FR 2891066 A1 20070323 FR 0605792 A 20060627 SYSTÈME ET PROCÉDÉ DE PHOTOLITHOGRAPHIE DANS LA FABRICATION DE SEMI-CONDUCTEURS La présente invention concerne de façon générale la fabrication de dispositifs à semi-conducteurs et, plus particulièrement, un procédé de photolithographie dans la fabrication de semi-conducteurs. Depuis les débuts de l'industrie des semi-conducteurs, la photolithographie est utilisée pour former les composants de circuits intégrés. En général, des faisceaux de lumière traversent un masque dont le motif a été dessiné à partir d'une image agrandie des circuits intégrés en question. Les faisceaux de lumière sont alors focalisés par une lentille de projection sur une plaquette, ce qui produit une image des circuits intégrés dans la couche de photoréserve de la plaquette. Entre autres facteurs, la résolution de l'image est liée à la longueur d'onde de rayonnement et à l'ouverture numérique du système optique. Plus précisément, il est souhaitable d'obtenir une combinaison d'une petite longueur d'onde et d'une grande ouverture numérique pour imprimer des circuits denses. Des améliorations sont souvent nécessaires pour s'adapter à la densité accrue des circuits intégrés. Certaines techniques de lithographie améliorées se sont concentrées sur la réduction de la longueur d'onde de rayonnement. En l'état actuel de l'art, les systèmes de lithographie utilisent une longueur d'onde de rayonnement de 193 nm pour produire des dispositifs à semi-conducteurs qui comprennent plus d'un demi-milliard de transistors par dispositif. Cependant, il n'est pas commode de continuer à réduire la longueur d'onde de rayonnement car les faisceaux de lumière ayant une longueur d'onde inférieure à 193 nm sont absorbés par les lentilles de projection qui transportent les faisceaux de lumière jusque sur la plaquette, au lieu de les traverser. C'est pourquoi, afin de poursuivre les progrès dans la fabrication de semi- conducteurs, il est souhaitable d'améliorer encore la lithographie, par exemple en augmentant l'ouverture numérique du système optique. Une telle technique de lithographie améliorée, qui permet une ouverture numérique supérieure du système optique, est la lithographie par immersion. Dans la lithographie par immersion (également connue sous le nom de lithographie humide), de l'eau est insérée entre la lentille de projection et la plaquette (au contraire, dans la lithographie sèche, on introduit de l'air entre la lentille de projection et la plaquette). Puisque l'eau a un indice de réfraction de 1,4, l'ouverture numérique du système optique obtenue est augmentée d'un facteur de 1,4. Par conséquent, la résolution d'image peut être sensiblement améliorée. Même si la lithographie par immersion fonctionne bien pour améliorer la résolution d'image pendant la fabrication de semi-conducteurs, plusieurs expositions restent souvent nécessaires pour parvenir à la performance globale et à l'uniformité de dimension critique (CD) requises par rapport à certains dispositifs à semi-conducteurs. Les coûts liés aux techniques de lithographie améliorées, comme la lithographie par immersion, peuvent par conséquent être prohibitifs, en particulier dans le cas d'expositions multiples. De nombreux aspects de la présente invention seront compris au mieux à la lecture de la description détaillée ci-après faite en référence aux figures annexées. Il est important de souligner que, conformément aux pratiques habituelles en vigueur dans l'industrie, divers éléments ne sont pas dessinés à l'échelle. En fait, les dimensions des divers éléments peuvent être à loisir agrandies ou réduites par souci de clarté de l'exposé. La figure 1 illustre un procédé de photolithographie permettant de mettre en oeuvre un ou plusieurs modes de réalisation de la présente invention. La figure 2 illustre un système de photolithographie permettant de mettre en oeuvre un ou plusieurs modes de réalisation de la présente invention. Les figures 3 à 6 illustrent des composants sélectionnés d'un système de photolithographie permettant de mettre en oeuvre un ou plusieurs modes de réalisation de la présente invention. Les figures 7a et 7b illustrent des motifs de photoréserve permettant de mettre en oeuvre un ou plusieurs modes de réalisation de la présente invention. Les figures 8a et 8b illustrent des motifs de photoréserve permettant de mettre en oeuvre un ou plusieurs modes de réalisation de la présente invention. La figure 9 illustre une plaquette permettant de mettre en oeuvre un ou plusieurs modes de réalisation de la présente invention. Il faut bien comprendre que la description ci-après propose de nombreux modes de réalisation, ou exemples, différents permettant de mettre en oeuvre différentes caractéristiques de l'invention. Des exemples spécifiques de composants 2891066 3 et d'agencements sont décrits ciaprès afin de simplifier la présente description. Bien entendu, il s'agit simplement d'exemples et ils ne sont pas censés être limitatifs. De plus, la présente description peut répéter des numéros et/ou des lettres de référence dans les divers exemples. Ces répétitions ont pour objectif la simplicité et la clarté et elles n'impliquent en soi aucune relation entre les divers modes de réalisation et/ou configurations exposés. En outre, la formation d'un premier élément sur ou au-dessus d'un deuxième élément dans la description qui suit peut couvrir des modes de réalisation dans lesquels les premier et deuxième éléments sont formés en contact direct, et peut également couvrir des modes de réalisation dans lesquels des éléments supplémentaires peuvent être formés en s'intercalant entre les premier et deuxième éléments d'une manière telle que les premier et deuxième éléments ne peuvent pas être en contact direct. Dans un mode de réalisation, la présente invention propose des expositions multiples sur une plaquette. Une ou plusieurs des expositions multiples sont exécutées selon un procédé lithographique de grande précision, telle une lithographie par immersion, tandis qu'une ou plusieurs autres expositions sont exécutées selon des procédés lithographiques de faible précision, telle une lithographie sèche. La séquence des expositions peut être différente dans différents modes de réalisation. Par exemple, une exposition de grande précision peut être effectuée en premier lieu, suivie d'une exposition de faible précision. Dans un autre exemple, l'ordre peut être inversé. Dans un troisième exemple, toutes les expositions peuvent être par immersion, certaines expositions ayant une précision supérieure à d'autres. De même, dans un autre mode de réalisation, toutes les expositions peuvent être sèches, certaines expositions ayant une précision supérieure à d'autres. De cette manière, on équilibre le coût et la précision d'un procédé à double exposition de façon à intégrer le bénéfice de la précision de l'exposition de grande précision (par exemple en utilisant une lithographie par immersion à la longueur d'onde de 193 nm) et le bénéfice du coût de l'exposition de faible précision (par exemple en utilisant une lithographie sèche à la longueur d'onde de 193 nm). En référence à la figure 1, il est représenté un procédé de photolithographie simplifié 10 permettant de mettre en oeuvre un ou plusieurs modes de réalisation de la présente invention. Une plaquette est préparée à l'étape 14. Au cours de l'étape 16, au moins une exposition est exécutée sur la plaquette par lithographie par immersion puis, à l'étape 18, une ou plusieurs expositions sont exécutées sur la plaquette par lithographie sèche. Le procédé 10 peut être utilisé dans la fabrication de divers dispositifs à semi-conducteurs, tels des dispositifs de mémoire (y compris mais pas exclusivement une mémoire statique (SRAM)), des dispositifs logiques (y compris mais pas exclusivement un transistor à effet de champ à semiconducteur à oxyde métallique (MOSFET)) et/ou d'autres dispositifs. En particulier, le procédé 10 peut être applicable à la fabrication de dispositifs à semi-conducteurs dont la taille des composants est inférieure à 56 nm. Le procédé 10 sera décrit plus avant en référence aux figures 2 à 8. Les paragraphes suivants décrivent les figures 2 à 6, qui présentent un procédé d'ajustement ayant valeur d'exemple, de façon à illustrer un procédé à double exposition utilisant une technique plus avancée, telle une lithographie par immersion, pour une première exposition, et une technique moins avancée, telle une lithographie sèche, pour une deuxième exposition. En référence en particulier à la figure 2, un système de photolithographie simplifié ayant valeur d'exemple 20 comprend une source de lumière 21 destinée à émettre des faisceaux de lumière 23 condensés par un condenseur 22. Un masque 24 qui comporte des motifs est illuminé de manière uniforme par des faisceaux de lumière 27. Après avoir traversé le masque 24, des faisceaux de lumière 25 sont focalisés par une lentille de projection 26 avant d'être projetés sur une plaquette 28. Les paragraphes suivants décrivent en plus amples détails la première exposition du procédé à double exposition. En référence à la figure 3, il est représenté des composants sélectionnés à partir du système de la figure 2, qui comprennent la plaquette 28 préparée au cours de l'étape 14 du procédé 10 (figure 1) ; la lentille de projection 26; et le masque 24. Dans ce mode de réalisation, la plaquette 28 comprend une couche de photoréserve 302. La couche de photoréserve 302 peut être déposée sur la plaquette selon un procédé de revêtement par centrifugation et/ou d'autres procédés. Dans le présent exemple, une solution de photoréserve est répartie sur la surface de la plaquette 28 qui est centrifugée rapidement jusqu'à ce que la solution de photoréserve soit pratiquement sèche. Dans un exemple, la couche de photoréserve 302 peut être une réserve amplifiée chimiquement qui emploie une catalyse acide. Dans cet exemple, la couche de photoréserve peut être formulée en dissolvant un polymère sensible aux acides dans une solution de coulage. La lentille de projection 26 peut comprendre de la silice fondue (dioxyde de silicium amorphe) et/ou un quelconque autre matériau approprié connu dans l'art. Le masque 24 peut être une plaque de haute précision contenant des images microscopiques de circuits électroniques. Le masque 24 peut comprendre divers matériaux tels que du quartz, de la chaux sodée, du verre crown blanc et/ou d'autres matériaux. En général, une couche de chrome peut être incorporée sur un côté du masque 24 et les circuits électroniques (fréquemment appelés géométrie) peuvent être gravés dans la couche de chrome (désignée par 24a). Dans un exemple, l'épaisseur du masque 24 peut se situer approximativement entre 60 nm environ et 250 nm environ. Dans un exemple, un liquide (non représenté) peut être intercalé entre la lentille de projection 26 et la plaquette 28 de façon à couvrir au moins une partie de celle-ci. Le liquide peut contenir de l'eau, de l'eau dopée (ion Cr), un fluide ayant une valeur de PH qui est supérieure à 7, un fluide ayant un indice de réfraction qui est supérieur à 1 et/ou une autre substance. Dans un mode de réalisation, un film liquide 308, qui peut couvrir la zone exposée de la plaquette 28, peut être injecté par une ouverture dans un logement destiné à la lentille de projection 26. Au cours de l'étape 16 du procédé 10, la première exposition de la plaquette 28 est exécutée par photolithographie par immersion. Dans un exemple, la lithographie par immersion peut comprendre une source de lumière (non représentée), telle une source électromagnétique ayant une longueur d'onde qui n'est pas supérieure à 250 nm et/ou d'autres sources de lumière. Dans un mode de réalisation, la longueur d'onde des faisceaux de lumière émis par la source de lumière est d'environ 193 nm, 157 nm et/ou d'autres valeurs. On peut concevoir que l'ouverture numérique (NA) du système optique soit supérieure à environ 0,75. En référence à la figure 4, à la suite de la première exposition, le film liquide 308 peut être retiré sous vide (non représenté) et/ou par d'autres procédés appropriés. Puis la couche de photoréserve 302 peut être développée par des procédés connus dans l'art, ce qui produit les structures de photoréserve 304a, 304b et 304c. Au cours de l'étape 18 du procédé 10 (qui peut être effectuée avant l'étape 16 dans certains modes de réalisation), la deuxième exposition de la plaquette 28 est exécutée par lithographie sèche. En référence à la figure 5, il est représenté des composants sélectionnés d'un système de lithographie qui comprend un masque 402 et la plaquette 28'. Ici aussi, le masque 402 peut être une plaque de haute précision contenant des images microscopiques de circuits électroniques, et peut comprendre divers matériaux tels que du quartz, de la chaux sodée, du verre crown blanc et/ou d'autres matériaux. En général, une couche de chrome peut être incorporée sur un côté du masque 402 et les circuits électroniques (fréquemment appelés géométrie) peuvent être gravés dans la couche de chrome (désignée par 402a). La deuxième exposition peut être effectuée par une photolithographie sèche qui peut intégrer un quelconque procédé connu dans l'art. Les longueurs d'ondes de rayonnement de la lithographie sèche peuvent être d'environ 193 nm, 248 nm et/ou d'autres valeurs. Il convient de noter que dans certains modes de réalisation, il est possible de supprimer le masque 402 afin d'effectuer une exposition sans masque. Dans un autre exemple, la première exposition et les suivantes sont toutes effectuées par lithographie par immersion, avec différentes ouvertures numériques. Par exemple, lorsqu'on expose une région de rapport cyclique élevé et une région de faible rapport cyclique dans une seule puce, il est possible d'utiliser une première lithographie par immersion avec une ouverture numérique supérieure pour exposer la région de rapport cyclique élevé, et d'utiliser une deuxième lithographie par immersion avec une ouverture numérique inférieure pour exposer la région de faible rapport cyclique. Bien que le coût de fabrication soit plus élevé, l'utilisation de l'ouverture numérique supérieure pour exposer la région de rapport cyclique élevée peut aboutir à une meilleure résolution d'image. Par ailleurs, l'utilisation de l'ouverture numérique inférieure pour exposer la région de faible rapport cyclique peut réduire le coût de fabrication. Dans certains modes de réalisation, la première et la deuxième lithographie par immersion sont exécutées dans un même instrument d'exposition, tel un moteur pas-à-pas ou un scanneur, afin de maintenir une qualité d'alignement. Dans le cadre du présent exemple, le pas d'espacement des lignes dans la région de rapport cyclique élevé est inférieur ou égal à environ 0,25 m et le pas d'espacement des lignes dans la région de faible rapport cyclique est supérieur à environ 0,25 m. A nouveau en référence à la figure 6, après la deuxième exposition et le développement, les couches de photoréserve 304a et 304c de la figure 5 sont retirées. Il convient de noter que dans l'exemple ci-avant, la première exposition peut à l'inverse être effectuée par lithographie sèche et la deuxième exposition peut être effectuée par lithographie par immersion. Il convient également de noter que par rapport à l'exemple ci-avant, il est également envisagé des expositions supplémentaires qui peuvent être mises en oeuvre par lithographie par immersion et/ou lithographie sèche. On notera que de nombreuses applications du procédé 10 sont envisagées par la présente description. Dans un deuxième exemple, le procédé 10 peut être appliqué à un processus impliquant un motif hybride de motifs actif et factices, tel un processus d'impression à trous utilisant des masques à déphasage (processus au tampon). Le processus au tampon est décrit plus avant dans le brevet US n 6 664 011 B2 de Lin et al., qui est incorporé ici dans son ensemble à titre de référence. En référence à la figure 7a, il est représenté une vue de dessus d'un motif de photoréserve 700 selon un ou plusieurs modes de réalisation de la présente invention. Dans ce mode de réalisation, au cours de l'étape 16 du procédé 10, une plaquette (figure 1) est exposée en premier lieu par lithographie par immersion à la longueur d'onde de 193 nm avec un premier masque et le motif de photoréserve 700 est formé à la suite du développement d'une couche de photoréserve (non représentée). Dans cette illustration, un motif actif 702 est entouré de motifs factices 704. Les motifs factices 704 peuvent comprendre des barres factices, des barres virtuelles pour fin de ligne, des barres virtuelles pour arrondir les angles, des tampons factices et/ou d'autres motifs. En référence à la figure 7b, au cours de l'étape 18 du procédé 10, les motifs factices 704 peuvent être supprimés par l'intermédiaire d'une deuxième exposition utilisant une lithographie sèche à la longueur d'onde de 248 nm. Il est envisagé que la deuxième exposition puisse être mise en oeuvre avec un deuxième masque. En variante, la deuxième exposition peut être mise en oeuvre sans masque. Dans un exemple, la source de lumière de la lithographie sèche peut comprendre une source électromagnétique, une source de faisceaux et/ou d'autres sources appropriées. Il convient de noter que la deuxième exposition peut également être mise en oeuvre par lithographie par immersion. Dans un troisième exemple, le procédé 10 peut être appliqué à un processus à trous borgnes. En référence à la figure 8a, il est représenté ici une vue de dessus ayant valeur d'exemple d'un motif de photoréserve 800 qui est formé à l'étape 16 du procédé 10, qui expose une plaquette par lithographie par immersion à la longueur d'onde de 193 nm. Dans cette illustration, le motif de réserve en photoréserve 800 est dépourvu du motif 804 (représenté sur la figure 8b). A l'étape 18 du procédé 10, il est exécuté une deuxième exposition sur la plaquette par lithographie sèche à la longueur d'onde de 193 nm. Il est entendu qu'une ou plusieurs étapes intermédiaires peuvent être ajoutées (tel le dépôt d'une couche de photoréserve supplémentaire et/ou d'autres étapes), comme cela est bien connu dans l'art. La lithographie sèche peut comprendre de quelconques procédés connus dans l'art avec ou sans masque, y compris mais pas exclusivement une exposition à faisceaux électroniques. Ensuite, le motif désiré 804 de la figure 8b est formé à la suite du processus de développement. Il convient de noter que la deuxième exposition peut également être réalisée par lithographie par immersion. Par exemple, la première exposition est une lithographie par immersion à la longueur d'onde de 193 nm et la deuxième exposition est une lithographie par immersion à la longueur d'onde de 248 nm. De nombreuses variantes des exemples susmentionnés sont envisagées ici. Dans un exemple, si le procédé 10 est appliqué à un motif hybride comprenant des motifs actif et factices, la dimension critique (CD) du motif actif peut comprendre une CD de ligne qui n'est pas supérieure à 90 nm, une CD d'espace qui ne dépasse pas 120 nm et/ou une CD de trou qui est inférieure à 120 nm. Dans un autre exemple, le procédé 10 peut être appliqué à un processus à expositions multiples qui comprend une seule couche de photoréserve ou une pluralité de couches de photoréserve. Dans un troisième exemple, le procédé 10 peut être appliqué à un processus à expositions multiples qui comprend un seul processus de gravure à la suite des multiples expositions. Dans un quatrième exemple, il est possible d'avoir recours à une pluralité d'étapes de gravure dont chacune est appliquée à la plaquette à la suite d'un seul processus d'exposition. Dans un cinquième exemple, le procédé 10 peut être appliqué à divers processus, tels qu'un raccourcissement de fin de ligne, une suppression d'au moins une grille factice, la restauration de motifs manquants, la diminution de l'effet de disparité entre des motifs denses et isolés et/ou d'autres processus. En référence à la figure 9, à titre d'exemple, la plaquette 28 de la figure 3 est agrandie de façon à présenter un substrat 910, une couche diélectrique 914 et une couche BARC (à revêtement antireflet de fond) 920. Le substrat 910 peut comprendre une ou plusieurs couches d'isolant, de conducteur et/ou de semi-conducteur. Par exemple, le substrat 910 peut comprendre un semi-conducteur élémentaire, tel du silicium cristallin, du silicium polycristallin, du silicium amorphe et/ou du germanium; un semiconducteur composé, tel du carbure de silicium et/ou de l'arsenic de gallium; un semi-conducteur en alliage, tel SiGe, GaAsP, AlInAs, AlGaAs et/ou GaInP. De plus, le substrat 910 peut comprendre un semi-conducteur massif, tel du silicium massif, et ce semi-conducteur massif peut comprendre une couche de silicium épitaxié. Il peut en plus, ou en variante, comprendre un substrat de semi-conducteur sur isolant, tel un substrat de silicium sur isolant (SOI) ou un substrat de transistor à couches minces (TFT). Le substrat 910 peut en plus, ou en variante, comprendre une structure de silicium multiple ou une structure de semiconducteur composé multicouche. La couche diélectrique 914 peut être déposée sur la surface du substrat 910. La couche diélectrique 914 peut être formée par CVD (dépôt chimique en phase vapeur), PECVD (dépôt chimique en phase vapeur activé au plasma), ALD (dépôt de couches atomiques), PVD (dépôt physique en phase gazeuse), revêtement par centrifugation et/ou d'autres processus. La couche diélectrique 914 peut être un diélectrique d'interconnexion métallique (IMD) et peut comprendre des matériaux à faible permittivité (low-k), du dioxyde de silicium, du polyimide, du verre centrifugé (SOG), du verre de silicate dopé au fluor (FSG), du Black Diamond (un produit de la firme Applied Materials à Santa Clara, Californie), du Xerogel, de l'Aerogel, du carbone fluoré amorphe et/ou d'autres matériaux. La couche BARC 920 peut être déposée sur la couche diélectrique 914 selon diverses techniques, y compris mais pas exclusivement un revêtement par centrifugation, un PVD, un CVD et/ou d'autres processus. Dans un exemple, la couche BARC 920 peut absorber la lumière qui pénètre malencontreusement dans le fond d'une couche de photoréserve (non représentée). Afin d'assurer l'absorption de lumière, la couche BARC 920 peut comprendre un matériau ayant un fort coefficient d'extinction et/ou une épaisseur considérable. Par ailleurs, un fort coefficient de la couche BARC 920 peut développer la forte réflectivité de la couche BARC, ce qui nuit à l'efficacité de la couche BARC 920. Par conséquent, il est envisagé que la couche BARC 920 puisse posséder une valeur de coefficient approximativement entre 0,2 environ et 0,5 environ et puisse posséder une épaisseur d'environ 200 nm. Cependant, il convient de noter que d'autres plages de valeurs de coefficient et d'épaisseur sont également envisagées dans la présente description. En plus, ou en variante, il est possible d'adopter une approche d'adaptation d'indice pour la couche BARC 920. Dans ce cas, la couche BARC 920 peut comprendre un matériau ayant une épaisseur et un indice de réfraction adaptés aux caractéristiques de la lumière. En fonctionnement, une fois que la lumière atteint la couche BARC 920, une partie de la lumière est réfléchie par celle-ci. Dans le même temps, une autre partie de la lumière pénètre dans la couche BARC 920 et est transformée en une lumière ayant une phase décalée, qui interfère avec la première partie de la lumière réfléchie par la couche BARC 920, ce qui se solde par la réduction de la réflectivité de la lumière. Il est envisagé que la couche BARC 920 puisse employer à la fois les approches d'absorption de lumière et d'adaptation d'indice afin d'obtenir les résultats désirés. Dans certains cas, la couche BARC 920 peut simplement reposer sur la couche diélectrique 914 et servir de barrière de diffusion pour la plaquette 28 car le retrait de la couche BARC 920 peut être difficile à exécuter. Après le dépôt de la couche de photoréserve, la plaquette 28 peut faire l'objet d'une cuisson douce et d'un processus à double exposition (décrit ci-avant en relation avec le procédé 10). Par la suite, des étapes supplémentaires sont adoptées afin de former un dispositif à semi-conducteurs complet. Puisque ces étapes supplémentaires sont connues dans l'art, elles ne seront pas décrites plus avant ici. Bien que seuls quelques modes de réalisation de cette invention, ayant valeur d'exemple, aient été décrits en détail ci-avant, l'homme du métier comprendra facilement que de nombreuses modifications peuvent être apportées aux modes de réalisation ayant valeur d'exemple sans s'écarter matériellement des enseignements et avantages innovants de cette invention. En outre, les éléments illustrés et présentés ci-avant par rapport à certains modes de réalisation peuvent être combinés à des éléments illustrés et présentés ci-avant par rapport à d'autres modes de réalisation. Par conséquent, toutes ces modifications sont censées se situer dans la portée de cette invention. REVENDICATIONS 1. Procédé de production d'un motif sur une couche de substrat, le procédé comprenant les étapes consistant à : exécuter au moins une première exposition sur la couche par un mécanisme de lithographie de précision supérieure (16) ; et exécuter au moins une deuxième exposition sur la couche par un mécanisme de lithographie de précision inférieure (18) ; de manière à produire le motif sur la couche. 2. Procédé selon la revendication 1, dans lequel le mécanisme de lithographie de 10 précision supérieure (16) est mis en oeuvre avant le mécanisme de lithographie de précision inférieure (18). 3. Procédé selon la revendication 1, dans lequel le mécanisme de lithographie de précision supérieure (16) est mis en oeuvre après le mécanisme de lithographie de 15 précision inférieure (18). 4. Procédé selon la revendication 1, dans lequel le mécanisme de lithographie de précision supérieure (16) est une lithographie par immersion et le mécanisme de lithographie de précision inférieure (18) est une lithographie sèche. 5. Procédé de photolithographie dans la fabrication de semi-conducteurs, comprenant les étapes consistant à : préparer une première couche de photoréserve destinée à une plaquette (28) ; préparer un premier masque (24) destiné à la plaquette (28) ; exécuter une première exposition (16) sur la plaquette (28) par lithographie par immersion, dans laquelle la première exposition (16) utilise la première couche de photoréserve et le premier masque (24) ; et exécuter une deuxième exposition (18) sur la plaquette (28) par lithographie sèche, dans laquelle la deuxième exposition (18) utilise la première couche de photoréserve. 6. Procédé selon la revendication 5, dans lequel une ouverture numérique de la lithographie par immersion est supérieure à environ 0,82. 7. Procédé selon la revendication 5, dans lequel un fluide de la lithographie par 5 immersion comprend un fluide ayant une valeur de PH qui est supérieure à 7. 8. Procédé selon la revendication 5, dans lequel la lithographie par immersion comprend l'étape consistant à utiliser une source électromagnétique ayant une longueur d'onde qui n'est pas supérieure à environ 250 nm. 9. Procédé selon la revendication 5, dans lequel la deuxième exposition (18) est destinée à un processus d'impression à ouverture utilisant des masques à déphasage (24). 10. Procédé selon la revendication 5, dans lequel un seul processus de gravure est appliqué à la plaquette (28) à la suite des première et deuxième expositions (16, 18). 11. Procédé selon la revendication 5, dans lequel des premier et deuxième processus de gravure sont appliqués à la plaquette (28) à la suite des première et deuxième 20 expositions (16, 18), respectivement. 12. Procédé de photolithographie à double exposition dans la fabrication de semi-conducteurs, comprenant les étapes consistant à : préparer une première couche de photoréserve destinée à une plaquette (28) ; 25 préparer un premier masque (24) destiné à la plaquette (28) ; exécuter une première exposition (16) sur la plaquette (28) par lithographie par immersion, dans laquelle la première exposition (16) utilise la première couche de photoréserve et le premier masque (24), dans laquelle une longueur d'onde de faisceaux de lumière utilisés pour la lithographie par immersion n'est pas supérieure à 193 nm, et dans laquelle une ouverture numérique de la lithographie par immersion est supérieure à environ 0,75; et exécuter une deuxième exposition (18) sur la plaquette (28) par lithographie sèche, dans laquelle la deuxième exposition (18) utilise un deuxième masque (24) ou n'en utilise aucun. 13. Procédé de production d'un motif sur une couche de substrat ayant des première et deuxième régions de rapport cyclique, le procédé comprenant les étapes consistant a: exécuter une première lithographie par immersion avec une première ouverture numérique sur la première région de rapport cyclique; et exécuter une deuxième lithographie par immersion avec une deuxième ouverture numérique sur la deuxième région de rapport cyclique; de telle manière que le motif est produit sur la couche à l'aide des deux opérations de lithographie. 14. Procédé selon la revendication 13, dans lequel un pas d'espacement des lignes dans la première région de rapport cyclique est inférieur ou égal à environ 0,25 m. 15. Procédé selon la revendication 13, dans lequel la première lithographie par immersion et la deuxième lithographie par immersion sont exécutées dans un 20 instrument d'exposition commun.