FR 2891759 A1 20070413 FR 0510412 A 20051012 La présente invention concerne une suspension aqueuse abrasive à base de particules de dioxyde de cérium et de silice pour le polissage de surfaces de matériaux. Elle concerne également un procédé pour polir ces surfaces par la mise en oeuvre des suspensions. La fabrication d'un circuit intégré fait appel à la réalisation de dépôts successifs de matériaux isolants, tels que l'oxyde de silicium, et conducteurs de plus en plus nombreux destinés à relier entre eux les transistors intégrés sur la tranche de silicium. Une telle succession de couches isolantes et conductrices engendre des inconvénients bien connus de défaut de planéité des surfaces des couches par la présence de reliefs parasites apparaissant à la suite du dépôt, reliefs qu'il est nécessaire de supprimer, car ils peuvent engendrer des problèmes de continuité de couches lors des dépôts successifs. Une technique de polissage de couches communément 20 utilisée dans ce domaine est le polissage mécano- chimique ( Chemical Mechanical Polishing - CMP) et a fait l'objet d'une nombreuse littérature. Son principe repose sur un polissage combinant une attaque mécanique et chimique de la surface d'un 25 matériau à traiter par la mise en œuvre d'une suspension abrasive de polissage. Plus spécifiquement, la CMP est réalisée au moyen d'un dispositif de polissage connu de l'homme du métier, telle qu'une polisseuse. Le matériau à traiter est fixé, par sa 30 face dite arrière sur un support, tandis que la face dite avant, sur laquelle sont présentes les couches à polir, est appliquée sur un plateau de polissage, revêtu d'un tapis en matière polymérique, sous faible pression, telle que de 0,07 à 1,05 bars. Des 35 mouvements de rotation sont appliqués au support ainsi qu'au plateau afin d'uniformiser les vitesses linéaires de passage du tapis sur la tranche. Le mécanisme d'abrasion engendrant le polissage de la surface du matériau est assuré par une suspension de polissage distribuée sur le tapis sous forme d'une pellicule ou coussin fluide pendant le déroulement de la CMP. De façon générale, on utilise différents types de suspensions abrasives en fonction des caractéristiques du matériau à polir. Ces suspensions abrasives comprennent habituellement de fines particules abrasives dispersées dans un milieu liquide, tel que l'eau. Des exemples de telles particules abrasives sont les oxydes métalliques, tels que le dioxyde de cérium (CeO2) , le dioxyde de silicium ou silice (SiO2), par exemple la silice précipitée ou pyrogénée, le dioxyde de manganèse (MnO2) ou l'oxyde d'aluminium (Al2O3) . Ces suspensions sont en outre susceptibles de comprendre des dispersants, des tensioactifs, etc. Les suspensions abrasives précitées doivent donc être aptes à polir des surfaces complexes, anisotropes, de matériaux, tels que des systèmes multicouches de fabrication de microcircuits, afin que la surface polie obtenue soit lisse, sans défauts, et présentant une absence de rayures de dimension submicrométrique. En outre, lors de la mise en oeuvre du polissage, les suspensions abrasives ne doivent pas altérer de façon rédhibitoire, le cas échéant, les couches inférieures de microcircuits ou certaines régions de la surface du matériau à polir. Elles doivent également autoriser des vitesses de polissage satisfaisantes, définies comme étant l'épaisseur enlevée de la surface du matériau par unité de temps, et rendre stable le procédé de polissage par le contrôle des forces de frottements. Les frottements peuvent en effet engendrer un phénomène de rebond du matériau à polir sur le tapis du dispositif de polissage au cours notamment du procédé CMP, aboutissant à une diminution des vitesses de polissage et à une dégradation des résultats en terme d'état de surface. Parmi les suspensions abrasives, celles comprenant des particules de silice comme abrasif sont très communément utilisées dans les procédés CMP pour polir ou planer les surfaces de matériaux, tels que les couches isolantes en silice de microcircuits. De telles suspensions peuvent contenir des tensioactifs, des dispersants de type polymère, des agents complexants, inhibiteurs de corrosion, etc. On peut citer, à titre d'exemple, les demandes de brevets et brevets WO 02/04573, US 2004/0077295 Al, US 6 736 992, EP 0 366 027, EP 0 121 707. Certains brevets divulguent également des suspensions abrasives à base de mélanges de silice avec d'autres oxydes métalliques, comme l'alumine ou le dioxyde de zirconium. Toutefois, lorsque des agents abrasifs à base de silice sont mis en oeuvre, la vitesse de polissage dépend largement du pH de la suspension, qui doit être maintenu à des valeurs supérieures à 10 pour observer une vitesse de polissage satisfaisante. De telles valeurs de pH ne sont pas sans risques pour l'utilisateur. En outre, les quantités de silice habituellement utilisées dans de telles suspensions sont comprises entre 10 et 30% en poids. D'autres suspensions de polissage à base de particules de CeO2 sont également classiquement utilisées pour les applications ci-dessus, avec l'obtention d'un poli de surface comparable. On observe que ces suspensions sont d'autant plus performantes en terme de vitesse de polissage que la teneur en CeO2 est élevée. On peut citer à titre d'exemples US 7 759 917, US 2003/0216003, US 2004/0060472. Toutefois, de telles suspensions abrasives présentent des inconvénients liés au fait que les particules de CeO2 présentent un faible aptitude de dispersion dans un milieu liquide, rendant instables les suspensions ainsi obtenues, ce qui provoque des phénomènes de sédimentation et d'agrégation particulaire. Les conséquences de tels phénomènes sont les modifications des vitesses de polissage au cours du processus de polissage et l'endommagement de la surface de couches à polir par formation de rayures. Il y a en outre une difficulté pour alimenter de manière continue et uniforme le dispositif de polissage en particules abrasives de la suspension. Les particules de CeO2 ont également un grand coefficient de frottement ce qui nécessite un couple élevé pour faire tourner un substrat à polir fixé, par exemple, sur le support de la CMP, tel qu'indiqué ci-dessus. Pour éviter les phénomènes de sédimentation et d'agrégation particulaire observés dans de telles suspensions à base de CeO2, il a été proposé d'y incorporer divers additifs polymériques, tels que des tensioactifs et des dispersants, comme décrit par exemple dans les demandes de brevets JP 2000-17195 A, JP 2001-138214 et JP 2002-353175 A. Toutefois, l'utilisation de tels additifs polymériques ne permet pas de stabiliser efficacement les suspensions abrasives. Une alternative à l'ajout de tels additifs consiste a incorporer un composant inorganique stabilisant, tel que la silice, à des suspensions abrasives de CeO2. Ainsi, le brevet EP 0 690 772 B1 divulgue des compositions et suspensions aqueuses abrasives comprenant un mélange particulaire de CeO2, de silice pyrogénée et de silice précipitée, en des rapports pondéraux et granulométries respectifs spécifiques, utilisables dans un procédé de polissage de surfaces de matériaux. Les qualités de surface et les vitesses de polissage obtenues ne peuvent s'expliquer par la combinaison des trois composés cités ci-dessus, leurs concentrations et granulométries respectives dans ces compositions. La demande de brevet US 2004/0221516 Al décrit des suspensions aqueuses abrasives d'oxydes métalliques, comprenant de fines particules abrasives d'oxydes métalliques, en particulier CeO2, et des particules d'oxydes colloïdales, tel que de la silice, dans lesquelles la concentration en particules abrasives d'oxydes métalliques doit être supérieure à 5% en poids, afin que la suspension présente des capacités de polissage suffisantes, le rapport pondéral particules d'oxydes colloïdales/particules abrasives d'oxydes métalliques doit être inférieur à 1 pour éviter la sédimentation et l'agrégation particulaire et, enfin, la taille moyenne des particules d'oxydes colloïdales doit être inférieure à celle des particules abrasives d'oxydes métalliques. L'amélioration de la qualité du polissage reste un objectif important, qui peut être notamment atteint par la mise à disposition de suspensions abrasives à base de particules de CeO2, stables dans le temps. Elles doivent participer au contrôle des forces de frottement des particules abrasives de CeO2 au cours du polissage et ainsi permettre conjointement des vitesses de polissage élevées de la surface du matériau, en particulier de couches isolantes de microcircuits, en évitant la formation de rayures, une amélioration de la stabilité du polissage par l'élimination du risque de rebond du matériau à polir sur le tapis du dispositif de polissage, et, de plus, l'élimination des effets d'adhérence à forte pression du matériau sur le tapis de polissage. L'invention vise à atteindre au moins l'un des 35 buts ci-dessus. A cet effet, l'invention concerne une suspension aqueuse abrasive pour polir la surface d'un matériau, comprenant de 0,5 à 4% en poids ,de particules de dioxyde de cérium présentant une taille moyenne comprise entre 5 et 80 nm et des particules de silice. La Demanderesse a trouvé de manière surprenante que la combinaison des particules de CeO2 présentant des caractéristiques spécifiques dans une certaine teneur dans la suspension, avec les particules de silice, permet d'obtenir de façon synergique les effets recherchés pour ces suspensions aqueuses abrasives. En effet, la mise en oeuvre de telles suspensions aqueuses abrasives pour polir et/ou planer des surfaces de matériaux permet d'obtenir un bon compromis entre différents paramètres tels que la stabilité dans le temps de ces suspensions, des vitesses de polissage satisfaisantes, des qualités élevées de poli et une planéité satisfaisante de la surface, et la stabilité du procédé de polissage par le contrôle des forces de frottements. En effet, chaque paramètre (stabilité des suspensions, vitesse de polissage, qualité du poli des surfaces, stabilité du procédé de polissage et planéité de la surface) ne peut être réglé indépendamment des autres, en ce sens que, par exemple, l'optimisation de la stabilité de suspensions abrasives obtenues à partir de ces mélanges abrasifs peut avoir un effet néfaste sur la vitesse de polissage ou sur la stabilité du procédé de polissage, ou réciproquement. Elle a ainsi montré que les suspensions aqueuses abrasives de l'invention présentent une stabilité accrue dans le temps, autorisant leur mise en oeuvre dans des procédés et dispositifs de polissage sans le risque d'une alimentation discontinue et hétérogène du dispositif de polissage en particules abrasives de la suspension. Elle a en outre mis en évidence que, dans ces suspensions, la silice ne se comporte pas comme un agent abrasif mais comme stabilisant de celles-ci, en assurant, entre autres, la fonction d'agent épaississant. La présence de silice permet donc de modifier l'organisation des particules abrasives de CeO2 dans la suspension (augmentation de la viscosité) et ainsi de contrôler les forces de frottements de ces particules abrasives. Egalement, en l'absence de silice, outre le défaut de stabilité de la suspension, les suspensions ne pourraient être utilisables qu'à de faibles pressions, inférieures à 0,21 bar, dans un procédé de polissage, notamment de CMP. Le contrôle des forces de frottements au cours du polissage, grâce à ces suspensions, autorise des vitesses de polissage de la surface d'un matériau très satisfaisantes, telles que de 3000 à 5000 A/min pour des couches à base de silice, les surfaces de matériaux présentant de plus des qualités de poli et de planéité accrues. Il améliore la stabilité du procédé de polissage par l'élimination de rebonds du matériau à polir sur le tapis du dispositif de polissage, et l'élimination des effets d'adhérence à forte pression du matériau sur le tapis de polissage. Avantageusement, la suspension aqueuse abrasive comprend de 1 à 3% en poids de particules de CeO2. La locution % en poids désigne le poids des particules de CeO2 pour 100 g d'eau. De préférence, les particules de CeO2 ont une taille moyenne comprise entre 20 et 70 nm, en particulier entre 40 et 60 nm. De très bons résultats sont obtenus, notamment en terme de vitesse de polissage et de stabilité du procédé de polissage et de stabilité des suspensions aqueuses, lorsque le rapport pondéral R particules de silice/particules de dioxyde de cérium est de préférence compris entre 1,5 et 4,5, de façon plus préférée entre 2 et 4 et, en particulier, entre 2,5 et 3,5. Dans le cadre de l'invention, il est préférable que le dioxyde de cérium soit d'une pureté élevée, tel que d'au moins 99,9%. Celui-ci peut être fabriqué par des techniques connues en soi ou on peut se le procurer dans le commerce. La mise en œuvre de telles suspensions dans des procédés de polissage présente l'avantage de ne nécessiter que de faibles quantités de CeO2 pour obtenir les effets recherchés. Ceci est d'autant plus important que le CeO2 est toxique, polluant et onéreux. Par ailleurs, les coûts de production et de mise en oeuvre du polissage s'en trouvent, par conséquent, réduits. Avantageusement, les particules de silice présentent une surface spécifique comprise entre 25 et 400 m2/g, et, de préférence, entre 150 et 300 m2/g. La silice du mélange abrasif peut être fabriquée de manière connue en soi ou est disponible dans le commerce et représente, de préférence, la silice précipitée, pyrogénée ou sol-gel, à condition que sa surface spécifique respecte les plages de valeurs définies ci-dessus. La granulométrie moyenne de la silice est habituellement comprise entre 25 et 250 nm, de préférence, entre 50 et 200 nm. La silice pyrogénée est tout particulièrement préférée, car elle confère aux suspensions aqueuses à base du mélange abrasif des durées de stabilité accrues tout en autorisant des vitesses de polissage comparables aux autres silices. La surface du matériau à polir représente de préférence une couche isolante de microcircuits, et, de façon plus préférée, une couche isolante en silice. Les suspensions abrasives peuvent également comprendre un dispersant, de préférence de type polymérique, pour favoriser la dispersion des particules considérées dans la suspension et en ajuster la viscosité. Des exemples de tels dispersants sont les acides ou les dérivés d'acides acryliques ou méthacryliques, ou leur mélanges. On préfère le polyacrylate de sodium ayant un poids moléculaire compris entre 500 Da et 5000 Da, et, en particulier, de poids moléculaire de 2100 Da. Les dispersants sont habituellement présents dans les suspensions en une quantité comprise entre 0,25% et 5% en poids, par rapport au poids des particules de CeO2 présentes dans la suspension. De telles quantités de dispersant confèrent aux suspensions des viscosités comprises entre 1000 et 1,5 cP, à 20 C. La présence dans les suspensions de quantités en dispersant supérieures à 5% en poids ne permet pas d'atteindre des vitesses de polissage satisfaisantes, typiquement d'au moins 3000 A/min pour des couches à base de silice. Le pH des suspensions abrasives est généralement compris entre 6 et 12 et, de préférence, entre 6 et 10. Les valeurs des pH sont ajustées par l'ajout d'acides ou de bases qui seront choisis par l'homme du métier afin d'éviter toute altération des performances de polissage des suspensions. On peut citer par exemple les acides minéraux forts (acides chlorhydrique, nitrique, phosphorique et autres.) et des bases minérales (hydroxyde de sodium ou de potassium et autres). Les suspensions abrasives de l'invention peuvent être préparées par des méthodes conventionnelles mises en œuvre dans le domaine de l'invention. On peut par exemple préparer une suspension aqueuse de CeO2, puis une suspension aqueuse de silice à un pH de préférence compris entre 4 et 8, et procéder au mélange des deux suspensions ainsi préparées, en respectant le rapport pondéral silice/CeO2 précédemment défini, sous forte agitation tout en ajustant le pH entre 6 et 12. L'agitation est achevée lorsqu'une suspension homogène est observée. Compte tenu de la simplicité de réalisation de telles suspensions, elles peuvent être directement préparées sur les sites industriels de production de microcircuits et utilisées dans un procédé de polissage de surfaces de matériaux, tels que des couches isolantes en silice de microcircuits. Par conséquent, des stabilités de suspensions de l'ordre de 24 heures se révèlent être acceptables en termes de mise en oeuvre industrielle. Il convient de noter que les particules de CeO2 et de silice peuvent se présenter sous la forme de colloïdes dans les suspensions de l'invention, observés pour des tailles de particules submicroniques. Un autre objet de la présente invention concerne un procédé pour polir la surface d'un matériau comprenant les étapes consistant à - appliquer la suspension aqueuse abrasive selon l'invention sur la surface du matériau, et -procéder au polissage mécanique de ladite surface par l'intermédiaire de la suspension. Un tel procédé de polissage par l'utilisation de la suspension aqueuse abrasive de l'invention améliore notamment la planéité des surfaces de matériaux et la qualité de poli, c'est-à-dire dont les surfaces sont lisses, sans défauts et exemptes de micro-rayures. Le procédé de polissage peut être mis en oeuvre au moyen d'un dispositif conventionnel afin de polir les surfaces de couches isolantes en silice de microcircuits. Avantageusement, le procédé pour polir la surface 35 de matériau représente la CMP. Plus précisément, la CMP comprend les étapes suivantes consistant à : a) placer et fixer le matériau sur un support par sa face arrière, b) appliquer la face avant à polir sur un plateau revêtu d'un tapis en matière polymérique, sous 5 pression suffisante, c) mettre en rotation le support et le plateau à des vitesses prédéterminées, d) appliquer la suspension aqueuse abrasive de l'invention entre la face avant dudit matériau et le 10 plateau, et e) polir la face avant dudit matériau pendant une durée prédéterminée. Les pressions appliquées à l'étape b) sont typiquement comprises entre 0,07 bar et 1,05 bar. 15 Les vitesses de rotation du plateau et du support sont typiquement comprises entre 20 et 120 tours/min. Les durées de polissage (étape d)) sont habituellement comprises entre 30 et 300 s, de préférence entre 45 et 150 s. 20 La mise en œuvre de la CMP pour polir notamment les couches isolantes en silice de microcircuits est très efficace, comme vont en outre le montrer les exemples non limitatifs de modes de réalisation de 25 l'invention qui suivent. Exemple 1 Influence de la taille des particules moyenne de CeO2 sur la stabilité des suspensions et les vitesses de 30 polissage. On prépare trois échantillons de suspensions aqueuses abrasives colloïdales S1, S2 et S3 comprenant 3,5% en poids de particules de silice pyrogénée de 300 m2/g de surface spécifique, 2% en poids de particules 35 de CeO2, dont les tailles moyennes sont respectivement 60 nm (S1), 800 nm (S2) et 1200 nm (S3), et 1% de polyacrylate de sodium (2100 Da) par rapport au poids de CeO2, à pH 8. Les échantillons ont été mélangés sous forte agitation pendant 15 minutes jusqu'à l'obtention d'une suspension homogène. Une suspension aqueuse abrasive SO ne contenant que 2% en poids de particules de CeO2 de 60 nm de taille moyenne est également préparée à titre de comparaison. a) Des essais comparatifs de stabilité ont été effectués juste après l'obtention des suspensions homogènes (to). La limite de stabilité est définie lorsqu'il est observé le début de sédimentation de particules (floculats/agglomérats). Les résultats figurent au Tableau 1. Tableau 1 Suspensions SO Si S2 S3 Limite de 2,5 5 jours 6 heures 6 heures stabilité heures Les résultats montrent que la suspension S1 de l'invention, contenant du CeO2 de taille de particules de 60 nm, est la plus stable. Ce tableau montre 20 également qu'en l'absence de silice les suspensions à base de particules de CeO2 seules ne sont pas stables, malgré la présence du dispersant. S2 et S3 présentent également une stabilité insuffisante. b) Des essais relatifs aux vitesses de polissage ont 25 été effectués par l'utilisation des suspensions Sl, S2 et S3. Pour ces essais, une tranche de silicium de 150 mm de diamètre sur laquelle a été déposée de la silice, a été soumise à un polissage selon la CMP. La 30 CMP a été réalisée au moyen d'une polisseuse Mecapol 460 (Presi-France) comportant un plateau muni d'un tapis Rodel IC1000k-grooved stacké Suba IV (Rodel - USA). La face arrière de la tranche de silicium est fixée sur un support de la polisseuse. La vitesse de15 rotation du support est fixée à 50 tours/min et celle du plateau à 90 tours/min. Trois essais de polissage de la silice revêtant la tranche de silicium ont été menés pendant 1 minute, en appliquant une pression de 0,41 bar au support de la polisseuse. Le tapis du plateau a été alimenté avec les suspensions Si, S2 et S3 respectivement. Les vitesses de polissage ont été mesurées en considérant la hauteur initiale de la couche de silice sur la tranche de silicium et la hauteur finale de cette couche. Les résultats sont montrés dans le Tableau 2. Tableau 2 Suspensions SO Si S2 S3 Vitesse de 2200 6000 8000 12000 polissage (A) Les résultats conjoints des Tableaux 1 et 2 montrent que la suspension S3 permet d'atteindre des vitesses de polissage bien plus élevées que les suspensions S1 et S2. Toutefois, une telle suspension n'est stable que pendant 6 heures à partir de sa préparation, ce qui n'est pas satisfaisant dans le cadre d'une mise en oeuvre d'un polissage à l'échelle industrielle. Il en est de même de la suspension S2. L'absence de silice dans SO à des effets néfastes sur la stabilité de la suspension et les vitesses de polissage obtenues. La suspension Si de l'invention offre un très bon compromis entre la stabilité de la suspension (5 jours) et la vitesse de polissage de la silice sur silicium. Exemple 2 On prépare trois échantillons de suspensions aqueuses abrasives colloïdales S4, S5 et S6 de la même manière que dans l'Exemple 1. Ces suspensions comprennent respectivement 3%, 5% et 7% en poids de particules de silice pyrogénée de surface spécifique 300 m2/g, 1,6% en poids de particules de CeO2 de 60 nm de granulométrie moyenne, et 1% de polyacrylate de sodium (2100 Da), à pH 8. Les rapports pondéraux R pour chaque suspension considérée sont indiqués au Tableau 3. On procède aux mesures des vitesses de polissage d'une couche de silice revêtant une tranche de silicium par la mise en oeuvre d'un procédé CMP comme explicité à l'Exemple 1, en considérant deux pressions de polissage, 0,21 et 0,42 bars respectivement. Les résultats sont montrés au Tableau 3. Tableau 3 Suspension S4 S5 S6 R= 1,875 R = 3,125 R = 4,375 Vitesse de 3100 3400 3200 polissage (A) , 0,21 bar Vitesse de 4900 5100 4900 polissage (A) , 0, 42 bar Stabilité 5 4 3 (jours) Les résultats du Tableau 3 montrent que des 20 vitesses de polissage très satisfaisantes sont obtenues pour différents rapports pondéraux R, sous les deux pressions de mise en oeuvre. 25 Exemple 4 Cet exemple est destiné à montrer l'influence de la nature de silice sur les vitesses de polissage. On prépare quatre échantillons de suspensions 5 aqueuses abrasives colloïdales S7, S8, S9 et S10 de la même manière que dans l'Exemple 1. Les compositions de ces suspensions sont les suivantes . - S7 : 3,5% de particules de silice pyrogénée de 300 m2/g de surface spécifique et 2% de 10 particules de CeO2 de 60 nm de granulométrie moyenne (R = 1,75), - S8 : 3,5% de particules de silice sol-gel de 50 m2/g de surface spécifique et 2% de particules de CeO2 de 60 nm de granulométrie 15 moyenne (R = 1,75), - S9 : 5% de particules de silice pyrogénée de 300 m2/g de surface spécifique et 2% de particules de CeO2 de 60 nm de granulométrie moyenne (R = 2 , 5) , 20 S10 : 5% de particules de silice sol-gel de 50 m2/g de surface spécifique et 2% de particules de CeO2 de 60 nm de granulométrie moyenne (R = 2,5). Toutes les suspensions considérées comprennent en plus 25 1% de polyacrylate de sodium (2100 Da) et sont à pH 8. On procède aux mesures des vitesses de polissage d'une couche de silice revêtant une tranche de silicium par la mise en oeuvre d'un procédé CMP comme explicité à l'Exemple 1, sous deux pressions de 30 polissage, 0,21 et 0,42 bar respectivement. Les résultats sont montrés au Tableau 4. 35 Tableau 4 Suspensions S7 S8 . S9 S10 (R=1,75) (R=1,75) (R=2,5) (R=2,5) Vitesse de 3070 3140 3310 2560 polissage (A);0,21 bar Vitesse de 4900 5800 5060 4850 polissage (A);0,42 bar Stabilité 5 jours 24 heures 5 jours 24 heures Les résultats figurant au Tableau 4 indiquent que l'utilisation de deux types de silice dans les suspensions abrasives de l'invention conduit à des vitesses de polissage très convenables. Toutefois, la stabilité des suspensions à base de silice sol-gel est moins satisfaisante que pour celle obtenue avec la silice pyrogénée, mais acceptable dans le cadre d'une mise en œuvre industrielle. Exemple 5 Cet exemple illustre l'influence de la quantité en polyacrylate de sodium, de poids moléculaire 2100 Da, sur les vitesses de polissage d'une couche de silice sur silicium. A cet effet, on prépare uns suspension aqueuse abrasive colloïdale comprenant 3,5% en poids de particules de silice pyrogénée de 300 m2/g de surface spécifique, 2% en poids de particules de CeO2 ayant une taille moyenne de 60 nm, à pH 8 (Sil), comprenant ou non des quantités variables en dispersant polyacrylate de sodium (PA) par rapport au poids de particules de CeO2 présentes dans S11, comme indiqué au Tableau 5. 16 On procède aux mesures des vitesses de polissage d'une couche de silice revêtant une tranche de silicium par la mise en oeuvre d'un procédé CMP comme explicité à l'Exemple 1, à une pression de 0,42 bar. Les résultats sont montrés au Tableau 5. Tableau 5 Suspension S11 S11 + S11 + S11 + S11 + S11 + 0,5% 1,5% 2% PA 5% PA 7% PA PA PA Vitesse de polissage 6200 6400 4600 3900 3100 2700 (P,) 10 Les résultats illustrent le fait que la quantité de polyacrylate de sodium influe sur les vitesses de polissage d'une couche de silice sur silicium et que des quantités supérieures à 5 % engendrent des vitesses de polissage insuffisantes pour l'application 15 considérée. Il est à noter que même en l'absence de polyacrylate de sodium, les vitesses de polissage sont très satisfaisantes. Exemple 6 20 Les performances des suspensions aqueuses abrasives en termes d'aptitude à fournir une planéité de surfaces de couches présentant une topologie déterminée ont été évaluées pour des dépôts de silice sur différentes structures par la technique de Dépôt 25 Chimique en Phase Vapeur (CVD). La topologie de ces dépôts sur des structures est montrée aux Figures 1 et 2. La figure 1 représente une section transversale d'un dépôt de silice, de niveau n+l, sur un métal (M), de niveau inférieur n. La figure 2 représente une 30 section transversale d'une autre topologie relative à de la silice, de niveau n+l, déposée sur du nitrure de5 silicium (Si3N4), lui-même déposé sur silicium, de niveau inférieur n. On définit la hauteur de marche initiale (Hmi) du dépôt de silice, typiquement comprise entre 1000 et 15000 A, et l'épaisseur du dépôt initial de silice (Edi) entre les niveaux n et n+l. Les essais consistent à montrer l'influence de la nature des suspensions sur leur capacité à polir préférentiellement la topologie définie par les dépôts de silice de la zone A de la figure 1, c'est-à-dire à diminuer Hmi, sans affecter excessivement l'épaisseur du dépôt Edi de la zone B de cette figure. Pources essais, on considère la suspension Si définie à l'exemple 1 et une suspension S12 de silice colloïdale contenant 30% en poids de particules de silice précipitée de 50 nm de diamètre. On met en oeuvre la CMP sur le dépôt de silice de la Figure 1, sous pression de 0,42 bar, selon les conditions décrites à l'exemple 1, pendant des durées permettant l'élimination d'une certaine hauteur Hm voulue. Dans le cas présent, Hmi = 0,48Edi. On mesure ensuite les hauteurs Hm et Ed finales, respectivement Hmf et Edf, obtenues après polissage mis en oeuvre avec S1 et S12. On définit : H = Hmi - Hmf, et E = Edi - Edf. On fixe, en fonction de la durée du polissage, les hauteurs Hl = 0,66Hmi, H2 = 0,5Hmi et H3 = 0,33Hmi, et on calcule respectivement les hauteurs El, E2 et E3 obtenues, après mesure des épaisseurs Edfl, Edf2 et Edf3. Le Tableau 6 présente les résultats obtenus. Tableau 6 Suspension El E2 E3 Si 0,18Edi 0,30Edi 0,36Edi S12 0,32Edi 0,48Edi 0,66Edi Les résultats de ce Tableau montrent que le polissage du dépôt de silice considéré mis en œuvre avec la suspension de l'invention S1, pour l'obtention de hauteurs H1, H2 et H3, affecte beaucoup moins les hauteurs El, E2 et E3 respectives que par un polissage effectué en utilisant la suspension de silice colloïdale S12. La mise en oeuvre d'une CMP prolongée aboutit à une topologie de ces dépôts, d'épaisseur initiale Edi et de hauteur de marche Hmi, visible sur la Figure 2, c'est-à-dire que la CMP permet l'obtention d'une surface de silice totalement plane par élimination des reliefs de hauteur Hmi, avec une consommation très limitée de la couche plane ainsi obtenue, de sorte que l'épaisseur maximale Edf de la couche ainsi traitée n'est que légèrement inférieure à Edi. Ces essais démontrent que les suspensions de l'invention utilisées dans un procédé de polissage CMP améliorent la planéité de la surface de matériaux et contribuent à réduire l'érosion de l'épaisseur Edi de silice déposée et mesurée dans les zones sous-exposées ou encore zones de topologie basse. Revendications 1. Suspension aqueuse abrasive pour polir la surface d'un matériau, comprenant de 0,5 à 4% en poids de particules de dioxyde de cérium présentant une taille moyenne comprise entre 5 et 80 nm et des particules de silice. 2. Suspension selon la revendication 1, 10 comprenant de 1 à 3% en poids de particules de dioxyde de cérium. 3. Suspension selon la revendication 1 ou 2, dans laquelle les particules de dioxyde de cérium ont une taille moyenne comprise entre 20 et 70 nm, en 15 particulier entre 40 et 60 nm. 4. Suspension selon l'une des revendications 1 à 3, dans laquelle le rapport pondéral R particules de silice/particules de dioxyde de cérium est compris entre 1,5 et 4,5, de façon plus préférée entre 2 et 4 20 et, en particulier, entre 2,5 et 3,5. 5. Suspension selon l'une des revendications 1 à 4, dans laquelle la surface spécifique des particules de silice est comprise entre 25 et 400 m2/g, en particulier entre 150 et 300 m2/g. 25 6. Suspension selon l'une des revendications 1 à 5, comprenant en outre un dispersant. 7. Suspension selon la revendication 6, dans laquelle le dispersant est de type polymérique. 8. Suspension selon la revendication 6 ou 7, dans 30 laquelle le dispersant représente les acides ou les dérivés d'acides acryliques ou méthacryliques, ou leur mélange. 9. Suspension selon l'une des revendications 6 à 8, dans laquelle le dispersant est présent en une 35 quantité comprise entre 0,25% et 5% en poids, par rapport au poids des particules de dioxyde de cérium présentes dans la suspension. 10. Suspension selon l'une des revendications 1 à 9, de pH compris entre 6 et 12, de préférence, entre 6 et 10. 11. Suspension selon l'une des revendications 1 à 5 10, pour polir la surface d'une couche isolante en silice d'un microcircuit. 12. Procédé pour polir la surface d'un matériau, comprenant les étapes consistant à - appliquer la suspension aqueuse abrasive 10 selon l'une des revendications 1 à 11 sur la surface du matériau, et - procéder au polissage mécanique de ladite surface par l'intermédiaire de ladite suspension. 15 13. Procédé selon la revendication 12, dans lequel la surface du matériau représente la surface d'une couche isolante en silice de microcircuits. 14. Procédé selon la revendication 12 ou 13, caractérisé en ce qu'il représente un procédé de 20 polissage mécano chimique (CMP). 15. Procédé selon la revendication 14, comprenant les étapes suivantes consistant à : a) placer et fixer le matériau sur un support par sa face arrière, 25 b) appliquer la face avant à polir sur un plateau revêtu d'un tapis en matière polymérique, sous pression suffisante, c) mettre en rotation le support et le plateau à des vitesses prédéterminées, 30 d) appliquer la suspension aqueuse abrasive selon l'une des revendications 1 à 11 entre la face avant dudit matériau et le plateau, et e) polir la face avant dudit matériau pendant une durée prédéterminée. 35