FR 2916895 A1 20081205 FR 0703955 A 20070604 Cellule mémoire SRAM asymétrique à 4 transistors double grille 5 Domaine technique de l'invention L'invention est relative à une cellule mémoire vive de type SRAM comportant un transistor d'accès, ayant une première électrode de grille connectée à une ligne de mot une première électrode de source/drain connectée à une ligne 10 de bit, et une seconde électrode de source/drain connectée à une électrode de grille d'un premier transistor de charge, à une électrode de grille d'un transistor de conduction et à une première électrode de source/drain d'un deuxième transistor de charge, une deuxième électrode de source/drain du deuxième transistor de charge étant connectée à une tension d'alimentation, 15 le premier transistor de charge et le transistor de conduction étant reliés en série aux bornes de la tension d'alimentation. État de la technique 20 Depuis quelques années, les caractéristiques électriques des transistors sur substrat massif de silicium se sont dégradées avec l'accentuation des effets parasites liés à la réduction des dimensions. Ces modifications du comportement du transistor ont une grande influence sur le fonctionnement 25 des cellules mémoires et rendent alors leur fonctionnement moins robuste. Dans le même temps, la cellule mémoire de type SRAM ( Static Random Acess Memory ) conventionnelle comportant 6 transistors (4 de type NMOS et 2 de type PMOS), illustrée sur la figure 1, occupe une surface trop importante dans les circuits intégrés. Afin de réduire l'importance de ces 3o écueils, de nouvelles architectures voient le jour et doivent permettre la réalisation de cellules mémoires occupant moins de surface, tout en ayant un fonctionnement robuste. De façon conventionnelle, une cellule mémoire à 6 transistors comporte deux transistors d'accès, Ta1, Ta2, ayant une électrode de source/drain connectée à une ligne de bit BL ou à une ligne de bit complémentaire BLC et dont la grille est connectée à une ligne de mot (WL). La cellule comporte également deux transistors de charge, TI1, TI2 chacun connecté en série avec un transistor de conduction Td1, Td2, entre les bornes d'une tension d'alimentation Vdd pour former deux inverseurs rétrocouplés. Une autre électrode de source/drain du transistor d'accès est connectée à un des inverseurs au niveau des électrodes de grilles et à l'autre inverseur au niveau des électrodes de source et drain formant le point commun des transistors de charge et de conduction correspondant. De manière générale, les cellules mémoires SRAM doivent trouver les bons compromis concernant le dimensionnement des transistors NMOS et PMOS 15 et leur organisation de façon à : - minimiser la surface de la cellule mémoire, - obtenir des conditions de fonctionnement en écriture et en lecture robustes, - présenter une certaine immunité aux erreurs, -présenter un courant de lecture de la cellule compatible avec le circuit 20 associé, - minimiser le courant de fonctionnement, - présenter une bonne robustesse vis-à-vis du processus de fabrication. Ces caractéristiques générales font que les performances électriques des 25 multiples transistors, composant la cellule mémoire, jouent un rôle extrêmement important sur la robustesse de fonctionnement de la cellule mémoire. Pour un noeud technologique donné, la réduction de surface de la cellule est 30 principalement liée à la réduction du nombre de transistors. Cependant la réorganisation des transistors se traduit toujours par une modification de son fonctionnement. Aujourd'hui, de nombreuses cellules mémoires comportant seulement 4 ou 5 transistors sont proposées. Ces cellules sont généralement connectées à une ligne de mot et à deux lignes de bit. Certaines architectures ont abouti à des cellules mémoires de type loadless où les transistors de charge (TI1, TI2) ont été éliminés (figure 2). Dans d'autres cas ce sont les deux transistors de conduction (Td1, Td2) qui ont été supprimés (figure 3) et une cellule mémoire de type driverless est alors obtenue, comme décrit dans le brevet US 6442060. De façon générale, les cellules mémoires à 4 transistors ne sont pas suffisamment stables pour garantir un bon fonctionnement en tenant compte des variations du processus de fabrication. En particulier, la cellule mémoire SRAM de type loadless comportant 4 transistors est très sensible au décalage des performances électriques des transistors de la cellule et à l'augmentation de la température. Ces deux points entraînent, généralement, l'utilisation de circuits supplémentaires de compensation et réduisent alors, fortement, le gain de surface obtenu en éliminant des transistors de la cellule. L'utilisation d'une cellule mémoire de type SRAM, comportant un transistor de charge, deux transistors de conduction et un transistor d'accès à été proposée dans le brevet US 7116605. Cette approche permet de réaliser simultanément les opérations d'écriture et de lecture au sein de la cellule tout en minimisant sa taille. Cependant pour obtenir de telles fonctionnalités, cette cellule doit présenter en plus des 4 transistors préalablement décrits, 2 transistors de lecture et 3 lignes de commande, une ligne de bit, une ligne mot et un signal commun. Il en ressort que cette cellule, comportant alors 6 transistors, occupe une surface importante dans le circuit intégré.30 Une autre voie autorisant la réduction du nombre de transistors ainsi que la réduction de la consommation électrique, est l'utilisation d'une unique ligne de bit. Dans cette approche, illustrée par la figure 4, un seul transistor d'accès Ta est alors nécessaire. Cette cellule mémoire se distingue de la cellule mémoire selon la figure 1 uniquement par la suppression du second transistor d'accès Ta2. Cependant, cette approche avec une seule ligne de bit n'est pas couramment utilisée car il existe des problèmes de fiabilité de l'opération d'écriture dans la cellule. Ce type de cellule ne présente donc pas un fonctionnement suffisamment robuste. En ce qui concerne l'amélioration de la robustesse du fonctionnement de la cellule mémoire, sans augmenter le nombre de transistors dans la cellule, de nombreuses publications décrivent l'utilisation de cellules asymétriques, c'est-à-dire de cellules où les performances électriques de groupes de transistors sont notablement différentes. Cependant, à la différence des cellules symétriques, les points mémoires asymétriques doivent être étudiés selon leur état stocké (haut ou bas pour chacun des points et avec les combinaisons possibles entre ces points). Kim et al. ( Independent-Gate Controlled Asymmetrical SRAM Cells in Double-Gate Technology for Improved READ Stability , Proceeding of the 32nd European Solid state conference ESSCIRC, September 2006) proposent l'utilisation d'une cellule mémoire de type SRAM asymétrique à 6 transistors. Dans cette cellule, la combinaison des transistors de la partie gauche de la cellule ne présente pas les mêmes performances électriques que la combinaison des transistors de la partie droite de la cellule. De cette manière, la phase d'écriture est plus robuste. De plus, Kim et al. décrivent également l'utilisation de transistors à double grille avec deux grilles électriquement indépendantes, reliées à des commandes différentes, pour certains transistors. Cette approche permet d'ajuster les caractéristiques électriques des transistors et ainsi d'améliorer le fonctionnement de la cellule. Cependant, la cellule proposée par Kim et Al. utilise 6 transistors, ce qui représente toujours une surface considérable sur un circuit intégré. Wang et al. ( Single-Ended SRAM with High Test Coverage and Short Test Time IEEE journal of Solid State Circuits, vol 35, N 1 January 2000), décrivent l'utilisation d'une cellule asymétrique présentant un unique transistor d'accès. Ils décrivent également l'utilisation d'un décalage des tensions de seuil entre les inverseurs pour obtenir une cellule mémoire fonctionnelle et présentant une consommation électrique réduite. Il est important de noter que cette cellule mémoire pour être pleinement fonctionnelle doit en fait comporter 6 transistors. Ainsi, la cellule proposée occupe, finalement, sensiblement la même surface qu'une cellule mémoire conventionnelle. Objet de l'invention L'objet de l'invention consiste à pallier les inconvénients précités et en particulier à réaliser une cellule mémoire dont les conditions de fonctionnement soient robustes et qui occupe une surface compatible avec une intégration industrielle. Selon l'invention, ce but est atteint par le fait que le transistor d'accès et le deuxième transistor de charge comportent chacun au moins une seconde électrode de grille électriquement indépendante de la première électrode de grille correspondante, la deuxième électrode de grille du transistor d'accès étant connectée à la première électrode de grille du deuxième transistor de charge et la deuxième électrode de grille du deuxième transistor de charge étant reliée à la tension d'alimentation. Description sommaire des dessins D'autres avantages et caractéristiques ressortiront plus clairement de la description qui va suivre de modes particuliers de réalisation de l'invention donnés à titre d'exemples non limitatifs et représentés aux dessins annexés, dans lesquels : ~o La figure 1 représente une cellule mémoire vive de type SRAM à 6 transistors selon l'art antérieur. La figure 2 représente une cellule mémoire vive de type SRAM à 4 transistors de type loadless selon l'art antérieur. La figure 3 représente une cellule mémoire vive de type SRAM à 4 15 transistors de type driverless selon l'art antérieur. La figure 4 représente une cellule mémoire vive de type SRAM à 5 transistors de type Single Ended selon l'art antérieur. La figure 5 représente un mode particulier de réalisation d'une cellule mémoire vive de type SRAM selon l'invention. 20 La figure 6 représente une variante de réalisation d'une cellule mémoire vive de type SRAM selon l'invention. Description de modes particulier de réalisation 25 La cellule mémoire vive de type SRAM, illustrée par la figure 5, comporte 4 transistors. Les transistors de charge T2, T3 sont de type opposé aux transistors d'accès Ti et de conduction T4. La cellule mémoire comporte, par exemple, deux transistors de type NMOS, à savoir le transistor d'accès T1 et 30 le transistor de conduction T4, et deux transistors de type PMOS, à savoir les deux transistors de charge T2 et T3. Le premier transistor de charge T3 et le transistor de conduction T4 sont connectés en série, aux bornes de la tension d'alimentation Vdd et forment ainsi un inverseur. De manière conventionnelle, le premier transistor de charge T3 est connecté à la tension d'alimentation et le transistor de conduction T4 à la masse. Le point commun aux électrodes de source/ drain des transistors de charge T3 et de conduction T4 forme un noeud électrique F1. La tension d'alimentation a, par exemple, une tension nominale de 1,2V. Le transistor d'accès Ti et le deuxième transistor de charge T2 comportent au moins une électrode de grille supplémentaire et sont donc au moins des transistors à double grille. Sur la figure 5, le premier transistor d'accès T1, à double grille, de type NMOS est connecté par une première électrode de source/drain à une ligne de bit BL. Sa seconde électrode de source/drain est, quant à elle, connectée aux électrodes de grilles du transistor de conduction T4 et du premier transistor de charge T3 ainsi qu'à une première électrode de source/drain du deuxième transistor de charge T2. Ces électrodes, connectées entre elles, définissent un noeud électrique F2. La première électrode de grille du transistor d'accès Ti est connectée à la ligne de mot WL et sa seconde électrode de grille est connectée simultanément à la première électrode de grille du deuxième transistor de charge T2 et au noeud électrique F1. Le deuxième transistor de charge T2 étant connecté par sa première électrode de source/drain au noeud électrique F2, sa seconde électrode de source/drain est connectée à la tension d'alimentation Vdd. Sa première électrode de grille étant reliée au noeud électrique F1, sa seconde électrode de grille est également connectée à la tension d'alimentation Vdd. L'utilisation de transistors à double grille, c'est-à-dire avec des premières et secondes électrodes de grille électriquement indépendantes, permet de redéfinir avec une plus grande liberté les équations de fonctionnement de la cellule mémoire et autorise alors l'obtention d'un compromis plus avantageux entre la robustesse de fonctionnement et la surface occupée de la cellule. Cependant, la complexité des cellules ainsi obtenues nécessite l'analyse de nombreux critères interdépendants qui permettront d'extraire le meilleur compromis. Au sein de la cellule mémoire, les transistors de charge T2 et T3, de type PMOS, ont des grilles de longueur LP et de largeur WP et le transistor d'accès Ti, de type NMOS, a des grilles de longueur LA et de largeur WA. Les dimensions des transistors définissant en partie leurs performances électriques, il est possible, en ajustant les dimensions des transistors, de trouver un compromis entre la robustesse de fonctionnement et la surface occupée par la cellule mémoire. Avantageusement, avec l'organisation des transistors précédemment définie, les dimensions des transistors doivent satisfaire l'équation 3WP WA pour obtenir le meilleur compromis entre la P A surface occupée et un fonctionnement robuste de la cellule mémoire. Par ailleurs, afin de favoriser la robustesse des conditions de fonctionnement de la cellule mémoire, le transistor d'accès Ti est préférentiellement déséquilibré. Ce dernier voit alors, par exemple, ses caractéristiques courant/tension redéfinies de sorte que le courant entre le drain et la source soit fortement influencé par la tension appliquée entre la première grille et la source. Le déséquilibre de ce transistor peut être réalisé en intégrant des grilles avec des caractéristiques différentes tout en présentant des grilles de mêmes dimensions. Ce déséquilibre est réalisé par tout moyen connu, par exemple en modifiant les travaux de sortie des matériaux de grille et/ou en modifiant l'épaisseur de l'oxyde de grille, d'une grille à l'autre. Avantageusement, pour assurer un fonctionnement robuste de la cellule mémoire, dans le transistor d'accès Ti, un rapport élevé du courant entre la source et le drain est recherché, typiquement de l'ordre de 13 voire supérieur, pour une tension entre la grille et la source passant de l'état haut à l'état bas sur la deuxième grille, la tension sur la première grille étant toujours à l'état haut. II est à noter que la tension appliquée à la deuxième grille sert à augmenter, de manière significative, la stabilité en utilisant le mécanisme de contre-réaction. Le mécanisme de contre-réaction a déjà été utilisé par Yamaoka et al. ( Low Power SRAM Menu for SOC Application using Yin-Yang Feedback Memory Cell Technology Symp. VLSI Circuits Dig. 18, 2004). Le transistor de conduction T4 et le premier transistor de charge T3 peuvent être des transistors classiques à une seule électrode de grille ne comportant chacun plus d'une grille. Dans un mode de réalisation privilégié, afin de simplifier le processus de fabrication, tous les transistors composant la cellule mémoire sont à double grille. Dans cette approche, les deux électrodes de grilles du transistor de conduction T4 sont de préférence connectées entre elles. II en va de même des deux électrodes de grille du premier transistor de charge T3, comme illustré à la figure 5. A titre d'exemple, les caractéristiques électriques d'une cellule en technologie double grille de type 32nm peuvent être les suivantes : Tension alimentation 1,2 volt Longueur de grille (tous transistors) 50 nm Travail de sortie, première grille du transistor d'accès 0,1 eV Travail de sortie, seconde grille du transistor d'accès 0,3 eV Travail de sortie, toutes grilles des autres transistors -0,0872 eV Epaisseur d'oxyde de grille, de la première grille du transistor 1 nm d'accès Epaisseur d'oxyde de grille, de la seconde grille du transistor 4 nm d'accès Largeur de grille Wp des transistors PMOS 650 nm Largeur de grille WN du transistor de conduction 350 nm Largeur de grille WA du transistor d'accès 500 nm Pour une technologie double grille 32nm, le temps d'écriture, de l'ordre de 330 ps, dans le cas le moins favorable, est 1000 fois plus petit que le temps représentatif de la sensibilité en écriture ( write disturb en anglais) dans les mêmes conditions. De même, la cellule mémoire présente un très bon compromis entre les stabilités ( Static Noise Margin en anglais) en rétention et en lecture. En effet, la cellule mémoire présente une stabilité en lecture (de l'ordre de 492mV) et en rétention (de l'ordre de 411 mV), supérieure d'au moins 50mV par rapport aux cellules mémoires équivalentes pour la même technologie. De plus, la cellule mémoire présente un courant statique de l'ordre de 1,49nA, ce qui la place dans la moyenne des consommations proposées par les cellules mémoires connues à 6 ou 4 transistors. Cependant, la cellule mémoire présente une marge en écriture environ deux fois moins élevée que la cellule mémoire comportant 6 transistors mais reste du même ordre que les autres cellules mémoires à 4 transistors (de l'ordre de 0,6V) Durant une phase de rétention ( rétention mode en anglais), la ligne de mot WL peut être fixée, de préférence, au potentiel -Vdd/2 afin de réduire les phénomènes d'écriture non désirée. De même, lors d'une phase de lecture, la ligne de mot WL est préférentiellement fixée au potentiel Vdd/2 pour éviter la perte d'information. A titre d'exemple, en fixant la tension de la ligne de mot WL en rétention à - 0,6V, il a été constaté que la cellule mémoire présente toujours un très bon compromis entre les stabilités en rétention et en lecture. Cependant, la stabilité en lecture (de l'ordre de 502mV) a été améliorée au détriment de celle en rétention (de l'ordre de 258mV). La consommation statique moyenne a été également améliorée et est alors de l'ordre de 1,22nA. La marge en écriture n'a pas évolué et le temps d'écriture (de l'ordre de 261 ps dans le cas le moins favorable) est environ 4500 fois plus petit que le temps relatif à la sensibilité en écriture dans les mêmes conditions. Dans l'ensemble, la cellule proposée est devenue plus stable et sa consommation a été réduite. Dans une variante de réalisation, illustrée par la figure 6, un transistor d'accès additionnel T5 est connecté entre le noeud F1 et une ligne de bit d'écriture par ses électrodes de source et de drain. Ce transistor d'accès additionnel T5 comporte au moins une électrode de grille. Dans le cas d'un transistor double grille, les deux grilles sont toutes deux connectées à une ligne de mot d'écriture WLwr. La ligne de bit d'écriture BLwr, la ligne de mot d'écriture WLwr, ainsi que le transistor d'accès additionnel T5 ne sont utilisés que lors de la phase d'écriture. Dans cette variante, il est possible de mettre en place une cellule mémoire à écriture différentielle qui autorise une phase d'écriture plus rapide et qui permet de diminuer la marge en écriture. Dans cette configuration, le temps relatif au phénomène de sensibilité en écriture est conservé. L'opération d'écriture s'effectue par les deux lignes de bit BL et BLwr et est alors plus rapide, alors que l'opération de lecture s'effectue toujours sur la seule ligne de bit BL. Avantageusement, les dimensions des différents transistors de la cellule peuvent être modifiées selon que la cellule comporte ou non un transistor d'accès additionnel T5. En effet, la cellule mémoire ayant un fonctionnement modifié par l'addition de ce transistor supplémentaire, un nouveau compromis peut être obtenu en définissant, par exemple, de nouveaux rapports WA/LA, Wp/Lp et WN/LN. Ainsi, les caractéristiques de la cellule mémoire sont grandement améliorées, les stabilités en lecture et en rétention sont plus élevées, la consommation statique est plus faible. Le rapport de la sensibilité d'écriture sur le temps d'écriture a été multiplié par un facteur io quatre. Revendications 1. Cellule mémoire vive de type SRAM comportant un transistor d'accès (Ti), ayant une première électrode de grille connectée à une ligne de mot (WL), une première électrode de source/ drain connectée à une ligne de bit (BL), et une seconde électrode de source/drain étant connectée à une électrode de grille d'un premier transistor de charge (T3), à une électrode de grille d'un transistor de conduction (T4) et à une première électrode de source/drain d'un deuxième transistor de charge (T2), une deuxième électrode de source/drain du deuxième transistor de charge (T2) étant connectée à une tension d'alimentation, le premier transistor de charge (T3) et le transistor de conduction (T4) étant reliés en série aux bornes de la tension d'alimentation, , cellule mémoire caractérisée en ce que le transistor d'accès (Ti) et le deuxième transistor de charge (T2) comportent chacun au moins une seconde électrode de grille électriquement indépendante de la première électrode de grille correspondante, la deuxième électrode de grille du transistor d'accès (Ti) étant connectée à la première électrode de grille du deuxième transistor de charge (T2) et la deuxième électrode de grille du deuxième transistor de charge (T2) étant reliée à la tension d'alimentation. 2. Cellule mémoire selon la revendication 1, caractérisée en ce que le transistor d'accès (Ti) a une caractéristique courant/tension avec un courant de drain dépendant plus fortement de la tension appliquée sur sa première grille que dans les caractéristiques courant tension des autres transistors de la cellule mémoire. 3. Cellule mémoire selon l'une des revendications 1 et 2, caractérisée en ce que les transistors de charge (T2, T3) sont de type PMOS. 1330 4. Cellule mémoire selon l'une quelconque des revendications 1 à 3, caractérisée en ce que les transistors d'accès (Ti) et de conduction (T4) sont de type NMOS. 5. Cellule mémoire selon l'une quelconque des revendications 1 à 4, caractérisée en ce que le transistor de conduction (T4) et le premier transistor de charge (T3) comportent chacun une électrode de grille additionnelle. 6. Cellule mémoire selon la revendication 5, caractérisée en ce que les deux électrodes de grille du transistor de conduction (T4) sont connectées l'une à l'autre. 7. Cellule mémoire selon l'une des revendications 5 et 6, caractérisée en ce que les deux électrodes de grille du premier transistor de charge (T3) sont connectées l'une à l'autre. 8. Cellule mémoire selon l'une quelconque des revendications 1 à 7, caractérisée en ce qu'un transistor d'accès additionnel (T5), du même type que le transistor d'accès (Ti) et le transistor de conduction (T4), est connecté entre le point commun (F1) au premier transistor de charge (T3) et au transistor de conduction (T4) et une ligne de bit d'écriture (BLwr) et comporte une électrode de grille connectée à une ligne de mot d'écriture (WLwr). 9. Cellule mémoire selon la revendication 8, caractérisée en ce le transistor d'accès additionnel (T5) comporte une électrode de grille additionnelle. 10. Cellule mémoire selon la revendication 9, caractérisée en ce que les deux électrodes de grilles du transistor d'accès additionnel (T5) sont connectées l'une à l'autre.