FR 2925890 A1 20090703 FR 0760426 A 20071228 PROCEDE DE FABRICATION DE COMPOSANTS MECANIQUES DE STRUCTURES MEMS OU NEMS EN SILICIUM MONOCRISTALLIN DESCRIPTION DOMAINE TECHNIQUE L'invention se rapporte à un procédé de fabrication de composants mécaniques de structures MEMS (pour "Micro-Electro-Mechanical System") ou NEMS (pour 10 "Nano-Electro-Mechanical System") en silicium mono-cristallin. Ces structures sont notamment utilisées pour la réalisation de capteurs et d'actionneurs. ETAT DE LA TECHNIQUE 15 L'utilisation du silicium monocristallin pour la réalisation de composants MEMS ou NEMS est intéressante à plusieurs titres. Ses propriétés mécaniques sont excellentes, notamment par rapport au silicium polycristallin. De fortes épaisseurs peuvent 20 être utilisées (dans le cas du silicium polycristallin, l'épaisseur est généralement limitée à 20 }gym). Il possède de très bonnes propriétés piézoélectriques. Ses propriétés semiconductrices, bien connues et bien maîtrisées, permettent une co-intégration de ces 25 composants mécaniques avec l'électronique associée. Dans l'état de l'art, on trouve trois grands modes de réalisation de structures MEMS/NEMS en silicium monocristallin, c'est-à-dire des composants mécaniques libérés, à même de pouvoir se déplacer sous 30 l'action d'une force extérieure, en technologie de surface.5 La technologie SOI est la plus répandue. Dans ce cas, le composant est réalisé sur la couche active du substrat SOI et l'oxyde enterré sert à la fois de couche d'arrêt de gravure du silicium et de couche sacrificielle. La libération de la structure mécanique se fait par la face avant du substrat. Une première variante consiste à graver toute la face arrière pour libérer le composant mécanique, en s'arrêtant sur l'oxyde enterré. La libération se fait alors par la face arrière du substrat. Une deuxième variante consiste à reporter le substrat SOI sur une cavité pour le libérer par simple gravure du silicium. L'intérêt de la technologie SOI pour les MEMS repose sur l'oxyde enterré que permet à la fois : - de servir de couche d'arrêt à la gravure du silicium, et donc de définir avec précision l'épaisseur de la couche de silicium sur laquelle sera faite le composant (quelle que soit la variante), - de servir de couche sacrificielle (dans le cas d'un procédé face avant principalement), - d'avoir une couche isolante électrique soutenant le composant MEMS/NEMS (pour éviter de mettre tous les éléments du MEMS ou du NEMS en court-circuit). Par contre, le gros inconvénient de la technologie SOI est son prix élevé. On a également observé récemment des problèmes de contraintes mal contrôlées dans le SOI qui, dans certaines configurations, sont très dommageables pour les MEMS/NEMS. Dans la technologie SON (pour "Silicon-on-Nothing"), on fait croître une couche de SiGe sur un substrat de silicium standard, et sur cette couche de SiGe, on fait croître une couche de silicium monocristallin. Le composant MEMS/NEMS est réalisé sur cette dernière couche de silicium et le SiGe sert de couche sacrificielle. Pour la libération, on utilise une gravure sèche du SiGe à base de CF4r sélective par rapport au silicium monocristallin. L'intérêt principal de la technologie SON, c'est qu'il s'agit d'un procédé bas coût. Cela permet également d'avoir accès à des épaisseurs de silicium très faibles (typiquement quelques 100 nm), par exemple pour les NEMS. Ses inconvénients sont par contre multiples. La gravure isotope du SiGe est assez faiblement sélective par rapport au silicium. On est donc limité à des libérations de motifs étroits (typiquement inférieurs au pin). L'épaisseur de silicium épitaxié sur le SiGe est généralement limitée à quelques centaines de nanomètres (des dislocations risquent d'apparaître si l'on souhaite obtenir de fortes épaisseurs de silicium). Le SiGe est semiconducteur. Pour avoir des zones isolées électriquement sur le MEMS/NEMS, cela suppose de mettre une couche isolante dans les zones devant être isolées électriquement (dépôt SiO2 ou SiN par exemple). La couche de silicium épitaxiée au-dessus de cette couche isolante sera polycristalline (et non monocristalline). Ce point peut être assez critique puisque ces zones correspondent à des zones d'ancrage où le matériau est particulièrement sollicité. Le fait d'avoir un matériau polycristallin dans ces zones d'ancrage (plutôt que monocristallin) conduit soit à avoir un moins bon facteur de qualité, dans le cas de structures résonantes, soit à être plus sensible à des contraintes mécaniques (par exemple la tenue aux chocs). Dans la technologie SCREAM, on part d'un substrat standard pour réaliser un composant MEMS et on utilise une partie "enterrée" du silicium massif comme couche sacrificielle. Le procédé se décompose de la manière suivante : gravure DRIE (pour "Deep Reactive Ion Etching" ou gravure ionique réactive profonde) de la structure MEMS, oxydation thermique, gravure anisotrope de l'oxyde, gravure isotrope du silicium pour libérer le MEMS, métallisation de la structure (sur les flancs et le dessus). L'intérêt principal de la technologie SCREAM, c'est sa simplicité et son aspect bas coût. Ses inconvénients sont par contre multiples. Il n'y a pas d'ancrage isolant. Cela se solde par la création de contraintes mécaniques importantes sur le MEMS (dus à la présence de l'oxyde thermique et du métal sur les structures libérées). Cet ajout d'oxyde et de métal sur le silicium monocristallin rend le composant mécanique moins bon (moins bon facteur de qualité dans le cas d'un résonateur par exemple). La métallisation, qui se fait après libération de la structure, nécessite l'utilisation d'un masquage mécanique lors du dépôt. Cette méthode est peu industrielle et donne une résolution des motifs très médiocre. La technologie SCREAM procure des structures mal définies et qui se gravent sous le masque d'oxyde lors de la gravure isotrope du silicium (absence d'oxyde sous la structure à libérer). EXPOSE DE L'INVENTION La présente invention a été conçue pour remédier aux inconvénients des procédés de l'art antérieur décrits ci-dessus. Le procédé selon l'invention peut être utilisé pour toutes les applications MEMS et NEMS. Il met en oeuvre une technologie adaptée aux marchés bas coût et grands volumes : téléphonie mobile, automobile, jeux,.... A titre d'exemple, on peut citer : - pour les automobiles : les accéléromètres, les gyromètres, les capteurs de pression, les capteurs chimiques à base de résonateurs mécaniques MEMS ou NEMS, - pour la téléphonie mobile : les bases de temps (résonateurs RF), les filtres mécaniques MEMS ou NEMS, les accéléromètres, les microphones, - pour les jeux : les accéléromètres, les gyromètres. L'invention a pour objet un procédé de fabrication d'au moins un composant mécanique de structure MEMS ou NEMS à partir d'un substrat de silicium monocristallin, comprenant les étapes de : a) formation de zones d'ancrage dans une face du substrat pour délimiter au moins en partie le composant mécanique, b) formation, sur ladite face du substrat, d'une couche de protection inférieure en matériau autre que le silicium et obtenue par épitaxie à partir de ladite face du substrat, cette couche de protection inférieure étant monocristalline au moins en dehors des zones d'ancrage, c) formation sur la couche de protection inférieure d'une couche de silicium obtenue par épitaxie à partir de la couche de protection inférieure, cette couche de silicium étant monocristalline au moins en dehors des zones d'ancrage, d) formation d'une couche de protection supérieure sur la couche de silicium, e) gravure de la couche de protection supérieure, de la couche de silicium et de la couche de protection inférieure, entre les zones d'ancrage, selon un motif de définition du composant mécanique, jusqu'à atteindre le substrat de silicium monocristallin et fournir des voies d'accès au substrat de silicium monocristallin, f) formation d'une couche de protection sur les parois formées par la gravure du motif du composant mécanique dans la couche de silicium épitaxiée, g) libération du composant mécanique par gravure isotrope du substrat de silicium monocristallin à partir des voies d'accès au substrat de silicium monocristallin, cette gravure isotrope n'attaquant pas les couches de protection inférieure et supérieure et la couche de protection des parois. Avantageusement, les zones d'ancrage peuvent permettre d'isoler électriquement le composant mécanique du reste du substrat. Ces zones d'ancrage sont alors en matériau diélectrique. Lors de l'étape e), la couche de protection supérieure, la couche de silicium et la couche de protection inférieure peuvent être également gravées dans les zones d'ancrage selon un motif apte à créer une zone d'isolation électrique dans les couches épitaxiées. Selon un mode de réalisation particulier, avant l'étape e), il est prévu une étape de réalisation de plots de contact électrique pour le composant mécanique. Cette réalisation peut comprendre le dépôt d'une couche de matériau électriquement conducteur (par exemple en Al ou en AlSi) et sa gravure. Les plots de contact électrique peuvent être disposés sur les zones d'ancrage. Selon un mode de mise en oeuvre particulier, le composant mécanique est fabriqué en intercalant entre les étapes c) et d) au moins les deux étapes suivantes . - formation, sur la structure obtenue à l'étape c), d'une couche intermédiaire en matériau autre que le silicium et obtenue par épitaxie à partir de la couche de silicium déposée juste précédemment, cette couche intermédiaire étant monocristalline au moins en dehors des zones d'ancrage, - formation sur la couche intermédiaire déposée juste précédemment d'une couche de silicium obtenue par épitaxie à partir de cette couche intermédiaire, cette couche de silicium étant monocristalline au moins en dehors des zones d'ancrage. Les zones d'ancrage peuvent être formées en réalisant des tranchées dans ladite face du substrat et en remplissant ces tranchées par un matériau d'ancrage. Le matériau d'ancrage peut être un matériau permettant successivement la formation d'une couche épitaxiée simultanément à la couche de protection inférieure et la formation d'une autre couche épitaxiée simultanément à la couche de silicium. La couche de protection des parois peut être formée par dépôt ou épitaxie d'une couche de protection épousant le relief de la structure gravée à l'étape e), puis par gravure anisotrope de cette couche de protection. A titre d'exemple, les zones d'ancrage formées dans la face du substrat sont en nitrure de silicium ou en oxyde de silicium, la couche de protection en matériau autre que le silicium est du SiGe, la couche de protection supérieure est en nitrure de silicium ou en oxyde de silicium et la couche de protection sur les parois est en un matériau choisi parmi SiGe, l'oxyde de silicium et le nitrure de silicium. BREVE DESCRIPTION DES DESSINS L'invention sera mieux comprise et d'autres avantages et particularités apparaîtront à la lecture de la description qui va suivre, donnée à titre d'exemple non limitatif, accompagnée des dessins annexés parmi lesquels : - les figures 1A à 1I illustrent une mise en oeuvre du procédé de fabrication selon la présente invention, - les figures 2A à 2C illustrent des étapes supplémentaires du procédé de fabrication selon la présente invention, - les figures 3A et 3B illustrent une mise en oeuvre du procédé de fabrication selon la présente invention, permettant la fabrication d'un empilement de composants mécaniques. DESCRIPTION DETAILLEE DE MODES DE MISE EN îUVRE DE LA 10 PRESENTE INVENTION Selon la présente invention, il est proposé d'utiliser un empilement de couches permettant la réalisation de structures MEMS ou NEMS en silicium monocristallin, réalisées sur la base de technologies 15 planaires, compatibles CMOS, qui n'utilisent pas de substrat SOI. L'objectif étant d'avoir un procédé bas coût, compatible CMOS et permettant d'adresser un large éventail de motifs de MEMS et NEMS en silicium monocristallin (c'est-à-dire faiblement dépendant des 20 règles de dessin). Pour cela, le silicium massif est utilisé pour fournir la couche sacrificielle de la structure MEMS/NEMS. Il est prévu des ancrages, éventuellement en matériau électriquement isolant, formant zones d'arrêt 25 à la gravure servant à la libération des composants mécaniques. Le composant MEMS ou NEMS est réalisé à partir d'une couche de silicium monocristallin épitaxiée. Le composant MEMS ou NEMS usiné est entièrement protégé avant l'étape de libération par des 30 couches résistant à la chimie de gravure de libération. Ces couches comprennent une couche de protection inférieure (protégeant le composant mécanique par le dessous), une couche de protection supérieure (protégeant le composant mécanique par le dessus) et une couche de protection des parois formées par la gravure du motif du composant mécanique. La couche de protection inférieure est en matériau monocristallin, autre que le silicium, et est épitaxiée à partir du substrat en silicium monocristallin. Elle présente les caractéristiques suivantes. Elle permet une recroissance de silicium monocristallin par épitaxie, avec éventuellement une possibilité de dopage in situ du silicium ainsi épitaxié. Elle résiste à une gravure sèche ou humide du silicium (gravure sélective) sans être attaquée ou en étant faiblement attaquée. Eventuellement, elle peut être gravée sélectivement par rapport au silicium par un procédé de gravure sèche ou humide. La couche de protection supérieure et la couche de protection des parois du composant à libérer 20 présentent les caractéristiques suivantes. Elles peuvent résister à une gravure sèche ou humide du silicium (gravure sélective) sans être attaquées, ou en étant faiblement attaquées. Eventuellement, elles peuvent être gravées 25 sélectivement par rapport au silicium par un procédé de gravure sèche ou humide. Préférentiellement, la couche de protection du dessus (ou couche d'arrêt dans la description de l'empilement) est sélective à la gravure de la couche de protection des parois (c'est-à-dire 30 qu'elle ne se grave pas ou se grave peu, lors de l'étape de gravure de la couche de protection des parois). La couche de protection du dessous peut par exemple être du SiGe monocristallin. La couche de protection des parois peut par exemple être du SiGe (monocristallin ou polycristallin), du SiO2, du SiN,.... Cette couche devra être conforme (pour bien recouvrir les parois). La couche de protection sur le dessus (couche d'arrêt) peut par exemple être du SiO2, du SiN,.... Des ancrages isolants électriquement (et/ou arrêt de gravure) pourront être réalisés, avant le dépôt de la couche de protection inférieure, en gravant le silicium massif, puis en comblant les cavités ainsi réalisées par dépôt d'un matériau isolant (par exemple SiO2 ou SiN) et en retirant l'excédent par planarisation CMP ou par l'enchaînement litho-gravure et CMP. Dans le cas où ces ancrages ne servent que d'arrêt de gravure, le matériau de remplissage des cavités pourra être isolant, conducteur ou semiconducteur. Les figures 1A à 1I illustrent les étapes principales d'une mise en oeuvre du procédé de fabrication selon la présente invention. Ces figures sont des vues en coupe transversale. Sur la figure 1A, la référence 1 désigne un substrat massif en silicium monocristallin. A partir de la face supérieure 2 du substrat 1, on réalise des tranchées 3 destinées à recevoir les zones d'ancrage servant à isoler électriquement et/ou à délimiter le composant mécanique à réaliser. Les tranchées 3 sont ensuite bouchées par dépôt d'un matériau d'ancrage (par exemple SiN, SiO2, ...) suivi d'un polissage mécano-chimique (ou CMP) avec arrêt sur la face 2 du substrat 1. Le résultat obtenu est montré sur la figure 1B. La référence 4 désigne les ancrages obtenus. On procède ensuite, sur la face 2 du substrat 1 à l'épitaxie d'une couche monocristalline, par exemple une couche 5 de SiGe d'épaisseur 50 nm pour obtenir la couche de protection inférieure (voir la figure 1C). Le substrat 1 étant monocristallin, la couche épitaxiée 5 est également monocristalline. Par contre, sur les ancrages 4, les zones épitaxiées 6 sont en SiGe polycristallin. On procède ensuite à l'épitaxie d'une couche de silicium, de quelques dizaines de nm à quelques }gym d'épaisseur, sur la couche 5 et les zones 6. On obtient, sur la couche 5, une couche de silicium monocristallin 7 et, sur les zones 6, des zones 8 de silicium polycristallin (voir la figure 1D). On dépose ensuite, comme le montre la figure 1E, la couche de protection supérieure ou couche d'arrêt 9 sur la structure obtenue précédemment. Cette couche d'arrêt 9 est sélective par rapport à la gravure de libération du composant mécanique, c'est-à-dire par rapport au silicium monocristallin du substrat, et préférentiellement par rapport à la couche de protection inférieure 5. C'est par exemple une couche de SiO2. On effectue ensuite une litho-gravure DRIE de la couche de protection supérieure 9, de la couche de silicium 7 et de la couche de protection inférieure 5, entre les zones d'ancrage, selon un motif de définition du composant mécanique, jusqu'à atteindre et révéler le substrat en silicium 1 et pour fournir des voies d'accès 10 à ce substrat. Ensuite, on forme par dépôt ou par épitaxie une couche de protection des parois formées par la gravure du motif du composant mécanique. Lorsqu'elle est formée, cette couche de protection 11 recouvre la couche de protection supérieure 9, les parois des voies d'accès 10 et le fond des voies d'accès, c'est-à-dire le substrat de silicium 1 précédemment révélé. C'est ce que montre la figure 1F. La couche de protection 11 est ensuite gravée de manière anisotrope avec arrêt sur la couche de protection supérieure 9. Cette gravure permet de ne conserver la couche de protection 11 que sur les parois des voies d'accès 10, le silicium du substrat 1 étant à nouveau révélé (voir la figure 1G). On peut alors procéder à la gravure isotrope du silicium du substrat 1, entre les ancrages 4. Cette gravure est sélective par rapport aux couches de protection 5, 9 et 11. Le silicium du composant mécanique, c'est-à-dire le matériau de la couche 7, demeure intact. On obtient une cavité 12 sous le composant mécanique ainsi libéré (voir la figure 1H). L'épaisseur gravée du substrat 1 peut être comprise entre quelques centaines de nm et quelques }gym. On peut alors procéder à l'élimination, par gravure sélective par rapport au silicium monocristallin, de la couche de protection supérieure ou couche d'arrêt 9 et de la couche de protection des parois 11. Le résultat obtenu est montré sur la figure 1I. Eventuellement, la couche de protection inférieure 5 peut aussi être éliminée par gravure sélective. Les ancrages dans le silicium peuvent servir à isoler électriquement la structure MEMS/NEMS une fois libérée, mais ils peuvent servir également d'arrêt de gravure à l'étape de libération. Dans le cas où l'isolation électrique n'est pas nécessaire, ces ancrages peuvent éventuellement être conducteurs ou semiconducteurs et jouer simplement ce rôle d'arrêt de gravure. Bien évidemment, cela suppose que le matériau de ces ancrages ne se grave pas lors de cette étape de libération. L'homme de l'art saura quel matériau utiliser. Des étapes supplémentaires peuvent venir s'intercaler dans ce procédé, comme par exemple une métallisation de la structure pour la reprise de contact avant la gravure du MEMS, ou un dépôt et une planarisation du MEMS une fois libéré pour continuer d'autres étapes en fin de procédé. Les matériaux et étapes additionnels devront bien évidemment être compatibles avec le procédé complet décrit précédemment. Néanmoins, l'homme de l'art sera en mesure de les déterminer. A titre d'exemple, les figures 2A à 2C illustrent un ajout d'étapes pour la réalisation de plots de contact. Sur ces figures, les mêmes éléments que sur les figures 1A à 1I sont référencés à l'identique. Après l'étape d'épitaxie de silicium, fournissant la couche de silicium monocristallin 7 et les zones 8 de silicium polycristallin, on forme des plots de contact électrique sur les zones 8. Ces plots de contact sont formés par dépôt d'une couche métallique et litho-gravure. La figure 2A montre l'un de ces plots 13. On procède ensuite au dépôt de la couche de protection supérieure ou couche d'arrêt 9 et à la litho-gravure DRIE de la couche de protection supérieure 9, de la couche de silicium 7 et de la couche de protection inférieure 5, jusqu'à atteindre et révéler le substrat en silicium 1 et pour fournir les voies d'accès 10 au substrat. C'est ce que montre la figure 2B. La figure 2C représente la structure obtenue à la fin du procédé selon l'invention. Les figures 3A et 3B illustrent une mise en oeuvre du procédé de fabrication selon la présente invention, permettant la fabrication d'un empilement de composants mécaniques. Cet empilement est obtenu en alternant couche de protection 5 en matériau monocristallin autre que le silicium (et permettant une épitaxie de silicium monocristallin), par exemple SiGe et couche de silicium monocristallin épitaxiée 7 sur le substrat 1 pourvu de ses ancrages 4 (voir la figure 3A). Les différentes épitaxies font également alterner les zones épitaxiées 6 en SiGe polycristallin et 8 en silicium polycristallin. Les étapes suivantes sont identiques aux étapes correspondantes déjà décrites. Après l'étape de libération et l'élimination de la couche d'arrêt supérieure et de la couche de protection des parois, on obtient la structure représentée à la figure 3B. L'invention procure un certain nombre d'avantages. Elle permet un empilement technologique bas coût reposant sur des étapes technologiques classiques de la microélectronique et utilisant un substrat standard. Le procédé de l'invention peut être compatible CMOS. Il procure un encastrement pouvant être électriquement isolant et ainsi ne pas nécessiter d'isoler le MEMS ou le NEMS par des dépôts diélectrique et métallique supplémentaires tels que mis en oeuvre dans la technique SCREAM. Dans le cas où la couche de protection du silicium est du SiGe, la gravure du silicium peut être très sélective par rapport à cette dernière. On peut donc libérer de grands motifs, ce qui donne de la souplesse quant aux motifs que l'on peut réaliser par cette technologie. Les ancrages, électriquement isolants ou non, réalisés dans le silicium peuvent servir d'arrêt de gravure lors de l'étape de libération. Il en résulte un meilleur contrôle de l'étape de libération (pas de risque de surgravure par exemple) et un accès à des motifs variés : la forme des structures libérées n'est plus limitée par la nature isotrope de la gravure de libération, d'où par exemple la possibilité de réaliser des membranes suspendues carrées et hexagonales, et non plus seulement circulaires. REVENDICATIONS 1. Procédé de fabrication d'au moins un composant mécanique de structure MEMS ou NEMS à partir d'un substrat de silicium monocristallin (1), comprenant les étapes de : a) formation de zones d'ancrage (4) dans une face (2) du substrat (1) pour délimiter au moins en partie le composant mécanique, b) formation, sur ladite face (2) du substrat (1), d'une couche de protection inférieure (5) en matériau autre que le silicium et obtenue par épitaxie à partir de ladite face du substrat, cette couche de protection inférieure étant monocristalline au moins en dehors des zones d'ancrage, c) formation sur la couche de protection inférieure (5) d'une couche de silicium (7) obtenue par épitaxie à partir de la couche de protection inférieure, cette couche de silicium (7) étant monocristalline au moins en dehors des zones d'ancrage, d) formation d'une couche de protection supérieure (9) sur la couche de silicium (7), e) gravure de la couche de protection supérieure (9), de la couche de silicium (7) et de la couche de protection inférieure (5), entre les zones d'ancrage (4), selon un motif de définition du composant mécanique, jusqu'à atteindre le substrat de silicium monocristallin (1) et fournir des voies d'accès (10) au substrat de silicium monocristallin, f) formation d'une couche de protection (11) sur les parois formées par la gravure du motif ducomposant mécanique dans la couche de silicium épitaxiée (7), g) libération du composant mécanique par gravure isotrope du substrat de silicium monocristallin (1) à partir des voies d'accès (10) au substrat de silicium monocristallin, cette gravure isotrope n'attaquant pas les couches de protection inférieure (5) et supérieure (9) et la couche de protection des parois (11). 2. Procédé selon la revendication 1, dans lequel, lors de l'étape e), la couche de protection supérieure, la couche de silicium et la couche de protection inférieure sont également gravées dans les zones d'ancrage selon un motif apte à créer une zone d'isolation électrique dans les couches épitaxiées. 3. Procédé selon la revendication 1, dans lequel, avant l'étape e), il est prévu une étape de réalisation de plots de contact électrique (13) pour le composant mécanique. 4. Procédé selon la revendication 3, dans lequel la réalisation des plots de contact électrique (13) comprend le dépôt d'une couche de matériau électriquement conducteur et sa gravure. 5. Procédé selon l'une des revendications 3 ou 4, dans lequel les plots de contact électrique (13) sont disposés sur les zones d'ancrage. 6. Procédé selon l'une quelconque des revendications 1 à 5, dans lequel le composant mécanique est fabriqué en intercalant entre les étapes c) et d) au moins les deux étapes suivantes : - formation, sur la structure obtenue à l'étape c), d'une couche intermédiaire en matériau autre que le silicium et obtenue par épitaxie à partir de la couche de silicium déposée juste précédemment, cette couche intermédiaire étant monocristalline au moins en dehors des zones d'ancrage, - formation sur la couche intermédiaire déposée juste précédemment d'une couche de silicium obtenue par épitaxie à partir de cette couche intermédiaire, cette couche de silicium étant monocristalline au moins en dehors des zones d'ancrage. 7. Procédé selon l'une quelconque des revendications 1 à 6, dans lequel les zones d'ancrage sont formées en réalisant des tranchées (3) dans ladite face (2) du substrat (1) et en remplissant ces tranchées par un matériau d'ancrage (4). 8. Procédé selon la revendication 7, dans lequel le matériau d'ancrage est un matériau permettant successivement la formation d'une couche épitaxiée (6) simultanément à la couche de protection inférieure (5) et la formation d'une autre couche épitaxiée (8) simultanément à la couche de silicium (7). 9. Procédé selon l'une quelconque des revendications 1 à 8, dans lequel la couche deprotection des parois est formée par dépôt ou épitaxie d'une couche de protection (11) épousant le relief de la structure gravée à l'étape e), puis par gravure anisotrope de cette couche de protection (11). 10. Procédé selon l'une quelconque des revendications 1 à 9, dans lequel les zones d'ancrage sont formées d'un matériau électriquement isolant. 11. Procédé selon l'une quelconque des revendications 1 à 10, dans lequel les zones d'ancrage formées dans la face (2) du substrat (1) sont en nitrure de silicium ou en oxyde de silicium. 12. Procédé selon l'une quelconque des revendications 1 à 11, dans lequel la couche de protection inférieure en matériau autre que le silicium est du SiGe. 13. Procédé selon l'une quelconque des revendications 1 à 12, dans lequel la couche de protection supérieure (9) est en nitrure de silicium ou en oxyde de silicium. 25 14. Procédé selon l'une quelconque des revendications 1 à 13, dans lequel la couche de protection sur les parois (11) est en un matériau choisi parmi SiGe, l'oxyde de silicium et le nitrure de silicium. 10 15 20 30 15. Procédé selon l'une quelconque des revendications 1 à 14, dans lequel, après l'étape de libération du composant mécanique, il est prévu une étape d'élimination de la couche de protection supérieure (9) et de la couche de protection des parois (11). 16. Procédé selon l'une quelconque des revendications 1 à 15, dans lequel, après l'étape de libération du composant mécanique, il est prévu une étape d'élimination de la couche de protection inférieure (5).