FR 2900589 A1 20071109 FR 0753320 A 20070216 1 ARRIERE-PLAN DE L'INVENTION La présente invention concerne généralement le domaine des feutres de polissage pour le polissage mécano-chimique. En particulier, la présente invention concerne un feutre de polissage mécano-chimique ayant une structure de polissage utile pour le polissage mécano-chimique de substrats magnétiques, optiques et semiconducteurs. Dans la fabrication des circuits intégrés et d'autres dispositifs électroniques, de multiples couches de matériaux conducteurs, semiconducteurs et diélectriques sont déposées sur et retirées d'une surface d'une plaquette semiconductrice. Des couches minces de matériaux conducteurs, semiconducteurs et diélectriques peuvent être déposées au moyen d'un certain nombre de techniques de dépôt. Les techniques de dépôt courantes dans le traitement moderne des plaquettes comprennent le dépôt physique en phase vapeur (PVD), connu également comme étant la pulvérisation cathodique, le dépôt chimique en phase vapeur (CVD), le dépôt chimique en phase valeur assisté par plasma (PECVD) et le plaquage électrochimique, parmi d'autres. Les techniques de retrait courantes incluent l'attaque ou gravure isotrope et anisotrope humide et sèche, parmi d'autres. Quand des couches de matériaux sont déposées successivement et retirées successivement, la surface supérieure de la plaquette devient non plane. Du fait que le traitement subséquent des semiconducteurs (par exemple métallisation) nécessite que la plaquette ait une surface plane, la plaquette doit être planarisée. La planarisation est utile pour retirer une topographie superficielle indésirable et des défauts superficiels indésirables, comme des surfaces rugueuses, des matériaux agglomérés, des défauts du réseau cristallin, des éraflures et des couches ou matériaux contaminés. La planarisation mécano-chimique, ou polissage mécanochimique (CMP), est une technique courante utilisée pour planariser ou polir des pièces comme des plaquettes semiconductrices. En CMP conventionnelle, un porte-plaquette, ou tête de polissage, est monté sur un ensemble support. La tête de polissage maintient la plaquette et positionne la plaquette en contact avec une couche de polissage d'un feutre de polissage qui est monté sur une table ou plateau dans un appareil de CMP. L'ensemble support applique une pression régulable 2 entre la plaquette et le feutre de polissage. Simultanément, une suspension ou un autre agent de polissage est distribué(e) sur le feutre de polissage et est introduit(e) dans l'interstice entre la plaquette et la couche de polissage. Pour réaliser le polissage, le feutre de polissage et la plaquette tournent typiquement l'un par rapport à l'autre. Quand le feutre de polissage tourne sous la plaquette, la plaquette balaie ou parcourt une piste de polissage, ou région de polissage, typiquement annulaire où la surface de la plaquette est directement en face de la couche de polissage. La surface de la plaquette est polie et rendue plane par l'action chimique et mécanique de la couche de polissage et de l'agent de polissage sur la surface. L'interaction entre les couches de polissage, les agents de polissage et les surfaces des plaquettes pendant la CMP a fait l'objet d'études, d'analyses et de modélisations numériques avancées croissantes au cours des 10 années passées dans un effort pour optimiser les conceptions des feutres de polissage. La plupart des développements des feutres de polissage depuis l'apparition de la CMP comme procédé de fabrication des semiconducteurs ont été de nature empirique, impliquant des essais de nombreux matériaux polymères poreux et non poreux différents. Une grande partie de la conception des surfaces ou couches de polissage s'est concentrée sur le fait de conférer à ces couches différentes microstructures ou configurations d'aires vides et d'aires pleines, et des macrostructures, ou agencements de perforations ou rainures superficielles, dont il est dit qu'elles augmentent la vitesse de polissage, améliorent l'uniformité du polissage ou réduisent les défauts de polissage (éraflures, piqûres, régions délaminées et autres détériorations de surface ou sub-surface). Au cours des années, quelques microstructures et macrostructures différentes ont été proposées pour améliorer les performances de la CMP. Pour les feutres de polissage conventionnels, le "conditionnement" ou "finissage" de la surface du feutre est critique pour maintenir une surface de polissage constante en vue de performances de polissage stables. Au cours du temps, la surface de polissage du feutre de polissage s'use, de sorte que la microtexture de la surface de polissage devient lisse, un phénomène appelé "lissage". L'origine du lissage est l'écoulement plastique du matériau polymère dû au chauffage par 3 frottement et au cisaillement au niveau des points de contact entre le feutre et la pièce. De plus, des débris provenant du processus de CMP peuvent colmater les vides de la surface ainsi que les microcanaux par lesquels la suspension s'écoule sur la surface de polissage. Quand ceci se produit, la vitesse de polissage du procédé CMP diminue, et ceci peut conduire à un polissage non uniforme entre les plaquettes ou sur une plaquette. Le conditionnement crée une nouvelle texture sur la surface de polissage utile pour maintenir la vitesse de polissage et l'uniformité de polissage souhaitées dans le procédé de CMP. Le conditionnement conventionnel des feutres de polissage est obtenu par abrasion de la surface de polissage mécaniquement avec un disque de conditionnement. Le disque de conditionnement a une surface de conditionnement rugueuse constituée typiquement par des pointes de diamant incluses. Le disque de conditionnement est mis en contact avec la surface de polissage pendant des arrêts intermittents du procédé de CMP quand le polissage est interrompu ("ex situ"), ou au cours du procédé de CMP ("in situ"). Typiquement, le disque de conditionnement est entraîné en rotation dans une position qui est fixée par rapport à l'axe de rotation du feutre de polissage, et balaie ou parcourt une région de conditionnement annulaire quand le feutre de polissage est entraîné en rotation. Le procédé de conditionnement tel qu'il est décrit creuse des sillons microscopiques dans la surface du feutre, à la fois en abrasant et creusant le matériau du feutre et en renouvelant la texture de polissage. Bien que les concepteurs de feutres aient produit différentes microstructures et configurations de texture de surface par le biais de la préparation des matériaux des feutres et du conditionnement de la surface, les textures de polissage de feutres de CMP existantes ne sont pas optimales sous deux aspects importants. Tout d'abord, l'aire de contact réelle entre un feutre de CMP conventionnel et une pièce typique sous les pressions appliquées mises en oeuvre dans la CMP est petite, habituellement seulement quelques pour-cent de l'aire de confrontation totale. Ceci est une conséquence directe de l'inexactitude du conditionnement de surface conventionnel qui représente une déchirure aléatoire des régions pleines de la structure en lambeaux, en laissant une population de caractéristiques, ou aspérités, de différentes formes et de différentes hauteurs parmi lesquelles seules les plus élevées entrent 4 réellement en contact avec la pièce. Deuxièmement, l'espace disponible pour que l'écoulement de suspension élimine les débris de polissage et la chaleur occupe une mince couche au niveau de la surface du feutre de sorte que des déchets de polissage restent à proximité immédiate de la pièce jusqu'à ce qu'ils soient totalement éliminés de dessous la pièce. L'écoulement de suspension entre le feutre et la pièce doit franchir la surface très irrégulière et contourner toutes les aspérités qui franchissent toute la distance verticale entre le feutre et la pièce. Ceci conduit à une grande probabilité que la pièce soit réexposée aux produits chimiques usés et au matériau préalablement retiré. Ainsi, les microstructures de feutres conventionnelles ne sont pas optimales car la mécanique de contact et la mécanique des fluides dans la texture de surface sont couplées : la distribution de hauteur des aspérités ne favorise ni un bon contact ni un écoulement et transport du fluide efficaces. La formation de défauts dans la CMP provient de deux inconvénients de la microstructure conventionnelle des feutres. Par exemple, Reinhardt et al. dans le brevet US n 5 578 362 décrivent l'utilisation de sphères polymères pour introduire une texture dans un feutre de polissage en polyuréthane. Bien que les mécanismes exacts de formation des défauts soient compris de manière incomplète, il est généralement clair que la réduction de la formation des défauts nécessite de minimiser les contraintes ponctuelles extrêmes sur la pièce. Sous une charge ou pression de polissage appliquée donnée, la pression de contact ponctuel réelle est inversement proportionnelle à l'aire de contact réelle. Un procédé de CMP fonctionnant à une pression de polissage de 20,7 kPa (3 psi) et ayant une aire de contact réelle de 2 % sur toutes les extrémités des aspérités soumet en réalité la pièce à des contraintes normales en moyenne de 1 MPa (150 psi). Les contraintes de cette ampleur sont suffisantes pour provoquer des détériorations de surface et sub-surface. Du fait que les aspérités des feutres de CMP conventionnels sont émoussées et de forme irrégulière, elles conduisent aussi à des configurations d'écoulement défavorables : les pressions localisées de fluide frappant les aspérités peuvent être significatives, et les régions d'écoulement stagnant ou séparé peuvent conduire à l'accumulation de débris de polissage et de chaleur ou créer un environnement pour l'agglomération de particules. En plus du fait qu'elle fournit des sources potentielles de formation de défauts, la microtexture conventionnelle des feutres de polissage n'est pas optimale car, typiquement, le conditionnement de la surface des feutres n'est pas exactement reproductible. Les diamants sur 5 un disque de conditionnement deviennent émoussés au cours de l'utilisation de sorte que le conditionneur doit être remplacé au bout d'un certain temps ; pendant sa durée de vie, l'efficacité du conditionneur change donc continuellement. Le conditionnement contribue également dans une large mesure à la vitesse d'usure d'un feutre de CMP. Il est courant qu'environ 95 % de l'usure d'un feutre proviennent de l'abrasion du conditionneur à diamant et que 5 % environ seulement proviennent du contact avec les pièces. Ainsi, en plus de la réduction des défauts, une microstructure améliorée des feutres pourrait éliminer la nécessité du conditionnement et permettre une durée de vie des feutres plus longue. La clé pour éliminer le conditionnement des feutres consiste à imaginer une surface de polissage qui est à auto-renouvellement, c'est-à-dire qui conserve la même géométrie essentielle et la même configuration essentielle quand elle s'use. Ainsi, pour être à auto-renouvellement, la surface de polissage doit être telle que l'usure ne refaçonne pas sensiblement les régions pleines. Ceci à son tour nécessite que les régions pleines ne soient pas soumises à un cisaillement et un chauffage continus suffisants pour provoquer un degré sensible d'écoulement plastique, ou que les régions pleines soient configurées de manière qu'elles réagissent au cisaillement ou au chauffage d'une manière qui distribue le cisaillement et le chauffage vers d'autres régions pleines. En plus de la faible défectivité, les structures de polissage des feutres de CMP doivent permettre d'obtenir une bonne efficacité de planarisation. Les matériaux de feutre conventionnels exigent un compromis entre ces deux métriques de performances car une plus faible défectivité est obtenue en rendant le matériau plus mou et plus conforme, toutefois les mêmes changements de propriété compromettent l'efficacité de la planarisation. Finalement, la planarisation exige un matériau plat rigide ; tandis qu'une faible défectivité exige un matériau conforme moins rigide. Il est donc difficile de surmonter le compromis essentiel entre ces métriques avec un seul matériau. Les structures conventionnelles des feutres traitent ce problème de différentes manières, incluant l'utilisation de matériaux composites ayant des couches dures et tendres liées mutuellement. Tandis que les composites permettent des améliorations par rapport aux structures monocouches, jusqu'à présent aucun matériau permettant d'obtenir simultanément une efficacité de planarisation idéale et la formation de zéro défaut n'a encore été développé. Par conséquent, tandis qu'il existe des microstructures et des moyens de conditionnement des feutres pour les applications de CMP contemporaines, il existe un besoin de conceptions de feutres de CMP permettant d'obtenir une plus grande aire de contact réel avec la pièce et des configurations d'écoulement de la suspension plus efficaces pour le retrait des débris de polissage, ainsi que pour réduire ou éliminer la nécessité d'une retexturation. De plus, il existe un besoin de structures de feutres de CMP qui combinent une structure rigide nécessaire pour une bonne efficacité de planarisation avec une structure conforme moins rigide nécessaire pour une faible défectivité. EXPOSÉ DE L'INVENTION Un aspect de l'invention fournit un feutre de polissage utile pour le polissage d'au moins un substrat parmi un substrat magnétique, un substrat optique et un substrat semiconducteur en présence d'un agent de polissage, le feutre de polissage comprenant : a) un réseau tridimensionnel de cellules unitaires interconnectées, les cellules unitaires interconnectées étant réticulées pour permettre l'écoulement du fluide et le retrait des débris de polissage ; lb) une pluralité d'éléments de polissage formant le réseau tridimensionnel de cellules unitaires interconnectées, les cellules unitaires interconnectées ayant une hauteur d'au moins trois cellules unitaires, les éléments de polissage ayant une première extrémité reliée à un premier élément de polissage adjacent au niveau d'une première jonction et une seconde extrémité reliée à un second élément de polissage adjacent au niveau d'une seconde jonction et ayant une aire en section transversale qui reste dans des limites de 30 % entre la première et la seconde jonction ; et c) une surface de polissage formée à partir de la pluralité d'éléments de polissage, la surface de polissage ayant une aire de surface, mesurée dans un plan parallèle à la surface de polissage, qui reste constante pendant de multiples opérations de polissage. 7 Un autre aspect de l'invention fournit un feutre de polissage utile pour polir au moins un substrat parmi un substrat magnétique, un substrat optique et un substrat semiconducteur en présence d'un agent de polissage, le feutre de polissage comprenant : a) un réseau tridimensionnel de cellules unitaires interconnectées, les cellules unitaires interconnectées ayant une hauteur d'au moins dix cellules unitaires, les cellules unitaires interconnectées étant formées avec des éléments de polissage linéaires et les cellules unitaires interconnectées étant réticulées pour permettre l'écoulement du fluide et le retrait des débris de polissage ; b) une pluralité des éléments de polissage linéaires formant le réseau tridimensionnel de cellules unitaires interconnectées, les éléments de polissage linéaires ayant une première extrémité reliée à un premier élément de polissage adjacent au niveau d'une première jonction et une seconde extrémité reliée à un second élément de polissage adjacent au niveau d'une seconde jonction et ayant une aire en section transversale qui reste dans des limites de 30 % entre la première et la seconde jonction ; et c) une surface de polissage formée à partir de la pluralité d'éléments de polissage, la surface de polissage ayant une aire de surface, mesurée dans un plan parallèle à la surface de polissage, qui reste constante pendant de multiples opérations de polissage. Un autre aspect de l'invention fournit un procédé de polissage d'au moins un substrat parmi un substrat magnétique, un substrat optique et un substrat semiconducteur avec un feutre de polissage en présence d'un agent de polissage, comprenant les étapes de : créer un contact dynamique entre le feutre de polissage et le substrat pour polir le substrat, le feutre de polissage comprenant : un réseau tridimensionnel de cellules unitaires interconnectées, les cellules unitaires interconnectées étant réticulées pour permettre l'écoulement du fluide et le retrait des débris de polissage ; une pluralité d'éléments de polissage formant le réseau tridimensionnel de cellules unitaires interconnectées, les cellules unitaires interconnectées ayant une hauteur d'au moins dix cellules unitaires, les éléments de polissage ayant une première extrémité reliée à un premier élément de polissage adjacent au niveau d'une première jonction et une seconde extrémité reliée à un second élément de polissage adjacent au niveau d'une seconde jonction et ayant une aire en section transversale qui reste dans des limites de 30 % entre la première et la 8 seconde jonction ; une surface de polissage formée à partir de la pluralité d'éléments de polissage, la surface de polissage ayant une aire de surface, mesurée dans un plan parallèle à la surface de polissage, qui reste constante pendant de multiples opérations de polissage ; et piéger les débris de polissage dans les éléments de polissage du réseau tridimensionnel. BRÈVE DESCRIPTION DES DESSINS La figure 1 est une vue en perspective d'une partie d'un 10 dispositif de polissage à deux axes qui convient pour être utilisé avec la présente invention ; la figure 2A est une vue en coupe transversale schématique très agrandie du feutre de polissage de la figure 1 ayant une structure de polissage selon la présente invention ; 15 la figure 2B est une vue de dessus schématique très agrandie du feutre de polissage de la figure 1 ayant une structure de polissage selon la présente invention ; la figure 3 est une vue en coupe transversale schématique très agrandie d'une autre structure de polissage de feutre de polissage de la 20 présente invention ; et la figure 4 est une vue en coupe transversale schématique très agrandie d'une autre structure de polissage de feutre de polissage de la présente invention. 25 DESCRIPTION DÉTAILLÉE DE L'INVENTION En se référant aux dessins, la figure 1 illustre généralement les caractéristiques primaires d'un dispositif de polissage 100 pour le polissage mécano-chimique (CMP) à deux axes qui convient pour être utilisé avec un feutre de polissage 104 de la présente invention. Le feutre 30 de polissage 104 inclut généralement une couche de polissage 108 ayant une surface de polissage 110 destinée à venir en face d'un article, comme une plaquette semiconductrice 112 (traitée ou non traitée) ou une autre pièce, par exemple un verre, un dispositif d'affichage à panneau plat ou un disque de stockage d'information magnétique, parmi d'autres, de 35 manière à réaliser le polissage de la surface polie 116 de la pièce en présence d'un agent de polissage 120. L'agent de polissage 120 se 9 déplace dans une rainure en spirale 124 facultative ayant une profondeur 128. Pour des raisons de commodité, le terme "plaquette" est utilisé ci-dessous sans perte de caractère général. De plus, tel qu'il est utilisé dans cette description, le terme "agent de polissage" inclut les solutions de polissage contenant des particules et les solutions de polissage ne contenant pas de particules, comme les solutions de polissage liquides sans abrasif et réactives. La présente invention inclut généralement le fait de conférer à la couche de polissage 108 une texture de polissage 200 (figure 2) ayant une grande fraction vide ou un grand pourcentage de volume ouvert par rapport au volume plein en formant la couche de polissage 108 à partir d'une série d'éléments effilés macroscopiques ou microscopiques similaires ou identiques, chaque élément étant contraint à une ou plusieurs extrémités, de sorte que l'espace total occupé par les éléments est petit par rapport à l'espace total disponible, l'espacement des éléments individuels est petit par rapport à la taille de la plaquette, et les éléments sont interconnectés dans trois dimensions pour rigidifier le réseau à l'égard du cisaillement et de la flexion. De préférence, les éléments ont des dimensions microscopiques pour créer une microtexture. On va montrer que ces caractéristiques procurent à la fois une plus grande aire de contact réelle entre le feutre et la plaquette et des configurations d'écoulement de la suspension plus favorables entre le feutre et la plaquette que ce qui est réalisé avec les feutres de polissage conventionnels, et fournissent une structure à auto-renouvellement qui élimine la nécessité d'un conditionnement des feutres. De plus, on va montrer que ces caractéristiques fonctionnent d'une manière qui confère une rigidité au feutre à l'échelle de longueur nécessaire pour une bonne efficacité de planarisation tout en permettant une conformité aux échelles de longueur plus courtes nécessaires pour une faible défectivité. Le dispositif de polissage 100 peut inclure le feutre de polissage 104 monté sur un plateau 130. Le plateau 130 peut tourner autour d'un axe de rotation 134 sous l'action d'un dispositif d'entraînement de plateau (non représenté). La plaquette 112 peut être supportée par un porte-plaquette 138 qui peut tourner autour d'un axe de rotation 142 parallèle à et écarté de l'axe de rotation 134 du plateau 130. Le porte-plaquette 138 peut présenter une liaison à la cardan (non représentée) qui permet à la 10 plaquette 112 de revêtir un aspect très légèrement non parallèle à la couche de polissage 108, auquel cas les axes de rotation 134, 142 peuvent être très légèrement obliques. La plaquette 112 inclut une surface polie 116 qui est située en face de la couche de polissage 108 et qui est planarisée pendant le polissage. Le porte-plaquette 138 peut être supporté par un ensemble support de porte-plaquette (non représenté) conçu pour faire tourner la plaquette 112 et appliquer une force descendante F pour presser la surface polie 116 contre la couche de polissage 108 de sorte qu'une pression souhaitée existe entre la surface polie et la couche de polissage pendant le polissage. Le dispositif de polissage 100 peut inclure aussi une entrée d'agent de polissage 146 pour fournir l'agent de polissage 120 à la couche de polissage 108. Ainsi que le comprendra l'homme du métier, le dispositif de polissage 100 peut inclure d'autres composants (non représentés) comme un dispositif de régulation du système, un système de stockage et de distribution de l'agent de polissage, un système de chauffage, un système de rinçage et différentes régulations pour réguler différents aspects du procédé de polissage, comme les suivants : (1) des dispositifs de régulation de vitesse et des sélecteurs de vitesse pour l'une ou l'autre ou les deux parmi les vitesses de rotation de la plaquette 112 et du feutre de polissage 104 ; (2) des dispositifs de régulation et des sélecteurs pour faire varier le débit et la position de délivrance de l'agent de polissage 120 au feutre ; (3) des dispositifs de régulation et des sélecteurs pour réguler l'amplitude de la force F appliquée entre la plaquette et le feutre de polissage, et (4) des dispositifs de régulation, des actionneurs et des sélecteurs pour réguler la position de l'axe de rotation 142 de la plaquette par rapport à l'axe de rotation 134 du feutre, parmi d'autres. L'homme du métier comprendra comment ces composants sont construits et réalisés, si bien qu'une explication détaillée de ceux-ci n'est pas nécessaire pour que l'homme du métier comprenne et mette en pratique la présente invention. Pendant le polissage, le feutre de polissage 104 et la plaquette 112 sont entraînés en rotation autour de leurs axes de rotation respectifs 134, 142 et l'agent de polissage 120 est distribué depuis l'entrée d'agent de polissage 146 sur le feutre de polissage qui tourne. L'agent de polissage 120 s'étale sur la couche de polissage 108, incluant l'interstice sous la plaquette 112 et le feutre de polissage 104. Le feutre de polissage 11 104 et la plaquette 112 sont typiquement, mais pas nécessairement, entraînés en rotation à des vitesses choisies de 0,1 à 150 tr/min. Typiquement, mais pas nécessairement, la force F est d'une amplitude choisie pour induire une pression souhaitée de 6,9 à 103 kPa (0,1 à 15 psi) entre la plaquette 112 et le feutre de polissage 104. Comme le comprendra l'homme du métier, il est possible de configurer le feutre de polissage dans un format de bande ou en des feutres de polissage ayant un diamètre inférieur au diamètre du substrat qui est poli. En se référant maintenant aux figures 2A-2B, des modes de réalisation du feutre de polissage 104 de la figure 1 vont être décrits de manière plus détaillée, en particulier concernant la texture 200 de polissage de la surface. Contrairement aux feutres de CMP de l'état de la technique dans lesquels la texture de la surface ou les aspérités sont le résidu d'un procédé de retrait de matériau ou de refaçonnage (c'est-à-dire conditionnement), la texture de polissage 200 est formée sous forme d'une série d'éléments de polissage identiques ou similaires 204 et 208 ayant une géométrie précise. A des fins d'illustration, la texture de polissage 200 est montrée comme consistant en éléments sensiblement verticaux 208 et en éléments sensiblement horizontaux 204, mais ceci n'est pas nécessairement le cas. La texture de polissage 200 est équivalente à une multitude de tels éléments de polissage 204 et 208 ayant chacun une largeur moyenne 210 et une aire en section transversale moyenne 222, les éléments étant espacés à un pas moyen 218. Tel qu'il est utilisé ici, le terme "moyen" désigne la moyenne arithmétique calculée sur tout le volume de l'élément ou de la structure. De plus, le réseau interconnecté d'éléments 204, 208 a une hauteur moyenne 214 et une demi-hauteur moyenne 215. La texture de polissage 200 est en fait une série de cellules unitaires hexaédriques, c'est-à-dire des unités spatiales dans lesquelles chaque face (parmi six) est un carré ou un rectangle et des membres pleins s'étendent le long des bords seulement de l'unité spatiale, en laissant le centre de chaque face et de l'unité spatiale vide dans l'ensemble. Le rapport de la hauteur moyenne 214 à la largeur moyenne 210 des éléments 208 est d'au moins 0,5. De préférence, le rapport de la hauteur moyenne 214 à la largeur moyenne 210 est d'au moins 0,75 et de manière particulièrement préférable d'au moins 1. Eventuellement, le 12 rapport de la hauteur moyenne 214 à la largeur moyenne 210 peut être d'au moins 5 ou d'au moins 10. Quand la hauteur moyenne augmente, le nombre d'éléments d'interconnexion 204 nécessaires pour rigidifier le réseau d'éléments de polissage 208 pendant le polissage augmente. En général, seules les extrémités non contraintes des éléments 208 qui font saillie au-delà des éléments d'interconnexion supérieurs 204 sont libres de fléchir sous les forces de cisaillernent pendant le polissage. Les hauteurs d'éléments 208 entre la couche de base 240 et l'élément d'interconnexion supérieur 204 sont hautement contraintes et les forces appliquées à l'un quelconque des éléments 208 sont supportés efficacement par de nombreux éléments adjacents 204 et 208, de manière similaire à une poutre de pont ou un contrefort externe. De cette manière, la texture de polissage 200 est rigide à l'échelle de longueur nécessaire pour une bonneplanarisation, mais elle est localement conforme à des échelles de longueur plus courtes du fait de la déformabilité et la flexibilité locales des extrémités sans contrefort des éléments 208. Les éléments d'interconnexion 204 et les éléments de polissage 208 se combinent pour former une cellule unitaire 225, la cellule unitaire ayant une largeur moyenne 227 et une longueur moyenne 229. Ces cellules unitaires ont une structure réticulée ou à cellules ouvertes qui se combinent pour former le réseau tridimensionnel. Les cellules unitaires interconnectées ont une hauteur d'au moins trois cellules unitaires et de préférence d'au moins 10 cellules unitaires. Généralement, l'augmentation de la hauteur du feutre de polissage entraîne une augmentation de la durée de vie du feutre de polissage et de sa rigidité globale, cette dernière contribuant à une planarisation améliorée. Eventuellement, la largeur moyenne 227 d'une cellule unitaire n'est pas égale à sa longueur moyenne 229. Par exemple, un rapport de la largeur moyenne à la longueur moyenne peut être d'au moins 2 ou d'au moins 4 pour améliorer encore les performances de polissage pour certaines applications de polissage. Par exemple, des cellules unitaires ayant une longueur horizontale étendue auront tendance à former des éléments de polissage plus rigides pour une planarisation améliorée ; et des cellules unitaires ayant une longueur verticale étendue auront tendance à avoir des membres de polissage plus flexibles pour des performances de défectivité améliorées. 13 Un avantage du grand rapport de la hauteur moyenne à la largeur moyenne des éléments 208 est que l'aire de surface de polissage totale de l'aire en section 222 reste constante pendant une durée prolongée. Comme le montre la figure 2A, en tout point de la vie de la couche de polissage 202, tandis que la plus grande partie de l'aire de contact de la texture de polissage 200 consiste en les sections transversales 222 d'éléments verticaux 208, tout ou partie de certains éléments d'interconnexion 204 subiront aussi le processus d'usure, et ceux-ci sont appelés en particulier éléments de contact 206. De préférence, les positions verticales des éléments d'interconnexion 204 sont décalées de sorte que l'usure qui survient parallèlement à la couche de base 240 rencontre seulement une petite fraction des éléments d'interconnexion 204 à un instant donné, et ces éléments de contact 206 constituent une petite fraction de l'aire de contact totale. Ceci permet le polissage de plusieurs substrats avec des caractéristiques de polissage similaires et réduit ou élimine la nécessité d'un finissage ou conditionnement périodique du feutre. Cette réduction du conditionnement prolonge la vie du feutre et réduit son coût de fonctionnement. De plus, les perforations dans le feutre, l'introduction de rainures à revêtement conducteur ou l'incorporation d'un conducteur, comme des fibres conductrices, un réseau conducteur, une grille métallique ou un fil métallique, peuvent transformer les feutres en feutres de polissage eCMP ("planarisation mécano-électrochimique). Cette structure en réseau tridimensionnel des feutres peut faciliter l'écoulement du fluide et maintenir une structure de surface constante pour des applications de eCMP exigeantes. L'écoulement du fluide accru améliore le retrait de l'électrolyte usé du procédé eCMP, ce qui peut améliorer l'uniformité du procédé eCMP. De préférence, il n'existe dans la texture de polissage 200 aucun matériau plein qui n'est pas contenu dans les éléments de polissage 204 et 208. Eventuellement, il est possible de fixer des particules ou fibres abrasives aux éléments de polissage 204 et 208. De manière correspondante, il n'existe aucun volume vide dans aucun élément individuel 204 ou 208 ; tout le volume vide dans la texture de polissage 200 existe de préférence entre les éléments de polissage 204 et 208 et nettement à l'extérieur de ceux-ci. Eventuellement, toutefois, les éléments 14 de polissage 204 et 208 peuvent avoir une structure creuse ou poreuse. Les éléments de polissage 208 sont fixés de manière rigide à une extrémité à une couche de base 240 qui maintient le pas 218 et maintient les éléments de polissage 208 dans une orientation sensiblement verticale. L'orientation des éléments 208 est maintenue en outre par les éléments d'interconnexion 204 au niveau des jonctions 209 qui relient les éléments de polissage 204 et 208 adjacents. Les jonctions 209 peuvent inclure une liaison adhésive ou chimique pour fixer les éléments 204 et 208. De préférence, les jonctions 209 représentent une interconnexion des mêmes matériaux et de manière particulièrement préférable une interconnexion des mêmes matériaux sans joint. On préfère que la largeur 210 et le pas 218 des éléments de polissage 208 soient uniformes, ou sensiblement uniformes, sur tous les éléments de polissage 208, d'une extrémité à une autre extrémité entre les jonctions 209, ou soient uniformes sur des sous-groupes d'éléments de polissage 208. Par exemple, de préférence les éléments de polissage 208 ont une largeur 210 et un pas 218 qui restent dans des limites de 50 % de la largeur moyenne ou du pas moyen, respectivement, dans la couche de polissage 202 entre le membre de contact 206 et la demi-hauteur 215. De préférence encore, les éléments de polissage 208 ont une largeur 210 et un pas 218 qui restent dans des limites de 20 % de la largeur moyenne ou du pas moyen, respectivement, dans la couche de polissage 202 entre le membre de contact 206 et Na demi-hauteur 215. De manière particulièrement préférable, les éléments de polissage 208 ont une largeur 210 et un pas 218 qui restent dans des limites de 10 % de la largeur moyenne ou du pas moyen, respectivement, dans la couche de polissage 202 entre le membre de contact 206 et la demi-hauteur 215. En particulier, le maintien de l'aire en section transversale des éléments de polissage 204 et 208 entre des jonctions 209 adjacentes dans des limites de 30 % facilite des performances de polissage constantes. De préférence, le feutre maintient une aire en section transversale dans des limites de 20 et de manière particulièrement préférable dans des limites de 10 fo entre des jonctions 209 adjacentes. De plus, les éléments de polissage 204 et 208 ont de préférence une forme linéaire pour faciliter encore un polissage constant. Une conséquence directe de ces caractéristiques est que l'aire en section transversale 222 des éléments de polissage 208 ne 15 varie pas considérablement dans la direction verticale. Ainsi, quand les éléments de polissage 208 sont usés pendant le polissage et quand la hauteur 214 diminue, il y a peu de changement dans l'aire 222 présentée à la plaquette. Cette constance de l'aire de surface 222 procure une texture de polissage 200 uniforme et permet un polissage constant pour des opérations de polissage répétées. Par exemple, la structure uniforme permet le polissage de multiples plaquettes configurées sans ajuster le réglage des outils. Aux fins de cette description, la surface de polissage ou la texture de polissage 200 représente l'aire de surface d'éléments de polissage 204 et 208 mesurée dans un plan parallèle à la surface de polissage. De préférence, l'aire en section transversale totale 222 des éléments de polissage 208 reste dans des limites de 25 % entre la surface de polissage initiale ou les éléments de contact 206 et la demi-hauteur 215 de la colonne verticale de cellules unitaires 225. De manière particulièrement préférable, l'aire en section transversale totale 222 d'éléments de polissage 208 reste dans des limites de 10 % entre la surface de polissage initiale et la demi-hauteur 215 de la colonne verticale de cellules unitaires 225. Ainsi qu'on l'a noté précédemment, il est préférable également que les positions verticales d'éléments d'interconnexion 204 soient décalées pour minimiser le changement de l'aire en section transversale totale quand les éléments s'usent. Eventuellement, il est possible de disposer des éléments de polissage 208 en groupes espacés de plusieurs éléments de polissage 208, par exemple, les éléments de polissage peuvent comprendre des groupes circulaires entourés par des aires dépourvues d'éléments de polissage. Dans chaque groupe, on préfère que des éléments d'interconnexion 204 soient présents pour maintenir l'espacement et la rigidité effective des groupes d'éléments 208. De plus, il est possible d'ajuster la densité des éléments de polissage 204 ou 208 dans différentes régions pour régler finement les vitesses de retrait et I"uniformité de polissage ou l'uniformité des plaquettes. De plus, il est possible d'agencer les éléments de polissage d'une manière qui forme des canaux ouverts, comme des canaux circulaires, des canaux X-Y, des canaux radiaux, des canaux incurvés-radiaux ou des canaux en spirale. L'introduction des canaux facultatifs facilite le retrait des grands débris et peut améliorer l'uniformité du polissage ou des plaquettes. 16 Il est préférable que la hauteur 214 des éléments de polissage 208 soit uniforme sur tous les éléments. On préfère que la hauteur 214 reste dans des limites de 20 % cle la hauteur moyenne, de préférence encore de 10 % de la hauteur moyenne, et de préférence encore de 1 Io de la hauteur moyenne dans la texture de polissage 200. Eventuellement, un dispositif de coupe, comme un couteau, une lame rotative à grande vitesse ou un laser peut couper périodiquement les éléments de polissage à une hauteur uniforme. De plus, le diamètre et la vitesse de la lame de coupe peuvent éventuellement couper les éléments de polissage à un certain angle pour modifier la surface de polissage. Par exemple, la coupe d'éléments de polissage ayant une section transversale circulaire à un certain angle produira une texture d'extrémités de polissage qui interagissent avec le substrat. L'uniformité de la hauteur garantit que tous les éléments de polissage 208 de la texture de polissage 200, ainsi que tous les éléments de contact 206 interconnectés dans le plan d'usure, ont la capacité d'entrer en contact avec la pièce. En fait, du fait que les outils de CMP industriels ont une machinerie pour appliquer une pression de polissage inégale à différents endroits sur la plaquette, et du fait que la pression de fluide générée sous la plaquette est suffisante pour amener la plaquette à s'écarter d'une position qui est précisément horizontale et parallèle au niveau moyen du feutre, il est possible que certains éléments de polissage 208 n'entrent pas en contact avec la plaquette. Toutefois, dans toutes les régions du feutre de polissage 104 où un contact se produit, il est souhaitable que le plus grand nombre possible d'éléments de polissage 208 soient de hauteur suffisante pour assurer un contact. De plus, comme les extrémités sans contrefort d'éléments de polissage 208 vont typiquement fléchir avec la mécanique de contact dynamique du polissage, une aire de surface de polissage initiale va typiquement s'user pour se conformer à l'angle de flexion. Par exemple, une surface supérieure circulaire initiale va s'user pour former une surface supérieure formant un angle et les changements de direction subis pendant le polissage vont créer de multiples configurations d'usure. Les dimensions et l'espacement d'éléments de polissage 204 et 208 sont choisis pour produire à la fois une aire de contact 222 importante entre le feutre et la plaquette et une aire d'écoulement ouverte adéquate 226 pour la suspension pour retirer les débris de polissage. Typiquement, 17 les éléments de polissage 204 et 208 constituent moins de 80 % du volume du feutre de polissage mesurés au-dessus de la couche de base 240. De préférence, les éléments de polissage 204 et 208 constituent moins de 75 % du volume du feutre de polissage mesuré au-dessus de la couche de base 240. Par exemple, typiquement, les éléments 204 et 208 occuperont 5 à 75 % du volume du feutre de polissage mesuré au dessus de la couche de base 240. Les feutres de polissage conçus pour une grande aire de contact occupent typiquement 40 à 80 % du volume du feutre de polissage mesuré au dessus de la couche de base 240. Il existe un compromis intrinsèque entre ces objectifs : l'addition d'un plus grand nombre d'éléments de polissage 204 et 208 dans l'espace disponible de la texture de polissage 200 augmente l'aire de contact totale 222 mais réduit l'aire d'écoulement 226 en créant clavantage d'obstacles à l'écoulement de la suspension 230 et au retrait des débris de polissage. Une caractéristique essentielle de la présente invention est que les éléments de polissage 204 et 208 soient suffisamment effilés et largement espacés pour permettre un équilibre favorable entre l'aire de contact et l'aire d'écoulement. Les éléments de polissage 208 ayant des sections transversales rectangulaires ou carrées sont avantageux pour une aire de contact accrue. Conformément à cet équilibre, le rapport du pas 218 des éléments de polissage 208 à la largeur 210 des éléments de polissage 208 peut éventuellement être d'au moins 2. Dans ces limites, l'aire de contact 222 de la texture de polissage 200 peut atteindre 75 % (c'est-à-dire le carré de un moins le rapport largeur/pas) ou plus et l'aire d'écoulement 226 est 50 % de l'aire disponible (c'est-à-dire un moins le rapport largeur/pas) ou plus. Typiquement, les éléments de polissage 208 agissent pour recueillir ou piéger les débris de polissage à un endroit en dessous de la surface du feutre. Cette caractéristique facilite une diminution de la défectivité en piégeant les débris nocifs à un endroit qui n'entrera pas en contact et n'éraflera pas la surface d'un article pendant le polissage. Il est possible aussi que le rapport de Na hauteur 214 à la largeur 210 des éléments de polissage 208 soit éventuellement d'au moins 4, pour maximiser l'aire d'écoulement 226 et permettre aux débris de polissage d'être transportés horizontalement parmi les éléments de polissage 204 et 208 tout en assurant encore une distance verticale entre ces débris transportés et la plaquette. 18 La texture de polissage 200 est optimisée en outre en choisissant la forme en section transversale des éléments de polissage 204 et 208 comme étant profilés par rapport à l'écoulement de suspension 230 qui survient principalement dans la direction horizontale. Le profilage de corps pour obtenir une traînée de fluide minimum est une discipline bien établie de l'ingénierie et fait partie de la science appliquée en routine dans la conception des avions, des navires, des automobiles, des projectiles et d'autres objets qui se déplacent dans ou par rapport à un gaz ou un liquide. Les équations de l'écoulement des fluides gouvernant ces derniers objets à l'échelle humaine s'appliquent d'une manière identique à l'échelle d'une macrostructure ou microstructure de feutre de CMP. En substance, le profilage consiste à choisir une section transversale progressivement incurvée dépourvue de transitions brusques de telle sorte qu'un écoulement de fluide externe peut contourner la section transversale sans se séparer de la surface et former des tourbillons recirculants qui consomment l'énergie du fluide. Conformément à cette considération, une section transversale circulaire 222 est préférée par rapport à une section transversale carrée ou rectangulaire pour les éléments de polissage 204 et 208. En outre, le profilage des formes des éléments de polissage 208 nécessite de connaître la direction locale de l'écoulement de suspension 230. Comme le feutre et la plaquette sont en rotation, l'écoulement de suspension 230 peut s'approcher des éléments de polissage 204 et 208 sous différents angles et le profilage correct pour un angle d'approche sera sous-optimal pour d'autres angles d'approche. La seule forme qui est profilée de manière identique pour toutes les directions d'approche de fluide est une section transversale circulaire, de sorte qu'elle est préférée dans le cas général. Si la direction d'écoulement dominante peut être déterminée, comme dans le cas d'un procédé CMP ayant un rapport de la vitesse du plateau à la vitesse du porte-plaquette très élevé, on préfère encore profiler la section transversale d'éléments de polissage 204 et 208 par rapport à cette direction. Comme le montre la figure 2A, le feutre de polissage 104 inclut une couche de polissage 202 et peut inclure en outre un sous-feutre 250. On note que le sous-feutre 250 n'est pas nécessaire et que la couche de polissage 202 peut être fixée directement, par le biais de la couche de base 240, à un plateau d'un dispositif de polissage, par exemple le plateau 19 130 de la figure 1. La couche de polissage 202 peut être fixée, par le biais de la couche de base 240, au sous-feutre 250 de toute manière appropriée, par exemple par liaison avec un adhésif, par exemple au moyen d'une couche d'adhésif sensible à la pression 245 ou d'un adhésif thermofusible, par liaison thermique, liaison chimique, liaison aux ultrasons, etc. La couche de base 240 ou le sous-feutre 250 peut servir de base de polissage pour la fixation des éléments de polissage 208. De préférence, une partie de base des éléments de polissage 208 s'étend dans la couche de base 240. Différents procédés de fabrication sont possibles pour la texture de polissage 200. Pour les réseaux à plus grande échelle, ceux-ci comprennent le micro-usinage, la gravure ou attaque laser ou à jet de fluide, et d'autres procédés de retrait de matériau d'une masse pleine initiale ; et la polymérisation à laser focalisée, le durcissement optique préférentiel, la croissance biologique, et d'autres procédés de construction de matériaux dans un volume initialement vide. Pour les réseaux à plus petite échelle, la cristallisation, la polymérisation à ensemencement, la lithographie ou d'autres techniques de dépôt de matériau préférentiel peuvent être employées, ainsi que l'électrophorèse, la nucléation de phase, ou d'autres procédés d'établissement d'une matrice en vue d'un auto-assemblage de matériau subséquent. Les éléments de polissage 204 et 208 et la couche de base 240 de la microstructure 200 peuvent être constitués par un matériau approprié quelconque, comme des polycarbonates, des polysulfones, des nylons, des polyéthers, des polyesters, des polystyrènes, des polymères acryliques, des poly(méthacrylates de méthyle), des poly(chlorures de vinyle), des poly(fluorures de vinyle), des polyéthylènes, des polypropylènes, des polybutadiènes, des polyéthylèneimines, des polyuréthanes, des polyéthersulfones, des polyamides, des polyétherimides, des polycétones, des époxydes, des silicones, leurs copolymères (comme des copolymères polyéther-polyester), et des mélanges de ceux-ci. Les éléments de polissage 204 et 208 et la couche de base 240 peuvent aussi être constitués par un matériau non polymère comme une céramique, un verre, un métal, une roche, le bois ou une phase solide d'un matériau simple comme la glace. Les éléments de polissage 204 et 208 et la couche de base 240 peuvent aussi être 20 constitués par un composite d'un polymère avec un ou plusieurs matériaux non polymères. En général, le choix d'un matériau pour les éléments de polissage 204 et 208 et la couche de base 240 est limité par son caractère approprié pour le polissage d'un article constitué par un matériau particulier d'une manière souhaitée. De manière similaire, le sous-feutre 250 peut être constitué par un matériau approprié quelconque, comme les matériaux mentionnés ci-dessus pour les éléments de polissage 204 et 208 et la couche de base 240. Le feutre de polissage 104 peut éventuellement inclure un élément de fixation pour fixer le feutre à un plateau, par exemple le plateau 130 de la figure 1, d'un dispositif de polissage. L'élément de fixation peut être par exemple une couche adhésive, comme une couche adhésive sensible à la pression 245, un adhésif thermofusible, un élément de fixation mécanique, comme la partie crochet ou boucle d'un élément de fixation à crochet et boucle. Il est également dans le cadre de l'invention de réaliser un ou plusieurs dispositifs à pointage final à fibre optique 270 ou des dispositifs de transmission similaires qui occupent un ou plusieurs des espaces vides de la texture de polissage 200. En se référant à la figure 3, un second mode de réalisatiôn de feutre de polissage 104 de la figure 1 en accord avec la présente invention est décrit en ce qui concerne une autre texture de polissage de surface 300, une vue en coupe transversale latérale de la figure 3 aurait une configuration asymétrique de cellules unitaires réticulées interconnectées dans la couche de polissage 302. De manière similaire au feutre de la figure 2A, la couche adhésive 345 fixe la couche de base 340 au sous-feutre facultatif 350 ; et inclut éventuellement un dispositif de pointage final 370. La texture de polissage 300 diffère de la texture de polissage 200 de la figure 2A sous trois aspects. Tout d'abord, les éléments 308 de la texture de polissage 300 ne sont pas strictement verticaux mais sont positionnés sous différents angles entre 45 et 90 par rapport à la couche de base 340 et au plan horizontal, et quelques-uns des éléments 308 sont incurvés au lieu d'être rectilignes. Egalement, les éléments d'interconnexion 304 ne sont pas tous horizontaux mais certains sont positionnés à des angles de 0 à 45 par rapport à la couche de base 340 et au plan horizontal. Ainsi, la texture de polissage 300 consiste en cellules 21 unitaires, mais les cellules varient en forme et en nombre de faces. Nonobstant ces caractéristiques, la hauteur 314 des éléments 308 ne varie pas sensiblement dans la texture de polissage 300 entre la couche de polissage ou l'élément de polissage 306 et la demi-hauteur 315 de la texture de polissage 300. Deuxièmement, il existe une plus grande variation en ce qui concerne la largeur 310, le pas 318 et l'aire en section transversale 322 parmi les éléments 304 et 308 que dans les attributs correspondants des éléments de polissage 208. Troisièmement, l'écoulement de suspension 330 à travers et parmi les éléments 304 et 308 suit des trajets plus irréguliers que l'écoulement 230 à travers les éléments de polissage 208. Néanmoins, la texture de polissage 300 concrétise les propriétés essentielles de la présente invention où les éléments 306 forment la surface de polissage. En particulier, les éléments 304 et 308 sont interconnectés au niveau des jonctions 309 pour former un réseau interconnecté en trois dimensions à un degré suffisant pour conférer une rigidité à la texture de polissage globalement, tandis que les extrémités sans contrefort des éléments 308 procurent une flexibilité locale pour se conformer à une pièce. De plus, les éléments 304 et 308 sont encore suffisamment effilés et largement espacés pour permettre un équilibre favorable entre l'aire de contact et l'aire d'écoulement ; le rapport du pas moyen 318 des éléments 308 à la largeur moyenne 310 des éléments 308 est d'au moins 2 et le rapport de la hauteur 314 à la largeur moyenne 310 des éléments 308 est d'au moins 4. Ainsi, l'aire de contact 322 de la texture de polissage 300 peut atteindre 25 % ou plus et l'aire d'écoulement 326, tout en étant plus irrégulière que l'aire d'écoulement 326 de la texture de polissage 300, est suffisamment grande pour permettre aux débris de polissage d'être transportés horizontalement parmi les éléments 304 et 308 tout en assurant encore la distance verticale entre les débris transportés et la plaquette. La texture de polissage 300 de la figure 3 illustre le fait que la présente invention englobe des réseaux interconnectés ouverts dans lesquels des éléments individuels sont positionnés sous tous les angles, de la position totalement horizontale à la position totalement verticale. Par extension, l'invention englobe des séries totalement aléatoires d'éléments effilés interconnectés où il n'y a pas de taille ou de forme répétée clairement par rapport aux espaces vides, ou dans lesquels de nombreux 22 éléments sont très incurvés, ramifiés ou entremêlés. Des images familières qui, comme microstructures de feutre de polissage, seraient incluses dans le cadre de l'invention sont les poudres de pont, les modèles de macromolécules de type bâtonnet, et les cellules nerveuses humaines interconnectées. Dans chaque cas, la structure doit posséder les mêmes caractéristiques critiques, c'est-à-dire qu'une interconnexion suffisante en trois dimensions est présente pour rigidifier le réseau global, qu'une usure du réseau dans un plan horizontal depuis la surface supérieure produit des éléments effilés ayant des extrémités localement sans contrefort qui procurent une conformité avec une pièce sur des échelles de courte longueur, et que l'espace vide ouvert et le rapport de la longueur à la largeur des éléments sont conformes aux limites géométriques données précédemment. Un mode de réalisation supplémentaire de l'invention est montré sur la figure 4 et consiste en une couche de polissage 402 ayant un réseau tétraédrique à espacernent régulier interconnecté. Tous les éléments 404 et 408 sont montrés comme étant de longueur identique et de largeur identique et se rejoignant au niveau des jonctions 409, bien que ceci ne soit pas nécessairement le cas. Dans le mode de réalisation représenté, la cellule unitaire est un tétraèdre régulier dans lequel chaque face (parmi quatre) est un triangle équilatéral, dont le côté est le pas 418 du réseau, et des membres pleins ayant une largeur 410 s'étendent seulement le long des quatre côtés de l'unité spatiale, en laissant le centre de chaque face triangulaire et de l'unité spatiale globalement vide. Du fait de la symétrie du réseau tétraédrique, une vue en coupe transversale latérale et de dessus de la figure 4 formerait la même configuration réticulée. Cette texture de polissage procure la plus grande rigidité possible du fait que les polyèdres à faces triangulaires ne sont pas déformables. Quand la structure s'use, des extrémités libres sont formées sur les éléments 408 qui procurent une déformabilité locale et une conformité avec la pièce. Dans le mode de réalisation montré sur la figure 4, le réseau tétraédrique est construit sur une couche de base 440 légèrement en forme de coin de sorte qu'aucun plan du réseau n'est positionné de manière exactement parallèlement au plan de contact avec la plaquette. A un instant donné, seul un sous-ensemble de membres 406 s'usent le long de leur plus grande dimension, tandis que la plus grande 23 partie de l'aire de contact est fournie par les aires en section transversale plus petites 422 d'éléments qui s'usent sur leur plus courte dimension. Ceci procure la caractéristique selon laquelle l'aire de contact reste essentiellement invariable sur la hauteur 414 entre la couche de polissage ou l'élément de polissage 406 et la demi-hauteur 415 de la texture de polissage 400. Sur la couche de base en forme de coin 440, l'aire moyenne 426 pour l'écoulement de suspension 430 varie légèrement. Pour minimiser cette variation, en pratique, la couche de base 440 est en gradins de sorte qu'une série répétée de sections en forme de coin supporte le réseau. La structure montrée sur la figure 4 est approximativement une unité répétée. De manière similaire au feutre de la figure 2A, la couche adhésive 445 fixe la couche de base 440 au sous-feutre éventuel 450 ; et inclut éventuellement un dispositif de pointage final 470. L'invention procure l'avantage de découpler la mécanique de contact de la mécanique des fluides. En particulier, elle permet un écoulement du fluide efficace dans le feutre pour retirer aisément les débris de polissage. Deplus, elle permet l'ajustement de la rigidité des éléments de polissage, de la hauteur et du pas des éléments de polissage pour réguler la mécanique de contact avec un substrat. De plus, la forme des éléments de polissage permet la réduction ou l'élimination du conditionnement en vue d'une durée de vie du feutre de polissage accrue. Finalement, l'aire en section transversale uniforme permet le polissage de multiples substrats, comme une série de plaquettes configurées avec des caractéristiques de polissage similaires. REVENDICATIONS 1. Feutre de polissage utile pour polir au moins un substrat parmi un substrat magnétique, un substrat optique et un substrat 5 semiconducteur en présence d'un agent de polissage, caractérisé en ce qu'il comprend : a) un réseau tridimensionnel de cellules unitaires interconnectées (225), les cellules unitaires interconnectées étant réticulées pour permettre l'écoulement du fluide et le retrait des débris de 10 polissage ; b) une pluralité d'éléments de polissage (208) formant le réseau tridimensionnel de cellules unitaires interconnectées, les cellules unitaires interconnectées ayant une hauteur d'au moins trois cellules unitaires, les éléments de polissage ayant une première extrémité reliée à 15 un premier élément de polissage adjacent au niveau d'une première jonction (209) et une seconde extrémité reliée à un second élément de polissage adjacent au niveau d'une seconde jonction (209) et ayant une aire en section transversale (222) qui reste dans des limites de 30 % entre la première et la seconde jonction ;; et 20 c) une surface de polissage (110) formée à partir de la pluralité d'éléments de polissage, la surface de polissage ayant une aire de surface, mesurée dans un plan parallèle à la surface de polissage, qui reste constante pendant de multiples opérations de polissage. 2. Feutre de polissage selon la revendication 1, caractérisé en 25 ce que la pluralité d'éléments de polissage constitue 5 à 75 % du volume du feutre de polissage. 3. Feutre de polissage selon l'une quelconque des revendications 1 et 2, caractérisé en ce que l'aire en section transversale totale de la surface de polissage varie de moins de 25 % entre une aire en 30 section transversale totale initiale et une demi-hauteur des cellules unitaires interconnectées. 4. Feutre de polissage selon la revendication 3, caractérisé en ce que l'aire en section transversale totale de la surface de polissage varie de moins de 10 % entre une aire en section transversale totale initiale et 35 une demi-hauteur des cellules unitaires interconnectées. 25 5. Feutre de polissage selon l'une quelconque des revendications précédentes, caractérisé en ce que les aires en section transversale de la pluralité d'éléments de polissage sont sensiblement rectangulaires. 6. Feutre de polissage selon l'une quelconque des revendications précédentes, caractérisé en ce que les aires en section transversale de la pluralité d'éléments de polissage sont profilées par rapport à l'écoulement du fluide dans un plan d'aire en section transversale de la pluralité des éléments de polissage. 7. Feutre de polissage utile pour polir au moins un substrat parmi un substrat magnétique, un substrat optique et un substrat semiconducteur en présence d'un agent de polissage, caractérisé en ce qu'il comprend : a) un réseau tridimensionnel de cellulaires unitaires interconnectées, les cellules unitaires interconnectées ayant une hauteur d'au moins dix cellules unitaires, les cellules unitaires interconnectées étant formées avec des éléments de polissage linéaires et les cellules unitaires interconnectées étant réticulées pour permettre l'écoulement du fluide et le retrait des débris de polissage ; b) une pluralité des éléments de polissage linaires formant le réseau tridimensionnel de cellules unitaires interconnectées, les éléments de polissage linéaires ayant une première extrémité reliée à un premier élément de polissage adjacent au niveau d'une première jonction et une seconde extrémité reliée à un second élément de polissage adjacent au niveau d'une seconde jonction et ayant une aire en section transversale qui reste dans des limites de 30 % entre la première et la seconde jonction ; et c) une surface de polissage formée à partir de la pluralité d'éléments de polissage, la surface de polissage ayant une aire de surface mesurée dans un plan parallèle à la surface de polissage qui reste constante pendant de multiples opérations de polissage. 8. Feutre de polissage selon la revendication 7, caractérisé en ce que les éléments linéaires du réseau tridimensionnel subissent une flexion au niveau d'une couche de polissage du réseau tridimensionnel pendant le polissage. 26 9. Procédé de polissage d'au moins un substrat parmi un substrat magnétique, un substrat optique et un substrat semiconducteur avec un feutre de polissage en présence d'un agent de polissage, caractérisé en ce qu'il comprend les étapes de : créer un contact dynamique entre le feutre de polissage (104) et le substrat pour polir le substrat, le feutre de polissage comprenant : un réseau tridimensionnel de cellules unitaires interconnectées (225), les cellules unitaires interconnectées étant réticulées pour permettre l'écoulement du fluide et le retrait de débris de polissage ; une pluralité d'éléments de polissage (208) formant le réseau tridimensionnel de cellules unitaires interconnectées, les cellules unitaires interconnectées ayant une hauteur d'au moins dix cellules unitaires, les éléments de polissage ayant une première extrémité reliée à un premier élément de polissage adjacent au niveau d'une première jonction et une seconde extrémité reliée à un second élérnent de polissage adjacent au niveau d'une seconde jonction et ayant une aire en section transversale qui reste dans des limites de 30 % entre la première et la seconde jonction ; une surface de polissage (110) formée à partir de la pluralité d'éléments de polissage, la surface de polissage ayant une aire de surface, mesurée dans un plan parallèle à la surface de polissage, qui reste constante pendant de multiples opérations de polissage ; et piéger les débris de polissage dans les éléments de polissage du réseau tridimensionnel. 10. Procédé selon la revendication 9, caractérisé en ce que le 25 contact dynamique polit une série de plaquettes semiconductrices configurées.