tous ces matériaux sont favorables pour la croissance des nanotubes. En outre, la continuité électrique entre les torons de nanotubes est assurée par les couches de catalyseur enterrées. Selon un autre mode de réalisation, le matériau catalyseur est un diélectrique, avantageusement un oxyde de fer isolant, et le matériau jouant le rôle d'espaceur est conducteur électrique, avantageusement un métal tel que le fer (Fe), le palladium (Pd) et le titane (Ti), ou un oxyde conducteur tel que l'ITO (oxyde d'indium dopé à l'étain) ou l'oxyde de ruthénium (RuO). A noter que dans le cas de la mise en oeuvre d'un matériau métallique, celui-ci peut aussi 25 bien constituer une couche continue qu'une couche composée d'agrégats. De manière avantageuse, les plots ont une section transversale en forme de losange. Ainsi, il est possible d'obtenir une densité de nanotubes indépendante de la largeur des tranchées. En effet, la largeur de la connexion dépend ainsi uniquement de la position du flan de la 30 tranchée par rapport à la pointe du losange et non de la taille du plot. De ce fait, on peut réaliser des matrices de plots standards et obtenir la finesse de la connexion uniquement en positionnant à la bonne distance de la pointe le bout de la tranchée, au moment de la gravure de cette tranchée. 35 De manière privilégiée, les plots peuvent en outre contenir, dans leur partie centrale, une traversée verticale conductrice électrique, avantageusement réalisée à l'aide d'un métal tel que le cuivre. Un autre aspect de l'invention concerne le procédé permettant la réalisation d'un tel dispositif de connexion horizontale à base de nanotubes de carbone. Ce procédé comporte les étapes essentielles suivantes : ^ dépôt sur un substrat d'un empilement de couches d'au moins deux matériaux comme définis précédemment ; ^ définition de plots à partir de cet empilement ; ^ immersion de ces plots dans une matrice diélectrique ; ^ formation de tranchées dans la matrice diélectrique pour définir les lignes d'interconnexion entre les plots et pour guider la croissance des nanotubes entre les plots ; ^ croissance des nanotubes de carbone dans les tranchées réalisant ainsi des connexions horizontales entre les plots. Les étapes essentielles du procédé selon l'invention sont schématisées à la figure 2, qui constitue une vue en section, et à la figure 3, qui correspond à une vue de dessus. Grâce à cet empilement de couches assurant à la fois la fonction de catalyseur et de conduction électrique, la technologie à mettre en oeuvre est grandement simplifiée et se limite à des dépôts horizontaux. Les plots peuvent être définis par gravure sèche ou humide et une résine doit être préalablement déposée sur l'empilement pour réaliser la lithographie des plots. Des couches sacrificielles peuvent être déposées sous l'empilement, voire au dessus, avant 30 le dépôt de la résine pour faciliter la réalisation du métal de contact. La matrice isolante (ou diélectrique) dans laquelle sont noyés les plots est avantageusement constituée d'un oxyde, d'un nitrure ou d'un matériau à faible constante diélectrique. Il s'agit par exemple d'alumine. 35 Ensuite dans le but de connecter deux points, on vient ouvrir des tranchées dans l'isolant et on met ainsi à nu le multicouche catalytique qui devient actif pour la croissance de la connexion. On fait alors pousser les nanotubes dans les zones ouvertes qui guident les nanotubes. Selon un mode de réalisation privilégié, une couche d'un matériau de contact inhibant la croissance des nanotubes et favorisant le contact électrique, par exemple du palladium, est déposée sur au moins l'une des faces verticales des plots, avant la croissance des nanotubes. 10 Avantageusement, il s'agit des faces des plots en regard d'une face de croissance. Ainsi, au cours de leur croissance, les nanotubes viennent se connecter sur la surface en regard et établissent un auto-contact sur le plot en vis-à-vis du plot de croissance. 15 Par conséquent, dans le dispositif final, au moins un des deux plots à connecter est recouvert, au niveau de sa zone de contact avec les nanotubes de carbone, dudit matériau. Le dépôt de ce matériau, avantageusement métallique, pour améliorer les contacts nanotubes/plots est illustré aux figures 4 et 6. BREVE DESCRIPTION DES FIGURES La manière dont l'invention peut être réalisée et les avantages qui en découlent 25 ressortiront mieux des exemples de réalisation qui suivent, donnés à titre indicatif et non limitatif, à l'appui des figures annexées parmi lesquelles : La figure 1 schématise le principe d'interconnexion horizontale à base de CNT. La figure 2 représente une vue en section des différentes étapes du procédé selon 30 l'invention permettant de créer une connexion horizontale à base de CNT : A. Empilement comportant des plots multicouches et le diélectrique ; B. Ouverture de tranchées dans le diélectrique pour définir les connexions ; C. Dépôt optionnel d'un matériau pour améliorer le contact des nanotubes et de la structure ; 35 D. Croissance des nanotubes entre les plots. 20 La figure 3 représente une vue de dessus des différentes étapes du procédé selon l'invention permettant de créer une connexion horizontale à base de CNT : A. Plots disposés suivant une matrice rectangulaire et noyés dans un diélectrique ; B. Ouverture de tranchées dans le diélectrique à l'endroit des futures connexions ; C. Dépôt optionnel d'un matériau pour améliorer les contacts ; D. Croissance des nanotubes entre les plots. La figure 4 représente une vue en section des différentes étapes du procédé selon l'invention intégrant le recouvrement d'au moins une des faces du plot avec un métal assurant le contact nanotube/plot : A. Empilement avec des couches sacrificielles avant dépôt de résine pour définir les tranchées ; B. Ouverture de tranchées en s'arrêtant sur la couche sacrificielle du fond ; C. Dépôt sous incidence du métal de contact ne recouvrant qu'un des plots de la tranchée après élimination de la résine ; D. � Lift off� de la couche de métal de contact par élimination des couches sacrificielles ; E. Croissance des nanotubes avec auto-contact sur la couche de métal. La figure 5 illustre les différentes étapes pour la réalisation d'un plot comprenant un empilement de couches : A. Dépôt du multicouche métal /diélectrique ; B. Définition des plots par lithographie ; C. Dépôt du second diélectrique ; D. Planarisation de la structure. La figure 6 schématise une variante de la réalisation du procédé selon l'invention, sans sous-couche sacrificielle. Dans ce cas, le contrôle de la gravure permet de laisser une couche du matériau diélectrique qui joue alors le rôle de la couche sacrificielle de la Figure 4 : A. Dépôt de la résine pour définir les tranchées ; B. Gravure des tranchées et des motifs plots, en ménageant une fine couche de diélectrique ; C. Dépôt du métal de contact sous incidence parallèlement aux tranchées ; D. � Lift off � du métal de contact déposé sur la résine ; E. � Lift off � du métal de contact déposé sur la couche de diélectrique ; F. Croissance des nanotubes avec auto-contact sur la couche de métal.35 La figure 7 représente une vue de dessus des directions de dépôt en fonction de la direction des gorges. La figure 8 est une vue en section (A) ou de dessus (B) d'un plot assurant une connexion verticale grâce à sa partie centrale remplie à l'aide d'un métal. EXEMPLES DE REALISATION DE L'INVENTION Exemple 1 : Dans cet exemple, le diélectrique constituant le matériau espaceur des plots et celui noyant 10 les plots sont identiques. 1/Réalisation de plots catalytiques noyés dans un diélectrique (Figure 5) : - On dépose par IBS (� ion beam sputtering �) sur un substrat 1 qui peut être un 15 composant électronique à connecter, un multicouche de vingt couches alumine (diélectrique = espaceur, 4)/Fer (métal = catalyseur conducteur électrique, 5) (Fig. 5A). L'épaisseur des couches est comprise entre 0,25 et 2 nanomètres. - On dépose une résine 10 sur l'empilement ainsi constitué et on réalise la lithographie des plots de catalyseur 2, soit en gravure sèche, soit en gravure humide, avec par 20 exemple une solution d'H3PO4 qui attaque le fer et l'alumine (Fig. 5B). - A noter que la première couche isolante de l'empilement, la dernière, ou les deux peuvent être plus épaisses que les couches isolantes du système catalytique. - Une fois la gravure réalisée, on dépose de l'alumine (second diélectrique, 6) par pulvérisation sur tout l'échantillon de façon à noyer les plots (Fig. 5C). 25 - On planarise le dépôt au moyen d'un polissage mécano-chimique (CMP) (Fig. 5D). 2/Réalisation des tranchées 7 (Figure 6) : - On étale une deuxième résine 11 sur tout l'échantillon, de façon à réaliser le motif de 30 connexion souhaité (Fig. 6A). - On ouvre le motif ainsi défini avec une solution d'H3PO4 ou par gravure plasma et on laisse subsister une épaisseur d'alumine 6 au fond des tranchées de l'ordre de 20 nanomètres (Fig. 6B). - On dépose sous incidence rasante, par évaporation canon à électrons, une couche de 35 palladium 8, de 2 à 5 nanomètres d'épaisseur (Fig. 6C). L'échantillon ne tourne pas.5 Le plan d'incidence (comportant la normale à l'échantillon et la direction du flux incident) coupe le plan de l'échantillon selon l'une des directions des gorges (voir ci-dessous Figure 7). - On effectue un deuxième dépôt identique en tournant l'échantillon de 90°. - On réalise un � lift off � de la résine 11 (Fig. 6D). - On réalise un � lift off � de la couche du second diélectrique 6 (Fig. 6E). - On réalise la croissance des nanotubes 3 à une température comprise entre 400 et 650°C, au moyen d'acétylène dilué dans un mélange 50% hydrogène / 50% hélium. Les nanotubes 3 se connectent sur la surface en regard portant du palladium 8 (Fig. 6F). La figure 7 montre, en vue de dessus, les dépôts réalisés à l'étape C dans deux directions perpendiculaires. Exemple 2 : Le second diélectrique 6 servant à noyer les plots 2 est constitué de silice ou d'un matériau possédant une constante diélectrique faible (� low K �) voire très faible (� ultra low K �). Exemple 3 : Les couches de métal catalyseur 5 sont réalisées au moyen d'un dépôt d'agrégats métalliques. Exemple 4 : La couche servant d'espaceur 4 dans l'empilement catalytique est une couche de silicium. Exemple 5 : On réalise des � vias � de connexion verticale au centre des plots de catalyseur. Cet exemple est schématisé à la figure 8. Un métal 12, tel que le cuivre, traverse le plot 2 et assure une connexion verticale.35 REFERENCES [1] Zhong et al., J. Phys. Chem. B (Letters), 2007, 111(8) :1907-1910. [2] Zhong et al., Carbon, 2006, 44 : 2009-2014. REVENDICATIONS1. Dispositif permettant d'établir une connexion électrique horizontale entre au moins deux plots électriques (2), comprenant des nanotubes de carbone horizontaux (3) reliant les parois verticales desdits plots, lesdits plots étant réalisés à l'aide d'un empilement de couches d'au moins deux matériaux, l'un (5) catalysant la croissance des nanotubes et l'autre (4) jouant le rôle d'espaceur entre les couches de matériau catalysant la croissance des nanotubes. 2. Dispositif selon la revendication 1, caractérisé en ce que le matériau catalyseur (5) est conducteur électrique, avantageusement un métal, notamment du fer, ou un alliage métallique. 3. Dispositif selon la revendication 2, caractérisé en ce que le matériau jouant le rôle d'espaceur (4) est un diélectrique, avantageusement un oxyde tel que l'alumine, la silice ou l'oxyde de magnésium. 4. Dispositif selon la revendication 2, caractérisé en ce que le matériau jouant le rôle d'espaceur (4) est conducteur électrique, avantageusement un semi-conducteur, tel que le silicium, ou un oxyde conducteur tel que l'oxyde d'indium dopé à l'étain ou l'oxyde de ruthénium. 5. Dispositif selon la revendication 1, caractérisé en ce que le matériau catalyseur (5) est un diélectrique, avantageusement un oxyde de fer isolant, et en ce que le matériau jouant le rôle d'espaceur (4) est conducteur électrique, avantageusement un métal tel que le fer, le palladium et le titane, ou un oxyde conducteur tel que l'oxyde d'indium dopé à l'étain ou l'oxyde de ruthénium. 6. Dispositif selon l'une des revendications 2 à 5, caractérisé en ce que le matériau métallique constitue une couche continue ou une couche composée d'agrégats. 7. Dispositif selon l'une des revendications précédentes, caractérisé en ce que les plots (2) ont une section transversale en forme de losange.. Dispositif selon l'une des revendications précédentes, caractérisé en ce qu'au moins l'un des deux plots (2) à connecter est recouvert, au niveau de sa zone de contact avec les nanotubes de carbone (3), d'un matériau de contact (8), avantageusement du palladium. 9. Dispositif selon l'une des revendications précédentes, caractérisé en ce que les plots (2) contiennent une traversée verticale conductrice électrique (12), avantageusement réalisée à l'aide d'un métal tel que le cuivre. 10 10. Procédé de fabrication d'un dispositif de connexion horizontale selon l'une des revendications 1 à 9, comprenant les étapes suivantes : - dépôt sur un substrat (1) d'un empilement de couches d'au moins deux matériaux, l'un (5) catalysant la croissance des nanotubes et l'autre (4) jouant le rôle d'espaceur entre les couches de matériau catalysant la croissance des 15 nanotubes ; - définition de plots (2) à partir de cet empilement ; - immersion des plots (2) dans une matrice diélectrique (6), avantageusement constituée d'un oxyde, d'un nitrure ou d'un matériau à faible constante diélectrique ; 20 - formation de tranchées (7) dans la matrice isolante ; - croissance des nanotubes de carbone dans les tranchées réalisant des connexions horizontales (3) entre les plots (2). 11. Procédé de fabrication d'un dispositif de connexion horizontale selon la 25 revendication 10, caractérisé en ce qu'une couche de matériau conducteur électrique (8), tel que le palladium, est déposée sur au moins l'une des faces verticales des plots (2), avant la croissance des nanotubes. 30 35