FR 2881891 A1 20060811 FR 0600461 A 20060118 LASER A SEMICONDUCTEUR La présente invention concerne un laser à semiconducteur du type à émission par surface d'extrémité. Il existe un laser à semiconducteur ayant une couche de contact en GaAs à laquelle Zn est ajouté (voir par exemple l'article de Jurgen Sebastian et al., "High-Power 810-nm GaAsP-AIGaAs Diode Lasers with Narrow Beam Divergence", IEEE JOURNAL ON SELECTED TOPICS IN QUANTUM ELECTRONICS, VOL. 7, N 2, mars/avril 2001, pages 334- 339). On décrira en référence à la figure 5 un exemple d'une structure stratifiée d'un laser à semiconducteur ayant une couche de contact en GaAs à laquelle Zn est ajouté. Comme représenté sur la figure 5, une couche tampon 22 en GaAs de type n à laquelle Si est ajouté en tant qu'impureté de type n, est formée sur un substrat 21 en GaAs de type n. Une couche de gaine 23 en AlGalnP de type n à laquelle Si est ajouté est formée sur la couche tampon 22 en GaAs de type n. Une structure de puits quantique, constituée d'une couche de guide 24 en InGaP non dopé, d'une couche active 25 en GaAsP non dopé et d'une couche de guide 26 en InGaP non dopé, est formée sur la couche de gaine 23 en AIGaInP de type n. Une couche de gaine 27 en AlGalnP de type p à laquelle Zn est ajouté en tant qu'impure-té de type p, une couche de réduction de discontinuité de bande, ou BDR ("Band Discontinuity Reduction"), 28, en InGaP de type p, à laquelle Zn est ajouté, et une couche de contact 29 en GaAs de type p à laquelle Zn est ajouté, sont formées successivement sur la structure de puits quanti-que. Les épaisseurs de pellicule et les concentrations de porteurs de chaque couche sont indiquées sur la figure 5. 2881891 2 La mesure de photoluminescence (appelée ci-après "PL") est connue en tant que procédé pour mesurer la longueur d'onde d'émission d'une couche active d'un laser à semiconducteur. Cependant, dans des cas ordinaires, la bande interdite optique d'une couche de contact d'un laser à semiconducteur est plus petite que la bande interdite optique d'une couche active. De plus, dans le laser à semiconducteur décrit ci-dessus, la bande interdite optique de la couche de contact 29 en GaAs de type p est plus petite que la bande interdite optique de la couche active 25 en GaAsP. Par conséquent, si une mesure de PL est effectuée sur le laser à semiconducteur dans l'état normal, de la lumière est absorbée par la couche de contact 29, ce qui fait que la couche active 25 ne peut pas être photo-excitée. Par conséquent, il est nécessaire d'enlever la couche de contact 29 pour permettre la photoexcitation de la couche active dans la mesure de PL. Autrement dit, un test destructif est exigé pour mesurer la longueur d'onde d'émission de la couche active. Ainsi, des mesures de PL sur les lasers à semiconducteur classiques ont été des tests destructifs, et des mesures de PL ne peuvent pas être effectuées sur des couches actives dans des produits. Des me-sures de PL ont donc été effectuées sur des couches actives formées sur des tranches de test. Cependant, les résultats de mesure de PL sur des couches actives sur des tranches de test ne sont pas toujours les mêmes que les longueurs d'onde de PL sur les couches actives correspondantes dans des produits. Pour cette raison, une détermination d'état défectueux / non défectueux concernant la longueur d'onde d'émission d'un produit ne peut pas être effectuée avant l'achèvement d'un test de mise sous tension sur le produit. Dans certains cas, le rendement de production d'un produit est réduit à cause de cette difficulté. La présente invention a été conçue pour résoudre les problè- mes mentionnés ci-dessus, et un but général de la présente invention est de procurer un laser à semiconducteur original et utile. Un but plus spécifique de la présente invention est de procurer un laser à semiconducteur capable d'exécuter une mesure de PL sur la couche active sans utiliser une tranche de test. Selon un aspect de la présente invention, le laser à semi- 2881891 3 conducteur comprend une première couche de gaine formée sur un substrat semiconducteur. Une couche active est formée sur la première couche de gaine et a une longueur d'onde d'émission de 600 à 850 nm. Une seconde couche de gaine est formée sur la couche active. Une couche de contact est formée sur la seconde couche de gaine et est constituée d'une couche d'AlGaAs. Une proportion d'Al dans la couche de contact est fixée de façon que la couche de contact ait une bande interdite optique plus grande que celle de la couche active. Par ailleurs, l'invention peut comprendre l'une et/ou l'autre des dispositions suivantes: - la bande interdite optique de la couche active est de 790 à 850 nm, et la proportion d'Al de la couche de contact est fixée de façon à être égale à 0,124 ou plus; - une couche de recouvrement est formée sur la couche de contact et consiste en une couche de GaAs; une première couche de guide est formée entre la couche active et la première couche de gaine; et une seconde couche de guide est formée entre la couche active et la seconde couche de gaine; et en ce que la première couche de guide, la couche active et la seconde cou- che de guide consistent respectivement en une couche d'InGaAsP, une couche de GaAsP et une couche d'InGaAsP, et constituent une structure de puits quantique; une première couche de guide est formée entre la couche active et la première couche de gaine; et une seconde couche de guide est formée entre la couche active et la seconde couche de gaine; et en ce que la première couche de guide, la couche active et la seconde couche de guide consistent respectivement en une couche d'InGaP, une couche de GaAsP et une couche d'InGaP, et constituent une structure de puits quantique; -une première couche de guide formée entre la couche active et la première couche de gaine; et une seconde couche de guide formée entre la couche active et la seconde couche de gaine; et en ce que la première couche de guide, la couche active et la seconde couche de guide consistent respectivement en une couche d'InGaAsP, une couche d'InGaAsP et une couche d'InGaAsP, et constituent une structure de puits 2881891 4 quantique; - une première couche de guide est formée entre la couche active et la première couche de gaine; et une seconde couche de guide formée entre la couche active et la seconde couche de gaine; et en ce que la première couche de guide, la couche active et la seconde couche de guide consistent respectivement en une couche d'InGaP, une couche d'InGaAsP, et une couche d'InGaP, et constituent une structure de puits quantique; - une première couche de guide est formée entre la couche active et la première couche de gaine; et une seconde couche de guide est formée entre la couche active et la seconde couche de gaine; et en ce que la première couche de guide, la couche active la seconde couche de guide consistent respectivement en une couche d'AlGaAs, une couche d'AlGaAs, et une couche d'AlGaAs, et constituent une structure de puits quantique D'autres buts et des caractéristiques supplémentaires de la pré-sente invention ressortiront de la description détaillée suivante, à lire en se référant conjointement aux dessins annexés, dans lesquels: - la figure 1 est un tableau correspondant à une coupe décri- vant un dispositif à semiconducteur conforme à un premier mode de ré- alisation de la présente invention; - la figure 2 est un tableau montrant la corrélation entre la pro-portion d'Al et la bande interdite optique dans la couche de contact en AlGaAs représentée sur la figure 1; - la figure 3 est un schéma montrant un laser à semiconducteur du type à guide d'ondes à moulure auquel la structure de dispositif représentée sur la figure 1 est appliquée; - la figure 4 est un schéma montrant un laser à semiconducteur du type à moulure enterrée auquel la structure de dispositif représentée sur la figure 1 est appliquée, et qui a une structure de constriction de courant; et - la figure 5 est un tableau montrant une structure stratifiée d'un laser à semiconducteur ayant une couche de contact en GaAs à la-quelle Zn est ajouté. Dans ce qui suit, on décrira des principes et des modes de ré-2881891 5 alisation de la présente invention en référence aux dessins annexés. On donne les mêmes numéros de référence aux éléments et étapes qui sont communs à certains des dessins, et il est donc possible d'omettre des descriptions redondantes. La figure 1 est un tableau montrant une structure de dispositif d'un laser à semiconducteur conforme à un mode de réalisation de la présente invention. La figure 2 est un tableau montrant la corrélation entre la proportion d'AI et la bande interdite optique dans une couche de contact en AIGaAs indiquée sur la figure 1. La figure 3 est un schéma montrant un laser à semiconducteur du type à guide d'ondes à moulure auquel la structure de dispositif indiquée sur la figure 1 est appliquée. La figure 4 est un schéma montrant un laser à semiconducteur du type à moulure enterrée auquel la structure de dispositif représentée sur la figure 1 est appliquée, et qui a une structure de constriction de courant. Comme représenté sur les figures 1, 3 et 4, une couche tampon 2 de type n est formée sur un substrat semiconducteur 1, qui est un substrat en GaAs de type n. La couche tampon 2 de type n est constituée d'une couche de GaAs de type n et elle a par exemple une épaisseur de pellicule de 200 à 700 nm. Une couche de gaine 3 de type n est formée comme une première couche de gaine sur la couche tampon 2 de type n. La couche de gaine 3 de type n est constituée d'une couche d'AlGalnP de type n et elle a par exemple une épaisseur de pellicule de 500 à 1500 nm. Si est ajouté comme une impureté de type n à chacun du substrat semiconducteur 1, de la couche tampon 2 de type n et de la couche de gaine 3 de type n. La concentration de porteurs dans le substrat semi-conducteur 1 est 0,7 x 1018 à 1,0 x 1018 (cm-3). Dans chacune de la couche tampon 2 de type n et de la couche de gaine 3 de type n, la concentration de porteurs est 0,5 x 1018 à 1,5 x 1018 (cm-3). Comme représenté sur les figures 3 et 4, une électrode infé-rieure 11 de type n est formée sur la surface arrière du substrat 1 en GaAs de type n. Par exemple, l'électrode inférieure 11 de type n est formée en stratifiant une pellicule d'alliage Au-Ge et une pellicule d'Au. Une structure de puits quantique formée en stratifiant une couche de guide non dopée, 4, une couche active non dopée, 5, et une cou- che de guide non dopée, 6, est formée sur la couche de gaine 3 de type 2881891 6 n. Par exemple, la structure de puits quantique est constituée d'une couche d'InGaAsP remplissant la fonction de couche de guide 4, d'une couche de GaAsP remplissant la fonction de la couche active 5, et d'une couche d'InGaAsP remplissant la fonction de la couche de guide 6. Cette structure de puits quantique a une bande interdite optique de 790 à 810 nm, en termes de longueur d'onde. Ainsi, la longueur d'onde d'émission de cette structure de puits quantique est de 790 à 810 nm. La bande interdite optique de la couche active 5 est plus petite que celles des couches de guide 4 et 6. Par conséquent, la longueur d'onde d'émission de la couche active 5 correspond à la longueur d'onde d'émission de la structure de puits quantique. L'épaisseur de pellicule de la couche active 5 est par exemple de 5 à 12 nm, et les épaisseurs de pellicule des couches de guide 4 et 6 sont par exemple de 500 à 1500 nm. Une couche de gaine 7 de type p est formée comme une se- coude couche de gaine sur la structure de puits quantique. La couche de gaine 7 de type p est constituée d'une couche d'AlGalnP de type p et a par exemple une épaisseur de pellicule de 500 à 1500 nm. Zn ou Mg est ajouté en tant qu'impureté de type p à la couche de gaine 7 de type p. La concentration de porteurs dans la couche de gaine 7 de type p est de 1,0 x 1018 à 2,0 x 1018 (cm-3). Une couche de contact 8 de type p est formée sur la couche de gaine 7 de type p. La couche de contact 8 de type p est constituée d'une couche d'AIXGa1_XAsy de type p à laquelle C est ajouté en tant qu'impure-té de type p. La proportion d'AI, x, dans la couche de contact 8 en AlGaAs de type p, est fixée de façon que la couche de contact 8 en AIGaAs de type p ait une bande interdite optique plus grande que celle de la structure de puits quantique décrite ci-dessus. Comme représenté sur la figure 2, la bande interdite optique de la couche de contact 8 en AIGaAs de type p peut être fixée en fixant la proportion d'Al. Du fait que la bande interdite optique de la couche active 5 en GaAsP est de 790 à 810 nm en termes de longueur d'onde, comme mentionné ci-dessus, la proportion d'AI, x, est fixée de façon à être égale à 0,124 ou plus, conformément à la relation indiquée sur la figure 2. La couche de contact 8 en AlGaAs de type p a par exemple une épaisseur de pellicule de 100 à 500 nm. La concentration de porteurs dans la couche de contact 8 de 2881891 7 type p est 30,0 x 1018 à 50,0 x 1018 (cm-3). Une couche de recouvrement 9 de type p est formée sur la couche de contact 8 de type p. La couche de recouvrement 9 de type p est constituée d'une couche de GaAs de type p à laquelle C est ajouté. La couche de recouvrement 9 de type p est une couche protectrice pour éviter une dégradation de la circulation de courant à travers la couche de contact 8 de type p, occasionnée par l'oxydation. L'épaisseur de pellicule de la couche de recouvrement 9 de type p est par exemple de 1 à 3 nm, et de préférence de 2 nm. Si l'épaisseur de pellicule est plus grande que cette valeur, il se produit un phénomène indésirable tel qu'une absorption de la lumière d'excitation entrant dans la couche active 5 au moment de la mesure de PL, ou de la lumière de PL émise par la couche active 5. Dans le laser à semiconducteur du type à guide d'ondes à moulure, représenté sur la figure 3, une électrode supérieure 12 de type p est formée sur la couche de recouvrement 9 de type p. Dans le laser à semiconducteur du type à moulure enterrée qui est représenté sur la figure 4, une couche de blocage de courant 10, de type n, est formée sur des côtés opposés d'une partie de moulure constituée de la couche de gaine 7 de type p, de la couche de contact 8 de type p et de la couche de recouvrement 9 de type p. La couche de blocage de courant 10 de type n est constituée d'une couche d'AIInP de type n, et est incorporée pour la constriction du courant. Une électrode supérieure 12 de type p est formée sur la couche de blocage de courant 10 de type n et sur la couche de recouvrement 9 de type p. L'électrode supérieure 12 de type p est formée par exemple en stratifiant une pellicule de Ti et une pellicule d'Au. On décrira ensuite un procédé de fabrication du laser à semi-conducteur. Pour la formation de chacune des couches du laser à semi-conducteur décrit ci-dessus (c'est-à-dire la couche tampon 2 de type n, la couche de gaine 3 de type n, la couche de guide 4, la couche active 5, la couche de guide 6, la couche de gaine 7 de type p, la couche de contact 8 de type et la couche de recouvrement 9 de type p), on peut utiliser par exemple un procédé de dépôt chimique en phase vapeur aux organomé- talliques (MOCVD pour "Metal Organic Chemical Vapor Deposition") . La 2881891 8 température de croissance est par exemple de 720 C, et la pression de croissance est par exemple de 10 kPa. En ce qui concerne des gaz de matières premières pour former chaque couche, on utilise par exemple certains des suivants: triméthylindium (TMI), triméthylgallium (TMG), tri- méthylaluminium (TMA), phosphine (PH3), arsine (AsH3), silane (SiH4), cyclopentadiènylmagnesium (Cp2Mg), diméthylzinc (DMZn) ou diéthylzinc (DEZn). Les débits de tels gaz de matières premières sont commandés en utilisant un régulateur de débit-masse pour obtenir la composition désirée dans chaque couche. La bande interdite optique de la couche de contact 8 en AIGaAs de type p est augmentée par rapport à celle de la couche active 5 en réglant la proportion d'AI dans la couche de contact 8 en AIGaAs de type p, comme décrit ci-dessus. Dans des cas ordinaires de la croissance de couches d'AlGaAs et de GaAs, la température de croissance est environ de 600 à 700 C, et le rapport du débit d'arsine au débit de triméthylgallium (qu'on appelle ci-après "rapport V/III") est de l'ordre de plusieurs dizaines à plusieurs centaines. Dans ce mode de réalisation, la température de croissance au moment de la croissance de chacune de la couche de contact 8 en AIGaAs de type p et de la couche de recouvrement 9 en AlGaAs de type p à laquelle C est ajouté en tant qu'impureté, est fixée par exemple à 540 C, et le rapport V/III pour ces couches est fixé à environ 1. Dans ce cas, il n'est pas nécessaire d'ajouter un gaz de matière première spécial pour l'ajout d'une impureté, du fait que le C libéré par le groupe méthyle du triméthylgallium est incorporé dans la couche de contact 8 de type p et la couche de recouvrement 9 de type p. Ce procédé est connu sous l'appellation de procédé d'introduction d'impureté intrinsèque. C peut être ajouté à la couche de contact 8 de type p et à la couche de recouvrement 9 de type p en ajoutant du tétrachlorure de carbone (CCI4) ou du tétrabromure de carbone (CBr4) en tant que gaz de matière première, au lieu d'utiliser le procédé d'introduction d'impureté intrinsèque. Ensuite, on forme un motif de matière de réserve pour recouvrir une partie devant être la partie de moulure, en utilisant une technique de lithographie. En utilisant le motif de matière de réserve comme un masque, on effectue une gravure par voie sèche de la couche de recouvre2881891 9 ment 9 de type p et de la couche de contact 8 de type p et de la couche de gaine 7 de type p. Un point final de la gravure par voie sèche est fixé de façon à laisser une partie de la couche de gaine 7 de type p ayant une épaisseur de pellicule prédéterminée. Après l'achèvement de la gravure par voie sèche, on retire le motif de matière de réserve. La partie de moulure sous forme de ruban est ainsi formée (voir les figures 3 et 4). Ensuite, l'électrode inférieure 11 de type n est formée sur la surface arrière du substrat 1 par dépôt en phase vapeur ou pulvérisation cathodique. L'électrode supérieure 12 de type p est formée sur la couche de recouvrement 9 de type p par dépôt en phase vapeur ou pulvérisation cathodique. Le laser à semiconducteur du type à guide d'ondes à moulure, représenté sur la figure 3, est ainsi obtenu. D'autre part, la couche d'AllnP de type n est formée sur la partie de moulure et une gravure de réduction d'épaisseur est ensuite effec-tuée pour former les couches de blocage de courant 10 sur les côtés op-posés de la partie de moulure. Ensuite, l'électrode inférieure 11 de type n est formée sur la surface arrière du substrat 1 par dépôt en phase vapeur ou pulvérisation cathodique. L'électrode supérieure 12 de type p est formée sur la couche de blocage de courant 10 de type n et la couche de recouvrement 9 de type p, par dépôt en phase vapeur ou pulvérisation cathodique. Le laser à semiconducteur du type à moulure enterrée représenté sur la figure 4 est ainsi obtenu. Dans ce mode de réalisation, comme décrit ci-dessus, dans le laser à semiconducteur ayant une longueur d'onde d'émission dans la bande de 790810 nm, la proportion d'Al dans la couche de contact 8 en AlGaAs de type p est fixée de façon que la bande interdite optique de la couche de contact 8 en AlGaAs de type p soit plus grande que celle de la couche active 5. L'absorption de lumière par la couche de contact 8 en AlGaAs de type p peut être empêchée au moment de la photoexcitation de la couche active 5 dans une mesure de PL. Par conséquent, la couche active 5 peut être photoexcitée même si la couche de contact 8 en AIGaAs de type p n'est pas enlevée. Autrement dit, une mesure de PL peut être effectuée au moyen d'un test non destructif. Par conséquent, une mesure de PL peut être exécutée sur la couche active du laser à semi- conducteur sur la tranche de produit, sans utiliser une tranche de test, ce 2881891 10 qui procure une amélioration du rendement de fabrication total du pro-duit. Dans ce mode de réalisation, la couche de recouvrement 9 en GaAs de type p est formée sur la couche de contact 8 en AIGaAs de type p. Une oxydation de la couche de contact 8 en AlGaAs de type p est ainsi empêchée. Il en résulte qu'on peut obtenir une bonne caractéristique de circulation de courant pour la couche de contact 8 en AlGaAs de type p. On a décrit ce mode de réalisation en relation avec un laser à semiconducteur ayant une longueur d'onde d'émission dans la bande de 790- 810 nm. La présente invention peut cependant être appliquée à n'importe quel laser à semiconducteur si le laser à semiconducteur a une longueur d'onde d'émission dans la bande de 600-850 nm. En effet, bien que la structure de puits quantique dans ce mode de réalisation consiste en: couche de guide 4 en InGaAsP / couche active 5 en GaAsP / couche de guide 6 en InGaAsP, la combinaison de matières n'est pas limitée à celle-ci, si la structure de puits quantique a la longueur d'onde d'émission indiquée ci-dessus. Par exemple, on peut utiliser en tant que combinai-son de matières constituant la structure de puits quantique: couche d'InGaP / couche de GaAsP / couche d'InGaP, couche d'InGaAsP / couche d'InGaAsP / couche d'InGaAsP, couche d'InGaP / couche d'InGaAsP / couche d'InGaP, ou couche d'AIGaAs / couche d'AIGaAs / couche d'AIGaAs. Dans le cas de l'utilisation de la structure de puits quantique ayant l'une quelconque de telles combinaisons, on peut obtenir le même effet que dans le mode de réalisation décrit ci-dessus en fixant la proportion d'Al dans la couche de contact 8 en AIGaAs de type p sur la base de la relation indiquée sur la figure 2, de façon que la bande interdite optique de la couche de contact 8 soit plus grande que celle de la couche active 5. Bien que C soit ajouté en tant qu'impureté de type p dans la couche de contact 8 de type p et la couche de recouvrement 9 de type p dans le mode de réalisation décrit ci-dessus, on peut également obtenir le même effet que dans le mode de réalisation décrit ci-dessus dans le cas où on ajoute Zn ou Mg à la place de C. Bien qu'une seule couche active 5 soit formée dans le mode de 35 réalisation décrit ci-dessus, de multiples couches actives 5 peuvent être 2881891 11 formées à la place. Dans un tel cas également, on peut aussi obtenir le même effet que dans le mode de réalisation décrit ci-dessus. Bien qu'on utilise AlGalnP pour la matière de la couche de gaine dans le mode de réalisation décrit ci-dessus, on peut également obtenir le même effet que dans le mode de réalisation décrit ci-dessus dans le cas où on utilise AIGaAs à la place d'AlGalnP. Lorsque l'invention est mise en oeuvre à titre d'illustration de la manière décrite ci-dessus, elle procure les effets importants suivants: Conformément à la présente invention, la proportion d'Al dans la couche de contact en AlGaAs est fixée de façon que la bande interdite optique de la couche de contact en AlGaAs soit plus grande que celle de la couche active, ce qui permet la photoexcitation de la couche active sans enlever la couche de contact. Par conséquent, une mesure de PL sur la couche active du laser à semiconducteur peut être effectuée sans utiliser une tranche de test. En outre, la présente invention n'est pas limitée à ces modes de réalisation et des modifications peuvent être effectuées sans sortir du cadre de la présente invention. REVENDICATIONS 1. Laser à semiconducteur, caractérisé en ce qu'il comprend: une première couche de gaine (3) formée sur un substrat semiconducteur (1); une couche active (5) formée sur la première couche de gaine (3) et ayant une longueur d'onde d'émission de 600 à 850 nm; une seconde couche de gaine (7) formée sur la couche active (5); et une couche de contact (8) formée sur la seconde couche de gaine (7) et constituée d'une couche d'AlGaAs, une proportion d'Al dans la couche de contact (8) étant fixée de sorte que la couche de contact ait une bande interdite op- tique plus grande que celle de la couche active. 2. Laser à semiconducteur selon la revendication 1, caractérisé en ce que la bande interdite optique de la couche active (5) est de 790 à 850 nm, et la proportion d'Al de la couche de contact (8) est fixée de façon à être égale à 0,124 ou plus. 3. . Laser à semiconducteur selon la revendication 1 ou 2, caractérisé en ce qu'il comprend en outre une couche de recouvrement (9) formée sur la couche de contact (8) et consistant en une couche de GaAs. 4. Laser à semiconducteur selon l'une quelconque des revendi-cations 1 à 3, caractérisé en ce qu'il comprend en outre: une première couche de guide (4) formée entre la couche active (5) et la première couche de gaine (3); et une seconde couche de guide (6) formée entre la couche active (5) et la seconde couche de gaine (7); et en ce que la première couche de guide (4), la couche active (5) et la seconde couche de guide (6) consistent respectivement en une couche d'InGaAsP, une couche de GaAsP et une couche d'InGaAsP, et constituent une structure de puits quantique. 5. Laser à semiconducteur selon l'une quelconque des revendications 1 à 3, caractérisé en ce qu'il comprend en outre: une première couche de guide (4) formée entre la couche active (5) et la première cou- 2881891 13 che de gaine (3); et une seconde couche de guide (6) formée entre la couche active (5) et la seconde couche de gaine (7); et en ce que la première couche de guide (4), la couche active (5) et la seconde couche de guide (6) consistent respectivement en une couche d'InGaP, une couche de GaAsP et une couche d'InGaP, et constituent une structure de puits quantique. 6. Laser à semiconducteur selon l'une quelconque des revendications 1 à 3, caractérisé en ce qu'il comprend en outre: une première couche de guide (4) formée entre la couche active (5) et la première cou- che de gaine (3) ; et une seconde couche de guide (6) formée entre la couche active (5) et la seconde couche de gaine (7); et en ce que la première couche de guide (4), la couche active (5) et la seconde couche de guide (6) consistent respectivement en une couche d'InGaAsP, une couche d'InGaAsP et une couche d'InGaAsP, et constituent une structure de puits quantique. 7. Laser à semiconducteur selon l'une quelconque des revendications 1 à 3, caractérisé en ce qu'il comprend en outre: une première couche de guide (4) formée entre la couche active (5) et la première couche de gaine (3); et une seconde couche de guide (6) formée entre la couche active (5) et la seconde couche de gaine (7); et en ce que la première couche de guide (4), la couche active (5) et la seconde couche de guide (6) consistent respectivement en une couche d'InGaP, une couche d'InGaAsP, et une couche d'InGaP, et constituent une structure de puits quantique. 8. Laser à semiconducteur selon l'une quelconque des revendications 1 à 3, caractérisé en ce qu'il comprend en outre: une première couche de guide (4) formée entre la couche active (5) et la première couche de gaine (3); et une seconde couche de guide (6) formée entre la couche active (5) et la seconde couche de gaine (7); et en ce que la pre- mière couche de guide (4), la couche active (5) et la seconde couche de guide (6) consistent respectivement en une couche d'AIGaAs, une couche d'AIGaAs, et une couche d'AIGaAs, et constituent une structure de puits quantique.