FR 2896320 A1 20070720 FR 0601072 A 20060207 Des générateurs de tension de référence sont employés dans une myriade d'applications. Par exemple, des dispositifs de visualisation à cristaux liquides (LCD pour "Liquid Crystal Display") utilisent un générateur de tension de référence pour générer une tension de circuit d'attaque utilisée par un circuit d'attaque de grille et un circuit d'attaque de données ou de source du dispositif de visualisation à cristaux liquides. Dans un grand nombre de ces applications, il est souhaitable de fournir une tension de référence qui varie avec la température pour s'opposer à des effets nuisibles possibles que la température peut avoir sur l'application. La figure 1 illustre un générateur de tension de référence classique qui fait varier en fonction de la température la fonction de référence qui est générée. Comme représenté, le générateur de tension de référence classique comprend un miroir de courant 51, un circuit proportionnel à la température absolue (PTAT pour "Proportional To Absolute Temperature") 52 et un circuit complémentaire vis- à-vis de la température absolue (CTAT pour "Complementary To Absolute Temperature") 53. Le miroir de courant 51 comprend un premier transistor PMOS TP1, un premier transistor NMOS TN1 et une première résistance Rl connectés en série entre une tension d'alimentation VDD et la masse VSS. Le miroir de courant 51 comprend en outre un deuxième transistor PMOS TP2 et un deuxième transistor NMOS TN2 connectés en série entre la tension d'alimentation VDD et la masse VSS. La grille du premier transistor PMOS TP1 est connectée à la grille du deuxième transistor PMOS TP2. De façon similaire, la grille du premier transistor NMOS TN1 est connectée à la grille du deuxième transistor NMOS TN2. Le drain du premier transistor PMOS TP1 est en outre connecté à la grille du premier transistor PMOS TP1, et le drain du deuxième transistor NMOS TN2 est connecté à la grille du deuxième transistor NMOS TN2. Le rapport entre l'aire du premier 2 transistor NMOS TN1 et l'aire du deuxième transistor NMOS TN2 est appelé le rapport de densité de courant P. Le miroir de courant 1 comprend également un troisième transistor PMOS TP3 connecté en parallèle avec les premier et deuxième transistors PMOS TP1 et TP2. La grille du troisième transistor PMOS TP3 est connectée à la grille du deuxième transistor PMOS TP2. Un circuit proportionnel à la température absolue (PTAT) 52 et un circuit complémentaire vis-à-vis de la température absolue (CTAT) 53 sont connectés en série avec le troisième transistor PMOS TP3 entre la tension d'alimentation VDD et la masse Vss. Le circuit PTAT 52 comprend une résistance variable R2. Le circuit CTAT 53 comprend un transistor bipolaire à jonctions TB. La base du transistor TB est connectée à son collecteur. Pendant le fonctionnement, le circuit miroir de courant 51 génère un courant Ix qui donne lieu, par un effet miroir, à un courant Iy dans les circuits PTAT et qui à travers les circuits PTAT et CTAT 52 et 53 tension de référence. Le circuit PTAT 52 génère une tension Vx égale à IyR2, avec Iy = mIx. Ici, m est le rapport entre la taille du troisième transistor PMOS TP3 et la taille du 25 deuxième transistor PMOS TP2. En outre, Ix CTAT 52 circule produit la tension de référence Vref du générateur de et 53. La par tension générée le courant VT() (1/R1) lnP, en processus ayant une thermique k est la une constante de VT égale à kT/q. Ici, T est la constante de Boltzmann et q est la la tension température, désignant par valeur de l'ordre de 1 à 2, et par 30 charge élémentaire. Le circuit CTAT 53 génère la tension VBE égale à VTln(Iy/Is), le terme Is étant le courant de saturation qui, comme on le sait, dépend de la taille du transistor TB. Par conséquent, la tension de référence Vref est égale à Vx + VBE. 35 La figure 2 illustre une représentation graphique montrant des changements de la tension de référence Vref en 3 fonction de la température pour des versions du circuit de génération de tension de référence de la figure 1 ayant différents coefficients de température. Comme on le sait, le coefficient de température est le taux de variation de la tension en fonction de variations de température. La présente invention concerne un générateur de tension de référence. Un mode de réalisation de la présente invention comprend un circuit de génération de tension de référence qui génère une tension de référence qui change avec la température. Par exemple, le circuit de génération de tension de référence peut générer une tension de référence qui diminue lorsque la température augmente. Le circuit de génération de tension de référence est configuré pour changer sélectivement un coefficient de température de la tension de référence, de façon qu'à une valeur de température sélectionnée, la tension de référence ait une même valeur de tension indépendamment du coefficient de température. Dans un mode de réalisation, le circuit de génération de référence combine une première tension et une deuxième tension pour produire la tension de référence. La première tension peut être une tension dépendant de la température et la deuxième tension peut être une tension indépendante de la température. Par exemple, le circuit de génération de référence peut pondérer respectivement les première et deuxième tensions, et soustraire la première tension pondérée de la deuxième tension pondérée. Le circuit de génération de tension de référence peut également être configuré pour faire varier sélectivement les poids respectifs, et le fait de faire varier les poids respectifs fait varier le coefficient de température de la tension de référence. Dans un mode de réalisation, le générateur de tension de référence comprend un premier générateur de tension qui génère la première tension, et un deuxième 4 générateur de tension qui génère la deuxième tension. Le premier générateur de tension peut inclure des deuxième et troisième résistances connectées en série, et un élément de variation de résistance connecté en parallèle avec 1C. troisième résistance. L'élément de variation de résistance peut être configuré pour être réglable de façon que le premier circuit de génération de tension génère une valeur de tension désirée à la valeur de température sélectionnée. Par exemple, la valeur de tension désirée peut être 1a deuxième tension. Le deuxième générateur de tension peut inclure un élément proportionnel à la température absolue connecté en série avec un élément complémentaire vis-à-vrs de la température absolue. Conformément à un mode de réalisation, le générateur de tension de référence comprend un premier_ générateur de tension qui génère une première tension et un deuxième générateur de tension qui génère une deuxième tension. Un soustracteur de tension pondère respectivement: les première et deuxième tensions et soustrait la première tension pondérée de la deuxième tension pondérée pour produire la tension de référence. La présente invention concerne également un procédé de génération d'une tension de référence. Un mode de réalisation de ce procédé comprend la génération d'une tension de référence qui change avec la température et qui, à une valeur de température sélectionnée, a une même valeur de tension indépendamment d'un coefficient de température de la tension de référence. Dans un exemple, l'étape de génération peut générer une tension de référence qui diminue lorsque la température augmente. Dans un mode de réalisation, l'étape de génération comprend la pondération des première et deuxième tensions, et l'opération consistant à soustraire la première tension pondérée de la deuxième tension pondérée. La première tension peut être une tension dépendant de la température, et la deuxième tension peut être une tension indépendante de la température. Dans un mode de réalisation, l'étape de génération comprend en outre l'opération consistant à faire varier 5 sélectivement les poids respectifs pour faire varier le coefficient de température de la tension de référence. Dans un mode de réalisation, le procédé peut en outre inclure la génération de la première tension sur la base d'une valeur de résistance et la génération de la deuxième tension. L'étape de génération de la première tension peut inclure le réglage de la valeur de résistance de façon que la première tension ait une valeur de tension désirée à une valeur de température sélectionnée. Par exemple, la valeur de tension désirée peut être la deuxième tension. La présente invention concerne également des applications employant un générateur de tension de référence, comme un circuit d'attaque de visualisation. Par exemple, un mode de réalisation d'un circuit d'attaque de visualisation peut inclure un générateur de tension générant une tension de circuit d'attaque de grille et une tension de circuit d'attaque de source. Le générateur de tension peut inclure un générateur de tension de référence qui génère une tension de référence en conformité avec un mode de réalisation de la présente invention, et le générateur de tension génère au moins la tension de circuit d'attaque de grille sur la base de la tension de référence. Un circuit d'attaque de source peut générer des signaux de circuit d'attaque pour un panneau de visualisation sur la base de la tension de circuit d'attaque de source, et un circuit d'attaque de grille peut générer des signaux d'attaque de grille pour le panneau de visualisation sur la base de la tension de circuit d'attaque de grille. Dans un mode de réalisation, le générateur de tension de référence génère une tension de référence qui diminue sous l'effet d'augmentations de 6 température, de façon que les signaux d'attaque de grille diminuent lorsque la température augmente. On pourra comprendre plus complètement la présente invention d'après la description détaillée donnée ci- dessous et les dessins annexés, dans lesquels des éléments semblables sont désignés par des numéros de référence semblables, qui sont donnés seulement à titre d'illustration et ne limitent donc pas la présente invention, et dans lesquels : la figure 1 montre un générateur de tension de référence classique ; la figure 2 montre une représentation graphique de la tension de référence en fonction de la température pour le générateur de tension de référence de la figure 1, ayant différents coefficients de température ; la figure 3 montre un générateur de tension de référence conforme à un mode de réalisation de la présente invention ; la figure 4 montre un exemple des première et deuxième tensions V1 et V2 de la figure 3 en fonction de la température, lorsque la première tension V1 a un coefficient de température de +0,2%/ C ; la figure 5 montre la tension de référence Vref en fonction de variations de température pour le générateur de tension de référence de la figure 3, lorsque le coefficient de température est -0,5%/ C. La figure 6 montre en détail le miroir de courant, le circuit PTAT et le circuit TIVG de la figure 3, en conformité avec un premier exemple de mode de réalisation de la présente invention ; la figure 7 montre la tension de référence Vref en fonction de la température pour des générateurs de tension de référence conformes à la présente invention, ayant différents coefficients de température ; la figure 8 montre en détail le miroir de courant, le circuit PTAT et le circuit TIGV de la figure 3, en 7 conformité avec un deuxième exemple de mode de réalisation de la présente invention ; la figure 9 montre un exemple d'application du générateur de tension de référence conforme à la présente 5 invention ; et la figure 10 montre le changement de la tension de grille en fonction de changements de température lorsqu'un générateur de tension de référence conforme à un mode de réalisation de la présente invention est utilisé dans le 10 circuit d'attaque de visualisation de la figure 9. La figure 3 montre un générateur de tension de référence conforme à un mode de réalisation de la présente invention. Comme représenté, le générateur de tension de référence comprend un miroir de courant 86, un circuit 15 proportionnel à la température absolue (PTAT) 84 et un circuit de génération de tension indépendante de la température (TIVG pour "Temperature Independent Voltage Generating") 85. Sur la base du courant fourni par le miroir de courant 86, le circuit PTAT 84 et le circuit TIVG 20 85 génèrent respectivement des première et deuxième tensions V1 et V2. Un amplificateur isolateur 82 isole la première tension V1, et un circuit de combinaison de tensions 83 combine la première tension V1 isolée et la deuxième tension V2 pour générer la tension de référence 25 Vref. Le circuit PTAT 84 génère la première tension V1 proportionnellement à des changements de température à un coefficient de température établi (par exemple +0,2%/ C). Au contraire, le circuit TIVG 85 génère la même deuxième 30 tension V2 indépendamment de changements de température. Le circuit PTAT 84 ainsi que le circuit TIVG 85 seront décrits en détail ci-dessous, conjointement au miroir de courant 86. Le circuit isolateur 82 comprend un premier 35 amplificateur opérationnel Al dont la sortie est connectée à son entrée négative et qui reçoit la première tension V1 sur son entrée positive. Le circuit isolateur 82 a pour fonction de bloquer un courant inutile provenant du circuit PTAT 84. Le circuit de combinaison de tension 83 comprend un deuxième amplificateur opérationnel A2. L'entrée positive du deuxième amplificateur opérationnel A2 reçoit la deuxième tension V2. L'entrée négative du deuxième amplificateur opérationnel A2 reçoit par l'intermédiaire d'une première résistance R10 la première tension V isolée. L'entrée négative du deuxième amplificateur opérationnel A2 est également connectée à la sortie du deuxième amplificateur opérationnel A2 par l'intermédiaire d'une deuxième résistance R20. Par conséquent, on notera que l'amplificateur opérationnel A2 remplit la fonction d'un amplificateur différentiel. En fonctionnement, conformément à la loi de Kirchoff, le courant I1 à travers la première résistance R10 est égal au courant I2 à travers la deuxième résistance R20, ce qui fait qu'on a : V1 - V2 V2 - Vref Il = I2 = (1) R10 R20 En résolvant cette équation vis-à-vis de la tension de référence Vref, on obtient : Vref = 1 + R20 V2 - R20 Vl (2) Rio Rio Le coefficient de température de la tension de référence Vref générée par le générateur de tension de référence (qu'on peut également appeler le coefficient de température du générateur de tension de référence) peut alors être exprimé sous la forme :30 Coefficient de température de Vref = Vref (Tb) - Vref (Ta) 1 - Ta x Vref (temp_ ambiante) x 100 Tb - R20 Vl(Tb) - Vl(Ta) 1 x x x 100 (3) R10 Tb - Ta Vl (temp_ ambiante) = - R20 x (coefficient de température de Vl) Rlo dans laquelle Ta et Tb sont des températures, avec Tb > Ta. Comme indiqué par l'équation 3, le coefficient de température de la tension de référence Vref est basé sur le coefficient de température de la première tension V1 et sur le rapport (R20/R10) entre la valeur de la deuxième résistance R20 et la valeur de la première résistance R10. Comme décrit ci-dessus, et comme on le décrira ci-dessous de façon plus détaillée, le coefficient de température du circuit PTAT 84, et donc la première tension V1, est une valeur établie. Par conséquent, le coefficient de température de la première tension V1 peut être établi à +0,2%/ C. Par conséquent, le coefficient de température de la tension de référence Vref peut être déterminé par le rapport R20/R10. Par exemple, le fait de fixer le rapport R20/R10 à 2,5 produit un coefficient de température de -0,5% pour Vref. La figure 4 illustre un exemple des première et deuxième tensions V1 et V2 en fonction de la température, dans une condition dans laquelle la première tension V1 a un coefficient de température de +0,2%/ C. Pour les courbes illustrées sur la figure 4, la figure 5 illustre la tension de référence Vref en fonction de changements de la température lorsque le coefficient de température est -0,5%/ C. 10 La figure 6 montre en détail le miroir de courant 86, le circuit PTAT 84 et le circuit TIVG 85, en conformité avec un premier exemple de mode de réalisation de la présente invention. Comme représenté, le miroir de courant. 86 comprend un premier transistor PMOS PM1, un premier transistor NMOS NM1 et une troisième résistance R30 connectés en série entre une tension d'alimentation VDD et la masse. Le miroir de courant 86 comprend en outre un deuxième transistor PMOS PM2 et un deuxième transistor NMOS NM2 connectés en série entre la tension d'alimentation VDD et la masse. La grille du premier transistor PMOS PM1 est connectée à la grille du deuxième transistor PMOS PM2. De façon similaire, la grille du premier transistor NMOS NM1 est connectée à la grille du deuxième transistor NMOS NM2. Le drain du premier transistor PMOS PM1 est en outre connecté à la grille du premier transistor PMOS PMI, et le drain du deuxième transistor NMOS NM2 est connecté à la grille du deuxième transistor NMOS NM2. Le rapport entre l'aire du premier transistor NMOS NM1 et l'aire du deuxième transistor NMOS NM2 est P à 1, et on l'appelle le rapport de densité de courant P. Le miroir de courant 86 comprend également un troisième transistor PMOS PM3 et un quatrième transistor. PMOS PM4 connectés en parallèle avec les premier et deuxième transistors PMOS PM1 et PM2. Les grilles des troisième et quatrième transistors PMOS PM3 et PM4 sont connectées à la grille du deuxième transistor PMOS PM2. Le circuit PTAT 84 est connecté entre le troisième transistor PMOS PM3 et la masse, et le circuit TIVG 85 est connecté entre le quatrième transistor PMOS PM4 et la masse. Le circuit PTAT 84 comprend des quatrième et cinquième résistances R40 et R50 connectées en série entre le troisième transistor PMOS PM3 et la masse. Un fusible fl est connecté en parallèle avec la cinquième résistance R50. Le circuit TIVG 85 comprend une sixième résistance R60 et un troisième transistor NMOS NM3 connectés en série entre le quatrième transistor PMOS PM4 et la masse. De plus, La grille du troisième transistor NMOS NM3 est connectée à son drain. Le circuit miroir de courant 86 fournit un même courant miroir ID à la fois au circuit PTAT 84 et au circuit TIVG 85. Le circuit TIVG 85 génère la deuxième tension V2 conformément à l'expression suivante : V2 = Vn + IDR60 kT ID ÇkTR60 = Çùin + 1nP q ID0(W / L) gR30 kT ln IDL + R60 ln P cf IDOW R30 dans laquelle Vn est la tensions aux bornes du troisième NMOS NM3, W est la largeur du troisième NMOS NM3 et L est la longueur du troisième négativement à la deuxième tension V2 vis-à-vis de la température, positivement température. une tension constante vis-à-vis de la température. Le circuit PTAT 84 génère la première tension conformément à l'équation 5 ci-dessous : V1 = ID (R40 + R50 // f) (5) Comme représenté, la première tension V1 dépend en partie de la résistance qui est introduite par le fusible fi. Dans un mode de réalisation, le fusible fl est produit par fusion par laser. L'importance de la fusion définit la résistance offerte par le fusible fl. Dans un autre mode de réalisation, le fusible fl peut être formé par une (4) transistor transistor transistor l'équation NMOS NM3. Comme il ressort de façon évidente de 4, le troisième transistor NMOS NM3 contribue tandis que la résistance contribue à la deuxième tension V2 vis-à-vis de la Il en résulte que le circuit TIVG 85 génère 12 opération de programmation d'un élément de mémoire non volatile. Cependant, un fusible est simplement un exemple d'un élément de variation de résistance, et on peut utiliser à la place du fusible fl n'importe quel élément de variation de résistance. Par exemple, on peut également utiliser un transistor commandé par des éléments logiques. En utilisant l'élément de variation de résistance, on peut faire varier la première tension V1 en faisant varier la résistance de l'élément de variation de résistance. Dans un mode de réalisation de la présente invention, on fait varier l'élément de variation de résistance d'une manière telle qu'à une température désirée, la première tension V1 soit égale à la deuxième tension V2. Par exemple, la température désirée peut être la température ambiante ou 25 C. Le fait de fixer la première tension V1 égale à la deuxième tension V2 à une température désirée conduit à obtenir la même tension de référence Vref à cette température désirée, indépendamment du coefficient de température de la tension de référence Vref. Ceci est illustré sur la figure 7. La figure 8 montre en détail le miroir de courant 86, le circuit PTAT 84 et le circuit TIVG 85, en conformité avec un deuxième exemple de mode de réalisation de la présente invention. Dans ce mode de réalisation, le miroir de courant 86, le circuit PTAT 84 et le circuit TIVG 85 sont les mêmes que dans le mode de réalisation de la figure 6, à l'exception du fait que le troisième transistor NMOS NM3 dans le circuit TIVG 85 a été remplacé par un premier transistor bipolaire TB. Comme représenté, la base du transistor bipolaire TB est connectée au collecteur du premier transistor bipolaire TB. Comme on l'appréciera, le fonctionnement de ce mode de réalisation est le même que celui décrit ci-dessus en relation avec le mode de réalisation de la figure 6, et par 13 conséquent on ne le décrira pas en détail, dans l'intérêt de la brièveté. La figure 9 illustre un exemple d'application pour le générateur de tension de référence conforme à la présente invention. L'exemple d'application de la figure 9 est celui d'un dispositif de visualisation à cristaux liquides. Comme représenté, un générateur de tension 10 comprend un générateur de tension de référence 12 et un générateur de tension de circuits d'attaque 14. Le générateur de tension de circuits d'attaque 14 utilise la tension de référence générée par le générateur de tension de référence 12 pour produire une tension de circuit d'attaque de grille pour un circuit d'attaque de grille 16. Le générateur de tension 10 produit également une tension de circuit d'attaque de source pour un circuit d'attaque de source 18. Le circuit d'attaque de grille 16 et le circuit d'attaque de source 18 reçoivent également des signaux de temps provenant d'une unité de commande temporelle 20, qui génère les signaux de temps sur la base de données vidéo reçues. Sur la base des signaux de temps et de tensions de circuits d'attaque, le circuit d'attaque de grille 16 et le circuit d'attaque de source 18 produisent respectivement des signaux d'attaque de grille et des signaux de source, pour attaquer un panneau à cristaux liquides 22 et visualiser une image représentée par les données vidéo. Du fait que le fonctionnement et la structure des éléments formant le dispositif de visualisation à cristaux liquides sont très bien connus, ces éléments et leur fonctionnement ne seront pas décrits en détail, dans l'intérêt de la brièveté. Comme on le notera, le générateur de tension de référence conforme à un mode de réalisation de la présente invention peut être utilisé comme le générateur de tension de référence 12 sur la figure 9, à la place d'un générateur de tension de référence classique. Lorsque le générateur de tension de référence conforme à un mode de réalisation de 14 la présente invention est utilisé dans le dispositif de visualisation à cristaux liquides, la tension des signaux d'attaque de grille varie comme représenté sur la figure 10. Ainsi, comme représenté, les tensions des signaux d'attaque de grille diminuent lorsque la température augmente. L'invention étant ainsi décrite, il apparaîtra de façon évidente qu'elle peut être changée de nombreuses manières. De tels changements ne doivent pas être considérés comme un écart par rapport à l'invention, et on désire que toutes ces modifications soient incluses dans le cadre de l'invention. REVENDICATIONS 1. Générateur de tension de référence, caractérisé en ce qu'il comprend : un circuit de génération de tension de référence qui génère une tension de référence (Vref) qui change avec la température, le circuit de génération de tension de référence étant configuré pour changer sélectivement un coefficient de température de la tension de référence (Vref) d'une manière telle qu'à une valeur de température sélectionnée, la tension de référence ait une même valeur de tension indépendamment du coefficient de température. 2. Générateur de tension de référence selon la revendication 1, caractérisé en ce que le circuit de génération de tension de référence combine une première tension (V1) et une deuxième tension (V2) pour produire la tension de référence (Vref). 3. Générateur de tension de référence selon la revendication 2, caractérisé en ce que la première tension (V1) est une tension dépendant de la température et la deuxième tension (V2) est une tension indépendante de la température. 4. Générateur de tension de référence selon la revendication 3, caractérisé en ce que la première tension (Vl) change proportionnellement à la température. 5. Générateur de tension de référence selon la revendication 3, caractérisé en ce que le circuit de génération de tension de référence pondère respectivement les première et deuxième tensions (V1, V2), et soustrait la première tension pondérée de la deuxième tension pondérée. 6. Générateur de tension de référence selon la revendication 5, caractérisé en ce que le circuit de génération de tension de référence est configuré pour faire varier sélectivement les poids respectifs, et le fait de faire varier les poids respectifs fait varier le coefficient de température de la tension de référence (Vref). 16 7. Générateur de tension de référence selon la revendication 3, caractérisé en ce que le circuit de génération de tension de référence comprend : une première résistance (R10) recevant la première tension (Vl) ; un amplificateur opérationnel (A2) ayant une entrée positive et une entrée négative, l'entrée positive recevant la deuxième tension (V2), l'entrée négative recevant le signal de sortie de la première résistance (R10), et une sortie de l'amplificateur opérationnel (A2) fournissant la tension de référence (Vref) ; et une résistance variable (R20) connectée entre l'entrée négative et la sortie de l'amplificateur opérationnel (A2), de façon que le fait de changer une valeur de la résistance variable (R20) change le coefficient de température de la tension de référence. 8. Générateur de tension de référence selon la revendication 3, caractérisé en ce qu'il comprend en outre : un premier générateur de tension (84) générant la première tension (V1) ; et un deuxième générateur de tension (85) générant la deuxième tension (V2). 9. Générateur de tension de référence selon la revendication 8, caractérisé en ce que le premier générateur de tension (84) comprend des deuxième et troisième résistances (R40, R50) connectées en série, et un élément de variation de résistance (fi) connecté en parallèle avec la troisième résistance (R50). 10. Générateur de tension de référence selon la revendication 9, caractérisé en ce que l'élément de variation de résistance (fi) est configuré pour être réglable, de façon que le premier circuit de génération de tension (84) génère une valeur de tension désirée à la valeur de température sélectionnée. 11. Générateur de tension de référence selon la revendication 10, caractérisé en ce que la valeur de tension désirée est la deuxième tension (V2). 12. Générateur de tension de référence selon la revendication 8, caractérisé en ce que le deuxième 17 générateur de tension (85) comprend un élément proportionnel à la température absolue (R60) connecté en série avec un élément complémentaire vis-à-vis de la température absolue (NM3, TB). 13. Générateur de tension de référence selon la revendication 12, caractérisé en ce que l'élément proportionnel à la température absolue est une résistance (R60) et l'élément complémentaire vis-à-vis de la température absolue est un transistor (NM3, TB). 14. Générateur de tension de référence selon la revendication 1, caractérisé en ce que le circuit de génération de tension de référence génère la tension de référence (Vref) de façon que la tension de référence diminue sous l'effet d'augmentations de température. 15. Générateur de tension de référence, caractérisé en ce qu'il comprend : un premier générateur de tension (84) générant une première tension (Vi) ; un deuxième générateur de tension (85) générant une deuxième tension (V2) ; et un soustracteur de tension (83) pondérant respectivement les première et deuxième tensions (V1, V2) et soustrayant la première tension pondérée de la deuxième tension pondérée, pour produire la tension de référence (Vref). 16. Générateur de tension de référence selon la revendication 15, caractérisé en ce que le soustracteur de tension (83) est configuré pour faire varier sélectivement les poids respectifs, et le fait de faire varier les poids respectifs fait varier le coefficient de température de la tension de référence (Vref). 17. Générateur de tension de référence selon la revendication. 16, caractérisé en ce que le deuxième générateur de tension (85) génère une tension (V2) indépendante de la température ; et le premier générateur de tension (84) génère une tension (V1) dépendant de la température. 18 18. Générateur de tension de référence selon la revendication 17, caractérisé en ce que le premier générateur de tension (84) génère la première tension (Vl) ayant une même valeur de tension que la deuxième tension (V2) à une température désirée ; et le soustracteur de tension (83) génère une même valeur de tension de référence (Vref) indépendamment du coefficient de température de la tension de référence à la température désirée. 19. Générateur de tension de référence selon la revendication 15, caractérisé en ce que le soustracteur de tension (83) produit la tension de référence (Vref) de façon que la tension de référence diminue sous l'effet d'augmentations de température. 20. Procédé de génération d'une tension de référence, caractérisé en ce qu'il comprend la génération d'une tension de référence (Vref) qui change avec la température et qui, à une valeur de température sélectionnée, est une même valeur de tension indépendamment d'un coefficient de température de la tension de référence (Vref) . 21. Procédé selon la revendication 20, caractérisé en ce que l'étape de génération comprend : la combinaison d'une première tension (Vi) et d'une deuxième tension (V2) pour produire la tension de référence (Vref). 22. Procédé selon la revendication 21, caractérisé en ce que la première tension (V1) est une tension dépendant de la température et la deuxième tension (V2) est une tension indépendante de la température. 23. Procédé selon la revendication 22, caractérisé 30 en ce que la première tension (V1) change proportionnellement à la température. 24. Procédé selon la revendication 22, caractérisé en ce que l'étape de génération comprend en outre : la pondération des première et deuxième tensions (V1, V2) ; et 35 en ce que l'étape de combinaison soustrait la première tension pondérée de la deuxième tension pondérée. 19 25. Procédé selon la revendication 24, caractérisé en ce que l'étape de génération comprend en outre l'étape consistant à faire varier sélectivement les poids respectifs pour faire varier le coefficient de température de la tension de référence (Vref). 26. Procédé selon la revendication 25, caractérisé en ce qu'il comprend en outre la génération de la première tension (V1) sur la base d'une valeur de résistance ; et la génération de la deuxième tension (V2). 27. Procédé selon la revendication 26, caractérisé en ce que l'étape de génération de la première tension (Vl) comprend le réglage de la valeur de résistance de façon que la première tension (V1) ait une valeur de tension désirée à la valeur de température sélectionnée. 28. Procédé selon la revendication 27, caractérisé en ce que la valeur de tension désirée est la deuxième tension (V2). 29. Procédé selon la revendication 20, caractérisé en ce qu'il comprend en outre : la génération de la deuxième tension (V2) ; et la génération de la première tension (V1) de façon que la première tension ait une même valeur de tension que la deuxième tension (V2) à la température désirée. 30. Procédé selon la revendication 20, caractérisé en ce que l'étape de génération génère la tension de référence (Vref) de façon que la tension de référence diminue sous l'effet d'augmentations de température. 31. Circuit d'attaque de dispositif de visualisation, caractérisé en ce qu'il comprend un générateur de tension (10) générant une tension de circuit d'attaque de grille et une tension de circuit d'attaque de source, le générateur de tension (10) incluant un générateur de tension de référence (12), le générateur de tension de référence (12) générant une tension de référence qui change avec la température, et qui, à une valeur de température sélectionnée, est une même valeur de tension 20 indépendamment d'un coefficient de température de la tension de référence, et le générateur de tension (10) générant au moins la tension de circuit d'attaque de grille sur la base de la tension de référence ; un circuit d'attaque de source (18) générant des signaux de circuit d'attaque pour un panneau de visualisation (22) sur la base de la tension de circuit d'attaque de source ; et un circuit d'attaque de grille (16) générant des signaux d'attaque de grille pour le panneau de visualisation (22) sur la base de la tension de circuit d'attaque de grille. 32. Circuit d'attaque de dispositif de visualisation selon la revendication 31, caractérisé en ce que le générateur de tension de référence (12) génère une tension de référence qui diminue sous l'effet d'augmentations de température, de manière que des tensions des signaux d'attaque de grille diminuent lorsque la température augmente. 33. Circuit d'attaque de dispositif de visualisation selon la revendication 32, caractérisé en ce que le panneau de visualisation (22) est un panneau de visualisation à cristaux liquides.