FR 2839559 A1 20031114 FR 0205843 A 20020513 MULTIPLEXEUR/DEMULTIPLEXEUR EN OPTIQUE INTEGREE COMPORTANT UNE GAINE OPTIQUE ET SON PROCEDE DE REALISATION DESCRIPTION Domaine technique La présente invention concerne un multiplexeur/démultiplexeur en optique intégrée comportant une gaine optique ainsi que son procédé de réalisation. L'invention trouve des applications dans tous les domaines utilisant des multiplexeurs/démultiplexeurs en longueur d'onde et en particulier dans le domaine des télécommunications optiques. Etat de la technique antérieure Actuellement, les multiplexeurs/démultiplexeurs à gaines optiques sont réalisés à partir de fibres optiques. On peut trouver un exemple de ce type de composant dans le document Wavelength-selective coupler and add-drop multiplexer using long-period fiber gratings de V. Grusby and al., publié lors de la conférence OFC2000 tenue du 5 au 10 mars 2000 à Baltimore aux USA. La figure 1 illustre schématiquement ce type de composant. Celui-ci comporte deux fibres optiques 1,3 représentées partiellement sur cette figure. La f ibre 1 comporte un c#ur 5 dans lequel est formé un réseau 9 et une gaine optique 7 entourant le c#ur. La f ibre 3 comporte un coeur 15 dans lequel est formé un réseau 19 et une gaine optique 17 entourant le c#ur 15. Les réseaux 9 et 19 induisent respectivement une zone d'interaction entre le c#ur et la gaine au voisinage du réseau correspondant, permettant de coupler une onde lumineuse du c#ur vers la gaine ou inversement. Les deux extrémités de ces fibres sont collées l'une sur l'autre dans une région de couplage 21 commune qui est en dehors des zones d'interaction. Ainsi une onde lumineuse initiale E présentant des bandes spectrales de longueurs d'onde centrales #j, ## introduite dans le coeur 5 de la fibre 1 est véhiculée par le c#ur jusqu'au réseau 9. Celui-ci permet de coupler le mode guidé de l'onde, représenté symboliquement par des flèches, vers un ou plusieurs modes de gaine se propageant dans la gaine optique 7, dans le même sens que le mode guidé. Le couplage entre les différents modes a lieu pour des longueurs d'onde déterminées 1, par la relation connue suivante : #j=##(n 0-nj) (1) @ avec : - no l'indice effectif du mode guidé, - nj l'indice effectif du mode de gaine numéro j, #j la longueur d'onde de résonance pour le couplage au mode j, - A la période du réseau. Ce couplage se traduit par un transfert d'énergie entre le mode guidé et le ou les modes de gaine pour les longueurs d'ondes #j. L'énergie couplée dans les modes de gaine est ensuite transmise par la région de couplage 21 à la gaine 17 de la fibre 3, tandis que l'énergie qui n'est pas couplée est transportée par le c#ur 5 pour fournir à la sortie de la fibre 1 une onde lumineuse T de longueurs d'ondes centrales ##, correspondant à l'onde lumineuse E dont on a extrait une partie correspondant aux longueurs d'ondes centrales #j. Par ailleurs, la partie transmise de l'onde lumineuse à la gaine 17 est ensuite couplée par le réseau 19 dans le c#ur 15 de la fibre 3 de façon à obtenir en sortie du c#ur 15, une onde lumineuse F de longueurs d'ondes centrales #j. Dans les multiplexeurs/démultiplexeurs réalisés en fibres optiques, chaque c#ur est dépendant de la gaine optique dans laquelle il est formé ; la gaine présente un indice de réfraction inférieur à celui du c#ur pour permettre la propagation d'une onde lumineuse dans le c#ur. Le c#ur ne peut exister sans la gaine optique ; aussi pour multiplexer/démultiplexer des longueurs d'onde, il est nécessaire de superposer les fibres optiques et donc de réaliser des régions de couplage entre les fibres. Or, les régions de couplage sont des régions délicates à réaliser. En particulier, il est nécessaire de polir et coller les fibres dans ces régions tout en évitant de créer des pertes optiques pour avoir un bon couplage. Exposé de l'invention La présente invention a pour but de proposer un multiplexeur/démultiplexeur en optique intégrée comportant au moins une gaine optique, ne présentant pas les problèmes de couplage des multiplexeurs/démultiplexeurs de l'art antérieur. Un autre but est encore de proposer un multiplexeur/démultiplexeur comprenant au moins une gaine optique qui soit indépendante des c#urs de guide auxquels elle est associée. On entend par indépendance du c#ur et de la gaine, le fait qu'ils peuvent exister dans un substrat indépendamment l'un de l'autre. De façon plus précise, l'invention concerne un multiplexeur/démultiplexeur comprenant dans un substrat au moins n c#urs de guides avec n entier supérieur ou égal à 2 et au moins une gaine optique entourant au moins une portion de chacun des n c#urs de façon à définir au moins n zones d'interaction, chaque zone d'interaction comportant en outre un réseau, ce multiplexeur/démultiplexeur comportant au moins n entrées/sorties. Ainsi, lorsque ce composant est utilisé en démultiplexeur une onde lumineuse d'entrée à plusieurs bandes spectrales est introduite dans une des zones d'interaction par une entrée/sortie, les différentes zones d'interaction sont telles que chaque zone d'interaction est apte à fournir sur une entrée/sortie une onde lumineuse présentant au moins une des bandes spectrales de l'onde d'entrée. Inversement, lorsque ce composant est utilisé en multiplexeur p ondes lumineuses d'entrée à bandes spectrales déterminées sont introduites dans p zones d'interaction par une entrée/sortie, une onde lumineuse distincte étant introduite dans chaque zone, les différentes zones d'interaction sont telles que les ondes lumineuses d'entrées sont véhiculées par différentes zones d'interaction de façon à être couplée dans au moins une zone d'interaction qui fournit alors sur une entrée/sortie une onde lumineuse présentant tout ou partie des bandes spectrales des ondes d'entrée. On peut également prévoir un multiplexeur/démultiplexeur dont les zones d'interaction permettent un fonctionnement mixte, c'est-à-dire permettent de démultiplexer des bandes spectrales d'une onde lumineuse et de multiplexer des bandes spectrales de plusieurs ondes lumineuses. On entend par bande spectrale une bande présentant un ensemble de longueurs d'onde avec une longueur d'onde centrale et une largeur de bande déterminées. Chaque onde lumineuse peut comporter une ou plusieurs bandes spectrales, les p ondes lumineuses pouvant présenter des bandes spectrales identiques. Le multiplexeur/démultiplexeur de l'invention permet notamment de réaliser, par exemple, un filtre spectral, mais aussi un module d'insertion/extraction (Add and drop en terminologie anglo-saxonne) ou encore un coupleur spectral. Selon un mode préféré de réalisation, chaque c#ur comportant deux extrémités, les n entrées/sorties sont formées par au moins une extrémité de chacun des c#urs. Dans l'invention, la gaine est réalisée artificiellement dans le substrat, ce qui permet aux c#urs et à la gaine d'exister indépendamment l'un de l'autre dans le substrat. L'indépendance de la gaine et des c#urs permet de réaliser les n zones d'interaction dans la même gaine ce qui permet de ne plus avoir de région de couplage entre les gaines optiques comme dans le cas des fibres optiques de l'art antérieur. Par ailleurs, l'indépendance des c#urs et de la gaine permet avantageusement à la gaine d'entourer qu'une portion des c#urs de guides. Ainsi la gaine n'agit sur la propagation d'une onde lumineuse dans chaque c#ur que dans la zone du c#ur qu' elle entoure et la gaine peut guider ou véhiculer des ondes lumineuses indépendamment des c#urs. De plus, la gaine étant indépendante des c#urs, les paramètres de la gaine et des c#urs sont facilement adaptables aux applications recherchées. Ainsi, on peut jouer facilement sur les dimensions, la valeur de l'indice de réfraction et la position de la gaine par rapport aux dimensions et à la valeur de l'indice de réfraction de chaque c#ur de guide. On peut ainsi modifier au moins une caractéristique du ou des modes se propageant dans un c#ur du guide et/ou d'un ou des modes de propagation dans la gaine. Pour induire des modes de propagation de gaine dans une zone d'interaction, de façon avantageuse, la gaine présente un indice de réfraction supérieur à celui du substrat au moins dans ladite zone. Le réseau d'une zone d'interaction peut- être formé dans le c#ur correspondant de la zone et/ou dans la gaine. Ainsi, lorsqu'une onde lumineuse est introduite dans la zone d'interaction par le c#ur du guide alors le mode du guide est couplé à un ou plusieurs des modes de gaine dans la zone d'interaction et inversement lorsque l'onde lumineuse est introduite dans la gaine, le ou les modes de gaines sont couplés au mode guidé du c#ur dans la zone d'interaction. Le réseau peut être périodique ou pseudopériodique, il peut être également composé d'une succession de réseaux. Les réseaux de chaque zone d'interaction peuvent être identiques ou différents suivant les applications visées. La gaine peut entourer plusieurs portions d'un même c#ur de façon à former avec le même c#ur plusieurs zones d'interaction en série. Dans une gaine donnée, les zones d'interaction peuvent être en série et/ou en parallèle. Le substrat utilisé peut bien entendu être réalisé par un seul matériau ou par la superposition de plusieurs couches de matériaux. Dans ce dernier cas, l'indice de réfraction de la gaine est différent de l'indice de réfraction du substrat au moins dans les couches voisines de la gaine. Selon un mode préféré, la gaine et les c#urs sont réalisés à partir du substrat, par une modification de l'indice de réfraction du substrat. Selon l'invention, les guides peuvent être des guides planaires, lorsque le confinement de la lumière se fait dans un plan contenant la direction de propagation de la lumière ou des microguides, lorsque le confinement de la lumière est réalisé dans deux directions transverses à la direction de propagation de la lumière. De nombreuses variantes de multiplexeur/démultiplexeur peuvent être réalisées en combinant des c#urs de guide avec des gaines optiques chaque zone d'interaction créée comportant un réseau. Selon un premier mode de réalisation, le multiplexeur/démultiplexeur comporte une gaine optique et n c#urs de guide, la gaine optique entoure dans une zone d'interaction distincte, chaque c#ur, de façon à former n zones d'interaction en série. Selon un deuxième mode de réalisation, le multiplexeur/démultiplexeur comporte m gaines optiques, chaque gaine optique i entourant n1 c#urs de guide (avec i entier allant de 1 à m) dans des zones d'interaction distinctes de façon à former ni zones d'interaction en série par gaine i, chaque gaine comportant au moins une zone d'interaction dont le c#ur est commun avec une zone d'interaction d'une autre gaine. Dans ce mode de réalisation les gaines sont réalisées en parallèles dans le substrat. Chaque gaine i peut comporter le même nombre ni de zones d'interaction ou un nombre différent en fonction des applications visées. Selon un troisième mode de réalisation, le multiplexeur/démultiplexeur comporte une gaine optique et n c#urs de guide, la gaine optique entoure dans une zone d'interaction distincte, chaque c#ur, de façon à former n zones d'interaction en parallèle. Selon un quatrième mode de réalisation, le multiplexeur/démultiplexeur comporte une gaine optique et n c#urs de guide, la gaine optique entoure chaque c#ur, de façon à former avec chaque c#ur une ou plusieurs zones d'interaction en série et avec les différents c#urs des zones d'interaction en parallèle. Dans ce mode de réalisation, le nombre de zones d'interaction est supérieur au nombre n de c#urs, ces zones d'interaction étant disposées en série et en parallèle. De nombreuses autres modes de réalisations sont bien entendu réalisables en particulier en combinant les modes précédents. De façon avantageuse, le substrat est du verre. Bien entendu, le substrat peut être également en d'autres matériaux tels que par exemple en matériaux cristallins de type KTP ou LiNb03, ou encore du LiTa03. Par ailleurs, les gaines optiques et/ou les c#urs de guides et/ou les réseaux peuvent être réalisés par tous types de technique permettant de modifier l'indice de réfraction du substrat. On peut citer notamment les techniques d'échanges d'ions, l'implantation ionique et/ou le rayonnement par exemple par l'insolation laser ou la photo inscription laser. De façon plus générale, les réseaux peuvent être réalisés par toutes les techniques permettant de changer l'indice effectif du substrat. Aux techniques précédemment cités, on peut donc rajouter notamment les techniques de réalisation de réseaux par gravure du substrat au voisinage des zones d'interaction. Cette gravure peut-être réalisée au-dessus des zones d'interaction ou dans la portion de gaine de la zone d'interaction et/ou éventuellement dans la portion de c#urs de la zone d'interaction. Les motifs des réseaux peuvent être obtenus soit par balayage laser dans le cas de l'utilisation d'un rayonnement soit par un masque. Ce dernier peut être le masque qui permet l'obtention des c#urs et/ou des gaines ou un masque spécifique pour la réalisation des réseaux. L'invention concerne également un procédé de réalisation en optique intégrée d'un multiplexeur/démultiplexeur tel que défini précédemment comprenant dans un substrat au moins n c#urs de guides et au moins une gaine optique, les c#urs, la gaine étant réalisée respectivement par une modification de l' indice de réfraction du substrat de façon à ce qu'au moins dans la partie de la gaine voisine des c#urs et au moins dans les zones d'interaction, l'indice de réfraction de la gaine soit différent de l'indice de réfraction du substrat et inférieur à l'indice de réfraction des c#urs. La modification de l'indice de réfraction du substrat est obtenue notamment par rayonnement par exemple par insolation laser ou par photo-inscription laser et/ou par introduction d'espèce ionique. Selon un mode préféré de réalisation, le procédé de l'invention comporte les étapes suivantes : - a) introduction d'une première espèce ionique dans le substrat de façon à permettre l'obtention après l'étape c) de la gaine optique, - b) introduction d'une deuxième espèce ionique dans le substrat de façon à permettre l'obtention après l'étape c) des c#urs de guides, - c) enterrage des ions introduits aux étapes a) et b) de façon à obtenir la gaine et les c#urs de guides. L'ordre des étapes a) et b) peut bien entendu être inversé. L'introduction de la première et/ou de la deuxième espèce ionique est réalisée de façon avantageuse par un échange ionique, ou par implantation ionique. La première et la deuxième espèces ioniques peuvent être les mêmes ou elles peuvent être différentes. L'introduction de la première espèce ionique et/ou l'introduction de la deuxième espèces ioniques peuvent être réalisées avec l'application d'un champ électrique. Dans le cas d'un échange ionique le substrat doit contenir des espèces ioniques aptes à être échangés. Selon un mode préféré de réalisation, le substrat est du verre et contient des ions Na+ préalablement introduits, la première et la deuxième espèces ioniques sont des ions Ag+ et/ou K+. Selon un premier mode de réalisation, l'étape a) comprend la réalisation d'un premier masque comportant un motif apte à l'obtention de la gaine, l'introduction de la première espèce ionique étant réalisée à travers ce premier masque et l'étape b) comprend l'élimination du premier masque et la réalisation d'un deuxième masque comportant un motif apte à l'obtention des c#urs, l'introduction de la deuxième espèce ionique étant réalisée à travers ce deuxième masque. Les masques utilisés dans l'invention sont par exemple en aluminium, en chrome, en alumine ou en matériau diélectrique. Selon un premier mode de réalisation de l'étape c), l'enterrage de la première espèce ionique est réalisée au moins partiellement avant l'étape b) et l'enterrage de la deuxième espèce ionique est réalisée au moins partiellement après l'étape b). Selon un deuxième mode de réalisation de l'étape c), l'enterrage de la première espèce ionique et l'enterrage de la deuxième espèce ionique sont réalisés simultanément après l'étape b). De façon avantageuse, au moins une partie de l'enterrage est réalisée avec l'application d'un champ électrique. Selon un troisième mode de réalisation de l'étape c), l'enterrage comporte un dépôt d'au moins une couche de matériau d'indice de réfraction avantageusement inférieur à celui de la gaine, sur la surface du substrat. Ce mode peut être bien entendu combiné avec les deux modes précédents. Généralement avant l'enterrage sous champ et/ou le dépôt d'une couche, le procédé de l'invention peut comporter en outre un enterrage par rediffusion dans un bain ionique. Cette étape de rediffusion peut-être réalisée en partie avant l'étape b) pour rediffuser les ions de la première espèce ionique et en partie après l'étape b) pour rediffuser les ions de la première et la deuxième espèce ionique. Cette étape de rediffusion peut également être réalisée en totalité après l'étape b) pour rediffuser les ions des première et deuxième espèces ioniques. A titre d'exemple cette rediffusion est obtenue en plongeant le substrat dans un bain contenant la même espèce ionique que celle contenue préalablement dans le substrat. D'autres caractéristiques et avantages de l'invention ressortiront mieux de la description qui va suivre, en référence aux figures des dessins annexés. Cette description est donnée à titre purement illustratif et non limitatif. Brève description des figures - La figure 1 déjà décrite, représente schématiquement en coupe un filtre réalisé selon l'art antérieur avec des fibres optiques, - la figure 2, représente schématiquement en coupe, un exemple de réalisation selon l'invention d'un multiplexeur/démultiplexeur comportant une gaine optique avec deux zones d'interactions en série formées à partir de deux c#urs, la figure 3, représente schématiquement en coupe, un exemple de réalisation selon l'invention d'un multiplexeur/démultiplexeur comportant une gaine optique avec trois zones d'interactions en série formées à partir de trois c#urs, - La figure 4, représente schématiquement en coupe, un exemple de réalisation selon l'invention d'un multiplexeur/démultiplexeur comportant deux gaines optiques avec dans chaque gaine deux zones d'interactions en série formées à partir de deux c#urs, - la figure 5, représente schématiquement en coupe, un exemple de réalisation selon l'invention d'un multiplexeur/démultiplexeur comportant quatre gaines optiques avec dans chaque gaine deux zones d'interactions en série formées à partir de deux c#urs, - la figure 6, représente schématiquement en coupe, un exemple de réalisation selon l'invention d'un multiplexeur/démultiplexeur comportant une gaine optique avec deux zones d'interactions en parallèle formées à partir de deux c#urs, - la figure 7, représente schématiquement en coupe, un exemple de réalisation selon l'invention d'un multiplexeur/démultiplexeur comportant une gaine optique avec trois zones d'interactions en parallèle formées à partir de trois c#urs, - la figure 8, représente schématiquement en coupe, un exemple de réalisation selon l'invention d'un multiplexeur/démultiplexeur comportant une gaine optique avec quatre zones d'interactions en série/parallèle formées à partir de deux c#urs, la figure 9, représente schématiquement en coupe, un exemple de réalisation selon l'invention d'un multiplexeur/démultiplexeur comportant dans chaque zone d'interaction un réseau formé par plusieurs réseaux en série, - les figures 10a à lOd illustrent en coupe un exemple de procédé de réalisation d'un multiplexeur/démultiplexeur selon l'invention, - les figures lia à lld illustrent des variantes de réalisation de motif de masque permettant d'obtenir un réseau dans un c#ur, et - la figure 12 représente en coupe une variante de réalisation de composant selon l'invention présentant un réseau dans une gaine. Description détaillée de modes de mise en #uvre de l'invention On décrit dans un souci de simplification des gaines présentant un indice de réfraction constant, mais bien entendu, on peut tout à fait envisager dans le cadre de cette invention d'utiliser des gaines présentant un indice variable, du moment que leurs indices au voisinage du c#ur soit plus petit que l'indice de réfraction du c#ur. De même, bien que le substrat puisse comporter une couche ou plusieurs couches, il est représenté dans l'ensemble de ces figures comme un substrat à une seule couche. Par ailleurs, sur ces figures n'est représenté que le multiplexeur/démultiplexeur, mais bien entendu d'autres éléments peuvent être intégrés dans le même substrat. Le multiplexeur/démultiplexeur représenté schématiquement en coupe sur la figure 2, comporte une gaine optique 20 et deux c#urs 23,25 de guides optiques. La gaine 20 entoure une portion de chacun des deux c#urs 23,25 de façon à définir deux zones d' interaction Il, 12 en série: la zone d' interaction Il comportant un réseau référencé R1 et la zone d'interaction I2 comportant un réseau référencé R2. Ce multiplexeur/démultiplexeur comporte en outre trois entrées/sorties : une première entrée/sortie P1 formée par une des extrémités du c#ur 23, une deuxième entrée/sortie P2 formée par l'autre extrémité du c#ur 23, et une troisième entrée/sortie P3 formée par une des extrémités du c#ur 25. Dans cet exemple de réalisation, l'autre extrémité du c#ur 25 est située dans la gaine en regard de la zone d'interaction Il, on aurait pu également comme dans le cas de la figure 3 disposer cette extrémité à l'extérieur de la gaine pour former une entrée/sortie supplémentaire. Sur cette figure, la gaine optique 20 entoure uniquement la portion du c#ur 23 qui comporte le réseau R1 et la portion du c#ur 25 qui comporte le réseau R2. La zone du substrat qui comporte à la fois la gaine, le c#ur 23, et le réseau R1 est la zone d'interaction Il et la zone du substrat qui comporte à la fois la gaine, le c#ur 25 et le réseau R2 est la zone d'interaction 12. On voit bien sur ces figures, que les c#urs 23 et 25 existent indépendamment de la gaine 20 puisqu'en dehors des zones d' interaction, les c#urs ne sont plus situés dans la gaine mais uniquement dans le substrat 18 qui permet l'isolement optique des c#urs. La gaine est crée ainsi artificiellement, dans le substrat, au moins autour d'une portion des c#urs comportant les réseau et indépendamment des c#urs et du substrat. D'une façon générale, on appellera gaine artificielle ce type de gaine réalisé selon l'invention et réseau à gaine artificielle (ou "artificial cladding grating" (ACG) en terminologie anglo-saxonne), lorsque la zone d'interaction comporte un réseau. Dans cet exemple de réalisation ainsi que dans les suivants, la gaine est réalisée dans le substrat de façon à avoir un indice de réfraction compris entre celui du substrat et celui des c#urs du guide, ce qui permet grâce à la présence des réseaux d'avoir des modes de gaines (représentés par des flèches dans la gaine). Les réseaux réalisés dans les zones d'interaction, sont une succession de motifs périodiques ou pseudo-périodiques représentés dans ces exemples par une segmentation des c#urs. L'indépendance de la gaine vis-à-vis des c#urs de guides permet d'adapter les paramètres de la gaine (tels que les dimensions, le niveau d'indice et la position) par rapport aux paramètres des c#urs (tels que les dimensions, le niveau des indices et les positions), aux applications visées. La force du couplage entre un mode guidé et un mode de gaine j donné sur une bande spectrale de longueur d'onde centrale définie par l'équation (1) est obtenue par le produit de la longueur du réseau avec le coefficient de couplage K. Ce dernier est proportionnel à l'intégrale de recouvrement des deux modes couplés, pondérés par le profil du réseau. Si on note #0 et #j les profils transversaux des modes respectivement guidés et de gaine et An le profil du réseau, le coefficient de couplage K est donné par une relation du type : # # ###0##j*##n#ds (2) où ds est un élément d'intégration sur toute la surface transversale du substrat c'est-à-dire dans un plan perpendiculaire à l'axe de propagation de l'onde. Ainsi, au niveau de la gaine, plus ses dimensions et son niveau d'indice seront importants plus ont aura de modes de gaines admis à se propager et plus on aura donc la possibilité de coupler des bandes spectrales. Si on cherche à limiter le nombre de modes de gaine pouvant être couplé, il est intéressant à l'inverse de réduire les dimensions opto-géométriques de la gaine. Au niveau des c#urs de guides, leurs dimensions et leur niveau d'indice sont indépendants et conditionnent les caractéristiques des modes qui s'y propage et permettent par exemple de les adapter à des modes de fibre, dans le cas d'un couplage c#ur de guide/c#ur de fibre. Par ailleurs, plus les écarts d'indice entre les c#urs, la gaine et le substrat seront importants et plus on aura potentiellement de chance d'avoir des couplages pour des périodes de réseaux faibles comme le montre l'équation (1) (à une longueur d'onde de résonance donnée, la période est inversement liée à la différence d'indice entre les modes guidé et de gaine). Les dimensions des réseaux peuvent également être adaptées aux applications visées. Ainsi, ils peuvent être aussi bien des réseaux de type longues périodes (par exemple de quelques dizaines de m à quelques milliers de m) que des réseaux à plus faibles périodes (par exemple inférieur à quelques m) tels que les réseaux blasés ou à traits inclinés. Dans le cas de la figure 2, lorsque ce composant est utilisé en démultiplexeur, (comme représenté par le sens des flèches qui symbolisent la propagation des ondes lumineuses sur cette figure), une onde lumineuse E d'entrée à plusieurs bandes spectrales est introduite dans celui-ci par l' entrée P1, elle est véhiculée dans le c#ur 23 jusqu'à la zone d'interaction Il. Dans cette zone les paramètres du réseau à gaine artificielle (c'est-à-dire l'association du réseau, du c#ur et de la gaine) sont tels que l'onde lumineuse est couplée pour une ou plusieurs bandes spectrales au(x) modes de la gaine 20 tandis que la ou les bandes spectrales de la partie Si de l'onde non couplée est transportée via le c#ur 23 vers la sortie P2 du composant. La partie couplée de l'onde lumineuse dans la gaine est ensuite transmise à la zone d'interaction 12, puis couplée pour tout ou partie de ses bandes spectrales par le réseau R2 à gaine artificielle dont les paramètres sont adaptés à ce couplage, dans le c#ur 25. La partie couplée S2 de l'onde dans le c#ur 25 est transmise par ce dernier à la sortie P3 du composant. Par exemple, si l'onde E présente deux bandes spectrales de longueurs d'onde centrales respectivement #1, #2, le réseau R1 à gaine artificielle est paramétré pour que l'onde Si présente une bande spectrale de longueur d'onde centrale i et le réseau R2 à gaine artificielle est paramétré pour que l'onde S2 présente une bande spectrale de longueur d'onde centrale #2 Inversement, lorsque ce composant est utilisé en multiplexeur deux ondes lumineuses d'entrée Si et S2 à bandes spectrales déterminées sont introduites par les entrées P2 et P3 respectivement dans les zones d'interaction Il et I2. L'onde S2 véhiculée par le c#ur 25 est couplée pour tout ou partie de ses bandes spectrales par le réseau R2 à gaine artificielle au(x) mode(s) de gaine, ces modes de gaines sont ensuite couplés pour tout ou partie des bandes spectrales dans le c#ur 23 par le réseau R1 à gaine artificielle. Par ailleurs, l'onde Si véhiculée par le c#ur 23 traverse la zone d'interaction Il, au moins certaines de ses bandes spectrales ne sont pas couplées au(x) mode(s) de gaine par le réseau R1 de sorte qu'en sortie P1 du composant l'onde E comporte des bandes spectrales de S1 et des bandes spectrales de S2, les réseaux R1 et R2 à gaine artificielle étant paramétrés pour multiplexer ces bandes spectrales. Ainsi par exemple, si l'onde Si présente une bande spectrale de longueur d'onde centrale #1 et l'onde S2 présente une bande spectrale de longueur d'onde centrale #2, les réseaux R1 et R2 à gaine artificielle sont paramétrés pour que l'onde E présente des bandes spectrales de longueurs d'onde centrales #1 et #2. La figure 3 représente une variante de la figure 2 dans lequel le multiplexeur/démultiplexeur représenté schématiquement en coupe, comporte dans un substrat 18, une gaine optique 20 et trois c#urs 31, 32,33 de guides optiques. La gaine 20 entoure une portion de chacun des trois c#urs de façon à définir trois zones d'interaction Il, I2, 13 en série : zone d'interaction Il comportant un réseau Ri, la zone d'interaction I2 comportant un réseau R2 et la zone d'interaction 13 comportant un réseau R3. Ce multiplexeur/démultiplexeur comporte en outre six entrées/sorties correspondant aux deux extrémités de chaque c#ur. Des entrée/sortie P1, P2 formées par les extrémités du c#ur 31, des entrée/sortie P5, P3 formées par les extrémités du c#ur 32 et des entrée/sortie P6, P4 formées par les extrémités du c#ur 33. Dans cet exemple de réalisation, le multiplexeur/démultiplexeur peut être utilisé dans les deux sens suivant l'application visée ; autrement dit un fonctionnement en démultiplexeur peut-être réalisé en considérant P1 comme une entrée et P2, P3, P4 comme des sorties (c' est le fonctionnement représenté sur la figure 3, les flèches symbolisant la propagation des ondes lumineuses) ; et un fonctionnement en multiplexeur peut être réalisé en considérant P2, P3, P4 comme des entrées et P1 comme une sortie. A titre d'exemple, si l'onde E introduite dans le composant présente trois bandes spectrales de longueurs d'onde centrales respectivement #1, #2, #3, le réseau R1 est paramétré pour que l'onde S1 sur la sortie P2 présente une bande spectrale de longueur d'onde centrale #1, le réseau R2 à gaine artificielle est paramétré pour que l'onde 82 sur la sortie P3 présente une bande spectrale de longueur d'onde centrale #2 et le réseau R3 à gaine artificielle est paramétré pour que l' onde S3 sur la sortie P4 présente une bande spectrale de longueur d'onde centrale #3. Si on introduit trois ondes lumineuses respectivement S1 présentant une bande spectrale de longueur d'onde centrale #1, S2 présentant une bande spectrale de longueur d'onde centrale #2, et S3 présentant une bande spectrale de longueur d'onde centrale #3, les réseaux R1, R2, R3 à gaine artificielle sont paramétrés pour que l'onde E en sortie P1 présente des bandes spectrales de longueurs d'onde centrales #1, #2, #3. La figure 4, représente schématiquement en coupe, un exemple de réalisation selon l'invention d'un multiplexeur/démultiplexeur comportant deux gaines optiques 20,30 disposées en parallèle dans le substrat 18, chaque gaine comportant deux zones d'interactions en série formées à partir de deux c#urs comme dans la figure 2. Ainsi, les zones d'interaction Il et 12 comportant respectivement les réseaux R1 et R2 sont en série, de même les zones d'interaction 13 et I4 comportant respectivement les réseaux R3 et R4 sont également en série alors que les zones Il et 12 sont disposées en parallèle des zones 13 et I4. Ce composant comporte quatre c#urs : un c#ur 23 commun aux zones d' interaction Il et 14, un c#ur 25 permettant de réaliser la zone d'interaction 12 et un c#ur 27 permettant de réaliser la zone d'interaction 13. Ce composant comporte quatre entrées sorties Pl, P2, P3, P4, il est symétrique au niveau de son fonctionnement. Avec ce type de composant on peut introduire deux ondes lumineuses par P1, P4 (respectivement P2, P3) et récupérer en sortie deux ondes lumineuses par P2, P3 (respectivement Pl, P4 ) - A titre d'exemple, si on introduit par P1, une onde E1 présentant des bandes spectrales de longueurs d'onde centrales #1, #2 et par P4, une onde E2 présentant une bande spectrale de longueur d'onde centrale #3, les différents réseaux R1, R2, R3 et R4 à gaine artificielle sont paramétrés pour qu'en sortie P2 l'onde Si récupérée présente des bandes spectrales de longueurs d'onde centrales #2, #3, et qu'en sortie P3 l'onde S2 récupérée présente une bande spectrale de longueur d'onde centrale #1. Dans le cas particulier #1 = #3, le composant de la figure 4 joue le rôle d'un module d'insertion/d'extraction (add and drop). La figure 5, représente schématiquement en coupe, une variante de réalisation de la figure 4 dans laquelle le multiplexeur/démultiplexeur comporte quatre gaines optiques en parallèle avec dans chaque gaine deux zones d'interactions en série formées à partir de deux c#urs, le c#ur d'une des zones d'interaction de chaque gaine étant le même. Cet exemple de réalisation est également symétrique, il comporte trois entrées (par exemple P1, P4, P6) et trois sorties (par exemple P2, P3, P5). A titre d'exemple, si on introduit par P1, une onde E1 présentant des bandes spectrales de longueurs d'onde centrales #1, #2, #3, par P4. une onde E2 présentant une bande spectrale de longueur d'onde centrale #4, et par P6, une onde E3 présentant une bande spectrale de longueur d'onde centrale #5 les différents réseaux R1 à Ra à gaine artificielle sont paramétrés pour qu'en sortie P2 l'onde Si récupérée présente des bandes spectrales de longueurs d'onde centrales #4, #2, #5, qu'en sortie P3 l'onde S2 récupérée présente une bande spectrale de longueur d'onde centrale #1 et qu'en sortie Ps l'onde S3 récupérée présente une bande spectrale de longueur d'onde centrale #3. Cet exemple avec quatre gaines peut tout à fait se faire avec un nombre m de gaines plus important. Des traits pointillés sur la figure 5 à l'une des extrémités du c#ur 23 extrapolent la possibilité de rajouter d'autres gaines. La figure 6, représente schématiquement en coupe, un exemple de réalisation selon l'invention d'un multiplexeur/démultiplexeur comportant dans un substrat 18 une même gaine optique 60 avec deux zones d'interactions en parallèle formées à partir de deux c#urs 61,62 et des réseaux R1 et R2 en parallèle . Ce composant tel que représenté est également symétrique. Il comporte quatre entrées/sorties, dont deux entrées (par exemple P1, P4) et deux sorties (par exemple P2, P3) . Dans un fonctionnement à une seule entrée, par exemple Pl, si on introduit une onde E1 présentant des bandes spectrales de longueurs d'onde centrales #1, #2, on récupère grâce aux réseaux #R1 et R2 à gaines artificielles des ondes Si et S2 respectivement sur les sorties P3, P2, l'onde Si présentant une bande spectrale de longueur d'onde centrale #1 et l'onde S2 présentant une bande spectrale de longueur d'onde centrale #2. L'utilisation de l'entrée P4 permet d'introduire dans le c#ur 62 une onde E2 dont la ou les bandes spectrales peuvent se rajouter sur la sortie P2 à la bande spectrale de longueur d'onde centrale #2 de l'onde S2. Ce cas particulier permet donc un fonctionnement à la fois en multiplexeur et en démultiplexeur. Dans cet exemple, le réseau R1 et le réseau R2 ont au moins une des bandes spectrales commune. La figure 7, représente schématiquement en coupe, un exemple de réalisation selon l'invention d'un multiplexeur/démultiplexeur comportant dans un substrat 18 une même gaine optique 60 avec trois zones d'interactions en parallèle formées à partir de trois c#urs 71,72, 73 et des réseaux R1, R2, R3 en parallèle. Ce composant comporte trois entrées/sorties. Une seule des extrémités de chaque c#ur forme une entrée/sortie, les autres extrémités des c#urs sont en regard à l'intérieur de la gaine 60. A titre d'exemple, dans un fonctionnement en démultiplexeur une onde E1 présentant des bandes spectrales de longueur d'onde centrale #1, #2 est introduite par l'entrée P1 et en sortie ce composant permet de récupérer une onde S1 (sur la sortie P3) présentant une bande spectrale de longueur d'onde centrale #1 et une onde S2 (sur la sortie P2) présentant une bande spectrale de longueur d'onde centrale #2. Dans le cas particulier où #1 = #2 le composant de la figure 7 joue le rôle d'un diviseur/combineur. La figure 8, représente schématiquement en coupe, un exemple de réalisation selon l'invention d'un multiplexeur/démultiplexeur comportant des zones d'interaction en série et en parallèle. La différence entre ce multiplexeur/démultiplexeur et celui de la figure 6 est la réalisation de deux zones d'interaction supplémentaires formées pour l'une à partir du c#ur 61 et d'un réseau R3 et pour l' autre à partir du coeur 62 et d'un réseau R4. Ainsi, ce composant comporte deux zones d'interactions en série pour chaque c#ur (associées aux réseaux R1 et R3 pour le c#ur 61 et aux réseaux R2 et R4 pour le c#ur 62), les zones d'interaction en série d'un c#ur étant en parallèle avec les zones d'interaction en série de l'autre c#ur. Au niveau du fonctionnement par exemple en démultiplexeur, l'utilisation des réseaux R3 et R4 supplémentaires permet de coupler en plus par rapport à la figure 6 dans le c#ur 61 tout ou partie de l'onde lumineuse E2 introduite par l'entrée P4 dans le c#ur 62. Ce composant est symétrique. Enfin, la figure 9, représente schématiquement en coupe, un exemple de réalisation selon l'invention d'un multiplexeur/démultiplexeur comportant dans chaque zone d'interaction un réseau formé par plusieurs réseaux en série. Le multiplexeur de la figure 9 est du même type que le multiplexeur de la figure 6. La seule différence est la réalisation du réseau R1 à partir de deux réseaux distincts A1, A2 et la réalisation du réseau R2 à partir de deux réseaux distincts B1, B2. Ainsi, si les réseaux A1 et B1 permettent de coupler respectivement une bande spectrale déterminée et les réseaux A2 et B2 permettent de coupler respectivement une autre bande spectrale déterminée, on peut si on introduit à l'entrée P1, une onde E1 présentant des bandes spectrales de longueurs d'onde centrales #1, #2, #3, récupérer sur la sortie P3 une onde S1 de bande spectrale de longueur d'onde centrale #1 et récupérer grâce au réseau R1 (composé de A1 et A2) et au réseau R2 (composé de B1 et B2) sur la sortie P2 une onde S2 de bandes spectrales de longueurs d'onde centrale #2, #3. D'autres exemples de réalisation de multiplexeur/démultiplexeur peuvent bien entendu être réalisés notamment en combinant ces variantes. Par ailleurs, le fonctionnement des exemples de composants ci-dessus a été présenté essentiellement pour démultiplexer les bandes spectrales d'une onde lumineuse mais ces composants peuvent également fonctionner en sens inverse c'est-à-dire pour multiplexer les bandes spectrales de plusieurs ondes lumineuses. Par ailleurs, les réseaux utilisés ont été représentés dans les c#urs étant bien entendu que ces réseaux peuvent être réalisés dans les gaines et/ou dans les c#urs. Un exemple de réalisation d'un multiplexeur/démultiplexeur va maintenant être décrit. Pour simplifier la description, on va décrire la réalisation d'une seule gaine, d'un seul c#ur et d'un seul réseau, pour la réalisation d'une seule zone d'interaction par exemple Il, l'homme du métier pouvant facilement à partir de cette description réaliser tous les types de multiplexeur/démultiplexeur et notamment ceux représentés dans les figures précédentes. Ainsi, les figures 10a à 10d illustrent en coupe dans un plan perpendiculaire à la surface du substrat et contenant la zone d'interaction Il, un exemple de procédé de réalisation d'un multiplexeur/démultiplexeur selon l'invention, à partir de la technologie par échange d'ions. Sur la figure 10a est représentée le substrat 18 contenant des ions B. Un premier masque 81 est réalisé par exemple par photolithographie sur une des faces du substrat ; ce masque comporte une ouverture déterminée en fonction des dimensions (largeur, longueur) de la gaine que l'on souhaite obtenir. Par ailleurs, lorsque le réseau est réalisé dans la gaine, les motifs du masque 85 peuvent être adaptés aux motifs du réseau à former. Un premier échange ionique est alors réalisé entre des ions A et les ions B contenus dans le substrat, dans une zone du substrat située au voisinage de l'ouverture du masque 81. Cet échange est obtenu par exemple en trempant le substrat muni du masque dans un bain contenant des ions A et en appliquant éventuellement un champ électrique entre la face du substrat sur laquelle est disposée le masque et la face opposée. La zone du substrat dans laquelle a été réalisé cet échange ionique forme la gaine 20. Pour enterrer cette gaine, une étape de rediffusion des ions A est réalisée avec l'assistance ou non d'un champ électrique appliqué comme précédemment. La figure lOb, représente la gaine après une étape d'enterrage partielle de celle-ci. Le masque 81 est enlevé généralement avant cette étape. La réalisation de la gaine selon l'invention s'apparente donc à la réalisation d'un c#ur de guide mais avec des dimensions différentes. L'étape suivante représentée figure 10c consiste à former un nouveau masque 85 sur le substrat par exemple par photolithographie après éventuellement un nettoyage de la face du substrat sur lequel il est réalisé. Ce masque comporte des motifs aptes à permettre la réalisation du c#ur 23 de guide et en particulier lorsque le réseau est réalisé dans le c#ur, les motifs du masque 85 peuvent être adaptés aux motifs du réseau à former. Un deuxième échange ionique est alors réalisé entre les ions B du substrat et des ions C qui peuvent être les mêmes ou non que les ions A. Cet échange ionique peut-être réalisé comme précédemment en trempant le substrat dans un bain contenant des ions C et en appliquant éventuellement un champ électrique. Enfin, la figure lOd illustre le composant obtenu après enterrage du c#ur 23 obtenu par rediffusion des ions C et enterrage final de la gaine, avec l'assistance ou non d'un champ électrique. Le masque 85 est généralement supprimé avant cette étape d'enterrage. Les conditions du premier et du deuxième échange ionique sont définies de façon à obtenir les différences d'indices de réfraction souhaitées entre le substrat, la gaine et le c#ur. Les paramètres d'ajustement de ces différences sont notamment le temps d'échange, la température du bain, la concentration en ions du bain et la présence ou non d'un champ électrique. A titre d'exemple de réalisation, le substrat 18 est du verre contenant des ions Na+, le masque 81 est en aluminium et présente une ouverture d'environ 30 m de large (la longueur de l'ouverture dépend de la longueur désirée de gaine pour l'application visée). Le premier échange ionique est réalisé avec un bain comportant des ions Ag+ environ à 20% de concentration, à une température d'environ 330 C et pendant un temps d'échange de 5 mn environ. Une rediffusion des ions a tout d'abord lieu à l'air libre à une température d'environ 330 C et pendant 30 s, puis on effectue un enterrage partiel de la gaine ainsi formée dans le verre. Cet enterrage est réalisé par une rediffusion dans un bain de sodium à une température d'environ 260 C et pendant 3 mn. Le masque 85 est aussi en aluminium et présente un motif d'ouverture environ 3 m de large (la longueur du motif dépend de la longueur désirée de c#ur pour l'application visée). Le deuxième échange ionique est réalisé avec un bain comportant des ions également Ag+ environ à 20% de concentration, à une température d'environ 330 C et pendant un temps d'échange de 5 mn environ, une rediffusion des ions a tout d'abord lieu à l'air libre à une température d'environ 330 C et pendant 30 s. Puis on réalise, un enterrage partiel du c#ur ainsi formé dans le verre par une rediffusion dans un bain de sodium à une température d'environ 260 C et pendant 3 mn. L'enterrage final de la gaine et du c#ur se fait sous champ électrique les deux faces opposées du substrat sont en contact de deux bains (dans cet exemple du sodium) apte à permettre d'appliquer une différence de potentielle entre ces deux bains. De nombreuses variantes du procédé décrit précédemment peuvent être réalisées. Notamment, les étapes d'enterrage de la gaine et du c#ur peuvent être réalisées comme décrit précédemment au cours de deux étapes successives mais elles peuvent également être réalisées simultanément car le c#ur ayant une concentration ionique supérieure à celle de la gaine, il est enterré plus vite que la gaine, ce qui permet en outre un centrage du c#ur dans la gaine. La différence de concentration entre le c#ur et la gaine est généralement obtenue soit par une rediffusion dans un bain des ions formant la gaine soit par une différence de concentration des ions introduits aux étapes a) et b) . Comme on l'a vu précédemment, pour réaliser l'enterrage de la gaine et du c#ur, une variante du procédé consiste à déposer sur le substrat 18, une couche de matériau 71, représentée en pointillés sur la figure lOd. Ce matériau, pour permettre un guidage optique doit présenter avantageusement un indice de réfraction inférieur à celui de la gaine. La réalisation du composant selon l'invention n'est pas limitée à la technique d'échange d'ions. Le composant de l'invention peut-être réalisé bien entendu par toutes les techniques qui permettent de modifier l'indice de réfraction du substrat. Par ailleurs, la période, la taille, la position du réseau par rapport au c#ur et à la gaine sont des paramètres qui peuvent être adaptées en fonction des applications. Le motif du réseau peut-être défini sur le masque permettant la réalisation de la gaine et/ou sur le masque permettant la réalisation du c#ur ou encore sur un masque spécifique pour la réalisation uniquement du réseau. Les figures 11a à lld illustrent à titre d'exemple des variantes de réalisation de masques M1, M2, M3, M4 permettant d'obtenir un réseau par exemple R1. Ces figures sont des vues de dessus des masques et ne représentent que la partie des masques permettant d'obtenir le réseau. Les zones blanches du motif des masques correspondent aux ouvertures des masques. Ces masques permettent d'obtenir un réseau périodique de période A. Ces masques peuvent être par exemple des masques spécifiques pour la réalisation du réseau dans le c#ur et/ou dans la gaine ou une partie des masques permettant l'obtention du c#ur et/ou de la gaine, le réseau étant réalisé alors en même temps que le c#ur et/ou la gaine. La figure 12 illustre un exemple de réalisation d'un réseau R réalisé dans une zone d' interaction à la fois dans un c#ur 91 et dans une gaine 93. Ainsi, sur cette figure, le réseau R est formé dans la gaine par une alternance de période A de zones 95 de largeur variable considérée dans le sens de propagation d'une onde lumineuse. Ces zones ont un indice effectif différent de celui du reste de la gaine grâce à une modification de l'indice de réfraction de ces zones. Le c#ur étant par ailleurs inclus dans la gaine au moins dans la zone d'interaction, le réseau est également inscrit dans le c#ur, autrement dit le c#ur comporte également des zones d'indice de réfraction différent de celui du reste du c#ur. Les réseaux peuvent être formés par toutes les techniques classiques permettant de modifier localement l'indice effectif du substrat dans le c#ur et/ou dans la gaine. Il peut donc être réalisé comme on l'a vu au cours des échanges ioniques permettant de réaliser le c#ur et/ou la gaine ou au cours d'un échange ionique spécifique. Mais, il peut également être obtenu par une gravure du substrat au niveau de la zone d' interaction ou par un rayonnement. En particulier, le réseau peut être obtenu par insolation du c#ur et/ou de la gaine avec un laser de type CO2. Le laser en produisant des échauffements localisés permet de rediffuser localement des ions et inscrire ainsi le motif du réseau. A titre d'exemple on peut balayer le substrat avec un faisceau laser modulé par exemple en amplitude de manière à introduire une modulation du réseau au pas souhaité. Le motif du réseau dépend des applications visées. En particulier, le réseau peut-être à période variable (réseau chirpé) ou à efficacité variable (réseau apodisé) 1. Multiplexeur/démultiplexeur caractérisé en ce qu'il comprend dans un substrat (18), au moins n c#urs (23,25, 31,32, 33,61, 62,71, 72,73) de guides avec n entier supérieur ou égal à 2 et au moins une gaine optique (20,30, 40,50, 60) entourant au moins une portion de chacun des n c#urs de façon à définir au moins n zones d' interaction (Il, I2, 13, 14, I5, I6, I7, le), chaque zone d' interaction comportant en outre un réseau (R1, R2, R3, R4, R5, R6, R7) ce multiplexeur/démultiplexeur comportant au moins n entrées/sorties (P1, P2, P3, P4, Ps, P6) . 2. Multiplexeur/démultiplexeur selon la revendication 1 caractérisé en ce que chaque c#ur comportant deux extrémités, les n entrées/sorties sont formées par au moins une extrémité de chacun des c#urs. 3. Multiplexeur/démultiplexeur selon l'une quelconque des revendications 1 et 2 caractérisé en ce que la gaine présente un indice de réfraction supérieur à celui du substrat au moins dans les zones d'interaction. 4. Multiplexeur/démultiplexeur selon l'une quelconque des revendications 1 à 3 caractérisé en ce que le réseau d'une zone d'interaction peut être formé dans le c#ur correspondant de la zone et/ou dans la gaine. 5. Multiplexeur/démultiplexeur selon l'une quelconque des revendications 1 à 4 caractérisé en ce que le réseau est périodique ou pseudo-périodique et/ou composé d'une succession de réseaux. 6. Multiplexeur/démultiplexeur selon l'une quelconque des revendications 1 à 5 caractérisé en ce que dans une même gaine, les zones d'interaction peuvent être en série et/ou en parallèle. 7. Multiplexeur/démultiplexeur selon l'une quelconque des revendications 1 à 6 caractérisé en ce qu'il comporte une gaine optique (20) et n c#urs (23, 25,31, 32,33) de guide, la gaine optique entoure dans une zone d'interaction distincte (Il, I2, 13) chaque c#ur, de façon à former n zones d'interaction en série. 8. Multiplexeur/démultiplexeur selon l'une quelconque des revendications 1 à 7 caractérisé en ce qu'il comporte m gaines optiques (20,30, 40,50), chaque gaine optique i entourant n c#urs de guide, avec i entier allant de 1 à m, dans des zones d'interaction distinctes de façon à former ni zones d'interaction en série par gaine i, chaque gaine comportant au moins une zone d'interaction dont le c#ur (23) est commun avec une zone d'interaction d'une autre gaine. 9. Multiplexeur/démultiplexeur selon l'une quelconque des revendications 1 à 8 caractérisé en ce qu'il comporte une gaine optique (60) et n c#urs (61, 62,71, 72,73) de guides, la gaine optique entoure dans une zone d' interaction distincte, chaque c#ur, de façon à former n zones d'interaction en parallèle. 10. Multiplexeur/démultiplexeur selon l'une quelconque des revendications 1 à 9 caractérisé en ce qu'il comporte une gaine optique (60) et n c#urs (61, 62) de guides, la gaine optique entoure chaque c#ur, de façon à former avec chaque c#ur une ou plusieurs zones d'interaction en série et avec les différents c#urs des zones d'interaction en parallèle. 11. Procédé de réalisation en optique intégrée d'un multiplexeur/démultiplexeur selon l'une quelconque des revendications précédentes caractérisé en ce que le multiplexeur/démultiplexeur comportant dans un substrat au moins n c#urs de guides, au moins une gaine optique et au moins n zones d'interactions, les c#urs et la gaine sont réalisés respectivement par une modification de l'indice de réfraction du substrat de façon à ce qu'au moins dans la partie de la gaine voisine des c#urs et au moins dans les zones d' interaction, l'indice de réfraction de la gaine soit différent de l'indice de réfraction du substrat et inférieur à l'indice de réfraction des c#urs. 12. Procédé de réalisation selon la revendication 11 caractérisé en ce que la modification de l'indice de réfraction du substrat est obtenue par rayonnement et/ou par introduction d'espèce ionique. 13. Procédé de réalisation selon la revendication 12 caractérisé en ce qu'il comporte les étapes suivantes : a) introduction d'une première espèce ionique dans le substrat de façon à permettre l'obtention après l'étape c) de la gaine optique, b) introduction d'une deuxième espèce ionique dans le substrat de façon à permettre l'obtention après l'étape c) des c#urs de guides, c) enterrage des ions introduits aux étapes a) et b) de façon à obtenir la gaine et les c#urs de guides. 14. Procédé de réalisation selon la revendication 13 caractérisé en ce que l'introduction de la première et/ou de la deuxième espèce ionique est réalisée par un échange ionique ou par implantation ionique. 15. Procédé de réalisation selon la revendication 14 caractérisé en ce que l'introduction de la première espèce ionique et/ou l'introduction de la deuxième espèce ionique est réalisée avec l'application d'un champ électrique. 16. Procédé de réalisation selon la revendication 14 caractérisé en ce que le substrat est du verre et contient des ions Na+ préalablement introduits, la première et la deuxième espèces ioniques sont des ions Ag+ et/ou K+. 17. Procédé de réalisation selon l'une quelconque des revendications 13 à 16, caractérisé en ce que l'étape a) comprend la réalisation d'un premier masque comportant un motif apte à l'obtention de la gaine, l'introduction de la première espèce ionique étant réalisée à travers ce premier masque et l'étape b) comprend l'élimination du premier masque et la réalisation d'un deuxième masque comportant un motif apte à l'obtention des c#urs, l'introduction de la deuxième espèce ionique étant réalisée à travers ce deuxième masque. 18. Procédé de réalisation selon l'une quelconque des revendications 13 à 17, caractérisé en ce que l'étape c) d'enterrage de la première espèce ionique est réalisée au moins partiellement avant l'étape b) et en ce que l'étape c) d'enterrage de la deuxième espèce ionique est réalisée au moins partiellement après l'étape b). 19. Procédé de réalisation selon l'une quelconque des revendications 13 à 18, caractérisé en ce que l'étape c) d'enterrage de la première espèce ionique et d'enterrage de la deuxième espèce ionique sont réalisés simultanément après l'étape b). 20. Procédé de réalisation selon l'une quelconque des revendications 13 à 19 caractérisé en ce qu'au moins une partie de l'enterrage est réalisée avec l'application d'un champ électrique. 21. Procédé de réalisation selon l'une quelconque des revendications 13 à 20 caractérisé en ce qu'au moins une partie de l'enterrage est réalisée par rediffusion dans un bain ionique. 22. Procédé de réalisation selon l'une quelconque des revendications 13 à 21 caractérisé en ce que tout ou partie de l'enterrage est réalisé par un dépôt d'au moins une couche sur la surface du substrat. 23. Procédé de réalisation selon l'une quelconque des revendications précédentes caractérisé en ce chaque zone d'interaction comportant un réseau celui-ci est obtenu par modification de l'indice effectif du substrat dans la gaine et/ou le c#ur correspondants selon un motif approprié. 24. Procédé de réalisation selon la revendication 23 caractérisé en ce que le motif approprié du réseau est obtenu par introduction d'espèces ioniques à travers un masque permettant l'obtention du c#ur et/ou de la gaine ou par un masque spécifique. 25. Procédé de réalisation selon la revendication 23 caractérisé en ce que le motif approprié du réseau est obtenu par des échauffements locaux. 26. Procédé de réalisation selon la revendication 23 caractérisé en ce que le motif approprié du réseau est obtenu par gravure du substrat.