FR 2902927 A1 20071228 FR 0605783 A 20060627 DISPOSITIF ELECTRONIQUE TRIDIMENSIONNEL L'invention porte sur un dispositif électronique tridimensionnel comportant un composant électronique, optoélectronique ou électromécanique pourvu d'une matrice de contacts électriques, ainsi que des moyens électroniques associés audit dispositif. L'invention s'applique en particulier à un capteur d'image modulaire et à un élément modulaire constituant un tel capteur. Le capteur de l'invention est particulièrement adapté à la spectro-imagerie gamma et X, et plus généralement à la détection de rayonnements ionisants et de particules avec résolution en position et en énergie. Un tel capteur peut s'appliquer notamment à l'astronomie X et gamma, à la détection de particules, à la radioprotection, à la détection de matière radioactive et à l'imagerie médicale. Une caméra gamma est essentiellement constituée d'un ensemble de détecteurs élémentaires juxtaposés, formant des pixels, de l'électronique associée et d'un système d'interconnexion vers l'extérieur. Lors de la détection d'un photon X ou gamma, chaque pixel génère une impulsion électrique, dont l'amplitude est indicative de l'énergie déposée par le photon ; l'identification du pixel ayant généré l'impulsion procure la résolution spatiale de l'instrument. Afin d'obtenir simultanément une information de position, d'énergie et de temps d'arrivé du photon avec une résolution temporelle de l'ordre de 10 ns - lps, il est nécessaire que chaque pixel de la caméra soit équipé d'un circuit d'acquisition propre : une lecture collective de type CCD n'est pas possible. Compte tenu de la très faible amplitude des signaux, il est également nécessaire que la distance entre le pixel et le circuit d'acquisition correspondant soit la plus petite possible, de préférence de l'ordre de quelques millimètres pour minimiser le bruit. Un exemple d'un instrument de ce type est fourni par la caméra gamma ISGRI, embarquée sur le satellite européen INTEGRAL, décrite dans l'article ISGRI : the INTEGRAL Soft Gamma-Ray Imager de F. Lebrun et al., Astronomy and Astrophysics, 411, L141-L148 (2003). La caméra ISGRI est constituée de huit modules identiques, dits MDU (Modular Detection Unit). Chacun de ces MDU est un assemblage de 128 2 mini-caméras dites polycells juxtaposées côte à côte en matrice de 8x16, avec des zones mortes extrêmement réduites. Chaque polycell comporte une matrice 4x4 de pixels indépendants en CdTe, montés sur un substrat en céramique ; sur la face arrière du substrat sont montées quatre puces électroniques, chaque puce intégrant les circuits d'acquisition de quatre pixels. De cette manière, les moyens électroniques de traitement des signaux sont entièrement inscrits dans un cylindre droit imaginaire ayant pour base la matrice de pixels. Ainsi, un nombre indéterminé de modules peuvent être juxtaposés côte à côte pour former un plan imageur de forme et dimensions arbitraires. L'inconvénient de cette configuration est que la densité des pixels est limitée par l'encombrement des puces nécessaires à l'acquisition et au traitement des signaux. Typiquement, il n'est pas possible de dépasser une densité de 5 pixels par centimètre carré, sans sacrifier excessivement la complexité, et donc les performances, des circuits d'acquisition. Cette limitation de densité des pixels est acceptable dans un instrument tel qu'ISGRI, qui est destiné à un télescope gamma à masque codé. Un télescope avec focalisation, tel que HEFT de la NASA ou SIMBOL X, proposé par un consortium européen, nécessite une densité bien plus 2.0 élevée. De même, des meilleures résolutions spatiales sont requises pour des applications à l'imagerie médicale et à la détection de matériaux radioactifs. La caméra X développée pour le télescope HEFT précité présente une configuration qui permet d'améliorer la résolution spatiale aux dépens de la surface continue totale du détecteur. Une telle caméra se 2.5 compose : - d'un détecteur semi-conducteur monolithique disposant d'une électrode commune sur sa face supérieure et d'une électrode segmentée sur sa face inférieure, définissant des pixels avec un pas de quelques dizaines de micromètres à quelques centaines de micromètres sur 30 une surface de quelques centimètres carrés ; et - d'un circuit de lecture intégré à bruit ultra bas, dont la surface de la zone active est exactement ajustée au pas du détecteur. Le détecteur est reporté par la technique Flip-Chip directement sur la puce électronique, elle-même disposée sur un substrat qui permet l'interconnexion vers l'extérieur du dispositif. Les limitations de cette configuration sont les suivantes : - Le dispositif n'est pas aboutable sur ses quatre côtes car la puce électronique de lecture, et encore plus le substrat permettant son interconnexion, dépassent nécessairement de la surface de la zone sensible au rayonnement. Cela interdit son utilisation dans des imageurs de largeur supérieure à deux fois celle du détecteur. Seules des barrettes de détecteurs sont possibles. La surface du dispositif est limitée par la taille des détecteurs semi-conducteurs (typiquement, 1 à 2 cm2), - La surface est strictement limitée par la surface de l'unique circuit de lecture (typiquement 1 à 2 cm2), - Le circuit ne peut pas être utilisé pour un autre détecteur avec un pas de pixels différent de celui du circuit lui-même, - La taille du pixel est limitée par la taille de la cellule de lecture et de traitement spectroscopique qui doit impérativement être incluse totalement dans la surface d'un pixel. Dans le cas de pas de pixels extrêmement fin (inférieur à 200 pm), il est impossible d'avoir une chaîne de spectroscopie incluse dans la surface d'un pixel. - Le rendement et la fiabilité sont difficiles à garantir pour des applications massives ou utiles en environnement hostile, par exemple pour des instruments embarqués sur satellite. L'article de K. Kwiatowski et al. 3-D Stacked Electronics Assembly for High-Performance Imaging Detectors décrit un détecteur rapide de protons pour radiographie à haute vitesse. Ce détecteur présente une résolution spatiale élevée (taille des pixels de l'ordre de 200 pm x 200 pm) et une résolution temporelle de l'ordre de 200 ns, mais pas de résolution spectrale. Une résolution temporelle aussi élevée n'est pas compatible avec une lecture collective de type CCD, par conséquent chaque pixel est muni d'un circuit électronique d'acquisition propre. Ce dispositif se compose : - d'un détecteur semi-conducteur monolithique disposant d'une électrode commune sur sa face supérieure et d'une électrode segmentée sur sa face inférieure avec un pas de 200 pm dans les 2 directions. Les dimensions du détecteur sont 16X20 mm2, soit une surface de 3,2 cm2 pour 8000 pixels. - D'un empilement de 50 puces électroniques identiques, chacune comportant 160 circuits de lecture intégrés au pas de 50 pm. Une puce est donc connectée à deux rangées successives de 80 pixels du détecteur. Chaque puce est reportée sur un circuit imprimé flexible en utilisant la technique Chip-on-Flex de General Electric (voir l'article de R. J. Wojnarowski et al. Three Dimensional Hybrid Wafer Scale Integration Using GE High Density Interconnect Technology , IEEE International conference on Wafer-Scale Integration, San Francisco, CA, Jan. 20, 1993). L'assemblage est ensuite encapsulé dans un polymère (Plaskon par exemple) et aminci à 385 pm. L'opération suivante consiste à empiler dans un gabarit 50 de ces assemblages Chip-on-Flex préalablement recouverts d'une couche adhésive de 25 pm. Après collage le gabarit est retiré et les faces supérieure et inférieure du parallélépipède formé sont rectifiées de façon à dégager la section des métallisations connectées aux entrées et sorties des puces. - D'une double couche à haute densité d'interconnexions, déposée sur la face supérieure de l'empilement de puces. Cet élément adapte le pas 50 pm par 400 pm des connexions de la face supérieure du bloc de puces au pas 200 pm par 200 pm de l'électrode segmentée du détecteur. La liaison électrique et mécanique entre le détecteur et le bloc de puces est réalisée par des bosses de polymère conducteur. D'une double couche de même nature que la précédente pour réaliser un ensemble de 750 plots métallisés sur la face inférieure du bloc de puces au pas de 500 pm par 500 pm. Ces plots reliés aux connections de sortie des puces assurent la liaison mécanique et électrique avec un plancher en circuit imprimé par l'intermédiaire de bosses de polymère conducteur. Ce dispositif présente un certain nombre d'inconvénients qui le rendent mal adapté à la spectro-imagerie, ainsi qu'aux applications spatiales. En particulier la présence d'une double couche 5 d'interconnexion à haute densité entre le détecteur de rayonnement et les puces électroniques est susceptible de générer du bruit, ce qui n'est pas acceptable dans des applications spectroscopiques, où des signaux de charge très faibles, de l'ordre du femtocoulomb, doivent être mesurés avec précision. En outre l'utilisation d'une telle couche, nécessaire pour adapter le pas des connexions d'entrée des puces à celui des pixels, rend l'assemblage complexe et introduit des problèmes d'alignement, susceptibles de conduire à un très faible rendement de fabrication. En outre, la densité d'interconnexion sur la face arrière du dispositif est extrêmement élevée, car tous les signaux entrant dans les puces ou en sortant (à l'exception des signaux générés par les pixels du détecteur) doivent passer par cette face, sans aucune mutualisation possible. On arrive à un total de 750 sorties sur une surface d'environ 3,2 cm2, ce qui impose l'utilisation d'une interconnexion par écrasement de boules, incompatible avec les applications spatiales. Par ailleurs, une telle densité d'interconnexion est de nature à constituer un obstacle à la juxtaposition côte à côte sans zones mortes d'un grand nombre de modules. Un but de l'invention est de remédier à au moins certains des inconvénients de l'art antérieur. Un objet de l'invention, permettant d'atteindre ce but, est un 25 dispositif électronique tridimensionnel comprenant : - un composant électronique, optoélectronique ou électromécanique comportant une surface arrière de connexion pourvue d'une matrice de contacts électriques ; et - des moyens électroniques associés audit composant (1) 30 électronique, optoélectronique ou électromécanique ; 6 dans lequel lesdits moyens électroniques comportent une pluralité de cartes électroniques) empilées les unes sur les autres de manière à former un bloc; caractérisé en ce que des éléments conducteurs connectés électriquement auxdites cartes électroniques affleurent d'une surface dite supérieure dudit bloc, formant une matrice de contacts électriques sur ladite surface supérieure qui correspond sensiblement à la matrice de contacts électriques de la surface arrière de connexion du composant ; et en ce que ledit composant est reporté directement sur ladite surface supérieure du bloc et connecté à ladite matrice de contacts électriques. Selon des modes de réalisation particuliers de l'invention : - Lesdites cartes électroniques constituant ledit bloc peuvent être moulées dans une résine diélectrique. - Ledit bloc peut être entièrement inscrit dans un cylindre 15 droit imaginaire ayant pour base ledit composant électronique, optoélectronique ou électromécanique. - Lesdits moyens électroniques peuvent comporter des puces électroniques montées sur des cartes électroniques. - Chacun desdits éléments conducteurs peut comprendre 20 une piste conductrice imprimée sur la carte électronique correspondante, s'étendant d'une connexion de l'une desdites puces jusqu'à un bord de ladite carié électronique. - Chacun desdits éléments conducteurs peut comprendre également une poutre conductrice connectée à ladite piste conductrice 25 imprimée et s'étendant jusqu'à ladite surface supérieure du bloc. - Des plages d'accueil peuvent être définies sur ladite surface supérieure dudit bloc, en correspondance desdits éléments conducteurs affleurants, pour la connexion dudit composant. - Des rainures peuvent être creusées sur ladite surface 30 supérieure dudit bloc entre lesdits contacts électriques. - Ledit composant peut être connecté à ladite matrice de contacts électriques sur la surface supérieure dudit bloc par l'intermédiaire de bosses d'un polymère conducteur. - La distance entre les connexions électriques desdites 5 puces et ladite surface supérieure du bloc peut être inférieure à 7 mm, et de préférence inférieure ou égale à 4 mm. - Le pas de ladite matrice de contacts électriques sur la surface supérieure dudit bloc peut être compris entre 160 pm et 2 mm. Au moins une des surfaces dudit bloc adjacentes à ladite 10 surface supérieure, dites surfaces latérales, peut être métallisée. - Des pistes conductrices peuvent être réalisées sur ladite surface latérale métallisée, lesdites pistes conductrices étant reliées auxdites cartes électroniques pour transporter des signaux communs entre elles. - Lesdites pistes conductrices réalisées sur ladite surface 15 latérale peuvent être reliées auxdites puces électroniques par l'intermédiaire de pistes conductrices imprimées sur lesdites cartes électroniques et affleurant de ladite ou desdites surfaces latérales. - Des connexions de sortie desdites cartes électroniques peuvent être reliées électriquement à une matrice de contacts électriques 20 disposés sur une surface dudit bloc, dite surface inférieure, opposée à ladite surface supérieure, de manière à permettre la connexion dudit élément modulaire à une carte électronique externe. - Des broches de raccordement reliées auxdits contacts électriques peuvent s'étendre à partir de ladite surface inférieure du bloc de 25 manière à permettre la connexion dudit élément modulaire à une carte électronique externe. - Ledit composant peut être un transducteur bidimensionnel. Un cas particulier de dispositif électronique tridimensionnel 30 selon l'invention est un élément modulaire de capteur d'image dans lequel : -ledit transducteur bidimensionnel est un détecteur de rayonnement subdivisé en pixels, chaque pixel étant apte à générer un signal 8 électrique lorsqu'il reçoit une particule ou photon d'un rayonnement incident, lesdits contacts électriques sur ladite surface arrière étant associés auxdits pixels ; - lesdits moyens électroniques sont des moyens de 5 traitement dudit signal électrique, comprenant des circuits d'acquisition associés individuellement à chaque pixel dudit détecteur. Selon des modes de réalisation particuliers dudit élément modulaire de capteur d'image : - Ledit détecteur de rayonnement peut comporter, sur la 1 o périphérie de sa surface arrière de connexion, un anneau de garde connecté électriquement à ladite surface latérale métallisée. - Ledit anneau de garde peut être connecté à des plages d'accueil prévues sur la surface supérieure du bloc, lesdites plages d'accueil étant reliées à ladite surface latérale métallisée. 15 - Chaque pixel du détecteur peut être adapté pour générer un signal indicatif de l'énergie déposée par une particule ou photon d'un rayonnement incident. - Chacun des circuits d'acquisition associés individuellement à chaque pixel dudit détecteur peut comprendre : des 20 moyens de pré-amplification et de filtrage ; un moyen de discrimination, pour identifier un signal électrique associé à la détection d'un particule ou photon, et pour générer un signal de déclenchement lorsqu'un tel signal est identifié ; et un moyen d'enregistrement d'une valeur indicative de l'énergie déposée par la particule ou photon détectée. 25 - Chacune desdites puces peut intégrer : une pluralité desdits circuits d'acquisition ; et une première porte OU logique pour concentrer les signaux de déclenchement générés par une partie ou la totalité desdits circuits d'acquisition en une seule sortie de ladite puce. - L'élément modulaire peut comporter également une 30 deuxième porte OU logique pour concentrer les signaux de déclenchement générés par une partie ou la totalité desdites puces en une seule sortie dudit élément modulaire. La sortie de ladite deuxième porte OU logique peut être connectée à une sortie dudit élément par l'intermédiaire de l'une des pistes conductrices réalisées sur ladite surface latérale métallisée dudit bloc. - Chacune desdites puces peut intégrer également : un premier multiplexeur connecté en entrée auxdits moyens d'enregistrement d'une valeur indicative de l'énergie déposée par la particule ou photon détectée d'une partie ou de la totalité desdits circuits d'acquisition, ledit premier multiplexeur étant adapté pour connecter sélectivement lesdits moyens d'enregistrement à une même sortie de ladite puce en réponse à un signal d'interrogation. -L'élément modulaire peut comporter également un deuxième multiplexeur pour connecter sélectivement les sorties des premiers multiplexeurs desdites puces à une même sortie dudit élément modulaire (EM) en réponse à un signal d'interrogation. - La sortie dudit deuxième multiplexeur peut être connectée à une sortie dudit élément modulaire par l'intermédiaire de l'une des pistes conductrices réalisées sur ladite surface latérale métallisée dudit bloc. - Chacun des circuits d'acquisition associés individuellement à chaque pixel dudit détecteur peut comprendre également des moyens de numérisation du signal indicatif de l'énergie déposée par une particule ou photon d'un rayonnement incident. - Lequel ledit détecteur de rayonnement peut être un détecteur sensible aux photons gamma et X. - Ledit détecteur de rayonnement peut être un détecteur 25 semi-conducteur. - Ledit détecteur de rayonnement peut être un détecteur monolithique présentant, sur sa surface arrière de connexion, une électrode segmentée définissant lesdits pixels. Encore un autre objet de l'invention est un capteur d'image 30 comportant une pluralité de tels éléments modulaires juxtaposés côte à côte sensiblement sans zones mortes. lo D'autres caractéristiques, détails et avantages de l'invention ressortiront à la lecture de la description faite en référence aux dessins annexés donnés à titre d'exemple et qui représentent, respectivement : la figure 1, une vue latérale d'ensemble d'un élément modulaire selon l'invention ; - la figure 2, une vue en coupe de l'élément modulaire de la figure 1 ; - la figure 2B, un détail de la figure 2 ; - la figure 3, une vue par-dessus de l'élément modulaire de 10 la figure 1, duquel a été retiré le détecteur de rayonnement ; - la figure 4, la face inférieure dudit détecteur de rayonnement ; - la figure 5, un schéma fonctionnel d'un circuit d'acquisition associé à un pixel du détecteur de rayonnement ; et 15 - la figure 6, une vue d'ensemble d'un capteur d'image comportant une pluralité d'éléments modulaires du type représenté sur les figures 1 à 4. Dans la description qui suit il sera fait spécifiquement référence à la détection de photons X durs et gamma ; on entend par là des 20 photons dont l'énergie dépasse 1 keV. Il est entendu cependant que l'invention s'applique également à la détection de photons d'énergie inférieure ou de particules massives. Un élément modulaire EM selon l'invention se compose essentiellement de trois parties, identifiables sur la figure 1 : 25 - un détecteur de rayonnement 1 subdivisé en pixels ; - un bloc 2 contenant l'électronique d'acquisition et de traitement des signaux générés par les pixels du détecteur 1 ; et - un système d'interconnexions 3 permettant de monter l'élément sur une carte électronique externe. 30 Le détecteur 1 est constitué soit d'un volume monolithique de matériau détecteur segmenté en détecteurs élémentaires avec une disposition matricielle, soit d'un ensemble de détecteurs élémentaires identiques, juxtaposés en une matrice régulière. Dans les deux cas, il s'agit d'un détecteur semi-conducteur réalisé dans un matériau choisi généralement parmi les suivants : Si, Ge, CdTe, CdZnTe, HgI2, AsGa, Pbl2, TIBr et Diamant. Les matériaux préférés, pour la détection de photons d'énergie supérieure à 10 keV sont CdTe et CdZnTe. Dans le premier cas, généralement préféré et représenté sur les figures 1 et 4, le détecteur est formé d'un cristal semi-conducteur parallélépipédique à base carrée, sensible aux rayons X et gamma. Sur la face 10 présentée aux photons (face d'entrée ou face supérieure), une électrode métallique couvre la totalité du cristal. Cette électrode est appelée électrode commune et sert à appliquer au détecteur le champ électrique externe nécessaire à la migration des charges électriques créées lors de l'interaction des photons X et gamma dans le cristal semi-conducteur. Vu de haut, le dispositif ne présente aucun pixel visible. Sur la face 11 opposée à l'électrode commune, une seconde électrode métallique segmentée 12 est déposée par une technique de masquage photo lithographique par exemple. Le motif de l'électrode définit la matrice de pixels PX. Leur taille et leur forme sont arbitraires ; dans le cas de la figure 4, les pixels PX sont carrés et ont tous les mêmes dimensions. La matrice d'électrodes est entourée d'un anneau de garde AG déposé à la surface du semi-conducteur en même temps que les pixels. Cet anneau de garde AG permet d'évacuer autrement que par les électrodes des pixels le courant continu de fuite de surface généré par la tension de polarisation, qui autrement serait à l'origine d'un bruit dégradant les performances spectroscopiques du détecteur. Les cylindres droits de semi-conducteur situés à la verticale de chaque segment de l'électrode 12 et se terminant à la face supérieure 10, définissent des volumes élémentaires de détection, où pixels PX. Ces volumes de détections peuvent au premier ordre être considérés comme indépendants. L'électrode segmentée 12 est orientée vers l'électronique de lecture décrite plus loin. Ces segments d'électrode forment une matrice régulière de contacts reliés individuellement à un circuit électronique CA d'acquisition et de traitement du signal. Le volume de semi-conducteur non métallisé entre les électrodes pixélisés est sensible : le détecteur n'a pas de zones mortes. Lorsqu'un photon (ou une particule) interagit dans le semi-conducteur, il crée des charges électriques (paires électrons/trous) dont le nombre est proportionnel à l'énergie déposée. Ces charges migrent le long des lignes du champ électrique installé dans le volume de semi-conducteur compris entre l'électrode supérieure et le segment de l'électrode inférieure 12 situé à la verticale du dépôt d'énergie. En migrant dans le cristal, les charges induisent un signal électrique entre les électrodes. La mesure de ce signal donne l'énergie déposée par le photon dans le pixel. L'identification du pixel touché, et donc du circuit électronique d'acquisition actif, permet de reconstruire l'image de la source. Lorsqu'un photon interagit entre deux pixels, les charges créées migrent vers les pixels adjacents situés à la verticale du lieu d'interaction. La charge totale est partagée et lue sur deux pixels indépendants en coïncidence temporelle. II est alors possible de retrouver l'énergie totale déposée en sommant la réponse de deux pixels ou plus. Le barycentrage de la réponse des pixels concernés permet de reconstruire le lieu d'interaction. Dans ce type de dispositif, la géométrie est particulièrement favorable à la très haute résolution spectrale : Le courant de fuite totale du détecteur est partagé entre les 25 pixels sachant que le courant dans le volume est plus faible que le courant de surface capté par l'anneau de garde AG. La capacité de chaque pixel est très faible par construction et est au maximum la capacité totale divisée par le nombre de pixels. Lorsque la surface du pixel PX est petite devant l'épaisseur 3 0 du cristal, le signal induit sur les électrodes présente un front de montée rapide. 13 L'ensemble de ces paramètres limite le bruit dans chaque chaîne de lecture et permet d'atteindre des performances spectrales optimales. Comme cela apparaîtra plus clairement par la suite, l'encombrement des circuits électroniques d'acquisition fixe une limite inférieure à la taille des pixels PX. Une valeur typique est de 500 pm de côté, correspondant à une densité de 4 pixels/mm2, mais il est possible d'atteindre des densités encore plus élevées, jusqu'à environ 40 pixels/mm2 (ce qui correspond à un pas d'environ 160 pm), ou inversement descendre jusqu'à une densité de 25 pixels/cm2 (pas de 2 mm) ou moins. Le détecteur 1 représenté sur les figures présente une matrice 8x8 de pixels. Ce nombre peut être sensiblement augmenté, par exemple il est possible de fabriquer des détecteurs monolithiques à 256 pixels (matrice 16x16) ayant une surface de l'ordre de 64 à 100 mm2 environ, la valeur exacte dépendant de la largeur de l'anneau de garde AG et de l'espace inter pixel choisi. Pour une densité donnée, le nombre maximal de pixels d'un élément modulaire monolithique dépend de la surface maximale des cristaux semi-conducteurs qui peuvent être obtenus avec une qualité et un rendement acceptables. A l'état actuel de la technique, pour des cristaux de CdTe cette surface est de l'ordre de 4 cm2. Dans le dispositif représenté sur la figure 4, l'anneau de garde AG présente une largeur égale à celle d'un pixel, ce qui implique l'existence d'une zone morte à la périphérie de l'élément modulaire EM. En pratique, il est préférable d'utiliser un anneau de garde beaucoup plus étroit, typiquement de quelques dizaines de micromètres de largeur, pour limiter la zone morte effective à moins de 1 ou 2 % de la surface sensible totale du détecteur. Par ailleurs, il est possible d'éviter totalement la zone morte en choisissant un potentiel de polarisation de l'anneau de garde différent de celui des pixels. Ce faisant, un photon qui interagirait à la verticale de l'anneau de garde induirait un signal non nul sur les pixels adjacents. Comme cela a été expliqué plus haut, le bloc 2 contenant la totalité des circuits électroniques d'acquisition et de traitement des signaux générés par le détecteur 1 doit être entièrement inscrit dans un cylindre droit imaginaire ayant pour base ledit détecteur 1, de telle sorte qu'une pluralité d'éléments modulaires puissent être juxtaposés côte à côte sensiblement sans zones mortes, autres que celles éventuellement dues aux anneaux de garde. Le bloc 2 est constitué par une pluralité de cartes électroniques 201, 202, 203, 204, de préférence des mini-circuits imprimés multicouche de forme rectangulaire, sur lesquels sont rapportés des circuits intégrés 210, ou puces, spécifiques à l'application envisagée (ASIC en anglais). La figure 2 montre quatre de ces substrats, chacun relié à deux rangées de huit pixels chacune. Pour des raisons de clarté de la. figure, les substrats 201 - 204 apparaissent espacés les uns des autres ; en réalité un agencement plus compact est préféré afin de pouvoir optimiser la résolution spatiale du capteur. Chaque puce 210 intègre plusieurs circuits d'acquisition, seize dans l'exemple spécifique décrit ici, dont les entrées sont orientées vers un même côté, dit supérieur, du substrat diélectrique. Les mini-circuits imprimés 201 - 204 sont tous identiques et permettent notamment : - De polariser et alimenter les puces 210. Les signaux communs aux puces (alimentations, réglages, ...) sont routés sur les cotés latéraux, adjacents audit côté supérieur, des mini circuits imprimés et ramenés sur les bords par des pistes de conducteurs, - De router les signaux vers l'interface 3 avec le système d'acquisitionsur des pistes de conducteurs ramenées vers le coté opposé aux entrées, dit côté inférieur, et disposées parallèlement les unes aux autres - De router les entrées des puces 210 vers les pixels PX du détecteur 1 en s'adaptant au pas desdits pixels. Les entrées des puces 210 sont ramenées sur le bord supérieur du circuit imprimés 201 - 204 par des pistes de conducteurs 211 disposées parallèlement les unes aux autres, au pas des pixels. De ce fait, les puces 210 ne sont pas limitées à une géométrie donnée du détecteur 1, mais peuvent s'adapter à plusieurs pas de détecteurs. Les pistes de conducteurs 211 imprimées sur les cartes électroniques arrivent jusqu'au bord dudit substrat, où elles sont reliées à des poutres suspendues 212 destinées à réaliser la connexion avec les pixels PX. L'utilisation de poutres suspendues 212 permet, en particulier, de connecter deux rangées de pixels ou plus à une même puce. En effet, les pistes conductrices 211 permettent d'adapter le pas des sorties de la puce 210 à celui des pixels uniquement dans une direction parallèle au plan du substrat 201 - 204 ; les poutres 211 assurent l'adaptation du pas dans une direction perpendiculaire. L'utilisation de matériaux à faibles pertes diélectriques et ohmiques est recommandée pour la fabrication des substrats 201 - 204 afin de réduire les sources de bruits dûes aux capacités et aux résistances de fuite entre les connexions reliant les pixels aux entrées de la puce 210. Les cartes électroniques 201 - 204 sur lesquelles sont rapportées les puces 210 sont empilés les uns sur les autres et maintenus mécaniquement solidaires dans une résine diélectrique selon un procédé d'empilement de circuits développé par la société 3DPlus et décrit en particulier dans les documents suivants : FR 2 670 323 ; FR 2 805 082 et FR 2 812 453. Cette résine doit présenter une température de polymérisation compatible avec les températures maximales admissibles par les composants qui y sont enrobés, être étanche à l'humidité, présenter une bonne adhérence aux dépôts de métaux utilisés pour les interconnexions et un coefficient de dilatation thermique compatible avec celui du détecteur, avoir une très faible radioactivité et présenter des faibles pertes diélectriques et ohmiques L'ensemble moulé est découpé aux cotes du senseur dans un plan, et à la longueur requise par les circuits. L'ensemble moulé et découpé constitue le substrat sur lequel le détecteur 1 va être connecté directement, par exemple à l'aide de bosses 4 d'un polymère conducteur tel qu'une résine époxy chargée de particules d'argent. Sur la face supérieure 20 du bloc 2 apparaît, après découpe, une matrice de points de contacts 215 au pas des pixels (voir figure 3). Ces points sont constitués par la section affleurantes des poutres conductrices 212 suspendues connectées aux pistes des circuits imprimés, auxquelles 16 sont reliées les entrées des puces 210. Ensemble, poutres suspendues 212 et pistes imprimées 211 constituent des éléments conducteurs reliant les pixels PX du détecteur 1 aux puces 210 intégrant les circuits d'acquisition des signaux. Afin de minimiser le bruit, les interférences et les distorsions du signal, il est nécessaire que la distance entre les connexions électriques des puces et la surface supérieure 20 du bloc 2 soit la plus petite possible, par exemple inférieure à 7 mm, et de préférence inférieure ou égale à 4 mm. On observe que les poutres suspendues 212 sont en fait noyées dans la résine, ce qui leur donne une stabilité structurelle suffisante. Avantageusement, des plages d'accueil métallisées 216 sont définies sur la surface supérieure 20 du bloc 2, en correspondance desdits points de contact 215. Cela permet de faciliter la connexion et de remédier à des défauts d'alignement des poutres suspendues 212. Cette configuration, prévoyant une connexion directe entre la surface supérieure du bloc et le détecteur, est nettement préférable, du point de vue du bruit et de la facilité d'assemblage, à la configuration décrite dans l'article précité de R. J. Wojnarowski et al., prévoyant une couche intermédiaire d'interconnexion. Le niveau de bruit peut être encore réduit en creusant des rainures 250 entre les contacts électriques de la face supérieure, car de cette manière on enlève du diélectrique, qui constitue une source de bruit. Par ailleurs ces rainures 250 piègent des atomes métalliques diffusant sur la surface 20 à partir des plages d'accueil 216, qui autrement pourraient provoquer des courts-circuits. Les connexions entre le substrat 201, la puce 210 et la surface supérieure 20 du bloc 2 sont mieux visibles sur la figure 2B. La face supérieure du bloc 20 présente également des connexions 220 pour l'anneau de garde AG. On rappelle ici que dans une variante préférée de l'invention, ledit anneau de garde est sensiblement plus étroit de celui qui est représenté sur la figure 4, et occupe une surface obtenue en réduisant légèrement l'aire des segments périphériques de l'électrode 12. Dans ce cas, les contacts 220 sur la face supérieure 20 du bloc 2 doivent être eux aussi beaucoup plus petits de ce qui est représenté sur la 17 figure 3, et ne pas dépasser (ou dépasser de très peu) du contour défini par les plages d'accueil 216. Les liaisons électriques entre le système d'interconnexion 3 et les puces 210 se fait par des routages sur les circuits imprimés 201 - 204 jusqu'à leur bord inférieur. De la même manière qu'au niveau de la face supérieure 20 et avant l'opération de moulage décrite pour le bloc 2, un ensemble de poutres suspendues y est connecté. La liaison mécanique et électrique entre le système d'interconnexion 3 et le bloc 2 se fait directement avec le même procédé que celui mis en oeuvre pour la liaison entre le bloc 2 et le détecteur si les pas des poutres suspendues et celui du système d'interconnexion 3 sont identiques. Sinon, cette liaison mécanique et électrique est faite avec un circuit imprimé intermédiaire qui assure l'adaptation de pas entre le bloc 2 et le système d'interconnexion 3. Une seconde opération de moulage renforce la liaison mécanique entre le bloc 2 et le système d'interconnexion 3. Deux des faces latérales du bloc 2, indiquées par les chiffres de référence 22 et 24, laissent apparaître des matrices de points de contacts 27 formés par les pistes conductrices imprimées sur les cartes électroniques 201 - 204 portant les signaux communs aux puces (alimentations, réglages, temporisations, ...). Lesdites faces latérales 22 et 24 sont métallisées en or, ensuite des pistes conductrices 28 sont définies par gravure laser, de manière à relier de manière opportune lesdits points de contacts. Ces pistes se raccordent au système d'interconnexion 3 au niveau de la surface inférieure 21 du bloc. La mutualisation des signaux communs aux différentes puces électroniques, rendue possible par l'utilisation des surfaces latérales 22 et 24 pour réaliser des interconnexions, permet une réduction sensible du nombre de signaux qui doivent passer par la surface inférieure 21, et par conséquent de la densité du système d'interconnexion 3. Cela rend possible, par exemple, l'utilisation d'un réseau de broches de connexion au lieu d'une matrice de billes de soudure : cela est essentiel, par exemple, pour les applications spatiales. En outre, comme cela a été discuté plus haut, une densité de connexions sur la surface inférieure 21 trop élevée pourrait compromettre la possibilité de joindre côte à côte sans zones mortes un nombre arbitraire d'éléments modulaires, en raison de l'excessive complexité du routage qui serait requis sur une carte électronique externe destinée à recevoir de tels éléments modulaires. L'anneau de garde AG peut être connecté à une tension de référence (par exemple la masse) par l'intermédiaire des faces latérales précitées 22 et 24, mais aussi des deux faces latérales restantes 23 et 25, qui peuvent être également métallisées à cet effet. La métallisation de toutes les surfaces latérales du bloc 2 est également avantageuse car elle protége les circuits électroniques des interférences électromagnétiques par un effet de cage de Faraday. Une réduction ultérieure du nombre d'interconnexions sur la face inférieure 21 du bloc 2 peut être obtenue grâce à une architecture adaptée des circuits d'acquisition et traitement CA intégrés dans les puces 210. Cette architecture sera décrite ci-après en référence à la figure 5. Un circuit d'acquisition CA associé à un pixel PX du détecteur 1 comprend un pre-amplificateur ayant un niveau de bruit très faible qui convertit le signal de charge provenant du détecteur, de l'ordre des fC (femtocoulombs) en un signal de tension de l'ordre de quelques mV, qui est ensuite mis en forme par un filtre F. A la sortie du filtre F on trouve une impulsion de tension dont l'amplitude est proportionnelle à l'énergie déposée par le photon incident à l'origine du signal. Un détecteur de pic PD détecte cette amplitude, qui est stockée dans une mémoire analogique AM, connectée à l'entrée d'un multiplexeur MUX commun à tous les circuits CA situés sur une même puce, par exemple la puce 210. En même temps, l'impulsion de sortie du filtre F est envoyée à un comparateur COMP qui compare son amplitude à une tension de référence Vref. Si l'amplitude de l'impulsion dépasse cette tension de référence, ce qui signifie qu'un photon a effectivement été détecté, un circuit approprié TR génère un signal de déclenchement qui sort du circuit CA. Tous les signaux de déclenchement générés par les circuits d'acquisition d'une même puce sont connectés aux entrées d'une première porte OU logique, OU-1, de manière à concentrer ou mutualiser le signal de déclenchement au niveau de la puce. Ensuite, les sorties de toutes les premières portes OU logique des différentes puces d'un même élément modulaire sont connectées aux entrées d'une deuxième porte OU logique OU-2, de manière à mutualiser le signal de déclenchement au niveau de l'élément modulaire. Ainsi, une unique connexion de sortie transporte un signal de déclenchement commun à tout un élément modulaire. Ce signal de déclenchement est reçu par un système électronique de supervision, qui réagit en envoyant un signal de gel à l'élément modulaire à l'origine du signal de déclenchement (qui a donc détecté un photon). Suite à la réception du signal de gel, l'élément modulaire est temporairement aveuglé et ne peut plus détecter de photons pendant un intervalle de temps de l'ordre de quelques microsecondes. Pendant ce temps, le système électronique de supervision envoie des signaux de lecture aux multiplexeurs MUX des différentes puces de l'élément modulaire gelé . Suite à la réception d'un signal de lecture, chaque multiplexeur connecte à une sortie de la puce les différentes mémoires analogiques, y comprise celle qui a effectivement enregistré l'énergie du photon détecté. Un signal indicatif de cette valeur d'énergie est donc transmis au système électronique de supervision par l'intermédiaire du système d'interconnexion 3. Ledit système électronique de supervision sait de quel circuit CA provient le signal qui lui est transmis, de cette manière l'information de position du photon incident n'est pas perdue. De cette manière, un élément modulaire comportant N puces, chacune associée à m pixels, doit disposer de N interconnexions de sortie pour les signaux de mesure d'énergie et 1 interconnexion pour le signal de déclenchement. Cela doit être comparé aux 2xMxN connexions qui seraient nécessaires, en l'absence de multiplexage, pour transférer à l'extérieur de l'élément modulaire EM, un signal de déclenchement et un signal de mesure pour chaque pixel du détecteur. A cela il faut ajouter les interconnexions nécessaires au transport des alimentations et des autres signaux communs à toutes les puces. Conformément à l'invention, le nombre de ces interconnexions est divisé par N grâce à l'utilisation des surfaces latérales 22, 24 pour la mutualisation de ces signaux. II serait avantageux de pouvoir multiplexer les signaux de mesure d'énergie au niveau de l'élément modulaire, et non seulement au niveau de la puce, par un deuxième multiplexeur. Cependant, cela est déconseillé dans un système analogique car ces signaux de mesure d'énergie sont extrêmement sensibles au bruit. Le multiplexage au niveau de l'élément modulaire des signaux de mesure d'énergie est par contre intéressant si lesdits signaux sont numérisés à l'intérieur de la puce, par exemple avant leur enregistrement. Sur la figure 5, un moyen de numérisation AD et un deuxième multiplexeur MUX-2 représenté en trait pointillé ; il est entendu que dans cette variante de l'invention, AM est une mémoire numérique. La figure 6 montre un capteur d'image D de forme carrée comportant 64 éléments modulaires EM-1 à EM-64, également de forme carrée, juxtaposés côte à côte et montés sur une même carte électronique externe (non représentée) par l'intermédiaire du système d'interconnexion 3. On comprend qu'il n'est pas nécessaire que les éléments EM soient carrés : ils pourraient être rectangulaires, hexagonaux, en forme de losange ou de parallélogramme, etc. Seulement, si l'on souhaite pouvoir réaliser un capteur D de forme arbitraire à partir d'éléments modulaires EM identiques il est nécessaire que ces derniers présentent une forme permettant de paver le plan. On comprend que de nombreuses autres variantes sont 25 possibles sans sortir du cadre de la présente invention. Par exemple, le détecteur 1 peut ne pas être monolithique, mais être constitué par une pluralité de détecteurs individuels, chacun correspondant à un pixel. En particulier lorsque une puce 210 doit être connectée 30 uniquement aux pixels d'une même rangée, les poutres suspendues 212 peuvent être omises : dans ce cas, les points d'interconnexion sur la face supérieure du bloc sont formés par les pistes conductrices 211 des cartes électroniques, sectionnées lors de l'opération de découpe. La tension de polarisation de l'électrode supérieure 11 peut être amenée par une fine grille conductrice superposée au capteur d'image. En variante, elle peut être amenée par les surfaces latérales métallisées du bloc 2 jusqu'à sa face supérieure 20 ; de là, elle peut être amenée jusqu'à l'électrode 11 par un fil conducteur, un petit évidement ou méplat du détecteur 1 étant aménagé pour permettre le passage de ce fil. Dans un assemblage tridimensionnel de circuits électroniques comme le bloc 2, la dissipation de la chaleur peut s'avérer problématique. La réduction du nombre de broches d'interconnexion sur la surface inférieure du bloc 2, obtenue par les techniques de mutualisation et multiplexage des signaux décrites ci-dessus, permet de libérer un espace au centre de ladite surface pour y installer une tige conductrice, accomplissant simultanément un rôle de drainage de la chaleur et d'élément de fixation. L'invention a été décrite en référence à un mode de réalisation particulier, dans lequel elle a été appliquée à un capteur d'image. Cependant, la portée de l'invention est considérablement plus large. Le capteur d'image pixélisé peut être remplacé par tout autre capteur bidimensionnel, par exemple un capteur bidimensionnel de pression, ou plus généralement par un transducteur bidimensionnel, tel qu'une puce portant un réseau d'éléments micro-électro-mécaniques. Encore plus généralement, ce capteur peut être remplacé par tout composant électronique, optoélectronique ou électromécanique comprenant une surface arrière de connexion pourvue d'une matrice de contacts électriques, et devant être interfacé à une électronique de traitement complexe. Quel que soit le contexte auquel elle est appliquée, l'invention permet de satisfaire à des contraintes d'encombrement latéral de ladite électronique de traitement. REVENDICATIONS 1. Dispositif électronique tridimensionnel comprenant : un composant (1) électronique, optoélectronique ou électromécanique comportant une surface arrière de connexion pourvue 5 d'une matrice de contacts électriques ; et - des moyens électroniques (201, 202, 203, 204, 210) associés audit composant (1) électronique, optoélectronique ou électromécanique ; dans lequel lesdits moyens électroniques comportent une 10 pluralité de cartes électroniques (201, 202, 203, 204) empilées les unes sur les autres de manière à former un bloc (2) ; caractérisé en ce que des éléments conducteurs (211, 212) connectés électriquement auxdites cartes électroniques (201, 202, 203, 204) affleurent d'une surface dite supérieure (20) dudit bloc (2), formant une 15 matrice de contacts électriques (215) sur ladite surface supérieure qui correspond sensiblement à la matrice de contacts électriques (12) de la surface arrière de connexion du composant (1) et en ce que ledit composant (1) est reporté directement sur ladite surface 20 supérieure du bloc (2) et connecté à ladite matrice de contacts électriques (215). 2. Dispositif électronique selon la revendication 1, dans lequel lesdites cartes électroniques (201, 202, 203, 204) constituant ledit bloc (2) sont moulées dans une résine diélectrique. 25 3. Dispositif électronique selon la revendication 1 ou 2, dans lequel ledit bloc (2) est entièrement inscrit dans un cylindre droit imaginaire ayant pour base ledit composant (1) électronique, optoélectronique ou électromécanique. 4. Dispositif électronique selon l'une des revendications 30 précédentes dans lequel lesdits moyens électroniques comportent des puces électroniques (210) montées sur des cartes électroniques (201, 202, 203, 204). 5. Dispositif électronique tridimensionnel selon la revendication 4 dans lequel chacun desdits éléments conducteurs (211, 212) comprend une piste conductrice (211) imprimée sur la carte électronique (201, 202, 203, 204) correspondante, s'étendant d'une connexion de l'une desdites puces (210) jusqu'à un bord de ladite carte électronique. 6. Dispositif électronique tridimensionnel selon la revendication 5 dans lequel chacun desdits éléments conducteurs comprend également une poutre conductrice (212) connectée à ladite piste conductrice imprimée (211) et s'étendant jusqu'à ladite surface supérieure (20) du bloc (2). 7. Dispositif électronique tridimensionnel selon l'une des revendications précédentes dans lequel des plages d'accueil (216) sont définies sur ladite surface supérieure (20) dudit bloc (2), en correspondance desdits éléments conducteurs (212) affleurants, pour la connexion dudit composant (1). 8. Dispositif électronique tridimensionnel selon l'une des revendications précédentes dans lequel des rainures (250) sont creusées sur ladite surface supérieure (20) dudit bloc (2) entre lesdits contacts électriques (215). 9. Dispositif électronique tridimensionnel selon l'une des revendications précédentes dans lequel ledit composant (1) est connecté à ladite matrice de contacts électriques (215) sur la surface supérieure (20) dudit bloc (2) par l'intermédiaire de bosses (4) d'un polymère conducteur. 10. Dispositif électronique tridimensionnel selon la revendication 4 ou l'une des revendications 5 à 9 lorsqu'elle dépend de la revendication 4 dans lequel la distance entre les connexions électriques desdites puces (210) et ladite surface supérieure (20) du bloc (2) est inférieure à 7 mm, et de préférence inférieure ou égale à 4 mm. 11. Dispositif électronique tridimensionnel selon l'une des revendications précédentes dans lequel le pas de ladite matrice de contacts électriques (215) sur la surface supérieure (20) dudit bloc (2) est compris entre 160 pm et 2 mm. 12. Dispositif électronique tridimensionnel selon l'une des revendications précédentes dans lequel au moins une des surfaces (22, 23, 24, 25) dudit bloc (2) adjacentes à ladite surface supérieure (20), dites surfaces latérales, est métallisée. 13. Dispositif électronique tridimensionnel selon la revendication 12 dans lequel des pistes conductrices sont réalisées sur ladite surface latérale métallisée (22, 23, 24, 25), lesdites pistes conductrices étant reliées auxdites cartes électroniques (201, 202, 203, 204) pour transporter des signaux communs entre elles. 14. Dispositif électronique tridimensionnel selon la revendication 13 lorsqu'elle dépend de la revendication 4, dans lequel lesdites pistes conductrices réalisées sur ladite surface latérale (22, 23, 24, 25) sont reliées auxdites puces électroniques (210) par l'intermédiaire de pistes conductrices imprimées sur lesdites cartes électroniques (201, 202, 203, 204) et affleurant de ladite ou desdites surfaces latérales (22, 23, 24, 25). 15. Dispositif électronique tridimensionnel selon l'une des revendications précédentes, dans lequel des connexions de sortie desdites cartes électroniques (201, 202, 203, 204) sont reliées électriquement à une matrice de contacts électriques disposés sur une surface (21) dudit bloc (2), dite surface inférieure, opposée à ladite surface supérieure (20), de manière à permettre la connexion dudit dispositif électronique tridimensionnel à une carte électronique externe. 16. Dispositif électronique tridimensionnel selon la revendication 15, dans lequel des broches (3) de raccordement reliées auxdits contacts électriques s'étendent à partir de ladite surface inférieure (21) du bloc (2) de manière à permettre la connexion dudit dispositif électronique tridimensionnel à une carte électronique externe. 17. Dispositif électronique tridimensionnel selon l'une des revendications précédentes, dans lequel ledit composant (1) est un transducteur bidimensionnel. 18. Elément modulaire (EM) de capteur d'image constitué par un dispositif électronique selon la revendication 17 dans lequel : - ledit transducteur bidimensionnel est un détecteur (1) de rayonnement subdivisé en pixels (PX), chaque pixel étant apte à générer un signal électrique lorsqu'il reçoit une particule ou photon d'un rayonnement incident, lesdits contacts électriques sur ladite surface arrière étant associés auxdits pixels (PX) ; - lesdits moyens électroniques sont des moyens de traitement dudit signal électrique, comprenant des circuits d'acquisition (CA) associés individuellement à chaque pixel dudit détecteur (1). 19. Élément modulaire (EM) de capteur d'image selon la revendication 18 lorsqu'elle dépend de la revendication 12, dans lequel ledit détecteur (1) de rayonnement comporte, sur la périphérie de sa surface arrière de connexion. un anneau de garde (AG) connecté électriquement à ladite surface latérale métallisée (22, 23, 24, 25). 20. Élément modulaire (EM) de capteur d'image selon la revendication 19, dans lequel ledit anneau de garde (AG) est connecté à des plages d'accueil (220) prévues sur la surface supérieure (20) du bloc (2), lesdites plages d'accueil (220) étant reliées à ladite surface latérale métallisée (22, 23, 24, 25). 21. Élément modulaire (EM) de capteur d'image selon l'une des revendications 18 à 20, dans lequel chaque pixel du détecteur (1) est adapté pour générer un signal indicatif de l'énergie déposée par une particule ou photon d'un rayonnement incident. 22. Élément modulaire (EM) de capteur d'image selon la revendication 21, dans lequel chacun des circuits d'acquisition (CA) associés individuellement à chaque pixel dudit détecteur (1) comprend : - des moyens de pré-amplification (PRE-A) et de filtrage (F) ; un moyen de discrimination (COMP), pour identifier un signal électrique associé à la détection d'un particule ou photon, et pour générer un signal de déclenchement lorsqu'un tel signal est identifié ; et 30- un moyen d'enregistrement (AM) d'une valeur indicative de l'énergie déposée par la particule ou photon détectée. 23. Élément modulaire (EM) de capteur d'image selon la revendication 22 lorsqu'elle dépend de la revendication 4, dans lequel 5 chacune desdites puces (210) intègre : une pluralité desdits circuits d'acquisition (CA) ; et - une première porte OU logique (OU-1) pour concentrer les signaux de déclenchement générés par une partie ou la totalité desdits circuits d'acquisition (CA) en une seule sortie de ladite puce (210). 10 24. Élément modulaire (EM) de capteur d'image selon la revendication 23, comportant également une deuxième porte OU logique (OU-2) pour concentrer les signaux de déclenchement générés par une partie ou la totalité desdits puces (210) en une seule sortie dudit élément modulaire (EM). 25. Élément modulaire (EM) de capteur d'image selon la revendication 24 lorsqu'elle dépend de la revendication 13 dans lequel la sortie de ladite deuxième porte OU logique (OU-2) est connectée à une sortie dudit élément modulaire (EM) par l'intermédiaire de l'une des pistes conductrices réalisées sur ladite surface latérale métallisée dudit bloc (2). 26. Élément modulaire (EM) de capteur d'image selon l'une des revendications 22 à 25, lorsqu'elle dépend de la revendication 4, dans lequel chacune desdites puces (210) intègre également : - un premier multiplexeur (MUX) connecté en entrée auxdits moyens d'enregistrement (AM) d'une valeur indicative de l'énergie 25 déposée par la particule ou photon détectée d'une partie ou de la totalité desdits circuits d'acquisition (CA), ledit premier multiplexeur (MUX) étant adapté pour connecter sélectivement lesdits moyens d'enregistrement (AM) à une même sortie de ladite puce (210) en réponse à un signal d'interrogation. 30 27. Élément modulaire (EM) de capteur d'image selon la revendication 26, comportant également un deuxième multiplexeur (MUX-2) pour connecter sélectivement les sorties des premiers multiplexeurs (MUX) 15 20desdites puces (210) à une même sortie dudit élément modulaire (EM) en réponse à un signal d'interrogation. 28. Élément modulaire (EM) de capteur d'image selon la revendication 27 lorsqu'elle dépend de la revendication 13, dans lequel la sortie dudit deuxième multiplexeur (MUX-2) est connectée à une sortie dudit élément modulaire (EM) par l'intermédiaire de l'une des pistes conductrices réalisées sur ladite surface latérale métallisée (22, 23, 24, 25) dudit bloc (2). 29 Élément modulaire (EM) de capteur d'image selon l'une des revendications 22 à 28, dans lequel chacun des circuits d'acquisition (CA) associés individuellement à chaque pixel (PX) dudit détecteur (1) comprend également des moyens de numérisation (AD) du signal indicatif de l'énergie déposée par une particule ou photon d'un rayonnement incident. 30. Élément modulaire (EM) de capteur d'image selon l'une des revendications 18 à 29, dans lequel ledit détecteur (1) de rayonnement est un détecteur (1) sensible aux photons gamma et X. 31 Élément modulaire (EM) de capteur d'image selon la revendication 30, dans lequel ledit détecteur (1) de rayonnement est un détecteur (1) semi-conducteur. 32. Élément modulaire (EM) de capteur d'image selon la revendication 30 ou 31 dans lequel ledit détecteur (1) de rayonnement est un détecteur (1) monolithique présentant, sur sa surface arrière de connexion, une électrode segmentée (12) définissant lesdits pixels (PX). 33. Capteur d'image (D) comportant une pluralité d'éléments modulaires (EM-1, EM-64) selon l'une des revendications 18 à 32 juxtaposés 25 côte à côte sensiblement sans zones mortes.