FR 2917910 A1 20081226 FR 0704503 A 20070622 Dispositif de lumière optimisé par l'utilisation de matériaux artificiels et procédé de fabrication associé. La présente invention concerne un dispositif émetteur de lumière. Plus précisément, elle vise à obtenir un émetteur de lumière au rendement amélioré par l'utilisation de matériaux artificiels dans le but d'effectuer des traitements antireflet ou haute réflectivité. Par ailleurs, la présente invention concerne également un procédé de fabrication associé. L'invention s'applique à tout émetteur de lumière et donc notamment aux lasers, et plus particulièrement encore aux lasers à cascade quantique (ou QCL pour Quantum Cascade Laser en anglais). A titre d'exemple, le cas des lasers à cascade sera plus particulièrement exposé. Dans le but d'améliorer le rendement de ces sources lasers, on effectue couramment des traitements sur les faces externes des cavités émissives, afin notamment de réduire au maximum les pertes par réflexion en sortie du laser. L'objectif de ces traitements est généralement d'obtenir soit une fonction antireflet, c'est-à-dire une réflectivité la plus proche possible de 0%, typiquement sur la face de sortie de la cavité laser, soit une fonction haute réflectivité, c'est-à-dire une réflectivité la plus proche possible de 100%, typiquement sur la face opposée à la face de sortie. Actuellement, dans le but d'obtenir l'effet recherché, à savoir l'antireflet ou la haute réflectivité, une technologie couramment utilisée consiste à déposer des couches minces de matériau diélectrique sur la tranche du laser. Cette technologie permet d'améliorer de façon très significative (typiquement 250%) le rendement de ces sources lasers. En effet, d'un point de vue théorique, pour obtenir la fonction antireflet sur un substrat d'indice de réfraction nsubstrat pour une onde lumineuse de longueur d'onde À, il faut idéalement déposer sur ce substrat une couche d'un matériau d'indice de réfraction nAR égal à . 1 "subçtrat sur une épaisseur de . La réflectivité à l'interface air û substrat est alors 4.nAR théoriquement de 0%. Cependant, le nombre de matériaux existant étant limité, il est très difficile et contraignant d'obtenir un matériau à déposer ayant l'indice de réfraction adapté. Afin de contourner cet inconvénient, on pratique généralement des dépôts multicouches. Mais un autre inconvénient majeur lié à cette technologie subsiste. II réside dans le fait qu'il est nécessaire de manipuler directement les barrettes de lasers après clivage afin de réaliser les dépôts sur chacune des faces externes de la cavité. La dimension des puces n'excédant pas quelques millimètres de large pour quelques millimètres de long, ces traitements s'avèrent complexes. De plus, en ce qui concerne les QCL, du fait des longueurs d'onde d'émission élevées de ces derniers (ces sources sont utilisées dans des domaines pouvant aller de l'infrarouge au THz), les épaisseurs des couches déposées atteignent rapidement des valeurs critiques, posant des problèmes tels que la tenue mécanique ou les contraintes induites. De ce fait, la fiabilité incertaine de ces traitements complexes remet actuellement en cause leur utilisation. En résumé, les technologies existantes visant à l'amélioration du rendement d'émetteurs de lumière, telles que des sources lasers par exemple, notamment par l'intermédiaire de traitements antireflets, sont difficiles à mettre en oeuvre. De plus, leurs performances et leur fiabilité ne sont pas assurées. Dans le but de pallier les inconvénients précités, l'invention propose un dispositif émetteur de lumière au rendement amélioré ainsi qu'un procédé de fabrication permettant de le produire de façon collective. Plus précisément, l'invention repose sur l'utilisation de matériaux artificiels dont on peut régler l'indice de réfraction. Ces matériaux artificiels sont obtenus par exemple par gravure de structures sub-longueur d'onde, c'est-à-dire de taille inférieure à la longueur d'onde considérée. L'invention permet donc d'obtenir des traitements antireflets ou des traitements haute réflectivité précis, aboutissant à la réalisation d'émetteurs de lumière optimisés. A cet effet, l'invention a pour objet un dispositif de lumière comportant : • une zone active, dans laquelle peut se propager un faisceau lumineux présentant une ou plusieurs longueurs d'onde, • au moins une paroi, partiellement réfléchissante vis-à-vis de ladite ou desdites longueurs d'onde, caractérisé en ce que ladite paroi comporte des structures sub-longueur d'onde permettant de fixer l'indice de réfraction effectif de la paroi, et par conséquent de régler la réflectivité de la paroi vis-à-vis de la longueur d'onde io ou des longueurs d'onde. Avantageusement, la paroi comportant lesdites structures sublongueur d'onde constitue une structure antireflet assurant une fonction antireflet, c'est-à-dire une réflectivité inférieure à environ 10%, vis-à-vis de la 15 longueur d'onde ou des longueurs d'onde. Avantageusement, le dispositif comporte une face de sortie, orthogonale au faisceau lumineux, et correspondant à ladite paroi. Avantageusement, le dispositif comporte une seconde structure antireflet, parallèle à la première structure antireflet, l'association des deux 20 structures antireflets permettant d'assurer la fonction d'amplificateur de lumière semi-conducteur. Avantageusement, la zone active est une cavité émissive, émettant le faisceau lumineux, et la paroi est une coupelle réflectrice enveloppant le faisceau lumineux issu de la cavité émissive, de façon à 25 confiner le faisceau lumineux dans sa direction de propagation. Avantageusement, le dispositif comporte en outre une structure à haute-réflectivité, c'est-à-dire possédant une réflectivité supérieure à environ 90% vis-à-vis de la longueur d'onde ou des longueurs d'onde, réalisée sur la face opposée et parallèle à la face de sortie. 30 Avantageusement, la zone active est une cavité émissive, émettant le faisceau lumineux, et la face de sortie comprenant la structure antireflet et, à l'opposé, la structure à haute réflectivité délimitent ladite cavité émissive, de manière à constituer un laser semi-conducteur. Avantageusement, la zone active est formée d'un nombre entier 35 de périodes constituées chacune d'un empilement de couches épitaxiées de matériaux semi-conducteurs tels que InGaAs, AIInAs, GaAs, AlGaAs, InP, GaN de manière à constituer un laser à cascade quantique (ou QCL pour Quantum Cascade Laser en anglais). Avantageusement, la structure à haute réflectivité est constituée d'une alternance de N strates à indice de réfraction fort, c'est-à-dire supérieur ou égal à environ 3, et de (N-1) strates à indice de réfraction faible, c'est-à-dire environ égal à 1, N étant un entier supérieur ou égal à 1. Avantageusement, la structure à haute réflectivité est constituée d'une alternance de strates de matériaux à indice de réfraction fort et de strates d'air, toutes lesdites strates étant d'épaisseurs optiques environ égales. Avantageusement, la structure à haute réflectivité est constituée d'une alternance de strates comportant des structures périodiques sublongueur d'onde gravées, permettant de fixer l'indice de réfraction effectif de chacune des strates et par conséquent de la structure à haute réflectivité. Avantageusement, le faisceau lumineux présente une longueur d'onde de 9 pm, chacune des strates de la structure à haute réflectivité possède une épaisseur optique d'environ 2, 2 pm, la structure antireflet présente une période d'environ 2,9 pm, une profondeur d'environ 1,3 pm, une largeur d'environ 0,5 pm et une hauteur gravée supérieure à 9 pm. Avantageusement, les faces comprenant les structures sublongueur d'onde des structures antireflet ou à haute réflectivité sont constituées d'un matériau semi-conducteur tel que InP, GaSb, AsGa ou GaN. Avantageusement, un procédé de fabrication d'un dispositif selon l'invention comprend la réalisation d'un masque unique permettant la gravure, dans un substrat constitué d'un empilement de couches de matériaux semi-conducteurs formant une cavité émissive, telle qu'une cavité laser par exemple, et orthogonalement au plan dudit substrat, des structures antireflets, et des structures à haute réflectivité. Avantageusement, un procédé collectif de fabrication de dispositifs selon l'invention comprend la gravure de voies de clivages permettant la réalisation de dispositifs émetteurs unitaires sur un substrat. Avantageusement, la gravure des structures sub-longueur d'onde des structures antireflets et à haute réflectivité repose sur l'utilisation d'une source plasma haute densité (HPD pour High Plasma Density en anglais). Avantageusement, la source plasma haute densité est obtenue par couplage inductif. D'autres caractéristiques et avantages de l'invention apparaîtront à l'aide de la description qui suit faite en regard des dessins annexés qui 1 o représentent : • la figure 1 : l'illustration schématique d'un laser à cascade quantique (QCL) selon l'art connu ; • la figure 2: le schéma d'un traitement antireflet selon l'invention, par gravure de structures sub-longueur d'onde ; 15 • la figure 3: le graphique démontrant la possibilité de régler avec précision l'indice de réfraction d'une surface dans le dispositif selon l'invention, par gravure de structures sublongueur d'onde ; • la figure 4a : le schéma de l'association entre une structure 20 antireflet et une structure à haute réflectivité dans un laser comprenant le dispositif selon l'invention ; • la figure 413 : le schéma d'une structure à haute réflectivité constituée d'une alternance de strates comportant des structures sub-longueur d'onde selon l'invention ; 25 • la figure 4c : le schéma d'une structure à haute réflectivité obtenue par gravure de structures sub-longueur d'onde variées dans une tranche située à l'extrémité d'une cavité émissive d'un dispositif émetteur de lumière selon l'invention ; • la figure 5: le masque unique permettant la fabrication 30 collective de dispositifs selon l'invention. La figure 1 présente un schéma simplifié du fonctionnement d'un laser à cascade quantique selon l'art connu. Le laser à cascade se différencie des lasers classiques par la spécificité de sa zone active 1. Celle- 35 ci est formée d'un certain nombre de périodes, chacune d'elle étant constituée de plusieurs dizaines de couches épitaxiées de matériaux semi-conducteurs (tels que InGaAs, AlInAs, GaAs, AIGaAs, InP, GaN par exemple). Lorsqu'on injecte un courant électrique dans cette zone active 1, les électrons acquièrent de l'énergie qu'ils restituent par effet cascade, chaque fois sous la forme d'un photon. L'engineering du matériau (nature du semi-conducteur, épaisseur des couches épitaxiées...etc.) détermine la longueur d'onde d'émission du laser. Les guides 2 permettent une amplification de la lumière qui est émise en sortie du laser sous la forme d'un faisceau 4. Par ailleurs, on effectue la croissance de la zone active 1 et des guides 2 sur un quelconque substrat 3 qui assure la fonction de support mécanique. Généralement, les pertes par réflexion en sortie du laser pour des QCL est de l'ordre de 25% pour une zone active en InP du fait de l'écart entre l'indice de réfraction de l'InP, qui vaut environ 3 pour une longueur d'onde de 9 pm, et l'indice de réfraction de l'air, qui est proche de 1. C'est notamment pour limiter ces pertes qu'il est nécessaire de pratiquer un traitement antireflet sur la face de sortie du laser et d'introduire une haute réflectivité sur l'autre face. A cet effet, on utilise aujourd'hui les technologies imparfaites décrites en préambule (en particulier le dépôt de couche(s) mince(s)). L'invention propose l'utilisation de matériaux artificiels pour améliorer le contrôle des fonctions antireflet et haute réflectivité que l'on souhaite introduire. Ainsi, la figure 2 présente un schéma d'un matériau artificiel obtenu par gravure de structures sub-longueur d'onde 5. Comme cela a été expliqué précédemment, il est possible sur le plan théorique de traiter antireflet à la longueur d'onde À, tout substrat d'indice de réfraction nsubstrat en déposant à la surface de celui-ci une couche mince d'un matériau d'indice de réfraction nAR égal à .Jntiubrtrat sur une épaisseur de 2 4.nAR Or, la maîtrise actuelle des micro-technologies permet de graver des structures sub-longueur d'onde. Il peut s'agir de traits, trous, piliers ou d'autres géométries simples gravés dans un substrat. La théorie des milieux effectifs enseigne alors que, de façon simplifiée, la lumière incidente illuminant le substrat ne perçoit pas les structures sub-longueur d'onde gravées, mais un milieu homogène artificiel dont l'indice de réfraction, appelé indice effectif, est compris entre l'indice de réfraction du matériau constitutif du substrat et celui de l'air. Ainsi, en fonction de la taille (largeur a), de la forme géométrique (cylindre, parallélépipède rectangle ...etc.) et de la période A des structures sub-longueur d'onde gravées, il est possible de régler l'indice effectif du matériau artificiel obtenu, comme le montre la figure 3. La figure 3 représente l'évolution de l'indice effectif d'un matériau artificiel basé sur un substrat en InP dans lequel ont été gravées des microstructures avec une période de 2 pm, le substrat étant illuminé en incidence normale à une longueur d'onde de 9,um en lumière non polarisée. Sachant que l'InP a un indice de réfraction intrinsèque n1 de 3,037 à 9,um, on constate que la gravure, avec une périodicité de 2 pm, de piliers de largeur a valant environ 1,41 ,um permet de réaliser un matériau artificiel d'indice de réfraction nAR =1,74 = .Jn,,,1, ; en gravant ces microstructures sur une profondeur d = =1,29,um , on obtient donc un antireflet 4.nAR théoriquement parfait. La figure 4a présente l'association entre une structure antireflet AR telle que décrite dans la figure 2 et une structure à haute réflectivité HR dans le but de réaliser un laser, et plus particulièrement un laser à cascade quantique. La structure à haute réflectivité est un miroir de Bragg constitué de paires de structures associant une couche à fort indice de réfraction et une couche à faible indice de réfraction. La réflectivité du miroir HR dépend du nombre de paires et de l'écart d'indice entre les différentes strates ainsi que des épaisseurs optiques des différentes strates. Dans l'exemple de la figure 4, la structure HR est composée de quatre strates de matériau émissif séparées par l'intermédiaire de trois strates d'air. Comme le montre la figure 4b, il peut s'agir, dans l'absolu, d'une alternance de strates de matériaux artificiels. Le principe de réalisation de ces matériaux artificiels est alors le même que pour les structures AR présentées en figure 2. Simplement, des structures sub-longueur d'onde 6 différentes, notamment en termes de taille et de géométrie, sont gravées. Par exemple, on peut graver des trous cylindriques dans chaque strate de matériau de la structure HR. De plus, les strates peuvent toutes être d'épaisseur différente ; leur espacement peut également être variable. On acquiert ainsi, de façon indépendante, un contrôle de l'indice de réfraction de chacune des strates constituant le miroir HR. Par voie de conséquence, on aboutit à un contrôle en longueur d'onde de l'émission du laser. La figure 4c montre par ailleurs que l'on peut graver des structures sub-longueur d'onde variées 6 dans une tranche située au niveau de l'extrémité de la cavité émissive dont elle est plus ou moins éloignée. Le réglage de cet éloignement entre la structure HR et la cavité émissive permet d'adapter la réflectivité de la structure HR. Ces structures sub-longueur d'onde 6 peuvent par exemple être des trous cylindriques, de divers diamètres. Dans un exemple d'application, on s'intéresse au cas d'un laser à cascade quantique émettant à 9 ,um en polarisation TM (c'est-à-dire que le champ électrique de la zone émissive 1 du laser est perpendiculaire au plan des empilements de couches de la zone active 1 du laser à cascade quantique), constitué de strates présentant différents indices de réfraction variant autour de l'indice de réfraction de l'InP, une structure AR selon l'invention permet d'obtenir une réflectivité inférieure à 0,2% grâce aux moyens technologiques actuels. De même, une structure HR composée de deux strates du matériau constitutif de la cavité émissive du laser à cascade quantique d'une épaisseur e égale à 0,7 ,um chacune, séparées d'une couche d'air de 2,2 ,um d'épaisseur, permet d'atteindre une réflectivité de 95,4%. Dans le cas d'une structure composée de trois couches de matériau émissif séparées de couches d'air, la réflectivité obtenue est portée à 99,5%. La figure 5 illustre la possibilité de réaliser des lasers à cascade quantique intégrant des structures selon l'invention grâce à un procédé collectif simple, reposant sur l'utilisation d'un masque unique. Les éléments dimensionnant pour les performances des cavités lasers produites selon ce procédé sont les dimensions longitudinales et transversales des structures AR et HR, à savoir d, a, A et e. En revanche, les performances ne dépendent pas de la profondeur h de la gravure pour laquelle la seule condition est qu'elle doit être supérieure ou égale à la hauteur de la cavité laser. Dans ces conditions, la figure 5 démontre bien que l'on peut, orthogonalement au plan sur lequel on positionne l'empilement de couches épitaxiés constitutives de la cavité laser, graver les fonctions antireflet AR et haute réflectivité HR, ainsi que des voies de clivage VC, qui permettront la séparation des cavités lasers réalisées de façon collective, par l'intermédiaire d'un masque unique. Ces voies de clivage VC sont positionnées immédiatement après les structures HR et AR. Dans un exemple d'application concret réalisé avec un laser à cascade quantique émettant à 9 pm en polarisation TM, la structure antireflet AR possède une hauteur d d'environ 1,3 pm, une largeur a égale à 0,5 pm et une période A valant 2,9 pm. Ces microstructures ont par ailleurs été gravées sur une profondeur h environ égale mais supérieure à 9 pm. Avec ces paramètres, l'élément AR présente une réflectivité inférieure à 0,2%. La structure HR est composée de deux strates de matériaux épitaxiés constitutives de la cavité laser séparées d'une couche d'air, chaque strate présentant une épaisseur optique d'environ 2,2 pm, l'épaisseur optique étant le produit de l'épaisseur e par l'indice de réfraction de la strate. Les strates de matériaux épitaxiés, constitués de matériaux dont les indices de réfraction varie autour de celui de l'InP, soit environ 3, ont donc une épaisseur d'environ 0,7 pm tandis que les strates d'air intermédiaires ont une épaisseur de 2,2 pm, l'indice de réfraction de l'air étant environ égal à 1. De cette façon, l'élément HR possède une réflectivité supérieure à 95%. Les voies de clivage permettant la séparation des cavités lasers ainsi réalisées sont gravées sur une profondeur environ égale mais supérieure à 10 pm ; la largeur L de ces voies de clivages vaut environ 100 pm. Pour réaliser les gravures profondes de microstructures telles que décrites ci-dessus, on peut utiliser une source plasma haute densité (HPD pour High Plasma Density en anglais) et, plus particulièrement, un système ICP (pour Inductively Coupled Plasma en anglais) permettant de réaliser des gravures sèches dans un plasma obtenu par couplage inductif. Cette technique permet de contrôler séparément l'énergie et la densité de flux des ions sur l'échantillon à graver. Une induction produit un plasma au voisinage du substrat alors qu'une source capacitive indépendante imprime aux espèces fortement dissociées l'énergie cinétique souhaitée. Contrairement aux autres méthodes de génération de plasma, l'ICP a l'avantage de produire des plasmas de haute densité ionique indépendamment de l'énergie des ions réactifs. Une polarisation indépendante de la source permet d'accélérer les ions vers le substrat, ce qui permet de contrôler l'aspect chimique et physique de la gravure et donc de maîtriser la vitesse de gravure, l'anisotropie et la qualité de surface. Le système ICP permet par exemple de graver des trous de dimensions submicroniques sur une profondeur d'environ 5 pm avec un bon rendu de surface dans un substrat GaAs. Par ailleurs, l'utilisation d'un système ICP permet la réalisation de gravures profondes de structures dont les dimensions sont de l'ordre du micron sans altérer la géométrie et le rapport de forme de ces structures. En résumé, l'invention a pour principal avantage de permettre la réalisation de traitements antireflet ou haute réflectivité optimisés par gravure de structures sub-longueur d'onde aboutissant à l'obtention de matériaux artificiels dont on maîtrise l'indice de réfraction. Par ailleurs, le présent brevet présente aussi un procédé de fabrication associé permettant la production collective, avec les moyens technologiques actuels, de dispositifs selon l'invention.25 REVENDICATIONS 1. Dispositif de lumière comportant : • une zone active (1), dans laquelle peut se propager un faisceau lumineux (4) présentant une ou plusieurs longueurs d'onde, • au moins une paroi, partiellement réfléchissante vis-à-vis de ladite ou desdites longueurs d'onde, caractérisé en ce que ladite paroi comporte des structures sublongueur d'onde (5) permettant de fixer l'indice de réfraction effectif de la paroi, et par conséquent de régler la réflectivité de la paroi vis-à-vis de la longueur d'onde ou des longueurs d'onde. 2. Dispositif selon la revendication 1, caractérisé en ce que la paroi comportant lesdites structures sub-longueur d'onde (5) constitue une structure antireflet (AR) assurant une fonction antireflet, c'est-à-dire une réflectivité inférieure à environ 10%, vis-à-vis de la longueur d'onde ou des longueurs d'onde. 3. Dispositif selon la revendication 2, caractérisé en ce qu'il comporte une face de sortie, orthogonale au faisceau lumineux (4), et correspondant à ladite paroi. 4. Dispositif selon la revendication 2, caractérisé en ce qu'il comporte une seconde structure antireflet (AR'), parallèle à la première structure antireflet (AR), l'association des deux structures antiref lets (AR et AR') permettant d'assurer la fonction d'amplificateur de lumière semi-conducteur. 5. Dispositif selon la revendication 2, caractérisée en ce que la zone active (1) est une cavité émissive, émettant le faisceau lumineux (4), et en ce que la paroi est une coupelle réflectrice enveloppant le faisceau lumineux (4) issu de la cavité émissive, de façon à confiner le faisceau lumineux (4) dans sa direction de propagation. 6. Dispositif selon la revendication 3, caractérisé en ce qu'il comporte en outre une structure à haute-réflectivité (HR), c'est-à-dire possédant une réflectivité supérieure à environ 90% vis-à-vis de la longueur d'onde ou des longueurs d'onde, réalisée sur la face opposée et parallèle à la face de sortie. 7. Dispositif selon la revendication 6, caractérisé en ce que la zone active (1) est une cavité émissive, émettant le faisceau lumineux (4), et en ce que la face de sortie comprenant la structure antireflet (AR) et, à l'opposé, la structure à haute réflectivité (HR) délimitent ladite cavité émissive, de manière à constituer un laser semi-conducteur. 8. Dispositif selon la revendication 7, caractérisé en ce que la zone active (1) est formée d'un nombre entier de périodes constituées chacune d'un empilement de couches épitaxiées de matériaux semi-conducteurs tels que InGaAs, AlInAs, GaAs, AlGaAs, InP, GaN, de manière à constituer un laser à cascade quantique (ou QCL pour Quantum Cascade Laser en anglais). 9. Dispositif selon l'une quelconque des revendications 6 à 8, caractérisé en ce que la structure à haute réflectivité (HR) est constituée d'une alternance de N strates à indice de réfraction fort, c'est-à-dire supérieur ou égal à environ 3, et de (N-1) strates à indice de réfraction faible, c'est-à-dire environ égal à 1, N étant un entier supérieur ou égal à 1. 10. Dispositif selon la revendication 9, caractérisé en ce que la structure à haute réflectivité (HR) est constituée d'une alternance de strates de matériaux à indice de réfraction fort et de strates d'air, toutes lesdites strates étant d'épaisseurs optiques environ égales. 11. Dispositif selon la revendication 9, caractérisé en ce que la structure à haute réflectivité (HR) est constituée d'une alternance de strates comportant des structures périodiques sub-longueur d'onde gravées,permettant de fixer l'indice de réfraction effectif de chacune des strates et par conséquent de la structure à haute réflectivité (HR). 12. Dispositif selon l'une quelconque des revendications 9 à 11, caractérisé en ce que : • le faisceau lumineux (4) présente une longueur d'onde de 9 Pm, • chacune des strates de la structure à haute réflectivité (HR) possède une épaisseur optique d'environ 2,2,um, • la structure antireflet (AR) présente une période (A) d'environ 2,9 pm, une profondeur (d) d'environ 1,3 /dm, une largeur (a) d'environ 0,5 ,um et une hauteur gravée (h) supérieure à 9 pm. longueur d'onde des structures antireflet (AR) ou à haute réflectivité (HR) sont constituées d'un matériau semi-conducteur tel que InP, GaSb, AsGa ou GaN. 14. Procédé de fabrication du dispositif selon l'une quelconque des revendications 1 à 13, caractérisé en ce qu'il comprend la réalisation d'un masque unique permettant la gravure, dans un substrat constitué d'un empilement de couches de matériaux semi- conducteurs formant une cavité émissive, telle qu'une cavité laser par exemple, et orthogonalement au plan dudit substrat, des structures antireflets (AR), et des structures à haute réflectivité (HR). 15. Procédé collectif de fabrication de dispositifs selon l'une quelconque des revendications 1 à 13, caractérisé en ce qu'il comprend la gravure de voies de clivages (VC) permettant la réalisation de dispositifs émetteurs unitaires sur un substrat. 16. Procédé de fabrication selon l'une quelconque des revendications 14 35 à 15, caractérisé en ce que la gravure des structures sub-longueur 13. Dispositif selon l'une quelconque des revendications 1 à 12, caractérisé en ce que les faces comprenant les structures sub-d'onde des structures antireflets (AR) et à haute réflectivité (HR) repose sur l'utilisation d'une source plasma haute densité (HPD pour High Plasma Density en anglais). 17. Procédé de fabrication selon la revendication 16, caractérisé en ce que la source plasma haute densité est obtenue par couplage inductif.