FR 2889743 A1 20070216 FR 8805925 A 19880503 2889743 -1- Dispositif émetteur hyperfréquence pour simulateur d'échos radar La présente invention concerne un dispositif émetteur hyperfréquence ainsi qu'un simulateur d'échos radar incluant le dispositif émetteur. Le simulateur est destiné à engendrer en un point de l'espace, correspondant au centre de phase de l'antenne de réception d'un radar dont le fonctionnement du récepteur est à étalonner et vérifier, une onde radioélectrique complexe représentative d'un écho radar et semblant provenir d'une zone quelconque de l'espace, dans un angle solide déterminé. L'onde complexe est considérée comme constituée de plusieurs "points brillants" analogues aux points de réflexion d'une scène ou d'une cible dont l'écho est à simuler. Chaque "point brillant" doit apparattre comme étant en champ lointain et doit pouvoir être commandé en direction d'incidence, 15 amplitude, phase et fréquence. Actuellement, une simulation d'échos radar est résolue au moyen de sources constituant le dispositif émetteur hyperfréquence et rayonnant des ondes hyperfréquence. Les sources sont en nombre très élevé, de l'ordre de plusieurs centaines, et sont disposées sur un panneau de très grandes dimensions, de plusieurs mètres carrés. Les sources sont en champ lointain de l'antenne de réception du radar et donc sont situées à une centaine de mètres de l'antenne afin que les ondes sphériques émises par les sources soient considérées comme des ondes sensiblement planes au niveau de l'antenne. Chacune des sources rayonnantes est contrôlée en phase et en amplitude par des moyens électroniques inclus dans le simulateur de manière à engendrer une scène retrodiffusée choisie et programmée. Les principaux inconvénients de ce simulateur connu sont les 30 suivants. S'agissant du dispositif émetteur hyperfréquence, celui-ci offre un encombrement considérable ne permettant pas son utilisation en un lieu clos, tel qu'un laboratoire. Le nombre très - 2 - élevé de sources hyperfréquence confère un coût très élevé au simulateur. Le secteur angulaire analysé par l'antenne dépend directement de la surface très grande du panneau rayonnant. Le grand nombre de sources rayonnantes implique un réseau de distribution de signaux hyperfréquence complexe et coûteux dans le simulateur d'autant plus que, pour les applications envisagées, les longueurs d'onde de ces signaux sont comprises dans la bande des ondes millimétriques, ou au-delà de celle-ci. En outre, le bilan énergétique entre chaque source rayonnante élémentaire et l'antenne du récepteur radar est médiocre en raison de la non-directivité de chacune des sources. L'invention vise donc à fournir un dispositif émetteur hyperfréquence pour simulateur d'échos radar qui est compact et dont le nombre de sources rayonnantes est faible, inférieur à la dizaine. Le dispositif émetteur produit en une zone de l'espace, correspondant en pratique à l'antenne de réception d'un radar, une onde complexe égale à la somme d'ondes sensiblement planes et présentant une agilité angulaire dans un angle solide déterminé pratiquement indépendant de l'encombrement de l'ensemble des sources rayonnantes. A cette fin, un dispositif émetteur hyperfréquence incluant plusieurs sources rayonnantes d'ondes hyperfréquence est caractérisé en ce qu'il comprend: - un premier réflecteur ellipsoidal pour réfléchir des ondes hyperfréquence sphériques rayonnées par lesdites sources, lesdites sources étant placées au voisinage d'un premier foyer du premier réflecteur, - un réflecteur plan contenant un second foyer du premier réflecteur pour réfléchir des ondes hyperfréquence réfléchies par 30 le premier réflecteur, et - un second réflecteur ellipsoidal ayant un premier foyer confondu avec le second foyer du premier réflecteur pour réfléchir des ondes hyperfréquence réfléchies par le réflecteur plan en un faisceau d'ondes hyperfréquence sensiblement planes. En pratique, le nombre de sources rayonnantes est compris entre trois et sept, ce qui réduit considérablement le coût du dispositif émetteur et par suite celui des moyens électroniques 20. 3G - 3 - inclus dans le simulateur pour produire des signaux hyperfréquence à émettre. L'encombrement du dispositif émetteur est diminué, car le secteur angulaire à l'intérieur duquel rayonnent les sources rayonnantes est très réduit. Ces sources rayonnantes sont sous la forme de cornets émetteurs directifs, de préférence rainurés, axés sensiblement suivant des génératrices d'un cône divergeant vers le premier réflecteur et dont le sommet est situé à proximité du premier foyer du premier réflecteur. Ces cornets ainsi que les trois réflecteurs et l'antenne de réception du radar sont montés dans un bâti ayant des dimensions de quelques mètres. Grâce à la mise en oeuvre d'un cheminement quasi-optique des faisceaux rayonnés par les sources et réfléchis par les réflecteurs, le bilan de puissance entre les sources et l'antenne de réception est optimisé. Dans le dispositif émetteur sont également prévus des moyens pour déplacer angulairement le faisceau d'ondes sensiblement planes afin que celui-ci soit en permanence dirigé vers un second foyer du second réflecteur qui constitue le centre de phase de l'antenne du récepteur radar. Un tel déplacement angulaire simule ainsi le déplacement relatif d'une scène ou d'une cible par rapport à l'antenne, ce qui correspond par exemple au cas d'une antenne de réception à bord d'un aéronef, tel que missile, qui doit être pointée en permanence vers une scène dont l'écho est à reproduire par le simulateur. Selon l'invention, le déplacement angulaire du faisceau d'ondes sensiblement planes est obtenu par des moyens, de préférence commandés par des moteurs électriques, pour tourner le réflecteur plan autour d'un point de sa surface, confondu avec les foyers des premier et second réflecteurs ellipsoïdaux. Un mode de réalisation particulier permet de tourner le réflecteur plan autour d'un axe passant par les foyers confondus des premier et second réflecteurs ellipsoïdaux et perpendiculaires au plan contenant les foyers des premier et second réflecteurs. Un simulateur d'échos radar selon l'invention comprend un dispositif émetteur hyperfréquence à plusieurs sources rayonnantes conforme à l'invention pour convertir des ondes hyperfréquence sphériques rayonnées par lesdites sources en des ondes - 4 - hyperfréquence sensiblement planes captées par une antenne de récepteur de radar centrée sensiblement sur un second foyer du second réflecteur, et - plusieurs moyens associés respectivement auxdites sources rayonnantes pour produire des signaux hyperfréquence à émettre dont les phases et amplitudes sont variables en fonction de caractéristiques d'échos radar prédéterminées. D'autres avantages et caractéristiques de l'invention apparaltront plus clairement à la lecture de la description 10 suivante de plusieurs réalisations préférées de l'invention en référence aux dessins annexés correspondants dans lesquels: - la Fig. 1 montre schématiquement un dispositif émetteur hyperfréquence selon l'invention ainsi que le trajet suivi par un faisceau d'ondes rayonné par un cornet émetteur; - la Fig. 2 est un schéma analogue à la Fig. 1 dans lequel sont illustrés les axes de propagation du faisceau d'ondes émis par un cornet émetteur pour deux positions angulaires d'un réflecteur plan tournant inclus dans le dispositif; - la Fig. 3 est un schéma analogue à la Fig. 1 dans lequel 20 sont illustrés les trajets suivis par des axes de faisceaux d'ondes émis par trois cornets émetteurs; - la Fig. 4 montre schématiquement d'autres positions relatives des trois réflecteurs et d'un cornet inclus dans un dispositif émetteur hyperfréquence selon l'invention présentant un encombrement plus réduit; - la Fig. 5 est une vue en perspective schématique d'une réalisation pratique d'un dispositif émetteur hyperfréquence selon la configuration montrée à la Fig. 4; et - la Fig. 6 est un bloc-diagramme d'un simulateur d'échos 30 radar selon l'invention. Un dispositif émetteur hyperfréquence EH pour simulateur d'échos radar selon l'invention comprend essentiellement un ensemble de sources rayonnantes d'ondes hyperfréquence EC, des premier et second réflecteurs focalisants RE1 et RE2 du type miroirs ellipsoïdaux concaves, et un réflecteur plan RP, comme montré schématiquement à la Fig. 1. - 5 - Sur la Fig. 1, seulement l'une des sources rayonnantes est illustrée sous la forme d'une antenne d'émission d'ondes millimétriques de type cornet conique C. De préférence, le cornet C est un cornet rainuré. Dans la suite, en référence à la Fig. 1 et aux Figs. 2 à 4 suivantes, les principes de propagation des faisceaux d'onde illustrés sont fondés sur l'optique physique géométrique, sachant que les longueurs d'onde émises par les sources, de l'ordre du millimètre, sont petites par rapport aux dimensions des trois réflecteurs, de l'ordre du mètre. En particulier, une source rayonnante, telle que le cornet C, est susceptible de rayonner des ondes sphériques qui sont réfléchies successivement sur les réflecteurs RE1, RP et RE2. Le cornet C a un axe de propagation passant par un premier foyer FA1 du premier réflecteur ellipsoidal RE1 et orienté vers celui-ci, et est disposé à proximité du foyer FA1. Le réflecteur plan MP est centré sur un second foyer FBI du premier réflecteur ellipsoidal RE1 et un premier foyer FA2 du second réflecteur ellipsoidal RE2, ces deux derniers foyers étant confondus. Le plan réfléchissant du réflecteur MP est orienté vers les réflecteurs RE1 et RE2 et est perpendiculaire au plan de la Fig. 1 contenant le foyer FA1, les foyers FBI et FA2 communs aux réflecteurs ellipsoidaux, et un second foyer FB2 du second réflecteur ellipsoidal RE2. Comme on le verra dans la suite, une antenne réceptrice AN est placée sensiblement perpendiculairement au faisceau d'onde réfléchi par le réflecteur RE2 et au voisinage du foyer FA2 pour capter des ondes sensiblement planes issues des ondes sphériques émises par l'ensemble de sources rayonnantes EC. La transformation de l'onde sphérique émise par une source, telle que le cornet C, en une onde plane captée par l'antenne AN est obtenue grâce aux propriétés optiques des trois réflecteurs et de leurs positions mutuelles précitées. Le faisceau émis par le cornet C diverge en direction du réflecteur RE1, puis est réfléchi en convergeant sensiblement vers le réflecteur plan RP. Le faisceau réfléchi par le réflecteur plan RP est focalisé en un point de concentration PC situé entre les réflecteurs RP et RE2, puis diverge à partir du point PC pour âtre réfléchi par le réflecteur RE2 en un faisceau étroit parallèle d'onde plane. Ainsi malgré la - 6 - proximité du cornet émetteur C et de l'antenne AN, cette dernière antenne capte des ondes planes semblant provenir d'ondes sphériques d'une source très éloignée. L'obtention du faisceau d'ondes planes sur l'antenne AN peut être ajustée précisément en décalant le cornet émetteur C par rapport au premier foyer FA1 du réflecteur RE1, le long de l'axe de propagation du cornet C. Si le réflecteur plan RP tourne dans l'espace autour d'un point de sa surface coincidant avec les foyers FA2 et FB1, les principes de réflexion de faisceau décrits ci-dessus ne changent pas, et une onde plane est toujours captée par l'antenne AN. Dans la forme de réalisation particulière représentée sur la Fig. 5, le miroir plan RP subit une rotation autour d'un axe perpendiculaire au plan focal des réflecteurs ellipsoidaux et passant par le centre FB1-FA2 du réflecteur RP, par exemple d'une position RP1 à une position RP2, comme montré à la Fig. 2, l'axe du faisceau réfléchi par le second réflecteur ellipsoidal RE2 passe toujours par le foyer FB2. Cependant, le rayon de courbure des ondes captées au foyer FB2 n'est plus infini. Toutefois, des calculs ont montré que ce rayon de courbure est très grand lorsque l'excentricité du second réflecteur ellipsoidal RE2 est faible, typiquement inférieure à 0,3 et donc notamment, lorsque la distance entre les foyers FB1-FA2 et FB2 est petite. La rotation du miroir RP simule ainsi des modifications de la direction du faisceau incident provenant d'une source émettrice éloignée de l'antenne AN, dans un angle solide essentiellement déterminé par le second réflecteur ellipsoidal RE2 et incluant le diagramme de rayonnement de l'antenne AN. Le balayage de différentes directions de l'espace par le faisceau réfléchi par le réflecteur plan RP simule ainsi les différentes orientations d'une cible mobile éloignée par rapport à l'antenne AN. En pratique, puisque l'écho radar complexe à simuler provient d'une scène ou cible, telle qu'un aéronef, constituée par un ensemble de points réflecteurs d'onde, dits "points brillants", l'ensemble de sources EC simulant les multiples "points brillants" comprend plusieurs cornets émetteurs d'onde millimétrique, en nombre inférieur à la dizaine, typiquement compris entre 3 et 7. Dans la Fig. 3, trois cornets émetteurs Cl, C2 et C3 sont - 7 - représentés schématiquement, espacés du foyer FA1 par des distances sensiblement égales, et axés respectivement suivant des génératrices régulièrement réparties d'un cône divergeant vers le miroir RE1 et ayant un sommet à proximité du ou confondu avec le foyer FA1. Comme indiqué en traits interrompus courts dans la Fig. 3, les axes des faisceaux émis par les trois cornets Cl, C2 et C3, concourant initialement au foyer FA1, convergent vers le second foyer FB2 du second réflecteur ellipsoïdal RE2, après des réflexions successives sur les réflecteurs RE1, RP et RE2. Les "points brillants" sont ainsi engendrés par interférence des ondes émises par les cornets, et la position spatiale de l'ensemble de ces "points brillants" dépend, vis-à-vis de l'antenne réceptrice AN, d'une part de la position angulaire du réflecteur plan RP, et, d'autre part, des amplitudes et phases des signaux hyperfréquence émis par les cornets Cl, C2 et C3. Les moyens électroniques inclus dans le simulateur d'échos radar pour produire des signaux hyperfréquence à émettre seront décrits plus loin. Selon une autre disposition relative des réflecteurs montrée à la Fig. 4, le second réflecteur ellipsoïdal RE2 est positionné du même côté que l'ensemble émetteur EC, représenté ici par un seul cornet C, par rapport à l'axe passant par les centres du réflecteur plan RP et du premier réflecteur ellipsoïdal RE1, tandis que l'antenne AN au foyer FB2 demeure de l'autre côté de l'axe précité. Ainsi, selon la réalisation de la Fig. 4, l'ensemble EC, le centre du réflecteur RE2, le centre du réflecteur RE1, le foyer FB2, et le centre du réflecteur plan RP confondu avec les foyers FB1 et FA2 sont respectivement situés aux sommets successifs d'un pentagone, tandis que selon les Figs. 1 à 3 l'ensemble EC, le centre du réflecteur RE1, le centre du réflecteur RE2, le foyer FB2, et le centre du réflechisseur plan RP sont respectivement situés aux sommets successifs d'un autre pentagone. La disposition selon la Fig. 4 contribue à restreindre l'encombrement du dispositif émetteur hyperfréquence EH. Le faisceau réfléchi par le réflecteur plan RP passe sous le faisceau émis par chaque cornet C, et le faisceau réfléchi par le second réflecteur ellipsoïdal RE2 passe sous le faisceau émis par le 10 15 cornet C et sous le faisceau réfléchi par le premier réflecteur ellipsoïdal RE1. Une réalisation expérimentale du dispositif émetteur hyperfréquence EH selon la disposition montrée à la Fig. 4 est 5 illustrée à la Fig. 5. Les trois réflecteurs RE1, RE2 et RP ainsi que trois cornets émetteurs Cl, C2 et C3 sont disposés à l'intérieur d'un bâti parallèlépipédique BA reposant horizontalement sur le sol par l'intermédiaire de pieds réglables PI. Le bâti est constitué par un assemblage de traverses, poutres, montants et cornières en duralumin. Un côté interne vertical du bâti BA, situé à droite dans la Fig. 5, est muni d'une table à déplacement micrométrique TA. La table est destinée à déplacer un petit capteur hyperfréquence CA suivant deux directions orthogonales Y et Z dans un plan vertical. Le capteur CA remplace l'antenne AN et explore le champ des ondes réfléchies par le second réflecteur ellipsoïdal RE2, au voisinage du foyer FB2. Le réflecteur plan RP et le second réflecteur ellipsoïdal RE2 sont orientables. Le réflecteur plan RP est orientable autour d'un point de sa surface confondu avec les foyers communs FB1 et FA2. Dans la forme de réalisation représentée sur la Fig. 5 le réflecteur plan RP est solidaire d'un berceau BE en forme d'arc circulaire tournant autour du centre du réflecteur RP afin d'orienter le réflecteur RP à des positions, telles que les positions RP1 et RP2. Cette rotation du réflecteur RP autour du foyer commun FB1-FA2 est assurée par un moteur électrique commandé par un calculateur 3 inclus dans les moyens électroniques déjà cités. Un équipage EP situé en-dessous de la table TA et à l'intérieur du bâti BA supporte le berceau BE avec le moteur pas-àpas. L'équipage EP permet de tourner le berceau autour d'un axe AR sensiblement parallèle à la direction focale entre les foyers FB1-FA2 et FB2 et de translater le berceau suivant un axe AT orthogonal à l'axe AR et dirigé vers les réflecteurs RE1 et RE2 afin de positionner le centre du réflecteur plan RP au foyer commun FB1-FA2 des réflecteurs RE1 et RE2. 9 - Le second réflecteur ellipsoidal RE2 est situé en face de la table TA et sur un autre côté interne du bâti BA, à gauche dans la Fig. 5. Un dispositif mécanique connu DR à trois axes de rotation orthogonaux X, Y et Z, fixé sensiblement au milieu dudit autre côté du bâti, contribue à orienter manuellement le réflecteur RE2 afin que le premier foyer FA2 de celui-ci soit confondu avec le second foyer FB1 du premier réflecteur RE1. Le réflecteur RE1 est fixé à une orientation prédéterminée sensiblement au centre du plafond du bâti BA. Selon une réalisation préférée, les trois réflecteurs RE1, RP et RE2 sont en alpax avec une rugosité de 1,6 pm. Le premier réflecteur RE1 est constitué par une portion circulaire d'ellipsoide ayant un grand axe de 5400 mm et un petit axe de 5225 mm et offre un diamètre de 1400 mm. Le réflecteur plan RP est circulaire et a un diamètre de 500 mm. Le second réflecteur RE2 est constitué par une portion rectangulaire d'ellipsoide ayant un grand axe de 4700 mm et un petit axe de 4600 mm ce qui correspond à une excentricité égale à 0,2, et offre une longueur de 2360 mm suivant la hauteur du bâti et une largeur de 2000 mm. Le bâti BA a une longueur de 3850 mm, une largeur de 2000 mm et une hauteur de 3500 mm. Les cornets Cl, C2 et C3 sont des cornets coniques rainurés, associés à des sources micro-onde adaptées à la fréquence de 94 GHz. Les cornets Cl, C2 et C3 sont fixés sur un petit support SU situé à proximité du foyer FA1 et coulissable sur une traverse inférieure du bâti BA. Par l'intermédiaire de cales et autres moyens mécaniques analogues sur le support SU, les orientations et positions des cornets par rapport au réflecteur RE1 sont ajustées. En référence maintenant à la Fig. 6, des moyens électroniques du simulateur pour produire des signaux hyperfréquence à émettre comprennent essentiellement des circuits d'émission de signaux hyperfréquence 11, 12 et 13 reliés respectivement aux cornets émetteurs Cl, C2 et C3 du dispositif émetteur hyperfréquence EH selon l'invention, ainsi qu'un circuit de verrouillage de phase à haute fréquence 2, un calculateur numérique 3 pour le déplacement du réflecteur plan et pour les caractéristiques des signaux à émettre, et un circuit oscillant pilote hyperfréquence 4. Le - 10 - calculateur 3, les circuits 2 et 4 ainsi que des synthétiseurs de fréquence 70 inclus respectivement dans les circuits d'émission 11, 12 et 13 reçoivent, entre autres, un signal de référence de phase SR, typiquement à basse fréquence égale à 100 MHz, fourni par un récepteur radar 5 à antenne de réception AN dont le fonctionnement est à étalonner et vérifier. Le signal de référence SR contribue à synchroniser le simulateur avec le signal qu'aurait dû émettre le radar. Le calculateur 3 inclut principalement un microprocesseur programmable et une mémoire de données ayant mémorisé des caractéristiques, amplitude et phase essentiellement, de signaux représentatifs d'échos connus et à simuler. Les signaux à émettre se réfèrent à la phase du signal SR et ont une porteuse à fréquence intermédiaire P, typiquement égale à 500 MHz, engendrée par le circuit de verrouillage de phase 2 et modulant en phase et en amplitude un signal de modulation à 100 MHz issu du signal de référence SR. Les circuits d'émission 11, 12 et 13 étant identiques, seul le circuit 11 est illustré en détail à la Fig. 6 et décrit ci-après. Le circuit d'émission 11 comprend essentiellement un circuit modulateur amplitude-phase 6 pour le signal de porteuse P et un circuit hyperfréquence 7 ayant deux étages de transposition de fréquence, dit également convertisseur élévateur de fréquence ("up-converter" en anglais) . Le circuit modulateur 6 comprend un circuit de modulation en phase et amplitude 61 incluant deux voies en phase reliées à la sortie du circuit de verrouillage de phase 2. Chacune de ces voies comporte un modulateur biphase utilisé en atténuateur commandé en courant afin de contrôler la phase et l'amplitude de modulation par le calculateur 3 à travers un circuit de commande 62. Puis en sortie des deux voies, les signaux modulés sont sommés en un signal modulé SM dans un circuit mélangeur hybride. Le signal SM a ensuite son amplitude ajustée dans un atténuateur 63 commandé par le calculateur 3 à travers un circuit de commande 64. Le signal FI1 modulé à fréquence intermédiaire sortant de l'atténuateur 63 est appliqué à une entrée d'un premier mélangeur 71, à travers un amplificateur à haute fréquence 65. - 11 - Dans le circuit hyperfréquence 7, le mélangeur 71 reçoit à une entrée hétérodyne, un signal hyperfréquence FV, typiquement à une fréquence de 2,5 GHz, pour transposer le signal FI1 en un second signal à fréquence intermédiaire FI2 = FI1+FV = 3 GHz. La fréquence du signal FV est sélectionnée dans le synthétiseur de fréquence connu 70 sous la commande du calculateur 3. Le synthétiseur 70 comprend essentiellement un oscillateur à 2,5 GHz calé sur la phase du signal de référence SR et des multiplicateurs et diviseurs de fréquence programmables afin de produire, soit manuellement soit sous le contrôle du calculateur 3, des variations de fréquence multiples de 50 MHz par exemple. Ainsi le signal sélectionné FV a une fréquence égale à 2,5 (kx0,05) GHz, où k est un entier inférieur ou égal à 5 par exemple. Le signal FI2 sortant du mélangeur 71 est appliqué à une entrée d'un second mélangeur 74 à travers un filtre hyperfréquence 72 et un amplificateur 73 du type oscillateur à diode IMPATT synchronisé en réflexion (ILO). Le filtre 72 élimine la composante à fréquence FV-FI1 due à la transposition dans le mélangeur 71. Une entrée hétérodyne du mélangeur 74 reçoit un signal pilote en onde millimétrique SP à la fréquence de 91 GHz afin de transposer le signal FI2 en un signal hyperfréquence à émettre SH à la fréquence d'environ 3+ 91=94 GHz par le cornet émetteur Cl, à travers un filtre hyperfréquence 75. Dans le circuit pilote 4, le signal pilote SP est obtenu au moyen d'un oscillateur 41 ayant une diode Gunn utilisée en résistance négative et recevant le signal de référence SR, et d'un amplificateur hyperfréquence 42 du type oscillateur à diode Impatt synchronisé en réflexion (I.L.O.). L'amplificateur 42 permet de disposer de plusieurs sources millimétriques cohérentes et à fort niveau pour les mélangeurs 74 associés respectivement aux divers cornets émetteurs Cl, C2 et C3. Lorsque la phase est constante dans les circuits de modulation 61 des circuits d'émission 11, 12 et 13, une variation des amplitudes relatives des signaux émis par les cornets Cl, C2 et C3, commandée par le calculateur 3 dans ces circuits de modulation et les trois atténuateurs 63 provoque une modification de l'intensité et de la position relative des "points brillants" correspondants. - 12 - Pour une amplitude constante dans les circuits de modulation 61 et atténuateurs 63, correspondant à une amplitude constante des signaux émis, une variation des phases relatives des signaux produits dans les trois circuits de modulation 61, commandée par le calculateur 3 entraîne un changement de la répartition des "points brillants" en profondeur et un changement de leurs angles d'incidence. Cette variation des phases produit donc des "points brillants" qui sont situés dans des plans différents et qui semblent provenir de directions différentes. - 13 - R E V E N D I C A T I O N S 1 - Dispositif émetteur hyperfréquence (EH) incluant plusieurs sources rayonnantes d'ondes hyperfréquence (Cl, C2, C3), caractérisé en ce qu'il comprend: - un premier réflecteur ellipsoidal (RE1) pour réfléchir des ondes hyperfréquence sphériques rayonnées par lesdites sources, lesdites sources (Cl, C2, C3) étant placées au voisinage d'un premier foyer (FA1) du premier réflecteur, - un réflecteur plan (RP) contenant un second foyer (FB1) du premier réflecteur (RE1) pour réfléchir des ondes hyperfréquence réfléchies par le premier réflecteur, et - un second réflecteur ellipsoidal (RE2) ayant un premier foyer (FA2) confondu avec le second foyer (FB1) du premier réflecteur (RE1) pour réfléchir des ondes hyperfréquence réfléchies par le réflecteur plan en un faisceau d'ondes hyperfréquence sensiblement planes. 2 - Dispositif émetteur conforme à la revendication 1, caractérisé en ce que les ondes rayonnées par l'une desdites sources (Cl, C2, C3) et réfléchies par le premier réflecteur plan (RP) en direction du second réflecteur (RE2) sont focalisées en un point de concentration (PC). 3 - Dispositif émetteur conforme à la revendication 1 ou 2, caractérisé en ce que les sources rayonnantes hyperfréquence comprennent des cornets émetteurs (Cl, C2, C3), de préférence rainurés, respectivement axés suivant des génératrices d'un cône dont le sommet est situé à proximité du premier foyer (FA1) du premier réflecteur (RE1) et qui diverge vers le premier réflecteur. 4 - Dispositif émetteur conforme à l'une quelconque des revendications 1 à 3, caractérisé en ce qu'il comprend des moyens (RP, BE) pour déplacer angulairement le faisceau d'ondes sensiblement planes afin que celui-ci soit en permanence dirigé vers un second foyer (FB2) du second réflecteur ellipsoidal (RE2). - Dispositif émetteur conforme à la revendication 4, caractérisé en ce que les moyens pour déplacer angulairement comprennent des moyens (BE) pour tourner dans l'espace le réflecteur plan (RP) autour d'un point de sa surface coincidant - 14 - avec les foyers confondus (FB1-FA2) des premier et second réflecteurs ellipsoidaux (RE1, RE2). 6 - Dispositif émetteur conforme à l'une quelconque des revendications 1 à 5, caractérisé en ce qu'il comprend des moyens (EP) pour déplacer le réflecteur plan (RP) suivant des axes de translation et de rotation orthogonaux (AT, AR) afin de centrer le réflecteur plan aux foyers confondus (FB1-FA2) des premier et second réflecteurs ellipsoidaux (RE1, RE2). 7 - Dispositif émetteur conforme à l'une quelconque des revendications 1 à 6, caractérisé en ce qu'il comprend des moyens (DR) pour orienter le second réflecteur (RE2) suivant trois axes orthogonaux (X, Y, Z) afin que le premier foyer (FA2) du second réflecteur (RE2) soit confondu avec le second foyer (FBI) du premier réflecteur (RE1). 8 - Dispositif conforme à l'une quelconque des revendications 1 à 7, caractérisé en ce que l'excentricité du second réflecteur (RE2) est inférieure à 0,3. 9 - Dispositif émetteur conforme à l'une quelconque des revendications 1 à 8, caractérisé en ce que l'ensemble (EC) des sources rayonnantes, le centre du second réflecteur (RE2), le centre du premier réflecteur, le second foyer (FB2) du second réflecteur (RE2) et le centre du réflecteur plan (RP) sont situés aux sommets successifs d'un pentagone. - Dispositif émetteur conforme à l'une quelconque des revendications 1 à 9, caractérisé en ce que les sources rayonnantes (Cl, C2, C3) sont en nombre inférieur à dix. 11 - Simulateur d'échos radar, caractérisé en ce qu'il comprend: -un dispositif émetteur hyperfréquence (EH) à plusieurs sources rayonnantes (Cl, C2, C3) conforme à l'une quelconque des revendications 1 à 10 pour convertir des ondes hyperfréquence sphériques rayonnées par lesdites sources en des ondes hyperfréquence sensiblement planes captées par une antenne (AN) de récepteur radar (5) centrée sensiblement sur un second foyer (FB2) du second réflecteur (RE2), et - plusieurs moyens (11, 12, 13, 2, 3, 4) associés respectivement auxdites sources rayonnantes (Cl, C2, C3) pour - 15 - produire des signaux hyperfréquence à émettre (SH) dont les phases et amplitudes sont variables en fonction de caractéristiques d'échos radar prédéterminées. 12 - Simulateur conforme à la revendication 11, caractérisé en ce qu'il comprend des moyens (70, 71) pour modifier les fréquences des signaux hyperfréquence à émettre dans une plage de fréquence prédéterminée. 13 - Simulateur conforme à la revendication 11 ou 12, caractérisé en ce que lesdits plusieurs moyens pour produire (11, 12, 13, 2, 3, 4) comprennent en commun un calculateur (3) synchronisé par un signal de référence (SR) à basse fréquence transmis par le récepteur radar (5) et ayant mémorisé lesdites caractéristiques d'échos radar pour établir les phases et amplitudes des signaux à émettre (SH) en fonction desdites caractéristiques et des moyens (2) recevant le signal de référence pour engendrer une porteuse à haute fréquence (P), et en ce que chacun des moyens pour produire (11, 12, 13) comprend des moyens (6) recevant ladite porteuse (P) et ledit signal de référence (SR) pour moduler en phase le signal de référence par ladite première porteuse en fonction de la phase établie par le calculateur (3), et pour modifier l'amplitude du signal de modulation modulé en phase en fonction de l'amplitude établie par le calculateur (3) afin de produire un premier signal à haute fréquence intermédiaire (FI1,) et des moyens (4, 7) pour transposer en fréquence ledit premier signal (FI1) en un signal hyperfréquence (SH) à émettre par la source rayonnante respective (Cl, C2, C3). 14 - Simulateur conforme à la revendication 13, caractérisé en ce que lesdits moyens pour transposer (7) comprennent des premiers moyens (70, 71) pour transposer en fréquence ledit premier signal à haute fréquence intermédiaire (FI1) en un second signal à hyperfréquence intermédiaire (F12) ayant une fréquence égale à la somme de la haute fréquence de ladite porteuse (P) et de l'hyperfréquence d'un signal sélectionné par un synthétiseur de fréquence (70), et des seconds moyens (4, 74) pour transposer en fréquence ledit second signal à hyperfréquence intermédiaire (FI2) en ledit signal hyperfréquence à émettre (SH) dont la fréquence est égale à la somme de l'hyperfréquence du second signal et de - 16 l'hyperfréquence d'un signal pilote (SP) produit par des moyens de verrouillage de phase (4) calé sur ledit signal de référence (SR). - Simulateur conforme à la revendication 13 ou 14, caractérisé en ce que les moyens de verrouillage de phase (4) sont communs auxdits plusieurs moyens pour produire des signaux hyperfréquence (11, 12, 13, 2, 3, 4) et comprennent un oscillateur à diode Gunn (41) recevant le signal de référence (SR), suivi d'un amplificateur à diode Impatt (42) produisant le signal pilote hyperfréquence (SP).