FR 2918449 A1 20090109 FR 0756214 A 20070702 DISPOSITIF DE DETECTION DE RAYONNEMENT INFRAROUGE A DETECTEURS BOLOMETRIQUES DOMAINE DE L'INVENTION La présente invention concerne un dispositif de détection de rayonnement infrarouge mettant en oeuvre des détecteurs bolométriques. Elle trouve notamment son domaine d'application dans l'imagerie infrarouge. 10 ETAT ANTERIEUR DE LA TECHNIQUE Dans le domaine des détecteurs infrarouges, il est connu d'utiliser des dispositifs agencés sous forme matricielle, et susceptibles de fonctionner à température ambiante, c'est-à-dire ne nécessitant pas de refroidissement à de très basses températures, 15 contrairement aux dispositifs de détection appelés "détecteurs infrarouge quantiques" qui eux, nécessitent un fonctionnement à très basse température, typiquement celle de l'azote liquide. Ces détecteurs non refroidis utilisent traditionnellement la variation d'une grandeur 20 physique d'un matériau approprié, en fonction de la température, au voisinage de 300K. Dans le cas des détecteurs bolométriques, cette grandeur physique est la résistivité électrique. Un tel détecteur non refroidi associe généralement : 25 - des moyens d'absorption du rayonnement infrarouge et de conversion de celui- ci en chaleur ; - des moyens d'isolation thermique du détecteur, de telle sorte à permettre à celui- ci de s'échauffer sous l'action du rayonnement infrarouge à détecter ; - des moyens de thermométrie qui, dans le cadre d'un détecteur bolométrique, 30 mettent en oeuvre un élément résistif ; -et des moyens de lecture des signaux électriques fournis par les moyens de thermométrie. Les détecteurs destinés à l'imagerie infrarouge sont classiquement réalisés sous la forme 35 d'une matrice de détecteurs élémentaires selon une ou deux dimensions, ladite matrice étant formée de manière dite "monolithique" ou reportée sur un substrat généralement réalisé en silicium, dans lequel sont constitués des moyens d'adressage séquentiel des détecteurs élémentaires et des moyens d'excitation électrique et de pré-traitement des signaux électriques générés par ces détecteurs élémentaires. Ces moyens d'adressage séquentiel, d'excitation électrique et de pré-traitement sont donc formés sur le substrat et constituent un circuit de lecture. Pour obtenir une scène par l'intermédiaire de ce détecteur, on projette la scène à travers une optique adaptée sur la matrice de détecteurs élémentaires, chacun d'entre eux constituant un point image ou pixel, et des stimuli électriques cadencés sont appliqués par l'intermédiaire du circuit de lecture à chacun des détecteurs élémentaires, ou à chaque rangée de tels détecteurs, afm d'obtenir un signal électrique constituant l'image de la température atteinte par chacun desdits détecteurs élémentaires. Ce signal est traité de manière plus ou moins élaborée par le circuit de lecture, puis éventuellement par un dispositif électronique extérieur au boîtier afm de générer l'image thermique de la scène observée. La difficulté essentielle de mise en oeuvre des détecteurs bolométriques réside dans la très faible variation relative de leur résistance électrique, représentative des variations locales de température d'une scène observée, par rapport à la valeur moyenne de ces résistances. La présence par construction d'une résistance thermique finie entre le bolomètre et le substrat, implique que la température du bolomètre est influencée par la température du substrat, et ceci de manière beaucoup plus sensible que les variations de température dues au flux incident, qui seules sont à prendre en considération du point de vue signal à détecter. Les fluctuations résiduelles de température du substrat, dans des conditions ordinaires de stabilisation thermique, a fortiori si le détecteur est exempt d'un tel système de stabilisation thermique, situation de plus en plus fréquente dans ce type de détecteurs afm d'en diminuer le coût, produisent en conséquence sur le signal issu du bolomètre une composante inutile, qui nuit à la qualité du signal. Pour éviter ou au moins limiter cet effet, le substrat est traditionnellement régulé thermiquement. De plus, des structures dites de compensation sont mises en oeuvre pour atténuer les effets de la température du plan focal sur la réponse du circuit. Ces structures, usuellement des bolomètres dits aveugles , c'est-à-dire insensibles au flux optique incident, mais sensibles à la température du substrat, sont utilisées pour générer un courant dit de compensation, qui est soustrait du courant issu des bolomètres d'imagerie, c'est à dire des bolomètres de détection, grâce à la configuration du circuit électronique. Typiquement, ces structures de compensation sont construites de façon à présenter une résistance thermique très faible par rapport au substrat, contrairement aux bolomètres d'imagerie. De cette manière, l'essentiel du courant dit de mode commun , c'est à dire non représentatif des informations provenant de la scène à détecter, est éliminé. Par ailleurs et avantageusement, les structures de compensation étant essentiellement à la température du circuit de lecture, et donc du plan focal, on obtient directement une réjection notable des éventuelles fluctuations de température de ce dernier. Il est connu de disposer ces structures de compensation à l'identique de manière répétitive dans chaque colonne de la matrice, de manière à limiter la complexité et l'encombrement total du circuit. Chaque colonne de bolomètres est séquentiellement compensée, lors du balayage électronique ligne par ligne de l'image, à l'aide d'une même structure de compensation. Les structures de compensation présentent cependant, naturellement, une dispersion spatiale de résistance, liée aux procédés technologiques mis en oeuvre dans leur élaboration (qui relèvent habituellement de l'industrie du semi-conducteur). En outre, les bolomètres aveugles, tout comme les bolomètres d'imagerie, ainsi que certaines fonctions du circuit de lecture, présentent des phénomènes de bruit en général, et de bruit dit en 1/f en particulier. Le bruit en 1/f est typiquement la source d'une dérive basse fréquence, et particulièrement très basse fréquence, du niveau de sortie des capteurs, qui nuit à la qualité de l'imageur. Il résulte de la disposition par colonne de la compensation, un impact négatif sur la qualité de l'image, à cause des variations basse fréquence, asynchrones entre colonnes, du signal compensé. Outre les éventuelles dispositions de conception et de mise en oeuvre particulières déployées pour réduire cette dispersion, des algorithmes de compensation doivent en général être développés et appliqués en sortie d'imageur afm d'améliorer la qualité d'image. Les circuits de lecture pour capteurs à bolomètres résistifs exploitant des bolomètres aveugles ont été décrits, par exemple dans les publications suivantes : • Uncooled amorphous silicon technology enhancement for 25 pm pixel pitch achievement , E. MOTTIN et al ; Infrared Technology and Applications XXVIII, SPIE Vol. 4820 ; 25 • "320 x 240 uncooled microbolometer 2D array for radiometric and process control applications" B. FIEQUE et al; Optical Systems Design Conference, SPIE 5251, Sept 29 ; • "Low cost amorphous silicon based 160 x 120 uncooled microbolometer 2D array 5 for high volume applications" C. TROUILLEAU et al; Optical Systems Design Conference SPIE 5251-16. On a représenté schématiquement en relation avec la figure 1 le principe de lecture d'une matrice active de bolomètres. 10 Le pixel 1 (le terme pixel doit s'entendre par extension comme l'ensemble des structures disposées dans l'emprise d'un point élémentaire de détection) comporte un bolomètre actif 2, un transistor NMOS d'injection 3 et un interrupteur 4 reliant le pixel 1 à la colonne de lecture 5, représentée ici en pointillé. La structure de 15 compensation 6, également dénommée d'ébasage, selon une autre terminologie du domaine technique considéré, comporte un bolomètre aveugle 7 relié à une alimentation VSK et un transistor PMOS d'injection 8. En mode de fonctionnement nominal, le PMOS fonctionne en régime saturé. Le courant Icomp, qui circule dans la branche de compensation, est défini par l'expression : 20 Icomp = Vcomp Rcomp expression dans laquelle : • Vcomp désigne la tension aux bornes du bolomètre de compensation 7 ; • Rcomp désigne la résistance dudit bolomètre de compensation. Le courant circulant dans la branche active, qui comporte le transistor NMOS d'injection 3 s'exprime par la relation : lac = Vac Rac 30 dans laquelle : • Iac désigne le courant de la branche active ; • Vac désigne la tension aux bornes du bolomètre actif 2 ; • Rac désigne la résistance dudit bolomètre actif. Les tensions de polarisation des transistors MOS d'injection sont choisies pour qu'en l'absence de flux de scène incident, c'est à dire par exemple lorsque l'on obture optiquement le système, la différence de courant di = Icomplac entre la branche active et la branche aveugle de compensation soit sensiblement nulle. Lorsque l'on souhaite lire un bolomètre actif, l'opération se déroule en deux phases. La première phase consiste à actionner l'interrupteur de remise à zéro Reset 9 court-circuitant la capacité d'intégration 10 de l'amplificateur opérationnel 11. On a alors : Vout = Vbus La colonne de lecture en pointillé 5 est donc portée au potentiel VBUS. Ensuite on ouvre l'interrupteur Reset 9 et on ferme l'interrupteur de sélection Select 4 15 connectant le pixel 1 à la colonne de lecture 5. La différence de courant dI est alors intégrée sur une capacité Cint 10 durant un temps d'intégration fini Tiä t. L'intégration produit un niveau de sortie en tension de Niveau Continu ou NC, dans le cas de référence où l'on observe une scène à température uniforme, qui révèle typiquement les dispersions de la matrice d'imagerie. C'est le mode de caractérisation standard de 20 lecture des bolomètres actifs. NC = VBUS Tint .7j Cint ( G La polarisation des bolomètres est choisie de telle sorte à assurer à la fois une bonne 25 dynamique du signal de sortie et une compensation efficace. Une expression plus rigoureuse serait obtenue en considérant pour le dernier terme l'intégrale sur Tint de la fonction dI(t), car les courants lac et Ico,T,p ne sont pas constants. Cependant, pour la clarté de l'exposé, l'expression ci-dessus suffit à 30 expliciter les paramètres à prendre en considération. Ce système de lecture présente certaines limitations liées à la reproduction du motif de compensation par colonne sur le circuit de lecture. En effet chaque colonne dispose d'un bolomètre de compensation et de son transistor PMOS d'injection. La 35 reproduction imparfaite de ces différents éléments d'une colonne sur l'autre, inhérente aux dispersions spatiales intrinsèques des technologies de construction mises en oeuvre, engendre une dispersion dans l'efficacité de la compensation. Ces dispersions 10 statistiques se traduisent par un courant de compensation non uniforme d'une colonne à l'autre, faisant apparaître des contrastes colonnaires visibles, affectant ainsi le signal disponible. La dispersion ARro,,,p sur la résistance Rro,,,p se traduit par une variation de courant de la forme : Icomp û Vcomp Vcomp aR Albolo = û . ARcomp comp Rcomp 2 Rcomp a Le courant de compensation peut également s'exprimer en fonction de l'équation du courant dans le MOSFET d'injection selon l'expression suivante : Iomp = pcox . Wp (VSGP ùv )2 2 L thp P Expression dans laquelle : • p désigne la mobilité des porteurs positifs ; • C0Xdésigne la capacité d'oxyde de grille ; • Wp désigne la largeur du canal du PMOS ; • Lp désigne la longueur du canal du PMOS ; • VsGP désigne la tension de grille du PMOS ; • VtI,P désigne la tension de seuil du PMOS. De nombreux paramètres peuvent varier dans cette équation, engendrant une non-uniformité colonnaire du courant de compensation. Naturellement, les paramètres lithographiques Wp et Lp d'une colonne sur l'autre impliquent des différences de courant. La fluctuation de longueur du canal constitue également l'une des causes possibles de cette non-uniformité. Il existe des techniques connues de l'homme du métier afm de limiter ces dispersions. En revanche, la dispersion de tension de seuil VtI,P pose problème. Si on suppose une variation BVth de tension de seuil, la variation colonnaire de courant peut alors s'exprimer de la façon suivante : Blcomp = pCox . Wp e 2 L thp p Icomp p Cox .W p + ~thp 2 2 Lp Outre ces dispersions statiques, le circuit représenté sur la figure 1 est également sensible aux fluctuations basses fréquences liées au bruit en 1/f . La puissance de bruit en 1/f développée entre deux fréquences f,T,;11 et f,T,aX s'exprime par intégration de la densité spectrale de bruit entre ces deux bornes, selon la relation : Icomp 2 = f J max 4kBT R . Vcomp a d f _ 4kBT KF . R . Vcomp 2 f max " fn R R. f R R f min ) où : kB est la constante de Boltzmann ; • KF désigne le coefficient de bruit en 1/f du matériau. La puissance de bruit apportée par la structure de compensation, telle qu'exprimée par la relation ci-dessus, augmente d'un incrément constant pour chaque décade de fréquence supplémentaire comprise entre les deux bornes d'intégration f,T,;11 et f,T,aX. Or, les bolomètres de compensation sont polarisés en permanence, donc la borne inférieure de fréquence f,~,;11 de l'intégration peut donc être considérée très basse, dans la mesure où le composant reste sous tension sur une période prolongée, une fois le détecteur activé. Les perturbations par colonne (exprimées par l'homme du métier de manière analytique par la puissance de bruit ci-dessus) se manifestent comme un offset ou décalage, au premier ordre invariant d'une image sur l'autre, si l'on considère les fréquences inférieures à la fréquence trame, mais variable sur une période de temps plus étendue, lorsque la caméra intégrant un tel détecteur est en fonctionnement depuis plusieurs minutes. Outre cette limitation, la tendance du marché vers une augmentation du nombre de points des capteurs bolométriques, fait que les bolomètres de compensation de chaque colonne, efficaces sur de petits imageurs comme référence absolue de température, agissent comme des références locales de températures, du point de vue des bolomètres actifs les plus éloignés. Ainsi, si une source thermique d'origine quelconque, par exemple des éléments de circuiterie localement plus ou moins dissipatifs, peut influencer tout ou partie des bolomètres de compensation, ces derniers seront influencés en relation avec leur éloignement de la source de 5 perturbation, et reproduisent ainsi une distribution de courant de compensation inadaptée aux dispersions de température du substrat vues par les bolomètres sensibles, non concernés, ou en général de manière différente, par ladite source thermique. La présente invention vise un dispositif de détection mettant en oeuvre une unique structure de compensation, et permettant de s'affranchir des limitations de qualité des images, notamment liées aux différences de contraste colonnaires. 10 EXPOSE DE L'INVENTION Ce dispositif de détection infrarouge comprend une matrice de détecteurs bolométriques formée au dessus d'un substrat, dans lequel est réalisé un circuit de lecture à adressage séquentiel de chacune des lignes de ladite matrice, chacun des bolomètres actifs ou sensibles d'une même ligne étant polarisé simultanément, ladite 15 matrice étant associée à une structure de compensation destinée à dériver la majeure partie du courant électrique de fond ou courant de mode commun traversant chacun des détecteurs bolométriques de la matrice. Selon l'invention, un intégrateur de courant est associé à chacune des colonnes de la 20 matrice, destiné à intégrer la différence entre le courant traversant le bolomètre de la ligne en cours de lecture et un courant de compensation, obtenu par la copie simultanée, dans chaque colonne, d'un courant dit de référence (ITef), lui-même obtenu par un élément de circuiterie unique. 25 En d'autres termes, l'intégralité de la matrice de bolomètres est compensée par une structure unique, permettant ainsi d'éviter les contrastes colonnaires observables avec les détecteurs de l'état antérieur de la technique. Selon l'invention, l'élément de circuiterie unique comporte : 30 • un bolomètre dit de compensation, de résistance Reo,T,p, constitué par un seul ou plusieurs bolomètres élémentaires connectés ensemble ; • une ligne d'alimentation (VSK) connectée à l'une des bornes de ladite résistance l~comp ; • un transistor d'injection, connecté à l'autre borne de ladite résistance, de manière 35 à imposer le courant de référence (Iref) à travers ladite résistance Reo,T,p, via une tension (GSK) sur sa grille ; • un convertisseur courant - tension convertissant ledit courant de référence en une tension de référence (Vréf). Selon l'invention, la copie (ou duplication) dans chaque colonne du courant de référence (ITef), est obtenue par des miroirs de courant disposés dans chaque colonne, comportant chacun un convertisseur tension (Vréf) - courant (Iréf). Selon une caractéristique avantageuse de l'invention, le miroir de courant mis en oeuvre dans chacune des colonnes est un miroir de courant différentiel. BREVE DESCRIPTION DES FIGURES La manière de réaliser l'invention et les avantages qui en découlent ressortiront mieux des exemples de réalisation qui suivent, donnés à titre indicatif et non limitatif à l'appui des figures annexées. La figure 1 déjà décrite est une représentation schématique du principe de lecture d'une 15 matrice active de bolomètres. La figure 2 est une représentation schématique analogue de la figure 1, mais illustrant le principe général de l'invention. La figure 3 représente une vue analogue à la figure 2 d'une autre forme de réalisation de l'invention, illustrant la source de courant et le miroir de courant différentiel de la 20 structure de référence, et le miroir différentiel de la structure par colonne. DESCRIPTION DETAILLEE DE L'INVENTION Dans la suite de la description, le même numéro de référence identifie des éléments 25 identiques ou de même nature fonctionnelle lorsque cela peut s'appliquer. De manière générale, et ainsi que déjà précisé, la matrice de détecteurs bolométriques est formée sur un substrat en silicium, dans lequel est réalisé le circuit de lecture. Ce substrat est traditionnellement recouvert, au niveau des structures actives, c'est à dire à l'aplomb de la 30 zone optiquement sensible, d'une couche métallique réfléchissante. Cette dernière est destinée, de manière connue, à former une cavité quart-d'onde entre le substrat et les parties absorbantes du détecteur. Les zones optiquement actives sont formées d'un pavage de membranes suspendues, 35 comportant au dessus du circuit de lecture, un matériau bolométrique. Ces membranes sont supportées au moyen de structures essentiellement verticales, conductrices de l'électricité. Ces structures, réalisées à l'aide d'un matériau métallique, sont destinées en outre à amener les potentiels d'excitation générés par le circuit de lecture vers les parties conductrices, également dénommées électrodes, de la membrane de chaque détecteur bolométrique élémentaire, via des structures allongées, également conductrices électriquement, mais résistantes thermiquement. Cette résistance thermique, dite aussi isolation thermique , est destinée à permettre l'échauffement du bolomètre sous l'effet du rayonnement infra-rouge à détecter. Le circuit de lecture applique de manière séquentielle un courant électrique qui traverse la structure suspendue. Ce courant circule à travers un matériau, dont la résistivité varie avec la température, qu'on appelle matériau bolomètrique. Les matériaux les plus répandus pour cet usage sont l'oxyde de vanadium (formule générique VOX) et le silicium amorphe (a-Si). Cette matrice est pourvue d'une structure de compensation, destinée à dériver la majeure 15 partie du courant électrique de mode commun traversant chacun des détecteurs bolométriques qui la constitue, et dont le principe est décrit en relation avec la figure 2. Cette structure de compensation est unique pour l'intégralité de la matrice. 20 Selon une caractéristique de l'invention, cette structure unique de compensation 18 comporte un bolomètre de compensation 12, aveugle, et plus précisément insensible au rayonnement infrarouge, de résistance Reo,,,p, constitué par un seul ou plusieurs bolomètres élémentaires connectés ensemble. Une ligne d'alimentation électrique 13 (VSK) est connectée à l'une des bornes de ladite résistance Reo,,,p. L'autre borne de 25 ladite résistance est connectée à un transistor d'injection 14, de telle sorte à imposer un courant de référence (ITef) à travers la résistance Reo,,,p du bolomètre de compensation 12 via une tension de grille (GSK) appliquée sur la grille dudit transistor. Ce faisant, le bolomètre aveugle 12 est constamment polarisé à l'aide du transistor d'injection 14 piloté par la tension de grille (GSK). 30 Un convertisseur courant - tension 15 convertit le courant de référence (ITef) en une tension de référence (Vref). Ce courant de référence (ITef) est dupliqué pour chacune des colonnes au moyen d'un 35 miroir de courant 16 disposé dans lesdites colonnes 5, comportant chacun un convertisseur tension (Vref) - courant (ITef). Les miroirs de courant sont bien connus de l'homme du métier, de sorte qu'il n'y a pas lieu de les décrire ici plus en détail. Il convient simplement de rappeler qu'un tel miroir de courant est un circuit particulier, en l'espèce constitué de transistors, permettant de refléter (dupliquer) le courant de référence (ITef) en un courant de sortie, idéalement égal, et en tout cas proportionnel au courant de référence, indépendamment de la charge connectée au courant de sortie, et en l'espèce à l'intégrateur décrit ci-après. En effet, un intégrateur de courant 19, formé de l'amplificateur 11 et de la capacité 10, est associé à chacune des colonnes 5 de la matrice. Celui-ci est destiné à intégrer la différence entre le courant traversant le bolomètre actif 2 de la ligne en cours de lecture et le courant de référence (ITef), provenant du miroir de courant. Le courant de référence (ITef) est donc copié selon un courant I2 dans toutes les colonnes de la matrice à l'aide du miroir de courant 16. Chacune desdites colonnes dispose d'un miroir de courant supplémentaire 17 pour retourner le sens du courant I2 vers un courant I3 de compensation, afm de rendre le courant de référence (ITef) compatible avec la structure d'intégration classiquement utilisée. II n'y a donc plus de bolomètres de compensation dans chacune des colonnes, mais un 20 seul bolomètre de compensation pour toute la matrice. Il convient de souligner que le miroir de courant 17 n'est nécessaire que si le bolomètre actif 2 est référencé à la masse du détecteur, condition non nécessaire au fonctionnement de celui-ci. Ainsi, il est possible de référencer le bolomètre actif 2 à la 25 tension VSK ou tout autre potentiel supérieur à VBUS afm de supprimer le miroir de courant 17 en connectant directement le transistor du miroir de courant 16 à la colonne 5. Avec le dispositif particulier de l'invention, on s'affranchit des dispersions liées aux 30 bolomètres de compensation distribués. Ainsi, on observe la suppression de l'une des sources de dispersion colonnaire, constituant l'un des inconvénients des matrices de détection de l'état antérieur de la technique. De plus, la suppression de tels bolomètres de compensation traditionnellement 35 associés à chaque colonne permet de générer un gain de place conséquent en terme de surface de substrat consommée. Il est en effet rappelé que ces structures de compensation doivent présenter un niveau de bruit basse fréquence aussi modéré que possible pour ne pas nuire aux performances globales de l'imageur. Or, cet objectif exige le recours à un volume relativement élevé de matériau sensible pour l'élaboration de structures de compensation peu bruyantes, et donc corollairement, d'une surface conséquente, puisque les structures sont traditionnellement élaborées à partir de couches fines. La forme de réalisation de l'invention telle qu'illustrée au sein de la figure 2, peut présenter des limitations nées de la dispersion géométrique et technologique des multiples structures MOS qu'elle met en oeuvre. Le miroir de courant utilisé pour distribuer le courant sur chaque colonne ne saurait être apparié grâce aux techniques de dessin rapproché, connues de l'homme du métier, car la distance entre les deux branches dudit miroir de courant peut atteindre facilement plusieurs millimètres dans les applications courantes. Par ailleurs, dans le cadre de la distribution du courant par structure miroir, il est impossible d'exploiter les techniques connues de contre-réaction, car la branche de référence est commune à tous les miroirs. Afm de surmonter ces limitations, l'invention propose, dans le cadre d'une forme de réalisation avantageuse illustrée au sein de la figure 3, de mettre en oeuvre un miroir de courant à faible dispersion, et à cet effet, utilise un miroir différentiel. Dans ce cadre, deux transistors proches peuvent être appariés grâce aux techniques de dessin connues et à un dimensionnement judicieux des transistors. En l'espèce, la structure de compensation de référence 18 est conservée. Elle constitue la source de courant de référence il = Iref. Elle est associée à un convertisseur courant û tension différentielle 22, comportant de manière connue, au moins un miroir de courant et des générateurs de courant. Plus précisément, ce convertisseur comprend : ^ une source de courant de mode commun Icom 24 ; ^ un additionneur de courant 25 assurant l'opération Icom + Iref/2 ; ^ un soustracteur de courant 26 assurant l'opération Icom û Iref/2. Ce convertisseur assure alors la conversion courant û tension, de telle sorte à défmir respectivement : ^ une tension de référence Vcmd+ correspondant au courant Icom + Iref/2 ; ^ une tension de référence Vcmd_ correspondant au courant Icom û Iref/2 ; ces deux tensions de références étant distribuées dans toutes les colonnes du détecteur. Il est donc constitué une structure unique et commune à tout le détecteur, et identifiée par la référence 20. Chacune des colonnes comporte un convertisseur tension û courant 23, comportant 5 chacun : ^ deux convertisseurs tension û courant 27, 28, assurant respectivement la conversion de la tension de référence Vemd+en un courant Ii = Icom + Iref/2, et de la tension de référence Vemd_ en un courant I2 = Icom - Iref/2 ; ^ un soustracteur de courant 29 assurant l'opération Ii û I. 10 Les détails de construction et les avantages inhérents aux miroirs de courant différentiels sont bien connus de l'homme du métier, de sorte qu'il n'y a pas lieu de les détailler davantage dans le cadre de la présente invention. 15 Le courant issu de ce convertisseur tension - courant 23 est dupliqué pour chacune des colonnes au moyen du miroir de courant 16 disposé également dans chacune desdites colonnes 5. Ce faisant, le courant de référence (ITef) est copié selon un courant il dans toutes les colonnes de la matrice à l'aide du miroir de courant 16. Chacune desdites colonnesdispose d'un miroir de courant supplémentaire 17 pour 20 retourner le sens du courant il vers un courant de compensation, afm de rendre le courant de référence (ITef) compatible avec la structure d'intégration 19 précédemment décrite. On constate que dans le cadre de cette forme particulière de réalisation, les transistors 25 entrant dans la constitution de la structure unique de compensation 20 sont très proches les uns des autres, et peuvent donc facilement être appariés. De même, les transistors 27 et 28 sont disposés dans chaque colonne, et peuvent donc également être appariés. En revanche, ces derniers ne peuvent être appariés aux transistors de la structure 20. Le fait de travailler non pas avec une tension Vref unique, mais avec une 30 double tension Vcmd+/Vcmd- différentielle, permet de limiter substantiellement l'influence de dispersions spatiales des structures électroniques élémentaires (MOS) distribuées dans chaque colonne, en particulier en termes de dispersion de tension de seuil. Ce faisant, on gagne en précision par rapport à la forme de réalisation de la figure 2, dans la mesure où dans cette dernière, il n'est pas possible d'apparier les 35 transistors 15 et 16, ce dernier étant distribué par colonne. Quel que soit le mode de réalisation retenu, on supprime le bolomètre de compensation de chaque colonne. Ce faisant, on supprime également le bruit en 1/f qu'il génère dans les structures classiques de détection, telles qu'illustrées en relation avec la figure 1. Certes, le bruit en 1/f est toujours présent lors du fonctionnement du bolomètre unique de compensation mis en oeuvre dans l'invention, mais d'une part ce bruit peut aisément être réduit à quantité négligeable par la mise en oeuvre d'un volume de matériau bolométrique suffisamment élevé, au prix d'une surface de substrat consommée très réduite par rapport à la surface totale de 1'imageur. En outre, cette surface consommée demeure de toutes façons tout à fait négligeable au regard de ce qu'exige la construction des structures bolométriques de compensation disposées dans chaque colonne dans les structures de l'état antérieur de la technique de la figure 1. Au surplus, son effet s'applique à tous les pixels de la matrice et non plus de manière décorrellée entre colonnes, l'effet résiduel éventuel étant beaucoup moins préjudiciable. Enfm, le bruit en 1/f ramené par les miroirs de courant, peut être minimisé à l'aide de techniques connues de l'homme du métier. Ainsi, l'invention trouve tout particulièrement application dans le domaine des 25 capteurs d'image à détection bolométrique, quelle que soit la bande optique de détection et le type de capteur bolométrique mis en oeuvre (notamment mais non limitativement à base de silicium amorphe (a-Si), d'oxydes de vanadium (Vox), de métaux (Ti)). 30 En outre, en raison de sa capacité d'adaptation à différentes températures de fonctionnement, l'invention s'applique aussi bien aux capteurs régulés thermiquement qu'aux capteurs opérant à température de plan focal variable. De plus, la capacité intrinsèque de faible bruit basse-fréquence en colonne permet 35 d'intégrer les détecteurs réalisés selon l'invention dans des caméras qui seraient dépourvues d'obturateur (ou selon l'expression anglo-saxonne shutter ).20 Mais bien entendu, l'invention reste parfaitement compatible avec les caméras traditionnelles munies d'un tel obturateur. Ce faisant, on aboutit à une diminution sensible du coût de fabrication de telles caméras, ainsi qu'à une simplification de leur mise en oeuvre par l'utilisateur.5 REVENDICATIONS 1. Dispositif de détection de rayonnement infrarouge comprenant une matrice de détecteurs bolométriques actifs formés au dessus d'un substrat, dans lequel est réalisé un circuit de lecture à adressage séquentiel de chacune des lignes de détecteurs de ladite matrice, chacun des bolomètres actifs d'une même ligne étant polarisé simultanément, caractérisé en ce qu'il comporte en outre un intégrateur de courant (19) associé à chacune des colonnes de la matrice, destiné à intégrer la différence entre le courant traversant le bolomètre de la ligne en cours de lecture et un courant de compensation, obtenu par la copie simultanée, dans chaque colonne, d'un courant dit de référence (ITef), lui-même obtenu par un élément de circuiterie unique (18). 2. Dispositif de détection de rayonnement infrarouge selon la revendication 1, caractérisé en ce que l'élément de circuiterie unique (18) comporte : • un bolomètre aveugle dit de compensation (12) constitué par un seul ou plusieurs bolomètres élémentaires connectés ensemble ; • une ligne d'alimentation (13) connectée à l'une des bornes de ladite résistance ; • un transistor d'injection (14), connecté à l'autre borne de ladite résistance, de manière à imposer le courant de référence (Iref) à travers ladite résistance, via une tension appliquée sur sa grille ; • un convertisseur courant - tension (15) convertissant ledit courant de référence en une tension de référence. 6. Dispositif de détection de rayonnement infrarouge selon l'une des revendications 1 et 2, caractérisé en ce que le courant de référence (Iref) est dupliqué dans chaque colonne de la matrice, par le biais de miroirs de courant (16) disposés dans chacune desdites colonnes, lesdits miroirs comportant chacun un convertisseur tension - courant. 7. Dispositif de détection de rayonnement infrarouge selon la revendication 3, caractérisé en ce que le miroir de courant mis en oeuvre dans chacune des colonnes est un miroir de courant différentiel.