FR 2906079 A1 20080321 FR 0608185 A 20060919 1 CAPTEUR D'IMAGE EN COULEUR A COLORIMETRIE AMELIOREE L'invention concerne les capteurs d'image en couleur réalisés sur un substrat de silicium aminci. L'amincissement du silicium sur lequel est fait le capteur d'image est une technique permettant d'améliorer la colorimétrie en minimisant les interférences entre points d'image voisins correspondant à des couleurs différentes. Les interférences sont réduites grâce au fait que les filtres colorés qui servent à séparer les composantes primaires de la lumière peuvent être déposés sur la face arrière et non sur la face avant d'une plaquette de silicium et ils sont dès lors plus proches des zones photosensibles formées dans le silicium ; la face avant est celle sur laquelle sont faites les opérations de dépôt et gravure de couches formant l'essentiel de la matrice de photodétecteurs et de ses circuits de commande. Un capteur d'image en couleur sur silicium aminci peut être réalisé de la manière suivante : on part d'une tranche semiconductrice (silicium en principe ou silicium sur isolant) sur la face avant de laquelle on effectue des opérations de masquage, d'implantations d'impuretés, de dépôts de couches de compositions diverses provisoires ou définitives, de gravure de ces couches, de traitement thermique, etc. ; ces opérations permettent de définir une matrice de pixels photosensibles et des circuits de traitement de signaux électriques associés à ces pixels ; on reporte ensuite la tranche par sa face avant contre la face avant d'un substrat de support ; on élimine la majeure partie de l'épaisseur de la tranche semiconductrice (c'est l'opération d'amincissement), laissant subsister sur la face avant du substrat de support une fine couche semiconductrice comprenant les zones photosensibles et les circuits associés ; et, ultérieurement, on dépose et on grave sur la face arrière de la couche semiconductrice ainsi amincie diverses couches parmi lesquelles par exemple une couche métallique opaque et une couche de filtres de couleur en mosaïque. On comprend qu'avec ce procédé les filtres de couleur ne se trouvent pas au-dessus d'un empilement de couches isolantes et conductrices qui ont pu être déposées (en technologie CMOS ou une autre technologie) sur les zones photosensibles au cours de la fabrication de la tranche semiconductrice. Bien au contraire, les filtres sont placés au-dessous des zones photosensibles, à l'opposé des couches isolantes et conductrices 2906079 2 qui se trouvent alors de l'autre côté des zones photosensibles. Cela veut dire que dans l'utilisation du capteur dans une caméra, la lumière arrivera du côté de la face arrière du capteur, traversera les filtres colorés et atteindra directement les zones photosensibles sans avoir à traverser l'empilement de 5 couches isolantes et conductrices. C'est cette proximité entre les zones photosensibles et les filtres colorés qui permet d'assurer une bonne colorimétrie, pourvu que l'amincissement soit très prononcé : l'épaisseur résiduelle de silicium après amincissement est de 3 à 20 micromètres environ. 10 Cependant, on constate dans la pratique qu'il subsiste des phénomènes de diaphotie (en anglais "cross-talk") entre pixels adjacents, qui rendent les propriétés colorimétriques imparfaites. La présente invention a pour but de réduire encore les défauts de colorimétrie dus à la diaphotie entre pixels adjacents. Ce problème est d'autant plus important que la 15 surface des pixels est plus petite. La diaphotie peut avoir des causes optiques (dispersion de photons vers des pixels adjacents comme cela a été expliqué ci-dessus) mais aussi des causes électroniques ; la diaphotie électronique provient de la dispersion d'électrons qui sont engendrés dans une zone photosensible 20 correspondant à un pixel déterminé et qui devraient être collectés par une électrode correspondant à ce pixel mais qui sont en réalité attirés par une électrode d'un pixel voisin du fait de l'existence de champs électriques mal contrôlés à l'intérieur des zones photosensibles. On propose selon l'invention de disposer entre les filtres adjacents 25 de couleurs différentes un mur d'un matériau tendant à réfléchir la lumière de manière que la lumière arrivant de manière oblique sur un filtre déterminé correspondant à un premier pixel ne tende pas à passer vers un filtre adjacent ou vers une zone photosensible correspondant à un pixel adjacent mais soit renvoyée par le mur vers le premier filtre ou la zone photosensible 30 correspondant au premier pixel. Le mur est de préférence en matériau à forte réflexion tel que de l'aluminium, mais on peut envisager aussi qu'il soit en un matériau transparent mais dont l'indice de réfraction serait plus faible que celui des filtres afin de permettre une réflexion totale de la lumière arrivant sous une incidence oblique suffisamment faible. 2906079 3 Ainsi, l'invention propose un capteur d'image en couleur comportant un réseau de filtres colorés de couleurs différentes déposé au-dessus d'une couche semiconductrice comportant une zone photosensible associée à chaque filtre, caractérisé en ce que chaque filtre coloré est 5 séparé des filtres adjacents de couleur différente par un mur d'un matériau tendant à réfléchir la lumière. Le mur de séparation recouvre de préférence une zone semiconductrice (silicium en principe) de type P+ diffusée dans la couche semiconductrice, de type N, contenant les zones photosensibles, la zone io diffusée P+ formant elle-même une séparation électrique partielle entre zones photosensibles adjacentes. Le mur en matériau réfléchissant peut être déposé sur la surface de la couche semiconductrice contenant les zones photosensibles, mais il peut aussi s'enfoncer partiellement dans cette couche et participer à la 15 séparation électrique entre zones photosensibles adjacentes. La partie enfoncée du mur peut être entourée par une couche isolante ou par une région de type P+ diffusée dans la couche de type N. La partie supérieure du mur réfléchissant est de préférence constituée par un revêtement d'un matériau antiréfléchissant. Ce matériau 20 est de préférence du nitrure de titane. D'autres caractéristiques et avantages de l'invention apparaîtront à la lecture de la description détaillée qui suit et qui est faite en référence aux dessins annexés dans lesquels : 25 - la figure 1 représente une coupe schématique d'un capteur d'image selon l'invention ; - la figure 2 représente une variante de réalisation dans laquelle les murs réfléchissants recouvrent une région de type P+ diffusée ; - la figure 3 représente une variante dans laquelle les murs 30 réfléchissants s'enfoncent partiellement dans le silicium ; - les figures 4 et 5 représentent des variantes dans lesquelles la partie enfoncée du mur est entourée par une couche isolante ou par une diffusion de type P. 2906079 4 Sur la figure 1 on voit en coupe latérale la structure schématique d'un capteur d'image en couleurs de type aminci dont les pixels sont réalisés en technologie CMOS. Le capteur comporte un substrat de support 10 recouvert d'une 5 couche de planarisation 12 elle-même recouverte par un ensemble de couches conductrices et isolantes servant à collecter les charges électriques générées dans chaque pixel ; l'ensemble de couches conductrices et isolantes est représenté d'une manière schématique et est désigné par la référence 14 ; la structure et la configuration précise de ces couches dépend 10 de la constitution électrique de chaque pixel ; par exemple on peut prévoir des pixels à trois ou quatre ou cinq transistors et on comprend que les couches conductrices servant à la formation de ces transistors ont des topologies qui sont adaptées en fonction de la constitution du pixel ; il peut y avoir par exemple quatre ou cinq niveaux conducteurs séparés par des 15 couches isolantes, avec des vias conducteurs pour relier les niveaux les uns aux autres là où ils doivent être reliés. L'ensemble 14 de couches conductrices et isolantes est recouvert par une couche semiconductrice 16, en principe en silicium, dans laquelle sont formées les zones photosensibles permettant la génération et la 20 collection de charges électriques sous l'influence de la lumière. Typiquement, les zones photosensibles sont constituées par des photodiodes, une photodiode étant associée à chaque pixel ; les photodiodes sont constituées à partir d'une diffusion 17 de type N, dans le silicium de type P qui constitue la couche 16 ; c'est la diffusion de type N qui permet de recueillir les charges 25 électriques photogénérées dans la couche 16 de type P et on peut considérer qu'une zone photosensible est constituée par une portion de couche 16 de type P située au-dessus d'une région diffusée 17 de type N. Au-dessus de la couche semiconductrice 16 sont déposés les filtres individuels colorés, en général sous forme d'une mosaïque de trois 30 couleurs ; les filtres sont en principe regroupés en ensemble de quatre filtres adjacents dont deux filtres d'une même couleur (le plus souvent verte) sont diagonalement opposés tandis que les deux autres filtres diagonalement opposés correspondent à deux autres couleurs (en général bleu et rouge). Des dispositions en quinconce sont parfois utilisées. Les contours des filtres 2906079 5 peuvent être carrés ou hexagonaux. Il y a un filtre coloré au-dessus de chaque zone photosensible élémentaire ou pixel. Sur la figure on a représenté trois pixels adjacents correspondant aux trois couleurs verte, rouge, bleue ; les filtres sont désignés par FG 5 (couleur verte), FR (couleur rouge), FB (couleur bleue). Selon l'invention, les filtres adjacents de couleurs différentes sont séparés par un mur réfléchissant 20. Ce mur est de préférence constitué par un mur d'aluminium 21 recouvert d'une mince couche de nitrure de titane 22, cette dernière jouant le rôle de couche antiréfléchissante pour éviter que la 10 lumière incidente issue d'une source d'image ne soit renvoyée vers cette source. La lumière arrivant sous incidence normale au-dessus d'un filtre passe à travers ce filtre et atteint la zone photosensible correspondant au filtre. La lumière arrivant sur les bords d'un filtre sous incidence oblique est 15 renvoyée vers la zone photosensible qui correspond au filtre au lieu de passer vers la zone photosensible correspondant au filtre adjacent. Pour réaliser la mise en place des filtres entourés d'un mur d'aluminium, sur un capteur d'image aminci, on peut procéder de la manière suivante : 20 -on dépose une couche uniforme d'aluminium sur la face arrière du capteur, c'est-à-dire sur la face accessible de la couche de silicium 16 qui comprend les zones photosensibles ; - on dépose une couche de nitrure de titane au-dessus de la couche d'aluminium ; 25 - on dépose une couche de résine photosensible que l'on grave selon un motif correspondant aux murs à réaliser en laissant subsister la résine au-dessus des emplacements des murs ; - on attaque le nitrure de titane là où il n'est pas protégé par la résine, avec un produit d'attaque qui élimine le nitrure de titane sans attaquer 30 significativement la résine ; puis, de la même manière, on élimine l'aluminium avec un produit d'attaque qui élimine l'aluminium sans attaquer la résine ; - on élimine la résine ; - on dépose une couche d'une résine colorée d'une première couleur et on la grave par une méthode photolithographique pour la laisser 2906079 6 subsister uniquement à l'intérieur des emplacements entourés de murs d'aluminium et réservés aux filtres de la couleur considérée ; - on dépose une couche d'une résine colorée d'une deuxième couleur et on la grave par une méthode photolithographique pour la laisser 5 subsister uniquement à l'intérieur des emplacements entourés de murs d'aluminium et réservés aux filtres de la deuxième couleur ; - on dépose une couche d'une résine colorée d'une troisième couleur et on la grave par photolithographie pour la laisser subis ter uniquement à l'intérieur des emplacements entourés de murs d'aluminium et io réservés aux filtres de la troisième couleur. Ces étapes de dépôt et gravure de filtres en couleur sont classiques pour tous les capteurs d'image en couleur, mais ici les filtres colorés sont déposés à l'intérieur d'espaces entourés de murs d'aluminium. On peut, en variante, former les murs d'aluminium de la manière 15 suivante : on dépose une couche sacrificielle, par exemple en oxyde de silicium, que l'on ouvre à l'endroit où on veut réaliser les murs réfléchissants, on dépose l'aluminium qui comble les ouvertures réalisées, on rabote l'excédent d'aluminium présent en dehors des ouvertures, et on enlève la couche sacrificielle à l'aide d'un produit d'attaque qui élimine cette couche en 20 n'attaquant pas l'aluminium, laissant donc intacts les murs d'aluminium. Du nitrure de titane (couche anti-reflet) peut être déposé et gravé avant l'enlèvement de la couche sacrificielle, dans ce cas, le produit d'attaque de la couche sacrificielle ne doit pas attaquer le nitrure de titane. Pour améliorer la diaphotie électronique, c'est-à-dire pour limiter 25 les risques de dispersion des électrons vers des zones photosensibles adjacentes à celle où ils ont été engendrés par la lumière, on peut de plus, comme le montre la figure 2, prévoir un dopage de type P+ qui s'enfonce dans la couche semiconductrice 16 de type P, au-dessous des murs réfléchissants. Ce dopage crée des régions 24 qui séparent au moins 30 partiellement les unes des autres les zones photosensibles adjacentes définies dans la couche semiconductrice 16 ; les régions P+ créent en effet un champ électrique répulsif pour les électrons, tendant à maintenir ceux-ci dans la zone photosensible où ils ont été engendrés, jusqu'à ce qu'ils soient collectés par la zone de charge d'espace constituée dans le substrat et la région diffusée 17 autour de la jonction de la photodiode associée à cette 2906079 7 zone photosensible. Les régions 24 sont formées avant le dépôt de la couche d'aluminium qui sert à former les murs réfléchissants. Elles peuvent en particulier être formées après l'ouverture de la couche sacrificielle mentionnée plus haut, avec l'avantage d'un parfait alignement. 5 Dans une variante de réalisation, représentée à la figure 3, on peut prévoir que les murs réfléchissants 20 s'enfoncent en partie dans la couche semiconductrice 16. Cet enfoncement améliore la diaphotie optique et contribue aussi à séparer électriquement les zones photosensibles adjacentes : il contribue donc à réduire la diaphotie électronique entre pixels io adjacents. Pour réaliser la structure dans cette variante, on creuse des ouvertures dans la couche 16 de silicium avant de déposer la couche d'aluminium. Le masque de gravure pour creuser ces ouvertures est le même que le masque de gravure de la couche sacrificielle qui définit la position des murs. 15 Dans une autre variante, dérivée de la figure 3 et représentée à la figure 4, on isole du silicium la partie enfoncée des murs réfléchissants, afin que les murs d'aluminium ne soient pas directement en contact électrique avec le silicium; cette isolation est fait par exemple par une couche d'oxyde de silicium 26. La partie enfoncée et isolée des murs réfléchissants crée une 20 séparation entre zones photosensibles adjacentes, améliorant la diaphotie électrique. Dans la variante représentée à la figure 5, on prévoit que la partie enfoncée des murs réfléchissants est entourée par une région diffusée 28 de type P+ jouant le même rôle de séparation entre zones photosensibles 25 adjacentes que la région 24 de la figure 2. Enfin, dans les pixels à transistors MOS actifs qui comportent en général une zone de stockage de charges associée à la photodiode, il peut être souhaitable d'éviter autant que possible que cette zone de stockage reçoive un éclairement direct. C'est pourquoi on propose avantageusement 30 que les murs réfléchissants aient un périmètre qui entoure non pas la totalité du pixel mais plus précisément le contour de la photodiode proprement dite, en recouvrant entièrement le reste des éléments du pixel (transistors et zone de stockage de charges). La couche d'aluminium ou d'un autre matériau réfléchissant occupe ainsi tout l'espace ou pratiquement tout l'espace 35 existant entre les photodiodes des pixels adjacents, les filtres colorés REVENDICATIONS 1. Capteur d'image en couleur comportant un réseau de filtres colorés de couleurs différentes (FR, FG, FB) déposé au-dessus d'une couche semiconductrice (16) comportant une zone photosensible associée à chaque filtre caractérisé en ce que chaque filtre coloré est séparé des filtres adjacents de couleur différente par un mur (20) d'un matériau tendant à réfléchir la lumière. 2. Capteur d'image selon la revendication 1, caractérisé en ce que le mur (20) est principalement en aluminium. 3. Capteur d'image selon la revendication 1, caractérisé en ce que la partie supérieure du mur (20) est formée par une couche superficielle d'un matériau anti-reflet (22), notamment du nitrure de titane. 15 4. Capteur d'image selon l'une des revendications 1 à 3, caractérisé en ce que le mur (20) recouvre une zone semiconductrice (24) de type P+ diffusée dans la couche semiconductrice (16) contenant les zones photosensibles, cette couche étant de type P. 20 5. Capteur d'image selon l'une des revendications 1 à 4, caractérisé en ce que le mur (20) en matériau réfléchissant est déposé sur la surface de la couche semiconductrice constituant les zones photosensibles. 6. Capteur d'image selon l'une des revendications 1 à 3, 25 caractérisé en ce que le mur (20) en matériau réfléchissant s'enfonce partiellement dans la couche semiconductrice (16) contenant les zones photosensibles. 7. Capteur d'image selon la revendication 6, caractérisé en ce que 30 la partie enfoncée du mur est entourée par une couche isolante (26). 8. Capteur d'image selon l'une des revendications 5 et 6, caractérisé en ce que la partie enfoncée du mur est entourée par une région 2906079 10 (28) de type P+ diffusée dans la couche semiconductrice (16), de type N, contenant les zones photosensibles. 9. Capteur d'image selon l'une des revendications précédentes, 5 caractérisé en ce que le mur occupe pratiquement tout l'espace existant entre les photodiodes des pixels adjacents, les filtres colorés recouvrant uniquement les photodiodes.