FR 2925887 A1 20090703 FR 0760398 A 20071227 DISPOSITIF MICROMECANIQUE OU NANOMECANIQUE A COUCHE D'INTERFACE ANTI-COLLAGE DESCRIPTION 5 DOMAINE TECHNIQUE L'invention concerne le dispositifs micromécaniques et/ou comportant des éléments mobiles, particulièrement celui des 10 électromécaniques (MEMS) et/ou des électromécaniques (NEMS) comportant des éléments mobiles susceptibles d'entrer en contact avec d'autres éléments du MEMS et/ou NEMS durant son fonctionnement. ÉTAT DE LA TECHNIQUE ANTÉRIEURE 15 Certains MEMS, tel que des accéléromètres ou des gyromètres, comportent des éléments mobiles permettant de réaliser des mesures physiques, par exemple une accélération subie par le MEMS. Ces mesures physiques sont obtenues grâce aux mouvements relatifs 20 de ces éléments mobiles par rapport à d'autres éléments du MEMS. Toutefois, compte tenu de leur liberté de mouvement, les éléments mobiles sont susceptibles de venir en contact avec les autres éléments du MEMS, pouvant entraîner un � collage � de ces éléments. Ces 25 autres éléments peuvent être des éléments fixes ou mobiles du MEMS. En cas de collage, le mouvement des éléments mobiles n'est plus assuré durant le fonctionnement du MEMS, le rendant alors défaillant. domaine des nanomécaniques et plus microsystèmes nanosystèmes Pour empêcher ces collages intempestifs, il est connu de rendre rugueuses les surfaces des éléments du MEMS qui sont susceptibles de venir en contact les unes avec les autres. Cette rugosité permet de limiter la surface de contact en cas de collision et donc de réduire les risques de collage des éléments mobiles du MEMS. Il est également connu de modifier la mouillabilité de ces surfaces pour limiter les risques de collage entre les différents éléments du MEMS. Le document US 5 694 740 décrit un procédé modifiant la mouillabilité des surfaces de certains éléments du MEMS pour réduire les risques de collage de ces éléments. Toutefois, ces solutions n'offrent pas un résultat satisfaisant car elles ne suppriment pas totalement les risques de collage intempestif entre des éléments du MEMS. De plus, certains procédés modifiant la mouillabilité des surfaces des éléments, par exemple celui décrit dans le document US 5 694 740, ne sont pas compatibles avec une encapsulation sous vide du MEMS. EXPOSÉ DE L'INVENTION Un but de la présente invention est de proposer un dispositif micromécanique et/ou nanomécanique, ainsi qu'un procédé de réalisation d'un tel dispositif, comportant des éléments mobiles tels que, lors de contacts intempestifs entre ces éléments mobiles et/ou avec d'autres éléments du dispositif, le risque de collage soit pratiquement nul, et pouvant être disposé dans un environnement sous vide. Pour cela, la présente invention propose un dispositif micromécanique et/ou nanomécanique comportant au moins un premier élément à base d'au moins un semi-conducteur, mobile par rapport à au moins un second élément du dispositif à base d'au moins un semi-conducteur, au moins une paroi du premier élément mobile disposée en regard d'au moins une paroi du second élément étant susceptible d'entrer en contact avec ladite paroi du second élément, et lesdites parois du premier élément mobile et du second élément étant recouvertes au moins partiellement par un matériau conducteur, ou matériau anti-collage conducteur, de telle sorte que le matériau anti-collage conducteur recouvrant ladite paroi du second élément soit disposé au moins partiellement en regard du matériau anticollage conducteur recouvrant ladite paroi du premier élément mobile. On entend par matériau anti-collage conducteur tout matériau apte à réaliser une conduction de charges électriques de sa surface vers le semi-conducteur sur lequel il est disposé. Ces charges sont alors dissipées dans le semi-conducteur. Ainsi, en surface des parois susceptibles de rentrer en contact, le matériau anti-collage conducteur disposé au moins en partie sur ces parois permet d'éviter une accumulation de charges électriques qui pourrait provoquer un collage électrostatique des éléments. Plus précisément, les parois des éléments 30 du dispositif, par exemple à base de silicium, susceptibles d'entrer en contact les unes avec les autres sont recouvertes d'un matériau formant une interface conductrice, et non semi-conductrice, par exemple de type métallique. Durant le fonctionnement du dispositif, si ces parois viennent à se toucher, un contact de type ohmique est réalisé entre les deux parois. Ainsi, aucune charge électrique n'est piégée en surface du semi- conducteur des éléments qui viennent d'entrer en contact l'un avec l'autre, ce qui ne créé aucune force électrostatique engendrant un collage intempestif des éléments du dispositif. L'invention est particulièrement adaptée à un dispositif disposé ou encapsulé dans un environnement sous vide. Ladite paroi du second élément et ladite paroi du premier élément mobile peuvent être totalement recouvertes par une couche du matériau anti-collage conducteur. Le matériau anti-collage conducteur peut être à base d'au moins un métal tel que du titane et/ou du nickel et/ou du platine et/ou du tantale. Le matériau anti-collage conducteur notamment être du siliciure de métal. La couche du matériau anti-collage conducteur peut avoir une épaisseur comprise entre environ 20 Â et 100 Â. Lorsque le matériau anti-collage conducteur est à base de polymère conducteur, la résistivité du matériau peut par exemple être inférieure à environ 50 Q.cm. De manière générale, la conductivité du matériau anti-collage conducteur est adaptée afin de pouvoir réaliser une conduction de charges électriques. Le premier élément mobile et le second élément peuvent former des peignes interdigités. Le dispositif peut être un MEMS et/ou un NEMS La présente invention concerne également un procédé de réalisation d'un dispositif micromécanique et/ou nanomécanique, comportant la formation d'au moins un matériau anti-collage conducteur sur au moins une partie d'au moins une paroi d'au moins un premier élément du dispositif à base d'au moins un semi-conducteur, ledit premier élément étant mobile par rapport à au moins un second élément du dispositif à base d'au moins un semi-conducteur, la paroi du premier élément mobile étant susceptible d'entrer en contact avec une paroi du second élément, et la formation du matériau anti-collage conducteur sur au moins une partie d'au moins la paroi du second élément disposée en regard de ladite paroi du premier élément mobile, le matériau anti-collage conducteur recouvrant ladite paroi du second élément étant disposé au moins partiellement en regard du matériau anti-collage conducteur recouvrant ladite paroi du premier élément mobile. La formation du matériau anti-collage conducteur peut être obtenue au moins par les étapes suivantes . - dépôt d'une couche à base d'au moins un métal sur ladite paroi du premier élément mobile et sur ladite paroi du second élément, - activation thermique du métal déposé, formant une couche du matériau conducteur. L'étape de dépôt peut être mise en oeuvre par pulvérisation. L'étape de dépôt peut être mise en oeuvre par un dépôt de type ALD (� Atomic Layer Deposition �, ou dépôt par couche atomique). Le procédé peut comporter en outre, après l'étape d'activation thermique du métal déposé, une étape d'élimination du métal restant n'ayant pas réagi avec le semi-conducteur du premier élément mobile et du second élément au cours de la précédente étape d'activation thermique. L'étape d'élimination peut être mise en oeuvre par une gravure chimique sélective. L'étape d'élimination peut être mise en 15 oeuvre par un retrait sélectif. L'étape d'activation thermique peut être mise en oeuvre par au moins un recuit, par exemple à une température adaptée en fonction de la nature du matériau anti-collage. 20 Le procédé peut comporter en outre, entre l'étape de dépôt de la couche à base de métal et l'étape d'activation thermique du métal déposé, une étape de dépôt d'une couche de protection sur la couche de métal déposée, et après l'étape d'activation 25 thermique du métal déposé, une étape d'élimination de la couche de protection. A titre d'exemple, la couche de protection peut être une couche à base de TiN, la couche anti-collage pouvant être à base de siliciure de nickel. 30 Dans une variante, la formation du matériau anti-collage conducteur peut être obtenue par au moins une étape de dépôt chimique en phase vapeur (dépôt CVD) du matériau conducteur sur ladite paroi du premier élément mobile et sur ladite paroi du second élément. Le procédé peut comporter en outre, avant l'étape de formation du matériau anti-collage conducteur, une étape de nettoyage de ladite paroi du premier élément et/ou ladite paroi du second élément. BRÈVE DESCRIPTION DES DESSINS La présente invention sera mieux comprise à la lecture de la description d'exemples de réalisation donnés à titre purement indicatif et nullement limitatif en faisant référence aux dessins annexés sur lesquels : - les figures 1 à 4 représentent les étapes d'un procédé de réalisation d'un dispositif micromécanique et/ou nanomécanique à couche d'interface anti-collage, objet de la présente invention, selon un mode de réalisation particulier ; - les figures 5 et 6 représentent des étapes d'un procédé de réalisation d'un dispositif micromécanique et/ou nanomécanique à couche d'interface anti-collage, objet de la présente invention, selon une première variante du mode de réalisation particulier ; - les figures 7 et 8 représentent des étapes d'un procédé de réalisation d'un dispositif micromécanique et/ou nanomécanique à couche d'interface anti-collage, objet de la présente invention, selon une seconde variante du mode de réalisation particulier ; - la figure 9 représente un autre exemple de dispositif micromécanique et/ou nanomécanique à couche d'interface anti-collage, également objet de la présente invention. Des parties identiques, similaires ou équivalentes des différentes figures décrites ci-après portent les mêmes références numériques de façon à faciliter le passage d'une figure à l'autre. Les différentes parties représentées sur les figures ne le sont pas nécessairement selon une échelle uniforme, pour rendre les figures plus lisibles. Les différentes possibilités (variantes et modes de réalisation) doivent être comprises comme n'étant pas exclusives les unes des autres et peuvent se combiner entre elles. EXPOSÉ DÉTAILLÉ DE MODES DE RÉALISATION PARTICULIERS Par souci de simplification, la description qui suit concerne un dispositif de type MEMS. Toutefois, ce dispositif peut également être de type NEMS. On se réfère tout d'abord aux figures 1 à 4 qui représentent les étapes d'un procédé de réalisation d'un dispositif micromécanique 100, qui est ici un MEMS, à couche d'interface anti-collage selon un mode de réalisation particulier. Comme représenté sur la figure 1, le MEMS 100 est réalisé à partir d'un substrat 102 à base d'au moins un semi-conducteur, par exemple du silicium, sur lequel est disposée une couche diélectrique 104, par exemple à base d'un oxyde tel que de l'oxyde de 30 silicium, et une couche 106 à base d'au moins un 25 semi-conducteur tel que du silicium. Les couches 102, 104 et 106 forment ici un substrat SOI (silicium sur isolant). Des étapes de photolithographie et de gravure par exemple de type RIE (gravure ionique réactive) sont ensuite mises en oeuvre pour réaliser la structure du MEMS 100, c'est-à-dire les différents éléments du MEMS 100. A titre d'exemple, sur la figure 2, des tranchées 110 réalisées dans la couche 106 de silicium délimitent un premier élément 108 du MEMS 100. Ces tranchées 110 ont par exemple une largeur (dimension selon l'axe x représenté sur la figure 2) égale à environ 3 pm. De plus, une portion de la couche diélectrique 104 disposée sous le premier l'élément 108 est gravée, formant ainsi une cavité 112 sous le premier élément 108 qui est ici mobile par rapport au reste du MEMS 100. Dans l'exemple de réalisation décrit, le premier élément 108 est mobile latéralement par rapport au reste du MEMS 100, c'est-à-dire mobile selon l'axe x représenté sur la figure 2. Les points d'ancrage du premier élément mobile 108 au reste du MEMS 100 ne sont pas représentés sur les figures 1 à 4. La hauteur de la cavité 112, c'est-à-dire la distance séparant le premier élément mobile 108 au substrat 102, est par exemple comprise entre quelques dixièmes de micromètres et quelques micromètres, c'est-à-dire par exemple comprise entre 0,1 pm et 10 pm. Dans d'autres variantes de réalisation, le MEMS 100 peut être réalisé selon un tout autre dessin 30 (design). Etant donné que le premier élément 108 est mobile latéralement, des parois 109 du premier élément mobile 108 se trouvant dans les tranchées 110 sont susceptibles de venir en contact avec des parois 111 de la couche 106 se trouvant en regard des parois 109. On réalise avantageusement, avant la formation d'une interface anti-collage, un nettoyage préalable des parois 109 et 111 pour éliminer notamment les oxydes natifs formés sur les semi-conducteurs au moins au niveau des parois 109 et 111. Le nettoyage est par exemple réalisé par une gravure humide, par exemple de type HF. Une interface anti-collage est ensuite réalisée, par exemple par un dépôt métallique 114 (figure 3). Ce dépôt métallique 114 est réalisé sur les parois du MEMS 100 susceptibles de venir se toucher durant le fonctionnement du MEMS 100, c'est-à-dire les parois 109 du premier élément mobile 108 et les parois 111 de la couche de silicium 106 au niveau des tranchées 110 dans cet exemple de réalisation. Dans le cas d'un élément 108 mobile selon la direction de l'axe y représenté sur la figure 2, les parois sur lesquelles l'interface de collage serait réalisée correspondent à la paroi 113 de l'élément mobile 108 et la paroi 115 du substrat 102 se trouvant en regard l'une de l'autre selon l'axe y. Ce dépôt 114, formant également une couche de métal sur la couche de silicium 106, est ici réalisé par pulvérisation, par exemple une pulvérisation rotative, permettant un dépôt relativement directif du métal. L'épaisseur du métal 114 déposée est telle que, sur l'ensemble des parois 109 et 111, notamment au niveau des parties inférieures des parois 109 et 111, près de la cavité 112, là où l'épaisseur déposée est la plus faible, celle-ci ne soit pas inférieure à environ 20 Â. Dans le mode de réalisation particulier décrit ici, le métal déposé est du platine. De façon générale, le métal déposé peut être à base de titane, et/ou de nickel, et/ou de platine, et/ou de tantale, et/ou de tout autre métal ou alliage métallique formant une couche conductrice. On réalise ensuite une activation thermique du métal déposé 114, faisant ainsi réagir les interfaces silicium/métal et formant un composé stable au niveau des parois recouvertes par le dépôt de métal 114 réalisé précédemment. Dans l'exemple de réalisation décrit ici, cette activation thermique consiste en un recuit, par exemple en deux étapes, respectivement à 300°C et 450°C, formant une couche 118 de siliciure, ici du siliciure de platine PtSi notamment au niveau des parois de silicium 109 et 111 recouvertes précédemment par le métal 114. L'activation thermique peut notamment être réalisée de manière similaire au recuit d'activation, permettant de former un siliciure de platine, décrit dans le document � Formation of ultra-thin PtSi layers with a 2-step silicidation process � de R.A. Donaton et al., 1997, Materials for Advanced Metallization. La couche 118 a par exemple une épaisseur égale à environ quelques monocouches de PtSi, par exemple comprise entre environ 20 Â et 100 Â. De façon plus générale, l'épaisseur de la couche de siliciure 118 formée est choisie telle que cette couche n'induise pas, ou le moins possible, de contraintes mécaniques sur les éléments du MEMS 100 recouverts par cette couche. Si le métal déposé 114 est du nickel ou à base de nickel, l'activation thermique peut consister en un recuit à une température comprise entre environ 250°C et 300°C, pendant une durée par exemple égale à quelques minutes, formant une couche de siliciure de nickel NiSi. Comme représenté sur la figure 4, on élimine alors le métal restant qui n'a pas réagi avec le silicium pour former la couche de siliciure 118. Cette élimination peut par exemple consister en une gravure chimique sélective telle qu'une gravure à partir d'acide sulfurique et de péroxyde d'hydrogène, pour retirer de façon sélective le nickel par rapport à du siliciure de nickel, ou à partir d'eau régale (HC1 et HNO3) pour retirer de façon sélective du platine par rapport à du siliciure de platine. Dans le MEMS 100 ainsi obtenu, les parois 109 de l'élément mobile 108 susceptibles de venir en contact avec les parois 111 de la couche de silicium 106, ainsi que ces parois 111 de la couche de silicium 106, sont donc bien recouvertes d'une couche de siliciure 118 formant une couche conductrice d'interface anti-collage. Ainsi, si ces parois 109 et 111 viennent à se toucher durant le fonctionnement du MEMS 100, un contact de type ohmique se produit (contact siliciure métallique/siliciure métallique). Les charges électriques s'équilibrent alors sur les deux couches de siliciure métallique en contact, ne créant pas de force électrostatique pouvant engendrer un collage intempestif de l'élément 108 à la couche 106. On évite ainsi le piégeage des charges en surface du silicium lors du contact entre deux éléments du MEMS 100. Dans une variante de ce procédé, il est également possible de réaliser un dépôt de métal de type ALD (dépôt par couche atomique) au lieu du dépôt par pulvérisation précédemment décrit. On réalise alors un dépôt 114 conforme sur toutes les surfaces du MEMS 100, c'est-à-dire à la fois sur les parois 109 et 111 dans les tranchées 110, sur la couche de silicium 106, mais également sur les parois à l'intérieur de la cavité 112, comme représenté sur la figure 5. Cette variante est particulièrement adaptée à la réalisation d'un dispositif MEMS ou NEMS comportant un élément 108 mobile selon l'axe y. Par ailleurs, en mettant en oeuvre un dépôt de type ALD, il est possible de déposer une couche de métal plus fine que lors d'un dépôt par pulvérisation. Par exemple, la couche de métal déposée peut avoir une épaisseur sensiblement uniforme égale à environ quelques monocouches, c'est-à-dire une épaisseur sensiblement uniforme comprise entre environ 20 Â et 100 Â pour l'ensemble de la couche déposée, par exemple à base de Ti, et/ou de Ta, et/ou de Pt, et/ou de Ni ou un autre matériau anti-collage conducteur. On réalise alors un recuit d'activation afin de former la couche de siliciure 118. La couche de métal déposée étant conforme et très fine, on peut faire réagir la totalité du métal déposé se trouvant sur les parois de silicium lors du recuit d'activation. Toutefois, le métal déposé ne se trouvant pas sur des parois à base de semi-conducteur, par exemple au niveau des parois de la couche d'oxyde 104, dans la cavité 112, ne forme pas de siliciure et reste sous forme métallique, notamment lorsque ce métal est à base de Pt, et/ou de Ni, et/ou de Ti. On réalise enfin un retrait sélectif du métal restant n'ayant pas formé de siliciure, c'est-à- dire le métal déposé ne se trouvant pas sur des parois à base de semi-conducteur, et susceptible de créer un court-circuit dans le MEMS 100, par exemple le métal déposé sur les parois de la couche d'oxyde 104 (voir figure 6). On peut par exemple utiliser de l'eau régale pour éliminer sélectivement le Pt par rapport au PtSi. Cette variante de ce procédé a notamment pour avantage de ne pas avoir à maîtriser l'épaisseur du siliciure formé pendant le recuit d'activation étant donné que toute l'épaisseur du métal déposé sur des parois de semi-conducteur réagit avec ce semi-conducteur pour la formation du siliciure. Par ailleurs, ce type de dépôt présente une bonne conformité, ce qui est particulièrement intéressant dans le cas où il est effectué sur les parois de toute la cavité. Quelque soit le type de dépôt de métal réalisé (ALD ou par pulvérisation), la couche de métal déposée peut être recouverte par un autre matériau, par exemple un nitrure tel que du TiN, formant ainsi une couche de protection du métal précédemment déposé. Cette couche de protection peut alors être éliminée de manière sélective après le recuit d'activation du métal déposé. Dans une autre variante, il est également possible de réaliser un dépôt, par exemple CVD, relativement conforme d'une couche d'un matériau conducteur pouvant être conservée sur les parois 109 et 111 du MEMS 100 sans réaliser ensuite une étape de recuit d'activation. Ce matériau peut par exemple être du TiN, ou tout autre nitrure métallique, déposé sur une épaisseur par exemple comprise entre environ 20 Â et 100 Â. Le procédé de dépôt est dans ce cas optimisé pour que le dépôt obtenu soit suffisamment non conforme pour ne pas être réalisé sur des parois susceptibles de créer un court-circuit du MEMS, par exemple au moins au niveau des parois de la couche d'oxyde 104. Dans l'exemple décrit précédemment, d'autres parois, différentes des parois 109 et 110, susceptibles d'entrer en contact les unes avec les autres peuvent également être recouvertes de la couche à base du matériau conducteur. Dans les exemples précédents, le procédé de formation de l'interface anti-collage est réalisé sur un dispositif dans lequel l'élément mobile est libéré. Pour certaines applications, il peut toutefois être avantageux de ne libérer que partiellement cette partie mobile, en laissant par exemple subsister des éléments d'ancrage 120 dans la cavité, par exemple entre l'élément mobile 108 et le substrat 102, pour obtenir un meilleur maintien mécanique de la structure pendant les différentes étapes du procédé (voir figure 7). Comme représenté sur la figure 8, ces éléments d'ancrage 120 peuvent ensuite être éliminés de manière classique de la cavité 112. Le matériau anti-collage conducteur peut également être à base de polymère conducteur, par exemple du polypyrrole. La figure 9 représente un autre exemple de MEMS 200 à couche d'interface anti-collage. Ce MEMS 200 comporte un élément mobile 202 et deux éléments fixes 204. Dans cet exemple de réalisation, l'élément mobile 202 et les éléments fixes 204 comportent des bras, respectivement référencés 206 et 208, formant des peignes interdigités. Etant donné que l'élément 202 est principalement mobile selon l'axe y représenté sur la figure 9, ce sont les parois 210 et 212, situées l'une en face de l'autre, des bras 206 et 208, ainsi que les mêmes parois des autres bras de l'élément mobile 202 et des éléments fixes 204, qui sont susceptibles de se toucher lorsque l'élément 202 est en mouvement. Ce sont donc ces parois 210 et 212 qui sont recouvertes par une couche d'interface anti-collage à base d'un matériau conducteur, non représentée sur la figure 9, réalisée selon le procédé décrit précédemment, afin de prévenir les collages intempestifs entre les bras 206 et 208. D'autres parois de l'élément mobile 202 et/ou des éléments fixes 204 peuvent également être recouvertes par cette couche conductrice. La couche d'interface anti-collage peut être utilisée pour protéger des éléments mobiles selon un ou plusieurs axes de mouvement. De plus, cette couche peut également être utilisée pour éviter les collages entre plusieurs éléments mobiles entre eux. Enfin, la couche d'interface anti-collage peut s'adapter à tout type d'élément mobile, quelle que soit la géométrie de cet élément. Pour renforcer l'effet anti-collage du matériau déposé sur les parois susceptibles de se coller, on peut utiliser, en association avec ce matériau anti-collage, des traitements de surface favorisant par exemple la rugosité de l'interface anti- collage ou la mouillabilité de cette interface en la rendant par exemple hydrophobe ou encore en réalisant une structuration appropriée des parois avant la réalisation du dépôt de matériau anti-collage conducteur pour former localement des butées. Enfin, les dispositifs décrits précédemment peuvent être réalisés aussi bien à partir d'un substrat SOI que d'une couche de semi-conducteur formée sur un substrat massif, par exemple à base de verre. D'autres empilements de couches peuvent également être utilisés pour réaliser le dispositif micromécanique et/ou nanomécanique à couche anti-collage conductrice. REVENDICATIONS 1. Dispositif micromécanique et/ou nanomécanique (100, 200) comportant au moins un premier élément (108, 206) à base d'au moins un semi-conducteur, mobile par rapport à au moins un second élément (106, 208) du dispositif (100, 200) à base d'au moins un semi-conducteur, au moins une paroi (109, 210) du premier élément mobile (108, 206) disposée en regard d'au moins une paroi (111, 212) du second élément (106, 208) étant susceptible d'entrer en contact avec ladite paroi (111, 212) du second élément (106, 208), et lesdites parois (109, 111, 210, 212) du premier élément mobile (108, 206) et du second élément (106, 208) étant recouvertes au moins partiellement par un matériau anti-collage conducteur (118) de telle sorte que le matériau anti-collage conducteur (118) recouvrant ladite paroi (111, 212) du second élément (106, 208) soit disposé au moins partiellement en regard du matériau anti-collage conducteur (118) recouvrant ladite paroi (109, 210) du premier élément mobile (108, 206). 2. Dispositif (100, 200) selon la revendication 1, ladite paroi (111, 212) du second élément (106, 208) et ladite paroi (109, 210) du premier élément mobile (108, 206) étant totalement recouvertes par une couche (118) à base du matériau anti-collage conducteur.30 3. Dispositif (100, 200) selon l'une des revendications précédentes, le matériau anti-collage conducteur étant à base d'au moins un métal tel que du titane et/ou du nickel et/ou du platine et/ou du tantale. 4. Dispositif (100, 200) selon l'une des revendications précédentes, le matériau anti-collage conducteur étant du siliciure de métal. 5. Dispositif (100, 200) selon l'une des revendications 1 ou 2, le matériau anti-collage conducteur étant à base de polymère conducteur. 15 6. Dispositif (100, 200) selon l'une des revendications précédentes, la couche (118) du matériau anti-collage conducteur ayant une épaisseur comprise entre environ 20 Â et 100 Â. 20 7. Dispositif (200) selon l'une des revendications précédentes, le premier élément mobile (206) et le second élément (208) formant des peignes interdigités. 25 8. Dispositif (100, 200) selon l'une des revendications précédentes, ledit dispositif (100, 200) étant un MEMS ou un NEMS. 9. Procédé de réalisation d'un dispositif 30 micromécanique et/ou nanomécanique (100, 200), comportant la formation d'au moins un matériau anti-10collage conducteur (118) sur au moins une partie d'au moins une paroi (109, 210) d'au moins un premier élément (108, 206) du dispositif (100, 200) à base d'au moins un semi-conducteur, ledit premier élément (108, 206) étant mobile par rapport à au moins un second élément (106, 208) du dispositif (100, 200) à base d'au moins un semi-conducteur, la paroi (109, 210) du premier élément mobile (108, 206) étant susceptible d'entrer en contact avec une paroi (111, 212) du second élément (106, 208), et la formation du matériau anticollage conducteur (118) sur au moins une partie d'au moins la paroi (111, 212) du second élément (106, 208) disposée en regard de ladite paroi (109, 210) du premier élément mobile (108, 206), le matériau anti- collage conducteur (118) recouvrant ladite paroi (111, 212) du second élément (106, 208) étant disposé au moins partiellement en regard du matériau anti-collage conducteur (118) recouvrant ladite paroi (109, 210) du premier élément mobile (108, 206). 10. Procédé selon la revendication 9, la formation du matériau anti-collage conducteur (118) étant obtenue au moins par les étapes suivantes : - dépôt d'une couche (114) à base d'au moins un métal sur ladite paroi (109, 210) du premier élément mobile (108, 206) et sur ladite paroi (111, 212) du second élément (106, 208), - activation thermique du métal déposé, formant une couche (118) du matériau conducteur.30 11. Procédé selon la revendication 10, l'étape de dépôt étant mise en oeuvre par pulvérisation. 12. Procédé selon la revendication 10, 5 l'étape de dépôt étant mise en oeuvre par un dépôt de type ALD. 13. Procédé selon l'une des revendications 10 a 12, comportant en outre, après l'étape 10 d'activation thermique du métal déposé, une étape d'élimination du métal restant n'ayant pas réagi avec le semi-conducteur du premier élément mobile (108, 206) et du second élément (106, 208) au cours de la précédente étape d'activation thermique. 15 14. Procédé selon la revendication 13, l'étape d'élimination étant mise en oeuvre par une gravure chimique sélective. 20 15. Procédé selon la revendication 13, l'étape d'élimination étant mise en oeuvre par un retrait sélectif. 16. Procédé selon l'une des revendications 25 10 à 15, l'étape d'activation thermique étant mise en oeuvre par au moins un recuit. 17. Procédé selon l'une des revendications 10 à 16, comportant en outre, entre l'étape de dépôt de 30 la couche (114) à base de métal et l'étape d'activation thermique du métal déposé, une étape de dépôt d'unecouche de protection sur la couche (114) de métal déposée, et après l'étape d'activation thermique du métal déposé, une étape d'élimination de la couche de protection. 18. Procédé selon la revendication 9, la formation du matériau anti-collage conducteur étant obtenue par au moins une étape de dépôt chimique en phase vapeur du matériau conducteur sur ladite paroi (109, 210) du premier élément mobile (108, 206) et sur ladite paroi (111, 212) du second élément (106, 208). 19. Procédé selon l'une des revendications 9 à 18, comportant en outre, avant l'étape de formation du matériau anti-collage conducteur (118), une étape de nettoyage de ladite paroi (109, 210) du premier élément (108, 206) et/ou ladite paroi (111, 212) du second élément (106, 208).