FR 2929446 A1 20091002 FR 0852014 A 20080328 Domaine technique etar't antérieur La présente invention concerne un procédé de réalisation de structures de type SOI ("Silicon On Insula or"; ou SeOI (" Semicondu ctor On Ensulator") par transfert de couches selon 'a technologie Smart Cul:T Un exemple de mise en oeuvre de la technologie Smart CutTr'' est notamment décrit dans le document US 5 374 564 ou. dans l'art{cle de AJ. 1.0 Auber ton-Herv+é et al, intitulé. "Why can SrnartMCut Change the future of microele{_tronics. ?", knt, Journal of Hikh Speed Electronics and. Systerr s, Vol.10, Nol, 2000, p,s31-146. Cette technologie met en oeuvre les étapes suivantes: a) Bombardement d'une. face d'un substrat donneur (par exemple en 15 silicium) avec des ions légers de type hydrogène ou gaz rares (par exemple hydrogène etlou h lium) pour implanter. ces ions en concentration suffisante dans le substrat, la zone implantée permettant de créer Une couche de fragilisation par formation de niicrocavités ou platelets, 20 b mise en contact intime (collage) de cette face du substrat donneur avec un substrat receveur, et. c) clivage/fracture du substrat donneur au niveau de la zone d'implantée pour transférer, sur le substrat receveur, la partie du substrat située entre la surface soumise à l'implantation et la zone 2:5 d'implantation. permettant d'obtenir une structure de type SOI résultant du transfert de a couche du substrat donneur sur le. substrat: receveur, Cependant, après un tel transfert, la couche transférée ainsi que le substrat: donneur présentent tous deux une rugosité de surface. 30 Le document US6150239 décrit une méthode de fabrication d`un substrat rsubstrat de type SOI qui comporte,. dans une variante, les étapes suivantes 2929446 implantation d'un substrat source effectuée à une température supérieure \ la température de fracture Ultérieure du su tr, collage de ce substrat sur un substI receveur et 5 fracture au niveau de la zone implantée par recuit de détachement, Ce document précise que l'épaisseur de la zone endommagée et la rugosité post peuvent être réduites si \ mpla ation est réalisée à une température périeu{e.à 450°C. Par ailleurs, ii t également connu de refroidir .à. moins de 50°Cl plaques ("w er ) qui SURS ent l'implantation, Typiquement, dans un implanteur (dispositif d'implantation), les plaqUeS sont positionnées sur un Support./ existe deux types desupport,. Le emier type: de support se trouve dans des i dn urs dits 15 "batch" dans lesquels !es pÜ\u sont positionnées e.i ans parl ("b ch en anglais), Dans ce cas dim%Æ# ion "collective"; les plaques s positionnées le long d'un périmètre d'une grande roue entraînée en rotation.. Les plaques alors tenues sur le supports par bite centrifuge, 20 Le .deux ème type de support est $sé dans e cas des (m planteur% individuels dits "single wafer� dans lesquels les plaques ntp:o nnées et implantées ygg)uelemen successivement, Support (appelé "choc" dans le cas de Yimplanteur individuel). .comporte typiquement des éléments saillants (socles) slesquels reposent localement. les plaques. Les plaques sont alors maintenues sur le huc ~ par Une 'force électrostatique (on parle alors de `el ose �c chuck, ESC en anglais). Au u d'une implaatio le flux de l'espèc implantée. a tendance à échauffer la plaque. De manière connu la plaque peut être. 20/G ndant l'implantation en faisant circule[ un liquide de 30 refroidissement dans le support de la plaque, En outre, bans le cas d'un impÇrteur individuel ("single w eR/ un gaz peut être. introduit entre la. plaque le .support afin d'assurer une conductivité thermique optimale entre ces deux éléments et, par conséquent; améliorer encore' le refroidissement dis la plaque, 3 Cependant; même en { ÇÜ� a la plaque lors de son implantation, l'amélioration de la rugosité de surfa ainsi que /uniormi épaisseur de la couche transférée reste. encore limitée> Or, U est important de pouvoir produire des plaques selon là technologie Smart 5 CuU / m/Æ#a�OO+Ça l > présentant:. une rugosité de surface ia plus faible la. plus homogène possible.. / est également important de minimiser lvariions d'uniformité d'épaisseur de ia couche transférée>: 10 R ÿ o erg on présente invention a pour but de proposer une S)(Çbon q ui permet de diminuer d'uniformiser la rugos%\ en Surfe après détachement (post-fracture) ainsi que les variations d'épaisseur de la couche transférée. A cet effet l'invention concerne. un procédé de transfert d'une couche d'un substrat donneur en matériau semi-conducteur, comme par exemple du silicium,-Sur un subStrat receveur comprenant a) une étape d'implantation ionique réalisée par bombardement de la ce antdu substrat .donneur avec un faisceau d'ions pour former,. à une profondeur déterminée dans lesub \ une uche de ineocavitès pu piÜ@G délimitant dans la partie supérieure du substrat. la couche à transférer, b) une étape dei page de la face avant du substrat donneur avec 25 unes face du substrat receveur,. c) une étape de détachement par clivaau niveau de la couche de mi " / s ou platelets formée dans le substrat donneur de manié \ transférer la couche détachée du substrat donneur sur le .substrat receveur, 30 caractérisé en ce queä. lors de l'étape a), isubstrat donneur e maintenu j une'température moyennecomprimJRe 2Ü°C 150°C avec une variation maximale detempérature infieure à 3 Ainsi, comme expliqué plus loin en détail, .en maintenant la température du .substrat donneur dans s valeurs, on améliore significativement le niveau de rugosité ainsi que l'uniformité d'épaisseur de la couche trané e. Selon un aspect de l'invention, la page de température moyenne comprise entre 20°C 1500C avec une variation maximale de température inférieure à 30°C peut être obtenue en réglant la puissance du faisceau /'ions lode| tape d'implantation à une valeur inférieure ou égaie à 500 watts ON), de préférence inférieure ou égale à 300 W. Selon un autre aspect de l'invention, lors de l'étape a), le substrat donneur est maintenu par un support apte à diffuser un gaz de 1.0 refroidissement s Ur la face arrière du substrat donneur, ledit gaz de refroidissement étant maintenu à une pression déterminéei Le gaz de refroidissement est de préférence un gaz à fort coefficient de transfert thermique tel que l'hélium et l'hydrogène. Le gaz de refroidissement peut être diffusé vers le centre de la face 15 arrière du substrat donneur. Afin d'améliorer l'uniformité du refroidissement du substrat, le. gaz derefroidissement peut aussi être diffusé vers la périphérie de ia face arrière du substrat donneur. Selon encore un autre aspect de l'invention, lors de l'étape a), le 20 support peut comprendre en outre un circuit dans lequel on fait circuler un liquide de refroidissement à une température comprise entre S°C et 45°C. Selon toujours un autre aspect de lven ioia surface du support en regard de la face arrière du substrat donneur entre lesquelles circule le gaz de refroidissement est plane c'est-à-dire qu'elle ne comporte aucun 25 canal, rainure, gorge ou autre forme susceptible de modifier l'uniformité du refroidissement réalisé par le gaz. De cette manière, on réduit les variations spatiales la température du substrat iors de son implantation. Les{ substrat dest un matériau semi-conducteur tel que du 30 silicium, du germanium ou dus/dum-germanium. 5 ?rêve descr p mn des fiqu s générateur de faisceau d'ions une chambre dimplantation dans laquelle 2929446 Les caractéristiques avantages de a présente invention ressortiront mieux de a description. suiVan e! faite à titre indicatif .non S limitatif, en regard des dessins annexés. sur lesquels : la figure ! est un schéma simplifié montrant. un q�paos/{ mesure du Courant de faisceau d'ions utilisé .dans unim�anteur Ù figure 2 est: une vueschématique en Coupe d'Un dispositif de support de plaque pour implantation conformément à un mode de 10 { a tion de hn\e iola figure 3 est une vue schématique en coupe d'un dispositif: de support:. de aque pour implantation conformément à un autre mode de réalisation de invenGq% 15 Expose d Mlé 2m�C ( % .QÆ/. f2 \ La présente invention s'applique à tout procédé de transfert de couche mettant en oeuvre, comme dans la technologie Smart cu ` au 20 moins une implantation ionique d'un substrat donneur pour délimiter par un pian de fragilisation une couche à transférer, le collage du substrat donneur implansur un substrreceveur l'application dune contrainte de détachement qui peut consister en l'application d'un traitement: thermique (recuit de détachement) et/ou dyne contrainte mécanique de 25 détachement comme par exemple l'insertion d'une lame au niveau de ia couche de concentration des ions implantés et/ou application d'efforts de traction et/ou encore {application d'ultrasons ou de micro-ondes de puissance et de fréquence adaptées_ Le substrat donneur ou plaque (wa d) se présente sous la forme 30 dune tranche mince d'un matériau semi-conducteur, comme par exemple du %h/um. Les implantations ioniques sont réalisées avec des équipements ou appareils d'implantation bien connus qui comprennent principalement un a plaque de semi-conducteur est bombardée avec le faisceau. d'Ions émis \ partir dune poston fixe dans a chambre. plaque e en général montée sur un support. mobile de manière à permettre le balayage de toute ia surface de celle-ci avec le faisceau lions et/ou de balayer plusieurs piaques successivement, Le principe. de !Invention consiste. à réduire: ta température m enne e.|es écarts spatiaux de température présents dans Ü plaque constituant le substrat donneur lors de son implantation, ce qui a peut effet de diminuer d'uniformiser b rugosité e l surface après }O détachement ainsi que les variations d'épaisseur de la couche transférée , Toutefois,. les moyens de refroidissement connus sont d'une efficacité limitéen qui concerne. l'amélioration de la rugosité et: de /uniflr i de la couche transférée, En effet,. bien tue ces moyens de refroidissement permettent globalement de: réduire la température, la 15 Déposante a observé. que cette température n'était pas uniforme ) ia surface de la plaque. En particulier , Ç ésen de cavités entre le support la plaque lorsque la plaque ne repose @pas directement surfe support mais sur des éléments saillants tels tue des sodé { conduit j des augmentations locales de température au niveau de ces cuit& La 2 Déposan a constaté qu'il existe une relation en d'une part, l'uniformité de la température et! d'autre part, la rugosité et. l'uniformité d'épaisseur de la couche transféréeä La Déposante a en effet observé que : ['épaisseur de la couche transférée est dépendante de ia température 25 de la plaque au cours de bm/agi ion, h/! /nhomogé l)\� de température de U plaque implantée se traduit par des inhomogénéités (fluctuations i2&s)d'épaisseurs sur la couche transférée. La rugosité après une première étape de finition (RTA) de la surface transférée est également dépendante de la température de la plaque 30 Implantées Ainsi, / n m oqé i de température' de 2 plaque implantée se: traduit égaleme par des inhomogénéités (fluctuations spatiales) de Ç rugosité de b couche transférée. Plus précisément,. la Déposante a d er né que si la température de la plaque lors de l'implantation est. maintenue dans unes température moyenne com b� entre 20°C 1 avec une variation maximale. de température. de 300C entre le /oint le plus chaud e |e point le plus froid de b plaque (variation radiale mesurée en surface de Ü plaqu , on améliore significativement !e niveau de rugosité .ainsi que l'uniformité d'épaisseur de \ couche transférée. Conformément à l'invention le contrôle de la mpérature du substrat donneur pendant son implantation ionique peut re %b\ de plusiurs mai es. Un premier mou consiste à réduire la puissance du faisceau Jions utilisé pour bombarder .face avadu. b rat nneur. En effet:, lO lors de [Implantation dune plaque, e flux ionique reçu par la plaque a tendance à échauffer cette dern re, Plus le faisceau est intense> plus réchauffement risque être important en raison de la puissance transmise à la plaque, L ÿuiance P est définie comme le produit du courant 1 d'implantation par ta tension lf d'accélération soit P= U E Par conséquent, on constate que si ['on réduit la puissance du faisceau d'ions.> en modère l'échauffement provoqué par le flux. ionique dans la plaque. Conformément \ la présente invention, la puissance du faisceau d ions peut être limitée à 500 W, ce qui perme. d'éviter un 20 échauffement du :substrat implanté au-delà. d'une valeur' moyenne de température de 150°\. Pour réduire encore % température moyenne du substrat' lors de son impla ation> en particulier dans une température moyenne comprise entre 20.0C et }50° la puissance du faisceau. d'ions doit être réduite \ une valeur inférieure à la valeur limite indiquée 25 précédemment, par exempe à une valeur limite de 300 WW. ) exie une relation erre la valeur de la puissance du faisceau d'ions et: la mpér t re d chaufeme de la plaque qui peutnotamment être exprimée suivant la formule: simplifiée suivante: 1 \\}=2 � . . yç\, pÇ\ 30 Où: * M )eue % variation de température, est la puissance du faisceau comme défini précédemment, à savoir produit du courant du faisceau par la tension d'accélération, • AB est la surface totale balayée (scannée) par e faisceau, � k est lconductivité thermique de la plaque, p est la den/té de la plaque, et * Cp est la chaleur spécifique, Le contrôle de la puianc du faisceau dons dans i m plu tl eur est réalisé. en mesurant le flux Ü que généré par le flux d'ions lors de l'implantation. La {gu!e 1 représe{ e un héma sim%/é d un impia eur équipé de moyen de mesure du courant de faisceau d'ions.. Comme représentée sur % figure lors dune implantation,. la race 30a. dune plaque 30 en matériau semi-conducteur est: soumise à un bombardement lions en déplaçant la plaque 30 dei .un isceau dioons fixe 40 sus a un axe de dépleme 41. Ûe façon bien connu le faisceau dons 40 est .généré à partir d'une: source d'ions (non l représentée .sur la figure 1) alimentée par un générateur de haute tension 41.. mesure du courant du faisceau crions e réalisée au moyen d u h dispositif de mesure appelé "bea m op" ou "faraday" quia constitué en général d'un disque en graphite 50 qui reçoit le isaa d'ions 40, le disque 50 étant relié. à un ampèremètre 51, fais eau d ions 40 ant constitué d'ions chargés. électriquement (par exemple des ions Hy), |e flux électrique s'écoula par le disque en graphite 50 jusqu'à la masse est égale au flux d'ions amené par le faisau 40, L'ampèremètre 51 m urey par conséquents directement le courant:. du faisceau d'ions 40. Un imp a eur équipé d'un tel moyen de mesure du courant de faisceau est. notamment décrit dans e document US 2007/0259511. Conformément à Ü présente invention, la 'mesure du courant de faisceau ainsi réalisée est utilisée pour réguler la puissance du faisceau d'ions. de manière j limiter .oette dernière à une valeur limite prédéterminée. (inférieure ou égale à 500 W/ valeur de la tension d'accélération est réglée directement Sur \mpian eur. nsi, en connaissant la valeur à % fois /e la nsion d'accélération la valeur du courant de fais au d'ions, H est ibcalculer la puissance dufaisceau d'ions à chaque instant de. l'implantation de r é a l i s e r un contrôle .ou une régulation de cette dernière en agissant sur le courant de faisceau .dions Un telco rôle de la puissance du isceau d'ions peut être réalisé en utilisant une boude de régulyR quidÜb un s nal de coommande en tension et/ou en 'courant au générateur. 41 calculé en fonction d'une puissance de consigne prédéterminée de la puissance. évaluée en sortie à partir de la mesure de courant du u `bea m op de % valeur la tension d'accélération, L avaleur de la 'tension du générateur peut être imposée par la profondeur souhaitée du pic dim%anÇ]�Ûn qui détermine l'épaisseur moyenne de la couche transférée Dans. cas, b gulatie de la puissance est effectuée seulement sur le courant dimplan bon. présente invention .propose également. d'autres moyens pour { duit la température moyenne les écarts de température: dans le substrat l s son Implantation, Ce. autres moyens qui vont être décris ci-après peuvent être utilisés notamment en combinaison avr. la réduction de puissance de faisceau dons, en particulier pour éviter une augmentation. trop importante du temps d'implantation. En t, la dose d'implantation est' définie. par la )Génce f correspond au nombre total dionsimlplan és par unité -de surface suivant % formule: { x ! _ { � qxA Où: \ le 'couran'faisceau d'ions, \ le temps d'implantation, q: la charge de/Ùe l'électron, et A: la surface d'implantation, 2929446 '.p Sr l'on réduit la puissance par diminution du courant: du faisceau. d'ions,. il faut: augmenter le temps d'implantation pour conserver le même nombre total '~l'ions implantés. tsar conséquent, en utilisant un ou plusieurs moyens. permettant de réduire la température moyenne et les écarts de t température dans substrat lors de son. implantation, la réduction du courant d'implantation n'est plus le seul facteur de réduction de réchauffement du substrat. si bien que ce courant peut: être maintenu à .des valeurs n'entraînant.: pas une augmentation du temps d`implantation trop importante. 10 Parmi ces autres moyens de refroidissement,. l'invention propose d'utiliser un gai. de refroidissement. La figure 2 représente un mode de réalisation d'un dispositif de support de plaque 10. permettant de retenir et. de positionner une plaque pendant son implantation ionique. Le dispositif de support 10 comprend 15 un plateau circulaire 13 sur lequel est disposée urge plaque 18 à traiter. La plaque 18 est maintenue par une force électrostatique générée par ie plateau 13, Le plateau 13 comporte un joint circulaire 131. sur lequel repose la plaque 18,. un évidement 130 étant ainsi ménagé entre la plaque 18 et le plateau 13, Le plateau 13 comporte. en. son centre une entrée 1.3.2 20 reliée à un. conduit d'introduction 1,1.0 de .gaz de refroidissement 14. Le support peut comprendre en outre des petits socles ou entretoises .1.33 disposés sur la surface plane dudit support en regard de la face arrière de la. plaque 18. Les socles 133 présentent toutefois les di{mensions les plus faibles possibles afin de ne pas gêner la circulation du gaz de 25 refroidissement et:, par conséquent,: l'uniformité de température de la plaque. Le gaz est introduit au niveau du centre du. plateau et s'évacue. partiellement par les bords du fait de l'étainhéité partielle entre la plaque 1$ et le plateau .13.,. Cette étanchéité partielle peut être obtenue 30 notamment en utilisant un joint circulaire 131 poreux., c'est-à-dise un joint qui présente un. certain niveau de perméabilité vis-à-vis du gaz de refroidissement 14,. La circulation du gaz n'est donc à Vor{g{ne pas= voulue mais subie par la technologie ESC. 2929446 1 1 Selon un. aspect de rinvention,, le gaz de refroidissement est de préférence un gaz présentant un coeffiCient de transfert thermique élevé tel que l'hélium ou l'hydrogène qui permet d'obtenir un meilleur transfert. thermique entre la plaque et le support, et par conséquent une 5 température globale plus basse et plus uniforme qu'avec de l'azote par exemple. En Outre, uniformisation .spatiale de la. température de la plaque peut être encore améliorée en maintenant le gaz de refroidissement à une pression déterminée dans l'évidement 13(. En effet. en contrôlant la 10. pression du gaz de refroidissement dans l'évidement 130, c'est-à-dire entre la face arrière de la plaque 18 et le. support 13, il est possible d'avoir une. quantité prédéterminée de gaz de refroidissement entre la plaque et le support et de mieux contrôler le niveau et. l'uniformité de la température de refroidissement de la plaque, tune. fois la pression à 15 l'équilibre, un faible débit d'alimentation :suffit à compenser les pertes en bord de plaque, ceci afin de conserver une pression constante,. Dans le cas d'un gaz de refroidissement qui est dirigé sur le centre de la face arrière de la plaque, la Déposante a constaté que, au cours de l'implantation, la plaque peut présenter un gradient de température. radial 20 entre le centre (zone la plus froide) et le bord. de la plaque (zone la plus. chaude). La Déposante a en outre mesuré la rugosité et. l'épaisseur de la plaque et a observée que la rugosité. et l'uniformité de l'épaisseur de la couche transférée varient également du centre au bord de plaque, ce qui démontre dans ce cas l'influence de la variation radiale de la température 25 sur rugosité et l'épaisseur de la couche. Afin de réduire le gradient de température radial, le support est porté à. une température de préférence plus élevée que celle habituellement utilisée (typiquement rie 80C. environ) pour refroidir les plaques lors de leur implantation A. cet effet, comme illustré sur la figure 30 2., le dispositif support 10 comprend en outre un circuit de circulation 120 permettant: de faire circuler un fluide de refroidissement 121 et de maintenir le dispositif support,. et plus. patir: ulière:Ment le plateau 13, à une température déterminée Dans la présente invention, lorsque le gaz de refroidissement est diffusé au niveau du centre (.1e la plaque, le support est de préférence maintenu à une température d'environ 45C. par circulation du fluide refroidissement. 121 dans le circuit 120, ce qui permet de diminuer le gradient. de température entre le centre et le bord de la plaque, Bien entendu, si l'on utilise comme seul moyen d'uniformisation de ia température de la plaque un support: porté à 45°C sans autre moyen tel que réduction du: courant: de faisceau Mentionnée précédemment, Ia température moyenne de la plaque ne pourra pas descendre en dessous .10 de cette terhpérature, La figure 3 illustre un autre mode de réalisation d'un dispositif de support de plaque 20 qui diffère de celui présenté sur la figure 2 en ce qu'il permet de diffuser le gaz. de refroidissement non plus à partir du centre de plaque mais à partir de la périphérie de cette dernière. 15 Comme pour le dispositif de support de la figure. 2., 1e dispositif 20 comprend un plateau circulaire 23 Maintenant au moyen d'une force électrostatique une plaque 28, un joint circulaire 231 (légère:Ment perméable ad gaz de refroidissement) étant disposé entre la plaque et le plateau de manière à ménager un évidement 230 permettant d'introduire 20 et de faire circuler un gaz de refroidissement 24 entre la face arrière de la plaque 28 et le plateau 23. Afin de permettre à diffusion du gaz de refroidissement des orifices d'entrée 232. pour le gaz de refroidissement 24 sont disposés de façon annulaire à proximité de la périphérie interne du joint 231. Les orifices d'entrée 232 sont: reliéS à des conduits 25 d'introduction 210 de gaz de refroidissement. Le support peut comprendre en outre des petits socles ou entretoises 233 disposés sur la surface plane dudit support en regard de la face arrière de la plaque 28. Ainsi, comme représenté sur la figure 3, ie .gaz. de refroidissement: 24 est diffusé à t'intérieur de l'évidement. 230 par les orifices d'entrée 232, 30 c'est-à-dire au voisinage du bord de la plaque 28, Comme avec le. support de la figure 2, une partie du gaz S'échappe au niveau de la périphérie, L"introduction du gaz en périphérie de plaque permet de compenser localement la perte de pression due aux fuites par le bord, Cela permet d'améliorer le refroidissement obtenu sur l'ensemble de la plaque, Comme avec le dispositif de support de plaque présenté dans la figure 2, le gaz de refroidissement est de préférence un gaz présentant un coefficient de transfert thermique élevé tel que l'hélium ou l'hydrogène. En outre, le gaz de refroidissement peut être également maintenu à une pression déterminée dans l'évidement 130, 230 de manière à avoir une quantité prédéterminée de gaz de refroidissement entre la plaque et le support et de mieux contrôler le niveau et l'uniformité de la température de la plaque. Selon encore un autre aspect de l'invention, la Déposante a IO observée que la structure du support de plaque avait une influence sur l'uniformité de température de la plaque, en relation avec l'uniformité de rugosité et d'épaisseur de la couche transférée, Ainsi, avec un support comportant, par exemple, des canaux de circulation de gaz, on a observé que les zones de la plaque situées au dessus de ces canaux sont à une 15 température plus basse que le reste de la plaque. Par conséquent, la couche transférée présente une rugosité et une uniformité d'épaisseur différentes sur ces zones. Aussi, conformément à la présente invention, la plaque est maintenue sur un dispositif de support comportant: un plateau exempt de 20 tout canal, gorge, rainure, etc, de circulation de gaz et dont la surface en regard de la face arrière de la plaque est plane. De cette façon, l'évidement dans lequel circule le gaz de refroidissement entre la plaque et: ie support permet d'assurer un transfert thermique entre la plaque et le support sensiblement constant. 25 Conformément. à l'invention, en refroidissant la plaque !ors de son implantation pour maintenir sa température moyenne dans une plage comprise entre 20°C et I500C, on améliore significativement ie niveau de rugosité. Préférentiellement, la température moyenne de la plaque est maintenue entre 50°C et 80 0C, voire entre 60°C et 700C. La déposante a 30 observée que dans ces plages de températures, la couche transférée présente une rugosité minimale, plus précisément, après transfert d'une couche de matériau semi-conducteur (silicium, germanium, Site, etc,) à partir d'une plaque ou d'un substrat donneur implanté et clivé, et après une étape de lissage ou finition, le procédé de transfert de la présente invention: permet amé o r l'uniformité épaisseur de a couche transférée de réduire d'uniformiser % rugosité de surface pos- fracture.'De façon bien connue, l'implantation ionique pet ar a{Gée avec une seule. .espèce Ou plusÇQ (colmp a yA).. Le contrôle de a température moyenne de a plaque lors de son. implantation ion l'invention apporte des avantages supplémentaires lorsque a fragilisation de a plaque ou da substrat donneur est alliée par co-implantation d espé s tel.que par exemple Une Co-implantation d'hydrogène. et10 REVENDICATIONS1, Procédé de transfert d'une couche d'un substrat donneur (18) en matériau 5 mk ndu teursurun substrat receveur comprenant: a) une étape d'implantation ionique r@y! e par bombardement de la face avant du substrat (18) avec un faisceau d'ions pour former, à une profondeur déterminée dans le substrat, une couche de microcavités ou platelets délimitant, dans la partie supérieure du substrat, % couche à transférer une étape de collage de Ü face avant du substrat donneur avec une face du substrat receveur, c) une étape de détachement par clivage au niveau de la couche de microc7Z�)& ou platelets formée dans le substrat donneur de manière à transférer la couche détachée. du substrat donneur sur le substrat receveur, caractérisé en ce que, lors de l'étape a), le substrat donneur (18) est maintenu à unetempérature moyenne comprise entre 20°C et 1500C avec une variation maximale de températue Wfébeu à 30CC, 2. Procédé selon % revendication 1, caractérisé en ce que, lors de l'étape a), la puissance du faisceau d'ions est à une valeur inférieure ou égale à 500 W, Procédé selon la revendication 1 ou caractérisé en ce que, !ors de l'étape a), le substrat. donneur emaintenu par un support (1 apte à diffuser un gaz de refroidissement (14) sur la face arrière du substrat donneur (18), ledit gaz refroidissement étant maintenu à une pression déterminée, 30. 4.Procédé selon la revendication 3, caractérisé en ce que le gaz de refroidissement (14) eChi si parmi au moins. l'hélium et l'hydrogène, . Procédé selon ia revendre tien 3 ou 4, caractérisé en ce que le gaz de refroidissement (14) est diffusé vers le centre de ia face arrière du substrat donneur (18). s Via. Procédé selon rune quelconque des revendications 3 à 5, caractérisé en. ce que le gaz de refroidissement (24) est diffusé vers ia périphérie de la face arrière du substrat donneur (28), 7.: Procédé selon rune quelconque des revendications 1. à 6, caractérisé en ce que, lors de l'étape. a), le substrat donneur (18) est Maintenu par un support (1) présentant une surface :plane en regard de. la face arrière dudit substrat donneur. 8. Procédé selon: la revendication 7, caractérisé en que le 1.5 support (10) comprend un circuit de circulation (120) et en ce qu'on fait circuler dans ledit circuit. un liquide de refroidissement (121) à Une température comprise entre 8C et 45C :. 9. Procédé selon l'une quelconque des revendications 1. à. 8, 20 caractérisé en. ce que le substrat donneur (18). est.. un matériau semi- conducteur choisi parmi au moins le silicium, le germanium et le s,llciun germanium. 10... Procédé scion rune quelconque des revendications 1 à 9, 25 caractérisé en ce que, lors de l'étape a), on réalise une co-implantation de deux espèces.