FR 2921508 A1 20090327 FR 0757792 A 20070924 MEMOIRE SRAM A CELLULE DE REFERENCE DE POLARISATION DESCRIPTION DOMAINE TECHNIQUE L'invention se rapporte au domaine des mémoires statiques à accès aléatoires SRAM (SRAM pour � static random access memory �), et concerne en particulier une structure de cellule mémoire SRAM, ainsi qu'une mémoire SRAM, amélioré(e)s. La présente invention prévoit en particulier une structure de cellule mémoire statique à accès aléatoire développée en technologie double-grille et dotée de transistors comportant deux grilles commandées indépendamment l'une de l'autre, dont les performances en termes de courant de lecture et de marge au bruit statique en lecture sont améliorées. ÉTAT DE LA TECHNIQUE ANTÉRIEURE Une cellule mémoire SRAM classique (SRAM pour � static random access memory � ou mémoire vive statique) comprend généralement deux inverseurs INV1, INV2, connectés selon une configuration dite de bascule ou � flip-flop � et deux transistors d'accès TAT, TAF connectés à des lignes dites de bit BLT et BLF, et commandés par une ligne de mot WL. Les caractéristiques recherchées pour une cellule mémoire sont : - une bonne stabilité lors des différentes opérations de lecture, d'écriture, de rétention, effectuées sur la cellule, - un courant de conduction ou de charge le plus important possible pour donner à la cellule une vitesse de fonctionnement élevée, une taille de cellule minimale pour 5 permettre de réaliser une mémoire avec une densité d'intégration de cellules importante, un courant en rétention le plus faible possible afin de minimiser la puissance consommée statique. 10 Ces critères sont contradictoires entre eux et amènent les concepteurs de mémoires à faire des compromis. Les cellules SRAM à six transistors appelées � cellules 6T �, offrent un bon compromis 15 entre tous les critères précités. En cherchant à réduire de plus en plus les tailles des transistors des cellules mémoires, les paramètres des transistors tels que leur largeur W de canal, leur longueur L de canal, leur tension de seuil 20 VT, leur perméabilité lao, leur dopage Na, leur épaisseur d'oxyde de grille Tox fluctuent de plus en plus, comme indiqué dans les documents [TAK'01] et [YAM'04]. Cela entraîne une augmentation de la sensibilité des cellules mémoire face aux différentes sources de bruit 25 telles que le couplage capacitif, le couplage inductif, le bruit d'alimentation, en raison des dispersions entre les transistors. De nos jours, l'augmentation des dispersions entre les transistors impose de trouver de 30 nouvelles cellules mémoires plus robustes avec un encombrement satisfaisant. La stabilité d'une cellule peut être déterminée notamment par sa marge au bruit statique SNM en mode lecture, comme cela est présenté dans le document [SEE'87]. Lors d'un accès en lecture d'une cellule SRAM, le gain des inverseurs est diminué par la mise en conduction des transistors d'accès. Pour annuler cet effet, une cellule à 10 transistors, dans laquelle, lors d'un cycle de lecture, les noeuds de stockage et les lignes de bit sont découplés, a été proposée dans le document [CHA'01]. Une cellule mémoire à 8 transistors réalisée en technologie double grille ayant un fonctionnement similaire à celle comportant 10 transistors évoquée précédemment, a quant à elle été divulguée dans le document [KIM'05]. Malgré une forte amélioration de la marge au bruit statique SNM, les cellules à 10 transistors et à 8 transistors ont un encombrement très important par rapport aux cellules 6T. Dans le document FR 2 898 432 une cellule mémoire 6T en technologie double grille est divulguée. Une telle cellule comporte des transistors d'accès commandés par deux lignes de mots activées indépendamment l'une de l'autre, dont la polarisation dépend du mode de fonctionnement (écriture, lecture ou rétention) dans lequel la cellule est placée. Cette cellule comporte une marge au bruit statique en lecture nettement améliorée par rapport aux cellules classiques, tout en présentant un encombrement satisfaisant. La limite d'une telle cellule est cependant un courant de lecture faible. Le but de la présente invention est de trouver une nouvelle structure de cellule mémoire SRAM, présentant une bonne marge au bruit statique en lecture, tout en ayant des performances électriques en particulier en termes de courant de lecture améliorées. EXPOSÉ DE L'INVENTION L'invention concerne tout d'abord un dispositif microélectronique de mémoire vive à accès aléatoire, comprenant une pluralité de cellules comportant respectivement : - une pluralité de transistors formant un bistable, - un premier noeud de stockage et un deuxième noeud de stockage, - un premier transistor double-grille d'accès au premier noeud de stockage et un deuxième transistor double-grille d'accès au deuxième noeud de stockage, une première grille du premier transistor d'accès et une première grille du deuxième transistor d'accès étant reliées à une première ligne de mot, une seconde grille du premier transistor d'accès et une seconde grille du deuxième transistor d'accès étant reliées à une deuxième ligne de mot, le dispositif étant doté en outre : d'au moins une cellule mémoire de référence prévue pour délivrer un potentiel de polarisation prévu pour être appliqué à l'une des lignes de mot respective d'une ou plusieurs cellules données de ladite pluralité de cellules au moins lors d'accès en lecture desdits cellules données. La cellule de référence peut comporter : un premier noeud de stockage de référence et un deuxième noeud de stockage de référence, ledit potentiel de polarisation délivré par la cellule mémoire de référence étant dépendant d'un potentiel de référence prédéterminé. La cellule de référence peut comporter : un premier noeud de stockage de référence et un deuxième noeud de stockage de référence, ledit potentiel de polarisation délivré par la cellule mémoire de référence étant dépendant d'un potentiel de référence prédéterminé et étant adapté en fonction des variations d'un potentiel du deuxième noeud de référence de la cellule de référence. Le deuxième noeud de référence peut être par exemple un noeud destiné à stocker une information logique `0'. Selon une possibilité de mise en oeuvre, la cellule de référence peut comporter des moyens formant une boucle de rétroaction, en particulier négative, prévue pour diminuer le potentiel du deuxième noeud de référence de la cellule de référence suite à une augmentation de potentiel du deuxième noeud de référence. Selon une possibilité de mise en oeuvre de la boucle de rétroaction, cette dernière peut comprendre des moyens réalisant un amplificateur opérationnel comportant : - une entrée inverseuse connectée au deuxième noeud de la cellule de référence, - une entrée non-inverseuse à laquelle le potentiel prédéterminé de référence est appliqué, - une sortie délivrant ledit potentiel de polarisation. La première ligne de mot peut être apte à être mise à une première valeur de potentiel, par exemple VSS, ou à une deuxième valeur de potentiel par exemple VDD, le potentiel de référence étant prévu de sorte que le potentiel de polarisation est supérieur à VSS et inférieur à VDD. Selon une possibilité, la cellule de référence peut comporter en outre : - une pluralité de transistors formant un bistable, - un premier transistor double-grilles d'accès au premier noeud de référence et un deuxième transistor double-grille d'accès au deuxième noeud de référence, - une première grille du premier transistor d'accès et une première grille du deuxième transistor d'accès étant reliées à une première ligne de mot, une seconde grille du premier transistor d'accès et une seconde grille du deuxième transistor d'accès étant reliées à une deuxième ligne de mot prévue pour délivrer ledit potentiel de polarisation. La première ligne de mot de la cellule de référence peut être à un potentiel prévu pour assurer la conduction de transistors d'accès de la cellule de référence, tandis que le potentiel de polarisation donné est acheminé par la deuxième ligne de mot de la cellule de référence. Selon une mise en oeuvre possible de la cellule de référence, cette dernière peut comporter une pluralité de transistors ayant un agencement identique à celui des transistors des cellules de ladite pluralité de cellules. Les transistors de la cellule de référence peuvent être identiques et avoir une taille identique à celle des transistors des autres cellules de la matrice. La mémoire vive à accès aléatoire selon l'invention peut comprendre en outre : - des moyens pour placer la première ligne de mot d'une ou plusieurs cellules, à un premier potentiel ou à un deuxième potentiel, - des moyens pour placer la deuxième ligne de mot d'une ou plusieurs cellules, audit premier potentiel ou audit potentiel de polarisation donné. Ledit potentiel de polarisation donné peut être destiné à être appliqué à l'une des lignes de mot respective d'une ou plusieurs cellules données de ladite pluralité de cellules lors d'accès en écriture desdits cellules données. Selon une variante, la mémoire vive à accès aléatoire selon l'invention peut comprendre en outre : - des moyens pour placer la première ligne de mot d'une ou plusieurs cellules, à un premier potentiel ou à un deuxième potentiel, - des moyens pour placer la deuxième ligne de mot d'une ou plusieurs cellules, audit premier potentiel ou audit deuxième potentiel ou audit potentiel de polarisation donné. Des potentiels de polarisation différents sont destinés à être appliqués à l'une des lignes de mot respective d'une ou plusieurs cellules données de ladite pluralité de cellules suivant que lesdites cellules données sont accédées en écriture, en lecture ou se trouvent en mode de rétention. BRÈVE DESCRIPTION DES DESSINS La présente invention sera mieux comprise à la lecture de la description d'exemples de réalisation donnés, à titre purement indicatif et nullement limitatif, en faisant référence aux dessins annexés sur lesquels : - la figure 1, illustre un exemple de cellule mémoire vive statique suivant l'art antérieur, - la figure 2, illustre un exemple de caractéristique courant-tension d'un transistor double-grille, - la figure 3, illustre un exemple de cellule mémoire suivant l'invention, dotée de 6 transistors double-grille et de deux lignes de mots, - la figure 4, illustre un exemple de cellule mémoire de référence, prévue pour délivrer le potentiel appliqué à une ou plusieurs cellules mémoires données d'une mémoire SRAM suivant l'invention, lors d'une opération de lecture et éventuellement d'écriture sur ces cellules données, - la figure 5 donne des courbes représentatives de paramètres caractéristiques d'une cellule mémoire de référence suivant l'invention, en fonction de l'évolution du potentiel du deuxième noeud de cette cellule, - la figure 6 donne des courbes de produits normalisés d'un facteur de marge au bruit statique, élevé à une puissance donnée, et de courant de conduction de la cellule en lecture I cell élevé à une autre puissance donnée, - les figures 7A-7B donnent des courbes de produits d'un facteur de marge au bruit statique et de courant de conduction de la cellule en lecture I cell élevé, respectivement, en fonction des variations de potentiel d'alimentation et en fonction des variations de procédés, - la figure 8 illustre un exemple de matrice de cellules mémoires mise en oeuvre suivant l'invention, et comportant une cellule mémoire de référence, permettant de délivrer un potentiel à appliquer aux cellules mémoires sur lesquelles une opération de lecture et une opération d'écriture sont effectuées, - la figure 9 illustre un autre exemple de matrice de cellules mémoires mise en oeuvre suivant l'invention, et comportant une cellule mémoire de référence. Attention il y a un problème d'affichage sur cette figure au niveau du moyen de communication 420n. Il manque le rond et la connexion de la grille du PMOS 421 (cf. 4201) Des parties identiques, similaires ou équivalentes des différentes figures portent les mêmes références numériques de façon à faciliter le passage d'une figure à l'autre. Les différentes parties représentées sur les figures ne le sont pas nécessairement selon une échelle uniforme, pour rendre les figures plus lisibles. EXPOSÉ DÉTAILLÉ DE MODES DE RÉALISATION PARTICULIERS L'invention met en oeuvre une structure de mémoire à accès aléatoire (RAM) dotée de cellules comportant des transistors réalisés en technologie double grille, par exemple de type CMOS (CMOS pour � Complementary Metal Oxide Semi-conductor � ou � semi-conducteur à oxyde de métal complémentaire �). Par � technologie double grille �, on entend que ces transistors comportent deux grilles G1r G2 sous forme d'une première et d'une deuxième zone de matériau(x) de grille, réalisées de part et d'autre d'une zone active, et reliées ou connectées respectivement à des moyens de polarisation. Les deux zones de matériau(x) de grille peuvent être éventuellement distinctes ou disjointes l'une de l'autre et ne pas être connectées entre elles ou ne pas être reliées électriquement l'une à l'autre. Une structure de cellule d'une mémoire à accès aléatoire suivant l'invention comprend un ensemble de transistors, par exemple des transistors d'accès, dotés de deux grilles électriquement indépendantes, ou qui ne sont pas connectées entre elles, et qui sont reliées respectivement à des premiers moyens de polarisation, et à des deuxièmes moyens de polarisation, distincts des premiers moyens de polarisation. Les premiers moyens de polarisation et les deuxièmes moyens de polarisation peuvent comprendre respectivement : une première ligne conductrice ou de connexion dite � première ligne de mot �, apte à acheminer un potentiel de polarisation, et une deuxième ligne conductrice ou de connexion dite � deuxième ligne de mot �, apte à acheminer un deuxième potentiel de polarisation. La cellule comprend également un autre ensemble de transistors, par exemple des transistors de conduction ou de charge, comportant une double grille formée de deux grilles reliées électriquement entre elles, ou connectées entre elles. Les transistors de la cellule sont également mis en oeuvre de sorte que le courant entre le drain et la source Ids est susceptible d'adopter au moins 3 niveaux différents suivant la manière dont leurs 2 grilles sont polarisées respectivement. Des caractéristiques électriques d'un transistor double grille d'une cellule mémoire mise en oeuvre suivant l'invention, sont illustrées sur la figure 2B, sur laquelle trois courbes de polarisation Cl, C2, C3, sont données. Sur cette figure, une première courbe de polarisation Cl est représentative de l'évolution du courant drain-source Ids en fonction d'un potentiel Vgl appliqué sur une première grille du transistor, lorsque la deuxième grille du transistor se trouve dans un premier état de polarisation et qu'un potentiel Vg2 = 0 Volt est appliqué sur la deuxième grille. La première courbe Cl montre que pour une polarisation telle qu'un potentiel Vg2 = 0 Volt est appliqué sur la deuxième grille, on peut obtenir, le plus faible courant IoFF à l'état bloqué et le plus faible courant I 2 de saturation du transistor. Une deuxième courbe de polarisation C2 est représentative de l'évolution du courant drain-source Ids en fonction d'un potentiel Vgl appliqué sur la première grille du transistor, lorsque la deuxième grille du transistor se trouve dans un deuxième état de polarisation et qu'un potentiel Vg2 = Vgl est appliqué sur la deuxième grille. La deuxième courbe C2 montre que pour une polarisation telle qu'un potentiel Vg2 = Vgl est appliqué sur la deuxième grille, on peut atteindre le plus faible courant IoFF à l'état bloqué du transistor et le plus fort courant IoN1 à l'état saturé. Une polarisation telle que Vg2 = Vgl peut permettre d'obtenir le plus important rapport IoN/IoFF du courant à l'état saturé sur le courant à l'état bloqué. Une troisième courbe de polarisation C3 est représentative de l'évolution du courant drain-source Ids en fonction d'un potentiel Vgl, appliqué sur la première grille du transistor, lorsque la deuxième grille du transistor se trouve dans un troisième état de polarisation et qu'un potentiel Vg2 = VDD, avec VDD un potentiel d'alimentation de la cellule, est appliqué sur la deuxième grille. Pour le troisième état de polarisation tel que Vg2 = VDD, on peut obtenir, lorsque Vgl = VDD, le plus fort courant I ON1 de saturation du transistor et, lorsque Vgl = 0 Volt, le plus faible courant IoN2 de saturation du transistor. Un exemple de cellule mémoire ou d'un point mémoire, intégré à une mémoire SRAM suivant l'invention, est illustrée sur la figure 3. Cette cellule 100, est une cellule dite � 6T �, dotée de 6 transistors réalisés par exemple en technologie MOS (MOS pour � Metal Oxide Semi-conductor � ou � semi-conducteur à oxyde de métal �) double-grille. La cellule 100 comprend un premier transistor de charge à double grille TLT, ainsi qu'un deuxième transistor de charge à double grille TLF. Les transistors de charge TLT et TLF, peuvent être réalisés dans un premier type de technologie MOS donnée, par exemple une technologie de type PMOS. Les deux grilles du premier transistor de charge à double grille TLT sont connectées ensemble, tandis que les deux grilles du deuxième transistor de charge à double grille TLF sont également connectées ensemble. La double grille du deuxième transistor de charge TLF est également reliée à un premier noeud de stockage T de la cellule 100, tandis que la double grille du premier transistor de charge TLT est reliée à un deuxième noeud de stockage F de la cellule 100. Les sources des transistors de charge TLT, TLF sont connectées entre elles et à un potentiel d'alimentation VDD, qui peut être par exemple de l'ordre de 1,2 Volt pour des grilles de dimension critique de l'ordre de 40 nanomètres. Le drain du premier transistor de charge TLT et le drain du deuxième transistor de charge TLF, sont reliés respectivement au premier noeud de stockage T de la cellule 100 et au deuxième noeud de stockage F de la cellule 100. La cellule 100 comprend également un premier transistor de conduction à double grille TDT, ainsi qu'un deuxième transistor de conduction à double grille TDF. Les transistors de conduction TDT et TDF, peuvent être réalisés dans un type de technologie MOS complémentaire dudit premier type, par exemple une technologie NMOS. Les deux grilles du premier transistor de conduction TDT sont connectées ensemble, tandis que les deux grilles du deuxième transistor de conduction TDF sont également connectées ensemble. La double grille du premier transistor de conduction TDT est également reliée au deuxième noeud de stockage F, tandis que la double grille du deuxième transistor de conduction TDF est connectée au premier noeud de stockage T de la cellule 100. Les sources des transistors de conduction TDT, TDF sont connectées entre elles et à un potentiel VSS. Le potentiel VSS peut être par exemple de l'ordre de 0 Volt. Le drain du deuxième transistor de conduction TDF et le drain du premier transistor de conduction TDT sont reliés respectivement au deuxième noeud de stockage F de la cellule 100 et au premier noeud de stockage T de la cellule 100. Les transistors de charge TLT, TLF et de conduction TDT, TDF forment un bistable pour la cellule 100, et sont prévus pour contrôler et maintenir une information gardée par les noeuds de stockage T, F. Le premier noeud de stockage T, peut être destiné à conserver une information logique donnée, par exemple un `1' logique, tandis que le deuxième noeud de stockage F est destiné à garder une information logique complémentaire de l'information logique, par exemple un `0' logique. La cellule 100 est également dotée d'un premier transistor d'accès TAT à double grille et d'un deuxième transistor d'accès TAF à double grille, par exemple de type NMOS. Le premier transistor d'accès TAT comporte une grille reliée à une première ligne de mot WL1 et une autre grille reliée à une deuxième ligne de mot WL2. La première ligne de mot WL1 et la deuxième ligne de mot WL2 sont destinées respectivement, à acheminer un premier potentiel de polarisation et un deuxième potentiel de polarisation, permettant de commander l'accès à la cellule. La manière dont les lignes de mot WL1 et WL2 sont polarisées respectivement, détermine les différentes phases de fonctionnement de la cellule 100 : de lecture, d'écriture, et de rétention. Le deuxième transistor d'accès TAF est également doté d'une grille reliée à la première ligne de mot WL1 et d'une deuxième grille reliée à la deuxième ligne de mot WL2. La source du premier transistor d'accès TAT est reliée à une première ligne de bit BLT, tandis que la source du deuxième transistor d'accès TAF est reliée à une deuxième ligne de bit BLF. Les lignes de bits BLT et BLF sont susceptibles notamment de transmettre des données à écrire dans la cellule. Le drain du premier transistor d'accès TAT est relié au premier noeud T, tandis que le drain du deuxième transistor d'accès TAF est relié au deuxième noeud F. Les transistors d'accès TAT, TAF, sont agencés pour permettre d'accéder aux noeuds de stockage T et F, lors d'une phase de lecture ou d'écriture de la cellule 100, et bloquer l'accès de la cellule 100, lorsque la cellule 100 est dans un mode de rétention d'information. Dans cet exemple, la première ligne de mot WL1 est prévue pour acheminer un premier potentiel de polarisation qui est susceptible d'adopter 2 états, un état correspondant par exemple à une première valeur de potentiel, par exemple Vss et un deuxième état correspondant par exemple à une deuxième valeur de potentiel VDD, suivant que la cellule est mise dans un mode de lecture, d'écriture, ou de rétention. La deuxième ligne de mot WL2 est prévue pour acheminer un deuxième potentiel de polarisation qui est susceptible d'adopter au moins 2 états suivant que la cellule est mise dans un mode de rétention, de lecture, ou d'écriture un premier état correspondant par exemple à une première valeur de potentiel, par exemple VSS. La deuxième ligne de mot WL2 est également susceptible d'être mise à un potentiel VWL2ref adaptable ou modulable, et intermédiaire entre la première valeur de potentiel, par exemple Vss et une deuxième valeur de potentiel, par exemple VDD. La deuxième ligne de mot WL2 est ainsi susceptible d'adopter plusieurs états intermédiaires entre le premier état et le deuxième état, correspondant par exemple à plusieurs valeurs intermédiaires de potentiel comprises entre VSS et VDD, lorsque la cellule est mise dans un mode de lecture. Selon une possibilité de mise en oeuvre (figure 8), la deuxième ligne de mot WL2 est également mise au potentiel VWL2ref adaptable ou modulable, et intermédiaire entre la première valeur de potentiel, par exemple VSS et une deuxième valeur de potentiel, par exemple VDD, lorsque la cellule est mise dans un mode d'écriture. Selon une variante (figure 9), la deuxième ligne de mot WL2 est susceptible d'adopter un autre état correspondant par exemple à la deuxième valeur de potentiel, par exemple VDD, lorsque la cellule est mise dans un mode d'écriture. Dans l'exemple de cellule illustrée sur la figure 3, en mode de rétention, les lignes de mots WL1 et WL2 sont mises respectivement à un potentiel prévu pour bloquer l'accès aux noeuds de stockage, par exemple au potentiel VSS. En mode écriture, les deux lignes de mots WL1 et WL2 sont prévues pour activer les transistors d'accès et générer un courant de conduction ICELL permettant de faire commuter la cellule 100, avec une différence de potentiel entre les lignes de bit BLT et BLF de préférence la plus faible possible. Pour cela, les deux lignes de mots WL1 et WL2 peuvent être polarisées par exemple à VDD ou selon la variante évoquée plus haut, la première ligne de mot WL1 est polarisée par exemple à VDD, tandis que la deuxième ligne de mot WL2 est mise au potentiel VWL2ref adaptable ou modulable, et VSS et VDD. L'utilisation de transistors d'architecture double grille favorise la réalisation de la condition précitée dans la mesure où, compte tenu des conditions de polarisation, les transistors d'accès TAT, TAF seront dotés de deux canaux délivrant un courant élevé. En mode lecture, le compromis performance-stabilité des cellules de la mémoire suivant l'invention est amélioré à l'aide d'un circuit de référence, susceptible d'imposer pour ce mode de lecture, un potentiel VWL2ref appliqué sur une des deux lignes de mot, par exemple sur la deuxième ligne de mot WL2. La première ligne de mot WL1 est polarisée à un potentiel permettant de mettre en conduction les transistors d'accès TAT et TAF, par exemple VDD. La valeur du potentiel de polarisation VWL2ref appliqué sur la deuxième ligne de mot d'une cellule lors d'une opération de lecture sur cette cellule, est comprise entre les valeurs des potentiels de polarisation appliqués lors des opérations de rétention et d'écriture, et peut être adaptée de manière à privilégier le meilleur compromis entre stabilité et performances électriques de la cellule. Le potentiel VWL2ref peut être auto- adaptable ou auto-ajustable. Par � auto-adaptable � ou � auto-ajustable �, on entend qu'il est susceptible d'être modulé à l'aide d'une boucle de rétroaction. Le potentiel VWL2ref est susceptible d'être adapté, en fonction des variations du potentiel d'un noeud du circuit de référence, qui sert de noeud référence. Le circuit de référence peut jouer le rôle de circuit témoin, en particulier de variations environnementales, par exemple de température et celles de la tension d'alimentation, et qui sont susceptibles également d'influer sur les autres cellules de la mémoire. La valeur du potentiel VWL2ref dépend elle-même d'un potentiel prédéterminé de référence Vref. Le potentiel de référence Vref peut avoir été prédéterminé par exemple en fonction d'un compromis entre des critères de stabilité et de performances électriques souhaités, par ailleurs en fonction du meilleur compromis entre stabilité en lecture SNM et courant de conduction Icell. Le circuit de référence peut être une cellule mémoire de référence. La figure 4 illustre un exemple de circuit de référence, prévu pour délivrer le potentiel VWL2ref que la deuxième ligne de mot d'une ou des cellule(s) sur laquelle ou sur lesquelles un accès en lecture est réalisé, achemine(nt). Ce circuit de référence est sous forme d'un point mémoire de référence ou d'une cellule memoire de référence noté CELL REF, ayant un agencement semblable à celui de la cellule 100. Les transistors de la cellule de référence peuvent être identiques à ceux des autres cellules. La cellule de référence CELL REF comprend un premier transistor de charge à double grille MLT, un deuxième transistor de charge à double grille MLF, un premier transistor de conduction à double grille MDT, un deuxième transistor de conduction à double grille MDF. Les transistors MLT, MLF, MDT, MDF, forment un bistable, et sont prévus pour contrôler et maintenir une information gardée par des noeuds de stockage de référence Tref, Fref, le premier noeud de stockage Tref de référence étant par exemple destiné à conserver une information logique `1', tandis que le deuxième noeud de stockage Fref de référence est destiné à garder une information logique `0'. La cellule mémoire de référence CELL REF est également dotée d'un premier transistor d'accès MAT à double grille et d'un deuxième transistor d'accès MAF à double grille. La cellule de référence CELL REF comporte également une première ligne de mot WLzref et une deuxième ligne de mot WL2ref. La boucle de rétroaction peut être mise en oeuvre à l'aide de moyens formant un amplificateur opérationnel 200 dont la borne inverseuse est connectée au deuxième noeud de référence Fref et comportant une borne non-inverseuse sur laquelle est appliqué le potentiel de référence prédéterminé Vref. La sortie de l'amplificateur opérationnel 200 est reliée à la deuxième ligne de mot WL2ref de la cellule de référence CELL REF, et délivre ainsi le potentiel VWL2ref qui s'adapte en fonction des variations du potentiel du deuxième noeud Fref de référence de la cellule CELL REF. La sortie de l'amplificateur opérationnel 200 est également reliée respectivement à une grille des transistors d'accès MAT et MAF. Le potentiel VWL2REF est proportionnel à la différence de tension entre le potentiel de référence prédéterminé Vref et le potentiel du deuxième noeud Fref, de sorte que VWL2ref=(VREF-V(F)) *G avec G le gain de l'amplificateur. L'amplificateur peut être alimenté entre OV et VDD. Si V(F) > VREF alors VWL2REF=VSATmin (avec VSATmin-50mV). Si V(F) La boucle de rétroaction permet de limiter l'augmentation du potentiel du noeud de référence Fref, dans la mesure où, lorsque le potentiel du noeud de référence Fréf augmente, la conduction du transistor TAF est diminuée par la diminution du potentiel VWL2ref appliqué sur la deuxième ligne de mot WL2ref de la cellule de référence, ce qui a tendance à faire diminuer le potentiel du noeud de référence Fref (diminue la quantité de charges injectées en Fref par le transistor TAF). Le potentiel du noeud de référence Fref a ainsi tendance à se maintenir à un potentiel inférieur au potentiel de référence Vref prédéterminé. La boucle de rétroaction permet de mettre en oeuvre un système autorégulé permettant de garantir le retour du potentiel F à une valeur donnée, suite à des variations de ce potentiel, dues par exemple à des facteurs environnementaux par exemple de variation de température ou de variation de tension d'alimentation. Le potentiel VWL2ref de la deuxième ligne de mot WL2ref de la cellule de référence est appliqué aux cellules sur lesquelles une opération de lecture est effectuée. Pour le mode de rétention, la deuxième ligne de mot WL2ref de la cellule de référence CELL REF est isolée. Selon une possibilité de mise en oeuvre (figure 8), le potentiel VWL2ref de la deuxième ligne de mot WL2ref de la cellule de référence peut être également appliqué aux cellules sur lesquelles une opération d'écriture est effectuée. La mise en oeuvre de la cellule de référence CELL REF permet de maintenir la tension du noeud F des cellules sur lesquelles on réalise un accès en lecture en dessous d'un seuil prédéterminé, en fonction du compromis performance - stabilité souhaité. Le choix de la tension de référence Vref peut être déterminé à partir d'un compromis, entre marge au bruit statique SNM et valeur du courant de conduction de la cellule Icell rd lors d'une opération de lecture. Un tel compromis peut être déterminé à l'aide d'une relation entre marge au bruit statique SNM par exemple à l'aide du produit entre la marge au bruit statique SNM et celui du courant de conduction de la cellule Icell rd mesuré pour différentes valeurs de potentiel au noeud de référence Fref. La figure 5 illustre des exemples de courbes Cio, Cie, C24, Ci6 représentatives respectivement, du produit Icell*SNM, du courant de conduction Icell, de la stabilité en lecture SNM, et du potentiel VWL2 susceptible d'être appliqué sur la ligne de mot, chacun en fonction du potentiel du noeud de référence Fref. Avec l'augmentation du potentiel F la marge au bruit statique SNM diminue (courbe C22 décroissante) et ICELL augmente (courbe C24 croissante). Le produit des deux caractéristiques (courbe C16) donne un optimum (point C161 de la courbe C16) qui correspond au meilleur compromis entre stabilité et performance. Dans cet exemple, l'optimum correspond à un potentiel F par exemple de 220 mV pour un potentiel VWL2 utile de 672 mV. Comparés à des points de polarisation extrêmes si VWL2 était égal à Vss = 0 Volt et si VWL2 était égal à VDD = 1,2 Volt, la marge au bruit statique SNM est augmentée 91 % et ICELL de 43% lorsque l'on choisit l'optimum C262 de la courbe C16. Selon une variante, le choix du potentiel de référence Vref peut être effectué en privilégiant l'un des deux critères de stabilité en lecture SNM et courant de conduction Icell rd en lecture. Par exemple, on peut privilégier le critère de stabilité en lecture SNM par rapport au courant de conduction Icell, en choisissant le potentiel de référence Vref en déterminant l'optimum d'un produit Icell rd*SNM2. Selon un autre exemple, on peut privilégier le courant de conduction Icell par rapport au critère de stabilité en lecture SNM, en choisissant le potentiel de référence Vref en déterminant l'optimum d'un produit Icell rd2*SNM. La figure 6 illustre des exemples de courbes Cao, C32r C34, représentatives respectivement, d'un produit Icell rd*SNM, d'un produit Icell rd*SNM2, du produit (Icell rd)2*SNM, et du potentiel VWL2ref susceptible d'être appliqué sur la deuxième ligne de mot des cellules accédés en lecture, chacun en fonction du potentiel du deuxième noeud. Le tableau ci-dessous donne une comparaison entre les caractéristiques électriques de la cellule 100, avec un système de contre réaction à celles respectivement d'une cellule notée 6T-2WL semblable, en technologie double-grille et qui ne serait pas associée à une contre-réaction, et à celles d'une cellule SRAM standard à grille commune notée 6T-DG. La colonne notée � 100* � correspond aux performances de la cellule 100 à laquelle on appliquerait également le potentiel VWL2ref lors d'opérations d'écriture. Les résultats ont été obtenus pour une technologie de grille de dimension de l'ordre de 40 nm, avec des transistors de taille telle que W = 76 nm, et L = 40 nm. Le facteur NBL, caractérise le nombre de cellules par ligne bit, calculé par rapport à un courant de fuite des transistors d'accès 1 p et au courant de conduction de la cellule en mode lecture (ICELL RD), tel que . ICELL NBL = > x lignes IPG Ce facteur doit être de préférence supérieur à x fois le nombre de lignes de mot, où x est un facteur de marge habituellement compris entre 5 et 10. IcELL wR donne le courant de conduction de la cellule en écriture. Le comportement de la cellule par rapport aux cycles de lecture et d'écriture est déterminé de façon respective par la marge au bruit statique SNM et la marge en écriture WM. Les résultats ont été obtenus dans des conditions typiques 27°C, une alimentation de l'ordre de 1,2 V. Pour un dimensionnement minimal des transistors et dans des conditions de simulations typiques, la cellule 6T-DG présente une SNM particulièrement faible qui peut être de l'ordre de 67 mV et la cellule 6T-2WL le courant de lecture et le facteur NBL les plus faibles. La cellule 100 présente le meilleur compromis marge au bruit statique performances électriques. Cellules 6T-DG 6T-2WL 100 100* IOFF (pA) 674 674 674 674 IPG (pA) 268 ICELL RD (pA) 38, 6 19, 1 27, 5 27, 5 ICELL WR (pA) 38.6 27, 5 38, 6 NBL (x103) 144 71 102 102 SNM (mv) 67 351 285 285 WM (mv) 571 271 571 La figure 7A montre les variations de l'optimum entre la marge au bruit statique SNM et le courant de conduction ICELLrd de la cellule 100, pour diverses valeurs de tensions d'alimentation. Sur cette figure : - la courbe C40 est représentative d'un produit Icell*SNM mesuré sur la cellule 100, pour une tension d'alimentation de 1,08 Volts, - la courbe C42 est représentative respectivement, du produit Icell*SNM mesuré sur la cellule 100, pour une tension d'alimentation de 1,20 Volt, - la courbe C44 est représentative respectivement, du produit Icell*SNM mesuré sur la cellule 100, pour une tension d'alimentation de 1,32 Volt. La figure 7B montre quant à elle les variations de l'optimum entre la marge au bruit statique SNM et le courant de conduction ICELL de la cellule 100, pour des fluctuations du procédé de fabrication. La faible variation de l'optimum sur les figures 7A et 7B montre une bonne tolérance d'un exemple de mémoire conçue selon l'invention aux variations de tension d'alimentation et de procédé de fabrication. Sur la figure 8, un exemple de mémoire SRAM dotée d'une pluralité de n*n cellules 10011,", 1001n, ..., 100n1, ..., 100nn telle que la cellule 100 précédemment décrite en liaison avec la figure 3, est représentée. La mémoire est également dotée d'une cellule mémoire de référence telle que la cellule oeil REF précédemment décrite en liaison avec la figure 4. Chaque rangée de mémoire peut être associée à des premiers moyens de commutation et à des deuxièmes 5 moyens de commutation. Les cellules 10011r..., 1001n d'une même rangée partagent une même première ligne de mot WL11 et une même deuxième ligne de mot WL21 et sont associées à des premiers moyens de commutation 3101 prévus pour 10 connecter la première ligne de mot WL11 à un premier potentiel, par exemple égal à VDD ou à un deuxième potentiel VSS, selon que l'on réalise un accès en lecture, en écriture, ou que l'on est dans un mode de rétention. La première ligne de mot WL11 est ainsi 15 susceptible d'adopter deux états ou deux valeurs de potentiels VDD et VSS différents. Les cellules 10011r..., 1001n d'une même rangée sont également associées à des deuxièmes moyens de commutation 3201 prévus pour connecter la deuxième 20 ligne de mot WL21 à la deuxième ligne de mot WLref2 de la cellule de référence, lorsque l'on réalise un accès en lecture ou en écriture sur une ou plusieurs cellules de ladite rangée, ou à connecter la deuxième ligne de mot WL21 à un deuxième potentiel, par exemple égal à VSS 25 lorsque les cellules de la rangée sont en mode de rétention. La matrice de cellules peut également comprendre un décodeur 350 et un bus d'adresse, dédiés à la sélection des lignes de mot et à faire commuter les moyens de commutation 3101r 3201, 310n, 320n. 30 Les premiers moyens de commutation 3101 310n peuvent être prévus par exemple sous forme de deux transistors 312, 314 double grille connectés entre VDD et VSS et formant un inverseur CMOS en sortie du décodeur 350. Les deuxièmes moyens de commutation 3201 320n peuvent comprendre par exemple deux transistors 322, 324 double grille à grilles communes et sources communes, un des transistors ayant une électrode connectée à la deuxième ligne de mot de la cellule de référence CELL REF, ainsi qu'un inverseur 325 situé en sortie du décodeur 350 et connecté aux grilles du transistor 322. Dans ce dispositif, chaque rangée de mémoire peut être associée à des premiers moyens de commutation et à des deuxièmes moyens de commutation. Les cellules 10011r..., 1001n d'une même rangée partagent une même première ligne de mot WL11 et une même deuxième ligne de mot WL21 et sont associées à des premiers moyens de commutation 3101 susceptibles de connecter la première ligne de mot WL11 à un premier potentiel, par exemple égal à VDD ou à un deuxième potentiel VSS, selon que l'on réalise un accès en lecture, en écriture, ou que l'on est dans un mode de rétention. La première ligne de mot WL11 est ainsi susceptible d'adopter deux états ou deux valeurs de potentiels VDD et VSS différents. Les cellules 10011r..., 1001n d'une même rangée sont également associées à des deuxièmes moyens de commutation 3201 aptes à connecter la deuxième ligne de mot WL21 à la deuxième ligne de mot WLref2 de la cellule de référence, lorsque l'on réalise un accès en lecture ou en écriture sur une ou plusieurs cellules de ladite rangée, ou à connecter la deuxième ligne de mot WL21 à un deuxième potentiel, par exemple égal à VSS lorsque les cellules de la rangée sont en mode de rétention. La matrice de cellules peut également comprendre un décodeur 350 et un bus d'adresse, dédiés à la sélection des lignes de mot et à faire commuter les moyens de commutation 3101r 3201, 310n, 320n. Sur la figure 9, un autre exemple de mémoire SRAM dotée d'une pluralité de n*n cellules 10011r..., 1001n,..., 100n1, ..., 100nn et d'une cellule mémoire de référence telle que la cellule oeil REF, est donnée. Les cellules 10011r..., 1001n d'une même rangée partagent une même première ligne de mot WL11 et une même deuxième ligne de mot WL21 et sont associées à des premiers moyens de commutation 4101 susceptibles de connecter la première ligne de mot WL11 à un premier potentiel, par exemple égal à VDD ou à un deuxième potentiel VSS, selon que l'on réalise un accès en lecture, en écriture, ou que l'on est dans un mode de rétention. La première ligne de mot WL11 est ainsi susceptible d'adopter deux états ou deux valeurs de potentiels VDD et VSS différents. Les premiers moyens de commutation 4101 410n peuvent comprendre par exemple deux transistors 412, 414 double grille connectés entre VDD et VSS et formant un inverseur CMOS en sortie d'un décodeur 450 de ligne. Les cellules 10011r..., 1001n d'une même rangée sont également associées à des deuxièmes moyens de commutation 4201 aptes à connecter la deuxième ligne de mot WL21 à la deuxième ligne de mot WLref2 de la cellule de référence, lorsque l'on réalise un accès en lecture sur une ou plusieurs cellules de ladite rangée, à connecter la deuxième ligne de mot WL21 à un deuxième potentiel, par exemple égal à VSS lorsque les cellules de la rangée sont en mode de rétention, et à connecter la deuxième ligne de mot WL21 à un potentiel VDD, lorsque l'on réalise un accès écriture sur une ou plusieurs cellules de ladite rangée. Dans cet exemple la tension appliquée sur la deuxième ligne de mot est différente suivant que l'on se trouve en mode de lecture ou d'écriture. La deuxième ligne de mot WL2 est susceptible d'adopter un état correspondant par exemple à la deuxième valeur de potentiel, par exemple VDD, lorsque la cellule est mise dans un mode d'écriture. Pour cela, les deuxièmes moyens de commutation 4201 420n comprennent des moyens 460 actionnés par un signal RD d'indication de phase de lecture, et prévus pour délivrer un potentiel égal à VDD lorsque le signal d'indication de lecture est inactif, par exemple égal à 0 V et délivrer le potentiel de la deuxième ligne de mot WL2ref de la cellule de référence CELL REF, lorsque le signal d'indication d'opération de lecture RD est actif, par exemple égal à VDD. Les moyens 460 peuvent être par exemple sous forme de 2 transistors double-grille 461, 462, dont les grilles sont commandées par le signal d'indication d'opération de lecture RD. Les deuxièmes moyens de commutation 4201,..., 420, peuvent comprendre également des transistors 421, 422 double-grilles agencées en inverseur CMOS et dont les grilles sont connectées à celles des transistors 411, 412 des premiers moyens commutateurs. Les deuxièmes moyens de commutation 4201,..., 420, peuvent comprendre également un transistor double-grille interrupteur 424 susceptible de connecter l'entrée de l'inverseur CMOS à la sortie des moyens commutateurs 460, en fonction du signal délivré par un autre inverseur 425, situé entre ce transistor interrupteur 424 et une sortie du décodeur 450. DOCUMENTS CITES : Publications: [CHA'01] : A. CHANDRAKASAN, et al., �Design of High- Performance Microprocessor Circuits �, IEEE press, pp.285-308, FOX 2001. [KIM'05] : J. J. KIM, et al., � Back-Gate Controlled 10 READ SRAM with Improved Stability �, IEEE SOI CONFERENCE, pp. 211-212, Hawaii, USA, 2005. [SEE'87] E. SEEVINCK, et al., �Static-Noise Margin Analysis ofMOS SRAM Cells �, IEEE JSSC, VOL. SC-22, 15 No.5, October 1987. [ TAK' O 1] : K. Takeuchi, et al.,� A Study of Threshold Voltage Variation for Ultra SmallBulk and SOI CMOS �, IEEE TED, VOL.48, No.9, September 2004. [YAM'041] : M. YAMAOKA, et al., � Low Power SRAM Menu for SOC Application Using Yin-Yang-Feedback memory Coli Technology �, Symposium on VLSI circuits, Digest of Technical Papers, Honolulu, USA, June 2004. 20 REVENDICATIONS 1. Dispositif microélectronique de mémoire vive à accès aléatoire, comprenant une pluralité de cellules comportant respectivement : - une pluralité de transistors (TLT, TLF, TDT, IDF) formant un bistable, un premier noeud de stockage (T) et un deuxième noeud de stockage (F), un premier transistor (TAT) double-grille d'accès au premier noeud de stockage et un deuxième transistor double-grille d'accès au deuxième noeud de stockage (TAF), une première grille du premier transistor d'accès et une première grille du deuxième transistor d'accès étant reliées à une première ligne de mot (WL1), une seconde grille du premier transistor d'accès et une seconde grille du deuxième transistor d'accès étant reliées à une deuxième ligne de mot (WL2), le dispositif étant doté en outre : d'une cellule mémoire de référence (CELL REF) prévue pour délivrer un potentiel de polarisation (VWL2) destiné à être appliqué à l'une des lignes de mots (WL21r WL2n) respective d'une ou plusieurs cellules données de ladite pluralité de cellules lors d'accès en lecture desdits cellules données. 2. Dispositif microélectronique de mémoire vive à accès aléatoire selon la revendication 1, la cellule de référence comportant : un premier noeud de stockage (Tref) de référence et un deuxième noeud destockage (Fref) de référence, ledit potentiel de polarisation (VWL2) délivré par la cellule mémoire de référence étant dépendant d'un potentiel de référence (VREF) prédéterminé. 3. Dispositif microélectronique de mémoire vive à accès aléatoire selon la revendication 1 ou 2, la cellule de référence comportant : un premier noeud de stockage (Tref) de référence et un deuxième noeud de stockage (Fref) de référence, ledit potentiel de polarisation (VWL2) délivré par la cellule mémoire de référence étant dépendant d'un potentiel de référence (VREF) prédéterminé et étant adapté en fonction des variations d'un potentiel du deuxième noeud (Fref) de référence de la cellule (CELL REF) de référence. 4. Dispositif microélectronique de mémoire vive à accès aléatoire selon la revendication 3, la cellule de référence comportant : des moyens formant une boucle de rétroaction, prévus pour diminuer le potentiel du deuxième noeud (Fref) de référence de la cellule (CELL REF) de référence suite à une augmentation de potentiel du deuxième noeud (Fref) de référence. 5. Dispositif microélectronique de mémoire vive à accès aléatoire selon la revendication 4, dans lequel la boucle de rétroaction est réalisée par des moyens formant un amplificateur opérationnel comportant :- une entrée inverseuse connectée au deuxième noeud (Fref) de la cellule de référence, - une entrée non-inverseuse à laquelle le potentiel prédéterminé de référence (Vref) est appliqué, - une sortie délivrant ledit potentiel de polarisation (VWL2). 6. Dispositif microélectronique de mémoire vive à accès aléatoire selon l'une des revendications 2 à 5, dans lequel la première ligne de mot est apte à être placée à une première valeur (VSS) de potentiel ou à une deuxième valeur (VDD) de potentiel, le potentiel de référence (VREF) étant prévu de sorte que le potentiel de polarisation (VWL2) est supérieur à la première valeur et inférieur à la deuxième valeur. 7. Dispositif microélectronique de mémoire vive à accès aléatoire selon l'une des revendications 1 à 6, la cellule de référence comportant en outre : - une pluralité de transistors (MLF, MLF, MDF, MDF) formant un bistable, - un premier transistor (MAT) double-grille d'accès au premier noeud (Tref) de référence et un deuxième transistor double-grille d'accès (MAF) au deuxième noeud (Fref) de référence, - une première grille du premier transistor d'accès et une première grille du deuxième transistor d'accès étant reliées à une première ligne de mot (WLIREF) r une seconde grille du premier transistor d'accès et une seconde grille du deuxième transistord'accès étant reliées à une deuxième ligne de mot (WL2REF) prévue pour délivrer ledit potentiel de polarisation (VWL2). 8. Dispositif microélectronique de mémoire vive à accès aléatoire selon la revendication 7, dans lequel la première ligne de mot (WL1REF) de la cellule de référence est à un potentiel prévu pour assurer la conduction de transistors d'accès (MAF, MAT) de la cellule de référence (CELL REF), le potentiel de polarisation donné (VWL2ref) étant acheminé par la deuxième ligne de mot (WL2REF) de la cellule de référence (CELL REF). 9. Dispositif microélectronique de mémoire vive à accès aléatoire selon l'une des revendications 1 à 8, la cellule de référence comportant une pluralité de transistors ayant un agencement identique à celui des transistors des cellules de ladite pluralité de cellules. 10. Dispositif microélectronique de mémoire vive à accès aléatoire selon l'une des revendications 1 à 9, comprenant en outre : - des premiers moyens de commutation aptes à placer la première ligne de mot d'une ou plusieurs cellules, à un premier potentiel (VSS) ou à un deuxième potentiel (VDD), - des deuxièmes moyens de commutation aptes à placer la deuxième ligne de mot (WL21, •••, WL2n) d'une ouplusieurs cellules, audit premier potentiel ou audit potentiel de polarisation donné (VLW2ref). 11. Dispositif microélectronique de mémoire vive à accès aléatoire selon l'une des revendications 1 à 10, ledit potentiel de polarisation donné (VLW2ref) étant destiné à être appliqué à l'une des lignes de mot (WLii, WL2i, WL1,, WL2 ) respective d'une ou plusieurs cellules données de ladite pluralité de cellules lors d'accès en écriture desdites cellules données. 12. Dispositif microélectronique de mémoire vive à accès aléatoire selon l'une des revendications 1 à 10, dans lequel des potentiels de polarisation différents sont destinés à être appliqués à l'une des lignes de mot respective d'une ou plusieurs cellules données de ladite pluralité de cellules suivant que lesdites cellules données sont accédées en écriture, en lecture ou se trouvent en mode de rétention. 13. Dispositif microélectronique de mémoire vive à accès aléatoire selon la revendication 12, comprenant en outre : - des moyens pour placer la première ligne de mot d'une ou plusieurs cellules, à un premier potentiel ou à un deuxième potentiel, - des moyens pour placer la deuxième ligne de mot d'une ou plusieurs cellules, audit premier potentiel ou audit deuxième potentiel ou audit potentiel de polarisation donné.