FR 2911995 A1 20080801 FR 0700625 A 20070130 PROCEDE D'INTERCONNEXION DE TRANCHES ELECTRONIQUES Le domaine de l'invention est celui de l'interconnexion de modules électroniques 3D et plus précisément de l'interconnexion verticale. Un module électronique 3D est un empilement de composants électroniques hétérogènes. Par cornposant hétérogène on entend un composant électronique comprenant à la fois un ou plusieurs composants actif(s) et/ou passif(s) connectés ensemble et formant ainsi un circuit électronique qui assure une fonction électronique donnée. Le composant actif comprend tout composant couramment appelé puce et mettant en oeuvre la technologie des semi-conducteurs ; il s'agit par exemple d'une diode, d'un transistor, d'un circuit intégré, d'un circuit dédié ASIC, d'une mémoire ou d'un microprocesseur. Par composant passif on entend les autres composants, qu'il s'agisse de composants classiques de type résistance, condensateur ou inductances. montés en surface ou encore les composants électromécaniques gravés dans le silicium et connus sous le nom de MEMS, acronyme de l'expression anglo-saxonne Micro Electro Mechanical Systems . Par interconnexion verticale, on entend interconnexion dans le sens de l'empilement. L'interconnexion de modules électroniques 3D est réalisé selon de nombreuses techniques que l'on peut découper en deux familles : -l'interconnexion et empilage de composants hétérogènes, l'interconnexion et l'empilage de tranches de silicium ( wafers ) qui comportent chacune une multitude de composants hétérogènes identiques. L'invention concerne l'interconnexion verticale de ces tranches. Selon une technique connue, ces tranches sont interconnectées au moyen de vias c'est-à-dire de trous traversant la tranche dans son épaisseur, isolés électriquement de celle-ci puis métallisés. Les composants sont connectés aux vias. L'interconnexion de vias métallisés est délicate ; elle est basée sur des procédés de : - thermocompression - refusion d'alliage de brasage, Ces procédés nécessitent en général : - des traitements haute température et/ou une pression sur chaque interconnexion qui détériorent un taux non négligeable de composants, - des alignements extrêmement précis difficiles à obtenir, - une très bonne planéité car tous les vias doivent être en contact. En outre, les modules 3D obtenus sont individuellement contrôlés mais la qualité de l'interconnexion ne l'est pas. Le but de l'invention est de pallier ces inconvénients. L'invention est basée sur l'interconnexion par frittage de nanoparticules d'argent présentes dans une encre déposée sur des vias. Plus précisément l'invention a pour objet un procédé d'interconnexion de composants électroniques d'une première tranche avec des composants électroniques d'une deuxième tranche, chaque tranche comportant des vias métallisés qui traversent la tranche dans l'épaisseur, caractérisé en ce qu'il comprend les étapes suivantes de : dépôt d'une goutte d'encre conductrice contenant des solvants, sur chaque via de la première tranche, empilage de la deuxième tranche sur la première de manière à ce que les vias de la deuxième tranche soient sensiblement superposés sur les vias de la première tranche, élimination de 50 à 90% des solvants contenus dans les gouttes par chauffage ou dépression de façon à obtenir une encre pâteuse, frittage des gouttes d'encre pâteuse par laser afin de réaliser des connexions électriques entre les vias métallisés superposés. Selon une caractéristique de l'invention, il comprend une étape supplémentaire de contrôle d'au moins une connexion électrique au moyen d'une diode intégrée au laser. La première tranche est éventuellement une tranche préalablement connectée à au moins une autre tranche. L'encre conductrice comprend typiquement des nanoparticules de 35 métal tel que Ag ou Cu ou Au. D'autres caractéristiques et avantages de l'invention apparaîtront à la lecture de la description détaillée qui suit, faite à titre d'exemple non limitatif et en référence aux dessins annexés dans lesquels : les figures 1 représentent schématiquement des vues en coupe de différents modes de réalisation de vias, les figures 2 et 2' illustrent schématiquement des vues en coupe de différentes étapes du procédé d'interconnexion selon l'invention, les figures 3 et 3' illustrent une vue en coupe d'une des étapes d'interconnexion d'un empilement de 3 tranches selon l'invention. D'une figure à l'autre, les mêmes éléments sont repérés par les mêmes références. L'invention concerne l'interconnexion verticale de tranches munies de vias métallisés et qui comportent chacune une multitude de composants hétérogènes identiques électriquement reliés entre eux et/ou à ces vias. Une tranche a typiquement une épaisseur de 10 à 200 p. Plusieurs modes de réalisation des vias sont envisagés : ils sont décrits en relation avec les figures 1. Le métal des vias est par exemple du cuivre ou de l'or ; il peut seulement recouvrir les parois des vias ou les remplir et former un pilier. Un via a typiquement un diamètre de 2 à 50 p. Chaque via 1 est isolé de la tranche T de silicium par un isolant électrique 4 tel que du SiO2 comme le montre la figure la. Une protubérance 11 peut être réalisée sur une extrémité d'un pilier 1 (cf figure 1 b) ; la croissance d'un bossage protubérant électriquement conducteur peut aussi être effectuée sur un pilier. Selon un mode de réalisation, une collerette 2 électriquement conductrice par exemple en cuivre, entoure le via 1 sur l'une et/ou l'autre face (a, b) de la tranche T. Eventuellement la collerette 2 forme une pastille pleine sensiblement centrée sur le via : ces deux formes de collerettes sont illustrées figure 1d, la collerette formant pastille étant disposée sur la face a. La collerette 2 peut être munie de micro bossages 21 ou d'un gros bossage 22 électriquement conducteurs par exemple en or, respectivement représentés figure 1c et 1f. On va à présent décrire les différentes étapes du procédé selon l'invention en relation avec les figures 2 ou 2'. Les vias 1 représentés sur les figures 2 et 3 sont des piliers, et des pastilles 2 sont disposées sur les vias sur les deux faces a et b de chaque tranche ; sur les figures 2' et 3', le métal des vias 1 ne recouvrent que les parois et des collerettes 2 sont disposées autour de ces vias sur les deux faces a et b de chaque tranche . Une goutte 3 d'encre conductrice d'épaisseur comprise entre 1 et 20 p est déposée sur chaque via 1 d'une première tranche Ti, cette goutte étant centrée par l'éventuelle collerette au recouvrant sensiblement celle-ci lorsqu'il s'agit d'une pastille comme illustré figures 2a' et 2a. Les bossages ou protubérance éventuels 11, 21, 22 représentés figures 1, visent à renforcer les points de contact avec la goutte 3 d'encre. La protubérance 11 du pilier ou le bossage protubérant 22 sont en outre destinés à s'emboîter dans la cavité délimitée par la collerette 2, respectivement dans un via 1 creux adapté à la géométrie du bossage comme illustré figure 1f. Cette encre comprend des nanoparticules de métal noyées dans un solvant ; ce métal est typiquement de l'argent, du cuivre ou de l'or. Ces gouttes 3 sont par exemple déposées par jet d'encre au moyen d'une buse selon un procédé de goutte à la demande ou par sérigraphie ; il s'agit d'un dépôt localisé sur les vias ou leurs collerettes. Une deuxième tranche T2 est empilée sur la première de façon à ce que les vias 1 de la deuxième tranche soient parfaitement ou quasiment superposés à ceux de la première : ceci est visible sur les figures 2b et 2b'. Ce faisant la goutte d'encre 3 peut se trouver légèrement décalée de sa position d'origine. Les solvants contenus dans la goutte d'encre sont partiellement éliminés par chauffage dans un four à une température inférieure à 100 C ou sous vide en créant une dépression comprise entre 100 à 200 mbars. Cette élimination des solvants illustrée par les flèches 33 figures 2c et 2c' vise à en éliminer de 50 à 90% de manière à obtenir une encre pâteuse. On se reportera aux figures 2d et 2d' pour l'étape suivante de frittage des gouttes conductrices 3, obtenue par apport d'énergie 34. Le frittage est la consolidation d'un matériau, obtenue par apport d'énergie, sans aller jusqu'à la fusion. En l'occurrence, le matériau est cette encre qui comprend des nanoparticules d'argent. Sous l'effet de cette énergie, les nanoparticules se soudent entre elles et forment ainsi une liaison mécanique et électrique. Cet apport d'énergie 34 est de préférence un apport d'énergie localisé au niveau des vias 1, que l'on obtient par exemple au moyen d'un laser à impulsions, tel qu'un laser YAG ou CO2 émettant des impulsions d'une durée de l'ordre de quelques ns à une fréquence de répétition comprise entre 1 à 50 kHz. On peut aussi réaliser un chauffage global des gouttes en plaçant les tranches empilées dans une atmosphère réductrice ou non-oxydante comportant typiquement du forming gaz qui est un mélange d'hydrogène et d'azote. La chaleur 34 qui est principalement dirigée sur la face a supérieure de la tranche T2, va diffuser dans le pilier central métallisé du via 1 qui canalise cette chaleur et la conduit sur la pastille 2 de la face b inférieure de la tranche T2. Cette pastille 2 qui est en contact avec la goutte d'encre 3 conduit la chaleur vers cette goutte qui est également en contact (éventuellement en contact partiel) avec la pastille 2 de la face a supérieure de la première tranche Ti ; la chaleur permet de fritter les particules d'argent entre la pastille 2 inférieure de la deuxième tranche T2 et la pastille 2 supérieure de la première tranche Ti, même si ces pastilles ne sont pas parfaitement superposées comme illustré sur ces figures. Une liaison électrique 31 est ainsi réalisée entre les vias 1 des première et deuxième tranches Ti, T2. Bien que cette étape ne soit pas indispensable, on procède de préférence à une étape de contrôle de la liaison 31 entre les deux tranches Ti, T2 (cf figures 2e et 2e') : elle est avantageusement effectuée par analyse de la signature thermique de cette liaison. En effet la transmission thermique entre la pastille 2 supérieure (face a) de la première tranche Ti et la pastille 2 inférieure (face b) de la deuxième tranche T2, et donc la signature est totalement différente selon que la liaison existe ou pas. Cette signature est avantageusement analysée par le laser utilisé pour le frittage celui-ci étant alors équipé d'une diode permettant d'analyser le signal 32 retourné par la pastille 2 de la tranche supérieure T2. Après avoir empilé et connecté deux tranches Ti, T2, on peut réitérer le procédé pour connecter une troisième tranche T3 sur la tranche supérieure T2 de l'empilement déjà connecté ; et ainsi de suite pour obtenir un empilement de n tranches, n>3. L'étape d'empilement de la tranche T3 après dépôt de gouttes d'encre sur la tranche T2, correspondant à l'étape de la figure 2b est représentée figure 3 et l'empilement des 3 tranches connectées selon le procédé est représentée figure 3'. Selon une variante, k tranches (k>2) sur lesquelles des gouttes d'encre ont été déposées sont empilées. Les étapes d'évaporation partielle des solvants, de frittage des gouttes et éventuellement de contrôle des liaisons sont alors appliquées à l'empilement. REVENDICATIONS 1. Procédé d'interconnexion de composants électroniques d'une première tranche (Ti) avec des composants électroniques d'une deuxième tranche (T2), chaque tranche comportant des vias (1) métallisés qui traversent la tranche dans l'épaisseur, caractérisé en ce qu'il comprend les étapes suivantes de : dépôt d'une goutte (3) d'encre conductrice contenant des solvants, sur chaque via (1) de la première tranche (Ti), empilage de la deuxième tranche (T2) sur la première de manière à ce que les vias (1) de la deuxième tranche (T2) soient sensiblement superposés sur les vias (1) de la première tranche (Ti), élimination de 50 à 90% des solvants contenus dans les gouttes (3) par chauffage ou dépression de façon à obtenir une encre pâteuse, frittage des gouttes (3) d'encre pâteuse par laser afin de réaliser des connexions (31) électriques entre les vias (1) métallisés superposés. 2. Procédé selon la revendication précédente, caractérisé en ce qu'il comprend une étape supplémentaire de contrôle d'au moins une connexion (31) électrique au moyen d'une diode intégrée au laser. 3. Procédé selon l'une des revendications précédentes, caractérisé en ce que la première tranche (Ti) est une tranche préalablement connectée à au moins une autre tranche. 4. Procédé selon l'une des revendications précédentes, caractérisé en ce que l'encre conductrice comprend des nanoparticules de métal tel que Ag ou Cu ou Au.30 5. Procédé selon l'une des revendications précédentes, caractérisé en ce que les gouttes (3) sont déposées par jet d'encre ou par sérigraphie. 6. Procédé selon l'une des revendications précédentes, caractérisé en ce que le métal des vias métallisés remplit les vias et forme ainsi des piliers. 7. Procédé selon la revendication précédente, caractérisé en ce qu'un pilier est prolongé par une protubérance (11). 8. Procédé selon l'une des revendications précédentes, caractérisé en ce qu'une tranche présentant deux faces (a, b), une collerette (2) électriquement conductrice entoure un via (1) métallisé sur l'une et/ou l'autre face d'une tranche et en ce qu'une goutte (3) déposée sur le via (1) est en contact avec cette collerette (2). 9. Procédé selon les revendications '6 et 8, caractérisé en ce que la collerette (2) forme une pastille pleine sensiblement centrée sur le via (1). 10. Procédé selon l'une des revendications 8 ou 9, caractérisé en ce qu'au moins une collerette (2) est munie de bossages (21).