FR 2919113 A1 20090123 FR 0709169 A 20071228 SUBSTRAT DE RESEAU POUR DISPOSITIF D'AFFICHAGE A CRISTAUX LIQUIDES ET SON PROCEDE DE FABRICATION La présente demande concerne un dispositif d'affichage à cristaux liquides (LCD : liquid crystal display) et un procédé de fabrication du dispositif d'affichage à cristaux liquides, et plus particulièrement, un substrat de réseau (arrav substrats) pour un dispositif d'affichage à cristaux liquides ayant un motif de passivation et un procédé de fabrication du substrat de réseau au travers d'un processus à trois masques. Des dispositifs d'affichage à cristaux liquides (LCD) utilisent les propriétés d'anisotropie optique et de polarisation de molécules de cristaux liquides pour produire une image. Les molécules de cristaux liquides ont des profils longs et minces et ont une direction d'alignement initiale qui comprend des angles de pré inclinaison initiaux. La direction d'alignement peut être commandée par application d'un champ électrique pour influencer l'alignement des molécules de cristaux liquides. En raison d'une propriété d'anisotropie optique d'un cristal liquide, la réfraction d'une lumière incidente dépend de la direction d'alignement des molécules de cristaux liquides. Ainsi, en commandant de manière appropriée le champ électri- que appliqué, une image avant une luminosité souhaitée peut être produite. Parmi les types connus de dispositifs d'affichage à cristaux liquides (dispositifs LCD), des dispositifs LCD à matrice active (AMùLCD : active matrrs L('D). qui ont des transistors en couches minces (TFT) et des électrodes de pixel agencés sous la forme d'une matrice, font l'objet d'une recherche et d'un développement important du fait de leur résolution élevée et de leur aptitude supérieure à afficher des images animées. Un substrat de réseau pour un dispositif d'affichage à cristaux liquides (LCD) peut être fabriqué au travers d'un processus à quatre masques et le procédé de fabrication sera illustré ciùaprès. La figure I est une vue en plan simplifiée représentant un substrat de réseau pour un dispositif d'affichage à cristaux liquides selon la technique apparentée. Sur la figure I, une ligne de grille 20. une électrode de grille 25 et une plage de contact de grille 52 sont formées sur un substrat 10. L'électrode de grille 25 s'étend depuis la ligne de grille 20 et la plage de contact de grille 52 est formée au niveau d'une extrémité de la ligne de grille 20. En outre. une ligne de données 30, une électrode de source 32, une électrode de drain 34 et une plage de contact de données 62 sont formées sur le substrat 10. La ligne de données 30 croise la ligne de grille 20 pour définir une région de pixel P L'électrode de source 32 s'étend depuis la ligne de 2 données 30 et l'électrode de drain 34 est écartée de l'électrode de source 32. La plage de contact de données 62 est formée au niveau d'une extrémité de la ligne de données 30. Une borne 54 de plage de contact de grille sur la plage de contact de grille 52 est reliée à la plage de contact de grille 52 au travers d'un trou de contact CH2 de plage de contact de grille, et une borne 64 de plage de contact de données sur la plage de contact de données 62 est reliée à la plage de contact de données 62 au travers d'un trou de contact CH3 de plage de contact de données. Un transistor en couches minces (TFT) T est relié à la ligne de grille 20 et à la ligne de données 30. Le TFT T comporte l'électrode de grille 25, une couche à semiûconducteurs 42 (sur la figure 2I), l'électrode de source 32 et l'électrode de drain 34. La couche à semiûconducteurs 42 est formée auûdessus de l'électrode de grille 25. et les électrodes de source 32 et de drain 34 viennent en contact avec la couche à semiûconducteurs 42. La couche à semiùconducteurs 42 comporte une couche active 40 de silicium amorphe intrinsèque (aùSi : H) et une couche de contact ohmique 41 (sur la 15 figure 21) d'un silicium amorphe dopé en impuretés (n+aùSi : H). En phis, la couche à semiûconducteurs 42 a le même profil que la ligne de données 30. la plage de contact de données 62. l'électrode de source 32 et l'électrode de drain 34 et est formée sous cellesûci. Précisément, la couche active 40 est exposée hors de la ligne de données 30. l'électrode de source 32 et l'électrode de drain 34. De plus, on expose 20 la couche active 40 entre l'électrode de source 32 et l'électrode de drain 34 en retirant partiellement un motif de contact ohmique 41b (sur la figure 2F) afin de définir une région de canal ch (sur la figure 2G) pour une circulation de courant. Une électrode de pixel 70 est formée dans la région de pixel P et reliée à l'électrode de drain 34 au travers d'un trou de contact de drain CH1. L'électrode de 25 pixel 70 chevauche la ligne de grille 20 correspondant à une région de pixel précédente pour définir un condensateur de stockage Cst comportant une partie chevauchée de la ligne de grille 20 en tant qu'une première électrode de condensateur et une partie chevauchée de l'électrode de pixel 70 en tant qu'une seconde électrode de condensateur. Les figures 2A à 2I sont des vues en coupe transversale simplifiées qui sont réalisées le long d'une ligne 11 à II sur la figure 1, représentant un procédé de fabrication d'un substrat de réseau pour un dispositif d'affichage à cristaux liquides utilisant un processus à quatre masques selon la technique apparentée. Sur la figure 2A représentant un premier processus à masque, une ligne de grille 20, une électrode de grille 25 et une plage de contact de grille 52 sont formées sur un substrat 10 avant une région de pixel P par dépôt et formation d'un motif sur un matériau métallique conducteur tel que du cuivre (Cu). du molybdène (Mu). de l'aluminium (AI), un alliage d'aluminium (Al) et du chrome (Cr). Bien que non repré- I)i z sentée sur la figure 2A, l'électrode de grille 25 s'étend depuis la ligne de grille 20 et la plage de contact de grille 52 est formée au niveau d'une extrémité de la ligne de grille 20. Une couche d'isolation de grille 45 est formée sur la ligne de grille 20, l'électrode de grille 25 et la plage de contact de grille 52. La couche d'isolation de grille 45 comporte un matériau d'isolation inorganique tel que du nitrure de silicium (SiNx) et de l'oxyde de silicium (SiO2). Les figures 2B à 2G représentent un second processus à masque. Sur la figure 2B, une couche de silicium intrinsèque 40a et une couche de silicium dopé 41a sont formées séquentiellement sur la couche d'isolation de grille 45. La couche de l0 silicium intrinsèque 40a comporte du silicium amorphe intrinsèque (a-Si : H) et la couche de silicium dopé 41a comporte une couche de silicium amorphe dopé en impuretés (n+a---Si : H). Par exemple, la couche de silicium intrinsèque 40a et la couche de silicium dopé 41a peuvent être formées séquentiellement dans la chambre où la couche d'isolation de grille 45 est formée en utilisant un procédé de dépôt 15 chimique en phase vapeur (CVD : chemical vupor déposition). Ensuite. une couche de métal de source-drain 75 est formée sur la couche de silicium dopé 41a. La couche de métal de source--drain 75 comporte un matériau métallique conducteur tel que le cuivre (Cu), le molybdène (Mo), l'aluminium (Al), un alliage d'aluminium (Al) et le chrome (Cr). 20 Sur la figure 2C, une couche de résine photosensible (PR : photoresixt ) 80 est formée sur la couche de métal de source -drain 75 et un masque HTM est disposé au-dessus de la couche PR 80. Le masque HTM a une zone transmissive A. une zone serai-transmissive B et une zone de blocage C. Un facteur de transmission de la zone semi-transmissive B est plus petit qu'un facteur de transmission de la zone transmis- 25 sive A et plus grand qu'un facteur de transmission de la zone de blocage C. Le facteur de transmission de la zone semitransmissive B est obtenu par formation d'un film serai-transmissif ou formation d'un motif à fentes. Par conséquent. lorsque la couche PR est exposée à une lumière au travers du masque HTM. la couche PR 80 correspondant à la zone semi-transmissive B est exposée de manière incomplète. En 30 plus, la couche PR correspondant à la zone transmissive A est exposée de manière complète et la couche PR correspondant à la zone de blocage C n'est pas exposée. La zone de blocage C est disposée afin de correspondre à une ligne de données 30 (sur la figure 2E). une plage de contact de données 62, une électrode de source 32 (sui- la figure 2G) et une électrode de drain 34 (sur la figure 2G) formée dans un processus 5 ultérieur. et la zone serai-transmissive B est disposée afin de correspondre à une région de canal ch (sur la figure 2G) entre les électrodes de source 32 et de drain 34 formées dans un processus ultérieur. 4 Sur la figure 2D, des premier, deuxième et troisième motifs PR 82. 84 et 86 sont formés sur la couche de métal de source-drain 75 en exposant et en développant la couche PR 80. Le premier motif PR 82 a une première partie correspondant à la zone semi-transmissive B (sur la figure 2C) et des secondes parties correspondant à la zone de blocage C (sur la figure 2C). Par conséquent, la première partie entre les secondes parties a une première épaisseur plus petite qu'une seconde épaisseur des secondes parties. En outre, étant donné que les deuxième et troisième motifs PR 84 et 86 correspondent à la zone de blocage C (sur la figure 2C), les deuxième et troisième motifs modifiés PR 84 et 86 ont la seconde épaisseur. Les deuxième et troisième to motifs modifiés PR 84 et 86 correspondent à la ligne de données 30 (sur la figure 2E) et la plage de contact de données 62 (sur la figure 2C), respectivement. La couche PR 80 (sur la figure 2C) correspondant à la zone transmissive A (sur la figure 2C) est retirée de manière complète pour exposer la couche de métal de source-drain 75. Sur la figure 2E, la couche de métal de source-drain 75 (sur la figure 2D) est 1 modelée au moyen des premier, deuxième et troisième motifs PR 82. 84 et 86 en tant qu'un masque d'attaque chimique pour former un motif de métal de source--drain 72, la ligne de données 30 et la plage de contact de données 62. Le motif de métal de source-drain 72, la ligne de données 30 et la plage de contact de données 62 cotYespondent aux premier, deuxième et troisième motifs PR 82. 84 et 86. respectivement. 20 En outre, la couche de métal de source-drain 75 (sur la figure 2D). correspondant à la zone transmissive A (sur la figure 2C). est retirée de manière complète pour exposer la couche de silicium dopé 41a. Bien que non représenté sur la figure 2E. le motif de métal de source-drain 72 est relié électriquement à la ligne de données 30. Séquentiellement, la couche de silicium dopé 41a et la couche de silicium 25 intrinsèque 40a sont modelées au moyen des premier, deuxième et troisième motifs PR 82, 84 et 86 en tant qu'un masque d'attaque chimique pour former une couche active 40 et un motif de contact ohmique 41b. En conséquence, la couche active 40 et le motif de contact ohmique 41b ont le même profil que le motif de métal de source-drain 72, la ligne de données 30 et la plage de contact de données 62 et sont formés ,o sous ceux--ci. Bien que la couche active 40 et le motif de contact ohmique 41b doivent avoir un profil d'îlot uniquement sous le motif de métal de source-drain 72, la couche active 40 et le motif de contact ohmique 41b sont formés sous la ligne de données 30 et la plage de contact de données 62 ainsi que le motif de métal de source-drain 72, et la couche active 40 et le motif de contact ohmique 41b sous la 35 ligne de données 30 et la plage de contact de données 62 s'étendent depuis la couche active 40 et le motif de contact ohmique 41b sous le motif de métal de source-drain 72 car la couche de métal de source-drain 72, la couche de silicium dopé 41a et la couche de silicium intrinsèque 40a sont entièrement modelées. il FSU- C1 I'UI K PI , Sur la figure 2F, les premier, deuxième et troisième motifs PR 82, 84 et 86 sont partiellement retirés par calcination. En conséquence, la première partie du premier motif PR 82 ayant la première épaisseur est retirée de manière complète pour exposer le motif de métal de source--drain 72. En plus, la seconde partie du premier motif PR 82, du deuxième motif PR 84 et du troisième motif PR 86 ayant la seconde épaisseur sont partiellement retirées afin d'avoir une épaisseur réduite plus petite que la seconde épaisseur. Etant donné que la calcination est un processus isotrope, des parties latérales des premier, deuxième et troisième motifs PR 82, 84 et 86 sont également retirées pour exposer des premières parties de bord F au niveau de bords to externes du motif de métal de sourceùdrain 72, de la ligne de données 30 et de la plage de contact de données 62. En outre, des secondes parties de bord G à l'intérieur du motif de métal de sourceùdrain 72 sont également exposées. Sur la figure 2G. le motif de métal de sourceùdrain 72 et le motif de contact ohmique 41b sont modelés au moyen des premier. deuxième et troisième motifs PR 15 82, 84 et 86 partiellement retirés pour former une électrode de source 32, une électrode de drain 34 et une couche de contact ohmique 41. La couche active 40 et la couche de contact ohmique 41 sont définies en tant qu'une couche à semiùconducteurs 42 et l'électrode de grille 25, la couche à semiùconducteurs 42. l'électrode de source 32 et l'électrode de drain 34 définissent un transistor en couches 20 minces (TFT) T. La couche active 40 exposée entre les électrodes de source 32 et de drain 34 est utilisée en tant qu'une région de canal ch. Etant donné que le motif de contact ohmique 41 b dans les premières parties de bord F est éliminé, la couche active 40 dans les premières parties de bord F fait saillie auùdelà des bords externes de la ligne de données 30, la plage de contact de données 62, l'électrode de source 32 25 et l'électrode de drain 34. En plus, étant donné que le motif de contact ohmique 41b dans les secondes parties de bord G est éliminé, la région de canal ch de la couche active 40 a une longueur plus grande qu'une valeur de conception. Ceci peut amener une détérioration de la propriété du TFT T. Ensuite, les premier, deuxième et troisième motifs PR 82. 84 et 86 sont retirés par décapage. La figure 2H représente un troisième processus à masque. Sur la figure 2H, une couche de passivation 55 est formée sur la ligne de données 30 et le TFT T par dépôt et modelage d'un parmi un matériau d'isolation inorganique tel que du nitrure de silicium (SiNx) et de l'oxyde de silicium (SiO2). et un matériau d'isolation organique tel que du benzocyclobutène (BCB) et une résine acrylique. La couche de passivation 55 a un trou de contact de drain CHI exposant l'électrode de drain 34, un trou de contact CH2 de plage de contact de grille exposant la plage de contact de grille 52 et un trou de contact CH3 de plage de contact de données exposant la plage de contact de données 62. Le trou de contact CH2 de plage de contact de grille est formé dans la II!IF}i ll. RPIII~IL: 1 AI ulri Ptil couche d'isolation de grille 45 et la couche de passivation 55, alors que le trou de contact de drain CHI et le trou de contact CH3 de plage de contact de données sont formés dans la couche de passivation 55. Par conséquent, la plage de contact de grille 52 peut être exposée de manière incomplète, ou l'électrode de drain 34 et la plage de contact de données 62 peuvent être endommagées en raison d'une longue durée d'attaque chimique. L'exposition incomplète et l'endommagement peuvent amener une détérioration de la propriété de contact. La figure 2I représente un quatrième processus à masque. Sur la figure 2I, une électrode de pixel 70, une borne 54 de plage de contact de grille et une borne 64 de plage de contact de données sont formées sur la couche de passivation 55 par dépôt et modelage d'un matériau conducteur transparent tel que de l'oxyde d'indiumùétain (ITO: indiumùtinùaide) et de l'oxyde d'indiumùzinc (IZO: indiumùzincùoxide). L'électrode de pixel 70 est reliée à l'électrode de drain 34 au travers du trou de contact de drain CHI . En plus, la borne 54 de plage de contact de grille est reliée à la plage de contact de grille 52 au travers du trou de contact CH2 de plage de contact de grille et la borne 64 de plage de contact de données est reliée à la plage de contact de données 62 au travers du trou de contact CH3 de plage de contact de données. L'électrode de pixel 70 chevauche la ligne de grille 20 correspondant à une région de pixel précédente pour définir un condensateur de stockage Cst ayant des parties 20 chevauchées de la ligne de grille 20 et de l'électrode de pixel 70 en tant que première et seconde électrodes de condensateur, respectivement, et la couche d'isolation de grille 45 et la couche de passivation 55 en tant qu'une couche diélectrique. Dans le substrat de réseau pour un dispositif LCD fabriqué au travers d'un processus à quatre masques selon la technique apparentée, étant donné que la ligne 25 de données 30, l'électrode de source 32, l'électrode de drain 34 et la couche à semiùconducteurs 42 sont formées au moyen du même masque (le deuxième masque). la couche à semiùconducteurs 42 est formée sous la ligne de données 30, l'électrode de source 32 et l'électrode de drain 34. Précisément, étant donné que la couche active 40 sous l'électrode de source 32 30 est reliée à la couche active 40 sous la ligne de données 30, la couche active 40 du TFT T fait saillie auùdelà de l'électrode de grille 25. En conséquence, un courant photoélectrique est généré dans la partie en saillie de la couche active 40 du TFT T en raison d'une exposition à une unité de rétroéclairage et amène une détérioration d'une propriété électrique du TFT T. En plus, la couche active 40 sous la ligne de données 30 fait saillie auùdelà des bords externes de la ligne de données 30. Le courant photoélectrique peut être généré dans la partie en saillie de la couche active 40 sous la ligne de données 30. En outre. étant donné que la couche active 40 sous la ligne de données 30 est plus proche de l'électrode de pixel 70 que la ligne de données 30, une capacité de couplage entre la couche active 40 sous la ligne de données 30 et l'électrode de pixel 70 est plus grande qu'une capacité de couplage entre la ligne de données .40 et l'électrode de pixel 70. La capacité de couplage augmentée entre la couche active 40 sous la ligne de données 30 et l'électrode de pixel 70 amène un bruit ondulant à cause duquel des motifs d'oscillation sont affichés. L'invention propose un substrat de réseau pour un dispositif d'affichage à cristaux liquides (LCD) ayant une couche à semiùconducteurs profilée en îlot et un procédé de fabrication d'un substrat de réseau pour un dispositif LCD utilisant un 10 processus à trois masques, ainsi qu'un dispositif d'affichage à cristaux liquides comportant ce substrat. Le substrat de réseau pour un dispositif d"affichage à cristaux liquides comporte : un substrat, une ligne de grille sur le substrat, une ligne de données croisant la ligne de grille pour définir une région de pixel, un transistor en couches i minces relié à la ligne de grille et la ligne de données, le transistor en couches minces comportant une électrode de grille relié à la ligne de grille, une couche à semiùconducteurs dont une frontière se trouve à l'intérieur de l'électrode de grille, une électrode de source reliée à la ligne de données et une électrode de drain écartée de l'électrode de source ; un motif de passivation couvrant la ligne de données et le 20 transistor en couches minces ; et une électrode de pixel s'étendant depuis l'électrode de drain. Le substrat peut comprendre en outre une plage de contact de grille au niveau d'une extrémité de la ligne de grille et une plage de contact de données au niveau d'une extrémité de la ligne de données, dans lequel la plage de contact de grille est 2, formée du même matériau et dans la même couche que la plage de contact de données. Le substrat peut comprendre une borne de plage de contact de grille venant en contact avec la plage de contact de grille et une borne de plage de contact de données venant en contact avec la plage de contact de données, dans lequel la borne de plage i 0 de contact de grille et la borne de plage de contact de données sont exposées au travers du motif de passivation. Le substrat peut comprendre en outre une ligne commune parallèle à et écartée de la ligne de grille ; et une électrode commune écartée de l'électrode de pixel la région de pixel. Suivant des modes de réalisation préférés, l'invention comprend une ou plusieurs des caractéristiques suivantes : - chacune parmi la ligne de données, l'électrode de source et l'électrode de drain a une structure à double couche d'une première couche d'un matériau conducteur et une seconde couche d'un matériau conducteur sur la première couche d'un matériau conducteur. - l'électrode de pixel comporte la première couche d'un matériau conducteur exposée au travers du motif de passivation. - la première couche d'un matériau conducteur comprend l'un parmi un groupe de matériaux transparents comprenant de l'oxyde d'indiumùétain (ITO) et de l'oxyde d'indiumùzinc (IZO) - le substrat comprend en outre une couche de métal tampon entre la couche à semiùconducteurs et l'électrode de source et entre la couche à semiùconducteurs et t0 les électrodes de drain, dans lequel la couche à semiùconducteurs comporte une couche active de silicium amorphe intrinsèque et une couche de contact ohmique de silicium amorphe dopé en impuretés. - la couche de métal tampon comporte du molybdène. - la seconde couche d'un matériau conducteur comporte un parmi un groupe de t~ matériaux opaques se composant de cuivre, de molybdène, d'un alliage de molybdène. d'aluminium, d'un alliage d'aluminium et de chrome. -l'électrode de pixel comporte une partie d'extension s'étendant depuis I'électrode de drain, une pluralité de parties verticales s'étendant depuis la partie d'extension, et dans lequel l'électrode commune comporte une pluralité de parties verticales. 20 la pluralité de parties verticales de l'électrode commune alternant avec la pluralité de parties verticales de l'électrode de pixel. - une couche d'isolation de grille couvre la ligne de grille, dans lequel l'électrode commune est reliée à la ligne commune au travers d'un trou de contact commun dans la couche d'isolation de grille. 25 - chacune parmi l'électrode de pixel et l'électrode commune comporte la première couche d'un matériau conducteur exposée au travers du motif de passivation. - cette première couche d'un matériau conducteur comprend l'un parmi un groupe de matériaux transparents comprenant de l'oxyde d'indiumùétain (ITO) et de 30 l'oxyde d'indiumùzinc (IZO) ou l'un parmi un groupe de matériaux opaques comprenant un alliage de molybdène. - la seconde couche d'un matériau conducteur comprend l'un parmi un groupe de matériaux opaques comprenant du cuivre. du molybdène, un alliage de molybdène, de l'aluminium, un alliage d'aluminium et du chrome. -l'électrode de pixel chevauche une ligne de grille voisine dans une région de pixel voisine pour définir un condensateur de stockage comportant la partie chevauchée de la ligne de grille voisine en tant qu'une première électrode de condensateur et II;RS("I; R7:1',17' I: l'.i I UI Ii U1.P01 J.. _ 9 la partie chevauchée de l'électrode de pixel en tant qu'une seconde électrode de condensateur. Dans un autre aspect de l'invention, un procédé de fabrication d'un substrat de réseau pour un dispositif d'affichage à cristaux liquides comporte les étapes consis- tant à : former une ligne de grille, une électrode de grille reliée à la ligne de grille, une plage de contact de grille au niveau d'une extrémité de la ligne de grille et une plage de contact de données sur un substrat au travers d'un premier processus à masque ; former une couche d'isolation de grille sur la ligne de grille, l'électrode de grille et la plage de contact de grille ; former une couche à semiùconducteurs sur la t0 couche d'isolation de grille au travers d'un deuxième processus à masque, la frontière de la couche à semiùconducteurs se trouvant à l'intérieur de l'électrode de grille ; et former une ligne de données croisant la ligne de grille, une électrode source reliée à la ligne de données, une électrode de drain écartée de l'électrode de source, une électrode de pixel s'étendant depuis l'électrode de drain, une borne de plage de 15 contact de grille venant en contact avec la plage de contact de grille et une borne de plage de contact de données reliée à la ligne de données et former un motif de passivation sur la ligne de données, l'électrode de source et l'électrode de drain au travers d'un troisième processus à masque. Le premier processus à masque peut comprendre en outre l'étape consistant à 20 former une plage de contact de données sur le substrat, et le deuxième processus à masque comprend en outre l'étape consistant à former un trou de contact de plage de contact de données dans la couche d'isolation de grille, la borne de plage de contact de données venant en contact avec la plage de contact de données au travers du trou de contact de plage de contact de données. 25 Le deuxième processus à masque peut comprendre en outre les étapes consistant à : former séquentiellement une couche de silicium intrinsèque et une couche de silicium dopé sur la couche (l'isolation de grille ; former un premier motif de résine photosensible sur la couche de silicium dopé, le premier motif de résine photosensible ayant une première partie et une seconde partie ayant une épaisseur plus grande 30 que la première partie, la couche d'isolation de grille correspondant à la plage de contact de grille et la plage de contact de données exposée au travers du premier motif de résine photosensible ; modeler la couche de silicium dopé et la couche de silicium intrinsèque au moyen du premier motif de résine photosensible en tant qu'un masque d'attaque chimique ; retirer partiellement le premier motif de résine photo-sensible pour former un deuxième motif de résine photosensible correspondant à l'électrode de grille ; et modeler la couche de silicium dopé, la couche de silicium intrinsèque et la couche d'isolation de grille au moyen du deuxième motif de résine photosensible en tant qu'un masque d'attaque chimique pour former la couche à •il ;'llil:l 1 I~ semi-conducteurs et pour former un trou de contact de plage de contact de grille dans la couche d'isolation de grille, le trou de contact de plage de contact de grille exposant la plage de contact de grille. Suivant des modes de réalisation préférés, le procédé comprend une ou 5 plusieurs des caractéristiques suivantes : - l'étape de formation d'un premier motif de résine photosensible comprend les étapes consistant à : former une couche de résine photosensible sur la couche de silicium dopé ; disposer un masque ayant une zone transmissive, une zone semitransmissive et une zone de blocage au-dessus de la première couche de résine 10 photosensible, la zone semi-transmissive ayant un facteur de transmission plus grand que la zone de blocage et plus petit que la zone transmissive, la zone transmissive correspondant à la plage de contact de grille et la plage de contact de données, la zone de blocage correspondant à l'électrode de grille ; exposer la couche de résine photosensible au travers du masque ; et développer la couche de résine photosensible 15 pour former le premier motif de résine photosensible. - le troisième processus à masque comprend les étapes consistant à : former séquentiellement des première et seconde couches d'un matériau conducteur sur la couche à semi-conducteurs ; former un premier motif de résine photosensible sur la seconde couche d'unmatériau conducteur, le premier motif de résine photosensible 20 ayant une première partie et une seconde partie ayant une épaisseur plus grande que la première partie, la seconde couche d'un matériau conducteur correspondant à l'électrode de grille exposée au travers du troisième motif de résine photosensible : modeler la seconde couche d'un matériau conducteur et la première couche d'un matériau conducteur au moyen du premier motif de résine photosensible en tant 25 qu'un masque d'attaque chimique pour former la ligne de données, l'électrode de source, l'électrode de drain et un motif d'électrode de pixel ; retirer partiellement le premier motif de résine photosensible pour former un deuxième motif de résine photosensible correspondant au motif d'électrode de pixel ; former une couche de passivation sur le deuxième motif de résine photosensible, la ligne de données. 20 l'électrode de source et l'électrode de drain ; retirer le deuxième motif de résine photosensible et la couche de passivation sur le deuxième motif de résine photo-sensible pour former le motif de passivation ; et retirer la seconde couche d'un matériau conducteur du motif d'électrode de pixel pour former l'électrode de pixel. - l'étape de formation d'un premier motif de résine photosensible comprend les étapes consistant à : former une couche de résine photosensible sur la seconde couche d'un matériau conducteur ; disposer un masque ayant une zone transmissive. une zone semi-transmissive et une zone de blocage au-dessus de la couche de résine photosensible. la zone serai--transmissive ayant un facteur de transmission plus grand IIW C u sai rai ,^^ R f I I YI cccr,liv que la zone de blocage et plus petit que la zone transmissive, la zone transmissive correspondant à une partie centrale de la couche à semiùconducteurs, la zone semitransmissive correspondant à la ligne de données, l'électrode de source et l'électrode de drain, la zone de blocage correspondant à l'électrode de pixel ; exposer la couche de résine photosensible au travers du masque ; et développer la couche de résine photosensible pour former le premier motif de résine photosensible. - le motif de passivation est formé au travers d'un procédé de pulvérisation. -le procédé comprend en outre les étapes consistant à : former une ligne commune sur le substrat au travers du premier processus à masque ; et former une électrode commune reliée à la ligne commune au travers du troisième processus à masque, l'électrode commune alternant avec l'électrode de pixel dans la région de pixel. - le deuxième processus à masque comprend en outre l'étape consistant à former un trou de contact commun exposant la ligne commune dans la couche I5 d'isolation de grille. L'invention propose également un dispositif d'affichage à cristaux liquides comprenant un substrat de filtres chromatiques, le substrat de réseau selon l'invention et une couche de cristaux liquides entre eux. Les dessins joints, qui sont inclus afin de fournir une plus grande compréhen-20 Sion de la présente invention et sont incorporés dans ce mémoire descriptif et constituent une partie de celuiùci, illustrent des modes de réalisation de l'invention. La figure 1 est une vue en plan simplifiée représentant un substrat de réseau pour un dispositif d'affichage à cristaux liquides selon la technique apparentée : les figures 2A à 21 sont des vues en coupe transversale simplifiées qui sont 25 réalisées le long d'une ligne Il à II de la figure 1, représentant un procédé de fabrication d'un substrat de réseau pour un dispositif d'affichage à cristaux liquides utilisant un processus à quatre masques selon la technique apparentée ; la figure 3 est une vue en plan simplifiée représentant un substrat de réseau pour un dispositif d'affichage à cristaux liquides selon un premier mode de réalisa-30 tion de la présente invention ; les figures 4A à 4M sont des vues en coupe transversale simplifiées qui sont réalisées le long d'une ligne IV à 1V de la figure 3, représentant un procédé de fabrication d'un substrat de réseau pour un dispositif d'affichage à cristaux liquides utilisant un processus à trois masques selon un premier mode de réalisation de la présente 35 invention ; la figure 5 est une vue en plan simplifiée représentant tin substrat de réseau pour un dispositif d'affichage à cristaux liquides selon un deuxième mode de réalisation de la présente invention IIII:>tII f;kt+I-I~1:: -=-J _-_ ~- ,-; A7 l'Ut R DI PUl ,1., les figures 6A à 6M sont des vues en coupe transversale simplifiées qui sont réalisées le long d'une ligne VI à VI de la figure 5, représentant un procédé de fabrication d'un substrat de réseau pour un dispositif d'affichage à cristaux liquides utilisant un processus à trois masques selon un deuxième mode de réalisation de la présente invention ; la figure 7 est une vue en plan simplifiée représentant un substrat de réseau pour un dispositif à d'affichage à cristaux liquides selon un troisième mode de réalisation de la présente invention ; la figure 8 est une vue en coupe transversale simplifiée réalisée le long d'une t o ligne VIII à VIII de la figure 7 ; et la figure 9 est une vue en plan simplifiée représentant un substrat de réseau pour un dispositif d'affichage à cristaux liquides selon un quatrième mode de réalisation de la présente invention. Il va maintenant être fait référence en détail à des modes de réalisation qui sont l5 illustrés sur les dessins joints. Partout oit cela est possible, des numéros de référence similaires seront utilisés pour faire référence aux mêmes parties ou à des pallies similaires. La figure 3 est une vue en plan simplifiée représentant un substrat de réseau pour un dispositif d'affichage à cristaux liquides selon un premier mode de réalisa-20 tion de la présente invention. Sur la figure 3, une ligne de grille 120, une électrode de grille 125 et une plage de contact de grille 152 sont formées sur un substrat 100. L'électrode de grille 125 s'étend depuis la ligne de grille 120 et la plage de contact de grille 1 52 est formée au niveau d'une extrémité de la ligne de grille 120. En outre, une ligne de données 130, 25 une électrode de source 132, une électrode de drain 134 et une plage de contact de données 162 sont formées sur le substrat 100. La ligne de données 130 croise la ligne de grille 120 pour définir une région de pixel P. L'électrode de source 132 s'étend depuis la ligne de données 130 et l'électrode de drain 134 est écartée de l'électrode de source 132. L'électrode de source 132 a un profil en U et l'électrode de drain 134 a un 30 profil en barre correspondant au profil en U. Chacune parmi la ligne de données 130, l'électrode de source 132 et l'électrode de drain 134 comporte une structure à double couche ayant une couche d'un matériau conducteur transparent 170a (sur la figure 4H) et une couche d'un matériau conducteur opaque 175 (sur la figure 4H). La plage de contact de données 162 est formée au niveau d'une extrémité de la ligne de 35 données 130. La plage de contact de grille 152 est formée du même matériau et dans la même couche que la plage de contact de données 162. Une borne 154 de plage de contact de grille sur la plage de contact de grille 152 est reliée à la plage de contact de grille 152 au travers d'un trou de contact CH4 de plage de contact de grille, et une ICI: ~~ IP HKFVIli -i__1-lAl Pl~l l? Uf PC^I borne 164 de plage de contact de données sur la plage de contact de données 162 est reliée à la plage de contact de données 162 au travers d'un trou de contact CH5 de plage de contact de données. La borne 154 de plage de contact de grille et la borne 164 de plage de contact de données comporte un matériau conducteur transparent. Un transistor en couches minces (TFT) T est relié à la ligne de grille 120 et à la ligne de données 130. Le TFT T comporte l'électrode de grille 125, une couche à semiûconducteurs 143 (sur la figure 4K), l'électrode de source 132 et l'électrode de drain 134. La couche à semiûconducteurs 143 est formée auûdessus de l'électrode de grille 125, et les électrodes de source 132 et de drain 134 viennent en contact avec la 1 o couche à semiûconducteurs 143. La couche à semiûconducteurs 143 comporte une couche active 140 de silicium amorphe intrinsèque (aûSi : H) et une couche de contact ohmique 141 (sur la figure 4K) d'un silicium amorphe dopé en impuretés (n+aûSi : H). Etant donné que la couche à semiûconducteurs 143 est formée au moyen d'un masque différent d'un masque pour la ligne de données 130. la plage de t contact de données 162. l'électrode de source 132 et l'électrode de drain 134. la couche à semiùconducteurs 143 a un profil d'ilôt et est disposée à l'intérieur de l'électrode de grille 125. En conséquence, la couche à semiùconducteurs 143 du TFT n'est pas exposée à une lumière provenant d'une unité de rétroéclairage (non représentée) et un courant photoélectrique n'est pas généré dans le TFT. Donc, une dégra-20 dation d'une propriété électrique du TFT due au courant photoélectrique est empêchée. Etant donné que la couche d'un matériau conducteur transparent 170a est formée sous la couche d'un matériau conducteur opaque 175 dans la structure à double couche des électrodes de source 132 et de drain 134, la couche d'un matériau 25 conducteur transparent 170a peut venir directement en contact avec la couche de contact ohmique 141. La couche d'un matériau conducteur transparent 170a a un travail d'extraction relativement plus élevé que la couche de contact ohmique 141. Par conséquent, lorsque la couche d'un matériau conducteur transparent 170a vient directement en contact avec la couche de contact ohmique 141, la différence de 3o travail d'extraction entre la couche de contact ohmique 141 et les électrodes de source 232 et de drain 234 est relativement grande. En conséquence, le TFT T peut avoir une résistance de contact relativement élevée des électrodes de source 132 et de drain 134 ou un contact de redressement, auquel il peut être fait référence en tant qu'un contact Schottky et dans lequel des courants circulent uniquement le long d'une 35 direction spécifique. à la place d'un contact ohmique, auquel il peut être fait référence en tant qu'un contact de non redressement ou un contact résistif. Une couche de métal tampon 142 (sur la figure 4K) peut être formée entre les électrodes de source 132 et de drain 134 et la couche de contact ohmique 141 afin de réduire une résis111P C}iaF_R[v[rSti~~~~~,. Aurictxrni 14 tance de contact de façon à obtenir un contact ohmique. Par exemple, la couche de métal tampon 142 peut comporter du molybdène et avoir une épaisseur d'environ 50 À. Dans un autre mode de réalisation, lorsque le TFT T a une résistance de contact et un contact ohmique relativement bas, la couche de métal tampon 142 peut être omise. Par exemple, après que la couche de contact ohmique 141 a été formée, la couche de contact ohmique 141 peut être traitée au plasma pour former une couche de nitrure de silicium (SiNx) très mince sur une surface de la couche de contact ohmique 141 en tant qu'une couche de séparation tampon. Puis, l'électrode de source 132 et la première électrode de drain 134 peuvent être formées sur la couche de séparation tampon. Le TFT T peut encore avoir une résistance de contact et un contact ohmique relativement bas en raison de la couche de SiNx très mince sans la couche de métal tampon. La couche active 140 est exposée entre les électrodes de source 132 et de drain 134 par retrait partiel d'un motif de métal tampon 142b (sur la figure 4.1) et d'un motif de contact ohmique 141b (sur la figure 4J) pour définir une région de canal ch (sur la figure 4K) pour une circulation de courant. Une couche de passivation 158a (sur la figure 4L) est formée au travers d'un procédé de dépôt physique en phase vapeur (PVD : physical vapor depositioii) telle qu'une pulvérisation et modelée au moyen d'un procédé de décollage pour former un motif de passivation 158 (sur la figure 4M) sur la ligne de données 130. l'électrode de source 132 et l'électrode de drain 134. En plus, une électrode de pixel 1 72 est formée dans la région de pixel P. L'électrode de pixel 172 a la couche d'un matériau conducteur transparent 170a et est reliée à l'électrode de drain 134. En outre. l'élec- trode de pixel 172 chevauche la ligne de grille 120 correspondant à une région de pixel précédente pour définir un condensateur de stockage Cst comportant une partie chevauchée de la ligne de grille 120 en tant qu'une première électrode de condensateur et une partie chevauchée de l'électrode de pixel 172 en tant qu'une seconde électrode de condensateur. Le substrat de réseau de la figure 3 est fabriqué au travers d'un processus à trois masques, et la couche à semiùconducteurs 143 a un profil d'îlot à l'intérieur de l'électrode de grille 125. De plus, la couche de passivation 158a formée par pulvérisation est modelée au moyen d'un processus de décollage pour former un motif de passivation 158. Les figures 4A à 4M sont des vues en coupe transversale simplifiées qui sont réalisées le long d'une ligne IV à IV de la figure 3, représentant un procédé de fabrication d'un substrat de réseau pour un dispositif d'affichage à cristal liquide utilisant KIRS( lir IiRI', 12: N POUR DFPO7 la 2.r- un processus à trois masques selon un premier mode de réalisation de la présente Invention. Sur la figure 4A représentant un premier processus à masque, une ligne de grille 120, une électrode de grille 125 et une plage de contact de grille 152 sont formées sur un substrat 100 ayant une région de pixel P, une région GP de plage de contact de grille et une région DP de plage de contact de données par dépôt et modelage d'un matériau métallique conducteur tel que du cuivre (Cu), du molybdène (Mo), de l'aluminium (Al), un alliage d'aluminium (AI) et du chrome (Cr) au moyen d'un premier masque (non représenté). Bien que non représentée sur la figure 4A, l0 l'électrode de grille 125 s'étend depuis la ligne de grille 120 et la plage de contact de grille 152 est formée dans la région GP de plage de contact de grille au niveau d'une extrémité de la ligne de grille 120. En plus, une plage de contact de données 162 ayant un profil d'îlot est formée dans la région DP de plage de contact de données sur le substrat 100. La plage de contact de données 162 est formée du même matériau et 15 dans la même couche que la ligne de grille 120. La plage de contact de données 162 est disposée afin de correspondre à une extrémité d'une ligne de données 130 (sur la figure 3) qui est formée dans un processus ultérieur. Dans un autre mode de réalisation. la plage de contact de données 162 peut être omise et seule une borne 164 de plage de contact de données (sur la figure 4M) peut être formée dans la région DP de 20 plage de contact de données. Une couche d'isolation de grille 145 est formée sur la ligne de grille 120. l'électrode de grille 125, la plage de contact de grille 152 et la plage de contact de données 162. La couche d'isolation de grille 145 comporte un matériau (l'isolation inorganique tel que du nitrure de silicium (SiNx) et de l'oxyde de silicium (SiO2). 25 Les figures 4B à 4G représentent un deuxième processus à masque. Sur la figure 4B, une couche de silicium intrinsèque 140a et une couche de silicium dopé 14l a sont formées séquentiellement sur la couche d'isolation de grille 145. La couche de silicium intrinsèque 140a comporte du silicium amorphe intrinsèque (aùSi : H) et la couche de silicium dopé 141a comporte une couche de silicium amorphe dopé en 30 impuretés (n+aùSi : H). Par exemple, la couche de silicium intrinsèque 140a et la couche de silicium dopé 141 a peuvent être formées séquentiellement dans la chambre où la couche d'isolation de grille 145 est formée au moyen d'un procédé de dépôt chimique en phase vapeur (CVD). Ensuite, une couche d'un matériau métallique tampon 142a est formée sur la couche de silicium dopé 141a. La couche d'un matériau métallique tampon 142a peut comporter du molybdène et avoir une épaisseur d'environ 50 À. Sur la figure 4C, une première couche de résine photosensible (PR) 180 est formée sur la couche d'un matériau métallique tampon 142a, et un deuxième masque IIIF_~~ III I3I21.\l 13,,ct: ,c-t-I 1\7 NC)l F I)[. P()l à, càic ~..- 54( M12 est disposé auùdessus de la première couche PR 180. Le deuxième masque M12 a une zone transmissive A, une zone semiùtransmissive B et une zone de blocage C. Un facteur de transmission de la zone semiùtransmissive B est plus petit qu'un facteur de transmission de la zone transmissive A et plus grand qu'un facteur de transmission de la zone de blocage C. Le facteur de transmission de la zone semitransmissive B peut être obtenu par formation d'un film semiùtransmissif ou formation d'un motif à fentes opaques sur une plaque de quartz. Par conséquent, lorsque la première couche PR 180 est exposée à une lumière au travers du deuxième masque M12, la première couche PR 180 correspondant à la zone semiùtransmissive B est exposée de manière incomplète. En plus, la première couche PR 180 correspondant à la zone transmissive A est exposée de manière complète et la première couche PR 1 80 correspondant à la zone de blocage C n'est pas exposée. La zone de blocage C est disposée de façon à correspondre à une région ayant un transistor en couches minces (TFT) T (sur la figure 3) formé dans un processus ultérieur, et la zone transmissive A est disposée de façon à correspondre à la région GP de plage de contact de grille et à la région DP de plage de contact de données. La zone semiùtransmissive B est disposée de façon à correspondre aux autres régions du substrat 100. Sur la figure 4D, après que la première couche PR 180 (sur la figure 4C) a été exposée au travers du deuxième masque MU (sur la figure 4C), la première couche PR 180 exposée est développée pour former un premier motif PR 182. Le premier motif PR 1 82 a une première partie 182a correspondant à la zone semiùtransmissive B du deuxième masque M12 et une seconde partie 182b correspondant à la zone de blocage C du deuxième masque M12. Par conséquent, la première partie 182a a une épaisseur plus petite que la seconde partie 182b. La première couche PR 180 correspondant à la zone transmissive A du deuxième masque M12 est retirée de manière complète afin d'exposer la couche d'un matériau métallique tampon 142a. Sur la figure 4E, la couche d'un matériau métallique tampon 142a, la couche de silicium dopé 141a, la couche de silicium intrinsèque 140a et la couche d'isolation de grille 145 sont modelées séquentiellement au moyen du premier motif PR 1 82 en tant qu'un masque d'attaque chimique. Ici, la couche d'isolation de grille 145 correspondant à la région GP de plage de contact de grille et la région DP de plage de contact de données est partiellement retirée de sorte qu'une partie de la couche d'isolation de grille 145 puisse rester. Par exemple, la couche d'isolation de grille 145 restante peut avoir une épaisseur inférieure à une moitié d'une épaisseur de la couche d'isolation de grille 145 non modelée. Etant donné que la couche d'isolation de grille 145 est partiellement retirée, une étape ultérieure d'ouverture de plage de contact pour la plage de contact de grille 152 ou la plage de contact de données 162 peut être IIIRS(} HR'+i-.l>Bn 1NT PUIR DUR)] du, dccc, effectuée de manière stable. Un taux d'attaque chimique d'un matériau pour la couche d'isolation de grille 145, par exemple, du nitrure de silicium (SiNx) ou de l'oxyde de silicium (SiO2) peut être plus bas qu'un taux d'attaque chimique d'un matériau pour la couche de silicium dopé 141a et la couche de silicium intrinsèque 140a. Par consé- quent, lorsque la couche d'isolation de grille 145 n'est pas retirée, la plage de contact de grille 152 ou la plage de contact de données 162 peuvent ne pas être exposées au travers de la couche d'isolation de grille 145 dans l'étape ultérieure d'ouverture de plage de contact ou une durée de processus de l'étape ultérieure d'ouverture de plage de contact peut être relativement longue. En plus, lorsque la couche d'isolation de t 0 grille 145 est retirée de manière complète, la plage de contact de grille 152 ou la plage de contact de données 162 peuvent être détériorées dans l'étape ultérieure d'ouverture de plage de contact. Sur la figure 4F, le premier motif PR 182 est partiellement retiré par calcination. En conséquence, la première partie 182a du premier motif PR 182 est retirée de l manière complète afin d'exposer la couche d'un matériau métallique tampon 142a, et la seconde partie 182b du premier motif PR 182 reste afin de former un deuxième motif PR 184 ayant une épaisseur réduite. Sur la figure 4G, la couche d'un matériau métallique tampon 142a, la couche de silicium dopé 141a et la couche de silicium intrinsèque 140a sont modelées en utili- 20 sans le deuxième motif PR 184 en tant qu'un masque d'attaque chimique pour former un motif à semiùconducteurs 144 et un motif de métal tampon 142b auùdessus de l'électrode de grille 125. Le motif à semiùconducteurs 144 a un profil d'îlot et comporte une couche active 140 de silicium amorphe intrinsèque et un motif de contact ohmique 141b de silicium amorphe dopé en impuretés. Alors que la couche 25 de silicium dopé 142a et la couche de silicium intrinsèque 141a sont modelées, la couche d'isolation de grille 145 restante dans la région GP de plage de contact de grille et la région DP de plage de contact de données est retirée de manière complète pour former un trou de contact CH4 de plage de contact de grille exposant la plage de contact de grille 152 et un trou de contact CH5 de plage de contact de données 30 exposant la plage de contact de données 162. Dans le premier mode de réalisation de la présente invention, étant donné que la couche active 140 du motif à semiùconducteurs 144 formé au cours du deuxième processus à masque a un profil d'îlot à l'intérieur de l'électrode de grille 125, une exposition de la couche active 140 à une unité de rétroéclairage est empêchée et une 35 détérioration d'une propriété électrique du TFT T est également empêchée. En conséquence, une qualité d'affichage d'un dispositif LCD est améliorée. En plus, étant donné que la couche active 140 du motif à semiùconducteurs 144 a un profil d'îlot à l'intérieur de l'électrode de grille 125, une zone pour une matrice noire (non I-IIKSIIk Fil ...I-[SI 1 )I RDIPUI 18 représentée), empêchant une fuite de lumière, est réduite. De plus, étant donné que la ligne de données, l'électrode de source et l'électrode de drain sont formées directe-ment sur le substrat sans couche à semiûconducteurs en saillie entre elles, la zone pour la matrice noire est davantage réduite et une détérioration tel qu'un bruit ondu- Tant dû à une interférence entre la couche à semiûconducteurs en saillie et l'électrode de pixel est empêchée. Ensuite, le deuxième motif PR 184 (sur la figure 4F) est retiré au travers d'une étape de décapage, le deuxième processus à masque est de ce fait fini. Les figures 4H à 4M représentent un troisième processus à masque. Sur la figure 4H, une couche d'un matériau conducteur transparent 170a et une couche d'un matériau conducteur opaque 175 sont formées séquentiellement sur le motif de métal tampon 142b et la couche d'isolation de grille 145. Par exemple, la couche d'un matériau conducteur transparent 170a peut comporter de l'oxyde d'indiumûétain (ITO) et de l'oxyde d'indiumûzinc (IZO). En plus, la couche d'un matériau conducteur opaque 175 peut comporter au moins l'un parmi du cuivre (Cu), du molybdène (Mo). un alliage de molybdène (Mo) tel que du molybdèneûtitane (MoTi), de l'aluminium (Al), un alliage d'aluminium (Al) tel que de l'aluminiumûnéodyme (AINd) et du chrome (Cr). Ensuite, une seconde couche PR 190 est formée sur la couche d'un matériau conducteur opaque 175 et un troisième masque M13 est disposé auûdessus de la seconde couche PR 190. Le troisième masque M13 a une zone transmissive A, une zone semiûtransmissive B et une zone de blocage C. Un facteur de transmission de la zone semiûtransmissive B est plus petit qu'un facteur de transmission de la zone transmissive A et plus grand qu'un facteur de transmission de la zone de blocage C. Le facteur de transmission de la zone semiûtransmissive B peut être obtenu par formation d'un film semiûtransmissif ou formation d'un motif à fentes opaques sur une plaque de quartz. Par conséquent, lorsque la seconde couche PR 190 est exposée à une lumière au travers du troisième masque M13, la seconde couche PR 190 correspondant à la zone semiûtransmissive B est exposée de manière incornplète. En plus, la seconde couche PR 190 correspondant à la zone transmissive A est exposée de manière complète et la seconde couche PR 190 correspondant à la zone de blocage C n'est pas exposée. La zone de blocage C est disposée de façon à correspondre à la région de pixel P, la région GP de plage de contact de grille et la région DP de plage de contact de données, et la zone semiûtransmissive B est disposée de façon à con-espondre à des régions frontières du motif de métal tampon I42b et la ligne de données 130 (sur la figure 3) formée dans un processus ultérieur. La zone transmissive A est disposée de façon à correspondre à une région centrale du motif de métal tampon I42b et les autres régions du substrat 100. HIR4 il' IiRf `.Tl 1 111 'IX P(71 R1)1 1 F 16 19 Sur la figure 4I, après que la seconde couche PR 190 (sur la figure 4H) a été exposée au travers du troisième masque M13 (sur la figure 4H), la seconde couche PR 190 exposée est développée afin d'obtenir un troisième motif PR 192. Le troisième motif PR 192 a une première partie 192a correspondant à la zone semi- s transmissive B du troisième masque MI3 et une seconde partie 192b correspondant à la zone de blocage C du troisième masque M13. Par conséquent, la première partie 192a a une épaisseur plus petite que la seconde partie 192b. La seconde couche PR 190 correspondant à la zone transmissive A du troisième masque M I3 est retirée de manière complète pour exposer la couche d'un matériau conducteur opaque 175. t o Sur la figure 4J, la couche d'un matériau conducteur opaque 175 et la couche d'un matériau conducteur transparent 170a sont modelées séquentiellement au moyen du troisième motif PR 192 en tant qu'un masque d'attaque chimique pour former une ligne de données 130, une électrode de source 132, une électrode de drain 134, un motif 172a d'électrode de pixel, un motif 154a de borne de plage de contact de grille 15 et un motif 164a de borne de plage de contact de données. Par exemple, la couche d'un matériau conducteur opaque 175 et la couche d'un matériau conducteur transparent 170a peuvent être modelées au travers d'un procédé d'attaque chimique par voie humide ayant une propriété isotrope. Par conséquent. la couche d'un matériau conducteur opaque 175 et la couche d'un matériau conducteur transparent 170a 20 peuvent être attaquées chimiquement de manière excessive pour fonner un profil de gravure sousûjacente de telle manière que des côtés de la couche d'un matériau conducteur opaque 175 modelée et la couche d'un matériau conducteur transparent 170a modelée soient disposées à l'intérieur de côtés du troisième motif PR 192. En conséquence, une surface inférieure de parties latérales du troisième motif PR 192 est 25 exposée. Alors qu'un processus de décollage ultérieur, où une couche de passivation est formée sur un motif PR puis la couche de passivation et le motif PR sont retirés ensemble, est effectué, une solution de décapage peut aisément s'infiltrer au travers de la surface inférieure exposée du motif PR. Chacune parmi la ligne de données 130,l'électrode de source 132, l'électrode ,o de drain 134, le motif 172a d"électrode de pixel, le motif 154a de borne de plage de contact de grille et le motif 164a de borne de plage de contact de données a une structure à double couche de la couche d'un matériau conducteur opaque 175 et de la couche d'un matériau conducteur transparent 170a. Les électrodes de source 132 et de drain 134 sont disposées au niveau des deux côtés du motif de métal tampon 25 142b. et le motif 172a d'électrode de pixel est disposé dans la région de pixel P. En plus, le motif 172a d'électrode de pixel s'étend afin de chevaucher la ligne de grille 120 dans une région de pixel P précédente, c'est--àûdire. une ligne de grille précédente. Le motif 154a de borne de plage de contact de grille et le motif 16-1a de borne BRrvT Une couche de passivation formée au travers d'un procédé de dépôt chimique en phase vapeur (CV'D) présente des inconvénients. Etant donné que le procédé CVD exige une température supérieure à environ 350 C, le quatrième motif PR 194 d'un matériau organique ayant une résistance thermique d'environ 150 C peut s'effondrer IIIR'( 1 l RLk_A-I .__l AI P)I'R III-POT d~.- dr.embic 21 alors que la couche de passivation est formée au travers du procédé CVD. La hauteur de pas du quatrième motif PR 194 peut être réduite ou le pas du quatrième motif PR 194 devient faible en raison de la déformation d'un tel effondrement. Par conséquent, la couche de passivation formée au travers du procédé CVD peut couvrir la surface entière du substrat 100 sans interruption, et la solution de décapage pour le quatrième motif PR 194 peut ne pas s'infiltrer au travers de la couche de passivation au cours d'un processus de décollage ultérieur. En conséquence, la couche de passivation au travers du procédé CVD peut amener une détérioration du processus de décollage ultérieur tel que des résidus non souhaités du quatrième motif PR 194 et de la couche de passivation. De plus, les résidus non souhaités du quatrième motif PR 194 peuvent réagir avec des matériaux à cristaux liquides dans un processus ultérieur pour réduire une qualité d'affichage du dispositif LCD. Pour résoudre les problèmes soulevés ciùdessus de la couche de passivation au travers d'un procédé CVD, la couche de passivation 158a du premier mode de réali- cation de la présente invention est formée au travers d'un procédé de pulvérisation. Etant donné que la couche de passivation 158a obtenue au travers du procédé de pulvérisation est formée à une température inférieure à environ 150 C, le quatrième motif PR 194 n'est pas déformé et ne s'effondre pas. En plus, la couche de passivation 158a obtenue au travers du procédé de pulvérisation peut être appliquée sur un substrat comportant un matériau souple tel que du plastique. Etant donné que la hauteur et le profil du quatrième motif PR 194 ne sont pas changés, la couche de passivation 158a ne couvre pas la surface entière du substrat 100 sans interruption. A la place, la couche de passivation I58a présente des interruptions au niveau de frontières du quatrième motif PR 194 dues au pas. En conséquence, une partie de la couche de passivation 158a sur le quatrième motif PR 194 n'est pas reliée à l'autre partie de la couche de passivation 158a, et est séparée de celleûci. Sur la figure 4M, la solution de décapage est appliquée au substrat 100 ayant la couche de passivation 158a. Par exemple, la solution de décapage peut comporter un décapant pour un matériau de résine photosensible. La solution de décapage s'infiltre au travers de la surface inférieure du quatrième motif PR 194 et la partie de la couche de passivation 158a sur le quatrième motif PR 194 est retirée conjointement avec le quatrième motif PR 194. En conséquence, l'autre partie de la couche de passivation 158a reste pour former un motif de passivation 158, et le motif 172a d'électrode de pixel, le motif 154a de borne de plage de contact de grille et le motif 164a de borne de plage de contact de données sont exposés après le processus de décollage. Ensuite, la couche d'un matériau conducteur opaque 175 du motif 172a d'électrode de pixel, le motif 154a de borne de plage de contact de grille et le motif 164a de borne de plage de contact de données sont retirés au moyen du motif de passivation 158 en tant HIRti( 11 13RC'~ Li -1 )l R [)FI )I 1 qu'un masque d'attaque chimique pour former une électrode de pixel 172, une borne 154 de plage de contact de grille et une borne 164 de plage de contact de données. Par conséquent, dans le substrat de réseau du premier mode de réalisation de la présente invention fabriqué au travers d'un processus à trois masques, étant donné que la ligne de données 130, l'électrode de source 132 et l'électrode de drain 134 sont couvertes du motif de passivation 158, une détérioration due à des particules est empêchée et une fiabilité du dispositif LCD est améliorée. En plus, chacune parmi la ligne de données 130, l'électrode de source 132 et l'électrode de drain 134 comporte la couche d'un matériau conducteur opaque 175 et la couche d'un matériau conduc- teur transparent 170a, alors que chacune parmi l'électrode de pixel 172, la borne 154 de plage de contact de grille et la borne 164 de plage de contact de données comporte la couche d'un matériau conducteur transparent 170a. L'électrode de pixel 172 chevauche la ligne de grille 120 précédente pour définir un conducteur de stockage Cst comportant la partie chevauchée de la ligne de grille 120 précédente en tant qu'une première électrode de condensateur, la partie chevauchée de l'électrode de pixel 172 en tant qu'une seconde électrode de condensateur et la couche d'isolation de grille 145 en tant qu'une couche diélectrique. Etant donné que seule la couche d'isolation de grille 145, relativement mince, est utilisée en tant qu'une couche diélectrique, une capacité du condensateur de stockage Cst est maximisée et une zone pour le condensateur de stockage Cst est minimisée. Dans le substrat de réseau selon le premier mode de réalisation de la présente invention, étant donné que la couche à semiûconducteurs du TFT a un profil d'îlot à l'intérieur de l'électrode de grille, une propriété électrique du TFT est améliorée et un rapport d'ouverture augmente. En plus, étant donné que la ligne de données, l'électrode de source et l'électrode de drain sont couvertes du motif de passivation, la fiabilité du dispositif LCD est améliorée. En outre, étant donné que le motif de passivation est formé au travers du procédé de pulvérisation, une dégradation du processus de décollage est minimisée. Cependant, dans le substrat de réseau selon le premier mode de réalisation de la présente invention, étant donné que l'électrode de pixel est formée afin de correspondre à une région de pixel sensiblement entière, il existe une restriction de zone pour une infiltration de la solution de décapage. Dans un dispositif LCD à mode de commutation dans le plan (IPS : in plane switching), l'électrode de pixel et l'électrode commune sont formées en alternance dans la région de pixel du substrat de réseau. Par conséquent, le substrat de réseau pour un dispositif LCD à mode IPS présente des avantages dans un processus de fabrication selon la présente invention. La figure 5 est une vue en plan simplifiée représentant un substrat de réseau pour un dispositif d'affichage à cristaux liquides selon un deuxième mode de réalisa- mRSrri,HRrrI~BI,, Si : H). Etant donné que la couche à semiùconducteurs 243 est formée au moyen d'un masque différent d'un masque pour la ligne de données 230, la plage de contact de données 262, l'électrode de source 232 et l'électrode de drain 234, la couche à semiùconducteurs 243 a un profil d'îlot et est disposée à l'intérieur de l'électrode de grille 225. En conséquence, la couche à semiùconducteurs 243 du TFT T n'est pas exposée à une lumière provenant d'une unité de rétroéclairage (non représentée) et un courant photoélectrique n'est pas généré clans le TFT T. Donc, une dégradation d'une propriété électrique du TFT T due au courant photoélectrique est empêchée. Etant donné que la couche d'un matériau conducteur transparent 270a est formée sous la couche d'un matériau conducteur opaque 275 dans la structure à double couche des électrodes de source 232 et de drain 234, la couche d'un matériau conducteur transparent 270a peut directement venir en contact avec la couche de contact ohmique 241. La couche d'un matériau conducteur transparent 270a a un travail d'extraction relativement plus élevé que la couche de contact ohmique 241. Par conséquent, lorsque la couche d'un matériau conducteur transparent 270a vient directement en contact avec la couche de contact ohmique 241. la différence de travail d'extraction entre la couche de contact ohmique 241 et les électrodes de source 232 et de drain 234 est relativement grande. En conséquence. le TFT T peut avoir une résistance de contact relativement élevée des électrodes de source 232 et de drain 234 ou un contact de redressement à la place d'un contact ohmique. Une couche de métal tampon 242 (sur la figure 6K) peut être formée entre les électrodes de source 232 et de drain 234 et la couche de contact ohmique 241 pour réduire une résistance de contact de façon à obtenir un contact ohmique. Par exemple. la couche de métal tampon 242 peut comporter du molybdène et avoir une épaisseur d'environ 50 Â. Dans un autre mode de réalisation, lorsque le TFT T a une résistance de contact et un contact ohmique relativement bas. la couche de métal tampon 242 peut étre omise. Par exemple, après que la couche de contact ohmique 241 a été formée, la couche de contact ohmique 241 peut être traitée au plasma pour former une couche 3o de nitrure de silicium (SiNx) très mince sur une surface de la couche de contact ohmique 241 en tant qu'une couche de séparation tampon. Puis, l'électrode de source 232 et la première électrode de drain 234 peuvent être formées sur la couche de séparation tampon. Le TFT T peut encore avoir une résistance de contact et un contact ohmique relativement bas en raison de la couche SiNx très mince sans la couche de 35 métal tampon. On expose la couche active 240 entre les électrodes de source 232 et de drain 234 en retirant partiellement un motif de métal tampon 242b (sur la figure 6.1) et un 1 i k Les figures 6B à 6G représentent un deuxième processus à masque. Sur la figure 6B, une couche de silicium intrinsèque 240a et une couche de silicium dopé 24l a sont formées séquentiellement sur la couche d'isolation de grille 245. La couche de silicium intrinsèque 240a comporte du silicium amorphe intrinsèque (aùSi : H) et la couche de silicium dopé 241 a comporte une couche de silicium amorphe dopé en impuretés (n+aùSi : H). Par exemple, la couche de silicium intrinsèque 240a et la couche de silicium dopé 241a peuvent être formées séquentiellement dans la chambre où la couche d'isolation de grille 245 est formée au moyen d'un procédé de dépôt chimique en phase vapeur (CVD). Ensuite, une couche d'un matériau métallique tampon 242a est formée sur la couche de silicium dopé 241a. La couche d'un matériau métallique tampon 242a peut comporter du molybdène et avoir une épais- seur d'environ 50 À. Sur la figure 6C. une premiere couche de resine photosensible (PR) 280 est fonnée sur la couche d'un matériau métallique tampon 242a et un deuxième masque l k RR1 '. F -_J 1 ':7 POUR I)EPOF doc Jd,cIn , M22 est disposé auùdessus de la première couche PR 280. Le deuxième masque M22 a une zone transmissive A, une zone semiùtransmissive B et une zone de blocage C. Un facteur de transmission de la zone semiùtransmissive B est plus petit qu'un facteur de transmission de la zone transmissive A et plus grand qu'un facteur de transmission de la zone de blocage C. Le facteur de transmission de la zone semitransmissive B peut être obtenu par formation d'un film semiùtransmissif ou formation d'un motif à fentes opaques sur une plaque de quartz. Par conséquent, lorsque la première couche PR 280 est exposée à une lumière au travers du deuxième masque M22, la première couche PR 280 correspondant à la zone semiùtransmissive B est exposée de manière incomplète. En plus, la première couche PR 280 correspondant à la zone transmissive A est exposée de manière complète et la première couche PR 280 correspondant à la zone de blocage C n'est pas exposée. La zone de blocage C est disposée de façon à correspondre à une région ayant un transistor en couches minces (TFT) T (sur la figure 5) formée dans un processus ultérieur, et la zone transmissive A est disposée de façon à correspondre à la région GP de plage de contact de grille et la région DP de plage de contact de données. La zone semiùtransmissive B est disposée de façon a correspondre aux autres régions du substrat 200. Sur la figure 6D. après que la première couche PR 280 (sur la figure 6C) a été exposée au travers du deuxième masque M22 (sur la figure 6C), la première couche PR 280 exposée est développée afin de former un premier motif PR 282. Le premier motif PR 282 a une première partie 282a correspondant à la zone semiùtransmissive B du deuxième masque M22 et une seconde partie 282b correspondant à la zone de blocage C du deuxième masque M22. Par conséquent, la première partie 282a a une épaisseur plus petite que la seconde partie 282b. La première couche PR 280 correspondant à la zone transmissive A du deuxième masque M22 est retirée de manière complète afin d'exposer la couche d'un matériau métallique tampon 242a. Sur la figure 6E, la couche d'un matériau métallique tampon 242a, la couche de silicium dopé 241a, la couche de silicium intrinsèque 240a, et la couche d'isolation de grille 245 sont modelées séquentiellement au moyen du premier motif PR 282 en tant qu'un masque d'attaque chimique. Ici, la couche d'isolation de grille 245 correspondant à la ligne commune 250, la plage de contact de grille 252 dans la région GP de plage de contact de grille et la plage de contact de données 262 dans la région DP de plage de contact de données est partiellement retirée de sorte qu'une partie de la couche d'isolation de grille 245 puisse rester. Par exemple, la couche d'isolation de grille 245 restante peut avoir une épaisseur inférieure à une moitié d'une épaisseur (le la couche d'isolation de grille 245 non modelée. Etant donné que la couche d'isolation de grille 245 est partiellement retirée. une étape ultérieure d'ouverture de plage HIEN il, i V P I 1t,,,rts 1 - l A i N ll R Ul P01 .i, 28 de contact pour la ligne commune 250, la plage de contact de grille 252 et la plage de contact de données 262 peut être effectuée de manière stable. Un taux d'attaque chimique d'un matériau pour la couche d'isolation de grille 245, par exemple, du nitrure de silicium (SiNx) ou de l'oxyde de silicium (SiO2) est inférieur à un taux d'attaque chimique d'un matériau pour la couche de silicium dopé 24l a et la couche de silicium intrinsèque 240a. Par conséquent, lorsque la couche d'isolation de grille 245 n'est pas retirée, la ligne commune 250, la plage de contact de grille 252 et la plage de contact de données 262 peuvent ne pas être exposées au travers de la couche d'isolation de grille 245 dans l'étape ultérieure d'ouverture de plage de contact. En plus, lorsque la couche d'isolation de grille 245 est retirée de manière complète, la ligne commune 250, la plage de contact de grille 252 et la plage de contact de données 262 peuvent être détériorées dans l'étape ultérieure d'ouverture de plage de contact. Sur la figure 6F, le premier motif PR 282 est partiellement retiré par calcina- Lion. En conséquence, la première partie 282a du premier motif PR 282 est retirée de manière complète pour exposer la couche d'un matériau métallique tampon 242a, et la seconde partie 282b du premier motif PR 282 reste pour former un deuxième motif PR 284 ayant une épaisseur réduite. Sur la figure 6G, la couche d'un matériau métallique tampon 242a. la couche de silicium dopé 241a et la couche de silicium intrinsèque 240a de la figure 6F sont modelées au moyen du deuxième motif PR 284 en tant qu'un masque d'attaque chimique pour former un motif à semiùconducteurs 244 et un motif de métal tampon 242b auùdessus de l'électrode de grille 225. Le motif à semiùconducteurs 244 a un profil d'îlot et comporte une couche active 240 de silicium amorphe intrinsèque et, un motif de contact ohmique 241b de silicium amorphe dopé en impuretés. Alors que la couche de silicium dopé 24l a et la couche de silicium intrinsèque 240a sont modelées. la couche d'isolation de grille 245 restante correspondant à la ligne commune 250, la plage de contact de grille 252 dans la région GP de plage de contact de grille et la plage de contact de données 262 dans la région DP de plage de contact de données est retirée de manière complète pour fonner un trou de contact commun CMH exposant la ligne commune 250, un trou de contact CH6 de plage de contact de grille exposant la plage decontact de grille 252 et un trou de contact CH7 de plage de données exposant la plage de contact de données 262. Dans le deuxième mode de réalisation de la présente invention, étant donné que 5 la couche active 240 du motif à semiûconducteur 244, formée au cours du deuxième processus à masque a un profil d'îlot à l'intérieur de l'électrode de grille 225, une exposition de la couche active 240 à une unité de rétroéclairage est empêchée et une détérioration d'une propriété électrique du TFT T est également empêchée. En !.H>t ïL-IipfIS lür~r~~ lA 1,1R DI 1, 1,, 1, .I,,,: 29 conséquence, une qualité d'affichage d'un dispositif LCD est améliorée. En plus, étant donné que la couche active 240 du motif à semiûconducteurs 244 a un profil d'îlot à l'intérieur de l'électrode de grille 225, une zone pour une matrice noire (non représentée) empêchant une fuite de lumière est réduite. De plus, étant donné que la ligne de données, l'électrode de source et l'électrode de drain sont formées directe-ment sur le substrat sans une couche à semiûconducteurs en saillie entre elles, la zone pour la matrice noire est davantage réduite, et une détérioration telle qu'un bruit ondulant due à une interférence entre la couche à semiûconducteurs en saillie et l'électrode de pixel est empêchée. Ensuite, le deuxième motif PR 284 (sur la figure 6F) est retiré au travers d'une étape de décapage, le second processus à masque est de ce fait fini. Les figures 6H à 6M représentent un troisième processus à masque. Sur la figure 6H, une couche d'un matériau conducteur transparent 270a et une couche d'un matériau conducteur opaque 275 sont formées séquentiellement sur le motif de métal tampon 242b et la couche d'isolation de grille 245. Par exemple, la couche d'un matériau transparent 270a peut comporter un parmi de l'oxyde d'indium--étain (1TO) et de l'oxyde d'indiumùzinc (IZO). En plus, la couche d'un matériau conducteur opaque 275 peut comporter au moins un parmi du cuivre (Cu), du molybdène (Mo), un alliage de molybdène (Mo) tel que du molybdèneùtitane (MoTi), de l'aluminium (AI), un alliage d'aluminium (Al) tel que de l'aluminiumùnéodyme (AINd) et du chrome (Cr). Ensuite, une seconde couche PR 290 est formée sur la couche d'un matériau conducteur opaque 275 et un troisième masque M23 est disposé auûdessus de la seconde couche PR 290. Le troisième masque M23 a une zone transmissive A, une zone semiûtransmissive B et une zone de blocage C. Un facteur de transmission de la zone seraiûtransmissive B est plus petit qu'un facteur de transmission de la zone transmissive A et plus grand qu'un facteur de transmission de la zone de blocage C. Le facteur de transmission de la zone semiûtransmissive B peut être obtenu par formation d'un film semiûtransmissif ou par formation d'un motif à fentes opaques sur une plaque de quartz. Par conséquent, lorsque la seconde couche PR 290 est exposée à une lumière au travers du troisième masque M23, la seconde couche PR 290 correspondant à la zone semiùtransmissive B est exposée de manière incomplète. En plus, la seconde couche PR 290 correspondant à la zone transmissive A est exposée de manière complète et la seconde couche PR 290 correspondant à la zone de blocage C n'est pas exposée. La zone transmissive A et la zone de blocage C sont disposées en alternance dans la région de pixel P. En plus, la zone de blocage C est disposée de façon à correspondre à la région GP de plage de contact de grille et la région DP de plage de contact de données. et la zone seraiùtransmissive B est disposée de façon à corres- k CH I 1 ?a Pi l l -ft I)I: f o pondre à des régions frontières du motif de métal tampon 242b, des régions frontières de la ligne commune 250 et la ligne de données 230 (sur la figure 5) formées dans un processus ultérieur. La zone transmissive A est disposée de façon à correspondre à une région centrale du motif de métal tampon 142b, une région centrale de la ligne commune 250 et les autres régions du substrat 100. Sur la figure 6I, après que la seconde couche PR 290 (sur la figure 6H) a été exposée au travers du troisième masque M23 (sur la figure 6H), la seconde couche PR 290 exposée est développée afin d'obtenir un troisième motif PR 292. Le troisième motif PR 292 a une première partie 292a correspondant à la zone semi- s 0 transmissive B du troisième masque M23 et une seconde partie 292b correspondant à la zone de blocage C du troisième masque M23. Par conséquent, la première partie 292a a une épaisseur plus petite que la seconde partie 292b. La seconde couche PR 290 correspondant à la zone transmissive A du troisième masque M23 est complète-ment retirée afin d'exposer la couche d'un matériau conducteur opaque 275. 15 Sur la figure 6J, la couche d'un matériau conducteur opaque 275 et la couche d'un matériau conducteur transparent 270a sont modelées séquentiellement au moyen du troisième motif PR 292 en tant qu'un masque d'attaque chimique pour former une ligne de données 230, une électrode de source 232, une électrode de drain 234, un motif 272a d'électrode de pixel, un motif 260b d'électrode commune, un motif 254a 20 de borne de plage de contact de grille et un motif 264a de borne de plage de contact de données. Par exemple, la couche d'un matériau conducteur opaque 275 et la couche d'un matériau conducteur transparent 270a peuvent être modelées au travers d'un procédé d'attaque chimique par voie humide ayant une propriété isotrope. Par conséquent, la couche d'un matériau conducteur opaque 275 et la couche d'un maté- 25 riau conducteur transparent 270a peuvent être attaquées chimiquement de manière excessive pour former un profil de gravure sousùjacente de telle manière que des côtés de la couche d'un matériau conducteur opaque 275 modelée et la couche d'un matériau conducteur transparent 270a modelée soient disposés à l'intérieur de côtés du troisième motif PR 292. En conséquence, une surface inférieure de parties latéra- 30 les du troisième motif PR 292 est exposée. Alors qu'un processus de décollage ultérieur, où une couche de passivation est formée sur un motif PR puis la couche de passivation et le motif PR sont retirés ensemble, est effectué, une solution de déca-page peut aisément s'infiltrer au travers de la surface inférieure exposée du profil PR. Chacune parmi la ligne de données 230, l'électrode de source 232, l'électrode 35 de drain 234, le motif 272a d'électrode de pixel, le motif 260b d'électrode commune, le motif 254a de borne de plage de contact de grille et le motif 264a de borne de plage de contact de données a une structure à double couche de la couche d'un matériau conducteur opaque 275 et la couche d'un matériau conducteur transparent 270a. IIIRS(.-Hh I3kFCT'7Bres r.~ _- ~ Ill 1A1 KM. k I)LPUTdr" dccr , Les électrodes de source 232 et de drain 234 sont disposées au niveau des deux côtés du motif de métal tampon 242b et le motif 272a d'électrode de pixel alternent avec le motif 260b d'électrode commune dans la région de pixel P. Le motif 254a de borne de plage de contact de grille et le motif 264a de borne de plage de contact de données viennent en contact avec la plage de contact de grille 252 et la plage de contact de données 262, respectivement. Chacun parmi la ligne de données 230, l'électrode de source 232, l'électrode de drain 234, le motif 272a d'électrode de pixel, le motif 260a d'électrode commune, le motif 254a de borne de plage de contact de grille et le motif 264a de borne de plage de contact de données définit un profil de gravure sous jacente avec le troisième motif PR 292, et la surface inférieure des parties latérales du troisième motif PR 292 est exposée. Sur la figure 6K, le motif de métal tampon 242b (sur la figure 6J) et le motif de contact ohmique 241b (sur la figure 6J) sont modelés au moyen du troisième motif PR 292 (sur la figure 6J) en tant qu'un masque d'attaque chimique. Par conséquent. une couche de métal tampon 242 et une couche de contact ohmique 241 sont formées au niveau des deux côtés de la couche active 240, et la couche active 240 est exposée de façon à définir une région de canal ch en tant qu'un trajet de courant d'un TFT T. La couche active 240 et la couche de contact ohmique 241 constituent une couche à semiùconducteurs 243, et l'électrode de grille 225, la couche à semiùconducteurs 243, l'électrode de source 232 et l'électrode de drain 234 constituent le TFT T. La couche de métal tampon 242 réduit une résistance de contact et une différence de travail d'extraction entre la couche d'un matériau conducteur transparent 270a des électrodes de source 232 et de drain 234 et la couche de contact ohmique 241 de sorte qu'un contact ohmique puisse être obtenu et une propriété électrique du TFT T puisse être améliorée. Ensuite, le troisième motif PR 292 est partiellement retiré par calcination. En conséquence, la première partie 292a du troisième motif PR 292 est retirée de manière complète pour exposer la ligne de données 230, l'électrode de source 232 et l'électrode de drain 234, et la seconde partie 292b du troisième motif PR 292 reste pour former un quatrième motif PR 294 ayant une épaisseur réduite. En conséquence, le quatrième motif PR 294 est formé sur le motif 272a d'électrode de pixel, le motif 260b d'électrode commune, le motif 254a de borne de plage de contact de grille et le motif 264a de borne de plage de contact de données. Sur la figure 6L, une couche de passivation 258a est formée sur le quatrième motif PR 294, la ligne de données 230, l'électrode de source 232 et l'électrode de drain 234. La couche de passivation 258a comprend l'un parmi un matériau d'isolation inorganique tel que du nitrure de silicium (SiNx) et de l'oxyde de silicium (SiO2). En plus, la couche de passivation 258a est formée au travers d'un procédé de dépôt physique en phase vapeur (PVD). par exemple, un procédé de pulvérisation. HIItSl II fRl-AE:I.I ISI 1'01 l ( lio [IRE \l1S 1 AÏ P( R Dl Pl de plage de contact de grille et le motif 264a de borne de plage de contact de données sont exposés après le processus de décollage. Ensuite, la couche d'un matériau conducteur opaque 275 du motif 272a d'électrode de pixel, le motif 260b d'électrode commune, le motif 254a de borne de plage de contact de grille et le motif 264a de borne de plage de contact de données sont retirés au moyen du motif de passivation 258 en tant qu'un masque d'attaque chimique pour former une électrode de pixel 272, une électrode commune 260, une borne 254 de plage de contact de grille et une borne 264 de plage de contact de données. L'électrode de pixel 272 comporte une partie d'extension 272b, une pluralité de parties verticales 272c ayant chacune un profil de barre et une partie de liaison 272d. La partie d'extension 272b s'étend depuis la couche d'un matériau conducteur transparent 270a de l'électrode de drain 234, et la pluralité de parties verticales 272c s'étendent verticalement depuis la partie d'extension 272b. La partie de liaison 272d relie la pluralité de parties verticales 272c. En outre, une électrode commune 260 comportant une pluralité de parties verticales 260a est formée dans la région de pixel P. Chacune parmi la pluralité de parties verticales 260a a un profil de barre. La pluralité de parties verticales 260a de l'électrode commune 260 sont reliées à la ligne commune 250 au travers d'un trou de contact commun CMH. La pluralité des parties verticales 260a des électrodes communes 260 alterne avec la pluralité des parties verticales 272e de l'électrode de pixel 272 dans la région de pixel P. Par conséquent, dans le substrat de réseau du deuxième mode de réalisation de la présente invention fabriqué au travers d'un processus à trois masques, étant donné que la ligne de domlées 230. l'électrode de source 232 et l'électrode de drain 234 sont couvertes du motif de passivation 258, une détérioration due à des particules est empêchée et une fiabilité du dispositif LCD est améliorée. En plus, chacune parmi la ligne de données 230, l'électrode de source 232 et l'électrode de drain 234 comportent la couche d'un matériau conducteur opaque 275 et la couche d'un matériau conducteur transparent 270a, alors que chacune parmi l'électrode de pixel 272, l'électrode commune 260, la borne 254 de plage de contact de grille et la borne 264 de plage de contact de données comporte la couche d'un matériau conducteur transparent 270a. La partie de liaison 272d de l'électrode de pixel 272 chevauche la ligne commune 250 pour définir un condensateur de stockage Cst comportant la partie chevauchée de la ligne commune 250 en tant qu'une première électrode de conden- sateur, la partie chevauchée de la partie de liaison 272d de l'électrode de pixel 272 en tant qu'une seconde électrode de condensateur et la couche d'isolation de grille 245 en tant qu'une couche diélectrique. Etant donné que seule la couche d'isolation de grille 245 relativement mince est utilisée en tant qu'une couche diélectrique. une 11112SC II,, 1ik1_AT-lS 13r rie,, .-7. -12 l 11T 101 k Df_PUl J,. ., 34 capacité du condensateur de stockage Cst est maximisée et une zone pour le condensateur de stockage Cst est minimisée. Dans le substrat de réseau selon le deuxième mode de réalisation de la présente invention, étant donné que la couche à semiùconducteurs du TFT a un profil d'îlot à l'intérieur de l'électrode de grille, la propriété électrique du TFT est améliorée et un rapport d'ouverture augmente. En plus, étant donné que la ligne de données, l'électrode de source et l'électrode de drain sont couvertes du motif de passivation, une fiabilité du dispositif LCD est améliorée. En outre, étant donné que le motif de passivation est formé au travers du procédé de pulvérisation, une dégradation du l0 processus de décollage est minimisée. De plus, étant donné que l'électrode de pixel et l'électrode commune sont formées en alternance afin d'avoir un profil de barre dans la région de pixel, une solution de décapage s'infiltre aisément et un processus de décollage est, en outre, amélioré. La figure 7 est une vue en plan simplifiée représentant un substrat de réseau 15 pour un dispositif d'affichage à cristaux liquides selon un troisième mode de réalisation de la présente invention, et la figure 8 est une vue en coupe transversale simplifiée réalisée le long d'une ligne VIIIùVIII de la figure 7. Dans le substrat de réseau selon le troisième mode de réalisation de la présente invention, étant donné que des électrodes communes et des électrodes de pixel alternent entre elles dans une région 20 de pixel, un processus de décollage est effectué de manière plus efficace. En plus, étant donné que chacune parmi l'électrode commune et l'électrode de pixel a une structure à couche unique d'un matériau conducteur opaque, un rapport de contraste est en outre amélioré. Sur les figures 7 et 8, une ligne de grille 320, une électrode de grille 325, une 25 plage de contact de grille 352 et une ligne commune 350 sont formées sur un substrat 300. L'électrode de grille 325 s'étend depuis la ligne de grille 320 et la plage de contact de grille 352 est formée au niveau d'une extrémité de la ligne de grille 320. La ligne commune 350 est parallèle à et écartée de la ligne de grille 320. En outre, une ligne de données 330, une électrode de source 332, une électrode de drain 334 et 30 une plage de contact de données 362 sont formées sur le substrat 200. La ligne de données 330 croise la ligne de grille 320 pour définir une région de pixel P. L'électrode de source 332 s'étend depuis la ligne de données 330 et l'électrode de drain 334 est écartée de l'électrode de source 332. L'électrode de source 332 a un profil en U et l'électrode de drain 334 a un profil de barre correspondant au profil en U. Chacune 35 parmi la ligne de données 330, l'électrode de source 332 et l'électrode de drain 334 comportent une structure à double couche ayant une première couche d'un matériau conducteur opaque 370a et une seconde couche d'un matériau conducteur opaque 375. La première couche d'un matériau conducteur opaque 370a comprend l'un parmi HIRS(Ifo kRLA1 TSBie.c~_-1 lAI lfllhUf pt ~l dä 35 du molybdène (Mo) et un alliage de molybdène tel que du molybdèneûtitane (Mou ), alors que la seconde couche d'un matériau conducteur opaque 375 comprend l'un parmi du cuivre (Cu), de l'aluminium (Al), un alliage d'aluminium (Al) tel que de l'aluminiumûnéodyme (AINd) et du chrome (CR)...DTD: La plage de contact de données 362 est formée au niveau d'une extrémité de la ligne de données 330. La plage de contact de grille 352 est formée du même matériau et dans la même couche que la plage de contact de données 362. Une borne 354 de plage de contact de grille sur la plage de contact de grille 352 est reliée à la plage de contact de grille 352 au travers d'un trou de contact CH8 de plage de contact de grille, et une borne 364 de plage de contact de données sur la plage de contact de données 362 est reliée à la plage de contact de données 362 au travers d'un trou de contact CH9 de plage de contact de données. La borne 354 de plage de contact de grille et la borne 364 de plage de contact de données comporte la première couche d'un matériau conducteur opaque 370a. Un transistor en couches minces (TFT) T est relié à la ligne de grille 320 et la ligne de données 330. Le TFT T comporte l'électrode de grille 325, une couche à semiûconducteurs 343. l'électrode de source 332 et l'électrode de drain 334. La couche à semiûconducteurs 343 est formée auûdessus de l'électrode de grille 325. et les électrodes de source 332 et de drain 334 viennent en contact avec la couche à semiûconducteurs 343. La couche à semiûconducteurs 343 comporte une couche active 340 de silicium amorphe intrinsèque (aûSi : H) et une couche de contact ohmique 341 de silicium amorphe dopé en impuretés (n+aûSi : H). Etant donné que la couche à semiûconducteurs 343 est formée au moyen d'un masque différent d'un masque pour la ligne de données 330, la plage de contact de données 362, l'électrode de source 332 et l'électrode de drain 334, la couche à semiûconducteurs 343 a un profil d'îlot et est disposée à l'intérieur de l'électrode de grille 325. En conséquence, la couche à semiûconducteurs 343 du TFT T n'est pas exposée à une lumière provenant d'une unité de rétroéclairage (non représentée) et un courant photoélectrique n'est pas généré dans le TFT T. Donc, une dégradation de la propriété électrique du TFT T due au courant photoélectrique est empêchée. Etant donné que la première couche d'un matériau conducteur opaque 370a est formée sous la seconde couche d'un matériau conducteur opaque 375 dans la structure à double couche des électrodes de source 332 et de drain 334, la première couche d'un matériau conducteur opaque 370a peut venir directement en contact avec i 5 la couche de contact ohmique 341. Etant donné que la première couche d'un matériau conducteur opaque 370a n'a pas de travail d'extraction relativement plus élevé que la couche de contact ohmique 341. la différence de travail d'extraction entre la couche de contact ohmique 341 et les électrodes de source 332 et de drain 334 n'est pas rela- IIIR. I { ~ • f3RI A f IS I3i r~cis --, "I..l l Al 1i)1 R DFI )l d~. _. dr,mhir,~ä 36 tivement grande. En conséquence, le TFT T peut avoir une résistance de contact relativement basse des électrodes de source 332 et de drain 334, et une couche de métal tampon entre les électrodes de source 332 et de drain 334 et la couche de contact ohmique 341 peut être omise. 5 La couche active 340 est exposée entre les électrodes de source 332 et de drain 334 pour définir une région de canal ch pour une circulation de courant. Un motif de passivation 358 est formé sur la ligne de données 330, l'électrode de source 332 et l'électrode de drain 334 au travers d'un procédé de dépôt physique en phase vapeur (PVD) tel qu'un procédé de pulvérisation et de décollage. Une électrode de pixel 372 10 reliée à l'électrode de drain 334 est formée dans la région de pixel P. L'électrode de pixel 372 comporte une partie d'extension 372b, une pluralité de parties verticales 372c ayant un profil de barre et une partie de liaison 372d. La partie d'extension 372b s'étend depuis l'électrode de drain 334 et la pluralité de parties verticales 372c s'étendent verticalement depuis la partie d'extension 372b. La partie de liaison 372d 15 relie la pluralité de parties verticales 372c. En outre, une électrode commune 360 comportant une pluralité de parties verticales 360a est formée dans la région de pixel P. Chacune parmi la pluralité de parties verticales 360a a un profil de barre. La pluralité de parties verticales 360a de l'électrode commune 360 sont reliées à la ligne commune 350 au travers d'un trou de contact commun CMH. La pluralité de parties 20 verticales 360a de l'électrode commune 360 alternent avec la pluralité de parties verticales 372c de l'électrode de pixel 372 dans la région de pixel P. Ici, chacune parmi l'électrode commune 360 et l'électrode de pixel 372 a une structure à couche unique de la première couche d'un matériau conducteur opaque 370a de sorte qu'une désinclinaison puisse être réduite. Par exemple, la première 25 couche d'un matériau conducteur opaque 370a de molybdèneùtitane (MoTi) peut avoir une épaisseur d'environ 300 À et la seconde couche d'un matériau conducteur opaque 370b de cuivre (Cu) peut avoir une épaisseur d'environ 2000 Â. La différence de pas par l'épaisseur totale d'environ 2300 À peut amener une désinclinaison dans un dispositif LCD. Dans un dispositif LCD ayant un substrat de réseau des figures 7 30 et 8, cependant, étant donné que l'électrode commune 360 et l'électrode de pixel 372 peuvent avoir une épaisseur totale d'environ 300 À, correspondant à la première couche d'un matériau conducteur opaque 370a, la différence de pas par l'épaisseur totale est réduite et la désinclinaison due à la différence de pas est empêchée. La partie de liaison 372d de l'électrode de pixel 372 chevauche la ligne commune 350 pour définir un condensateur de stockage Cst comportant une partie chevauchée de la ligne commune 320 en tant qu'une première électrode de condensateur et une partie chevauchée de l'électrode de pixel 372 en tant qu'une seconde électrode de condensateur. IIIRSCIIb BRI A'FTS 6i r~cts '~' _ --, 1\1 F'UI R UEP^)I dnc - _^, dc;embu-u 2919113 Le substrat de réseau des figures 7 et 8 est fabriqué au travers d'un processus à trois masques, et la couche à semi-conducteurs 343 a un profil d'îlot à l'intérieur de l'électrode de grille 325. De plus, la couche de passivation 358a obtenue par pulvérisation est modelée au moyen d'un processus de décollage pour former un motif de passivation 358. En outre, étant donné que l'électrode de pixel et l'électrode commune ont un profil de barre dans la région de pixel, une zone pour une infiltration d'une solution de décapage est agrandie et un excellent résultat du processus de décollage est obtenu. Etant donné que chacune parmi l'électrode de pixel 372 et l'électrode commune 360 a une structure à couche unique de la première couche d'un matériau conducteur opaque 370a, la luminosité d'une image noire et la désinclinaison sont réduites et un rapport de contraste du dispositif LCD est amélioré. La figure 9 est une vue en plan simplifiée représentant un substrat de réseau pour un dispositif d'affichage à cristaux liquides selon un quatrième mode de réalisation de la présente invention. Sur la figure 9, une ligne de grille 420, une électrode de grille 425 et une ligne commune 250 sont formées sur un substrat 400. La ligne de grille 420 s'étend le long d'une première direction. L'électrode de grille 425 peut faire partie de la ligne de grille 420. La ligne commune 450 est disposée entre la ligne de grille 420 adjacente. La ligne commune 450 comporte des première, deuxième et troisième parties 450a, 450b et 450e. La première partie 450a et la troisième partie 450c s'étendent le long de la première direction, et la deuxième partie 450b s'étend le long d'une seconde direction perpendiculaire à la première direction. La première partie 450a et la troisième partie 450e sont parallèles à et écartées de la ligne de grille 420. La deuxième partie 450b peut comporter deux parties, chacune d'entre elle étant reliée à la première partie 450a et la troisième partie 450e. En outre, une ligne de données 430, une électrode de source 432 et une électrode de drain 434 sont formées sur un substrat 400. La ligne de données 430 s'étend le long de la seconde direction et croise la ligne de grille 420 pour définir une région de pixel P. L'électrode de source 432 s'étend depuis la ligne de données 430 etl'électrode de drain 434 est écartée de l'électrode de source 432. L'électrode de source 432 a un profil en U et l'électrode de drain 434 a un profil de barre correspondant au profil en U. Comme énoncé dans les modes de réalisation précédents, chacune parmi la ligne de données 430, l'électrode de source 432 et l'électrode de drain 434 comportent une structure à double couche ayant une couche d'un matériau conducteur transparent (non représentée) et une couche d'un matériau conducteur opaque (non représentée). Un transistor en couches minces (TFT) T est relié à la ligne de grille 420 et la ligne de données 430. Le TFT T comporte l'électrode de grille 425, une couche à semi-conducteurs. l'électrode de source 432 et l'électrode de drain 434. La couche à IIIR.(-LIb ENIVIU If,eo :ù... I_-I 1N OC R DEPQT 38 semiûconducteurs est formée auûdessus de l'électrode de grille 425, et les électrodes de source 432 et de drain 434 viennent en contact avec la couche à semiûconducteurs. La couche à semiûconducteurs comporte une couche active 440 de silicium amorphe intrinsèque (aûSi : H) et une couche de contact ohmique (non représentée) de silicium amorphe dopé en impuretés (n+aûSi : H). Etant donné que la couche à semiûconducteurs est formée au moyen d'un masque différent d'un masque pour la ligne de données 430, l'électrode de source 432 et l'électrode de drain 434, la couche à semiûconducteurs a un profil d'îlot et sa frontière est disposée à l'intérieur de l'électrode de grille 425. En conséquence, la couche à semiûconducteurs du TFT T n'est pas exposée à une lumière provenant d'une unité de rétroéclairage (non représentée) et un courant photoélectrique n'est pas généré dans le TFT T. Donc, une dégradation d'une propriété électrique du TFT T due au courant photoélectrique est empêchée. Bien que non représentée sur la figure, une couche de métal tampon peut en outre être formée entre la couche de contact ohmique et chacune parmi les électrodes de source 432 et de drain 434 pour réduire une résistance de contact de façon à obtenir un contact ohmique. La couche active 440 est exposée entre les électrodes de source 432 et de drain 434 pour définir une région de canal pour une circulation de courant. Bien que non représentée sur la figure, une couche de passivation est formée au travers d'un procédé de dépôt physique en phase vapeur (PVD), tel qu'une pulvérisation, et modelée au moyen d'un procédé de décollage pour former un motif de passivation sur la ligne de données 430, l'électrode de source 432 et l'électrode de drain 434. Une électrode de pixel 472 reliée à l'électrode de drain 434 est formée dans la région de pixel P. L'électrode de pixel 472 comporte une partie d'extension 472b et une pluralité de parties verticales 472c ayant un profil de barre. La partie d'extension 472b s'étend depuis l'électrode de drain 434, et la pluralité de parties verticales 472c s'étendent depuis la partie d'extension 472b le long de la seconde direction. La partie d'extension 472b chevauche la troisième partie 450e de la ligne commune 450 pour former un condensateur de stockage Cst. En outre, une électrode commune 460 est formée dans la région de pixel P. L'électrode commune 460 comporte une partie de liaison 460a et une pluralité de parties verticales 460b. La partie de liaison 460a chevauche la première partie 450a de la ligne commune 450. La partie de liaison 460a est reliée à la première partie 450a de la ligne commune 450 au travers d'un trou de contact commun CMH. La pluralité de parties verticales 460b s'étendent depuis la partie de liaison 460a le long de la seconde direction. Chacune parmi la pluralité de parties verticales 460b a un profil de barre. La pluralité de parties verti- IIIR>~H~ hRI\FIS Hu-•~;~_ ~ rui oern i a. ~s ae cales 460b de l'électrode commune 460 alternent avec la pluralité de parties verticales 472c de l'électrode de pixels 472 dans la région de pixels P. Chacune parmi l'électrode de pixels 472 et l'électrode commune 460 comporte une couche d'un matériau conducteur transparent. Les parties verticales 460b de l'électrode commune 460, les parties verticales 472c de l'électrode de pixels 472, la deuxième partie 450b de la ligne commune 450 et la ligne de données 430 sont courbées sensiblement au milieu de la région de pixel P pour former des domaines multiples. Le substrat de réseau de la figure 9 est fabriqué au travers d'un processus à trois masques similaire aux modes de réalisation précédents, et la couche à semiùconducteurs à un profil d'îlot à l'intérieur de l'électrode de grille 425. De plus, la couche de passivation obtenue par pulvérisation est modelée au moyen d'un processus de décollage pour former un motif de passivation. En outre, étant donné que l'électrode de pixel et l'électrode commune ont un profil de barre dans la région 1 de pixel. une zone pour l'infiltration d'une solution de décapage est agrandie et un excellent résultant du processus de décollage est obtenu. L'homme du métier s'apercevra de façon évidente que diverses modifications et variantes peuvent être apportées au circuit d'entraînement ou de pilotage pour un dispositif d'affichage à cristaux liquides dans le cadre de la présente invention sans 20 s'écarter de l'esprit ou de la portée de l'invention. Ainsi, l'invention n'est pas limitée aux exemples de réalisation ciùdessus décrits et représentés, à partir desquels on pourra prévoir d'autres modes et d'autres formes de réalisation, sans pour autant sortir du cadre de l'invention. iai REVENDICATIONS 1. Substrat de réseau pour un dispositif d'affichage à cristaux liquides comprenant : - un substrat (100 ; 200 ; 300 ; 400) ; - une ligne de grille (120 ; 220 ; 320 ; 420) sur le substrat ; - une ligne de données (130 ; 230 ; 330 ; 430) croisant la ligne de grille pour définir une région de pixel (P) ; - un transistor en couches minces (TFT) relié à la ligne de grille et à la ligne de données, le transistor en couches minces comportant une électrode de grille (125 ; 225 ; 325 ; 425) reliée à la ligne de grille, une couche à semiùconducteurs (143 ; 243 ; 343) dont une frontière se trouve à l'intérieur de l'électrode de grille, une électrode de source (132 ; 232 ; 332 ; 432) reliée à la ligne de données et une électrode de drain (134 ; 234 ; 334 ; 434) écartée de l'électrode de source ; l - un motif de passivation (158 ; 258 ; 358) couvrant la ligne de données et le transistor en couches minces ; et - une électrode de pixel (172 ; 272 ; 372 ; 472). 2. Substrat selon la revendication 1, comprenant en outre une plage de contact de grille (152 ; 252 ; 352) au niveau d'une extrémité de la ligne de grille 20 (120 ; 220 ; 320 ; 420) et une plage de contact de données (162 ; 262 ; 362) au niveau d'une extrémité de la ligne de données (130 ; 230 ; 330 ; 430), dans lequel la plage de contact de grille est formée du même matériau et dans la même couche que la plage de contact de données. 3. Substrat selon la revendication 2, comprenant en outre une borne 25 (154 ; 254 ; 354) de plage de contact de grille venant en contact avec la plage de contact de grille (152 ; 252 ; 352) et une borne (164 ; 264 ; 364) de plage de contact de données venant en contact avec la plage de contact de données (162 ; 262 ; 362), dans lequel la borne de plage de contact de grille et la borne de plage de contact cle données sont exposées au travers du motif de passivation (158 ; 258 ; 358). 30 4. Substrat selon l'une quelconque des revendications 1 à 3, comprenant en outre : - une ligne commune (250 ; 350 ; 450) parallèle à et écartée de la ligne de grille (120; 220; 320; 420); et - une électrode commune (260 ; 360 ; 460) écartée de l'électrode de pixel (172 ; 35 272: 372 ; 472) dans la région de pixel (P). 5. Substrat selon la revendication l ou 4, dans lequel chacune parmi la ligne de données (130 : 230 ; 330 ; 430), l'électrode de source (132 ; 232 ; 332 : 4 32) et l'électrode de drain (134 ; 234 ; 334: 434) a une structure à double couche d'une HIRS^ i BIU-'v flIS ni,s i: 1=l T".T P)l DLP)T d.,. i Ja.,r' ,o41 première couche d'un matériau conducteur et une seconde couche d'un matériau conducteur sur la première couche d'un matériau conducteur. 6. Substrat selon la revendication 5, dans lequel l'électrode de pixel (172 ; 272 ; 372 ; 472) comporte la première couche d'un matériau conducteur 5 exposée au travers du motif de passivation (158 ; 258 ; 358). 7. Substrat selon la revendication 5, dans lequel la première couche d'un matériau conducteur comprend l'un parmi un groupe de matériaux transparents comprenant de l'oxyde d'indiumùétain (ITO) et de l'oxyde d'indiumùzinc (IZO) 8. Substrat selon la revendication 7, comprenant en outre une couche de 10 métal tampon (142 ; 242) entre la couche à semiùconducteurs (143 ; 243 ; 343) et l'électrode de source (132 ; 232 ; 332 ; 432) et entre la couche à semiùconducteurs et les électrodes de drain (134 ; 234 ; 334 ; 434), dans lequel la couche à semi 1 9. Substrat selon la revendication 8, dans lequel la couche de métal tampon (142 ; 242) comporte du molybdène. 10. Substrat selon la revendication 7, dans lequel la seconde couche d'un matériau conducteur comporte un parmi un groupe de matériaux opaques se compo- 20 saut de cuivre, de molybdène, d'un alliage de molybdène, d'aluminium. d'un alliage d'aluminium et de chrome. 11. Substrat selon la revendication 4, dans lequel l'électrode de pixel (172 ; 272 ; 372 ; 472) comporte une partie d'extension (272b ; 372b : 472b) s'étendant depuis l'électrode de drain (134 ; 234 ; 334 ; 434), une pluralité de parties 25 verticales (272c ; 372c ; 472e) s'étendant depuis la partie d'extension, et dans lequel l'électrode commune (260 ; 360 : 460) comporte une pluralité de parties verticales (206a ; 360a), la pluralité de parties verticales de l'électrode commune alternant avec la pluralité de parties verticales de l'électrode de pixel. 12. Substrat selon la revendication 11, comprenant en outre une couche 30 d'isolation de grille (145 ; 245) couvrant la ligne de grille (120 ; 220 ; 320 ; 420), dans lequel l'électrode commune (260 ; 360 ; 460) est reliée à la ligne commune (250 ; 350 ; 450) au travers d'un trou de contact commun (CMH) dans la couche d'isolation de grille. 13. Substrat selon la revendication 5, dans lequel chacune parmi 35 l'électrode de pixel (172 ; 272 ; 372 ; 472) et l'électrode commune (260 360: 460) comporte la première couche d'un matériau conducteur exposée au travers du motif de passivation (158 ; 258: 358). 1111,S( 11,, RRF\EIHa .ci 1A11101I)! O! ,.-~~. de,embe-41So conducteurs comporte une couche active (140 ; 240 ; 340 ; 440) de silicium amorphe intrinsèque et une couche de contact ohmique (141 ; 241 ; 341) de silicium amorphe dopé en impuretés. 42 14. Substrat selon la revendication 5, dans lequel la première couche d'un matériau conducteur comprend l'un parmi un groupe de matériaux transparents comprenant de l'oxyde d'indiumùétain (ITO) et de l'oxyde d'indiumùzinc (IZO) ou l'un parmi un groupe de matériaux opaques comprenant un alliage de molybdène. 15. Substrat selon la revendication 14, dans lequel la seconde couche d'un matériau conducteur comprend l'un parmi un groupe de matériaux opaques comprenant du cuivre, du molybdène, un alliage de molybdène, de l'aluminium, un alliage d'aluminium et du chrome. 16. Substrat selon l'une quelconque des revendications 1 à 15, dans lequel l'électrode de pixel (172 ; 272 ; 372 ; 472) chevauche une ligne de grille (120 ; 220 ; 320 ; 420) voisine dans une région de pixel (P) voisine pour définir un condensateur de stockage (Cst) comportant la partie chevauchée de la ligne de grille voisine en tant qu'une première électrode de condensateur et la partie chevauchée de l'électrode de pixel en tant qu'une seconde électrode de condensateur. 17. Procédé de fabrication d'un substrat de réseau pour un dispositif d'affichage à cristaux liquides, comprenant les étapes consistant à : -former une ligne de grille (120 ; 220 ; 320 ; 420), une électrode de grille (125 ; 225 : 325 ; 425) reliée a la ligne de grille, une plage de contact de grille (152 : 252 ; 352) au niveau d'une extrémité de la ligne de grille sur un substrat (100 ; 200 ; 300 ; 400) au travers d'un premier processus à masque ; - former une couche d'isolation de grille (145 ; 245) sur la ligne de grille, l'électrode de grille et la plage de contact de grille ; - former une couche à semiùconducteurs (143 ; 243 ; 343) sur la couche d'isolation de grille au travers d'un deuxième processus à masque, la frontière de la couche à semiùconducteurs se trouvant à l'intérieur de l'électrode de grille ; et - former une ligne de données (130 ; 230 ; 330 ; 430) croisant la ligne de grille, une électrode de source (132 ; 232 ; 332 ; 432) reliée à la ligne de données, une électrode de drain (134 ; 234 ; 334 ; 434) écartée de l'électrode de source, une électrode de pixel (172 ; 272 ; 372 ; 472) s'étendant depuis l'électrode de drain, une borne (154 ; 254 ; 354) de plage de contact de grille venant en contact avec la plage de contact de grille et une borne (164 ; 264 ; 364) de plage de contact de données reliée à la ligne de données et former un motif de passivation (158 ; 258 ; 358) sur la ligne de données, l'électrode de source et l'électrode de drain au travers d'un troisième processus à masque. 18. Procédé selon la revendication 17, dans lequel le premier processus à masque comprend en outre l'étape consistant à former une plage de contact de données (162 ; 262 : 362) sur le substrat (100 ; 200 ; 300 ; 400), le deuxième processus à masque comprend en outre l'étape consistant à former un trou de contact (Cf13. H I F BHI A11"- 1 3 , , . , r , _ _ I F POUR I)E PfT dos-'r .ic.end,ic - J_ t• 43 CH5, CH7, CH9) de plage de contact de données dans la couche d'isolation de grille (145 ; 245), la borne (164 ; 264 ; 364) de plage de contact de données venant en contact avec la plage de contact de données au travers du trou de contact de plage de contact de données. 19. Procédé selon la revendication 17, dans lequel le deuxième processus à masque comprend en outre les étapes consistant à : - former séquentiellement une couche de silicium intrinsèque (140a ; 240a) et une couche de silicium dopé (14l a ; 241a) sur la couche d'isolation de grille (145 ; 245) ; - former un premier motif de résine photosensible (182 ; 282) sur la couche de silicium dopé, le premier motif de résine photosensible ayant une première partie (182a ; 282a) et une seconde partie (182b ; 282b) ayant une épaisseur plus grande que la première partie, la couche d'isolation de grille correspondant à la plage de contact de grille (152 ; 252 ; 352) et la plage de contact de données (162 ; 262 ; 362) exposée au travers du premier motif de résine photosensible ; - modeler la couche de silicium dopé et la couche de silicium intrinsèque au moyen du premier motif de résine photosensible en tant qu'un masque d'attaque chimique ; - retirer partiellement le premier motif de résine photosensible pour former un 20 deuxième motif de résine photosensible (184 ; 284) correspondant à l'électrode de grille (125 ; 225 ; 325 ; 425) ; et - modeler la couche de silicium dopé, la couche de silicium intrinsèque et la couche d'isolation de grille au moyen du deuxième motif de résine photosensible en tant qu'un masque d'attaque chimique pour former la couche à semiûconducteurs 25 (143 ; 243 ; 343) et pour former un trou de contact (CH2, CH4, CH6, CH8) de plage de contact de grille dans la couche d'isolation de grille, le trou de contact de plage de contact de grille exposant la plage de contact de grille. 20. Procédé selon la revendication 19, dans lequel l'étape de formation d'un premier motif de résine photosensible (182 ; 282) comprend les étapes consis- 30 tant à : - former une couche de résine photosensible (180 ; 280) sur la couche de silicium dopé (14l a ; 241a) ; - disposer un masque (HTM) ayant une zone transmissive (A), une zone semitransmissive (B) et une zone de blocage (C) auûdessus de la première couche de 35 résine photosensible, la zone semiûtransmissive ayant un facteur de transmission plus grand que la zone de blocage et plus petit que la zone transmissive, la zone transmissive correspondant à la plage de contact de grille (152 ; 252 ; 352) et la plage AIRS( -Ii PREIA ITS TSl FUIR DFF) 1 44 de contact de données (162 ; 262 ; 362), la zone de blocage correspondant à l'électrode de grille (125 ; 225 ; 325 ; 425) ; - exposer la couche de résine photosensible au travers du masque ; et - développer la couche de résine photosensible pour former le premier motif de 5 résine photosensible. 21. Procédé selon la revendication 17, dans lequel le troisième processus à masque comprend les étapes consistant à : - former séquentiellement des première et seconde couches d'un matériau conducteur sur la couche à semiùconducteurs (143 ; 243 ; 343) ; 10 - former un premier motif de résine photosensible (182 ; 282) sur la seconde couche d'un matériau conducteur, le premier motif de résine photosensible avant une première partie (182a ; 282a) et une seconde partie (182b ; 282b) ayant une épaisseur plus grande que la première partie, la seconde couche d'un matériau conducteur correspondant à l'électrode de grille (125 ; 225 ; 325 : 425) exposée au travers du 15 troisième motif de résine photosensible (192 ; 292) ; - modeler la seconde couche d'un matériau conducteur et la première couche d'un matériau conducteur au moyen du premier motif de résine photosensible en tant qu'un masque d'attaque chimique pour former la ligne de données (130 : 230 ; 330 430), l'électrode de source (132 ; 232 ; 332 ; 432), l'électrode de drain (134 ; 234 ; 334 ; 434) et un motif (172a ; 272a) d'électrode de pixel ; - retirer partiellement le premier motif de résine photosensible pour former un deuxième motif de résine photosensible (184 ; 284) correspondant au motif d'électrode de pixel ; -former une couche de passivation (158a ; 258a ; 358a) sur le deuxième motif 25 de résine photosensible, la ligne de données, l'électrode de source et l'électrode de drain ; - retirer le deuxième motif de résine photosensible et la couche de passivation sur le deuxième motif de résine photosensible pour former le motif de passivation (158; 258; 358); et 30 -retirer la seconde couche d'un matériau conducteur du motif d'électrode de pixel pour former l'électrode de pixel (172 ; 272 ; 372 ; 472). IiIR~CI+~ BRI A F J [üe~r _.. _?_r r:: -T\Ï l'Ul'R U[PÏI à, 2919113 Procédé selon la revendication 21, dans lequel l'étape de formation d'un premier motif de résine photosensible (182 ; 282) comprend les étapes consistant à: -former une couche de résine photosensible (180 280) sur la seconde couche d'un matériau conducteur ; - disposer un masque (HTM) ayant une zone transmissive (A), une zone semitransmissive (B) et une zone de blocage (C) auûdessus de la couche de résine photo- 45 sensible, la zone semiûtransmissive ayant un facteur de transmission plus grand que la zone de blocage et plus petit que la zone transmissive, la zone transmissive correspondant à une partie centrale de la couche à semiûconducteurs (143 ; 243 ; 343), la zone semiûtransmissive correspondant à la ligne de données (130 ; 230 ; 330 ; 430), l'électrode de source (132 ; 232 ; 332 ; 432) et l'électrode de drain (134 ; 234 ; 334 ; 434), la zone de blocage correspondant à l'électrode de pixel (172 ; 272 ; 372 ; 472) ; - exposer la couche de résine photosensible au travers du masque ; et - développer la couche de résine photosensible pour former le premier motif de résine photosensible. 23. Procédé selon l'une quelconque des revendications 17 à 22, dans lequel le motif de passivation (158 ; 258 ; 358) est formé au travers d'un procédé de pulvérisation. 24. Procédé selon l'une quelconque des revendications 17 à 23, compre- nant en outre les étapes consistant à : - former une ligne commune (250 ; 350 ; 450) sur le substrat (100 ; 200 ; 300 ; 400) au travers du premier processus à masque ; et - former une électrode commune (260 ; 360 ; 460) reliée à la ligne commune au travers du troisième processus à masque, l'électrode commune alternant avec l'électrode de pixel (172 ; 272 ; 372 ; 472) dans la région de pixel (P). 20 25. Procédé selon la revendication 24, dans lequel le deuxième processus à masque comprend en outre l'étape consistant à former un trou de contact commun (CMH) exposant la ligne commune (250 ; 350 ; 450) dans la couche d'isolation de grille (145 ; 245) 26. Dispositif d'affichage à cristaux liquides comprenant un substrat de 25 filtres chromatiques, le substrat de réseau selon l'une quelconque des revendications 1 à 16 et une couche de cristaux liquides entre eux. IiIRKIl" L'}IAFl,fi;c.c ûI__I IST POUR IEI(il ,..- ,u - -1'ai