FR 2884164 A1 20061013 FR 0651303 A 20060411 ARRIERE-PLAN DE L'INVENTION La présente invention concerne d'une manière générale le domaine des tampons de polissage pour le polissage mécano-chimique. En particulier, la présente invention concerne des tampons de polissage conditionnés utiles pour le polissage mécano-chimique de substrats magnétiques, optiques et semiconducteurs. Dans la fabrication des circuits intégrés et d'autres dispositifs électroniques, de multiples couches de matériaux conducteurs, semiconducteurs et diélectriques sont déposées sur une surface d'une plaquette semiconductrice et en sont retirées. Des couches minces de matériaux conducteurs, semiconducteurs et diélectriques peuvent être déposées au moyen d'un certain nombre de techniques de dépôt. Les techniques de dépôt courantes dans le traitement moderne des plaquettes incluent le dépôt physique en phase vapeur (PVD), connu également comme étant la pulvérisation cathodique, le dépôt chimique en phase vapeur (CVD) , le dépôt chimique en phase valeur stimulé par plasma (PECVD) et le plaquage électrochimique, parmi d'autres. Les techniques de retrait courantes incluent la gravure isotrope et anisotrope humide et sèche, parmi d'autres. Quand des couches de matériaux sont successivement déposées et retirées, la surface supérieure de la plaquette devient non plane. Du fait que le traitement subséquent des semiconducteurs (par exemple métallisation) exige que la plaquette ait une surface plane, la plaquette doit être planarisée. La planarisation est utile pour retirer une topographie de surface indésirable et les défauts de surface, comme les surfaces rugueuses, les matériaux agglomérés, les détériorations du réseau cristallin, les éraflures et les couches ou matériaux contaminés. La planarisation est mesurée à l'échelle de la plaquette en termes d'uniformité. Typiquement, l'épaisseur des films minces est mesurée à des dizaines ou des centaines de points sur la surface de la plaquette, et l'écart- type est calculé. La planarisation est mesurée aussi à l'échelle des caractéristiques du dispositif. Cette nanotopographie est mesurée en termes de retrait excessif et d'érosion, parmi d'autres. Typiquement, la nanotopographie est résolue à plus haute fréquence, mais elle est mesurée sur une plus petite surface. 2884164 2 La planarisation mécano-chimique, ou polissage mécano-chimique (CMP), est une technique courante utilisée pour planariser ou polir des pièces comme des plaquettes semiconductrices. Dans la CMP conventionnelle, un support de plaquette, ou tête de polissage, est monté sur un ensemble de support. La tête de polissage maintient la plaquette et place la plaquette en contact avec une couche de polissage d'un tampon de polissage dans un appareil de CMP. L'ensemble de support applique une pression régulable entre la plaquette et le tampon de polissage. Simultanément, une suspension, ou un autre agent de polissage, s'écoule sur le tampon de polissage et dans l'interstice entre la plaquette et la couche de polissage. Pour réaliser le polissage, le tampon de polissage et la plaquette tournent typiquement l'un par rapport à l'autre. La surface de la plaquette est polie et rendue plane par l'action chimique et mécanique de la couche de polissage et de l'agent de polissage sur la surface. Quand le tampon de polissage tourne sous la plaquette, la plaquette balaie une piste de polissage typiquement annulaire, ou région de polissage, où la surface de la plaquette est juste en face de la couche de polissage. Des considérations importantes dans la conception d'une couche de polissage incluent la distribution de l'agent de polissage sur la face de la couche de polissage, l'écoulement d'agent de polissage frais dans la piste de polissage, l'écoulement d'agent de polissage usé depuis la piste de polissage et la quantité d'agent de polissage qui s'écoule sur la zone de polissage sensiblement non utilisée, parmi d'autres. Une manière de traiter ces considérations consiste à munir la couche de polissage d'une microtexture rainurée. Au cours des années, quelques motifs et configurations de rainures différents ont été réalisés. Les motifs de rainures typiques incluent les motifs radiaux, circulaires concentriques, de type réseau cartésien et en spirale, parmi d'autres. Le motif et la configuration des rainures affectent non seulement la distribution et l'écoulement de l'agent de polissage mais aussi d'autres aspects importants du procédé CMP, et finalement la planarité de la plaquette, comme la vitesse de polissage, l'effet de bord, le retrait excessif et d'autres. De plus, le motif et la configuration des rainures affectent la planarité de la plaquette par le biais d'un phénomène connu comme étant le "transfert de motif de rainures". Ce phénomène a pour résultat que certains motifs de rainures conduisent à la création de 2884164 3 structures cohérentes sur la surface de la plaquette correspondant au motif des rainures du tampon de polissage. Un point important est que les rainures circonférentielles (rainures qui forment de petits angles avec une tangente à la vitesse du tampon de polissage), c'est-à-dire les rainures circulaires, les rainures x-y circulaires ou les rainures en spirale produisent un effet de transfert de motif de rainures plus prononcé que les rainures x-y ou les rainures radiales. Le conditionnement du tampon de polissage est critique pour maintenir une surface de polissage constante pour des performances de polissage constantes. Au cours du temps, la surface de polissage du tampon de polissage s'use, en aplanissant la microtexture ("lissage") de la surface de polissage. De plus, des débris provenant du procédé CMP peuvent obturer les microcanaux par lesquels la suspension s'écoule sur la surface de polissage. Quand ceci se produit, la vitesse de polissage du procédé CMP diminue; et ceci peut conduire à un polissage non uniforme entre les plaquettes ou dans une plaquette. Le conditionnement "in situ" périodique ou continu crée une nouvelle texture sur la surface de polissage qui est utile pour maintenir la vitesse de polissage et l'uniformité de polissage souhaitées dans le procédé CMP. Le conditionnement des tampons de polissage conventionnels est obtenu par abrasion de la surface de polissage mécaniquement avec un disque de conditionnement. Le disque de conditionnement a une surface de conditionnement rugueuse constituée typiquement par des pointes de diamant incluses. Le disque de conditionnement est mis en contact avec la surface de polissage pendant une interruption du procédé de CMP ou tandis que le procédé CMP est en cours. Typiquement, le disque de conditionnement est entraîné en rotation dans une position qui est fixée par rapport à l'axe de rotation du tampon de polissage, et balaie une région de conditionnement annulaire quand le tampon de polissage est entraîné en rotation. Le procédé de conditionnement tel qu'il est décrit crée un conditionnement uniforme dans la région de conditionnement, les microcanaux ayant typiquement une orientation biaisée suivant la circonférence du fait que la vitesse linéaire de la table de polissage est supérieure à celle d'un point quelconque du disque de conditionnement. Il a été décrit dans l'état de la technique qu'un conditionnement non uniforme augmente l'écoulement de ragent de polissage sur la 2884164 4 surface de polissage. Par exemple, dans le brevet US n 5 216 843, Breivogel et al. décrivent un tampon de polissage ayant des macrorainures circonférentielles et des microrainures radiales créées par un procédé de conditionnement à pointes de diamant. Cependant, le tampon de polissage de Breivogel et al. contient des rainures circonférentielles qui subissent les effets indésirables du transfert de motif de rainures. Ce transfert de motif de rainure peut produire des plaquettes non uniformes ayant des structures cohérentes indésirables qui équivalent à des régions sous-polies de la plaquette. Les structures cohérentes, qui ont typiquement une hauteur de dizaines de nanomètres ou plus, résultant du transfert de motif de rainures seront inacceptables pour la fabrication future des plaquettes semiconductrices. Il existe un besoin d'un tampon de polissage permettant de réguler la distribution et l'écoulement de l'agent de polissage dans le procédé CMP et de produire des plaquettes uniformes avec un plus haut degré de planarité. EXPOSE DE L'INVENTION Un aspect de l'invention inclut un tampon de polissage utile pour polir au moins un substrat parmi un substrat magnétique, un substrat optique et un substrat semiconducteur, comprenant: a) une couche de polissage ayant un centre de rotation et incluant une piste de polissage annulaire concentrique avec le centre de rotation et ayant une largeur, la largeur de la piste de polissage annulaire étant dépourvue de rainures non radiales pour réduire le transfert de motif de rainures, les rainures non radiales étant des rainures qui ont une orientation située dans les limites de 30 degrés de la circonférence par rapport au centre de rotation; et b) une pluralité de microcanaux radiaux dans la couche de polissage dans la largeur de la piste de polissage annulaire et une majorité des microcanaux radiaux ayant principalement une orientation radiale et ayant une largeur moyenne inférieure à 50 pm. Un autre aspect de l'invention inclut un tampon de polissage utile pour polir au moins un substrat parmi un substrat magnétique, un substrat optique et un substrat semiconducteur, comprenant: a) une couche de polissage ayant un centre de rotation et incluant une piste de polissage annulaire concentrique avec ie Itre de rotation et ayant une largeur, la largeur de la piste de polissage annulaire contenant des rainures radiales, les rainures radiales ayant une aire de section moyenne; et b) une pluralité de microcanaux radiaux dans la couche de polissage dans la largeur de la piste de polissage annulaire, les microcanaux radiaux ayant une aire de section moyenne inférieure d'un multiple d'au moins 10 à l'aire de section moyenne des rainures radiales et une majorité des microcanaux radiaux ayant principalement une orientation radiale. Un autre aspect de l'invention inclut un procédé de polissage d'au moins un substrat parmi un substrat magnétique, un substrat optique et un substrat semiconducteur en présence d'un agent de polissage, comprenant: le polissage avec un tampon de polissage, le tampon de polissage incluant une couche de polissage ayant un centre de rotation et incluant une piste de polissage annulaire concentrique avec le centre de rotation et ayant une largeur, la largeur de la piste de polissage annulaire étant dépourvue de rainures non radiales pour réduire le transfert de motif de rainures, les rainures non radiales étant des rainures qui ont une orientation située dans les limites de 30 degrés de la circonférence par rapport au centre de rotation; et une pluralité de microcanaux radiaux dans la couche de polissage dans la largeur de la piste de polissage annulaire et une majorité des microcanaux radiaux ayant principalement une orientation radiale et ayant une largeur moyenne inférieure à 50 pm; et le conditionnement du tampon pendant le polissage pour introduire des microcanaux radiaux supplémentaires. Un autre aspect de l'invention inclut un procédé de polissage d'au moins un substrat parmi un substrat magnétique, un substrat optique et un substrat semiconducteur en présence d'un agent de polissage, comprenant: le polissage avec un tampon de polissage, le tampon de polissage incluant une couche de polissage ayant un centre de rotation et incluant une piste de polissage annulaire concentrique avec le centre de rotation et ayant une largeur, la largeur de la piste de polissage annulaire contenant des rainures radiales, les rainures radiales ayant une aire de section moyenne; et une pluralité de microcanaux radiaux dans la couche de polissage dans la largeur de la piste de polissage annulaire, les microcanaux radiaux ayant une aire de section moyenne inférieure d'un multiple d'au moins 10 à l'aire de section moyenne des rainures radiales et 2884164 6 une majorité des microcanaux radiaux ayant principalement une orientation radiale, et le conditionnement du tampon pendant le polissage pour introduire des microcanaux radiaux supplémentaires. BREVE DESCRIPTION DES DESSINS La figure 1 est une vue de dessus d'un tampon de polissage de la présente invention ayant des rainures radiales; La figure 1A est une vue de dessus agrandie du tampon de polissage de la figure 1; La figure 2 est une vue de dessus d'un autre tampon de polissage de la présente invention ayant des rainures radiales incurvées; La figure 2A est une vue de dessus agrandie du tampon de polissage de la figure 2; La figure 3 est une vue de dessus d'un autre tampon de 15 polissage de la présente invention ayant des rainures radiales en gradins; La figure 3A est une vue de dessus agrandie du tampon de polissage de la figure 3; La figure 4 est une vue de dessus schématique du tampon de polissage de la figure 1 avec une plaque de conditionnement pour mettre 20 en oeuvre le procédé de la présente invention avec un tampon non rainuré ; et La figure 4A est un schéma du tampon de polissage non rainuré de la figure 4. DESCRIPTION DETAILLEE DE L'INVENTION L'invention concerne des tampons de polissage ayant une macro- et microtexture qui réduit les effets de transfert de motif de rainures sur le substrat poli résultant. Il a été découvert que le conditionnement radial peut réduire les non-uniformités de surface sur les substrats magnétiques, optiques et semiconducteurs. Pour les besoins de cette description, la direction radiale désigne un trajet dans les limites de 600 d'une droite allant du centre à la circonférence du tampon de polissage ("direction radiale" )i De préférence, les microcanaux sont situés dans les limites de 45 degrés et de manière particulièrement préférable de 30 degrés de la direction radiale. Les microcanaux radiaux produits par le conditionnement peuvent faciliter la distribution de la suspenaidi vers 2884164 7 l'extérieur qui peut réduire les régions souspolies associées avec les phénomènes de transfert de motif de rainures. Typiquement, plus le pourcentage de microcanaux ayant une direction radiale est élevé, moins il y a de régions sous-polies du fait du polissage. Pour les besoins de cette description, une majorité de microcanaux biaisés radialement désigne le total des microcanaux radiaux mesurés par total linéaire, qui est supérieur aux microcanaux non radiaux mesurés par total linéaire. Ces tampons conditionnés radialement peuvent faciliter l'uniformité de la plaquette à une échelle qui correspond à la fréquence des microcanaux quand des substrats sont polis avec un agent de polissage. Tel qu'il est utilisé dans cette description, le terme "agent de polissage" inclut des solutions de polissage contenant des particules et des solutions ne contenant pas de particules, comme des solutions de polissage sans abrasif et liquides réactives. Les matériaux typiques des tampons de polissage polymères incluent les polycarbonates, les polysulfones, le nylon, les polyéthers, les polyesters, les copolymères polyéther-polyester, les polymères acryliques, le poly(méthacrylate de méthyle), le poly(chlorure de vinyle), les copolymères de polyéthylène, le polybutadiène, les polyéthylène-imines, les polyuréthanes, les polyéthersulfones, les polyétherimides, les polycétones, les époxydes, les silicones, leurs copolymères et leurs mélanges. De préférence, le matériau polymère est un polyuréthane; et de manière particulièrement préférable c'est un polyuréthane réticulé, comme IC1000TM et VisionPadTM produits par Rohm and Haas Electronic Materials CMP Technologies. Typiquement, ces tampons sont en polyuréthanes dérivés d'isocyanates difonctionnels ou polyfonctionnels, par exemple polyétherurées, polyisocyanurates, polyuréthanes, polyurées, polyuréthaneurées, leurs copolymères et leurs mélanges. Ces tampons de polissage peuvent être poreux ou non poreux. S'ils sont poreux, ces tampons de polissage contiennent typiquement une porosité d'au moins 0,1 % en volume. Cette porosité contribue à l'aptitude du tampon de polissage à transférer les fluides de polissage. De préférence, le tampon de polissage a une porosité de 0,2 à 70 % en volume. De manière particulièrement préférable, le tampon de polissage a une porosité de 0,25 à 60 % en volume. De préférence, les pores ou les particules de charge ont un diamètre moyen en masse de 1 à 100 lama De 2884164 8 manière particulièrement préférable, les pores ou les particules de charge ont un diamètre moyen en masse de 10 à 90 pm. De plus, un diamètre moyen en masse de 10 à 30 pm (de manière particulièrement de 15 à 25 pm) peut améliorer encore les performances de polissage. La plage nominale des diamètres moyens en masse des microsphères polymères creuses expansées est typiquement 10 à 50 pm. Eventuellement, il est possible d'ajouter des microsphères polymères creuses non expansées directement dans un mélange de prépolymères liquides. Typiquement, les microsphères non expansées s'expansent in situ pendant la coulée. Il est possible d'introduire la porosité en coulant des microsphères creuses, préexpansées ou expansées in situ; en utilisant des agents moussants chimiques; en utilisant des gaz dissous, comme l'argon, le dioxyde de carbone, l'hélium, l'azote et l'air; ou des fluides supercritiques, comme le dioxyde de carbone supercritique; en frittant des particules de polymère; par dissolution sélective; par aération mécanique, par exemple par agitation, ou en utilisant un adhésif pour agglomérer des particules de polymères. De plus, les tampons de polissage polymères peuvent inclure des matériaux filmogènes polymères dont une solution dans un solvant liquide se forme et une couche de la solution sèche pour former un film polymère normalement solide (c'est-à-dire solide à la température atmosphérique normale). Le matériau polymère peut consister en polymères linéaires ou en mélanges de ceux-ci, avec des additifs comme des agents de durcissement, des agents colorants, des plastifiants, des stabilisants et des charges. Les polymères incluent par exemple les polymères de polyuréthane, les polymères d'halogénure de vinyle, les polyamides, les polyesteramides, les polyesters, les polycarbonates, le polyvinylbutyral, le polyalphaméthylstyrène, le poly(chlorure de vinylidène), les alkylesters d'acides acryliques et méthacryliques, le polyéthylène chlorosulfoné, les copolymères de butadiène et d'acrylonitrile, les esters et éthers cellulosiques, le polystyrène et leurs combinaisons. De préférence, les tampons de polissage coagulés poreux ont une matrice poreuse formée avec un polymère de type polyuréthane. De manière particulièrement préférable, les tampons de polissage poreux sont formés par coagulation d'un polymère du type polyétheruréthane avec le poly(cl:s comme les tampons de polissage 2884164 9 PolitexTM de Rohm and Haas Electronic Materials CMP technologies. Il est possible de déposer la matrice coagulée sur une matrice de type feutre ou à base de film, comme un film de polyéthylènetéréphtalate MylarTM. La matrice poreuse a une couche de polissage non fibreuse. Pour les besoins de cette description, la couche de polissage est la partie du tampon de polissage capable d'entrer en contact avec un substrat pendant le polissage. Bien qu'une structure à alvéoles fermées ou non réticulées soit acceptable, de manière particulièrement avantageuse, cette structure est une structure à alvéoles ouvertes ou réticulée contenant des ouvertures microporeuses qui relient les alvéoles. La structure réticulée microporeuse permet l'écoulement des gaz dans les pores, mais limite la pénétration de la suspension dans le tampon de polissage pour maintenir une épaisseur plus uniforme du tampon de polissage pendant le polissage. Les microcanaux radiaux typiques peuvent avoir une largeur moyenne inférieure à 50 pm, mais avec un conditionnement au diamant agressif ils peuvent avoir une largeur aussi importante que 100, 150 ou 200 pm. Selon la forme du diamant, la vitesse de coupe et le substrat, les microcanaux ont typiquement une profondeur au moins égale, double ou triple de la largeur des microcanaux. Du fait des conditions d'usure associées avec le polissage et le conditionnement continu ou semicontinu, le tampon contiendra des microcanaux ayant une plage de hauteurs et de largeurs de microcanaux. Une majorité de ces microcanaux auront une orientation radiale dans la piste de plaquette, mais de préférence au moins 80 % auront une orientation radiale dans la piste de plaquette. De manière particulièrement préférable, tous les microcanaux ont une direction radiale dans la piste de plaquette. Bien que les opérations de polissage CMP typiques puissent être basées sur l'oscillation de la plaquette pendant le polissage pour augmenter l'uniformité, aux fins de cette description, la phrase dans la piste de polissage ou dans la piste de plaquette désigne la piste de plaquette produite sans oscillation. Pour les substrats de tampon de polissage poreux, le tampon a typiquement des longueurs de microcanaux radiaux d'au moins 100 fois le diamètre poreux moyen. De préférence, les tampons poreux ont des longueurs de microcanaux radiaux d'au moins 10 000 fois le diamètre poreux moyen. La longueur accrue dans la direction radiale a tendance à 2884164 10 faciliter l'écoulement de la suspension, le retrait des débris et à réduire le transfert de motif sur le substrat, comme une plaquette semiconductrice. De plus, pour éviter les régions sous-polies associées avec des rainures, de préférence le tampon de polissage n'inclut pas de rainures circulaires ou en spirale dans la piste de plaquette. De manière particulièrement préférable, le tampon n'a aucune rainure située dans les limites de 30 degrés de la circonférence par rapport au centre de rotation. Ceci évite les configurations de rainures associées avec les problèmes de transfert de motif de rainures les plus graves. Pour limiter encore le transfert de motif de rainures, le tampon de polissage peut éventuellement ne contenir aucune rainure ayant une aire de section moyenne (profondeur moyenne des rainures multipliée par la largeur moyenne des rainures pour des sections de rainure de forme rectangulaire) supérieure ou égale à 15 000 pm2 dans la piste de polissage annulaire. Ceci peut éventuellement être limité encore pour éliminer les rainures ayant des aires de section supérieures à 7 500 pm2 dans la piste de polissage annulaire. Le tampon de polissage contient éventuellement des macrorainures radiales comme des rainures radiales rectilignes, radiales incurvées, radiales en gradins ou d'autres rainures biaisées radialement en plus des microcanaux radiaux. L'addition de rainures radiales aux microcanaux radiaux augmente encore la vitesse de retrait et facilite le retrait des débris. L'introduction de rainures radiales incurvées peut présenter l'avantage supplémentaire d'améliorer l'uniformité du polissage sur un substrat. De préférence, la majorité des microcanaux radiaux ne coupe pas les rainures radiales. Ces agencements radiaux incurvés sont particulièrement efficaces pour le polissage à grande échelle, par exemple le polissage de plaquettes semiconductrices de 300 mm. Quand des rainures radiales sont ajoutées, les rainures ont typiquement une aire de section au moins 10 fois supérieure à l'aire de section des microcanaux. De préférence, les rainures radiales ont une aire de section au moins 100 fois supérieure à raire de section des microcanaux. Pour les besoins de cette description, ce rapport d'aires de section désigne le rapport initial pendant le polissage et ne désigne pas le rapport final obtenu à la fin du procédé de polissage quand le conditionnement et l'usure du tampon peuvent augmenter largement la profondeur de: )inures, 2884164 11 En se référant maintenant aux dessins, la figure 1 représente un tampon de polissage 100 ayant une circonférence 101 et un centre de rotation 102. Quand le tampon de polissage 100 est entraîné en rotation pendant le procédé CMP, la plaquette 130, maintenue en contact avec la couche de polissage (non représentée), balaie une piste de polissage annulaire (ou piste de plaquette) 125 définie par une limite externe 131 et une limite interne 132, et ayant une largeur 133. De plus, le tampon de polissage peut avoir des rainures comme des rainures radiales rectilignes 120 pour augmenter le temps de séjour de la suspension et faciliter l'efficacité du polissage. La figure 1A représente, en liaison avec le tampon de polissage 100 de la figure 1, une vue agrandie de la couche de polissage dans la région 140 de la figure 1. Il y est montré des rainures radiales rectilignes 120 qui ont une largeur 121. La largeur peut varier, mais de préférence la largeur 121 est la même pour toutes les rainures et est uniforme sur la longueur de chaque rainure. Les rainures radiales rectilignes 120 ont aussi une profondeur qui diminue progressivement avec le conditionnement et le polissage. Dans la région entre les rainures radiales rectilignes 120 se trouvent des microcanaux radiaux 151, 152, 153 et 154. Les microcanaux radiaux 151, 152, 153 et 154 ont aussi une largeur (non représentée). La largeur et l'aire de section des microcanaux radiaux sont inférieures à la largeur et à l'aire de section des rainures 121. Les microcanaux radiaux peuvent avoir de nombreux motifs et de nombreuses configurations. Par exemple, les microcanaux radiaux peuvent être des microcanaux radiaux rectilignes 151, 152 et 153, ou bien ils peuvent être incurvés comme les microcanaux radiaux 154. Les microcanaux radiaux peuvent être continus sur toute la piste de polissage comme les microcanaux radiaux 152, ou bien ce peut être des microcanaux radiaux segmentés 151 ou 153. Les segments des microcanaux radiaux peuvent être espacés régulièrement et de longueur uniforme comme les microcanaux radiaux 153, ou bien ce peut être des microcanaux espacés de manière irrégulière et de longueur irrégulière comme les microcanaux radiaux 151. De plus, les microcanaux radiaux peuvent avoir une intensité uniforme sur toute la largeur de la piste de polissage ou bien la densité peut varier dans une direction radiale, dans une direction circonférentielle, ou dans ces deux directions. Typiquement, 2884164 12 l'augmentation de la densité des microcanaux correspondra à une augmentation localisée de la vitesse de retrait. Eventuellement, les microcanaux radiaux 151, 152, 153 et 154 coupent les rainures 120 pour faciliter l'écoulement radial de l'agent de polissage et pour améliorer le retrait des débris de polissage. Dans un autre mode de réalisation facultatif, les microcanaux radiaux 151, 152, 153 et 154 ne coupent pas les rainures 120. Les microcanaux radiaux 151, 152, 153 et 154 sont représentés sur la même figure pour des raisons de commodité. Tandis qu'un tampon de polissage de la présente invention comme le tampon de polissage 100 peut avoir différents motifs et différentes configurations de microcanaux dans différentes régions entre les rainures (ou dans des régions différentes dans un tampon de polissage sans rainures), il est préférable qu'un tampon de polissage ait seulement un motif et une configuration de microcanaux ou qu'il ait de multiples configurations de microcanaux placées dans la surface de polissage de manière symétrique. En se référant à la figure 2, un tampon de polissage radial incurvé 200 a une circonférence 201, un centre de rotation 202 et une piste de polissage 225, pour la plaquette 230, définie par une limite externe 231 et une limite interne 232, et ayant une largeur 233. Le tampon de polissage 200 a des rainures radiales incurvées 220. Les rainures radiales incurvées 220sont montrées comme ayant une première extrémité au niveau de la limite interne 232 de la piste de polissage et une seconde extrémité au niveau de la circonférence 201. Les rainures radiales incurvées sont particulièrement utiles pour réguler la vitesse de retrait sur la plaquette et pour ajuster un polissage rapide au centre et un polissage lent au centre. A titre d'alternative, les rainures radiales incurvées 220 (comme toutes les rainures radiales de la présente invention) peuvent avoir une première extrémité proche du centre de rotation 202 ou dans la piste de polissage. De manière similaire, la rainure radiale incurvée 220 (ou d'autres) peut avoir une seconde extrémité dans la piste de polissage ou proche de la limite externe 231. La figure 2A montre des microcanaux dans une vue agrandie de la couche de polissage dans la région 240 de la figure 2. Les rainures radiales incurvées 220 qui sont représentées ont une largeur 221. Les microcanaux radiaux 251, 252, 253 et 254 sont représentés dans leurs 2884164 3 régions respectives entre les rainures radiales 220. Dans certains modes de réalisation contenant des rainures radiales incurvées 220, il est avantageux que les microcanaux radiaux, c'est-à-dire les microcanaux radiaux rectilignes 251 ou les microcanaux radiaux incurvés 254, coupent les rainures, c'est-à-dire les rainures radiales incurvées 220. Ceci peut faciliter l'écoulement de la suspension et le retrait des débris. Dans d'autres modes de réalisation, il est avantageux que les microcanaux radiaux aient une majorité introduite d'une manière qui ne coupe pas les rainures radiales, c'est-à-dire les microcanaux radiaux incurvés 252 et les microcanaux radiaux incurvés segmentés 253. Sur la figure 3, le tampon de polissage à rainures radiales en gradins 300 a une circonférence 301, un centre de rotation 302 et une plaquette 330 occupant une piste de polissage 325 ayant une limite externe 331, une limite interne 332 et une largeur 333. Le tampon de polissage 300 a des rainures radiales incurvées 320 et 321. Les rainures radiales incurvées 321 ont une première extrémité proche du centre de rotation 302 et une seconde extrémité dans la piste de polissage 325. Les rainures radiales incurvées 320 ont une première extrémité dans la piste de polissage 325 et une seconde extrémité proche de la circonférence 301. Les rainures radiales incurvées 320 et 321 peuvent faciliter l'augmentation de l'efficacité du polissage pour l'agent de polissage. La figure représente des rainures radiales incurvées 320 et 321 ayant le même motif et la même orientation, mais elles peuvent avoir des motifs et des orientations différentes. Par exemple, il peut éventuellement y avoir plus de deux séries de rainures radiales et les rainures radiales n'alternent pas nécessairement entre les rainures de chaque série. De préférence, les rainures alternent entre celles d'une série dans un motif régulier (comme cela est représenté pour un tampon de polissage avec deux séries de rainures). Les rainures radiales incurvées 320 et 321 sont montrées comme ayant une région de chevauchement 310, mais ceci n'est pas nécessaire. Il est préférable que la région de chevauchement 310 représente plus de 20 % de la largeur 333 de la piste de polissage 325 pour un tampon de polissage ayant plusieurs séries de rainures radiales. De manière particulièrement préférable, le chevauchement 310 représente plus de 50 % de la largeur 333 de la piste de polissage 325. 2884164 14 Sur la figure 3A, la région de polissage 340 de la figure 3 illustre des rainures radiales incurvées 320 et 321. Ces rainures ont une largeur 322 qui peut être la même pour les rainures 320 et 321 ou différente pour les rainures 320 et 321. Des microcanaux radiaux incurvés 351 sont montrés dans une région entre les rainures radiales incurvées 320 et 321. Les microcanaux radiaux incurvés 351 suivent généralement les arcs des rainures 320 et 321 pour éviter une intersection. Les microcanaux radiaux rectilignes 352 coupent les rainures radiales incurvées 320 et 321. Finalement, les microcanaux radiaux incurvés 353 ont une courbure biaisée pour couper les rainures radiales incurvées 320 et 321. En se référant à la figure 4, un tampon de polissage non rainuré 400 a une circonférence 401, un centre de rotation 402 et une plaquette 430 occupant une piste de polissage 425 ayant une limite externe 431, une limite interne 432 et une largeur 433. Le tampon de polissage 400 est dépourvu de rainures à l'échelle conventionnelle. Une plaque de conditionnement 460 oscille dans un sens et dans l'autre dans la direction 465 pour conditionner la surface de polissage du tampon 400 (non représentée). La surface de la plaque de conditionnement 465 inclut de préférence des moyens de coupe (non représentés), comme des dents de diamant, disposés dans un motif. Le motif peut être régulier ou irrégulier et peut avoir une densité de dents variable dans la surface de conditionnement. De préférence, la plaque de conditionnement a une forme de coin ou utilise des longueurs de course variables pour permettre un conditionnement plus uniforme sur toute la piste de polissage 425. Pour conditionner le tampon de polissage 400, au moins une partie de la plaque de conditionnement 460 est mise en contact avec la couche de polissage du tampon de polissage 400. La plaque de conditionnement est ensuite déplacée dans la direction 465 par rapport au tampon de polissage. La direction 465 est représentée comme étant rectiligne et radiale, bien que d'autres directions soient envisagées. De plus, le mouvement de la plaque de conditionnement par rapport au tampon de polissage est représenté comme oscillant, mais un mouvement directionnel unique est également envisagé. La plaque de conditionnement peut être commandée par des moyens uniaxiaux conventionnels comme un bras pivotant, ou une coulisse, ou par des moyens multiaxiaux 2884164 15 conventionnels comme une coulisse x-y ou un bras pivotant extensible. Le mouvement de la plaque de conditionnement peut aussi inclure des mouvements verticaux pour permettre un contact intermittent avec la couche de polissage du tampon de polissage 400. Pour satisfaire les exigences de la présente invention, il est essentiel que le mouvement de la plaque de conditionnement 460 dans le plan parallèle à la couche de polissage du tampon de polissage 400 soit rapide par rapport à la vitesse linéaire du tampon de polissage 400. En se référant à la figure 4A, des motifs de microcanaux facultatifs incluent des microcanaux radiaux parallèles 451, des microcanaux radiaux 452, des microcanaux radiaux incurvés 453, des microcanaux en gradins ou radiaux de contournement 454 et des microcanaux radiaux segmentés 455. De plus, ces microcanaux peuvent avoir d'autres motifs et densités de motifs conçus pour diriger préférentiellement l'écoulement de l'agent de polissage. Ces microcanaux procurent l'avantage de réguler l'écoulement de l'agent de polissage à petite échelle. Par exemple, les microcanaux radiaux incurvés peuvent corriger l'uniformité de la plaquette comme les problèmes d'uniformité rapide au centre ou lente au centre et les microcanaux radiaux en gradins peuvent augmenter l'efficacité de l'agent de polissage. A titre d'alternative, la plaque de conditionnement peut aussi être un disque rotatif. Le disque de conditionnement peut être plat, incurvé (en forme de coupelle, ou bien le bord d'un disque plat peut être utilisé) ou avoir une pluralité de surfaces planes dans des plans différents. Par exemple, une plaque de conditionnement peut être utilisée pour créer des microcanaux radiaux par rotation du disque dans un plan différent du plan dans lequel est situé le tampon de polissage, avec au moins une partie de la surface de conditionnement de la plaque de conditionnement en contact avec la surface de polissage du tampon de polissage. De plus, les plus longues courses de conditionnement et les plus larges plaques de conditionnement conduiront chacune à une augmentation de la proportion de microrainures parallèles. De préférence, le procédé de conditionnement est basé sur un nombre accru de courses à grande vitesse avec une plaque de conditionnement plus étroite pour augmenter la proportion de microcanaux radiaux. Ces courses sont préférentiellement asynchrones avec la vitesse de rotation du tampon pour uniformiser la distribution des 2884164 16 microcanaux dans la piste de polissage. De plus, l'incurvation d'un bras pivotant de la plaque de conditionnement dans la direction de la rotation du tampon peut améliorer encore l'orientation radiale des microcanaux. Une autre alternative consiste à conditionner le tampon de polissage sans utiliser de disque de conditionnement, par exemple en entaillant la surface de polissage du tampon de polissage avec une lame comme un couteau ou un outil de meulage comme un outil à commande numérique. De plus, des microcanaux sont éventuellement introduits par oblitération ou entaillage de la surface de polissage de la couche de polissage avec un laser, un jet de liquide ou de gaz à haute pression ou d'autres moyens. De manière particulièrement préférable, un conditionnement sur site continu se produit pendant le procédé de polissage. De plus, dans certains modes de réalisation facultatifs, il est possible de superposer le conditionnement radial et un conditionnement conventionnel associé avec la rotation d'un disque circulaire, comme un disque à diamant circulaire. De préférence, toutefois, une majorité des microcanaux possède principalement une orientation radiale dans la piste de plaquette pour réduire l'effet de transfert de motif de rainures. 17 REVENDICATIONS 1. Tampon de polissage utile pour polir au moins un substrat parmi un substrat magnétique, un substrat optique et un substrat semiconducteur, caractérisé en ce qu'il comprend: a) une couche de polissage ayant un centre de rotation (102) et incluant une piste de polissage annulaire (125) concentrique avec le centre de rotation et ayant une largeur (133), la largeur de la piste de polissage annulaire étant dépourvue de rainures non radiales pour réduire le transfert de motif de rainures, les rainures non radiales étant des rainures qui ont une orientation dans les limites de 30 degrés de la circonférence par rapport au centre de rotation; et b) une pluralité de microcanaux radiaux (151, 152, 153, 154) dans la couche de polissage dans la largeur de la piste de polissage annulaire et une majorité des microcanaux radiaux ayant principalement une orientation radiale et ayant une largeur moyenne inférieure à 50 pm. 2. Tampon de polissage selon la revendication 1, caractérisé en ce que la couche de polissage n'inclut pas de rainures ayant une aire de section moyenne supérieure à 15 000 pm2 dans la piste de polissage annulaire. 3. Tampon de polissage utile pour polir au moins un substrat parmi un substrat magnétique, un substrat optique et un substrat semiconducteur, caractérisé en ce qu'il comprend: a) une couche de polissage ayant un centre de rotation (202) et incluant une piste de polissage annulaire (225) concentrique avec le centre de rotation et ayant une largeur (233), la largeur de la piste de polissage annulaire contenant des rainures radiales (220), les rainures radiales ayant une aire de section moyenne; et b) une pluralité de microcanaux radiaux (251, 252, 253, 254) dans la couche de polissage dans la largeur de la piste de polissage annulaire, les microcanaux radiaux ayant une aire de section moyenne inférieure d'un multiple d'au moins 1 à l'aire de section moyenne des rainures radiales et une majorité des microcanaux radiaux ayant principalement une orientation radiale. 2884164 18 4. Tampon de polissage selon la revendication 3, caractérisé en ce que la majorité des microcanaux radiaux ne coupent pas les rainures radiales. 5. Tampon de polissage selon l'une quelconque des revendications 3 et 4, caractérisé en ce que la couche de polissage inclut des rainures radiales incurvées (220) et les microcanaux radiaux incluent des microcanaux radiaux incurvés. 6. Tampon de polissage selon la revendication 1, caractérisé en ce que la couche de polissage n'inclut pas de rainures ayant une aire de section moyenne d'au moins 15 000 pm2 dans la piste de polissage annulaire. 7. Procédé de polissage d'au moins un substrat parmi un substrat magnétique, un substrat optique et un substrat semiconducteur en présence d'un agent de polissage, caractérisé en ce qu'il comprend: le polissage avec un tampon de polissage, le tampon de polissage incluant une couche de polissage ayant un centre de rotation et incluant une piste de polissage annulaire concentrique avec le centre de rotation et ayant une largeur, la largeur de la piste de polissage annulaire étant dépourvue de rainures non radiales pour réduire le transfert de motif de rainures, les rainures non radiales étant des rainures qui ont une orientation dans les limites de 30 degrés de la circonférence par rapport à l'axe de rotation; et une pluralité de microcanaux radiaux dans la couche de polissage dans la largeur de la piste de polissage annulaire et une majorité des microcanaux radiaux ayant principalement une orientation radiale et ayant une largeur moyenne inférieure à 50 pm; et le conditionnement du tampon pendant le polissage pour introduire des microcanaux radiaux supplémentaires. 8. Procédé de polissage d'au moins un substrat parmi un substrat magnétique, un substrat optique et un substrat semiconducteur en présence d'un agent de polissage, caractérisé en ce qu'il comprend: le polissage avec un tampon de polissage, le tampon de polissage incluant une couche de polissage ayant un centre de rotation et incluant une piste de polissage annulaire concentrique avec le centre de rotation et ayant une largeur, la largeur de la piste de polissage annulaire contenant des rainures radiales, les rainures radiales ayant une aire de section moyenne; et une pluralité de microcanaux radiaux dans la couche 2884164 19 de polissage dans la largeur de la piste de polissage annulaire, les microcanaux radiaux ayant une aire de section moyenne inférieure d'un multiple d'au moins 10 à l'aire de section moyenne des rainures radiales et une majorité des microcanaux radiaux ayant principalement une orientation radiale; et le conditionnement du tampon pendant le polissage pour introduire des microcanaux radiaux supplémentaires. 9. Procédé selon la revendication 8, caractérisé en ce que le conditionnement introduit les microcanaux où la majorité des microcanaux radiaux ne coupent pas les rainures radiales. 10. Procédé selon l'une quelconque des revendications 8 et 9, caractérisé en ce que les rainures radiales sont des rainures radiales incurvées et le conditionnement introduit des microcanaux radiaux incurvés.