FR 2888400 A1 20070112 FR 0507300 A 20050708 La présente invention concerne la réalisation d'une couche, à partir d'une plaque initiale, comprenant une étape d'implantation d'espèces atomiques à travers une de ses faces pour y former une zone implantée enterrée à une profondeur déterminée, la couche à réaliser étant alors délimitée par la face 5 implantée de la plaque et par cette zone implantée. Cette technique est notamment employée pour prélever cette couche, en mettant alors en oeuvre, postérieurement à ladite implantation, les étapes suivantes (illustrées par les figures 1A et 1B) : collage de la plaque 10 au niveau de sa face implantée avec un 10 substrat récepteur 20; apport d'énergie (typiquement thermique et/ou mécanique), de sorte à détacher la couche 15 au niveau de la zone implantée 12. Cette étape est aussi connue sous le terme Smart-Cut . La couche 15 est alors prélevée de la plaque 10 pour être transférée sur 15 le substrat récepteur 20 (voir figure 1B). En référence aux figures 1A et 1B, les faces de la plaque 10 sont habituellement chanfreinées en périphérie (chanfreins 11 et 11'), si bien que le collage du substrat récepteur 20 sur la plaque 10 ne se fait principalement qu'au niveau de la surface de la plaque 10 non située sur le chanfrein 11. Ainsi, en référence aux figures 1B et 1C, le prélèvement de la couche 15 ne se fait pas exactement sur la totalité de la surface de la plaque 10: après prélèvement, la partie chanfreinée de la couche initialement délimitée par la zone implantée reste en effet solidaire de la plaque 10, formant ainsi une couronne 14 entourant un volume creux correspondant sensiblement au volume de la couche 15 prélevée. Dans le cas particulier où la couche 15 est en matériau cristallin, des contraintes peuvent alors se propager dans toute la couche 15 et avoir ainsi des conséquences néfastes importantes. En outre, le substrat récepteur 20 peut lui-même présenter un chanfrein périphérique, non nécessairement identique au chanfrein 11 de la plaque 10, qui peut donc être décalé par rapport au chanfrein 11 si bien que le détachement de la couche 15 se fait de façon irrégulière au niveau des bords. Ce dernier phénomène est d'ailleurs accentué par le fait que les forces de liaison à l'interface de collage sont naturellement moins fortes sur les bords que dans la partie centrale. On obtient alors une couche 15 prélevée présentant des bords assez irréguliers et des défauts ou des détériorations internes. La technique proposée dans le document US 2004/0121557 pour résoudre ce problème de prélèvement est illustrée sur les figures 2A à 2C. Elle consiste à pratiquer, préalablement au prélèvement, un détourage de la plaque 10 de sorte à enlever les zones chanfreinées périphériques et à former à leur place une marche dans l'épaisseur de la plaque 10 d'une hauteur h . Cette hauteur h peut alors être choisie pour être supérieure à la profondeur d'implant h1 formée dans la plaque 10 en vue du prélèvement. Une distance égale à (h-h1) sépare alors la zone implantée 12 du pied de la marche 11 et donc la zone implantée 12 de la zone périphérique de la plaque 10. La couche 15 délimitée par la zone implantée 12 et la face implantée ne comprend donc plus de zones périphériques chanfreinées, sa face libre étant alors uniquement constituée d'une surface plane adaptée à un bon collage avec le substrat récepteur 20. En référence à la figure 2B, cette couche 15 est alors entièrement prélevée sans avoir lesdits problèmes de rupture au niveau des bords. 25 La couche 15 prélevée est ainsi de meilleure qualité. Le substrat récepteur 20 et la couche 15 peuvent toutefois être contaminés par la plaque 10 au niveau de ses parties périphériques (c'est- à- dire de la marche 11). En effet, la marche 11 a aussi subi l'implantation et inclut donc une zone implantée 12' qui fragilise la partie sus-jacente. Et des particules peuvent se détacher de cette partie fragile lorsque la zone implantée 12' subit des contraintes externes, telles qu'un traitement thermique mis en oeuvre pour détacher la couche 15, et venir alors contaminer la couche 15 et le substrat récepteur 20. Ce problème de contamination particulaire peut également se manifester 5 lors des traitements de recyclage nécessaire à la reformation d'une couche propre à être à nouveau prélevée. Cette contamination peut être d'autant plus importante dans le cas où on utilise la même plaque 10 pour plusieurs prélèvements successifs, la même marche 11 subissant alors en alternance une succession d'implantations et de traitements thermiques. A partir du document US 6 596 610, on pourrait proposer alors de faire subir à la plaque 10' après prélèvement (telle que représentée sur la figure 2C) un traitement thermique et/ou mécanique et/ou chimique de recyclage pour aider à faire céder les zones implantées 12 restantes, de sorte à pouvoir réutiliser la plaque 10'. Le recyclage proposé par US 6 596 610 reste cependant complexe et coûteux, car il nécessite un traitement sélectif de la couronne, qu'il faut de plus renouveler à chaque prélèvement. La présente invention se propose de résoudre ces problèmes. Un objectif de l'invention est ainsi de prélever une couche d'une plaque de sorte que la couche ait une bonne qualité cristalline et des bordures régulières, avec une contamination minimale. Un autre objectif est de trouver un moyen pour recycler la plaque ayant fournie la couche, de sorte qu'elle puisse à nouveau fournir d'autres couches 25 avec un risque minimum de contamination. L'invention propose, selon un premier aspect, un procédé de réalisation de couche destinée à des applications dans l'électronique, l'optique ou l'optronique à partir d'une plaque initiale, comprenant une étape d'implantation d'espèces atomiques à travers une des faces de la plaque initiale, caractérisé en ce qu'il comprend les étapes suivantes: (a) formation d'une marche d'une hauteur déterminée en périphérie de la plaque au niveau de laquelle l'épaisseur moyenne de la plaque est moins importante que l'épaisseur moyenne du reste de la plaque; (b) protection de ladite marche contre l'implantation des espèces atomiques; 5 (c) implantation d'espèces atomiques à travers la face de la plaque présentant ladite marche, de sorte à former une zone implantée à une profondeur d'implant déterminée; ladite couche étant définie d'une part par la face implantée de la plaque et d'autre part par la zone implantée. D'autres caractéristiques de ce procédé de réalisation d'une couche sont les suivantes: - l'étape (a) comprend un collage d'une couche à un substrat pour former ladite plaque initiale, la couche ayant une superficie moins importante que le substrat de sorte que, une fois collés, ladite marche soit au moins en partie définie par la différence de superficies entre la couche et le substrat; - l'étape (a) comprend un retrait de matière sur une surface périphérique de la plaque et sur une profondeur de retrait déterminée de sorte à former ladite marche; l'étape (a) comprend en outre un épaississement de la marche; 20 - la profondeur d'implant est inférieure ou égale à la hauteur de la marche; selon une première mise en oeuvre de l'invention, l'étape (b) comprend la formation d'une couche de protection s'étendant sur au moins ladite marche, une étape de retrait des parties de la couche de protection non situées au niveau de la marche est éventuellement mise en oeuvre par gravure anisotropique ou par polissage; - selon une deuxième mise en oeuvre de l'invention, l'étape (b) est assurée lors de l'étape (c) en masquant la marche lors de l'implantation; - l'étape (c) est mise en oeuvre de sorte que la zone implantée soit une zone de fragilisation, dans lequel le procédé comprend en outre les étapes suivantes: collage d'un substrat récepteur avec la face implantée de la plaque; 5 puis apport d'énergie de sorte à détacher de la plaque la couche au niveau de la zone de fragilisation. - le procédé comprend en outre une ou plusieurs fois les étapes successives suivantes: implantation d'espèces atomiques à travers la surface de détachement de la précédente couche de sorte à former une zone de fragilisation délimitant une nouvelle couche sous la surface de détachement; collage d'un substrat récepteur avec la face implantée de la plaque. Selon un second aspect, l'invention propose une plaque pour fournir une couche destinée à des applications dans l'électronique, l'optique ou l'optronique, comprenant une zone périphérique ayant une épaisseur moyenne inférieure au reste de la plaque d'environ un micromètre ou plus, de sorte à former une marche en périphérie de la plaque, caractérisé en ce que la marche est recouverte par une couche de protection pour protéger la marche d'une implantation d'espèces atomiques. D'autres caractéristiques de cette plaque sont: - la couche de protection est en matériau amorphe; - la couche de protection comprend de l'oxyde de silicium, du nitrure de silicium, du PSG ou du BPSG; - selon une première configuration, la plaque est en matériau cristallin massif; -selon une deuxième configuration, la plaque est une structure composite constituée principalement de matériaux cristallins; - la plaque comprend un substrat support, une structure tampon et une 30 couche supérieure suffisamment épaisse pour pouvoir y détacher une couche par Smart-Cut ; la couche supérieure comprenant éventuellement du Si1_,Ge. et du Si1_YGey, avec x différent de y, x et y étant respectivement compris entre 0 et1; -la hauteur de la marche est supérieure ou égale à l'épaisseur de la 5 couche supérieure. D'autres caractéristiques, buts et avantages de l'invention ressortiront mieux de la description qui suit, illustrée par les figures suivantes: Les figures 1A à 1C représentent différentes étapes d'un premier procédé connu de prélèvement d'une couche. Les figures 2A à 2C représentent différentes étapes d'un deuxième procédé connu de prélèvement d'une couche. Les figures 3A à 3F représentent différentes étapes d'un procédé de prélèvement d'une couche selon l'invention. Les figures 4A et 4B représentent deux étapes de formation d'une couche 15 de protection selon l'invention. La figure 5 est un graphe représentant la distribution de l'énergie d'implantation sur l'épaisseur de matériau implanté. La figure 6 représente une première plaque apte à subir plusieurs prélèvements successifs de couches selon l'invention. La figure 7 représente une deuxième plaque apte à subir plusieurs prélèvements successifs de couches selon l'invention. Le procédé préféré selon l'invention est un procédé de prélèvement de couches utilisant les techniques Smart-Cut et de collage de plaque. L'invention concerne en particulier la préparation de la plaque donneuse en vue du prélèvement qui y sera fait ultérieurement, en mettant en oeuvre les étapes suivantes: (a) détourage de la plaque de sorte à former une marche en périphérie de celle-ci, au niveau de laquelle l'épaisseur moyenne de la plaque est moins importante que l'épaisseur moyenne du reste de la 30 plaque; (b) formation d'une couche de protection sur la marche de sorte à la protéger d'une implantation d'espèces atomiques; (c) implantation d'espèces atomiques à travers la face de la plaque ayant subi le détourage de sorte à y former une zone de fragilisation 5 enterrée. Ces étapes sont avantageusement mises en oeuvre de sorte que la hauteur de la marche soit supérieure à la profondeur d'implantation. Ainsi, la zone périphérique de la plaque ne nuira pas à la qualité du prélèvement ultérieur, lorsqu'on viendra coller un substrat récepteur au niveau de la face implantée de la plaque et qu'on viendra ensuite rompre les liaisons au niveau de la zone implantée. D'autre part, la présence de la couche de protection garantit la protection des parties périphériques de la plaque contre l'implantation d'espèces atomiques de l'étape (c), facilitant ainsi un recyclage ultérieur et/ou la qualité du ou des prélèvement(s) subséquent(s). Sur les figures 3A à 3F sont représentées les différentes étapes d'un procédé de prélèvement de couche selon l'invention à partir d'une plaque initiale 30. Cette plaque 30 est principalement et avantageusement constituée d'un ou plusieurs matériau(x) cristallin(s), tels que des matériaux semiconducteurs. La plaque 30 est en matériau massif ou est une structure composite constituée d'une succession de couches. Selon une première configuration, la plaque 30 comprend une zone périphérique chanfreinée (comme discutée plus haut). Etant donné qu'une telle plaque 30 a typiquement une forme circulaire, cette zone périphérique chanfreinée a une forme annulaire en périphérie de la plaque 30. Selon cette première variante, la plaque 30 est neuve, c'est-à-dire qu'elle n'a pas encore subi de prélèvement de couche selon l'invention. Selon une deuxième configuration, la plaque 30 comprend une zone 30 périphérique chanfreinée et a subi au moins un prélèvement de couche mince conforme à celui discuté plus haut et illustré par les figures 1A et 1B. Selon cette deuxième variante, la plaque 30 comprend donc une couronne 14 périphérique entourant un volume creux sensiblement identique au volume de la couche antérieurement prélevée. Selon une troisième configuration de l'invention, la plaque 30 a préalablement subi un prélèvement selon l'invention et a ainsi déjà subi un détourage selon l'invention. La plaque 30 initiale comprend ainsi déjà une marche en périphérie. Selon une quatrième configuration de l'invention, la plaque 30 consiste en un substrat hybride formé d'un substrat support, sur lequel une couche a été reportée lors d'une opération préalable. La plaque 30 peut consister en un SOI (acronyme anglo-saxon de Silicon On Insulator ) par exemple, ou encore un SSOI (acronyme anglo-saxon de Strained Silicon On Insulator ) ou SiGeOI (acronyme anglo-saxon de SiGe On Insulator ). Puisque dans ce cas, la plaque 30 a été réalisée par transfert de couche, il existe déjà en périphérie de cette plaque une marche, correspondant à la zone non transférée en couronne lors de l'opération de transfert. Cependant, cette marche peut ne pas être suffisante, et une opération de détourage est nécessaire à mettre en oeuvre sur ce type de substrat également. On pourra se référer au document EP 1 519 409 pour plus de précisions quant à ce type de plaque 30, et à son mode de réalisation. En référence à la figure 3A, le détourage de la plaque 30 est mis en oeuvre sur une largeur I et une profondeur h . Le détourage est mis en oeuvre de sorte que la marche 31 ainsi formée soit constituée d'une paroi verticale 31a s'étendant essentiellement perpendiculairement par rapport à la face avant 1 de la plaque 30 et d'une paroi horizontale 31b s'étendant optionnellement parallèlement par rapport à la face avant 1 de la plaque 30, ces deux parois 31a et 31b étant sécantes. La largeur I de la marche 31 est avantageusement choisie égale ou supérieure à la largeur de la zone périphérique de la plaque 30 selon l'une des 2888400 9 quatre configurations précédentes (c'est-à-dire le chanfrein selon la configuration 1, la couronne selon la configuration 2, la marche selon la configuration 3 ou 4). Par exemple I peut être égale à quelques millimètres. Le détourage est mis en oeuvre de sorte que la profondeur de matière qui y est enlevée h soit supérieure ou égale à la profondeur e d'implantation subséquemment mis en oeuvre (en illustration à la figure 3C). La profondeur h de détourage peut ainsi être choisie comme étant entre environ 1000 À et plusieurs centaines de pm. L'épaisseur de cette marche doit être supérieure à l'épaisseur prélevée (typiquement de 1000 à 2000 A), pour typiquement correspondre à une ou plusieurs épaisseurs de couche prélevée et de matière enlevée lors du recyclage (quelques pm), dans les limites bien sûr fixées par l'épaisseur de la plaque (plusieurs centaines de pm). Ainsi, dans le cas où la plaque 30 est essentiellement de forme circulaire, le volume creux obtenu à la suite du détourage est alors un cylindre annulaire ayant un diamètre extérieur égal au diamètre de la plaque 30, un diamètre intérieur s'étendant jusqu'à ladite paroi verticale 31a, et une hauteur égale à h . Les techniques employées pour ce détourage sont sensiblement identiques à celles décrites dans le document US 2004/0121557. Ces techniques peuvent notamment comprendre un usinage mécanique ou une gravure chimique sur la zone périphérique de la plaque 30. En référence à la figure 3B, une seconde étape selon l'invention consiste à former une couche de protection 36 sur la marche 31 (et en particulier sur la paroi horizontale 31b de cette dernière et également sur la paroi 31a) avec un matériau ayant une épaisseur suffisante pour protéger la partie sous-jacente 38 de l'implantation subséquemment mise en oeuvre (en illustration de la figure 3C). On peut aussi prévoir une couche de protection sur la paroi verticale 31b pour la protéger d'une exposition à un faisceau d'ion non parfaitement parallèle à cette paroi 31a. Une telle opération d'implantation inclinée est d'ailleurs parfois réalisée lorsque le matériau cristallin est implanté sans couche de protection amorphe, de manière à éviter le phénomène de canalisation. Cette couche de protection 36 peut être réalisée en tout type de matériau apte à remplir cette fonction. On pourra ainsi choisir un matériau en phase amorphe, comme de l'oxyde de silicium (SiO2), du nitrure de silicium (Si3N4), du PSG ( Phosphosilicate Glass ) ou du BPSG ( Borophosphosilicate Glass ). L'épaisseur de la couche de protection est alors adaptée au matériau choisi, de sorte à présenter un pouvoir d'arrêt des ions implantés suffisant. Une méthode générale pour réaliser cette couche de protection est 10 illustrée par les figures 4A et 4B, et comprend les étapes suivantes: formation d'une couche 36' constituée du matériau de protection sur la plaque 30 (figure 4A) ; retrait éventuel des parties de la couche 36' non localisées au niveau de la marche 31, de sorte à n'en garder qu'une couche de protection 36 15 d'épaisseur eh3 au niveau de la marche 31 (figure 4B). En référence à la figure 4A, la première étape consiste à former sur la plaque 30 une couche 36' constituée du matériau de protection, la couche 36' ayant une épaisseur moyenne eh1 au niveau de la face avant 1 de la plaque 30, une épaisseur moyenne eh2 au niveau de la paroi horizontale 31b de la marche 31, et une épaisseur moyenne e au niveau de la paroi verticale 31a de la marche 31. Cette formation de couche peut être faite par des méthodes de dépôt de matière et/ou d'oxydation thermique. Dans le cas où la couche 36' est déposée, les techniques employées peuvent être de type LPCVD (acronyme anglo-saxon de Low Pressure Chemical Vapor Deposition signifiant Dépôt chimique en phase vapeur sous pression réduite ), PECVD (acronyme anglo-saxon de Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition signifiant Dépôt chimique en phase vapeur assisté par plasma ) ou d'autres techniques de type CVD (acronyme anglo-saxon de Chemical Vapor Deposition signifiant Dépôt chimique en phase vapeur ). Dans le cas où la couche 36' déposée est en SiO2, ce dépôt peut consister en un dépôt de SiO2, ou être réalisé au moyen de tétraéthoxysilane (TEOS) éventuellement combiné à de l'oxygène et/ou de l'ozone appliqué sur une surface contenant du silicium, ou en utilisant du silane et du 02 (encore appelé HTO ), en LPCVD ou en PECVD. Eventuellement, des dopants peuvent être ajoutés dans la couche 36' en SiO2, tels que du Phosphore pour former alors une couche 36' de PSG, ou du Bore et du Phosphore pour former alors une couche 36' de BPSG. Dans le cas où la couche de protection 36' est en Si3N4 ou en SiXNyHZ, ce dépôt peut utiliser du SiCl2H2 et du NH3 (en LPCVD), ou du SiH4 et du NH3 (en PECVD). La mise en oeuvre de techniques LPCVD entraîne typiquement la formation d'une couche 36' ayant une épaisseur sensiblement constante (i.e. em, eh2 et e, sont sensiblement égales) sur toutes les surfaces exposées. Ainsi la couche se formera de manière sensiblement uniforme sur la face avant 1, arrière 2 et sur la marche 31 de la plaque 30. La mise en oeuvre de techniques PECVD entraîne typiquement la formation d'une couche 36' n'ayant pas une épaisseur sensiblement constante, le dépôt se faisant principalement sur les faces directement exposées (faces avant 1 et arrière 2, paroi horizontale 31b de la marche 31) et de manière plus réduite sur la tranche (paroi verticale 31a de la marche 31). Dans le cas où la formation de la couche 36' comprend une oxydation thermique des surfaces visibles de la plaque 30, ces surfaces de la plaque 30 doivent alors comprendre du silicium ou un autre matériau facilement oxydable. Une oxydation peut conduire en la formation d'une couche 36' qui a des épaisseurs oxydées différentes sur les faces avant 1, la face arrière 2 et sur la tranche, les vitesses d'oxydation étant dépendantes de l'orientation du réseau cristallin au niveau des surfaces à oxyder. Un dépôt de résine ou d'un polymère peut venir compléter ou former complètement la couche 36'. L'ensemble de la couche 36' peut ainsi être formée par oxydation thermique, par dépôt de matériau, ou par oxydation puis par dépôt de matériau. Dans ce dernier cas, une oxydation fine préalable au dépôt peut en effet être envisagée dans le but d'améliorer la qualité d'interface avec la plaque 30, pouvant former alors une passivation, ou dans le but de limiter les contaminations éventuelles engendrées par le dépôt ultérieur ou dans le but de former une couche d'arrêt lors du retrait de la couche déposée par gravure sélective. En tout état de cause, pour remplir son rôle de protection, l'épaisseur de la couche de protection 36 de la marche 31, finalement formée à partir de la formation de la couche 36', devra être supérieure à la pénétration maximum des ions dans le matériau pour l'énergie et la dose visée. On pourra considérer qu'une couche de protection 36 ayant une épaisseur égale ou supérieure à Rp + 5*ARp (Rp étant la profondeur associée au pic de la distribution gaussienne de l'implant, et ARp étant l'écart type de cette distribution voir figure 5 pour illustration) peut être suffisant pour remplir sa fonction de protection. La Demanderesse a en effet estimé qu'une telle épaisseur suffisait pour la formation d'une couche de protection 36 suffisamment protectrice. En ajustant ainsi l'épaisseur de la couche 36', on peut minimiser la matière à déposer, et donc le coût de l'opération. Optionnellement, une étape de retrait est prévue pour retirer les parties de la couche 36' présentes sur la face avant 1, non localisées au niveau de la marche 31, de sorte à ne garder qu'une couche de protection 36 d'épaisseur eh3 au niveau de la marche 31, comme illustré sur la figure 4B. On expose ainsi la couche qui sera prélevée (au niveau de la face avant 1) , et on protège la marche 31 de l'implantation ultérieure. A cet effet, et selon une première technique, on peut graver, de façon 30 isotropique ou anisotropique, la face avant 1 de la plaque 30. On pourra par exemple utiliser une technique de gravure anisotropique par plasma RIE (acronyme anglo-saxon de Reactive lonic Etching ) qui peut être une technique préférée. La gravure anisotropique est particulièrement adaptée dans le cas où le dépôt de la couche 36' a été réalisé de façon uniforme sur une épaisseur eh> > I (au moyen par exemple de la mise en oeuvre d'une technique LPCVD). La largeur I de la marche étant de l'ordre du mm (typiquement de 0,5 mm à 3mm), il est préféré que ehl excède alors largement l'épaisseur maximum de pénétration des ions dans le matériau. Le retrait ensuite d'une épaisseur comprise typiquement entre eh, et 1,3* eh1 (marge de sécurité) conduit à préserver sur la marche 31 la couche de protection 36. Les techniques employées pour retirer les parties de la couche 36' non localisées au niveau de la marche 31 peuvent aussi comprendre au moins en partie un polissage sélectif, tel qu'un polissage de SiO2 par rapport à une surface en silicium sous-jacente, sur la face avant 1 et éventuellement sur la face arrière 2. En alternative, des techniques de formation de couche de protection 36 ne nécessitant pas de retrait de matière peuvent aussi être mises en oeuvre. Ainsi, par exemple, si la nature des matériaux en jeu le permet, une simple oxydation de la plaque 30 peut permettre d'oxyder sélectivement la marche 31 sans oxyder la face avant 1 (de la couche à prélever). C'est le cas par exemple lorsque la plaque 30 consiste en un substrat hybride formé d'une couche de Ge (qui ne s'oxyde pas, ou dont l'oxyde n'est pas stable) sur un substrat de Si (qui lui s'oxyde), la marche 31 étant en Si, et la face avant 1 en Ge. Exemple 1 de formation de la couche de protection 36: - dépôt LPCVD de SiO2 fin; - gravure anisotropique, telle qu'une gravure RIE, pour retirer le matériau de protection présent en face avant 1. Exemple 2 de formation de la couche de protection 36: - dépôt PECVD de SiO2 ou de Si3N4, précédé éventuellement d'une 30 oxydation thermique fine; on pourra choisir de déposer une épaisseur égale ou supérieure à Rp + 5*ARp (vu précédemment) : en ajustant ainsi l'épaisseur de la couche 36', on peut minimiser la matière à déposer, et donc le coût de l'opération; - polissage CMP (acronyme anglo-saxon de Chemical Mechanical 5 Planarization ) sur au moins la face avant 1 pour enlever sélectivement la couche de SiO2 ou de Si3N4 par rapport au matériau sousjacent. Exemple 3 de formation de la couche de protection 36: - oxydation thermique de la plaque 30; - polissage CMP (acronyme anglo-saxon de Chemical Mechanical 10 Planarization ) sur au moins la face avant 1 pour enlever sélectivement la couche de SiO2 ou de Si3N4 par rapport au matériau sous-jacent. Exemple 4 de formation de la couche de protection 36: - formation préférentielle d'au moins une couche fine en Si3N4 ou en SiO2+Si3N4 entre environ 5 et environ 50 nanomètres, de sorte à protéger la plaque 30 des contaminants accompagnant une formation de PSG ou de BPSG; dépôt de PSG ou de BPSG; - recuit thermique entre environ 850 C et environ 1100 C, de sorte à faire fluer le PSG ou le BPSG; l'épaisseur effective eh3 augmente alors sur la marche 31, et est alors fonction des épaisseurs eh2 et e formées initialement sur la marche, de l'épaisseur eh, de matériau sur la face avant 1, de la température du recuit, et des concentrations de P et éventuellement de B; - polissage CMP (acronyme anglo-saxon de Chemical Mechanical Planarization ) sur au moins la face avant 1 pour enlever sélectivement la couche de SiO2 ou de Si3N4 par rapport au matériau sousjacent. Dans tous les cas, les étapes de formation et de retrait de la couche 36' sont mises en oeuvre de sorte que l'épaisseur eh3 de la couche de protection 36 restante au niveau de la marche 31 soit suffisamment importante, pour le matériau considéré, pour protéger la zone périphérique 38 sous-jacente de la plaque 30 d'une implantation d'espèces atomiques de type de celle mise en oeuvre pour préparer un prélèvement de couche. Ainsi, pour des énergies d'implantation prises entre 20 keV et entre 210keV et un dosage d'espèces atomiques (hydrogène et/ou hélium) compris entre 1e16 at/cm2 et entre 1e17 at/cm2, une couche de protection 36 en SiO2 ayant une épaisseur eh3 supérieure à environ 2 micromètres peut présenter une protection suffisante. Finalement, en référence à la figure 3B, la plaque 30 comprend une partie avant 310 présentant la marche 31 et une partie arrière 320 correspondant à la partie n'ayant pas subi le détourage. La partie périphérique 38 de la partie arrière 320 est définie comme s'étendant à partir de la paroi horizontale 31a de la marche 31. Cette partie périphérique 38 de la plaque 30 est alors protégée par la couche de protection 36 de toute implantation d'espèces atomiques à travers la face avant 1 de la plaque 30. Ainsi, la partie inférieure 320 de la plaque 30 est préservée de toute fragilisation issue de l'implantation ionique, contrairement aux techniques classiques. En référence à la figure 3C, une étape d'implantation d'espèces atomiques est mise en oeuvre à travers la face avant 1 de la plaque 30 de sorte à créer une zone implantée 32 à une épaisseur e déterminée avantageusement comme étant inférieure ou égale à la hauteur h de la marche 31. Les espèces atomiques employées peuvent être de l'hélium et/ou de l'hydrogène et/ou d'autres types d'espèces atomiques, ionisées, ayant un 25 dosage compris entre 1 e16 at/cm2 et entre environ l e17 at/cm2. L'énergie d'implantation est typiquement comprise entre 20 keV et 210 keV. Optionnellement, on réalise une opération de retrait (sélectif de préférence) de la couche de protection 36. Un retrait par gravure est préférable car une opération par retrait mécanique pourrait amener une contamination particulaire préjudiciable à la qualité du collage et de la structure à former. On pourra par exemple utiliser du HF pour graver sélectivement une couche de protection 36 en SiO2. La couche 35 à prélever est alors délimitée par la zone implantée 32 et 5 par la face avant 1 de la plaque 30. La zone implantée 32 constitue ainsi une zone de fragilisation au niveau de laquelle les liaisons entre la couche 35 et la partie sous-jacente de la plaque 30 sont plus fragiles qu'ailleurs. En référence à la figure 3D, une étape de collage d'un substrat récepteur 10 40 est mise en oeuvre avec la plaque 30 au niveau de la face avant 1 de ce dernier. Une préparation d'une ou des deux surfaces à coller est avantageusement mise en oeuvre antérieurement au collage de sorte à rendre ces surfaces davantage hydrophiles, et d'une qualité améliorée pour le collage. On pourra par exemple mettre en oeuvre un nettoyage RCA, ou une activation plasma, ou un nettoyage chimique à base d'acide chlorhydrique, une planarisation mécanochimique, un polissage, etc. Optionnellement et avant l'implantation, une couche de collage est formée sur une ou les deux surfaces à coller de sorte à améliorer la qualité du collage. Eventuellement, cette ou ces couche(s) de collage sont en matériau isolant de sorte que la couche 35 une fois prélevée soit isolée électriquement du substrat récepteur 40. On pourra ainsi utiliser une couche de collage en SiO2 ou en Si3N4. En variante, la couche de collage sur la plaque 30 peut avoir été formée lors de la couche de protection 36, en laissant au moins une partie du matériau de protection 36' déposé sur la face avant 1 de la plaque 30 (voir figure 4A). Un traitement thermique apte à solidifier les liaisons de collage peut éventuellement être mis en oeuvre postérieurement au collage. Par exemple à une température comprise entre environ 200 C et environ 350 C pendant quelques heures. Le substrat récepteur 40, selon une première configuration, a une surface de collage dont la superficie est plus grande que celle de la face avant 1 de la plaque 30. La couche 35 à prélever a alors une superficie inférieure au substrat récepteur 40 sur lequel elle sera transférée. Selon une deuxième configuration, le substrat récepteur 40 a une surface de collage dont la superficie est sensiblement identique à celle de la face avant 1 de la plaque 30 de sorte que l'ensemble constitué du substrat récepteur 40 et de la couche 35 à prélever soit sans marche apparente périphérique. A cet effet, on peut en particulier mettre en oeuvre un détourage adapté du substrat récepteur 40 préalablement au collage, ou choisir une plaque 30 de départ de taille légèrement plus grande que le substrat récepteur 40 et mettre en oeuvre le détourage adapté de sorte qu'au final la face avant 1 ait une superficie sensiblement identique à celle du substrat récepteur 40. Cette deuxième configuration pourra être préférée car elle permet de supprimer ou de minimiser toute zone d'exclusion (zone non transférée) sur le produit final relative à l'espace libre engendré par le détourage, générée dans le cas où la plaque 30 après détourage aurait eu une taille différente de celle du substrat récepteur 40. Un apport d'énergie, telle qu'une énergie thermique et/ou mécanique, permet alors de détacher les liaisons au niveau de la zone implantée 32 et ainsi de transférer la couche 35 de la plaque 30 sur le substrat récepteur 40 pour réaliser alors la structure 50 représentée sur la figure 3E. Dans le cas où la couche 35 prélevée est en matériau semiconducteur et qu'une couche de collage en matériau isolant a été prévue entre la plaque 30 et le substrat récepteur 40, la structure 50 obtenue est alors une structure semiconducteur-sur-isolant. Une étape de finition éventuelle peut alors être prévue pour rendre la surface de détachement de la couche 35 non rugueuse et de bonne qualité. En référence à la figure 3F, la plaque 30' après prélèvement comprend une partie avant 310' amputée de la couche 35 et une partie arrière 320 entièrement préservée grâce à la présence de la couche de protection 36 sur la marche 31. La couche de protection 36 peut alors être éventuellement enlevée, si cela n'a pas déjà été fait, par exemple par gravure optionnellement sélective. Cette plaque 30' peut alors éventuellement être recyclée afin de servir à nouveau de plaque donneuse à un nouveau prélèvement de couche. A cet effet, la face avant 1' est avantageusement traitée de sorte à devenir une surface de collage de qualité suffisante pour assurer un bon collage avec un autre substrat récepteur. Dans le cas où ce traitement comprend l'emploi d'espèces chimiques, la couche de protection 36 peut servir de protection de la partie arrière 320 de la plaque 30 contre des attaques chimiques, et en particulier la marche 31 (parois verticale 31a et horizontale 31b). Le matériau de la couche de protection 36 peut ainsi être aussi choisi dans ce but. On prendra donc soin de réaliser, si ce n'est pas déjà fait, la couche de protection 36 avant la gravure. La partie avant 310' de la plaque 30 peut alors être épaissie au moyen d'une croissance épitaxiale au niveau de sa face avant 1' traitée afin de recevoir les espèces atomiques prochainement implantées en vue d'un prélèvement ultérieur de couche. Cette épitaxie peut éventuellement être précédée d'une étape de polissage ou de gravure. Il est alors préférable d'avoir choisi une couche de protection 36 en un matériau amorphe de sorte que l'épitaxie n'ait lieu que sur la face avant 1' de la plaque 30', et non aussi sur la marche 31. Ainsi, dans ce cas, la couche de protection 36 joue également une fonction de protection de la marche 31 contre un dépôt quelconque. Selon une première variante, l'implantation pour préparer le prochain prélèvement est mise en oeuvre directement après le traitement de la face avant 1' dans le cas où une couche de protection 36 est déjà formée, ou directement après la formation de la couche de protection 36 dans le cas contraire. Dans un premier cas particulier, la nouvelle implantation est située à une profondeur supérieure à la hauteur h ) de la marche 31. Ainsi, après prélèvement, on retrouvera une couronne conforme à ce qui est connu dans l'état de la technique (voir en particulier la figure 1C), à l'exception que la partie arrière 320 de la plaque 30 est ici restée intacte. Dans un autre cas particulier, la profondeur d'implant est inférieure à la hauteur h ) de la marche 31 et le prélèvement est alors sensiblement conforme au prélèvement selon l'invention en référence aux figures 3B à 3F. Dans ce cas particulier, on aura ainsi prévu de mettre en oeuvre un détourage à une profondeur telle qu'il y a moyen de prélever deux couches dans la partie avant 310 de la plaque 30, sans entamer la partie arrière 320 de la plaque 30. Selon une deuxième variante, un nouveau détourage est effectué de sorte à augmenter la hauteur h' de la marche de sorte qu'une prochaine implantation d'espèces atomiques soit mise en oeuvre à une profondeur inférieure ou égale à la prochaine hauteur de marche 31. La méthode de préparation de la plaque 30 de prélèvement décrite plus haut en référence aux figures 3A à 3F s'applique alors dans la suite du procédé de ce dernier procédé de prélèvement. En référence aux figures 6 et 7, sont présentés des cas particuliers de 20 prélèvements successifs de couches dans une même plaque 30 présentant une marche 31 périphérique, protégée selon l'invention. En référence à la figure 6, la hauteur de la marche 31 dans cette plaque 30 est telle que la partie avant 310 de la plaque 30 soit suffisamment épaisse pour y prélever successivement une ou plusieurs couches, sans avoir à détourer entre chaque prélèvement. Selon un premier mode de réalisation de cette marche 31, un détourage est mis en oeuvre conformément à ce qui a été vu précédemment, sur une profondeur et une largeur adaptées. Un simple recyclage de la face de détachement de la plaque 30 est alors 30 mis en oeuvre entre chaque prélèvement. 2888400 20 Cette structure est particulièrement rentable car elle offre la possibilité de prélever rapidement et simplement plusieurs couches successives, tout en préservant la plaque donneuse 30. En outre, la couche de protection 36 garantit la protection de la partie arrière 320 de la plaque 30, et protège en particulier la partie sousjacente 38 des implantations atomiques successives que celle-ci subirait sinon. Ainsi, si cette couche de protection 36 n'était pas présente, la partie sous-jacente 38 deviendrait de plus en plus fragile au fur et à mesure des prélèvements, jusqu'à ce que des particules se détachent et viennent contaminer la partie avant 310, la couche prélevée 15 et le substrat récepteur 40. Ainsi par exemple, la partie arrière 320 de la plaque 30 peut être constituée d'un substrat support en silicium puis d'une structure tampon en SiGe ayant une concentration en germanium progressivement croissante en épaisseur jusqu'à atteindre une concentration x (compris entre 0 et 1) en surface déterminée. La partie avant 310 peut dans ce cas par exemple être constituée d'un matériau Si1_xGex épitaxié, dont la concentration est sensiblement identique à celle du matériau constituant la surface de la couche tampon sous-jacente. Selon un deuxième mode de réalisation de la marche 31 de la figure 6, la partie avant 310 a été collée sur la partie arrière 320, cette partie avant 310 ayant une superficie moindre que celle de la partie arrière 320 de sorte que, après collage, ladite marche 31 apparaisse sans qu'il soit absolument nécessaire de mettre en oeuvre un détourage additionnel. La hauteur de cette marche 31 préexistante est alors environ égale à la hauteur de la couche transférée (1700 À par exemple, avec environ 200 À de couche cristalline, et environ 1500 A de couche de collage). La partie avant 310 peut ainsi être prélevée d'une plaque donneuse initiale suivant une technique de transfert de couche, par exemple par Smart-Cut . Selon toujours ce deuxième mode de réalisation de la marche 31, l'étape 30 de collage peut comprendre la formation d'une couche de collage en matériau 2888400 21 isolant sur l'une etlou l'autre des surfaces à coller. La plaque 30 réalisée est alors du type semiconducteur-sur-isolant, telle qu'une plaque 30 de type SiGeOl (par collage par exemple d'une partie avant 310 en SiGe relaxé) en se référant par exemple à la technique décrite dans FR 0208600. On pourra en particulier réaliser cette plaque 30 par collage oxyde oxyde, c'est à dire qu'une couche de collage en oxyde par exemple d'environ 1500 A aura été formée sur la partie avant 310 (la couche relaxée de SiGe) et qu'une couche de collage en oxyde par exemple d'environ 1500 A aura été formée sur la partie arrière 320 (en Si massif par exemple). La couche de collage formée sur la partie arrière 320 peut aussi avoir pour fonction de couche de protection 36 de la face horizontale 31a de la marche 31. Après d'éventuels traitement thermiques visant à améliorer la qualité cristalline de la couche transférée, on peut épaissir cette partie avant 310 jusqu'à environ 2 micromètres. Après ce dépôt, on obtient alors une plaque 30 selon la figure 6 (sans avoir réalisé de détourage spécifique). Un détourage éventuel peut alors être mis en oeuvre, sur une distance latérale (comprise par exemple entre environ 1 et environ 3 mm) de sorte à réaliser un contour net de la marche 31. On forme ensuite une couche de protection 36 selon l'invention. En référence à la figure 7, est illustrée une plaque 30 ayant subi un détourage d'une hauteur telle que la partie avant 310 peut fournir plusieurs couches par prélèvement selon l'invention sans qu'il soit nécessaire de détourer entre chaque prélèvement. La partie avant 310 est une structure composite comprenant alternativement des couches d'un premier matériau (34a, 34b, 34c, 34d, 34e) et des couches d'un second matériau (39a, 39b, 39c, 39d, 39e), formées initialement par épitaxie à partir de la partie arrière 320 de la plaque et avant détourage. On pourra ainsi avoir une partie avant 310 constituée d'une 30 succession de couches de SiGe (34a, 34b, 34c, 34d, 34e) et d'une succession de couches de Sii_yGey (39a, 39b, 39c, 39d, 39e) en matériau élastiquement contraint, avec x différent de y, et x et y respectivement compris entre 0 et 1, épitaxiées à partir de la partie arrière 320 comprenant une couche tampon 37b en SiGe et un substrat support 37a en Si massif. Une des implantations successives mises en oeuvre pour préparer les prélèvements successifs, peut alors être effectuée au sein d'une couche en Sil_ XGex (34e) afin de préparer alors le transfert, avec la couche de Si,_yGey contraint sus-jacent (39e), sur le substrat récepteur 40. On pourra alors traiter la structure comprenant le substrat récepteur et ces couches prélevées de sorte à ne conserver de la couche de Si1_XGex que la partie, afin d'obtenir une structure Si1_XGex/Si1_yGey contraintsur-isolant. En alternative, on retire tout le reliquat en Sii_XGex pour obtenir au final une structure Si1_yGey contraint-sur-isolant. On pourra mettre à cet effet des gravures sélectives entre ces deux matériaux. En ce qui concerne la plaque 30 restante, la surface de prélèvement peut être recyclée de sorte à conserver au moins une partie de la couche 34e dans laquelle a été implantée les espèces atomiques, au moyen d'un polissage ou d'une gravure chimique. En alternative, on enlève tout le reliquat de la couche 34e en mettant en 20 oeuvre une gravure sélective entre le Si1_XGex et le Si1_yGey sousjacent (couche 39d). Il est à noter que la couche de protection 36 peut aussi protéger la partie arrière 320 de la plaque 30 de ces attaques chimiques, et en particulier la marche 31 (parois verticale 31a et horizontale 31b). On peut en particulier 25 choisir un matériau adapté pour réaliser une telle couche d'arrêt. Dans un cas particulier selon la méthode proposée illustrée par la figure 7, on choisit y = 0 de sorte que les couches de Sii_yGey contraint (couches 39a, 39b, 39c, 39d, 39e) soient en Si contraint élastiquement. De façon plus générale, l'invention n'est pas limitée aux seuls exemples 30 ci-dessus énoncés. Notamment, la protection de la plaque 30 n'est pas nécessairement assurée par une couche de protection 36 formée sur la marche 31, mais s'étend à tout type de protection apte à protéger la marche 31 de l'implantation. Ainsi, selon un premier mode de protection alternatif, on pourra prévoir un masque de la marche 31 lors de l'implantation. Ce masque peut ainsi être agencé de sorte à n'autoriser le passage qu'aux ions destinés à constituer la zone de fragilisation 32 sous la face avant 1 de la plaque 30, et empêcher des ions d'atteindre la marche 31. Ce masque peut se situer au niveau de l'implanteur ou au niveau de la plaque 30 ou à un niveau intermédiaire. Dans un deuxième mode alternatif de protection de la marche 31, et dans le contexte où on utilise un système d'implantation permettant à un faisceau d'ions de balayer une ou plusieurs plaques 30 selon un trajet déterminé, on définit ce trajet déterminé pour que les ions n'atteignent que la face avant 1 de chaque plaque 30 et n'atteignent pas la marche 31. Des moyens de commande adaptés du faisceau d'ions et/ou du support mobile de la (ou des) plaque(s) 30 peuvent ainsi prédéfinir le trajet des ions sur chaque plaque 30. On pourra ainsi commander automatiquement le balayage, par exemple en prédéterminant le trajet à l'aide d'un programme d'ordinateur d'automatisation. Bien entendu, l'homme du métier comprendra aussi que cette invention n'est pas limitée au cas du SiGe et du Si contraint mais peut être appliquée à tout matériau cristallin ou non cristallin dans lequel on peut effectuer un prélèvement ou une implantation atomique selon l'invention. On pourra en particulier choisir des matériaux cristallins appartenant à la famille des alliages II.VI ou III.V, et/ou des matériaux dopés, et/ou des matériaux incluant du carbone dans une concentration allant d'environ 5 % à environ 50 %. REVENDICATIONS 1. Procédé de réalisation de couche destinée à des applications dans l'électronique, l'optique ou l'optronique à partir d'une plaque initiale (30), comprenant une étape d'implantation d'espèces atomiques à travers une des faces de la plaque initiale (30), caractérisé en ce qu'il comprend les étapes suivantes: (a) formation d'une marche (31) d'une hauteur déterminée en périphérie de la plaque (30) au niveau de laquelle l'épaisseur moyenne de la plaque (30) est moins importante que l'épaisseur moyenne du reste de la plaque (30) ; (b) protection de ladite marche contre l'implantation des espèces atomiques; (c) implantation d'espèces atomiques à travers la face (1) de la plaque (30) présentant ladite marche (31), de sorte à former une zone implantée (32) à une profondeur d'implant déterminée; ladite couche étant définie d'une part par la face implantée (1) de la plaque (30) 20 et d'autre part par la zone implantée (32). 2. Procédé de réalisation de couche selon la revendication précédente, dans lequel l'étape (a) comprend un collage d'une couche à un substrat pour former ladite plaque initiale (30), la couche ayant une superficie moins importante que le substrat de sorte que, une fois collés, ladite marche (31) soit au moins en partie définie par la différence de superficies entre la couche et le substrat. 3. Procédé de réalisation de couche selon l'une des revendications précédentes, dans lequel l'étape (a) comprend un retrait de matière sur une surface périphérique de la plaque (30) et sur une profondeur de retrait déterminée de sorte à forrner ladite marche (31). 4. Procédé de réalisation de couche selon l'une des revendications précédentes, dans lequel l'étape (a) comprend en outre un épaississement de la marche (31). 5. Procédé de réalisation de couche selon l'une des revendications 5 précédentes, dans lequel la profondeur d'implantation est inférieure ou égale à la hauteur de la marche (31). 6. Procédé de réalisation de couche selon l'une des revendications précédentes, dans lequel la plaque (30) a préalablement subi un prélèvement de couche, la plaque (30) comprenant alors une couronne (14) sur une zone périphérique, dans lequel l'étape (a) comprend un retrait préalable de cette couronne (14). 7. Procédé de réalisation de couche selon l'une des revendications précédentes, dans lequel la hauteur de la marche (31) est choisie comme étant d'environ 1 micromètre ou plus. 8. Procédé de réalisation de couche selon l'une des revendications précédentes, dans lequel l'étape (b) est mise en oeuvre en formant une couche de protection (36) s'étendant sur au moins ladite marche (31). 9. Procédé de réalisation de couche selon la revendication précédente, dans lequel la couche de protection (36) est aussi formée lors de l'étape (b) sur des parties de la plaque (30) non situées au niveau de la marche (31). 10. Procédé de réalisation de couche selon la revendication précédente, dans lequel l'étape (b) est mise en oeuvre de sorte que l'épaisseur de la couche de protection (36) formée est en moyenne sensiblement égale ou supérieure à la somme de ladite profondeur d'implantation, qui est celle associée au pic de la distribution gaussienne cle l'implantation, et d'une profondeur correspondant à environ cinq fois l'écart type de cette distribution. 11. Procédé de réalisation de couche selon l'une des deux revendications précédentes, caractérisé en ce qu'il comprend en outre une étape de retrait des parties de la couche de protection (36) non situées au niveau de la marche (31). 12. Procédé de réalisation de couche selon la revendication précédente, dans lequel cette étape cle retrait est mise en oeuvre par gravure anisotropique. 13. Procédé de réalisation de couche selon la revendication 11, dans lequel ledit retrait est effectué par polissage de la plaque (30). 14. Procédé de réalisation de couche selon l'une des revendications 8 à 13, caractérisé en ce qu'il comprend en outre une étape de retrait de la couche de protection (36) postérieurement à l'étape (c). 15. Procédé de réal sation de couche selon l'une des revendications précédentes, dans lequel l'étape (b) est mise en oeuvre de sorte que la couche 10 de protection (36) soit une couche en matériau amorphe. 16. Procédé de réalisation de couche selon la revendication précédente, dans lequel la couche de protection (36) comprend de l'oxyde de silicium, du nitrure de silicium, du PSG ou du BPSG. 17. Procédé de réalisation de couche selon l'une des revendications 1 à 7, 15 dans lequel l'étape (b) est assurée lors de l'étape (c) en masquant la marche (31) lors de l'implantation. 18. Procédé de réalisation de couche selon l'une des revendications précédentes, dans leque l'étape (c) est mise en oeuvre de sorte que la zone implantée (32) soit une zone de fragilisation, dans lequel le procédé comprend 20 en outre les étapes suivantes: collage d'un substrat récepteur (40) avec la face implantée (1) de la plaque (30) ; puis apport d'énergie de sorte à détacher de la plaque (30) la couche (35) au niveau de la zone cle fragilisation (32). 19. Procédé de réalisation de couche selon l'une des deux revendications précédentes, dans lequel le substrat récepteur (40) a également subi, préalablement au collage, un enlèvement de matière similaire à celui selon ladite étape (a), de sorte à avoir une surface de collage sensiblement identique à celle de la plaque (30). 20. Procédé de réalisation de couche selon l'une des revendications 18 à 19, dans lequel sont à nouveau mises en oeuvre, après détachement, les étapes (b) à (c). 21. Procédé de réalisation de couche selon l'une des revendications 18 à 19, dans lequel lesdites hauteur initiale de marche et profondeur d'implant sont choisies de sorte que, après détachement de la couche (35), il y ait moyen de former une deuxième couche par implantation d'espèces atomiques à travers la surface de détachement à une deuxième profondeur d'implant inférieure ou égale à la hauteur moyenne de la marche (31). 22. Procédé de réalisation de couche selon l'une des revendications 18 à 19, caractérisé en ce qu'il comprend en outre une ou plusieurs fois les étapes successives suivantes: implantation d'espèces atomiques à travers la surface de détachement de la précédente couche de sorte à former une zone de fragilisation 15 délimitant une nouvelle couche sous la surface de détachement; collage d'un substrat récepteur avec la face implantée de la plaque; - apport d'énergie de sorte à détacher de la plaque la couche au niveau de la zone de fragilisation. 23. Procédé de réalisation de couche selon la revendication précédente, dans lequel ladite hauteur initiale de marche et les profondeurs des implantations successives sont choisies de sorte que, après détachement de la dernière des couches successivement détachées, l'épaisseur moyenne de la plaque prise au niveau de ladite marche soit égale ou inférieure à l'épaisseur moyenne de la plaque prise au niveau de la dernière surface de détachement. 24. Procédé de réalisation de couche selon la revendication 23, dans lequel ladite hauteur initiale de marche et les profondeurs des implantations successives sont choisies de sorte que, après détachement de la dernière des couches successivement détachées, il y ait moyen de former une autre couche par implantation d'espèces atomiques à travers la surface de détachement à une profondeur inférieure ou égale à la hauteur moyenne de la marche. 25. Procédé de réalisation de couche selon l'une des revendications 22 à 24, dans lequel un nettoyage et/ou une gravure chimique est mis en oeuvre après le détachement d'une couche de sorte que la qualité de la surface de détachement soit suffisante pour réaliser un prochain collage avec un substrat récepteur pour un prochain prélèvement de couche dans la plaque (30). 26. Procédé de réalisation de couche selon la revendication précédente, dans lequel l'étape (b) est mise en oeuvre par la formation d'une couche de protection (36) sur la marche (31), et dans lequel la couche de protection (36) est aussi apte à protéger la marche (31) contre les agents chimiques utilisés lors du nettoyage et/ou de la gravure chimique. 27. Procédé de réalisation de couche selon la revendication précédente, dans lequel, après la formation de la couche de protection (36), une croissance 15 épitaxiale précède la prochaine étape d'implantation. 28. Procédé de réalisation de couche selon l'une des revendications 18 à 27, dans lequel la plaque (30) comprend une couche de Si1_,Ge, sur un substrat, x étant compris entre 0 et 1, chaque couche étant prélevée dans cette couche de Si1_xGex. 29. Procédé de réalisation de couche selon l'une des revendications 18 à 27, dans lequel la plaque (30) comprend une couche de Si1_xGex puis une couche de Si1_yGey élastiquement contraint, sur un substrat, x et y étant compris entre 0 et 1, y étant sensiblement différent de x, l'implantation ayant lieu dans la couche de Si1_xGex. 30. Procédé de réalisation de couche selon l'une des revendications 22 à 27, dans lequel la plaque (30) comprend une structure composite (310) sur un substrat support (320), la structure composite (310) étant formée alternativement de couches de Si1_xGex et de couches de Si1_yGey élastiquement contraint, x et y étant compris entre 0 et 1, y étant sensiblement différent de x, chaque implantation ayant lieu dans une couche de Si1_xGex. 31. Procédé de réalisation de couche selon la revendication précédente, dans lequel au moins une gravure sélective est mise en oeuvre après prélèvement de sorte à au moins retirer le reliquat de la couche de Sii_xGex. 32. Plaque (30) pour fournir une couche (35) destinée à des applications dans l'électronique, l'optique ou l'optronique, comprenant une zone périphérique (38) ayant une épaisseur moyenne inférieure au reste de la plaque (30) d'environ un micromètre ou plus, de sorte à former une marche (31) en périphérie de la plaque (30), caractérisée en ce que la marche est recouverte par une couche de protection (36) pour protéger la marche (31) d'une implantation d'espèces atomiques. 33. Plaque selon la revendication précédente, dans laquelle la couche de protection (36) est en matériau amorphe. 34. Plaque selon l'une des deux revendications précédentes, dans laquelle la couche de protection (36) comprend de l'oxyde de silicium, du nitrure de 15 silicium, du PSG ou du BPSG. 35. Plaque selon l'une des quatre revendications précédentes, dans laquelle la plaque (30) est globalement en matériau cristallin massif. 36. Plaque selon l'une des revendications 32 à 34, dans laquelle la plaque (30) est globalement une structure composite constituée principalement de 20 matériaux cristallins. 37. Plaque selon la revendication précédente, dans laquelle la plaque comprend un substrat support (37a), une structure tampon (37b) et une couche supérieure (310) suffisamment épaisse pour pouvoir y détacher une couche par Smart-Cut . 38. Plaque selon la revendication précédente, dans laquelle la couche supérieure (310) comprend du Sii_xGex. 39. Plaque selon la revendication précédente, dans laquelle la couche supérieure (310) comprend du Si,_xGex et du Si1i,Gey, avec x différent de y, x et y étant respectivement compris entre 0 et 1. 40. Plaque selon l'une des trois revendications précédentes, dans laquelle la hauteur de la marche (31) est supérieure ou égale à l'épaisseur de la couche supérieure (310).