FR 2924274 A1 20090529 FR 0759235 A 20071122 -1- SUBSTRAT PORTEUR D'UNE ELECTRODE, DISPOSITIF ELECTROLUMINESCENT ORGANIQUE L'INCORPORANT, ET SA FABRICATION La présente invention a pour objet un substrat porteur d'une électrode, le dispositif électroluminescent organique l'incorporant et sa fabrication. Les systèmes électroluminescents organiques connus ou OLED (pour � Organic Light Emitting Diodes � en anglais) comportent un matériau ou un empilement de matériaux électroluminescents organiques alimenté en io électricité par des électrodes l'encadrant généralement sous forme de couches électroconductrices. De manière classique, l'électrode supérieure est une couche métallique réfléchissante par exemple en aluminium, et l'électrode inférieure est une couche transparente à base d'oxyde d'indium, généralement l'oxyde d'indium 15 dopé à l'étain plus connu sous l'abréviation ITO d'épaisseur de l'ordre de 100 à 150 nm. Cependant, pour un éclairage uniforme sur de grandes surfaces, il est nécessaire de former une électrode inférieure discontinue, typiquement en formant des zones d'électrodes de quelques mm2 et de réduire drastiquement la distance entre chaque zone d'électrodes, typiquement de l'ordre d'une 20 dizaine de microns. On fait appel à des techniques de photolithographie et de passivation coûteuses et complexes. Le document US7172822 propose par ailleurs un dispositif OLED dont l'électrode la plus proche du substrat comprend un conducteur en réseau irrégulier obtenu par remplissage d'un masque fissuré. Plus précisément, entre 25 le substrat en verre et la couche active OLED, le dispositif OLED comprend successivement : - une sous couche à base d'or, - une couche sol gel, formant le masque microfissuré après recuit, d'épaisseur égale à 0,4 dam, 30 - le conducteur en réseau, à base d'or, obtenu par dépôt catalytique, ce conducteur en réseau présentant une résistance carré égale de 3 Ohm/carré et une transmission lumineuse de 83%, - une couche de de poly(3,4-éthylènedioxythiophène) de 50 nm. -2- Cette électrode présente des propriétés électroconductrices et de transparence acceptables, la résistance carré étant égale à 3 Ohm/carré et la transmission lumineuse de 82%. Toutefois, la fiabilité du dispositif OLED avec une telle électrode n'est pas assurée. Par ailleurs, la fabrication de l'électrode peut encore être améliorée. Le but que se fixe l'invention est l'obtention d'une électrode pour OLED de hautes performances (haute conductivité, transparence adaptée) qui soit fiable, robuste, reproductible, réalisable sur de grandes surfaces, tout ceci à l'échelle industrielle et de préférence à moindre coût et le plus aisément io possible. De préférence, cette électrode contribue en outre à l'augmentation les performances globales du dispositif OLED (rendement lumineux, uniformité d'éclairage .). A cet effet, la présente invention a d'abord pour objet un substrat porteur sur une face principale d'une électrode composite, laquelle comporte : 15 - un réseau électroconducteur formé des brins en matériau électroconducteur à base de métal et/ou d'oxyde métallique, le réseau présentant une transmission lumineuse d'au moins 60% à 550 nm, voire une transmission lumineuse intégrée TL d'au moins 60%, l'espace entre les brins étant rempli par une matière dite de remplissage, 20 - un revêtement électroconducteur couvrant le réseau électroconducteur, d'épaisseur supérieure ou égale à 40 nm, et en liaison électrique avec les brins, de résistivité pi inférieure à 105 Ohm.cm et supérieure à la résistivité du matériau formant les brins du réseau, le revêtement formant une surface externe d'électrode lissée, 25 - l'électrode composite présentant en outre une résistance carré inférieure ou égale à 10 Ohm/carré. L'électrode composite selon l'invention comporte ainsi un réseau électroconducteur enterré dont la surface est lissée pour éviter d'introduire des défauts électriques dans les OLEDs. 30 La matière de remplissage réduit significativement, voire supprime, l'écart entre le niveau haut et le niveau bas du réseau d'électrode. Par le revêtement électroconducteur, on élimine les risques de courts circuits générés par les défauts de pointes (� spike effect � en anglais) -3- résultant d'une microrugosité de surface non contrôlée des brins et/ou de la surface de la matière de remplissage entre les brins. Par de la matière de remplissage suffisamment lisse, ou de rugosité contrôlée, on peut aussi contribuer à l'élimination des risques de courts circuits générés par les défauts de pointes. Le revêtement électroconducteur selon l'invention permet ainsi soit de lisser le réseau et la matière de remplissage ou à tout le moins de maintenir un lissage préalablement obtenu (par exemple par polissage). Au contraire, le conducteur en réseau décrit dans le document io US7172822 est couvert d'une fine couche polymérique qui épouse le dénivelé entre le conducteur en réseau et le masque fissuré. Par cette conception d'électrode en réseau enterré et lissée selon l'invention, on garantit ainsi la fiabilité et la reproductibilité des OLED, et on prolonge aussi sa durée d'utilisation. 15 L'invention s'attache ainsi à partir d'une électrode en réseau de brins qui peuvent être relativement épais et/ou espacés, de maitriser la rugosité de l'électrode sur plusieurs échelles (d'abord en enterrant le réseau pour supprimer les marches abruptes et ensuite en le lissant suffisamment) et, d'assurer des propriétés électriques et de transparence adaptées d'une 20 électrode en plusieurs matériaux (matériau de brin, matière de remplissage distincte ou non de revêtement électroconducteur) voire même d'améliorer les performances de l'OLED. La matière de remplissage peut être mono ou muticomposant, mono ou multicouche, électroconductrice ou isolante. Elle peut être de préférence 25 distincte d'une simple résine de passivation. La matière de remplissage peut de manière avantageuse avoir de préférence l'une au moins des fonctions suivantes : - être un masque à réseau d'ouvertures pour former le réseau électroconducteur, 30 - avoir un rôle de lissage de la surface d'électrode, notamment en choisissant une matière surfaçable ou lisse (par un choix judicieux de la méthode de dépôt, de sa formulation, de son épaisseur), - avoir un rôle électrique en association avec le revêtement électroconducteur, - être un moyen d'extraction du rayonnement émis par l'OLED. Le revêtement électroconducteur selon l'invention, de par sa résistivité, sa couverture du réseau et son épaisseur, maintient une conductivité verticale suffisante lorsque la matière de remplissage est électroconductrice de résistivité p2 supérieure à la résistivité du réseau (p0) et inférieure à la résistivité pi afin d'éviter les pertes du rendement lumineux par une augmentation de la résistance série (obligeant à une augmentation de la tension appliquée à courant constant). io Le revêtement électroconducteur selon l'invention, de par sa résistivité, sa couverture du réseau et son épaisseur, contribue à une meilleure répartition du courant, lorsque la matière de remplissage est isolante ou même électroconductrice, de résistivité p2 supérieure à pi. La résistivité du revêtement électroconducteur pi peut être inférieure 15 ou égale à 103, Ohm.cm, et même inférieure ou égale à 102 Ohm.cm. B est la distance moyenne entre les brins, A est la largeur moyenne des brins, et B+A la période moyenne du réseau. Plus la distance moyenne B entre brins est courte (réseau dense), plus la résistivité du revêtement électroconducteur peut être élevée. En outre, 20 lorsque la matière de remplissage est électroconductrice, la résistivité pi du revêtement électroconducteur peut être relativement grande. Dans une première configuration, la matière de remplissage est électroconductrice, par exemple de résistivité p2 inférieure ou égale à 103 Ohm.cm, avec de préférence une épaisseur de remplissage supérieure 25 ou égale à la moitié de la hauteur de brins, notamment supérieure ou égale à 200 nm. La résistivité pi peut alors de préférence être inférieure ou égale à 103 Ohm.cm. Dans une deuxième configuration, la matière de remplissage est isolante (ou peu conductrice). La résistivité pi peut alors de préférence être 30 inférieure ou égale à 10-1 Ohm.cm en particulier lorsque le réseau est dense (B inférieur ou égal à 50 pm typiquement). Lorsque le réseau est peu dense (B supérieur à 50 pm typiquement), la résistivité pi peut alors encore plus -5 préférentiellement être inférieure ou égale à 10-2 Ohm.cm, voire inférieure ou égale 10-4 Ohm.cm,. La résistivité pi peut être éventuellement au moins dix fois supérieure à p2 pour diminuer la sensibilité aux courts circuits...DTD: Le revêtement électroconducteur selon l'invention peut être en contact direct ou non avec les brins. Par exemple, il peut être séparé des brins par une couche électroconductrice additionnelle, laquelle peut éventuellement être en la matière de remplissage choisie électroconductrice, en surépaisseur par rapport à la hauteur des brins. io La surface du revêtement électroconducteur peut être de préférence la surface externe d'électrode. La surface du revêtement électroconducteur peut être destinée de préférence à être en contact avec les couches organiques de l'OLED : notamment la couche d'injection de trous (� HIL � en anglais) et/ou la couche de transport de trous (� HTL � en anglais). 15 La surface de l'électrode selon l'invention n'est pas nécessairement, plane, planarisé par le revêtement. Elle peut être ondulée. En effet, le revêtement électroconducteur peut lisser la surface d'abord en formant des ondulations suffisamment étalées. Il est ainsi important de supprimer les angles vifs, les écarts abrupts. De manière préférentielle, la surface externe 20 est telle qu'en partant d'un profil réel de la surface externe sur la période moyenne du réseau B+A et en formant un profil corrigé par filtrage nanométrique pour éliminer la microrugosité locale, on obtient, en tout point du profil corrigé, un angle formé par la tangente au profil corrigé avec le plan moyen du profil corrigé (ou réel) inférieur ou égal à 45°, encore plus préférentiellement inférieur ou égal 25 à 30°. Pour ces mesures d'angle, on peut utiliser un microscope à force atomique. On forme une image de la surface réelle sur une période carré (A+B)2 du réseau. On exploite cette image ou une coupe de cette image formant ainsi le profil réel de la surface suivant un axe donné. La longueur d'analyse A+B pour le 30 profil, est judicieuse car elle reflète bien le profil de rugosité. La période moyenne du réseau B+A est typiquement submillimétrique, de préférence entre 10 dam et 500 Jm. -6- On corrige le profil réel en réalisant (en tout point) un moyenne mobile à l'échelle entre 50 et 200 nm, par exemple 100nm, et on détermine ensuite, pour chaque point, l'angle entre le plan moyen et la tangente au profil. Ce filtrage nanométrique sert ainsi d'abord à écarter les accidents à courte échelle. Il n'est toutefois pas suffisant d'adoucir la surface sans limiter les microrugosités locales pour éviter au maximum les courts circuits. Aussi, on utilise le profil résiduel c'est-à-dire le profil réel moins le profil corrigé. Le profil résiduel peut ainsi présenter une différence d'altitude maximale entre le point le plus haut et le point le plus bas (paramètre � peak to valley � en io anglais) inférieure à 50 nm, encore plus préférentiellement inférieure ou égale 20 nm, sur la période moyenne du réseau B+A. Le profil résiduel peut en outre présenter un paramètre de rugosité R.M.S inférieur ou égal à 50 nm, voire à 20 nm (autrement appelé Rq) sur la période moyenne du réseau B+A. 15 R.M.S signifie rugosité � Root Mean Square �. Il s'agit d'une mesure consistant à mesurer la valeur de l'écart quadratique moyen de la rugosité. Le paramètre R.M.S, concrètement, quantifie donc en moyenne la hauteur des pics et creux de rugosité résiduelle (microrugosité locale), par rapport à la hauteur moyenne (résiduelle). Ainsi, un R.M.S de 10 nm signifie une amplitude 20 de pic double. Naturellement, les conditions limites sur les angles et la microrugosité résiduelle peuvent être de préférence satisfaites sur la majorité de la surface d'électrode. Pour vérifier ceci, on peut réaliser les mesures sur différentes zones réparties (uniformément) sur toute la surface. 25 On préfère réaliser ces mesures dans les zones actives de l'électrode, certaines zones, comme par exemple les bords d'électrode, pouvant être passivés par exemple pour la connectique ou pour former plusieurs zones lumineuses. Les mesures d'angles peuvent être aussi faites d'une autre manière 30 par un système mécanique à pointe (utilisant par exemple les instruments de mesure commercialisés par la société VEECO sous la dénomination DEKTAK). La surface externe du revêtement électroconducteur peut en outre présenter des ondulations à très grande échelle, typiquement sur un ou plusieurs -7- millimètres. Par ailleurs, le substrat, et par la même la surface externe, peut être courbe. La transmission lumineuse du réseau dépend du rapport B/A entre la distance moyenne entre les brins B sur la largeur moyenne des brins A. De préférence, le rapport B/A est compris entre 5 et 15 encore plus préférentiellement de l'ordre de 10 pour conserver aisément la transparence et faciliter la fabrication. Par exemple, B et A valant respectivement environ 300pm et 30pm, 100pm et 10pm, 50pm et 5pm, ou 20pm et 2pm. En particulier, on choisit une largeur moyenne de brins A entre 100 nm et io 30 pm, préférentiellement inférieure ou égale 10 pm, voire 5 pm pour limiter leur visibilité et supérieure ou égale à 1 pm pour faciliter la fabrication et pour conserver aisément une haute conductivité et une transparence. En particulier, on peut en outre choisir une distance moyenne entre brins B supérieure à A, entre 5 pm et 300 pm, voire entre 20 et 100 pm, pour 15 conserver aisément la transparence. Le réseau pouvant être irrégulier et/ou les bords des brins pouvant être inclinés, les dimensions A et B sont donc des dimensions moyennes. L'épaisseur moyenne des brins peut être entre 100 nm et 5 pm, encore plus préférentiellement de 0,5 à 3 pm pour conserver aisément une transparence 20 et une haute conductivité. Avantageusement, l'électrode composite selon l'invention peut présenter : - une résistance carré inférieure ou égale à 5 Ohm/carré, voire inférieure ou égale à 1 Ohm/carré, voire même 0,5 Ohm/carré 25 notamment pour une épaisseur de réseau (voire une épaisseur totale d'électrode) supérieure ou égale à 1 pm, et de préférence inférieure à 10 pm voire inférieure ou égale à 5 pm, - et/ou une transmission lumineuse TL supérieure ou égale à 50%, encore plus préférentiellement supérieure ou égale à 70%. 30 L'électrode composite selon l'invention peut être utilisée pour un dispositif électroluminescent organique à émission par l'arrière (� bottom emission � en anglais) ou pour un dispositif électroluminescent organique à émission par l'arrière et l'avant. -8- La transmission lumineuse TL peut être par exemple mesurée sur un substrat de TL de l'ordre de 90% voire au-delà, par exemple un verre silicosodocalcique. L'électrode composite selon l'invention peut être sur une grande 5 surface par exemple une surface supérieure ou égale à 0,02 m2 voire même supérieure ou égale à 0,5 m2 ou à 1 m2. Par ailleurs, un dépôt même épais d'un matériau électroconducteur peut couvrir les brins sans lisser suffisamment la surface. En effet, les techniques de dépôt par voie gazeuse, chimique ('CVD' en anglais) ou io physique (PVD en anglais), notamment les dépôts sous vide (évaporation, pulvérisation) reproduisent voire amplifient les irrégularités de la surface initiale. Alors, pour obtenir une surface externe lissée, il est alors nécessaire de réaliser une opération ultérieure de surfaçage d'un matériau électroconducteur, par exemple par action mécanique (type polissage). 15 Aussi, de manière préférentielle, on choisit pour le revêtement électroconducteur selon l'invention une technique de dépôt par voie liquide notamment l'une au moins des techniques suivantes : par impression (plane, rotative...), notamment par impression flexographique, par impression gravure ou encore, par pulvérisation liquide (� spray coating� en anglais), par trempage 20 (� dip coating � en anglais), par rideau (� curtain � en anglais), par coulée (� flow coating � en anglais), à la tournette (� spin coating � en anglais), par raclage (� blade coating � en anglais), par tirage (� wire-bar coating � en anglais), par enduction, par jet d'encre (� ink-jet printing � en anglais), par sérigraphie. Le dépôt peut en outre être obtenu par voie sol-gel. 25 En effet, la tension de surface d'un film liquide tend à lisser les irrégularités de surface. Au-dessus des brins, l'épaisseur du revêtement électroconducteur, seul ou combiné à une couche électroconductrice sous jacente, peut être entre 40 et 1000 nm et de préférence entre 50 et 500 nm. 30 Le revêtement électroconducteur et/ou la matière de remplissage)peut par exemple comprendre ou être constitué d'une couche d'oxyde(s) transparent(s) conducteur(s) (TCO en anglais). Pour le revêtement électroconducteur, on peut choisir de préférence -9- les oxydes simples d'étain SnO2r de zinc ZnO, d'indium In2O3 ainsi que des oxydes dopés voire des oxydes mixtes binaires, ternaires notamment de l'un ou de plusieurs des éléments précités. On préfère en particulier l'un au moins des oxydes dopés ou mixtes suivants : - de l'oxyde de zinc dopé ou allié avec au moins l'un des éléments suivants : de l'aluminium, du gallium, de l'indium, du bore, de l'étain, (par exemple ZnO : Al, ZnO :Ga, ZnO : In, ZnO : B, ZnSnO), - de l'oxyde d'indium dopé ou allié notamment avec le zinc (IZO), le gallium et le zinc (IGZO), l'étain (ITO), io - de l'oxyde d'étain dopé au fluor ou à l'antimoine (SnO2 : F,, SnO2 : Sb) ou allié au zinc (SnZnO) éventuellement dopé à l'antimoine, - de l'oxyde de titane dopé au niobium (TiO2 : Nb). Pour la matière de remplissage, on peut choisir également les matériaux précités ou d'autres oxydes notamment haut indice et notamment : 15 - de l'oxyde de niobium (Nb2O5), - de l'oxyde de zirconium (ZrO2), - de l'oxyde de titane (TiO2), - de l'alumine (AI2O3), -de l'oxyde de tantale (Ta2O5), 20 - ou encore des nitrures tels que Si3N4,AIN, GaN, éventuellement dopé Zr, ou encore du carbure de silicium stoechiométrique SiC. Le revêtement électroconducteur peut par exemple comprendre une couche contenant des nanoparticules métalliques ou d'oxydes transparents conducteurs, tels que précités, de préférence entre 10 et 50 nm pour mieux 25 limiter et contrôler la rugosité du dépôt, nanoparticules éventuellement dans un liant. La matière de remplissage peut par exemple comprendre ou être constitué d'une couche contenant des (nano)particules métalliques ou d'oxydes tels que précités, de préférence des nanoparticules entre 10 et 30 50 nm pour mieux limiter et contrôler la rugosité du dépôt et préparer le lissage, (nano)particules éventuellement dans un liant. Comme (nano)particules métalliques, on peut choisir des (nano)particules à base d'Ag, Au, Al, Pd, Pt, Cr, Cu. On ajuste la résistivité et - 10 - la transparence pour la concentration des (nano)particules dans un liant. Le liant peut être organique, par exemple des résines acryliques, époxy, polyuréthane, ou être élaboré par voie sol-gel (minéral, ou hybride organique inorganique...). Les nanoparticules peuvent être déposées à partir d'une dispersion dans un solvant (alcool, cétone, eau, glycol...). Des produits commerciaux à base de particules pouvant être utilisés pour former le revêtement électroconducteur et/ou la couche de remplissage sont les produits vendus par la compagnie Sumitomo Metal Mining Co. Ltd io suivants : - X100�, X100�D particules d'ITO dispersées dans un liant résine (optionnel) et avec solvant cétone, - X500� particules d'ITO dispersées dans un solvant alcool, - CKR� particules d'argent revêtu d'or, dans un solvant alcool, 15 - CKRF� particules d'or et d'argent agglomérées. La résistivité souhaitée pour le revêtement et/ou pour la couche de remplissage est ajustée en fonction de la formulation. Le revêtement électroconducteur (et/ou la matière de remplissage) peut comprendre une couche essentiellement inorganique ou hybride 20 organique inorganique, par exemple une couche sol gel notamment à base d'oxydes métalliques et/ou conducteurs, simples ou mixtes tels que ceux précités. Les sols-gels présentent l'avantage de supporter des traitements thermiques même élevés (par exemple opération type trempe) et de résister 25 aux expositions UV. Pour fabriquer une couche sol gel, on choisit de préférence des précurseurs d'oxydes conducteurs transparents disponibles commercialement, notamment de composés organométalliques ou de sels de ces métaux. Ainsi, à titre d'exemples de précurseurs pour les dépôts d'oxyde 30 d'étain, on peut choisit SnCl4r le stannate de sodium, SnCl2(OAc)2r un alcoxyde de Sn(IV) tel que Sn(OtBu)4. On peut également choisir tout sel ou composé organométallique connu comme étant précurseur d'étain. -11- Pour les dépôts d'oxyde d'antimoine, on peut choisir des composés organométalliques et de sels, en particulier d'alcoxydes de Sb(III) et de chlorures tels que SbCI3 ou SbCI5. Des couches d'oxydes mixtes et/ou dopées sont obtenues par exemple en mélangeant les précurseurs dans les proportions appropriées et en utilisant les solvants compatibles avec lesdits précurseurs. Par exemple, une couche d'oxyde d'étain dopée antimoine peut être obtenue à partir de chlorure d'étain et de chlorure d'antimoine en solution dans l'eau, en présence d'urée et d'acide chlorhydrique. Un autre exemple d'élaboration consiste à utiliser le tétraisopropoxyde d'étain comme précurseur dans un mélange eau/alcool/éthanolamine et d'ajouter du chlorure d'antimoine comme dopant. Un exemple de fabrication par sol gel d'une couche d'ITO est donné en pages 19 à 25 de la thèse intitulée � ÉLABORATION ET CARACTERISATION DE FILMS MINCES D'OXYDE D'INDIUM DOPE A L'ETAIN OBTENUS PAR VOIE SOL-GEL � de Kaïs DAOUDI, N° d'ordre 58-2003, présentée et soutenue à Lyon le 20 mai 2003. On peut en outre utiliser le produit dénommé DX-400� vendu par la société Sumitomo Metal Mining Co. Ltd. Il s'agit d'une pate à base d'alcoxydes d'étain et d'indium, de solvant organique et d'agent de contrôle de viscosité. Les précurseurs des oxydes métalliques de type alcoxyde sont utilisés par exemple dilués dans un solvant organique, par exemple un alcool volatile. A titre d'alcools volatils, on peut sélectionner les alcools en Cl à C10, 15 linéaires ou ramifiés, en particulier, le méthanol, l'éthanol, l'hexanol, l'isopropanol, ou encore des glycols, en particulier l'éthylène glycol ou bien des esters volatiles tels que l'acétate d'éthyle. La composition utilisée pour le dépôt de la couche sol gel peut avantageusement comprendre également d'autres constituants, en particulier de l'eau comme agent d'hydrolyse, un agent stabilisant tel que le diacétone alcool, l'acétylacétone, l'acide acétique, la formamide. En particulier, les précurseurs de type sels métalliques sont généralement utilisés en solution dans l'eau. Le pH de l'eau peut être ajusté en utilisant des acides ou des bases (par exemple l'acide chlorhydrique, l'acide - 12 -acétique, l'ammoniaque, la soude) pour contrôler les conditions de condensation des précurseurs. Des stabilisants tels que le diacétone alcool, l'acétylacétone, l'acide acétique, la formamide peuvent également être utilisés. Après dépôt, un séchage est généralement réalisé entre 20 et 150°C, avantageusement à une température de l'ordre de 100°C, suivi d'un traitement thermique à une température de l'ordre de 450 à 600°C pendant une durée comprise entre quelques minutes et quelques heures, avantageusement à une température de l'ordre de 550°C pendant une durée de l'ordre de 30 min. io Le revêtement électroconducteur (et/ou la matière de remplissage) peut comprendre ou être constitué d'une couche essentiellement polymérique déposée par voie liquide. Par exemple, il s'agit d'une couche d'un ou des polymères conducteurs de l'une au moins des familles suivantes : - la famille des polythiophènes, comme le PEDOT (3,4- 15 polyéthylenedioxythiopène), le PEDOT/PSS c'est-à-dire le (3,4-polyéthylènedioxythiopène mélangé avec polystyrènesulfonate, et autres dérivés décrits dans la demande US2004253439, - ou encore les poly(acétylène)s, poly(pyrrole)s, poly(aniline)s, poly(fluorène)s, poly(3-alkyl thiophène)s, polytétrathiafulvalènes, 20 polynaphthalènes, poly(p-phénylène sulfide), et poly(para-phénylène vinylène)s. Comme polythiophènes, on peut choisir par exemple le produit commercialisé par la société HC Strack sous le nom de BAYTRON� ou encore par la société Agfa sous le nom d'Orgacon(), ou d'Orgacon EL-P3040�. 25 Le polymère conducteur fait partie de l'électrode et sert aussi éventuellement de couche d'injection de trous. On préfère un revêtement électroconducteur et/ou une matière de remplissage de transmission lumineuse supérieure ou égale à 70% à 550 nm, encore plus préférentiellement supérieure ou égale à 80% à 550 nm, voir sur tout 30 le visible. Dans la présente demande, l'arrangement en réseau peut être obtenu directement par dépôt(s) de matériau(x) électroconducteur(s) afin de réduire les coûts de fabrications. - 13 - On évite ainsi des poststructurations, par exemple des gravures sèches et/ou humides, faisant souvent appel aux procédés de lithographies (exposition d'une résine à un rayonnement et développement). Cet arrangement direct en réseau peut être obtenu directement par une ou plusieurs méthodes de dépôts appropriées, par exemple en utilisant un tampon encreur, ou encore par jet d'encre (avec une buse appropriée). Le réseau électroconducteur peut être obtenu par ailleurs directement par dépôt(s) électroconducteur(s) au travers un réseau d'ouvertures d'un masque sur le substrat (masque permanent ou retiré ensuite), voire par io dépôt(s) électroconducteur(s) dans un réseau de gravure du substrat. L'arrangement des brins peut être, alors sensiblement la réplique de celle du réseau d'ouvertures du masque ou du réseau de gravure. On choisit de préférence un masque stable sans avoir recours à un recuit. On peut ainsi choisir alors de préférence une ou des techniques de 15 dépôts réalisables à température ambiante, et/ou simples (notamment plus simple qu'un dépôt catalytique faisant appel nécessairement à un catalyseur) et/ou donnant des dépôts denses. On peut en outre choisir une technique de dépôt non sélective, le dépôt remplissant à la fois une fraction des ouvertures du masque ou du réseau de 20 gravure et couvrant aussi la surface du masque ou du substrat. On peut éliminer ensuite le masque ou bien polir la surface. On peut notamment choisir de préférence un dépôt par voie liquide notamment par impression, par raclage d'une encre électroconductrice et/ou une technique de dépôt sous vide telle que la pulvérisation, ou encore 25 plus préférentiellement l'évaporation. Le ou les dépôts peuvent être éventuellement complétés par une recharge électrolytique en employant une électrode en Ag, Cu, Or, ou un autre métal de haute conductivité utilisable. Lorsque le réseau électroconducteur est déposé dans un réseau de 30 gravure du substrat, notamment verrier, ladite matière de remplissage correspond bien entendu au réseau de gravure. Pour graver le substrat par voie humide (par exemple avec une solution HF pour le verre), on peut choisir un masque sol gel avec un réseau d'ouvertures adéquat. - 14 - De manière avantageuse, le réseau électroconducteur, alors qualifié d'autoorganisé, peut être obtenu par dépôt(s) de matériau(x) électroconducteur(s) dans un réseau d'ouvertures autogénérées d'un masque sur le substrat. Le réseau d'ouvertures autogénérées peut par exemple être obtenu par cuisson d'un dépôt continu d'un matériau adapté à cet effet. Il peut s'agir d'interstices, de fissurations notamment comme celles décrites dans le document US7172822. La réduction du nombre d'étapes technologiques nécessaire à la io réalisation d'un tel masque autofissuré influe favorablement sur les rendements de production et les coûts du produit final souhaité. Les ouvertures autogénérées, et de ce fait les brins, peuvent être irrégulières, réparties de manière apériodique, (pseudo) aléatoire. Dans un premier mode de réalisation de l'invention, le masque, de 15 préférence à ouvertures autogénérées, est supprimé avant dépôt du revêtement électroconducteur de lissage. Dans une première configuration sans masque, le revêtement électroconducteur peut remplir au moins partiellement l'espace entre les brins, à tout le moins la partie supérieure entre les brins (la plus éloignée du substrat). Le 20 revêtement électroconducteur peut même remplir sensiblement entièrement l'espace entre les brins pour former une électrode composite enterrée simple et rapide à fabriquer. La matière de remplissage est ainsi en le matériau du revêtement. Son épaisseur peut être en particulier être au moins une fois et demi, voire deux fois supérieure à la hauteur des brins. 25 Dans cette configuration, on peut choisir de préférence un revêtement électroconducteur déposé par exemple par impression (flexographie notamment), par pulvérisation liquide, par trempage, revêtement déposé en une ou plusieurs passes. Par ailleurs, toujours dans une configuration avantageuse sans masque, 30 on peut prévoir les caractéristiques suivantes : - l'espace entre les brins est rempli, de préférence sur toute sa hauteur, par une matière de remplissage, dite haut indice, ayant un indice de réfraction supérieur ou égal à 1,65 au moins à 550 nm, de préférence -15 - dans tout le visible, encore plus un indice de réfraction préférentiellement entre 1,65 et 2 à 550 nm, voir dans tout le visible, de préférence la distance B entre brins est inférieure ou égale à 50 pm, encore plus préférentiellement inférieure ou égale à 30 pm, - et les brins sont en métal à réflexion non colorée (métal blanc), de préférence l'argent et l'aluminium ou encore le platine, le chrome, le palladium et le nickel. On choisit en fait un matériau de remplissage d'indice au moins supérieur ou égal à l'indice du système actif d'OLED (typiquement d'indice optique de l'ordre io de 1,7 à 1,9) moins 0,05. Par le choix d'un tel indice, on favorise l'extraction des modes guidés du système OLED, et en rapprochant suffisamment les brins, la diffusion du rayonnement extrait sur les bords des brins. Le rendement de l'OLED est alors augmenté. On préfère en outre un matériau de remplissage peu absorbant, 15 notamment d'absorption dans le visible inférieur à 10-2 cm-1. Comme matériau de remplissage haut d'indice inorganique, on peut choisir par exemple un dépôt à base d'oxyde métallique comme déjà indiqué notamment à base de ZrO2, TiO2, AI2O3, Ta2O5. Ces oxydes peuvent être déposés sous vide ou de préférence par voie liquide. Il peut d'agir de sol gels. 20 Comme exemple de matériau de remplissage haut indice de type sol-gel, on peut citer les couches sol gel hybrides obtenues à partir de précurseurs métalliques complexés par des agents stabilisants. Par exemple des couches obtenues à partir de solutions de propoxyde de zirconium ou de butoxyde de titane complexés par de l'acétylacétone en milieu alcool. S'il ne subit pas de 25 traitement thermique à haute température pour conduire à l'oxyde correspondant, un tel matériau est constitué d'un oxyhydroxyde de métal complexé par les molécules organiques. On peut éliminer les fonctions organiques par traitement thermique à partir de 350°C pour obtenir des couches sol gel inorganiques. 30 Comme matériau de remplissage inorganique haut d'indice, on peut également choisir une fritte de verre haut indice (verre au plomb au bismuth etc), par exemple déposée par sérigraphie, par pulvérisation liquide. - 16 - Comme polymères haut indice, on peut citer les polymères suivants : du poly(1-naphthyl méthacrylate-co-glycidyl méthacrylate), avec 10 % molaire de glycidyl méthacrylate, du poly(2,4,6-tribromophenyl méthacrylate), du poly(2,4,6-tribromophényl méthacrylate-co-glycidyl méthacrylate) avec 10 % molaire de glycidyl méthacrylate, du poly(2,6-dichlorostyrene), du poly(2- chlorostyrene), du poly(2-vinylthiophene), du poly(bis(4- iodophenoxy)phosphazene), du poly(N-vinylphthalimide), du poly(pentabromobenzyl acrylate), du poly(pentabromobenzyl méthacrylate), du poly(pentabromobenzyl méthacrylate-co-glycidyl méthacrylate) avec 10 % io molaire de glycidyl méthacrylate, du poly(pentabromophenyl acrylate-co-glycidyl méthacrylate) avec 10 % molaire de glycidyl méthacrylate, du poly(pentabromophenyl acrylate-co-glycidyl méthacrylate) avec 50 % molaire de glycidyl méthacrylate, du poly(pentabromophenyl méthacrylate), du poly(pentabromophenyl méthacrylate-co-glycidyl méthacrylate) avec 10 % 15 molaire de glycidyl méthacrylate, du poly(pentabromophenyl méthacrylate-coglycidyl méthacrylate) avec 50 % molaire de glycidyl méthacrylate, du poly(pentachlorophenyl méthacrylate), du poly(vinyl phenyl sulfide), du poly(vinyl phenyl sulfide-co-glycidyl méthacrylate) avec 10 % molaire de glycidyl méthacrylate. Ces polymères sont commercialisés par exemple par la société 20 Sigma-Aldrich. Une autre possibilité pour obtenir une matière de remplissage haut indice consiste à choisir des matériaux transparents avec des particules haut indice, polymériques ou encore inorganiques, en les matériaux haut indice déjà précités, Par exemple on choisit de particules en ZrO2, TiO2, SnO2, AI2O3. 25 Comme matériau transparent inorganique, on peut choisir une fritte de verre. Comme matériau transparent de type sol-gel on peut choisir la silice élaborée à partir de tétraétoxysilane (TEOS), de silicate de sodium, de lithium ou de potassium, ou hybride obtenus à partir de précurseurs de type organosilane 30 dont la formule générale est : R2n Si(OR1)4_n avec n un entier entre 0 et 2, R1 une fonction alkyl de type CXH2,+1, R2 un groupement organique comprenant par exemple une fonction alkyl, époxy, - 17 - acrylate, méthacrylate, amine, phényle, vinyle. Ces composés hybrides peuvent être utilisés mélangés ou seuls, en solution dans l'eau ou dans un mélange eau/alcool à un pH approprié. Comme matériaux polymères transparents, on peut choisir des silicones, des résines époxy, des polyuréthanes PU, de l'éthylène vinylacétate EVA, du polyvinyle butyral PVB, de l'acétate de polyvinyle PVA, et les acryliques. Par ailleurs, la matière de remplissage haut indice peut être isolante ou faiblement électroconductrice, de résistivité p2 supérieure à la résistivité du réseau comme déjà décrit. Cette matière haut indice peut même couvrir la surface des io brins, jusqu'à former une couche sous jacente au revêtement électroconducteur ou même former le revêtement électroconducteur selon l'invention. Son épaisseur peut être alors éventuellement supérieure à la hauteur des brins conducteurs On peut alors choisir en particulier les matériaux déjà décrits pour le revêtement électroconducteur et à haut indice: 15 - une couche, notamment sol gel, d'oxydes métalliques simples, ou mixtes déjà décrits, - le polymère PEDOT, PEDOT/PSS, - les polymères ou les matrices sol-gel haut indice déjà décrits et chargées avec des (nano)particules d'oxydes conducteurs (ZnO, ITO, 20 IZO, SnO2 etc), le contenu solide massique étant entre 0,5% et 80% pour ajuster la résistivité. Dans une conception avantageuse sans masque, la matière de remplissage est diffusante, notamment à base de particules diffusantes. On peut préférer une matière de remplissage diffusante ayant un flou 25 supérieur à 5%. Les particules diffusantes peuvent être dispersées dans un liant, dans des proportions de 1 à 80% en poids du mélange. Ces particules peuvent avoir une taille moyenne supérieure à 50 nm et submicronique, préférentiellement entre 100 et 500 nm, voire entre 100 à 30 300 nm. L'indice des particules diffusantes peut être avantageusement supérieur à 1,7 et celui du liant être de préférence inférieur à 1,6, par exemple de la silice ou un matériau hybride organosilicique. - 18 - Les particules diffusantes peuvent être organiques, par exemple en matériau polymérique haut indice précité. De préférence ces particules diffusantes peuvent être minérales, de préférence des nitrures, des carbures ou des oxydes, les oxydes étant choisis parmi l'alumine, la zircone, le titane, le cérium ou étant un mélange d'au moins deux de ces oxydes. Le liant de la matière de remplissage diffusante peut être choisi de préférence parmi les liants essentiellement minéraux, tels que les silicates de potassium, les silicates de sodium, les silicates de lithium, les phosphates d'aluminium, la silice, et les frittes de verre. io Comme liant hybride organique minérale, on peut citer des liants à base d'organosilane comme décrit précédemment pour les matériaux transparents. La matière de remplissage diffusante peut être déposée par toute technique de dépôt de couche connue de l'homme de l'art, notamment par sérigraphie, par enduction d'une peinture, par trempage, par � spin-coating �, 15 par pulvérisation, ou encore par coulée ou � flow-coating �. Cette couche de remplissage diffusante permet d'augmenter le rendement de l'OLED, en particulier pour des distances entre brins relativement grandes, soit dès 30 pm et plus encore à 100 pm et au delà. La matière de remplissage diffusante peut remplir seulement 20 partiellement l'espace, notamment être dans la partie inférieure de l'espace entre réseau. La matière de remplissage diffusante peut être isolante. Son épaisseur peut être alors de préférence entre 20% et 100% de la hauteur des brins conducteurs et avantageusement entre 50% et 100% de l'épaisseur des brins. 25 La matière de remplissage diffusante peut être également faiblement électroconductrice, de résistivité p2 supérieure à la résistivité du réseau comme déjà décrit. Cette matière de remplissage diffusante peut même couvrir la surface des brins, jusqu'à former une couche sous jacente au revêtement électroconducteur ou même former le revêtement électroconducteur selon 30 l'invention. Son épaisseur peut être alors éventuellement supérieure à la hauteur des brins conducteurs On peut choisir comme matière de remplissage diffusante - 19 -électroconductrice : - un matériau polymérique conducteur, par exemple ceux déjà décrits pour le revêtement électroconducteur (PEDOT, PEDOT/PSS notamment), chargé de particules diffusantes, - et/ou un liant isolant chargé avec des particules diffusantes d'oxyde(s) transparent(s) conducteur(s), par exemple ITO, - et/ou un empilement de particules diffusantes d'oxyde(s) transparent(s) conducteur(s). On peut choisir comme matière de remplissage de la fritte de verre io fondue ou une couche sol gel. De nombreux éléments chimiques peuvent être à la base de la couche de remplissage sol-gel. Elle peut comprendre comme matériau constitutif essentiel au moins un composé de l'un au moins des éléments : Si, Ti, Zr, Sb, Hf, Ta, Mg, Al, Mn, Sn, Zn, Ce. Il peut s'agir notamment d'un oxyde simple ou 15 d'un oxyde mixte de l'un au moins des éléments précités. La matière de remplissage peut être de manière préférée essentiellement à base de silice notamment pour son adhésion et sa compatibilité avec un verre minéral. Le sol précurseur du matériau constitutif de la couche silice peut être un silane, notamment un tétraéthoxysilane (TEOS) et/ou un 20 (méthyltriéthoxysilane) MTEOS, ou un silicate de lithium, sodium ou potassium. La silice peut être hybride obtenu par ou un composé de formule générale R2n Si(OR1)4_n comme déjà cité ci-dessus. La matière de remplissage de préférence peut être déposée de 25 préférence par sérigraphie, par trempage, ou pulvérisation liquide. Le revêtement conducteur sus jacent peut être déposé de préférence par impression, notamment par flexographie, par trempage, ou pulvérisation liquide. Par ailleurs comme déjà indiqué, on peut conserver le masque avec un 30 réseau d'ouvertures autogénérées et les brins remplissent, de préférence entièrement, les ouvertures en réseau du masque, la matière de remplissage correspondant alors ce masque. Ce masque, peut être de préférence surfaçable, notamment par - 20 - polissage mécanique, de préférence jusqu'au niveau de la surface des brins. Le polissage peut permettre en outre d'éliminer si nécessaire de la matière conductrice sur la surface du masque, issue d'un dépôt non sélectif du matériau pour le conducteur en réseau. Grace au polissage, on peut éventuellement choisir de déposer le revetement électroconducteur par voie gazeuse, chimique ou physique. On choisit par exemple un masque sol gel, de préférence à base de silice, d'épaisseur pouvant dépasser un à plusieurs microns. Il peut s'agir en particulier d'une couche sol gel de silice minérale io obtenue à partir de silicate de potassium de lithium, ou de sodium. Il peut s'agir également d'une couche sol gel de silice hybride obtenu à partir d'un sol concentré de précurseurs de formule générale R2n Si(OR1)4_n avec n un entier entre 0 et 2, R1 une fonction alkyl de type CXH2,+1, R2 un groupement organique avec de préférence une fonction alkyl, époxy, acrylate, 15 méthacrylate, amine, phényle, vinyle. Ces composés hybrides peuvent être utilisés mélangés ou seuls, en solution dans l'eau ou dans un mélange eau/alcool à un pH approprié. On utilisera une concentration massique en précurseur comprise entre 20 et 60%, préférentiellement entre 35 et 55%. Le contrôle de la concentration et des 20 conditions de séchage du masque permettent de moduler le rapport B/A. Le réseau électroconducteur peut être composite, notamment multicouches. Par ailleurs, le réseau électroconducteur peut comprendre ou être constitué d'une couche à base d'oxyde métallique peu onéreux et facile à 25 fabriquer, par exemple de l'oxyde de zinc ZnO, ou de l'oxyde étain SnO2r ou encore d'oxyde mixte d'indium et d'étain ITO. Ces oxydes métalliques sont par exemple déposés par dépôt sous vide, par pulvérisation magnétron, ou par pulvérisation assisté par faisceau d'ions. Le réseau électroconducteur peut être à base d'un matériau métallique 30 pur choisi parmi l'argent, l'aluminium, voire le platine, l'or, le cuivre, le palladium, le chrome ou à base dudit matériau allié ou dopé avec au moins un autre matériau : Ag, Au, Pd, Al, Pt, Cu, Zn, Cd, In, Si, Zr, Mo, Ni, Cr, Mg, Mn, Co, Sn. -21- Le réseau électroconducteur peut comprendre ou être constitué d' d'une couche en matériau (milieu continu) essentiellement métallique et/ou d'une couche à base de particules métalliques dispersées dans une matrice électroconductrice ou non, par exemple une encre chargée de particules conductrices, notamment argent, tel que le produit TEC-PA-030� commercialisé par la société InkTec qui peut être déposé par raclage. De préférence, l'électrode composite selon l'invention (brins, matière de remplissage, revêtement électroconducteur) peut être essentiellement minérale, encore plus préférentiellement, le substrat est en outre verrier. io Le substrat peut être plan ou courbe, et en outre rigide, flexible ou semi-flexible. Ses faces principales peuvent être rectangulaires, carrées ou même de toute autre forme (ronde, ovale, polygonale...). Ce substrat peut être de grande taille par exemple de surface supérieure à 0,02m2 voire même 0.5 m2 15 ou 1 m2 et avec une électrode inférieure occupant sensiblement la surface (aux zones de structuration près) Le substrat peut être substantiellement transparent, minéral ou en matière plastique comme du polycarbonate PC ou du polymétacrylate de méthyle PMMA ou encore le PET, du polyvinyle butyral PVB, polyuréthane PU, 20 le polytétrafluoréthylène PTFE etc... Le substrat est de préférence verrier, notamment en verre silicosodocalcique. Le substrat peut être avantageusement un verre présentant un coefficient d'absorption inférieur à 2,5 m-1, de préférence inférieur à 0,7 m-1 à 25 la longueur d'onde du ou des rayonnements OLEDs. On choisit par exemple des verres silicosodocalciques avec moins de 0,05% de Fe III ou de Fe2O3r notamment le verre Diamant de Saint-Gobain Glass, le verre Optiwhite de Pilkington, le verre B270 de Schott. On peut choisir toutes les compositions de verre extraclair décrites dans le document WO04/025334. 30 L'épaisseur du substrat, notamment choisi verrier, peut être d'au moins 0,35 mm, de préférence d'au moins 0,7 mm. Les bords de la tranche du substrat, peuvent en outre être réfléchissants, et comporter de préférence un miroir, pour assurer un - 22 - recyclage optimal du rayonnement guidé et les bords, forme avec la face principale associée au système OLED un angle externe supérieur ou égal à 45° et inférieur à 90°, de préférence supérieur ou égal à 80°, pour rediriger les rayonnements sur une plus large zone d'extraction. La tranche peut être ainsi biseautée. Par ailleurs, le procédé de fabrication de l'électrode décrit dans le document US7172822 requiert nécessairement le dépôt d'une sous-couche modifiable au niveau des fissures afin de permettre le greffage de catalyseur pour une post croissance de métal, cette sous-couche ayant donc un rôle io fonctionnel dans le procédé de croissance du réseau. Cette sous-couche peut en outre présenter l'un ou les inconvénients suivants : - une faible adhésion à un substrat de verre sodo-calcique, - une instabilité en milieu basique, très utilisé lors du lavage des 15 substrats, - une instabilité lors des traitements thermiques à haute température (trempe, recuits etc). Aussi, l'électrode composite selon l'invention peut être de préférence directement sur le substrat, en particulier verrier. 20 En outre, pour faciliter l'alimentation électrique des électrodes et/ou pour former une pluralité de zones d'éclairages, l'électrode composite selon l'invention peut être discontinue, formant typiquement au moins deux zones d'électrode isolées l'une de l'autre, et de préférence une ou plusieurs rangées parallèles de zones d'électrode composite. Pour ce faire, on grave par exemple 25 par laser l'électrode composite et on remplit le vide créé avec une matière de passivation, par exemple du polyamide. Le substrat porteur de l'électrode composite tel que défini précédemment peut en outre comporter un système électroluminescent organique déposé directement sur la surface externe. 30 L'invention a trait également à un dispositif électroluminescent organique incorporant le substrat porteur de l'électrode composite tel que défini précédemment, l'électrode composite formant l'électrode dite inférieure, la plus proche du substrat. - 23 - Le dispositif électroluminescent organique peut comprendre : - une rangée de zones d'électrode composite (inférieure), - au moins une couche discontinue en matériau(x) électroluminescente(s) organique(s) sous forme des zones de couche électroluminescente et agencées sur les zones d'électrode composite (inférieure), - une électrode supérieure discontinue et à couche électroconductrice sous forme de zones d'électrodes agencées sur les zones de couche électroluminescente. io Divers types de connexions sont possibles : - une seule connexion en série de l'ensemble des zones électroluminescentes, - un ensemble de connexion séries et parallèles, -des connexions série propres à chaque rangée. 15 On rappelle que dans une connexion série, le courant passe d'une zone d'électrode supérieure à la zone d'électrode inférieure adjacente. Pour une connexion en série par rangée, les zones de couche électroluminescente peuvent être décalées des zones d'électrode inférieure dans la direction de la rangée et suivant un sens donné et les zones 20 d'électrode supérieure être décalées des zones électroluminescentes dans la direction de la rangée et dans le même sens. La distance entre les zones électroluminescentes de rangées distinctes peut être supérieure à la distance entre les zones d'une même rangée, de préférence à partir de 100 pm, notamment entre 100 pm et 250 pm. 25 Chaque rangée est ainsi indépendante. Si une des zones dans chaque rangée est défectueuse, la rangée entière fonctionne quand même. Et les rangées adjacentes sont intactes. Le dispositif électroluminescent organique selon l'invention peut être fourni avec ou sans les amenées de courant. 30 Deux bandes d'amenée de courant, continues ou discontinues, formant une partie d'un collecteur ou d'un distributeur de courant peuvent être respectivement en liaison électrique avec un bord périphérique de l'électrode composite inférieure, et avec un bord périphérique de l'électrode supérieure. - 24 - Ces bandes d'amenée de courant peuvent être de préférence d'épaisseur comprise entre 0,5 à 10 dam et larges de 0,5 mm et peuvent être sous diverses formes : - une monocouche métallique en l'un des métaux suivants : Mo, Al, Cr, Nd ou en alliage de métaux tels que MoCr, AINd, - une multicouche métallique à partir des métaux suivants : Mo, Al, Cr, Nd, telle que MoCr/Al/MoCr, - en émail conducteur par exemple à l'argent et sérigraphié, - en matière conductrice ou chargée de particules conductrices et io déposée par jet d'encre, - en polymère conducteur dopé ou non par des métaux, de l'argent par exemple. Pour l'électrode supérieure, on peut utiliser une couche mince métallique dite � TCC � (pour � Transparent conductive coating � en anglais) 15 par exemple en Ag, Al, Pd, Cu, Pd, Pt In, Mo, Au et typiquement d'épaisseur entre 5 et 50 nm en fonction de la transmission/réflexion lumineuse souhaitée. L'électrode supérieure peut être une couche électroconductrice avantageusement choisie parmi les oxydes métalliques notamment les matériaux suivants: l'oxyde de zinc dopé, notamment à l'aluminium ZnO:Al ou 20 au gallium ZnO:Ga, ou encore l'oxyde d'indium dopé, notamment à l'étain (ITO) ou l'oxyde d'indium dopé au zinc (IZO). On peut utiliser plus généralement tout type de couche électroconductrice transparente, par exemple une couche dite � TCO � (pour � Transparent Conductive Oxyde � en anglais), par exemple d'épaisseur entre 25 20 et 1000 nm. Le dispositif OLED peut produire de la lumière monochromatique, notamment bleu et/ou verte et/ou rouge, ou être adaptée pour produire une lumière blanche. Pour produire de la lumière blanche plusieurs méthodes sont 30 possibles : mélange de composés (émission rouge vert, bleu) dans une seule couche, empilement sur la face des électrodes de trois structures organiques (émission rouge vert, bleu) ou de deux structures organiques (jaune et bleu), série de trois structures organiques adjacentes organiques (émission rouge - 25 - vert, bleu), sur la face des électrodes une structure organique dans une couleur et sur l'autre face des couches luminophores adaptés. Le dispositif OLED peut comprendre une pluralité de systèmes électroluminescents organiques adjacents, chacun émetteur de lumière blanche ou, par série de trois, de lumière rouge, verte et bleu, les systèmes étant par exemple connectés en série. Chaque rangée peut par exemple émettre suivant une couleur donnée. Le dispositif OLED peut faire partie d'un vitrage multiple, notamment un vitrage sous vide ou avec lame d'air ou autre gaz. Le dispositif peut aussi io être monolithique, comprendre un vitrage monolithique pour gagner en compacité et/ou en légèreté. Le système OLED peut être collé ou de préférence feuilleté avec un autre substrat plan dit capot, de préférence transparent tel qu'un verre, à l'aide d'un intercalaire de feuilletage, notamment extraclair. 15 Les vitrages feuilletés sont usuellement constitués de deux substrats rigides entre lesquels est disposée une feuille ou une superposition de feuilles de polymère du type thermoplastique. L'invention inclut aussi les vitrages feuilletés dits � asymétriques � utilisant un substrat notamment porteur rigide du type verre et comme substrat couvrant une ou des feuilles protectrices de 20 polymère. L'invention inclut aussi les vitrages feuilletés ayant au moins une feuille intercalaire à base d'un polymère adhésif simple ou double face du type élastomère (c'est-à-dire ne nécessitant pas une opération de feuilletage au sens classique du terme, feuilletage imposant un chauffage généralement sous 25 pression pour ramollir et rendre adhérente la feuille intercalaire thermoplastique). Dans cette configuration, le moyen pour solidariser capot et substrat porteur peut être alors un intercalaire de feuilletage notamment une feuille de matière thermoplastique par exemple en polyuréthane (PU), en 30 polyvinylbutyral (PVB), en éthylène vinylacétate (EVA), ou être en résine pluri ou mono-composants réticulable thermiquement (époxy, PU) ou aux ultraviolets (époxy, résine acrylique). Elle est de préférence (sensiblement) de même dimension que le capot et le substrat. - 26 -L'intercalaire de feuilletage peut permettre d'éviter un fléchissement du capot notamment pour des dispositifs de grande dimension par exemple de surface supérieure à 0,5m2. L'EVA offre en particulier de multiples avantages : - il n'est pas ou peu chargé en eau en volume, - il ne nécessite pas nécessairement une mise sous pression élevée pour sa mise en oeuvre. Un intercalaire de feuilletage thermoplastique peut être préféré à une couverture en résine coulée car elle est à la fois plus facile à mettre en oeuvre, io plus économique et est éventuellement plus étanche. L'intercalaire comporte éventuellement un réseau de fils électroconducteurs incrustés sur sa surface, dite interne, en regard de l'électrode supérieure, et/ou une couche électroconductrice ou des bandes électroconductrices sur la surface interne du capot. 15 Le système OLED peut être disposé de préférence à l'intérieur du double vitrage, avec une lame de gaz notamment inerte (argon par exemple). En outre, il peut être avantageux d'ajouter un revêtement ayant une fonctionnalité donnée sur la face opposée du substrat porteur de l'électrode selon l'invention ou sur un substrat additionnel. Il peut s'agir d'une couche 20 anti-buée (à l'aide d'une couche hydrophile), anti-salissures (revêtement photocatalytique comprenant du TiO2 au moins partiellement cristallisé sous forme anatase), ou encore un empilement anti-reflet du type par exemple Si3N4/SiO2/Si3N4/SiO2 ou encore un filtre aux UV comme par exemple une couche d'oxyde de titane (TiO2). Il peut en outre s'agir une ou plusieurs 25 couches luminophores, d'une couche miroir, d'au moins une couche diffusante d'extraction de lumière. L'invention concerne également les diverses applications que l'on peut trouver à ces dispositifs OLEDS, formant une ou des surfaces lumineuses transparentes et/ou réfléchissantes (fonction miroir) disposés aussi bien en 30 extérieur qu'en intérieur. Le dispositif peut former (choix alternatif ou cumulatif) un système éclairant, décoratif, architectural, (etc...), un panneau d'affichage de -27 - signalisation - par exemple du type dessin, logo, signalisation alphanumérique, notamment un panneau d'issue de secours -. Le dispositif OLED peut être arrangé pour produire une lumière uniforme, notamment pour un éclairage homogène, ou pour produire différentes zones lumineuses, de même intensité ou d'intensité distincte. Inversement, on peut rechercher un éclairage différencié. Le système électroluminescent organique (OLED) produit une zone de lumière directe, et une autre zone lumineuse est obtenue par extraction du rayonnement OLED qui est guidé par réflexions totales dans l'épaisseur du substrat choisi verrier. io Pour former cette autre zone lumineuse, la zone d'extraction, peut être adjacente, au système OLED ou de l'autre côté du substrat. La ou les zones d'extraction peuvent servir par exemple pour renforcer l'éclairage fourni par la zone de lumière directe, notamment pour un éclairage de type architectural, ou encore pour signaler le panneau lumineux. La ou les zones d'extraction 15 sont de préférence sous forme de bande(s) de lumière, notamment uniforme(s), et préférentiellement disposée(s) en périphérie d'une des faces. Ces bandes peuvent par exemple former un cadre très lumineux. L'extraction est obtenue par l'un au moins des moyens suivants disposés dans la zone extraction : une couche diffusante, de préférence à base 20 de particules minérales et de préférence avec un liant minéral, le substrat rendu diffusant, notamment texturé ou rugueux. Les deux faces principales peuvent avoir chacune une zone de lumière directe. Lorsque les électrodes et la structure organique du système OLED sont 25 choisies transparentes, on peut réaliser notamment une fenêtre éclairante. L'amélioration de l'éclairage de la pièce n'est alors pas réalisée au détriment de la transmission lumineuse. En limitant en outre la réflexion lumineuse notamment du côté extérieur de la fenêtre éclairante, cela permet aussi de contrôler le niveau de réflexion par exemple pour respecter les normes anti- 30 éblouissement en vigueur pour les façades de bâtiments. Plus largement, le dispositif, notamment transparent par partie(s) ou entièrement, peut être - destiné au bâtiment, tel qu'un vitrage lumineux extérieur, une - 28 - cloison lumineuse interne ou une (partie de) porte vitrée lumineuse notamment coulissante, - destiné à un véhicule de transport, tel qu'un toit lumineux, une (partie de) vitre latérale lumineuse, une cloison lumineuse interne d'un véhicule terrestre, aquatique ou aérien (voiture, camion train, avion, bateau etc), - destiné au mobilier urbain ou professionnel tel qu'un panneau d'abribus, une paroi d'un présentoir, d'un étalage de bijouterie ou d'une vitrine, une paroi d'une serre, une dalle éclairante, io - destiné à l'ameublement intérieur, un élément d'étagère ou de meuble, une façade d'un meuble, une dalle éclairante, un plafonnier, une tablette éclairante de réfrigérateur, une paroi d'aquarium, - destiné au rétroéclairage d'un équipement électronique, notamment d'écran de visualisation ou d'affichage, éventuellement double 15 écran, comme un écran de télévision ou d'ordinateur, un écran tactile. On peut par exemple concevoir un rétro éclairage d'un écran double face avec des tailles différentes, l'écran de petite taille étant de préférence associé à une lentille de Fresnel pour concentrer la lumière. 20 Pour former un miroir éclairant, l'une des électrodes peut être réfléchissante ou un miroir peut être disposé sur la face opposée au système OLED, si l'on souhaite privilégier un éclairage d'un seul côté dans la zone de lumière directe. Il peut être aussi un miroir. Le panneau lumineux peut servir à 25 l'éclairage d'une paroi de salle de bains ou d'un plan de travail de cuisine, être un plafonnier. Les OLED sont généralement dissociés en deux grandes familles suivant le matériau organique utilisé. Si les couches électroluminescentes sont des petites molécules on parle 30 de SM-OLED (� Small Mollecule Organic Light Emitting Diodes � en anglais). Le matériau électroluminescent organique de la couche mince est constitué à partir de molécules évaporées comme par exemple le complexe d'AIQ3 (tris(8-hydroxyquinoline) aluminium), le DPVBi (4,4'-(diphényl vinylène biphényl)), le - 29 - DMQA (diméthyl quinacridone) ou le DCM (4-(dicyanométhylène)-2-méthyl-6-(4-diméthylaminostyryl)-4H-pyran).La couche émissive peut être aussi par exemple par une couche de 4,4#,4"-tri(N-carbazolyl) triphenylamine (TCTA) dopé au fac tris(2-phenylpyridine) iridium [Ir(ppy)3]. D'une manière générale la structure d'une SM-OLED consiste en un empilement de couche d'injection de trous ou � HIL � pour � Hole Injection Layer � en anglais, couche de transport de trous ou � HTL " pour � Hole Transporting Layer � en anglais, couche émissive, couche de transport d'électron ou � ETL � pour � Electron Transporting Layer � en anglais. io Un exemple de couche d'injection de trous est le phthalocyanine de cuivre (CuPC), la couche de transport de trous peut être pare exemple le N,N'-Bis(naphthalen-1-yl)-N,N'-bis(phenyl)benzidine (alpha-NPB). La couche de transport d'électron peut être composée de tris-(8-hydroxyquinoline) aluminum (AIg3) ou le bathophenanthroline (BPhen). 15 L'électrode supérieure peut être une couche de Mg/Al ou LiF/Al. Des exemples d'empilements électroluminescents organiques sont par exemple décrits dans le document US6645645. Si les couches électroluminescentes organiques sont des polymères on parle de PLED (Polymer Light Emitting Diodes en anglais). 20 Le matériau électroluminescent organique de la couche mince est constitué à partir de CES polymères (pLEDs) comme par exemple le PPV pour poly(para-phénylène vinylène), le PPP (poly(para-phénylène), le DO-PPP (poly(2-décyloxy-1,4-phénylène), le MEH-PPV (poly[2-(2'-éthylhexyloxy)-5-méthoxy-1,4-phénylène vinylène)]), le CN-PPV (poly[2,5-bis(hexyloxy)-1,4- 25 phénylène-(1-cyanovinylène)]) ou les PDAF (poly(dialkylfluorène), la couche de polymère est associée également à une couche qui favorise l'injection des trous (HIL) constituée par exemple du PEDT/PSS (poly (3,4-ethylènedioxythiophène/ poly(4-styrène sulfonate)). Un exemple de PLED consiste en un empilement suivant : 30 - une couche de poly(2,4-ethilene dioxythiophene) dopé au poly(styren sulphonate) (PEDOT :PSS) de 50nm, - une couche de phenyl poly (p-phenylenevynilene) Ph-PPV de 50nm. L'électrode supérieure peut être une couche de Ca. - 30 - L'invention porte aussi sur le procédé de fabrication de l'électrode composite sur le substrat porteur tel que défini précédemment comportant, dans une première configuration, les étapes suivantes : - une première étape de formation directe de l'arrangement en réseau du conducteur, comprenant au moins l'un des dépôts suivants: - un dépôt du matériau électroconducteur du réseau par tampon encreur ou par jet d'encre conductrice sur le substrat, - un dépôt dans un réseau de gravure du substrat, de préférence verrier. io - une deuxième étape comprenant un dépôt par voie liquide du revêtement électroconducteur. Ou, dans une deuxième configuration, les étapes suivantes : - une première étape de formation directe de l'arrangement en réseau du conducteur incluant un dépôt du matériau électroconducteur, au 15 travers d'une couche sur le substrat de préférence verrier, dite masque, avec des ouvertures autorganisées en réseau, jusqu'à remplir une fraction de la profondeur des ouvertures, - une deuxième étape comprenant un dépôt par voie liquide du revêtement électroconducteur. 20 Comme déjà indiqué, le dépôt du matériau électroconducteur du réseau dans le masque ou le réseau de gravure peut être de préférence réalisé par un dépôt simple, non sélectif, de préférence par dépôt sous vide, notamment par évaporation, ou encore par voie liquide, notamment par raclage d'une encre conductrice, par trempage , par impression (plane ou 25 rotative) Ce dépôt est éventuellement complété par une recharge électrolytique par un métal tel que l'or, l'argent, le cuivre. Dans la deuxième configuration, le procédé selon l'invention comporte une étape de formation du masque comprenant : - le dépôt sur le substrat (nu ou revêtu) d'une couche dite de masquage, 30 -la cuisson (c'est-à-dire un séchage si la couche est liquide) de la couche de masquage jusqu'à l'obtention des ouvertures en réseau formant ledit masque. La couche de masquage peut être avantageusement une solution de -31 - particules colloïdales stabilisées et dispersées dans un solvant, notamment une solution aqueuse de colloïdes à base de copolymères acryliques. En modifiant les paramètres de contrôle choisis parmi le coefficient de frottement entre les colloïdes compactés et la surface du substrat, la taille des nanoparticules, la vitesse d'évaporation, la concentration initiale en particules, la nature du solvant, l'épaisseur dépendant de la technique de dépôt, on peut ajuster le rapport B/A. On peut procéder au nettoyage des ouvertures en réseau préalablement à l'élaboration de la première étape de dépôt, de préférence à io l'aide d'une source plasma à pression atmosphérique. Toujours dans la deuxième configuration, on peut avant la deuxième étape de dépôt, prévoir une étape d'enlèvement, par exemple par dissolution chimique sélective du masque (dans de l'eau, alcool, solutions acide ou basique), jusqu'à laisser révéler ledit réseau électroconducteur. 15 Dans la première configuration ou la deuxième configuration (après retrait du masque jusqu'à laisser révéler ledit réseau électroconducteur), on peut prévoir un dépôt d'une matière de remplissage faiblement électroconductrice de résistitivité p2 d'épaisseur inférieure, ou même supérieure à l'épaisseur du réseau. 20 Cette matière de remplissage peut être éventuellement également diffusante, haut indice, et en les matériaux déjà décrits, notamment être une couche sol-gel. Le dépôt peut être réalisé par exemple par impression, par sérigraphie, par raclage d'une encre, par trempage, par pulvérisation liquide, 25 en fonction des matériaux et des formulations choisis. Dans la première configuration ou la deuxième configuration (après retrait du masque jusqu'à laisser révéler ledit réseau électroconducteur), on peut prévoir dans une alternative, une étape de remplissage des brins et de couverture du réseau électroconducteur par une matière de remplissage 30 surfaçable, un éventuel traitement thermique, suivi d'une étape de polissage mécanique jusqu'à obtenir un réseau électroconducteur et une couche de remplissage (sensiblement) de même hauteur et avec une surface suffisamment lisse avant ladite deuxième étape. - 32 - Cette couche de remplissage surfaçable peut être sérigraphiée par exemple de la fritte de verre, ou être une couche sol gel de préférence transparente par exemple une couche de silice minérale ou hybride déjà décrite. Lorsque la couche de remplissage est isolante, le surfaçage doit naturellement permettre de découvrir la surface des brins pour un contact électrique avec le revêtement électrocondcuteur sus-jacent. Lorsque la couche de remplissage est électroconductrice, elle encore couvrir le réseau après polissage. io Le traitement thermique sert par exemple à fondre la fritte de verre ou, pour la couche sol gel, à éliminer le solvant et/ou à densifier la couche. Plusieurs traitements thermiques sont naturellement possibles. Grâce au polissage, la deuxième étape de dépôt peut même être par une étape de dépôt par voie gazeuse, par pulvérisation notamment d'un oxyde 15 métallique conducteur simple, dopé et/ou mixte comme ceux déjà décrits. Dans la deuxième configuration, et en utilisant un masque conservé et polissable, tel que le masque sol- gel hybride déjà décrit, on peut prévoir une étape de polissage mécanique jusqu'à obtenir un réseau électroconducteur et un masque de même hauteur et avec une surface lisse avant la deuxième 20 étape de dépôt. A nouveau, grâce au polissage, la deuxième étape de dépôt peut même être par une étape de dépôt par voie gazeuse, par pulvérisation notamment d'un oxyde métallique conducteur simple, dopé et/ou mixte comme ceux déjà décrits. 25 Enfin, lors de ladite deuxième étape de dépôt du procédé, on peut prévoir le remplissage de l'espace entre brins, par le revêtement électroconducteur, en une ou plusieurs passes. L'invention sera maintenant décrite plus en détails à l'aide d'exemples non limitatifs et de figures : 30 - La figure 1 est une vue schématique en coupe d'un premier dispositif électroluminescent organique, lequel comprend une électrode inférieure composite suivant un premier mode de réalisation de l'invention, - 33 - -La figure 2 illustre une vue schématique de dessus du réseau de l'électrode utilisé dans le dispositif de la figure 1, - La figure 3 est une vue schématique en coupe d'un deuxième dispositif électroluminescent organique, lequel comprend une électrode inférieure composite suivant un deuxième mode de réalisation de l'invention, - La figure 4 est une vue schématique en coupe d'un troisième dispositif électroluminescent organique, lequel comprend une électrode inférieure composite suivant un troisième mode de io réalisation de l'invention, - La figure 5 est une vue schématique en coupe d'un quatrième dispositif électroluminescent organique, lequel comprend une électrode inférieure composite suivant un quatrième mode de réalisation de l'invention, 15 - La figure 6 est une vue schématique en coupe d'un cinquième dispositif électroluminescent organique, lequel comprend une électrode inférieure composite suivant un cinquième mode de réalisation de l'invention. On précise que par souci de clarté les différents éléments des objets 20 représentés ne sont pas reproduits à l'échelle. DISPOSITIFS ELECTROLUMINESCENTS ORGANIQUES Exemple 1 25 La figure 1, volontairement très schématique, elle représente en coupe latérale un dispositif électroluminescent organique 100 (émission à travers le substrat ou � bottom emission � en anglais). Ce dispositif 100 comporte un substrat plan 1 de verre silico-sodocalcique clair, par exemple rectangulaire, de 0,7 mm d'épaisseur, avec des 30 première et deuxième faces principales 11,12. La première face principale 11 comporte: - une électrode inférieure composite 2, détaillée plus tard, - un système électroluminescent organique 3, par exemple un SM- - 34 - OLED de structure suivante : - une couche en alpha-NPD, - une couche en TCTA + Ir(ppy)3r - une couche en BPhen, - une couche en LiF, une électrode supérieure réfléchissante 4, notamment métallique notamment à base d'argent ou d'aluminium. Plus précisément, l'électrode inférieure composite 2 comporte d'abord un conducteur en réseau apériodique 21, épais de 1 pm, formé de brins io irréguliers à base d'argent, de largeur moyenne A de l'ordre de 3 pm, et espacées entre eux d'une distance moyenne B de l'ordre de 30 pm, avec un rapport B/A de 10. De cette façon, par un choix judicieux de B/A et de l'épaisseur, la résistance carré de ce réseau 21, particulièrement basse, est de 15 0,6 Ohm/carré environ. La transmission lumineuse TL de ce réseau 21 est de 70% environ et les brins sont invisibles à l'oeil nu. L'électrode inférieure composite 2 comporte ensuite un revêtement électroconducteur 22, ce dernier remplissant l'espace entre brins et couvrant les brins de façon à former une surface externe d'électrode lissée. 20 Ce revêtement électroconducteur 22 est en matériau IZO avec une épaisseur au-dessus des brins de 500 nm environ et une résistivité pi de 10-2 Ohm.cm environ pour mieux répartir le courant. La transmission lumineuse TL de l'électrode composite 2 est de 60%. Ce revêtement électroconducteur 22 est obtenu, une couche sol-gel 25 obtenue à partir d'acétate de zinc et de nitrate d'indium en solution dans le 2-méthoxyéthanol. L'éthanolamine est utilisée comme stabilisant. Le ratio molaire entre le zinc et l'indium est de 0,5. La formulation est déposée de préférence par trempage ou par pulvérisation liquide. La formulation déposée est séchée 1h à 100°C puis recuite à 500°C pendant 1h. Une variante consiste 30 à doper ce matériau avec du gallium, le matériau est alors dénommé IGZO. Ceci est réalisé en ajoutant au sol la quantité souhaitée de nitrate de gallium. Ce revêtement électroconducteur sol-gel 22 peut être également obtenu à partir de précurseurs InCI3 et ZnCl2. - 35 - Le réseau électroconducteur 21 est fabriqué par évaporation d'argent sur un masque doté d'un réseau d'ouvertures autoorganisées. Le masque est retiré ensuite. L'arrangement irrégulier du réseau électroconducteur 21 avec ses brins 210 est montré en figure 2. Pour l'alimentation électrique des électrodes 2, 4, on pratique, avant le dépôt des couches organiques 3, une ouverture de l'électrode composite 2 à proximité d'un bord longitudinal et de préférence sur toute sa longueur. Cette ouverture est réalisée par exemple par laser et est large de 150 pm environ. On vient ensuite passiver cette zone gravée au moyen d'une résine isolante 5 io de type acrylique. Dans les zones de jonction électrique, prévues ici à proximité des bords longitudinaux, on préfère rajouter des bus bars conventionnels 6 par exemple en sérigraphiant de l'argent sur les électrodes 2, 4. Le dispositif 100 produit un éclairage homogène sur une surface qui 15 peut être grande. Si l'on souhaite créer une pluralité de zones lumineuses, on réalise au moment de la gravure pour la connectique, d'autres gravures laser adéquates, par exemple larges de 150 pm, et on passive ensuite. Exemple 2 20 La figure 3 montre une vue de coupe d'un dispositif électroluminescent organique 200 qui comprend une électrode composite 2'. Seules les modifications par rapport au dispositif 100 sont détaillées ci-après. Entre les brins du réseau 21, on utilise une couche de remplissage haut indice 23, formée de nanoparticules de TiO2 de taille inférieure à 50 nm. 25 L'indice est de l'ordre de 1,8. Cette couche 23 peut être déposée avec un solvant qui est ensuite évaporé. Cette couche 23 améliore l'extraction des modes guidés dans les couches organiques. Le revêtement électroconducteur 22', en PEDOT/ PSS déposé par voie liquide, est de résistivité pi de l'ordre de 10-1 Ohm.cm, d'épaisseur de l'ordre 30 de 100 nm, vient combler l'espace restant et lisser l'électrode 2'. On peut alternativement utiliser une couche de remplissage haut indice électroconductrice, de résistivité p2 entre 10-3 et 103 Ohm.cm, avec de préférence p2 inférieure à pi. On emploie pour ce faire une couche à base - 36 - d'oxydes transparents conducteurs comme ZnO, SnO2r ITO, IZO, déposé par exemple par trempage, par pulvérisation liquide, (voie sol gel notamment) ou encore par sérigraphie. Pour faciliter la fabrication, son épaisseur peut être supérieure à celle du réseau 22, la couche de remplissage couvrant alors le réseau. Pour la couche de remplissage, on peut utiliser les produits vendus par la compagnie Sumitomo Metal Mining Co. Ltd suivants : - X100�, X100�D particules d'ITO dispersées dans un liant résine (optionnel) et avec solvant cétone, io - X500�, particules d'ITO dispersées dans un solvant alcool, - CKR� particules d'argent revêtu d'or, dans un solvant alcool, - CKRF� particules d'or et d'argent agglomérées. Exemple 3 15 La figure 4 montre une vue de coupe d'un dispositif électroluminescent organique 300 qui comprend une électrode composite 2". Seules les modifications par rapport au dispositif 100 sont détaillées ci après. Le réseau 21' est moins dense, avec des brins de largeur moyenne A de l'ordre de 10 pm, l'espacement moyen entre les brins B étant de l'ordre de 20 100 pm. Pour améliorer l'extraction des modes guidés dans les couches organiques 3, on remplit l'espace entre les brins par une couche de remplissage diffusante 23' formée par exemple de particules d'ITO de 150 nm éventuellement dispersées dans un liant par exemple une résine acrylique ou 25 dans un liant minéral. Cette couche peut être par exemple sérigraphiée. Cette couche 23' est en outre électroconductrice. La résistivité p2 est choisie supérieure à la résistivité pi notamment entre 10-1 et 10 Ohm.cm. Pour faciliter la fabrication, son épaisseur est supérieure à celle du réseau 22, par exemple égale à 4 pm, la couche de remplissage 23' couvrant 30 alors le réseau 21'. Le revêtement électroconducteur 22", est une couche sol gel en ITO déposé par exemple par trempage ou par pulvérisation liquide, d'épaisseur de l'ordre de 200 nm. Le revêtement électroconducteur 22" vient achever le - 37 - lissage. Sa résistivité pi est de l'ordre de 10-2 Ohm.cm. On peut par exemple utiliser le produit dénommé DX-400� vendu par la société Sumitomo Metal Mining Co. Ltd. Il s'agit d'une pate à base d'alcoxydes d'étain et d'indium, de solvant organique et d'agent de contrôle de viscosité. Exemple 4 La figure 4 montre une vue de coupe d'un dispositif électroluminescent organique 300 qui comprend une électrode composite 20. Seules les io modifications par rapport au dispositif 100 sont détaillées ci après. Entre les brins du réseau 210, est intercalée une couche de remplissage 230 en fritte de verre fondue. La surface formée par les brins du réseau 210 et de la fritte de verre fondue 230 est lissée par polissage mécanique en employant par exemple un 15 polissage à l'alumine, ou à l'oxyde cérium etc. Cette fritte de verre peut en variante être haut indice. Pour la fabrication de l'électrode composite 210, on dépose de la fritte de verre entre les brins du réseau 210 et au delà jusqu'à former une surcouche sur les brins. Après recuit, on vient ensuite araser la surface 20 jusqu'au niveau des brins. On peut alternativement choisir comme couche de remplissage une couche sol-gel, par exemple une couche de silice hybride obtenue à partir d'un sol composé de Méthyltriéthoxysilane (MTEOS). Le précurseur est hydrolysé dans un milieu eau/éthanol, l'eau étant acidifiée à pH = 2 avec de l'acide 25 chlorhydrique. Pour 1 mole de MTEOS, on ajoute 3 moles d'eau et 3 moles d'éthanol. La formulation est déposée de préférence par trempage ou par pulvérisation liquide. La formulation déposée est séchée à 100°C puis subit un traitement thermique d'une heure à 450°C. On peut de préférence choisir de déposer la formulation en surcouche, et après séchage éventuel et recuit, de 3o polir la couche sol gel, en arasant la surface jusqu'au niveau des brins. Cette couche sol gel peut être haut indice par exemple en étant chargée avec du ZrO2. La couche de remplissage 230 étant isolante, on choisit le revêtement - 38 - électroconducteur 220 de résistivité assez basse. Le revêtement électroconducteur 220 préserve le lissage et permet de répartir le courant. Grâce au polissage, on peut choisir de déposer le revêtement électroconducteur 220 par dépôt par voie gazeuse. On choisit par exemple de déposer par pulvérisation de l'ITO pour obtenir une résistivité pi de l'ordre de 10-4 Ohm.cm, avec une épaisseur à partir de 40 nm. On peut aussi former une couche sol gel d'ITO de résistivité pi de l'ordre de 10- 2 à 10.3 Ohm.cm, avec une épaisseur de l'ordre de 70 nm. Le revêtement électroconducteur peut être alternativement du io PEDOT/PSS déposé par voie liquide. Dans une variante du dispositif électroluminescent organique 400, on n'utilise pas de fritte de verre polie car on conserve un masque à réseau d'ouvertures autoorganisés, typiquement des fissures, utilisé pour fabriquer le réseau de l'électrode. Il s'agit d'un masque monolithique solide et poli par 15 exemple une couche sol-gel hybride. De préférence on choisit une couche de silice obtenue à partir d'un sol composé de triéthoxysilane (TEOS) et de Méthyltriéthoxysilane (MTEOS) dans un ratio molaire égal à 1. Les précurseur sont hydrolysés dans un milieu eau/éthanol, l'eau étant acidifiée à pH = 2 avec de l'acide chlorhydrique. La concentration massique en précurseurs est 20 de 45%. La formulation est déposée de préférence par trempage ou par pulvérisation liquide. Après dépôt, la formulation subit directement un traitement thermique haute température, par exemple d'une heure à 450°C, pour générer les fissures. Pour la fabrication de l'électrode composite lissée, on dépose du 25 matériau conducteur de réseau, par exemple de l'argent, par voie liquide par exemple par raclage d'une encre jusqu'à remplir une fraction de la hauteur du masque. On vient ensuite araser la surface du masque par polissage jusqu'au niveau des brins. 30 Exemple 5 La figure 6 montre une vue de coupe d'un dispositif électroluminescent organique 500 qui comprend une électrode composite 20'. Seules les modifications par rapport au dispositif 100 sont détaillées ci après. - 39 - Le réseau électroconducteur 210' est dans un réseau de gravure 110 du verre 1, d'un micron d'épaisseur. On utilise un masque sol gel fissuré sur le verre par exemple à base de silice hybride ou non. On grave le substrat par voie humide avec une solution HF. Le dépôt du matériau du réseau est réalisé en gardant le masque sol gel, le dépôt s'effectuant au travers des fissures. On choisit de préférence un dépôt sous vide, par exemple un dépôt d'argent par évaporation ou un dépôt d'ITO ou d'IZO par pulvérisation. On peut aussi choisir une voie liquide par io exemple par raclage d'une encre à l'argent. On peut contrôler l'épaisseur de dépôt pour remplir de préférence entièrement les zones gravées. Si l'on retire le masque avant dépôt du matériau de réseau, on procède ensuite à un polissage du verre pour éliminer sur sa surface libre le dépôt électroconducteur. 15 Le revêtement électroconducteur 220' peut être par exemple du PEDOT/PSS déposé par voie liquide d'épaisseur à partir de 50 nm. On veille à ce que la gravure longitudinale 51 pour la connectique soit plus profonde que le réseau de gravure 110. 20 Dans tous les exemples, la surface externe du revêtement est telle que, en partant d'un profil dit réel de la surface externe sur la période moyenne du réseau B+A et en formant un profil corrigé par filtrage nanométrique pour éliminer la microrugosité locale, on obtient, en tout point du profil corrigé, un angle formé par la tangente au profil corrigé avec le plan 25 moyen du profil corrigé inférieur ou égal à 45°. En partant du profil résiduel formé par la différence entre le profil réel et le profil corrigé, on obtient, en tout point du profil corrigé, une différence d'altitude maximale entre le point le plus haut et le point le plus bas du profil résiduel inférieure à 50 nm sur la période moyenne du réseau B+A. 30 FABRICATION DE L'ELECTRODE COMPOSITE On donne ci-après un exemple de fabrication de l'électrode composite - 40 - employant un masque à réseau d'ouvertures auto générées dans un mode de réalisation préféré. a) Fabrication du masque à ouvertures autogénérées On réalise d'abord le masque à ouvertures autogénérées. Pour cela, on dépose par voie liquide une émulsion simple de particules colloïdales à base de copolymère acrylique stabilisées dans de l'eau selon une concentration massique de 40 %. Les particules colloïdales présentent une dimension caractéristique comprise de 80 à 100 nm et sont commercialisées sous la société DSM sous la marque Neocryl XK 52. io On procède alors au séchage de la couche dite de masquage incorporant les particules colloïdales de manière à faire évaporer le solvant. Ce séchage peut être réalisé par tout procédé approprié (séchage à l'air chaud Lors de cette étape de séchage, le système s'auto-arrange et décrit 15 des motifs suivant une structure caractérisée par la largeur moyenne du motif dénommé par la suite Al et la distance moyenne entre les motifs dénommé par la suite B1. Ce masque stabilisé sera par la suite défini par le rapport B1/A1. On obtient un masque stable sans avoir recours à un recuit. On peut modifier le rapport B1/A1 en adaptant par exemple le 20 coefficient de frottement entre les colloïdes compactées et la surface du substrat, ou encore la taille des nanoparticules, voire aussi la vitesse d'évaporation, ou la concentration initiale en particules, ou la nature du solvant, ou l'épaisseur dépendant de la technique de dépôt. Afin d'illustrer ces diverses possibilités, on donne ci après un plan 25 d'expériences avec deux concentrations de la solution de colloïdes (Co et 0.5 x Co) et différentes épaisseurs déposées en réglant la vitesse de remontée de l'échantillon. On a déposé la solution par trempage. On remarque que l'on peut changer le rapport B1/A1 en changeant la concentration. Les résultats sont reportés dans le tableau suivant : 30 Concentration Vitesse de B1 : distance Al : largeur Rapport massique remontée entre les des motifs B1/A1 (cm/min) motifs (dam) (Pm) 20% 5 25 3 8,4 40 % 10 40 3,5 11,4 - 41 - On a par ailleurs déposé la solution de colloïdes à la concentration de C0=40% en utilisant des tire-films de différentes épaisseurs. Ces expériences montrent que l'on peut varier la taille des motifs Al et la distance entre les motifs B1 en ajustant l'épaisseur initiale de la couche de colloïdes. Les résultats sont reportés dans le tableau suivant : Epaisseur ~0 B1 : espace Al : largeur Rapport déposée par le % entre les brins des brins B1/A1 tire-film (pm) massique (pm) (pm) 30 40 20 2 10 120 40 110 10 11,1 io b) Nettoyage du masque L'utilisation d'une source plasma en tant que source de nettoyage des particules organiques situées en fond de fissure permet ultérieurement d'améliorer l'adhésion du matériau électroconducteur servant au réseau de l'électrode. 15 A titre d'exemple de réalisation, un nettoyage à l'aide d'une source plasma à pression atmosphérique, à plasma soufflé à base d'un mélange d'oxygène et d'hélium permet à la fois l'amélioration de l'adhésion du matériau déposé au fond des interstices et l'élargissement des interstices. On peut utiliser une source plasma de marque � ATOMFLOW � commercialisée par la 20 société Surfx. c) Fabrication du réseau électroconducteur A partir de ce masque, on réalise le réseau électroconducteur de l'électrode composite selon l'invention. Pour ce faire, on procède au(x) dépôt(s), au travers du masque, de matériau(x) électroconducteur(s) jusqu'à 25 remplir une fraction des interstices. Comme métal, on peut choisir de préférence l'argent, l'aluminium. Comme oxydes conducteurs, on peut choisir de préférence de l'ITO, IZO, IGZO. La largeur moyenne des brins conducteurs A est sensiblement égale à - 42 -Al. La distance moyenne entre les brins conducteurs B est sensiblement égale à B1. d) Retrait du masque Afin de révéler la structure du réseau à partir du masque, on procède s à une opération de � lift off �. Le masque colloïdal est immergé dans une solution contenant de l'eau et de l'acétone (on choisit la solution de nettoyage en fonction de la nature des particules colloïdales) puis rincé de manière à ôter toutes les parties revêtues de colloïdes. e) Remplissage et couverture du réseau io On procède au remplissage complet de l'espace entre les brins conducteurs par un matériau donné de préférence favorisant l'extraction des modes guidés dans les couches OLED (haut indice, diffusant..) et/ou étant électroconducteur, et à la couverture du réseau par un revêtement électroconducteur venant achever le lissage et ayant un rôle électrique de 15 répartition du courant ou de maintien d'une conductivité verticale. On peut en particulier venir combler l'espace entre brins et lisser en utilisant un même matériau faiblement électroconducteur, de résistivité adapté, comme dans l'exemple 1. 20 Il va de soi que l'invention s'applique de la même manière en utilisant d'autres systèmes électroluminescents organiques que ceux décrits dans les exemples, et en utilisant un substrat plastique. REVENDICATIONS 1. Substrat (1) porteur, sur une face principale (11), d'une électrode composite (2 à 20'), laquelle comporte : - un réseau électroconducteur (21 à 210') formé des brins en matériau électroconducteur à base de métal et/ou d'oxyde métallique, et présentant une transmission lumineuse d'au moins 60% à 550 nm, l'espace entre les brins du réseau étant rempli par une matière dite de io remplissage, - un revêtement électroconducteur (22 à 220') couvrant le réseau électroconducteur et en liaison électrique avec les brins, d'épaisseur supérieure ou égale à 40 nm, de résistivité pi inférieure à 105 Ohm.cm et supérieure à la résistivité du réseau, le revêtement formant une surface 15 externe d'électrode lissée, -l'électrode composite présentant en outre une résistance carré inférieure ou égale à 10 Ohm/carré. 2. Substrat (1) selon la revendication précédente caractérisé en ce que la surface externe est telle que, en partant d'un profil dit réel de la surface 20 externe sur la période moyenne du réseau B+A et en formant un profil corrigé par filtrage nanométrique pour éliminer la microrugosité locale, on obtient, en tout point du profil corrigé, un angle formé par la tangente au profil corrigé avec le plan moyen du profil corrigé inférieur ou égal à 45°, et en ce que, en partant du profil résiduel formé par la différence entre le profil 25 réel et le profil corrigé, on obtient, en tout point du profil corrigé, une différence d'altitude maximale entre le point le plus haut et le point le plus bas du profil résiduel inférieure à 50 nm sur la période moyenne du réseau B+A. 3. Substrat (1) selon l'une des revendications précédentes caractérisé en ce 30 que le rapport B/A entre la distance moyenne B entre les brins et la largeur moyenne des brins A est compris entre 5 et 15, avec de préférence une largeur moyenne de brins A entre 100 nm et 30 pm et/ou une distance moyenne entre brins B entre 5 pm et 300 pm.- 44 - 4. Substrat (1) selon l'une des revendications précédentes caractérisé en ce que le revêtement électroconducteur (22, 22') comprend une couche, à base de métal, notamment à base de nanoparticules en l'un des matériaux suivants : Ag, Al, Cu, Au, Pd, Pt, Cr, ou en ce que le revêtement électroconducteur (22, 22') comprend une couche, notamment sol gel, essentiellement à base d'oxyde d'étain, d'oxyde de zinc, d'oxyde d'indium simple éventuellement dopé et/ou mixte; et de préférence l'un au moins des oxydes dopés ou mixtes suivants : - de l'oxyde de zinc dopé ou allié avec au moins l'un des éléments suivants : io de l'aluminium, du gallium, de l'indium, du bore, de l'étain, - de l'oxyde d'indium dopé ou allié avec le zinc, le gallium et le zinc, l'étain, - de l'oxyde d'étain dopé au fluor ou à l'antimoine ou allié au zinc éventuellement dopé à l'antimoine 15 -de l'oxyde de titane dopé au niobium. 5. Substrat (1) selon l'une des revendications précédentes caractérisé en ce que le revêtement électroconducteur (22') comprend une couche essentiellement polymérique, ou d'un ou des polymères de l'une au moins des familles suivantes : poly(acétylène)s, poly(thiophène)s notamment une 20 couche notamment à base de poly(3,4-éthylènedioxythiophène), poly(pyrrole)s, poly(aniline)s, poly(fluorene)s, poly(3-alkyl thiophène)s, polytétrathiafulvalènes, polynaphthalènes, poly(p-phénylène sulfide) et poly(para-phénylène vinylène)s. 6. Substrat (1) selon l'une des revendications précédentes caractérisé en ce 25 que la matière de remplissage est électroconductrice (22"), la résistivité pi est inférieure ou égale à 103 Ohm.cm, ou en ce que la matière de remplissage est isolante, et la résistivité pi est inférieure ou égale à 10-1 Ohm.cm. 7. Substrat (1) selon l'une des revendications précédentes caractérisé en ce 30 que, la matière de remplissage (22) étant en le matériau du revêtement, le revêtement électroconducteur remplit sensiblement l'espace entre les brins, et de préférence l'épaisseur du revêtement entre les brins est au moins une fois et demi supérieure à la hauteur des brins.- 45 - 8. Substrat (1) selon l'une des revendications 1 à 7 caractérisé en ce que la matière de remplissage, dite haut indice (23), a un indice de réfraction supérieur ou égal à 1,65 à 550 m, et en ce que la distance B entre brins est de préférence inférieure ou égale à 50 dam, et les brins sont de préférence à base de métal, notamment à base d'argent, d'aluminium. 9. Substrat (1) selon l'une des revendications 1 à 7 caractérisé en ce que la matière de remplissage est diffusante (23'). 10. Substrat (1) selon l'une des revendications 1 à 6 caractérisé en ce que le réseau électroconducteur (210') est dans un réseau de gravure (110) du io substrat, de préférence verrier. 11. Substrat selon l'une des revendications 1 à 6 caractérisé en ce que la matière de remplissage est un masque avec un réseau d'ouvertures autogénérées, notamment en sol gel de silice éventuellement hybride, les brins remplissant les ouvertures du masque, la surface des brins et/ou du 15 masque étant de préférence lissée. 12. Substrat (1) selon l'une des revendications précédentes caractérisé en ce que le réseau électroconducteur (21 à 210') comprend une couche à base d'un matériau métallique pur choisi parmi l'argent, l'aluminium, le cuivre, le palladium, le chrome, le platine, l'or ou à base dudit matériau allié ou dopé 20 avec au moins un autre matériau choisi parmi : Ag, Au, Pd, Al, Pt, Cu, Zn, Cd, In, Si, Zr, Mo, Ni, Cr, Mg, Mn, Co, Sn. 13. Substrat (1) selon l'une des revendications précédentes caractérisé en ce que ledit substrat est verrier. 14. Substrat (1) selon l'une des revendications précédentes caractérisé en ce 25 qu'il comporte un système électroluminescent organique (3) déposé directement sur la surface externe d'électrode (2 à 20'). 15. Dispositif électroluminescent organique (100 à 500) incorporant un substrat (1) selon l'une quelconque des revendications précédentes, l'électrode composite (2 à 20') formant l'électrode dite inférieure, c'est-à-dire la plus 30 proche du substrat. 16. Dispositif électroluminescent organique (100 à 500) selon la revendication précédente caractérisé en ce qu'il forme une ou des surfaces lumineuses transparentes et/ou réfléchissantes, notamment un système éclairant,- 46 - décoratif, architectural, un panneau d'affichage de signalisation par exemple du type dessin, logo, signalisation alphanumérique, le système produisant une lumière uniforme ou des zones lumineuses différenciées notamment par extraction de lumière guidée dans le substrat verrier. 17. Dispositif électroluminescent organique (100 à 500) selon l'une des revendications 15 ou 16, caractérisé en ce qu'il est : - destiné au bâtiment, tel qu'un vitrage lumineux extérieur, une cloison lumineuse interne ou une (partie de) porte vitrée lumineuse notamment coulissante, io - destiné à un véhicule de transport, tel qu'un toit lumineux, une (partie de) vitre latérale lumineuse, une cloison lumineuse interne d'un véhicule terrestre, aquatique ou aérien, - destiné au mobilier urbain ou professionnel tel qu'un panneau d'abribus, une paroi d'un présentoir, d'un étalage de bijouterie ou d'une vitrine, une 15 paroi d'une serre, une dalle éclairante, - destiné à l'ameublement intérieur, un élément d'étagère ou de meuble, une façade d'un meuble, une dalle éclairante, un plafonnier, une tablette éclairante de réfrigérateur, une paroi d'aquarium, - destiné au rétroéclairage d'un équipement électronique, notamment d'un 20 écran de visualisation ou d'affichage éventuellement double écran, comme un écran de télévision ou d'ordinateur, un écran tactile, - un miroir éclairant, notamment pour l'éclairage d'une paroi de salle de bains ou d'un plan de travail de cuisine, ou pour être un plafonnier. 18. Procédé de fabrication de l'électrode composite sur le substrat (1) selon l'une 25 des revendications 1 à 14 caractérisé en ce qu'il comporte les étapes suivantes : - une première étape de formation directe de l'arrangement en réseau du conducteur, comprenant au moins l'un des dépôts suivants : - un dépôt du matériau électroconducteur du réseau par tampon 30 encreur, - un dépôt par jet d'encre conductrice sur le substrat, - un dépôt dans un réseau de gravure (110) du substrat, de préférence verrier.-47 - - une deuxième étape comprenant un dépôt par voie liquide du revêtement électroconducteur (220'). 19. Procédé de fabrication de l'électrode composite (2 à 20) sur le substrat selon l'une des revendications 1 à 14 caractérisé en ce qu'il comporte les étapes suivantes : - une première étape de formation directe de l'arrangement en réseau du conducteur, comprenant un dépôt du matériau électroconducteur du réseau au travers d'une couche sur le substrat, dite masque, avec des ouvertures autoorganisées en réseau, jusqu'à remplir une fraction de la io profondeur des ouvertures, - une deuxième étape comprenant un dépôt par voie liquide du revêtement électroconducteur. 20. Procédé de fabrication de l'électrode composite (2 à 20') selon l'une des revendications 18 ou 19 caractérisé en ce que le dépôt du matériau 15 électroconducteur du réseau dans le masque ou le réseau de gravure comprend un dépôt non sélectif, de préférence un dépôt sous vide, notamment par évaporation, ou un dépôt par voie liquide, notamment par impression, par raclage d'une encre conductrice, par trempage, par pulvérisation liquide, dépôt éventuellement complété par une recharge 20 électrolytique par un métal tel que l'or, l'argent, le cuivre. 21. Procédé de fabrication de l'électrode composite (2 à 20) selon l'une des revendications 19 ou 20 caractérisé en ce qu'il comporte une étape de formation du masque comprenant : - le dépôt sur le substrat d'une couche dite de masquage, 25 - la cuisson de la couche de masquage jusqu'à l'obtention des ouvertures en réseau formant ledit masque. 22. Procédé de fabrication de l'électrode composite (2 à 20) selon la revendication précédente caractérisé en ce que la couche de masquage est une solution de particules colloïdales stabilisées et dispersées dans un 30 solvant, notamment une solution aqueuse de colloïdes à base de copolymères acryliques.- 48 - 23. Procédé de fabrication de l'électrode composite (2 à 2") selon l'une des revendications 18 à 22 caractérisé en ce qu'avant ladite deuxième étape, il comporte : - une étape de remplissage, de préférence par voie liquide, de l'espace entre brins par l'une au moins des matières de remplissage suivantes : ladite matière haut indice, ladite matière diffusante, ou encore ladite matière faiblement électroconductrice de résistitivité p2 recouvrant éventuellement les brins, - le cas échéant, une étape de retrait du masque éventuellement présent io jusqu'à laisser révéler ledit réseau électroconducteur, précède le remplissage. 24. Procédé de fabrication de l'électrode composite (20) selon l'une des revendications 18 à 22 caractérisé en ce qu'avant la deuxième étape, il comporte : 15 - une étape de remplissage, de préférence par voie liquide, de l'espace entre brins et de couverture des brins par une matière de remplissage surfaçable, notamment par sérigraphie, par trempage, par pulvérisation liquide, - une éventuelle étape de traitement thermique, 20 - suivi d'une étape de polissage mécanique jusqu'à obtenir un réseau électroconducteur et une matière de remplissage, notamment une fritte de verre fondue, un sol-gel, de même hauteur et avec une surface suffisamment lisse, - le cas échéant, une étape de retrait du masque éventuellement présent 25 jusqu'à laisser révéler ledit réseau électroconducteur, précède le remplissage. 25. Procédé de fabrication de l'électrode composite (20) selon la revendication 24 caractérisé en ce que la deuxième étape de dépôt est remplacée par une étape de dépôt par voie gazeuse d'un oxyde métallique conducteur. 30 26. Procédé de fabrication de l'électrode composite (2) selon l'une des revendications 18 à 23 caractérisé en ce que lors de la deuxième étape, on remplit sensiblement entièrement l'espace entre brins par le revêtement-49 - électroconducteur, de préférence par sérigraphie, par trempage ou par pulvérisation liquide. 27. Procédé de fabrication de l'électrode composite selon la revendication 19 caractérisé en ce que le masque, notamment une couche sol gel, est polissable et le procédé comprend une étape de polissage mécanique jusqu'à obtenir un réseau électroconducteur et un masque de même hauteur et avec une surface suffisamment lisse avant la deuxième étape de dépôt et en ce que la deuxième étape de dépôt est éventuellement remplacée par une étape de dépôt par voie gazeuse d'un oxyde métallique conducteur. io