FR 2859822 A1 20050318 FR 0350547 A 20030916 STRUCTURE D'INTERCONNEXION A FAIBLE CONSTANTE DIELECTRIQUE DESCRIPTION 5 DOMAINE TECHNIQUE La présente invention se rapporte au domaine des interconnexions dans les circuits ou dispositifs microélectroniques. Elle concerne une structure d'interconnexion, par exemple de type Damascène, à faible constante diélectrique, ainsi que divers procédés de réalisation. Ces structures permettent d'interconnecter des lignes de métal dans les dispositifs microélectroniques et s'appliquent en particulier aux interconnexions utilisant du cuivre comme matériaux conducteurs. Par dispositif microélectronique, on entend tout type de circuit électronique tel qu'une puce, un circuit intégré, un microsystème électromécanique, etc. ETAT DE LA TECHNIQUE ANTERIEURE L'amélioration des performances des circuits intégrés (vitesse, faible consommation), a conduit à l'emploi d'un métal meilleur conducteur que l'aluminium pour réaliser des structures d'interconnexion. Le cuivre, qui a une résistivité deux fois plus faible que l'aluminium s'est avéré un bon candidat. La gravure du cuivre n'étant pas maîtrisable industriellement, une méthode appelée méthode B 14350.3 ALP "Damascène" est utilisée pour réaliser des structures d'interconnexions employant du cuivre. Cette méthode met en oeuvre un dépôt d'au moins une couche isolante sur une zone conductrice d'un dispositif microélectronique, suivi d'une gravure de trous et/ou des tranchées dans cette couche isolante, puis du dépôt et du polissage d'au moins une couche conductrice, comme le cuivre, dans les trous et/ou les tranchées. Pour améliorer les performances des circuits intégrés on cherche à réaliser des couche s isolantes avec des matériaux diélectriques de constante diélectrique k de plus en plus faible. Les matériaux diélectriques nouvellement utilisés sont des matériaux communément appelés "matériaux low-k" (en français "matériaux de constante diélectrique k faible"). On définit un matériau "low-k" comme un matériau ayant une constante diélectrique k inférieure à 4,2, valeur correspondant à la constante diélectrique du SiO2 déposé par un procédé plasma. Respectivement un matériau dit high-k (en français "k élevé") est un matériau de constante diélectrique supérieure à 4,2. Les matériaux tels que le SiO2, les matériaux de type USG (USG pour undoped silicon glass , en français oxyde de silicium non dopé ), les matériaux de type SOG silicate ou SOG siloxane (SOG pour spin on glass , en français oxyde de silicium déposé par rotation ) étaient auparavant utilisés pour former la couche isolante dans les structures d'interconnexions. B 14350.3 ALP Ils ont progressivement laissé place à des matériaux de faible constante diélectrique k de structure SiXOFY appelés matériaux FSG (pour fluorinated silicon glass , en français oxyde de silicium dopé au fluor ) de constante diélectrique comprise entre 3 et 3,5, et aux matériaux de type hydrogène silsesquioxane (HSQ) ou méthylsilsesquioxane (MSQ) ou phénylsilsesquioxane. Le but étant d'arriver à intégrer des matériaux diélectriques dont la constante diélectrique est la plus faible possible, on tente de se rapprocher de la constante diélectrique de l'air (égale à 1). Pour cela, les matériaux diélectriques low-k récemment développés ont de plus en plus une nature organique et contiennent des porosités. Ces matériaux présentent l'inconvénient d'être beaucoup plus difficiles à intégrer que les matériaux de nature minérale comme le SiO2. Par ailleurs, dans le cas où la couche isolante est réalisée à base d'un matériau de faible constante diélectrique ou low-k , celui-ci est généralement déposé en couches successives séparées par une couche d'arrêt de gravure par exemple à base de SiO2 ou Si3N4. L'emploi du matériau diélectrique de faible constante diélectrique complexifie donc en général le procédé de réalisation de la couche isolante réalisée ultérieurement. Tant que la couche isolante était de nature inorganique, à base de matériaux tels que le SiO2, les étapes de masquage et de gravure ne posaient aucun problème. La réalisation de structures B 14350.3 ALP d'interconnexions comprenant une couche isolante à base d'un matériau de faible constante diélectrique s'avère beaucoup plus complexe. Tout d'abord, avec une couche isolante à base de matériau organique de faible constante diélectrique, l'étape de masquage nécessite l'emploi d'une couche de masquage plus sélective vis-à-vis du matériau "low-k" qu'une simple couche de résine photosensible. La couche de masquage est donc généralement une couche de masque dur par exemple en SiO2, ou SiC, ou Si3N4 couplée à une couche de résine photosensible ajourée. Ensuite, une fois les trous réalisés, l'élimination de la couche de masquage sans altérer la couche isolante s'avère très délicate. Le procédé pour éliminer la couche de masquage est appelé procédé de "stripping" ou décapage. Ce procédé utilise des solutions de décapage ou de nettoyage ou un plasma 02 qui ont tendance à modifier la nature chimique de la couche isolante, en consommant le carbone compris dans un matériau diélectrique organique et poreux formant la couche isolante. Ceci a pour conséquence d'affaiblir la structure de la couche isolante. Or, il s'avère que plus la constante diélectrique des matériaux diélectriques de nature organique et poreux est faible (critère que l'on recherche), plus la structure de la couche isolante initiale est fragile. Par ailleurs, les solutions de décapage ou de nettoyage ou le plasma 02 ont tendance à pénétrer à l'intérieur des éventuelles porosités du matériau diélectrique, en en modifiant ainsi considérablement la B 14350. 3 ALP nature et peuvent occasionner des phénomènes "d'empoisonnement" de couches déposées ultérieurement. Une méthode pour réaliser les procédés de décapage de la couche de masquage tout en réduisant l'altération de la couche isolante "low-k" est évoquée dans le document [1] référencé à la fin de la présente description. Il s'agit d'utiliser un plasma à base d'hydrogène par exemple N2/H2 à la place des solutions de décapage ou du plasma 02 traditionnels. Cette méthode ne réduit néanmoins que partiellement l'altération de la couche isolante. En outre, et comme déjà indiqué ci-dessus, la constitution de structures d'interconnexions, notamment de type Damascène, comprend une étape de dépôt par exemple par méthode CVD (CVD pour "chemical vapor deposition" ou "dépôt chimique en phase vapeur") ou d'électrolyse d'un matériau métallique. Le matériau métallique a alors tendance à diffuser à travers les parois des trous et pénétrer ainsi dans la couche isolante. Lors de l'utilisation de la structure d'interconnexion, des courants de fuite pourront alors apparaître à cause de la présence de matériau métallique dans la couche isolante. Pour remédier à ce problème, une méthode connue, consiste à réaliser une couche barrière de diffusion à base par exemple de TiN ou TaN sur les parois des orifices verticaux et des tranchées. Cette couche barrière de diffusion est réalisée par exemple par méthode de dépôt chimique en phase vapeur (CVD), ou par exemple par dépôt en phase vapeur de couche atomique (ALCVD, A1CVD signifiant "atomic layer B 14350.3 ALP chemical vapor deposition" selon la terminologie anglo-saxonne) grâce à l'emploi de gaz précurseurs. Mais ces gaz précurseurs ont également tendance à diffuser dans les porosités du matériau diélectrique à faible constante diélectrique. Le document [2] référencé à la fin de la présente description, montre que l'utilisation d'un plasma à base d'hydrogène, par exemple N2/H2, à l'étape de décapage de la résine de masquage, avant l'étape de dépôt de la couche barrière de diffusion, permet d'améliorer l'étanchéité des parois des trous, en plus de supprimer la couche de masquage. Néanmoins l'ensemble du procédé reste complexe et difficile à mettre en oeuvre. EXPOSÉ DE L'INVENTION La présente invention propose un procédé de réalisation d'une structure d'interconnexion comprenant au moins une couche isolante à base d'un matériau diélectrique à faible constante diélectrique plus simple à réaliser que ceux suivant l'art antérieur. De plus l'invention conduit à l'obtention_ de structures d'interconnexions de meilleure qualité qu'avec les procédés suivant l'art antérieur, notamment en permettant au matériau à faible constante diélectrique de rester intact après sa formation. Ainsi, l'invention a pour objet un procédé de réalisation d'une structure d'interconnexion à faible constante diélectrique, comprenant: - la réalisation d'une structure d'interconnexion 30 comportant au moins une couche à base d'un premier B 14350.3 ALP matériau diélectrique, de constante diélectrique k1, et au moins un élément de connexion métallique dans cette couche, - le retrait au moins partiel du premier matériau diélectrique et son remplacement par un deuxième matériau diélectrique de constante diélectrique k2 Ainsi, on réalise l'élément de connexion métallique dans ou à travers une couche isolante à base d'un premier matériau diélectrique de constante diélectrique k1r par exemple du type dont l'intégration est connue et sans que par exemple sa gravure soit complexe. Ce premier matériau diélectrique peut être de nature minérale comme le SiO2 par exemple déposé par plasma, facile à travailler. Ensuite, une fois l'élément de connexion réalisé, on retire tout ou partie du premier matériau diélectrique pour le remplacer par un deuxième matériau diélectrique, de constante diélectrique k2 faible, ayant généralement de meilleures propriétés d'isolation que le premier, mais généralement aussi plus complexe à travailler. De cette manière, on simplifie tout d'abord la réalisation de structures d'interconnexions à faible constante diélectrique. On améliore ensuite la qualité de ces structures, notamment en renforçant la solidité de la couche isolante. En effet, le matériau diélectrique de constante k2 faible, constitutif de la couche isolante finale, est rapporté à la fin du procédé de réalisation; il a donc été préservé d'étapes de masquage, de gravure et de décapage pouvant l'altérer. B 14350.3 ALP Selon un mode de réalisation du procédé, le premier matériau diélectrique peut être de nature inorganique. Il peut être aussi de nature minérale et peut comprendre l'un des matériaux suivants: SiO2, oxyde de silicium fluoré (FSG), oxyde de silicium non dopé (USG), un oxyde de silicium déposé par plasma, un oxyde de silicium dopé au phosphore (PSG) ou dopé au bore (BPSG). kl peut être supérieur ou égal à 3 ou à 3,5 ou à 4,2. Ainsi, le premier matériau diélectrique peut être choisi pour sa simplicité d'intégration, plus que pour ses propriétés isolantes. Les matériaux de nature minérale comme le SiO2, relativement aisés à travailler, ont généralement une constante diélectrique supérieure ou égale à 3. Le deuxième matériau diélectrique peut comprendre un polymère ou être à base d'un polymère tel qu' un poly(silsesquioxane) comme l'hydrogène silsesquioxane (HSQ) ou d'un polymère aromatique tel que le SiLK , le FLARE , le VELOX . Il peut aussi être de nature organique ou à base d'un polymère organique tel que du polyaryléther (PAE), ou du benzocyclobutène (BCB). Selon une variante, le deuxième matériau diélectrique peut être de nature minérale, par exemple à base d'un matériau à base d'oxyde de silicium nano poreux ou d'un oxyde de silicium fluoré. Il peut comporter des porosités. Ainsi, il peut être par exemple à base d'un oxyde de silicium 30 nanoporeux, ou d'un polymère poreux. B 14350.3 ALP La constante diélectrique k2 peut être choisie inférieure à 4,2, ou 3,5, ou 3 auquel cas il s'agit d'un matériau de type low-k présentant de bonnes propriétés isolantes. La constante diélectrique k2 pourra même atteindre une valeur inférieure à 2 selon sa nature (organique ou inorganique, poreuse ou non, etc.) et le procédé de dépôt utilisé. L'élément de connexion métallique peut comprendre un métal ou alliage métallique à base d'un matériau choisi parmi les matériaux suivants: le cuivre, le tungstène, l'aluminium, l'argent, le nickel, l'or, le zinc. Selon un mode de réalisation particulier, le procédé comprend en outre le dépôt d'une couche de soutien à l'élément de connexion métallique. Cette couche de soutien peut servir à maintenir l'élément de connexion métallique lorsque le premier matériau diélectrique est retiré. La couche de soutien peut également permettre de protéger l'élément de connexion métallique contre une attaque chimique telle que par exemple une attaque à l'acide fluorhydrique, lors du retrait du premier matériau diélectrique. La couche de soutien est de préférence insensible au procédé de retrait du premier matériau diélectrique, par exemple réalisé par gravure ou attaque chimique à l'acide fluorhydrique. La couche de soutien est de préférence réalisée dans un matériau de densité d3 supérieure à la densité dl du matériau formant la couche isolante. Elle peut être réalisée à base d'un matériau de constante diélectrique k3 > 4,2, donc d'un matériau de type B 14350.3 ALP high-k , de sorte qu'elle ne fasse pas baisser la conductivité de la structure d'interconnexion. La couche de soutien peut être également réalisée à base d'un matériau réfractaire, de façon à résister à des températures importantes lors d'étapes de procédé ultérieures. Cette couche de soutien peut par exemple être réalisée à base d'un oxyde métallique ou d'un matériau céramique. Elle peut également être réalisée à base d'un matériau diélectrique choisi parmi les matériaux suivants: Hf02r ZrO2, TiO2, Y203, CrO2. Elle peut être également réalisée à base d'un matériau choisi parmi les suivants In203, Sn02r Ga203, CdTe, HgTe, A1N, TiN, NbN, WN, MoN La couche de soutien est de préférence fine et conforme. Elle peut être réalisée par un procédé de dépôt chimique de couche atomique en phase vapeur (ALCVD) qui peut permettre d'obtenir une couche de soutien d'épaisseur très faible, par exemple comprise entre 6 et 8 nanomètres, et uniforme. En ce qui concerne le retrait du premier matériau diélectrique, il peut être réalisé par gravure chimique à l'aide d'une solution à base d'acide fluorhydrique (HF) de vitesse d'attaque et de concentration données. On pourra, suivant la durée de la gravure, retirer partiellement ou totalement le premier matériau diélectrique. Le remplacement du premier matériau diélectrique par le deuxième matériau diélectrique peut comprendre le dépôt du deuxième matériau diélectrique par méthode de dépôt chimique en phase vapeur (CVD), B 14350.3 ALP par revêtement par centrifugation ou par dépôt chimique en phase vapeur assisté par plasma (PECVD ou plasma enhanced CVD selon la terminologie anglo-saxonne). L'invention concerne également un procédé de réalisation d'une structure d'interconnexion, comportant: - la réalisation d'une couche isolante à base d' un matériau diélectrique de densité dl, et d' au moins un trou dans cette couche, - le dépôt, au moins sur les parois du trou, d'une couche, par exemple appelée couche de soutien, - le dépôt, dans le trou, d'un matériau conducteur. La couche de soutien peut comprendre un matériau de constant diélectrique k3>4,2, elle peut également être à base d'un matériau céramique. La couche de soutien est de préférence fine par exemple comprise entre 6 et 8 nanomètres, de sorte qu'elle influe peu sur la valeur de la conductivité globale ou de la constante diélectrique globale de la structure d'interconnexion. La couche de soutien peut comprendre un matériau parmi les suivants: HfO2r ZrO2, TiO2, Y2O3, CrO2r AIN, TiN, NbN, WN, MoN, In2O3, SnO2, Ga2O3, CdTe, HgTe. La présente invention concerne également une structure d'interconnexion comportant: - au moins une couche isolante à base d' un matériau diélectrique, - au moins un élément de connexion métallique formé dans cette couche isolante B 14350.3 ALP - et au moins une couche de soutien à base d'un matériau diélectrique, à base d'un matériau diélectrique, par exemple de constante diélectrique k3 supérieure ou égale à 4,2, enrobant au moins partiellement l'élément de connexion métallique. Selon un mode de réalisation particulier, la couche isolante peut être à base d'un matériau de diélectrique de constante diélectrique faible k2 inférieure à 4,2. La couche de soutien peut comprendre un matériau céramique ou un oxyde métallique, ou encore un matériau parmi les matériaux suivants: HfO2r ZrO2, TiO2, Y203, CrO2. Selon une caractéristique particulière, ladite structure d'interconnexion suivant l'invention peut être comprise dans un micro-système électromécanique (MEMS). BRÈVE DESCRIPTION DES DESSINS La présente invention sera mieux comprise à la lecture de la description d'un exemple de réalisation donné, à titre purement indicatif et nullement limitatif, en faisant référence aux dessins annexés sur lesquels: Les figures 1A-1B représentent des étapes 25 d'un procédé selon l'invention, Les figures 2A à 2C représentent un autre aspect de l'invention; Les figu res 3A-3H représentent différentes étapes d'un exemple de procédé de réalisation d'une B 14350.3 ALP structure d'interconnexion à faible constante diélectrique suivant l'invention; La figure 4 représente un système microélectronique selon l'invention. Les différentes parties représentées sur les figures ne le sont pas nécessairement selon une échelle uniforme, pour rendre les figures plus lisibles. EXPOSÉ DÉTAILLÉ DE MODES DE RÉALISATION PARTICULIERS Un exemple de procédé de réalisation d'une structure d'interconnexion de type Damascène suivant l'invention va à présent être décrite. Comme illustré sur la figure 1A, partant d'une structure d'interconnexion comportant au moins une couche isolante 10 à base d'un matériau diélectrique 13 de constante diélectrique k1, par exemple supérieure à 3, ou à 3,5, ou à 4,2 et un élément de connexion 12 formé dans, ou à travers, cette couche isolante 10, on élimine au moins partiellement le matériau diélectrique 13 de la couche isolante 10. Cette élimination se fait par exemple par gravure chimique à base d'acide fluorhydrique HF, par exemple de concentration massique inférieure à 50%, et pour une durée de l'ordre par exemple de 1 à 2 minutes. Cette opération peut s'effectuer par exemple dans un bain désoxygéné obtenu par bullage d' azote afin d' éviter la corrosion de l'élément de connexion métallique 12. Puis, le matériau 13 éliminé est remplacé par un second matériau diélectrique 16 de constante diélectrique k2 inférieure ou égale à k1, par exemple B 14350.3 ALP par dépôt PECVD ou par revêtement par centrifugation. Ce second matériau 16 est de préférence de type low k , la constante k2 étant par exemple inférieure à 4,2 ou à 3,5 ou à 3. Ce second matériau diélectrique 16 peut être à base d'un polymère tel qu'un polyaryléther (PAE), ou d'un polymère aromatique tel que le SiLK , ou le FLARE , ou le VELOX . Il peut être organique. Il peut être à base de benzocyclobutène (PCB), à base de polytétrafluoroéthylène (PTFE), à base d'un xerogel comprenant une molécule de formule générale R'-[Si(OMe) 3]n. Il peut également être par exemple de nature minérale comme un oxyde de silicium fluoré. Il peut également comprendre des porosités comme par exemple un oxyde de silicium nanoporeux. Comme représenté sur la figure 1B, la structure finale comprend donc au moins un élément de connexion métallique 12 intégré à une couche isolante 10 à base d'un matériau diélectrique 16 à faible constante diélectrique. Elle permet la connexion de l'élément de connexion métallique 12 avec au moins une zone conductrice 18 d'un dispositif microélectronique 14. Un autre aspect de l'invention va être expliqué en liaison avec les figures 2A à 2C. La figure 2A représente une couche isolante 10 ajourée comportant un ou plusieurs trous 22, à base d'un matériau diélectrique 13 de densité d1r reposant sur un dispositif microélectronique 14 avant formation d'au moins un élément de contact. Cette couche a une constante diélectrique quelconque, par exemple B 14350.3 ALP supérieure à 3 ou à 3,5 ou à 4,2. De préférence, avant la formation de l'élément de con tact, ou élément de connexion métallique, on aura préalablement constitué une couche, dite couche de soutien 20, d'épaisseur par exemple comprise entre 3 et 10 nanomètres et reposant sur la couche isolante 10 et sur les parois des trous 22. Cette épaisseur est préférablement conforme et faible pour ne pas affecter les performances du point de vue de la constante diélectrique globale de la structure d'interconnexion (figure 2B). La couche de soutien 20 pourra servir au maintien de l'élément de connexion métallique formé dans les trous 22 de la couche isolante 10 ajourée, lors d'une opération, telle que celle mentionnée ci- dessus, d'élimination d'au moins une partie du matériau diélectrique 13. La couche de soutien 20 peut être réalisée par méthode de dépôt chimique de couche atomique en phase vapeur (ALCVD) ou (ALD). La couche de soutien 20 peut être réalisée à base d' un matériau ayant une densité d3 supérieure à la densité dl du matériau diélectrique 13 et de préférence insensible aux attaques chimiques telles qu' une gravure à l'acide fluorhydrique. Elle peut être réalisée par exemple à base d'un matériau diélectrique de constante diélectrique k3 élevée, par exemple supérieure à 4,2. Le matériau formant la couche de soutien 20 peut être un matériau céramique, de préférence de résistance mécanique élevée, ou un matériau réfractaire, ou un oxyde métallique, ou un matériau choisi parmi les matériaux suivants: HfO 2, B 14350.3 ALP Zr02, Ti02r Cr0 2, Y203, AIN, TiN, NbN, WN, MoN, In203r Sn02r Ga203, CdTe, HgTe, qui sont généralement peu ou pas sensibles à une gravure à l'acide fluorhydrique. Le dépôt ALD du matériau formant la couche de soutien 20, par exemple à base de Hf02i peut être intègre sur toute la surface de la couche isolante 10. Selon une variante de procédé, le dépôt de la couche de soutien 20 peut être précédé d'une étape de nettoyage des trous 22, par exemple à l'aide d'une solution à base d'ozone, d'acide fluorhydrique et d'acide chlorhydrique. Ladite solution peut également préparer le dépôt de la couche de soutien 20. En effet, elle permet la création de sites de nucléation comportant la structure -OH pour faciliter l'adhérence de la couche de soutien. Après formation de la couche de soutien, on procède à la formation d'un élément de connexion métallique 12, par exemple par dépôt physique en phase vapeur (PVD) d'un matériau conducteur. Il en résulte un élément de connexion 12, comme illustré sur la figure 2C, qui peut lui- même être suivi d'une étape d' élimination au moins partielle de la couche 10 et de remplacement par un matériau diélectrique de constante k2 comme expliqué ci-dessus. D'autres aspects d'un procédé selon l'invention vont maintenant être décrits en liaison avec les figures 3A à 3H, en partant de la formation d'une structure telle que celle décrite ci-dessus en liaison avec la figure 1A. Tout d'abord, dans une première étape, on dépose une couche de protection 102, par exemple à base B 14350.3 ALP d' un matériau tel que le SiC, le Si3N4 sur au moins une zone conductrice 101, par exemple en cuivre, affleurant à la surface d'un dispositif microélectronique 100. Le dispositif microélectronique 100 peut être tout ou partie d' une puce, d' un substrat, d' un circuit intégré, d'un MEMS (micro-système électromécanique). La zone conductrice 101 peut être par exemple une ligne ou un plot métallique par exemple en cuivre. La couche de protection 102 sert de rempart 10 pour préserver la zone conductrice 101 par exemple lors d'étapes de gravure réalisées ultérieurement. Ensuite, on dépose une couche isolante 103 d'épaisseur comprise par exemple entre 100 nanomètres et 1 micromètre, ou par exemple de 1 à 100 micromètres, sur la couche de protection 102. La couche isolante 103 est réalisée par au moins un dépôt, par exemple par une méthode de dépôt chimique en phase vapeur (CVD) , d'un matériau diélectrique 104 de constante diélectrique k1. Le matériau diélectrique 104 peut être de nature minérale, il s'agit par exemple d'un matériau dit high-k (en français matériau de constante diélectrique élevé ). Il peut également avoir une constante diélectrique kl supérieure à 3 ou à 3,5 ou comprise entre 3 et 3,5 ou 3 et 4,2. Le matériau diélectrique 104 peut être par exemple du SiO2, ou un oxyde de silicium non dopé (USG), ou un oxyde de silicium fluoré (FSG), ou un oxyde de silicium déposé par plasma (figure 3A). Ensuite (figure 3B), on réalise un ou plusieurs trous 105 dans la couche isolante 103 révélant la couche protectrice 102 et dans l'alignement B 14350.3 ALP de la zone conductrice 101. Les trous 105 comportent au moins un orifice vertical 106 par exemple de profondeur comprise entre 100 à 1000 nanomètres, ou de 10 à 100 micromètres, révélant la couche protectrice 102. Une tranchée horizontale 107 peut en outre être réalisée en prolongement de l'orifice vertical. Elle est généralement plus large que l'orifice vertical. Sont ainsi réalisés des trous comportant chacun une première partie sous forme d'une ou plusieurs tranchées, qui correspondent à l'emplacement futur de lignes conductrices horizontales, et une seconde partie sous forme d'un ou plusieurs orifices verticaux, qui correspondent à l'emplacement futur de lignes conductrices verticales. Les trous sont par exemple réalisés par un procédé qui comprend les étapes consistant à effectuer tout d'abord une photolithographie à l'aide d'une couche de résine photosensible par exemple à base de polyimide que l'on insole, puis que l'on développe pour former une couche de résine photosensible ajourée. On effectue ensuite une gravure anisotrope de la couche isolante à travers la couche de résine photosensibl e ajourée. Une fois la gravure réalisée, on retire la couche de résine photosensible par procédé de stripping ou décapage à l'aide, par exemple, d'un plasma 02/H2. Ensuite, on peut effectuer sur la couche isolante, par méthode de dépôt chimique de couche atomique en phase vapeur (ALCVD) ou (ALD), le dépôt d'une couche nommée couche de soutien 108 d'épaisseur par exemple entre 3 et 10 nanomètres, B 14350.3 ALP comme déjà décrit ci-dessus en liaison avec la figure 2B. La couche de soutien 108 pourra servir notamment au maintien d'un élément de connexion métallique ultérieurement formé dans les trous 105. Le dépôt ALD du matériau formant la couche de soutien 108 par exemple à base de Hf02r est de préférence conforme sur toute la surface de la couche isolante 103. Mais, de plus, le dépôt peut être sélectif vis-à-vis de la couche de protection 102 dévoilée par l'orifice vertical 106. Ainsi, on peut obtenir la couche de soutien 108 avec une épaisseur uniforme et recouvrant uniquement la couche isolante 103 (figure 3C). Après réalisation de la couche de soutien 108, on grave de façon sélective, par un procédé classique, la couche de protection 102 au fond des trous 105 (figure 3D), sans atteindre la couche de soutien 108. Puis, on effectue un dépôt ou une électrolyse d'un matériau métallique 109 à base par exemple de cuivre, ou de tungstène, ou d'aluminium, ou d'argent, ou de nickel, ou de zinc, ou d' or, etc. pour remplir les trous 105. Le dépôt peut être réalisé par une méthode telle que le dépôt physique en phase vapeur (PVD). La couche de soutien 108 recouvrant les parois des trous 105, peut servir également de barrière de diffusion de métal. Elle protège alors la couche isolante 103 de la diffusion du matériau métallique 109 pendant et après 1' électrolyse ou le dépôt du matériau métallique. B 14350.3 ALP Le dépôt ou l'électrolyse de matériau métallique 109 déborde généralement de la surface des trous et recouvre totalement la couche de soutien 108 reposant sur la couche isolante 104 (figure 3E). On effectue alors une étape de polissage du dépôt de matériau métallique 109 et au moins partiellement de la couche de soutien 108 jusqu'à atteindre la hauteur de l'embouchure des trous. Le polissage peut être effectué par exemple par méthode de polissage mécano-chimique (CMP). L'orifice vertical des trous remplis forme au moins une ligne conductrice verticale 111. Si il y a en outre une tranchée horizontale, elle forme, une fois remplie, au moins une ligne conductrice horizontale 112. L'ensemble des lignes conductrices forme un élément de connexion métallique 110 qui vient s'interconnecter avec, par exemple, la zone conductrice 101 du dispositif microélectronique (figure 3F) Une structure d'interconnexion comportant au moins une couche isolante 103 à base d'un matériau diélectrique 104 de constante diélectrique kl et au moins un élément de connexion métallique 110 a ainsi été réalisée. Ensuite, comme illustré sur la figure 3G, et comme déjà expliqué cidessus en liaison avec la figure 1A, on retire au moins partiellement le matériau diélectrique 104 de constante diélectrique k1, tel que du SiO2, à l'aide par exemple d' une gravure chimique à base d'acide fluorhydrique (HF). Cette opération peut s'effectuer par exemple dans un bain désoxygéné obtenu par bullage d'azote afin d'éviter la corrosion de B 14350.3 ALP l'élément de connexion métallique. L'élément de connexion métallique peut en outre être protégé de l'attaque du HF par la couche de soutien 108, de préférence peu ou pas sensible à cette attaque. Celle- ci sert également au maintien de l'élément de connexion 110 pendant et après le retrait du matériau diélectrique de constante diélectrique k1. Puis, on remplace le matériau diélectrique de constante diélectrique kl par un second matériau diélectrique 113 de constante diélectrique k2 inférieure ou égale à k1 (figure 3H). Le second matériau diélectrique 11 3 est déposé par exemple par méthode de dépôt chimique en phase vapeur assisté par plasma (PECVD), ou par revêtement par centrifugation. Il est par exemple de type low-k ou à constante diélectrique faible de sorte que k2 est par exemple inférieure à 4,2 ou à 3,5 ou à 3. Le second matériau diélectrique peut être à base d'un polymère tel qu'un polyaryléther (PAE), ou d'un polymère aromatique tel que le SiLK , ou le FLARE , ou le VELOX . Il peut être organique. Il peut être à base de benzocyclobutène (PCB), à base de polytétrafluoroéthylène (PTFE), à base d'un xerogel comprenant une molécule de formule générale R' -[ Si (OMe) 3] n. Le second matériau diélectrique 113 de constante diélectrique k2 peut également être par exemple de nature minérale comme un oxyde de silicium fluoré. Il peut également comprendre des porosités 114 comme par exemple un oxyde de silicium nanoporeux. Selon une variante du procédé, le deuxième matériau diélectrique 113 peut être déposé par revêtement par centrifugation. B 14350.3 ALP Ainsi, on a formé une structure d'interconnexion comprenant ou comportant au moins une couche isolante 103 à base d'un matériau diélectrique 113 de faible constante diélectrique k2, au moins un élément de connexion métallique 110 formé dans cette couche isolante 103, et, éventuellement, au moins une couche de soutien 108. La figure 4 représente un système comprenant un premier dispositif microélectronique 100 et un second dispositif microélectronique 200 connectés entre eux par l'intermédiaire d'une structure d'interconnexion 300 suivant l'invention et comportant au moins une couche isolante 103 à base d'un matériau diélectrique 113 de faible constante diélectrique k2 par exemple inférieure à 4,2, au moins un élément de connexion métallique 110 formé dans cette couche isolante 103, et, éventuellement, au moins une couche de soutien 108. Le dispositif 100 peut être une puce ou un circuit intégré ou un microsystème électromécanique, ou tout type de circuit électronique. Il en va de même du dispositif 200. Documents cités: [1] Ultra low dielectric constant low density material for Cu Damascene ; Y.Y. Cheng, L.C. Chao, S.M. Jang, C.H. Yu, M.S. Liang" ; Taiwan semi- conductor company; 2000 IEEE. [2] : Preparation of Damascene trench sidewalls in CVD nano-porous ultra low k (k=2.2) films for B 14350.3 ALP compatibility with MOCVD diffusion barriers ; H. Donohue, J.-C Yeoh, S. Burgess, K. Buchanan; Trikon technology; Advance metallization conference, San Diego, 1st to 3rd October 2002. " B 14350.3 ALP REVENDICATIONS 1. Procédé de réalisation d'une structure d'interconnexion à faible constante diélectrique, comprenant: - la réalisation d'une structure d'interconnexion comportant au moins une couche (10,103) à base d'un premier matériau diélectrique (13,104), de constante diélectrique k1, et au moins un élément de connexion métallique (12,110) dans ladite couche, le retrait au moins partiel du premier matériau diélectrique et son remplacement par un deuxième matériau diélectrique (16,113) de constante diélectrique k2 3. Procédé selon les revendications 1 ou 2, le premier matériau diélectrique (104) comprenant l'un des matériaux suivants: SiO2, oxyde de silicium fluoré (FSG), oxyde de silicium non dopé (USG), oxyde de silicium déposé par plasma, oxyde de silicium dopé au phosphore (PSG), oxyde de silicium dopé au bore (BPSG). 4. Procédé selon l'une des revendications 1 à 3, kl étant supérieur ou égal à 3. B 14350.3 ALP 5. Procédé selon l'une des revendications 1 à 4, le deuxième matériau diélectrique (113) étant de nature organique. 6. Procédé selon l'une des revendications 1 à 5, le deuxième matériau diélectrique (113) comprenant un polymère. 7. Procédé selon l'une des revendications 1 à 4, le deuxième matériau diélectrique (113) étant de nature minérale. 8. Procédé selon l'une des revendications 1 à 7, le deuxième matériau diélectrique (113) comportant des porosités (114). 9. Procédé selon l'une des revendications 1 à 8, k2 étant inférieur à 4,2. 10. Procédé selon l'une des revendications 1 à 9, l'élément de connexion métallique (12,110) comprenant un matériau métallique (109) choisi parmi les suivants: le cuivre, le tungstène, l'aluminium, l'argent, le nickel, le zinc, l'or. 11. Procédé selon l'une des revendications 1 à 10, comprenant en outre le dépôt d'une couche (108) dite de soutien, à l'élément de connexion métallique (110). 12. Procédé selon la revendication 11, dans lequel le premier matériau diélectrique (104) a B 14350.3 ALP une densité d1i la couche de soutien (108) étant à base d'un matériau de densité d3 supérieure à la densité d1 du premier matériau diélectrique (104). 13. Procédé selon l'une des revendications 11 ou 12, la couche de soutien (108) étant réalisée à base d'un matériau diélectrique de constante diélectrique k3 > 4,2. 14. Procédé selon l'une des revendications 11 ou 12, la couche de soutien (108) étant réalisée à base d'un matériau choisi parmi les matériaux suivants: HfO2, ZrO2, TiO2, Y203, CrO2, A1N, TiN, NbN, WN, MoN, In203r SnO2, Ga203, CdTe, HgTe. 15. Procédé selon l'une des revendications 11 à 14, la couche de soutien (108) étant réalisée par un procédé de dépôt chimique de couche atomique en phase vapeur (ALCVD). 16. Procédé selon l'une des revendications 1 à 15, le retrait du premier matériau diélectrique (104) étant réalisé par gravure chimique. 17. Procédé selon la revendication 16, la couche de soutien (108) étant insensible au retrait du premier matériau diélectrique (104) par gravure chimique. 18. Procédé selon l'une des revendications 1 à 17, le remplacement du premier matériau B 14350.3 ALP 10 diélectrique (104) par le deuxième matériau diélectrique (113) comprenant le dépôt du deuxième matériau diélectrique (113) par méthode de dépôt chimique en phase vapeur assisté par plasma (PECVD) ou par revêtement par centrifugation. 19. Procédé de réalisation d'une structure d'interconnexion, comportant: la réalisation d'une couche isolante (10,103) à base d'un matériau diélectrique (13,104) de densité dl, et d' au moins un trou (22,106) dans cette couche (10,103), - le dépôt, au moins sur les parois de trou (22,106), d'une couche de soutien (20,108), - le dépôt, dans le trou (22), d'un matériau conducteur. 20. Procédé selon la revendication 19, la couche (20,108) comprenant un matériau de densité d3 supérieure à dl, ou/et un matériau insensible à une gravure à l'acide fluorhydrique. 21. Procédé selon l'une des revendications 19 ou 20, la couche de soutien (20,108) comprenant un matériau diélectrique de constante diélectrique k3 >_ 4,2. 22. Procédé selon l'une des revendications 19 à 21, la couche (20,108) comprenant un matériau 30 parmi les matériaux suivants: Hf02r ZrO2, TiO2, Y203, B 14350.3 ALP Cr02r TiN, NbN, WN, MoN, AIN, In203i SnO2, Ga203, CdTe, HgTe. 23. Structure d'interconnexion comportant: - au moins une couche isolante (10,103) à base d'un matériau diélectrique (16,113), - au moins un élément de connexion métallique (12,110) formé dans cette couche isolante (10,103) - et au moins une couche de soutien (20,108) à base d'un matériau diélectrique enrobant au moins partiellement l'élément de connexion métallique (12,110). 24. Structure d'interconnexion selon la revendication 23, la couche isolante (10,103) étant à base d'un matériau diélectrique (16,113) de constante diélectrique k2 25. Structure d'interconnexion selon l'une des revendications 23 ou 24, la couche de soutien (20,108) comprenant un matériau de constante diélectrique k3 >_ 4,2 enrobant au moins partiellement l'élément de connexion métallique (12,110). 26. Structure d'interconnexion selon l'une des revendications 23 à 25, la couche de soutien (20,108) comprenant un matériau céramique. 27. Structure d'interconnexion selon l'une des revendications 23 à 26, la couche de soutien B 14350.3 ALP 20 (20,108) comprenant un matériau parmi les matériaux suivants HfO2, ZrO2, TiO2, Y203, CrO2. 28. Système comprenant un premier dispositif microélectronique (100) et un second dispositif microélectronique (200) connecté au premier dispositif microélectronique (100) via la structure d'interconnexion selon l'une des revendications 23 à 26. 29. Micro système électro mécanique (MEMS) comprenant la structure d'interconnexion selon la revendication 23. B 14350.3 ALP