FR 2912075 A1 20080808 FR 0850600 A 20080131 La présente invention se rapporte d'une manière générale au domaine du polissage chimique-mécanique (CMP). En particulier, la présente invention se rapporte à un patin CMP ayant des rainures qui réduisent la consommation de pâte. Dans la fabrication de circuits intégrés et d'autres dispositifs électroniques sur une rondelle de semi-conducteur, de multiples couches de matière conductrice, semi-conductrice et diélectrique sont déposées sur et gravées dans la rondelle. Des couches minces de ces matières peuvent être déposées par plusieurs techniques de dépôt. Des techniques de dépôt courantes dans le traitement de rondelle moderne comprennent le dépôt physique en phase vapeur (PVD) (également connu sous le nom de projection), le dépôt chimique en phase vapeur (CVD), le dépôt chimique en phase vapeur assisté par plasma (PECVD) et le dépôt électrochimique. Des techniques de gravure courantes comprennent la gravure isotrope et anisotrope humide et à sec, entre autres. Lorsque des couches de matières sont déposées et gravées de manière séquentielle, la surface de la rondelle devient non plane. Du fait qu'un traitement de semi-conducteur consécutif (par exemple une photolithographie) exige que la rondelle ait une surface plate, la rondelle doit être aplanie de manière périodique. L'aplanissement est utile afin d'enlever une topographie de surface indésirable ainsi que des défauts de surface, tels que des surfaces rugueuses, des matières agglomérées, un endommagement de réseau cristallin, des rayures et des couches ou des matières contaminées. L'aplanissement chimique-mécanique, ou polissage chimique-mécanique (CMP), est une technique courante utilisée pour aplanir des rondelles de semi-conducteur et d'autres pièces. Dans le patin CMP conventionnel utilisant un dispositif de polissage rotatif à axe double, un support de rondelle, ou tête de polissage, est monté sur un ensemble de support. La tête de polissage maintient la rondelle et la positionne en contact avec une couche de polissage d'un patin de polissage à l'intérieur du dispositif de polissage. Le patin de polissage a un diamètre plus grand que le double du diamètre de la rondelle qui est aplanie. Pendant le polissage, le patin de polissage et la rondelle sont entraînés en rotation autour de leurs centres concentriques respectifs alors que la rondelle est engagée avec la couche de polissage. L'axe de rotation de la rondelle est décalé par rapport à l'axe de rotation du patin de polissage d'une distance plus grande que le rayon de la rondelle de telle sorte que la rotation du patin balaye une piste de rondelle annulaire sur la couche de polissage du patin. Lorsque le seul mouvement de la rondelle est de rotation, la largeur de la piste de rondelle est égale au diamètre de la rondelle. Toutefois, dans certains dispositifs de polissage à axe double, la rondelle est amenée à osciller dans un plan perpendiculaire à son axe de rotation. Dans ce cas, la largeur de la piste de rondelle est plus grande que le diamètre de la rondelle d'une valeur qui tient compte du déplacement dû à l'oscillation. L'ensemble de support procure une pression pouvant être commandée entre la rondelle et le patin de polissage. Pendant le polissage, une pâte, ou un autre agent de polissage, s'écoule sur le patin de polissage et dans l'espace entre la rondelle et la couche de polissage. La surface de rondelle est polie et rendue plane par action chimique et mécanique de la couche de polissage et de l'agent de polissage sur la surface. L'interaction entre les couches de polissage, les agents de polissage et les surfaces de rondelle pendant le polissage chimique-mécanique est de plus en plus étudiée dans un effort d'optimisation des conceptions de patin de polissage. La plupart des développements de patin de polissage des dernières années ont été d'une nature empirique. Une majeure partie de la conception des surfaces de polissage, ou des couches, s'est focalisée sur le fait de pourvoir ces couches de différents dessins de vides et d'agencements de rainures qui sont censés améliorer l'utilisation de la pâte et l'uniformité du polissage. Avec les années, assez peu de dessins et agencements de rainure et de vide différents ont été mis en oeuvre. Les dessins de rainure de l'art antérieur comprennent des dessins radiaux, circulaires concentriques, à grille cartésienne et en spirale, entre autres. Les configurations de rainure de l'art antérieur comprennent des configurations dans lesquelles la largeur et la profondeur de toutes les rainures sont uniformes parmi toutes les rainures et des configurations dans lesquelles la largeur ou la profondeur des rainures varie d'une rainure à l'autre. Bien sûr, la plupart des dessins de rainure sont basés sur l'estimation spéculative de la manière selon laquelle un écoulement de pâte répond à différentes caractéristiques de rainure, telles que par exemple une courbure de rainure et une section de rainure. Ces caractéristiques jouent souvent un rôle essentiel dans l'influence de la migration de pâte distribuée sous l'effet de la force centripète mise en œuvre par le dispositif de polissage rotatif. Lorsque l'orientation de rainure change de plus circulaire à plus radiale, la migration vers l'extérieur de la pâte distribuée augmente. Des rainures radiales, par exemple, peuvent provoquer l'écoulement de sortie radial le plus grand de la pâte distribuée en agissant comme des canaux qui dirigent du liquide totalement hors du patin de polissage. Cet écoulement de sortie a un impact négatif sur le processus de polissage en permettant un échauffement excessif de points de contact entre le patin de polissage et la surface de rondelle, ce qui entraîne des problèmes tels que de médiocres performances de polissage et une usure de patin plus grande. Alors que des patins de polissage ont une grande variété de dessins de rainure, l'efficacité de ces dessins de rainure varie d'un dessin à l'autre, ainsi que d'un processus de polissage à un autre processus de polissage. Les concepteurs de patin de polissage recherchent de manière continue des dessins de rainure qui rendent les patins de polissage plus efficaces et utiles par rapport aux conceptions de patin de polissage connues. Dans un aspect de l'invention, il est prévu un patin de polissage pour utilisation en liaison avec un agent de polissage ayant une trajectoire idéale due à la rotation du patin de polissage pendant l'utilisation, le patin de polissage comportant : une couche de polissage configurée afin de polir au moins un substrat magnétique, optique ou de semi-conducteur en présence d'un agent de polissage, la couche de polissage comprenant une surface de polissage circulaire ayant une piste de polissage annulaire pendant le polissage ; et au moins une rainure formée dans la couche de polissage et ayant une partie orthogonale disposée à l'intérieur de la piste de polissage, la partie orthogonale ayant une longueur et étant conformée sur toute la longueur afin d'être perpendiculaire à la trajectoire de fluide idéale le long de la partie orthogonale. Avantageusement, la piste de polissage peut avoir une largeur et la partie orthogonale traverse au moins 50% de la largeur; la partie orthogonale peut traverser au moins 75% de la largeur de la piste de polissage; le patin peut comporter une multiplicité de rainures partiellement définies en répétant la partie orthogonale de manière circonférentielle autour de la surface de polissage; les rainures de la multiplicité de rainures (108, 204, 304) peuvent être partiellement définies en répétant la partie orthogonale de manière circonférentielle autour de la surface de polissage à un pas angulaire constant; la forme de la partie orthogonale peut être définie par l'équation = roelf(") où ro est la position radiale initiale par rapport à un centre concentrique (0) du patin de polissage (100, 200, 300) et 0 est l'angle de trajectoire. Dans un autre aspect de l'invention, il est prévu un patin de polissage, comportant : une couche de polissage configurée afin de polir au moins un substrat magnétique, optique ou de semi-conducteur en présence d'un agent de polissage ; et au moins une rainure formée dans la couche de polissage et ayant une partie orthogonale disposée à l'intérieur de la piste de polissage, la partie orthogonale ayant une longueur et étant conformée selon l'équation z(3o)Z3 r*=r0e' où ro est la position radiale initiale par rapport à un centre concentrique du patin de polissage et O est l'angle de trajectoire. Dans encore un autre aspect de l'invention, il est prévu un procédé de fabrication d'un patin de polissage rotatif pour une utilisation avec un agent de polissage, comportant le fait de : déterminer une trajectoire pour l'agent de polissage ; déterminer une forme de rainure et une orientation de rainure d'une rainure devant être formée dans le patin de polissage rotatif comme une fonction de la trajectoire pour l'agent de polissage ; et former dans le patin de polissage rotatif une multiplicité de rainures ayant la forme de rainure et l'orientation de rainure. La figure 1 est une vue en plan d'un patin de polissage fabriqué selon la présente invention ; La figure 2 est une vue en coupe agrandie du patin de polissage de la figure 1 le long de la ligne 2-2 de la figure 1 ; La figure 3 est une vue de dessus schématique du patin de polissage de la figure 1 montrant la forme d'une des rainures sur le patin par rapport à une trajectoire de fluide idéalisée ; La figure 4 est une vue en plan schématique d'une variante de patin de polissage fabriquée selon la présente invention illustrant la forme d'une des rainures sur le patin ; La figure 5 est une vue en plan du patin de polissage de la figure 4 montrant la formation complète du patin de polissage ; La figure 6 est une vue en plan schématique d'une autre variante de patin de polissage fabriquée selon la présente invention illustrant la forme d'une des rainures sur le patin ; La figure 7 est une vue en plan du patin de polissage de la figure 6 montrant la formation complète du patin de polissage ; et La figure 8 est un dessin schématique d'un système de polissage selon la présente invention. Si l'on se réfère maintenant aux dessins, les figures 1 et 3 illustrent une forme de réalisation d'un patin de polissage 100 fabriqué selon la présente invention. Comme cela est discuté ci-dessous, le patin de polissage 100 est conçu d'une manière qui freine la tendance d'un agent de polissage (non représenté), par exemple de la pâte, à migrer vers l'extérieur du fait de la force centripète appliquée sur l'agent de polissage par la rotation du patin de polissage 100 pendant l'utilisation. D'une manière générale, le patin de polissage 100 comprend une surface de polissage 104 contenant une multiplicité de rainures 108 ayant chacune une forme de rainure 112 (figure 3) au moins partiellement déterminée en fonction d'une trajectoire de fluide 116 (figure 3) qui définit le passage de déplacement moyen le long duquel l'agent de polissage se déplacerait lorsque le patin de polissage tourne pendant l'utilisation si les rainures 108 n'étaient pas présentes. Plus particulièrement, la totalité ou une partie de la forme de rainure 112 et son orientation par rapport au sens de rotation du patin de polissage 100 sont choisies de telle sorte que la rainure 108 respective correspondante est perpendiculaire à la trajectoire de fluide 116. Ainsi, des rainures 108 ou des parties de celles-ci qui sont perpendiculaires à la trajectoire de fluide 116 procure un obstacle significatif pour l'agent de polissage qui s'écoule sur la surface de polissage 104 et hors du patin de polissage 100, en augmentant ainsi le temps de rétention de l'agent de polissage sur le patin. Des temps de rétention accrus conduisent à une consommation d'agent de polissage plus faible, et par conséquent des coûts de fonctionnement plus bas. Des détails de différentes géométries d'exemple des rainures 108 sont décrits ci- dessous. Si l'on se réfère à la figure 1, et également à la figure 2, le patin de polissage 100 peut comprendre une couche de polissage 120. Dans un exemple, la couche de polissage 120 peut être supportée par une couche de support 124, qui peut être formée intégralement avec la couche de polissage 120 ou bien peut être formée séparément de la couche de polissage 120. Si l'on se réfère de nouveau à la figure 1, le patin de polissage 100 a de manière typique une forme de disque circulaire de telle sorte que la surface de polissage 104 a un centre concentrique O et une périphérie extérieure circulaire 128. Cette dernière peut être disposée à une distance radiale de O, comme cela est illustré par le rayon Rpad. La couche de polissage 120 peut être fabriquée dans n'importe quelle matière appropriée pour le polissage de l'article qui est poli, tel qu'une rondelle de semi-conducteur, un article de support magnétique, par exemple un disque d'un disque dur d'ordinateur ou une optique, par exemple une lentille de réfraction, une lentille de réflexion, un réflecteur plan ou un article plan transparent, entre autres. Des exemples de matières pour la couche de polissage 120 comprennent, par souci d'illustration et non pas de limitation, différentes matières plastiques polymères, telles que du polyuréthanne, du polybutadiène, du polycarbonate et du polyméthylacrylate, parmi de nombreux autres. Chaque rainure de la multiplicité de rainures 108 peut être formée dans la couche de polissage 120 de n'importe quelle manière appropriée, par exemple par fraisage, moulage etc. Dans un exemple, les rainures 108 sont formées de manière distincte l'une de l'autre et sont disposées de manière répétée à un pas constant autour du centre concentrique O. De plus, chaque rainure de la multiplicité de rainures 108 peut être formée avec une forme en coupe de rainure 132 (figure 2) comme cela est souhaité afin de s'adapter à un ensemble particulier de critères de conception. Dans un exemple, chaque rainure de la multiplicité de rainures 108 peut avoir une forme en coupe rectangulaire, par exemple comme cela est représenté par la forme en coupe de rainure 132a. Dans un autre exemple, chaque rainure 108 peut avoir une forme en coupe de rainure 132 qui varie sur sa longueur. Dans encore un autre exemple, la forme en coupe 132 peut varier d'une rainure 108 à une autre rainure 108. Les gens du métier comprendront la large plage et les différentes applications de forme en coupe de rainure 132 qu'un concepteur peut prévoir pour un patin de polissage, tel que le patin de polissage 100. Si l'on se réfère de nouveau à la figure 3, la trajectoire de fluide 116 représentée est une trajectoire idéalisée qu'un fluide, par exemple de l'eau, suivrait sous l'influence de la rotation du patin de polissage 100 si la surface de polissage 104 repoussait le fluide, par exemple en étant hydrophobe, et ne comprenait aucune rainure 108 ou d'autres obstacles structurels à son mouvement. La dérivation mathématique suivante est basée sur cette trajectoire idéalisée. Toutefois, on reconnaît que la trajectoire véritable d'un agent de polissage sur une surface de polissage réelle peut varier par rapport à la trajectoire idéale du fait des influences de différents facteurs, tels que la viscosité d'agent de polissage et la tension de surface, non considérés dans la trajectoire idéalisée. Par conséquent, la trajectoire de fluide 116 représente également la trajectoire véritable d'un agent de polissage donné lorsque l'agent répond aux forces physiques appliquées par le patin de polissage 100 et la rotation du patin. Pour simplifier l'explication de concepts sous-tendant la présente invention, cependant, les formules mathématiques pour la trajectoire sans obstacle idéale seulement sont présentées en détail ci-dessous. Ceci ne signifie pas nécessairement que la présente invention couvre seulement des formes de rainure agencées selon les formules mathématiques suivantes. Au contraire, la présente invention est prévue pour inclure des trajectoires de fluide réelles pendant la rotation d'un patin sans rainure équivalent, indépendamment du fait que ces trajectoires sont définies ou non par le modèle mathématique de trajectoire idéale suivant. Par souci pratique, la trajectoire de fluide 116 peut être définie par une multiplicité de points ayant des coordonnées polaires indiquant une position radiale r et un angle de trajectoire 0, par exemple le point 136 (r, 0). Ces points définissent le dessin d'un agent de polissage idéalisé lorsqu'il se déplace vers l'extérieur sur la surface de polissage 104 sous l'influence de la vitesse angulaire 4 du patin de polissage 100. Dans cet exemple, la trajectoire de fluide 116 est la variation du déplacement angulaire AO lorsque la position radiale r de l'agent de polissage augmente par rapport au centre concentrique O. En général, l'agent de polissage accélère de manière continue lorsque la position radiale r augmente par rapport au centre concentrique O. La trajectoire de fluide 116 peut être liée à la vitesse angulaire 1,, de l'agent de polissage lorsque l'agent se déplace vers l'extérieur depuis le centre concentrique O. La vitesse angulaire vr peut être décrite comme le changement dans la position radiale r par rapport au centre concentrique O mesuré par rapport au temps t, comme cela est représenté dans l'équation 1. dr l'r = Equation {1} Il est facile de noter que la force centripète appliquée sur l'agent de polissage lorsque le patin de polissage 100 tourne à une vitesse angulaire S-4 constante provoque une accélération a de l'agent de polissage lorsqu'il se déplace vers l'extérieur le long de la surface de polissage 104 (que l'on suppose de nouveau sans rainure, lisse et repoussant le fluide pour la simplicité du modèle mathématique). L'accélération a est exprimée dans l'équation 2. a= dt =r Equation {2} Cette accélération augmente avec une augmentation de la position radiale r par rapport au centre concentrique O. L'accélération croissante a pour résultat une vitesse angulaire v,- croissante, qui peut être déterminée en intégrant l'équation 2 et en appliquant une valeur de vitesse angulaire initiale v,. = 0, comme cela se produirait quand l'agent de polissage est distribué sur la surface de polissage 104 sans appliquer une vitesse angulaire initiale -v,.. Le résultat est représenté dans l'équation 3 suivante. v,. =rf-21,2't Equation {3} Il s'ensuit que la variation de position radiale r par rapport au temps t peut être décrite en combinant les équations 1 et 3, comme cela est représenté dans l'équation 4, qui peut être séparée et intégrée afin de procurer le résultat représenté dans l'équation 5, où C est une constante d'intégration. dr dt r[2 2t Equation {4} 1 ln(r) = .Q 2t2+C Equation {5} En outre, la variation de la position radiale r peut être associée à la variation de déplacement angulaire 00 mesurée par rapport au temps t, comme cela est représenté dans les équations 6 et 7. JO .Qp 1 1n(r) = -2- (40)- + C Equation {6} Equation {7} Cette équation, c'est-à-dire l'équation 7, peut être agencée afin de définir la variation de déplacement angulaire A0 avec le changement de position radiale r en appliquant la condition de limite A0 = 0 lorsque r ro, comme cela est représenté dans l'équation 8. La variation de déplacement angulaire M décrite par l'équation 8 peut fournir le dessin d'un agent de polissage se déplaçant vers l'extérieur sur la surface de polissage idéalisée 104 en rotation sous une accélération continue lorsque la position radiale r augmente par rapport au centre concentrique O. 0=-21no Equation {8} La variation de déplacement angulaire A8 peut également être exprimée d'une manière générale en termes de position radiale r, par exemple r = r(8), comme cela est représenté dans l'équation 9. Dans un exemple, cette équation s'approche du passage, c'est-à-dire la trajectoire de fluide 116, d'un agent de polissage idéalisé lorsqu'il se déplace librement sur la surface de polissage 104, sans considération des effets de viscosité et de tension de surface. 1 r=roe2 Equation {9} Au vu de ce qui précède, une approche pour la détermination de la forme de rainure 112 de chaque rainure 108 du patin de polissage 100 (figure 1) consiste à rendre au moins une partie significative de chaque rainure perpendiculaire à la trajectoire de fluide telle que définie par les équations 8 et 9 ci-dessus. De cette manière, les rainures 108 sont conformées afin de résister au mouvement de l'agent de polissage en opposant les différents modèles de mouvement comme cela a été décrit ci-dessus. Pour déterminer l'équation d'une forme de rainure, par exemple la forme de rainure 112, perpendiculaire à la trajectoire de fluide 116, il est bénéfique de connaître la pente s de la trajectoire de fluide. En général, la pente s de la trajectoire de fluide 116, exprimée comme une fonction de coordonnées polaires O = (r), est comme cela est représenté dans l'équation 10. 16ir s = --= r d() d8dr Equation {10 La dérivée (équation 10) de la trajectoire de fluide 116 de l'équation 8 peut être utilisée pour déterminer la pente s (équation 12) de la trajectoire de fluide 116. dB -1 dr Equation {11} s= Equation {12} Pour être perpendiculaire, la pente de la forme de rainure 112 doit être telle que le produit de la pente s et de la pente ' est - 1 en tous points sur trajectoire de fluide 116. Par conséquent, la pente s* de la forme de rainure 112 perpendiculaire à la trajectoire de fluide 116 définie par l'équation 13 est comme suit : (/21n-)1 Equation {13 La pente s* de la forme de rainure 112 définie par l'équation 13 peut être utilisée en liaison avec l'équation 10 afin de déterminer la dérivée (équation 14) de la courbe orthogonale. Ensuite, la trajectoire orthogonale 0* = 6e(r) (équation 15) peut être trouvée en séparant et intégrant l'équation 14. 'ce* r 25 Si l'on se réfère à la figure 3, et également à la figure 1, une fois que la forme de rainure 112 (figure 3) a été établie de telle sorte qu'elle est perpendiculaire 21n r ù ro La trajectoire sous la forme l'équation 16, r* = roe' (30)Y, Equation {14} Equation {15} orthogonale peut également être exprimée r* = r *(B), comme cela est représenté dans en résolvant l'équation 15 pour r. Equation {16} à trajectoire de fluide 116 sur au moins une partie de la longueur de la rainure 108 correspondante, la rainure peut être répétée de manière circonférentielle autour du patin de polissage 100 comme cela est souhaité, par exemple comme cela est représenté sur la figure 1. Bien que la meilleure retenue d'agent de polissage puisse être obtenue si chaque rainure s'étend depuis la partie centrale du patin de polissage 100 jusqu'à la périphérie extérieure du patin, on reconnaîtra que, dans certaines formes de réalisation, il est souhaitable d'amener moins de toute la longueur des rainures à être perpendiculaire, c'est-à-dire en formant un angle local entre 45 et 135 degrés, à la trajectoire de fluide. D'une manière générale, cependant, il est souhaitable que la partie orthogonale de chaque rainure s'étende sur au moins 50% de la largeur de la piste de rondelle, qui est représentée en 140 sur la figure 1. Par exemple, chaque rainure 108 représentée dans la figure 1 est perpendiculaire à la trajectoire de fluide 116 sur toute sa longueur. Par souci d'illustrer les principes décrits ci-dessus, les figures 4 à 7 montrent des variantes de patins de polissage 200, 300, qui n'illustrent que deux des nombreuses variantes de conceptions de rainure qui peuvent être réalisées en utilisant ces principes. Si l'on se réfère tout d'abord aux figures 4 et 5, le patin de polissage 200 comprend une multiplicité de rainures 204 (figure 5) comprenant chacune une partie intérieure 204A conformée sans tenir compte de la trajectoire de fluide 208 (figure 4) et ayant des bénéfices décrits dans le brevet U.S. n 6 783 436, intitulé Polishing Pad with Optimized Grooves and Methods of Forming Same et délivré le 31 août 2004 au nom de Muldowney. Chaque rainure de la multiplicité de rainures 204 (figure 5) comprend également une partie extérieure 204B conformée de façon à être perpendiculaire à la trajectoire de fluide. Dans cet exemple, chaque partie intérieure 204A de la multiplicité de rainures 204 s'étend depuis un point à proximité du centre concentrique O du patin de polissage 200 jusqu'à un point au niveau du rayon R1 (figure 4) , ici environ un tiers du rayon du patin. La partie extérieure orthogonale 204B de chaque rainure 204 s'étend depuis le point respectif correspondant au niveau du rayon R1 jusqu'au rayon R2, qui dans cet exemple est le rayon global du patin de polissage 200. Comme cela se voit sur la figure 5, environ quatre cinquièmes de la largeur W de la piste de rondelle 212 comprennent des parties extérieures orthogonales 204B de rainures. Si l'on se réfère ensuite aux figures 6 et 7, un patin de polissage 300 comprend une multiplicité de rainures 304 qui sont configurées à l'opposé des rainures 204 de la figure 5. C'est-à-dire que, plutôt que d'avoir les parties orthogonales des rainures radialement à l'extérieur des parties globalement non orthogonales, la partie intérieure 304A de chaque rainure 304 du patin de polissage 300 (figure 7) est conformée de façon à être perpendiculaire à la trajectoire de fluide 308 (figure 6) et la partie extérieure 304B est conformée sans tenir compte de sa perpendicularité à la trajectoire de fluide et ayant des bénéfices décrits dans le brevet U.S. n 6 783 436 cité ci-dessus. Dans cet exemple, chaque partie intérieure orthogonale 304A s'étend depuis un point sur le rayon R1' près du centre concentrique O du patin de polissage 300 jusqu'à un point au niveau d'un rayon R2', qui dans ce cas est environ les deux tiers du rayon global du patin. La partie extérieure non orthogonale de manière intentionnelle 304B s'étend depuis le point sur le rayon R2' jusqu'à la périphérie extérieure du patin de polissage 300. Comme cela peut facilement se voir sur la figure 7, environ les deux tiers de la largeur W' de la piste de rondelle 312 contiennent des parties intérieures orthogonales 304A des rainures 304. Comme cela sera apprécié par les gens du métier, bien que des parties intérieures non orthogonales de manière intentionnelle 204A des rainures 204 de la figure 5 et des parties extérieures non orthogonales de manière intentionnelle 304B des rainures 304 de la figure 7 soient représentées comme étant en forme de spirale, ceci n'est pas nécessaire. Par exemple, dans d'autres formes de réalisation, les rainures en forme de spirale peuvent être remplacées par des rainures d'autres formes et orientations, telles que droite et radiale, légèrement courbe et radiale, en zigzag et radiale, en zigzag et circonférentielle, ondulée et radiale et ondulée et circonférentielle, pour n'en citer que quelques unes. Les parties non orthogonales de manière intentionnelle des rainures peuvent également être des chevauchements d'autres dessins de rainures plus simples, tels que des grilles cartésiennes ou des chevauchements de grilles et de dessins circulaires ou en spirale. De plus, d'autres formes de réalisation peuvent avoir d'autres configurations globales de rainures. Par exemple, certaines formes de réalisation peuvent être des hybrides des patins de polissage 200, 300 des figures 5 et 7. C'est-à-dire que des variantes de formes de réalisation peuvent comprendre des rainures ayant chacune une partie centrale conformée de façon à être perpendiculaire à la trajectoire de fluide concernée et des parties intérieures et extérieurs qui ne sont pas orthogonales de manière intentionnelle à la trajectoire de fluide. La figure 8 illustre un dispositif de polissage 400 prévu pour uneutilisation avec un patin de polissage 404, qui peut être l'un des patins de polissage 100, 200, 300 des figures 1 à 7 ou un autre patin de polissage de la présente invention, afin de polir un article, tel qu'une rondelle 408. Le dispositif de polissage 400 peut comprendre un plateau 412 sur lequel est monté le patin de polissage 404. Le plateau 412 peut tourner autour d'un axe de rotation Al grâce à un dispositif d'entraînement de plateau (non représenté). Le dispositif de polissage 400 peut en outre comprendre un support de rondelle 420 qui peut tourner autour d'un axe de rotation A2 parallèle à, et espacé de, l'axe de rotation Al du plateau 412 et supporte la rondelle 408 pendant le polissage. Le support de rondelle 420 peut présenter une liaison articulée (non représentée) qui permet à la rondelle 408 de prendre un aspect très légèrement non parallèle à la surface de polissage 424 du patin de polissage 404, auquel cas les axes de rotation Al, A2 peuvent être légèrement décalés l'un par rapport à l'autre. La rondelle 408 comprend une surface polie 428 qui fait face à la surface de polissage 424 et est aplanie pendant le polissage. Le support de rondelle 420 peut être supporté par un ensemble de support (non représenté) prévu pour entraîner en rotation la rondelle 408 et procurer une force vers le bas F afin de pousser la surface polie 424 contre le patin de polissage 404 de telle sorte qu'une pression souhaitée existe entre la surface polie et le patin pendant le polissage. Le dispositif de polissage 400 peut également comprendre une entrée d'agent de polissage 432 destinée à délivrer un agent de polissage 436 à la surface de polissage 424. Comme les gens du métier l'apprécieront, le dispositif de polissage 400 peut comprendre d'autres composants (non représentés) tels qu'un dispositif de commande d'un système, un système de stockage et de distribution d'agent de polissage, un système de chauffage, un système de rinçage et différentes commandes destinées à commander différents aspects du processus de polissage tels que : (1) des dispositifs de commande de vitesse et des sélecteurs pour une ou bien les deux vitesses de rotation de la rondelle 408 ou du patin de polissage 404; (2) des dispositifs de commande et des sélecteurs destinés à modifier la vitesse et l'emplacement de sortie de l'agent de polissage 436 sur le patin; (3) des dispositifs de commande et des sélecteurs destinés à commander l'amplitude de la force F appliquée entre la rondelle et le patin de polissage, et (4) des dispositifs de commande, des dispositifs d'actionnement et des sélecteurs destinés à commander l'emplacement de l'axe de rotation A2 de la rondelle par rapport à l'axe de rotation Al du patin, entre autres. Les gens du métier comprendront comment ces composants sont construits et mis en œuvre de telle sorte qu'une explication détaillée de ceux-ci n'est pas nécessaire pour que les gens du métier comprennent et mettent en oeuvre la présente invention. Pendant le polissage, le patin de polissage 404 et la rondelle 408 sont entraînés en rotation autour de leurs axes de rotation Al, A2 respectifs et l'agent de polissage 436 est distribué depuis l'entrée d'agent de polissage 432 sur le patin de polissage en rotation. L'agent de polissage 436 s'étale sur la surface de polissage 424, y compris l'espace entre la rondelle 408 et le patin de polissage 404. Le patin de polissage 404 et la rondelle 408 sont de manière typique, mais pas nécessairement, entraînés en rotation à des vitesses sélectionnées de 0,1 tour par minute à 850 tours par minute. La force F est de manière typique, mais pas nécessairement, d'une amplitude choisie afin d'induire une pression souhaitée de 6,9 à 103 kPa entre la rondelle 408 et le patin de polissage 404. REVENDICATIONS 1. Patin de polissage (100, 200, 300) pour utilisation en liaison avec un agent de polissage ayant une trajectoire idéale due à la rotation du patin de polissage (100, 200, 300) pendant l'utilisation, le patin de polissage (100, 200, 300) étant caractérisé en ce qu'il comporte : (a) une couche de polissage configurée afin de polir au moins un substrat magnétique, optique ou de semi-conducteur en présence d'un agent de polissage, la couche de polissage comprenant une surface de polissage circulaire ayant une piste de polissage annulaire pendant le polissage ; et (b) au moins une rainure (108, 204, 304) formée dans la couche de polissage et ayant une partie orthogonale disposée à l'intérieur de la piste de polissage, la partie orthogonale ayant une longueur et étant conformée sur toute la longueur afin d'être perpendiculaire à la trajectoire de fluide idéale (116, 208, 308) le long de la partie orthogonale. 2. Patin de polissage (100, 200, 300) selon la revendication 1, caractérisé en ce que la piste de polissage a une largeur et la partie orthogonale traverse au moins 50% de la largeur. 3. Patin de polissage (100, 200, 300) selon la revendication 2, caractérisé en ce que la partie orthogonale traverse au moins 75% de la largeur de la piste de polissage. 30 4. Patin de polissage (100, 200, 300) selon l'une quelconque des revendications 1 à 3, caractérisé en ce qu'il comporte une multiplicité de rainures {108, 204, 304) partiellement définies en répétant la partie orthogonale de manière circonférentielle autour de la surface de polissage. 5. Patin de polissage (100, 200, 300) selon la revendication 4, caractérisé en ce que les rainures (108, 204, 304) de la multiplicité de rainures (108, 204, 304) sont partiellement définies en répétant la partie orthogonale de manière circonférentielle autour de la surface de polissage à un pas angulaire constant. 6. Patin de polissage (100, 200, 300) selon l'une quelconque des revendications 1 à 5, caractérisé en ce que la forme de la partie orthogonale est définie par l'équation r*ùroe2(30% où r0 est la position radiale initiale par rapport à un centre concentrique (0) du patin de polissage (100, 200, 300) et 0 est l'angle de trajectoire. 7. Patin de polissage (100, 200, 300), caractérisé en ce qu'il comporte (a) une couche de polissage configurée afin de polir au moins un substrat magnétique, optique ou de semi-conducteur en présence d'un agent de polissage ; et (b) au moins une rainure (108, 204, 304) formée dans la couche de polissage et ayant une partie orthogonale disposée à l'intérieur de la piste de polissage, la partie orthogonale ayant une longueur et étant conformée selon l'équationr o 1(30)2/ où r0 est la position radiale initiale par rapport à un centre concentrique (0) du patin de polissage {100, 200, 300) et 0 est l'angle de trajectoire. 8. Patin de polissage (100, 200, 300) selon la revendication 7, caractérisé en ce que la surface de polissage comprend, pendant le polissage, une piste de polissage ayant une largeur, la partie orthogonale 10 traversant au moins 50% de la largeur. 9. Patin de polissage (100, 200, 300) selon la revendication 7 ou 8, caractérisé en ce qu'il comprend une multiplicité de rainures (108, 204, 304) partiellement 15 définies en répétant la partie orthogonale de manière circonférentielle autour de la surface de polissage à un pas angulaire constant. 10. Procédé de fabrication d'un patin de polissage 20 rotatif (100, 200, 300) pour une utilisation avec un agent de polissage, caractérisé en ce qu'il comporte le fait de : déterminer une trajectoire pour l'agent de polissage ; déterminer une forme de rainure (108, 204, 304) et une orientation de rainure d'une rainure (108, 204, 304) devant 25 être formée dans le patin de polissage rotatif (100, 200, 300) comme une fonction de la trajectoire pour l'agent de polissage ; et former dans le patin de polissage rotatif (100, 200, 300) une multiplicité de rainures (108, 204, 304) ayant la forme 30 de rainure et l'orientation de rainure.