FR 2932315 A1 20091211 FR 0853811 A 20080609 ELEMENT MAGNETIQUE TRICOUCHES, PROCEDE POUR SA REALISATION, CAPTEUR DE CHAMP MAGNETIQUE, MEMOIRE MAGNETIQUE ET PORTE LOGIQUE MAGNETIQUE METTANT EN OEUVRE UN TEL ELEMENT DOMAINE TECHNIQUE DE L'INVENTION La présente invention se rattache au domaine des matériaux magnétiques, plus particulièrement destinés à être mis en oeuvre en tant que capteurs de champ magnétique, ou au sein des mémoires magnétiques permettant le stockage et la lecture de données dans des systèmes électroniques, voire dans la réalisation d'éléments utilisables dans le domaine de la logique magnétique reprogrammable. ETAT ANTERIEUR DE LA TECHNIQUE Une des applications visées par la présente invention concerne des éléments magnétiques permettant la détection de champs magnétiques basée sur la mesure de l'Effet Hall Extraordinaire. Il existe deux types d'Effets Hall: l'Effet Hall Ordinaire et l'Effet Hall Extraordinaire. L'Effet Hall Ordinaire existe dans les matériaux métalliques ou semi-conducteurs dopés, et est dû à la force de Lorentz agissant sur les électrons sous l'effet d'un champ magnétique. L'Effet Hall Extraordinaire existe limitativement dans les matériaux ferromagnétiques et résulte de la diffusion des électrons par interaction spin-orbite avec les moments magnétiques du matériau ferromagnétique. Un paramètre caractéristique de l'Effet Hall est la résistivité de Hall, qui s'exprime selon l'expression : Pxy = (VRy / I)t = RoH + 4nRsMz (1) où : ^ VRy est la tension de Hall mesurée dans le plan du film mince suivant une direction perpendiculaire à celle du courant électrique, ^ I est l'intensité du courant circulant dans le plan du film mince, ^ t est l'épaisseur du film mince, Ro est le coefficient de Hall Ordinaire, ^ H est l'amplitude du champ magnétique appliqué, ^ RS est le coefficient de Hall Extraordinaire et Mz, est la composante perpendiculaire de l'aimantation du film mince. Le premier terme de l'équation (1), RoH, correspond à la résistivité de Hall Ordinaire, et le second terme, 4iRSMz, correspond à la résistivité de Hall Extraordinaire. Pour des champs magnétiques relativement faibles, l'Effet Hall Ordinaire est généralement plusieurs ordres de grandeur plus faible que l'Effet Hall Extraordinaire, et peut donc être négligé. Si l'aimantation du film ferromagnétique est parallèle au plan, ce qui est généralement le cas pour des couches minces, sa composante perpendiculaire Mz, augmente linéairement avec le champ magnétique appliqué hors du plan, jusqu'à atteindre l'aimantation à saturation Ms. Donc, tant que Mz, est inférieur à ms, la tension de Hall Extraordinaire est proportionnelle au champ magnétique appliqué. La figure 1 représente schématiquement la variation de la résistivité de Hall avec le champ magnétique appliqué, pour un matériau magnétique en couche mince dont l'aimantation est parallèle au plan. Pour H C'est la pente de la courbe pRy(H) qui détermine la sensibilité en champ magnétique d'un tel capteur, exprimée en micro-ohm centimètre par Tesla (�S2cm/T). Cette pente peut également, compte tenu de l'épaisseur t du film mince, et suivant la relation pRy = t x RRy, être exprimée en ohm par Tesla (S2/T). Afin de maximiser cette pente, on peut, soit augmenter le terme RS d'Effet Hall Extraordinaire, soit diminuer l'anisotropie magnétique planaire du matériau afin de réduire le champ de saturation perpendiculaire. Le choix d'un matériau à forte résistivité longitudinale et à forte diffusion spin-orbite est favorable pour maximiser Rs. Cette forte résistivité longitudinale est également un avantage car elle permet, pour des dispositifs de petite taille, de conserver une réponse en tension suffisante tout en limitant le courant circulant dans ledit dispositif à des valeurs supportables, au dessous d'une valeur entraînant des modifications structurales irréversibles (phénomènes d'électromigration). La forte résistivité longitudinale est obtenue, soit en augmentant le désordre atomique du matériau (alliage désordonné par exemple), soit en diminuant l'épaisseur du film (il est connu que, pour une couche très mince, la résistivité électrique varie approximativement comme l'inverse de l'épaisseur du film). La contribution de diffusion spin-orbite est augmentée par un choix de matériau contenant des éléments de numéro atomique élevé, par exemple le platine, le palladium, l'or, ou les métaux de la série des Terres Rares. Il faut néanmoins remarquer que l'incorporation de tels matériaux est forcément limitée en concentration afin de conserver de bonnes propriétés magnétiques à l'alliage ferromagnétique. 10 Le deuxième moyen d'augmenter la pente de la courbe p,y(H) est de diminuer l'anisotropie magnétique planaire du matériau, c'est-à-dire d'introduire un terme supplémentaire de signe opposé au terme classique 4irMs. Ce terme noté Hs peut avoir pour origine soit une anisotropie volumique d'origine magnétocristalline ou induite par des contraintes élastiques de croissance, 15 soit une anisotropie d'interface due à des interactions électroniques interfaciales. Un cas typique est par exemple l'influence d'une couche de platine au contact d'une couche magnétique de cobalt, de nickel ou de fer. En présence de ce terme supplémentaire, le champ d'anisotropie perpendiculaire HK peut 20 s'écrire de la façon suivante: HK = 4irMs û Hs (2) D'une manière qualitative, le champ d'anisotropie perpendiculaire HK va donc diminuer de 25 façon régulière lorsque Hs va augmenter, l'aimantation de la couche magnétique étant toujours parallèle au plan, jusqu'à tendre vers zéro, limite en deçà de laquelle, lorsque Hs est supérieur à 4irMs, l'aimantation de la couche magnétique est spontanément (c'est à dire sans champ magnétique appliqué) perpendiculaire au plan de la couche. Dans ce dernier cas le matériau magnétique possède deux états stables en champ nul, et peut donc être intégré dans des 30 dispositifs tels que mémoires magnétiques ou portes logiques magnétiques. La figure 2 est une représentation schématique de la courbe d'aimantation obtenue dans cette situation, pour un échantillon typique de composition Pti,8nm/Coo,6nm/Pti,8nm. Cette courbe peut être obtenue soit par mesure classique de magnétométrie, soit par mesure de l'Effet Hall, soit 35 encore par mesure de l'Effet Kerr ou de l'Effet Faraday magnéto-optique. Les flèches indiquent le sens de parcours du cycle magnétique lorsque l'on applique l'excitation magnétique H indiquée en abscisse. Les flèches monodirectionnelles représentent les évolutions irréversibles des cycles, tandis que les flèches bidirectionnelles représentent leurs évolutions réversibles. En ordonnée, les niveaux d'aimantation sont donnés en unités arbitraires. En réduisant progressivement le champ magnétique appliqué d'une valeur positive, par exemple, à une valeur nulle, l'aimantation de la couche magnétique reste perpendiculaire à son plan et orientée dans le sens de ce champ magnétique précédemment appliqué. Il est alors nécessaire d'appliquer un champ magnétique de sens opposé, d'amplitude plus ou moins grande, afin de réorienter l'aimantation de la couche, toujours dans une direction perpendiculaire au plan, mais dans un sens opposé, à savoir dans le sens de ce nouveau champ magnétique appliqué. Le champ magnétique nécessaire à ce basculement, plus précisément le champ magnétique qu'il faut appliquer pour que l'aimantation, moyennée sur l'ensemble des domaines magnétiques, soit nulle, est appelé champ coercitif, et dénommé H, sur la figure 2. La valeur de ce champ coercitif va déterminer la stabilité de l'aimantation, dans un sens ou dans l'autre, vis à vis des perturbations magnétiques extérieures. Plus ce champ coercitif est fort, plus le matériau est stable vis à vis de ces perturbations. Mais aussi, dans ce cas, plus il est difficile de modifier intentionnellement la direction de l'aimantation par l'application d'un champ magnétique perpendiculaire, comme par exemple dans le cadre de l'utilisation de ce matériau en tant que mémoire magnétique, pour laquelle l'information est justement codée par le sens de l'aimantation. On peut donc préférer un champ coercitif faible nécessitant moins d'énergie pour réussir à faire basculer l'aimantation, avec peut-être dans ce cas nécessité � d'isoler � magnétiquement le dispositif vis à vis des perturbations magnétiques extérieures, ou alors préférer un champ coercitif fort, ce qui rend le dispositif plus stable mais plus consommateur d'énergie dans la phase d'écriture de l'information. Il faut également mentionner que l'on peut utiliser d'autres façons de déterminer l'orientation et l'amplitude de l'aimantation d'une couche magnétique, par exemple grâce aux effets magnéto-optiques, dans lesquels l'interaction entre la lumière incidente et les moments magnétiques de la couche magnétique provoque une rotation du plan de polarisation de la lumière incidente ainsi qu'une modification de son ellipticité. Pour déterminer l'orientation de l'aimantation de cette couche magnétique, on peut également rajouter une deuxième couche magnétique, séparée de la première par une couche d'un métal non magnétique ou par une couche d'oxyde, la direction de l'aimantation de cette deuxième couche étant connue. En mesurant la résistance électrique d'une telle tricouche, on peut déterminer la direction de l'aimantation de la première couche magnétique, la résistance électrique de cet empilement étant plus faible dans le cas où les deux aimantations sont parallèles, comparé au cas où les aimantations sont anti-parallèles (phénomène bien connu de magnétorésistance géante ou tunnel). La circulation du courant électrique peut se faire, soit dans le plan des couches, soit dans une direction perpendiculaire au plan des couches si l'échantillon a été taillé sous la forme d'un pilier ayant des dimensions latérales de l'ordre du micron ou moins. Pour déterminer l'orientation de l'aimantation de cette couche magnétique, on peut également placer à sa proximité une tête de lecture magnétorésistive qui sera influencée par le champ 15 rayonné par les domaines magnétiques de cette couche. Il existe dans la littérature quelques matériaux qui peuvent présenter certaines des caractéristiques exposées ci-dessus. 20 On peut citer par exemple les systèmes multicouches bien connus cobalt/platine, qui présentent une forte anisotropie magnétique perpendiculaire. En fonction des épaisseurs des couches élémentaires de platine et de cobalt, du nombre de répétitions du motif (Co/Pt) et de la présence d'une couche tampon de platine, on peut obtenir, soit un système présentant une aimantation spontanément (en champ magnétique nul) perpendiculaire au plan des couches, 25 soit une aimantation dans le plan des couches mais présentant une très forte susceptibilité magnétique perpendiculaire (pente de la courbe Mz, = f(H)). Malheureusement ces matériaux présentent une résistivité longitudinale faible, due à la faible résistivité de ses composants métalliques. 30 Des structures s'apparentant à celles de la présente invention ont également été étudiées (voir B. Rodmacq, S. Auffret, B. Dieny, S. Monso, P. Boyer, "Crossovers from in-plane to perpendicular anisotropy in magnetic tunnel junctions as a function of the barrier degree of oxidation", Journal of Applied Physics, 2003, Vol. 93, p 7513). Elles consistent en l'empilement, sur un substrat, de couches successives de platine, de cobalt, et d'oxyde 35 d'aluminium, soit l'empilement inverse de l'un des empilements proposés dans la présente invention. Dans ces structures, l'amplitude de l'Effet Hall est relativement faible, principalement du fait de la présence d'une couche de platine relativement épaisse dans laquelle est dérivée une partie non négligeable du courant électrique circulant dans la structure. Des empilements de couches s'apparentant à ceux de la présente invention ont également été proposés dans la littérature, mais pas dans un but d'application dans des dispositifs de type capteurs de champ magnétique, mémoires magnétiques ou composants logiques magnétiques. On peut en premier lieu citer des travaux concernant des multicouches composées de couches de cobalt alternant avec des couches d'alumine (Al2O3) (voir Ch. Morawe, H. Zabel, "Structure and thermal stability of sputtered metal/oxide multilayers: the case of Co/Al203" , Journal of Applied Physics, 1995, Vol. 77, p. 1969). Dans cette publication, les auteurs ne mentionnent aucune éventuelle propriété d'anisotropie magnétique perpendiculaire de ces matériaux, objet de la présente invention. De plus, ces auteurs ne destinent absolument pas, contrairement à la présente invention, ces matériaux à une utilisation dans le domaine des capteurs de champ magnétique ou des mémoires ou composants logiques magnétiques basés notamment sur la mesure de l'Effet Hall Extraordinaire. En effet, les auteurs proposent d'utiliser ces matériaux uniquement pour leurs propriétés structurales dans le cadre de miroirs pour les rayons X. Ces travaux ne relèvent donc pas du champ d'application visé par la présente invention. On peut également citer des travaux concernant des multicouches "discontinues" composées de couches de cobalt ou d'alliages cobalt-fer alternant avec des couches de silice SiO2 ou d'alumine Al2O3 (voir B. Dieny, S. Sankar, M. R. McCartney, D. J. Smith, P. Bayle-Guillemaud, A. E. Berkowitz, "Spin-dependent tunnelling in discontinuous metal/insulator multilayers", Journal of Magnetism and Magnetic Materials, 1998, Vol.185, p.283). Par le terme � discontinues �, les auteurs font référence au fait que les couches de cobalt ou d'alliage cobalt-fer ne sont pas sous forme de couche mince d'épaisseur quasi-uniforme, mais plutôt sous la forme d'agrégats de cobalt ou cobalt-fer enrobés dans la matrice d'oxyde. Ces systèmes sont préparés par pulvérisation cathodique en déposant alternativement les couches de métal magnétique et les couches d'oxydes. Or, les atomes de cobalt ou de cobalt-fer tendent à coalescer sous la forme d'îlots disjoints, ce qui conduit à une structure en plan d'agrégats plus ou moins indépendants, suivant l'épaisseur de métal déposée, noyés dans la matrice isolante. Dans ces structures, on ne conserve donc que le � souvenir � de cette couche mince de cobalt ou cobalt-fer, ce qui est une situation complètement différente de celle considérée dans la présente invention. Dans ces études relatives aux multicouches discontinues métal/isolant, aucune mention n'est faite quant à d'éventuelles propriétés d'anisotropie magnétique perpendiculaire de ces matériaux. Enfin, ces auteurs ne destinent pas non plus ces matériaux à une utilisation dans le domaine des capteurs de champ magnétique ou des mémoires ou composants logiques magnétiques basés notamment sur la mesure de l'Effet Hall Extraordinaire. Ces travaux ne relèvent donc pas non plus du champ d'application visé par la présente invention. On peut aussi citer des travaux concernant des multicouches fabriquées par dépôt d'un alliage cobalt-fer suivi d'une oxydation naturelle de la surface de cet alliage en présence d'oxygène (voir G. S. D. Beach, A. E. Berkowitz, "Co-Fe metal/native-oxide multilayers: a new direction in soft magnetic thin film design I. Quasi-static properties and dynamic response", IEEE Transactions on Magnetics, 2005, Vol. 41, p 2043, et G. S. D. Beach, A. E. Berkowitz, "Co-Fe metal/native-oxide multilayers: a new direction in soft magnetic thin film design II. Microscopic characteristics and interactions ", IEEE Transactions on Magnetics, 2005, Vol. 41, p 2053). Ces multicouches présentent une forte résistivité électrique, un fort moment magnétique et une grande � douceur � magnétique (facilité à saturer l'aimantation dans une direction parallèle au plan des couches). Les auteurs ne mentionnent pas de propriété spéciale quant à l'amplitude de l'Effet Hall Extraordinaire. S'ils présentent des résultats semblant indiquer une tendance à l'apparition d'une certaine anisotropie perpendiculaire pour les faibles épaisseurs de métal magnétique, un examen plus précis des résultats montre que la réduction observée de l'amplitude du champ d'anisotropie perpendiculaire HK est essentiellement due à une diminution du terme 4irMs (voir relation (2)), et non à une quelconque contribution d'un terme d'anisotropie perpendiculaire Hs. De la même manière, les auteurs prédisent que l'aimantation est spontanément perpendiculaire au plan des couches pour des épaisseurs de métal magnétique inférieures à 1,1 nanomètre, alors que dans le même temps ils présentent des résultats pour une épaisseur de 1,0 nanomètre, donc inférieure à cette limite, qui montrent sans ambiguïté que l'aimantation est dans ce cas parallèle au plan des couches et non pas perpendiculaire. On peut enfin citer des travaux concernant des empilements constitués de deux multicouches (Pt/Co) et (Co/Pt) séparées par une couche d'oxyde NiO (voir C. Christides et Th. Speliotis, "Polarity of anomalous Hall effect hysteresis loops in (Pt/Co)1.5/AF/(Co/Pt)I5 (AF= FeMn, NiO) multilayers with perpendicular anisotropy", Journal of Applied Physics, 2005, Vol. 97, p. 013901). Dans ce document, il apparaît que les deux multicouches de part et d'autre de la couche de NiO auraient leur aimantation perpendiculaire au plan des couches en l'absence de la couche d'oxyde NiO. Ceci ressort clairement de la comparaison de la figure 2 (présence de la couche de NiO) et de la figure 3 (absence de la couche de NiO) page 013901-3, figures qui montrent que dans les deux cas l'aimantation des couches magnétiques est orientée perpendiculairement au plan des couches. Contrairement à la présente invention, ce n'est donc pas la présence de la couche séparatrice de NiO qui confère à cet empilement ses propriétés d'anisotropie magnétique perpendiculaire. Il résulte de ces considérations qu'aucun des matériaux magnétiques connus actuellement ne rassemble toutes les propriétés nécessaires à son utilisation en tant que capteur de champ magnétique, à savoir une forte résistivité longitudinale (au moins quelques centaines de �S2cm), une forte résistivité de Hall (quelques pour cent de la résistivité longitudinale) et une forte susceptibilité magnétique perpendiculaire (au moins dix fois plus forte que pour un matériau magnétique classique à aimantation planaire, c'est-à-dire avec un champ de saturation hors du plan au plus de l'ordre de quelques dizaines de milliTeslas), voire même une aimantation perpendiculaire en champ nul pour les applications de type mémoires magnétiques ou portes logiques magnétiques. Par ailleurs, pour les applications de type mémoires magnétiques ou portes logiques magnétiques, les matériaux connus du type (Pt/Co) ou alliages Terre Rare/métaux de transition ne présentent pas l'ensemble des propriétés requises pour ce type d'applications (forte polarisation en spin des électrons (si la magnétorésistance est utilisée pour détecter le signal), bonne stabilité thermique lors des recuits, faible corrosion). EXPOSE DE L'INVENTION La présente invention propose un moyen de réalisation d'un élément magnétique en tricouches non magnétique / magnétique / non magnétique, dont l'aimantation de la couche magnétique est parallèle aux plan des couches en l'absence des deux couches non magnétiques, et qui présente un champ d'anisotropie hors du plan d'une valeur proche de ou supérieure à son champ démagnétisant, de sorte que l'élément magnétique possède, soit une grande sensibilité au champ magnétique, laquelle peut être détectée par la mesure de l'Effet Hall Extraordinaire, ou encore la mesure de la magnétorésistance ou de l'Effet Kerr ou de l'Effet Faraday magnéto- optiques, soit une aimantation spontanément perpendiculaire au plan des couches en l'absence de champ magnétique appliqué. Le matériau utilisé permet de réunir les avantages des différents matériaux cités ci-dessus, à savoir une forte anisotropie perpendiculaire pouvant compenser ou même surpasser l'anisotropie de forme propre aux couches minces, et dans le cas particulier de la mesure de l'Effet Hall, une forte résistivité longitudinale et un fort coefficient de Hall extraordinaire. Ainsi, l'invention vise un élément magnétique tricouches, comportant, sur un substrat, une couche d'oxyde, d'hydrure ou de nitrure O, surmontée d'une couche métallique magnétique M, surmontée elle-même, soit d'une deuxième couche d'oxyde, d'hydrure ou de nitrure O', soit d'une couche métallique non ferromagnétique M', réalisant ainsi des structures génériques du type O/M/O ou O/M/M', et dans lequel les couches M sont continues. La forte anisotropie magnétique perpendiculaire évoquée plus haut est obtenue, comme dans le cas des multicouches cobalt/platine, par des effets de contrainte et d'hybridation électronique aux interfaces entre la couche magnétique et la ou les couches d'oxyde, d'hydrure ou de nitrure. Comme dans le système (Co/Pt), la couche magnétique doit donc être mince (quelques nanomètres) afin que ces effets d'interfaces ne deviennent pas négligeables devant l'anisotropie magnétique volumique de forme, qui elle tend à maintenir l'aimantation de la couche magnétique dans le plan. La forte résistivité longitudinale est obtenue par l'utilisation de couches magnétiques minces, donc de forte résistivité du fait du rôle important joué par les diffusions interfaciales, au contact avec une ou des couches d'oxyde, de nitrure ou d'hydrure. La résistance électrique de l'ensemble de l'empilement est donc élevée. 9 Selon l'invention, la couche métallique magnétique M présente une épaisseur inférieure ou égale à 5 nanomètres et est constituée d'un matériau magnétique, d'un alliage magnétique ou d'une multicouche formée de l'alternance de matériaux non magnétiques et magnétiques, ces derniers étant choisis dans le groupe constitué par Fe, Ni, Co ou leurs alliages. Par ailleurs, la ou les couches O et O' d'oxyde, d'hydrure ou de nitrure présentent une épaisseur au moins égale à 0,3 nanomètre et sont réalisées à base d'éléments choisis dans le groupe comprenant Al, Mg, Ru, Ta, Cr, Zr, Hf, Ti, V, Si, Cu, W, Co, Ni, Fe, ou leurs alliages, et plus généralement de tout matériau ou alliage susceptible de former des oxydes, hydrures ou nitrures stables. Avantageusement, le substrat recevant l'empilement précité est réalisé en silicium recouvert de silicium oxydé ou nitruré thermiquement ou naturellement sur une épaisseur comprise entre 2 et 500 nanomètres. Cependant, ledit substrat peut être réalisé en un matériau transparent tel que par exemple du verre ou de l'oxyde de magnésium. Selon une autre caractéristique avantageuse de l'invention, la couche métallique magnétique 20 M contient des additions de métaux non magnétiques Pd ou Pt, servant à modifier les propriétés d'anisotropie magnétique perpendiculaire de cette couche, ou d'éléments choisis dans le groupe comprenant Si, C, B, P, N, servant à modifier la résistivité électrique de cette couche et/ou son aimantation par unité de volume. 25 Selon l'invention, la ou les couches O et O' sont réalisées en un même matériau non magnétique. Cependant, la composition chimique de l'une des couches O peut être différente de l'autre. En outre, les deux couches O et O' peuvent présenter ou non la même épaisseur. Selon l'invention, au moins l'une des couches O ou O' peut elle-même être constituée d'une 30 pluralité de couches réalisées en oxyde, en hydrure ou en nitrure. Avantageusement : ^ la couche métallique magnétique M présente une épaisseur comprise entre 0,3 et 5 nanomètres, 35 la ou les couches O ou O' présentent une épaisseur comprise entre 0,3 et 5 nanomètres. ^ la couche non ferromagnétique M' présente une épaisseur comprise entre 0,3 et 20 nanomètres,15 L'élément magnétique de l'invention présente avantageusement des dimensions latérales inférieures à 1 micromètre. L'invention concerne également un procédé de réalisation de l'élément magnétique en question. Ce procédé consiste : à déposer, sur une surface électriquement isolante, une première couche du métal constitutif de la couche O par pulvérisation cathodique, à oxyder, hydrurer ou nitrurer cette première couche O, à déposer sur cette première couche O, ou directement sur le substrat, une couche métallique magnétique M par pulvérisation cathodique, à déposer par pulvérisation cathodique sur cette couche métallique magnétique M, soit une deuxième couche d'un métal constitutif de la couche O', subséquemment oxydée, nitrurée ou hydrurée, soit une couche métallique M', à établir des contacts électriques avec la couche M lorsque l'on désire mesurer les propriétés de l'élément magnétique par circulation d'un courant électrique et mesure d'une tension. Alternativement, les première et deuxième étapes peuvent n'en constituer qu'une seule, à savoir le dépôt direct, par pulvérisation radio-fréquence par exemple, de la couche d'oxyde, d'hydrure ou de nitrure à partir d'une cible composée de l'oxyde, de l'hydrure ou du nitrure correspondant. Selon le procédé de l'invention, l'élément magnétique est taillé sous forme d'un pilier à base carrée, rectangulaire, circulaire ou elliptique, avec des dimensions latérales de quelques centaines de nanomètres ou moins. Il peut également être taillé, toujours pour la même gamme de dimensions, sous une forme permettant la détection du signal magnétique par mesure de l'Effet Hall Extraordinaire. Selon une variante de l'invention, la ou les couches O ou O' sont obtenues par oxydation, 30 hydruration ou nitruration naturelle d'une couche métallique. Selon une autre variante, la ou les couches O ou O' sont obtenues par oxydation, hydruration ou nitruration par procédé plasma d'une couche métallique. 35 Selon encore une autre variante de l'invention, la ou les couches O ou O' sont obtenues par pulvérisation réactive d'une couche métallique en présence d'oxygène, d'hydrogène ou d'azote dans l'atmosphère de la chambre de dépôt. Selon encore une autre variante de l'invention, la ou les couches O ou O' sont obtenues par dépôt direct de l'oxyde, de l'hydrure ou du nitrure par pulvérisation cathodique radio-fréquence à partir d'un matériau-cible composite d'oxyde, d'hydrure ou de nitrure métallique. Selon encore une autre variante de l'invention, c'est le substrat lui-même, composé ou recouvert d'un oxyde, nitrure ou hydrure, qui joue le rôle de la couche O. Selon l'invention, le dépôt de certaines couches est réalisé à une température différente de la température ambiante. Par exemple, la ou les couches d'oxyde, d'hydrure ou de nitrure peuvent avoir une meilleure qualité structurale si on les fait croître à température élevée (par exemple 200°C). Par ailleurs, le dépôt d'une couche peut en outre être suivi d'un traitement thermique à une température supérieure à ladite température de dépôt. Cela peut être le cas par exemple pour favoriser l'oxydation ou la nitruration d'une couche ou encore permettre la cristallisation d'une couche amorphe. Par ailleurs, après réalisation des étapes de dépôt, on peut soumettre l'ensemble ainsi obtenu à un traitement thermique pendant un temps plus ou moins long, dans une atmosphère raréfiée, ou en présence d'un certain gaz ou mélange de différents gaz, tels que l'oxygène, l'hydrogène ou l'azote par exemple, afin de modifier la structure et/ou les propriétés de transport électrique et/ou les propriétés magnétiques de l'élément magnétique. Les étapes de dépôt des différentes couches, ou le traitement thermique d'une partie ou de l'ensemble des couches constituant l'empilement, peuvent être réalisés en présence d'un champ magnétique extérieur apte à modifier les caractéristiques magnétiques de l'ensemble de l'empilement. L'invention vise un capteur de champ magnétique constitué de l'élément magnétique tricouches de l'invention, ce dernier présentant un champ d'anisotropie perpendiculaire contrebalançant presque son champ démagnétisant. L'invention vise également une mémoire magnétique constituée de l'élément magnétique tricouches en question, dans lequel l'aimantation de la couche magnétique est orientée perpendiculairement au plan des couches en l'absence de champ magnétique extérieur. 35 L'invention concerne également une porte logique magnétique constituée dudit élément magnétique tricouches, dans lequel la direction de l'aimantation de la couche magnétique est perpendiculaire au plan des couches en l'absence de champ magnétique extérieur.30 L'invention peut être également utilisée de façon générale dans les dispositifs à déplacement de parois magnétiques tels que les registres à décalage proposés par exemple dans le document US 6 920 062. Dans ces dispositifs, l'information est stockée sous la forme d'une succession de domaines dont les aimantations sont orientées � vers le haut � ou � vers le bas �. Chaque domaine représente un bit d'information. Ils sont séparés par des parois magnétiques. Les parois magnétiques et donc les domaines, peuvent être avantageusement déplacées dans ces structures par circulation d'un courant électrique qui exerce une force sur les parois par l'effet de transfert de spin. Un capteur magnétorésistif ou à effet Hall placé à un endroit donné à proximité ou sur le dispositif permet de détecter le passage des parois et des domaines et remonter ainsi à l'information magnétique écrite dans le dispositif. Afin de déterminer l'orientation de l'aimantation de la couche magnétique de l'élément magnétique ^ on mesure l'Effet Hall Extraordinaire par circulation d'un courant électrique dans une direction parallèle au plan des couches, ^ ou on mesure la magnétorésistance par circulation d'un courant électrique dans une direction perpendiculaire ou parallèle au plan des couches, ^ ou on mesure l'Effet Kerr ou l'Effet Faraday magnéto-optique, ^ ou encore on utilise le champ rayonné par les domaines magnétiques pour influencer une tête de lecture magnétorésistive située à proximité de l'élément magnétique. BREVE DESCRIPTION DES DESSINS La figure 1 est une représentation schématique d'une courbe d'aimantation caractéristique d'un élément magnétique de l'art antérieur. La figure 2 est une représentation schématique de la variation typique de l'aimantation en fonction du champ magnétique pour un matériau à anisotropie magnétique perpendiculaire. Ces deux premières figures ont déjà été décrites en relation avec l'état antérieur de la technique. La figure 3 est une représentation schématique d'une première forme de réalisation de l'élément magnétique conforme à l'invention. La figure 4 représente la variation de la résistance de Hall en fonction du champ magnétique perpendiculaire pour une structure du type SiO2 / Co 0.6nm / Pt 0.3nm. La figure 5 représente la variation de la résistance de Hall en fonction du champ magnétique perpendiculaire pour une structure du type SiO2 / Co 1.5nm / Pt 0.3nm. La figure 6 est une représentation schématique d'une deuxième forme de réalisation de l'élément magnétique conforme à l'invention. La figure 7 représente la variation de la résistance de Hall en fonction du champ magnétique perpendiculaire pour une structure du type SiO2 / AlOx 2.0nm / Co 1.5nm / Pt 0.3nm. Un plasma d'oxygène a été utilisé pour oxyder la couche d'aluminium. La figure 8 est une représentation schématique d'une troisième forme de réalisation de 5 l'élément magnétique conforme à l'invention. La figure 9 est une représentation schématique d'une quatrième forme de réalisation de l'élément magnétique conforme à l'invention. La figure 10 est une représentation schématique d'une cinquième forme de réalisation de l'élément magnétique conforme à l'invention. 10 La figure 11 est une représentation schématique d'une sixième forme de réalisation de l'élément magnétique conforme à l'invention. La figure 12 représente la variation de la résistance de Hall en fonction du champ magnétique perpendiculaire pour une structure du type SiO2 / Co 1.5nm / Pt 3.0nm pour différentes températures de recuit. 15 La figure 13 représente la variation de la résistance de Hall en fonction du champ magnétique perpendiculaire pour une structure du type SiO2 / AlOx 0.6nm / Co 1.5nm / Pt 3.0nm pour différentes températures de recuit. Une oxydation naturelle a été utilisée pour oxyder la couche d'aluminium. La figure 14 représente la variation de la résistance de Hall en fonction du champ magnétique 20 perpendiculaire pour une structure du type SiO2 / AlOx 2.0nm / Co 1.5nm / Pt 3.0 nm pour différentes températures de recuit. Un plasma d'oxygène a été utilisé pour oxyder la couche d'aluminium La figure 15 représente la variation de la résistance de Hall en fonction du champ magnétique perpendiculaire pour une structure du type SiO2 / MgOx 1.4nm / Co 1.5nm / Pt 3.0nm pour 25 différentes températures de recuit. Une oxydation naturelle a été utilisée pour oxyder la couche de magnésium. DESCRIPTION DES MODES PARTICULIERS DE REALISATION DE L'INVENTION 30 Sans être limitatif, et à titre d'exemple, les matériaux et les techniques utilisés dans les modes de réalisation décrits ci après sont les suivants. La figure 3 est une représentation schématique d'une première forme de réalisation conforme à l'invention. Sur un substrat possédant les caractéristiques requises pour remplacer la couche O, et recouvert par exemple de silicium oxydé ou nitruré, ou composé par exemple de verre ou d'oxyde de magnésium, on dépose une couche magnétique M, en l'espèce du cobalt, dont l'épaisseur est généralement faible. Si cette épaisseur dépasse une certaine valeur dépendant du matériau utilisé pour la couche M et de l'intensité des interactions interfaciales avec les matériaux au contact de cette couche magnétique M, l'aimantation n'est pas, de manière connue, perpendiculaire au plan de la couche du fait de l'anisotropie volumique de forme de cette couche M qui tend à maintenir l'aimantation de cette couche dans son plan. Pour cette couche M, le choix de son épaisseur est surtout déterminé par la possibilité d'obtention d'une couche métallique continue. En effet, comme discuté précédemment, certains métaux magnétiques mouillent mal sur les oxydes tels que la silice ou l'alumine. Dans certains cas, le métal magnétique a tendance à coalescer sous la forme d'îlots plus ou moins disjoints suivant l'épaisseur du métal déposée. Sur cette couche magnétique M, on peut ensuite avantageusement déposer une couche d'un métal non ferromagnétique M', par exemple du platine, afin soit de protéger l'ensemble de la structure ainsi réalisée contre une oxydation naturelle ultérieure, soit de faciliter le passage d'un courant électrique. La figure 4 est une illustration de cette forme de réalisation. L'empilement comprend, sur un substrat de silicium oxydé, une couche magnétique de cobalt de 0,6 nanomètre d'épaisseur, surmontée d'une couche de platine de 3 nanomètres d'épaisseur. On mesure la variation de la résistance de Hall en fonction du champ magnétique extérieur appliqué perpendiculairement au plan des couches. Cette figure 4 montre une augmentation régulière et non linéaire de la résistance de Hall avec le champ magnétique, contrairement par exemple au cas illustré sur la figure 1, où il était aisé de distinguer les deux contributions linéaires à cette résistance, la première proportionnelle à l'aimantation (contribution extraordinaire), et la deuxième, pour des champs appliqués plus forts, proportionnelle à ce champ appliqué (contribution ordinaire). Ceci signifie que, dans le cas exposé sur la figure 4, il n'est pas possible d'aligner parfaitement l'aimantation de la couche de cobalt dans une direction parallèle au champ magnétique, même pour des champs de forte intensité. Ceci est une caractéristique des matériaux dits � superparamagnétiques �, pour lesquels les petits îlots de cobalt ne sont pas suffisamment stables magnétiquement vis à vis de l'agitation thermique. Dans d'autres cas, les effets de tension superficielle sont trop faibles pour que le phénomène de coalescence en îlots ait lieu. La couche métallique peut alors être continue. La gamme d'épaisseurs permettant l'obtention de couche continue de métal dépend de l'énergie surfacique de l'oxyde, de l'énergie surfacique du métal et de l'énergie interfaciale de l'interface oxyde/métal, et de la mouillabilité de la surface de dépôt par la couche métallique d'apport. Cette gamme d'épaisseur possible pour l'obtention de couches métalliques continues dépend donc à la fois du métal M et de l'oxyde. Dans d'autres cas encore, augmenter légèrement l'épaisseur de la couche magnétique permet d'augmenter le taux de recouvrement de la surface jusqu'à un point où les îlots mentionnés ci-dessus vont entrer en contact les uns avec les autres, permettant ainsi de recouvrer de bonnes propriétés magnétiques. Pour un même matériau de base M, on peut modifier l'épaisseur de la couche magnétique pour laquelle ou recouvre de bonnes propriétés magnétiques en ajoutant à ce matériau magnétique des éléments pouvant améliorer la mouillabilité sur le substrat en abaissant l'énergie de surface du métal à la faveur de l'énergie de l'interface oxyde/métal. Selon un mode habituel de réalisation, le matériau est un métal magnétique, comme le cobalt, d'épaisseur comprise entre 0,3 et 5 nanomètres, typiquement de 1,5 nanomètre. C'est ce cas qui est illustré en relation avec la figure 5, qui montre la variation de la résistance de Hall en fonction du champ magnétique extérieur, appliqué perpendiculairement au plan des couches, pour un empilement du type (substrat / Co 1,5 nm / Pt 3 nm). Dans ce cas, on retrouve une variation de la résistance de Hall conforme à celle de la figure 1, l'aimantation de la couche de cobalt pouvant être alignée dans la direction d'un champ magnétique extérieur d'une intensité d'environ 8 kOe. Compte tenu de la relation (2), on constate dans ce cas la présence d'une contribution non négligeable d'anisotropie perpendiculaire Hs = 4iMs û HK = 18 - 8 = 10 kOe, relation dans 30 laquelle on a pris l'aimantation de la couche de cobalt égale à 1430 uem/cm3. Afin d'adapter les propriétés magnétiques du dispositif en fonction de l'application visée (capteur de champ, dispositif mémoire ou porte logique) et obtenir les meilleures performances notamment en terme d'anisotropie magnétique perpendiculaire, la couche de cobalt peut être remplacée par un alliage CoRFei_R de concentration variable, ou par un alliage ternaire Co,NiyFeioo_R_y, ou par un alliage, cristallisé ou amorphe, d'un ou plusieurs de ces matériaux magnétiques avec un autre élément non magnétique, tel le bore, le silicium, le phosphore, et/ou le carbone. On peut également utiliser un alliage ou une multicouche composée d'un matériau magnétique et d'un matériau non magnétique. La figure 6 est une représentation schématique d'une deuxième forme de réalisation conforme à l'invention. Sur le substrat précédemment mentionné, on dépose la couche O, préférentiellement en oxyde d'aluminium, dont l'épaisseur est de l'ordre de 0,3 à 5 nanomètres, ce dernier chiffre n'étant pas très critique. Cette couche est généralement constituée d'un dépôt de métal, comme par exemple l'aluminium, qui a été oxydé. Mais l'aluminium peut être remplacé par tout autre élément susceptible de former avec l'oxygène des oxydes en couches minces de bonne qualité, à savoir par exemple le magnésium, le ruthénium, le silicium, le tantale, le chrome, le zirconium, le titane, l'hafnium, le vanadium, le cobalt, le nickel, le fer, le cuivre, le tungstène, et plus généralement de tout matériau ou alliage susceptible de former des oxydes stables. On peut également utiliser pour certaines réalisations particulières, un alliage ou une multicouche de ces matériaux en tant que couche d'oxyde élémentaire. Il est également possible de réaliser l'oxyde, non pas par une technique d'oxydation plasma, mais par une technique connue de pulvérisation réactive de l'élément considéré en présence d'une certaine quantité d'oxygène dans l'atmosphère de la chambre de dépôt, ou par une technique d'oxydation naturelle, ou encore en déposant directement l'oxyde par pulvérisation radio-fréquence d'un matériau-cible composite MOx, où M désigne un des métaux cités plus haut et Ox l'oxygène. Des résultats analogues peuvent être obtenus en effectuant une nitruration ou une hydruration et non pas une oxydation. Sur cette première couche d'oxyde, hydrure ou nitrure O, on dépose ensuite la couche magnétique M, par exemple du cobalt, puis éventuellement une dernière couche métallique non ferromagnétique M', par exemple du platine, ainsi qu'indiqué dans la première forme de réalisation de l'invention en relation avec la figure 3. C'est cette deuxième forme de réalisation qui est illustrée en relation avec la figure 7. L'empilement comprend, sur un substrat de silicium oxydé, une couche d'aluminium de 0,6 nanomètre d'épaisseur, exposée après dépôt à une atmosphère d'oxygène, puis une couche de cobalt de 1,5 nanomètre d'épaisseur, surmontée d'une couche de platine de 3 nanomètres d'épaisseur. On mesure la variation de la résistance de Hall en fonction du champ magnétique extérieur appliqué perpendiculairement au plan des couches. Comme dans le cas de la figure 5, on retrouve une variation de la résistance de Hall conforme à celle de la figure 1, l'aimantation de la couche de cobalt pouvant être alignée dans la direction d'un champ magnétique extérieur d'une intensité d'environ 8 kOe. On constate donc également la présence d'une contribution non négligeable d'anisotropie perpendiculaire. Les figures 8 et 9 sont des représentations schématiques d'une troisième et quatrième formes de réalisation conforme à l'invention. Dans ce cas, on a remplacé la couche métallique non ferromagnétique supérieure M' utilisée dans les première et deuxième formes de réalisation par une couche d'oxyde O'. L'intérêt principal de ces formes de réalisation est que le courant électrique éventuellement injecté dans une direction parallèle au plan des couches circule uniquement dans la couche magnétique. Ceci entraîne donc une bien meilleure efficacité du dispositif si par exemple ce courant électrique est utilisé à des fins de mesure de la tension de Hall, ou si ce courant électrique est utilisé à des fins de manipulation de l'état magnétique du dispositif, pour par exemple déplacer des parois de domaines magnétiques comme dans le document US 6 920 062. Pour ces deux dernières formes de réalisation, la nature, la composition chimique, l'épaisseur ou le mode de fabrication de la deuxième couche d'oxyde ne doivent pas être forcément identiques à ceux du substrat ou de la première couche d'oxyde. Dans une cinquième forme de réalisation, comme illustré schématiquement sur la figure 10, il est possible de mettre au contact de la couche M considérée, en l'espèce en cobalt, une couche d'un matériau M' antiferromagnétique, tel les alliages IrMn, PtMn, FeMn ou NiMn, réputés pour induire un couplage d'anisotropie d'échange avec ladite couche M. Dans une sixième forme de réalisation, comme illustré schématiquement sur la figure 11, il est également possible d'insérer une couche métallique non magnétique, par exemple du platine, d'une épaisseur comprise entre 0,1 et 1 nanomètre entre ladite couche M et ledit matériau réputé pour induire un couplage d'échange avec ladite couche M. Pour l'une des quelconques formes de réalisation décrites ci-dessus, il est possible de déposer les couches successives, ou certaines d'entre elles, sur un substrat maintenu à une température différente de la température ambiante. Il peut aussi être intéressant d'effectuer ces dépôts en présence d'un champ magnétique extérieur. Par ailleurs, après réalisation des étapes de dépôt, on peut soumettre l'ensemble ainsi obtenu à un traitement thermique pendant un temps plus ou moins long, dans une atmosphère raréfiée, ou en présence d'un certain gaz ou mélange de différents gaz, tels que l'oxygène, l'hydrogène ou l'azote par exemple, en présence ou en l'absence d'un champ magnétique extérieur, afin de modifier la structure et/ou les propriétés de transport électrique et/ou les propriétés magnétiques du dispositif. C'est l'effet de ces traitements thermiques post-dépôt qui est illustré sur la figure 12, utilisant la première forme de réalisation, et sur les figures 13, 14 et 15, utilisant la deuxième forme de réalisation. Dans ces cas, les empilement représentés schématiquement aux figures 3 et 6 ont été, après dépôt, maintenus à une température comprise entre 20°C et 400°C pendant un temps de 30 minutes dans une atmosphère raréfiée de 10-6 mbar, puis refroidis jusqu'à la température ambiante, où leurs propriétés magnétiques ont à nouveau été mesurées. La figure 12 correspond à un empilement du type substrat / M / M' (première forme de réalisation), dans lequel le substrat consiste en silicium recouvert de 500 nanomètres d'oxyde de silicium, M représente une couche de cobalt d'une épaisseur de 1,5 nanomètre, recouverte d'une couche M' de platine de 3 nanomètres d'épaisseur. Tout d'abord, on constate sur cette figure une importante augmentation de l'amplitude de la résistance de Hall suite aux différents traitements thermiques. Cette amplitude en effet augmente d'un facteur deux après traitement thermique à une température de 400°C par rapport à l'amplitude mesurée juste après dépôt de l'empilement. De plus, le champ de saturation perpendiculaire HK (voir relation (2)) diminue progressivement lorsque la température de recuit augmente, jusqu'à devenir négatif (l'aimantation de la couche de cobalt est alors spontanément perpendiculaire au plan des couches) après traitement thermique à 400°C. Pour des températures de recuit intermédiaires, la pente de la courbe R(H) peut atteindre des valeurs très importantes, permettant à cet empilement d'être utilisé en tant que capteur de champ magnétique. Les figures 13, 14 et 15, correspondant au deuxième mode de réalisation illustré sur la figure 6, présentent la variation de la résistance de Hall avec le champ magnétique appliqué perpendiculairement au plan des couches, pour différentes natures de l'oxyde utilisé et après différentes températures de recuit. La figure 13 correspond à une couche d'aluminium de 0,6 nanomètre subséquemment mise en présence d'une atmosphère d'oxygène. La figure 14 correspond à une couche d'aluminium de 1,6 nanomètre oxydée par un procédé plasma, la figure 15 correspond à une couche de magnésium de 1,4 nanomètre subséquemment mise en présence d'une atmosphère d'oxygène. Dans ces trois cas, il est possible, par un traitement thermique adéquat, de stabiliser l'aimantation de la couche de cobalt dans une direction perpendiculaire au plan des couches en l'absence de champ magnétique appliqué. Si alors, pour les deuxième, cinquième ou sixième formes de réalisation, on dépose, avant la couche O des empilements schématisés sur les figures 6, 10 ou 11, une première couche magnétique à aimantation également perpendiculaire au plan, on réalisera ainsi une structure du type jonction tunnel magnétique à aimantations perpendiculaires au plan des couches. Il est donc tout à fait possible, par traitement thermique, de modifier à volonté les propriétés magnétiques de ce type de matériau, afin de maximiser la résistance de Hall et/ou d'ajuster en fonction de l'application visée la stabilité de l'aimantation par rapport au champ magnétique extérieur (en particulier son champ coercitif). Ces traitements thermiques ont de plus l'avantage de rendre l'élément magnétique beaucoup plus stable en terme structural par rapport à d'éventuelles variations ultérieures de température. Il faut à nouveau rappeler que ce paramètre (le champ coercitif, ainsi que défini en relation avec la figure 2) peut lui aussi être ajusté, non seulement en modifiant la température des traitement thermiques post-dépôt comme illustré sur les figures 13, 14 et 15, mais aussi, soit en modifiant la composition de l'empilement (épaisseurs de couches, nature du matériau ferromagnétique, présence ou non d'une deuxième couche O'), soit en modifiant les conditions de dépôt (vitesse, température, champ magnétique), soit en utilisant une technique ou des conditions d'oxydation différentes (pression d'oxygène, temps d'oxydation, puissance plasma, etc.). L'invention concerne également le procédé de fabrication d'éléments magnétiques conformes aux descriptions précédentes. Ce procédé est défini comme suit, sans que cette présentation ne soit en aucun cas exhaustive. Les différentes couches des empilements présentés ici sont déposées par pulvérisation cathodique avec des vitesses de dépôt de l'ordre de 0,1 nm/s, sur des substrats de silicium recouverts de 500 nanomètres de silicium oxydé thermiquement. Les couches d'oxyde, d'hydrure ou de nitrure sont réalisées en déposant tout d'abord la couche du matériau correspondant, puis en effectuant une oxydation, hydruration ou nitruration plasma de cette couche avec des puissances de l'ordre de 10 W sous une pression de 3 x 10-3 mbar d'oxygène, d'hydrogène ou d'azote pendant une durée de quelques secondes à quelques minutes. Tout d'abord, on dépose une couche, d'aluminium par exemple, d'une épaisseur de l'ordre de 0,3 à 5 nanomètres. L'échantillon est ensuite soumis à un plasma, d'oxygène par exemple, dans des conditions de pression, puissance et temps bien définies. Ceci permet de transformer cet aluminium métallique en oxyde d'aluminium. Il est évident que, cette couche d'alumine étant isolante électriquement, son épaisseur est beaucoup moins critique que celle des autres couches métalliques. Ceci est en revanche différent si l'oxyde (ou l'hydrure ou le nitrure) du métal considéré est conducteur électrique. Dans le cas d'une couche isolante, ce qui fixe son épaisseur dépend à la fois des propriétés de croissance de cette couche, dont la rugosité peut s'amplifier avec l'épaisseur et donc avoir un effet néfaste sur la qualité de croissance des couches suivantes, et des mécanismes d'oxydation qui peuvent éventuellement se modifier en fonction de l'épaisseur totale. Les exemples suivants concernent une épaisseur d'aluminium de 1,6 nanomètre, correspondant approximativement à 2 nanomètres d'alumine après oxydation de cette couche métallique. Cette étape de dépôt de la première couche O peut éventuellement être omise, si c'est le substrat (à base d'oxyde ou de nitrure) lui-même qui constitue la première couche O. On dépose ensuite une couche de cobalt, d'une épaisseur généralement faible. Dans les exemples décrits ci après, l'épaisseur de la couche de cobalt a été fixée à 1,5 nanomètre. Le choix d'une épaisseur relativement faible permet également de ne pas trop diminuer la résistivité de cette couche comparée à celle d'une couche plus épaisse. Inversement, trop diminuer cette épaisseur pourrait, soit diminuer l'aimantation intrinsèque de cette couche, soit fortement diminuer sa température d'ordre magnétique. Dans les deux cas, ceci conduirait à une diminution de l'aimantation effective de cette couche à la température d'utilisation de l'élément magnétique, à savoir à proximité de la température ambiante. Selon la relation (1), ceci conduirait à une diminution de la résistivité de Hall, et donc à une diminution du signal de sortie du dispositif. Pour d'autres types d'applications décrites dans la présente invention, on pourra augmenter cette épaisseur de la couche magnétique jusqu'à 5 nanomètres. Cette bicouche oxyde / métal magnétique, ou hydrure / métal magnétique, ou nitrure / métal magnétique, peut éventuellement être surmontée par une couche d'un métal non ferromagnétique ayant pour but, soit de protéger l'ensemble de la structure ainsi réalisée contre une oxydation naturelle ultérieure, soit de faciliter le passage d'un courant électrique, soit encore d'induire un couplage magnétique d'échange avec la couche magnétique. Cette bicouche oxyde / métal magnétique, ou hydrure / métal magnétique, ou nitrure / métal magnétique, peut éventuellement être surmontée par une couche d'un oxyde, hydrure ou nitrure fabriqué suivant une des techniques citées plus haut permettant de protéger l'ensemble de la structure ainsi réalisée contre une oxydation naturelle ultérieure, sans pour autant abaisser la résistance électrique de l'empilement contrairement au cas ci-dessus évoqué. Enfin, il est possible de réaliser des traitements thermiques ou des traitements magnétiques pendant ou après le dépôt de l'empilement. Par traitements thermiques, on entend le fait de soumettre le matériau ainsi préparé à une température plus élevée que la température à laquelle il a été déposé, pendant un temps plus ou moins long, dans une atmosphère raréfiée ou en présence éventuelle d'un certain gaz ou mélange de différents gaz, tels que oxygène, hydrogène ou azote par exemple. Par traitements magnétiques, on entend l'application d'un champ magnétique d'intensité et de direction judicieusement choisies, soit pendant une ou plusieurs des étapes de dépôt des différentes couches constitutives de l'empilement, soit pendant une des étapes de traitements thermiques décrites ci-dessus. Ces traitements, thermiques et/ou magnétiques, ont pour but par exemple d'augmenter la résistivité longitudinale de l'empilement, par disruption éventuelle de la couche magnétique et/ou formation d'un alliage aux interfaces. Ils peuvent également avoir pour but de modifier la structure chimique ou cristallographique des couches, et en conséquence de modifier les propriétés magnétiques de l'empilement ainsi réalisé. REVENDICATIONS1. Elément magnétique tricouches, comportant, sur un substrat, une première couche d'oxyde, d'hydrure ou de nitrure 0, surmontée d'une couche métallique magnétique M, elle-même surmontée soit d'une seconde couche d'oxyde, d'hydrure ou de nitrure 0', soit d'une couche métallique non ferromagnétique M', caractérisé : ^ en ce que la couche M est continue, présente une épaisseur inférieure ou égale à 5 nanomètres, et a son aimantation parallèle au plan des couches en l'absence des couches 0 et 0', ^ et en ce qu'il existe, pour une gamme de température égale ou supérieure à la température ambiante, une anisotropie magnétique interfaciale perpendiculaire au plan des couches aux interfaces O/M et M/O', apte à diminuer le champ démagnétisant effectif de la couche M ou à orienter l'aimantation de la couche M sensiblement perpendiculairement au plan des couches. 2. Elément magnétique tricouches selon la revendication 1, caractérisé : ^ en ce que la couche métallique magnétique M est constituée d'un matériau magnétique, d'un alliage magnétique ou d'une multicouche formée de l'alternance de matériaux non magnétiques et magnétiques, ces derniers étant choisis dans le groupe constitué par Fe, Ni, Co ou leurs alliages, ^ et en ce que la ou les couches d'oxydes, d'hydrures ou de nitrures O et 0' présentent une épaisseur au moins égale à 0,3 nanomètre et sont réalisées à base d'éléments choisis dans le groupe comprenant Al, Mg, Ru, Ta, Cr, Zr, Hf, Ti, V, Si, Cu, W, Co, Ni, Fe ou leurs alliages, et plus généralement de tout matériau ou alliage susceptible de former des oxydes, hydrures ou nitrures stables. 3. Elément magnétique tricouches selon l'une des revendications 1 et 2, caractérisé en ce que le substrat est en silicium recouvert de silicium oxydé ou nitruré, thermiquement ou naturellement, sur une épaisseur comprise entre 1 et 500 nanomètres. 4. Elément magnétique tricouches selon l'une des revendications 1 et 2, caractérisé en ce que le substrat est un matériau transparent, et notamment du verre ou de l'oxyde de magnésium. 35 5. Elément magnétique tricouches selon l'une des revendications 1 et 2, caractérisé en ce que le substrat joue le rôle de la première couche O.30 6. Elément magnétique tricouches selon l'une des revendications 1 à 5, caractérisé en ce que la couche M contient des additions de métaux non magnétiques Pd ou Pt, ou d'éléments choisis dans le groupe comprenant Si, C, B, P. 7. Elément magnétique tricouches selon l'une des revendications 1 et 2, caractérisé en ce que les couches O et O' sont réalisées à partir d'un même matériau non magnétique. 8. Elément magnétique tricouches selon l'une des revendications 1 et 2, caractérisé en ce que les couches O et O' présentent la même épaisseur. 9. Elément magnétique tricouches selon l'une des revendications 1 et 2, caractérisé en ce que les épaisseurs des couches O et O' sont différentes. 10. Elément magnétique tricouches selon l'une des revendications 5 à 9, caractérisé : 15 ^ en ce que la couche métallique M présente une épaisseur comprise entre 0,3 et 5 nanomètres, ^ en ce que les couches O et O' présentent une épaisseur comprise entre 0,3 et 5 nanomètres. 20 11. Elément magnétique tricouches selon l'une quelconque des revendications 1 à 10, caractérisé en ce que les compositions chimiques des couches O et O' sont différentes. 12. Elément magnétique tricouches selon l'une quelconque des revendications 1 à 11, caractérisé en ce que l'une au moins des couches O ou O' est elle-même constituée 25 d'une pluralité de couches réalisée en oxyde, en hydrure ou en nitrure. 13. Elément magnétique tricouches selon l'une quelconque des revendications 1 à 12, caractérisé en ce que la couche non ferromagnétique M' est réalisée en un matériau antiferromagnétique réputé pour induire un couplage d'anisotropie d'échange avec la 30 couche magnétique M, par exemple FeMn, IrMn, PtMn, NiMn. 14. Elément magnétique tricouches selon la revendication 13, caractérisé en ce qu'une couche métallique non magnétique d'une épaisseur comprise entre 0,1 et 1 nanomètre est insérée entre la couche M et la couche M' réputée pour induire un couplage d'anisotropie 35 d'échange avec ladite couche M.10 15. Elément magnétique tricouches selon l'une quelconque des revendications 1 à 14, caractérisé en ce que cet élément est lui-même déposé au-dessus d'une première couche magnétique présentant également soit un champ démagnétisant effectif réduit, soit une aimantation orientée sensiblement perpendiculairement au plan des couches. 16. Elément magnétique tricouches selon l'une quelconque des revendications 1 à 15, caractérisé en ce que ses dimensions latérales sont inférieures à 1 micromètre. 17. Procédé de réalisation d'un élément magnétique tricouches, caractérisé en ce qu'il 10 comprend les étapes suivantes : dépôt sur une surface électriquement isolante d'une première O par pulvérisation cathodique, oxydation, nitruration ou hydruration de cette première couche O, dépôt de la couche magnétique M sur cette première couche O, 15 répétition éventuelle des première et deuxième étapes, ou dépôt d'une couche non ferromagnétique M' sur ladite couche M. 18. Procédé de réalisation d'un élément magnétique tricouches selon la revendication 17, caractérisé en ce que les étapes de dépôt puis d'oxydation, nitruration ou hydruration de 20 la première couche O est omise. 19. Procédé de réalisation d'un élément magnétique tricouches selon la revendication 17 ou 18, caractérisé en ce que la ou les couches O ou O' sont réalisées par dépôt puis oxydation, hydruration ou nitruration naturelle de la couche métallique correspondante. 20. Procédé de réalisation d'un élément magnétique tricouches selon la revendication 17 ou 18, caractérisé en ce que la ou les couches O ou O' sont réalisées par dépôt puis oxydation, hydruration ou nitruration par procédé plasma de la couche métallique correspondante. 21. Procédé de réalisation d'un élément magnétique tricouches selon la revendication 17 ou 18, caractérisé en ce que la ou les couches O ou O' sont réalisées par pulvérisation réactive de la couche métallique correspondante en présence d'oxygène, d'hydrogène ou d'azote dans l'atmosphère de la chambre de dépôt. 25 30 35 22. Procédé de réalisation d'un élément magnétique tricouches selon la revendication 17 ou 18, caractérisé en ce que la ou les couches O ou O' sont obtenues par dépôt direct de l'oxyde, de l'hydrure ou du nitrure par pulvérisation cathodique radio-fréquence à partir d'un matériau-cible composite d'oxyde, d'hydrure ou de nitrure métallique. 23. Procédé de réalisation d'un élément magnétique tricouches selon la revendication 17 ou 18, caractérisé en ce que le dépôt de certaines couches est réalisé à une température différente de la température ambiante. 10 24. Procédé de réalisation d'un élément magnétique tricouches selon la revendication 17 ou 18, caractérisé en ce que le dépôt de certaines couches est suivi d'un traitement thermique à une température supérieure à ladite température de dépôt. 25. Procédé de réalisation d'un élément magnétique tricouches selon l'une quelconque des 15 revendications 17 à 24, caractérisé en ce qu'après réalisation des étapes de dépôt, on soumet l'ensemble ainsi obtenu à un traitement thermique pendant un temps plus ou moins long, dans une atmosphère raréfiée, afin de modifier la structure et/ou les propriétés de transport électrique et/ou les propriétés magnétiques de l'élément magnétique. 20 26. Procédé de réalisation d'un élément magnétique tricouches selon l'une quelconque des revendications 17 à 24, caractérisé en ce qu'après réalisation des étapes de dépôt, on soumet l'ensemble ainsi obtenu à un traitement thermique pendant un temps plus ou moins long, en présence d'un certain gaz ou mélange de différents gaz, afin de modifier 25 la structure et/ou les propriétés de transport électrique et/ou les propriétés magnétiques de l'élément magnétique. 27. Procédé de réalisation d'un élément magnétique tricouches selon l'une des revendications 25 et 26, caractérisé en ce que ces différents traitements thermiques 30 pendant ou après dépôt sont effectués en présence d'un champ magnétique extérieur apte à modifier les propriétés magnétiques dudit élément magnétique. 28. Capteur de champ magnétique caractérisé en ce qu'il est constitué d'un élément magnétique tricouches selon l'une quelconque des revendications 1 à 16, présentant un 35 champ d'anisotropie perpendiculaire contrebalançant presque son champ démagnétisant.5 29. Mémoire magnétique caractérisée en ce qu'elle est constituée d'un élément magnétique tricouches selon l'une quelconque des revendications 1 à 16, dans lequel l'aimantation de la couche magnétique est orientée perpendiculairement au plan des couches en l'absence de champ magnétique extérieur. 30. Mémoire magnétique caractérisée en ce qu'elle est constituée d'un élément magnétique tricouches selon l'une quelconque des revendications 1 à 16, dans lequel l'aimantation de la couche magnétique est orientée perpendiculairement au plan des couches sous forme de domaines magnétiques pointant alternativement vers le bas et vers le haut. 31. Porte logique magnétique caractérisée en ce qu'elle est constituée d'un élément magnétique tricouches selon l'une quelconque des revendications 1 à 16, dans lequel l'aimantation de la couche magnétique est orientée perpendiculairement au plan des couches en l'absence de champ magnétique extérieur. 15 32. Procédé pour la mise en oeuvre d'un capteur de champ magnétique, d'une mémoire magnétique ou d'une porte logique magnétique selon l'une des revendications 28 à 31, caractérisé en ce que l'orientation de l'aimantation de la couche magnétique de l'élément magnétique est détectée par mesure de l'Effet Hall Extraordinaire par circulation d'un 20 courant électrique dans une direction parallèle au plan des couches. 33. Procédé pour la mise en oeuvre d'un capteur de champ magnétique, d'une mémoire magnétique ou d'une porte logique magnétique selon l'une des revendications 28 à 31, caractérisé en ce que l'orientation de l'aimantation de la couche magnétique de l'élément 25 magnétique est détectée par mesure de l'Effet Kerr ou de l'Effet Faraday magnéto-optiques. 34. Procédé pour la mise en oeuvre d'un capteur de champ magnétique, d'une mémoire magnétique ou d'une porte logique magnétique selon l'une des revendications 28 à 31, 30 caractérisé en ce que l'orientation de l'aimantation de la couche magnétique de l'élément magnétique est détectée par mesure de la magnétorésistance par circulation d'un courant électrique dans une direction sensiblement perpendiculaire au plan des couches. 10 35. Procédé pour la mise en oeuvre d'une mémoire magnétique ou d'une porte logique magnétique selon l'une des revendications 28 à 31, caractérisé en ce que l'orientation de l'aimantation de la couche magnétique de l'élément magnétique est détectée par mesure de la magnétorésistance d'un capteur magnétorésistif situé à proximité de l'élément magnétique.