FR 2901636 A1 20071130 FR 0651905 A 20060524 dispositifs dont les vias sont de mauvaise qualité seront inutilisables. Une autre technique, dite de film conducteur anisotrope, illustrée en figure 1A, permet de faire des interconnexions à bas coût en utilisant le même produit quel que soit le design des puces à connecter. Cette technique met en oeuvre des particules conductrices 2 à l'intérieur d'une résine polymère 4. Il existe aussi une technique, illustrée en figure 1B, qui utilise la répartition de contacts métalliques 8, préalablement structurés, à un pas très inférieur au pas d'interconnexion d'une puce 10 sur un substrat 12. On augmente ainsi les performances du système, notamment par la diminution de la résistance de contact. Une variante utilise des contacts métalliques à terminaison en pointe. Cette technologie permet de connecter deux substrats entre eux ou une puce et un substrat. Mais elle n'est pas du tout adaptée pour connecter directement la face supérieure d'une puce ou d'un substrat avec sa face inférieure. Il se pose donc également le problème de trouver un nouveau dispositif d'interconnexion permettant notamment une telle connexion directe. EXPOSÉ DE L'INVENTION L'invention vise à résoudre ces problèmes. L'invention concerne un connecteur comportant des vias traversant un substrat de part et d'autre d'une face avant et d'une face arrière. Une couche de passivation est disposée sur chacune des faces avant et arrière. Ces faces sont les faces parallèles à un plan du connecteur. Les couches de passivation sont de préférence aptes à être gravées localement pour découvrir les vias utiles. Les vias peuvent être remplis de matériau, conducteur ou non. Lorsque les vias sont métallisés uniquement sur les parois après réalisation des 10 ouvertures dans les couches de passivation, ils sont remplis par des matériaux non-conducteurs. Le connecteur selon l'invention est un substrat à connexions isolées qui peut-être processé comme un substrat à part entière. Autrement dit, des couches, voire un substrat, processé(s) ou non, peuvent être reportés sur ce connecteur et permettre la réalisation d'étapes technologiques. Des composants peuvent également être reportés directement sur ce connecteur. Selon un mode de réalisation de l'invention, on rend le substrat conducteur anisotrope, et on intègre une couche isolante de part et d'autre, ouvrable localement, par exemple afin d'assurer la conduction électrique et/ou thermique. Un connecteur selon l'invention ne nécessite pas de design spécifique pour la réalisation des vias en particulier si les vias sont répartis selon un pas adapté. Un connecteur selon l'invention peut être 30 préalablement testé et rejeté si il ne correspond pas aux spécifications. De cette façon, seuls les 15 20 25 connecteurs testés comme bons sont utilisés pour la réalisation de dispositifs. En conséquence, on s'affranchit lors de la réalisation des dispositifs, du rendement de réalisation des vias. L'invention concerne également un dispositif électronique comportant un composant relié à un connecteur tel que décrit ci-dessus. Au moins une des couches de passivation du connecteur peut être ouverte dans au moins une zone de contact vertical. Des moyens de connexion peuvent également être reliés au connecteur dans au moins une ouverture d'au moins une des couches de passivation. De préférence, si le composant présente au moins un plot de diamètre dlr les vias du dispositif de connexion sont disposés à un pas de p2 l'un de l'autre, et ont un diamètre d2, tels que p2 et d2 vérifient : p2 (di) /2 et d2 (di) /4. Dans un tel dispositif, le connecteur peut être utilisé pour modifier un pas entre des zones de connexions du composant. Le composant a par exemple des plots de contact distants d'un pas p1 et le dispositif de connexion a des zones de connexion situées à une distance p'1 supérieure à p1. Le dispositif de connexion peut être du type comportant une couche en matériau semi-conducteur, reportée sur une des deux couches de passivation, au moins un composant étant réalisé dans la couche en matériau semi-conducteur. Il peut aussi être du type comportant au 30 moins une zone, libre de via, entre deux zones de vias, et un composant étant disposé au-dessus de, ou en contact avec, cette zone libre de vias. Le dispositif de connexion peut comporter au moins une couche à base d'un matériau à coefficient 5 de dissipation thermique élevé, par exemple supérieur à 20 W/m*K ou à 200 W/m*K ou 220 W/m*K. Les vias peuvent comporter en outre un matériau à coefficient de dissipation thermique élevé, par exemple supérieur à 20 W/m*K ou à 200 W/m*K ou 220 W/m*K. Selon une possibilité, une couche de matériau à coefficient de dissipation thermique élevé, par exemple supérieur à 20 W/m*K ou à 200 W/m*K ou 220 W/m*K, peut être prévue entre le substrat et une desdites couches de passivation. Selon une autre possibilité, une des couches de passivation disposée sur une des faces avant ou arrière du substrat peut être à base d'un matériau à coefficient de dissipation thermique élevé, par exemple supérieur à 20 W/m*K ou à 200 W/m*K ou 220 W/m*K, ou à base d'un matériau à coefficient de dissipation thermique supérieur au coefficient de dissipation thermique du SiO2. BRÈVE DESCRIPTION DES DESSINS - Les figures 1A-1B illustrent des exemples de différents types de connecteurs selon l'art antérieur, - les figures 2A et 2B illustrent des connecteurs selon l'invention, en vue de dessus, - les figures 3A-3B, 4A-4B représentent divers modes de réalisation de connecteurs selon l'invention, les figures 5A-5D représentent la réalisation de connecteurs selon l'invention, amincis, - les figures 6A - 6C représentent des nias d'un connecteur selon l'invention, positionnés par rapport à un plot d'un dispositif à connecter, - les figures 7A-7D représentent des étapes d'une utilisation d'un connecteur selon l'invention, - les figures 8A-8M représentent des étapes de réalisation de connecteurs selon l'invention, - les figures 9A -9C représentent des applications d'un premier mode de réalisation d'un connecteur selon l'invention, - la figure 10 représente une application d'un mode de réalisation d'un connecteur selon l'invention, avec couche de semi-conducteur reportée, - les figures 11A-11C représentent des applications d'un troisième mode de réalisation d'un connecteur selon l'invention. - les figures 12A-12C représentent des variantes de réalisation d'un connecteur selon l'invention, - les figures 13A-13B représentent des courbes de variation de résistivité du silicium et d'autres matériaux semi-conducteurs en fonction de leur dopage ; - les figures 14A-14F et 15A-15F représentent des étapes d'autres modes de réalisation de connecteurs selon l'invention ; les figures 16A-16B représentent des variantes de réalisation d'un connecteur selon l'invention muni d'une couche à coefficient de dissipation thermique élevé. EXPOSÉ DÉTAILLÉ DE MODES DE RÉALISATION PARTICULIERS Selon l'invention, on réalise un substrat de vias structurés, isolés ou non, à un pas plus faible que le pas d'interconnexion des dispositifs a connecter. Un connecteur selon l'invention est de forme essentiellement plane, ses faces supérieure et inférieure étant parallèles au plan défini par le connecteur lui-même. Les vias sont réalisés en premier afin de ne pas être tributaires des contraintes des dispositifs 15 réalisés ultérieurement. Ainsi, la figure 2A représente en vue de dessus un substrat 20 selon l'invention, muni de vias 22. La figure 2B représente, également en vue de dessus, un substrat selon l'invention muni de vias, 20 passivés. Les ouvertures 26 représentent le pas du dispositif à connecter. Le diamètre et le pas des vias sont adaptés au diamètre et au pas d'interconnexion des dispositifs. Le facteur minimum entre le diamètre des plots des 25 dispositifs et le diamètre des vias peut être de, environ, 4. Plus ce rapport de diamètres est élevé, plus la reprise de contact est ensuite aisée. Les figures 6A-6C représentent la répartition relative des pas P2 entre les vias et du diamètre d2 de ceux-ci. Le diamètre d1 est celui du plot 50 d'un dispositif. On cherche, pour avoir au moins un via complet 22 en contact avec le plot 50 du dispositif (structure de la figure 6A), à ce que les deux relations suivantes soient satisfaites : (di /2) >- P2 et d2 (di/4) On peut donc chercher, à cette fin, à réaliser les valeurs minima suivantes: (d1) /2 = P2 et d2 = (d1) /4 On peut ainsi obtenir au moins un via complet 22 en contact avec un plot du dispositif (structure de la figure 6A), mais on peut aussi avoir 4 vias par contact (cas de la figure 6B) ou 2 vias complets par contact (cas de la figure 6C). Selon un exemple numérique : d1 = 80 }gym, p2 = 20 }gym, ce qui donne des vias de 20 }gym au pas de 40 }gym. La géométrie des vias 22 est donc adaptable : le diamètre et/ou le pas de répartition des vias peuvent être adaptés. On peut également adapter le facteur de forme, par la maîtrise de l'épaisseur du substrat dans lequel le connecteur selon l'invention est réalisé. On peut donc réaliser une gamme de connecteurs avec différentes géométries en fonction des besoins du client final. La valeur de la résistance unitaire du via peut également être choisie en adaptant l'épaisseur du matériau choisi pour la métallisation du via ainsi que le matériau lui - même. Ces considérations s'appliquent quel que soit le mode de réalisation du connecteur selon l'invention, sauf pour les zones 30 (voir figures 4A et 4B et explications ci-dessous en liaison avec ces figures). Les vias peuvent être réalisés sur l'ensemble d'une plaque 20, par exemple par perçage, isolation, prise de contact, bouchage. Le substrat de via ou connecteur universel est ainsi pré-structuré. Après réalisation des vias, ceux-ci peuvent être testés électriquement afin de s'assurer du rendement technologique du produit. Par exemple, si ce rendement n'est pas de 95 % ou même de 100% (en continuité et en résistance), on peut alors décider d'éliminer le produit. Ce test permet de s'assurer de la réalisation de connecteurs intégrant des vias dont le rendement de fabrication est élevé, par exemple de 95% ou même de 100%. A l'issue de ce test, le connecteur peut être passivé (par dépôt de couches isolantes) sur les 2 faces. Avantageusement, il est préalablement métallisé (sur une seule face ou sur les deux faces) afin de préparer le montage ultérieur. Un connecteur selon l'invention peut être réalisé selon deux géométries différentes : • un connecteur avec répartition de vias 22 pré-structurés, testés et passivés, comme illustré en figure 3A, les références 21 et 23 désignant des couches de passivation de part et d'autre du connecteur ; dans ce mode de réalisation mais aussi dans les suivants, ces couches isolantes de passivation sont, par exemple, chacune un dépôt de SiO2, dont l'épaisseur peut être par exemple de l'ordre de 0, 5 }gym; • un connecteur avec répartition de nias 22 pré-structurés, testés, dont les faces principales sont passivées par des couches 21, 23, et muni d'un report d'une couche 24, par exemple en matériau semi- conducteur, tel que du Si, sur l'une des couches de passivation 21 ; un tel connecteur, illustré en figure 3B, peut être utilisé pour la réalisation d'un dispositif en volume (MEMS par exemple). L'invention concerne également un troisième mode de réalisation. Il s'agit encore d'un connecteur mais qui peut être éventuellement pré-structuré en fonction des dispositifs à implanter dessus. Il s'agit alors d'un connecteur, dit adapté , que l'on peut réaliser en deux versions: • une version avec des zones libres 30, permettant la réalisation d'un dispositif de volume (MEMS par exemple) ; cette version est illustrée en figure 4A, elle comporte une couche de passivation 21, 23 de chaque côté du dispositif de connexion; • une version SOI (SOI pour silicon on insulator ou silicium sur isolant ) avec les mêmes zones libres 30 et une couche diélectrique enterrée 25, par exemple en SiO2, permettant la réalisation de dispositifs spécifiques. On peut adapter les finitions des faces avant et arrières, et en particulier des couches 21, 23 de passivation afin, par exemple, d'obtenir des finitions prêtes à souder ou passivées. Des exemples de tels dispositifs seront donnés plus loin, dans le cadre d'applications. Un connecteur selon l'invention peut être adapté aux besoins ultérieurs et devenir par exemple : - un connecteur avec une couche 24 rapportée de semi-conducteur, comme illustré en figure 3B, - ou un connecteur adapté, comme illustré en figures 4A, 4B. Selon encore un autre mode de réalisation, un connecteur selon l'invention est aminci afin de limiter l'épaisseur du composant final, notamment en vue d'applications telles qu'un assemblage 3D de composants. Deux versions au moins d'un connecteur universel aminci selon l'invention peuvent être envisagées. Dans la première version (figures 5A, 5B), on utilise un connecteur selon l'invention et on réalise un amincissement (par exemple par meulage ou grinding , puis polissage mécano-chimiqe (CMP)), afin d'amener l'épaisseur du connecteur à l'épaisseur finale e désirée, voir figure 5B : la couche 23 de passivation peut être dans ce cas ajoutée après amincissement du connecteur, la couche 21 n'est pas touchée par l'amincissement. Dans une seconde version (figures 5C et 5D), on utilise un connecteur universel SOI dans lequel une couche d'oxyde 25 est enterrée à l'épaisseur finale désirée pour l'épaisseur du connecteur. Les vias 22 sont réalisés dans la partie fine du dispositif, la couche 25 étant donc située entre ces vias et le substrat 27. Puis, le connecteur est réalisé soit par amincissement de ce substrat 27, soit détaché de ce substrat (par décollage à faible force, par exemple). La couche isolante 25 constitue une couche diélectrique de passivation. L'invention ne se limite pas à un substrat silicium et peut être employé avec des substrats différents ou hétérogènes. Notamment, le substrat peut être en matériau semi-conducteur (Si, ou AsGa, ou SiGe, .), ou isolant (par exemple en tous types de verre: pyrex ou quartz par exemple), ou en céramique. Le substrat peut aussi être conducteur avec, dans ce cas, l'insertion de vias isolants. Le principe décrit ci-dessus est alors inversé, la conduction électrique se faisant par le substrat et le via assurant l'isolation électrique. Cette configuration peut notamment être particulièrement intéressante dans les applications nécessitant une dissipation d'énergie importante...DTD: L'évacuation de la chaleur se fait alors grâce au substrat métallique, très bon conducteur thermique. Dans le cas des substrats à base de matériaux isolants, l'isolation des vias n'est pas nécessaire, cette dernière étant assurée par le substrat lui-même. Ainsi, comme illustré sur la figure 12A, certains vias 22 peuvent être utilisés pour améliorer la dissipation thermique des dispositifs réalisés sur le connecteur. Sur cette figure 12A, les vias sont en matériau conducteur (hachuré). Dans le cas illustré en figure 12B, où le substrat est conducteur (hachuré) et les vias isolants, la dissipation thermique est réalisée dans l'ensemble du substrat. Selon une variante illustrée en figure 12C, on peut également insérer dans un ou plusieurs vias 22 des couches 220 en un matériau à très haut coefficient de dissipation thermique (supérieur à 200 W/m*K ou 220 W/m*K ; le matériau est du diamant par exemple), qui vont améliorer l'évacuation des calories d'une face du connecteur vers l'autre face. Des exemples de matériaux pouvant être utilisés pour la formation de telles couches 220 sont le SiC (coefficient de dissipation thermique : 270 W/m*K), l'AlN (coefficient de dissipation thermique : 230 W/m*K), le diamant déposé par CVD (coefficient de dissipation thermique : 400 W/m*K), le diamant obtenu à haute pression (coefficient de dissipation thermique : 2000 W/m*K). Par comparaison, le Silicium a un coefficient de dissipation thermique d'environ 150 W/m*K. Là encore, ces considérations s'appliquent quel que soit le mode de réalisation du connecteur selon l'invention, sauf pour les zones 30 dans lesquelles il n'y a pas de vias (figures 4A et 4B). Les figures 7A-7D représentent un exemple d'utilisation d'un dispositif 100 de connexion selon l'invention. A partir d'un tel dispositif (figure 7A) et d'une puce 101 réalisée ou obtenue par ailleurs (figure 7B), la puce est montée sur le connecteur (figures 7C) ; Un montage sur une carte finale 102 peut ensuite avoir lieu (figure 7D). Un exemple de procédé de réalisation d'un connecteur selon l'invention va être donné, en liaison avec les figures 8A - 8M : On réalise d'abord (figure 8A) un dépôt 21 de SiO2 en face avant d'un substrat 20 (ou bien on utilise un substrat de SOI). Par lithographie puis gravure profonde, de type DRIE (DRIE pour Deep Reactive Ionic Etching ), avec arrêt sur la couche 21 en SiO2 ou sur une éventuelle couche métallique 230 (disposée sous la couche 21) on réalise le premier niveau de masque (figure 8B) dont la résine 210 peut ensuite être éliminée (figure 8C). On réalise ensuite un dépôt isolant 220 conforme, sans contrainte de température, par exemple un dépôt de SiO2 thermique ou par PECVD TEOS ou SiH4 ou de tout autre matériau isolant. Une couche 222 conforme de pré - métallisation est ensuite formée sans contrainte de température, c'est par exemple un dépôt TiN/Cu par CVD (figure 8D). Une recharge électrolytique 224 pleine plaque est ensuite réalisée (figure 8E). Le matériau et son épaisseur sont choisis en fonction des spécifications, en particulier électriques et/ou thermiques du via final. Les cavités peuvent ensuite (figure 8F) être remplies d'un matériau conforme 226, de type polymère, ou par un matériau métallique, qui peut aussi être déposé lors de l'étape précédente. Un polissage, réalisé en face arrière, avec arrêt sur la couche 220, permet de planariser cette face et d'individualiser les contacts (figure 8G). Une métallisation 228 (par exemple de type UBM pour under bump metallurgy ) peut ensuite être réalisée en face arrière (figure 8H). Par lithographie (la référence 211 désigne un masque de lithographie), les contacts en face avant peuvent être ouverts (figure 8I). La couche de passivation 21, ainsi que la couche 220, sont donc éliminées, par exemple par gravure, aux endroits souhaités. La gravure est arrêtée sur la couche de métallisation 222. On peut alors procéder à l'élimination de 15 la résine 211 puis à un test électrique des vias 22 (figure 8J). Au besoin, la face arrière 200 peut être préparée, en réalisant une métallisation UBM par exemple. 20 Un troisième niveau de lithographie, avec utilisation d'un second masque 212, est réalisé (figure 8K). Cette étape permet de réaliser une finition soudable sur les vias, préparant le montage ultérieur des billes fusibles. 25 Ce masque 212 est ensuite éliminé, puis la face arrière est nettoyée (figure 8L). Le connecteur est finalement passivé avant utilisation comme substrat de base (figure 8M). Dans un procédé de réalisation d'un 30 connecteur selon l'invention, les vias sont réalisés avant les autres technologies. Ce sont donc des vias de type préprocess , ce qui permet d'utiliser des technologies haute température, notamment pour les étapes d'isolation et de métallisation (par exemple SiO2 thermique ou CVD TiN/Cu). La technologie de réalisation des vias ne pose donc pas de problème de compatibilité technologique. En outre, le rendement de réalisation des vias ne dégrade pas le rendement de réalisation des dispositifs ultérieurs puisque les vias ou les intraconnexions sont réalisées auparavant. Des applications d'un connecteur universel selon l'invention vont être présentées. Dans une première application (figure 9A), un dispositif 40 (un MEMS par exemple), est réalisé directement sur un connecteur selon l'invention, la technologie de réalisation du dispositif étant compatible avec les vias. La couche 21 de passivation du connecteur sur sa face avant est ouverte dans les zones 43, 45 dédiées au contact vertical. Sur la face arrière, la passivation 23 est également ouverte et des moyens de connexion, par exemple des billes 42, permettent le montage direct du composant, sur une carte par exemple. Dans une deuxième application (figure 9B), un connecteur selon l'invention permet l'accueil d'un composant 50 et le reroutage de ce dernier. On peut utiliser le connecteur selon l'invention pour modifier le pas d'interconnexion du composant 50. Ainsi, sur la figure 9B, on passe d'un pas p1 à un pas Cette fonction, appelée épanouissement (en anglais : resiging pitch) permet de rendre compatible un dispositif ayant un faible pas avec un substrat présentant un pas plus élevé. Dans ce cas, l'invention sert d'intermédiaire permettant de réaliser la fonction. On peut aussi, lors du montage de composants de puissance, utiliser ce connecteur comme dissipateur de puissance. Selon une troisième application (figure 9C), on peut utiliser un dispositif 60 dont la température de fabrication est supérieure à celle supportable par le connecteur selon l'invention. Dans ce cas, le dispositif 60 est réalisé indépendamment du connecteur, puis rapporté sur ce dernier. On peut alors réaliser un scellement hermétique 61 du composant en utilisant par exemple des alliages fusibles. Avec un connecteur selon l'invention intégrant une couche supérieure 24 de semi-conducteur (ici : Si), obtenue à partir d'un substrat SOI ou à partir d'une couche de semi-conducteur rapportée (c'est la structure de la figure 3B par exemple), on peut réaliser les mêmes applications que celles qui viennent d'être décrites. Il est également possible de réaliser des dispositifs 70 dans le volume 24 de semi-conducteur supérieur, une portion de ce volume étant gravée à cet effet. On peut ensuite empiler les niveaux les uns sur les autres (figure 10) et rapporter également des composants unitaires 80 et/ou des circuits intégrés 80 (type microprocesseur et mémoires). Le montage ultérieur du composant total (qui est alors un SiP) sur un circuit intégré 71 peut se faire par exemple par micro-câblage (wire bonding selon la terminologie anglo-saxonne) ou par billes. Les figures 11A - 11C représentent diverses applications d'un connecteur selon l'invention, dit adapté (c'est la structure des figures 4A ou 4B par exemple), pour lequel on peut réaliser les mêmes applications que celles décrites ci-dessus. On peut réaliser sur un tel connecteur le report d'un capot 72 et/ou le report d'un dispositif ou composant 74 réalisé indépendamment. La zone 30 d'adaptation peut être gravée afin de recevoir un tel composant 74. La figure 11B représente une même application que pour le connecteur selon l'invention avec couche de Si supérieure. Mais, dans ce cas, des dispositifs 80, 82, 84 sont réalisés directement dans les zones libres 30 du connecteur adapté ou reportés sur ce dernier. Là encore, ces zones 30 peuvent être gravées pour accueillir le composant ou le dispositif 80, 82, 84. Dans l'exemple illustré, le connecteur inférieur est prêt au montage sur PCB (PCB pour Printed Circuit Board ou carte de circuit imprimé ), par exemple, grâce à la réalisation de billes 42 en face arrière. La figure 11C représente une application similaire, mais avec montage final sur substrat 71 de circuit intégré afin de réaliser un SiP complet (SiP pour Système in Package ou Système dans boîtier ). Le système peut ensuite être connecté par câblage filaire ou par billes. On peut donc réaliser l'intégration de 30 plusieurs MEMS (MEMS pour microelectromechanical system ou microsystème électromécanique ) empilés ou de plusieurs dispositifs empilés en utilisant des substrats de vias selon l'invention, adaptés. Au moins deux dispositifs comportant un composant et un connecteur selon l'invention peuvent donc être reportés ou montés l'un sur l'autre. Un connecteur selon l'invention peut être un produit fini et testé, adaptable à toutes les applications, et comportant des vias traversant un substrat, par exemple de silicium. Comme les diverses applications ci-dessus le montrent, le substrat ou le connecteur selon l'invention constitue un substrat de base, prêt à être utilisé pour la technologie ultérieure. On peut y rapporter des dispositifs réalisés par ailleurs. Pour les vias d'un connecteur selon l'invention, les matériaux de remplissage ne se limitent pas à des métaux, mais on peut utiliser également des matériaux semi-conducteurs fortement dopés. Le Silicium polycristallin très fortement dopé, par exemple, ou d'autres matériaux semi-conducteurs, tels que Ge, GaAs, GaP peuvent également être utilisés. A partir de dopages de l'ordre de 1017 atomes/cm3 on peut obtenir une conduction électrique dans le via. En fonction de la valeur de résistance recherchée, on peut adapter le dopage du matériau ; par exemple, dans le cas du silicium et des semi-conducteurs Ge, GaAs, GaP on peut utiliser des courbes telles que celles des figures 13A et 13B, qui donnent la valeur de la résistivité en fonction du dopage, que celui-ci soit de type N ou P. En ce qui concerne les valeurs de résistivité obtenues avec les matériaux semi-conducteurs précités, on considère en général qu'un cristal a une concentration en atomes Ccristal de l'ordre de 1022 atomes/cm3 et que la concentration en impuretés Cimpuretés reste de préférence négligeable devant celle des atomes du cristal, de l'ordre de deux ordres de grandeur, soit • Cimpuretés = 1020 atomes/cm3. On peut faire varier la concentration des porteurs dans une gamme de 1 à 1000, par exemple telle que: • 1017 atomes/cm3 On peut également réaliser une solution de remplissage intermédiaire, utilisant le tungstène déposé par CVD (CVD pour chemical vapor deposition ou dépôt chimique en phase vapeur ) par exemple. Dans ce cas, la tenue en température du matériau (maximum 600 C) n'est plus compatible avec des températures très élevées mais la conductivité électriques est alors bien meilleure. Sont représentés en figures 14A 14F et 15A - 15F un mode réalisation des vias pour connecteur universel avec remplissage polySi (figures 14A - 14F) et remplissage W (figures 15A - 15F). On réalise d'abord (figures 14A et 15A), par lithographie puis gravure profonde, de type DRIE ( Deep Reactive Ionic Etching ), avecarrêt dans le substrat 20 ; la référence 210 désigne un premier niveau de masque dont la résine peut ensuite être éliminée (figures 14B et 15B). On réalise ensuite un dépôt isolant 220 conforme (figures 14B et 15B). Les cavités peuvent ensuite (figures 14C et 15C) être remplies d'un matériau 226' (Si-poly), 226" (tungstène). En figure 14C, une couche 226'1 de Si-poly est également formée en face avant. Un polissage en face arrière, avec arrêt sur la couche 220, permet de planariser cette face et d'individualiser les contacts (figures 14D et 15D). Dans le cas de la figure 14D, un polissage mécano-chimique permet d'éliminer également la couche 226'1. Il est ensuite procédé à une étape d'amincissement (figures 14E et 15E) en face avant et à une étape de polissage mécano-chimique en face arrière. Une étape finale d'oxydation (figures 14F et 15F) permet de réaliser une couche 227, 2271r 227', 227'1 isolante ou de passivation sur les deux faces. Une autre application de l'invention concerne l'empilement de puces en 3 dimensions. Dans cette application d'empilement de puces en 3 dimensions, il peut s'avérer très intéressant de posséder un substrat d'interconnexion de différents niveaux de composants (mémoires par exemple). Ce substrat est de préférence mince afin de limiter la côte globale en Z (épaisseur) du composant final, de présenter des caractéristiques électriques excellentes (impédance, pertes, isolation) et de permettre, si besoin, le fonctionnement du dispositif à hautes fréquences. Comme décrit plus haut, le connecteur peut être obtenu à partir d'un connecteur épais, aminci puis réoxydé, ou/et à partir de l'utilisation d'un substrat SOI ou d'une couche dite de poignée temporaire en Si ou en un matériau souple tel que par exemple du PDMS (PDMS pour PolyDiMethylSiloxane), puis amincissement et décollement de la poignée temporaire. Dans les cas où l'on a besoin d'optimiser la dissipation thermique ou l'évacuation de la chaleur générée par le fonctionnement du dispositif, on peut envisager d'intégrer, sur le dispositif connecteur universel, une couche 300 dite couche de dissipation thermique possédant des propriétés de dissipation thermique supérieures à celle du matériau des couches de passivation 21, 23 (SiO2 par exemple, de conductivité thermique par exemple de l'ordre de 1,1 W/m*K) réalisant l'isolation du connecteur ou de passivation. Les matériaux possédant ces caractéristiques peuvent être, par exemple : • Si3N4: 30 W/m*K • SiC : 270 W/m*K •AlN : 230W/m*K • Diamant réalisé par CVD : 400 W/m*K •Diamant HP : 2000 W/m*K La technologie de réalisation intègre alors, en final, la réalisation de cette couche de dissipation thermique 300 sur la face arrière du connecteur (figure 16A). Selon une possibilité (figure 16B), la couche thermique 300 peut être éventuellement isolante et permettre, éventuellement de se passer d'une des couches 21, 23, à base de SiO2. La couche de dissipation thermique 300 peut, en effet, dans certains cas, par exemple lorsqu'elle est à base de Si3N4r posséder également des propriétés d'isolation électrique.5 REVENDICATIONS 1. Dispositif de connexion électrique comportant : - un substrat (20), comportant au moins une zone traversée par des vias (22) en matériau conducteur, espacés à un pas régulier, entre une première et une deuxième face, une première et une deuxième couche électriquement isolante (21, 23), respectivement sur la première et la deuxième face. 2. Dispositif selon la revendication 1, comportant en outre une couche (24) en matériau semi- conducteur, reportée sur une des deux couches (21, 23) de passivation. 3. Dispositif selon la revendication 1 ou 2, comportant en outre au moins une zone (30), libre de via, entre deux zones de vias. 4. Dispositif selon l'une des revendications 1 à 3, dans lequel le substrat (20) est en un matériau semi-conducteur ou isolant ou céramique ou SOI, les vias contenant un matériau assurant une conduction électrique entre les première et deuxième faces. 5. Dispositif selon l'une des revendications 1 à 3, dans lequel le substrat (20) est en un matériau conducteur, les vias (22) contenant unmatériau isolant électriquement entre les première et deuxième faces. 6. Dispositif selon l'une des revendications 1 à 5, dans lequel les vias comportent en outre un matériau (220) à coefficient de dissipation thermique supérieur à 200 W/m*K ou 220 W/m*K. 7. Dispositif électronique comportant un composant (40, 50, 60) relié à un connecteur selon l'une des revendications 1 à 6, au moins une des couches (21, 23) de passivation du connecteur étant ouverte dans au moins une zone (43, 45) de contact vertical, le composant présentant au moins un plot de diamètre dlr les vias (22) du dispositif de connexion étant disposés à un pas de p2 l'un de l'autre, et ayant un diamètre d2, p2 et d2 vérifiant : p2 (d1) /2 et d2 (di) /4. 8. Dispositif électronique selon la revendication 7, des moyens (42) de connexion étant reliés au connecteur dans au moins une ouverture d'au moins une des couches de passivation. 9. Dispositif électronique selon l'une des revendications 7 ou 8, le composant (50) ayant des plots de contact distants d'un pas p1 et le dispositif de connexion des zones (42) de connexion situées à une distance p'1 supérieure à p1.30 10. Dispositif électronique selon l'une des revendications 7 à 9, comportant en outre un scellement hermétique. 11. Dispositif électronique selon l'une des revendications 7 à 10, le dispositif de connexion étant du type comportant une couche (24) en matériau semi-conducteur, reportée sur une des deux couches (21, 23) de passivation, au moins un composant étant réalisé dans la couche (24) en matériau semi-conducteur. 12. Dispositif électronique selon l'une des revendications 7 à 10, le dispositif de connexion étant du type comportant au moins une zone (30), libre de via, entre deux zones de nias, et un composant (74, 80, 82, 84) étant disposé au-dessus de, ou en contact avec, cette zone (30) libre de via. 13. Dispositif électronique comportant au moins deux dispositifs selon l'une des revendications 7 à 12, reportés ou montés l'un sur l'autre. 14. Dispositif électronique selon l'une des revendications 7 à 13, comportant en outre un substrat (71) de circuit intégré sur lequel il est monté.