FR 2884053 A1 20061006 FR 0602783 A 20060330 TRANSISTORS A FILM MINCE POUR SYSTEME D'IMAGERIE ET PROCEDE POUR REALISER CEUX-CI L'invention concerne de façon générale des systèmes d'imagerie. En particulier, l'invention concerne des transistors à film mince destinés à être utilisés dans des détecteurs de ces systèmes d'imagerie et des procédés pour réaliser ceux-ci. L'imagerie non-invasive englobe grossièrement des techniques pour générer des images des structures internes de régions d'une personne ou d'un objet qui sont, sinon, inaccessibles pour l'inspection visuelle. Par exemple, des techniques d'imagerie non-invasive sont couramment utilisées dans le domaine industriel pour inspecter les structures internes de pièces, et dans le domaine de la sécurité pour inspecter le contenu de paquets, de vêtements, etc. Cependant, l'une des utilisations les mieux connues de l'imagerie non-invasive se fait dans la technique médicale, où ces techniques sont utilisées pour générer des images d'organes et/ou d'os à l'intérieur d'un patient, qui, sinon, ne seraient pas visibles. Une classe de techniques d'imagerie non-invasive qui peut être utilisée dans ces différents domaines est basée sur la transmission différentielle de rayons X à travers un patient ou un objet. Dans le contexte médical, une technique d'imagerie à rayons X simple peut comprendre la génération de rayons X à l'aide d'un tube à rayons X ou d'une autre source et le fait de diriger les rayons X à travers un volume d'imagerie dans lequel la partie du patient dont on doit réaliser une image est disposée. Lorsque les rayons X traversent le patient, les rayons X sont atténués en fonction de la composition du tissu qu'ils traversent. Les rayons X atténués frappent alors un détecteur qui convertit les rayons X en signaux qui peuvent être traités pour générer une image de la partie du patient que les rayons X ont traversée en fonction de l'atténuation des rayons X. De façon caractéristique, le processus de détection à rayons X utilise un scintillateur, qui génère des photons optiques lorsqu'il est frappé par des rayons X, et un groupement d'éléments photodétect.eurs, qui génèrent des signaux électriques en fonction du nombre de photons optiques détectés. Certaines techniques à rayons X utilisent un flux de rayons X très faible de telle sorte que l'exposition du patient puisse être prolongée. Par exemple, des techniques fluoroscopiques sont couramment utilisées pour contrôler une opération ou une condition en cours, telle que l'insertion d'un cathéter ou d'une sonde dans le système circulatoire d'un patient. Ces techniques fluoroscopiques obtiennent, de façon caractéristique, de grands nombres d'images qui peuvent être affichées de façon consécutive pour montrer un mouvement dans la zone dont on réalise une image en temps réel ou en temps quasi-réel. Cependant, les techniques fluoroscopiques, ainsi que d'autres techniques d'imagerie à faible flux de rayons X, peuvent souffrir d'une médiocre qualité d'image du fait du signal de rayons X relativement faible par rapport au bruit électronique pouvant être attribué au détecteur. En résultat, il est, de façon caractéristique, souhaitable d'améliorer l'efficacité du processus de détection, par exemple en réduisant le bruit électronique pouvant être attribué au détecteur. Par exemple, différents aspects des transistors à film mince (thin film transistors ou TFT) employés pour lire des éléments de détecteur peuvent contribuer au bruit électronique global. Par exemple, la source et le drain du transistor à film mince peuvent être formés à partir de la même couche de matériau que les lignes de données auxquelles elles sont connectées. Cependant, différentes propriétés électriques sont, de façon caractéristique, souhaitées dans les lignes de données vis-à-vis de la source et du drain, et, par conséquent, des configurations qui améliorent les performances des lignes de données peuvent réduire les performances de la source et du drain, et inversement. Par exemple, i.l peut être souhaitable que les lignes de données soient relativement épaisses pour réduire leur résistance. Cependant, des lignes de source et de drain épaisses produiront une entaille durant la gravure humide effectuée durant la formation du transistor à film mince, produisant une longueur de canal plus longue. En général, plus le canal est long, plus les problèmes associés au bruit électronique, qui est fonction du piégeage de charges, qui est lui-même fonction de la longueur de canal, seront importants. De plus, la résistance "passante" du transistor à film mince est également fonction de la longueur de canal, ce qui produit en résultat des vitesses de lecture de pixels plus lentes lorsque la longueur de canal est accrue. En résultat, des longueurs de canal plus petites sont généralement souhaitables pour des performances améliorées du transistor à film mince. A cause de ces aspects contraires, les lignes de données et/ou les électrodes de source et de drain formées à partir de la même couche de matériau (et, par conséquent, ayant la même épaisseur) peuvent ne pas avoir des performances optimales. De façon similaire, la ligne de balayage connectée à la grille du transistor à film mince peut affecter les performances du détecteur. En particulier, les lignes de balayage et la grille sont, de façon caractéristique, formées à partir de la même couche de matériau. Cependant, comme avec les lignes de données, une ligne de balayage épaisse peut être souhaitable pour diminuer la résistance de la ligne de balayage. Cependant, l'électrode de grille épaisse résultante peut produire des courants de fuite du fait d'un épaulement plus grand au bord de l'électrode de grille. Par conséquent, l'amélioration des propriétés électriques des lignes de lecture (ou, autrement dit, des lignes de balayage et des lignes de données) peut dégrader de façon nonintentionnelle les performances du détecteur d'autres façons du fait des impacts négatifs sur les électrodes formées à partir des mêmes couches respectives de matériaux. Par conséquent, il existe un besoin pour un transistor à film mince qui traite certains ou la totalité des problèmes exposés ci-dessus. Selon un aspect de la présente technique, on procure un détecteur. Le détecteur comprend une électrode formée à partir d'une première couche de matériau conducteur, une ligne de lecture formée à partir d'une deuxième couche de matériau conducteur, et un via connectant électriquement la ligne de lecture et l'électrode. Selon un mode de réalisation de l'invention, la première couche de matériau conducteur et la deuxième couche de matériau conducteur diffèrent au moins par l'une parmi la composition et l'épaisseur. Selon un mode de réalisation de l'invention, la première couche de matériau conducteur comprend l'un parmi le molybdène, le chrome, l'aluminium, le tungstène, le titane, ou des combinaisons de ceux-ci. Selon un autre aspect de la présente technique, on procure un détecteur destiné à être utilisé dans un système d'imagerie. Le détecteur comprend une pluralité d'éléments de détecteur, chaque élément de détecteur comportant un transistor à film mince. Le transistor à film mince comprend une électrode de source et une électrode de drain formées à partir d'une première couche de matériau conducteur, une ligne de données formée à partir d'une deuxième couche de matériau conducteur, et un via connectant électriquement la ligne de données et l'électrode de drain. Selon un mode de réalisation, la première couche de matériau conducteur et la deuxième couche de matériau conducteur diffèrent au moins par l'une parmi la composition ou l'épaisseur. Selon un mode de réalisation, le détecteur comprend de plus un canal disposé entre les électrodes de source et de drain, et en ce que le canal a une longueur située dans une plage comprise entre environ 1,5 micromètre et environ 3 micromètres. Selon encore un autre aspect de la présente technique, on procure un détecteur destiné à être utilisé dans un système d'imagerie. Le détecteur comprend une pluralité d'éléments de détecteur, chaque élément de détecteur comprenant un transistor à film mince. Le transistor à film mince comprend une électrode de grille formée à partir d'une première couche de matériau conducteur, une ligne de balayage formée à partir d'une deuxième couche de matériau conducteur, et un via connectant électriquement la ligne de balayage et l'électrode de grille. Selon un mode de réalisation, la première couche de matériau conducteur et la deuxième couche de matériau conducteur diffèrent par au moins l'une parmi la composition ou l'épaisseur. Selon encore un autre aspect de la présente technique, on procure un détecteur destiné à être utilisé dans un système d'imagerie. Le détecteur comprend une pluralité d'éléments de détecteur, chaque élément de détecteur comprenant un transistor à film mince. Le transistor à film mince comprend une électrode de grille formée à partir d'une première couche de matériau conducteur, une électrode de source et une électrode de drain formées à partir d'une deuxième couche de matériau conducteur, une ligne de balayage formée à partir d'une troisième couche de matériau conducteur, un premier via connectant électriquement la ligne de balayage et l'électrode de grille, une ligne de données formée à partir d'une quatrième couche de matériau conducteur, et un deuxième via connectant électriquement la ligne de données et l'électrode de drain. Selon un mode de réalisation, l'une parmi la première couche de matériau conducteur ou la deuxième couche de matériau conducteur comprend l'un parmi le molybdène, le chrome, l'aluminium, le tungstène, le titane, ou des combinaisons de ceux-ci. Ces éléments et caractéristiques, aspects et avantages de la présente invention, ainsi que d'autres, seront mieux compris lorsque la description détaillée qui suit sera lue en se référant aux dessins joints, dans lesquels des symboles identiques représentent des parties identiques dans tous les dessins, dans lesquels: la figure 1 est une représentation schématique d'un exemple de système d'imagerie à rayons X, selon un aspect de la présente technique; la figure 2 est une vue en coupe transversale d'un transistor à film mince comportant des lignes de données à un niveau différent des électrodes de source et de drain, selon un aspect de la présente technique; la figure 3 est une vue en coupe transversale d'un transistor à film mince comportant des lignes de balayage à un niveau différent des électrodes de grille, selon un aspect de la présente technique; et la figure 4 est une vue en coupe transversale d'un transistor à film mince comportant des lignes de données et de balayage à des niveaux différents des électrodes de source, de drain et de grille respectives, selon un aspect de la présente technique. La figure 1 est une illustration d'un système d'imagerie à rayons X désigné globalement par un numéro de référence 10. Dans la réalisation illustrée, le système d'imagerie à rayons X 10 est conçu pour acquérir et traiter des données d'image selon la présente technique, comme cela. sera décrit plus en détail ci-dessous. Le système d'imagerie à rayons X 10 comprend une source de rayons X 12 positionnée au voisinage d'un collimateur 14. Dans une réalisation, la source de rayons X 12 est une source à faible flux de rayons X, et est employée dans des techniques d'imagerie à faible flux de rayons X, telles que des techniques fluoroscopiques, ou analogues. Comme les personnes ayant une connaissance ordinaire de la technique l'apprécieront, le flux de rayons X est représentatif de la quantité de rayons X émise par la source de rayons X par unité de temps. Un collimateur 14 permet à un train de rayonnement de rayons X 16 de passer dans une région dans laquelle une cible 18, telle qu'un patient humain, est positionnée. Une partie du rayonnement est atténuée par la cible 18. Ce rayonnement atténué 20 frappe un détecteur 22, tel qu'un détecteur fluoroscopique. Comme décrit en détail ci-dessous, le détecteur 22 convertit les photons de rayons X incidents sur sa surface en signaux électriques qui sont acquis et traités de façon à construire une image des éléments à l'intérieur de la cible 18. La source de rayons X 12 est commandée par des circuits d'alimentation/commande 24 qui fournissent tout à la fois des signaux d'alimentation et de commande pour des séquences d'examen. De plus, le détecteur 22 est couplé à des circuits d'acquisition de détecteur 26, qui commandent l'acquisition des signaux générés dans le détecteur 22. Les circuits d'acquisition de détecteur 26 peuvent également assurer différentes fonctions de traitement et de filtrage du signal, comme, par exemple, un ajustement initial de plages dynamiques, un entrelaçage numérique, etc. Dans l'exemple de réalisation représenté, un ou plusieurs des circuits d'alimentation/commande 24 et des 35 circuits d'acquisition de détecteur 26 réagissent à des signaux venant d'un dispositif de commande du système 28. Dans certains exemples de systèmes, il peut être souhaitable de déplacer l'un ou les deux parmi le détecteur 22 ou la source de rayons X 12. Dans ces systèmes, un sous-système de moteur peut également être présent à titre de composant du dispositif de commande du système 28 pour accomplir ce déplacement. Dans le présent exemple, le dispositif de commande du système 28 comprend également des circuits de traitement du signal, basés, de façon caractéristique, sur un ordinateur numérique à usage général ou spécifique à l'application. Le dispositif de commande du système 28 peut également comprendre des circuits de mémoire pour mémoriser des programmes et des sous-programmes exécutés par l'ordinateur, ainsi que des paramètres de configuration et des données d'image, des circuits d'interface, etc. Des circuits de traitement d'image 30 sont également présents dans la réalisation représentée du système d'imagerie à rayons X 10. Les circuits de traitement d'image 30 reçoivent des données de projection acquises à partir des circuits d'acquisition de détecteur 26, et traitent les données acquises afin de générer une ou plusieurs images en fonction de l'atténuation des rayons X. Un ou plusieurs postes de travail d'opérateur 32 sont également présents dans la réalisation décrite du système d'imagerie à rayons X 10. Le poste de travail d'opérateur 32 permet à un opérateur de déclencher et de configurer un examen d'imagerie à rayons X et visualiser les images générées à titre de partie de l'examen. Par exemple, le dispositif de commande du système 28 est généralement relié au poste de travail d'opérateur 32 de telle sorte qu'un opérateur, par l'intermédiaire d'un ou plusieurs dispositifs d'entrée associés au poste de travail d'opérateur 32, puisse délivrer des instructions ou des commandes au dispositif de commande du système 28. De façon similaire, les circuits de traitement d'image 30 sont reliés au poste de travail d'opérateur 32 de telle sorte que le poste de travail d'opérateur 32 puisse recevoir et afficher la sortie des circuits de traitement d'image 30 sur un dispositif de sortie 34, tel qu'un afficheur ou une imprimante. Le dispositif de sortie 34 peut comprendre des écrans d'ordinateur standard ou à usage spécial et les circuits de traitement associés. En général, des afficheurs, des imprimantes, des postes de travail d'opérateur, et des dispositifs similaires disposés à l'intérieur du système peuvent être locaux aux composants d'acquisition de données ou peuvent être éloignés de ces composants, par exemple à un autre endroit à l'intérieur d'une institution ou d'un hôpital, ou dans un emplacement entièrement différent. Les dispositifs de sortie et les postes de travail d'opérateur qui sont éloignés djes composants d'acquisition de données peuvent être reliés au système d'acquisition d'image par l'intermédiaire d'un ou plusieurs réseaux pouvant être configurés, tels que l'Internet, des réseaux privés virtuels, etc. Comme une personne ayant une connaissance ordinaire de la technique l'appréciera, bien que le dispositif de commande du système 28, les circuits de traitement d'image 30 et le poste de travail d'opérateur 32 soient représentés comme étant distincts les uns des autres en figure 1, ces composants peuvent en fait être mis en oeuvre dans un système basé sur un processeur unique, tel qu'un ordinateur numérique à usage général ou spécifique à l'application. D'une autre façon, certains ou la totalité de ces composants peuvent être présents dans des systèmes basés sur des processeurs distincts, tels que des ordinateurs numériques à usage général ou spécifiques à l'application, configurés de façon à communiquer entre eux. Par exemple, les circuits de traitement d'image 30 peuvent être un composant d'un poste de travail de reconstruction et de visualisation distinct. Selon certaines réalisations de la présente invention, le détecteur 22 d'un système d'imagerie, tel que celui représenté en figure 1, est construit sous la forme d'une structure à couches multiples afin d'obtenir les propriétés électriques désirées pour les structures associées à chaque niveau. Dans un exemple d'une réalisation de l'invention, l'exemple de détecteur 22 comprend un groupement d'éléments de photodétecteur, tels que des photodiodes formées à partir de silicium amorphe, disposées sur un substrat. Dans cette réalisation, les photodiodes peuvent être agencées sous la forme d'un groupement de rangées et de colonnes qui définissent les pixels, ou éléments d'image, lus par les circuits d'acquisition de détecteur 26. Dans cette réalisation, chaque pixel comprend une photodiode et un transistor à film mince (TFT), qui peut être activé de façon sélective à l'aide de lignes de données et de lignes de balayage. Cette réalisation peut également comprendre un scintillateur, qui, lorsqu'il est exposé à des rayons X, génère les photons optiques détectés par la photodiode. Dans différentes réalisations de la présente technique, des vias ou passages sont employés pour coupler électriquement des lignes de données et/ou des lignes de balayage à des électrodes respectives du transistor à film mince par l'intermédiaire de différentes couches intermédiaires. Les lignes de données et/ou de balayage connectées de cette manière sont elles-mêmes connectées à des pattes de contact, ou à d'autres structures de lecture conductrices, afin de permettre aux données d'être transférées des éléments de capteur aux circuits de lecture. Comme cela sera apprécié par les personnes ayant une connaissance ordinaire de la technique, les vias sont des structures électriquement conductrices qui interconnectent différentes couches conductrices ou métallisées, qui sont, sinon, séparées par une ou plusieurs couches isolantes. De cette façon, des signaux électriques peuvent être conduits entre des couches ou des conducteurs différents dans une structure à couches multiples. Par exemple, dans une réalisation de la présente invention, les lignes de données peuvent être verticalement décalées des électrodes de source et de drain présentes dans le transistor à film mince employé dans le détecteur 22. Par exemple, dans certaines réalisations, les lignes de données et les électrodes de source et de drain peuvent être formées au cours d'étapes de traitement séparées, à savoir à partir de couches différentes de matériau conducteur, qui sont, de façon caractéristique, déposées à des étapes ou à des moments différents du processus de formation. En résultat, la couche de matériau conducteur à partir de laquelle la ligne de données est formée peut avoir une épaisseur ou une composition différente de la couche de matériau conducteur à partir de laquelle les électrodes de source et de drain sont formées. Par exemple, les lignes de données peuvent être formées à partir d'une couche plus épaisse que celle à partir de laquelle sont formées les électrodes de source et de drain. Une représentation d'un tel exemple de réalisation est donnée en figure 2. En figure 2, une vue en coupe transversale d'un exemple de transistor à film mince 36 comportant une électrode de source 38 et une électrode de drain 40 disposées au-dessus d'une couche semiconductrice 42 est représentée. Dans une réalisation, la couche semiconductrice 42 comprend du silicium amorphe. Dans la réalisation représentée, les lignes de données 44 et les électrodes de source et de drain 38 et 40 sont formées au cours d'étapes séparées. Dans cette réalisation, les électrodes de source et de drain 38 et 40 sont formées en déposant une première couche d'un matériau conducteur, comme, par exemple, le molybdène, le chrome, l'aluminium, le titane, le tungstène, ou des combinaisons de ceux-ci, sur la couche semiconductrice 42. De plus, une couche métallique de barrière (non représentée) peut être présente entre la couche semiconductrice 42 et la couche à partir de laquelle sont formées les électrodes de source et de drain 38 et 40, comme dans des réalisations dans lesquelles la couche semiconductrice 42 est constituée entièrement: ou partiellement de silicium amorphe et les électrodes de source et de drain 38 et 40 sont constituées entièrement: ou partiellement d'aluminium, afin d'empêcher la diffusion entre les couches. De plus, le transistor à film mince 36 de la réalisation représentée comprend une électrode de grille 46 disposée en dessous de la couche semiconductrice 48. L'électrode de grille 46 est, de façon caractéristique, électriquement isolée avec la couche semiconductrice 42 à l'aide d'une couche diélectrique 48. Les différentes couches du transistor à film mince 36, comme décrit ici, peuvent être formées par n'importe quelles techniques de déposition appropriées, par exemple par pulvérisation cathodique, par déposition en phase gazeuse par procédé chimique (CVD), par déposition en phase gazeuse par procédé chimique renforcée par plasma (PECVD), par déposition en phase gazeuse par procédé chimique renforcée par plasma à haute fréquence (RFPECVD), par déposition en phase gazeuse par procédé chimique sous plasma à dilatation thermique (ETPCVD), par pulvérisation cathodique réactive, par déposition en phase gazeuse par procédé chimique renforcée par plasma à résidence d'électrons attirés de façon cyclique (ECRPECVD), par déposition en phase gazeuse par procédé chimique renforcée par plasma couplé de façon inductive (ICPECVD), par déposition par pulvérisation cathodique, par évaporation, par déposition de couche atomique (ALD), ou par des combinaisons de celles-ci. De plus, d'autres types de techniques de déposition appropriées pour être utilisées dans la fabrication de circuits intégrés ou de dispositifs à base de semiconducteurs peuvent également être utilisées dans la déposition de certaines ou de la totalité des couches décrites ici. Dans une réalisation, les électrodes de source et de drain 38 et 40 sont formées à partir d'une couche de matériau conducteur ayant une épaisseur située dans une plage comprise entre 0,02 micromètre et environ 0,2 micromètre. La couche de matériau conducteur est mise sous un certain motif pour former les électrodes de source et de drain 38 et 40. Dans certaines réalisations, une zone d'arrivée (non représentée) pour un passage 50 peut être formée sur la couche de matériau conducteur à partir de laquelle sont formées les électrodes de source ou de drain, soit avant, soit après la réalisation de motif du film métallique, pour former les électrodes de source et de drain 38 et 40. Dans ces réalisations, la zone d'arrivée peut être ou non positionnée au-dessus de l'électrode de grille 46. Dans certaines réalisations, l'étape de formation des électrodes de source peut également comprendre le couplage électrique des éléments de photodétecteur à l'électrode de source 38. Dans ces réalisations, l'électrode de source 38 peut être couplée aux éléments de photodétecteur soit par l'intermédiaire d'un deuxième passage (non représenté), soit par l'extension de l'électrode de source 38 sous les éléments de photodétecteur. Les électrodes de source et de drain 38 et 40 sont, de façon caractéristique, séparées par un canal 52. La surface inférieure du canal actif comprend, de façon caractéristique, le matériau semiconducteur exposé de la couche semiconductrice 42. Le canal 52 est, de façon caractéristique, formé en gravant ou en éliminant d'une autre façon la partie de la couche de matériau conducteur disposée entre l'électrode de source 38 et l'électrode de drain 40,, de façon à révéler, et, de façon caractéristique, à graver partiellement, la couche semiconductrice 42. Dans une réalisation, le canal 52 a une longueur située dans une plage comprise entre environ 1,5 micromètre et environ 3 micromètres. La formation des électrodes de source et de drain 38 et 40 à partir d'un film relativement mince de matériau conducteur ou d'une couche métallisée facilite la formation d'un canal 52 ayant une plus petite longueur. Comme cela sera apprécié par les personnes ayant une bonne connaissance de la technique, une plus petite longueur de canal provoque une moindre rétention de charges dans le canal 52, de façon à réduire ainsi le niveau de bruit du transistor à film mince 36. Dans l'exemple de réalisation représenté, le transistor à film mince 36 comprend également une couche diélectrique 54 disposée au-dessus des électrodes de source et de drain 38 et 40. Dans cette réalisation, le transistor à film mince 36 comprend de plus des lignes de données 44 formées à partir d'une deuxième couche de matériau conducteur disposée audessus de la couche diélectrique 54. Selon la présente technique, la première couche de matériau conducteur utilisée pour former les électrodes de source et de drain 38, 40 peut avoir une épaisseur et/ou une composition qui diffèrent de celles de la deuxième couche de matériau conducteur utilisée pour former les lignes de données 44. Par exemple, dans une réalisation, il est souhaitable d'avoir des lignes de données épaisses 44, à savoir plus épaisses que les électrodes de source et de drain 38, 40, de façon à réduire les valeurs de résistance associées aux lignes de données, et à réduire ainsi le facteur de bruit auquel contribuent: les lignes de données. Dans un exemple de cette réalisation, les lignes de données 44 sont formées à partir d'une couche de matériau conducteur ayant une épaisseur située dans une plage comprise entre environ 0,2 micromètres et environ 2 micromètres. Dans une autre réalisation, les lignes de données 44 comprennent des éléments conducteurs tels que le molybdène, l'aluminium, le cuivre, le titane, le tungstène, ou des combinaisons de ceux-ci. De plus, le transistor à film mince 36 comprend un via 50 connectant électriquement la ligne de données 44 à l'électrode de drain 40. Dans une réalisation, le via 50 est formé en coupant ou en gravant de façon sélective la couche diélectrique 54. Dans certaines réalisations, une électrode commune et/ou un élément de blocage de lumière de transistor à film mince peut également être formé à partir de la couche à partir de laquelle est formée la ligne de données 44. Dans ces réalisations, l'électrode commune est située entre le scintillateur et les connexions avec les régions photosensibles, tandis que l'élément de blocage de lumière est utilisé pour empêcher la lumière générée à l'intérieur du scintillateur d'entrer dans le canal de transistor à film mince 52. Si l'on se réfère à présent à la figure 3, un autre exemple de réalisation du transistor à film mince 36 est représenté, celui-ci comportant une électrode de grille 46 verticalement décalée des lignes de balayage 58. Par exemple, dans certaines réalisations, l'électrode de grille 46 et les lignes de balayage 58 peuvent être formées en différentes étapes de traitement, ou, autrement dit, à partir de couches différentes de matériau photoconducteur, qui sont, de façon caractéristique, déposées à des étapes ou des temps différents durant le processus de formation. Du fait de ces étapes de déposition séparées, les couches utilisées pour former l'électrode de grille 46 et les lignes de balayage 58 peuvent avoir des épaisseurs ou des compositions différentes. En d'autres termes, la couche de matériau conducteur à partir de laquelle la ligne de balayage est formée peut avoir une épaisseur et/ou une composition différentes de la couche à partir de laquelle est formée l'électrode de grille. Par exemple, les lignes de balayage 58 peuvent être formées à partir d'une couche plus épaisse que celle à partir de laquelle est formée l'électrode de grille. La figure 3 illustre une vue en coupe transversale d'un transistor à film mince 56 selon un aspect de la présente technique. Le transistor à film mince 56 comprend une électrode de grille 46 disposée en dessous d'une couche semiconductrice 42. Dans une réalisation, la couche semiconductrice 42 comprend du silicium amorphe. Dans une réalisation, l'électrode de grille 46 du transistor à film mince 56 est formée par déposition d'une première couche de matériau conducteur, tel que le molybdène, le chrome, l'aluminium, le tungstène, le titane, ou des combinaisons de ceux-ci. De façon caractéristique, il est souhaitable d'avoir de faibles valeurs de transmission optique pour l'électrode de grille afin d'éviter à la lumière dispersée venant de l'intérieur du substrat d'entrer dans le transistor à film mince 56. Par conséquent, une épaisseur minimale de l'électrode de grille peut être déterminée par une valeur de transmission optique souhaitable. Dans une réalisation, les valeurs de transmission optique sont inférieures à 20%. Dans cette réalisation, l'épaisseur de la couche de matériau conducteur constituant l'électrode de grille est située dans une plage comprise entre environ 0, 02 micromètre et environ 0,15 micromètre. De plus, la minimisation de l'épaisseur de l'électrode de grille 46 produit une diminution de la hauteur de la structure du transistor à film mince 56. Comme cela sera apprécié par les personnes ayant une bonne connaissance de la technique, plus la hauteur du transistor à film mince 56 est grande,, plus la propension aux courants de fuite entre l'électrode de grille 46 et l'une ou l'autre des électrodes de source de drain 38 ou 40 est grande. De plus, une zone d'arrivée (non représentée) pour un passage connectant l'électrode de grille 46 et une ligne de balayage 58 peut également être formée pendant ou après la formation de l'électrode de grille 46. Dans la réalisation représentée, la couche semiconductrice 42 et l'électrode de grille 46 sont électriquement isolées à l'aide d'une première couche diélectrique, telle qu'une couche diélectrique 48. Dans cette réalisation, le transistor à film mince 56 comprend également Les électrodes de source et de drain 38 et 40 disposées au-dessus de la couche semiconductrice 42. Dans une réalisation, une deuxième couche diélectrique, telle qu'une couche diélectrique 54, est disposée sur les électrodes de source et de drain 38 et 40. De plus, des vias 60 peuvent être formés au niveau de chaque transistor à film mince 56 du détecteur 22 afin d'exposer une zone d'arrivée formée sur l'électrode de grille 46. De façon caractéristique, les vias 60 sont employés pour coupler électriquement l'électrode de grille 46 et les lignes de balayage 58. De plus, dans la réalisation représentée, la ligne de balayage 58 est disposée au-dessus de la couche diélectrique 54. Dans une réalisation., la ligne de balayage 58 est formée par déposition et réalisation d'un motif d'une deuxième couche de matériau conducteur au-dessus de la couche diélectrique 54. Dans cette réalisation, la ligne de balayage 58 est décalée dans l'espace vis-à-vis du canal 52, à savoir que la ligne de balayage 58 est globalement décalée du canal 52, et que, par conséquent, elle ne recouvre pas le canal 52. Comme mentionné ci-dessus, il est souhaitable d'avoir des lignes de balayage de faible résistance pour améliorer les performances du détecteur 22. Par exemple, pour avoir un détecteur à panneau plat fonctionnant avec des nombres de trames par seconde plus élevés (60 trames par seconde), il est souhaitable de diminuer la résistance des lignes de balayage en augmentant leur épaisseur. Dans une réalisation, la deuxième couche de matériau conducteur a une épaisseur située dans une plage comprise entre environ 0,15 micromètre et environ 1 micromètre. Dans une autre réalisation, une couche de matériau conducteur à partir de laquelle est formée la ligne de balayage 58 comprend des métaux tels que le molybdène, le chrome, l'aluminium, le tungstène, le titane, et analogue, ou des combinaisons de ceux-ci. De plus, la couche de matériau conducteur utilisée pour former la ligne de balayage peut également être mise sous un certain motif afin de former d'autres structures, telles que des vias et d'autres structures intermédiaires. De plus, dans certaines réalisations, une couche diélectrique, telle qu'une couche diélectrique 62, peut être disposée sur la ligne de balayage 58. La figure 4 illustre une vue en coupe transversale d'un transistor à mince film 64 incorporant des lignes de données verticalement décalées des électrodes de source et de drain 38 et 40 et des lignes de balayage verticalement décalées de l'électrode de grille 46, comme décrit cidessus. Dans la réalisation illustrée, la ligne de balayage 58 est disposée en dessous de la ligne de données 44. Dans la réalisation décrite, une couche diélectrique, telle qu'une couche diélectrique 62, est disposée sur les lignes de balayage 58. De plus, dans la réalisation illustrée, une couche diélectrique, telle qu'une couche diélectrique 66, est disposée au-dessus de la ligne de données 44. Inversement, dans d'autres réalisations, les lignes de balayage 58 peuvent être disposées au-dessus des lignes de données 44. Dans ces réalisations, la ligne de balayage 58 peut être disposée sur la couche diélectrique disposée audessus de la ligne de données, et peut être formée après la formation du transistor à film mince 64 et des lignes de données 44. L'exemple de structure combinée représenté en figure 4 peut être formé selon les structures décrites ci-dessus vis-à-vis des figures 2 et 3, et peut, par conséquent, incorporer les avantages respectifs décrits vis-à-vis des exemples de structures précédents. Bien que seuls certains éléments et caractéristiques de l'invention aient été illustrés et décrits ici, de nombreux changements et modifications apparaîtront aux personnes ayant une bonne connaissance de la technique. 20 25 LISTE DES ELEMENTS Système d'imagerie à rayons X 12 Source de rayons X 14 Collimateur 16 Rayonnement de rayons X 18 Cible Rayonnement atténué 22 Détecteur 24 Circuits d'alimentation/commande 26 Circuits d'acquisition de détecteur 28 Dispositif de commande du système Unité de traitement d'image 32 Poste de travail d'opérateur 34 Dispositif de sortie 36 Transistor à film mince ayant un décalage vertical entre les lignes de données et les électrodes de source et de drain 38 Electrode de source Electrode de drain 42 Couche semiconductrice 44 Lignes de données 46 Electrode de grille 48 Couche diélectrique Vias 52 Canal 54 Couche diélectrique 56 Transistor à film mince ayant un décalage vertical entre les lignes de balayage et les électrodes de grille 58 Lignes de balayage Via 62 Couche diélectrique 64 Transistor à film mince 66 Couche diélectrique REVENDICATIONS 1. Détecteur (22) caractérisé en ce qu'il comprend: une électrode formée à partir d'une première couche de matériau conducteur; une ligne de lecture formée à partir d'une deuxième couche de matériau conducteur; et un passage connectant électriquement la ligne de lecture et l'électrode. 2. Détecteur (22) selon la revendication 1, caractérisé en ce que la première couche de matériau conducteur et la deuxième couche de matériau conducteur diffèrent au moins par l'une parmi la composition et l'épaisseur. 3. Détecteur (22) selon la revendication 1, caractérisé en ce que la première couche de matériau conducteur comprend l'un parmi le molybdène, le chrome, l'aluminium, le tungstène, le titane, ou des combinaisons de ceux-ci. 4. Détecteur (22) destiné à être utilisé dans un système d'imagerie, caractérisé en ce qu'il comprend: une pluralité d'éléments de détecteur, chaque élément de détecteur comprenant un transistor à film mince (36), comprenant une électrode de source (38) et une électrode de drain 25 (40) formées à partir d'une première couche de matériau conducteur; une ligne de données (44) formée à partir d'une deuxième couche de matériau conducteur; et un via (50) connectant électriquement la ligne de 30 données (44) et l'électrode de drain (40). 5. Détecteur (22) selon la revendication 4, caractérisé en ce que la première couche de matériau conducteur et la deuxième couche de matériau conducteur diffèrent au moins par l'une parmi la composition ou l'épaisseur. 6. Détecteur (22) selon la revendication 4, caractérisé en ce qu'il comprend de plus un canal (52) disposé entre les électrodes de source (38) et de drain (40), et en ce que le canal (52) a une longueur située 5 dans une plage comprise entre environ 1,5 micromètre et environ 3 micromètres. 7. Détecteur (22) destiné à être utilisé dans un système d'imagerie, caractérisé en ce qu'il comprend: une pluralité d'éléments de détecteur, chaque élément 10 de détecteur comprenant un transistor à film mince (56), comprenant: une électrode de grille (46) formée à partir d'une première couche de matériau conducteur; une ligne de balayage (58) formée à partir d'une 15 deuxième couche de matériau conducteur; et un via (60) connectant électriquement la ligne de balayage (58) et l'électrode de grille (46). 8. Détecteur (22) selon la revendication 7, caractérisé en ce que la première couche de matériau conducteur et la deuxième couche de matériau conducteur diffèrent par au moins l'une parmi la composition ou l'épaisseur. 9. Détecteur (22) destiné à être utilisé dans un système d'imagerie, caractérisé en ce qu'il comprend: une pluralité d'éléments de détecteur, chaque élément de détecteur comprenant un transistor à film mince (64), comprenant: une électrode de grille (48) formée à partir d'une première couche de matériau conducteur; une électrode de source (38) et une électrode de drain (40) formées à partir d'une deuxième couche de matériau conducteur; une ligne de balayage (58) formée à partir d'une troisième couche de matériau conducteur; un premier via (60) connectant électriquement la ligne de balayage (58) et l'électrode de grille (46) ; une ligne de données (44) formée à partir d'une quatrième couche de matériau conducteur; et un deuxième via (50) connectant électriquement la ligne de données (44) et l'électrode de drain (40). 10. Détecteur (22) selon la revendication 9, caractérisé en ce que l'une parmi la première couche de matériau conducteur ou la deuxième couche de matériau conducteur comprend l'un parmi le molybdène, le chrome, l'aluminium, le tungstène, le titane, ou des combinaisons de ceux-ci.