FR 2892872 A1 20070504 FR 0511160 A 20051102 FILTRE PASSE-BANDE COMPLEXE DOMAINE DE L'INVENTION La présente invention concerne l'électronique et plus particulièrement un filtre passe-bande complexe. ARRIÈRE-PLAN DE L'INVENTION Les filtres passe-bande sont bien connus. Les filtres passe-bande sont généralement utilisés dans des systèmes de communication, dans lesquels des signaux de haute fréquence sont transposés par abaissement de fréquence et souvent démodulés en signaux basse fréquence. Une architecture bien adaptée est généralement choisie en fonction de la largeur de bande d'entrée, des canaux adjacents, et de la sensibilité et de la sélectivité demandées du système mettant en oeuvre le filtre passe-bande. La plupart des filtres passe-bande sont réalisés à partir de transconducteurs classiques, qui comprennent généralement des paires différentielles de transistors, et ces filtres passe-bande sont souvent accordés avec une tension de polarisation à haute impédance. Quelques autres filtres sont accordés avec une source à basse impédance. Par exemple, les filtres utilisant le transconducteur Nauta sont accordés en modifiant leur tension d'alimentation. Les variations de processus de transconducteurs sont des problèmes bien connus. Cependant, des solutions classiques pour les filtres accordés avec une source à basse impédance n'ont pas été mis en oeuvre pour résoudre de manière appropriée les variations de processus. En conséquence, ce dont on a besoin est un système pour fournir un filtre passe-bande amélioré. La présente invention traite un tel besoin. RÉSUMÉ DE L'INVENTION Un filtre passe-bande complexe est décrit. Le filtre passe-bande complexe comprend un filtre passe-bande couplé à une source de tension. Le filtre passe-bande comprend une première pluralité de transconducteurs qui reçoit une première tension, où la première tension commande la fréquence centrale du filtre passe-bande. Le filtre passe-bande comprend aussi une deuxième pluralité de transconducteurs, où la deuxième pluralité de transconducteurs reçoit une deuxième tension, où la deuxième tension commande la largeur de bande du filtre passe-bande. Selon le système décrit dans le présent document, le filtre passe-bande complexe a un réglage d'accord de fréquence automatique contre les variations de processus, une fréquence centrale programmable et une largeur de bande programmable. Dans son sens plus large, l'invention concerne un circuit comprenant . un filtre passe-bande couplé à une source de tension, le filtre passe-bande comprenant : une première pluralité de transconducteurs qui reçoit une première tension, où la première tension commande la fréquence centrale du filtre passe-bande ; et une deuxième pluralité de transconducteurs couplée à la première pluralité de transconducteurs, où la deuxième pluralité de transconducteurs reçoit une deuxième tension, où la deuxième tension commande la largeur de bande du filtre passe-bande. De préférence, la source de tension est une boucle à verrouillage de phase (PLL) qui produit une tension de commande, et dans laquelle les première et deuxième tensions suivent une tension de commande pour fournir l'accord automatique des fréquences pour le filtre passe-bande. Dans un mode de réalisation préféré, les première et deuxième tensions égalent la tension de commande. Avantageusement, la source de tension est une boucle à verrouillage de phase (PLL) qui produit une tension de commande, dans laquelle le circuit comprend en outre : une première mémoire tampon couplée entre la PLL et la première pluralité de transconducteurs ; et une deuxième mémoire tampon couplée à la PLL et la deuxième pluralité de transconducteurs, et où les première et deuxième tensions suivent la tension de commande pour fournir l'accord automatique des fréquences pour le filtre passe-bande, où la première mémoire tampon régule la première tension pour programmer la fréquence centrale du filtre passe-bande, et où la deuxième mémoire tampon régule la deuxième tension pour programmer la largeur de bande du filtre passe-bande. Selon un mode de réalisation particulier, les première et deuxième mémoires tampons fournissent un diviseur de tension pour réguler les première et deuxième tensions pour fournir la possibilité de programmation de la fréquence centrale et la possibilité de programmation de la largeur de bande pour le filtre passe-bande. De préférence, la PLL comprend : un oscillateur commandé par tension (VCO) ; et une mémoire tampon de VCO qui alimente le VCO. Avantageusement, la PLL comprend une mémoire tampon de VCO. Dans un mode de réalisation préféré, la PLL comprend en outre un VCO comprenant une troisième pluralité de 5 transconducteurs. Selon un mode de réalisation particulier, les transconducteurs du circuit sont des transconducteurs gm-C différentiels. De préférence, les transconducteurs du circuit sont 10 des transconducteurs Nauta. L'invention appartient aussi à un système comprenant : une boucle à verrouillage de phase (PLL) qui produit une tension de commande ; et un filtre passe-bande couplé à la PLL, le filtre 15 passe-bande comprenant : une première pluralité de transconducteurs adaptés pour recevoir une première tension, où la première tension commande la fréquence centrale du filtre passe-bande ; et 20 une deuxième pluralité de transconducteurs couplée à la première pluralité de transconducteurs et adaptée pour recevoir une deuxième tension, où la deuxième tension commande la largeur de bande du filtre passe-bande ; une première mémoire tampon couplée entre la PLL et 25 la première pluralité de transconducteurs ; et une deuxième mémoire tampon couplée à la PLL et à la deuxième pluralité de transconducteurs, et où les première et deuxième tensions suivent la tension de commande pour fournir l'accord automatique des fréquences 30 pour le filtre passe-bande, où la première mémoire tampon régule la première tension pour programmer la fréquence centrale du filtre passe-bande et où la deuxième mémoire tampon régule la deuxième tension pour programmer la largeur de bande du filtre passe-bande. Selon un mode de réalisation préféré, la PLL comprend : 5 un oscillateur commandé par tension (VCO) ; et une mémoire tampon de VCO qui alimente le VCO. Avantageusement, la PLL comprend une mémoire tampon de VCO. De préférence, la PLL comprend en outre un VCO comprenant une troisième pluralité de transconducteurs. Selon un mode de réalisation préféré, les transconducteurs du circuit sont des transconducteurs gm-C différentiels. Selon un mode de réalisation préféré, les 15 transconducteurs du circuit sont des transconducteurs Nauta. BRÈVE DESCRIPTION DES DESSINS La figure 1 est un schéma de principe d'un filtre 20 passe-bande complexe avec accord automatique des fréquences, conformément à la présente invention. La figure 2 est un diagramme schématique d'un filtre passe-bande, qui peut être utilisé pour mettre en œuvre le filtre passe-bande de la figure 1, conformément à la 25 présente invention. La figure 3 est un diagramme représentant VCTRL en fonction des variations de processus quand les tensions VFC = VBW = VCTRL, conformément à la présente invention. La figure 4 est un diagramme schématique d'un canal 30 différentiel, qui peut être utilisé pour mettre en oeuvre chacun des canaux différentiels de la figure 2, conformément à la présente invention. La figure 5 est un diagramme schématique d'un transconducteur, qui peut être utilisé pour mettre en oeuvre chacun des transconducteurs des figures 2 et 3. La figure 6 est un diagramme schématique d'un filtre passe-bas passif, qui représente le canal différentiel de la figure 4. La figure 7 est un diagramme schématique illustrant une transformation complexe sur des nœuds internes pour le filtre passe-bande de la figure 2, conformément à la présente invention. La figure 8 est un diagramme représentant les réponses CA du filtre passe-bande en fonction des variations VFC, conformément à la présente invention. La figure 9 est un diagramme représentant les réponses CA du filtre passe-bande en fonction des variations VBW, conformément à la présente invention. La figure 10 est un diagramme représentant VCTRL, VFC et VBW en fonction des variations de processus quand VFC et VBW sont les rapports de VCTRL, conformément à la présente invention. La figure 11 est un schéma de principe représentant un filtre passe-bande complexe où la fréquence centrale Fc et la largeur de bande BW sont programmables, conformément à la présente invention. La figure 12 est un schéma de principe d'un filtre polyphasé exemplaire, dans lequel le filtre passe-bande de la figure 2 peut être mis en oeuvre, conformément à la présente invention. La figure 13 est une simulation schématique du filtre passe-bande complexe utilisée pour simuler le filtre passe-bande complexe de la figure 11, conformément à la présente invention. La figure 14 est un schéma de principe d'un oscillateur commandé par tension (VCO), qui peut être utilisé pour mettre en oeuvre le VCO des figures 1 et 11, conformément à la présente invention. La figure 15 est un diagramme schématique d'une cellule de polarisation, qui peut être utilisée pour mettre en oeuvre la cellule de polarisation de la figure 11, conformément à la présente invention. La figure 16 est un schéma de principe d'une cellule de contrôle de PLL, qui peut être utilisée pour mettre en oeuvre le PFD, la pompe de charge (CP) et le filtre en boucle des figures 1 et 11, conformément à la présente invention. La figure 17 est un diagramme schématique d'un PFD, qui peut être utilisé pour mettre en oeuvre le PFD des figures 1, 11 et 16, conformément à la présente invention. La figure 18 est un diagramme schématique d'une pompe de charge (CP), qui peut être utilisée pour mettre en oeuvre la CP des figures 1, 11 et 16, conformément à la présente invention. La figure 19 est un diagramme schématique d'un filtre en boucle, qui peut être utilisé pour mettre en oeuvre le filtre en boucle des figures 1, 11 et 16, conformément à la présente invention. La figure 20 est un diagramme schématique d'une mémoire tampon de VCO, qui peut être utilisé pour mettre en oeuvre la mémoire tampon de VCO des figures 1 et 11, conformément à la présente invention. La figure 21 est un diagramme schématique de mémoires tampons FC et BW, qui peut être utilisé pour mettre en oeuvre les mémoires tampons FC et BW de la figure 11, conformément à la présente invention. 8 La figure 22 est un diagramme schématique du décodeur, qui peut être utilisé pour mettre en œuvre le décodeur de la figure 21, conformément à la présente invention. DESCRIPTION DÉTAILLÉE DE L'INVENTION La présente invention concerne l'électronique, et plus particulièrement un filtre passe-bande complexe. La description suivante est présentée pour permettre à l'homme du métier de réaliser et utiliser l'invention, et est fournie dans le contexte d'une demande de brevet et de ses exigences. Diverses modifications au mode de réalisation préféré et aux principes et fonctions génériques décrits dans le présent document seront aisément évidents à l'homme du métier. Ainsi, la présente invention n'est pas censée se limiter au mode de réalisation représenté, mais une portée la plus large doit lui être accordée, compatible avec les principes et fonctions décrits dans le présent document. Un filtre passe-bande complexe est décrit. Le filtre passe-bande complexe comprend un filtre passe-bande doté d'un accord automatique des fréquences. Dans un autre mode de réalisation, le filtre passe-bande complexe a aussi une fréquence centrale programmable et une largeur de bande programmable. Le filtre passe-bande complexe comprend aussi une boucle à verrouillage de phase et des mémoires tampons qui fournissent des tensions à basse impédance séparées au filtre passe-bande. Une tension programme la fréquence centrale et l'autre tension programme la largeur de bande. Pour décrire plus particulièrement les fonctions de la présente invention, référez-vous maintenant à la description suivante en conjonction avec les figures d'accompagnement. Bien que la présente invention décrite dans le présent document soit décrite dans le contexte de filtres passe-bande mis en oeuvre avec transconducteurs Nauta, la présente invention peut s'appliquer à d'autres éléments de circuit et d'autres types de transconducteurs, et rester toujours dans l'esprit et la portée de la présente invention. La figure 1 est un schéma de principe d'un filtre passe-bande complexe 100 avec accord automatique des fréquences, conformément à la présente invention. Le filtre passe-bande complexe 100 comprend un filtre passe-bande 110 et une boucle à verrouillage de phase (PLL) 112, qui est couplée à une horloge de référence 114. Le PLL 112 fonctionne comme une source de tension et produit une tension de commande VCTRL pour le filtre passe-bande. Le PLL 112 comprend un détecteur phase fréquence (PFD) 120, une pompe de charge (CP) 122, un filtre en boucle 124, une mémoire tampon d'oscillateur commandé par tension (VCO) 126, et un VCO 128. Le filtre passe-bande 110 est un filtre intégré complexe temps continu à transconductance C (gm-C) utilisant des transconducteurs faible impédance d'entrée sur leur signal de contrôle. En fonctionnement, le filtre passe-bande complexe 100 utilise la mémoire tampon du VCO 126 et le VCO 128 pour accorder automatiquement la fréquence d'exploitation du filtre passe-bande 110. Plus spécifiquement, la mémoire tampon du VCO 126 fournit la tension de commande VCTRL au VCO 128 (et au filtre passe-bande 110). Le VCO 128 a des intégrateurs qui utilisent des transconducteurs et des condensateurs de sorte que la constante de temps 10 des intégrateurs est proportionnelle à C/gm-diff. La tension de commande VCTRL qui est produite par la mémoire tampon du VCO 126 accorde la constante de temps des intégrateurs avec l'horloge de référence 114 de sorte que la fréquence Fvco du VCO soit indépendante du processus, car Fvco est contrôlée par la PLL 112, où Fvco = Fref/N, et où N est un entier et Fref vient d'une quantité externe avec de très faibles variations de température et de processus. Aussi, la fréquence centrale Fc et la largeur de bande BW du filtre passe-bande 110 dépendent de la constante de temps des intégrateurs. Le rapport entre la constante de temps et la tension de commande est exprimé par l'équation suivante : t = a (C/gm_diff), où a est un entier, où gm diff = (VCTRL - Vtn + Vtp) ((3n(3p) , où Vtn et Vtp sont des tensions de seuil de NMOS et PMOS, respectivement, où (3n/p = n/pCox (W/L) n/p (e /trous) et où (e-/trous) = mobilité. L'impédance d'entrée de la tension de commande VCTRL est suffisamment élevée, comme celle d'une grille de transistor oxyde de métal à semi-conducteur (MOS) pour empêcher les problèmes de stabilité dans le filtre en boucle 124. La mémoire tampon du VCO 126 ne perturbe pas la stabilité de la boucle PLL tant que son produit largeur de bande gain est suffisamment supérieur à la fréquence centrale (Fc) du filtre passe-bande 110. Dans un mode de réalisation alternatif de la présente invention, la tension de commande VCTRL peut être directement fournie par une tension d'alimentation autre qu'une PLL. La figure 2 est un diagramme schématique d'un filtre passe-bande 200, qui peut être utilisé pour mettre en œuvre le filtre passe- bande 110 de la figure 1, conformément à la présente invention. Le filtre passe-bande 200 comprend un groupe de transconducteurs 202 qui est adapté pour recevoir une tension VBW. La tension VBW commande la largeur de bande du filtre passe-bande 200. Le filtre passe-bande 110 comprend aussi un groupe de transconducteurs 204 qui est adapté pour recevoir une tension VFC. La tension VFC commande la fréquence centrale du filtre passe-bande 200. Dans ce mode de réalisation spécifique, le filtre passe-bande 200 comprend des canaux différentiels 206 et 208, qui sont couplés aux transconducteurs 204. Aussi, le filtre passe-bande 200 est un filtre passe-bande de 10ème ordre et a une tension d'exploitation faible (par exemple 1,6 V). En référant aux deux figures 1 et 2 ensemble, si les tensions VBW et VFC et la tension de commande VCTRL sont liées ensemble, il y a accord automatique des fréquences du filtre passe-bande 200, car les tensions VBW et VFC suivront la tension de commande VCTRL. La figure 3 est un diagramme représentant VCTRL en fonction des variations de processus quand les tensions VFC = VBW = VCTRL, conformément à la présente invention. Si VFC = VBW = Vdd (= VCTRL), la fréquence centrale Fc et la largeur de bande BW du filtre passe-bande seront constantes indépendamment des variations de processus et seront égales à une fréquence centrale (préconçue) initiale Fc et à la largeur de bande BW. Si des variations de processus quelconques se produisent, VCTRL s'adaptera pour maintenir les mêmes Fc et BW. VCTRL se déplacera automatiquement à l'intérieur de la PLL pour atteindre le rapport, Fvco = Fref/N (système). C'est l'accord automatique des fréquences, selon la fréquence de référence (externe) disponible et Fc. Fvco peut varier et dépendra de la mise 12 en œuvre spécifique (par exemple, Fvco = Fc, Fvco = 2Fc, etc.). Dans un exemple spécifique, une tension VCTRL de 1,6 V correspond à une fréquence centrale Fc de 4 MHz et à une largeur de bande BW de 3 MHz. Dans ce mode de réalisation spécifique, comme les tensions VBW et VFC sont liées ensemble, il n'y a aucun possibilité de programmation séparée de la fréquence centrale et de la largeur de bande. Des modes de réalisation où il y a accord automatique des fréquences et possibilité de programmation séparée de la fréquence centrale et possibilité de programmation de la largeur de bande sont décrits ci-dessous. La figure 4 est un diagramme schématique d'un canal différentiel 400, qui peut être utilisé pour mettre en œuvre chacun des canaux différentiels 206 et 208 de la figure 2, conformément à la présente invention. Le canal différentiel 400 comprend des transconducteurs 402 à 422 et fonctionne comme un filtre passe-bas passif. Le fonctionnement de canaux différentiels est bien connu. La figure 5 est un diagramme schématique d'un transconducteur 500, qui peut être utilisé pour mettre en oeuvre chacun des transconducteurs des figures 2 et 3. Le transconducteur 500 est mentionné comme un transconducteur Nauta. Les transconducteurs Nauta sont basés sur des inverseurs simples et reçoivent un signal de contrôle de faible impédance. Les transconducteurs Nauta et le fonctionnement de transconducteurs Nauta sont bien connus. Pour obtenir la meilleure précision et de bonnes caractéristiques du filtre passe-bande 110 (figure 1), un renforcement de gain CC est réalisé en raison du principe de "résistance négative" (INV3, INV4, INV5 et INV6). Comme on peut le voir dans l'équation [1] 13 (représentée sur la figure 5), le différentiel transconducteur (gm_diff) est linéaire à Vdd. Conformément à la présente invention, Vdd fonctionne comme la tension de commande VCTRL (figure 1) pour l'accord automatique des fréquences. Bien que la présente invention décrite dans le présent document décrite utilise un transconducteur Nauta, la présente invention peut utiliser d'autres types de transconducteurs et rester toujours dans l'esprit et la portée de la présente invention. La figure 6 est un diagramme schématique d'un filtre passe-bas passif 600, qui représente le canal différentiel 400 de la figure 4. Dans ce mode de réalisation spécifique, le filtre passe-bas 600 est un filtre passe bas Butterworth normalisé à une seule extrémité de 5ème ordre. Les transconducteurs 402-422 de la figure 4 émulent les résistances et les inducteurs (gyrateurs électroniques) représentés sur la figure 6. En référant à la fois aux figures 2, 4 et 6 conjointement, le canal différentiel 400 est utilisé pour mettre en oeuvre un filtre passe-bas, qui à son tour est utilisé pour créer le filtre passe-bande 200 de la figure 2. Le canal différentiel 400 a des bonnes propriétés de sensibilité et de gamme dynamique, et est donc un composant idéal pour un filtre gm-C. Pour que le filtre de bande passante 200 de la figure 2 soit centré sur une fréquence intermédiaire particulière (IF) et la largeur de bande (par exemple 4 MHz avec un largeur de bande de 3 MHz), le filtre passe-bas 600 est conçu avec une fréquence centrale particulière (par exemple 1,5 MHz). La figure 7 est un diagramme schématique illustrant une transformation complexe sur des nœuds internes pour le filtre passe-bande 200 de la figure 2, conformément à la présente invention. La transformation complexe est une transformation du canal différentiel 400 (figure 4) au filtre passe-bande 200 (figure 2), qui est appliquée en utilisant un signal en phase (le signal I) et un signal de phase de quadrature (le signal Q) (représenté comme "I" et "Q" sur la figure 1). En termes mathématiques, la transformation complexe est représentée par l'expression suivante : H(jw) -> H(jw-jw0). Dans un filtre gm-C, cette transformation est appliquée à chaque composant réactif (C) dans un filtre passe-bas prototype : jwC -> j(w-wO).0 = jw.C-jwO.C. L'utilisation de cette transformation pour chaque noeud interne du canal différentiel 206 et 208 de la figure 2 aboutit à la mise en oeuvre active du filtre passe-bande 200. En référant de nouveau à la figure 2, conformément à la présente invention, la fréquence centrale (Fc) et la largeur de bande (BW) du filtre passe-bande 200 peuvent être programmées. Pour programmer la fréquence centrale Fc et la largeur de bande BW, deux tensions d'alimentation sont utilisées. Une tension d'alimentation VFC est dédiée au contrôle de la fréquence centrale Fc, et l'autre tension d'alimentation VBW est dédiée au contrôle de la largeur de bande BW. La fréquence centrale Fc du filtre passe-bande 200 est déterminée par le gm diff de l'ensemble de transconducteurs 204. La tension d'alimentation VFC des transconducteurs dans les canaux différentiels 206 et 208 détermine le gm diff du filtre passe-bas initial et détermine de là la largeur de bande finale BW du filtre passe-bas. 15 La figure 8 est un diagramme montrant les réponses CA du filtre passe-bande 200 en fonction des variations de la tension VFC, conformément à la présente invention. La figure 9 est un diagramme représentant les réponses CA du filtre passe-bande 200 en fonction des variations de la tension VBW, conformément à la présente invention. La figure 10 est le diagramme représentant VCTRL, VFC et VBW en fonction des variations de processus où VFC et VBW sont des rapports de VCTRL, conformément à la présente invention. Si VFC = k et VCTRL et VBW = p (k et p étant des entiers), et si des variations quelconques de processus se produisent, ces rapports initiaux (k et p) restent les mêmes pour maintenir les mêmes valeurs de Fc et BW, comme illustré sur la figure 3. Dans un exemple spécifique, si VFC = 0, 09*VcTRL typ = 1,44 V, et VBW = 0, 8*VcTRL typ = 1,28 V, donc BW = 2 MHz et Fc = 3 MHz. Un mode de réalisation qui peut être mis en oeuvre pour contrôler séparément VFC et VBW est décrit en outre ci-dessous sur la figure 12. La figure 11 est un schéma de principe représentant un filtre passe-bande complexe 1100 où la fréquence centrale Fc et la largeur de bande BW sont programmables, conformément à la présente invention. Similaire au filtre passe-bande complexe 100 de la figure 1, le filtre passe-bande complexe 1100 comprend un filtre passe-bande 110 et une boucle à verrouillage de phase (PLL) 112, qui est couplée à une horloge de référence 114 et produit une tension de commande VCTRL. La PLL 112 comprend un PFD 120, une pompe de charge (CP) 122, un filtre en boucle 124, une mémoire tampon de VCO 126 et un VCO 128. Le filtre passe-bande complexe 1100 comprend aussi une mémoire tampon de fréquence centrale 1102 et une mémoire tampon de largeur de bande 1104 qui propose un rapport de 16 tension tel que les tensions d'alimentation VFC et VBW sont les rapports de VCTRL et d'une cellule de polarisation 1105. La cellule de polarisation 1105 fournit quatre courants de polarisation (par exemple, ibias_CP, ibiaspVCO, ibiaspFc et ibiaspBW, qui sont des courants de polarisation pour la mémoire tampon de VCO 126, la mémoire tampon de fréquence centrale 1102 et la mémoire tampon de largeur de bande 1104, respectivement). Trois tensions de polarisation (par exemple vbiasp, vcasp et vcasn) sont aussi utilisées pour la polarisation interne des mémoires tampons 126, 1102 et 1104. En fonctionnement, la tension VFC contrôle/régule la fréquence centrale Fc, et la tension VBW contrôle ou régule la largeur de bande BW. Si le processus change comme décrit plus haut sur la figure 10, les tensions VFC et VBW suivent la tension de commande VCTRL. Le rapport VFC à VBW reste le même. Les résistances R1, R2, R3 et R4 fournissent des rapports de résistance et peuvent être ajustées (par exemple par des commandes numériques) pour ajuster le rapport des tensions VFC et VBW. La possibilité de programmation de la fréquence centrale Fc et de la largeur de bande BW offre une alternative pour des standards multiprotocoles avec différents canaux (changements de Fc) et pour des améliorations d'acquisition temporelles (changements de BW). Les tensions VFC et VBW ont les mêmes propriétés en ce qui concerne les variations de processus et de température, car le rapport VFC et VBW est fonction du rapport de résistance, qui est indépendant du processus. Comme telles, la tension VFC = (R1/R1 + R2) *VCTRL et la tension VBW = (R3/R3+R4) *VCTRL. R1 et R3 sont modifiés 17 respectivement par des commandes numériques Dig_FC et Dig BW . La tension de commande "initiale" à l'intérieur de la boucle (VCTRL) est de préférence la valeur la plus haute qui puisse être appliquée au filtre passe-bande complexe 1100. Les OPAMP 1106 et 1108 ont de préférence un gain élevé et les résistances Rl-R4 sont de préférence grandes. La figure 12 est un schéma de principe d'un filtre polyphasé exemplaire 1200, dans lequel le filtre passe-bande 200 de la figure 2 peut être mise en oeuvre, conformément à la présente invention. Dans ce mode de réalisation spécifique, la largeur de bande est programmable. La figure 13 est une simulation schématique du filtre passe-bande complexe 1300 utilisé pour simuler le filtre passe-bande complexe 1100 de la figure 11, conformément à la présente invention. Le filtre passe-bande complexe 1300 est similaire au filtre passe-bande complexe 1100 sauf que le filtre passe-bande complexe 1300 comprend des condensateurs externes optionnels 1302 et 1304. Dans ce mode de réalisation spécifique, les condensateurs 1302 et 1304 comprennent des lignes métalliques de 7 ohms. La figure 14 est un schéma de principe d'un oscillateur commandé par tension (VCO) 1400, qui peut être utilisé pour mettre en oeuvre le VCO 128 des figures 1 et 11, conformément à la présente invention. Les entrées comprennent : supply_ext (alimentation externe [1,8 V ; 2 V]) ; Clk ref (horloge de référence (4,092 MHz) venant de la PLL sur puce dans un récepteur RF) ; on (activé) (on=1 système activé) ; ip, in, qp, qn (signaux différentiels I, Q venant d'un mélangeur ; digFC (deux bits programmant la valeur de tension FC) ; et digBW (deux bits programmant la valeur BW). Les sorties comprennent : sorties (outip, outin) ; et outqp outqn (sorties différentielles I, Q du Filtre). Les sorties internes comprennent : sup Fvco (la sortie du bloc PLL Control et cette tension est alors mise en mémoire tampon pour alimenter le VCO) ; VCTRL (la sortie de la mémoire tampon du VCO BUF VCO). Cette tension estla tension de commande initiale du filtre. Un facteur de multiplication obtenu grâce au rapport de résistance de la mémoire tampon de fréquence centrale BUF Fc et la mémoire tampon de largeur de bande BUF BW donne les deux tensions nécessaires pour changer la valeur initiale de la fréquence centrale Fc et de la largeur de bande BW. Dans cet exemple spécifique, le facteur diviseur de sortie du VCO 1400 est 2. La figure 15 est un diagramme schématique d'une cellule de polarisation 1500, qui peut être utilisé pour mettre en oeuvre la cellule de polarisation 1105 de la figure 11, conformément à la présente invention. La figure 16 est un schéma de principe d'une cellule de contrôle de mettre en oeuvre et le filtre conformément à La figure 1700, qui peut PLL 1600, qui peut être utilisé pour 122 11, PFD PFD le PFD 120, la pompe de charge (CP) en boucle 124 des figures 1 et la présente invention. 17 est un diagramme schématique d'un être utilisé pour mettre en oeuvre le 120 des figures 1, 11 et 16, conformément à la présente invention. La figure 18 est un diagramme schématique d'une CP 1800, qui peut être utilisé pour mettre en oeuvre la CP 122 des figures 1, 11 et 16, conformément à la présente invention. La figure 19 est un diagramme schématique d'un filtre en boucle 1900, qui peut être utilisé pour mettre en oeuvre le filtre en boucle 124 des figures 1, 11 et 16, conformément à la présente invention. La figure 20 est un diagramme schématique d'une mémoire tampon de VCO 2000, qui peut être utilisé pour mettre en oeuvre la mémoire tampon de VCO 126 des figures 1 et 11, conformément à la présente invention. La figure 21 est un diagramme schématique de mémoires tampons FC et BW 2100, qui peut être utilisé pour mettre en oeuvre les mémoires tampons FC et BW 1104 et 1106 de la figure 11, conformément à la présente invention. Les mémoires tampons FC et BW 2100 comprennent un décodeur 2102. La figure 22 est un diagramme schématique du décodeur 2200, qui peut être utilisé pour mettre en oeuvre le décodeur 2102 de la figure 21, conformément à la présente invention. Par exemple, dans une mise en oeuvre, le décodeur 2200 transforme des données binaires (par exemple, deux bits) en quatre choix de "canal" possibles. Comme indiqué sur les figures 21 et 22, des commandes de commutation SW entrent dans les mémoires tampons FC et BW 2100 pour programmer et modifier le pont de résistance (feedback) dans les mémoires tampons FC et BW 2100. Selon le système décrit dans le présent document, la présente invention offre de nombreux avantages. Par exemple, elle permet des variations de processus et de température en offrant un accord automatique des fréquences. Les modes de réalisation de la présente invention permettent aussi des variations de processus et de température en offrant une fréquence centrale programmable et une largeur de bande programmable. 20 Un filtre passe-bande complexe a été décrit. Le filtre passe-bande complexe comprend un filtre passe-bande qui possède l'accord automatique des fréquences. Dans un autre mode de réalisation, le filtre passe-bande complexe a aussi une fréquence centrale programmable et une largeur de bande programmable. Le filtre passe-bande complexe comprend aussi une boucle à verrouillage de phase qui fournit des tensions de commande à basse impédance séparées au filtre passe-bande. Une commande programme la fréquence centrale et l'autre tension de commande programme la largeur de bande. La présente invention a été décrite conformément aux modes de réalisation représentés. L'homme du métier reconnaîtra aisément qu'il pourrait y avoir des variations aux modes de réalisation et que toutes variations seraient dans l'esprit et la portée de la présente invention. En conséquence, de nombreuses modifications peuvent être apportées par l'homme du métier sans s'écarter de l'esprit et de la portée des revendications annexées. REVENDICATIONS 1. Circuit comprenant : un filtre passe-bande couplé à une source de tension, le filtre passe-bande comprenant : une première pluralité de transconducteurs qui reçoit une 5 première tension, où la première tension commande la fréquence centrale du filtre passe-bande ; et une deuxième pluralité de transconducteurs couplée à la première pluralité de transconducteurs, où la deuxième pluralité de transconducteurs reçoit une deuxième tension, 10 où la deuxième tension commande la largeur de bande du filtre passe-bande. 2. Circuit de la revendication 1 dans lequel la source de tension est une boucle à verrouillage de phase (PLL) qui 15 produit une tension de commande, et dans lequel les première et deuxième tensions suivent une tension de commande pour proposer un accord automatique des fréquences pour le filtre passe-bande. 20 3. Circuit de la revendication 2 dans lequel les première et deuxième tensions sont égales à la tension de commande. 4. Circuit de la revendication 1 dans lequel la source de tension est une boucle à verrouillage de phase (PLL) qui 25 produit une tension de commande, où le circuit comprend en outre : une première mémoire tampon couplée entre la PLL et la première pluralité de transconducteurs ; et une deuxième mémoire tampon couplée à la PLL et à la 30 deuxième pluralité de transconducteurs, et où les 22 première et deuxième tensions suivent la tension de commande pour fournir un accord automatique des fréquences pour le filtre passe-bande, où la première mémoire tampon régule la première tension pour programmer la fréquence centrale du filtre passe-bande, et où la deuxième mémoire tampon régule la deuxième tension pour programmer la largeur de bande du filtre passe-bande. 5. Circuit de la revendication 4 dans lequel les première et deuxième mémoires tampons proposent un diviseur de tension pour réguler les première et deuxième tensions pour proposer une possibilité de programmation de la fréquence centrale et une possibilité de programmation de la largeur de bande pour le filtre passe-bande. 6. Circuit de la revendication 1 dans lequel la PLL comprend : un oscillateur commandé par tension (VCO) ; et une mémoire tampon de VCO qui alimente le VCO. 7. Circuit de la revendication 6 dans lequel la PLL comprend une mémoire tampon de VCO. 8. Circuit de la revendication 7 dans lequel la PLL 25 comprend en outre un VCO comprenant une troisième pluralité de transconducteurs. 9. Circuit de la revendication 1 où les transconducteurs du circuit sont des transconducteurs gm-C différentiels. 10. Circuit de la revendication 1 où les transconducteurs du circuit sont des transconducteurs Nauta. 30 11. Système comprenant : une boucle à verrouillage de phase (PLL) qui produit une tension de commande ; et un filtre passe-bande couplé à la PLL, le filtre passe-bande comprenant : une première pluralité de transconducteurs adaptée pour recevoir une première tension, où la première tension commande la fréquence centrale du filtre passe-bande ; et une deuxième pluralité de transconducteurs couplée à la première pluralité de transconducteurs et adaptée pour recevoir une deuxième tension, où la deuxième tension commande la largeur de bande du filtre passe-bande ; une première mémoire tampon couplée entre la PLL et la première pluralité de transconducteurs ; et une deuxième mémoire tampon couplée à la PLL et à la deuxième pluralité de transconducteurs, et où les première et deuxième tensions suivent la tension de commande pour proposer un accord automatique des fréquences pour le filtre passe-bande, où la première mémoire tampon régule la première tension pour programmer la fréquence centrale du filtre passe-bande, et où la deuxième mémoire tampon régule la deuxième tension pour programmer la largeur de bande du filtre passe-bande. 12. Système de la revendication 11 dans lequel la PLL comprend : un oscillateur commandé par tension (VCO) ; et une mémoire tampon de VCO qui alimente le VCO. 13. Système de la revendication 12 dans lequel la PLL comprend une mémoire tampon de VCO.30 14. Système de la revendication 13 dans lequel la PLL comprend en outre un VCO comprenant une troisième pluralité de transconducteurs. 15. Système de la revendication 11 dans lequel les transconducteurs du circuit sont des transconducteurs gm-C différentiels. 10 16. Système de la revendication 11 dans lequel les transconducteurs du circuit sont des transconducteurs Nauta.5