FR 2889130 A1 20070202 FR 0653238 A 20060801 DISPOSITIF DE COMMANDE D'ECLAIRAGE POUR PHARE DE VEHICULE La présente demande revendique la priorité étrangère fondée sur la demande de brevet japonais N P.2005 222 624, déposée le ter août 2005. La présente invention se rapporte à un dispositif de commande d'éclairage pour une lampe de véhicule, et se rapporte en particulier à un dispositif de commande d'éclairage, pour une lampe de véhicule, qui commande l'éclairage d'une source de lumière à semiconducteur constituée d'un dispositif d'émission de lumière à semiconducteur. Habituellement, une lampe halogène ou une lampe à décharge est utilisée comme source d'éclairage pour des lampes de véhicule. Si la quantité de lumière est modifiée, la durée de vie d'une source de lumière de ce type peut être amplement réduite, ou bien le maintien d'une longue période d'éclairage peut ne pas être possible. De ce fait, comme la lumière est allumée par la fourniture d'une quantité importante d'alimentation telle que 55 W ou 35 W, une quantité importante d'alimentation est toujours consommée. D'autre part, lorsque le dispositif d'émission de lumière à semiconducteur tel qu'une diode LED (une diode électroluminescente), est employé comme source de lumière pour une lampe de véhicule, la quantité de lumière émise par la source de lumière peut être modifiée librement en modifiant le courant qui est fourni. De ce fait, lorsque la diode LED est employée comme source de lumière pour une lampe de véhicule, seul le courant fourni pour la diode LED doit être ajusté pour obtenir une quantité de lumière adéquate conformément à l'état de fonctionnement. Par exemple, lorsqu'un véhicule est à l'arrêt et que la quantité de lumière est réduite, la consommation d'alimentation est abaissée, et l'énergie peut également être économisée. En outre, lorsqu'un véhicule se déplace à une vitesse inférieure à une vitesse prédéterminée, ou bien lorsque la température de la lampe du véhicule dépasse une valeur de seuil, la génération de chaleur par la diode LED peut être diminuée en réduisant le courant fourni à la diode LED (voir le document JP A 2004 276 737). Dans ce cas, lorsque le courant fourni à la diode LED est réduit, une quantité de lumière de la diode LED, à l'inverse d'une lampe à décharge, peut être réduite sans qu'une panne de diminution graduelle ne se produise. A l'inverse d'une lampe à halogène ou une lampe à décharge, une source de lumière à semiconducteur telle qu'une diode LED, a une faible résistance à la chaleur. Ainsi, tout en prenant en compte la durée de vie et la dégradation d'une source de lumière à semiconducteur, un affaiblissement d'une source de lumière à semiconducteur peut effectivement être réalisé et peut contribuer à empêcher une élévation de la température au niveau de la source de lumière à semiconducteur. Cependant, lorsqu'une source de lumière à semiconducteur est affaiblie, ceci est accompagné d'une modification importante de la quantité de lumière, même si de l'énergie peut être économisée. De ce fait, un conducteur peut se sentir gêné et particulièrement aveuglé, et ceci dégradera la sécurité de conduite. La présente invention est fournie pour résoudre ces inconvénients classiques. Un but de l'invention est d'assurer la sécurité de conduite en régulant la quantité de lumière émise par une source de lumière à semiconducteur, et de, dans le processus, économiser de l'énergie. Conformément à un ou plusieurs modes de réalisation de la présente invention, en tant que premier aspect de l'invention, un dispositif de commande d'éclairage pour une lampe de véhicule est muni: d'une unité d'établissement de valeur d'instruction de quantité de lumière, destinée à recevoir des informations se rapportant à l'éclairage de la source de lumière et destinée à établir une valeur d'instruction de quantité de lumière sur la base des informations, et d'une unité d'alimentation en énergie, destinée à fournir une tension reçue depuis une source d'alimentation à une source de lumière à semiconducteur à faisceau bas conformément à la valeur d'instruction de quantité de lumière, où, lors de la réception des informations donnant pour instruction un affaiblissement de la source de lumière à semiconducteur à faisceau bas, l'unité d'établissement d'instruction de valeur de quantité de lumière établit une première valeur d'instruction de quantité de lumière qui réduit progressivement une quantité de lumière de la source de lumière à semiconducteur à faisceau bas à un premier niveau d'émission de lumière qui correspond aux normes de distribution d'intensité lumineuse pour la réduction de l'éclairage de la source de lumière à semiconducteur à faisceau bas, où, lors de la réception d'informations indiquant que la source de lumière à faisceau haut a été activée, de sorte qu'à la place de la première valeur d'instruction de quantité de lumière, l'unité d'établissement de valeur d'instruction de quantité de lumière établit une seconde valeur d'instruction de quantité de lumière pour affaiblir la source de lumière à semiconducteur à faisceau bas à un second niveau d'émission de lumière inférieur au premier niveau d'émission de lumière pour la première valeur d'instruction de quantité de lumière, et où, lors de la réception d'informations indiquant que la source de lumière à faisceau haut a été désactivée, après que la seconde valeur d'instruction de quantité de lumière a été établie, l'unité d'établissement de valeur d'instruction de quantité de lumière annule la seconde valeur d'instruction de quantité de lumière et établit une troisième valeur d'instruction de quantité de lumière, afin d'activer immédiatement la source de lumière à semiconducteur à faisceau bas au premier niveau d'émission de lumière qui correspond aux normes de distribution d'intensité lumineuse. (Avantage) Pour le processus pendant lequel une tension reçue depuis une source d'alimentation est fournie à une source de lumière à semiconducteur à faisceau bas, conformément à la valeur d'instruction de quantité de lumière, lorsque la première valeur d'instruction de quantité de lumière est établie pour réduire progressivement la quantité d'éclairage de la source de lumière à semiconducteur à faisceau bas, la source de lumière à semiconducteur à faisceau bas est progressivement affaiblie à un niveau d'émission de lumière de 70 %, par rapport à 100 % d'éclairage total. A cet instant, les normes de distribution d'intensité lumineuse, telles que les normes de distribution d'intensité lumineuse qui sont établies par la loi, sont employées pour affaiblir une source de lumière à semiconducteur à faisceau bas. Ainsi, lorsque la quantité de lumière de la source de lumière à semiconducteur à faisceau bas est modifiée lorsqu'elle s'affaiblit, un conducteur ne se sent pas gêné ni n'a la sensation d'être aveuglé en raison de la modification de la quantité de lumière, une conduite sûre est assurée, et de l'énergie peut être économisée. Lorsqu'une source de lumière à faisceau haut est activée, à la place de la première valeur d'instruction de quantité de lumière, la seconde valeur d'instruction de quantité de lumière est établie et le niveau d'émission de lumière est affaibli jusqu'à ce qu'il soit inférieur à la première valeur d'instruction de quantité de lumière, par exemple, à 50 % du niveau d'éclairage total, et la source de lumière à semiconducteur à faisceau bas est affaiblie. De ce fait, lorsque la source de lumière à semiconducteur à faisceau bas est diminuée, les normes de distribution d'intensité lumineuse peuvent être respectées en activant la source de lumière à faisceau haut, et de l'énergie peut être économisée par l'affaiblissement. Lorsque la source de lumière à faisceau haut est désactivée, la seconde valeur d'instruction de quantité de lumière est annulée, la troisième valeur d'instruction de quantité de lumière est établie, et la source de lumière à semiconducteur à faisceau bas est immédiatement activée au niveau d'émission de lumière qui respecte les normes de distribution d'intensité lumineuse. Ainsi, lorsque la source de lumière à faisceau haut est désactivée, l'éclairage de la seule source de lumière à semiconducteur à faisceau bas est immédiatement rétabli, à un niveau d'émission de lumière qui respecte les normes de distribution d'intensité lumineuse, de sorte que la sécurité de déplacement peut être obtenue. En outre, conformément à un ou plusieurs modes de réalisation de la présente invention, selon un second aspect de l'invention, l'unité d'établissement de valeur d'instruction de quantité de lumière peut être munie d'un circuit de charge destiné à, lorsque des informations donnant pour instruction d'affaiblir la source de lumière à semiconducteur à faisceau bas sont reçues, accumuler des charges dans un condensateur, conformément à une constante de temps de charge, en considérant, en tant que tension dans l'état complètement chargé, une tension qui concorde avec le niveau d'émission de lumière qui respecte les nonnes de distribution d'intensité lumineuse, d'un circuit de décharge destiné à, lorsque des informations donnant pour instruction d'affaiblir la source de lumière à semiconducteur à faisceau bas sont annulées, décharger, conformément à la constante de temps de décharge, des charges accumulées dans le condensateur dans le circuit de charge, d'un circuit de commande de charge/décharge destiné à, lors de la réception d'informations indiquant que la source de lumière à faisceau haut a été activée, bloquer le circuit de charge et générer, en tant que tension pour l'état actif de la source de lumière à faisceau haut, une tension de faisceau haut qui est supérieure à la tension dans l'état complètement chargé, et destiné à, lors de la réception d'informations indiquant que la source de lumière à faisceau haut a été désactivée, libérer, couper le circuit de charge, et d'un circuit de génération de valeur d'instruction de quantité de lumière destiné à générer la première valeur d'instruction de quantité de lumière ou la troisième valeur d'instruction de quantité de lumière en réponse aux charges accumulées dans le condensateur, et destiné à générer la seconde valeur d'instruction de quantité de lumière en réponse à la tension de faisceau haut. (Avantage) Lorsque les informations donnant pour instruction d'affaiblir la source de lumière à semiconducteur à faisceau bas sont reçues, les charges sont accumulées dans le condensateur, conformément à la constante de temps de charge, en employant, en tant que tension lors d'un état complètement chargé, une tension qui concorde avec le niveau d'émission de lumière qui respecte les normes de distribution d'intensité lumineuse. Et la première valeur d'instruction de quantité de lumière est générée en réponse aux charges accumulées dans le condensateur. En outre, lorsque les informations donnant pour instruction d'affaiblir la source de lumière à semiconducteur à faisceau bas sont annulées, les charges accumulées dans le condensateur sont déchargées, conformément à la constante de temps de décharge. D'autre part, lorsque les informations indiquant que la source de lumière à faisceau haut a été activée sont reçues, le circuit de charge est bloqué, et une tension à faisceau haut, qui est supérieure à la tension dans l'état complètement chargé, est générée en tant que tension dans l'état actif d'un faisceau haut. Et la seconde valeur d'instruction de quantité de lumière est générée en réponse à la tension de faisceau haut. Lorsque des informations indiquant que la source de lumière à faisceau haut à été coupée sont reçues, la coupure du circuit de charge est libérée, et la troisième valeur d'instruction de quantité de lumière est générée en réponse aux charges accumulées dans le condensateur, et la troisième valeur d'instruction de quantité de lumière est déterminée conformément à la charge accumulée dans le condensateur. Lorsque le condensateur est complètement déchargé, et lorsque la source de lumière à semiconducteur à faisceau bas est activée conformément à la troisième valeur d'instruction de quantité de lumière, la source de lumière à semiconducteur à faisceau bas est complètement éclairée. C'est-à-dire que la troisième valeur d'instruction de quantité de lumière est amenée à varier, en fonction de la durée de la période d'éclairage pour la source de lumière à faisceau haut, et lorsque la période d'éclairage de la source de lumière à faisceau haut est longue, la charge accumulée dans le condensateur est complètement déchargée, et la source de lumière à semiconducteur à faisceau bas est rétablie dans l'état totalement éclairé. Même dans le cas où la période d'éclairage pour la source de lumière à faisceau haut est courte, lorsque la source de lumière à faisceau haut est mise sous tension, le circuit de charge du condensateur est bloqué, de sorte que la charge du condensateur est interrompue, et que la tension sur le condensateur est plus faible que la tension dans l'état complètement chargé. Ainsi, lorsque la source de lumière à faisceau haut est mise hors tension et que la source de lumière à semiconducteur à faisceau bas est mise sous tension, conformément à la tension dans le condensateur, la source de lumière à semiconducteur à faisceau bas peut être éclairée immédiatement au niveau d'émission de lumière qui respecte les normes de distribution d'intensité lumineuse. Comme cela est évident d'après l'explication qui précède, conformément au dispositif de commande d'éclairage du premier aspect, la sécurité de conduite est assurée, et de l'énergie peut être économisée. Conformément à un second aspect, les valeurs d'instruction de quantité 10 de lumière peuvent être générées en utilisant une structure de circuit simple et une réduction des coûts est obtenue. D'autres aspects et avantages de l'invention seront évidents d'après la description qui suit et les revendications annexées. L'invention sera bien comprise et ses avantages seront mieux compris à 15 la lecture de la description détaillée qui suit. La description se rapporte aux dessins indiqués ci après et qui sont donnés à titre d'exemples. La figure 1 est un schéma représentant la configuration de circuit d'un dispositif de commande d'éclairage pour une lampe de véhicule, conformément à un premier mode de réalisation d'exemple de la présente invention. La figure 2 est un schéma représentant la structure de circuit d'un circuit de commande. Les figures 3(a) à 3(f) sont des schémas de formes d'onde destinés à expliquer le fonctionnement du circuit de commande. La figure 4 est un schéma représentant la configuration de circuit d'un dispositif de commande d'éclairage, pour une lampe de véhicule, conformément à un second mode de réalisation d'exemple de la présente invention. Des modes de réalisation d'exemple de l'invention seront décrits en faisant référence aux dessins annexés. La figure 1 est un schéma représentant la configuration de circuit d'un dispositif de commande d'éclairage pour une lampe de véhicule, conforme à un premier mode de réalisation d'exemple de la présente invention. La figure 2 est un schéma représentant la structure de circuit d'un circuit de commande, et les figures 3(a) à 3(f) sont des schémas de formes d'onde destinés à expliquer le fonctionnement du circuit de commande. La figure 4 est un schéma représentant la configuration de circuit d'un dispositif de commande d'éclairage, pour une lampe de véhicule, conforme à un second mode de réalisation d'exemple de l'invention. Tout en faisant référence à ces schémas, un dispositif de commande d'éclairage 10, destiné à une lampe de véhicule, comprend: un régulateur de commutation 12 et un circuit de commande d'affaiblissement 14, en tant que composants d'une lampe de véhicule (dispositif d'émission de lumière), et une diode LED 16 qui est connectée en tant que charge au régulateur de commutation 12. La diode LED 16, une source de lumière à semiconducteur à faisceau bas constituée d'un dispositif d'émission de lumière à semiconducteur, est connectée en parallèle au côté sortie du régulateur de commutation 12, et est stockée dans une chambre de lampe, avec une lampe halogène 17 qui sert de source de lumière à faisceau haut pour un phare de véhicule. Une pluralité de diodes LED 16 connectées en série, ou une pluralité de diodes LED 16 connectées en parallèle, peuvent être utilisées. En outre, les diodes LED 16 peuvent être fournies en tant que sources de lumière pour divers types de lampes de véhicule, telles que des feux stop, des feux arrière, des feux de brouillard et des feux clignotants. Le régulateur de commutation 12 comprend: un transformateur Tl, un condensateur Cl, un transistor NMOS 18, un circuit de commande 20, une diode Dl et des condensateurs C2 et C3 ainsi que des résistances de dérivation Ri et R2. Le condensateur Cl est connecté en parallèle au côté primaire du transformateur T1 et le transistor NMOS 18 est connecté en série. Une extrémité du condensateur Cl est connectée à la borne positive de la batterie montée sur le véhicule 24, par l'intermédiaire d'une borne d'entrée d'alimentation 22, alors que l'autre extrémité est connectée à la borne négative de la batterie montée dans le véhicule 24, par l'intermédiaire d'une borne d'entrée d'alimentation 26, et est également mise à la masse. Le drain du transistor NMOS 18 est connecté au côté primaire du transformateur Ti, la source est mise à la masse, et la grille est connecté au circuit de commande 20. Le condensateur C2 est connecté en parallèle au côté secondaire du transformateur Tl, par l'intermédiaire de la diode Dl et une j onction de la diode Dl et du condensateur C2 est connectée à l'anode de la diode LED 16 par l'intermédiaire d'une borne de sortie 28. Une extrémité du transformateur T1, sur le côté secondaire, est mise à la masse avec une extrémité du condensateur C2, et est également connectée à la cathode de la diode LED 16, par l'intermédiaire de la résistance de dérivation R1 et d'une borne de sortie 30. Le condensateur C3 est connecté en série à la borne de sortie 30, par l'intermédiaire de la résistance de dérivation R2, et la jonction de la résistance de dérivation R2 ainsi que le condensateur C3 est reliée au circuit de commande 20 par l'intermédiaire de la borne de détection de courant 32. C'est-à-dire que le courant qui circule au travers de la diode LED 16 est détecté par la résistance de dérivation R1, le condensateur C3 est chargé par une tension appliquée aux deux extrémités de la résistance de dérivation R1, et la tension appliquée aux deux extrémités du condensateur C3 effectue une rétroaction vers le circuit de commande 20 en tant que courant détecté pour la diode LED 16. Le transistor NMOS 18 sert de dispositif de commutation qui est mis sous tension ou mis hors tension en réponse à un signal tout ou rien (un signal de commutation) qui est fourni en sortie par le circuit de commande 20. Lorsque le transistor NMOS 18 est rendu conducteur, une tension appliquée par la batterie montée sur le véhicule (la source d'alimentation continue) 24 est accumulée en tant qu'énergie électromagnétique dans le transformateur T1, et lorsque le transistor NMOS 18 est rendu non conducteur, l'énergie électromagnétique accumulée dans le transformateur Tl est déchargée du côté secondaire du transformateur Tl, par l'intermédiaire de la diode Dl, à la diode LED 16. C'est-à-dire que le régulateur de commutation 12 sert d'unité d'alimentation en énergie, pour convertir, en énergie électromagnétique, une tension appliquée par la batterie montée sur le véhicule 24, et pour appliquer l'énergie électromagnétique à la diode LED 16. Dans ce cas, le régulateur de commutation 12 compare la tension à la borne de détection du courant 32 avec une tension régulée, et commande la tension de sortie conformément aux résultats de comparaison. En particulier, comme cela est représenté sur la figure 2, le circuit de commande 20 qui commande la tension de sortie du régulateur de commutation 12 comprend: un comparateur 34, un amplificateur d'erreur 36, un générateur d'onde en dents de scie 38, une source d'alimentation pour une tension de référence 40, des résistances R3, R4 et R5, et un condensateur C4. Une borne de sortie 42 du comparateur 34 est connectée à la grille du transistor NMOS 18, et une borne d'entrée 44 connectée à une extrémité de la résistance R3 est connectée à la borne de détection de courant 32. On devra noter qu'un préamplificateur peut être situé entre la borne de sortie 42 et le transistor NMOS 18. Une tension de rétroaction provenant de la borne de détection de courant 32 est appliquée à la borne d'entrée 44 et est divisée par les résistances R3 et R4, et une tension obtenue par une division de tension est appliquée à la borne d'entrée négative de l'amplificateur d'erreur 36. L'amplificateur d'erreur 36 considère en tant que valeur de seuil Vth une tension qui concorde avec une différence entre la tension appliquée à la borne d'entrée négative et la tension de référence 40, et fournit en sortie cette valeur Vth à la borne d'entrée positive du comparateur 34. Le comparateur 34 reçoit une tension en dents de scie Vs, provenant du générateur d'onde en dents de scie 38, à la borne d'entrée négative, et compare la tension en dents de scie Vs à la valeur de seuil Vth et fournit en sortie un signal tout ou rien concordant avec les résultats de comparaison de la grille du transistor NMOS 18. Lorsque par exemple, le niveau de la valeur de seuil Vth est situé à la moitié de la tension en dents de scie Vs, comme cela est représenté sur les figures 3A et 3B, le comparateur 34 fournit en sortie un signal tout ou rien ayant un rapport cyclique proche de 50 %. Et lorsque le niveau de la tension qui a effectué une rétroaction depuis la borne de détection de courant 32 est inférieur à la tension de référence 40 lorsque la tension fournie en sortie par le régulateur de commutation 12 chute, le niveau de la valeur de seuil Vth fournie en sortie par l'amplificateur d'erreur 36 est augmenté, et, comme cela est représenté sur les figures 3C et 3D, le comparateur 34 fournit en sortie un signal tout ou rien ayant un rapport cyclique supérieur à 50 %. Il en résulte que la tension de sortie du régulateur de commutation 12 est augmentée. D'autre part, lorsque le niveau de la tension qui a effectué une rétroaction depuis la borne de détection de courant 32 est supérieur à la tension de référence 40 lorsque la tension fournie en sortie par le régulateur de commutation 12 est augmentée, et lorsque le niveau de la valeur de seuil Vth fournie en sortie par l'amplificateur d'erreur 36 est réduit, comme cela est représenté sur les figures 3E et 3F, le comparateur 34 fournit en sortie un signal tout ou rien ayant un rapport cyclique inférieur à 50 %, et il en résulte que la tension de sortie du régulateur de commutation 12 est abaissée. On devra noter qu'un générateur d'onde triangulaire destiné à générer une onde triangulaire (un signal d'onde triangulaire), peut être utilisé à la place du générateur d'onde en dents de scie 38. Le circuit de commande d'affaiblissement 14 sert d'unité d'établissement de valeur d'instruction de quantité de lumière, pour établir une valeur d'instruction de quantité de lumière conforme au contenu des informations d'entrée se rapportant à l'activation d'une source de lumière, et destiné à fournir en sortie la valeur d'instruction de quantité de lumière au régulateur de 2889130 10 commutation 12. Lorsqu'un signal à un bas niveau est appliqué en entrée à la borne d'entrée 46 en tant qu'informations se rapportant à l'activation de la source de lumière pour la lampe de véhicule, telles que des informations qui donnent pour instruction l'affaiblissement de la diode LED 16, une source de lumière à semiconducteur à faisceau bas, et qui indiquent qu'un véhicule se déplace à une vitesse inférieure à une valeur nominale, le circuit de commande d'affaiblissement 14, en réponse à ce signal, fournit en sortie un courant source Il en tant que première valeur d'instruction de quantité de lumière à la borne de détection de courant 32. La borne d'entrée 46 est connectée au collecteur par l'intermédiaire d'un transistor à collecteur ouvert du côté véhicule 48 par l'intermédiaire d'un câble ou d'un faisceau, et le transistor à collecteur ouvert du côté véhicule 48 est rendu conducteur en réponse à un signal (un signal à un niveau haut) pour affaiblir la diode LED 16, ou est rendu non conducteur dans tous les autres cas. Lorsque le transistor à collecteur ouvert du côté véhicule 48 est rendu conducteur, il est déterminé qu'un signal à un bas niveau a été transmis à la borne d'entrée 46 en tant qu'informations pour donner comme instruction l'affaiblissement de la diode LED 16, et le courant source Il, depuis le circuit d'affaiblissement 14, est fourni à la borne de détection de courant 32. Comme cela est représenté sur la figure 1, le circuit de commande d'affaiblissement 14 comprend un transistor PNP 50, un amplificateur opérationnel 52, des résistances R6, R7, R8, R9 et R10, un condensateur C5 et une diode D2. La base du transistor PNP 50 est connectée, par l'intermédiaire de la résistance R6, à la borne d'entrée 46, l'émetteur est connecté à une source d'alimentation VCC et le collecteur est connecté, par l'intermédiaire de la résistance R8, à la borne d'entrée positive de l'amplificateur opérationnel 52, le condensateur C5 et la résistance R9. Lorsque le niveau à la borne d'entrée 46 diminue, afin d'affaiblir la diode LED 16, le transistor PNP 50 est rendu conducteur, et dans l'autre cas, c'est-à-dire lorsque le niveau à la borne d'entrée 46 est augmenté, l'état non conducteur du transistor PNP 50 est maintenu. Lorsque le transistor PNP 50 est rendu conducteur, un courant de charge, provenant de la source d'alimentation VCC, est fourni par l'intermédiaire de la résistance R8 au condensateur C5, afin d'accumuler une charge dans le condensateur C5. C'est-à-dire que le transistor PNP 50, la résistance R8 et le condensateur C5 constituent un circuit de charge. Dans ce cas, une constante de temps de charge, définie par la résistance R8 et le condensateur C5 est établie par exemple, à dix secondes ou plus. C'est-àdire qu'il est établi pour une période telle que le conducteur ne s'aperçoit toujours pas d'un changement de la quantité de lumière de la diode LED 16. Lorsque le niveau bas à la borne d'entrée 46 est inversé, à l'état haut, le transistor PNP 50 est rendu non conducteur, et la charge accumulée par le condensateur C5 est déchargée par l'intermédiaire de la résistance R9. C'est-à-dire que le condenseur C5 et la résistance R9 constituent un circuit à décharge, et une constante de temps de décharge, définie par le condensateur C5 et la résistance R9, est établie à dix secondes ou plus, tout comme l'est la constante de temps de charge pour le circuit de charge. L'amplificateur opérationnel 52 sert de suiveur de tension, dont la sortie effectue une rétroaction vers la borne d'entrée négative par l'intermédiaire de la diode D2, et fournit en sortie à la borne de détection de courant 32 le courant source Il, qui concorde avec la tension aux deux extrémités du condensateur C5. Lorsqu'un courant source de 0 est équivalent à un niveau totalementéclairé de 100 %, ce courant source Il est équivalent au niveau d'un taux d'affaiblissement égal à 30 %, ce qui correspond à 70 % du niveau totalement éclairé. Cette valeur respecte le niveau d'émission de lumière qui respecte, à son tour, les normes de distribution d'intensité lumineuse, telles que les normes de distribution d'intensité lumineuse qui sont établies par la loi. Dans ce cas, pendant le processus de modification de la tension aux deux extrémités du condensateur C5, le courant source Il est soit progressivement augmenté, soit progressivement diminué, conformément à la constante de temps de charge ou à la constante de temps de décharge. Lorsque le courant source qui circule au niveau de la borne de détection de courant 32 est nul, le régulateur de commutation 12 commute la diode LED 16 à l'état totalement conducteur (éclairage à 100 %). Et lorsque le courant source devant être appliqué à la borne de détection de courant 32 est augmenté d'une valeur nulle au courant source Il, la tension aux deux extrémités du condensateur C3 est progressivement augmentée conformément à la constante de temps de charge. A cet instant, conformément à l'augmentation du courant source I1, le circuit de commande 20 réduit progressivement le courant qui circule au travers de la résistance de dérivation RI, afin de fixer la tension à la borne de détection de courant 32. De ce fait, l'état totalement éclairé de la diode LED 16 passe progressivement à un état éclairé à 70 %. C'est-à-dire que la diode LED 16 est affaiblie alors que la quantité de lumière est progressivement modifiée de l'état totalement éclairé à un état éclairé à 70 %. A cet instant, il se produit, pour la diode LED 16, un changement de quantité de lumière d'environ 30 % en dix secondes. D'autre part, lorsque l'instruction d'affaiblissement de la diode LED 16 est annulée et que le transistor PNP 50 est rendu non conducteur, la charge accumulée dans le condensateur C 1 est progressivement déchargée, et le courant source Il est progressivement réduit. Alors, la diode LED 16 passe progressivement d'un état affaibli à 70 % à l'état totalement éclairé. Dans ce cas également, il se produit, pour la diode LED 16, un changement de quantité de lumière d'environ 30 % en dix secondes. Comme cela est décrit ci-dessus, conformément à ce mode de réalisation d'exemple, la quantité de lumière de la diode LED 16 est progressivement modifiée pour affaiblir la diode LED 16. Ainsi, lorsque la quantité de lumière de la diode LED 16 est modifiée, un conducteur ne peut pas se sentir gêné ou ressentir une sensation d'aveuglement, une conduire sûre est assurée, et de l'énergie peut être économisée. Un second mode de réalisation de la présente invention sera à présent expliqué tout en faisant référence à la figure 4. Conformément à ce mode de réalisation d'exemple, un circuit de commande d'affaiblissement 54 est utilisé à la place du circuit de commande d'affaiblissement 14, et l'éclairage de la diode LED 16 est commandé conformément à l'état de la lampe halogène 17, qui est une source de lumière à faisceau haut. Le reste de la configuration est identique à celui représenté sur la figure 1. Le circuit de commande d'affaiblissement 54 sert d'unité d'établissement de valeur d'instruction de quantité de lumière, destinée à établir trois valeurs d'instruction de quantité de lumière conformément au contenu des informations se rapportant à l'éclairage des sources de lumière, telles que la source de lumière à semiconducteur à faisceau bas et la source de lumière à faisceau haut, et pour fournir en sortie ces valeurs d'instruction de quantité de lumière à un régulateur de commutation 12. Lorsqu'un signal à un niveau bas est appliqué en entrée à la borne d'entrée 56 en tant qu'informations se rapportant à l'éclairage de la source de lumière telles que des informations qui donnent pour instruction l'affaiblissement de la diode LED 16, qui est une source de lumière à semiconducteur à faisceau bas, et qui indiquent qu'un véhicule se déplace à une vitesse plus lente qu'une vitesse nominale, le circuit de commande d'affaiblissement 54 fournit en sortie à une borne de détection de courant 32 un courant source Il, qui est une première valeur d'instruction, afin d'affaiblir progressivement la diode LED 16 jusqu'à ce qu'un niveau d'émission de lumière soit atteint, lequel respecte les normes de distribution d'intensité lumineuse pour l'affaiblissement de la diode LED 16 par exemple, les normes de distribution d'intensité lumineuse établies par la loi. En outre, lorsqu'un signal à un niveau haut est appliqué en entrée à la borne d'entrée 58 en tant qu'informations indiquant qu'une source de lumière à faisceau haut (la lampe halogène 17) doit être mise sous tension, le circuit de commande d'affaiblissement 54 fournit en sortie, à la borne de détection de courant 32, un courant source I2, qui est une seconde valeur d'instruction de quantité de lumière, à la place de la première valeur d'instruction de quantité de lumière, afin d'affaiblir la diode LED jusqu'à ce qu'on atteigne un niveau d'émission de lumière qui est inférieur à celui pour la première valeur d'instruction de quantité de lumière. En outre, lorsque la seconde valeur d'instruction de quantité de lumière a été établie, et qu'un signal à un niveau bas est appliqué en entrée à la borne d'entrée 58 en tant qu'informations indiquant que la source de lumière à faisceau haut (la lampe halogène 17) a été mise hors tension, le circuit de commande d'affaiblissement 54 annule la seconde valeur d'instruction de quantité de lumière et fournit en sortie à la borne de détection de courant 32 un courant source 13, qui est une troisième valeur d'instruction de quantité de lumière, afin de mettre sous tension immédiatement la diode LED 16 au niveau d'émission de lumière qui respecte les normes de distribution d'intensité lumineuse. En particulier, le circuit de commande d'affaiblissement 54 comprend: des circuits de traitement de signaux 60 et 62, un transistor NPN 64, un transistor PNP 66, un transistor NPN 68, un amplificateur opérationnel 70, des résistances RI1, R12, R13, R14, R15, R16, R17, R18, R19, R20, R21 et R22, un condensateur C6 et une diode D3, et les bornes d'entrée des circuits de traitement de signaux 60 et 62 sont connectées aux bornes d'entrée 56 et 58. Indépendamment du fait qu'un décalage d'environ 1 V se produise au niveau de la borne d'entrée 56, le circuit de traitement de signal 60 élimine un effet produit par un potentiel de masse, en réponse à une tension appliquée à la borne d'entrée 56. Lorsqu'un signal à un niveau bas est appliqué en entrée à la borne d'entrée 56, le circuit de traitement de signal 60 fournit en sortie ce signal par l'intermédiaire de la résistance R11 à la base du transistor PNP 66. 2889130 14 L'émetteur du transistor PNP 66 est connecté à la tension Vref, la base est connectée par l'intermédiaire de la résistance R11 au circuit de traitement de signal 60, et le collecteur est connecté par l'intermédiaire de la résistance R17 à la borne d'entrée positive de l'amplificateur opérationnel 70, le condensateur C6 et à la résistance R18. Lorsqu'un signal à un niveau bas est reçu par la borne d'entrée 56, le transistor PNP 66 est rendu conducteur, et lorsque le transistor NPN 64 est rendu conducteur, le transistor PNP 66 est également rendu également conducteur indépendamment du niveau à la borne d'entrée 56. Lorsque le transistor NPN 64 est rendu non conducteur, et lorsque le niveau à la borne d'entrée 56 passe à l'état haut, le transistor PNP 66 est rendu non conducteur. Lorsque le transistor PNP 66 est rendu conducteur dans les conditions dans lesquelles le transistor NPN 68 est conducteur, le courant de charge est fourni par la tension Vref, par l'intermédiaire de la résistance R17 afin de charger le condensateur C6. La constante de temps de charge, définie par la résistance R17 et le condensateur C6, est établie à dix secondes ou plus, ce qui représente une période telle que le conducteur ne s'aperçoit toujours pas qu'il y a eu un changement dans la quantité de lumière de la diode LED 16. Dans ce cas, le transistor PNP 66, le transistor NPN 68, la résistance R17 et le condensateur C6 constituent un circuit de charge. D'autre part, lorsque le transistor PNP 66 est rendu non conducteur, indépendamment des conditions pour rendre conducteur ou non conducteur le transistor NPN 68, la charge accumulée dans le condensateur C6 est déchargée par l'intermédiaire de la résistance R18. Tout comme la constante de temps de charge, une constante de temps de décharge définie par le condensateur C6 et la résistance R18, est établie à dix secondes ou plus. Pendant le processus de charge/décharge exécuté en utilisant le condensateur C6 en tant que base, une tension appliquée aux deux extrémités du condensateur C6 est progressivement modifiée, conformément à la constante de temps de charge ou à la constante de temps de décharge. Lorsque la tension aux deux extrémités du condensateur C6 est modifiée, la tension au niveau de la borne positive de l'amplificateur opérationnel 70 est également modifiée. L'amplificateur opérationnel 70 sert de suiveur de tension, dont la sortie doit effectuer une rétroaction, par l'intermédiaire de la diode D3, à la borne d'entrée négative, et fournit en sortie à la borne de détection de courant 32 un courant source conformément à la tension appliquée à la borne d'entrée positive. Par exemple, lorsque le transistor PNP 66 est rendu conducteur et qu'un courant de charge est fourni au condensateur C6, le courant source Il, dont la valeur est progressivement augmentée, est fourni à la borne de détection de courant 32 conformément à la charge (la tension aux deux extrémités du condensateur C6) accumulée par le condensateur C6. La tension lorsque le condensateur C6 est totalement chargé est établie de sorte qu'elle respecte le niveau d'émission de lumière qui respecte, à son tour les normes de distribution d'intensité lumineuse pour affaiblir la diode LED 16, telles que les normes de distribution d'intensité lumineuse établies par la loi. Par exemple, cette tension est établie en corrélation avec l'éclairage, à 70 % du niveau totalement éclairé, de la diode LED 16 à un taux d'affaiblissement égal à 30 %. En particulier, lorsque le courant source de 0 est équivalent à l'état totalement éclairé de 100 %, le courant source Il est équivalent au niveau du taux d'affaiblissement égal à 30 %, et est établi à un niveau correspondant à 70 % de l'état totalement éclairé. Pendant le processus grâce auquel la tension aux deux extrémités du condensateur C6 est modifiée, le courant source Il est progressivement augmenté ou progressivement diminué conformément à la constante de temps de charge ou à la constante de temps de décharge. Dans ce cas, l'amplificateur opérationnel 70, la diode D3 et la résistance R22 constituent un circuit de génération de valeur d'instruction de quantité de lumière qui, en réponse à la charge accumulée dans le condensateur C6, génère le courant source Il en tant que première valeur d'instruction de quantité de lumière. Lorsque le courant source de 0 devant être appliqué à la borne de détection de courant 32 a été augmenté de 0 au courant source Il, et lorsque le courant source I l est progressivement augmenté, la tension aux deux extrémités du condensateur C3 est progressivement augmentée. A cet instant, conformément à l'augmentation du courant source Il, le circuit de commande 20 réduit un courant qui circule au travers de la résistance de dérivation RI afin de fixer la tension à la borne de détection de courant 32. Ainsi, la diode LED 16 est progressivement décalée d'un état totalement éclairé à l'état éclairé à 70 %. Dans ce cas, il existe, pour la diode LED 16, un changement de quantité de lumière d'environ 30 % en dix secondes. D'autre part, le circuit de traitement de signal 62 est connecté à la borne 35 d'entrée 58 et également connecté à la lampe halogène 17 et à un transistor NMOS 72. Une grille du transistor NMOS 72 est connectée à un commutateur de circuit d'attaque de faisceau haut (non représenté) par l'intermédiaire d'une borne 74, et le drain est connecté à une borne plus (+B) de la batterie montée sur un véhicule 24. Lorsque le commutateur de circuit d'attaque de faisceau haut est mis sous tension par le circuit d'attaque, le transistor NMOS 72 est rendu conducteur, la lampe à halogène à faisceau haut 17 est mise sous tension et le niveau à la borne d'entrée 58 passe à l'état haut. Lorsqu'un signal à un niveau haut est alors appliqué en entrée à la borne d'entrée 58, en tant qu'informations indiquant que la lampe halogène à faisceau haut 17 a été mise sous tension, le circuit de traitement de signal 62 fournit en sortie un signal de niveau bas au transistor NPN 68 et un signal de niveau haut au transistor NPN 64. C'est-à-dire que lorsque la lampe halogène à faisceau haut 17 est mise sous tension, le transistor NPN 64 est rendu conducteur, le transistor PNP 68 est rendu conducteur de manière forcée et le transistor NPN 68 est rendu non conducteur, indépendamment du niveau de la borne d'entrée 56. Lorsque le transistor NPN 68 est rendu non conducteur, le circuit de charge destiné à accumuler une charge dans le condensateur C6 est bloqué, et une tension Vref est générée en tant que tension de faisceau haut, qui est supérieure à une tension dans l'état totalement chargé du condensateur C6 et est appliquée à la borne d'entrée positive de l'amplificateur opérationnel 70. Lorsque, à la place de la première valeur d'instruction de quantité de lumière, la tension de faisceau haut Vref est appliquée à la borne d'entrée positive de l'amplificateur opérationnel 70, le courant source I2 est fourni en tant que seconde valeur d'instruction afin d'affaiblir la diode LED 16 à un niveau d'émission de lumière qui est inférieur à celui pour la première valeur d'instruction de quantité de lumière. Le courant source I2 est établi par exemple, en corrélation avec le taux d'affaiblissement égal à 50 %. De ce fait, lorsque le courant source I2 est fourni à la borne de détection de courant 32, la tension aux deux extrémités du condensateur C3 est augmentée, tout comme l'augmentation du courant source I2 à la borne de détection de courant 32. A cet instant, conformément à l'augmentation du courant source 12, le circuit de commande 20 réduit un courant qui circule au travers de la résistance de dérivation R1 afin de fixer la tension à la borne de détection de courant 32. De ce fait, la diode LED 16 est mise sous tension dans l'état éclairé à 50 %. Dans ce cas, comme la lampe halogène à faisceau haut 17 est éclairée, même lorsque la diode LED 16, qui est une source de lumière à semiconducteur à faisceau bas, est affaiblie, la distribution d'intensité lumineuse peut être satisfaite par l'éclairage des deux lampes. Lorsqu'un signal à un niveau bas est appliqué en entrée à la borne d'entrée 58 en tant qu'informations indiquant que la lampe halogène à faisceau haut 17 a été mise hors tension, le circuit de traitement du signal 62 fournit en sortie un signal de niveau haut au transistor NPN 68 et un signal de niveau bas au transistor NPN 64. C'est-à-dire que lorsque la lampe halogène à faisceau haut 17 est modifiée de l'état conducteur à l'état non conducteur, le transistor NPN 68 est rendu conducteur et le transistor NPN 64 est rendu non conducteur. Et lorsque le transistor NPN 68 est rendu conducteur, le blocage du circuit de charge, utilisé pour accumuler une charge dans le condensateur C6, est libéré. Dans ce cas, le transistor NPN 68, le transistor PNP 66 et les résistances R17, R18, R19, R20 et R21 constituent un circuit de commande de charge/décharge. En supposant un cas dans lequel l'état éclairé de la seule diode LED 16 est rétabli lorsque la lampe halogène à faisceau haut 17 a été modifiée de l'état conducteur à l'état non conducteur. Dans ce cas, lorsque l'état dans lequel le niveau éclairé de la diode LED 16 de 50 % est rétabli, le taux d'affaiblissement est supérieur à 30 %, de sorte que les normes de distribution d'intensité lumineuse ne sont pas satisfaites. De ce fait, dans ce mode de réalisation d'exemple, lorsque la lampe halogène à faisceau haut 17 est mise hors tension, l'amplificateur opérationnel 70 fournit à la borne d'alimentation en courant 32 un courant source 13, en tant que troisième valeur d'instruction de quantité de lumière, afin d'éclairer immédiatement la diode LED 16 à un niveau d'émission de lumière qui respecte les normes de distribution d'intensité lumineuse par exemple, dans des conditions dans lesquelles le taux d'affaiblissement est inférieur à 30 %. En particulier, lorsque la lampe halogène à faisceau haut 17 est éclairée, le transistor NPN 68 est rendu non conducteur, le circuit de charge pour accumuler une charge dans le condensateur C6 est bloqué et une nouvelle charge n'est pas accumulée dans le condensateur C6. Et lorsque la lampe halogène à faisceau haut 17 est éclairée pendant un intervalle de temps prolongé, la charge accumulée dans le condensateur C6 est déchargée par l'intermédiaire de la résistance R18. De ce fait, lorsque la lampe à halogène à faisceau haut 17 est modifiée de l'état conducteur à l'état non conducteur, la tension aux deux extrémités du condensateur C6 est proche de 0 V, et comme un courant qui est pratiquement nul est établi en tant que courant source I3, l'état totalement éclairé de la diode LED 16 peut être immédiatement rétabli. Lorsqu'une période d'éclairage pour la lampe à halogène à faisceau haut 17 est courte et qu'une charge est accumulée dans le condensateur C6, la tension aux deux extrémités du condensateur C6 est également plus faible que la tension dans l'état totalement chargé. De ce fait, à un taux d'affaiblissement inférieur à 30 %, l'état affaibli de la diode LED 16 peut être immédiatement rétabli. De ce fait, même lorsque la lampe à halogène à faisceau haut 17 est basculée de l'état conducteur à l'état non conducteur, la diode LED 16 peut être immédiatement éclairée au niveau d'émission de lumière qui respecte les normes de distribution d'intensité lumineuse établies par la loi, et une conduite sûre est assurée. Conformément aux modes de réalisation d'exemple, la diode LED 16 est progressivement décalée de l'état totalement éclairé à un état affaibli à 70 %. Ainsi, lorsque la quantité de lumière de la diode LED 16 est modifiée conformément à l'affaiblissement de la diode LED 16, un conducteur ne ressent aucune gêne ni une sensation d'aveuglement en raison de ce changement, une conduire sûre est assurée et de l'énergie peut être économisée. En outre, lorsque la lampe à halogène à faisceau haut 17 est mise sous tension, la diode LED 16 est affaiblie en réduisant le niveau d'émission de lumière à 50 %, par rapport à l'état totalement éclairé. De ce fait, même lorsque le niveau éclairé de la diode LED 16 est à 50 %, les normes de distribution d'intensité lumineuse peuvent être satisfaites en éclairant la lampe à halogène à faisceau haut 17, et en raison de l'affaiblissement qui est réalisé, de l'énergie peut être économisée. En outre, lorsque la lampe à halogène à faisceau haut 17 est mise hors tension, la diode LED 16 est immédiatement mise sous tension au niveau d'émission de lumière qui satisfait les normes de distribution d'intensité lumineuse. Ainsi, même lorsque la lampe à halogène à faisceau haut 17 est inactive, une conduite sûre est assurée. Les effets décrits ci-dessus peuvent être obtenus par une structure de circuit simple nécessitant un petit nombre d'éléments, et une réduction du coût peut être obtenue. Il sera évident pour l'homme de l'art que diverses modifications et variations peuvent être apportées aux modes de réalisation décrits de la présente invention sans s'écarter de l'esprit ni de la portée de l'invention. Ainsi, il est entendu que la présente invention couvre la totalité des modifications et des variations de cette invention cohérentes avec la portée des revendications annexées et de leurs équivalents. REVENDICATIONS 1. Dispositif de commande d'éclairage (10) pour une lampe de véhicule (17) comprenant: une unité d'établissement de valeur d'instruction de quantité de lumière qui reçoit des informations se rapportant à un éclairage d'une source de lumière et établit une valeur d'instruction de quantité de lumière sur la base des informations, une unité d'alimentation en énergie qui fournit une tension reçue d'une source d'alimentation à une source de lumière à semiconducteur à faisceau bas conformément à la valeur d'instruction de quantité de lumière, lorsque l'unité d'établissement de valeur d'instruction de quantité de lumière reçoit des informations donnant pour instruction un affaiblissement de la source de lumière à semiconducteur à faisceau bas, l'unité d'établissement d'instruction de valeur de quantité de lumière établit une première valeur d'instruction de quantité de lumière, de sorte que la quantité de lumière de la source de lumière à semiconducteur à faisceau bas est progressivement réduite à un premier niveau d'émission de lumière pour l'éclairage réduit de la source de lumière à semiconducteur à faisceau bas, lorsque l'unité d'établissement de valeur d'instruction de quantité de lumière reçoit des informations indiquant qu'une source de lumière à faisceau haut est mise sous tension, l'unité d'établissement de valeur d'instruction de quantité de lumière établit une seconde valeur d'instruction de quantité de lumière, de sorte que la quantité de lumière de la source de lumière à semiconducteur à faisceau bas est réduite à un second niveau d'émission de lumière inférieur au premier niveau d'émission de lumière, et lorsque l'unité d'établissement de valeur d'instruction de quantité de lumière reçoit des informations indiquant que la source de lumière à faisceau haut est mise hors tension après que la seconde valeur d'instruction de quantité de lumière est établie, l'unité d'établissement de valeur d'instruction de quantité de lumière annule la seconde valeur d'instruction de quantité de lumière et établit une troisième valeur d'instruction de quantité de lumière, de sorte que la source de lumière à semiconducteur à faisceau bas est immédiatement mise sous tension au premier niveau d'émission de lumière. 2. Dispositif de commande d'éclairage (10) selon la revendication 1, dans lequel l'unité d'établissement de valeur d'instruction de quantité de lumière comprend: un circuit de charge qui accumule des charges dans un condensateur (Cl à C5) conformément à une constante de temps de charge, en considérant une tension qui correspond au premier niveau d'émission de lumière en tant que tension dans l'état totalement chargé, lorsque l'unité d'établissement de valeur d'instruction de quantité de lumière reçoit les informations donnant pour instruction d'affaiblir la source de lumière à semiconducteur à faisceau bas, un circuit de décharge qui décharge les charges accumulées dans le condensateur conformément à la constante de temps de décharge, lorsque l'unité d'établissement de valeur d'instruction de quantité de lumière reçoit des informations donnant pour instruction d'annuler l'éclairage réduit de la source de lumière à semiconducteur à faisceau bas, un circuit de commande de charge/décharge qui bloque le circuit de charge et génère une tension de faisceau haut supérieure à la tension dans l'état totalement chargé, en tant que tension pour l'état conducteur de la source de lumière à faisceau haut, lorsque l'unité d'établissement de valeur d'instruction de quantité de lumière reçoit les informations indiquant que la source de lumière à faisceau haut est mise sous tension, et libère le blocage du circuit de charge lorsque l'unité d'établissement de valeur d'instruction de quantité de lumière reçoit les informations indiquant que la source de lumière à faisceau haut est mise hors tension, et un circuit de génération de valeur d'instruction de quantité de lumière qui génère la première valeur d'instruction de quantité de lumière ou la troisième valeur d'instruction de quantité de lumière en réponse aux charges accumulées dans le condensateur, et génère la seconde valeur d'instruction de quantité de lumière en réponse à une tension de faisceau haut.