FR 2903678 A1 20080118 FR 0652978 A 20060713 1 MICROCOMPOSANT ENCAPSULE EQUIPE D'AU MOINS UN GETTER DESCRIPTION DOMAINE TECHNIQUE La présente invention concerne un microcomposant encapsulé comportant une cavité étanche délimitée par un capot, cette cavité étant dotée d'au moins un getter (aussi appelé fixateur de gaz) destiné à piéger des gaz susceptibles de se trouver dans la cavité. L'encapsulation des microsystèmes électromécaniques connus sous la dénomination de MEMS est aujourd'hui une clef de leur développement. D'autres microcomposants électroniques, optiques, optoélectroniques peuvent aussi être concernés par cette encapsulation. Par la suite, on a employé le terme microcomposant qui englobe ici un microsystème, un microcomposant électronique, optique ou optoélectronique. Les circuits intégrés sont englobés dans la dénomination de microcomposant électronique, optique ou optoélectronique. De plus en plus de ces microcomposants fonctionnent sous vide ou sous pression réduite car la présence de gaz peut nuire un fonctionnement correct. C'est notamment le cas pour les microcomposants qui présentent des parties mobiles. La qualité du fonctionnement est liée à la maîtrise du vide obtenu lors de l'encapsulation en terme de pression, de nature de gaz résiduels ou relargués mais également en terme de durée de vie. On est obligé de placer, à proximité du microcomposant, un getter prenant la forme soit d'un 2903678 2 élément discret soit la forme d'un film qui va contribuer à réduire ou à stabiliser la pression dans la cavité en absorbant des gaz résiduels émis par différentes parties présentes dans la cavité, et des 5 molécules qui pourraient diffuser à travers le capot au cours du temps. ÉTAT DE LA TECHNIQUE ANTÉRIEURE Actuellement les solutions qui existent dans 10 ce domaine sont de plusieurs types. Le microcomposant peut être encapsulé dans un boîtier type métallique ou céramique et ce boîtier est suffisamment grand pour accueillir un getter discret dans l'environnement proche du microcomposant. Les 15 getters discrets disponibles ont une surface de plusieurs centaines de micromètres au carré et une épaisseur de plusieurs dizaines ou même centaines de micromètres. Le vide est effectué au moment du scellement du capot à l'embase ou à l'aide d'un queusot 20 prévu à cet effet. Le boîtier est alors bien plus grand que le microcomposant qu'il contient. Cette solution est incompatible avec la miniaturisation qui est de plus en plus recherchée actuellement. En outre, il faut prendre en compte les problèmes rencontrés lors de la fixation 25 du getter dans la cavité et lors de son activation thermique. Le getter se trouve en place bien avant que le microcomposant ne soit terminé et il risque d'être saturé en partie lors de l'achèvement du microcomposant encapsulé. On s'expose aussi à un risque de relargage de 30 particules absorbées lors du procédé de fabrication et libérées ultérieurement durant la vie du microcomposant. 2903678 3 Bien que ces particules soient fines, elles peuvent nuire au bon fonctionnement du microcomposant. De plus, une telle structure n'est pas compatible avec les procédés d'encapsulation au niveau 5 de la tranche connus sous la dénomination anglo-saxonne de Wafer Level Packaging. Ces procédés consistent à réaliser l'encapsulation de manière collective de tous les microcomposants qui ont été réalisés sur une même tranche de matériau semi-conducteur. Ces procédés sont 10 plus en plus employés car ils permettent de miniaturiser encore plus les composants et de réduire les coûts de fabrication de manière significative. Il a été également proposé de reporter par scellement anodique, soudure eutectique ou autre un 15 capot sur un substrat supportant le microcomposant. Le getter prend une forme d'un élément discret ou d'une couche mince et il est placé dans la cavité délimitée par le capot. Les problèmes d'encombrement, de saturation et de relargage de gaz existent toujours. 20 Dans la demande de brevet WO 2004/006290, un capot est reporté directement sur un substrat supportant le microcomposant, formant ainsi une première cavité. Le getter se trouve dans une seconde cavité creusée dans le substrat à partir d'une face opposée à celle sur 25 laquelle se trouve le microcomposant. Les deux cavités communiquent par au moins un conduit qui passe à travers le substrat. La fabrication d'un tel microcomposant est longue et complexe. Par contre l'encombrement est moindre que celui obtenu dans les configurations 30 évoquées précédemment. 2903678 4 Dans la demande de brevet WO 2004/065289, il a été préconisé soit de déposer le matériau du getter sur un support et de sceller ce support revêtu dans la cavité délimitée par le capot, soit de revêtir 5 l'intérieur du capot avec le matériau du getter. L'inconvénient principal de cette configuration est que le getter va se saturer lors des étapes de scellement du capot et qu'il faut le protéger si l'on veut éviter cela. 10 La réalisation d'un capot en couches minces est une technique de plus employée dans ce type de microcomposant. Cette technique est décrite par exemple dans les demandes de brevet européen EP 0 525 764 et EP 1 101 730. La cavité délimitée par le capot ne laisse 15 autour de la partie active du microcomposant qu'un espace de quelques dizaines ou centaines de micromètres et qu'un espace de quelques micromètres ou quelques dizaines de micromètres au-dessus du microcomposant. Il n'est pas possible d'y loger un getter discret. 20 EXPOSÉ DE L'INVENTION La présente invention a pour but de remédier aux inconvénients des microcomposants encapsulés dotés d'un getter tels qu'ils viennent d'être décrits. 25 Un autre but de l'invention est de proposer un microcomposant encapsulé doté d'un getter qui peut être fabriqué dans sa totalité par un procédé de fabrication collective. Un autre but de l'invention est de proposer 30 un microcomposant encapsulé doté d'un getter et dont le capot peut être réalisé en couches minces. 2903678 5 Un autre but de l'invention est de proposer un microcomposant encapsulé doté d'un getter qui ne risque pas d'être saturé avant l'achèvement du microcomposant et qui de ce fait n'a pas besoin d'être 5 protégé pour éviter cette saturation ou même d'être activé avant un premier fonctionnement. Un autre but de l'invention est de proposer un microcomposant encapsulé doté d'un getter qui peut servir de renfort au capot. 10 Pour y parvenir la présente invention est un microcomposant encapsulé possédant un capot délimitant une cavité étanche et doté d'au moins un orifice pourvu d'un bouchon qui comporte une partie en matériau getter exposée à l'intérieur de la cavité. 15 Il est possible que le bouchon comporte également au moins une partie d'étanchéité qui surmonte la partie en matériau getter. De préférence, le matériau getter de la partie en matériau getter a une structure colonnaire de 20 manière à posséder une capacité d'absorption de gaz aussi bonne que possible. En variante, pour améliorer l'étanchéité du capot, il est possible de prévoir que le matériau de la partie en matériau getter possède une première zone à 25 structure colonnaire qui se prolonge par une seconde zone à structure cristallisée, la zone à structure colonnaire étant plus éloignée du capot que la zone à structure cristallisée. On peut par exemple choisir le matériau 30 getter dans le groupe comprenant le titane, le vanadium, le zirconium, le baryum ou leurs mélanges. 2903678 6 La partie d'étanchéité peut être réalisée dans un matériau métallique choisi l'or, le platine, le chrome l'aluminium ou leurs mélanges ou dans un matériau diélectrique choisi parmi le nitrure de silicium, 5 l'oxyde de silicium. Le bouchon peut venir en contact avec le substrat au niveau de sa partie en matériau getter. Le capot peut comporter une partie qui délimite une cavité active et une partie qui délimite un 10 canal de pompage d'épaisseur moindre que la cavité active, la cavité active communiquant avec le canal de pompage, l'orifice débouchant dans le canal de pompage et/ou dans la partie active. Une autre configuration peut être que le 15 capot comporte une paroi sommitale dans laquelle se trouve le bouchon. Une partie active du microcomposant est logée dans la cavité et est supportée par un substrat sur lequel prend appui le capot. Il est possible que la 20 partie en matériau getter passe à travers une lacune dont est dotée la partie active. Le capot prenant appui sur le substrat, une électrode d'une paire d'électrodes d'un dispositif d'activation du matériau getter peut être interposée 25 entre la partie en matériau getter du bouchon et le substrat. L'autre électrode de la paire d'électrodes du dispositif d'activation du matériau getter peut être portée par le capot, cette autre électrode s'étendant 30 soit à l'intérieur de la cavité soit à l'extérieur de la 2903678 7 cavité et venant en contact avec le matériau getter à proximité de l'orifice. L'autre électrode de la paire d'électrodes du dispositif d'activation du matériau getter peut 5 servir de partie d'étanchéité. La présente invention concerne également un procédé de réalisation d'un microcomposant encapsulé comportant les étapes consistant à : recouvrir de matériau sacrificiel un 10 substrat supportant une partie active du microcomposant, ce matériau sacrificiel servant de forme pour le capot du microcomposant ; - déposer sur le matériau sacrificiel un matériau d'encapsulation de manière à former un capot 15 délimitant une cavité ; - ouvrir un ou plusieurs orifices dans le matériau d'encapsulation ; - éliminer le matériau sacrificiel par les orifices ; 20 - déposer un matériau getter sur le capot de manière à ce qu'il soit exposé à l'intérieur de la cavité et bouche totalement ou partiellement les orifices. Le dépôt du matériau getter peut se faire 25 par évaporation sous vide, sur une surface dont la température est comprise entre environ 0,2 et 0,5 fois la température de fusion du matériau getter au moins au début, de manière à obtenir une structure de dépôt colonnaire du matériau getter, les températures 30 s'exprimant en degrés Kelvin. 2903678 8 Le dépôt du matériau getter peut se faire par la suite, dans les mêmes conditions de pression, mais sur une surface dont la température est supérieure à environ 0,5 fois la température de fusion du matériau 5 getter de manière à obtenir une structure de dépôt cristallisée du matériau getter. Pour améliorer l'étanchéité, on peut prévoir une étape de dépôt d'une première couche d'étanchéité et d'éventuellement d'une seconde couche d'étanchéité sur 10 la première couche d'étanchéité, la première et la seconde couche d'étanchéité surmontant le matériau getter. Le dépôt de la première couche d'étanchéité peut se faire à sensiblement à la même pression que le 15 dépôt du matériau getter. On peut prévoir une étape de gravure du matériau getter ainsi que de la première couche d'étanchéité, si elle existe, pour ne conserver au niveau de chaque orifice qu'un bouchon et ainsi réduire 20 le volume du microcomposant encapsulé, et dans le cas par exemple d'un composant optique, ne pas masquer le rayonnement optique à détecter ou à émettre. De manière similaire, on peut prévoir une étape de gravure de la seconde couche d'étanchéité pour 25 parfaire le bouchon. On peut également prévoir une étape de dépôt, sur le substrat, d'une électrode, par orifice, d'un dispositif d'activation du matériau getter, cette électrode ayant une extrémité localisée en vis-à-vis de 30 l'orifice, destinée à venir en contact électrique avec le matériau getter. 2903678 9 On prévoit alors une étape de dépôt d'une autre électrode du dispositif d'activation du matériau getter, soit sur le matériau sacrificiel, soit sur le matériau d'encapsulation, cette autre électrode devant 5 venir au contact du matériau getter à proximité de l'orifice. Il est possible d'inclure une étape de dégazage après l'étape d'élimination du matériau sacrificiel et avant l'étape de dépôt du matériau getter 10 pour limiter la quantité de gaz à absorber par le matériau getter pendant la durée de vie du microcomposant. BRÈVE DESCRIPTION DES DESSINS 15 La présente invention sera mieux comprise à la lecture de la description d'exemples de réalisation donnés, à titre purement indicatif et nullement limitatif, en faisant référence aux dessins annexés sur lesquels : 20 les figures 1A, 1B montrent en vue de dessus et en coupe un premier exemple d'un microcomposant selon l'invention ; les figures 2A et 2B montrent en vue de dessus et en coupe un autre exemple d'un microcomposant 25 selon l'invention ; la figure 3 montre un bouchon en matériau getter destiné à boucher le capot du microcomposant de l'invention ; les figures 4A, 4B, 4C montrent encore 30 d'autres exemples de microcomposants selon l'invention ; 2903678 10 Les figures 5A à 5K montrent différentes étapes d'un procédé de réalisation d'un microcomposant selon l'invention. Des parties identiques, similaires ou 5 équivalentes des différentes figures portent les mêmes références numériques de façon à faciliter le passage d'une figure à l'autre. Les différentes parties représentées sur les figures ne le sont pas nécessairement selon une échelle 10 uniforme, pour rendre les figures plus lisibles. EXPOSÉ DÉTAILLÉ DE MODES DE RÉALISATION PARTICULIERS On va maintenant se référer aux figures 1A, 1B qui montrent un exemple de microcomposant encapsulé 15 conforme à l'invention. Le microcomposant encapsulé selon l'invention comporte une partie active 1, par exemple un actionneur, un résonateur ou tout autre composant électronique, optique, optoélectronique ou électromécanique, supportée par un substrat 2. Un capot 20 3 recouvre la partie active 1 et délimite une cavité 4 dans laquelle est enfermée la partie active 1. Le capot 3 prend appui sur le substrat 2. Ce capot 3 ayant été réalisé par la technologie de couche mince, il comporte au moins un orifice d'évacuation 5 d'un matériau 25 sacrificiel (non représenté) qui a servi de forme pour délimiter le contour intérieur du capot 3, c'est-à-dire la cavité 4. Cet orifice 5 est bouché par un bouchon 6 ayant au moins une partie 6.1 en matériau getter exposée à l'intérieur de la cavité 4. Le bouchon peut être en 30 totalité en matériau getter s'il est suffisamment étanche pour l'application envisagée. Si ce n'est pas le 2903678 11 cas, il est possible de lui adjoindre au moins une partie d'étanchéité 7 comme illustré sur la figure 4C. Cette configuration sera également employée si la pression dans la cavité 4, régnant lors du dépôt 5 du matériau getter n'est pas assez basse par rapport à celle requise lors du fonctionnement du microcomposant. La partie en matériau getter 6.1 n'obstrue pas complètement l'orifice, et lorsque la pression à l'intérieur de la cavité 4 a atteint la valeur requise, 10 on obstrue l'orifice 5 de manière étanche avec la partie d'étanchéité 7, ce qui parfait le bouchon 6. Le matériau getter peut être choisi par exemple parmi le titane, le vanadium, le zirconium, le molybdène, le baryum ou leurs mélanges. Le choix du 15 matériau getter se fait en fonction des contraintes de température, de la nature des gaz à piéger et de la capacité de pompage requise. La partie d'étanchéité 7 peut être réalisée à base d'or, de platine, de chrome, d'aluminium ou même 20 de nitrure de silicium ou d'oxyde de silicium par exemple. La partie en matériau getter 6.1 du bouchon 6 sera suffisamment étanche notamment si son épaisseur est suffisante. 25 Il est également possible d'atteindre l'étanchéité souhaitée en modifiant en cours de réalisation du bouchon la structure du matériau getter, comme on pourra le voir par la suite. La quantité de matériau getter à utiliser 30 est calculée pour qu'elle puisse absorber toutes les impuretés susceptibles d'apparaître dans une cavité 4 de 2903678 12 volume V dans laquelle règne une pression P pendant le fonctionnement du microcomposant. Elle peut se définir par sa surface S qui se trouve à l'intérieur de la cavité 4 et qui s'exprime par : 5 S= (PxV) / (axC) avec a taux d'activation du matériau getter et C capacité de pompage du matériau getter en Pa-cm3. cm-2 5.10-3T=6, 7.10-1Pa ,T=6,7.10-2 = 6,7 x102 = 5.10s 5 pompage du titane est très importante, elle vaut 10 5, 2 . 104Pa. cm3.mg-1, ce qui représente 2, 7-104Pa. cm3-mg-2 pour une épaisseur de 1 micromètre. On applique cette formule à une cavité 4 dont le volume est de 200x200x4 micromètres au carré, dans laquelle la pression est de 6,7.10-1Pa. On 15 considère que la capacité de pompage effective du titane employé est de 1,34.102Pa.cm3.cm2 et que son taux d'activation est de 50%. La surface active du matériau getter en contact avec l'intérieur de la cavité 4, pour avoir la capacité de pompage requise devient 20 S=[6,7.10-2.(200.10-4)2.4.10-4]/0,5.133,3 =1, 6.10-7 cm2 Cette valeur de surface peut être obtenue par exemple par six bouchons cylindriques à section circulaire dont le diamètre est de 2 micromètres et la 25 hauteur de la surface utilisable dans la cavité 4 de 1 micromètre. De tels bouchons 6 sont illustrés sur la figure 3, on suppose qu'ils sont en totalité en matériau getter à structure colonnaire. Il est préférable, pour une quantité de 30 matériau getter donnée, de la répartir sur plusieurs 1,34.102. La capacité théorique de 2903678 13 bouchons 6 au lieu d'un seul qui risquerait de fragiliser le capot 3. Les orifices 5 à boucher par le matériau getter, ne sont pas forcément circulaires, ils peuvent 5 avoir un rapport longueur sur largeur supérieur à un, être oblongs comme l'illustre la figure 1A ou bien encore être en quadrilataire. Lors du choix de leur forme et de leur taille, il faut juste veiller à ce qu'ils ne fragilisent pas le capot et qu'ils puissent 10 être correctement bouchés. Sur la figure 1A, on suppose que le capot 3 a une emprise carrée de 210 micromètres de côté sur le substrat 2. Il est formé d'une partie centrale 3.1 qui délimite une cavité active 40.1 dans laquelle se trouve 15 la partie active 1 du microcomposant et d'une partie périphérique 3.2 qui délimite un canal de pompage 40.2. La partie centrale 3.1 peut être un carré de 200 micromètres de côté. La cavité active 40.1 et le canal de pompage 40.2 communiquent. 20 La hauteur de la cavité active 40.1 est supérieure à celle du canal de pompage 40.2. Dans l'exemple des figures 1A, 1B on suppose que la hauteur de la partie centrale est de 4 micromètres et que celle de la partie périphérique de 1 micromètre. 25 Les orifices 5 sont répartis dans la partie périphérique 3.2. On suppose que sur les quatre côtés de la partie périphérique sont répartis sensiblement régulièrement 51 orifices 5 de 2 micromètres de diamètre. Les orifices 5 ainsi répartis délimitent un 30 carré de 204 micromètres de côté. On dispose ainsi d'un total de 204 orifices. Le pas des orifices circulaires 2903678 14 est de 4 micromètres. Si les orifices sont bouchés par des bouchons de titane tels qu'illustrés à la figure 3, la capacité de pompage est portée à 4,2.10-4Pa.cm3.cm-2. Cette capacité de pompage peut aisément compenser des 5 remontées de pression dues à des dégazages et au passage de gaz à travers des matériaux constitutifs du microcomposant et ce durant toute sa durée de vie. En variante, on aurait pu utiliser des orifices oblongs ou en quadrilataire, comme sur la figure 2A, présentant la 10 même surface de pompage. La partie en matériau getter 6.1 d'un bouchon 6 vient en appui sur le substrat 2, à cause du procédé de dépôt utilisé dans l'ensemble décrit. En fait rien n'oblige qu'il soit en contact avec le substrat. 15 Sur la figure 2, le capot ne comporte qu'une seule partie qui délimite la cavité 4 dans laquelle se trouve la partie active 1 avec une paroi sommitale 4.1 et des parois latérales 4.2. Il n'est pas nécessaire de confiner les orifices 5 en périphérie de la paroi 20 sommitale 4.1. Ces derniers peuvent se trouver dans la partie centrale de la paroi sommitale 4.1 au dessus de la partie active 1. Cette configuration permet de gagner de la place sur le substrat par rapport à celle illustrée aux 1A, 1B. On dispose de toute la surface de 25 la paroi sommitale 4.1 pour disposer les orifices 5. Dans la mesure où la partie en matériau getter 6.1 des bouchons 6 prend appui sur le substrat 2, on prévoit de pourvoir la partie active 1 du microcomposant d'une épargne 8, pour chaque bouchon 6, au travers de laquelle 30 il pourra atteindre le substrat 2. Les bouchons 6 forment alors des piliers dont la base est en appui sur 2903678 15 le substrat 2. Cette configuration est particulièrement recommandée pour les grands capots 3 par exemple ceux dont la paroi sommitale est de l'ordre d'au moins 300 micromètres par 300 micromètres. De tels bouchons 6 ont 5 un rôle de renfort mécanique du capot 3 et ils ne gênent en rien le fonctionnement de la partie active 1 du microcomposant. En réalisant le capot 3, il est possible d'adapter sa hauteur, au moins localement au niveau d'un 10 orifice 5, pour pouvoir, par une étape de dépôt généralement par évaporation à basse pression comme on le décrira ultérieurement, boucher cet orifice 5. Une hauteur inférieure à par exemple 0,5 micromètre est trop petite et une hauteur supérieure à plusieurs micromètre 15 est trop grande. Une valeur de l'ordre du micromètre est optimale pour ce type de matériau et ce procédé de dépôt. Il est possible d'envisager que dans le cas d'un capot 3 avec partie périphérique et partie 20 centrale, les orifices 5 soient répartis à la fois sur la partie périphérique et sur la partie centrale. Le procédé de dépôt du matériau getter que l'on va décrire ultérieurement fait qu'il peut ne pas être nécessaire d'activer le matériau getter juste après 25 le bouchage des orifices. Toutefois, durant la vie du microcomposant, une activation peut être requise dès que la partie en matériau getter aura une surface saturée, c'est-à-dire dès que des impuretés qui ont été piégées en surface empêcheront le phénomène de piégeage de se 30 poursuivre. Il suffit de chauffer le matériau getter à une température suffisante pour que les impuretés 2903678 16 piégées diffusent en profondeur et rendent de nouveau la surface opérationnelle. On régénère la surface active du matériau getter pour conserver sa fonction de pompage. Cette régénération peut se faire par effet Joule produit 5 par circulation d'un courant à travers le bouchon. Il est préférable de ne pas chauffer globalement le microcomposant, car cela risque de perturber voire de détruire sa partie active. Les figures 4A, 4B illustrent succinctement un dispositif d'activation locale du 10 matériau getter du bouchon 6. On prévoit une paire d'électrodes 9.1, 9.2 qui coopère avec chaque bouchon 6 pour l'amenée et la récupération du courant qui va le traverser. L'une des électrodes 9.1 s'étend sur le substrat 2, elle possède 15 une extrémité qui atteint la base du bouchon 6 et est en contact électrique avec lui au niveau de sa partie en matériau getter 6.1. L'autre électrode 9.2 est supportée par le capot 3. Elle peut se trouver à l'intérieur de la cavité 4 comme sur la figure 4C ou à l'extérieur comme 20 sur la figure 4B. On s'arrange pour que l'électrode 9.2 supportée par la capot 3, ne perturbe pas un rayonnement optique à détecter ou à émettre par la partie active 1 du composant si elle est optique, comme illustré sur la figure 4A. 25 L'autre électrode 9.2 possède également une extrémité qui atteint le sommet du bouchon 6 et préférentiellement le sommet de sa partie en matériau getter 6.1. Elle vient en contact électrique avec le matériau getter à proximité de l'orifice 5. Cette 30 variante convient aussi si il y a la partie d'étanchéité 2903678 17 7. Les deux électrodes 9.1, 9.2 d'une paire sont isolées électriquement l'une de l'autre. Les électrodes 9.1, 9.2 peuvent être réalises par exemple en alliage d'or et de chrome ou 5 d'or et de titane, le chrome et le titane assurant l'adhérence de l'or. L'électrode 9.2 se trouve au moins en partie de l'orifice 5 de manière à ce que le matériau getter se dépose au moins en partie au dessus pour assurer un 10 contact électrique. Si l'électrode 9.2 se trouve à l'extérieur de la cavité 4 comme sur la figure 4B, et qu'elle recouvre totalement la surface de la partie en matériau getter 6.1 du bouchon 6, la plus proche de l'orifice 5 15 du capot 3, l'extrémité de cette électrode 9.2 peut faire office de partie d'étanchéité 7. Dans ce cas, elle sera déposée dans la même chambre à vide que celle employée pour réaliser la partie en matériau getter 6.1 du bouchon 6. 20 En variante, comme illustré sur la figure 4C, on peut s'arranger pour que la surface de l'électrode 9.1 ou 9.2 en contact avec le matériau getter soit la plus faible possible pour ne par trop réduire la surface du matériau getter exposée dans la 25 cavité 4. La surface de la partie en matériau getter 5.1, la plus proche de l'orifice 5 et/ou la base du bouchon 6 peuvent n'être en contact que partiel avec l'électrode correspondante 9.1 ou 9.2. Avec cette structure, on conserve ainsi une surface libre la plus 30 grande possible du matériau getter en terme de capacité de pompage. 2903678 18 On va maintenant s'intéresser à un exemple de procédé de fabrication d'un microcomposant encapsulé selon la présente invention. On part d'un substrat 2 qui supporte la 5 partie active 1 du microcomposant (figure 5A). On ne décrit pas plus cette étape car elle ne pose pas de problème à un homme du métier et dépend du type de microcomposant envisagé. Si l'on prévoit une paire d'électrodes pour 10 activer le matériau getter de chaque bouchon, on dépose l'une des électrodes 9.1 de chaque paire sur le substrat 2. Une extrémité de cette électrode 9.1 se trouvera à l'endroit où la partie en matériau getter du bouchon bute sur le substrat 2, c'est-à-dire en vis-à-vis de 15 l'orifice qui sera fait ultérieurement. L'autre extrémité sera accessible de l'extérieur du capot. Les électrodes 9.1, 9.2 peuvent être en alliage or titane ou or chrome comme vu précédemment. L'électrode 9.1 peut être déposée par pulvérisation cathodique ou évaporation 20 sous vide par exemple. On va déposer sur le substrat 2 et la partie active 1 une ou deux couches 10.1, 10.2 de matériau sacrificiel. On suppose que dans l'exemple de la figure 5B on n'a déposé qu'une seule couche 10.2 parce que le 25 capot ne délimite qu'une cavité au-dessus de la partie active du microcomposant et que le microcomposant est dépourvu de dispositif d'activation du matériau getter. Par contre sur la figure 5C, on a déposé deux couches 10.1, 10.2, la première 10.1 contribuant à délimiter le 30 canal de pompage et la seconde contribuant à délimiter la cavité active au dessus de la partie active du 2903678 19 microcomposant. Le matériau sacrificiel 10 peut être par exemple un polymère tel qu'une résine photosensible, par exemple celle de JSR Corporation de référence JSR PFR420 ou de type de type AZ4562. On recuit chacune des couches 5 10.1, 10.2 après leur dépôt à une température d'environ 350 C. Le recuit se fait après la délimitation qui est expliqué ci-dessous. On délimite, par photolithographie, chacune des couches 10.1, 10.2 après leur dépôt au contour 10 intérieur du canal de pompage et de la cavité active. S'il n'y a qu'une seule couche déposée, la délimitation se fait au contour de l'intérieur de la cavité. La première couche 10.1 de matériau sacrificiel peut avoir une épaisseur d'environ 0,2 à 1 micromètre, tandis que 15 la seconde couche 10.2 (ou la couche unique) peut avoir une épaisseur d'environ 4 à 10 micromètres au-dessus de la partie active du microcomposant encapsulé. Si on prévoit une paire d'électrodes 9.1, 9.2pour l'activation du matériau getter et que la 20 seconde électrode 9.2 doit se trouver à l'intérieur de la cavité, on la dépose sur le matériau sacrificiel 10, après sa délimitation, en prenant garde qu'elle ne vienne pas en contact avec la première électrode 9.1 de la paire. Sur la figure 5D, la seconde électrode 9.2 est 25 représentée. On suppose qu'au niveau du substrat 2, elle surmonte la première électrode 9.1, en en étant isolée par du matériau diélectrique 9.3. Elle aura une extrémité accessible à l'extérieur de la cavité. La seconde électrode 9.2 peut être, par exemple, déposée 30 par pulvérisation cathodique ou évaporation sous vide. 2903678 20 Par la suite, on suppose que la seconde électrode 9.2 sera déposée à l'extérieur de la cavité et que son dépôt aura donc lieu après la réalisation du capot. Dans ce mode de réalisation, le dépôt se fait 5 préférentiellement par évaporation sous vide. On dépose donc sur le matériau sacrificiel 10 ainsi délimité le capot 3 en une ou plusieurs couches de matériau d'encapsulation. Le dépôt est un dépôt conforme. Cette étape est illustrée à la figure 5E. 10 Cette figure 5E illustre la réalisation d'un capot 3 délimitant une cavité 4 avec partie active 4.2 et canal de pompage 4.1. On n'a pas représenté la suite du procédé dans le cas où le capot ne possède pas de canal de pompage pour ne pas multiplier inutilement les 15 figures. Ce sont les mêmes étapes qui sont employées dans les deux cas. Le matériau d'encapsulation 3 est de préférence un matériau diélectrique tel que de l'oxyde de silicium ou du nitrure de silicium. Lorsqu'on prévoit 20 un dépôt multicouche, on peut alterner ces deux matériaux. D'autres matériaux pourraient être envisagés tels que le silicium amorphe. Le dépôt peut être par exemple d'un dépôt chimique en phase vapeur activé par plasma (en anglais 25 Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition, connu avec l'abréviation PECVD) ou d'un dépôt chimique en phase vapeur à basse pression (en anglais Low Pressure Chemical Vapor Deposition, connu avec l'abréviation LPCVD). 30 L'épaisseur du matériau d'encapsulation réalisant le capot 3 peut être comprise entre environ 1 2903678 21 et 3 micromètres. Un capot en nitrure de silicium SiN ou Si3N4 ou en oxyde de silicium SiO2 pourra avoir une épaisseur comprise entre environ 1 et 3 micromètres. Une épaisseur typique d'un capot en oxyde de silicium pourra 5 être par exemple de 1,5 micromètre. On va ensuite graver dans le matériau d'encapsulation un ou plusieurs orifices 5 (figure 5F). Dans l'exemple décrit, les orifices 5 ont été gravés au niveau du canal de pompage mais il est bien sûr possible 10 de les graver au niveau de la partie active de la cavité. La gravure peut être par exemple une gravure sèche plasma avec gaz fluorés CF4 ou SF6. On va ensuite éliminer le matériau sacrificiel 10 en le faisant s'évacuer par les orifices 15 5 (figure 5G). Cette évacuation peut se faire par exposition à un plasma d'oxygène qui élimine les résidus organiques. On peut procéder ensuite à une étape de dégazage des matériaux présents à l'intérieur de la 20 cavité 4. Cela peut se faire à haute température sous vide. On peut par exemple réaliser ce dégazage à une température de 200 C pendant quelques heures. Cette étape n'est pas indispensable mais elle permet de limiter la quantité de gaz à pomper pendant la durée de 25 vie du microcomposant. On va ensuite boucher chaque orifice 5 par un bouchon 6, en commençant par la partie en matériau getter 6.1 (figure 5H). La figure 5H n'est que partielle. Ce dépôt, par exemple de titane, peut se 30 faire par évaporation à basse pression, par exemple de l'ordre de 5.10-4Pa. Cette technique de dépôt se faisant 2903678 22 par évaporation à basse pression, la quantité de gaz à pomper sera faible si on la compare à celle obtenue avec les techniques de scellement sous vide à des pressions qui peuvent être mille fois plus élevées. 5 On porte la surface sur laquelle doit se déposer le matériau getter, c'est-à-dire le capot 3 et le substrat 2 à l'intérieur de la cavité à une température Td (en degré Kelvin) telle que le rapport Td/Tf soit d'environ 0,2 à 0,5. Tf représente la 10 température de fusion du matériau getter, par exemple pour le titane 1941 K. Avec de telles conditions de dépôt, la structure du titane déposé est colonnaire. Elle est poreuse et présente de nombreux joints entre les différents grains qui constituent la couche, cela 15 induit une grande surface de contact possible avec le gaz à pomper et est donc propice à une grande capacité de pompage. L'effet getter est présent dès qu'un peu de matériau est déposé, ce matériau étant déposé dans 20 l'environnement proche de la partie active 1, cela assure une pression encore plus faible à l'intérieur de la cavité dès le début de la fermeture. Le matériau getter se dépose sur le substrat en vis-à-vis de l'orifice avec ce type de procédé. 25 Le dépôt de la partie en matériau getter 6.1 peut assurer le bouchage hermétique de la cavité si ladite partie est suffisamment épaisse. On suppose que cette configuration est celle illustrée sur la figure 2B, c'est pourquoi elle n'est pas de nouveau 30 représentée. 2903678 23 On peut au cours du dépôt du matériau getter, on peut être amené à changer les conditions de dépôt pour qu'il change de structure et recristallise ; Cette étape est également illustrée sur la figure 5H. A 5 ce moment le dépôt devient étanche. Le changement de conditions de dépôt peut être un changement de température, on peut s'arranger pour avoir un rapport Td/Tf supérieur à environ 0,5. La partie recristallisée est référencée 6.2. Elle forme ou contribue à former la 10 partie d'étanchéité du bouchon 6. Dans cette configuration, la partie en en matériau getter comporte alors une zone à structure colonnaire qui se prolonge par une zone à structure cristallisée. En variante ou en complément, pour obtenir 15 l'étanchéité, il est possible de changer de métal, en gardant la même pression (figure 5I). On peut par exemple déposer une couche d'étanchéité 7.1 par exemple en or d'une épaisseur d'environ 1 micromètre sur le matériau getter et ainsi former ou contribuer à former 20 la partie d'étanchéité. La température doit être adaptée au nouveau métal employé. De la sorte on ne soumet pas le matériau getter à la pression atmosphérique. La première couche d'étanchéité 7.1 pourrait 25 aussi être en diélectrique. Comme expliqué plus loin pour la seconde couche d'étanchéité 7.2. Il est possible, au cours d'une étape classique de photolithographie, de graver le ou les matériaux déposés pour délimiter localement le contour 30 des bouchons 6 et éliminer lesdits matériaux ailleurs en mettant à nu le capot 3 (figure 5J). Cette étape 2903678 24 convient particulièrement si le composant est un composant optique puisqu'il ne faut pas masquer le rayonnement optique que le composant doit émettre ou détecter. On peut aussi choisir de conserver le ou les 5 matériaux déposés mais de délimiter localement le contour des bouchons par gravure. Cette étape est facultative. La couche d'étanchéité 7.1 peut servir de seconde électrode à la paire d'électrodes du dispositif d'activation de la partie en matériau getter 6.1. 10 Si le microcomposant encapsulé doit avoir une durée de vie très longue, il peut être intéressant de prévoir, en outre, une seconde couche d'étanchéité 7.2 sur les bouchons 6 tels qu'ils sont au stade de la figure 5K pour améliorer l'étanchéité dans la cavité 4. 15 La couche d'étanchéité 7.1 étant la première couche d'étanchéité. Cette seconde couche d'étanchéité 7.2 est représentée à la figure 5K. Cette seconde couche d'étanchéité 7.2 peut être métallique ou diélectrique. Le métal pour la première couche d'étanchéité ou la 20 seconde couche d'étanchéité peut être choisi parmi l'or, le platine, le chrome l'aluminium ou leurs mélanges. La liste n'est pas extranstivé. Le diélectrique de la seconde couche d'étanchéité peut être choisi parmi le SiO2, le SiN ou le Si3N4. La seconde couche d'étanchéité 25 7.2 pourrait être formée de plusieurs sous couches de ces matériaux. Dans le cas où il n'y a pas d'électrode d'activation cette seconde couche peut être diélectrique. Cette seconde couche d'étanchéité 7.2 renforce l'étanchéité du bouchage notamment au niveau de 30 zones latérales 6.4 des bouchons 6 qui après la délimitation possédaient du matériau getter à nu à 2903678 25 l'extérieur de la cavité 4, c'est-à-dire au niveau des passages de marches. De la même manière que précédemment la seconde couche 7.2 peut être gravée localement au contour des bouchons 6 et éliminée ailleurs. 5 Bien que plusieurs modes de réalisation de la présente invention aient été représentés et décrits de façon détaillée, on comprendra que différents changements et modifications puissent être apportés sans sortir du cadre de l'invention. Les différentes 10 variantes décrites doivent être comprises comme n'étant pas forcément exclusives les unes des autres. REVENDICATIONS 1. Microcomposant encapsulé possédant un capot (3) délimitant une cavité (4) étanche et doté d'au moins un orifice (5) pourvu d'un bouchon (6), caractérisé en ce que le bouchon comporte une partie (6.1) en matériau getter exposée à l'intérieur de la cavité. 2. Microcomposant selon la revendication 1, dans lequel le bouchon (6) comporte également au moins une partie (7) d'étanchéité qui surmonte la partie (6.1) en matériau getter. 3. Microcomposant selon la revendication 1, dans lequel le matériau getter de la partie (6.1) en matériau getter a une structure colonnaire. 4. Microcomposant selon la revendication 1, 20 dans lequel le matériau de la partie (6.1) en matériau getter possède une première zone à structure colonnaire qui se prolonge par une seconde zone (6.2) à structure cristallisée, la zone à structure colonnaire étant plus éloignée du capot que la zone à structure cristallisée. 25 5. Microcomposant selon l'une des revendications 1 à 4, dans lequel le matériau getter est choisi parmi le titane, le vanadium, le zirconium, le baryum ou leurs mélanges. 15 30 2903678 27 6. Microcomposant selon l'une des revendications 1 à 5, dans lequel la partie (7) d'étanchéité est réalisée dans un matériau métallique choisi parmi l'or, le platine, le chrome l'aluminium ou 5 leurs mélanges ou dans un matériau diélectrique choisi parmi le nitrure de silicium, l'oxyde de silicium. 7. Microcomposant selon l'une des revendications 1 à 6, dans lequel le capot (3) prend 10 appui sur un substrat (2), le bouchon (6) venant en contact avec le substrat (2) au niveau de sa partie (6.1) en matériau getter. 8. Microcomposant selon l'une des revendications 1 à 7, dans lequel le capot (3) comporte une partie qui délimite une cavité active (40.1) et une partie qui délimite un canal de pompage (40.2) d'épaisseur moindre que la cavité active, la cavité active communiquant avec le canal de pompage, l'orifice (5) débouchant dans le canal de pompage et/ou dans la partie active. 9. Microcomposant selon l'une des revendications 1 à 8, dans lequel le capot (3) comporte une paroi sommitale (4.1) dans laquelle se trouve le bouchon (6). 10. Microcomposant selon l'une des revendications 1 à 9, comportant une partie active (1) logée dans la cavité (4) et supportée par un substrat (2) sur lequel prend appui le capot (3), dans lequel la 2903678 28 partie (6.1) en matériau getter passe à travers une lacune (8) dont est dotée la partie active (1). 11. Microcomposant selon l'une des 5 revendications 1 à 10, dans lequel le capot (3) prend appui sur le substrat (2), une électrode (9.1) d'une paire d'électrodes (9.1, 9.2) d'un dispositif d'activation du matériau getter étant interposée entre la partie (6.1) en matériau getter du bouchon (6) et le 10 substrat (2). 12. Microcomposant selon la revendication 11, dans lequel l'autre électrode (9.2) de la paire d'électrodes du dispositif d'activation du matériau 15 getter est portée par le capot (3), cette autre électrode (9.2) étant s'étendant soit à l'intérieur de la cavité soit à l'extérieur de la cavité (4) et venant en contact avec le matériau getter à proximité de l'orifice (5). 20 13. Microcomposant selon la revendication 12, dans lequel l'autre électrode (9.2) de la paire d'électrodes du dispositif d'activation du matériau getter sert de partie d'étanchéité. 25 14. Procédé de réalisation d'un microcomposant encapsulé comportant les étapes consistant à : - recouvrir de matériau sacrificiel (10) un 30 substrat (2) supportant une partie active (1) du 2903678 29 microcomposant, ce matériau sacrificiel (10) servant de forme pour le capot du microcomposant ; - déposer sur le matériau sacrificiel un matériau d'encapsulation de manière à former un capot 5 (3) délimitant une cavité (4) ; - ouvrir un ou plusieurs orifices (5) dans le matériau d'encapsulation ; - éliminer le matériau sacrificiel par les orifices (5) ; 10 - déposer un matériau getter sur le capot (3) de manière à ce qu'il soit exposé à l'intérieur de la cavité et bouche totalement ou partiellement les orifices (5). 15 15. Procédé de réalisation d'un microcomposant encapsulé selon la revendication 14, dans lequel le dépôt du matériau getter se fait par évaporation sous vide, au moins au début, sur une surface dont la température est comprise entre environ 20 0,2 fois et 0,5 fois la température de fusion du matériau getter de manière à obtenir une structure de dépôt colonnaire du matériau getter, les températures s'exprimant en degrés Kelvin. 25 16. Procédé de réalisation d'un microcomposant encapsulé selon la revendication 15, dans lequel le dépôt du matériau getter se fait, par la suite, dans les mêmes conditions de pression mais sur une surface dont la température est supérieure à environ 30 0,5 fois la température de fusion du matériau getter de 2903678 30 manière à obtenir une structure de dépôt cristallisée du matériau getter. 17. Procédé de réalisation d'un 5 microcomposant encapsulé selon l'une des revendications 14 à 16, dans lequel on prévoit une étape de dépôt d'une première couche d'étanchéité (7.1) et d'éventuellement d'une seconde couche d'étanchéité (7.2) sur la première couche d'étanchéité, la première et la seconde couche 10 d'étanchéité surmontant le matériau getter. 18. Procédé de réalisation d'un microcomposant encapsulé selon la revendication 17, dans lequel le dépôt de la première couche d'étanchéité (7.1) 15 se fait à sensiblement à la même pression que le dépôt du matériau getter. 19. Procédé de réalisation d'un microcomposant encapsulé selon l'une des revendications 20 14 à 18, dans lequel on prévoit une étape de gravure du matériau getter ainsi que de la première couche d'étanchéité (7.1) si elle existe pour ne conserver au niveau de chaque orifice qu'un bouchon (6). 20. Procédé de réalisation d'un microcomposant encapsulé selon la revendication 19, dans lequel on prévoit une étape de gravure de la seconde couche d'étanchéité (7.2) pour parfaire le bouchon (6). 21. Procédé de réalisation d'un microcomposant encapsulé selon l'une des revendications 25 30 2903678 31 14 à 20, dans lequel on prévoit une étape de dépôt, sur le substrat (2), d'une électrode (9.1) par orifice d'un dispositif d'activation du matériau getter, cette électrode ayant une extrémité localisée en vis-à-vis de 5 l'orifice (5), destinée à venir en contact électrique avec le matériau getter. 22. Procédé de réalisation d'un microcomposant encapsulé selon la revendication 21, dans 10 lequel on prévoit une étape de dépôt d'une autre électrode (9.2) du dispositif d'activation du matériau getter, soit sur le matériau sacrificiel (10), soit sur le matériau d'encapsulation, cette autre électrode devant venir au contact du matériau getter à proximité 15 de l'orifice. 23. Procédé de réalisation d'un microcomposant encapsulé selon l'une des revendications 14 à 22, dans lequel on prévoit une étape de dégazage 20 après l'étape d'élimination du matériau sacrificiel et avant l'étape de dépôt du matériau getter.