FR 2892208 A1 20070420 FR 0605811 A 20060628 I DISPOSITIF D'AFFICHAGE A CRISTAUX LIQUIDES ET PROCEDE DE FABRICATION DE CE DERNIER La présente invention concerne un dispositif d'affichage à cristaux liquides, et plus particulièrement, un dispositif d'affichage à cristaux liquides, dans lequel des saillies sont formées afin de correspondre aux centres d'entretoises en colonne et des motifs de compensation ayant une hauteur inférieure à celle des saillies sont formés afin de correspondre aux arêtes des entretoises en colonne de sorte qu'une pression externe n'est pas concentrée sur les entretoises en colonne afin d'empêcher une défaillance due au toucher, et un procédé de fabrication de ce dernier. Avec le développement de l'ère de l'information, les demandes concernant des dispositifs d'affichage se sont diversifiées. Afin de satisfaire cette tendance, divers dispositifs d'affichage plat, tels qu'un afficheur à cristaux liquides (LCD), un panneau d'affichage à plasma (PDP), un afficheur électroluminescent (ELD), et un afficheur fluorescent sous vide (VFD), ont été développés, et certains dispositifs d'affichage plat sont utilisés en tant que dispositif d'affichage dans divers appareils. Parmi les divers dispositifs d'affichage plat, un LCD remplace un tube à rayons cathodiques (CRT) grâce aux caractéristiques du LCD, telles que la qualité élevée d'un écran, un poids léger, un profil mince, et un taux de consommation de puissance bas, et des utilisations diverses de ce dernier se développent, tel qu'en tant qu'un moniteur mobile d'un ordinateur blocùnotes, un moniteur de télévision et d'ordinateur destinés à recevoir un signal d'émission et afficher une image. Afin d'utiliser le LCD en tant qu'un dispositif d'affichage d'image dans divers domaines, il est important de maintenir les caractéristiques du LCD, tel qu'un poids léger, un profil mince, et un taux de consommation de puissance bas, et de former une image de qualité élevée ayant une définition élevée, une luminance élevée, et une grande taille. Un dispositif d'affichage à cristaux liquides général comprend un premier substrat et un second substrat, qui sont liés entre eux à condition qu'un espace spécifique soit formé entre ces derniers, et une couche d'affichage de cristaux liquides injectée dans l'espace entre le premier substrat et le second substrat. Plus précisément, une pluralité de lignes de grille disposées à intervalles réguliers dans une direction et une pluralité de lignes de données disposées à intervalles réguliers dans une autre direction perpendiculaire à la direction des lignes de grille, qui se croisent entre elles afin de définir des régions de pixel, sont agencées sur le premier substrat. Des électrodes de pixel sont formées respectivement dans les régions de pixel, et des transistors en couche mince sont formés au niveau des \\HIRSCH6\13REV ETSIBrecets`.25500\5513-060626-tradTXT.doc - 27 juin 2006 - 1!25 croisements des lignes de grille et des lignes de données afin d'appliquer des signaux de données des lignes de données aux électrodes de pixel selon des signaux appliqués aux lignes de grille. Une couche de matrice noire destinée à faire écran à une lumière au niveau de portions des régions de pixel, des couches de filtres chromatiques R, G et B au niveau de portions correspondantes des régions de pixel destinées à former des couleurs, et des électrodes communes sur les couches de filtres chromatiques destinées à former une image, sont formées sur le second substrat. Dans le dispositif d'affichage à cristaux liquides ciûdessus, un cristal liquide de la couche de cristaux liquides formée entre les premier et second substrats est orienté par un champ électrique formé entre les électrodes de pixel et les électrodes communes, et la quantité de lumière pénétrant la couche de cristaux liquides est ajustée selon le degré d'orientation de la couche de cristaux liquides, créant ainsi une image. Le dispositif d'affichage à cristaux liquides ciûdessus fait référence à un dispo- sitif d'affichage à cristaux liquides en mode à nématique en hélice (TN). Le dispositif d'affichage à cristaux liquides en mode TN a un angle de champ visuel étroit. Afin de résoudre l'inconvénient ciûdessus du dispositif d'affichage à cristaux liquides en mode TN, un dispositif d'affichage à cristaux liquides en mode à commutation dans le plan (IPS) a été développé. Dans le dispositif d'affichage à cristaux liquides en mode IPS, des électrodes de pixel et des électrodes communes, qui sont séparées entre elles en parallèle selon un intervalle spécifique, sont formées dans des régions de pixel d'un premier substrat de sorte qu'un champ électrique horizontal est généré entre les électrodes de pixel et communes et une couche de cristaux liquides est orientée par le champ électrique horizontal. Des entretoises destinées à maintenir un intervalle spécifique de la couche de cristaux liquides sont formées entre les premier et second substrats du dispositif d'affichage à cristaux liquides ciûdessus. Les entretoises sont divisées en entretoises en bille et en entretoises en colonne 30 selon leurs formes. Les entretoises en bille ont une forme sphérique, et sont dispersées sur les premier et second substrats, de telle manière qu'elles se déplacent relativement librement même après que les premier et second substrats ont été liés entre eux, et ont une petite aire de contact avec les premier et second substrats. 35 Les entretoises en colonne sont formées en réseau au cours d'un processus effectué sur les premier et second substrats, et sont fixées sur les premier et second substrats à condition que les entretoises en colonne aient une forme de colonne et une hauteur spécifique. Par conséquent, en comparaison des entretoises en bille, les \,HIRSCH6\BREVETS\Brevets\25500'.'_5513-060626-tradTXT.doc - 27 juin 2006 - 2/25 entretoises en colonne ont une grande aire de contact avec les premier et second substrats. Ciûaprès, en se référant aux dessins annexés, un dispositif d'affichage à cristaux liquides classique ayant des entretoises en colonne sera décrit. La figure 1 est une vue en coupe d'un dispositif d'affichage à cristaux liquides classique ayant des entretoises en colonne. Tel que représenté sur la figure 1, le dispositif d'affichage 10 à cristaux liquides comprend un premier substrat 30 et un second substrat 40, qui sont opposés entre eux, des entretoises en colonne 20 formées entre les premier 30 et second 40 substrats, et une couche de cristaux liquides (non représentée) remplissant un espace entre les premier 30 et second 40 substrats. Des lignes de grille 31 et des lignes de données (non représentées), qui se croisent perpendiculairement entre elles, afin de définir des régions de pixel, sont formées sur le premier substrat 30, des transistors en couche mince sont formés au niveau des intersections des lignes de grille 31 et des lignes de données, et des électrodes de pixel (non représentées) sont formées dans les régions de pixel. Une couche 41 de matrice noire destinée à faire écran à une lumière au niveau de portions à l'exception des régions de pixel et une couche 42 de filtre chromatique en bande correspondant aux régions de pixel agencées dans une direction longitudi-nale parallèle aux lignes de données sont formées sur le second substrat 40, et une électrode commune ou une couche de revêtement 43 est formée sur la surface totale du second substrat 40. Ici, les entretoises en colonne 20 sont formées au niveau de positions spécifiques auûdessus des lignes de grille 31. En outre, un film d'isolation 36 de grille est formé sur la surface totale du premier substrat 30 comportant les lignes de grille 31, et un film de passivation 37 est formé sur le film d'isolation 36 de grille. Les figures 2A et 2B sont des vues en plan et en coupe, respectivement, illustrant une défaillance due au toucher du dispositif d'affichage à cristaux liquides 30 classique ayant des entretoises en colonne. Tel que représenté sur les figures 2A et 2B, lorsque la surface du dispositif d'affichage 10 à cristaux liquides classique est touchée par une main ou d'autres objets dans une direction spécifique, une tache est générée au niveau de la région touchée. Cette tache fait référence à une tache de toucher. Cet état dans lequel la 35 tache de toucher se produit fait référence à une défaillance due au toucher. Le dispositif d'affichage à cristaux liquides ayant les entretoises en colonne a une grande aire de contact entre les entretoises en colonne 20 et le premier substrat 1, en comparaison d'un dispositif d'affichage à cristaux liquides ayant des entretoises en ' HIRSCH6ABREVETSVBrevets35500'.255I3-060626-tradTXT doc 27 juin 2006 -3/25 bille, augmentant ainsi une force de frottement entre ces derniers et provoquant ainsi la défaillance due au toucher. C'estùàùdire, en comparaison des entretoises en bille, étant donné que les entretoises en colonne 20 ayant des formes cylindriques tel que représenté sur la figure 2B, ont une grande aire de contact avec le premier substrat 1, une plus longue durée est nécessaire pour que les premier 1 ou second 2 substrats retrouvent leur état d'origine après que les premier 1 ou second 2 substrats ont été décalés, et une tache reste pendant un long moment. Le dispositif d'affichage à cristaux liquides classique ayant des entretoises en colonne présente plusieurs problèmes, listés ciùdessous. Tout d'abord, une aire de contact entre les entretoises en colonne et le substrat opposé à ces dernières est grande, augmentant ainsi une force de frottement entre ces derniers. Lorsque le dispositif d'affichage à cristaux liquides est touché de sorte qu'un des substrats se trouve décalé, une longue durée est nécessaire pour que le substrat décalé retrouve son état d'origine, et une tache reste pendant la durée de restauration. Ensuite, lorsque le dispositif d'affichage à cristaux liquides ayant les entretoises en colonne est disposé en position droite dans un environnement à température élevée, un cristal liquide est thermiquement dilaté, et un écart de cellule est augmenté et devient plus grand que la hauteur des entretoises en colonne de sorte que le cristal liquide s'écoule vers le bas et une extrémité inférieure du dispositif d'affichage à cristaux liquides est gonflée et devient opaque. Par conséquent, la présente invention est dirigée vers un dispositif d'affichage à cristaux liquides et un procédé de fabrication de ce dernier. Un objet de la présente invention consiste à fournir un dispositif d'affichage à cristaux liquides, dans lequel des saillies sont formées afin de correspondre aux centres d'entretoises en colonne et les motifs de compensation ayant une hauteur inférieure à celle des saillies sont formés afin de correspondre aux bords des entretoises en colonne, de sorte qu'une pression externe n'est pas concentrées sur les entretoises en colonne afin d'empêcher une défaillance due au toucher, et un procédé de fabrication de ce dernier. Afin d'atteindre ces objets et autres avantages et conformément au but de l'invention, telle que représentée et largement décrite ici, un dispositif d'affichage à cristaux liquides comprend un premier substrat et un second substrat en opposition entre eux ; des entretoises en colonne formées au niveau de portions spécifiques sur le second substrat ; des saillies ayant une première hauteur et formées sur le premier substrat afin de correspondre au centre des entretoises en colonne ; des motifs de compensation ayant une seconde hauteur inférieure à la première hauteur et formés afin de correspondre aux bords des entretoises en colonne ; et une couche de cristaux liquides remplissant un espace entre les premier et second substrats. \HIRSCH6iBREVETS'vBreeetsy255GOv25513-060626-tradTXT. doc - 27 juin 2006 - 4125 Le dispositif d'affichage à cristaux liquides peut en outre comprendre des lignes de grille et des lignes de données se croisant entre elles sur le premier substrat pour définir des régions de pixel. De préférence, les saillies, les entretoises en colonne, et les motifs de compen-5 sation peuvent être formés sur les lignes de grille. Des saillies peuvent être formées en empilant séquentiellement un motif en couche semiùconductrice et une couche métallique source/drain. Les motifs de compensation peuvent être faits du même matériau que celui du motif en couche semiùconductrice. 10 Les motifs de compensation peuvent être faits du même matériau que celui de la couche métallique source/drain. Les motifs de compensation peuvent être faits d'une électrode transparente. Chacun des motifs de compensation peut avoir une forme de boucle fermée. Chacun des motifs de compensation peut avoir une forme de boucle ayant des 15 ouvertures formées de manière régulière. Dans un aspect supplémentaire de la présente invention, un dispositif d'affichage à cristaux liquides comprend un premier substrat et un second substrat en opposition entre eux ; des lignes de grille et des lignes de données se croisant entre elle sur le premier substrat pour définir des régions de pixel ; des transistors en 20 couche mince formés au niveau des intersections entre les lignes de grille et les lignes de données ; des électrodes de pixel formées dans les régions de pixel ; des saillies ayant une première hauteur et farinées sur les lignes de grille sur le premier substrat ; des motifs de compensation ayant une seconde hauteur inférieure à la première hauteur et formés au niveau des circonférences des saillies sur le premier 25 substrat de manière séparée des saillies ; des entretoises en colonne, dont les centres correspondent aux saillies et dont les bords correspondent aux motifs de compensation, formées sur le second substrat ; et une couche de cristaux liquides remplaçant un espace entre les premier et second substrats. De préférence, chacun des transistors en couche mince comprend une électrode 30 de grille faisant saillie depuis la ligne de grille ; une couche semiùconductrice formée sur l'électrode de grille ; et une électrode source faisant saillie depuis la ligne de données et une électrode drain séparée de l'électrode source d'un intervalle spécifique, lesdites électrodes source et drain formées sur la couche semiùconductrice au niveau des deux côtés de l'électrode de grille. 35 Les saillies peuvent être formées en empilant séquentiellement un motif de couche semiùconductrice dans la même couche que la couche semiùconductrice et une couche métallique source/drain formée dans la même couche que les électrodes source et drain. V',HIRSCH616REVETS\BrevetsV25500A25513-060626-tradTXT doc 27 juin 2006 -5/25 Les motifs de compensation peuvent être faits en un motif à couche semiûconductrice formée dans la même couche que la couche semiûconductrice. - Les motifs de compensation peuvent être faits d'une couche métallique source/drain formée dans la même couche que les électrodes source et drain. Les motifs de compensation peuvent être formés dans la même couche que les électrodes de pixel et faits du même matériau que celui des électrodes de pixel. Chacun des poids de compensation peut avoir une forme de boucle fermée. Chacun des motifs de compensation peut avoir une forme de boucle ayant des ouvertures formées de manière régulière. Dans un autre aspect de la présente invention, un procédé de fabrication d'un dispositif d'affichage à cristaux liquides comporte les étapes consistant à former des lignes de grille sur un premier substrat dans une première direction ; déposer un film d'isolation de grille, une couche semiûconductrice, et une couche métallique source/drain sur la surface totale du premier substrat comportant les lignes de grille ; former des lignes de données dans une seconde direction croisant la première direction, des électrodes source faisant saillie depuis les lignes de données, et des électrodes drain séparées des électrodes source d'un intervalle spécifique en éliminant de manière sélective la couche métallique source/drain et la couche semiûconductrice, et former des saillies sur les lignes de grille ; former un film de passivation sur la surface totale du premier substrat comportant les lignes de données, et former des trous de contact exposant des portions spécifiques des parties supérieures des électrodes drain ; former des électrodes de pixel en déposant une électrode transparente sur la surface totale du film de passivation comportant les trous de contact et éliminer de manière sélective l'électrode transparente, et former de manière simultanée des motifs de compensation ayant une hauteur inférieure à celle des saillies correspondant aux circonférences des saillies ; former des entretoises en colonne, dont les centres correspondent aux saillies et dont les bords correspondent aux motifs de compensation, sur un second substrat ; et former une couche de cristaux liquides entre le premier substrat et le second substrat. Dans encore un autre aspect de la présente invention, un procédé de fabrication d'un dispositif d'affichage à cristaux liquides comporte les étapes consistant à former des lignes de grille sur un premier substrat dans une première direction ; déposer un film d'isolation de grille, une couche semiûconductrice, et une couche métallique source/drain sur la surface totale du premier substrat comportant les lignes de grille ; former des lignes de données dans une seconde direction croisant la première direction, des électrodes source faisant saillie depuis les lignes de données, et des électrodes drain séparées des électrodes source d'un intervalle spécifique en éliminant de manière sélective la couche métallique source/drain et la couche semiûconductrice, \\HIRSCH6\BREVETS\Breve\s\25500`255 f 3-060626-tradTXT. doc - 27 juin 2006 - 6125 former des saillies sur les lignes de grille, et former de manière simultanée des motifs de compensation ayant une hauteur inférieure à celle des saillies correspondant aux circonférences des saillies ; former un film de passivation sur la surface totale du premier substrat comportant les lignes de données, et former des trous de contact exposant des portions spécifiques des parties supérieures des électrodes drain ; former des électrodes de pixel en déposant une électrode transparente sur la surface totale du film de passivation comportant les trous de contact et éliminer de manière sélective l'électrode transparente ; former des entretoises en colonne, dont les centres correspondent aux saillies et dont les bords correspondent aux motifs de compensa- tion, sur un second substrat ; et former une couche de cristaux liquides entre le premier substrat et le second substrat. Les saillies peuvent être formées en empilant séquentiellement une couche semiûconductrice et une couche métallique source/drain. Les motifs de compensation peuvent être faits de la couche semiûconductrice. Les motifs de compensation peuvent être faits de la couche métallique source/drain. Dans un dispositif d'affichage à cristaux liquides classique dans lequel l'aire de contact entre des entretoises en colonne et un substrat en opposition à ces dernières est grande, lorsque le dispositif d'affichage à cristaux liquides est touché et décalé dans une direction spécifique, étant donné qu'une force de frottement entre les entre-toises en colonne et le substrat en opposition à ces dernières est plus grande, le substrat ne peut être renvoyé vers son état d'origine et une nonûuniformité de luminance survient. Cependant, dans le dispositif d'affichage à cristaux liquides de la présente invention, étant donné que les saillies sont formées sur un substrat afin de correspondre aux centres des entretoises en colonne et les motifs de compensation sont formés sur le substrat afin de correspondre aux bords des entretoises en colonne, il est possible d'empêcher une nonûuniformité de luminance. On comprendra qu'à la fois la description détaillée générale précédente et la description détaillée suivante de la présente invention sont exemplaires et explicati- ves et sont destinées à fournir une explication supplémentaire de l'invention telle que revendiquée. Les dessins annexés joints, qui sont inclus afin de fournir une compréhension supplémentaire de l'invention et sont incorporés dans et constituent une partie de cette demande, illustrent un/des mode(s) de réalisation de l'invention et conjointe- ment avec la description, servent à expliquer le principe de l'invention. Sur les dessins : la figure 1 est une vue en coupe d'un dispositif d'affichage à cristaux liquides classique ayant des entretoises en colonne ; \\HIRSCH6`BRE V ETS Brevets'.25500\'.5513-060626-tradTXT. doe - 27 juin 2006 - 7/25 les figures 2A et 2B sont des vues en plan et en coupe illustrant une défaillance due au toucher du dispositif d'affichage à cristaux liquides classique ayant les entre-toises en colonne ; la figure 3 est une vue en coupe d'un dispositif d'affichage à cristaux liquides 5 classique ayant des structures faisant saillie ; la figure 4 est une vue en coupe d'un dispositif d'affichage à cristaux liquides conformément à la présente invention ; les figures 5A et 5B sont des vues de dessus d'exemples d'une saillie du dispositif d'affichage à cristaux liquides conformément à la présente invention ; 10 les figures 6A A 6D sont des vues de dessus d'exemples de la saillie et d'un motif de compensation du dispositif d'affichage à cristaux liquides conformément à la présente invention ; et la figure 7 est une vue en plan d'un dispositif d'affichage à cristaux liquides conformément à la présente invention. 15 II va maintenant être fait référence en détail aux modes de réalisation préférés de la présente invention, dont des exemples sont illustrés sur les dessins annexés. Partout où cela est possible, les mêmes références numériques seront utilisées dans l'ensemble des dessins pour faire référence aux mêmes parties où parties identiques. La figure 3 est une vue en coupe d'un dispositif d'affichage à cristaux liquides 20 classique ayant des structures en saillie. Tel que représenté sur la figure 3, le dispositif d'affichage à cristaux liquides ayant des structures en saillie comprend un premier substrat 50 et un second substrat 60 qui sont opposés l'un à l'autre, des entretoises en colonne 70 formées au niveau de portions spécifiques du second substrat 60, des saillies 55 formées sur le premier 25 substrat 50 de telle manière que les saillies 55 ont un volume plus petit que celui des entretoises en colonne 70 et entrent partiellement en contact avec les entretoises en colonne 70, et une couche de cristaux liquides (non représentée) remplissant un espace entre les premier 50 et second 60 substrats. Ici, les saillies 55 ont une structure double couche se composant d'un motif 55a en couche semiûconductrice 30 inférieure et d'une couche métallique source/drain supérieure 55b. Les entretoises en colonne 70 sont formées sur une couche 61 de matrice noire et une couche 62 de filtre chromatique. Dans le dispositif d'affichage à cristaux liquides ayant des saillies 55, lorsque le premier substrat 50 ou le second substrat 60 sont décalés l'un par rapport à l'autre en 35 touchant la surface du premier substrat 50 ou du second substrat 60, une aire de contact entre l'entretoise en colonne 70 et la saillie 55 est réduite à l'aire de la surface supérieure de la saillie 55, qui est plus petite que l'aire de la surface supérieure de l'entretoise en colonne 70 (la surface de l'entretoise en colonne 70 correspondant à la `\HIRSCH6ABREVETS\Brevets\2550025513-060626-trndTXT duc - 27 juin 2006 -8%25 surface du second substrat 60 est dénommée surface inférieure), réduisant ainsi une force de frottement entre les entretoises en colonne 70 et le premier substrat 50 opposé aux entretoises en colonne 70. Par conséquent, lorsque le premier substrat 50 ou le second substrat 60 est décalé dans une direction après avoir été touché, le substrat décalé 50 ou 60 est renvoyé aisément vers son état d'origine. Dans le dispositif d'affichage à cristaux liquides ayant les saillies 55, lorsque les premier et second substrats 50 et 60 sont liés entre eux, les formes des entretoises en colonne 70 correspondant aux saillies 55 sont changées. C'estûàûdire, une force est concentrée sur une portion de chacune des entretoises en colonne 70 con- es-10 pondant à la saillie 55, pressant ainsi la couche 62 de filtre chromatique et la couche 61 de matrice noire conjointement avec les entretoises en colonne 70. Dans le cas où une seule couche ou plusieurs couche est/sont pressée(s), lorsque le dispositif d'affichage à cristaux liquides est placé dans un environnement à température élevée, un écart de cellule est accru à cause d'une dilatation thermique du cristal liquide. Dans 15 ce cas, les entretoises en colonne 70 et les couches inférieures sous les entretoises en colonne 70 sont renvoyées vers leurs états d'origine et supportent les premier 50 et second 60 substrats. Par conséquent, le dispositif d'affichage à cristaux liquides ayant les saillies 55 empêche le gonflement de la couche de cristaux liquides au niveau de l'extrémité inférieure à cause de l'apesanteur, en comparaison d'un dispositif d'affi- 20 chage à cristaux liquides sans saillie. Cependant, dans le cas où les saillies 55 ayant un petit volume et une petite aire de surface en correspondance avec les centres des entretoises en colonne 70 sont utilisées, lorsque les entretoises en colonne 70 et les couches inférieures sous les entretoises en colonne 70 sont pressées par les saillies 55, une force est concentrée 25 sur une portion de chacune des entretoises en colonne 70 correspondant à la saillie 55. A ce moment, lorsque la pression entre les premier 50 et second 60 substrats est excessivement élevée (lorsqu'une force pressant la surface, c'estûàûdire, la surface arrière, d'un parmi le premier 50 et le second 60 substrats est excessivement grande), les entretoises en colonne 70 sont pressées par les saillies 55 et sont déformées, et ne 30 peuvent être aisément renvoyées vers leurs états d'origine. L'opération de pression ciûdessus peut être effectuée au cours d'un test de pression avant que le dispositif d'affichage à cristaux liquides ne soit mis sur le marché, ou être effectuée au cours d'un processus de fabrication d'un module d'affichage à cristaux liquides. 35 La figure 4 est une vue en coupe d'un dispositif d'affichage à cristaux liquides conformément à la présente invention. Tel que représenté sur la figure 4, le dispositif d'affichage à cristaux liquides de la présente invention comprend un premier substrat 100 et un second substrat 200, \\HIRSCH6\BREVETS\Brevets\25500\25513-060626-0adTXT. doc - 27 juin 2006 -9/25 qui sont opposés entre eux, des entretoises en colonne 210 formées au niveau de portions spécifiques du second substrat 200, des saillies 120 ayant une première hauteur et formées sur le premier substrat 100 en correspondance avec les centres des entretoises en colonne 210, des motifs de compensation 130 ayant une seconde hauteur plus petite que la première hauteur et formés sur le premier substrat en correspondance avec les bords des entretoises en colonne 210, et une couche de cristaux liquides (non représentée) remplissant un espace entre les premier 100 et second 200 substrats. Ici, les saillies 120 ont une structure double couche se composant d'un motif 120a en couche semiùconductrice inférieure et une couche métallique source/drain supérieure 120b, et les motifs de compensation 130 sont faits du même matériau que celui du motif 120a en couche semiùconductrice ou la couche métallique source/drain 120b, ou un matériau d'électrode transparente. Dans ce cas, les motifs de compensation 130 ont une structure à couche unique, et ont ainsi une hauteur infé-rieure à celle des saillies 120. Les entretoises en colonne 210 sont formées sur une couche 201 de matrice noire et une couche 202 de filtrechromatique sur le second substrat 200. En fonction des circonstances, une couche de revêtement ou une électrode commune peuvent être en outre formées sur la surface supérieure de la couche 202 de filtre chromatique. En outre, la couche 202 de filtres chromatiques ne peut être formée sur la couche 201 de matrice noire. Dans le cas où les saillies 120 sont formées afin de correspondre aux centres des entretoises en colonne 210 et les motifs de compensation 130 ayant une hauteur inférieure à celle des saillies 120 sont formées afin de correspondre aux bords des entretoises en colonne 210, tel que décrit ciùdessus, lorsque l'un parmi les premier et second substrats 100 et 200 est décalé après avoir été touché, une aire de contact entre l'entretoise en colonne 210 et la saillie 120 est petite, et le substrat décalé 100 ou 200 peut être aisément renvoyé vers son état d'origine. En outre, les entretoises en colonne 210 sont pressées par les saillies 120 à cause de la pression entre les premier 100 et second 200 substrats par une pression externe, la pression appliquée depuis les saillies 120 vers les entretoises en colonne 210 est accrue. Lorsque la pression appliquée depuis les saillies 120 vers les entretoises en colonne 210 est supérieure à une valeur spécifique, les motifs de compensation 130 et les saillies 120 supportent les entretoises en colonne 210, la pression appliquée sur les entretoises en colonne 210 est dissipée autour de régions larges (vers les surfaces supérieures des motifs de compensation et des saillies), empêchant ainsi une déformation plastique des entre-toises en colonne 210. VAHIRSCH6ABREVETS\Brevets`55500'.25513-060626-tradTXT.doc - 27juin 2006 -10/25 Les figures 5A et 5B sont des vues de dessus d'exemples de la saillie du dispositif d'affichage à cristaux liquides conformément à la présente invention. Les figures 5A et 5B sont des vues de dessus d'exemples de la saillie 120 du dispositif d'affichage à cristaux liquides, lorsque la saillie 120 correspond au centre de l'entretoise en colonne (non représentée). Dans ce cas, tel que représenté sur les figures 5A et 5B, la saillie 120 peut avoir la même forme que celle de l'entretoise en colonne. En variante, la saillie 120 peut avoir une forme différente de celle de l'entretoise en colonne à condition que la surface plane de la saillie 120 ait une aire plus petite que celle de l'entretoise en colonne. La saillie 120 a une structure double couche se composant du motif 120a en couche semiùconductrice inférieure et la couche métallique source/drain supérieure 120b. Dans le cas où les saillies 120 sont formées afin de correspondre aux centres des entretoises en colonne, tel que décrit ciùdessus, lorsqu'une pression externe excessivement élevée est appliquée sur le dispositif d'affichage à cristaux liquides, une déformation plastique des entretoises en colonne causée par les saillies 120 peut survenir. Afin d'empêcher la déformation plastique des entretoises en colonne, les motifs de compensation 130 sont formés afin de correspondre aux bords des entretoises en colonne. Les figures 6A à 6D sont des vues de dessus d'exemples de la saillie et du 20 motif de compensation du dispositif d'affichage à cristaux liquides conformément à la présente invention. Les figures 6A à 6D illustrent les exemples de la saillie et du motif de compensation correspondant à l'entretoise en colonne 210 de la figure 4. La saillie 120 correspond au centre de l'entretoise en colonne 210, et le motif de compensation 130 25 correspond au bord de l'entretoise en colonne 210. Le motif de compensation 130 peut avoir une forme de boucle fermée, tel que représenté sur les figures 6A et 6C, ou avoir une pluralité de motifs 130a à 130d et 130e à 130h qui sont disposés à intervalles réguliers, tel que représenté sur les figures 6B et 6D. Sur les dessins ciùdessus, la saillie 120 peut avoir la même forme que celle de l'entretoise en colonne 210, ou 30 avoir une forme différente de celle de l'entretoise en colonne 210, à condition que la saillie 210 corresponde au centre de l'entretoise en colonne 210 et la surface plane de la saillie 120 ait une aire plus petite que celle de l'entretoise en colonne 210. Dans ce cas, lorsque la pression est supérieure à une valeur spécifique, le motif de compensation 130 partage le support de l'entretoise en colonne 210 avec la saillie 35 120. Les figures 6A et 6B illustrent respectivement la forme de l'entretoise en colonne 210 correspondant à la saillie 120, et les figures 6C et 6D omettent l'illustration de la forme de l'entretoise en colonne 210. \11!RSCH6\BREVETS\Brevets\25500\25513060626-tradTXT. doc - 27 juin 2006 -11 /25 Le motif de compensation 310 chevauche partiellement le bord de la surface de l'entretoise en colonne, entrant en contact avec la saillie 120. Ciûaprès en se référant à la figure 7, le dispositif d'affichage à cristaux liquides de la présente invention sera décrit en détail. La figure 7 est une vue en plan du dispositif d'affichage à cristaux liquides de la présente invention. Tel que représenté sur la figure 7, le dispositif d'affichage à cristaux liquides de la présente invention comprend le premier substrat 100 et le second substrat 200, qui sont opposés entre eux, et la couche de cristaux liquides (non représentée) remplis- saut l'espace entre les premier 100 et second 200 substrats. Le premier substrat 100 comprend des lignes de grille 101 et des lignes de données 102 se croisant afin de définir des régions de pixel, des transistors en couche mince formés au niveau des intersections entre les lignes de grille 101 et les lignes de données 102, des premières électrodes de stockage 103a raccordées électriquement aux électrodes drain 102b des transistors en couche mince, des électrodes 103 de pixel bifurquant des premières électrodes 103a, des électrodes communes 104 alternant avec les électrodes 103 de pixel, des lignes communes 104a raccordées à la ligne de grille 101 et la ligne de grille précédente (non représentée) en parallèle, et des secondes électrodes de stockage 104b raccordées aux lignes communes 104a et aux électrodes communes 104 et chevauchant les premières électrodes de stockage 103a. Chacun des transistors en couche mince présente un canal défini au niveau d'une région entre une électrode source 102a en U et l'électrode drain 102b. Le canal a une forme de U le long de la surface interne de l'électrode source 102a en U. Chacun des transistors en couche mince comprend une électrode 101a de grille faisant saillie depuis la ligne de grille 101, l'électrode source 102a en U faisant saillie depuis la ligne de données 102, et l'électrode drain 102b séparée de l'électrode source 102a en U par un intervalle spécifique et entrant à l'intérieur de l'électrode source 102a en U. Une couche semiûconductrice (non représentée) est en outre formée sous la ligne de données 102, l'électrode source 102a, l'électrode drain 102b, et la région de canal entre l'électrode source 102a et l'électrode drain 102b. ici, la couche semiûconductrice est obtenue par empilement d'une couche de silicium amorphe (non représentée) et une couche n+ (couche d'impureté ; non représentée), et la couche n+ (couche d'impureté) est éliminée de la région de canal entre l'électrode source 102a et l'électrode drain 102b. La couche semiûconductrice peut être formée de manière sélective sous les électrodes sources 102a et drain 102b et le la région de canal entre ces dernières, ou être formée sous la ligne de données 102, l'électrode source 102a, et l'électrode drain 102b à l'exception de la région de canal. Bien que des dessins illus- 1AHI RSCH6ABRE V ETSiBrevetsV25500A25513-060626-tradTXT. doc - 27 juin 2006 -12/25 trent le dispositif d'affichage à cristaux liquides ayant des électrodes l'électrode sources 102a en U et des canaux en U, les électrodes sources 102a du dispositif d'affichage à cristaux liquides de la présente invention peuvent avoir une saillie de forme droite depuis les lignes de données 102 ou d'autres formes. Ici, les lignes de grille 101, les lignes communes 104a, et les électrodes communes 104 sont formées dans la même couche, et sont faites du même métal. Un film d'isolation 105 de grille est intercalé entre les lignes de grille 101 et la couche semi-conductrice, et un film de passivation 106 est intercalé entre les lignes de données 102 et les électrodes 103 de pixel. La seconde électrode de stockage 104b raccordée à la ligne commune 104a traversant la région de pixel, la première électrode de stockage I03a formée sur la portion supérieure de la seconde électrode de stockage 104b, et le film d'isolation 105 de grille et le film de passivation 106 intercalé entre la seconde électrode de stockage 104b et la première électrode de stockage 103a forment un condensateur de stockage. L'électrode drain 102b et la première électrode de stockage 103a, qui sont formées dans des couches différentes, entrent en contact entre elles au travers d'un trou de contact 106a formé par élimination du film de passivation 106 depuis la partie supérieure d'une portion spécifique de l'électrode drain 102b. La saillie 120 est formée au niveau d'une portion spécifique de la ligne de grille 101 ou de la ligne commune 104a par empilement du motif 120a en couche semiùconductrice, formée dans la même couche que la couche semiûconductrice 107a, et la couche métallique source/drain 120b, formée dans la même couche que les électrodes sources et drains 102a et 102b. Ici, étant donné que le motif 120a en couche semiùconductrice a une épaisseur d'environ 0,2 à 0,3 m et la couche métallique source/drain 120b a une épaisseur d'approximativement 0,2 à 0,4 m, une différence de hauteurs entre la saillie 120 et la ligne de grille 101 est d'approximativement 0,4 à 0,7 m. Dans le dispositif d'affichage à cristaux liquides ayant les saillies 120, lorsque des substrats inférieurs 100 et 200 sont liés afin de former un écart de cellule, les saillies 120 correspondent aux entretoises en colonne 210. L'aire de la surface supérieure de la saillie 120 est plus petite que l'air de la surface supérieure de l'entretoise en colonne 210 (la surface de l'entretoise en colonne 210 correspondant au second substrat 200 est dénommé la surface inférieure), et lorsque la saillie 120 entre en contact avec l'entretoise en colonne 210, l'air de contact entre la saillie 120 et l'entretoise en colonne 210 est l'aire de la surface supérieure de la saillie 120. Etant donné que le film de passivation 106 est formé sur la saillie 120 dans des régions à l'exception des trous de contact 106a, l'entretoise en colonne 210 formée \HIRSCH6ABREV ETS\Breeets`,25500A25513-060626-1radTXT doc - 27 juin 2006 - 13125 sur second substrat 200 entre sensiblement en contact avec le film de passivation 106 formé sur la saillie 120. Le motif de compensation 130 ayant une hauteur inférieure à celle de la saillie 120 est formé au niveau de la circonférence de la saillie 120 séparément de la saillie 120. Le motif de compensation 130 peut être formé dans la même couche que le motif 120a en couche semiûconductrice ou les électrodes sources 102a et drains 102b, ou peut être formé dans la même couche que des électrodes 103 de pixel et fait du même métal que des électrodes 103 de pixel par un autre processus, séparément du processus de formation de la saillie 120. Bien que les dessins illustrent la saillie 120 et le motif de compensation 130 formés sur les lignes de grille 101, la saillie 120 et le motif de compensation 130 peuvent être formés sur les lignes communes 104a ou les secondes électrodes de stockage 104b. Le second substrat 200 opposé au premier substrat, tel que représenté sur la figure 4, comprend la couche 201 de matrice noire formée sur des régions correspondantes (régions de lignes de grille et de lignes de données) à l'exception des régions de pixel, la couche 202 de filtre chromatique 202, et la couche de revêtement (non représentée) formées sur la couche 201 de matrice noire et la couche 202 de filtre chromatique pour une planarisation. Lorsque les premier 100 et second 200 substrats sont liés entre eux pour former un écart de cellule, uniquement une portion de l'entretoise en colonne 210 correspondant à la saillie 120 entre en contact avec la saillie 120 et le reste de l'entretoise en colonne 210 est séparé de la surface supérieure du premier substrat 100. Lorsque le dispositif d'affichage à cristaux liquides est touché dans une direction, à condition que les saillies 120 entrent en contact avec les entretoises en colonne 210, le premier 100 ou second 200 substrat est décalé. Cependant, étant donné que l'aire de contact entre la saillie 120 et l'entretoise en colonne 210 est petite, le premier 100 ou le second 200 substrat est aisément renvoyé vers son état d'origine, empêchant ainsi une nonûuniformité de luminance après qu'il a été touché. Au cours d'un test de pression appliquant au moins une pression spécifique, lorsque la pression est accrue, l'entretoise en colonne 210 entrant en contact avec la saillie 120 entre de plus en contact avec le motif de compensation 130, accroissant ainsi l'aire de contact entre l'entretoise en colonne 210 et le premier substrat 100 et dissipant ainsi la pression. Ici, une différence de hauteurs entre le motif de compen-sation 130 et la saillie 120 est réduite, et l'aire de contact entre l'entretoise en colonne 210 et le premier substrat 100 est accrue avant que l'entretoise en colonne 210 ne soit déformée au cours du test de pression. Par conséquent, bien que l'entretoise en colonne 210 soit déformée par la concentration de la pression sur l'entretoise en 1\HIRSCH6VBREVETSVRrevets125500 25513-060626-tradTXT doc - 27 juin 2006 -14/25 colonne 210 à cause de la saillie 120 au cours d'une mise en contact de l'entretoise en colonne 210 et de la saillie 120, le bord de l'entretoise en colonne 210 entre en contact avec le motif de compensation 130 avant que la déformation de l'entretoise en colonne 210 ne soit grave (avant que l'entretoise en colonne 210 ne puisse être renvoyée vers son état d'origine), permettant ainsi un retour de l'entretoise en colonne 210 vers son état d'origine après le test de pression ; La section horizontale de l'entretoise en colonne 210 peut avoir diverses formes, telles qu'une forme circulaire ou une forme polygonale comportant une forme rectangulaire. Cependant, de préférence, la section horizontale de l'entretoise en colonne 210 a une forme circulaire ou une forme polygonale régulière en prenant en considération une marge d'alignement. Ciûaprès, un procédé de fabrication du dispositif d'affichage à cristaux liquides de la présente invention sera décrit. Dans le dispositif d'affichage à cristaux liquides de la présente invention, les saillies 120 sont formées conjointement avec la formation des transistors en couche mince, et les motifs de compensation 130 sont formés conjointement avec la formation des transistors en couche mince ou la formation des électrodes 103 de pixel. Les motifs de compensation 130 sont formés grâce à différents procédés selon les types d'un processus de masquage utilisé, c'estûàûdire, un processus à cinq masques ou un processus à quatre masques, destiné à former un réseau de transistors en couche mince sur le premier substrat 100. Par exemple, le processus à cinq masques nécessite un premier masque pour former des lignes de grille et des électrodes de grille, un deuxième masque pour former une couche semiûconductrice, un troisième masque pour former des lignes de données et des électrodes source/drain, un quatrième masque pour former des trous d'un film de passivation, et un cinquième masque pour former des électrodes de pixel. En outre, le processus à quatre masques utilise un seul masque d'exposition de diffraction ou un masque tramé, servant en tant que les deuxième et troisième masques du processus à cinq masques. Dans ce cas, une exposition de diffraction est effectuée sur des portions, telles que des régions de canaux, à partir desquelles une couche métallique source/drain supérieure est éliminée, de sorte qu'uniquement la couche semiûconductrice reste sur les portions, et une exposition de diffraction est effectuée sur les motifs de compensation 130, de sorte qu'uniquement la couche semiûconductrice reste sur des portions correspondantes. Etant donné qu'il s'agit du même masque que pour les lignes de données 102 et les électrodes source 102a et drain 102b, les saillies 120 sont modulées à condition que le motif 120a en couche VAHIRSCH6ABREVETSnBrevets\255002?5 Une électrode transparente est déposée sur la surface totale du film de passivation 106 comportant les trous de contact 106a, et est éliminée de manière sélective, formant ainsi les électrodes 103 de pixel alternant avec les électrodes communes 104 au niveau de portions spécifiques, et formant de manière simultanée les motifs de compensation 130 dans les circonférences des saillies 120. Par la suite, les entretoises en colonne 210, dont les centres correspondent aux saillies 120, et dont les bords correspondent aux motifs de compensation 130, sont formées sur le second substrat 200. \VflRSCH6'.BREVETS\Brevets\25500\25513-060626-tradTXT doc - 27 juin 2006 -1625 Un cristal liquide est déposé sur un parmi les premier 100 et second 200 substrats, et l'autre parmi les premier 100 et second 200 substrats est retourné. Ensuite, les premier 100 et second 200 substrats sont liés entre eux. Dans le processus à cinq masques, lorsque les saillies 120 sont formées par empilement du motif 120a en couche semiùconductrice et de la couche métallique source/drain 120b à l'aide des deuxième et troisième masques, les saillies 120 peuvent être faites d'une seule couche en utilisant de manière sélective le deuxième ou le troisième masque. Lorsque les circonstances l'exigent, quel que soit le nombre de masques requis, les motifs de compensation 130 peuvent être formés conjointement avec la formation des électrodes de pixel par dépôt de l'électrode transparente sur la surface totale du film de passivation et élimination sélective de l'électrode transparente. Dans ce cas, un processus de fabrication du dispositif d'affichage à cristaux liquides de la présente invention utilisant le processus à quatre masques est décrit, comme suit : Tout d'abord, le premier substrat 100 et le second substrat 200 sont préparés. Une couche métallique est déposée sur le premier substrat 100, et est éliminée de manière sélective en utilisant un premier masque, formant ainsi les lignes de grille 101 dans une première direction, les électrodes 101a de grille faisant saillie depuis les lignes de grille 101, les lignes communes 104a séparées des lignes de grille 101 par un intervalle spécifique, et les secondes électrodes de stockage 104b formées d'une seule pièce avec les lignes communes 104a. Par la suite, un film d'isolation de grille (non représenté), une couche semiùconductrice (non représentée), et une couche métallique source/drain (non représentée) sont déposés sur la surface totale du premier substrat 100 comportant les lignes de grille 101. La couche métallique source/drain et la couche semiùconductrice sont éliminées de manière sélective à l'aide d'un deuxième masque, formant ainsi des lignes de données 102 dans une seconde direction croisant la première direction, les électrodes sources 102a faisant saillie depuis les lignes de données 102, et les électrodes drains 102b séparées des électrodes sources 102a par l'intervalle spécifique, et formant les saillies 120 composées du motif 120a en couche semiùconductrice et la couche métallique source/drain 120b sur les lignes de grille 101. Une couche de passivation (non représentée) est formée sur la surface totale du premier substrat 100 comportant les lignes de données 102, et les trous de contact 106a destinés à exposer des portions spécifiques des parties supérieures de l'électrode drain 102b sont formés en utilisant une troisième électrode. VAHIRSCH6ABREVETSVBrevets\25500A2 5 5 1 3-06062_6-tradTXT. doc- 27 juin 2006- 17/25 Par la suite, une électrode transparente est déposée sur la surface totale du film de passivation 106 comportant les trous de contact 106a et est éliminée de manière sélective à l'aide d'un quatrième masque, formant ainsi les électrodes 103 de pixel alternant avec les électrodes communes 104 au niveau des portions spécifiques, et formant de manière simultanée les motifs de compensation 130 dans les circonféren- ces des saillies 120. Par la suite, les entretoises en colonne 210, dont les centres correspondent aux saillies 120, et dont les bords correspondent aux motifs de compensation 130, sont formés sur le second substrat 200. Un cristal liquide est déposé sur l'un parmi les premier 100 et second 200 substrats, et l'autre parmi les premier 100 et second 200 substrats est retourné. Ensuite, le premier 100 et le second 200 substrats sont liés entre eux. Les modes de réalisation décrits ciùdessus sont appliqués à un dispositif d'affichage à cristaux liquides en mode à commutation dans le plan (IPS). Cependant, les modes de réalisation peuvent être appliqués à un dispositif d'affichage à cristaux liquides en mode à nématique en hélice (TN). Le dispositif d'affichage à cristaux liquides en mode TN est le même que le dispositif d'affichage à cristaux liquides en mode IPS à l'exception du fait que des électrodes de pixel dans un motif sont formées dans des régions de pixel sur un premier substrat et des électrodes communes sont formées sur la surface totale d'un second substrat du dispositif d'affichage à cristaux liquides en mode TN. Dans le dispositif d'affichage à cristaux liquides en mode TN, étant donné que les lignes communes ne sont pas formées dans les régions de pixel, les entretoises en colonne et les saillies sont toutes formées sur des lignes de grille. Comme le montre la description ciùdessus, le dispositif d'affichage à cristaux liquides et le procédé de fabrication de ce dernier conformément à la présente inven- tion a plusieurs effets, comme suit : Tout d'abord, lorsque des premier et second substrats sont liés entre eux pour former un écart de cellule, des portions d'entretoises en colonne correspondant à des saillies entrent en contact avec les saillies, et le reste des entretoises en colonne sont séparées de la surface supérieure du premier substrat. Par conséquent, lorsque le dispositif d'affichage à cristaux liquides est touché dans une direction dans la situation où les saillies entrent en contact avec les entretoises en colonne, bien que les premier ou second substrats soient décalés, étant donné que l'aire de contact entre les saillies et les entretoises en colonne est petite, le premier ou le second substrat est aisément renvoyé vers son état d'origine, empêchant ainsi une nonùuniformité de luminance après qu'il a été touché. Ensuite, au cours d'un test de pression appliquant une pression d'au moins un degré spécifique, lorsque la pression est accrue, les entretoises en colonne entrant en VA 1IIRSCH6BREVETSVBrevets\255 0012 55 1 3-06062 6-tradTXT doc - 27 juin 2006 - 18/25 contact avec les saillies entrent en contact de manière supplémentaire avec les motifs de compensation, accroissant ainsi l'aire de contact entre les entretoises en colonne et le premier substrat et dissipant ainsi la pression. Ici, une différence de hauteurs entre les motifs de compensation et les saillies est réduite, et l'aire de contact entre les entretoises en colonne et le premier substrat est accrue avant que les entretoises en colonne ne soient déformées au cours du test de pression. Par conséquent, bien que les entretoises en colonne soient déformées par la concentration de la pression sur les entretoises en colonne à cause des saillies au cours d'un contact entre les entretoises en colonne et les saillies, les bords des entretoises en colonne entrent en contact avec les motifs de compensation avant que la déformation des entretoises en colonne ne soit grave (avant que les entretoises en colonne ne puissent retrouver leur état d'origine), permettant ainsi aux entretoises en colonne de retrouver leur état d'origine après le test de pression. L'homme du métier s'apercevra de manière évidente que diverses modifications et variations peuvent être apportées à la présente invention sans s'écarter de l'esprit ou de la portée des inventions. Ainsi, il est prévu que la présente invention couvre les modifications et variations de cette invention à condition qu'elles entrent dans la portée des revendications annexées et de leurs équivalents. \`HIRSCH6\BREV ETSBrevets\25500\25513-060626-tradTXT dot 27 juin 2006 - 19/25 REVENDICATIONS 1. Dispositif d'affichage à cristaux liquides comprenant : - un premier substrat (50 ; 100) et un second substrat (60 ; 200) opposés entre 5 eux ; - des entretoises en colonne (70 ; 210) formées au niveau de portions spécifiques sur le second substrat (60 ; 200) ; - des saillies (55 ; 120) ayant une première hauteur et formées sur le premier substrat (50 ; 100) afin de correspondent aux centres des entretoises en colonne (70 ; 10 210) ; - des motifs de compensation (130) ayant une seconde hauteur inférieure à la première hauteur et formés afin de correspondre aux bords des entretoises en colonne (70 ; 210) ; et - une couche de cristaux liquides remplissant un espace entre les premier (50 ; 15 100) et second (60 ; 200) substrats. 2. Dispositif d'affichage à cristaux liquides selon la revendication 1, comprenant en outre des lignes de grille (101) et des lignes de données (102) se croisant sur le premier substrat (50 ; 100) pour définir des régions de pixel. 3. Dispositif d'affichage à cristaux liquides selon la revendication 2, dans lequel les saillies (55 ; 120), les entretoises en colonne (70 ; 210), et les motifs de compensation (130) sont formés sur les lignes de grille. 25 4. Dispositif d'affichage à cristaux liquides selon l'une quelconque des revendications 1 à 3, dans lequel les saillies (55 ; 120) sont formées par empilement séquentiel d'un motif (55a ; 120a) en couche semiùconductrice et d'une couche métallique source/drain (55b ; 102b). 30 5. Dispositif d'affichage à cristaux liquides selon la revendication 4, dans lequel les motifs de compensation (130) sont fait du même matériau que celui du motif (55a ; 120a) en couche semiùconductrice. 6. Dispositif d'affichage à cristaux liquides selon la revendication 4, dans 35 lequel les motifs de compensation (130) sont faits du même matériau que celui de la couche métallique source/drain (55b ; 102b). V\HIRSCH6A13REV ETS\Brevets\25500A255I3-060626-tradTXT doc - 27 juin 2006 - 20/25 20 7. Dispositif d'affichage à cristaux liquides selon l'une quelconque des revendications 1 à 6, dans lequel les motifs de compensation (130) sont faits d'une électrode transparente. 8. Dispositif d'affichage à cristaux liquides selon l'une quelconque des revendications 1 à 7, dans lequel chacun des motifs de compensation (130) a une forme de boucle fermée. 9. Dispositif d'affichage à cristaux liquides selon l'une quelconque des revendications 1 à 8, dans lequel chacun des motifs de compensation (130) a une forme de boucle ayant des ouvertures formées de manière régulière. 10. Dispositif d'affichage à cristaux liquides comprenant : - un premier substrat (50 ; 100) et un second substrat (60 ; 200) opposés entre 15 eux ; - des lignes de grille (101) et des lignes de données (102) se croisant sur le premier substrat (50 ; 100) pour définir des régions de pixel ; -des TFT (transistors en couche mince) formés au niveau des intersections entre les lignes de grille et les lignes de données ; 20 - des électrodes (103) de pixel formées dans les régions de pixel ; - des saillies (55 ; 120) ayant une première hauteur et formées sur les lignes de grille sur le premier substrat (50 ; 100) ; - des motifs de compensation (130) ayant une seconde hauteur inférieure à la première hauteur et formés au niveau des circonférences des saillies sur le premier 25 substrat (50 ; 100) séparément des saillies ; - des entretoises en colonne (70 ; 210), dont les centres correspondent aux saillies (55 ; 120), et dont les bords correspondent aux motifs de compensation (130), formés sur le second substrat (60 ; 200) ; et - une couche de cristaux liquides remplissant un espace entre les premier (50 ; 30 100) et second (60 ; 200) substrats. 11. Dispositif d'affichage à cristaux liquides selon la revendication 10, dans lequel chacun des transistors en couche mince comprend : - une électrode (101a) de grille faisant saillie depuis la ligne de grille (101) ; 35 - une couche semi--conductrice (107a) formée sur l'électrode de grille ; et - une électrode source (102a) faisant saillie depuis la ligne de données (102) et une électrode drain (102b) séparée de l'électrode source par un intervalle spécifique, \\H1 RSCH6\BRE V ETSiBrevets\25500` 25511-060626-IradTXT doc - 27 juin 2006 - 21 /25lesdites électrodes source (102a) et drain (102b) formées sur la couche semiûconductrice au niveau des deux côtés de l'électrode de grille. 12. Dispositif d'affichage à cristaux liquides selon la revendication 11, dans lequel les saillies (55 ; 120) sont formées par empilement séquentiel d'un motif (55a ; 120a) en couche semiûconductrice formé dans la même couche que la couche semiûconductrice (107a) et une couche métallique source/drain (55b ; 102b) formée dans la même couche que les électrodes source (102a) et drain (102b). fo 13. Dispositif d'affichage à cristaux liquides selon la revendication 11, dans lequel les motifs de compensation (130) sont faits d'un motif (55a ; 120a) en couche semiûconductrice dans la même couche que la couche semiûconductrice (107a). 15 14. Dispositif d'affichage à cristaux liquides selon la revendication 11, dans lequel les motifs de compensation (130) sont faits d'une couche métallique source/drain (55b ; 120b) formée dans la même couche que les électrodes source (102a) et drain (102b). 20 15. Dispositif d'affichage à cristaux liquides selon l'une quelconque des revendications 10 à 14, dans lequel les motifs de compensation (130) sont formés dans la même couche que les électrodes (103) de pixel et faits du même matériau que celui des électrodes de pixel. 25 16. Dispositif d'affichage à cristaux liquides selon l'une quelconque des revendications 10 à 15, dans lequel chacun des motifs de compensation (130) a une forme de boucle fermée. 17. Dispositif d'affichage à cristaux liquides selon l'une quelconque des 30 revendications 10 à 16, dans lequel chacun des motifs de compensation (130) a une forme de boucle ayant des ouvertures formées de manière régulière. 18. Procédé de fabrication d'un dispositif d'affichage à cristaux liquides comprenant les étapes consistant à : 35 - former des lignes de grille (101) sur un premier substrat (50 ; 100) dans une première direction ; `c 1IRSCR6,BREVETSVBrevets\25500A25513-060626-tradTXT doc - 27 juin 2006 -22/25- déposer un film d'isolation (105) de grille, une couche semiùconductrice (107a), et une couche métallique source/drain (55b ; 120b) sur la surface du premier substrat (50 ; 100) comportant les lignes de grille (101) ; - former des lignes de données (102) dans une seconde direction croisant la première direction, des électrodes sources (102a) faisant saillie depuis les lignes de données, et des électrodes drain (102b) séparées des électrodes source par un intervalle spécifique en éliminant de manière sélective la couche métallique source/drain et la couche semiùconductrice, et formant des saillies (55 ; 120) sur les lignes de grille ; - former un film de passivation (106) sur la surface du premier substrat (50 ; 100) comportant les lignes de données, et former des trous de contact (106a) exposant des portions spécifiques des parties supérieures des électrodes drain (102b) ; - former des électrodes (103) de pixel par dépôt d'une électrode transparente sur la surface du film de passivation comportant les trous de contact et éliminer de manière sélective l'électrode transparente, et former de manière simultanée des motifs de compensation (130) ayant une hauteur inférieure à celle des saillies correspondant aux circonférences des saillies ; - former des entretoises en colonne (70 ; 210), dont les centres correspondent aux saillies, et dont les bords correspondent aux motifs de compensation, sur un second substrat ; et - former une couche de cristaux liquides entre le premier substrat (50 ; 100) et le second substrat (60 ; 200). 19. Procédé de fabrication d'un dispositif d'affichage à cristaux liquides comprenant les étapes consistant à : - former des lignes de grille (101) sur un premier substrat (50 ; 100) dans une première direction ; - déposer un film d'isolation (105) de grille, une couche semiùconductrice (107a), et une couche métallique source/drain (55b ; 120b) sur la surface du premier substrat (50 ; 100) comportant les lignes de grille (101) ; -former des lignes de données (102) dans une seconde direction croisant la première direction, des électrodes sources (102a) faisant saillie des lignes de données, et des électrodes drains (102b) séparées des électrodes sources par un intervalle spécifique en éliminant de manière sélective la couche métallique source/drain et la couche semiùconductrice, formant des saillies (55 ; 120) sur les lignes de grille, et formant simultanément des motifs de compensation (130) ayant une hauteur inférieure à celle des saillies correspondant aux circonférences des saillies ; \\HIRSCH6\BREVETS\Brevets\25500\2 5 517-06062_6-IradTXT de - 27 juin 2006-23/25- former un film de passivation (106) sur la surface du premier substrat (50 ; 100) comportant les lignes de données, et former des trous de contact (106a) exposant des portions spécifiques des parties supérieures des électrodes drains ; - former des électrodes (103) de pixel par dépôt d'une électrode transparente sur la surface du film de passivation comportant les trous de contact (106a) et élimi- ner de manière sélective l'électrode transparente ; - former des entretoises en colonne (70 ; 210), dont les centres correspondent aux saillies et dont les bords correspondent aux motifs de compensation (130) sur un second substrat (60 ; 200) ; et - former une couche de cristaux liquides entre le premier substrat (50 ; 100) et le second substrat (60 ; 200). 20. Procédé selon la revendication 19, dans lequel les saillies (55 ; 120) sont formées par empilement séquentiel d'une couche semiûconductrice (107a) et d'une couche métallique source/drain (5Sb ; 120b). 21. Procédé selon la revendication 19, dans lequel les motifs de compensation (130) sont faits d'une couche semiûconductrice (107a). 22. Procédé selon l'une quelconque des revendications 19 à 21, dans lequel les motifs de compensation (130) sont faits d'une couche métallique source/drain (55b ; 120b). \\HIRSCH6\BRE\'ETS\Brevets\25500\25513-060626-tradTXT. doc - 27 juin 2006 - 24/25