FR 2891631 A1 20070406 FR 0608608 A 20061002 NOUVEAU MATÉRIAU D'ENDUCTION ANTI-RÉFLÉCHISSANT SUPÉRIEUR POUR LA RÉDUCTION DE FILIGRANE D'EAU EN PHOTOLITHOGRAPHIE PAR IMMERSION DOMAINE DE L'INVENTION Avec les progrès continus des technologies de fabrication de semi-conducteurs vers des dispositifs de plus petites tailles telles que 65 nanomètres, 45 nanomètres, et moins, les procédés de lithographie par immersion sont adoptés. Cependant, les procédés de lithographie par immersion dégagent des résidus de gouttes d'eau consécutifs à un procédé d'exposition. De tels résidus de gouttes d'eau peuvent causer des défauts de filigranes d'eau et donc dégrader voire causer des défectuosités lors de la fabrication de semi-conducteurs. Il convient de disposer d'un matériau amélioré pour le substrat exposé, tel qu'un revêtement anti-réfléchissant supérieur, où les détériorations causées par des défauts de filigrane d'eau sont prévenues et/ou diminuées. BRÈVE DESCRIPTION DES FIGURES Les différents aspects de la présente invention seront mieux compris dans la description détaillée suivante à l'aide des figures d'accompagnement. Il est à souligner que, selon la pratique courante de l'industrie, certaines caractéristiques des figures ne sont pas nécessairement dessinées à l'échelle. Les dimensions de certaines caractéristiques peuvent être arbitrairement agrandies ou réduites pour plus de clarté de la présentation. La figure 1 est une section d'un exemple de dispositif semi-conducteur (100) ayant un matériau d'enduction utilisé pour un procédé d'exposition de lithographie par immersion. La figure 2 est une vue schématique d'un exemple de réaction entre un atténuateur et un composé de chélate. La figure 3 est un organigramme d'un mode de réalisation d'un procédé d'impression par photolithographie par immersion. 2891631 2 DESCRIPTION DÉTAILLÉE DE L'INVENTION II convient de comprendre que la présentation suivante fournit différents modes de réalisation ou exemples, pour mettre en oeuvre les caractéristiques des différents modes de réalisation. Les exemples spécifiques des composants et des dispositions sont décrits ci-dessous pour simplifier la présentation de l'invention. En tant que tels, il ne s'agit que d'exemples et n'ont pas pour but d'être limitatifs. Par exemple, la formation d'une première caractéristique sur un deuxième dispositif dans la description suivante peut comprendre les modes de réalisation dans lesquels les première et deuxième caractéristiques sont formées en contact direct, et peut également comprendre des modes de réalisation dans lesquels des caractéristiques supplémentaires peuvent être formées interposant les première et deuxième caractéristiques, telles que les première et deuxième caractéristiques n'entrent pas en contact direct. En outre, la présentation de l'invention pourra répéter des références numériques et/ou des lettres dans plusieurs exemples. Cette répétition a été réalisée dans un but de simplicité et de clarté mais n'établit en rien de relations entre les modes de réalisation et/ou les configurations décrites. La figure 1 illustre une section d'un dispositif semi-conducteur (100), tels qu'une plaque de semi-conducteur. Le dispositif semi-conducteur (100) comprend un substrat (110) ayant un revêtement inférieur antiréfléchissant organique, une couche inférieure minérale antiréfléchissante, une couche organique de résine de gravure à l'eau forte, une couche organique d'amélioration d'adhérence, diverses zones dopées, des caractéristiques diélectriques, et/ou des interconnexions multiniveaux. Selon le présent mode de réalisation, le substrat comprend du silicium, mais d'autres modes de réalisation peuvent comprendre du Ge, SiGe, GaAs, et ainsi de suite. Le substrat peut alternativement comprendre un matériau non-semiconducteur tel qu'une plaque de verre pour des dispositifs d'affichage à cristaux liquides à transistor à couche mince. Le dispositif semi-conducteur (100) peut comprendre en outre une ou plusieurs couches de matériaux à imprimer. Le dispositif semi- conducteur (100) comprend une couche photosensible (photo-résine) (120). Dans le présent exemple, la couche de photo-résine (120) peut avoir une épaisseur allant de 50 à 5000 angstrôms environ. Dans un autre exemple, la 2891631 3 couche de photo-résine (120) peut avoir une épaisseur allant de 500 et 2000 angstroms environ. La couche de photo-résine (120) utilise un matériau de photo-résine à amplification chimique. La couche de photorésine (120) comprend un matériau polymère qui devient soluble à un développeur (révélateur), tel qu'une solution basique, lorsque le polymère est amené à réagir avec de l'acide. La photo-résine (120) comprend en outre un solvant remplissant l'intérieur du polymère. Le solvant peut être partiellement évaporé au cours d'un procédé de cuisson. La photo-résine (120) comprend également un matériau générateur photo- acide (122) (GPA). Les molécules GPA sont distribuées à l'intérieur du solvant et du polymère. En absorbant de l'énergie lumineuse, le GPA (122) se décompose et forme une petite quantité d'acide. Le GPA (122) peut avoir une concentration s'étalant entre environ 1% et 15% en masse du polymère de photo-résine (120). Selon le présent mode de réalisation, la photo-résine (120) comprend également un matériau atténuateur (124) qui est réparti à l'intérieur du solvant et du polymère. L'atténuateur (124) est de type basique et est capable de neutraliser sensiblement de l'acide. Collectivement ou alternativement, l'atténuateur peut empêcher l'autre composant actif de la photo-résine (120) tel qu'un GPA inhibiteur d'entrer en réaction. L'atténuateur (124) peut avoir une concentration plus en grande qu'environ 1% en masse polymère de photo-résine. L'atténuateur (124) peut alternativement avoir une concentration égale à environ un quart de la concentration du GPA (122) en masse avant le procédé d'exposition. Dans un exemple, chaque molécule de l'atténuateur (124) comprend un atome d'azote avec deux électrons non apairées qui est capable de neutraliser un acide. La couche de photo-résine (120) peut être formée sur le substrat (110) par une méthode telle qu'un recouvrement rotatif. D'autres procédés en oeuvre peuvent comporter une cuisson douce après le procédé de recouvrement. Dans le présent mode de réalisation, un matériau d'enduction (130) recouvre la couche de photo-résine (120). Le matériau d'enduction (130) comprend un polymère (132) qui est notablement insoluble à un fluide d'immersion. Par exemple, le polymère (132) contient du fluorure. Le matériau d'enduction (130) comprend un acide (134). Le matériau d'enduction (130) peut avoir une valeur de pH inférieure à 5 environ. L'acide (134) peut être chimiquement lié au polymère (132). L'acide chimiquement lié (134) et le polymère (132) peuvent former un copolymère qui a un groupe fonctionnel organique acide. Le groupe fonctionnel organique acide peut 2891631 4 comprendre un groupe carboxylique, le groupe d'hydroxyle, un groupe de thiol, un groupe d'enol, un groupe de phénol, un groupe d'acide sulfonylique, un groupe de SO2OH, ou une combinaison de l'un d'eux. L'acide (134) peut être alternativement distribué dans le matériau d'enduction (130) mélangé au polymère. A cette fin, l'acide peut comprendre un agent tensio-actif, un additif, un neutraliseur, et d'autres produits chimiques appropriés. Les additifs acides peuvent comprendre de l'acide organique ou de l'acide minéral. L'acide organique peut être choisi parmi un groupe carboxylique, un groupe d'hydroxyle, un groupe de thiol, un groupe d'enol, un groupe de phénol, un groupe d'acide sulfonylique, un groupe de SO2OH, ou une combinaison de l'un d'eux. L'acide minéral peut être choisie parmi de l'acide perchlorique, de l'iodure d'hydrogène, du bromure d'hydrogène, du chlorure d'hydrogène, de l'acide nitrique, de l'acide thiocyanique, de l'acide chlorique, de l'acide iodique, de l'acide hypophosphoreux, du fluorure d'hydrogène, de l'acide nitreux, de l'acide cyanique, de l'acide hydrazoïque, de l'acide hypochloreux, de l'acide hypobromé, de l'acide cyanhydrique, de l'acide hypoiodé, de l'acide sulfurique, de l'acide chromique, de l'acide sulfureux, de l'acide phosphorique, de l'acide phosphoreux, de l'acide pyrophosphorique, de l'acide carbonique, du sulfure d'hydrogène, de l'acide borique, et ou une combinaison de l'un d'eux. Dans un autre exemple, l'acide organique peut comprendre un GPA dans le matériau d'enduction, lié ou non au polymère (132). Le GPA dans le matériau d'enduction (130) peut être transformé en acide lors d'un procédé d'exposition tel qu'un procédé d'exposition pour l'impression de photo-résine. La couche de matériau d'enduction (130) peut comprendre en outre du solvant dans le polymère. Le solvant peut être un solvant perfluoré tel que l'hydrofluroether C4F9OCH3. Le solvant peut alternativement être un mélange de PGME/PGMEA. Le rapport de mélange peut s'étendre entre 10/1 et 1/10 environ. Par exemple, le rapport de mélange est d'environ 7/3. Le solvant peut comprendre un solvant d'alcool tel que du cyclohexanol, du butanol, de I'isobutanol, du pentanol, ou de l'isopentanol. Le solvant peut être alternativement à base d'eau. Alternativement, le matériau d'enduction (130) peut comprendre un composé de chélate au lieu d'un acide. Le composé de chélate est capable de réagir avec l'atténuateur et le lien chimique présent. La réaction entre le composé de chélate et l'atténuateur peut produire une plus grande molécule, une mobilité réduite de l'atténuateur, et/ou peut inactiver l'atténuateur, par exemple en neutralisant l'azote de l'atténuateur. Le composé de chélate peut être chimiquement lié au polymère. Ainsi 2891631 5 la réaction entre l'atténuateur et le composé de chélate peut mener à une liaison de l'atténuateur au polymère. La figure 2 est une vue schématique d'un exemple de réaction entre un atténuateur et un composé de chélate. Un atténuateur (202) comportant d'une amine tertiaire peut réagir avec un composé de chélate (204) comportant un halogènalkane et former une lame (206) d'ammonium quaternaire. A nouveau dans la figure 1, la couche d'enduction peut être intégralement un revêtement anti-réfléchissant supérieur à réflexion d'énergie de rayonnement améliorée lors d'un procédé d'exposition. Le matériau d'enduction (130) peut être alternativement formé au-dessus ou en dessous d'une couche séparée d'enduction anti-réfléchissant supérieur. Le matériau d'enduction (130) peut comprendre une structure de couches multiples (couches composites). Par exemple, le matériau d'enduction (130) peut comprendre une double structure de couche ayant une première couche d'enduction et une deuxième couche d'enduction disposées sur la première couche d'enduction. Les premières et deuxièmes couches d'enduction peuvent comprendre différents matériaux adaptés à des fonctions souhaitées. La première couche d'enduction peut être disposée sur la couche de photo-résine (120) et peut être conçue pour fonctionner en tant que couche d'absorption d'atténuateur pour neutraliser l'atténuateur diffusé depuis la couche de photo-résine (120). Pour éviter le mélange de photo-résine pendant l'enduction, le solvant de la première couche d'enduction peut être différent de celui de la couche de photo-résine. Par exemple, si la couche de photo-résine est un solvant de type PGME/PGMEA, la première couche d'enduction pourra utiliser un solvant de type alcool. La deuxième couche d'enduction peut être un maillage de polymères croisés lors d'un procédé de cuisson, ou peut utiliser un solvant conventionnel tel qu'un solvant de type PGME/PGMEA pour éliminer le mélange. Alternativement, la première couche d'enduction peut être croisée et la deuxième couche d'enduction peut utiliser un solvant normal tel qu'un solvant de type PGME/PGMEA. La deuxième couche d'enduction peut être conçue pour isoler la couche de photo-résine du fluide d'immersion, éliminant la prise de liquide du fluide d'immersion tel que de l'eau dé- ionisée. Collectivement ou alternativement, la deuxième couche d'enduction peut être conçue pour empêcher la composition de photo-résine de fuir vers la couche de photo-résine (120). Les fonctions des première et deuxième couches d'enduction 2891631 -6 peuvent être permutées vers une première couche en tant qu'isolant et une deuxième couche en tant que neutralisateur d'atténuateur. Le matériau d'enduction (130) peut être notablement soluble dans une solution basique, une solution de développement, ou un solvant. Un exemple de solution basique est une solution d'hydroxyde de tetramethylammonium (TMAH). Un exemple de solvant est du cyclohexanol, du butanol, de l'isobutanol, du pentanol, ou de I'isopentanol. La couche de photo-résine (120) peut être une solution telle que du PGMEA ou du PGME. Le matériau d'enduction (130) peut être recouverte en rotation et peut être également cuire au four. Le procédé de cuisson peut faire partie ou être indépendant du procédé de cuisson de la couche de photo-résine (120). Lors d'un procédé d'exposition, la couche de photo-résine (120) et le matériau d'enduction (130) sont exposées à une énergie de rayonnement telle que de l'ultra-violet profond (DUV) à travers un photo-masque (masque ou réticule) au motif prédéfini et un fluide d'immersion, résultant en un modèle de photo-résine comportant plusieurs zones non exposées telles que les caractéristiques non exposées (120a) et plusieurs zones exposées telles que les caractéristiques exposées (120b). L'énergie de rayonnement peut être un faisceau de 248 nanomètres fourni par des lasers à excimère à Fluorure de Krypton (KrF) ou un faisceau de 193 nanomètres fourni par des lasers à excimère à Fluorure d'Argon (ArF). Le fluide d'immersion peut être de l'eau dé-ionisée. Le fluide d'immersion peut comprendre en outre des additifs chimiques tels qu'un acide. Le fluide d'immersion peut alternativement comprendre d'autres fluides appropriés ayant un indice de réfraction supérieur à 1,44 fois l'indice de réfraction de l'eau. Lors d'un procédé d'exposition, des résidus de gouttes d'eau, tel que l'exemple de goutte d'eau (140), peuvent être laissés sur le matériau d'enduction après le procédé d'exposition. Dans les anciens procédés d'impression par lithographie par immersion, les résidus de gouttes d'eau peuvent poser des problèmes tels que la formation d'un filigrane d'eau. Lorsqu'une goutte d'eau est laissée sur une couche de photo-résine, la goutte d'eau constitue un chemin au GPA et à l'atténuateur. L'atténuateur dans la zone non- exposée de la photo- résine peut être diffusé via la goutte d'eau et se répandre jusqu'à la zone d'exposition de la photo-résine, neutraliser l'acide photo-généré, et réduire l'efficacité d'exposition dans ces zones exposées. En outre, le GPA exposé est décomposé en GPA anion et acide, qui est plus soluble à l'eau que le GPA non exposé. L'acide photo-généré peut également se diffuser à travers la goutte d'eau 2891631 7 avec pour effet supplémentaire que ces zones exposées ont pu réduire l'acide photo-généré. Ces zones d'exposées de la couche de photo-résine peuvent ainsi avoir insuffisamment d'acide photo-généré pour activer une cascade de transformations chimiques (amplification acide) après la phase du procédé d'exposition, et ne peut pas être entièrement soluble pour le développement de la solution à une phase du procédé de développement. Ainsi une caractéristique de photo-résine supérieure en T inattendue (filigrane) peut être formée sur les zones exposées de la couche de photorésine, dans laquelle le matériau de photo-résine supérieur de la zone d'exposition n'est pas soluble dans une solution de développement. Selon la présente invention, le matériau d'enduction isole les gouttes d'eau de la couche de photo-résine (120). Lorsque l'atténuateur (124) est diffusé dans le matériau d'enduction (130), il entrera en réaction avec, soit l'acide du matériau d'enduction (130), soit un composé de chélate de sorte que l'atténuateur diffusé soit neutralisé, isolé, ou transformé en molécule à mobilité réduite avec ou sans fonction d'atténuation. La diffusion de l'atténuateur dans les gouttes d'eau est ainsi réduite voire éliminée. Le matériau d'enduction (130) avec de l'acide peut réduire en outre de l'acide photo-généré se diffusant à l'extérieur de la couche de photo-résine (120). Par exemple, l'acide passé dans les gouttes d'eau peut être de moins de 10,9 moles/cm2 environ lors d'une lithographie par immersion. Selon divers modes de réalisation, la diffusion de l'atténuateur vers les gouttes d'eau est notablement diminuée et le filigrane est notablement réduit en conséquence. De nombreux modes de réalisation peuvent être modifiés ou combinés pour optimiser des procédés d'impression de photorésine. Dans la figure 3, un organigramme d'un procédé (300) de lithographie par immersion pour former un modèle de photo-résine est décrit. Le procédé (300) comprend une phase (302) pour former une couche photosensible (photo-résine) sur une plaque de semi-conducteur. La couche de photorésine est notablement similaire à la couche de photo-résine (120) de la figure 1. Le procédé (300) comprend en outre une phase (304) pour former un matériau d'enduction sur la couche de photo-résine où le matériau d'enduction peut être notablement similaire à la couche de matériau d'enduction (130) de la figure 1. Le matériau d'enduction peut comprendre un acide ou un composé de chélate fonctionnant comme intercepteur de l'atténuateur. L'acide ou le composé de chélate peuvent être chimiquement liés au le polymère du matériau de d'enduction. 2891631 8 Le procédé (300) comprend en outre une phase (306) pour exposer la couche de photo-résine à une énergie de rayonnement telle que du DUV à travers un photomasque et un fluide d'immersion. Le fluide d'immersion peut être de l'eau dé-ionisée ou tout autre fluide approprié ayant un indice de réfraction élevé, et est disposé entre la plaque de semiconducteur et l'objectif d'un système de lithographie par immersion pour mettre en oeuvre Le procédé (300). Puisque le matériau d'enduction est formé sur la couche de photo-résine, l'atténuateur a une quantité réduite de fuite des gouttes d'eau laissées sur le matériau d'enduction après la phase d'exposition. Le procédé (300) procède alors à une phase (308) cuire (cuisson de postexposition) la couche de photo-résine. La température de cuisson peut aller de 80 C à 150 C environ. La cuisson peut durer entre environ 1 et 20 minutes par exemple. La phase de traitement au four peut en outre servir à éliminer des gouttes d'eau. Le procédé (300) procède alors à une phase (310) pour développer la couche de photo-résine dans une solution de développement. Les zones de photo-résine exposées sont notablement dissoutes. L'étape (310) peut comprendre en outre une étape de suppression pour éliminer le matériau d'enduction, séparément ou combiné avec le procédé de développement. Par exemple, le matériau d'enduction peut être enlevé de la solution de développement avec le matériau de photo-résine exposé. Le matériau et le procédé sont décrits sur la base d'un exemple de photo-résine positive et peuvent être étendus à une photo-résine négative. Ainsi, selon un mode de réalisation, la présente invention fournit un matériau d'enduction disposé au-dessus d'une couche photosensible, pour utilisation lors d'un procédé de lithographie par immersion. Le matériau d'enduction comprend un polymère notablement insoluble à un fluide d'immersion; et un acide capable de neutraliser un atténuateur basique de la couche photosensible. Dans certains modes de réalisation, le matériau d'enduction a une valeur de pH inférieure à 5 environ. L'acide peut être chimiquement lié au polymère. L'acide peut être choisi parmi un composé chimique neutralisateur d'acide et d'un produit chimique acide. L'acide peut être un acide organique et/ou un acide minéral. L'acide organique peut être un groupe fonctionnel acide organique attaché à un groupe alcoyle ou un groupe aromatique du polymère. L'acide organique peut être un générateur photo-acide (GPA). L'acide organique peut être un groupe fonctionnel acide organique tel qu'un groupe carboxylique, un groupe d'hydroxyle, un groupe de 2891631 -9- thiol, un groupe d'enol, un groupe de phénol, un groupe d'acide de sulfonyl, et/ou un groupe SO2OH. L'acide minéral peut être de l'acide perchlorique, de l'iodure d'hydrogène, du bromure d'hydrogène, du chlorure d'hydrogène, de l'acide nitrique, de l'acide thiocyanique, de l'acide chlorique, de l'acide iodique, de l'acide hypophosphoreux, du fluorure d'hydrogène, de l'acide nitreux, de l'acide cyanique, de l'acide hydrazoïque, de l'acide hypochloreux, de l'acide hypobromé, de l'acide cyanhydrique, de l'acide hypoiodé, de l'acide sulfurique, de l'acide chromique, de l'acide sulfureux, de l'acide phosphorique, de l'acide phosphoreux, de l'acide pyrophosphorique, de l'acide carbonique, du sulfure d'hydrogène, et/ou de l'acide borique. Le polymère et la structure de l'acide peuvent comprendre du fluorure. Le matériau d'enduction peut être notablement soluble par une solution choisie parmi une solution de développement, une solution basique et un solvant. La solution basique peut être une solution d'hydroxyde de tétramethylammonium (TMAH). Le solvant peut être du cyclohexanol, de I'isobutanol, ou de l'isopentanol. Le matériau d'enduction peut être une structure à couches multiples. Selon un autre mode de réalisation, un matériau d'enduction est disposé au-dessus d'une couche photosensible ayant un atténuateur capable de neutraliser de l'acide lors d'un procédé de lithographie par immersion. Le matériau d'enduction comprend un polymère notablement insoluble à un fluide d'immersion, et: soit un acide capable de neutraliser l'atténuateur de la couche photosensible, soit un composé de chélate capable de lier l'atténuateur à la couche photosensible, ou les deux. Le matériau d'enduction peut être conçu pour fonctionner comme un revêtement anti-réfléchissant supérieur. Le composé de chélate peut être collé sur le polymère. Le composé de chélate peut comprendre un halogènalkane. Le composé de chélate peut être capable de réagir avec l'atténuateur pour former des sels d'ammonium quaternaire. Un mode de réalisation d'un procédé de photolithographie par immersion est également présenté. Le procédé comprend la formation d'une couche de photo-résine photosensible sur un substrat, la couche de vernis photosensible comprenant un atténuateur capable de neutraliser de l'acide. Un matériau d'enduction est formé sur la couche de photo-résine, où la couche de matériau d'enduction comprend: un acide capable de neutraliser l'atténuateur de la couche photosensible et d'un polymère qui est notablement un porteur de l'acide et est notablement insoluble à un fluide d'immersion. La méthode comprend en outre l'exposition de la couche de 2891631 -10- photo-résine à travers un photo-masque d'impression et le fluide d'immersion en utilisant un système d'objectif d'immersion. Le système d'objectif d'immersion peut comprendre une ouverture numérique supérieure à 0,85 environ. La couche de photo-résine est cuite au four et développée. La description qui précède a présenté les caractéristiques de plusieurs modes de réalisation de sorte que l'homme de l'art pourra mieux comprendre la description détaillée qui s'ensuit. L'homme de l'art devra apprécier qu'il puisse spontanément utiliser la présente invention en tant que base pour concevoir ou modifier d'autres procédés et structures pour atteindre les mêmes buts et/ou exploiter les mêmes avantages des modes de réalisation présentés ici. L'homme de l'art comprendra également que des solutions équivalentes ne se départissent en rien de l'esprit ni de la portée de la présente invention, et qu'elles peuvent faire l'objet de divers changements, remplacements ou modifications sans altérer l'esprit ni la portée de la présente invention. 2891631 -11- REVENDICATIONS 1) Matériau d'enduction (130) disposé au-dessus d'une couche photosensible pour usage en procédé de lithographie par immersion, le matériau d'enduction (130) comprenant: un acide capable de neutraliser sensiblement un atténuateur (124) de la couche photosensible; et un polymère (120) qui est sensiblement un porteur de l'acide et est sensiblement insoluble à un fluide d'immersion utilisé dans le procédé de lithographie par immersion. 2) Le matériau d'enduction (130) selon la revendication 1, où l'acide est chimiquement lié au polymère (120). 3) Le matériau d'enduction (130) selon la revendication 1, où l'acide comporte un acide organique. 4) Le matériau d'enduction (130) selon la revendication 3, où l'acide organique 20 comporte un groupe d'acide de sulfonyl. 5) Le matériau d'enduction (130) selon la revendication 1, où le matériau d'enduction (130) est sensiblement soluble dans une solution basique. 6) Le matériau d'enduction (130) selon la revendication 5, où la solution basique comporte une solution d'hydroxyde de tétramethylammonium (TMAH). 7) Le matériau d'enduction (130) selon la revendication 1, où le matériau d'enduction (130) est sensiblement soluble dans un solvant. 8) Le matériau d'enduction (130) selon la revendication 7, où le solvant comporte du cyclohexanol. 9) Matériau d'enduction (130) disposé au-dessus d'une couche photosensible et 35 pour usage en procédé de lithographie par immersion, le matériau d'enduction (130) comprenant: 2891631 -12- un composé de halogenalkane capable de lier un atténuateur (124) de la couche photosensible; un polymère (120) qui est sensiblement insoluble à un fluide d'immersion utilisé dans le procédé de lithographie par immersion. 10)Le matériau d'enduction (130) selon la revendication 9, où le composé de halogenalkane est chimiquement lié au polymère (120). 11)Procédé de lithographie par immersion, comportant les étapes suivantes: formation d'une couche photosensible au-dessus d'un substrat, la couche photosensible comprenant un atténuateur (124) capable de neutraliser sensiblement de l'acide; formation d'une couche de matériau d'enduction (130) recouvrant la couche photosensible, où le matériau d'enduction (130) comprend: un acide capable de neutraliser sensiblement l'atténuateur (124) de la couche photosensible; et un polymère (120) qui est sensiblement un porteur de l'acide et est sensiblement insoluble à un fluide d'immersion utilisé dans le procédé de lithographie par immersion; exposition de la couche photosensible par un photo-masque et du fluide d'immersion en utilisant l'objectif d'un système de lithographie par immersion; cuisson de la couche photosensible; et développement de la couche photosensible exposée. 12)Le procédé selon la revendication 11, où l'objectif de système de lithographie par immersion comporte une ouverture numérique supérieure à 0,85 environ. 13)Le procédé selon la revendication 11, où l'acide est chimiquement lié au polymère (120). 14)Le procédé selon la revendication 11, où le matériau d'enduction (130) est sensiblement soluble dans une solution basique. 15)Le procédé selon la revendication 11, où le matériau d'enduction (130) est 35 sensiblement soluble dans un solvant.