FR 2906242 A1 20080328 FR 0653973 A 20060927 1 PROCEDE D'ASSEMBLAGE DE PIECES EN CERAMIQUE REFRACTAIRE PAR FRITTAGE A CHAUD AVEC CHAMP ELECTRIQUE PULSE ( SPS ) DESCRIPTION L'invention a trait à un procédé d'assemblage de pièces en céramique réfractaire, par frittage à chaud avec champ électrique pulsé ( Spark Plasma Sintering ou SPS en anglais). Le domaine technique de l'invention peut être défini de manière générale comme celui de l'assemblage de céramiques, plus précisément de céramiques réfractaires. Par céramiques réfractaires, on entend de manière générale des céramiques qui possèdent des températures de frittage supérieures à 1300 C. Du fait de leur caractère réfractaire et fragile, les céramiques sont des matériaux difficiles à mettre en forme. Les moyens d'élaboration actuels sont relativement longs et coûteux, dès qu'il s'agit de fritter des céramiques très réfractaires telles que des carbures ou nitrures. Il est généralement difficile de fabriquer des pièces de forme complexe avec des céramiques et notamment des céramiques réfractaires. Il est donc souvent préférable de fabriquer des structures à partir d'éléments ou pièces en céramique de forme simple, puis d'assembler ces 2906242 2 éléments pour réaliser la structure finale, de forme plus complexe. Du fait des températures élevées, voisines par exemple de 1000 C et plus, mises en oeuvre dans les 5 applications des céramiques telles que le carbure de silicium, l'assemblage de ces céramiques par collage avec des produits organiques est exclu. D'autre part, les techniques classiques d'assemblage par soudage faisant intervenir un faisceau 10 d'énergie avec ou sans métal d'apport (soudage TIG, électron ou laser) et impliquant une fusion partielle des parties à assembler sont inutilisables pour l'assemblage de céramiques. En effet, lors d'un chauffage local, le 15 choc thermique va entraîner une rupture brutale de la céramique avant un éventuel début de fusion. En conséquence, le soudage par diffusion en phase solide, l'assemblage-frittage, et le brasage réactif sont actuellement les techniques les plus 20 courantes pour réaliser des assemblages réfractaires de céramiques. Le soudage par diffusion en phase solide ainsi que l'assemblage-frittage présentent le désavantage d'être contraignants du point de vue de 25 leur mise en oeuvre. Pour le soudage diffusion en phase solide, la forme des pièces doit rester simple si l'on utilise un pressage uniaxial, ou bien nécessiter un outillage et une préparation complexes comprenant par exemple la fabrication d'une enveloppe, la fermeture étanche sous vide, la compression isostatique à chaud, l'usinage 2906242 3 final de l'enveloppe, si l'on utilise la CIC (Compression Isostatique à Chaud). Dans le cas de l'assemblage-frittage, les mêmes problèmes demeurent (forme des pièces, complexité 5 de mise en oeuvre) avec en plus la nécessité de contrôler le frittage d'une poudre d'apport à intercaler entre les deux matériaux à assembler. Ces deux techniques nécessitent en outre l'utilisation de paliers de longue durée (une à 10 plusieurs heures) à haute température puisque les processus mis en jeu font intervenir la diffusion à l'état solide ; ces longues durées pourraient favoriser le grossissement des grains des alliages réfractaires et les fragiliser. 15 Le brasage réactif est une technique peu coûteuse, facile de mise en oeuvre, qui est actuellement la plus couramment utilisée. Des pièces de forme complexe peuvent être réalisées en faisant du brasage capillaire et les opérations se limitent à 20 placer le métal d'apport entre ou à proximité du joint et à faire fondre la brasure. Ainsi à l'heure actuelle, le procédé le plus connu pour l'assemblage de céramiques réfractaires telles que le SiC est le procédé dit procédé BRASIC 25 du Commissariat à l'Energie Atomique. Ce procédé, décrit notamment dans les documents [1], [2], [3] et [4], permet l'assemblage par brasage réfractaire de pièces en céramique réfractaire, par exemple en carbure de silicium. 30 On met en contact les pièces à assembler avec une brasure intermétallique et on chauffe 2906242 4 l'ensemble formé par les pièces et la brasure à une température de brasage égale à la température de fusion de la brasure afin de former un joint réfractaire. Ce procédé qui a été développé à l'échelle industrielle 5 présente cependant certaines limitations : i) la température d'utilisation de l'ensemble brasé ne doit pas dépasser la température de fusion de la brasure ; ii) la brasure correspond à une seconde 10 phase qui peut dans certains cas s'avérer rédhibitoire pour l'utilisation du matériau, et par exemple provoquer l'incompatibilité neutronique de la brasure ; iii) la nature de la brasure est intrinsèquement lié à la nature du matériau à braser, 15 c'est-à-dire que pour chaque céramique à assembler il faut développer un nouveau type de brasure spécifique, ce qui peut entraîner une période de développement longue et coûteuse. Par ailleurs, on connaît la technologie du 20 frittage à chaud avec champ électrique pulsé ( Spark Plasma Sintering SPS en anglais). Les premières demandes de brevet [5], [6] concernant cette technologie ont été déposées par K. INDUE à la fin des années 1960. 25 Mais il a fallu attendre la fin des années 1990 pour que la technique de SPS prenne un essor expérimental. Le SPS est une technique de frittage qui consiste à appliquer simultanément sur 30 l'échantillon massif ou pulvérulent à densifier, ou sur 2906242 5 les pièces à assembler une pression uniaxiale et des impulsions ( pulses ) de courant de forte intensité. Les poudres ou pièces peuvent être en métal, céramiques ou polymères. 5 La montée en température est appliquée à l'échantillon par l'intermédiaire d'un montage de plateaux et de pistons en graphite, la poudre est insérée à l'intérieur d'une pastilleuse en graphite. Le montage constitué par la pastilleuse, les pistons et 10 les plateaux est le seul, dans l'enceinte sous vide, à monter en température. Plus exactement, on a représenté sur la figure 1 le principe de fonctionnement d'un appareil de SPS et ses principaux organes. La poudre (1) est placée 15 dans une chemise en graphite (2), entre deux pistons (3). Une pression (4) est appliquée à ces pistons (3), et un courant continu (5) est appliqué à des électrodes (6). La poudre (1), les pistons (3), la chemise en graphite (2) et une portion des électrodes (6) sont 20 placés à l'intérieur d'une enceinte sous vide (7). En lieu et place de la poudre, on peut placer entre les deux pistons deux pièces à céramique à assembler de façon à avoir dans la matrice la succession piston-lère céramique-2ème céramique-piston. 25 La température est suivie par l'intermédiaire d'un pyromètre optique qui pilote également la puissance électrique injectée dans le montage. Les courants utilisés lors du frittage peuvent aller jusqu'à 8000 A. 30 Le principal intérêt de la technologie SPS est la possibilité de densifier les 2906242 6 échantillons en des temps relativement courts de l'ordre de quelques minutes, par exemple de 5 à 10 minutes. La rapidité de frittage permet souvent de 5 minimiser la croissance de grains et d'atteindre pour certains matériaux une densité proche de 100%. Toutefois, le frittage à chaud avec champ électrique pulsé ( SPS ) a été peu ou pas appliqué aux céramiques réfractaires et n'a pas été appliqué à 10 l'assemblage de deux pièces en céramique réfractaire. Le document US-B2-6 515 250 concerne un procédé et un appareil pour assembler des pièces, dans lequel dans une première étape on met en contact les surfaces des pièces à assembler sans utiliser une 15 matrice en graphite. Puis on applique un courant pulsé ou une combinaison d'un courant pulsé et d'un courant continu aux dites surfaces tout en appliquant une pression aux pièces de façon à assembler, joindre, temporairement les pièces ( Etape 1 ). 20 On réalise ensuite un traitement thermique des pièces assemblées temporairement afin de rendre cet assemblage définitif et d'obtenir une résistance du joint équivalente à la résistance du matériau de chacune des pièces assemblées. 25 Il est précisé que le procédé de ce document permet d'assembler des pièces métalliques entre elles mais aussi une pièce métallique avec une pièce non métallique ou des pièces non métalliques entre elles. 30 Dans les exemples de ce document, on réalise l'assemblage de barres en matériaux identiques 2906242 7 par exemple en acier inoxydable (SUS 304), ou en acier allié à outils (SKD 61). Il est en outre indiqué que l'assemblage peut être réalisé entre des pièces métalliques en des 5 matériaux différents, par exemple, entre une pièce en SKD 61 et une pièce en alliage d'aluminium, entre une pièce en SUS 304 et une pièce en SUS 420J2, entre une pièce en alliage de cuivre et une pièce en SUS 420J2, et entre une pièce en SKH 51 (acier à outil rapide) et 10 une pièce en SKD 61, et aussi entre une pièce en métal et une pièce non métallique, ou entre des pièces non métalliques, sans utiliser des matériaux de soudage ou des métaux de brasure. Il est également précisé que lorsque ce 15 procédé est utilisé pour l'assemblage de pièces en des matériaux différents par exemple métal, et céramique ou plastique, une pièce ayant des caractéristiques de gradient c'est-à-dire présentant une variation graduelle de ses propriétés d'un côté à l'autre de la 20 pièce est placé entre les pièces à assembler. Enfin, il est mentionné que le procédé de ce document peut être appliqué à divers types d'assemblages par exemple l'assemblage d'un métal ultra-dur et d'un métal normal, ou l'assemblage d'une 25 pièce en aluminium et d'une pièce résistante à la corrosion et à l'usure. En conclusion, ce document ne décrit ni ne suggère l'assemblage de deux pièces en céramiques et encore moins de deux pièces en céramiques réfractaires 30 entre elles, et n'évoque pas les problèmes particuliers 2906242 8 posés par l'assemblage de deux céramiques, en particulier de deux céramiques réfractaires. De plus, l'assemblage (étape 1) est réalisé sans matrice graphite. Or, les céramiques n'étant pas 5 de bons conducteurs électriques, il est impossible que les impulsions pulses de courant traversent des céramiques à assembler. Cette première étape ne peut donc fonctionner que pour des métaux ou plus généralement des matériaux conducteurs de courant. 10 En outre, l'assemblage par courant pulsé qui s'apparente au SPS ne constitue qu'une étape intermédiaire conduisant à un assemblage temporaire, le traitement thermique consécutif à cette étape est absolument nécessaire pour assurer la bonne cohésion de 15 l'interface. En fait, on peut considérer que dans le procédé de ce document la première étape ne constitue qu'un simple positionnement des pièces et qu'aucun véritable assemblage n'est obtenu. Le document US-B1-6 384 365 décrit un procédé de consolidation ou de réparation de pièces de turbine telles que des aubes de turbine par la technique de frittage à chaud avec champ électrique pulsé ( SPS ). L'aube peut être en un superalliage de cobalt classique ou en un superalliage à base de nickel monocristallin. Si les aubes sont recouvertes d'une couche de fond par exemple en MCrAlY et/ou d'un revêtement 30 externe de barrière thermique en céramique, tel qu'un revêtement en zircone stabilisée, ce revêtement doit 20 25 2906242 9 être complètement éliminé. Il est précisé que lorsque les surfaces opposées à assembler de la pièce de turbine sont en un matériau céramique, une poudre céramique est alors disposée entre ces surfaces 5 opposées. Aucun exemple de réalisation n'est donné, en particulier concernant l'assemblage de deux pièces en céramique, notamment en céramique réfractaire. La durée du traitement de SPS est de moins de 5 minutes à une température inférieure à 10 1500 C. En conclusion, dans ce document, pour réaliser l'assemblage de céramiques il est obligatoire d'utiliser une troisième phase intercalaire comme dans les procédés de brasure décrits plus haut. En outre, ce document ne décrit ni n'évoque l'assemblage de céramiques réfractaires, en effet la température de 1300 C est insuffisante pour assembler les céramiques réfractaires, par exemple de type carbures ou nitrures. Il existe donc au vu de ce qui précède, un besoin pour un procédé d'assemblage par frittage à chaud avec champ électrique pulsé ( SPS ), de pièces en céramique, qui permette d'assembler des pièces en céramique réfractaire, à savoir présentant une 25 température de frittage supérieure à 1900 C. Il existe encore un besoin pour un tel procédé qui permette l'assemblage de ces pièces de manière simple, fiable, rapide, peu coûteuse et qui permette d'obtenir une liaison, un assemblage d'une 30 grande cohésion, d'une grande résistance. 15 20 2906242 10 Le but de l'invention est de fournir un procédé d'assemblage de pièces en céramique par frittage à chaud avec champ électrique pulsé ( SPS ) qui réponde entre autre à ce besoin et qui ne présente 5 pas les inconvénients, défauts, limitations et désavantages des procédés de l'art antérieur et qui résolve les problèmes des procédés de l'art antérieur. Ce but, et d'autres encore, sont atteints, conformément à l'invention par un procédé d'assemblage 10 par frittage à chaud avec champ électrique pulsé, d'au moins deux pièces en céramique réfractaire, chacune des pièces présentant au moins une surface à assembler, dans lequel on réalise les étapes successives suivantes . 15 on met en contact les surfaces à assembler des pièces sans ajout d'aucune sorte entre lesdites surfaces ; - on applique une pression de 1 à 150 MPa auxdites pièces ; 20 on applique, tout en maintenant la pression, un courant électrique pulsé d'une intensité de 500 à 8000 A auxdites pièces de façon à élever la température des pièces jusqu'à au moins 1300 C ; on cesse d'appliquer le courant 25 électrique, simultanément on cesse d'appliquer la pression, et on refroidit les pièces, - on récupère les pièces assemblées. Le procédé selon l'invention se distingue fondamentalement des procédés d'assemblage de pièces en 30 céramique de l'art antérieur. 2906242 11 Le procédé selon l'invention comporte un nombre limité d'étapes, simples, faciles à mettre en oeuvre. Grâce au procédé de l'invention, un 5 assemblage définitif, ou liaison cohésive, d'une grande résistance est obtenu en une seule opération par un procédé de SPS sans qu'il soit nécessaire d'avoir recours à une étape supplémentaire de traitement thermique pour obtenir l'assemblage définitif, solide, 10 cohésif. Le procédé selon l'invention permet donc de réaliser d'importantes économies de temps et d'énergie. Le procédé de l'invention ne nécessite aucun ajout de matériau quel qu'il soit, par exemple de 15 poudre, à l'interface des pièces à assembler. On évite ainsi la présence d'une deuxième ou troisième phase à l'interphase avec tous les problèmes qui en résulte. Il a été mis en évidence selon l'invention que la sélection de plages spécifiques de certains 20 paramètres opératoires du procédé SPS permettait de manière étonnante d'assembler pour la première fois de manière cohésive et forte des céramiques réfractaires, c'est-à-dire possédant des températures de frittage supérieures à 1300 C, en utilisant uniquement un 25 procédé SPS , en une seule étape, sans aucun traitement notamment thermique consécutif et sans aucun ajout à l'interface. Ainsi, la pression appliquée est selon l'invention de 1 à 150 MPa et l'intensité appliquée est 30 de 500 à 8000 A. On réalise donc une double sélection 2906242 12 concernant d'une part la plage de pression et d'autre part la plage d'intensité. Il n'y a aucune mention, ni aucune suggestion dans l'art antérieur que cette double 5 sélection pouvait permettre un assemblage solide, sans traitement supplémentaire, de céramiques spécifiquement réfractaires, d'autant plus que l'assemblage de pièces en céramique réfractaire n'est pas explicitement décrit dans l'art antérieur et que les problèmes inhérents à 10 l'assemblage de ces céramiques ne sont pas évoqués. De préférence, la pression est de 10 à 100 MPa, de préférence encore de 50 à 75 MPa. De préférence, l'intensité est de 500 à 6000 A, de préférence encore de 1000 à 3000 A. 15 Les valeurs de pression et d'intensité sont choisies à l'intérieur des plages spécifiques ci-dessus de façon à ce que la température des pièces à assembler s'élève au-delà de 1300 C, de préférence à de 1400 à 1950 C, de préférence encore à de 1600 à 1950 C. 20 La durée pendant laquelle est maintenue ladite température (encore appelée température de palier), durée que l'on peut nommer aussi temps de palier est généralement de 0 à 10 minutes, de préférence de 0 à 7 minutes, par exemple de 5 minutes. 25 Lorsque le temps est égal à 0, cela signifie que l'on effectue une montée en température jusqu'à la température maximale et que l'on redescend à la température ambiante sans qu'un palier soit observé. On notera que cette durée de palier est 30 dans tous les cas très faible, au regard des autres méthodes de frittage, et que, de même, le temps de 2906242 13 cycle en durée globale, totale du procédé est réduit. Ce temps de cycle est par exemple de 10 à 30 minutes, notamment de 20 minutes, ce qui constitue un autre avantage du procédé selon l'invention. 5 Le refroidissement des pièces est généralement effectué de manière pas trop brutale comme peut le comprendre l'homme du métier dans ce domaine de la technique. Ainsi, on observera généralement une vitesse de refroidissement de 80 à 600 C par minute, 10 par exemple de 100 à 200 C/minute depuis le palier de température. De préférence, le refroidissement est effectué par paliers ainsi le refroidissement peut s'effectuer par exemple comme suit : 600 C min-1 pendant 15 la lère minute, puis 100 C min-1 jusqu'à 600 C et 40 C min-1 jusqu'à l'ambiante. Il semblerait en outre que la géométrie des trains d'impulsion de courant ait également une influence sur la qualité de l'interface de l'assemblage 20 obtenu. Le courant est appliqué sous forme de séries, trains d'impulsions ( pulses ) ; chaque série, train, est constituée d'un nombre déterminé et réglable de pulses . Les séries (trains) sont 25 séparées entre elles par un temps pendant lequel le courant appliqué est nul. Dans le procédé selon l'invention, on utilise généralement des impulsions de 1 à 5 ms, par exemple de 3,3 ms de période, assemblées généralement 30 par train de 1 à 15, par exemple 12 impulsions, chaque train étant généralement séparé par 1 à 15 périodes, 2906242 14 par exemple 3 périodes, de la durée (telle que 3,3 ms) ci-dessus, sans courant. Il est possible de changer ces valeurs mais le courant doit toujours garder la même géométrie : à 5 savoir des trains d'impulsions plus ou moins nombreux séparés par des périodes variables sans courant. La tension appliquée est de quelques volts, généralement de 1 à 8 volts, de préférence de 2 à 7 volts, typiquement 5 volts. 10 Les pièces à assembler peuvent être toutes en la même céramique réfractaire ou bien les pièces peuvent être en une céramique réfractaire différente. La ou les céramiques réfractaires peuvent être choisies parmi les céramiques carbures, nitrures, 15 et oxydes. Des exemples de ces céramiques sont le SiC, le TiN, le ZrC ou le TiC. Le procédé selon l'invention trouve son application dans tous les domaines où l'on souhaite réaliser des assemblages céramique/céramique en vue de 20 fabriquer des formes complexes à microstructure contrôlée par un procédé rapide, universel et peu onéreux. Le procédé selon l'invention permet l'élaboration de matériaux dans des domaines aussi 25 divers que les matériaux de structure des coeurs des réacteurs de Génération IV, l'assemblage des combustibles du futur, l'assemblage des piles à combustible et l'obtention de matériaux de microstructure nanométrique, domaines dans lesquels 30 l'assemblage des pièces en céramique réfractaire se 2906242 15 heurtait jusqu'alors à une barrière, un verrou technologique insurmontable. D'autres caractéristiques et avantages de 5 l'invention ressortiront mieux à la lecture de la description qui va suivre, donnée à titre illustratif et non limitatif en référence aux figures annexées dans lesquelles : - la figure 1 est une vue schématique en 10 coupe verticale d'un exemple d'appareil de SPS pour la mise en oeuvre du procédé selon l'invention ; les figures 2A à 2D sont des micrographies réalisées au microscope électronique à balayage (MEB) d'assemblages de pièces en SiC obtenues 15 par le procédé selon l'invention après découpe et polissage ; les figures 3A à 3D sont des micrographies réalisées au microscope électronique à balayage (MEB) des assemblages de pièces en SiC des 20 figures 2A à 2D, après attaque, traitement, thermique ( TT ) à 1550 C pendant 5 heures sous Argon 6,0 ; les figures 4A et 4B sont des micrographies réalisées au microscope électronique à balayage (MEB) d'assemblages de pièces en TiN obtenus 25 par le procédé selon l'invention, après découpe et polissage. Le procédé selon l'invention est généralement mis en oeuvre dans une machine, dispositif 30 de frittage à chaud par champ électrique pulsé 2906242 16 ( SPS ) classique, tel que par exemple celui décrit sur la figure 1 Le procédé selon l'invention consiste généralement tout d'abord à placer les deux pièces ou 5 plus à assembler dans un appareil de SPS, à l'intérieur de la matrice en graphite de celui-ci. Les pièces à assembler sont en général au nombre de deux, mais on peut aussi assembler simultanément un plus grand nombre de pièces pouvant 10 aller par exemple jusqu'à 100. Par pièce en céramique réfractaire, on entend généralement tout élément ou entité de forme quelconque, de préférence de forme simple, entrant par exemple, après assemblage avec une ou plusieurs autres 15 pièces dans des structures de plus grandes dimensions, de préférence de forme plus complexe. Grâce au procédé selon l'invention, il est possible d'obtenir, après assemblage, des pièces même de forme très complexe en une durée courte et avec tous les avantages inhérents 20 au procédé de l'invention. La taille des pièces assemblées obtenues n'est limitée que par la capacité de l'appareil de SPS qui est bien connue de l'homme du métier. Les deux pièces ou plus à assembler peuvent 25 être en une même céramique ou bien chacune des pièces à assembler peut être en une céramique différente. On met ensuite en contact les surfaces à assembler et ce sans qu'aucun ajout d'aucune sorte ne soit placé entre ces surfaces. 30 Les surfaces à assembler peuvent être des surfaces de type poli miroir ou bien des surfaces 2906242 17 rugueuses, brutes d'usinage. Généralement les surfaces à assembler sont dégraissées au préalable dans un solvant organique par exemple du type cétone, ester, éther, alcool, ou un mélange de ceux-ci, etc..., puis 5 séchées, puis on applique une pression de 1 à 150 MPa auxdites pièces. En d'autres termes, on établit un contact par pression entre les deux surfaces en regard à assembler. On applique ensuite, tout en maintenant la 10 pression, un courant électrique pulsé d'une intensité de 500 à 8000 A auxdites pièces de façon à élever la température des pièces jusqu'à au moins 1300 C. En d'autres termes, lorsque tout est en contact on génère un courant électrique afin de créer 15 l'élévation de température. De manière générale, l'ampérage maximal que peut supporter une matrice est lié notamment à son diamètre. Ainsi, pour un diamètre d'échantillon de 8 mm, on peut appliquer 2000 A sans risquer de détériorer la matrice. Pour des diamètres 20 plus importants tels que 20 mm, on peut appliquer 4000 A ou plus. Une fois que l'assemblage est réalisé on cesse d'appliquer le courant électrique ainsi que la pression, et on refroidit les pièces, généralement jusqu'à la température ambiante, par exemple de 20 à 25 25 C. On récupère les pièces réalisées dans l'appareil de SPS . L'invention va maintenant être décrite en référence aux exemples suivants, donnés à titre illustratif et non limitatif. 30 2906242 EXEMPLES Dans ces exemples, on assemble par SPS, selon le procédé de l'invention des pièces en SiC ou en TiN qui sont des disques d'un diamètre de 8 mm et d'une 5 épaisseur de 5 mm. Pour chaque matériau SiC ou TiN, six échantillons assemblés ont été fabriqués. L'appareil de SPS utilisé est un appareil de type SPS 2080 commercialisé par la société SUMITOMO. 10 Exemple 1 • Dans cet exemple, on assemble deux pièces (disques) de SiC dans l'appareil mentionné ci-dessus et dans les conditions suivantes : 15 -température de 1800 C pendant 5 minutes et sous 50 MPa ; - train d'impulsions : 3,2 ms. • Caractérisation des échantillons de SiC 20 obtenus après assemblage - Observation optique Les échantillons obtenus présentent une 25 bonne cohésion. L'observation visible ne révèle pas de défauts. - Contrôles destructifs 30 On réalise une observation au Microscope Electrique à Balayage de l'échantillon après découpe et 18 2906242 19 polissage. Les figures 2A à 2D présentent des micrographies de l'échantillon, obtenus sur des surfaces polies après préparation métallographique. L'observation des bords de l'échantillon a 5 permis de définir l'interface initiale qui correspond à l'écart de positionnement des deux pastilles SiC (figure 2A). La surface du SiC présente une forte porosité répartie de façon homogène (figure 2C), la 10 visualisation de la zone interfaciale est similaire (figure 2D) et il n'a pas été possible de mettre en évidence l'interface initiale. L'observation de la microstructure après attaque thermique (1550 C, 5 heures sous Ar 6.0 est 15 présentée dans les figures 3. La figure 3A est à comparer à la figure 2A. Malgré l'attaque thermique, l'interface est peu visible. Ceci est confirmé par les figures 3C et 3D : aucune modification de porosité ou de taille de grains n'est à signaler à l'interface. 20 Exemple 2 Dans cet exemple, on assemble deux pièces (disques) de TiN dans l'appareil mentionné ci-dessus et dans les conditions suivantes : 25 - température de 1500 C pendant 5 secondes et sous 10 MPa ; - train d'impulsions : 3,2 ms. • Caractérisation des échantillons de TiN 30 obtenus après assemblage 2906242 20 - Observation optique Les échantillons obtenus présentent une bonne cohésion. L'observation visuelle ne révèle pas de 5 défauts. - Contrôles destructifs On réalise une observation au microscope 10 électronique à balayage de l'échantillon après découpe et polissage. Les figures 4A et 4B présentent des micrographies de l'échantillon, obtenues sur les surfaces polies après préparation métallographique. La 15 liaison est visible et présente quelques défauts : porosité ou arrachements de grains. Elle est cependant cohésive avec des grains qui forment la liaison. Conclusion Les échantillons de SiC et de TiN assemblés par SPS selon le procédé de l'invention présentent des interfaces cohésives sans modification des microstructures. 20 25 2906242 21 REFERENCES [1] FR-A-2 749 787 [2] FR-A-2 748 471 5 [3] FR-A-2 728 561 [4] FR-A-2 707 196 [5] US-A-3 241 956 K. Inoue 1966 [6] US-63 250 892 K. Inoue 1966 10 REVENDICATIONS 1. Procédé d'assemblage par frittage à chaud avec un champ électrique pulsé, d'au moins deux pièces en céramique réfractaire, chacune des pièces présentant au moins une surface à assembler par frittage à chaud avec champ électrique pulsé, dans lequel on réalise les étapes successives suivantes : on met en contact les surfaces à assembler des pièces sans ajout d'aucune sorte entre lesdites surfaces ; - on applique une pression de 1 à 150 MPa auxdites pièces ; on applique, tout en maintenant la pression, un courant électrique pulsé d'une intensité de 500 à 8000 A auxdites pièces de façon à élever la température des pièces jusqu'à au moins 1300 C ; on cesse d'appliquer le courant électrique, simultanément on cesse d'appliquer la pression, et on refroidit les pièces, - on récupère les pièces assemblées. 2. Procédé selon la revendication 1 dans lequel on applique une pression de 10 à 150 MPa, de 25 préférence de 50 à 75 MPa. 3. Procédé selon l'une quelconque des revendications précédentes, dans lequel on applique un courant électrique pulsé d'une intensité de 500 à 30 6000 A, de préférence de 1000 à 3000 A. 2906242 23 4. Procédé selon l'une quelconque des revendications précédentes, dans lequel la température des pièces à assembler s'élève à de 1400 à 1950 C, de préférence à de 1600 à 1950 C. 5 5. Procédé selon l'une quelconque des revendications précédentes, dans lequel la température d'au moins 1300 C est maintenue pendant une durée de 0 à 10 minutes, de préférence de 0 à 7 minutes, par 10 exemple de 5 minutes. 6. Procédé selon l'une quelconque des revendications précédentes, dans lequel la durée totale du procédé est de 10 à 30 minutes, notamment de 20 15 minutes. 7. Procédé selon l'une quelconque des revendications précédentes, dans lequel les pièces sont refroidies à une vitesse de 80 C à 600 C/minute. 20 8. Procédé selon l'une quelconque des revendications précédentes, dans lequel le courant électrique pulsé est appliqué sous la forme d'impulsions de 1 à 5 ms, par exemple de 3,3 ms de période, assemblées par trains de 1 à 15, par exemple de 12 impulsions, chaque train étant séparé par de 1 à 15 périodes, par exemple par 3 périodes. 9. Procédé selon l'une quelconque des 30 revendications précédentes, dans lequel on assemble de 2 à 100 pièces. 10 15 2906242 24 10. Procédé selon l'une quelconque des revendications précédentes, dans lequel toutes les pièces à assembler sont en une même céramique 5 réfractaire. 11. Procédé selon l'une quelconque des revendications précédentes, dans lequel les pièces à assembler sont en une céramique différente. 12. Procédé selon l'une quelconque des revendications précédentes, dans lequel la ou les céramiques réfractaires sont choisies parmi les céramiques carbures, nitrures et oxydes. 13. Procédé selon la revendication 12, dans lequel la ou les céramiques réfractaires sont choisis parmi SiC, TiN, ZrC et TiC. 20