FR 2895530 A1 20070629 FR 0605455 A 20060620 DISPOSITIF D'AFFICHAGE A CRISTAUX LIQUIDES ET SON PROCEDE DE FABRICATION La présente invention concerne un dispositif d'affichage à cristaux liquides (LCD), et un procédé pour fabriquer celui-ci. Plus particulièrement, la présente invention concerne un dispositif d'affichage à cristaux liquides qui utilise un sous-pixel blanc parmi des sous-pixels RVBW-4 en tant que composant de commande d'affichage pour obtenir un angle de vision étroit ainsi qu'un angle de vision large dans un mode de commutation de champ de frange, et un procédé pour fabriquer celui-ci. Ces dernières années, des avancées rapides des performances d'un dispositif d'affichage à cristaux liquides ("LCD") à matrice active ont résulté en différentes applications du dispositif LCD, telles que des écrans pour des téléviseurs à écran plat et des moniteurs pour des ordinateurs portables. Parmi les dispositifs LCD à matrice active, un dispositif LCD de type nématique en hélice (TN) est largement utilisé. Le dispositif LCD de type TN désigne un dispositif LCD dans lequel, avec des cristaux liquides agencés de manière à avoir un directeur de cristaux liquides à 90 degrés de rotation entre deux substrats, chacun ayant une électrode, le directeur de cristaux liquides est commandé par application d'une tension aux électrodes. Bien que le dispositif LCD de type TN ait été mis en évidence en raison des excellents contraste et reproductibilité, il présente un problème significatif en ce qu'il a un angle de vision étroit. Afin de résoudre le problème du dispositif LCD de type TN ayant un angle de vision étroit, un dispositif LCD de type de mode de commutation de champ de frange ("FFS" (frange field switching)) a été introduit, dans lequel une électrode auxiliaire et une électrode de pixel sont formées d'un conducteur transparent, et sont espacées par une distance étroite pour permettre aux molécules de cristaux liquides d'être commandées par un champ de frange créé entre l'électrode auxiliaire et l'électrode de pixel. Le dispositif LCD de type à mode FFS est décrit de manière détaillée ci-après. La figure 1 est une vue plane illustrant un dispositif d'affichage à cristaux liquides de type à mode FFS, et la figure 2 est une vue en coupe transversale faite le long de la ligne I-I' de la figure 1. Sur les figures 1 et 2, le dispositif LCD de type à mode FFS de l'art connexe comprend un substrat de matrice de transistors à couche mince 11, qui est formé sur celui-ci avec des lignes de grille 12 et des lignes de données 15, formées de métal, se R\Brevets\25300\25384-060615-tradTXT doc - 162006 - 1/23 croisant mutuellement pour définir des sous-pixels, une ligne de référence 25 disposée parallèlement à la ligne de grille 12, un transistor à couche mince formé au niveau de chaque partie de croisement des lignes de grille et de données de manière à agir en tant qu'élément de commutation pour commuter une tension active/inactive, et une électrode auxiliaire 24 et une électrode de pixel 17 formées d'un métal transparent dans chaque sous-pixel tout en étant isolées l'une de l'autre par une couche diélectrique de manière à se chevaucher mutuellement. Dans ce cas, l'électrode auxiliaire 24 est amenée en contact avec la ligne de référence 25. Plus spécifiquement, l'électrode auxiliaire 24 est formée en forme de plaque l0 dans chaque sous-pixel, et l'électrode de pixel 17 est divisée en une pluralité d'électrodes de sous-pixel dans la direction des lignes de données pour définir des fentes 60 entre les électrodes de sous-pixel. Dans ce cas, lorsqu'un signal Vcom est appliqué à l'électrode auxiliaire 24, et un signal de pixel est appliqué à l'électrode de pixel 17 par l'intermédiaire du transistor à couche mince, un champ de frange est généré entre 15 l'électrode auxiliaire 24 et l'électrode de pixel 17. Chacune des fentes 60 a une largeur d'environ 2 à 6 gm, et les cristaux liquides sont commandés par le champ de frange généré entre l'électrode auxiliaire 24 et l'électrode de pixel 17. En d'autres termes, lorsqu'une tension n'est pas appliquée, les cristaux liquides sont tournés depuis une orientation initiale par le champ de frange E 20 par frottement, et permettent que la lumière soit transmise à travers ceux-ci. Parallèlement, un substrat de matrice de filtres chromatiques 21 est assemblé face au substrat de matrice de transistors à couche mince 11 avec une couche de cristaux liquides 31 intercalée entre ceux-ci, dans lesquels le substrat de matrice de filtres chromatiques 21 comprend des couches de filtres chromatiques RVB 23 agen- 25 cés dans un motif prédéterminé pour produire des couleurs rouge, verte et bleue, et des matrices noires 22 pour séparer les couches de filtres chromatiques RVB les unes des autres tout en masquant la lumière. Les couches de filtres chromatiques 23 sont formées de sorte que les sous-pixels respectifs aient leur propre pigment unique et soient commandés indépen- 30 damment de manière à présenter la couleur d'un pixel par combinaison de ceux-ci. Les couches de filtres chromatiques RVB 23 dans le dispositif LCD peuvent être agencées en un type à barrette, un type de mosaïque, un type delta, un type carré, et similaire selon une manière d'agencement des couches, et peuvent être agencées en différentes matrices selon la taille d'un panneau d'affichage à cristaux liquides, la 35 forme du filtre chromatique, et l'agencement de couleurs. Un tel dispositif d'affichage à cristaux liquides de l'art connexe présente des problèmes comme suit. R VBrevets\25300A25384-060615-tradTXT doc - 16 juin 2006 - 2/23 3 Pour le dispositif LCD de type à mode FFS de l'art connexe, il est nécessaire de permettre une conversion aisée entre un angle de vision étroit et un angle de vision large afin d'éviter que des informations confidentielles d'un utilisateur soient vues par d'autres personnes proches de l'utilisateur. A cette fin, une couche de commande d'affichage peut être formée en outre dans le dispositif, ou une électrode de commande d'affichage peut être formée en outre sur la plaque supérieure totale pour commander l'angle de vision. Cependant, ces techniques présentent des problèmes comme suit. Premièrement, l'effet de commande d'affichage est insignifiant. Deuxièmement, l'agrandissement de la plage de la structure d'électrode modifiée ou ajoutée pour augmenter l'effet de commande d'affichage est très désavantageux en terme d'ouverture relative. Troisièmement, un facteur de contraste avant (CR) peut également être significativement réduit par l'angle de vision étroit. Le problème le plus important de ces techniques est un procédé de commande compliqué en raison de l'insertion de la couche d'électrodes supplémentaire et de l'application de signaux. En conséquence, la présente invention concerne un dispositif d'affichage à cristaux liquides et un procédé pour fabriquer celui-ci qui résout sensiblement un ou plusieurs problèmes dus aux limitations et aux inconvénients de l'art connexe. Un avantage de la présente invention est la fourniture d'un dispositif d'affichage à cristaux liquides qui peut produire un angle de vision étroit en plus d'un angle de vision large dans un mode de commutation de champ de frange (FFS) de manière à permettre qu'un sous-pixel blanc parmi des sous-pixels RVBW-4 soit commandé dans le même mode FFS que celui des sous-pixels RVB pour l'angle de vision large tout en étant commandé pour former un champ électrique vertical différent de celui des sous-pixels RVB adjacents uniquement pour l'angle de vision étroit, et un procédé pour fabriquer celui-ci. Pour réaliser ces avantages et autres et conformément à l'objet de l'invention, réalisée et généralement décrite présentement, il est proposé un dispositif d'affichage à cristaux liquides, comprenant : des lignes de grille et des lignes de données se croisant mutuellement de manière à définir des sous-pixels RVBW sur un premier substrat ; un transistor à couche mince formé à chaque croisement des lignes de grille et de données ; une première électrode de référence formée dans chaque région des sous-pixels RVBW ; une électrode de pixel connectée au transistor à couche mince et isolée de la première électrode de référence, l'électrode de pixel ayant au moins une fente attachée au premier substrat, dans lequel les premier et second substrats se font mutuellement face avec une couche de cristaux liquides intercalée entre ceux-ci ; et R_\Brevets\25300\25384-060615-tradTXT doc - 16 juin 2006 - 3/23 une seconde électrode de référence formée sur le second substrat et correspondant à chaque sous-pixel W. De préférence, le dispositif comprend en outre : des couches de filtres chroma-tiques RVB correspondant aux sous-pixels RVB sur le second substrat, respective- ment. De préférence, le dispositif comprend en outre : une couche d'enrobage sur une surface totale du second substrat comprenant les couches de filtres chromatiques RVB entre la seconde électrode de référence et les couches de filtres chromatiques RVB. Le sous-pixel W permet, selon un mode de réalisation, la conversion en fonctionnement entre un mode d'angle de vision large et un mode d'angle de vision étroit. Selon un autre mode de réalisation,, dans le mode d'angle de vision large, un champ de frange est créé entre l'électrode de pixel et la première électrode de réfé-15 rence dans les sous-pixels RVBW. Selon un autre mode de réalisation, la seconde électrode de référence n'est pas alimentée avec une tension, ou est alimentée avec la même tension que celle appliquée à la première électrode de référence. Selon un autre mode de réalisation,, dans le mode d'angle de vision large, la 20 couche de cristaux liquides dans les sous-pixels RVBW est commandée dans un mode FFS. Selon un mode de réalisation, dans le mode d'angle de vision étroit, un champ électrique vertical est formé entre la première électrode de référence du sous-pixel W et la seconde électrode de référence, et empêche la lumière de traverser le sous-pixel 25 W. Selon un autre mode de réalisation, dans le mode d'angle de vision étroit, un champ de frange est créé entre l'électrode de pixel et la première électrode de référence dans les sous-pixels RVB. Selon un autre mode de réalisation, l'électrode de pixel du sous-pixel W est 30 alimentée avec la même tension que la tension appliquée à la première électrode de référence, ou alimentée avec une tension inférieure à une tension de seuil. Selon un autre mode de réalisation, la seconde électrode de référence du sous-pixel W est alimentée avec une tension constante pour générer une différence de tension entre la première électrode de référence et la seconde électrode de référence. 35 Selon un autre mode de réalisation, la différence de tension entre la première électrode de référence et la seconde électrode de référence du sous-pixel W est d'environ 1 à 4 V ou d'environ -4 à -1 V de manière à créer un champ électrique vertical entre celles-ci. R \Brevets\25300\2 5 3 8 4-0606 1 5-tradTXT doc - 16 juin 2006 - 4/23 Selon un autre mode de réalisation, la tension appliquée à la seconde électrode de référence est une tension C.C. ou C.A. Selon un autre mode de réalisation, dans le mode d'angle de vision étroit, la couche de cristaux liquides dans les sous-pixels RVB est commandée dans un mode FFS (fringe field switching), et la couche de cristaux liquides dans le sous-pixel W est inclinée dans une direction verticale. De préférence, le dispositif comprend en outre : un film d'orientation à l'intérieur des premier et second substrats ; et une plaque de polarisation supérieure et inférieure fixée aux surfaces externes des premier et second substrats. Selon un autre mode de réalisation, le film d'orientation est orienté dans la même direction que celle d'un axe de polarisation de l'une des plaques de polarisation supérieure et inférieure. Selon un autre mode de réalisation, les sous-pixels RVBW sont disposés dans une configuration de type carrée ou de type à barrette. Selon un autre mode de réalisation, l'au moins une fente de l'électrode de pixel est disposée dans la même direction que celle des lignes de grille ou des lignes de données. Selon un autre mode de réalisation, l'électrode de pixel, la première électrode de référence, et la seconde électrode de référence sont des couches conductrices transparentes. Selon un autre mode de réalisation, les secondes électrodes de référence sont connectées mutuellement et alimentées avec une tension provenant du premier substrat par l'intermédiaire de points d'argent. Selon un autre aspect de la présente invention, il est proposé un procédé pour fabriquer un dispositif d'affichage à cristaux liquides, comprenant : la formation de premières électrodes de référence sur un premier substrat ; la formation de lignes de grille et de lignes de données se croisant mutuellement pour définir des sous-pixels RVBW sur le premier substrat ; la formation d'un transistor à couche mince à chaque croisement des lignes de grille et de données ; la formation d'une couche de passiva- tion sur une surface totale du premier substrat comprenant le transistor à couche mince ; la formation d'électrodes de pixel sur la couche de passivation, chacune ayant au moins une fente ; la fixation d'un second substrat au premier substrat, dans lequel le premier substrat et le second substrat se font face, le second substrat ayant une seconde électrode de référence formée de manière à correspondre uniquement à chaque sous-pixel W ; et la formation d'une couche de cristaux liquides entre les premier et second substrats. De préférence, le procédé comprend en outre : la formation de matrices noires sur le second substrat ; la formation de couches de filtres chromatiques RVBW au- R'\Brevets\25300\25384-060615-tradTXT. doc -16 juin 2006 - 5/23 6 dessus des matrices noires correspondant aux sous-pixels RVBW respectifs ; et la formation d'une couche d'enrobage sur une surface totale du second substrat comprenant les couches de filtres chromatiques, avant la formation des secondes électrodes de référence sur le second substrat. Selon un mode de réalisation, chaque couche de filtres chromatiques W est formée en même temps que la formation de la couche d'enrobage. Selon un autre mode de réalisation, la couche de filtres chromatiques W et la couche d'enrobage sont formées d'un même matériau. Selon un autre mode de réalisation, les secondes électrodes de référence sont fo formées d'une couche conductrice transparente. Selon un autre mode de réalisation, les secondes électrodes de référence sont formées de ITO ou de IZO. Selon un autre mode de réalisation, chacune des secondes électrodes de référence a sensiblement la même taille que celle du sous-pixel W. 15 De préférence, le procédé comprend en outre : la formation d'une seconde ligne de référence connectant les secondes électrodes de référence, lors de la formation des secondes électrodes de référence dans laquelle la seconde ligne de référence s'étend à une région extérieure à une région active. De préférence, le procédé comprend en outre : l'agencement de la seconde 20 ligne de référence de manière à être en contact avec les points d'argent formés aux coins d'un panneau pour être électriquement connectée à un circuit de commande du premier substrat. De préférence, le procédé comprend en outre : la formation d'une première ligne de référence qui est en contact avec les premières électrodes de référence lors 25 de la formation des lignes de grille. De cette manière, la présente invention est caractérisée en ce que les angles de vision large et étroit sont commandés au moyen du sous-pixel blanc parmi les sous-pixels RVBS-4, dans lesquels, la seconde électrode de référence étant introduite uniquement dans chaque sous-pixel W sur le second substrat (un substrat de matrice 30 de filtres chromatiques), une tension est appliquée de telle manière que, dans le cas d'un angle de vision large, la seconde électrode de référence du second substrat est alimentée avec le même niveau de tension que celui de la première électrode de référence du premier substrat (substrat de matrice de transistors à couche mince) ou n'est alimenté avec aucune tension pour le rendre dans un état flottant, et dans le cas d'un 35 angle de vision étroit, une différence de champ électrique d'environ 1 4 V ou d'environ -4 -1 V est induite entre la seconde électrode de référence du second substrat et la première électrode de référence du premier substrat. R-\Brevets\25300\25384-060615-IradTXT doc - 16juin 2006 -6/23 A savoir, dans le dispositif LCD dans lequel un pixel est constitué de quatre sous-pixels RVBW, les sous-pixels RVB sont toujours commandés dans le mode FES, tandis que le sous-pixel W est commandé dans le mode FFS pour l'angle de vision large, de manière à augmenter l'angle d'affichage, et génère le champ électri- que vertical pour l'angle de vision étroit, de manière à réduire l'angle de vision. Il doit être noté que la description générale ci-dessus et la description détaillée ci-après de la présente invention sont exemplaires et explicatives et sont destinées à expliquer plus avant l'invention selon les revendications. Les dessins annexés, qui sont inclus pour donner une explication complémen- taire de l'invention et sont incorporés dans et font partie de cette spécification, illustrent des modes de réalisation de l'invention et conjointement avec la description servent à expliquer les principes de l'invention. Dans les dessins : La figure 1 est une vue plane illustrant un dispositif d'affichage à cristaux liquides de mode type FFS de l'art connexe ; La figure 2 est une vue en coupe transversale faite le long de la ligne I-I' de la figure 1 ; La figure 3 est une vue plane illustrant un dispositif d'affichage à cristaux liquides de type de mode FFS selon la présente invention ; La figure 4 est une vue en coupe transversale faite le long de la ligne II-11' de la figure 3 ; La figure 5 est une vue illustrant des motifs sur un substrat de matrice de filtres chromatiques selon la présente invention ; Les figures 6A et 6B sont des vues en coupe transversale illustrant un mode pour un angle de vision large du dispositif LCD selon la présente invention ; Les figures 7A et 7B sont des vues en coupe transversale illustrant un mode pour un angle de vision étroit du dispositif LCD selon la présente invention ; et Les figures 8A à 8D sont des vues en coupe transversale illustrant des étapes de fabrication faites le long des lignes III-III' de la figure 3. Il est fait référence ci-après de manière détaillée à des modes de réalisation de la présente invention, dont des exemples sont illustrés dans les dessins annexés. Dans la mesure du possible, les mêmes numéros de référence sont utilisés dans l'ensemble des dessins pour désigner des parties identiques ou similaires. La figure 3 est une vue plane illustrant un dispositif LCD selon la présente invention de mode de type FFS, la figure 4 est une vue en coupe transversale faite le long de la ligne II-II' de la figure 3, et la figure 5 est une vue illustrant des motifs sur un substrat de matrice de filtres chromatiques selon la présente invention. De plus, les figures 6A et 6B sont des vues en coupe transversale illustrant un mode pour un angle de vision large du dispositif LCD selon la présente invention, les R-\Brevets\25300\25384-060615-tradTXT.doc - 16 juin 2006 - 7;23 figures 7 A et 7B sont des vues en coupe transversale illustrant un mode pour un angle de vision étroit du dispositif LCD selon la présente invention, et les figures 8A à 8D sont des vues en coupe transversale illustrant des étapes de fabrication faites le long des lignes III-III' de la figure 3. Sur les figures 3 et 4, le dispositif LCD selon l'invention est constitué par un substrat de matrice de transistors à couche mince 111 et un substrat de matrice de filtres chromatiques 121 assemblés de manière à se faire mutuellement face avec une couche de cristaux liquides 131 intercalée entre ceux-ci. Le substrat de matrice de transistors à couche mince 111 est formé avec un transistor à couche mince formé dans chacun des sous-pixels RVBW de manière à agir en tant qu'élément de commutation, et avec des premières électrodes de référence 124 et des électrodes de pixel 117 pour former un champ de frange. Le substrat de matrice de filtres chroma-tiques 121 est formé avec une seconde électrode de référence 126 uniquement pour chaque sous-pixel W pour commander l'angle de vision. En d'autres termes, les sous-pixels RVB sont adaptés pour permettre qu'un champ de frange soit généré dans ceux-ci, et sont commandés dans le mode FFS indépendamment de l'angle de vision large ou de l'angle de vision étroit, et chaque sous-pixel W sert de sous pixel de commande d'angle de vision qui peut commander l'angle de vision large et l'angle de vision étroit. Pour le cas d'un mode d'angle de vision large, chaque sous-pixel W est commandé dans le même mode FFS que celui des sous-pixels RVB, de manière à augmenter l'angle de vision, et pour le cas du mode d'angle de vision étroit, un champ électrique vertical est généré dans chaque sous-pixel W, de manière à réduire le facteur de contraste et l'angle de vision. Présentement, selon une manière d'agencement des sous-pixels RVBW, le dispositif LCD peut être classé en un dispositif LCD de type carré dans lequel les sous-pixels RVBW sont agencés en une forme carrée pour former un pixel avec sous-pixels d'une structure 2X2, et un dispositif LCD de type à barrette dans lequel les sous-pixels RVBW sont agencés séquentiellement pour former un pixel avec quatre sous-pixels. Plus spécifiquement, sur le substrat de matrice de transistors à couche mince 111, les sous-pixels RVBW sont définis par des lignes de grille 112 et des lignes de données 115 isolées les unes des autres par l'intermédiaire d'un film d'isolation de grille 113 tout en se croisant verticalement mutuellement pour définir un transistor à couche mince à chaque partie de croisement de celles-ci. Chaque sous-pixel est formé dans celui-ci avec la première électrode de référence en forme de plaque 124 formée à laquelle un signal V,orä est appliqué, et une électrode de pixel 117 ayant une pluralité de fentes 160 isolées de la première électrode de référence 124 et amenées en contact avec une électrode de drain 1 15b du transistor à couche mince de sorte R:\Brevets\25300\25384-060615-tradTXT doc - 16 juin 2006 - 8/23 9 qu'un signal de pixel soit appliqué à l'électrode de pixel 117. Un champ de frange est créé entre la première électrode de référence et l'électrode de pixel par l'intermédiaire des fentes 160, et commande la couche de cristaux liquides 131. Les premières électrodes de référence 124 et les électrodes de pixel 117 sont formées en déposant et en modelant un matériau conducteur transparent tel que ITO (oxyde d'indium-étain) ou IZO (oxyde d'indium-zinc). Présentement, les premières électrodes de référence 124 peuvent être formées sous les lignes de grille ou sur les lignes de données. Si les premières électrodes de référence 124 sont formées sur les lignes de données, elles sont formées de manière à être isolées des électrodes de pixel par l'intermédiaire du film d'isolation. Les fentes 160 de chaque électrode de pixel sont formées de sorte que l'axe longitudinal de celles-ci soit disposé dans la direction des lignes de grille ou des lignes de données. Les fentes 160 de l'électrode de pixel peuvent être disposées dans la direction des lignes de données afin de rétrécir l'angle de vision droit et gauche. A cet égard, il est nécessaire de disposer les fentes de l'électrode de pixel dans la même direction pour tous les sous-pixels RVBW. Chacune des premières électrodes de référence 124 est amenée en contact avec une première ligne de référence 125 pour recevoir le signal Vcom, où la première ligne de référence 125 est formée parallèlement aux lignes de grille pour recevoir le signal Vcom depuis une région extérieure à une région active. Chacune des électrodes de pixel 117 est amenée en contact avec l'électrode de drain 115b du transistor à couche mince par l'intermédiaire de la couche de passivation 116, et reçoit le signal de pixel. Parallèlement, chacun des transistors à couche mince sert d'élément de commutation pour commander l'activation/désactivation d'une tension. Chaque transistor à couche mince comprend une électrode de grille 112a dérivée depuis une ligne de grille associée 112, le film d'isolation de grille 113 formé sur la surface totale comprenant les lignes de grille 112, une couche de semi-conducteur 114 formée en déposant du silicium non-cristallin (a-Si) sur le film d'isolation de grille au-dessus de l'électrode de grille, et des électrodes de source/drain 115a et 115b dérivées depuis une ligne de données associée 115 tout en étant formées sur la couche de semi-conducteur afin de servir d'élément de commutation pour commander l'activation/désactivation de la tension. Le substrat de matrice de transistors à couche mince 111 est fixé au substrat de matrice de filtres chromatiques 121 de manière à se faire face mutuellement avec la couche de cristaux liquides 131 intercalée entre ceux-ci. Le substrat de matrice de filtres chromatiques 121 comprend des matrices noires 122 séparant les couches R, V et B les unes des autres tout en masquant la lumière, les couches de filtres chromati- R \Brevets\25300\253 84-0606 1 5-tradTXTdoc - 16 2006 - 923 ques 123 rouges, verts, bleus et blancs agencées en un motif prédéterminé pour produire du rouge, du vert, du bleu et du blanc, et une seconde électrode de référence 126 uniquement pour chacun des sous-pixels W pour commander l'angle de vision du sous-pixel W. La seconde électrode de référence 126 est formée en forme de plaque d'un matériau transparent, et formée de manière à correspondre uniquement à chaque sous-pixel W. Présentement, il est nécessaire pour la seconde électrode de référence 126 de recevoir un signal Vcom différent de celui de la première électrode de référence 124 sur le substrat de matrice de transistors à couche mince. A cette fin, comme décrit sur la figure 5, une seconde ligne de référence 127 est ajoutée en outre pour connecter intégralement les secondes électrodes de référence 126 correspondant aux sous-pixels W mutuellement. La seconde ligne de référence 127 est étendue à une région à l'extérieur de la région active. La seconde ligne de référence 127 est formée le long d'un bord de la région de pixel de manière à ne pas masquer une région dans laquelle une image est affichée, et peut être formée parallèlement aux lignes de grille. Afin d'appliquer le signal Vcot, à la seconde ligne de référence 127, la seconde ligne de référence 127 doit être connectée à un circuit d'excitation externe du premier substrat. La connexion entre la seconde ligne de référence 127 et le premier substrat est effectuée par l'intermédiaire de points d'argent 191, qui sont disposés aux coins d'un panneau, et connectent électriquement les substrats supérieur et inférieur. Parallèlement, les couleurs RVBW constituant les couches de filtres chromatiques sont commandées indépendamment pour présenter une couleur d'un pixel par combinaison de celles-ci. Présentement, chaque sous-pixel W produit une couleur W sans former une réserve en tant que couche de filtres chromatiques W. En variante, la couche de filtres chromatiques W de sous-pixels W est formée en utilisant une réserve, qui n'est pas mélangée avec des pigments RVB, avec les sous-pixels RVB dans un processus de formation des couches de filtres chromatiques RVB. Si le processus de formation des couches de filtres chromatiques n'est pas effectué sur les sous-pixels W, chacun des sous-pixels W a un pas différent de celui dessous-pixels RVB. A cet égard, une couche d'enrobage 128 est formée uniformément sur une surface entière comprenant les couches de filtres chromatiques pour résoudre le problème d'un pas non uniforme sur le substrat. A ce stade, la seconde électrode de référence 126 est formée sur la couche d'enrobage 128 de chaque sous-pixel W. En tant que tel, le dispositif LCD selon la présente invention comprend les sous-pixels W pour un motif blanc, qui ne comprennent pas de pigment, ainsi que les sous-pixels RVB de manière à constituer un pixel avec les sous-pixels RVBW. Présentement, les couches de filtres chromatiques sont formées de sorte que les sous- R.\13reveis\25300\25384-060615-tradTXT doc -16 juin 2006 - 10123 pixels RVB contiennent les pigments, de manière à abaisser la transmittance, et le sous-pixel W ne contient pas le pigment, ce qui augmente la transmittance du pixel entier. Parallèlement, le dispositif LCD comprend en outre un film d'orientation respectivement formé sur les surfaces internes du substrat de matrice de transistors à couche mince et du substrat de matrice de filtres chromatiques pour agencer les molécules de cristaux liquides dans une direction souhaitée à un taux initial, et des plaques de polarisation supérieure et inférieure respectivement fixées aux surfaces externes du substrat de matrice de filtres chromatiques et du substrat de matrice de transistors à couche mince pour polariser la lumière. La plaque de polarisation inférieure est fixée à la surface externe du substrat de matrice de transistors à couche mince, et la plaque de polarisation supérieure est fixée à la surface externe du substrat de matrice de filtres chromatiques de sorte que l'axe de polarisation de la plaque de polarisation inférieure soit orthogonal à celui de la plaque de polarisation supérieure, le film d'orientation étant disposé sensiblement parallèlement à l'axe de polarisation de l'une des plaques de polarisation supérieure et inférieure. Sur les dessins, le film d'orientation disposé à l'intérieur du substrat de matrice de transistors à couche mince est disposé sensiblement parallèle à l'axe de polarisation de la plaque de polarisation supérieure, de sorte que les cristaux liquides soient agencés dans un état initial dans la direction longitudinale des fentes de l'électrode de pixel. Le dispositif LCD selon la présente invention est caractérisé en ce que les sous-pixels RVB présentent la même transmittance par application de la même tension (tension de commande de mode FFS) à celui-ci indépendamment de l'angle de vision large et de l'angle de vision étroit, et les sous-pixels W commandent l'angle de vision par application de différentes tensions pour l'angle de vision large et l'angle de vision étroit, respectivement. Premièrement, lors de la commande du dispositif LCD dans un mode d'angle de vision large, tous les sous-pixels RVBW sont commandés dans le mode FFS. A cet égard, comme décrit sur la figure 6A, lorsque aucune tension n'est appliquée à la première électrode de référence 124 et l'électrode de pixel 117, les molécules de cristaux liquides 131a maintiennent un état d'agencement initial de sorte que la lumière incidente entrant par l'axe de polarisation de la plaque de polarisation inférieure orthogonale à une direction d'agencement initiale des molécules de cristaux liquides ne traverse pas la couche de cristaux liquides 131, de manière à produire un état noir. Ensuite, comme décrit sur la figure 6B, si une tension Vcom est appliquée à la première électrode de référence 124 et une tension de pixel est appliquée à l'électrode R \Brevets\25300\25384-060615-tradTXT doc - 16 juin 2006 - 11/23 de pixel 117, un champ de frange est formé entre la première électrode de référence 124 et l'électrode de pixel 117 de sorte que les molécules de cristaux liquides 131a se déplacent dans la direction horizontale sous l'effet du champ de frange. En conséquence, la lumière entrant par l'axe de polarisation de la plaque de polarisation inférieure traverse l'axe de polarisation de la plaque de polarisation supérieure par l'intermédiaire de la couche de cristaux liquides, de manière à produire un étant blanc. A ce stade, afin d'empêcher la seconde électrode de référence 126 de chaque sous-pixel W de participer à la formation du champ de frange, il est nécessaire d'amener la seconde électrode de référence 126 à avoir un état flottant dans lequel aucune tension n'est appliquée à celle-ci, ou d'appliquer la même tension que celle de la première électrode de référence 124 à celle-ci, de manière à empêcher sensible- ment le champ électrique vertical d'être créé dans la seconde électrode de référence. De cette manière, lorsque le dispositif LCD est commandé dans le mode pour l'angle de vision large, le sous-pixel W est également commandé dans le mode FFS conjointement avec les sous-pixels RVB, de manière à satisfaire à un effet de compensation de la luminosité blanche tout en produisant l'angle de vision large. Lors de la commande du dispositif LCD dans un mode d'angle de vision étroit, les sous-pixels RVB sont actionnés dans le mode FFS, tandis que le sous-pixel W sert simplement à commander l'angle de vision et ne sert pas de pixel de compensation de luminosité. Dans ce cas, contrairement au cas du mode d'angle de vision large, la seconde électrode de référence 126 participe à la formation du champ électrique. Premièrement, comme décrit sur la figure 7A, lorsqu'une tension prédéterminée est appliquée à la seconde électrode de référence 126 de chaque sous-pixel W pour former le champ électrique vertical entre la seconde électrode de référence 126 et la première électrode de référence 124 du sous-pixel W sans appliquer aucune tension à l'électrode de pixel 117 et la première électrode de référence 124 des sous-pixels RVB, les molécules de cristaux liquides 131a dans les sous-pixels RVB maintiennent l'état d'agencement initial de sorte que la lumière incidente entrant par l'axe de polarisation de la plaque de polarisation inférieure orthogonale à la direction d'agence-ment initiale des molécules de cristaux liquides ne traverse pas la couche de cristaux liquides 131, de manière à produire l'état noir. De plus, les molécules de cristaux liquides 131a dans le sous-pixel W sont inclinées dans la direction verticale par le champ électrique vertical formé entre la première électrode de référence 124 et la seconde électrode de référence 126 de sorte que la lumière ne puisse pas être observée à travers celles-ci. En d'autres termes, la lumière n'est pas observée devant le sous-pixel W indépendamment de l'état blanc ou R.\Brevets\25300\25384-060615-tradTXT clac - 16 juin 2006 - 12/23 13 de l'état noir, il se produit une fuite de lumière dans les angles de vision droit et gauche du sous-pixel W. A savoir, étant donné que le champ électrique vertical est formé uniquement dans le sous-pixel W et il se produit une fuite de lumière dans les angles de vision droit et gauche, l'angle de vision étroit est produit dans l'état noir. En conclusion, il est possible d'observer une grande quantité de fuite de lumière dans les directions des angles de vision droit et gauche dans l'état noir. Compte tenu du fait que quatre sous-pixels constituent un pixel, lorsqu'un utilisateur observe les panneaux dans les directions des angles de vision droit et gauche, la luminosité noire est rapidement augmentée, ce qui conduit le facteur de contraste à diminuer. Par conséquent, l'angle de vision du dispositif devient étroit. Parallèlement, si la tension Vcom est appliquée à la première électrode de référence 124 des sous-pixels RVB, et une tension de pixel est appliquée à l'électrode de pixel 117 de ceux-ci tout en appliquant une tension prédéterminée à la seconde électrode de référence 126 du sous-pixel W de manière à former le champ électrique vertical entre la seconde électrode de référence 126 et la première électrode de référence 124, le champ de frange est formé entre la première électrode de référence 124 et l'électrode de pixel 117 des sous-pixels RVB, comme décrit sur la figure 7B. Par conséquent, les molécules de cristaux liquides 131a dans les sous-pixels RVB se déplacent dans la direction horizontale sous l'effet du champ de frange. En conséquence, la lumière entrant par l'axe de polarisation de la plaque de polarisation inférieure traverse la couche de cristaux liquides 131, de manière à produire l'état blanc. De plus, les molécules de cristaux liquides 131a dans le sous-pixel W sont inclinées dans la direction verticale par le champ électrique vertical formé entre la première électrode de référence 124 et la seconde électrode de référence 126, et empêchent la lumière de traverser celles-ci. Dans ce cas, bien que la lumière ne soit pas observée devant le sous-pixel W, il se produit également une fuite de lumière dans les directions des angles de vision droit et gauche depuis le sous-pixel W, de manière à réduire l'angle de vision. A savoir, l'angle de vision étroit est réalisé dans l'état blanc en formant un champ électrique horizontal pour les sous-pixels RVB tout en formant le champ électrique vertical pour le sous-pixel W. A ce stade, afin de réaliser l'angle de vision étroit, l'électrode de pixel 117 du sous-pixel W est alimentée avec une tension de pixel identique à la tension Vco,,, appliquée à la première électrode de référence 124 ou inférieure à une tension de seuil. De plus, la première électrode de référence 124 est alimentée avec la même tension que celle dans le mode d'angle de vision large, et la seconde électrode de référence 126 est alimentée avec une tension telle qu'une différence de champ électrique d'environ 1 à 4 V ou d'environ -4 à -1 V soit induite entre la seconde électrode R.'Brevets\25300A2 53 84-0606 1 5-tradTXT dot - 16 juin 2006 -1323 de référence 126 et la première électrode de référence 124. La tension appliquée à la seconde électrode de référence 126 peut être une tension C.C. ou C.A. De cette manière, dans le dispositif LCD selon la présente invention, lors de la réalisation de l'angle de vision large, tous les sous-pixels RVBW sont commandés dans le mode FFS. Au contraire, lors de réalisation de l'angle de vision étroit, les sous-pixels RVB sont commandés dans le mode FFS, et le sous-pixel W est commandé pour former le champ électrique vertical entre les premier et second substrats de sorte que les molécules de cristaux liquides dans ceux-ci soient inclinés au lieu d'être tournés, de manière à empêcher la lumière d'être transmise à travers le sous-pixel W. Un procédé de fabrication d'un dispositif d'affichage à cristaux liquides est décrit de manière détaillée ci-après. Premièrement, sur la figure 8 A, un matériau conducteur transparent tel que ITO (oxyde d'indium-étain) ou IZO (oxyde d'indium-zinc) est déposé sur un substrat diélectrique 111, et modelé pour rester dans les sous-pixels W, de manière à former des premières électrodes de référence en forme de plaque 124. Ensuite, des lignes de grille 112 (voir la figure 3), des électrodes de grille 112a, et des premières lignes de référence 125 (voir la figure 3) sont formées par dépôt d'un métal ayant une résistance spécifique faible, tel que le cuivre (Cu), l'aluminium (Al), un alliage d'aluminium (AINd), le molybdène (Mo), un alliage molybdène-tungstène (MoW), etc., sur toute la surface comprenant les premières électrodes de référence 124, suivi par un modelage. A ce stade, les premières lignes de référence 125 sont formées parallèlement aux lignes de grille 112 tout en étant amenées en contact avec les premières électro- des de référence 124. Les premières lignes de référence sont étendues à une région extérieure à une région active, et connectées à un circuit de commande externe du substrat de matrice de transistors à couche mince. Bien que les premières électrodes de référence 124 soient décrites ci-dessus comme étant formées avant la formation des lignes de grille 112, la présente inven- tion n'est pas limitée à ce processus, et les premières électrodes de référence 124 peuvent être formées après la formation des lignes de grille 112 ou après la formation des lignes de données 115. Ensuite, après qu'un film d'isolation de grille 113 ait été formé par dépôt d'un matériau d'isolation inorganique tel qu'un oxyde de silicium (SiO.) ou un nitrure de silicium (SiN.) sur la surface entière comprenant les électrodes de grille 112a par dépôt chimique en phase gazeuse par plasma (PECVD), du silicium amorphe est déposé sur la surface entière comprenant le film d'isolation de grille 113, suivi par un R \Brevets\25300\25384-060615-trndTXTdoe - 16 juin 2006- 14/23 processus de photolithographie pour former une couche de semi-conducteur 114 sur les électrodes de grille 112a. Ensuite, comme décrit sur la figure 8B, des lignes de données 115 et des électrodes de source/drain 115a et 115b sont formées par dépôt de métal ayant une faible résistance, tel que le cuivre (Cu), l'aluminium (Al), un alliage d'aluminium (AlNd), le molybdène (Mo), un alliage molybdène-tungstène (MoW), etc., sur la surface entière comprenant la couche de semi-conducteur 114, suivi par modelage. A ce stade, les lignes de données 115 croisent les lignes de grille 112 pour définir des sous-pixels RVBW, et les électrodes de source/drain 115a et 115b sont formées de manière à se chevaucher avec les deux extrémités de la couche de semi-conducteur 114, de manière à former des transistors à couche mince. Ensuite, une couche de passivation 116 est formée par dépôt d'un matériau inorganique tel qu'un oxyde de silicium, un nitrure de silicium et similaire sur la surface entière comprenant les lignes de données 115 ou en appliquant un matériau inorganique tel que le benzocyclobutène (BCB), une résine acrylique et similaire sur celle-ci. Ensuite, un trou de contact 200 est formé en enlevant sélectivement la couche de passivation 116 de sorte que l'électrode de drain de chaque transistor à couche mince soit exposée. Ensuite, comme décrit sur la figure 8C, les électrodes de pixel 117, ayant chacune une pluralité de fentes 160, sont formées par dépôt d'un matériau conducteur transparent tel que ITO ou IZO sur la surface entière comprenant la couche de passivation 116, suivi par modelage. A ce stade, les électrodes de pixel 117 formées dans les sous-pixels respectifs sont connectés intégralement les uns aux autres, et amenés en contact avec l'électrode de drain 115b par l'intermédiaire du trou de contact 200 (voir la figure 8B). Ensuite, comme décrit sur la figure 80, des matrices noires 122, des couches de filtres chromatiques 123, une couche d'enrobage 128, et des secondes électrodes de référence 126 sont formées sur un substrat de matrice de filtres chromatiques 121 comme suit. Premièrement, les matrices noires 122, sont formées par dépôt d'un matériau ayant une réflectance élevée tel que Cr sur le substrat de matrice de filtres chromatiques 121, et modelage du matériau de sorte qu'il reste à un site où la fuite de lumière se produit, par exemple, à un bord de chaque sous-pixel et à un site de chaque transistor à couche mince. Ensuite, une réserve colorée contenant des pigments est appliquée, sur la surface entière comprenant les matrices noires 122, et modelée pour former des couches de filtres chromatiques 123. Typiquement, une couche de filtres chromatiques R est formée dans le sous-pixel R par dépôt et modelage d'une réserve de couleur rouge, une couche de filtres chromatiques V est formée dans le sous-pixel V R'~Brevets\25300\25384-060615-tradTXT doc - 16 juin 2006 - 15/23 par dépôt et modelage d'une réserve de couleur verte, et ensuite une couche de filtres chromatiques B est formée dans le sous-pixel B par dépôt et modelage d'une réserve de couleur bleue. Ensuite, la couche d'enrobage 128 est formée en appliquant à plat un matériau organique tel qu'une résine acrylique sur la surface entière comprenant les couches de filtres chromatiques RVB 123. Etant donné que la couche d'enrobage 128 ne contient pas de pigment, elle présente une couleur blanche dans le sous-pixel W. Bien qu'il soit possible de former une couche de filtres chromatiques W séparée par application et modelage d'une réserve de couleur blanche durant la formation des l0 couches de filtres chromatiques, la couche d'enrobage 128 formée dans le sous-pixel W peut être utilisée à la place de la couche de filtres chromatiques W. Ensuite, un matériau conducteur transparent tel que ITO ou IZO est déposé sur la surface entière comprenant la couche d'enrobage 128, et modelé pour former la seconde électrode de référence 126 uniquement dans chaque sous-pixel W. La 15 seconde électrode de référence 126 est disposée dans le but de commander l'angle de vision, et a sensiblement la même taille que celle du sous-pixel W. Simultanément, une seconde ligne de référence 127 (voir la figure 5) est formée pour connecter intégralement les secondes électrodes de référence 126 mutuellement. Présentement, la seconde ligne de référence 127 est étendue à une 20 région extérieure à la région active, et est électriquement connectée à un circuit de commande externe du substrat de matrice de transistors à couche mince par l'intermédiaire de points d'argent 191 (voir la figure 5), qui sont disposés aux coins d'un panneau dans un processus ultérieur. Finalement, après l'application d'un matériau de scellement le long d'un bord 25 du substrat de matrice de transistors à couche mince, et la dispersion d'espaceurs sur la région active, le substrat de matrice de filtres chromatiques 121 est assemblé au substrat de matrice de transistors à couche mince 111 de manière à se faire mutuellement face, et une couche de cristaux liquides 131 est formée entre ces substrats, de manière à compléter le dispositif LCD selon l'invention. 30 Comme il apparaît à la lecture de la description ci-dessus, le dispositif d'affichage à cristaux liquides et le procédé de fabrication de celui-ci ont des effets avantageux comme décrit ci-dessous. Premièrement, un sous-pixel blanc parmi les sous-pixels RVBW-4 peut être commandé dans le même mode FFS que celui des sous-pixels RVB adjacents pour 35 un mode d'angle de vision large, de manière à élargir l'angle de vision tout en compensant la luminosité blanche, et est commandé dans un mode différent de celui des sous-pixels RVB adjacents pour former un champ électrique vertical pour un R:ABrevets\25300A25384-060615-Irad1XT doc - 16 juin 2006 - 16/23 mode d'angle de vision étroit, de manière à abaisser l'angle de vision de manière à protéger des informations confidentielles. Deuxièmement, selon la présente invention, étant donné que l'électrode de référence est ajoutée uniquement à une plaque supérieure de chaque sous-pixel W, les coûts de fabrication additionnels sont diminués, et le processus est simple comparé à une technique apparentée de commande de l'angle de vision. De plus, l'électrode de référence ajoutée à la plaque supérieure est rendue flottante ou alimentée avec la même tension que celle d'une autre électrode de référence ajoutée à une plaque inférieure dans le mode d'angle de vision large, et est commandée de manière à avoir une différence de tension prédéterminée entre les plaques supérieure et inférieure dans le mode d'angle de vision étroit, de manière à permettre une commande aisée du dispositif LCD. Il apparaîtra à l'homme du métier que différentes modifications et variantes peuvent être effectuées dans la présente invention sans s'écarter de l'esprit ou la portée de l'invention. Par conséquent, la présente invention est destinée à couvrir les modifications et variantes de cette invention à condition qu'elles soient dans la portée des revendications annexées et leurs équivalents. R.1Brevets\25300\25384-060615-tradTXT. doc - 16 juin 2006- 17!23 REVENDICATIONS 1. Dispositif d'affichage à cristaux liquides, comprenant : - des lignes de grille et des lignes de données se croisant mutuellement pour définir des sous-pixels RVBW sur un premier substrat (111) ; - un transistor à couche mince formé à chaque croisement des lignes de grille et de données ; - une première électrode de référence (124) formée dans chaque région des sous-pixels RVBW ; - une électrode de pixel (117) connectée au transistor à couche mince et isolée de la première électrode de référence (124), l'électrode de pixel ayant au moins une fente (160) ; - un second substrat fixé au premier substrat (111), dans lequel les premier et second substrats se font mutuellement face avec une couche de cristaux liquides (131) intercalée entre ceux-ci ; et - une seconde électrode de référence (126) sur le second substrat et correspondant à chaque sous-pixel W. 2. Dispositif LCD selon la revendication 1, comprenant en outre : des 20 couches de filtres chromatiques RVB (123) correspondant aux sous-pixels RVB sur le second substrat, respectivement. 3. Dispositif LCD selon la revendication 2, comprenant en outre : une couche d'enrobage (128) sur une surface totale du second substrat comprenant les 25 couches de filtres chromatiques RVB (123) entre la seconde électrode de référence (126) et les couches de filtres chromatiques RVB (123). 4. Dispositif LCD selon l'une quelconque des revendications 1 à 3, dans lequel le sous-pixel W permet la conversion en fonctionnement entre un mode 30 d'angle de vision large et un mode d'angle de vision étroit. 5. Dispositif LCD selon la revendication 4, dans lequel, dans le mode d'angle de vision large, un champ de frange est créé entre l'électrode de pixel (117) et la première électrode de référence (124) dans les sous-pixels RVBW. 6. Dispositif LCD selon la revendication 5, dans lequel la seconde électrode de référence (126) n'est pas alimentée avec une tension, ou est alimentée avec la même tension que celle appliquée à la première électrode de référence (124). R:\Brevets\25300\25384-060615-tradTXT doc - 16 juin 2006 - 18/23 35 7. Dispositif LCD selon la revendication 4, dans lequel, dans le mode d'angle de vision large, la couche de cristaux liquides (131) dans les sous-pixels RVBW est commandée dans un mode FFS. 8. Dispositif LCD selon la revendication 4, dans lequel, dans le mode d'angle de vision étroit, un champ électrique vertical est formé entre la première électrode de référence (124) du sous-pixel W et la seconde électrode de référence (126), et empêche la lumière de traverser le sous-pixel W. 9. Dispositif LCD selon la revendication 8, dans lequel, dans le mode d'angle de vision étroit, un champ de frange est créé entre l'électrode de pixel (117) et la première électrode de référence (124) dans les sous-pixels RVB. 10. Dispositif LCD selon la revendication 8 ou 9, dans lequel l'électrode de pixel du sous-pixel W est alimentée avec la même tension que la tension appliquée à la première électrode de référence (124), ou alimentée avec une tension inférieure à une tension de seuil. 11. Dispositif LCD selon la revendication 8, 9 ou 10, dans lequel la seconde électrode de référence (126) du sous-pixel W est alimentée avec une tension constante pour générer une différence de tension entre la première électrode de référence (124) et la seconde électrode de référence (126). 12. Dispositif LCD selon la revendication Il, dans lequel la différence de tension entre la première électrode de référence (124) et la seconde électrode de référence (126) du sous-pixel W est d'environ 1 à 4 V ou d'environ -4 à -1 V de manière à créer un champ électrique vertical entre celles-ci. 13. Dispositif LCD selon l'une quelconque des revendications 11 à 12, dans lequel la tension appliquée à la seconde électrode de référence (126) est une tension C.C. ou C.A. 14. Dispositif LCD selon la revendication 4, dans lequel dans le mode d'angle de vision étroit, la couche de cristaux liquides dans les sous-pixels RVB est commandée dans un mode FFS, et la couche de cristaux liquides dans le sous-pixel W est inclinée dans une direction verticale. R-.\Brevets\25300\25384-060615-tradT XT dot - 16 juin 2006 - 19/23 15. Dispositif LCD selon l'une quelconque des revendications 1 à 14, comprenant en outre : - un film d'orientation à l'intérieur des premier et second substrats ; et - une plaque de polarisation supérieure et inférieure fixée aux surfaces externes 5 des premier et second substrats. 16. Dispositif LCD selon la revendication 15, dans lequel le film d'orientation est orienté dans la même direction que celle d'un axe de polarisation de l'une des plaques de polarisation supérieure et inférieure. 17. Dispositif LCD selon l'une quelconque des revendications 1 à 16, dans lequel les sous-pixels RVBW sont disposés dans une configuration de type carrée ou de type à barrette. 15 18. Dispositif LCD selon l'une quelconque des revendications 1 à 17, dans lequel l'au moins une fente (160) de l'électrode de pixel (117) est disposée dans la même direction que celle des lignes de grille ou des lignes de données. 19. Dispositif LCD selon l'une quelconque des revendications 1 à 18, dans 20 lequel l'électrode de pixel (117), la première électrode de référence (124), et la seconde électrode de référence (126) sont des couches conductrices transparentes. 20. Dispositif LCD selon l'une quelconque des revendications 1 à 18, dans lequel les secondes électrodes de référence (126) sont connectées mutuellement et 25 alimentées avec une tension provenant du premier substrat (111) par l'intermédiaire de points d'argent. 21. Procédé de fabrication d'un dispositif d'affichage à cristaux liquides, comprenant : 30 - la formation de premières électrodes de référence sur un premier substrat ; - la formation de lignes de grille et de lignes de données se croisant mutuelle-ment pour définir des sous-pixels RVBW sur le premier substrat ; - la formation d'un transistor à couche mince à chaque croisement des lignes de grille et de données ; 35 - la formation d'une couche de passivation sur une surface totale du premier substrat comprenant le transistor à couche mince ; - la formation d'électrodes de pixel sur la couche de passivation, chacune ayant au moins une fente ; R-1Brevets12 53 0012 5 3 84-06061 5-tradTXT. doc - 16 juin 2006 - 20/23 10- la fixation d'un second substrat au premier substrat, dans lequel le premier substrat et le second substrat se font face mutuellement, le second substrat ayant une seconde électrode de référence formée de manière à correspondre uniquement à chaque sous-pixel W ; et la formation d'une couche de cristaux liquides entre les premier et second substrats. 22. Procédé selon la revendication 21, comprenant en outre : la formation de matrices noires sur le second substrat ; - la formation de couches de filtres chromatiques RVBW au-dessus des matri- ces noires correspondant aux sous-pixels RVBW respectifs ; et - la formation d'une couche d'enrobage (128) sur une surface totale du second substrat comprenant les couches de filtres chromatiques, avant la formation des secondes électrodes de référence sur le second substrat. 23. Procédé selon la revendication 22, dans lequel chaque couche de filtres chromatiques W est formée en même temps que la formation de la couche d'enrobage. 24. Procédé selon la revendication 23, dans lequel la couche de filtres chromatiques W et la couche d'enrobage sont formées d'un même matériau. 25. Procédé selon l'une quelconque des revendications 21 à 24, dans lequel les secondes électrodes de référence sont formées d'une couche conductrice transparente. 26. Procédé selon la revendication 25, dans lequel les secondes électrodes de référence sont formées de ITO ou de IZO. 27. Procédé selon l'une quelconque des revendications 21 à 26, dans lequel chacune des secondes électrodes de référence a sensiblement la même taille que celle du sous-pixel W. 28. Procédé selon l'une quelconque des revendications 21 à 27, compre-nant en outre : la formation d'une seconde ligne de référence connectant les secondes électrodes de référence, lors de la formation des secondes électrodes de référence dans laquelle la seconde ligne de référence s'étend à une région extérieure à une région active. R.\Brevets\25300\25384-060615-tradTXT.doc - 16 juin 2006 - 2123 5 10 29. Procédé selon la revendication 28, comprenant en outre : l'agencement de la seconde ligne de référence de manière à être en contact avec les points d'argent formés aux coins d'un panneau pour être électriquement connectée à un circuit de commande du premier substrat. 30. Procédé selon l'une quelconque des revendications 21 à 29, comprenant en outre : la formation d'une première ligne de référence qui est en contact avec les premières électrodes de référence lors de la formation des lignes de grille. R\Brevets\25300\25384-060615-tradTXT doc - 16 juin 2006 - 22123