FR 2925158 A1 20090619 FR 0759789 A 20071212 DISPOSITIF POUR LA DETECTION D'UN RAYONNEMENT ELECTROMAGNETIQUE COMPORTANT UN BOLOMETRE RESISTIF D'IMAGERIE, SYSTEME COMPRENANT UNE MATRICE DE TELS DISPOSITIFS ET PROCEDE DE LECTURE D'UN BOLOMETRE D'IMAGERIE D'UN TEL SYSTEME DOMAINE DE L'INVENTION La présente invention a trait au domaine de la détection de rayonnements électromagnétiques, et plus particulièrement infrarouge, à base de dispositifs 10 microbolométrique s. Plus particulièrement, l'invention concerne un dispositif pour la détection d'un rayonnement électromagnétique comportant un bolomètre résistif d'imagerie sensible au rayonnement, destiné à être connecté électriquement à un circuit de 15 formation de signal, et un bolomètre résistif de référence associé électriquement au bolomètre d'imagerie de manière à ce que le courant traversant le bolomètre de référence soit retranché du courant traversant le bolomètre d'imagerie. ETAT ANTERIEUR DE LA TECHNIQUE 20 Dans le domaine des détecteurs infrarouges, il est connu d'utiliser des dispositifs agencés sous forme matricielle, et susceptibles de fonctionner à température ambiante, c'est-à-dire ne nécessitant pas de refroidissement à de très basses températures, contrairement aux dispositifs de détection appelés "détecteurs 25 quantiques" qui eux, nécessitent un fonctionnement à très basse température, typiquement celle de l'azote liquide. Ces détecteurs non refroidis utilisent traditionnellement la variation d'une grandeur physique d'un matériau approprié, en fonction de la température, au voisinage de 30 300K. Dans le cas des détecteurs bolométriques, cette grandeur physique est la résistivité électrique. Un tel détecteur non refroidi associe généralement : - des moyens d'absorption du rayonnement infrarouge et de conversion de celui-ci 35 en chaleur, - des moyens d'isolation thermique du détecteur, de telle sorte à permettre à celui-ci de s'échauffer sous l'action du rayonnement infrarouge,5 - des moyens de thermométrie qui, dans le cadre d'un détecteur bolométrique, mettent en oeuvre un élément résistif, - et des moyens de lecture des signaux électriques fournis par les moyens de thermométrie. Les détecteurs destinés à l'imagerie infrarouge sont classiquement réalisés sous la forme d'une matrice de détecteurs élémentaires selon une ou deux dimensions, ladite matrice étant formée de manière dite "monolithique" ou reportée sur un substrat généralement réalisé en silicium, dans lequel sont constitués des moyens d'adressage séquentiel des détecteurs élémentaires, et des moyens d'excitation électrique et de pré-traitement des signaux électriques générés par ces détecteurs élémentaires. Ce substrat et les moyens intégrés sont communément désignés par le terme de � circuit de lecture �. Pour obtenir une scène par l'intermédiaire de ce détecteur, on projette la scène à travers une optique adaptée sur la matrice de détecteurs élémentaires, et des stimuli électriques cadencés sont appliqués par l'intermédiaire du circuit de lecture à chacun des détecteurs élémentaires, ou à chaque rangée de tels détecteurs, afin d'obtenir un signal électrique constituant l'image de la température atteinte par chacun desdits détecteurs élémentaires. Ce signal est traité de manière plus ou moins élaborée par le circuit de lecture, puis éventuellement par un dispositif électronique extérieur au boîtier afin de générer l'image thermique de la scène observée. La difficulté essentielle de mise en oeuvre des détecteurs bolométriques réside dans la très faible variation relative de leur résistance électrique, représentative des variations locales de température d'une scène observée, par rapport à la valeur moyenne de ces résistances. En effet, les lois physiques d'émission thermique dans l'infrarouge de la scène observée entre 8 et 14 �m (correspondant à la bande de transparence de l'atmosphère terrestre dans laquelle sont habituellement utilisés des détecteurs bolométriques) conduisent à une puissance différentielle dP au niveau du plan focal détecteur de l'ordre de 50 �W/cm2 lorsque la température de scène varie de 1K autour de 300 K. La détermination de cette valeur est aisément à la portée de l'homme du métier, en appliquant les lois physiques précitées. Cette estimation est valable pour une optique ouverte à fil, une transmission élevée entre la scène et le détecteur, et lorsque le détecteur ne reçoit qu'une quantité négligeable d'énergie en dehors de la bande de longueur d'onde spécifiée, par exemple et typiquement si le boîtier est muni d'une fenêtre transparente dans cet intervalle et opaque en deçà et au-delà des limites indiquées. Corollairement, la variation de température dT d'un bolomètre à l'équilibre thermique, liée à une puissance infrarouge dP absorbée sur sa surface S est donnée par l'expression suivante : dT = Rth . dP, où Rth est une résistance thermique entre la partie sensible du bolomètre, qui s'échauffe sous l'effet du rayonnement infrarouge, et le substrat isotherme qui le porte. Ainsi, pour un bolomètre de dimensions typiques de l'ordre de 30 �m x 30 �m, ce qui représente une surface de 9.10-4 cm2, la résistance thermique typique selon l'état de la technique, est de l'ordre de 10 à 30 MK/W, ce qui conduit à un échauffement du bolomètre de l'ordre de 0,005 K à 0,015 K lorsque la température de l'élément de scène vu par ce bolomètre varie de 1 K. Si Rb désigne la résistance électrique vue entre les deux pôles d'amenée du courant au niveau du matériau sensible bolométrique, la variation de résistance dRb qui en résulte est exprimée par l'expression suivante : dRb = TCR . dT où TCR est un coefficient de variation relatif de résistance du matériau constituant la partie sensible du bolomètre au voisinage de la température de fonctionnement, classiquement voisin de -2 % par K pour les matériaux usuels dans ce domaine (oxydes de vanadium, silicium amorphe). En conséquence, la variation relative de résistance dR/R consécutive à un différentiel de 1 K sur la scène est de l'ordre de 0,02 %, soit 10-4/K. Or, il est demandé aujourd'hui des résolutions thermiques d'imagerie nettement meilleures que 1 K et typiquement 0,05 K, voire moins. De tels résultats peuvent être obtenus par l'élaboration de structures présentant des résistances thermiques Rth très élevées de par la mise en oeuvre de techniques sophistiquées. Cependant le besoin demeure de mesurer d'infimes variations relatives de résistance et typiquement, ainsi qu'indiqué précédemment, de l'ordre de quelques 10-6, pour résoudre des variations temporelles et spatiales de température de quelques dizaines de milliKelvin. Afin d'expliciter la difficulté d'exploiter une aussi faible variation, on a schématisé en relation avec la figure 1, un circuit de lecture répétées d'un bolomètre résistif 12 de résistance Rb , soumis à un rayonnement infrarouge et connecté à l'une de ses bornes à une tension de polarisation constante VDDA prédéterminée. Le circuit de lecture 5 comprend un intégrateur 10 formé de : - un amplificateur opérationnel 14 dont l'entrée non inverseuse (+) est mise à une tension constante Vbus prédéterminée ; - un condensateur 16, de capacité C,nr prédéterminée, connecté entre l'entrée inverseuse (-) de l'amplificateur 14 et la sortie de celui-ci ; 10 - un interrupteur de remise à zéro 18 connecté en parallèle du condensateur 16, et pilotable au moyen d'un signal Reset. Le circuit de lecture comprend en outre : - un premier interrupteur 20 de lecture, pilotable au moyen d'un signal � Select � 15 et connecté à l'entrée inverseuse (-) de l'amplificateur opérationnel ; - un transistor MOS 22 d'injection, dont la grille est mise à une tension GFID constante prédéterminée, dont la source est connectée à l'autre borne du bolomètre 12, et dont le drain est connecté à l'autre borne du premier interrupteur 20 de sélection ; et 20 - une unité 23 de traitement d'information, connectée en sortie de l'amplificateur opérationnel 14, et déterminant en fonction de la tension Voir en sortie de celui- ci la variation de la résistance du bolomètre 12 induite par le rayonnement infrarouge reçu par ce dernier, et donc ce rayonnement infrarouge. 25 Au début d'un cycle de lecture du bolomètre 12, l'interrupteur de remise à zéro 18, qui est à l'état fermé suite à un cycle de décharge du condensateur 16, est basculé à l'état ouvert par réglage du signal Reset à une valeur appropriée. Le premier interrupteur 20 de lecture, qui est dans l'état ouvert, est basculé à l'état fermé par réglage du signal � Select �. Le courant traversant le bolomètre 12 est alors intégré 30 par le condensateur 16. Lorsqu'une durée d'intégration Al r prédéterminée s'est écoulée depuis le début du cycle de lecture, le premier interrupteur de lecture 20 est basculé dans son état ouvert. La tension Voir en sortie de cet intégrateur, image de la résistance Rb du bolomètre, est alors donnée par l'expression : V bolo x ~~nt oit Rb Chi, où Vbolo est la tension aux bornes du bolomètre 12, en admettant, pour simplifier, que Rb varie peu pendant la durée d'intégration Tint. 35 Ainsi, une matrice de N résistances (bolomètres) pourrait être lue selon ce principe à l'aide de l'intégration simultanée (au moyen de N intégrateurs) ou séquentielle (sur un intégrateur disposé en bout de ligne ou en bout de colonne, voire un seul intégrateur pour la matrice). Lorsque la matrice ainsi réalisée est éclairée par la projection d'une scène infrarouge, Voit va présenter des variations spatiales (issues de chaque bolomètre) représentatives de la scène. Il est rappelé que la tension Voir telle qu'exprimée précédemment est constituée pour une très grande part, d'une partie constante d'un détecteur à l'autre (signal dit � de mode commun �), qui ne présente donc aucun intérêt en termes d'imagerie. Seules les infimes variations de Voit liées aux différences locales (entre un bolomètre et un autre) et temporelles (la scène varie au cours du temps) de puissance optique reçue constituent le signal utile de la scène observée. Or, les contraintes inhérentes aux circuits microélectroniques en termes de tension (quelques volts), les valeurs accessibles et maîtrisables des résistances bolométriques Rb (quelques dizaines à quelques centaines de kOhms) et la nécessité d'utiliser des durées d'intégration suffisamment courtes, conduiraient à mettre en oeuvre des capacités Chi, de très grandes valeurs, en tout cas incompatibles avec la surface disponible dans chaque point élémentaire ou pixel de détection (de l'ordre de celle d'un bolomètre), et même en pratique incompatibles avec un report de cette capacité en marge ou au bord du circuit de lecture, où la surface n'est pourtant pas limitée à celle du point élémentaire. Il est donc nécessaire de mettre en place des modes de lecture qui limitent le courant à intégrer à des niveaux compatibles avec des capacités raisonnablement réalisables. Par ailleurs, de par l'existence du couplage thermique entre le substrat et le bolomètre, une partie non négligeable de variations thermiques subies par le substrat se reporte sur le bolomètre. Comme les bolomètres usuels présentent une sensibilité très importante à de telles variations, ceci a pour conséquence que le signal de sortie est perturbé par ce bruit de fond, ce qui nuit à la qualité de la détection du rayonnement infrarouge. Pour pallier ces inconvénients, il a été proposé une structure résistive dite de � référence � décrite dans le document � Performance of 320x240 Uncooled Bolometer-type Infrared Focal Plane Arrays � de Yutaka Tanake et al., Proc. SPIE, vol 5074. Le principe d'une structure résistive de référence est d'associer au bolomètre résistif 12 de la figure 1, un second bolomètre résistif identique, polarisé et connecté au substrat de manière identique au premier bolomètre. Ce second bolomètre est en outre agencé de manière à être essentiellement insensible au flux en provenance de la scène, typiquement par une membrane métallique opaque. Les premier et second bolomètres résistifs sont par ailleurs associés de sorte que le courant traversant le second bolomètre est soustrait du courant traversant le premier bolomètre et que ce soit cette différence de courants qui soit utilisée par le circuit de lecture. Afin de distinguer les fonctions de ces deux bolomètres, on utilisera l'expression bolomètre � d'imagerie � pour le premier bolomètre, et l'expression bolomètre � de référence � pour le second bolomètre, même si dans certaines applications, de thermométrie par exemple, on ne forme pas forcement une image, mais par exemple une mesure de température. Une structure de référence 24 est schématiquement illustrée à la figure 2, qui reprend les éléments de la figure 1, auxquels est associé un circuit dit � de référence � 24. Le circuit de référence 24 comprend un bolomètre de référence 26, un transistor MOS de polarisation 28 et un second interrupteur de lecture 30, respectivement sensiblement identiques au bolomètre d'imagerie 12, au transistor MOS d'injection 22 et au premier interrupteur de lecture 20. Les éléments 26, 28 et 30 sont de plus polarisés et agencés de la même manière que les éléments 12, 22 et 20, à la seule différence que le bolomètre de référence 26 est pourvu d'une membrane métallique opaque 32 le protégeant du rayonnement issu de la scène. La structure résistive de référence comporte enfin un miroir de courant 34, dont une branche d'entrée est connectée à une borne A du second interrupteur de lecture 30, et dont l'autre branche d'entrée est connectée à une borne B du premier interrupteur de lecture 20. Ce miroir de courant 34 reproduit sensiblement le courant il traversant le bolomètre de référence 26 au niveau de la borne B. La mise en oeuvre de miroirs de courant permet de ne disposer qu'une seule structure de référence par ligne, l'ensemble de ces structures étant disposé selon une � colonne � de référence pour un détecteur matriciel. Les miroirs de courant sont des structures connues de l'homme du métier. Elles permettent de manière générale la copie d'un courant de référence dans une structure éloignée, et en particulier la distribution de ce courant de référence dans une multitude d'éléments de circuiterie, indépendamment de leur charge résistive. Ainsi, le courant il traversant le bolomètre de référence est sensiblement égal au courant de mode commun, et le bolomètre de référence est sujet aux mêmes variations thermiques en provenance du substrat que le bolomètre d'imagerie. La différence i2-il entre le courant i2 traversant le bolomètre d'imagerie et le courant il traversant le bolomètre de référence est alors sensiblement exempte des perturbations que sont le courant de mode commun et la composante liée aux variations thermiques du substrat. Cette différence de courant i2-il correspond donc sensiblement au courant induit par la variation de résistance du bolomètre d'imagerie 12 du fait de son échauffement par le rayonnement infrarouge issu de la scène. Toutefois, une structure résistive de référence est techniquement difficile à produire. En effet, pour obtenir un fonctionnement satisfaisant de celle-ci, il est nécessaire que la membrane métallique 32 protégeant le bolomètre de référence soit totalement imperméable au flux issu de la scène, tout en étant thermiquement isolée des autres éléments de la structure pour éviter toute perturbation thermique sur le bolomètre de référence. On conçoit aisément qu'une telle membrane soit difficile à concevoir et à produire. En outre, la complexification sensible qu'implique l'élaboration d'une telle membrane entraîne nécessairement un surcoût, du fait d'étapes supplémentaires de 30 fabrication et donc un rendement de production non idéal. Le but de la présente invention est de résoudre le problème susmentionné en proposant une structure ayant un bolomètre de référence qui soit isolé efficacement du rayonnement issu de la scène sans utiliser un écran physique de protection. EXPOSE DE L'INVENTION A cet effet, l'invention a pour objet un dispositif pour la détection d'un rayonnement électromagnétique comportant un bolomètre résistif d'imagerie sensible au rayonnement, destiné à être connecté électriquement à un circuit de formation de signal, et un bolomètre résistif de référence associé électriquement au bolomètre d'imagerie de manière à ce que le courant traversant le bolomètre de référence soit retranché du courant traversant le bolomètre d'imagerie. Selon l'invention, ce dispositif comporte des moyens de commande de la résistance du bolomètre de référence. Ainsi, en utilisant des moyens de commande de la résistance du bolomètre de référence, il est possible de régler celle-ci à une valeur indépendante du rayonnement issu de la scène, et donc d'isoler par ce moyen électrique le bolomètre de référence de ce rayonnement. Selon des modes de réalisation particuliers de l'invention, le dispositif comporte une ou plusieurs des caractéristiques suivantes. Les moyens de commande de la résistance du bolomètre de référence comprennent des moyens d'injection d'un courant de référence prédéterminé dans celui-ci. Les moyens de commande comprennent des moyens de déconnection des moyens 25 d'injection de courant lorsqu'une tension à une borne du bolomètre de référence est sensiblement égale à une tension de référence prédéterminée. La tension de référence est réglée à une valeur supérieure à la tension à la borne du bolomètre de référence lors d'une activation des moyens d'injection de courant. Il comprend un miroir de courant apte à être connecté électriquement sur une première branche à une borne du bolomètre d'imagerie, et sur une seconde branche à une borne du bolomètre de référence. 35 Le bolomètre d'imagerie et le bolomètre de référence sont agencés dans un pont de Wheatstone. 8 30 L'invention a également pour objet un système de détection d'un rayonnement électromagnétique. Celui- ci comporte une matrice d'au moins une ligne de dispositifs comportant chacun un bolomètre résistif d'imagerie sensible au rayonnement et un bolomètre résistif de référence associé électriquement au bolomètre d'imagerie, de manière à ce que le courant traversant le bolomètre de référence soit retranché du courant traversant le bolomètre d'imagerie. Il comporte également un circuit de formation de signal apte à être connecté électriquement au bolomètre d'imagerie pour une lecture de la résistance de celui-ci. Les dispositifs de détection de ce système sont du type susmentionné. Selon des modes de réalisation particuliers de l'invention, le système comporte une ou plusieurs des caractéristiques suivantes. Les moyens de commande de la résistance du bolomètre de référence sont aptes à 15 régler sa résistance à une valeur indépendante de la scène. Les moyens de commande de la résistance du bolomètre de référence sont aptes à régler sa résistance à une valeur inférieure à celle du bolomètre d'imagerie. 20 Le circuit de formation de signal est apte à être initialisé avant une lecture du bolomètre d'imagerie, et en ce que les moyens de commande de la résistance du bolomètre de référence sont aptes à régler celle-ci pendant l'initialisation du circuit d'intégration. 25 L'invention a également pour objet un procédé de lecture d'une variation de la résistance d'un bolomètre résistif d'imagerie d'une matrice de bolomètres constitutive d'un système de détection d'un rayonnement infrarouge. Ce procédé consiste : 30 ^ à faire circuler dans un bolomètre de référence un courant de mode commun de la matrice, ^ à générer une différence de courant entre les courants circulant dans les bolomètres d'imagerie et de référence, ^ à former le signal intégré relatif au bolomètre d'imagerie en fonction de la 35 différence de courant. Selon l'invention, préalablement à l'étape de circulation du courant de mode commun dans le bolomètre de référence, on procède au réglage de la résistance du bolomètre de référence à une valeur inférieure à celle de tous les bolomètres d'imagerie de la matrice. BREVE DESCRIPTION DES FIGURES L'invention sera mieux comprise à la lecture de la description qui va suivre, donnée uniquement à titre d'exemple, et réalisée en relation avec les dessins annexés, dans 10 lesquels des références identiques identifient des éléments identiques ou analogues, et dans lesquels : la figure 1 est une vue schématique d'un bolomètre sensible et de son dispositif de lecture selon l'état antérieur de la technique ; la figure 2 est une vue schématique complétant la figure 1 avec compensation de 15 mode commun à l'aide d'une structure résistive de référence selon l'état antérieur de la technique et des éléments de circuiterie associés ; la figure 3 est une représentation schématique complétant la figure 1 avec compensation de mode commun à l'aide de la structure résistive de référence selon l'invention ; 20 la figure 4 est un organigramme d'un procédé de lecture d'un bolomètre d'imagerie à l'aide de la circuiterie schématisée sur la figure 3 ; et la figure 5 est une vue schématique d'un détecteur bolométrique selon l'invention. DESCRIPTION DETAILLEE DE L'INVENTION 25 Une structure résistive de référence selon l'invention est agencée dans un détecteur bolométrique qui comprend : ^ une matrice d'imagerie unidimensionnelle ou bidimensionnelle de bolomètres d'imagerie agencée dans le plan focal d'une optique transparente aux 30 infrarouges, ^ un circuit de lecture formé dans un substrat sous la surface de la matrice et comprenant des moyens d'adressage ligne par ligne et d'intégration colonne par colonne de la matrice ; ^ un ou plusieurs bolomètres de référence disposés dans chaque ligne de la 35 matrice d'imagerie mais au-delà de la zone sensible formant l'image pour les applications d'imagerie.5 Un tel agencement de détecteurs bolométriques est classique et ne sera pas expliqué plus en détail par la suite. Pour de plus amples informations, on pourra se reporter par exemple au document � Performance of 320x240 Uncooled Bolometer-type Infrared Focal Plane Arrays � de Yutaka Tanake et al., Proc. SPIE, vol 5074. Il va maintenant être expliqué en relation avec les figures 3 et 4, un agencement préféré d'un bolomètre d'imagerie, d'un circuit de lecture de celui-ci et d'un bolomètre de référence selon l'invention. 10 Comme illustré à la figure 3, une structure de référence selon l'invention comprend une colonne de référence 38 dans laquelle, en lieu et place de la membrane métallique de protection, insensibilisant le bolomètre de référence contre les rayonnements de l'état de la technique illustré à la figure 2, il est prévu un circuit 40 de commande de la résistance du bolomètre de référence 26. 15 On notera donc que le bolomètre de référence 26 peut être soumis au rayonnement infrarouge issu de la scène au même titre que le bolomètre d'imagerie 12. Le circuit 40 de commande comprend une source de courant constant 42, connectée 20 à une borne C du bolomètre de référence 26 au travers d'un premier interrupteur de calibration 44 pilotable par un signal Calib. La source de courant 42 injecte dans le bolomètre de référence 26 un courant d'intensité prédéterminée IYef lorsque le premier interrupteur de calibration 44 est dans son état fermé. 25 Le circuit 40 de commande comprend également un second interrupteur de calibration 46, pilotable au moyen d'un signal Calib , qui est un signal complémentaire du signal Calib. Ce second interrupteur de calibration est agencé entre une borne C du bolomètre et la source du transistor MOS 28. 30 Le circuit 40 comprend en outre un comparateur 45, qui compare une tension Vc de la borne C du bolomètre de référence 26 à une tension de référence prédéterminée VYef . Enfin, un troisième interrupteur de calibration 48, piloté par un signal de sortie du 35 comparateur 45, est agencé entre la source de courant 42 et le bolomètre de référence 26. Plus particulièrement, le comparateur 45 maintient le troisième interrupteur 48 dans son état fermé lorsque la tension VYef est supérieure à la tension5 V, à la borne C, et bascule le troisième interrupteur 48 dans son état ouvert lorsque la tension VYef est sensiblement égale à la tension Vc . Un détecteur bolométrique comportant une matrice d'imagerie, d'un circuit de 5 lecture et de bolomètres de référence comportant les éléments venant d'être décrits est illustré à la figure 5. Un procédé de lecture du bolomètre sensible 12 mis en oeuvre par le circuit de commande 40 va maintenant être décrit en relation avec la figure 4. Une première étape de ce procédé est une étape d'initialisation 50. L'étape 50 consiste notamment à sélectionner une valeur pour le courant IYef et une valeur pour la tension VYef , d'une manière qui sera expliquée plus en détail par la suite. 15 Une étape 52 de préchauffage du bolomètre de référence 26 sous courant constant IYef et d'initialisation de l'intégrateur 10 est ensuite déclenchée par la fermeture de l'interrupteur de � Reset � 18. Le terme de � préchauffage � est ici utilisé pour signifier qu'un cycle additionnel par rapport au fonctionnement de l'état de la technique est mis en oeuvre avant un cycle de lecture classique du bolomètre 20 d'imagerie 12. Ce cycle additionnel consiste à élever la température du bolomètre de référence 26 à une valeur particulière dépendante des valeurs IYef et VYef, comme cela va être expliqué ci-dessous. On notera qu'il est équivalent pour un bolomètre de parler de sa température ou de 25 sa résistance, ces deux grandeurs étant en effet reliées de manière bi-univoque. A cet effet, la valeur du signal Select est réglée pour faire basculer les premier et second interrupteurs de lecture 20 et 30 dans leur état ouvert. Parallèlement, la valeur du signal Calib est réglée pour faire basculer le premier interrupteur de 30 calibration 44 dans son état fermé et pour faire basculer le second interrupteur de calibration 46 dans son état ouvert. Le bolomètre de référence 26 est ainsi polarisé par l'injection dans celui-ci du courant IYef et subit donc un échauffement par effet joule. 10 35 Dans le cas d'un matériau classiquement utilisé pour fabriquer un bolomètre, comme par exemple du silicium amorphe ou un oxyde de vanadium, le coefficient thermique du matériau est négatif et la résistance Rb du bolomètre évolue selon une loi d'Arrhenius selon la relation : Rb = R0 x eTCRxO (1) où : ^ 9 est l'échauffement du bolomètre, c'est-à-dire la différence entre la température du plan focal et la température du bolomètre de référence ; ^ Ro est une valeur de la résistance du bolomètre de référence lorsque l'échauffement de celui-ci est nul ; et ^ TCR est un coefficient thermique du matériau utilisé pour la formation du bolomètre. Toujours en 52, le niveau de la commande � Reset � est par ailleurs réglé pour faire basculer l'interrupteur de remise à zéro 18 dans son état fermé, déclenchant de ce fait la décharge du condensateur 16, qui sera maintenu dans cet état jusqu'à l'étape 58 décrite ci-après Lors d'une étape suivante 54, un test est mis en oeuvre pour déterminer si la 20 résistance Rb du bolomètre de référence 26 est sensiblement égale à une résistance prédéterminée RYef . Si le résultat de ce test est négatif, le préchauffage du bolomètre de référence 26 se poursuit. Sinon, l'étape de test 54 se termine par l'arrêt du préchauffage du bolomètre de référence 26 par la déconnexion de la source de courant 42 du bolomètre de référence 26. 25 Plus particulièrement, l'étape 54 est mise en oeuvre par le comparateur 45. Selon la loi d'Ohm, la tension Vb aux bornes du bolomètre de référence 26 est modélisable selon la relation : 30 Vb = VDDA ûVC = Rb x Iref (2) Le comparateur 45 bascule alors le troisième interrupteur de calibration 48 dans son état ouvert, déconnectant ainsi la source de courant 42 du bolomètre de référence 26, lorsque la tension Vref est sensiblement égale à VC = VDDA ûVb , c'est-à-dire lorsque 35 Rb vérifie la relation : VDDA ûV f Rb = RYef Ye = I Yef (3) Le préchauffage du bolomètre de référence 26 est ainsi terminé. On notera que la résistance RYef que présente le bolomètre de référence en fin de préchauffage est indépendante de la quantité de rayonnement infrarouge reçu par le 5 bolomètre de référence. Le bolomètre de référence 26 est ainsi insensibilisé. On peut en effet montrer que l'échauffement 9 subi par le bolomètre de référence 26 au moment de la déconnexion de la source de courant 42 par le comparateur 45 s'exprime selon la relation : 9 1 VDDA û V = x Ye f TCR Ro x IYef ~ Comme on peut le constater, cet échauffement ne dépend pas du rayonnement infrarouge, mais uniquement de paramètres internes au bolomètre et ainsi que de 15 paramètres du circuit de commande 40, à savoir le courant IYef et la tension VYef . Lors d'une étape suivante 58, une lecture du bolomètre d'imagerie est déclenchée une fois le bolomètre de référence 26 préchauffé et le condensateur 16 déchargé. 20 Dans cette étape 58, la valeur du signal � Calib � est réglée pour faire basculer le premier interrupteur de calibration 44 dans son état ouvert et pour faire basculer le deuxième interrupteur de calibration 46 dans son état fermé. Parallèlement, le niveau de la commande � Select � est réglé pour faire basculer les 25 premier et second interrupteurs de lecture 20, 30 dans leur état fermé. Parallèlement, le niveau de la commande � Reset � est ajusté pour ouvrir l'interrupteur 18 afin d'initier l'intégration du courant sur l'entrée (-) de l'intégrateur 10. Le courant i2 traversant le bolomètre de référence 26 est alors reproduit au point B. Il est donc retranché, en entrée de l'intégrateur 10, au courant il traversant le bolomètre d'imagerie 12. 35 L'étape de lecture du bolomètre d'imagerie se termine alors en 60, lorsque la durée d'intégration AT t s'est écoulée depuis la fermeture des premier et second interrupteurs de lecture 20, 30. 10 (4) 30 Les valeurs du courant IYef et de la tension VYef sont déterminées lors de l'étape 50 de manière à ce que : ^ à la fin de l'étape 54, la température des bolomètres de référence 26 soit supérieure à celle du plus chaud des bolomètres d'imagerie 12 de la matrice, ou, de façon équivalente, de manière à ce que la résistance RYef soit inférieure à celle du bolomètre d'imagerie le plus chaud. Avantageusement, cette valeur est extraite de la lecture de la trame précédente. En effet, avant l'étape 54, les bolomètres de référence 26 sont sensibles à la scène. Par conséquent, si IYef et VYef sont mal choisis, le comparateur 45 peut basculer instantanément et arrêter immédiatement la chauffe des bolomètres de référence 26. En d'autres termes, il convient de choisir la température 9 selon la relation (4) supérieure à la température maximale que peut induire la scène, c'est-à-dire imposer une résistance inférieure à celle que peut induire la scène en son point le plus chaud. Sans cette condition, il n'y a pas d'insensibilisation. ^ la durée d'échauffement nécessaire pour que la résistance du bolomètre de référence atteigne la valeur RYef soit inférieure à une durée fixe estimée acceptable compte tenu de la fréquence de trame. En effet, la décharge du condensateur 16 est quasi immédiate comparer à la durée de chauffage des bolomètres de référence. Ainsi, le cadencement des signaux Reset et Select peut être conservé ; ^ la valeur de VYef soit inférieure à la tension Vc de la borne C lors du déclenchement du préchauffage du bolomètre de référence. Ainsi, la condition de commutation du comparateur 45 n'est pas d'emblée satisfaite. Dans le cas contraire, le préchauffage du bolomètre de référence 26 serait inhibé et le bolomètre de référence serait ainsi sensible au rayonnement. Grâce à l'invention, on obtient lors de la lecture du bolomètre d'imagerie 12, et cela sans recourir à un dispositif physique de protection contre les rayonnements issu de la scène : ^ une insensibilisation du bolomètre de référence vis-à-vis du rayonnement infrarouge issu de la scène. En effet, la durée de lecture est de l'ordre d'une centaine de micro-secondes alors que la constante de temps thermique d'un bolomètre est de l'ordre de quelques millisecondes. On montre ainsi, que dans le pire des cas, l'échauffement du bolomètre de référence par le rayonnement issu de la scène pendant un cycle de lecture provoque une variation typiquement inférieure à 1% du courant en entrée de l'intégrateur ; ^ une compensation en temps réel des variations de température sur le bolomètre d'imagerie provoquées par des variations de température du substrat, car le bolomètre de référence subit sensiblement ces mêmes variations de température ; ^ une compensation en temps réel de l'échauffement du bolomètre d'imagerie lors de la lecture de celui-ci, car le bolomètre de référence subit sensiblement ce même échauffement ; ^ un coût de fabrication moindre puisque le circuit de commande de la résistance du bolomètre de référence est constitué directement dans le circuit de lecture, entraînant l'économie de fabrication de l'écran d'insensibilisation aux rayonnements, nécessaire aux bolomètres de référence de l'état de la technique. Il a été décrit un mode de réalisation particulier de l'invention. En variante, la source de courant est pilotable. Par exemple, un profil de courant 15 variable pendant la durée de préchauffage peut être préalablement déterminé de manière à encore optimiser cette durée. De même, en variante le bolomètre d'imagerie et le bolomètre de référence sont agencés en pont de Wheastone tel que décrit dans le document US 2003/0146383. 20 La présente invention trouve application dans le domaine des capteurs d'image à détection bolométrique, quelle que soit la bande de fréquences de détection ou du type de matériau bolométrique utilisé pour fabriquer les bolomètres d'imagerie et de référence, comme par exemple du silicium amorphe (a-Si), de l'oxyde de vanadium 25 (Vox), un métal (Ti). Par sa capacité d'adaptation à différentes températures de fonctionnement d'un capteur d'image à détection bolométrique, l'invention s'applique aussi bien aux capteurs régulés thermiquement qu'aux capteurs opérant à une température variable 30 du plan focal (communément désigné par l'expression � TEC-LESS �), et cela qu'un obturateur ait été ou non prévu en association avec l'optique. REVENDICATIONS 1. Dispositif pour la détection d'un rayonnement électromagnétique comportant un bolomètre résistif d'imagerie (12) sensible au rayonnement électromagnétique à détecter, destiné à être connecté électriquement à un circuit (10) de formation de signal, et un bolomètre résistif de référence (26) associé électriquement au bolomètre d'imagerie (12), de manière à ce que le courant traversant le bolomètre de référence (26) soit retranché du courant traversant le bolomètre d'imagerie (12), caractérisé en ce qu'il comporte des moyens (40) de commande de la résistance du bolomètre de référence. 2. Dispositif pour la détection d'un rayonnement infrarouge selon la revendication 1, caractérisé en ce que les moyens de commande (40) de la résistance du bolomètre de référence comprennent des moyens (42) d'injection d'un courant de référence (Iref) prédéterminé dans celui-ci. 3. Dispositif pour la détection d'un rayonnement infrarouge selon la revendication 2, caractérisé en ce que les moyens (40) de commande comprennent des moyens (48) de déconnection des moyens (42) d'injection de courant lorsqu'une tension à une borne (C) du bolomètre de référence (26) est sensiblement égale à une tension de référence (Vref) prédéterminée. 4. Dispositif pour la détection d'un rayonnement infrarouge selon la revendication 3, caractérisé en ce que la tension de référence (Vref) est réglée à une valeur supérieure à la tension à la borne (C) du bolomètre de référence lors d'une activation des moyens (42) d'injection de courant. 5. Dispositif pour la détection d'un rayonnement infrarouge selon l'une quelconque des revendications précédentes, caractérisé en ce qu'il comprend un miroir de courant (34) apte à être connecté électriquement sur une première branche à une borne (C) du bolomètre d'imagerie, et sur une seconde branche à une borne du bolomètre de référence (26). 6. Dispositif pour la détection d'un rayonnement infrarouge selon l'une quelconque des revendications 1 à 5, caractérisé en ce que le bolomètre d'imagerie et le bolomètre de référence sont agencés dans un pont de Wheatstone. 7. Système de détection d'un rayonnement électromagnétique comportant une matrice d'au moins une ligne de dispositifs comportant chacun : ^ un bolomètre résistif d'imagerie (12) sensible au rayonnement et un bolomètre résistif de référence (26) associé électriquement au bolomètre d'imagerie (12) de manière à ce qu'un courant traversant le bolomètre de référence (26) soit retranché d'un courant traversant le bolomètre d'imagerie (12), ^ et un circuit de formation de signal (10) apte à être connecté électriquement au bolomètre d'imagerie (12), caractérisé en ce que les dispositifs sont chacun conformes à l'une quelconque des revendications précédentes. 8. Système de détection d'un rayonnement infrarouge selon la revendication 7, caractérisé en ce que les moyens (40) de commande de la résistance du bolomètre de référence sont aptes à régler sa résistance à une valeur indépendante de la scène. 9. Système selon la revendication 8, caractérisé en ce que les moyens (40) de commande de la résistance du bolomètre de référence sont aptes à régler sa résistance à une valeur inférieure à celle du bolomètre d'imagerie (12). 10. Système de détection d'un rayonnement infrarouge selon l'une des revendications 7, 8 et 9, caractérisé en ce que le circuit de formation de signal (10) est apte à être initialisé avant une lecture du bolomètre d'imagerie (12), et en ce que les moyens (40) de commande de la résistance du bolomètre de référence sont aptes à régler celle-ci pendant l'initialisation du circuit d'intégration. 11. Procédé de lecture d'une variation de résistance d'un bolomètre résistif d'imagerie (12) d'une matrice de bolomètres constitutive d'un système de détection du rayonnement électromagnétique, consistant : ^ à faire circuler dans un bolomètre de référence un courant de mode commun de la matrice, ^ à générer une différence de courant entre les courants circulant dans les bolomètres d'imagerie et de référence, ^ à former le signal relatif au bolomètre d'imagerie en fonction de la différence de courant,caractérisé en ce qu'il consiste en outre, préalablement à l'étape de circulation du courant de mode commun dans le bolomètre de référence, à régler la résistance du bolomètre de référence à une valeur inférieure à celle de tous les bolomètres d'imagerie de la matrice.