FR 2835981 A1 20030815 FR 0201759 A 20020213 MICRORESONATEUR MEMS A ONDES ACOUSTIQUES DE VOLUME ACCORDABLE DESCRIPTION Domaine technique La présente invention concerne un microrésonateur MEMS (de l'anglais"micro-electro-mechanical system") à ondes acoustiques de volume accordable. Etat de la technique antérieure Dans une chaîne d'émission-réception pour communications mobiles par exemple, plusieurs niveaux de filtrage sont nécessaires : en sortie d'antenne, comme filtre de bande ou de éjection, etc... Actuellement, pour réaliser des filtres RF, deux solutions principales sont exploitées : - les composants SAW (de l'anglais"surface acoustic wave") qui donnent d'excellents résultats mais qui ne sont pas intégrables directement dans les circuits intégrés ; - les circuits RLC qui sont intégrables mais dont les caractéristiques sont médiocres compte tenu des performances de chacun des composants, en particulier de la self (le facteur de qualité d'une self intégrée dépasse difficilement 30). Un troisième axe de recherche apparaît, basé sur l'utilisation de résonateurs mécaniques à ondes acoustiques de volume ou FBAR (de l'anglais"film bulk acoustic resonator"). Ces résonateurs peuvent être intégrés et offrent des facteurs de qualité importants (supérieurs à 1000). Ce sont par conséquent des dispositifs intéressants puisqu'ils permettent a priori d'associer de bonnes performances (facteur de qualité élevé) et un faible coût de production (dispositifs intégrables). Les résonateurs à ondes acoustiques se classent donc en deux catégories : les résonateurs à ondes acoustiques de surface ou SAW et les résonateurs à ondes acoustiques de volume ou FBAR. Pour les résonateurs SAW, une onde de surface est générée en excitant un matériau piézoélectrique (quartz, LiNbO3, LiTaO) par un réseau d'électrodes en peigne. La détection de cette onde se fait par-un deuxième jeu d'électrodes interdigitées. La largeur, l'écartement et le nombre de peignes d'excitation et de détection conditionnent la fréquence de résonance de l'oscillateur ou la bande passante du filtre. Les filtres SAW sont utilisés dans des gammes de fréquence allant de 100 MHz à environ 2,5 GHz. La surface de ces dispositifs, qui est de plusieurs mm2, ainsi que les matériaux piézoélectriques utilisés (quartz, LiNb03, LiTa03.',) rendent le principe peu adapté à une réalisation sur circuit intégré. Bien que performant et largement éprouvé, ce type de composant paraît par conséquent plutôt réservé à une technologie d'hybridation. Dans le cas des résonateurs FBAR, une onde acoustique de volume est générée par l'excitation d'une couche mince piézoélectrique (en AlN, PZT ou ZnO) comprise entre deux électrodes. Pour ces résonateurs micro-mécaniques, les filtres sont généralement réalisés en couplant plusieurs de ces résonateurs entre eux. Les fréquences de résonance des résonateurs, qui sont généralement proches, fixent la fréquence centrale du filtre. La bande passante du filtre dépend des caractéristiques du couplage (position, rigidité) tandis que le nombre de résonateurs donne l'ordre du filtre. Ce type de résonateur permet de réaliser des filtres dans la gamme 300 MHz-12,5 GHz. On peut classer les résonateurs FBAR en deux groupes appelés dans la littérature spécialisée FBAR-MEMS et SMR. Dans le cas des FBAR-MEMS, le résonateur en matériau piézoélectrique est écarté du substrat pour éviter toute dissipation des ondes acoustiques. Cet écartement est obtenu soit par gravure de la face arrière du substrat, soit en suspendant le résonateur par l'utilisation d'une couche sacrificielle. Dans le cas des SMR (pour"Solidly Mounted Resonator"), on utilise un réseau de Bragg acoustique sous le résonateur en matériau piézoélectrique. Ce réseau de Bragg acoustique est constitué d'un multicouche de matériaux, chaque couche du multicouche ayant une épaisseur de À/4 (À étant la longueur d'onde correspondant à la fréquence du résonateur) et présentant un module de Young très différent d'une couche à l'autre. Ce multicouche est destiné à réfléchir l'onde acoustique. Pour ces types de résonateurs à ondes acoustiques de volume, la fréquence de résonance est inversement proportionnelle à l'épaisseur de la couche piézoélectrique. Dans le cas d'un résonateur en AIN par exemple, une fréquence de 1 GHz est obtenue pour une épaisseur d'environ 1 m. Dans les applications RF, on recherche classiquement des fréquences de résonance de l'ordre du gigahertz, correspondant à des épaisseurs de matériau piézoélectrique voisines de micromètre (généralement de 1 à quelques micromètres) avec un contrôle de cette fréquence à quelques MHz ou dizaines de MHz. Cette variation de fréquence correspond à un contrôle de l'épaisseur de la couche de matériau piézoélectrique du résonateur à moins de 10 nm (correspondant à une dispersion inférieure à 1%). D'un point de vue industriel, ce contrôle de l'épaisseur n'est guère envisageable. Par ailleurs, aucun de ces composants de l'art antérieur n'est accordable. Exposé de l'invention La présente invention permet de combler cette lacune de l'art antérieur au moyen d'un résonateur de type FBAR-MEMS (c'est-à-dire un résonateur à ondes acoustiques de volume suspendu) disposant d'un système permettant d'exercer une contrainte mécanique variable sur le résonateur. Elle a pour objet un microrésonateur à ondes acoustiques de volume suspendu, comprenant une poutre en matériau piézoélectrique solidaire d'un support et d'épaisseur prévue pour fonctionner à une fréquence de résonance donnée, la poutre étant prise en sandwich selon son épaisseur entre des électrodes d'excitation, caractérisé en ce qu'il comprend en outre des moyens permettant de modifier les conditions limites du résonateur constitué par la poutre excitée afin de modifier ladite fréquence de résonance. Selon une première variante, les moyens permettant de modifier les conditions limites du résonateur comprennent des moyens permettant d'exercer une contrainte mécanique sur la poutre. Selon un premier mode de réalisation, les moyens permettant d'exercer une contrainte mécanique sur la poutre sont des moyens permettant l'application d'une force électrostatique à la poutre, d'où il résulte une flexion de la poutre. La poutre peut être solidaire du support par ses deux extrémités ou par une seule de'ses extrémités. Si la poutre se trouve écartée du support par la présence d'une cavité vis-à-vis de la poutre, les moyens permettant l'application d'une force électrostatique peuvent comprendre au moins une électrode située sur ladite poutre et au moins une électrode située en vis-à-vis de cette électrode et dans la cavité. L'électrode d'application d'une force électrostatique située sur la poutre peut être l'une des électrodes d'excitation. Selon un deuxième mode de réalisation, les moyens permettant d'exercer une contrainte mécanique sur la poutre sont des moyens produisant un effet bilame. Les moyens produisant un effet bilame peuvent comprendre au moins un dispositif à effet bilame résultant d'une couche métallique formée sur une face de la poutre et d'un élément chauffant. Ils peuvent alors être disposés sur une même face de la poutre. Les moyens produisant un effet bilame peuvent aussi former au moins un double bilame, un premier dispositif à effet bilame étant disposé sur une face de la poutre et un deuxième dispositif à effet bilame étant disposé sur l'autre face de la poutre, ces deux dispositifs à effet bilame étant situés en regard l'un de l'autre. L'élément chauffant peut être une résistance électrique supportée par la couche métallique et séparée de la couche métallique par une couche d'isolant électrique. Il peut aussi être constitué par la couche métallique du dispositif à effet bilame. Selon un troisième mode de réalisation, les moyens permettant d'exercer une contrainte mécanique sur la poutre sont des moyens piézoélectriques. Ces moyens piézoélectriques peuvent comprendre, sur au moins une face de la poutre, des électrodes permettant l'application d'un champ électrique à la poutre, d'où il résulte une contrainte de compression/dilatation ou de cisaillement dans le plan de la poutre. L'une des électrodes des moyens piézoélectriques peut être une électrode d'excitation. Selon une deuxième variante, les moyens permettant de modifier les conditions limites du résonateur comprennent des moyens permettant d'exercer une charge mécanique sur la poutre. Avantageusement, les moyens permettant d'exercer une charge mécanique sur la poutre comprennent une poutre de charge, solidaire du support et disposée en vis-à-vis de la poutre en matériau piézoélectrique de manière à exercer ladite charge mécanique sous l'action d'une force électrostatique appliquée à la poutre de charge par des moyens d'application d'une force électrostatique. Ces moyens d'application d'une force électrostatique peuvent comprendre une première électrode disposée sur la poutre de charge et une deuxième électrode constituée par l'une des électrodes d'excitation. Selon une troisième variante, les moyens permettant de modifier les conditions limites du résonateur comprennent des moyens permettant de modifier la température de la poutre en matériau piézoélectrique. Avantageusement, les moyens permettant de modifier la température de la poutre en matériau piézoélectrique comprennent au moins une résistance électrique. La résistance électrique peut être disposée sur l'une des électrodes d'excitation et être séparée de cette électrode d'excitation par une couche d'isolant électrique. La poutre en matériau piézoélectrique munie de ses électrodes d'excitation peut être solidaire du support par l'intermédiaire d'une couche en matériau diélectrique. Brève description des dessins L'invention sera mieux comprise et d'autres avantages et particularités apparaîtront à la lecture de la description qui va suivre, donnée à titre d'exemple non limitatif, accompagnée des dessins annexés parmi lesquels : - la figure 1 est la vue en coupe d'un microrésonateur selon la première variante de l'invention, - la figure 2 est une vue en coupe d'un autre microrésonateur selon la première variante de l'invention, - la figure 3 est une vue en coupe d'encore un autre microrésonateur selon la première variante de l'invention, - les figures 4 à 6 sont des vues de dessus illustrant plusieurs configurations possibles pour le microrésonateur de la figure 2, - la figure 7 est une vue en coupe d'encore un autre microrésonateur selon la première variante de l'invention, - les figures 8 à 10 sont des vues de des-sus illustrant plusieurs configurations possibles pour le microrésonateur de la figure 7, - les figures 11A et llB sont des vues en coupe d'un microrésonateur selon la deuxième variante de l'invention - les figures 12A et 12B sont des vues respectivement en coupe et de dessus d'un microrésonateur selon la troisième variante de l'invention, - les figures 13A à 13H sont des vues en coupe illustrant un procédé de réalisation d'un microrésonateur selon la première variante de l'invention. Description détaillée de modes de réalisation de l'invention La description qui va suivre va porter sur trois variantes de réalisation de l'invention. Selon la première variante, la modification des conditions limites du résonateur provient d'une contrainte mécanique exercée sur la poutre formant résonateur. La contrainte mécanique peut résulter d'une force électrostatique provoquant une flexion de la poutre, avec ou sans modification de l'encastrement. La contrainte mécanique peut aussi résulter d'un effet de type bilame thermique provoquant une compression pure (dans le cas d'un double bilame) ou un effet cumulé de moment fléchissant et de compression (cas d'un bilame simple). La contrainte mécanique peut encore résulter d'une contrainte piézoélectrique amenée par l'excitation du résonateur lui-même (déformation-du résonateur suivant sa longueur ou suivant son épaisseur par exemple). Selon la deuxième variante, la modification des conditions aux limites du résonateur provient de l'application d'une charge variable sur le résonateur. La charge variable peut provenir du collage localisé d'une poutre supplémentaire ou poutre de charge sur le résonateur par le biais de forces électrostatiques. Selon la troisième variante, la modification des conditions aux limites du résonateur provient d'une modification de sa température. La température du résonateur peut être modifiée et contrôlée par le biais d'une résistance chauffante placée sur la poutre formant résonateur. Comme pour tout résonateur mécanique, cette variation de conditions limites (contraintes, charge, température) s'exprime par une variation de la fréquence de résonance du système (modification des conditions limites). La possibilité selon l'invention de contrôler la fréquence de résonance des oscillateurs permet d'une part de relâcher le contrôle sur l'épaisseur de la couche de matériau piézoélectrique et, d'autre part, de contrôler de manière dynamique la résonance de chacun des oscillateurs pour réaliser un filtre accordable. La figure 1 est une vue en coupe d'un microrésonateur selon la première variante de l'invention, dans le cas où la contrainte exercée sur la poutre provient d'une force électrostatique. Une couche en matériau piézoélectrique 1 est suspendue au-dessus d'une cavité 2 réalisée dans un support 3. Elle est du type poutre encastrée à ses deux extrémités. La cavité 2 peut avoir entre quelques dixièmes et quelques dizaines de Mm de profondeur, par exemple de 1 à 2 Mm de profondeur. La poutre en matériau piézoélectrique 1 est prise en sandwich entre un premier jeu d'électrodes : une électrode supérieure 4 et une électrode inférieure 5. Ce premier jeu d'électrodes est destiné à soumettre la poutre à un ou des modes de résonance. Pour cela, les électrodes 4 et 5 sont reliées à un générateur de tension alternative 6 à la fréquence de résonance du mode choisi. Un second jeu d'électrodes permet l'application d'une force électrostatique à la poutre. Ce second jeu d'électrodes peut être constitué par une électrode 7 disposée au fond de la cavité 2 et par l'électrode inférieure 5 disposée en vis-à-vis de 11 électrode 7. Une tension de polarisation fournie par un générateur de courant continu 8 est appliquée entre les électrodes 5 et 7 pour induire une flexion de la poutre. Cette flexion génère une contrainte sur le résonateur, ce qui se traduit par une modification de sa fréquence de résonance. La contrainte étant fonction de la tension de polarisation, la fréquence de résonance est également liée à la tension de polarisation. Pour des raisons de réalisation technologique, une couche 9 formant poutre support peut être intercalée entre le support 3 et le résonateur. La couche 9 peut être en nitrure ou en oxyde de silicium. La déformation de la poutre 1 sous l'effet d'une force électrostatique a été représentée en traits interrompus. La figure 2 est une vue en coupe d'un autre microrésonateur selon la première variante de l'invention, toujours dans le cas où la contrainte exercée sur la poutre provient d'une force électrostatique. A la différence de la poutre de la figure 1, la poutre formant résonateur est une poutre en porte à faux. Une poutre en matériau piézoélectrique 91 est suspendue en porte à faux au-dessus d'une cavité ou évidement 92 d'un support 93. La poutre 91 est prise en sandwich entre une électrode supérieure 94 et une électrode inférieure 95 destinées à soumettre la poutre à un ou des modes de résonance. Pour cela, les électrodes 94 et 95 sont reliées à un générateur de tension alternative 96 à la fréquence de résonance du mode choisi. Une électrode 97 est disposée au fond de la cavité 92 et est recouverte d'une couche de matériau diélectrique 99. Une tension de polarisation fournie par un générateur de tension continue 98 est appliquée entre les électrodes 95 et 97 pour induire une flexion de la poutre. Sur la figure 2, la poutre 91 est représentée en traits interrompus en l'absence de tension de polarisation et en traits pleins pour une tension de polarisation appliquée. La couche de matériau diélectrique 99, continue ou discontinue (par exemple sous forme de petits plots diélectriques), évite tout court-circuit entre les électrodes 95 et 97.'En fonction de la tension de polarisation appliquée, la poutre 91 est plus ou moins attirée vers le fond de la cavité 92. La figure 3 est une vue en coupe d'un autre microrésonateur selon la première variante de l'invention, dans le cas où la contrainte exercée sur la poutre provient d'un effet bilame thermique. Comme pour la figure 1, une poutre en matériau piézoélectrique 11 est suspendue au-dessus d'une cavité 12 réalisée dans un support 13. La cavité 12 peut avoir entre quelques dixièmes et quelques dizaines de J1. m de profondeur, par exemple de 1 à 2 ism de profondeur. La poutre en matériau piézoélectrique 11 est prise en sandwich entre une électrode supérieure 14 et une électrode inférieure 15 destinées à soumettre la poutre 11 à un ou des modes de résonance. Pour cela, les électrodes 14 et 15 sont reliées à un générateur de tension alternative 16 à la fréquence de résonance du mode choisi. Un bilame thermique peut être disposé sur une ou plusieurs parties de la poutre, sur ou sous la poutre. Dans le cas représenté à la figure 3, la poutre supporte deux bilames thermiques 17 et 18 disposés en vis-à-vis sur chaque face de la poutre en matériau piézoélectrique 11. Chaque bilame 17 ou 18 est composé d'une couche à fort coefficient de dilatation thermique (en général une couche métallique) disposée sur la poutre en matériau piézoélectrique, qui est à faible coefficient de dilatation thermique, et d'un élément chauffant constitué d'une résistance électrique. L'élément chauffant peut faire partie de la couche à fort coefficient de dilatation thermique ou être une couche rapportée, isolée de la couche à fort coefficient de dilatation thermique par une couche mince diélectrique. En faisant passer un courant dans la résistance électrique d'un élément chauffant, la température du bilame (constitué par la couche à fort coefficient de dilatation thermique et la poutre) augmente. Sous effet de cette élévation de température, la dilatation différentielle des deux matériaux du bilame génère une force de compression et un moment fléchissant sur la poutre. Si la poutre supporte deux bilames disposés comme sur la figure 2, la poutre n'est soumise qu'à une force de compression. Les figures 4 à 6 sont des vues de dessus illustrant plusieurs dispositions possibles pour les bilames. La figure 4 montre une couche de matériau piézoélectrique 21 formant poutre et supportant une électrode supérieure 24 destinée à l'application d'une tension alternative à la poutre. Le bilame 27, présent sur une extrémité de la face supérieure de la poutre, comprend en superposition une couche métallique 271 déposée sur la poutre, une couche d'isolant électrique 272 et une résistance électrique 273. La figure 5 montre une couche de matériau piézoélectrique 31 formant poutre et supportant une électrode supérieure 34 d'excitation du résonateur. La poutre supporte, à chacune de ses extrémités et sur sa face supérieure, un bilame 37, 37'du type décrit à- la figure 4. La figure 6 montre une couche de matériau piézoélectrique 51 formant poutre et supportant une électrode supérieure en deux parties 54 et 54'formant l'électrode supérieure d'excitation du résonateur. La partie centrale de la poutre est occupée par un bilame 57 du type décrit à la figure 4. La figure 7 est une vue en coupe d'un microrésonateur selon la première variante de l'invention, dans le cas où la contrainte exercée sur la poutre provient d'une déformation du résonateur par effet piézoélectrique. Comme pour les figures 1 et 3, une poutre en matériau piézoélectrique 61 est suspendue au-dessus d'une cavité 62 réalisée dans un support 63. La cavité 62 peut avoir entre quelques dixièmes et quelques dizaines de m de profondeur, par exemple de 1 à 2 m de profondeur. La poutre en matériau piézoélectrique 61 est prise en sandwich entre une électrode supérieure 64 et une électrode inférieure 65 destinées à l'excitation de la poutre. Pour cela, les électrodes 64 et 65 sont reliées à un générateur de tension alternative 66 à la fréquence de résonance du mode choisi.' Sur une ou plusieurs parties de la poutre, sur la face supérieure et/ou sur la face inférieure, des électrodes supplémentaires sont disposées pour générer un champ électrique continu dans la poutre en matériau piézoélectrique 61. L'arrangement de ces électrodes dépend de l'orientation du cristal piézoélectrique et de la direction de déformation désirée. Dans le cas de la figure 7, une électrode supplémentaire 67 est disposée sur la face supérieure de la poutre et une électrode supplémentaire 68 est disposée sur la face inférieure de la poutre. Les électrodes 64 et 67 sont reliées à un premier générateur de tension continue 69. Les électrodes 65 et 68 sont reliées à un deuxième générateur de tension continue 60. Les déformations locales générées par les tensions continues appliquées aux électrodes 64 et 67 d'une part et 65 et 68 d'autre part, ont pour effet de faire varier la fréquence de résonance du résonateur. Les figures 8 à 10 sont des vues de dessus illustrant plusieurs dispositions possibles pour les électrodes supplémentaires. La figure 8 reproduit le cas de la face supérieure de la poutre en matériau piézoélectrique 61 où l'électrode 64 d'excitation du résonateur et l'électrode supplémentaire 67 sont reliées au générateur de tension continue 69 (voir la figure 7). Le champ électrique induit par la tension continue entre les électrodes 64 et 67 est à l'origine de la contrainte mécanique. La figure 9 représente une variante pour laquelle la poutre en matériau piézoélectrique 71 supporte, sur sa face supérieure, une électrode 74 d'excitation du résonateur et deux électrodes supplémentaires 771 et 772 situées de chaque côté de l'électrode d'excitation 74. Les électrodes 74 et 771 sont reliées à un premier générateur de tension continue 791 pour induire un champ électrique entre ces électrodes. Les électrodes 74 et 772 sont reliées à un deuxième générateur de tension continue 792 pour induire un champ électrique entre ces électrodes. Les champs électriques induits par ces tensions continues sont à l'origine de contraintes mécaniques dans la poutre en matériau piézoélectrique 71. La figure 10 représente une variante pour laquelle la poutre en matériau piézoélectrique 81 supporte, sur sa face supérieure, une électrode d'excitation du résonateur en deux parties 841 et 842. Chaque partie 841 et 842 est reliée à un générateur de tension continue 89 qui induit un champ électrique dans l'intervalle séparant les parties 841 et 842. Les figures 11A et 11B sont des vues en coupe d'un microrésonateur selon la deuxième variante de l'invention. Selon cette variante, une charge variable est appliquée au résonateur. Une poutre en matériau piézoélectrique 121 est suspendue au-dessus d'une cavité 122 réalisée dans un support 123. La cavité 122 peut avoir 1 ou 2 lim de profondeur. La poutre en matériau piézoélectrique 121 est prise en sandwich entre une électrode supérieure 124 et une électrode inférieure 125 destinées à l'excitation de la poutre. Pour cela, les électrodes 124 et 125 sont reliées à un générateur de tension alternative 126 à la fréquence de résonance du mode choisi. L'ensemble constitué par la poutre 121 et les électrodes 124 et 125 est solidaire du support 123 par l'intermédiaire des éléments 127,129, 120 et 130. L'élément 127 est une électrode solidaire du support 123 et surplombant la cavité 122. Elle est recouverte d'une couche de matériau diélectrique 129. Les éléments 120 et 130 sont des espaceurs maintenant, en l'absence d'une tension continue appliquée entre les électrodes 125 et 127 par le générateur de tension 128, un écartement entre l'ensemble des éléments 125-121-124 et l'ensemble des éléments 127-129 qui constitue une poutre de charge. C'est ce que montre la figure 11A. La figure 11B représente le cas où une tension de polarisation est fournie par le générateur de tension 128 entre les électrodes 125 et 127 pour coller une partie de la poutre de charge sur l'ensemble des éléments 125-121-124. La surface de collage est plus ou moins importante en fonction de la tension de polarisation. La surface de collage permet de faire varier la charge appliquée sur le résonateur et donc la fréquence de résonance du résonateur. Les figures 12A et 12B sont des vues respectivement en coupe et de dessus illustrant un microrésonateur selon la troisième variante de l'invention. Selon cette variante, la température du résonateur est modifiée. Une poutre en matériau piézoélectrique 41 est suspendue au-dessus d'une cavité 42 réalisée dans un support 43. La cavité 42 peut avoir 1 ou 2 pm de profondeur. La poutre en matériau piézoélectrique 41 est prise en sandwich entre une électrode supérieure 44 et une électrode inférieure 45 destinées à l'excitation de la poutre. Pour cela, les électrodes 44 et 45 sont reliées à un générateur de tension alternative 46 à la fréquence de résonance du mode choisi. L'électrode d'excitation 44 supporte successivement une couche de matériau diélectrique'49 servant d'isolant électrique et une résistance chauffante 47 filiforme. L'élévation de température induit par le passage d'un courant électrique dans la résistance 47 modifie les caractéristiques du résonateur, ce qui se traduit par une variation de la fréquence de résonance. Dans les différentes variantes du microrésonateur selon l'invention représentées ci-dessus, la poutre est écartée du support par la présence d'une cavité. Une autre façon de faire serait de graver entièrement la face arrière du support pour libérer la poutre. La couche 9 formant poutre support visible sur la figure 1 peut également être présente dans les autres variantes de microrésonateurs selon l'invention. La réalisation d'un microrésonateur selon l'invention va maintenant être présentée. Cette réalisation est illustrée par les figures 13A à 13H. La figure 13A montre un support constitué par un substrat de silicium 100 sur une face duquel a été déposée une couche 103 d'oxyde de silicium de 2 um d'épaisseur. Dans la couche 103 d'oxyde de silicium, une cavité 102 de 1, 5 um de profondeur est réalisée. C'est ce que montre la figure 13B. Un dépôt métallique de 0, 8 um d'épaisseur est effectué au fond de la cavité 102 pour fournir l'électrode 107 destinée à déformer et contraindre le résonateur. C'est ce que montre la figure 13C. Ensuite, une couche sacrificielle 110 est déposée dans la partie restante de la cavité pour la combler et atteindre le niveau supérieur de la couche 103. C'est ce que montre la figure 13D. Un dépôt métallique de 0, 2 um d'épaisseur est réalisé afin d'obtenir l'électrode inférieure 105 d'excitation du résonateur. C'est ce que montre la figure 13E. Sur l'électrode inférieure 105, on dépose alors la poutre en matériau piézoélectrique 101 du résonateur. C'est ce que montre la figure 13F. Ensuite un dépôt métallique de 0, 2 um d'épaisseur est effectué sur la poutre en matériau piézoélectrique 101 pour obtenir l'électrode supérieure 104 d'excitation du résonateur. C'est ce que montre la figure 13G. Enfin, on procède au retrait de la couche sacrificielle 110 pour libérer le résonateur et obtenir la structure représentée à la figure 13H. La présente invention permet donc de réaliser des résonateurs et filtres RF intégrés et accordables par un procédé de réalisation compatible avec la fabrication de circuits intégrés. Elle permet la réalisation de filtres plus"robustes"puisque l'ajustage des fréquences de résonance de chaque oscillateur peut se faire après la fabrication, par contrôle de la contrainte mécanique et non plus uniquement par un contrôle très précis de l'épaisseur de la poutre en matériau piézoélectrique. Elle rend possible la réalisation d'un filtre accordable. REVENDICATIONS 1. Microrésonateur à ondes acoustiques de volume suspendu, comprenant une poutre en matériau piézoélectrique (1, 11, 61,91, 101,121) solidaire d'un support (3,13, 63,93, 103,123) et d'épaisseur prévue pour fonctionner à une fréquence de résonance donnée, la poutre étant prise en sandwich selon son épaisseur entre des électrodes d'excitation (4,5 ; 14, 15 ; 64,65 ; 94, 95 ; 104,105 ; 124,125), caractérisé en ce qu'il comprend en outre des moyens permettant de modifier les conditions limites du résonateur constitué par la poutre excitée afin-de modifier ladite fréquence de résonance. 2. Microrésonateur selon la revendication 1, caractérisé en ce que les moyens permettant de modifier les conditions limites du résonateur comprennent des moyens permettant d'exercer une contrainte mécanique sur la poutre. 3. Microrésonateur selon la revendication 2, caractérisé en ce que les moyens permettant d'exercer une contrainte mécanique sur la poutre sont des moyens permettant l'application d'une force électrostatique à la poutre, d'où il résulte une flexion de la poutre. 4. Microrésonateur selon la revendication 3, caractérisé en ce que la poutre (1) est solidaire du support (3) par ses deux extrémités. 5. Microrésonateur selon la revendication 3, caractérisé en ce que la poutre (91) est solidaire du support (93) par une seule de ses extrémités. 6. Microrésonateur selon l'une quelconque des revendications 3 à 5, caractérisé en ce que la poutre (1) se trouvant écartée du support (3) par la présence d'une cavité (2) située en vis-à-vis de ladite poutre, les moyens permettant l'application d'une force électrostatique comprennent au moins une électrode (5) située sur ladite poutre et au moins une électrode (7) située en vis-à-vis de cette électrode (5) et dans- la cavité (2). 7. Microrésonateur selon la revendication 6, caractérisé en ce que l'électrode d'application d'une force électrostatique située sur ladite poutre est l'une des électrodes d'excitation. 8. Microrésonateur selon la revendication 2, caractérisé en ce que les moyens permettant d'exercer une contrainte mécanique sur la poutre sont des moyens (17,18) produisant un effet bilame. 9. Microrésonateur selon la revendication 8, caractérisé en ce que les moyens produisant un effet bilame comprennent au moins un dispositif à effet bilame résultant d'une couche métallique (271) formée sur une face de la poutre et d'un élément chauffant (273). 10. Microrésonateur selon la revendication 9, caractérisé en ce que les moyens produisant un effet bilame sont disposés sur une même face de la poutre. 11. Microrésonateur selon la revendication 9, caractérisé en ce que les moyens produisant un effet bilame forment au moins un double bilame, un premier dispositif à effet bilame (17) étant disposé sur une face de la poutre et un deuxième dispositif à effet bilame (18) étant disposé sur l'autre face de la poutre, ces deux dispositifs à effet bilame étant situés en regard l'un de l'autre. 12. Microrésonateur selon la revendication 9, caractérisé en ce que ledit élément chauffant est une résistance électrique (273) supportée par la couche métallique (271) et séparée de la couche métallique par une couche d'isolant électrique (272). 13. Microrésonateur selon la revendication 9, caractérisé en ce que ledit élément chauffant est constitué par la couche métallique du dispositif à effet bilame. 14. Microrésonateur selon la revendication. 2, caractérisé en ce que les moyens permettant d'exercer une contrainte mécanique sur la poutre sont des moyens piézoélectriques. 15. Microrésonateur selon la revendication 14, caractérisé en ce que les moyens piézoélectriques comprennent, sur au moins une face de la poutre, des électrodes (64,67, 65,68) permettant l'application d'un champ électrique à la poutre, d'où il résulte une contrainte de compression/dilatation ou de cisaillement dans le plan de la poutre. 16. Microrésonateur selon la revendication 15, caractérisé en ce que l'une des électrodes des moyens piézoélectriques est une électrode d'excitation. 17. Microrésonateur selon la revendication'1, caractérisé en ce que les moyens permettant de modifier les conditions limites du résonateur comprennent des moyens permettant d'exercer une charge mécanique sur la poutre. 18. Microrésonateur selon la revendication 17, caractérisé en ce que les moyens permettant d'exercer une charge mécanique sur la poutre (121) comprennent une poutre de charge (127,129), solidaire du support (123) et disposée en vis-à-vis de la poutre en matériau piézoélectrique (121) de manière à exercer ladite charge mécanique sous l'action d'une force électrostatique appliquée à la poutre de charge par des moyens d'application d'une force électrostatique. 19. Microrésonateur selon la revendication 18, caractérisé en ce que les moyens d'application d'une force électrostatique comprennent une première électrode (127) disposée sur la poutre de charge et une deuxième électrode constituée par l'une des électrodes d'excitation (125). 20. Microrésonateur selon la revendication 1, caractérisé en ce que les moyens permettant de modifier les conditions limites du résonateur comprennent des moyens permettant de modifier la température de la poutre en matériau piézoélectrique. 21. Microrésonateur selon la revendication 20, caractérisé en ce que les moyens permettant de modifier la température de la poutre en matériau piézoélectrique (41) comprennent au moins une résistance électrique (47). 22. Microrésonateur selon la revendication 21, caractérisé en ce que la résistance électrique (47) est disposée sur l'une des électrodes d'excitation (44) et est séparée de cette électrode d'excitation par une couche d'isolant électrique (49). 23. Microrésonateur selon l'une quelconque des revendications précédentes, caractérisé en ce que la poutre en matériau piézoélectrique (1) munie de ses électrodes d'excitation (4,5) est solidaire du support (3) par l'intermédiaire d'une couche en matériau diélectrique (9).