FR 2837622 A1 20030926 FR 0203442 A 20020320 de circuit en circuit, l' implantation des résistances (R1, R2). 1 2837622 MICRO-COMPOSANT ELECTRONIQUE INTEGRANT UNE STRUCTURE CAPACITIVEq ET PROCEDE DE FABRICATION Domaine technique L'invention se rattache au domaine technique de la micro-élechonique. Elle vise plus précisément des micro-composants électroniques incorporant une ou plusieurs structures capacitives formant des micro-condensateurs. Ces micro condensateurs sont essentiellement destinés à être réalisés selon des techniques dites de p ost-proce s sing, si gnifiant que ces micro-con dens ateurs p euvent être réalisés sur la face supérieure de micro-composants existants. Ces composants peuvent être notamment utilisés dans le cadre d'applications radiotréquences, les micro-condensateurs pouvant être par exemple utilisés en tant que cap acité de dé coupl age. L'invention vise plus précisément la structure d'une telle capacité en vue d'en augmenter très fortement sa "capacitance", c'est-à-dire sa capacité par unité de surface, et ce sans augrnenter trop fortement ni les coûts de fabrication, ni la surface utilisée sur le micro-composant. Techniques antérieures La réalisation de micro-condensateurs ou de structures capacitives sur des substrats semi-conducteurs a déjà fait l'objet de certains développements. Différentes technologies ont déjà été proposces, notamment celles qui permettent de réaliser des structures capacitives constituées de deux électrodes formées par des couches métalliques, séparées par une couche de matériau isolant ou diélectrique. Ce type de capacités est généralement qualifié de structure "MIM", pour "Métal Isolant Métal". L'invention se rattache plus particulièrement à ce type de structure capacitive. Parmi les solutions existantes, celle décrite dans le document FR 2 801 425 concerne un micro-condensateur dont les deux électrodes sont formées par des couches métalliques planes. Dans ce cas, la valeur de la capacité du condensateur est essentiellement fonction du type de matériau diélectrique utilisé, ainsi que de la S surface en regard des deux éleckodes métalliques. Autrement dit, la "capacitance", ou la capacité par unité de surface, est fxée de façon prépondérante par l'épaisseur de la couche isolante et sa permittivité relative. Ainsi, pour augmenter la valeur de capacitance, il est nécessaire soit de choisir des matériaux de très forte permittivité relative, soit de réduire les distances entre les électrodes, avec le risque d'apparition de phénomènes de claquage, voire d'effets tunnel. Autrement dit, les condensateurs réalisés selon la structure décrite dans ce document sont limités en terme de capacitance. Le Déposant a décrit dans la demande de brevet français No. 02.01618, une nouvelle structure de capacité réalisée sur un niveau de métallisation d'un composant électronique. Chaque électrode de cette structure capacitive comporte une pluralité de lamelles qui sont perpendiculaires au plan principal du substrat. Le Déposant a également décrit dans la demande de brevet fran$ais No. 02. 02461, une auke structure de capacité comportant un empilement de lamelles métalliques superposées, et décalées les unes par rapport aux autres, les parties en contact formant un tronc commun. Un des objectifs de l'invention est de proposer une structure capacitive qui puisse étre réalisée sur le dernier niveau de métallisation apparent d'un micro composant électronique, et qui possède une valeur de capacitance supérieure aux valeurs habituellement observées. Exposé de l'invention L'invention concerne donc un micro-composant électronique réalisé à base d'un substrat, et intégrant une structure capacitive réalisée au-dessus du dernier niveau de métallisation apparent présent sur le substrat. La structure capacitive comporte deux électrodes et se caractérise en ce que: - la première électrode comporte une pluralité de lamelles métalliques empilées les unes au-dessus des autres, et séparées les unes des autres par des konçons de moindre largeur réalisés à partir du méme métal, - la seconde électrode recouvre la première électrode en comportant une pluralité de lamelles intercalées entre les lamelles de la première électrode. Autrement dit, la première électrode forme une structure arborescente dont le tronc est formé par la superposition des parties centrales des lamelles ainsi que des tronçons de moindre largeur. La seconde électrode recouvre la première en formant une pluralité de lamelles qui sont intercalées entre les extrémités des lamelles de la première électrode. La surface en regard de chacune des électrodes est donc particulièrement , elevee. Pour une même surface occupée sur le substrat, cette surface en regard peut étre accrue en augmentant le nombre de lamelles de chaque électrode, ce qui permet donc d'augmenter la capacitance à souhait. En pratique, les capacités conformes à l'invention présentes d'excellentes propriétés électriques et notamment lorsque l'on utilise un des métaux de très forte conductivité, présentant une résistivité inférieure à 5 IlQ.cm. Les avantages d'une très faible résistivité se traduisent notamment par un faible échauffement du condensateur en mode dynamique, ainsi qu'un bon fonctionnement à haute fréquence, et une conductivité thermique appréciable. En pratique, les électrodes sont séparées par une couche diélectrique réalisée à partir de matériaux qui sont avantageusement choisis dans le groupe des oxydes ferroélectriques et/ou pyroélectriques. Parmi ces oxydes ferroélectriques, on connaît le dioxyde d'HaînTum, le pentoxyde de Tantale, le dioxyde de Zirconium, les oxydes de Lanthane, le trioxyde de di-Yttrium, l'alumine, le dioxyde de Titane, ainsi que les titanates et tantalates de Strontium (STO), les titanates de Strontium et Baryum (BST), les Tantalates de Strontium et Bismuth (SBT), ainsi que les titanates de Plomb et de zirconate de Plomb (PZT), les titanates et zirconates de Plomb dopées avec des terres rares (Lanthanides) (PLZT), les nobiates de Strontium et Bismuth (SBN), les tantalates et nlobates de Strontium et Bismuth (SBTN), les cuprates de Baryum et Yttrium, les Alcalinoxydes de Manganèse Me2MnO3 Ce matériau diélectrique peut être déposé soit en couche homogène d'un méme matériau, ou d'un alliage de plusieurs de ces matériaux. Néanmoins, dans une forme prétérée, la couche diélectrique peut également être constituée de la superposition de couches élémentaires de matériaux différents formant une structure nanolaminée. Dans ce cas, chacune des couches est de très faible épaisseur, de l'ordre de quelques Angstroms à quelques centaines d' Angstroms. Dans une forme préférée, la st_chiométrie des matériaux varie d'une couche élémentaire à l'autre dans la structure nanolaminée. Ainsi, en faisant varier la st_chiométrie de chaque couche, on crée des gradients de concentration d'oxygène (et des autres matériaux utilisés) à travers quelques couches atomiques. La variation de structure de bandes de chaque couche élémentaire de la structure nanolaminée a pour conséquence de modifier la structure de bande globale des alliages et des composés d'oxydes ferro et pyroélectriques à travers seulement quelques couches atomiques. On obtient de la sorte des valeurs de permittivité relative particulièrement importantes, ce qui agit en faveur de l'augmentation de la capacitance. 2837622 En pratique, on prétérera que la surface de chaque électrode soit recouverte d'une couche de matériau barrière à la diffusion de l'oxygène, typiquement à base de nitrure de titane, de nitrure de tungstène, de nitrure de tantale, ou bien encore l'un des matériaux suivants: TaAlN, TiAlN, MoN, CoW ou TaSiN. L'invention concerne également un procédé de fabrication d'une telle structure capacitive. Cette structure capacitive est fabriquée sur un micro composant électronique, au-dessus du dernier niveau de métallisation apparent réalisé dans le substrat. Conformément à l'invention, un tel procédé comporte les étapes suivantes consistant à: - déposer au-dessus du niveau de métallisation une première couche métallique destinée à former la partie basse d'une des deux électrodes de la structure capacitive, - déposer au-dessus de ladite prernière couche métallique une seconde couche métallique de moindre largeur, - déposer au-dessus de deux couches métalliques une couche de matériau polymère o la face supérieure est apte à servir de support à un dépôt métallique ultérieur, - répéter les trois étapes de dépôt précédentes de manière à obtenir une structure arborescente formant la première électrode comportant un tronc central et une pluralité de lamelles s'étendant à partir dudit tronc central, - éliminer l'ensemble des couches de matériau polymère, - déposer sur toute la surface apparente de la première électrode un matériau dit électrique sous forme d'une structure nanolaminée, - déposer par-dessus la première électrode un matériau conducteur venant s'insérer entre les couches métalliques de la première électrode, de manière à former la seconde électrode. 6 2837622 Description sommaire des fiures L a mani ère de réali ser l' invention ainsi que l es avantages qui en dé coulent ressortiront bien de la description du mode de réalisation qui suit, à l'appui des fgures 1 à 18 annexées, qui sont des représentations schématiques en coupe de la zone supérieure d'un micro-composant électronique, et de la structure capacitive conforme à l'invention, au fur et à mesure des étapes du procédé de réalisation. Bien entendu, ces schémas ne sont donnés qu'à titre illustratif, et les dimensions des différentes couches et éléments réels intervenant dans l'invention peuvent différer de celles qui sont représentées aux figures, uniquement dans le but de faire comprendre l'invention. Manière de réaliser l' invention On décrit par la suite un procédé particulier de réalisation qui permet d'obtenir une structure de microcapacité conforme à l'invention. Certaines étapes du procédé décrit peuvent néanmoins 8tre considérées comme accessoires ou simplement utiles et avantageuses pour améliorer certaines performances, sans être absolument obligatoires pour rester dans le cadre de l'invention. Ainsi, une micro- capacité conformément à l'invention peut être réalisée sur un microcomposant (1) tel qu'illustré à la figure 1. Le substrat (2) de ce microcomposant comprend en partie supérieure un niveau de métallisation (3) qui peut être relié à des zones actives à l'intérieur du micro-composant ou bien encore à des plots d'interconnexion débouchant sur la face supérieure du substrat. Plus précisément, la face supérieure du substrat est recouverte d'une couche de passivation (8), typiquement en SiO2 ou SiON. Ainsi, dans la première étape illustrée à la fgure 1, on procède au dépôt d'une couche de résine (5) dans laquelle une ouverture (6) est défnie par lithographie. Cette ouverture permet de procéder à la gravure localisce de la couche de passivation (8), de manière à laisser apparatre le niveau de métallisation (3) sous- jacent. La gravure de la couche de passivation (8) peut, lorsque cette dernière est réalisée en SiON, étre effectuée par un procédé classique de gravure chimique 7 2837622 utilisant un mélange CF4:O2 ou CF4:H2 ou bien encore une technique de type "Reactive Ion Etching" (RIE), voire encore en utilisant un plasma radiofréquence. On procède par la suite à une étape de nettoyage permettant d'éliminer toute trace restante de SiON ou des produits utilisés pour sa gravure. Ce nettoyage peut par exemple être réalisé en utilisant une solution commercialisce sous la rétérence ACT 970 par la Société ASHLAND. Ce nettoyage peut être suivi d'un pré-rincage avec dissoluti on de dioxyde de carbone ou d' ozone par bullage, avec un aci de hydroxyle carboxylique tel que de l'acide citrique ou encore de l'acide oxalique. Par la suite, on procède au dépôt d'une couche (10) barrière à la diffusion du cuivre tel qu'illustré à la figure 2. Cette couche barrière à la diffusion sert à améliorer la rés i stance à l' électro-migrati on et à la diffusion de l'oxygène. Cette couche peut être déposée par une technique de dépôt de couches atomiques de type ALD (Atomic Layer Deposition). Une telle technique confère une bonne uniformité d'épaisseur et une excellente intogrité à cette couche barrière à la diffusion (10). Les matériaux susceptibles d'être utilisés pour réaliser cette couche barrière à la diffusion peuvent être du nitrure de titane ou du nitrure de tungstène, du nitrure de tantale, ou bien un des matériaux suivants: TaAlN, TiAlN, MoN, CoW ou TaSiN. Par la suite, on dépose également une couche amorce de cuivre de manière à permettre un dépôt ultérieur par des techniques électrolytiques. Par la suite, et comme illustré à la figure 3, on procède au dépôt d'une seconde couche de résine (11) qui est ensuite insolée puis éliminée en partie pour définir un logement (12) dont le fond (13) laisse appara^tre la couche amorce de cuivre (9). Par la suite, et comme illustré à la figure 4, on procède à un dépôt électrolytique de cuivre permettant de former la première lamelle large (14) de la première électrode. Le premier dépôt électrolytique s'effectue également jusqu'au 8 2837622 contact du niveau de métallisation (3), de manière à lier électriquement la première électrode au niveau de métallisation par le plot (15) Par la suite, et comme illustré à la figure 5, on procède à l'élimination des s zones de résine définissant le logement qui a permis d'obtenir la première lamelle (14). Par la suite, et comme illustré à la figure 6, on procède au dépôt d'une résine (16), puis à sa gravure par lithographie pour définir un logement (17) correspondant au tronc central de la première électrode. Par exemple, on peut utiliser la résine du fabricant Clariant AZ4620, ayant des spécificités pour résister aux bains acides de sels de cuivre. Par la suite, et comme illustré à la figure 7, on procède à un dépôt électrolytique de cuivre, qui s'effectue au-dessus de la zone apparente de la première lamelle (14) également en cuivre pour former le tronçon central (18). Par la suite, et comme illustré à la figure 8, la résine (16) est éliminée pour laisser apparente la face supérieure de la première lamelle (14) et le premier tronçon central (18). Par la suite, et comme illustré à la figure 9, on procède au dépôt d'un matériau polymère (19), typiquement du polyimide ou du BenzoCycloButene. Ce matériau polymère est déposé par des techniques de dépôt par rotation, également appelées "spin-on deposition". Cette couche polymérique (19) est ensuite planarisée par exemple par CMP. Ce dépôt est effectué de manière à affleurer sur la face supérieure du premier tronçon central et de manière à laisser apparente cette face pour recevoir, comme illustré à la figure 9, le dépôt d'une couche (20) de TiCu, d'une épaisseur de l'ordre de 200. Cette couche sert à la fois de couche de protection pour la couche polymérique (19), ainsi que de couche amorce de cuivre. 9 2837622 Par la suite, et comme illustré à la figure 10, on effectue le dépôt d'une couche de résine (21). Cette couche de résine est ensuite éliminée dans une zone permettant de défnir un logement (22) pour le dépôt d'une seconde lamelle de cuivre (24), qui est obtenue par des techniques électrolytiques. s Les différentes étapes de dépôt des lamelles (14,24,34), des troncons centraux (18,28) et de la couche polymérique (19,29) sont répétées pour aboutir jusqu'à une structure telle qu'illustrée à la figure 12. Bien entendu, le nombre de lamelles illustrées à la figure 12 est indicatif, et il est possible de réaliser des structures comportant un nombre de lamelles plus important. On procède ensuite à l'élimination des couches de résine ayant permis de définir la lamelle supérieure (34) de la première électrode. Par la suite, et comme illustré à la fgure 13, on procède à l'élimination des différentes couches polymériques (19,29). Cette élimination s'effectue par différentes techniques et notamment par des procédés couramment connus sous le terme de "ashing", en utilisant par exemple des plasmas à oxygène, en combinaison avec des composition chimiques appropriées. I1 est possible, mais pas obligatoire de procéder par la suite à un traitement thermique de recuit. Ce traitement peut être effectué par lots, à une température voisine de 120 C pendant minutes environ. I1 est également possible de procéder à une étape de recuit rapide (RTP). Après élimination des matériaux polymériques, la structure obtenue présente les restes des couches amorce de cuivre (9,25,3 5) qui avaient été déposées successivement, et qui sont situées au niveau inférieur de chaque lamelle (14,24,34). Ces différentes excroissances de couche amorce sont éliminées, comme illustré à la figure 14, par une gravure sélective du cuivre. La solution utilisée peut par exemple être à base d'ammonium persulLate (APS) à pH acide, employée à l! 2837622 C La sélectivité importante (de l'ordre de 1:50) de cette gravure résulte notamment du fait que la structure cristalline de la couche amorce (9,25,35) diffère de celle des lamelles de cuivre (14,24,34) déposées par voie électrolytique. Après ce traitement chimique, on procède par la suite à un traitement thermique de recuit permettant d'homogénéiser la structure du cuivre, notamment enhe les différents résidus des couches amorce, présents sous les faces inférieures des lamelles, et le reste des lamelles de cuivre., Ce recuit peut être réalisé sous Hydrogène et Argon à 400 C environ, pendant environ 6 heures. Par la suite, on procède, comme illustré à la figure 15, au dépôt d'une couche (27) barrière à la diffusion de l'oxygène. Comme expliqué précédemment, cette couche (27) barrière à la diffusion de l'oxygène peut étre obtenue par ALD, en utilisant un matériau choisit parmi TiN, TiW, TaN, TaAlN, TiAlN, MoN, WN, NbN, CoW, TaSiN, TiSiX, WSiX. Cette couche (27) barrière à la diffusion fait également office de couche amorce pour le dépôt des couches supérieures. Par la site, comme illustré à la figure 16, on procède au dépôt d'une couche diélectrique constituée d'une structure nanolaminée (26. Plus précisément, la structure nanolaminée déposée est réalisée à partir de différentes couches d'oxydes ferroélectriques ou pyroélectriques. Dans un exemple particulier de réalisation, la structure nanolaminée (26) peut comporter un empilement de huit couches différentes. À La première couche, possédant une épaisseur de 5 à 10 A est réalisée à partir de AlXO3 x' avec x compris entre O et 3. À La seconde couche présente une épaisseur de l'ordre de 10 à 15 A, et est réalisée à partir de Taz-2o5-zAl2ox,avec z compris entre O et 2. À La troisième couche d'une épaisseur de l'ordre de 15 à 20 réalisée à partir de TiO2 AlX 03+y, avec y compris entre 0 et 3. À La quatrième couche d'une épaisseur de l'ordre de 40 à 100 A est réalisée à partir de Tioy-xTaz-2o5+z. 11 2837622 À La cinquième couche, d'une épaisseur de 60 à 200 A est réalisée à partir de TiOyTa3 zOz. À Les sixième, septième et huitième couches sont identiques respectivement aux koisième, deuxième et première couches. La structure nanolaminée ainsi obtenue présente une épaisseur comprise entre et 400 A. La permittivité relative de cette couche est de l'ordre de 23. Bien entendu, la structure nanolaminée décrite ci-avant est un exemple non limitatif dans laquelle certains éléments peuvent être substitués sans sortir du cadre de l'invention. Par la suite, on procède au-dessus de la structure nanolaminée, au dépôt d'une couche (29) barrière à la diffusion de l'oxygène similaire à celle (27) évoquée précédemment. Par la suite, et comme illustré à la figure 17, on procède au dépôt d'une couche structurante (30), typiquement obtenue en benzocyclobutène (BCB), en polyimide, en Parylène.. Cette couche structurante (30) est gravée pour définir un logement (31) autour de la première électrode (4). On procède par la suite au dépôt d'une nouvelle couche amorce sur la surface de la première électrode (4), de manière à permettre par la suite à un dépôt électrolytique pour former une structure damascène formant la seconde électrode (7) tel qu'illustré à la figure 16. D'éventuelles étapes supplémentaires de passivation ou de réalisation de surface de connexion sur la seconde électrode peuvent être mises en _uvre. 12 2837622 A titre d'exemple, la structure de capacité illustrce à la figure 18 peut présenter une capacitance de l'ordre de 100 nanoFarad/mm2. Dans ce cas, les lamelles présentent des dimensions de l'ordre du micron à la dizaine de microns. I1 ressort de ce qui précède que les capacités conformes à l'invention peuvent être obtenues avec des valeurs de capacitance très élevoes, sans engendrer de coûts importants en ce qui concerne leur procédé de réalisation. : REVENDICATIONS 1/ Micro-composant électronique réalisé à partir d'un substrat, et intégant une structure capacitive réalisée au-dessus d'un niveau de métallisation (3) présent dans le substrat (2), ladite structure capacitive comportant deux électrodes (4,7), caractérisé en ce que: - la première électrode (4) comporte une pluralité de lamelles métalliques (14, 24,34) empilées les unes au-dessus des autres, et séparées les unes des autres par des tronçons (18,28) de moindre largeur réalisés à partir du même métal, - la seconde électrode (7) recouvre la première électrode (4) en comportant une pluralité de lamelles (31,32) intercalées entre les lamelles (14,24,34) de la première électrode (4). 2/ Micro-composant selon la revendication 1, caractérisé en ce que le métal utilisé présente un résistivité inférieure à 5 Q.cm 3/ Microcomposant selon la revendication 1, caractérisé en ce que les électrodes (4,7) sont séparées par une couche (26) en un matériau diélectrique choisi dans le groupe des oxydes ferro et/ou pyro-électriques. 4/ Micro-composant selon la revendication 3, caractérisé en ce que la couche de matériau diélectrique (26), est réalisée par la superposition de couches élémentaires de compositions différentes, formant une structure nanolaminée. / Micro-composant selon la revendication 4, caractérisé en ce que la st_chiométrie des matériaux varie d'une couche à l'autre de la structure nanolaminée (26). 6/ Procédé de réalisation d'une structure capacitive sur un microcomposant électronique, ladite structure capacitive étant réalisce audessus du dernier niveau 4 2837622 de métallisation (3) apparent présent dans le substrat (2), caractérisé en ce qu'il comporte les étapes suivantes, consistant à: - déposer au- dessus du niveau de métallisation (3) une première couche métallique (14) destinée à former la partie basse d'une des deux éleckodes de la structure capacitive, - déposer au-dessus de ladite première couche métallique une seconde couche métallique (18) de moindre largeur, - déposer au-dessus de deux couches métalliques (14,18) une couche de matériau polymère (19) dont la face supérieure est apte à servir de support à un dépôt métallique ultérieur, - répéter les trois étapes de dépôt précédentes de manière à obtenir une structure arborescente formant la première électrode (4) comportant un tronc central et une pluralité de lamelles (14,24,34) s'étendant à partir dudit tronc central, - éliminer l'ensemble des couches de matériau polymère (19,29), - déposer sur toute la surface apparente de la première électrode un matériau diélectrique sous forme d'une structure nanolamince (26), - déposer par-dessus la première électrode (4) un matériau conducteur venant s'insérer entre les couches métalliques de la première électrode, de manière à former la seconde électrode (7). Déposant: MEMSCAP Mandataire: Cabinet LAURENT ET CHARRAS