FR 2938375 A1 20100514 FR 0901213 A 20090316 FILM MULTICOUCHES SOUPLE, TRANSPARENT, AUTOPORTE ET A EFFET DE BARRIERE, SON PROCEDE DE FABRICATION ET DISPOSITIF OPTOELECTRONIQUE L'INCORPORANT. La présente invention concerne un film multicouches souple, transparent, autoporté et à effet de barrière aux gaz, son procédé de fabrication et un dispositif optoélectronique de type organique ou hybride organique/ inorganique incorporant ce film. L'invention s'applique notamment à un dispositif à diodes électroluminescentes organiques (� OLED �), à cellules photovoltaïques organiques (� OPV �) ou à transistors organiques à couches minces (� OTFT �), à titre non limitatif, mais englobe également d'autres applications requérant en particulier les propriétés précitées de transparence et d'effet de barrière pour le film autoporté, comme par exemple des emballages hermétiques de type poche souple. De manière connue, les dispositifs optoélectroniques organiques du type précité doivent, pour un certain nombre d'applications, être protégés ou isolés vis-à-vis des espèces oxydantes de l'atmosphère (principalement l'oxygène et la vapeur d'eau). Si cette protection n'est pas correctement réalisée, la dégradation qui s'ensuit se manifeste principalement par l'apparition de points noirs non émissifs dans le cas des dispositifs � OLED �, qui sont en fait la résultante de la pénétration de la vapeur d'eau dans la diode qui dégrade alors l'interface entre cathode ou anode et structure organique d'émission de lumière. Cette protection est actuellement réalisée de deux manières différentes : - soit par un capot de protection par exemple en verre ou en métal et présentant un bord périphérique collé via un cordon de colle à la périphérie de la zone d'émission du dispositif, ce collage étant usuellement effectué en boîte à gants sous atmosphère d'azote ou d'argon, - soit par une ou plusieurs couches minces d'encapsulation déposées sous vide sur la zone d'émission et comprenant typiquement des alternances de matériaux organiques et inorganiques afin de répondre aux spécifications requises en termes de perméabilités. Par ailleurs, si ces dispositifs optoélectroniques organiques sont fabriqués sur des substrats souples, typiquement des plastiques tels que des PET ou PEN, on sait que l'application de couches minces de grande qualité barrière sur les substrats plastiques eux-mêmes est primordiale pour l'encapsulation. En effet et à l'inverse d'un substrat rigide en verre ou en silicium qui est totalement hermétique vis-à-vis de l'atmosphère, ces substrats souples sont relativement perméables aux gaz tels que l'oxygène et la vapeur d'eau. En conséquence et dans le cas de l'utilisation d'un substrat souple sous sa forme brute, un dispositif organique par exemple de type � OLED � fabriqué directement sur ce substrat aura une durée de vie relativement limitée. La capacité de barrière des matériaux d'encapsulation est fréquemment exprimée en terme de flux stabilisé d'eau à travers un matériau barrière donné, ou � WVTR � (� Water Vapor Transmission Rate � en langue anglaise). Pour les dispositifs optoélectroniques organiques, la valeur cible du � WVTR � est de l'ordre de 10-6 g/m2/jour, étant précisé qu'il n'existe pas aujourd'hui de films polymériques pouvant répondre à ce grade qualifié d'ultra haute barrière (� UHB �). Les couches minces d'encapsulation à effet de barrière sont en général inorganiques, étant en général constituées d'oxydes ou de nitrures lorsque la transparence est recherchée ou de métaux dans le cas contraire, les oxydes ou nitrures transparents déposés sous vide étant privilégiés puisque les photons doivent être absorbés ou émis à travers l'encapsulation. Or, il est difficile de dépasser une qualité barrière limite pour une couche unique donnée du fait de la présence de défauts (� pinholes � en langue anglaise ou micro-craquelures) au sein de la couche inorganique, défauts d'autant plus présents que les dépôts sont réalisés à plus basse température sur un substrat dont la surface, à l'échelle microscopique, n'est pas technologiquement idéale (rugosité importante, défauts, etc.) pour garantir une croissance sans défauts de la couche inorganique. C'est la raison pour laquelle on a choisi par le passé de réaliser des alternances de couches molles polymériques de l'ordre du pm et de couches denses inorganiques plus fines pour décorréler les défauts d'une couche inorganique dense à une autre, afin d'augmenter la sinuosité du trajet pour la vapeur d'eau et de retarder ainsi sa diffusion à travers la structure d'encapsulation. Cette technique, utilisée par la société Vitex sous la dénomination Barix�, prévoit des empilements organique/ inorganique/ organique/ inorganique/ ... où la couche polymérique inférieure de chaque empilement unitaire organique/ inorganique (cet empilement est appelé � dyad � en anglais) est déposée sous vide par évaporation. La structure d'encapsulation ainsi obtenue peut présenter une perméabilité à la vapeur d'eau proche de 10"6 g/m2/jour, ce qui procure une durée de vie suffisante pour envisager la commercialisation de dispositifs d'affichage � OLED �. Cependant, un inconvénient de cette technique est qu'elle requiert la superposition d'un nombre élevé de couches sur le substrat souple, ce qui la rend coûteuse à mettre en oeuvre. Est également connu par le document US-A-2002/0003403 de prévoir pour un dispositif � OLED � deux couches d'encapsulation superposées sur la zone d'émission, qui peuvent être constituées d'une couche polymérique par exemple en parylène et d'une couche d'oxyde diélectrique par exemple en AI2O3 la surmontant et déposée par un dépôt de couche atomique (� ALD � pour � Atomic Layer Deposition �). La technique � ALD � est dérivée du dépôt chimique en phase vapeur (� CVD � pour � Chemical Vapor deposition �), mais utilise un mode spécifique dans lequel les cycles d'injection des différents précurseurs réactifs sont séquentiels. Cette nature séquentielle du dépôt entraîne des croissances de couches auto-limitées via la saturation de la surface par les précurseurs chimisorbés. Dans le même temps, la chimisorption des précurseurs sur la couche préalablement préparée garantit l'excellent recouvrement et la bonne conformité de la couche d'oxyde déposée. Cette technique � ALD � présente ainsi l'avantage d'être très � conformante � (i.e. avec un excellent recouvrement de marche ou � step coverage � en anglais) pour chaque couche inorganique déposée, qui présente ainsi un faible nombre de défauts. Le document US-B1-6 358 863 enseigne de fabriquer par � CVD � un film multicouches diélectrique en déposant sur un substrat rigide en silicium un empilement d'unités constituées chacune d'une couche organique en un parylène surmontée d'une couche inorganique par exemple en SiO2. Comme décrit à l'exemple 7 de ce document qui présente un tel empilement de sept unités, le film ainsi obtenu présente une épaisseur totale de 382 nm seulement, ce qui est très insuffisant pour qu'il puisse être autoporté par séparation d'avec ce substrat. Un but de la présente invention est de proposer un film multicouches souple, transparent et à effet de barrière aux gaz à base d'une ou plusieurs unités comprenant chacune une couche organique polymérique surmontée d'une couche inorganique formant barrière aux gaz, qui permette de remédier aux inconvénients précités en étant notamment autoporté (i.e. sans recouvrir son substrat d'origine sur lequel il a été déposé) et en présentant avantageusement une tenue thermique satisfaisante. A cet effet, un film multicouches selon l'invention est obtenu par délaminage vis-à-vis de son substrat rigide d'origine, par exemple en verre ou en silicium, au moyen d'une rupture adhésive d'avec ce substrat de l'une des deux faces du film formée par la ou l'une des couche(s) organique(s), cette face délaminée du film étant à base d'au moins un premier polymère transparent qui présente une adhésion réduite avec ce substrat et qui est choisi dans le groupe constitué par les parylènes et les polymères fluorocarbonés, les couches organique et inorganique de la ou de chaque unité présentant des épaisseurs respectivement comprises entre 2 pm et 20 pm et entre 20 nm et 200 nm et choisies de sorte que le film présente une épaisseur totale égale ou supérieure à 10 pm pour permettre ce délaminage. On notera que cette épaisseur minimale de 10 pm est requise pour que le film puisse être autoporté, suite à sa libération du substrat d'origine (provisoire) par ce délaminage ou décollage. On notera également que ce film selon l'invention permet de s'affranchir d'un substrat plastique souple supportant ce film, un tel substrat souple présentant usuellement des qualités optiques et de surface limitées et une tenue thermique pouvant s'avérer insuffisante. Comme cela sera développé ci-dessous, on notera en outre que le film autoporté selon l'invention présente l'avantage d'être facile à 5 reporter sur un dispositif optoélectronique sensible. Avantageusement, ce film selon l'invention peut comporter plusieurs unités, la couche organique de celle(s) qui surmonte(nt) l'unité présentant ladite face délaminée étant à base d'au moins un polymère transparent qui est identique ou non audit premier polymère et peut être choisi 10 dans le groupe constitué par les parylènes, les polymères fluorocarbonés et les polyacrylates. De préférence, ce film présente de deux à quatre unités, les couches organique et inorganique de chacune d'entre elles présentant des épaisseurs respectivement comprises entre 5 pm et 15 pm et entre 25 nm et 15 100 nm qui sont choisies de sorte que ce film présente une épaisseur totale inférieure à 50 pm. Selon une autre caractéristique de l'invention, ces unités sont optionnellement reliées deux à deux entre elles par une couche intermédiaire d'adhésion conçue pour améliorer l'adhésion entre la couche inorganique 20 d'une unité et la couche organique adjacente de l'unité la surmontant. Cette couche intermédiaire � d'accrochage � peut être prévue entre chaque paire d'unités adjacentes formant le film (i.e. avec n-1 couches intermédiaires pour n unités superposées), ou bien seulement entre une ou plusieurs de ces paires (i.e. avec de 1 à n-2 couches intermédiaires pour n unités, où n 4). 25 Selon un exemple préférentiel de réalisation de l'invention, le polymère de la face délaminée est un parylène déposé sur le substrat d'origine par � CVD � pour former la couche organique correspondante, ce parylène étant de préférence un parylène à haute tenue en température tel qu'un parylène de dénomination � PPX-HT � commercialisé par la société 30 SCS dont la tenue en température est d'au moins 350° C sans dégradation notable sur le long terme. On notera que le film selon cet exemple de l'invention, qui incorpore un parylène au moins dans son unité inférieure présentant ladite face délaminée, présente ainsi avantageusement une haute tenue aux températures élevées, en plus des propriétés précitées de souplesse, de transparence, d'effet barrière et d'auto-portance. Par � parylène �, on entend de manière connue dans la présente description un poly(para-xylylène) ou � PPX � en abrégé, substitué ou non et pouvant être notamment un parylène fluoré de type HT (PPX-HT) un parylène de type C (PPX-C de formule C8H8CI), un parylène de type N (PPX-N de formule C8H8) ou un parylène de type D (PPX-D de formule C8H8Cl2). Selon une variante de l'invention, le polymère de la face délaminée est un polymère fluorocarboné déposé sur le substrat d'origine par voie liquide pour former la couche organique correspondante, de préférence un polymère issu du tétrafluorométhane, du tétrafluoroéthylène ou de l'hexafluoroacétone. De préférence, la ou chaque couche inorganique est à base d'au moins un composé inorganique pouvant être choisi dans le groupe constitué par les oxydes d'aluminium, les oxydes de silicium, les oxydes de zinc, les nitrures de silicium et les oxynitrures de silicium. A titre encore plus préférentiel et notamment dans le cas où le polymère de la face délaminée est un parylène, la ou chaque couche inorganique est constituée d'un oxyde d'aluminium de formule Al Oy déposé par une méthode choisie dans le groupe constitué par les dépôts �ALD �, � CVD � et le dépôt physique en phase vapeur (� PVD � pour � Physical Vapor Deposition �), et qui est de préférence une méthode � ALD �. Selon une première application de l'invention, le film autoporté est façonné pour former à lui seul un emballage transparent et hermétique de type poche souple, par exemple destiné à contenir des instruments médicaux. Selon une seconde application de l'invention explicitée ci-après, le film autoporté peut être utilisé dans un dispositif optoélectronique organique en formant lui-même le substrat souple du dispositif. En relation avec cette seconde application, le film selon l'invention comporte alors en outre une couche externe électriquement conductrice et transparente, qui est déposée sur la couche inorganique de l'unité sous-jacente selon une épaisseur de préférence comprise entre 50 nm et 150 nm et qui est à base d'un oxyde transparent conducteur (� OTC �), par exemple un oxyde d'étain-indium (� ITO �) déposé par pulvérisation ou du ZnO déposé par un dépôt de couche atomique (� ALD �). En variante, la couche externe peut être à base d'un composé choisi dans le groupe constitué par les composés de structure � OTC � / métal / � OTC � comme par exemple les � IMI � de structure � ITO � / métal / � ITO �, les nanotubes de carbone par exemple monoparoi (� SWNT � pour � Single Wall Nanotubes � en anglais) et les composés à monocouches de graphène, notamment pour des panneaux lumineux de grandes surfaces d'émission. Un dispositif optoélectronique de type organique ou hybride organique/ inorganique selon l'invention, tel qu'un dispositif à diodes électroluminescentes organiques (� OLED �), à cellules photovoltaïques organiques (� OPV �) ou à transistors organiques à couches minces (� OTFT �), est tel qu'il incorpore un film multicouches formant : - un substrat souple transparent et électriquement conducteur pour ce dispositif, ce substrat souple étant obtenu par gravure préalable du film sur ledit substrat rigide d'origine, ce film étant alors tel que défini ci-dessus en relation avec la seconde application précitée de l'invention, ou - selon une troisième application de l'invention, une structure d'encapsulation transparente et étanche pour ce dispositif recouvrant un substrat souple électriquement conducteur, ce film étant alors tel que défini ci-dessus à l'exception de ladite couche externe électriquement conductrice qui n'est pas requise pour l'encapsulation. Ce dispositif selon l'invention peut être avantageusement flexible et/ou de grande surface d'émission. On notera que l'utilisation du substrat rigide provisoire en silicium ou en verre par exemple, a priori sans défaut et présentant une excellente qualité de surface, pour fabriquer le film selon l'invention permet 2938375 s notamment de conférer à ce dernier, une fois reporté sur le substrat souple d'un dispositif optoélectronique organique, des propriétés de barrière aux gaz améliorées en comparaison de celles de l'art antérieur où la structure de barrière était déposée sur un substrat plastique souple de type PET ou PEN. 5 Un procédé de fabrication selon l'invention d'un film tel que défini ci-dessus, ce film étant en particulier souple, transparent, autoporté et à effet de barrière aux gaz, comprend essentiellement : a) un dépôt sur ledit substrat rigide d'origine par exemple en verre ou en silicium, de la ou des unités l'une sur l'autre pour l'obtention du 10 film d'épaisseur égale ou supérieure à 10 pm dont la couche organique la plus inférieure est à base d'au moins ledit premier polymère transparent d'adhésion réduite à ce substrat d'origine, puis b) un délaminage du film ainsi déposé par rupture adhésive de son interface avec ce substrat d'origine pour l'obtention du film autoporté, 15 lequel présente de préférence une épaisseur inférieure à 50 pm. Avantageusement, pour favoriser la délamination à l'étape b) : - on peut déposer préalablement à l'étape a) sur ledit substrat d'origine une sous-couche d'oxyde qui est de préférence un oxyde d'aluminium de formule Al Oy déposé par � ALD �, ou bien 20 - on peut prévoir que ce substrat d'origine est constitué de silicium sur lequel est formé un oxyde natif SiO2. De préférence, l'on dépose la couche organique de la ou de chaque unité par un dépôt � CVD � d'un parylène ou bien par un dépôt par voie liquide d'un polymère fluorocarboné, et la couche inorganique de la ou de 25 chaque unité par � ALD �, � CVD �, � PVD �, par plasma ou par voie humide (dans ce dernier cas, on utilise des précurseurs inorganiques liquides pour l'obtention de couches denses de SiOX, voir par exemple l'article Yongchai Kwon, Jongwon Seok, Japanese Journal of Applied Physics, Vol. 44, 6A, 2005, pp. 3893-3902). L'important pour la ou chaque couche inorganique est 30 qu'elle soit transparente et surtout suffisamment dense pour exercer de manière satisfaisante sa fonction de barrière aux gaz. Avantageusement, la couche inorganique de la ou de chaque unité est à base d'au moins un composé inorganique pouvant être choisi dans le groupe constitué par les oxydes d'aluminium, de silicium, de zinc, les nitrures de silicium et les oxynitrures de silicium, et est de préférence déposée par �ALD �. Encore plus avantageusement, la couche inorganique de la ou de chaque unité peut être à base d'un oxyde d'aluminium de formule Al Oy qui est déposé par � ALD �, de préférence au moyen d'un couple de précurseurs triméthylaluminium / H2O. Selon une autre caractéristique optionnelle de l'invention, l'on dépose en outre une couche intermédiaire d'adhésion entre la couche inorganique d'une unité et la couche organique d'une autre unité destinée à la surmonter, la ou chaque couche intermédiaire pouvant être obtenue par un traitement de surface choisi dans le groupe constitué par les traitements par plasma, les dépôts en couche mince d'un promoteur d'adhésion et les traitements chimiques de surface, le dépôt en couche mince d'un promoteur d'adhésion étant de préférence mis en oeuvre dans le cas où la couche organique concernée est à base d'un parylène. Selon une autre caractéristique également optionnelle de l'invention se rapportant notamment à la seconde application précitée, l'on dépose en outre, sur la couche inorganique de la dernière unité déposée, une couche externe électriquement conductrice et transparente selon une épaisseur de préférence comprise entre 50 nm et 150 nm et qui peut être telle que définie ci-dessus en relation avec cette seconde application. Dans ce cas, l'on réalise antérieurement à l'étape b) de délaminage des opérations de gravure sur le film déposé sur ledit substrat d'origine, afin d'utiliser ce film une fois délaminé comme substrat souple du dispositif optoélectronique. Conformément aux première et troisième applications précitées de l'invention, l'on façonne le film obtenu suite à l'étape b) de délaminage pour obtenir respectivement soit un emballage transparent et hermétique de type poche souple, soit une structure d'encapsulation transparente et étanche destinée à être reportée sur un substrat souple d'un dispositif optoélectronique organique ou hybride organique/ inorganique. D'autres avantages, caractéristiques et détails de l'invention ressortiront du complément de description qui va suivre en référence à des dessins annexés, donnés uniquement à titre d'exemples et dans lesquels : la figure 1 est une vue schématique en section transversale d'un exemple de film multicouches selon l'invention en cours de fabrication, ce film recouvrant un substrat rigide d'origine utilisé pour son dépôt, la figure 2 est une vue schématique en section transversale 10 du film de la figure 1 finalement autoporté par délaminage vis-à-vis de son substrat d'origine, et la figure 3 est une vue schématique en section transversale d'un autre exemple de film multicouches selon l'invention en cours de fabrication, ce film recouvrant le substrat rigide d'origine utilisé pour son dépôt 15 à l'instar de la figure 1. Le film transparent multicouches 1 illustré à la figure 1 est déposé sur un substrat rigide provisoire 2 pouvant être constitué par exemple de silicium vierge sur lequel est déposée une sous-couche inorganique 3 d'un 20 oxyde métallique apte à favoriser le décollage ultérieur par délaminage du film 1 d'avec ce substrat 2 (étant précisé qu'en variante, cet oxyde pourrait être un oxyde natif SiO2 sur silicium, évitant ainsi le dépôt de la sous-couche 3). Ce film 1 est constitué de deux unités élémentaires 10 et 20 déposées successivement et comprenant chacune une couche polymérique 25 transparente 11, 21 par exemple de 5 pm à 10 pm d'épaisseur directement surmontée d'une couche inorganique 12, 22 dense, transparente et à effet de barrière par exemple de 25 nm à 50 nm d'épaisseur, et d'une couche externe 4 électriquement conductrice et transparente d'épaisseur par exemple voisine de 100 nm qui est déposée sur la couche 22 de la seconde unité 20. 30 La sous-couche 3 et les couches inorganiques 12 et 22 sont chacune de préférence à base d'un oxyde d'aluminium de formule AI2O3 déposé par � ALD �, via un couple de précurseurs triméthylaluminium / H2O. La couche polymérique inférieure 11 est de préférence à base d'un parylène tel qu'un PPX-HT par exemple, que l'on dépose par � CVD �. En variante, la couche 11 peut être à base d'un polymère fluoré déposé par voie liquide, tel qu'un poly(tétrafluorométhane), un poly(tétrafluoroéthylène) ou un poly(hexafluoroacétone). Concernant la couche polymérique supérieure 21, elle est dans cet exemple également à base d'un parylène identique à celui de la couche 11, étant néanmoins précisé que le polymère de cette couche 21 pourrait être très différent de celui de la couche 11 en étant par exemple un polyacrylate déposé par polymérisation � flash � ou par toute autre voie. Ainsi, on peut citer comme exemple de polymères utilisables pour les couches 11 / 21, respectivement les paires parylène / parylène, polymère fluoré / parylène, parylène / polyacrylate, et polymère fluoré / polyacrylate. Quant à la couche externe 4, elle est par exemple à base d'un oxyde transparent conducteur, tel qu'un � ITO � déposé par pulvérisation ou du ZnO déposé par � ALD �. On notera que dans cet exemple de la figure 1, on peut se passer de couche intermédiaire d'adhésion entre la couche inorganique 12 de l'unité inférieure 10 et la couche organique 21 de l'unité supérieure 20. Toutefois, on peut avantageusement utiliser une telle couche intermédiaire sous forme d'un dépôt en couche mince d'un promoteur d'adhésion comme par exemple HDMS, a-C, FDTS ou bien un promoteur pour le PPX tel que ceux commercialisés sous les noms � KBM-503 � ou � A-174 �. Comme illustré à la figure 2, après les dépôts successifs des unités 10 et 20 et de la couche externe 4 et la mise en oeuvre des étapes de gravure du film 1 sur le substrat 2 qui sont requises en fonction de l'application recherchée pour celui-ci, on procède à la libération du film 1 par rupture adhésive de son interface 5 avec ce substrat 2 recouvert de la sous-couche 3 (voir flèches A pour la direction des forces de séparation), cette interface 5 à base du parylène ou du polymère fluoré formant donc la face délaminée du film 1 finalement séparé. On notera que ce délaminage est rendu possible par l'épaisseur suffisante du film 1 déposé sur le substrat 2, qui est supérieure à 10 pm et qui permet la préhension de ce film 1. On obtient suite à ce décollage un film 1 souple, transparent, autoporté, à effet de barrière satisfaisant notamment vis-à-vis de la vapeur d'eau de l'atmosphère, grâce en particulier aux couches inorganiques denses 12 et 22 déposées par � ALD �, et présentant en outre une tenue satisfaisante aux températures élevées dans le cas préférentiel de l'utilisation de PPX-HT pour les couches polymériques 11 et 21. Le film 1' illustré à la figure 3 une fois déposé sur le substrat provisoire rigide 2 (avant délaminage) se distingue essentiellement de celui de la figure 1, en ce qu'il comporte une troisième unité 30 comprenant une couche polymérique 31 surmontée d'une couche inorganique 32, ces deux couches 31 et 32 étant par exemple déposées comme indiqué en référence à la figure 1 (dans l'exemple de la figure 3, les couches polymériques 21 et 31 sont choisies identiques en étant différentes de la couche polymérique inférieure 11). Sur cette figure 3 sont visibles en outre deux couches intermédiaires d'adhésion 40 et 50 reliant entre elles la couche inorganique 12 de la première unité 10 déposée à la couche polymérique 21 de la seconde unité 20, et la couche inorganique 22 de cette dernière à la couche polymérique 31 de la dernière unité 30 déposée, respectivement. Chaque couche intermédiaire 40, 50 peut par exemple être obtenue par dépôt en couche mince d'un promoteur d'adhésion tel que ceux précités. On notera que cette fabrication du film 1, 1' selon l'invention sur le substrat rigide provisoire 2, qui est choisi pour son excellent état de surface en prévision des dépôts successifs et des éventuelles opérations de gravure, présente l'avantage essentiel de conférer au film 1, 1', une fois reporté sur un substrat souple d'un dispositif optoélectronique organique pour en assurer l'encapsulation, d'excellentes propriétés de barrière aux gaz qui sont supérieures à celles qui auraient été obtenues en déposant le film multicouches d'encapsulation directement sur un substrat plastique souple usuel de type PET ou PEN, par exemple. L'utilisation d'un substrat 2 spécifique à la réalisation du film 1, 1' permet de choisir pour ce substrat 2 un matériau (par exemple du silicium ou du verre) permettant le dépôt des couches le recouvrant (notamment des couches inorganiques 22, 32 et de la couche externe 4) à plus haute température, ce qui permet d'obtenir des couches avec de meilleures qualités. On notera également que la couche externe 4 électriquement conductrice du film 1 et 1' selon l'invention, qui peut être réalisée en un oxyde transparent conducteur (� OTC �) tel que ceux présentés ci-dessus ou, en variante, en un composé de structure � OTC � / métal / � OTC � comme par exemple un � IMI � de structure � ITO � / métal / � ITO �, un nanotube de carbone ou un composé à monocouches de graphène, est simplement optionnelle en fonction de l'application envisagée du film 1, 1'. Ainsi, dans le cas d'un film destiné à former après façonnage un fin emballage hermétique de type poche souple par exemple dans le domaine médical, une telle couche externe 4 n'est pas nécessaire. Dans ce contexte, la Demanderesse a fabriqué par ce procédé de dépôts successifs et de délaminage selon l'invention un film souple autoporté pour un tel emballage, constitué d'une unique unité formée d'une couche de PPX de 10 pm d'épaisseur déposée par � CVD � sur un substrat de silicium traité par une sous-couche d'AI2O3 pour favoriser le délaminage ultérieur, et d'une couche de AIZO3 de 25 nm d'épaisseur la recouvrant et déposée par � ALD � à l'instar de la sous-couche de délaminage. On a ainsi obtenu pour ce film autoporté des propriétés de barrière satisfaisantes, notamment à la vapeur d'eau. REVENDICATIONS1) Film multicouches (1, 1') souple, transparent et autoporté à base d'une ou plusieurs unités (10, 20, 30) comprenant chacune une couche organique polymérique (11, 21, 31) surmontée d'une couche inorganique (12, 22, 32) formant barrière aux gaz, caractérisé en ce que le film est obtenu par délaminage vis-à-vis d'un substrat rigide d'origine (2), par exemple en verre ou en silicium, au moyen d'une rupture adhésive d'avec ce substrat de l'une des deux faces (5) du film formée par la ou l'une des couche(s) organique(s) (11), cette face délaminée (5) du film étant à base d'au moins un premier polymère transparent qui présente une adhésion réduite avec ce substrat et qui est choisi dans le groupe constitué par les parylènes et les polymères fluorocarbonés, les couches organique et inorganique de la ou de chaque unité présentant des épaisseurs respectivement comprises entre 2 pm et 20 pm et entre 20 nm et 200 nm et choisies de sorte que le film présente une épaisseur totale égale ou supérieure à 10 pm pour permettre ce délaminage. 2) Film multicouches (1, 1') selon la revendication 1, caractérisé en ce qu'il comporte plusieurs unités (10 à 30), la couche organique (21, 31) de celle(s) (20, 30) qui surmonte(nt) l'unité (10) présentant ladite face délaminée (5) étant à base d'au moins un polymère transparent qui est identique ou non audit premier polymère et qui est choisi dans le groupe constitué par les parylènes, les polymères fluorocarbonés et les polyacrylates. 3) Film multicouches (1, 1') selon la revendication 2, caractérisé en ce qu'il présente de deux à quatre unités (10 à 30), les couches organique (11 à 31) et inorganique (12 à 32) de chacune d'entre elles présentant des épaisseurs respectivement comprises entre 5 pm et 15 pm et entre 25 nm et 100 nm qui sont choisies de sorte que ce film présente une épaisseur totale inférieure à 50 pm. 4) Film multicouches (1') selon la revendication 2 ou 3, caractérisé en ce que les unités (10 à 30) sont reliées deux à deux entre elles par une couche intermédiaire d'adhésion (40, 50) conçue pour améliorer l'adhésion entre la couche inorganique (12, 22) d'une unité (10, 20) et la couche organique adjacente (21, 31) de l'unité (20, 30) la surmontant. 5) Film multicouches (1, 1') selon une des revendications 1 à 4, caractérisé en ce que le polymère de ladite face délaminée (5) est un parylène déposé sur ledit substrat d'origine (2) par dépôt chimique en phase vapeur (� CVD �) pour former la couche organique (11) correspondante, ce parylène étant de préférence un parylène à haute tenue en température tel qu'un parylène de dénomination � PPX-HT �. 6) Film multicouches (1, 1') selon une des revendications 1 à 4, caractérisé en ce que le polymère de ladite face délaminée (5) est un polymère fluorocarboné déposé sur ledit substrat d'origine (2) par voie liquide pour former la couche organique (11) correspondante, de préférence un polymère issu du tétrafluorométhane, du tétrafluoroéthylène ou de l'hexafluoroacétone. 7) Film multicouches (1, 1') selon une des revendications précédentes, caractérisé en ce que la ou chaque couche inorganique (12 à 32) est à base d'au moins un composé inorganique choisi dans le groupe constitué par les oxydes d'aluminium, les oxydes de silicium, les oxydes de zinc, les nitrures de silicium et les oxynitrures de silicium. 8) Film multicouches (1, 1') selon les revendications 4 et 7, caractérisé en ce que ladite ou chaque couche inorganique (12 à 32) est constituée d'un oxyde d'aluminium de formule AIxOy qui est déposé par une méthode choisie dans le groupe constitué par le dépôt de couche atomique (� ALD �), le dépôt chimique en phase vapeur (� CVD �) et le dépôt physiqueen phase vapeur (� PVD �), et de préférence par un dépôt de couche atomique (� ALD �). 9) Film multicouches (1, 1') selon une des revendications précédentes, caractérisé en ce qu'il est façonné pour former un fin emballage transparent et hermétique de type poche souple qui est par exemple destiné à contenir des articles ou instruments médicaux. 10) Film multicouches (1, 1') selon une des revendications 1 à 8, caractérisé en ce qu'il comporte en outre une couche externe (4) électriquement conductrice et transparente, qui est déposée sur la couche inorganique (22, 32) de l'unité sous-jacente (20, 30) selon une épaisseur de préférence comprise entre 50 nm et 150 nm. 11) Film multicouches (1, 1') selon la revendication 10, caractérisé en ce que ladite couche externe (4) est à base d'au moins un oxyde transparent conducteur, de préférence un oxyde d'étain-indium déposé par pulvérisation ou du ZnO déposé par un dépôt de couche atomique (� ALD �). 12) Film multicouches (1, 1') selon la revendication 10, caractérisé en ce que ladite couche externe (4) est à base d'au moins un composé choisi dans le groupe constitué par les composés de structure oxyde transparent conducteur / métal 1 oxyde transparent conducteur, les nanotubes de carbone et les composés à monocouches de graphène. 13) Dispositif optoélectronique flexible et/ou de grande surface d'émission de type organique ou hybride organique/ inorganique, tel qu'un dispositif à diodes électroluminescentes organiques (� OLED �), à cellules photovoltaïques organiques (� OPV �) ou à transistors organiques à couches minces (� OTFT �), caractérisé en ce qu'il incorpore un film multicouches (1, 1') formant :- un substrat souple transparent et électriquement conducteur pour ce dispositif, ce substrat souple étant obtenu par gravure préalable du film sur ledit substrat rigide d'origine (2), ce film étant alors tel que défini à l'une des revendications 10 à 12, ou - une structure d'encapsulation transparente et étanche pour ce dispositif recouvrant un substrat souple électriquement conducteur, ce film étant alors tel que défini à l'une des revendications 1 à 8. 14) Procédé de fabrication d'un film multicouches (1, 1') souple, transparent, autoporté et à effet de barrière aux gaz selon une des revendications 1 à 12, caractérisé en ce qu'il comprend essentiellement : a) un dépôt sur ledit substrat rigide d'origine (2) par exemple en verre ou en silicium, de la ou des unités l'une sur l'autre (10 à 30) pour l'obtention du film d'épaisseur égale ou supérieure à 10 pm dont la couche organique la plus inférieure (11) est à base d'au moins ledit premier polymère transparent d'adhésion réduite à ce substrat d'origine, puis b) un délaminage du film ainsi déposé par rupture adhésive de son interface (5) avec ce substrat d'origine pour l'obtention du film autoporté, lequel présente de préférence une épaisseur inférieure à 50 pm. 15) Procédé de fabrication selon la revendication 14, caractérisé en ce que, pour favoriser la délamination à l'étape b) : - soit l'on dépose préalablement à l'étape a) sur ledit substrat d'origine (2) une sous-couche d'oxyde (3) qui est de préférence un oxyde d'aluminium de formule AIXOY déposé par dépôt de couche atomique (� ALD �), - soit l'on prévoit que ce substrat d'origine est constitué de silicium sur lequel est formé un oxyde natif SiO2. 16) Procédé de fabrication selon la revendication 14 ou 15, caractérisé en ce que l'on dépose la couche organique (11 à 31) de la ou de chaque unité (10 à 30) par un dépôt chimique en phase vapeur (� CVD �)d'un parylène ou bien par un dépôt par voie liquide d'un polymère fluorocarboné, et la couche inorganique (12 à 32) de la ou de chaque unité par un dépôt de couche atomique (� ALD �), un dépôt chimique en phase vapeur (� CVD �), un dépôt physique en phase vapeur (� PVD �), par un plasma ou par voie humide. 17) Procédé de fabrication selon la revendication 16, caractérisé en ce que la couche inorganique (12 à 32) de la ou de chaque unité (10 à 30) est à base d'au moins un composé inorganique choisi dans le groupe constitué par les oxydes d'aluminium, les oxydes de silicium, les oxydes de zinc, les nitrures de silicium et les oxynitrures de silicium, et est de préférence déposée par un dépôt de couche atomique (� ALD �). 18) Procédé de fabrication selon la revendication 17, caractérisé en ce que la couche inorganique (12 à 32) de la ou de chaque unité (10 à 30) est à base d'un oxyde d'aluminium de formule AIxOy qui est déposé par un dépôt de couche atomique (� ALD �), de préférence au moyen d'un couple de précurseurs triméthylaluminium / H2O. 19) Procédé de fabrication selon une des revendications 14 à 18, caractérisé en ce que l'on dépose en outre une couche intermédiaire d'adhésion (40, 50) entre la couche inorganique (12, 22) d'une unité (10, 20) et la couche organique (21, 31) d'une autre unité (20, 30) destinée à la surmonter, la ou chaque couche intermédiaire étant obtenue par un traitement de surface choisi dans le groupe constitué par les traitements par plasma, les dépôts en couche mince d'un promoteur d'adhésion et les traitements chimiques de surface, le dépôt en couche mince d'un promoteur d'adhésion étant de préférence mis en oeuvre dans le cas où la couche organique concernée est à base d'un parylène. 20) Procédé de fabrication selon une des revendications 14 à 19, caractérisé en ce que l'on dépose en outre, sur la couche inorganique (22,32) de la dernière unité (20, 30) déposée, une couche externe (4) électriquement conductrice et transparente selon une épaisseur de préférence comprise entre 50 nm et 150 nm. 21) Procédé de fabrication selon la revendication 20, caractérisé en ce que ladite couche externe (4) est à base : - soit d'au moins un oxyde transparent conducteur tel qu'un oxyde d'étain-indium déposé par pulvérisation ou du ZnO déposé par un dépôt de couche atomique (� ALD �), - soit d'au moins un composé choisi dans le groupe constitué par les composés de structure oxyde transparent conducteur / métal / oxyde transparent conducteur, les nanotubes de carbone et les composés à monocouches de graphène. 22) Procédé de fabrication selon une des revendications 14 à 19, caractérisé en ce que l'on façonne le film (1, 1') obtenu suite à l'étape b) de délaminage pour obtenir soit un emballage transparent et hermétique de type poche souple, soit une structure d'encapsulation transparente et étanche destinée à recouvrir un substrat souple électriquement conducteur d'un 20 dispositif optoélectronique de type organique ou hybride organique/ inorganique. 23) Procédé de fabrication selon la revendication 20 ou 21, caractérisé en ce que l'on réalise antérieurement à l'étape b) de délaminage 25 des opérations de gravure sur le film (1, 1') déposé sur ledit substrat d'origine (2), afin d'utiliser ce film une fois délaminé comme substrat souple électriquement conducteur d'un dispositif optoélectronique de type organique ou hybride organique/ inorganique. 10 15 30