FR 2922682 A1 20090424 FR 0707409 A 20071023 PROCEDE DE FABRICATION D'UN MICROMODULE DE CAPTURE D' IMAGES La présente invention concerne les circuits intégrés, et en particulier les imageurs CMOS. Les imageurs réalisés selon la technologie CMOS ("Complementary Metal Oxide Semiconductor") font actuellement l'objet d'un nombre croissant d'applications en raison de leur faible prix de revient comparativement aux imageurs CCD (Charge Coupled Device). De tels imageurs CMOS étaient initialement utilisés pour réaliser des capteurs d'image à faible résolution et de qualité médiocre (par exemple des caméras web). Aujourd'hui, après un important investissement en recherche et développement, les imageurs CMOS peuvent rivaliser avec les imageurs CCD. La présente invention s'inscrit dans un effort de perfectionnement de cette technologie d'imageurs visant une baisse des prix de revient à qualité égale. La figure 1 représente un exemple d'imageur CMOS intégré dans un micromodule de capture d'image et/ou de capture vidéo, destiné par exemple à être monté dans un appareil portatif tel un téléphone mobile, un appareil photographique ou une caméra vidéo. Le module 1 comprend un châssis 2, un bloc optique ou bloc porte-lentilles 3, un objectif à base de lentilles 4 montées dans le bloc 3 avec un diaphragme 5, et une plaquette transparente protectrice 6 dans laquelle est réalisé par exemple un filtre infrarouge. L'imageur 11 est fixé avec la plaquette transparente 6 dans une cavité du châssis comportant une ouverture, de manière à recevoir la lumière passant au travers des lentilles 4, du diaphragme 5 et de la plaquette transparente 6. La face arrière de la microplaquette comporte généralement des bourrelets de connexion (bumps ou solder balls) agencés pour être soudés par refusion sur des plages conductrices prévues sur une plaquette de circuit imprimé 7. Les bourrelets de connexion sont reliés électriquement à des pistes conductrices de routage de la face active de la microplaquette par l'intermédiaire de traversées conductrices ou vias traversant la couche de silicium TSV (Through Silicon Via). Un imageur CMOS comporte généralement de l'ordre de 20 à 30 bourrelets de connexion. Ainsi, l'ensemble comprenant le châssis 3, le bloc optique 3 avec les lentilles, la plaquette transparente 6 et l'imageur 11 constitue un micromodule de capture d'image susceptible d'être soudé et connecté à la plaquette de circuit imprimé 7. Or les circuits intégrés de type CMOS, et en particulier les imageurs CMOS, requièrent une protection contre les décharges électrostatiques ESD (ElectroStatic Discharge) et les interférences électromagnétiques ambiantes EMI (ElectroMagnetic Interferences), et doivent assurer une compatibilité aux ondes électromagnétiques EMC (ElectroMagnetic compatibility). Une telle protection comporte notamment une connexion d'un circuit de protection prévu sur le circuit intégré à un élément de protection électriquement conducteur tel qu'un plaquage métallique, prévu sur le châssis 2. Habituellement cette connexion est réalisée par l'intermédiaire de la plaquette de circuit imprimé 7 qui comporte à cet effet un élément de connexion spécifique tel qu'une piste conductrice, destiné à venir en contact avec l'élément de protection prévu sur le châssis 2. La face arrière de la microplaquette 11 peut alors comporter alors des bourrelets de connexion dédiés à la protection ESD/EMC. Or la connexion d'une piste conductrice sur la plaquette 7 à un plaquage métallique sur le châssis 2 s'avère difficile à réaliser. Ainsi, un mode de réalisation de l'invention prévoit de connecter un élément de protection ESD/EMC du châssis 2 et/ou du circuit intégré en passant par un ou plusieurs bourrelets de connexion du circuit intégré et par des plages de connexion en regard, prévues sur la plaquette de circuit imprimé 7. Ainsi, il n'est pas nécessaire de prévoir des pistes conductrices spécifiques sur la plaquette de circuit imprimé pour connecter la plaquette de circuit imprimé à l'élément de protection ESD/EMC du châssis. Plus précisément, l'invention prévoit un procédé de fabrication d'un micromodule comprenant des étapes de réalisation d'un circuit intégré sur une face active d'une microplaquette en un matériau semi-conducteur, réalisation d'un via traversant la microplaquette, reliant électriquement le circuit intégré à un élément conducteur sur une face arrière de la microplaquette, et insertion de la microplaquette dans un boîtier comportant une cavité et un élément électriquement conducteur, la face active de la microplaquette étant disposée vers le fond de la cavité. Selon un mode de réalisation, le procédé comprend des étapes de : formation sur au moins une partie d'une face latérale de la microplaquette d'une couche latérale conductrice en un matériau électriquement conducteur, reliée électriquement à un élément conducteur d'une face arrière de la microplaquette, et réalisation d'une connexion entre la couche latérale conductrice et l'élément conducteur, en déposant une matière électriquement conductrice dans la cavité. Selon un mode de réalisation, la couche latérale conductrice est reliée électriquement au via. Selon un mode de réalisation, la couche latérale conductrice est formée sur toutes les faces latérales de la microplaquette. Selon un mode de réalisation, le procédé comprend une étape de formation d'une couche électriquement isolante en contact avec le matériau semi-conducteur de la microplaquette sur la face arrière et la face latérale de la microplaquette, ainsi que sur les parois latérales et le fond du via. Selon un mode de réalisation, le via est réalisé en formant un orifice traversant le matériau semi-conducteur de la microplaquette et en déposant une couche électriquement conductrice sur les parois latérales et le fond de l'orifice. Selon un mode de réalisation, l'orifice traversant 10 et les faces latérales de la microplaquette sont formés par gravure du matériau semi-conducteur. Selon un mode de réalisation, le procédé comprend des étapes de fixation de la face active de la microplaquette sur une plaque support et d'amincissement 15 de la microplaquette. Selon un mode de réalisation, le circuit intégré est un capteur d'image, la plaque support étant formée dans un matériau transparent. Selon un mode de réalisation, l'élément 20 électriquement conducteur forme une protection ESD/EMC pour le circuit intégré. Selon un mode de réalisation, des circuits intégrés sont fabriqués collectivement sur une plaquette en un matériau semi-conducteur, qui est découpée pour obtenir 25 des microplaquettes individuelles comportant chacune un circuit intégré. Selon un mode de réalisation, le procédé comprend des étapes de formation sur la face arrière de la microplaquette de bourrelets de connexion connectés au 30 moins en partie à la face active du circuit intégré par l'intermédiaire de vias traversant le matériau semi-conducteur. Selon un mode de réalisation, la couche latérale conductrice est reliée électriquement à un bourrelet de 35 connexion. Selon un mode de réalisation, la hauteur du sommet des bourrelets de connexion au dessus de la matière conductrice est supérieure à 50 pm. Selon un mode de réalisation, la matière 5 conductrice comprend une colle assurant la fixation de la microplaquette dans la cavité. Un mode de réalisation concerne un micromodule comprenant : un circuit intégré formé sur une face active d'une microplaquette en un matériau semi-conducteur, 10 comportant un via traversant la microplaquette, relié électriquement au circuit intégré, et un boîtier comportant un élément électriquement conducteur et une cavité dans laquelle la microplaquette est insérée, la face active étant disposée vers le fond de la cavité. 15 Selon un mode de réalisation, le micromodule comprend une couche latérale conductrice en un matériau électriquement conducteur formée sur au moins une partie d'une face latérale de la microplaquette et reliée électriquement à un élément conducteur d'une face arrière 20 de la microplaquette, et une connexion entre la couche latérale conductrice et l'élément conducteur, réalisée au moyen une matière électriquement conductrice déposée dans la cavité. Selon un mode de réalisation, la couche latérale 25 conductrice est reliée électriquement au via. Selon un mode de réalisation, la couche latérale conductrice est formée sur toutes les faces latérales de la microplaquette. Selon un mode de réalisation, le micromodule 30 comprend une couche électriquement isolante en contact avec le matériau semi-conducteur de la microplaquette sur la face arrière et la face latérale de la microplaquette, ainsi que sur les parois latérales et le fond du via. Selon un mode de réalisation, le via est formé dans 35 un orifice traversant le matériau semi-conducteur de la microplaquette par le dépôt d'une couche électriquement conductrice sur les parois latérales et le fond de l'orifice. Selon un mode de réalisation, la face active de la microplaquette est fixée sur une plaque support et la microplaquette a subi un traitement d'amincissement. Selon un mode de réalisation, le circuit intégré est un capteur d'image, la plaque support étant formée dans un matériau transparent. Selon un mode de réalisation, l'élément électriquement conducteur forme une protection ESD/EMC pour le circuit intégré. Selon un mode de réalisation, la face arrière de la microplaquette comprend des bourrelets de connexion connectés au moins en partie à la face active du circuit intégré par l'intermédiaire de vias traversant le matériau semi-conducteur. Selon un mode de réalisation, la couche latérale conductrice est reliée électriquement à un bourrelet de 20 connexion. Selon un mode de réalisation, la hauteur du sommet des bourrelets de connexion au dessus de la matière conductrice est supérieure à 50 pm. Selon un mode de réalisation, la matière 25 conductrice comprend une colle assurant la fixation de la microplaquette dans la cavité. Des exemples de réalisation de l'invention seront décrits dans ce qui suit, à titre non limitatif en 30 relation avec les figures jointes parmi lesquelles : - la figure 1 décrite précédemment représente un micromodule de capture d'image et/ou de capture vidéo, - la figure 2 est une vue de dessus d'une plaquette de silicium sur laquelle sont réalisés collectivement des 35 circuits intégrés, - les figures 3 à 5 sont des vues en coupe d'une portion de plaquette de silicium comportant une pluralité de circuits intégrés, à des étapes distinctes du procédé de fabrication selon un mode de réalisation, - la figure 6 est une vue de la face arrière d'une partie de la plaquette représentée sur la figure 5, - les figures 7 et 8 sont des vues en coupe d'une partie de la plaquette, à d'autres étapes du procédé de fabrication, - la figure 9 est une vue de la face arrière d'une partie de la plaquette représentée sur la figure 8, - la figure 10 est une vue en coupe d'une partie d'un micromodule à une étape finale du procédé de fabrication, - la figure 11 est une vue en coupe d'une partie d'un micromodule à une étape finale d'un autre mode de réalisation, - la figure 12 est une vue de la face arrière d'une partie de la plaquette de la figure 11 à une étape intermédiaire de fabrication, - la figure 13 est une vue en coupe d'une partie d'un micromodule à une étape finale d'un autre mode de réalisation, - la figure 14 est une vue de la face arrière d'une partie de la plaquette de la figure 12 à une étape 25 intermédiaire de fabrication. Les figures 2 à 10 illustrent un mode de réalisation d'un procédé de fabrication d'un micromodule. La figure 2 représente une plaquette de silicium 10 vue de dessus et la figure 3 représente une portion de la 30 plaquette 10 vue en coupe. La plaquette 10 reçoit une pluralité de régions de circuit intégré lia implantées collectivement dans le silicium de façon classique sur une face active llb. Les régions de circuit intégré sont délimitées par des lignes de découpe 21 agencées 35 horizontalement et verticalement sur la figure. La plaquette 10 sera ultérieurement découpée le long des lignes de découpe 21 pour séparer les régions de circuit intégré et obtenir des circuits intégrés individuels sous forme de microplaquettes 11. Dans l'exemple de la figure 3, la face active lib de plaquette 10 a été fixée sur une plaquette support protectrice 6. Si les circuits intégrés de la plaquette 10 sont des imageurs CMOS, la plaquette support 6 est transparente. L'assemblage des deux plaquettes 6, 10 est assurée par exemple au moyen d'une couche de colle 12 répartie dans des zones de la face active de la plaquette 10 en dehors des zones optiquement sensibles des circuits intégrés 11a, et éventuellement en dehors de chemins de découpe 22 centrés sur les lignes de découpe 21. Si la couche de colle 12 est transparente, elle peut couvrir toute la surface de la plaquette 10. Dans cet exemple, la plaquette 10 a subi une étape d'amincissement, par exemple par abrasion chimique et/ou mécanique de sa face arrière ("backlap"). L'épaisseur de la plaquette, initialement de l'ordre de 700 �m, peut ainsi être ramenée à une valeur inférieure à 100 �m, et avantageusement de l'ordre de 70 gm. Comme la plaquette 10 est fixée à la plaquette support 6 qui présente une épaisseur de l'ordre de 500 �m, elle peut être manipulée sans risquer d'être brisée. La figure 4 représente la plaquette 10 associée à la plaquette 6, après avoir subi des étapes de gravure et de passivation du silicium. L'étape de gravure vise à former des orifices 14 traversant la plaquette 10 et à retirer le silicium sur les chemins de découpe 22 afin de former avec la plaquette support 6 des gorges 15. La gravure du silicium peut classiquement être réalisée en soumettant la face arrière 11c à un plasma au travers d'un masque. La gravure est réalisée jusqu'à atteindre les couches de métallisation 11d formées sur la face active 1lb. Les orifices 14 permettent de réaliser des vias traversant le silicium TSV, c'est-à-dire des traversées conductrices assurant une connexion électrique entre deux couches conductrices, ici entre deux pistes conductrices prévues sur la face active et sur la face arrière de la plaquette. Il est à noter que les parois des orifices 14 et les faces latérales des gorges 15 peuvent être droites ou légèrement inclinées comme cela apparaît sur les figures. L'étape de passivation du silicium comporte le dépôt d'une couche électriquement isolante 13 sur toute la surface exposée du silicium, y compris les faces latérales des gorges 15 et les parois des orifices 14. La couche isolante est ensuite gravée pour retirer la couche isolante sur les chemins de découpe 22 et les fonds des orifices 14. La couche 13 comprend classiquement de l'oxyde de silicium SiO2 ou tout autre oxyde ou isolant connu, par exemple de l'oxynitrure de silicium SiON. Les figures 5 et 6 représentent la plaquette de silicium 10 après avoir subi une étape de formation d'une couche électriquement conductrice 16 sur la couche isolante 13. La couche 16 peut classiquement être réalisée par dépôt de la couche en un matériau électriquement conducteur sur toute la surface de la plaquette 10. La couche 16 est ensuite gravée pour dégager les chemins de découpe 22 et former des pistes 16b et des plages conductrices 16c sur la face arrière 11c des microplaquettes 11. Sur les figures 5 et 6, la couche 16 recouvre les parois et le fond des orifices 14 de manière à former les vias reliés électriquement à une couche de métallisation 11d du circuit intégré 11a. La couche 16 comporte également une partie latérale 16a recouvrant au moins en partie les faces latérales de chaque microplaquette 11, le long des chemins de découpe 22. La couche 16 comprend également des plages de contact 16c, des pistes conductrices reliant les vias 14 aux plages de contact (non représentées) et des pistes conductrices 16b reliant certains vias à la partie latérale 16a. La couche 16 est par exemple en cuivre ou en aluminium. Dans l'exemple de la figure 6, la partie latérale 16a de la couche conductrice 16 recouvre entièrement les faces latérales de la microplaquette 11 et est reliée électriquement à quatre vias par l'intermédiaire de pistes conductrices 16b. Les orifices 14 présentent un diamètre de l'ordre de 65 pm, tandis que la couche 16 présente une épaisseur 15 de l'ordre de 5 pm. Pour des raisons de clarté, seules les pistes conductrices 16b reliant la partie latérale 16a à des vias 14 ont été représentées. Bien entendu, il va de soi que tous les vias sont connectés à une plage de contact 20 16c. Par contre, certaines des plages conductrices 16c peuvent ne pas être connectées à un via. La figure 7 représente une portion de la plaquette de silicium 10 après avoir subi une étape de formation d'une couche électriquement isolante 17 sur la couche 16. 25 La couche isolante 17 peut également être formée par dépôt et gravure d'une matière électriquement isolante, de manière à recouvrir l'ensemble de la plaquette 10, à l'exception des chemins de découpe 22, de la partie latérale 16a et des plages de contact 16c. La 30 couche isolante est par exemple réalisée en une pâte de verre durcie ou un polyimide. La figures 8 et 9 représentent une portion de la plaquette de silicium 10 après avoir subi des étapes de formation d'une couche conductrice 19a, 19b sur les 35 parties 16a, 16c de la couche conductrice 16 non recouvertes par la couche isolante 17, et de formation de bourrelets de connexion 25 sur les plages de contact 16c préalablement recouvertes de la couche conductrice 19a, 19b. Ainsi, la couche conductrice 19a, 19b comporte une partie 19a recouvrant la partie latérale 16a formée sur les faces latérales des microplaquettes 11, et des parties 19b recouvrant les plages de contact 16c. La couche 19a, 19b est classiquement prévue pour empêcher l'oxydation de la couche conductrice 16, lorsque cette dernière est réalisée en cuivre. La couche 19a, 19b est réalisée par dépôt et gravure d'un matériau électriquement conducteur, classiquement un alliage contenant de l'or, du titane et du nickel. Les bourrelets de connexion 25 qui sont réalisés sur la couche conductrice 19b permettent de connecter et fixer chaque microplaquette 11 sur une plaquette de circuit imprimé. La plaquette de circuit imprimé est par exemple la plaquette 7 représentée sur la figure 1. Les bourrelets 25 sont classiquement réalisés en or ou en cuivre, ou encore en une composition de métaux ou en un alliage eutectique ou non eutectique. Dans une étape suivante, la plaque support 6 est découpée pour individualiser les microplaquettes 11. La figure 10 illustre des étapes du procédé durant lesquelles, chaque microplaquette 11 individualisée et associée à une partie de la plaque support 6, est introduite dans une cavité 30 d'un boîtier, et connectée à un circuit externe de protection ESD/EMC. Dans l'exemple de la figure 1, le boîtier comprend le châssis 2. Sur la figure 10, une couche électriquement conductrice 31 de protection contre les décharges électrostatiques et les champs électromagnétiques recouvre au moins partiellement l'intérieur de la cavité 30, et/ou l'extérieur du boîtier 2. Chaque microplaquette 11 est introduite dans la cavité 30, la plaquette support 6 étant engagée dans la cavité en premier de manière à reposer sur le fond de la cavité. La face arrière 11c de la microplaquette 11 se trouve alors sensiblement dans le plan de l'ouverture de la cavité. Dans une étape suivante, la couche conductrice 19a formée sur les bords latéraux de la microplaquette 11 est reliée électriquement à la couche électriquement conductrice 31 du boîtier. Cette étape est réalisée en formant un pont conducteur 20 entre les deux éléments à relier. Le pont conducteur 20 est par exemple formé par le dépôt d'une matière électriquement conductrice 20 dans l'interstice entre les parois latérales de la cavité et les bords latéraux électriquement conducteurs 19a de la microplaquette 11. La matière conductrice peut être tout matériau classique utilisé en microélectronique, par exemple une pâte ou une colle électriquement conductrice. L'utilisation d'une colle électriquement conductrice permet d'assurer simultanément la fixation de la microplaquette 11 dans la cavité 30. Les bords de la cavité peuvent être évasés comme représenté sur la figure 10, notamment afin de faciliter l'introduction de la matière conductrice 20. Il est à noter que, si la connexion du circuit intégré lia est assurée par des bourrelets de connexion, la matière conductrice 20 ne doit pas empêcher la connexion. A cet effet, la hauteur h du sommet des bourrelets 25 au dessus de la surface de la matière conductrice doit être supérieure à 50 pm. A noter également que pour une protection ESD/EMC plus efficace, il est préférable que la résistance de connexion soit la plus faible possible. A cet effet, la partie latérale 16a de la couche 16 recouverte de la couche 19a, recouvrent de préférence entièrement les faces latérales des microplaquettes, de manière à former un anneau. En outre la matière conductrice 20 est déposée de manière à recouvrir entièrement la couche 19a. Alternativement, la partie latérale 16a, 19a peut former plusieurs plages de connexion latérales, permettant de connecter le circuit intégré à plusieurs conducteurs externes, chacune des plages de connexion étant reliée au circuit intégré lia par l'intermédiaire d'un via 14 qui lui est propre. Les figures 11 et 12 représentent une variante du micromodule représenté sur la figure 10. Sur les figures 11 et 12, le micromodule diffère de celui décrit précédemment en ce que les pistes conductrices 16b relient la ou les parties latérales 16a directement à des plages conductrices 16c sans passer par un via 14. Ainsi, un ou plusieurs bourrelets de connexion 25 (quatre dans l'exemple de la figure 12) sont reliés à la partie latérale 16a et donc aux parties latérales 19a de la couche conductrice 19a, 19b. La plaquette de circuit imprimé 7 peut donc être mise en contact avec la couche électriquement conductrice 31 du boîtier, par l'intermédiaire de la face arrière de la microplaquette 11. Les figures 13 et 14 représentent une autre variante du micromodule représenté sur la figure 10. Sur les figures 13 et 14, le micromodule diffère de celui représenté sur la figure 10 en ce que les pistes conductrices 16b relient la ou les parties latérales 16a à la fois à des vias 14 et à des plages conductrices 16c. Ainsi, un ou plusieurs bourrelets de connexion 25 (quatre dans l'exemple de la figure 14) sont reliés à la partie latérale 16a et donc aux parties latérales 19a de la couche conductrice 19a, 19b et à des vias 14. La la couche électriquement conductrice 31 du boîtier peut donc être mise en contact avec, par l'intermédiaire de la face arrière de la microplaquette 11, à la fois à la plaquette de circuit imprimé 7 et à une région de circuit intégré sur la face active lib de la microplaquette. Il apparaîtra clairement à l'homme de l'art que la présente invention est susceptible de diverses variantes de réalisation et d'applications. En particulier, l'invention ne s'applique pas uniquement à la connexion d'un circuit de protection ESD/EMC d'un circuit intégré à un circuit externe. Elle s'applique plus généralement à la connexion d'un circuit intégré à un circuit externe en dehors d'un circuit imprimé auquel le circuit intégré est connecté et fixé. La présente invention ne s'applique pas non plus uniquement aux imageurs CMOS, mais à tout circuit intégré nécessitant une connexion à un circuit externe par la face arrière du circuit intégré, sans utiliser les connexions classiques du circuit intégré à une plaquette de circuit imprimé. Par ailleurs, il n'est pas nécessaire que la couche conductrice 31 soit formée dans la cavité où est insérée la microplaquette 11. En effet, le pont conducteur peut alternativement être réalisé entre la face latérale de la microplaquette et une face supérieure (parallèle à la face arrière de la microplaquette) du boîtier.25 REVENDICATIONS 1. Procédé de fabrication d'un micromodule comprenant des étapes de : réalisation d'un circuit intégré (11a) sur une face active (lib) d'une microplaquette (11) en un matériau 5 semi-conducteur, réalisation d'un via (14) traversant la microplaquette (11), reliant électriquement le circuit intégré (lla) à un élément conducteur sur une face arrière de la microplaquette, et 10 insertion de la microplaquette dans un boîtier (2) comportant une cavité (30) et un élément électriquement conducteur (31), la face active de la microplaquette étant disposée vers le fond de la cavité, caractérisé en ce qu'il comprend des étapes de : 15 formation sur au moins une partie d'une face latérale de la microplaquette d'une couche latérale conductrice (16a, 19a) en un matériau électriquement conducteur, reliée électriquement à un élément conducteur (16b) d'une face arrière (llc) de la microplaquette, et 20 réalisation d'une connexion entre la couche latérale conductrice et l'élément conducteur (31), en déposant une matière électriquement conductrice dans la cavité (30). 25 2. Procédé selon la revendication 1, dans lequel la couche latérale conductrice (16a, 19a) est reliée électriquement au via (14). 3. Procédé selon la revendication 1 ou 2, dans 30 lequel la couche latérale conductrice (16a, 19a) est formée sur toutes les faces latérales de la microplaquette (11). 15 4. Procédé selon l'une des revendications 1 à 3, comprenant une étape de formation d'une couche électriquement isolante (13) en contact avec le matériau semi-conducteur de la microplaquette (11) sur la face arrière (ilc) et la face latérale de la microplaquette, ainsi que sur les parois latérales et le fond du via (14). 5. Procédé selon l'une des revendications 1 à 4, dans lequel le via (14) est réalisé en formant un orifice traversant le matériau semi-conducteur de la microplaquette (11) et en déposant une couche électriquement conductrice (16c) sur les parois latérales et le fond de l'orifice. 6. Procédé selon la revendication 5, dans lequel l'orifice traversant et les faces latérales de la microplaquette (11) sont formés par gravure du matériau semi-conducteur. 7. Procédé selon l'une des revendications 1 à 6, comprenant des étapes de fixation de la face active (iib) de la microplaquette (11) sur une plaque support (6) et d'amincissement de la microplaquette. 25 8. Procédé selon la revendication 7, dans lequel le circuit intégré (11a) est un capteur d'image, la plaque support (6) étant formée dans un matériau transparent. 30 9. Procédé selon l'une des revendications 1 à 8, dans lequel l'élément électriquement conducteur (31) forme une protection ESD/EMC pour le circuit intégré (11a).20 10. Procédé selon l'une des revendications 1 à 9, dans lequel des circuits intégrés sont fabriqués collectivement sur une plaquette en un matériau semi-conducteur, qui est découpée pour obtenir des microplaquettes (11) individuelles comportant chacune un circuit intégré (lia). il. Procédé selon l'une des revendications 1 à 10, comprenant des étapes de formation sur la face arrière (lic) de la microplaquette (11) de bourrelets de connexion (25) connectés au moins en partie à la face active (lib) du circuit intégré par l'intermédiaire de vias (14) traversant le matériau semi-conducteur. 12. Procédé selon la revendication 11, dans lequel la couche latérale conductrice (16a, 19a) est reliée électriquement à un bourrelet de connexion (25). 13. Procédé selon la revendication 12, dans lequel la hauteur (h) du sommet des bourrelets de connexion (25) au dessus de la matière conductrice (20) est supérieure à 50 pm. 14. Procédé selon l'une des revendications 1 à 13, dans lequel la matière conductrice (20) comprend une colle assurant la fixation de la microplaquette (11) dans la cavité (30). 15. Micromodule comprenant : un circuit intégré (11a) formé sur une face active (llb) d'une microplaquette (11) en un matériau semi-conducteur, comportant un via (14) traversant la microplaquette (11), relié électriquement au circuit intégré (11a), et un boîtier (2) comportant un élément électriquement conducteur (31) et une cavité (30) dans laquelle la microplaquette est insérée, la face active étant disposée vers le fond de la cavité, caractérisé en ce qu'il comprend une couche latérale conductrice (16a, 19a) en un matériau électriquement conducteur formée sur au moins une partie d'une face latérale de la microplaquette et reliée électriquement à un élément conducteur (16b) d'une face arrière (llc) de la microplaquette, et une connexion entre la couche latérale conductrice et l'élément conducteur {31), réalisée au moyen une matière électriquement conductrice déposée dans la cavité (30). 16. Micromodule selon la revendication 15, dans lequel la couche latérale conductrice (16a, 19a) est reliée électriquement au via (14). 17. Micromodule selon la revendication 15 ou 16, dans lequel la couche latérale conductrice (16a, 19a) est formée sur toutes les faces latérales de la microplaquette (11). 18. Micromodule selon l'une des revendications 15 à 17, comprenant une couche électriquement isolante (13) en contact avec le matériau semi-conducteur de la microplaquette (11) sur la face arrière (llc) et la face latérale de la microplaquette, ainsi que sur les parois latérales et le fond du via (14). 19. Micromodule selon l'une des revendications 15 à 18, dans lequel le via (14) est formé dans un orifice traversant le matériau semi-conducteur de la microplaquette (11) par le dépôt d'une coucheélectriquement conductrice (16c) sur les parois latérales et le fond de l'orifice. 20. Micromodule selon l'une des revendications 15 à 5 19, dans lequel la face active (lib) de la microplaquette (11) est fixée sur une plaque support (6) et la microplaquette a subi un traitement d'amincissement. 21. Micromodule selon la revendication 20, dans 10 lequel le circuit intégré (11a) est un capteur d'image, la plaque support (6) étant formée dans un matériau transparent. 22. Micromodule selon l'une des revendications 15 à 15 21, dans lequel l'élément électriquement conducteur (31) forme une protection ESD/EMC pour le circuit intégré (11a). 23. Micromodule selon l'une des revendications 15 à 20 22, dans lequel la face arrière (llc) de la microplaquette (11) comprend des bourrelets de connexion (25) connectés au moins en partie à la face active (llb) du circuit intégré par l'intermédiaire de vias (14) traversant le matériau semi-conducteur. 25 24. Micromodule selon la revendication 23, dans lequel la couche latérale conductrice (16a, 19a) est reliée électriquement à un bourrelet de connexion (25). 30 25. Micromodule selon la revendication 23 ou 24, dans lequel la hauteur (h) du sommet des bourrelets de connexion {25) au dessus de la matière conductrice (20) est supérieure à 50 }gym.26. Micromodule selon l'une des revendications 15 à 25, dans lequel la matière conductrice (20) comprend une colle assurant la fixation de la microplaquette (11) dans la cavité (30).5