FR 2937150 A1 20100416 FR 0856990 A 20081015 DISPOSITIF ET PROCEDE POUR REALISER LA LECTURE DE COURANTS ELECTRIQUES RESULTANT D'UN DETECTEUR DE SIGNAUX ELECTROMAGNETIQUES DOMAINE DE L'INVENTION La présente invention a trait au domaine de la conception de circuits intégrés réalisant la lecture du courant issu d'un capteur pendant un temps d'intégration pour stocker les charges correspondantes dans une capacité. 10 La présente invention concerne plus particulièrement un dispositif pour réaliser la lecture de courants électriques, tels que ceux générés dans les capteurs élémentaires d'un photo-détecteur matriciel lors des interactions entre photons et matière. En particulier, le dispositif - objet de la présente invention - peut être mis en oeuvre pour convertir en valeurs numériques les grandeurs analogiques issues de détecteurs à 15 infrarouges, et plus particulièrement de détecteurs bolométriques refroidis. La présente invention se rapporte également à un procédé pour la lecture de courants électriques mis en oeuvre par le dispositif objet de l'invention. 20 ETAT ANTERIEUR DE LA TECHNIQUE En général, pour lire le courant électrique issu d'un capteur, il faut procéder en deux phases, à savoir : • une phase d'intégration, au cours de laquelle les charges mobiles issues du 25 capteur sont dirigées vers un élément capacitif pour y être accumulées, • et une phase de lecture proprement dite, au cours de laquelle l'élément capacitif est déchargé de manière à diriger les charges mobiles précédemment accumulées vers un étage de sortie, au sein duquel ledit courant, résultant des charges mobiles est traité. 30 Dans le cas particulier d'un capteur photosensible, les charges mobiles sont libérées au cours des interactions entre photons et matière qui surviennent au sein d'un élément photosensible composant le ou les capteurs élémentaires constitutifs du détecteur de rayonnements électromagnétiques. Les dispositifs électriques pour la lecture de tels 35 courants jouent donc le rôle d'interface d'intégration entre les capteurs du détecteur et les étages de sortie, qui forment le circuit d'exploitation des signaux intégrés.5 De l'art antérieur, on connaît différentes architectures pour réaliser un tel dispositif de lecture. Par dispositif de lecture, on entend, dans le cadre de la présente invention, l'étage d'entrée du circuit de lecture et d'exploitation des signaux délivrés par le détecteur. En effet, de manière connue, un circuit de lecture et d'exploitation comprend un étage d'entrée directement relié au détecteur, et un étage de sortie recevant les signaux intégrés par cet étage d'entrée. 10 Parmi les dispositifs de lecture de l'état antérieur de la technique, on connaît le dispositif représenté sur la figure 1 et généralement appelé étage d'entrée à injection directe. Un tel dispositif de lecture ou étage d'entrée comprend un transistor de polarisation 101 et un élément capacitif d'intégration 102. 15 Comme le montre la figure 1, la source du transistor 101 est connectée à la branche d'entrée destinée à injecter dans cet étage d'entrée un courant le à lire, provenant par exemple d'une photodiode, soumis à un flux de rayonnement incident. Le drain du transistor 101 est quant à lui connecté à une borne de l'élément capacitif 102, ainsi qu'à une borne reliée à l'étage de sortie. Ces trois bornes sont donc portés au potentiel 20 de sortie Vs. L'autre borne de l'élément capacitif 102 est connecté à un potentiel de référence V_, généralement le potentiel de la masse. De plus, la grille du transistor 101 est connectée à une source de tension de polarisation, qui détermine le niveau de polarisation du détecteur au travers du transistor 101. 25 En fonctionnement, les charges mobiles libérées lors des interactions entre photons et matière survenant dans le capteur situé en amont de la branche d'entrée génèrent le courant à intégrer le et elles s'accumulent sur l'élément capacitif 102. Cette accumulation de charges correspond donc à la phase dite � d'intégration �. 30 En fin de phase d'intégration, l'élément capacitif d'intégration 102 peut être lu et déchargé. Le signal résultant est alors dirigé vers l'étage de sortie et le circuit d'exploitation. C'est la phase de � lecture � du courant proprement dite. Une telle architecture est communément appelée étage d'entrée à injection directe. En 35 fonction des applications, cette architecture peut être déclinée selon différentes variante. La figure 2 illustre par exemple l'ajout d'un transistor de sélection 203 sur la branche de sortie de l'étage d'entrée représenté à la figure 1. Le transistor de sélection 203 permet de mettre en parallèle plusieurs étages d'entrée pour un même étage de sortie. Ainsi, le transistor 203 assure une fonction de sélection et il permet de réaliser le multiplexage de plusieurs étages d'entrée parallèles. D'une manière générale, les concepteurs cherchent à miniaturiser le plus possible les composants des photodétecteurs de manière à en augmenter la résolution, donc le nombre de pixels rapporté à la surface d'image. Cette contrainte d'encombrement concerne non seulement les capteurs élémentaires eux-mêmes, mais également les circuits électroniques réalisant l'interface entre le détecteur et son circuit d'exploitation, à savoir les étages d'entrée et les étages de sortie. Outre cette contrainte d'encombrement qui est primordiale, les photodétecteurs doivent généralement consommer le moins d'énergie possible et présenter des durées de réaction et d'intégration très courtes. Le problème de la consommation énergétique s'avère particulièrement important dans le cas des photodétecteurs refroidis, comme par exemple les détecteurs à diode pour le spectre de rayonnement infrarouge. C'est pourquoi, on considère généralement que les circuits intégrés formant les dispositifs de lecture de courant doivent nécessairement comporter peu de composants électroniques et présenter une architecture relativement simple. Cela permet en effet de limiter leur encombrement et l'énergie qu'ils consomment, donc leur échauffement par effet joule. Les circuits intégrés de l'état antérieur de la technique, tels que ceux illustrés par les figures 1 et 2, respectent ces contraintes d'encombrement et d'échauffement, mais doivent être complétés pour assurer les fonctionnalités de remise à zéro et de blocage de l'intégration. Pour assurer la remise à zéro, il a été proposé de réaliser un étage d'entrée à injection directe, présentant l'architecture du circuit intégré illustré par la figure 3. A l'architecture de base du circuit de la figure 1, il est ajouté un transistor 305 dont la fonction est de remettre à zéro la capacité d'intégration 302 avant chaque phase d'intégration. Par ailleurs, dans le cadre de l'étage d'entrée représenté sur la figure 2, la capacité d'intégration 202 peut être remise à zéro lorsque l'étage d'entrée est sélectionné au moyen du transistor de sélection 203. Les étages d'entrée illustrés par les figures 1 et 2 présentent en outre l'inconvénient d'être sensibles à l'éblouissement, ce qui entraîne quand même une dépolarisation du capteur ou l'apparition d'un courant parasite dans le système de multiplexage. L'éblouissement se produit lorsque la source � chaude � détectée par le capteur est trop intense, et sature ledit capteur. Il est par conséquent nécessaire d'ajouter un transistor anti-éblouissement 304 à de tels circuits intégrés, augmentant ainsi le nombre de composants électroniques, donc l'encombrement du dispositif de lecture. Pour assurer le blocage de l'intégration, dans le cas des étages d'entrée présentés sur les figures 1, 2 et 3, une solution connue est l'échantillonnage du signal utile dans le pixel. Pour cela, on ajoute de manière connue un transistor 406 et un élément capacitif de mémorisation 407 de façon à échantillonner la tension aux bornes de la capacité d'intégration 402. L'élément capacitif 407 mémorise le signal dans le pixel et autorise le début de l'intégration suivante pendant la lecture séquentielle. Il est ainsi possible d'intégrer les charges pendant la lecture séquentielle, ce qui permet un gain de temps pour la phase d'intégration. Toutefois, l'ajout de tels composants, en particulier de l'élément capacitif 407, augmente nécessairement l'encombrement du dispositif de lecture, ainsi que sa consommation énergétique. Pour pallier partiellement ces inconvénients, on implante généralement un élément capacitif 407 de petites dimensions, donc de faible capacité, ainsi qu'un transistor 406 de taille réduite au minimum. Cependant, un tel dimensionnement des composants 406 et 407 entraîne une dégradation du signal utile, c'est-à-dire du courant intégré, car il y a dilutiondu signal utile, augmentation du bruit et injection de charges non linéaires au niveau du transistor 406. La dilution du signal utile a pour valeur 1û C402 , où C402 et C407 sont les valeurs C402 + 0407 des capacités des éléments capacitifs 402 et 407 respectivement.35 La contribution quadratique du bruit est par ailleurs égale à kT , où T est la 0407 température et k la constante de Boltzmann. Une telle dégradation du signal utile implique inévitablement une diminution du 5 rapport signal sur bruit, donc des performances du photodétecteur équipé d'un tel étage d'entrée. L'injection de charges non linéaires dégrade quant à elle la linéarité du signal utile lorsque la charge utile stockée dans l'élément capacitif 407 est petite. Une autre solution connue pour assurer le blocage de l'intégration consiste à bloquer le transistor de polarisation pour définir un fenêtrage. La figure 5 montre ainsi un étage d'entrée à injection directe, dont la fonction de 15 fenêtrage est réalisée au moyen d'un transistor de polarisation 501, dont la tension de commande ou de grille est de nature impulsionnelle. Ainsi, selon la forme de l'impulsion courante de la tension de polarisation, on réalise une commutation du courant à lire provenant du détecteur vers l'élément capacitif d'intégration 502. Toutefois, une telle commutation du courant à lire présente deux inconvénients. 20 Tout d'abord, il y a une instabilité de la polarisation du capteur, sous l'effet des impulsions de la tension de polarisation. En effet, l'étage d'entrée doit maintenir un potentiel le plus stable ou constant possible 25 aux bornes du capteur, de manière à injecter efficacement les courants à lire dans le dispositif de lecture formant l'étage d'entrée. Or, l'étage d'entrée illustré à la figure 5 ne permet pas de maintenir un potentiel stable aux bornes du capteur élémentaire, lorsque le transistor de polarisation est à l'état 30 bloqué, c'est-à-dire en dehors de la phase d'intégration. Par conséquent, les étages d'entrée de l'art antérieur utilisant un blocage du transistor de polarisation ne peuvent pas empêcher l'intégration de charges parasites au niveau de la capacité, charges parasites que possède inévitablement la diode formant le 35 capteur élémentaire. Un capteur élémentaire présente généralement le comportement d'une diode possédant une capacité en parallèle, comme tout semi-conducteur. 10 Les charges parasites peuvent avoir diverses origines, parmi lesquelles on trouve le courant d'obscurité (en anglais � dark curent �), ou plus généralement les photons parasites reçus par les capteurs élémentaires, etc. Bien évidemment, de telles charges parasites entraînent une dérive de la différence de potentiel aux bornes du capteur élémentaire et, en conséquence, dégradent la linéarité qui constitue une performance essentielle pour qualifier tout photo-détecteur. En outre, dans le cas du circuit de la figure 5, le transistor 501 réalisant la commutation, généralement de technologie MOS, injecte des charges parasites en quantité variable vers l'élément capacitif d'intégration 502. Par conséquent, comme pour l'échantillonnage, cette architecture présente l'inconvénient de dégrader la linéarité du signal utile. Ces deux inconvénients sont particulièrement pénalisants si le circuit doit être utilisé en définissant plusieurs fenêtres d'intégration entre deux remises à zéro de la capacité d'intégration. La présente invention a donc pour objectif de proposer un dispositif pour la lecture de courant permettant d'éviter les inconvénients que présentent les circuits intégrés des étages d'entrée de l'état antérieur de la technique, parmi lesquels on peut citer des variations dans la polarisation du capteur, voire sa dépolarisation, l'injection de charges parasites dans le circuit d'intégration, un encombrement important, une consommation d'énergie relativement forte, donc un échauffement par effet joule relativement élevé, la perte de temps nécessaire à une remise à zéro de la capacité d'intégration, le risque d'éblouissement ou, à l'inverse, le surcoût pour l'implantation de composants électroniques supplémentaires traitant ces différents problèmes. EXPOSE DE L'INVENTION La présente invention a donc pour objet un dispositif pour réaliser la lecture de courants électriques, notamment issus de capteurs élémentaires matriciels, présentant une différence de potentiel relativement stable aux bornes des capteurs élémentaires, limitant l'injection de charges parasites dans le circuit d'intégration, présentant un encombrement relativement limité, consommant peu d'énergie, s'échauffant peu, peu sensible à l'éblouissement, et présentant une bonne linéarité et un rapport signal sur bruit élevé. L'invention se rapporte ainsi à un dispositif pour réaliser la lecture de courants électriques, notamment issus de capteurs élémentaires d'un dispositif matriciel de détection de rayonnements électromagnétiques. Le dispositif de lecture objet de l'invention comprend un élément capacitif destiné à intégrer le courant à lire. Selon l'invention, ce dispositif de lecture, ou étage d'entrée comprend en outre une paire différentielle composée : d'un premier transistor, monté entre la branche d'entrée de l'étage d'entrée et la capacité d'intégration, ledit transistor étant commandé par une tension impulsionnelle polarisée, apte à placer ledit premier transistor alternativement à l'état bloqué puis à l'état passant, état passant dans lequel ledit premier transistor est destiné à fixer le potentiel de la branche d'entrée et à alimenter l'élément capacitif avec les courants à lire ; d'un second transistor, monté entre la branche d'entrée de l'étage d'entrée et une potentiel autre que celui de l'élément capacitif, ledit transistor étant également commandé par une tension impulsionnelle polarisée, apte à placer ledit second transistor alternativement à l'état bloqué puis à l'état passant, état passant dans lequel ledit second transistor est destiné à maintenir la branche d'entrée à un potentiel constant dans le temps autre que celui de l'élément capacitif et à écouler les charges reçues sur la branche d'entrée ailleurs que dans l'élément capacitif, et ledit second transistor étant monté en opposition de phase par rapport au premier transistor. En d'autres termes, l'étage d'entrée - objet de la présente invention, comporte une paire différentielle de transistors, commandée alternativement de manière à réaliser l'injection d'un courant dans l'élément capacitif d'intégration au cours de la phase dite d'intégration, tout en maintenant constante la tension de polarisation du capteur considéré, donc stable, au cours de la phase de lecture, également dénommée phase de mémorisation, c'est à dire, phase pendant laquelle ledit premier transistor est en mode bloqué. En raison de l'opposition de phase des tensions commandant les deux transistors, lorsque l'étage d'entrée est en phase de mémorisation, ledit second transistor est en mode passant, maintenant de fait la tension constante aux bornes du capteur considéré. Le circuit intégré ainsi défini présente donc un nombre de composants limité à deux transistors, outre l'élément capacitif d'intégration. En pratique, les transistors peuvent être réalisés en technologie CMOS, bipolaire ou autres. Ces transistors peuvent être de type N ou P. De tels transistors permettent au dispositif de lecture de courant de présenter des 5 performances élevées, notamment en termes de linéarité de temps de réponse ou en consommation d'énergie. Selon une autre forme de réalisation de l'invention, la branche d'entrée peut être connectée à un capteur élémentaire faisant partie d'un ensemble de capteurs 10 élémentaires agencés en ligne ou en matrice. Une telle caractéristique permet d'augmenter la linéarité de l'étage d'entrée d'un photodétecteur matriciel. En outre, cette structure permet de réaliser une multiintégration, c'est-à-dire un découpage temporel des fenêtres d'intégration entre deux 15 remises à zéro de la lecture. Par ailleurs, l'invention concerne également un procédé pour la lecture de courants électriques, notamment issus de capteurs élémentaires d'un dispositif matriciel de détection de rayonnements électromagnétiques. Ce procédé met en oeuvre un dispositif 20 tel que précédemment mentionné et il comprend la séquence d'étapes suivantes : générer une première impulsion de tension, de préférence en forme de créneau, au moyen de la source de tension impulsionnelle polarisée ; placer le premier transistor à l'état passant de manière à alimenter l'élément capacitif avec le courant à lire, tandis que le deuxième transistor est placé à l'état 25 bloqué ; générer une deuxième impulsion de tension en opposition de phase avec la première impulsion de tension, de préférence en forme de créneau, au moyen de la source de tension impulsionnelle polarisée ; placer le deuxième transistor à l'état passant de manière à maintenir la branche 30 d'entrée à un potentiel constant, tandis que le premier transistor est placé à l'état bloqué, l'élément capacitif étant alors lu au travers de la branche de sortie du dispositif de manière à collecter les charges accumulées sur l'élément capacitif. Un tel procédé permet donc de réaliser l'intégration des courants à lire en maintenant 35 la polarisation du capteur constante. Selon une forme de réalisation pratique de l'invention, le procédé peut consister à répéter la séquence d'étapes de manière à réaliser plusieurs phases d'intégration de courant, chaque phase d'intégration annulant les charges concernées de manière à obtenir la lecture de la somme des charges intégrées ainsi que les cumuls de charges intermédiaires. Un tel procédé, qualifié de multi-intégration, permet de lire une grandeur analogique forte entre deux valeurs de cumul intermédiaire, et une grandeur analogique faible. Le fonctionnement et les avantages d'un tel procédé sont décrits dans la demande de brevet du Demandeur déposée sous le numéro FR-2006/50345. Un tel procédé permet également l'intégration de multiples petites fenêtres pour des applications spécifiques. Selon une forme de réalisation de l'invention, les amplitudes de la première et de la deuxième impulsions sont choisies de manière à ce qu'un transistor placé dans l'état bloqué est à la limite du déclenchement de l'état passant. De cette manière, le deuxième transistor se débloque sans dépolariser fortement le détecteur si le premier transistor ne peut plus écouler les charges en provenance des capteurs élémentaires. Une fonction anti-éblouissement efficace est ainsi mise en oeuvre. BREVE DESCRIPTION DES DESSINS L'invention apparaîtra plus clairement à la lumière de la description des modes de réalisation particuliers suivants, qui font référence aux figures. L'objet de l'invention ne se limite cependant pas à ces modes particuliers de réalisation et d'autres modes de réalisation de l'invention sont possibles. Les figures 1, 2, 3, 4 et 5 sont des représentations schématiques d'étages d'entrée de l'état antérieur de la technique, dont la description a été donnée ci-dessus. La figure 6 est une représentation schématique d'un dispositif pour la lecture de courant conforme à une forme de réalisation de l'invention. La figure 7 est une représentation schématique d'un graphique illustrant une forme de réalisation du procédé û objet de la présente invention, ainsi que le fonctionnement des étages d'entrée de l'art antérieur. La figure 8 est une représentation schématique d'un graphique illustrant une autre forme de réalisation d'un procédé û objet de la présente invention, ainsi que le fonctionnement d'un étage d'entrée de l'art antérieur. DESCRIPTION DETAILLEE DE L'INVENTION La figure 6 illustre donc un étage d'entrée conforme à une forme de réalisation de la présente invention. Dans cet étage d'entrée, deux transistors MOS 601 et 611 de type P réalisés selon une technologie CMOS sont implantés de manière à définir une paire différentielle. Les premier et second transistors 601 et 611 sont donc montés sur deux branches parallèles, et ont pour point commun le noeud 620, au niveau duquel est injecté le courant à lire Ie, qui représente le courant d'entrée issu d'un capteur, tel qu'une photodiode. Selon l'invention, la source du premier transistor 601 est connectée à la branche d'entrée destinée à injecter le courant le à lire. Le drain du premier transistor 601 est quant à lui connecté à la branche de sortie, par l'intermédiaire d'un noeud 621. Le noeud 621 est donc porté au potentiel Vs, représentant la tension de sortie. Conformément à l'invention, la grille du premier transistor 601 est connectée à une source de tension impulsionnelle polarisée (non représentée), apte à délivrer des impulsions de tension en forme de créneau Vpo,i, Vp012. Le premier transistor 601 est donc commandé par des créneaux de la tension de polarisation Vpo,i. Un élément capacitif d'intégration 602 est en outre connecté à la branche de sortie par l'intermédiaire du noeud 621, tandis que son autre borne, représentée par le noeud 622, est portée à une tension de référence V_, en l'occurrence, celle de la masse. La borne 621 de l'élément capacitif 602 est donc portée au potentiel Vs. On pourrait néanmoins prévoir de mettre en oeuvre une autre tension de référence, dans la mesure où celle-ci se trouve à un potentiel stable, c'est-à-dire constant durant une certaine période de temps. L'élément capacitif 602 est destiné à intégrer le courant à lire Ie, c'est-à-dire à accumuler les charges mobiles libérées lors des interactions entre photons et matière qui se produisent au sein de l'élément photosensible de chacun des capteurs élémentaires composant le photodétecteur matriciel. Le plus souvent, les charges mobiles injectées dans les circuits de lecture et d'exploitation sont des électrons, qui se dirigent vers l'anode de chaque capteur élémentaire, tandis que les trous se dirigent vers la cathode. L'élément capacitif 602 est donc dimensionné en fonction de la quantité de charges maximales qu'il est destiné à recevoir. Ce dimensionnement dépend notamment de la valeur maximale de la dynamique de signaux, ou courants, issus du détecteur et du temps d'intégration. On entend par dynamique de signaux l'amplitude séparant le signal le plus faible détecté du signal le plus fort détecté, ce dernier correspondant généralement à la valeur de la grandeur analogique à intégrer saturant le détecteur. Les courants injectés le sont bien évidemment représentatifs de cette grandeur analogique. La source du second transistor 611 est donc connectée au noeud commun 620, tandis que son drain est relié à la masse V. A l'instar du premier transistor 601, le second transistor 611 est commandé par la source de tension impulsionnelle polarisée Vpo,2 appliquée à sa grille. Cependant, conformément à l'invention, le second transistor 611 est commandé par les impulsions qui se trouvent en opposition de phase par rapport à celles commandant le premier transistor 601. Le second transistor 611 est donc commandé par la tension Vpo,2 qui se trouve en opposition de phase par rapport à la tension Vpo,i commandant le premier transistor 601. Par conséquent, le second transistor 611 se trouve à l'état bloqué, quand le premier transistor 601 est placé à l'état passant, définissant ainsi la phase d'intégration. Réciproquement, le second transistor 611 se trouve à l'état passant lorsque le premier transistor 601 est à l'état bloqué, définissant ainsi la phase de lecture ou phase de mémorisation. Ainsi, au cours de la phase d'intégration, le courant injecté Ie, issu de chaque capteur élémentaire, franchit le premier transistor 601 et accumule ses charges sur l'élément capacitif d'intégration 602. Au cours de cette phase, aucun courant ne circule dans la deuxième branche comportant le second transistor 611. Au cours de la phase de lecture, ou de mémorisation, le premier transistor 601 est commandé à l'état bloqué par la source de tension, pendant que la quantité des charges mobiles accumulées sur l'élément capacitif 602 est fixe et peut être évaluée à partir du potentiel de la branche de sortie 621, ou par un transfert de ces charges vers un amplificateur de sortie. Il faut noter que, de manière connue, chaque capteur élémentaire présente un comportement électrique assimilable à celui d'une diode, présentant par conséquent une certaine capacité (non représentée). C'est cette capacité qui, dans les étages d'entrée de l'art antérieur, accumule des charges parasites, lesquelles viennent s'ajouter au signal utile au détriment de la linéarité. Conformément à l'invention, au cours de cette phase de lecture, la branche d'entrée 620, qui constitue la sortie de chaque capteur élémentaire, est maintenue à un potentiel constant par l'intermédiaire du second transistor 611 qui est lui commandé à l'état passant. Durant cette phase, les charges mobiles issues du capteur sont évacuées vers le potentiel V. de la masse sans être comptabilisées. Par conséquent, contrairement aux étages d'entrée de l'état antérieur de la technique, la tension de polarisation du détecteur reste constante et la capacité que représente chaque capteur élémentaire ne peut accumuler de charges parasites susceptibles d'être injectées dans l'étage d'entrée et donc d'entraîner une dérive au cours de la phase d'intégration suivante. Ainsi, le signal utile n'est pas dégradé par des charges parasites accumulées sur le capteur lors des phases autres que l'intégration. La linéarité d'un photodétecteur équipé d'un dispositif de lecture de courant tel que celui représenté sur la figure 6 se trouve augmenté par rapport au photodétecteur équipé d'un étage d'entrée selon l'art antérieur. De plus, cette amélioration de la linéarité est obtenue avec un nombre restreint de composants électroniques, en l'occurrence deux, si bien que l'encombrement et la consommation d'énergie sont également limités par rapport à ceux des dispositifs de l'art antérieur. L'étage d'entrée conforme à la présente invention protège également le détecteur contre les fortes dépolarisations en cas d'éblouissement. En effet, lorsqu'il y a éblouissement, c'est-à-dire lorsque le transistor 601 n'est plus à même d'écouler les charges du détecteur, le transistor 611 peut écouler ces charges après une dépolarisation égale à la différence entre Vpo,i et Vp0i2.35 En outre, l'encombrement réduit de l'étage d'entrée de l'invention permet de libérer de l'espace disponible pour la capacité d'intégration, et ainsi augmenter la quantité de charges stockables par pixel élémentaire. La figure 7 représente un chronogramme illustrant le fonctionnement du dispositif représenté sur la figure 6 selon un procédé conforme à l'invention. La figure 7 présente donc les évolutions des tensions impulsionnelles polarisées Vpo,i et VpoI2, de la tension d'entrée Ve mesurée au noeud 620 et de la tension de sortie Vs. De plus, la figure 7 présente en traits discontinus les variations de la tension d'entrée que l'on pourrait mesurer typiquement sur un étage d'entrée de l'art antérieur. Conformément à une forme de réalisation de l'invention, les tensions de commande Vpo,i et Vp012 sont en forme de créneaux, définissant les instants initiaux et finaux des phases d'intégration 701-702 et de lecture 700-701, aussi appelée phase de maintien. Ces créneaux évoluent entre deux niveaux de tension, l'écart entre ces niveaux étant suffisant pour garantir le blocage d'un des transistors. Les instants 700 et 702 représentent donc à la fois le début d'une phase de lecture et la fin d'une phase d'intégration. A l'inverse, l'instant 701 représente la fin d'une phase 20 de lecture et le début d'une phase d'intégration. Ainsi, dans la première étape du procédé objet de l'invention, la source de tension impulsionnelle polarisée (non représentée) génère un premier créneau de tension Vpo,i. Au cours de cette phase d'intégration, le premier transistor 601 est alors placé à l'état 25 passant de manière à alimenter l'élément capacitif 602 avec le courant le à lire, tandis que le second transistor 611 est placé à l'état bloqué. Comme le montre la figure 7, la phase d'intégration implique une augmentation de la tension de sortie représentée par la pente 720. Cette pente 720 dépend principalement 30 du courant le du détecteur, et de la valeur de la capacité d'intégration. Dans une étape suivante du procédé objet de l'invention, la source de tension impulsionnelle polarisée (non représentée) génère un deuxième créneau de tension en opposition de phase avec le premier. Le second transistor 611 est alors placé à l'état 35 passant de manière à maintenir la branche d'entrée à un potentiel constant, tandis que le premier transistor 601 est placé à l'état bloqué. Les charges stockées dans l'élément capacitif 602 peuvent alors être lues au travers de la branche de sortie du dispositif. La tension d'entrée Ve est maintenue relativement stable, au cours de la phase de lecture, hormis les faibles excursions liées au basculement électronique des commandes sur les grilles 711. Au contraire, la tension d'entrée VeAA de l'état de la technique, comme exposé ci-dessus, présente des dérives 712-713 importantes au cours des phases de lecture dues à l'accumulation de charges parasites dans la capacité du détecteur, sous l'effet des variations de la tension de polarisation des capteurs élémentaires. La figure 8 représente un chronogramme illustrant le procédé dit de � mufti- intégration �. Conformément à ce procédé, les phases d'intégration et de lecture s'enchaînent la tension de sortie Vs présente des pentes successives 821-823 entrecoupées de plateaux durant lesquels la lecture de données stables est possible. En d'autres termes, la séquence d'étapes illustrée par la figure 7 est répétée pour réaliser de multiples intégrations comme cela est illustré par la figure 8. On réalise ainsi plusieurs phases de lecture, multipliant ainsi les données lues issues du détecteur. En outre, ce procédé � multi-intégration � permet de choisir les périodes pendant lesquelles les charges issues du détecteur sont intégrées. Sur la figure 8, la courbe 830 montre les dérives 832-833 de la tension d'entrée VeAA d'un étage d'entrée de l'art antérieur, dérives qui peuvent être annulées par une remise à zéro avant l'intégration suivante, au moyen d'un transistor de remise à zéro, tel que le transistor 305. Or une telle remise à zéro empêche de cumuler des charges durant plusieurs phases d'intégration successives. Elle est donc incompatible avec la mise en oeuvre d'un procédé de multi-intégration. En outre, ce procédé de � multi-intégration � permet une mesure du courant du détecteur sur une fraction du temps d'intégration total. Ceci permet donc une lecture des courants les plus élevés et ainsi une augmentation de la dynamique du dispositif. Le rapport signal sur bruit est ainsi amélioré. L'étage d'entrée selon l'invention représenté par les figures 6, 7 et 8 permet également une lecture du type � double échantillonnage corrélé � ou du type � mufti �échantillonnage corrélée �. Dans le premier type, une lecture de la valeur du signal au début et à la fin de l'intégration permet de supprimer le bruit engendré par la phase de remise à zéro, le signal obtenu étant extrait de la différence des valeurs lues. Dans le second type, on généralise le premier type pour un nombre de lectures supérieur à deux. Le signal utile est obtenu par un traitement statistique des valeurs lues qui permet de supprimer le bruit engendré par la phase de remise à zéro, ainsi qu'une partie du bruit de lecture. En conséquence, un dispositif pour la lecture de courant conforme à la présente invention permet d'éviter les inconvénients que présentent les étages d'entrée de l'art antérieur. Il présente une différence de potentiel relativement stable aux bornes du capteur élémentaire ; il permet de limiter l'injection de charges parasites dans le circuit d'intégration ; il présente en effet un encombrement relativement limité ; il consomme peu d'énergie ; il s'échauffe donc peu ;; il est peu sensible à l'éblouissement. Ainsi, un détecteur de rayonnements électromagnétiques, tel qu'une diode photodétectrice, équipé d'un étage d'entrée présentant tous ces avantages, possède une 20 linéarité et un rapport signal sur bruit supérieurs. REVENDICATIONS1. Dispositif pour réaliser la lecture de courants électriques, notamment issus de capteurs élémentaires d'un dispositif matriciel de détection de rayonnements électromagnétiques, comprenant un élément capacitif (602) destiné à intégrer le courant (Ie), les bornes dudit élément capacitif (602) étant connectées respectivement à la masse (V_) et à une branche (Vs, 621) de sortie (Vs) dudit dispositif, caractérisé en ce qu'il comprend en outre une paire différentielle composée : d'un premier transistor (601), monté entre la branche d'entrée de l'étage d'entrée et l'élément capacitif (602), ledit transistor étant commandé par une tension impulsionnelle polarisée (Vpoll, Vpol2), apte à placer ledit premier transistor alternativement à l'état bloqué puis à l'état passant, état passant dans lequel ledit premier transistor est destiné à fixer le potentiel de la branche d'entrée et à alimenter l'élément capacitif (602) avec les courants à lire ; ^ d'un second transistor (611), monté entre la branche d'entrée de l'étage d'entrée et un potentiel autre que celui de l'élément capacitif (602), ledit transistor étant également commandé par une tension impulsionnelle polarisée (Vpoll, Vpol2), apte à placer ledit second transistor alternativement à l'état bloqué puis à l'état passant, état passant dans lequel ledit second transistor est destiné à maintenir la branche d'entrée à un potentiel constant dans le temps autre que celui de l'élément capacitif et à écouler les charges reçues sur la branche d'entrée ailleurs que dans l'élément capacitif (602), et ledit second transistor étant monté en opposition de phase par rapport au premier transistor. 2. Dispositif pour réaliser la lecture de courants électriques selon la revendication 1, caractérisé en ce que lesdits transistors (601, 611) sont des transistors CMOS, ou bipolaires, les transistors étant de type N ou P. 3. Dispositif pour réaliser la lecture de courants électriques selon l'une des revendications précédentes, caractérisé en ce que ladite branche d'entrée (Ve, 620) est connectée à un capteur élémentaire faisant partie d'un ensemble de capteurs élémentaires agencés en ligne ou en matrice. 4. Procédé pour réaliser la lecture de courants électriques, tels que ceux issus de capteurs élémentaires d'un dispositif matriciel de détection de rayonnements électromagnétiques, caractérisé en ce qu'il met en oeuvre un dispositif selon l'une des revendications précédentes et en ce qu'il comprend la séquence d'étapes suivantes : générer une première impulsion de tension (Vpoli), de préférence en forme de créneau, au moyen de la source de tension impulsionnelle polarisée (Vpoll, Vpo12) placer le premier transistor (601) à l'état passant de manière injecter un 10 courant (Ie) à lire apte à charger l'élément capacitif (602), tandis que le second transistor (611) est placé à l'état bloqué ; générer une deuxième impulsion (Vpo12) en opposition de phase avec ladite première impulsion (Vpoll), de préférence en forme de créneau, au moyen de la source de tension impulsionnelle polarisée (Vpoll, Vpo12) ; 15 placer le second transistor (611) à l'état passant de manière à maintenir la branche d'entrée (Ve, 620) à un potentiel constant, tandis que le premier transistor (601) est placé à l'état bloqué, l'élément capacitif (602) étant alors lu au travers de la branche de sortie (Vs, 621) de façon séquentielle. 20 5. Procédé pour réaliser la lecture de courants électriques selon la revendication 4, caractérisé en ce qu'il consiste à répéter ladite séquence d'étapes de manière à réaliser plusieurs phases d'intégration de courant, chaque phase d'intégration annulant les charges concernées de manière à obtenir la lecture de la somme des charges intégrées ainsi que les cumuls de charges intermédiaires. 25 6. Procédé pour réaliser la lecture de courants électriques selon la revendication 4 ou 5, caractérisé en ce que les amplitudes de la première et de la deuxième impulsions sont choisies de manière à ce qu'un transistor placé dans l'état bloqué est à la limite du déclenchement de l'état passant. 30