FR 2895562 A1 20070629 FR 0554110 A 20051227 PROCEDE DE RELAXATION D'UNE COUCHE MINCE CONTRAINTE DESCRIPTION DOMAINE TECHNIQUE L'invention concerne un procédé de relaxation d'une couche mince contrainte. Elle concerne en particulier le domaine des semi-conducteurs et notamment les couches minces obtenues par épitaxie. ÉTAT DE LA TECHNIQUE ANTÉRIEURE Les composants microélectroniques et optoélectroniques sont maintenant réalisés à partir de combinaisons de matériaux monocristallins élaborés par des techniques d'épitaxie. Les techniques d'épitaxie modernes permettent de préparer et de combiner des matériaux de très grande pureté présentant des propriétés proches de leurs performances théoriques idéales. Toutefois, un certain nombre de verrous technologiques subsistent entravant le plein développement de ces techniques. En effet, dans le cas des applications à l'optoélectronique, les alliages semi-conducteurs couvrent un très large domaine de composition et donc de longueurs d'ondes associées et d'applications. Cependant, le caractère monocristallin des substrats et l'utilisation des techniques d'épitaxie conduisent à des limitations intrinsèques contraignantes puisqu'il ne sera possible à priori de ne combiner que des matériaux présentant des paramètres de maille identiques ou très voisins. En fait, en fonction des substrats disponibles, seuls d'étroits domaines de composition peuvent être exploités. La solution souvent adoptée pour contourner ce problème a été de faire croître par hétéroépitaxie des alliages présentant un désaccord de maille sur un substrat standard. Ces alliages sont alors contraints. Au delà d'une épaisseur dite critique (de quelque nm), l'énergie de contrainte provoque la relaxation plastique de la couche épitaxiée. Il en résulte l'apparition de défauts structuraux étendus (faible désaccord) ou une croissance par îlots (fort désaccord). Ce mode de relaxation conduit à une rugosification de la surface et donc à une détérioration des propriétés optiques et électroniques des matériaux. Face à cette situation, le concept de substrat compliant a été proposé par Y.H.LO en 1991 pour permettre de réaliser des couches désaccordées en paramètre de maille. Il s'agit d'un substrat qui va s'adapter au paramètre de maille de la couche que l'on épitaxie sur celui-ci pour éviter une génération de défauts dans cette couche liés à la relaxation des contraintes de désaccord. On peut se référer à ce sujet à l'article New approach to grow pseudomorphic structures over the criticual thickness de Y.H. LO, Appl. Phys. Lett. 59 (18), pages 2311 à 2313, 28 octobre 1991. L'approche originale consiste a considérer un fin substrat, d'épaisseur inférieure à l'épaisseur critique afin d'éviter la relaxation plastique. Ce substrat se déforme élastiquement (sans défauts cristallins) lors de la croissance en répartissant l'énergie élastique entre le substrat et la couche épitaxiale, afin d'adapter progressivement son paramètre de maille à celui de la couche en croissance Il résulte de ce concept que le substrat doit être libre de se déformer Une approche voisine consiste à épitaxier une couche contrainte sur un substrat puis à relaxer cette couche pour permettre une reprise d'épitaxie sans génération de défauts structuraux. La relaxation a lieu avant la reprise d'épitaxie. Cette relaxation peut être obtenue par différents procédés comme la sousgravure (voir l'article High-quality fully relaxed Ino5Gao.s5As layers grown on InP using the paramorphic approach de J.F. DAMLENCOURT et al., Appl. Phys. Lett. 75 (23), pages 3638 à 3640, 8 décembre 1999) ou un collage sur une couche visqueuse (voir l'article Strain relaxation of SiGe islands on compliant oxide de H. YIN et al., J. Appl. Phys., Vol.91, No. 12, pages 9716 à 9722, 15 juin 2002). Cette dernière approche est la plus prometteuse. L'article cité de YIN et al. divulgue son application par l'utilisation d'un verre de borophosphosilicate (BPSG). L'article Feasibility of III-V on-silicon strain relaxed substrates de M. KOSTRZEWA et al., Journal of Crystal Growth 275 (2005), pages 157 à 166 divulgue son application par l'utilisation d'une cire. La couche contrainte une fois libérée du substrat initial sur lequel elle a été épitaxiée, se relaxe grâce à la viscosité d'un substrat support sur lequel elle a été transférée et après que le substrat initial ait été éliminé. Cette relaxation a lieu par formation d'ondulations en surface. Or, la relaxation par ondulations peut présenter des inconvénients majeurs. En fonction de leur amplitude et de leur longueur d'onde, elle peut conduire à une rugosification de surface de la couche épitaxiale en raison du champ de déformation non homogène qu'elle génère en surface du matériau. Il est donc nécessaire de développer une technique pour supprimer ces ondulations. EXPOSÉ DE L'INVENTION La présente invention a été conçue dans le 15 but de supprimer les ondulations provoquées lors de la relaxation d'une couche mince contrainte. Elle consiste en un procédé de relaxation d'une couche mince contrainte, solidaire par une première face principale d'un support initial, la 20 deuxième face principale de la couche mince étant dite face de contact, le procédé comprenant les étapes successives suivantes . - fourniture d'un support intermédiaire comprenant une couche de polymère reposant, par l'une 25 de ses faces principales, sur un substrat, et dont l'autre face principale est dite face de contact, le coefficient de dilatation thermique du polymère étant supérieur à celui de la couche mince, - mise en contact adhérent de la face de 30 contact de la couche mince contrainte avec la face de contact de la couche de polymère, élimination du support initial, provoquant ainsi la relaxation de la couche mince par formation d'ondulations et révélant la première face principale de la couche mince, - augmentation de la température de la couche de polymère afin d'étirer la couche mince relaxée et de supprimer les ondulations, solidarisation de la première face principale de la couche mince avec une face d'un substrat de réception, - élimination du support intermédiaire pour obtenir une couche mince relaxée solidaire du substrat de réception. Selon un mode préféré de réalisation, l'étape de fourniture d'un support intermédiaire comprend le dépôt d'une couche dudit polymère à l'état liquide sur ledit substrat, puis sa polymérisation. Le polymère à l'état liquide peut être déposé sur une face du substrat comportant des cales de positionnement de la couche dudit polymère. Les cales de positionnement peuvent être réalisées dans le même polymère que celui de la couche de polymère. Avantageusement, la couche de polymère à l'état liquide déposée sur ledit substrat est planarisée par mise en contact de la face libre de la couche de polymère à l'état liquide avec une face d'un substrat de planarisation. La face du substrat de planarisation peut comprendre un film de résine. Le substrat de planarisation peut être éliminé après la polymérisation. L'élimination du substrat de planarisation peut être réalisée par séparation au moyen d'une lame insérée entre la couche de polymère et le substrat de planarisation. Selon un mode de réalisation, la face de contact de la couche mince contrainte et la face de contact de la couche de polymère sont mises en contact adhérent par polymérisation d'un film de polymère interposé entre les faces de contact ou par collage moléculaire. Le support initial peut être éliminé chimiquement ou mécaniquement. Selon un mode particulier de réalisation, la solidarisation de la première face principale de la couche mince avec une face d'un substrat de réception est réalisée par collage moléculaire. L'élimination du support intermédiaire peut se faire en éliminant d'abord le substrat du support intermédiaire, puis en éliminant la couche de polymère. Le substrat du support intermédiaire peut être éliminé par séparation au moyen d'une lame insérée entre lui- même et la couche de polymère. La couche de polymère peut être éliminée mécaniquement ou chimiquement. La couche mince contrainte peut être une couche en un premier matériau semi-conducteur obtenue par hétéro-épitaxie sur un support initial en un deuxième matériau semi-conducteur. BRÈVE DESCRIPTION DES DESSINS L'invention sera mieux comprise et d'autres avantages et particularités apparaîtront à la lecture de la description qui va suivre, donnée à titre d'exemple non limitatif, accompagnée des dessins annexés constitués par les figures 1A à 1G qui sont des vues en coupe transversale illustrant un exemple de mise en oeuvre du procédé selon l'invention. EXPOSÉ DÉTAILLÉ DE MODES DE RÉALISATION PARTICULIERS Dans l'exemple de réalisation qui va maintenant être décrit, le polymère utilisé est du polydiméthylsiloxane ou PDMS. Cependant, tout autre polymère possédant des propriétés similaires peut être utilisé. Les propriétés requises sont une souplesse suffisante pour obtenir la relaxation de la couche contrainte, même pour une couche de polymère de forte épaisseur, et un coefficient de dilatation thermique suffisamment supérieur à celui du matériau constituant la couche contrainte. La couche de polymère permet ainsi d'absorber les contraintes de relaxation de la couche contrainte qui lui sera solidarisée. La figure 1A représente un premier substrat 1, par exemple en silicium, sur lequel on a déposé une couche de PDMS 2 à l'état liquide. Le polymère étant un matériau visqueux à l'état liquide, l'étalement se fait spontanément. Le polymère peut également être déposé en plusieurs fois à l'aide d'une tournette. Afin d'obtenir une bonne homogénéité de la couche de polymère, il est préférable, préalablement à son dépôt, de positionner des cales sur la surface du substrat 1 afin de mieux maîtriser l'épaisseur du polymère déposé. Ces cales, par exemple des plots régulièrement répartis à la surface du substrat 1, sont représentées sur la figure 1B sous la référence 3. Elles peuvent être en tout matériau approprié. Cependant, l'utilisation de cales en PDMS, déjà polymérisé, permet de les englober dans la couche de polymère 2. Un deuxième substrat, par exemple en silicium, présentant une face de très bonne planéité est ensuite utilisé. Une fine couche (ou film) de résine est déposée sur la face de très bonne planéité du deuxième substrat. Le deuxième substrat, référencé 4 sur la figure 1B, est ensuite déposé sur les cales 3 afin d'homogénéiser en épaisseur la couche de polymère 2, la couche de résine 5 se trouvant en contact avec la couche de polymère 2. La couche de résine 5 sert à faciliter l'enlèvement du substrat 4 une fois que l'on aura, dans une étape ultérieure, polymérisé la couche de PDMS 2. Ensuite, on procède à la polymérisaton du polymère de la couche 2 au moyen d'un recuit. La polymérisation a lieu à l'aide d'un précurseur mélangé au polymère. Elle peut se faire à différentes températures, par exemple à température ambiante pendant 48 heures ou à 150 C pendant 10 minutes. Le substrat 4 est ensuite retiré, par exemple en insérant une lame entre le substrat 4 et la couche 2 polymérisée. La couche de résine 5 facilite le décollement du substrat 4. On obtient ainsi une structure, dite support intermédiaire, comprenant le substrat 1 supportant la couche de polymère 2. Le support intermédiaire, référencé 6 (voir la figure 1C), reçoit alors une structure 7 comprenant une fine couche contrainte 8 épitaxiée sur un troisième substrat 9 (semi-conducteur III-V ou autre), la couche contrainte 8 étant en regard de la couche de polymère 2. La structure 7 est rendue solidaire du support intermédiaire 6. La solidarisation peut être obtenue par polymérisation d'un film de polymère préalablement déposée sur la couche contrainte. Elle peut aussi être obtenue par collage moléculaire. Le substrat 9 est ensuite éliminé. L'élimination peut être obtenue chimiquement (par gravure sélective sèche ou humide) ou mécaniquement. La couche contrainte 8 se relaxe alors sur la couche de polymère 2 et sur les cales 3 dans l'exemple représenté. Cette relaxation s'effectue par formation d'ondulations (voir la figure 1D). On peut se référer à ce propos à l'article de S. PERICHON LACOUR et al., intitulé Stretchable gold conductors on elastomeric substrates , Appl. Phys. Lett., Vol. 82, No. 15, 14 avril 2003, pages 2404 à 2406. L'étape suivante du procédé selon l'invention est basée sur le fait que le coefficient de dilatation du polymère est suffisamment supérieur à celui de la couche contrainte. Le polymère est monté en température, par exemple en plaçant l'ensemble illustré par la figure 1D sur une plaque chauffante à une température adéquate pour que la dilatation du PDMS entraîne la couche contrainte ondulée 8. Celui-ci se tend alors en supprimant ainsi les ondulations (voir la figure 1E). Un quatrième substrat 10, de type standard (en silicium par exemple), est collé sur la couche 8 maintenant étirée. Le collage peut être un collage moléculaire (voir la figure 1F). La température est avantageusement maintenue pendant ce collage afin d'éviter le retour des ondulations en cas de refroidissement. Le collage du substrat 10 sur la couche 8 permet de maintenir la couche 8 étirée lors du refroidissement. Le support intermédiaire 6 est retiré. Pour obtenir ce résultat, on peut retirer d'abord le substrat 1, par exemple par insertion d'une lame entre le substrat 1 et le polymère formant la couche 2 et les cales 3. Le polymère peut ensuite être éliminé mécaniquement ou chimiquement, par gravure sélective sèche ou humide. On obtient une couche 8 relaxée, sans ondulation, prête à une reprise d'épitaxie et reportée sur un substrat standard 10 (voir la figure 1G). La couche de PDMS peut avoir une épaisseur de l'ordre du millimètre. La couche contrainte 8 peut être constituée d'InGaAs contraint à 0,8% en compression sur un substrat 9 en InP. L'épaisseur de la couche 8 peut être de l'ordre de la centaine de A. L'épaisseur dépend de la contrainte. La couche 8 peut être collée sur le support intermédiaire 6 à l'aide d'une fine couche de PDMS de quelques dizaines de pm d'épaisseur, déposée à la tournette sur la couche contrainte. Cette pellicule de collage peut également être polymérisée à température ambiante pendant 48 heures. Afin d'obtenir la relaxation, le substrat 9 en InP peut être gravé chimiquement de façon sélective à l'aide d'une solution d'HCl. Dans le cas d'une couche de InGaAs contrainte en compression à 0,8%, la température nécessaire à la dilatation du polymère pour obtenir une couche sans ondulation est d'environ 150 C. Le PDMS adhérant à la couche 8 peut être retiré par simple pelage. REVENDICATIONS 1. Procédé de relaxation d'une couche mince contrainte (8), solidaire par une première face principale d'un support initial (9), la deuxième face principale de la couche mince (8) étant dite face de contact, le procédé comprenant les étapes successives suivantes . - fourniture d'un support intermédiaire (6) comprenant une couche de polymère (2) reposant, par l'une de ses faces principales, sur un substrat (1), et dont l'autre face principale est dite face de contact, le coefficient de dilatation thermique du polymère étant supérieur à celui de la couche mince (8), -mise en contact adhérent de la face de contact de la couche mince contrainte (8) avec la face de contact de la couche de polymère (2), -élimination du support initial (9), provoquant ainsi la relaxation de la couche mince (8) par formation d'ondulations et révélant la première face principale de la couche mince, - augmentation de la température de la couche de polymère (2) afin d'étirer la couche mince relaxée (8) et de supprimer les ondulations, - solidarisation de la première face principale de la couche mince (8) avec une face d'un substrat de réception (10), -élimination du support intermédiaire (6) pour obtenir une couche mince (8) relaxée solidaire du substrat de réception (10). 2. Procédé selon la revendication 1, caractérisé en ce que l'étape de fourniture d'un support intermédiaire comprend le dépôt d'une couche dudit polymère à l'état liquide sur ledit substrat, puis sa polymérisation. 3. Procédé selon la revendication 2, caractérisé en ce que ledit polymère à l'état liquide est déposé sur une face du substrat comportant des cales de positionnement (3) de la couche dudit polymère. 4. Procédé selon la revendication 3, caractérisé en ce que les cales de positionnement 3 sont réalisées dans le même polymère que celui de la couche de polymère (2). 5. Procédé selon l'une quelconque des revendications 2 à 4, caractérisé en ce que la couche de polymère (2) à l'état liquide déposée sur ledit substrat (1) est planarisée par mise en contact de la face libre de la couche de polymère à l'état liquide avec une face d'un substrat de planarisation (4). 6. Procédé selon la revendication 5, caractérisé en ce que ladite face du substrat de planarisation (4) comprend un film de résine (5). 7. Procédé selon l'une des revendications 5 ou 6, caractérisé en ce que le substrat deplanarisation (4) est éliminé après ladite polymérisation. 8. Procédé selon la revendication 7, caractérisé en ce que l'élimination du substrat de planarisation (4) est réalisée par séparation au moyen d'une lame insérée entre la couche de polymère (2) et le substrat de planarisation (4). 9. Procédé selon l'une quelconque des revendications 1 à 8, caractérisé en ce que le polymère de ladite couche de polymère (2) est du polydiméthylsiloxane (PDMS). 10. Procédé selon l'une quelconque des revendications 1 à 9, caractérisé en ce que la face de contact de la couche mince contrainte (8) et la face de contact de la couche de polymère (2) sont mises en contact adhérent par polymérisation d'un film de polymère interposé entre les faces de contact ou par collage moléculaire. 11. Procédé selon l'une quelconque des revendications 1 à 10, caractérisé en ce que le support initial (9) est éliminé chimiquement ou mécaniquement. 12. Procédé selon l'une quelconque des revendications 1 à 11, caractérisé en ce que la solidarisation de la première face principale de la couche mince (8) avec une face d'un substrat de réception (10) est réalisée par collage moléculaire. 15 13. Procédé selon l'une quelconque des revendications 1 à 12, caractérisé en ce que l'élimination du support intermédiaire (6) se fait en éliminant d'abord le substrat (1) du support intermédiaire, puis en éliminant la couche de polymère (2). 14. Procédé selon la revendication 13, caractérisé en ce que le substrat (1) du support intermédiaire est éliminé par séparation au moyen d'une lame insérée entre lui-même et la couche de polymère (2). 15. Procédé selon la revendication 13, caractérisé en ce que la couche de polymère (2) est éliminée mécaniquement ou chimiquement. 16. Procédé selon l'une quelconque des revendications 1 à 15, caractérisé en ce que la couche mince contrainte (8) est une couche en un premier matériau semi-conducteur obtenue par hétéro-épitaxie sur un support initial (9) en un deuxième matériau semi-conducteur.25