FR 2901405 A1 20071123 FR 0610469 A 20061130 cuivre 130 est exposé à l'air, la surface supérieure du trou d'interconnexion en cuivre 130 réagit avec l'oxygène présent dans l'air, en formant une couche d'oxyde de cuivre 140 dû à l'oxydation. La couche d'oxyde de cuivre 140 peut. nuire à la connexion électrique entre la surface supérieure du trou d'interconnexion en cuivre 130 et une couche conductrice (non montrée) formée sur celle-ci. En conséquence, il faut faire bien attention à empêcher l'exposition à l'air lors des étapes critiques du traitement, telles que l'ouverture du trou d'interconnexion, la formation de couches germinales de cuivre, la formation de couches de cuivre, le polissage chimico-mécanique (PCM) du cuivre et la formation du matériau diélectrique à k ultra faible. Traditionnellement, suite à une étape de traitement critique, le substrat 100 est retiré de la chambre de traitement qui réalise l'étape de traitement critique, et stocké temporairement dans une cassette ou enveloppe unifiée à ouverture frontale (FOUP) jusqu'au traitement ultérieur. Lorsque la porte de la cassette ou de la FOUP est retirée pour permettre le placement du substrat 100 dans la cassette ou la FOUP, l'air provenant du milieu environnant incluant l'oxygène s'écoule dans la cassette ou la FOUP. Après avoir fermé la porte, l'air est enfermé hermétiquement à l'intérieur de la cassette ou de la FOUP avec le substrat 100. Comme décrit ci-dessus, l'oxygène tend à réagir avec la couche de cuivre 110 formée sur le substrat 100 pour former la couche d'oxyde de cuivre 140. Afin de résoudre ce problème, un temps Q est requis après qu'une étape de traitement critique a été réalisée pendant le processus de fabrication du semi-conducteur. Le traitement du substrat suivant doit être réalisé à l'intérieur d'un laps de temps prédéterminé et défini ou temps Q, tel qu'entre 2 et 4 heures. Si un traitement ultérieur, tel que la formation d'une couche barrière, n'a pas lieu au cours de ce laps de temps, un processus de nettoyage est requis pour retirer toute couche d'oxyde de cuivre 140 formée sur la couche de cuivre 110. Du fait de l'intégration élevée des dispositifs à semi-conducteurs sur le substrat 100, un traitement de semi-conducteur intègre habituellement une pluralité d'étapes critiques, chacune ayant un temps Q associé conçu pour protéger le substrat. Ces exigences de temps Q compliquent les processus de fabrication. En outre, si on laisse passer un temps Q, les étapes supplémentaires requises, telles que le nettoyage, augmentent le temps de traitement et la complexité. En guise d'arrière-plan, la publication de brevet américain N 2002/0074664, attribuée à Nogami et al., fournit une description d'un procédé de fabrication de semi-conducteur. Dans cette référence, un film de CoWP (cobalt, tungstène, phosphore) est formé sur une couche de cuivre pour empêcher l'oxydation de la couche de cuivre exposée. Cependant, suite à la formation de la couche de cuivre et avant La formation du film de CoWP, le substrat incluant la couche de cuivre est déplacé de la chambre de traitement et est exposé à l'environnement. Une couche d'oxyde de cuivre se forme sur la couche de cuivre avant la formation du film de CoWP. Le procédé de Nogami et al. ne peut ainsi protéger complètement la couche de cuivre de la formation d'oxyde. Au vu de ce qui précède, des appareils et procédés de traitement améliorés sont souhaités. Résumé de l'invention Selon certains modes de réalisation exemplaires, un appareil comprend une enceinte, au moins une chambre de traitement, un robot et au moins une soupape. L'enceinte contient un gaz et a au moins une porte configurée pour recouvrir une ouverture dans l'enceinte. Le gaz inclut au moins un gaz réducteur. Le robot est disposé à l'intérieur de l'enceinte et est configuré pour transférer un substrat entre la porte et la chambre de traitement. La soupape est couplée à l'enceinte. Les caractéristiques ci-dessus et autres de la présente invention vont être mieux comprises à partir de la description détaillée suivante des modes de réalisation préférés de l'invention qui est fournie en faisant référence aux dessins joints. Brève description des dessins Une brève description des dessins exemplaires est fournie ci-après. Il s'agit de simples modes de réalisation exemplaires, et la portée de la présente invention ne doit pas se limiter à ceux-ci. La figure 1 est un dessin schématique en coupe transversale montrant une structure de trou d'interconnexion traditionnelle. La figure 2 est une vue schématique en coupe transversale d'un appareil de traitement groupé exemplaire. Les figures 3A à 3C sont des vues en coupe transversale schématiques illustrant un processus de retrait d'une couche d'oxyde de cuivre et de formation d'une couche couvercle sur un trou d'interconnexion en cuivre. La figure 4A est une vue de dessus schématique d'un mode de réalisation d'un appareil de traitement groupé exemplaire. La figure 4B est une vue schématique en coupe transversale de l'appareil de traitement groupé exemplaire de la figure 4A, prise le long de la ligne 4B-4B. Les figures 5A à 5E sont des vues schématiques en coupe transversale illustrant un processus de formation d'une structure à double damasquinage. Description du mode de réalisation préféré Cette description des modes de réalisation exemplaires doit être lue en faisant référence aux dessins joints, qui doivent être considérés comme faisant partie de l'intégralité de la description écrite. Dans la description, les termes relatifs tels que inférieur , supérieur , horizontal , vertical , au-dessus , en dessous , en haut , en bas , partie supérieure et partie inférieure ainsi que les dérivés de ceux-ci (par exemple, horizontalement , vers le bas , vers le haut , etc.) doivent être interprétés comme faisant référence à l'orientation, comme décrit ci-dessous ou comme montré sur les dessins. Ces termes relatifs facilitent la description et ne nécessitent pas que l'appareil soit configuré ou fonctionne dans une orientation particulière. La figure 2 est une vue schématique en coupe transversale d'un appareil de traitement groupé exemplaire. L'appareil de traitement groupé inclut une enceinte 200, au moins une chambre de traitement 210 (et de préférence une pluralité de chambres de traitement), au moins un robot 220 et au moins une soupape, telle que les soupapes 230 et 240. A un étage 201, une table ou tout autre dispositif de support (dénommé collectivement étage ) est disposé à l'intérieur de l'enceinte 200 pour supporter un robot 220, qu- porte un substrat 270, et des chambres de traitement 210. Dans un mode de réalisation, le robot 220 circule le long d'un rail ou d'un guide 225 disposé sur l'étage 201. L'enceinte 200 inclut un espace fermé hermétiquement contenant un gaz. Dans certains modes de réalisation, l'espace fermé hermétiquement est entouré de parois 205 de l'enceinte 200 et d'une surface supérieure 201a de l'étage 201. L'enceinte 200 inclut également au moins une porte 203 configurée pour recouvrir une ouverture dans l'enceinte 200. Dans certains modes de réalisation, la porte 203 est disposée sur ou dans au moins l'une des parois 205 de l'enceinte 200. La porte 203 est fournie de telle sorte qu'un substrat 270 peut être transféré de façon adéquate entre les chambres de traitement 210 et une interface 280. Le robot 220 se déplace le long du guide 225 d'une position à proximité de la porte 203 à des positions à prcximité des chambres de traitement 210, ou entre les positions à proximité des chambres de traitement 210. Le robot 220 fonctionne pour transférer le substrat 270 entre les chambres de traitement 210 ou entre les chambres de traitement 210 et l'interface 280 à la porte 203. Dans certains modes de réalisation, une pluralité de robots 220 sont fournis à l'intérieur de l'enceinte 200 pour améliorer la vitesse de transfert entre les chambres de traitement 210 ou entre les chambres de traitement 210 et l'interface 280. Au moins une soupape est fournie à l'intérieur de l'enceinte 200. Dans certains modes de réalisation, l'appareil de traitement groupé inclut une soupape 230 et une soupape de détente 240 permettant de fournir et d'évacuer le gaz, respectivement, vers et à partir de l'enceinte 200. Une jauge de pression 250 peut être couplée aux soupapes 230 et 240 pour une utilisation dans la commande des scupapes 230 et 240. Dans certains modes de réalisation, les soupapes 230 et/ou 240 sont couplées à au moins un dispositif de commande de l'écoulement massique (MFC) pour commander le débit de retrait, le débit d'écoulement et/ou le débit d'injection du gaz inerte ou du gaz de mélange. Dans certains modes de réalisation, la soupape 240 est configurée pour commander la pression à l'intérieur de l'enceinte 200. Le substrat 270 est, par exemple, un substrat de plaquette, un substrat d'affichage tel qu'un écran à cristaux liquides (LCD), un écran plasma, un écran à tube cathodique ou un écran à lampe électroluminescente (EL), ou un substrat de diode électroluminescente (DEL) (dénommé co=_lectivement substrat 270), par exemple. L'enceinte 200 comprend un gaz incluant au moins l'un d'un gaz réducteur et d'un gaz non réactif par rapport au substrat 270. Un gaz réducteur peut être fourni pour réduire ou empêcher la formation d'oxyde sur les surfaces du substrat 270 due à l'exposition du substrat 270, lors du transfert du substrat 270 entre les chambres de traitement 210 ou entre les chambres de traitement 210 et l'interface 280. Dans certains modes de réalisation, le substrat 270 comprend une couche de cuivre exposée (non montrée sur la figure 2, mais montrée sur la figure 1) et le gaz réducteur comprend de l'hydrogène (H2), de l'ammoniac (NH3), ou tout autre gaz réducteur ou mélange de ceux-ci. Le composant de gaz non réactif peut comprendre un gaz inerte tel que l'hélium (He), le néon (Ne), l'argon (Ar), le krypton (Kr), le xénon (Xe), le radon (Rn) ou d'autres gaz tels que l'azote (N2), qui ne réagissent sensiblement pas avec les surfaces des substrats 270 pour former un oxyde ou toute autre réaction indésirable. Dans certains modes de réalisation, le gaz comprend un mélange de N2 et de H2, dans lequel le H2 est d'environ 4% en volume à environ 10% en volume. La quantité du gaz réducteur doit être commandée pour empêcher l'explosion ou toute autre volatilité, si le gaz réducteur sélectionné est volatil. Par exemple, si H2 est le produit chimique réducteur à l'intérieur de l'enceinte 200, la quantité de H2 à l'intérieur de l'enceinte 200 doit être égale ou inférieure à environ 4% en volume. Une quantité préférée de H2 est comprise entre environ 10 parties par million (ppm) et environ 4% en volume, le pourcentage restant étant composé d'au moins un gaz non réactif. Dans certains modes de réalisation, si NH3 est le produit chimique réducteur à l'intérieur de l'enceinte 200, la quantité de NH3 à l'intérieur de l'enceinte 200 est égale ou inférieure à environ 15,5% en volume. Une quantité préférée de NH3 est comprise entre environ 10 parties par million (ppm) et environ 15,5% en volume, le pourcentage restant étant composé d'au moins un gaz non réactif. Dans un mode de réalisation, la pression à l'intérieur de l'enceinte 200 est maintenue à un niveau supérieur à la pression de l'environnement entourant l'enceinte 200, afin d'empêcher ou de réduire l'écoulement de gaz provenant du milieu environnant dans l'enceinte 200. Par exemple, si la pression environnementale est d'environ 1 atm, la pression à l'intérieur de l'enceinte 200 est maintenue à un niveau supérieur à environ 1 atm. En conséquence, la pression à l'intérieur de l'enceinte 200 peut varier en fonction de la pression environnementale. Dans certains modes de réalisation, la pression à l'intérieur de l'enceinte 200 est d'environ 1,0 atm à environ 2,5 atm. Dans certains modes de réalisation, le gaz à l'intérieur de l'enceinte 200 peut fuir ou s'écouler dans l'environnement entourant l'enceinte 200. Si le gaz est dangereux pour les humains, tel que le NH3, le gaz à l'intérieur de l'enceinte 200 est régulé, de telle sorte que la fuite du gaz n'atteint pas des niveaux nocifs dans l'environnement. Par exemple, avec le NH3, les niveaux doivent être maintenus à un niveau inférieur à 25 ppm dans l'environnement. La quantité de gaz, par exemple le NH3, à l'intérieur de l'enceinte 200 peut également être ajustée pour éliminer ce problème. Dans certains modes de réalisation, l'enceinte 200 est reliée à une interface 280. L'interface 280 est conçue pour permettre le transfert du substrat 270 vers un transporteur (non montré), tel qu'une cassette ou une enveloppe unifiée à ouverture frontale (FOUP), couplée à l'interface 280, comme décrit, par exemple, dans la demande de brevet provisoire américain également en cours N 60/747445, déposée le 17 mai 2006 [Registre de l'avocat N 2006.0090/1085.00414]. Les conditions de pression et de gaz à l'intérieur de l'interface 280 peuvent être sensiblement similaires à, ou différentes de, celles à l'intérieur de l'enceinte 200. La soupape 230 et la soupape 240 sont disposées sur l'une des parois 205 de l'enceinte 200. La soupape 230 peut fonctionner pour injecter un gaz, tel qu'un gaz incluant du gaz réducteur, dans l'enceinte 200 à partir d'une ou de plusieurs sources (non montrées), pour ajuster le niveau de gaz et/ou de pression à l'intérieur de l'enceinte, lorsqu'une pression à l'intérieur de l'enceinte 200 est inférieure à une pression prédéterminée, tel que 1 atm. Dans certains modes de réalisation, le gaz introc.uit par la soupape 230 comprend un mélange de N2 et de H2, dans lequel H2 est d'environ 4% en volume à environ 10% en volume. La soupape 240 peut fonctionner pour évacuer le gaz provenant de l'enceinte 200, pour ajuster la pression dans celle-ci, lorsque la pression à l'intérieur de l'enceinte 200 est supérieure à une autre pression prédéterminée, telle que 2,5 atm. Au lieu d'utiliser les deux soupapes 230 et 240, dans certains modes de réalisation, une seule soupape 230 ou 240 est utilisée. Dans de tels modes de réalisation,, la soupape 230 ou 240 peut injecter le gaz dans l'enceinte 200, lorsque la pression à l'intérieur de l'enceinte 200 est inférieure à une pression prédéterminée, et évacuer le gaz de l'enceinte 200, lorsque la pression à l'intérieur de l'enceinte 200 est supérieure à une pression prédéterminée. Dans certains modes de réalisation, la jauge de pression 250 est couplée à la soupape 230 et/ou à la soupape 240, de telle sorte que la jauge de pression 250 envoie un signal pour déclencher la soupape 230, afin qu'elle injecte le gaz dans l'enceinte 200, et la soupape 240, afin qu'elle évacue le gaz de l'enceinte 200. Dans d'autres modes de réalisation, la soupape 230 et la soupape 240 ont une minuterie réglée pour injecter et évacuer le gaz, respectivement, ou les soupapes 230 et 240 sont elles-mêmes sensibles à la pression ou incluent des jauges intégrales. Dans certains modes de réalisation, la jauge de pression 250 ou les jauges détectent la pression à l'intérieur et à l'extérieur de l'enceinte 200. Si la pression à l'intérieur de l'enceinte 200 est supérieure à la pression à l'extérieur de l'enceinte 200 d'une quantité prédéterminée, la jauge de pression 250 envoie un signal pour déclencher la soupape 240, afin de libérer le gaz de mélange à l'intérieur de l'enceinte 200, jusqu'à ce que la pression différentielle souhaitée soit atteinte. La soupape 230 peut être utilisée pour injecter le gaz réducteur ou un mélange contenant le gaz réducteur. Evidemment, au moins une soupape d'injection 230 peut être fournie pour injecter le ou les gaz souhaité(s),provenant de la même source ou de sources multiples, tant que la pression et/ou le pourcentage en volume du gaz de mélange à l'intérieur de l'enceinte 200 sont maintenus dans un guide tel que celui décrit précédemment. Dans un mode de réalisation, la soupape est positionnée à proximité d'une région supérieure de l'enceinte, si une masse moléculaire du gaz réducteur est inférieure à une masse moléculaire du gaz à l'intérieur de l'enceinte, et la soupape est positionnée à proximité d'une région inférieure de l'enceinte si une masse moléculaire du gaz réducteur est supérieure à la masse moléculaire du gaz à l'intérieur de l'enceinte. Dans les modes de réalisation où la soupape 230 fournit un gaz réducteur à l'enceinte 200, afin d'accélérer la délivrance du gaz réducteur dans l'enceinte 200, la soupape 230 est disposée à proximité d'une région supérieure de l'enceinte 200, lorsque la masse moléculaire du gaz35 réducteur est supérieure à la masse moléculaire du gaz à l'intérieur de l'enceinte 200. Par exemple, il faut supposer que le gaz réducteur injecté à partir de la soupape 230 est le NH3, et le gaz de mélange à l'intérieur de l'enceinte 200 est un mélange de NH3 et de He. La masse moléculaire de NH3 est égale à 17 et la masse moléculaire de He est égale à 2. Si le gaz comprend 10% de NH3 et 90% de He, la masse moléculaire du gaz est d'environ 3,5, ce qui est inférieur à 17. Ainsi, la soupape 230 est disposée à proximité de la région supérieure de l'enceinte 200, de telle sorte que le NH3 se diffuse efficacement dans l'enceinte 200, lorsque la soupape 230 est actionnée. Inversement, la soupape 230 est disposée à proximité de la région inférieure de l'enceinte 200, si la masse moléculaire du gaz réducteur es.= inférieure à la masse moléculaire du gaz de mélange à l'intérieur de l'enceinte 200. Par exemple, il faut supposer que le gaz réducteur comprend du H2 et le gaz de mélange à l'intérieur de l'enceinte 200 comprend un mélange de H2 et d'azote. La masse moléculaire de H2 est égale à 2 et la masse moléculaire de l'azote est égale à 28. Si le gaz comprend 1% de H2 et 99% d'azote, la masse moléculaire du gaz est d'environ 27,74, ce qui est supérieur à 2. Ainsi, le gaz de réduction provenant de la soupape 230 disposée à proximité de la région inférieure de l'enceinte 200 se diffuse efficacement à l'intérieur de l'enceinte 200, lorsque la soupape 230 est actionnée. Il faut noter que la région supérieure ne se limite pas à la paroi supérieure, comme le montre la figure 2. La région supérieure peut signifier la partie supérieure de la paroi latérale 205 de l'enceinte 200. De même, la région inférieure peut signifier la partie inférieure de la paroi latérale 205 de l'enceinte 200. Dans certains modes de réalisation, la soupape 230 est configurée à l'intérieur de l'étage 201, et le gaz réducteur est libéré dans l'enceinte 200 par l'intermédiaire des ouvertures (non montrées) à l'intérieur de la surface supérieure de l'étage 201. La configuration des soupapes 230 et 240 ne se limite pas aux descriptions fournies ci-dessus et montrées sur les figures. Tant que le gaz peut être fourni dans l'enceinte 200 de manière qu'il empêche efficacement l'oxydation ou toute autre réaction chimique du substrat 270, la soupape 230 et la soupape 240 peuvent être disposées au niveau de tout emplacement souhaité. Dans certains modes de réalisation, l'enceinte 200 est dans un état initial avec une pression d'environ l'atmosphère, et de l'air et de l'humidité, par exemple. Un tel état initial est indésirable et un état souhaité à l'intérieur de l'enceinte 200 décrit ci-dessus doit être atteint. Dans certains modes de réalisation, au moins une étape de purge et une étape de pompage sont fournies pour obtenir un état souhaité. Une étape de purge introduit un gaz réducteur ou un mélange décrit ci-dessus dans l'enceinte 200. Une étape de pompage évacue l'air ou le gaz de l'enceinte 200. Dans certains modes de réalisation, une étape de pompage réalisée, par exemple, par la soupape 240, évacue l'air de l'enceinte 200, de telle sorte que la pression à l'intérieur de l'enceinte 200 est réduite à une pression prédéterminée, telle que 0,7 atm. L'étape de pompage prend alors fin et une étape de purge réalisée, par exemple, par la soupape 230 introduit un gaz réducteur ou un gaz de rrélange dans l'enceinte 200. Dans certains modes de réalisation, l'étape de purge et l'étape de pompage sont répétées plusieurs fois afin d'atteindre un état souhaité avec l'enceinte 200. Dans encore d'autres modes de réalisation, une étape de purge et une étape de pompage sont réalisées simultanément, de telle sorte que l'air à l'intérieur de l'enceinte 200 peut être évacué efficacement de celle-ci. Dans les modes de réalisation, si la soupape 230 introduit un gaz réducteur, tel que le H2, dans l'enceinte 200, la soupape 230 peut être configurée au niveau de la partie supérieure de l'enceinte 200, et la soupape 240 peut être configurée au niveau de la partie inférieure de l'enceinte 200, car le H2 (masse moléculaire de 2) est plus léger que l'air (masse moléculaire d'environ 29), et l'air peut être plus facilement évacué par la soupape 240 configurée au niveau de la partie inférieure de l'enceinte 200. Si la soupape 230 introduit un mélange de gaz, tels que le H2 et le Kr (masse moléculaire de 36), plus lourd que l'air (masse moléculaire d'environ 29) dans l'enceinte 200, la soupape 2.30 peut être configurée au niveau de la partie inférieure de l'enceinte 200, et la soupape 240 peut être configurée au niveau de la partie supérieure de l'enceinte 200 pour évacuer plus efficacement l'air de l'enceinte 200. Dans certains modes de réalisation, l'étape de purge et les étapes de pompage peuvent être réalisées en commutant les gaz délivrés aux soupapes 230 et 240. Par exemple, comme mentionné ci-dessus, la soupape 230 est configurée au niveau de la partie inférieure de l'enceinte 200 pour introduire un mélange incluant le H2, et la soupape 240 est configurée au niveau de la partie supérieure de l'enceinte 200 pour maintenir un état souhaité à l'intérieur de l'enceinte 200. :Pour retirer l'état initial à l'intérieur de l'enceinte 200, l'étape de purge est réalisée par la soupape 240 pour introduire du H2 dans l'enceinte 200, et l'étape de pompage est réalisée par la soupape 230. Les chambres de traitement 210 incluent des portes respectives 215. Dans certains modes de réalisation, les chambres de traitement 210 incluent des appareils pour un traitement métallique et/ou une formation de couche couvercle. Une chambre peut être une chambre de traitement humide ou sèche. Dans un mode de réalisation, les chambres de traitement 210 incluent des appareils permettant de former le trou d'interconnexion montré sur la figure 1. Dans certains modes de réalisation, la chambre pour le traitement métallique inclut au moins un banc de nettoyage par voie humide (tel qu'un épurateur), un bain humide de réduction du métal (tel qu'un bain humide de réduction du cuivre), une chambre sèche de réduction du métal (telle qu'une chambre sèche de réduction du cuivre), un bain de placage métallique (tel qu'un bain de placage électrique au cuivre ou un bain de placage chimique au cuivre), une chambre d'attaque sèche, un appareil de polissage du métal (tel qu'un appareil de polissage chimico-mécanique (PCM)), un appareil de dépôt diélectrique à faible k (tel qu'un appareil de dépôt chimique en phase gazeuse (CVD), un appareil diélectrique par rotation (SOD) ou un appareil de traitement thermique (tel qu'une chambre de recuit) CVD à faible pression (LPCVD), ou d'autre chambre qui forme ou expose le matériau sur le substrat qui peut réagir en cas d'exposition à l'environnement. Dans certains modes de réalisation, la chambre de formation de couche couvercle peut former, par exemple, une couche de siliciure de cobalt, de siliciure de titane, de nitrure de titane, de titane/nitrure de titane, de tantale, de nitrure de tantale, de siliciure de tungstène ou de tout autre matériau qui est formé sur une couche contenant le métal pour protéger la couche de l'oxydation. Les figures 3A à 3C sont des vues en coupe transversale schématique montrant le retrait d'une couche d'oxyde de cuivre et de formation d'une couche couvercle sur un trou d'interconnexion en cuivre. En faisant référence à la figure 3A, une couche diélectrique à faible k 273 est formée sur un substrat 270. Un trou d'interconnexion en cuivre 275 est formé à l'intérieur d'une couche diélectrique à faible k 273 dans un appareil de placage électrique au cuivre, qui n'est pas disposé à l'intérieur de l'enceinte 200. Le substrat 270 est ensuite déplacé de l'appareil de placage électrique au cuivre et stocké à l'intérieur d'un transporteur (non montré), comme décrit par rapport à la figure 1. Etant donné que le substrat 270 n'est pas protégé par le gaz à l'intérieur du support, une couche d'oxyde de cuivre 271 se forme sur le trou d'interconnexion en cuivre 275, après que le trou d'interconnexion en cuivre 275 est exposé à l'environnement. La couche d'oxyde de cuivre 271 nuit à une connexion électrique entre le trou d'interconnexion en cuivre 275 et une couche métallique (non montrée; formée sur celui-ci. Afin de retirer la couche d'oxyde de cuivre 271, le transporteur portant le substrat 270 est relié à l'interface 280, et le substrat 270 est transféré de l'interface 280 par l'intermédiaire de la porte 203 à l'enceinte 200, par le robot 220, comme le montre la figure 2. Le substrat 270 est alors transféré à l'une des chambres de traitement 210, telle qu'une chambre de réduction du cuivre, à l'intérieur de l'enceinte 200 par le robot 220. La chambre de réduction du cuivre réalise le processus de réduction de cuivre sur la couche d'oxyde de cuivre 271 formée sur le substrat 270, de telle sorte que la couche d'oxyde de cuivre 271 est retirée, comme le montre la figure 3B. Le substrat 270 est alors déplacé de la chambre de réduction à une autre chambre 210, telle qu'une chambre de formation de couche couvercle, disposée à l'intérieur de l'enceinte 200 par le robot 220. Lors du transfert entre les deux chambres de traitement 210, le substrat 270 est exposé au gaz à l'intérieur de l'enceinte 200, comme expliqué ci- dessus. Le trou d'interconnexion en cuivre exposé 275 est protégé de l'oxydation lors de ce transfert entre les chambres de traitement 210 par le gaz présent dans l'enceinte 200. Ensuite, une chambre de formation de couche couvercle forme une couche couvercle 277, telle qu'une couche de siliciure de cobalt, sur le trou d'interconnexion en cuivre 275, comme le montre la figure 3C. La couche couvercle 277 protège la surface supérieure du trou d'interconnexion en cuivre d'une exposition à l'environnement lorsque le substrat 270 est transféré à l'extérieur de l'enceinte de la chambre groupé 200 par l'intermédiaire de l'interface 280 dans un transporteur. Après la formation de la couche couvercle 277, le substrat 270 est retiré de la chambre de formation de couche couvercle par le robot 220. Le substrat 270 est alors transféré à l'interface 280 et stocké dans le porteur relié à l'interface 280. Au lieu d'utiliser une chambre de réduction de métal, dans certains modes de réalisation, la couche d'oxyde de cuivre 271 est retirée par l'appareil de PCM qui es-: disposé à l'intérieur de l'enceinte 200. Après le retrait de la couche d'oxyde de cuivre 271, le substrat 270 est transféré par le robot 220 dans une chambre de formation de couche couvercle pour former la couche couvercle 277 comme décrit ci-dessus. Etant donné que le transfert du substrat 270 est réalisé à l'intérieur de l'enceinte 200, le trou d'interconnexion en cuivre 275 est protégé de l'oxydation. La couche couvercle 277 est ensuite formée sur le trou d'oxydation en cuivre 275 et protège le trou d'oxydation en cuivre 275 de l'exposition à l'intérieur de l'environnement. Dans encore d'autres modes de réalisation, l'une des chambres de traitement 210 peut être, parexemple, une chambre de placage métallique, telle qu'une chambre de placage chimique ou électrique au cuivre, qui est disposée à l'intérieur de l'enceinte 200. Le trou d'interconnexion en cuivre 275 est formé par la chambre de placage au cuivre, sans être exposé à l'environnement. Le substrat 270 est alors déplacé de la chambre de placage au cuivre par le robot 220 à la chambre de formation de couche couvercle. Etant donné que le transfert du substrat 270 est réalisé à l'intérieur de l'enceinte 200, le trou d'interconnexion 275 est protégé de l'oxydation. La couche couvercle 277 est alors formée sur le trou d'interconnexion en cuivre 275, comme expliqué ci-dessus, et protège le trou d'interconnexion en cuivre 275 de l'exposition au milieu environnant, lorsqu'il est retiré de l'enceinte 200. Par ailleurs, dans certains modes de réalisation, l'enceinte 200 peut également inclure un appareil de métrologie pour mesurer les propriétés physiques ou électriques des couches de matériau formées sur les substrats 270. Dans la mesure où le transfert du substrat 270 est réalisé à l'intérieur de l'enceinte 200, la couche de matériau est protégée de l'oxydation. Par conséquent, la formation des couches de matériau et la mesure des propriétés physiques ou électriques des couches de matériau peuvent être réalisées à l'intérieur de l'enceinte 200, sans risque d'oxydation de la couche de matériau. La figure 4A est une vue schématique de dessus d'un autre mode de réalisation d'un appareil de traitement groupé exemplaire. La figure 4B est une vue schématique en coupe transversale de l'appareil de traitement groupé exemplaire de la figure 4A, prise le long de la ligne 4B-4B. En faisant référence aux figures 4A et 4B, une région 227 est définie entre deux rangées des chambres de traitement 210, et fermée hermétiquement par les parties restantes de l'enceinte 200, avec une structure de blindage ou de couvercle 260. La structure de blindage 260 ferme hermétiquement la région 227 dans laquelle le rabot 220 est mobile sur le guide 225. La forme du guide 225 peut être, par exemple, une voie en ligne, une voie en ligne parallèle, une voie en forme de U, une voie en forme de 0, une voie en forme de 8, une voie sinueuse ou d'autres formes définies de telle sorte que le robot 220 peut transférer de façon adéquate le substrat 270 entre les chambres de traitement 210 ou entre les chambres de traitement 210 et l'interface 280. Dans certains modes de réalisation, le robot 220 peut être, par exemple, un bras de robot qui est disposé à l'intérieur de l'enceinte 200 ou de la structure de blindage 260. Le bras de robot peut fonctionner pour transférer les substrats 270 entre les chambres de traitement 210 ou entre les chambres de traitement 210 et l'interface 280 sans aucune voie. En faisant référence à la figure 4B, la soupape 230, la soupape de détente 240 et la jauge de pression 250 sont disposées à l'intérieur de la structure 260. Dans ce mode de réalisation, les tuyaux ou conduits 231 et 241 sont reliés à la soupape 230 et à la soupape de détente 240, respectivement. La conduite 231 fournit à la soupape 230 le gaz de mélange ou le gaz réducteur décrit relativement à la figure 2. La conduite 241 évacue le gaz de mélange ou le gaz réducteur de la soupape de détente 240. Dans certains modes de réalisation, la conduite 241 est couplée à u.i dispositif de commande de pression (non montré) permettant de commander la détente de pression à l'intérieur de la structure de blindage 260. Les questions concernant le positionnement de la soupape 230, de la soupape de détente 240 et de la jauge de pression 250 à l'intérieur de la structure de blindage 260 peuvent être identiques à celles décrites ci-dessus en relation à la figure 2. La fourniture d'une structure de blindage 260 peut réduire les coûts de fabrication et d'exploitation, dans la mesure où l'espace maintenu dans des conditions de pression et de gaz souhaitées, tel qu'expliqué ci-dessus, est réduit. La structure de blindage 260 ne se limite pas à la configuration montrée sur les figures 4A à 4B. Dans certains modes de réalisation, la structure de blindage 260 peut couvrir non seulement la région 227 montrée sur les figures 3A et 3B, mais également les chambres de traitement 210. La région 227 est entourée par la structure de blindage 260 et la surface supérieure du 201a de l'étage 201. Par exemple, l'espace entouré par la structure de blindage 260 peut être supérieur à celui de la région 227, mais inférieur à celui de l'enceinte 200. La structure de blindage 260 a besoin uniquement de recouvrir la région 227, de telle manière que le robot 220 peut transférer de façon adéquate le substrat 270 entre les chambres de traitement 210 ou. entre les chambres de traitement 270 et l'interface 280, tout en fermant hermétiquement les zones pour les protéger de la partie restante de l'enceinte 200. Les figures 5A à 5E sont des vues schématiques en coupe transversale montrant une formation d'une structure à double damasquinage. En faisant référence à la figure 5A, la couche diélectrique 510 est formée sur un substrat 500. Une couche conductrice 520 est formée à l'intérieur de la couche diélectrique 510. Une couche diélectrique 530 ayant une ouverture 540 incluant un trou d'interconnexion et une tranchée est formée sur la couche diélectrique 510 pour exposer partiellement une surface supérieure de la couche conductrice 520. La couche diélectrique 510 et le substrat 500 sont similaires à la couche diélectrique 273 et au substrat 270 tels que décrits ci-dessus. La couche conductrice 520 peut être, par exemple, une couche de cuivre, une couche de cuivre et d'aluminium, une couche d'aluminium ou toute autre couche conductrice qui est soumise à l'oxydation, si elle est exposée à l'air. La couche diélectrique 530 peut être, par exemple, une couche d'oxyde, une couche de nitrure, une couche d'oxyriitrure, une couche diélectrique à faible k, une couche diélectrique à k extrêmement faible (ELK) ou toute autre couche diélectrique pouvant isoler différentes couches conductrices. Une couche barrière 550 est ensuite formée en enrobant sensiblement la couche diélectrique 530 et l'ouverture 540, comme le montre la figure 5B. La couche barrière 550 peut être, par exemple, une couche de tantale (Ta), une couche de nitrure de tantale (TaN), une couche de titane (Ti), une couche de nitrure de titane (TiN) ou toute autre couche de matériau. La couche barrière 550 peut être formée, par exemple, par un appareil PVD ou CVD. Une couche germinale sensiblement enrobante 560 est ensuite formée sur la couche barrière 550, comme le montre la figure 5C. La couche germinale 560 est une couche formée pour un processus de placage chimique ultérieur, afin de former une couche contenant du métal, telle qu'une couche de cuivre, sur celle-ci. La couche germinale 560 peut être, par exemple, une couche de cuivre mince formée par un appareil de PVD. Une couche de matériau 570, tel que du cuivre, est formée sur la couche germinale 560, comme le montre la figure 5D. La couche de matériau 570 peut être formée, par exemple, grâce à un appareil de placage électrochimique ou un appareil de placage chimique. Les parties de la couche barrière 550, de la couche germinale 560 et de la couche de matériau 570 sont retirées pour la formation d'une structure à double damasquinage incluant la couche barrière 550a, la couche germinale 560a et la couche conductrice 570a. Le processus de retrait des parties de la couche barrière 550, de la couche germinale 560 et de la couche de matériau 570 peut être, par exemple, un processus de polissage chimico-mécanique (PCM) ou un processus d'attaque. Dans un processus traditionnel, après la formation de l'ouverture 540 montrée sur la figure 5A, le substrat 500 est transféré d'un appareil d'attaque à un appareil de PVD pour le dépôt d'une couche barrière 550 (montrée sur la figure 5B). Lors du transfert entre l'appareil d'attaque et l'appareil de PVD, la surface supérieure de la couche conductrice 520 est exposée à l'environnement et de l'oxyde se forme sur celle-ci. Ainsi, un processus de prénettoyage est utilisé pour retirer l'oxyde formé sur la surface supérieure de la couche conductrice 520. En outre, étant donné que la couche diélectrique 530, telle que la couche diélectrique à faible k, est exposée à l'environnement, la couche diélectrique 530 absorbe l'humidité à l'intérieur de l'environnement. Ainsi, dans un processus traditionnel, la structure montrée sur la figure 5A doit être soumise à un processus de dégazage pour retirer l'humidité de la couche diélectrique 530, avant le dépôt de la couche barrière 550. Grâce à l'utilisation de l'enceinte 200 expliquée ci-dessus, les processus décrits sur les figures 5A et 5B peuvent être réalisés à l'intérieur de l'enceinte 200, comme expliqué en faisant référence aux figures 2, 4A et 4B. Etar.t donné que l'enceinte 200 inclut un gaz réducteur ou un mélange d'un gaz réducteur et d'un gaz d'azote ou inerte, la surface supérieure de la couche conductrice 520 et de la couche diélectrique 530 n'est pas exposée à l'envircnnement. En conséquence, le processus de prénettoyage et le Drocessus de dégazage peuvent être évités. En outre, dans un processus traditionnel, ure cible de temps Q est utilisée après la formation de la couche germinale 560 (montrée sur la figure 5C) et avant la formation de la couche de matériau (fournie pour former la couche conductrice 570 montrée sur la figure 5D). La cible de temps Q est d'environ 4 heures à environ 6 heures pour empêcher qu'une oxydation trop importante indésirable survienne sur la surface supérieure de la couche germinale 560. Cependant, l'utilisation de l'enceinte 200 peut éviter la cible de temps Q et peut relâcher le flux de traitement montré sur les figures 5A à 5D. De même, après le retrait des parties de la couche barrière 550, de la couche germinale 560 et de la couche de matériau 570, le substrat 500 est transféré, par exemple, d'une chambre de PCM à une chambre de CVD pour former une couche diélectrique sur la structure à double damasquinage. Dans un processus traditionnel, les surfaces supérieures de la couche conductrice 570a et de la couche diélectrique 530 sont exposées à l'environnement, lors du transfert du substrat 500. D'autres processus de prénettoyage et de dégazage sont utilisés pour retirer l'oxyde qui se forme sur la surface supérieure de la couche conductrice 570a et pour retirer l'humidité de la couche diélectrique 530, respectivement. Comme expliqué ci-dessus, le processus de PCM et le processus de CVD ultérieur peuvent être réalisés à l'intérieur de l'enceinte 200. Le substrat 500 peut ainsi être transféré à l'intérieur de l'enceinte 200, sans être exposé à l'environnement. En conséquence, le processus de prénettoyage et le processus de dégazage peuvent être évités. En retirant les processus de prénettoyage, les processus de dégazage et/ou la cible de temps Q d'un processus traditionnel comme décrit ci-dessus, le temps de traitement de la formation de circuits intégrés peut être réduit et le processus devient plus flexible. En outre, dans la. mesure où les processus de prénettoyage, les processus de dégazage et/ou la cible de temps Q ne sont pas utilisés, les appareils ou chambres pour les processus de prénettoyage et de dégazage et/ou les dispositifs de stockage pour stocker les substrats sous la cible de temps Q peuvent être évités. Grâce à la réduction du nombre d'équipements, un espace d'une usine peut être sensiblement réduit, par exemple, d'un tiers. Dans certains modes de réalisation, l'enceinte 200 peut coopérer avec le porteur et l'interface de l':nstallation décrite, par exemple, dans la demande de brevet provisoire américaine également en cours et attribuée communément dont le numéro de série est le 60/747 445, déposée le 17 mai 2006 [Registre de l'avocat N 2006.0090/1085.00414]. Grâce à la combinaison du porteur, de l'interface d'installation et de l'enceinte 200, le résultat souhaité tel que décrit ci- dessus et un appareil ayant des chambres de traitement groupé peuvent être atteints plus efficacement. Bien que la présente invention ait été décrite en termes de modes de réalisation exemplaires, elle ne se limite pas à ceux-ci. En effet, les revendications jointes doivent être interprétées au sens large pour inclure d'autres variantes et d'autres modes de réalisation de l'invention que les spécialistes de la technique peuvent effectuer, sans s'éloigner de la portée de la présente invention. REVENDICATIONS 1. Appareil de traitement groupé, comprenant : - une enceinte comprenant un gaz et au moins une porte configurée pour recouvrir une ouverture dans l'enceinte, le gaz comprenant au moins l'un d'un gaz réducteur, d'un gaz non réactif et d'un gaz inerte ; - au moins une chambre de traitement disposée à l'intérieur de l'enceinte ; - un robot disposé à l'intérieur de l'enceinte et configuré pour transférer un substrat entre la porte et la chambre de traitement ; et - au moins une soupape couplée à l'enceinte. 2. Appareil selon la revendication 1, dans lequel la chambre de traitement comprend au moins l'une d'une chambre pour le traitement métallique et d'une chambre de formation de couche couvercle. 3. Appareil selon la revendication 2, dans lequel la chambre de traitement métallique comprend au moins l'un d'un banc de nettoyage par voie humide, d'un banc humide de réduction de métal, d'une chambre sèche de réduction de métal, d'un bain de placage métallique, d'une chambre d'attaque à sec, d'un appareil de polissage métallique et d'une chambre de dépôt diélectrique à faible k. 4. Appareil selon la revendication 2, dans lequel la chambre de formation de couche couvercle forme une couche de siliciure de cobalt, de siliciure de tungstène, de siliciure de titane, de nitrure de titane, de titane/nitrure de titane, de tantale ou de nitrure de tantale. 5. Appareil selon la revendication 1, dans lequel la au moins une soupape comprend une première soupape et une deuxième soupape, la première soupape pouvant fonctionner pour injecter le gaz réducteur dans l'enceinte si une pression à l'intérieur de l'enceinte est inférieure à un premier niveau de pression prédéterminé, et La deuxième soupape pouvant fonctionner pour évacuer le gaz réducteur de l'enceinte, si la pression à l'intérieur de l'enceinte est supérieure à un deuxième niveau de pression prédéterminé. 6. Appareil selon la revendication 5, dans lequel la première pression prédéterminée est d'environ 1 atm et la deuxième pression prédéterminée est d'environ 2,5 atm. 7. Appareil selon la revendication 5, dans lequel_ la soupape est positionnée à proximité d'une région supérieure de l'enceinte, si une masse moléculaire du gaz réducteur est inférieure à une masse moléculaire du gaz à l'intérieur de l'enceinte, et la soupape est positionnée à proximité d'une région inférieure de l'enceinte si une masse moléculaire du gaz réducteur est supérieure à la masse molécula=Lre du gaz à l'intérieur de l'enceinte. 8. Appareil selon la revendication 1, dans lequel le gaz réducteur comprend au moins l'un de l'hydrogène (H2) et de l'ammoniac (NH3) 9. Appareil selon la revendication 1, dans lequel le gaz à l'intérieur de l'enceinte comprend en outre au moins l'un d'un gaz inerte et de l'azote. 10. Appareil selon la revendication 1, dans lequel la pression à l'intérieur de l'enceinte est supérieure à la pression de l'environnement entourant l'enceinte. 11. Appareil selon la revendication 1, comprenais= en outre une structure de blindage entourant un trajet traversé parle robot entre la porte et les chambres de traitement, dans lequel la soupape est disposée sur une paroi de la structure de blindage et le gaz est disposé à l'intérieur d'une zone entourée de la structure de blindage. 12. Appareil de traitement groupé, comprenant : - une enceinte comprenant un gaz et au moins une porte configurée pour recouvrir une ouverture dans l'enceinte, le gaz comprenant au moins l'un de l'azote, de l'hélium, du néon, de l'argon, du krypton, du xénon, du radon, de l'hydrogène et de l'ammoniac, une zone de l'enceinte ayant le gaz à une pression supérieure à la pression de l'environnement entourant l'enceinte ; - au moins une chambre de traitement métallique et au moins une chambre de formation de couche couvercle disposées à l'intérieur de l'enceinte ; - un robot disposé à l'intérieur de l'enceinte et configuré pour transférer un substrat de la porte aux chambres de traitement et/ou entre les chambres ; - une première soupape et une deuxième soupape disposées à l'intérieur de l'enceinte, dans lequel la première soupape peut fonctionner pour injecter le gaz réducteur dans l'enceinte, lorsqu'une pression à l'intérieur de l'enceinte est inférieure à environ 1 atm, et la deuxième soupape pouvant fonctionner pour évacuer le gaz réducteur de l'enceinte, lorsque la pression à l'intérieur est supérieure à un niveau de pression prédéterminé ; et - au moins une jauge de pression couplée à la soupape et à la soupape de libération. 13. Appareil selon la revendication 12, dans lequel la soupape est positionnée à proximité d'une région supérieurede l'enceinte si une masse moléculaire du gaz réducteur est inférieure à une masse moléculaire du gaz à l'intérieur de l'enceinte, et la soupape est positionnée à proximité d'une région inférieure de l'enceinte si la masse moléculaire du gaz réducteur est supérieure à la masse moléculaire du gaz à l'intérieur de l'enceinte. 14. Appareil selon la revendication 12, comprenant en outre une structure de blindage fermant la zone de l'enceinte, ayant le gaz pour recouvrir un trajet traversé par le robot entre les chambres, dans lequel la soupape est disposée sur une paroi de la structure de blindage. 15. Appareil de traitement groupé, comprenant : - une enceinte comprenant un gaz et au moins une porte configurée pour recouvrir une ouverture dans l'enceinte, le gaz comprenant environ 4 % en volume ou moins d'hydrogène et un gaz inerte ou d'azote, une pression à l'intérieur de l'enceinte étant supérieure à une pression de l'environnement entourant l'enceinte ; - au moins un appareil de traitement au cuivre et au moins un appareil de formation de couche couvercle disposés à l'intérieur de l'enceinte ; - un robot disposé à l'intérieur de l'enceinte et configuré pour transférer un substrat de la porte à l'appareil de traitement de cuivre ou entre l'appareil de formation de couche couvercle et l'appareil de traitement de cuivre ; - une première soupape et une deuxième soupape disposées à l'intérieur de l'enceinte, dans lequel la première soupape peut fonctionner pour injecter le gaz dans l'enceinte lorsqu'une pression à l'intérieur de l'enceinte est inférieure à environ 1 atm, et la deuxièmesoupape peut fonctionner pour évacuer l'hydrogène de l'enceinte lorsque la pression à l'intérieur de l'enceinte est supérieure à environ 2,5 atm, et - une jauge de pression couplée à la soupape et à la 5 soupape de libération.