FR 2931582 A1 20091127 FR 0853414 A 20080526 1 DISPOSITIF DE FORMATION DE PIEGE OPTIQUE A EFFET DE CHAMP PROCHE OPTIQUE ET DISPOSITIF DE PIEGEAGE ASSOCIE DESCRIPTION Domaine technique et art antérieur L'invention concerne un dispositif de formation de piège optique à effet de champ proche optique. L'invention concerne également un dispositif de piégeage de particules qui comprend un dispositif de formation de piège optique selon l'invention. Les dispositifs de l'invention trouvent des applications, par exemple, dans le domaine des nanotechnologies (manipulation et assemblage de micro et nanoparticules diélectriques, semi-conductrices et métalliques, nanofils ou nanotubes), de la biologie (manipulation de macromolécules telles que protéines, ADN) et de la chimie organique (macromolécules, polymères ou organométalliques). Selon l'art connu, un dispositif de formation de piège optique comprend une source laser qui émet un faisceau laser et des moyens de focalisation du faisceau laser qui concentrent fortement le faisceau laser à l'aide d'un objectif de microscope dont l'ouverture numérique est supérieure à 1. Les figures 1A et 1B illustrent le principe connu du piégeage d'une particule P à l'aide d'une pince optique. Une particule P est placée dans un liquide L. Un faisceau laser F émis par une source laser (non représentée sur la figure) est focalisé dans le liquide L et possède une zone centrale de plus 2 faible diamètre W, communément appelée � waist �. Si la particule P a un indice de réfraction supérieur à celui du milieu liquide L qui l'environne et si elle se trouve placée au voisinage du faisceau, elle entre, sous l'effet de forces communément appelées � forces de gradient �, dans le champ du faisceau F (cf. figure 1A). De fait, ces forces attirent la particule P vers le maximum d'intensité du faisceau, c'est-à-dire au niveau du waist. La particule s'immobilise alors au centre du waist (cf. figure 1B). La particule ainsi piégée est alors déplacée par déplacement relatif du faisceau F et du milieu contenant la particule (déplacement du milieu contenant la particule P par rapport au faisceau, déplacement du faisceau F par rapport au milieu, déplacement mutuel du faisceau et du milieu). Les diamètres des particules piégées vont de la dizaine de microns à une dizaine de nanomètres. Les particules peuvent être de différentes natures : diélectrique, métallique, semi-conductrice, biologique, polymérique, etc. Un inconvénient majeur du procédé de piégeage de particule décrit ci-dessus est que le volume de piégeage de la pince est limité par la diffraction au niveau de l'objectif. Le volume de piégeage dépend en effet de la taille du waist du faisceau, laquelle est liée à la longueur d'onde utilisée, à l'ouverture numérique de l'objectif ainsi qu'à l'indice du milieu dans lequel baigne l'objectif. La précision de positionnement par une pince optique de ce type est de plusieurs centaines de nanomètres, voire du micron, ce qui n'est pas une bonne précision. 3 Pour améliorer la localisation de la particule, il est connu d'utiliser une catégorie de pièges optiques qui reposent sur des effets de champ proche optique. Les pièges optiques de ce type présentent un fort confinement spatial du champ électromagnétique et permettent ainsi une localisation plus précise de l'objet. La précision de positionnement est de l'ordre de la dizaine de nanomètres. Un premier exemple de ce type de piège optique est donné en figure 2. Un masque métallique M muni de nano-ouvertures 0 est déposé sur une structure T. La structure T est transparente à la longueur d'onde du faisceau laser F qui doit piéger les particules. Le faisceau laser F se propage dans la structure T selon une direction sensiblement perpendiculaire à la surface plane sur laquelle est déposée le masque M. Le faisceau laser F traverse alors l'ensemble des ouvertures 0 qui constituent ainsi autant de pièges pour les particules. Il est alors possible, par exemple, de piéger une particule de latex de 200nm de diamètre dans une nanoouverture de 500nm de diamètre. Les inconvénients d'une telle pince optique sont, d'une part, que le nombre d'étapes liées à la fabrication des nano-ouvertures est important et, d'autre part, que les particules ne sont pas piégées dans un espace libre mais dans un trou. Il est également connu de l'art antérieur d'utiliser la technologie SNOM pour réaliser un piège optique (SNOM pour � Scanning Near-field Optical Microscope �, à savoir la technologie qui utilise les microscopes optiques en champ proche optique). Le piège optique est alors réalisé, par exemple, à l'aide d'une 4 pointe en or placée dans un faisceau laser. C'est la surintensité du champ électromagnétique qui apparaît à l'extrémité de la pointe qui piège la particule. Une pointe en or de rayon d'apex 5nm est alors apte à piéger une particule de latex de 10nm de diamètre placée dans de l'eau. La figure 3 représente un schéma de principe d'une telle pointe Pt placée dans un faisceau laser et la distribution de l'intensité du champ électromagnétique autour de la pointe. Les niveaux d'intensité sont croissants au fur et à mesure que l'on se rapproche de la pointe (zones de plus en plus foncées sur la figure 3). Les inconvénients d'un tel dispositif sont dans son coût d'exploitation et dans le fait qu'il est difficilement parallélisable. Les figures 4A et 4B concernent un autre dispositif connu de piégeage optique à effet de champ proche optique. Cet autre dispositif connu comprend un réseau à cristaux photoniques Ph dans lequel est formée une cavité Q. Le réseau à cristaux photoniques Ph est fixé sur un substrat transparent T. Un faisceau laser F traverse le substrat T pour atteindre le réseau à cristaux photoniques Ph. Pour une longueur d'onde donnée du faisceau laser F, il se crée une surintensité au niveau de la cavité Q. La figure 4B illustre la présence de cette surintensité. La figure 4B représente la puissance normalisée R qui est rayonnée , au niveau de la cavité Q, par le dispositif de la figure 4A. La courbe de la puissance normalisée R est tracée en fonction de la longueur d'onde normalisée A de propagation de l'onde dans le dispositif (A est exprimée en multiples de la période � a � du réseau à cristaux photoniques). Il apparaît, à une longueur d'onde donnée A0r une surintensité de la puissance optique dans le réseau. Cette surintensité est utilisée pour le piégeage des particules. Les inconvénients d'un 5 tel dispositif sont le grand nombre et la complexité des différentes étapes technologiques nécessaires pour la fabrication du réseau à cristaux photoniques, le coût de la source laser accordable nécessaire au bon fonctionnement du dispositif et le réglage de la longueur d'onde d'accord Ao qui dépend de la taille, de la forme et de la nature des particules. Un autre dispositif de piégeage optique à effet de champ proche optique est également connu de l'art antérieur. Cet autre dispositif est représenté en figure 5. Il comprend un prisme Pr transparent à la longueur d'onde d'utilisation sur lequel sont déposées une lame de verre V et une fine couche d'or f. Un faisceau laser F traverse le prisme et la lame de verre V jusqu'à atteindre la couche d'or f sur laquelle il se réfléchit pour créer le faisceau réfléchi Fr. La direction du faisceau laser F doit impérativement s'écarter de la normale à la lame de verre (i.e. l'angle d'incidence e du faisceau sur la lame de verre doit être non nul). Le couplage de la lumière laser dans la couche métallique f conduit à la formation d'un plasmon en surface de la couche d'or f et à l'apparition d'un champ électromagnétique évanescent Ev sur cette surface. Les particules sont alors piégées selon une disposition annulaire qui résulte de deux contributions : 6 a) les forces optiques attirent les objets vers le centre du faisceau ; b) les forces thermophorétiques expulsent les particules du faisceau. Un inconvénient de ce dispositif est sa complexité due, entre autres, à l'utilisation d'un prisme. L'invention ne présente pas les inconvénients mentionnés ci-dessus. Exposé de l'invention En effet, l'invention concerne un dispositif de formation de piège optique à effet de champ proche optique, le dispositif comprenant des moyens pour former un waist de faisceau laser à une longueur d'onde de travail, caractérisé en ce qu'il comprend un substrat transparent à la longueur de travail et une couche mince de matériau aux propriétés optiques non linéaires à la longueur d'onde de travail fixée sur une première face du substrat , et en ce que les moyens pour former un waist de faisceau laser sont positionnés par rapport au substrat de telle sorte que le faisceau laser soit incident sur une deuxième face du substrat située à l'opposé de la première face et que le waist de faisceau laser se forme dans la couche mince, un champ électromagnétique évanescent se formant, dans le prolongement du waist de faisceau laser, en surface de la couche mince. Préférentiellement, le matériau de la couche 30 mince est un matériau semi-conducteur de type III-V à faible bande interdite ou faiblement dopé. 7 De façon très avantageuse, la couche mince 1 constitue, du fait du caractère réversible de la non-linéarité créée dans cette couche par le faisceau laser, un masque d'intensité lumineuse qui se déplace avec le faisceau laser. Le dispositif de l'invention n'a donc pas à nécessairement comprendre de nanostructure complexe pour localiser avec précision des objets petits ou gros (dimensions typiques allant de 10nm à plus de lpm), comme c'est le cas des dispositifs de l'art antérieur. D'autres caractéristiques et avantages de l'invention apparaîtront dans la description qui va suivre, faite en référence aux figures jointes, parmi lesquelles : - Les figures 1A et 1B illustrent le principe de piégeage d'une particule à l'aide d'une pince optique selon l'art connu; - La figure 2 représente un premier exemple de dispositif de formation de piège optique à effet de champ proche optique selon l'art antérieur ; - La figure 3 représente un deuxième exemple de dispositif de formation de piège optique à effet de champ proche optique selon l'art antérieur; - Les figures 4A et 4B illustrent un troisième exemple de dispositif de formation de piège optique à effet de champ proche optique selon l'art antérieur; - La figure 5 représente un quatrième exemple de dispositif de formation de piège optique à effet de champ proche optique selon l'art antérieur; 8 - La figure 6 représente un dispositif de formation de piège optique à effet de champ proche optique selon l'invention; - Les figures 7A et 7B représentent respectivement une première variante et une deuxième variante d'un premier perfectionnement du dispositif de formation de piège optique à effet de champ proche optique de l'invention; - La figure 8 représente un deuxième perfectionnement du dispositif de formation de piège optique à effet de champ proche optique de l'invention; - La figure 9 représente un dispositif de piégeage de particules qui comprend un dispositif de formation de piège optique conforme au dispositif représenté en figure 6; - La figure 10 représente un premier perfectionnement du dispositif de piégeage de particules représenté en figure 9; - La figure 11 représente un deuxième 20 perfectionnement du dispositif de piégeage de particules représenté en figure 9; - La figure 12 représente un troisième perfectionnement du dispositif de piégeage de particules représenté en figure 9; 25 - La figure 13 représente un dispositif de piégeage de particules qui comprend un dispositif de formation de piège optique conforme au dispositif représenté en figure 7; - La figure 14 représente un dispositif de 30 piégeage de particules qui comprend un dispositif de 9 formation de piège optique conforme au dispositif représenté en figure 8. Description détaillée de modes de réalisation préférentiels de l'invention La figure 6 représente un dispositif de formation de piège optique à effet de champ proche optique selon l'invention. Le dispositif comprend un objectif 3 qui focalise un faisceau laser F provenant d'une source laser (non représentée sur la figure), un support 2 transparent à la longueur d'onde du faisceau laser, une couche mince 1 de matériau semi-conducteur aux propriétés optiques non linéaires à la longueur d'onde d'étude. De préférence, le matériau semi- conducteur de la couche mince 1 est un matériau de type III-V à faible bande interdite (par exemple InSb, GaAs, InAs, InP, GaP, etc.) ou faiblement dopé (par exemple InXSbyTe,) déposé sur le support transparent 2. L'objectif 3 focalise le faisceau laser F de façon que le waist W du faisceau se trouve situé dans la couche mince 1. Sous l'effet de la lumière laser concentrée au niveau du waist, la couche mince 1 change de structure électronique de la façon constatée lors des phénomènes de super-résolution en enregistrement optique (cf. Pichon et al. � Multiphysics Simulation of Super-Resolution BD ROM Opical Disk Readout �, pages 206-208, ODS 2006). Le faisceau laser est alors confiné, à l'intérieur de la couche mince 1, dans une zone z de dimensions inférieures à la limite de diffraction dans cette couche et sort de la couche mince 1 sous la forme d'un champ électromagnétique évanescent Ev très 10 concentré. Ce champ électromagnétique évanescent très concentré permet un piégeage optique très performant de particules. La figure 7A représente une première variante d'un premier perfectionnement du dispositif de formation de piège optique à effet de champ proche optique selon l'invention. Le piège optique comprend un masque optique M tel que celui mentionné précédemment en référence à la figure 2. Le masque M est placé sur la face de la couche 1. Le masque M crée avantageusement une surintensité locale qui, combinée avec la surintensité créée par la couche mince 1, conduit à une encore plus grande concentration du champ évanescent. Il est alors avantageusement possible d'utiliser un faisceau laser de moindre puissance que dans la configuration sans masque tout en obtenant des résultats identiques en terme de concentration du champ évanescent. Selon une deuxième variante du premier perfectionement de l'invention, le masque optique M est placé sous la face de la couche mince 1, c'est-à-dire entre la couche mince 1 et le support transparent 2. La figure 7B illustre cette deuxième variante. La figure 8 représente un deuxième perfectionnement du dispositif de formation de piège optique de l'invention. En plus des éléments du dispositif de l'invention représenté en figure 6, le dispositif représenté en figure 8 comprend un modulateur spatial de lumière Mod, par exemple un écran à cristaux liquides, et un calculateur ou un ordinateur personnel PC qui commande le modulateur spatial de lumière Mod. De façon connue en soi, en 11 fonction des commandes qui lui sont appliquées à partir du calculateur, le modulateur de lumière Mod module la phase du faisceau laser F issu de la source Lz de telle sorte que n faisceaux laser élémentaires se forment sous l'action du modulateur de lumière, n étant un entier supérieur ou égal à 2 (n=3 sur la figure 8). Chaque faisceau laser élémentaire crée, en surface de la couche 1, un champ évanescent élémentaire Evi (i=1, 2, ..., n) qui est apte à capter une particule. Il est ainsi possible de manipuler jusqu'à n particules en même temps. Dans le cas particulier où apparaissent d'importants effets thermophorétiques dans la couche 1, une particule entourée de plusieurs faisceaux laser élémentaires peut être maintenue au centre de ces faisceaux par répulsion. D'autres moyens qu'un écran à cristaux liquides peuvent être utilisés pour la formation de pinces multi-faisceaux comme, par exemple, un interféromètre ou un réseau de diffraction, ou un hologramme . La figure 9 représente un dispositif de piégeage de particules qui est associé au dispositif de formation de piège optique à effet de champ proche optique représenté en figure 6. Les particules P évoluent dans un liquide L contenu dans une cuve 4 dont la paroi inférieure est réalisée par la couche mince 1. Le champ électromagnétique évanescent très concentré Ev piège toute particule située à sa proximité. Pour effectuer un déplacement d'une particule ainsi piégée, un déplacement relatif du faisceau laser F et de la structure constituée des éléments 1, 2 et 4 est effectuée. 12 L'épaisseur de la couche mince 1 peut varier, par exemple, de 5nm à 100nm. Le faisceau laser F peut être un faisceau continu ou impulsionnel dans une gamme de fréquences allant du Hz au THz. Pour ce qui concerne les particules susceptibles d'être piégées par une pince optique de l'invention, le tableau ci-dessous en illustre quelques exemples, à titre non limitatif : Objet Dimensions (matériau) Billes diélectriques 5nm à 5pm de diamètre (SiO2, Ta2O5, ZnO, Latex, TiO2, Al203) Billes ou ellipsoïdes métalliques 5nm à 5pm de diamètre ou de (Or, Ag, Cu, Al) grand axe 1 à 100nm de diamètre de Systèmes à nanobille métallique et bille et 20 à 500nm coquille diélectrique d'épaisseur de coquille diélectrique Nanocristaux semi-conducteurs 5 à 100nm de nanocristal avec coquille diélec- trique de 0 à 20nm (ZnS/CdSe, InSb, Ge) Nanofils diélectriques ou semi- 5nm à 500nm de diamètre conducteurs de fil et 100nm à 10pm (Si, ZnO, GaN, SiO2) de longueur Macromolécules (ADN, ARN, protéines) 5 nm à 5pm de longueur de la chaîne moléculaire Cellules (levures, globules rouges, 500 nm à 10 }gym de lymphocytes...) diamètre Le substrat 2 transparent à la longueur d'onde d'utilisation est réalisé, par exemple, en silicium (Si), en polycarbonate, en verre, en silice, etc. La figure 10 représente un premier perfectionnement du dispositif de piégeage de particules représenté en figure 9. En plus des éléments mentionnés en référence à la figure 9, le dispositif de la figure 10 comprend, entre le substrat 2 et la couche 1, une couche supplémentaire 5 qui a une fonction optique, par exemple anti-reflet/miroir. La couche 5 20 est formée d'une seule couche ou d'un ensemble de 13 couches. L'épaisseur de la couche ou de l'ensemble de couches qui constituent la couche 5 est typiquement comprise entre 10nm et 10pm. Le report de la couche 5 entre le substrat 2 et la couche 1 est effectuée par sol-gel, PVD (PVD pour � Physical Vapor Deposition), IBS (IBS pour � Ion Beam Sputtering �, pulvérisation, CVD (CVD pour � Chemical Vapor Deposition �)...). Dans une première variante de l'invention, le (les) matériau(x) qui constitue(nt) la couche 5 est (sont) choisi(s) parmi les diélectriques tels que, par exemple, SiO2, HgO2, Ta2O5, TiO2, ZrO2, Al2O3, YF3, LaF, Ta2O6. Dans une autre variante de l'invention, la couche 5 constitue un puits thermique qui permet d'éviter l'échauffement du liquide L, lequel échauffement peut survenir sous l'effet du faisceau laser. Le ou les matériaux qui constituent la couche 5 sont alors choisis parmi les métaux (par exemple, cuivre, aluminium, etc.), les oxydes, ou les nitrures (par exemple Si3N4). La figure 11 représente un deuxième perfectionnement du dispositif de piégeage de particule de l'invention. La couche mince 1 est recouverte d'un traitement tpermettant de contrôler la mouillabilité de la surface sur la partie de l'empilement en contact avec le liquide L. On réalise, par exemple, un traitement hydrophobe par une couche de polytétrafluoroéthylène communément appelé téflon ou par greffage de molécules organiques appropriées pour former, par exemple, une couche de silane. La couche hydrophobe t permet avantageusement d'éviter que les particules P ne se collent sur la couche mince 1. 14 La figure 12 représente un troisième perfectionnement du dispositif de piégeage de particules de l'invention. Le dispositif comprend, au dessus de la couche 1, une lentille à indice négatif 6 constituée d'une succession de bicouches métal noble/diélectrique (par exemple Ag/SiO2). La lentille 6 permet avantageusement d'imager le faisceau confiné en surface de la couche 1 tout en conservant sa dimension latérale. Dans le cas où la lentille est suffisamment épaisse, elle peut avantageusement constituer un puits thermique et ainsi permettre d'éviter l'échauffement du liquide L sous l'effet du faisceau laser Fe La figure 13 représente un dispositif de piégeage de particules qui comprend un dispositif de formation de piège optique conforme au dispositif représenté en figure 7A. En plus des éléments représentés en figure 7A, le dispositif de la figure 13 comprend une cuve 4 située au dessus de la couche 1. Toutes les variantes des dispositifs de piégeage de particules représentées aux figures 9-12 s'appliquent, si nécessaire, au dispositif de piégeage de particules représenté en figure 13. La figure 14 représente un dispositif de piégeage de particules qui comprend un dispositif de formation de piège optique conforme au dispositif représenté en figure 8. En plus des éléments représentés en figure 8, le dispositif de la figure 14 comprend une cuve 4 située au dessus de la couche 1. Toutes les variantes des dispositifs de piégeage de particules représentées aux figures 9-12 s'appliquent, 15 si nécessaire, au dispositif de piégeage de particules représenté en figure 14. Sur l'ensemble des figures qui illustrent les dispositifs de piégeage de particules munis d'une cuve de l'invention, le dispositif de formation de piège optique à effet de champ proche optique constitue le fond de la cuve. De façon plus générale, l'invention concerne d'autres modes de réalisation dans lesquels le dispositif de formation de piège optique à effet de champ proche optique constitue tout ou partie d'une paroi quelconque de la cuve, le terme � paroi � devant s'entendre comme tout élément de la cuve au contact du liquide et qui délimite l'intérieur de l'extérieur de la cuve (paroi latérale, couvercle, fond). Un exemple de procédé de réalisation de dispositif de formation de piège optique de l'invention conforme à la figure 6 est donné ci-dessous : • Sur un substrat de silice (par exemple de type Hérasil H1), on dépose une couche d'InSb de 30 nm épaisseur par un procédé de pulvérisation cathodique ; • Afin de faire passer cette couche de l'état amorphe à l'état cristallin, on opère un recuit pendant deux heures avec un four chauffé à 200°C ; • On reporte, par exemple par collage, des parois verticales sur la couche 1 afin de former la cuve; • On prépare une solution liquide contenant des billes de latex de 300nm de 16 diamètre que l'on injecte dans la cuve par une micropipette ; • On recouvre la cuve par une lamelle couvre objet ; • On place l'ensemble ainsi constitué sur un porte-échantillon du système optique constitué par un bâtit de microscope inversé qui comporte un objectif d'ouverture numérique de, par exemple, 1,2 et dans lequel on injecte un faisceau laser issu d'une diode laser émettant, par exemple, à la longueur d'onde 405 nm, une onde modulée à 1 GHz et de 50 mW de puissance. On déplace le porte-échantillon pour piéger les billes de latex à l'aide du piège optique.Il est à noter que, pour des raisons de commodité, dans la description ci-dessus, le terme �particule� est utilisé pour désigner, de façon générale, un objet ou un nanoobjet susceptible d'être piégé à l'aide du dispositif de formation de piège optique de l'invention. Comme cela apparaît clairement dans le tableau établi précédemmment, le terme � nano-objet � ne doit bien sûr pas s'entendre comme un objet dont les dimensions sont exclusivement de l'ordre de quelques nanomètres. REVENDICATIONS1. Dispositif de formation de piège optique à effet de champ proche optique, le dispositif comprenant des moyens pour former un waist de faisceau laser à une longueur d'onde de travail, caractérisé en ce qu'il comprend un substrat (2) transparent à la longueur d'onde de travail et une couche mince (1) de matériau aux propriétés optiques non-linéaires à la longueur d'onde de travail fixée sur une première face du substrat transparent (2), et en ce que les moyens pour former un waist de faisceau laser sont positionnés par rapport au substrat transparent (2) de telle sorte que le faisceau laser soit incident sur une deuxième face du substrat transparent située à l'opposé de la première face et que le waist de faisceau laser se forme dans la couche mince (1), un champ électromagnétique évanescent se formant, dans le prolongement du waist de faisceau laser, en surface de la couche mince (1). 2. Dispositif selon la revendication 1, dans lequel un masque optique (M) muni d'ouvertures est déposée sur la couche mince (1). 3. Dispositif selon la revendication 1, dans lequel un masque optique (M) muni d'ouvertures est placé entre la couche mince (1) et la première face du substrat. 30 18 4. Dispositif selon l'une quelconque des revendciations précédentes, dans lequel un modulateur de lumière (Mod) module la phase du faisceau laser (F) de telle sorte que plusieurs faisceaux laser élémentaires se forment sous l'action du modulateur de lumière, chaque faisceau laser élémentaire participant à la formation d'un champ évanescent en surface de la couche mince (1). 5. Dispositif de piégeage de particules contenues dans un liquide placé dans une cuve (4), caractérisé en ce qu'il comprend un dispositif selon l'une quelconque des revendications 1 à 4, dans lequel la couche mince (1) participe à une paroi de la cuve au contact du liquide. 6. Dispositif de piégeage de particules selon la revendication 5, dans lequel une couche supplémentaire (5) ayant une fonction anti-reflet ou de miroir est placée entre la couche mince (1) de matériau semi-conducteur et le substrat (2). 7. Dispositif de piégeage de particules selon la revendication 5 ou 6, dans lequel une lentille à indice négatif (6) est placée en surface de la couche mince (1), au contact du liquide. 8. Dispositif de piégeage de particules selon la revendication 7, dans lequel la lentille à indice négatif comporte une multi-couche métal/diélectrique. 9. Dispositif de piégeage de particules selon l'une quelconque des revendications 4 à 8, dans lequel une couche (t) de mouillabilité contrôlée est placée en surface de la couche mince (1), au contact du liquide. 10. Dispositif de piégeage de particules selon la revendication 9, dans lequel la couche (t) de mouillabilité contrôlée est hydrohpobe. 10 11. Dispositif de piégeage de particules selon l'une quelconque des revendications 5 à 10 lorsque le dispositif de formation de piège optique comprend un modulateur de lumière qui module la phase du faisceau laser conformément au dispositif de la revendication 4, 15 dans lequel chaque champ évanescent en surface de la couche mince (1) est apte à capter une particule.5