FR 2919114 A1 20090123 FR 0851003 A 20080218 CELLULE PHOTOVOLTAÏQUE ET SUBSTRAT DE CELLULE PHOTOVOLTAÏQUE L'invention se rapporte à un substrat de face avant de cellule photovoltaïque, notamment un substrat verrier transparent, ainsi qu'à une cellule photovoltaïque incorporant un tel substrat. Dans une cellule photovoltaïque, un système photovoltaïque à matériau photovoltaïque qui produit de l'énergie électrique sous l'effet d'un rayonnement incident est positionné entre un substrat de face arrière et un substrat de face avant, ce substrat de face avant étant le premier substrat qui est traversé par le rayonnement incident avant qu'il n'atteigne le matériau photovoltaïque. Dans la cellule photovoltaïque, le substrat de face avant comporte d'une manière habituelle en dessous d'une surface principale tournée vers le matériau photovoltaïque un revêtement électrode transparent en contact électrique avec le matériau photovoltaïque disposé dessous lorsque l'on considère que la direction principale d'arrivée du rayonnement incident est par le dessus. Ce revêtement électrode de face avant constitue ainsi, en général, la borne négative de la cellule solaire. Bien sûr, la cellule solaire comporte aussi sur le substrat de face arrière un revêtement électrode qui constitue alors la borne positive de la cellule solaire, mais en général, le revêtement électrode du substrat de face arrière n'est pas transparent. Le matériau utilisé habituellement pour le revêtement électrode transparent du substrat de face avant est en général un matériau à base d'oxyde transparent conducteur ( TCO en anglais), comme par exemple un matériau à base d'oxyde d'indium et d'étain (ITO), ou à base d'oxyde de zinc dopé à l'aluminium (ZnO:Al) ou dopé au bore (ZnO:B), ou encore à base d'oxyde d'étain dopé au fluor (Sn02:F). -2- Ces matériaux sont déposés par voie chimique, comme par exemple par dépôt de vapeur chimique ( CVD ), éventuellement améliorée par plasma ( PECVD ) ou par voie physique, comme par exemple par dépôt sous vide par pulvérisation cathodique, éventuellement assistée par champ magnétique ( Magnétron ). Toutefois, pour obtenir la conduction électrique souhaitée, ou plutôt la faible résistance souhaitée, le revêtement électrode à base de TCO doit être déposé à une épaisseur physique relativement importante, de l'ordre de 500 à 1 000 nm et même parfois plus, ce qui coûte cher eu égard au prix de ces matériaux lorsqu'ils sont déposés en couches minces. Lorsque le procédé de dépôt nécessite un apport de chaleur, cela augmente encore le coût de fabrication. Un autre inconvénient majeur des revêtements électrodes à base de TCO réside dans le fait que pour un matériau choisi, son épaisseur physique est toujours un compromis entre la conduction électrique finalement obtenue et la transparence finalement obtenue car plus l'épaisseur physique est importante, plus la conductivité sera forte mais plus la transparence sera faible et inversement, plus l'épaisseur physique est faible, plus la transparence sera forte mais plus la conductivité sera faible. Il n'est donc pas possible avec les revêtements électrode à base de TCO d'optimiser indépendamment la conductivité du revêtement électrode et sa transparence. L'art antérieur connaît de la demande internationale de brevet N WO 01 /43204 un procédé de fabrication de cellule solaire dans lequel le revêtement électrode transparent est constitué d'un empilement de couches minces déposé sur une face principale du substrat de face avant, ce revêtement comportant au moins une couche fonctionnelle métallique, notamment à base d'argent, et au moins deux revêtements antireflets, lesdits revêtements antireflets comportant chacun au moins une couche antireflet, -3- ladite couche fonctionnelle étant disposée entre les deux revêtements antireflets. Ce procédé est remarquable en ce qu'il prévoit qu'au moins une couche hautement réfringente en oxyde ou en nitrure est déposée au dessous de la couche fonctionnelle métallique et au-dessus du matériau photovoltaïque lorsque l'on considère le sens de la lumière incidente qui entre dans la cellule par le dessus. Le document expose un exemple de réalisation dans lequel les deux revêtements antireflets qui encadrent la couche fonctionnelle métallique, le revêtement antireflet disposé sous la couche fonctionnelle métallique en direction du substrat et le revêtement antireflet disposé au-dessus de la couche fonctionnelle métallique à l'opposé du substrat comportent chacun au moins une couche en un matériau hautement réfringent, en l'occurrence en oxyde de zinc (ZnO) ou en nitrure de silicium (Si3N4). Toutefois, cette solution peut encore être améliorée. L'art antérieur connaît aussi le brevet américain N US 6,169,246 qui porte sur une cellule photovoltaïque à matériau photovoltaïque absorbant à base de Cadmium, ladite cellule comportant un substrat de face avant verrier transparent comportant sur une surface principale un revêtement électrode transparent constitué d'un oxyde conducteur transparent TCO. Selon ce document, au-dessus du revêtement électrode en TCO et en dessous du matériau photovoltaïque est interposée une couche tampon en stannate de zinc qui ne fait donc partie ni du revêtement électrode en TCO, ni du matériau photovoltaïque. Un but important de l'invention est de permettre que le transport de charge entre le revêtement électrode et le matériau photovoltaïque, en particulier à base de Cadmium, soit facilement contrôlé et que l'efficacité de la cellule puisse être en conséquence améliorée. -4- Un autre but important est aussi de réaliser un revêtement électrode transparent à base de couches minces qui soit simple à réaliser et le moins cher possible à fabriquer industriellement. L'invention a ainsi pour objet, dans son acception la plus large, une cellule photovoltaïque à matériau photovoltaïque absorbant notamment à base de Cadmium, ladite cellule comportant un substrat de face avant, notamment un substrat verrier transparent, comportant sur une surface principale un revêtement électrode transparent constitué d'un empilement de couches minces comportant au moins une couche fonctionnelle métallique, notamment à base d'argent, et au moins deux revêtements antireflets, lesdits revêtements antireflets comportant chacun au moins une couche antireflet, ladite couche fonctionnelle étant disposée entre les deux revêtements antireflets, caractérisée en ce que le revêtement antireflet disposé au-dessus de la couche fonctionnelle métallique à l'opposé du substrat comporte au moins deux couches antireflet, la couche antireflet la plus éloignée de la couche fonctionnelle métallique étant plus résistive que la couche antireflet la plus proche de la couche fonctionnelle métallique. La résistivité p correspond au produit de la résistance par carré RE de la couche par son épaisseur réelle. Dans une variante préférée de l'invention, la couche antireflet la plus éloignée de la couche fonctionnelle métallique présente une résistivité égale au moins à 5 fois, voire au moins à 10 fois, voire au moins à 50 fois, voire au moins à 100 fois, voire au moins à 200 fois, voire au moins à 500 fois, voire au moins à 1000 fois, la résistivité de la couche antireflet la plus proche de la couche fonctionnelle métallique. La couche antireflet la plus éloignée de la couche fonctionnelle métallique, celle qui est plus résistive, présente, de préférence, une résistivité p comprise entre 5.10-3 Q.cm et 10 Q.cm, ou comprise entre 10-2 Q.cm et 5 Q.cm, voire comprise entre 5.10-2 Q.cm et 1 Q.cm. -5- La couche antireflet la plus proche de la couche fonctionnelle métallique, celle qui est plus conductrice, présente, de préférence, une résistivité p comprise entre 10-5 0.cm et 5.10-3 0.cm, en excluant cette dernière valeur, ou comprise entre 5.10-4 0.cm et 2.10-3 0.cm, voire comprise entre 10-4 0.cm et 10-3 0.cm. Par ailleurs, la couche antireflet la plus éloignée de la couche fonctionnelle métallique présente une épaisseur optique représentant, de préférence, entre 2 et 50 % de l'épaisseur optique totale du revêtement antireflet le plus éloigné du substrat et notamment une épaisseur optique représentant entre 2 et 25 %, voire entre 5 % et 20 % de l'épaisseur optique totale du revêtement antireflet le plus éloigné du substrat. Cette couche antireflet la plus éloignée de la couche fonctionnelle métallique présente, de préférence, une épaisseur réelle comprise entre 2 et 100 nm, et de préférence comprise entre 5 et 50 nm, voire entre 10 et 30 nm. Une couche antireflet est, de préférence, à base : d'oxyde de zinc ZnO éventuellement dopé, comme par exemple ZnO:AI, ZnO:B, ZnO:Ga, - d'oxyde d'étain SnO2 éventuellement dopé, comme par exemple SnO2: F, - d'oxyde de titane TiO2 éventuellement dopé, comme par exemple TiO2: Nb, d'oxyde de gallium Ga2O3 éventuellement dopé, d'oxyde d'indium In2O3 éventuellement dopé, d'oxyde de silicium SiO2 éventuellement dopé, ou à base d'un oxyde mixte d'indium et d'étain ITO, d'un oxyde mixte de gallium et de zinc GZO, d'un oxyde mixte d'indium et de zinc IZO, d'un oxyde mixte de zinc et d'étain Sn2ZnO4i -6- d'un oxyde mixte d'indium, de gallium et de zinc IGZO, cet oxyde étant éventuellement non stoechiométrique. La couche antireflet la plus proche de la couche fonctionnelle métallique est, de préférence, d'une manière générale à base d'un oxyde conducteur transparent (TCO) obtenu à partir d'au moins un des éléments de la liste suivante Al, Ga, Sn, Zn, Sb, ln, Cd, Ti, Zr, Ta, W et Mo, et notamment un oxyde à partir d'un de ces éléments dopé avec au moins un autre de ces éléments, cet oxyde étant éventuellement sous stoechiométrique en oxygène. Le dopage s'entend ici de la présence d'au moins un autre élément 10 métallique dans la couche, dans une proportion atomique de métaux (or élément oxygène) allant de 0,5 à 10 %. Un oxyde mixte est ici un oxyde d'éléments métalliques dont chaque élément métallique est présent dans une proportion atomique de métaux (hors élément oxygène) de plus de 10 %. 15 Dans une variante particulière de réalisation, la couche antireflet la plus proche de la couche fonctionnelle métallique et la couche antireflet la plus éloignée de la couche fonctionnelle métallique sont à base du même oxyde, notamment à base : d'oxyde de zinc ZnO, 20 d'oxyde d'étain SnO2i d'oxyde de titane TiO2, d'oxyde de gallium Ga2O3, d'oxyde d'indium In2O3i d'oxyde de silicium SiO2, 25 ou à base d'un oxyde mixte d'indium et d'étain ITO, d'un oxyde mixte de gallium et de zinc GZO, d'un oxyde mixte d'indium et de zinc IZO, -7- d'un oxyde mixte de zinc et d'étain Sn2ZnO4i d'un oxyde mixte d'indium, de gallium et de zinc IGZO, cet oxyde étant éventuellement non stoechiométrique. La couche antireflet la plus proche de la couche fonctionnelle métallique, celle qui moins résistive, constitue de préférence la première couche du revêtement antireflet supérieur qui est disposé au-dessus de la couche fonctionnelle métallique, à l'opposé du substrat. La couche antireflet la plus éloignée de la couche fonctionnelle métallique, celle qui est plus résistive, constitue de préférence la dernière couche du revêtement antireflet supérieur qui est disposé au-dessus de la couche fonctionnelle métallique, à l'opposé du substrat. Cette couche antireflet la plus éloignée de la couche fonctionnelle métallique constitue ainsi, de préférence, la dernière couche du revêtement électrode et elle est ainsi directement au contact du matériau photovoltaïque. L'interface entre d'une part le revêtement électrode selon l'invention qui incorpore, en particulier dans sa définition optique, la dernière couche plus résistive et d'autre part le matériau photovoltaïque, en particulier à base de Cadmium est, de préférence la plus lisse possible. La couche antireflet la plus éloignée de la couche fonctionnelle métallique présente ainsi, de préférence, une rugosité de surface comprise entre 5 et 250 Angstrdms, notamment entre 15 et 100 Angstrdms, ou entre 10 et 50 Angstrdms. Constatant que l'absorption des matériaux photovoltaïques usuels était différente d'un matériau à l'autre, les inventeurs ont cherché à définir les caractéristiques optiques essentielles nécessaire à la définition d'un empilement de couches minces du type de celui exposé ci-avant pour former un revêtement électrode de face avant de cellule solaire. Le revêtement antireflet disposé au-dessus de la couche fonctionnelle métallique à l'opposé du substrat présente, de préférence, une épaisseur -8- optique égale à environ la moitié de la longueur d'onde maximum %m d'absorption du matériau photovoltaïque. Le revêtement antireflet disposé en dessous de la couche fonctionnelle métallique en direction du substrat présente, de préférence, une épaisseur optique égale à environ un huitième de la longueur d'onde maximum Xm d'absorption du matériau photovoltaïque. Dans une variante préférée, la longueur d'onde maximum Xm d'absorption du matériau photovoltaïque est toutefois pondérée par le spectre solaire. Dans cette variante, le revêtement antireflet disposé au-dessus de la couche fonctionnelle métallique à l'opposé du substrat présente une épaisseur optique égale à environ la moitié de la longueur d'onde maximum XM du produit du spectre de l'absorption du matériau photovoltaïque par le spectre solaire. Dans cette variante également, le revêtement antireflet disposé en dessous de la couche fonctionnelle métallique en direction du substrat présente une épaisseur optique égale à environ un huitième de la longueur d'onde maximum XM du produit du spectre de l'absorption du matériau photovoltaïque par le spectre solaire. Dans une version préférée, le revêtement antireflet disposé au-dessus de la couche fonctionnelle métallique présente une épaisseur optique comprise entre 0,45 et 0,55 fois la longueur d'onde maximum Xm d'absorption du matériau photovoltaïque, en incluant ces valeurs et de préférence ledit revêtement antireflet disposé au-dessus de la couche fonctionnelle métallique présente une épaisseur optique comprise entre 0,45 et 0,55 fois la longueur d'onde maximum XM du produit du spectre de l'absorption du matériau photovoltaïque par le spectre solaire, en incluant ces valeurs. Dans une version aussi préférée, le revêtement antireflet disposé en 30 dessous de la couche fonctionnelle métallique présente une épaisseur optique -9- comprise entre 0,075 et 0,175 fois la longueur d'onde maximum Xm d'absorption du matériau photovoltaïque, en incluant ces valeurs et de préférence ledit revêtement antireflet disposé en dessous de la couche fonctionnelle métallique présente une épaisseur optique comprise entre 0,075 et 0,175 fois la longueur d'onde maximum Xm du produit du spectre de l'absorption du matériau photovoltaïque par le spectre solaire, en incluant ces valeurs. Ainsi, selon l'invention, un chemin optique optimal est défini en fonction de la longueur d'onde maximum du produit du spectre de l'absorption du matériau photovoltaïque par le spectre solaire, afin d'obtenir le meilleur rendement de la cellule solaire. Le spectre solaire auquel il est fait référence ici est le spectre solaire AM 1.5 tel que défini par la norme ASTM. Par revêtement au sens de la présente invention, il faut comprendre 15 qu'il peut y avoir plusieurs couches de matériaux différents à l'intérieur du revêtement. D'une manière complètement surprenante et indépendamment de toute autre caractéristique, le chemin optique d'un revêtement électrode à empilement de couches minces monocouche fonctionnelle qui présente un 20 revêtement antireflet disposé au-dessus de la couche métallique fonctionnelle présentant une épaisseur optique égale à environ quatre fois l'épaisseur optique du revêtement antireflet disposé en dessous de la couche fonctionnelle métallique, permet d'obtenir le rendement amélioré de la cellule solaire, ainsi que sa résistance améliorée aux contraintes générées 25 durant le fonctionnement de la cellule. Le but des revêtements qui encadrent la couche fonctionnelle métallique est d'antirefléter cette couche fonctionnelle métallique. C'est pour cela qu'ils sont appelés revêtements antireflets . En effet, si la couche fonctionnelle permet à elle seule d'obtenir la 30 conductivité souhaitée pour le revêtement électrode, même à une faible -10- épaisseur physique (de l'ordre de 10 nm), elle va s'opposer fortement au passage de la lumière et du rayonnement électromagnétique. En l'absence d'un tel système antireflet, la transmission lumineuse serait alors beaucoup trop faible et la réflexion lumineuse beaucoup trop forte (dans le visible et le proche infrarouge puisqu'il s'agit de réaliser une cellule photovoltaïque). L'expression chemin optique prend ici un sens spécifique et est utilisée pour désigner le résumé des différentes épaisseurs optiques des différents revêtements antireflets sous-jacent et sus-jacent à la (ou chaque) couche métallique fonctionnelle du filtre interférentiel ainsi réalisé. Il est rappelé que l'épaisseur optique d'un revêtement est égale au produit de l'épaisseur physique de la couche par l'indice du matériau de la couche lorsqu'il n'y a qu'une seule couche dans le revêtement ou de la somme des produits de l'épaisseur physique de chaque couche par l'indice du matériau de chaque couche lorsqu'il y a plusieurs couches. Le chemin optique selon l'invention est, dans l'absolu, fonction de l'épaisseur physique de la couche fonctionnelle métallique, mais en réalité, dans la gamme d'épaisseur physique de couche métallique fonctionnelle qui permet d'obtenir la conductance souhaitée, il se trouve qu'il ne varie pour ainsi dire pas. La solution selon l'invention convient ainsi lorsque la (ou les) couche(s) fonctionnelle(s) est (ou sont) à base d'argent présente (ou présentent au total) une épaisseur physique comprise entre 5 et 20 nm, en incluant ces valeurs. Le type d'empilement de couches minces selon l'invention est connu dans le domaine des vitrages de bâtiments ou de véhicules pour réaliser des vitrages d'isolation thermique renforcée du type bas-émissif et/ou de contrôle solaire . Les inventeurs se sont ainsi aperçus que certains empilements utilisés pour les vitrages bas-émissifs en particulier étaient aptes à être utilisés pour réaliser des revêtements électrodes pour cellule photovoltaïque, et en particulier les empilements connus sous le nom d'empilements trempables -11- ou à tremper , c'est-à-dire ceux utilisés lorsqu'il est souhaité faire subir un traitement de trempe au substrat porteur de l'empilement et notamment un traitement thermique de trempe. La présente invention a ainsi aussi pour objet, l'utilisation d'un empilement de couches minces pour vitrage architectural et notamment un empilement de ce type qui est trempable ou à tremper , notamment un empilement bas-émissif qui est en particulier un empilement bas-émissif trempable ou un empilement bas-émissif à tremper , pour réaliser un substrat de face avant de cellule photovoltaïque. Par empilement ou substrat trempable au sens de la présente invention, il faut comprendre que les propriétés optiques et les propriétés thermiques essentielles (exprimées par la résistance par carré qui est liée directement à l'émissivité) sont conservées pendant le traitement thermique. Ainsi, il est possible sur une même façade de bâtiment par exemple de disposer à proximité les uns des autres des vitrages intégrant des substrats trempés et des substrats non trempés, tous revêtus du même empilement, sans qu'il ne soit possible de les distinguer les uns des autres par une simple observation visuelle de la couleur en réflexion et/ou de la réflexion/transmission lumineuse. Par exemple, un empilement ou un substrat revêtu d'un empilement qui présente les variations avant / après traitement thermique suivantes sera considéré comme trempable car ces variations ne seront pas perceptibles à l'aeil : une variation de transmission lumineuse ATL faible, inférieure à 3 % 25 voire 2 % ; et/ou une variation de réflexion lumineuse ARL faible, inférieure à 3 % voire 2 % ; et/ou une variation de couleur AE =f((AL*)2+(Aa*)2+(Ab*)2) faible, inférieure à 3, voire 2. 30 - 12 - Par empilement ou substrat à tremper au sens de la présente invention, il faut comprendre que les propriétés optiques et thermiques du substrat revêtu sont acceptables après traitement thermique alors qu'elles ne le sont pas, ou en tout cas pas toutes, auparavant. Par exemple, un empilement ou un substrat revêtu d'un empilement qui présente après le traitement thermique les caractéristiques suivantes sera considéré comme à tremper dans le cadre de la présente invention, alors qu'avant le traitement thermique au moins une de ces caractéristiques n'était pas remplie : une transmission lumineuse TL élevée d'au moins 65, voire 70 %, voire d'au moins 75 % ; et/ou une absorption lumineuse (définie par 1-TL-RL) basse, égale ou inférieure à 10 %, voire égale ou inférieure à 8 %, ou même égale ou inférieure à 5 % ; et/ou une résistance par carré RE au moins aussi bonne que celle des oxydes conducteurs utilisés habituellement, et en particulier égale ou inférieure à 20 4/^, voire égale ou inférieure à 15 4/^, voire même égale ou inférieure à 10 4/^. Ainsi, le revêtement électrode doit être transparent. Il doit ainsi présenter, déposée sur le substrat, dans la plage de longueur d'onde entre 300 et 1200 nm, une transmission lumineuse moyenne minimum de 65 %, voire de 75 % et de préférence encore de 85 % ou plus encore notamment d'au moins 90 %. Si le substrat de face avant subi un traitement thermique, notamment de trempe, après le dépôt des couches minces et avant son intégration dans la cellule photovoltaïque, il est tout à fait possible qu'avant le traitement thermique le substrat revêtu de l'empilement agissant en tant que revêtement électrode soit peu transparent. Il peut par exemple avoir, avant ce traitement thermique une transmission lumineuse dans le visible inférieure à 65 %, voire même inférieure à 50 %. - 13 - L'important est que le revêtement électrode soit transparent avant traitement thermique tel qu'il présente après le traitement thermique, dans la plage de longueur d'onde entre 300 et 1200 nm, une transmission lumineuse moyenne minimum de 65 %, voire de 75 % et de préférence encore de 85 % ou plus encore notamment d'au moins 90 %. Par ailleurs, dans le cadre de l'invention, l'empilement ne présente pas dans l'absolu la meilleure transmission lumineuse possible, mais présente la meilleure transmission lumineuse possible dans le contexte de la cellule photovoltaïque selon l'invention. Le revêtement antireflet disposé en dessous de la couche fonctionnelle métallique peut également présenter une fonction de barrière chimique à la diffusion, et à particulier à la diffusion du sodium provenant du substrat, protégeant alors le revêtement électrode, et plus particulièrement la couche métallique fonctionnelle, notamment lors d'un éventuel traitement thermique, notamment de trempe. Dans une autre variante particulière, le substrat comporte sous le revêtement électrode une couche antireflet de base présentant un indice de réfraction faible proche de celui du substrat, ladite couche antireflet de base étant de préférence à base d'oxyde de silicium ou à base d'oxyde d'aluminium, ou à base d'un mélange des deux. En outre, cette couche diélectrique peut constituer une couche barrière chimique à la diffusion, et à particulier à la diffusion du sodium provenant du substrat, protégeant alors le revêtement électrode, et plus particulièrement la couche métallique fonctionnelle, notamment lors d'un éventuel traitement thermique, notamment de trempe ou pour la mise en oeuvre du matériau photovoltaïque. Par ailleurs, cette couche antireflet de base présente, de préférence, une épaisseur physique comprise entre 10 et 300 nm et de manière encore 30 préférée entre 50 et 120 nm. - 14 - La couche fonctionnelle métallique est, de préférence, déposée sous une forme cristallisée sur une couche diélectrique mince qui est également de préférence cristallisée (appelée alors couche de mouillage car favorisant l'orientation cristalline adéquate de la couche métallique déposée dessus). L'empilement de couches minces réalisant le revêtement électrode est de préférence un revêtement monocouche fonctionnelle, c'est-à-dire à une seule couche fonctionnelle ; toutefois, il peut être pluri-couches fonctionnelles et notamment bi-couches fonctionnelles. La couche fonctionnelle est ainsi, de préférence, déposée au-dessus d'une, voire directement sur une, couche de mouillage à base d'oxyde, notamment à base d'oxyde de zinc, éventuellement dopé, éventuellement à l'aluminium (le dopage s'entend d'une manière habituelle comme exposant une présence de l'élément dans une quantité de 0,1 à 10 % en masse molaire d'élément métallique dans la couche et l'expression à base de s'entend d'une manière habituelle d'une couche contenant majoritairement le matériau ; l'expression à base de couvre ainsi le dopage de ce matériau par un autre). L'épaisseur physique (ou réelle) de la couche de mouillage est de préférence comprise entre 2 et 30 nm et de préférence encore comprise entre 20 3 et 20 nm. Cette couche de mouillage est diélectrique et est un matériau qui présente, de préférence, une résistivité p (définie par le produit de la résistance par carré de la couche par son épaisseur) telle que 50 Q.cm Par ailleurs, le revêtement en dessous de la couche fonctionnelle métallique en direction du substrat et/ou le revêtement au-dessus de la couche fonctionnelle métallique peut (peuvent) comporter une couche à haut indice de réfraction, notamment égal ou supérieur à 2, comme par exemple une couche à base de nitrure de silicium ou à et base de nitrure desilicium de zirconium, éventuellement dopé, par exemple à l'aluminium. Par ailleurs, le revêtement en dessous de la couche fonctionnelle métallique en direction du substrat et/ou le revêtement au-dessus de la couche fonctionnelle métallique peut (peuvent) comporter une couche à très haut indice de réfraction, notamment égal ou supérieur à 2,35, comme par exemple une couche à base d'oxyde de titane. - 16 - Le substrat peut comporter un revêtement à base de matériau photovoltaïque, notamment à base de Cadmium, au-dessus du revêtement électrode à l'opposé du substrat de face avant. Une structure préférée de substrat de face avant selon l'invention est ainsi du type : substrat / (couche antireflet de base) / revêtement électrode / matériau photovoltaïque. Dans une variante particulière, le revêtement électrode est constitué d'un empilement pour vitrage architectural, notamment un empilement pour vitrage architectural trempable ou à tremper , et en particulier un empilement bas-émissif, notamment un empilement bas-émissif trempable ou à tremper . La présente invention se rapporte aussi à un substrat pour une cellule photovoltaïque selon l'invention, notamment un substrat pour vitrage architectural revêtu d'un empilement de couches minces, notamment un substrat pour vitrage architectural trempable ou à tremper , et en particulier un substrat bas-émissif, notamment un substrat bas-émissif trempable ou à tremper . Toutes les couches du revêtement électrode sont, de préférence, déposées par une technique de dépôt sous vide, mais il n'est toutefois pas exclu que la première ou les premières couches de l'empilement puisse(nt) être déposée(s) par une autre technique, par exemple par une technique de décomposition thermique de type pyrolyse ou par CVD, éventuellement sous vide, éventuellement assistée par plasma. Avantageusement, le revêtement électrode selon l'invention à empilement de couches minces est par ailleurs beaucoup plus résistant qu'un revêtement électrode à TCO. Ainsi, la durée de vie de la cellule photovoltaïque peut être augmentée. Avantageusement en outre, le revêtement électrode selon l'invention peut tout à fait être utilisée en tant que revêtement électrode de face -17-arrière, en particulier lorsqu'il est souhaité qu'au moins une petite partie du rayonnement incident traverse complètement la cellule photovoltaïque. Les détails et caractéristiques avantageuses de l'invention ressortent des exemples non limitatifs suivants, illustrés à l'aide des figures ci-jointes : La figure 1 illustre un substrat de face avant de cellule solaire de l'art antérieur revêtu d'un revêtement électrode en oxyde transparent conducteur et à couche antireflet de base ; La figure 2 illustre un substrat de face avant de cellule solaire selon l'invention revêtu d'un revêtement électrode constitué d'un empilement de couches minces monocouche fonctionnelle et à couche antireflet de base ; La figure 3 illustre la courbe d'efficacité quantique de trois matériaux photovoltaïques ; La figure 4 illustre la courbe d'efficacité réelle correspondant au produit du spectre de l'absorption de ces trois matériaux photovoltaïques par le spectre solaire ; La figure 5 illustre le principe du test de durabilité des cellules photovoltaïques ; et La figure 6 illustre un schéma en coupe d'une cellule photovoltaïque. Dans les figures 1, 2 et 5, 6, les proportions entre les épaisseurs des différents revêtements, couches, matériaux ne sont pas rigoureusement respectées afin de faciliter leur lecture. La figure 1 illustre un substrat 10' de face avant de cellule photovoltaïque de l'art antérieur à matériau photovoltaïque 200 absorbant, ledit substrat 10' comportant sur une surface principale un revêtement électrode 100' transparent constitué d'un TCO. Le substrat 10' de face avant est disposé dans la cellule photovoltaïque de telle manière que le substrat 10' de face avant est le premier substrat - 18 - traversé par le rayonnement incident R, avant d'atteindre le matériau photovoltaïque 200. Le substrat 10' comporte par ailleurs sous le revêtement électrode 100', c'est-à-dire directement sur le substrat 10' une couche antireflet de base 22 présentant un indice de réfraction n22 faible proche de celui du substrat. Le substrat 10' peut par ailleurs comporter sur le revêtement électrode 100' et sous le matériau photovoltaïque 200 une couche tampon, non illustrée. La figure 2 illustre un substrat 10 de face avant de cellule photovoltaïque selon l'invention. Le substrat 10 de face avant comporte aussi sur une surface principale un revêtement électrode 100 transparent, mais ici ce revêtement électrode 100 est constitué d'un empilement de couches minces comportant au moins une couche fonctionnelle métallique 40, à base d'argent, et au moins deux revêtements antireflet 20, 60, lesdits revêtements comportant chacun au moins une couche antireflet fine 24, 26 ; 66, 68, ladite couche fonctionnelle 40 étant disposée entre les deux revêtements antireflets, l'un nommé revêtement antireflet sous-jacent 20 situé sous la couche fonctionnelle, en direction du substrat, et l'autre nommé revêtement antireflet sus-jacent 60 située au-dessus de la couche fonctionnelle, en direction opposée au substrat. L'empilement de couches minces constituant le revêtement électrode 100 transparent de la figure 2 est un empilement type de substrat bas-émissif, éventuellement trempable ou à tremper, monocouche fonctionnelle, tel qu'on peut le trouver dans le commerce, pour des applications dans le domaine des vitrages architecturaux pour bâtiment. Deux exemples, numérotés 1 et 2, ont été réalisés sur la base de la structure d'empilement monocouche fonctionnelle illustrée : - pour l'exemple 1 sur la figure 1, et - 19 - - pour l'exemple 2 sur la figure 2, excepté en ce que l'empilement ne comportait pas de revêtement de sur-blocage. Par ailleurs, dans tous les exemples ci-après les couches sont déposées sur un substrat 10', 10 en verre sodo-calcique clair d'une épaisseur de 4 mm. Les indices donnés ci-après ont été mesurés à la longueur d'onde habituelle de 550 nm. Le revêtement électrode 100' de l'exemple 1 est à base d'oxyde de zinc dopé à l'aluminium, conducteur. L'empilement constituant un revêtement électrode 100 de l'exemple 2 est constitué d'un empilement de couches minces comportant dans l'ordre : - une couche 24 qui est une couche à base d'oxyde de titane, diélectrique, d'indice n = 2,4 ; - une couche 26 qui est une couche de mouillage à base d'oxyde, notamment à base d'oxyde de zinc, éventuellement dopé, diélectrique, d'indice n = 2 ; - éventuellement un revêtement de blocage (non illustré) sous-jacent, par exemple à base de Ti ou à base d'un alliage de NiCr pourrait être disposé directement sous la couche fonctionnelle 40, mais n'est pas prévu ici ; ce revêtement est en général nécessaire s'il n'y a pas de couche de mouillage 26, mais n'est pas forcément indispensable ; - la couche fonctionnelle 40 unique, à base d'argent, est ainsi ici disposée directement sur le revêtement de mouillage 26 ; - un revêtement de blocage 50 sus-jacent à base de Ti ou à base d'un alliage de NiCr pourrait être disposé directement sur la couche fonctionnelle 40 mais n'est pas prévu dans les exemples réalisés ; - une couche 66, conductrice, à base d'oxyde de zinc dopé à l'aluminium, d'indice n = 2 ; sa résistivité étant comprise entre 0,35 10-3 Q.cm et 2,5 10-3 Q.cm, en particulier sensiblement voisine de 10-3 Q.cm, cette couche étant déposée ici à partir d'une cible céramique (composée d'environ 2 % d'aluminium, 49 % de zinc et 49 % d'oxygène) sous atmosphère d'argon directement sur la couche fonctionnelle 40 ; puis - 20 - - une couche de terminaison 68, diélectrique, à base d'oxyde de zinc et d'étain, SnXZnyOZ, d'indice n = 2,1, présentant une résistivité de l'ordre de 1 Q.cm, cette couche étant déposée ici à partir d'une cible métallique (composée d'environ 50 % d'étain, 50 % de zinc) sous atmosphère composé à 25 % d'oxygène (02) et 75 % d'argon. Dans les exemples, le matériau photovoltaïque 200 est à base de Tellure de Cadmium. L'efficacité quantique QE de ce matériau est illustrée en figure 3, avec celle du silicium microcristallisé (dont la taille de cristallite est de l'ordre de 100 nm), et du silicium amorphe (c'est-à-dire non cristallisé), autres matériaux photovoltaïques qui conviennent aussi dans le cadre de l'invention. Il est rappelé ici que l'efficacité quantique QE est d'une manière connue l'expression de la probabilité (entre 0 et 1) qu'un photon incident avec une longueur d'onde selon l'abscisse soit transformé en paire électron-trou. Comme on peut le voir en figure 3, la longueur d'onde maximum d'absorption Xm, c'est-à-dire la longueur d'onde à laquelle l'efficacité quantique est maximum : du silicium amorphe a-Si est de 520 nm, du silicium microcristallisé pc-Si est de 720 nm, et - du Tellure de Cadmium CdTe est de 600 nm. Dans une première approche du chemin optique de l'empilement, cette longueur d'onde maximum d'absorption Xm est suffisante. Le revêtement antireflet 20 disposé en dessous de la couche fonctionnelle métallique 40 en direction du substrat présente alors une épaisseur optique égale à environ un huitième de la longueur d'onde maximum d'absorption Xm du matériau photovoltaïque et le revêtement antireflet 60 disposé au-dessus de la couche fonctionnelle métallique 40 à l'opposé du substrat présente alors une épaisseur optique égale à environ la moitié de la longueur d'onde maximum d'absorption %m du matériau photovoltaïque. -21 - Le tableau 1 ci-après résume les plages préférées des épaisseurs optiques en nm, pour chaque revêtement 20, 60, en fonction de ces trois matériaux. matériau a-Si pc-Si CdTe Revêtement Xm/2 260 360 300 0,45Xm 234 324 270 60 0,55Xm 286 396 330 Revêtement Xm/8 65 90 75 0, 075Xm 39 54 45 20 0,175Xm 91 126 105 Tableau 1 Toutefois, il se trouve que la définition optique de l'empilement peut être améliorée en considérant l'efficacité quantique pour obtenir une efficacité réelle améliorée en convoluant cette probabilité par la distribution en longueur d'onde de la lumière solaire à la surface de la terre. Ici, nous utilisons le spectre solaire normalisé AM 1.5. Dans ce cas, le revêtement antireflet 20 disposé en dessous de la couche fonctionnelle métallique 40 en direction du substrat présente une épaisseur optique égale à environ un huitième de la longueur d'onde maximum XM du produit du spectre de l'absorption du matériau photovoltaïque par le spectre solaire et le revêtement antireflet 60 disposé au-dessus de la couche fonctionnelle métallique 40 à l'opposé du substrat présente une épaisseur optique égale à environ la moitié de la longueur d'onde maximum XM du produit du spectre de l'absorption du matériau photovoltaïque par le spectre solaire. Comme on peut le voir en figure 4, la longueur d'onde maximum XM du produit du spectre de l'absorption du matériau photovoltaïque par le spectre solaire, c'est-à-dire la longueur d'onde à laquelle l'efficacité est maximum : - du silicium amorphe a-Si est de 530 nm, - 22 - du silicium microcristallisé pc-Si est de 670 nm, et du Tellure de Cadmium CdTe est de 610 nm. Le tableau 2 ci-après résume les plages préférées des épaisseurs 5 optiques en nm, pour chaque revêtement 20, 60, en fonction de ces trois matériaux. matériau a-Si pc-Si CdTe Revêtement XM/2 265 335 305 0,45XM 239 302 275 60 0, 55XM 292 369 336 Revêtement XM/8 66 84 76 0, 075XM 40 50 46 20 0,175XM 93 117 107 Tableau 2 10 Dans tous les exemples, une couche antireflet de base 22 à base d'oxyde de silicium a été déposée directement sur le substrat. Les conditions de dépôt de ces couches sont connues de l'homme du métier puisqu'il s'agit de réaliser des empilements identiques ou similaires à 15 ceux utilisés pour les applications bas-émissive ou de contrôle solaire. A ce titre, l'homme du métier peut se référer aux demandes de brevets EP 718 250, EP 847 965, EP 1 366 001, EP 1 412 300, ou encore EP 722 913. Le tableau 3 ci-après résume les matériaux et les épaisseurs physiques mesurées en nanomètres de chacune des couches de chacun des exemples 1 20 et 2 et le tableau 4 expose les principales caractéristiques de ces exemples. La caractéristique de performance P est calculée par la méthode dite TSQE où l'on opère le produit de l'intégration du spectre sur tout le - 23 -domaine de rayonnement considéré avec l'efficacité quantique QE de la cellule. La caractéristique de réflexion lumineuse RL est mesurée selon l'illuminant D65. Tous les exemples, 1 et 2, ont subi un test de résistance des revêtements électrodes aux contraintes générées durant le fonctionnement de la cellule (notamment la présence d'un champ électrostatique), pratiqué conformément à ce qui est illustré en figure 5. Pour ce test, un morceau de substrat 10, 10' par exemple de 5cmx5cm et revêtu respectivement du revêtement électrode 100, 100', mais sans matériau photovoltaïque 200 est déposé sur une plaque métallique 5 disposée sur source de chaleur 6 à environ 200 C. Il s'agit d'appliquer pendant 20 minutes un champ électrique au substrat 10, 10' revêtu du revêtement électrode 100, 10' en réalisant un contact électrique 102 à la surface de ce dernier et en reliant ce contact 102 et la plaque métallique 5 aux bornes d'une alimentation électrique 7 délivrant du courant continu d'environ 200 V. A la fin du test, une fois l'échantillon refroidi, la proportion de revêtement restant est mesurée sur toute la surface de l'échantillon. Cette proportion de revêtement restant post test de résistance est notée PRT. En outre, indépendamment du test précédant, un exemple 2 a subi un traitement thermique (U) consistant en un recuit à une température d'environ 620 C pendant 6 minutes, suivi d'un refroidissement brutal à l'air ambiant (20 C), simulant une opération de trempe. Les données mesurées après ce traitement thermique sont dans la dernière colonne du tableau 4. Le traitement thermique appliqué se trouve ainsi plus sollicitant que le traitement thermique habituel subit par le revêtement électrode dans le cadre du procédé de dépôt du revêtement photovoltaïque à base de Cadmium. -24- Couches / matériau Ex. 1 Ex. 2 200 : CdTe 5000 5000 68 : SnXZn~,OZ 10 66 : ZnO:Al 135 64 : ZnO:Al 1020 40 : Ag 7 26 : ZnO 7 24 : TiO2 27 22 : SiO2 110 110 Tableau 3 Ex. 2 Ex. 1 Avant TT Après TT RLI(ohms/^) 11,3 7,4 7,4 P(%) 83,9 84,1 84,8 R~ (%) 10,1 8 7,1 Tableau 4 Dans l'exemple 2, l'épaisseur optique du revêtement 60 au-dessus de la couche métallique fonctionnelle est de 291 nm (=135x2 + 10x2,1), et l'épaisseur optique du revêtement 20 en dessous de la couche métallique fonctionnelle est de 78,8 nm (=27 x 2,4 + 7 x 2). Cet exemple montre qu'il est possible d'obtenir un revêtement électrode constitué d'un empilement de couches minces et revêtu de Tellure de Cadmium qui présente une résistance par carré RE meilleure (- 2,6 ohms/1 et une performance P meilleure (+ 0,2 %) qu'un revêtement électrode TCO revêtu du même matériau (exemple 1). Les épaisseurs optiques des revêtements 20 et 60 de l'exemple 2 entrent dans les plages recommandées -25 - pour un matériau photovoltaïque 200 en CdTe selon le tableau 1 et le tableau 2. L'utilisation d'un matériau photovoltaïque à base de Cadmium, et notamment alliant du CdTe et du CdS, nécessite que le revêtement électrode supporte un traitement thermique car la mise en oeuvre de ce matériau photovoltaïque nécessite une étape à une température comprise entre 300 C et 700 C, conduite généralement dans une atmosphère contrôlée, non oxydante. Il se trouve que cette étape est, d'une manière surprenante, assez similaire à une étape de trempe telle que la connaît l'homme du métier spécialiste des substrats verriers pour véhicules ou pour bâtiments, même si généralement l'atmosphère de trempe n'est pas contrôlée. Il est ainsi particulier intéressant, lorsque le matériau photovoltaïque est à base de Cadmium, de choisir un empilement de couches minces connu pour des applications véhicules ou bâtiments et résistant au traitement thermique de trempe, appelé trempable ou à tremper . On constate ainsi que pour l'exemple 2, les variations des données lors du traitement thermique appliqué sont faibles. L'empilement choisi peut donc être considéré comme trempable . En outre, il est intéressant de remarquer que les empilements de couches minces formant revêtement électrode dans le cadre de l'invention présentent une réflexion lumineuse sans le matériau photovoltaïque moins élevée tant avant que après traitement thermique, que celle du revêtement électrode en TCO sans le matériau photovoltaïque. La figure 6 illustre une cellule photovoltaïque 1 en coupe pourvue d'un substrat 10 de face avant selon l'invention, par lequel pénètre un rayonnement incident R et d'un substrat de face arrière 20. Le matériau photovoltaïque 200, par exemple en silicium amorphe ou en silicium cristallin ou microcristallin ou encore en Tellure de Cadmium ou en - 26 - Diselenure de Cuivre Indium (CuInSe2 - CIS) ou en Cuivre-Indium-Gallium-Sélénium, est situé entre ces deux substrats. Il est constitué d'une couche de matériau semi-conducteur dopé n 220 et une couche de matériau semi-conducteur dopé p 240, qui vont produire le courant électrique. Les revêtements électrodes 100, 300 intercalés respectivement entre d'une part le substrat 10 de face avant et la couche de matériau semi-conducteur dopé n 220 et d'autre part entre la couche de matériau semi-conducteur dopé p 240 et le substrat de face arrière 20 complètent la structure électrique. Le revêtement électrode 300 peut être à base d'argent ou d'aluminium, ou peut aussi être constitué d'un empilement de couches minces comportant au moins une couche fonctionnelle métallique et conforme à la présente invention. La présente invention est décrite dans ce qui précède à titre d'exemple. Il est entendu que l'homme du métier est à même de réaliser différentes variantes de l'invention sans pour autant sortir du cadre du brevet tel que défini par les revendications. REVENDICATIONS 1. Cellule photovoltaïque (1) à matériau photovoltaïque absorbant, notamment à base de Cadmium, ladite cellule comportant un substrat (10) de face avant, notamment un substrat verrier transparent, comportant sur une surface principale un revêtement électrode (100) transparent constitué d'un empilement de couches minces comportant au moins une couche fonctionnelle métallique (40), notamment à base d'argent, et au moins deux revêtements antireflets (20, 60), lesdits revêtements antireflets comportant chacun au moins une couche antireflet (24, 26 ; 66, 68), ladite couche fonctionnelle (40) étant disposée entre les deux revêtements antireflets (20, 60), caractérisée en ce que le revêtement antireflet (60) disposé au-dessus de la couche fonctionnelle métallique (40) à l'opposé du substrat comporte au moins deux couches antireflet (66, 68), la couche antireflet (68) la plus éloignée de la couche fonctionnelle métallique (40) étant plus résistive que la couche antireflet (66) la plus proche de la couche fonctionnelle métallique (40). 2. Cellule photovoltaïque (1) selon la revendication 1, caractérisée en ce que la couche antireflet (68) la plus éloignée de la couche fonctionnelle métallique (40) présente une résistivité égale au moins à 5 fois, voire au moins à 10 fois, voire au moins à 100 fois, la résistivité de la couche antireflet (66) la plus proche de la couche fonctionnelle métallique (40). 3. Cellule photovoltaïque (1) selon la revendication 1 ou la revendication 2, caractérisée en ce que la couche antireflet (68) la plus éloignée de la couche fonctionnelle métallique (40) présente une résistivité p comprise entre 5.10-3 Q.cm et 10 Q.cm. 4. Cellule photovoltaïque (1) selon l'une quelconque des revendications précédentes, caractérisée en ce que la couche antireflet (66) la plus proche de la couche fonctionnelle métallique (40) présente une- 28 -résistivité p comprise entre 10-5 0.cm et 5.10-3 0.cm en excluant cette dernière valeur. 5. Cellule photovoltaïque (1) selon l'une quelconque des revendications précédentes, caractérisée en ce que la couche antireflet (66) la plus proche de la couche fonctionnelle métallique (40) et la couche antireflet (68) la plus éloignée de la couche fonctionnelle métallique (40) sont à base du même oxyde, notamment à base d'oxyde de zinc ZnO, d'oxyde d'étain SnO2, d'oxyde de titane TiO2, d'oxyde de gallium Ga2O3, d'oxyde d'indium In2O3i d'oxyde de silicium SiO2, ou à base d'un oxyde mixte d'indium et d'étain ITO, d'un oxyde mixte de gallium et de zinc GZO, d'un oxyde mixte d'indium et de zinc IZO, d'un oxyde mixte de zinc et d'étain Sn2ZnO4i d'un oxyde mixte d'indium, de gallium et de zinc IGZO, cet oxyde étant éventuellement non stoechiométrique. 6. Cellule photovoltaïque (1) selon l'une quelconque des revendications précédentes, caractérisée en ce que la couche antireflet (68) la plus éloignée de la couche fonctionnelle métallique (40) présente une épaisseur optique représentant entre 2 et 50 % de l'épaisseur optique du revêtement antireflet (60) le plus éloigné du substrat et notamment une épaisseur optique représentant entre 2 et 25 % de l'épaisseur optique du revêtement antireflet (60) le plus éloigné du substrat. 7. Cellule photovoltaïque (1) selon l'une quelconque des revendications précédentes, caractérisée en ce que la couche antireflet (68) la plus éloignée de la couche fonctionnelle métallique (40) présente une épaisseur réelle comprise entre 2 et 100 nm, et de préférence comprise entre 5 et 50 nm. 8. Cellule photovoltaïque (1) selon l'une quelconque des revendications précédentes, caractérisée en ce que le revêtement antireflet (60) disposé au-dessus de la couche fonctionnelle métallique (40) à l'opposé du substrat présente une épaisseur optique égale à environ la moitié de la longueur d'onde maximum X,m d'absorption du matériau photovoltaïque. 15,MAI. 2008 15:17 SGR BREVETS 33-1-48346696 N 844 P2919114 i 1 9. Cellule photovoltaïque (1) selon l'une quelconque des revendications précédente, caractérisée en ce que le revêtement antireflet (60) disposé au-dessus de la couche fonctionnelle métallique (40) à l'opposé du substrat présente une épaisseur optique égale à environ la moitié 5 de la longueur d'onde maximum lm du produit du spectre de l'absorption du matériau photovoltaïque par te spectre solaire. 10. Cellule photovoltaïque (1) selon l'une quelconque des revendications précédentes, caractérisée en ce que ledit revêtement antireflet (60) disposé au-dessus de la couche fonctionnelle métallique (40) 10 présente une épaisseur optique comprise entre 0,45 et 0,55 fois la longueur d'onde maximum 4m d'absorption du matériau photovoltaïque, en incluant ces valeurs et de préférence ledit revêtement antireflet (60) disposé au-dessus de la couche fonctionnelle métallique (40) présente une épaisseur optique comprise entre 0,45 et 0,55 fois la longueur d'onde maximum 7w du 15 produit du spectre de l'absorption du matériau photovoltaïque par le spectre solaire, en incluant ces valeurs. 11. Cellule photovoltaïque (1) selon l'une quelconque des revendications précédente, caractérisée en ce que te revêtement antireflet (20) disposé en dessous de la couche fonctionnelle métallique (40) 20 en direction du substrat présente une épaisseur optique égale à environ un huitième de la longueur d'onde maximum 7Lm d'absorption du matériau photovoltaïque. 12. Cellule photovoltaïque (1) selon l'une quelconque des revendications précédente, caractérisée en ce que le revêtement 25 antireflet (20) disposé en dessous de la couche fonctionnelle métallique (40) en direction du substrat présente une épaisseur optique égale à environ un huitième de la longueur d'onde maximum XM du produit du spectre de l'absorption du matériau photovoltaïque par le spectre solaire. 13. Cellule photovoltaïque (1) selon l'une quelconque des 30 revendications précédentes, caractérisée en ce que ledit revêtement - 29 -- 30 - antireflet (20) disposé en dessous de la couche fonctionnelle métallique (40) présente une épaisseur optique comprise entre 0,075 et 0,175 fois la longueur d'onde maximum Xm d'absorption du matériau photovoltaïque, en incluant ces valeurs et de préférence ledit revêtement antireflet (20) disposé en dessous de la couche fonctionnelle métallique (40) présente une épaisseur optique comprise entre 0,075 et 0,175 fois la longueur d'onde maximum Xm du produit du spectre de l'absorption du matériau photovoltaïque par le spectre solaire, en incluant ces valeurs. 14. Cellule photovoltaïque (1) selon l'une quelconque des revendications précédentes, caractérisée en ce que le revêtement électrode (100) comporte directement sur ledit substrat (10) une couche antireflet de base (22) présentant un indice de réfraction n22 faible proche de celui du substrat, ladite couche antireflet de base (22) étant de préférence à base d'oxyde de silicium ou à base d'oxyde d'aluminium ou à base d'un mélange des deux. 15. Cellule photovoltaïque (1) selon la revendication précédente, caractérisée en ce que ladite couche antireflet de base (22) présente une épaisseur physique comprise entre 50 et 300 nm. 16. Cellule photovoltaïque (1) selon l'une quelconque des revendications précédentes, caractérisée en ce que la couche fonctionnelle (40) est déposée au-dessus d'une couche de mouillage (26) à base d'oxyde, notamment à base d'oxyde de zinc, éventuellement dopé. 17. Cellule photovoltaïque (1) selon l'une quelconque des revendications précédentes, caractérisée en ce que la couche fonctionnelle (40) est disposée directement sur au moins un revêtement de blocage (30) sous-jacent et/ou directement sous au moins un revêtement de blocage (50) sus-jacent. 18. Cellule photovoltaïque (1) selon la revendication précédente, caractérisée en ce qu'au moins un revêtement de blocage (30, 50) est à base- 31 - de Ni ou de Ti ou est à base d'un alliage à base de Ni, notamment est à base d'un alliage de NiCr. 19. Cellule photovoltaïque (1) selon l'une quelconque des revendications précédentes, caractérisée en ce que le revêtement (20) sous la couche fonctionnelle métallique en direction du substrat comporte une couche à base d'oxyde mixte, en particulier à base d'oxyde mixte de zinc et d'étain (ZTO) ou d'oxyde mixte d'Indium et d'étain (ITO). 20. Cellule photovoltaïque (1) selon l'une quelconque des revendications précédentes, caractérisée en ce que le revêtement (20) sous la couche fonctionnelle métallique en direction du substrat et/ou le revêtement (60) au-dessus de la couche fonctionnelle métallique comporte(nt) une couche à très haut indice de réfraction, notamment supérieur ou égal à 2,35, comme par exemple une couche à base d'oxyde de titane. 21. Cellule photovoltaïque (1) selon l'une quelconque des revendications précédentes, caractérisée en ce qu'elle comporte un revêtement à base de matériau photovoltaïque (200), notamment à base de Cadmium, au-dessus du revêtement électrode (100), à l'opposé du substrat (10). 22. Cellule photovoltaïque (1) selon l'une quelconque des revendications précédentes, caractérisée en ce que ledit revêtement électrode (100) est constitué d'un empilement pour vitrage architectural, notamment un empilement pour vitrage architectural trempable ou à tremper , et en particulier un empilement bas-émissif, notamment un empilement bas-émissif trempable ou à tremper . 23. Substrat (10) revêtu d'un empilement de couches minces pour une cellule photovoltaïque (1) selon l'une quelconque des revendications précédentes, notamment substrat pour vitrage architectural, notamment substrat pour vitrage architectural trempable ou à tremper , et en-32 - particulier un substrat bas-émissif, notamment un substrat bas-émissif trempable ou à tremper . 24. Utilisation d'un substrat revêtu d'un empilement de couches minces pour réaliser un substrat (10) de face avant de cellule photovoltaïque (1), en particulier une cellule photovoltaïque (1) selon l'une quelconque des revendications 1 à 22, ledit substrat comportant un revêtement électrode (100) transparent constitué d'un empilement de couches minces comportant au moins une couche fonctionnelle métallique (40), notamment à base d'argent, et au moins deux revêtements antireflets (20, 60), lesdits revêtements antireflets comportant chacun au moins une couche antireflet (24, 26 ; 66, 68), ladite couche fonctionnelle (40) étant disposée entre les deux revêtements antireflets (20, 60), le revêtement antireflet (60) disposé au-dessus de la couche fonctionnelle métallique (40) à l'opposé du substrat comportant au moins deux couches antireflet (66, 68), la couche antireflet (68) la plus éloignée de la couche fonctionnelle métallique (40) étant plus résistive que la couche antireflet (66) la plus proche de la couche fonctionnelle métallique (40). 25. Utilisation selon la revendication précédente dans laquelle le substrat (10) comportant le revêtement électrode (100) est un substrat pour vitrage architectural, notamment un substrat pour vitrage architectural trempable ou à tremper , et en particulier un substrat bas-émissif notamment trempable ou à tremper . 26. Utilisation selon la revendication 24 ou 25 dans laquelle le revêtement antireflet (60) disposé au-dessus de la couche fonctionnelle métallique (40) à l'opposé du substrat présentant une épaisseur optique égale à environ la moitié de la longueur d'onde maximum d'absorption du matériau photovoltaïque.