FR 2903201 A1 20080104 FR 0611254 A 20061222 PROCEDE DE FABRICATION D'UN TRANSISTOR EN COUCHES MINCES POUR UN DISPOSITIF D'AFFICHAGE A CRISTAUX LIQUIDES ET PROCEDE DESTINE A FABRIQUER CE DISPOSITIF La présente invention concerne un procédé de fabrication d'un transistor en couches minces (TFT) destiné à être utilisé avec un dispositif d'affichage à panneau plat. En particulier, la présente invention concerne un procédé de fabrication d'un TFT à l'aide d'un nombre de masques réduit. Des dispositifs d'affichage d'images destinés à être utilisés avec des dispositifs d'information portables font l'objet d'une certaine demande. En particulier, des afficheurs à panneau plat (FPD) remplaçant des tubes à rayons cathodiques (CRT) font l'objet d'une forte demande. Un afficheur à cristaux liquides (LCD) est un des afficheurs à panneau plat (FPD) les plus populaires. Un dispositif LCD affiche des images en utilisant une anisotropie optique d'un cristal liquide. Un dispositif LCD a été utilisé en tant que moniteurs d'un ordinateur blocùnotes et un d'ordinateur de bureau car il fournit des avantages de résolution élevée et de bonnes qualités d'illustration. Un dispositif LCD comporte un premier substrat d'un substrat de filtres chromatiques ; un second substrat d'un substrat de réseau ; et une couche de cristaux liquides formée entre le substrat de filtres chromatiques et le substrat de réseau. Un dispositif LCD est fabriqué à l'aide de la photolithographie. La photolithographie implique une pluralité de processus de masquage pour le substrat de réseau comportant un transistor en couches minces qui fonctionne en tant qu'un élément de commutation. 2. 5 La figure 1 est une vue en plan illustrant certaines portions d'un substrat de réseau de transistors en couches minces destiné à être utilisé avec un dispositif LCD. Sur la figure 1, une ligne IùI' correspond à une partie de transistor en couches minces et une partie de ligne de données, une ligne IIùII' correspond à une partie de plages de contacts de données, et une ligne IIIùIII' correspond à une partie de plages de 30 contacts de grille. Le procédé de la technique apparentée de fabrication du dispositif LCD peut impliquer un certain nombre de masques, par exemple, quatre, cinq ou six masques en fonction du modèle. Par exemple, sur la figure 1, le procédé de la technique apparentée peut utiliser quatre masques, y compris (i) un premier masque pour former une 35 électrode de grille, (ii) un deuxième masque pour former une couche active et des électrodes source et drain, (iii) un troisième masque pour former un trou de contact dans une couche de passivation, et (iv) un quatrième masque pour former une électrode de pixel. R /Brevets 6100 26118-061214-trad(XT doc - 15 décembre 2006 - 1/17 2903201 2 Un masque utilisé dans le procédé de fabrication de la technique apparentée du dispositif LCD peut être un article coûteux. Un coût de production peut sensiblement augmenter lorsque plusieurs masques sont utilisés au cours du procédé de fabrication. Lorsqu'un masque est utilisé, un processus supplémentaire tel qu'une irradiation, 5 un décapage et un nettoyage s'ensuivent. Par conséquent, il existe un besoin de simplification d'un processus de fabrication d'un dispositif LCD, en particulier, une réduction d'un nombre de masques utilisés dans le procédé de fabrication. L'invention propose, selon un premier aspect, un procédé de fabrication d'un transistor en couches minces consistant à reproduire par motifs une électrode de 10 grille à l'aide d'un premier masque ; former un motif actif et un motif de réserve photosensible à l'aide d'un deuxième masque ; incinérer le motif de réserve photo-sensible sur la base d'une largeur prédéterminée d'un arrêt d'attaque chimique ;reproduire par motifs une couche d'isolation sousùjacente au motif de réserve photo-sensible incinéré, afin de former l'arrêt d'attaque chimique ; et reproduire par motifs 15 une électrode source et une électrode drain à l'aide d'un troisième masque. De préférence, le procédé comprend en outre les étapes consistant à : exposer le motif de réserve photosensible incinéré ; et enlever les motifs de réserve photo-sensible incinérés. De préférence, le procédé comprend en outre l'étape consistant à éliminer de 20 manière sélective une couche métallique se trouvant auùdessus du motif de réserve photosensible incinéré. Selon un mode de réalisation, la reproduction de motifs de la couche d'isolation comprend l'étape consistant à former l'arrêt d'attaque chimique auùdessus d'un canal de transistor en couches minces. Selon un autre mode de réalisation, la reproduction de motifs de la couche d'isolation comprend l'étape consistant à former l'arrêt d'attaque chimique en utilisant le motif de réserve photosensible incinéré en tant qu'un masque. L'invention propose, selon un autre aspect, un procédé de fabrication d'un transistor en couches minces comprenant les étapes consistant à : former une électrode de grille sur un substrat d'isolation ; former une couche active et un arrêt d'attaque chimique sur l'électrode de grille, l'arrêt d'attaque chimique couvrant une portion de formation de canal ; former une couche métallique sur une surface entière du substrat d'isolation comportant l'arrêt d'attaque chimique ; exposer l'arrêt d'attaque chimique en attaquant chimiquement de manière sélective la couche métallique ; et former des électrodes source et drain au niveau des deux côtés de l'arrêt d'attaque chimique en attaquant chimiquement la couche métallique restante. Selon un mode de réalisation, l'étape consistant à former l'électrode de grille comprend les étapes consistant à : former de manière séquentielle une couche de R.\Brevets \26100A261 1 8-061 2 14-tradTXT doc - 15 décembre 2006 - 217 2903201 3 matériau d'électrode de grille et un premier motif de réserve photosensible sur le substrat d'isolation en utilisant un premier masque ; former par reproduction de motifs la couche de matériau d'électrode de grille en utilisant le premier motif de réserve photosensible en tant qu'un masque ; et éliminer le premier motif de réserve 5 photosensible. De préférence, le procédé comprend en outre l'étape consistant à former la couche d'arrêt d'attaque chimique à partir d'une couche de nitrure de silicium. Selon un mode de réalisation, l'étape consistant à former les électrodes source et drain comprend les étapes consistant à : former un deuxième motif de réserve 10 photosensible en utilisant un deuxième masque ; former une couche métallique sur une surface entière du substrat d'isolation comportant le deuxième motif de réserve photosensible et l'arrêt d'attaque chimique ; éliminer de manière sélective le deuxième motif de réserve photosensible et la couche métallique positionnée sur le deuxième motif de réserve photosensible ; former un troisième motif de réserve 15 photosensible ayant une épaisseur différente sur le substrat d'isolation, dans lequel le troisième motif de réserve photosensible comporte une portion relativement plus mince correspondant à l'électrode drain ; et former par reproduction de motifs la couche métallique restante en utilisant le troisième motif de réserve photosensible. De préférence, le procédé comprend en outre l'étape consistant à enlever le 20 deuxième motif de réserve photosensible et la couche métallique positionnée sur le deuxième motif de réserve photosensible. Selon un mode de réalisation, le procédé comprend en outre l'étape consistant à: former une couche de contact ohmique se trouvant auùdessus du substrat d'isolation comportant le deuxième motif de réserve photosensible et l'arrêt d'attaque 25 chimique avant de former la couche métallique Selon un autre mode de réalisation, la reproduction par motifs de la couche métallique restante comprend l'étape consistant à effectuer la reproduction par motifs à l'aide d'un processus d'attaque chimique humide. Selon un autre mode de réalisation, l'étape consistant à former l'électrode de 30 pixel comprend les étapes consistant à : former un quatrième motif de réserve photo-sensible en incinérant le troisième motif de réserve photosensible, le quatrième motif de réserve photosensible étant formé en éliminant une portion relativement plus mince du troisième masque ; former une couche conductrice transparente sur le substrat d'isolation comportant le troisième motif de réserve photosensible ; et élimi- 35 ner de manière sélective le troisième motif de réserve photosensible et la couche conductrice transparente positionnée sur le troisième motif de réserve photosensible. De préférence, le procédé comprend en outre un enlèvement du troisième motif de réserve photosensible et de la couche conductrice transparente. R \Brevets\26100'261 1 8-06 1 2 1 4-tradTXT doc décembre 2006 - 3717 2903201 4 L'invention propose, selon un autre aspect, un procédé de fabrication d'un dispositif d'affichage à cristaux liquides (LCD) comprenant les étapes consistant à : préparer un substrat d'isolation défini avec une partie de transistor en couches minces, une partie de lignes de données, une partie de plages de contact de grille, et 5 une partie de plages de contact de données ; former une ligne de grille sur le substrat d'isolation, dans laquelle la ligne de grille comportant une électrode de grille formée dans la partie de transistor en couches minces, et une plage de contact de grille formée dans la partie de plages de contact de grille à l'aide d'un premier masque ; former un motif actif et un motif de réserve photosensible à l'aide d'un deuxième 10 masque ; incinérer le motif de réserve photosensible sur la base d'une largeur prédéterminée d'un arrêt d'attaque chimique ; former par reproduction de motifs une couche d'isolation sousûjacente au motif de réserve photosensible incinéré afin de former l'arrêt d'attaque chimique ; former une ligne de données qui comporte des électrodes source et drain formée dans la partie de transistor en couches minces, et 15 une plage de contact de données formée dans la partie de plages de contact de données à l'aide d'un troisième masque ; et former une électrode de pixel raccordée à l'électrode drain. Selon un autre mode de réalisation, l'étape consistant à former la couche active et l'arrêt d'attaque chimique comporte les étapes consistant à : former séquentielle- 20 ment une couche de silicium, une couche d'un arrêt d'attaque chimique et un premier motif ayant une épaisseur différente sur le substrat d'isolation comportant la ligne de grille, le premier motif ayant une portion relativement plus épaisse correspondant à la portion de formation de canal ; former la couche active et un arrêt d'attaque chimique préliminaire par reproduction de motifs sur la couche d'isolation et la couche de 25 silicium en utilisant le premier motif; former un deuxième motif par incinération du premier motif, le deuxième motif étant formé en éliminant la portion relativement plus mince du premier masque ; et former l'arrêt d'attaque chimique en attaquant chimiquement l'arrêt d'attaque chimique préliminaire en utilisant le deuxième motif. De préférence, le procédé comprend en outre les étapes consistant à : éliminer 30 de manière sélective le deuxième motif et la couche métallique positionnée sur le deuxième motif ; et enlever le deuxième motif et la couche métallique. Selon un mode de réalisation, l'étape consistant à former les électrodes source et drain comporte les étapes consistant à : former une couche métallique sur le substrat d'isolation comportant le deuxième motif et l'arrêt d'attaque chimique ; 35 éliminer de manière sélective le deuxième motif et la couche métallique positionnée sur le deuxième motif ; former un troisième motif ayant une épaisseur différente sur le substrat d'isolation, le troisième motif ayant une portion relativement plus mince R vBrevets'2610012611 S-(161214-tradTXT doc - 15 décembre 2006 - 4,1 ï 2903201 5 correspondant à l'électrode de drain ; et former par reproduction de motifs la couche métallique restante en utilisant le troisième motif. Selon un mode de réalisation, le procédé comprend en outre l'étape consistant à former par reproduction de motifs la couche métallique restante à l'aide d'un proces-5 sus d'attaque chimique humide. Selon un mode de réalisation, le procédé comprend en outre une étape consistant à : former une couche de contact ohmique sur le substrat d'isolation comportant le deuxième motif et l'arrêt d'attaque chimique avant de former la couche métallique. 10 Selon un autre mode de réalisation, l'étape consistant à former l'électrode de pixel comporte les étapes consistant à : former un quatrième motif par incinération du troisième masque, le quatrième motif étant formé par élimination d'une portion relativement plus mince du quatrième motif ; former une couche conductrice transpa- rente sur le substrat d'isolation comportant le quatrième motif ; et éliminer de 15 manière sélective le quatrième motif et la couche conductrice transparente position-née sur le quatrième motif. Selon un autre mode de réalisation, le procédé comprend en outre l'étape consistant à enlever le quatrième motif et la couche conductrice transparente. Selon un autre mode de réalisation, l'électrode de pixel comprend une étape de 20 formation utilisant l'arrêt d'attaque chimique en tant qu'une couche de passivation. On comprendra qu'à la fois la description générale précédente et la description détaillée qui suit d'un ou plusieurs modes de réalisation de la présente invention sont exemplaires et explicatives de l'invention. La description qui suit d'un ou plusieurs modes de réalisation donnés à titre 25 d'exemples non limitatifs, est faite en référence aux dessins annexés dans lesquels : La figure 1 est une vue en plan illustrant un substrat de réseau de transistor en couches minces selon la technique apparentée ; la figure 2 est une vue en plan illustrant un substrat de réseau de transistor en couches minces selon un mode de réalisation de la présente invention; et 30 les figures 3A à 3I sont des vues en coupe transversales illustrant un procédé de fabrication du substrat de réseau de transistor en couches minces le long de lignes de coupe transversale de la figure 2. Il va maintenant être décrit en détail un ou plusieurs modes de réalisation préférés de la présente invention, dont des exemples sont illustrés sur les dessins 35 joints. La figure 2 est une vue en plan illustrant certaines portions d'un substrat de réseau de transistor en couches minces selon un mode de réalisation de la présente invention. La figure 2 comporte les lignes IV à IV' qui correspondent à une partie de RABrevets'26100A26118-061214-lradTXT doc. - 15 décembre 2006 - 5/1'7 2903201 6 transistor en couches minces et une partie de lignes de données, la ligne V à v' qui correspond à une partie de plages de contact de données, et la ligne VI à VI' qui correspond à une partie de plages de contact de grille. Les figures. 3A à 3I sont des vues en coupe transversale illustrant un procédé de fabrication du dispositif d'affi- 5 chage à cristaux liquides (LCD) utilisant un processus à 3 masques, le long des lignes IV à IV', v à v', et VI à VI' de la figure. 2. Sur les figures 2 et 3A, un substrat d'isolation 51 est prévu. Le substrat d'isolation 51 peut être défini avec la partie de transistor en couches minces, la partie de lignes de données, la partie de plages de contact de grille, et la partie de plages de 10 contact de données. Le substrat d'isolation 51 est formé d'un matériau transparent de verre. Une première couche métallique 53 est formée sur le substrat d'isolation 51. La première couche métallique 53 peut être formée d'un matériau quelconque sélectionné parmi des matériaux métalliques conducteurs, par exemple, de l'aluminium (Al), de l'aluminiumûnéodyme (AINd), du tungstène (W), et du chrome (Cr), ou peut 15 être formée d'un alliage. La première couche métallique 53 peut être formée grâce à un procédé de pulvérisation. Une couche de réserve photosensible est appliquée sur la première couche métallique 53. Ultérieurement, un premier masque M1 d'une forme prédéterminée est appliqué et reproduit des motifs sur la couche de réserve photosensible. En conséquence, des motifs de réserve photosensibles 81 sont formés. 20 La première couche métallique 53 sousûjacente aux premiers motifs 81 est protégée lors d'une attaque chimique et une ligne de grille 53P comportant une plage de contact de grille et une électrode de grille est formée en conséquence. Sur les figures 2 et 3B, la première couche métallique 53 reproduite par motifs et la ligne de grille 53P sont formées. La ligne de grille 53P est formée le long d'une 25 direction sur le substrat d'isolation 51. A ce moment, une plage de contact de grille 53P1 est formée dans la partie de plages de contact de grille correspondant à une extrémité de la ligne de grille, et une électrode de grille 53P2 est formée dans la partie de transistor en couches minces. Ultérieurement, les premiers motifs 81 sont éliminés. 30 Après élimination des premiers motifs 81, une couche d'isolation 54, une couche de silicium 55, et une couche d'arrêt d'attaque chimique 57 sont formées séquentiellement sur le substrat d'isolation 51 duquel les premiers motifs 81 sont éliminés. La couche d'isolation 54 peut être une couche d'oxyde de grille. Dans un autre mode de réalisation, la couche d'isolation 54 peut être formée d'une couche de 35 nitrure de silicium. La couche de silicium 55 peut être formée en déposant séquentiellement une première couche de silicium amorphe et une seconde couche de silicium amorphe. La seconde couche de silicium amorphe est lourdement dotée en impuretés. La couche d'arrêt d'attaque chimique 57 peut être formée d'une couche R`.Brevets 2261001261 I8-061_214-tradTXT-doc - 15 décembre 2006 -6/17 2903201 7 d'isolation. Une couche de réserve photosensible 83 est enduite auûdessus du substrat d'isolation 51 et de la couche d'arrêt d'attaque chimique 57. Un deuxième masque 90 est appliqué et couvre de manière sélective une certaine portion de la couche de réserve photosensible 83. Dans ce mode de réalisa- 5 tion, le deuxième masque 90 est un masque de diffraction. Dans d'autres modes de réalisation, un masque de similigravure est disponible. Le masque de diffraction comporte une partie de transmission Al qui transmet parfaitement une lumière, une partie de semiûtransmission A2 qui transmet une lumière partiellement, et une partie de blocage A3 qui stoppe une lumière. En utilisant le masque de diffraction en tant 10 que le deuxième masque 90, la lumière est appliquée de manière sélective à la couche de réserve photosensible 83. Dans d'autres modes de réalisation, la partie de plages de contact de grille peut être une partie de semiûtransmission. Sur les figures 2 et 3C, la couche de réserve photosensible 83 qui est exposée de manière sélective à une lumière est reproduite par motifs selon l'exposition. La 15 couche de réserve photosensible 83 correspondant à la partie de transmission Al du deuxième masque 90 est complètement éliminée. La couche de réserve photosensible 83 correspondant à la partie de semiûtransmission A2 est partiellement éliminée, et la couche de réserve photosensible 83 correspondant à la partie de blocage A3 reste intacte. En conséquence, des deuxièmes motifs 83P1 sont formés (figure 3C). Les 20 deuxièmes motifs 83P1 peuvent être un motif de réserve photosensible qui a les différentes épaisseurs. Les deuxièmes motifs 83P1 comportent la partie de transistors en couches minces. La couche de réserve photosensible 83 correspondant à la partie de formation de canal est relativement plus épaisse que la couche de réserve photo-sensible 83 correspondant aux électrodes source et drain, comme représenté sur la 25 figure 3C. Les deuxièmes motifs 83P1 comportent également la couche de réserve photosensible 83 correspondant à la partie de plages de contact de grille reproduite par motifs afin d'être relativement plus épaisse, et la couche de réserve photosensible correspondant à la partie de lignes de données et la partie de plages de contact de données reproduite par motifs afin d'être relativement plus mince. 30 Sur les figures 2 et 3D, la couche d'arrêt d'attaque chimique 57, la couche de silicium 55, et la couche d'isolation 54 sont reproduites par motifs en utilisant les deuxièmes motifs 83P1. En conséquence, une couche active 55P et un arrêt d'attaque chimique préliminaire 57P sont formés dans la partie de transistor en couches minces. En incinérant les deuxièmes motifs 83P1, des troisièmes motifs 83P2 sont 35 formés. Le processus d'incinération élimine partiellement les deuxièmes motifs 83P1 et la portion restante des deuxièmes motifs 83P1 devient les troisièmes motifs 83P2. Le processus d'incinération élimine les deuxièmes motifs 83P1 afin de correspondre à la largeur d'un arrêt de l'attaque chimique devant être formée plus tard. Les troisiè- R-;Brevets\26100\26118-0612 14tradTXT doc - IS décerobr 2006 - 7 17. 2903201 8 mes motifs 83P2 sont formés de manière sélective uniquement dans la portion de formation de canal de la partie de transistor en couches minces et la partie de plages de contact de grille. Sur les figures 2 et 3E, l'arrêt d'attaque chimique préliminaire restant dans la 5 partie de transistor en couches minces est reproduite par motifs en utilisant le troisième motif 83P2 en tant qu'un masque. En conséquence, un arrêt d'attaque chimique 57P2 est formé. L'arrêt d'attaque chimique 57P2 couvre la portion de formation de canal de la partie de transistor en couches minces. Par conséquent, l'arrêt d'attaque chimique 57P2 protège la portion de formation de canal, de sorte 10 qu'un processus supplémentaire de formation d'une couche de passivation est superflu. Dans la mesure où la partie de plages de contact de grille est couverte du troisième motif 83P2, on empêche également la partie de plages de contact de grille de subir une reproduction de motifs. La partie de lignes de données et la partie de plages de contact de données ne sont pas non plus couvertes par le troisième motif 15 83P2. L'arrêt d'attaque chimique préliminaire 57P est complètement éliminé. Une couche de contact ohmique 59 et une seconde couche métallique 61 sont formées séquentiellement sur le substrat d'isolation 51 comportant les troisièmes motifs 83P2 et l'arrêt d'attaque chimique 57P2. La seconde couche métallique 61 est différente en termes de rapport d'attaque chimique sélective de la première couche 20 métallique 53 dans la mesure où les première et seconde couches métalliques sont formées de matériaux métalliques différents. La seconde couche métallique 61 est formée d'un matériau quelconque sélectionné parmi des matériaux métalliques conducteurs, par exemple, du molybdène (Mo), un alliage de molybdène, etc. La seconde couche métallique 61 peut être formée en utilisant un dépôt ou une pulvéri- 25 sation. Sur les figures 2 et 3F, la seconde couche métallique 61, et la couche de contact ohmique 59 et les troisièmes motifs 83P2 sont éliminés sélectivement à l'aide d'un processus d'enlèvement. Le processus d'enlèvement élimine une couche de réserve photosensible et une couche conductrice telle qu'un oxyde d'indium et d'étain 30 (ITO) sur la couche de réserve photosensible. La couche conductrice se trouvant auûdessus de la couche de réserve photosensible est enlevée avec la couche de réserve photosensible par développement de la couche de réserve photosensible. Dans la mesure où la couche conductrice telle que de l'ITO n'est pas reproduite par motifs à l'aide d'un processus d'attaque chimique, un masque peut ne pas être utilisé. Le 35 processus d'enlèvement peut simplifier le procédé de fabrication du dispositif LCD. Sur la figure 3E, des emplacements LO sont éliminés de manière sélective de sorte que les troisièmes motifs 83P2 soient exposés. En conséquence, les troisièmes motifs R `.Brevets\26100'261 I8-06I214-tradTXT doc - 15 décembre 2006 -8/17 2903201 9 83P2 et la seconde couche métallique 61 sont éliminés à l'aide du processus d'enlèvement. Sur les figures 2 et 3F, la couche de réserve photosensible est formée sur la couche d'isolation 51, la couche de contact ohmique 59 et la seconde couche métalli- 5 que 61 et l'arrêt d'attaque chimique 57P2. Un troisième masque M3 d'une forme pré-déterminée, tel que le masque de diffraction 90 est utilisé pour reproduire par motifs la couche de réserve photosensible. Après exposition et développement, la couche de réserve photosensible est formée en tant que quatrièmes motifs 85. Les quatrièmes motifs 85 peuvent avoir une épaisseur différente. La formation des quatrièmes motifs 10 85 se déroule au cours du même procédé qua la formation des deuxièmes motifs 83P1 (comme représenté sur les surfaces 3B et 3C). En conséquence, les quatrièmes motifs 85 comportent la partie de transistor en couches minces. Dans la partie de transistor en couches minces, la couche de réserve photosensible correspondant à l'électrode drain est relativement plus mince que la 15 couche de réserve photosensible correspondant au canal et à l'électrode source. De même, la couche de réserve photosensible correspondant à la partie de plages de contact de grille est relativement plus épaisse dans un état dans lequel la portion pré-déterminée est ouverte, et la couche de réserve photosensible correspondant à la partie de lignes de données et la partie de plages de contact de données est relative- 20 ment plus mince. Sur les figures. 2 et 3G, la seconde couche métallique 61 restante et la couche de contact ohmique 59 sont attaquées chimiquement en utilisant des quatrièmes motifs 85 pour former une ligne de données 61P. La ligne de données 61P est formée perpendiculairement à la ligne de grille 53P et une région de pixel unitaire B est 25 définie. Une plage de contact de données 61P1 est formée dans la partie de plages de contact de données, et des électrodes source et drain 61P2 et 61P3 sont formées dans la partie de transistor en couches minces. Le processus ciùdessus destiné à reproduire un motif sur la couche métallique restante en utilisant le troisième masque est effectué à l'aide d'une technique d'attaque chimique humide. 30 Sur les figures 2 et 3H, en incinérant les quatrièmes motifs 85, des cinquièmes motifs 85P sont formés. Une couche conductrice transparente 63 est formée sur le substrat d'isolation comportant les cinquièmes motifs 85P. La couche conductrice transparente 63 peut être formée de l'un quelconque parmi de l'ITO ou de l'oxyde d'indium et de zinc (IZO). 35 Sur les figures 2 et 31, le cinquième motif 85P et la couche conductrice transparente 63 prévue sur le cinquième motif 8W sont éliminés de manière sélective afin de former une électrode de pixel 63P à l'aide du processus d'enlèvement. L'électrode de pixel 63P est raccordée à l'électrode drain 61P3. Lors d'une formation de l'élec- RBrevets'26100'26118-061214-tradTXT doc - 15 décembre 2006 - 9117 2903201 10 trode de pixel 63P, la couche conductrice transparente 63 est raccordée à la plage de contact de grille au travers de la portion prédéterminée ouverte dans la partie de plages de contact de grille, et la couche conductrice transparente 63 couvre la partie de plages de contact de données et la partie de lignes de données. 5 Dans le processus ciûdessus, l'arrêt d'attaque chimique 57P2 est formé sur la couche active de la partie de transistor en couches minces. L'arrêt d'attaque chimique 57P2 peut fonctionner en tant qu'une couche de passivation. Le processus de formation de la couche de passivation et d'un trou de contact peut être omis et un certain nombre de masques est réduit. 10 Comme décrit ciûdessus, le procédé de fabrication du dispositif LCD utilise le processus à 3 masques. L'arrêt d'attaque chimique quifonctionne en tant que la couche de passivation est formé sur la couche active de la partie de transistor en couches minces. En conséquence, un courant de coupure du transistor en couches minces est abaissé et la fiabilité du transistor en couches minces s'améliore. Les 15 étapes de formation de la couche de passivation et d'un trou de contact peuvent être omises. Le processus à 3 masques peut omettre des processus d'irradiation, de déca-page et de nettoyage pour une formation du masque. Le procédé de fabrication est simplifié. En conséquence, le processus à 3 masques offre un coût de fabrication inférieur et un meilleur rendement. Le mode de réalisation ciûdessus est expliqué en 20 rapport avec le procédé de fabrication du dispositif LCD. Cependant, celuiûci est disponible pour d'autres dispositifs d'affichage à panneaux plats tels que des dispositifs d'affichage organiques électroluminescents (OLED). Bien entendu, l'invention n'est pas limitée aux exemples de réalisation ciûdessus décrits et représentés, à partir desquels on pourra prévoir d'autres modes et 25 d'autres formes de réalisation, sans pour autant sortir du cadre de l'invention. Ainsi, diverses modifications et variations peuvent apparaître à l'homme du métier qui restent comprises dans la portée des revendications. R \Rrevets26100A26118-061214-tradTXT.doc - 15 décembre 2006 - 10117 REVENDICATIONS 1. Procédé de fabrication d'un transistor en couches minces, comprenant les étapes consistant à : - reproduire par motifs une électrode de grille (53P2) à l'aide d'un premier masque (Ml) ; - former un motif actif et un motif de réserve photosensible (81) à l'aide d'un deuxième masque (90) ; -incinérer le motif de réserve photosensible (81) sur la base d'une largeur pré- déterminée d'un arrêt d'attaque chimique (57P2) ; reproduire par motifs une couche d'isolation (51) sousûjacente au motif de réserve photosensible(81) incinéré, afin de former l'arrêt d'attaque chimique (57P2) ; et - reproduire par motifs une électrode source (61P2) et une électrode drain (61P3) à l'aide d'un troisième masque (M3). 2. Procédé selon la revendication 1, comprenant en outre les étapes consistant à : - exposer le motif de réserve photosensible (81) incinéré ; et - enlever les motifs de réserve photosensible (81) incinérés. 3. Procédé selon l'une quelconque des revendications 1 ou 2, comprenant en outre l'étape consistant à éliminer de manière sélective une couche métallique se trouvant auûdessus du motif de réserve photosensible (81) incinéré. 4. Procédé selon l'une quelconque des revendications 1 à 3, dans lequel la reproduction de motifs de la couche d'isolation (54) comprend l'étape consistant à former l'arrêt d'attaque chimique (57P2) auûdessus d'un canal de transistor en couches minces. 5. Procédé selon l'une quelconque des revendications 1 à 4, dans lequel la reproduction de motifs de la couche d'isolation (54) comprend l'étape consistant à former l'arrêt d'attaque chimique (57P2) en utilisant le motif de réserve photosensible (81) incinéré en tant qu'un masque. 35 R'Brevets'\?6100\26118-07041 I-revendications unitaires doc - I l avril 2007 - 11/7 30 2903201 12 6. Procédé destiné à fabriquer un dispositif d'affichage à cristaux liquides (LCD) comprenant les étapes consistant à : - préparer un substrat d'isolation (51) défini avec une partie de transistor en couches minces, une partie de lignes de données, une partie de plages de contact de 5 grille, et une partie de plages de contact de données ; - former une ligne de grille (53P) sur le substrat d'isolation (51), dans laquelle la ligne de grille (53P) comportant une électrode de grille (53P2) formée dans la partie de transistor en couches minces, et une plage de contact de grille (53P1) formée dans la partie de plages de contact de grille à l'aide d'un premier masque 10 (MI) ; - former un motif actif et un motif de réserve photosensible (81) à l'aide d'un deuxième masque (90) ; - incinérer le motif de réserve photosensible (81) sur la base d'une largeur pré-déterminée d'un arrêt d'attaque chimique (57P2) ; 15 - former par reproduction de motifs une couche d'isolation (54) sousùjacente au motif de réserve photosensible (81) incinéré afin de former l'arrêt d'attaque chimique (57P2) ; - former une ligne de données (61 P) qui comporte des électrodes source et drain (61P2) et (61P3) formée dans la partie de transistor en couches minces, et une 20 plage de contact de données (61 P1) formée dans la partie de plages de contact de données à l'aide d'un troisième masque (M3) ; et - former une électrode de pixel (63P) raccordée à l'électrode drain (61P3). 7. Procédé selon la revendication 6, dans lequel l'étape consistant à 25 former la couche active (55P) et l'arrêt d'attaque chimique (57P2) comporte les étapes consistant à : - former séquentiellement une couche de silicium (55), une couche d'un arrêt d'attaque chimique (57) et un premier motif (81) ayant une épaisseur différente sur le substrat d'isolation (51) comportant la ligne de grille (53P), le premier motif (81) ayant une portion relativement plus épaisse correspondant à la portion de formation de canal ; - former la couche active (55P) et un arrêt d'attaque chimique préliminaire (57P) par reproduction de motifs sur la couche d'isolation (54) et la couche de silicium (55) en utilisant le premier motif (81) ; -former un deuxième motif (83P1) par incinération du premier motif (81), le deuxième motif (83P1) étant formé en éliminant la portion relativement plus mince du premier masque (MI) ; et R\13revets\26100 26118.070411-revendications unitaires doc - I I avril 2007 - 12/7 2903201 13 - former I'arrêt d'attaque chimique (57P2) en attaquant chimiquement l'arrêt d'attaque chimique préliminaire (57P) en utilisant le deuxième motif (83P1). 8. Procédé selon la revendication 7, comprenant en outre les étapes 5 consistant à : - éliminer de manière sélective le deuxième motif (83P1) et la couche métallique positionnée sur le deuxième motif (83P1) ; et -enlever le deuxième motif (83P1) et la couche métallique. 10 9. Procédé selon la revendication 7, dans lequel l'étape consistant à former les électrodes source (61P2) et drain (61P3) comporte les étapes consistant à : - former une couche métallique sur le substrat d'isolation (51) comportant le deuxième motif (83P1) et l'arrêt d'attaque chimique (57P) ; - éliminer de manière sélective le deuxième motif (83P1) et la couche métalli- 15 que positionnée sur le deuxième motif (83P1) ; - former un troisième motif (83P2) ayant une épaisseur différente sur le substrat d'isolation (51), le troisième motif (83P2) ayant une portion relativement plus mince correspondant à l'électrode de drain (61P3) ; et - former par reproduction de motifs la couche métallique restante en utilisant le 20 troisième motif (83P2). 10. Procédé selon la revendication 9, comprenant en outre l'étape consistant à former par reproduction de motifs la couche métallique restante à l'aide d'un processus d'attaque chimique humide. 25 11. Procédé selon la revendication 9 ou 10, comprenant en outre une étape consistant à : - former une couche de contact ohmique (59) sur le substrat d'isolation (51) comportant le deuxième motif (83P1) et l'arrêt d'attaque chimique (57P2) avant de 30 former la couche métallique. 12. Procédé selon la revendication 9 ou 10, dans lequel l'étape consistant à former l'électrode de pixel (63P) comporte les étapes consistant à : -former un quatrième motif (85) par incinération du troisième masque (M3), le 35 quatrième motif (85) étant formé par élimination d'une portion relativement plus mince du quatrième motif (85) ; - former une couche conductrice transparente (63) sur le substrat d'isolation (51) comportant le quatrième motif (85) ; et R iBrevets's26100'261 I0-07041 I-revendications unitaires doc - Il avril 2007 - 13/7 2903201 14 -éliminer de manière sélective le quatrième motif (85) et la couche conductrice transparente (63) positionnée sur le quatrième motif (85). 13. Procédé selon la revendication 12, comprenant en outre l'étape 5 consistant à enlever le quatrième motif (85) et la couche conductrice transparente (63). 14. Procédé selon la revendication 12 ou 13, dans lequel l'électrode de pixel (63P) comprend une étape de formation utilisant l'arrêt d'attaque chimique 10 (57P2) en tant qu'une couche de passivation. R\Brevets\26100\26118-070411-revendications unitaires doc - Il avril 2007 - 14/7