FR 2891065 A1 20070323 FR 0605774 A 20060627 Procédés et système permettant d'empêcher la formation de défaut en lithographie par immersion La lithographie par immersion implique typiquement l'application d'un enduit de résine photosensible sur une surface supérieure (par exemple, une pile de pellicules fines) d'une plaquette à semiconducteur, puis l'exposition ensuite de la résine photosensible à un motif. Lors de l'exposition, on peut utiliser de l'eau déionisée (DI) pour remplir l'espace entre la lentille d'exposition et la surface du resist afin d'augmenter la fenêtre de la profondeur de foyer (DOF). Au moins un étuvage après exposition et/ou d'autres procédés peuvent ensuite être réalisés, notamment pour permettre l'adhésion de la résine photosensible exposée (par exemple lorsque la résine photosensible comprend une substance à base de polymère), afin de densifier le polymère, et/ou d'évaporer tout solvant, parmi d'autres objectifs possibles. Une chambre de développement peut ensuite être utilisée pour retirer le polymère exposé, qui peut être soluble dans une solution révélatrice aqueuse, éventuellement après l'application d'hydroxyde tétraméthylammonium (TMAH). Un rinçage à l'eau DI peut ensuite être appliqué pour retirer le polymère soluble dans l'eau ou toute autre résine photosensible dissoute, et un procédé de séchage rotatif peut être utilisé pour sécher la plaquette. La plaquette exposée et développée peut ensuite être transférée pour des opérations de traitement ultérieures, bien que cela soit possible après un étuvage supplémentaire pour évaporer l'humidité sur la surface du resist. L'appareil de lithographie par immersion peut comprendre une chambre DI de scanner par immersion, qui peut inclure un système de lentilles, un système de support d'eau DI autour de la lentille, un système de capteurs et/ou un système de porte-plaquette, parmi d'autres composants possibles. Des parties de l'appareil de lentille peuvent être composées de silice, de dioxyde de silicium et/ou de matériaux similaires, et/ou peuvent avoir au moins une couche de silice, de dioxyde de silicium et/ou de matériaux similaires appliqués sur celles-ci. Le système étagé peut se composer d'un alliage d'aluminium, de silice, de silicium, de magnésium, de zinc, de phosphore et/ou d'oxygène. La surface du système de capteurs peut être enduite avec du nitrure de titane. Le système de support d'eau DI peut se composer d'acier inoxydable. L'appareil/procédé susmentionné peut rencontrer plusieurs problèmes. Par exemple, le potentiel zêta de la surface du resist peut être d'environ 40 mV à un pH = 7 (le potentiel zêta peut faire référence au potentiel électrique qui existe sur l'intégralité de l'interface d'un solide et d'un liquide, ou le potentiel d'une surface solide en interaction avec un élément environnant présentant une composition chimique spécifique, et peut également faire référence à un potentiel électrocinétique). Par conséquent, si le fluide DI d'immersion contient des contaminants, les contaminants peuvent adhérer à la surface du resist. De même, la silice, le dioxyde de silicium, ou tout autre matériau similaire de la lentille et/ou de l'appareil de lentille peut avoir un potentiel zêta d'environ 25 mV, qui peut être plus faible que celui de la surface du resist, ce qui peut éventuellement attirer des contaminants. Le matériau en alliage du porte-plaquette peut contenir au moins un élément ou un composant en aluminium qui peut avoir un potentiel zêta de +40 mV, de telle sorte que ses surfaces peuvent adhérer facilement aux particules à potentiel zêta négatif. L'acier inoxydable du système de support d'eau DI peut également avoir un potentiel zêta positif, de telle sorte que des particules à potentiel zêta négatif peuvent adhérer à celui-ci. Les aspects de la présente description seront mieux compris à partir de la description détaillée suivante lue avec les figures jointes. Il faut noter que, selon la pratique standard dans le domaine, plusieurs détails peuvent ne pas avoir été représentés à l'échelle. En fait, les grandeurs des différents détails peuvent être augmentées ou réduites de façon arbitraire pour faciliter la compréhension. Les figures 1 et 2 sont des vues en coupe d'une plaquette traitée par des procédés/appareils de lithographie par immersion classiques. La figure 3 illustre plusieurs défauts exemplaires sur une plaquette qui peuvent résulter de procédés/appareils de lithographie par immersion classiques. Les figures A-F représentent une relation entre le potentiel zêta et le pH pour plusieurs compositions/plaquettes. La figure 4 représente un angle de contact d'environ 20 degrés d'un fluide tel que l'eau déionisée sur une 30 surface enduite avec du dioxyde de silicium. La figure 5 représente un angle de contact d'environ 90 degrés d'un fluide tel que l'eau déionisée sur une surface enduite avec du PTFE ou du polytétrafluoroéthylène. Les figures 6 et 7 sont des vues en coupe d'une plaquette traitée par des procédés/appareils de lithographie par immersion classiques. Les figures 8 et 9 sont des vues en coupe d'une plaquette traitée par un mode de réalisation de l'appareil de lithographie par immersion selon des aspects de la présente invention. La figure 10 est un organigramme d'au moins une partie d'un mode de réalisation d'un procédé permettant de mettre en oeuvre un procédé de lithographie par immersion ayant un défaut réduit selon les aspects de la présente invention. Il faut comprendre que la description suivante fournit plusieurs modes de réalisation, ou exemples, permettant de mettre en oeuvre différentes caractéristiques de plusieurs modes de réalisation. Les exemples spécifiques des composants et agencements sont décrits ci-dessous pour simplifier la présente description. Il s'agit évidemment de simples exemples qui ne visent en aucun à être restrictifs. En outre, la présente description peut répéter des numéros de référence et/ou lettres dans plusieurs exemples. Cette répétition sert à introduire plus de simplicité et de clarté et ne dicte en aucun cas une relation entre les différents modes de réalisation et/ou configurations traitées. En outre, la formation d'une première caractéristique sur une deuxième caractéristique dans la description qui suit peut inclure des modes de réalisation dans lesquels les première et deuxième caractéristiques sont formées en contact direct, et peuvent également inclure des modes de réalisation dans lesquels les caractéristiques supplémentaires peuvent être formées, qui intercalent les première et deuxième caractéristiques, de telle sorte que les première et deuxième caractéristiques peuvent ne pas être en contact direct. Les figures 1 et 2 illustrent des vues en coupe d'un appareil de lithographie par immersion 100 classique dans lequel différentes régions d'une plaquette à semiconducteur 110 sont soumises à un traitement de lithographie par immersion. La plaquette à semiconducteur 110 peut inclure un substrat et une couche de formation des motifs. Le substrat peut inclure au moins une couche, incluant des couches multiples, des couches métalliques, et/ou des couches diélectriques, dans lesquelles on doit former des motifs. La couche de formation des motifs peut être une couche de résine photosensible (resist) qui est réactive à un procédé d'exposition permettant de créer des motifs. L'exemple illustré de l'appareil de lithographie par immersion 100 inclut un système de lentilles 122, une structure 124 permettant de contenir un fluide d'immersion 126 tel que de l'eau déionisée, plusieurs ouvertures 128 à travers lesquelles le fluide peut être ajouté ou retiré, et un porte-plaquette 130 et une plaque de fixation 132 (telle qu'un mandrin, et qui peut être formé d'un seul tenant avec le porte-plaquette 130) permettant de fixer et de déplacer la plaquette 110 par rapport au système de lentilles 122. La structure contenant le fluide d'immersion 124 et le système de lentilles 122 constituent une tête d'immersion 120a. La tête d'immersion 120a peut utiliser certaines des ouvertures 128 comme lame d'air qui peut purger l'air dans la plaquette pour permettre le séchage, et d'autres ouvertures permettant de retirer tout fluide purgé. La lame d'air peut être insuffisante pour purger l'ensemble du fluide d'immersion 126 à partir de la plaquette 110. La figure 3 inclut une vue de dessus de la plaquette 110 après un traitement de lithographie par immersion classique, tel qu'un traitement dans l'appareil 100 montré sur les figures 1 et 2. La figure 3 inclut également plusieurs vues détaillées des défauts 150 qui peuvent se former sur la plaquette 110 lors du traitement dans l'appareil 100. Les défauts peuvent représenter des filigranes, des résidus ou des particules étrangères dans le resist modelé, ou peuvent représenter la déformation ou des orifices (motifs manquants) dans le resist. D'autres types de défauts peuvent également exister. Il faut noter que si l'étuvage après exposition (PEB) augmente en termes de durée ou de température pour retirer le défaut de type filigrane, la probabilité de particules étrangères et/ou d'autres défauts peut augmenter. Les figures 6 et 7 sont des vues en coupe supplémentaires de l'appareil 100 montré sur les figures 1 et 2 et de la plaquette 110 montrée sur les figures 1 à 3. Comme décrit ci-dessus, la composition ou les caractéristiques de surface d'au moins un composant de l'appareil 100 peuvent avoir une affinité pour adhérer aux contaminants. Par exemple, la composition de silice ou de dioxyde de silicium de le porte- plaquette 130 peut avoir un angle de contact relativement faible (voir la figure 4) ou être hydrophile, tel que des matières particulaires, des gouttes d'eau 155 (contenant éventuellement des matières particulaires), et/ou autres contaminants peuvent adhérer aux surfaces du porte- plaquette 130. La composition, l'angle de contact, l'affinité par rapport à l'eau, et/ou tout autre aspect du porte-plaquette 130, de la plaque de fixation 132, de la lentille 122, de la structure 124, et/ou tout autre composant de l'appareil 100 peut amener de façon similaire les surfaces à être enclines à l'adhérence des contaminants. Les figures 8 et 9 illustrent des vues en coupe d'au moins une partie d'un mode de réalisation de l'appareil 200 selon les aspects de la présente description. L'appareil 200 peut être sensiblement similaire aux modes de réalisation de l'appareil 100 montré sur les figures 1, 2, 6 et 7. Cependant, dans l'appareil 200, un enduit, un revêtement ou toute autre couche 210 existe sur au moins une surface d'au moins un composant de l'appareil 200. Par exemple, au moins une surface de la lentille 122 peut inclure l'enduit 210. Selon un mode de réalisation, plusieurs ou l'ensemble des surfaces de la lentille 122 incluent l'enduit 210, à l'exception éventuellement des surfaces (par exemple, supérieure et inférieure) à travers lesquelles se propage la lumière d'exposition. Au moins une surface du porte-plaquette 130, de la plaque de fixation 132, de la structure contenant le fluide d'immersion 124, et/ou des ouvertures 128 peut également ou selon d'autres possibilités inclure l'enduit 210. Dans un mode de réalisation, toutes les surfaces de l'ensemble des composants de l'appareil 200 qui peuvent entrer en contact avec le fluide d'immersion 126 (à l'exception éventuellement des surfaces de propagation de la lumière des lentilles 122) peuvent inclure l'enduit 210. L'enduit 210 peut comprendre au moins une couche de dioxyde de silicium, de polytétrafluoroéthylène ( PTFE , ou TEFLON comme fourni par DuPont Corp.), de fluorure, de polyéthylène, de polychlorure de vinyle, de polymères d'au moins l'un de tels matériaux, d'alliages d'au moins l'un de ces matériaux, de combinaisons contenant au moins l'un de ces matériaux, et/ou d'autres polymères, parmi d'autres compositions entrant dans la portée de la présente description. L'enduit 210 peut être désigné comme 2891065 8 enduction hydrophile car il fournit une mouillabilité améliorée. En variante ou en complément, l'enduction peut être désignée comme une enduction d'adhésion réduite des contaminants car elle réduit l'adhérence des contaminants dans l'eau sur la surface correspondante. L'enduit 210 peut être formé sur les surfaces des composants de l'appareil 200 grâce au moins un procédé de la pluralité de procédés à venir et/ou classiques, tels que le dépôt chimique en phase vapeur (CVD), le trempage, le brossage, la pulvérisation, l'estampage, le moulage, le collage, l'enduction par rotation, le dépôt électrolytique, et autres. L'épaisseur de l'enduit 210 peut varier dans les limites de la portée de la présente invention. En outre, l'épaisseur, la composition, le(les) procédé(s) d'application et/ou autres aspects de l'enduit 210 peuvent varier à l'intérieur d'un seul mode de réalisation. Par exemple, l'épaisseur et la composition de l'enduit 210 sur un composant de l'appareil 200 peuvent varier en fonction de l'épaisseur et de la composition de l'enduit sur un autre composant de l'appareil 200. Comme illustré dans le mode de réalisation montré sur les figures 8 et 9, l'appareil 200 peut également inclure au moins un capteur ou un système de capteurs (dénommé ci-après collectivement capteur ) 160. Le capteur 160 peut être configuré pour détecter les niveaux de contamination du fluide d'immersion 126, des agents de rinçage et/ou d'autres fluides/gaz, les nombres de cycles d'exposition, les nombres de cycles de remplissage et d'évacuation de la structure contenant le fluide d'immersion 124, les niveaux de contamination du substrat 110, et/ou d'autres caractéristiques, qualités, mesures, ou aspects, qui peuvent être employés pour évaluer le besoin en nettoyage, filtrage, maintenance et/ou remplacement des composants de l'appareil 200 et/ou des sources de fluides/gaz (telles que la source de fluide d'immersion). Le capteur 160 peut être couplé à ou formé d'un seul tenant avec la structure contenant le fluide d'immersion 124, comme dans le mode de réalisation illustré. Cependant, le capteur 160 peut, en variante ou en complément, être intégré, ou couplé directement ou indirectement, à un autre composant de l'appareil 200, tel que le porte-plaquette 130, la tête d'immersion 120a, et/ou la plaque de fixation 132, parmi d'autres composants. Le capteur 160 peut également inclure l'enduit extérieur 210. La figure 10 illustre un organigramme d'au moins une partie d'un mode de réalisation d'un procédé 300 de lithographie par immersion selon les aspects de la présente invention. A l'étape 304, un resist est formé sur la surface d'un substrat de plaquette. Le resist peut être un resist négatif ou positif et peut être formé à partir d'un matériau connu à l'heure actuelle ou mis au point ultérieurement à cette fin. Par exemple, le resist peut être un système de resist à un, deux ou plusieurs composants. L'application du resist peut être effectuée par enduction par rotation ou toute autre procédure appropriée. Avant d'appliquer le resist, la plaquette peut être tout d'abord traitée pour la préparer au procédé de photolithographie. Par exemple, la plaquette peut être nettoyée, séchée et/ou enduite avec un matériau favorisant l'adhésion avant l'application du resist. A l'étape 306, l'étape d'exposition par immersion est réalisée. La plaquette et le resist sont immergés dans un liquide d'exposition par immersion tel que de l'eau déionisée, puis exposés à une source de radiation à travers une lentille. La source de radiation peut être une source lumineuse à ultraviolet, par exemple un fluorure au krypton (KrF, 248 nm), un fluorure d'argon (ArF, 193 nm) ou un laser à excimère F2 (157 nm). La plaquette est exposée au rayonnement pendant une période prédéterminée qui dépend du type de resist utilisé, de l'intensité de la source lumineuse à ultraviolet, et/ou d'autres facteurs. La durée d'exposition peut être comprise entre environ 0,2 seconde et environ 30 secondes, par exemple. A l'étape 308, un procédé de séchage est réalisé. Le procédé de séchage peut être réalisé in situ avec l'étape de traitement précédente ou suivante, ou peut être réalisé dans une chambre séparée. Au moins un procédé de séchage peut être utilisé individuellement ou dans plusieurs combinaisons. Par exemple, au moins un liquide peut être ajouté dans le procédé de séchage, tel que du CO2 supercritique, de l'alcool (par exemple, du méthanol, de l'éthanol, de l'isopropanol (IPA), et/ou du xylène), des tensioactifs, et/ou de l'eau claire déionisée. Selon une autre possibilité, ou en outre, au moins un gaz peut être ajouté lors de l'étape de séchage 308, tel que de l'air sec condensé/pur (CDA), le N2, ou Ar pour un procédé de séchage par purge. Le traitement à vide et/ou le traitement de séchage rotatif peut être utilisé en variante ou en complément pour faciliter le séchage. Le traitement de séchage rotatif fonctionne particulièrement bien en association avec au moins l'un des procédés de séchage susmentionnés, et peut être réalisé in situ. Par exemple, un rinçage à l'eau déionisée peut être dispensé à travers une buse pour dissoudre et/ou nettoyer toute goutte de fluide sale, soit seul soit suivi immédiatement par un procédé de séchage rotatif. A l'étape 310, la plaquette avec le resist exposé et sec est chauffée pour un étuvage après exposition (PEB) pour dissolution de polymère. Cette étape laisse l'acide photo exposé réagir avec le polymère et permet la dissolution du polymère. La plaquette peut être chauffée à une température comprise entre environ 85 C et environ 150 C, éventuellement pendant une durée comprise entre environ 30 secondes et environ 200 secondes, bien que d'autres températures et durées soient également possibles dans la limite de la portée de la présente invention. Dans certains modes de réalisation, l'étape PEB 310 peut être précédée d'un premier étuvage à température plus faible (par exemple, 80 % de la température décrite ci-dessus), ce qui peut faciliter le retrait d'une partie du fluide existant de la plaquette. A l'étape 312, un procédé de développement du motif est réalisé sur le resist exposé (positif) ou non exposé (négatif) pour obtenir le motif de masque souhaité. Dans certains modes de réalisation, la plaquette est immergée dans un liquide révélateur pendant une période prédéterminée au cours de laquelle une partie du resist est dissoute et retirée. La plaquette peut être immergée dans la solution révélatrice pendant environ 5 à environ 60 secondes, par exemple. La composition de la solution révélatrice dépend de la composition du resist et est bien connue dans l'art. Le procédé 300 peut également inclure au moins une étape de nettoyage 302 avant l'étape de formation de resist 304 et/ou au moins une étape de nettoyage 314 après l'étape de développement 312. Par exemple, de telle(s) étape(s) facultatives peut/peuvent inclure le nettoyage d'au moins une partie d'au moins l'un du porte-plaquette, du support de fluide d'immersion (par exemple, de l'eau DI), d'un capteur, de la lentille et d'un autre composant de l'appareil d'exposition par immersion. Le nettoyage peut utiliser une solution de nettoyage chimique incluant au moins de l'ammonium, du peroxyde d'hydrogène, de l'ozone, de l'acide sulfureux, et des compositions de ceux-ci. En variante ou en complément, le nettoyage peut utiliser une solution de tensioactif incluant au moins l'un d'un tensioactif ionique et l'un d'un tensioactif non ionique. Les étapes de nettoyage 302 et/ou 314 peu(ven)t être réalisée(s) entre chaque exposition, ou en fonction des besoins. Les étapes de nettoyage 302 et/ou 314 peu(ven)t, en variante ou en complément, être réalisée(s) à des intervalles réguliers, notamment après un nombre prédéterminé de plaquettes traitées par la lentille, un nombre prédéterminé de cycles de remplissage et d'évacuation du support de fluide d'immersion, ou d'un nombre plus déterminé d'expositions avec la lentille. Les étapes de nettoyage 302 et/ou 314 peu(ven)t, en variante ou en complément, être réalisée(s) lorsqu'une mesure, caractéristique, un aspect ou une valeur détecté(e) par un capteur dépasse un seuil prédéterminé, est inférieur(e) à un seuil prédéterminé, ou satisfait un autre état prédéterminé. Ainsi, la présente description introduit un appareil qui est ou qui inclut un appareil d'exposition par immersion ayant, au moins dans un mode de réalisation, un porte-plaquette, un support de fluide d'immersion (par exemple, de l'eau DI), un capteur et une lentille, parmi d'autres composants possibles. Au moins une partie d'au moins l'un du porteplaquette, du support de fluide d'immersion, de capteur, de lentille et/ou autre composant de l'appareil d'exposition par immersion a un enduit extérieur choisi parmi le groupe consistant en: (i) le dioxyde de silicium; (ii) le PTFE; (iii) le fluorure; (iv) le polyéthylène; (v) le polychlorure de vinyle; (vi) des polymères d'au moins l'un de ces matériaux; (vii) des alliages d'au moins l'un de ces matériaux; (viii) des combinaisons contenant au moins l'un des ces matériaux; (ix) d'autres polymères. Les procédés de fabrication, d'utilisation, de fonctionnement ou de nettoyage d'au moins une partie de ces appareils entrent également dans la portée de la présente invention. Un mode de réalisation d'un appareil configuré selon les aspects de la présente invention inclut une pluralité de composants pouvant fonctionner collectivement ou configurés pour réaliser une lithographie par immersion, où la pluralité de composants inclut au moins l'un d'un porte-plaquette, d'un support de fluide d'immersion (par exemple, de l'eau DI), un capteur, et d'une lentille, parmi d'autres composants possibles. Au moins une partie (par exemple, au moins une surface ou région de ceux-ci) d'au moins l'un de la pluralité de composants a un enduit extérieur configuré pour réduire l'adhésion des contaminants. Par exemple, l'enduit extérieur peut augmenter l'angle de contact des surfaces ayant l'enduit extérieur, augmenter le degré auquel les surfaces ayant l'enduit extérieur sont hydrophiles, et/ou diminuer le degré auquel les surfaces ayant l'enduit extérieur sont hydrophobes. Le présent exposé introduit également un procédé incluant, au moins dans un mode de réalisation, la formation d'une couche de résine photosensible (ou resist) sur un substrat, l'exposition de la couche de résine photosensible en utilisant un appareil d'exposition par immersion, l'étuvage de la couche de résine photosensible exposée, et le développement de la couche de résine photosensible exposée et étuvée. L'appareil d'exposition par immersion inclut un porte-plaquette, un support de fluide d'immersion (par exemple, l'eau DI), un capteur et une lentille. Au moins une partie d'au moins l'un du porte-plaquette, du support de fluide d'immersion, du capteur et de la lentille a un enduit extérieur choisi parmi le dioxyde de silicium, le PTFE, le fluorure, le polyéthylène, le polychlorure de vinyle, les polymères d'au moins l'un de ces matériaux, les alliages d'au moins l'un des ces matériaux, les combinaisons contenant au moins l'un de ces matériaux, et/ou autres polymères. Les modes de réalisation d'un tel procédé peuvent être réalisés pour la lithographie par immersion avec une contamination par défaut réduite. Le procédé peut également inclure le nettoyage d'au moins une partie d'au moins l'un du porte-plaquette, du support d'eau DI, du capteur, de la lentille et/ou d'un autre composant de l'appareil d'exposition par immersion. La présente description fournit également des modes de réalisation d'appareils pouvant fonctionner ou étant configurés pour réaliser au moins une partie d'au moins l'un des procédés susmentionnés. Au moins un aspect d'au moins un mode de réalisation des procédés et/ou appareil à l'intérieur de la portée de la présente invention peut rendre le chambre de lentille d'immersion exempte de toute adhésion néfaste, ou réduire l'adhésion néfaste. Au moins l'un de ces aspects peut, en variante ou en complément, diminuer la contamination croisée parmi la lentille, le resist, les capteurs, le porte-plaquette, et/ou le support de fluide d'immersion. Au moins l'un de ces aspects peut, en variante ou en complément, diminuer la fréquence et/ou la complexité de maintenance de l'appareil. Au moins l'un de ces aspects peut, en variante ou en complément, rendre la surface de resist exempte de tout défaut et/ou de contamination du filigrane, ou réduire les défauts et/ou la contamination du filigrane. Au moins l'un de ces aspects peut, en variante ou en complément, étendre ou faire augmenter la vitesse de balayage d'une plaquette, ce qui améliore éventuellement le débit. Au moins l'un de ces aspects peut, en variante ou en complément, diminuer ou libérer le spec de lessivage élastique. Au moins l'un de ces aspects peut, en variante ou en complément, réduire ou éliminer le besoin de revêtement TAR, et/ou réduire le traitement TARO et le coût associé ainsi que le débit. Bien que les modes de réalisation de la présente invention aient été décrits en détail, les spécialistes de l'art doivent comprendre qu'ils peuvent effectuer différents changements, remplacements et modifications de la présente invention sans s'éloigner de l'esprit de la portée de celle-ci. REVENDICATIONS 1. Procédé de réalisation de lithographie par immersion, comprenant: l'enduction d'au moins une surface dans le système de lithographie par immersion avec un enduit, en contrôlant la propriété hydrophile ou hydrophobe d'au moins l'une des surfaces du système de lithographie par immersion, dans lequel au moins l'une des surfaces sert à contenir un fluide d'immersion; la fourniture du fluide d'immersion au système de lithographie par immersion; la réalisation de la lithographie par immersion sur un substrat enduit de resist en utilisant le système de lithographie par immersion avec au moins une des surfaces enduites hydrophiles. 2. Procédé selon la revendication 1, dans lequel l'enduit est choisi parmi le groupe consistant en: (i) le dioxyde de silicium: (ii) le polytétrafluoroéthylène; (iii) le fluorure; (iv) le polyéthylène; (v) le polychlorure de vinyle; (vi) des polymères d'au moins l'un des matériaux (i) à (v) ci-dessus; (vii) des alliages d'au moins l'un des matériaux (i) à (v) ci-dessus; et (viii) des combinaisons contenant au moins l'un des matériaux (i) à (v) ci-dessus. 3. Procédé selon la revendication 1 dans lequel le système de lithographie par immersion inclut un porte-plaquette, un support de fluide d'immersion, une lentille, et au moins une partie du support de fluide d'immersion est enduite avec l'enduit hydrophile. 4. Procédé selon la revendication 1, dans lequel le système de lithographie par immersion inclut un porte-plaquette, un support de fluide d'immersion, et une lentille, et au moins une partie du support de fluide d'immersion est enduite avec l'enduit hydrophobe. 5. Système de lithographie par immersion comprenant: une chambre contenant un fluide d'immersion incluant une pluralité de surfaces; un fluide d'immersion positionné dans la chambre contenant le fluide d'immersion; un porte-substrat positionné à l'intérieur de la chambre de fluide d'immersion; une lentille; et un enduit à adhésion réduite de contaminant appliqué sur au moins l'une de la pluralité de surfaces. 6. Système de lithographie par immersion selon la revendication 5, dans lequel l'enduit à adhésion réduite de 25 contaminant est choisi parmi le groupe consistant en: (i) le dioxyde de silicium; (ii) le polytétrafluoroéthylène; (iii) le fluorure; (iv) le polyéthylène; (v) le polychlorure de vinyle; (vi) des polymères d'au moins l'un des matériaux (i) (v) ci-dessus; (vii) des alliages d'au moins l'un des matériaux (i) à (v) ci-dessus; et (viii) des combinaisons contenant au moins l'un des matériaux (i) à (v) ci-dessus. 7. Système de lithographie par immersion selon la revendication 5, comprenant en outre: un enduit à adhésion réduite de contaminant appliqué sur au moins une partie du porte-substrat. 8. Système de lithographie par immersion selon la revendication 5, comprenant en outre: un enduit à adhésion réduite de contaminant appliqué sur au moins une partie de la lentille. 9. Système de lithographie par immersion comprenant: un support de fluide d'immersion permettant de contenir un 20 fluide d'immersion; un porteplaquette permettant de positionner une plaquette à semiconducteur enduite de resist dans le support de fluide d'immersion; et une lentille à proximité du support de fluide d'immersion et pouvant être positionnée pour projeter une image à travers le fluide d'immersion et sur la plaquette à semiconducteur enduite de resist; dans lequel le support de fluide d'immersion inclut un enduit configuré pour réduire l'adhésion du contaminant par les contaminants dans le fluide d'immersion. 10. Système de lithographie par immersion selon la revendication 9, dans lequel l'enduit inclut une propriété permettant d'augmenter la mouillabilité d'une surface du support de fluide d'immersion qui est adjacent au fluide d'immersion. 11. Appareil comprenant: une pluralité de composants pouvant fonctionner collectivement pour réaliser la lithographie par immersion, la pluralité de composants incluant au moins un composant choisi parmi le groupe consistant en: un porte-plaquette, un support de fluide d'immersion, un capteur, et une lentille; dans lequel au moins une partie d'au moins l'un de la pluralité de composants a un enduit extérieur configuré pour avoir un angle de contact supérieur à environ 50 degrés. 12. Appareil selon la revendication 11, dans lequel le revêtement est choisi parmi le groupe consistant en: (i) le dioxyde de silicium; (ii) le polytétrafluoroéthylène; (iii) le fluorure; (iv) le polyéthylène; (v) le polychlorure de vinyle; (vi) des polymères d'au moins l'un des matériaux (i) à (v) ci-dessus; (vii) des alliages d'au moins l'un des matériaux (i) à (v) ci-dessus; et (viii) des combinaisons contenant au moins l'un des matériaux (i) à (v) ci-dessus.