FR 2889620 A1 20070209 FR 0508263 A 20050802 POLYOXOMETALLATES DANS DES DISPOSITIFS DE MEMOIRE La présente invention concerne un dispositif de mémoire à stockage de charges, son procédé de fabrication et son utilisation dans le domaine de l'électronique. Les dispositifs de mémoire sont présents dans tous les systèmes électroniques pour le stockage des données. Les éléments de base qui les constituent, les cellules mémoires, font toujours l'objet d'intenses recherches pour améliorer leurs performances (rétention, fiabilité, vitesse de programmation) notamment par le biais de mémoires dites innovantes. On entend par innovantes le fait qu'elles mettent en uvre des mécanismes de stockage jusqu'alors inexploités dans le domaine de l'électronique ou encore originales dans leurs architectures. On recherche dans la conception de dispositifs de mémoire non-volatiles une grande capacité, des temps d'accès très restreints et un débit élevé. La capacité représente le volume d'informations (généralement exprimée en bits) que la mémoire peut stocker. Le temps d'accès correspond à l'intervalle de temps entre la demande de lecture/écriture et la disponibilité d'une donnée. Le débit définit le volume d'informations échangé par unité de temps, exprimé en bits par seconde. La non volatilité caractérise l'aptitude d'une mémoire à conserver les données lorsqu'elle n'est plus alimentée électriquement. Il existe plusieurs types de mémoires. Les mémoires vives, généralement appelées RAM (mémoires à accès aléatoire), dont notamment les mémoires DRAM (mémoires à accès aléatoire dynamiques), sont de type volatil car elles permettent de stocker des données uniquement lorsqu'elles sont alimentées électriquement. Les mémoires mortes, appelée ROM (mémoires en lecture seule) sont non-volatiles et permettent de conserver les informations qui y sont contenues même lorsqu'elles ne sont plus alimentées électriquement. Les mémoires Flash possèdent la non-volatilité des mémoires mortes tout en étant facilement accessibles en lecture ou en écriture. La dénomination "Flash" vient du fait que les opérations d'effacement des mémoires sont très rapides (env. 10 s/byte). Les mémoires Flash sont conçues pour qu'une cellule élémentaire mémoire puisse être programmée électriquement individuellement, et qu'un grand nombre de cellules élémentaires, appelé bloc, secteur ou page, puisse être effacé électriquement en même temps. Les mémoires Flash associent à la fois les hautes densités des mémoires EPROM (Erasable Programmable Read Only Memories) et l'effacement électrique en système des EEPROM (Electrically Erasable Programmable Read Only Memories). Il existe deux technologies différentes de mémoires flash qui se différencient par l'organisation de leurs réseaux mémoire: les architectures NOR et NAND. L'architecture NOR propose un assemblage des cellules élémentaires mémoires en parallèle avec des lignes de sélection comme dans une EEPROM classique. L'architecture NAND propose un assemblage en série de ces mêmes cellules élémentaires avec les lignes de sélection. Les deux architectures NOR et NAND exploitent toutes deux le même principe de stockage de charges dans la grille flottante d'un transistor à effet de champ. Par grille flottante , on désigne une grille supplémentaire isolée électriquement ayant une fonction de stockage de charges. Elle est généralement située entre le canal et la grille de contrôle (Figure 1). Dans la technologie MOS (Metal Oxide Semiconductor), la grille flottante est typiquement en silicium polycristallin (ou polysilicium) dopé n. Le principe de fonctionnement des mémoires à semi-conducteurs dites à grille flottante comme les Flash est d'augmenter la tension de seuil Vth (Threshold Voltage) de certains transistors au-delà de la tension d'alimentation pour les rendre non conducteurs lors des cycles de lecture. Les points correspondants aux transistors avec des tensions de seuil augmentées seront donc dans l'état "1" (état écrit ou programmé), les autres dans l'état "0" (état effacé). L'étape d'écriture correspondant à l'augmentation de la tension de seuil est obtenue par injection d'électrons dans la grille flottante. L'écriture peut être effectuée selon deux mécanismes différents. Le premier consiste en l'écriture par effet tunnel Fowler-Nordheim. Il s'agit d'appliquer une tension positive élevée (entre 10 et 20 Volts) sur la grille de contrôle tout en maintenant le drain et la source à la masse. Les électrons du canal traversent alors le diélectrique tunnel par effet tunnel et chargent la grille flottante. Le second mécanisme consiste en l'écriture par porteurs chauds. Une tension positive élevée est toujours appliquée à la grille, ainsi que sur le drain (tension de drain VD tension de grille contrôle VcG/2), la source étant maintenue à la masse. La tension de drain induit alors un fort champ électrique dans le canal qui permet aux électrons d'acquérir une énergie assez élevée pour franchir la barrière énergétique que constitue le diélectrique tunnel et donc charger la grille flottante. L'écriture par effet tunnel Fowler- Nordheim étant assez lente (de l'ordre de la milliseconde), elle se fait par bloc de cellules. L'écriture par porteurs chauds étant quant à elle plus rapide, mais consommant plus d'énergie, permet un accès sélectif en un seul point mémoire. La charge stockée dans cette grille flottante induit donc un décalage de la caractéristique ID (Vw) (courant de drain ID en fonction de la tension de grille de contrôle VCG) du transistor. La lecture se fait en appliquant une tension sur la grille de contrôle comprise entre les deux tensions de seuil des états effacé Vthl et écrit Vth2 (Figure 2). L'opération d'effacement consiste à évacuer les électrons stockés dans la grille flottante en appliquant une tension négative sur la grille de contrôle. Le mécanisme utilisé pour l'effacement électrique des structures à grille flottante est l'effet tunnel Fowler-Nordheim. Cet effacement peut se faire par le canal, par la source ou bien par les deux, la source et le canal. Les performances des mémoires non-volatiles, dont notamment les mémoires Flash doivent répondre à certains critères de fonctionnalité et de fiabilité. En particulier, l'information programmée doit être conservée pendant une période d'au moins dix ans. Par ailleurs, l'endurance des mémoires Flash actuelles doit atteindre 105 à 106 cycles d'écriture/lecture sans variation entre les deux tensions de seuil des états effacé Vthl et écrit Vth2. Les capacités des mémoires n'ont pas cessé d'augmenter malgré la miniaturisation des cellules élémentaires des dispositifs de mémoire. Cependant, plusieurs obstacles technologiques s'opposent à la miniaturisation toujours croissante des dispositifs de mémoire. Ainsi, la réduction des dimensions des dispositifs de mémoire s'accompagne d'une réduction des épaisseurs des diélectriques, en particulier de l'oxyde de grille. Il est d'ailleurs prévu qu'en 2007, les épaisseurs d'oxyde tunnel seront de 8-9 nm pour les NOR et de 6-7 nm pour les NAND (source: International Technology Roadmap for Semiconductor 2004 (ITRS 2004) [http://www.itrs.net/Common/2004Update/2004Update.htm].). Toutefois, réduire l'épaisseur de l'oxyde tunnel, en particulier au dessous de 8 nm, provoque des courants de fuite plus importants. Ces courants de fuite sont induits soit par effet tunnel direct, soit par des défauts dans l'oxyde résultants d'opérations d'écriture et d'effacement répétées (SILC pour Strain Induced Leakage Current ). L'intégrité de l'information programmée en est donc affectée. Les mémoires vives RAM sont capables, grâce à leur architecture CMOS (complementary MOS), de fonctionner à des tensions de l'ordre de 1 à 2 volts. En revanche, les mémoires Flash nécessitent des tensions d'utilisation beaucoup plus élevées. Afin de réduire la consommation en énergie, il serait donc particulièrement intéressant de développer des dispositifs de mémoire qui seraient capables de fonctionner à des tensions quasi identiques à celles des transistors CMOS. Afin de répondre à des exigences croissantes de miniaturisation et d'amélioration des caractéristiques des dispositifs de mémoire (consommation réduite, grande capacité avec des temps d'accès très restreint, débit élevé, rétention), de nouvelles architectures et de nouveaux matériaux sont aujourd'hui étudiés. On peut notamment citer l'adaptation de l'architecture FinFET dont le transistor double grille a une fonctionnalité Flash (S. Jacob et al., Proceedings of IEEE lst International Conference on Memory Technology and Design, 153-156, 2005, May 21-24, Giens, France). Il est également proposé de conserver l'architecture Flash et d'incorporer des sites de piégeage discrets au sein de la grille flottante. Les sites de piégeage discrets présentent l'avantage d'être isolés électriquement entre eux. Deux types principaux de mémoires à sites de stockage discrets sont actuellement connus. Les mémoires à nitrure, de type SONOS (Silicon Oxide Nitride Oxide silicon) ou de type NROM (Nitride ROM) dans lesquelles les électrons sont piégés dans des défauts localisés dans une couche de nitrure de silicium (Si3N4) (B. Eitan et al., IEEE Electron Device Letters, 2000, 21: 11: 543-545,). Ce type de mémoires présente avantageusement une grande densité de sites de piégeage (de l'ordre de 1013/cm2) . Toutefois, l'injection d'électrons dans la couche de nitrure par la grille de contrôle pendant la phase d'effacement entraîne une saturation des caractéristiques d'effacement (M. Sadd et al, IEEE Non-Volatile Semiconductor Memory Workshop 2003, p. 71). Des mémoires à nanocristaux de silicium ont également été développées. Les nanocristaux, dont la taille varie approximativement de 5 à 10 nm constituent des sites de piégeage discrets. Cependant de telles mémoires sont obtenues par des procédés complexes qui en limitent les miniaturisations futures. L'utilisation de composés organiques ayant des propriétés d'oxydoréduction en tant que sites de piégeage discrets dans une grille flottante d'une mémoire Flash semble être une alternative prometteuse à l'utilisation de semi- conducteurs classiques. Pour être adaptés à une telle utilisation, les composés organiques doivent impérativement remplir les mêmes exigences que celles des matériaux semi-conducteurs, dont notamment être thermiquement stables afin de supporter les températures très élevées mises en oeuvre lors de la fabrication des cellules mémoires ou lors de leur utilisation. Les mémoires moléculaires de type Flash déjà connues utilisent des grilles flottantes comprenant des composés organiques rédox qui sont oxydés électrostatiquement ou électrochimiquement (US 2003/0111670 Al). Les phénomènes d'oxydoréduction des composés organiques sont contrôlés soit par transfert de charges faradique, soit par effet tunnel. Ce contrôle permet de moduler la capacité de la grille flottante et donc la tension de seuil du transistor. Li et al (Appl. Phys. Lett., 2004, 84: 1949-1951) décrivent une cellule mémoire de type transistor MOS comprenant un nanofil de In203 comme canal, une grille de contrôle face arrière, et des composés organiques comme grille flottante. Les composés utilisées sont des complexes de Fe2+ terpyridine. Les caractéristiques électriques de cette cellule mémoire correspondent à un rapport on/off supérieur à 104, une fonctionnalité de trois bits par cellule (huit niveaux, grâce à trois états d'oxydation) et une rétention de charge de 600h. D'autres composés organiques tels que les fullérènes (Ganguly et al., Mat. Res. Symp. Proc., 2004, 789: 403-403) ou des complexes métalliques, dont notamment les porphyrines (A. Yasseri et al., J. Amer. Chem. Soc., 2004, 126: 15603-15612), métallocènes sur Silicium (Q. Li et al. , Adv. Mat., 2004, 16: 133-137), ou porphyrine sur In2O3 (C. Li et al., J. Phys. Chem., 2004, 108: 9646-9649) ont également été utilisées dans des mémoires moléculaires. Celles-ci ont montré des propriétés similaires à celle de Li et al. Des monocouches autoassemblées (ou SAMs pour Self-Assembled Monolayers) mixtes comprenant des porphyrines de zinc et des ferrocènes comme molécules de stockage de charges ont été utilisées dans des cellules tests capacitives (Q. Li et al., Advanced Materials, 2004, 16: 2, 133-137,).. Ces composés ont des structures très différentes et leur répartition homogène au sein des SAM est difficile à maîtriser. Par ailleurs, l'immobilisation sur une surface d'un semi-conducteur ou de l'oxyde par un procédé SAM est en lui-même long, coûteux, et reste peu reproductible en terme d'épaisseur et d'homogénéité des couches. Les SAM obtenues par une étape de silanisation donnent lieu à des réactions secondaires de polymérisation. Par auto-assemblage , on désigne la formation spontanée de structures hiérarchiques complexes à partir d'éléments simples. Le phénomène d'autoassemblage est à la base de la formation des couches SAM, LbL ou de Langmuir-Blodgett. Les forces impliquées dans ce phénomène sont de types supramoléculaires, dont notamment Van der Waals, dipolaires, liaisons hydrogène. Un des principaux problèmes présenté par les cellules mémoires de l'art antérieur est qu'elles utilisent des composés organiques qui sont instables, notamment à des températures élevées. On rappelle en effet que les composés organiques utilisés dans les cellules mémoires de l'art antérieur et qui ont des propriétés d'oxydoréduction sont instables thermiquement. Par exemple, les complexes macrocycliques, notamment les porphyrines ou les phthalocyanines conservent des propriétés d'oxydoréduction jusqu'à des températures atteignant 400 C en atmosphère inerte, mais commencent à se dégrader dès 200 C. La relative stabilité thermique des composés de l'art antérieur confine leur utilisation dans des transistors dits à grille arrière alors que les procédés de fabrication des technologies CMOS privilégient des transistors à grille avant. En effet, ces procédés imposent le dépôt d'une couche d'oxyde puis de la grille sur la couche moléculaire à des températures supérieures à 400 C. L'instabilité thermique qui caractérise les composés organiques de l'art antérieur pose un sérieux problème lors de la conception de cellules mémoires à stockage multibit. En effet, les mélanges de composés organiques de familles différentes ayant des cinétiques de dégradation différentes entraînent des modifications dans la répartition des composés lorsque de très fortes températures sont atteintes. La présente invention vient améliorer la situation. Elle propose à cet effet, un dispositif mémoire comportant des molécules aptes à stocker des charges qui sont utilisées pour le stockage d'information. Les expressions molécules à stockage de charges et molécules aptes à stocker des charges sont utilisées de façon interchangeable dans la présente demande. Une partie au moins de ces molécules est et/ou comporte au moins un polyoxométallate (POM). Les molécules à stockage de charges présentent une multiplicité d'états d'oxydation, permettant leur utilisation avantageuse dans des dispositifs de stockage multibit. Par stockage multibit , on désigne le stockage de plusieurs bits dans une cellule mémoire. La multiplicité d'états d'oxydation des molécules à stockage de charge peut être notamment obtenue en utilisant plusieurs types de POM différents ayant chacun au moins un état d'oxydation distinct du ou des états d'oxydation des autres POM. La multiplicité d'états d'oxydation peut également être obtenue en utilisant des POM identiques mais ayant plusieurs états d'oxydation distincts. Avantageusement, les POM du dispositif de mémoire conforme à l'invention comprend au moins deux états d'oxydation. Les dispositifs à stockage de charge conformes à l'invention peuvent être utilisés dans des mémoires Flash ou des mémoires DRAM. Par composé rédox , on désigne tout composé ou molécule comprenant des éléments impliqués dans des réactions d'oxydoréduction induites par l'application d'un potentiel approprié. Dans la présente demande et dans ce qui suit, le terme polyoxométallates désigne des oxydes d'atomes métalliques présentant au moins un état d'oxydation, de préférence deux états d'oxydation distincts. Typiquement, les atomes métalliques sont des métaux de transition ou de terre rare qui sont généralement à leur plus haut degré d'oxydation et qui se trouvent au centre d'un octaèdre distordu d'atomes d'oxygène 02-. Dans des conditions préférées de mise en oeuvre de l'invention, on utilise des isopolyanions, de formule générale [MgOy]n- dans laquelle M représente un atome métallique de transition ou de terre rare, q représente un entier variant de 11 à 21, y représente un entier de 39 à 62 et n représente en entier variant de 1 à 20. Dans d'autres conditions préférées de l'invention, on utilise des hétéropolyanions de formule générale [XZMgOy] n- comprenant au moins un cation supplémentaire X, M représentant un atome métallique et z représente 1 ou 2, q représente un entier variant de 11 à 21, y représente un entier de 39 à 62 et n représente en entier variant de 1 à 20. Un POM utilisé pour le stockage de charges peut notamment être un hétéropolyanion dont la structure est du type Keggin (XM12O40) n- ou de type Dawson (X2M18O62) n-, n étant un entier variant de 1 à 20. Préférentiellement, le cation supplémentaire X est choisi parmi le phosphore, le silicium, l'arsenic, le germanium, le soufre et le bore. Le cation peut notamment jouer le rôle d'assembleur des agrégats d'oxydes des atomes métalliques. Avantageusement, les structures de type Keggin sont choisies parmi (PW12040) 3-, (SiW12O40) 4-, (PMo12O40) 3-, alors que les structures de type Dawson seront choisies parmi (P2W18062) 6- , ( S i2W18062) 6- , ( P2M018062) 6. Le POM du dispositif conforme à l'invention comprend au moins un atome métallique de transition ou de terre rare. Préférentiellement, l'atome métallique de transition ou de terre rare est choisi parmi le tungstène, le molybdène, le vanadium, le niobium ou le tantale, le lanthane, l'actinium, le ruthénium, le fer, le nickel et le chrome. Avantageusement, le POM conforme à l'invention comprend en outre au moins un cation supplémentaire distinct des atomes métalliques ou de terre rare. Préférentiellement, le cation supplémentaire est choisi parmi le phosphore, le silicium, l'arsenic, le germanium, le bore et le soufre. Selon un mode préféré de réalisation, les molécules à stockage de charges forment une architecture moléculaire structurée selon une chaîne polymère. Une telle organisation est particulièrement avantageuse puisqu'elle permet une dispersion optimale des molécules aptes à stocker des charges sur une surface. Afin de permettre une telle architecture en chaîne polymère, les molécules à stockage de charge peuvent comprendre des fonctions qui permettent une polymérisation, de préférence une polymérisation radicalaire ou ionique. Avantageusement, les fonctions permettant une polymérisation en chaîne des molécules aptes à stocker des charges sont de type acrylique, éthylénique ou vinylique telle que la fonction CH2=C(Me)C(0)OPr (C. Mayer et R. Thouvenot, Chem. Mat, 2000, 12, 257). Plus préférentiellement, au moins un POM d'une molécule de stockage de charges comprend au moins une fonction de polymérisation. Par exemple, un POM préféré de l'invention répondant à la formule [La(III) (a-SiW11039) (H20)3]5-s'organise sous la forme de chaînes polymères minérales, permettant une organisation unidimensionnelle des structures monovacantes de type Keggin (a-SiW11039) 8. Selon un autre mode préféré de réalisation, un POM comprend au moins une lacune apte à se combiner à un autre élément. Ainsi, par lacune , on désigne un site d'insertion. Par autre élément , on désigne un atome de métal ou de terre rare de la molécule à stockage de charge incorporant le POM ou une autre molécule à stockage de charges. Avantageusement, l'atome métallique peut notamment être choisi parmi le lanthane et l'actinium. En modifiant la nature des métaux de transition, on peut moduler leurs propriétés d'oxydoréduction. Selon leur état d'oxydation, ils peuvent donner ou accepter plusieurs électrons sans modification de la structure initiale. Les POM sont particulièrement stables thermiquement et présentent des états d'oxydation distincts qui permettent une utilisation avantageuse dans des dispositifs de mémoire, dont notamment des transistors à effet de champ ou des capacités associées à des transistors à effet de champ. Selon un mode préféré de réalisation, les molécules à stockage de charges conformes à l'invention peuvent être incorporées dans une capacité associée à un transistor à effet de champ. Préférentiellement, la capacité incorporant les molécules à stockage de charges est prévue dans une mémoire de type DRAM. Selon un autre mode préféré de réalisation, les molécules à stockage de charges conformes à l'invention peuvent être incorporées dans un élément d'un transistor à effet champ. Généralement, un transistor à effet champ du dispositif conforme à l'invention comprend: - un substrat comportant un canal, - une source et un drain disposés de part et d'autre du canal et en contact électrique avec 15 celui-ci, - une grille de contrôle disposée au-dessus du canal et séparée au moins de celui-ci par un diélectrique de contrôle et une grille flottante, la grille flottante comprenant une partie au moins desdites molécules aptes à stocker des charges. Préférentiellement, le diélectrique de contrôle du transistor du dispositif conforme à l'invention comporte au moins une couche isolante minérale ou un gel électrolytique. Les ions du gel électrolytique assurent une fonction de diélectrique de contrôle. Les caractéristiques du matériau et l'épaisseur du gel électrolytique peuvent être optimisées pour des tensions qui déterminent le transfert d'électrons et/ou le stockage de charges. Généralement, le gel électrolytique est préparé par dissolution d'un électrolyte choisi parmi le tétrabutylammonium hexafluorophosphate (TBAH), LiPF6, LiC1O4 et LiBF4 dans un solvant choisi parmi le carbonate de propylène, le sulfolane, le 3-méthyle-2-oxazolidinone, le 4-méthyle-2-pentanone. La viscosité du gel peut être contrôlée par ajout d'un matériau polymère de haut poids moléculaire choisi parmi le poly(fluorure de vinylidène)hexafluoropropylène, le méthacrylate 2-hydroxyéthyle, l'acrylonitrile, le méthacrylate de méthyle, l'oxyde de polyéthylène, les polyphosphazènes. Selon un mode de réalisation alternatif, le milieu solvant/électrolyte peut être remplacé par un liquide ionique dont la viscosité est contrôlée par un matériau polymère tel que décrit ci-dessus. Les liquides ioniques qui sont généralement utilisés dans le cadre de l'invention sont le tétrafluoroborate de 1-éthyle-3- méthyle imidazolium, le trifluorométhanesulfonate du 1-éthyle-3-méthyle imidazolium, l'hexafluorophosphate de 1-(lbutyl)-3-méthylimidazolium ou le tétrafluoroborate de 1-butylpyridinium. Selon un autre mode préféré de réalisation, les molécules aptes à stocker des charges sont disposées directement et/ou par l'intermédiaire d'attaches sur une surface du dispositif conforme à l'invention. Préférentiellement, un POM d'une molécule à stockage de charges comprend au moins une attache. Par une surface du dispositif , on désigne une surface de canal ou de diélectrique tunnel ou de capacité. L'attache comprend un espaceur et au moins un groupe liant apte à se lier à une surface du dispositif. L'espaceur peut être aliphatique, notamment linéaire, ramifié ou cyclique pouvant comprendre un ou plusieurs hétéroatomes. Avantageusement l'hétéroatome est choisi parmi un atome d'azote, d'oxygène, de soufre, de phosphore, de silicium ou un halogène. Par groupe liant , on désigne tout groupe ou fonction capable de générer une ou plusieurs liaisons de type covalent ou non covalent avec au moins une molécule de la surface du dispositif. Préférentiellement l'attache comprend un alkyle et/ou un aryle. Lorsque l'attache comprend un alkyle en C1 à C20, cet alkyle est de préférence en C1 à C15, avantageusement en C1 à C12, notamment en C1 à C10, particulièrement en C1 à C8, tout particulièrement en C1 à C5, linéaire ou ramifié, choisi parmi: hydroxyalkyle, mercaptoalkyle, selenylalkyle, tellurylalkyle, cyanoalkyle, isocyanoalkyle, carboxyalkyle, aminoalkyle, dihydroxyphosphorylalkyle, trichlorosilylalkyle, trimethoxysilylalkyle, dithioalkyle, dithiocarboxyalkyle, alkyldiazonium. Lorsque l'attache comprend un aryle en C1 à C20, cet alkyle est de préférence en C1 à C15, avantageusement en C1 à C12, notamment en C1 à C10, particulièrement en C1 à C8, tout particulièrement en C1 à C5, linéaire ou ramifié, choisi parmi: hydroxyaryle, mercaptoaryle, selenylaryle, tellurylaryle, cyanoaryle, isocyanoaryle, carboxyaryle, aminoaryle, dihydroxyphosphorylaryle, trichlorosilylaryle, triméthoxysilylaryle, dithioaryle, dithiocarboxyaryle, aryldiazonium. Avantageusement, le transistor à effet de champ du dispositif conforme à l'invention comprend en outre un diélectrique tunnel disposé entre la grille flottante et le canal, ledit diélectrique tunnel comprenant au moins une couche de matériau diélectrique. Par matériau diélectrique , on entend au moins l'un quelconque des matériaux choisi parmi un oxyde de semi-conducteur, un nitrure de semi-conducteur, un oxyde de terre rare, un oxyde métallique, un gel électrolytique, un polymère électrolytique, des attaches des molécules à stockage de charges. Avantageusement, chaque molécule à stockage de charges du dispositif conforme à l'invention comprend au moins une fonction permettant la polymérisation et/ou au moins une attache permettant la fixation de ladite molécule sur une surface dudit dispositif. La surface sur laquelle sont disposées les molécules à stockage de charges comprend de préférence un métal comme le platine, le mercure, l'or, l'oxyde d'Indium-Etain (ITO) ou du carbone et ses différentes formes comme le graphite, le graphite pyrolytique fortement orienté (HOPG) , les nanotubes de carbone, le diamant, ou des polymères électroniques conducteurs ou semi-conducteurs, ou des semi-conducteurs minéraux ou un mélange de ceux-ci. Les polymères électroniques conducteurs ou semiconducteurs sont des polyènes linéaires et/ou cycliques choisis parmi le polypyrrole, la polyaniline, le polythiophène et leurs dérivés, lesdits polyènes pouvant éventuellement être substitués par des hétéroatomes. Les semi-conducteurs minéraux sont choisis préférentiellement parmi le silicium, le germanium, le carbone ou des alliages de ceux ci, ou des semi-conducteurs composés III-V tels que le GaAs, l'InP, l'InSb ou des alliages de ceux-ci et/ou les oxydes métalliques, ou des semi-conducteurs composés II-VI, tel que CdTe, ou des alliages de ceux-ci et/ou les oxydes métalliques. Selon un mode préféré de réalisation, les molécules à stockage de charges sont dispersées dans une couche électrolytique. La couche électrolytique peut être composée uniquement d'un gel d'électrolyte. Elle peut comprendre en outre des polyélectrolytes (cationiques et/ou anioniques) et/ou des ionomères (cationiques et/ou anioniques). De façon avantageuse, la couche électrolytique comprend les attaches qui permettent de lier les molécules conformes à l'invention à la surface du dispositif, lesdites moléculesétant dispersées dans un gel d'électrolyte. Selon un autre mode préféré de réalisation, les molécules aptes à stocker les charges sont disposées dans des régions séparées. Préférentiellement, lesdites molécules sont séparées par un dépôt créant ainsi des sites de piégeages discrets. Ainsi, si un défaut apparaît, celui-ci n'affectera que la charge située au dessus du défaut (Figure 3). Une telle structure diminue donc les courants de fuite (effet SILC). Avantageusement, il est alors possible de diminuer l'épaisseur du diélectrique tout en conservant de bonnes caractéristiques de rétention et d'endurance. Avantageusement, le dépôt ou le diélectrique de contrôle du dispositif conforme à l'invention comprend un polymère électrolytique cationique, préférentiellement choisi parmi le poly(éthylènimine), le poly(allylamine) , différentes formes quaternisées de la poly(vinylpyridine), les précurseurs solubles et cationiques de poly(paraphénylènevinylène) et leurs dérivés substitués sur le cycle ou la liaison éthylènique. Avantageusement, le dépôt ou le diélectrique de contrôle comprend au moins une couche de surfactant, préférentiellement cationique, plus préférentiellement le bromure de diméthyldioctadécylammonium (DODA). Préférentiellement, le dépôt ou le diélectrique de contrôle comprend une couche comprenant au moins un polymère électrolyte et au moins un surfactant, au moins un gel d'électrolyte, au moins un oxyde de semiconducteur (tel que SiO2), au moins un nitrure de semi-conducteur (tel que Si3N4) , au moins un oxyde de terre rare (tel que Hf O2) ou au moins un oxyde métallique. Dans le dispositif conforme à l'invention, les propriétés de stockage de charge des molécules à stockage de charges sont dépendantes des POM et non de la surface sur laquelle elles sont immobilisées. La charge est stockée dans les états d'oxydation des POM, ce qui permet une forte densité de charge. Les temps de rétention de charge sont également une propriété des POM et par conséquent ne sont pas dépendants des fuites caractéristiques des dispositifs de stockage d'information classiques (de type condensateur-transistor). Les POM peuvent être immobilisés aisément sur une surface à très forte densité par des procédés simples et peu coûteux tels que décrits ci-après, permettant ainsi de minimiser la surface. Les températures aussi élevées que 400 C peuvent être utilisées pendant la fabrication ou la mise en oeuvre du dispositif conforme à l'invention sans que les POM se dégradent puisqu'ils présentent une stabilité thermique atteignant 500 C en transitoire et 350 C en stationnaire en milieu air/eau; cette propriété de stabilité thermique est d'autant plus importante que de nombreuses étapes de fabrication des dispositifs sont réalisées à de fortes températures. Ainsi, le POM de Dawson a-[W18O56 (SO3) (H2O) 2] 8- ne perd que 0,9% de poids à 400 C par réarrangement redox interne et perte de deux molécules d'eau (Long et al., Angew. Chem. Int., 2005, 44, 3415-3419). Les dispositifs de mémoire peuvent être miniaturisés dans la mesure où les propriétés électroniques sont intrinsèques aux structures des POM. Enfin, des bits multiples peuvent être stockés dans une cellule mémoire en utilisant plusieurs états d'oxydation distincts de chaque POM. En effet, le stockage multibit exploite la présence d'états d'oxydation multiples des POM. La présente invention a également pour objet un procédé de réalisation d'un dispositif de mémoire conforme à l'invention, suivant lequel des POM sont déposés sur une surface dudit dispositif, de préférence en utilisant un procédé choisi parmi une adsorption, une immersion suivie d'un retrait à vitesse contrôlée, un électrodépôt, un greffage, une électrolyse, un dépôt par couches successives, une adsorption, une immersion suivie d'un retrait à vitesse contrôlée, et un dépôt sur la surface mise en rotation. Avantageusement, la surface sur laquelle les molécules à stockage de charges sont déposées est traitée préalablement au dépôt desdites molécules en utilisant par exemple et de préférence un procédé de préparation de ladite surface choisi parmi le décapage, une activation de la surface, une irradiation, un chauffage, une sensibilisation de la surface, une oxydation de la surface, une réduction de la surface, une hydratation, un dépôt de composé liant destiné à être éliminé au moins en partie lors du dépôt des molécules à stockage de charges. Parmi les surfaces pouvant être utilisées, on pourra inclure toute surface possédant des groupements pendants -OH, -NH2, -COOH ou leurs précurseurs chimiques, photochimiques, thermiques ou électrochimiques. Avantageusement, la surface est préalablement décapée ou oxydée lorsque celle-ci comprend du silicium. Les molécules à stockage de charges conformes à l'invention peuvent avantageusement être solubilisées dans des solvants aqueux, tel que H2SO4, notamment aqueux, ou dans des solvants organiques tels qu'un alcool, l'acétonitrile, le diméthylformamide (DMF). Les molécules à stockage de charges conformes à l'invention peuvent également être dispersées au sein d'un composé liant qui peut être notamment un polymère comme l'alcool polyvinylique, ou un gel d'alcool butylique/alcool vinylique ou de cellulose, (Kuhr et al., MRS Bulletin, 2004, 11, 838-842), ou un gel hybride par réaction sur le 3-glycidoxy-propyltrimethoxysilane (Judeinstein et al., Adv. Mat. For Optics & Electronics, 1997, 7, 123-133) . Les molécules conformes à l'invention peuvent également être organisées en réseau dans des chaînes polymères. Ces dépôts peuvent être éventuellement suivis d'un recuit en température éliminant le composé liant et laissant les molécules conformes à l'invention dans un dépôt homogène en trois dimensions, dont la répartition est contrôlée. Pour un dépôt par adsorption, la concentration surfacique dépend de la position relative des potentiels de réduction des molécules conformes à l'invention et d'oxydation du métal (Kuhn et al., J. Electroanal. Chem., 1999, 462, 187-194) L'adsorption est un phénomène de surface universel basé sur le fait que toute surface constituée d'atomes n'ayant pas toutes leurs liaisons chimiques satisfaites a donc tendance à combler ce manque en captant les atomes et composés passant à proximité. On distingue la physisorption, qui conserve l'identité aux composés adsorbées et la chimisorption qui conduit à la rupture de liaisons chimiques. La physisorption correspond à un mode de réalisation préféré. L'énergie mise en jeu au cours d'un processus de chimisorption, qui conduit à un greffage covalent, est plus conséquente que celle mise en jeu au cours d'un processus de physisorption. Conformément à l'invention, le dépôt des molécules à stockage de charges peut également être réalisé par électrodépôt. Selon un mode de réalisation particulier, une première étape comprend l'adsorption spontanée par immersion telle que décrite précédemment, suivie d'une deuxième étape d'activation électrochimique par réduction. Bien que le mécanisme d'agrégation soit peu compris, un tel procédé d'électrodépôt a l'intérêt de permettre une fixation forte par adressage électrique. Une variante de réalisation de l'électrodépôt met en oeuvre une électropolymérisation associée à un dopage des polymères électroniques conducteurs et/ou semi-conducteurs, préférentiellement choisi parmi le polypyrrole, la polyaniline, le polythiophène et leurs dérivés. Ainsi, l'électropolymérisation du polypyrrole en présence de POM de type Keggin permet avantageusement le dépôt de polypyrrole dopé aux POM (G. Bidan et al., J. Electroanal. Chem., 1988, 251,297-306). L'épaisseur du dépôt correspondant à la quantité de molécules à stockage de charges déposés sur la surface est directement contrôlée par le nombre de coulomb de l' électrosynthèse. Selon un autre mode de réalisation, les molécules à stockage de charges peuvent être déposés par inclusion dans des films de type langmuir blodgett (E. Coronado and C. mingotaud, Adv. Mat.). Cette technique exploite les propriétés d'adsorption des POM sur des monocouches chargées positivement, et au préalable déposées sur le canal. Avantageusement, cette couche peut-être un amino-alkyl ou une SAM, notamment obtenue à partir du 3-aminopropyltriméthoxysilane. Selon un autre mode de réalisation, le dépôt des molécules à stockage de charges peut être réalisé par la technique de LbL (Layer-by-Layer, dépôt par couches successives) afin d'obtenir des multicouches de POM superposées sur une surface appropriée. La technique LbL conduit classiquement à la fabrication de dépôts composites constitués de couches alternées de polymères de charges opposées (G. Decher, Science, 277, 12321237 (1997)). Dans la mesure où les POM sont suffisamment volumineux et sont des espèces chargées, la technique de LbL peut leur être appliquée. Préférentiellement, les molécules à stockage de charges sont associées à des polymères cationiques selon une technique comparable à celle mise en oeuvre en électrochromisme (S. Liu et al., J. Amer. Chem. Soc., 2002, 124, 12279-12287; D. Ingersoll et al, J. Amer. Chem. Soc., 1994, 141, 140; L. Cheng and S. Dong, electrochem. Commun., 1999, 1, 159). Parmi les polymères polyélectrolytes cationiques utilisables, citons de façon non limitative le poly(éthylènimine) le poly(allylamine), différentes formes quaternisées de la poly(vinylpyridine). Préférentiellement, la première couche de l'assemblage LbL peut être constituée de POM adsorbés ou greffés sur une surface préalablement modifiée, notamment par des groupements imines. Il est possible de coupler la technique de LbL par immersion avec l'activation électrochimique (méthode potentiostatique ou potentiodynamique) afin d'obtenir des dépôts de POM successifs reproductibles. Avantageusement, le dépôt LbL permet de disperser les POM en multicouche afin d'obtenir un réseau de POM en trois dimensions. Le dépôt LbL permet également d'associer des POM de natures différentes, notamment ayant des états d'oxydation différents, afin d'optimiser le stockage des charges notamment dans un dispositif à stockage multibit. Le dépôt LbL permet enfin d'adapter la concentration et la répartition des POM de nature différente au sein d'un système multicouche. Un tel système multicouche peut être considéré comme un nouveau concept de mémoire capacitive à grille flottante. Selon un autre mode de réalisation, le dépôt des molécules conformes à l'invention peut être réalisé par greffage covalent sur une surface à l'aide du groupe liant. Avantageusement, des groupements de surface -0- ou -OH sur des POM permettent d'appliquer de nombreuses réactions de condensation de composés organiques comportant des groupements R-NH2, ROH ou R-COOH (ou leur forme activée, ester, ...), conduisant ainsi à des POM=N-R, POM-O-R ou POM=OOC-R. Le groupement R peut être un constituant organique pré-assemblé sur une surface (Angew. Chem. Int. Ed., 2005, 44, 1254-1257) ou permettant le greffage ou l'auto-assemblage. Avantageusement, le greffage covalent des molécules à stockage de charges conformes à l'invention sur une surface est possible grâce à la présence de lacunes dans les POM de type Keggin ou Dawson. En effet, la lacune peut notamment servir de point d'ancrage pour des composés capables de réagir sur les atomes d'oxygène lacunaires, dont notamment les silanes (C. Mayer et al, Chem. Mat., 2000, 12, 257-260) ou des stannanes (S. Bareyt et al, J. Amer. Chem. Soc., 2005, 127, 6788-6794). On dispose désormais de dispositifs de mémoire comportant des molécules à stockage de charges qui sont non seulement stables à fortes températures, mais qui sont également fabriquées selon des procédés couramment utilisés dans le domaine. De plus, on peut utiliser ces molécules en mélange pour des dispositifs de stockage multibit sans que des problèmes de répartition n'apparaissent. La demanderesse a en effet découvert avec étonnement que des molécules dont une partie au moins est et/ou comporte au moins un polyoxométallate (POM) permettaient la fabrication de dispositifs de mémoire à stockage de charges stables à la chaleur. Par ailleurs, de par la stabilité thermique et la multiplicité des états d'oxydation des POM, la conception de dispositifs de stockage multibit est possible. Ainsi, elle a découvert que les propriétés d'oxydoréduction et de stabilité thermique des POM permettaient de les substituer ou de les incorporer en complément de matériaux diélectriques dans des dispositifs de mémoire à stockage de charges, dont notamment dans des diélectriques prévus pour des mémoires Flash ou des mémoires DRAM. L'invention a également pour objet tout appareil électronique renfermant des dispositifs de mémoire tels que définis ci-dessus et notamment un ordinateur, une console de jeux, un téléphone, un agenda électronique, un lecteur vidéo ou de musique, un appareil électroménager. L'invention sera mieux comprise si l'on se réfère aux figures annexées. La figure 1 représente un transistor à effet champ d'une cellule mémoire Flash comprenant une source (7), un drain (6), un canal (5) et un substrat (8).Les deux diélectriques de la mémoire jouent un rôle complémentaire. Le diélectrique tunnel (4), situé entre le canal du transistor et la grille flottante est généralement un oxyde de silicium (SiO2) thermique d'épaisseur de l'ordre de 7 à 9.5 nm pour le noeud technologique Flash F de 90 nm (source: International Technology Roadmap for Semiconductor 2004 [http://www.itrs.net/Common/2004Update/2004Update. htm]). C'est à travers cet oxyde que sont injectées les charges vers la grille flottante. Le diélectrique de contrôle (2) situé entre la grille flottante (3) et la grille de contrôle (1) joue un double rôle. Il doit coupler capacitivement la grille de contrôle et la grille flottante afin que lors de l'application d'une tension de programmation sur la grille de contrôle, un maximum de tension se retrouve entre la grille flottante et le canal. Il doit également présenter des courants de fuite très faibles afin de ne pas détériorer le fonctionnement de la mémoire. Ce diélectrique de contrôle est généralement soit un oxyde de silicium de type HTO (High Thermal Oxide), soit composé de trois couches oxyde (Si02)- nitrure (Si3N4) -oxyde (SiO2), que l'on appelle aussi "ONO". VS, VD, VCG représentent respectivement les tensions appliquées sur la source, le drain et la grille de contrôle. La figure 2 représente un graphe caractéristique du courant de drain ID en fonction de la tension de grille de contrôle VCG de la mémoire dans les états écrit et effacé . Vth correspond à la tension de seuil. La figure 3 met en évidence les avantages qui sont liés à l'incorporation des sites de piégeage discrets au sein d'une grille flottante de transistor (3). Dans une mémoire à grille flottante continue (3) un défaut dans l'oxyde de tunnel (4) provoque la perte de toute la charge stockée (FIG. 3a). Dans une mémoire à grille flottante (3) à site de piégeages discrets, seul le site de stockage situé au dessus du défaut perd sa charge (FIG. 3b). La figure 4 représente schématiquement un POM de type Dawson de formule (X2Me18O62) 6- avec X= Si ou P et Me= W, Mo, Va, le composé lacunaire présenté est a2- [P2W17061] 1 -, (A) et un POM lacunaire de type Keggin de formule (SiW12O40) 4- (B). La figure 5 correspond à une représentation polyédrique (A) et en liaison (B) de la structure de l'ion Keggin phosphomolybdate (PMo12O40) 3-. La figure 6 représente un système multicouche de POM de nature différente déposé sur une surface appropriée. Une couche de polymères électrolytiques cationiques (symbole (+)) sépare deux couches de POM (empilement d'agrégats). La figure 7 représente une structure d'un transistor à effet de champ dans lequel les molécules à stockage de charges (9) conformes à l'invention sont disposées sur la surface de canal (5) d'un substrat (8), le canal étant situé entre le drain (6) et la source (7). Le diélectrique de contrôle (2) peut comprendre un gel d'électrolytes. La figure 8 représente une structure d'un transistor à effet de champ dans lequel les molécules à stockage de charges (9) conformes à l'invention sont assemblées sur une surface de canal (5) par l'intermédiaire d'attaches (10). Selon une variante de réalisation, les attaches sont dispersées dans un gel d'électrolytes (4) et ainsi peuvent jouer le rôle de diélectrique tunnel. La figure 9 représente une structure d'un transistor à effet de champ dans lequel les molécules à stockage de charges conformes à l'invention sont disposées en multicouches superposées sur une surface de canal. Deux couches de molécules (9) conformes à l'invention sont séparées par une couche électrolytique (gel électrolytique, polymère d'électrolyte, ionomères...). La couche électrolytique disposée sur la surface de canal peut jouer le rôle de diélectrique tunnel. La figure 10 représente une structure d'un transistor à effet de champ dans lequel les molécules à stockage de charges (9) conformes à l'invention sont disposées sur la surface d'un diélectrique tunnel (4) comprenant au moins une couche de matériau diélectrique et/ou une couche électrolytique. Le diélectrique de contrôle (2) peut comprendre un gel électrolytique. La figure 11 représente une structure d'un transistor à effet de champ dans lequel les molécules à stockage de charges (9) conformes à l'invention sont assemblées par l'intermédiaire d'attaches (10) sur une surface comprenant au moins une couche de matériau diélectrique et/ou une couche électrolytique, l'ensemble formant un diélectrique tunnel (4) . La figure 12 représente une structure d'un transistor à effet champ dans lequel les molécules à stockage de charges (9) conformes à l'invention sont disposées en multicouches superposées sur une surface de diélectrique tunnel (4) comprenant au moins une couche de matériau diélectrique et/ou une couche électrolytique. Deux couches de molécules (9) conformes à l'invention sont séparées par une couche électrolytique (gel électrolytique, polymère d'électrolyte, ionomères...). Les figures 13 à 17 illustrent un procédé de fabrication d'un transistor avec une technologie MOS 130 nm (Métal Oxyde Semi conducteur) à grille damascène sacrificielle. Lors de la première étape, des zones d'isolation latérale d'oxyde SiO2 épais (quelques centaines de nm à quelques m d'épaisseur) (FIG. 13a) sont créées dans le substrat silicium (dopé p pour un NMOS et n pour un PMOS) (8) autour de zones actives (ZA), dans lesquelles seront réaliser les dispositifs. Ces zones d'isolation sont fabriquées en utilisant les techniques classiques telle que le STI (shallow trench isolation) ou l'isolation LOCOS (LOCalized Oxidation of Silicon). L'étape de fabrication du canal consiste à ajuster le dopage surfacique du silicium des zones actives en tenant compte évidemment du dopage initial du substrat de Si pour ajuster la tension de seuil Vth (threshold voltage) du transistor. Ceci est réalisé avec les techniques classiques d'implantation ionique (figure 13b). Ensuite, un diélectrique sacrificiel (12), de quelques nm d'épaisseur, est formé classiquement par un procédé d'oxydation thermique. La grille sacrificielle (11), en silicium polycristallin et d'épaisseur de l'ordre de quelques dizaines de nanomètres à quelques centaines de nanomètres, est fabriquée par les techniques classiques de dépôt, photolithographie et de gravure (figure 13c). L'étape de fabrication des régions source et drain (figure 14) comprend: implantation ionique LDD (Lightly Doped Drain) de l'ordre de 1013 atomes/cm2, ceci pour diminuer la résistance des source et drain au canal (figure 14a), - formation de l'espaceur (13) en matériau diélectrique (par exemple SiO2 ou Si3N4) par dépôt du diélectrique et gravure plasma anisotrope avec arrêt de la gravure sur le silicium (figure 14b), - implantation ionique HDD (Highly Doped Drain) à forte dose de l'ordre de 1015 atomes/cm2 (figure 14c), - recuit d'activation des dopants au moyen par exemple d'un recuit rapide de RTA (rapid Thermal Annealing) entre 900 et 1050 C d'une durée de quelques dizaines de secondes. La grille sacrificielle est ensuite soumise à une étape 30 de gravure illustrée par la figure 14 et impliquant les étapes: d'encapsulation par un diélectrique épais avec un matériau tel que SiO2 (figure 15a), de polissage mécano-chimique pour dégager le haut de la grille Si poly sacrificielle, - de gravure de la grille Si poly sélectivement par rapport aux diélectriques, - de gravure du diélectrique sacrificiel au fond de la grille (figure 15b). Le diélectrique tunnel (quelques nanomètres d'épaisseur) est classiquement réalisé selon un procédé d'oxydation thermique illustré par la figure 17. Les molécules (9) conformes à l'invention sont ensuite greffées ou déposées sélectivement (S) ou non (NS), au fond de la grille sacrificielle (figure 16). L'étape de fabrication du diélectrique de contrôle et de la grille de contrôle (Si polycristallin ou métal pour la grille de contrôle) est réalisé par dépôt suivi de la planarisation mécano-chimique de l'empilement des différentes couches afin ouvrir la grille de contrôle sur le stack de grille (figure 17). Enfin, les dernières étapes de réalisation des contacts et des métallisations sont classiques (dépôt diélectrique pré-métal, contacts, métallisation, passivation). Les figures 18 et 19 illustrent une variante de réalisation selon laquelle le diélectrique de contrôle comprend un gel d'électrolyte. Les étapes de réalisation sont les suivantes: un dépôt du gel d'électrolyte (2) (figure 18 a), - une planarisation mécano-chimique de la surface 25 associée ou non à un procédé de gravure afin de conserver le gel d'électrolyte uniquement à l'emplacement de la grille sacrificielle (figure 18b), réalisation de la grille de contrôle (1) en silicium polycristallin ou en métal par les techniques 30 classiques de dépôt, photolithographie et de gravure (figure 19). Comme dans le mode de réalisation précédent (figures 13 à 17), les dernières étapes de réalisation des contacts et des métallisations sont classiques (dépôt diélectrique pré-métal, contacts, métallisation, passivation). La présente invention sera mieux comprise à l'aide des exemples qui suivent; ces exemples sont donnés uniquement à titre d'illustration des objets de l'invention, dont ils ne constituent en aucune manière une limitation. EXEMPLE 1: MULTIPLICITE DES ETATS D'OXYDOREDUCTION DES POM Les POM de Keggin de formule (PW12O40) 3-, (SiW12O40) 4, (PMo12O40)3 présentent chacun 5 états d'oxydation qui correspondent aux réductions successives des atomes Wvi ou Movi à leur degré V. Si on se restreint aux 3 premiers systèmes biélectroniques, la première réduction apparaît respectivement à -0,37, -0,3 et +0,42 V, la seconde à -0,51 - 0,49 et +0,28 V et la troisième à -0,79, -0,74 et +0,04 V (vs Ag/Ag+). Pour chaque POM, les potentiels sont séparés d'environ 140 mV, ce qui est particulièrement intéressant en terme de stockage multibit. La résistance différentielle négative (RDN) obtenue par microscopie à champ proche des couches de POM de Keggin sur graphite a été corrélée aux potentiels de réduction des POM. Les substitutions croisées du cation, de l'hétéroatome et du polyatome lacunaire permettent de moduler sur plus d'un volt la RDN. H3PW12O40, RDN = -1,14V, H5PMo10V2O40, RDN = -0,48V. Egalement, des POM lacunaire de Dawson substitués par Feu, Con, Mn" Cu" permet d'enrichir l' électroactivité du POM par celle du métal de transition substituant (T. McCormac et al, J. Electroanal. Chem., 1997, 425, 49-54). 29 EXEMPLE 2: STABILITE THERMIQUE DES POM La stabilité thermique varie en fonction de la structure et de la nature des contre-ions asssociés. Par exemple, le composé H3PM012040 se décompose à 443 C et son sel de potassium à 493 C. Les sels diallylammonium de POM, dont notamment le PMo120403-sont capables de supporter des températures supérieures à 300 C en atmosphère ambiante (R. Baur et al; Chem. Abstr., 1993, 120: 334828). Egalement, le POM répondant à la formule H3PMo12O40 est capable de supporter des températures allant de -50 à 500 C (H. Schmidtpott et al; Chem. Abstr., 1987, 106: 55168). EXEMPLE 3: GEL DE POM: Une molécule à stockage de charges conforme à l'invention est a2- [P2W17061{ (RSi) 20} ] 6- avec 112- [P2W17061] 6 désignant un POM Dawson lacunaire et R étant un groupe comprenant une fonction permettant la polymérisation de type vinylique R = CH2=C(Me)C(0) OPr décrit par C. Mayer et R. Thouvenot (Chem. Mat, 2000, 12: 257). Selon un autre procédé décrit par S. Bareyt, et al., (JACS, 2005, 127: 6788), une molécule conforme à l'invention est a2-[P2W17061{SnCH2CH=CH2}] 7. EXEMPLE 4: MOLECULE A STOCKAGE DE CHARGE COMPRENANT UNE 25 ATTACHE POUR FORMER DES SAM Selon un procédé proche du précédent, la molécule est u2- [ P2W17061 { Sn (CH2) 2CO2} ] 7- , le groupement carboxylique permettent la fixation sur toute surface comportant des groupes capables de se coupler comme les hydroxyles. EXEMPLE 5: PREPARATION D'UNE MONOCOUCHE DE PHOSPHOMOLYBDATE 5.1. Etape d'adsorption par immersion Un POM de formule K4SiW12O40 est solubilisée à 0,07 M dans une solution aqueuse de H2504 0,5 M. Une surface de silicium préalablement décapée électrochimiquemment est immergée dans la solution de K4SiW12O40 pendant 15 minutes puis séchée. La concentration surfacique du POM est de 10-10 mol/cm-2. 5.2. Etape d'activation électrochimique Cette première étape d'adsorption est suivie d'une étape d'activation par réduction à -1,2V qui produit des films de bleus d'hétéropolyanions formés de l'arrangement complexe d'espèces colloïdales comprenant les éléments présents dans les POM initiaux déterminés par analyse à microsonde électronique (electron microprobe analysis, technique Castaing) (B. Keita et al., J. Electroanal. Chem., 1988, 247, 157). EXEMPLE 6: FORMATION D'UNE SAM EN DEUX ETAPES Selon un procédé décrit par R.Errington, et al., (Chem. Int. Ed., 2005, 44: 1254), la surface de silicium seule ou recouverte d'un couche de diélectrique tunnel peut être préalablement recouverte d'une couche d'hydroxyundécyle, qui réagit ensuite par alcoolyse sur un POM de structure [ (RO) TiW5O1S] 3-, pour donner une SAM de type { >- (CH2) 12-0-[TiW5018] 3- }n ou >symbolyse la liaison au support. Un tel procédé peut être étendu à la formation de SAM comportant des POM plus volumineux de type Keggin 30 [ (RO) TiPW11O39] 4, ou Dawson [ (R2Si2O) PW17O61] 6- . EXEMPLE 7: DEPOT DE POM EN MULTICOUCHES Des surfaces de quartz, de silicium ou de verre recouvertes de ITO sont nettoyées selon les procédures connues de l'homme de l'art (Kern W. RCA Eng. 1983, 28, 99; Phillips B. Vac. Sci. Technol. A 1983, Al, 646; Kern, W. Semicond. Int. 1984, 94). Les surfaces sont immergées dans une solution de polymère poly(ethylenimine) (PEI, poids moléculaire 50 kDa) de concentration de 10-2 mol/L pendant 20 minutes, rincées à l'eau, puis séchées sous un flux d'Argon. Le système mutlicouche agrégats de phosphomolybdate de Keggin / polymères électrolytiques est préparé en déposant d'abord les polymères poly(styrènesulfonate) (PSS, MW 70 kDa) et poly(allylaminehydrochloride) (PAH, MW 8-11 kDa) sur la surface modifiée par PEI. Ces couches de polymères électrolytiques sont déposées par adsorption de solutions aqueuses de concentration 10-3 mol/L (pH 5-6), en utilisant un temps d'immersion de 10 minutes. Après immersions, lessurfaces sont rincées à l'eau puis séchées après dépôt des secondes couches de polymères électrolytiques. Les agrégats de phosphomolybdate de Keggin en solution aqueuse (concentration de 5x10-4 mol/1, pH 5-6) sont adsorbés sur la surface, le temps d'immersion étant de 10 minutes. La force ionique des solutions est ajustée par NaCl. REVENDICATIONS 1. Dispositif de mémoire à stockage de charges comportant des molécules aptes à stocker des charges caractérisé en ce que une partie au moins des molécules est et/ou comporte au moins un polyoxométallate. 2. Dispositif de mémoire selon la revendication 1, caractérisé en ce que le polyoxométallate comprend au moins deux états d'oxydation. 3. Dispositif selon la revendication 1 ou 2, 10 caractérisé en ce que le polyoxométallate comprend au moins un atome métallique de transition ou de terre rare. 4. Dispositif selon la revendication 3, caractérisé en ce que l'atome métallique de transition ou de terre rare est choisi parmi le tungstène, le molybdène, le vanadium, le niobium ou le tantale, le lanthane, l'actinium, le ruthénium, le fer, le nickel et le chrome. 5. Dispositif selon l'une quelconque des revendications précédentes, caractérisé en ce que le polyoxométallate contient en outre au moins un cation supplémentaire distinct desdits atomes métalliques ou de terre rare. 6. Dispositif selon la revendication 5, caractérisé en ce que le cation supplémentaire est choisi parmi le phosphore, le silicium, l'arsenic, le germanium, le bore et le soufre. 7. Dispositif selon l'une quelconque des revendications précédentes, caractérisé en ce que les molécules à stockage de charges forment une architecture moléculaire structurée selon une chaîne polymère. 8. Dispositif selon la revendication 7 prise en 30 combinaison avec l'une des revendications 3 et 4, caractérisé en ce que le polyoxométallate comprend au moins une lacune apte à se combiner à un autre élément. 9. Dispositif selon la revendication 8, caractérisé en ce que ledit autre élément est un atome de métal ou de terre 5 rare d'une autre molécule à stockage de charges. 10. Dispositif de mémoire selon l'une quelconque des revendications 1 à 8 comprenant une capacité associée à un transistor à effet de champ, caractérisé en ce que tout ou partie des molécules aptes à stocker les charges comprenant au moins un polyoxométallate sont incorporées dans la capacité. 11. Dispositif de mémoire selon l'une quelconque des revendications 10, caractérisé en ce que la capacité est prévue dans une mémoire de type DRAM. 12. Dispositif de mémoire selon l'une quelconque des revendications précédentes comprenant un transistor à effet de champ, caractérisé en ce que les molécules aptes à stocker les charges sont incorporées dans un élément du transistor. 13. Dispositif de mémoire selon la revendication 12, 20 caractérisé en ce que le transistor à effet de champ comportant un canal, en contact électrique avec celui-ci, de contrôle disposée au-dessus du canal au moins de celui-ci par un diélectrique et une grille flottante, et en ce que la grille flottante comprend une partie au moins desdites molécules aptes à stocker des charges. 14. Dispositif de mémoire selon la revendication 12 ou 13, caractérisé en ce que le diélectrique de contrôle comprend un substrat -une source et un drain disposés de part et d'autre du canal et - une grille et séparée de contrôle comporte au moins une couche isolante minérale ou un gel d'électrolyte. 15. Dispositif de mémoire selon l'une quelconque des revendications 12 à 14, caractérisé en ce que le transistor à effet de champ comprend en outre un diélectrique tunnel disposé entre la grille flottante et le canal, ledit diélectrique tunnel comprenant au moins une couche de matériau diélectrique. 16. Dispositif de mémoire selon l'une quelconque des revendications 11 à 15, caractérisé en ce que les molécules aptes à stocker des charges sont disposées directement et/ou par l'intermédiaire d'attaches sur une surface, ladite surface étant une surface de canal ou de diélectrique tunnel ou de capacité. 17. Dispositif de mémoire selon la revendication 16, caractérisé en ce que l'attache comprend un espaceur et au moins un groupe liant. 18. Dispositif de mémoire selon l'une quelconque des revendications 16 à 17, caractérisé en ce que la surface sur laquelle sont disposées les molécules à stockage de charges comprend un métal comme le platine, le mercure, l'or, l'oxyde d'Indium-Etain ou du carbone et ses différentes formes comme le graphite, le graphite pyrolytique fortement orienté, les nanotubes de carbone, le diamant, ou des polymères électroniques conducteurs ou semi-conducteurs, ou des semi-conducteurs minéraux ou un mélange de ceux-ci. 19. Dispositif de mémoire selon la revendication 18, caractérisé en ce que les polymères électroniques conducteurs ou semi-conducteurs sont des polyènes linéaires et/ou cycliques choisis parmi le polypyrrole, la polyaniline, le polythiophène et leurs dérivés, lesdits polyènes pouvant éventuellement être substitués par des hétéroatomes. 20. Dispositif de mémoire selon la revendication 19, caractérisé en ce que les semi-conducteurs minéraux sont choisis parmi le silicium, le germanium, le carbone ou des alliages de ceux ci, ou des semi-conducteurs composés III-V tels que le GaAs, l'InP, l'InSb ou des alliages de ceux-ci et/ou les oxydes métalliques, ou des semi-conducteurs composés II-VI, tel que CdTe, ou des alliages de ceux-ci et/ou les oxydes métalliques. 21. Dispositif de mémoire selon l'une quelconque des revendications précédentes, caractérisé en ce que les molécules à stockage de charges sont dispersées dans une couche électrolytique. 22. Dispositif de mémoire selon l'une quelconque des revendications précédentes, caractérisé en ce que les molécules aptes à stocker les charges sont disposées dans des régions séparées géographiquement. 23. Dispositif de mémoire selon la revendication 22, caractérisé en ce que les molécules aptes à stocker des charges sont séparées par dépôt, créant des sites de piégeage discrets. 24. Dispositif de mémoire selon l'une quelconque des revendications 12 à 15 et 23, caractérisé en ce que le dépôt ou le diélectrique de contrôle comprend un polymère électrolytique cationique, préférentiellement choisi parmi le poly(éthylènimine), le poly(allylamine), différentes formes quaternisées de la poly(vinylpyridine), les précurseurs solubles et cationiques de poly(paraphénylènevinylène) et leurs dérivés substitués sur le cycle ou la liaison éthylènique. 25. Dispositif de mémoire selon l'une quelconque des revendications 12 à 15 et 23 à 24, caractérisé en ce que le dépôt ou le diélectrique de contrôle comprend au moins une couche de surfactant, préférentiellement cationique, plus préférentiellement le bromure de diméthyldioctadécylammonium. 26. Dispositif de mémoire selon l'une quelconque des revendications 12 à 15 et 23 à 25, caractérisé en ce que le dépôt ou le diélectrique de contrôle comprend une couche comprenant au moins un polymère électrolyte et au moins un surfactant. 27. Procédé de fabrication d'un dispositif de mémoire à stockage de charges tel que défini à l'une quelconque des revendications précédentes, caractérisé en ce que les molécules à stockage de charges sont déposées sur une surface dudit dispositif. 28. Procédé selon la revendication 27, caractérisé en ce que la surface est traitée préalablement au dépôt des molécules à stockage de charges en utilisant un procédé de préparation de ladite surface choisi parmi le décapage, une activation de la surface, une irradiation, un chauffage, une sensibilisation de la surface, une oxydation de la surface, une réduction de la surface, une hydratation, un dépôt de composé liant destiné à être éliminé au moins en partie lors du dépôt desdites molécules. 29. Appareil électronique renfermant au moins un dispositif de mémoire à stockage de charges tel que défini à l'une quelconque des revendications 1 à 26.