FR 2921200 A1 20090320 FR 0757652 A 20070918 Hétérostructures semi-conductrices monolithiques épitaxiées et leur procédé de fabrication La présente invention concerne des hétérostructures semi-conductrices monolithiques épitaxiées et leur procédé de fabrication. L'intégration de composants optoélectroniques dans les systèmes à base de silicium est un point clé du développement des performances de ces systèmes. Les procédés les plus matures d'intégration de semi-conducteurs sur silicium, comme le vignettage, le smartcut ou encore le wafer bonding, sont basés sur des techniques de report par collage. Ces techniques impliquent des technologies complexes et sont très coûteuses. La fabrication d' hétérostructures semi-conductrices monolithiques par épitaxie permettrait de réduire notablement la complexité technologique des procédés et par conséquent les coûts de fabrication. Or pour l'heure, les procédés d'hétéroépitaxie sont limités par les difficultés entraînées par le désaccord paramétrique entre le substrat et le matériau à épitaxier. Les premières monocouches d'un matériau en désaccord de maille sur un substrat sont exemptes de défauts, mais au- delà d'une épaisseur dite critique, on observe une relaxation dite plastique. Cette transformation s'accompagne de la formation de défauts structuraux (dislocations, mâcles, fautes d'empilement) qui rendent le matériau impropre à l'utilisation pour les applications envisagées. Pour les matériaux III-V ou IV-IV, l'épaisseur critique est typiquement de l'ordre de quelques nanomètres pour un désaccord paramétrique de l'ordre du pourcent, et de quelques monocouches pour un désaccord de l'ordre de plusieurs pourcents. Afin de réduire le nombre de défauts, l'utilisation de pseudosubstrats a été proposée. Ainsi, on a proposé d'utiliser des substrats du germanium relaxé plastiquement sur Si. En effet, le germanium est proche du GaAs en termes de paramètres de maille. Cette approche a cependant également des limites. D'une part, si on réduit les défauts liés au désaccord de paramètres de maille, il subsiste ceux liés aux différences de structure cristalline. Ainsi, on observe des défauts de type paroi d'antiphase dans le GaAs engendrés par la différence de structure cristalline entre le Ge (diamant) et le GaAs (blende de zinc). D'autre part, elle est spécifique au GaAs et ne peut pas être envisagée pour d'autres matériaux comme l'InP, semi-conducteur de premier plan pour les applications optoélectroniques dans l'infrarouge, dont le paramètre de maille est très différent de celui du germanium. La société Motorola a proposé en 2002 une approche basée sur l'utilisation de bicouches tampon constituées d'une couche amorphe de SiO2 surmontée d'une couche d'oxyde cristallin. Le principe sous-jacent repose sur une dilatation de la couche amorphe, obtenue par recuit, qui conduit à une augmentation du paramètre de maille de l'oxyde cristallin jusqu'à obtenir une valeur proche de celle du GaAs. Les phénomènes physiques qui se déroulent dans un tel empilement ne sont pas élucidés avec certitude. Toutefois, il est fortement probable que la dilatation du paramètre de maille induite par recuit s'accompagne d'une ondulation des couches, fortement préjudiciable à la qualité cristalline du GaAs repris sur l'oxyde. D'ailleurs, à ce jour, cette approche n'a pas été mise en pratique à échelle industrielle. Le but de l'invention était donc de proposer un procédé performant et peu coûteux permettant la fabrication monolithique par épitaxie d'hétérostructures de semi-conducteurs en évitant les problèmes évoqués plus haut. En particulier, il était recherché un procédé permettant l'obtention d'une structure sans défauts étendus, quel que soit le désaccord paramétrique entre le semi-conducteur et le substrat. Un autre but de l'invention était de proposer des structures ainsi obtenues, sans défauts étendus, ni interfaces métalliques ou de silice amorphe résultant de procédés de collage. De manière surprenante, il a été constaté que l'obtention d'hétérostructures monolithiques semi-conductrices non contraintes et sans défauts étendus sur des couches d'oxydes épitaxiées sur Si est possible lorsque la couche d'oxyde monocristalline déposée sur le substrat est soumise à un traitement spécifique préalable. Dans sa forme la plus générale, ce traitement comprend deux étapes l'élimination des impuretés, notamment les carbonates formés en surface de l'oxyde, et le dépôt d'une fine couche de semi-conducteur d'accroche dans des conditions de croissance lente et à basse température. La couche semi-conductrice déposée sur la couche d'accroche ainsi obtenue prend son paramètre de maille massif dès le début de la croissance, indépendamment de son désaccord paramétrique avec le substrat ou l'oxyde. Elle est alors exempte de tout défaut étendu habituellement associé aux processus classiques de relaxation plastique. L'absence de défauts dans l'hétérostructure ne dépend alors pas de l'adaptation du paramètre de maille de l'oxyde sous l'effet d'une couche d'oxyde amorphe dilatée, comme proposé pour le procédé de Motorola. Le semi-conducteur est donc libre de toute contrainte élastique, ce qui évite la génération de défauts liés à la relaxation de ces contraintes, contrairement à ce qui est observé pour tous les systèmes de matériaux épitaxiés en désaccord de maille. Les hétérostructures obtenues dans le cadre de la présente invention sont monolithiques et entièrement cristallines. Aussi, selon un premier aspect, l'invention propose un procédé de fabrication d'une structure semi-conductrice monolithique comportant les étapes consistant à : (i) fournir un substrat monocristallin ; (ii) former par croissance épitaxiale une couche d'oxyde monocristalline sur ledit substrat ; (iii) former une couche d'accroche par les étapes consistant à : (a) éliminer les impuretés de la surface de la couche d'oxyde monocristalline ; (b) déposer par croissance épitaxiale lente une couche semi-conductrice d'accroche ; et (iv) former par croissance épitaxiale une couche semi-conductrice monocristalline sur la couche d'accroche ainsi formée. On entend par le terme � défaut étendu � désigner un défaut dans la structure cristalline qui se propage au travers d'une couche mince, par exemple une dislocation, une mâcle ou une paroi de domaine (joint de grain), susceptible d'affecter les propriétés électriques et optiques des empilements. On entend par le terme � épaisseur critique � désigner l'épaisseur à laquelle une couche épitaxiée contrainte est capable de former des défauts étendus. Cette épaisseur dépend de la nature du matériau épitaxiée. A titre indicatif, elle est de l'ordre de quelques nanomètres pour un désaccord paramétrique de l'ordre du dixième de pourcent, et de quelques monocouches pour un désaccord de l'ordre du pourcent. On entend par le terme �semi- conducteur � désigner tout matériau comportant une bande de valence et une bande de conduction séparées par une bande interdite que les électrons ne peuvent franchir que grâce à une excitation extérieure. Ce terme désigne les semi-conducteurs IV-IV tels que le silicium et le germanium, ainsi que les semi-conducteurs III-V et Il-VI. Aussi bien les semi-conducteurs binaires que ternaires ou supérieurs sont visés. On peut ainsi citer comme semi-conducteurs III-V le GaAs, InP, InAs, GaP, GaSb, InSb, GaN, Inn, AIN ainsi que leurs composés ternaires ou quaternaires et comme semi-conducteurs Il-VI le CdSe, ZnSe, CdTe, ZnTe, ZnS, MgS, MgSe ainsi que leurs composés ternaires ou quaternaires. Parmi ces composés, l'InP, l'InAs et le Ge sont aujourd'hui employés de manière préférentielle. La couche d'oxyde cristalline épitaxiée sur le substrat joue le rôle de tampon compliant en accommodant la différence entre les paramètres de maille du substrat et du semi-conducteur. En effet, le désaccord paramétrique entre le semi-conducteur épitaxié et le substrat n'a pas d'influence sur la densité des défauts étendus. Les résultats obtenus montrent que le désaccord est immédiatement et entièrement relaxé dès la première monocouche épitaxiée de semi-conducteur. Ce résultat ne dépend pas en principe de la nature du substrat, de l'oxyde ou encore du semi-conducteur. II repose cependant sur des mécanismes différents selon les configurations de symétrie. Ainsi, le désaccord paramétrique entre le semi-conducteur et l'oxyde peut être accommodé soit par la mise en place d'un réseau de dislocations interfaciales qui ne se propagent pas dans la couche (cas 1), soit par absence de génération de défauts liés au désaccord de maille (cas 2). Le cas (1) est observé lorsque l'orientation cristallographique du semi-conducteur est la même que celle de l'oxyde. Le confinement des dislocations est alors lié aux propriétés cristallographiques de l'interface oxyde / semi-conducteur. Il est dû au fait que les plans de glissement des dislocations ne sont pas les mêmes dans l'oxyde et dans le semi-conducteur. Les dislocations de désaccord de maille générées à l'interface ne peuvent alors pas se propager dans le semi-conducteur et restent donc confinées à l'interface. Le cas (2) est observé lorsque l'orientation cristallographique du semi-conducteur diffère de celle de l'oxyde. Dans ce cas, il est possible en adaptant les conditions de croissance d'obtenir la relaxation complète du semi-conducteur par déplacement des atomes d'oxygène de la surface de l'oxyde, et par la génération d'un certain nombre de liaisons pendantes à l'interface. Le plus souvent, le substrat fourni à l'étape (i) est du silicium monocristallin. Avantageusement, le substrat est du silicium monocristallin à orientation (100), (110), (111) ou (001). Hormis leur aptitude à être déposé par épitaxie, il n'existe pas de limitation spécifique concernant les oxydes utilisés pour former la couche d'oxyde monocristallin à l'étape (ii). En effet, la nature de la couche d'oxyde cristalline est finalement peu d'importante, étant donné qu'elle a comme fonction principale de fournir une couche cristalline de surface riche en oxygène. Il peut s'agir notamment d'oxydes de la famille des pérovskites ((Ba,Sr)TiO3, LaAIO3,...), de la famille des lanthanides (La2O3, Pr2O3, Gd2O3, Nd2O3, Y2O3...), des zirconates (ZrO2, SrZrO3, ...), des cubiques simples (BaO, SrO, CeO2) ou des spinelles (AI2O3). Parmi ceux-ci, on peut citer tout particulièrement le Gd2O3, AI2O3 et (Ba,Sr)TiO3. De préférence, l'oxyde formé à l'étape (ii) est choisi parmi le SrTiO3, le Al2O3 et le Gd2O3. L'oxyde peut être choisi en fonction de sa qualité cristalline lorsqu'il est épitaxié sur le substrat. De ce point de vue, et concernant le silicium, de très bons résultats sont obtenus avec des couches tampons de Gd2O31Si(111) et de SrTiO31Si(001). L'étape (iii) est particulièrement importante dans le cadre du procédé selon l'invention. Cette étape comporte elle-même deux étapes. La première étape vise à préparer la surface de la couche d'oxyde cristalline épitaxié sur le substrat. II s'agit dans un premier temps d'obtenir une surface d'oxyde propre et non contaminée. Cette étape peut être réalisé selon le document (D. Abriou et al, Surf. Sci. 352-354, (1996), 499). Avantageusement, l'étape (a) est réalisée par traitement avec un composé oxydant choisi parmi l'oxygène, l'ozone, ou l'oxygène atomique. On peut ainsi procéder à un recuit sous atmosphère oxydante, par exemple sous oxygène moléculaire de la couche d'oxyde épitaxiée sur le substrat. A titre indicatif, ce recuit peut être mené dans le cas de SrTiO3ISi(001) et de Gd2O31Si(111) sous une pression d'oxygène comprise entre 10-6 et 10.3 Torr, de préférence 10-5 Torr, et à une température comprise entre 200 et 600°C, notamment 400°C. La seconde étape vise à amorcer correctement la croissance du semi-conducteur sur la surface propre de l'oxyde. Pour ce faire, on épitaxie quelques monocouches de semi-conducteur à relativement basse température et à faible vitesse de croissance. A titre indicatif, les conditions appropriées dans le cas de l'InP peuvent être une température de l'ordre de 400°C, une vitesse de quelques dixièmes de monocouches par seconde avec une pression de phosphore de l'ordre de 10"5 Torr. De préférence, la couche d'accroche est formée par épitaxie du semi-conducteur à une température de 250°C à 500°C. L'adhésion de la couche d'accroche sur l'oxyde est favorisée par épitaxie du semi-conducteur à une température relativement faible et pression de l'élément V élevée dans le cas des semiconducteurs III-V. Ainsi, dans le cas du InP, l'application d'une pression de phosphore de l'ordre de 10-5 Torr et une température comprise entre 300 et 450°C permet de garantir une accroche optimale de l'InP déposé. Avantageusement, à l'étape (iii)(a), la couche d'accroche est formée par épitaxie du semi-conducteur à une vitesse comprise entre 0,1 et 0,5 monocouche/s. Cette croissance lente proche de l'équilibre thermodynamique permet au réseau cristallin du semiconducteur de s'arranger de manière optimale sur la surface de l'oxyde. Elle conduit à la fabrication d'une couche semiconductrice présentant un paramètre de maille égal au paramètre de maille du matériau massif, en absorbant la différence de paramètre de maille sur une épaisseur inférieure à l'épaisseur critique au delà de laquelle se forment des défauts traversants. La couche semiconductrice cristalline ainsi fabriquée constitue un support optimal pour la suite de la croissance. En effet, on observe sur la couche d'accroche ainsi préparée une croissance monodomaine et monocristalline du semi-conducteur. Avantageusement, la couche semi-conductrice formée à l'étape (iv) est essentiellement constituée d'un composé 111-V ou de Ge. De préférence, la couche semi-conductrice formée à l'étape (iv) est essentiellement constituée d'un composé III-V binaire ou ternaire. Avantageusement, la couche semi-conductrice formée à l'étape (iv) est essentiellement constituée d'un composé III-V choisi dans le groupe constitué par le GaAs, le InP et l'InAs. De préférence, la couche semi-conductrice formée à l'étape (iv) est essentiellement constituée d'InP. Le procédé décrit permet de fabriquer des couches bidimensionnelles mais aussi d'autres objets tels que notamment des boîtes quantiques semi-conductrices d'excellente qualité cristalline, non contraintes, sans couche de mouillage. Le procédé décrit peut être mis en oeuvre dans des équipements d'épitaxie par jets moléculaires (EJM, en anglais � molecular beam epitaxy �, MBE) conventionnels. Avantageusement, la fabrication de la structure semi-conductrice est réalisée intégralement par épitaxie par jets moléculaires. L'utilisation d'autres techniques d'épitaxie, comme l'épitaxie en phase vapeur aux organométalliques, mieux adaptée aux contraintes industrielles, peut également être envisagée. Il permet ainsi l'accès à des hétérostructures entièrement épitaxiées exemptes de défauts traversants peu coûteuses et aux propriétés optiques et électriques très intéressantes. Ce procédé est en particulier aussi approprié pour la fabrication de structures plus complexes, par exemple comportant des empilements hétérogènes de couches semiconductrices ou des nanocristallites (quantum dots). Selon un deuxième aspect, l'invention vise donc une hétérostructure semi-conductrice monolithique cristalline comportant : - un substrat monocristallin ; - une couche d'oxyde monocristalline disposée directement sur ledit substrat ; et - une couche semi-conductrice monocristalline disposée sur la couche d'oxyde. De préférence, la couche semi-conductrice monocristalline présente une densité de dislocations inférieure à 105 cm-2. Contrairement aux structures obtenues par collage, il n'y a ni couche métallique ni silice amorphe à l'interface entre le semiconducteur et le substrat. II est également possible à l'étape iii du procédé de former des nanocristallites de semiconducteur sur la surface de l'oxyde. Pour ce faire, il faut choisir une température de croissance plus élevée que celle permettant d'obtenir une couche d'accroche optimale, ainsi qu'une pression d'élément V plus faible dans le cas des semiconducteurs III-V, afin de favoriser la rnigration de surface des atomes. La densité de nanocristallites peut être ajustée à volonté entre quelques 107 cm-2 et 1011 cm-2 en adaptant ces deux paramètres. La taille des nanocristallites peut être ajustée par le biais du nombre de monocouches de semiconducteur déposé. Les nanocristallites croissent avec le paramètre de maille du matériau massif et sont exempts de défauts étendus. Dans le cas de l'InP, les conditions d'obtention de nanocristallites peuvent être une température comprise entre 450°C et 550°C, une pression de phosphore comprise entre 1 et 6.10"6 Torr et une couche d'accroche d'une épaisseur comprise entre 1 et 5 monocouches. Particulièrement visés sont les hétérostructures semi-conductrices, dans lesquelles la couche semi-conductrice formée à l'étape (iv) est constituée par le InP. Comme déjà signalé, le désaccord paramétrique entre le semi-conducteur et l'oxyde n'a quasiment pas d'influence sur la densité de défauts étendus liés à la relaxation plastique dans la couche semi-conductrice. Il n'est donc pas limité par le désaccord paramétrique entre le semi-conducteur et l'oxyde. Le procédé décrit peut donc être appliqué pour la croissance de tout semi-conducteur d'intérêt. Il permet également d'intégrer sur une couche d'oxyde monocristalline sur substrat des boîtes quantiques semi-conductrices non contraintes, c'est-à-dire possédant leur paramètre de maille massif, et de contrôler leur forme, leur taille et leur densité sans aucune limitation liée à la contrainte entre le semi-conducteur et l'oxyde ou le substrat. On peut ainsi mettre en oeuvre le procédé pour la fabrication d'hétérostructures pour des applications en microélectronique et optoélectronique les plus diverses, ainsi que pour la réalisation de dispositifs complexes comme des afficheurs et des LEDs. L'invention sera expliquée plus en détail dans les exemples qui suivent, et par les figures qui montrent : Fig. 1: l'évolution du désaccord du paramètre de maille de l'InP épitaxié sur Gd203/ Si (111) obtenu selon l'exemple 1, mesuré par RHEED; Fig. 2 : un cliché de MET en coupe transverse d'un échantillon d'InP épitaxié sur Gd2031 Si (111) obtenu selon l'exemple 1 ; Fig. 3: un spectre de photoluminescence à 300K d'un échantillon d'InP épitaxié sur Gd203/ Si (111) obtenu selon l'exemple 1 ; Fig. 4: un cliché d'AFM d'un échantillon d'InP épitaxié sur SrTiO3/ Si (001) obtenu selon l'exemple 2 ; et Fig. 5 : un cliché MET en coupe transverse d'une boîte quantique de l'échantillon d'InP épitaxié sur SrTiO3/ Si (001) obtenu selon l'exemple 2. EXEMPLES EXEMPLE 1 Préparation d'une hétérostructure semi-conductrice (InAsP,InP)/ Gd203/ Si(111) On soumet un substrat de Si(111) (disponible auprès de la société ACM, France) 10 à un nettoyage comprenant une immersion pendant 10 secondes dans un bain de NH4F pur suivie d'un rinçage à l'eau désionisée et d'un séchage, avant de l'introduire immédiatement dans un bâti RIBER 2300 modifié pour la croissance des oxydes par épitaxie par jets moléculaires. On dépose sur le substrat une épaisseur de 4 nm de Gd203 en évaporant au 15 canon à électrons une cible de Gd203 à une température de 700°C en ajustant une pression partielle d'oxygène de 10-6 Torr. On obtient une couche de Gd203 monocristalline contrainte de qualité excellente. Le substrat ainsi revêtu est ensuite extrait du bâti RIBER 2300 et introduit dans un système connecté sous ultravide comprenant une chambre de nettoyage sous 02 et 20 un dispositif d'épitaxie par jets moléculaire (bâti RIBER 32). On procède dans la chambre de nettoyage à un traitement sous oxygène moléculaire (pression de 10-5 Torr) à 400°C. Le substrat est ensuite transféré sous ultravide dans l'enceinte du dispositif d'épitaxie par jets moléculaire (bâti RIBER 32). Il est tout d'abord chauffé avec une 25 rampe de température de 30 à 400°C sous une pression partielle de phosphore de 10-5 Torr. A cette même température, on procède à l'épitaxie de 7 nm d'InP sous une pression de phosphore de 10-5 Torr à une vitesse de croissance de 0.21 pm/h. On procède ensuite à la croissance par épitaxie de l'InP à une température d'environ 450°C, à une vitesse de 1 pm/h et à une pression de phosphore de 4.10-6 30 Torr. On dépose dans ces conditions 750 nm d'InP, un puits quantique d'InAsP (épaisseur de 6 nm), puis une couche d'InP d'une épaisseur de 20 nm. Les couches semi-conductrices ainsi obtenues sont monodomaines, monocristallines et entièrement relaxées dès le début de la croissance et ne contiennent pas de défauts étendus liés à un processus de relaxation plastique.5 Les propriétés structurales et optiques de l'échantillon préparé ont été étudiées comme décrit ci-après. Diffraction d'électrons lents en incidence rasante (RHEED) L'évolution du paramètre de maille de l'InP épitaxié selon l'exemple 1 a été mesurée in situ pendant la croissance. Elle est reportée sur la figure 1. On constate que l'InP reprend son paramètre de maille massif dès la première monocouche déposée. Ceci permet d'éviter la formation de dislocations étendues, normalement observée dans tous les systèmes contraints étudiés jusqu'à présent. Elle est liée à la formation d'un réseau interfacial de dislocations qui ne se propagent pas dans la couche d'InP, comme illustré sur le cliché MET (voir figure 2). Microscopie électronique à transmission (MET) Un échantillon obtenu selon l'exemple 1 a été analysé par MET (voir figure 2). On constate que l'empilement InP/ Gd2O3 / Si(111) présente une très bonne qualité cristalline. En effet, il constitue un monocristal rnonodomaine avec une interface abrupte entièrement relaxée. L'InP comporte quelques mâcles, dont une est visible sur la figure 2. Toutefois, il semble que leur présence n'est pas intrinsèque au procédé, mais résulte plutôt de la rugosité résiduelle de la surface du Gd2O3. Photoluminescence (PL) Le spectre de photoluminescence du puits quantique d'InAsP/InP réalisé sur Gd2O3/Si(111) selon l'exemple 1 a été mesurée sur un équipement comprenant un diode de pompe GaAs/AlGaAs émettant à 730 nm, un objectif de focalisation de la pompe et de collection de la PL, un monochromateur à réseau et un détecteur InGaAs refroidi sur Peltier. Le spectre de photoluminescence à 300 K de la structure à puits quantique d'InAsP inséré dans une matrice d'InP/Gd2O3/Si(111) obtenue selon l'exemple 1 est présenté sur la figure 3. Le pic correspondant au puits quantique apparaît clairement et bien résolu sur le spectre. A température ambiante, ce spectre présente une largeur à mi-hauteur (80 meV) et une intensité raisonnable, et atteste de la bonne qualité structurale de l'empilement, compatible avec la réalisation de composants optiques intégrés de manière monolithique sur le substrat. EXEMPLE 2 Préparation d'une hétérostructure semi-conductrice InP/ SrTiO31 Si(001) Sur un substrat de Si(001) fourni par la société STMicroelectronics préalablement nettoyé comme à l'exemple 1 on dépose une couche de SrTiO3 par épitaxie par jets moléculaires dans un bâti RIBER 2300. La surface du Si est tout d'abord traitée en formant une monocouche de SrO. Pour ce faire, la température du substrat est portée à 550°C, et sa surface est exposée à une pression de Strontium de 5.10-8 Torrs pendant 3 minutes. Le substrat est ensuite porté à 750°C, ce qui donne lieu à la stabilisation d'1/3 de monocouche de Sr en surface du silicium. La température du substrat est alors à nouveau portée à 550°C, et exposée au même flux de strontium jusqu'à obtenir 1/2 rnonocouche. Enfin la température du substrat est portée à la température de croissance du SrTiO3 (entre 350 et 400°C), et la surface est exposée à une pression partielle d'oxygène de 5.10-8 Torrs afin d'oxyder la 1/2 monocouche de strontium et d'obtenir une monocouche de SrO. On déposer ensuite une couche de SrTiO3 par co-évaporation de Sr et de Ti sous une pression d'oxygène de 10-' Torrs. Une calibration précise de la stoechiométrie de l'oxyde à l'aide d'une microbalance à quartz, ainsi qu'un bon contrôle de la température de croissance de l'oxyde (entre 350 et 400°C) permet d'obtenir une couche d'oxyde monocristalline sans défaut étendu et sans couche interfaciale amorphe entre l'oxyde et le Si. L'échantillon est ensuite extrait du RIE3ER 2300 et introduit dans le système connecté sous vide comprenant la chambre de traitement sous oxygène moléculaire et le bâti de croissance RIBER 32. La surface de l'échantillon est traitée sous oxygène comme décrit dans l'exemple 1. L'échantillon est ensuite transféré sous ultravide dans la chambre d'épitaxie, et chauffé sous ultravide (1010 Torr) à 500°C, puis exposé à une pression de phosphore de 4.106 Torr pendant 10s. Trois monocouches d'InP sont ensuite déposées à cette température et à cette pression de phosphore, à une vitesse de 0.21 pm/h. On obtient ainsi des boîtes quantiques d'InP/ SrTiO31 Si(001), d'excellente qualité cristalline, entièrement relaxées, sans couche de mouillage ni défauts. Les propriétés structurales de l'échantillon ont été analysées par microscopie à 5 force atomique (AFM) et par MET. AFM Un échantillon obtenu selon l'exemple 2 a été analysé par AFM (voir figure 4). On constate que des boîtes quantiques d'InP ont été formées, que leur densité est de 10 l'ordre de 5.10-9 cm-2, et que leur taille latérale est d'une vingtaine de nanomètres. MET Une vue en coupe d'une des boîtes quantiques de l'échantillon obtenu selon l'exemple 2 au microscope électronique à transmission est présentée sur la figure 5. 15 On constate en particulier qu'il n'y a pas de couche de mouillage, et que la boîte quantique est un cristal parfait d'InP sur SrTiO3/ Si(001). Les propriétés structurales de ces boîtes quantiques sont compatibles avec les applications en optoélectronique. En particulier, elles ne contiennent aucun défaut étendu susceptible de dégrader leurs propriétés optiques ou électroniques. REVENDICATIONS 1.- Procédé de fabrication d'une structure semi-conductrice monolithique 5 comportant les étapes consistant à : (i) fournir un substrat monocristallin ; (ii) former par croissance épitaxiale une couche d'oxyde monocristalline sur ledit substrat ; (iii) former une couche d'accroche par les étapes consistant à : 10 (a) éliminer les impuretés de la surface de la couche d'oxyde monocristalline ; (b) déposer par croissance épitaxiale lente une couche semi-conductrice d'accroche ; et (iv) former par croissance épitaxiale une couche semi-conductrice 15 monocristalline sur la couche d'accroche ainsi formée. 2. Procédé selon la revendication 1, dans lequel à l'étape (iii)(a), la couche d'accroche est formée par épitaxie du semi-conducteur à une vitesse comprise entre 0,1 à 0,5 monocouche Is. 3. Procédé selon la revendication 1 ou 2, dans lequel à l'étape (iii)(a), la couche d'accroche est formée par épitaxie du semi-conducteur à une température de substrat de 250 à 500°C. 25 4. Procédé selon l'une des revendications 1 à 3, dans lequel l'étape (a) est réalisée par traitement avec un composé oxydant choisi parmi l'oxygène, l'ozone, ou l'oxygène atomique. 5. Procédé selon l'une des revendications 1 à 4, dans lequel le substrat fourni à 30 l'étape (i) est le silicium. 6. Procédé selon l'une des revendications 1 à 5, dans lequel le substrat est du silicium à orientation (100), (110), (111) ou (001). 20 7. Procédé selon l'une des revendications 1 à 6, dans lequel l'oxyde formé à l'étape (ii) est le SrTiO3 ou le Gd2O3. 8. Procédé selon l'une des revendications 1 à 7, dans lequel la couche semi-5 conductrice formée à l'étape (iv) est essentiellement constituée d'un composé III-V ou de Ge. 9. Procédé selon l'une des revendications 1 à 8, dans lequel la couche semi-conductrice formée à l'étape (iv) est essentiellement constituée d'un composé III-V 10 binaire ou ternaire. 10. Procédé selon l'une des revendications 1 à 9, dans lequel la couche semi-conductrice formée à l'étape (iv) est essentiellement constituée d'un composé III-V choisi dans le groupe constitué par le GaAs, l'InP et I'InAs. 11. Procédé selon l'une des revendications 1 à 10, dans lequel la couche semi-conductrice formée à l'étape (iv) est essentiellement constituée d'InP. 12. Hétérostructure semi-conductrice cristalline monolithique comportant : 20 - un substrat monocristallin ; - une couche d'oxyde monocristalline disposée directement sur ledit substrat ; et - une couche semi-conductrice monocristalline disposée sur la couche d'oxyde. 15. Hétérostructure semi-conductrice selon la revendication 12, dans laquelle la 25 couche semi-conductrice monocristalline présente une densité de dislocations inférieure à 105 cm-2. 16. Hétérostructure semi-conductrice selon l'une des revendications 12 à 13, comportant en outre des nanocristallites. 17. Hétérostructure semi-conductrice selon l'une des revendications 12 à 14, dans laquelle la couche semi-conductrice monocristalline est constituée par l'InP. 15 30