FR 2931014 A1 20091113 FR 0852990 A 20080506 Domaine technique et art antérieur La présente invention se rapporte domaine de la réalisation des plaques ou substrats semi-conducteurs multicouches (également dénommées "multilayer semiconductor wafers") réalisés par transfert d'au moins une couche formée à partir d'un substrat initial sur un substrat final, la couche transférée correspondant à une portion du substrat initial. La couche transférée peut comprendre en outre tout ou partie d'un composant ou d'une pluralité de microcomposants. Plus précisément, la présente invention concerne le problème des déformations hétérogènes qui apparaissent lors du transfert d'une couche depuis un substrat dit "substrat donneur" sur un substrat final dit "substrat receveur". De telles déformations ont notamment été observées dans le cas de la technologie d'intégration tridimensionnelle de composants (3D-integration) qui nécessite le transfert d'une ou plusieurs couches de microcomposants sur un substrat support final mais aussi dans le cas de transfert de circuits ou encore dans la fabrication d'imageurs éclairés en face arrière. La ou les couches transférées comprennent des microcomposants (électroniques, optoélectroniques, etc.) réalisés au moins en partie sur un substrat initial, ces couches étant ensuite empilées sur un substrat final qui peut éventuellement comporter lui-même des composants. En raison notamment de la taille très réduite et du nombre important de microcomposants présents sur une même couche, chaque couche transférée doit être positionnée sur le substrat final avec une grande précision afin de respecter un alignement très strict avec la couche sous-jacente. En outre, il peut être nécessaire de réaliser des traitements sur la couche après son transfert, par exemple pour former d'autres microcomposants, pour découvrir en surface des microcomposants, pour réaliser des interconnections, etc. Cependant, la déposante a constaté, qu'après transfert, il existe des cas où il est très difficile, voire impossible, de former des 1 microcomposants supplémentaires en alignement avec les microcomposants formés avant le transfert. Ce phénomène de désalignement est décrit en relation avec les figures lA à 1E qui illustrent un exemple de réalisation d'une structure tridimensionnelle comprenant le transfert, sur un substrat final, d'une couche de microcomposants formée sur un substrat initial, et la formation d'une couche additionnelle de microcomposants sur la face exposée du substrat initial après collage. Les figures lA et 1B illustrent un substrat initial 10 sur lequel est formée une première série de microcomposants 11. Les microcomposants 11 sont formés par photolithographie au moyen d'un masque permettant de définir les zones de formation de motifs correspondant aux microcomposants 11 à réaliser. Comme illustrée sur la figure 1C, la face du substrat initial 10 comprenant les microcomposants 11 est ensuite mise en contact intime avec une face d'un substrat final 20. Le collage entre le substrat initial 10 et le substrat final 20 est réalisé en général par adhésion moléculaire. On obtient ainsi une couche enterrée de microcomposants 11 à l'interface de collage entre les substrats 10 et 20. Après le collage et tel que représenté sur la figure 1D, le substrat initial 10 est aminci afin de retirer une portion de matière présente au-dessus de la couche de microcomposants 11. On obtient alors une structure composite 30 formée du substrat final 20 et d'une couche 10a correspondant à la portion restante du substrat initial 10. Comme représentée sur la figure 1E, l'étape suivante dans la réalisation de la structure tridimensionnelle consiste à former une deuxième couche de microcomposants 12 au niveau de la surface exposée du substrat initial 10 aminci, ou à réaliser des étapes technologiques complémentaires sur cette surface exposée, en alignement avec les composants compris dans la couche 10a (prise de contact, interconnexions, etc.). Par souci de simplification, on appellera "microcomposants" dans la suite de ce texte, les dispositifs résultant des étapes technologiques réalisées sur ou dans les couches et dont le positionnement doit être contrôlé avec précision. II peut donc s'agir de composants actifs ou passifs, de simple prise de contact ou interconnexions. Ainsi, afin de former les microcomposants 12 en alignement avec les microcomposants 11 enterrés, on utilise un masque de photolithographie similaire à celui utilisé pour former les microcomposants 11. Les couches transférées, comme la couche 10a, comprennent typiquement des marques à la fois au niveau des microcomposants et au niveau de la tranche formant la couche qui sont notamment utilisées par des outils de positionnement et d'alignement pendant les étapes de traitement technologiques telles que celles mises en oeuvre lors d'une photolithographie. Cependant, même en utilisant des outils de positionnement, des décalages se produisent entre certains des microcomposants 11 et 12, tels que les décalages Aii, A22, A33, A44, indiqués sur la figure 1E (correspondant respectivement aux décalages observés entre les couples de microcomposants 111/121r 112/122, 113/123 et 114/124). Ces décalages résultent de déformations hétérogènes qui apparaissent dans la couche provenant du substrat initial lors de son assemblage avec le substrat final. Les déformations entraînent des déplacements au niveau de certains microcomposants 11. Aussi, certains des microcomposants 12 formés sur la surface exposée du substrat après transfert présentent des variations de position avec ces microcomposants 11 qui peuvent être de l'ordre de plusieurs centaines de nanomètres, voire du micron. Ce phénomène de désalignement (encore appelé "overlay") entre les deux couches de microcomposants 11 et 12 peut être source de courts-circuits, de distorsions dans l'empilement ou de défauts de connexion entre les microcomposants des deux couches. Ce phénomène de désalignement conduit ainsi à une réduction de la qualité et de la valeur des plaques de semi-conducteurs multicouches fabriquées. L'impact de ce phénomène devient de plus en plus critique en raison des exigences sans cesse croissantes vis-à-vis de la miniaturisation des microcomposants et de leur densité d'intégration par couche. Les problèmes d'alignement lors de la fabrication de structures tridimensionnelles sont bien connus. Le document Burns et al., "A Wafer-Scale 3-D Circuit Intergration Technology", IEEE Transactions On Electron Devices, vol. 53, No. 10, oct. 2006, décrit une méthode pour détecter les variations d'alignement entre des substrats collés. Le document Haisma et al., "Silicon-Wafer Fabrication And (Potential) Applications Of Direct-Bonded Silicon", Philips Journal of Research, Vol. 49, No. 1/2, 1995, souligne l'importance de la planéité des plaques en particulier lors des étapes de polissage afin d'obtenir des plaques finales de bonne qualité, c'est-à-dire avec le moins de décalages possibles entre les microcomposants. D'une manière plus générale, il n'est pas souhaitable d'introduire des déformations hétérogènes dans un substrat lors de son transfert sur un autre substrat. Résumé de l'invention L'invention a pour but de proposer une solution qui permet de limiter les déformations inhomogènes qui apparaissent dans un substrat lors de son transfert sur un autre substrat. A cet effet, la présente invention propose un procédé de collage par adhésion moléculaire de deux plaques ou substrats comprenant: a) mise en contact au moins partielle des surfaces des plaques à assembler, b) première propagation d'une onde de collage à partir d'un point de pression appliqué sur au moins une des deux plaques, c) deuxième propagation de l'onde de collage sur une zone située au moins au voisinage du point de pression. Ainsi, comme expliqué plus loin en détail, en initiant, après une première propagation de l'onde de collage habituellement réalisée pour permettre l'adhésion moléculaire, une seconde propagation de l'onde de collage sur une zone située au moins au voisinage du point de pression, on réduit les déformations hétérogènes engendrées dans la plaque par l'initiation de la première propagation d'onde collage tout en réalisant un collage par adhésion moléculaire sur l'ensemble des surfaces des deux plaques en contact. En minimisant ainsi les déformations engendrées par l'application du point de pression lors du collage par adhésion moléculaire, on réduit fortement les risques de désalignement ("overlay") lors de la formation ultérieure de couches supplémentaires de microcomposants. Le point de pression est de préférence appliqué à proximité du bord d'une des deux plaques afin de permettre une première propagation d'onde de collage sur une grande distance et de former dans la partie opposée au point de pression une zone quasiment sans déformation. Selon un aspect de l'invention, lors de l'étape a), on interpose un élément de séparation entre les surfaces des plaques à assembler, élément que l'on retire dans l'étape c) pour initier la deuxième propagation d'onde de collage. Selon une variante de mise en oeuvre, après l'étape b) et avant l'étape c), l'élément de séparation peut être en outre déplacé vers l'intérieur des plaques de manière à ouvrir partiellement l'interface de collage formée lors de la première propagation d'onde de collage. Selon un autre aspect de l'invention, les plaques sont mises entièrement en contact lors de l'étape a). Dans ce cas, avant l'étape c), on décolle partiellement les surfaces des plaques assemblées sur une zone située au moins voisinage du point de pression, puis on remet en contact lesdites surfaces pour initier la deuxième propagation d'onde de collage. Les surfaces des plaques assemblées sont décollées de préférence dans une zone comprenant le point de pression, ce qui permet de favoriser encore le relâchement des contraintes dans cette zone. La présente invention concerne également un procédé de réalisation d'une structure composite tridimensionnelle comprenant une étape de réalisation d'une première couche de microcomposants sur une face d'un premier substrat et une étape de collage de la face du premier substrat comportant la couche de microcomposants sur un deuxième substrat caractérisé en ce que les premier et deuxième substrats sont assemblées conformément au procédé d'assemblage de l'invention. L'utilisation du procédé d'assemblage de la présente invention permet, lors du transfert d'une couche de microcomposants, d'éliminer le phénomène de désalignement ("overlay") et de réaliser des plaques de semi-conducteurs multicouches de très grande qualité. La couche de microcomposants peut notamment comporter des capteurs d'images. Dans ce cas, le matériau du deuxième substrat est un matériau transparent tel que de la silice ou du quartz.35 Brève description des figures les figures 1A à 1E, sont des vues schématiques montrant la réalisation d'une structure tridimensionnelle selon l'art antérieur, - les figures 2 à 5, sont des vues schématiques d'un procédé d'assemblage par adhésion moléculaire conformément à un mode de réalisation de l'invention, les figures 6 à 10, sont des vues schématiques d'un procédé d'assemblage par adhésion moléculaire conformément à un mode de réalisation de l'invention, les figures 11A à 11D, sont des vues schématiques montrant la réalisation d'une structure tridimensionnelle mettant en oeuvre le procédé d'assemblage de la présente invention, - la figure 12 est un organigramme des étapes mises en oeuvre lors de la réalisation de la structure tridimensionnelle illustrée dans les figures 11A à 11D. Exposé détaillé de modes de réalisation de l'invention La présente invention s'applique d'une manière générale à la réalisation de structures composites comprenant au moins le collage par adhésion moléculaire d'un premier substrat ou plaque sur un deuxième substrat ou plaque. Le collage par adhésion moléculaire est une technique bien connue en soi. Pour rappel, le principe du collage par adhésion moléculaire est basé sur la mise en contact direct de deux surfaces, c'est-à-dire sans l'utilisation d'un matériau spécifique (colle, cire, brasure, etc.). Une telle opération nécessite que les surfaces à coller soient suffisamment lisses, exemptes de particules ou de contamination, et qu'elles soient suffisamment rapprochées pour permettre d'initier un contact, typiquement à une distance inférieure à quelques nanomètres. Dans ce cas, les forces attractives entre les deux surfaces sont assez élevées pour provoquer l'adhérence moléculaire (collage induit par l'ensemble des forces attractives (forces de Van Der Waals) d'interaction électronique entre atomes ou molécules des deux surfaces à coller). 6 L'initiation de l'adhésion moléculaire est réalisée par application d'une pression localisée, par exemple au moyen d'un stylet en Téflon�, sur une plaque en contact intime avec une autre plaque afin de déclencher la propagation d'une onde de collage à partir de ce point d'initiation. On appelle ici "onde de collage" le front de liaison ou d'adhésion moléculaire qui se propage à partir du point d'initiation et qui correspond à la diffusion des forces attractives (forces de Van Der Waals) depuis le point d'initiation sur toute la surface de contact intime entre les deux plaques (interface de collage). La déposante a démontré que les déplacements relatifs entre certains motifs ou microcomposants dans un même substrat apparaissent à la suite de l'étape de collage par adhésion moléculaire de ce substrat sur un autre. Plus précisément, des expériences réalisées par la déposante ont pu mettre en évidence que des contraintes (en tension et/ou en compression) sont engendrées au niveau du point d'initiation du collage par adhésion moléculaire, c'est-à-dire l'endroit où est appliqué le point de pression. Ces contraintes sont à l'origine des déformations hétérogènes apparaissant dans le substrat et, par conséquent, des déplacements relatifs et inégaux de certains motifs ou microcomposants les uns par rapport aux autres. La déposante a observé que les déformations sont principalement localisées au niveau et autour du point d'initiation ou d'amorçage du collage et que ces déformations sont élastiques. Ces déformations peuvent s'étendre sur un rayon allant jusqu'à 15 cm autour du point d'application de pression. En revanche, dans la partie du substrat éloignée du point d'initiation, c'est-à-dire dans la partie où s'est propagée l'onde de collage, les déformations observées sont minimales. Cette localisation des déformations au niveau du point d'initiation s'explique notamment par le fait que cette zone correspond à l'endroit où est appliqué l'effort de pression pour initier l'onde de collage. L'application localisée d'une pression crée des contraintes qui diminuent au fur et à mesure que l'on s'éloigne du point d'application de l'effort de pression. Par conséquent, la présente invention propose de contrôler le processus d'adhésion moléculaire lors du collage des substrats de manière à réaliser, après la première propagation d'onde de collage habituellement initiée pour permettre l'adhésion moléculaire, une deuxième propagation d'onde de collage sur une zone située au moins au voisinage du point de pression, c'est-à-dire sur une zone située à moins de 15 cm du point d'application de pression pour atteindre au moins une partie des déformations. La seconde propagation d'onde est réalisée de préférence sur une zone couvrant le point d'application de pression. Ainsi, lorsque cette deuxième propagation d'onde de collage atteint la zone d'application du point de pression correspondant au point d'initiation de la première propagation d'onde de collage, elle permet, notamment par une direction de propagation différente, de relâcher les contraintes engendrées par l'initiation de la première propagation et de réduire, par conséquent, les déformations dans la plaque à cette endroit tout en réalisant un collage par adhésion moléculaire sur l'ensemble des surfaces des deux plaques en contact. Par ailleurs, à l'inverse de la première propagation d'onde de collage, l'initiation de la deuxième propagation d'onde de collage conformément à l'invention n'engendre pas de nouvelles contraintes ni de nouvelles déformations dans les plaques. En effet, la deuxième propagation d'onde de collage est initiée alors qu'il subsiste entre les deux plaques un collage partiel par adhésion moléculaire réalisé lors de la première propagation d'onde de collage, les parties des plaques ainsi déjà collées présentant, comme expliqué précédemment, des déformations minimales en dehors du voisinage du point de pression. Par conséquent, l'initiation de la deuxième propagation d'onde de collage peut être réalisée à partir d'une zone sans contrainte, et ce sans avoir à appliquer un nouveau point d'application de pression car le collage par adhésion moléculaire est repris à partir de la zone de collage partiel subsistante. En d'autres termes, la deuxième propagation d'onde de collage est initiée en refermant l'interface de collage au niveau d'une portion non collée ou rouverte entre les deux plaques après la première propagation d'onde de collage, cette portion étant située à proximité d'une zone de collage sans contrainte entre les deux plaques. Un premier mode de mise en oeuvre d'un procédé d'assemblage conformément à l'invention va maintenant être décrit en relation avec les figures 2 à 5. Sur la figure 2, une première plaque ou substrat 20 est placée dans une machine de collage comprenant un dispositif porte- substrat 40. Le dispositif porte-substrat 40 comprend un plateau support 40a qui maintien la première plaque 20, par exemple au moyen d'un système électrostatique ou de succion associé au plateau support 40a, en vue de son assemblage par adhésion moléculaire avec une deuxième plaque ou substrat 30. Comme expliqué précédemment et de façon bien connue, les surfaces 21 et 31 respectivement des plaques 20 et 30 destinées à être collées ont été préparées (polissage, nettoyage, traitement hydrophobe/hydrophile, etc.) pour permettre une adhésion moléculaire. Les surfaces 21, 31 des plaques 20, 30 sont alors mises en contact intime l'une avec l'autre à l'exception d'une zone 42 où l'on interpose entre les deux plaques un élément de séparation sous la forme d'un picot 41 tel qu'illustré sur la figure 3. Comme représenté sur la figure 4, on initie une première propagation d'onde de collage 44 à partir d'un point d'initiation 43 qui correspond à l'endroit de la plaque 30 sur lequel est exercé un point de pression, par exemple au moyen d'un stylet en Téflon�. L'application d'une pression d'appui au niveau du point 43 engendre des contraintes autour de ce point représentées par des lignes de contraintes 45a à 45e dont l'intensité diminue en fonction de l'éloignement du point d'initiation 43. Le point d'initiation de la première propagation d'onde de collage 44 peut être localisé à un endroit quelconque sur la plaque 30. Toutefois, afin de disposer d'une zone avec le moins de déformations possibles, le point d'initiation est de préférence localisé en bordure de plaque afin de permettre à la première onde de collage de se propager sur une grande distance et de former dans la partie opposée au point d'initiation une zone quasiment sans déformation en comparaison à celle située au voisinage du point d'initiation 43. Sur la figure 4, on constate que la forme de la première propagation d'onde de collage 44 devient plus homogène au fur et à mesure de sa progression dans la direction A depuis le point d'initiation 43 jusqu'à l'extrémité opposée de la plaque 30, ce qui indique que les contraintes responsables des décalages hétérogènes dans la plaque 21 diminuent significativement en s'éloignant du point d'initiation 43. Une fois que la première propagation d'onde de collage a atteint l'extrémité opposée du point d'initiation 43, on retire le picot 41 afin de refermer la zone 42 et d'initier une seconde propagation d'onde de collage 46 qui progresse depuis la zone de collage sans ou quasiment sans déformation dans la direction B comme illustrée sur la figure 5. L'onde de collage qui se propage lors de la deuxième propagation présente une forme homogène jusque dans la région du point d'initiation 43. Cette deuxième propagation d'onde de collage permet de refermer totalement l'interface de collage entre les deux plaques tout en corrigeant les déformations créées au voisinage du point d'initiation 43 lors de la première propagation d'onde de collage 44. L'endroit du point d'initiation 43 est choisi de préférence relativement proche du picot 41 de manière à avoir la séparation des deux plaques dans une zone voisine de celle où à été appliquée le point de pression. Cela permet de mieux relâcher les contraintes engendrées au niveau du point de pression. Si le point d'initiation est situé vers le centre des plaques plutôt que près de leur bord, le picot est disposé dans une position plus avancée vers le centre des plaques. Selon une variante, l'élément de séparation, par exemple le picot 41, initialement positionné en bordure de plaque, peut être déplacé vers l'intérieur des plaques après l'initiation de la première propagation d'onde de collage afin de décoller partiellement l'interface de collage. Cela permet d'ouvrir l'interface de collage à proximité ou au niveau du point d'initiation, en particulier lorsque l'élément de séparation a été initialement placé dans une zone éloignée du point d'initiation comme par exemple une zone située au voisinage du centre de la plaque. Les figures 6 à 10 montrent un autre mode de mise en oeuvre d'un procédé d'assemblage de l'invention qui diffère de celui précédemment décrit en ce que la seconde onde de collage est générée par réouverture de l'interface de collage entre les deux plaques. Plus précisément, comme représentées sur les figures 6 et 7, les surfaces 51 et 61 respectivement d'une première et d'une deuxième plaques ou substrats 50, 60 sont mises en contact intime dans les mêmes conditions que celle décrites plus haut, la première plaque 50 étant maintenue sur un plateau support 70a d'un dispositif porte-substrat 70. Une première propagation d'onde de collage 64 est initiée à partir d'un point d'initiation 63 par application d'un point de pression et progresse dans une direction A jusqu'à l'extrémité opposée de la plaque 50 comme illustré sur la figure 8. L'application d'une pression d'appui au niveau du point 63 engendre des contraintes autour de ce point représentées par des lignes de contraintes 65a à 65e dont l'intensité diminue en fonction de l'éloignement du point d'initiation 63. Dans ce mode de réalisation, aucun obstacle n'est disposé entre les deux plaques si bien que l'adhésion moléculaire est réalisée sur la totalité de l'interface de collage lors de la première propagation d'onde de collage 64. Afin d'initier la deuxième propagation d'onde de collage, on procède à un décollement partiel entre les deux plaques en ouvrant l'interface de collage sur une zone 62 (figure 9). Le décollement partiel des plaques peut être réalisé par exemple par insertion d'une lame, par exemple en Téflon�, ou par application d'un jet de fluide (eau, air, gaz, etc.) au niveau de l'interface de collage. Le décollement partiel peut encore être réalisé par insertion d'un picot comme le picot 41 décrit précédemment. L'interface de collage peut être rouverte à partir d'un endroit quelconque en périphérie des deux plaques. Toutefois, le décollement partiel entre les deux plaques est réalisé de préférence au niveau du point d'initiation 63. En effet, en rouvrant l'interface de collage au niveau du point d'initiation 63, on permet aux contraintes engendrées autour de ce point de se relâcher car la portion de plaque 60 comprise dans la zone 62 n'est plus collée à la plaque 50. La longueur d'insertion de l'objet de séparation (par exemple lame ou picot) ou la puissance de pénétration du jet de fluide sera fonction de la position du point d'initiation sur les plaques (proximité du bord ou du centre des plaques). La zone décollée 62 est ensuite refermée afin d'initier une deuxième propagation d'onde de collage 66 qui se déplace dans la direction B indiquée sur la figure 10 et permet de refermer totalement l'interface de collage entre les deux plaques sans déformation. Les étapes de décollage/recollage réalisées pour initier la seconde propagation d'onde de collage peuvent être répétées plusieurs fois, en changeant ou non de zone de décollage, afin de minimiser encore plus les contraintes et déformations subies par la plaque 60 ou les deux plaques 50 et 60. Le procédé de l'invention est applicable à l'assemblage de tout type de matériau compatible avec le collage moléculaire et en particulier les matériaux semi-conducteurs tels que le silicium, le germanium, le verre, le quartz, etc. Les plaques à assembler peuvent comprendre seulement une partie avec des microcomposants. Un domaine particulier mais non exclusif du procédé d'assemblage de la présente invention est celui de la réalisation de structures tridimensionnelles. Un procédé de réalisation d'une structure tridimensionnelle par transfert d'une couche de microcomposants formée sur un substrat initial sur un substrat final conformément à un mode de réalisation de l'invention est maintenant décrit en relation avec les figures 11A à 11D et 12. La réalisation de la structure tridimensionnelle débute par la formation d'une première série de microcomposants 110 à la surface d'une plaque ou substrat initial 100 (figure 11A, étape S1). Le substrat initial 100 peut être une structure monocouche, par exemple une couche de silicium, ou structure multicouche telle qu'une structure de type SOI. Les microcomposants 110 sont formés par photolithographie au moyen d'un masque permettant de définir les zones de formation de motifs correspondant aux microcomposants 110 à réaliser. Lors de la formation des microcomposants 110 par photolithographie, le substrat initial 100 est maintenu sur un dispositif porte-substrat 120. Le dispositif porte-substrat comprend un plateau support 120a sur lequel est plaqué le substrat initial 100, par exemple au moyen d'un système électrostatique ou de succion associé au plateau support 120a. La face du substrat initial 100 comprenant les microcomposants 110 est ensuite mise en contact intime avec une face d'une plaque ou substrat final 200 (étape S2) en vue d'un collage par adhésion moléculaire. Une couche d'oxyde, par exemple en SiO2, peut en outre être formée sur la face du substrat initial 100 comprenant les microcomposants 110 et/ou sur la face du substrat final 200 destinée à être mise en contact intime. Une première propagation d'onde de collage permettant une adhésion moléculaire entre les deux substrats est alors initiée par application d'une pression localisée au niveau d'un point d'initiation comme expliqué précédemment (étape S3). Une seconde propagation d'onde de collage est ensuite initiée sur une zone située au moins au voisinage du point d'initiation de la première propagation d'onde de collage (étape S4). Comme expliqué précédemment en relation avec les figures 2 à 5, la seconde propagation d'onde de collage peut être initiée par retrait d'un élément de séparation interposée entre les deux substrats 100, 200 lors de l'initiation de la première propagation d'onde de collage de manière à conserver une zone non collée permettant d'initier la deuxième propagation d'onde de collage. Selon une autre variante décrite ci-dessus en relation avec les figures 6 à 10, la seconde propagation d'onde de collage peut être initiée par réouverture partielle et fermeture de l'interface de collage obtenue lors de l'initiation de la première propagation d'onde de collage. Après la deuxième propagation d'onde de collage, le substrat initial 100 et le substrat final 200 sont collés ensemble par adhésion moléculaire sur la totalité de leur surface en contact, et ce sans ou quasiment sans déformation dans le substrat initial 100 comportant les microcomposants 110 (figure 11B). On obtient ainsi une couche enterrée de microcomposants 110 à l'interface de collage entre les substrats 100 et 200. Après le collage et tel que représenté sur la figure 11C, le substrat initial 100 est aminci afin de retirer une portion de matière présente au-dessus de la couche de microcomposants 110 (étape S5). Dans le cas où le substrat 100 est un substrat de type SOI, on peut utiliser avantageusement la couche isolante enterrée pour délimiter l'épaisseur de la couche 100a restante. On obtient alors une structure composite 300 formée du substrat final 200 et d'une couche 100a correspondant à la portion restante du substrat initial 100. Le substrat initial 100 peut être aminci notamment par polissage mécano-chimique (CMP), par gravure chimique, ou par clivage ou fracture le long d'un plan de fragilisation formée préalablement dans le substrat par implantation atomique. Comme représentée sur la figure 11D, l'étape suivante dans la réalisation de la structure tridimensionnelle consiste à former une deuxième couche de microcomposants 140 au niveau de la surface exposée du substrat initial 100 aminci (figure 11D, étape S6). Afin de former les microcomposants 140 en alignement avec les microcomposants 110 enterrés, on utilise un masque de photolithographie similaire à celui utilisé pour former les microcomposants 110. De même que lors de la formation des microcomposants 110, la structure composite 300, formée du substrat final 200 et de la couche 100a, est maintenue plaquée sur un plateau support 130a d'un dispositif porte-substrat 130 identique au dispositif 120. Le masque de photolithographie est alors appliqué à la surface libre de la couche 100a. Dans une variante, la structure tridimensionnelle est formée par un empilement de couche, chaque couche ayant été reportée par le procédé d'assemblage de la présente invention, et chaque couche étant en alignement avec les couches directement adjacentes. Grâce au procédé d'assemblage par adhésion moléculaire de l'invention, le substrat initial 100 a pu être collé sur la substrat final sans déformation ou tout du moins avec une réduction des déformations telle qu'il n'est plus observé de décalage significatifs des microcomposants 110 avant et après transfert du substrat initial 100 sur le substrat final 200. On peut ainsi limiter ces décalages résiduels à des valeurs inférieures à 200 nm, voire 100 nm de manière homogène sur toute la surface de la plaque. Les microcomposants 140, même de tailles très réduites (par exemple REVENDICATIONS1. Procédé de collage par adhésion moléculaire de deux plaques ou substrats (20, 30) comprenant: a) mise en contact au moins partielle des surfaces (21, 31) des plaques à assembler, b) première propagation d'une onde de collage (44) à partir d'un point de pression (43) appliqué sur au moins une des deux plaques, c) deuxième propagation de l'onde de collage (46) sur une zone située au moins au voisinage du point de pression (43). 2. Procédé selon la revendication 1, caractérisé en ce que la deuxième propagation de l'onde de collage (46) est réalisée sur une zone couvrant ledit point de pression (43). 3, Procédé selon la revendication 1 ou 2, caractérisé en ce que le point de pression (43) est appliqué à proximité du bord d'une des deux plaques. 20 4. Procédé selon l'une quelconque des revendications 1 à 3, caractérisé en ce que, lors de l'étape a), on interpose un élément de séparation (41) entre les surfaces (21, 31) des plaques à assembler, et en ce que, dans l'étape c), on retire l'élément de séparation (41) pour initier la deuxième propagation de l'onde de collage (46). 25 5. Procédé selon la revendication 4, caractérisé en ce que après l'étape b) et avant l'étape c), l'élément de séparation (41) est déplacé vers l'intérieur des plaques (20, 30). 30 6. Procédé selon l'une quelconque des revendications 1 à 3, caractérisé en ce que, avant l'étape c), on décolle partiellement les surfaces (51, 61) des plaques assemblées (50, 60) sur une zone située au moins au voisinage du point de pression (63).157. Procédé selon la revendication 6, caractérisé en ce que les surfaces (51, 61) des plaques assemblées (50, 60) sont décollées partiellement sur une zone comprenant le point de pression locale (63). 8. Procédé de réalisation d'une structure composite tridimensionnelle (300) comprenant une étape de réalisation d'une première couche de microcomposants (110) sur une face d'un premier substrat (100) et une étape de collage de la face du premier substrat comportant la couche de microcomposants sur un deuxième substrat (200) caractérisé en ce que les premier et deuxième substrats (100, 200) sont assemblées conformément au procédé d'assemblage selon l'une quelconque des revendications 1 à 7. 9. Procédé selon la revendication 8, caractérisé en ce qu'il comprend, après l'étape de collage, une étape d'amincissement du premier substrat (100). 10. Procédé selon la revendication 8 ou 9, caractérisé en ce qu'il comprend en outre une étape de réalisation d'une deuxième couche de microcomposants (140) sur la face du premier substrat opposée à la face comportant la première couche de microcomposants. 11. Procédé selon l'une quelconque des revendications 8 à 10, caractérisé en ce qu'il comprend, avant l'étape de collage, une étape de formation d'une couche d'oxyde sur la face du premier substrat (100) comportant la première couche de microcomposants (110). 12. Procédé selon l'une quelconque des revendications 8 à 11, caractérisé en ce que le premier substrat (100) est une structure de type SOI. 13. Procédé selon l'une quelconque des revendications 8 à 12, caractérisé en ce qu'au moins la première couche de microcomposants comporte des capteurs d'images.3514. Procédé selon l'une quelconque des revendications 8 à 13, caractérisé en ce que le matériau du deuxième substrat (200) est un matériau transparent.