FR 2918999 A1 20090123 FR 0854878 A 20080717 PROCÉDÉ DE FABRICATION DE LINGOTS DE POLYSILICIUM DE QUALITÉ SOLAIRE AVEC APPAREIL À INDUCTION APPROPRIÉ La présente invention porte sur un procédé de fabrication de lingots de polysilicium de qualité solaire avec un appareil à induction approprié. Il y a depuis peu une tendance dans l'industrie photovoltaïque (PV) vers une forte demande de polysilicium de qualité solaire, et il devient très prisé dans le monde entier de produire du polysilicium de qualité solaire avec une plus faible consommation d'énergie et de meilleurs prix de fabrication. En règle générale, les lingots de polysilicium sont formés couramment par les procédés de solidification directionnelle et d'échange thermique ; cependant, ces deux procédés requièrent généralement des équipements complexes et onéreux, et ne produisent que de faibles quantités de lingots à des prix à l'unité plus élevés. Considérant ces problèmes, l'industrie s'est donné pour but de développer un procédé permettant de produire plus d'une tonne de lingots sans équipements complexes et onéreux, en réalisant une baisse de consommation d'énergie et des frais d'investissement et augmentant ainsi le taux de production et le rendement du mode de production. Le but de la présente invention est de proposer un procédé de fonte de lingot de polysilicium de qualité solaire, permettant de baisser la consommation d'énergie et les coûts de production avec des équipements simples et d'augmenter simultanément le taux de production des lingots. La présente invention comprend un procédé de fabrication de lingots de polysilicium de qualité solaire, avec un appareil à induction approprié, comprenant les étapes suivantes: (1) chargement de matériaux de silicium bruts ou de silicium liquéfié dans un four à induction pour faire fondre les matériaux bruts en une eau de silicium brute ou chauffer ledit silicium liquéfié ; ce par quoi il est préférable de se limiter à avoir de 1 à 3 tonnes de matériaux de silicium bruts et d'utiliser de 1 à 6 fours à induction en fonctionnement et ces fours peuvent être des fours à induction à moyenne fréquence. (2) disposition d'une certaine quantité d'extraction du laitier de silicium de qualité solaire dans ledit four pour le mélanger à ladite eau de silicium brute, éliminant ainsi le P-atomique (phosphore) et autres impuretés métalliques trouvées dans lesdits matériaux de silicium bruts ; l'extraction du laitier de silicium de qualité solaire comprenant un ou deux matériaux parmi les suivants, à savoir CaSiO3 (Silicate de Calcium), Na2SiO3 (Silicate de Sodium), BaCO3 (Carbonate de Baryum) et Na2B4O7 10H20 (Borax), avec, de préférence, un taux d'eau de silicium brute par rapport à l'extraction du laitier de silicium de 100:2-15. (3) conduite d'une certaine quantité de vapeur d'eau dans l'eau de silicium brut dans le four, pour obtenir une eau de silicium pure par élimination du B-atomique (borure) ; l'écoulement de vapeur d'eau étant de 3,5 1-60 1/min, et le temps total nécessaire à la conduite de vapeur d'eau nécessitant de 5 à 40 minutes, de préférence, 30 minutes ; (4) chauffage de ladite eau de silicium pure pour atteindre une plage de température de l'eau variant entre 1500 C et 1700 C, de préférence, à 1650 C ; (5) prédétermination d'un creuset de coulée en lingotière et d'un moule en graphite disposé dans celui-ci pour être chauffés électriquement à une plage de température variant entre 1000 C et 1400 C, puis versement de l'eau de silicium pure dans les moules en graphite ; le creuset de coulée en lingotière atteignant alors de préférence 1350 C ; (6) rétention de l'eau de silicium pure dans ledit creuset et vérification que ladite plage de température de l'eau varie entre 1450 C et 1600 C ; ladite eau de silicium pure étant alors retenue dans ledit creuset pendant environ 1 à 2 heures et ladite température de l'eau étant contrôlée, de préférence, à 1550 C ; (7) réglage dudit creuset et desdits moules pour obtenir ladite plage de température variant entre 1400 C et 1430 C, de préférence, à 1420 C ; (8) diminution par gradient de la température dudit creuset et desdits moules à 1000 C-1200 C, générant de ce fait une surface solide/liquide et une propriété d'interface dans l'eau de silicium pure qui s'acheminerait vers un centre du moule ; les impuretés métalliques se concentreraient aussi de ce fait au centre de celui-ci ; la température du creuset de coulée en lingotière et du moule en graphite étant diminuée par gradient dans une plage de 5 C-50 C/h. (9) réduction graduelle de la température du creuset pour solidifier l'eau de silicium pure en un lingot cristallisé ; rétention dudit lingot dans ledit creuset à une plage de température de 1000 C-1200 C jusqu'à atteindre la plage de 200 C-400 C ; puis retrait et refroidissement du lingot cristallisé, finalisant ainsi un lingot de polysilicium de qualité solaire intégral ; le creuset de coulée en lingotière réduisant ladite température de celui-ci par gradient dans une plage de 50 C-300 C/h à une température de 1000 C-1200 C, pour refroidir graduellement ledit lingot cristallisé dans celui-ci. Au vu du procédé ci-dessus, le lingot de polysilicium intégral de la présente invention peut atteindre la taille de (800mmx800mmx700mm) à (1200mmx1200mmx900mm) et la quantité de 1 à 3 tonnes de celui-ci, produisant plus de lingots que d'autres sociétés dans d'autres pays, comme par exemple 275 KG de lingots produits par LDK Solar Corp, en Chine, 800KG produits par des compagnies en Allemagne et 240-280KG produits par des sociétés au Japon. Encore en plus grand contraste, la présente invention offre aussi un taux de production supérieur dans la production de barreaux avec moins ou pas de trous et de craquelures dans ceux-ci, et réduit simultanément de plus de 40% la consommation d'énergie et de 50% les coûts de fabrication, garantissant de ce fait des bénéfices sociaux et économiques. La présente invention a donc pour objet un procédé de fabrication de lingot de polysilicium de qualité solaire avec un appareil à induction approprié, caractérisé par le fait qu'il comprend les étapes consistant à : charger des matériaux de silicium bruts ou de silicium liquéfié dans un four à induction pour fondre lesdits matériaux bruts en eau de silicium brute ou chauffer ledit silicium liquéfié ; placer une certaine quantité d'extraction de laitier de silicium de qualité solaire dans ledit four pour le mélanger avec ladite eau de silicium brute, éliminant ainsi le P-atomique (phosphore) et autres impuretés métalliques contenus dans les matériaux de silicium bruts ; conduire de la vapeur d'eau dans ladite eau de silicium brute dans ledit four pour éliminer le B-atomique (borure) pour obtenir une eau de silicium pure ; chauffer ladite eau de silicium pure dans une plage de température de l'eau variant entre 1500 C et 1700 C ; - prédéterminer un creuset de coulée en lingotière et un moule en graphite disposé dans celui-ci pour être chauffés électriquement dans une plage de température variant entre 1000 C et 1400 C, puis verser ladite eau de silicium pure dans lesdits moules en graphite ; - retenir ladite eau de silicium pure dans le creuset pendant un certain temps et contrôler ladite plage de température de l'eau entre 1450 C et 1600 C ; régler ledit creuset et ledit moule pour qu'ils atteignent une plage de température variant entre de 1400 C et 1430 C ; diminuer ladite température dudit creuset et desdits moules par gradient dans les 1000 C à 1200 C, générant de la sorte une surface solide/liquide et une propriété d'interface dans ladite eau de silicium pure qui s'acheminerait vers un centre dudit moule ; lesdites impuretés métalliques se concentrant aussi au centre de celui-ci ; et baisser graduellement ladite température dudit creuset pour solidifier ladite eau de silicium pure en un lingot cristallisé ; puis retenir le lingot dans ledit creuset à ladite plage de température variant entre 1000 C et 1200 C jusqu'à atteindre ladite température dans une plage de 200 C à 400 C ; puis retirer ledit lingot du creuset pour un refroidissement naturel et obtenir au final un lingot de polysilicium intégral de qualité solaire. Plus de 1 à 6 fours peuvent être utilisés dans ledit procédé de fonte et de chauffage initial, et lesdits fours peuvent être des fours à induction à moyenne fréquence. L'extraction de laitier de silicium de qualité solaire peut comprendre des matériaux tels le CaSiO3 10 (Silicate de Calcium), Na2SiO3 (Silicate de Sodium), BaCO3 (Carbonate de Baryum), et Na2B4O7 10H20 (Borax) ; et un ou deux desdits matériaux peuvent être adoptés dans celui-ci. Le taux approprié d'eau de silicium brute par rapport à l'extraction de laitier de silicium de qualité 15 solaire peut être de 100:2-15. La vapeur d'eau peut avoir un débit de 3,51 à 601/min, et une durée totale de conduite de cette vapeur d'eau peut nécessiter de 5 à 40 minutes. Ladite eau de silicium pure peut être chauffée 20 pour atteindre ladite température de l'eau à 1650 C. L'eau de silicium pure peut être retenue dans le creuset pendant 1 à 2 heures et ladite température de l'eau peut être contrôlée, de préférence à 1550 C. Ladite température dudit creuset de coulée en 25 lingotière et dudit moule en graphite peut être limitée à 1420 C. Le gradient de ladite température dudit creuset de coulée en lingotière et dudit moule en graphite peut être diminué sur une plage variant de 5 à 50 C/h. 30 Ledit creuset de coulée en lingotière peut réduire ledit gradient de température de 50 à 300 C/h dans une plage de température variant de 1000 C à 1200 C pour refroidir graduellement le lingot cristallisé dans celui-ci. Pour une meilleure compréhension des objectifs, des technologies, des caractéristiques et des avantages de cette invention, les détails d'un ou de plusieurs modes de réalisation sont exposés dans les dessins annexés et la description ci-après. Sur les dessins: - la Figure 1 est un schéma montrant un creuset de coulée en lingotière de la présente invention ; - la Figure 2 est une vue latérale du creuset de coulée en lingotière de la présente invention ; Si l'on se réfère aux Figures 1 et 2, un creuset de coulée en lingotière de la présente invention comprend un bouclier de creuset 1 fait de panneaux métalliques de 5mm d'épaisseur et contenant en séquence un panneau de préservation contre la chaleur en amiante 2, trois couches de briques réfractaires standards 3, une couche réfractaire 4, un feutre en graphite de préservation contre la chaleur 5, un chauffage au SiC (carbure de silicium) 6, et un moule en graphite 7 ; le moule en graphite 7 a une section de chauffage en graphite 8 disposée au-dessous de celui-ci, permettant d'obtenir une bonne isolation thermique à l'aide du panneau en amiante 2, des briques réfractaires 3, de la couche réfractaire 4, et du feutre en graphite 5 ; simultanément, le chauffage SiC 6 et la section de chauffage 8 permettent de régler la température de chauffage appropriée, dans la plage de température entre 800 C et 1600 C. De plus, le moule en graphite 7 est placé au centre du creuset et contient du silicium liquéfié ; le moule 7 comprend un panneau en graphite avec des caractéristiques de haute pureté, haute résistance et haute densité, et il a deux panneaux de couvercle 9, 10 disposés sur celui-ci ; ces deux panneaux de couvercle 9, 10 sont respectivement fabriqués en briques réfractaires en forme de corindon et en matériaux réfractaires classiques. En fonctionnement (non représenté sur les Figures), un premier mode de réalisation préféré de la présente invention comprend les étapes de chargement de 3 tonnes de silicium liquéfié dans 5 fours à induction à moyenne fréquence pour chauffer le silicium liquéfié, de disposition en plus de 6% d'extraction de laitier de silicium de qualité solaire fait de CaSiO3 (Silicate de Calcium) pour éliminer le P-atomique (phosphore) et autres impuretés métalliques contenus dans les matériaux de silicium bruts ; en outre, on procède à l'étape de conduite d'une certaine quantité de vapeur d'eau avec un écoulement à 301/min dans l'eau de silicium brute dans le four pendant 26 minutes pour obtenir une eau de silicium pure par élimination du B-atomique (borure) et chauffage de l'eau de silicium pure à une température de l'eau de 1700 C. Puis, on procède à une étape de versement de l'eau de silicium pure dans le moule en graphite du creuset de coulée en lingotière, qui garde par avance une température de 1000 C ; le creuset est alors chauffé jusqu'à une température de 1500 C et retient l'eau de silicium pure dans celui-ci pendant environ une heure ; le creuset baisse ensuite rapidement le gradient de température de 7 C/h depuis 1500 C et de là à 1400 C puis à 1100 C, solidifiant ainsi l'eau de silicium pure en un lingot cristallisé. Ensuite, on procède à l'étape de baisse de la température du gradient du creuset de 100 C/h jusqu'à atteindre la plus basse température à 300 C ; le lingot étant enfin retiré du creuset puis refroidi et on obtient alors 2,3 tonnes de lingot de polysilicium intégral. Un deuxième mode de réalisation préféré de la présente invention comprend les étapes de chargement de 1,9 tonne de matériaux de silicium bruts dans 4 fours à induction à moyenne fréquence pour chauffer et fondre les matériaux bruts en eau de silicium brute, de disposition en outre de 10% d'extraction de laitier de silicium de qualité solaire fait de BaCO3 (Carbonate de Baryum) pour éliminer le P-atomique (phosphore) et autres impuretés métalliques contenus dans les matériaux de silicium bruts, et, de plus, on procède à l'étape de conduite d'une certaine quantité de vapeur d'eau avec un écoulement à 271/min dans l'eau de silicium brute dans le four pendant 25 minutes pour obtenir une eau de silicium pure par élimination du B-atomique (borure) et chauffage de l'eau de silicium pure à une température de l'eau de 1600 C. Puis, on procède à l'étape de versement de l'eau de silicium pure dans le moule en graphite du creuset de coulée en lingotière qui garde par avance une température de 1250 C ; le creuset est alors chauffé jusqu'à une température de 1600 C et retient l'eau de silicium pure dans celui-ci pendant environ deux heures ; le creuset diminue ensuite rapidement le gradient de température de 11 C/h depuis 1600 C, et de là à 1420 C, puis à 1150 C, solidifiant ainsi l'eau de silicium pure en un lingot cristallisé. On procède ensuite à l'étape de baisse de température de gradient de creuset de 200 C/h jusqu'à atteindre la plus basse température à 280 C, le lingot étant enfin retiré du creuset puis refroidi, et on obtient alors 1,5 tonne de lingot de polysilicium intégral. Un troisième mode de réalisation préféré de la présente invention comprend les étapes de chargement de 1,5 tonne de matériaux de silicium bruts dans 3 fours à induction à moyenne fréquence pour chauffer et fondre les matériaux bruts en eau de silicium brute, de disposition en outre de 4% d'extraction de laitier de silicium de qualité solaire fait de BaCO3 (Carbonate de Baryum) et Na2SiO3 (Silicate de Sodium) pour éliminer le P-atomique (phosphore) et autres impuretés métalliques contenus dans les matériaux de silicium bruts ; de plus, on procède à l'étape de conduite d'une certaine quantité de vapeur d'eau avec un écoulement à 151/min dans l'eau de silicium brute dans le four pendant 40 minutes pour obtenir une eau de silicium pure par élimination du B-atomique (borure) et chauffage de l'eau de silicium pure à une température de l'eau de 1500 C. Puis, on procède à l'étape de versement de l'eau de silicium pure dans le moule en graphite du creuset de coulée en lingotière qui garde par avance une température de 1400 C et retient l'eau de silicium pure dans celui-ci pendant environ 1 heure ; le creuset diminue ensuite rapidement le gradient de température de 40 C/h depuis 1480 C, et de là à 1430 C, puis à 1000 C, solidifiant ainsi l'eau de silicium pure en un lingot cristallisé. On procède ensuite à une étape de baisse de température du gradient de creuset de 300 C/h jusqu'à atteindre la plus basse température à 200 C, le lingot étant enfin retiré du creuset puis refroidi, et on obtient alors 1,2 tonne de lingot de polysilicium intégral. Un quatrième mode de réalisation préféré de la présente invention comprend les étapes de chargement de 2 tonnes de silicium liquéfié dans un four à induction à moyenne fréquence pour chauffer le silicium liquéfié, de disposition en outre de 15% d'extraction de laitier de silicium de qualité solaire fait de Na2B4'10H20 (Borax) pour éliminer le P-atomique (phosphore) et autres impuretés métalliques contenus dans les matériaux de silicium bruts ; de plus, on procède à l'étape de conduite d'une certaine quantité de vapeur d'eau avec un écoulement à 3,51/min dans l'eau de silicium brute dans le four pendant 38 minutes pour obtenir une eau de silicium pure par élimination du B-atomique (borure) et chauffage de l'eau de silicium pure à une température de l'eau de 1650 C. Puis, on procède à l'étape de versement de l'eau de silicium pure dans le moule en graphite du creuset de coulée en lingotière qui garde par avance une température de 1350 C ; le creuset est alors chauffé à une température de 1550 C et retient l'eau de silicium pure dans celui-ci pendant environ une demi-heure ; puis le creuset diminue ensuite rapidement le gradient de température de 30 C/h depuis 1550 C, et de là à 1410 C, puis à 1000 C, solidifiant ainsi l'eau de silicium pure en un lingot cristallisé. On procède ensuite à l'étape de baisse de température du gradient de creuset de 150 C/h jusqu'à obtenir la plus basse température à 300 C, le lingot étant enfin retiré du creuset puis refroidi, et on obtient alors 1,5 tonne de lingot de polysilicium intégral. Un cinquième mode de réalisation préféré de la présente invention comprend les étapes de chargement de 1,4 tonne de matériaux de silicium bruts dans deux fours à induction à moyenne fréquence pour chauffer et fondre les matériaux bruts en eau de silicium brute, de disposition en outre de 3% d'extraction de laitier de silicium de qualité solaire fait de Na2B4'10H20 (Borax) et de 5% de CaSiO3 (Silicate de Calcium) pour éliminer le P-atomique (phosphore) et autres impuretés métalliques contenus dans les matériaux de silicium bruts ; puis, on procède à l'étape de conduite d'une certaine quantité de vapeur d'eau avec un écoulement à 601/min dans l'eau de silicium brute dans le four pendant 20 minutes pour obtenir une eau de silicium pure par élimination du B-atomique (borure) et chauffage de l'eau de silicium pure à une température de l'eau de 1550 C. Puis, on procède à l'étape de versement de l'eau de silicium pure dans le moule en graphite du creuset de coulée en lingotière, qui garde par avance une température de 1400 C ; le creuset est alors chauffé à une température de 1480 C et retient l'eau de silicium pure dans celui-ci pendant environ 1,3 heure, puis le creuset diminue rapidement le gradient de température de 50 C/h depuis 1480 C, et de là à 1425 C, puis à 1180 C, solidifiant ainsi l'eau de silicium pure en un lingot cristallisé. On procède ensuite à l'étape de baisse du gradient de température du creuset de 50 C/h jusqu'à atteindre la plus basse température à 280 C, le lingot étant enfin retiré du creuset puis refroidi, et on obtient alors 1,15 tonne de lingot de polysilicium intégral. Un sixième mode de réalisation préféré de la présente invention comprend les étapes de chargement de 2,8 tonnes de silicium liquéfié dans six fours à induction à moyenne fréquence pour chauffer le silicium liquéfié, et de disposition en outre de 2% d'extraction de laitier de silicium de qualité solaire fait de CaSiO3 (Silicate de Calcium) pour éliminer le P-atomique (phosphore) et autres impuretés métalliques contenus dans les matériaux de silicium bruts ; puis, on procède à l'étape de conduite d'une certaine quantité de vapeur d'eau avec un écoulement à 401/min dans l'eau de silicium brute dans le four pendant 30 minutes pour obtenir une eau de silicium pure par élimination du B-atomique (borure) et chauffage de l'eau de silicium pure à une température de l'eau de 1650 C. Puis, on procède à l'étape de versement de l'eau de silicium pure dans le moule en graphite du creuset de coulée en lingotière, qui garde par avance une température de 1200 C ; le creuset est alors chauffé à une température de 1500 C et retient l'eau de silicium pure dans celui-ci pendant environ 1 heure, puis le creuset diminue rapidement le gradient de température de 7 C/h depuis 1500 C, de là à 1400 C, puis à 1080 C, solidifiant ainsi l'eau de silicium pure en un lingot cristallisé. On procède ensuite à l'étape de baisse de température du gradient de creuset de 100 C/h jusqu'à atteindre la plus basse température à 300 C, le lingot étant enfin retiré du creuset puis refroidi, et on obtient alors 2,2 tonnes de lingot de polysilicium intégral. Un septième mode de réalisation préféré de la présente invention comprend les étapes de chargement de 1,5 tonne de silicium liquéfié dans un four à induction à moyenne fréquence pour chauffer le silicium liquéfié, de disposition en outre de 5% d'extraction de laitier de silicium de qualité solaire fait de Na2B4'10H20 (Borax) pour éliminer le P-atomique (phosphore) et autres impuretés métalliques contenus dans les matériaux de silicium bruts ; puis, on procède à l'étape de conduite d'une certaine quantité de vapeur d'eau avec un écoulement à 3,5 1/min dans l'eau de silicium brute dans le four pendant 5 minutes pour obtenir une eau de silicium pure par élimination du B-atomique (borure) et chauffage de l'eau de silicium pure à une température de l'eau de 1650 C. Puis, on procède à l'étape de versement de l'eau de silicium pure dans le moule en graphite du creuset de coulée en lingotière qui garde par avance une température de 1000 C ; le creuset est alors chauffé à une température de 1550 C et retient l'eau de silicium pure dans celui-ci pendant environ 1, 2 heure, puis le creuset diminue rapidement le gradient de température de 5 C/h depuis 1550 C, de là à 1410 C, puis à 1200 C, solidifiant ainsi l'eau de silicium pure en un lingot cristallisé. On procède ensuite à l'étape de baisse de température du gradient de creuset de 150 C/h jusqu'à atteindre la plus basse température à 400 C, le lingot étant enfin retiré du creuset puis refroidi, et on obtient alors 1,2 tonne de lingot de polysilicium intégral. Tandis que les modes de réalisation de la présente invention ont été décrits, il doit être clair pour l'homme de métier que d'autres modes de réalisation peuvent être réalisés sans s'écarter de la portée de la présente invention.15 REVENDICATIONS 1 - Procédé de fabrication de lingot de polysilicium de qualité solaire avec un appareil à 5 induction approprié, caractérisé par le fait qu'il comprend les étapes consistant à : charger des matériaux de silicium bruts ou de silicium liquéfié dans un four à induction pour fondre lesdits matériaux bruts en eau de silicium brute ou chauffer 10 ledit silicium liquéfié ; placer une certaine quantité d'extraction de laitier de silicium de qualité solaire dans ledit four pour le mélanger avec ladite eau de silicium brute, éliminant ainsi le P-atomique (phosphore) et autres impuretés 15 métalliques contenus dans les matériaux de silicium bruts ; conduire de la vapeur d'eau dans ladite eau de silicium brute dans ledit four pour éliminer le B-atomique (borure) pour obtenir une eau de silicium 20 pure ; chauffer ladite eau de silicium pure dans une plage de température de l'eau variant entre 1500 C et 1700 C ; prédéterminer un creuset de coulée en lingotière et un moule en graphite disposé dans celui-ci pour être 25 chauffés électriquement dans une plage de température variant entre 1000 C et 1400 C, puis verser ladite eau de silicium pure dans lesdits moules en graphite ; retenir ladite eau de silicium pure dans le creuset pendant un certain temps et contrôler ladite plage de 30 température de l'eau entre 1450 C et 1600 C ; régler ledit creuset et ledit moule pour qu'ils atteignent une plage de température variant entre de 1400 C et 1430 C ;diminuer ladite température dudit creuset et desdits moules par gradient dans les 1000 C à 1200 C, générant de la sorte une surface solide/liquide et une propriété d'interface dans ladite eau de silicium pure qui s'acheminerait vers un centre dudit moule ; lesdites impuretés métalliques se concentrant aussi au centre de celui-ci ; et baisser graduellement ladite température dudit creuset pour solidifier ladite eau de silicium pure en un lingot cristallisé ; puis retenir le lingot dans ledit creuset à ladite plage de température variant entre 1000 C et 1200 C jusqu'à atteindre ladite température dans une plage de 200 C à 400 C ; puis retirer ledit lingot du creuset pour un refroidissement naturel et obtenir au final un lingot de polysilicium intégral de qualité solaire. 2 - Procédé de fabrication d'un lingot de polysilicium de qualité solaire avec un appareil à induction approprié, selon la revendication 1, caractérisé par le fait que plus de 1 à 6 fours sont utilisés dans ledit procédé de fonte et de chauffage initial, et lesdits fours sont des fours à induction à moyenne fréquence. 3 - Procédé de fabrication d'un lingot de polysilicium de qualité solaire avec un appareil à induction approprié, selon la revendication 1, caractérisé par le fait que l'extraction de laitier de silicium de qualité solaire comprend des matériaux tels le CaSiO3 (Silicate de Calcium), Na2SiO3 (Silicate de Sodium), BaCO3 (Carbonate de Baryum), et Na2B4O7 10H20 (Borax) ; et un ou deux desdits matériaux sont adoptés dans celui-ci. 4 - Procédé de fabrication d'un lingot de polysilicium de qualité solaire avec un appareil à induction approprié, selon la revendication 1, caractérisé 10 15par le fait que le taux approprié d'eau de silicium brute par rapport à l'extraction de laitier de silicium de qualité solaire est de 100:2-15. - Procédé de fabrication d'un lingot de 5 polysilicium de qualité solaire avec un appareil à induction approprié, selon la revendication 1, caractérisé par le fait que la vapeur d'eau a un débit de 3,51 à 601/min, et une durée totale de conduite de cette vapeur d'eau nécessite de 5 à 40 minutes. 6 - Procédé de fabrication d'un lingot de polysilicium de qualité solaire avec un appareil à induction approprié, selon la revendication 1, caractérisé par le fait que ladite eau de silicium pure est chauffée pour atteindre ladite température de l'eau à 1650 C. 7 - Procédé de fabrication d'un lingot de polysilicium de qualité solaire avec un appareil à induction approprié, selon la revendication 1, caractérisé par le fait que l'eau de silicium pure est retenue dans le creuset pendant 1 à 2 heures et ladite température de l'eau 20 est contrôlée, de préférence à 1550 C. 8 - Procédé de fabrication d'un lingot de polysilicium de qualité solaire avec un appareil à induction approprié, selon la revendication 1, caractérisé par le fait que ladite température dudit creuset de coulée 25 en lingotière et dudit moule en graphite est limitée à 1420 C. 9 - Procédé de fabrication d'un lingot de polysilicium de qualité solaire avec un appareil à induction approprié, selon la revendication 1, caractérisé 30 par le fait que le gradient de ladite température dudit creuset de coulée en lingotière et dudit moule en graphite est diminué sur une plage variant de 5 à 50 C/h.10 - Procédé de fabrication d'un lingot de polysilicium de qualité solaire avec un appareil à induction approprié, selon la revendication 1, caractérisé par le fait que ledit creuset de coulée en lingotière réduit ledit gradient de température de 50 à 300 C/h dans une plage de température variant de 1000 C à 1200 C pour refroidir graduellement le lingot cristallisé dans celui-ci.