FR 2907285 A1 20080418 FR 0706429 A 20070913 CIRCUIT À TRANSISTORS MAGNÉTIQUES MUNI DE LA FONCTION OU-EXCLUSIF DOMAINE DE L'INVENTION La présente invention concerne un circuit à transistors muni de la fonction OU-10 Exclusif, et plus particulièrement, un circuit à transistors muni de la fonction OU-Exclusif configuré par plusieurs transistors magnétiques. ÉTAT DE L'ART 15 Le circuit OU- Exclusif est très important pour la réalisation de circuits intégrés. Le concepteur peut combiner ce circuit avec d'autres circuits logiques pour réaliser les fonctions souhaitées. La fonction logique OU-Exclusif (EXOR) est définie par : 20 Sortie=X.Y'+X'.Y La table de vérité de la fonction logique OU-Exclusif du système binaire selon un mode de réalisation de la présente invention est : Sortie Y=1 Y=0 X=1 0 1 X=0 1 Le circuit à transistors conventionnel muni de la fonction OU-Exclusif de la table ci-25 dessus a besoin d'un grand nombre de transistors de type CMOS. L'effet de magnétorésistance géante (MRG) est un phénomène de mécanique quantique observé dans des structures alternant des couches minces magnétiques et non magnétiques. L'effet de MRG est caractérisé par un changement important de résistance électrique, depuis un état de haute résistance à champ nul vers un état de 30 faible résistance à champ élevé selon l'application d'un champ externe. Ainsi, l'effet de MRG peut être employé pour la conception de transistors magnétiques. Ces transistors magnétiques peuvent être intégrés dans un circuit à 2907285 2 transistors magnétiques en s'affranchissant de procédés et équipements coûteux. Les circuits à transistors magnétiques peuvent être conçus et fabriqués dans un temps de développement court et à haute densité. Pour les raisons précédentes, il est utile de disposer de circuits intégrés à base de 5 transistors magnétiques munis de la fonction OU-Exclusif. RÉSUMÉ DE LA PRÉSENTE INVENTION Il est donc un objectif de la présente invention de fournir un dispositif de circuit à transistors muni de la fonction OU-Exclusif, réalisé par des transistors magnétiques. Selon un mode de réalisation de la présente invention, le circuit à transistors magnétiques comprend un premier et deuxième transistor magnétique (200, 230). Le premier transistor magnétique (200) comprend une première couche magnétique (213) et une deuxième couche magnétique (216), où la première couche magnétique (213) est reliée à une borne haute tension (220) et la deuxième couche magnétique (216) est reliée à une borne de sortie (270). Le deuxième transistor magnétique (230) comprend une troisième couche magnétique (233) et une quatrième couche magnétique (236), où la troisième couche magnétique (233) est reliée à une borne basse tension (240) et la quatrième couche magnétique (236) est reliée à la deuxième couche magnétique (216) et à la borne de sortie (270). Les deuxième et quatrième couches magnétiques (216, 236) ont des dipôles identiques, et les première et troisième couches magnétiques (213, 233) ont des dipôles opposés ; les dipôles des première, deuxième, troisième et quatrième couches magnétiques (213, 216, 233, 236) sont disposés pour commander les informations produites à la borne de sortie (270). Selon un autre mode de réalisation, la présente invention fournit un procédé utilisant un circuit à transistors magnétiques pour réaliser la fonction OU-Exclusif. Le procédé comprend l'utilisation d'un premier transistor magnétique (200) comprenant une première couche magnétique (213) et une deuxième couche magnétique (216), où la première couche magnétique (213) est reliée à une borne haute tension (220) et la deuxième couche magnétique (216) est reliée à une borne de sortie (270) ; et l'utilisation d'un deuxième transistor magnétique (230) comprenant une troisième couche magnétique (233) et une quatrième couche magnétique (236), où la troisième 2907285 3 couche magnétique (233) est reliée à une borne basse tension (240) et la quatrième couche magnétique (236) est reliée à la deuxième couche magnétique (216) et à la borne de sortie (270). Le procédé utilise les dipôles des première, deuxième, troisième et quatrième couches magnétiques (213, 216, 233, 236) respectivement 5 pour commander les informations produites à la borne de sortie (270), où les deuxième et quatrième couches magnétiques (216, 236) ont des dipôles identiques, et les première et troisième couches magnétiques (213, 233) ont des dipôles opposés. Il convient de comprendre que la description générale qui précède et la description 10 détaillée qui suit sont données à titre d'exemples et ont pour but de fournir des explications détaillées de l'invention revendiquée. BRÈVE DESCRIPTION DES FIGURES 15 Les figures d'accompagnement fournissent une meilleure compréhension de l'invention et font partie intégrante des caractéristiques de l'invention. Les figures illustrent les modes de réalisation de l'invention et, jointes à la description, servent à expliquer les principes de l'invention. 20 La figure 1 est un circuit à transistors magnétiques muni de la fonction OU-Exclusif selon un mode de réalisation de la présente invention. La figure 2A est un circuit à transistors magnétiques réalisant une fonction OU-Exclusif du système binaire selon un mode de réalisation de la présente invention. La figure 2B est un circuit à transistors magnétiques réalisant une autre fonction OU- 25 Exclusif du système binaire selon un mode de réalisation de la présente invention. La figure 2C est un circuit à transistors magnétiques réalisant une autre fonction OU-Exclusif du système binaire selon un mode de réalisation de la présente invention. La figure 2D est un circuit à transistors magnétiques réalisant une autre fonction OU-Exclusif du système binaire selon un mode de réalisation de la présente invention. 30 DESCRIPTION DÉTAILLÉE DE L'INVENTION II est maintenant fait référence en détail aux modes de réalisation préférés de la présente invention dont des exemples sont illustrés dans les figures 2907285 4 d'accompagnement. Dans la mesure du possible, les mêmes numéros de référence sont utilisés dans les dessins et la description de l'invention pour désigner des éléments identiques ou similaires. Toutes les figures sont présentées dans un but d'explication des principes de la 5 présente invention. Les informations annexes des figures, telles que des numéros, positions, relations, et côtes des éléments constituant les modes de réalisation, sont expliquées ou font partie des règles de l'art après lecture et compréhension de la description suivante. Par ailleurs, les côtes exactes et les proportions nécessaires à satisfaire les exigences de forces, poids, résistances spécifiques et autres font, de la 10 même manière, partie des règles de l'art après lecture et compréhension de la description suivante. La figure 1 est un circuit à transistors magnétiques muni de la fonction OUExclusif selon un mode de réalisation de la présente invention. Le circuit à transistors magnétiques comprend un premier transistor magnétique (200) et un deuxième 15 transistor magnétique (230). Le premier transistor magnétique (200) comprend une première couche magnétique (213) et une deuxième couche magnétique (216), où la première couche magnétique (213) est reliée à une borne haute tension (220) et la deuxième couche magnétique (216) est reliée à une borne de sortie (270). Le deuxième transistor magnétique (230) comprend une troisième couche magnétique 20 (233) et une quatrième couche magnétique (236), où la troisième couche magnétique (233) est reliée à une borne basse tension (240) et la quatrième couche magnétique (236) est reliée à la deuxième couche magnétique (216) et à la borne de sortie (270). Les deuxième et quatrième couches magnétiques (216, 236) ont des dipôles identiques, et les première et troisième couches magnétiques (213, 233) ont 25 des dipôles opposés ; les dipôles des première, deuxième, troisième et quatrième couches magnétiques (213, 216, 233, 236) sont disposés pour commander les informations produites à la borne de sortie (270). Le circuit à transistors magnétiques comprend en outre un ensemble de dispositifs en métal (212, 217, 232, 237) disposés respectivement autour des couches 30 magnétiques (213, 216, 233, 236). Les dispositifs en métal (212, 217, 232, 237) sont disposés pour commander respectivement les dipôles des couches magnétiques (213, 216, 233, 236). Par exemple, le premier transistor magnétique (200) comprend les dispositifs en métal (212, 217) disposés respectivement autour des couches magnétiques (213, 216). Le dispositif en métal (212) est disposé pour commander le 2907285 -5- dipôle de la couche magnétique (213) et le dispositif en métal (217) est disposé pour commander le dipôle de la couche magnétique (216). D'après la description ci-dessus, un concepteur peut utiliser les dispositifs en métal pour commander les dipôles des couches magnétiques. Le concepteur peut en 5 outre utiliser les dipôles de deux couches magnétiques d'un transistor magnétique pour commander la conductivité entre ces deux couches magnétiques. Par exemple, lorsque les dipôles de la première couche magnétique (213) et de la deuxième couche magnétique (216) sont identiques, la première couche magnétique (213) et la deuxième couche magnétique (216) sont conductrices ; lorsque les 10 dipôles de la première couche magnétique (213) et de la deuxième couche magnétique (216) sont différents, la première couche magnétique (213) et la deuxième couche magnétique (216) ne sont pas conductrices. Lorsque les dipôles de la troisième couche magnétique (233) et de la quatrième couche magnétique (236) sont identiques, la troisième couche magnétique (233) et 15 la quatrième couche magnétique (236) sont conductrices ; lorsque les dipôles de la troisième couche magnétique (233) et de la quatrième couche magnétique (236) sont différents, la troisième couche magnétique (233) et la quatrième couche magnétique (236) ne sont pas conductrices. D'après la description ci-dessus, les caractéristiques du transistor magnétique 20 peuvent être utilisées pour mettre en oeuvre un circuit muni de fonctions logiques. Le circuit à transistors magnétiques de la figure 1 comporte la fonction logique OU-Exclusif (EXOR) du système binaire tel que décrite ci-après. La fonction logique OU-Exclusif est définie par : Sortie =X.Y'+X'.Y 25 La table de vérité de la fonction logique OU-Exclusif du système binaire selon un mode de réalisation de la présente invention est : Sortie Dipôle Y=1 (4) Dipôle Y=0 (4) Dipôle X=1 (4) 0 1 Dipôle X=0 (4) 1 0 Où 30 "Sortie" constitue les informations produites à la borne de sortie (270), 2907285 -6- "X" est constitué par les dipôles des couches magnétiques (216, 236), "Y" est constitué par les dipôles des couches magnétiques (213, 233). Les première et troisième couches magnétiques (213, 233) ont des dipôles opposés, donc, le dipôle de la première couche magnétique (213) est Y' (c.-à-d. NON-Y). Les 5 symboles "4" et "F" sont disposés pour représenter respectivement le premier et le deuxième dipôle. L'utilisation des dipôles de X et de Y pour générer la fonction logique OU-Exclusif est décrite ci-après. La figure 2A représente un circuit à transistors magnétiques réalisant une opération de la fonction OUExclusif du système binaire selon un mode de réalisation de la 10 présente invention. Lorsque le circuit à transistors magnétiques réalise la fonction OU-Exclusif pour produire le nombre binaire "0", les dipôles (218a, 238a) des deuxième et quatrième couches magnétiques (216, 236) constituent un premier dipôle qui représente le nombre binaire "1" pour commander les informations de sortie, et les dipôles (211a, 231a) des première et troisième couches magnétiques 15 (213, 233) constituent respectivement un deuxième et un premier dipôle qui représentent les nombres binaires "0" et "1" pour commander les informations de sortie. La figure 2B représente un circuit à transistors magnétiques réalisant une autre opération de la fonction OU-Exclusif du système binaire selon un mode de réalisation 20 de la présente invention. Lorsque le circuit à transistors magnétiques réalise la fonction OU-Exclusif pour produire le nombre binaire "1", les dipôles (218b, 238b) des deuxième et quatrième couches magnétiques (216, 236) constituent un premier dipôle qui représente le nombre binaire "1" pour commander les informations de sortie, et les dipôles (211b, 231b) des première et troisième couches magnétiques 25 (213, 233) constituent respectivement un premier et un deuxième dipôle qui représentent les nombres binaires "1" et "0" pour commander les informations de sortie. La figure 2C représente un circuit à transistors magnétiques réalisant une autre opération de la fonction OU-Exclusif du système binaire selon un mode de réalisation 30 de la présente invention. Lorsque le circuit à transistors magnétiques réalise la fonction OU-Exclusif pour produire le nombre binaire "1", les dipôles (218c, 238c) des deuxième et quatrième couches magnétiques (216, 236) constituent un deuxième dipôle qui représente le nombre binaire "0" pour commander les informations de sortie, et les dipôles (211c, 231c) des première et troisième couches 2907285 7 magnétiques (213, 233) constituent respectivement un deuxième et un premier dipôle qui représentent les nombres binaires "0" et "1" pour commander les informations de sortie. La figure 2D représente un circuit à transistors magnétiques réalisant une autre 5 opération de la fonction OU-Exclusif du système binaire selon un mode de réalisation de la présente invention. Lorsque le circuit à transistors magnétiques réalise la fonction OU-Exclusif pour produire le nombre binaire "0", les dipôles (218d, 238d) des deuxième et quatrième couches magnétiques (216, 236) constituent un deuxième dipôle qui représente le nombre binaire "0" pour commander les 10 informations de sortie, et les dipôles (211d, 231d) des première et troisième couches magnétiques (213, 233) constituent respectivement un premier et un deuxième dipôle qui représentent les nombres binaires "1" et "0" pour commander les informations de sortie. Ainsi, le circuit à transistors magnétiques peut réaliser la fonction OU-Exclusif par ce 15 dispositif. En outre, la présente invention fournit également un procédé utilisant un circuit à transistors magnétiques pour réaliser la fonction OU-Exclusif. Le procédé comprend l'utilisation d'un premier transistor magnétique (220) muni d'une première couche magnétique (213) et d'une deuxième couche magnétique (216), où la première 20 couche magnétique (213) est reliée à une borne haute tension (220) et la deuxième couche magnétique (216) est reliée à une borne de sortie (270) ; et l'utilisation d'un deuxième transistor magnétique (230) muni d'une troisième couche magnétique (233) et d'une quatrième couche magnétique (236), où la troisième couche magnétique (233) est reliée à une borne basse tension (240) et la quatrième couche 25 magnétique (236) est reliée à la deuxième couche magnétique (216) et à la borne de sortie (270). Le procédé utilise également un jeu de dipôles des première, deuxième, troisième et quatrième couches magnétiques (213, 216, 233, 236) respectivement pour commander les informations produites à la borne de sortie (270), où les deuxième et quatrième couches magnétiques (216, 236) ont des 30 dipôles identiques, et les première et troisième couches magnétiques (213, 233) ont des dipôles opposés. Lorsque le circuit à transistors magnétiques réalise la fonction OU-Exclusif pour produire le nombre binaire "0", le procédé fait des dipôles des deuxième et quatrième couches magnétiques (216, 236) un premier dipôle qui représente le nombre binaire 2907285 -8- "1 ", et fait des dipôles des première et troisième couches magnétiques (213, 233) un deuxième et un premier dipôle qui représentent respectivement les nombres binaires "0" et "1". Lorsque le circuit à transistors magnétiques réalise la fonction OU-Exclusif pour produire le nombre binaire "1", le procédé fait des dipôles des deuxième et 5 quatrième couches magnétiques (216, 236) un premier dipôle qui représente le nombre binaire "1", et fait des dipôles des première et troisième couches magnétiques (213, 233) un premier et un deuxième dipôle qui représentent respectivement les nombres binaires "1" et "0" du système binaire. Lorsque le circuit à transistors magnétiques réalise la fonction OU-Exclusif pour 10 produire le nombre binaire "1", le procédé fait des dipôles des deuxième et quatrième couches magnétiques (216, 236), un deuxième dipôle qui représente le nombre binaire "0", et fait des dipôles des première et troisième couches magnétiques (213, 233), un deuxième et un premier dipôle qui représentent respectivement les nombres binaires "0" et "1". Lorsque le circuit à transistors magnétiques réalise la fonction 15 OU-Exclusif pour produire le nombre binaire "0", le procédé fait des dipôles des deuxième et quatrième couches magnétiques (216, 236) un deuxième dipôle qui représente le nombre binaire "0", et fait des dipôles des premières et troisièmes couches magnétiques (213, 233) un premier et un deuxième dipôle qui représentent respectivement les nombres binaires "1" et "0". 20 Pour une compatibilité avec des circuits intégrés semi-conducteurs conventionnels, il est appliqué une tension d'environ 0 volt à la borne basse tension (240) et d'environ 2.5 volts, 3.3 volts ou 5 volts à la borne haute tension (220). Les symboles "4" et "E" sont simplement disposés ici pour représenter les dipôles des couches magnétiques respectives, et non pas pour limiter les sens des 25 dipôles. Dans le circuit à transistors magnétiques, chaque transistor magnétique comprend une couche conductrice entre deux couches magnétiques. La conductivité de la couche conductrice peut être commandée par les dipôles de ces deux couches magnétiques. Ainsi, le circuit à transistors magnétiques est un circuit à fonction OU-Exclusif à deux entrées. D'après la description précédente, le circuit à 30 transistors magnétiques et le procédé décrits ci-dessus peuvent être utilisés pour réaliser la fonction OU-Exclusif. Il apparaîtra évident à l'homme de l'art que nombre de modifications et de variantes peuvent être apportées à la structure de la présente invention sans se départir en rien de la portée de la présente invention. Au vu de ce qui précède, il a été voulu REVENDICATIONS 1) 1) Un circuit à transistors magnétiques muni de la fonction OU-Exclusif, comprenant : un premier transistor magnétique (200) comprenant une première couche magnétique (213) et une deuxième couche magnétique (216), où ladite couche magnétique (213) est reliée à une borne haute tension (220) et ladite deuxième couche magnétique (216) est reliée à une borne de sortie (270) ; et un deuxième transistor magnétique (230) comprenant une troisième couche magnétique (233) et une quatrième couche magnétique (236), où ladite couche magnétique (233) est reliée à une borne basse tension (240) et ladite quatrième couche magnétique (236) est reliée à ladite deuxième couche magnétique (216) et à ladite borne de sortie (270) ; où ladite deuxième couche magnétique (216) et ladite quatrième couche magnétique (236) ont des dipôles identiques, et ladite première couche magnétique (213) et ladite troisième couche magnétique (233) ont des dipôles opposés ; lesdits dipôles des première, deuxième, troisième et quatrième couches magnétiques (213, 216, 233, 236) sont disposés pour commander les informations produites à la borne de sortie (270). 2) Le circuit à transistors magnétiques muni de la fonction OU-Exclusif selon la revendication 1, comprenant en outre un ensemble de dispositifs en métal (212, 217, 232, 237) disposés respectivement autour desdites couches magnétiques (213, 216, 233, 236) pour commander respectivement les dipôles desdites couches magnétiques (213, 216, 233, 236). 3) Le circuit à transistors magnétiques muni de la fonction OU-Exclusif selon la revendication 1 où, lorsque les dipôles de ladite première couche magnétique (213) et de ladite deuxième couche magnétique (216) sont identiques, ladite première couche magnétique (213) et ladite deuxième couche magnétique (216) sont conductrices ; lorsque les dipôles de ladite première couche magnétique (213) et de ladite deuxième couche magnétique (216) sont différents, ladite première couche magnétique (213) et ladite deuxième couche magnétique (216) ne sont pas conductrices. 2907285 - 11 - 4) Le circuit à transistors magnétiques muni de la fonction OU-Exclusif selon la revendication 1 où, lorsque les dipôles de ladite troisième couche magnétique (233) et de ladite quatrième couche magnétique (236) sont identiques, ladite 5 troisième couche magnétique (233) et ladite quatrième couche magnétique (236) sont conductrices ; lorsque les dipôles de ladite troisième couche magnétique (233) et de ladite quatrième couche magnétique (236) sont différents, ladite troisième couche magnétique (233) et ladite quatrième couche magnétique (236) ne sont pas conductrices. 10 5) Le circuit à transistors magnétiques muni de la fonction OU-Exclusif selon la revendication 1 où, lorsque ledit circuit à transistors magnétiques réalise la fonction OU-Exclusif pour produire le nombre binaire "0", les dipôles desdites deuxième et quatrième couches magnétiques (216, 236) constituent un premier 15 dipôle qui représente le nombre binaire "1" et les dipôles desdites première et troisième couches magnétiques (213, 233) constituent un deuxième dipôle et un premier dipôle qui représentent respectivement les nombres binaires "0" et "1" pour commander les informations de sortie. 20 6) Le circuit à transistors magnétiques muni de la fonction OU-Exclusif selon la revendication 1 où, lorsque ledit circuit à transistors magnétiques réalise la fonction OU-Exclusif pour produire le nombre binaire "1", les dipôles desdites deuxième et quatrième couches magnétiques (216, 236) constituent un premier dipôle qui représente le nombre binaire "1" et les dipôles desdites première et 25 troisième couches magnétiques (213, 233) constituent un premier dipôle et un deuxième dipôle qui représentent respectivement les nombres binaires "1" et "0" pour commander les informations de sortie. 7) Le circuit à transistors magnétiques muni de la fonction OU-Exclusif selon la 30 revendication 1 où, lorsque ledit circuit à transistors magnétiques réalise la fonction OU-Exclusif pour produire le nombre binaire "1", les dipôles desdites deuxième et quatrième couches magnétiques (216, 236) constituent un deuxième dipôle qui représente le nombre binaire "0" et les dipôles desdites première et troisième couches magnétiques (213, 233) constituent un deuxième dipôle et un 2907285 -12-premier dipôle qui représentent respectivement les nombres binaires "0" et "1" pour commander les informations de sortie. 8) Le circuit à transistors magnétiques muni de la fonction OU-Exclusif selon la 5 revendication 1 où, lorsque ledit circuit à transistors magnétiques réalise la fonction OU-Exclusif pour produire le nombre binaire "0", les dipôles desdites deuxième et quatrième couches magnétiques (216, 236) constituent un deuxième dipôle qui représente le nombre binaire "0", et les dipôles desdites première et troisième couches magnétiques (213, 233) constituent un premier dipôle et un 10 deuxième dipôle qui représentent respectivement les nombres binaires "1" et "0" pour commander les informations de sortie. 9) Un procédé utilisant un circuit à transistors magnétiques pour réaliser la fonction OU-Exclusif, comprenant les étapes suivantes : 15 utilisation d'un premier transistor magnétique (200) muni d'une première couche magnétique (213) et d'une deuxième couche magnétique (216), où ladite première couche magnétique (213) est reliée à une borne haute tension (220) et ladite deuxième couche magnétique (216) est reliée à une borne de sortie (270) ; utilisation d'un deuxième transistor magnétique (230) muni d'une troisième 20 couche magnétique (233) et d'une quatrième couche magnétique (236), où ladite troisième couche magnétique (233) est reliée à une borne basse tension (240) et ladite quatrième couche magnétique (236) est reliée à ladite deuxième couche magnétique (216) et à ladite borne de sortie (270) ; et utilisation de plusieurs dipôles desdites première, deuxième, troisième et 25 quatrième couches magnétiques (213, 216, 233, 236) respectivement pour commander les informations produites à ladite borne de sortie (270), où lesdites deuxième et quatrième couches magnétiques (216, 236) ont des dipôles identiques et lesdites première et troisième couches magnétiques (213, 233) ont des dipôles opposés. 30 10)Le procédé selon la revendication 9, comprenant en outre l'étape d'utilisation de plusieurs dispositifs en métal (212, 217, 232, 237) respectivement disposés autour desdites couches magnétiques (213, 216, 233, 236), où lesdits dispositifs en métal (212, 217, 232, 237) sont disposés pour commander respectivement les 35 dipôles desdites couches magnétiques (213, 216, 233, 236). 2907285 -13- 11)Le procédé selon la revendication 9 où, lorsque les dipôles de ladite première couche magnétique (213) et de ladite deuxième couche magnétique (216) sont identiques, ladite première couche magnétique (213) et ladite deuxième couche 5 magnétique (216) sont conductrices ; lorsque les dipôles de ladite première couche magnétique (213) et de ladite deuxième couche magnétique (216) sont différents, ladite première couche magnétique (213) et ladite deuxième couche magnétique (216) ne sont pas conductrices. 10 12)Le procédé selon la revendication 9 où, lorsque les dipôles de ladite troisième couche magnétique (233) et de ladite quatrième couche magnétique (236) sont identiques, ladite troisième couche magnétique (233) et ladite quatrième couche magnétique (236) sont conductrices ; lorsque les dipôles de ladite troisième couche magnétique (233) et de ladite quatrième couche magnétique (236) sont 15 différents, ladite troisième couche magnétique (233) et ladite quatrième couche magnétique (236) ne sont pas conductrices. 13)Le procédé selon la revendication 9 où, lorsque ledit circuit à transistors magnétiques réalise la fonction OU-Exclusif pour produire le nombre binaire "0", 20 ledit procédé fait des dipôles desdites deuxième et quatrième couches magnétiques (216, 236) un premier dipôle qui représente le nombre binaire "1" ; et fait des dipôles desdites première et troisième couches magnétiques (213, 233), un deuxième dipôle et un premier dipôle qui représentent respectivement les nombres binaires "0" et "1". 25 14)Le procédé selon la revendication 9 où, lorsque ledit circuit à transistors magnétiques réalise la fonction OU-Exclusif pour produire le nombre binaire "1", ledit procédé fait des dipôles desdites deuxième et quatrième couches magnétiques (216, 236) un premier dipôle qui représente le nombre binaire "1" ; 30 et fait des dipôles desdites première et troisième couches magnétiques (213, 233), un premier et un deuxième dipôle qui représentent respectivement les nombres binaires "1" et "0". 15)Le procédé selon la revendication 9 où, lorsque ledit circuit à transistors 35 magnétiques réalise la fonction OU-Exclusif pour produire le nombre binaire "1", 2907285 -14- ledit procédé fait des dipôles desdites deuxième et quatrième couches magnétiques (216, 236) un deuxième dipôle qui représente le nombre binaire "0" ; et fait des dipôles desdites première et troisième couches magnétiques (213, 233), un deuxième et un premier dipôle qui représentent respectivement les 5 nombres binaires "0" et "1". 16)Le procédé selon la revendication 9 où, lorsque ledit circuit à transistors magnétiques réalise la fonction OU-Exclusif pour produire le nombre binaire "0", ledit procédé fait des dipôles desdites deuxième et quatrième couches 10 magnétiques (216, 236) un deuxième dipôle qui représente le nombre binaire "0" ; et fait des dipôles desdites première et troisième couches magnétiques (213, 233) un premier et deuxième dipôle qui représentent respectivement les nombres binaires "1" et "0". 15