FR 2927469 A1 20090814 FR 0850906 A 20080213 PROCEDE POUR REALISER UN NANOCONTACT D'UNE VANNE DE SPIN ENTRANT DANS LA CONSTITUTION D'UN OSCILLATEUR RADIO FREQUENCE DOMAINE DE L'INVENTION L'invention appartient au domaine des oscillateurs radio fréquence mettant en oeuvre des vannes de spin. Elle vise plus particulièrement la réalisation de nanocontacts intégrant un injecteur 10 métallique venant au contact de la vanne de spin, et destiné à permettre de soumettre ladite vanne de spin à un courant électrique d'excitation en vue de générer une oscillation du moment magnétique de l'une des couches magnétiques qui la constituent. ETAT ANTERIEUR DE LA TECHNIQUE Les oscillateurs radio fréquence sont destinés à fonctionner dans des gammes de fréquences élevées, typiquement comprises entre le GHz et plusieurs dizaines de GHz. Afin de satisfaire les exigences nées du développement, notamment des téléphones 20 mobiles (cellulaires), portables, outre de la saturation des bandes de fréquences attribuées à la télécommunication, on a proposé de remplacer l'allocation statique desdites bandes de fréquences par une allocation dynamique. Ce principe repose sur la capacité d'analyser le spectre de fréquences, d'identifier les bandes de fréquence libres, afin de pouvoir les utiliser. On parle alors de radio opportuniste. 25 Cependant, afin de mettre en oeuvre ce principe d'allocation dynamique de fréquences, les dispositifs les mettant en oeuvre doivent disposer d'oscillateurs à très larges bandes, et par ailleurs être très performants en bruit de phase, et donc à fort coefficient de qualité Q=f/Af. Une solution technique propre à satisfaire ces exigences consiste en la mise en oeuvre d'oscillateurs radio fréquence à électronique de spin. Avec de tels oscillateurs, on dispose d'une large bande de fréquence avec un facteur de qualité Q élevé, outre une accordabilité en fréquence aisée et mettant en oeuvre une architecture relativement simple. 15 30 35 L'électronique de spin utilise le spin des électrons comme degré de liberté supplémentaire, afin de générer des effets nouveaux. La polarisation en spin d'un courant électrique est à l'origine de phénomènes magnétorésistifs dans les multicouches magnétiques, telle que la magnétorésistance géante ou la magnétorésistance tunnel. On a montré qu'en faisant passer un courant polarisé en spin à travers une couche mince magnétique, on pouvait induire un renversement de son aimantation en l'absence de tout champ magnétique externe. Le courant polarisé en spin peut également générer des excitations magnétiques entretenues, également dénommées oscillations. L'utilisation de l'effet de génération d'excitations magnétiques entretenues dans un dispositif magnétorésistif permet de convertir cet effet en une modulation de résistance électrique directement utilisable dans les circuits électroniques, et donc corollairement, susceptible d'intervenir directement au niveau de la fréquence. Le document US 5,695,864 décrit divers développements mettant en oeuvre le principe physique mentionné ci-dessus, et décrit notamment la précession de l'aimantation d'une couche magnétique traversée par un courant électrique polarisé en spin. On a représenté en relation avec les figures 1 et 2 deux types d'empilement des couches magnétiques susceptibles de constituer un tel oscillateur radio fréquence. Ces empilements sont insérés entre deux arrivées de courant, dont le contact avec les deux couches extrêmes est par exemple réalisé en cuivre ou en or. La couche 1 de cet empilement, dite � couche piégée �, présente une aimantation à orientation fixe. Elle peut être une couche simple, d'épaisseur typique comprise entre 5 et 100 nanomètres, par exemple réalisée en cobalt, en alliage CoFe ou NiFe. Cette couche piégée 1 peut être simple ou synthétique. Elle remplit fondamentalement la fonction de polariseur. Ainsi, les électrons du courant électrique traversant les couches constitutives du dispositif magnéto-résistif perpendiculairement à leur plan, réfléchis ou transmis par le polariseur, sont polarisés avec une direction de spin parallèle à l'aimantation qu'à la couche 1 à l'interface opposée à celle en contact avec une couche antiferromagnétique 4, à laquelle elle est associée, et destinée à figer l'orientation de son aimantation. En outre, cette couche 1 reçoit sur sa face opposée à la face recevant la couche antiferromagnétique 4 une autre couche 3 faisant fonction d'espaceur. Cette couche 3 est de nature métallique, typiquement une couche de cuivre de 3 à 10 nanomètres d'épaisseur, ou est constituée d'une fine couche isolante de type oxyde d'aluminium, d'une épaisseur typique comprise entre 0,5 à 1,5 nanomètre, ou d'oxyde de magnésium, d'une épaisseur typique comprise entre 0,5 à 3 nanomètres. De l'autre côté de l'espaceur 3, est mise en place une couche 2, généralement d'épaisseur plus faible de que celle de la couche 1. Cette couche 2 peut également être couplée à une couche antiferromagnétique 6 rapportée sur celle-ci au niveau de sa face opposée à l'interface de la couche 2 avec l'espaceur 3. Cette couche 6 est par exemple constituée d'alliage du type Ir80Mn20, de FeMn ou de PtMn. Avantageusement, le matériau mis en oeuvre pour la couche 2 présente une forte constante de raideur d'échange. Ce matériau est typiquement un métal 3d, et plus particulièrement du cobalt ou des alliages riches en cobalt. Les empilements magnétorésistifs mis en oeuvre pour la réalisation de tels oscillateurs utilisent des empilements réalisés de deux manières différentes : - les empilements dits � en pilier � : l'ensemble des couches est gravé pour réaliser un pilier de diamètre de l'ordre de 50 à 100 nanomètres ; - les empilements dits �point contact� : dans un tel empillement, les couches actives (couche 1, couche 2, couche 3, voire les couches en matériau antiferromagnétique) ne sont pas gravées avec des motifs nanométriques ou si elles le sont, sont alors fabriquées selon des motifs très grands (voisins du micromètre carré) ; on réalise un contact métallique très étroit, typiquement 50 nanomètres, au dessus de la couche 2 ou de la couche antiferromagnétique qui lui est associée, au moyen d'une nanopointe externe (par exemple pointe du microscope à force atomique ou injecteur) ou interne, pilier lithographié. Les nanocontacts sont préférés lorsqu'on met en oeuvre des vannes de spin, car ils produisent des émissions radio fréquence mieux définies, et notamment des émissions radio fréquence plus fines. En effet, on a pu observer une diminution de la largeur des raies d'émission RFs, que l'on attribue à la minimisation des effets de bord dus au procédé de fabrication, et à l'augmentation du volume des couches libres. La réalisation des nanocontacts implique généralement la fabrication d'un nano-injecteur métallique au dessus de la vanne de spin, ou d'un nano-trou réalisé dans un diélectrique, qui est rempli par la suite par du métal. La vanne de spin doit en outre être patternée pour former des composants élémentaires. La réalisation de ces nanocontacts implique donc au moins deux étapes de lithographie, à savoir une pour la réalisation d'un nanocontact et une pour la réalisation de la vanne de spin avec les contraintes d'alignement entre le nanocontact et la vanne de spin, également deux séquences de gravures distinctes et deux séquences distinctes d'élimination de résine (stripping en anglais). Ce faisant, la réalisation de tels nanocontacts complexifie de manière importante la réalisation de l'oscillateur, surenchérissant les coûts et augmentant la durée du process. L'objectif visé par la présente invention vise à simplifier la réalisation de tels nanocontacts. EXPOSE DE L'INVENTION Le procédé conforme à l'invention pour réaliser un nanocontact sur une vanne de spin aux fins de constituer un oscillateur radio fréquence consiste, après dépôt, par exemple par 20 pulvérisation cathodique ou par canon ionique, de l'empilement magnétique constitutif de la vanne de spin sur une électrode inférieure : - à déposer sur ledit empilement magnétique une couche métallique dite couche � d'arrêt �, destinée à stopper l'étape de gravure, intervenant subséquemment ; - à déposer sur cette couche � d'arrêt � une autre couche métallique destinée à 25 constituer ultérieurement l'injecteur d'un nanocontact proprement dit ; - à déposer localement sur cette couche métallique un masque dur, destiné à localiser les couches sous-jacentes ; - à soumettre l'ensemble à une première étape de gravure sélective de la couche métallique constitutive de l'injecteur au travers du masque dur, ladite couche 30 �d'arrêt� servant d'arrêt à cette étape de gravure, ladite couche métallique étant surgravée au cours de cette étape sous le masque dur afin de conférer au nanocontact sa forme définitive ; - à soumettre l'ensemble ainsi obtenu à une deuxième étape de gravure sélective apte à induire l'élimination partielle de ladite couche � d'arrêt � et de l'empilement 35 magnétique sensiblement à la périphérie du masque dur ;15 - à encapsuler l'ensemble obtenu dans un diélectrique ; - à planariser l'ensemble encapsulé ainsi obtenu jusqu'à aboutir à l'aplomb de la couche résiduelle du masque dur ou de l'injecteur ; - et enfin à mettre en place l'électrode supérieure conductrice. En d'autres termes, l'invention consiste à combiner en une seule séquence de photolithographie la nanofabrication de l'injecteur et celle du plot magnétique constitutif de la vanne de spin, de sorte que l'injecteur se trouve ainsi aligné automatiquement sur ledit plot magnétique. On conçoit dès lors tout d'abord et fondamentalement, l'élimination des contraintes d'alignement intervenant lorsque l'on met en oeuvre deux étapes de photolithographie conformément au procédé de réalisation du nanocontact de l'art antérieur. 15 On aboutit également à une diminution du nombre d'étapes de fabrication, aboutissant à un gain de temps et à une réduction des coûts. Enfin, le procédé conforme à l'invention permet de réaliser un contrôle efficace des dimensions pour la réalisation des plots magnétiques, typiquement inférieurs à 100 20 nanomètres, voire inférieurs à 50 nanomètres, là où la mise en oeuvre de la photolithographie permet difficilement de contrôler les dimensions. Selon l'invention, le dépôt de la couche d'arrêt de gravure est réalisé par pulvérisation cathodique ou par canon ionique. Cette couche d'arrêt est typiquement constituée par une 25 couche d'aluminium de 10 à 20 nanomètres d'épaisseur. Selon l'invention, le dépôt de la couche métallique propre à constituer l'injecteur proprement dit est réalisé également par pulvérisation cathodique ou par canon ionique, le métal constitutif dudit injecteur étant du tantale, du molybdène ou du titane. Selon l'invention, on dépose localement sur la couche constitutive du masque dur une couche de résine et l'on soumet l'ensemble ainsi obtenu à une étape de photolithographie En outre, la première étape de gravure sélective est par exemple réalisée par gravure 35 ionique réactive. 10 30 Toujours selon l'invention, la deuxième étape de gravure sélective est par exemple réalisée par faisceau d'ions (mieux connue sous l'expression anglo- saxonne � gravure IBE � pour � Ion Beam Etching �). Toujours selon l'invention, le dépôt de la couche destinée à constituer le masque dur est réalisé par pulvérisation cathodique en courant continu, le masque dur étant typiquement constitué d'une couche de chrome, de ruthénium ou d'aluminium de 10 à 50 nanomètres d'épaisseur ou d'une couche d'un oxyde, par exemple Al2O3 ou SiO2. L'étape de photolithographie est réalisée avantageusement par DUV (selon l'expression anlgo-saxonne �Deep ultraviolet� ou �ultraviolet profond �), ou électronique afin de définir des plots de dimensions typiquement comprises entre 100 et 300 nanomètres. Selon l'invention, le dimensionnement respectivement de la couche résiduelle du masque dur et du diamètre de l'injecteur est réalisé par sélection de la chimie chlorée pour le masque dur et par chimie fluorée, type SF6 ou CHF3 ou CF4 pour l'injecteur, déterminé en outre par la durée de la gravure. L'attaque de la couche d'arrêt de la gravure est effectuée par gravure IBE, ainsi que celle de l'empilement magnétique sous jacent. Selon l'invention, l'encapsulation par diélectrique est avantageusement effectuée en deux étapes : - une première étape par dépôt ALD (selon l'expression anglo-saxonne �Atomique Layer Deposition �, c'est-à-dire technique de dépôt de couche atomique), - puis une seconde étape par dépôt par pulvérisation cathodique ou par canon ionique. La première étape de dépôt, réalisée par ALD permet, par son caractère très conformant, d'épouser le relief de surface et d'assurer le dépôt d'un diélectrique de très bonne qualité. La deuxième étape de dépôt, par pulvérisation, permet de compléter l'encapsulation, dans un délai moindre. Le matériau diélectrique est typiquement constitué d'alumine, Al2O3 ou de silice SiO2. Selon l'invention, l'empilement magnétique constitutif de la vanne de spin comprend : une première couche magnétique dite � couche piégée �, dont l'aimantation est de 35 direction fixe,30 une seconde couche magnétique, une couche amagnétique, interposée entre les deux couches précédentes, destinée à faire fonction d'espaceur, et destinée à découpler magnétiquement lesdites couches. Avantageusement, ladite seconde couche magnétique est constituée d'une couche simple à laquelle est associée une couche anti-ferromagnétique, cette dernière étant placée sur la face de ladite seconde couche opposée à la couche amagnétique faisant fonction d'espaceur, le matériau constitutif de la couche anti-ferromagnétique étant choisi dans le groupe comprenant les alliages suivants : Ir20Mn80, FeMn et PtMn. En variante, la seconde couche magnétique peut être une couche synthétique, couplée ou non à une couche antiferromagnétique. Avantageusement, ladite première couche magnétique dite couche �piégée �, faisant fonction de polariseur, est constituée par une couche simple, dont le piégeage est assuré par l'association à une couche anti-ferromagnétique, notamment réalisée en IrMn ou PtMn, rapportée sur sa face opposée à l'interface de ladite couche avec la couche amagnétique. BREF DESCRIPTION DES FIGURES La manière dont l'invention peut être réalisée et les avantages qui en découlent, ressortiront mieux de l'exemple de réalisation qui suit, donné à titre indicatif et non limitatif, à l'appui des figures annexées. 25 Les figures 1 et 2 sont, comme déjà dit, des représentations schématiques d'un oscillateur radio fréquence conforme à l'état antérieur de la technique. Les figures 3A à 3G sont destinées à illustrer les différentes étapes du procédé conforme à l'invention. 30 MODE DE REALISATION DE L'INVENTION On a donc représenté en relation avec les figures 3A à 3G les différentes étapes du procédé de réalisation d'un nanocontact conforme à l'invention.20 Lors de l'étape 3A, on suppose que l'empilement magnétique 10 du type décrit en relation avec les figures 1 et 2 a d'ores et déjà été déposé sur l'électrode inférieure 11. Ce dépôt a pu être réalisé, par exemple, par pulvérisation cathodique ou par canon ionique. On procède tout d'abord au dépôt sur l'empilement 10 d'une couche 12 d'un matériau métallique, typiquement de l'aluminium, destinée s'opposer à l'action de la gravure intervenant subséquemment, et donc à protéger provisoirement l'empilement magnétique 10 lors de ladite étape de gravure. Cette couche � d'arrêt � 12 est typiquement réalisée en aluminium par pulvérisation cathodique ou par canon ionique et présente une épaisseur comprise entre 5 et 20 nanomètres, par exemple 10 nanomètres. Après dépôt de cette couche, on procède au dépôt d'une couche métallique 13, destinée à 15 constituer l'injecteur du nanocontact de l'oscillateur, c'est-à-dire par le biais duquel va transiter le courant polarisé en spin. Le dépôt de cette couche est également réalisé par exemple par pulvérisation cathodique ou par canon ionique. Le métal mis en oeuvre est typiquement constitué de tantale, de molybdène, de tungstène ou de titane. L'épaisseur de cette couche est comprise entre 50 et 200 nanomètres. Enfin, on dépose sur cette couche 13 un masque dur localisé 14, destiné à servir de 25 masque lors de la gravure des couches sous-jacentes. Pour ce faire, on peut, comme illustré à la figure 3A, déposer une couche continue 14, par exemple de chrome ou de ruthénium ou d'aluminium, que l'on vient ensuite graver. On peut ainsi par exemple déposer sur la couche 14 une résine 15 que l'on localise à l'aplomb de ce qui servira de base à l'injecteur en la soumettant à une étape de photolithographie sous rayons 30 ultraviolets profonds ou sous faisceau d'électrons. On obtient ainsi des plots de résine, dont le diamètre typique est compris entre 100 et 300 nanomètres. Ces plots sont ensuite utilisés pour graver sélectivement la couche 14 (figure 3B) et ainsi former le masque dur. Une étape facultative d'élimination de la résine 15 peut être prévue 35 à ce stade. 20 On procède ensuite à une première gravure de la couche 13 constitutive de l'injecteur au travers du masque dur 14 pour conférer à cette couche métallique 13 ses dimensions définitives.A cet effet, on peut procéder tout d'abord à une gravure ionique réactive (RIE) du chrome constitutif du masque dur par chimie chlorée (par exemple sous Cl2 ou HBr/C12), réduisant l'épaisseur de cette couche 14. Puis, on procède (figure 3C) à une gravure RIE de la couche métallique 13 par chimie fluorée SF6 ou CHF3 ou CF4 avec arrêt sélectif sur la couche d'arrêt 12 faisant fonction de couche d'arrêt de la gravure. On poursuit la gravure RIE, comme illustré figure 3D, jusqu'à obtenir une surgravure latérale de la couche métallique 13, afin de réduire ses dimensions latérales par rapport au masque dur 14, et ainsi aboutir à la dimension voulue de l'injecteur. Pour ce faire, on agit au niveau de la durée de la gravure. On peut typiquement augmenter de 20 à 50% le temps de gravure par rapport au temps nécessaire pour atteindre la couche d'arrêt 12. Lors de l'étape illustrée à la figure 3E, on procède à une deuxième gravure, par exemple IBE (� Ion Beam Etching �), au travers du masque dur 14, afin de supprimer d'une part, la couche 12 d'arrêt de la gravure située en dehors de la zone située à l'aplomb du masque dur 14, et d'autre part, l'empilement magnétique 10 situé en dehors de cette même zone. Cette gravure IBE peut se faire par exemple sous gaz Argon ou Xénon, avec un angle d'incidence compris entre 5 et 50 degrés. On procède alors à l'encapsulation de l'ensemble résultant de cette dernière étape (figure 3F). Cette encapsulation est réalisée, au moyen d'un matériau diélectrique, type silice ou alumine. Cette encapsulation peut être réalisée par dépôt PVD (dépôt physique en phase vapeur, � Physical Vapor Deposition �). Avantageusement, cette encapsulation est réalisée en deux étapes : ^ une première étape, réalisée par dépôt atomique 17 (ALD) d'une épaisseur typique comprise entre 30 et 60 nanomètres ; ^ puis une seconde étape, réalisée par pulvérisation cathodique ou par canon ionique 16 d'une épaisseur de 100 à 300 nanomètres Le dépôt ALD présente l'avantage d'être très conformant, ce qui permet d'épouser parfaitement le relief de la structure obtenue à la figure 3E et notamment le surplomb sous le masque 14 au niveau de l'injecteur 13. Ce dépôt est complété ensuite par un dépôt par pulvérisation cathodique ou par canon ionique, plus rapide. On aboutit alors à l'ensemble illustré sur la figure 3F. On soumet alors l'ensemble ainsi obtenu à une étape de planarisation par CMP (polissage mécano-chimique, selon l'acronyme anglo-saxon � Chemical Mechanical Polishing �) jusqu'à aboutir au niveau du nanoplot 14 pour permettre alors le dépôt de l'électrode supérieure 18. Dans ce cas, le nanoplot doit être électriquement conducteur afin d'assurer le contact entre 10 l'électrode supérieure 18 et l'injecteur 13. En variante, il est possible de poursuivre la planarisation jusqu'à atteindre l'injecteur 13. Dans ce cas, le nanoplot 14 est éliminé lors de cette étape, un choix plus large de matériau est alors possible pour le masque dur 14, notamment des matériaux isolant comme SiO2 15 ou Al2O3. On conçoit aisément qu'en raison du procédé conforme à l'invention, on élimine les contraintes d'alignement puisque l'injecteur 13 est automatiquement aligné avec l'empilement magnétique 10. Au surplus, il est possible grâce au procédé de l'invention d'aboutir à des nanoplots de dimensions réduites, typiquement inférieurs à 100 nanomètres, voire à 50 nanomètres, et propres à optimiser les conditions de fonctionnement de l'oscillateur radio fréquence en résultant. 20 REVENDICATIONS 1. Procédé pour réaliser un nanocontact sur une vanne de spin aux fins de constituer un oscillateur radio fréquence, consistant, après dépôt de l'empilement magnétique constitutif de la vanne de spin sur une électrode inférieure (11) : - à déposer sur ledit empilement magnétique (10) une couche métallique dite couche �d'arrêt� (12), destinée à stopper l'étape de gravure, intervenant subséquemment ; - à déposer sur cette couche � d'arrêt � (12) une autre couche métallique (13) destinée à constituer ultérieurement l'injecteur d'un nanocontact proprement dit ; - à déposer localement sur cette couche métallique (13) un masque dur (14), destiné à localiser la gravure des couches sous-jacentes ; - à soumettre l'ensemble à une première étape de gravure sélective de la couche métallique (13) constitutive de l'injecteur au travers du masque dur (14), la couche � d'arrêt � (12) servant d'arrêt à cette étape de gravure, ladite couche métallique (13) étant surgravée au cours de cette étape sous le masque dur afin de conférer au nano-contact sa dimension définitive ; - à soumettre l'ensemble ainsi obtenu à une deuxième étape de gravure sélective, apte à induire l'élimination partielle de la couche d'arrêt (12) et de l'empilement magnétique (10) sensiblement à la périphérie du masque dur ; - à encapsuler l'ensemble obtenu dans un diélectrique (16, 17) ; - à planariser l'ensemble encapuulé ainsi obtenu jusqu'à aboutir à l'aplomb de la couche résiduelle du masque dur (14) ou de l'injecteur (13) ; - et enfin à mettre en place l'électrode supérieure conductrice (18). 2. Procédé pour réaliser un nanocontact sur une vanne de spin selon la revendication 1, caractérisé en ce que le dépôt de la couche � d'arrêt � de gravure (12) est réalisé par pulvérisation cathodique ou par canon ionique. 3. Procédé pour réaliser un nanocontact sur une vanne de spin selon l'une des revendications 1 et 2, caractérisé en ce que la couche � d'arrêt � de gravure (12) est constituée par une couche d'aluminium de 5 à 20 nanomètres d'épaisseur.30 4. Procédé pour réaliser un nanocontact sur une vanne de spin selon l'une des revendications 1 à 3, caractérisé en ce que le dépôt de la couche métallique (13) propre à constituer l'injecteur proprement dit est réalisé par pulvérisation cathodique ou par canon ionique. 5. Procédé pour réaliser un nanocontact sur une vanne de spin selon l'une des revendications 1 à 4, caractérisé en ce que l'on dépose localement sur la couche constitutive du masque dur (14) une couche de résine (15), et en ce que l'on soumet l'ensemble ainsi obtenu à une étape de photolithographie. 6. Procédé pour réaliser un nanocontact sur une vanne de spin selon l'une des revendications 1 à 5, caractérisé en ce que la première étape de gravure sélective est réalisée par gravure ionique réactive. 15 7. Procédé pour réaliser un nanocontact sur une vanne de spin selon l'une des revendications 1 à 6, caractérisé en ce que la deuxième étape de gravure sélective est réalisée par faisceau d'ions. 8. Procédé pour réaliser un nanocontact sur une vanne de spin selon l'une des 20 revendications 1 à 7, caractérisé en ce que le métal constitutif de l'injecteur (13) est choisi dans le groupe comprenant le tantale, le molybdène, le tungstène et le titane. 9. Procédé pour réaliser un nanocontact sur une vanne de spin selon l'une des revendications 1 à 8, caractérisé en ce que le dépôt de la couche (14) destinée à 25 constituer le masque dur est réalisé par pulvérisation cathodique en courant continu. 10. Procédé pour réaliser un nanocontact sur une vanne de spin selon l'une des revendications 1 à 9, caractérisé en ce que la couche (14) constitutive du masque dur est constitué d'un matériau choisi dans le groupe comprenant le chrome, 30 l'aluminium, le ruthénium, la silice (SiO2) et l'alumine (Al2O3). 11. Procédé pour réaliser un nanocontact sur une vanne de spin selon l'une des revendications 1 à 10, caractérisé en ce que l'épaisseur de la couche (14) constitutive du masque dur présente une épaisseur comprise entre 10 et 50 35 nanomètres. 10 12. Procédé pour réaliser un nanocontact sur une vanne de spin selon l'une des revendications 1 à 11, caractérisé en ce que le dimensionnement du diamètre de l'injecteur est réalisé par chimie fluorée, type SF6 ou CHF3 ou CF4 pour l'injecteur lors d'une étape de gravure, le diamètre dudit injecteur étant en outre ajusté par la durée de ladite gravure. 13. Procédé pour réaliser un nanocontact sur une vanne de spin selon l'une des revendications 1 à 12, caractérisé en ce que la phase d'encapsulation par diélectrique est effectuée en deux étapes : - une première étape par dépôt de couche atomique, - puis une seconde étape par dépôt par pulvérisation cathodique ou par canon ionique. 15. Procédé pour réaliser un nanocontact sur une vanne de spin selon l'une des revendications 1 à 13, caractérisé en ce que le matériau diélectrique d'encapsulation est choisi dans le groupe comprenant l'alumine et la silice. 16. Procédé pour réaliser un nanocontact sur une vanne de spin selon l'une des revendications 1 à 14, caractérisé en ce que l'empilement magnétique (10) comprend : - une première couche magnétique dite � couche piégée � (1), dont l'aimantation est de direction fixe, - une seconde couche magnétique (2), - une couche amagnétique (3) interposée entre les deux couches précédentes, destinée à faire fonction d'espaceur, et destinée à découpler magnétiquement lesdites couches. 16. Procédé pour réaliser un nanocontact sur une vanne de spin selon la revendication 15, caractérisé en ce que la seconde couche magnétique (2) est constituée d'une couche simple à laquelle est associée une couche anti-ferromagnétique (6), cette dernière étant placée sur la face de ladite couche (2) opposée à la couche amagnétique (3) faisant fonction d'espaceur, le matériau constitutif de la couche anti-ferromagnétique (6) étant choisi dans le groupe comprenant les alliages suivants : Ir20Mn80, FeMn et PtMn.3517. Procédé pour réaliser un nanocontact sur une vanne de spin selon l'une des revendications 15 et 16, caractérisé en ce que la première couche magnétique (1) dite couche piégée, faisant fonction de polariseur, est constituée par une couche simple, dont le piégeage est assurée par l'association à une couche anti-ferromagnétique, notamment réalisée en IrMn ou PtMn (4), rapportée sur sa face opposée à l'interface de ladite couche (1) avec la couche amagnétique (3).