FR 2893734 A1 20070525 FR 0511750 A 20051121 MICROMODULE ELECTRONIQUE ET PROCEDE DE FABRICATION D'UN TEL MICROMODULE La présente invention concerne un procédé de fabrication d'un micromodule électronique, et plus particulièrement un micromodule sans contact comprenant un circuit intégré et une bobine d'antenne connectée électriquement au circuit intégré. Un circuit intégré se présente généralement sous la forme d'une microplaquette de silicium (puce) qui comporte une région active implantée dans le silicium, et des plages de contact reliées électriquement à la région active. Certains circuits intégrés dits sans contact, tels les circuits PICC (Proximity Inductive Coupling Circuit) décrits par les normes ISO/IEC 14443 et 15693, sont destinés à être connectés à une bobine d'antenne assurant l'interface entre le circuit intégré et le milieu extérieur, pour la réception et l'émission de données. Des tels circuits intégrés comprennent des moyens pour recevoir et/ou émettre des données par couplage inductif par l'intermédiaire de la bobine d'antenne, en présence d'un champ magnétique émis par une station d'émission et/ou de réception de données. Ils permettent de réaliser des micromodules électroniques sans contact qui sont fixés sur ou dans des objets portatifs tels une carte en plastique, un jeton, une clé, un livre, etc. à des fins d'authentification et/ou d'identification des objets portatifs. Un procédé de fabrication souvent utilisé pour réaliser un micromodule sans contact consiste à prévoir une plaquette support en papier ou en matière plastique sur laquelle la bobine d'antenne est réalisée par sérigraphie d'une pâte conductrice ou gravure d'une couche conductrice. Le circuit intégré est ensuite posé sur la plaquette support, et ses plages de contact sont connectées à la bobine. Ce procédé impose toutefois des contraintes technologiques en ce qui concerne l'épaisseur et la surface du micromodule. Ainsi, l'épaisseur totale de la plaquette support et de la bobine d'antenne ne peut être réduite en deçà d'un minimum de l'ordre de 100 m. Egalement, le pas technologique (distance minimale entre conducteurs) offert par les techniques de sérigraphie ou de gravure sur support papier ou plastique impose une taille de bobine assez importante et nettement supérieure à la taille du circuit intégré. On connaît également un procédé de fabrication dit "con on chip" (bobine sur puce), consistant à réaliser des bobines directement sur des circuits intégrés alors que ceux-ci sont encore présents sur une plaquette de silicium (wafer), avant la découpe de la plaquette en microplaquettes de silicium. Ce procédé consiste à déposer une couche isolante sur la face active de la plaquette de silicium (face comprenant les régions actives des circuits intégrés) puis à former les bobines sur la couche isolante supérieure. Après découpe de la plaquette de silicium, on obtient des micromodules intégrés. Un tel procédé permet de supprimer plusieurs étapes d'assemblage et de connexion mais s'avère peu fiable et ne présente pas un rendement optimum : de nombreux micromodules ainsi obtenus ne fonctionnement pas correctement et doivent être mis au rebut. Ce problème provient notamment du fait que la face active du circuit intégré peut ne pas être plane, notamment en raison de la présence d'éléments conducteurs sous la couche isolante. Il en résulte que l'épaisseur de la couche isolante séparant la bobine et la surface active du circuit intégré n'est pas constante et est parfois insuffisante pour éviter l'apparition de couplages capacitifs ou inductifs entre le circuit intégré et la bobine. En outre, des ouvertures sont réalisées dans la couche isolante en regard des plages de contact du circuit intégré pour assurer le contact électrique et mécanique du circuit intégré avec l'antenne. Il en résulte des irrégularités importantes à la surface de la couche isolante ("marches d'escalier") qui peuvent également provoquer des discontinuités électriques dans le matériau conducteur formant la bobine (insuffisance de matériau conducteur sur les flancs des marches). En outre, les diélectriques mal polymérisés évoluent dans le temps et ne permettent pas une accroche stable du métal. Enfin, un mauvais nettoyage après gravure du métal peut avoir un effet corrosif sur le conducteur et provoquer une coupure de la piste conductrice. Ainsi, un objectif général de la présente invention est de prévoir un procédé de fabrication d'un micromodule sans contact ne présentant pas les inconvénients des procédés connus et offrant un bon ratio qualité/coût de fabrication. Un objectif plus particulier de la présente invention est de prévoir un procédé de fabrication qui permette de réaliser collectivement des micromodules avec un nombre minimal d'étapes d'assemblage. Un autre objectif particulier de la présente invention est de prévoir un procédé de fabrication qui permette de réaliser des micromodules de très faible épaisseur. Ces objectifs sont atteints par la prévision d'un procédé de fabrication d'un micromodule comprenant un circuit intégré et au moins une bobine d'antenne connectée électriquement au circuit intégré. Selon l'invention, le procédé comprend des étapes 35 consistant à : - réaliser le circuit intégré et des plages de contact du circuit intégré sur une première plaquette de matériau semi-conducteur, - réaliser au moins un enroulement conducteur formant bobine et des plages de contact de la bobine sur une seconde plaquette de matériau semi-conducteur, et -assembler les première et seconde plaquettes l'une contre l'autre tout en mettant les plages de contact de la bobine en contact avec des plages de contact du circuit intégré. Selon un mode de réalisation de l'invention : - le circuit intégré et ses plages de contact sont formés sur une première face de la première plaquette, - l'enroulement conducteur est formé sur une première face de la seconde plaquette, - les plages de contact de la bobine sont formées sur une seconde face de la seconde plaquette, et - les plaquettes sont assemblées en disposant la première face de la première plaquette en regard de la seconde face de la seconde plaquette. Selon un mode de réalisation de l'invention, le procédé comprend des étapes consistant à : - former des orifices traversant la seconde plaquette de part en part entre la première face sur laquelle est formé l'enroulement conducteur et la seconde face de la seconde plaquette, et - remplir les orifices avec un matériau conducteur pour obtenir des traversées électriquement conductrices reliant l'enroulement conducteur aux plages de contact de la bobine. Selon un mode de réalisation de l'invention, la formation des orifices comprend une étape de formation de trous borgnes sur la première face de la seconde plaquette et une étape d'amincissement de la seconde plaquette pour que les trous borgnes débouchent sur la seconde face de la seconde plaquette. Selon un mode de réalisation de l'invention, le procédé comprend des étapes consistant à : former une gorge en forme d'enroulement sur la seconde plaquette, et remplir la gorge avec un matériau électriquement conducteur, pour obtenir l'enroulement conducteur formant bobine. Selon un mode de réalisation de l'invention, le procédé comprend une étape de formation de bourrelets en un matériau électriquement conducteur sur les plages de contact de la bobine ou sur des plages de contact du circuit intégré, pour qu'un contact électrique entre les plages de contact de la bobine et les plages de contact du circuit intégré soit établi par les bourrelets, à la suite de l'assemblage des plaquettes. Selon un mode de réalisation de l'invention, les bourrelets sont en un matériau appartenant à l'ensemble comprenant un métal, une composition de métaux, un alliage eutectique et un alliage dur non eutectique. Selon un mode de réalisation de l'invention, le procédé comprend une étape d'application d'un traitement aux bourrelets, consistant en une fusion, un fluage ou un collage. Selon un mode de réalisation de l'invention, le procédé comprend une étape de dépôt d'un matériau polymère sur la première plaquette ou sur la seconde plaquette pour assembler les deux plaquettes. Selon un mode de réalisation de l'invention, pour la fabrication collective de micromodules, le procédé 30 comprend des étapes consistant à : réaliser collectivement une pluralité de circuits intégrés et leurs plages de contact sur la première plaquette, réaliser collectivement une pluralité d'enroulements 35 conducteurs formant bobine sur la seconde plaquette, - connecter chaque enroulement conducteur à un circuit intégré au moment de l'assemblage des plaquettes, et - découper les plaquettes après leur assemblage pour obtenir des micromodules individuels. Selon un mode de réalisation de l'invention, pour la fabrication collective de micromodules, le procédé comprend des étapes consistant à : - réaliser collectivement une pluralité de circuits intégrés et leurs plages de contact sur la première 10 plaquette, - réaliser collectivement une pluralité d'enroulements conducteurs formant bobine sur la seconde plaquette, - découper la seconde plaquette pour obtenir une pluralité de microplaquettes chacune d'une surface 15 correspondant sensiblement à un emplacement de circuit intégré sur la première plaquette, - assembler des microplaquettes portant chacune une bobine avec la première plaquette de manière que chaque bobine soit connectée à un circuit intégré, et 20 -découper la première plaquette après son assemblage avec les microplaquettes, pour obtenir des micromodules individuels. Selon un mode de réalisation de l'invention, pour la fabrication collective de micromodules, le procédé 25 comprend des étapes consistant à : - réaliser collectivement une pluralité de circuits intégrés et leurs plages de contact sur la première plaquette, - réaliser collectivement une pluralité d'enroulements 30 conducteurs formant bobine sur la seconde plaquette, -découper la première plaquette pour obtenir une pluralité de microplaquettes chacune d'une surface correspondant sensiblement à un emplacement de bobine sur la seconde plaquette, 35 - assembler des microplaquettes portant chacune un circuit intégré avec la seconde plaquette de manière que chaque bobine soit connectée à un circuit intégré, et - découper la seconde plaquette après son assemblage avec les microplaquettes, pour obtenir des micromodules 5 individuels. L'invention concerne également un micromodule comprenant un circuit intégré et au moins une bobine d'antenne comportant des plages de contact connectées électriquement à des plages de contact du circuit 10 intégré. Selon l'invention : - le circuit intégré et ses plages de contact sont réalisés sur une première microplaquette de matériau semi-conducteur, - la bobine d'antenne et ses plages de contact sont 15 réalisées sur une seconde microplaquette de matériau semi-conducteur, et - les première et seconde microplaquettes sont assemblées l'une contre l'autre avec les plages de contact de la bobine en contact avec des plages de contact du circuit 20 intégré correspondant par leur emplacement aux plages de contact de la bobine. Selon un mode de réalisation de l'invention : - le circuit intégré et ses plages de contact sont agencés sur une première face de la première 25 microplaquette, - la bobine d'antenne est agencée sur une première face de la seconde microplaquette, - les plages de contact de la bobine sont agencées sur une seconde face de la seconde microplaquette, et 30 - la première face de la première microplaquette est en regard de la seconde face de la seconde microplaquette. Selon un mode de réalisation de l'invention, la seconde microplaquette comprend des orifices remplis de matériau conducteur, traversant la microplaquette et 35 reliant la bobine d'antenne sur la première face de la seconde microplaquette et les plages de contact de la bobine sur la seconde face de la microplaquette. Selon un mode de réalisation de l'invention, la bobine d'antenne comprend un matériau conducteur agencé dans une gorge en forme d'enroulement présente sur la première face de la seconde microplaquette. Selon un mode de réalisation de l'invention, le micromodule comprend des bourrelets électriquement conducteurs reliant les plages de contact de la bobine d'antenne et des plages de contact du circuit intégré correspondant par leur emplacement aux plages de contact de la bobine d'antenne. Selon un mode de réalisation de l'invention, le micromodule comprend un matériau polymère s'étendant entre les plages de contact de la bobine d'antenne et les plages de contact correspondantes du circuit intégré. Ces objets, caractéristiques et avantages ainsi que d'autres de la présente invention seront exposés plus en détail dans la description suivante de l'invention faite à titre non limitatif en relation avec les figures jointes parmi lesquelles : - la figure 1 est une vue de dessus d'une plaquette de silicium sur laquelle sont réalisés collectivement des 25 circuits intégrés, - la figure 2 est une vue en coupe d'une région de la plaquette de la figure 1, - la figure 3 est une vue de dessus d'une plaquette de silicium sur laquelle sont réalisées collectivement des 30 bobines d'antenne, - la figure 4 est une vue en perspective d'une région de la plaquette de la figure 3, - la figure 4A est une vue en coupe d'une partie d'une bobine d'antenne apparaissant en figure 4, - la figure 5 est une vue de dessous de la région de plaquette représentée en figure 4, - la figure 6 est une vue en coupe qui illustre une étape d'assemblage de la plaquette de la figure 1 et de la 5 plaquette de la figure 3, et - la figure 7 est une vue en coupe qui illustre une variante de l'étape d'assemblage de la figure 6. Selon un mode de réalisation préféré de l'invention, la fabrication de micromodules électroniques 10 du type sans contact comprend les étapes suivantes : - une étape de réalisation collective de circuits intégrés 3 sur une première plaquette de silicium 1 (premier "wafer"), illustrée sur les figures 1 et 2, - une étape de réalisation collective de bobines 15 d'antenne 13 sur une seconde plaquette de silicium 10 (second "wafer"), illustrée sur les figures 3, 4, 4A et 5, - une étape d'assemblage des plaquettes 1, 10 de type "wafer contre wafer" et de connexion de chaque bobine 20 d'antenne 13 à un circuit intégré 3, illustrée sur la figure 6, et - une étape de découpe des plaquettes 1, 10 après assemblage (non représentée), permettant d'obtenir des micromodules individuels pré-assemblés comprenant chacun 25 un circuit intégré 3 et une bobine d'antenne 13. La plaquette de silicium 1 (wafer) représentée en figure 1 comprend une face active lA sur laquelle les circuits intégrés 3 ont été implantés collectivement. Les emplacements des circuits intégrés 3 sont délimitées par 30 des chemins de découpe 5 le long desquels la plaquette 1 sera ultérieurement découpée, formant un quadrillage sur la face active 1A. La figure 2 est une vue en coupe d'une région 2 de la plaquette 1 correspondant à un emplacement de circuit 35 intégré 3 délimité par des chemins de découpe (Cf. fig. 1), et représente de façon schématique la structure du circuit intégré 3 (tous les circuits intégrés de la plaquette 1 étant ici supposés identiques). Le circuit intégré 3 comprend une région active 3-1 représentée schématiquement par une zone hachurée. Cette région active 31 comprend une pluralité de composants actifs et passifs obtenus par l'implantation de dopants dans la plaquette de silicium et par dépôt et/ou croissance de matériaux isolants (oxydes) et de matériaux conducteurs (métaux, polysilicium) à la surface de la plaquette de silicium. L'ensemble de ces composants actifs et passifs réalise la fonction électronique visée, ici une fonction de circuit à couplage inductif de type PICC. Le circuit intégré 3 comprend également des plages de contact 4A, 4B pour connecter une bobine d'antenne à la région active 3-1. Les plages de contact sont reliées à la région active 3-1 par l'intermédiaire de traversées électriquement conductrices 9A, 9B qui s'étendent à travers une couche isolante 7 recouvrant toute la surface de la plaquette 1. La face active lA de la plaquette 1 est en outre recouverte d'une couche de protection 8 (passivation) comprenant des ouvertures aux emplacements des plages de contact 4A, 4B. Enfin, des bourrelets (bumps) 6A, 6B d'une hauteur de l'ordre de 15 à 80 m sont formés sur les plages de contact 4A, 4B. Les bourrelets sont en un matériau électriquement conducteur, par exemple de l'or, du du cuivre, et/ou une composition de métaux telle que le nickel/or, et/ou un alliage eutectique étain-plomb ou étain-argent-cuivre ou non eutectique. La plaquette de silicium 10 représentée en figure 3 comprend une face avant 10A sur laquelle les bobines d'antenne 13 ont été implantées collectivement. Les emplacements des bobines d'antenne 13 sont, comme les emplacements des circuits intégrés de la plaquette 1, délimités par des chemins de découpe 15 formant un quadrillage sur la face avant 10A, le long desquels la plaquette 10 sera ultérieurement découpée. On suppose également ici que toutes les bobines d'antenne 13 sont identiques. Toutefois, si plusieurs types de circuits intégrés sont prévus sur la plaquette 1, la plaquette 10 peut comprendre des bobines de différents types, chaque type de bobine étant adapté à un type de circuit intégré. Les figures 4 et 5 représentent, respectivement par une vue de dessus et vue de dessous, une région 12 de la plaquette 10 correspondant à un emplacement de bobine d'antenne 13 délimité par des chemins de découpe (Cf. fig. 3). Chaque bobine d'antenne 13 est réalisée en formant tout d'abord sur la face avant 10A de la plaquette 10 une gorge 19 en forme d'enroulement comportant ici une pluralité de spires coplanaires. Cette gorge, représentée en coupe sur la figure 4A, est d'une profondeur de l'ordre de 5 à 30 m. Elle est formée par gravure sèche, gravure humique, gravure au laser ou tout autre procédé permettant de réaliser une gorge dans une plaquette de silicium. Au cours d'une étape suivante illustrée par la figure 4, on forme dans la plaquette 10, aux extrémités de la gorge 19, des trous borgnes 14A, 14B d'une profondeur de l'ordre de 30 à 50 gm et d'un diamètre d'environ 10 à 30 m. Les trous borgnes sont par exemple réalisés en soumettant la face avant 10A de la plaquette 10 à un plasma gazeux (CF4 ou CF6) au travers d'un masque. Les trous borgnes peuvent également être réalisés avec un faisceau laser. La gorge 19 ainsi que les trous borgnes 14A, 14B sont ensuite remplis avec un matériau électriquement conducteur tel que l'aluminium, le cuivre, ou l'or, ou un alliage, après dépôt d'une couche barrière (Titane, Nitrure de Titane, Tungstène,...) et, si nécessaire, d'une couche d'accrochage. Au cours d'une étape suivante, la plaquette 10 est soumise à une étape d'amincissement (backlap) par abrasion mécanique et/ou chimique de sa face arrière 10B, jusqu'à atteindre un plan 16 tel que les trous borgnes 14A, 14B débouchent sur la face arrière 10B et forment ainsi des traversées conductrice 14A, 14B. En partant d'une épaisseur standard de la plaquette 10 de l'ordre de 700 m, l'épaisseur de la plaquette peut ainsi être ramenée à une valeur inférieure à 100 gm et avantageusement de l'ordre de 30 m, en utilisant un support permettant de manipuler la plaquette sans la briser. Au cours d'une étape illustrée en figure 5, on forme des plages de contact 18A, 18B en face arrière 10B de la plaquette. Les plages de contact 18A, 18B sont reliées aux traversées 14A, 14B par des pistes conductrices 17A, 17B et sont positionnées de manière à être en regard des plages de contact 4A, 4B d'un circuit intégré (fig. 1 et 2) lorsque les plaquettes 1 et 10 seront assemblées. Au préalable, une couche barrière et d'accroche peut être déposée sur la face arrière 10B. Dans une variante de réalisation, les emplacements où débouchent les traversées 14A, 14B coïncident avec les emplacements des plages de contact 4A, 4B d'un circuit intégré. Dans ce cas, les plages de contact 18A, 18B sont réalisées au-dessus des traversées 14A, 14B. Les plages de contact 18A, 18B peuvent également ne pas être prévues si les traversées 14A, 14B sont d'un diamètre suffisant pour former de bonnes plages de contact aux endroits où elles débouchent. Les pistes conductrices 17A, 17B et, le cas échéant, les plages de contact 18A, 18B, sont réalisées par dépôt d'un conducteur au travers d'un masque de métallisation, ou de la même manière que l'enroulement formant la bobine 13, en formant des gorges dans la face arrière 10B et en remplissant les gorges avec un matériau électriquement conducteur. La figure 6 illustre l'étape d'assemblage des plaquettes 1 et 10 (assemblage "wafer contre wafer"). Dans un souci de simplicité du dessin, seule une région 2 de la plaquette 1 du type représentée en figure 2 et une région 12 de la plaquette 10 du type représenté en figure 4 sont représentées sur la figure 6 (le schéma étant identique et répétitif pour les autres régions des plaquettes 1, 10, qui sont considérées ici comme identiques). Au cours de cette étape d'assemblage, les plaquettes 1 et 10 sont amenées l'une contre l'autre de manière que les bourrelets 6A, 6B de chaque circuit intégré 3 vienne en contact avec les plages de contact 18A, 18B d'une bobine d'antenne 13 correspondante, l'alignement des plaquettes 1 et 10 étant obtenu grâce à un système de guidage équipé de caméras. De préférence, la face arrière 10B de la plaquette 10 a été préalablement recouverte d'une couche de protection 11, par exemple en polyimide, pourvue d'ouvertures aux emplacements correspondant aux plages contact 18A, 18B. L'assemblage proprement dit des plaquettes 1 et 10 est assuré par fusion des bourrelets en présence d'une source de chaleur, par fluage des bourrelets en pressant les plaquettes l'une contre l'autre, ou par collage. A noter que dans le domaine de l'assemblage de composants par bourrelets (notamment les assemblages de type "flip chip"), les techniques les plus couramment employées à cet effet sont le fluage par compression en présence d'une source de chaleur ou le collage. Lorsque les plaquettes sont assemblées par collage, l'adhésif utilisé se présente sous forme de pâte ou de film polymère. Il est à noter que dans ce cas, il est nécessaire de réaliser des cheminées dans les chemins de découpe de la même façon que les via, pour permettre le dégazage des polymères de la colle durant la cuisson de cette dernière. Comme représenté sur la figure 6, l'adhésion des deux plaquettes 1 et 10 peut être renforcée au moyen d'une pâte ou un film adhésif non conducteur 21 disposé entre les deux plaquettes avant assemblage. En outre, la plaquette 1 peut être avantageusement amincie après son assemblage avec la plaquette 10 qui sert alors de support. L'épaisseur totale des plaquettes 1, 10 assemblées peut ainsi être réduite à environ 60 m. Les plaquettes 1, 10 assemblées sont ensuite découpées le long des chemins de découpe 5, 15, qui sont sensiblement superposées, afin d'obtenir des micromodules individuels pré-assemblés. Il est à noter que des bourrelets peuvent également être formés sur les plages de contact 18A, 18B de la 25 bobine Dans une variante illustrée par la figure 7, des bourrelets 20A, 20B présentant une partie supérieure pointue (de type "stud bump") sont disposés sur les plages de contact 4A, 4B des circuits intégrés 3. 30 L'assemblage des plaquettes 1, 10 est effectué à l'aide d'une couche de colle ou d'un film adhésif 21 de type non conducteur ou conducteur anisotrope, qui est appliqué sur la face active lA de la plaquette 1 et/ou la face arrière 10B de la plaquette 10. Les deux plaquettes sont ensuite 35 pressées l'une contre l'autre de manière que la partie pointue des bourrelets 20A, 20B vienne en contact avec les plages de contact 18A, 18B. Avantageusement, la partie pointue des bourrelets s'enfonce légèrement dans les plages de contact 18A, 18B. A cet effet les plages de contact 18A, 18B sont conçues pour supporter la pénétration des bourrelets et sont réalisées dans un matériau ductile, par exemple en aluminium ou en cuivre, et les bourrelets sont réalisés en or ou en cuivre, ou encore en une composition de métaux ou en un alliage eutectique ou non eutectique. Ainsi, la connexion de la bobine au circuit intégré est effectuée ici par contact physique des bourrelets 20A, 20B et des plages de contact 18A, 18B de la bobine. Il est à noter qu'il est également nécessaire de réaliser des cheminées dans les chemins de découpe de la même façon que les via, pour permettre le dégazage des polymères de la colle durant la cuisson de cette dernière. Comme précédemment, les plaquettes 1 et 10, une fois assemblées, sont découpées simultanément le long des chemins de découpe 5, 15 pour obtenir des micromodules pré-assemblés. Avant cette étape de découpe, la plaquette 1 peut également être amincie, de manière à atteindre une épaisseur totale des plaquettes 1, 10 assemblées d'environ 60 m. L'usage de bourrelets 20A, 20B pointus permet de réduire l'épaisseur du micromodule de plusieurs dizaines de micromètres (idéalement environ 60 m) par rapport au micromodule illustré sur la figure 6, dans lequel des bourrelets arrondis ont été utilisés. Par contre, il est préférable de ne pas former des bourrelets de ce type sur les plages de contact 18A, 18B de la bobine, car ils risqueraient d'enfoncer les plages de contact du circuit intégré et d'endommager le circuit intégré lui-même lors de l'assemblage des plaquettes. Ainsi, le micromodule selon l'invention est obtenu à partir d'une plaquette de silicium dédiée à la région active 3-1 du circuit intégré 3, et d'une autre plaquette de silicium dédiée à l'antenne 13 du micromodule. Le fait que l'antenne soit réalisée dans une plaquette de silicium dédiée, tout comme le circuit intégré, permet de s'affranchir des contraintes mécaniques qui apparaissent lorsque la plaquette n'a pas les mêmes propriétés de dilatation thermique que le circuit intégré. Le procédé selon l'invention offre en outre un rendement de fabrication bien plus élevé que les procédés "coil on chip". Il permet également de bénéficier des techniques d'amincissement des plaquettes de silicium, et de réaliser un micromodule de très faible épaisseur. Dans le micromodule ainsi obtenu, la face active est couverte par la plaquette dédiée à l'antenne, qui protège ainsi la face active contre des attaques visant à analyser le fonctionnement du circuit intégré. La plaquette 10 dédiée à l'antenne peut être une plaquette recyclée. En effet, la face arrière de la plaquette peut être utilisée à la formation de l'antenne, tandis que la face active de la plaquette est supprimée lors de l'étape d'amincissement. L'étape d'amincissement de la plaquette 10 permet 25 en outre de faire apparaître une surface de contact suffisante à une bonne connexion. Il est à noter que, comme la plaquette 10 recouvre la face active de la plaquette 1, des plages de contact du circuit intégré peuvent être masquées par la plaquette 30 10. Pour rendre accessibles ces plages de contact, des trous sont réalisés dans la plaquette 10 en regard des plages de contacts à rendre accessibles, et sont métallisés de la même façon que les trous borgnes 14A, 14B. En sus des variantes technologiques qui viennent d'être décrites, le procédé de fabrication selon l'invention est susceptible d'autres modes de réalisation, notamment en ce qui concerne l'ordre de mise en oeuvre des étapes de découpe et d'assemblage des plaquettes 1, 10. Ainsi, dans unsecond mode de réalisation, la plaquette 1 est préalablement découpée suivant ses chemins de découpe pour obtenir une pluralité de microplaquettes 2 comportant chacune un circuit intégré 3 et correspondant chacune à une région 2 du type décrit plus haut (fig. 1 et 2). Chaque microplaquette 2 est ensuite assemblée sur la plaquette 10 et est connectée à une bobine 13 avant découpe de la plaquette 10. Dans un troisième mode de réalisation, c'est la plaquette 10 qui est préalablement découpée suivant ses chemins de découpe pour obtenir une pluralité de microplaquettes 12 comportant chacune une bobine d'antenne 13 et correspondant chacune à une région 12 du type décrit plus haut (fig. 3, 4 et 5). Chaque microplaquette 12 est ensuite assemblée sur la plaquette 1 et est connectée à un circuit intégré 3 avant découpe de la plaquette 1. Ces modes de réalisation autorisent notamment une différence de dimensions entre la région 12 recevant la bobine 13 et la région 2 recevant le circuit intégré 3. Si la région la plus petite est découpée avant l'étape d'assemblage, elle peut être réalisée en plus grand nombre sur une même plaquette de silicium que l'autre région. La surface des deux plaquettes peut ainsi être utilisée au maximum. Il apparaîtra clairement à l'homme de l'art que les diverses étapes de fabrication décrites dans ce qui précède, notamment de montage, d'assemblage, de connexion et de réalisation de plages de contact et de liaisons électriques, ne nécessitent que la mise en oeuvre de techniques couramment employées dans l'industrie de la microélectronique. Il apparaîtra également à l'homme de l'art que le 5 procédé selon l'invention est susceptible de divers autres modes de réalisation. Ainsi, les plages de contact 18A, 18B des bobines 13 peuvent être réalisées sur la même face que les bobines 13. Dans ce cas, la face avant l0A (fig. 3) de la 10 plaquette 10 est orientée vers la face active lA (fig. 1) de la plaquette 2 au moment de l'assemblage. Les pistes conductrices 17A, 17B permettant de faire coïncider les plages de contact des circuits intégrés et les plages de contact des bobines sont alors de préférence réalisées 15 sur la plaquette 10 plutôt que sur la plaquette 2. Par ailleurs, dans le cas d'une découpe de la plaquette 10 avant assemblage, les traversées 14A, 14B peuvent être remplacées par des pistes conductrices passant sur une tranche préalablement biseautée des 20 microplaquettes 12. D'autre part, il peut ne pas être nécessaire de réaliser les bobines d'antenne dans des gorges creusées dans la plaquette 10, bien que cela offre l'avantage de diminuer le nombre d'étapes de traitement. Ainsi, les 25 enroulements peuvent également être réalisés directement par dépôt de métal à la surface de la plaquette 10, après dépôt d'une couche barrière et éventuellement d'une couche d'accrochage. Chaque circuit intégré 3 peut par ailleurs 30 comporter d'autres plages de contact, notamment des plages de test ou des plages permettant de le connecter, en sus de sa connexion avec la bobine d'antenne, à des contacts de carte à puce de type ISO/IEC 7816. Dans ce cas, l'invention permet de réaliser des micromodules à 35 deux modes de fonctionnement, avec et sans contact. Egalement, un micromodule selon l'invention peut comprendre plusieurs bobines d'antenne, certains micromodules sans contact utilisant par exemple une première bobine d'antenne pour l'émission et la réception de données et une seconde bobine d'antenne pour recevoir de l'énergie électrique. Ainsi, dans chaque région 12 de la plaquette 10, une bobine d'antenne peut être prévue sur chaque face de la plaquette 10. Dans chaque région 12 de la plaquette 10, deux bobines peuvent également être agencées sur la même face de la plaquette 10, soit côte à côte soit superposées et séparées par une couche isolante. Bien que l'on ait décrit dans ce qui précède une application de l'invention aux circuits intégrés de type PICC, une antenne de type UHF (par exemple une antenne en Y) peut également être prévue à la place de la bobine d'antenne décrite plus haut Enfin, le procédé de fabrication selon l'invention peut être mis en oeuvre avec tous types de plaquettes pouvant recevoir des bobines d'antenne et des circuits intégrés, par exemple des plaquettes en arséniure de gallium AsGa. REVENDICATIONS 1. Procédé de fabrication d'un micromodule comprenant un circuit intégré (3) et au moins une bobine d'antenne connectée électriquement au circuit intégré, caractérisé en ce qu'il comprend des étapes consistant à : -réaliser le circuit intégré (3) et des plages de contact (4A, 4B) du circuit intégré sur une première plaquette (1, 2) de matériau semi-conducteur, - réaliser au moins un enroulement conducteur (13) 10 formant bobine et des plages de contact (18A, 18B) de la bobine sur une seconde plaquette (10, 12) de matériau semi-conducteur, et - assembler les première et seconde plaquettes l'une contre l'autre tout en mettant les plages de contact de 15 la bobine en contact avec des plages de contact du circuit intégré. 2. Procédé selon la revendication 1, dans lequel : - le circuit intégré (3) et ses plages de contact (4A, 20 4B) sont formés sur une première face (1A) de la première plaquette (1), -l'enroulement conducteur (13) est formé sur une première face (10A) de la seconde plaquette (10), - les plages de contact (18A, 18B) de la bobine sont 25 formées sur une seconde face (10B) de la seconde plaquette (10), et - les plaquettes (1, 2, 10, 12) sont assemblées en disposant la première face de la première plaquette en regard de la seconde face de la seconde plaquette. 30 3. Procédé selon la revendication 2, comprenant des étapes consistant à : - former des orifices (14A, 14B) traversant la seconde plaquette (10, 12) de part en part entre la première 20 face (10A) sur laquelle est formé l'enroulement conducteur (13) et la seconde face (10B) de la seconde plaquette, et - remplir les orifices avec un matériau conducteur pour obtenir des traversées électriquement conductrices reliant l'enroulement conducteur (13) aux plages de contact (18A, 18B) de la bobine. 4. Procédé selon la revendication 3, dans lequel la formation des orifices (14A, 14B) comprend une étape de formation de trous borgnes sur la première face (10A) de la seconde plaquette (10, 12) et une étape d'amincissement de la seconde plaquette pour que les trous borgnes débouchent sur la seconde face (10B) de la seconde plaquette. 5. Procédé selon l'une des revendications 1 à 4, comprenant des étapes consistant à : - former une gorge (19) en forme d'enroulement sur la seconde plaquette (10, 12), et - remplir la gorge avec un matériau électriquement conducteur, pour obtenir l'enroulement conducteur (13) formant bobine. 6. Procédé selon l'une des revendications 1 à 5, comprenant une étape de formation de bourrelets (6A, 6B ; 20A, 20B) en un matériau électriquement conducteur sur les plages de contact (18A, 18B) de la bobine ou sur des plages de contact (4A, 4B) du circuit intégré (3), pour qu'un contact électrique entre les plages de contact de la bobine et les plages de contact du circuit intégré soit établi par les bourrelets, à la suite de l'assemblage des plaquettes (1, 2, 10, 12). 7. Procédé selon la revendication 6, dans lequel les bourrelets (6A, 6B ; 20A, 20B) sont en un matériau appartenant à l'ensemble comprenant un métal, une composition de métaux, un alliage eutectique et un alliage dur non eutectique. 8. Procédé selon la revendication 6 ou 7, comprenant une étape d'application d'un traitement aux bourrelets (6A, 6B), consistant en une fusion, un fluage ou un collage. 9. Procédé selon l'une des revendications 1 à 8, comprenant une étape de dépôt d'un matériau polymère sur la première plaquette (1, 2) ou sur la seconde plaquette (10, 12) pour assembler les deux plaquettes. 10. Procédé selon l'une des revendications 1 à 9, pour la fabrication collective de micromodules, comprenant des étapes consistant à : -réaliser collectivement une pluralité de circuits intégrés (3) et leurs plages de contact (4A, 4B) sur la 20 première plaquette (1), - réaliser collectivement une pluralité d'enroulements conducteurs (13) formant bobine sur la seconde plaquette (10), - connecter chaque enroulement conducteur (13) à un 25 circuit intégré (3) au moment de l'assemblage des plaquettes, et - découper les plaquettes (1, 10) après leur assemblage pour obtenir des micromodules individuels. 30 11. Procédé selon l'une des revendications 1 à 9, pour la fabrication collective de micromodules, comprenant des étapes consistant à : -réaliser collectivement une pluralité de circuits intégrés (3) et leurs plages de contact (4A, 4B) sur la 35 première plaquette (1), - réaliser collectivement une pluralité d'enroulements conducteurs (13) formant bobine sur la seconde plaquette (10), - découper la seconde plaquette pour obtenir une pluralité de microplaquettes (12) chacune d'une surface correspondant sensiblement à un emplacement (2) de circuit intégré (3) sur la première plaquette (1), - assembler des microplaquettes (12) portant chacune une bobine avec la première plaquette (1) de manière que chaque bobine soit connectée à un circuit intégré, et - découper la première plaquette après son assemblage avec les microplaquettes, pour obtenir des micromodules individuels. 12. Procédé selon l'une des revendications 1 à 9, pour la fabrication collective de micromodules, comprenant des étapes consistant à : -réaliser collectivement une pluralité de circuits intégrés et leurs plages de contact (4A, 4B) sur la 20 première plaquette (1), - réaliser collectivement une pluralité d'enroulements conducteurs (13) formant bobine sur la seconde plaquette (10), - découper la première plaquette pour obtenir une 25 pluralité de microplaquettes (2) chacune d'une surface correspondant sensiblement à un emplacement de bobine sur la seconde plaquette, - assembler des microplaquettes (2) portant chacune un circuit intégré avec la seconde plaquette (10) de 30 manière que chaque bobine soit connectée à un circuit intégré, et - découper la seconde plaquette après son assemblage avec les microplaquettes, pour obtenir des micromodules individuels. 35 13. Micromodule comprenant un circuit intégré (3) et au moins une bobine d'antenne (13) comportant desplages de contact (18A, 18B) connectées électriquement à des plages de contact (4A, 4B) du circuit intégré, caractérisé en ce que : - le circuit intégré (3) et ses plages de contact (4A, 5 4B) sont réalisés sur une première microplaquette (2) de matériau semi-conducteur, - la bobine d'antenne (13) et ses plages de contact (18A, 18B) sont réalisées sur une seconde microplaquette (12) de matériau semi-conducteur, et 10 - les première et seconde microplaquettes sont assemblées l'une contre l'autre avec les plages de contact de la bobine en contact avec des plages de contact du circuit intégré correspondant par leur emplacement aux plages de contact de la bobine. 15 14. Micromodule selon la revendication 13, dans lequel : - le circuit intégré (3) et ses plages de contact (4A, 4B) sont agencés sur une première face de la première 20 microplaquette (2), - la bobine d'antenne (13) est agencée sur une première face (10A) de la seconde microplaquette (12), - les plages de contact (18A, 18B) de la bobine sont agencées sur une seconde face (10B) de la seconde 25 microplaquette, et - la première face de la première microplaquette est en regard de la seconde face de la seconde microplaquette. 15. Micromodule selon la revendication 14, dans 30 lequel la seconde microplaquette (12) comprend des orifices (14A, 14B) remplis de matériau conducteur, traversant la microplaquette et reliant la bobine d'antenne (13) sur la première face (10A) de la seconde microplaquette (12) et les plages de contact (18A, 18B) 35 de la bobine sur la seconde face de la microplaquette. 16. Micromodule selon l'une des revendications 13 à 15, dans lequel la bobine d'antenne comprend un matériau conducteur agencé dans une gorge (19) en forme d'enroulement présente sur la première face (10A) de la seconde microplaquette (12). 17. Micromodule selon l'une des revendications 13 à 16, comprenant des bourrelets (6A, 6B ; 20A, 20B) électriquement conducteurs reliant les plages de contact (18A, 18B) de la bobine d'antenne et des plages de contact (4A, 4B) du circuit intégré (3) correspondant par leur emplacement aux plages de contact de la bobine d'antenne. 18. Micromodule selon l'une des revendications 13 à 17, comprenant un matériau polymère s'étendant entre les plages de contact (18A, 18B) de la bobine d'antenne et les plages de contact (4A, 4B) correspondantes du circuit intégré (3).20