FR 2919427 A1 20090130 FR 0756738 A 20070726 i STRUCTURE A RESERVOIR DE CHARGES DOMAINE DE L'INVENTION L'invention concerne un procédé de fabrication d'une structure de type semi- s conducteur sur isolant, permettant le stockage d'informations au sein de la structure. ARRIERE PLAN DE L'INVENTION La fabrication des mémoires flash est basée sur l'utilisation de dispositifs MOS (acronyme du terme anglo-saxon Metal Oxide Semiconductor ) à grille flottante 10 enfouie au sein de l'oxyde de grille, entre le canal et la grille. L'information est stockée grâce au piégeage d'électrons dans la grille flottante, cette dernière jouant le rôle d'élément mémoire. Le principe de la mémoire est de modifier les caractéristiques courant-tension d'un transistor en fonction de l'information stockée. 15 Le stockage de l'information consiste à stocker des charges dans la grille flottante ou, le cas échéant, dans des nodules. Ce sont ces charges qui induisent le décalage de la courbe courant-tension, comme représenté par la flèche sur la figure 1. La lecture de l'information se fait en regardant le niveau du courant à la tension de lecture. Dans l'exemple de la figure 1, à l'état 0 (correspondant à une grille 20 déchargée), aucun courant ne circule, à l'état 1 (correspondant à une grille chargée), un courant peut circuler. Le principal avantage des nodules et d'autres stockages discrets réside dans le fait que si une défaillance localisée de l'oxyde de grille se produit, la fuite engendrée ne décharge qu'un seul nodule et non pas la totalité de la grille flottante comme c'est 25 le cas pour des grilles continues. Depuis une dizaine d'années, de nouveaux dispositifs mémoires comportant des stockages discrets et non plus des stockages traditionnels continus dans la grille flottante sont en effet mis au point afin de surmonter les problèmes dus à la miniaturisation des composants. On trouve ainsi des mémoires à piégeages discrets 30 avec des matériaux tels que du nitrure, des matériaux dits high k (c'est-à-dire à permittivité élevée) ou encore des nano-cristaux de semiconducteurs. Les mémoires à nano-cristaux de semiconducteurs (également appelés nodules, ou encore dots selon la terminologie anglo-saxonne) sont très prometteurs en terme de réduction de dimension car ils présentent l'avantage d'une haute densité d'intégration, d'une basse consommation en puissance et d'un bas coût de fabrication. On trouve ainsi des mémoires flash à nano-cristaux de silicium ou de germanium. A cet égard, on pourra se référer par exemple à l'article de Kan et al., "Nanocrystalline Ge Flash Memories: Electrical Characterization and Trap Engineering", Advanced Materials for Micro and Nanosystems, Janvier 2005. Le principe de ces mémoires à nodules repose sur un échange de charges entre les nano-cristaux et la couche d'inversion à travers un diélectrique tunnel fin. Le chargement et déchargement des électrons et donc des informations, se fait au niveau de chaque nodule. Différentes techniques existent aujourd'hui pour former des nano-cristaux au sein de substrats, par exemple des techniques aérosols, ou par PECVD (Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition), ou encore par implantation. La demande de brevet US 2002/0017657 décrit ainsi la formation de nodules par implantation et traitement thermique. Les nano-cristaux sont formés au sein de la couche d'oxyde qui servira ensuite d'oxyde de grille pour la fabrication de la mémoire non volatile. Cependant la formation de nodules comme décrite dans ce document est limitée à des substrats de silicium et ne peut s'appliquer à des substrats multicouches, comme par exemple des substrats de type SeOI (semiconducteur sur isolant). En effet, la présence de la couche semiconductrice en surface du substrat, au-dessus de la couche isolante, rend difficile l'étape d'implantation. Il faudrait en effet appliquer de fortes énergies d'implantation entraînant en particulier, une perte de précision de la région implantée, et la création de dommages dans le film semi-conducteur. De plus, la présence de la couche semiconductrice ne permet pas l'application d'un traitement thermique comme celui décrit dans le document. En effet, le traitement thermique utilisé est un traitement oxydant et l'oxygène présent réagirait non pas avec la couche isolante enterrée mais, en surface, avec la couche semiconductrice. L'un des buts de l'invention est donc de permettre le stockage d'informations au sein d'un substrat de type semiconducteur sur isolant (SeOI). BREVE DESCRIPTION DE L'INVENTION Un premier objet de l'invention concerne un procédé de fabrication d'une structure de type semi- conducteur sur isolant comprenant une couche semi-conductrice d'un substrat donneur, une couche isolante et un substrat receveur, le procédé comprenant le collage du substrat donneur sur le substrat receveur, l'un au moins des substrats étant recouvert d'une couche isolante, ledit procédé comprenant la formation à l'interface de collage d'une couche dite de piégeage comprenant des pièges électriquement actifs aptes à retenir des porteurs de charges. Selon un premier mode de réalisation de l'invention, la couche de piégeage est 15 formée à l'interface entre la couche isolante recouvrant l'un des substrats, et l'autre substrat. Selon un autre mode de réalisation de l'invention, l'un des substrats est recouvert d'une première couche de diélectrique et l'autre substrat est recouvert d'une deuxième couche de diélectrique, de sorte que la couche isolante est obtenue 20 par collage des deux couches de diélectrique, la couche de piégeage étant formée à l'interface entre ces deux couches. De manière particulièrement avantageuse, l'épaisseur de la première couche de diélectrique, dit diélectrique tunnel , est comprise entre 1,5 et 25 nm et l'épaisseur de la deuxième couche de diélectrique, dit diélectrique de contrôle , est comprise 25 entre 4 et 50 nm. Selon d'autres caractéristiques de l'invention, prises seules ou en combinaison : - le procédé comprend, avant le collage, la formation de défauts électriquement actifs à la surface d'au moins l'une des couches situées à l'interface ; -la formation desdits défauts est obtenue par un traitement plasma, ledit 30 traitement plasma étant appliqué de préférence sur la couche de diélectrique de contrôle ; le plasma comprenant de l'oxygène, de l'argon, de l'azote, du chlore, ou du fluor. - selon une variante de l'invention, lesdits défauts sont obtenus par un traitement apte à déposer des contaminants à la surface d'au moins l'une des couches situées à l'interface ; - le traitement est un traitement thermique dans un environnement contenant lesdits contaminants ; les contaminants sont avantageusement des atomes de germanium ; - ledit traitement est une enduction centrifuge d'une solution contenant lesdits contaminants ; les contaminants sont du germanium, des dopants choisis parmi les éléments des colonnes III, IV ou V, des ions choisis parmi K+, Na+, Cl- ou des métaux choisis parmi le fer et l'aluminium ; - le collage est un collage par adhésion moléculaire ; - avant le collage, on active par plasma au moins l'une des couches situées à l'interface ; - le procédé comprend, avant, avant le collage, la formation d'une zone de fragilisation dans le substrat donneur de manière à définir une couche semi-conductrice et, après le collage, un détachement selon la zone de fragilisation de manière à transférer la couche semi-conductrice vers le substrat receveur ; - le substrat receveur est recouvert de la couche de diélectrique de contrôle et avant le collage, on implante dans le substrat receveur, sous ladite couche, des dopants présentant une densité supérieure à 1017 cm-3 de manière à former une couche dopée conductrice sous la couche de diélectrique de contrôle. Un autre objet de l'invention concerne une structure de type semi-conducteur sur isolant comprenant une couche semi-conductrice d'un substrat donneur, une couche isolante et un substrat receveur, ladite structure comprenant une couche dite de piégeage dans la couche isolante ou à l'interface entre la couche isolante et l'un des substrats, la couche de piégeage comprenant des pièges électriquement actifs aptes à retenir des porteurs de charges. De manière particulièrement avantageuse, la couche isolante comprend une première couche de diélectrique et une deuxième couche de diélectrique, la couche de piégeage étant située à l'interface entre les deux couches de diélectrique. De manière préférée, l'épaisseur de la première couche de diélectrique, dit diélectrique tunnel , est comprise entre 1,5 et 25 nm et l'épaisseur de la deuxième couche de diélectrique, dit diélectrique de contrôle , est comprise entre 4 et 50 nm. Selon un mode particulier de réalisation, le substrat receveur est recouvert de la couche de diélectrique de contrôle, ledit substrat étant un substrat composite comprenant un substrat support, une couche d'oxyde et une couche conductrice ou semi-conductrice située sous la couche de diélectrique de contrôle. Les première et deuxième couches de diélectrique sont de préférence dans des matériaux choisis parmi SiO2, SiO2_XNX (0 BREVE DESCRIPTION DES DESSINS D'autres caractéristiques, buts et avantages de l'invention ressortiront de la description détaillée qui va suivre, en référence aux dessins annotés sur lesquels : - la figure 1 illustre des courbes courant-tension selon l'état chargé ou déchargé de la grille, - la figure 2A illustre une structure de type SeOI conforme à l'invention, - la figure 2B illustre une variante de cette structure, - les figures 3A à 3E représentent les étapes du procédé conforme à un premier mode de réalisation de l'invention, - les figures 4A à 4E représentent les étapes du procédé conforme à un deuxième mode de réalisation de l'invention - la figure 5 illustre un substrat selon un mode particulier de réalisation de l'invention. DESCRIPTION DETAILLEE DE L'INVENTION D'une manière générale, l'invention permet de fabriquer une structure de type SeOI comprenant deux substrats et une couche isolante enterrée, dans laquelle une couche dite de piégeage contient des pièges électriquement actifs aptes à retenir des porteurs de charges. Cette couche de piégeage est située soit à l'intérieur de la couche isolante (comme représenté sur la figure 2A qui sera décrite en détail plus bas), soit à l'interface entre l'un des substrats et la couche isolante (comme représenté sur la figure 2B). Les pièges sont obtenus par l'emprisonnement, lors du collage, de défauts 15 électriquement actifs présents à l'interface. Ces défauts sont obtenus de préférence par contamination de la surface de l'un des deux substrats avant le collage. La contamination consiste à concentrer des impuretés ou contaminants à la surface de l'un des substrats, qui vont former des pièges après la mise en contact 20 des substrats. Par contaminant, on entend des éléments étrangers à la couche sur laquelle ils se trouvent. Dans le cadre de l'invention, les contaminants sont électriquement actifs ou bien présentent des liaisons pendantes ou encore génèrent des liaisons pendantes localement au sein du diélectrique, de sorte que les pièges soient aptes à 25 capturer et retenir des porteurs de charges. On entend par porteurs de charges soit des électrons, soit des trous. Dans le cas des applications mémoires, le piégeage se fait au niveau d'une couche isolante. Le piégeage consiste globalement à localiser une charge à un endroit donné de 30 la structure de façon à ce qu'elle ne puisse plus se déplacer physiquement et par conséquent qu'elle ne puisse plus participer à la conduction. La charge peut être libérée grâce à un apport d'énergie. La charge atteint le piège par effet tunnel direct, effet tunnel indirect ou éventuellement par porteurs chauds, et elle est libérée par effet tunnel direct ou indirect. On va maintenant décrire de manière détaillée la mise en oeuvre de l'invention pour fabriquer une structure de type SeOl, plus précisément de type UTBOX (acronyme du terme anglo-saxon Ultra Thin Buried Oxide ), dont l'isolant enterré comprend une couche de piégeage contenant des pièges électriquement actifs. Une telle structure est représentée à la figure 2A. Elle comprend un substrat receveur 20, une couche isolante 60 formée de deux couches de diélectrique 40 et 50 et une couche mince 11 issue d'un substrat donneur, la couche de piégeage 30 étant située à l'intérieur de la couche 60, à l'interface entre les deux couches de diélectrique 40 et 50. Pour les applications mémoires, on préfère en effet former des structures avec des couches de diélectrique enterrées minces de 5 à 50 nm afin de favoriser l'effet tunnel avec des tensions raisonnables. Les pièges sont des défauts électriquement actifs présents à l'interface de collage et jouent le rôle des nodules habituellement présents dans les mémoires non volatiles. D'une manière générale, le procédé proposé comprend les étapes de : -formation d'un diélectrique dit tunnel sur l'un des deux substrats -formation d'un diélectrique dit de contrôle sur l'autre substrat -traitement de la surface d'au moins un des deux diélectriques afin de créer des défauts électriquement actifs qui constitueront après collage des pièges ou réservoirs de charges - mise en contact des deux substrats par l'intermédiaire du diélectrique tunnel et du diélectrique de contrôle, pour un collage par adhésion moléculaire. Par diélectrique, on entend un matériau dont la conductivité électrique est presque nulle. Par diélectrique tunnel , on entend un diélectrique très fin ; le diélectrique dit de contrôle étant plus épais. Le rapport des épaisseurs des diélectriques doit être suffisant pour que l'on puisse faire traverser le diélectrique tunnel par des charges en appliquant une tension aux bornes de la structure, sans que ces charges ne puissent traverser le diélectrique de contrôle. A cet effet, on peut soit utiliser un diélectrique tunnel suffisamment fin û c'est-à-dire de l'ordre de 2 nm ù pour qu'il puisse être traversé par effet tunnel direct, soit utiliser un diélectrique plus épais et une tension plus forte pour que les charges traversent par effet tunnel indirect (ou effet Folder-Nordheim). Dans ce second cas, le diélectrique de contrôle devra être sensiblement plus épais que le diélectrique tunnel û typiquement, la différence d'épaisseur sera de l'ordre d'un facteur 3 ou plus. Les substrats peuvent être composés de tout type de matériau semi-conducteur comme du silicium, du germanium, des composés III-V (GaAs, InP...) ou des alliages de ces matériaux. Les deux substrats peuvent être de type différent. L'un ou l'autre des substrats peut également être une structure composite telle qu'un SeOI : il est alors au moins partiellement composé de matériaux conducteurs et/ou isolants. De manière générale, la couche de la structure qui sera en contact avec le diélectrique tunnel sera préférentiellement un semi-conducteur. De même, la couche de la structure qui sera en contact avec le diélectrique de contrôle sera préférentiellement un semi-conducteur ou un conducteur (métal ou semi-conducteur très fortement dopé). Ainsi, on peut implanter une forte dose de dopants sous la couche de diélectrique de contrôle. On pourra se référer à cet égard à l'exemple 3 décrit plus bas, et à la figure 5. On va maintenant décrire les différentes étapes du procédé. Formation du diélectrique tunnel Le matériau du diélectrique tunnel est choisi parmi les matériaux suivants : SiO2, 3o SiO2_XNX (0 Ainsi, pour les diélectriques déposés, toute technique de passivation d'interface, bien connue de l'homme du métier, pourra être employée. En particulier, on peut envisager une oxydation thermique sèche, un dépôt CVD (Chemical Vapor Deposition) ou ALD (Atomic Layer Deposition), ou encore une combinaison de ces techniques ou de traitements thermiques destinés à faire interagir plusieurs couches. L'épaisseur du diélectrique ainsi formé est comprise entre 1,5 et 25 nm. Formation du diélectrique de contrôle Le matériau du diélectrique de contrôle est choisi parmi les matériaux suivants : SiO2, SiO2_XNX (0 Selon une variante de l'invention, illustrée à la figure 2B, il est possible de ne former qu'une couche isolante 60 à la surface de l'un des substrats (typiquement, le substrat donneur dont est issue la couche mince 11) afin de former la couche de piégeage 30 à l'interface entre la couche isolante 60 et le substrat receveur 20 sur lequel la couche isolante 60 est collée. Dans ce cas, il n'y a plus lieu d'établir une distinction entre diélectrique tunnel et de contrôle . Les étapes qui suivent sont applicables dans ce cas. Le procédé de traitement s'applique alors à la surface du substrat receveur 20 et/ou à la surface de la couche isolante 60. Dans ce cas, de façon préférée le traitement est effectué à la surface de la couche isolante. Formation des défauts D'une manière générale, on génère des défauts électriquement actifs, par exemple des atomes capables de capturer, et dans une certaine mesure de retenir, des porteurs de charge (électrons ou trous). Différents procédés peuvent être utilisées pour former ce type de défauts à la surface de l'un ou l'autre des diélectriques. Selon une première technique, on forme les défauts de surface par application d'un plasma de préférence sur le diélectrique de contrôle. Le plasma permet d'incorporer des espèces atomiques dans le matériau qui le subit. L'incorporation se fait comme dans le cas d'une implantation à faible énergie avec éventuellement en plus, une réaction chimique entre les composants du plasma et le matériau. 2919427 Il Le matériau subissant un bombardement ionique, sa structure peut être endommagée ou modifiée sur une très faible épaisseur (3 à 6 nm en général dans les conditions présentées ici). Les défauts générés peuvent généralement être guéris par la suite par l'application d'un traitement thermique à une température suffisante. 5 Le traitement plasma est appliqué préférentiellement au diélectrique de contrôle car, s'il est appliqué à un diélectrique tunnel très fin, le traitement plasma risque de modifier son épaisseur, ce que l'on souhaite éviter pour ne pas affecter ses caractéristiques. Différents types de plasmas peuvent être utilisés à cet effet, comme un plasma 10 oxygène, argon, l'azote ou encore avec du chlore, du fluor. La puissance, la pression et la durée d'exposition au plasma seront adaptées en fonction de la taille des défauts souhaitée mais aussi en fonction du type de plasma utilisé. Toutefois, le plasma ne peut être utilisé comme technique de création de défauts que dans certains cas. En effet, si à la fin du procédé de fabrication, tous les effets du 15 plasma ont été supprimés, cela signifie qu'il n'a pas permis de créer des défauts. Typiquement, une activation par un plasma 02 ou Ar d'une couche de SiO2 ou de Si, suivie d'un recuit (pouvant être le recuit de renforcement du collage) à une température de 950 C, ne laissera pas de défauts électriquement actifs dans la couche isolante. 20 La génération de défauts la plus efficace sera obtenue avec des plasmas contenant des éléments dont la présence génère des défauts et qui diffusent peu dans le diélectrique, tels que l'azote. Ainsi, un plasma azote transforme la surface d'un oxyde en une couche superficielle de nitrure qui est électriquement active. 25 Un autre moyen de générer des défauts est de contaminer la surface de la couche traitée. Ainsi, un traitement thermique réalisé dans un four contenant un certain taux de contaminants engendre des défauts de surface. Une autre technique consiste à contaminer la surface du diélectrique par un procédé d'enduction centrifuge (ou spin coating selon la terminologie anglo-saxonne). Le 30 principe de ce procédé est d'étaler à l'aide de forces centrifuges une petite quantité de contaminants sur un substrat. Les contaminants choisis sont des éléments que l'on peut mettre en solution, par exemple du germanium ou des dopants, mais aussi des ions ou des métaux. Parmi les dopants, on choisira les dopants habituels des semiconducteurs, à savoir B, As, P, Sb, ln, Ga et, de manière générale, les éléments des colonnes III, IV et V du tableau périodique des éléments. Les ions peuvent être choisis parmi K+, Na+ ou CL Les métaux seront choisis parmi l'aluminium et le fer. On choisira préférentiellement des éléments susceptibles de ségréguer à l'interface de collage ou qui ont un faible coefficient de diffusion dans le diélectrique. L'enduction centrifuge peut comporter les étapes successives suivantes : - dépôt de contaminant en solution sur le diélectrique, - répartition du contaminant sur la totalité de la surface du diélectrique par mise en rotation, -augmentation de la vitesse de rotation afin d'éliminer le surplus de contaminant, - rotation à vitesse constante afin d'établir l'épaisseur de contaminant - rotation pendant une durée déterminée pour permettre l'évaporation du solvant. Activation des surfaces avant collage Les couches de diélectriques étant très fines, les surfaces sont de préférence activées avant leur mise en contact. De manière particulièrement avantageuse, on utilisera une activation par plasma. En effet, on est en présence de diélectriques minces et on a intérêt à garder des traitements thermiques faibles pour éviter la diffusion d'éventuels contaminants. Par conséquent, même si on n'utilise pas de plasma pour créer des défauts, on pourra y recourir pour faciliter le collage. Il est donc possible de combiner une activation par plasma avec l'une des techniques de contamination décrites plus haut. Tout plasma permettant le collage, tel qu'un plasma oxygène, azote, argon, hélium ou une combinaison de ceux-ci, peut être utilisé à cet effet. Dans le cas du tunnel direct, on active préférentiellement le diélectrique de contrôle, afin de ne pas modifier l'épaisseur du diélectrique tunnel. Dans le cas du tunnel indirect ou Fowler- Nordheim, où les diélectriques sont plus épais, on peut activer l'un, l'autre voire les deux diélectriques. Collage des plaques et création des pièges de porteurs Les substrats sont mis en contact en vue d'un collage par adhésion moléculaire. A cet effet, on effectue préalablement au collage une préparation des surfaces : on applique ainsi des nettoyages, brossages et rinçages adéquats afin d'obtenir un bon état de surface des substrats. En mettant en contact les deux substrats selon une interface présentant des défauts électriquement actifs, on enferme ces défauts entre les deux substrats, ce qui forme une couche de piégeage contenant des pièges électriquement actifs. La présence de défauts au niveau de l'interface de collage permet de piéger ou libérer des porteurs de charges, créant ainsi un effet mémoire. En effet, les défauts isolés peuvent créer un état unique dans la bande interdite de l'isolant. Physiquement, cet état peut être dû à une liaison pendante ou bien à un atome qui a fortement intérêt, d'un point de vue énergétique, à récupérer un électron supplémentaire (piège d'électron) ou au contraire à fournir un électron (piège de trou). De façon optionnelle, un traitement thermique supplémentaire permet de renforcer l'interface de collage. Détachement d'une couche semi-conductrice Dans le cas où l'un des deux substrats (appelé substrat donneur) a été préalablement implanté en vue de transférer une fine couche vers l'autre substrat, on applique un traitement thermique qui permet ce transfert. Si le substrat donneur comporte une zone poreuse, l'application de forces mécaniques permet le détachement et le transfert vers l'autre substrat. Enfin, de façon optionnelle, un traitement de finition peut être appliqué afin de lisser la couche semi-conductrice ainsi transférée.30 On va maintenant décrire plusieurs exemples de mise en oeuvre de l'invention. Les exemples exposés ci-dessous se limitent à des structures de type SeOI obtenues par la technologie Smart CutTM, mais il va de soi que tout autre procédé mettant en oeuvre un collage moléculaire est envisageable. Exemple 1 û SOI simple û Contamination par traitement thermique En référence à la figure 3A, on, forme à la surface d'un substrat donneur 10 une couche 40 de diélectrique tunnel de 2 nm d'épaisseur, puis on effectue une implantation à travers la couche 40 pour former une zone de fragilisation dans le substrat donneur 10, de manière à définir une couche mince 11. En référence à la figure 3B, on place un substrat support (ou substrat receveur) 20 présentant à sa surface une couche 50 de diélectrique de contrôle en SiO2 de l'ordre de 5 nm, dans un four habituellement utilisé pour des plaques comprenant du germanium. Le four est donc contaminé par des atomes de germanium. En référence à la figure 3C, on soumet le substrat support 20 à un traitement thermique de l'ordre de 600 C, pendant environ 1 heure, sous argon. La concentration en contaminants 31 à la surface du diélectrique decontrôle 50 est de l'ordre de 1013 à 1014 cm-2. On active ensuite la surface du diélectrique de contrôle 50 au moyen d'un 20 traitement plasma sous argon, appliqué avec une puissance de 150 W et une pression de 150 mTorr pendant 20 secondes. En référence à la figure 3D, on colle le substrat donneur 10 sur le substrat support 20 par l'intermédiaire des couches diélectriques 40 et 50, ce qui permet de former, à l'interface de collage, une couche de piégeage 30. L'ensemble des couches 25 diélectriques 40 et 50 forme la couche isolante enterrée 60 de la structure SeOl. En référence à la figure 3E, on détache la couche mince 11 du substrat donneur 10 par l'application d'un traitement thermique de l'ordre de 500 C. Un recuit de stabilisation permet ensuite de renforcer l'interface de collage. Enfin, de façon optionnelle, un traitement de finition peut être appliqué afin de 30 lisser la couche mince 11 ainsi transférée. Exemple 2 û Double SOI û Contamination par enduction centrifuge En référence à la figure 4A, on implante un substrat donneur 10 de manière à créer une zone de fragilisation définissant une couche mince 11. On forme à la surface de celle-ci une couche 50 de diélectrique de contrôle de 7 nm d'épaisseur. On effectue sur le diélectrique de contrôle un traitement plasma 02 à 250 W, 150 mTorr pendant 15 secondes. Par ailleurs, en référence à la figure 4B, on forme un substrat support 20 de type SeOI comprenant un substrat 23, une couche 22 d'oxyde enterré de 145 nm d'épaisseur et une couche mince 21 semiconductrice. Sur ce substrat, on forme une couche 40 de diélectrique tunnel. En référence à la figure 4C, on contamine par enduction centrifuge ou spin coating la surface du diélectrique tunnel 40. Pour permettre le dépôt de contaminants de germanium, d'une concentration de l'ordre de 1015 atomes/cm2 par spin coating , il faut utiliser du germanium en solution aqueuse acidifiée à 0,01 mol/I (soit environ 0,7 g/I de contaminants germanium), la solution contenant près de 1% d'acide nitrique. La vitesse de rotation est de l'ordre de 3500 tr/min. On pourra à cet égard se référer à l'article de R. Hdlzl et al, Journal of The Electrochemical Society, 146 (6), 2245-2253 (1999). En référence à la figure 4D, on colle le substrat 10 sur le substrat 20. La suite du procédé ne diffère pas de celle de l'exemple précédent. Exemple 3 ù SOI simple ù Contamination par plasma Cette variante de réalisation peut être décrite en référence aux figures 3A à 3E. En référence à la figure 3A, un substrat 10 donneur présentant une couche 40 de diélectrique tunnel est implantée de manière à définir une couche mince. L'épaisseur du diélectrique tunnel est de 5 nm. En référence aux figures 3B et 3C, un deuxième substrat 20, ou substrat receveur, en silicium, comprend une couche 50 de diélectrique de contrôle en SiO2, formée par oxydation du substrat et présentant une épaisseur de l'ordre de 20 nm. De manière optionnelle, en référence à la figure 5, on implante des dopants dans le substrat receveur 20, sous la couche 50. La densité de dopant que l'on cherchera à atteindre sous la couche 50 est supérieure à 1017 cm-3, sur une épaisseur d'au moins quelques nanomètres. Cette couche 24 dopée sous le diélectrique de contrôle 50 est alors conductrice. On applique à ce substrat 20 un traitement plasma destiné, d'une part, à créer des défauts représentés par la référence 31, et, d'autre part, à activer la surface à coller. A cet effet, on utilise un plasma azote avec une puissance de 250 W, sous une pression de 50 mTorr, pendant 20 secondes. En référence à la figure 3D, on colle le premier et le deuxième substrat de sorte que les défauts 31 se trouvent à l'interface, de manière à former la couche de piégeage 30. La suite du procédé est similaire à celle de l'exemple 1. Parmi les applications de telles structures comprenant une couche de piégeage, on peut citer : Application n 1 : dispositifs et/ou circuits à tension de seuil aiustable pour des applications à faible consommation. Les transistors ou circuits sont en principe fabriqués dans la couche mince semiconductrice du SeOl. La conception des composants permet de charger et décharger les pièges présents dans le diélectrique par une opération spécialement prévue à cet effet, comme par exemple une forte polarisation du substrat ou d'une électrode située sous le BOX et la mise à la masse de la source et du drain des transistors. Lorsque le BOX est chargé, la tension de seuil du transistor est augmentée, le niveau de courant pour une tension de fonctionnement donnée est réduit (en particulier, le courant de fuite en mode statique, habituellement noté Ioff). Cette opération n'est pas très rapide mais est particulièrement adaptée dans les dispositifs qui ont une fonction de mise en veille ou stand-by , notamment typiquement toutes les applications portables.30 Application n 2 : Mémoires flash à double grille Afin de réduire la taille des mémoires de type flash , on fabrique des mémoires à double grille. Ainsi, on double la surface utile de la mémoire sans augmenter sa surface utile sur le silicium, ce qui augmente la densité d'intégration. En fonctionnant en mode double-grille, on renforce également le contrôle de la grille sur le courant. On obtient donc une meilleure maîtrise de la tension de seuil du dispositif par l'effet mémoire, ce qui procure des mémoires plus performantes. REVENDICATIONS 1. Procédé de fabrication d'une structure de type semi-conducteur sur isolant comprenant une couche semi-conductrice (11) d'un substrat donneur (10), une couche isolante (60) et un substrat receveur (20), le procédé comprenant le collage du substrat donneur (10) sur le substrat receveur (20), l'un au moins des substrats étant recouvert d'une couche isolante, caractérisé en ce qu'il comprend la formation à l'interface de collage d'une couche (30) dite de piégeage comprenant des pièges électriquement actifs aptes à retenir des porteurs de charges. 2. Procédé selon la revendication 1, caractérisé en ce que la couche de piégeage est formée à l'interface entre la couche isolante (60) recouvrant l'un des substrats, et l'autre substrat. 3. Procédé selon la revendication 1, caractérisé en ce que l'un des substrats est recouvert d'une première couche (40) de diélectrique et l'autre substrat est recouvert d'une deuxième couche (50) de diélectrique, de sorte que la couche isolante (60) est obtenue par collage des deux couches de diélectrique (40, 50), la couche de piégeage (30) étant formée à l'interface entre ces deux couches (40, 50). 4. Procédé selon la revendication 3, caractérisé en ce que l'épaisseur de la première couche (40) de diélectrique, dit diélectrique tunnel , est comprise entre 1,5 et 25 nm et en ce que l'épaisseur de la deuxième couche (50) de diélectrique, dit diélectrique de contrôle , est comprise entre 4 et 50 nm. 5. Procédé selon l'une des revendications 1 à 4, caractérisé en ce qu'il comprend, avant le collage, la formation de défauts (31) électriquement actifs à la surface d'au moins l'une des couches situées à l'interface. 30 6. Procédé selon la revendication 5, caractérisé en ce que la formation desdits défauts (31) est obtenue par un traitement plasma.25 7. Procédé selon la revendication 6 combinée avec la revendication 4, caractérisé en ce que ledit traitement plasma est appliqué sur la couche (50) de diélectrique de contrôle. 8. Procédé selon l'une des revendications 6 ou 7, caractérisé en ce que le plasma comprend de l'oxygène, de l'argon, de l'azote, du chlore, ou du fluor. 9. Procédé selon la revendication 5, caractérisé en ce que lesdits défauts (31) sont 10 obtenus par un traitement apte à déposer des contaminants à la surface d'au moins l'une des couches situées à l'interface. 10. Procédé selon la revendication 9, caractérisé en ce que le traitement est un traitement thermique dans un environnement contenant lesdits contaminants. 11. Procédé selon la revendication 10, caractérisé en ce que les contaminants sont des atomes de germanium. 12. Procédé selon la revendication 9, caractérisé en ce que ledit traitement est une 20 enduction centrifuge d'une solution contenant lesdits contaminants. 13. Procédé selon la revendication 12, caractérisé en ce que les contaminants sont du germanium, des dopants choisis parmi les éléments des colonnes III, IV ou V, des ions choisis parmi K+, Na+, Cl- ou des métaux choisis parmi le fer et l'aluminium. 14. Procédé selon l'une des revendications 1 à 13, caractérisé en ce que le collage est un collage par adhésion moléculaire. 15. Procédé selon la revendication 14, caractérisé en ce qu'avant le collage, on 30 active par plasma au moins l'une des couches de l'interface. 15 25 16. Procédé selon l'une des revendications 1 à 15, caractérisé en ce qu'il comprend, avant, avant le collage, la formation d'une zone de fragilisation dans le substrat donneur (10) de manière à définir une couche semiconductrice (11) et, après le collage, un détachement selon la zone de fragilisation de manière à transférer la couche semiconductrice (11) vers le substrat receveur (20). 17. Procédé selon la revendication 5 combinée avec la revendication 4, caractérisé en ce que le substrat receveur (20) est recouvert de la couche (50) de diélectrique de contrôle et en ce qu'avant le collage, on implante dans le substrat receveur (20), sous ladite couche (50), des dopants présentant une densité supérieure à 10" cm-3 de manière à former une couche (24) dopée conductrice sous la couche (50) de diélectrique de contrôle. 18. Structure de type semi-conducteur sur isolant comprenant une couche semi- conductrice (11) d'un substrat donneur (10), une couche isolante (60) et un substrat receveur (20), caractérisée en ce qu'elle comprend une couche (30) dite de piégeage dans la couche isolante (60) ou à l'interface entre la couche isolante (60) et l'un des substrats, la couche de piégeage comprenant des pièges électriquement actifs aptes à retenir des porteurs de charges. 19. Structure selon la revendication 18, caractérisée en ce que la couche isolante comprend une première couche (40) de diélectrique et une deuxième couche (50) de diélectrique, la couche (30) de piégeage étant située à l'interface entre les deux couches (40, 50) de diélectrique. 20. Structure selon la revendication 19, caractérisée en ce que l'épaisseur de la première couche (40) de diélectrique, dit diélectrique tunnel , est comprise entre 1,5 et 25 nm et en ce que l'épaisseur de la deuxième couche (50) de diélectrique, dit diélectrique de contrôle , est comprise entre 4 et 50 nm. 30 21. Structure selon la revendication 20, caractérisée en ce que le substrat receveur (20) est recouvert de la couche (50) de diélectrique de contrôle, ledit substrat (20) étant un substrat composite comprenant un substrat support (23), une couche d'oxyde (22) et une couche conductrice ou semi-conductrice (21) située sous la couche (50) de diélectrique de contrôle. 22. Structure selon l'une des revendications 19 à 21, caractérisée en ce que les première et deuxième couches (40, 50) de diélectrique sont dans des matériaux choisis parmi SiO2, SiO2_XNX (0 23. Structure selon l'une des revendications 18 à 22, caractérisée en ce que la couche (30) de piégeage comprend des contaminants choisis parmi l'azote, le germanium, des dopants choisis parmi les éléments des colonnes III, IV ou V, des ions choisis parmi K+, Na+, Cl- ou des métaux choisis parmi le fer et l'aluminium. 24. Structure selon la revendication 23, caractérisée en ce que la couche (30) de 20 piégeage comprend une concentration en contaminants comprise entre 1013 et 1015 atomes/cm2.