FR 2919387 A1 20090130 FR 0705478 A 20070726 -1- 2919387 DISPOSITIF DE DETECTION BISPECTRALE ET DETECTEUR BISPECTRAL COMPORTANT UN TEL DISPOSITIF DOMAINE DE L'INVENTION La présente invention concerne le domaine de l'imagerie bispectrale, et plus particulièrement l'imagerie infrarouge et l'imagerie visible respectivement réalisées au moyen d'une matrice d'éléments bolométriques et d'une matrice d'éléments photoélectriques. 10 ETAT ANTERIEUR DE LA TECHNIQUE Du fait de l'inexistence d'un matériau capable de détecter de manière efficace à la fois un rayonnement infrarouge et un rayonnement visible, la détection bispectrale dans ces 15 deux bandes spectrales est usuellement réalisée au moyen de deux capteurs. Chaque capteur est dédié à un type de rayonnement particulier et est placé dans une voie optique spécifique. De fait, ce type de détecteur bispectral nécessite un réglage des centres et axes optiques 20 des deux voies optiques pour s'assurer que les capteurs observent la même scène. Ce type de réglage, désigné sous l'expression d' harmonisation spatiale , est généralement délicat. En outre, il nécessite d'être réitéré régulièrement en raison de vibrations ou de chocs subis par le détecteur, qui désalignent les voies optiques. Pour pallier cet inconvénient, il a été conçu un détecteur bispectral dans lequel une matrice d'éléments photoélectriques est positionnée en dessous d'une matrice de microponts bolométriques, de manière à former une matrice d'éléments de détection bispectraux. Un tel détecteur est par exemple décrit dans le document US 6 320 189. 30 Ce détecteur, dont un élément de détection bispectral est illustré à la figure 1, comprend un circuit de multiplexage 1 du type CMOS ou CCD, formé dans un substrat, une couche isolante 2 recouvrant le circuit 1, et un micropont bolométrique 4 pour la détection du rayonnement infrarouge. 25 35 -2- Le micropont 4 comprend une couche bolométrique mince 9, rendue absorbante au rayonnement infrarouge, des électrodes 7, prolongées par des bras 8 d'isolation thermique, et des supports 5 de la couche 9 et des électrodes 5, assurant le support de ceux-ci ainsi que la connexion électrique des électrodes 7 au circuit de multiplexage 1 via des connexions métalliques 6. Une couche réfléchissante 3 est également prévue en dessous de la couche 9, de manière à former avec celle-ci une lame quart-d'onde, augmentant la sensibilité du détecteur bolométrique au rayonnement infrarouge. Un élément photoélectrique 10, sensible au rayonnement visible, comme par exemple une photodiode ou un phototransistor, est par ailleurs formé dans le substrat du circuit de multiplexage 1 et placé sous le micropont 4. 15 La couche bolométrique mince 9, les électrodes 7, la couche réfléchissante 3 et la couche d'isolation 2 sont réalisées en des matériaux au moins partiellement transparents au rayonnement visible de manière à laisser passer une partie de ce rayonnement pour qu'il soit détecté par l'élément photoélectrique 10. 20 Le détecteur ainsi formé est placé dans le plan focal d'une optique, avec les microponts 4 placé du côté de l'optique. Un rayonnement comportant une composante infrarouge (IR) et une composante visible (VIS) et incident, via l'optique, sur le détecteur du côté du micropont 4, voit alors sa 25 composante IR captée par celui-ci, alors que la partie de la composante VIS, qui a réussi à pénétrer jusqu'à l'élément photoélectrique 10, est captée par ce dernier. Ainsi, pour ce type de détecteur bispectral, une seule voie optique est nécessaire et on évite donc toutes les difficultés liées à l'harmonisation spatiale. Toutefois, ce type de détecteur souffre de défauts intrinsèques qui nuisent à la qualité de la détection bispectrale. En effet, il y a nécessairement une partie du rayonnement visible qui est absorbée par 35 les matériaux constitutifs du détecteur bolométrique. L'efficacité de la détection du visible est ainsi amoindrie. 30 -3- De plus, il est nécessaire de choisir pour le détecteur bolornétrique des matériaux au moins partiellement transparents au rayonnement visible. Or ce choix de matériau n'est pas nécessairement optimal pour la détection du rayonnement IR. Par ailleurs, ce type de détecteur à matrices superposées nécessite une optique de qualité, et donc coûteuse, pour pouvoir disposer d'une focalisation des rayonnements infrarouges et visibles dans la zone restreinte de l'espace qui contient les deux matrices. Enfin, la matrice d'éléments photoélectriques et la matrice des microponts étant formées dans des plans différents, pouvant être séparés par plus de trois micromètres dans certaines applications, il est difficile de focaliser à la fois sur les deux matrices à l'aide d'une seule optique. Il s'en suit donc une perte en termes de résolution. Le but de la présente invention est de résoudre les problèmes susmentionnés en proposant un détecteur bispectral ne nécessitant pas une voie optique par type de détection, tout en garantissant une efficacité et une résolution optimales pour chaque type de détection. EXPOSE DE L'INVENTION A cet effet, l'invention a pour objet un dispositif de détection bispectrale, notamment d'un rayonnement infrarouge et d'un rayonnement visible, comprenant : ^ un substrat monolithique ; ^ une matrice de microponts bolométriques sensibles au rayonnement infrarouge, 25 les microponts bolométriques étant suspendus au dessus d'une première face du substrat par l'intermédiaire de bras de support et de connexion ; et ^ une matrice d'éléments photoélectriques réalisés au sein du substrat, et sensibles au rayonnement visible, les microponts bolométriques et les éléments photoélectriques étant superposés. 30 Selon l'invention, la portion du substrat comprise entre la matrice d'éléments photoélectriques et une seconde face du substrat, opposée à la première face de celui-ci, est amincie de sorte que les éléments photoélectriques sont aptes à détecter un rayonnement visible incident sur la seconde face. 35 -4- En d'autres termes, la détection du visible est rendue possible par la face arrière du dispositif. Le rayonnement visible ne traverse donc par les matériaux constitutifs du détecteur bolométrique et n'est donc pas atténué par ceux-ci avant d'être détecté. De plus, il ne peut plus ainsi être provoqué un échauffement parasite du détecteur bolométrique. Selon des modes de réalisations particuliers, le dispositif comporte une ou plusieurs des caractéristiques suivantes : ^ pour un substrat en silicium, l'épaisseur de ladite portion amincie du substrat est 10 d'environ 15 micromètres ; ^ il comporte une matrice de microlentilles disposée sur la seconde face du substrat, chaque microlentille étant agencée en regard d'un élément photoélectrique ; ^ il comprend un boîtier d'encapsulation dans lequel sont encapsulés au moins le substrat et les matrices de détection, respectivement du rayonnement infrarouge et 15 du rayonnement visible, et dont chaque face en regard d'une matrice est transparente au moins au rayonnement auquel est sensible la matrice considérée, ladite face comportant un filtre de sélection du rayonnement auquel est sensible la matrice ; ^ l'espace interne du boîtier d'encapsulation est placé sous vide ou sous atmosphère 20 contrôlée peu conductrice de la chaleur. L'invention a également pour objet un détecteur bispectral d'un rayonnement magnétique, qui, selon l'invention, comporte : ^ un dispositif du type précité ; et 25 des moyens optiques aptes à diriger et focaliser sur une matrice du dispositif au moins une partie d'un rayonnement incident du côté de l'autre matrice du dispositif. En d'autres termes, une partie du rayonnement incident sur une face du dispositif est 30 redirigée et focalisée sur l'autre face du dispositif. En outre, les deux faces détectent, pour chaque point de la scène observée, les composantes visible et infrarouge issues de ce point. Il n'a donc qu'une seule voie optique pour deux détections distinctes, ce qui confère au dispositif la cohérence spatio- 35 temporelle. Par ailleurs, il devient possible d'utiliser un système optique de focalisation pour chaque matrice, et donc de définir deux plans distincts de focalisation. -5- Selon des modes de réalisations particuliers, le détecteur comporte une ou plusieurs des caractéristiques suivantes : ^ les moyens optiques comprennent un miroir concave, la matrice étant agencée 5 dans un plan focal du miroir concave ; ^ le détecteur comporte des moyens de réglage de la position de la matrice ; ^ le détecteur comporte des moyens de sélection du rayonnement électromagnétique auquel la matrice est sensible, lesdits moyens étant placés sur un trajet optique vers celle-ci ; 10 les moyens optiques forment le fond d'un boîtier général dans lequel est placé le dispositif de détection précité, le haut du boîtier étant au moins partiellement transparent au rayonnement infrarouge et au moins partiellement transparent au rayonnement visible ; avantageusement, le haut du boîtier comporte une optique de focalisation du rayonnement auquel est sensible l'une des matrices, agencée au 15 regard de celle-ci, et, juxtaposé à l'optique, un filtre de sélection du rayonnement auquel est sensible la matrice, agencé en regard des moyens optiques de focalisation ; ^ l'espace intérieur du boîtier est placé sous vide ou sous atmosphère contrôlée peu conductrice de la chaleur. 20 BREVE DESCRIPTION DES FIGURES L'invention sera mieux comprise à la lecture de la description qui suit, donnée uniquement à titre d'exemple, et réalisée en relation avec les dessins annexés, dans 25 lesquels des références identiques désignent des éléments identiques ou analogues, et dans lesquels : ^ la figure 1 est une vue schématique en section d'un élément de détection bispectral de l'état de la technique, déjà décrit dans le préambule de la description ; 30 la figure 2 est une vue schématique en section d'un premier mode de réalisation du capteur bispectral selon l'invention ; ^ la figure 3 est une vue schématique en section d'un détecteur bispectral selon l'invention incluant le capteur de la figure 2 ; ^ la figure 4 est une vue schématique en section d'un second mode de réalisation du 35 capteur bispectral selon l'invention ; et ^ les figures 5 à 11 illustrent un procédé de fabrication du capteur bispectral selon l'invention. -6- 2919387 DESCRIPTION DETAILLEE DE L'INVENTION Sur la figure 2, il est illustré sous la référence générale 20, un premier mode de réalisation d'un capteur bispectral IR/VIS selon l'invention. Ce capteur 20 comprend un substrat monolithique en silicium 21, dans lequel est réalisé un circuit de multiplexage du type CMOS ou CCD, une couche isolante 22 recouvrant le circuit 21, et une matrice de microponts bolométriques 23, 24 pour la détection du 1 0 rayonnement infrarouge. Chaque micropont 23, 24 comprend un élément bolométrique mince 25, 26, rendu absorbant au rayonnement infrarouge, des électrodes 27, 28 prolongées par des bras 28, 29 d'isolation thermique, le tout étant noyé dans une couche isolante. Chaque micropont 23, 24 comporte également des supports 31, 32 de l'élément bolométrique 25, 26, des électrodes 27, 28, des bras 28, 29 et de la couche isolante 30, les supports 31, 32 suspendant ces différents éléments au dessus du substrat 21. 20 Les supports 31, 32 réalisent également la connexion électrique des électrodes 27, 28 à des bornes 33, 34 du circuit de multiplexage formé dans le substrat 21, via des connexions métalliques 35, 36 traversant la couche isolante 22. Une couche réfléchissante 37, 38 est également ménagée en dessous de chaque élément 25 bolométrique 25, 26, de manière à former avec celle-ci une lame quart d'onde, augmentant, de manière connue, la sensibilité du détecteur bolométrique au rayonnement infrarouge. La matrice de microponts bolométriques 25, 26 est superposée à une matrice d'éléments 30 photoélectriques 39, 40, sensibles au rayonnement visible, comme par exemple une matrice de photodiodes ou une matrice de phototransistors. Cette matrice de composants photosensibles est réalisée dans la masse du substrat 21. La matrice d'éléments photoélectriques 39, 40 comporte, pour chaque micropont 25, 26, 35 un élément photoélectrique placé sous celui-ci et au contact avec une connexion métallique 41, 42 réalisant sa connexion au circuit de multiplexage. 15 -7- Le circuit de multiplexage formé dans le substrat 21 réalise les fonctions de lecture des matrices de microponts et d'éléments photoélectrique, comme cela est le cas du détecteur du document US 6 320 189. La portion de substrat 43 située entre les éléments photoélectriques 39, 40 et la face du substrat 44, opposée à la face 45 sur laquelle est formée la matrice de microponts 25, 26, est amincie à une épaisseur h. Pour la détection du visible et dans le cas d'un substrat en silicium (Si), cette épaisseur h est de 15 micromètres ou moins. Ainsi, la portion de substrat 43 permet aux porteurs de charge crées par un rayonnement visible éclairant la face 44 du substrat 21 de rejoindre les éléments photoélectriques. La matrice d'éléments photoélectriques 39, 40, les connexions électriques 41, 42 de ceux-ci, le circuit de multiplexage dans le substrat 21 et la portion de substrat 43 forment ainsi un type de capteur visible à rétro-éclairage ( Back illuminated sensor en anglais), dont l'efficacité a été démontrée dans de nombreux documents, comme par exemple le document X-UV imaging with backside illuminated CCDs in laser-matter interaction experiments de A. Mens et al, J. Optics, 1993, vol. 24, n 3, pages 129-134, ou le document Sub poisson statistics observed in an electronically shuttered and back illuminated CCD pixel , de R.K. Reich, IEEE Transactions on electon device, vol.44, n 1, Janvier 1997. Enfin, le capteur 20 selon l'invention comporte en outre une matrice de microlentilles 46, 47, comprenant, pour chaque élément photoélectrique 39, 40, une microlentille agencée sur la face 44 du substrat 21 en regard de l'élément photoélectrique. Cette microlentille a pour effet de concentrer sur l'élément photoélectrique un rayonnement visible l'éclairant. Ceci compense la réduction de surface sensible de l'élément résultant de la présence d'une électronique d'adressage complexe dans le substrat, pour la lecture des matrices de microponts et d'éléments photosensibles. Le facteur de remplissage associé à la détection du rayonnement visible est ainsi amélioré. De manière optionnelle, la surface de la matrice de microlentilles 46, 47 est recouverte d'une couche formant un filtre pour la sélection du spectre visible d'un rayonnement incident sur celle-ci. Avantageusement, les matériaux constitutifs de la matrice de microponts bolométriques sont choisis de manière optimale en vue de la détection du rayonnement infrarouge, sans tenir compte de la détection visible. -8-2919387 Sur la figure 3, il est illustré un détecteur non refroidi 60 incorporant le capteur bispectral 20 selon l'invention. Le détecteur 60 comporte un boîtier général 61, dont le fond 62 est formé d'un miroir 5 concave 63 recouvert d'une couche métallique. En revanche, dans les parties non focalisante du miroir, les parois latérales 64 sont recouvertes d'un revêtement absorbant 65, par exemple du noir, pour éviter des réflexions parasites. Le capteur bispectral 20 est quant à lui agencé dans le boîtier 61 avec la matrice de 10 microponts bolométriques en regard du miroir concave 63 et dans un plan focal de celui-ci. Le capteur 20 est maintenu mécaniquement en place au moyen de bras de support 66, réalisant le centrage optique de la matrice de microponts bolométriques dans la plan 15 focal du miroir 63, l'amortissement de vibrations auxquelles est sujet le boîtier 61, la thermalisation de la matrice de microponts bolométriques, ainsi qu'une connexion électrique 73 vers l'extérieur. De manière avantageuse, les bras de support 66 comportent un système autofocalisant 20 reposant sur un élément piézoélectrique 67 alimenté en tension, permettant de régler ainsi la position de la matrice de microponts pour qu'elle coïncide sensiblement avec le plan focal du miroir concave 63. Le détecteur 60 comporte en outre une optique 68 enchâssée de manière hermétique 25 dans un filtre infrarouge 69, qui ferme hermétiquement le boîtier 61. L'optique 68 a quant à elle pour fonction de focaliser la composante visible d'un rayonnement sur la matrice d'éléments photoélectriques du capteur 20. L'espace interne 70 du boîtier 61 est quant à lui placé sous vide, ou sous atmosphère 30 contrôlée non conductrice de la chaleur, pour isoler therrniquement la matrice de microponts bolométriques. Cette matrice est donc échauffée sensiblement uniquement par un rayonnement infrarouge l'éclairant. Le boîtier comporte optionnellement un getter formé d'une substance introduite dans l'espace interne 70 afin d'accentuer le vide par une action chimique ou physique sur les gaz résiduels dans l'espace 70. 35 En fonctionnement, le détecteur 60 est éclairé par une scène à observer. La composante visible de la scène est alors focalisée par l'optique 60 sur le plan de la matrice -9- d'éléments photoélectriques du capteur bispectral 20, qui détecte cette composante en raison de la couche amincie de substrat. La composante infrarouge de la scène observée est quant à elle sélectionnée par le filtre infrarouge 60 et traverse le boîtier 69. La composante infrarouge est alors redirigée et focalisée par le miroir concave 63 sur le plan de la matrice de microponts bolométriques du capteur bispectral 20. La détection bispectrale est ainsi réalisée par un éclairage des deux faces du capteur 20, chaque face de celui-ci étant dédiée à un type de rayonnement spécifique. Bien évidement, le système peut être inversé afin d'avoir la matrice d'éléments photosensibles en regard du miroir. On remarquera en outre que le système optique associé à la détection du rayonnement visible (optique 68) et le système optique associé à la détection du rayonnement infrarouge (filtre infrarouge 69 et miroir concave 63) partagent le même axe optique. Ainsi, il n'y a qu'une seul voie optique et il ne se pose pas de problème d'harmonisation comme cela était le cas de certains détecteurs de l'état de la technique. Dans la figure 4, il est illustré un second mode de réalisation du capteur bispectral selon l'invention. Ce mode de réalisation est identique au capteur bispectral 20 décrit en relation avec la figure 2 à la différence qu'il comporte en outre un boîtier hermétique 80 dans lequel est encapsulé le capteur 20, boîtier dit d'encapsulation . La face 81 du boîtier d'encapsulation 80 en regard de la matrice de microponts bolométriques comporte un filtre infrarouge 82, alors que la face 83 du boîtier 80 en regard de la matrice d'éléments photoélectriques comporte un filtre visible 84. Ces filtres 82, 84 sont optimisés en trouvant un compromis entre transparence et sélectivité. L'espace interne 85, 86 du boîtier 80 est par ailleurs placé sous vide, ou sous atmosphère contrôlée d'un gaz peu conducteur de la chaleur, comme un gaz lourd tel que le xénon (Xe) par exemple. L'espace interne 85, 86 comporte optionnellement un getter. -10- Enfin, des connexions électriques 87, 88 sont par ailleurs prévues dans le boîtier 80 pour connecter le capteur 20 avec des circuits externes au boîtier 80. L'avantage du second mode de réalisation est de fournir un capteur bispectral infrarouge/visible qui soit adaptable dans de nombreux détecteurs. En effet, il n'est pas alors nécessaire de prévoir un boîtier de détecteur 61 dans lequel est formé un vide, ni même des filtres de sélection de rayonnement, le vide et la sélection de rayonnement étant déjà réalisés. Les figures 5 à 11 illustrent un procédé de fabrication du détecteur bispectral selon l'invention. Ce procédé consiste : ^ à réaliser dans un substrat monolithique en silicium de type P 100 un circuit de multiplexage en laissant une matrice de volume sans circuit ; ^ à former (par implantation ionique d'un dopant de type N à la surface du substrat de silicium de type P) dans les espaces de volume vacants des éléments photosensibles 101, tels que des photodiodes ou des phototransistors ; ^ à déposer (par pulvérisation cathodique, par décomposition thermique ou par plasma) et à graver (par gravure chimique ou par plasma) à la surface du substrat 100, des bornes électriques 102, 103 nécessaires aux microponts bolométriques et aux éléments photosensibles ; ^ à déposer (par dépôt chimique en phase vapeur, ou CVD) la couche isolante 104 et à former par dépôt (par pulvérisation cathodique, par décomposition thermique ou par plasma) et à graver (par gravure chimique ou par plasma) un ou plusieurs matériaux métalliques de manière à former les connexions électriques 105 des microponts et des couches métalliques réfléchissantes 106 ; ^ à coucher une couche sacrificielle 107 d'environ deux micromètres d'épaisseur pour la détection des infrarouges thermiques (8 à 14 micromètres de longueur d'onde) ; ^ à déposer (par CVD) un matériau isolant 108, puis à déposer (par pulvérisation cathodique, par décomposition thermique ou par plasma) et à graver (par gravure chimique ou par plasma) une couche métallique 109 de 50 à 100 angstrôms, de préférence en nitrure de titane (TiN), de manière à former les électrodes ; à déposer (par pulvérisation cathodique, par décomposition thermique ou par plasma) et à graver (par gravure chimique ou par plasma) des métallisations 110 de manière à former les éléments de support et de connexion des microponts avec le circuit de multiplexage formé dans le substrat 100 ; -11- ^ à déposer (par CVD) une couche supplémentaire de matériau isolant 111 et à réaliser des ouvertures de contact permettant ultérieurement le contact entre les métallisations 110 et le matériau 113; ^ à déposer (par pulvérisation cathodique, par décomposition thermique ou par plasma) et à graver (par gravure chimique ou par plasma) un matériau semiconducteur amorphe ou polycritallin 113 (Si, Ge, SiC, a-SiC :H, a-SiGe :H ou ferrite) de faible épaisseur (0,005 micromètre à 1 micromètre) de manière à former les éléments bolométriques ; ^ à graver des bras d'isolation thermique et à séparer des éléments unitaires de détection ; ^ à amincir (par gravure chimique) la portion libre 116 du substrat 100 jusqu'à atteindre une épaisseur prédéterminée pour permettre aux photocharges d'atteindre la zone de collecte des éléments photosensibles 101 ; ^ à former la matrice de microlentilles 117 ; et à graver la couche sacrificielle 107 supportant l'empilement bolométrique. Les métallisations et connexions électriques sont réalisées par le dépôt et la gravure de couches, d'épaisseur comprise entre environ 0,005 micromètre et environ 1 micromètre, d'au moins l'un des matériaux suivants : titane (Ti), nitrure de titane (TiN), platine (Pt), aluminium (Al), paladium (Pd), nickel (Ni), alliage de nickel et de chrome (NiCr), alliage de tungstène et de silicium (WSi). REVENDICATIONS 1. Dispositif de détection bispectrale (20 ; 80), notamment d'un rayonnement infrarouge et d'un rayonnement visible, comprenant : ^ un substrat monolithique (21) ; ^ une matrice de microponts bolométriques (23, 24) sensibles au rayonnement infrarouge, les microponts bolométriques (23, 24) étant suspendus au dessus d'une première face (45) du substrat par l'intermédiaire de bras de support et de connexion (31, 32); et ^ une matrice d'éléments photoélectriques (39, 40) formés dans le substrat (21) et sensibles au rayonnement visible, les microponts bolométriques (23, 24) et les éléments photoélectriques (39, 40) étant superposés, caractérisé en ce que la portion de substrat (43) comprise entre la matrice d'éléments photoélectriques (39, 40) et une seconde face (44) du substrat, opposée à la première face (45) de celui-ci, est amincie de sorte que les éléments photoélectriques (39, 40) sont aptes à détecter un rayonnement visible incident sur la seconde face (44). 2. Dispositif de détection bispectrale selon la revendication 1, caractérisé en ce que, pour un substrat en silicium, l'épaisseur de ladite portion de substrat (43) est d'environ 15 micromètres. 3. Dispositif de détection bispectrale selon l'une quelconque des revendications précédentes, caractérisé en ce qu'il comporte une matrice de microlentilles (46, 47) disposée sur la seconde face (44) du substrat, chaque microlentille (46, 47) étant agencée en regard d'un élément photoélectrique (39, 40). 4. Dispositif de détection bispectrale selon l'une quelconque des revendications précédentes, caractérisé en ce qu'il comprend un boîtier d'encapsulation (80) dans lequel sont encapsulés au moins le substrat (21) et les matrices (23, 24, 39, 40), et dont chaque face (81, 83) en regard d'une matrice est transparente au moins au rayonnement auquel est sensible ladite matrice. 5. Dispositif de détection bispectrale selon la revendication 4, caractérisé en ce ladite face (81, 83) comporte un filtre de sélection (82, 84) du rayonnement auquel est sensible la matrice.-13- 6. Dispositif de détection bispectrale selon l'une des revendications 4 et 5, caractérisé en ce que l'espace interne (85, 86) du boîtier d'encapsulation (80) est placé sous vide, ou sous atmosphère contrôlée peu conductrice de la chaleur. 7. Détecteur (60) bispectral d'un rayonnement électromagnétique, caractérisé en ce qu'il comporte : ^ un dispositif (20 ; 80) selon l'une quelconque des revendications 1 à 6 ; et ^ des moyens optiques (63) aptes à diriger et focaliser sur une matrice dudit dispositif au moins une partie d'un rayonnement incident du côté de l'autre matrice du dispositif 8. Détecteur bispectral d'un rayonnement électromagnétique selon la revendication 7, caractérisé en ce que les moyens optiques comprennent un miroir concave (63), et en ce que la matrice est agencée dans un plan focal du. miroir concave. 9. Détecteur bispectral d'un rayonnement électromagnétique selon l'une des revendications 7 et 8, caractérisé en ce qu'il comporte des moyens (67) de réglage de la position de la matrice. 20 10. Détecteur bispectral d'un rayonnement électromagnétique selon l'une des revendications 7 à 9, caractérisé en ce qu'il comporte des moyens (69) de sélection du rayonnement électromagnétique auquel la rnatrice est sensible, placés sur un trajet optique vers celle-ci. 25 11. Détecteur bispectral d'un rayonnement électromagnétique selon l'une quelconque des revendications 7 à 9, caractérisé en ce que les moyens optiques (63) forment le fond d'un boîtier général (61) dans lequel est placé le dispositif (20 ; 80), le haut du boîtier étant au moins partiellement transparent au rayonnement infrarouge et au moins partiellement transparent au rayonnement visible. 30 12. Détecteur bispectral d'un rayonnement électromagnétique selon la revendication 11, caractérisé en ce que le haut du boîtier comporte une optique (68) de focalisation du rayonnement auquel est sensible l'une des matrices, agencée au regard de celle-ci, et, juxtaposé à l'optique (68), un filtre de sélection (69) du 35 rayonnement auquel est sensible la matrice, agencé en regard des moyens optiques de focalisation (63). 5-14- 13. Détecteur bispectral d'un rayonnement électromagnétique selon l'une des revendications 1l et 12, caractérisé en ce que l'espace intérieur (72) du boîtier (61) est placé sous vide ou sous atmosphère contrôlée peu conductrice de la chaleur. 14. Détecteur bispectral d'un rayonnement électromagnétique selon l'une quelconque des revendications 7 à 13, caractérisé en ce qu'il est non refroidi.