FR 2837022 A1 20030912 FR 0212920 A 20021017 DISPOSITIF A SEMICONDUCTEUR DE PUISSANCE La présente invention concerne des dispositifs à semiconducteur de puissance, tels que des onduleurs. La figure 13 montre un dispositif à semiconducteur de puissance classique. Dans ce dispositif à semiconducteur de puissance, une électrode la disposée sur la surface inférieure d'un dispositif à semiconducteur 1, tel qu'une diode, est fixée par brasage sur un motif d'interconnexion 3 sur la surface supérieure d'un substrat en céramique 2. Le substrat en céramique 2 est fixé par de la brasure 8 sur une plaque de base 4 consistant par exemple en cuivre à conductivité élevée, dépourvu d'oxygène. Un boîtier 5 est vissé ou collé sur la plaque de base 4. Le boîtier 5 consiste par exemple en poly (sulfure de phényle) (PPS). Des cadres de montage 6,7 et un écrou 12 sont intégrés dans le boîtier 5. Des extrémités des cadres de montage 6 et 7 remplissent la fonction d'électrodes internes 6a et 7a, et les autres extrémités remplissent la fonction d'électrodes externes 6b et 7b, respectivement. L'écrou 12 est disposé pour connecter un câblage externe (non représenté) aux électrodes externes 6b et 7b. L'utilisation d'une vis (non représentée) qui connecte le câblage externe aux électrodes externes 6b et 7b par une pression d'assemblage, réduit la résistance de contact entre eux. L'électrode interne 6a est connectée par un fil d'aluminium 9 à une électrode 1 b disposée sur la surface supérieure du dispositif à semiconducteur 1, et le motif d'interconnexion 3 sur le substrat en céramique 2 est connecté par un autre fil d'aluminium 9 à l'électrode interne 7a. Les fils d'aluminium 9 ont par exemple un diamètre d'environ quelques centaines de micromètres. L'espace interne entouré par le boîtier 5 et la plaque de base 4 est rempli avec un gel de silicone 10 pour procurer une caractéristique isolante. Un couvercle 11 pour protéger le gel de silicone 10 contre l'air extérieur est disposé de façon à couvrir la surface du boîtier 5. Dans le dispositif à semiconducteur de puissance représenté sur la figure 13, les fils d'aluminium 9 sont utilisés à titre d'interconnexions. Pour réduire les pertes par résistance lorsqu'un courant circule à travers les fils d'aluminium 9, il est nécessaire d'augmenter l'aire de section droite des fils d'aluminium 9 (c'est-à-dire d'augmenter le diamètre du fil), ou bien d'augmenter le nombre de fils. Pour joindre les fils d'aluminium 9 à chaque électrode, il est nécessaire d'avoir une étendue de joint qui a une largeur qui, au minimum, n'est pas inférieure au double du diamètre des fils d'aluminium 9, et une longueur qui, au minimum, n'est pas inférieure à trois fois le diamètre. Si on désire réduire l'étendue du dispositif à semiconducteur 1 en augmentant la quantité de courant par unité d'aire du dispositif à semiconducteur 1, il est nécessaire d'avoir une grande étendue de joint, ce qui est un obstacle à la réduction de taille du dispositif à semiconducteur 1. De plus, il y a le problème consistant en ce que l'interface de joint entre la surface supérieure du dispositif à semiconducteur 1 et l'électrode 1 b est sujette à séparation sous l'effet d'un cycle de température (cycle thermique). Lorsque le dispositif à semiconducteur 1 est en silicium, son coefficient de dilatation linéaire est approximativement 2,3 x 10-6 [K-1]. D'autre part, le coefficient de dilatation linéaire de l'aluminium est approximativement 23 x 10-6 [K-1]. Du fait de cette différence dans le coefficient de dilatation linéaire, une contrainte thermique est occasionnée par le dégagement de chaleur pendant l'utilisation du dispositif à semiconducteur de puissance, et la contrainte thermique occasionne une séparation de l'interface de joint. Cette contrainte thermique se produit de façon cyclique lorsque la charge imposée au dispositif à semiconducteur de puissance est augmentée et diminuée, ou lorsque l'alimentation est établie et coupée. Par exemple, s'il y a une différence de température de 50 C, les fils d'aluminium 9 subissent une séparation lorsqu'un cycle de température est répété plusieurs millions de fois. Il est donc nécessaire d'éviter que la température du dispositif à semiconducteur 1 varie fortement en fonction de circonstances de charge dans le dispositif à semiconducteur de puissance. Lorsque plusieurs fils sont utilisés pour un seul joint, du courant est fourni en une configuration en îlot à partir de l'étendue de joint de chaque fil vers les électrodes, ce qui occasionne le problème suivant. Ainsi, les parties de l'électrode situées au voisinage des zones de joints de fil ont une faible résistance, tandis que dans les parties éloignées des zones de joints de fil, une composante de résistance est ajoutée, ce qui augmente les pertes par résistance. Une valeur élevée de la perte par résistance sur les électrodes à la surface du dispositif à semiconducteur 1 a occasionné des diffi- cultés pour obtenir des caractéristiques de dispositif satisfaisantes. Par conséquent, si on désire augmenter la densité de courant du dispositif à semiconducteur 1, il est nécessaire de prendre les mesures suivantes : (i) augmentation de la taille du dispositif à semiconducteur pour diminuer sa densité de dégagement de chaleur ; ou (ii) connexion des dispositifs à semiconducteur en parallèle pour diminuer la densité de dégagement de chaleur par dispositif. Cependant, avec ces mesures, la taille globale du dispositif à semiconducteur de puissance est augmentée, ce qui augmente également son coût de fabrication. Il faut également d'une à quelques secondes pour connecter un seul fil d'aluminium 9. Par conséquent, il faut un temps considérable pour fabriquer un module de puissance élevée exigeant des millions de fils, ce qui augmente également son coût de fabrication. La figure 14 montre un autre dispositif à semiconducteur de puissance classique qui est différent de celui de la figure 13. Dans ce dispositif à semiconducteur de puissance, une électrode 1 a disposée sur la surface inférieure d'un dispositif à semiconducteur 1 est fixée par brasage sur une extrémité 7a d'un cadre de montage 7 qui consiste en un alliage de cuivre. L'autre extrémité 7b du cadre de montage 7 remplit la fonction d'une électrode externe. Une électrode 1 b disposée sur la surface supérieure du dispositif à semiconducteur 1 est connectée à une extrémité d'un cadre de montage 6 par l'intermédiaire d'un fil d'aluminium 9. L'autre extrémité 6b du cadre de montage 6 remplit la fonction d'une électrode externe. Le dispositif à semiconducteur 1, le fil d'aluminium 9 et des parties des cadres de montage 6 et 7 sont recouverts en une seule pièce par moulage par transfert en utilisant une résine de moulage 14. L'utilisation du moulage par transfert facilite les étapes de fabrication du dispositif à semiconducteur de puissance de la figure 14. Cepen- dant, l'utilisation du fil d'aluminium 9 occasionne le même problème que dans le dispositif à semiconducteur de puissance de la figure 13. La figure 15 montre encore un autre dispositif à semiconducteur de puissance classique. Dans ce dispositif à semiconducteur de puissance, comme dans le cas de la figure 13, une électrode 1 a disposée sur la surface inférieure d'un dispositif à semiconducteur 1 est fixée par brasage sur un motif d'interconnexion 3 sur la surface supérieure d'un substrat en céramique 2. Le substrat en céramique 2 est fixé par de la brasure 8 sur une plaque de base 4. Un boîtier 5 est vissé ou collé sur la plaque de base 4. Le dispositif à semiconducteur de puissance de la figure 15 n'utilise pas de fil d'aluminium 9. A la place de ceci, des cadres de montage 6 et 7 consistant en aluminium et formés d'un seul tenant dans le boîtier 5 s'étendent respectivement jusqu'au voisinage du dispositif à semiconducteur 1 et du motif d'interconnexion 3. Une électrode interne 6a du cadre de montage 6 est connectée à une électrode 1 b sur la surface du dispositif à semiconducteur 1, et une électrode interne 7a du cadre de montage 7 est connectée au motif d'interconnexion 3. Les électrodes internes 6a et 7a sont respectivement connectées par un adhésif conducteur à l'électrode 1 b et au motif d'interconnexion 3. L'utilisation des cadres de montage 6 et 7 à la place d'un fil d'aluminium évite l'augmentation de la taille de l'ensemble du dispositif à semiconducteur de puissance et de son coût de fabrication, qui ont été des problèmes liés à l'utilisation d'un fil d'aluminium. Il reste cependant un autre problème dans le dispositif à semiconducteur de puissance de la figure 15. Le problème consiste dans les différences de coefficient de dilatation linéaire entre le dispositif à semiconducteur 1 et le cadre de montage 6. Lorsque le dispositif à semiconducteur 1 est en silicium, son coefficient de dilatation linéaire est d'environ 2,3 x 10-6 [K-1]. D'autre part, le coefficient de dilatation linéaire du cuivre qui est le matériau du cadre de montage 6 est d'environ 16,7 x 10-6 [K-1]. Du fait de cette différence, une contrainte thermique est occasionnée par le dégagement de chaleur pendant l'utilisation du dispositif à semiconducteur de puissance. Du fait de cette contrainte thermique, la partie de connexion du cadre de montage 6 est sujette à défaillance par fatigue. En d'autres termes, il se produit une séparation de l'adhésif conducteur. Même si on emploie le brasage à la place de l'adhésif conducteur, le problème de la défaillance par fatigue demeure. Un but de la présente invention est de procurer un dispositif à semiconducteur de puissance qui utilise un cadre de montage pour réaliser une connexion à un dispositif à semiconducteur et qui ait une structure moins sujette à la défaillance par fatigue dans la partie de connexion du cadre de montage. Conformément à la présente invention, un dispositif à semiconducteur de puissance comprend : un dispositif à semiconducteur ayant une surface supérieure et une surface inférieure ; un bloc de métal fixé sur la surface inférieure du dispositif à semiconducteur ; un cadre de montage fixé sur la surface supérieure du dispositif à semiconducteur ; et un boîtier en résine moulée recouvrant en une seule pièce le dispositif à semiconducteur, le bloc de métal et le cadre de montage. Le boîtier en résine moulée recouvre en une seule pièce le cadre de montage, le bloc de métal et le dispositif à semiconducteur. La résine moulée entourant le cadre de montage et le dispositif à semiconducteur renforce le joint entre eux, ce qui permet à un dispositif à semiconducteur de puissance d'avoir une structure moins sujette à la défaillance par fatigue dans la partie de joint du cadre de montage. Le bloc de métal fixé sur la surface inférieure du dispositif à semiconducteur peut être utilisé comme un substrat sur lequel le dispositif à semiconducteur est monté. Lorsqu'une électrode est disposée sur la surface inférieure du dispositif à semiconducteur, le bloc de métal peut être utilisé comme une partie de joint avec l'électrode. Le bloc de métal peut également être utilisé comme un diffuseur de chaleur pour diffuser la chaleur dégagée par le dispositif à semiconducteur. La résine de moulage entourant le bloc de métal et le dispositif à semiconducteur renforce le joint entre eux. D'autres caractéristiques et avantages de l'invention seront mieux compris à la lecture de la description qui va suivre de modes de réalisation, donnés à titre d'exemples non limitatifs. La suite de la description se réfère aux dessins annexés, dans lesquels : La figure 1 est une coupe montrant un dispositif à semiconducteur de puissance conforme au premier mode de réalisation préféré de l'invention ; La figure 2 est une vue en perspective avant le recouvrement du dispositif à semiconducteur de puissance du premier mode de réalisation préféré avec une résine de moulage ; La figure 3 est une vue en perspective après le recouvrement du dispositif à semiconducteur de puissance du premier mode de réalisation préféré avec la résine de moulage ; La figure 4 est une coupe montrant un dispositif à semiconducteur de puissance conforme à un second mode de réalisation préféré de l'invention ; La figure 5 est une coupe montrant un dispositif à semiconducteur de puissance conforme à un troisième mode de réalisation préféré de l'invention ; La figure 6 est une coupe montrant un dispositif à semiconducteur de puissance conforme à un quatrième mode de réalisation préféré de l'invention ; La figure 7 est une vue en perspective avant le recouvrement du dispositif à semiconducteur de puissance du quatrième mode de réalisation préféré avec une résine de moulage ; La figure 8 est une coupe montrant un dispositif à semiconducteur de puissance conforme à un cinquième mode de réalisation préféré de l'invention ; La figure 9 est une coupe montrant un dispositif à semiconducteur de puissance conforme à un sixième mode de réalisation préféré de l'invention ; La figure 10 est une coupe montrant un dispositif à semiconducteur de puissance conforme à un septième mode de réalisation préféré de l'invention ; La figure 11 est une vue en perspective avant le recouvrement du dispositif à semiconducteur de puissance conforme à un huitième mode de réalisation préféré de l'invention avec une résine de moulage ; La figure 12 est une vue en perspective après le recouvrement du dispositif à semiconducteur de puissance du huitième mode de réalisation préféré avec la résine de moulage ; et Les figures 13 à 15 sont des coupes montrant des dispositifs à semiconducteur de puissance classiques. Premier mode de réalisation préféré Un premier mode de réalisation préféré porte sur un dispositif à semiconducteur de puissance dans lequel des cadres de montage, un dispositif à semiconducteur et un bloc de métal remplissant la fonction d'un substrat sur lequel le dispositif à semiconducteur est monté, sont recouverts en une seule pièce par une résine de moulage d'un boîtier. La résine de moulage entourant les cadres de montage et le dispositif à semiconducteur renforce le joint entre eux, ce qui permet d'obtenir un dispositif à semiconducteur de puissance moins sujet à défaillance par fatigue dans la partie de connexion des cadres de montage. La figure 1 montre le dispositif à semiconducteur de puissance conforme au premier mode de réalisation préféré. La figure 2 est une vue en perspective avant recouvrement avec la résine de moulage. La figure 3 est une vue en perspective après recouvrement avec la résine de moulage. Dans ce dispositif à semiconducteur de puissance, une électrode principale 1 a (par exemple une électrode d'anode) disposée sur la surface inférieure du dispositif à semiconducteur 1, tel qu'un thyristor, est fixée par brasage sur un bloc de métal 15 qui consiste par exemple en cuivre à conductivité élevée dépourvu d'oxygène (ce brasage et l'autre brasage qui suit ne sont pas représentés). Un cadre de montage 7 est fixé à sa partie d'extrémité 7a sur le bloc de métal 15, par exemple par brasage. L'autre partie d'extrémité 7b du cadre de montage 7 remplit la fonction d'une électrode externe de l'électrode principale 1 a. Un cadre de montage 6 est fixé par brasage, à sa partie d'extrémité 6a, sur une électrode principale 1 b (par exemple une électrode de cathode) disposée sur la surface du dispositif à semiconducteur 1. L'autre partie d'extrémité 6b du cadre de montage 6 remplit la fonction d'une électrode externe de l'électrode principale 1 b. Une extrémité du fil d'aluminium 9 est fixée par brasage sur une électrode de signal 1 c (par exemple une électrode de grille) disposée sur la surface du dispositif à semiconducteur 1. L'autre extrémité du fil d'aluminium 9 est fixée par brasage sur une partie d'extrémité 13a d'un cadre de montage 13. L'autre partie d'extrémité 13b du cadre de montage 13 remplit la fonction d'une électrode externe de l'électrode de signal 1 c. Bien que le brasage soit utilisé comme un procédé de fixation des électrodes dans ce mode de réalisation préféré, on peut utiliser une autre technique telle que le soudage. La résine de moulage du boîtier 14 est utilisée pour recouvrir en une seule pièce le dispositif à semiconducteur 1, le bloc de métal 15, le fil d'aluminium 9 et les cadres de montage 6,7, 13. La résine de moulage du boîtier 14 s'étend également sur un côté du bloc de métal 15 opposé au dispositif à semiconducteur 1, pour former ainsi une surface 14a. Un dissipateur thermique 16 pour diffuser la chaleur dégagée par le dispositif à semiconducteur 1 est joint à la surface 14a. Dans ce mode de réalisation préféré, au lieu d'utiliser un fil d'aluminium, on utilise les cadres de montage 6 et 7 pour réaliser la connexion aux électrodes principales 1 a et 1 b du dispositif à semiconducteur 1. Il est donc possible d'éviter une augmentation de la taille de l'ensemble du dispositif à semiconducteur de puissance et de son coût de fabrication, qui ont constitué des problèmes en relation avec l'utilisation d'un fil d'aluminium. On notera que le fil d'aluminium 9 peut être utilisé pour connecter l'électrode de signal 1 c. Du fait que l'intensité du courant qui circule à travers cette électrode est très faible, l'élévation de température est faible et il y a peu de possibilité de séparation. Bien que la figure 1 montre le cas dans lequel le fil d'aluminium 9 est utilisé pour connecter l'électrode de signal 1 c, à la place du fil d'aluminium 9, le cadre de montage 13 peut être fixé sur l'électrode de signal 1 c. En outre, dans ce mode de réalisation préféré, les cadres de montage 6,7, 13, le bloc de métal 15 et le dispositif à semiconducteur 1 sont recouverts en une seule pièce par la résine de moulage du boîtier 14. La résine de moulage entourant le cadre de montage 6 et le dispositif à semiconducteur 1 peut renforcer le joint entre eux et permettre au dispositif à semiconducteur de puissance d'être moins sujet à une défail- lance par fatigue dans la partie de connexion du cadre de montage 6. De plus, le bloc de métal 15 fixé sur la surface inférieure du dispositif à semiconducteur 1 peut remplir la fonction d'un substrat sur lequel le dispositif à semiconducteur 1 est monté. Lorsque l'électrode principale 1 a est disposée sur la surface inférieure du dispositif à semi- conducteur 1, le bloc de métal 15 peut remplir la fonction d'une partie de connexion à l'électrode principale 1 a. Le bloc de métal 15 peut également remplir la fonction d'un diffuseur de chaleur pour diffuser la chaleur dégagée par le dispositif à semiconducteur 1. La résine de moulage entourant le bloc de métal 15 et le dispositif à semiconducteur 1 renforce le joint entre eux. Il est souhaitable que la partie d'extrémité 6a du cadre de montage 6, remplissant la fonction d'une zone de fixation à l'électrode principale 1 b, ait une forme telle qu'elle soit appliquée sur la surface du dispositif à semiconducteur 1, sans venir en contact avec la partie périphérique du dispositif à semiconducteur 1. Ceci résulte du fait que la propriété d'isolation nécessaire pourrait ne pas être obtenue à cause du contact avec la partie périphérique du dispositif à semiconducteur 1. En appliquant la partie d'extrémité 6a sur la surface du dispositif à semiconducteur 1, l'aire de joint entre le cadre de montage 6 et l'électrode principale 1 b peut devenir plus petite que lorsque la majeure partie de la surface du dispositif à semiconducteur 1 est connectée à la partie d'extrémité 6a. Il en résulte que la partie d'extrémité 6a est moins sujette à la défaillance par fatigue à cause de cycles thermiques. Dans ce mode de réalisation préféré, le cadre 6 a une marche 6c pour obtenir une forme permettant d'appliquer la partie d'extrémité 6a sur la surface du dispositif à semiconducteur 1. Par la présence de la marche 6c, la résine de moulage peut entrer aisément dans une position 14b entre le cadre 6 et le dispositif à semiconducteur 1, ce qui permet d'obtenir l'effet consistant à éviter l'apparition d'un vide à l'intérieur du boîtier 14. En se référant à la figure 1, on note que le cadre de montage 6 a une épaisseur constante dans le premier mode de réalisation préféré. Cependant, il n'est pas essentiel de donner une épaisseur constante au cadre de montage 6. En particulier, la partie d'extrémité 6a, qui remplit la fonction d'un plan de fixation sur l'électrode principale 1 b, a de préférence une épaisseur qui ne dépasse pas environ le double de l'épaisseur du dispositif à semiconducteur 1. En réduisant dans cette mesure l'épaisseur de la partie d'extrémité 6a, il est possible de réduire la contrainte thermique exercée sur le cadre de montage 6, de façon que le cadre de montage 6 soit moins sujet à la défaillance par fatigue à cause de cycles de température. Par conséquent, l'épaisseur peut varier sur différentes parties du cadre de montage 6 dans une mesure telle qu'il n'apparaisse aucun problème de valeur de résistance électrique. Le boîtier 14 est formé de la manière suivante. En se référant à la figure 2, on note qu'après que le dispositif à semiconducteur 1 a été fixé sur le bloc de métal 15, une partie avant découpage 67 des cadres de montage 6 et 7, et une partie avant découpage 130 du cadre de montage 13 sont pliées pour la connexion aux électrodes respectives. Ensuite, un moulage par transfert est effectué tout en fixant les parties avant découpage 67 et 130. Ensuite, les parties avant découpage 67 et 130 sont coupées dans leurs régions prédéterminées, ceci étant suivi par une opération de pliage. Ceci donne l'état représenté sur la figure 3. La résine de moulage est de préférence un matériau qui est constitué principalement de résine époxy et elle a un fort pouvoir adhésif. Lorsque l'environnement du dispositif à semiconducteur 1 est recouvert par un matériau à faible module d'Young, comme un gel de silicone, comme représenté sur les figures 13 et 15, une contrainte est susceptible de se produire à cause de la différence de coefficient de dilatation thermique entre le dispositif à semiconducteur 1, le substrat en céramique 2 et le cadre de montage 6. Une telle contrainte est susceptible de produire des fissures. D'autre part, comme dans le premier mode de réalisation préféré, la résine de moulage entourant le dispositif à semiconducteur 1, le bloc de métal 15 et le cadre de montage 6 permet de supprimer une apparition de contrainte à cause de la différence de coefficient de dilatation thermique, ce qui renforce la résistance mécanique du joint entre eux. L'utilisation d'un matériau fortement adhésif augmente encore davantage cet effet. La résine de moulage est de préférence un matériau ayant un coefficient de dilatation linéaire qui diffère, dans une plage de 20%, de celui du bloc de métal 15. Lorsque le coefficient de dilatation linéaire de la résine de mou- lage est considérablement inférieur à celui du bloc de métal 15, après recouvrement avec la résine de moulage, le bloc de métal 15 tend à se rétracter plus fortement que la résine de moulage dans l'étape de refroidissement. Il en résulte qu'un espace pourrait se former à l'interface entre la résine de moulage et le bloc de métal 15. D'autre part, lorsque le coefficient de dilatation linéaire de la résine de moulage est considérablement supérieur à celui du bloc de métal 15, un espace pourrait se former à l'interface entre la résine de moulage et le bloc de métal 15 sous l'effet du dégagement de chaleur du dispositif à semiconducteur 1 pendant l'utilisation du dispositif à semiconducteur de puissance. Dans ces circonstances, il est souhaitable que la résine de moulage et le bloc de métal 15 aient un coefficient de dilatation linéaire similaire. Le dispositif à semiconducteur de puissance est moins sujet au gauchissement lorsque le coefficient de dilatation linéaire du bloc de métal 15 se trouvant au-dessous du dispositif à semiconducteur 1 est similaire à celui de la résine de moulage recouvrant le dispositif à semiconducteur 1. Il en résulte qu'il est possible d'éviter l'apparition de fissures entre le dispositif à semiconducteur 1 et le cadre de montage 6. Bien que dans le premier mode de réalisation préféré, on utilise du cuivre à conductivité élevée, dépourvu d'oxygène, pour le matériau du bloc de métal 15, on peut utiliser n'importe quel métal ayant un coefficient de dilatation linéaire similaire à celui de Si, comme Mo, un alliage CuMo, et SiC-AI. L'utilisation d'un tel métal pour le bloc de métal 15 atténue davantage la fatigue par cycles thermiques de la brasure entre le dispositif à semiconducteur 1 et le bloc de métal 15. Dans ce cas également, il est nécessaire d'ajuster le coefficient de dilatation linéaire de la résine de moulage, par exemple en augmentant la quantité de charge. La structure mentionnée ci-dessus permet d'atténuer remarquablement la défaillance par fatigue de la brasure due aux cycles thermiques qui est occasionnée par les différences dans le coefficient de dilatation linéaire entre le dispositif à semiconducteur 1, le bloc de métal 15 et le cadre de montage 6. Le premier mode de réalisation préféré montre un exemple dans lequel la résine de moulage est plus épaisse que le bloc de métal 15, comme représenté sur la figure 1. La résine de moulage a la caractéristique consistant en ce qu'elle se rétracte conformément au durcissement au moment du moulage, tandis que le bloc de métal 15 ne se rétracte pas. Par conséquent, le dispositif à semiconducteur de puissance est sujet au gauchissement. L'apparition d'un gauchissement diminue aisément l'adhérence du dissipateur thermique 16 et par conséquent elle nuit au rayonnement. Il est donc souhaitable de la résine de moulage ait une faible épaisseur. Dans le premier mode de réalisation préféré, la résine de mou- lage s'étend jusqu'à la surface 14a sur la surface inférieure du bloc de métal 15. La surface inférieure du bloc de métal 15 peut être à nu à l'extérieur du boîtier 14. Dans ce cas, après moulage par transfert, une couche isolante telle qu'un substrat en céramique ou une feuille de silicone peut être fixée sur la surface à nu du bloc de métal 15. Selon une variante, au moment de la fixation du boîtier 14 sur le dissipateur thermique 16, une couche isolante telle qu'un substrat en céramique ou une feuille de silicone peut être interposée entre le dissipateur thermique 16 et la surface à nu du bloc de métal 15. Lorsqu'on utilise un substrat en céramique, sa conductivité thermique vis-à-vis de la résine de moulage est élevée, et la résistance thermique est donc abaissée. D'autre part, l'utilisation d'une feuille de silicone réduit le coût de fabrication. Il est possible d'améliorer la facilité de manipulation du dispositif à semiconducteur de puissance en assurant l'isolation entre le bloc de métal 15 et le dissipateur thermique 16, comme décrit ci-dessus. Le dissipateur thermique 16 est fixé en utilisant un moyen de blocage. La chaleur dégagée par le dispositif à semiconducteur 1 est transférée au bloc de métal 15, à la couche isolante et au dissipateur thermique 16, et est ensuite dissipée. Lorsque la résistance thermique entre la couche isolante et le dissipateur thermique 16 est élevée, on peut appliquer entre eux une graisse conductrice de la chaleur. Bien que la figure 2 montre le cas dans lequel après que le dispositif à semiconducteur 1 a été monté sur le bloc de métal 15, les cadres de montage 6,7, 13 sont fixés au dispositif à semiconducteur 1, on peut utiliser n'importe quel autre processus de fabrication. Par exemple, un autre processus comprend les étapes suivantes : (i) on positionne le dispositif à semiconducteur 1 de façon que les cadres de montage 6 et 7 soient face à face ; (ii) on joint les cadres de montage 6 et 7 au dispositif à semiconducteur 1 ; (iii) on connecte le cadre de montage 13 avec le fil d'aluminium 9 ; (iv) on joint le bloc de métal 15 à la surface inférieure du dispositif à semiconducteur 1 ; (v) on joint les cadres de montage respectifs au bloc de métal 15, par exemple par soudage par résistance ; et (vi) on dispose dans un moule en métal, pour le moulage par transfert, une structure d'un seul tenant comprenant les cadres de montage 6,7, 13, le dispositif à semiconducteur 1 et le bloc de métal 15, ceci étant suivi par l'assemblage sous une forme intégrée au moyen du moulage par transfert. Avec ce processus, le bloc de métal 15 de poids élevé peut être fixé sur le dispositif à semiconducteur 1 immédiatement avant l'intégration par l'étape de moulage par transfert. Ceci allonge une durée de transport en supportant les cadres de montage, ce qui permet un transport léger et avec un faible poids. Il n'est pas nécessaire d'utiliser un équipement de fabrication spécial. Par exemple, lorsque la largeur des cadres de montage ne dépasse pas approximativement 70 mm, il est inutile d'apporter de grands changements dans l'équipement de fabrication, comme une microsoudeuse de puces et une machine de liaison par fil. Ainsi, l'équipement de fabrication est peu coûteux et il se prête aisément à l'utilisation d'une ligne mixte avec d'autres dispositifs de types différents, ce qui augmente la productivité. Ceci permet d'obtenir un produit peu coûteux. Second mode de réalisation préféré Un second mode de réalisation préféré est une modification du dispositif à semiconducteur de puissance du premier mode de réalisation préféré. De façon spécifique, des électrodes externes 6b, 7b, 13b de cadres de montage 6,7, 13 sont disposées à des emplacements en saillie à partir d'une surface principale d'un boîtier 14 dans une direction normale à un plan d'un bloc de métal 15 sur lequel un dispositif à semiconducteur 1 est fixé, et s'éloignant de ce plan. Cette structure permet une réduction de l'épaisseur du boîtier 14, grâce à quoi la taille du dispositif à semiconducteur de puissance est réduite. La figure 4 montre un dispositif à semiconducteur de puissance conforme au second mode de réalisation préféré. Dans ce dispositif à semiconducteur de puissance, des parties des cadres de montage 6,7, 13 qui sont à nu hors du boîtier 14, comme les électrodes externes 6b, 7b, 13b, sont disposées sur une partie de boîtier en saillie 14e qui fait saillie à partir d'une surface principale 14d du boîtier 14 dans une direction normale à une zone de fixation du dispositif à semiconducteur 1, et s'éloignant de cette zone (vers le haut sur la représentation de la figure 4), à la surface supérieure du bloc de métal 15. L'intérieur de la partie de boîtier en saillie 14e est un vide 14f. Des écrous 12 sont respectivement disposés dans des parties du vide 14f qui sont en contact avec les électrodes externes 6b, 7b et 13b. Les écrous 12 sont incorporés pour connecter les électrodes externes 6b, 7b et 13b à des interconnexions externes (non représentées). En utilisant des vis (non représentées) qui connectent les interconnexions externes aux électrodes externes 6b, 7b, 13b, par une pression d'assemblage, la résistance de contact entre elles peut être réduite. Ainsi, en disposant les électrodes externes 6b, 7b et 13b sur la partie de boîtier en saillie 14e, la surface principale 14d du boîtier 14 sera positionnée à une hauteur suffisante pour couvrir les cadres de montage 6,7 et 13. Ceci permet une réduction de l'épaisseur du boîtier 14 et donc une réduction de la taille du dispositif à semiconducteur de puissance. De plus, les électrodes externes 6b, 7b et 13b sont disposées à l'emplacement faisant saillie dans une direction normale à la zone de fixation du dispositif à semiconducteur sur le bloc de métal 15, et s'éloi- gnant de cette zone. Par conséquent, même si un dissipateur thermique 16 est monté sur un côté de la surface du boîtier 14 sur lequel le bloc en métal 15 est disposé, il est possible d'augmenter la distance d'isolation L 1 entre le dissipateur thermique 16 et les électrodes externes 6b, 7b, 13b, ce qui augmente la fiabilité du dispositif à semiconducteur de puissance. Dans le second mode de réalisation préféré, contrairement au premier mode de réalisation préféré, la résine de moulage du boîtier 14 ne s'étend pas sur une surface inférieure 15a, du côté du bloc de métal 15 opposé au dispositif à semiconducteur 1. A la place de ceci, la surface inférieure 15a du bloc de métal 15 est à nu à l'extérieur du boîtier 14. Pour couvrir la partie à nu, une couche isolante 17 qui consiste par exemple en alumine est fixée sur le bloc de métal 15 et le boîtier 14 en utilisant un adhésif conducteur. Le dissipateur thermique 16 est serti sur la couche isolante 17. La configuration est par ailleurs la même que celle du dispositif à semiconducteur de puissance du premier mode de réalisation préféré, et sa description est donc omise. Conformément au second mode de réalisation préféré, une réduction de l'épaisseur du boîtier 14 permet une réduction de la quantité de résine de moulage nécessaire pour la fabrication, ce qui réduit le coût de fabrication. Lorsque la contribution du boîtier 14 est comparée à la contribution du bloc de métal 15 en ce qui concerne la rigidité du dispositif à semiconducteur de puissance entier, on note que le rapport de cette dernière est relativement augmenté de la valeur de réduction de l'épaisseur du boîtier 14. Du fait que la rigidité du bloc de métal 15 est habitellement supérieure à celle de la résine de moulage, la configuration mentionnée ci-dessus permet d'atteindre une réduction supplémentaire du gauchissement du dispositif à semiconducteur de puissance. Comme décrit précédemment, le gauchissement est occasionné par une différence de coefficient de dilatation linéaire entre le bloc de métal 15 et la résine de moulage, ainsi que par la rétraction à la maturation de la résine de moulage. La réduction du gauchissement du dispositif à semiconducteur de puissance produit l'effet suivant. Lorsqu'un matériau ayant une rigidité, élevée, comme de l'alumine, est utilisé pour la couche isolante 17, il est possible de réduire l'effort s'exerçant sur la couche isolante 17 et l'adhésif conducteur, ce qui augmente la fiabilité du dispositif à semiconducteur de puissance qui est soumis à des conditions de température sévères. Lorsque la fixation est effectuée en utilisant de la brasure au lieu de l'adhésif conducteur, une certaine épaisseur de brasure est nécessaire pour enterrer un espace de joint entre la couche isolante 17 et le bloc de métal 15. Cependant, un moindre gauchissement de la surface inférieure 15a du bloc de métal 15 offre l'avantage consistant en ce qu'il est possi- ble de réduire l'épaisseur de brasure au moins suffisante, et ceci permet d'avoir une faible résistance thermique. En outre, il y a l'avantage consistant en ce que lorsque le dissipateur thermique 16 est fixé sur la couche isolante 17, un gauchissement moins important de la surface de la couche isolante 17 réduit la résistance thermique entre le dissipateur thermique 16 et la couche isolante 17. Dans le cas du premier mode de réalisation préféré, il est nécessaire d'augmenter l'épaisseur du dispositif à semiconducteur de puissance afin d'augmenter la distance d'isolement entre le dissipateur de chaleur 16 et des électrodes externes faisant saillie à partir des surfaces latérales. Cependant, la résine de moulage doit avoir une épaisseur suffisamment grande pour encapsuler les cadres de montage 6,7 et 13 et le fil d'aluminium 9 à l'intérieur du boîtier 14. Dans la structure de liaison par fil classique, comme représenté par exemple sur la figure 13, plusieurs fils d'aluminium ayant un diamètre de 400 um forment des interconnexions électriques. Pour protéger les fils d'aluminium, il est nécessaire d'établir une forme en arche ayant une hauteur d'au moins quelques millimètres, en utilisant les interconnexions en aluminium. Pour protéger les fils en aluminium, il est nécessaire d'augmenter l'épaisseur du boîtier. D'autre part, le second mode de réalisation préféré utilise les cadres de montage au lieu des fils en aluminium, et il n'est pas nécessaire d'augmenter en pure perte l'épaisseur de la résine de moulage afin de recouvrir des arches de liaison par fil. De plus, dans le second mode de réalisation préféré, le fil d'aluminium 9 est utilisé pour l'interconnexion dirigée vers l'électrode de signal 1 c. Ceci vient du fait que l'intensité du courant circulant à travers ce fil est faible, et par conséquent un fil court et étroit est suffisant. Ainsi, la hauteur des arches tombe à environ quelques centaines de micromètres, ce qui n'affecte pas de façon appréciable l'épaisseur de la résine de moulage. Troisième mode de réalisation préféré Un troisième mode de réalisation préféré est une modification du dispositif à semiconducteur de puissance du second mode de réalisation préféré. De façon spécifique, des électrodes externes sont disposées en un point situé vers l'intérieur de la partie d'extrémité latérale d'un boî- tier dans une surface principale du boîtier. Ceci augmente davantage la distance d'isolation entre un dissipateur thermique et les électrodes externes. La figure 5 montre un dispositif à semiconducteur de puissance conforme au troisième mode de réalisation préféré. Dans ce dispositif, des conducteurs 6e et 13d sont également fixés par brasage sur des parties de cadres de montage 6,7 et 13 qui sont à nu à l'extérieur du boîtier 14, pour constituer respectivement des électrodes externes 6b, 7b et 13b. Les éléments résultants sont appelés des électrodes externes. Le conducteur est également fixé par brasage sur l'électrode externe 7b. Ceci n'est pas représenté sur la figure 5 du fait qu'il est placé derrière le conducteur 6e. Dans le troisième mode de réalisation préféré, le boîtier 14 n'a pas de partie de boîtier en saillie 14e. A la place de ceci, les conducteurs 6e et 13d sont joints aux électrodes externes. Il en résulte que les électrodes externes sont disposées à des positions en saillie à partir de la surface principale du boîtier 14 dans une direction normale à un côté d'un bloc de métal 15 sur lequel un dispositif à semiconducteur 1 est fixé, et s'éloignant de ce côté. La configuration est par ailleurs la même que celle du dispositif à semiconducteur de puissance du second mode de réalisation préféré, et sa description est donc omise. Ainsi, le troisième mode de réalisation préféré présente la caractéristique consistant en ce que les électrodes externes 6b, 6e, 7b, 13b et 13d sont placées en un point situé à une distance L3, vers l'intérieur, à partir de la partie d'extrémité latérale du boîtier 14 sur la surface principale 14d du boîtier 14. Ceci augmente davantage la distance d'isolation L2 entre le dissipateur thermique 16 et les électrodes externes, ce qui a pour effet d'augmenter davantage la fiabilité du dispositif à semiconducteur de puissance. Quatrième mode de réalisation préféré Un quatrième mode de réalisation préféré est également une modification du dispositif à semiconducteur de puissance du second mode de réalisation préféré. De façon spécifique, des saillies sont formées sur un plan d'un bloc de métal 15 sur lequel un dispositif à semiconducteur 1 est fixé. Ceci contribue à améliorer l'adhérence à l'interface entre une résine de moulage et le bloc de métal 15. La figure 6 montre un dispositif à semiconducteur de puissance conforme au quatrième mode de réalisation préféré. La figure 7 est une vue en perspective avant recouvrement avec la résine de moulage. En se référant à ces figures, on note que le quatrième mode de réalisation préféré présente la caractéristique consistant en ce que plusieurs saillies 18 sont mutuellement espacées sur le plan du bloc de métal 15 sur lequel le dispositif à semiconducteur 1 est fixé. Les saillies 18 produisent un effet d'ancrage pour renforcer la force d'adhérence entre le bloc de métal 15 et la résine de moulage, ce qui augmente la fiabilité du dispositif à semiconducteur de puissance. Il est particulièrement efficace que les saillies 18 soient disposées collectivement dans la partie d'extrémité du bloc de métal 15 et autour du dispositif à semiconducteur 1 sur le plan du bloc de métal 15 sur lequel le dispositif à semiconducteur 1 est fixé. Bien entendu, des saillies 18 peuvent être disposées entre ces positions, de préférence avec une densité élevée. Dans le dispositif à semiconducteur de puissance du second mode de réalisation préféré, le phénomène suivant pourrait apparaître lorsqu'une différence de température dans des conditions de cycle de température est fixée à une valeur élevée, en considération d'un environnement sévère. Ainsi, une séparation se produit entre la résine de moulage et le bloc de métal 15, et elle atteint la région entourant le dispositif à semiconducteur 1, et une fissure se forme dans la brasure d'une partie de fixation de puce du dispositif à semiconducteur 1. Ceci montre que la fiabilité du dispositif à semiconducteur de puissance est fortement influencée par la résine de moulage. Un dispositif à semiconducteur de puissance qui est satisfaisant pour l'utilisation dans un environnement sévère peut être réalisé en augmentant l'adhérence entre la résine de moulage et le bloc de métal 15, comme dans le quatrième mode de réalisation préféré. Pour supprimer l'apparition d'une fissure elle-même, il est efficace de placer les saillies 18 au voisinage de la partie d'extrémité du bloc de métal 15. Pour éviter la progression de la fissure vers la brasure se trouvant au-dessous du dispositif à semiconducteur 1, il est efficace de placer les saillies 18 autour du dispositif à semiconducteur 1. En se référant à la figure 7, on note qu'en disposant collectivement les saillies 18 du bloc de métal 15 autour de la zone de fixation du dispositif à semiconducteur 1, les saillies 18 peuvent être utilisées comme un talus pour empêcher l'extension du mouillage par la brasure. De façon spécifique, en ce qui concerne la surface principale du bloc de métal 15, les parties périphériques des saillies 18 ont un certain angle pour occasionner une différence d'angle de mouillage, qui présente l'effet de s'opposer à l'extension du mouillage par la brasure. Par conséquent, l'utilisation de brasure dépourvue de plomb, ayant une faible extension de mouillage, éliminera la nécessité de former une matière de réserve pour le brasage, pour définir l'aire d'extension de la brasure, ce qui conduit à une réduction du coût de fabrication. A titre de procédé pour former les saillies 18, on peut utiliser une opération à la presse, telle que la frappe. Une opération à la presse exige un temps d'usinage considérablement plus court qu'une opération de coupe et a une productivité élevée. Dans la formation de saillies par frappe, on peut utiliser un phénomène consistant en ce que lorsque des parties convexes sur un moule en métal sont pressées contre le bloc de métal 15, les régions qui entourent les zones pressées sont en relief, comme des cratères. Selon une variante, des saillies identiques à celles décrites cidessus ou des trous traversants (qui ne sont pas représentés) peuvent être formés dans les cadres de montage 6 et 7. Ceci produit un effet d'ancrage identique à celui décrit ci-dessus, ce qui renforce l'adhérence entre les cadres de montage 6,7, le dispositif à semiconducteur 1 et le bloc de métal 15. En retournant à la figure 6, on note qu'une marche 14g est formée sur la surface de paroi faisant face à un vide 14f à l'intérieur d'une partie de boîtier en saillie 14e. De cette manière, la distance d'isolation au niveau de la marche 14g est augmentée, et la distance d'isolation L4 entre le dissipateur thermique 16 et les électrodes externes 6b, 7b et lb peut être garantie, tout en réduisant la valeur de saillie de la partie de boîtier en saillie 14e. La configuration est par ailleurs la même que celle du dispositif à semiconducteur de puissance du second mode de réalisation préféré, et sa description est donc omise. Cinquième mode de réalisation préféré Un cinquième mode de réalisation préféré est également une modification du dispositif à semiconducteur de puissance du second mode de réalisation préféré. De façon spécifique, une partie d'un cadre de montage connecté à un dispositif à semiconducteur 1 est mise à nu au niveau d'une surface principale d'un boîtier, en tant qu'élément de rayonnement. Ceci augmente le rendement de rayonnement du dispositif à semiconducteur, ce qui diminue sa résistance thermique. La figure 8 montre un dispositif à semiconducteur de puissance conforme au cinquième mode de réalisation préféré. Dans ce mode de réalisation, une partie 6f d'un cadre de montage 6 fixée sur une électrode principale 1 b du dispositif à semiconducteur 1 est mise à nu au niveau d'une partie 14h de la surface principale du boîtier 14, comme représenté sur la figure 8. Cette structure augmente la propriété de rayonnement sur une surface 1 b du dispositif à semiconducteur 1, et le rendement de rayonnement du dispositif à semiconducteur 1 peut être augmenté en combinaison avec l'action de rayonnement du bloc de métal 15 et du dissipateur thermique 16 sur la surface inférieure 1 a. Ceci permet une réduction de la résistance thermique du dispositif à semiconducteur de puissance. De façon spécifique, du fait que des pertes par résistance thermique peuvent être réduites davantage, une caractéristique de conversion de puissance ne peut pas être abaissée même si l'aire du dispositif à semiconducteur 1 est réduite. Ceci permet de réduire l'aire du dispositif à semiconducteur 1 et d'augmenter le nombre des dispositifs à semiconducteur 1 qu'on peut obtenir pour chaque tranche, ce qui conduit à une réduction du coût. Selon une variante, si l'aire du dispositif à semiconducteur 1 n'est pas réduite, il est possible d'augmenter la quantité de puissance électrique que le dispositif à semiconducteur 1 peut traiter, ce qui conduit à des améliorations dans le fonctionnement du dispositif à semiconducteur de puissance. Le cadre de montage 6 d'épaisseur moindre pourrait être inca- pable de présenter un effet de rayonnement suffisant, et par conséquent il a de préférence une épaisseur qui n'est par exemple pas inférieure à 0,5 mm. On peut améliorer la fiabilité de la partie de brasure en réduisant l'épaisseur au voisinage de la partie du cadre de montage 6 fixée sur l'électrode principale 1 b, comme décrit précédemment. En se référant à la figure 8, on note que la partie 6f du cadre de montage 6 qui est la partie de rayonnement, est une région en retrait formée dans le cadre de montage 6. La partie inférieure de la région en retrait est fixée sur l'électrode 1 b à la surface du dispositif à semiconducteur 1. Comme décrit dans le premier mode de réalisation préféré, il est souhaitable que la partie de joint du cadre de montage 6 soit appliquée sur la surface du dispositif à semiconducteur 1, sans venir en contact avec la partie périphérique du dispositif à semiconducteur 1. Pour cette raison, la partie 6f du cadre de montage 6 a la forme de la région en retrait. En vue de la productivité, le moulage par transfert utilise de préférence un moule en métal qui est construit de façon à s'adapter aux moules en métal supérieur et inférieur. Ceci est établi de façon que le cadre de montage 6 comporte la région en retrait, et que la partie inférieure de la région en retrait soit mise en contact avec l'électrode 1 b sur la surface du dispositif à semiconducteur 1. Par conséquent, lorsque les moules en métal supérieur et inférieur sont fermés, le moule en métal supérieur ne sera pas directement en contact avec la partie 6f du cadre de montage 6 qui fait face au dispositif à semiconducteur 1. Il en résulte que si la pression pour fermer le moule en métal doit être augmentée, le dispositif à semiconducteur 1 est moins soumis à la pression, ce qui évite tout effet nuisible tel qu'une rupture. Il est donc inutile de fixer la pression du moule en métal à une valeur faible. Ceci permet de réduire des bavures, etc., qui pourraient apparaître dans le boîtier 14 après moulage. Bien que dans ce mode de réalisation la région en retrait dans le cadre de montage 6 ait la forme d'un trapèze renversé, elle peut avoir n'importe quelle forme capable de présenter une élasticité lorsqu'elle eSt adaptée aux moules en métal supérieur et inférieur. Bien qu'il y ait la possibilité que la résine de moulage circule jusqu'à l'intérieur de la région en retrait du cadre de montage 6, ou que des bavures se développent en direction de cette région, il est possible d'éviter les deux, par exemple de la manière suivante. Un moulage par transfert est effectué après l'application d'une résine flexible à la région en retrait du cadre de montage 6 ou à sa périphérie, et la résine flexible est ensuite enlevée. La configuration est par ailleurs la même que celle du dispositif à semiconducteur de puissance du second mode de réalisation préféré, et sa description est donc omise. Sixième mode de réalisation préféré Un sixième mode de réalisation préféré est une modification du dispositif à semiconducteur de puissance du cinquième mode de réalisation préféré. De façon spécifique, un autre bloc de métal est fixé sur la partie 6f du cadre de montage 6 qui est la partie de rayonnement. Ce bloc de métal remplit la fonction d'un diffuseur de chaleur pour diffuser la chaleur dégagée par le dispositif à semiconducteur 1. Ceci augmente davantage le rendement de rayonnement du dispositif à semiconducteur 1, ce qui diminue davantage la résistance thermique d'un dispositif à semiconducteur de puissance. La figure 9 montre un dispositif à semiconducteur de puissance conforme au sixième mode de réalisation préféré. La structure de la figure 9 diffère de celle de la figure 8 par le fait qu'un autre bloc de métal 19 est ajouté. Le bloc de métal 19 est fixé par brasage sur la partie 6f du cadre de montage 6. Dans cette structure, le bloc de métal 19 remplit la fonction d'un diffuseur de chaleur pour diffuser la chaleur dégagée par le dispositif à semiconducteur 1. De ce fait, le rendement de rayonnement du dispositif à semiconducteur 1 peut être augmenté davantage et la résistance thermique du dispositif à semiconducteur de puissance peut être réduite davantage. Le bloc de métal 19 peut avoir n'importe quelle forme. Le rendement de rayonnement augmente davantage en formant le bloc de métal 19 avec une pièce plus épaisse que le cadre de montage 6 et en le fixant fermement sur la partie 6f du cadre de montage 6. Le cadre de montage 6 a de préférence une grande épaisseur, comme décrit précédemment dans le cinquième mode de réalisation préféré. S'il était difficile d'aug- menter cette épaisseur, la propriété de rayonnement pourrait être maintenue en augmentant l'épaisseur du bloc de métal 19, conformément au sixième mode de réalisation préféré. Comme le bloc de métal 15, le bloc de métal 19 peut consister en cuivre à conductivité élevée dépourvu d'oxygène ou en métal quelconque, par exemple SiC-AI, ayant un coefficient de dilatation linaire plus proche de celui de Si que le cadre de montage 6. Par conséquent, la contrainte thermique s'exerçant sur la partie de brasure est réduite, et la fiabilité du dispositif à semiconducteur de puissance est maintenue pendant une longue durée. La configuration est par ailleurs la même que celle du dispositif à semiconducteur de puissance du cinquième mode de réalisation préféré, et sa description est donc omise. Septième mode de réalisation préféré Un septième mode de réalisation préféré est une modification du dispositif à semiconducteur de puissance du sixième mode de réalisation préféré. De façon spécifique, un espace d'air capable de conserver un réfrigérant à l'intérieur (qu'on appelle ci-après une"mèche") est formé à l'intérieur du bloc de métal 15 et de l'autre bloc de métal 19. Le réfrigérant diffuse la chaleur dégagée par le dispositif à semiconducteur 1. Ceci augmente le rendement de rayonnement du dispositif à semiconducteur et permet donc une réduction de la résistance thermique du dispositif à semiconducteur de puissance. La figure 10 montre un dispositif à semiconducteur de puissance conforme au septième mode de réalisation préféré. En se référant à la figure 10, on note que la configuration de ce mode de réalisation diffère de celle de la figure 9 par le fait que des mèches 20 et 21 sont respectivement formées à l'intérieur du bloc de métal 15 et de l'autre bloc de métal 19. Les mèches 20 et 21 sont remplies avec un réfrigérant tel que, du Flon ou son substitut, de l'eau ou de l'air. Avec la configuration dans laquelle les mèches 20 et 21 sont respectivement formées à l'intérieur du bloc de métal 15 et de l'autre bloc de métal 19, et les mèches 20 et 21 sont remplies de réfrigérant, le réfrigérant immédiatement au-dessous du dispositif à semiconducteur 1 absorbe la chaleur dégagée par le dispositif à semiconducteur 1 et effectue un échange de chaleur avec l'extérieur. De façon plus spécifique, l'échange thermique a lieu par des phénomènes d'ébullition et de refroidissement sous l'effet desquels lorsque le réfrigérant situé immédiatement au-dessous du dispositif à semiconducteur 1 arrive à ébullition, il se déplace dans une direction s'éloignant du dispositif à semiconducteur 1 dans les mèches 20,21, et il est ensuite liquéfié au contact avec des températures basses. En se référant à la figure 10, on note que bien que les mèches 20 et 21 aient la forme d'un espace d'air ayant un grand nombre de nervures, elles peuvent avoir n'importe quelle forme munie d'un petit espace d'air d'une grande aire de surface qui peut utiliser des phénomènes capillaires. Par exemple, elles peuvent avoir une structure dans laquelle le bloc de métal 15 et l'autre bloc de métal 19 sont remplis d'une grande quantité de bulles d'air. En disposant à l'intérieur du bloc de métal 15 et de l'autre bloc de métal 19 les mèches 20 et 21 remplies avec le réfrigérant, le réfrigérant diffuse la chaleur dégagée par le dispositif à semiconducteur 1. Ceci augmente le rendement de rayonnement du dispositif à semiconducteur et permet donc une réduction de la résistance thermique du dispositif à semiconducteur de puissance. Lorsqu'on utilise un alliage de Mo et SiCAI pour le matériau du bloc de métal 15 et de l'autre bloc de métal 19, afin d'augmenter la fiabilité de la partie de brasure, il yale problème de l'augmentation de la résistance thermique du dispositif à semiconducteur de puissance du fait que leur conductivité thermique est inférieure à celle de Cu. Conformément à la présente invention, le fait de disposer les m- ches 20 et 21 à proximité immédiate du dispositif à semiconducteur 1 ré- duit la résistance thermique du dispositif à semiconducteur de puissance et réduit l'aire du dispositif à semiconducteur 1. Dans le septième mode de réalisation préféré, les mèches 20 et 21 sont du type effectuant un échange thermique par l'utilisation d'un changement de phase dans l'espace fermé. Par exemple, elles peuvept être de n'importe quel type qui est relié par des conduits à un échangeur de chaleur externe et qui effectue un échange thermique par circulation 1 d'eau de refroidissement. La configuration est par ailleurs la même que celle du dispositif à semiconducteur de puissance du sixième mode de réalisation préféré, et sa description est donc omise. Huitième mode de réalisation préféré Un huitième mode de réalisation préféré est une modification du dispositif à semiconducteur de puissance du premier mode de réalisation préféré. De façon spécifique, il y a plusieurs ensembles du dispositif à semiconducteur 1, du bloc de métal 15 et des cadres de montage 6,7, 13, et tous les ensembles sont recouverts en une seule pièce avec la résine de moulage du boîtier 14. Les figures 11 et 12 montrent un dispositif à semiconducteur de puissance conforme au huitième mode de réalisation préféré. La figure 11 est une vue en perspective avant recouvrement avec la résine de moulage. La figure 12 est une vue en perspective après recouvrement avec la résine de moulage. En se référant à ces figures, on note qu'il y a plusieurs ensembles du dispositif à semiconducteur 1, du fil d'aluminium 9, du bloc de métal 15 et des cadres de montage 6,7, 13, qui sont représentés sur la figure 2. La résine de moulage du boîtier 14 recouvre tous les ensembles en une seule pièce. La configuration des figures 11 et 12 diffère de celle de la figure 2 par le fait que la position du cadre de montage 7 est paral- lèle au cadre de montage 13, au lieu du cadre de montage 6. Une telle différence vise simplement à montrer que les cadres de montage 6,7, 13 peuvent être disposés arbitrairement. En utilisant la résine de moulage du boîtier 14 pour recouvrir en une seule pièce les multiples ensembles du dispositif à semiconducteur 1, du bloc de métal 15 et des cadres de montage 6,7, 13, il est possible de réaliser un module ayant un faible encombrement, exigeant plusieurs dispositifs à semiconducteur de puissance, qui est utilisé par exemple dans un circuit onduleur triphasé. La configuration est par ailleurs la même que celle du dispositif à semiconducteur de puissance du premier mode de réalisation préféré, et sa description est donc omise. Il va de soi que de nombreuses modifications peuvent être apportées au dispositif et au procédé décrits et représentés, sans sortir du cadre de l'invention. REVENDICATIONS 1. Dispositif à semiconducteur de puissance caractérisé en ce qu'il comprend : un dispositif à semiconducteur (1) ayant une surface supérieure et une surface inférieure ; un bloc de métal (15) fixé sur ladite surface inférieure dudit dispositif à semiconducteur (1) ; un cadre de montage (6) fixé sur ladite surface supérieure dudit dispositif à semiconducteur (1) ; et un boîtier (14) en une résine moulée recouvrant en une seule pièce ledit dispositif à semiconducteur (1), ledit bloc de métal (15) et ledit cadre de montage (6). 2. Dispositif à semiconducteur de puissance selon la revendication 1, caractérisé en ce qu'une partie (6b) dudit cadre de montage est à nu à l'extérieur dudit boîtier (14), à titre d'électrode externe, et ladite électrode externe est disposée en un emplacement faisant saillie à partir d'une surface principale (14c) dudit boîtier (14) dans une direction normale à un plan dudit bloc de métal (15) sur lequel ledit dispositif à semiconducteur (1) est fixé, et s'éloignant de ce plan. 3. Dispositif à semiconducteur de puissance selon la revendication 2, caractérisé en ce que ladite électrode externe (6b) est disposée en un point situé vers l'intérieur à partir d'une partie d'extrémité latérale dudit boîtier (14) sur ladite surface principale du boîtier. 4. Dispositif à semiconducteur de puissance selon la revendication 1, caractérisé en ce qu'une saillie (18) est placée sur un plan dudit bloc de métal (15) sur lequel ledit dispositif à semiconducteur (1) est fixé. 5. Dispositif à semiconducteur de puissance selon la revendication 1, caractérisé en ce qu'une partie (6f) dudit cadre de montage (6) est mise à nu sur une surface principale dudit boîtier (14), à titre de partie de rayonnement. 6. Dispositif à semiconducteur de puissance selon la revendication 5, caractérisé en ce qu'un autre bloc de métal (19) est fixé sur ladite partie de rayonnement (6f). 7. Dispositif à semiconducteur de puissance selon la revendication 6, caractérisé en ce qu'un espace d'air (20,21) capable de contenir un réfrigérant est disposé dans ledit bloc de métal (15) et/ou ledit autre bloc de métal (19). 8. Dispositif à semiconducteur de puissance selon la revendication 1, caractérisé en ce qu'il y a plusieurs ensembles dudit dispositif à semiconducteur (1), dudit bloc de métal (15) et dudit cadre de montage (6), et ces multiples ensembles sont tous recouverts en une seule pièce par ladite résine de moulage dudit boîtier (14). 9. Dispositif à semiconducteur de puissance selon la revendication 1, caractérisé en ce qu'il comprend en outre un dissipateur thermique (16) d'un côté de la surface dudit boîtier (14) sur lequel ledit bloc de métal (15) est disposé. 10. Dispositif à semiconducteur de puissance selon la revendication 1, caractérisé en ce que ladite résine de moulage a un coefficient de dilatation linéaire qui diffère dans une plage de 20% de celui du bloc de métal (15).