FR 2889747 A1 20070216 FR 0604714 A 20060524 SUBSTRAT A RESEAU DE TRANSISTORS EN COUCHES MINCES ET PROCEDE DE REPARATION DE CE DERN:IER DOMAINE DE L'INVENTION La présente invention concerne un substrat à réseau et un procédé de réparation de ce dernier. Plus particulièrement, la présente invention concerne un substrat à réseau de transistors en couches minces et un procédé de réparation de ce dernier. Afin de s'accommoder à un autre style de vie moderne, la taille et le poids d'un équipement vidéo et de formation d'images décroissent à un rythme phénoménal. Bien que les affichages par tube à rayons cathodiques (CRT) présentent encore certains avantages, un encombrement et une puissance de fonctionnement élevée sont certains des facteurs majeurs qui rendent inévitables leur remplacement par des dispositifs plus polyvalents. De nos jours, des écrans à cristaux liquides à transistors en couches minces (TFT-LCD) sont devenus progressivement la norme concernant des produits d'affichage sur le marché grâce à leur qualité d'image élevée, leur utilisation spatiale élevée, leur puissance nominale inférieure et leur fonctionnement à rayonnement nul. ETAT DE LA TECHNIQUE ANTERIEURE Un substrat à réseau de transistors en couches minces est un dispositif d'affichage doté d'un substrat de verre. Le substrat de verre a une première couche métallique (une couche de grille), une première couche diélectrique (une couche d'isolation de grille), une couche semiconductrice, une seconde couche métallique (une couche source/drain) et une seconde couche diélectrique (une couche de passivation) formées sur ce dernier. Par ailleurs, une pluralité de lignes de données, une pluralité de lignes de balayage, une pluralité de lignes communes, une pluralité de transistors en couches minces (chaque transistor ayant une grille, une structure en îlot semi-conductrice et une source/un drain) et une pluralité d'électrodes de pixel sont formées sur le substrat. La grille se raccorde électriquement aux lignes de balayage et la source/le drain se raccordent électriquement aux lignes de données et aux électrodes de pixel. Les lignes de balayage et les lignes communes font partie de la première couche métallique, par exemple. La structure en îlot semi-conductrice fait partie de la couche semi-conductrice et les lignes de données font partie de la seconde couche métallique. De plus, les lignes de balayage sont isolées électriquement de leurs lignes de données correspondantes au travers de la première couche diélectrique. De plus, la seconde couche diélectrique couvre également les lignes de données. Au cours du processus de fabrication du substrat à réseau de transistors en couches minces, des défauts de point ou des défauts de ligne se produisent fréquemment. Les conditions les plus souvent rencontrées qui résultent de défauts de ligne comportent une ligne commune interrompue, un court-circuit entre la ligne commune et la ligne de données, une ligne de balayage interrompue et une ligne de données interrompue. Lorsque les défauts de ligne susmentionnés se produisent dans le substrat à réseau de transistors en couches minces, il y aura une chute significative du rendement si la portion anormale n'est pas réparée. Ainsi, un procédé systématique de réparation de tels défauts de ligne est un sujet important dans la fabrication d'écrans à cristaux liquides. EXPOSE DE L'INVENTION Par conséquent, au moins un objectif de la présente invention consiste à fournir un substrat à réseau de transistors en couches minces doté de la capacité de réparation de quelconques défauts de ligne y compris des lignes communes interrompues, des lignes communes et des lignes de données court-circuitées, des lignes de balayage interrompues et des lignes de données interrompues dans ce dernier. Enfin, le rendement de production du substrat à réseau de transistors en couches minces est accru. Au moins un second objectif de la présente invention consiste à fournir un procédé de réparation du substrat à réseau de transistors en couches minces susmentionné. Le procédé de réparation répare un substrat à réseau de transistors en couches minces présentant des défauts de ligne y compris des lignes communes interrompues, des lignes communes et des lignes de données court-circuitées, des lignes de balayage interrompues ou des lignes de données interrompues de sorte que le rendement de production s'en trouve accru. 2889747 4 Afin d'atteindre ces avantages et d'autres et conformément au but de l'invention, tel qu'incarnée et largement décrite ici, l'invention fournit un substrat à réseau de transistors en couches minces. Le substrat à réseau de transistors en couches minces comprend principalement un substrat, une pluralité de lignes de balayage, une pluralité de lignes de données, une pluralité de lignes communes, une pluralité de transistors en couches minces, une pluralité d'électrodes de pixel et une pluralité de lignes de réparation. Les lignes de balayage et les lignes de données sont disposées sur le substrat. Ces lignes de balayage et ces lignes de données définissent un réseau de zones de pixels sur le substrat. Les lignes communes et les lignes de balayage sont alignées en parallèle et disposées en alternance les unes par rapport aux autres. Chaque transistor en couches minces est disposé à l'intérieur d'une zone de pixel correspondante et commandé par une ligne de balayage et une ligne de données correspondantes. Chaque électrode de pixel est disposée à l'intérieur d'une zone de pixel correspondante et est raccordée électriquement à un transistor en couches minces correspondant. Chaque ligne de réparation est au moins positionnée au- dessus d'une ligne de balayage et est placée en alternance avec la ligne de données. Par ailleurs, les extrémités de chaque ligne de réparation chevauchent partiellement les deux lignes communes adjacentes sur les côtés respectifs de la ligne de balayage. Selon le substrat à réseau de transistors en couches minces susmentionné dans le mode de réalisation préféré de la présente invention, les côtés respectifs de chaque ligne commune ont une pluralité de branches s'étendant vers l'extérieur. Par ailleurs, chaque branche est proche d'une ligne de données correspondante. Selon le substrat à réseau de transistors en couches minces susmentionné dans le mode de réalisation préféré de la présente invention, les extrémités respectives de chaque ligne de réparation chevauchent les branches de la ligne commune correspondante. Selon le substrat à réseau de transistors en couches minces susmentionné dans le mode de réalisation préféré de la présente invention, les lignes de réparation et les lignes de données sont formées de la même couche de film, c'est-à-dire qu'elles sont fabriquées, par exemple, au cours du même processus de fabrication. La présente invention fournit également un procédé de réparation d'un substrat à réseau de transistors en couches minces, en particulier, le substrat: à réseau de transistors en couches minces susmentionné. On suppose que le substrat à réseau de transistors en couches minces a un défaut. Le défaut entraîne une rupture d'une ligne commune. Le procédé de réparation comporte l'étape consistant à raccorder électriquement les lignes communes au niveau des deux extrémités du défaut à une première ligne de réparation et à une seconde ligne de réparation et à raccorder alors électriquement la première ligne de réparation et la seconde ligne de réparation à une autre ligne commune. 2889747 6 La présente invention fournit également un autre procédé de réparation d'un substrat à réseau de transistors en couches minces, en particulier, le substrat à réseau de transistors en couches minces susmentionné. On suppose que le substrat à réseau de transistors en couches minces a un défaut. Le défaut entraîne un court-circuit entre une ligne de données et une ligne commune. Le procédé de réparation comporte l'étape consistant à isoler électriquement les lignes communes au niveau des deux extrémités du défaut et à raccorder alors électriquement les lignes communes au niveau des deux extrémités du défaut à une première ligne de réparation et à une seconde ligne de réparation. Par la suite, la première ligne de réparation et la seconde ligne de réparation sont raccordées électriquement au travers d'une autre ligne commune. La présente invention fournit également encore un autre procédé de réparation d'un substrat à réseau de transistors en couches minces, en particulier, le substrat à réseau de transistors en couches minces susmentionné. On suppose que le substrat à réseau de transistors en couches minces a un défaut. Le défaut entraîne une rupture d'une ligne de balayage. Le procédé de réparation comporte l'étape consistant à raccorder électriquement les lignes de balayage au niveau des deux extrémités du défaut à une première ligne de réparation et à une seconde ligne de réparation et à raccorder alors électriquement la première ligne de réparation et la seconde ligne de réparation à une ligne commune. Par la suite, une portion de la ligne commune est isolée électriquement afin de former une ligne de remplacement. La ligne de remplacement est raccordée électriquement à la première ligne de réparation et à la seconde ligne de réparation. Selon le substrat à réseau de transistors en couches minces susmentionné dans le mode de réalisation préféré de l'invention, chaque branche des lignes communes a une portion en saillie qui s'étend vers une zone audessus d'une ligne de données correspondante et qui chevauche une partie de la ligne de données. La présente invention fournit également un procédé de réparation d'un substrat à réseau de transistors en couches minces, en particulier, le substrat à réseau de transistors en couches minces susmentionné. On suppose que le substrat à réseau de transistors en couches minces a un défaut. Le défaut entraîne une rupture d'une ligne de données. Le procédé de réparation comporte l'étape consistant à raccorder électriquement les lignes de données au niveau des deux extrémités du défaut à une première branche d'une première ligne commune et à une deuxième branche d'une seconde ligne commune et à raccorder alors électriquement la première branche et la deuxième branche au travers d'une ligne de réparation. Par ailleurs, la première Ligne commune est isolée électriquement de la première branche et la seconde ligne commune est isolée électriquement de la deuxième branche. Selon le substrat à réseau de transistors en couches minces susmentionné dans le mode de réalisation préféré de la présente invention, le procédé de formation d'une isolation électrique inclut la réalisation d'un processus d'ablation au laser. Selon le substrat à réseau de transistors en couches minces susmentionné dans le mode de réalisation préféré de la présente invention, le procédé de formation d'un raccord électrique inclut la réalisation d'une opération de soudage au laser. Dans la présente invention, les lignes de réparation requises afin d'effectuer des opérations de réparation et les lignes de données sont formées au même moment. Les lignes de réparation son- formées au-dessus d'au moins une ligne de balayage et placées dans des emplacements alternant avec la ligne de données. Par ailleurs, les extrémités respectives de chaque ligne de réparation chevauchent partiellement les deux lignes communes adjacentes sur les côtés respectifs de la ligne de balayage. En combinant une opération de soudage au laser pour raccorder électriquement une ligne de réparation à une ligne commune avec une opération d'ablation au laser destinée à isoler divers raccords, divers défauts de ligne comportant une ligne commune interrompue, une ligne commune et une ligne de données court-circuitées et une ligne de balayage interrompue peuvent être réparés. De plus, les branches des lignes communes ont chacune une portion en saillie dans la présente invention. Par ailleurs, la portion en saillie s'étend vers une zone au-dessus d'une ligne de données correspondante et chevauche partiellement les lignes de données. Au cours d'une opération de réparation, au travers d'une opération de soudage au laser destinée à raccorder électriquement une ligne de données à une ligne commune avec une opération d'ablation au laser destinée à isoler divers raccords, un défaut de ligne engendré par une ligne de données interrompue peut être réparé. On comprendra qu'à la fois la description générale précédente et la description détaillée suivante sont des exemples et sont destinées à fournir une explication supplémentaire de l'invention telle que revendiquée. BREVE DESCRIPTION DES FIGURES Les dessins annexés sont inclus afin de fournir une compréhension supplémentaire de l'invention, et sont incorporés dans et constituent une partie de cette description. Les dessins illustrent des modes de réalisation de l'invention et, conjointement avec la description, servent à expliquer les principes de l'invention. La figure 1 est une vue de dessus représentant une structure locale d'un substrat à réseau de transistors en couches minces selon un premier mode de réalisation de la présente invention. La figure 2 est une vue de dessus représentant la structure locale d'un substrat à réseau de transistors en couches minces selon un deuxième mode de réalisation de la présente invention. La figure 3 est une vue de dessus de la structure locale d'un substrat à réseau de transistors en couches minces représentant le procédé de répa_cation d'une ligne commune interrompue selon la présente invention. La figure 4 est une vue de dessus de la structure locale d'un substrat à réseau de transistors en couches minces représentant le procédé de réparation d'un court-circuit entre une ligne commune et une ligne de données selon la présente invention. La figure 5 est une vue de dessus de la structure locale d'un substrat à réseau de transistors en couches minces représentant le procédé de réparation d'une ligne de balayage interrompue selon la présente invention. La figure 6 est une vue de dessus représentant la structure locale d'un substrat à réseau de transistors en couches minces selon un troisième mode de réalisation de la présente invention. La figure 7 est une vue de dessus de la structure locale d'un substrat à réseau de transistors en couches minces représentant le procédé de réparation d'une ligne de données interrompue selon la présente invention. EXPOSE DETAILLE DE MODES DE REALISATION PARTICULIERS Il va maintenant être fait référence en détail aux présents modes de réalisation préférés de l'invention, dont des exemples sont illustrés sur les dessins annexés. Lorsque cela est possible, les mêmes références numériques sont utilisées sur les dessins et dans la description afin de faire référence aux mêmes parties ou à des parties identiques. En général, un substrat à réseau de transistors en couches minces comprend un substrat, une pluralité de lignes de balayage, une pluralité de lignes de données, une pluralité de lignes communes, une pluralité de transistors en couches minces et une pluralité d'électrodes de pixel. Les lignes de balayage et les lignes de données sont disposées sur le substrat. Les lignes de balayage et les lignes de données définissent ensemble un réseau de zones de pixels sur le substrat. Chaque transistor en couches minces est disposé à l'intérieur d'une zone de pixel correspondante et est commandé par une ligne de balayage et une ligne de données. Chaque électrode de pixel est disposée à l'intérieur d'une zone de pixel correspondante et est raccordée électriquement à un transistor en couches minces correspondant. La figure 1 est une vue de dessus représentant la structure locale d'un substrat à réseau de transistors en couches minces selon un premier mode de réalisation de la présente invention. Tel que représenté sur la figure 1, une première ligne commune 12, une ligne de balayage 14 et une seconde ligne commune adjacente 16 du substrat 10 à réseau de transistors en couches minces sont disposées en parallèle et placées en alternance sur un substrat de verre 11, par exemple. Une première ligne de réparation 18, une ligne de données 20 et une seconde ligne de réparation 22 sont disposées en alternance au-dessus du substrat de verre 11. La première ligne de réparation 18 et la seconde ligne de réparation 22 sont disposées au--dessus de la ligne de balayage 14. Par ailleurs, les deux extrémités de la première ligne de réparation 18 forment des chevauchements 13 et 15 partiels avec les deux lignes communes 12 et 16 adjacentes de chaque côté de la ligne de balayage 14. De manière similaire, les deux extrémités de la seconde ligne de réparation 22 forment des chevauchements 17 et 19 partiels avec les deux lignes communes 12 et 16 adjacentes de chaque côté de la ligne de balayage 14. Une source 26 et un drain 28 du transistor en couches minces sont disposés au-dessus d'une structure en îlot semi-conductrice 24 de telle manière que le drain 28 est raccordé électriquement à la ligne de données 20. La première ligne commune 12, la ligne de balayage 14 et la seconde ligne commune 16 font partie d'une première couche métallique. La ligne de données 20, la première ligne de réparation 18 et la seconde ligne de réparation 22 font partie d'une seconde couche métallique. En d'autres termes, la première ligne commune 12, la ligne de balayage 14 et la seconde ligne commune 16 peuvent être fabriquées au cours de la même étape de fabrication et la ligne de données 20, la première ligne de réparation 18 et la seconde ligne de réparation 22 peuvent être fabriquées au cours de la même étape de fabrication. De plus, la première couche métallique et la seconde couche métallique sont isolées électriquement au travers d'une couche diélectrique, par exemple. Donc, dans des conditions normales, la ligne de balayage 14 et la ligne de données 20 sont isolées électriquement l'une de l'autre et les lignes de réparation 18, 22 et les lignes communes 12, 16 sont également isolées électriquement les unes des autres. La figure 2 est une vue de dessus représentant la structure locale d'un substrat à réseau de transistors en couches minces selon un deuxième mode de réalisation de la présente invention. Tel que représenté sur la figure 2, la structure dans ce mode de réalisation est presque identique à celle du premier mode de réalisation à l'exception de la topologie structurelle des lignes communes. Par exemple, un côté de la première ligne commune 12 a une première branche 32 s'étendant vers l'extérieur et l'autre côté de la première ligne commune 12 a une autre branche 33. Ces branches sont disposées proches de leurs lignes de données 20 correspondantes. Par ailleurs, un côté de la seconde ligne commune 16 a une deuxième. branche 34 s'étendant vers l'extérieur. Les extrémités respectives de la première ligne de réparation 18 chevauchent partiellement la première branche 32 et la deuxième branche 34 afin de former une première portion de chevauchement 42 et une deuxième portion de chevauchement 44. De manière similaire, les extrémités respectives de la seconde ligne de réparation 22 chevauchent partiellement une troisième branche 36 et une quatrième branche 38 afin de former une troisième portion de chevauchement 46 et une quatrième portion de chevauchement 48. En raison de défauts résultant de la fabrication du substrat à réseau de transistors en couches minces ou d'autres facteurs, des défauts de ligr.. e comportant une ligne commune interrompue, une ligne commune et une ligne de données court-circuitées et une ligne de balayage interrompue peuvent se produire. Dans la suite du document, un deuxième mode de réalisation de réparation des défauts de ligne susmentionnés est décrit. Cependant, ce procédé ne devrait en aucune manière limiter la portée de la présente invention. Un procédé identique est également applicable à la structure décrite dans le premier mode de réalisation. La figure 3 est une vue de dessus de la structure locale d'un substrat à réseau de transistors en couches minces représentant le procédé de réparation d'une ligne commune interrompue selon la présente invention. Tel que représenté sur la figure 3, un point de rupture 50 dans une ligne commune isole la ligne commune en une première portion 52 et une seconde portion 54. La première portion 52 est raccordée électriquement à une première branche 32 et la seconde portion 54 est raccordée électriquement à une quatrième branche 38. Le procédé de réparation comporte l'étape consistant à effectuer un soudage au laser de l'arrière du substrat 10 à réseau de transistors en couches minces afin de fusionner la première branche 32 et la première ligne de réparation 18 ensemble au travers d'une première portion de chevauchement 42. Ainsi, la première portion 52 est raccordée électriquement à la première ligne de réparation 18 au travers de la première portion de chevauchement 42. De manière similaire, la première ligne de réparation 18 est raccordée électriquement à la seconde ligne commune 16 au travers d'une deuxième portion de chevauchement 44, la seconde ligne commune 16 est raccordée électriquement à la seconde ligne de réparation 22 au travers d'une troisième portion de chevauchement 46 et la seconde ligne de réparation 22 est raccordée électriquement à la seconde portion 54 au travers d'une quatrième portion de chevauchement 48 en effectuant un processus de soudage au laser. Donc, la première portion 52 et la deuxième portion 54 de la ligne commune sont réparées au travers des raccords électriques entre la première branche 32, la première ligne de réparation 18, la seconde ligne commune 16 adjacente, la seconde ligne de réparation 22 et la quatrième branche 38. La figure 4 est une vue de dessus de la structure locale d'un substrat à réseau de transistors en couches minces représentant le procédé de réparation d'un court-circuit entre une ligne commune et une ligne de données selon la présente invention. Tel que représenté sur la figure 4, une ligne de données 20 et une ligne commune 12 du substrat 10 à réseau de transistors en couches minces sont électriquement court-circuitées au niveau d'un point de court-circuit 56. Le procédé de réparation comporte une ablation d'une partie du matériau au niveau des extrémités respectives du point de court-circuit 56 afin de former deux points de coupure 58, 60 à l'aide d'un laser. Au travers des points de coupure 58 et 60, les lignes communes 12 et la ligne de données 20 sont isolées électriquement. Par ailleurs, les points de coupure 58 et 60 divisent également la ligne commune 12 en une première portion 52 et une deuxième portion 54 qui sont mutuellement isolées l'une de l'autre. La première portion 52 est raccordée électriquement à une première branche 32 et la deuxième portion 54 est raccordée électriquement à une quatrième branche 38. De manière similaire au procédé susmentionné de réparation d'une ligne commune interrompue, la première branche 32 et la première ligne de réparation 18 peuvent être fusionnées ensemble en effectuant un processus de soudage au laser. Ainsi, la première portion 52 et la première ligne de réparation 18 sont raccordées électriquement au travers de la première portion de chevauchement 42. De manière similaire, la première ligne de réparation 18 est raccordée électriquement à la seconde ligne commune 16 au travers d'une deuxième portion de chevauchement 44, la seconde ligne commune 16 est raccordée électriquement à la seconde ligne de réparation 22 au travers d'une troisième portion de chevauchement 46 et la seconde ligne de réparation 22 est raccordée électriquement à la deuxième portion 54 au travers d'une quatrième portion de chevauchement 48 en effectuant un processus de soudage au laser. Donc, la première portion 52 et la deuxième portion 54 de la ligne commune sont réparées au travers des raccords électriques entre la première branche 32, la première ligne de réparation 18, la seconde ligne commune 16 adjacente, la seconde ligne de réparation 22 et la quatrième branche 38. La figure 5 est une vue de dessus de la structure locale d'un substrat à réseau de transistors en couches minces représentant le procédé de réparation d'une ligne de balayage interrompue selon la présente invention. Tel que représenté sur la figure 5, une ligne de balayage 14 dans le substrat 10 à réseau de transistors en couches minces a un point de rupture 62. Ainsi, la ligne de balayage 14 est divisée en une troisième portion 64 et une quatrième portion 66 qui sont isolées électriquement l'une de l'autre. Le procédé de réparation comporte l'étape consistant à effectuer un soudage au laser de l'arrière du substrat 10 à réseau de transistors en couches minces afin de fusionner une première branche 32 et une première ligne de réparation 18 ensemble au travers d'une première portion de chevauchement 42 et une troisième portion 64 et une première ligne de réparation 18 ensemble au travers d'une cinquième portion de chevauchement 68. Ainsi, la première branche 32 et la troisième branche 64 sont raccordées électriquement. De manière similaire, un processus de soudage au laser est effectué afin de fusionner une quatrième branche 38 et la seconde ligne de réparation 22 ensemble au travers d'une quatrième portion de chevauchement 48 et une quatrième portion 66 et la seconde ligne de réparation 22 ensemble au travers d'une sixième portion de chevauchement 70. Ainsi, la quatrième branche 38 et la quatrième portion 66 sont raccordées électriquement. Par la suite, un procédé d'ablation au laser est mis en place afin de former deux points de découpe 72 et 74 sur la première ligne commune 12, isolant ainsi électriquement une portion de la première ligne commune 12 et formant une ligne de remplacement 76. La ligne de remplacement 76 raccorde électriquement la première branche 32 et la quatrième branche 38 ensemble. Donc, la troisième portion 64 et la quatrième portion 66 de la ligne de balayage 14 sont réparées au travers des raccords électriques entre la première ligne de réparation 18, la première branche 32, la ligne de remplacement 76, la quatrième branche 38 et la seconde ligne de réparation 22. La figure 6 est une vue de dessus représentant une structure locale d'un substrat à réseau de transistors en couches minces selon un troisième mode de réalisation de la présente invention.. Tel que représenté sur la figure 6, le présent mode de réalisation est presque identique au deuxième mode de réalisation à l'exception de la topologie structurelle des lignes communes. Par exemple, la première branche 32 et la deuxième branche 34 ont une première portion en saillie 78 et une seconde portion en saillie 80, respectivement. Par ailleurs, ces portions en saillie 78 et 80 s'étendent dans des zones au-dessus de leurs lignes de données 20 correspondantes et chevauchent partiellement la ligne de données 20 afin de former une septième portion de chevauchement 82 et une huitième portion de chevauchement 84. Dans la suite du document, un troisième mode de réalisation de réparation d'une ligne de données interrompue est décrit. Cependant, ce procédé ne devrait en aucune façon limiter la portée de la présente invention. La figure 7 est une vue de dessus de la structure locale d'un substrat à réseau de transistors en couches minces représentant le procédé de réparation d'une ligne de données interrompue selon la présente invention.Tel que représenté sur la figure 7, une ligne de données 20 dans le substrats 10 à réseau de transistors en couches minces a un point de rupture 86. Ainsi, la ligne de données 20 est divisée en une septième portion 88 et une huitième portion 90 qui sont isolées électriquement l'une de l'autre. Le procédé de réparation comporte l'étape consistant à effectuer un soudage au laser de l'arrière du substrat 10 à réseau de transistors en couches minces afin de fusionner la septième portion 88 et une première portion en saillie 78 ensemble au travers d'une septième portion de chevauchement 82. Ainsi, la septième portion 88 et la première branche 32 sont raccordées électriquement au travers de la septième portion de chevauchement 82. De manière similaire, la première branche 32 et la première ligne de réparation 18 sont. raccordées électriquement au travers de la première portion de chevauchement 42, la première ligne de réparation 18 et la deuxième branche 34 sont raccordées électriquement au travers de la deuxième portion de chevauchement 44 et la deuxième branche 34 et une huitième portion 90 sont raccordées électriquement au travers d'une huitième portion de chevauchement 84 en effectuant un soudage au laser. Par la suite, un procédé d'ablation au laser est mis en place afin de former deux points de découpe 92 et 94 sur la première branche 32 et la deuxième branche 34, respectivement, isolant ainsi électriquement la première ligne commune 12 et la première branche 32 et isolant électriquement la seconde ligne commune 16 et la deuxième branche 34. Ainsi, la septième portion 88 et la huitième portion 90 de la ligne de données 20 sont réparées au travers des connexions électriques entre la première branche 32, la première ligne de réparation 18 et la deuxième branche 34. On remarquera que les lignes de réparation de la présente invention font partie de la seconde couche métallique. En général, les lignes de réparation sont non transparentes et disposées entre diverses zones de pixels. Par conséquent, les lignes de réparation peuvent également servir en tant que masque noir afin d'empêcher une quelconque fuite de lumière vers un pixel d'affichage adjacent et accroître le contraste des couleurs de l'écran à cristaux liquides. En résumé, le substrat à réseau de transistors en couches minces et le procédé de réparation de ce dernier dans la présente invention, comporte des caractéristiques et avantages suivants: 1. Lorsqu'un défaut de ligne tel qu'une ligne commune interrompue, une ligne commune et une ligne de données court-circuitées, une ligne de balayage interrompue et une ligne de données interrompue se produit, le défaut de ligne peut être réparé en fusionnant des portions de chevauchement spécifiques et en éliminant d'autres sections à l'aide d'un laser. Ainsi, le rendement de production est accru. 2. Les lignes de réparation et les lignes de données appartiennent à la même seconde couche métallique. Ainsi, les lignes de réparation destinées à réparer le substrat à réseau de transistors en couches minces et les lignes de données peuvent être fabriquées ensemble de sorte qu'il n'y a pas d'accroissement du nombre d'étapes de traitement. Par ailleurs, les lignes de réparation peuvent remplir une fonction de masque noir afin d'accroître le contraste des couleurs l'écran à cristaux liquides. 3. Les branches et les portions en saillie dans les lignes communes destinées à réparer le substrat à réseau de transistors en couches minces peuvent être fabriquées en changeant la forme de la ligne commune uniquement, de sorte qu'il n'existe pas d'accroissement du nombre d'étapes de traitement. L'homme du métier s'apercevra de façon évidente que diverses modifications et variations peuvent être apportées à la structure de la présente invention sans s'écarter de la portée ou de l'esprit de l'invention. Au vu de ce qui précède, il est prévu que la présente invention couvre des modifications et variations de cette invention à condition qu'elles entrent dans la portée des revendications suivantes et de leurs équivalents. REVENDICATIONS 1. Substrat (10) à réseau de transistors en couches minces caractérisé en ce qu'il comprend: un substrat (11) ; une pluralité de lignes de balayage (14) disposées sur le substrat; une pluralité de lignes de données (20) disposées sur le substrat de telle manière que les lignes de 10 données et les lignes de balayage définissent ensemble un réseau de zones de pixels sur le substrat; une pluralité de lignes communes (16, 18) disposées en parallèle à, et en alternance avec les lignes de balayage sur le substrat; une pluralité de transistors en couches minces disposés à l'intérieur des zones de pixels respectives et raccordés électriquement à leurs ligne de balayage et ligne de données correspondantes; une pluralité d'électrodes de pixel disposées à l'intérieur des zones de pixels respectives et raccordées électriquement à leur transistor en couches minces correspondant; et une pluralité de lignes de réparation (18, 22) disposées au-dessus d'au moins une ligne de balayage et placées en alternance avec les lignes de données, les deux extrémités de chaque ligne de réparation chevauchant partiellement les deux lignes communes adjacentes à côté de la ligne de balayage. 2. Substrat (10) à réseau de transistors en couches minces selon la revendication 1, dans lequel les côtés respectifs de chaque ligne commune (12, 16) ont une pluralité de branches (32, 33, 34, 36, 38) s'étendant vers l'extérieur et chaque branche est disposée près d'une ligne de données (20) correspondante. 3. Substrat (10) à réseau de transistors en couches minces selon la revendication 2, dans lequel les deux extrémités de chaque ligne de réparation (18, 22) chevauchent la branche (32, 33, 34, 36, 38) des lignes communes (12, 16) correspondantes. 4. Substrat (10) à réseau de transistors en couches minces selon la revendication 2, dans lequel chaque branche (32, 33, 34, 36, 38) a une portion en saillie (78, 80) qui s'étend vers une zone au-dessus d'une ligne de données (20) correspondante et chevauche une partie de la ligne de données (20). 5. Substrat (10) à réseau de transistors en couches minces selon la revendication 1, dans lequel les lignes de réparation (18, 22) et les lignes de données (20) sont la même couche de film. 6. Procédé de réparation d'un substrat (10) à réseau de transistors en couches minces, en particulier, destiné à réparer le substrat à réseau de transistors en couches minces décrit dans la revendication 1, dans lequel lorsque le substrat à réseau de transistors en couches minces a un défaut sur une ligne commune (12, 16) qui conduit à une rupture de connexion de la ligne commune, le procédé de réparation étant caractérisé en ce qu'il comprend les étapes consistant à : raccorder électriquement les deux extrémités de la 5 ligne commune défectueuse à une première ligne de réparation (18) et à une seconde ligne de réparation (22), respectivement; et raccorder électriquement la première ligne de réparation et la seconde ligne de réparation à une 10 autre ligne commune (12, 16). 7. Procédé de réparation selon la revendication 6, dans lequel l'étape consistant à former un raccord électrique inclut la réalisation d'un processus de soudage au laser. 8. Procédé de réparation d'un substrat (10) à réseau de transistors en couches minces, en particulier, destiné à réparer le substrat à réseau de transistors en couches minces décrit dans la revendication 1, dans lequel lorsque le substrat à réseau de transistors en couches minces a un défaut entre une ligne de données (20) et une ligne commune (16, 18) qui conduit à un court-circuit entre la ligne de données et la ligne commune, le procédé de réparation étant caractérisé en ce qu'il comprend les étapes consistant à isoler électriquement le défaut et la ligne commune afin de former deux portions (52, 54, 64, 66, 30 88, 90) isolées de la ligne commune; raccorder électriquement les deux portions isolées de la ligne commune à une première ligne de réparation (18) et à une seconde ligne de réparation (22) ; et raccorder électriquement la première ligne de réparation (18) et la seconde ligne de réparation (22) à une autre ligne commune (12, 16). 9. Procédé de réparation selon la revendication 8, dans lequel l'étape consistant à isoler électriquement la ligne commune (12, 16) en deux portions (52, 54, 64, 66, 88, 90) inclut la réalisation d'un processus d'ablation au laser. 10. Procédé de réparation selon la revendication 8, dans lequel l'étape consistant à former des raccords électriques inclut la réalisation d'un processus de soudage au laser. 11. Procédé destiné à réparer un substrat (10) à réseau de transistors en couches minces, en particulier, destiné à réparer le substrat à réseau de transistors en couches minces selon la revendication 1, dans lequel le substrat à réseau de transistors en couches minces a un défaut sur une ligne de balayage (14) qui conduit à une rupture de connexion sur la ligne de balayage, le procédé de réparation étant caractérisé en ce qu'il comprend les étapes consistant a: raccorder électriquement les deux extrémités de la 30 ligne de balayage défectueuse à une première ligne de réparation (18) et à une seconde ligne de réparation (22), respectivement; raccorder électriquement la première ligne de réparation (18) et la seconde ligne de réparation (22) 5 à une ligne commune (12, 16) ; et isoler électriquement une portion (52, 54, 64, 66, 88, 90) de la ligne commune afin de former une ligne de remplacement (76), dans laquelle la ligne de remplacement raccorde électriquement la première ligne de réparation et la seconde ligne de réparation ensemble. 12. Procédé de réparation selon la revendication 11, dans lequel l'étape consistant à former les raccords électriques inclut la réalisation d'un processus de soudage au laser. 13. Procédé de réparation selon la revendication 11, dans lequel l'étape consistant à isoler électriquement une portion de la ligne commune (12, 16) inclut la réalisation d'un processus d'ablation au laser. 14. Procédé de réparation d'un substrat (10) à réseau de transistors en couches minces, en particulier, destiné à réparer le substrat à réseau de transistors en couches minces décrit dans la revendication 4, dans lequel lorsque le substrat à réseau de transistors en couches minces a un défaut sur une ligne de données (20) qui conduit à une rupture de connexion sur la ligne de données, le procédé de réparation étant caractérisé en ce qu'il comprend les étapes consistant à raccorder électriquement les deux extrémités de la ligne de données (20) défectueuse à une première branche (32, 33) d'une première ligne commune (12) et à une deuxième branche (34) d'une seconde ligne commune (16), respectivement; raccorder électriquement la première branche et la deuxième branche ensemble au travers d'une ligne de 10 réparation (18, 22) ; et isoler électriquement la première ligne commune et la première branche et isoler électriquement la seconde ligne commune et la deuxième branche. 15. Procédé de réparation selon la revendication 14, dans lequel l'étape consistant à former des raccords électriques inclut la réalisation d'un processus de soudage au laser. 16. Procédé de réparation selon la revendication 14, dans lequel l'étape consistant à raccorder électriquement les deux extrémités de la ligne de données (20) défectueuse à la première branche (32, 33) et à la deuxième branche (34) comprend l'étape consistant à raccorder électriquement les deux extrémités de la ligne de données (20) défectueuse à une première portion en saillie (78) de la première branche et à une seconde portion en saillie (80) de la deuxième branche, respectivement.