FR 2914298 A1 20081003 FR 0702226 A 20070327 1 PROCEDE ET EQUIPEMENT DE FABRICATION D'UNE PREF'ORME DE FIBRE OPTIQUE La présente invention concerne un procédé de fabrication d'une préforme de fibre optique. Une fibre optique est réalisée en étirant une préforme sur une tour de fibrage. Une préforme comprend généralement une préforme primaire constituée d'un tube de verre de très haute qualité qui forme une partie de la gaine et le cceur de la fibre. Cette préforme primaire est ensuite rechargée ou manchonnée pour augmenter son I O diamètre et former une préforme utilisable sur une tour de fibrage. Dans ce contexte, on appelle gaine interne la gaine formée à l'intérieure du tube et gaine extérieure la gaine formée à l'extérieure du tube. L'opération de fibrage homothétique consiste à placer la préforme verticalement dans une tour et à tirer un brin de fibre d'un bout de la préforme. Pour cela, une haute température est appliquée localement à une 15 extrémité de la préforme jusqu'à ce que la silice soit ramollie, la vitesse de fibrage et la température sont ensuite contrôlées en permanence pendant le fibrage car ils déterminent le diamètre de la fibre. Une fibre optique est classiquement composée d'un coeur optique, ayant pour fonction de transmettre et éventuellement d'amplifier un signal optique, et d'une 20 gaine optique, ayant pour fonction de confiner le signal optique dans le coeur. A cet effet, les indices de réfraction du coeur n~ et de la gaine ng sont tels que ne>ng. Comme cela est bien connu, la propagation d'un signal optique dans une fibre optique monomode se décompose en un mode fondamental guidé dans le coeur et en des modes secondaires guidés sur une certaine distance dans l'ensemble coeur-gaine, 25 appelés modes de gaine. Une fibre optique peut être fabriquée à partir d'une préforme comprenant une préforme primaire constituée d'un tube en silice pure ou dopée dans lequel des couches de silice dopées et/ou pures ont été successivement déposées pour former une gaine interne et un coeur central. Les dépôts dans le tube sont du type dépôt 30 chimique en phase vapeur, désigné par le sigle CVD pour Chemical Vapour Deposition en langue anglaise. Ce type de dépôt est effectué par injections de mélanges gazeux dans le tube et ionisations desdits mélanges. Le dépôt de type CVD englobe les dépôts MCVD (Modified Chemical Vapour Deposition), FCVD (Furnace Chemical Vapour Deposition) et PCVD (Plasma enhanced Chemical Vapour 35 Deposition). Après le dépôt des couches correspondant au coeur et à la gaine interne, le tube est refermé sur lui-même dans une opération appelée rétreint. On obtient alors la préforme primaire constituée d'un barreau de silice. Cette préforme primaire est KIRSCH' LBREV'ETS 13(r'et, O 5)na .- (1 O &TC))do, 2 ensuite rechargée, généralement avec du grain de silice naturelle pour des raisons de coûts. La recharge peut être effectuée par un dépôt plasma dans lequel les grains de silice naturelle sont déposés par gravité et fusionnés par une torche plasma sous une température de l'ordre de 2300 pour être vitrifiés sur la périphérie de la préforme primaire. La préforme primaire est mise en rotation sur elle-même et la torche ou la préforme primaire se déplace longitudinalement l'une par rapport à l'autre pour assurer un dépôt uniforme de silice sur toute la périphérie du barreau. L'opération de recharge s'effectue généralement dans une cabine close à atmosphère contrôlée pour assurer une protection contre les perturbations électromagnétiques et le dégagement d'ozone émis par la torche plasma. La recharge par dépôt plasma à partir de grains de silice est certes peu coûteuse, mais produit des impuretés qui se déposent sur la périphérie de la préforme primaire. Ces impuretés, telles que des particules d'eau et de poussières, proviennent de l'air ambiant de la cabine dans laquelle l'opération de recharge est menée. Notamment, lors de la recharge, la silice est portée à sa température de vitrification par la torche plasma la silice se trouve alors dans un état de transition favorable à l'absorption d'impuretés du groupe OH. La présence d'impuretés dans la gaine extérieure -- formée par la recharge de la préforme primaire - dégradent les propriétés optiques de la fibre, en particulier lorsque des impuretés sont présentes dans les premières couches de silice déposées sur la préforme primaire. Ce problème d'impuretés incorporées dans la recharge est d'autant plus important que le coeur central de la préforme primaire est gros. En effet, dans le cas d'un coeur central de grand diamètre, la gaine interne présente une épaisseur limitée et les impuretés incorporées à la périphérie du tube lors de la recharge influent d'actant plus sur la propagation du signal dans le coeur central qu'elles sont proches du coeur. On cherche pourtant à fabriquer des préformes de grande capacité. La capacité d'une préforme est définie comme la quantité de longueur de fibre optique qui peut être étirée à partir de cette préforme. Plus le diamètre de la préforme est important, plus la capacité sera grande. Pour réduire les coûts de fabrication et limiter les pertes par connexion, il est souhaitable de fournir de grandes longueurs de fibres linéaires à partir d'une même préforme. On cherche donc à fabriquer des préformes de grand diamètre tout en respectant les contraintes de dimensions relatives entre le diamètre du coeur central et le diamètre de la gaine optique. La préforme finale, après recharge doit en effet présenter les mêmes rapports de diamètre de coeur sur diamètre de gaine que la fibre optique étirée- Pour fabriquer une préforme de grande capacité, on choisit généralement d'augmenter la quantité de recharge plutôt que d'augmenter le diamètre de la préforme primaire coûteuse à fabriquer. IiIIiSC Ii( BREVTTSBle,ets] 3 US 2002/0144521 décrit un procédé de fabrication de préforme de grande capacité. Ce document propose de réaliser une préforme primaire par dépôt d'un coeur central de grand diamètre à l'intérieur d'un tube dopé au Chlore et au Fluor. Le tube est dopé au Fluor pour compenser l'augmentation de l'indice de réfraction engendrée par le dopage au Chlore. Le tube est dopé au Chlore pour limiter la migration d'impuretés de groupes OH qui dégradent les propriétés de transmission optique dans le coeur central. L'utilisation d'un tel tube dopé au Chlore et au Fluor permet, à diamètre de tube équivalent, de réduire l'épaisseur de la gaine interne déposée dans le tube afin de fabriquer une préforme primaire ayant un diamètre de coeur central élargi. Cette préforme primaire est ensuite rechargée par dépôt plasma pour obtenir une préforme finale de grand diamètre et donc de grande capacité. Le tube dopé au Chlore et au Fluor protège le coeur central des impuretés apportées par le procédé de recharge à partir de grain de silice naturelle. Un tel procédé nécessite cependant l'utilisation d'un tube spécifique, plus coûteux qu'un tube de silice pure. En outre, la présence de Chlore dans le tube n'empêche pas la formation de liaisons Si-OH sur la surface du tube lors de la recharge qui modifient l'indice global de la gaine extérieure et par conséquent les propriétés de transmission de la fibre optique. FR-A-2 760 449 décrit un procédé de dépôt de silice sur une préforme primaire de fibre optique. Ce document propose de purifier le dépôt de silice naturelle pendant l'opération de recharge. Un conduit d'alimentation amène un mélange gazeux contenant du Chlore ou du Fluor à proximité de la torche plasma pour faire réagir les éléments alcalins ou alcalino-terreux contenus dans les grains de silice afin de réduire la formation de groupes OH sur la préforme primaire. Il a cependant été constaté que ce n'est pas au niveau de la zone couverte par la torche plasma que les impuretés sont incorporées dans la silice de la recharge car la température, environ 2300 C, est trop élevée pour favoriser la formation de liaisons avec les groupes OH. Les impuretés se déposent surtout dans la silice tout juste vitrifiée à la surface du tube et pas encore refroidie. L'ajout d'un mélange gazeux contenant du Chlore ou du Fluor sur la zone de préforme directement chauffée par la torche plasma ne réduit donc pas suffisamment la formation d'impuretés dans la silice de la recharge. FR-A-2 647 778 décrit un procédé et un dispositif de dépôt de silice sur une préforme primaire de fibre optique. Le barreau de silice constituant la préforme primaire est placé sur un tour Verrier dans un enceinte étanche séparée de l'atmosphère ambiante et alimentée en gaz desséché. L'opération de recharge est menée dans cette enceinte. L'air dans l'enceinte est soumis successivement à une filtration, à une compression et réfrigération, à une purge de l'eau condensée puis à Ii!RSCH6 BREVETS B,,E. 4 une dessiccation finale par adsorption. Un tel procédé permet, en théorie, de supprimer la plupart des impuretés successibles d'être incorporées dans la silice de la recharge. Cependant, une telle solution est complexe et onéreuse à mettre en oeuvre. En effet, l'enceinte présente un volume d'au moins 8 à 10 m3 et nécessite un débit d'air à travers l'enceinte d'environ 3000m3/h. Soumettre un tel volume d'air aux opérations de filtration et assèchement précitées représente un coût de mise en oeuvre très important incompatible avec les coûts de fabrication des fibres optiques. Il existe donc un besoin pour un procédé de fabrication d'une préforme de fibre optique qui permette de réaliser l'opération de recharge à moindre coût tout en limitant au maximum l'incorporation d'impuretés dans la silice de la recharge. Le demandeur a déposé le 23 décembre 2005 une demande de brevet français sous le numéro FR 05 13 254, intitulé Procédé de fabrication d'une préforme de fibre optique. Cette demande de brevet décrit un procédé de fabrication dans lequel la préforme primaire est positionnée dans un tube délimitant un volume de contrôle réduit autour de la zone de recharge. L'atmosphère est alors contrôlée uniquement dans ce volume réduit délimité par le tube et non dans tout le volume d'une enceinte contenant le tour Verrier. La présente invention propose de réaliser la recharge de la préforme primaire en refroidissant au moins une zone de la préforme adjacente à la zone couverte par la torche plasma. Le grain de silice projeté pour la recharge atteint malgré tout sa température de vitrification car il est projeté dans la flamme de la torche plasma alors que la préforme elle-même est refroidie juste à côté de la torche, notamment sur une zone en aval du dépôt de grains de silice, afin de limiter l'absorption d'impuretés du groupe OH par la silice. L'invention propose plus particulièrement un procédé de fabrication d'une préforme finale de fibre optique comprenant la fourniture d'une préforme primaire et la recharge de la préfolnie primaire par projection de grains de silice sous une torche plasma. au moins une zone de la préforme adjacente à la zone couverte par la torche plasma étant refroidie pendant la recharge par au moins une buse soufflant du gaz. Selon les modes de réalisation, le procédé de l'invention présente une ou plus plusieurs des caractéristiques suivantes : -- une buse souffle du gaz sur une zone de préforme en aval de la torche plasma pendant la recharge ; deux buses soufflent du gaz sur des zones de préforme de part et d'autre de la torche plasma pendant la recharge ; ladite au moins une buse souffle de l'air ; ladite au moins une buse souffle de l'azote HIRS(IHn BRU\ FTS 13recta 3>--n-0?IIhterre depôi.Jnc le gaz soufflé par ladite au moins une buse a un taux d'humidité relative inférieur à 5% à 20 C ; le gaz soufflé par ladite au moins une buse contient en outre des gaz fluorés et/ou chlorés ; - ladite au moins une buse souffle du gaz avec un débit supérieur à 75 1/min, par exemple 150 1/min ou 200 t/min ; - ladite au moins une buse est située à une distance comprise entre 15 mm et 60 mm de la périphérie de la préforme en recharge ; - ladite au moins une buse est située à une distance comprise entre 45 mm et 90 mm de l'axe de la torche plasma. L'invention propose aussi un équipement de fabrication d'une préforme finale de fibre optique comprenant: - un support de réception d'une préforme primaire ; - un dispositif de recharge de la préfonne primaire ; -- au moins une buse adaptée à souffler du gaz sur une zone de préforme adjacente à la zone de préforme couverte par le dispositif de recharge. Selon les modes de réalisation, l'équipement de l'invention présente une ou plus plusieurs des caractéristiques suivantes : deux buses adaptées à souffler du gaz de part et d'autre du dispositif de recharge de la préforme primaire ; des moyens de contrôle du débit de gaz soufflé par ladite au moins une buse ; des moyens de contrôle de la distance entre ladite au moins une buse et la périphérie de la préforme primaire des moyens de contrôle de la distance entre ladite au moins une buse et le dispositif de recharge de la préforme primaire ; le dispositif de recharge comprend une torche à plasma et une conduite d'amenée de grains de silice. L'invention concerne aussi une fibre optique étirée à partir d'une préforme de fibre optique obtenue selon le procédé de fabrication de l'invention. D'autres caractéristiques et avantages de l'invention apparaîtront à la lecture de la description détaillée qui suit des modes de réalisation de l'invention donnés à titre d'exemple uniquement et en référence aux figures qui montrent : figure 1, un schéma des éléments de mise en oeuvre du procédé de l'invention ; I TIRS(-H( [312CAE TS [are,ets_59002i9^1 6 figure 2, un schéma d'une préforme de fibre optique sur laquelle des tranches sont découpées pour des mesures de concentration en groupe OH dans la silice de la recharge. La figure 1 montre une préforme primaire 100 destinée à être placée sur un tour Verrier pour être rechargée afin de former une préforme finale utilisable sur une tour de fibrage. La préforme primaire 100 est un barreau de silice de grande pureté qui a été fabriqué selon une quelconque technique connue, par exemple par dépôt PCVD dans un tube de silice. La recharge peut être effectuée par dépôt plasma de grains de silice, de préférence du grain de silice naturelle peu coûteux. Le grain de silice projeté pour la recharge peut également être dopé selon les applications envisagées pour la fibre. De façon connue en soi, une conduite d'amenée de grains de silice (non illustrée) est prévue à proximité d'une torche plasma 200. Soit l'ensemble composé de la torche plasma et de la conduite d'amenée de grains de silice est déplacé dans un mouvement de va et vient le long de la préforme primaire mise en rotation, soit la préforme primaire mise en rotation glisse dans un mouvement longitudinal de va et vient devant la torche plasma et la conduite d'amenée de grains de silice. Selon l'invention, au moins une buse de refroidissement 300 est prévue. Une telle buse 300 est adaptée à souffler du gaz sec et froid sur une zone de la préforme adjacente à la zone couverte ù directement chauffée ù par la torche plasma 200. En effet, comme indiqué plus haut, l'absorption d'impuretés du groupe OH dans la silice est favorisée par l'état de transition de la silice en cours de vitrification. Le demandeur a constaté que si la température de la silice venant d'être vitrifiée est rapidement ramenée en deçà d'une température seuil, de l'ordre de 1300 C, l'absorption d'impureté OH peut être grandement réduite. L'invention propose donc de refroidir la préforme autour et au moins en aval de la torche plasma 200 au fur et à mesure de la recharge en soufflant du gaz juste à côté de la torche plasma. Sur la figure 1, deux buses de refroidissement 300 sont illustrées de part et d'autre de la torche plasma ce qui limite davantage le risque d'absorption d'impuretés dans la silice chauffée par la torche ; mais il est entendu qu'une seule buse de refroidissement pourrait suffire si elle est pilotable pour être placée en aval de la torche à chaque passe de recharge ou que les deux buses pourraient fonctionner en alternance. On cherchera en effet à refroidir 3.5 particulièrement la préforme sur une zone adjacente avale de la zone couverte par la touche plasma. Le terme a en aval est entendu par rapport au déplacement de la torche le long de la préforme, c'est-à-dire que la zone refroidie par la buse est la zone sur laquelle du grain de silice vient juste d'être vitrifié par la torche plasma. La zone HIRSC116 BRE \ ' ETSDre,ets]>vuu dep( 7 en aval de la torche plasma alterne donc à chaque passe de recharge puisque la torche effectue un mouvement de va et vient le long de la préforme. Les buses de refroidissement 300 peuvent se déplacer avec la torche plasma 200 si cette dernière se déplace le long de la préforme en rotation. Les buses de refroidissement 300 peuvent aussi se déplacer radialement par rapport à la préforme afin d'ajuster leur position par rapport à la périphérie de la préforme en recharge. Notamment, au fur et à mesure de la recharge, les buses 300 doivent être écartées pour ne pas buter contre la préforme qui grossit avec la recharge. Les buses de refroidissement 300 peuvent être intégrées sur un socle commun avec le dispositif de recharge composé de la torche plasma 200 et d'une amené de grains de silice. Les buses de refroidissement 300 peuvent être maintenues à une distance donnée de la périphérie de la préforme en recharge, par exemple à une distance comprise entre 15 et 60 mm et peuvent être maintenues à une distance donnée de la flamme de la torche plasma, par exemple à une distance comprise entre 45 et 90 mm de l'axe de torche plasma. Des réservoirs d'air ou d'azote sous pression peuvent être reliés aux buses de refroidissement 300. Les gaz stockés pour être soufflés par les buses 300 présentent un taux d'humidité relative inférieur à 5% à 20 C et peuvent être mélangés avec des gaz fluorés et/ou chlorés pour inhiber toute formation de groupes OH à proximité de la torche plasma et éviter les liaisons Si-OH sur la surface de la préforme autour de la torche. On préférera souffler de l'azote plutôt que de l'air pour éviter la création de groupes NOx (gaz à effet de serre), bien que le soufflage d'air donne aussi des résultats satisfaisants quant à la limitation des impuretés déposées dans la recharge. Le gaz soufflé par les buses n'est pas particulièrement froid ; simplement à température ambiante soit 20 C à 25 C environ. Néanmoins, ce gaz refroidit la préforme qui est portée à plus de 2000 C par la torche plasma. La silice est donc rapidement refroidie après vitrification et ne reste que peu de temps dans un état de transition favorable à l'absorption d'impuretés du groupe OH. Le procédé de l'invention permet de réduire sensiblement la présence de groupes OH dans la silice de la recharge. Des mesures de concentrations en groupes OH ont été faites sur plusieurs tranches de différentes préformes de fibre optique. La figure 2 montre un schéma d'une préforme de fibre optique sur laquelle des tranches sont découpées. Les positions référencées A et F correspondent aux points de soudure de la préforme sur le support du tour Verrier. Six positions sont ainsi représentées, distantes d'environ 100 mm l'une de l'autre pour une préforme d'environ 500 mm de long. La concentration en groupes OH peut être mesurée dans chaque tranche, par exemple avec une technique de spectroscopie infrarouge. HIRS(i- HREIV[iS Bre,ro_25900_5 3,--0?0.OG-ie_xie dépôt doc 8 Le tableau ci-dessous reporte la concentration moyenne en groupes OH dans différentes tranches de la recharge de différentes préformes mesurée entre les diamètres 34 mm et 92 mm. Les mesures de concentration en groupes OH du tableau correspondent ainsi aux concentrations en groupes OH dans la recharge ; la préforme primaire fait 33 mm de diamètre et la préforme finale 93 mm de diamètre. Le tableau fournit une mesure moyenne de la concentration en groupes OH pour un diamètre de préforme strictement inférieur à 50 mm (mesures effectuées entre les diamètres 34 et 49.99) et pour un diamètre de préforme supérieur ou égal à 50 mm. Les préformes de 500 mm de long ont été découpées à intervalle régulier (comme sur la figure 2) pour mesurer la concentration radiale des impuretés du groupe OH dans la recharge. Le tableau ci-dessous reporte donc ces concentrations moyennes en groupes OH dans la recharge pour une préforme de référence et pour deux préformes obtenues selon le procédé de l'invention pour les différentes tranches B à E. Tableau Préforme référence Préforme I Préforme II [OH]moy [01-l]moy [OHimoy [OH.imoy [OH]moy [OHimoy 5Omm 50mm 50mm Pos. B 3.01 8.85 0.27 4.18 0.44 3.68 Pos. C 3.20 8.19 0.36 3.47 0.44 3.66 Pos. D 3.13 10.01 0.48 3.61 0.44 3.74 Pos. E 2.93 7. 49 0.43 3.34 0.52 3.79 La préforme de référence a été rechargée selon un procédé de l'art antérieur, c'est-à-dire rechargée par projection de grains de silice vitrifiés sur la préforme par une torche plasma dans une enceinte sous atmosphère contrôlée. La préforme I a été rechargée selon le procédé de l'invention, c'est-à-dire rechargée par projection de grains de silice vitrifiés sur la préforme par une torche plasma avec refroidissement de la préforme juste à côté de la torche. Pour réaliser la préforme I, deux buses de refroidissement ont été utilisées pour souffler de l'azote de part et d'autre de la torche plasma avec un débit de 150 1/min ; les buses étaient situées à 10 mm du bord de la torche, soit environ à 60 mm de l'axe de la torche, et à 25 mm de la périphérie de la préforme pendant la recharge. La préforme II a été rechargée selon le procédé de l'invention, c'est-à-dire rechargée par projection de grains de silice vitrifiés sur la préforme par une torche plasma avec refroidissement de la préforme juste à côté de la torche. Pour réaliser la préforme II, deux buses de refroidissement ont été utilisées pour souffler de l'azote HIRSC I* BREVETS,Bre,ets 25')O( 11?0,06-~rsie dqpin duc 9 de part et d'autre de la torche plasma avec un débit de 200 I/min ; les buses étaient situées à 10 mm du bord de la torche, soit environ à 60 mm de l'axe de la torche, et à 25 mm de la périphérie de la préforme pendant la recharge. On constate que la concentration moyenne en groupes OH dans la silice de la recharge proche du coeur, c'est-à-dire dans la recharge jusqu'à un diamètre strictement inférieur à 50 mm, est comprise entre 2.93 et 3.20 pour la préforme de référence ; alors que pour la préforme I selon l'invention, cette concentration moyenne est comprise entre 0.27 et 0.48 et pour la préforme II selon l'invention, cette concentration moyenne est comprise entre 0.44 et 0.52. La réduction d'impuretés du groupes OH dans les premières couches de la recharge est donc notable avec le procédé selon l'invention, avec une concentration environ six fois moindre dans les préformes selon l'invention par rapport à la préforme de référence. La diminution d'impuretés dans les premières couches de la recharge est primordiale pour réduire le risque de migration de ces impuretés vers le coeur de la fibre. En outre, la concentration moyenne en groupes OH dans la silice de la recharge au-delà du diamètre de 50 mm est également améliorée avec le procédé selon l'invention. En effet, la concentration moyenne en groupes OH est comprise entre 7.49 et 10.01 pour la préforme de référence ; alors que pour la préforme I selon l'invention, cette concentration moyenne est comprise entre 3.34 et 4.18 et pour la préforme II selon l'invention, cette concentration moyenne est comprise entre 3.66 et 3.79. On remarque que la concentration en groupes OH dans la silice de la recharge a été sensiblement réduite dans les préforme selon l'invention par rapport à la préforme de référence. On remarque aussi que la préforme Il présente une concentration moyenne en groupes OH plus régulière par rapport à celle de la préforme I ; c'est-à-dire un écart moindre entre les moyennes de concentrations des différentes tranches mesurées. Un débit plus fort du gaz soufflé sur les zones de la préforme adjacentes à la torche permet de refroidir la préforme de manière plus uniforme. Le procédé de l'invention peut être mis en oeuvre avec un équipement relativement simple. Un tour Verrier classique peut être utilisé comme support de réception de la préforme primaire 100. Une torche plasma 200, de type classique, avec une conduite d'amenée de grains de silice est également prévue. Au moins une buse de refroidissement 300 est en outre prévue. La buse de refroidissement 300 peut être intégrée sur un support commun avec la torche plasma 200 ou être installée à côté et commandée séparément. L'équipement peut également comprendre des rnoyens de contrôle du débit de la (des) buse(s) de refroidissement 300 et des moyens de contrôle de la position de la H1RS(H6`13REA ETS'.Hre'ers _'90U 'S~~'h--(15U3U6-i c.vc dép6i doc 10 (des) buse(s), notamment pour contrôler la distance avec la périphérie de la préforme en recharge et, le cas échéant, pour contrôler la distance avec la torche plasma si la buse n'est pas intégrée sur un support commun à la torche. Le procédé et l'équipement selon l'invention permettent de réaliser la recharge d'une préforme primaire de fibre optique pour obtenir une préforme prête au fibrage. Cette étape de recharge peut être menée dans une pièce sans atmosphère contrôlée, ce qui limite le coût des installations. Le demandeur a effet découvert que le seul refroidissement de zones de préformes adjacentes à la torche plasma suffit à limiter l'incorporation d'impuretés du groupe OH dans la recharge. L'opération de recharge d'une préforme primaire peut ainsi être réalisée avec un équipement simple et peu coûteux qui permet de réduire efficacement l'incorporation d'impuretés dans la silice de la recharge. Une fibre optique présentant des propriétés de transmission optique améliorées peut être étirée à partir d'une préforme finale obtenue par le procédé selon l'invention. ruRSC HG BREVETS ure,ets_5900 ^su? ùu ~i;ua-, c.ue depai.doc REVENDICATIONS 1. Procédé de fabrication d'une préforme finale de fibre optique comprenant la fourniture d'une préforme primaire (100) et la recharge de la préforme primaire par projection de grains de silice sous une torche plasma (200), au moins une zone de la préforme adjacente à la zone couverte par la torche plasma étant refroidie pendant la recharge par au moins une buse (300) soufflant du gaz. 2. Procédé de fabrication selon la revendication 1, dans lequel une buse (300) souffle du gaz sur une zone de préforme en aval de la torche plasma pendant la recharge. 3. Procédé de fabrication selon la revendication 1, dans lequel deux buses (300) soufflent du gaz sur des zones de préforme de part et d'autre de la torche plasma pendant la recharge. 4. Procédé de fabrication selon l'une des revendications 1 à 3, dans lequel ladite au moins une buse (300) souffle de l'air. 5. Procédé de fabrication selon l'une des revendications 1 à 3, dans lequel ladite au moins une buse (300) souffle de l'azote. 6. Procédé de fabrication selon l'une des revendications 1 à 5, dans lequel le gaz soufflé par ladite au moins une buse (300) a un taux d'humidité relative inférieur à 20 5% à 20 C. 7. Procédé de fabrication selon l'une des revendications 1 à 6, dans lequel le gaz soufflé par ladite au moins une buse (300) contient en outre des gaz fluorés et/ou chlorés. 8. Procédé de fabrication selon l'une des revendications 1 à 7, dans lequel ladite au moins une buse (300) souffle du gaz avec un débit supérieur à 75 t/min. HIRSCII(BREVETS Bre,ets.259C0B5g3tù0'0306-^eztc dépôt.doc 9. Procédé de fabrication selon la revendication 8, dans lequel ladite au moins une buse (300) souffle du gaz avec un débit sensiblement égal à 150 L'min. 10. Procédé de fabrication selon la revendication 8, dans lequel ladite au moins une buse (300) souffle du gaz avec un débit sensiblement égal à 200 L'min. 11. Procédé de fabrication selon l'une des revendications 1 à 10, dans lequel ladite au moins une buse (300) est située à une distance comprise entre 15 mm et 60 mm de la périphérie de la préforme en recharge. 12. Procédé de fabrication selon l'une des revendications 1 à 11, dans lequel ladite au moins une buse (300) est située à une distance comprise entre 45 mm et 90 mm de 10 l'axe de la torche plasma. 13. Equipement de fabrication d'une préforme finale de fibre optique comprenant: - un support de réception d'une préforme primaire ; - un dispositif de recharge de la préforme primaire ; - au moins une buse adaptée à souffler du gaz sur une zone de préforme adjacente à 15 la zone de préforme couverte par le dispositif de recharge. 17. Equipement selon la revendication 13, comprenant deux buses adaptées à souffler du gaz de part et d'autre du dispositif de recharge de la préforme primaire. 18. Equipement selon la revendication 13 ou 14, comprenant en outre des moyens de contrôle du débit de gaz soufflé par ladite au moins une buse. 20 16. Equipement selon l'une des revendications 13 à 15, comprenant en outre des moyens de contrôle de la distance entre ladite au moins une buse et la périphérie de la préforme primaire. 17. Equipement selon l'une des revendications 13 à 16, comprenant en outre des moyens de contrôle de la distance entre ladite au moins une buse et le dispositif de 25 recharge de la préforme primaire. NIRSCHR, BREVETS [3revci_. 25910,2 ~9 s-O7(,306 ,,, d,pôt_doc18. Equipement selon l'une des revendications 13 à 17, dans lequel le dispositif de recharge comprend une torche à plasma et une conduite d'amenée de grains de silice. 19. Fibre optique obtenue par étirage d'une préforme obtenues selon le procédé de fabrication de l'une des revendications 1 à 12. HIRSCH6 BREVETS 13rnets_5 QG0 25931; -070.06-te,te drpôtdo