FR 2923622 A1 20090515 FR 0805207 A 20080923 AFFICHAGE A CRISTAUX LIQUIDES ET PROCEDE DE FABRICATION DE CELUI-CI ARRIERE-PLAN DE L'INVENTION 1. Domaine de l'invention 10 La présente invention concerne un affichage à cristaux liquides (LCD) et son procédé de fabrication et, plus particulièrement, un LCD et un procédé de fabrication ce celui-ci permettant la formation de câblages de données à faible résistance et la mise en oeuvre de canaux fins. 15 2. Description de l'art connexe En réponse à un intérêt de plus en plus grand des consommateurs pour les affichages d'informations et à une demande accrue en dispositifs d'informations portables (mobiles), on a assisté au développement de la recherche et la commercialisation d'écrans plats ("FPD") lumineux et minces. 20 Parmi les FPD, l'affichage à cristaux liquides ("LCD") est un dispositif pour afficher des images en utilisant l'anisotropie optique du cristal liquide. Les dispositifs LCD présentent une excellente résolution et une excellente qualité de couleur et d'image et sont donc largement utilisés pour les ordinateurs portatifs ou les moniteurs de bureau et similaires. 25 Le LCD inclut un substrat de filtre coloré, un substrat de matrice et une couche de cristal liquide formée entre le substrat de filtre coloré et le substrat de matrice. Nous allons maintenant décrire la structure du LCD en détail en nous référant à la figure 1. 30 La figure 1 est une vue en perspective éclatée montrant un LCD de l'art connexe. Comme le montre la figure 1, le LCD comprend un substrat de filtre coloré 5, un substrat de matrice 10 et une couche de cristal liquide 30 formée entre le substrat de filtre coloré 5 et le substrat de matrice 10. R VBrevetsV2890013895O--OR0919 DEPOI FR d. - 19/09/ E1 t - Page 1 nt 2.1 10 Le substrat de filtre coloré 5 inclut un filtre coloré (C) comprenant une pluralité de sous-filtres colorés 7 qui donnent les couleurs rouge, verte et bleue, une matrice noire 6 pour diviser les sous-filtres colorés 7 et bloquer la transmission de lumière à travers la couche de cristal liquide 30, et une électrode commune transparente 8 pour appliquer une tension à la couche de cristal liquide 30. 15 Le substrat de matrice 10 inclue des lignes de grille 16 et des lignes de données 17 qui sont agencées verticalement et horizontalement pour définir une pluralité de régions de pixels (P), des TFT, des éléments de commutation, formés aux croisements respectifs des lignes de grille 16 et des lignes de données 17, et des électrodes de pixels 18 formées sur les régions de pixels (P). 20 Le substrat de filtre coloré 5 et le substrat de matrice 10 sont fixés en face à face par un agent de scellement (non représenté) formé à un bord d'une région d'affichage d'image pour former un panneau à cristaux liquides, et la fixation des substrats de filtre coloré 5 et du substrat de matrice 10 est réalisée par une clavette de fixation formée sur le substrat de filtre coloré 5 ou le substrat de matrice 10. 25 Dans le procédé de fabrication du LCD, une pluralité de procédés de masquage (à savoir, procédés de photographie) sont effectués pour fabriquer le substrat de matrice comprenant les TFT, de sorte qu'un procédé de réduction du nombre de masques est nécessaire en termes de productivité. Les figures 2A à 2E sont des vues en coupe montrant en séquence un procédé 30 de fabrication du substrat de matrice du LCD de la figure 1. Comme le montre la figure 2A, une électrode de grille 21 constituée d'un matériau conducteur est formée en utilisant un procédé photolithographique (un premier procédé de masquage) sur un substrat. Ensuite, comme le montre la figure 2B, un premier film isolant 15a, un mince 35 film de silicium amorphe et un mince film de silicium amorphe n+ sont déposés en séquence sur l'ensemble de la surface du substrat 10 avec l'électrode de grille 21 formée sur celle-ci, et le mince film de silicium amorphe et le mince film de silicium amorphe n+ sont modelés de façon sélective en utilisant le procédé photolithographique (un deuxième procédé de masquage) pour former un motif actif 40 24 formé du mince film de silicium amorphe sur l'électrode de grille 21. Dans ce cas, le motif de mince film de silicium amorphe n+ 25 qui a été modelé selon la même forme que le motif actif 24 est formé sur le motif actif 24. Ensuite, comme le montre la figure 2C, un matériau de métal conducteur est déposé sur l'ensemble de la surface du substrat de matrice 10 et ensuite, modelé 45 sélectivement en utilisant le procédé photolithographique (un troisième procédé de masquage) pour former une électrode de source 22 et une électrode de drain 23 au niveau d'une partie supérieure du motif actif 24. A ce stade, une certaine partie du R ABrcvctsV2F900A28951^---d '919 DEPOT FRd, - 9/09P2008 - Pagc 2 ot 24 3 10 motif de mince film de silicium amorphe n+ formée sur le motif actif 24 est éliminée par le biais du troisième procédé de masquage pour former une couche de contact ohmique 25' entre le motif actif 24 et les électrodes de source et de drain 22 et 23. Ensuite, comme le montre la figure 2D, un deuxième film isolant 15b est déposé sur l'ensemble de la surface du substrat de matrice 10 avec l'électrode de 15 source 22 et l'électrode de drain 23 formées sur celle-ci, et une partie du deuxième film isolant 15b est éliminée par le biais du procédé photolithographique (un quatrième procédé de masquage) pour former un trou de contact 40 exposant une partie de l'électrode de drain 23. Pour finir, comme le montre la figure 2E, un matériau de métal conducteur 20 transparent est déposé sur l'ensemble de la surface du substrat de matrice 10 et modelé ensuite sélectivement en utilisant le procédé photolithographique (cinquième procédé de masquage) pour former une électrode de pixel 18 connectée électriquement à l'électrode de drain 23 via le trou de contact 40. Comme susmentionné, dans la fabrication du substrat de matrice comprenant 25 les TFI', au total il faut réaliser cinq fois un procédé photolithographique pour modeler l'électrode de grille, le motif actif, les électrodes de source et de drain, le trou de contact et l'électrode de pixel. Le procédé photolithographique est un procédé de transfert d'un motif formé sur un masque sur le substrat sur lequel un mince film est déposé pour former un 30 motif souhaité, qui comprend une pluralité de procédés tels qu'un procédé d'enduction d'une solution photosensible, un procédé d'exposition et un procédé de développement, etc, cette pluralité de procédés photolithographiques altérant un rendement productif. En particulier, étant donné que les masques conçus pour former le motif sont 35 plutôt coûteux, lorsque le nombre de masques utilisés pour les procédés augmente, le coût de fabrication du LCD augmente proportionnellement. Ainsi, il est utilisé une technique de fabrication du substrat de matrice en effectuant le procédé de masquage quatre fois en formant le motif actif et les électrodes de source et de drain par le biais d'un seul procédé de masquage en 40 utilisant un masque fendu (diffraction). Cependant, pour un LCD avec une telle structure, comme le motif actif, les électrodes de source et de drain et les lignes de données sont modelés en effectuant un procédé de gravure deux fois, une queue active reste en saillie près des parties inférieures de l'électrode de source, de l'électrode de drain et des lignes de données. 45 La queue active est formée du même mince film de silicium amorphe pur que le motif actif, de sorte que la queue active en saillie est exposée à la lumière du rétroéclairage inférieur, générant un courant optique. A ce stade, le mince film de R VBrneI A 9({)\2%950ù Ori0919 DEPOT FR d, - 19/09/21^O, -Page 3,4 24 10 silicium amorphe réagit légèrement au léger clignotement de la lumière du rétroéclairage, et devient de façon répétée activé et désactivé, ce qui entraîne un changement dans le courant optique. La composante de courant optique est couplée à un signal passant au niveau des électrodes de pixels voisines pour déformer le mouvement du cristal liquide positionné au niveau des électrodes de pixels. En 15 conséquence, un bruit onduleux est généré, de sorte qu'une fine ligne ondulée apparaît sur un écran du LCD. RESUME DE L'INVENTION Par conséquent, afin de répondre aux problèmes ci-dessus, les diverses 20 caractéristiques décrites ici ont été conçues. Un aspect des exemples de modes de réalisation consiste à proposer un affichage à cristaux liquides (LCD) et un procédé de fabrication ce celui-ci permettant la fabrication d'un substrat de matrice en effectuant un procédé de masquage en quatre fois. Un autre aspect de l'invention consiste à proposer un LCD et un procédé de 25 fabrication de celui-ci permettant la formation de câblages de données avec un matériau conducteur de faible résistance tel que le cuivre en formant une couche de prévention de diffusion pour empêcher le cuivre de se diffuser à une couche inférieure. Encore un autre aspect de l'invention consiste à proposer un LCD et un 30 procédé de fabrication de celui-ci permettant la mise en oeuvre de canaux fins, même lorsque des câblages de données de faible résistance sont formés. Le présent mémoire propose un LCD comprenant : une électrode de grille et une ligne de grille formées sur un premier substrat ; une première couche isolante formée sur le premier substrat ; un motif actif, une couche de contact ohmique et une 35 couche de prévention de diffusion formés sur l'électrode de grille ; une ligne de données qui croise les électrodes de source/drain et la ligne de grille formée sur la couche de prévention de diffusion pour définir une zone de pixel une seconde couche isolante formée sur le premier substrat ; un trou de contact formé en éliminant une partie de la seconde couche isolante et en exposant une partie de 40 l'électrode de drain ; une électrode de pixel connectée électriquement à l'électrode de drain via le trou de contact ; et un second substrat fixé au premier substrat en face à face, dans lequel la couche de prévention de diffusion comprend une pointe métallique faisant saillie vers le côté des électrodes de source/drain. Selon une variante, la couche de prévention de diffusion et la couche de 45 contact ohmique ont une largeur supérieure à celle des électrodes de source et de drain. R.`9revets\289NIL695U--08(919 DEPOT FR floc - 19/E9/200 - Page 4 of 24 10 Selon une autre variante, le film conducteur est constitué d'un matériau conducteur de faible résistance tel que le cuivre. Selon une autre variante, le métal de barrière est formé de MoTi pour empêcher la diffusion de cuivre dans la couche de contact ohmique inférieure. Selon une autre variante, la couche de prévention de diffusion est formée 15 pour avoir une épaisseur de 100Â-500A. Selon une autre variante, la pointe métallique de la couche de prévention de diffusion faisant saillie dans la direction vers l'intérieur des électrodes de source et de drain définit une longueur de canal. Les objets précédents et autres objets, caractéristiques, aspects et avantages de la présente invention deviendront plus clairs 20 à partir de la description détaillée suivante de la présente invention, faite en conjugaison avec les dessins joints. Le présent mémoire propose également un procédé de fabrication d'un LCD, comprenant le fait de : fournir un premier substrat ; former une électrode de grille et une ligne de grille sur le premier substrat ; former une première couche isolante sur 25 le premier substrat ; former un motif actif, une couche de contact ohmique et une couche de prévention de diffusion au niveau d'une partie supérieure de l'électrode de grille en utilisant la gravure à sec, et former des électrodes de source et de drain sur la couche de prévention de diffusion en utilisant la gravure humide ; former une deuxième couche isolante sur le premier substrat ; former un trou de contact en 30 éliminant une partie de la seconde couche isolante et exposer une partie de l'électrode de drain ; former une électrode de pixel connectée électriquement à l'électrode de drain via le trou de contact ; et fixer les premier et second substrats, dans lequel la couche de prévention de diffusion comprend une pointe métallique formée en saillie par rapport aux électrodes de source et de drain par le biais d'une gravure à sec. 35 Selon une variante, la formation du motif actif, des électrodes de source et de drain et de la couche de prévention de diffusion sur le premier substrat consiste à : former une première couche isolante, un mince film de silicium amorphe, un mince film de silicium amorphe n+, un métal de barrière et un film conducteur sur le premier substrat ; former un premier motif de film photosensible avec des première 40 et seconde épaisseurs sur le premier substrat en utilisant un masque demi-ton ; éliminer sélectivement le film conducteur par le biais d'une gravure humide en utilisant le premier motif de film photosensible en tant que masque pour former un premier motif de film conducteur au niveau d'une partie supérieure de l'électrode de grille ; éliminer sélectivement le mince film de silicium amorphe, le mince film de 45 silicium amorphe n+ et le métal de barrière par le biais d'une gravure à sec en utilisant le premier motif de film photosensible en tant que masque pour former un premier motif de mince film de silicium amorphe, un premier motif de mince film de R 1Brtce,s\289(N)A28950--080919 DEPOT FR doc - 19/09200K - Page 5 ot 24 l0 silicium amorphe n+ et un premier motif formé du mince film de silicium amorphe, du mince film de silicium amorphe n+ et du métal de barrière au niveau d'une partie inférieure du premier motif de film conducteur ; éliminer une partie du motif de film photosensible par le biais d'un polissage humide pour former un deuxième motif de film photosensible avec une troisième épaisseur ; éliminer sélectivement le premier 15 motif de film conducteur par le biais d'une gravure humide en utilisant le deuxième motif de film photosensible en tant que masque pour former les électrodes de drain et de source formées du film conducteur ; et éliminer sélectivement une partie de surface du premier motif de mince film de silicium amorphe, du premier motif de mince film de silicium amorphe n+ et du premier motif par le biais d'une gravure à 20 sec en utilisant le deuxième motif de film photosensible en tant que masque pour former un motif actif, une couche de contact ohmique et une couche de prévention de diffusion formée du mince film de silicium amorphe, du mince film de silicium amorphe n+ et du métal de barrière. Selon une autre variante, le film conducteur est constitué d'un matériau 25 conducteur de faible résistance tel que le cuivre. Selon une autre variante, le métal de barrière est formé de MoTi pour empêcher la diffusion de cuivre dans la couche de contact ohmique inférieure. Selon une autre variante, le premier motif de film conducteur est surgravé avec une largeur inférieure à celle du premier motif de film photosensible lorsqu'une 30 qu'une gravure humide, une gravure isotrope, est effectuée. Selon une autre variante, le premier mince film de silicium amorphe, le premier mince film de silicium amorphe n+ et le premier motif sont modelés pour avoir sensiblement la même forme que celle du premier motif de film photosensible lorsqu'une gravure à sec est utilisée. 35 Selon une autre variante, les électrodes de source et de drain sont surgravées avec une largeur inférieure à celle du deuxième motif de film photosensible lorsqu'une gravure humide est utilisée. Selon une autre variante, la couche de contact ohmique et la couche de prévention de diffusion sont modelées pour avoir sensiblement la même forme que le 40 deuxième motif de film photosensible lorsqu'une gravure à sec est utilisée. Selon une autre variante, la couche de prévention de diffusion est formée pour avoir une épaisseur de 100A-5001. Selon une autre variante, la couche de prévention de diffusion comprend un canal fin formé d'une pointe métallique faisant saillie dans une direction vers 45 l'intérieur des électrodes de source et de drain lorsque la couche de prévention de diffusion est gravée par le biais d'une gravure à sec. R:'B revers\28900\28950--080919 DEPOT FR Jo - 19/0972(4,8 - Page 6 of 24 10 BREVE DESCRIPTION DES DESSINS La figure 1 est une vue en perspective éclatée montrant un affichage à cristaux liquides (LCD) de l'art connexe ; Les figures 2A à 2E sont des vues en coupe montrant en séquence un procédé de fabrication d'un substrat de matrice du LCD de la figure 1 ; 15 La figure 3 est une vue en plan montrant une partie d'un substrat de matrice d'un LCD selon un premier exemple de mode de réalisation de la présente invention ; Les figures 4A à 4D sont des vues en coupe montrant en séquence un procédé de fabrication le long des lignes Illa-IIIa', Illb-IIIb' et IIIc-IIIc' du substrat de matrice de la figure 3 ; 20 les figures 5A à 5D sont des vues en plan montrant en séquence le procédé de fabrication du substrat de matrice sur la figure 3 ; les figures 6A à 6H sont des vues en coupe du substrat de matrice de la figure 4B, montrant un deuxième procédé de masquage selon le premier exemple de mode de réalisation de la présente invention ; 25 les figures 7A à 7H sont des vues en coupe du substrat de matrice de la figure 4B montrant un deuxième procédé de masquage selon un second exemple de mode de réalisation de la présente invention ; et la figure 8 est un tableau montrant les données obtenues, mesurées par longueurs de canaux d'un transistor en couches minces formé par le biais du 30 deuxième procédé de masquage selon le second exemple de mode de réalisation de la présente invention et celui formé par le biais d'un procédé général de masquage en 4 fois. DESCRIPTION DETAILLEE DE L'INVENTION 35 L'affichage à cristaux liquides (LCD) et son procédé de fabrication vont maintenant être décrit en détail avec pour référence les dessins joints. La figure 3 est une vue en plan montrant une partie d'un substrat de matrice d'un LCD selon un premier exemple de mode de réalisation de la présente invention, sur laquelle un seul pixel comprenant une partie de tampon de grille et une partie de 40 tampon de données sont représentés à des fins d'explication. En réalité, le nombre N de lignes de grille et le nombre M de lignes de données sont formés de sorte à se croiser pour définir le nombre M x N de pixels, et afin de simplifier l'explication, seul le pixel unique est représenté. Comme représenté, les lignes de grille 116 et les lignes de données sont 45 formées de sorte à être agencées verticalement et horizontalement pour définir la région de pixel sur un substrat de matrice 110. Un transistor en couches minces (TFI'), un élément de commutation, est formé au niveau d'un croisement de la ligne R.VBrevns\28900V28950- 080919 DEPOT FR do -19/0921X18 - Page 7 ot 24 10 de grille 116 et de la ligne de données 117. Une électrode de pixel 118 est formée à l'intérieur de la région de pixel, est connectée au TFT pour commander le cristal liquide (non représenté) conjointement avec une électrode commune d'un substrat de filtre coloré (non représenté). Le TFT comprend une électrode de grille 121 connectée à la ligne de grille 15 116, une électrode de source 122 connectée à la ligne de données 117, et une électrode de drain 123 connectée à l'électrode de pixel 118. Le TFT comprend également un motif actif (non représenté) pour former un canal conducteur entre les électrodes de source et de drain 122 et 123 par une tension de grille fournie à l'électrode de grille 121. 20 Une partie de l'électrode de source 122 s'étend dans une seule direction pour former une partie de la ligne de données 117, et une partie de l'électrode de drain 123 s'étend vers la région de pixel et est connectée électriquement à l'électrode de pixel 118 via le trou de contact 140 formé au niveau d'une seconde couche isolante (non représentée). 25 Une partie de la ligne de grille précédente 116 chevauche une partie de l'électrode de pixel 118 avec une première couche isolante (non représentée) et la seconde couche isolante intercalée entre elles pour former un condensateur de stockage Cst. Le condensateur de stockage Cst sert à maintenir uniformément la tension appliquée à un condensateur de cristal liquide jusqu'à ce qu'un signal suivant 30 soit reçu. A savoir, l'électrode de pixel 118 du substrat de matrice 110 forme le condensateur de cristal liquide conjointement avec l'électrode commune du substrat de filtre coloré, et en général, la tension appliquée au condensateur de cristal liquide n'est pas maintenue jusqu'à ce que le signal suivant soit reçu, mais a fui. Ainsi, afin de maintenir uniformément la tension appliquée, le condensateur de stockage Cst 35 devrait être connecté au condensateur de cristal liquide. En plus de maintenir le signal, le condensateur de stockage peut également avoir pour effets de stabiliser un affichage à niveaux de gris, réduire les effets de scintillement, réduire la formation d'images résiduelles, et similaires. Ici, dans le LCD selon l'exemple de mode de réalisation de la présente 40 invention, le motif actif et les câblages de données (à savoir, les électrodes de source et de drain et les lignes de données) sont formés par le biais d'un seul procédé de masquage en utilisant un masque demi-ton ou un masque fendu (masque de diffraction) (le terme masque demi-ton comprendra également le masque fendu, ci-après), de sorte que le substrat de matrice peut être fabriqué au total, par un procédé 45 de masquage en quatre fois. Dans ce cas, étant donné que les câblages de données doivent limiter un retard de signal ou une déconnexion en tant que moyens pour transférer des signaux R.VBrcvcrsV28900V28950--080919 DEPOT FR.doc - 19/09f2008 - Pagc 8 0l 24 10 de données, alors ils sont constitués d'un matériau conducteur de faible résistance tel que le cuivre. Dans le LCD selon l'exemple de mode de réalisation de la présente invention, afin d'empêcher que le cuivre ne se diffuse dans une couche inférieure, une couche de prévention de diffusion est formée au niveau d'une partie inférieure des câblages de données avec un métal de barrière. Nous allons maintenant décrire 15 cela en détail en décrivant un procédé de fabrication de LCD. Les figures 4A à 4D sont des vues en coupe montrant en séquence un procédé de fabrication le long des lignes I11a-IIIa', I1lb-IIIb' et IIIc-IIIc' du substrat de matrice sur la figure 3, à savoir, montrant en séquence un procédé de fabrication du substrat de matrice de la partie de pixel comprenant une partie de ligne de données. 20 Les figures 5A à 5D sont des vues en plan montrant en séquence le procédé de fabrication du substrat de matrice de la figure 3. Comme le montrent les figures 4A et 5A, l'électrode de grille 121 et la ligne de grille 116 sont formées au niveau de la partie de pixel du substrat de matrice 110 faite d'un matériau isolant transparent. 25 Dans ce cas, l'électrode de grille 121 et la ligne de grille 116 sont formées en déposant un premier film conducteur sur l'ensemble de la surface du substrat de matrice 110 et en le modelant sélectivement par le biais du procédé photolithographique (le premier procédé de masquage). Ici, le premier film conducteur peut être constitué d'un matériau conducteur 30 opaque de faible résistance tel que de l'aluminium (Al), un alliage d'aluminium, du tungstène (W), du cuivre (Cu), du chrome (Cr) et du molybdène (Mo) ou similaire. En outre, le premier film conducteur peut être formé pour avoir une structure multicouches en empilant deux ou plusieurs matériaux conducteurs de faible résistance. 35 Ensuite, comme le montrent les figures 4B et 5B, une première couche isolante 115, un mince film de silicium amorphe, un mince film de silicium amorphe n+, un métal de barrière et un deuxième film conducteur sont formés sur l'ensemble de la surface du substrat de matrice 110 avec l'électrode de grille 121 et la ligne de grille 116 formées sur celle-ci et éliminés ensuite sélectivement par le biais d'un 40 procédé photolithographique (un deuxième procédé de masquage) pour former un motif actif 124 formé du mince film de silicium amorphe et des électrodes de source et de drain 122 et 123 connectées électriquement aux électrodes de source et de drain du motif actif 124 au niveau de la partie de pixel du substrat de matrice 110. En outre, la ligne de données 117 formée du deuxième film conducteur est 45 formée au niveau de la partie de ligne de données du substrat de matrice 110 en utilisant le deuxième procédé de masquage. RA13revets128900128950- 080919 DEPOT FR doc. t9/09/2($ S - Page 9 ol 24 10 A ce stade, une couche de contact ohmique 125n et une couche de prévention de diffusion 135 constituées du mince film de silicium amorphe n+ et du métal de barrière sont formées au niveau de la partie supérieure du motif actif 124. Dans ce cas, si les câblages de données sont constitués d'un matériau conducteur de faible résistance tel que le cuivre, la couche de prévention de diffusion 135 peut empêcher 15 le cuivre de se diffuser à une couche inférieure. En outre, sous la ligne de données 117, sont formés un deuxième motif de mince film de silicium amorphe 120", un troisième motif de mince film de silicium amorphe n+ 125" et un troisième motif 130"', chacun formé du mince film de silicium amorphe, du mince film de silicium amorphe n+ et du métal de barrière. 20 Ici, dans la présente invention, le motif actif 124, les électrodes de source et de drain 122 et 123 et la ligne de données 117 sont formés simultanément par le biais d'un seul procédé de masquage (le deuxième procédé de masquage) en utilisant le masque demi-ton. Nous allons maintenant décrire en détail le deuxième procédé de masquage en nous référant aux dessins joints. 25 Les figures 6A à 6H sont des vues en coupe du substrat de matrice sur la figure 4B montrant le deuxième procédé de masquage selon un premier exemple de mode de réalisation de la présente invention. Comme le montre la figure 6A, sur l'ensemble de la surface du substrat de matrice 110 avec l'électrode de grille 121 et la ligne de grille 116 formées sur celle-ci, 30 sont formés la première couche isolante 115a, le mince film de silicium amorphe 120, le mince film de silicium amorphe n+ 125, le métal de barrière 130 et le deuxième film conducteur 150. Dans ce cas, dans le premier exemple de mode de réalisation de la présente invention, le deuxième film conducteur est fait de cuivre, un matériau conducteur de 35 faible résistance, pour former les câblages de données, à savoir, l'électrode de source, de l'électrode de drain et la ligne de données, et dans ce cas, afin d'empêcher que le cuivre ne se diffuse dans le mince film de silicium amorphe n+ 125, la couche inférieure, le métal de barrière 130 tel que MoTi est formé d'une épaisseur d'environ 100À à 500À en dessous du deuxième film conducteur 150. 40 Ensuite, comme le montre la figure 6B, un film photosensible 170 constitué d'un matériau photosensible tel qu'une photorésine est formé sur l'ensemble de la surface du substrat de matrice 110, sur laquelle de la lumière est rayonnée sélectivement par un masque demi-ton 180. Le masque demi-ton 180 comprend une première région de transmission (1) 45 qui permet à la lumière rayonnée d'être complètement transmise par le biais de celle-ci, une seconde région de transmission (II) qui permet à uniquement une partie de la lumière d'être transmise à travers celle-ci en bloquant la lumière restante, et une R 16rese(sV?8911OU8950--08('919 DEPOT FR.Joc - 19/09/2008 - Page 10 ,,f 24 10 région de blocage (III) qui bloque complètement la lumière rayonnée. Seule la lumière qui a été transmise par le biais du masque demi-ton 180 peut être rayonnée sur le film photosensible 170. Ensuite, lorsque le film photosensible 170 qui a été exposé par le biais du masque demi-ton 180 est développé, comme le montre la figure 6C, des premier à 15 quatrième motifs de film photosensible 170a à 170d restent au niveau de régions où la lumière a été entièrement bloquée ou partiellement bloquée par le biais de la région de blocage (III) et la seconde région de transmission (II), et le film photosensible au niveau de la région de transmission (I) par laquelle la lumière a été entièrement transmise a été complètement éliminé pour exposer la surface du 20 deuxième film conducteur 150. A ce stade, les premier à troisième motifs de film photosensible 170a à 170e formés au niveau de la région de blocage III sont plus épais que le quatrième motif de film photosensible 170d formé par le biais de la seconde région de transmission II. En outre, le film photosensible au niveau de la région où la lumière a été 25 complètement transmise par la première région de transmission I a été complètement éliminé. Ceci vient du fait qu'une photorésine positive a été utilisée, mais sans limitation à celle-ci, une photorésine négative pouvant également être utilisée dans la présente invention. Ensuite, le métal de barrière inférieur et le deuxième film conducteur sont 30 éliminés sélectivement en utilisant les premier à quatrième motifs de film photosensibles 170a à 170d en tant que masques pour former le premier motif 230' et le premier motif de film conducteur 250' formé du métal de barrière et du deuxième film conducteur au niveau de la partie de pixel du substrat de matrice 110. En outre, un deuxième motif 230" et un deuxième motif de film conducteur 35 250" formé du métal de barrière et du deuxième film conducteur sont formés au niveau de la partie de ligne de données du substrat de matrice 110. Dans ce cas, le métal de barrière et le deuxième film conducteur sont éliminés sélectivement par le biais d'une gravure humide en utilisant un procédé de gravure par immersion ou un procédé de pulvérisation. Si la gravure humide est effectuée, le 40 métal de barrière et le deuxième film conducteur sont gravés de façon isotrope, à savoir, surgravés, pour avoir une largeur inférieure à celle des premier à quatrième motifs de film photosensible supérieurs 170a à 170d. Ensuite, le mince film de silicium amorphe inférieur et le mince film de silicium amorphe n+ sont éliminés sélectivement en utilisant les premier à quatrième 45 motifs de film photosensible 170a à 170d en tant que masques pour former un premier motif de mince film de silicium amorphe 220' et un premier motif de mince film de silicium amorphe n+ 225' formé du mince film de silicium amorphe et du R V13resrrs\28900A2895P-080919 DEPOT FR. doc - 19/09/21X18 - Page I I ,t 24 10 mince film de silicium amorphe n+ au niveau de la partie de pixel du substrat de matrice 110, comme le montre la figure 6D. En outre, un deuxième motif de mince film de silicium amorphe 220" et un deuxième motif de mince film de silicium amorphe 225" formés du mince film de silicium amorphe et du mince film de silicium amorphe n+ sont formés au niveau de 15 la partie de ligne de données du substrat de matrice 110. Dans ce cas, le mince film de silicium amorphe et le mince film de silicium amorphe n+ sont éliminés sélectivement par le biais d'une gravure à sec en utilisant un gaz de gravure et en conséquence, le premier motif de mince film de silicium amorphe 220', le premier motif de mince film de silicium amorphe n+ 225', le 20 deuxième motif de mince film de silicium amorphe 220" et le deuxième motif de mince film de silicium amorphe n+ 225" sont modelés sensiblement de la même forme que les premier, deuxième et quatrième motifs de film photosensible 170a, 170b et 170d. Ensuite, un procédé de polissage (ou procédé d'incinération ou de calcination) 25 est effectué pour éliminer les parties des premier à quatrième motifs de film photosensible 170a à 170d. Ensuite, comme le montre la figure 6E, le quatrième motif de film photosensible au niveau de la seconde région de transmission II est complètement éliminé. Dans ce cas, les premier à troisième motifs de film photosensible restent 30 respectivement en tant que cinquième motif de film photosensible 170a' à septième motif de film photosensible 170c' avec une épaisseur obtenue en éliminant l'épaisseur du quatrième motif de film photosensible uniquement sur la région d'électrode de source, la région d'électrode de drain et la région de ligne de données correspondant à la région de blocage (III). 35 Ensuite, comme le montre la figure 6F, le premier motif 230', le deuxième motif 230", le premier motif de film conducteur 250' et le deuxième motif de film conducteur 250" sont éliminés sélectivement par le biais d'une gravure humide en utilisant les cinquième à septième motifs de film photosensible restants 170a' à 170e' en tant que masques pour former une électrode de source 222 et une électrode de 40 drain 223 formées du deuxième film conducteur et une couche de prévention de diffusion 235 formée du métal de barrière au niveau de la partie de pixel du substrat de matrice 110. En outre, une ligne de données 217 formée du deuxième film conducteur et un troisième motif 230ù formé du métal de barrière sont formés au niveau de la 45 partie de ligne de données du substrat de matrice 110. La couche de prévention de diffusion 235 sert à empêcher la diffusion du cuivre constituant l'électrode de source 222 et l'électrode de drain 223 dans le mince R \Breveis\28900L8950--080919 DEPOT FR doc - 19f( )î2O' Page 12 ot 24 l0 film de silicium amorphe n+ inférieur, et les électrodes de source et de drain 222 et 223, la couche de prévention de diffusion 235, la ligne de données 217 et le troisième motif 230ù sont surgravés avec une largeur inférieure aux cinquième à septième motifs de film photosensible supérieurs 170a' à 170e' car la gravure humide est effectuée. 15 Ensuite, une surface supérieure du premier motif de mince film de silicium amorphe inférieur et les premier et second motifs de mince film de silicium amorphe n+ sont sélectivement éliminés en utilisant les cinquième à septième motifs de film photosensible 170a' à 170e' en tant que masques pour former un motif actif 224 formé du mince film de silicium amorphe au niveau de la partie de pixel du substrat 20 de matrice 110, comme le montrent les figures 6G et 6H. A ce stade, une couche de contact ohmique 225n formée du mince film de silicium amorphe n+ est formée au niveau d'une partie supérieure du motif actif 224 et permet aux régions de source et de drain du motif actif 224 et aux électrodes de source et de drain 222 et 223 d'entrer en contact ohmique les unes avec les autres. 25 En outre, un troisième mince film de silicium amorphe n+ 225- formé du mince film de silicium amorphe n+ est formé au niveau de la partie de ligne de données du substrat de matrice 110. Dans ce cas, le premier motif de mince film de silicium amorphe n+ et le deuxième motif de mince film de silicium amorphe n+ sont éliminés sélectivement 30 par le biais d'une gravure à sec et en conséquence, la couche de contact ohmique 225n et le troisième motif de mince film de silicium amorphe n+ 225"' sont modelés sensiblement de la même forme que les cinquième à septième motifs de film photosensible 170a' à 170e'. Ici, dans le premier mode de réalisation de la présente invention, le deuxième 35 film conducteur et le métal de barrière pour les câblages de données sont tous gravés par le biais d'une gravure humide. Dans ce cas, parce qu'il existe un taux de gravure considérable entre le cuivre et le MoTi, augmentant le temps de traitement de gravure humide global et la longueur de canal substantielle (L). A savoir, MoTi a un taux de gravure inférieur de 10 fois à celui du cuivre, de sorte que le temps du 40 procédé de gravure est augmenté en raison du MoTi de sorte à augmenter le biais de gravure humide, rendant difficile la mise en oeuvre d'un canal fin. Grâce à la réalisation du procédé de gravure humide à deux reprises, le côté du motif actif 224 ou du deuxième motif de mince film de silicium amorphe n+ 220" fait saillie de la longueur Tw par rapport à la largeur des électrodes de source et de 45 drain 222 et 223 ou la ligne de données 217, formant une queue active qui génère un bruit onduleux. En outre, une fois que la partie de canal est gravée par voie humide, le mince film de silicium amorphe n+ est gravé par le biais d'une gravure à sec, de R:VBrevetsLR900CR95U--OR09I9 DEPOT 1R. 1909/2I9R Page 13 et 24 10 sorte qu'une queue n+ est générée de sorte à être en saillie par rapport aux électrodes de source et de drain 222 et 223, rendant ambiguë la définition de la longueur de canal (L). Ainsi, dans un second mode de réalisation de la présente invention, le métal de barrière ayant un taux de gravure humide inférieur à celui du cuivre est gravé par 15 le biais d'une gravure à sec, ce qui permet de raccourcir le temps du procédé de gravure et un canal fin peut être mis en oeuvre en formant une pointe métallique. Nous allons décrire en détail le second procédé de masquage du second mode de réalisation de la présente invention en faisant référence aux dessins joints. Les figures 7A à 7H sont des vues en coupe du substrat de matrice sur la 20 figure 4B montrant un deuxième procédé de masquage selon un second exemple de mode de réalisation de la présente invention, dans lequel sensiblement le même procédé que le deuxième procédé de masquage selon le premier mode de réalisation de la présente invention est effectué, excepté celui du procédé de gravure du métal de barrière. 25 Comme le montre la figure 7A, une première couche isolante 115a, un mince film de silicium amorphe 120, un mince film de silicium amorphe n+ 125, un métal de barrière 130 et un deuxième film conducteur 150 sont formés sur l'ensemble de la surface du substrat de matrice 110 avec l'électrode de grille 121 et la ligne de grille 116 formées sur celle-ci. 30 Dans le second exemple de mode de réalisation de la présente invention, le deuxième film conducteur est fait de cuivre, un matériau conducteur de faible résistance, pour former les câblages de données, à savoir, l'électrode de source, l'électrode de drain et la ligne de données, et dans ce cas, afin d'empêcher que le cuivre ne se diffuse dans le mince film de silicium amorphe n+ 125, la couche 35 inférieure, le métal de barrière 130 tel que MoTi est formé avec une épaisseur d'environ 100Â à 5001 en dessous du deuxième film conducteur 150. Ensuite, comme le montre la figure 7B, un film photosensible 170 fait d'un matériau photosensible tel qu'une photorésine est formé sur l'ensemble de la surface du substrat de matrice 110, sur laquelle de la lumière est sélectivement rayonnée par 40 le masque demi-ton 180. Ensuite, lorsque le film photosensible 170 qui a été exposé par le masque demi-ton 180 est développé, comme le montre la figure 7C, des premier à quatrième motifs de film photosensible 170a à 170d restent au niveau de régions où la lumière a été entièrement ou partiellement bloquée par la région de blocage (III) et la seconde 45 région de transmission (II), et le film photosensible au niveau de la région de transmission (I) par laquelle la lumière a été entièrement transmise a été complètement éliminé pour exposer la surface du deuxième film conducteur 150. R V3rccenA2R9t %2895 --481,919 DEPOT IR duc -19109/20118 - Page 14 oI 24 15 10 Ensuite, le deuxième film conducteur inférieur est éliminé sélectivement en utilisant les premier à quatrième motifs de film photosensible 170a à 170d en tant que masques pour former un premier motif de film conducteur 150' formé du deuxième film conducteur au niveau de la partie de pixel du substrat de matrice 110, et un deuxième motif de film conducteur 150" formé du deuxième film conducteur 15 au niveau de la partie de ligne de données du substrat de matrice 110. A ce stade, le deuxième film conducteur est gravé de façon isotrope, à savoir, surgravé, pour avoir une largeur inférieure aux premier à quatrième motifs de film photosensible supérieurs I70a à 170d. Ensuite, le mince film de silicium amorphe inférieur, le mince film de 20 silicium amorphe n+ et le métal de barrière sont sélectivement éliminés en utilisant les premier à quatrième motifs de film photosensible 170a à 170d en tant que masques pour former un premier motif de mince film de silicium amorphe 120', un premier motif de mince film de silicium amorphe n+ 125' et un premier motif 130' formé du mince film de silicium amorphe, du mince film de silicium amorphe n+ et 25 du métal de barrière au niveau de la partie de pixel du substrat de matrice 110, comme le montre la figure 7D. En outre, un deuxième motif de mince film de silicium amorphe 120", un deuxième mince film de silicium amorphe 125" et un deuxième motif 130" formé du mince film de silicium amorphe, du mince film de silicium amorphe n+ et du métal 30 de barrière sont formés au niveau de la partie de ligne de données du substrat de matrice 110. Dans ce cas, le mince film de silicium amorphe, le mince film de silicium amorphe n+ et le métal de barrière sont éliminés sélectivement par le biais d'une gravure à sec, et en conséquence, le premier mince film de silicium amorphe 120', le 35 premier mince film de silicium amorphe n+ 125', le premier motif 130, le deuxième motif de mince film de silicium amorphe 120", le deuxième motif de mince film de silicium amorphe n+ 125" et le deuxième motif 130" sont modelés sensiblement de la même forme que les premier, deuxième et quatrième motifs de film photosensible 170a, 170b et 170d. 40 Ensuite, un procédé de polissage (ou procédé d'incinération ou de calcination) est effectué pour éliminer des parties des premier à quatrième motifs de film photosensible 170a à 170d. Ensuite, comme le montre la figure 7E, le quatrième motif de film photosensible au niveau de la seconde région de transmission II est complètement éliminé. 45 Dans ce cas, les premier à troisième motifs de film photosensible restent respectivement en tant que cinquième motif de film photosensible I70a' à septième motif de film photosensible 170c' avec une épaisseur obtenue en éliminant l'épaisseur R ABrevois089O008950--080919 DEPOT FR doc - 19/09/20(41- Page 15 ot 24 10 du quatrième motif de film photosensible uniquement sur la région d'électrode de source, la région d'électrode de drain et la région de ligne de données correspondant à la région de blocage (III). Ensuite, comme le montre la figure 7F, le premier motif de film conducteur 150' et le second motif de film conducteur 150" sont éliminés sélectivement par le 15 biais d'une gravure humide en utilisant les cinquième à septième motifs de film photosensible restants 170a' à 170c' en tant que masques pour former une électrode de source 122 et une électrode de drain 123 formées du deuxième film conducteur au niveau de la partie de pixel du substrat de matrice 110 et d'une ligne de données 117 formée du deuxième film conducteur au niveau de la partie de ligne de données du 20 substrat de matrice 110. Dans ce cas, l'électrode de source 122, l'électrode de drain 123 et la ligne de données 117 sont gravées par le biais d'une gravure humide, de sorte qu'elles sont surgravées avec une largeur inférieure aux cinquième à septième motifs de film photosensible supérieurs 170a' à 170c'. 25 Ensuite, le premier motif de mince film de silicium amorphe inférieur, les premier et deuxième motifs de mince film de silicium amorphe n+, et les premier et deuxième motifs sont éliminés sélectivement en utilisant les cinquième à septième motifs de film photosensible 170a' à 170c' en tant que masques pour former un motif actif 124 formé du mince film de silicium amorphe au niveau de la partie de pixel du 30 substrat de matrice 110, comme le montrent les figures 7G et 7H. A ce stade, une couche de contact ohmique I25n et une couche de prévention de diffusion 135 formée du mince film de silicium amorphe n+ et du métal de barrière sont formées au niveau d'une partie supérieure du motif actif 124. La couche de contact ohmique 125n sert à permettre aux régions de source et de drain du motif 35 actif 124 et aux électrodes de source et de drain 122 et 123 d'entrer en contact ohmique les unes avec les autres, et la couche de prévention de diffusion 135 sert à empêcher que le cuivre constituant l'électrode de source 122 et l'électrode de drain 123 ne se diffuse à la couche de contact ohmique inférieure 125n. En outre, un troisième mince film de silicium amorphe n+ 125"' et un 40 troisième motif 130"' formé du mince film de silicium amorphe n+ et du métal de barrière sont formés au niveau de la partie de ligne de données du substrat de matrice 110. Dans ce cas, le premier motif de mince film de silicium amorphe n+, le premier motif, le deuxième motif de mince film de silicium amorphe n+ et le 45 deuxième motif sont sélectivement éliminés par le biais d'une gravure à sec, et en conséquence, la couche de contact ohmique 125n, la couche de prévention de diffusion 135, le troisième motif de mince film de silicium amorphe ri+ 125ù et le RABrcccts\28900 28950ù 1180919 DEPOT FRdoc - 19/09/2008 - Page 16 ot 24 10 troisième motif 130" sont modelés sensiblement de la même forme que les cinquième à septième motifs de film photosensible 170a' à 170c'. De cette manière, dans le deuxième procédé de masquage selon le second exemple de mode de réalisation de la présente invention, étant donné que seul le deuxième film conducteur est sélectivement éliminé en utilisant une gravure humide, 15 le temps de traitement de gravure humide peut être raccourci, et en conséquence, un biais de gravure peut être réduit. En outre, étant donné que le métal de barrière est gravé en utilisant une gravure humide, une certaine pointe métallique peut être formée pour faire saillie vers un côté interne d'un canal, moyennant quoi la longueur de canal (L') peut être sensiblement réduite par la pointe métallique et ainsi, un canal 20 fin peut être mis en oeuvre. En outre, étant donné que le côté du motif actif 124 ou du deuxième motif de mince film de silicium amorphe n+ 120" est prévu par rapport à la couche de prévention de diffusion 135 ou au troisième motif 130- en raison de la pointe métallique en saillie vers le côté des câblages de données, la largeur (Tw') d'une 25 queue active peut être sensiblement réduite. La figure 8 est un tableau montrant les données obtenues, mesurées par longueurs de canaux d'un transistor en couches minces formé par le biais du deuxième procédé de masquage selon le second exemple de mode de réalisation de la présente invention et celui formé par le biais d'un procédé de masquage général en 30 quatre fois, dans lequel une longueur de canal par rapport à un point arbitraire est exprimée par �m. Comme le montre la figure 8, des longueurs de canaux ont été mesurées par rapport à 11 points, et dans le cas de transistors en couches minces (TFT) dans les exemples comparatifs formés par le biais des procédés de masquage en quatre fois, 35 les longueurs de canaux allaient de 4,4 gm à 5,5 �m, et dans le cas des TFT dans les exemples expérimentaux formés par le biais de procédés de masquages en deux fois selon le second exemple de mode de réalisation de la présente invention, les longueurs de canaux allaient de 2,8 gm à 4,3 �m. En outre, lors de l'établissement de la moyenne, il peut être noté que les 40 longueurs de canaux des TFT des exemples expérimentaux sont plus courtes d'environ 1,4 gm que celles des exemples comparatifs. De cette manière, dans le présent exemple de mode de réalisation, le motif actif 124, les électrodes de source et de drain 122 et 123, et la ligne de données 117 peuvent être formés par le biais d'un seul procédé de masquage en utilisant le masque 45 demi-ton. Ensuite, comme le montrent les figures 4C et 5C, une seconde couche isolante 115b est déposée sur l'ensemble de la surface du substrat de matrice 110 R\Breeeis\28900\8950--080919 DEPOT FR.doc - 19/098008 - Page 17 o1 24 10 avec le motif actif 124, les électrodes de source et de drain 122 et 123, et la ligne de données 117 formés sur celle-ci. Et ensuite, une partie de la seconde couche isolante 115b est éliminée sélectivement par le biais d'un procédé photolithographique (un deuxième procédé de masquage) pour former le trou de contact 140 exposant une partie de l'électrode de 15 drain 123 au niveau de la partie de pixel du substrat de matrice 110. Ensuite, comme le montrent les figures 4D et 5D, un troisième film conducteur est formé sur l'ensemble de la surface du substrat de matrice 110 et éliminé ensuite sélectivement en utilisant un procédé photolithographique (un quatrième procédé de masquage) pour former l'électrode de pixel 118 connectée 20 électriquement à l'électrode de drain 123 via le trou de contact 140. Les substrats de matrice selon les exemples de modes de réalisation de la présente invention sont fixés en face à face aux substrats de filtre coloré par un agent de scellement appliqué sur les bords externes de la partie d'affichage d'image. Dans ce cas, les substrats de filtre coloré incluent des matrices noires pour empêcher la 25 fuite de lumière vers les TFT, les lignes de grille et les lignes de données et des filtres colorés pour donner les couleurs rouge, vert et bleu. La fixation des substrats de filtre coloré et des substrats de matrice est réalisée par le biais de clavettes de fixation formées sur les substrats de filtre coloré ou les substrats de matrice. 30 Dans les modes de réalisation de la présente invention, en tant que motifs actifs, les TFT de silicium amorphe utilisant le mince film de silicium amorphe sont utilisés en tant qu'un exemple, mais la présente invention n'est pas limitée à ceux-ci et en tant que motifs actifs, des TF-I' de silicium polycristallin utilisant un mince film de silicium polycristallin peuvent également être utilisés. 35 La présente invention peut également être appliquée à différents dispositifs d'affichage fabriqués en utilisant des TFT, par exemple, un dispositif d'affichage à OLED (diodes électroluminescentes organiques), dans lequel des OLED sont connectées à des transistors de commande. Comme la présente invention peut être mise en oeuvre sous plusieurs formes 40 sans s'écarter des caractéristiques de celle-ci, il doit être entendu que les modes de réalisation décrits ci-dessus ne sont pas limités par des quelconques détails de la description précédente, sauf spécification contraire, mais doivent plutôt être interprétés au sens large de sa portée telle que définie dans les revendications annexées, et par conséquent, tous les changements et modifications qui se trouvent 45 dans la portée des revendications, ou équivalents, sont par conséquent sensés être englobés par les revendications annexées. R_ABrcvctsV289(N/A?8950--080919 DEPOT FR doc -19/1)9/200k - Page I k ot 24 REVENDICATIONS 10 1. Procédé de fabrication d'un affichage à cristaux liquides, comprenant le fait de : fournir un premier substrat ; former une électrode de grille et une ligne de grille sur le premier substrat ; former une première couche isolante sur le premier substrat ; 15 former un motif actif, une couche de contact ohmique et une couche de prévention de diffusion au niveau d'une partie supérieure de l'électrode de grille en utilisant la gravure à sec, et former des électrodes de source et de drain sur la couche de prévention de diffusion en utilisant la gravure humide ; former une seconde couche isolante sur le premier substrat ; 20 former un trou de contact en éliminant une partie de la seconde couche isolante et exposer une partie de l'électrode de drain ; former une électrode de pixel connectée électriquement à l'électrode de drain via le trou de contact ; et fixer les premier et second substrats, 25 dans lequel la couche de prévention de diffusion comprend une pointe métallique formée en saillie par rapport aux électrodes de source et de drain par le biais d'une gravure à sec. 2. Procédé selon la revendication 1, dans lequel la formation du motif actif, 30 des électrodes de source et de drain et de la couche de prévention de diffusion sur le premier substrat comprenant le fait de : former une première couche isolante, un mince film de silicium amorphe, un mince film de silicium amorphe n+, un métal de barrière et un film conducteur sur le premier substrat ; 35 former un premier motif de film photosensible avec des première et seconde épaisseurs sur le premier substrat en utilisant un masque demi-ton ; éliminer sélectivement le film conducteur par le biais d'une gravure humide en utilisant le premier motif de film photosensible en tant que masque pour former un premier motif de film conducteur au niveau d'une partie supérieure de l'électrode 40 de grille ; éliminer sélectivement le mince film de silicium amorphe, le mince film de silicium amorphe n+ et le métal de barrière par le biais d'une gravure à sec en utilisant le premier motif de film photosensible en tant que masque pour former un premier motif de mince film de silicium amorphe, un premier motif de mince film de 45 silicium amorphe n+ et un premier motif formé du mince film de silicium amorphe, R V3mcetsl89110A2,950--080919 DEPOT FR duc - 19/192008- Page 19 of 2420 10 du mince film de silicium amorphe n+ et du métal de barrière au niveau d'une partie inférieure du premier motif de film conducteur ; éliminer une partie du motif de film photosensible par le biais d'un polissage pour former un deuxième motif de film photosensible avec une troisième épaisseur ; éliminer sélectivement le premier motif de film conducteur par le biais d'une 15 gravure humide en utilisant le deuxième motif de film photosensible en tant que masque pour former les électrodes de drain et de source formées du film conducteur ; et éliminer sélectivement une partie de surface du premier motif de mince film de silicium amorphe, du premier motif de mince film de silicium amorphe n+ et du 20 premier motif par le biais d'une gravure à sec en utilisant le deuxième motif de film photosensible en tant que masque pour former un motif actif, une couche de contact ohmique et une couche de prévention de diffusion formée du mince film de silicium amorphe, du mince film de silicium amorphe n+ et du métal de barrière. 25 3. Procédé selon la revendication 1, dans lequel le film conducteur est constitué d'un matériau conducteur de faible résistance tel que le cuivre. 4. Procédé selon la revendication 3, dans lequel le métal de barrière est formé de MoTi pour empêcher la diffusion de cuivre vers la couche de contact 30 ohmique inférieure. 5. Procédé selon la revendication 2, dans lequel le premier motif de film conducteur est surgravé avec une largeur inférieure à celle du premier motif de film photosensible lorsqu'une qu'une gravure humide, une gravure isotrope, est effectuée. 6. Procédé selon la revendication 2, dans lequel le premier mince film de silicium amorphe, le premier mince film de silicium amorphe n+ et le premier motif sont modelés pour avoir sensiblement la même forme que celle du premier motif de film photosensible lorsqu'une gravure à sec est utilisée. 7. Procédé selon la revendication 2, dans lequel les électrodes de source et de drain sont surgravées avec une largeur inférieure à celle du deuxième motif de film photosensible lorsqu'une gravure humide est utilisée. 45 8. Procédé selon la revendication 2, dans lequel la couche de contact ohmique et la couche de prévention de diffusion sont modelées pour avoir R: ABrcvets\2 9(A1A2 8 950--0 8119 1 9 DEPOT FR do, - I9/(19/20X1(- Pagc 2(1 o( 24 35 4010 sensiblement la même forme que le deuxième motif de film photosensible lorsqu'une gravure à sec est utilisée. 9. Procédé selon la revendication 1, dans lequel la couche de prévention de diffusion est formée pour avoir une épaisseur de 1001-5001. 10. Procédé selon la revendication 1, dans lequel la couche de prévention de diffusion comprend un canal fin formé d'une pointe métallique faisant saillie dans une direction vers l'intérieur des électrodes de source et de drain lorsque la couche de prévention de diffusion est gravée par le biais d'une gravure à sec. 20 11. Dispositif d'affichage à cristaux liquides comprenant : une électrode de grille et une ligne de grille formées sur un premier substrat ; une première couche isolante formée sur le premier substrat ; un motif actif, une couche de contact ohmique et une couche de prévention de 25 diffusion formés sur l'électrode de grille ; une ligne de données qui croise les électrodes de source/drain et la ligne de grille formée sur la couche de prévention de diffusion pour définir une zone de pixel ; une seconde couche isolante formée sur le premier substrat ; un trou de contact formé en éliminant une partie de la seconde couche 30 isolante et en exposant une partie de l'électrode de drain ; une électrode de pixel connectée électriquement à l'électrode de drain via le trou de contact ; et un second substrat fixé au premier substrat en face à face, dans lequel la couche de prévention de diffusion comprend une pointe 35 métallique faisant saillie vers le côté des électrodes de source/drain. 12. Dispositif selon la revendication 11, dans lequel la couche de prévention de diffusion et la couche de contact ohmique ont une largeur supérieure à celle des électrodes de source et de drain. 13. Dispositif selon la revendication 11, dans lequel le film conducteur est constitué d'un matériau conducteur de faible résistance tel que le cuivre. 14. Dispositif selon la revendication 13, dans lequel le métal de barrière est 45 formé de MoTi pour empêcher la diffusion de cuivre vers la couche de contact ohmique inférieure. R_ABrcvei \,8900A2895(1--080919 DEPOT FR.doc - 1910912(108 - Page 21 ol 24 15 4010 15. Procédé selon la revendication Il, dans lequel la couche de prévention de diffusion est formée pour avoir une épaisseur de 10011-5001. 16. Dispositif selon la revendication 11, dans lequel la pointe métallique de la couche de prévention de diffusion faisant saillie dans la direction vers l'intérieur 15 des électrodes de source et de drain définit une longueur de canal. R:ABrcvets\28900A26950--080919 DEPOT FR.doc - 19/P9/00H - Page 22 of 24