FR 2906404 A1 20080328 FR 0653884 A 20060921 1 PROCEDE DE METALLISATION DE CELLULES PHOTOVOLTAIQUES À MULTIPLES RECUITS DESCRIPTION DOMAINE TECHNIQUE ET ART ANTÉRIEUR L'invention concerne le domaine des cellules photovoltaïques et plus particulièrement un procédé de métallisation de cellules photovoltaïques. Un procédé standard utilisé pour la production industrielle d'une cellule photovoltaïque 20 à base de silicium cristallin (monocristallin ou multicristallin) de type P ou N est représenté sur les figures 1A à 1E. Un substrat 2 de type N ou P subi tout d'abord une texturation de ses surfaces par l'utilisation d'une solution d'hydroxyde de potassium, permettant de réduire la réflectivité de ces surfaces et ainsi d'obtenir un meilleur confinement optique des faisceaux entrants dans le substrat 2. Une couche 4 de type N+ est formée dans le substrat 2 par diffusion de phosphore au niveau de toutes les faces du substrat 2 (figure 1A). Une couche antireflet 6 de nitrure de silicium riche en hydrogène (SiN ù H) est ensuite déposée sur la couche N+ 4 par dépôt chimique en phase vapeur assisté par plasma (PECVD), comme représenté sur la figure 1B, formant une face avant 8 de la cellule photovoltaïque 20. Des métallisations en argent 10 et en aluminium 12 sont formées par sérigraphie respectivement sur la face avant 8 et sur la face arrière du substrat 2 (figure 1C). Enfin, ces métallisations 10, 12 subissent un recuit dans un four 2906404 2 à passage infrarouge, formant des contacts 14 entre les métallisations avant 10 et la couche N+ 4, ainsi qu'une couche 16 à base d'un alliage d'aluminium et de silicium, et une couche 18 de type P+ dans le substrat 5 2, venant remplacer une partie de la couche N+ 4 sous la métallisation arrière 12. Enfin, comme représenté sur la figure 1E, on supprime les portions de la couche N+ 4 reliant la couche 18 aux contacts 14, c'est-à-dire reliant 10 électriquement les métallisations 10 de la face avant à la couche de métallisation 12 de la face arrière. Sur la figure 1E, tous les éléments de la cellule photovoltaïque 20 se trouvant du côté extérieur des plans AA et BB sont supprimés, par exemple par laser, 15 plasma, enrobage ou tout autre moyen de gravure. Dans le cas d'un substrat 2 de type P, la partie de la couche N+ 4 restante et le substrat 2 forment la jonction PN de la cellule photovoltaïque 20. La couche P+ 18 permet la passivation de la face 20 arrière du substrat 2 par un effet de champ arrière (BSF) repoussant des porteurs minoritaires, ici des électrons, dans le substrat 2. Dans le cas d'un substrat 2 de type N, c'est la couche P+ 18 et le substrat 2 qui forment la jonction PN de la cellule 25 photovoltaïque 20, et la couche N+ 4 réalise la passivation de la face avant du substrat 2 par un effet de champ avant (FSF) repoussant des porteurs minoritaires, ici des trous, dans le substrat 2, la couche antireflet 6 contribuant également à cette 30 passivation. Le document N-type multicrystalline silicon for solar cells de S. Martinuzzi et al, 20th 2906404 3 EPSEC, 2005, Barcelone, pages 631 à 634, décrit une telle cellule photovoltaïque, la température de recuit décrite étant comprise entre 850 C et 900 C. Lors du recuit, de l'hydrogène migre sous 5 forme d'ions à partir de la couche antireflet 6 riche en hydrogène sur quelques micromètres avant de former de l'hydrogène moléculaire HZ dont la diffusion est limitée dans le silicium du substrat 2 et qui n'a pas la propriété, comme les ions hydrogène, de passiver les 10 défauts cristallographiques et les impuretés. Or, lors de la formation de la couche en alliage 16, des lacunes migrent dans le substrat 2 et permettent la dissociation des molécules H2, permettant aux ions hydrogène de diffuser beaucoup plus profondément dans 15 le substrat 2, améliorant la durée de vie des porteurs dans le substrat 2 et donc, améliorant également le rendement de conversion de la cellule photovoltaïque 20. De plus, cette couche en alliage 16 permet d'améliorer la qualité du silicium du substrat 2 par 20 effet getter en piégeant les impuretés par un mécanisme de ségrégation. Ce phénomène d'hydrogénation lors du recuit est décrit dans le document Hydrogen passivation of defects in multicrystalline silicon solar cells de S. Martinuzzi et al, Solar Energy 25 Materials & Solar Cells, vol. 80, pages 343 à 353, 2003. La diffusion de l'hydrogène dans le substrat 2 est particulièrement efficace lorsque les densités de défauts cristallographiques étendus, tels 30 que des dislocations ou des joints de macle, sont importantes. La passivation par l'hydrogène est très 2906404 4 utile lorsque les concentrations d'impuretés, principalement métalliques, sont importantes, par exemple dans les matériaux élaborés à partir de charges de mauvaise qualité (charges de silicium 5 métallurgique), ou les matériaux riches en dislocations comme ceux issus de coulées continues électromagnétiques ou de tirages en ruban. Le document Ribbon Si solar cells with efficiencies over 18 % by hydrogenation of defects , 10 de D.S. Kim et al., Solar Energy Materials & Solar Cells, vol. 90, pages 1227 à 1240, 2006, décrit un recuit de la face arrière d'une cellule photovoltaïque à une température comprise entre 700 C et 800 C dans un four de type RTP (rapid thermal 15 processing en anglais, ou à traitement thermique rapide). Dans l'exemple décrit, les métallisations en face avant sont réalisées par photolithographie et gravure d'une couche antireflet, et évaporation de titane, palladium et argent. La cellule obtenue offre 20 un rendement légèrement supérieur à 18% avec un substrat multicristallin de silicium de type P obtenu par tirage en rubans mais le procédé proposé n'est économiquement pas viable et difficilement transférable dans l'industrie. 25 EXPOSÉ DE L'INVENTION Un but de la présente invention est de proposer un procédé de métallisation de cellules photovoltaïques permettant d'obtenir des cellules photovoltaïques ayant un meilleur rendement que les 30 cellules réalisées selon les procédés de l'art 2906404 5 antérieur décrits précédemment, et qui soit économiquement viable dans l'industrie. Pour cela, la présente invention propose un procédé de métallisation d'au moins une cellule 5 photovoltaïque comportant un substrat à base de semi-conducteur d'un premier type de conductivité, une couche dopée d'un second type de conductivité réalisée dans le substrat et formant une face avant du substrat, une couche antireflet réalisée sur la face avant du 10 substrat et formant une face avant de la cellule photovoltaïque, ledit procédé comportant au moins les étapes de : a) réalisation d'au moins une métallisation sur la face avant de la cellule photovoltaïque, 15 b) premier recuit de la cellule photovoltaïque à une température comprise entre environ 800 C et 900 C, c) réalisation d'au moins une métallisation sur la face arrière du substrat, 20 d) second recuit de la cellule photovoltaïque à une température comprise entre environ 700 C et 800 C. Ainsi, on obtient une meilleure passivation des impuretés et défauts cristallographiques dans le 25 substrat de la cellule photovoltaïque durant la réalisation des métallisations de la cellule photovoltaïque selon le procédé objet de la présente invention qu'avec les procédés de métallisation de l'art antérieur. Ce procédé est donc particulièrement 30 adapté à la réalisation de cellules photovoltaïques comportant des substrats obtenus à partir de charges de 2906404 6 moindre qualité et de matériaux riches en dislocations, par exemple du silicium issu d'une coulée continue électromagnétique et d'un tirage en ruban. Le procédé s'applique aussi bien pour des 5 substrats de type N que de type P. La présente invention concerne également un procédé de réalisation d'au moins une cellule photovoltaïque, comportant au moins les étapes de : -texturation des surfaces d'un substrat à 10 base de semi-conducteur d'un premier type de conductivité, - formation d'une couche dopée d'un second type de conductivité dans le substrat formant une face avant du substrat, 15 - dépôt d'une couche antireflet sur la face avant du substrat, ladite couche formant une face avant de la cellule photovoltaïque, - mise en oeuvre d'un procédé de métallisation tel que décrit précédemment, également 20 objet de la présente invention, - suppression d'au moins une partie de la couche (104) dopée du second type de conductivité reliant électriquement la métallisation (110) de la face avant (108) à la métallisation (112) de la face 25 arrière de la cellule photovoltaïque (100). BRÈVE DESCRIPTION DES DESSINS La présente invention sera mieux comprise à la lecture de la description d'exemples de réalisation donnés à titre purement indicatif et nullement 2906404 7 limitatif en faisant référence aux dessins annexés sur lesquels : - les figures 1A à 1E déjà décrites représentent les étapes d'un procédé de réalisation 5 d'une cellule photovoltaïque selon l'art antérieur, - les figures 2A à 2E représentent les étapes d'un procédé de réalisation d'une cellule photovoltaïque, objet de la présente invention, comportant des métallisations réalisées selon un 10 procédé également objet de la présente invention. Des parties identiques, similaires ou équivalentes des différentes figures décrites ci-après portent les mêmes références numériques de façon à faciliter le passage d'une figure à l'autre. 15 Les différentes parties représentées sur les figures ne le sont pas nécessairement selon une échelle uniforme, pour rendre les figures plus lisibles. Les différentes possibilités (variantes et 20 modes de réalisation) doivent être comprises comme n'étant pas exclusives les unes des autres et peuvent se combiner entre elles. EXPOSÉ DÉTAILLÉ DE MODES DE RÉALISATION PARTICULIERS On se réfère aux figures 2A à 2E 25 représentant les étapes d'un procédé de réalisation d'une cellule photovoltaïque 100. Un procédé de métallisation de cellule photovoltaïque 100 sera également décrit en liaison avec ces figures. Un substrat 102 d'un premier type de 30 conductivité, par exemple à base de silicium 2906404 8 multicristallin ou monocristallin de type P, est représenté sur la figure 2A. Pour la réalisation de la cellule photovoltaïque 100, on réalise tout d'abord une texturation des surfaces du substrat 102 par 5 l'utilisation d'une solution d'hydroxyde de potassium. Une couche 104 dopée d'un second type de conductivité, par exemple de type N+, est ensuite formée par diffusion de phosphore dans le substrat 102. Cette couche 104 forme notamment une face avant du substrat 10 102 sur laquelle est déposée, par exemple par PECVD, une couche antireflet 106, par exemple riche en hydrogène et à base de nitrure de silicium ou de carbure de silicium, et formant une face avant 108 de la cellule photovoltaïque 100. La jonction PN de la 15 cellule photovoltaïque 100 est formée par le substrat 102 de type P et la couche N+ 104. Une étape d'hydrogénation du substrat 102, par exemple par plasma, peut être mise en oeuvre durant le procédé. Cette étape peut être réalisée par exemple 20 avant et/ou après le dépôt de la couche antireflet 106. Le procédé de métallisation de la cellule photovoltaïque 100 va maintenant être décrit. Comme représenté sur la figure 2A, des métallisations 110, par exemple à base d'argent, sont réalisées par exemple 25 par sérigraphie sur la face avant 108 de la cellule photovoltaïque 100. Les métallisations 110 peuvent également être à base d'au moins un autre métal que l'argent, et formées par d'autres techniques telles que la photolithographie ou l'impression. 30 La cellule solaire 100 est ensuite placée par exemple dans un four à passage infrarouge pour 2906404 9 subir un premier recuit. Ce premier recuit est réalisé à une température comprise entre environ 800 C et 900 C, formant ainsi des contacts 114 entre les métallisations 110 et la couche N+ 104 (figure 2B). 5 Lors de ce premier recuit, de l'hydrogène migre sous forme d'ions à partir de la couche antireflet 106 riche en hydrogène dans le substrat 102, réalisant une passivation des défauts cristallographiques et des impuretés du substrat 102. Ce premier recuit peut 10 également être réalisé dans un four de recuit classique, ou par d'autres techniques de recuit connues. Par exemple, ce premier recuit est réalisé à une température égale à environ 850 C, pendant une durée comprise entre environ 1 seconde et 10 secondes. 15 Une couche de métallisation 112, par exemple à base d'aluminium, est ensuite réalisée sur la face arrière du substrat 102 (voir figure 2C). Cette couche de métallisation 112 peut par exemple être réalisée par sérigraphie, ou encore par 20 photolithographie ou impression. On effectue alors un deuxième recuit de la cellule photovoltaïque 100, par exemple dans un four à passage infrarouge à une température comprise entre environ 700 C et 800 C (voir figure 2D). Ce second 25 recuit permet une meilleure passivation des défauts et des impuretés du substrat 102 car cette gamme de températures est plus favorable à la formation de liaisons entre l'hydrogène et les impuretés ou les défauts cristallographiques que la gamme de température 30 du premier recuit (comprise entre environ 800 C et 900 C), permettant la dissociation des molécules 2906404 10 formées par la migration des ions hydrogène issus de la couche antireflet 106 dans le substrat 102 et/ou implantés dans le substrat 102 par une étape d'hydrogénation du substrat 102. Cette température de 5 second recuit comprise entre environ 700 C et 800 C constitue un compromis idéal entre l'intensité de la diffusion des ions hydrogène et leur capacité à former des liaisons avec les impuretés ou les défauts dans le substrat 102. Ce second recuit peut également être 10 réalisé dans un four de recuit classique, ou par d'autres techniques de recuit connues. Ce second recuit entraîne la formation d'une couche dopée P+ 118 dans le substrat 102 et la formation d'une couche 116 à base d'un alliage 15 d'aluminium et de silicium, venant remplacer la couche N+ 104 sous la métallisation arrière 112. Pour les substrats de type P, la couche dopée P+ 118 réalise la passivation de la face arrière du substrat 102 par un effet de champ arrière (BSF) repoussant des porteurs 20 minoritaires dans le substrat 102. Un métal autre que l'aluminium peut également être utilisé pour la réalisation de la couche de métallisation 112. Ce métal sera choisi pour pouvoir obtenir également une couche dopée P+ 118. Ce second recuit peut également être 25 optimisé en choisissant une température de recuit égale à environ 770 C pendant une durée comprise entre environ 1 seconde et 10 secondes, permettant notamment d'obtenir une bonne hydrogénation du substrat 102. Enfin, comme représenté sur la figure 2E, 30 on supprime les portions de la couche N+ 104 reliant la couche 118 et les contacts 114, c'est-à-dire reliant 2906404 11 électriquement les métallisations 110 de la face avant à la couche de métallisation 112 de la face arrière. Sur la figure 2E, tous les éléments de la cellule photovoltaïque 100 se trouvant du côté extérieur des 5 plans AA et BB sont supprimés, par exemple par laser, plasma, enrobage, ou tout autre moyen de gravure. Le procédé selon l'invention convient également particulièrement à la réalisation de cellules photovoltaïques comportant des substrats de type N. 10 Dans ce cas, la couche dopée P+ 118 joue le rôle d'émetteur de la jonction PN de la cellule photovoltaïque. La couche dopée N+ 104 réalise alors la passivation de la face avant du substrat 102 par un effet de champ avant (FSF) repoussant des porteurs 15 minoritaires dans le substrat 102, la couche antireflet 106 contribuant également à cette passivation. Il est également possible que la couche dopée du second type de conductivité 104 soit une couche dopée P+, obtenue par exemple par diffusion de bore dans le substrat 102. 20 Selon une variante, il est possible que la cellule photovoltaïque subisse un troisième recuit à basse température, par exemple comprise entre environ 200 C et 500 C. Ce troisième recuit, pouvant être réalisé à pression ambiante, permet à l'hydrogène 25 présent dans le substrat 102 de former des liaisons supplémentaires avec des défauts cristallographiques ou des impuretés présents dans le substrat 102. REVENDICATIONS 1. Procédé de métallisation d'au moins une cellule photovoltaïque (100) comportant un substrat (102) à base de semi-conducteur d'un premier type de conductivité, une couche (104) dopée d'un second type de conductivité réalisée dans le substrat (102) et formant une face avant du substrat (102), une couche (106) antireflet réalisée sur la face avant du substrat (102) et formant une face avant (108) de la cellule photovoltaïque (100), ledit procédé comportant au moins les étapes de : a) réalisation d'au moins une métallisation (110) sur la face avant (108) de la cellule photovoltaïque (100), b) premier recuit de la cellule photovoltaïque (100) à une température comprise entre environ 800 C et 900 C, c) réalisation d'au moins une métallisation (112) sur une face arrière du substrat (102), d) second recuit de la cellule photovoltaïque (100) à une température comprise entre environ 700 C et 800 C. 2. Procédé selon la revendication 1, la couche antireflet (106) étant riche en hydrogène. 3. Procédé selon l'une des revendications précédentes, comportant en outre au moins une étape d'hydrogénation du substrat (102). 2906404 13 4. Procédé selon l'une des revendications précédentes, comportant en outre, après l'étape d), une étape d'un troisième recuit de la cellule photovoltaïque (100) à une température comprise entre 5 environ 200 C et 500 C. 5. Procédé selon l'une des revendications précédentes, la couche (104) dopée du second type de conductivité étant une couche dopée N+. 6. Procédé selon l'une des revendications précédentes, la couche antireflet (106) étant à base de nitrure de silicium. 7. Procédé selon l'une des revendications précédentes, le substrat (102) étant un substrat à base de silicium multicristallin. 8. Procédé selon l'une des revendications 20 précédentes, la métallisation (110) réalisée sur la face avant (108) de la cellule photovoltaïque (100) étant à base d'argent. 9. Procédé selon l'une des revendications 25 précédentes, la métallisation (112) réalisée sur la face arrière du substrat (102) étant à base d'aluminium. 10. Procédé selon l'une des revendications 30 précédentes, la métallisation (110) en face avant et/ou 10 15 2906404 14 la métallisation (112) en face arrière étant réalisées par sérigraphie. 11. Procédé selon l'une des revendications 5 précédentes, le premier et/ou le second recuits étant réalisés dans un four à passage infrarouge. 12. Procédé de réalisation d'au moins une cellule photovoltaïque (100), comportant au moins les 10 étapes de : - texturation des surfaces d'un substrat (102) à base de semi-conducteur d'un premier type de conductivité, - formation d'une couche (104) dopée d'un 15 second type de conductivité dans le substrat (102) formant une face avant du substrat (102), - dépôt d'une couche (106) antireflet sur la face avant du substrat (102), ladite couche (106) formant une face avant (108) de la cellule 20 photovoltaïque (100), - mise en oeuvre d'un procédé de métallisation selon l'une des revendications 1 à 11, - suppression d'au moins une partie de la couche (104) dopée du second type de conductivité 25 reliant électriquement la métallisation (110) de la face avant (108) à la métallisation (112) de la face arrière de la cellule photovoltaïque (100). 13. Procédé selon la revendication 12, 30 l'étape de texturation étant réalisée avec une solution à base d'hydroxyde de potassium. 2906404 15 14. Procédé selon l'une des revendications 12 ou 13, la couche dopée d'un second type de conductivité (104) étant une couche dopée N+ formée par diffusion de phosphore dans le substrat (102). 15. Procédé selon l'une des revendications 12 à 14, la couche antireflet (106) étant une couche à base de nitrure de silicium déposée par PECVD. 10 16. Procédé selon l'une des revendications 12 à 15, comportant en outre au moins une étape d'hydrogénation du substrat (102) mise en oeuvre avant et/ou après l'étape de dépôt de la couche antireflet (106). 5 15