FR 2928505 A1 20090911 FR 0704586 A 20070626 AMPLIFICATEUR DE PUISSANCE La présente invention concerne un amplificateur de puissance basé sur un dispositif de couplage de tension et plus particulièrement un amplificateur de puissance pour utilisation dans un système de communication sans fil, dans lequel deux éléments actifs sont interconnectés par le biais d'une partie primaire d'un transformateur, un des deux éléments actifs est relié à une tension d'alimentation de l'amplificateur de puissance, l'autre est relié à une borne de terre de l'amplificateur de puissance, et une puissance de sortie apparaît dans une partie secondaire du transformateur, de sorte qu'elle réduit une différence de potentiel entre des ports des éléments actifs, résultant en une fiabilité accrue de l'amplificateur de puissance. Généralement, l'amplitude de puissance de sortie Pout de l'amplificateur de puissance pour utilisation dans un système de communication sans fil est proportionnelle au carré d'une tension d'alimentation, et est inversement proportionnelle à une valeur de résistance de charge Rload, comme indiqué dans l'équation 1 suivante : P~,,, ac Rra (1) Par conséquent, un procédé pour reproduire la valeur de résistance de charge doit être ajouté à un procédé pour acquérir une puissance de sortie élevée. v 2D025 Cependant, le procédé mentionné plus haut présente la difficulté de configurer un joncteur de sortie d'un amplificateur de puissance de fréquence élevée. Si la résistance de charge est diminuée, l'efficacité totale de l'amplificateur de puissance est diminuée comme on peut le voir à partir de l'équation 2 suivante : Efficacité OC Red Dans l'équation 1, VDD est indicatif d'une tension d'alimentation de la source d'alimentation et Rload est indicatif d'une valeur de résistance de charge de l'amplificateur de puissance. Dans l'équation 2, Ror, est indicatif d'une valeur de résistance ON (activée) de l'élément de puissance. Par conséquent, l'augmentation de la tension d'alimentation sera efficace pour la puissance de sortie élevée. Cependant, avec la demande croissante d'un circuit fréquence élevée ayant une fréquence d'exploitation plus élevée, un processus de fabrication pour l'élément à semi-conducteurs le plus courant comme un CMOS a été continuellement développé, résultant en la mise en oeuvre de la longueur de canal d'une unité submicronique. En raison de la réduction de la longueur de canal causée par le processus de fabrication, la tension de claquage de l'élément actif peut aussi être abaissée. (2) Généralement, la tension d'alimentation d'un téléphone portable est définie à 3,3 V. La tension la plus élevée à une borne de drain (D) du transistor NMOS 200 de l'amplificateur de puissance général représenté sur la figure 1 est égale à environ trois fois la tension d'alimentation. La figure 1 est un schéma de circuit illustrant un amplificateur de puissance comprenant un seul NMOS selon un premier exemple de l'art antérieur. La tension de claquage est de 5 V en considération du NMOS basé sur le processus de fabrication du CMOS-0,18 pm, de sorte qu'un amplificateur de puissance général représenté sur la figure 1 peut être rendu indisponible dans la condition de la tension d'alimentation de 3,3 V. Pour résoudre le problème mentionné plus haut, une structure en cascode représentée sur la figure 2 est proposée. La figure 2 est un schéma de circuit illustrant un amplificateur de puissance dans lequel une structure en cascode est mise en oeuvre par deux transistors NMOS selon un deuxième exemple de l'art antérieur. La structure en cascode a été largement utilisée comme structure générale. Une structure en cascode représentative a été décrite dans l'article intitulé � A 900MHz GSM PA in 250nm CMOS with Breakdown Voltage Protection arid Programmable Conduction Angle � (Un PA GSM 900 MHz dans un CMOS de 250 nm avec protection contre tension de claquage et angle de conduction programmable), et publié par K. Choi, D. J. Allstot et Krishnamurthy dans IEEE RFIC Symposium, pp. 359-372, juin 2004. Comme indiqué sur la figure 2, à condition qu'un premier transistor NMOS 201 soit fixé à un deuxième transistor NMOS 202, bien que la condition de tension la plus élevée de 10 V environ soit fournie à une borne de drain D du premier transistor NMOS 201, le premier transistor NMCS 201 peut supporter 5 V et le deuxième transistor NMOS 202 peut supporter 5 V, de sorte que des éléments individuels n'atteignent pas la tension de claquage, et l'amplificateur de puissance peut être utilisé normalement. Cependant, selon le procédé mentionné ci-dessus, le deuxième transistor NMOS 202 est conçu pour amplifier le signal d'entrée et le premier transistor NMOS 201 est conçu pour supporter une tension de drain élevée. La valeur de résistance ON du premier transistor NMOS 201 est ajoutée à celle du deuxième transistor NMOS 202, de sorte que l'efficacité globale de l'amplificateur de puissance est diminuée comme indiqué dans l'équation 2. En attendant, la tension d'alimentation d'une batterie d'un téléphone portable augmente jusqu'à 4,2 V une fois que la batterie est totalement chargée en électricité. Dans ce cas, l'amplificateur de puissance de la figure 2 est incapable de supporter la tension élevée du drain, de sorte que cela entraîne un claquage d'élément et une détérioration de la fiabilité de la source d'alimentation. Pour résoudre le problème de claquage d'élément mentionné ci-dessus, un autre dispositif d'art antérieur représenté sur la figure 3 peut également être introduit sur le marché. La figure 3 est un schéma de circuit illustrant un amplificateur de puissance dans lequel trois transistors NMOS sont reliés selon un troisième exemple de l'art antérieur. Cependant, puisque l'amplificateur de puissance de la figure 3 interconnecte des transistors NMOS 203, 204 et 205 agissant comme des éléments actifs en série les uns avec les autres, la valeur de résistance ON causée par la liaison série des transistors NMOS 203, 204 et 205 ci-dessus augmente inévitablement, de sorte que l'efficacité globale de la source d'alimentation est abaissée. En conclusion, les arts antérieurs mentionnés ci-dessus ont des difficultés à mettre en oeuvre un amplificateur de puissance pouvant être utilisé normalement simultanément tout en acquérant une haute efficacité à une tension d'alimentation élevée. Par conséquent, la présente invention a été réalisée en considération des problèmes ci-dessus, et un objet de la présente invention est de fournir un amplificateur de puissance pour réduire une différence de potentiel entre ports d'éléments actifs, améliorant ainsi la fiabilité. D'autres avantages, objets et fonctions de la présente invention seront exposés en partie dans la description qui suit et deviendront en partie apparente à l'homme du métier à l'examen de ce qui suit ou peuvent être appris en mettant en pratique l'invention. Les objectifs et autres avantages de l'invention peuvent être compris et réalisés grâce à la structure désignée expressément dans la présente description et les revendications, ainsi que dans les dessins annexés. Conformément à un aspect de la présente invention, les objets ci-dessus et autres peuvent être accomplis en fournissant un amplificateur de puissance comprenant : deux éléments actifs interconnectés par le biais d'une partie primaire d'un transformateur, dans lequel l'un des deux éléments actifs est relié à une tension d'alimentation de l'amplificateur, l'autre est relié à une borne de terre de l'amplificateur, et une puissance de sortie apparaît dans une partie secondaire du transformateur. De préférence, l'élément actif relié à la borne de terre est un transistor NMOS (semi-conducteur à oxyde métallique de type N), et l'autre élément actif relié à la tension d'alimentation est un transistor PMOS (semi- conducteur à oxyde métallique de type P). De préférence, le transistor NMOS a une structure de cascode. De préférence, le transistor PMOS a une structure de cascode. De préférence, le transistor NMOS et le transistor PMOS ont une structure en cascode. De préférence, l'amplificateur de puissance comprend en outre : une unité d'entrée de signal pour transmettre des signaux d'entrée ayant des phases opposées aux deux éléments actifs. 7 Conformément à un autre aspect de la présente invention, un amplificateur différentiel est fourni dans lequel lesdits amplificateurs sont interconnectés, comprenant : un premier et un deuxième amplificateur, dans lesquels une borne de terre du premier amplificateur est reliée à celle du deuxième amplificateur, une tension d'alimentation du premier amplificateur est reliée à celle du deuxième amplificateur ; et une unité d'entrée de signal pour transmettre des signaux d'entrée ayant des phases opposées à deux éléments actifs, qui sont reliés aux bornes de terre et aux tensions d'alimentation du premier et du deuxième amplificateur, dans laquelle une partie secondaire d'un transformateur du premier amplificateur est reliée à celle du deuxième amplificateur, de sorte que les signaux de sortie du premier et du deuxième amplificateur sont couplés l'un à l'autre par le biais de la partie secondaire du transformateur. De préférence, l'amplificateur différentiel comprend en outre : d'autres amplificateurs différentiels, dont chacun a la même structure différentielle que celle de l'amplificateur différentiel, relié à l'amplificateur différentiel par le biais de la partie secondaire du transformateur contenu dans les amplificateurs. De préférence, les deux éléments actifs reliés aux bornes de terre sont des transistors NMOS, respectivement, et les deux autres éléments actifs reliés aux tensions d'alimentation sont des transistors PMOS, respectivement. De préférence, les bornes de grille des deux transistors PMOS pour construire une paire de transistors PMOS et former la structure différentielle sont reliées aux bornes de drain de transistors PMOS différents. De préférence, les bornes de grille des deux transistors PMOS pour construire une paire de transistors PMOS pour former la structure différentielle sont reliées aux bornes de drain des transistors NMOS reliés par le biais d'une partie primaire du transformateur. De préférence, les bornes de grille des deux transistors NMOS pour construire une paire de transistors NMOS pour former la structure différentielle sont reliées aux bornes de drain de transistors NMOS différents. De préférence, les transistors PMOS reliés aux bornes de terre sont reliés sous la forme d'une structure en cascade. De préférence, les transistors NMOS reliés aux tensions d'alimentation sont reliés sous la forme d'une structure en cascade. De préférence, les transistors NMOS reliés aux bornes de terre et les transistors PMOS reliés aux tensions d'alimentation ont une structure en cascade. De préférence, les bornes de grille des deux transistors NMOS pour construire une paire de transistors NMOS et former la structure différentielle sont reliées aux bornes de drain de transistors PMOS reliés aux transistors NMOS par le biais de la partie primaire du transformateur. Conformément à un autre aspect encore de la présente invention, un amplificateur de type distribué ou de type à géométrie circulaire est fourni, équipé d'une pluralité d'amplificateurs, comprenant : une pluralité d'amplificateurs interconnectés par le biais d'une partie secondaire d'un transformateur, dans laquelle une borne de terre reliée à un élément actif d'un amplificateur spécifique parmi les amplificateurs est relié à une borne de terre reliée à un élément actif d'un amplificateur voisin, et une tension d'alimentation reliée à l'élément actif de l'amplificateur spécifique est reliée à une tension d'alimentation reliée à l'élément actif de l'amplificateur voisin. Par conséquent, la présente invention peut réduire une différence de potentiel entre ports d'éléments actifs, ce qui se traduit par une fiabilité accrue de l'amplificateur de puissance. Il faut comprendre que tant la description générale qui précède que la description détaillée qui suit de la présente invention sont exemplaires et explicatives, et sont destinées à fournir une explication plus approfondie de l'invention selon les revendications. Les objets, fonctions et avantages ci-dessus et autres de la présente invention seront plus clairement compris à partir de la description détaillée suivante prise conjointement avec les dessins d'accompagnement, dans lesquels : la figure 1 est un schéma de circuit illustrant un amplificateur de puissance comprenant un seul NMOS selon un premier exemple de l'art antérieur ; la figure 2 est un schéma de circuit illustrant un amplificateur de puissance dans lequel une structure de cascode est mise en oeuvre par deux transistors NMOS selon un deuxième exemple de l'art antérieur ; la figure 3 est un schéma de circuit illustrant un amplificateur de puissance comprenant trois transistors NMOS selon un troisième exemple de l'art antérieur ; la figure 4 est un schéma de circuit illustrant un amplificateur de puissance utilisant un transformateur selon un mode de réalisation préféré de la présente invention ; la figure 5 est un diagramme conceptuel illustrant des utilisations d'un amplificateur de puissance, et des formes d'onde de tension de points individuels de l'amplificateur de puissance selon un mode de réalisation préféré de la présente invention ; la figure 6 est un diagramme conceptuel illustrant les principes de fonctionnement d'un transformateur de ligne de transmission générale ; la figure 7 est un diagramme structurel illustrant un amplificateur de puissance auquel une structure d'amplification différentielle est appliquée selon un autre mode de réalisation préféré de la présente invention ; la figure 8 est un diagramme structurel illustrant un amplificateur de puissance pour augmenter une puissance de sortie selon encore un autre mode de réalisation préféré de la présente invention ; 11 la figure 9 est un diagramme structurel illustrant un amplificateur de puissance auquel un procédé de blocage d'injection est appliqué selon encore un autre mode de réalisation préféré de la présente invention ; la figure 10 est un diagramme structurel illustrant un amplificateur de puissance auquel une technique en cascade est appliquée selon encore un autre mode de réalisation préféré de la présente invention ; et la figure 11 est un diagramme structurel illustrant un amplificateur différentiel à structure à géométrie circulaire selon encore un autre mode de réalisation préféré de la présente invention. Maintenant, des modes de réalisation préférés de la présente invention seront décrits en détail en référence aux dessins annexés. Dans les dessins, les éléments similaires ou identiques sont désignés par les mêmes numéros de référence bien qu'ils soient représentés sur des dessins différents. Dans la description suivante, une description détaillée de fonctions et configurations connues incorporées sera omise ici quand cela risque de rendre la présente invention plutôt peu claire. La figure 4 est un schéma de circuit illustrant un amplificateur de puissance utilisant un transformateur selon un mode de réalisation préféré de la présente invention. La figure 4A représente un cas exemplaire dans lequel un transformateur est utilisé. La figure 4B 30 représente un cas exemplaire dans lequel un transformateur de ligne de transmission est utilisé. En référence à la figure 4B, l'amplificateur de puissance 400 comprend un transistor PMOS 410, un transformateur NMOS 420 et un transformateur 430. Une partie primaire 432 du transformateur 430 est placée entre le drain D41 du transistor PMOS 410 et le drain D42 du transistor NMOS 420, et une partie secondaire 434 du transformateur est placée face à la partie primaire. Une borne source S41 du transistor PMOS 410 est reliée à une tension d'alimentation, et une borne source S42 du transistor NMOS 420 est reliée à une borne de terre. Dans ce cas, si l'unité d'entrée de signal (non représentée) transmet des signaux différentiels ayant une différence de phase de 180° aux bornes de grille des transistors PMOS et NMOS 410 et 420, les transistors NMOS et PMOS 420 et 410 sont simultanément désactivés (OFF) ou activés (ON). Si le transistor NMOS 420 et le transistor PMOS 410 sont simultanément activés, la borne de tension d'alimentation et la borne de terre sont interconnectées par le biais de la partie primaire 432 du transformateur 430 ayant des composants d'inductance parasites. Dans ce cas, un signal de courant circule dans la partie primaire 432 du transformateur 430 en raison d'une différence de potentiel entre la borne de tension d'alimentation et la borne de terre, de sorte que de l'énergie magnétique est accumulée dans la partie primaire 432 du transformateur 430. Ensuite, le transistor NMOS 420 et le transistor PMOS 410 sont simultanément désactivés, l'énergie magnétique enregistrée dans la partie primaire 432 du transformateur 430 est convertie en énergie électrique par deux condensateurs 401 et 402 représentés sur la figure 4, de sorte que la puissance de sortie apparaît. Les deux condensateurs mentionnés ci-dessus 401 et 402 représentés sur la figure 4 peuvent être mis en oeuvre par des capacités parasites des transistors NMOS et PMOS 420 et 410 et des condensateurs supplémentaires. Dans ce cas, l'énergie magnétique enregistrée dans la partie primaire 432 du transformateur 430 est divisée en deux condensateurs 401 et 402, de sorte qu'elle est convertie de manière divisée en énergie électrique par les deux condensateurs 401 et 402. Par conséquent, une différence de potentiel entre bornes de drain et source des transistors NMOS et PMOS 420 et 410 est inférieure à celle de l'art antérieur. La tension la plus élevée de la différence de potentiel drain-source selon la présente invention est environ 1,5 fois la tension d'alimentation, tandis qu'une différence de potentiel entre bornes de drain et source du transistor NMOS pour utilisation dans l'amplificateur de puissance classique augmente au maximum jusqu'à trois fois une tension d'alimentation. Par conséquent, l'amplificateur de puissance selon la présente invention a une différence de potentiel inférieure appliquée aux éléments actifs en comparaison avec l'art antérieur, ce qui se traduit par une fiabilité accrue du circuit. Comme on peut le voir sur la figure 4, le transistor NMOS 420 est choisi comme élément actif relié à la borne de terre, le transistor PMOS 410 est choisi comme élément actif relié à la tension d'alimentation. La figure 4B représente un cas exemplaire dans lequel un transformateur de ligne de transmission 450 pour utilisation dans le circuit de fréquence élevée est utilisé comme le transformateur de la figure 4A. Si le transformateur de ligne de transmission est utilisé comme indiqué sur la figure 4B, l'amplificateur de puissance avec une zone d'exploitation de bandes de plusieurs GHz peut être mis en oeuvre de sorte qu'il est approprié pour une puissance de sortie de plusieurs watts. Les composants constitutifs restants autres que le transformateur de ligne de transmission 450 sont égaux à ceux de la figure 4A, de sorte que les numéros de référence de ceux-ci seront omis dans le présent document pour la commodité de description. Comme on peut le voir sur la figure 4 illustrant un exemple de l'amplificateur de puissance de la présente invention, une puissance RF est générée non seulement à partir du drain du transistor NMOS, mais aussi du drain du transistor PMOS. Les caractéristiques mentionnées ci-dessus de la présente invention diffèrent de celles de la structure de cascode classique dans laquelle seul un élément actif parmi deux éléments actifs génère la puissance RF, comme indiqué sur la figure 5. La figure 5 est un diagramme conceptuel illustrant des opérations d'un amplificateur de puissance, et des formes d'onde de tension de points individuels de l'amplificateur de puissance selon un mode de réalisation préféré de la présente invention. Si le condensateur relié en parallèle au transistor est retiré de l'amplificateur de puissance de la figure 4B, l'amplificateur de puissance de la figure 5A peut être acquis. La figure 5B représente des formes d'onde d'entrée (VDP et VGN) des transistors PMOS et NMOS 410 et 420 et des formes d'onde (VDP et VDN) des bornes de drain des transistors PMOS et NMOS 410 et 420. Par conséquent, une différence de tension entre la tension de drain PMOS (VDP) et la tension de drain NMOS (VDN) de l'amplificateur de puissance selon la présente invention apparaît dans les deux extrémités de la partie primaire 452 du transformateur. La même différence de tension apparaît aussi dans la deuxième partie 343 du transformateur. Un signal de courant circulant dans la partie primaire 452 rencontre une force électromotrice d'induction mutuelle, de sorte que la partie secondaire 454 du transformateur 450 génère un signal de courant par la force électromotrice d'induction mutuelle. De cette façon, la puissance générée par les deux éléments actifs apparaît comme une puissance de sortie à travers le milieu du transformateur 450. Le transformateur mentionné ci-dessus indique les principes de fonctionnement de base du transformateur par le biais du transformateur de ligne de transmission de la figure 6. Pour la commodité de la description, on part du principe que le coefficient d'accouplement de la figure 6 est défini à � 1 �. La figure 6 est un diagramme conceptuel illustrant les principes de fonctionnement d'un transformateur de ligne de transmission général. Dans ce cas, l'amplitude d'un signal de courant circulant dans la partie secondaire du transformateur est égale à une quantité d'un signal de courant circulant dans la partie primaire du transformateur, et le sens du signal de courant circulant dans la partie secondaire est opposé à celui de la partie primaire. Une différence de potentiel entre les deux extrémités de la partie primaire du transformateur apparaît dans la deuxième partie du transformateur sans aucun changement. Pendant ce temps, une technique de fabrication de CMOS générale n'offre pas de processus Via, à la différence d'une technique de fabrication d'un élément à semi-conducteurs composé. Par conséquent, si la conception ou la disposition du circuit de fréquence élevée soit mis en œuvre avec le CMOS, les caractéristiques de circuit sont détériorées en raison des composantes d'inductance, de capacité et de résistance parasites créées quand une terre est mise en oeuvre dans le circuit. Pour résoudre le problème mentionné ci-dessus, un circuit de fréquence élevée d'une structure différentielle a été largement utilisé dans le monde entier. Une terre virtuelle peut être facilement mise en oeuvre dans le circuit différentiel de fréquence élevée mentionné plus haut. Le circuit différentiel de fréquence élevée peut protéger plus efficacement les caractéristiques du circuit contre les détériorations en comparaison avec le circuit de fréquence élevée en phase. La figure 7 est un diagramme structurel illustrant un amplificateur de puissance auquel une structure d'amplification différentielle est appliquée selon un autre mode de réalisation préféré de la présente invention. Plus en détail, la figure 7A est un schéma de circuit de l'amplificateur différentiel et la figure 7B est un schéma de circuit simplifié selon lequel un utilisateur peut facilement comprendre les opérations de l'amplificateur différentiel représentées sur la figure 7A. Référant à la figure 7A, le premier amplificateur de puissance 400a et le deuxième amplificateur de puissance 400b autre que la résistance de charge dans l'amplificateur de puissance de la figure 5A sont reliés l'un à l'autre, de sorte qu'il peut être reconnu qu'un amplificateur différentiel est mis en oeuvre. Plus en détail, une borne de terre du premier amplificateur de puissance 400a est reliée à celle du deuxième amplificateur de puissance 400b, et une tension d'alimentation du premier amplificateur de puissance 400a est reliée à celle du deuxième amplificateur de puissance 400b. Et une partie secondaire 454a du transformateur de ligne de transmission contenu dans le premier amplificateur de puissance 400a est reliée à une partie secondaire 454b du transformateur de ligne de transmission contenu dans le deuxième amplificateur de puissance 400b, de sorte que les signaux de sortie du premier et du deuxième amplificateur de puissance 400a et 400b sont couplés l'un à l'autre par le biais de la partie secondaire du transformateur. Au cas où l'on fait fonctionner l'amplificateur différentiel représenté sur la figure 7A, l'unité d'entrée de signal (non représentée) applique des signaux d'entrée ayant des phases opposées à deux éléments actifs reliés à la borne de terre, c'est-à-dire, le premier transistor PMOS 410a et le deuxième transistor PMOS 410b. De cette façon, l'unité d'entrée de signal (non représentée) applique des signaux d'entrée ayant des phases opposées à deux éléments actifs (c'est-à-dire, le premier et le deuxième transistor NMOS 420a et 420b) reliés à la tension d'alimentation. Comme on peut le voir sur la figure 7B, une différence de tension de 2 V (c'est-à-dire, (+V) - (-V) = 2V) existe dans les deux extrémités des parties primaires 452a et 452b du transformateur 1:1. La différence de tension mentionnée ci-dessus de 2 V apparaît aussi dans la partie secondaire sans aucun changement. Les deux transformateurs 1:1 sont reliés sous la forme d'une structure en cascade, de sorte que la différence de tension générée dans la partie primaire du transformateur est inopinément recouverte l'un par l'autre. Par conséquent, une différence de tension de 4 V apparaît dans les deux extrémités des parties secondaires (454a et 454b) du transformateur, comme on peut le voir sur la figure 7B. Les transformateurs 1:1 sont reliés sous la forme d'une structure en cascade, 19 la quantité d'un signal de courant circulant dans les parties secondaires 454a et 454b est égale à une quantité des signaux de courant des parties primaires. En conclusion, en association avec la puissance d'entrée représentée par le produit du signal de courant et du signal de tension de deux parties primaires de la figure 7B, la puissance de sortie ayant la même amplitude que celle de la puissance d'entrée apparaît dans la partie secondaire en raison du chevauchement de tension. Pour appliquer une technique égale à la technique mentionnée ci-dessus à la structure d'amplificateur de puissance selon la présente invention, le circuit de la figure 7A configure l'amplificateur de puissance de l'invention sous la forme d'un amplificateur différentiel, et un transistor NMOS seul parmi une paire de transistors NMOS 420a et 420b et un seul transistor PMOS parmi une paire de transistors PMOS 410a et 410b forme une paire. Autrement dit, le premier transistor NMOS 420a et le premier transistor PMOS 410a forment une paire, de sorte qu'ils sont interconnectés par le biais de la partie primaire 452a du transformateur 1:1. Le deuxième transistor NMOS 420b et le deuxième transistor PMOS 410b forment une paire, de sorte qu'ils sont interconnectés par le biais de la partie primaire 452b du transformateur 1:1. Deux transformateurs 1:1 sont interconnectés par le biais de la partie secondaire, de sorte que l'amplificateur de puissance basé sur le dispositif de couplage de tension de la figure 7B peut être mis en oeuvre. 20 Pour acquérir la puissance de sortie plus élevée en étendant les principes mentionnés ci-dessus, une pluralité d'amplificateurs différentiels représentés sur la figure 7A sont interconnectés sous la forme d'une cascade. La figure 8 est un diagramme structurel illustrant un amplificateur de puissance pour augmenter une puissance de sortie selon encore un autre mode de réalisation préféré de la présente invention. En référence à la figure 8, des amplificateurs différentiels 700a et 700b représentés sur la figure 7A sont interconnectés, et on notera que l'amplificateur différentiel 700a est relié à l'autre amplificateur différentiel 700b par le biais de la partie secondaire du transformateur. Bien que seuls deux amplificateurs différentiels 700a et 700b soient exemplairement utilisés sur la figure 8, il faut noter que deux amplificateurs différentiels ou plus peuvent aussi être appliqués à la présente invention. En attendant, un amplificateur de commande doit être requis pour l'amplificateur de puissance, de sorte qu'il puisse commander l'amplificateur de puissance. Selon la présente invention, si l'amplificateur de commande utilise les transistors PMOS et NMOS comme des éléments actifs, il doit avoir la puissance de sortie à laquelle les transistors PMOS et NMOS peuvent être commandés. Généralement, comme le transistor PMOS a une résistance de canal plus élevée que celle du transistor NMOS, la taille du transistor PMOS doit être supérieure à celle du transistor NMOS, de sorte que le transistor PMOS puisse avoir le même résistance ON (activée) que celle du transistor NMOS. Le transistor PMOS de grande taille répond à la capacité parasite accrue entre la grille et les bornes source du transistor PMOS, et le transistor PMOS peut être utilisé uniquement quand la puissance de sortie est suffisamment reçue de l'amplificateur de commande. Cependant, si le procédé de verrouillage d'injection est utilisé, l'amplificateur de puissance selon la présente invention peut être commandé en utilisant la puissance de sortie d'un amplificateur de commande de taille relativement petite. Des exemples associés sont représentés sur la figure 9. La figure 9 est un diagramme structurel illustrant un amplificateur de puissance auquel un procédé de verrouillage d'injection est appliqué selon encore un autre mode de réalisation préféré de la présente invention. Plus en détail, la figure 9A représente un procédé de verrouillage d'injection exemplaire dans lequel une borne de grille d'un premier transistor PMOS différentiel est reliée à une borne de drain d'un deuxième transistor PMOS différentiel et une borne de grille du deuxième transistor PMOS différentiel est reliée à une borne de drain du premier transistor PMOS différentiel. En référence à la figure 9A, on peut reconnaître qu'une borne de grille du premier transistor PMOS 410a est reliée à une borne de drain du deuxième transistor PMOS 410b et qu'une borne de grille du deuxième transistor PMOS 410b est reliée à une borne de drain du premier transistor PMOS 410a dans la structure d'amplification différentielle représentée sur la figure 7A. Par la connexion mentionnée plus haut, des signaux d'entrée ayant des phases opposées sont appliqués aux bornes de grille des premiers transistors NMOS et PMOS 420a et 410a, et des signaux d'entrée ayant des phases opposées sont appliqués aux bornes de grille des deuxièmes transistors NMOS et PMOS 420b et 410b. Dans ce cas, les transistors NMOS et PMOS mentionnés plus haut sont interconnectés par le biais de la partie primaire du transformateur. Dans le cas présent, l'amplificateur de commande (non représenté) est conçu pour commander uniquement le transistor NMOS, de sorte qu'il peut avoir une puissance de sortie inférieure en comparaison avec un autre cas dans lequel les transistors NMOS et PMOS sont commandés simultanément. Et, selon la connexion mentionnée plus haut, la capacité parasite source-grille du transistor PMOS peut aussi être utilisée comme certaines parties du joncteur de l'amplificateur de puissance. Bien que seul le transistor PMOS ait été représenté sur la figure 9A, il devrait être noté que les bornes de grille du premier et du deuxième transistor NMOS constituant une paire de transistors NMOS pour former la structure différentielle mentionnée plus haut peuvent être reliées aux bornes de drain du deuxième et du premier transistor NMOS, respectivement. La figure 9B représente de manière exemplaire l'amplificateur de puissance basé sur un autre procédé de verrouillage d'injection. En référence à la figure 9B, les bornes de grille des transistors PMOS sont reliées aux bornes de drain des transistors NMOS reliés aux transistors PMOS par le biais de la partie primaire du transformateur, de sorte que la technique de verrouillage d'injection peut être utilisée. Plus en détail, la borne de grille du premier transistor PMOS 410a est reliée à la borne de drain du premier transistor NMOS 420a, qui est relié au premier transistor PMOS 410a par le biais de la partie primaire 452a du transformateur. La borne de grille du deuxième transistor PMOS 410b est reliée à la borne de drain du deuxième transistor NMOS 420b, qui est relié au deuxième transistor PMOS 410b par le biais de la partie 452b primaire du transformateur. Similaire à l'amplificateur représenté sur la figure 9A, l'amplificateur de la figure 9B doit permettre à l'amplificateur de commande de commander uniquement le transistor NMOS, de sorte que la puissance de sortie nécessaire pour l'amplificateur de commande peut être abaissée. Selon l'amplificateur de puissance de la figure 9B, le transistor NMOS et le transistor PMOS sont interconnectés par le biais de la partie primaire du transformateur et des signaux d'entrée ayant des phases opposées sont appliqués aux bornes de grille des transistors NMOS et PMOS. La technique de verrouillage de l'injection mentionnée plus haut peut aussi être facilement appliquée au circuit de la figure 8. Bien que seul le transistor PMOS ait été représenté sur la figure 9B, il devrait être noté que les bornes de grille de deux transistors NMOS construisant une paire de transistors NMOS pour former la structure différentielle mentionnée plus haut peuvent être reliées aux bornes de drain de transistors PMOS, respectivement. Dans ce cas, les transistors PMOS sont reliés aux transistors NMOS par le biais de la partie primaire du transformateur. Dans le cas de la conception de l'amplificateur de puissance commandé à une tension d'alimentation plus élevée, on peut utiliser l'amplificateur de puissance de la figure 10. La figure 10 est un diagramme structurel illustrant un amplificateur de puissance auquel une technique en cascade est appliquée selon encore un autre mode de réalisation préféré de la présente invention. Dans ce cas, les transistors NMOS et-ou les transistors PMOS sont empilés sous la forme d'une structure de cascode comme représenté sur les figures 10A, 10B et 10C. Dans ce cas, si la structure de cascode classique est appliquée à l'amplificateur de puissance selon la présente invention, cette application peut aussi être utilisée pour l'amplificateur de puissance commandé à une tension d'alimentation plus élevée. La figure 11 est un diagramme structurel illustrant un amplificateur différentiel à structure géométrique circulaire selon encore un autre mode de réalisation préféré de la présente invention. La figure 11B représente un amplificateur à géométrie circulaire équipé de quatre amplificateurs, 5 dont chacun est représenté sur la figure 11A. Référant à la figure 11B, on peut reconnaître que quatre amplificateurs d'unité 1101 de la figure 11A sont reliés entre eux par le biais de la partie secondaire du transformateur. Le transistor NMOS de 10 chaque amplificateur partage une borne de terre avec le transistor NMOS d'un amplificateur voisin. Le transistor PMOS de chaque amplificateur partage une tension d'alimentation avec le transistor PMOS d'un amplificateur voisin. Dans ce cas, à condition que les 15 signaux d'entrée ayant des phases opposées soient appliqués aux bornes d'entrée des éléments actifs voisins, l'amplificateur de la figure 11B sert d'amplificateur différentiel, et les puissances de sortie générées à partir des amplificateurs individuels 20 sont couplées entre elles par le biais de la partie secondaire du transformateur. Comme cela est apparent à partir de la description ci-dessus, l'amplificateur de puissance selon la présente invention réduit la différence de potentiel 25 entre ports d'éléments actifs, améliorant ainsi la fiabilité. Bien que les modes de réalisation préférés de la présente invention aient été décrits à des fins d'explication, l'homme du métier appréciera que 30 diverses modifications, des compléments et des substitutions sont possibles, sans s'écarter de la portée et de l'esprit de l'invention comme décrit dans les revendications d'accompagnement. REVENDICATIONS 1. Amplificateur de puissance (400) caractérisé en ce qu'il comprend : deux éléments actifs interconnectés par le biais d'une partie primaire (432) d'un transformateur (430), 5 dans lequel un des deux éléments actifs est relié à une tension d'alimentation de l'amplificateur, l'autre est relié à une borne de terre de l'amplificateur, et une puissance de sortie apparaît dans une partie secondaire 10 (434) du transformateur (430). 2. Amplificateur de puissance (400) selon la revendication 1, caractérisé en ce que : l'élément actif relié à la borne de terre est un transistor NMOS (semi-conducteur à oxyde métallique de 15 type N) (420) et l'autre élément actif relié à la tension d'alimentation est un transistor PMOS (semi-conducteur à oxyde métallique de type P) (410). 3. Amplificateur de puissance (400) selon la revendication 2, caractérisé en ce que le transistor 20 NMOS (420) a une structure de cascode. 4. Amplificateur de puissance (400) selon la revendication 2, caractérisé en ce que le transistor PMOS (410) a une structure de cascode. 5. Amplificateur de puissance (400) selon la 25 revendication 2, caractérisé en ce que le transistor NMOS (420) et le transistor PMOS (410) ont une structure de cascode. 6. Amplificateur de puissance (400) selon la revendication 2, caractérisé en ce qu'il comprend en 30 outre :une unité d'entrée de signal pour transmettre aux deux éléments actifs des signaux d'entrée ayant des phases opposées. 7. Amplificateur différentiel dans lequel deux amplificateurs selon la revendication 6 sont interconnectés, caractérisé en ce qu'il comprend : un premier et un deuxième amplificateur, dans lesquels une borne de terre du premier amplificateur est 10 reliée à celle du deuxième amplificateur, une tension d'alimentation du premier amplificateur est reliée à celle du deuxième amplificateur ; et une unité d'entrée de signal pour transmettre des 15 signaux d'entrée ayant des phases opposées à deux éléments actifs, qui sont reliés aux bornes de terre et aux tensions d'alimentation du premier et du deuxième amplificateur, dans lesquels une partie secondaire (434) d'un transformateur 20 (430) du premier amplificateur est reliée à celle du deuxième amplificateur, de sorte que les signaux de sortie du premier et du deuxième amplificateur sont couplés l'un à l'autre par le biais de la partie secondaire (434) du transformateur (430). 25 8. Amplificateur différentiel selon la revendication 7, caractérisé en ce qu'il comprend en outre : d'autres amplificateurs différentiels, dont chacun a la même structure différentielle que celle de l'amplificateur différentiel, relié à l'amplificateur 30 différentiel par le biais de la partie secondaire (434) du transformateur (430) contenu dans les amplificateurs. 9. Amplificateur différentiel selon la revendication 7, caractérisé en ce que les deux éléments actifs reliés aux bornes de terre sont des transistors NMOS, respectivement, et les deux autres éléments actifs reliés aux tensions d'alimentation sont des transistors PMOS, respectivement. 10. Amplificateur différentiel selon la revendication 9, caractérisé en ce que des bornes de grille des deux transistors PMOS pour construire une paire de transistors PMOS et former la structure différentielle sont reliées aux bornes de drain de transistors PMOS différents. 11. Amplificateur différentiel selon la revendication 9, caractérisé en ce que les bornes de grille des deux transistors PMOS pour construire une paire de transistors PMOS et former la structure différentielle sont reliées aux bornes de drain des transistors NMOS reliés par le biais d'une partie primaire (432) du transformateur (430). 12. Amplificateur différentiel selon la revendication 9, caractérisé en ce que les bornes de grille des deux transistors NMOS pour construire une paire de transistors NMOS et former la structure différentielle sont reliées aux bornes de drain de transistors NMOS différents. 13. Amplificateur différentiel selon la revendication 9, caractérisé en ce que les transistors NMOS reliés aux bornes de terre sont reliés sous la forme d'une structure en cascade. 14. Amplificateur différentiel selon la revendication 9, caractérisé en ce que les transistors PMOS reliés aux 30 tensions d'alimentation sont reliés sous la forme d'une structure en cascade. 15. Amplificateur différentiel selon la revendication 9, caractérisé en ce que les transistors NMOS reliés aux bornes de terre et les transistors PMOS reliés aux tensions d'alimentation ont une structure en cascade. 16. Amplificateur de type distribué ou à géométrie de type circulaire équipé d'une pluralité d'amplificateurs selon la revendication 1, caractérisé en ce qu'il comprend : une pluralité d'amplificateurs interconnectés par le biais d'une partie secondaire (434) d'un transformateur (430), dans laquelle une borne de terre reliée à un élément actif d'un amplificateur spécifique parmi les amplificateurs est reliée à une borne de terre reliée à un élément actif d'un amplificateur voisin, et une tension d'alimentation reliée à l'élément actif de l'amplificateur spécifique est reliée à une tension d'alimentation reliée à l'élément actif de l'amplificateur voisin. 17. Amplificateur de type distribué ou à géométrie de type circulaire selon la revendication 16, caractérisé en ce qu'il comprend : une unité d'entrée de signal pour transmettre des signaux d'entrée ayant des phases opposées aux éléments actifs voisins. 18. Amplificateur de type distribué ou de type à géométrie circulaire selon la revendication 16, caractérisé en ce que l'élément actif relié à la borne de terre est un transistor NMOS (420) et l'autre 31 élément actif relié à la tension d'alimentation est un transistor PMOS (410). 19. Amplificateur de type distribué ou de type à géométrie circulaire selon la revendication 18, caractérisé en ce que le transistor NMOS (420) a une structure en cascade. 20. Amplificateur de type distribué ou de type à géométrie circulaire selon la revendication 18, caractérisé en ce que le transistor PMOS (410) a une structure en cascade. 21. Amplificateur de type distribué ou de type à géométrie circulaire selon la revendication 18, caractérisé en ce que les transistors NMOS et PMOS ont une structure en cascade. 22. Amplificateur de type distribué ou à géométrie de type circulaire selon la revendication 18, caractérisé en ce qu'il comprend : une unité d'entrée de signal pour transmettre des signaux d'entrée ayant des phases opposées aux éléments 20 actifs voisins.