FR 2913528 A1 20080912 FR 0753655 A 20070306 TITRE Procédé de fabrication d'un substrat comportant une couche d'oxyde enterrée pour la réalisation de composants électroniques ou analogues. DOMAINE DE L'INVENTION La présente invention concerne un procédé de fabrication d'un substrat comportant une couche d'oxyde enterrée, et plus particulièrement de substrats de 10 type SeOI selon l'acronyme anglo-saxon Semi- conductor On Insulator , SOI selon l'acronyme anglo-saxon Silicon On Insulator , sSOI selon l'acronyme anglo-saxon strained Silicon On Insulator , ou UTBOX selon l'acronyme anglo-saxon Ultra Thin Buried Oxyde , ainsi qu'un procédé de collage de substrats avec dépôt d'oxyde. 15 ARRIERE PLAN DE L'INVENTION Dans le domaine des substrats semi-conducteurs tels que les substrats SeOI et sSOI notamment, particulièrement destinés à la micro électronique, 20 l'optoélectronique, etc..., pour assurer le collage de deux substrats mis en contact lors de leur fabrication ou pour protéger la surface du substrat contre les contaminations chimiques et les rayures lors de leur manipulation notamment, il est bien connu de former une couche isolante électriquement, telle qu'une couche d'oxyde ou de nitrure, sur au moins un des substrats. 25 La formation de la couche d'oxyde est obtenue soit par oxydation directe telle que l'oxydation thermique ou anodique, soit par le dépôt d'une couche d'oxyde, la formation d'une couche de nitrure étant réalisée par dépôt. Suivant le premier procédé de formation d'une couche d'oxyde, l'oxydation dite thermique est obtenue dans un four dans lequel des substrats en silicium par 30 exemple sont portés à une température comprise entre 900 et 1200 C. 15 Un gaz est introduit dans le four afin de procurer l'oxydation des substrats, une couche d'oxyde croissant dans le temps sur lesdits substrats. On observera que selon le procédé d'oxydation thermique sèche, le gaz est de l'oxygène et que selon le procédé d'oxydation thermique humide, le gaz est sous forme de vapeur d'eau. Le procédé d'oxydation thermique et plus particulièrement le procédé d'oxydation thermique sèche procure une couche d'oxyde de très bonne qualité, particulièrement dense et présentant une rigidité électrique élevée. Toutefois, ce type de procédé présente l'inconvénient d'avoir une cinétique de croissance des couches d'oxyde faible. Concernant le second type de procédé de formation d'une couche d'oxyde par dépôt, il existe plusieurs procédés de dépôt d'une couche d'oxyde bien connu de l'homme du métier. La plupart de ces procédés consistent notamment dans des dépôts CVD à basse température selon l'acronyme anglo-saxon Chemical Vapor Deposition , des dépôts LPCVD selon l'acronyme anglo-saxon Light pressure Chemical Vapor Deposition ou bien encore des dépôts PECVD selon l'acronyme anglo-saxon Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition . Ces dépôts d'oxyde sont obtenus dans un four dans lequel des substrats en silicium par exemple sont portés à une température comprise entre 300 et 800 C. Ces procédés permettent d'obtenir des couches épaisses d'oxyde sur les substrats en un temps relativement court. Toutefois, les couches d'oxyde ainsi obtenues sont poreuses. La porosité de ces couches d'oxyde induit une faible densité de la couche qui nuit à la qualité de transfert suivant le procédé du type Smart CutTM dont on trouvera une description générale dans la publication Silicon-On-Insulator Technology : Materials to VLSI, 2nd Edition de Jean-Pierre Colinge chez Kluwer Academic Publishers , p.50 et 51. En effet, le transfert d'une couche suivant le procédé du type Smart CutTM peut être de mauvaise qualité lorsque la couche d'oxyde n'a pas été densifiée par un traitement thermique. Afin de densifier ces couches d'oxyde, il est nécessaire d'appliquer un recuit à une température comprise entre 600 et 1200 C entre 10 minutes et 6 heures comme l'enseigne la demande de brevet internationale WO2006/029651. Ce traitement thermique permet également de dégazer certaines espèces, telles que le carbone par exemple, incorporées dans l'oxyde au cours du dépôt. Toutefois, lors de la fabrication d'hétérostructures multi-couches, l'application de ce traitement thermique pour densifier une couche d'oxyde déposée sur le substrat multicouche est limitée dans des gammes de basses températures afin d'éviter l'apparition de défauts et la diffusion des espèces entre les différentes couches du substrat. En effet, lors des différents recuits appliqués conformément au procédé Smart CutTM, des phénomènes de dégazage de la couche d'oxyde déposée peuvent conduire à la formation de défauts. On notera que l'on relève les mêmes inconvénients pour des couches isolantes de nitrure. BREVE DESCRIPTION DE L'INVENTION Un premier but de l'invention est donc de remédier à ces inconvénients en proposant un procédé de fabrication d'un substrat comportant une couche d'oxyde enterrée déposée pour la réalisation de composants électroniques ou analogues et procurant une qualité de la couche d'oxyde déposée identique à celle d'une couche d'oxyde thermique, au sein du substrat final. A cet effet, et conformément à l'invention, il est proposé un procédé de fabrication d'un substrat comportant une couche d'oxyde enterrée pour la réalisation de composants électroniques ou analogues, comportant au moins une étape de dépôt d'une couche d'oxyde ou de nitrure sur un substrat dit donneur et/ou receveur une étape de mise en contact des substrats donneur et receveur ; ledit procédé est remarquable en ce qu'il comporte au moins un premier traitement thermique de la couche d'oxyde ou de nitrure déposée sur le substrat donneur et /ou receveur et un second traitement thermique, à une température supérieure ou égale à celle du premier traitement thermique, du substrat constitué du substrat receveur, de la couche d'oxyde et de tout ou partie du substrat donneur. Le premier traitement thermique consiste à appliquer une température comprise entre 600 et 1000 C pendant un temps compris entre quelques minutes et quelques heures sous un gaz inerte non oxydant ou un mélange de gaz inertes. De préférence, le premier traitement thermique consiste à appliquer une température de 800 C pendant 2 à 4 heures. Par ailleurs, le second traitement thermique consiste à appliquer une température comprise entre 1000 et 1200 C pendant un temps compris entre quelques minutes et quelques heures sous un gaz inerte non oxydant ou un mélange de gaz inertes. Ledit gaz inerte entrant dans la composition de l'atmosphère inerte ou du mélange de gaz inertes est choisi parmi la liste suivante : Argon (Ar), Azote (N2) et 15 Xénon (Xe). De préférence, le précurseur d'oxyde est l'orthosilicate de tétraéthyle (TEOS) et les précurseurs de nitrure de silicium sont le dichlorosilane et l'ammoniac. De manière avantageuse, le substrat donneur consiste en un substrat multicouche constitué d'un substrat support en silicium, d'une couche de Silicium- 20 Germanium (SiGe) de composition croissante, d'une couche de SiGe relaxé et d'une couche de silicium contraint. Selon une variante d'exécution, le substrat donneur consiste en un substrat en Silicium d'orientation cristalline (100), (110) ou (111). Par ailleurs, le substrat receveur est en Silicium d'orientation cristalline 25 (100), (110) ou (111). Selon une caractéristique essentielle de l'invention, le procédé comporte une étape de détachement d'une couche utile depuis le substrat donneur. Cette étape de détachement de la couche utile est obtenue par au moins la succession des étapes suivantes d'implantation d'ions ou d'espèces gazeuses depuis 30 la face supérieure de la couche d'oxyde déposée sur le substrat donneur de façon à former une zone enterrée de fragilisation dans ledit substrat donneur, puis de fracture dans la zone de fragilisation menant au détachement de ladite couche utile. L'étape d'implantation d'ions ou d'espèces gazeuses est réalisée postérieurement au premier traitement thermique et l'étape de fracture dans la zone de fragilisation est réalisée préalablement au second traitement thermique. Cette étape d'implantation met en oeuvre une co-implantation d'au moins deux espèces atomiques différentes. De préférence, les espèces atomiques consistent dans les espèces Hydrogène et Hélium qui sont co-implantées au cours de ladite étape d'implantation. Lesdites espèces Hydrogène et Hélium sont implantées séquentiellement. Selon une variante d'exécution, l'Hélium est implanté préalablement à l'hydrogène. De plus, la co-implantation est réalisée à des doses d'hydrogène de l'ordre de 20 à 40 keV et d'hélium de l'ordre de 30 à 60 keV, l'énergie pour les deux espèces étant de l'ordre de 1 à 2 e16 at/cm2. Les paramètres de ladite implantation d'espèces sont choisis pour constituer une zone de fragilisation dans la couche de SiGe relaxé du substrat donneur multicouche. Accessoirement, le procédé comporte, préalablement à l'étape de mise en contact du substrat receveur avec la couche d'oxyde ou de nitrure déposée sur le substrat donneur, une étape de préparation des surfaces desdits substrats. L'étape de préparation des surfaces des substrats consiste à appliquer sur lesdites surfaces un mélange d'ozone et/ou une composition RCA et/ou de l'eau déionisée au moyen de brossages, de rinçages et de séchages Selon une autre variante d'exécution, l'étape de préparation des surfaces des substrats consiste à appliquer sur lesdites surfaces une activation par plasma sous oxygène ou azote Un autre objet de l'invention concerne un substrat obtenu suivant le procédé conforme à l'invention. A cet effet et conformément à l'invention, il est proposé un substrat comportant au moins une couche d'oxyde ou de nitrure déposée sur un substrat donneur et/ou receveur remarquable en ce que la couche d'oxyde ou de nitrure est dégazée et présente un indice de réfraction inférieur à l'indice de réfraction d'une couche d'oxyde ou de nitrure de même composition formée par croissance thermique. Selon une caractéristique essentielle du substrat suivant l'invention, 'indice de réfraction de la couche d'oxyde ou de nitrure dégazée est comprise entre 1.435 et 1.455 pour une longueur d'onde de laser de 633 nm. BREVE DESCRIPTION DES DESSINS D'autres avantages et caractéristiques ressortiront mieux de la description qui va suivre, donnée à titre d'exemple non limitatif, du procédé de fabrication d'un substrat conforme à l'invention, à partir des dessins annexés sur lesquels : - la figure 1 représente schématiquement des étapes d'un exemple de mise en oeuvre du procédé conforme à l'invention, - la figure 2 représente schématiquement des étapes d'un second exemple de mise en oeuvre du procédé conforme à l'invention, - la figure 3 représente schématiquement des étapes d'une dernière variante d'exécution du procédé suivant l'invention, - la figure 4 est un graphique représentant la variation de l'épaisseur de la couche d'oxyde en fonction de la durée et de la température du traitement thermique, - la figure 5 est un graphique représentant la variation de l'indice de réfraction de la couche d'oxyde en fonction de la température, - la figure 6 est un tableau comparatif de la vitesse de gravure sur un oxyde thermique et de la vitesse de gravure sur un oxyde déposé ayant subi une densification conformément à l'invention. DESCRIPTION DETAILLEE DE L'INVENTION On décrira ci-après le procédé de fabrication conforme à l'invention d'un substrat multicouche et monocouche comportant une couche d'oxyde enterrée, et plus particulièrement de substrats de type SeOl, SOI et sSOI. Toutefois, il est bien évident que le procédé suivant l'invention pourra être adapté à des substrats de type UTBOX ou autres sans pour autant sortir du cadre de l'invention. En référence à la figure 1, le procédé conforme à l'invention comporte une première étape de dépôt d'une couche d'oxyde 1 (figure lb) sur un substrat multicouche 2 dit substrat donneur constitué, dans cet exemple particulier de réalisation, d'un substrat support 3 en silicium, d'une couche de Silicium-Germanium (SiGe) 4 de composition croissante, d'une couche de SiGe relaxé 5 et d'une couche de silicium contraint 6 (figure la). On notera que la couche d'oxyde 1 peut être substituée par une couche de nitrure sans pour autant sortir du cadre de l'invention, celle-ci étant déposée par réaction du dichlorosilane (DCS - SiH2Cl2) avec l'ammoniac. On applique ensuite, en référence à la figure 1c, un premier traitement thermique à une température comprise entre 600 et 1000 C pendant un temps compris entre quelques minutes et quelques heures, et de préférence à une température de 800 C pendant 2 à 4 heures, sous un gaz inerte non oxydant ou un mélange de gaz inertes. L'atmosphère inerte ainsi créée est par exemple composée d'Argon (Ar), d'Azote (N2) ou de Xénon (Xe) ou dans un mélange d'au moins deux de ces gaz inertes. Ce premier traitement thermique à relativement basse température permet, outre une densification de la couche d'oxyde 1, le dégazage de certaines espèces tout en préservant un certain degré de porosité de la couche d'oxyde 1 déposée. La porosité de la couche d'oxyde 1 permet d'obtenir un bon collage lors de la mise en contact avec un second substrat comme il sera détaillé plus loin. La couche d'oxyde ou de nitrure 1 dégazée présente un indice de réfraction inférieur à l'indice de réfraction d'une couche d'oxyde ou de nitrure de même composition chimique formée par croissance thermique. Ledit indice de réfraction de la couche d'oxyde dégazée (1) est de préférence comprise entre 1.435 et 1.455 pour une longueur d'onde de laser de 633 nm d'un dispositif de mesure de l'indice de réfraction par ellipsomètre par exemple. On implante ensuite des ions et/ou des espèces gazeuses 7 au travers de la face supérieure du substrat donneur 2, c'est-à-dire de la couche d'oxyde 1, de façon à former dans ledit substrat donneur 2 une zone enterrée fragilisée 8, représentée en traits pointillés sur la figure Id, conformément au procédé Smart CutTM tel que décrit dans la publication Silicon-On-Insulator Technology : Materials to VLSI, 2nd Edition de Jean-Pierre Colinge chez Kluwer Academic Publishers , pages 50 et 51. La zone 8 est constituée de microcavités et elle est formée dans la couche de SiGe relaxé 5. Cette zone enterrée fragilisée 8 permet, comme on le verra plus loin, le détachement d'une partie du substrat donneur 2. Cette étape d'implantation de fragilisation met en oeuvre, de préférence une implantation (Hydrogène seul, Hélium seul ..), une co-implantation d'au moins deux espèces atomiques différentes, par exemple l'Hydrogène et l'Hélium qui sont implantées séquentiellement, l'Hélium étant implanté de préférence, préalablement à l'Hydrogène. On observera que, dans cet exemple, les paramètres de ladite implantation d'espèces sont choisis pour constituer une zone de fragilisation 8 dans la couche de SiGe relaxé 5 du substrat 2. Toutefois, les paramètres de l'implantation de fragilisation pourront être choisis de telle manière que la zone de fragilisation 8 se situe dans une couche quelconque dudit substrat donneur 2. On colle ensuite, en référence à la figure le, un substrat receveur 9, en silicium par exemple, sur la couche supérieure du substrat donneur 2. Dans la suite du texte, on entend par collage, la mise en contact intime du substrat receveur 9 sur la couche d'oxyde 1 du substrat donneur 2. On notera que, la porosité de la couche d'oxyde 1 ayant été préservée lors du premier traitement thermique, la qualité du collage est particulièrement bonne. Accessoirement, préalablement au collage du substrat receveur 9 sur le substrat donneur 2, lesdits substrats donneur 2 et receveur 9 sont nettoyés avec un mélange d'ozone et/ou d'une composition du type RCA, selon l'acronyme Radio Corporation of America composé de SC1 et SC2, Standard Cleaning , bien connu de l'Homme du Métier. Les surfaces peuvent être aussi brossées, rincées, séchées mais aussi subir une étape d'activation par plasma sous oxygène ou azote par exemple. En référence à la figure 1f, une partie du substrat donneur 2 au niveau de la zone de fragilisation 8 est détachée conformément au procédé Smart CutTM, par traitement thermique sous atmosphère inerte à une température d'environ 500 C et/ou avec l'application de contraintes. Il va de soi que le détachement de la couche utile 1 peut être obtenu par tout autre moyen bien connu de l'homme du métier comme par exemple par amincissement du substrat donneur 2 suivant un procédé de type BESOI par exemple. On opère ensuite une abrasion de la surface supérieure de la couche de SiGe relaxé 5 restante du substrat donneur 2, par tout procédé approprié tel qu'un procédé du type CMP selon l'acronyme de l'expression anglo-saxonne Chemical Mechanical Planarization jusqu'à ce que la couche de silicium contraint 6 constitue la couche supérieure du substrat (figure 1g). On notera que l'abrasion la surface supérieure de la couche de SiGe relaxé 5 restante pourra notamment être obtenue par l'application : - d'un traitement de type oxydation humide suivi d'une gravure sélective lorsqu'une co-implantation d'espèces a été appliquée sur le substrat pour former la zone enterrée fragilisée 8, - d'un polissage CMP suivi d'une gravure sélective lorsque la zone enterrée fragilisée 8 a été formée par l'implantation d'une seule espèce, - d'une gravure sélective simple. En référence à la figure 1h, une seconde couche d'oxyde 10 ou de nitrure dite couche sacrificielle est déposée sur la couche de silicium contraint 6. On applique ensuite un second traitement thermique à une température comprise entre 1000 et 1200 C pendant un temps compris entre quelques minutes et quelques heures, et de préférence à une température de 1100 C pendant 2 heures, sous gaz inerte non oxydant ou sous un mélange de gaz inertes. De la même 2913528 i0 manière que précédemment, l'atmosphère inerte ainsi créée est par exemple composée d'Argon (Ar), d'Azote (N2) ou de Xénon (Xe) ou dans un mélange d'au moins deux de ces gaz inertes. Lors de ce second traitement thermique, la couche d'oxyde enterrée 1 est 5 densifiée et les éventuels défauts initialement présents dans la couche superficielle du substrat ont été supprimés. Par ailleurs, ce second traitement thermique permet de renforcer les interfaces de collage du substrat. Il est bien évident que la couche d'oxyde ou de nitrure 1 pourra être déposée sur le substrat receveur 9, l'ensemble substrat receveur 9 et couche d'oxyde 1 étant 10 soumis au premier traitement thermique préalablement à la mise en contact des substrats receveur 9 et donneur 2 sans pour autant sortir du cadre de l'invention. Enfin, en référence à la figure li, la couche sacrificielle 10 d'oxyde qui a permis de protéger la couche de silicium contraint 6 lors du second traitement thermique est éliminée par un traitement avec de l'acide fluorhydrique (HF) bien connu de l'homme 15 du métier. Le substrat ainsi obtenu, représenté sur la figure li, est constitué d'un substrat receveur 9 inférieur et d'une couche supérieure de silicium contraint sSi 6, le substrat receveur 9 étant isolé de la couche de silicium contraint 6 par une couche d'oxyde 1 densifiée. 20 En référence à la figure 4 qui est un graphique représentant la variation de l'épaisseur de la couche d'oxyde en fonction de la durée et de la température du traitement thermique, il apparaît que la densification de la couche d'oxyde est progressive et non complète à des températures inférieures à 800 C, ce qui correspond au premier traitement thermique du procédé suivant l'invention, et que la 25 densification est complète pour des températures de 1000 et 1100 C, ce qui correspond au second traitement thermique du procédé. L'invention permet ainsi de se servir de l'évolution de la nature de la couche isolante et de ses propriétés physico-chimiques pour la fabrication du substrat; le substrat final ayant à la fin du procédé une couche isolante de très bonne qualité et de composition différente de 30 celle des couches isolantes présentes dans le substrat lors de sa fabrication avant l'application du deuxième traitement thermique. 2913528 Il Par ailleurs, en référence à la figure 5 qui est un graphique représentant la variation de l'indice de réfraction de la couche d'oxyde en fonction de la température, il apparaît que l'indice optique diminue entre 500 et 800 C, ce qui correspond au mécanisme de dégazage et de la densification lors du premier traitement thermique 5 du procédé suivant l'invention, et que l'indice optique augmente pour des températures supérieures à 800 C indiquant que le mécanisme de densification est prépondérant par rapport au dégazage lors du second traitement thermique du procédé, la variation de l'indice optique traduisant une diminution de la porosité. De plus, en référence à la figure 6, il apparaît que la vitesse de gravure de 10 l'oxyde déposé ayant suivi les traitements thermiques conformément à l'invention est similaire à la vitesse de gravure d'un oxyde thermique de sorte que la qualité de l'oxyde déposé densifié en fin de procédé est conforme à celle d'un oxyde thermique. On décrira ci-après un exemple particulier mais non limitatif de réalisation d'un 15 substrat, obtenu suivant l'invention, en référence à la figure 1. Exemple 1: Une couche d'oxyde 1 (figure 1 b) est déposée sur un substrat multicouche 2 dit 20 substrat donneur constitué d'un substrat support 3 en silicium, d'une couche de Silicium-Germanium (SiGe) 4 de composition croissante, d'une couche de SiGe relaxé 5 et d'une couche de silicium contraint 6 (figure la). Cette couche d'oxyde 1 est un oxyde de silicium formé à partir de (TEOS (tetraethylorthosilicate -Si(OC2H5)4) avec un gaz diluant tel que l'oxygène ou l'azote 25 par exemple suivant un procédé bien connu de l'homme du métier. Le gaz diluant est de préférence de l'oxygène afin de limiter la quantité d'hydrocarbures dans la couche d'oxyde 1 déposée. La pression de dépôt est comprise entre 200 et 700 mTorr, et de préférence de 300 mTorr. Par ailleurs, le débit du précurseur TEOS est compris entre 200 et 600 sccm, et de préférence de 300 sccm et le débit d'oxygène est compris entre 20 et 100 sccm, et de préférence de 40 sccm. De plus, la température de dépôt de l'oxyde est comprise entre 500 et 800 C et 5 de préférence comprise entre 600 et 700 C. L'épaisseur de la couche d'oxyde ainsi déposée est globalement comprise entre 1000 et 2000 A et préférentiellement d'environ 1500 A. On applique ensuite, en référence à la figure 1 c, un premier traitement thermique à une température comprise d'environ 800 C pendant environ 2 heures, 10 sous un gaz inerte non oxydant ou un mélange de gaz inertes. On implante ensuite des espèces gazeuses 7 au travers de la face supérieure du substrat donneur 2, c'est-à-dire de la couche d'oxyde 1, de façon à former dans ledit substrat donneur 2 une zone enterrée fragilisée 8, représentée en traits pointillés sur la figure Id, conformément au procédé Smart CutTM tel que décrit dans la 15 publication Silicon-On-Insulator Technology : Materials to VLSI, 2nd Edition de Jean-Pierre Colinge chez Kluwer Academic Publishers , pages 50 et 51. Cette étape d'implantation de fragilisation met en oeuvre, par exemple, une implantation d'Hydrogène à une énergie de l'ordre de 30 keV et à une dose d'environ 6 10e16 at/cm2. 20 Selon une variante d'exécution, l'étape d'implantation peut mettre en oeuvre une co-implantation d'hydrogène à une énergie de l'ordre de 30 keV et à une dose d'environ 1.5 10e16 at/cm2 et d'Hélium à une énergie de l'ordre de 50 keV et à une dose d'environ 1.5 10e16 at/cm2. D'une façon plus générale, on réalise une co-implantation à des doses 25 d'hydrogène de l'ordre de 20 à 40 keV et d'hélium de l'ordre de 30 à 60 keV, l'énergie pour les deux espèces étant de l'ordre de 1 à 2 e16 at/cm2. On observera que, dans cet exemple, les paramètres de ladite implantation d'espèces sont choisis pour constituer une zone de fragilisation 8 dans la couche de SiGe relaxé 5 du substrat 2. 30 On colle ensuite, en référence à la figure le, un substrat receveur 9, obtenu dans du silicium par exemple, sur la couche supérieure du substrat donneur 2. Accessoirement, préalablement au collage du substrat receveur 9 sur le substrat donneur 2, lesdits substrats donneur 2 et receveur 9 sont nettoyés avec un mélange d'ozone et/ou d'une composition du type RCA selon l'acronyme Radio Corporation of America bien connu de l'Homme du Métier et/ou de l'eau déionisée, au moyen de brossages, de rinçages et de séchages. Il va de soi que l'étape de préparation des surfaces des substrats peut également consister en une application sur lesdites surfaces d'une activation par plasma sous oxygène ou azote. En référence à la figure 1f, l'ensemble formé par le substrat receveur 9 et le substrat donneur 2 est ensuite retourné, puis on détache une partie du substrat donneur 2 au niveau de la zone de fragilisation 8 conformément au procédé Smart CutTM, par traitement thermique à une température d'environ 500 C. On opère ensuite une abrasion de la surface supérieure de la couche de SiGe relaxé 5 restante du substrat donneur 2, par tout procédé approprié tel qu'un procédé du type CMP selon l'acronyme de l'expression anglo-saxonne Chemical Mechanical Planarization jusqu'à ce que la couche de silicium contraint 6 constitue la couche supérieure du substrat (figure l g). L'abrasion la surface supérieure de la couche de SiGe relaxé 5 restante pourra notamment être obtenue par l'application : - d'un traitement de type oxydation humide suivi d'une gravure sélective, - d'un traitement thermique lorsqu'une implantation ou co-implantation d'espèces a été appliquée sur le substrat pour former la zone enterrée fragilisée 8, - d'un polissage CMP suivi d'une gravure sélective lorsque la zone enterrée 25 fragilisée 8 a été formée par l'implantation d'une seule espèce, - d'une gravure sélective simple. En référence à la figure l h, une seconde couche d'oxyde TEOS 10 dite couche sacrificielle est déposée sur la couche de silicium contraint 6 sur une épaisseur d'environ 100 A. On applique ensuite un second traitement thermique à une température de 1100 C pendant 2 heures, sous une atmosphère inerte non oxydante ou un mélange de gaz inertes. Enfin, en référence à la figure l i, la couche sacrificielle 10 d'oxyde est éliminée par un traitement avec de l'acide fluorhydrique (HF). Selon une variante d'exécution du procédé suivant l'invention, en référence à la figure 2, ledit procédé comporte une première étape de dépôt d'une couche d'oxyde 10 (figure 2b) sur un substrat monocouche 11 dit substrat donneur obtenu dans du silicium par exemple (figure 2a), qui peut être d'orientation cristalline (100), (110) ou (111). On notera que la couche d'oxyde 1 peut être substituée par une couche de nitrure sans pour autant sortir du cadre de l'invention. On applique ensuite, en référence à la figure 2c, un premier traitement thermique à une température comprise entre 600 et 1000 C pendant un temps compris entre quelques minutes et quelques heures, et de préférence à une température de 800 C pendant 2 à 4 heures, sous un gaz inerte non oxydant ou un mélange de gaz inertes. L'atmosphère inerte ainsi créée est par exemple composée d'Argon (Ar), 20 d'Azote (N2) ou de Xénon (Xe) ou dans un mélange d'au moins deux de ces gaz inertes. Ce premier traitement thermique à relativement basse température permet, outre une densification de la couche d'oxyde 10, le dégazage de certaines espèces tout en préservant uncertain degré de porosité de la couche d'oxyde 10 déposée. De 25 plus, la porosité de la couche d'oxyde 10 permet d'obtenir un bon collage lors de la mise en contact avec un second substrat comme il sera détaillé plus loin. On implante ensuite des ions et/ou des espèces gazeuses 12 au travers de la face supérieure du substrat donneur 11, c'est-à-dire de la couche d'oxyde 10, de façon à former dans ledit substrat donneur 11 une zone enterrée fragilisée 13, 30 représentée en traits pointillés sur la figure 2d, conformément au procédé Smart CutTM tel que décrit dans la publication Silicon-On-Insulator Technology : Materials to VLSI, 2nd Edition de Jean-Pierre Colinge chez Kluwer Academic Publishers , pages 50 et 51. Cette zone enterrée fragilisée 13 permet, comme on le verra plus loin, le détachement d'une partie du substrat donneur 11. De la même manière que précédemment, cette étape d'implantation de fragilisation met en oeuvre, de préférence une implantation (Hydrogène seul, Hélium seul ..), une co-implantation d'au moins deux espèces atomiques différentes, par exemple l'Hydrogène et l'Hélium qui sont implantées séquentiellement, l'Hélium étant implanté de préférence, préalablement à l'Hydrogène. On colle ensuite, en référence à la figure 2e, un substrat receveur 14, en silicium par exemple, à savoir Si (100) , (110) ou (111), sur la couche supérieure du substrat donneur 11, c'est-à-dire sur la couche d'oxyde 10. Accessoirement, préalablement au collage du substrat receveur 14 sur le substrat donneur 11, lesdits substrats donneur 11 et receveur 14 sont nettoyés par tout procédé approprié tel que décrit précédemment. En référence à la figure 2f, l'ensemble formé par le substrat receveur 14 et le substrat donneur 11 est détaché au niveau de la zone de fragilisation 13 conformément au procédé Smart CutTM, par traitement thermique à une température d'environ 500 C et/ou avec l'application de contraintes. On applique ensuite, en référence à la figure 2g, un second traitement thermique à une température comprise entre 1000 et 1200 C pendant un temps compris entre quelques minutes et quelques heures, et de préférence à une température de 1100 C pendant 2 heures, sous un gaz inerte non oxydant ou un mélange de gaz inertes. De la même manière que précédemment, l'atmosphère inerte ainsi créée est par exemple composée d'Argon (Ar), d'Azote (N2) ou de Xénon (Xe) ou dans un mélange d'au moins deux de ces gaz inertes. Lors de ce second traitement thermique, la couche d'oxyde enterrée 10 s'est densifiée et les éventuels défauts initialement présents dans la couche superficielle du substrat ont été supprimés. Par ailleurs, ce second traitement thermique permet de renforcer les interfaces de collage du substrat. Le substrat ainsi obtenu, représenté sur la figure 2g, est constitué d'un substrat receveur 14 inférieur en silicium et d'une couche supérieure de silicium, le substrat receveur 14 étant séparé de la couche de silicium 11 par une couche d'oxyde 10 densifiée. On décrira ci-après un exemple particulier mais non limitatif de réalisation d'un substrat, obtenu suivant l'invention, en référence à la figure 2. Exemple 2: Une couche d'oxyde 10 (figure 2b) SiO2 à partir d'un précurseur TEOS est déposée suivant le procédé LPCVD sur un substrat monocouche 11 dit substrat donneur obtenu dans du silicium (figure 2a). L'épaisseur de la couche d'oxyde est comprise entre 200 et 500 A et de préférence de 300 A. On applique ensuite, en référence à la figure 2c, un premier traitement thermique à une température de 750 C pendant 2 heures, sous un gaz inerte non oxydant ou un mélange de gaz inertes. On implante ensuite des espèces d'hydrogène 12 au travers de la face supérieure du substrat donneur 11, c'est-à-dire de la couche d'oxyde 10, de façon à former dans ledit substrat donneur 11 une zone enterrée fragilisée 13, représentée en traits pointillés sur la figure Id, conformément au procédé Smart CutTM tel que décrit dans la publication Silicon-On-Insulator Technology : Materials to VLSI, 2nd Edition de Jean-Pierre Colinge chez Kluwer Academic Publishers , pages 50 et 51. Cette étape d'implantation de fragilisation met en oeuvre, par exemple, une implantation d'Hydrogène à une énergie de l'ordre de 25 keV et à une dose d'environ 5 10e16 at/cm2. On colle ensuite, en référence à la figure 2e, un substrat receveur 14, également obtenu dans du silicium, sur la couche supérieure du substrat donneur 11, c'est-à- dire sur la couche d'oxyde 10. Accessoirement, préalablement au collage du substrat receveur 14 sur le substrat donneur 11, lesdits substrats donneur 11 et receveur 14 sont nettoyés par tout procédé approprié tel que décrit précédemment. En référence à la figure 2f, une partie du substrat donneur 11 est détachée au niveau de la zone de fragilisation 13 conformément au procédé Smart CutTM, par traitement thermique à une température d'environ 500 C so. On applique ensuite, en référence à la figure 2g, un second traitement thermique à une température de 1100 C pendant 2 heures, sous un gaz inerte non oxydant ou un mélange de gaz inertes. Io Selon une dernière variante d'exécution du procédé suivant l'invention, en référence à la figure 3 ce dernier consiste en un procédé de collage d'un premier substrat sur un second substrat. Ledit procédé conforme à l'invention comporte une première étape de dépôt 15 d'une couche d'oxyde 20 (figure 3b) ou de nitrure sur un premier substrat 21 dit substrat donneur (figure 3a) obtenu dans un matériau quelconque tel que du silicium, du GaN, etc... On applique ensuite, en référence à la figure 3c, un premier traitement thermique à une température comprise entre 600 et 1000 C pendant un temps 20 compris entre quelques minutes et quelques heures, et de préférence à une température de 800 C pendant 2 à 4 heures, sous un gaz inerte non oxydant ou un mélange de gaz inertes. L'atmosphère inerte ainsi créée est par exemple composée d'Argon (Ar), d'Azote (N2) ou de Xénon (Xe) ou dans un mélange d'au moins deux de ces gaz 25 inertes. Ce premier traitement thermique à relativement basse température permet, outre une densification de la couche d'oxyde 20, le dégazage de certaines espèces tout en préservant un certain degré de porosité de la couche d'oxyde 20 déposée. La porosité de la couche d'oxyde 20 permet d'obtenir un bon collage lors de la 30 mise en contact avec un second substrat. Il est bien évident qu'une couche d'oxyde ou de nitrure peut être déposée sur chaque substrat sans pour autant sortir du cadre de l'invention. On colle ensuite, en référence à la figure 3d, un second substrat 22 dit substrat receveur, également obtenu dans un matériau quelconque tel que du silicium ou du GaN par exemple, sur le premier substrat 21 en mettant en contact intime le substrat receveur 22 sur la couche d'oxyde 20 du substrat donneur 21. On notera que, la porosité de la couche d'oxyde 1 ayant été préservée lors du premier traitement thermique, la qualité du collage est particulièrement bonne. Accessoirement, préalablement au collage des substrats 21,22, lesdits substrats 21,22 sont nettoyés avec un mélange d'ozone et d'une composition du type RCA selon l'acronyme Radio Corporation of America bien connu de l'Homme du Métier. On applique ensuite un second traitement thermique à une température comprise entre 1000 et 1200 C pendant un temps compris entre quelques minutes et quelques heures, et de préférence à une température de 1100 C pendant 2 heures, sous un gaz inerte non oxydant ou un mélange de gaz inertes. De la même manière que précédemment, l'atmosphère inerte ainsi crée est par exemple composée d'Argon (Ar), d'Azote (N2) ou de Xénon (Xe) ou dans un mélange d'au moins deux de ces gaz inertes. Lors de ce second traitement thermique, la couche d'oxyde enterrée 20 s'est densifiée et les éventuels défauts initialement présents dans la couche superficielle du substrat ont été supprimés. Par ailleurs, ce second traitement thermique permet de renforcer les interfaces de collage du substrat. Enfin, il va de soi que les exemples que l'on vient de donner ne sont que des illustrations particulières en aucun cas limitatives quant aux domaines d'application de l'invention. REVENDICATIONS 1 - Procédé de fabrication d'un substrat comportant une couche d'oxyde enterrée (1,10) pour la réalisation de composants électroniques ou analogues, comportant au moins une étape de dépôt d'une couche d'oxyde (1,10,20) ou de nitrure sur un substrat dit donneur (2,11,21), et/ou receveur une étape de mise en contact des substrats donneur et receveur (9,14,22), caractérisé en ce qu'il comporte au moins un premier traitement thermique de la couche d'oxyde (1,10,20) ou de nitrure déposée sur le substrat donneur (2,11,21) et /ou receveur et un second traitement thermique, à une température supérieure ou égale à celle du premier traitement thermique, du substrat constitué du substrat receveur (9,14,22), de la couche d'oxyde (1,10,20) et de tout ou partie du substrat donneur (2,11,21). 2 - Procédé suivant la revendication précédente caractérisé en ce que le premier traitement thermique consiste à appliquer une température comprise entre 600 et 1000 C pendant un temps compris entre quelques minutes et quelques heures sous un gaz inerte non oxydant ou un mélange de gaz inertes. 3 - Procédé suivant la revendication 2 caractérisé en ce que le premier traitement thermique consiste à appliquer une température de 800 C pendant 2 à 4 heures. 4 - Procédé suivant l'une quelconque des revendications 1 à 3 caractérisé en ce que le second traitement thermique consiste à appliquer une température comprise entre 1000 et 1200 C pendant un temps compris entre quelques minutes et quelques heures sous un gaz inerte non oxydant ou un mélange de gaz inertes. 5 - Procédé suivant l'une quelconque des revendications 2 à 4 caractérisé en ce que le gaz inerte entrant dans la composition de l'atmosphère inerte ou du mélange de gaz inertes est choisi parmi la liste suivante : Argon (Ar), Azote (N2) et Xénon (Xe). 6 - Procédé suivant l'une quelconque des revendications 1 à 5 30 caractérisé en ce que le précurseur d'oxyde est l'orthosilicate de tétraéthyle (TEOS). 7 - Procédé suivant l'une quelconque des revendications 1 à 5 caractérisé en ce que les précurseurs de nitrure de silicium sont le dichlorosilane et l'ammoniac. 8 - Procédé suivant l'une quelconque des revendications 1 à 7 caractérisé en ce que le substrat donneur (2) consiste en un substrat multicouche. 9 - Procédé suivant la revendication 8 caractérisé en ce que le substrat donneur (2) est constitué d'un substrat support (3) en silicium, d'une couche de Silicium-Germanium (SiGe) (4) de composition croissante, d'une couche de SiGe relaxé (5) et d'une couche de silicium contraint (6). -Procédé suivant l'une quelconque des revendications 1 à 7 10 caractérisé en ce que le substrat donneur (11) consiste en un substrat en Silicium d'orientation cristalline (100), (110) ou (111). 11 - Procédé suivant l'une quelconque des revendications 1 à 10 caractérisé en ce que le substrat receveur (9,14,22) est en Silicium d'orientation cristalline (100), (110) ou (111). 12 - Procédé suivant l'une quelconque des revendications 1 à 11 caractérisé en ce qu'il comporte une étape de détachement d'une couche utile (6,10) depuis le substrat donneur (2,11). 13 - Procédé suivant la revendication 12 caractérisé en ce que l'étape de détachement de la couche utile (6,10) est obtenue par au moins la succession des étapes suivantes de : - implantation d'ions ou d'espèces gazeuses depuis la face supérieure de la couche d'oxyde (1,10) déposée sur le substrat donneur (2,11) de façon à former une zone enterrée de fragilisation (8,13) dans ledit substrat donneur (2,11), - fracture dans la zone de fragilisation (8,13) menant au détachement de ladite couche utile (6,11). 14 - Procédé suivant la revendication 13 caractérisé en ce que l'étape d'implantation d'ions ou d'espèces gazeuses est réalisée postérieurement au premier traitement thermique et l'étape de fracture dans la zone de fragilisation est réalisée préalablement au second traitement thermique.15 - Procédé suivant la revendication 13 caractérisé en ce que l'étape d'implantation met en oeuvre une co-implantation d'au moins deux espèces atomiques différentes. 16 - Procédé suivant la revendication 15 caractérisé en ce que les 5 espèces Hydrogène et Hélium sont co-implantées au cours de ladite étape d'implantation. 17 - Procédé suivant la revendication 16 caractérisé en ce que lesdites espèces Hydrogène et Hélium sont implantées séquentiellement. 18 - Procédé suivant la revendication 17 caractérisé en ce que l'Hélium 10 est implanté préalablement à l'hydrogène. 19 - Procédé suivant l'une quelconque des revendications 15 à 18 caractérisé en ce la co-implantation est réalisée à des doses d'hydrogène de l'ordre de 20 à 40 keV et d'hélium de l'ordre de 30 à 60 keV, l'énergie pour les deux espèces étant de l'ordre de 1 à 2 e16 at/cm2. 15 20 - Procédé suivant les revendications 9 et 13 caractérisé en ce que les paramètres de ladite implantation d'espèces sont choisis pour constituer une zone de fragilisation (8) dans la couche de SiGe relaxé (5) du substrat donneur (2) multicouche. 21 - Procédé suivant l'une quelconque des revendications 1 à 20 20 caractérisé en ce qu'il comporte, préalablement à l'étape de mise en contact du substrat receveur (9,14,22) avec la couche d'oxyde (1,10,20) ou de nitrure déposée sur le substrat donneur (2,11,21), une étape de préparation des surfaces desdits substrats (2,11,21 ;9,14,22). 22 - Procédé suivant la revendication 21 caractérisé en ce que l'étape de 25 préparation des surfaces des substrats consiste à appliquer sur lesdites surfaces un mélange d'ozone et/ou une composition RCA et/ou de l'eau déionisée au moyen de brossages, de rinçages et de séchages 23 - Procédé suivant l'une quelconque des revendications 21 ou 22 caractérisé en ce que l'étape de préparation des surfaces des substrats 30 (2,11,21 ;9,14,22) consiste à appliquer sur lesdites surfaces une activation par plasma sous oxygène ou azote.24 - Substrat comportant au moins une couche d'oxyde ou de nitrure (1) déposée sur un substrat donneur (2) et/ou receveur (9) caractérisé en ce que la couche d'oxyde ou de nitrure (1) est dégazée et présente un indice de réfraction inférieur à l'indice de réfraction d'une couche d'oxyde ou de nitrure de même composition formée par croissance thermique. 25 - Substrat suivant la revendication 24 caractérisé en ce que l'indice de réfraction de la couche d'oxyde ou de nitrure (1) dégazée est comprise entre 1.435 et 1.455 pour une longueur d'onde de laser de 633 nm.