FR 2931167 A1 20091120 FR 0855910 A 20080903 1 PROCEDE DE FABRICATION D'UNE MEMBRANE DIELECTRIQUE PERMEABLE A AU MOINS UN AGENT D'ATTAQUE CHIMIQUE UTILISABLE POUR REALISER DES CAVITES D'AIR DANS DES DISPOSITIFS ELECTRONIQUES DESCRIPTION DOMAINE TECHNIQUE La présente invention a trait à un procédé de fabrication de membranes diélectriques perméables aux agents classiquement employés pour réaliser des attaques chimiques dans l'industrie microélectronique comme, par exemple, l'acide fluorhydrique tout en étant résistantes à ceux-ci. Ces membranes présentent, en outre, une stabilité thermique jusqu'à 400°C, une faible permittivité, c'est-à-dire une constante diélectrique, généralement, inférieure à 4 (lesdites membranes appartenant ainsi à la catégorie des films dits � low-k �). De par leurs propriétés, ces membranes sont susceptibles d'être utilisées en microélectronique et en microtechnologie, dans tous les processus de fabrication qui font intervenir la dégradation d'un matériau sacrificiel par diffusion d'un agent d'attaque chimique au travers d'une membrane perméable à cet agent pour la réalisation de cavités d'air. A titre d'exemples, de tels processus sont mis en oeuvre dans la fabrication d'interconnexions à cavités d'air (ou � air-gaps � en anglais) pour circuit intégré, de systèmes microélectromécaniques (correspondant à la signification française de l'acronyme anglais MEMS signifiant � MicroElectroMechanical System �), par exemple, à cavités résonantes du type BAW (abréviation pour l'expression anglaise � Bulk Acoustic Wave �), ainsi que des microbatteries. ÉTAT DE LA TECHNIQUE ANTÉRIEURE La fabrication de dispositifs en microélectronique ou en microtechnologie peut nécessiter la réalisation de cavités d'air. Pour réaliser ces cavités d'air, l'une des approches actuelles consiste à décomposer un matériau sacrificiel, tel que l'oxyde de silicium, au moyen d'un agent d'attaque chimique, qui doit traverser une membrane pour atteindre ce matériau, les espaces laissés vacants par l'élimination dudit matériau constituant ainsi lesdites cavités d'air. Un exemple de réalisation de cavités d'air selon cette approche est illustré sur les figures 1A et 1B. Comme visible sur la figure 1A représentant 20 la structure avant formation des cavités d'air, celle-ci comprend : - un substrat 1 ; - une couche 3 d'un matériau sacrificiel, typiquement du dioxyde de silicium, recouvrant ce 25 substrat et dans laquelle sont disposées des interconnexions métalliques 5 ; une membrane perméable 7 qui recouvre ladite couche 3 ainsi que les interconnexions métalliques 5, délimitant ainsi des cavités 9 remplies 30 de matériau sacrificiel. 3 La mise en contact (symbolisée par les flèches noires sur la figure 1A) de la structure avec un agent d'attaque chimique apte à dégrader le matériau sacrificiel engendre la dégradation de ce dernier, suite à la diffusion de l'agent d'attaque au travers de ladite membrane. Il suffit alors d'éliminer l'agent d'attaque chimique de la structure, par exemple avec du dioxyde de carbone supercritique, pour que les cavités 9 initialement remplies de matériau sacrificiel deviennent des cavités d'air 11, comme illustré sur la figure 1B. L'une des principales difficultés de cette approche est la réalisation d'une membrane pouvant répondre aux différentes caractéristiques suivantes : - résistance à l'agent d'attaque chimique utilisé ; stabilité thermique jusqu'à 400°C pour éviter, notamment, sa dégradation lors des procédés et traitements mis en oeuvre pour réaliser la structure comprenant lesdites cavités d'air ; une constante diélectrique faible, de préférence inférieure à 4, notamment en vue de minimiser l'impact de la membrane sur les propriétés diélectriques lorsque celle-ci est destinée à être utilisée dans une structure comprenant des interconnexions ; et - une perméabilité suffisante aux solutions d'attaque utilisées pour réaliser lesdites cavités d'air, telles que les solutions d'acide fluorhydrique HF utilisées pour décomposer les matériaux sacrificiels à base de silicium, tels que SiO2, Si3N4, SiOCH..etc. 4 Les membranes perméables actuellement utilisées sont généralement en des matériaux polymères, tels que des matériaux en polyphénylène, que l'on dépose par enduction centrifuge (technique connue sous l'appellation anglaise � spin-coating �). Ces matériaux présentent un coefficient de dilatation thermique important. Ainsi, leur dilatation lors des étapes de recuit thermique engendre des contraintes dans les structures, qui peuvent aboutir à des phénomènes de délamination aux interfaces. De par leur perméabilité, ces membranes peuvent être également infiltrées par les différents produits chimiques, qui sont employés au cours de la fabrication des microstructures et, en particulier, lors des étapes de gravure, de nettoyage et de dépôt des métaux nécessaires, par exemple, à la réalisation de lignes métalliques, ce qui tend à fragiliser ces membranes et les expose à un niveau sérieux de dégradation. De plus, le fait que ces membranes de type polymères sont peu résistantes mécaniquement pose également des problèmes, lors de la mise en oeuvre d'opérations abrasives telles que le polissage chimico- mécanique. Enfin, la technique de dépôt par enduction centrifuge n'est pas une technique privilégiée dans l'industrie microélectronique pour réaliser des matériaux destinés à rester dans les dispositifs, tel que cela est le cas des membranes, les techniques de dépôt physique ou chimique en phase vapeur étant plus adaptées à ce type d'industrie. Il existe donc un véritable besoin pour un procédé de fabrication d'une membrane diélectrique, se 5 présentant sous forme de film, perméable aux agents d'attaque chimique classiquement utilisés en microélectronique mettant en oeuvre des techniques de dépôt classiquement utilisées en microélectronique, ces membranes étant résistantes mécaniquement tout en présentant une perméabilité auxdits agents d'attaque chimique. EXPOSÉ DE L'INVENTION Ainsi, l'invention a trait à un procédé de fabrication d'une membrane diélectrique, comprenant du silicium, du carbone et de l'hydrogène, perméable à au moins un agent d'attaque chimique, se présentant sous forme d'un film, ledit procédé consistant en une étape de dépôt en phase vapeur dudit film mettant en oeuvre au moins un précurseur organosilicié porteur d'au moins un groupe aromatique et/ou au moins un mélange comprenant un précurseur organosilicié non porteur d'un groupe aromatique et un composé organique comprenant un groupe aromatique, les conditions de l'étape de dépôt étant fixées de sorte à ce que les groupes aromatiques subsistent dans le film résultant. Ainsi, les inventeurs ont découvert, de manière surprenante, qu'en réalisant une simple étape de dépôt en phase vapeur à partir de précurseurs judicieusement choisis et en fixant des paramètres de dépôt qui ne dégradent pas les groupes aromatiques, tels que des groupes phényles, il est possible 6 d'obtenir une membrane qui présente les qualités suivantes . une perméabilité aux agents chimiques d'attaque classiquement utilisés en microélectronique, tels que l'acide fluorhydrique ; une résistance chimique auxdits agents d'attaque chimique du fait de la stabilité notamment des groupes aromatiques présents dans le film ; - une constante diélectrique faible, grâce au choix des précurseurs et composés utilisés dans l'étape de dépôt définie ci-dessus, cette constante diélectrique étant avantageusement inférieure à 4 ; - une résistance mécanique induite, notamment, par la présence desdits groupes aromatiques. Ce procédé présente l'avantage d'être basé sur l'utilisation de précurseurs et composés facilement disponibles, d'être de mise en oeuvre simple, dans la mesure où il ne nécessite qu'une simple étape de dépôt sans traitement ultérieur préservant les groupes aromatiques dans le film déposé, par une technique couramment utilisée en microélectronique. On précise que, par � conditions de l'étape de dépôt fixées de sorte à ce que les groupes aromatiques subsistent dans le film résultant �, on entend des conditions assurant la présence de groupes aromatiques dans le film déposé, soit en d'autres termes, des conditions ne générant pas la dégradation desdits groupes, la présence de tels groupes pouvant être déterminée par des techniques d'analyse chimique classiques, telles que la spectroscopie infrarouge par 7 transformée de Fourier (connues sous l'abréviation FTIR). Le dépôt en phase vapeur est avantageusement réalisé par dépôt chimique en phase vapeur (connue sous l'abréviation CVD pour � Chemical Vapor Deposition �) et plus particulièrement par dépôt chimique en phase vapeur assisté par plasma (connue sous le sigle PECVD pour �Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition �). En particulier, le plasma peut être généré par ionisation de gaz par le biais d'une décharge électrique radiofréquence, auquel cas on parlera de dépôt chimique en phase vapeur assisté par plasma radiofréquence. De façon générale, le dépôt chimique en phase vapeur assisté par plasma consiste en la formation sur un substrat d'un film par réaction chimique de précurseurs gazeux à la surface dudit substrat, ces précurseurs gazeux étant amenés à la surface du substrat sous forme de radicaux libres et/ou d'ions grâce à l'apport thermique généré par un plasma, ces précurseurs gazeux étant issus des précurseurs organosiliciés et des mélanges mis en oeuvre dans l'étape de dépôt telle que définie ci-dessus. Selon une première variante, l'étape de dépôt met en oeuvre un précurseur organosilicié porteur d'au moins un groupe aromatique, en particulier porteur d'au moins un groupe phényle. Des précurseurs organosiliciés de ce type 30 peuvent répondre à la formule suivante : SiHa (CH3) b (C6H5) c 8 dans laquelle a et b sont des entiers allant de 0 à 3, sachant que (a+b) ne peut excéder 3, tandis que c est un entier allant de 1 à 4 et (a+b+c) est égal à 4. Des précurseurs particuliers répondant à la formule ci-dessus peuvent être le diphénylsilane, le diméthylphénylsilane, le diphénylméthylsilane, le phénylméthylsilane et les mélanges de ceux-ci. Avantageusement, les précurseurs organosiliciés de ce type sont ceux pour lesquels a est égal à 1 ou 2, b est égal à 1 ou 2 et c est égal à 1 ou 2. En particulier, un précurseur organosilicié de ce type peut être le diméthylphénylsilane, le diphénylméthylsilane. Selon une deuxième variante, l'étape de dépôt met en oeuvre un mélange comprenant un précurseur organosilicié non porteur d'un groupe aromatique et un composé organique (à savoir un composé à base de carbone et d'hydrogène) comprenant au moins un groupe aromatique. Des précurseurs organosiliciés du type mentionné ci-dessus peuvent répondre à la formule suivante : SiHdRe dans laquelle d est un entier allant de 0 et 4, e est un entier allant de 0 à 4, sachant que (d+e) est égal à 4 et R est un groupe alkyle. En particulier, un précurseur organosilicié de ce type peut être le méthylsilane CH3-SiH3, le diméthylsilane (CH3)2-SiH2, le triméthylsilane (CH3)3- SiH, le tétraméthylsilane (CH3)4-Si, l'éthylsilane CH3-CH2-SiH3, le diéthylsilane (CH3-CH2) 2SiH2r le propylsilane C3H7-SiH3 Des composés organiques comprenant au moins un groupe aromatique tels que définis ci-dessus peuvent être des composés phényles ou naphtalènes substitués éventuellement par au moins un groupe alkyle pouvant comporter de 1 à 5 atomes de carbone. A titre d'exemple, on peut citer le toluène. Il est entendu que, selon d'autres variantes, l'étape de dépôt peut mettre en oeuvre à la fois . - un précurseur organosilicié porteur d'au moins un groupe aromatique et un précurseur organosilicié non porteur d'un groupe aromatique ; ou un précurseur organosilicié porteur d'au moins un groupe aromatique et un mélange tel que défini ci-dessus. Outre la présence de silicium, de carbone et d'hydrogène, le film déposé peut comporter, en outre, de l'azote et/ou du fluor, de sorte à notamment diminuer la constante diélectrique dudit film. Dans ce cas, l'étape de dépôt mettra également en oeuvre un précurseur comprenant de l'azote, ce précurseur pouvant être NH3, N2 et/ou un précurseur comprenant du fluor, tel que F2. Outre la présence des précurseurs susmentionnés, l'étape de dépôt peut mettre en oeuvre des gaz vecteurs, en particulier des gaz inertes, tels 10 que Ar, He, Ne, Xe et les mélanges de ceux-ci, en particulier de l'hélium. Lorsque le dépôt est réalisé par PECVD, les conditions sont choisies de sorte à ce que le film déposé présente des groupes aromatiques, tels que des groupes phényles, et des qualités de membrane perméable aux agents d'attaque, tels que des solutions acides (par exemple, HF, HC1, HBr, HI, HC1O4r HNO3, H2SO4) ou des solutions basiques (par exemple, NaOH, KOH, Ca(OH)2, Sr(OH)2 et Ba (OH) 2) . Les grandeurs régissant les caractéristiques du plasma peuvent être respectivement : la fréquence qui génère le plasma permettant de jouer sur le bombardement ionique du substrat, ce qui rend ainsi possible la modification de la densité du film, la structure et la vitesse de formation de celui-ci ; - la puissance du plasma, étant à l'origine du taux de dissociation des espèces en phase gazeuse ; - la pression dans l'enceinte, qui doit être fixée de sorte à favoriser les réactions en phase gazeuse. D'autres grandeurs indépendantes du plasma sont également importantes, car déterminantes pour les caractéristiques du film déposé, notamment la température du substrat sur lequel le film est destiné 11 à être déposé ainsi que les débits de précurseur(s) et éventuellement de gaz vecteur. L'homme du métier déterminera, en fonction des précurseurs organosiliciés et/ou composés comprenant au moins un groupe aromatique choisis, par de simples essais, les caractéristiques du plasma de sorte à ce que, dans le film déposé, subsistent les groupes aromatiques issus desdits précurseurs et/ou composés, et à ce que le film puisse assurer un rôle de membrane perméable aux agents d'attaque chimiques tels que mentionnés ci-dessus. Qui plus est, le film doit présenter avantageusement une constante diélectrique faible, à savoir une constante diélectrique avantageusement inférieure à 4. Ainsi, à titre d'exemple, lorsque l'étape de dépôt met en oeuvre un précurseur organosilicié porteur d'au moins un groupe aromatique, tel que le diméthylphénylsilane, et est réalisée par dépôt chimique en phase vapeur assisté par plasma, les caractéristiques du plasma peuvent être les suivantes : - une radiofréquence fixe allant de 13 à 14 MHz, telle qu'une radiofréquence de 13, 56 MHz ; - une puissance au plus égale à 300 W, par exemple, allant de 50 à 300 W ; - une pression au moins égale à 4 torrs, par exemple, allant de 4 à 20 torrs. Quant aux autres caractéristiques, elles 30 peuvent être avantageusement les suivantes : 12 - une température de substrat inférieure à 350°C ; - un débit de précurseur et un débit de gaz vecteur, tel que l'hélium, allant de 50 à 1000 cm3/minute, sachant que le débit de gaz vecteur est, avantageusement, inférieure à au moins 2 fois celui du débit de précurseur. On peut noter, ainsi, que la puissance n'est pas trop élevée, pour éviter de dégrader les groupes aromatiques, tandis que la pression est relativement élevée pour assurer les réactions chimiques à l'origine de la formation de la membrane. A titre d'exemple, lorsque l'étape de dépôt met en oeuvre un mélange comprenant un précurseur organosilicié, tel que le triméthylsilane, et un composé organique comprenant un groupe aromatique, tel que le toluène, et est réalisée par dépôt chimique en phase vapeur assisté par plasma, les caractéristiques du plasma, pour obtenir un film présentant les propriétés de membrane, sont avantageusement les suivantes . - une radiofréquence fixe allant de 13 à 14 MHz, par exemple, 13,56 MHz ; - une puissance allant de 60 à 600 W ; - une pression au moins égale à 4 torrs, par exemple, allant de 4 à 20 torrs. Quant aux autres caractéristiques, elles 30 peuvent être avantageusement les suivantes : 13 - une température de substrat inférieure à 400°C, par exemple, allant de 100 à 400°C ; - un débit de précurseur et de composé tels que mentionnés ci-dessus allant de 50 à 1000 cm3/min, le rapport du débit du précurseur et du débit du composé pouvant aller de 10 :1 à 1 :10. Ainsi, en appliquant des conditions opératoires assurant la préservation des groupes aromatiques dans le film déposé, on obtient des membranes perméables aux agents chimiques tels que définis ci-dessus, grâce à la porosité engendrée par la présence desdits groupes aromatiques, tels que des groupes phényles. Qui plus est, les membranes obtenues sont résistantes à la fois auxdits agents chimiques et mécaniquement. Les membranes obtenues peuvent présenter une épaisseur allant de 20 à 1000 nm. Au terme du procédé de l'invention, les membranes obtenues peuvent être caractérisées par des techniques d'analyse chimique classiques, telles que la spectroscopie infrarouge par transformée de Fourier (FTIR). Ainsi, les inventeurs ont pu mettre en avant les caractéristiques suivantes : - lorsque l'étape de dépôt met en oeuvre un précurseur organosilicié tel que défini ci-dessus comprenant au moins un groupe aromatique avec b au moins égal à 1, le film résultant présente 14 classiquement, en spectroscopie FTIR, un rapport entre l'aire du pic de vibration lié à la liaison entre Si et le groupe aromatique et l'aire du pic lié à une liaison C-H aliphatique supérieur à 1/3 ; et - lorsque l'étape de dépôt met en oeuvre un composé organique comprenant un groupe aromatique, le film résultant présente, en spectroscopie FTIR, un pic lié aux flexions hors plan des liaisons -CH du groupe aromatique. En tout état de cause, il apparaît clairement la présence de groupes aromatiques, pouvant assurer la porosité nécessaire pour que les membranes puissent être perméables à des agents d'attaque chimique. Comme mentionné ci-dessus, les membranes fabriquées conformément au procédé décrit ci-dessus sont destinées à être réalisées dans le cadre de processus nécessitant la fabrication de cavités d'air mettant en oeuvre un matériau sacrificiel. Ainsi, l'invention a également trait à un procédé de réalisation d'au moins une cavité d'air dans une structure du type comprenant la dégradation d'un matériau sacrificiel par diffusion d'un agent d'attaque chimique au travers d'une membrane, qui comprend : a) une étape de mise en oeuvre du procédé de fabrication d'une membrane telle que définie ci-dessus sur une structure comprenant au moins une cavité remplie d'un matériau sacrificiel, cette cavité étant 15 ainsi revêtue à l'issue de cette étape par la membrane susmentionnée ; b) une étape de mise en contact de ladite structure avec ledit agent chimique, ledit agent chimique traversant ladite membrane et dégradant le matériau sacrificiel ; c) une étape d'élimination de l'agent d'attaque chimique de la structure, moyennant quoi l'on obtient une cavité d'air. Classiquement, le matériau sacrificiel peut être un oxyde, tel que l'oxyde de silicium, tandis que l'agent d'attaque chimique est un fluide contenant de l'acide fluorhydrique, tel qu'une solution aqueuse ou organique d'acide fluorhydrique ou encore de l'acide fluorhydrique gazeux pur, un mélange d'acide fluorhydrique gazeux et d'un gaz vecteur, ou bien d'un mélange d'acide fluorhydrique et de dioxyde de carbone supercritique. L'agent d'attaque chimique peut être également un fluide contenant du fluorure d'ammonium. L'étape d'élimination de l'agent chimique ayant dégradé le matériau sacrificiel peut se faire, par exemple, en retirant la structure de la solution d'acide fluorhydrique puis en la plongeant dans de l'eau désionisée et enfin, en la séchant à 100°C pendant 30 minutes. L'invention va maintenant être décrite par rapport aux exemples suivants donnés à titre illustratif et non limitatif. 16 BRÈVE DESCRIPTION DES DESSINS Les figures 1A et 1B, déjà décrites, sont des représentations illustrant un procédé classique de réalisation de cavités d'air dans le cas d'une structure d'interconnexions pour circuit intégré. La figure 2 représente un spectre FTIR du matériau obtenu à l'exemple 1 représentant l'absorbance Abs (en unités atomiques u.a) en fonction du nombre d'ondes N (en cm) . La figure 3 représente un spectre FTIR du matériau obtenu à l'exemple 2 représentant l'absorbance Abs (en unités atomiques u.a) en fonction du nombre d'ondes N (en cm-l). EXPOSÉ DÉTAILLÉ DE MODES DE RÉALISATION PARTICULIERS EXEMPLE 1 Dans cet exemple, on procède au dépôt d'un film se présentant sous forme d'une couche mince de 50 nm du type SiCH (à savoir, un film comprenant du silicium, du carbone et de l'hydrogène) par la technique du dépôt chimique en phase vapeur assisté par plasma (PECVD) à partir de diméthylphénylsilane et d'hélium. Le dépôt est réalisé dans un réacteur du type capacitif plan, plus particulièrement une chambre DxZ d'un appareil Centura 5200 de AMAT, avec les paramètres suivants . - espace entre les électrodes : 450 mils (soit 1,14 cm) ; - excitation du type radiofréquence à 13,56 - température du substrat : 300°C; - pression à l'intérieur de l'enceinte : 4 - puissance : 100 W ; - débit de diméthylphénylsilane : 500 - débit d'hélium : 500 cm3/min ; 10 Le film obtenu présente des propriétés de membrane perméable aux agents d'attaque chimique, tels que HF. En effet, lorsqu'une goutte de solution HF (1%) est placée sur ladite membrane recouvrant une couche de 15 SiO2, on constate que cette dernière est dissoute par la solution, alors que la membrane est intacte. Le film obtenu est analysé par spectroscopie infrarouge par transformée de Fourier. Du 20 spectre obtenu représenté sur la figure 2 ressort les caractéristiques suivantes : - des pics à 1120 cm-1 et à 3020 cm-1 correspondant à des vibrations liées aux liaisons -CH du groupe phényle attestant ainsi de la présence de 25 groupes phényles dans le film (Ph désignant le groupe phényle) ; - des pics à 2900 cm-1 correspondant à des vibrations liées aux vibrations des liaisons -CH aliphatiques ; 30 - un rapport de l'aire de pics liés aux vibrations des liaisons -CH du groupe phényle à 3020 18 cm-1 à l'aire de pics liés aux vibrations -CH aliphatiques à 2900 cm-1 supérieur à 1/3. D'autres essais convaincants ont été menés en fixant la température à 300°C et la pression à 4 Torrs et ont permis de mettre en avant que la puissance ne doit pas excéder 300 W et ne pas être inférieure à 50 W, pour une telle température et une telle pression. D'autres essais convaincants ont également été menés en fixant la température à 300°C et la puissance à 100 W et ont permis de mettre en avant que la pression ne doit pas être inférieure à 4 Torrs et ne pas être supérieure à 20 Torrs. La permittivité mesurée à 100 kHz est, dans ce cas, égale à 3,3. EXEMPLE 2 Dans cet exemple, on procède au dépôt d'un film se présentant sous forme d'une couche mince de 100 nm du type SiCH (à savoir, un film comprenant du silicium, du carbone et de l'hydrogène) par la technique du dépôt chimique en phase vapeur assisté par plasma (PECVD) à partir de triméthylsilane, de toluène et d'hélium. Le dépôt est réalisé dans un réacteur du type capacitif plan, plus particulièrement un Producer 300 mm de AMAT, avec les paramètres suivants : - espace entre les électrodes : 350 mils ; - excitation du type radiofréquence à 13,56 MHz ; 19 - température du substrat : 250°C - pression à l'intérieur de l'enceinte : 8,7 Torrs ; - puissance : 350 W ; - débit de triméthylsilane : 150 cm3/min standard (unité sccm) - débit de toluène : 750 cm3/min standard (unité sccm) ; - débit d'hélium : 150 cm'/min standard (unité sccm). L'unité sccm correspond à 1 cm3/min dans les conditions standards suivantes : T=0°C P=101 325 KPa. Le film obtenu présente des propriétés de membrane perméable aux agents d'attaque chimique, tels que HF. En effet, lorsqu'une goutte de solution HF (1%) est placée sur ladite membrane recouvrant une couche de SiO2, on constate en observant l'échantillon, que cette dernière est dissoute par la solution, alors que la membrane reste intacte. De plus, la membrane déposée dans les conditions décrites ci-dessus présente une permittivité de 3,1 mesurée à l'aide d'un capacimètre à goutte de mercure. Le film obtenu est analysé par spectroscopie infrarouge par transformée de Fourier. Du spectre obtenu représenté sur la figure 3 ressort notamment un pic fin à 700 cm-1 attribué aux flexions hors du plan des liaisons -CH du groupe phényle. REVENDICATIONS1. Procédé de fabrication d'une membrane diélectrique, comprenant du silicium, du carbone et de l'hydrogène, perméable à au moins un agent d'attaque chimique, et se présentant sous forme d'un film, ledit procédé consistant en une étape de dépôt en phase vapeur dudit film mettant en oeuvre au moins un précurseur organosilicié porteur d'au moins un groupe aromatique et/ou au moins un mélange comprenant un précurseur organosilicié non porteur d'un groupe aromatique et un composé organique comprenant un groupe aromatique, les conditions de l'étape de dépôt étant fixées de sorte à ce que les groupes aromatiques subsistent dans le film résultant. 2. Procédé selon la revendication 1, dans lequel l'étape de dépôt est réalisée par dépôt chimique en phase vapeur assisté par plasma. 3. Procédé selon la revendication 1 ou 2, dans lequel le précurseur organosilicié comprenant au moins un groupe aromatique répond à la formule suivante : SiHa (CH3) b (C6H5) c dans laquelle a et b sont des entiers allant de 0 à 3, sachant que (a+b) ne peut excéder 3, tandis que c est un entier allant de 1 à 4 et (a+b+c) est égal à 4. 4. Procédé selon la revendication 3, dans lequel a est égal à 1 ou 2, b est égal à 1 ou 2 et c est égal à 1 ou 2. 21 5. Procédé selon la revendication 3 ou 4, dans lequel le précurseur organosilicié comprenant au moins un groupe aromatique est choisi parmi le diméthylphénylsilane et le diphénylméthylsilane. 6. Procédé selon l'une quelconque des revendications précédentes, dans lequel le précurseur organosilicié du mélange répond à la formule suivante : S i HdRe dans laquelle d est un entier allant de 0 et 4, e est un entier allant de 0 à 4, sachant que (d+e) est égal à 4 et R est un groupe alkyle. 7. Procédé selon la revendication 6, dans lequel le précurseur organosilicié est choisi parmi le méthylsilane CH3-SiH3, le diméthylsilane (CH3)2-SiH2, le triméthylsilane (CH3)3-SiH, le tétraméthylsilane (CH3)4-Si, l'éthylsilane CH3-CH2-SiH3, le diéthylsilane (CH3- CH2)2SiH2, le propylsilane C3H7-SiH3. 8. Procédé selon l'une quelconque des revendications précédentes, dans lequel le composé organique comprenant au moins un groupe aromatique est un composé phényle ou naphtalène substitué éventuellement par un groupe alkyle pouvant comporter de 1 à 5 atomes de carbone. 9. Procédé selon la revendication 8, dans 30 lequel le composé organique comprenant au moins un groupe aromatique est le toluène. 22 10. Procédé selon l'une quelconque des revendications précédentes, dans lequel l'étape de dépôt met en oeuvre un gaz vecteur choisi parmi Ar, He, Ne, Xe et les mélanges de ceux-ci. 11. Procédé selon la revendication 10, dans lequel, lorsque l'étape de dépôt met en oeuvre un précurseur organosilicié porteur d'au moins un groupe aromatique et est réalisée par dépôt chimique en phase vapeur assisté par plasma, les caractéristiques du plasma sont les suivantes : - une radiofréquence fixe allant de 13 à 14 MHz; - une puissance au plus égale à 300 W, par exemple, allant de 50 à 300 W ; - une pression au moins égale à 4 torrs, par exemple, allant de 4 à 20 torrs ; et la température de substrat est inférieure à 350°C et le débit de précurseur et le débit de gaz vecteur, tel que l'hélium, allant de 50 à 1000 cm3/minute, sachant que le débit de gaz vecteur est, avantageusement, inférieure à au moins 2 fois celui du débit de précurseur. 12. Procédé selon la revendication 10, dans lequel, lorsque l'étape de dépôt met en oeuvre un mélange tel que défini à la revendication 1 et est réalisée par dépôt chimique en phase vapeur assisté par plasma, les caractéristiques de plasma sont les suivantes . 23 - une radiofréquence fixe allant de 13 à 14 MHz; - une puissance allant de 60 à 600 W ; - une pression au moins égale à 4 torrs, par exemple, allant de 4 à 20 torrs ; et la température de substrat est inférieure à 400°C, par exemple, allant de 100 à 400°C et le débit de précurseur et de composé va de 50 à 1000 cm3/min, le rapport du débit du précurseur et du débit du composé pouvant aller de 10 :1 à 1 :10. 13. Procédé de réalisation d'au moins une cavité d'air dans une structure du type comprenant la dégradation d'un matériau sacrificiel par diffusion d'un agent d'attaque chimique au travers d'une membrane, qui comprend : a) une étape de mise en oeuvre du procédé de fabrication d'une membrane tel que défini selon l'une quelconque des revendications 1 à 12 sur une structure comprenant au moins une cavité remplie d'un matériau sacrificiel, cette cavité étant ainsi revêtue à l'issue de cette étape par le film susmentionné ; b) une étape de mise en contact de ladite structure avec ledit agent chimique, ledit agent chimique traversant ladite membrane et dégradant le matériau sacrificiel ; c) une étape d'élimination de l'agent d'attaque chimique de la structure, moyennant quoi l'on obtient une cavité d'air.30 24 14. Procédé selon la revendication 13, dans lequel l'agent d'attaque chimique est un fluide contenant de l'acide fluorhydrique, tel qu'une solution aqueuse ou organique d'acide fluorhydrique ou encore de l'acide fluorhydrique gazeux pur, un mélange d'acide fluorhydrique gazeux et d'un gaz vecteur, ou bien d'un mélange d'acide fluorhydrique et de dioxyde de carbone supercritique. 15. Procédé selon la revendication 13, dans lequel l'agent d'attaque chimique est un fluide contenant du fluorure d'ammonium.