FR 2900587 A1 20071109 FR 0603894 A 20060502 La présente invention concerne un procédé de polissage mécano-chimique ( Chemical Mechanical Polishing - CMP) de la surface d'un matériau multicouche composé d'un substrat portant au moins une couche de base comportant deux ou plusieurs zones en des matériaux différents, et une couche supérieure en un matériau homogène. Dans le cadre de l'invention, la couche de base signifie une couche d'une épaisseur donnée dans laquelle sont gravés des motifs. La couche de base se trouve donc être constituée d'au moins deux matériaux différents qui apparaissent en surface dans des zones respectives. En effet, l'un des matériaux remplit les motifs gravés dans l'autre, cette couche se caractérisant donc par une alternance de matériaux différents. Il peut ainsi être prévu d'autres matériaux juxtaposés aux deux matériaux, de sorte que la couche présentera au moins trois zones en matériaux de nature chimique différente. La couche supérieure homogène signifie que la couche forme un dépôt d'une épaisseur donnée en un même matériau dans tout le volume de cette couche. Dans le cadre de la technologie des circuits intégrés, un tel matériau multicouche comporte un substrat en un matériau semi-conducteur, tel que le silicium, dans lequel sont formés des transistors pour constituer des circuits intégrés. La couche de base, dans laquelle sont gravés des motifs de lignes conductrices entre les transistors, tels que des tranchées ou des vias, est en un matériau isolant, tel que le dioxyde de silicium (SiO2). La couche de base est recouverte de la couche supérieure, qui est en un matériau conducteur, par exemple le cuivre. Le matériau conducteur remplit donc également les motifs gravés de la couche isolante, pour ainsi constituer les lignes conductrices. La couche de base isole ainsi les transistors par rapport aux lignes conductrices. Un procédé pour la réalisation de liaisons d'interconnexion en un matériau conducteur entre deux couches isolantes comprend les étapes de dépôt d'un matériau isolant sur une tranche de silicium, de gravure de motifs sur cette couche isolante, de dépôt d'une fine couche barrière, par exemple de tantale (Ta) et/ou de nitrure de tantale (TaN), épousant les contours des motifs, et de dépôt d'une couche en un composé conducteur qui comble également les motifs gravés. Le procédé nécessite la mise en œuvre d'étapes d'élimination de la partie supérieure des dépôts ci-dessus jusqu'à mettre à nouveau à nu la couche isolante. Ceci permet ainsi de révéler les liaisons d'interconnexion avec la future couche conductrice déposée ultérieurement et constituées par le composé conducteur. La dernière étape d'un tel procédé, soit celle de suppression de la partie supérieure des dépôts ci-dessus, est habituellement réalisée par polissage mécano-chimique, technique largement mise en œuvre dans le domaine considéré. Son principe repose sur un polissage combinant une abrasion et une attaque chimique de la surface d'un matériau à traiter par la mise en œuvre d'une suspension abrasive de polissage. Plus spécifiquement, le CMP est réalisé au moyen d'un appareillage de polissage connu de l'homme du métier, tel qu'une polisseuse. Le matériau à traiter est fixé, par sa surface dite arrière, sur un support, tandis que la surface dite avant, sur laquelle sont présentes les couches à polir, est appliquée sur un plateau de polissage, revêtu d'un tapis en matière polymérique, sous faible pression, telle que de 0,07 à 1,05 bar. Des mouvements de rotation sont appliqués au support ainsi qu'au plateau afin d'uniformiser les vitesses linéaires de passage du tapis sur la tranche. L'enlèvement de matière aboutissant au polissage de la surface du matériau est assuré grâce à une suspension de polissage distribuée sur le tapis sous forme d'une pellicule ou coussin fluide pendant le fonctionnement de l'appareillage de polissage. De façon générale, on utilise différents types de suspensions de polissage en fonction des caractéristiques du matériau à polir. Celles comprenant des particules de silice, de dioxyde de cérium (CeO2) ou leur mélange sont très communément utilisées dans les procédés CMP pour polir ou planer les surfaces de matériaux. On peut citer, à titre d'exemple, les demandes de brevets et brevets WO 02/04573 A2, US 2004/0077295 Al, US 6 736 992, EP 0 366 027 A2, EP 0 121 707 A2, US 2003/0216003 Al et US 2004/0060472 Al. Egalement, une suspension de polissage stable à base de silice et de CeO2 a été mise au point par la Demanderesse dans la demande de brevet FR 05 10412. Les suspensions de polissage précitées doivent donc être aptes à polir des surfaces complexes, anisotropes, de matériaux, tels que des matériaux multicouches de fabrication de microcircuits, afin que la surface polie obtenue soit lisse, sans défauts de planéité, et présentant une absence de rayures de dimension submicrométrique. Elles doivent également autoriser des vitesses de polissage satisfaisantes, définies comme étant l'épaisseur enlevée de la surface du matériau par unité de temps, et rendre stable le procédé de polissage par le contrôle des forces de frottement. Les frottements peuvent en effet engendrer un phénomène de rebond du matériau à polir sur le tapis de l'appareillage de polissage au cours notamment du procédé CMP, aboutissant à une diminution des vitesses de polissage et à une dégradation des résultats en terme d'état de surface. Dans le cadre de la réalisation de liaisons d'interconnexion en un matériau conducteur, l'étape d'érosion de la partie supérieure de dépôts mentionnée plus haut, mise en œuvre par le CMP, comprend en fait deux étapes d'érosion successives respectivement sélective puis non sélective. La sélectivité est définie par le ou les rapport(s) (R) des vitesses de polissage de deux ou plusieurs matériaux différents dans des conditions de polissage identiques. Un polissage sélectif se caractérise par un rapport R élevé (ou faible), par exemple compris entre 10 et 200. Un polissage non sélectif se caractérise par un rapport R proche de la valeur 1, typiquement de 1 à 6, les vitesses de polissage étant à peu près équivalentes pour les différents matériaux considérés. La première étape consiste à supprimer la couche conductrice, le polissage étant effectué jusqu'à l'érosion de la majeure partie de cette couche conductrice. Elle nécessite l'utilisation d'une suspension de polissage spécifique de façon que la vitesse de polissage soit élevée, ce qui correspond à une érosion sélective de la couche conductrice. La deuxième étape consiste également à supprimer la couche conductrice résiduelle subsistant après l'étape précédente de polissage, la ou les couches barrière tout en obtenant un état de surface exempt imperfections de la partie supérieure de la couche isolante révélant ainsi les liaisons d'interconnexion en un composé conducteur, lesquelles doivent aussi présenter un état de surface sans imperfections. Dans ce cas, l'érosion doit être non sélective, étant donné que la surface à polir est constituée de zones en des matériaux de natures chimiques et de caractéristiques physiques différentes. Le brevet US 6 830 504 décrit un procédé CMP pour l'érosion de couches métalliques d'un semi-conducteur. Il met spécifiquement en oeuvre une première suspension à base d'alumine (Al203), d'eau oxygénée et de benzotriazole (BTA), à un pH de 2,8-4,3, pour l'érosion de la couche métallique conductrice en cuivre, et une suspension à base de SiO2, de pH 9,8-11,4, contenant également du BTA, afin de polir les résidus de la couche de cuivre obtenue par l'étape précédente et la couche barrière en Ta ou TaN. Le brevet US 6 083 840 divulgue un procédé CMP pour le polissage d'une tranche de matériau semi-conducteur constituée d'une couche de cuivre, d'une couche barrière en tantale et d'une couche de dioxyde de silicium. Le procédé comprend une étape de polissage de la couche de cuivre avec une première suspension de polissage et une étape de polissage non sélectif de la tranche avec une deuxième suspension appropriée au polissage du cuivre, du tantale et du dioxyde de silicium avec une sélectivité de 1/1/1, afin d'obtenir des vitesses de polissage similaires pour éviter la formation de zones de creux ( dishing ) et de zones de forte érosion. Il s'avère donc que des suspensions de polissage de natures physico-chimiques différentes sont nécessairement mises en œuvre au cours des procédés de polissage CMP d'un matériau multicouche. Toutefois, la mise en œuvre de telles suspensions de polissage présente des inconvénients. L'inconvénient majeur réside dans le fait que, pour effectuer un polissage sélectif puis non sélectif de diverses couches, ces suspensions, de caractéristiques physico-chimiques différentes, nécessitent l'utilisation d'appareillages CMP différents. En outre, ces caractéristiques sont telles qu'il faut interrompre le processus de polissage entre ces étapes. En effet, on met en œuvre, pour chaque appareillage, une suspension de polissage spécifique. Le fonctionnement de chacun des appareillages est également réglé par l'utilisateur selon des conditions opératoires propres, notamment en termes de vitesses de rotation du support et du plateau et de pressions de polissage, utilisant aussi des tapis de polissage de dureté différente pour obtenir l'effet voulu. Dans le cas d'une utilisation d'un unique appareillage CMP, il est également nécessaire d'interrompre le processus pour nettoyer le tapis de polissage et la surface de la couche à polir avant l'alimentation du tapis avec une suspension de polissage différente. Ceci se traduit, sur le plan industriel, par des pertes de rendement et de productivité, et d'efficacité de polissage de ces matériaux multicouches. Pour pallier les inconvénients de l'art antérieur, il serait par conséquent intéressant de pouvoir mettre en œuvre un procédé CMP comprenant des étapes de polissage sélectif puis non sélectif en continu d'un matériau multicouche utilisant une suspension de polissage dont on ferait varier la nature et le nombre de composants et/ou leur teneur entre chaque étape de façon à ne pas interrompre le fonctionnement de l'appareillage CMP. Les autres variables de fonctionnement de l'appareillage de CMP, telles que les vitesses de rotation du support et du plateau et les pressions de polissage, sont au besoin réglées de façon classique par l'homme du métier pour permettre d'atteindre l'objectif fixé. Un tel procédé doit également éviter la corrosion du composé métallique qui peut constituer la couche supérieure homogène et/ou l'un des matériaux de la couche de base et rendre stable le procédé de polissage CMP par le contrôle des forces de frottements. Il doit également conduire à des surfaces polies lisses, sans défauts de planéité, caractérisées par des zones de creux et de zones de forte érosion réduites. L'invention concerne donc un procédé de polissage mécano-chimique (CMP) en continu d'un matériau multicouche composé d'un substrat portant au moins une couche de base comportant deux ou plusieurs zones en des matériaux différents dont au moins l'un est un composé métallique, la couche de base étant revêtue d'une couche supérieure homogène constituée du même matériau métallique, comprenant les étapes suivantes consistant à : 1) appliquer la surface avant à polir du matériau multicouche, fixé sur un support par sa surface arrière, contre un plateau revêtu d'un tapis de polissage en matière polymérique, sous pression prédéterminée, le support et le plateau étant en rotation à des vitesses prédéterminées, 2) répartir en continu une suspension de polissage comprenant au moins des particules d'oxyde métallique sur le tapis de polissage par des moyens appropriés, 3) polir de façon sélective, avec ladite suspension, la couche supérieure jusqu'à atteindre la couche de base, 4) modifier sans interruption du polissage les caractéristiques physico-chimiques de ladite suspension pour obtenir une suspension de polissage modifiée pour un polissage non sélectif, et 5) polir de façon non sélective la couche de base. 25 La Demanderesse a donc mis au point un procédé de polissage CMP de matériaux multicouches à mise en œuvre simplifiée, étant donné que le passage de l'étape de polissage sélectif (étape 3)) de la couche 30 supérieure à l'étape de polissage non sélectif (étape 5)) de la couche de base est effectué sans interruption, mettant en œuvre un seul appareillage CMP, supprimant donc l'arrêt du fonctionnement de celui-ci pour reconditionnement en vue de la mise en 35 œuvre d'une suspension différente de la première utilisée. Le polissage d'un matériau multicouche est donc réalisé de façon plus rapide et plus simple que dans l'art antérieur avec une efficacité au moins identique en termes de qualité de poli de la surface de la couche. A titre d'exemple, les zones de creux observées sur l'une des zones en un composé métallique de la couche de base ont des épaisseurs qui répondent aux objectifs visés et ont des valeurs entre 20 A et 200 A. Une telle mise en oeuvre permet donc d'accroître les rendements de polissage de tels matériaux et, par conséquent, la productivité. Dans le cadre de l'invention, le fait d'atteindre la couche de base par polissage de la couche supérieure (étape 3)) signifie que l'érosion est effectuée de façon à ne laisser subsister qu'une très faible épaisseur de celle-ci, typiquement d'environ 10 à 100 Â, ou qu'au moins une zone de la couche de base a été révélée. L'étape 5) consiste donc à poursuivre le polissage pour mettre à nu la totalité de la surface de la couche de base, c'est-à-dire avec polissage de la surface hétérogène de la couche de base. La suspension de polissage est répartie sur le tapis par tout moyen approprié, tel qu'un système classique d'alimentation du tapis de l'appareillage CMP avec la suspension. Les caractéristiques physico-chimiques peuvent représenter notamment la nature chimique, la teneur et le nombre des divers agents éventuellement présents dans la suspension, tels que les inhibiteurs de corrosion, les agents d'oxydation des métaux et les additifs de stabilisation des particules en suspension, le pH etc. La modification de telles caractéristiques des suspensions pour les étapes de polissage sélectif et non sélectif est effectuée par l'homme du métier pour parvenir aux effets voulus, les autres variables du CMP, citées ci-dessus, étant au besoin ajustées de façon connue par l'homme du métier. La suspension de polissage comprend par définition un solvant, de préférence l'eau. Les autres constituants éventuellement présents dans la suspension de polissage y sont dissous. Les gains de productivité, l'efficacité et la simplicité de mise en oeuvre du CMP en continu les plus optimaux ont été obtenus, de manière surprenante, notamment par la mise en œuvre de la suspension de polissage de l'étape 2) comprenant en outre un inhibiteur de corrosion. Dans ce cas, l'étape 4) de modification des caractéristiques physico-chimiques de la suspension consiste à augmenter la teneur en inhibiteur de corrosion pour ainsi obtenir la suspension modifiée. En effet, la présence de cet inhibiteur, en des teneurs prédéterminées, permet de contrôler les vitesses de polissage en passant de valeurs typiquement d'au moins 5000 Â/min désirées et qui correspondent à un polissage sélectif de la couche supérieure à un polissage non sélectif de la couche de base dont les vitesses de polissages sont, de préférence, environ de 50 à 1000 À/min. L'inhibiteur de corrosion représente tout composant qui évite la corrosion du métal constitutif de la couche supérieure et qui est présent dans la couche de base. Il se forme un complexe métal-inhibiteur de corrosion sur la surface de la couche à polir. Un tel inhibiteur peut être un dérivé d'amines, d'amines cycliques, de préférence des composés de type azole, ou les xanthates et est, en particulier, le benzotriazole. De préférence, la teneur en inhibiteur de corrosion dans ladite suspension est comprise entre 0,01% et 0,02%, de façon plus préférée, entre 0,012% et 0,018%, et, en particulier entre 0,013% et 0,015%. Avantageusement, la teneur en inhibiteur de corrosion dans la suspension modifiée est comprise entre 0,03% et 0,2%, de façon plus préférée, entre 0,05% et 0,15%, et, en particulier entre 0,07% et 0,14%. Dans le cadre de l'invention, les pourcentages expriment les pourcentages en poids par rapport au poids total de la suspension. L'étape de mise en œuvre de la suspension de polissage modifiée par la teneur en inhibiteur de corrosion, selon l'étape 4), peut être effectuée de deux façons. Selon un premier mode, le procédé comprend, préalablement à l'étape 4), des étapes initiales d'ajout d'une quantité prédéterminée d'inhibiteur de corrosion directement dans un réservoir contenant la suspension de polissage, et de mélange avant distribution, ce qui permet ainsi d'obtenir la suspension modifiée. Ces étapes peuvent être effectuées par l'ajout de l'inhibiteur en solution, de teneur par exemple comprise entre 0,3% et 0,5% en poids, dans la suspension de l'étape 2) contenue dans un réservoir de l'appareillage CMP utilisé, muni d'un agitateur, suivi d'un mélange de l'ensemble. Selon un deuxième mode, le procédé comprend, préalablement à l'étape 4), des étapes initiales d'ajout et de mélange avec la suspension de polissage d'une solution d'inhibiteur de corrosion de teneur prédéterminée, telle que celle indiquée ci-dessus, sur le tapis de polissage, pour l'obtention de la suspension modifiée. Selon ce deuxième mode, le mélange et l'homogénéisation se produisent sur le tapis. Selon les deux modes considérés, les effets et les avantages obtenus par la mise en œuvre du procédé sont semblables. Le matériau de la couche de base qui est un composé métallique, est avantageusement choisi pour être utilisé dans la technologie des circuits intégrés, et représente, par exemple, un métal pur ou un alliage de métaux et est, en particulier, à base de cuivre, de tungstène, d'aluminium ou d'or, et l'autre matériau est un dérivé d'un métal représentant, de préférence, un oxyde de métal ou un nitrure métallique, et est, en particulier, le dioxyde de silicium, le nitrure de tantale ou le nitrure de titane (TiN). La couche supérieure homogène est constituée du même matériau métallique que celui du matériau de la couche de base et est un métal pur ou un alliage de métaux, tel qu'indiqué ci-dessus. Le matériau multicouche peut également comporter un ou plusieurs matériaux intermédiaires intercalés entre le matériau de base de la couche de base et le composé métallique de la couche supérieure. Ce matériau intermédiaire peut être constitué d'un matériau homogène, de préférence de Ta, TaN, titane (Ti) ou TiN. Dans ce cas, l'étape 3) du procédé consiste en une étape de polissage sélectif de la couche supérieure jusqu'à atteindre le matériau intermédiaire avec la suspension de polissage de l'étape 2). L'étape 4) du procédé consiste en une étape de modification des caractéristiques physico-chimiques de la suspension pour le polissage non-sélectif de la couche supérieure, puis de la couche intermédiaire, constituée du matériau intermédiaire et du composé métallique, pour ainsi atteindre la couche de base. Les pressions pour l'application de la surface du matériau multicouche contre le tapis de polissage sont typiquement comprises entre 0,07 bar et 1,05 bar et peuvent être ajustées par l'homme du métier tout au long du procédé notamment lors de la transition entre les étapes 3) et 5) du procédé. Les vitesses respectives de rotation du plateau et du support aux étapes 3) et 5) sont également réglées par l'homme du métier, et sont typiquement comprises entre 20 et 120 tours/min. Le procédé peut en outre comprendre, après l'étape 5), une étape de nettoyage du matériau multicouche poli par une solution aqueuse de BTA dont la teneur est comprise entre 0,3% et 0,5%. Cette étape permet également de protéger le matériau multicouche poli contre toute corrosion ultérieure. De préférence, le substrat représente un matériau semi-conducteur, tel que le silicium. Les procédés pour fabriquer les matériaux multicouches sont connus. On peut utiliser, selon la nature du matériau à recouvrir, le dépôt chimique en phase vapeur (CVD), l'électrodéposition, la pulvérisation au magnétron, ou un procédé thermique. La suspension de polissage et la suspension modifiée comprennent des particules de type oxyde métallique, représentant, de préférence, Al203, CeO2 ou SiO2, ou leur mélange. De telles particules peuvent être fabriquées de manière connue en soi ou sont disponibles dans le commerce. La silice peut être de type sol-gel, préparée par des procédés connus. Une telle silice est particulièrement préférée, car elle confère une stabilité particulière à la suspension de polissage. La taille élémentaire des particules est préférablement comprise entre 15 et 130 nm, dont le diamètre moyen est compris entre 50 et 150 nm. Les teneurs en particules d'oxyde métallique sont choisies par l'homme du métier pour permettre une efficacité de polissage mentionnée ci-avant. De telles teneurs peuvent être comprises entre 0,1 et 5% pour chaque type d'oxyde métallique ou leur mélange. La suspension abrasive et la suspension abrasive modifiée peuvent en outre comprendre, l'une indépendamment de l'autre, des agents d'oxydation des métaux, des agents d'attaque chimique des métaux et un additif de stabilisation des particules d'oxydes métalliques qui doivent être appropriés aux propriétés recherchées pour les suspensions mentionnées précédemment. Les teneurs seront choisies par l'homme du métier pour obtenir les effets voulus de l'invention. Les agents d'oxydation de métaux peuvent être un oxydant ayant un potentiel d'oxydoréduction supérieur à celui du potentiel redox des métaux M/MX+ susceptibles d'êtres obtenus à partir des métaux M à polir. Par exemple, lorsque le métal est le cuivre, il conviendra de choisir un agent d'oxydation dont le potentiel redox est supérieur à la valeur de 0,159 V correspondant au couple Cu/Cu+2. De tels agents d'oxydation représentent, par exemple, l'oxygène ou le peroxyde d'hydrogène (H2O2) ou est choisi dans le groupe constitué par les ions permanganate, ferrique, nitrate, iodate, chlorate, chromate, peroxodisulfate et cerrique, ou leur mélange. On préfère tout particulièrement le peroxodisulfate d'ammonium ((NH4) 2520$) ou H2O2. Les teneurs en ces agents sont avantageusement comprises entre 0,01 et 10%. Les agents d'attaque chimique des métaux sont avantageusement un acide carboxylique. On peut utiliser de préférence les mono-, di-, ou triacides à chaîne hydrocarbonée ou les mono-, di-, ou triacides alpha et/ou bêta hydroxylés, et, en particulier, l'acide lactique, l'acide succinique, l'acide tartrique ou l'acide citrique, ou bien encore les acides carboxyliques aromatiques, en particulier l'acide benzoïque, l'acide lactique étant le plus préféré. Les teneurs de ces agents dans la suspension de polissage sont avantageusement comprises entre 0,5 à 2%. Egalement, les agents d'attaque chimique des métaux peuvent être un acide aminé, en particulier un acide alpha aminé à chaîne hydrocarbonée. On préfère tout particulièrement la glycine. Les teneurs de ces agents sont identiques à celles données ci-dessus pour les acides carboxyliques. Le pH des suspensions de polissage est de préférence compris entre 3 et 7 et, en particulier, entre 4 et 6. Les valeurs des pH peuvent être ajustées par l'adjonction de bases qui seront choisies par l'homme du métier afin d'éviter toute altération des performances de polissage des suspensions. On peut par exemple utiliser les bases minérales (hydroxyde de sodium ou de potassium et autres) ou les bases organiques, telles que l'ammoniaque. Les suspensions de polissage de l'invention peuvent être préparées par des méthodes conventionnelles mises en œuvre dans le domaine de l'invention. Le procédé de l'invention est également amélioré par la mise en œuvre de suspensions de polissage stables. Celles-ci présentent une stabilité chimique et physique dans le temps, notamment en termes de stabilité des diverses teneurs des constituants des suspensions et d'absence de sédimentation et agrégation particulaire. La mise en œuvre de telles suspensions de polissage pour polir et/ou planer des surfaces de matériaux multicouches permet d'obtenir un bon compromis entre différents paramètres tels que des vitesses de polissage satisfaisantes, des qualités élevées de poli, notamment par l'absence de zones de creux, une planéité satisfaisante de la surface, et, la stabilité du procédé de polissage par le contrôle des forces de frottements. Selon un mode de mise en œuvre de l'invention, on utilise, dans le procédé de l'invention, un matériau multicouche, de type de ceux utilisés dans la technologie des circuits intégrés, et, dans ledit matériau multicouche, le substrat est en un matériau semi-conducteur, tel que le silicium, portant la couche de base en un matériau isolant, tel que le dioxyde de silicium, dont la surface comporte des motifs gravés, et une couche supérieure homogène en un composé métallique, tel que le cuivre, logé également dans les motifs gravés. En variante, le matériau multicouche peut en outre comporter au moins une couche intermédiaire, entre la couche de base isolante et la couche supérieure, représentant avantageusement une couche barrière de diffusion des ions métalliques depuis la couche supérieure vers la couche de base, et d'adhérence de la couche supérieure à la couche de base. Cette couche intermédiaire a, de préférence, une épaisseur telle que cette couche épouse les contours des motifs gravés. Dans ce cas, la couche supérieure recouvre complètement la couche intermédiaire. Une telle couche peut être composée de Ta, de TaN, de Ti et/ou de TiN. Lorsque la couche supérieure est en cuivre ou en tungstène, la couche intermédiaire est respectivement en Ta et/ou TaN ou en Ti et/ou TiN. Le procédé de polissage de l'invention peut être mis en œuvre au moyen d'un appareillage CMP conventionnel disponible dans le commerce. L'invention concerne également un matériau multicouche poli composé d'un substrat portant une couche de base comportant deux ou plusieurs zones en des matériaux différents dont au moins l'un est un composé métallique, susceptible d'être obtenu par le procédé de l'invention. Un tel matériau poli est donc susceptible d'être obtenu par la mise en œuvre des étapes du procédé de polissage CMP de l'invention d'un matériau multicouche composé d'un substrat portant au moins une couche de base comportant deux ou plusieurs zones en des matériaux différents dont au moins l'un est un composé métallique, la couche de base étant revêtue d'une couche supérieure homogène constituée du même matériau métallique. Un tel procédé ne laisse donc subsister que la couche de base polie, portée par le substrat. Les différents matériaux de la couche de base, de la couche supérieure peuvent être ceux définis précédemment. Le matériau de la couche de base qui est un composé métallique, est avantageusement choisi pour être utilisé dans la technologie des circuits intégrés, et représente, par exemple, un métal pur ou un alliage de métaux et est, en particulier, à base de cuivre, de tungstène, d'aluminium ou d'or, et l'autre matériau est un dérivé d'un métal représentant, de préférence, un oxyde de métal ou un nitrure métallique, et est, en particulier, le dioxyde de silicium, le nitrure de tantale ou le nitrure de titane. Les exemples qui suivent illustrent des modes de mise en oeuvre de la présente invention sans toutefois 25 en limiter la portée. Exemple 1 On prépare un échantillon de suspension de polissage aqueuse Cl comprenant 1% de particules 30 d'alumine, dont la taille moyenne est de 60 nm, 1% d'acide lactique, 3% de peroxodisulfate d'ammonium et 0,01% de benzotriazole (BTA). L'échantillon a été mélangé sous forte agitation pendant 20 minutes jusqu'à l'obtention d'une suspension aqueuse homogène, 35 et le pH de la suspension est fixé à 6,00. a) Des essais relatifs aux vitesses de polissage, exprimés en Â/min, ont été effectués par l'utilisation de cette suspension Cl. Pour ces essais, on utilise une structure S1 de microcircuit, telle que représentée à la Figure 1. Cette structure présente une tranche 10 de silicium de 100 mm de diamètre sur laquelle a été déposée une couche de base isolante en dioxyde de silicium 11. Dans cette couche en dioxyde de silicium, une tranchée 12 a été gravée selon la topologie présentée à la Figure 1. Cette couche de dioxyde de silicium 11 est recouverte d'une couche intermédiaire (couche barrière) 13 en Ta de 1,5 mm d'épaisseur. Celle-ci est enfin recouverte d'une couche supérieure 14 en cuivre d'une épaisseur de 4 mm. La tranchée 12 contient donc également du cuivre. Cette structure S1 a été soumise à un polissage selon le CMP afin d'éroder la couche de cuivre jusqu'à atteindre la couche intermédiaire 13 de Ta (gère étape du procédé) (Figure 2). Le CMP a été effectué au moyen d'une polisseuse Mecapol 460 (Presi-France) comportant un plateau muni d'un tapis Rodel IC1000k- grooved stacké Suba IV (Rodel -USA). La surface arrière de la tranche de silicium 10 est fixée sur un support de la polisseuse. La vitesse de rotation du support est fixée à 50 tours/min et celle du plateau à 80 tours/min. Trois essais de détermination des vitesses de polissage de la couche de cuivre ont été effectués sur trois structures identiques SI S2 et S3, en appliquant une pression de 0,21 bar au support de la polisseuse. Le tapis du plateau a été alimenté avec la suspension Cl. Les résultats des vitesses de polissage sont montrés dans le Tableau 1.35 Tableau 1 Structure Si S2 S3 Vitesse de 5800 6100 5700 polissage (À/min) (Cl) L'utilisation de la suspension Cl conduit à des 5 vitesses de polissage supérieures à 5700 À/min sur du cuivre. La suspension Cl de l'invention est donc appropriée à un polissage sélectif de la couche métallique. 10 b) Des essais similaires ont été effectués, mais en considérant la suspension C2 (suspension de polissage modifiée) contenant les mêmes composants que la suspension Cl, mais dans la quelle la teneur en 15 benzotriazole a été portée à 0,13%. Les résultats sont montrés dans le Tableau 2. Tableau 2 Structure Si S2 S3 Vitesse de 900 850 920 polissage (À/min) (C2) Les résultats figurant au Tableau 2 montrent que la teneur en inhibiteur de corrosion régit les vitesses de polissage. 25 Exemple 2 Les expériences de l'Exemple 1 ont été reprises pour évaluer les vitesses de polissage obtenues par 18 20 polissage de la couche barrière de Ta des structures Si, S2 et S3 avec les suspensions de polissage Cl et C2 après polissage de la couche de cuivre. Les résultats sont montrés dans le Tableau 3. Tableau 3 Structure Si S2 S3 Vitesse de 430 470 450 polissage (Â/min) (Cl) Vitesse de 520 550 540 polissage (À/min) (C2) Les résultats obtenus montrent que les vitesses 10 de polissage obtenues sont sensiblement identiques par l'utilisation des suspensions de polissage Cl et C2. On en déduit que le polissage est non sélectif avec les deux suspensions Cl et C2. 15 Exemple 3 Des essais de détermination de vitesses de polissage ont été menés en considérant des structures S4, S5 et S6 constituées chacune d'une tranche de silicium de 100 mm de diamètre sur laquelle a été 20 déposée une couche en dioxyde de silicium de 1 mm d'épaisseur. Le polissage CMP de la couche en dioxyde de silicium de ces structures a été effectué en considérant respectivement les suspensions de 25 polissage Cl et C2 selon les conditions opératoires définies à l'Exemple 1. Le Tableau 4 donne les résultats des vitesses de polissage obtenues en considérant, d'une part, la5 suspension Cl et, d'autre part, la suspension C2 pour les trois structures considérées. Tableau 4 Structure S4 S5 S6 Vitesse de 200 190 210 polissage (Â/min) (Cl) Vitesse de 220 200 210 polissage (À/min) (C2) Les résultats obtenus montrent que les vitesses de polissage obtenues sont sensiblement identiques par l'utilisation des suspensions de polissage Cl et C2. 10 On en déduit que le polissage est non sélectif avec les deux suspensions Cl et C2. Exemple 4 Les structures Sl, S2 et S3 ont été soumises à un 15 polissage CMP en continu, selon les conditions opératoires définies à l'Exemple 1, par l'utilisation de la suspension Cl, afin de polir la couche de cuivre 14 jusqu'à atteindre la couche intermédiaire 13 de Ta (lère étape du procédé). La couche de cuivre 14 a été 20 polie avec des vitesses de polissage indiquées au Tableau 1 de l'Exemple 1. Une fois que la couche intermédiaire de Ta (couche barrière) est atteinte par polissage de la couche de cuivre, une solution aqueuse contenant 0,5% 25 en poids de BTA est ajoutée à la suspension de polissage Cl, l'ensemble étant agité pendant quelques secondes afin de préparer la composition abrasive C2.5 Le tapis du plateau est alors alimenté avec la suspension C2 afin d'effectuer la 2ème étape de polissage de la couche intermédiaire de Ta jusqu'à révéler la couche de base en dioxyde de silicium. Cette étape comprend donc également un polissage de la couche en dioxyde de silicium présentant des tranchées en cuivre. Cette étape est mise en oeuvre sans interrompre le processus du CMP entre la lère étape et la 2ème étape de polissage et sans modification des vitesses de rotation du plateau et du support et des pressions appliquées, telles qu'indiquées à l'Exemple 1. La 2ème étape de polissage utilisant la suspension C2 est effectuée avec des vitesses de polissage indiquées dans le Tableau 5. Tableau 5 Structure Si S2 S3 Vitesse de 500 550 500 polissage (À/min) (C2) Le polissage total de la couche barrière pour révéler la couche isolante en dioxyde de silicium, ayant une tranchée en cuivre (Figure 3), est effectué avec des faibles vitesses de polissage, de façon non sélective, grâce à la simple modification de la teneur en inhibiteur de corrosion, ici le BTA. Le passage de la lère étape de polissage sélectif de la couche de cuivre par la suspension Cl à la 2ème étape de polissage de la couche de Ta par la suspension C2 permet de limiter les zones de creux à des valeurs inférieures à 25 À, et d'obtenir une qualité de poli de surface de la couche isolante en dioxyde de silicium. Les expériences ci-dessus permettent de déterminer les sélectivités Cu/Ta (Tableau 6), sur la base des résultats figurant aux Tableaux 1, 2 et 3, et les sélectivités Cu/dioxyde de silicium (Tableau 7), sur la base des résultats figurant aux Tableaux 1, 2, 4, lorsque les suspensions de polissage Cl et C2 sont utilisées. Ces sélectivités sont présentées dans les Tableaux 6 et 7. Tableau"6 Structure S1 S2 S3 Sélectivité 13,5 13 12,7 Cu/Ta (Cl) Sélectivité 1,7 1,5 1,7 Cu/Ta (C2) Ces résultats montrent bien que le polissage du cuivre jusqu'à atteindre la couche barrière en tantale est sélectif en utilisant la suspension de polissage Cl. L'utilisation de la suspension de polissage C2 conduit à un polissage non sélectif du cuivre par rapport au tantale. Tableau 7 Sélectivité 29 32 27 Cu/Dioxyde de silicium (Cl) Sélectivité 4,1 4,2 4,4 Cu/Dioxyde de silicium (C2) 20 De ces résultats on peut déduire que si l'on utilise une structure S7 comportant une tranche de silicium sur laquelle a été déposée une couche isolante en dioxyde de silicium, cette couche isolante étant elle même recouverte d'une couche de cuivre, on obtiendra, par le polissage CMP respectif des couches de cuivre et isolante avec les suspensions de polissage Cl et C2, les sélectivités indiquées au Tableau 7. Exemple 5 Les essais de l'Exemple 1 ont été répétés en considérant une suspension de polissage C'2 obtenue par une alimentation du tapis de polissage avec la suspension de polissage Cl et une alimentation d'un volume adéquat d'une solution aqueuse de benzotriazole dont la teneur est de 0,3%. La suspension de polissage C'2 est donc obtenue par mélange et homogénéisation sur le tapis de polissage. Les résultats des vitesses de polissage sont présentés dans le Tableau 8. Tableau 8 Structure Si S2 S3 Vitesse de 850 900 890 polissage (Â/min) (C2) La comparaison des résultats des vitesses de polissage figurant au Tableau 8 et au Tableau 2 montre que celles-ci sont similaires par l'utilisation des suspensions de polissage C2 et C'2. 30 Revendications 1. Procédé de polissage mécano-chimique (CMP) en continu d'un matériau multicouche composé d'un substrat portant au moins une couche de base comportant deux ou plusieurs zones en des matériaux différents dont au moins l'un est un composé métallique, la couche de base étant revêtue d'une couche supérieure homogène constituée du même matériau métallique, comprenant les étapes suivantes consistant à . 1) appliquer la surface avant à polir du matériau multicouche, fixé sur un support par sa surface arrière, contre un plateau revêtu d'un tapis de polissage en matière polymérique, sous pression prédéterminée, le support et le plateau étant en rotation à des vitesses prédéterminées, 2) répartir en continu une suspension de polissage comprenant au moins des particules d'oxyde métallique sur le tapis de polissage par des moyens appropriés, 3) polir de façon sélective, avec ladite suspension, la couche supérieure jusqu'à atteindre la couche de base, 4) modifier sans interruption du polissage les caractéristiques physico-chimiques de ladite suspension pour obtenir une suspension de polissage modifiée pour un polissage non sélectif, et 5) polir de façon non sélective la couche de base. 30 2. Procédé selon la revendication 1, dans lequel la suspension de polissage de l'étape 2) comprend en outre un inhibiteur de corrosion. 3. Procédé selon la revendication 2, dans lequel la teneur en inhibiteur de corrosion dans ladite 35suspension est comprise entre 0,01% et 0,02%, de façon plus préférée, entre 0,012% et 0,018%, et, en particulier entre 0,013% et 0,015%. 4. Procédé selon la revendication 1 ou 2, dans lequel l'étape 4) de modification des caractéristiques physico-chimiques de la suspension consiste à augmenter la teneur en inhibiteur de corrosion, pour ainsi obtenir la suspension modifiée dans laquelle la teneur en inhibiteur de corrosion est comprise entre 0,03% et 0,2%, de façon plus préférée, entre 0,05% et 0,15%, et, en particulier entre 0,07% et 0,14%. 5. Procédé selon l'une des revendications 2 à 4, dans lequel l'inhibiteur de corrosion est un dérivé d'amines, d'amines cycliques, de préférence des composés de type azole, ou les xanthates et est, en particulier, le benzotriazole. 6. Procédé selon l'une des revendications 4 et 5, comprenant, préalablement à l'étape 4), des étapes initiales d'ajout d'une quantité prédéterminée d'inhibiteur de corrosion directement dans un réservoir contenant la suspension de polissage, et de mélange avant distribution. 7. Procédé selon la revendication 4 ou 5, comprenant, préalablement à l'étape 4), des étapes initiales d'ajout et de mélange avec la suspension de polissage d'une solution d'inhibiteur de corrosion de concentration prédéterminée sur le tapis de polissage. 8. Procédé selon l'une des revendications 1 à 7, dans lequel le matériau de la couche de base qui est un composé métallique représente un métal pur ou un alliage de métaux, et est, en particulier, à base de cuivre, de tungstène, d'aluminium ou d'or, et l'autrematériau est un dérivé d'un métal représentant un oxyde de métal ou un nitrure métallique, et est, en particulier, le dioxyde de silicium, le nitrure de tantale ou le nitrure de titane. 9. Procédé selon l'une des revendications 1 à 8, dans lequel le matériau multicouche comporte au moins un ou plusieurs matériaux intermédiaires intercalés entre le matériau de base de la couche de base et le composé métallique de la couche supérieure, le matériau intermédiaire étant constitué d'un matériau homogène, de préférence de tantale, nitrure de tantale, titane ou nitrure de titane. 10. Procédé selon la revendication 9, dans lequel l'étape 3) consiste en une étape de polissage sélectif de la couche supérieure jusqu'à atteindre le matériau intermédiaire avec la suspension de polissage de l'étape 2), et l'étape 4) consiste en une étape de modification des caractéristiques physico-chimiques de ladite suspension pour le polissage non-sélectif de la couche supérieure, puis de la couche intermédiaire, constituée du matériau intermédiaire et du composé métallique, pour ainsi atteindre la couche de base. 11. Procédé selon l'une des revendications 1 à 10, comprenant en outre, après l'étape 5), une étape de nettoyage du matériau multicouche poli par une solution aqueuse de BTA dont la teneur est comprise entre 0,3% et 0,5%. 12. Procédé selon l'une des revendications 1 à 11, dans lequel la suspension de polissage et la suspension modifiée comprennent des particules d'oxyde métallique représentant, de préférence, Al203, Ce02 ou SiO2, ou leur mélange, présents en des teneurscomprises entre 0,1 et 5% pour chaque type d'oxyde métallique ou leur mélange. 13. Procédé selon l'une des revendications 1 à 12, dans lequel la suspension de polissage et la suspension modifiée comprennent, l'une indépendammment de l'autre, des agents d'oxydation des métaux, lesdits agents étant un oxydant ayant un potentiel d'oxydoréduction supérieur à celui du potentiel redox des métaux M/MX+ qui représentent, de préférence, l'oxygène ou le peroxyde d'hydrogène (H202), ou qui sont choisis dans le groupe constitué par les ions permanganate, ferrique, nitrate, iodate, chlorate, chromate, peroxodisulfate et cerrique, ou leur mélange, le peroxodisulfate d'ammonium ((NH4)2S208) ou H202 étant particulièrement préféré. 14. Procédé selon l'une des revendications 1 à 13, dans lequel la suspension de polissage et la suspension modifiée comprennent, l'une indépendammment de l'autre, des agents d'attaque chimique des métaux représentant un acide carboxylique, de préférence les mono-, di- ou triacides à chaîne hydrocarbonée, les mono-, di-, ou triacides alpha et/ou bêta hydroxylés ou les acides carboxyliques aromatiques, et, en particulier, l'acide lactique, l'acide succinique, l'acide tartrique, l'acide citrique ou l'acide benzoïque, l'acide lactique étant le plus préféré, ou un acide aminé, en particulier, un acide alpha aminé à chaîne hydrocarbonée, et, de façon particulièrement préférée, la glycine, en une teneur comprise entre 0,5 à 2%. 15. Procédé selon l'une des revendications 1 à 14, dans lequel on utilise un matériau multicouche du type de ceux utilisés dans la technologie des circuits intégrés, et, dans ledit matériau, le substrat est enun matériau semi-conducteur, portant la couche de base en un matériau isolant, dont la surface comporte des motifs gravés, et une couche supérieure homogène en un composé métallique, logé également dans les motifs gravés. 16. Procédé selon la revendication 15, dans lequel le substrat est en silicium, la couche de base est en dioxyde de silicium et la couche supérieure est en cuivre. 17. Procédé selon la revendication 15 ou 16, dans lequel le matériau multicouche comporte en outre au moins une couche intermédiaire entre la couche de base et la couche supérieure. 18. Procédé selon la revendication 17, dans lequel la couche intermédiaire représente une couche barrière de diffusion des ions métalliques depuis la couche supérieure vers la couche de base, et d'adhérence de la couche supérieure à la couche de base. 19. Procédé selon la revendication 17 ou 18, dans 25 lequel la couche intermédiaire est composée de Ta, de TaN, de Ti et/ou de TiN. 20. Procédé selon l'une des revendications 16 à 18, dans lequel la couche supérieure est en cuivre et 30 la couche intermédiaire est en Ta et/ou TaN. 21. Procédé selon l'une des revendications 16 à 18, dans lequel la couche supérieure est en tungstène et la couche intermédiaire est en Ti et/ou TiN. 22. Matériau multicouche poli composé d'un substrat portant une couche de base comportant deux ou 35plusieurs zones en des matériaux différents dont au moins l'un est un composé métallique, susceptible d'être obtenu par le procédé selon l'un des revendications 1 à 21. 23. Matériau multicouche poli selon la revendication 22, dans lequel le matériau de la couche de base qui est un composé métallique représente un métal pur ou un alliage de métaux, et est, en particulier, à base de cuivre, de tungstène, d'aluminium ou d'or, et l'autre matériau est un dérivé d'un métal représentant un oxyde de métal ou un nitrure métallique, et est, en particulier, le dioxyde de silicium, le nitrure de tantale ou le nitrure de titane.