FR 2905802 A1 20080314 FR 0703676 A 20070524 PROCEDE DE FABRICATION D'UN MOTIF EN COUCHE MINCE, ET PANNEAU D'AFFICHAGE A CRISTAUX LIQUIDES ET SON PROCEDE DE FABRICATION UTILISANT LE MOTIF La présente invention concerne un procédé de fabrication d'un motif en couche mince, et un panneau d'affichage à cristaux liquides et son procédé de fabrication utilisant le motif, qui sont adaptatifs, pour simplifier un processus de formation d'un motif en couche mince afin de réduire un coût et un temps de fabrication, et pour former un motif en couche mince au niveau d'une position appropriée afin d'amélio- rer une fiabilité et empêcher des défauts. Des dispositifs d'affichage sont devenus très importants en tant qu'un support de communication d'informations visuel dans une société de l'information. Des dispositifs d'affichage à tube à rayons cathodiques (CRT), qui ont été la principale tendance des dispositifs d'affichage, présentent des problèmes, tels qu'un poids lourd et un volume encombrant. Des dispositifs d'affichage à panneau plat comportent un dispositif d'affichage à cristaux liquides (dénommé ciûaprès en tant que "LCD"), un dispositif d'affichage à émission de champ (dénommé ciûaprès en tant que "FED"), un panneau d'affichage à plasma (dénommé ciûaprès en tant qu'un "PDP"), et un affichage par électrolumines- cence (dénommé ci--après en tant qu'un "EL"), et analogues. La plupart de ces dispositifs d'affichage à panneau plat ont trouvé une utilisation pratique, ayant une part de marché significative sur le marché des dispositifs d'affichage. De tels dispositifs d'affichage à panneau plat comportent une pluralité de motifs en couche mince, et chacun parmi les motifs en couche mince est formé par un processus photolithographique et un processus d'attaque chimique. La figure 1 est un schéma illustrant une technique destinée à former un motif en couche mince en utilisant le processus photolithographique et le processus d'attaque chimique, étape par étape. Tout d'abord, une couche de métal 4a est formée sur un substrat destiné à un dispositif d'affichage à panneau plat 2 par une technique de dépôt telle qu'une pulvérisation et analogues. Ensuite, le processus photolithographique comportant un revêtement de résine photosensible, une exposition et des processus de développement est effectué pour fournir un motif de résine photosensible 5. La couche de métal 4a qui ne chevauchait pas le motif de résine photosensible 5 est retirée par un processus d'attaque chimique sèche ou humide en utilisant le motif de résine photosensible 5 en tant qu'un masque. Puis, le motif de résine photosensible 5 est retirée par un processus de décapage afin de former un premier motif en couche mince 4. R r`:Brex.ets'126500A265 7 5-070521-tex tedepôI. doc - '_ 1 mai 2007 - 1.13 2905802 2 Une pluralité de motifs en couche mince sont disposés par le processus photo-lithographique, et les motifs en couche mince sont raccordés électriquement entre eux ou isolés électriquement les uns des autres par un contact électrique de chacun parmi les motifs en couche mince lorsque la situation l'exige. Ici, si chacun parmi les 5 motifs en couche mince de métal est isolé électriquement, un couche isolant 6 est formé sur le substrat 2 prévu avec la première motif en couche mince 4, comme représenté sur la figure 2. Dans ce cas, le couche isolant 6 est formé d'un matériau isolant inorganique tel que SiNY et analogues par une technique de dépôt tel que le PECVD et analogues. 10 D'un autre côté, si un motif de grille tel qu'une électrode de grille et une ligne de grille, etc. est formé au niveau d'un panneau d'affichage à cristaux liquides par le processus photolithographique et le processus d'attaque chimique de la figure 1, le processus d'attaque chimique humide est utilisé. Cependant, le processus d'attaque chimique humide est un procédé dans lequel un métal est exposé à un agent d'atta- 15 que chimique afin d'être retiré de manière sélective. Le motif en couche mince formé par le processus d'attaque chimique présente l'inconvénient de pouvoir engendrer une grande erreur ou un grand écart dans la mesure où un réglage ponctuel est difficile. Par conséquent, si le motif de grille est formé par le processus d'attaque chimique humide, le motif de grille est formé de manière inadéquate de temps en temps. En 20 conséquence, lorsque le panneau d'affichage à cristaux liquides est achevé, puis, qu'une image est réalisée, le motif de grille n'est pas formé au niveau de la position correcte et génère un problème de fuite de lumière. Par ailleurs, bien qu'un film isolant soit disposé, une couverture de gradin générée par le motif de grille est main-tenue tel quel. Ainsi, la ligne de données prévue sur un film isolant peut être brisée 25 par une telle couverture de gradin. Le processus photolithographique et le processus d'attaque chimique de la figure 1 comporte le processus de décapage destiné à retirer le motif de résine photo-sensible après que le processus d'exposition, le processus de développement et le processus d'attaque chimique ont été effectués. En conséquence, un coût d'élabora- 30 tion pour former un motif en couche mince est augmenté et un temps d'élaboration est également augmenté. L'invention propose un procédé de fabrication d'un motif en couche mince qui comprend les étapes consistant à former un motif d'un matériau organique sur un substrat, former un matériau de métal de phase liquide sur un substrat muni du motif 35 de matériau organique, durcir le matériau de métal de phase liquide et retirer le matériau de métal situé sur le motif de matériau organique, en autorisant une partie du matériau de métal à rester au niveau d'une zone non chevauchée par le motif de matériau organique. R:ABreeets26500,265?5.p'U521-iesledepôtvioc-21 ma1200î-2'15 2905802 3 Selon un mode de réalisation, le matériau de métal de phase liquide est formé par l'un quelconque parmi un procédé de vaporisation et un procédé de revêtement par centrifugation. Selon un autre mode de réalisation, le matériau de métal de phase liquide 5 comporte du nitrate d'argent AgNO3 d'environ 10 % à environ 40 %, un agent réducteur d'environ 0,1 % à environ 3 %, un matériau destiné à protéger des particules de métal d'environ 5 % à environ 20 % et un solvant d'environ 40 % à environ 85 %. Selon un autre mode de réalisation, l'agent réducteur est du borohydrure de 1 o sodium. Selon un autre mode de réalisation, le matériau destiné à protéger des particules de métal est un sel d'ammonium polyacrylique. Selon un autre mode de réalisation, de l'eau est utilisée en tant que le solvant. Le procédé peut comprendre en outre l'étape consistant à former un film isolant 15 organique sur le substrat muni du motif de matériau organique et le matériau de métal au niveau de la zone non chevauchée par le motif de matériau organique par un procédé de revêtement par centrifugation. Un panneau d'affichage à cristaux liquides selon un aspect de la présente invention comprend un motif de grille qui comporte une ligne de grille et une 20 électrode de grille raccordée à la ligne de grille sur un substrat, un film isolant de grille organique disposé sur un substrat muni du motif de grille, et une ligne de données qui croise la ligne de grille, avec le film isolant de grille organique disposé entre elles. Le panneau d'affichage à cristaux liquides comprend en outre un transistor en couches minces prévu au niveau d'un croisement de la ligne de données et de 25 la ligne de grille, une électrode de pixel connectée au transistor en couches minces, et un motif de matériau organique disposé entre le substrat et le film isolant de grille organique, et situé au niveau d'une zone autre que le motif de grille. Selon un mode de réalisation, le motif de matériau organique comporte un matériau acrylique photosensible. 30 Selon un autre mode de réalisation, le motif de grille comporte du nitrate d'argent. Un procédé de fabrication d'un panneau d'affichage à cristaux liquides mettant en oeuvre le procédé de fabrication d'un motif en couche mince comprend les étapes consistant à : 35 - former un motif de matériau organique sur un substrat ; - former un motif de grille qui comporte une électrode de grille et une ligne de grille raccordée à l'électrode de grille au niveau d'une zone non chevauchée par le motif de matériau organique ; R',Rrerets 650026575.070521-textedepôtdoc- 21 maf 2007-3'15 2905802 4 - former un film isolant de grille organique sur le motif de matériau organique et le motif de grille ; - former une ligne de données qui croise la ligne de grille, avec le film isolant de grille organique disposé entre elles, et un transistor en couches 5 minces situé au niveau d'un croisement de la ligne de grille et de la ligne de données ; et - former une électrode de pixel raccordée au transistor en couches minces. Selon un mode de réalisation, l'étape consistant à former un motif de matériau organique et un motif de grille sur le substrat comprend les étapes consistant à : 10 -former un motif de matériau organique sur le substrat ; - former un matériau de métal de phase liquide sur le substrat muni du motif de matériau organique ; durcir le matériau de métal de phase liquide ; et -retirer le matériau de métal formé sur le motif de matériau organique et 15 autoriser une partie du matériau de métal à rester au niveau d'une zone non chevauchée par le motif de matériau organique. Selon un autre mode de réalisation, le matériau de métal de phase liquide est formé par l'un quelconque parmi un procédé de vaporisation et un procédé de revêtement par centrifugation. 20 Selon un autre mode de réalisation, le matériau de métal de phase liquide comporte du nitrate d'argent AgNO3 d'environ 10 % à environ 40 %, un agent réducteur d'environ 0,1 % à environ 3 %, un matériau destiné à protéger des particules de métal d'environ 5 % à environ 20 % et un solvant d'environ 40 % à environ 85 %. 25 Selon un autre mode de réalisation, l'agent réducteur est du borohydrure de sodium. Selon un autre mode de réalisation, le matériau destiné à protéger des particules de métal est un sel d'ammonium polyacrylique. Selon un autre mode de réalisation, de l'eau est utilisée en tant que le solvant 30 Selon un autre mode de réalisation, le film isolant de grille organique est formé sur le motif de matériau organique et le motif de grille par un procédé de revêtement par centrifugation. On comprendra qu'à la fois la description générale précédente et la description détaillée qui suit d'un ou plusieurs modes de réalisation de la présente invention sont 35 exemplaires et explicatives de l'invention. La description qui suit d'un ou plusieurs modes de réalisation donnés à titre d'exemples non limitatifs, est faite en référence aux dessins annexés dans lesquels : RBBrevets'26500'26575-070521-test cepôt ploc - 21 mai 2007 - 4115 2905802 5 la figure 1 est un organigramme de processus illustrant un processus de fabrication d'un motif en couche mince par un processus photolithographique et un procédé d'attaque chimique, étape par étape ; la figure 2 est un schéma illustrant une condition dans laquelle un film isolant 5 est formé sur un substrat prévu avec un motif en couche mince ; les figures 3A à 3C sont des organigrammes illustrant un procédé de fabrication d'un motif en couche mince selon un mode de réalisation de la présente invention ; la figure 4 est un schéma illustrant une condition dans laquelle un film isolant 10 organique est formé sur le motif en couche mince prévue par les figures 3A à 3C ; la figure 5 est une vue en plan illustrant un substrat de réseau de transistors en couches minces d'un panneau d'affichage à cristaux liquides selon le mode de réalisation de la présente invention ; la figure 6 est une vue en coupe du substrat de réseau de transistor en couches 15 minces réalisé le long de la ligne I û I' sur la figure 5 ; et les figures 7A à 7E sont des organigrammes de processus illustrant le processus de fabrication du substrat de réseau de transistor en couches minces de la figure 6, étape par étape. Il va maintenant être décrit en détail des modes de réalisation préférés de la 20 présente invention, en référence aux figures 3A à 7E. Les figures 3A à 3C sont des organigrammes de processus illustrant un procédé de fabrication d'un motif en couche mince selon un mode de réalisation de la présente invention. Tout d'abord, un substrat 102 est prévu, puis un matériau organique photo- 25 sensible tel qu'un matériau acrylique photosensible et analogues est revêtu sur le substrat 102. Ensuite, un motif de matériau organique 115 est formé sur le substrat 102 par un processus photolithographique comportant une exposition et des processus de développement comme représenté sur la figure 3A. Un matériau de métal 118a de phase liquide est revêtu sur le substrat 102 muni 30 du motif du matériau organique 115 par le procédé de vaporisation ou le procédé de revêtement par centrifugation. Par conséquent, le matériau de métal 118a de phase liquide est directement situé sur le substrat 102 et le matériau de métal 118a de phase liquide est partiellement situé sur le motif de matériau organique 115, comme représenté sur la figure 3B. Ensuite, le matériau de métal 118a de phase liquide est durci 35 par le processus par voie sèche. Ici, le matériau de métal de phase liquide est composé de nitrate d'argent AgNO3, d'un agent réducteur, d'un matériau destiné à protéger une particule de métal et d'un solvant. Du borohydrure de sodium NaBH4 peut être utilisé en tant que l'agent R-VBrevets'26500265 75-070521-tesicdep&. doc - 21 mai 2007 - 5'15 2905802 6 réducteur, et du sel d'ammonium polyacrylique peut être utilisé en tant que le matériau destiné à protéger la particule de métal. Ensuite, le matériau de métal 118a situé sur le motif de matériau organique 115 est retiré par le processus d'attaque chimique sèche ou un processus d'incinération. 5 D'un autre côté, le matériau de métal 118a prévu directement sur le substrat 102 ainsi que le matériau de métal 118a situé sur le motif de matériau organique 115 sont partiellement retirés par le processus d'attaque chimique sèche. Ainsi, le matériau de métal 118a directement situé sur le substrat 102 a une épaisseur relativement basse avant que le processus d'attaque chimique sèche ne soit effectué. Par conséquent, un 10 motif en couche mince 118 peut être formé au niveau d'une zone, à l'exception du motif de matériau organique 115, comme représenté sur la figure 3C. Un tel procédé de fabrication du motif en couche mince omet le processus de décapage pour retirer un motif de résine photosensible de la technique apparentée, de sorte que le coût et le temps d'élaboration peuvent être réduits. 15 Par ailleurs, le motif en couche mince peut être prévu sans le processus d'attaque chimique humide, de sorte qu'un problème généré en effectuant un processus d'attaque chimique humide de la technique apparentée peut être empêché à l'avance. En d'autres termes, une erreur et un écart sont hautement diminués par le processus d'attaque chimique sèche afin d'autoriser la formation du motif en couche mince au 20 niveau de la position appropriée, en comparaison du motif en couche mince formé par le processus d'attaque chimique humide. Comme décrit ciùdessus, le motif en couche mince 118 est formé sur le substrat 102, puis le film isolant organique 122 est formé comme représenté sur la figure 4. Contrairement à un film isolant inorganique, le film isolant organique 122 25 est formé d'un matériau organique par un procédé de revêtement par centrifugation pour compenser une couverture de gradin entre les motifs en couche mince. Par conséquent, des films minces ne sont pas brisés. Dans ce cas, les films minces sont formés après mise à disposition du film isolant organique 122. Ciùaprès, un substrat de réseau de transistors en couches minces d'un panneau 30 d'affichage à cristaux liquides et son procédé de fabrication seront décrits en référence aux figures 5 à 7E. Dans ce cas, le panneau d'affichage à cristaux liquides est formé par utilisation du procédé susmentionné de fabrication du motif en couche mince. La figure 5 est une vue en plan illustrant un substrat de réseau de transistors en 35 couches minces d'un panneau d'affichage à cristaux liquides selon un mode de réalisation de la présente invention, et la figure 6 est une vue en coupe du substrat de réseau de transistors en couches minces réalisé le long de la ligne 1ùI' sur la figure 5. R'.Brcvets 26500.26575.070521-tcxtedcpôt. doc - 21 mai 2007 - 6 15 2905802 7 En se référant aux figures 5 et 6, le substrat de réseau de transistors en couches minces comporte un motif de grille disposé sur un substrat inférieur 242, un motif de matériau organique 230 disposé au niveau d'une zone autre qu'une zone où le motif de grille est disposé sur le substrat inférieur 242, un film isolant 244 de grille organi- 5 que disposé sur le motif de grille et le motif de matériau organique 230, une ligne de données 204 qui croise une ligne de grille 202, le film isolant 244 de grille organique disposé entre elles, un transistor en couches minces 206 disposé au niveau d'un croisement de la ligne de grille 202 et de la ligne de données 204, une électrode de pixel 218 disposée au niveau d'une zone de cellules définie par la Iigne de grille 202 10 et la ligne de données 204 et raccordée au transistor en couches minces 206, et un condensateur de stockage 220 disposé au niveau d'une zone de chevauchement de l'électrode de pixel 218 et de la ligne de grille 202 d'étage précédent. Le motif de grille comporte une électrode de grille 208 du transistor en couches minces 206 et la ligne de grille 202 raccordée à l'électrode de grille 208, et le motif 15 de matériau organique 230 est formé au niveau d'une zone non chevauchée par le motif de grille. Un matériau organique est revêtu par le procédé de revêtement par centrifugation pour former le film isolant 244 de grille organique. Un tel film isolant de grille organique compense une couverture de gradin entre le motif de grille et le motif de 20 matériau organique 230 qui ont une épaisseur différente. Par ailleurs, le film isolant 244 de grille organique sépare électriquement la ligne de grille 202 de la ligne de données 204. Le transistor en couches minces 206 comporte l'électrode de grille 208 raccordée à la ligne de grille 202, une électrode de source 210 raccordée à la ligne de 25 données 204, une électrode de drain 212 raccordée à l'électrode de pixel 218, et une couche active 214 chevauchée par l'électrode de grille 208 et formant un canal entre l'électrode de source 210 et l'électrode de drain 212. La couche active 214 est chevauchée par la ligne de données 204, l'électrode de source 210 et l'électrode de drain 212. Par ailleurs, la couche active 214 comporte une portion de canal entre 30 l'électrode de source 210 et l'électrode de drain 212. Une couche de contact ohmique 248 en contact ohmique avec la ligne de données 204, l'électrode de source 210 et l'électrode de drain 212 est en outre formé sur la couche active 214. Ici, la couche active 214 et la couche de contact ohmique 248 font référence à un motif semiûconducteur 247. 35 Le transistor en couches minces 206 autorise l'application d'un signal de tension de pixel à la ligne de données 204 afin que celleûci soit chargée dans l'électrode de pixel 218 et soit conservée en réponse à un signal de grille appliqué à la ligne de grille 202. R: Hreeets` 26500",2 65 75-0 7 05 2 1-tex iedepbt_doc - 21 mai 2007 - 715 2905802 8 L'électrode de pixel 218 est raccordée, par le biais d'un trou de contact 216 passant à travers un film protecteur 250, jusqu'à l'électrode de drain 212 du transistor en couches minces 206. L'électrode de pixel 218 génère une différence de potentiel en rapport avec une électrode commune prévue au niveau d'un substrat supérieur 5 (non représenté) par le signal de tension de pixel chargé. Cette différence de potentiel met en rotation un cristal liquide situé entre le substrat de réseau de transistors en couches minces et le substrat supérieur grâce à une anisotropie diélectrique et transmet une lumière entrée, par le biais de l'électrode de pixel 218, à partir d'une source de lumière (non représentée), vers le substrat supérieur. l0 Le condensateur de stockage 220 est formé par la ligne de grille 202 d'étage précédent et l'électrode de pixel 218. Le film isolant 244 de grille organique et le film protecteur 250 sont situés entre la ligne de grille 202 et l'électrode de pixel 218. Le condensateur de stockage 220 autorise le maintien stable de la tension de pixel chargée dans l'électrode de pixel 218 jusqu'à ce que la prochaine tension de pixel soit 15 chargée. Le motif de grille comportant la ligne de grille 202 et l'électrode de grille 208 est formé au niveau du substrat de réseau de transistors en couches minces. Dans ce cas, le motif de grille est formé par le procédé de fabrication du motif en couche mince illustré sur les figures 3A à 3C. Par conséquent, le processus de décapage pour 20 retirer le motif de résine photosensible peut être omis, de sorte qu'un coût et un temps d'élaboration entiers du transistor en couches minces peuvent être réduits. Par ailleurs, le motif de grille n'est pas formé par le processus d'attaque chimique humide, de sorte qu'une erreur et un écart peuvent être réduits en comparaison d'un motif en couche mince prévu par le processus d'attaque chimique humide de la 25 technique apparentée. En conséquence, lorsque le panneau d'affichage à cristaux liquides est achevé afin de réaliser une image, le motif de grille est formé au niveau de la position appropriée, de sorte que le problème de fuite de lumière est empêché. La présente invention applique le film isolant 244 de grille organique afin de retirer une couverture de gradin générée par le motif de grille. En conséquence, une 30 rupture ou un défaut de la ligne de données 204 et analogues, prévue sur le film isolant 244 de grille organique, peut être empêchée. Ciùaprès, un procédé de formation du substrat de réseau de transistor en couches minces de la figure 6 sera décrit en référence aux figures 7A à 7E. En se référant à la figure 7A, le motif de matériau organique 230, l'électrode de 35 grille 208, et la ligne de grille 202 sont formés sur le substrat inférieur 242 par utilisation du procédé illustré sur les figures 3A à 3C. En d'autres termes, le motif de matériau organique 230 est formé par le processus photolithographique, le matériau de métal de grille de phase liquide est formé, et le matériau de métal de grille situé R yRrevets,26500',26575-070521-iextedepôt.doc - 21 mai 2007 - 8/15 2905802 9 sur le motif de matériau organique est retiré. Par conséquent, l'électrode de grille 208 et la ligne de grille 202 sont formées au niveau d'une zone non chevauchée par le motif de matériau organique 230. En se référant à la figure 7B, un matériau isolant organique tel qu'un composé 5 organique du groupe acrylique, BCB, PFCD, ou analogues est revêtu sur le motif de grille tel que l'électrode de grille 208 et la ligne de grille 202, et le motif de matériau organique 230, par utilisation d'un procédé tel que le revêtement par centrifugation, et analogues. Par conséquent, le film isolant 244 de grille organique est formé sur le motif de matériau organique 230 et le motif de grille. 10 Ici, un matériau de métal de phase liquide utilisé sur les figures 3A à 3C peut être utilisé en tant que le matériau de métal de grille de phase liquide. En d'autres termes, le matériau de métal de grille de phase liquide comporte du nitrate d'argent AgNO3 d'environ 10 % à environ 40 %, l'agent réducteur d'environ 0,1 % à environ 3 %, le matériau destiné à protéger une particule de métal d'environ 5 % à environ 15 20 % et le solvant d'environ 40 % à environ 85 %. Du borohydrure de sodium NaBH4 peut être utilisé en tant que l'agent réducteur, un sel d'ammonium polyacrylique peut être utilisé en tant que le matériau destiné à protéger une particule de métal, et de l'eau peut être utilisée en tant que le solvant. En se référant à la figure 7C, la couche active 214, la couche de contact ohmi- 20 que 248 et les motifs de source/de drain sont formés séquentiellement sur le substrat inférieur 242 muni du film isolant 244 de grille organique. Plus précisément, une couche de silicium amorphe, une couche de silicium amorphe dopé avec une impureté n+, et la couche de métal de source/de drain sont formés séquentiellement sur le substrat inférieur 242 muni du film isolant 244 de 25 grille organique par la technique de dépôt telle que le PECVD, et analogues. Le motif de résine photosensible est formé sur la couche de métal de source/de drain par le processus photolithographique en utilisant un masque. Dans ce cas, le masque utilise un masque d'exposition diffractif ayant une partie d'exposition diffractive au niveau de la portion de canal du transistor en couches minces afin 30 d'autoriser une épaisseur inférieure pour le motif de résine photosensible de la portion de canal par rapport à une autre portion de motif de source/de drain. Ensuite, la couche de métal de source/de drain est imprimée par le processus d'attaque chimique humide en utilisant le motif de résine photosensible afin de former les motifs de source/de drain comportant la ligne de données 204, l'électrode 35 de source 210 et l'électrode de drain 212 étant solidaire de l'électrode source 210. Ensuite, la couche de silicium amorphe dopé avec une impureté n+ et la couche de silicium amorphe sont imprimées simultanément par le processus d'attaque chimi-R-`,Brevets'2650026575-070521-textedepôt doc - 21 mai 2007 - 9'15 2905802 10 que sèche en utilisant le même motif de résine photosensible pour former la couche de contact ohmique 248 et la couche active 214. Par ailleurs, le motif de résine photosensible ayant une épaisseur relativement basse au niveau de la portion de canal est retiré par le processus d'incinération, puis 5 le motif de source/de drain et la couche de contact ohmique 248 de la portion de canal sont attaqués chimiquement par le processus d'attaque chimique sèche. Par conséquent, l'électrode de source 210 et l'électrode de drain 212 sont séparées électriquement, et la couche active 214 de la portion de canal est exposée. Ici, la couche de contact ohmique 248 et la couche active 214 sont dénommées en tant que le motif l0 semiùconducteur 247. Ensuite, le motif de résine photosensible restant sur la portion de motif de source/de drain est retiré par le processus de décapage. Le métal de source/de drain est formé à partir de Mo, Ti, Ta, d'un alliage de Mo, de Cu et d'un métal du groupe Al et analogues. 15 D'un autre côté, le motif semiùconducteur 247 peut être formé par utilisation d'un processus à masque séparé avant de former le motif de source/de drain. En se référant à la figure 7D, le film protecteur 250 comportant le trou de contact 216 est formé sur le film isolant 244 de grille organique prévu avec les motifs de source/de drain. 20 Le film protecteur 250 est entièrement formé sur le film isolant 244 de grille organique prévu avec les motifs de source/de drain par la technique de dépôt telle que le PECVD, et analogues. Ensuite, le film protecteur 250 est imprimé par le processus photolithographique et le processus d'attaque chimique en utilisant le masque afin de former le trou de contact 216 exposant l'électrode de drain 210 du 25 transistor en couches minces 206. Le film protecteur 250 est fait à partir d'un matériau isolant inorganique ou un matériau isolant organique tel que le composé organique du groupe acrylique ayant une petite constante diélectrique, BCB, PFCB ou analogues. En se référant à la figure 7E, l'électrode de pixel 218 est formée sur lefilm 30 protecteur 250. Un matériau d'électrode transparent est disposé entièrement sur le film protecteur 250 par la technique de dépôt telle qu'une pulvérisation et analogues. Ensuite, le matériau d'électrode transparent est imprimé par le processus photolithographique et le processus d'attaque chimique en utilisant le masque afin de former l'électrode de 35 pixel 218. L'électrode de pixel 218 est raccordée électriquement, par le biais du trou de contact 216, à l'électrode de drain 212. Par ailleurs, une zone ayant une épaisseur relativement basse du film isolant 244 de grille organique et le film protecteur 250 sont formés entre l'électrode de pixel 218 et la ligne de grille 202 d'étages précédents R:Brc REVENDICATIONS 1. Procédé de fabrication d'un motif en couche mince, le procédé comprenant les étapes consistant à : former un motif de matériau organique (115 ; 230) sur un substrat (102 ; 242) ; former un matériau de métal (118a) de phase liquide sur le substrat muni du motif de matériau organique (115 ; 230) ; durcir le matériau de métal (118a) de phase liquide ; et l0 retirer le matériau de métal (118a) situé sur le motif de matériau organique (115 ; 230) et autoriser une partie du matériau de métal (118 ; 202, 208) à rester au niveau d'une zone non chevauchée par le motif de matériau organique (115 ; 230). 2. Procédé de fabrication du motif en couche mince selon la revendicaLion 1, dans lequel le matériau de métal (118a) de phase liquide est formé par l'un quelconque parmi un procédé de vaporisation et un procédé de revêtement par centrifugation. 3. Procédé de fabrication du motif en couche mince selon la revendication 1 ou 2, dans lequel le matériau de métal (118a) de phase liquide comporte du 20 nitrate d'argent AgNO3 d'environ 10 % à environ 40 %, un agent réducteur d'environ 0,1 % à environ 3 %, un matériau destiné à protéger des particules de métal d'environ 5 % à environ 20 % et un solvant d'environ 40 % à environ 85 %. 4. Procédé de fabrication du motif en couche mince selon la revendication 3, dans lequel l'agent réducteur est du borohydrure de sodium. 25 5. Procédé de fabrication du motif en couche mince selon la revendication 3, dans lequel le matériau destiné à protéger des particules de métal est un sel d'ammonium polyacrylique. 6. Procédé de fabrication du motif en couche mince selon la revendica-tion 3, dans lequel de l'eau est utilisée en tant que le solvant. 30 7. Procédé de fabrication du motif en couche mince selon l'une quelconque des revendications 1 à 6, comprenant en outre l'étape consistant à former un film isolant organique (122 ; 244) sur le substrat (102 ; 242) muni du motif de matériau organique (115 ; 230) et le matériau de métal (118a) au niveau de la zone non chevauchée par le motif de matériau organique (115 ; 230) par un procédé de 35 revêtement par centrifugation. R:1Brevets\26500126575-070918-réponse LO unité - REV.doc - 18 septembre 2007 - 1/3