FR 2855909 A1 20041210 FR 0306845 A 20030606 La présente invention concerne un procédé 5 d'obtention concomitante d'au moins deux structures comprenant chacune au moins une couche utile reportée sur un substrat pour des applications dans les domaines de l'électronique, l'opto-électronique ou l'optique. On connaît d'après l'état de la technique, 10 plusieurs procédés de report de couche. L'un d'entre eux consiste à implanter des espèces atomiques sous la surface d'un substrat source, de façon à y créer une zone de fragilisation qui délimite une couche mince. On procède ensuite à la mise 15 en contact de la face libre de cette couche mince avec un substrat support, puis au détachement de ladite couche mince, du reste du substrat source et à son report sur ledit substrat support. Pour la description de ce procédé on pourra se 20 référer à la littérature concernant le procédé connu sous la marque déposée "Smart Cut". Ce type de procédé génère un reste de substrat source qu'il faut recycler pour qu'il puisse être réutilisé lors d'un nouveau transfert de couche. Ceci implique des opérations de polissage et de finition qui peuvent être longues et coûteuses,tant par le prix du matériel utilisé pour les effectuer que par le temps passé à leur réalisation. En outre, pour certains matériaux extrêmement durs comme le carbure de 30 silicium, les étapes de recyclage précitées peuvent se révéler très longues et fastidieuses. On connaît également un procédé de transfert de couche connu sous l'acronyme "BESOI" de la terminologie anglo-saxonne "Bond and Etch Back Silicon On Insulator", selon lequel après avoir collé par 5 adhésion moléculaire un substrat source sur un substrat support, on procède au rodage et/ou à la gravure par attaque chimique puis au polissage de la surface libre (ou face arrière) de ce substrat source, jusqu'à obtenir sur ledit support, une couche mince de l'épaisseur 10 souhaitée. On notera qu'un tel procédé suppose la destruction de la majeure partie du substrat source à chaque structure réalisée, de sorte qu'il n'est pas rentable d'un point de vue économique, notamment lorsque 15 le matériau constituant la couche mince à reporter est cher. Enfin, dans le cas particulier des substrats de type "SOI" ("SOI" étant l'acronyme de l'expression anglo-saxonne "Silicon On Insulator" qui signifie 20 "silicium sur isolant") qui comprennent une couche de silicium épaisse recouverte d'une couche d'oxyde de silicium (SiO2) enterrée et d'une couche de silicium superficielle reportée, les mêmes problèmes de recyclage se posent pour le substrat de silicium ayant servi à 25 former ladite couche reportée. Par ailleurs, outre les problèmes de recyclage évoqués ci-dessus, il est également difficile de transférer des couches très fines, c'est à dire dont l'épaisseur est inférieure à 100 nanomètres (100 nm) 30 avec le procédé de type Smart Cut précité. En effet, les couches fines reportées présentent alors de nombreux défauts, tels que des cloques, dus par exemple au traitement effectué pour renforcer l'interface de collage entre cette couche fine et le substrat support. Ce problème de transfert de couches très minces de bonne qualité existe également dans les 5 substrats SOI, dans lesquels on constate qu'en dessous d'une certaine épaisseur en particulier de la couche d'oxyde enterrée, par exemple 20 nm, la couche de silicium transférée, présente des défauts, ces derniers étant d'autant plus marqués que l'on utilise en outre un 10 traitement thermique à haute température. A ce sujet, on peut se référer à l'article de Q.-Y. Tong, G. Cha, R. Gafiteau et U. Gâsele, "Low temperature wafer direct bonding", J. Microelectromech Syst., 3, 29, (1994). Lors des traitements thermiques, par exemple 15 de renforcement de l'interface de collage, dit "traitement de stabilisation", intervenant après l'étape de détachement, il se forme un gaz au niveau de l'interface de collage. Dans le cas d'un substrat SOI épais, l'épaisseur de la couche transférée est 20 importante et joue le rôle de raidisseur. Dans le cas d'un substrat SOI fin dans lequel la couche transférée et/ou la couche d'oxyde sont fines, les phénomènes précités d'absorption et d'effet raidisseur n'ont pas lieu et le dégazage conduit à 25 l'apparition d'un mauvais collage. Enfin, on sait également d'après le document WO 01/15218 que les étapes d'implantation d'espèces atomiques et de détachement créent des défauts et que ceux-ci sont concentrés majoritairement à l'intérieur de 30 la couche à reporter. Plus celle-ci sera mince et plus elle sera de mauvaise qualité. La présente invention a pour objet de résoudre les inconvénients précités et de fournir un procédé de transfert de couches économique, limitant le nombre de substrats source à recycler. A cet effet, l'invention concerne un procédé d'obtention concomitante d'au moins une paire de structures comprenant chacune au moins une couche utile reportée sur un substrat, pour des applications dans les domaines de l'électronique, l'optoélectronique ou 10 l'optique. Conformément à l'invention, ce procédé comprend les étapes suivantes consistant à : a) préparer une structure dite de rang 1, comprenant une couche utile reportée sur un substrat 15 support, b) former une zone de fragilisation à l'intérieur de ladite couche utile de la structure de rang 1, par implantation d'espèces atomiques, de façon à y définir deux couches, dites "couche utile avant" et 20 "couche utile arrière", la couche utile arrière étant située entre ladite couche utile avant et ledit substrat support, c) faire adhérer un substrat raidisseur sur la surface libre de ladite couche utile avant, d) procéder au détachement de l'empilement de couches obtenu à l'étape c), le long de ladite zone de fragilisation, par applications de contraintes, de façon à obtenir deux structures dites de rang 2, la première comprenant au moins ledit substrat support et ladite 30 couche utile arrière et la seconde comprenant au moins ledit substrat raidisseur et ladite couche utile avant. Selon une variante de réalisation de l'invention, on répète le cycle des opérations décrites aux étapes b) à d) en utilisant comme structure de départ au moins l'une des structures de rang 2 et en 5 utilisant des substrats raidisseurs et on réitère, le cas échéant, ce cycle d'opérations au moins une fois, à partir d'au moins l'une des structures de rang(s) suivant(s). De préférence, l'opération de report de 10 l'étape a) comprend une étape de collage, la couche utile venant directement au contact du substrat support, ou bien une ou plusieurs couches intermédiaires étant insérées entre la couche utile et le substrat support. De préférence également, l'opération d'adhésion de l'étape c) se fait par collage, le substrat raidisseur venant directement au contact de la surface libre de la couche utile avant, ou bien au moins une couche intercalaire étant insérée entre le substrat raidisseur et la surface libre de la couche utile avant. 20 De façon avantageuse, le collage précité se fait par adhésion moléculaire. Selon d'autres caractéristiques avantageuses et non limitatives de l'invention, prises seules ou en combinaison: - la couche intermédiaire est réalisée dans un matériau choisi parmi l'oxyde de silicium (SiO2), le nitrure de silicium (Si3N4), les matériaux isolants à forte permittivité, le diamant et le silicium contraint; - la couche intercalaire est réalisée dans un 30 matériau choisi parmi l'oxyde de silicium (SiO2), le nitrure de silicium (Si3N4), les matériaux isolants à forte permittivité, le diamant; - au moins l'un des éléments parmi le substrat support, le substrat raidisseur et la couche utile est réalisé dans un matériau semiconducteur; - le substrat support comprend au moins une 5 couche d'un matériau choisi parmi le silicium, le carbure de silicium, le saphir, le diamant, le germanium, le quartz, le zircane stabilisé yttrium et un alliage de carbure de silicum; - le substrat raidisseur comprend au moins une 10 couche d'un matériau choisi parmi le silicium, le carbure de silicium, le saphir, le diamant, le germanium, le quartz, le zircane stabilisé yttrium et un alliage de carbure de silicum; - la couche utile est réalisée dans un 15 matériau choisi parmi le silicium, le carbure de silicium, le saphir, le diamant, le germanium, le silicium-germanium, les composés III-V et les composés II-VI; - selon une variante particulière, le substrat 20 support est en silicium mono ou polycristallin, la couche utile en silicium monocristallin, le substrat raidisseur en silicium mono ou polycristallin, la couche intermédiaire et la couche intercalaire en oxyde de silicium; - la couche utile de la structure de rang 1 est obtenue par formation d'une zone de fragilisation initiale à l'intérieur d'un substrat source, cette zone de fragilisation initiale séparant ladite couche utile du reste du substrat source, par application de ce 30 substrat source sur ledit substrat support puis par détachement dudit reste le long de la zone de fragilisation initiale; - la zone de fragilisation initiale est formée par implantation d'espèces atomiques ou est une zone poreuse. D'autres caractéristiques et avantages de 5 l'invention apparaîtront à la lecture de la description suivante de plusieurs modes de réalisation de l'invention. Cette description est faite en référence aux dessins annexés dans lesquels: - les figures 1A à 1C sont des schémas 10 illustrant les différentes étapes d'un procédé d'obtention d'une structure comprenant une couche utile reportée sur un substrat support; - les figures 2A à 2C sont des schémas illustrant une variante de réalisation du procédé 15 représenté sur les figures 1A à 1C selon laquelle on obtient une structure comprenant une couche utile reportée sur un substrat à l'aide d'une couche intermédiaire; - les figures 3A à 3F sont des schémas 20 illustrant les différentes étapes d'un premier mode de réalisation du procédé d'obtention concomitante d'au moins une paire de structures selon l'invention; - les figures 4A à 4F sont des schémas illustrant une variante de réalisation du procédé 25 représenté sur les figures 3A à 3F; - et les figures 5A à 5F sont des schémas illustrant les différentes étapes d'un second mode de réalisation du procédé conforme à l'invention. Le procédé conforme à l'invention est réalisé 30 à partir d'une première structure 5 ou 5', dite de rang 1, obtenue par exemple par l'un des procédés dont les étapes successives sont illustrées sur les figures 1A à 1C ou 2A à 2C. On peut voir sur la figure 1A, un substrat source 1 présentant intérieurement une zone de 5 fragilisation 4 délimitant deux parties, à savoir une couche utile 11 et le reste 12 de ce substrat source ou partie arrière. Dans la suite de la description et des revendications, cette zone de fragilisation 4 est dénommée "zone de fragilisation initiale". Le substrat source 1 présente une face 13, dite "face avant", destinée à venir au contact d'un substrat support 2 qui sera décrit ultérieurement. De façon avantageuse, le substrat source 1 est choisi parmi les matériaux semi-conducteurs, notamment 15 ceux couramment utilisés pour des applications dans les domaines de l'électronique, l'opto-électronique ou l'optique. A titre d'exemple purement illustratif, il peut s'agir du silicium, du carbure de silicium, du 20 saphir, du diamant, du germanium, du siliciumgermanium, des composés III-V et des composés II-VI. Les composés III-V sont des composés dont l'un des éléments appartient à la colonne III de la classification périodique et l'autre à la colonne V, 25 tels que par exemple, le nitrure de gallium (GaN), l'arséniure de gallium (AsGa) ou le phosphure d'indium (InP). Les composés II-VI sont des composés dont l'un des éléments appartient à la colonne II de la 30 classification périodique et l'autre à la colonne VI, tel que par exemple, le tellurure de cadmium (CdTe). Le substrat source 1 peut également être un substrat composite, c'est-àdire un substrat composé d'une partie massive, par exemple en silicium, sur laquelle repose une couche tampon, par exemple en silicium-germanium (SiGe). Selon une première variante de réalisation, la zone de fragilisation initiale 4 peut être obtenue par implantation d'espèces atomiques. Par implantation d'espèces atomiques, on 10 entend tout bombardement d'espèces atomiques, moléculaires ou ioniques, susceptible d'introduire ces espèces dans un matériau, avec un maximum de concentration de ces espèces située à une profondeur déterminée par rapport à la surface bombardée 13. L'implantation des espèces atomiques dans ledit substrat source 1 peut être réalisée par exemple, grâce à un implanteur par faisceau d'ions ou par un implanteur par immersion dans un plasma. De préférence cette implantation est réalisée 20 par bombardement ionique. De préférence encore, l'espèce ionique implantée est de l'hydrogène. D'autres espèces ioniques peuvent avantageusement être utilisées seules ou en combinaison avec l'hydrogène, tels les gaz rares (l'hélium par exemple). Cette implantation a pour effet de créer dans le volume du substrat source 1 et à une profondeur moyenne de pénétration des ions, la zone de fragilisation initiale 4 qui s'étend sensiblement parallèlement au plan de la face avant 13. La couche 30 utile 11 s'étend entre la face avant 13 et cette zone de fragilisation 4. Pour la réalisation de cette étape, on pourra par exemple se référer à la littérature concernant le procédé connu sous la marque déposée "Smart Cut". La zone de fragilisation initiale 4 peut 5 également être constituée par une couche poreuse obtenue par exemple comme décrit dans le document EP-0 849 788. Dans ce cas, la couche utile 11 est obtenue par épitaxie. Le substrat support 2 a un rôle de support 10 mécanique et présente généralement de ce fait une épaisseur d'au moins environ 300 micromètres. Il est constitué de préférence de n'importe quel matériau semi-conducteur mono ou poly-cristallin utilisé couramment dans les applications précitées. Ce substrat support 2 peut être un substrat massif monocouche choisi par exemple parmi le silicium, le carbure de silicium, le saphir, le diamant, le germanium, le quartz, le zircane stabilisé yttrium (ZrO2 (Y03)) ou un alliage de carbure de silicium. Le substrat support 2 présente une face 20, dite "face avant" car destinée à recevoir la face avant 13 du substrat source 1. Ensuite, comme représenté sur la figure lB, la face avant 13 de la couche utile 11 est collée 25 directement sur le substrat support 2, c'est-àdire sans couche intermédiaire. De façon avantageuse, ce collage est réalisé par adhésion moléculaire. Après une éventuelle étape de recuit thermique, on procède au détachement du reste 12 le long 30 de la zone de fragilisation initiale 4 par application de contraintes (voir figure 1C). Il On utilise pour ce faire l'une des techniques suivantes parmi: l'application de contraintes d'origine mécanique, électrique, la gravure chimique ou l'apport d'énergie, par exemple l'utilisation d'un laser, de 5 micro-ondes, d'un chauffage inductif, d'un traitement thermique dans un four. Ces techniques permettant le détachement sont connues de l'homme du métier et ne seront pas décrites plus en détail. Elles peuvent être utilisées seules ou en combinaison. On obtient ainsi la structure dite de rang 1, référencée 5, comprenant la couche utile 11 reportée sur un substrat support 2. Les figures 2A à 2C illustrent une variante de réalisation du procédé qui vient d'être décrit 15 conjointement avec les figures lA à lC mais qui diffère de celui-ci en ce qu'au moins une couche intermédiaire 3 est insérée entre la couche utile l1 et le substrat support 2. Toutefois, à des fins de simplification, sur 20 les figures 2A à 2C et sur les figures 5A à 5F, une seule couche intermédiaire 3 a été représentée. De façon avantageuse, chacune de ces couches intermédiaires 3 est réalisée dans un matériau choisi parmi l'oxyde de silicium (SiO2), le nitrure de silicium 25 (Si3N4), les matériaux isolants à forte permittivité et le diamant. Il est également possible d'avoir une couche intermédiaire de silicium contraint sur une couche utile de silicium-germanium relaxée (SiGe). Dans le cas o 30 l'on a plusieurs couches intermédiaires 3, celles-ci peuvent être de même nature ou de natures différentes. Cette couche intermédiaire 3 peut être obtenue par des techniques de dépôt chimique en phase vapeur ou toute autre technique connue de l'homme du métier, réalisées soit sur la face avant 20 du substrat support 5 2, soit sur la face avant 13 du substrat source 1, soit sur ces deux faces avant et ce, avant que ces deux substrats ne soient appliqués l'un contre l'autre. Lorsque cette couche intermédiaire 3 est une couche d'oxyde, elle peut également être obtenue par 10 oxydation thermique de l'un ou l'autre des deux substrats 1 ou 2. Quelle que soit la façon dont la ou les couches intermédiaires 3 ont été obtenues, la surface libre de la couche intermédiaire supérieure est collée 15 contre la surface libre du substrat 1 ou 2 en regard, de préférence par adhésion moléculaire. A l'issue de cette variante de réalisation du procédé, on obtient une première structure de rang 1 référencée 5', comprenant le substrat source 2, la 20 couche utile 11 et la couche intermédiaire 3 insérée entre eux. Dans la suite de la description et des revendications, le terme "reportée" pour une structure de rang 1 signifie qu'une couche utile est reportée sur 25 un substrat support par un procédé comprenant au moins une étape de collage, en présence ou non d'au moins une couche intermédiaire 3. Selon un autre mode de réalisation non représenté sur les figures, la couche utile 11 peut être 30 reportée sur le substrat support 2 par la technique BESOI mentionnée précédemment, en présence ou en l'absence de la couche intermédiaire 3. Les figures 3A à 3C illustrent un cycle complet d'étapes d'un premier mode de réalisation du procédé conforme à l'invention permettant l'obtention concomitante d'une paire de structures comprenant chacune une couche utile reportée sur un substrat. Comme on peut le voir sur la figure 3A, on forme une zone de fragilisation 6 à l'intérieur de la couche utile 11 de la structure 5 de rang 1 obtenue précédemment, par implantation d'espèces atomiques selon 10 la technique décrite précédemment pour l'obtention de la zone de fragilisation initiale 4. Ceci permet de définir deux couches, à savoir d'une part une couche utile avant 110 et d'autre part une couche utile arrière 120 située entre ladite couche 15 utile avant 110 et le substrat support 2. L'étape suivante illustrée sur la figure 3B consiste à faire adhérer un substrat raidisseur 71 sur la surface libre 130 de ladite couche utile avant 110, par collage, de préférence par collage direct par 20 adhésion moléculaire. Enfin, la dernière étape du cycle illustrée sur la figure 3C consiste à procéder au détachement de l'empilement de couches obtenu à l'étape précédente, le long de ladite zone de fragilisation 6, par application 25 de contraintes, selon des techniques connues de l'homme du métier et décrites précédemment conjointement avec les figures 1C et 2C. On obtient ainsi deux structures 51 et 52 dites de rang 2. La première structure 51 comprend le 30 substrat support 2 et la couche utile arrière 120 et la seconde structure 52 comprend le substrat raidisseur 71 et la couche utile avant 110. On notera que la couche utile 11 doit présenter une épaisseur suffisante pour qu'après l'étape de détachement les deux couches utiles 110 et 120 obtenues ne présentent pas de défauts ni de cloques. Les 5 épaisseurs des deux couches utiles 110 et 120 peuvent être identiques ou différentes en fonction de la profondeur d'implantation des espèces atomiques et donc de la localisation de la zone de fragilisation 6. Il est alors possible de répéter le cycle 10 d'opérations qui vient d'être décrit, c'est-à-dire la formation d'une zone de fragilisation, l'adhésion d'un substrat raidisseur et le détachement le long de la zone de fragilisation formée, à au moins l'une des structures 51,52 de rang 2, voire aux deux, jusqu'à obtenir selon 15 le cas une ou deux paires de structures de rang 3, référencées respectivement 511, 512, 521, 522 (voir la figure 3F). Comme représenté sur la figure 3D, on peut voir que l'on soumet la face avant 140 de la couche 20 utile 110 à une opération de formation d'une zone de fragilisation 6, par implantation d'espèces atomiques, de façon à définir une couche utile arrière 111 et une couche utile avant 112. On procède de façon similaire pour la 25 structure de rang 2 référencée 51 et l'on obtient une couche utile avant 122 et une couche utile arrière 121. On fait ensuite adhérer par collage par adhésion moléculaire un substrat raidisseur 72 sur la face avant 140 de la couche utile avant 112 et un 30 substrat raidisseur 73 sur la face avant 150 de la couche utile avant 122. Comme représenté sur la figure 3F, on procède alors au détachement des deux empilements de couches obtenus, le long de la zone de fragilisation 6, pour obtenir quatre structures de rang 3. Les deux structures 521 et 522 de rang 3 issues de la structure 52 de rang 2 comprennent respectivement le raidisseur 71 et la couche utile arrière 111 pour la première et le raidisseur 72 et la couche utile avant 112 pour la seconde, tandis que les 10 deux structures 511 et 512 de rang 3 issues de la structure 51 de rang 2 comprennent respectivement le raidisseur 73 et la couche utile avant 122 pour la première et le substrat support 2 et la couche utile arrière 121 pour la seconde. Il est alors possible si on le souhaite de réitérer le cycle des trois opérations qu vient d'être décrit en utilisant comme structure de départ au moins l'une des structures de rang 3 ou des rangs suivants obtenues ultérieurement et ce, jusqu'à ce que les 20 couches utiles reportées sur un substrat atteignent une épaisseur au-delà de laquelle un cycle supplémentaire aboutirait au report d'une couche utile de mauvaise qualité, c'est à dire présentant des défauts ou des cloques. Les figures 4A à 4F illustrent une variante de réalisation du procédé qui se distingue de celui décrit conjointement avec les figures 3A à 3F en ce qu'au moins une couche intercalaire 8, respectivement 8",sont insérées entre les substrats raidisseurs 71, 30 respectivement 73 et la couche utile en regard. On notera que sur les figures, une seule couche intercalaire 8,8" a été représentée à des fins de simplification. Cette couche intercalaire 8 ou 8" peut être 5 réalisée par exemple par dépôt chimique en phase vapeur ou par toute autre technique de dépôt de couches connue de l'homme du métier. Les couches intercalaires 8, respectivement 8", peuvent également être obtenues par oxydation du 10 substrat raidisseur 71, respectivement 73. Ce dépôt peut être effectué soit sur le raidisseur avant son application sur la couche utile, soit sur cette dernière, de préférence avant l'étape d'implantation d'espèces atomiques visant à former la 15 zone de fragilisation 6. La couche intercalaire 8 ou 8" est ensuite collée sur la couche en regard, de préférence par collage par adhésion moléculaire. A titre d'exemple, les couches intercalaires 20 8, 8" sont réalisées dans un matériau choisi parmi l'oxyde de silicium (SiO2), le nitrure de silicium (Si3N4), les matériaux isolants à forte permittivité et le diamant. Dans le cas o l'on a plusieurs couches 25 intercalaires 8,8", celles-ci peuvent être de même nature ou de natures différentes. On notera sur la figure 4E que le raidisseur 72 est collé directement sur la couche utile avant 112, c'est-à-dire sans couche intercalaire. On obtient ainsi quatre structures de rang 3 dont deux uniquement, référencées 521' et 511' comprennent un raidisseur, une couche utile et une couche intercalaire. Les figures 5A à 5F illustrent un second mode de réalisation du procédé de l'invention qui se 5 distingue de celui décrit conjointement avec les figures 4A à 4F en ce que d'une part, on utilise comme structure de départ la structure de rang 1 référencée 5' comprenant une couche intermédiaire 3 insérée entre la couche utile 11 et le substrat support 2 et en ce que 10 d'autre part, on utilise une couche intercalaire 8' entre le raidisseur 72 et la couche utile avant 112. Cette couche intercalaire 8' est de même nature et obtenue de la même façon que les couches intercalaires 8 ou 8" précédemment décrites. On obtient ainsi deux structures de rang 2 référencées 51' et 52' et quatre structures de rang 3, les trois premières référencées 521', 522' et 511' comprenant toutes un raidisseur, une couche intercalaire 8, 8' ou 8" et une couche utile, la quatrième 512' 20 comprenant le substrat support 2, la couche intermédiaire 3 et la couche utile 121. Dans la suite de la description et des revendications, l'expression "faire adhérer un substrat raidisseur sur une couche utile" englobe le cas o il 25 existe un contact intime entre le raidisseur et la couche utile et le cas o au moins une couche intercalaire 8, 8' ou 8" est présente entre eux. Dans les différents procédés qui viennent d'être décrits, on entend par l'expression "substrat 30 raidisseur", tout type de substrat ayant un rôle de support mécanique et permettant de prélever la couche utile depuis le substrat dont elle est issue. Le choix de la nature du raidisseur 71, 72, 73 est fonction de l'application finale visée pour la structure obtenue. Les substrats raidisseurs 71, 72 et 73 peuvent 5 être choisis parmi les exemples donnés pour le substrat support 2. Les différents procédés qui viennent d'être décrits et leurs variantes permettent d'obtenir au moins une paire de structures à l'issue de chaque cycle du 10 procédé pour un seul substrat source 1 à recycler, de sorte qu'ils sont plus économiques et plus rentables que les procédés connus de l'état de la technique qui nécessitaient le recyclage du substrat source pour chaque structure formée. De plus, à chaque réitération du cycle d'étapes, l'opérateur peut choisir d'appliquer des raidisseurs de même nature ou de natures différentes et comportant ou non une couche intercalaire 8, 8', 8". Il en résulte la possibilité d'obtenir de façon 20 concomitante des structures comportant des empilements de couches différentes. Enfin, en fonction des paramètres d'implantation des espèces atomiques, il est également possible de former la zone de fragilisation 6 de façon 25 que les couches utiles arrières 120, 111 ou 121 soient très minces, par exemple d'une épaisseur inférieure à 50 nm, tandis que les couches utiles avant voisines, référencées respectivement 110, 112 ou 122, sont beaucoup plus épaisses. L'épaisseur de la couche utile 30 avant associée à celle du raidisseur qui est appliqué contre permet d'effectuer le traitement thermique de recuit ultérieur sans déformation ni apparition de cloques au niveau de la couche utile arrière. On obtient ainsi une couche utile arrière reportée beaucoup plus mince que ce que l'on pouvait obtenir jusqu'à présent avec des procédés d'implantation tel que le procédé Smart Cut. En outre, les étapes d'implantation d'espèces atomiques effectuées sur des substrats de rang 1 ou supérieur concentrent les défauts dans les couchesutiles avant 110 ou 122, tandis que les couches utiles 10 arrières 120 ou 121 qui n'auront pas subi directement l'implantation présenteront une zone avec des défauts liés à l'implantation et au détachement s'étendant sur une épaisseur moins importante au niveau de la zone de détachement que celle de la couche avant. On va maintenant décrire un exemple de réalisation du procédé conforme à l'invention, en faisant référence aux figures 5A à 5F. Exemple 1: On utilise comme structure de rang 1, une structure 5' de type substrat SOI comprenant un substrat support 2 en silicium monocristallin, une couche intermédiaire 3 en oxyde de silicium SiO2 d'une épaisseur de 20 nm et une couche utile 11 en silicium 25 monocristallin d'une épaisseur de 1. 5 pm. On procède ensuite à la formation de la zone de fragilisation 6 par implantation d'ions hydrogène selon une énergie d'implantation de l'ordre de 150 keV et une dose d'implantation de l'ordre de 6.1016H+/cm2. On 30 forme ainsi une couche utile arrière 120 d'une épaisseur de 20 nm. On applique alors un raidisseur 71 en silicium monocristallin recouvert d'une couche intercalaire 8 d'oxyde de silicium SiO2 d'une épaisseur de 20 nm et l'on procède au détachement le long de la zone de fragilisation 6. On obtient ainsi de façon simultanée une paire de substrats SOI 51' et 52'. On réitère ensuite le cycle des opérations en utilisant comme structure de départ, le substrat SOI de 10 rang 2 référencé 52' Après préparation des surfaces, la couche utile avant 112 présente une épaisseur de l'ordre de 0,6 micron et la couche utile arrière 111 une épaisseur de l'ordre de 0,6 micron. On utilise un raidisseur 72 en 15 silicium monocristallin recouvert d'une couche d'oxyde de silicium 8' d'une épaisseur de 20 nm (20 nanomètres) et l'on obtient deux substrats SOI de rang 3, référencés 521' et 522' dont les couches utiles respectives 111 et 112, après détachement, présentent des épaisseurs de 20 l'ordre de 0,6 micron. REVENDICATIONS lo Procédé d'obtention concomitante d'au moins une paire de structures (51,51',52,52') comprenant chacune au moins une couche utile (110,120) reportée sur un substrat (71,2) pour des applications dans les 5 domaines de l'électronique, l'optoélectronique ou l'optique, comprenant les étapes consistant à : a) préparer une structure (5,5'), dite de rang 1, comprenant une couche utile (11) reportée sur un substrat support (2), b) former une zone de fragilisation (6) à l'intérieur de ladite couche utile (11) de la structure de rang 1, par implantation d'espèces atomiques, de façon à y définir deux couches (110,120), dites "couche utile avant" et "couche utile arrière", la couche utile 15 arrière (120) étant située entre ladite couche utile avant (110) et ledit substrat support (2), c) faire adhérer un substrat raidisseur (71) sur la surface libre (130) de ladite couche utile avant (110), d) procéder au détachement de l'empilement de couches obtenu à l'étape c), le long de ladite zone de fragilisation (6), par applications de contraintes, de façon à obtenir deux structures dites de rang 2 (51,51', 52,52'), la première (51,51') comprenant au 25 moins ledit substrat support (2) et ladite couche utile arrière (120) et la seconde (52,52') comprenant au moins ledit substrat raidisseur (71) et ladite couche utile avant (110). 2. Procédé selon la revendication 1 d'obtention concomitante de plusieurs paires de structures (511, 511', 512, 512', 521, 521', 522, 522') comprenant chacune au moins une couche utile (111, 112, 5 121, 122) reportée sur un substrat (2, 71, 72, 73), caractérisé en ce que l'on répète le cycle des opérations décrites aux étapes b) à d) en utilisant comme structure de départ au moins l'une des structures de rang 2 (51, 51', 52, 52') et en utilisant des substrats raidisseurs (72, 73) et en ce qu'on réitère, le cas échéant, ce cycle d'opérations au moins une fois, à partir d'au moins l'une des structures de rang(s) suivant(s) (511, 511', 512, 512', 521, 521', 522, 522'). 3. Procédé selon la revendication 1 ou 2, 15 caractérisé en ce que l'opération de report de l'étape a) comprend une étape de collage, la couche utile (11) venant directement au contact du substrat support (2). 4. Procédé selon la revendication 1 ou 2, caractérisé en ce que l'opération de report de l'étape 20 a) comprend une étape de collage, une ou plusieurs couches intermédiaires (3) étant inséréees entre la couche utile (11) et le substrat support (2). 5. Procédé selon l'une quelconque des revendications précédentes, caractérisé en ce que 25 l'opération d'adhésion de l'étape c) se fait par collage, le substrat raidisseur (71, 72, 73) venant directement au contact de la surface libre (130, 140, 150) de la couche utile avant (110, 112, 122). 6. Procédé selon l'une quelconque des 30 revendications précédentes, caractérisé en ce que l'opération d'adhésion de l'étape c) se fait par collage, au moins une couche intercalaire (8, 8', 8") étant insérée entre le substrat raidisseur (71, 72, 73) et la surface libre (130,140,150) de la couche utile avant (110, 112, 122). 7. Procédé selon l'une des revendications 3 à 5 6, caractérisé en ce que le collage est effectué par adhésion moléculaire. 8. Procédé selon la revendication 4, caractérisé en ce que ladite couche intermédiaire (3) est réalisée dans un matériau choisi parmi l'oxyde de 10 silicium (SiO2), le nitrure de silicium (Si3N4), les matériaux isolants à forte permittivité, le diamant et le silicium contraint. 9. Procédé selon la revendication 6, caractérisé en ce que ladite couche intercalaire (8, 8', 15 8") est réalisée dans un matériau choisi parmi l'oxyde de silicium (SiO2), le nitrure de silicium (Si3N4), les matériaux isolants à forte permittivité, le diamant. 10. Procédé selon l'une quelconque des revendications précédentes, caractérisé en ce qu'au 20 moins l'un des éléments parmi le substrat support (2), le substrat raidisseur (71, 72, 73) et la couche utile (11, 110, 120, 111, 112, 121, 122) est réalisé dans un matériau semiconducteur. 11. Procédé selon l'une quelconque des 25 revendications précédentes, caractérisé en ce que le substrat support (2) comprend au moins une couche d'un matériau choisi parmi le silicium, le carbure de silicium, le saphir, le diamant, le germanium, le quartz, le zircane stabilisé yttrium et un alliage de 30 carbure de silicium. 12. Procédé selon l'une quelconque des revendications précédentes, caractérisé en ce que le substrat raidisseur (71, 72, 73) comprend au moins une couche d'un matériau choisi parmi le silicium, le carbure de silicium, le saphir, le diamant, le germanium, le quartz, le zircane stabilisé yttrium et un alliage de carbure de silicium. 13. Procédé selon l'une quelconque des revendications précédentes, caractérisé en ce que la couche utile (11, 110, 120, 111, 112, 121, 122) est réalisée dans un matériau choisi parmi le silicium, le 10 carbure de silicium, le saphir, le diamant, le germanium, le silicium-germanium, les composés III-V et les composés II-VI. 14. Procédé selon l'une quelconque des revendications précédentes, caractérisé en ce que le 15 substrat support (2) est en silicium mono ou polycristallin, la couche utile (11, 110, 120, 111, 112, 121, 122) en silicium monocristallin, le substrat raidisseur (71, 72, 73) en silicium mono ou polycristallin, la couche intermédiaire (3) et la couche 20 intercalaire (8, 8', 8") en oxyde de silicium. 15. Procédé selon l'une quelconque des revendications précédentes, caractérisé en ce que la couche utile (11) de la structure de rang 1 est obtenue par formation d'une zone de fragilisation initiale (4) à 25 l'intérieur d'un substrat source (1), cette zone de fragilisation initiale (4) séparant ladite couche utile (11) du reste (12) du substrat source (1), par application de ce substrat source (1) sur ledit substrat support (2), puis par détachement dudit reste (12) le 30 long de la zone de fragilisation initiale (4). 16. Procédé selon la revendication 15, caractérisé en ce que la zone de fragilisation initiale (4) est formée par implantation d'espèces atomiques. 17. Procédé selon la revendication 15, 5 caractérisé en ce que la zone de fragilisation initiale (4) est une zone poreuse.