FR 2906406 A1 20080328 FR 0653943 A 20060926 1 PROCEDE DE REALISATION DE CELLULE PHOTOVOLTAIQUE A HETEROJONCTION EN FACE ARRIERE DESCRIPTION DOMAINE TECHNIQUE ET ART ANTÉRIEUR L'invention concerne la réalisation de cellules photovoltaïques, et particulièrement de cellules à contacts et à hétérojonction de type amorphe/cristallin en face arrière. Deux types de structure photovoltaïque permettent actuellement d'obtenir des rendements de conversion supérieurs à 21 % lors d'essais en laboratoire et proches de 20 % en production industrielle. La première structure, communément appelée HIT ( Heterojunction wïth Intrinsic Thin layers en anglais, ou hétérojonction à couches fines intrinsèques) comporte une hétérojonction formée par le dépôt de fines couches de silicium amorphe sur une base 20 de silicium cristallin. Cette structure, entièrement réalisée à basse température, c'est-à-dire à des températures inférieures ou égales à environ 200 C permet d'obtenir de bonnes passivations de surface et d'atteindre de hautes valeurs de tensions en circuit 25 ouvert par rapport aux procédés classiques de réalisation de cellule photovoltaïque dont les températures atteintes durant leur mise en oeuvre est d'environ 850 C. Le document US 5 213 628 décrit une telle structure. 15 2906406 2 La seconde structure comporte une jonction et un ensemble de contacts sur une face opposée, dite face arrière, à la face avant de la cellule photovoltaïque, c'est-à-dire la face destinée à 5 recevoir un rayonnement lumineux. Cette structure est communément appelée RCC ( Rear Contact Oeil en anglais, ou cellule à contacts arrières) ou IBC ( Interdigitated Back Contact ). Elle permet d'atteindre des hautes densités de courants grâce à 10 l'absence de contacts sur la face avant. Les documents WO 03/083955 et FR 2 880 989 décrivent ce type de structure. EXPOSÉ DE L'INVENTION Un but de la présente invention est de proposer un procédé de réalisation de cellule photovoltaïque à hétérojonction en face arrière qui soit industriellement viable et améliorant les performances des cellules fabriquées. Pour cela, la présente invention propose un 20 procédé de réalisation de cellule photovoltaïque, comportant au moins les étapes de : a) dépôt d'une couche de passivation à base d'au moins un semi-conducteur amorphe intrinsèque sur une face arrière d'un substrat à base d'au moins un 25 semiconducteur cristallin, b) réalisation par sérigraphie sur la couche de passivation d'un premier masque sacrificiel comportant au moins une ouverture traversante, 2906406 3 c) dépôt d'une couche de semi-conducteur amorphe dopé d'un premier type de conductivité au moins dans l'ouverture, d) suppression du premier masque 5 sacrificiel, laissant subsister, au niveau de l'ouverture du premier masque sacrificiel, au moins un plot de semi-conducteur amorphe dopé du premier type de conductivité. Les techniques employées dans ce procédé 10 permettent à la cellule photovoltaïque de n'être exposée qu'à des températures sensiblement inférieures ou égales à environ 200 C durant la réalisation de la face arrière de la cellule, ce qui ne serait pas possible avec, par exemple, une couche de passivation 15 en face arrière à base de nitrure de silicium. De plus, l'utilisation de semi-conducteur amorphe intrinsèque sur la face arrière du substrat permet d'obtenir une excellente passivation de la face arrière de ce substrat. La présente invention concerne également un procédé de réalisation de cellule photovoltaïque, comportant au moins les étapes de : a) dépôt d'une couche de passivation à base d'au moins un semi-conducteur amorphe intrinsèque sur une face arrière d'un substrat à base d'au moins un semi-conducteur cristallin, b) réalisation par sérigraphie sur la couche de passivation d'un premier masque sacrificiel, c) dépôt, dans au moins un motif formé par 30 le premier masque de gravure, d'une couche de 2906406 4 semi-conducteur amorphe dopé d'un premier type de conductivité, d) suppression du premier masque sacrificiel. 5 Le procédé, objet de la présente invention, peut comporter en outre après l'étape d) au moins les étapes de : e) réalisation par sérigraphie d'un second masque sacrificiel, le second masque sacrificiel 10 recouvrant au moins le semi-conducteur amorphe dopé du premier type de conductivité, f) dépôt, dans au moins un motif formé par le second masque sacrificiel, d'une couche de semi-conducteur amorphe dopé d'un second type de 15 conductivité, opposé au premier type de conductivité, g) suppression du second masque sacrificiel, laissant subsister, au niveau du motif du second masque sacrificiel, au moins un plot de semi-conducteur amorphe dopé du second type de conductivité. 20 Les zones de silicium amorphe dopé en face arrière forment l'hétérojonction de la cellule photovoltaïque. Grâce à l'utilisation de la sérigraphie, la réalisation de l'hétérojonction est faite avec une grande précision (+/- 20 m) par rapport 25 aux techniques classiques de dépôt PECVD ou CVD catalytique à travers des masques métalliques, les précisions atteintes étant de l'ordre d'environ +/- 500 pin avec ces techniques. De plus, lors d'un dépôt PECVD pour la réalisation de l'hétérojonction d'une cellule photovoltaïque, les propriétés du plasma risquent d'être modifiées en fonction du nombre de 2906406 5 dépôts établis sur les masques pour former 1'hétérojonction. L'utilisation de masques sacrificiels permet d'avoir un procédé industriellement viable, 5 contrairement aux procédés de l'art antérieur utilisant des couches de la cellule photovoltaïque servant également de masques de gravure, ces couches pouvant être endommagées lors des étapes de gravure. Enfin, ce procédé permet d'obtenir des 10 cellules photovoltaïques à fort rendement de conversion, par exemple supérieur à 22%. Le procédé peut comporter, avant l'étape a) de dépôt de la couche de passivation, une étape de dépôt d'une couche à base d'au moins un semi-conducteur 15 amorphe sur une face avant du substrat, opposée à la face arrière du substrat. Le semi-conducteur amorphe de la couche déposée du côté de la face avant du substrat peut être intrinsèque ou dopé du même type, ou du type opposé, de 20 conductivité que le type de conductivité du substrat. Il est ainsi possible de réaliser en face avant un champ de surface, réduisant les recombinaisons au niveau de cette face, lorsque le type de dopage est opposé à celui du substrat, ou une jonction flottante 25 lorsque le dopage est similaire à celui du substrat. Le procédé peut comporter, après l'étape de dépôt de la couche à base de semi-conducteur amorphe sur la face avant du substrat, une étape de dépôt d'une couche antireflet sur ladite couche à base de semi- 30 conducteur amorphe. 2906406 6 L'étape b) de réalisation du premier masque sacrificiel peut comprendre les étapes de : - dépôt d'une première couche sacrificielle à base d'oxyde de silicium, et/ou de carbure de 5 silicium et/ou de nitrure de silicium sur la couche de passivation, - dépôt par sérigraphie d'un premier masque de gravure selon un motif similaire au motif du premier masque sacrificiel, 10 - suppression par gravure des parties de la première couche sacrificielle non recouvertes par le premier masque de gravure, les parties restantes de la première couche sacrificielle formant le premier masque sacrificiel, 15 - suppression du premier masque de gravure. Dans une variante, l'étape b) de réalisation du premier masque sacrificiel peut comprendre les étapes de : - dépôt d'une première couche sacrificielle 20 à base d'oxyde de silicium, et/ou de carbure de silicium et/ou de nitrure de silicium sur la couche de passivation, - dépôt par sérigraphie d'une pâte gravante selon un motif inverse au motif du premier masque 25 sacrificiel, formant dans la première couche sacrificielle le premier masque sacrificiel. Selon une autre variante, l'étape b) de réalisation du premier masque sacrificiel peut comprendre un dépôt par sérigraphie d'une pâte à base 30 de polymère et/ou d'oxyde formant le premier masque sacrificiel. 2906406 7 L'étape e) de réalisation du second masque sacrificiel peut comprendre les étapes de : - dépôt d'une seconde couche sacrificielle à base d'oxyde de silicium, et/ou de carbure de 5 silicium et/ou de nitrure de silicium sur la couche de passivation, dépôt par sérigraphie d'un second masque de gravure selon un motif similaire au motif du second masque sacrificiel, - suppression par gravure des parties de la seconde couche sacrificielle non recouvertes par le second masque de gravure, les parties restantes de la seconde couche sacrificielle formant le second masque sacrificiel, - suppression du second masque de gravure. Dans un variante, l'étape e) de réalisation du second masque sacrificiel peut comprendre les étapes de . - dépôt d'une seconde couche sacrificielle 20 à base d'oxyde de silicium, et/ou de carbure de silicium et/ou de nitrure de silicium sur la couche de passivation, - dépôt par sérigraphie d'une pâte gravante selon un motif inverse au motif du second masque 25 sacrificiel, formant dans la seconde couche sacrificielle le second masque sacrificiel. Selon une autre variante, l'étape e) de réalisation du second masque sacrificiel peut comprendre un dépôt par sérigraphie d'une pâte à base 30 de polymère et/ou d'oxyde formant le second masque sacrificiel. 10 15 2906406 8 Le procédé peut comporter, avant l'étape d) de suppression du premier masque sacrificiel, une étape de dépôt de métallisations. Le procédé peut comporter, avant l'étape g) 5 de suppression du second masque sacrificiel, une étape de dépôt de métallisations. Dans une autre variante, le procédé peut comporter, après l'étape g) de suppression du second masque sacrificiel, une étape de dépôt de 10 métallisations sur le semi-conducteur amorphe dopé du premier type de conductivité et sur le semi-conducteur amorphe dopé du second type de conductivité par évaporation et/ou pulvérisation à travers un masque métallique. 15 Lorsque les métallisations sont réalisées par évaporation ou pulvérisation à travers un masque métallique, les précisions de dépôt sont supérieures aux précisions obtenues par un dépôt assisté par plasma. Ainsi, les métallisations peuvent couvrir une 20 surface maximale sur le semi-conducteur amorphe dopé, optimisant ainsi le confinement optique des rayons lumineux entrants dans la cellule photovoltaïque. De plus, l'utilisation des techniques d'évaporation et de pulvérisation permet d'obtenir des métallisations à 25 faible résistance de contact entre celles-ci et le semi-conducteur amorphe dopé. Enfin, le procédé peut comporter en outre, avant la ou les étapes de dépôt de métallisations, une étape de dépôt par pulvérisation d'oxyde transparent 30 conducteur sur le semi-conducteur amorphe dopé, les 2906406 9 métallisations étant ensuite déposées sur l'oxyde transparent conducteur. BRÈVE DESCRIPTION DES DESSINS La présente invention sera mieux comprise à 5 la lecture de la description d'exemples de réalisation donnés à titre purement indicatif et nullement limitatif en faisant référence aux dessins annexés sur lesquels : - les figures 1A à 1R représentent les 10 étapes d'un procédé de réalisation de cellule photovoltaïque, objet de la présente invention, selon un premier mode de réalisation, - les figures 2A à 2I représentent les étapes d'un procédé de réalisation de cellule 15 photovoltaïque, objet de la présente invention, selon un second mode de réalisation. Des parties identiques, similaires ou équivalentes des différentes figures décrites ci-après portent les mêmes références numériques de façon à 20 faciliter le passage d'une figure à l'autre. Les différentes parties représentées sur les figures ne le sont pas nécessairement selon une échelle uniforme, pour rendre les figures plus lisibles. 25 Les différentes possibilités (variantes et modes de réalisation) doivent être comprises comme n'étant pas exclusives les unes des autres et peuvent se combiner entre elles. 2906406 10 EXPOSÉ DÉTAILLÉ DE MODES DE RÉALISATION PARTICULIERS On se réfère tout d'abord aux figures lA à 1R qui représentent les étapes d'un procédé de réalisation d'une cellule photovoltaïque 100 selon un 5 premier mode de réalisation. On considère tout d'abord un substrat 2 à base d'au moins un semi-conducteur (figure 1A). Ce substrat 2 comporte une face avant 4 texturée et une face arrière 6 polie. Ise substrat 2 peut être à base 10 de silicium monocristallin ou multicristallin, de type P ou N. Comme représenté sur la figure 1B, une première couche 8, par exemple une couche mince d'épaisseur comprise entre environ 1 nm et 5 nm, de 15 silicium amorphe hydrogéné, dopé ou intrinsèque, est déposée sur la face avant 4 du substrat 2. Cette couche 8 peut également être à base de carbure de silicium amorphe hydrogéné, dopé ou intrinsèque. De préférence, la première couche 8 comporte une grande largeur de 20 bande interdite (supérieure à 1,8 eV ou 2 eV) afin de limiter l'absorption du spectre solaire. Cette première couche 8 est déposée par PECVD (Dépôt chimique en phase vapeur assisté par plasma) à une température par exemple comprise entre environ 200 C et 400 C, cette 25 température étant adaptée en fonction de la nature de la première couche 8. Si la première couche 8 est dopée du type de conductivité opposé au type de conductivité du substrat 2, lors du fonctionnement de la cellule photovoltaïque 100, un champ de surface avant se forme 30 au niveau de la face avant 4 et de la première couche 8, permettant la réduction des recombinaisons au niveau 2906406 11 de cette interface. Il est également possible de former une jonction flottante si la première couche 8 dopée est du même type de conductivité que le substrat 2. Une couche antireflet 10, représentée sur 5 la figure 1C, par exemple à base de nitrure de silicium, est déposée par PECVD à une température comprise entre environ 150 C et 400 C, sur la première couche 8. Cette couche 10 peut par exemple avoir une d'épaisseur comprise entre environ 60 nm et 80 nm. 10 Une couche de passivation 12 à base de silicium amorphe intrinsèque hydrogéné a-Si:H est déposée par PECVD sur la face arrière 6 du substrat 2 (figure 1D). L'épaisseur de cette couche de passivation 12 peut par exemple être comprise entre environ 1 nm et 15 50 nm. Une première couche sacrificielle 14 est ensuite déposée sur la couche de passivation 12, comme cela est représenté sur la figure 1E. Cette première couche sacrificielle 14 est déposée par PECVD, à une 20 température inférieure ou égale à environ 200 C afin de ne pas recristalliser le silicium amorphe préalablement déposé des couches 8 et 12. Cette première couche sacrificielle 14 peut être à base d'oxyde de silicium, et/ou de carbure de silicium, et/ou de nitrure de 25 silicium. Un premier masque de gravure 16 est déposé sur la première couche sacrificielle 14 (figure 1F). Ce premier masque de gravure 16 est réalisé par sérigraphie d'une pâte à base de polymère résistante à 30 l'acide et pouvant être dissoute par un solvant. L'utilisation d'un système de reconnaissance de mires 2906406 12 permet d'obtenir une excellente précision, par exemple comprises entre environ 50 pin et 100 Eun, en terme d'alignement par sérigraphie. Comme représenté sur la figure 1G, les 5 parties de la première couche sacrificielle 14 non recouvertes par le premier masque de gravure 16 sont gravées au contact d'un bain d'acide fluorhydrique. Seules les parties de la première couche sacrificielle 14 se trouvant sous les motifs formés par le premier 10 masque de gravure 16 sont encore présentes. Ainsi, le motif formé par le premier masque de gravure 16 est reporté au niveau de la première couche sacrificielle 14. La couche de passivation 12 n'est pas attaquée par l'acide. Le premier masque 16 est ensuite supprimé par 15 un solvant (figure 1H). On obtient alors un premier masque sacrificiel 14. Selon une première variante, il est possible de remplacer les étapes de dépôt du premier masque de gravure 16, de gravure des parties de la 20 première couche sacrificielle 14 non recouvertes par le premier masque de gravure 16 et de suppression du premier masque de gravure 16, c'est-à-dire des trois étapes représentées sur les figures 1F à 1H, par une étape de dépôt par sérigraphie d'une pâte dite HF , 25 selon un motif inverse au motif du premier masque de gravure 16, gravant directement la première couche sacrificielle après activation par chauffage (entre 130 C et 150 C) localement pour former le premier masque sacrificiel 14. Une étape de rinçage permet 30 d'éliminer les résidus de gravure et la pâte HF. Selon une seconde variante, il peut également être envisagé 2906406 13 de remplacer les étapes de dépôt de la première couche sacrificielle 14, de dépôt du premier masque de gravure 16, de gravure des parties de la première couche sacrificielle 14 non recouvertes par le premier masque 5 de gravure 16 et de suppression du premier masque de gravure 16, par une étape de dépôt direct par sérigraphie d'une pâte de polymère ou d'oxyde, tel du verre d'oxyde, selon un motif identique au motif du premier masque sacrificiel 14 représenté sur la figure 10 1H. Ces variantes permettent de réduire le nombre d'étapes du procédé de réalisation de cellules photovoltaïques. Comme représenté sur la figure lI, une couche 18 de silicium amorphe dopé d'un premier type de 15 conductivité, ici N, est déposée par PECVD à température égale à environ 200 C, sur le premier masque sacrificiel 14 et sur les parties de la couche de passivation 12 non recouvertes par le premier masque sacrificiel 14. Cette couche 18 a par exemple une 20 épaisseur comprise entre environ 5 nm et 30 nm. Le premier masque sacrificiel 14 est gravé par de l'acide fluorhydrique et le silicium amorphe dopé de la couche 18 se trouvant sur le premier masque sacrificiel 14 est retiré, par exemple par lift-off 25 (décollement par élimination de la sous-couche) (figure 1J). Ainsi, des plots 20 de silicium amorphe dopé N sont formés sur la couche de silicium amorphe intrinsèque 12. Une seconde couche sacrificielle 22 (figure 30 1K) est déposée par PECVD, par exemple à une température inférieure ou égale à environ 200 C afin de 2906406 14 ne pas recristalliser le silicium amorphe préalablement déposé des couches 8 et 12 et des plots 20, sur le silicium amorphe de la couche 12 et les plots 20. Cette seconde couche sacrificielle 22 peut par exemple être à 5 base d'oxyde de silicium, et/ou de carbure de silicium et/ou de nitrure de silicium. Un second masque de gravure 24 est déposé sur la seconde couche sacrificielle 22, au niveau des plots 20 de silicium amorphe dopé N (figure IL). Ce 10 second masque de gravure 24 est déposé par sérigraphie d'une pâte à base de polymère résistante à l'acide et pouvant être dissoute par un solvant. Là encore, l'utilisation d'un système de reconnaissance de mires permet d'obtenir des précisions, par exemple comprises 15 entre environ 50 pin et 100 fun, en terme d'alignement par sérigraphie. Comme représenté sur la figure 1M, les parties de la seconde couche sacrificielle 22 non recouvertes par le second masque de gravure 24 sont 20 gravées au contact d'un bain d'acide fluorhydrique. Seules les parties de la seconde couche sacrificielle 22 se trouvant sous les motifs formés par le second masque de gravure 24 sont encore présentes. Ainsi, le motif formé par le second masque de gravure 24 est 25 reporté au niveau de la seconde couche sacrificielle 22, réalisant un second masque sacrificiel 22. La couche de passivation 12 n'est pas attaquée par l'acide. Le second masque de gravure 24 est ensuite supprimé par un solvant (figure 1N). 30 De manière analogue à la première variante expliquée ci-dessus, il est possible de remplacer les 2906406 15 étapes de dépôt du second masque de gravure 24, de gravure des parties de la seconde couche sacrificielle 22 non recouvertes par le second masque de gravure 24 et de suppression du second masque de gravure 24, 5 c'est-à-dire des trois étapes représentées sur les figures 1L à 1N, par une étape de dépôt par sérigraphie d'une pâte dite HF , selon un motif inverse au motif du second masque de gravure 24, gravant directement la seconde couche sacrificielle localement pour former le 10 second masque sacrificiel 22. Une étape de rinçage permet d'éliminer les résidus de gravure et la pâte HF. Selon la seconde variante, les étapes de dépôt de la seconde couche sacrificielle 22, dépôt du second masque de gravure 24, de gravure des parties de la seconde 15 couche sacrificielle 22 non recouvertes par le second masque de gravure 24 et de suppression du second masque de gravure 24, peuvent être remplacées par une étape de dépôt direct par sérigraphie d'une pâte à base de polymère ou d'oxyde, tel du verre d'oxyde, selon un 20 motif identique au motif du second masque sacrificiel 22 représenté sur la figure 1N. Comme représenté sur la figure 10, une couche 26 de silicium amorphe dopé d'un second type de conductivité, ici P, est déposée par PECVD à 25 température égale à environ 200 C, sur le second masque sacrificiel 22 et sur les parties de la couche de passivation 12 non recouvertes par le second masque sacrificiel 22. Cette couche 26 a par exemple une épaisseur comprise entre environ 5 nm et 30 nm. 30 Le second masque sacrificiel 22 est gravé par de l'acide fluorhydrique et le silicium amorphe 2906406 16 dopé de la couche 26 se trouvant sur le second masque sacrificiel 22 est enlevé par lift-off (figure 1P). Ainsi, des plots 28 de silicium amorphe dopé P sont formés sur la couche de silicium amorphe intrinsèque 5 12. On obtient ainsi une hétérojonction formée par les plots 20, 28 de silicium amorphes N et P et le substrat 2 à base de silicium cristallin, au niveau de la face arrière de la cellule photovoltaïque 100. On réalise ensuite les métallisations de la 10 cellule solaire 100. Pour cela, on dépose sélectivement un métal 30, par exemple à base d'aluminium, et/ou de cuivre et/ou d'argent, par exemple par évaporation, à travers un masque dont le motif est sensiblement similaire au motif formé par les plots 20 et 28 de 15 silicium amorphe dopé N et P, ou tel que les métallisations déposées soit disposées sur les plots 20 et 28 (figure 1Q). La surface de métallisation déposée est de préférence la plus grande possible afin d'améliorer le confinement optique lors d'utilisation 20 d'un substrat de silicium mince (épaisseur inférieure à environ 200 m). L'épaisseur des contacts 30 peut être augmentée jusqu'à une épaisseur par exemple d'environ 20 m par un dépôt autocatalytique ou par électrodéposition (figure 1R). On obtient alors des 25 métallisations permettant une excellente conduction du courant, limitant ainsi les pertes par résistance. Les figures 2A à 2I représentent partiellement les étapes de réalisation d'une cellule photovoltaïque 200 selon un second mode de réalisation. 30 Tout d'abord, on réalise des étapes similaires à celles décrites précédemment dans le 2906406 17 premier mode de réalisation correspondant aux figures 1A à lI. On a alors le substrat 2 comportant au niveau de la face avant la première couche 8 et la couche antireflet 10, et au niveau de la face arrière la 5 couche de passivation 12 sur laquelle sont disposés les plots du premier masque sacrificiel 14 recouverts de la couche de silicium amorphe dopé N 18. On réalise alors, comme représenté sur la figure 2A, le dépôt d'une couche d'oxyde transparent 10 conducteur (ITO) 32 et de métallisations 30, par exemple par pulvérisation. Puis, on grave le premier masque sacrificiel 14, formant alors des plots 20 de silicium amorphe dopé N recouverts de la couche d'ITO 32 et des métallisations 30 (figure 2B). L'oxyde 32 et 15 les métallisations 30 se trouvant sur le premier masque sacrificiel 14 sont éliminés lors de l'étape de gravure du premier masque sacrificiel 14. De manière similaire au premier mode de réalisation et tel que représenté aux figures 2C à 2I, 20 on réalise les plots 28 de silicium amorphe dopé P. Avant l'étape d'élimination du second masque sacrificiel 22, une couche d'oxyde transparent conducteur (ITO) 32 et des métallisations 30 sont déposées (figure 2H). L'oxyde 32 et les métallisations 25 30 disposées sur le second masque sacrificiel 22 sont éliminés lors de l'étape de gravure du second masque sacrificiel 22, l'oxyde 32 et les métallisations 30 ne subsistant que sur les plots 28 de silicium amorphe dopé P. 30 Les première et seconde variantes décrites précédemment pour le premier mode de réalisation 2906406 18 peuvent également s'appliquer à ce second mode de réalisation. 5 REVENDICATIONS 1. Procédé de réalisation de cellule photovoltaïque (100, 200), comportant au moins les étapes de : a) dépôt d'une couche de passivation (12) à base d'au moins un semi-conducteur amorphe intrinsèque sur une face (6) arrière d'un substrat (2) à base d'au moins un semi-conducteur cristallin, b) réalisation par sérigraphie sur la couche de passivation (12) d'un premier masque sacrificiel (14) comportant au moins une ouverture traversante, c) dépôt d'une couche (18, 20) de semi-15 conducteur amorphe dopé d'un premier type de conductivité au moins dans l'ouverture, d) suppression du premier masque sacrificiel (14), laissant subsister, au niveau de l'ouverture du premier masque sacrificiel (14), au 20 moins un plot (20) de semi-conducteur amorphe dopé du premier type de conductivité. 2. Procédé selon la revendication 1, comportant, avant l'étape a) de dépôt de la couche de 25 passivation (12), une étape de dépôt d'une couche (8) à base d'au moins un semi-conducteur amorphe sur une face (4) avant du substrat (2) opposée à la face arrière (6) du substrat (2). 30 3. Procédé selon la revendication 2, comportant après l'étape de dépôt de la couche (8) à 2906406 20 base de semi-conducteur amorphe sur la face avant (4) du substrat (2), une étape de dépôt d'une couche antireflet (10) sur ladite couche (8) à base de semi-conducteur amorphe. 5 4. Procédé selon l'une des revendications précédentes, l'étape b) de réalisation du premier masque sacrificiel comprenant les étapes de : -dépôt d'une première couche sacrificielle 10 (14) à base d'oxyde de silicium, et/ou de carbure de silicium et/ou de nitrure de silicium sur la couche de passivation, - dépôt par sérigraphie d'un premier masque de gravure (16) selon un motif similaire au motif du 15 premier masque sacrificiel, - suppression par gravure des parties de la première couche sacrificielle non recouvertes par le premier masque de gravure (16), les parties restantes de la première couche sacrificielle formant le premier 20 masque sacrificiel (14), - suppression du premier masque de gravure (16). 5. Procédé selon l'une des revendications 25 1 à 3, l'étape b) de réalisation du premier masque sacrificiel comprenant les étapes de : -dépôt d'une première couche sacrificielle (14) à base d'oxyde de silicium, et/ou de carbure de silicium et/ou de nitrure de silicium sur la couche de 30 passivation, 2906406 21 - dépôt par sérigraphie d'une pâte gravante selon un motif inverse au motif du premier masque sacrificiel, formant dans la première couche sacrificielle le premier masque sacrificiel (14). 5 6. Procédé selon l'une des revendications 1 à 3, l'étape b) de réalisation du premier masque sacrificiel comprenant un dépôt par sérigraphie d'une pâte à base de polymère et/ou d'oxyde formant le 10 premier masque sacrificiel (14). 7. Procédé selon l'une des revendications précédentes, comportant en outre après l'étape d), les étapes de : e) réalisation par sérigraphie d'un second masque sacrificiel (22), le second masque sacrificiel (22) recouvrant au moins le semi-conducteur amorphe dopé du premier type de conductivité (20), f) dépôt, dans au moins un motif formé par le second masque sacrificiel (22), d'une couche (26, 28) de semi-conducteur amorphe dopé d'un second type de conductivité, opposé au premier type de conductivité, g) suppression du second masque sacrificiel (22), laissant subsister, au niveau du motif du second masque sacrificiel (22), au moins un plot (28) de semi-conducteur amorphe dopé du second type de conductivité. 2906406 22 8. Procédé selon la revendication 7, l'étape e) de réalisation du second masque sacrificiel comprenant les étapes de : - dépôt d'une seconde couche sacrificielle 5 (22) à base d'oxyde de silicium, et/ou de carbure de silicium et/ou de nitrure de silicium sur la couche de passivation, -dépôt par sérigraphie d'un second masque de gravure (24) selon un motif similaire au motif du 10 second masque sacrificiel, - suppression par gravure des parties de la seconde couche sacrificielle non recouvertes par le second masque de gravure (24), les parties restantes de la seconde couche sacrificielle formant le second 15 masque sacrificiel (22), -suppression du second masque de gravure (24). 9. Procédé selon la revendication 7, 20 l'étape e) de réalisation du second masque sacrificiel comprenant les étapes de : - dépôt d'une seconde couche sacrificielle (22) à base d'oxyde de silicium, et/ou de carbure de silicium et/ou de nitrure de silicium sur la couche de 25 passivation, -dépôt par sérigraphie d'une pâte gravante selon un motif inverse au motif du second masque sacrificiel, formant dans la seconde couche sacrificielle le second masque sacrificiel (22). 2906406 23 10. Procédé selon la revendication 7, l'étape e) de réalisation du second masque sacrificiel comprenant un dépôt par sérigraphie d'une pâte à base de polymère et/ou d'oxyde formant le second masque 5 sacrificiel (22). 11. Procédé selon l'une des revendications 7 à 10, comportant avant l'étape g) de suppression du second masque sacrificiel (22), une étape de dépôt de 10 métallisations (30). 12. Procédé selon l'une des revendications 7 à 10, comportant après l'étape g) de suppression du second masque sacrificiel (22), une étape de dépôt de 15 métallisations (30) sur le semi-conducteur amorphe dopé du premier type de conductivité (20) et sur le semi-conducteur amorphe dopé du second type de conductivité (28) par évaporation et/ou pulvérisation à travers un masque métallique. 20 13. Procédé selon l'une des revendications précédentes, comportant avant l'étape d) de suppression du premier masque sacrificiel (14), une étape de dépôt de métallisations (30). 25 14. Procédé selon l'une des revendications 11 à 13, comportant en outre, avant la ou les étapes de dépôt de métallisations (30), une étape de dépôt par pulvérisation d'oxyde transparent conducteur (32) sur 30 le semi-conducteur amorphe dopé (20, 28), les 2906406 24 métallisations (30) étant ensuite déposées sur l'oxyde transparent conducteur (32). 5