FR 2904438 A1 20080201 FR 0606845 A 20060726 -1- Composant passif de régénération tout optique des niveaux hauts par cavité à absorbants saturables L'invention concerne un composant passif à absorbant saturable permettant la régénération tout optique d'un signal optique comme ceux utilisés pour les transmissions de données numériques, ainsi qu'un procédé de régénération et un dispositif mettant en oeuvre cette régénération. L'invention concerne aussi un procédé et un système de fabrication d'un tel composant. Le contexte de l'invention est la régénération de signaux et d'impulsions optiques, en particulier pour les télécommunications optiques longue distance à très hauts débit. De nombreux domaines, tels que les réseaux de communication informatique ou de télécommunications, utilisent la transmission de signaux numériques par voie optique sur de longues distances, en général par des fibres optiques. Au cours cie la transmission ou du traitement, ces signaux subissent une dégradation, en particulier dans leur forme ou dans leur amplitude, qui les rend plus difficiles à détecter et à interpréter. De telles dégradations apparaissent en particulier sur de longues distances comme dans les réseaux de transport terrestre de plusieurs centaines de kilomètres, et encore plus dans des liaisons sous-marines transocéaniques ou trans-pacifiques de plus de quatre ou six mille kilomètres. De telles dégradations peuvent aussi apparaître dans le cas d'environnements de transmission difficiles, par exemple de fibres de mauvaise qualité ou de multiples traitements intermédiaires générateurs de parasites ou d'interférences. Plus particulièrement, la propagation des impulsions dans des fibres optiques conduit à une déformation nuisible du profil temporel des impulsions, mais aussi à une atténuation de leur énergie due aux pertes de propagation. L'atténuation nécessite souvent d'utiliser des amplificateurs optiques disposés périodiquement le long des lignes de transmission pour redonner de l'énergie aux liimpulsions. Or cette étape d'amplification modifie aussi la forme temporelle des impulsions, notamment en ajoutant du bruit d'intensité. 2904438 -2- La FIGURE la représente un profil temporel typique de telles impulsions dégradées. Lois de la réception des impulsions le bruit en intensité nuit à la discrimination des niveaux bas (les "0") et des niveaux hauts (les "1") des impulsions, en introduisant un taux d'erreurs lors de leur 5 détection qui peut être gênant ou rédhibitoire pour la transmission efficace de l'information. Les technologies actuelles de télécommunication utilisent une transmission par fibre optique de signaux monochromatique numériques émis par un laser ou modulés à des débits de l'ordre de 10 Gb/s. Pour 10 pallier aux dégradations du signal, on interpose des dispositifs optoélectroniques réalisant des opérations de régénération des signaux comprenant une Réamplification, une Remise en forme et une Resynchronisation, égalernent appelées 3R . Ces opérations sont réalisées par des composants électroniques, et nécessitent la conversion 15 des signaux optiques en signaux électroniques et vice versa. De tels équipements sont actuellement complexes, coûteux, encombrants, et nécessitent en outre une alimentation électrique. De plus, une nouvelle étape technologique dans la transmission est actuellement en cours de préparation avec la mise au point d'équipements 20 réalisant une transmission à un débit de l'ordre de 40 Gb/s. Cette technologie prévoit en outre d'utiliser un multiplexage en longueur d'ondes (WDM : Wavelength Division Multiplexing) permettant un débit global de l'ordre de 1 Terabit par seconde, par exemple 32 canaux à 40 Gb/s chacun. Cette nouvelle technologie rend d'autant plus important l'intérêt de pouvoir 25 améliorer le processus de régénération des signaux. Pour cela, des méthodes de régénération ont été proposées de type tout optique, c'est à dire sans nécessiter de conversion optique-électronique, et de type passif, c'est-à-dire n'utilisant comme seule source d'énergie que l'énergie des impulsions elles-mêmes sans apport d'énergie 30 extérieure. Le brevet d'invention FR2 835 065 propose par exemple un composant permettant la régénération des niveaux bas des impulsions, que l'on désignera ici sous l'appellation de RegenO. Cette fonction de régénération RegenO est obtenue grâce à un composant fonctionnant en 2904438 -3- réflexion et utilisant un matériau optique non-linéaire à absorption saturable. La réflectivité R clu composant décrit la fraction de puissance d'entrée P. qui est réfléchie par le composant. La non-linéarité de la 5 réflectivité est exprimée par le fait que R dépend de Pm. En sortie la puissance de l'impulsion est alors = R(Pn).P,.n . La puissance d'entrée des impulsions est supposée être de l'ordre de la puissance de saturation Psat du composant, qui est la puissance typique à laquelle la non-linéarité optique se produit. 10 L'effet de principe d'une telle régénération RegenO sur le profil temporel des impulsions est représenté sur la FIGURE lb de façon schématique, sans tenir compte de certaines autres contraintes. Un tel effet de remise en forme est obtenu grâce à une réflectivité qui présente une dépendance avec la puissance d'entrée P,.n tel que représentée, dans le 15 principe, sur la FIGURE 2a. Très en dessous de la puissance de saturation Pat , la puissance de sortie est nulle : Pont =0 et le bruit est éliminé. Très au dessus de cette puissance de saturation, la puissance réfléchie est inchangée : Pont = Pn . Idéalement la fonction RegenO permet donc de maximiser le contraste des impulsions et d'assurer une détection des 20 impulsions sans erreur, en plaçant par exemple le seuil de détection des impulsions à Psn, . En pratique une telle réflectivité R(P,.n) peut être obtenue selon l'art connu grâce à une cavité Fabry-Pérot à base de semi-conducteurs contenant des couches à absorption saturable. Ces cavités sont constituées 25 d'un miroir arrière de réfectivité Rb et d'un miroir avant de plus faible réflectivitéRf. La fonction de régénération des niveaux bas RegenO est obtenue en agençant la structure du composant de façon à remplir le plus possible la condition d'adaptation d'impédance suivante : R f = exp(ù 2aoL)Rb (1) 30 où aoL est l'absorbance totale des couches intra cavités. 2904438 -4- La réflectivité correspondante est représentée schématiquement sur la FIGURE 2b. La faible réflectivité aux petites puissances assure l'extinction partielle des pieds de l'impulsion alors que la réflectivité plus élevée aux fortes puissances favorise la réflexion des niveaux hauts des impulsions. Au 5 final on s'attend idéalement à l'augmentation du contraste de l'impulsion et à une meilleure discrimination de ces niveaux hauts et bas conduisant à une diminution du taux d'erreurs de détection. Ces techniques présentent cependant certaines limites, qui gênent en particulier la simplification et l'amélioration des technologies existantes 10 (10 Gb/s) ainsi que le développement et l'industrialisation des nouvelles technologies (40 Gb/s). Du fait qu'elles ne régénèrent que la forme des pieds d'impulsions, c'est à dire la forme des 0 , ces techniques n'améliorent pas et même augmentent le bruit présent dans les niveaux hauts de ces impulsions, ce 15 qui reste une cause de perturbation pour la détection du signal. De plus, cette régénération des 0 amplifie le bruit relatif 8P,,,,, /Po,,, sur les "1", du fait de la pente toujours positive de la réflectivitéR(F:,,), ainsi qu'on le voit sur la partie basse de la FIGURE 6. Cela conduit à une diminution de l'écart permettant de distinguer les niveaux bas des niveaux 20 hauts, c'est à dire à une fermeture du diagramme de l'oeil , en particulier lors de l'enchaînement de tels régénérateurs le long des lignes de transmission. Il en résulte que cette technique ne permet pas d'enchaîner beaucoup de régénérateurs sans risquer d'augmenter le taux d'erreur binaire, ce qui est le contraire de l'effet recherché. 25 Un but de l'invention est de pallier les inconvénients de l'art connu, par exemple en diminuant la complexité, la fragilité, la sensibilité, le coût, ou l'encombrement des régénérateurs nécessaires au maintien d'une transmission de qualité satisfaisante. Plus particulièrement, l'invention cherche à d'obtenir une 30 régénération tout optique de la forme des 1 du signal transmis, si possible de façon passive. L'invention cherche aussi à obtenir une régénération tout optique passive de la forme à la fois des 1 et des 0 du signal transmis, si possible de façon combinée dans un même composant. 2904438 -5- Un objectif est aussi d'obtenir tout ou partie de ces avantages dans une configuration ou un encombrement qui soient applicables aux technologies WDM de transmission utilisant un multiplexage en longueur d'onde. 5 Un des buts de l'invention est d'obtenir tout ou partie de ces avantages combinés à des temps de réponse rapides, en particulier compatibles avec les technologies au débit de 40 Gb/s. Un autre but est aussi d'obtenir tout ou partie de ces avantages dans une configuration fiable et robuste permettant de mettre en oeuvre des 10 techniques de régénération tout optique passive même sans atteindre les temps de réponse nécessaires aux technologies futures. Il peut s'agir par exemple d'améliorer les composants utilisés dans les technologies actuelles de 10 Gb/s ou moins. Il peut s'agir aussi de satisfaire les besoins des différents acteurs de la recherche fondamentale ou industrielle, par exemple 15 pour pousser plus avant la recherche de nouveaux composants ou pour étudier les capacités et problèmes de la régénération tout optique passive au sein de systèmes plus vastes et au cours du temps. L'invention propose un composant, de préférence monolithique, assurant, par sa réflectivité non-IinéaireR(I ), une fonction passive de 20 régénération des niveaux hauts des impulsions d'un signal. Pour cela, l'invention propose d'utiliser une cavité à absorption saturable dans une configuration tout à fait contre intuitive, qui consiste à utiliser un miroir arrière qui est moins réfléchissant que celui qui est placé devant lui. 25 Cette cavité est utilisée en réflexion du signal optique, c'est à dire que le signal incident est injecté dans la cavité et en ressort après résonance dans la direction générale d'où il est venu. Au sein de cette cavité, la première et la dernière réflexion du signal se font dans le sens d'une réflexion sur le miroir arrière. 30 On obtient alors un composant optique de traitement d'un signal optique qui fonctionne par réflexion de ce signal dans une cavité résonante à absorption saturable formée entre un premier miroir dit arrière et un deuxième miroir situé du côté du signal optique incident, la réflectivité du deuxième miroir étant supérieure ou égale à la réflectivité du miroir arrière. 2904438 -6- Dans un premier mode de réalisation, un tel composant est utilisé pour effectuer une régénération des niveaux hauts du signal. Ce mode de réalisation assure alors une fonction dite "Regenl" par une solution tout optique passive. Dans cette configuration, le deuxième miroir pourra être 5 appelé "miroir avant". Un tel composant Regenl présente une réflectivité telle que représentée, dans son principe, sur la FIGURE 3a, et obtenue en pratique telle que représentée schématiquement en FIGURE 3b. Cette fonction laisse les basses puissances inchangées. En revanche la dépendance de la 10 réflectivité selon l'inverse de la puissance d'entrée, soit 1/P,,, au-delà de la puissance de saturation assure la suppression du bruit sur les niveaux hauts des impulsions. La puissance de sortie est alors constante et égale à la puissance de saturation: Po, _ Rr et R. >_ Rb pour pouvoir obtenir la 2904438 - 15 - régénération tout optique et simultanée des niveaux hauts et des niveaux bas des impulsions. La réflectivité d'une telle structure s'écrit : (exp(ùaLl) (exp(ùaL2) Rb -I)+ JRf (1 ù exp(ùaL2) VRb Rm))z (/RbRm exp(--aLz)+exp(ùaLi) Rf (/ùexp(ùaL2) Rb)- 1)2 La conception d'un composant selon l'invention assurant la fonction 5 Regenl0 implique donc de déterminer les trois réflectivités Rf, Rn, , Rb et les deux absorptions saturables aL, et aL2 . Dans un exemple particulièrement favorable, pour le composant Regenl0 de la FIGURE 9, exprimant une réflectivité nulle à puissance d'entrée infiniment petite, le choix de ces paramètres peut être déterminé 10 en satisfaisant une relation dite d'adaptation d'impédance qui s'écrit comme suit : exp(û 2 aL1) (V7 û exp(ûaL2) b )2 Rf (exp(ûaL2) Rb û 1)2 En pratique on ne cherchera pas nécessairement à satisfaire exactement cette relation, préférant par exemple ajuster la dépendance de 15 la réflectivité avec la puissance incidente de façon à assurer la meilleure fonction de régénération RegenlO. La FIGURE 10 décrit: la réflectivité et la puissance de sortie pour le composant décrit précédemment et prédites à partir de l'expression analytique (2) ci-dessus, pour les valeurs suivantes: Rf=0, 77 aL1= 7 x 0,77% Rm=0,97 aL2= 21 x 0,77% Rb=0,61 20 La forme de la courbe de réflectivité satisfait à la forme recherchée pour une fonction Regenl0 telle que représentée sur la FIGURE 4b. Quantitativement la pente Pont plus grande que 1 (en échelle logarithmique) aux basses puissances d'entrée augmente le contraste de l'impulsion tandis que le plateau de Pont supprime le bruit sur les niveaux hauts des 25 impulsions. Le plateau correspond à une réflectivité R(Pn) inversement R= (2) (3) 2904438 - 16 proportionnelle à R(P.,,)=a/P.n, avec a=constante, qui présente l'effet de type limiteur optique recherché. La FIGURE 11 représente une structure constituant un exemple de réalisation d'un composant de type Regenl0 selon le deuxième mode de 5 réalisation de l'invention, dans une représentation schématique à gauche et une représentation symbolique à droite. Cet exemple ne doit pas être vu comme limitatif et permet en particulier de montrer qu'il est possible de concevoir concrètement un composant de type Regenl0 présentant une configuration compatible avec les technologies de production et de mises en 10 oeuvre de telles catégories de composants. Le composant est formé de trois miroirs de Bragg M1, M2 et M3 à base de semi-conducteurs épitaxiés, par exemple par déposition chimique d'organométallique en phase vapeur, faisant alterner des couches submicrométriques de quaternaire InGaAlAs et binaire InP. Ces couches sont au nombre de 11 paires pour le premier 15 miroir M1 (ou Mb), 25 paires pour le second miroir M2 (ou Mm) et 8 paires pour le troisième miroir M3 (ou Mf). Ces trois miroirs enchâssent une série de puits quantiques QW, ici en InGaAs, alternant avec des barrières BA, ici en InAlAs, épitaxiés selon le même procédé et dont les épaisseurs sont choisies afin de donner une absorption à la longueur d'onde des 20 télécommunications de 1,55 pm. La première série aLl contient 7 puits quantiques et 8 couches barrières BA. La deuxième série aL2 contient 21 puits quantiques et 22 couches barrières BA. Les miroirs et les séries de puits quantiques sont séparés par des couches de phases (pi, (P2, (P3 et (P4 en InP. La structure est elle-même épitaxiée sur un substrat S transparent à 25 1,55 pm de longueur d'onde. Les différentes couches présentent les épaisseurs suivantes: Couche Matériau Épaisseur (nm) M3 InGaAlAs 110,5 M3 InP 122,7 (pl InP 118 BA InAlAs 7 QW InGaAs 9 BA InAlAs 7 2904438 -17- (P2 InP 118 M2 InGaAlAs 110,5 M2 InP 122,7 (3 InP 116 BA InAlAs 7 QW InGaAs 9 BA InAlAs 7 (4 InP 116 M1 InGaAlAs 110,5 M1 InP 122,7 L'ensemble représente une épaisseur d'environ 11 pm, représentée sensiblement à l'échelle sur l'abscisse "z" de la FIGURE 13. Cet exemple de réalisation présente alors les valeurs de réflectivité et 5 d'absorption suivantes: Rf=0,77 aL1= 7 x 0,77% RR,=0, 971 aL2= 21 X 0,77% Rb=0,631 La FIGURE 12 représente la réflectivité et la dépendance de la puissance de sortie en fonction de la puissance d'entrée, obtenues pour ce même exemple de réalisation. L'empilement des différentes couches conduit 10 à une fonction de régénération très proche de celle déduite de la formule analytique (2) et montre que le fonctionnement de la structure de cet exemple de réalisation présente bien les caractéristiques Regenl0 permettant la régénération des niveaux hauts et bas. La FIGURE 13 représente la distribution du module carré du champ 15 électrique E à la longueur d'onde de résonance (1550 nm), dans sa répartition sur l'épaisseur "z" de la structure de ce même exemple de réalisation. Le champ électrique E résulte des interférences entre les ondes contra-propagatives qui s'établissent dans la structure du fait des réflexions multiples sur les interfaces entre les différentes couches de semi- 20 conducteurs épitaxiés. Le profil d'indice optique sur l'épaisseur de la structure est représenté sur l'ordonnée de droite pour référence, et apparaît 2904438 - 18 - en haut de la figure. Le champ électrique est maximal au niveau des deux séries de puits quantiques, permettant ainsi de minimiser la puissance de saturation de leur absorption. La FIGURE 14 illustre la réponse spectrale du composant Regenl0 5 selon l'invention dans son deuxième mode de réalisation, pour l'exemple de réalisation précédent et dans le cas des faibles intensités. On voit que la réflectivité R s'annule à 1,55 pm de longueur d'onde, car le nombre de couches dans les miroirs de Bragg et dans les séries de puits quantiques a été choisi afin d'assurer l'adaptation d'impédance à basse puissance pour 10 cette valeur de longueur d'onde. Cette adaptation d'impédance est obtenue en déterminant des valeurs de réflectivité respectant la relation (3) proposée par l'invention pour le composant "Regenl0", relation qui est différente de la relation (1) utilisée dans l'art antérieur. La courbe obtenue pour le spectre en régime de basse intensité indique que l'adaptation 15 d'impédance du type fournissant une réflectivité nulle à basse intensité peut être obtenue pour ce composant. Lorsque la longueur d'onde s'écarte de 1,55 pm, un désaccord est introduit dans la cavité du fait de l'inadéquation de la longueur d'onde avec les épaisseurs choisies. La largeur spectrale à mi-hauteur prédite pour la 20 résonance est de 13, 6 nm, et indique la gamme typique de longueur d'onde sur laquelle le composant pourra être utilisé en régime de basse intensité. Les composants selon l'invention peuvent être utilisés pour réaliser de nombreux types de dispositifs de traitement de signal lumineux, en particulier de type tout optique passif, et par exemple: 25 - un dispositif de traitement d'un signal lumineux de télécommunications, comprenant un composant selon l'invention pour régénérer passivement les niveaux hauts dudit signal; un dispositif de traitement d'un signal lumineux de télécommunication comprenant au moins un premier composant selon l'invention pour 30 régénérer passivement les niveaux hauts d'un signal lumineux de télécommunication, précédé d'au moins un deuxième composant pour régénérer passivement les niveaux bas dudit signal, ledit deuxième composant comprenant au moins une cavité à absorbant saturable formée par un absorbant d'absorbance aoL intercalée entre un miroir 2904438 - 19 -arrière de réflectivité R,, et un miroir avant de réflectivité Rf, lesdites réflectivités vérifiant sensiblement la relation d'adaptation d'impédance Rf =exp(û2aoL)Rb; - un dispositif de traitement d'un signal lumineux de télécommunication 5 comprenant au moins un composant monolithique selon l'invention pour régénérer passivement les niveaux hauts et bas dudit signal. De plus, le composant selon l'invention peut être réalisé de façon à traiter une gamme spectrale d'une certaine largeur, typiquement de 5 à 20 nm de largeur. De tels dispositifs peuvent ainsi être réalisés en version 10 multi-canal pour un coût, une complexité et un encombrement limités. De tels dispositifs peuvent être utilisés pour établir les systèmes de télécommunications des prochaines générations, par exemple avec un débit par canal de 40 Gb/s, et possiblement d'une génération ultérieure à un débit de l'ordre de 160 Gb/s. 15 Des composants ou dispositifs selon l'invention peuvent aussi être intégrés dans des systèmes existants ou de performances similaires, par exemple dans le but d'en simplifier le fonctionnement, de les rendre plus compacts, plus fiables, plus performants, plus économiques, ou d'en améliorer la compatibilité avec les futurs systèmes. 20 De tels composants ou dispositifs peuvent aussi être très intéressants pour tester, par exemple en laboratoire de recherche ou en validation industrielle, les capacités et limites des systèmes en cours de développement, ou d'autres composants pouvant entrer dans de tels systèmes. 25 Bien sûr, l'invention n'est pas limitée aux exemples qui viennent d'être décrits et de nombreux aménagements peuvent être apportés à ces exemples sans sortir du cadre de l'invention. REVENDICATIONS 1. Composant optique de traitement d'un signal optique fonctionnant par réflexion dans une cavité (Cl) résonante à absorption saturable formée entre un premier miroir (Ml) dit arrière et un deuxième miroir (M2) situé du côté du signal incident, la réflectivité du deuxième miroir étant supérieure ou égale à la réflectivité du miroir arrière. 2. Composant selon la revendication 1, caractérisé en ce que la réflectivité du deuxième miroir (M2) est strictement supérieure à la réflectivité du miroir arrière (Ml). 3. Composant selon l'une des revendications 1 à 2, caractérisé en ce qu'il comprend en outre une deuxième cavité (C2) résonante à absorption saturable formée entre le deuxième miroir (M2) et un troisième miroir (M3) situé du côté du signal incident par rapport audit deuxième miroir. 4. Composant selon la revendication 3, caractérisé en ce que la réflectivité du deuxième miroir (M2) est supérieure ou égale à la réflectivité du troisième miroir (M3). 5. Composant selon l'une des revendications 1 à 4, caractérisé en ce que l'absorbant saturable (aLl, aL2) comprend au moins une alternance de couches barrières (BA) et de couches (QW) réalisant des puits quantiques. 6. Composant selon la revendication 5, caractérisé en ce qu'au moins une couche de puit quantique (QW) est réalisée à partir d'un semi-conducteur dont la composition chimique présente au moins un atome ou un anion commun avec au moins une couche barrière (BA) qui lui est contiguë. 2904438 - 21 - 7. Composant selon l'une des revendications 1 à 6, caractérisé en ce que l'absorbant saturable (aL1, aL2) comprend au moins une couche réalisant un plan de boîtes ou de points quantiques. 5 8. Composant selon l'une des revendications 1 à 7, caractérisé en ce qu'au moins un des miroirs (Ml, M2, M3) est réalisé de façon à laisser passer la majeure partie de l'énergie électromagnétique qu'il ne réfléchit pas. 10 9. Composant selon la revendication 8, caractérisé en ce que le miroir arrière (Ml) est réalisé de façon à laisser passer la majeure partie de l'énergie électromagnétique qu'il ne réfléchit pas, et repose sur un substrat (S) laissant passer la majeure partie de l'énergie électromagnétique reçue par ledit substrat aux longueurs d'onde de fonctionnement du composant. 15 10. Composant selon l'une des revendications 1 à 9, caractérisé en ce qu'au moins un des miroirs (Ml, M2, M3) est réalisé par épitaxie de couches semi-conductrices formant un miroir de Bragg. 20 11. Composant selon l'une des revendications 1 à 10, caractérisé en ce qu'au moins un des miroirs (Ml, M2, M3) est réalisé par dépôt de couches diélectriques formant un miroir de Bragg. 12. Dispositif de traitement d'un signal lumineux de télécommunications, 25 comprenant au moins un composant selon l'une des revendications 1 à 11 pour régénérer passivement les niveaux hauts dudit signal. 13. Dispositif de traitement d'un signal lumineux multi-canal de télécommunications, comprenant au moins un composant (Regenl, 30 RegenlO) selon l'une des revendications 1 à 11 pour régénérer les niveaux hauts dudit signal. 14. Dispositif de traitement d'un signal lumineux de télécommunication comprenant au moins un premier composant (Regenl, RegenlO) selon l'une 2904438 - 22 - des revendications 1 à 11 pour régénérer passivement les niveaux hauts d'un signal lumineux de télécommunication, précédé d'au moins un deuxième composant (RegenO) pour régénérer passivement les niveaux bas dudit signal, ledit deuxième composant comprenant au moins une cavité à 5 absorbant saturable formée par un absorbant d'absorbance aoL intercalée entre un miroir arrière de réflectivité Rb et un miroir avant de réflectivité Rf, lesdites réflectivités vérifiant sensiblement la relation d'adaptation d'impédance Rf = exp(û 2aoL)Rb . 10 15. Dispositif de traitement d'un signal lumineux de télécommunication comprenant au moins un composant (RegenlO) monolithique selon l'une des revendications 3 à 11 pour régénérer passivement les niveaux hauts et bas dudit signal. 15 16. Procédé de réalisation d'un composant optique de traitement d'un signal optique selon l'une des revendications 1 à 11, ce procédé comprenant l'élaboration d'un empilement de couches formant une cavité (Cl) résonante à absorption saturable entre un premier miroir (Ml) dit arrière et un deuxième miroir (M2) situé du côté du signal incident, 20 la réflectivité du deuxième miroir étant supérieure ou égale à la réflectivité du miroir arrière 17. Procédé selon la revendication 16, caractérisé en ce qu'au moins une couche est formée par croissance épitaxiale à basse température. 18. Procédé selon la revendication 16 à 17, caractérisé en ce qu'il comprend une incorporation d'impuretés dans au moins une couche. 19. Procédé selon la revendication 16 à 18, caractérisé en ce qu'il 30 comprend une irradiation ionique d'au moins une couche. 20. Procédé de traitement d'un signal de télécommunication, comprenant au moins une régénération des niveaux hauts dudit signal, obtenue par un composant ou un dispositif selon l'une des revendications 1 à 15. 25 2904438 - 23 - 21. Système de fabrication mettant en oeuvre le procédé selon l'une des revendications 16 à 19. 5 22. Système de télécommunication comprenant au moins un composant ou dispositif selon l'une des revendications 1 à 15.