FR 2912013 A1 20080801 FR 0850211 A 20080115 DISPOSITIF DE GENERATION DE COURANT DE POLARISATION AYANT UN COEFFICIENT DE TEMPERATURE AJUSTABLE Contexte de l'invention Domaine de l'invention La présente invention concerne un dispositif pour générer un courant de polarisation ayant un coefficient de température ajustable et concerne en particulier un dispositif de génération de courant de polarisation capable de fournir un courant de polarisation dans lequel un changement de caractéristique est compensé, à un circuit parmi un circuit analogique et un circuit de radiofréquence (RF) où des changements de caractéristique ont lieu en fonction d'une température, en générant divers courants de polarisation ayant une pluralité de coefficients de température. Description de l'art connexe En général, il est essentiel de fournir la performance d'un circuit et un rendement dont la stabilité par rapport à une température, une tension d'alimentation, et des changements dans le processus est fournie en concevant un transistor à métal oxyde semi-conducteur complémentaire, dit CMOS, analogique ou un circuit de radiofréquence (RF). En particulier, dans une telle conception de circuit stable, puisqu'un circuit de polarisation est un élément ayant un effet direct sur la performance d'un circuit analogue ou RF, il est très important de fournir des opérations stables du circuit de polarisation. Toutefois, dans un transistor formant le circuit analogique ou RF qui a des propriétés variant avec un changement d'une température, un circuit de polarisation capable de compléter de manière stable le changement est nécessaire. Une tension de seuil et une mobilité sont les propriétés les plus importantes du transistor, lesquelles varient avec un changement de température. En raison des changements de la tension de seuil et de la mobilité, la transconductance d'un transistor à métal oxyde semi-conducteur, dit MOS, est modifiée. Généralement, puisque la transconductance diminue lorsqu'une température augmente, un circuit de polarisation est capable de compléter les propriétés. En général en tant que procédé pour compléter des changements de caractéristique par rapport à une température dans la conception d'un circuit CMOS, une technologie consistant à utiliser un circuit de référence à bande interdite générant une tension ou un courant de polarisation stable est bien connue. Un circuit à coefficient de température positif (c'est-à-dire proportionnel à la température absolue : PTAT) inclus dans un tel circuit de référence à bande interdite a un coefficient de température positif par rapport à une température absolue. En conséquence, lorsqu'une température est augmentée, une tension ou un courant de polarisation augmente. En appliquant le circuit à coefficient de température positif, il est possible de compenser une température dans une plage limitée. Toutefois, puisqu'un circuit à coefficient de température positif employé par un circuit de référence à bande interdite classique a un coefficient de température fixe, il existe une limitation pour qu'il soit appliqué à un circuit ayant des propriétés de variance variées. C'est-à-dire que des circuits analogiques ou RF incluent non seulement un transistor MOS mais également un dispositif passif tel qu'une résistance. Un tel dispositif passif requiert également un circuit de compensation de température capable de faire varier un coefficient de température. Par ailleurs, puisque divers circuits ont des coefficients de température différents des circuits de polarisation, nécessaires pour une compensation de température, un circuit de compensation de température ayant divers coefficients de température est nécessaire. Comme décrit ci-dessus, dans l'art, un circuit de polarisation de compensation de température capable de fournir un courant de polarisation où les changements de caractéristique sont compensés est nécessaire aux divers circuits ayant des changements de caractéristique différents en fonction d'une température. Résumé de l'invention Un aspect de la présente invention fournit un dispositif de génération de courant de polarisation ayant un coefficient de température ajustable, capable de générer un courant de polarisation ayant une pluralité de coefficients de température. Conformément à un aspect de la présente invention, on fournit un dispositif de génération de courant de polarisation ayant un coefficient de température ajustable, le dispositif comprenant : un générateur de courant à coefficient de température positif générant un courant à coefficient de température positif directement proportionnel à une température absolue ; un générateur de courant à coefficient de température nul générant un courant à coefficient de température nul constant indépendamment de la température absolue ; et un générateur de courant à coefficient de température ajustable générant et délivrant un courant à coefficient de température ajustable en amplifiant le courant à coefficient de température positif de A fois, en amplifiant le courant à coefficient de température nul de B fois, en additionnant les deux courants à coefficient de température amplifiés, dans lequel un coefficient de température du courant à coefficient de température ajustable est modifié de manière sélective en ajustant les grandeurs de A et B. Le générateur de courant à coefficient de température positif peut comprendre : des premier et deuxième transistors à effet de champ à métal oxyde semi-conducteur, dit transistor MOSFET, ayant une borne de source connectée à une tension d'alimentation ; une première unité d'amplification d'opération ayant une borne d'entrée connectée aux bornes de drain des premier et deuxième MOSFET, respectivement, et une borne de sortie connectée aux bornes de grille des premier et deuxième MOSFET ; un premier transistor à jonctions bipolaires, dit transistor BJT ayant une base et un collecteur connectés à la borne de drain du premier MOSFET et un émetteur mis à la masse ; une première résistance ayant une borne connectée à la borne de drain du deuxième MOSFET ; et une pluralité de deuxièmes BJT ayant une base et un collecteur connectés à l'autre borne de la première résistance et un émetteur mis à la masse, dans lequel un courant circulant entre la borne de source et la borne de drain des premier et deuxième MOSFET est délivré en tant que courant à coefficient de température positif. Le générateur de courant à coefficient de température peut comprendre : une unité de génération de tension à coefficient de température nul générant une tension à coefficient de température nul constante indépendamment de la température absolue en utilisant le courant à coefficient de température positif ; et une unité de conversion de tension en courant convertissant la tension à coefficient de température nul en courant à coefficient de température nul et délivrant le courant à coefficient de température nul. L'unité de génération de tension à coefficient de température nul peut comprendre : un troisième MOSFET ayant une borne de drain à laquelle le courant à coefficient de température positif généré par le générateur de courant à coefficient de température positif est appliqué, une borne de source connectée à la tension d'alimentation et une borne de grille connectée à la borne de drain ; un quatrième MOSFET ayant une borne de source connectée à la tension d'alimentation et une borne de grille connectée à la borne de grille du troisième MOSFET ; une deuxième résistance ayant une borne connectée à une borne de drain du quatrième MOSFET ; et un troisième BJT ayant une base et un collecteur connectés à une autre borne de la deuxième résistance, et un émetteur mis à la masse, dans laquelle une tension de la borne de drain du quatrième MOSFET est déterminée pour être une tension à coefficient de température nul indépendamment de la température absolue en ajustant les valeurs de résistance des premier et deuxième transistors et le nombre des deuxièmes BJT. L'unité de conversion de tension en courant peut comprendre : une deuxième unité d'amplification d'opération ayant une borne d'entrée à laquelle est connectée une tension de la borne de drain du quatrième MOSFET de l'unité de génération de tension à coefficient de température nul ; un cinquième MOSFET ayant une borne de grille connectée à une borne de sortie de la deuxième unité d'amplification d'opération et une borne de source connectée à une autre borne d'entrée de la deuxième unité d'amplification d'opération ; un sixième MOSFET ayant une borne de source connectée à la tension d'alimentation et une borne de grille et une borne de drain connectées à une borne de drain du cinquième MOSFET ; un septième MOSFET ayant une borne de source connectée à la tension d'alimentation et une borne de grille connectée à la borne de grille du sixième MOSFET ; et une troisième résistance ayant une borne connectée à la borne de source du cinquième MOSFET et une autre borne mise à la masse, dans laquelle un courant circulant à travers une borne de drain du septième MOSFET peut être délivré en sortie en tant que courant à coefficient de température nul. Le dispositif peut en outre comprendre un amplificateur amplifiant le courant à coefficient de température positif d'un gain prédéterminé. Le gain peut être déterminé pour former un point d'intersection où une ligne droite indiquant le courant à coefficient de température positif croise une ligne droite indiquant le courant à coefficient de température nul, à une température normale. Le générateur de courant à coefficient de température ajustable peut comprendre : une première unité d'amplification amplifiant le courant à coefficient de température positif de A fois ; une deuxième unité d'amplification amplifiant le courant à coefficient de température nul de B fois ; et une unité d'addition générant et délivrant en sortie le courant à coefficient de température ajustable en additionnant les courants amplifiés par les première et deuxième unités d'amplification, dans lequel le coefficient de température du courant à coefficient de température ajustable peut être déterminé en ajustant les grandeurs de A et B. Le générateur de courant à coefficient de température ajustable peut comprendre : une première unité d'amplification amplifiant le courant à coefficient de température positif de C+1 fois ; une deuxième unité d'amplification amplifiant le courant à coefficient de température nul de C fois ; une troisième unité d'amplification amplifiant le courant à coefficient de température nul de D fois ; une unité de soustraction soustrayant le courant amplifié par la deuxième unité d'amplification du courant amplifié par la première unité d'amplification et délivrant en sortie un courant en résultat de cela ; et une unité d'addition générant et délivrant en sortie le courant à coefficient de température ajustable en additionnant le courant délivré en sortie par l'unité de soustraction et un courant délivré en sortie par la troisième unité d'amplification, dans lequel les grandeurs de A et B peuvent être déterminées par le système d'équation suivant, A=C+1 B=DùC et le coefficient de température du courant à coefficient de température ajustable peut être déterminé en ajustant les grandeurs de C et D. La première unité d'amplification peut être un circuit à miroir de courant comprenant : un huitième MOSFET ayant une borne de drain à laquelle le courant à coefficient de température positif est appliqué, une borne de source connectée à la tension d'alimentation et une borne de grille électriquement connectée à la borne de drain ; et un nombre C+1 de neuvièmes MOSFET ayant une borne de grille connectée à la borne de grille du huitième MOSFET, une borne de source connectée à la tension d'alimentation et une borne de drain connectée à celle d'un autre des neuvièmes MOSFET. La deuxième unité d'amplification peut être un circuit à miroir de courant comprenant : un dixième MOSFET ayant une borne de drain à laquelle le courant à coefficient de température nul est appliqué, une borne de source connectée à la tension d'alimentation et une borne de grille électriquement connectée à la borne de drain ; et un nombre C d'onzièmes MOSFET ayant une borne de grille connectée à la borne de grille du dixième MOSFET, une borne de source connectée à la tension d'alimentation et une borne de drain connectée à celle d'un autre des onzièmes MOSFET. La troisième unité d'amplification peut comprendre : un circuit à miroir de courant comprenant un douzième MOSFET ayant une borne de drain à laquelle le courant à coefficient de température nul est appliqué, une borne de source connectée à la tension d'alimentation et une borne de grille électriquement connectée à la borne de drain ; et un nombre D de treizièmes MOSFET ayant une borne de grille connectée à la borne de grille du douzième MOSFET, une borne de source connectée à la tension d'alimentation et une borne de drain connectée à celle d'un autre des treizièmes MOSFET ; et un circuit à miroir de courant comprenant un quatorzième MOSFET ayant une borne de drain à laquelle un courant délivré à partir d'une borne de drain commune des treizièmes MOSFET est appliqué, une borne de grille électriquement connectée à la borne de drain et une borne de source mise à la masse ; et un quinzième MOSFET ayant une borne de grille connectée à la borne de grille du quatorzième MOSFET et une borne de source mise à la masse. L'unité de soustraction peut comprendre : un circuit à miroir de courant comprenant un seizième MOSFET ayant une borne de drain à laquelle un courant délivré par la deuxième unité d'amplification est délivré en entrée, une borne de grille électriquement connectée à la borne de drain et une borne de source mise à la masse et un dix-septième MOSFET ayant une borne de grille connectée à la borne de grille du seizième MOSFET, et une borne de source mise à la masse ; et un circuit à miroir de courant comprenant un dix-huitième MOSFET ayant une borne de drain à laquelle un courant délivré par la première unité d'amplification est délivré en entrée, la borne de drain connectée à une borne de drain et la borne de grille du dix-septième MOSFET et une borne de source mise à la masse et un dix-neuvième MOSFET ayant une borne de grille connectée à une borne de grille du dix-huitième MOSFET et une borne de source mise à la masse. L'unité d'addition peut comprendre : un circuit à miroir de courant comprenant un vingtième MOSFET ayant une borne de drain à laquelle le courant est délivré par l'unité de soustraction, une borne de grille électriquement connectée à la borne de drain, et une borne de source mise à la masse et un vingt-et-unième MOSFET ayant une borne de grille connectée à la borne de grille du vingtième MOSFET et une borne de source connectée à la tension d'alimentation ; et un circuit à miroir de courant comprenant un vingt-deuxième MOSFET ayant une borne de drain à laquelle un courant délivré par la troisième d'unité d'amplification est appliqué, une borne de grille électriquement connectée à la borne de drain, et une borne de source connectée à la tension d'alimentation et un vingt-troisième MOSFET ayant une borne de grille connectée à la borne de grille du vingt-deuxième MOSFET, une borne de source connectée à la tension d'alimentation et une borne de drain connectée à une borne de drain du vingt-et-unième MOSFET, dans laquelle un courant délivré par une borne de drain commune du vingt-et-unième MOSFET et du vingt- troisième MOSFET est un courant délivré en sortie par le générateur de courant à coefficient de température ajustable. Brève description des dessins Les aspects, caractéristiques et autres avantages ci-dessus, ainsi que d'autres, de la présente invention seront plus clairement compris d'après la description détaillée suivante conjointement aux dessins annexés, sur lesquels : la figure 1 est un schéma de principe illustrant un dispositif de génération de courant de polarisation ayant un coefficient de température ajustable, selon un mode de réalisation donné en exemple de la présente invention ; la figure 2 est un schéma de circuit illustrant un générateur de courant à coefficient de température positif employé par un mode de réalisation donné en exemple de la présente invention ; la figure 3 est un graphique illustrant des changements de courant en fonction d'une température dans un courant délivré en sortie par le générateur de courant à coefficient de température positif de la figure 2 ; la figure 4 est un schéma de circuit illustrant une unité de génération de tension à coefficient de température nul incluse dans un générateur de courant à coefficient de température nul employé par un mode de réalisation donné en exemple de la présente invention ; la figure 5 est un graphique illustrant des changements de courant en fonction d'une température dans un courant délivré en sortie par l'unité de génération de tension à coefficient de température nul de la figure 4 ; la figure 6 est un schéma de circuit illustrant une unité de conversion de tension en courant incluse dans le générateur de courant à coefficient de température nul ; la figure 7 est un graphique illustrant des changements de courant en fonction d'une température dans un courant délivré en sortie par l'unité de conversion de tension en courant de la figure 6 ; la figure 8A est un schéma de principe illustrant un concept consistant à générer un courant à coefficient de température ajustable d'un générateur de courant à coefficient de température ajustable employé par un mode de réalisation donné en exemple de la présente invention, et la figure 8B est un schéma de principe illustrant un exemple de génération du courant à coefficient de température ajustable ; la figure 9 est un schéma de circuit illustrant le 25 générateur de courant à coefficient de température ajustable montré sur la figure 8B ; la figure 10 est un graphique illustrant une relation entre un courant à coefficient de température positif et un courant à coefficient de température nul 30 délivrés en entrée au générateur de courant à coefficient de température ajustable ; la figure 11 est un graphique illustrant un courant à coefficient de température ajustable délivré en sortie par le générateur de courant à coefficient de température ajustable de la figure 8B lorsqu'un gain C est fixé et qu'un gain D est varié ; la figure 12 est un graphique illustrant un courant à coefficient de température ajustable délivré en sortie par le générateur de courant à coefficient de température ajustable de la figure 8B lorsqu'un gain D est fixé et qu'un gain C est varié ; et la figure 13 est un graphique illustrant un courant à coefficient de température ajustable délivré en sortie par le générateur de courant à coefficient de température ajustable de la figure 8B lorsqu'un gain C et un gain D sont variés par un triplet. Description détaillée du mode de réalisation préféré Des modes de réalisation donnés en exemple de la présente invention seront à présent décrits en référence aux dessins annexés. L'invention peut toutefois être mise en oeuvre de beaucoup de manières différentes et ne doit pas être interprétée comme étant limitée au mode de réalisation établi ici. Ces modes de réalisation sont plutôt fournis pour que cette description soit approfondie et complète, et transmettront complètement la portée de l'invention à l'homme du métier. Par ailleurs, les termes utilisés pour décrire le mode de réalisation de la présente invention sont définis en considérant les fonctions du mode de réalisation de la présente invention, peuvent varier du fait d'une intention de l'homme du métier ou d'une utilisation de celle-ci, et ne limitent pas la portée des caractéristiques techniques de la présente invention. La figure 1 est un schéma de principe illustrant un dispositif de génération de courant de polarisation ayant un coefficient de température ajustable, selon un mode de réalisation donné en exemple de la présente invention. En se référant à la figure 1, le dispositif de génération de courant de polarisation comprend un générateur de courant à coefficient de température positif PTC (pour positive temperature coefficient en anglais) 11, un générateur de courant à coefficient de température nul (ZTC (pour zero temperature coefficient ) 12 et un générateur de courant à coefficient de température ajustable ATC (pour adjustable temperature coefficient ) 14. Le générateur de courant à PTC 11 génère un courant à PTC IPTC proportionnel à une température 20 absolue. Le générateur de courant à ZTC 12 génère un courant à ZTC Inc ayant une valeur constante indépendamment de la température absolue. Le générateur de courant à ZTC 12 peut comprendre une unité de 25 génération de tension à ZTC 121 recevant le courant PTC IPTC généré par le générateur de courant à PTC 11 et générant une tension à ZTC VZTC ayant une valeur constante indépendamment de la température absolue et une unité de conversion de tension en courant 122 30 générant le courant à ZTC Inc en convertissant la tension à ZTC VZTC en courant. Le générateur de courant à ATC 14 génère un courant à ATC IATC en utilisant le courant à PTC IPTC généré par le générateur de courant à PTC 11 et le courant à ZTC Inc généré par le générateur de courant à ZTC 12. Le courant à ATC IACC est un courant de polarisation qui est une sortie du dispositif de génération de courant de polarisation. Le générateur de courant à ATC 14 génère le courant à ATC IACC en additionnant le courant à PTC IPCc amplifié d'un gain prédéterminé et le courant à ZTC Inc amplifié d'un gain prédéterminé. Un courant de polarisation ayant un coefficient de température souhaité peut être généré en déterminant de manière appropriée les gains d'amplification du courant à PTC IPCc et du courant à ZTC Inc. On décrira en détail ci-après une structure de circuit détaillée de chaque élément et fonction de celle-ci. La figure 2 est un schéma de circuit illustrant le générateur de courant à PTC 11 employé par un mode de réalisation donné en exemple de la présente invention. En se reportant à la figure 2, le générateur de courant à PTC 11 peut comprendre des premier et deuxième transistors à effet de champ à métal oxyde semi-conducteur (MOSFET) M1 et M2 ayant une borne de source connectée à une tension d'alimentation VDD ; une première unité d'amplification d'opération Al ayant une borne d'entrée connectée aux bornes de drain des premier et deuxième MOSFET M1 et M2, respectivement et une borne de sortie connectée aux bornes de grille des premier et deuxième MOSFET M1 et M2 ; un premier transistor à jonctions bipolaires (BJT) Q1 ayant une base et un collecteur connectés à la borne de drain du premier MOSFET M1 et un émetteur mis à la masse ; une première résistance R1 ayant une borne connectée à la borne de drain du deuxième MOSFET M2 et une pluralité de nombres n de deuxième BJT ayant une base et un collecteur connectés à une autre borne de la première résistance R1 et un émetteur mis à la masse. Pour décrire les fonctions du générateur de courant à PIC 11 de la figure 2, il est connu qu'un courant de collecteur de BJT peut être exprimé sous la forme de l'équation 1 suivante. le = IS exp(VBE /VT) . équation (1) où IS indique un courant de saturation. VT est obtenue par l'équation 2 suivante. kT VT = q. équation (2) où k indique une constante, T indique une température absolue et q indique une quantité unitaire de charges électriques. D'autre part, dans un circuit du générateur de courant à PIC 11, lorsque le premier MOSFET M1 a une taille identique à celle du deuxième MOSFET M2, des courants I1 et I2 circulant à travers les bornes de source jusqu'à la borne de drain des premier et deuxième MOSFET M1 et M2 sont identiques l'un à l'autre (I1 = I2) et des tensions d'un noeud X et d'un noeud Y sont identiques l'une à l'autre du fait de la première unité d'amplification d'opération Al (Vx = Vy). Dans ce cas, la tension Vx du noeud X est une tension émetteur-base du premier BJT Q1, qui peut être exprimée sous la forme de l'équation 3 suivante. Vx =VBE~ = VT ln -11 s . équation (3) Par ailleurs, la tension Vy du noeud Y est un somme 10 d'une chute de tension due à la première résistance R1 et d'une chute de tension due au deuxième BJT Q2, qui peut être exprimée sous la forme de l'équation 4 suivante. 15 Vy=I2R1+VBE2=I2R1+VTln12 . équation (4) s Lorsqu'on obtient un courant en utilisant les équations 3 et 4 et une relation entre Il = I2 et Vx = Vy, l'équation 5 suivante peut être déduite. 20 I1=I2=I= VT1nN R1 . équation (5) 25 Conformément à l'équation 5, une amplitude du courant a un PTC sous la forme de l'équation 6 suivante. . équation (6) aT Rlq C'est-à-dire que le courant montré dans l'équation 6 peut être utilisé en tant que courant à PTC IPTc qui est un courant de sortie du générateur de courant à PTC 11. La figure 3 est un graphique illustrant un changement d'un courant à PTC IPTc selon une température lorsqu'on établit le nombre de deuxièmes BJT Q2 à sept et une valeur de résistance de la première résistance R1 à 4 kS2. Il peut être connu qu'un coefficient de température du courant à PTC IPTc montré sur la figure 3 est montré comme étant de + 0,06 pA/K (K indique la température absolue). La figure 4 est un schéma de circuit illustrant l'unité de génération de tension à ZTC 121 incluse dans le générateur de courant à ZTC 12. En se référant à la figure 4, l'unité de génération de tension à ZTC 121 comprise dans le générateur de courant à ZTC 12 peut comprendre un troisième MOSFET M3 ayant une borne de drain à laquelle le courant à coefficient de température positif IPTc généré par le générateur de courant à coefficient de température positif 11 est appliqué, une borne de source connectée à la tension d'alimentation VDD et une borne de grille connectée à la borne de drain ; un quatrième MOSFET M4 ayant une borne de source connectée à la tension d'alimentation VDD et une borne de grille connectée à la borne de grille du troisième MOSFET M3 ; une deuxième résistance R2 ayant une borne connectée à une borne de drain du quatrième MOSFET M4 ; et un troisième BJT Q3 ayant une base et un collecteur connectés à une autre borne de la deuxième résistance R2, et un émetteur mis à la masse. Dans ce cas, une tension de la borne de drain du quatrième MOSFET M4 peut être déterminée comme étant la tension à coefficient de température nul indépendamment de la température absolue en ajustant les valeurs de résistance des première et deuxième résistances R2 et le nombre des deuxièmes BJT Q2. La tension de la borne de drain du quatrième MOSFET M4 devient une sortie de l'unité de génération de tension à ZTC 121. A la base, le circuit montré sur la figure 4 était connu en tant que circuit ayant une propriété selon laquelle une tension base-émetteur du troisième BJT est diminuée d'approximativement - 1,5 mV/K en fonction d'une température (se référer au document Design of Analog CMOS Integrated Circuits , Behzad Razavi, McGraw Hill, chapitre 11, pages 381 et 382). Le courant à PTC IPTC de la figure 2 est utilisé en tant que courant d'entrée dans le circuit ayant ces propriétés, en fabriquant un circuit capable de délivrer en sortie une tension constante indépendamment d'une température en compensant la propriété de diminution selon une température. Lorsque le courant à PTC IPTC généré par le générateur de courant à PTC 11 est appliqué à la borne de drain du troisième MOSFET M3,un courant ayant la même amplitude et réfléchi par le troisième MOSFET M3 et le quatrième MOSFET M4 circule entre la borne de source et la borne de drain du quatrième MOSFET M4. Dans ce cas, pour réfléchir le courant ayant la même amplitude, le troisième MOSFET M3 et le quatrième MOSFET M4 ont la même taille. Dans ce cas, une tension de la borne de drain du quatrième MOSFET M4 peut être exprimée sous la forme de l'équation 7 suivante par l'équation 5. V,,,, = I,,,(.R2 + Vm:.; L.In R2 +I Hi: R1 . équation (7) où V3E3 indique la tension base-émetteur du troisième BJT. Dans l'équation 7, une caractéristique de température d'une tension de sortie du circuit montré sur la figure 4 est exprimée sous la forme de l'équation 8 suivante. aV,,,, = OV1. R21n.A'+ dVII,;3 3T OT RI 3T 15 Dans l'équation 8, puisque aV,/aT a une caractéristique de température positive de + 0,087 mV/K et que aV3E3/aT a une caractéristique de température négative de - 1,5 mV/K, pour permettre à la tension de 20 sortie d'avoir une constante de ZTC indépendamment de la température absolue, les valeurs de résistance des première et deuxième résistances R1 et R2 et le nombre de deuxièmes BJT doivent être ajustés de manière appropriée d'une manière telle qu'une valeur obtenue 25 par l'équation 8 est égale à 0. Par exemple, lorsque la valeur de résistance de la première résistance R1 est déterminée comme étant égale à 4 kS2 et que le nombre de deuxièmes BJT est déterminé comme étant égal à sept, et que la valeur de résistance de la seconde résistance R2 . équation (8) est déterminée comme étant égale à 36 kC2, une caractéristique où une gamme de fluctuations de la tension de sortie en fonction d'une variance de la température est proche de 0 peut être obtenue comme montrée sur la figure 5. La figure 5 est un graphique illustrant un résultat de simulation de la valeur de tension de sortie VOUT de la figure 4 lorsque la valeur de résistance de la première résistance R1 est déterminée comme étant égale à 4 kQ et que le nombre de î0 deuxième BJT est déterminé comme étant égal à sept, et la valeur de résistance de la deuxième résistance R2 est déterminée comme étant égale à 36 kC. Comme montré sur la figure 5, à l'aide de la configuration de circuit de la figure 4, indépendamment des changements 15 de température dans une plage de -40 à 120 C, il est juste montré un changement inférieur à environ 0,002 V dans la tension de sortie VOUT. C'est-à-dire que la gamme de fluctuations de la tension de sortie selon des changements de température peut être considérée comme 20 étant incluse dans une gamme réellement correspondante à 0 V. La figure 6 est un schéma de circuit illustrant l'unité de conversion de tension en courant 122 comprise dans le générateur de courant à ZTC 12. 25 En se reportant à la figure 6, l'unité de conversion de tension en courant 122 peut comprendre une deuxième unité d'amplification d'opération A2 ayant une borne d'entrée à laquelle est connectée la tension de sortie de l'unité de génération de tension à ZTC 121 30 montrée sur la figure 4 ; un cinquième MOSFET M5 ayant une borne de grille connectée à une borne de sortie de la deuxième unité d'amplification d'opération A2 et une borne de source connectée à une autre borne d'entrée de la deuxième unité d'amplification d'opération A2 ; un sixième MOSFET M6 ayant une borne de source connectée à la tension d'alimentation VDD et une borne de grille et une borne de drain connectée à une borne de drain du cinquième MOSFET M5 ; un septième MOSFET M7 ayant une borne de source connectée à la tension d'alimentation VDD et une borne de grille connectée à la borne de grille du sixième MOSFET M6 ; et une troisième résistance R3 ayant une borne connectée à la borne de source du cinquième MOSFET M5 et une autre borne mise à la masse et peut délivrer un courant circulant à travers une borne de drain du septième MOSFET M7 en tant que courant à ZTC Inc. Dans le circuit de la figure 6, une tension Vw d'un noeud W a la même amplitude que la tension à ZTC VZTC qui est une tension d'entrée, du fait de la deuxième unité d'amplification d'opération A2. En conséquence, le courant Inc circulant de la borne de source jusqu'à la borne de drain du sixième MOSFET M6 peut être exprimé sous la forme de l'équation 9 suivante et réfléchi pour circuler de la borne de source jusqu'à la borne de drain du septième MOSFET M7. Le courant circulant à travers la borne de drain du septième MOSFET M7 peut être utilisé en tant que courant de sortie du générateur de courant à ZTC 12. IZTC = R3 . équation (9) VzTC30 C'est-à-dire que puisque la tension de sortie VzTc de l'unité de génération de tension à ZTC 121 est une tension constante indépendamment d'une température, un courant de sortie Inc de l'unité de conversion de tension en courant 122 devient un courant à ZTC constant indépendamment d'une température conformément à l'équation 9. Cette caractéristique sera montrée sur la figure 7. La figure 7 est un graphique illustrant un résultat de simulation du courant de sortie de l'unité de conversion de tension en courant 122 de la figure 6. En se référant à la figure 7, il peut être connu que l'unité de conversion de tension en courant 122 délivre en sortie un courant réellement constant indépendamment d'une température, où une différence entre un courant maximum et un courant minimum est inférieure à 0,05 pA, bien qu'une température soit modifiée dans une plage de -40 à 120 C. En se reportant à la figure 1, le courant à PTC IpTc généré par le générateur de courant à PTC 11 et le courant à ZTC Inc généré par le générateur de courant à ZTC 12 sont délivrés en entrée au générateur de courant à ATC 14. La figure 10 est un graphique illustrant une relation température-courant dans le courant à PTC IpTc et le courant à ZTC Inc délivrés en entrée dans le générateur de courant à ATC 14. Sur la figure 10, pour ajuster de manière appropriée un point d'intersection CP pour crossing point où une ligne droite indiquant le courant à PTC IPTC croise une ligne droite indiquant le courant à ZTC IzTC, le courant à PTC IPTc peut être amplifié par un gain prédéterminé K par l'amplificateur 13 avant d'être délivré en entrée au générateur de courant à ATC 14. Le gain K peut être ajusté d'une manière telle que le point d'intersection CP où la ligne droite indiquant le courant à PTC IPTc croise la ligne droite indiquant le courant à ZTC IzTc, le courant à PTC IPCc est formé à une température normale. Dans ce qui suit, en vue d'une brève description de la présente invention, le courant à PTC délivré en entrée au générateur de courant à ATC 14 n'est pas amplifié. Le courant à PTC délivré en entrée au générateur de courant à ATC 14 doit être considéré comme étant un courant amplifié d'un gain prédéterminé par un amplificateur. La figure 8A est un schéma fonctionnel illustrant un concept de génération du courant à ATC du générateur de courant à ATC 14 employé par un mode de réalisation donné en exemple de la présente invention, et la figure 8B est un schéma fonctionnel illustrant un exemple de génération du courant à ATC. Comme montré sur la figure 8A, fondamentalement, un générateur de courant à ATC 14a peut comprendre une première unité d'amplification 141a amplifiant le courant à PTC IPCc de A fois ; une deuxième unité d'amplification 142a amplifiant le courant à ZTC Inc de B fois ; et une unité d'addition 143a générant et délivrant en sortie un courant en additionnant les courants amplifiés par les première et deuxième unités d'amplification 141a et 141b. Le générateur de courant à ATC 14a peut délivrer en sortie un courant ayant un coefficient de température souhaité en ajustant les gains d'amplification A et B. Par ailleurs, comme montré sur la figure 8B, un générateur de courant à ATC 14b peut comprendre une première unité d'amplification 141b amplifiant un courant à PTC IPTC délivré en entrée de C+1 fois ; une deuxième unité d'amplification 142b amplifiant le courant à coefficient de température nul Inc de C fois ; une troisième unité d'amplification 143b amplifiant le courant à ZTC Inc de D fois ; une unité de soustraction 144b soustrayant le courant amplifié par la deuxième unité d'amplification 142b du courant amplifié par la première unité d'amplification 141b et délivrant en sortie un courant en résultat de cela ; et une unité d'addition 145b générant et délivrant en sortie le courant à ATC en additionnant le courant délivré en sortie par l'unité de soustraction 144b. Cela est illustré en détail sur la figure 9. La figure 9 est un schéma de circuit illustrant le générateur de courant à ATC 14b de la figure 8B. En se reportant à la figure 9, le générateur de courant à ATC 14b peut être formé pour comprendre une pluralité de circuits à miroir de courant. La figure 9 sera décrite en considérant une relation avec le générateur de courant à ATC 14b montré sur la figure 8B, comme suit. La première unité d'amplification 141b peut être constituée d'un premier miroir de courant amplifiant le courant à PTC IPCC délivré en entrée de A+1 fois et en réfléchissant le courant amplifié. Le premier miroir de courant peut comprendre un huitième MOSFET M911 ayant une borne de drain à laquelle le courant à PTC IPCC est appliqué, une borne de source connectée à la tension d'alimentation VDD et une borne de grille électriquement connectée à la borne de drain ; et un nombre C+1 de neuvièmes MOSFET M912 ayant une borne de grille connectée à la borne de grille du huitième MOSFET M911, une borne de source connectée à la tension d'alimentation VDD et une borne de drain connectée à celle d'un autre des neuvièmes MOSFET M912. Puisque les neuvièmes MOSFET M912 respectifs réfléchissent un courant circulant à travers le huitième MOSFET M911, un courant délivré en sortie à partir des bornes de drain de la pluralité des neuvièmes MOSFET M912, qui sont couramment connectés les uns aux autres, est égal à C+1 fois le courant à PTC IPTC. La deuxième unité d'amplification 142b peut être constituée d'un second miroir de courant amplifiant le courant ZTC Inc délivré en entrée de A fois et réfléchissant le courant amplifié. Le second miroir de courant peut comprendre un dixième MOSFET M913 ayant une borne de drain à laquelle le courant à ZTC Inc est appliqué, une borne de source connectée à la tension d'alimentation VDD et une borne de grille électriquement connectée à la borne de drain ; et un nombre C d'onzièmes MOSFET M914 ayant une borne de grille connectée à la borne de grille du dixième MOSFET M913, une borne de source connectée à la tension d'alimentation et une borne de drain connectée à celle d'autres onzièmes MOSFET 914. De manière similaire au premier miroir de courant, un courant délivré en sortie depuis une borne de drain commune des onzièmes MOSFET M914 du second miroir de courant est égal à c fois le courant à ZTC Inc. La troisième unité d'amplification 143b peut comprendre un circuit à miroir de courant incluant un douzième MOSFET M915 ayant une borne de drain à laquelle le courant à ZTC Inc est appliqué, une borne de source connectée à la tension d'alimentation VDD et une borne de grille électriquement connectée à la borne de drain ; et un nombre D de treizièmes MOSFET M916 ayant une borne de grille connectée à la borne de grille du douzième MOSFET M915, une borne de source connectée à la tension d'alimentation et une borne de drain connectée à celle d'autres treizièmes MOSFET M916 ; et un circuit à miroir de courant incluant un quatorzième MOSFET M917 ayant une borne de drain à laquelle un courant délivré en sortie par une borne de drain du treizième MOSFET M916 est appliqué, une borne de grille électriquement connectée à la borne de drain et une borne de source mise à la masse ; et un quinzième MOSFET M918 ayant une borne de grille connectée à la borne de grille du quatorzième MOSFET M917 et une borne de source mise à la masse. Puisque les treizièmes MOSFET M916 respectifs réfléchissent un courant circulant à travers le douzième MOSFET M915, un courant délivré en sortie par la borne de drain commune du nombre D des treizièmes MOSFET M916, qui sont connectés de manière commune les uns aux autres, est égal à D fois le courant ZTC Inc. Par ailleurs, un courant ayant la même amplitude du courant circulant à travers le quatorzième MOSFET M917 est réfléchi et mis à circuler à travers la borne de drain du quinzième MOSFET M918. Le courant circulant à travers la borne de drain du quinzième MOSFET M918 devient un courant de sortie de la troisième unité d'amplification 143b et, en même temps, un courant d'entrée de l'unité d'addition 145b. L'unité de soustraction 144b peut comprendre un circuit à miroir de courant comprenant un seizième MOSFET M919 ayant une borne de drain à laquelle un courant délivré en sortie par la deuxième unité d'amplification 142b est délivré en entrée, une borne de grille électriquement connectée à la borne de drain, et une borne de source mise à la masse et un dix-septième MOSFET M920 ayant une borne de grille connectée à la borne de grille du seizième MOSFET M919, et une borne de source mise à la masse ; et un circuit à miroir de courant comprenant un dix-huitième MOSFET M921 ayant une borne de drain à laquelle un courant délivré en sortie par la première unité d'amplification 141b est délivré en entrée, la borne de drain connectée à une borne de drain et à la borne de grille du dix-septième MOSFET M920, et une borne de source mise à la masse et un dix-neuvième MOSFET M922 ayant une borne de grille connectée à une borne de grille du dix-huitième MOSFET M921 et une borne de source mise à la masse. Un courant C*IZTC de la deuxième unité d'amplification 142b, circulant à travers le seizième MOSFET M919 est réfléchi en ayant la même amplitude et peut circuler vers la borne de drain du dix-septième MOSFET M920. Par ailleurs, puisque la borne de drain du dix-septième MOSFET M920 et la borne de drain du dix-huitième MOSFET M921 sont connectées de manière commune à la borne de sortie de la première unité d'amplification 141b, un courant obtenu en soustrayant le courant C*Iz1C réfléchi vers le dix-septième MOSFET M920 du courant délivré en sortie par la première unité d'amplification 141b circule à travers le dix-huitième MOSFET M921. Par ailleurs, le courant circulant à travers le dix-huitième MOSFET M921 est réfléchi et circule à travers la borne de drain du dix-neuvième MOSFET M922. Le courant circulant à travers le dix-neuvième MOSFET M922 devient un courant de sortie de l'unité de soustraction 144b. L'unité d'addition 145b comprend un circuit à miroir de courant comprenant un vingtième MOSFET M923 ayant une borne de drain à laquelle le courant est délivré en sortie par l'unité de soustraction 144b, une borne de grille électriquement connectée à la borne de drain, et une borne de source mise à la masse et un vingt-et-unième MOSFET M924 ayant une borne de grille connectée à la borne de grille du vingtième MOSFET M923 et une borne de source connectée à la tension d'alimentation VDD ; et un circuit à miroir de courant comprenant un vingt-deuxième MOSFET M925 ayant une borne de drain à laquelle un courant délivré en sortie par la troisième unité d'amplification 143b est appliqué, une borne de grille électriquement connectée à la tension d'alimentation VDD et un vingt-troisième MOSFET M926 ayant une borne de grille connectée à la borne de grille du vingt-deuxième MOSFET M925, une borne de source connectée à la tension d'alimentation VDD, et une borne de drain connectée à la borne de drain du vingt-et-unième MOSFET M924. Un courant obtenu en additionnant un courant réfléchissant un courant s'écoulant à travers le vingtième MOSFET M923 à un courant réfléchissant un courant circulant à travers le vingt-deuxième MOSFET M925 est délivré en sortie par une borne de drain commune du vingt-et-unième MOSFET M924 et du vingt- troisième MOSFET M926. C'est-à-dire que le courant délivré en sortie par la borne de drain commune du vingt-et- unième MOSFET M924 et du vingt-troisième MOSFET M926 devient un courant de sortie du générateur de courant à ATC 14b. Dans le mode de réalisation montré sur les figures 8A, 8B et 9, les gains d'amplification A et B par rapport au courant à PTC IPTC et au courant à ZTC Inc du générateur de courant à ATC 14b sont déterminés par l'équation 10. A=C+1 B=DûC . équation (10) Comme montré dans l'équation 10, conformément au présent mode de réalisation, à l'aide d'un facteur variable C du gain d'amplification du courant à PTC IPCC, le courant à ZTC Inc est amplifié et soustrait et un courant où le courant à PTC IPCC est déplacé de D peut être généré. Cela peut être plus clairement compris au moyen des graphiques des figures 11 et 12. La figure 11 est un graphique illustrant le courant à ATC délivré en sortie par le générateur de courant à ATC 14b de la figure 8B lorsque le gain C est fixé et que le gain D est varié. Comme montré sur la figure 11, puisque le facteur 30 variable C est fixé dans le gain d'amplification du courant à PTC IPTC et que le facteur variable D du courant à ZTC Inc est varié, une inclinaison est constante et le courant à ATC monte et descend en fonction de la grandeur du facteur variable D. Par ailleurs, la figure 12 est un graphique illustrant un courant à ATC délivré en sortie par le générateur de courant à ATC 14b de la figure 8B lorsqu'un gain D est fixé et qu'un gain C est varié. Comme montré sur la figure 12, puisque le facteur variable C est varié dans le gain d'amplification du courant à PTC IPCC, une inclinaison du graphique est variée. Puisque le facteur variable D est fixé dans le gain d'amplification du ZTC et que C est soustrait d'un changement dans l'inclinaison du courant à PTC IPCC, le courant à ATC est montré sous la forme de lignes droites ayant une inclinaison différente des autres, qui se croisent à la même température en fonction d'une valeur du facteur variable C. Comme décrit ci-dessus, lorsqu'on utilise la caractéristique selon des changements du gain, le gain est ajusté de manière appropriée, générant ainsi un courant ayant une pluralité de coefficients de température. La figure 13 est un graphique illustrant un courant à ATC délivré en sortie par le générateur de courant à ATC 14b de la figure 8B lorsqu'un gain C et un gain D sont variés par un triplet. Comme montré sur la figure 13, lorsque la grandeur du gain C est ajustée à 3 bits, c'est-à-dire 8 stades (23 = 8) et que la grandeur du gain D est ajustée à 3 bits, huit points d'intersection ayant un courant différent à la même température sont formés et huit lignes droites ayant une inclinaison différente pour chaque point d'intersection sont formées, générant ainsi un courant ayant au total 64 coefficients de température différents. Dans ce cas, des valeurs des gains C et D peuvent être ajustées en ajustant les nombres respectifs du neuvième MOSFET M912, du onzième MOSFET M914 et du treizième MOSFET M916 dans le circuit à miroir de courant inclus dans chaque unité d'amplification dans le générateur de courant à ATC utilisant le miroir de courant montré sur la figure 9. Par exemple, des commutateurs sont fournis entre la borne de drain et la tension d'alimentation VDD dans chacun du neuvième MOSFET M912, du onzième MOSFET M914 et du treizième MOSFET M916 et sont sélectivement ouverts et fermés, déterminant ainsi le gain d'amplification. Comme décrit ci-dessus, conformément à un mode de réalisation donné en exemple de la présente invention, il est proposé un courant ayant divers coefficients de température en commandant de manière appropriée un gain de chacun d'un courant ayant un PTC et d'un courant ayant un ZTC. Un courant de polarisation dans lequel divers changements de caractéristique sont compensés dans divers circuits ayant différents changements de caractéristique peut être fourni en appliquant le dispositif de génération de courant. Bien que la présente invention ait été montrée et décrite en relation avec les modes de réalisation donnés en exemple, il sera apparent à l'homme du métier que des modifications et des variations peuvent être faites sans sortir de l'esprit et de la portée de l'invention telle que définie par les revendications annexées. REVENDICATIONS 1. Dispositif de génération de courant de polarisation ayant un coefficient de température ajustable, le dispositif comprenant : un générateur de courant à coefficient de température positif (11) générant un courant à coefficient de température positif directement proportionnel à une température absolue : un générateur de courant à coefficient de température nul (12) générant un courant à coefficient de température nul constant indépendamment de la température absolue ; et un générateur de courant à coefficient de température ajustable (14) générant et délivrant un courant à coefficient de température ajustable en amplifiant le courant à coefficient de température positif de A fois, en amplifiant le courant à coefficient de température nul de B fois, en additionnant les deux courants à coefficient de température amplifiés, dans lequel un coefficient de température du courant à coefficient de température ajustable estmodifié de manière sélective en ajustant les grandeurs de A et B. 2. Dispositif selon la revendication 1, dans lequel le générateur de courant à coefficient de 5 température positif (11) comprend : des premier et deuxième transistors à effet de champ à métal oxyde-semiconducteur, dit MOSFET, ayant une borne de source connectée à une première tension d'alimentation ; 10 une première unité d'amplification d'opération ayant une borne d'entrée connectée aux bornes de drain des premier et deuxième MOSFET, respectivement, et une borne de sortie connectée aux bornes de grille des premier et deuxième MOSFET ; 15 un premier transistor à jonctions bipolaires, dit BJT, ayant une base et un collecteur connectés à la borne de drain du premier MOSFET et un émetteur mis à la masse ; une première résistance ayant une borne connectée 20 à la borne de drain du deuxième MOSFET ; et une pluralité de deuxièmes BJT ayant une base et un collecteur connectés à une borne de la première résistance et un émetteur mis à la masse, dans lequel un courant circulant entre la borne de 25 source et la borne de drain des premier et deuxième MOSFET est délivré en tant que courant à coefficient de température positif. 3. Dispositif selon la revendication 1 ou la revendication 2, dans lequel le générateur de courant à 30 coefficient de température nul (12) comprend :une unité de génération de tension à coefficient de température nul (121) générant une tension à coefficient de température nul constante indépendamment de la température absolue en utilisant le courant à coefficient de température positif ; et une unité de conversion de tension en courant (122) convertissant la tension à coefficient de température nul en courant à coefficient de température nul et délivrant le courant à coefficient de température nul. 4. Dispositif selon la revendication 3, dans lequel l'unité de génération de tension à coefficient de température nul (121) comprend : un troisième MOSFET ayant une borne de drain à laquelle le courant à coefficient de température positif généré par le générateur de courant à coefficient de température positif (11) est appliqué, une borne de source connectée à la tension d'alimentation et une borne de grille connectée à la borne de drain ; un quatrième MOSFET ayant une borne de source connectée à la tension d'alimentation et une borne de grille connectée à la borne de grille du troisième MOSFET ; une deuxième résistance ayant une borne connectée 25 à une borne de drain du quatrième MOSFET ; et un troisième BJT ayant une base et un collecteur connectés à une autre borne de la deuxième résistance, et à un émetteur mis à la masse, dans laquelle une tension de la borne de drain du 30 quatrième MOSFET est déterminée pour être une tension à coefficient de température nul indépendamment de latempérature absolue en ajustant les valeurs de résistance des premier et deuxième transistors et un nombre des deuxièmes BJT. 5. Dispositif selon la revendication 3, dans 5 lequel l'unité de conversion de tension en courant (122) comprend : une deuxième unité d'amplification d'opération ayant une borne d'entrée à laquelle est connectée une tension de la borne de drain du quatrième MOSFET de 10 l'unité de génération de tension à coefficient de température nul (121) ; un cinquième MOSFET ayant une borne de grille connectée à une borne de sortie de la deuxième unité d'amplification d'opération et une borne de source 15 connectée à une autre borne d'entrée de la deuxième unité d'amplification d'opération ; un sixième MOSFET ayant une borne de source connectée à la tension d'alimentation et une borne de grille et une borne de drain connectées à une borne de 20 drain du cinquième MOSFET ; un septième MOSFET ayant une borne de source connectée à la tension d'alimentation et une borne de grille connectée à la borne de grille du sixième MOSFET ; et 25 une troisième résistance ayant une borne connectée à la borne de source du cinquième MOSFET et une autre borne mise à la masse, dans laquelle un courant circulant à travers la borne de drain du septième MOSFET est délivré en tant 30 que courant à coefficient de température nul. 6. Dispositif selon la revendication 1, comprenant en outre un amplificateur (13) amplifiant le courant à coefficient de température positif par un gain prédéterminé. 7. Dispositif selon la revendication 6, dans lequel le gain est déterminé pour former un point d'intersection où une ligne droite indiquant le courant à coefficient de température positif croise une ligne droite indiquant le courant à coefficient de température nul, à une température normale. 8. Dispositif selon la revendication 1, dans lequel le générateur de courant à coefficient de température ajustable (14) comprend : une première unité d'amplification amplifiant le courant à coefficient de température positif de A fois ; une deuxième unité d'amplification amplifiant le courant à coefficient de température nul de B fois ; et une unité d'addition générant et délivrant le courant à coefficient de température ajustable en additionnant les courants amplifiés par les première et deuxième unités d'amplification, dans lequel le coefficient de température du courant à coefficient de température ajustable est déterminé en ajustant les grandeurs de A et B. 9. Dispositif selon la revendication 1, dans lequel le générateur de courant à coefficient de température ajustable (14) comprend : une première unité d'amplification amplifiant le courant à coefficient de température positif de C+l fois ; une deuxième unité d'amplification amplifiant le courant à coefficient de température nul de C fois ; une troisième unité d'amplification amplifiant le courant à coefficient de température nul de D fois ; une unité de soustraction soustrayant le courant amplifié par la deuxième unité d'amplification du courant amplifié par la première unité d'amplification et délivrant un courant en résultat de cela ; et une unité d'addition générant et délivrant le courant à coefficient de température ajustable en additionnant le courant délivré par l'unité de soustraction et un courant délivré par la troisième unité d'amplification, dans lequel les grandeurs de A et B sont 15 déterminées par le système d'équation suivant, A=C+1 B=D-C , et le coefficient de température du courant à 20 coefficient de température ajustable est déterminé en ajustant les grandeurs de C et D. 10. Dispositif selon la revendication 9, dans lequel la première unité d'amplification est un circuit à miroir de courant comprenant : 25 un huitième MOSFET ayant une borne de drain à laquelle le courant à coefficient de température positif est appliqué, une borne de source connectée à la tension d'alimentation et une borne de grille électriquement connectée à la borne de drain ; etun nombre C+1 de neuvièmes MOSFET ayant une borne de grille connectée à la borne de grille du huitième MOSFET, une borne de source connectée à la tension d'alimentation et une borne de drain connectée à celle d'un autre des neuvièmes MOSFET. 11. Dispositif selon la revendication 9, dans lequel la deuxième unité d'amplification est un circuit à miroir de courant comprenant : un dixième MOSFET ayant une borne de drain à laquelle le courant à coefficient de température nul est appliqué, une borne de source connectée à la tension d'alimentation et une borne de grille électriquement connectée à la borne de drain ; et le nombre C d'onzièmes MOSFET ayant une borne de grille connectée à la borne de grille du dixième MOSFET, une borne de source connectée à la tension d'alimentation et une borne de drain connectée à celle d'un autre des onzièmes MOSFET. 12. Dispositif selon la revendication 9, dans lequel la troisième unité d'amplification comprend : un circuit à miroir de courant comprenant un douzième MOSFET ayant une borne de drain à laquelle le courant à coefficient de température nul est appliqué, une borne de source connectée à la tension d'alimentation et une borne de grille électriquement connectée à la borne de drain ; et le nombre D de treizièmes MOSFET ayant une borne de grille connectée à la borne de grille du douzième MOSFET, une borne de source connectée à la tension d'alimentation et une borne de drain connectée à celle d'un autre des treizièmes MOSFET ; etun circuit à miroir de courant comprenant un quatorzième MOSFET ayant une borne de drain à laquelle un courant délivré à partir d'une borne de drain commune des treizièmes MOSFET est appliqué, une borne de grille électriquement connectée à la borne de drain et une borne de source mise à la masse ; et un quinzième MOSFET ayant une borne de grille connectée à la borne de grille du quatorzième MOSFET et une borne de source mise à la masse. 13. Dispositif selon la revendication 9, dans lequel l'unité de soustraction comprend : un circuit à miroir de courant comprenant un seizième MOSFET ayant une borne de drain à laquelle un courant délivré par la deuxième unité d'amplification est délivré en entrée, une borne de grille électriquement connectée à la borne de drain et une borne de source mise à la masse et un dix-septième MOSFET ayant une borne de grille connectée à la borne de grille du seizième MOSFET, et une borne de source mise à la masse ; et un circuit à miroir de courant comprenant un dix-huitième MOSFET ayant une borne de drain à laquelle un courant délivré par la première unité d'amplification est délivré en entrée, la borne de drain connectée à une borne de drain et la borne de grille du dixseptième MOSFET et une borne de source mise à la masse et un dix-neuvième MOSFET ayant une borne de grille connectée à une borne de grille du dix-huitième MOSFET et une borne de source mise à la masse. 14. Dispositif selon la revendication 9, dans lequel l'unité d'addition comprend :un circuit à miroir de courant comprenant un vingtième MOSFET ayant une borne de drain à laquelle le courant est délivré par l'unité de soustraction, une borne de grille électriquement connectée à la borne de drain, et une borne de source mise à la masse et un vingt-et-unième MOSFET ayant une borne de grille connectée à la borne de grille du vingtième MOSFET et une borne de source connectée à la tension d'alimentation ; et un circuit à miroir de courant comprenant un vingt-deuxième MOSFET ayant une borne de drain à laquelle un courant délivré par la troisième d'unité d'amplification est appliqué, une borne de grille électriquement connectée à la borne de drain, et une borne de source connectée à la tension d'alimentation et un vingt-troisième MOSFET ayant une borne de grille connectée à la borne de grille du vingt- deuxième MOSFET, une borne de source connectée à la tension d'alimentation et une borne de drain connectée à une borne de drain du vingt-et-unième MOSFET, dans laquelle un courant délivré par une borne de drain commune du vingt-et-unième MOSFET et du vingt-troisième MOSFET est un courant délivré par le générateur de courant à coefficient de température ajustable (14).