FR 2926671 A1 20090724 FR 0850289 A 20080117 PROCEDE DE TRAITEMENT DE DEFAUTS LORS DE COLLAGE DE PLAQUES DESCRIPTION DOMAINE TECHNIQUE ET ART ANTERIEUR L'invention concerne le domaine de la microélectronique et des techniques mises en oeuvre dans ce domaine pour effectuer un traitement de plaques pouvant notamment présenter des composants à sa surface. Dans ce domaine de la microélectronique, il 10 est notamment important de pouvoir réaliser des transferts de couches minces contenant des circuits. Ces transferts de couches minces permettent en particulier de reporter les circuits sur des plaques différentes de celles qui ont servi à les élaborer. Par exemple, ces plaques peuvent être des plaques de matériau semi-conducteur contenant des composants électroniques ou encore des plaques ayant des propriétés différentes des substrats ayant servi à l'élaboration des composants. Dans certains cas, on cherche à avoir accès à la face arrière des composants, face qui repose sur un substrat sur lequel ou à partir duquel ils ont pu être préparés. Une technique connue pour ce faire est 25 illustrée sur les figures 1A - 1D. Elle consiste à coller une première plaque 2, sur laquelle est formée une couche mince traitée 5, en face avant avec une 15 20 deuxième plaque 8, puis à amincir ou éliminer son substrat 1 en face arrière. La plaque 2, ou plutôt sa couche mince traitée 5, contient notamment des circuits 3, 6 (figure 1A). En vue du collage par adhésion moléculaire avec cette deuxième plaque 8, généralement, une couche 4 de matériau de collage est déposée en face avant de la couche mince 5 afin d'être planarisée et compatible avec un collage direct (figure 1A). En l'absence d'une telle couche 4 planarisée, des zones non collées (correspondant à des zones de topologie à la surface du circuit) peuvent être présentes au niveau de l'interface de collage et gêner le transfert de la couche mince 5. La deuxième plaque 8 est, quant à elle, oxydée superficiellement (figure 1B). La référence 10 désigne la couche d'oxyde superficielle. L'assemblage peut ensuite avoir lieu, après que la couche d'adhérence 4 ait été aplanie (figure 1C). Enfin, la partie 1 de la première plaque 2 ne contenant pas la zone traitée est amincie ou éliminée (figure 1D), par exemple par rectification, ou par attaque chimique (sèche ou humide). La surface 5' de la plaque 5 contenant les circuits 3, 6 se trouve alors enterrée au niveau de l'interface de collage formée par la couche de collage 4. Dans certains cas, la couche mince 5 est une couche comportant des composants 3, 6, qui peuvent être très évolués, elle peut donc être d'un coût très élevé et il est exclu de ne pouvoir réaliser l'opération de transfert sur la deuxième plaque 8 avec un rendement qui ne soit pas égal, ou très proche de, 100 % Plus généralement, le simple fait qu'il y ait un défaut de collage à l'aplomb d'une puce ou d'un composant rend celle-ci ou celui-ci inutilisable. Les défauts peuvent être des particules qui sont présentes sur la surface et difficilement nettoyées ou des défauts enterrés dans la couche d'oxyde. La présence de défauts sur la surface planarisée induit donc des défauts de collage, lesquels affectent grandement le rendement en rendant inutilisables certaines puces. Par exemple, après l'étape illustrée en figure 1D, une découpe en circuits élémentaires peut être réalisée, suivant des lignes de découpe telles que celles indiquées par les flèches 11, 13 (figure 1D). Si des défauts ou des lacunes sont présentes à l'interface de collage entre la couche 4 et le substrat 8, cela peut rendre l'ensemble de la plaque inutilisable. Le même problème peut se poser également dans le cas d'une surface structurée mais homogène (c'est à dire ne comportant pas de multiple couches et matériaux de natures différentes), par exemple la surface d'une partie au moins de la couche mince 5 sans composants 3, 6, cette surface présentant cependant une topologie avec des défauts ou lacunes lors du collage. Aussi, il se pose le problème de trouver un nouveau procédé permettant de faciliter la réalisation du report d'une couche, telle que la couche mince 5, pouvant contenir des circuits ou des composants et présentant une topologie en surface, sur un support tel que la deuxième plaque 8. EXPOSÉ DE L'INVENTION Il est apparu aux inventeurs que, lors d'une opération de polissage de la couche de matériau d'adhésion 4 (figure 1B), des difficultés peuvent se présenter du fait de la topologie que la surface 4' de cette couche reproduit en fonction de la topologie initiale de la couche mince 5. Cette topologie en surface de la couche mince 5 résulte de différences de niveaux e entre les zones élevées et les zones basses de cette surface, qui peuvent correspondre à plusieurs niveaux, à des altitudes différentes par rapport à un axe perpendiculaire au plan de la couche mince 5, par exemple à plusieurs niveaux de métal dans des zones différentes ou, plus généralement, à des empilements différents de matériaux dans des zones différentes. Ces différences de niveaux peuvent atteindre une valeur de l'ordre de plusieurs }gym, elles sont par exemple comprises entre 500 nm, ou 1 }gym, et 5 }gym, ou inférieures à 10 }gym. La topologie de la surface 4' de la couche d'adhérence 4 n'est pas visible sur les figures 1A et 1B, mais elle est représentée sur la figure 2A Compte tenu des topologies importantes indiquées ci-dessus, pouvant atteindre 5 }gym ou 10 }gym, la surface 4' n'est pas plane, mais, comme sur la figure 2A, plutôt très irrégulière, avec des pics 20 et des motifs en relief. Certains de ces pics ou motifs peuvent avoir une base de largeur L comprise entre quelques }gym ou dizaines de }gym et environ 100 }gym, pour une hauteur h qui peut être de l'ordre de quelques }gym. Cette surface 4' de la couche d'adhérence 4 présente donc, par rapport à un plan moyen AA' dont la trace est représentée sur la figure 2A, des motifs 20 en forme de pics et des motifs 22 en forme de creux. Les inventeurs ont mis en évidence que, malgré l'application d'une technique de polissage, par exemple de type mécano chimique, de la couche d'adhérence 4, mise en oeuvre préalablement à l'assemblage avec le deuxième substrat 8, des défauts de surface, des pics ou des � lacunes � 24, 26 peuvent subsister, comme illustré sur la figure 2B. Les problèmes déjà mentionnés ci-dessus subsistent donc. La figure 2B représente de manière plus détaillée la surface de la couche de matériau d'adhérence 4, après l'étape de polissage. Les pics ou les creux 24, 26, qui peuvent avoir une largeur ou un diamètre a) pouvant être inférieur au millimètre ou de l'ordre du mm, ne vont pas permettre de réaliser un collage ou un assemblage moléculaire parfait avec le deuxième substrat 8. Ainsi, des défauts de type particules de 0,3 }gym à quelques }gym de hauteur peuvent générer des défauts de collage de l'ordre de 1 mm à plusieurs mm. Pour résoudre ce problème, l'invention a pour objet un procédé de préparation d'une couche, par exemple une couche mince, à transférer sur un substrat, cette couche pouvant comporter une topologie en surface, par exemple d'une amplitude maximum comprise entre 1 }gym et 5 }gym, ce procédé comportant la formation, sur ladite couche, d'une couche de matériau d'adhérence, par exemple un oxyde tel qu'un oxyde de silicium (SiOX) ou un oxynitrure de silicium (SiOXNy), dont l'épaisseur permet de réaliser une étape de planarisation et/ou conditionnement de sa surface, ou une pluralité d'étapes de planarisation et/ou conditionnement de sa surface, afin d'éliminer tout défaut ou toute � lacune �, ou presque tout défaut ou toute � lacune �, en vue d'un assemblage par collage de type moléculaire afin de limiter les zones non collées. De préférence la couche d'adhérence a une épaisseur initiale comprise entre une épaisseur minimale Emin permettant, après une seule étape de planarisation et/ou conditionnement, d'obtenir un bon collage moléculaire, ou une mise en contact sans défaut de collage ou presque sans défaut de collage, et une valeur maximale Emax permettant, après plusieurs étapes de polissage, d'obtenir un bon collage moléculaire, c'est - à - dire permettant d'éliminer tout défaut ou toute � lacune �, ou presque tout défaut ou toute lacune, en vue d'un assemblage par collage de type moléculaire. De préférence, on limite également l'épaisseur E de la couche d'adhérence à une valeur qui ne risque pas d'entraîner des contraintes trop importantes qui peuvent se traduire par une déformation de la plaque sur laquelle elle est déposée. Typiquement, une valeur de E inférieure à 12 }gym correspond aux besoins dans le domaine du traitement des plaques de semi-conducteurs. L'épaisseur E initiale est donc choisie inférieure à 10 }gym ou à 12 }gym et de préférence supérieure à 0.5pm ou à 3 }gym. La couche mince ou la couche d'adhérence peut comporter une topologie en surface, donc des variations d'altitude ou de niveau selon une direction perpendiculaire à un plan défini par la couche mince. La couche mince peut comporter des composants, par exemple de type circuit électronique et/ou optique, et/ou de type microsystème. Un procédé de préparation selon l'invention peut comporter en outre une étape d'assemblage, de préférence par collage par adhérence moléculaire, avec le deuxième substrat, et une étape d'identification ou de détection, par exemple par microscopie acoustique ou par microscopie infrarouge, de défauts de l'interface d'assemblage ou de collage. Le deuxième substrat et la couche d'adhérence peuvent être separés si l'étape d'identification révèle la présence d'un ou plusieurs défauts, pouvant être présents à l'interface de collage, et la couche d'adhérence subit une nouvelle étape de planarisation et/ou conditionnement, d'assemblage et de détection. Ce cycle peut être recommencé autant de fois que nécessaire pour obtenir un bon collage grâce au fait que la couche d'adhérence présente sur la couche mince a une épaisseur Emin. L'invention a donc également pour objet un procédé de préparation d'une couche en vue d'un transfert sur un substrat, cette couche comportant une topologie en surface, donc des variations d'altitude ou de niveau selon une direction perpendiculaire à un plan défini par la couche mince, ce procédé comportant : a) la formation, sur la couche mince à transférer, d'une couche de matériau d'adhérence dont l'épaisseur E a une valeur permettant de réaliser au moins une étape de planarisation et/ ou conditionnement de la surface, b) une étape de planarisation et/ ou conditionnement de ladite surface, c) une étape d'assemblage de la couche de matériau d'adhérence avec le substrat, d) une étape de détection de défauts de l'interface de collage, e) une étape de séparation du substrat au niveau de l'interface de collage et de la surface de couche d'adhérence et un retour à l'étape b), lors de la détection de la présence de défauts de l'interface de collage, ou la fin du procédé de préparation. Le deuxième substrat, ou substrat final, lui-même peut porter une couche de collage ou d'adhérence, laquelle peut subir, aussi, le traitement décrit ci-dessus. Le substrat final peut comporter une topologie en surface, donc des variations d'altitude ou de niveau selon une direction perpendiculaire à un plan défini par le substrat final. Une couche d'adhérence sur le substrat final peut avoir une épaisseur permettant de réaliser au moins une étape de planarisation et/ou conditionnement de sa surface. En outre, avant l'étape c), une étape de planarisation et/ou conditionnement de la surface de la couche d'adhérence sur le substrat final peut être réalisée. L'invention a également pour objet un procédé de préparation d'une couche et d'un substrat final en vue d'un transfert de cette couche sur ce substrat final, cette couche comportant une topologie en surface, donc des variations d'altitude ou de niveau selon une direction perpendiculaire à un plan défini par la couche mince, ce procédé comportant : a) la formation, sur la couche mince à transférer, d'une couche de matériau d'adhérence, et, sur le substrat final, d'une couche de matériau d'adhérence dont l'épaisseur E a une valeur permettant de réaliser au moins une étape de planarisation et/ou conditionnement de la surface, b) une étape de planarisation et/ou conditionnement de ladite surface de la couche de matériau d'adhérence formée sur le substrat final, c) une étape d'assemblage de la couche de matériau d'adhérence formée sur la couche mince, avec la couche de matériau d'adhérence formée sur le substrat final, d) une étape de détection de défauts de l'interface de collage, e) une étape de séparation de la couche de matériau d'adhérence formée sur le substrat final et de la surface de couche d'adhérence formée sur la couche mince, au niveau de l'interface de collage, et un retour à l'étape b), lors de la détection de la présence de défauts de l'interface de collage, ou la fin du procédé de préparation. Le substrat final peut comporter une topologie en surface, donc des variations d'altitude ou de niveau selon une direction perpendiculaire à un plan défini par le substrat final. Dans tous les cas on peut donc décoller la couche du substrat afin de re-conditionner la/les surface(s) ou couches de collage, pour les assembler de nouveau et obtenir, après un ou plusieurs des cycles ci-dessus, une interface de collage de bonne qualité. La plaque initiale et/ou le deuxième substrat, ou leurs couches respectives de collage, peuvent être retravaillés en vue d'obtenir des bonnes surfaces pour le collage. Si il y a deux couches de collage on retravaillera de préférence la plaque qui a une valeur ajoutée, c'est-à-dire la couche mince si celle-ci comporte des circuits. Le deuxième support 8 peut être une plaque sans défaut. Cette séparation du substrat et de la couche de collage, et la nouvelle étape de polissage, peuvent donc être réalisées au moins deux fois. Après chaque étape de planarisation et/ou conditionnement, permettant d'éliminer tout ou partie de la surface, et avant collage, un deuxième traitement de surface tel qu'une planarisation et/ou un polissage peut être appliqué, éventuellement suivi d'un nettoyage. Ce deuxième traitement de surface peut être différent de la première étape de planarisation et/ou conditionnement, par une durée de polissage moins importante, et/ou une force de compression appliquée moins importante, et/ou l'utilisation d'un autre consommable, tel qu'un autre tissu ou abrasif. Un procédé de transfert d'une couche sur un substrat, selon l'invention, comporte un procédé de préparation tel qu'exposé ci-dessus, la couche mince étant initialement sur un support, ce procédé de transfert comportant en outre l'élimination de tout ou partie d'un support initial sur lequel la couche mince a été élaborée. BRÈVE DESCRIPTION DES FIGURES -Les figures 1A à 1D représentent des étapes d'un procédé connu de transfert simple, - les figures 2A et 2B illustrent la topologie de la surface de collage et les problèmes qui peuvent en découler. - la figure 3 représente une situation de fléchissement d'une plaque sous une épaisseur trop importante de matériau de collage. EXPOSÉ DÉTAILLÉ DE MODES DE RÉALISATION PARTICULIERS Selon l'invention, on considère donc une structure du type de celle de la figure 2A, donc présentant, à l'échelle microscopique, une topologie, qui peut être très forte, comme illustré sur la figure 2B. Cette topologie résulte, on l'a vu, de la topologie de la couche mince 5 contenant les composants 3, 6. Le ou les composants 3, 6 de la couche mince 5 peuvent être du type circuit électronique et/ou optique, et/ou de type microsystème, une ou des fonctionnalités du ou des composant(s) pouvant éventuellement être commandées par des plots non représentés sur la figure. La topologie est définie comme des différences d'altitudes ou de niveaux entre les zones élevées et les zones basses de cette couche, qui correspondent par exemple à plusieurs niveaux de métal ou, plus généralement, à plusieurs niveaux dans des zones différentes dans lesquelles peuvent être empilés des matériaux différents. Cette définition de la topologie, par son amplitude, peut éventuellement être complétée par la répartition surfacique de la topologie, et/ou la fréquence de la topologie et/ou le rapport de topologie en relief à l'ensemble de la surface. Les différences de niveaux peuvent atteindre une valeur (suivant une direction z perpendiculaire à un plan défini par la couche 5 et représenté par une trace AA' sur la figure 1A) de l'ordre de plusieurs }gym, elles sont par exemple comprises entre 0,5 }gym et quelques }gym, par exemple entre 0,5 pm et 5 }gym ou entre 0,5 }gym et 10 }gym. Cette différence maximale de niveau reflète essentiellement la différence h entre le point le plus haut de la surface et le point le plus bas de la surface, dont on va chercher à tenir compte pour définir l'épaisseur de la couche d'adhérence 4, que l'on va chercher ensuite à planariser sur toute sa surface. L'épaisseur initiale de cette couche d'adhérence 4 de matériau d'adhérence est choisie de manière à permettre de réaliser une étape de planarisation et / ou conditionnement ou une pluralité d'étapes de planarisation et/ou de conditionnement de sa surface, afin d'éliminer tout défaut ou toute � lacune � 24, 26, en vue d'un assemblage par collage de type moléculaire avec le deuxième substrat 8. Une seule étape de planarisation ou polissage va permettre de retirer, environ, 1 }gym d'épaisseur de la couche d'adhérence 4. Cet enlèvement peut varier selon la durée de l'étape de polissage et le procédé de polissage utilisé, notamment les consommables, tissus et abrasifs utilisés. Par exemple, l'application de deux étapes de polissage ou de conditionnement permet l'élimination d'une épaisseur de cette couche d'adhérence 4, comprise entre 1 }gym et 5 }gym. Les épaisseurs à éliminer sont adaptées en fonction de la taille des défauts de topologie à éliminer. Dans cet exemple, on choisira donc une épaisseur initiale de la couche d'adhérence 4 par exemple comprise entre 0.5 }gym et 10 }gym. Un autre aspect peut être à prendre en compte pour le choix de l'épaisseur de cette couche d'adhérence 4. Cet aspect va être expliqué en liaison avec la figure 3, sur laquelle la référence 2 désigne un empilement global comportant, comme sur la figure 1A, une couche mince traitée 5 sur un premier substrat 1. Comme expliqué ci-dessus, la face avant de cette couche mince 5 est destinée à être collée avec une deuxième plaque 8 via la couche 4 de matériau d'adhérence. Cette dernière, à partir d'une certaine épaisseur critique, que l'on peut situer au maximum à environ 10 }gym ou 12 }gym, peut entraîner des contraintes qui se traduisent par une déformation (de type � bow � ou � warp �) de la couche mince à transférer. Cette déformation est représentée en figure 3, de manière exagérée. Elle est gênante pour l'obtention d'un bon collage, pour un bon alignement entre les plaques 2, 8 à assembler car elle peut entraîner la déformation de la couche transférée. De préférence, on limite donc l'épaisseur de la couche d'adhérence 4 à une valeur qui ne risque pas d'entraîner cette déformation de la plaque. Une valeur de E inférieure à 10 }gym ou 12 }gym correspond aux besoins dans le domaine du traitement des plaques de semi-conducteurs. La surface 4' de cette couche d'adhérence 4 présente une topologie qui reflète celle de la couche mince 5, avec des différences de niveaux ou des amplitudes similaires, par exemple comprises entre 0,5 }gym et quelques }gym, par exemple entre 0,5 pm et 5 }gym ou entre 0,5 }gym et 10 }gym. L'invention peut s'appliquer également au cas où les couches sont structurées mais � homogènes �, par exemple au cas d'une couche mince 5, sans composants 3, 6, présentant des zones dont aucune n'est métallique, ces différentes zones présentant une topologie de surface, et donc des variations d'altitude comme expliqué ci-dessus, et en particulier dans les gammes indiquées ci-dessus. La couche d'adhérence 4 de matériau d'adhérence est par exemple une couche d'oxyde, tel qu'un oxyde de silicium (stoechiométrique ou non) ou encore un oxynitrure de silicium. Le matériau de cette couche d'adhérence 4 est choisi pour ses qualités de collage, qui vont être renforcées par préparation de l'état de surface de cette couche, comme une nouvelle étape d'activation de surface, par exemple un polissage mécano-chimique. Après cette étape de préparation de l'état de surface, l'assemblage avec le support final 8 peut être réalisé, comme illustré sur la figure 1D. Ce support final 8 peut être soumis à une étape de traitement thermique. Tant la surface du matériau d'adhérence que celle de l'oxyde peuvent être rendues hydrophiles, en vue d'un assemblage par adhérence moléculaire. Après assemblage, et avant l'application d'un éventuel traitement thermique de consolidation de l'interface de collage, il est possible de contrôler la qualité de l'interface entre la couche d'adhérence et le substrat final 8. À cette fin, on peut utiliser des techniques telles que par exemple la microscopie acoustique ou encore l'imagerie ou la microscopie infrarouge, telle que décrite dans le document WO2005/064320. La technique par infrarouges a l'avantage d'être plus rapide que la technique de microscopie acoustique, même si la résolution est moindre. Si cette étape d'identification révèle des défauts de collage (dus à des défauts superficiels ou à � lacunes � 24, 26 à la surface des plaques assemblées et plus probablement à la surface de la plaque circuit planarisée), on sépare de nouveau le substrat final 8 de la couche d'adhérence 4, et on effectue de nouveau une étape de planarisation et/ou de conditionnement de la surface de cette dernière afin d'éliminer un maximum de défauts. L'épaisseur initiale de la couche d'adhérence 4 est donc prévue de sorte qu'une pluralité d'étapes, par exemple deux ou trois étapes, de polissage vont pouvoir être réalisées, chaque étape pouvant retirer au maximum environ 1 }gym du matériau de la couche 4, plus généralement 0,2 }gym à 0,5 }gym, chaque étape étant suivie d'un assemblage et d'un contrôle de la qualité de l'interface. Après ces différentes étapes de préparation, l'assemblage final avec le support final 8 peut être réalisé, comme illustré sur la figure 1C. Après cet assemblage avec le support final 8, tout ou partie du support initial 1 peut être éliminé, donnant accès à la face arrière 5" de la couche mince 5 (figure ID). Le support final 8 peut être un substrat massif ou encore une structure multicouche. Il peut également correspondre à un substrat présentant une topologie de surface, par exemple sur ou dans lequel sont déjà présents des circuits. Ce substrat peut être soumis au même traitement de planarisation que la plaque 2 selon la présente invention. Si il y a aussi une couche de collage sur le substrat 8, l'interface après séparation se situera entre les deux couches d'adhérence. En variante, c'est la couche 10 sur le substrat 8 qui subit un traitement selon l'invention, et qui possède une épaisseur E permettant de réaliser au moins une étape de planarisation et/ou de conditionnement de la surface de cette couche 10. L'épaisseur E peut notamment être choisie dans les gammes ou les limites indiquées ci-dessus, de manière à permettre une ou plusieurs étapes de polissage et/ou conditionnement. Les autres étapes déjà décrites ci-dessus sont mises en oeuvre : assemblage, détection de défauts, séparation et, de nouveau, polissage et/ou conditionnement de la surface de la couche 10. D'une manière générale, la séparation se produit à l'interface de collage car celui-ci n'a pas encore été soumis à un traitement thermique pour renforcer l'énergie de collage et peut donc être démonté. Ainsi dans le cas de la figure 2B, la séparation se produit à la surface 4' de la couche d'adhérence. Cet ensemble peut être ensuite soumis à une étape de traitement thermique, après, ou de préférence avant, élimination du support initial 1, pour renforcer le collage entre la couche d'adhérence 4 et le substrat final 8. Tant la surface 4' du matériau d'adhérence que celle de l'oxyde 10 du substrat final 8 auront préférentiellement subi des étapes de nettoyage après planarisation en vue d'un assemblage moléculaire.25 REVENDICATIONS 1. Procédé de préparation d'une couche (5) en vue d'un transfert sur un substrat (8), cette couche comportant une topologie en surface, donc des variations d'altitude ou de niveau selon une direction perpendiculaire à un plan défini par la couche mince, ce procédé comportant : a) la formation, sur la couche mince (5) à transférer, d'une couche (4) de matériau d'adhérence dont l'épaisseur E a une valeur permettant de réaliser au moins une étape de planarisation et/ ou conditionnement de la surface, b) une étape de planarisation et/ ou conditionnement de ladite surface, c) une étape d'assemblage de la couche (4) de matériau d'adhérence avec le substrat final(8), d) une étape de détection de défauts (24, 26) de l'interface de collage, e) une étape de séparation du substrat (8) au niveau de l'interface de collage et de la surface de couche d'adhérence(4) et un retour à l'étape b), lors de la détection de la présence de défauts (24, 26) de l'interface de collage, ou la fin du procédé de préparation. 2. Procédé selon la revendication 1, le substrat final (8) comportant également une couche d'adhérence.30 3. Procédé selon la revendication 2, le substrat final (8) comportant une topologie en surface, donc des variations d'altitude ou de niveau selon une direction perpendiculaire à un plan défini par le substrat final. 4. Procédé selon la revendication 2 ou 3, la couche d'adhérence (10) sur le substrat final (8) ayant une épaisseur permettant de réaliser au moins une étape de planarisation et/ou conditionnement de sa surface. 5. Procédé selon la revendication 4, comportant en outre, avant l'étape c), une étape de planarisation et/ou conditionnement de la surface de la couche d'adhérence sur le substrat final. 6. Procédé de préparation d'une couche (5) et d'un substrat final en vue d'un transfert de cette couche sur ce substrat final (8), cette couche comportant une topologie en surface, donc des variations d'altitude ou de niveau selon une direction perpendiculaire à un plan défini par la couche mince, ce procédé comportant : a) la formation, sur la couche mince (5) à transférer, d'une couche (4) de matériau d'adhérence, et, sur le substrat final (8), d'une couche (10) de matériau d'adhérence dont l'épaisseur E a une valeur permettant de réaliser au moins une étape de planarisation et/ou conditionnement de la surface,b) une étape de planarisation et/ou conditionnement de ladite surface de la couche (10) de matériau d'adhérence formée sur le substrat final (8), c) une étape d'assemblage de la couche (4) de matériau d'adhérence formée sur la couche mince, avec la couche (10) de matériau d'adhérence formée sur le substrat final(8), d) une étape de détection de défauts (24, 26) de l'interface de collage, e) une étape de séparation de la couche (10) de matériau d'adhérence formée sur le substrat final (8) et de la surface de couche d'adhérence (4) formée sur la couche mince, au niveau de l'interface de collage, et un retour à l'étape b), lors de la détection de la présence de défauts (24, 26) de l'interface de collage, ou la fin du procédé de préparation. 7. Procédé selon la revendication 6, le substrat final (8) comportant une topologie en surface, donc des variations d'altitude ou de niveau selon une direction perpendiculaire à un plan défini par le substrat final. 8. Procédé selon l'une des revendications 1 à 7, l'étape e) et le retour à l'étape b), étant réalisés au moins deux fois. 9. Procédé selon l'une des revendications 1 à 8, l'épaisseur E initiale étant inférieure à 10 }gym. 10. Procédé selon l'une des revendications 1 à 9, l'épaisseur E initiale étant supérieure à 0.5 }gym. 11. Procédé selon l'une des revendications 1 à 10, l'étape d) étant réalisée par microscopie acoustique ou par microscopie infrarouge. 12. Procédé de transfert d'une couche (5) sur un substrat final (8), comportant un procédé de préparation selon l'une des revendications 1 à 11, la couche mince (5) étant initialement sur un support (1), ce procédé de transfert comportant en outre l'élimination de tout ou partie de ce support initial (1). 13. Procédé selon l'une des revendications 1 à 12, l'étape c) étant un collage par adhérence moléculaire. 14. Procédé selon l'une des revendications 1 à 13, la ou les couche(s) d'adhérence (4, 10) étant en un oxyde. 15. Procédé selon la revendication 14, la ou les couche(s) d'adhérence (4, 10) étant en oxyde de silicium (SiOX) ou en oxynitrure de silicium (SiOXNy) . 16. Procédé selon l'une des revendications 30 1 à 15, la topologie initiale de la couche (5) à 25 transférer du circuit ayant une amplitude maximum inférieure à 10 }gym. 17. Procédé selon la revendication 16, la topologie initiale de la couche mince (5) à transférer du circuit ayant une amplitude maximum comprise entre 1 }gym et 5 }gym. 18. Procédé selon l'une des revendications 1 à 17, la couche mince (5) comportant des composants (3, 6). 19. Procédé selon la revendication 18, les composants étant de type circuit électronique et/ou optique, et/ou de type microsystème. 20. Procédé selon l'une des revendications 1 à 19, comportant, après au moins une étape b) de planarisation d'une des couches d'adhérence, et avant l'étape c) suivante, un polissage et/ou un conditionnement de la surface de cette couche d'adhérence, suivi d'un nettoyage de cette même surface.