FR 2916902 A1 20081205 FR 0755391 A 20070531 La présente invention concerne un transistor à effet de champ flexible à base de nanotubes de carbone et son procédé de fabrication. L'électronique flexible constitue actuellement un domaine de recherche en pleine expansion, tiré par de forts espoirs d'applications nouvelles telles que les journaux électroniques, les étiquettes à transmission de don-nées du type RFID ( Radio Frequency Identification Tags ) ou à affichage reconfigurable. Une revue de ces applications potentielles est décrite dans l'article Organic and polymer transistors for electronics (A. DODABALAPUR Materials today, volume 9 n 4, 24 (2006)). Une solution largement employée dans le domaine de l'électronique souple a longtemps consisté à utiliser des polymères tels que du Pol(pphenylenevinylene) PPV ou du Poly(3-hexylthiophene) P3HT et des petites molécules organiques du type pentacène ou rubrène. L'article Megahertz operation of organic field-effect transistors ba- sed on poly(3-hexylthiopene) (V. WEIGNER et al. - Applied Physics Letters volume 89 n 24, 243515 (2006)) décrit un transistor à effet de champ avec un canal en film polymère de poly(3-hexylthiopene) avec une fréquence à gain unitaire de 2 MHz, la mobilité des charges dans ce polymère étant limitée à 0,2 cm2 / V.s. De même, l'article Organic complementary D flip-flops enabled by perylene diimides and pentacene (B. YOO et al. - Institute of Electrical and Electronics Engineers Electronic Device Letters volume 27 n 9, 737 (2006)) décrit la fabrication d'un composant électronique de type porte D flip-flop complémentaire comprenant des transistors organiques semiconducteurs CMOS. Les semiconducteurs organiques de type n et p utilisés sont respectivement le N,N'-bis(n-octyl)-dicyanoperylene-3,4:9,10-bis(dicarboximide) (PDI-8CN2) et le pentacène. Les composants présentés fonctionnent à une fréquence d'horloge de 5 kHz. Les transistors en PDI-8CN2 et en pentacène possèdent des mobilités très faibles (6,3.10-2 et 0,29 cm2/V.s respective- ment) et fonctionnent, en outre, sous des tensions de polarisations très éle- vées (+100 et -100 volts respectivement). On peut également citer à titre d'exemple l'article Radio frequency rectifiers based on organic thin-film transistors R. ROTZOLL et al.-Applied Physics Letters volume 88 n 12, 123502 (2006)) qui présente un redresseur de puissance utilisant des transistors de type P-MIS (Métal Isolant Semi- conducteur) avec une couche semiconductrice de pentacène sur substrat de polyethylenenaphthalate opérant jusqu'à 20 MHz, la mobilité des charges dans la couche de pentacène étant inférieure à 0,3 cm2 / V.s. De même, l'article A 13.56-MHz RFID system based on organic transponders (E. CANTATORE et al. - IEEE Journal of Solid-State Circuits volume 42 n 1, 84 (2007)) présente un dispositif d'identification radio fréquence réalisé sur une feuille flexible de polyimide opérant à 13,56 MHz, la mobilité des charges étant estimée à 10-2 cm2 / V.s. On constate ainsi qu'en dépit des larges efforts entrepris, la mobilité des charges relativement faible dans ces matériaux (10-3û10 cm2/V.$) limite très fortement les applications à haute fréquence de fonctionnement. Une solution pour permettre des applications à plus haute fréquence de fonctionnement consiste à utiliser des nanofils et des rubans semi-conducteurs qui sont des matériaux permettant également de réaliser des composants électroniques souples. Ainsi, l'article Gigahertz operation in flexible transistors on plastic substrates (Y. SUN et al. - Applied Physics Letters volume 88 n 18, 183509 (2006)) décrit un dispositif sur substrat plastique de poly(ethylenetherephthalate) basé sur des fils semiconducteurs de GaAs avec une fréquence de fonctionnement de 1,55 GHz. Les auteurs démontrent que ces dispositifs fonctionnent en tension et en compression jusqu'à des taux d'environ 0,71 % (ce qui correspond à un rayon de courbure de 14 mm). Le courant retrouve sa valeur initiale lorsque les contraintes sont relâchées. Sous des contraintes supérieures à 1 %, les dispositifs subissent des dégâts irréversibles qui, selon les auteurs, sont vraisemblablement causés par une rupture des fils ou des électrodes de grille. Les angles de courbures atteints dans ce travail restent donc modestes ce qui constitue une limite forte aux applications envisageables. Par ailleurs, l'article High-speed mechanically flexible single-crystal silicon thin-film transistors on plastic substrates (J. H. AHN et al. -IEEE Device Letters volume 27 n 6, 460 (2006)) décrit des transistors sur substrat plastique (polyimide) dont la partie active consiste en des rubans de silicium monocristallin. Les réponses continues (DC) et hautes fréquences des dis-positifs révèlent une mobilité de 500 cm2 N.s et une fréquence de fonctionnement pouvant atteindre 515 MHz. Son fonctionnement en flexion est en outre stable jusqu'à des rayons de courbure de 3 mm. Toutefois, comme pour les composants à base de polymères et de matériaux organiques, la mobilité des charges relativement faible liée à l'utilisation du silicium limite également les applications à haute fréquence de fonctionnement. Plus récemment, les recherches dans le domaine de l'électronique flexible se sont également portées sur l'utilisation de nanotubes. Ainsi, plusieurs études ont porté sur les performances statiques de transistors flexibles utilisant des nanotubes de carbone. A chaque fois, les auteurs y associent une étude des caractéristiques électriques du dispositif lorsque celui-ci est sous contraintes de tension et/ou de compression. A titre d'exemple, nous pouvons citer l'article Highly bendable, transparent thinfilm transistors that use carbon-nanotube-based conductors and semicon- ductors with elastomeric dielectrics (Q. CAO et al. - Advanced Materials volume 18, 304 (2006)). Cet article décrit des transistors obtenus par transfert de différentes couches de nanotubes de carbone mono-paroi sur une feuille de poly(ethyleneterephthalate). Ces dispositifs supportent des flexions jusqu'à un taux d'environ 2 % avec recouvrement des caractéristiques initia- les de transconductance et du taux de courant lorsque les contraintes sont relâchées. Toutefois, seules des performances statiques sont décrites dans le cas de ce dispositif et des applications à haute fréquences ne sont pas envisagées. Plus récemment, l'article High-speed thin-film transistor on flexible substrate fabricated at room temperature (J. VAILLANCOURT et al. - Electronic Letters volume 42, 1365 (2006)) a décrit la conception d'un transistor à film mince de nanotubes de carbone sur substrat flexible (transparent d'imprimante) opérant autour de 150 MHz à faible tension de polarisation (VDs = 2 V). Dans ce travail, les nanotubes sont déposés en films en utilisant une tournette. Les nanotubes sont ici déposés de manière désordonnée, ce qui limite fortement les performances haute fréquence. Par ailleurs, l'article High-performance electronics using dense, per- fectly aligned arrays of single walled carbone nanotubes (KANG et al. - Nature Nanotechnologies - 25 mars 2007) a décrit une méthode de croissance de nanotubes auto-alignés (versus déposés de manière désordonnée tel que décrit dans le paragraphe précédent) sur un substrat rigide de quartz et l'utilisation de cette méthode pour fabriquer des dispositifs flexibles par transfert des nanotubes depuis le substrat rigide de croissance vers un substrat souple. Cependant, la mise en oeuvre de la méthode selon l'article Highperformance electronics using dense, perfectly aligned arrays of single walled carbone nanotubes pose également certaines difficultés. Ainsi, l'inconvénient majeur de cette méthode réside dans l'obtention d'une faible mobilité des composants (de l'ordre de 480 cm2/V.$). Cette faible mobilité ne permet pas de travailler à haute fréquence sur substrat flexible. Dans ce contexte, la présente invention vise à fournir un transistor à effet de champ visant à s'affranchir des problèmes précités en permettant à la fois une utilisation dans le domaine de l'électronique flexible et un fonctionnement à haute fréquence. A cette fin, l'invention propose un transistor à effet de champ comportant : - au moins deux électrodes de contact respectivement de drain et de source, - une zone de conduction électrique connectée auxdites électrodes de contact, ladite zone comportant une pluralité de nanotubes de carbone mono-paroi sensiblement alignés, - une électrode de grille pour le contrôle du courant électrique circulant dans ladite zone, - un substrat flexible sur lequel sont déposées lesdites électrodes de contact et de grille, ledit transistor étant caractérisé en ce que la densité de nanotubes dans ladite zone de conduction est strictement supérieure à 10 nanotubes par micron. On entend par densité de nanotubes le nombre de nanotubes divisé par la largeur de la zone de conduction. Grâce à l'invention, la densité élevée de nanotubes alignés associée à la flexibilité exceptionnelle de ces nanotubes et à la mobilité très importante des charges s'y propageant (jusqu'à 105 cm2N.s d'après l'article Extraordinary Mobility in Semiconducting Carbon Nanotubes (Durkop et al, Nano Lett 2004; 4(1); 35-39)) permet d'obtenir des transistors à effet de champ à la fois flexible et présentant des performances en fréquence considérablement améliorées. Une large densité de nanotubes de carbone alignés présente deux principaux avantages pour les mesures à hautes fréquences : - cela permet d'accorder en impédance le dispositif avec les impédances 50 0 des équipements de mesures conventionnels. En effet, un nanotube de carbone individuel impose une impédance minimale de 6,5 kO en raison de son caractère unidimensionnel et du nombre de modes de transmission, même quand celui-ci est connecté de façon ohmique. Autrement dit, un dispositif conçu à partir d'un seul nanotube réfléchirait la plus grande partie de la puissance haute fréquence injectée entraînant un faible rapport signal sur bruit à haute fréquence. Grâce à l'importante densité de nanotubes utilisée, l'impédance DC du dispositif est proche de 50 0. - cela permet de réduire la capacité parasite par nanotube de carbone. En effet, comme la largeur des électrodes connectant les nanotubes est plusieurs ordres de grandeurs plus grande que le diamètre typique d'un nanotube (entre 1 et 3 nm), les capacités parasites ont un impact dramatique sur les performances hautes fréquences lorsqu'un seul nanotube (ou une faible densité de nanotubes) est utilisé. En augmentant le nombre de nanotubes au sein d'une géométrie don-née, l'impact relatif de ces capacités parasites est très nettement ré-duit. Les transistors selon l'invention permettent d'atteindre des fréquences extrinsèques de fonctionnement supérieures à 500 MHz, de l'ordre de 1 GHz. Dans toute la suite de la description, les données dites extrinsèques font référence aux mesures effectivement réalisées. Les données dites intrinsèques font référence aux mesures extrinsèques auxquelles a été soustraite l'influence des plots métalliques utilisés pour connecter les pointes de mesures. Leur influence est obtenue par le biais de structures identiques aux dispositifs mesurés mais ne présentant pas de nanotubes de carbone. Ce procédé de correction est connu des spécialistes des mesures HF (Haute Fréquence) et est désigné en anglais par le terme deembedding . En appliquant ce procédé aux transistors selon l'invention, on parvient à des fréquences intrinsèques de l'ordre de 8,4 GHz (une utilisation à plus haute fréquence intrinsèque (de l'ordre de 30 GHz) est également réalisable). En outre, les transistors selon l'invention permettent d'atteindre des rayons de courbures inférieurs à 3 mm (de l'ordre de 1,5 mm) à performances électriques stables. Le transistor selon l'invention peut également présenter une ou plu-sieurs des caractéristiques ci-dessous, considérées individuellement ou se- Ion toutes les combinaisons techniquement possibles : - la densité de nanotubes est préférentiellement supérieure ou égale à 100 nanotubes par micron, - l'électrode de grille comporte un revêtement de diélectrique tel qu'un oxyde d'aluminium, ledit revêtement présentant une épaisseur t0 et une permittivité relative Cr vérifiant la condition Er / t0X > 0,2 (avec par exemple t0 sensiblement égal à 2 nm et Er sensiblement égal à 8 tels que Cr/ t0 soit sensiblement égal à 4). - la largeur de la zone de conduction électrique est inférieure à 800 nm, - selon un premier mode de réalisation, l'électrode de grille est partiel- lement recouverte par l'électrode de source et/ou par l'électrode de drain, la largeur de recouvrement étant inférieure ou égale à 100 nm, - selon un deuxième mode de réalisation, l'électrode de grille et les électrodes de contact ne présentent aucun recouvrement ; dans ce cas, les nanotubes situés dans la zone séparant l'électrode de grille et les électrodes de contact sont dopés de façon à les rendre conducteurs ; avantageusement, l'électrode de grille comporte alors un revêtement de diélectrique tel qu'un oxyde d'aluminium présentant une épaisseur t0 et une permittivité relative Er vérifiant la condition r / t0 supérieur à 2. - les nanotubes sont des nanotubes de carbone mono-paroi présentant un diamètre compris entre 0,8 et 2,5 nm et de préférence entre 1,2 et 1,6 nm, - la couche de nanotubes disposée sur la zone de conduction a une épaisseur inférieure ou égale à 5 nm, - la couche de nanotubes disposée sur la zone de conduction est sensiblement une monocouche de nanotubes, -le substrat flexible est un substrat transparent du type PET (Poly-ethyleneterephtalate). - l'électrode de grille est située sous la zone de conduction de sorte que ladite zone de conduction est accessible, - selon un mode de réalisation, l'électrode de grille comporte deux doigts dans le prolongement d'un plot commun, le transistor selon l'invention comportant : o deux électrodes de source, o deux zones de conduction comportant une pluralité de nanotu- bes sensiblement alignés, chacune desdites zones connectant l'une des électrodes de source avec l'électrode de drain et chacun des doigts commandant respectivement le courant électrique circulant dans l'une desdites zones de conduction. - de façon plus générale, l'électrode de grille peut également comporter une pluralité de doigts de grilles commandant chacun le courant électrique circulant dans une zone de conduction comportant une pluralité de nanotubes sensiblement alignés, le transistor comportant autant d'électrodes de source que de doigts d'électrode de grille, lesdites électrodes de source étant connectées entre elles. La présente invention a également pour objet un procédé de fabrication d'un transistor selon l'invention comportant une étape de dépôt des nanotubes réalisée par un procédé de diélectrophorèse incluant les étapes suivantes : - dépôt d'une goutte de solvant dans laquelle est dispersée une plurali- té de nanotubes mono-paroi, - application d'un champ électrique alternatif entre deux électrodes de contact. Le procédé selon l'invention peut également présenter une ou plu- sieurs des caractéristiques ci-dessous, considérées individuellement ou se- lon toutes les combinaisons techniquement possibles : - dans le cas particulier d'un transistor à deux doigts d'électrode de grille et deux électrodes de source, le champ électrique est appliqué entre les deux électrodes de source, - la réalisation de chacune des électrodes est obtenue par lithographie à faisceau d'électrons, ladite réalisation comportant les étapes sui-vantes : o dépôt d'au moins une couche de résine (par exemple une ré-sine du type PMMA (Poly(méthacrylate de méthyle)) sur le substrat flexible, o recuit de ladite couche de résine, o dépôt d'une couche de métal absorbant peu le faisceau d'électrons et d'épaisseur inférieure à 10 nm, o exposition au faisceau d'électrons pour la réalisation du motif de l'électrode, o retrait de ladite couche de métal, o développement de la résine, o dépôt du matériau métallique pour la réalisation de l'électrode, o retrait de la résine, 30 - avantageusement, le dépôt de la couche de résine du type PMMA est précédé du dépôt d'une première couche de résine du type MMA (méthacrylate de méthyle), 25 -avantageusement, la couche de métal absorbant peu le faisceau d'électrons est une couche d'aluminium, - selon un mode de réalisation particulièrement avantageux, l'électrode de grille est réalisée en aluminium, le procédé comportant une étape d'oxydation de l'électrode de grille suivant les étapes suivantes : o exposition de l'électrode d'aluminium à un gaz oxygène, o recuit de ladite électrode pendant une durée suffisante pour réaliser un revêtement d'oxyde d'aluminium (matériaux dont la permittivité relative Er est proche de 8) sur une épaisseur t0 in- férieure à 20 nm (garantissant sr / t0X > 0,4) et par exemple sensiblement égale à 2 nm (garantissant Cr/ tom > 4). - le procédé selon l'invention peut également comprendre une étape préalable d'appauvrissement en nanotubes métalliques de la goutte de solvant contenant initialement un mélange indifférencié de nano- tubes métalliques et semiconducteurs, l'appauvrissement étant réali- sé en répétant plusieurs étapes de diélectrophorèse successives. - Le procédé selon l'invention peut aussi comprendre une étape de destruction des nanotubes métalliques compris dans la pluralité de nanotubes sensiblement alignés. -dans le cas où l'électrode de grille et les électrodes de contact ne présentent aucun recouvrement, le dopage des nanotubes situés dans la zone séparant l'électrode de grille et les électrodes de contact peut être réalisé selon l'un des procédés suivants : o réaliser un traitement chimique permettant d'améliorer la conductivité des nanotubes localisés dans la zone séparant l'électrode de grille et les électrodes de contact, o réaliser un dépôt de molécules ou d'une couche polymérique sur les nanotubes localisés dans la zone séparant l'électrode de grille et les électrodes de contact; avantageusement, les molécules ou la couche polymérique sont photosensibles de sorte que la conductivité des nanotubes est améliorée par éclairement. 30 D'autres caractéristiques et avantages de l'invention ressortiront clairement de la description qui en est donnée ci-dessous, à titre indicatif et nullement limitatif, en référence aux figures annexées, parmi lesquelles : - la figure 1 (a) est une représentation schématique simplifiée d'un transistor à effet de champ selon l'invention; - la figure 1 (b) représente schématiquement une vue de dessus élar- gie du transistor à effet de champ représenté en figure 1 (a); - la figure 1 (c) est une image par microscopie à force atomique mon-trant les nanotubes de carbone du transistor à effet de champ représenté sur les figures 1 (a) et (b); - la figure 2 (a) est une représentation de la caractéristique de transfert à Vps = -600 mV du transistor tel que représenté en figures 1 (a) et (b), - la figure 2 (b) représente la transconductance en fonction de la fré- quence du transistor tel que représenté en figures 1 (a) et (b), - la figure 2 (c) représente l'évolution du gain en courant 1H211 avec et sans découplage des capacités parasites et du gain maximum stable (MSG = IS21/S121) en fonction de la fréquence à Vps = -600 mV et VGS =0V. - la figure 3 (a) représente la fréquence de coupure du gain en courant fT en fonction de la tension VDS pour plusieurs transistors selon l'invention. - La figure 3 (b) représente le gain en courant extrinsèque et intrinsèque d'un transistor selon l'invention en fonction de la fréquence (VDS = -700 mV et VGs = 0 V). - la figure 4 représente l'évolution de la transconductance en courant continu à Vps = 50 mV en fonction de la flexion, - les figures 5 à 11 illustrent les différentes étapes du procédé de fabrication selon l'invention, - les figures 12 (a) à 12 (d) illustrent les différentes étapes du procédé de lithographie utilisée lors du procédé de fabrication selon l'invention, -la figure 13 illustre un mode de réalisation particulier d'un transistor selon l'invention. Dans toutes les figures, les éléments communs portent les mêmes numéros de référence. La figure 1 (a) est une représentation schématique simplifiée d'un transistor 1 à effet de champ selon l'invention. Nous reviendrons sur la fabrication de ce transistor 1 par la suite en référence aux figures 5 à 11. Le transistor 1 comporte : - un substrat flexible 2 transparent de poly-ethyleneterephtalate (PET) de 250 pm d'épaisseur, - une première électrode métallique de source 5, - une deuxième électrode métallique de source 4, - une électrode de drain 3, - deux doigts de grille 6 et 7. Chacune des électrodes métalliques de contact (drain et source) 3, 4 et 5 comprend une première couche de palladium recouverte d'une seconde couche d'or. On notera cependant que les métaux cités ici sont donnés ici à titre d'exemple ; d'autres métaux (ou alliages de ceux-ci) tels que le Ti, Al, Cr, Cu, Pt ou Co peuvent également être utilisés. De même, Nous avons décrit un substrat flexible PET mais d'autres types de substrats flexibles tels que des polyesters, des polyimides (KAPTON...), du polydimethylsiloxane (PDMS) ou du polydimethylsiloxane peuvent également être utilisés. L'utilisation d'un substrat transparent peut s'avérer intéressante dans le cas de certaines applications, par exemple celles nécessitant un éclairage du dispositif par sa face arrière ou celles incorporant des dispositifs émettant de la lumière (comme des journaux électroniques pour lesquels l'électronique peut éventuellement se trouver au dos de la page lue). Chacun des doigts de grille 6 et 7 a une largeur de 1 pm et est réalisé en aluminium sur une épaisseur de l'ordre de 50 nm. Cette largeur est évi- demment donnée à titre d'exemple. Les doigts de grilles 6 et 7 sont recouverts d'une couche diélectrique d'oxyde de grille AI2O3 de faible épaisseur (de l'ordre de 2 nm). L'utilisation d'un diélectrique mince et à haute permittivité (de l'ordre de 8 pour l'oxyde d'aluminium) permet d'obtenir une excel- lente qualité de la commande de grille. Il en découle qu'une faible polarisation de la grille est suffisante pour commander le transistor. Il est à noter qu'un tel oxyde mince augmente les capacités parasites au niveau des recouvrements source-grille et drain-grille tels qu'ils seront définis plus loin. Ces capacités parasites limitant la montée en fréquence, un compromis sur l'épaisseur de l'oxyde est à trouver. Il est possible que la meilleure fréquence ne soit pas obtenue pour l'oxyde le plus mince. Cette remarque vaut de la même façon pour la constante diélectrique. Le meilleur compromis peut ne pas correspondre à la plus haute permittivité. Par ailleurs, selon le mode de réalisation décrit ici, le diélectrique utilisé est l'oxyde d'aluminium mais d'autres diélectriques peuvent également être utilisés ; on peut citer à titre d'exemple des oxydes de métaux (comme le TiO2 ou le Ta2O5 par exemple) ou d'autres matériaux comme le SiO2 ou des polymères isolants. Dans ces derniers cas, ils sont déposés au dessus d'une électrode de grille métallique par la mise en oeuvre de méthodes connues de l'homme du métier. La couche diélectrique d'AI2O3 est recouverte de nanotubes de carbone 13 ; ces nanotubes de carbone sont des nanotubes mono-paroi de diamètre compris de préférence entre 1,2 et 1,6 nm. Ces nanotubes sont sensiblement alignés sur un canal entre une électrode de source 5 ou 4 et l'électrode de drain 3 de façon à former deux zones de conductions (respectivement entre la source 5 et le drain 3 et entre la source 4 et le drain 3). Chacune des zones de conduction présente une largeur L ici égale à environ 800 nm. La densité de nanotubes est supérieure à 10 nanotubes par micron et de préférence supérieure à 100 nanotubes par micron. Comme nous pouvons le vérifier sur l'image d'une partie de doigt de grille obtenue par microscopie à force atomique de la figure 1 (C), la méthode de diélectrophorèse utilisée pour le dépôt de ces nanotubes (sur laquelle nous reviendrons par la suite) permet d'obtenir une très large densité de nanotubes de carbone avec un degré d'alignement très élevé. Les aspérités visibles sur l'image ne sont pas des impuretés provenant de la solution de nanotubes. Elles sont dues à la rugosité initiale du substrat de PET. A ce propos, le substrat de PET peut être choisi de façon à présenter la rugosité la plus faible possible (de l'ordre de 10 nm en moyenne par exemple). Comme nous le constaterons par la suite, la forte densité de nanotubes permet au transistor 1 de fonctionner à haute fréquence. Des mesures en courant continu (DC) sur un ensemble de dispositifs tels que représentés en figure 1 (a) ont été réalisées et des courant DC de plusieurs milliampères (avec Vps 105 cm2/V.s versus 1 à 10 cm2/V.s pour un polymère) qui permet d'obtenir un courant très significatif à faible champ électrique, - l'utilisation du palladium pour les électrodes de source et de drain permet de bons contacts électriques (quasi-ohmiques) avec les nano- tubes évitant de ce fait une chute de potentiel à la jonction métal-nanotube. Chacune des électrodes de source 4 et 5 forme un recouvrement R sur l'oxyde de grille respectif des doigts 7 et 6, ce recouvrement mesurant sensiblement 100 nm. De même, l'électrode de drain 3 forme de part et d'autre un recou- vrement R sur l'oxyde de grille des doigts 7 et 6, ce recouvrement mesurant sensiblement 100 nm. Le fait de prendre une largeur de canal L courte favorise la montée en fréquence. De même, une faible largeur de recouvrement R source-grille et drain-grille limite les capacités parasites (capacité métal-oxyde-métal entraînant une fréquence de coupure) et favorise ainsi les montées en fréquence. On notera que les deux doigts de grilles 6 et 7 se trouvent sous les nanotubes ; une telle configuration permet d'envisager un traitement, notamment chimique, ultérieur des nanotubes. Toutefois, une configuration avec une électrode de grille localisée au-dessus des nanotubes (du type top-gated CNTFET ) rentre également dans le cadre de la présente invention. En prenant une largeur de doigt de grille plus faible (par exemple 400 nm), et des recouvrements R plus faibles également (par exemple de l'ordre de 50 nm), on obtient des largeurs de zones de conduction avantageuse-ment plus faible (par exemple de l'ordre de 300 nm). Il est également possible d'augmenter le nombre de doigts de grille ; une telle configuration permet d'augmenter le nombre total de nanotubes de carbone à densité constante. Grâce à cette augmentation, on améliore la qualité du signal (par l'augmentation du courant total). Pour cela, les électrodes de sources doivent être connectées entre elles : cette connexion peut être réalisée en utilisant des procédés connus tels que des via métalliques dans unmatériau isolant. Le transistor 1 à effet de champ représenté schématiquement en figure 1 (a) représente concrètement une partie du transistor complet 8 tel que représenté en figure 1 (b) (cf. partie 1 encadrée sur la figure 1 (b)). Le motif utilisé pour le transistor 8 correspond à un motif adapté au mesure haute fréquence selon une configuration Masse-Signal-Masse ou GSG (Ground-Signal-Ground en anglais) connue. Ainsi, on observe que les doigts d'électrode de grille 6 et 7 possèdent un prolongement 12 constituant un accès 12 de plus grande dimension. Il en va de même pour les électrodes de contact de source (respectivement 5 prolongée par un accès 9 et 4 pro- longée par un accès 10) et de drain (3 prolongée par un accès11). Ces accès agrandis permettent de venir faire des mesures à haute fréquence à l'aide d'une sonde RF à pointe triple. On notera que la configuration GSG impose la présence de deux électrodes de source pour positionner la sonde à pointe triple. Ainsi, le transistor 1 tel que représenté en figure 1, de par la présence des deux sources et des deux doigts de grille, possède en réalité la structure de deux transis- tors. Bien entendu, l'invention n'est pas limitée à une configuration GSG ; ainsi, selon un autre mode de réalisation, le transistor selon l'invention peut n'avoir qu'une seule électrode de source. Une autre alternative peut consister à relier les deux électrodes de sources (par des via par exemple). Les figures 2 (a) à 2 (c) permet de caractériser électriquement le tran- sistor tel que représenté sur les figures 1 (a) à 1 (c) c'est-à-dire un transistor présentant une densité de nanotubes de l'ordre de 100 nanotubes par micron, une largeur de zone de conductivité de l'ordre de 800 nm et un recouvrement R sensiblement égal à 100 nm. La figure 2 (a) présente la caractéristique de transfert ID = f(VGs) d'un transistor selon l'invention lorsque la tension de polarisation source / drain est -600 mV. Elle indique clairement le caractère de type p du transistor. A partir de la pente de la courbe, on en déduit une transconductance DC de 150 pS à polarisation de grille nulle. Cette excellente transconductance résulte de l'effet combiné de : (i) la méthode de dépôt sur laquelle nous reviendrons par la suite, (ii) la qualité de la grille (oxyde mince en alumine) et (iii) la qualité des contacts (en palladium). Des mesures hautes fréquences sont représentées sur les figures 2 (b) et 2 (c). Ces mesures hautes fréquences ont été effectuées en utilisant un analyseur de réseau vectoriel dans une gamme de fréquence allant de 40 MHz à 6 GHz. D'après les paramètres de scattering (paramètres S), on en déduit la transconductance dynamique gn, = (IY21-Y121), le gain en courant (1H2112 = 1Y211Y1112) et sa fréquence de coupure (fT), et le gain maximum stable (MSG = 1521/5121). La figure 2 (b) montre l'évolution de la trans- conductance dynamique gn, en fonction de la fréquence. Cette transconductance AC reste quasi constante sur l'ensemble de la plage de fréquence, donc au moins jusqu'à 6 GHz. Cette valeur de fréquence est limitée seule- ment par le dispositif expérimental. Sa valeur à 1 GHz est -143 pS, proche des 150 pS de la valeur DC. La figure 2 (c) représente l'évolution du gain en courant IH21'ext (dB) et du gain maximum stable (MSG = IS21/S121) en fonction de la fréquence. Le dispositif est polarisé à Vps = -600 mV et VGs = 0 V. Nous pouvons extraire de la figure une fréquence de coupure du gain en courant égale à 470 MHz. Le gain MSG est encore égal à 2,5 dB à 1 GHz. Ces deux courbes démontrent les excellentes aptitudes de ces dispositifs flexibles à nanotubes de carbone pour un fonctionnement à haute fréquence. Nous pouvons remar- quer que les pentes du gain en courant et du gain MSG sont respectivement égales à -17 dB/dec et -7 dB/dec. Les déviations de ces valeurs par rapport aux valeurs théoriques (-20 dB/dec et -10 dB/dec) peuvent être attribuées à l'influence des parties extrinsèques au dispositif. En effet, la fréquence de coupure fT est principalement limitée par les capacités parasites résultantes des recouvrements entre la grille et la source et entre la grille et le drain. L'influence de ces capacités peut être supprimée en utilisant une structure dite ouverte , strictement identique à la structure mesurée mais sans les nanotubes de carbone. Il s'agit d'une procédure de découplage qui consiste simplement à soustraire les paramètres d'admittances (paramètres Y) de la structure ouverte à ceux de la structure mesurée (pour plus de détail sur la méthode, l'homme du métier pourra se référer à l'article An 8-GHz fT carbon nanotube field-effect transistor for gigahertz range applications (J.M. BETHOUX et al. - Institute of Electrical and Electronics Engineers Electronic Device Letters volume 27 n 8, 460 (2006)). La figure 2 (c) pré-sente le gain en courant intrinsèque IH21 int1 résultant de la procédure de dé-couplage. En utilisant une pente à -20 dB/dec, on en déduit une fréquence de coupure intrinsèque égale à environ 8,4 GHz. La figure 3 (a) représente la fréquence de coupure du gain en courant fT en fonction de la tension VDS pour plusieurs dispositifs selon l'invention sur différentes puces. Dans la gamme de tension VDS étudiée, fT augmente linéairement avec VDS ce qui reflète directement l'augmentation de la transconductance. La demanderesse s'est limitée à une tension VDS = -700 mV afin de ne pas détériorer l'oxyde de grille. On observe une variation de fT d'un dispositif à l'autre de 400 MHz à 1 GHz. Les gains en courant extrinsèque et intrinsèque du dispositif correspondant le plus rapide (1 GHz) en fonction de la fréquence sont représentés sur la figure 3 (b) pour une tension Vps = -700 mV et VGs = 0 mV. Pour résumer, les transistors selon l'invention permettent de fonctionner à des fréquences extrinsèques de l'ordre du GHz (correspondant à des fréquences intrinsèques corrigées pouvant atteindre 8,4 GHz). Comme nous l'avons évoqué plus haut ces mesures ont été obtenues pour un transistor présentant une densité de nanotubes de l'ordre de 100 nanotubes par micron, une largeur de zone de conductivité de l'ordre de 800 nm et un recouvrement R source/grille et drain/grille sensiblement égal à 100 nm. Toutefois, il est tout à fait possible et avantageux de prendre une largeur de doigt de grille et des recouvrements R plus faibles, formant ainsi des largeurs de zones de conduction plus faibles. De même la densité de nanotubes peut être augmentée. Par exemple, une configuration avec une largeur de doigt de grille de l'ordre de 400 nm et des recouvrements R de l'ordre de 50 nm, donnant des largeurs de zones de conduction de l'ordre de 300 nm peut permettre d'atteindre des valeurs de fréquences intrinsèques fT de l'ordre de 30 GHz. La figure 4 représente l'évolution de la transconductance DC (à Vps = 50 mV) en fonction de la flexion (l'unité en abscisse est l'inverse du rayon de courbure) afin d'illustrer les performances des transistors selon l'invention lorsqu'ils sont soumis à des contraintes mécaniques. Durant les premiers cycles de flexions, la demanderesse a constaté une diminution de la transconductance DC lorsque les flexions excédaient 0,3 mm-' (c'est-à-dire un rayon de courbure inférieur à 3,3 mm). Cette diminution correspond certainement à la déconnection progressive de nanotubes de carbone initialement mal connectés par les électrodes. Toutefois, après quelques cycles, les per- formances en flexion se stabilisent et restent constantes même après plu-sieurs cycles sous des flexions correspondant à des rayons de courbure aussi petits qu'environl, 5 mm. On peut noter que la transconductance reste constante jusqu'à 0,6 mm- ' avant de finalement chuter à zéro alors que le courant conduit dans le dispositif à VGS = 0 V reste inchangé. Cette dernière situation indique vraisemblablement une rupture de l'électrode de grille. Une manière de repousser le seuil de rupture peut consister à réaliser des électrodes mixtes à base de métal et de nanotubes de façon à profiter au maxi- mum de la flexibilité des nanotubes. En parallèle, le suivi de l'évolution du courant entre la source et la grille d'une part et entre le drain et la grille d'autre part ont permis de constater l'absence de courant de fuite de grille significatif ce qui indique l'absence de rupture dans l'oxyde de grille. Les figures 5 à 11 illustrent les différentes étapes du procédé de fa- brication selon l'invention. Chacune de ces figures 5 à 11 représente sur sa partie gauche une vue de dessus du dispositif selon l'invention à chaque étape du procédé et sur sa partie droite, une vue partielle en coupe agrandie selon la ligne II-II de la partie encadrée en pointillé du même dispositif. Selon la figure 5, la première étape consiste à réaliser une première lithographie à faisceau électronique pour déposer sur le substrat 2 en PET les plots métalliques de source et de drain selon une configuration Masse-Signal-Masse (GSG) déjà décrite plus haut. Ces plots métalliques comportent une couche de chrome Cr recouverte d'une couche d'or Au. Les différentes étapes du procédé de lithographie utilisée lors du pro-cédé de fabrication selon l'invention sont illustrées sur les figures 12 (a) à 12 (d). Selon la figure 12 (a), chacune des lithographies entreprises lors de la conception des dispositifs requiert le dépôt préliminaire de trois couches: une première couche de résine de MMA (méthacrylate de méthyle) est dé-posée à la tournette avec une vitesse de rotation de 4000 tours / minute pendant 1 minute. Un recuit à l'air sur plaque chauffante à 120 C est effectué pendant 5 minutes. Préférentiellement, la température ne doit pas excéder 120 C pour ne pas endommager le substrat 2 en PET. De manière ana- logue, une deuxième couche de résine de PMMA (Poly(méthacrylate de méthyle) est ensuite déposée. Un nouveau recuit est effectué à 100 C pendant 30 minutes. Enfin, une troisième couche d'aluminium de faible épaisseur (typiquement de l'ordre de 5 à 10 nm) est déposée par évaporation. Cette couche est très importante pour effectuer la lithographie électronique sur un substrat isolant comme le PET car elle permet d'évacuer les charges lors de l'irradiation par le faisceau d'électrons. Une couche trop épaisse pourrait empêcher le passage des électrons. On notera que l'aluminium est particu- fièrement adapté dans la mesure où il absorbe peu les électrons du faisceau. On notera en outre qu'il est également possible d'utiliser une couche unique de résine en PMMA. Selon la figure 12 (b), les trois couches étant déposées, la lithographie par faisceau électronique est effectuée. Avant développement de la résine, la couche d'aluminium est enlevée par gravure chimique (dans une solution de KOH). Selon la figure 12 (c), après développement, 5 nm de chrome et 50 nm d'or sont déposés de manière à former les plots métalliques de source qui sont ici représentés à titre d'exemple (le plot de drain est réalisé de ma- nière identique). Selon la figure 12 (d), La résine est ensuite retirée dans l'acétone chauffée à environ 50 C (étape de lift-off ). L'étape de lift-off consiste à effectuer le retrait de la résine par dissolution et à ne conserver les couches métalliques que sur les parties en contact direct avec le substrat. Ainsi, les plots métalliques représentés en figure 5 et comportant une couche de chrome Cr recouverte d'une couche d'or Au sont obtenus par la mise en oeuvre du procédé de lithographie tel que décrit ci-dessus. Selon la figure 6, en utilisant un procédé de lithographie électronique semblable à ce lui décrit précédemment, les deux doigts d'électrode de grille 6 et 7 en aluminium ainsi que l'accès 12 de dimensions supérieures dans leur prolongement sont déposés. Les doigts de grille 6 et 7 sont larges de 1 pm. Une épaisseur de 50 nm d'aluminium est ainsi déposée sous un vide inférieur à 5.10-6 torr (cette valeur est donnée à titre indicatif mais il est également possible de travailler sous des vides plus élevés). Selon la figure 7, les doigts de grille 6 et 7 sont ensuite exposés à du gaz oxygène pur à une pression de 20 mbar pendant 20 minutes. L'ensemble est finalement recuit à l'air à 120 C pendant 2 heures (ce recuit permet la diffusion de l'oxygène et la création du revêtement en AI2O3). Le retrait de la résine effectué, on procède à un nouveau recuit à l'air sur plaque chauffante à 120 C afin d'assurer l'oxydation des flancs verticaux des doigts de grille. Ce procédé d'oxydation permet d'obtenir le revêtement en oxyde d'aluminium d'environ 2 nm d'épaisseur. Comme nous l'avons déjà évoqué plus haut, l'utilisation de ce revêtement mince et à haute permittivité permet d'obtenir une excellente qualité de la commande de grille. Comme nous l'avons également expliqué plus haut, il est aussi possible d'utiliser d'autres procédés (un dépôt par exemple) qu'un procédé d'oxydation pour obtenir un revêtement diélectrique de grille. Selon la figure 8, les nanotubes de carbone 13 sont déposés par un procédé de diélectrophorèse. Les nanotubes de carbone 13 utilisés sont des nanotubes mono-paroi de diamètre préférentiellement compris entre 1,2 et 1,6 nm. Le procédé de diélectrophorèse permet d'optimiser la densité et l'alignement des nanotubes de carbone. Pour cela, une goutte de solvant de N-methylpyrolidone de 3 pL dans laquelle sont dispersés les nanotubes de carbone mono-parois (à une concentration de 5 mg IL) est déposée sur l'ensemble du dispositif. Un champ électrique alternatif d'amplitude 10 V (+ à û 5V) à une fréquence de 15 MHz est alors appliqué entre les deux électrodes de sources séparées de 7 pm. Guidé par ce champ électrique, les nano- tubes de carbone 13 se déposent entre les électrodes métalliques et sur les couches de diélectrique en AI2O3. Réaliser le dépôt à cette étape et recouvrir ensuite les tubes d'un prolongement (dit aussi par la suite reprise de contact ) des électrodes de source et drain (comme cela sera décrit plus loin) présente deux avantages : (i) les contacts électriques métal-nanotubes sont meilleurs lorsque le métal est déposé au-dessus des nanotubes et, (ii) si le dépôt était réalisé avec un espacement faible entre les électrodes (comme les 800 nm obtenus après reconnexion), cela imposerait des contraintes sur le champ électrique maximal utilisa- ble. En effet, un champ de 10 V aurait tendance à casser les nanotubes au fur et à mesure de leur dépôt si la distance source-drain était inférieure à la longueur typique des nanotubes utilisés (de l'ordre de un micron ici). On notera au passage que les nanotubes s'alignent non seulement entre les électrodes de source mais aussi entre chacune des électrodes de source et l'électrode de drain : en effet, le potentiel flottant du drain entraîne également la présence d'un champ électrique entre chacune des électrodes de source et l'électrode de drain. Cette méthode de diélectrophorèse permet d'obtenir une très large densité de nanotubes de carbone avec un degré d'alignement très élevé. La densité de nanotubes peut être ajustée en réglant les paramètres du dépôt (concentration de la solution, tension, durée du dépôt). On réalise ainsi des dépôts aussi denses que 100 à 1000 nano- tubes par micron. Les nanotubes s'alignent suivant les lignes de champ ; ainsi, plus on dépose de nanotubes plus ces nanotubes vont avoir tendance à court-circuiter les électrodes entre elles : un tel mécanisme va entraîner une diminution du champ électrique et une autolimitation du procédé de diélectrophorèse. En conséquence, l'utilisation du procédé permet d'obtenir des épaisseurs relativement faibles de couches de nanotubes. En outre, les nanotubes se déposent beaucoup mieux sur la surface du diélectrique que sur eux-mêmes. Dès lors, les nanotubes vont avoir tendance à remplir l'ensemble de la surface disponible avant de créer une couche supplémentaire de nanotubes. Pour les deux raisons cités précédemment, le procédé de diélectrophorèse permet sensiblement d'obtenir une monocouche de nanotubes. Comme nous l'avons expliqué plus haut, la présence de deux électrodes de source est dictée par la configuration GSG de mesure HF ; en présence d'une seule électrode de source, il est tout à fait possible de créer une zone de conductivité à base de nanotubes sensiblement alignés en appliquant directement un champ électrique entre l'électrode de source et l'électrode drain. On notera en outre que la goutte de solvant comporte un mélange in-différencié de nanotubes métalliques et semiconducteurs. Il est possible d'utiliser une goutte appauvrie en nanotubes métalliques. Cette goutte est réalisée en répétant plusieurs étapes de diélectrophorèse successives sur différents dispositifs: le principe consiste à appauvrir la goutte de solvant en nanotubes métalliques lors d'un premier dépôt à haute fréquence favorisant le dépôt sur un premier dispositif des nanotubes métalliques avant les nanotubes semiconducteurs. Cette étape est répétée plusieurs fois en utilisant la même goutte dont l'appauvrissement en tubes métallique s'accroit. Ainsi, en utilisant la goutte après plusieurs étapes d'appauvrissement sur le transistor final, il est possible d'augmenter le rapport entre les nanotubes semiconducteurs et les nanotubes métalliques. L'augmentation de ce rapport permettra d'obtenir un état bloqué beaucoup plus efficace. Une autre manière de pro-céder peut consister à utiliser une technique de claquage des nanotubes métalliques en rendant isolant les nanotubes semiconducteurs et en faisant circuler un courant de claquage dans les nanotubes métalliques. On peut également utiliser un traitement chimique visant à détruire en premier lieu les nanotubes métalliques et à arrêter l'opération avant que les nanotubes semiconducteurs ne soient détruits. Pour plus d'informations sur ces techniques de séparation des nanotubes par type (métallique/semiconducteur) l'homme du métier pourra par exemple se référer à l'article Sorting carbone nanotubes by electronic structures using density differenciation (M. S. ARNOLD et al. - Nature Nanotechnology volume 60, 60 (2006) ou à l'article Selective etching of metallic carbon nanotubes by gas-phase reaction (G. ZHANG et al. - Science volume 314, 274 (2006)). Selon la figure 9, après le dépôt des nanotubes, des reprises de contact de source et de drain sont effectuées (10 nm de palladium et 45 nm d'or). Les recouvrements R entre la grille et la source d'une part et entre la grille et le drain d'autre part s'étendent sur 100 nm. Le canal source-drain mesure donc L= 800 nm (pour mémoire, les doigts de grille sont larges de 1 pm). Selon la figure 10, les nanotubes indésirables NI déposés directement entre la grille et la source et entre le drain et la source sont détruits par une attaque avec des ions oxygène à travers un masque de résine. Les conditions de dépôt du masque sont les suivantes: -premier dépôt de résine MMA à 3000 tr / mn pendant 60 secondes puis, -recuit à 120 C pendant 2 minutes puis, - deuxième dépôt de résine PMMA à 4000 tr / mn pendant 60 secondes puis, - recuit à 120 C pendant 15 minutes. Les nanotubes indésirables sont alors détruits par attaque ionique (les con- ditions de l'attaque ionique sont de 130 pbar d'O2 avec une tension d'accélération de 130 volts pendant l min 40). La figure 11 représente le transistor 8 selon l'invention après retrait des résines MMA et PMMA (par exemple dans l'acétone chauffé à environ 50 C). Ce transistor 8 est identique à celui présenté en figure 1 (b). Comme nous l'avons évoqué plus haut, une faible largeur de recouvrement R source-grille et drain-grille limite les capacités parasites et favorise ainsi les montées en fréquence. Dès lors, une absence de recouvre-ment R permet au transistor de monter plus haut en fréquence. Une manière de procéder consiste à écarter légèrement les électrodes de source et de drain afin qu'il n'y ait plus de recouvrement avec la grille. La figure 13 illustre le passage d'une configuration Cl avec recouvrement (telle que celle représentée en figure 1 (a)) à une configuration C2 sans recouvrement. Le transistor selon la configuration C2 comporte donc des zones Z munies de nanotubes, les zones Z séparant les électrodes de source et de drain de l'électrode de grille. Ce faisant, on perd les performances en commutation car les parties de nanotubes situés dans ces zones Z ne sont plus commandées par la grille et sont donc isolantes (ou peu conductrices). Pour compenser cet inconvénient, on peut réaliser un dopage de ces parties de nanotubes (ou de l'ensemble des nanotubes). Le dopage des nanotubes peut être par exemple réalisé via un traitement chimique permettant d'améliorer la conductivité des nanotubes. L'homme du métier pourra pour plus de détails se référer à l'article de S. AUVRAY et al. (NANO LETTERS, 5 (3): 451-455 MAR 2005). Une autre manière pour doper les nanotubes peut consister à réaliser un dépôt (ou un greffage) de molécules ou un dépôt d'un film de polymère sur les nanotubes; l'homme du métier pourra pour plus de détails se référer à l'article de J. BORGHETTI et al (ADVANCED MATERIALS, 18 (19): 2535-+ OCT 4 2006). On notera que ces molécules et le film de polymère peuvent être photosensibles, le dépôt étant alors combiné avec une étape d'éclairement. On notera que la position de la grille sous les nanotubes facilite les traitements ultérieurs tels que les procédés de dopage décrits ci-dessus. On notera par ailleurs qu'en l'absence de recouvrement, il est préférable que l'oxyde grille soit le plus mince possible (épaisseur de préférence inférieure à 4 nm, par exemple 2 nm). REVENDICATIONS 1. Transistor (1) à effet de champ comportant : - au moins deux électrodes (3, 4, 5) de contact respectivement de drain et de source, - une zone de conduction électrique connectée auxdites électrodes de contact, ladite zone comportant une pluralité de nanotubes de carbone mono-paroi (13) sensiblement alignés, - une électrode de grille (6, 7) pour le contrôle du courant électrique circulant dans ladite zone, - un substrat flexible (2) sur lequel sont déposées lesdites électrodes de contact et de grille (3, 4, 5, 6, 7), ledit transistor (1) étant caractérisé en ce que la densité de nanotubes dans ladite zone de conduction est strictement supérieure à 10 nanotubes par micron. 2. Transistor (1) selon la revendication 1 caractérisé en ce que la densité de nanotubes est supérieure ou égale à 100 nanotubes par micron. 3. Transistor (1) selon l'une des revendications précédentes caractérisé en ce que ladite électrode de grille (6, 7) comporte un revêtement de diélectrique tel qu'un oxyde d'aluminium, ledit revêtement présentant une épaisseur t0 et une permittivité relative Cr telles que le rapport r / t0 est supérieur à 0,2. 4. Transistor (1) selon la revendication précédente caractérisé en ce que ledit rapport Cr/ t0 est sensiblement égal à 4. 5. Transistor (1) selon l'une des revendications précédente caractérisé en ce que la largeur (L) de ladite zone de conduction électrique est inférieure à 800 nm. 6. Transistor (1) selon l'une des revendications précédentes caractérisé en ce que ladite électrode de grille (6, 7) est partiellement recouverte par l'électrode de source (4, 5) et/ou par l'électrode de drain (3), la largeur de recouvrement (R) étant inférieure ou égale à 100 nm.7. Transistor (C2) selon l'une des revendications 1 à 5 caractérisé en ce que ladite électrode de grille et lesdites électrodes de contact ne présentent aucun recouvrement. 8. Transistor (C2) selon la revendication précédente caractérisé en ce que ladite électrode de grille comporte un revêtement de diélectrique tel qu'un oxyde d'aluminium, ledit revêtement présentant un rapport Cr/ t0 supérieur à 2. 9. Transistor (C2) selon l'une des revendications 7 ou 8 caractérisé en ce que les nanotubes situés dans la zone (Z) séparant ladite électrode de grille et lesdites électrodes de contact sont dopés. 10. Transistor selon l'une des revendications précédentes caractérisé en ce que lesdits nanotubes sont des nanotubes de diamètre compris entre 0,8 et 2,5 nm. 11. Transistor selon l'une des revendications précédentes caractérisé en ce que la couche de nanotubes disposée sur la zone de conduction a une épaisseur inférieure ou égale à 5 nm. 12. Transistor selon l'une des revendications précédentes caractérisé en ce que la couche de nanotubes disposée sur la zone de conduction est sensiblement une monocouche de nanotubes. 13. Transistor (1) selon l'une des revendications précédentes caractérisé en ce que ledit substrat flexible (2) est un substrat transparent tel qu'un substrat en Poly-ethyleneterephtalate. 14. Transistor (1) selon l'une des revendications précédentes caractérisé en ce que ladite électrode de grille (6, 7) est située sous ladite zone de conduction de sorte que ladite zone de conduction est rendue accessible. 15. Transistor (1, 8) selon l'une des revendications précédentes caractérisé en ce que ladite électrode de grille comporte deux doigts (6, 7) dans le prolongement d'un plot commun (12), ledit transistor (1, 8) comportant : o deux électrodes de source (4, 5, 9, 10), o deux zones de conductions comportant une pluralité de nanotubes (13) sensiblement alignés, chacune desdites zones connectant l'une des électrodes de source (4, 5) avecl'électrode de drain (3) et chacun desdits doigts (6, 7) commandant respectivement le courant électrique circulant dans l'une desdites zones de conduction. 16. Transistor selon la revendication précédente caractérisé en ce que l'électrode de grille comporte une pluralité de doigts de grilles commandant chacun le courant électrique circulant dans une zone de conduction comportant une pluralité de nanotubes sensiblement alignés, ledit transistor comportant autant d'électrodes de source et de drain que de doigts d'électrode de grille, lesdites électrodes de source étant connectées entre elles et lesdites électrodes de drain également. 17. Procédé de fabrication d'un transistor selon l'une des revendications 1 à 16, caractérisé en ce qu'il comporte une étape de dépôt des nanotubes de carbone réalisée par un procédé de diélectrophorèse incluant les étapes suivantes : - dépôt d'une goutte de solvant dans laquelle est dispersée une plurali- té de nanotubes de carbone mono-paroi, - application d'un champ électrique alternatif entre deux électrodes de contact. 18. Procédé selon la revendication précédente pour la fabrication d'un transistor selon la revendication 15 caractérisé en ce que le champ électrique est appliqué entre les deux électrodes de source. 19. Procédé selon l'une des revendications 17 ou 18 caractérisé en ce que la réalisation de chacune des électrodes est obtenue par lithographie à faisceau d'électrons, ladite réalisation comportant les étapes suivantes : o dépôt d'au moins une couche de résine telle du Po- ly(méthacrylate de méthyle) sur le substrat flexible, o recuit de ladite couche de résine, o dépôt d'une couche de métal absorbant peu le faisceau d'électrons et d'épaisseur inférieure à 10 nm, o exposition au faisceau d'électrons pour la réalisation du motif de l'électrode, o retrait de ladite couche de métal, o développement de la résine,o dépôt du matériau métallique pour la réalisation de l'électrode, o retrait de la résine. 20. Procédé selon la revendication précédente caractérisé en ce que ledit dépôt de la couche de résine est précédé du dépôt d'une première cou- che de résine telle que du méthacrylate de méthyle. 21. Procédé selon l'une des revendications 19 ou 20 caractérisé en ce que ladite couche de métal absorbant peu le faisceau d'électrons est une couche d'aluminium, 22. Procédé selon l'une des revendications 17 à 21 caractérisé en ce que ladite électrode de grille est réalisée en aluminium, le procédé comportant une étape d'oxydation de ladite électrode de grille suivant les étapes suivantes : o exposition de ladite électrode d'aluminium à un gaz oxygène, o recuit de ladite électrode d'aluminium pendant une durée suffi-sante pour réaliser un revêtement d'oxyde d'aluminium sur une épaisseur inférieure à 20 nm. 25. Procédé selon l'une des revendications 17 à 22 caractérisé en ce qu'il comprend une étape préalable d'appauvrissement en nanotubes métalliques de la goutte de solvant contenant initialement un mélange indifféren- cié de nanotubes métalliques et semiconducteurs, l'appauvrissement étant réalisé en répétant plusieurs étapes de diélectrophorèse successives. 26. Procédé selon l'une des revendications 17 à 23 caractérisé en ce qu'il comprend une étape de destruction des nanotubes métalliques compris dans ladite pluralité de nanotubes sensiblement alignés. 25. Procédé selon l'une des revendications 17 à 24 pour la réalisation d'un transistor selon la revendication 9 caractérisé en ce que le dopage des nanotubes situés dans la zone séparant ladite électrode de grille et lesdites électrodes de contact est réalisé suivant un traitement chimique permettant d'améliorer la conductivité des nanotubes localisés dans ladite zone. 26. Procédé selon l'une des revendications 17 à 24 pour la réalisation d'un transistor selon la revendication 9 caractérisé en ce que le dopage des nanotubes situés dans la zone séparant ladite électrode de grille et lesditesélectrodes de contact est réalisé par un dépôt de molécules ou d'une couche polymérique sur les nanotubes localisés dans ladite zone. 27. Procédé selon la revendication précédente caractérisé en ce que lesdites molécules ou ladite couche polymérique sont photosensibles de 5 sorte que la conductivité des nanotubes est améliorée par éclairement.