FR 2915625 A1 20081031 FR 0754777 A 20070427 1 Procédé de transfert d'une couche épitaxiale Domaine technique et art antérieur La présente invention concerne un procédé de réalisation d'une couche épitaxiale pouvant être mis en oeuvre lors de la fabrication de structures de semi-conducteurs, et notamment lors de la fabrication de structures de type SOI (Silicon on Insulator) ou plus généralement de type SeOI (Semiconductor On Insulator) pour des applications électroniques, micro-électroniques ou optoélectroniques. De façon bien connue, au cours de la fabrication de structures de type SeOI, la couche épitaxiale peut être tout d'abord formée sur un substrat donneur puis transférée sur un substrat receveur ou substrat support. Ce mode de fabrication peut être notamment mis en oeuvre en utilisant la technologie SmartCutTM. Un exemple de mise en oeuvre de la technologie Smart CutTM est décrit dans le document US 5 374 564 ou dans l'article de A.J. Auberton-Hervé et al. intitulé "Why can Smart-Cut Change the future of microelectronics ?", Int. Journal of High Speed Electronics and Systems, Vol.10, Nol, 2000, p.131-146. La technologie SmartCutTM est une technologie largement utilisée dans de nombreuses applications. Cependant, dans certains cas particuliers, il peut être intéressant de disposer d'une autre technologie de transfert, afin notamment de limiter les risques de détérioration de certains circuits lors d'un transfert par implantation. Résumé de l'invention L'invention a pour but de proposer un procédé de réalisation d'une couche épitaxiale qui permet de détacher la couche épitaxiale du 30 substrat donneur après sa formation. A cet effet, l'invention concerne un procédé de réalisation d'une couche épitaxiale, comportant : ù une étape de fabrication d'une structure comprenant : - la formation d'une couche intermédiaire sur un substrat donneur ; et - la formation par épitaxie de la couche épitaxiale sur la couche intermédiaire ; la température de fusion de la couche intermédiaire étant inférieure à la température de fusion de la couche épitaxiale ; et û une étape de détachement de la couche épitaxiale du substrat donneur par application d'au moins un traitement thermique, ce traitement thermique étant effectué à une température comprise entre la température de fusion de la couche intermédiaire et la température de fusion de la couche épitaxiale. Ainsi, la formation d'une couche intermédiaire entre le substrat donneur et la couche épitaxiale, ayant une température de fusion inférieure à la température de fusion de la couche épitaxiale, permet de détacher la couche épitaxiale du substrat par fusion de la couche intermédiaire. A cette fin, un traitement thermique est appliqué à une température comprise entre la température de fusion de la couche intermédiaire et la température de fusion de la couche épitaxiale. Ce traitement thermique conduit à la fusion de la couche intermédiaire sans endommager la couche épitaxiale. Par ailleurs, suite à l'étape de détachement, après retrait du reliquat de couche intermédiaire se trouvant à sa surface, le substrat donneur peut être avantageusement réutilisé lors de la réalisation d'une nouvelle couche épitaxiale, par exemple conformément au procédé de réalisation selon l'invention. Dans un mode particulier de réalisation, le procédé selon l'invention comporte en outre, après l'étape de fabrication et avant l'étape de détachement, une étape de collage de la couche épitaxiale sur un substrat support. Le procédé selon l'invention permet ainsi de réaliser une structure par report d'une couche épitaxiale d'un substrat donneur sur un substrat receveur ou substrat support. Un tel procédé peut être utilisé avantageusement lors de la réalisation d'hétérostructures (par exemple de type SeOI) pour des applications électroniques, micro-électroniques ou optoélectroniques. Dans un mode particulier de réalisation, le procédé selon l'invention est caractérisé en ce que le substrat support sur lequel est collée la couche épitaxiale comporte une couche d'oxyde sur sa surface. Le procédé selon l'invention permet ainsi avantageusement de fabriquer des structures de type SeOI. Dans un mode particulier de réalisation, l'étape de collage du procédé selon l'invention est réalisée par adhésion moléculaire. En variante, d'autres types de collage peuvent être mis en oeuvre au cours de l'étape de collage du procédé selon l'invention, comme par exemple un collage anodique ou eutectique, ou encore un collage adhésif. Au cours de l'étape de détachement du procédé selon l'invention, des forces mécaniques de séparation peuvent être en outre appliquées simultanément au traitement thermique. De telles forces de séparation permettent de détacher plus facilement et plus rapidement la couche épitaxiale du substrat donneur. L'étape de collage du procédé selon l'invention peut être suivie d'une étape de traitement thermique de renforcement de l'interface de collage. Dans un mode particulier de réalisation, le procédé selon 20 l'invention comporte en outre une étape de retrait du reliquat de couche intermédiaire subsistant sur la couche épitaxiale détachée. Dans un autre mode particulier de réalisation, au cours de l'étape de fabrication du procédé selon l'invention, la couche intermédiaire est formée par épitaxie sur le substrat donneur. 25 Selon un aspect de l'invention, au cours de l'étape de fabrication du procédé selon l'invention, la couche intermédiaire et le substrat donneur sont formés à partir d'une structure SeOI. Selon un autre aspect de l'invention, au cours de l'étape de fabrication du procédé selon l'invention, la couche intermédiaire et la 30 couche épitaxiale sont formées de silicium-germanium, la couche intermédiaire étant formée avec une concentration de germanium supérieure à celle de la couche épitaxiale de sorte que la température de fusion de la couche intermédiaire est inférieure à la température de fusion de la couche épitaxiale. Ainsi, de manière simple, la couche épitaxiale et la couche intermédiaire peuvent être avantageusement formées d'alliages des mêmes éléments (par exemple dans ce mode de réalisation, à partir de silicium-germanium) pris dans des concentrations différentes afin de permettre la fusion de la couche intermédiaire. La température de fusion du silicium-germanium étant une fonction décroissante de la concentration en germanium selon les calculs de Stohr et Klemm, la concentration de germanium dans la couche intermédiaire doit être supérieure à la concentration de germanium dans la couche épitaxiale. Dans un mode particulier de réalisation, au cours de l'étape de fabrication du procédé de réalisation selon l'invention : û le substrat donneur et la couche intermédiaire sont formés de silicium-germanium, la concentration de germanium dans la couche intermédiaire étant supérieure à la concentration de germanium dans le substrat donneur ; et û la couche épitaxiale est formée par croissance d'une couche de silicium contraint (sSI) sur ladite couche intermédiaire. Selon un aspect de l'invention, au cours de l'étape de fabrication du procédé de réalisation selon l'invention, au moins une couche d'espacement est formée entre le substrat donneur et la couche intermédiaire et/ou entre la couche intermédiaire et la couche épitaxiale. Dans un autre mode particulier de réalisation, au cours de l'étape de fabrication du procédé de réalisation selon l'invention : û le substrat donneur est formé de silicium recouvert d'une couche de 25 dioxyde de silicium ; û la couche intermédiaire est formée de germanium ; et û la couche épitaxiale est formée d'arséniure de gallium. Dans encore un autre mode particulier de réalisation, au cours de l'étape de fabrication du procédé de réalisation selon l'invention : 30 û le substrat donneur est formé de saphir ; û la couche intermédiaire est formée de nitrure d'indium (InN) ; et û la couche épitaxiale est formée de nitrure de gallium (GaN). Brève description des figures Les caractéristiques et avantages de la présente invention ressortiront mieux de la description suivante, faite à titre indicatif et non limitatif en regard des dessins annexés sur lesquels : û les figures 1A à 1E sont des vues schématiques en coupe montrant la réalisation d'une couche épitaxiale, conformément à un mode de réalisation de l'invention ; û la figure 2 est un organigramme des étapes mises en oeuvre dans les figures 1A à 1E, conformément à un mode de réalisation de l'invention ; û la figure 3 représente en vis-à-vis : - une vue schématique (b) en coupe d'une structure obtenue au cours de l'étape de fabrication du procédé de réalisation selon l'invention conformément à un mode particulier de réalisation, et dans laquelle les différentes couches sont formées de silicium-germanium, et - un graphe (a) représentant la concentration en germanium dans chacune des couches de la structure ; û la figure 4 représente en vis-à-vis : - une vue schématique (b) en coupe d'une structure obtenue au cours de l'étape de fabrication du procédé de réalisation selon l'invention conformément à un mode particulier de réalisation, et dans laquelle le substrat et la couche intermédiaire sont formées de silicium-germanium, et la couche épitaxiale est formée par croissance d'une couche de silicium contraint sur la couche intermédiaire ; - un graphe (a) représentant la concentration en germanium dans chacune des couches de la structure ; û la figure 5 représente une vue schématique en coupe d'une structure fabriquée à l'étape de fabrication du procédé de réalisation selon l'invention conduisant après l'étape de détachement à une structure d'arséniure de gallium sur isolant (AsGaOI), dans un mode particulier de réalisation de l'invention ; û les figures 6A et 6B montrent l'application de forces de cisaillement (mouvements de translation) appliquées dans le plan de la couche intermédiaire simultanément au traitement thermique lors du 5 détachement de la couche épitaxiale, dans un mode particulier de réalisation de l'invention. Exposé détaillé de modes de réalisation de l'invention La présente invention a pour but de réaliser une couche épitaxiale et s'applique à ce titre à la fabrication de nombreuses structures de matériaux semi-conducteurs. La couche épitaxiale réalisée au cours du procédé de réalisation de l'invention peut être détachée seule (ex. couche autoportée) ou après report sur un substrat support selon les applications visées. Ainsi, l'invention a une application privilégiée mais non limitative dans la fabrication d'hétérostructures telles que des structures de type SeOI (Semi-conductor On Insulator), comme par exemple des structures d'arséniure de gallium sur isolant (AsGaOI), de nitrure de gallium sur isolant (GaNOI), de silicium contraint sur isolant (sSOI), etc. Le principe de l'invention consiste à former une couche intermédiaire entre un substrat donneur et une couche épitaxiale, dont la température de fusion est inférieure à la température de fusion de la couche épitaxiale. L'application d'un traitement thermique à la structure obtenue (structure comportant le substrat, la couche intermédiaire et la couche épitaxiale) permet de faire fondre la couche intermédiaire et de détacher la couche épitaxiale du substrat au niveau de la couche intermédiaire fondue. Pour permettre la fusion de la couche intermédiaire sans endommager la couche épitaxiale, le traitement thermique est effectué à une température comprise entre la température de fusion de la couche épitaxiale et la température de fusion de la couche intermédiaire. On décrit maintenant, en référence aux figures 1A à 1E et 2, un procédé de réalisation d'une couche épitaxiale conforme à l'invention dans un mode particulier de réalisation. On considère tout d'abord un substrat donneur 1 (figure 1A). Ce substrat peut être de type quelconque, par exemple un substrat de silicium monocristallin, un substrat de silicium-germanium, etc. Dans l'exemple décrit ici, on suppose que le substrat donneur 1 est un substrat 7 de saphir monocristallin. D'autres exemples de substrat donneur seront décrits ultérieurement en référence aux figures 3, 4 et 5. Au cours d'une première étape S1 (figure 1A), une couche intermédiaire 2 est formée par croissance épitaxiale sur le substrat donneur 1. La technique d'épitaxie mise en oeuvre pour la croissance épitaxiale de la couche intermédiaire 2 peut être variée. Ainsi, à titre d'exemple, il peut s'agir indifféremment d'une épitaxie par dépôt chimique en phase vapeur (CVD, Chemical Vapor Deposition), d'une épitaxie par dépôt chimique organo-métallique en phase vapeur (MOCVD, Metallo- Organic Chemical Vapor Deposition), d'une épitaxie sélective en phase vapeur (HVPE, Hybrid Vapor Deposition Expitaxy) ou d'une épitaxie par jets moléculaires (MBE, Molecular Beam Epita)ry). Dans l'exemple décrit ici, la couche intermédiaire 2 est une couche formée de nitrure d'indium (InN). Sa température de fusion Tf(2) 15 est égale à Tf(2)=1373 C. Au cours d'une étape S2 (figure 1B), une couche 3 de nitrure de gallium (GaN) est formée par croissance épitaxiale sur la couche intermédiaire 2 de nitrure d'indium. La couche de GaN ainsi obtenue est une couche épitaxiale 3 au sens de l'invention. Comme pour l'étape S1, la 20 technique d'épitaxie mise en oeuvre peut être notamment de type CVD, MOCVD, HVPE ou MBE. La température de fusion Tf(3) de la couche épitaxiale 3 est égale à Tf(3)=2500 C. Ainsi, les deux premières étapes S1 et S2 permettent la 25 fabrication d'une structure 10 (figure 1B) comportant un substrat donneur 1, une couche intermédiaire 2 et une couche épitaxiale 3. Conformément à l'invention, la couche intermédiaire 2 a une température de fusion Tf(2) inférieure à la température de fusion Tf(3) de la couche épitaxiale 3. La couche intermédiaire 2 peut être obtenue par d'autres 30 techniques que la croissance épitaxiale. Ainsi, dans un autre mode de réalisation de l'invention, la couche intermédiaire 2 et le substrat donneur 1 de la structure 10 sont formés à partir d'une structure SeOI. La couche intermédiaire 2 est ainsi constituée par la couche supérieure de la structure SeOI, tandis que le substrat donneur 1 est formé de la couche de silicium recouverte de dioxyde de silicium. Cette structure SeOI a par exemple été obtenue au cours d'un précédent procédé de transfert de couche, ayant mis en oeuvre la technologie SmartCutTM. Elle est choisie de sorte que la température de fusion Tf(2) de la couche intermédiaire 2 soit inférieure à la température de fusion Tf(3) de la couche épitaxiale 3. Au cours d'une étape S3 (figure 1C), un substrat support 5 est collé par adhésion moléculaire sur la structure 10. Dans l'exemple décrit ici, le substrat support 5 est un substrat de silicium recouvert d'une couche d'oxyde 4 (il s'agit ici de dioxyde de silicium). Dans un autre mode de réalisation de l'invention, une couche d'isolant est formée sur la structure 10. Cette couche d'isolant permet notamment d'assurer un collage de bonne qualité. En variante, une couche d'isolant est formée à la fois sur le substrat support 5 et sur la structure 10. Le principe du collage par adhésion moléculaire est bien connu en soi et ne sera pas décrit ici plus en détails. Pour rappel, le collage par adhésion moléculaire est basé sur la mise en contact intime de deux surfaces, c'est-à-dire sans utilisation d'un matériau spécifique (colle, cire, métal à basse température de fusion, etc.), les forces attractives entre les deux surfaces étant assez élevées pour provoquer l'adhérence moléculaire (collage induit par l'ensemble des forces attractives (forces de Van Der Waals) d'interaction électronique entre atomes ou molécules des deux surfaces à coller). D'autres types de collage peuvent être mis en oeuvre au cours de l'étape S3 de collage. Citons par exemple un collage anodique (anodic bonding), un collage eutectique (eutectic bonding) ou encore un collage adhésif (adhesive bonding) à condition que l'adhésif ou les eutectiques, et de manière général le collage utilisé résistent à une température de l'ordre de la température de fusion de la couche intermédiaire 2. L'homme du métier pourra se référer à l'article de S. Farrens et al. intitulé Chip manufacturers look to wafer-bonding technology , Compound Semiconductor Magazine, vol. 8, issue 8, September 2002, pour de plus amples détails sur ces différentes techniques de collage. Suite à l'étape S3 de collage, on procède au détachement de la couche épitaxiale 3 du substrat donneur 1 par application d'un traitement thermique au cours d'une étape S4. Ce traitement thermique est réalisé à une température T comprise entre la température Tf(2) de fusion de la couche intermédiaire 2 et la température Tf(3) de fusion de la couche épitaxiale 3. Dans l'exemple décrit ici, la température T est prise de l'ordre de ou légèrement supérieure à la température Tf(2) de fusion de la couche intermédiaire 2 de façon à provoquer la fusion de la couche intermédiaire 2, sans cependant engendrer la fusion de la couche épitaxiale 3 ni endommager la couche épitaxiale 3. Ce traitement thermique permet en outre avantageusement de renforcer l'interface de collage des deux surfaces mises en contact intime au cours de l'étape S3 de collage par adhésion moléculaire (ici la couche épitaxiale 3 et la couche d'isolant 4). Cette étape de renforcement par application d'un traitement thermique est en effet généralement nécessaire lors d'un collage par adhésion moléculaire et est compatible avec le procédé de réalisation selon l'invention. En variante, le renforcement de l'interface de collage peut être mis en oeuvre suite à l'étape S3 et avant l'étape S4, au cours d'une étape de recuit réalisée à une température inférieure à la température de fusion de la couche intermédiaire. La fusion de la couche intermédiaire 2 causée par l'application du traitement thermique à l'étape S4 permet de détacher au cours d'une étape S5 (figure ID) la couche épitaxiale 3 du substrat donneur 1 au niveau de la couche intermédiaire 2. Dans l'exemple décrit ici, le détachement de la couche épitaxiale 3 est facilité par l'application de forces mécaniques de séparation simultanément au traitement thermique au cours de l'étape S4. De telles forces mécaniques de séparation sont de préférence des forces de cisaillement appliquées dans le plan de la couche intermédiaire 2. L'application de forces de cisaillement, simultanément au traitement thermique, peut être mise en oeuvre à l'aide d'outils ou de moyens de préhension comportant des plateaux électrostatiques réalisés dans des matériaux comme le carbure de silicium (SiC) ou le nitrure 10 d'aluminium (AIN) et recouverts de revêtements adaptés permettant d'exercer une bonne force de préhension de part et d'autre de la structure 11. Les deux plateaux électrostatiques sont alors animés de mouvements opposés l'un par rapport à l'autre qui créent ainsi une contrainte de détachement au niveau de la couche intermédiaire 2 fondue, conduisant au détachement de la couche épitaxiale 3 du substrat donneur 1. De tels mouvements sont par exemple des mouvements de rotation selon un axe perpendiculaire à la couche intermédiaire 2 ou des mouvements de translation comme représentés sur les figures 6A et 6B. Les plateaux électrostatiques peuvent être dotés par ailleurs de moyens de chauffage permettant de porter la structure 11 à une température supérieure à la température de fusion de la couche intermédiaire 2 afin de procéder au détachement de la couche épitaxiale 3. En variante, la structure 11 sur laquelle sont disposés de part et d'autre les plateaux électrostatiques peut être placée dans une enceinte portée à une température supérieure à la température de fusion de la couche intermédiaire 2. D'autres types de forces mécaniques de séparation peuvent être appliqués simultanément au traitement thermique. Ainsi, le document US 2004/0166653 présente des moyens de préhension permettant d'exercer des forces mécaniques de séparation dans un plan perpendiculaire à la couche intermédiaire 2. Dans un autre mode de réalisation de l'invention, les étapes S4 et S5 peuvent se faire sous haute pression. L'utilisation de haute pression peut permettre le changement de phase (i.e. fusion) de la couche intermédiaire en appliquant un traitement thermique à une température inférieure à la température de fusion de la couche intermédiaire. A titre d'exemple, il est possible de réaliser ces étapes en autoclave. L'étape S5 de détachement de la couche épitaxiale 3 du substrat donneur 1 est alors suivie d'une étape S6 de nettoyage de la couche épitaxiale 3 détachée (figure 1E). Cette étape consiste à retirer le reliquat 6 de couche intermédiaire subsistant à la surface de la couche épitaxiale 3 détachée. Dans l'exemple décrit ici, on obtient ainsi une structure 12 de nitrure de gallium sur isolant (GaNOI). Par ailleurs, au cours de l'étape de détachement S5, outre la structure 12 comportant la couche épitaxiale 3 détachée, on obtient également le substrat donneur 1. Après nettoyage de sa surface, le substrat donneur 1 peut être de nouveau utilisé par exemple au cours d'une nouvelle mise en oeuvre du procédé de réalisation selon l'invention. L'étape S3 de collage de la structure 10 sur un substrat support 5 est facultative. En effet, dans un autre mode de réalisation de l'invention, on ne colle pas de substrat support 5 sur la couche épitaxiale 3. Le procédé de réalisation selon l'invention se poursuit alors directement, après l'étape S2 de formation de la couche épitaxiale 3, par le détachement de la couche épitaxiale 3 seule en mettant en oeuvre les étapes S4, S5 et S6 précédemment décrites. On décrit maintenant en référence à la figure 3 une structure 310 fabriquée selon l'étape de fabrication du procédé de réalisation selon l'invention décrite précédemment (étape regroupant les étapes S1 et S2 précédemment décrites). La structure 310 représentée sur la figure 3 (b) comporte un substrat 31, une couche épitaxiale 33 et une couche intermédiaire 32 entre le substrat 31 et la couche épitaxiale 33. Elle comporte par ailleurs une couche d'espacement 31' entre le substrat 31 et la couche intermédiaire 32. Dans ce mode de réalisation, les différentes couches de la structure 310 sont formées d'alliages d'éléments identiques (i.e., alliages de silicium germanium ici) mais dans lesquels les concentrations des éléments constituants sont différentes. Ces concentrations sont choisies telles que la température Tf(32) de fusion de la couche intermédiaire 32 est inférieure à la température Tf(33) de fusion de la couche épitaxiale 33. Ainsi, comme représenté sur la figure 3 (a) : ù le substrat 31 est une couche de SiGe ayant une concentration de germanium croissante de 0 à 20% ; ù la couche intermédiaire 32 est une couche de SiGe ayant une concentration de germanium égale à 60% ; ù la couche épitaxiale 33 est une couche de SiGe ayant une concentration de germanium égale à 20%. 12 L'épaisseur de la couche intermédiaire 32 est de l'ordre de 150 Â. Selon les calculs de H. Stohr et W. Klemm (Z. Anorg. AlIgem. Chem. 241, 1954, 305), la température de fusion du silicium germanium est donnée, en degrés Celsius ( C), par : Tf (x) =1412ù80xù395x2 (Eq.1) où x désigne la concentration de germanium dans le silicium germanium. La température de fusion du silicium germanium est donc une fonction décroissante de la concentration en germanium : on constate ainsi qu'en augmentant la concentration de germanium dans la couche de silicium germanium, on diminue la température de fusion de la couche. Par conséquent, dans la structure 310 représentée sur la figure 3, la température de fusion de la couche intermédiaire 32 (Tf(32)=1222 C) est inférieure à la température de fusion de la couche épitaxiale 33 (Tf(33)=1380 C). Dans cette structure 310, afin de préserver le paramètre de maille, on introduit entre le substrat donneur 31 et la couche intermédiaire 32 une couche d'espacement 31' de silicium germanium avec une concentration en germanium égale à 20%. Cette couche d'espacement 31' permet par ailleurs d'éloigner le substrat donneur 31 de la couche intermédiaire 32 et de le préserver au cours de la fusion afin de pouvoir le réutiliser lors par exemple d'une nouvelle mise en oeuvre du procédé selon l'invention. Ainsi conformément à l'équation (Eq.1), il est possible de fabriquer une structure 310 comportant une couche intermédiaire 32 et une couche épitaxiale 33 ayant des concentrations en germanium différentes de celles considérées sur la figure 3 (a). La concentration en germanium dans la couche intermédiaire 32 doit être supérieure à la concentration en germanium dans la couche épitaxiale 33 afin de garantir la contrainte sur les températures de fusion de ces deux couches conformément à l'invention. Cependant, afin de ne pas endommager la couche épitaxiale 33 lors de l'application du traitement thermique à la température T, il est préférable que les températures de fusion Tf(32) et Tf(33) des couches intermédiaire et épitaxiale respectivement ne soient pas trop similaires. Ainsi, de préférence, la concentration en germanium de la couche intermédiaire 32 sera choisie de manière à ce que la température du liquidus correspondant soit inférieure à la température du solidus des couches voisines, et en particulier de la couche épitaxiale 33. Ceci permet de faire fondre totalement la couche intermédiaire 32 sans endommager les couches voisines, qui n'auront ainsi pas entamé leur fusion. Un écart d'environ 40% en concentration de germanium permet de remplir cette condition. Ainsi, par exemple sur la figure 3 (a), la concentration de germanium dans la couche intermédiaire 32 est de 60% tandis que la concentration de germanium dans la couche épitaxiale 33 est de 20%, garantissant ainsi un écart de 158 C entre les deux températures de fusion pour des températures de fusion supérieures à 1000 C. En variante, d'autres alliages peuvent être considérés pour la fabrication de la structure 310. Les concentrations d'éléments dans les alliages formant les différentes couches de la structure 310 doivent être choisies de sorte que la température Tf(32) de fusion de la couche intermédiaire 32 est inférieure à la température Tf(33) de fusion de la couche épitaxiale 33. La figure 4 (b) représente une vue schématique en coupe d'une structure 410 dans un autre mode particulier de réalisation de l'invention. Sur la figure 4 (b), la structure 410 fabriquée au cours de l'étape de fabrication du procédé de réalisation selon l'invention comporte un substrat donneur 41, une couche intermédiaire 42, une couche épitaxiale 43 et deux couches d'espacement 41' et 42', respectivement entre le substrat donneur 41 et la couche intermédiaire 42, et entre la couche intermédiaire 42 et la couche épitaxiale 43. Comme représenté sur la figure 4 (a) : ù le substrat donneur 41 est formé de silicium germanium avec une concentration croissante de 0 à 20% ; ù la couche intermédiaire 42 est une couche de silicium germanium dont la concentration en germanium est égale à 60% ; ù les couches d'espacement 41' et 42' sont des couches de silicium germanium dont la concentration en germanium est égale à 20%. Ces couches d'espacement ont pour rôle de stabiliser les paramètres de maille des différentes couches de la structure 410. 14 L'épaisseur de la couche intermédiaire 42 est de l'ordre de 150 Â. La couche épitaxiale 43 est une couche de silicium contraint (sSI) formée par croissance épitaxiale sur la couche intermédiaire 42' de silicium germanium. Sa température de fusion est égale à Tf(43)=1412 C. Comme vu précédemment, la température de fusionde la couche intermédiaire 42 est égale à Tf(42)=1222 C et est ainsi inférieure à la température de fusion Tf(43) de la couche épitaxiale 43. Cette structure 410 permet grâce au procédé de réalisation selon l'invention d'obtenir par exemple une structure de silicium contraint sur 10 isolant (sSOI). Dans l'exemple décrit en référence à la figure 5, la structure 510 comporte : ù un substrat donneur 51 de silicium recouvert d'une couche de dioxyde de silicium ; 15 ù une couche intermédiaire 52 de germanium, dont la température de fusion est Tf(52)=937 C. La couche intermédiaire 52 de germanium est la couche supérieure d'une structure GeOI ; ù une couche épitaxiale 53 d'arséniure de gallium formée par épitaxie pseudo-morphique sur la couche intermédiaire 52, ayant pour 20 température de fusion Tf(53)=1240 C. La structure 510 ainsi fabriquée est collée ensuite sur un substrat support 55 de silicium recouvert d'une couche 54 de dioxyde de silicium SiO2. Après détachement on obtient une structure 512 d'arséniure de gallium sur isolant (AsGaOI). 25 En variante, on suppose maintenant que, dans la structure 510 précitée, la couche épitaxiale 53 d'arséniure de gallium est une couche épaisse de quelques centaines de microns (ex. 400 microns) formée par épitaxie sur la couche intermédiaire 52. Cette couche est suffisamment épaisse pour permettre de réaliser un substrat autoporté. Pour cela, on 30 procède directement au détachement de la couche épitaxiale 53 (sans étape préliminaire de collage sur un substrat support) par fusion de la couche intermédiaire 52. Le procédé selon l'invention permet ainsi avantageusement de réaliser un substrat d'AsGa autoporté. Comme décrit précédemment, le procédé de réalisation selon l'invention permet de réaliser une couche épitaxiale autoportée ou sur un substrat support. Dans ce dernier mode de réalisation, le procédé de réalisation selon l'invention constitue un procédé de transfert d'une couche épitaxiale sur un substrat support. Ainsi, le procédé de réalisation selon l'invention peut être associé à d'autres traitements complémentaires, non décrits ici mais connus de l'homme du métier, usuellement associés à un procédé de transfert d'une couche épitaxiale sur un substrat support (par exemple au procédé SmartCutTM). Il peut ainsi, à ce titre, permettre le transfert de certaines couches de motifs, le transfert de couches de puits quantiques ou de fils quantiques, ou encore le transfert de circuits imprimés. REVENDICATIONS 1. Procédé de réalisation d'une couche épitaxiale (3;33;43;53) 5 comportant : û une étape de fabrication d'une structure (10;310;410;510) comprenant : - la formation (Si) d'une couche intermédiaire (2;32;42;52) sur un substrat donneur (1;31;41;51) ; et - la formation (S2) par épitaxie de la couche épitaxiale (3;33;43;53) sur 10 la couche intermédiaire (2;32;42;52) ; la température de fusion (Tf(32);Tf(42)) de la couche intermédiaire (2;32;42; 52) étant inférieure à la température de fusion (Tf(33);Tf(43)) de la couche épitaxiale (3;33;43;53) ; et û une étape de détachement (S5) de la couche épitaxiale (3;33;43;53) du 15 substrat donneur (1;31;41;51) par application (S4) d'au moins un traitement thermique, ledit traitement thermique étant effectué à une température comprise entre la température de fusion (Tf(32);Tf(42)) de la couche intermédiaire (2;32;42;52) et la température de fusion (Tf(33); Tf(43)) de la couche épitaxiale (3;33;43;53). 20 2. Procédé de réalisation selon la revendication 1, caractérisé en ce qu'il comporte en outre, après l'étape de fabrication et avant l'étape de détachement (S5), une étape de collage (S3) de la couche épitaxiale (3;33;43;53) sur un substrat support (5;55). 3. Procédé de réalisation selon la revendication 2, caractérisé en ce que le substrat support (5;55) sur lequel est collée la couche épitaxiale (3;53) comporte une couche d'oxyde (4;54) sur sa surface. 30 4. Procédé de réalisation selon la revendication 2 ou 3, caractérisé en ce que l'étape de collage (S3) est réalisée par adhésion moléculaire. 25 17 5. Procédé de réalisation selon l'une quelconque des revendications 1 à 4, caractérisé en ce que, au cours de l'étape de détachement (S4), des forces mécaniques de séparation sont appliquées simultanément au traitement thermique. 6. Procédé de réalisation selon l'une quelconque des revendications 2 à 5, caractérisé en ce que l'étape de collage (S3) est suivie d'une étape de traitement thermique de renforcement de l'interface de collage. 7. Procédé de réalisation selon l'une quelconque des revendications 1 à 6, caractérisé en ce qu'il comporte en outre une étape de retrait (S6) du reliquat (6) de couche intermédiaire (2) subsistant sur la couche épitaxiale (3) détachée. 8. Procédé de réalisation selon l'une quelconque des revendications 1 à 7, caractérisé en ce que, au cours de l'étape de fabrication (S2), la couche intermédiaire (2) est formée par épitaxie sur le substrat donneur (1). 9. Procédé de réalisation selon l'une quelconque des revendications 1 à 7, caractérisé en ce que, au cours de l'étape de fabrication, la couche intermédiaire (52) et le substrat donneur (51) sont formés à partir d'une structure SeOI. 25 10. Procédé de réalisation selon l'une quelconque des revendications 1 à 7, caractérisé en ce que, au cours de l'étape de fabrication, la couche intermédiaire (42) et la couche épitaxiale (43) sont formées de silicium-germanium, la couche intermédiaire (42) étant formée 30 avec une concentration de germanium supérieure à celle de la couche épitaxiale (43) de sorte que la température de fusion (Tf(42)) de la couche intermédiaire (42) est inférieure à la température de fusion (Tf(43)) de la couche épitaxiale (43). 10 15 20 11. Procédé de réalisation selon l'une quelconque des revendications 1 à 7, caractérisé en ce que, au cours de l'étape de fabrication û le substrat donneur (31) et la couche intermédiaire (32) sont formés de silicium-germanium, la concentration de germanium dans la couche intermédiaire étant supérieure à la concentration de germanium dans le substrat donneur ; et en ce que û la couche épitaxiale (33) est formée par croissance d'une couche de silicium contraint (sSI) sur ladite couche intermédiaire (32). 12. Procédé de réalisation selon la revendication 10 ou 11, caractérisée en ce que, au cours de l'étape de fabrication, au moins une couche d'espacement (31';41';42') est formée entre le substrat donneur (31';41') et la couche intermédiaire (42') et/ou entre la couche intermédiaire (32;42) et la couche épitaxiale (33;43). 13. Procédé de réalisation selon l'une quelconque des revendications 1 à 7, caractérisé en ce que, au cours de l'étape de fabrication û le substrat donneur (51) est formé de silicium recouvert d'une couche de dioxyde de silicium ; û la couche intermédiaire (52) est formée de germanium ; et û la couche épitaxiale (53) est formée d'arséniure de gallium. 14. Procédé de réalisation selon l'une quelconque des revendications 1 à 7, caractérisé en ce que, au cours de l'étape de fabrication û le substrat donneur (1) est formé de saphir ; û la couche intermédiaire (2) est formée de nitrure d'indium (InN) ; et û la couche épitaxiale (3) est formée de nitrure de gallium (GaN).