FR 2925220 A1 20090619 FR 0759859 A 20071214 -1- � Procédé d'hétéro épitaxie localisée sur diélectrique, en particulier de germanium sur silicium oxydé, et procédé et système de réalisation d'une base de fabrication de circuit intégré homogène ou hétérogène, � La présente invention concerne un procédé de réalisation par hétéro épitaxie d'une couche de semi-conducteur tel que du germanium sur la surface d'un matériau isolant. Cette croissance s'effectue en au moins une zone choisie et par croissance latérale selon une progression s'effectuant majoritairement dans le plan de cette surface isolante. Elle concerne aussi la réalisation d'une base de fabrication ou � wafer � de circuit intégré homogène ou hétérogène sur germanium, ainsi qu'un système de réalisation de telles bases. L'invention relève des domaines de la préparation et du traitement des plaques ou supports à base d'un matériau semi-conducteur ou comprenant des semi-conducteurs en couches minces, utilisés en particulier pour la réalisation de circuits intégrés en électronique et microélectronique, ou la fabrication en masse de composants plus basiques voire élémentaires. Les circuits intégrés ou � puces � comprennent une grande quantité de composants élémentaires à base de semi-conducteurs, comme des transistors, qui sont fabriqués ensemble dans leur configuration complète en travaillant une plaque de base. Ces plaques de base, souvent appelées galettes ou � wafer � en anglais, sont en général des disques comprenant un ou plusieurs semi-conducteurs, en général du silicium cristallisé. La tendance actuelle de l'industrie microélectronique est de chercher à augmenter la densité d'intégration et la vitesse de commutation des processeurs, en particulier en produisant des dispositifs élémentaires (transistors) de plus en plus petits ou en utilisant de nouveaux semiconducteurs bénéficiant de meilleures performances. La dimension typique qui va définir les règles de dessin et la densité d'intégration est la distance entre source et drain du transistor à effet de champ métal-oxyde-semiconducteur (MOSFET) élémentaire. La génération actuelle, comme les processeurs � Core 2 � et � Core 2 Duo � de la société Intel, utilise une technologie de l'ordre de 65 nm (nanomètres). Pour la -2- prochaine génération de circuits intégrés, cette distance caractéristique sera de 45 nm. On envisage d'ici 8-10 ans de passer à 22 nm. Or, la réduction en dimensions du transistor s'accompagne de perturbations dans son fonctionnement qui sont appelés des "effets de canal court". La commande par la tension de grille devient de moins en moins efficace au fur et à mesure que l'on raccourcit le canal. Ces effets de canal court sont très fortement réduits si le transistor est construit dans une couche mince, par exemple d'environ 100 nm, de semiconducteur posée sur un isolant, plutôt que taillé à la surface d'une couche épaisse. Cette architecture permet alors de recouvrer une commande efficace. Pour un transistor classique, c'est à dire tout en silicium, cette architecture peut être réalisée sur base, ou substrat, de type "SOI" (� silicon on insulator �), par exemple obtenu par la technique de collage dite "smartcut", technique développée en France par la Société SOITec. Par ailleurs, la vitesse de commutation et la dissipation de chaleur sont améliorées en remplaçant le silicium par le germanium, qui possède des propriétés de transport plus favorables. La présence de germanium, dont le paramètre de maille est égal à celui de l'arséniure de gallium, ouvre aussi la porte à l'intégration hétérogène de semiconducteurs de type III-V. Or l'utilisation de germanium représente un coût nettement plus important que le silicium, de l'ordre de quatre à cinq fois, et comporte des difficultés techniques. En particulier, pour les mêmes raisons que pour le silicium, il devient intéressant de réaliser de tels transistors sur un isolant par une technique de � GOI � (� Germanium On Insulator �). Or les techniques actuelles de réalisation de tels substrats présentent des inconvénients. La technologie dite � Smartcut � est particulièrement délicate et coûteuse pour le germanium, et ne permet pas actuellement d'obtenir de très grands diamètres de galettes. Une technique dite de condensation en cours de développement consiste à déposer un alliage silicium-germanium sur un substrat de type SOI, pour en expurger ensuite le silicium par oxydation à haute température puis par enlèvement de l'oxyde de silicium formé à la surface. Cette technique ne permet pas actuellement une pureté toujours satisfaisante du -3-germanium. Elle utilise de plus une couche de germanium sur toute la surface, même non utilisée. Elle nécessite aussi encore beaucoup de mises au point ainsi que des investissements industriels conséquents pour être employée en production. Les techniques connues de croissance de germanium sur un substrat de silicium par hétéro épitaxie présentent rapidement un trop grand nombre de défauts dans la structure cristalline du germanium obtenu, ce qui ne permet pas une production industrielle d'une qualité suffisante. Etat de la technique Une méthode de croissance parallèle à la surface de l'isolant est proposée par la publication Yaocheng Liu et al., dans � Applied Physics Letters � vol.84, n°14 p2563. Cette technique consiste à aménager à la surface d'un isolant recouvrant le silicium une sorte de poche fermée formant un réservoir sur l'étendue de la zone à recouvrir. En une extrémité, ce réservoir est en contact avec une partie non recouverte de la surface du substrat de silicium. Cette partie est utilisée comme une zone de germination au cours d'un procédé de croissance par épitaxie en phase liquide, pratiquée à l'intérieur de ce réservoir. En donnant une forme particulière au réservoir aux alentours de la zone de germination, cette technique comprend une réduction des défauts par un étranglement � defect necking technique � qui permet de limiter la propagation des dislocations. Cette technique nécessite une température importante, qui risque de contaminer le germanium avec du silicium, possiblement jusqu'à des taux de l'ordre de 1%. Elle présente aussi une certaine complexité, et donc un coût et des délais importants pour la mise au point et l'industrialisation. De plus, la qualité cristalline du germanium obtenu dépend largement de l'efficacité de l'étranglement pour la réduction des défauts, ce qui est une source de complexité et peut se révéler insuffisant en performance ou en répétabilité. Par ailleurs, la publication � Epitaxial growth of Ge on thin SiO2 layer by ultrahigh vacuum chemical vaport deposition � de Halbwax et al. dans le � Journal of Crystal Growth 308 (2007) 26-29 � propose une technologie permettant d'obtenir une croissance de germanium monocristallin sans -4- défaut sur une largeur de l'ordre de 500 nanomètres, à la surface d'une couche mince de silice ou oxyde de silicium (SiO2). Ce document propose de réaliser une attaque presque totale de l'épaisseur d'une couche de silice sur un substrat silicium, jusqu'à ce que de très étroites ouvertures se créent dans cette couche laissant apparaître le silicium du substrat. Une croissance de germanium est ensuite réalisée par dépôt chimique en phase gazeux en ultravide (UHV-CVD) ou par épitaxie par jets moléculaires (MBE) sur le silicium apparaissant dans ces ouvertures. Avec des conditions de croissance adaptées, cette croissance se poursuit sur la surface de la couche de silice restante de façon monocristalline dans son épaisseur et le long de la surface d'interface avec la silice. Toutefois, avec cette technique, la couche de silice recouverte par le germanium est toujours extrêmement mince, de l'ordre de 0,6 nanomètre. Cette épaisseur peut peut-être permettre de réaliser des composants de type photodétecteur, mais est largement insuffisante pour obtenir l'effet isolant recherché pour des applications de type transistor. De plus, les points de croissance du germanium sont créés de façon aléatoire sur la surface de la silice, à travers des ouvertures constituant ainsi des points de connexion électrique non contrôlée entre d'une part la couche de germanium obtenue sur la silice et d'autre part le silicium du substrat. Objectifs de l'invention Un but de l'invention est de pallier les inconvénients de l'art antérieur, et en particulier de permettre un dépôt de germanium de bonne qualité en pureté et du point de vue cristallin, en épaisseur contrôlée sur un support isolant d'une épaisseur choisie, en limitant l'apport en germanium et selon un choix souple de motifs de tailles et de formes variées. L'invention cherche aussi à fournir un procédé de réalisation de support, et de réalisation de circuits ou composants à partir d'un tel support, ainsi qu'un système mettant en oeuvre ces procédés, de façon simple et robuste et en limitant les modifications à apporter aux installations et procédés industriels existants. - 5 Exposé de l'invention Dans ce but, l'invention propose une technique qui permet de disposer à l'échelle du transistor d'une zone de germanium monocristallin de qualité recouvrant une couche d'un autre matériau par exemple isolant. Sa mise en oeuvre perturbe peu le procédé standard de fabrication du transistor MOSFET et produit du matériau non défectueux à un niveau pouvant être industriellement acceptable pour une production de masse recherchant le zéro défaut. Cette technique utilise une combinaison d'une sélectivité spatiale, basée sur des gravures localisées dans certaines zones seulement pour définir l'emplacement des zones de germination, combinée avec une gravure uniforme de préférence chimique pour faire apparaître ces zones de germination. Elle met en oeuvre un procédé pour recouvrir d'un semi-conducteur dit de croissance, différent du substrat, une couche d'un premier matériau portée par un substrat, typiquement de silicium. Ce procédé comprend : - à l'aide d'au moins une opération de gravure spatialement sélective, réalisation sur ledit substrat d'une couche de surface dite composite comprenant au moins ledit premier matériau dans une première région et au moins un deuxième matériau, différent du premier matériau, dans une deuxième région, lesdites régions étant contiguës en au moins une zone d'interface présentant une différence de niveau entre la surface du silicium dudit substrat dans ladite première région et la surface du silicium dudit substrat dans ladite deuxième région ; - au moins une opération de gravure chimique, affectant au moins ce premier matériau, jusqu'à découvrir au moins une partie du substrat aux abords de ladite interface ; - croissance dudit semi-conducteur à partir de ladite partie découverte, dite zone de germination. Cette technique permet en particulier d'obtenir des zones de germination de dimensions particulièrement faibles, au moins en largeur, tout en choisissant leur position. Cette faible dimension permet de minimiser le nombre des dislocations causées par la différence de paramètre de maille entre le silicium du substrat de germination d'une part, et le germanium que -6- l'on fait croître sur ce substrat. Ce point est très important car il affecte directement la qualité cristalline du germanium obtenu. Selon l'invention, ces première et deuxième régions sont réparties de façon à présenter au moins une zone d'interface linéaire délimitant une région à recouvrir avec le semi-conducteur de croissance. L'invention permet aussi de contrôler l'épaisseur d'isolant désirée sous le semi-conducteur de croissance, par exemple 10 nanomètres pour être utilisable dans la réalisation de transistors en � Germanium On Isolant �. Dans l'art antérieur, les défauts créés lors de la germination sont réduits à un stade ultérieur de la croissance, par un changement de direction de croissance. L'invention permet de contourner ce problème, en réalisant directement une zone de germination d'une dimension particulièrement réduite, qui engendre beaucoup moins de défauts voire aucun. Cette zone de germination étroite est obtenue en contournant un verrou technologique propre aux technologies connues lithographie optique : la résolution minimale atteignable. Grâce à l'invention, ce résultat est obtenu sans avoir recours à une lithographie électronique, qui constituerait un effort technologique et donc un coût très important sur de nombreux plans, en particulier pour une production à une échelle industrielle. De préférence, la zone à recouvrir est choisie de façon à ce qu'au moins une zone de germination présente une direction longitudinale perpendiculaire à la direction cristallographique du substrat. Dans les modes de réalisation décrits ici, le semi-conducteur de croissance est du germanium. Il pourrait cependant s'agir d'autres semi-conducteurs de type III-V sans sortir du cadre de l'invention, par exemple de l'arséniure de gallium (GaAs), ou du phosphure d'indium (InP). La technique � auto alignée � décrite ici permet d'obtenir directement des zones de germination d'une largeur pouvant descendre jusqu'à moins de 30 nm, voire 20 ou 10 nm, fournissant ainsi une bonne qualité cristalline pour le germanium obtenu. Jusqu'à présent au contraire, pour réaliser une zone de germination faisant apparaître du silicium du substrat au sein d'une couche d'un autre matériau, les technologies classiques de lithographie optique par contact ne permettent pas d'obtenir des dimensions inférieures à quelques centaines de nanomètres, avec un positionnement choisi et précis 2925220 - l - et avec une bonne répétabilité. Des limites similaires existent en lithographie optique par projection, qui ne permettent pas de descendre au dessous de 60 nm. De façon avantageuse, l'étape de gravure de la zone d'interface est 5 choisie pour graver le premier matériau sélectivement par rapport au deuxième matériau, ce qui permet un contrôle plus facile de l'apparition de la zone de germination. Le positionnement de la zone de germination permet aussi d'induire une ou plusieurs rotations de la direction de croissance du germanium entre 10 sa germination sur le silicium et la partie exploitable recouvrant la surface isolante, ce qui améliore aussi la qualité cristalline en diminuant le nombre de dislocations pouvant subsister. Dans la présente description, le � premier matériau � recouvrant la � première région � sera souvent décrit comme un matériau électriquement 15 isolant, du fait des débouchés directs pour la réalisation de substrat de type GeOI. Il doit cependant être compris que l'invention s'applique aussi à d'autres matériaux qui seraient intéressants pour d'autres raisons. Dans les modes de réalisation ici décrits, la formation du premier matériau comprend une transformation superficielle du silicium du substrat 20 en un matériau isolant comprenant du SiO2, et la formation du deuxième matériau comprend un dépôt de Si3N4. D'autres combinaisons peuvent toutefois être envisagées parmi les matériaux connus de l'homme du métier et permettant d'obtenir cette couche composite. Dans un premier mode de réalisation préféré, l'invention propose un 25 procédé comprenant les étapes suivantes : - formation d'un masque de protection : formation d'une couche de deuxième matériau (typiquement du Si3N4) selon un motif partiel, dit masque de protection, choisi pour déterminer la position d'au moins une zone de germination ; 30 - formation d'une couche de premier matériau (typiquement l'isolant SiO2) à l'intérieur de l'espace libre dudit masque de protection, la surface du substrat à l'intérieur dudit espace libre se situant plus bas que la surface du substrat dans l'espace recouvert par ledit masque de protection ; -8- - à l'aide d'au moins une opération de gravure chimique, par exemple sélective d'un type présentant une cinématique d'action plus rapide sur ledit premier matériau (l'isolant), diminution de l'épaisseur dudit premier matériau jusqu'à découvrir au moins une partie du silicium du substrat, formant ainsi une zone de germination sur le bord du masque de protection. Ce masque de protection permet en particulier de limiter la zone de germination à ce qui est utile et efficace. De plus, il peut former un léger surplomb qui concoure à guider la croissance du germanium pour l'amener sensiblement parallèle à la surface du support isolant au fond de la zone à recouvrir. La présence de ce surplomb peut aussi réaliser un étranglement susceptible de réduire les défauts cristallins, par exemple venant de la différence de paramètres de maille existant entre le matériau (Si) de la zone de germination et celui (Ge par exemple) que l'on fait croître. Plus particulièrement, l'étape de formation de l'isolant au fond de la zone gravée comprend une transformation superficielle du Silicium de la zone gravée en un matériau isolant formant le support à recouvrir, par exemple en SiO2. Le masque de protection peut alors être fait de tout matériau capable de protéger le silicium du substrat lors de la transformation superficielle dans la zone gravée, et donc dans cet exemple de protéger le silicium de l'oxydation. Dans ce mode de réalisation préféré, l'invention est très intéressante par sa capacité à être mise en oeuvre simplement dans les installations industrielles connues ou existantes comprenant des installations de fabrication par oxydation, comme celles utilisées pour le procédé � LOCOS �. Le procédé selon l'invention comprend alors les étapes suivantes : - utilisation d'un procédé du type � LOCal Oxydation of Silicon � pour réaliser au moins une zone de silicium à recouvrir de germanium au sein d'un masque définissant un motif sur un substrat de silicium et transformation de la surface de ladite zone en une couche de SiO2, ; - attaque ou gravure isotrope de ladite couche de SiO2 en au moins une région incluant un bord de ladite zone à recouvrir, jusqu'à découvrir une zone de silicium derrière ladite couche de SiO2 ; -9- - utilisation de la zone découverte comme zone de germination pour réaliser une croissance épitaxiale de germanium le long de la surface du SiO2 subsistant à la surface de ladite zone à recouvrir. Autres modes de réalisation D'autres modes de réalisation peuvent être combinés avec le mode préféré ou entre eux, par exemple dans différentes régions d'une même tranche ou � wafer �. Dans un deuxième mode de réalisation, le procédé selon l'invention utilise un substrat portant une couche de premier matériau (ici l'isolant SiO2) sur laquelle est déposé le masque de protection (ici le Si3N4). Cette couche de premier matériau (SiO2) peut être complète sur le substrat, mais aussi être interrompue dans certaines zones. Le procédé selon l'invention peut en particulier utiliser directement un substrat déjà modifié selon le procédé dit STI (Shallow trench isolation), sur lequel est alors déposée la couche formant le masque de protection (ici le Si3N4). Dans ce deuxième mode de réalisation, le procédé selon l'invention peut alors utiliser encore plus simplement le procédé LOCOS standard, voire sans modification, puisque celui-ci qui comprend normalement une couche d'oxyde avant masquage. L'invention peut alors s'appliquer à un substrat déjà modifié selon le procédé STI, et donc être intégrée de façon assez simple dans une production utilisant ce procédé, par exemple une production de composants à base de transistors MOS-FET. Le masque de nitrure peut être enlevé ultérieurement si les procédés technologiques ultérieurs excluent la présence de nitrure de silicium. Ce mode de réalisation permet aussi, en enlevant le masque après découverte de la zone de germination mais avant la croissance du germanium, de faire croître le germanium sur une surface plus large, aussi bien la zone ouverte dans le masque de protection que la zone recouverte par ce même masque. Il est ainsi possible d'obtenir une zone plus étendue de � Germanium On Insulator �, ou positionnée différemment. - 10 - Par exemple dans des procédés de réalisation des transistors MOSFET, l'invention permet aussi de faire croître le germanium sur la zone d'intérêt avec une modification limitée des procédés existants. Le contrôle de la largeur de la zone de germination est obtenu en particulier par un contrôle : - d'une part de la différence de niveaux des surfaces de silicium sous les premier et deuxième matériaux, et -d'autre part de la cinématique d'action de l'opération de gravure chimiquement sélective sur l'un ou l'autre desdits premier et deuxième matériaux, qui permet de découvrir la zone de germination. Ce contrôle de la largeur de la zone de germination réalise alors un contrôle de la qualité cristalline du germanium obtenu. En réalisant une telle couche de germanium sur isolant, l'invention propose alors d'utiliser le procédé pour réaliser une base (ou � wafer �) pour une fabrication de circuits intégrés ou de composants à base de Germanium. Selon l'invention, une telle base de fabrication peut aussi être réalisée en créant localement une ou plusieurs zones de germination, pour ne recouvrir de germanium que certaines zones choisies sur un substrat en silicium. Il est ainsi possible d'intégrer des composants ou sous ensembles de technologies différentes, à base de germanium ou de silicium voire d'autres semi-conducteurs (GaAs, etc.), dans un support hétérogène, par exemple pour réaliser des circuits hétérogènes. En particulier, il est ainsi possible de combiner des composants performants en vitesse à base de germanium sur isolant, avec des composants sur substrat de silicium pleine masse qui permet une dissipation thermique plus efficace. Un exemple serait un circuit combinant une porte logique, comme une porte AND, avec un ou plusieurs transistors de puissance comme un transistor bipolaire. (technologie BiCMOS) L'invention propose aussi un système de réalisation de telles bases de fabrication (ou � wafers �), comprenant des moyens pour mettre oeuvre ce procédé. - 11 - Il y a de nombreux avantages à une telle technique. Un avantage important est le coût limité, puisque l'on peut partir de tranches de silicium standard, disponibles en 20 cm ou 30 cm de diamètre ou plus, dans le futur. Le coût additionnel vient surtout de l'étape d'épitaxie par pyrolyse d'hydrure, qui est présente en standard dans les fonderies actuelles. De plus, l'aspect localisé de cette technique laisse la possibilité de mélanger facilement des dispositifs sur silicium et germanium dans le même circuit intégré. Enfin, et c'est un point important, il s'avère que l'épitaxie latérale de germanium sur silice ne génère pas de dislocations. Une application immédiate est la fabrication de transistors à effet de champ de type P dit "complétement déplétés" ou � complètement déserté � en germanium (Ge FD-MOSFET pour "germanium fully depleted metal-oxidesemiconductor field effect transistor"). De plus, le germanium constitue aussi un support adapté à la croissance épitaxiale d'arséniure de gallium (GaAs), dont il partage les paramètres de maille. Or, bien que non explicitement mentionné par l'ITRS (stratégie internationale de développement : � International Technology Roadmap for Semiconductors �) l'arséniure de gallium devrait être utilisé dans les prochaines générations de MOSFET (noeud 22nm et au dessous) comme canal de type N. Le procédé permet donc d'accéder au FD-MOSFET de type N très haute mobilité, soit en faisant croître de l'arséniure de gallium à la place du germanium ici décrit, soit en le faisant croître sur le germanium ainsi obtenu. D'autres applications nécessitant l'intégration hétérogène de semiconducteurs III-V sont donc aussi ouvertes, en optoélectronique par exemple. D'autres particularités et avantages de l'invention ressortiront de la description détaillée d'un mode de mise en oeuvre nullement limitatif, et des dessins annexés sur lesquels : - les FIGURE 1 et FIGURE 2 illustrent schématiquement différents stades de déroulement du procédé selon l'invention, dans le premier mode de réalisation ; - la FIGURE 3 illustre schématiquement différents stades de déroulement du procédé selon l'invention, dans le deuxième mode de réalisation ; -12- - la FIGURE 4 illustre schématiquement certains stades de déroulement du procédé selon l'invention, dans une variante du deuxième mode de réalisation ; - la FIGURE 5 illustre schématiquement les différents stades de déroulement du procédé selon l'invention, dans le premier mode de réalisation appliqué à un substrat déjà préféré selon le procédé � STI � ; - la FIGURE 6 illustre un exemple d'utilisation du procédé selon l'invention pour la fabrication de circuits intégrés hybrides. Il s'agit d'un procédé simple permettant de faire croître du germanium monocristallin sans défauts sur une zone limitée d'oxyde de silicium obtenue par oxydation thermique, et qui formera l'isolant à recouvrir par le germanium. La croissance de germanium par pyrolyse du germane (GeH4) sur l'oxyde est initiée à partir d'une bande étroite de silicium située en périphérie de la zone oxydée et se poursuit par mouillage de la surface d'oxyde selon une cinétique déterminée. Cette bande de silicium qui sert de germe à la croissance cristalline présente avantageusement une largeur faible afin de limiter la propagation de défauts au dessus de la couche d'oxyde de silicium. Dans ce procédé, la largeur de la zone de germination est typiquement égale à 20-30 nanomètres. Cette très faible dimension est obtenue avec un effort technologique réduit, ce qui contribue à l'originalité de l'invention. Description détaillée du mode de réalisation préféré Les FIGURE 1 et FIGURE 2 illustrent l'invention dans son mode de réalisation préféré. Pour choisir les zones de germination et de croissance, ici directement sur la surface d'une tranche ou � wafer � de silicium, on réalise un masque en nitrure de silicium par dépôt, lithographie et gravure, qui définit les zones que l'on souhaite oxyder sur le silicium, selon les étapes suivantes : - en une étape 121, on forme par dépôt chimique en phase gazeuse assistée par plasma une couche 102, ici appelée couche de protection, de nitrure de silicium Si3N4 sur le substrat 100 de Silicium. - 13 - - en une étape 122, on dépose une couche de résine de type UVIII sur la couche 102 de nitrure. - en une étape 123, on impressionne sélectivement les zones à recouvrir par un rayonnement en UV profond, par exemple par lithographie utilisant un masque amovible de lithographie M104, typiquement en quartz avec surface chromée dans les zones à opacifier, appliqué sur la couche de résine UVIII. - en une étape 124, par application d'un révélateur tel que MFCD26, les zones insolées de la couche de résine sont retirées pour découvrir le nitrure de silicium de la couche de protection 102. La résine subsistante forme ainsi un masque de gravure 103 laissant apparaître au moins la zone à recouvrir ultérieurement de Germanium. - en une étape 125, on grave par ions réactifs la couche de protection 102 dans ses zones découvertes par le masque de gravure 103, jusqu'à découvrir le silicium 100 du substrat dans la zone 105 à recouvrir de germanium. La couche de protection 102 est ainsi transformée en un masque 104, ici appelé masque de protection. De façon préférentielle mais non obligatoire, on réalise une gravure 126 de la surface apparente du silicium 100 dans cette zone 105 à recouvrir, pour former une zone creusée dans cette couche de silicium. Cette gravure du silicium peut se faire séparément et après la gravure 125 du masque 104. Elle peut aussi se faire dans la continuité de celle-ci 125, dès lors que le silicium y est sensible lui aussi. L'ensemble de la tranche est ensuite oxydée en une étape 127, par exemple sous pression partielle de vapeur d'eau à une température de 1050°C pendant quelques minutes. Cette oxydation produit des zones oxydées 106 d'environ 100nm d'épaisseur, localisées dans les fenêtres précédemment ouvertes dans la couche de nitrure. A travers le masque de protection 104, on réalise ainsi une transformation superficielle en SiO2 du silicium de la zone 105 exposée, formant des zones en creux dans la surface du silicium subsistant. A l'issue de cette étape 127, le nitrure 104 et l'oxyde 106 forment deux régions d'une couche composite et sont contiguës dans la zone d'interface 1070 déterminée par la différence de niveau entre la surface - 14 - initiale 1000 du substrat 100 et la surface 1060 du substrat sous la couche d'oxyde 106 formée au fond de la zone creusée 105. Une étape 128 comprend alors une attaque ou gravure isotrope sélective du SiO2 appliquée à l'ensemble de la tranche. Cette attaque ou gravure est dosée jusqu'à découvrir le silicium 100 derrière le SiO2, mais en s'arrêtant avant la disparition complète de l'oxyde de silicium 106 du fond de la zone creusée 105. Le silicium est découvert dans une zone située derrière l'interface entre SiO2 et masque de Si3N4 avant disparition complète du SiO2 du fond de la zone 105, en particulier du fait de la moindre épaisseur de SiO2 à cet endroit. En particulier, cette étape 128 peut se faire en dissolvant une partie de la couche d'oxyde 106 dans une solution à base d'acide fluorhydrique, ce qui libère sous le masque 104 de nitrure une étroite bande 107 de silicium qui va servir de zone de germination. Sa position sur les côtés de la zone creusée 105 en fait un accident de forme dépassant de la surface de l'isolant 108 subsistant au fond de la zone creusée 105. La solution à base d'acide fluorhydrique (HF) présente une sélectivité d'attaque plus marquée sur l'oxyde de silicium que sur le nitrure, ce qui permet de faciliter le réglage de cette étape. Il serait cependant possible d'utiliser une autre solution ne présentant pas la même sélectivité. En effet, l'attaque chimique 127 se fait de façon isotrope et progresse donc dans une direction perpendiculaire à la surface extérieure de la zone attaquée. Dans la zone d'interface 1070, cette direction d'attaque Al27 n'est donc pas verticale mais oblique voire horizontale. Selon cette direction Al27, du fait de la dénivellation entre les surfaces 1000 et 1060 du silicium, l'épaisseur d'oxyde 106 est moindre que selon la verticale au fond de la zone gravée 105. L'attaque progressant selon cette direction Al27 atteint donc la paroi verticale 107 du silicium 100 avant que les couches de nitrure 104 et d'oxyde de silicium 106 ne disparaissent complètement dans les autres zones. La largeur L107 de cette zone 107 peut être réglée en ajustant la cinématique de l'étape 128 de gravure chimique, et l'épaisseur de SiO2 108 restant peut être ajustée en réglant l'épaisseur de la couche de SiO2 préalablement formée 127. - 15 - La croissance de germanium peut alors être effectuée, typiquement par pyrolyse de germane ou hydrure GeH4 selon un procédé de type CVD (� Chemical Vapor Deposition �), et en particulier le procédé UHV-CVD, par exemple selon les techniques de croissance de germanium sur silice exposées dans la publication Halbwax et al.. La croissance du cristal de germanium 109 démarre sur la zone de germination 107 entourant la couche d'oxyde 108 subsistant. A partir de la zone 107 de silicium découverte, la croissance de germanium monocristallin 109 se propage latéralement sur la surface de la couche d'oxyde 108. On laisse la croissance se poursuivre jusqu'au recouvrement complet de la couche oxydée 108 au sein de la zone creusée 105, formant alors une couche 110 de germanium au dessus de la couche 108 d'oxyde isolant. Le recouvrement de bandes de silice de 500 nm de large a été testé. L'observation par microscopie électronique à balayage montre des cristaux facettés homogènes sans défauts apparents. Dans des conditions de pression de germane bien choisies, il n'y a pas de croissance sur le masque de nitrure. Pour observer les défauts structuraux (dislocations, fautes d'empilement), il faut utiliser la microscopie électronique en transmission. Les premiers résultats indiquent que l'interface entre le germanium et l'oxyde contient peu ou pas de dislocations. La croissance de germanium dans une fenêtre 105 ouverte dans le masque de nitrure 104 est particulièrement favorable et de bonne qualité lorsque la zone de germination 107 est allongée selon une direction perpendiculaire à la direction cristallographique . Ainsi, la zone 105 à recouvrir sera choisie de préférence selon une forme dont tous les côtés sont perpendiculaires à cette direction ou à l'une des directions équivalentes (c.à.d. , , et ). Dans une telle fenêtre, par exemple rectangulaire ou carrée dont un côté est perpendiculaire à la direction , la croissance 129, 130 de germanium conduit à la formation de facettes orientées selon les axes cristallographiques . Le cristal obtenu 110 a donc une allure en "hutte" avec un toit à deux pentes inclinées à 25°. - 16 - S'il en est besoin, il est possible de remédier à cette forme en toit par polissage mécano-chimique ou � CMP �, qui est une méthode déjà très largement utilisée en standard dans l'industrie de la microélectronique. Il convient de remarquer que l'étape de CMP n'est pas particulièrement contraignante et est acceptée sans restriction dans les filières industrielles concernées. En particulier, tout ou partie des étapes allant jusqu'à et y compris la création 127 d'une couche d'isolant 106 peuvent être réalisées selon les techniques employées dans le procédé global LOCOS (� LOCal Oxydation of Silicon �) utilisé pour la filière de transistors MOSFET, ce qui rend l'invention particulièrement simple à implémenter dans les installations actuelles, d'autant plus que le procédé LOCOS est compatible avec le procédé STI, et peut utiliser directement des produits obtenus par lui. Dans le procédé selon l'invention, il est clair que la zone 105 à recouvrir d'isolant puis de germanium peut ainsi être facilement positionnée sur la surface du substrat 100 de silicium en autant de formes et d'emplacements que de besoin par ce procédé. En dehors de la lithographie pour la création du masque de gravure correspondant à des technologies bien rôdées, l'ensemble des autres opérations ici décrites ne comprend que des opérations globales s'effectuant sur l'ensemble de la tranche et donc d'un coût technologique limité quels que soient les motifs à recouvrir ou les dimensions de la tranche. Description d'autres modes de réalisation La FIGURE 3 illustre le deuxième mode de réalisation, qui comprend les étapes suivantes : - formation 221 d'une couche 201 de premier matériau comprenant du SiO2 sur la surface du silicium du substrat 200 ; - formation 221 d'une couche dite de protection 202 en deuxième matériau sur la couche 201 de premier matériau ; - gravure 222 sélective spatialement de la couche de protection 202 pour réaliser un masque de protection 204 laissant apparaître le silicium 200 dans au moins une zone 205 à recouvrir de germanium ; - 17 - - optionnellement, gravure 223 de la surface apparente du silicium 100 dans ladite zone à recouvrir 205 pour former une zone creusée ; - transformation superficielle 224 du silicium de la surface de ladite zone à recouvrir 205 en une couche 206 de premier matériau comprenant du SiO2 par une oxydation, sèche ou humide. A l'issue de cette étape 224, le nitrure 204 et l'oxyde 206 forment deux régions d'une couche composite de surface et sont contiguës dans la zone d'interface 2070 déterminée par la différence de niveau entre la surface initiale 2000 du substrat de silicium 200 et la surface 2060 du substrat sous la couche d'oxyde 206 formée au fond de la zone creusée 205. -attaque 225 chimique, typiquement une gravure isotrope chimiquement sélective, par exemple par acide fluorhydrique, du premier matériau (SiO2) 206 d'au moins une zone d'interface entre le masque de protection 204 et ce premier matériau 206 de ladite zone à recouvrir 205, jusqu'à découvrir une zone 207 de silicium derrière ledit premier matériau 206 ; -germination et croissance épitaxiale 227, 228, de germanium 209 pour former une couche 210 de germanium à partir de ladite zone de silicium 207 découverte. De même que pour le premier mode de réalisation, la zone de germination 207 est alors utilisée pour réaliser une germination 227 de germanium 209. La croissance est alors poursuivie 228 jusqu'à recouvrir de germanium 210 la couche d'oxyde 208 (le premier matériau) subsistant. Ce deuxième mode de réalisation est lui aussi compatible avec les procédés LOCOS avec encore moins de modifications voire aucune, puisque le procédé LOCOS comprend de façon classique la formation d'une couche d'oxyde 201 sur le substrat 200 avant masquage par une couche de nitrure 202. En FIGURE 4 est illustrée une variante optionnelle de ce deuxième mode de réalisation, qui comprend alors en outre les étapes suivantes : -ultérieurement à la gravure sélective 225 de diminution du premier matériau 206, on réalise une ablation 236 du masque de protection 204 en deuxième matériau par au moins une opération de gravure isotrope chimiquement sélective sur ce deuxième matériau, par exemple par H3PO4 ; -18 - - après germination 237, formation 238 d'une couche de germanium 220, par croissance latérale à partir des germes de germanium 219 : à la fois sur le premier matériau 208 de la zone 205 et à la fois sur la surface de la couche de premier matériau 2080 dans la région découverte par ladite ablation 236 du masque de protection 204. Ultérieurement, pour ce mode de réalisation mais aussi pour les autres modes de réalisation de l'invention, les zones de germination 207 peuvent être éliminées par une gravure localisée 239. En FIGURE 5 est illustrée l'application du mode de réalisation des FIGURE 1 et FIGURE 2 à un substrat déjà préparé selon le procédé STI, après réalisation des tranchées 509 de silice sur le silicium 500 du substrat initial. La FIGURE 6 illustre l'utilisation d'un procédé selon l'invention, au sein d'un processus 650 de fabrication de circuits intégrés hybrides, par exemple silicium/germanium. Une tranche ou � wafer � 600 de silicium monocristallin est utilisée 650 comme base pour réaliser une pluralité de circuits intégrés 620 hybrides. Dans une partie 651 du processus de fabrication, le procédé selon l'invention est utilisé pour recouvrir de silice puis de germanium monocristallin des zones 611, 612 et 613 précises positionnées au sein de chacun des emplacements 610 du wafer 601, fournissant des zones localisées de GeOI. Ces sont zones 611, 612 et 613 déterminées pour correspondre à l'endroit où seront réalisés, dans la suite 652 du processus, certains composants que l'on souhaite baser sur du germanium et non sur du silicium, par exemple des transistors rapides 621, 622 et 623. Ainsi, seules les zones utiles 611, 612 et 613 seront recouvertes de germanium. Les zones 619 destinées à la réalisation de composants à base de silicium, par exemple des transistors 629, n'ont pas besoin d'être recouvertes de germanium par le procédé selon l'invention. L'invention permet ainsi la réalisation de circuits intégrés hybrides avec de bonnes performances d'intégration, en utilisant peu de germanium - 19 -et avec un effort technologique et industriel limité par rapport aux installations industrielles existantes dans la filière silicium. Bien sûr, l'invention n'est pas limitée aux exemples qui viennent d'être 5 décrits et de nombreux aménagements peuvent être apportés à ces exemples sans sortir du cadre de l'invention. REVENDICATIONS 1. Procédé pour recouvrir d'un semi-conducteur (110, 210) dit de croissance, différent du silicium, une couche d'un premier matériau (108, 208) portée par un substrat (100, 200) de silicium, ledit procédé comprenant : - à l'aide d'au moins une opération de gravure spatialement sélective, réalisation sur ledit substrat d'une couche de surface dite composite comprenant au moins ledit premier matériau (106, 206) dans une première région et au moins un deuxième matériau (104, 204), différent du premier matériau, dans une deuxième région, lesdites régions étant contiguës en au moins une zone d'interface (1070, 2070) présentant une différence de niveau entre la surface (1060, 2060) du silicium dudit substrat (100, 200) dans ladite première région et la surface (1000, 2000) du silicium dudit substrat dans ladite deuxième région ; - au moins une opération de gravure chimique (128, 225) dudit premier matériau (108, 208) jusqu'à découvrir au moins une partie (107, 207) du substrat aux abords de ladite interface ; - croissance (129, 130) dudit semi-conducteur (109, 110) à partir de ladite partie découverte (107), dite zone de germination. 2. Procédé selon la revendication 1, caractérisé en ce que les deux régions (104, 106) sont réparties de façon à présenter au moins une zone d'interface (1070) linéaire délimitant une région (105) à recouvrir de semi- conducteur de croissance. 3. Procédé selon l'une quelconque des revendications précédentes, caractérisé en ce que la zone de germination (107) présente au moins une dimension (L070) transversale d'une valeur inférieure à trente nanomètres. 4. Procédé selon l'une quelconque des revendications précédentes, caractérisé en ce que la zone à recouvrir (105, 205) est choisie de façon à ce qu'au moins une zone de germination (107, 207) présente une direction30- 21 - longitudinale perpendiculaire à la direction cristallographique du substrat (100). 5. Procédé selon l'une quelconque des revendications précédentes, caractérisé en ce que le semi-conducteur (109, 110, 209, 210) de croissance est du germanium, ou de l'arséniure de gallium, ou du phosphure d'indium. 6. Procédé selon l'une quelconque des revendications précédentes, caractérisé en ce que l'étape (128, 225) de gravure de la zone d'interface (1070, 2070) est choisie pour graver le premier matériau (106, 206) sélectivement par rapport au deuxième matériau (104, 204). 7. Procédé selon l'une quelconque des revendications précédentes, caractérisé en ce qu'il comprend les étapes suivantes : - formation (122 -125, 222 - 223) d'une couche de deuxième matériau selon un motif partiel (104, 204), dit masque de protection, choisi pour déterminer la position d'au moins une zone de germination ; - formation (127, 224) d'une couche (106, 206) de premier matériau à l'intérieur de l'espace libre (105, 205) dudit masque de protection, de façon à ce que la surface (1060, 2060) du substrat à l'intérieur dudit espace libre se situe plus bas que la surface (1000, 2000) du substrat dans la région recouverte par ledit masque de protection ; - gravure (128, 225) du premier matériau (106, 206) de la zone d'interface (1070, 2070) jusqu'à découvrir la surface sous-jacente du substrat dans au moins une zone localisée formant ainsi une zone de germination (107, 207) au bord dudit masque de protection (104, 204). 8. Procédé selon la revendication 1, caractérisé en ce que la formation du premier matériau (108, 208) comprend une transformation (127, 224) de la surface d'un substrat (100, 200) de silicium, dans au moins une région (105, 205), en un matériau isolant comprenant du SiO2.- 22 - 9. Procédé selon l'une quelconque des revendications précédentes, caractérisé en ce que la formation du deuxième matériau (102, 202) comprend un dépôt (121, 221) de Si3N4. 10. Procédé selon l'une quelconque des revendications précédentes, caractérisé en ce qu'il comprend les étapes suivantes : - formation (121) d'une couche dite de protection (102) en deuxième matériau sur un substrat (100) de silicium; - gravure (122 à 125) sélective de la couche de protection (102) pour réaliser un masque de protection (104) laissant apparaître le silicium (100) dans au moins une zone (105) destinée à être recouverte par le semi-conducteur de croissance (106) ; - transformation superficielle (127) du silicium de la surface de ladite zone à recouvrir (105) en une couche (106) de premier matériau comprenant du SiO2; - attaque ou gravure isotrope (128) du SiO2 (106) d'au moins une zone d'interface entre le masque de protection (104) et le premier matériau (106) de ladite zone à recouvrir (105), jusqu'à découvrir une zone (107) de silicium derrière ledit premier matériau ; - germination et croissance épitaxiale (129, 130) d'une couche (110) de semi-conducteur de croissance à partir de la zone de silicium (107) découverte. 11. Procédé selon l'une quelconque des revendications précédentes, caractérisé en ce qu'il comprend les étapes suivantes : - formation (221) d'une couche (201) de premier matériau comprenant du SiO2 sur la surface du silicium du substrat (200) ; - formation (221) d'une couche dite de protection (202) en deuxième matériau sur la couche (201) de premier matériau ; - gravure (222) spatialement sélective de la couche de protection (202) pour réaliser un masque de protection (204) laissant apparaître le silicium (200) dans au moins une zone (205) destinée à être recouverte par le semi-conducteur de croissance ;- 23 - - transformation superficielle (224) du silicium de la surface de ladite zone à recouvrir (205) en une couche (206) de premier matériau comprenant du SiO2 ; -attaque ou gravure (128) du SiO2 (206) d'au moins une zone d'interface entre le masque de protection (204) et le premier matériau (206) de ladite zone à recouvrir (205), jusqu'à découvrir une zone (207) de silicium derrière ledit premier matériau (206) ; - germination et croissance épitaxiale (227, 228) d'une couche (210) de semi-conducteur de croissance à partir de ladite zone de silicium (207) découverte. 12. Procédé selon la revendication 11, caractérisé en ce qu'il comprend en outre les étapes suivantes : - ultérieurement à la gravure (225) de diminution du premier matériau (206), ablation du masque de protection (204) en deuxième matériau par au moins une opération (236) de gravure sélective dudit deuxième matériau ; - après germination (237), formation (238) d'une couche de germanium (220), par croissance latérale du semi-conducteur de croissance (219) sur la surface de la couche de premier matériau (2080) dans la région découverte par ladite ablation (236) du masque de protection (204). 13. Procédé selon l'une quelconque des revendications précédentes, caractérisé en ce que le contrôle de la largeur (L070) de la zone de germination (107, 207) comprend un contrôle - d'une part de la différence de niveaux des surfaces (1060 et 1000, 2060 et 2000) de silicium sous les premier (106, 206) et deuxième matériaux (104, 204), et - d'autre part de la cinématique d'action de l'opération (128, 225) de gravure chimique sur ledit premier matériau relativement audit deuxième matériaux. 14. Procédé selon l'une quelconque des revendications précédentes, caractérisé en ce que le contrôle de la qualité cristalline du semi-conducteur- 24 - de croissance (110, 210) obtenu comprend un contrôle de la largeur (L070) de la zone de germination (107, 207). 15. Procédé selon l'une quelconque des revendications précédentes, caractérisé en ce qu'il comprend les étapes suivantes : - utilisation d'un procédé du type � LOCal Oxydation of Silicon � pour réaliser une gravure locale d'au moins une zone (105, 205) de silicium à recouvrir de germanium au sein d'un masque définissant un motif (104, 204) sur un substrat (100, 200) de silicium et transformation de la surface de ladite zone (105, 205) en une couche de SiO2 (106, 206) ; - attaque ou gravure (128, 225) de ladite couche de SiO2 (106, 206) en au moins une région incluant un bord de ladite zone à recouvrir (105, 205), jusqu'à découvrir une zone (107, 207) de silicium derrière ladite couche de SiO2 (106, 206) ; - utilisation (129, 130, 227, 228 de la zone découverte (107, 207) comme zone de germination pour réaliser une croissance épitaxiale de germanium (109, 209) le long de la surface du SiO2 (108, 208) subsistant à la surface de ladite zone à recouvrir (105, 205). 16. Procédé selon la revendication 15, caractérisé en ce qu'il utilise un substrat déjà modifié selon le procédé � Shallow Trench Isolation �, pour réaliser au moins une zone de germanium sur isolant entre deux tranchées d'oxyde de silicium. 17. Procédé selon l'une quelconque des revendications 5 à 16, caractérisé en ce qu'il comprend en outre une croissance d'arséniure de gallium sur le germanium (110, 210) obtenu. 18. Utilisation du procédé selon l'une quelconque des revendications précédentes pour réaliser un support ou une base (wafer) pour la fabrication d'au moins un circuit intégré basé sur le semi-conducteur de croissance (110, 210), notamment du germanium.- 25 - 19. Utilisation du procédé selon l'une des revendications 1 à 17 pour réaliser au moins une zone de semi-conducteur de croissance (110, 210), notamment du germanium, localisée au sein d'un support destiné à servir de base pour la fabrication d'au moins un circuit intégré hétérogène, par création localisée d'au moins une zone de germination (107, 207). 20. Système de réalisation de support ou base de fabrication de circuit intégré, comprenant des moyens pour mettre en oeuvre le procédé ou l'utilisation selon quelconque l'une des revendications 1 à 19.