FR 2928785 A1 20090918 FR 0851604 A 20080312 SYSTEME A MICRODISQUE A MODES DE GALERIE POUR SOURCES OPTIQUES POMPEES ELECTRIQUEMENT DESCRIPTION DOMAINE TECHNIQUE L'invention se rapporte à des systèmes à microdisque à modes de galerie pour sources optiques pompées électriquement. Elle concerne en particulier l'intégration de l'optique dans les systèmes électroniques pour la génération de signaux optiques. ETAT DE LA TECHNIQUE ANTERIEURE On connaît des micro-lasers dont le résonateur est constitué d'un microdisque ou d'un microanneau. Un résonateur à microdisque ou à microanneau, exploitant des modes de galerie (appelés � whispering gallery modes � dans les articles en langue anglaise) permet d'obtenir un fort confinement des photons. Il en est de même pour un microrésonateur constitué par une microstructure à base de cristal photonique à une ou deux dimensions. Les disques à modes de galerie (MG) se caractérisent par des modes électromagnétiques respectant la géométrie de révolution du disque : on distingue donc les modes par leur ordre radial (nombre de noeuds sur un rayon), leur ordre azimutal (le nombre de périodes) et leur ordre vertical (nombre de noeuds dans l'épaisseur du disque). Ces disques sont réalisés dans un matériau de fort indice comportant un milieu à gain, et baignent dans un milieu de plus faible indice (air, silice...), peu ou pas absorbant à la longueur d'onde d'intérêt. Les modes de plus fort facteur de qualité correspondant à des ordres radiaux et verticaux nuls, les modes généralement utilisés pour réaliser un laser à MG se situent donc en périphérie de disque. L'utilisation de membranes fines (épaisseur en dessous de la longueur d'onde), limitant les ordres verticaux, pour réaliser le disque aboutit à des modes peu confinés, couramment dits � en mode TE � (ou � quasi- TE �) ou � mode TM � (ou � quasi TM �) selon la direction dominante du champ magnétique, perpendiculaire au plan du disque ou dans son plan. Pour ces membranes fines, le champ évanescent selon la direction verticale est important : il peut d'ailleurs être utilisé pour réaliser le couplage vers un guide. Si le pompage optique de tels dispositifs est facilement réalisable, il n'en est pas de même pour le pompage électrique. La présence de contacts électriques sur les faces principales du microdisque peut entraîner des pertes conséquentes dues à leur absorption dans l'infrarouge (ou la longueur d'onde de travail). Il est donc important de contrôler la manière d'assurer les contacts électriques avec le disque. Le contact inférieur du microdisque (c'est-à-dire le contact situé sur la face du microdisque la plus proche du substrat support) peut être réalisé de différentes façons. Le contact inférieur peut se présenter avec un piédestal (voir le document � Continuous wave lasing in GaInAsP microdisk injection laser with threshold current of 40 pA � de M. Fujita et al., Electronics Letters, 27 avril 2000, Vol. 36, No.9) ou en laissant une couche conductrice de fort indice pour déporter le contact à côté du disque (voir le document � Heterogeneous integration of electrically driven microdisk based laser sources for optical interconnects and photonic ICs � de P. Rojo Romeo et al., Optics Express, Vol. 14, No.9, pages 3864 à 3871, ter mai 2006). Cette dernière solution est difficile à appliquer au contact supérieur et l'épaisseur laissée pour le contact limite en partie le facteur de qualité. L'utilisation de matière pour entourer le disque et permettre une utilisation au sein d'une puce électronique entraîne un contraste d'indice moins élevé qu'avec un disque entouré d'air : il est alors nécessaire d'augmenter la taille des dispositifs pour atteindre des facteurs de qualité suffisants et réduire le seuil du mode laser (typiquement de l'ordre de 2000 au moins). Pour garantir un facteur de qualité élevé, au moins un des contacts, généralement le contact supérieur, le plus souvent métallique ou plus généralement absorbant, est situé au centre du disque, d'un rayon nécessairement inférieur à Reff, qui correspond au maximum du champ dans le disque. La figure 1 est un graphe représentant l'allure de la distribution du champ magnétique H dans un microdisque de rayon R en fonction de la distance d par rapport au centre du disque. La valeur maximale du champ magnétique Hmax est obtenue pour une valeur de d égale à Reff, Reff étant inférieure au rayon R du disque. Le milieu à gain se trouvant dans le disque, on pourra remarquer : - que seules les recombinaisons électron-trou en bord de disque participent aux modes de fort 5 facteur de qualité, - que la diffusion limite les performances des dispositifs et qu'il est nécessaire de contacter au plus près possible du bord du disque, - qu'actuellement, au moins un des contacts 10 occupe systématiquement tout le centre de la structure. EXPOSÉ DE L'INVENTION L'invention a pour but de limiter les recombinaisons de porteurs peu utiles au centre du 15 disque, en modifiant les propriétés électriques de ce dernier, et la géométrie voire la nature du contact. La présente invention permet ainsi d'injecter efficacement des porteurs pour obtenir un pompage plus efficace et un seuil laser plus faible. 20 L'invention a pour objet un système à microdisque à modes de galerie pour source optique pompée électriquement, le microdisque étant formé sur une face d'un substrat et étant parallèle au substrat, la partie du microdisque reposant sur le substrat, ou 25 partie inférieure, étant pourvue d'un contact électrique dit contact inférieur, la partie du microdisque opposée à la partie inférieure du microdisque, ou partie supérieure, étant pourvue d'un contact électrique dit contact supérieur, la partie 30 supérieure du microdisque étant recouverte d'une couche de protection en matériau électriquement isolant et d'indice optique inférieur à l'indice optique du matériau constituant le microdisque, la partie centrale du microdisque étant électriquement neutralisée pour empêcher le passage d'un courant électrique dans ladite partie centrale. De préférence, le substrat est un support utilisé en micro-électroniqe recouvert d'une couche de matériau électriquement isolant et à faible indice de réfraction. Selon une première variante de réalisation, la partie centrale du microdisque électriquement neutralisée est une partie implantée d'ions, par exemple d'ions H+. Selon une deuxième variante de réalisation, la partie centrale du microdisque est un noyau en matériau électriquement isolant d'une épaisseur inférieure ou égale à celle du microdisque. De préférence, le noyau est en matériau d'indice optique plus faible que celui du matériau constituant le microdisque, par exemple en SiO2, Si3N4 ou en SiOXNy. Le contact supérieur peut être connecté électriquement à un conducteur électrique du substrat par une liaison électrique passant au travers du noyau. De préférence, la liaison électrique est en un matériau peu ou pas absorbant à la longueur d'onde à laquelle le système à microdisque est destiné à fonctionner. Le contact inférieur peut alors être un anneau dans lequel passe la liaison électrique. Selon un mode de réalisation particulier, la partie inférieure du microdisque est de plus grand diamètre que le reste du microdisque pour constituer une partie annulaire sur laquelle est localisé le contact inférieur. L'invention a aussi pour objet une source optique pompée électriquement, comprenant un système à microdisque tel que défini ci-dessus. BRÈVE DESCRIPTION DES DESSINS L'invention sera mieux comprise et d'autres avantages et particularités apparaîtront à la lecture de la description qui va suivre, donnée à titre d'exemple non limitatif, accompagnée des dessins annexés parmi lesquels : - la figure 1, déjà décrite, est un graphe représentant l'allure de la distribution du champ magnétique dans un microdisque à modes de galerie en fonction de la distance par rapport au centre du disque ; - la figure 2 est une vue en coupe transversale d'un microdisque sur son substrat support au cours de sa réalisation, selon l'invention ; -la figure 3 est une vue en coupe transversale d'un microdisque sur son substrat support en fin de réalisation, selon l'invention ; - la figure 4 est une vue en coupe transversale d'un autre microdisque sur son substrat support en fin de réalisation, selon l'invention, - la figure 5 est une vue en coupe transversale d'encore un autre microdisque sur son substrat support en fin de réalisation, selon l'invention, - la figure 6 est une vue en coupe transversale d'encore un autre microdisque sur son substrat support en fin de réalisation, selon l'invention. EXPOSÉ DÉTAILLÉ DE MODES DE RÉALISATION PARTICULIERS La figure 2 est une vue en coupe transversale d'un microdisque sur son substrat support au cours de sa réalisation, selon l'invention. 10 Sur la figure 2, la référence 1 représente un microdisque, par exemple en InP. Le microdisque 1 est obtenu par une technique connue de l'homme du métier. Il est formé sur un substrat 2 en silicium (ou sur tout autre support utilisé en micro-électronique) 15 recouvert d'une couche d'oxyde de silicium (ou d'un autre matériau électriquement isolant à faible indice de réfraction). Les faces inférieure et supérieure du microdisque 1 comprennent des zones dopées pour permettre l'obtention d'un contact électrique avec des 20 électrodes ou contacts reliant électriquement les faces du microdisque avec une source de courant. Le microdisque est recouvert d'une couche de protection 3 en matériau de faible indice optique et électriquement isolant. C'est par exemple une couche de 25 silice (SiO2) ou de nitrure (Si3N4) ou d'un composé SiOXNy déposée par dépôt sous vide (PVD, PECVD,...) et d'épaisseur supérieur ou égale à celle de la membrane 1. Le substrat 2 comporte un contact inférieur 30 4, par exemple en I10 permettant de contacter les zones dopées du microdisque grâce à un collage métallique.5 Des étapes de procédés microélectroniques peuvent être prévues après ceci. Il peut s'agir d'étapes de dépôt, de gravure, etc... Les lignes de courant ont peu d'intérêt dans le centre du microdisque. Selon l'invention, celles passant habituellement dans le centre du microdisque sont neutralisées. La référence 5 représente une partie centrale du microdisque 1 neutralisée électriquement (voir la figure 3). Cette neutralisation des lignes de courant peut se faire selon divers procédés dont deux vont être décrits. Un premier procédé consiste à neutraliser la partie centrale de la zone dopée du microdisque qui réalise l'un des contacts électriques. Par exemple, une implantation d'ions H+ permet de neutraliser électriquement une région en InP dopée p+. Un deuxième procédé consiste à remplacer le coeur du disque par un noyau en matériau électriquement isolant. La zone neutralisée sera de préférence plus éloignée des bords du disque pour laisser de la place pour le contact. Ce matériau électriquement isolant peut présenter un faible indice optique. Il peut s'agir du même matériau que celui de la couche de protection 3, par exemple de la silice. Dans ce cas, il convient de noter que la structure obtenue est différente d'un anneau. En effet, pour un anneau, le mode est centré dans la structure de fort indice, ce qui n'est pas le cas ici, puisque le champ sous le contact doit être faible. De plus, ce disque évidé présente un certain nombre de modes radiaux identiques (en position spectrale) à ceux du disque standard. Enfin, cela revient à ne modifier le disque que dans les zones où le champ du mode qu'on recherche à exciter est très négligeable, ce qui permet aussi de négliger l'influence de la rugosité sur cette paroi intérieure. Sur la figure 3, la référence 6 représente le contact supérieur. Ce contact est formé par gravure de la couche de protection 3 jusqu'à atteindre le microdisque, pour définir l'emplacement du contact supérieur. Avant la formation du contact supérieur, la partie centrale du microdisque est neutralisée électriquement, soit par implantation d'ions H+, soit par gravure et remplissage de la partie centrale par un matériau électriquement isolant. La référence 7 sur la figure 3 représente un mode de galerie. Sur la figure 3, toute l'épaisseur de la partie centrale (ou noyau) du microdisque était neutralisée. Selon la variante de réalisation montrée à la figure 4, l'épaisseur du noyau 5 est inférieure à l'épaisseur du microdisque. Dans le cas de l'utilisation d'un isolant électrique pour neutraliser la partie centrale du microdisque, le noyau isolant peut être percé selon l'axe du microdisque pour le passage d'une liaison électrique vers une couche métallique de connexion située dans le substrat. La figure 5 illustre une telle solution. Le noyau 5 en matériau électriquement isolant est percé d'un trou central 8 obtenu par exemple par gravure. Le trou 8 est rempli d'un matériau électriquement conducteur réalisant une liaison électrique 9 vers le substrat 2 comme l'indique la flèche sur la figure. Dans ce cas, le contact électrique inférieur, référencé 10 sur la figure 5, peut être un anneau. La proximité de la liaison électrique 9 avec le mode électromagnétique, présent dans le microdisque en fonctionnement, peut introduire des pertes. Pour cette raison, il est préférable que le matériau électriquement conducteur constituant la liaison électrique 9 soit choisi parmi les matériaux à la fois électriquement conducteurs et peu (voire pas) absorbant à la longueur d'onde de fonctionnement. En place et lieu de composés métalliques, on pourra faire appel à l'ITO (oxyde mixte d'étain et d'indium) pour remplir ce rôle en s'appuyant sur des simulations FDTD (pour � Finite Differences Time Domain � ou Différences Finies dans le domaine temporel). La figure 6 est une vue en coupe transversale d'encore un autre microdisque sur son substrat support en fin de réalisation selon l'invention. Sur cette figure, les mêmes références que sur la figure 5 représentent les mêmes éléments. La différence par rapport à la figure 5 réside dans la localisation du contact électrique inférieur. On remarque que la partie inférieure du microdisque est de plus grand diamètre que le reste du microdisque pour constituer une partie annulaire 12. Le contact électrique inférieur 11 est localisé sur la partie annulaire 12. Les lignes de courant dans le microdisque seront donc parallèles au plan du microdisque. REVENDICATIONS 1. Système à microdisque à modes de galerie pour source optique pompée électriquement, le microdisque (1) étant formé sur une face d'un substrat (2) et étant parallèle au substrat, la partie du microdisque reposant sur le substrat, ou partie inférieure, étant pourvue d'un contact électrique dit contact inférieur (4), la partie du microdisque opposée à la partie inférieure du microdisque, ou partie supérieure, étant pourvue d'un contact électrique dit contact supérieur (6), la partie supérieure du microdisque étant recouverte d'une couche de protection (3) en matériau électriquement isolant et d'indice optique inférieur à l'indice optique du matériau constituant le microdisque, la partie centrale (5) du microdisque étant électriquement neutralisée pour empêcher le passage d'un courant électrique dans ladite partie centrale. 2. Système à microdisque selon la revendication 1, dans lequel le substrat est un support utilisé en micro-électroniqe recouvert d'une couche de matériau électriquement isolant et à faible indice de réfraction. 3. Système à microdisque selon la revendication 2, dans lequel le substrat (2) est en silicium recouvert d'une couche d'oxyde de silicium. 30 4. Système à microdisque selon l'une quelconque des revendications 1 à 3, dans lequel le microdisque (1) est en InP. 5. Système à microdisque selon l'une quelconque des revendications 1 à 4, dans lequel la couche de protection (3) est en SiO2, Si3N4, SiOXNy. 6. Système à microdisque selon l'une quelconque des revendications 1 à 5, dans lequel la partie centrale (5) du microdisque (1) électriquement neutralisée est une partie implantée d'ions. 7. Système à microdisque selon la revendication 6, dans lequel la partie centrale (5) du microdisque (1) est une partie implantée d'ions H+. 8. Système à microdisque selon l'une quelconque des revendications 1 à 5, dans lequel la partie centrale (5) du microdisque (1) est un noyau en matériau électriquement isolant. 9. Système à microdisque selon l'une quelconque des revendications 1 à 5, dans lequel la partie centrale du microdisque (1) est partiellement constituée par un noyau (5) en matériau électriquement isolant. 10. Système à microdisque selon l'une quelconque des revendications 8 ou 9, dans lequel lenoyau (5) est en matériau d'indice optique plus faible que celui du matériau constituant le microdisque. 11. Système à microdisque selon la revendication 10, dans lequel le noyau (5) est en SiO2, en Si3N4 ou en SiOXNy. 12. Système à microdisque selon l'une quelconque des revendications 8 à 11, dans lequel le contact supérieur (6) est connecté électriquement à un conducteur électrique du substrat par une liaison électrique (9) passant au travers du noyau (5). 13. Système à microdisque selon la revendication 12, dans lequel ladite liaison électrique (9) est en un matériau peu ou pas absorbant à la longueur d'onde à laquelle le système à microdisque est destiné à fonctionner. 14. Système à microdisque selon la revendication 13, dans lequel ladite liaison électrique (9) est en oxyde mixte d'étain et d'indium (IT0). 15. Système à microdisque selon l'une quelconque des revendications 12 à 14, dans lequel le contact inférieur (10) est un anneau dans lequel passe ladite liaison électrique (9). 16. Système à microdisque selon l'une quelconque des revendications 1 à 15, dans lequel la partie inférieure du microdisque est de plus granddiamètre que le reste du microdisque pour constituer une partie annulaire (12) sur laquelle est localisé le contact inférieur (11). 17. Source optique pompée électriquement, comprenant un système à microdisque selon l'une quelconque des revendications 1 à 16.