FR 2912938 A1 20080829 FR 0753451 A 20070223 PROCEDE DE PREPARATION D'UN MATERIAU STRUCTURE PAR TRAITEMENT ELECTROMAGNETIQUE ET/OU PHOTONIQUE DESCRIPTION DOMAINE TECHNIQUE L'invention a trait à un procédé de 5 préparation d'un matériau structuré par traitement électromagnétique et/ou photonique. En particulier, l'invention a trait à un procédé de préparation d'un matériau diélectrique à porosité structurée et à faible permittivité, c'est-à- 10 dire présentant généralement une constante diélectrique k inférieure à 3,9, et plus particulièrement d'un matériau à très faible permittivité, connu sous les appellations anglaises ultra low-k (2,2 Pour obtenir une porosité plus ordonnée que les matériaux obtenus avec un composé porogène du type polymère décrits ci-dessus, Grosso et al. (J.Mater.Chem, 10 (2000), 2085) qui propose de préparer un matériau diélectrique poreux : - par dépôt sur un substrat en silicium par trempage-retrait d'une couche de solution obtenue par mélange d'une solution éthanolique contenant un précurseur à base de silicium : le tétraéthoxysilane, et un composé tensio-actif ; - par traitement thermique de la couche déposée de façon à obtenir une réticulation de celle-ci en silice et une élimination du composé tensio-actif. L'avantage de ce procédé est de permettre l'obtention par voie solution d'une couche de matériau diélectrique poreux présentant une certaine périodicité. Toutefois, ce procédé ne peut pas s'intégrer dans un procédé d'intégration microélectronique. En effet, en microélectronique, les procédés en solution ne sont pas utiles, car ils engendrent des problèmes d'adhérence, de tenue mécanique et de budget thermique. Il existe donc un véritable besoin pour un procédé de préparation qui permette l'obtention d'un matériau structuré présentant une périodicité de ses propriétés. En particulier, il existe un véritable besoin pour un matériau diélectrique poreux présentant une porosité structurée, homogène, présentant, de ce fait, une tenue mécanique plus importante que celle des matériaux obtenus avec les procédés de l'art antérieur et qui puissent conserver leur intégrité physique lors de traitements ultérieurs, tels qu'un polissage chimico-mécanique. EXPOSÉ DE L'INVENTION La présente invention a donc pour objet un procédé de fabrication d'un matériau structuré comprenant : a) le dépôt sur un substrat d'une couche composite, comprenant un matériau formant une matrice et un composé comprenant des groupes chimiques aptes à s'orienter sous l'effet d'un champ électromagnétique et/ou d'un rayonnement photonique ; b) le traitement de la couche composite pour obtenir la réticulation du matériau formant une matrice ; ledit procédé comprenant, en outre, une étape c) consistant à soumettre ledit substrat revêtu de ladite couche composite à un champ électromagnétique et/ou un rayonnement photonique, cette étape étant réalisée avant et/ou simultanément à l'étape b). Ainsi, le caractère innovant de ce procédé de l'invention réside essentiellement dans l'étape c), du fait que cette étape va contribuer à favoriser un alignement des molécules de composés, qui auront pour aptitude de s'agencer suivant une direction privilégiée selon la perturbation appliquée, grâce à la nature des groupes chimiques spécifiques portées par ces composés. Ces composés alignés selon une direction privilégiée vont contribuer à conférer au matériau une périodicité des propriétés inhérentes à la nature de ces composés. Conformément à l'invention, l'étape de mise en contact du substrat revêtu de la couche avec un champ électromagnétique et/ou un rayonnement photonique peut être réalisé de différentes façons. 5 Ainsi, cette étape c) peut se dérouler avant l'étape b), c'est-à-dire, par exemple, soit simultanément à l'étape a) de dépôt, soit une fois que l'étape de dépôt a) est achevée, sachant qu'il est préférable de mettre en oeuvre cette étape c) simultanément à l'étape de dépôt a). En effet, dans ce dernier cas, le champ électromagnétique et/ou le rayonnement photonique permettront un alignement des molécules de composés dès le dépôt de ceux-ci sur le substrat et un agencement préférentiel de ceux-ci sur toute l'épaisseur de la couche déposée. En variante, cette étape c) peut se dérouler simultanément à l'étape b). Enfin, il est également envisageable de 15 mettre en oeuvre l'étape c) à la fois avant l'étape b) et simultanément à cette étape. Quelle que soit l'alternative retenue quant au déroulement temporel de l'étape c), le champ électromagnétique appliqué est, avantageusement, selon 20 l'invention, une tension électrique appliquée directement au substrat revêtu de la couche. De manière préférentielle, la tension électrique est une tension continue, de façon à ce que les molécules de composé s'agencent selon une phase donnée de la même façon 25 irréversible, c'est-à-dire toujours selon la même direction imposée par le champ électrique. La tension électrique, de préférence continue, peut être comprise entre 1 V et 100 V. Il peut être envisageable, selon la nature du composé utilisé, de faire évoluer la tension 30 par palier de 1 V jusqu'à trouver un point de fonctionnement. Le point de fonctionnement correspond à la tension, pour laquelle les molécules de composés s'agencent de façon invariable. Le rayonnement photonique peut être quant à lui, un rayonnement ultraviolet. Selon la nature des groupes chimiques du composé apte à s'orienter sous l'influence du rayonnement UV, il sera opportun de régler : - la longueur d'onde du rayonnement ultraviolet, de façon à ce que les groupes appropriés puissent absorber ce rayonnement et s'orienter une fois l'absorption réalisée ; -l'intensité du rayonnement de façon à ce qu'elle s'accorde avec le spectre d'absorption des groupes appropriés du composé. L'intensité du rayonnement peut varier, par exemple, entre 1 et 5 eV. Il peut être envisageable, en fonction des groupes photosensibles présents sur le composé, de faire varier graduellement la longueur d'onde de la source UV afin de trouver un point de fonctionnement. Le procédé de l'invention peut s'appliquer tout particulièrement à la préparation d'un matériau diélectrique poreux, auquel cas le matériau formant une matrice sera un matériau diélectrique et le composé comprenant des groupes chimiques aptes à s'orienter sous l'effet d'un champ électromagnétique et/ou d'un rayonnement photonique sera un composé porogène décomposable. Dans ce cas, le procédé comprendra, en outre, une étape d) consistant à traiter la couche composite pour obtenir une décomposition du composé porogène et ainsi son extraction. Les pores résultant de l'élimination de ces composés porogènes seront donc orientés, de façon homogène, et selon une direction privilégiée, du fait qu'ils héritent de la place des molécules de composés homogènes après élimination de celles-ci. Dans ce cas de figure, l'étape c) consistant à soumettre ledit substrat revêtu de ladite couche à un champ électromagnétique et/ou un rayonnement photonique pourra être réalisée avant et/ou simultanément aux étapes b) et/ou d). Ainsi, cette étape c) peut se dérouler avant les étapes b) et/ou d), c'est-à-dire, par exemple, soit simultanément à l'étape a) de dépôt, soit une fois que l'étape de dépôt a) est achevée, sachant qu'il est préférable de mettre en oeuvre cette étape c) simultanément à l'étape de dépôt a). En effet, dans ce dernier cas, le champ électromagnétique et/ou le rayonnement photonique permettront un alignement des molécules de composés porogènes dès le dépôt de ceux-ci sur le substrat et un agencement préférentiel de ceux-ci sur toute l'épaisseur de la couche déposée. En variante, cette étape c) peut se dérouler simultanément aux étapes b) et/ou d). Enfin, il est également envisageable de mettre en oeuvre l'étape c) à la fois avant les étapes de traitement b) et/ou d) et simultanément à ces étapes.30 Conformément à l'invention, le matériau diélectrique formant la matrice peut être tout matériau, de préférence à base de silicium, connu pour présenter des propriétés diélectriques. Il peut s'agir notamment d'un polymère comprenant des motifs siliciés, par exemple de la famille des polysilsesquioxanes comme un poly(méthylsilsesquioxane) (connu sous l'abréviation MSQ) ou un poly(hydrosilsesquioxane) ou un mélange de ceux-ci. Il peut s'agir également d'un matériau silicié non polymérique comme, par exemple un matériau à base de silicium, comme Si, SiO2, SiOC, SiOF ou une silice modifiée. Le dépôt peut être réalisé par des techniques en voie solution, tel que la technique d'enduction centrifuge (correspondant à la terminologie anglaise spin-coating ). Cette technique de dépôt est particulièrement adaptée notamment lorsque le matériau destiné à composer la matrice est un polymère comportant des motifs siliciés tels que ceux définis ci-dessus, et en particulier pour le MSQ. Dans ce cas, le polymère et le composé sont préalablement dissous dans un solvant organique, par exemple, du type acétone, cyclohexanone, tétrahydrofuranne, méthyléthylcétone, isopropanol, lactate d'éthyle ou éther monométhylique du propylène glycol (PGMEA). Avantageusement, le dépôt peut être réalisé par dépôt chimique en phase vapeur, plus précisément par dépôt chimique en phase vapeur assisté par plasma (connu sous l'abréviation PECVD pour Plasma Enhanced Chemical Vapour Deposition ). Cette technique est particulièrement adaptée lorsque le matériau formant matrice est un matériau du type SiO2, SiOC ou SiOF. Dans le cas d'un dépôt par PECVD, une source de matériau diélectrique destiné à former la matrice et une source de composé sont conjointement ou successivement injectées sous forme de vapeur dans l'enceinte d'un réacteur plasma. Dans le cas de précurseurs se présentant sous forme liquide, ceux-ci sont portés préalablement à une température supérieure à leur température d'ébullition. Dans ce type de technique, les sources peuvent être dédoublées, c'est-à-dire qu'il peut être utilisé plusieurs sources de matériau diélectrique et éventuellement plusieurs sources de composés porogènes. Une fois les sources injectées, on applique une tension sous forme de différence de potentiel, généralement entre deux électrodes parallèles placées dans une enceinte sous vide, de façon à engendrer une décharge plasma. On précise que, par plasma, on entend un milieu gazeux constitué d'électrons libres, d'ions et d'atomes ou de molécules neutres, ces particules étant en proportions telles que le milieu soit macroscopiquement neutre du point de vue électrique. La source initiatrice de plasma peut être, par exemple, une tension radio-fréquence. L'état plasma permet notamment, selon la puissance électromagnétique injectée, de conserver ou fragmenter les molécules des précurseurs injectés. Un substrat, par exemple, en silicium, relié à l'une des électrodes, sert de substrat de dépôt. Le fait que ce substrat soit relié à une électrode permet d'imposer une température à ce substrat, de façon à faciliter le dépôt sur le substrat, cette température pouvant aller de la température ambiante à une température de 500 C. Il peut être envisageable d'augmenter la température par palier de 25 C. Sous l'effet de la gravitation et de la diffusion des espèces dans le plasma, les molécules provenant du précurseur de la matrice et du composé vont conjointement s'adsorber sur la surface du substrat et faire donc croître le dépôt. Selon l'invention, le composé porogène déposé doit comporter des groupes aptes à s'orienter sous l'effet du champ électromagnétique et/ou d'un rayonnement photonique et, qui plus est, doit pouvoir être décomposé au cours de l'étape d). Par décomposable, on entend un composé susceptible de perdre son intégrité physique sous l'effet d'une perturbation, par exemple thermique, et qui peut se décomposer en substances volatiles, facilitant ainsi son extraction. Ce composé porogène peut être avantageusement décomposé au cours de l'étape d) par traitement thermique en le chauffant à une température supérieure ou égale à sa température de décomposition, ceci ayant pour effet de volatiliser et extraire les molécules de composé porogène et permettre la formation de pores au sein du matériau diélectrique formant matrice. La température égale ou supérieure à la température de décomposition du composé porogène peut être obtenu en portant le substrat à la température appropriée, le substrat faisant office de plaque chauffante, ce chauffage pouvant avoir lieu soit dans le réacteur de dépôt, soit dans un four indépendant du réacteur de dépôt. L'homme du métier pourra atteindre une telle température, par exemple, par palier de 25 C. Outre un chauffage sur plaque chauffante, la décomposition thermique du composé porogène peut être obtenue par exposition à une radiation, une énergie mécanique ou par irradiation par particules. Outre la décomposition thermique, le traitement de l'étape d) peut être envisagé par extraction par solvant (par exemple par CO2 supercritique) ou par gravure chimique (par exemple, par plasma d'hydrogène). Le composé porogène ainsi décomposé diffuse à l'extérieur du matériau diélectrique formant matrice ou diffuse à l'intérieur du matériau diélectrique, formant dans les deux cas des zones non occupées, vides, appelées pores, qui permettent de réduire la permittivité du matériau diélectrique formant matrice. Avantageusement, le rapport molaire (composé porogène/matrice diélectrique) est inférieur ou égal à 0,5. Avantageusement, le composé porogène est un polymère. Ainsi, en se décomposant, il pourra engendrer des pores de structure tubulaire, du fait de l'espace vacant laissé par les chaînes polymériques. Comme mentionné précédemment, le composé porogène comporte des groupes aptes à s'orienter sous l'effet d'un champ électromagnétique, en particulier d'un champ électrique, ou d'un rayonnement photonique. Des groupes susceptibles de s'orienter sous l'effet d'un champ électromagnétique peuvent être des groupes polaires pouvant être choisis parmi les groupes - OH (en particulier, -SiOH), -CN, les groupes hétérocycliques, -CO2H, esters, -SiC, -SiF, -SiNH, -CF, - NH, -F. Ainsi, le composé porogène peut être avantageusement un polymère obtenu par polymérisation d'au moins un monomère éthylénique comportant un groupe polaire choisi parmi : a) les monomères éthyléniques comportant un ou plusieurs groupes -CO2H et leurs esters et les monomères éthyléniques comportant un ou plusieurs groupes CN, tels que : - les (méth)acryliques, éventuellement substitués, comme l'acide acrylique, l'acide méthacrylique ou l'acide crotonique ; - les (méth)acrylates d'alkyles et d'alkylènes comme les (méth)acrylates de méthyle, d'éthyle, de propyle, de butyle, d'octyle, de 2-éthylhexyle, de cyclohexyle ou de 2-hexène, et leurs dérivés obtenus par substitution desdits alkyles et alkylènes comme les (méth)acrylates de méthoxyéthyle, d'éthoxyéthyle, d'éthoxypropyle, d'hexafluoroisopropyle, de 2-hydroxyéthyle, de 2- ou 3-hydroxypropyle, de 2,3-dihydroxypropyle, de polyéthoxyéthyle ou de polyéthoxy- propyle ; les (méth)acrylates d'aryles tels que les (méth)acrylates de phényle ou de benzyle, et leurs dérivés obtenus par substitution desdits aryles ; - les (méth) acrylates et di (méth) acrylates de poly(éthylène glycol) ou de poly(propylène glycol) ; les (méth)acrylamides et leurs dérivés N-substitués comme le N-méthylacrylamide, le N,N-diméthylacrylamide, le N,N-diméthylméthacrylamide, l'acide 2-acrylamido-2-méthyl-1-propanesulfonique, le N-[3-(diméthylamino)propyl]acrylamide ou le 2-(N,N-diéthyl-amino) éthylméthacrylamide ; - les acides dicarboxyliques insaturés comme l'acide maléique, l'acide fumarique ou l'acide itaconique, et leurs esters comme le maléate de diméthyle, le fumarate de diméthyle ou le fumarate de diéthyle ; - les monomères nitrilés comme l'acrylonitrile ; b) les monomères éthyléniques comportant un groupe hétérocyclique tels qu'un cycle pyridine (par exemple, la 2-vinylpyridine, la 4-vinylpyridine, la 2-méthyl-5-vinylpyridine, la 4-méthyl-5-vinylpyridine ou la N-méthyl-4-vinylpyridine), un cycle pipéridine (par exemple, la N-méthyl-4-vinylpipéridine), un cycle imidazole (par exemple, le 2-méthyl-1-vinylimidazole), un cycle pyrrolidone (par exemple, la N-vinylpyrrolidone) ou encore un cycle pyrroledione (par exemple, le maléimide) ; c) les monomères éthyléniques comportant un groupe -0-00-R avec R représentant un groupe alkyle (par exemple, l'acétate de vinyle ou le propionate de vinyle), ou un groupe aryle (par exemple, le benzoate de vinyle) ; d) les monomères éthyléniques comportant un groupe -OR, connus sous la terminologie de vinyléthers, avec R représentant un groupe alkyle (par exemple, le méthylvinyléther), ledit groupe pouvant comporter un ou plusieurs atomes d'oxygène (par exemple, l'éthoxyéthylvinyléther) ou un ou plusieurs groupes amino (par exemple, le diméthylaminoéthylvinyléther) ; et e) les monomères éthyléniques comprenant un groupe -C(0)R avec R représentant un groupe alkyle (par exemple, la vinylméthylcétone et éventuellement d'un ou plusieurs monomères choisis parmi . - les monomères éthyléniques comportant un groupe aromatique exclusivement hydrocarboné tels que le styrène ou l'a-méthylstyrène ; - les monomères éthyléniques exclusivement hydrocarbonés comme le 1-hexène, le norbornène ou 15 l'acénaphtylène. En particulier, des polymères susceptibles de constituer des composés porogènes aptes à s'orienter sous l'effet d'un champ électromagnétique, sont des copolymères (acrylonitrile/butadiène), des copolymères 20 (styrène/acrylonitrile), des polyvinylpyrrolidines, des cyclodextrines. Des groupes susceptibles de s'orienter sous l'effet d'un rayonnement photonique peuvent être des groupes azo -N=N-. 25 Des composés porogènes répondant à ce critère sont des polymères linéaires obtenus par photopolymérisation de monomères tels que les azobenzènes ou des polymères réticulés obtenus par photopolymérisation de prépolymères comportant des 30 groupes susceptibles de se réticuler (dit groupe de réticulation) et des monomères, oligomère ou polymères 10 comportant des groupes aptes à réagir des groupes de réticulation, le polymère résultant comportant des groupes photoorientables. Selon l'invention, l'étape b) et l'étape d) peuvent être mises en oeuvre simultanément. L'étape de traitement b) destinée à engendrer la réticulation du matériau diélectrique formant matrice consiste généralement en un chauffage du substrat à une température efficace pour engendrer la réticulation. On précise que, par réticulation, on entend une réaction engendrant un branchement des chaînes de la matrice entre elles par des ponts ou liaisons chimiques, afin de constituer un réseau présentant des propriétés physico-chimiques, telles que la rigidité, supérieures à la couche de matériau initialement déposée. L'étape d) est réalisée avantageusement par chauffage à une température efficace pour obtenir une décomposition du composé porogène. Dans le cas où cette étape b) est mise en oeuvre simultanément à l'étape d), le chauffage permettra de décomposer, de façon concomitante, le composé porogène. Les moyens de chauffage pour réticuler le matériau diélectrique peuvent être similaires à ceux décrits plus haut pour la décomposition du composé porogène. Cette étape de chauffage du matériau diélectrique formant matrice en vue de le réticuler, peut être qualifié de recuit , ce recuit pouvant être assisté par un rayonnement ultra-violet, un faisceau d'électrons. L'étape b) et l'étape d) doivent être réalisées à une température efficace, ces températures efficaces pouvant être déterminées aisément, de façon à obtenir le but voulu, à savoir la réticulation et/ou la décomposition du composé porogène. En particulier, les températures seront choisies, de façon à obtenir un matériau stabilisé répondant, avantageusement, aux critères suivants : - un bon vieillissement ; - une reprise d'humidité inférieure à 1% (déterminée par pesage) ; - une constante diélectrique stable (écart inférieur à 0,05) ; - une bonne tenue mécanique, le film ne devant ni délaminer ni craqueler lors d'une étape de polissage mécano-chimique, tel qu'un polissage mécano-chimique avec une suspension à base de particules colloïdales de silice à pH basique (pH de l'ordre de 8) ; - une tenue thermique, le film devant être stable jusqu'à 450 C (perte en masse inférieure à 5%) ; - une inertie physico-chimique, les mesures ellipsométriques et de stress devant restées constantes, et ne présentant pas d'apparition de nouvelles liaisons adsorbées sur le spectre infrarouge au cours du temps. L'ensemble des étapes est réalisé avantageusement à une pression supérieure à 5 torrs.30 Ainsi, le procédé de l'invention peut permettre l'obtention matériau diélectrique à porosité structurée et à faible permittivité, c'est-à-dire présentant généralement une constante diélectrique k inférieure à 3,9, et plus particulièrement d'un matériau à très faible permittivité, connu sous les appellations anglaises ultra low-k (2,2 Une plaque de silicium est déposée sur un substrat chauffant. Sur cette plaque de silicium est déposée, par enduction centrifuge, une couche de SiOC (matériau formant une matrice) comprenant un composé porogène par injection : d'un composé organosilicié : le 25 tétraéthoxysilane, précurseur de la couche de SiOC ; - d'un composé porogène comprenant des groupements -OH, tel que le Bnj 30 selon une teneur de 10% molaire de composé porogène dans la solution comprenant les éléments de la matrice et le composé 30 porogène. 20 Une fois la couche déposée, une tension électrique de 3V pendant 30 minutes est appliquée au substrat revêtu de la couche, moyennant quoi les molécules du composé porogène s'orientent selon une direction donnée. Enfin, le substrat revêtu de la couche est soumis à un chauffage à une température de 450 C pendant 1 heure, moyennant quoi le composé porogène est éliminé et le composé organosilicié est réticulé. On obtient ainsi une couche diélectrique présentant une porosité agencée régulièrement, et par conséquent une isotropie dans ses propriétés diélectrique. EXEMPLE 2 Une plaque de silicium est déposée sur un substrat chauffant. Sur cette plaque de silicium est déposée, par enduction centrifuge, une couche de SiOC (matériau formant une matrice) comprenant un composé porogène par injection : - d'un composé organosilicié correspondant à un mélange de 20% molaire de méthyltriméthoxysilane dans du tétraéthoxysilane précurseur de la couche de SiOC; - d'un composé porogène comprenant des groupes pendants du type -OH tel que F127 selon une teneur de 1% molaire de composé porogène dans la solution comprenant le composé organosilicié et le composé porogène. Enfin, le substrat revêtu de la couche est soumis à une tension électrique de 3V pendant 30 minutes puis à un chauffage à une température de 250 C pendant 30 minutes. L'application de tension, pendant l'étape de recuit, permet aux molécules de composé porogène de s'orienter. EXEMPLE 3 Une plaque de silicium est déposée sur un substrat chauffant. Sur cette plaque de silicium est déposée, par PECVD, une couche de SiOC (matériau formant une matrice) comprenant un composé porogène par injection : d'un composé organosilicié : le tétraéthoxysilane, précurseur de la couche de SiOC ; - d'un composé porogène comprenant des groupes photosensibles : un diaryléthène selon un rapport de débit de composé porogène par rapport au composé organosilicié de 2. Une fois la couche déposée, un rayonnement ultraviolet de 10 mW à une longueur d'onde de 325 nm est appliqué au substrat revêtu de la couche, moyennant quoi les molécules du composé porogène s'orientent selon une direction donnée. Enfin, le substrat revêtu de la couche est soumis à un chauffage à unetempérature de 425 C pendant 1 heure, moyennant quoi le composé porogène est éliminé et le composé organosilicié est réticulé. On obtient ainsi une couche diélectrique présentant une porosité agencée régulièrement, et par conséquent une anisotropie dans ses propriétés diélectriques. REVENDICATIONS 1. Procédé de fabrication d'un matériau structuré comprenant : a) le dépôt sur un substrat d'une couche composite, comprenant un matériau formant une matrice et un composé comprenant des groupes chimiques aptes à s'orienter sous l'effet d'un champ électromagnétique et/ou d'un rayonnement photonique ; b) le traitement de la couche composite pour obtenir la réticulation du matériau formant une matrice ; ledit procédé comprenant, en outre, une étape c) consistant à soumettre ledit substrat revêtu de ladite couche composite à un champ électromagnétique et/ou un rayonnement photonique, cette étape étant réalisée avant et/ou simultanément à l'étape b). 2. Procédé selon la revendication 1, dans lequel le champ électromagnétique est une tension électrique appliquée directement au substrat revêtu de la couche. 3. Procédé selon la revendication 2, dans lequel la tension électrique est comprise entre 1 V et 100 V. 4. Procédé selon la revendication 1, dans lequel le rayonnement photonique est un rayonnement ultraviolet. 5. Procédé selon l'une quelconque des revendications précédentes, dans lequel le matériauformant une matrice est un matériau diélectrique et le composé comprenant des groupes chimiques aptes à s'orienter sous l'effet d'un champ électromagnétique et/ou d'un rayonnement photonique est un composé porogène décomposable. 6. Procédé selon la revendication 5, comprenant, en outre, une étape d) consistant à traiter la couche composite pour obtenir une décomposition du composé porogène et ainsi son extraction. 7. Procédé selon la revendication 6, dans lequel l'étape c) consistant à soumettre ledit substrat revêtu de ladite couche à un champ électromagnétique et/ou un rayonnement photonique est réalisée avant et/ou simultanément aux étapes b) et/ou d). 8. Procédé selon l'une quelconque des revendications 5 à 7, dans lequel le matériau diélectrique formant une matrice est choisi parmi les polymères comprenant des motifs siliciés. 9. Procédé selon la revendication 8, dans lequel le matériau diélectrique formant une matrice est choisi parmi les polysilsesquioxanes et est, en particulier, un poly(méthylsilsesquioxane), un poly(hydrosilsesquioxane) ou un mélange de ceux-ci. 10. Procédé selon la revendication 8 ou la 30 revendication 9 dans lequel l'étape de dépôt a) est réalisée par enduction centrifuge. 11. Procédé selon l'une quelconque des revendications 5 à 7, dans lequel le matériau diélectrique formant une matrice est un matériau silicié non polymérique. 12. Procédé selon la revendication 11, dans le matériau est un matériau à base de silicium choisi parmi Si, SiO2, SiOC, SiOF. 13. Procédé selon la revendication 11 ou 12, dans lequel l'étape de dépôt est réalisée par dépôt chimique en phase vapeur assisté par plasma. 14. Procédé selon l'une quelconque des revendications 5 à 13, dans lequel le composé porogène est un polymère. 15. Procédé selon la revendication 14, dans 20 lequel le polymère résulte de la polymérisation d'au moins un monomère éthylénique comportant un groupe polaire choisi parmi : - les monomères éthyléniques comportant un ou plusieurs groupes -CO2H et leurs esters et les 25 monomères éthyléniques comportant un ou plusieurs groupes CN ; - les monomères éthyléniques comportant un groupe hétérocyclique; - les monomères éthyléniques comportant un 30 groupe -O-CO-R avec R représentant un groupe alkyle, ou un groupe aryle; 15 25 - les monomères éthyléniques comportant un groupe -OR avec R représentant un groupe alkyle, ledit groupe pouvant comporter un ou plusieurs atomes d'oxygène ou un ou plusieurs groupes amino; et - les monomères éthyléniques comprenant un groupe -C(0)R avec R représentant un groupe alkyle ; et éventuellement d'un ou plusieurs monomères choisis parmi . - les monomères éthyléniques comportant un groupe aromatique exclusivement hydrocarboné; - les monomères éthyléniques exclusivement hydrocarbonés. 16. Procédé selon l'une quelconque des revendications précédentes, dans lequel l'étape b) est réalisée par chauffage à une température efficace pour obtenir une réticulation du matériau diélectrique formant la matrice. 17. Procédé selon la revendication 6, dans lequel l'étape d) est réalisée par chauffage à une température efficace pour obtenir une décomposition du composé porogène. 18. Procédé selon la revendication 6, dans lequel l'étape b) et l'étape d) sont réalisées simultanément. 25