FR 2874426 A1 20060224 FR 0508584 A 20050817 DETECTEUR DE TYPE CAPACITIF POUR DES GRANDEURS PHYSIQUES La présente invention est relative à un détecteur du type capacitif pour des grandeurs physiques, servant à détecter des grandeurs physiques telles que l'humidité 5 et autres. Le présent demandeur a antérieurement proposé, dans JP-A-2002-243 690, un détecteur capacitif d'humidité comprenant un film sensible à l'humidité dont la constante diélectrique spécifique varie selon l'humidité, interposé entre deux électrodes. Le détecteur capacitif d'humidité ci-dessus comprend un système de détection qui comporte une paire d'électrodes en forme de dents de peigne dans le même plan d'un substrat, et un film sensible à la lumière formé de manière à couvrir la paire d'électrodes. En outre, afin de détecter de légères variations de la capacité en conservant une bonne sensibilité, le détecteur ci-dessus comporte un système de convertisseur C-T d'un type à capacité commutée. Par conséquent, la constante diélectrique spécifique du film sensible à l'humidité varie en accompagnant l'évolution de l'humidité et la capacité varie entre les deux électrodes de la paire, la variation de capacité est convertie en tension par l'intermédiaire du système de convertisseur C-T et est produite sous la forme d'un signal de sortie du détecteur. L'humidité est ainsi détectée. Cependant, dans l'agencement ci-dessus, lorsque le film sensible à l'humidité interposé entre les électrodes de la paire d'électrodes présente des propriétés d'absorption/libération d'humidité qui varient en fonction de la température (c'est-à-dire des caractéristiques de température), les caractéristiques de température apparaissent également dans la variation de capacité du système de détecteur (caractéristiques de sensibilité en fonction de la température). En l'occurrence, il apparaît une différence dans les caractéristiques du signal fourni par le détecteur, selon la température. Pour corriger les caractéristiques de température, on peut imaginer, par exemple, de prévoir un circuit de correction pour former une tension de réglage qui varie en fonction de la température dans un étage qui succède au système de convertisseur C-T afin d'ajuster l'écart provoqué par les caractéristiques de température. Cependant, pour former la tension de réglage comportant les caractéristiques de température, il est nécessaire de prévoir séparément une partie formant circuit de correction dans un agencement de circuit complexe, ce qui implique une augmentation de la superficie des circuits intégrés et un accroissement du coût. Il est également possible de corriger les caractéristiques de température en s'appuyant sur un traitement numérique complexe de signaux, mais cependant là encore au prix d'une augmentation du coût. Compte tenu des problèmes ci-dessus, l'invention vise à réaliser un détecteur capacitif de grandeurs physiques, à constitution simple, capable de corriger les caractéristiques de température du système de détecteur. Pour atteindre l'objectif ci-dessus, un détecteur capacitif de grandeurs physiques comprend un système de détecteur dont la capacité varie en fonction d'une variation de la grandeur physique, et un système de convertisseur C-T du type à capacité commutée, qui convertit en tension une variation de la capacité du système de détecteur. Selon un premier aspect, le système de convertisseur C-T comprend un amplificateur opérationnel, un condensateur de rétroaction disposé entre une borne d'entrée et une borne de sortie de l'amplificateur opérationnel, et un moyen de commutation monté en parallèle avec le condensateur de rétroaction. Le détecteur capacitif de grandeurs physiques comprend en outre un circuit générateur de tension de référence servant à appliquer une tension de référence à la borne d'entrée non inversée de l'amplificateur opérationnel, et un circuit générateur de tension d'excitation pour appliquer une tension d'excitation au système de détecteur, au moins une parmi la capacité de rétroaction du condensateur de rétroaction, la tension de référence formée par le circuit générateur de tension de référence ou la tension d'excitation formée par le circuit générateur de tension d'excitation étant modifiée en fonction de la température de façon à corriger les caractéristiques de température du système de détecteur (caractéristiques de sensibilité liées à la température). Dans le détecteur capacitif de grandeurs physiques muni du système de convertisseur C-T du type à capacité commutée qui convertit en tension une variation de la capacité du système de détecteur, la tension Vs, après avoir subi la conversion C-T, peut être exprimée par la formule suivante: Vs=AC/CfxV+Vr ---(1) où AC désigne la valeur de la variation de capacité du système de détecteur suite à une variation de la grandeur physique, Cf désigne la valeur de rétroaction du 35 condensateur de rétroaction, V est une tension d'excitation du système de détecteur et Vr est une tension de référence appliquée à la borne d'entrée non inversée de l'amplificateur opérationnel. Lorsque le système de détecteur a des caractéristiques de température, AC dans la formule (1) varie en fonction de la température même s'il n'y a pas de variation de la grandeur physique. Cependant, avec le présent détecteur, la capacité de rétroaction Cf du condensateur de rétroaction, et/ou la tension de référence Vr formée par le circuit générateur de tension de référence et/ou la tension d'excitation V formée par le circuit générateur de tension d'excitation, varient en fonction de la température afin de corriger les caractéristiques de température du système de 1 o détecteur. Par conséquent, on n'a pas besoin de prévoir séparément la partie formant circuit de correction d'un agencement complexe dans le stade succédant au système de convertisseur C-T, et les caractéristiques de température du système de détecteur peuvent être corrigées en s'appuyant sur une constitution simple. En particulier, le condensateur de rétroaction peut être constitué en intercalant un film de réglage de capacité à caractéristiques de température prédéterminées entre une paire d'électrodes de rétroaction qui sont disposées en regard l'une de l'autre et espacées l'une de l'autre. Dans ce cas, le film servant à régler la capacité est celui qui a des caractéristiques de température permettant de corriger les caractéristiques de température du système de détecteur et dont la constante diélectrique spécifique ne varie pas ou varie seulement dans une faible mesure selon la variation de la grandeur physique (humidité). Comme agencement pour détecter l'humidité, par exemple, le système de détecteur comporte une paire d'électrodes de détection disposées dans le même plan du substrat, en regard l'une de l'autre et espacées l'une de l'autre, un film sensible à l'humidité ayant des caractéristiques de température disposé sur le substrat de manière à couvrir la paire d'électrodes de détection et à couvrir la distance entre la paire d'électrodes de détection, et une paire d'électrodes de référence disposées dans le même plan du substrat en regard l'une de l'autre et espacées l'une de l'autre, et le condensateur de rétroaction comprend une paire d'électrodes de rétroaction disposées dans le même plan du substrat en regard l'une de l'autre et espacées l'une de l'autre, et un film de réglage de capacité disposé sur le substrat de manière à couvrir la paire d'électrodes de rétroaction et à couvrir la distance entre les électrodes de la paire d'électrodes de rétroaction. Dans le cas de l'agencement pour détecter l'humidité, le film de réglage de capacité peut être un film perméable à l'humidité ayant des propriétés de perméabilité à l'humidité et des caractéristiques de température prédéterminées, ou peut être un film de réglage de capacité comportant un film sensible à l'humidité ayant des caractéristiques de température prédéterminées et un film non perméable à l'humidité formé sur le film sensible à l'humidité et ayant une propriété d'imperméabilité à l'humidité. Il est souhaitable que les électrodes de la paire d'électrodes de détection, les électrodes de la paire d'électrodes de référence et les électrodes de la paire d'électrodes de rétroaction soient respectivement disposées comme des dents d'un peigne. Les électrodes en forme de dents de peigne permettent d'agrandir les surfaces en regard et donc d'accroître l'ampleur des variations de capacité entre les électrodes. En outre, le substrat est un substrat semi-conducteur ayant un premier film isolant par rapport aux électrodes de détection, aux électrodes de référence et aux électrodes de rétroaction, et comportant un deuxième film isolant entre les électrodes de détection et le film sensible à l'humidité et entre les électrodes de rétroaction et le film de réglage de capacité. On peut utiliser comme substrat un substrat isolant tel qu'un substrat en verre. L'utilisation d'un substrat semi-conducteur pourvu d'un film isolant permet d'utiliser un processus à semi-conducteur. Cela permet de réduire le coût de fabrication. Par ailleurs, le deuxième film isolant empêche la corrosion sur les électrodes de détection et sur les électrodes de rétroaction. En outre, le circuit générateur de tension de référence comporte une résistance variable ayant un coefficient de température prédéterminé et une résistance sans dépendance à la température, qui sont montées en série, et une tension de source d'électricité est appliquée sur les deux résistances pour produire comme potentiel de point neutre une tension de référence qui varie en fonction de la température. Selon cet agencement, il est possible de former la tension de référence à caractéristiques de température malgré la simplicité de l'agencement, et les caractéristiques de température du système de détecteur peuvent être corrigées. En outre, le circuit générateur de tension d'excitation comprend plusieurs résistances variables ayant différents coefficients de température et moyens de sélection pour sélectionner une résistance variable connectée à la tension de source d'électricité parmi les résistances variables d'après un signal de détection fourni par le détecteur de température, et une tension d'excitation qui varie en fonction de la température est produite comme potentiel de point neutre entre la résistance variable sélectionnée par le moyen de sélection et la résistance sans dépendance à la température. Comme représenté par la formule (1), la tension d'excitation V a une relation (V = a/AC (a: constante)) qui est inversement proportionnelle aux caractéristiques de température du système de détection, c'est-à-dire inversement proportionnelle aux caractéristiques de température AC. Par conséquent, à la différence de la capacité de rétroaction Cf et de la tension de référence Vr, les caractéristiques de température de la tension d'excitation V décrivent une courbe. Cependant, l'agencement du circuit devient complexe si la correction est effectuée d'après une courbe. Par conséquent, dans le présent détecteur, plusieurs résistances variables ayant différents coefficients de température subissent une inversion et une courbe de caractéristiques de température voulues est approchée par des droites. Cela permet de corriger les caractéristiques de température du système de détecteur en s'appuyant sur la tension d'excitation V malgré la simplicité de l'agencement. L'invention sera mieux comprise à l'étude de la description détaillée d'un mode de réalisation pris à titre d'exemple non limitatif et illustré par les dessins annexés sur lesquels: les figures 1A 1B sont des vues schématiques illustrant l'agencement d'un détecteur capacitif d'humidité selon une première forme de réalisation, la Fig. lA étant une vue en plan et la Fig. 1B étant une vue en coupe suivant la ligne IB-IB de la Fig. 1A; la Fig. 2 est un schéma de principe représentant un circuit de détection; la Fig. 3 est un chronogramme du circuit de détection; la Fig. 4 est un graphique illustrant les caractéristiques de température d'un système de détecteur; la Fig. 5 est un graphique illustrant les caractéristiques de température d'un condensateur de rétroaction pour corriger les caractéristiques de température du système de détection; les figures 6A 6B sont des vues schématiques illustrant l'agencement d'un condensateur de rétroaction, la Fig. 6A étant une vue en plan et la Fig. 6B étant une vue en coupe suivant la section VIB-VIB de la Fig. 6A; les figures 7A 7B sont des illustrations d'un exemple de variante du condensateur de rétroaction, la Fig. 7A étant une vue en plan et la Fig. 7B étant une vue en coupe suivant la section VIIB-VIIB de la Fig. 7A; la Fig. 8 est un graphique illustrant les caractéristiques de température de la tension de référence servant à corriger les caractéristiques de température du système de détecteur selon une deuxième forme de réalisation; la Fig. 9 est un schéma illustrant l'agencement d'un circuit générateur de tension de référence; la Fig. 10 est un graphique illustrant les caractéristiques de température de la tension d'excitation pour corriger les caractéristiques de température du système de détecteur selon une troisième forme de réalisation; et la Fig. 11 est un schéma illustrant l'agencement d'un circuit générateur de tension d'excitation. En référence aux dessins, on va maintenant décrire une forme de réalisation préférée. Dans une première forme de réalisation, le détecteur capacitif pour grandeurs physiques est décrit en tant que détecteur capacitif d'humidité. (Première forme de réalisation) La Fig. 1 est une vue représentant schématiquement l'agencement d'un détecteur capacitif d'humidité selon la présente forme de réalisation, la Fig. lA étant une vue en plan et la Fig. 1B étant une vue en coupe suivant la ligne IB-IB de la Fig. 1A. Sur la Fig. 1A qui représente le système de détecteur, les électrodes et les câblages sont partiellement représentés par transparence et la partie formant circuit est omise. Sur la Fig. 1B, le repère 10 désigne un substrat semi-conducteur, qui est en silicium dans la présente forme de réalisation. Un film 20 d'oxyde de silicium constitue un film isolant sur la surface supérieure du substrat 10 semi-conducteur. En outre, une paire d'électrodes de détection 31 et 32 sont disposées dans le même plan sur le film 20 d'oxyde de silicium, en regard l'une de l'autre et espacées l'une de l'autre. Il n'y a aucune limitation particulière quant à la forme des électrodes de détection 31 et 32. Cependant, dans la présente forme de réalisation, les électrodes de détection 31 et 32 se présentent sous la forme de dents de peigne, comme représenté sur la Fig. 1A. L'emploi de la forme en dents de peigne permet de réduire la surface pour l'installation des électrodes de détection 31, 32 tout en accroissant les surfaces de celles-ci en regard l'une de l'autre. Cela contribue à accroître l'ampleur de la variation de la capacité entre les électrodes de détection 31 et 32, laquelle varie en accompagnant la variation de l'humidité ambiante et donc la sensibilité du détecteur capacitif 100 d'humidité s'en trouve accrue. Les électrodes de détection 31 et 32 sont formées en déposant un matériau de câblage tel que de l'aluminium, du cuivre, de l'or, du platine ou du silicium polycristallin sur le substrat semi-conducteur 10 par vaporisation ou pulvérisation suivie de la formation d'un motif en dents de peigne par traitement photolithographique. Dans la présente forme de réalisation, les électrodes de détection 31 et 32 sont formées à l'aide d'aluminium. En outre, à proximité des électrodes de détection 31 et 32, la paire d'électrodes de référence 33 et 34 sont disposées dans le même plan sur le film d'oxyde de silicium 20, en regard l'une de l'autre mais espacées l'une de l'autre. Les électrodes de référence 33 et 34 sont formées à l'aide de la même matière que les électrodes de détection 31 et 32 et avec le même motif. Un film 40 de nitrure de silicium constitue un film de protection sur le substrat 10 semi-conducteur afin de couvrir les électrodes de détection 31, 32 et les électrodes de référence 33, 34. Le film de nitrure de silicium 40 est déposé en conservant la même épaisseur sur chaque partie du substrat 10 semi-conducteur, par exemple par un procédé CVD activé au plasma. Si les électrodes de détection 31, 32 et les électrodes de référence 33, 34 présentent une résistance à la corrosion provoquée par l'eau, le film de protection (film 40 de nitrure de silicium) peut cependant ne pas être formé. Sur la Fig. 1A, par commodité, le film de nitrure de silicium n'est pas représenté Sur le film 40 en nitrure de silicium est formé un film 50 sensible à l'humidité, par exemple en polymère du type polyimide, possédant une propriété hygroscopique de façon à couvrir les électrodes de détection 31, 32 et à couvrir la distance entre les électrodes de détection 31 et 32. Le film 50 sensible à l'humidité est formé en appliquant le polymère du type polyimide par le procédé d'application par centrifugation ou le procédé par impression, après quoi le film est chauffé et polymérisé. Dans le détecteur capacitif 100 d'humidité ainsi agencé, lorsque l'eau contenue dans celui-ci et ayant une forte constante diélectrique spécifique pénètre par perméabilité dans le film 50 sensible à l'humidité, la constante diélectrique spécifique du film 50 sensible à l'humidité varie en fonction de la quantité d'eau qui a traversé. Cela provoque un changement de la capacité du condensateur constituée par les électrodes de détection 31, 32 avec le film 50 sensible à l'humidité faisant partie du diélectrique. En revanche, les électrodes de référence 33 et 34 ne sont pas pourvues du film 50 sensible à l'humidité. Par conséquent, la capacité du condensateur constituée par les électrodes de référence 33, 34 ne varie pas ou ne varie que peu. La quantité d'eau contenue dans le film 50 sensible à l'humidité varie en fonction de l'humidité ambiante du détecteur capacitif 100 d'humidité. Par conséquent, l'humidité peut être détectée d'après une différence entre la capacité sur les électrodes de détection 31, 32 et la capacité sur les électrodes de référence 33, 34. La partie de l'agencement ci-dessus représente le système de détecteur 60, la partie comportant les électrodes de détection 31, 32 et le film 50 sensible à l'humidité représente le système de détection 61 et la partie comportant les électrodes de référence 33, 34 représente le système de référence 62 de l'invention. Considérant la Fig. 1A, les électrodes de détection 31, 32 et les électrodes de référence 33, 34 comportent des plots 31a, 32a, 33a, 34a formés à leurs extrémités et constituant des bornes extérieures de connexion, et elles sont électriquement connectées à une partie formant circuit 70 qui comporte un circuit de conversion C-T qui sera décrit plus loin, par l'intermédiaire des plots 31a, 32a, 33a et 34a. Comme représenté sur la Fig. 1B, la partie formant circuit 70 est constituée par des transistors CMOS 71, et un changement dans la capacité du système de détecteur 60 est traité à l'aide de signaux dans la partie formant circuit 70. Pour mieux la distinguer, la partie formant circuit 70 est hachurée sur la Fig. 1A. Dans le détecteur capacitif 100 d'humidité selon la présente forme de réalisation décrit ci-dessus, la partie formant circuit 70, y compris le système de détecteur 60 et les transistors CMOS 71, est intégrée sur le même substrat 10 semi-conducteur pour former le détecteur capacitif 100 d'humidité de petites dimensions. Par ailleurs, le détecteur capacitif 100 d'humidité est constitué par une matière qui peut être fabriquée à l'aide d'une chaîne de fabrication de semi-conducteurs ordinaire afin de réaliser un détecteur capacitif 100 d'humidité d'un faible coût. Ensuite, la Fig. 2 représente le circuit de détection dans le détecteur capacitif 100 d'humidité selon la présente forme de réalisation. La partie formant circuit 70 dans le détecteur capacitif 100 d'humidité selon la présente forme de réalisation comprend un circuit de conversion C-T 80 du type à capacité commutée. Le circuit de conversion C-T 80 est constitué par un amplificateur opérationnel 81, un condensateur de rétroaction 82 ayant une capacité Cf, et un commutateur 83. Une charge électrique égale à une différence entre la charge électrique proportionnelle à la capacité Cl sur les électrodes de détection 31, 32 qui constituent le système de détection 61 et la charge électrique proportionnelle à la capacité C2 sur les électrodes de référence 33, 34 constituant le système de référence 62, est accumulée dans le condensateur de rétroaction 82 et est convertie en tension. La borne d'entrée inversée de l'amplificateur opérationnel 81 est connectée à l'électrode de détection 31 et à l'électrode de référence 34 par l'intermédiaire des plots 31a et 34a. Entre la borne d'entrée inversée et la borne de sortie, le condensateur de rétroaction 82 et le commutateur 83 sont montés en parallèle. Par ailleurs, un circuit 90 générateur de tension de référence est connecté à la borne d'entrée non inversée afin d'appliquer une tension de référence Vr. Par ailleurs, la partie formant circuit 70 comporte un circuit 91 générateur de tension d'excitation qui reçoit du plot 32a, par l'intermédiaire de la borne de détection 32 du système de détection 61, des porteuses P1 qui varient périodiquement en maintenant une amplitude prédéterminée (0 à v), et reçoit du plot 33a, par l'intermédiaire de l'électrode de référence 33 du système de référence 62, les porteuses P2 à déphasage de 180 degrés par rapport aux porteuses P1 et maintenant la même amplitude. Le commutateur 83 est fermé/ouvert par un signal de déclenchement formé en synchronisme avec les signaux d'horloge fournis par le circuit 91 générateur de tension d'excitation. Considérant, par exemple, la Fig. 3, le commutateur 83 est réglé de façon à être fermé seulement pendant un laps de temps prédéterminé (une durée plus courte qu'une demi-période des porteuses Pl) à un instant de montée des porteuses P1 (instant d'ouverture des porteuses P2). Considérant la Fig. 3, lorsque le commutateur 83 est fermé au cours de la période de détection T1, le condensateur de rétroaction 82 se décharge et est remis à la tension de référence Vr. Ensuite, le commutateur 83 est ouvert pour terminer l'opération de remise à la tension de référence. Ensuite, lorsque les porteuses P1 et P2 sont inversées, une charge électrique (Cl C2) x V est libérée d'entre les électrodes de détection 31, 32 et d'entre les électrodes de référence 33, 34 et s'accumule dans le condensateur de rétroaction 82. La Fig. 3 représente un chronogramme pour le circuit de détection. Par conséquent, la borne de sortie de l'amplificateur opérationnel 81 produit une tension Vs qui dépend de la différence de capacité (Cl C2) du système de détecteur 60 et de l'amplitude V, la tension de référence Vr servant de référence. La tension Vs est donnée par la formule suivante: Vs = (Cl C2)/Cf x V + Vr --- (2) Dans ce cas, la capacité C2 du système de référence 62 ne varie pas ou ne varie que peu en fonction de la variation de l'humidité ambiante, tandis que la capacité Cl du système de détection 61 varie. Par conséquent, au moment de la détection de la tension Vs exprimée par la formule (2), l'humidité peut être détectée. Ensuite, la tension Vs est traitée à l'aide de signaux dans le circuit de traitement de signaux pourvu d'un circuit d'amplification et d'un filtre passe-bas et elle est détectée en tant que signal de détection d'humidité. Ici, la capacité est formée en intercalant le film 50 sensible à l'humidité entre les électrodes de détection 31 et 32, comme dans le détecteur capacitif 100 d'humidité pour détecter une variation de la capacité provoquée par une variation de la constante diélectrique spécifique du film 50 sensible à l'humidité. Par conséquent, lorsque les propriétés d'absorption/libération d'humidité du film 50 sensible à l'humidité (c'est-à-dire les caractéristiques de température) diffèrent suivant la température, il apparaît également des caractéristiques de température (caractéristiques de sensibilité en fonction de la température) dans la variation de la capacité du système de détection 61, c'est-à-dire également dans la variation de la capacité du système de détecteur 60. Dans ce cas, il se produit une différence dans les caractéristiques du signal de sortie du détecteur, selon la température. Considérant, par exemple, la Fig. 4, le système de détecteur 60 présente une variation de capacité de 1 pF à 25 C en fonction d'une variation de 0% d'humidité relative à 100% d'humidité relative, et de caractéristiques de température de 5000 ppm/ C (c'est-à-dire 0,1 pF/20 C). Dans ce cas, si Cf = 5,0 pF, Vr = 2,5 V et V = 5,0 V, les variations de la capacité, par exemple à 5 C et 45 C, sont de 0,1 pF par rapport à celle de 25 C à 100% d'humidité relative. La Fig. 4 est un diagramme illustrant les caractéristiques de température du système de détecteur 60. Par conséquent, selon la présente forme de réalisation, les caractéristiques de température du système de détecteur 60 sont corrigées par la capacité de rétroaction Cf du condensateur de rétroaction 82 qui constitue le circuit de conversion C-T 80. Pour corriger les caractéristiques de température du système de détecteur 60 représenté sur la Fig. 4, par exemple, les caractéristiques de température de 0,5 pF/20 C peuvent être données à la capacité de rétroaction Cf d'après la relation de la formule 2, comme illustré sur la Fig. 5. La Fig. 5 est un diagramme illustrant les caractéristiques de température de la capacité de rétroaction Cf pour corriger les caractéristiques de température du système de détecteur 60. Concrètement, pour donner des caractéristiques de température prédéterminées à la capacité de rétroaction Cf, le condensateur de rétroaction 82 est constitué en intercalant un film de réglage de capacité, ayant des caractéristiques de température prédéterminées, entre une paire d'électrodes de rétroaction disposées en regard l'une de l'autre et espacées l'une de l'autre. Comme film de réglage de capacité, il est souhaitable d'utiliser le film ayant des caractéristiques de température telles qu'elles corrigent les caractéristiques de température du système de détecteur 60, et dont la constante diélectrique spécifique ne varie pas ou ne varie que peu malgré une variation de l'humidité. 1 o Considérant les figures 6A et 6B, les électrodes de rétroaction 82a et 82b de la présente forme de réalisation sont disposées dans le même plan sur un film 20 d'oxyde de silicium, en regard l'une de l'autre et espacées l'une de l'autre. La Fig. 6 est une vue illustrant schématiquement l'agencement du condensateur de rétroaction 82, la Fig. 6A étant une vue en plan et la Fig. 6B étant une vue en coupe suivant la ligne de coupe VIB-VIB de la Fig. 6A. Les électrodes de rétroaction 82a et 82b sont faites de la même matière que celle des électrodes de détection 31, 32 et sont dotées du même motif. En outre, le film 40 de nitrure de silicium constitue un film de protection sur le substrat 10 semi-conducteur demanière à couvrir les électrodes de rétroaction 82a et 82b. Sur le film 40 de nitrure de silicium est en outre formé un film 82c laissant passer l'humidité par imperméabilité, ce film étant par exemple en gel de silicium et servant de film de réglage de capacité, couvrant les électrodes de rétroaction 82a, 82b et couvrant la distance entre les électrodes de rétroaction 82a et 82b. Le film 82c perméable à l'humidité a été réglé de manière à posséder des caractéristiques de température prédéterminées tout en conservant une propriété de perméabilité à l'humidité, et la capacité de rétroaction Cf varie, en fonction de la température, de manière à compenser les caractéristiques de température du système de détecteur 60. Par conséquent, le détecteur capacitif 100 d'humidité selon la présente forme de réalisation est du type dans lequel le condensateur de rétroaction 82 qui constitue le circuit de conversion C-T 80 est simplement pourvu d'un film 82c perméable à l'humidité, ayant des caractéristiques de température qui reposent sur un procédé à semiconducteurs pour former le détecteur 100. Par conséquent, malgré un agencement analogique simple, le détecteur 100 corrige les caractéristiques de température (caractéristiques de sensibilité en fonction de la température) du système de détecteur 60. Dans la présente forme de réalisation, en particulier, le film 50 sensible à l'humidité est simplement remplacé par le film 82c perméable à l'humidité dans l'agencement du système de détection 61, ce qui permet une simplification de l'agencement. Le film de réglage de capacité ne se limite pas au seul film 82c perméable à l'humidité. Comme représenté, par exemple, sur les figures 7A et 7B, le film de réglage de capacité peut être constitué par le film 50 sensible à l'humidité qui est disposé de façon à couvrir les électrodes de rétroaction 82a, 82b et à couvrir la distance entre les électrodes de rétroaction 82a et 82b, et par un film 82d imperméable à l'humidité formé sur le film 50 sensible à l'humidité et ayant une propriété d'imperméabilité à l'humidité. Dans ce cas, le film 50 sensible à l'humidité qui amène le système de détecteur 60 à posséder des caractéristiques de température est couvert par le film 82d imperméable à l'humidité, lequel, par exemple, est un film en oxyde de silicium ou un film en nitrure de silicium (un film en nitrure de silicium dans la présente forme de réalisation) de façon que la capacité de rétroaction Cf ne soit pas modifiée par l'humidité. Par conséquent, cela rend possible une correction plus précise des caractéristiques de température. On peut utiliser comme film sensible à l'humidité constituant le condensateur de rétroaction 82 un film différent du film 50 sensible à l'humidité présent dans le système de détection 61. Cependant, si on utilise les mêmes films, les caractéristiques de température deviennent identiques et l'agencement peut être simplifié, ce qui constitue un avantage. (Deuxième forme de réalisation) En référence aux figures 8 et 9, on va maintenant décrire une deuxième forme de réalisation. La Fig. 8 est un diagramme illustrant les caractéristiques de température de la tension de référence pour corriger les caractéristiques de température du système de détecteur 60 représenté sur la Fig. 4, et la Fig. 9 est un schéma illustrant l'agencement du circuit 90 générateur de tension de référence pour donner des caractéristiques de température prédéterminées à la tension de référence Vr. Le détecteur capacitif 100 d'humidité selon la deuxième forme de réalisation possède beaucoup d'analogie avec celui de la première forme de réalisation. Par conséquent, les parties communes ne sont pas décrites en détail, en revanche les 35 parties différentes sont décrites en détail. La deuxième forme de réalisation diffère de la première forme de réalisation en ce qui concerne les caractéristiques de température du système de détecteur 60, qui sont corrigées par la tension de référence Vr. Dans la présente forme de réalisation, les caractéristiques de température du système de détecteur 60 sont corrigées par la tension de référence Vr appliquée à la borne d'entrée non inversée de l'amplificateur opérationnel 81 qui constitue le circuit de conversion C- T 80. Afin de corriger les caractéristiques de température du système de détecteur 60, représenté par exemple sur la Fig. 4 de la première forme de réalisation, les caractéristiques de température de 0,1 V/20 C peuvent être données à la tension de référence Vr d'après la relation de la formule 2, comme illustré sur la Fig. 8. Concrètement, comme représenté sur la Fig. 9, le circuit 90 générateur de tension de référence pour produire la tension de référence Vr est constitué en montant en série une résistance variable 90a à coefficient de température prédéterminé et une résistance 90b sans dépendance à la température. Une tension Vdd de source d'électricité est appliquée sur les deux résistances 90a et 90b pour former la tension de référence Vr qui est un potentiel de point neutre variant en fonction de la température. Comme décrit plus haut, le détecteur capacitif 100 d'humidité selon la présente forme de réalisation, malgré son agencement simple, permet lui aussi de corriger les caractéristiques de température du système de détecteur 60 (caractéristiques de sensibilité en fonction de la température). La résistance 90b ne se limite pas à celle sans dépendance à la température. Même si la résistance 90b a une dépendance à la température différente de celle de la résistance 90a, une différence affectant le coefficient de température peut être maintenue entre les résistances 90a et 90b pour donner au potentiel de point neutre une dépendance à la température. (Troisième forme de réalisation) Une troisième forme de réalisation va maintenant être décrite en référence aux vues en coupe des figures 10 et 11 illustrant le détecteur capacitif 10 d'humidité. La Fig. 10 est un diagramme illustrant les caractéristiques de température de la tension d'excitation pour corriger les caractéristiques de température du système de détecteur 60 représenté sur la Fig. 4, et la Fig. 11 est un schéma illustrant l'agencement d'un circuit 91 générateur de tension d'excitation servant à donner des caractéristiques de température prédéterminées à la tension d'excitation V. Le détecteur capacitif 100 d'humidité selon la troisième forme de réalisation présente beaucoup d'analogie avec celui de la première forme de réalisation. Par conséquent, les parties communes ne sont pas décrites en détail, mais les parties différentes sont décrites en détail. La troisième forme de réalisation diffère de la première forme de réalisation en ce que les caractéristiques de température du système de détecteur 60 sont corrigées par la tension d'excitation V. Dans la présente forme de réalisation, les caractéristiques de température du système de détecteur 60 sont corrigées par la tension d'excitation V (porteuses P1, P2) appliquée au système de détecteur 60. Cependant, d'après la relation de la formule 2, la tension d'excitation présente une relation inversement proportionnelle (V = a/AC (a étant une constante)) par rapport aux caractéristiques de température de la variation de capacité AC (Cl C2). Par conséquent, à la différence de la capacité de rétroaction Cf et de la tension de référence Vr, les caractéristiques de température de la tension d'excitation V prennent la forme représentée par une courbe (indiquée par un trait discontinu) représentée sur la Fig. 10. Si on cherche à effectuer la correction à l'aide de la courbe, l'agencement du circuit 91 générateur de tension d'excitation devient donc complexe. Selon la présente forme de réalisation représentée sur la Fig. 10, une courbe de caractéristiques de température voulues est par conséquent approchée en reliant des droites (lignes en trait continu sur le dessin) ayant différentes inclinaisons, de manière à corriger les caractéristiques de température du système de détecteur 60 en s'appuyant sur un agencement simple. Concrètement, comme représenté sur la Fig. 11, le circuit 91 générateur de tension d'excitation pour former la tension d'excitation V est constitué par plusieurs résistances variables 91a, 92b ayant différents coefficients de température, et plusieurs moyens de sélection 91d à 91f pour sélectionner la résistance variable 91a, 91b à connecter à la tension Vdd de source d'électricité parmi les diverses résistances variables 91a, 91b, à partir d'un signal de détection fourni par le détecteur 91c de température. La tension d'excitation V qui varie en fonction de la température est produite comme potentiel de point neutre entre une résistance 91g sans dépendance à la température et la résistance variable 91a (91b) sélectionnée par les moyens de sélection 91d à 91f. Plus concrètement, le détecteur 91c de température envoie, aux moyens de sélection 91d à 91f, un signal LOW lorsque la température est inférieure à une valeur prédéterminée et un signal HI lorsqu'elle est forte, de telle manière que la connexion de la résistance 91g aux deux résistances variables 91a, 91b est inversée avec comme limite une température prédéterminée. Le moyen de sélection comprend deux transistors 91d et 91e et un inverseur 91f. Le signal du détecteur est directement transmis au transistor 91d connecté à la résistance variable 91a, et un signal inversé à l'aide de l'inverseur 91f (par exemple, le signal HI est délivré lorsque le signal LOW est reçu) est transmis au transistor 91e connecté à la résistance variable 91b. Par conséquent, lorsque le signal du détecteur 91c de température est le signal LOW, le transistor 91d devient bloquant et le transistor 91e devient passant. Ainsi, la tension Vdd de source d'électricité est appliquée entre la résistance variable 91b et la résistance 91g, et le potentiel de point neutre est délivré comme tension d'excitation V. Lorsque le signal du détecteur 91c de température est le signal HI, le transistor 91d devient passant et le transistor 91e devient bloquant. Ainsi, la tension Vdd de source d'électricité est appliquée entre la résistance variable 91a et la résistance 91g et le potentiel de point neutre est délivré comme tension d'excitation V. Ainsi, la courbe des caractéristiques de température voulues peut être approchée en reliant des droites à différentes inclinaisons, la température prédéterminée servant de limite. Comme décrit plus haut, le détecteur capacitif 100 d'humidité selon la présente forme de réalisation permet de corriger les caractéristiques de température du système de détecteur 60 (caractéristiques de sensibilité en fonction de la température) malgré son agencement simple. La présente forme de réalisation a porté sur un exemple d'approximation par des droites en inversant les deux résistances variables 91a et 91b. Cependant, le nombre des résistances variables ne se limite pas à deux. Dans la présente forme de réalisation également, lorsque la résistance 91g a une dépendance à la température différente de celles des résistances variables 91a et 91b comme la résistance 90b de la deuxième forme de réalisation, une différence de coefficient de température peut être maintenue entre les résistances 91a et 91b (ou entre les résistances 91b et 91g), ce qui permet au potentiel de point neutre de posséder une dépendance à la température. Bien que les modes de réalisation préférés ont été décrits ci-dessus, l'invention n'est pas limitée à ces modes de réalisation mais peut être mise en pratique par une multitude de moyens. La présente forme de réalisation a porté sur le détecteur capacitif 100 d'humidité détectant l'humidité d'après une variation de la capacité, en tant que 35 détecteur capacitif de grandeurs physiques. Cependant, l'invention peut en outre être appliquée à un agencement permettant de détecter des grandeurs physiques telles que l'accélération, la vitesse angulaire ou la pression à partir d'une variation de la capacité, le détecteur étant alors équipé du circuit de conversion C-T 80 à agencement à capacité commutée pour convertir la variation de capacité en tension, et le signal délivré par le détecteur variant en fonction de la température. La présente forme de réalisation a porté sur un exemple d'utilisation du substrat semi-conducteur 10 en silicium comme substrat, les électrodes de détection 31, 32, les électrodes de référence 33, 34 et les électrodes de rétroaction 82a, 82b étant formées sur le substrat semi-conducteur 10 à travers le film 20 de nitrure de silicium. Si on utilise comme substrat le substrat semi-conducteur 10, de la manière décrite plus haut, le détecteur capacitif 100 d'humidité peut être formé à l'aide d'un procédé à semi-conducteur couramment employé, ce qui réduit le coût de fabrication. Cependant, on peut en outre utiliser comme substrat un substrat isolant tel qu'un substrat en verre. Il a en outre été décrit un exemple de formation du film 50 sensible à l'humidité sur le film 40 de nitrure de silicium constituant le film de protection. Cependant, si le film 40 de nitrure de silicium n'est pas formé, le film 50 sensible à l'humidité peut être formé sur le film 20 d'oxyde de silicium. Si le substrat est un substrat isolant inorganique tel qu'un substrat en verre, le film 50 sensible à l'humidité peut en outre être directement formé sur le substrat isolant. Par ailleurs, la forme de réalisation a porté sur un exemple dans lequel les électrodes de détection 31, 32, les électrodes de référence 33, 34 et les électrodes de rétroaction 82a, 82b avaient une structure en dents de peigne. Cependant, les électrodes formant la capacité ne se limitent pas à celles ayant la structure ci-dessus. Par exemple, on peut employer les électrodes du type en plaque plane parallèle. La forme de réalisation a porté sur un exemple dans lequel les caractéristiques de température du système de détecteur 60 étaient corrigées par l'une quelconque des capacité de rétroaction Cf, tension de référence Vr et tension d'excitation V. Cependant, les caractéristiques de température du système de détecteur 60 peuvent être corrigées, en combinaison, par la capacité de rétroaction Cf, la tension de référence Vr et la tension d'excitation V. De plus, les agencements du circuit 90 générateur de tension de référence et du circuit 91 générateur de tension d'excitation ne se limitent pas à ceux décrits plus haut. REVENDICATIONS 1. Détecteur capacitif (100) de grandeurs physiques, comprenant: un système de détecteur (60) dont la capacité varie en fonction d'une variation de la grandeur physique; un système de conversion C-T (80) du type à capacité commutée qui convertit en tension une variation de la capacité dudit système de détecteur (60) ; ledit système de conversion CT (80) comprenant un amplificateur opérationnel (81), un condensateur de rétroaction (82) disposé entre une borne d'entrée et une borne de sortie dudit amplificateur opérationnel (81), et un moyen de commutation (83) monté en parallèle avec ledit condensateur de rétroaction (82) ; et un circuit (90) générateur de tension de référence pour appliquer une tension de référence à la borne d'entrée non inversée dudit amplificateur opérationnel, et un circuit (91) générateur de tension d'excitation pour appliquer une tension d'excitation audit système de détecteur (60) ; caractérisé en ce que au moins l'une parmi la capacité de rétroaction dudit condensateur de rétroaction (82), la tension de référence formée par ledit circuit (90) générateur de tension de référence ou la tension d'excitation formée par ledit circuit (91) générateur de tension d'excitation varie en fonction de la température afin de corriger les caractéristiques de température dudit système de détecteur (60). 2. Détecteur capacitif de grandeurs physiques selon la revendication 1, caractérisé en ce que ledit condensateur de rétroaction (82) est constitué en intercalant un film (82c) de réglage de capacité à caractéristiques de température prédéterminées entre une paire d'électrodes de rétroaction (82a, 82b) disposées en regard l'une de l'autre et espacées l'une de l'autre. 3. Détecteur capacitif (100) de grandeurs physiques selon la revendication 2, 30 caractérisé en ce que: ledit système de détecteur (60) comporte une paire d'électrodes de détection (31, 32) disposées dans le même plan d'un substrat (10), en regard l'une de l'autre et espacées l'une de l'autre, un film (50) sensible à l'humidité, à caractéristiques de température, disposé sur le substrat (10) de manière à couvrir ladite paire d'électrodes de détection (31, 32) et à couvrir la distance entre ladite paire d'électrodes de détection, et une paire d'électrodes de référence (33, 34) disposées dans le même plan dudit substrat (10), en regard l'une de l'autre et espacées l'une de l'autre; et ledit condensateur de rétroaction (82) comporte une paire desdites électrodes de rétroaction (82a, 82b) disposées dans le même plan dudit substrat (10), en regard l'une de l'autre et espacées l'une de l'autre, et ledit film (82c) de réglage de capacité disposé sur ledit substrat (10) pour couvrir ladite paire d'électrodes de rétroaction (82a, 82b) et pour couvrir la distance entre les électrodes de ladite paire d'électrodes de rétroaction (82a, 82b). 4. Détecteur capacitif (100) de grandeurs physiques selon la revendication 3, I0 caractérisé en ce que ledit film (82c) de réglage de capacité est un film perméable à l'humidité ayant des caractéristiques de température prédéterminées. 5. Détecteur capacitif (100) de grandeurs physiques selon la revendication 3, caractérisé en ce que ledit film (82c) de réglage de capacité est constitué par ledit film sensible à l'humidité et par un film (82d) imperméable à l'humidité disposé sur ledit film (50) sensible à l'humidité. 6. Détecteur capacitif (100) de grandeurs physiques selon l'une quelconque des revendications 3 à 5, caractérisé en ce que ladite paire d'électrodes de détection (31, 32), ladite paire d'électrodes de référence (33, 34) et ladite paire d'électrodes de rétroaction (82a, 82b) sont respectivement réalisées en dents de peigne. 7. Détecteur capacitif (100) de grandeurs physiques selon l'une quelconque des revendications 3 à 6, caractérisé en ce que ledit substrat (10) est un substrat semi-conducteur ayant un premier film isolant (20) par rapport auxdites électrodes de détection (31, 32), auxdites électrodes de référence (33, 34) et auxdites électrodes de rétroaction (82a, 82b), et ayant un deuxième film isolant (40) entre lesdites électrodes de détection (31, 32) et ledit film (50) sensible à l'humidité et entre lesdites électrodes de rétroaction (82a, 82b) et ledit film (82c) de réglage de capacité. 8. Détecteur capacitif (100) de grandeurs physiques selon l'une quelconque des revendications 1 à 7, caractérisé en ce que ledit circuit (90) générateur de tension de référence comprend une résistance variable (90a) à coefficient de température prédéterminé et une résistance (90b) sans dépendance à la température, qui sont montées en série, et une tension de source d'électricité est appliquée sur les résistances pour former une tension de référence comme potentiel de point neutre qui varie en fonction de la température. 9. Détecteur capacitif (100) de grandeurs physiques selon l'une quelconque 35 des revendications 1 à 8, caractérisé en ce que ledit circuit (91) générateur de tension d'excitation comporte plusieurs résistances variables (91 a, 91 b) ayant différents coefficients de température et des moyens de sélection (91d, 91e) pour sélectionner une résistance variable connectée à la tension de source d'électricité, parmi lesdites résistances variables, en fonction d'un signal de détection délivré par un détecteur de température (91c), et ladite tension d'excitation qui varie en fonction de la température est produite comme potentiel de point neutre entre ladite résistance variable sélectionnée par lesdits moyens de sélection (91d, 91b) et la résistance (91g) sans dépendance à la température.