FR 2893413 A1 20070518 FR 0654909 A 20061115 Domaine de l'invention La présente invention concerne un dispositif de capteur comportant un substrat et un boîtier, le boîtier entourant pratiquement complètement le substrat au niveau de sa première zone de substrat, le boîtier étant ouvert au moins en partie par une ouverture au niveau d'une seconde zone de substrat. L'invention concerne également un procédé de fabrication d'un tel dispositif de capteur. Etat de la technique Selon le document DE 199 29 026 Al, on connaît un procédé de fabrication d'un capteur de pression. Selon ce procédé, un capteur de pression semi-conducteur est appliqué sur un segment de montage d'une grille conductrice ; le capteur de pression semi-conducteur est relié électriquement aux segments de contacts de la grille conductrice. La grille conductrice avec le capteur de pression semi-conducteur se place dans un moule d'injection et ensuite on sur-moule le capteur de pression semi-conducteur dans le moule avec un boîtier en une masse injectée ; le moule ou outil de moulage comporte des moyens permettant de dégager le passage de la pression destinée au capteur de pression semi-conducteur pour l'enveloppe et la masse injectée ; un poinçon est placé dans le moule à travers un intervalle jus-que vers le côté du segment de montage non tourné vers le capteur de pression semi-conducteur. En variante il est connu d'emballer des capteurs qui nécessitent une accessibilité à des milieux extérieurs comme par exemple des capteurs de pression dans des boîtiers prémoulés. Pour cela, on injecte d'abord le boîtier puis on installe la plaquette du circuit dans le boîtier préfabriqué et on établit les contacts. Le moulage de boîtier dit prémoulé est une solution relativement coûteuse par rapport au boîtier de moulage classique et selon le document ci-dessus, on a déjà essayé d'emballer également des capteurs de pression dans des boîtiers moulés classiques. Par exemple, on laisse dégager une zone partielle de la surface du dessus du composant à l'aide d'un poinçon ou d'un moyen analogue. L'inconvénient des formes de boîtier existantes est que l'élément de capteur est au moins en partie noyé dans une masse de matière plastique. La dilatation thermique peut fortement influencer la courbe caractéristique de l'élément de capteur. Cela provient par exemple du fait que des coefficients de dilatation thermique différents engendrent des tensions dans l'élément de capteur, et génèrent des erreurs de mesure ou des défauts de fonctionnement. Exposé et avantages de l'invention La présente invention a pour but de remédier à ces inconvénients et concerne à cet effet un dispositif de capteur du type dé-fini ci-dessus, caractérisé en ce que dans la zone de l'ouverture, la seconde zone de substrat dépasse du boîtier, le boîtier étant fabriqué en une masse injectée formée pour présenter seulement un front de fluage. Le dispositif de capteur selon l'invention et son procédé de fabrication ont l'avantage vis-à-vis de l'état de la technique que la zone active de détection du dispositif de capteur est beaucoup mieux découplée des contraintes induites par le boîtier. Pour cela, le substrat comporte une première zone de substrat et une seconde zone de substrat comme indiqué ci-dessus. La zone active du substrat qui est par exemple une membrane de capteur de pression ou analogue se trouve dans la seconde zone du substrat et celle-ci dépasse du boîtier. Dans la zone transitoire entre la première et la seconde zone du substrat, le boîtier comporte une ouverture au niveau de la seconde zone de substrat. Comme la seconde zone de substrat vient en saillie du boîtier, celui-ci est réalisé pour que le capteur ou le substrat avec la zone active du capteur ne soit intégré dans le composé de moulage ou dans la matière du boîtier uniquement sur un côté à savoir au niveau de la pre- mière zone du substrat. Selon l'invention, cela se réalise en donnant au capteur une forme de barre. De manière avantageuse, le substrat avec l'élément de capteur ou la zone active dans la seconde zone de substrat est ainsi intégré seulement avec la première zone de substrat dans le boîtier. Il est particulièrement avantageux si le boîtier fabriqué par une masse injectée est formé pour que la masse injectée présente seulement un unique front de fluage. Cela s'applique notamment pour la partie du boîtier correspondant à la seconde zone de substrat. La réalisation d'un unique front de fluage s'obtient par exemple en réali- sant le boîtier simplement de manière globale notamment pour ce qui concerne sa surface extérieure. Cela signifie que lors de la fabrication du boîtier, la masse injectée n'a pas à contourner des deux côtés une limitation prévue de l'extérieur (par exemple pour former l'ouverture du boîtier ce qui se traduirait par le développement de deux fronts de fluage). On évite ainsi la formation d'une soudure de liaison à la rencontre des deux fronts de fluage. La soudure de liaison correspond en général à un affaiblissement mécanique du boîtier ; de plus, à la rencontre des fronts de fluage de l'air peut être emprisonné ce qui peut conduire à des manques et des défauts dans le boîtier. En outre, de manière préférentielle, la première zone de substrat et la seconde zone de substrat sont reliées de manière mono-lithique ou sont ainsi entourées. Cela signifie que pour la première et la seconde zone de substrat il s'agit principalement d'une matière de substrat continue ou la répartition pour le second cas limite, et la ma- tière résulte uniquement du fait que les parties du substrat sont intégrées dans le boîtier (première zone de substrat) et d'autres parties dépassent du boîtier (seconde zone de substrat). Le substrat peut également être constitué par une matière de substrat combinée par exemple un substrat semi-conducteur avec une plaquette encapsulée ou également un substrat composé ou relié ou à croissance tel qu'un substrat SOI. De manière préférentielle, le boîtier est une masse injectée. Pour cela on peut utiliser des procédés de fabrication confirmés pour la réalisation de boîtiers et de composants semi-conducteurs ou de manière générale pour des composants électroniques et notamment le procédé de moulage par transfert (procédé d'injection). Selon ce procédé, on fabrique un boîtier en une masse injectée (moulage composite) de façon à intégrer le composant ou un circuit semi-conducteur dans le boîtier. Il est en outre avantageux que le boîtier entoure la seconde zone de substrat en étant au moins en partie écarté du plan principal du substrat ; le boîtier est alors ouvert dans le plan principal du substrat suivant une plage angulaire. Cela permet avantageusement selon l'invention de proté- ger la seconde zone de substrat qui dépasse du boîtier vis-à- vis des contraintes mécaniques susceptibles d'être engendrées par le boîtier tout en le protégeant par le boîtier même qui, étant toutefois écarté de la seconde zone de substrat, correspond à celui-ci en le protégeant notamment contre les forces exercées de l'extérieur par exemple en cas de chute. Comme le boîtier n'entoure pas complètement la seconde zone de substrat mais au plus partiellement (le boîtier est ouvert dans une plage angulaire dans le plan principal du substrat), on exclut pratiquement le développement de deux fronts de fluage et les inconvénients inhérents à ce type de fabrication de boîtier. Selon l'invention il est en outre avantageux que la seconde zone de substrat comporte une zone active pour détecter une ou plusieurs grandeurs à détecter, la ou les grandeurs se détectant uniquement par un contact au moins indirect entre le milieu et une partie du dispositif de capteur. Ainsi, il est avantageux selon l'invention, que d'une part la zone de capteur active soit accessible à un milieu par exemple un fluide sous pression dont on veut mesurer la pression, mais que d'autre part l'ensemble du dispositif de capteur soit d'une fabrication économique simple et rapide y compris le boîtier du substrat avec la zone active, selon l'invention. En variante, on a un contact d'un milieu entre une zone de capteur active et un milieu possible si le dispositif de capteur selon l'invention est utilisé pour des principes de capteur dans lesquels il n'y a pas de contact avec le milieu ou un tel contact n'est pas nécessaire, par exemple des capteurs par inertie. Même pour de tels principes de capteur ne nécessitant pas de contact avec un milieu, il est particulièrement avantageux d'éviter d'induire des contraintes à partir du boîtier dans la zone active du capteur. Selon l'invention, il est également avantageux que la première zone du substrat comporte des moyens de contact électriques et/ou des moyens de commutation et qu'à la jonction entre la première zone de substrat et la seconde zone de substrat se trouvent uniquement des structures relativement peu sensibles du substrat. De telles structures relativement peu sensibles sont par exemple des chemins conducteurs, des lignes de contact de la partie de circuit dans la première zone de substrat vers la zone active de la seconde zone de substrat. Selon l'invention, cela permet ainsi sans perte de rende-ment ou sans coût supplémentaire, du simple fait de la disposition intéressante des différentes zones fonctionnelles sur le substrat selon l'invention du dispositif semi-conducteur ou du dispositif de capteur, d'avoir une transition à fonctionnement correct entre une première zone de substrat et une seconde zone de substrat, c'est-à-dire en particulier une étanchéité réussie entre l'outil ou moule d'injection et le substrat du dispositif de capteur lors du surmoulage de la première zone de substrat avec la masse. Il est en outre avantageux qu'à la transition entre la première zone de substrat et la seconde zone de substrat, il y ait une matière d'étanchéité en particulier un gel ou un film. Cela permet avantageusement d'assurer une étanchéité plus poussée entre l'outil d'injection et le substrat et d'autre part d'assurer une meilleure protec- tion à la zone transitoire entre la première zone de substrat et la seconde zone de substrat pour les structures du substrat qui se trouvent à cet endroit. En outre, cela permet de localiser des structures même sensibles dans cette zone transitoire si bien que globalement on réduit la surface de plaquette nécessaire à la fabrication du substrat du dispo- sitif de capteur. Selon un autre développement, l'invention concerne un procédé de fabrication d'un dispositif de capteur caractérisé en ce que le boîtier est fabriqué par surmoulage de substrat avec une masse injectée, et seulement la première zone du substrat est entourée pratique- ment complètement par le boîtier, le boîtier étant moulé pour que la masse injectée présente uniquement un front de fluage. La zone restante du substrat (seconde zone de substrat) dépasse du boîtier. De manière préférentielle, lors du surmoulage, on prévoit un joint de l'outil d'injection entre la première zone de substrat et la seconde de substrat, pour qu'une partie de l'outil soit en contact direct avec le substrat ou s'appuie sur une matière d'étanchéité. La matière d'étanchéité peut ainsi être montée dans le dispositif de capteur pour fabriquer le boîtier par exemple en appliquant la matière d'étanchéité sur le substrat (entre la premier et la seconde zone du substrat) ou en surmoulant ensuite avec la matière du boîtier, c'est-à-dire en intégrant ensuite au moins en partie la matière d'étanchéité dans le boîtier (consommation de la matière d'étanchéité pour la fabrication du boîtier). En variante, la matière d'étanchéité peut également faire partie de l'outil de moulage et être appliquée au moins contre celui-ci pour assurer l'étanchéité (tel que par exemple un film d'étanchéité ou une masse d'étanchéité souple). Dans ce cas, la matière d'étanchéité n'est néanmoins pas intégrée de manière importante dans le boîtier. Dessins La présente invention sera décrite ci-après de manière plus détaillée à l'aide d'exemples de réalisation représentés dans les dessins annexés dans lesquels : - la figure 1 est une vue de dessus schématique d'un dispositif de capteur selon l'invention, - la figure 2 est une vue schématique en coupe d'un dispositif de capteur selon l'invention la coupe étant faite selon la ligne A-A de la figure 1, - la figure 3 est une vue de dessus schématique d'un dispositif de capteur selon l'invention montrant d'autres détails intérieurs du dis-positif de capteur, - la figure 4 est une vue de dessus schématique d'un second mode de réalisation d'un dispositif de capteur selon l'invention, - la figure 5 est une vue en coupe schématique du second mode de réalisation du dispositif de capteur selon l'invention suivant la ligne de coupe A-A de la figure 4, - la figure 6 est une vue en coupe schématique d'un troisième mode de réalisation d'un dispositif de capteur selon l'invention Description de modes de réalisation La figure 1 est une vue de dessus schématique d'un dis-positif de capteur 10 selon l'invention. Ce dispositif de capteur 10 comprend un boîtier 30 et un substrat 20. La matière du substrat est notamment une matière semi-conductrice ou encore un substrat composite par exemple formé de plaquettes réalisées avec des matériaux différents ou identiques. Dans la suite, on appellera substrat 20 la ma- tière du substrat. Le substrat 20 comporte une première zone 21 et une seconde zone 22 ; la zone 22 a une zone active 23 représentée séparé-ment servant à la détection de la saisie d'une grandeur que l'on veut mesurer à l'aide du dispositif de capteur 10 selon l'invention. Dans la seconde zone de substrat 22, dans la partie transitoire avec la première zone de substrat, il y a une ouverture 33 dans le boîtier 30 de façon que la seconde zone de substrat 22 puisse en sortir. La grandeur détectée à l'aide de la zone active 23 est en particulier une grandeur qui se détecte uniquement par au moins un contact indirect entre la seconde zone de substrat 22 et notamment la zone active 23 et un milieu non représenté dans les figures. Le milieu est par exemple un milieu gazeux dont on veut mesurer la pression à l'aide d'une membrane de mesure de pression constituant la zone active 23. Le milieu tel que l'air ou un autre gaz doit pouvoir accéder à la zone 23 et en particulier à la membrane de mesure de pression. Cet accès à la zone active 23 est réalisé selon l'invention en ce que la seconde zone de substrat 22 dépasse du boîtier 30 et en ce que la première zone de substrat 21 est intégrée dans le boîtier 30. A la figure 1 on a tracé une ligne de coupe A-A et la figure 2 montre avec certaines variantes une vue schématique du dispositif de capteur 10 selon l'invention correspondant à la ligne de coupe A-A de la figure 1. La figure 1 montre également des éléments de branchement 31 tels que des broches ou des pattes de contact ou des moyens analogues qui sortent du boîtier 30. Mais selon l'invention, il est également possi- ble de ne pas avoir d'éléments de contact 31 dépassant du boîtier 30 mais de prévoir sur le côté supérieur et le côté inférieur et/ou les flancs du boîtier 30, des surfaces de contact (non représentées) permettant la mise en contact des composants ou du dispositif de capteur par exemple à l'aide d'un montage de puces à bosses ou protubérances. La figure 2 montre le dispositif de capteur 10 selon l'invention avec la première zone de substrat 21, la seconde zone de substrat 22, la zone active 23, le boîtier 30 et l'ouverture 33. De plus, la figure 2 indique également un mode de réalisation particulier avec un autre substrat 26 en plus du substrat 20 et comprenant par exemple d'autres moyens de commutation pour exploiter les signaux de la zone active 23. Pour cela, le substrat 20 et l'autre substrat 26 sont reliés par une ligne de liaison 27 en particulier sous la forme d'un fil de liaison 27. A la fois le substrat 20 et aussi l'autre substrat 26 de l'exemple du dispositif de la figure 2 sont fixés sur une grille conductrice 25 encore appelée cadre conducteur 25 ou sont collés sur ce cadre conducteur 25 ou sont fixés d'une autre manière. La figure 3 montre une autre vue de dessus schématique du dispositif de capteur selon l'invention ; la figure 3 montre d'autres détails de l'intérieur du dispositif de capteur 10 ; ainsi à côté du substrat 20, de la première zone de substrat 21, de la seconde zone de substrat 22 et de la zone active 23, de l'autre substrat 26 et du fil de liaison 27, on a d'autres fils de liaison 32 prévus pour réaliser le contact avec l'autre substrat 26 et les éléments de branchement 31. De plus, la figure 3 montre le cadre conducteur ou la grille conductrice 25. 15 La figure 4 montre un second mode de réalisation du dis-positif de capteur 10 selon l'invention présenté en vue de dessus schématique. Là encore le substrat 20 se compose de la première zone de substrat 21 et de la seconde zone de substrat 22 ; la seconde zone de substrat 22 comprend d'une part la zone active 23 et d'autre part elle 20 sort de l'ouverture 33 du boîtier 30. Contrairement au premier exemple de réalisation, le boîtier 30 comporte une zone de prolongement 35 qui s'étend essentiellement dans le plan principal du substrat 20 le long de la seconde zone de substrat 22 et protège ainsi la seconde zone de substrat 22 en particulier contre les actions mécaniques. Toutefois, on 25 réalise ici les avantages du dispositif de capteur selon la présente invention en ce que la zone complémentaire 35 ou la zone de prolonge-ment 35 du boîtier protège la seconde zone de substrat 22 sans que toutefois aucune force mécanique engendrée par exemple par des différences de coefficient de température ou analogues n'agissent sur le se- 30 Gond substrat 22 et notamment sur la zone active 23 du dispositif de capteur. Cela provient de ce que la zone de prolongement 35 maintient une distance par rapport à la seconde zone de substrat 22 et cette dis-tance est indiquée à la figure 4 par la référence 24. La zone de prolongement 35 n'est pas fermée dans le plan 35 principal du substrat 20 ; cela signifie que la seconde zone de substrat 22 n'est pas complètement enveloppante mais la zone de prolongement 35 est en partie ouverte. Cela peut se traduire par la plage angulaire 50 dans laquelle la zone de prolongement 35 est ouverte ; cela signifie que le plan principal du substrat 20 n'est pas entouré par le boîtier. Cette situation peut également s'expliquer en ce que la zone de prolongement 35 du boîtier est prévue principalement de façon simplement réunie c'est-à-dire que la matière du boîtier se déploie d'un côté par injection sous pression sans développer deux fronts de fluage qui se rencontrent au cours de la coulée par injection. A une extrémité 35' de la zone de prolongement, on peut prévoir par exemple la ventilation de l'outil d'injection pendant une phase d'injection. La figure 4 montre en outre la ligne de coupe A-A et la figure 5 correspond pour l'essentiel à une vue en coupe (avec certaines variantes) le long de la ligne de coupe A-A de la figure 4. La figure 5 montre la vue en coupe schématique évoquée faite le long de la ligne de coupe A-A (avec des différences) selon la figure 4, et le dispositif de capteur 10 selon l'invention comprend le substrat 20, la première zone de substrat 21, la seconde zone de substrat 22, la zone active 23, l'autre substrat 26, la zone de prolongement 35, l'extrémité 35' prévue de préférence pour la ventilation de la zone de prolongement 35 et la grille conductrice ou cadre conducteur 25. La figure 6 est une vue schématique d'un troisième mode de réalisation du dispositif de capteur selon l'invention ; le substrat 20 comprend également une première zone de substrat 21, une seconde zone de substrat 22 et la zone active 23 ; toutefois, dans la zone transitoire entre la première zone de substrat 21 et la seconde zone de substrat 22 c'est-à-dire au niveau de l'ouverture 33, il est prévu une matière d'étanchéité 29 ; cette matière d'étanchéité s'utilise lors de la fabrication du boîtier 30 du dispositif de capteur 10 dans la mesure où un outil d'injection non représenté ou outil de surmoulage d'un dispositif pour surmouler la première zone de substrat 21 n'a pas de contact direct avec la matière du boîtier ou que des poussées directes ne sont pas appliquées sur le substrat 20 dans la zone transitoire entre la première zone de substrat 21 et la seconde zone de substrat 22 mais pousse sur i0 la matière d'étanchéité 29 et protège ainsi les structures existantes dans cette zone de substrat contre des poussées exercées. La matière du boîtier 30 peut ainsi être introduite dans la zone à surmouler (première zone de substrat 21) à la pression et à la température requise ; cela ne se traduit pas par une détérioration de la vitesse du procédé de fabrication du dispositif de capteur 10 selon l'invention. En effet l'un des problèmes principaux lors du surmoulage de seulement une zone partielle 21 du substrat 20, est que l'étanchéité de l'outil vis-à-vis de la masse moulée ou coulée du boîtier 30 crée des io problèmes. Du fait des tolérances, il faut exercer une pression plus importante lorsqu'on réalise l'étanchéité car sinon des excédents de la masse de matière plastique passeront dans la zone active 23 du capteur ou du substrat 20 et y produirait des dépôts gênants de masse coulée. Pour résoudre ce problème, l'invention prévoit toutefois dans la zone du 15 passage entre la première et la seconde zone de substrat ou au niveau d'une étanchéité nécessaire pour l'outil d'injection, soit de n'avoir aucune structure active en particulier seulement des chemins conducteurs, soit aussi d'éviter l'étanchéité en appliquant directement l'outil sur le silicium et de réaliser l'étanchéité avec des masses molles telles 20 que par exemple des gelées ou des films. Une autre possibilité selon l'invention consiste à ne pas prévoir de structure active ou sensible au niveau du joint nécessaire et d'assurer en plus l'étanchéité à l'aide de masses molles (matière d'étanchéité 29). La matière d'étanchéité 29 peut être noyée selon l'invention soit comme le montre la figure 6, dans 25 le boîtier 30 (c'est-à-dire rester sur le dispositif de capteur 10) une fois terminé ou encore selon une variante non représentée, du procédé notamment selon l'invention, peut être prévue uniquement sur l'outil d'injection de sorte que cet outil ne s'appuie pas par le joint contre une matière dure du substrat 20, mais avec une matière molle telle qu'un 30 film ou un gel. Dans le dernier cas, la matière d'étanchéité 29 n'est pas intégrée dans le boîtier 30 (ou du moins les parties non essentielles). L'étanchéité à réaliser sur le côté du silicium est plus difficile car le cas échéant, une rotation angulaire provoque une formation de l'intervalle. Il est avantageux que la surface active du capteur se 35 trouve sur le côté supérieur de la barre ou du substrat 20 dépassant de la seconde zone de substrat 22 et ainsi une légère formation de flash (c'est-à-dire au niveau des côtés latéraux étroits du substrat 20) ne soit pas critique pour le fonctionnement du capteur. Le troisième mode de réalisation du dispositif de capteur 10 selon l'invention peut évidemment se combiner au premier et/ ou au second mode de réalisation. Selon l'invention, il est à la fois possible de séparer le capteur de l'électronique d'exploitation pour qu'à l'intérieur du capteur 10 comme représenté aux figures 2, 3 et 5 on a un module à deux pu-ces ou que le capteur ou le substrat 20 comporte déjà l'électronique d'exploitation et ne rend pas nécessaire un autre substrat 26 dans la mesure où le dispositif de capteur 10 est réalisé comme un module à une puce. Le premier mode de réalisation du dispositif de capteur 10 selon l'invention (figures 1, 2, 3) est particulièrement avantageux si l'on souhaite un dispositif de capteur ayant des dimensions aussi ré-duites que possible et si l'élément de capteur doit être immergé comme un biocapteur ou analogue, dans un liquide ou de manière générale dans un fluide que le composant moulé ou la masse coulée du boîtier 30 ne doivent toucher. La forme du boîtier du dispositif de capteur 10 selon le second mode de réalisation de l'invention (figures 4, 5) pour le-quel la zone longitudinale 35 du boîtier 30 est dirigée en périphérie au-tour de la seconde zone de substrat 22 et protège la zone active 23, offre une protection maximale vis-à-vis des influences mécaniques sur l'élément de capteur 23 ou la zone active 23 du dispositif de capteur 10. Suivant l'invention, la seconde zone de substrat 22 ne touche le boîtier 30 que sur un côté (ou ne touche absolument pas la zone de prolongement 35). Le boîtier 30 peut être constitué suivant l'invention par une forme de boîtier avec des broches et des zones de branchement ou aussi de cadre moderne sans contact . REVENDICATIONS 1 ) Dispositif de capteur (10) comportant un substrat (20) et un boîtier (30), le boîtier (30) entourant pratiquement complètement le substrat (20) au niveau de sa première zone de substrat (21), en étant ouvert au moins en partie par une ouverture (33) au niveau d'une seconde zone de substrat (22), caractérisé en ce que dans la zone de l'ouverture (33), la seconde zone de substrat (22) dé-passe du boîtier (30), et le boîtier (30) est fabriqué en une masse injectée formée pour présenter seulement un front de fluage. 2 ) Dispositif de capteur (10) selon la revendication 1, 15 caractérisé en ce que le substrat (20) est encastré dans le boîtier (30) seulement par sa première zone de substrat (21). 3 ) Dispositif de capteur (10) selon la revendication 1, 20 caractérisé en ce que la première zone de substrat (21) et la seconde zone de substrat (22) sont reliées de manière monolithique. 4 ) Dispositif de capteur (10) selon la revendication 1, 25 caractérisé en ce que le boîtier (30) entoure au moins en partie la seconde zone de substrat (22) en étant écarté au moins dans le plan principal du substrat (20). 5 ) Dispositif de capteur (10) selon la revendication 1, 30 caractérisé en ce que le boîtier (30) entoure à distance la seconde zone de substrat (22) dans le plan principal du substrat (20), le boîtier (30) étant ouvert suivant une plage angulaire (50) dans le plan principal du substrat (20). 35 6 ) Dispositif de capteur (10) selon la revendication 1,caractérisé en ce que la seconde zone de substrat (22) présente une zone active pour détecter une ou plusieurs grandeurs détectables uniquement par un contact au moins indirect du milieu avec au moins une partie du dispositif de capteur. 7 ) Dispositif de capteur (10) selon la revendication 1, caractérisé en ce que la première zone de substrat (21) comporte des moyens de contact pour réaliser le contact électrique et/ou des moyens de commutation, et la jonction entre la première zone de substrat (21) et la seconde zone de substrat (22) comporte seulement des structures du substrat (20) relativement peu fragiles. 8 ) Dispositif de capteur (10) selon la revendication 1, caractérisé en ce qu' à la jonction entre la première zone de substrat (21) et la seconde zone de substrat (22), il est prévu une matière d'étanchéité (29) notamment un gel ou un film. 9 ) Procédé de fabrication d'un dispositif de capteur (10) selon l'une quelconque des revendications 1 à 8, caractérisé en ce que le boîtier (30) est fabriqué par surmoulage de substrat (20) avec une masse injectée, et seulement la première zone (21) du substrat (20) est entourée pratiquement complètement par le boîtier (30), le boîtier (30) étant moulé pour que la masse injectée présente seule-ment un front de fluage. 10 ) Procédé selon la revendication 9, caractérisé en ce que lors du surmoulage par injection, pour rendre étanche le moule d'injection entre la première zone de substrat (21) et la seconde zone desubstrat (22), une partie du moule d'injection est soit en contact direct avec le substrat (20), soit pousse sur une matière d'étanchéité (29).5