FR 2873235 A1 20060120 FR 0414103 A 20041231 L'invention concerne un procédé d'obtention de substrats démontables à énergie de collage contrôlée, destinés notamment à des applications dans les domaines de l'électronique, l'optoélectronique ou l'optique. Les composants électroniques, optoélectroniques ou optiques sont réalisés à partir de substrats comprenant généralement une couche mince reportée sur un support plus épais. Cette couche mince a vocation, après au moins une partie des étapes permettant la réalisation desdits composants électroniques, d'être détachée de son support et le cas échéant, reportée sur un support définitif distinct. A cet effet, on a récemment développé des substrats, dits "substrats démontables" dans lesquels la couche mince et son support sont susceptibles d'être détachés l'un de l'autre par une opération de démontage. Ce démontage peut s'effectuer par exemple le long d'une zone fragilisée. On connaît ainsi d'après]le document JP-07302889, un procédé de fragilisation consistant à introduire une couche de silicium poreux entre deux couches de silicium monocristallin non poreux. Le démontage s'effectue ensuite par gravure chimique humide au niveau de cette couche de silicium poreux qui constitue une couche fragilisée. Un tel procédé est connu sous la marque déposée ELTRAN. On connaît également d'après le document FR-2 809 867 un procédé de réalisation d'un substrat fragilisé consistant à introduire au moins une espèce gazeuse dans une zone du substrat afin d'y former des microcavités, la zone ainsi fragilisée obtenue délimitant une couche mince, puis à éliminer tout ou partie de l'espèce gazeuse de ladite zone fragilisée. L'élimination de ces espèces gazeuses peut s'effectuer par traitement thermique, associé éventuellement à l'application de contraintes. Il est également possible de procéder à une surfragilisation localisée de la zone fragilisée, par exemple en contrôlant les budgets thermiques utilisés lors du traitement thermique. Ensuite, la couche mince de ce substrat fragilisé peut être démontée aisément du reste du substrat initial, de sorte que l'on obtienne un substrat démontable. Le démontage peut également s'effectuer le long d'une interface de collage, notamment une interface obtenue après collage par adhésion moléculaire. Ainsi, on connaît d'après le document WO-01/43168, un procédé de détachement d'un substrat semi-conducteur et d'un substrat support, collés l'un à l'autre. La fracture conduisant au détachement des deux substrats est initialisée par l'introduction d'une ou plusieurs lame(s) le long de l'interface de collage entre ces deux substrats et ce, à une vitesse que l'on fait varier. Cette interface de collage n'est pas fragilisée au préalable. Il est également possible d'effectuer le démontage le long d'une interface de collage dont on a volontairement diminué l'énergie de liaison. Dans les procédés normaux de réalisation d'un collage par adhésion moléculaire, les faces des différentes couches destinées à être collées l'une contre l'autre subissent des préparations de surface permettant d'obtenir de fortes énergies de collage. A titre d'exemple, dans le cas du collage d'une couche mince sur un support à l'aide d'un collage SiO2/SiO2, obtenu après une préparation normale des surfaces à mettre en contact, l'énergie de collage ou de liaison entre les deux couches de SiO2 est voisine de 100 mJ/m2, à température ambiante et peut atteindre 1 à 2 J/m2 après divers traitements de recuit entre 400 et 1100 C dans le cas de la fabrication d'un substrat SOI, (voir C. Maleville et al., Semiconductor wafer bonding, Science Technology and Application IV, PV 97-36, 46 The Electrochemical Society Proceeding Series, Permington, NJ (1998)). Or, les fortes adhésions obtenues avec ce type de collage sont variables en fonction de divers paramètres, (à savoir principalement la rugosité des surfaces en contact, leur hydrophilie, l'affinité chimique entre les matériaux, leur capacité à fluer, la température à laquelle est effectuée ce collage, etc.). En conséquence, en faisant varier ces paramètres de façon à diminuer la valeur de l'énergie de collage par rapport à celle normalement obtenue par les procédés classiques de préparation des surfaces avant le collage, il devient possible de démonter le substrat au niveau de l'interface de collage ainsi affaiblie. Un premier procédé de diminution de l'énergie de collage consiste à diminuer l'hydrophilie des surfaces à mettre en contact, avant le collage proprement dit, par nettoyage chimique, par exemple selon les procédés décrits dans l'article de C. Maleville et al., Semiconductor wafer bonding, Science Technology and Application IV, PV 97-36, 46 The Electrochemical Society Proceeding Series, Permington, NJ (1998). Un deuxième procédé de diminution de l'énergie de collage permettant d'obtenir une interface de collage démontable consiste à diminuer le "budget thermique" normalement utilisé pour aboutir aux énergies de liaison couramment obtenues par un collage standard. Le terme "budget thermique" signifie que dans une étape où l'on effectue un apport thermique, il ne faut pas raisonner uniquement sur la température, mais sur le couple température du traitement thermique et durée de ce traitement. Enfin, un troisième procédé consiste à augmenter la rugosité d'au moins l'une des deux faces mises en contact. Cette augmentation de la rugosité peut être effectuée localement par un traitement par attaque chimique, par exemple avec de l'acide fluorhydrique (HF). L'article de O. RAYSSAC et al. "Proceedings of the 2'a International Conference on Materials for Microelectronics", IOM Communications, p.183, 1998, a montré qu'il était possible d'augmenter la rugosité d'une couche d'oxyde de silicium par un traitement à l'acide fluorhydrique. Ainsi, le collage de deux couches de SiO2 présentant chacune des rugosités de 0,625 nm RMS pour les surfaces en regard aboutit à une énergie de collage voisine de 500 mJ/m2, même après un recuit à 1100 C, ce qui est largement inférieur aux valeurs normalement obtenues mentionnées précédemment. Le résultat obtenu par l'utilisation du procédé de formation de cavités 20 débouchantes précité est représenté sur la figure 1 jointe. Sur cette figure, on peut voir deux substrats en silicium 1 et 2 représentés de façon partielle et à l'échelle microscopique, chacun d'entre eux étant recouvert d'une couche d'oxyde de silicium (SiO2) portant respectivement les références numériques 10 et 20. Ces deux couches d'oxyde 10 et 20 sont collées l'une contre l'autre par adhésion moléculaire le long d'une interface de collage 111. Dans la suite de la description et des revendications, l'expression "interface de collage" désigne la surface de contact à l'échelle macroscopique entre les faces avant respectives de deux substrats collés l'un contre l'autre. Dans le cas particulier illustré sur la figure 1 où les substrats 1 et 2 ont les mêmes dimensions, l'interface de collage 111, qui est constituée de la surface de contact entre les faces avant respectives 100 et 200 des substrats 1 et 2, présente une aire correspondant à celle de l'une ou de l'autre des deux faces avant 100 ou 200. Avant le collage par adhésion moléculaire des deux substrats 1 et 2, la face avant 200 de la couche d'oxyde 20 a subi un traitement de rugosification à l'acide fluorhydrique, de sorte qu'elle présente à l'échelle microscopique une série de cavités portant la référence numérique générale 201 et que sa surface 202 de contact réel avec la couche d'oxyde 10 présente une aire Ar réduite par rapport à celle de l'interface de collage 111. La valeur de l'énergie de collage Ec au niveau de l'interface de collage 111 correspond à la valeur maximale Es de l'énergie de collage de l'interface de collage 111 susceptible d'être obtenue après un traitement thermique de renforcement, dit "de stabilisation", modulée en fonction du rapport entre l'aire At de l'interface de collage 111 et l'aire Air de contact réel entre les deux faces avant 100 et 200. En l'absence d'un traitement de rugosification, il n'y a pas de cavités 201 et l'énergie de collage Ec correspond alors à Es. Cette énergie de collage Ec est donc très élevée. Au contraire, après un traitement de rugosification, comme expliqué cidessus, l'aire Ar de la surface de contact réel étant inférieure à At, l'énergie de collage Ec est affaiblie, de sorte que l'interface de collage 111 constituera ultérieurement une zone de démontage privilégiée. Toutefois, la technique de rugosification précitée présente l'inconvénient que les cavités 201 sont réparties de façon aléatoire et donc irrégulière sur la face avant 200 de la couche d'oxyde 20. De plus, les formes et les dimensions (profondeur et aire) de toutes ces cavités ne sont pas constantes. Ainsi, comme on peut le voir sur la figure 1, certaines des cavités formées, référencées 201a sont suffisamment profondes pour qu'il n'y ait pas de contact avec la face avant 100. D'autres cavités 201b au contraire sont à peine creusées, de sorte qu'il peut exister un léger contact avec la face avant 100. En conséquence, la valeur de l'aire Ar de la surface 202 de contact réel peut changer d'un substrat démontable à l'autre, le procédé n'est pas reproductible et la valeur de l'énergie de collage Ec ne peut donc être déterminée à l'avance. La présente invention a pour but de remédier à cet inconvénient et d'offrir un procédé permettant d'obtenir un substrat démontable dont la valeur de l'énergie de collage au niveau de l'interface de collage démontable peut être ajustée de façon sélective, en fonction de l'utilisation ultérieure dudit substrat. Un tel procédé doit permettre d'obtenir une gamme de substrats plus ou moins facilement démontables, c'est-à-dire susceptibles d'être démontés par l'apport d'une énergie plus ou moins forte. En outre, un tel procédé a pour objectif de prédéterminer de façon fiable et reproductible la valeur de l'énergie de collage obtenue au niveau de l'interface de collage, de façon à pouvoir également prédéterminer l'énergie qui devra être apportée ultérieurement pour démontrer ce substrat et rendre le procédé de démontage industrialisable. A cet effet, l'invention concerne un procédé d'obtention d'un substrat démontable destiné à des applications dans le domaine de l'électronique, l'optoélectronique ou l'optique, ce substrat comprenant au moins deux couches de matériau, l'une dite de "support" et l'autre dite "utile", ces deux couches étant collées l'une contre l'autre, par l'une de leurs faces, dite "face avant", ce substrat étant susceptible d'être démonté le long de l'interface de collage entre ces deux faces avant. Conformément à l'invention, ce procédé consiste, avant le collage des deux couches, à effectuer une étape de formation de cavités débouchantes, sur la majeure partie de la surface de l'une ou l'autre des deux faces avant ou des deux, la profondeur de ces cavités débouchantes,et leurs dimensions, dans le plan des faces avant dans lesquelles elles sont ménagées, étant telles, qu'il n'y a aucun collage au niveau de ces cavités débouchantes avec la face avant située en regard, l'aire totale desdites cavités débouchantes, dans le plan de la face avant dans laquelle elles sont ménagées, étant prédéterminée, de sorte que l'énergie de collage au niveau de ladite interface de collage peut être contrôlée, pour fournir audit substrat démontable le degré de caractère démontable souhaité. Selon d'autres caractéristiques avantageuses et non limitatives de l'invention, prises seules ou en combinaison: - la couche dans laquelle sont formées les cavités débouchantes est une couche de matériau polycristallin, et le traitement de formation desdites cavités débouchantes consiste à soumettre la face avant de cette couche, à une attaque chimique sélective, au niveau des joints qui existent entre les cristaux qui s'y trouvent, de sorte que ces joints constituent lesdites cavités débouchantes; - la couche dans laquelle sont formées les cavités débouchantes est une couche de matériau polycristallin, et le traitement de formation desdites cavités débouchantes consiste à soumettre la face avant de cette couche, à un traitement thermique permettant d'homogénéiser la dimension et la répartition des cristaux qui s'y trouvent, pour créer entre eux lesdites cavités débouchantes; - la couche dans laquelle sont formées les cavités débouchantes est une couche de matériau polycristallin, déposée sur une couche d'un matériau isolant, par une technique de dépôt permettant de contrôler la dimension des cristaux qui la constituent, les cavités débouchantes étant créées entre lesdits cristaux; - le traitement de formation des cavités débouchantes consiste à 5 soumettre ladite couche à traiter à un traitement de porosification, de manière à y créer des pores qui débouchent au niveau de sa face avant; le traitement de formation des cavités débouchantes consiste à déposer la couche à traiter par épitaxie, sur une couche arrière présentant des paramètres de mailles différents, de façon que cette couche à traiter soit à l'état relâché et présente un quadrillage de surface de type "cross hatch" ; - ledit traitement de formation des cavités débouchantes consiste à graver celles-ci par photolithographie à travers un masque; - la gravure est effectuée par gravure humide ou par gravure sèche; - le collage entre lesdites deux couches est effectué par collage par 15 adhésion moléculaire; - la couche dans laquelle sont formées les cavités débouchantes est une couche d'un matériau choisi parmi le silicium, le carbure de silicium, le diamant, le nitrure de silicium, le silicium germanium, l'arséniure de gallium, le nitrure de gallium et l'oxyde de silicium; - ladite couche utile est obtenue, avant son collage contre la couche support, par formation d'une zone de fragilisation à l'intérieur d'un substrat dit "utile", cette zone de fragilisation délimitant ladite couche utile du reste dudit substrat utile; - la zone de fragilisation est obtenue par implantation d'espèces 25 atomiques ou est constituée d'une couche poreuse; De façon avantageuse: - après le collage, on procède au détachement du reste du substrat utile, le long de la zone de fragilisation, par applications de contraintes, de façon à obtenir un substrat démontable, comprenant ladite couche utile collée sur ladite couche support, le long de l'interface de collage; - ladite couche utile est obtenue, par attaque chimique et rodage de la face arrière du substrat utile. De préférence, la formation des cavités débouchantes est effectuée sur la face avant de la couche support. L'invention concerne également un substrat démontable tel que décrit précédemment. 2873235 7 Conformément à l'invention, la majeure partie de la surface de l'une ou l'autre des deux faces avant ou des deux, comprend des cavités débouchantes, la profondeur de ces cavités débouchantes et leurs dimensions, dans le plan des faces avant dans lesquelles elles sont ménagées, étant telles, qu'il n'y a aucun collage au niveau de ces cavités débouchantes avec la face avant située en regard, l'aire totale desdites cavités débouchantes, dans le plan de la face avant dans laquelle elles sont ménagées, étant prédéterminée, de sorte que l'énergie de collage au niveau de ladite interface de collage peut être contrôlée, pour fournir audit substrat démontable le degré de caractère démontable souhaité. Enfin, l'invention concerne un procédé de préparation d'un ensemble à base de semi-conducteurs, pour des applications dans le domaine de l'électronique, l'optoélectronique ou l'optique, cet ensemble comprenant au moins un substrat d'accueil et une couche utile. Il se caractérise en ce qu'il comprend: - la mise en oeuvre des étapes du procédé précité, pour obtenir un substrat démontable, de part et d'autre d'une interface de collage entre une couche utile et un substrat support, - l'application éventuelle d'un substrat d'accueil sur la surface libre de ladite couche utile, et - le démontage de ladite couche utile, le long de l'interface de collage démontable à énergie de collage contrôlée, par application d'au moins un traitement choisi parmi un traitement mécanique, un traitement thermique ou un traitement chimique. D'autres caractéristiques et avantages de l'invention apparaîtront de la description qui va maintenant en être faite, en référence aux dessins annexés, qui en représentent, à titre indicatif mais non limitatif, des modes de réalisation possibles. Sur ces dessins: - la figure 1 est un schéma représentant en coupe partielle et à l'échelle microscopique deux substrats collés l'un contre l'autre par adhésion moléculaire dont l'un à subi un traitement de rugosification conforme à l'état de la technique; les figures 2A à 2E sont des schémas illustrant les étapes successives du procédé d'obtention d'un substrat démontable selon l'invention; - les figures 3A à 3D sont des schémas illustrant les étapes successives du procédé conforme à l'invention appliqué à l'obtention d'un substrat démontable comprenant une couche utile reportée sur un substrat support; les figures 4A et 4B sont des schémas illustrant les étapes successives du procédé de démontage du substrat démontable obtenu par le procédé précédent; - la figure 5 est un schéma représentant une vue de détail des cavités 5 débouchantes; - les figures 6 et 7 sont des schémas représentant, à une échelle agrandie, respectivement en coupe transversale verticale et en vue de dessus partielle, un substrat support ayant subi un traitement de formation des cavités débouchantes conforme à un premier mode de réalisation de l'invention; - les figures 8 et 9 sont des schémas similaires sur lesquels le substrat support à subi un traitement de formation des cavités débouchantes conforme à un deuxième mode de réalisation de l'invention; - les figures 10 et 11 sont des schémas similaires sur lesquels le substrat support a subi un traitement de formation des cavités débouchantes 15 conforme à un troisième mode de réalisation de l'invention. Le procédé d'obtention d'un substrat démontable conforme à l'invention va maintenant être décrit plus en détails. Sur la figure 2A, on peut voir un premier substrat référencé 3, dit "substrat support" et un second substrat 4, dit "substrat utile". Le premier substrat 3 peut être monocouche ou multicouches. Il comprend au moins une couche référencée 30, dite "couche support", le reste du substrat portant la référence générale 31. Le premier substrat 3 présente en outre deux faces opposées 32 et 33 dites respectivement face avant et face arrière . Le second substrat 4 peut également comprendre une ou plusieurs couches, dont au moins une couche 40 dite "couche utile", le reste du substrat portant la référence générale 41. Ce second substrat présente deux faces opposées, à savoir une face avant 42 et une face arrière 43. La couche utile 40 peut avoir été formée sur la couche 41, par 30 exemple par épitaxie ou par un report de couche antérieur. Conformément à un premier mode de réalisation et comme cela apparaît sur la figure 2B, la majeure partie c'est à dire la totalité ou la quasitotalité- de la surface de la face avant 32 de la couche support 30 est ensuite soumise à un traitement de formation de cavités. Ce traitement a pour objet de créer des cavités 34 qui débouchent dans le plan de cette face avant 32 et qui sont dénommées ci-après "cavités débouchantes". 2873235 9 Différents types de traitement permettant d'obtenir ces cavités débouchantes 34 seront décrits en détails, ultérieurement. On procède ensuite au collage des deux substrats 3 et 4 l'un contre l'autre, de préférence par adhésion moléculaire, de façon que leurs faces avant 5 respectives 32 et 42 soient en regard l'une de l'autre. D'autres formes d'adhésion des deux substrats peuvent également être mises en oeuvre. On peut, par exemple, insérer une couche de collage (métal ou colle) sur la face du substrat ne présentant pas de cavités, ici la face avant 42. On prend alors soin de ne pas remplir entièrement les cavités à l'aide de cette couche de collage. On peut également faire précéder la mise en contact des surfaces, par un traitement d'activation d'au moins l'une des deux faces 32, 42, et ce, dans le but d'augmenter l'énergie de collage au niveau des faces en contact. Un tel traitement peut être, par exemple, une activation plasma (voir à ce sujet le document US 5407506) ou une activation UV sous ozone. Comme illustré sur la figure 2C, on obtient ainsi un substrat démontable référencé 6, qui présente une interface de collage 5 entre les deux faces avant 32 et 42. Du fait de la présence des cavités débouchantes 34, l'énergie de collage Ec au niveau de ladite interface de collage 5 est plus faible que normalement, c'est à dire sans formation de cavités et le substrat 6 est ainsi plus facilement démontable le long de cette interface 5. Le reste 41 du substrat 4 peut alors subir un traitement d'amincissement, par exemple par meulage et polissage, ou par transfert de couche (par exemple par l'un des procédés connus sous la dénomination commerciale Smart Cut ou Eltran). Dans l'exemple illustré sur les figures 2D et 2E, ce traitement a consisté à amincir la couche 41 par polissage. Après traitement, le reste du substrat porte alors la référence 41', et le substrat démontable, la référence 6'. Enfin, le démontage, illustré sur la figure 2E est effectué ultérieurement, par application d'un traitement mécanique et/ou chimique, à l'ensemble du substrat démontable 6 ou 6' et/ou plus spécifiquement au niveau de l'interface de collage 5. A titre d'exemple, on peut insérer une lame au niveau de l'interface 35 de collage fragile 5, pour provoquer le détachement et assister le démontage en 2873235 io propageant l'onde de fracture. On pourra se référer, par exemple, aux documents WO 01/43168 et WO 02/083387 qui décrivent des outils d'ouverture mécanique. L'énergie à apporter pour effectuer ce démontage est fonction de la valeur de l'énergie de collage Ec, cette dernière pouvant être ajustée en fonction des paramètres de formation des cavités débouchantes 34. On obtient ainsi un substrat 4' comprenant la couche utile 40 et le reste traité 41'. La couche utile 40 peut être utilisée pour la réalisation de composants électroniques. Selon une autre variante de réalisation de l'invention non représentée sur les figures, il est également possible de former les cavités débouchantes sur la face avant 42 du substrat 4, voire même sur les deux faces avant 32 et 42. Les figures 3A à 3D illustrent un cas particulier d'obtention d'un substrat démontable comprenant une couche utile, reportée sur un support. Les éléments identiques à ceux décrit conjointement avec les figures 2A à 2D portent les mêmes références numériques. Comme illustré sur la figure 3A, le substrat utile 4 présente une zone de fragilisation 45 qui délimite la couche utile 40, d'une couche arrière 41. De façon avantageuse, la zone de fragilisation 45 est obtenue par implantation d'espèces atomiques. Par implantation d'espèces atomiques, on entend tout traitement à l'aide d'espèces atomiques, moléculaires ou ioniques, susceptible d'introduire ces espèces dans un matériau, avec un maximum de concentration de ces espèces située à une profondeur déterminée par rapport à la surface bombardée qui est ici la face avant 42. L'implantation des espèces atomiques dans ledit substrat utile 4 peut être réalisée par exemple, grâce à un implanteur par faisceau d'ions ou par un implanteur par immersion dans un plasma, voire même par simple diffusion. De préférence cette implantation est réalisée par bombardement ionique. De préférence encore, l'espèce ionique implantée est de l'hydrogène. D'autres espèces ioniques peuvent avantageusement être utilisées seules ou en combinaison avec l'hydrogène, tels les gaz rares (l'hélium par exemple). Cette implantation a pour effet de créer dans le volume du substrat utile 4 et à une profondeur moyenne de pénétration des ions, la zone de fragilisation 45 qui s'étend sensiblement parallèlement au plan de la face avant 42. La couche utile 40 s'étend entre la face avant 42 et cette zone de fragilisation 45. On pourra par exemple se référer à la littérature concernant le procédé connu sous la marque déposée "Smart Cut". La zone de fragilisation 45 peut également être constituée par une couche poreuse, obtenue par exemple, lors d'une des étapes du procédé connu sous la marque déposée "ELTRAN", décrit par exemple dans le document EP-0 849 788. Dans ce cas, la couche utile 40 est obtenue par épitaxie. Après l'étape de collage illustrée sur les figures 3B et 3C, on procède ensuite au détachement de la couche arrière 41 du substrat utile 4. Ce détachement s'effectue le long de la zone de fragilisation 45, par application de contraintes, de façon à obtenir un substrat démontable 6", comprenant la couche utile 40 collée sur le substrat support 3 (voir figure 3D). On utilise pour ce faire, l'une des techniques suivantes prises seules ou en combinaison parmi: l'application de contraintes d'origine mécanique, électrique, la gravure chimique ou l'apport d'énergie thermiques (laser, micro-ondes, chauffage inductif, traitement dans un four). Ces techniques permettant le détachement sont connues de l'homme du métier et ne seront pas décrites plus en détail. Eventuellement, on réalise alors ensuite au moins une partie des opérations permettant la formation de composants électroniques sur la surface libre 46 de la couche utile 40, ou d'autres types de traitement utilisés dans le domaine de la microélectronique, tels qu'une oxydation, un traitement thermique, une épitaxie ou autre forme de dépôt de couches. Afin d'obtenir un ensemble à base de semi-conducteurs, on procède ensuite au démontage du substrat démontable 6", le long de l'interface de collage 5. Selon une première variante de réalisation représentée sur les figures 4A et 4B, on procède à l'application d'un substrat d'accueil 7 sur la surface libre 46 de la couche utile 40, puis au démontage de l'interface de collage 5 par un traitement mécanique et/ou chimique. On obtient ainsi l'ensemble à base de semi-conducteurs portant la 30 référence générale 8 et constitué du substrat d'accueil 7 et de la couche utile 40. De façon connue de l'homme du métier, ce substrat d'accueil 7 peut être un raidisseur ou une couche obtenue par dépôt. Si la couche utile 40 est suffisamment épaisse pour être autoportée, l'utilisation du substrat d'accueil 7 n'est pas nécessaire. Les matériaux utilisés pour la réalisation du substrat support 3 et du substrat utile 4 sont, d'une manière générale, tous ceux utilisés dans la fabrication de substrats pour les applications dans le domaine de l'électronique, l'optoélectronique ou l'optique. Il s'agit notamment des matériaux semi-conducteurs. A titre d'exemple purement illustratif, on peut citer: le silicium, le carbure de silicium (SiC), le diamant, le nitrure de silicium (Si3N4), le silicium germanium (SiGe), l'arséniure de gallium (AsGa), le nitrure de gallium (GaN) et l'oxyde de silicium (SiO2). On va maintenant décrire plus en détails le procédé de formation descavités débouchantes, à la surface de l'une ou de l'autre, ou des deux faces avant 32 10 et 42. Ce procédé a pour but de former des cavités débouchantes dont les dimensions dans le plan de la face avant 32, 42, dans laquelle elles sont ménagées et dont la profondeur sont telles, qu'il n'y a aucun collage au niveau de ces cavités débouchantes, avec la face avant 42, 32 située en regard. De plus, ce procédé permet de former des cavités dont la somme des aires individuelles dans le plan de ladite face avant est prédéterminée. Dans la suite de la description, on a choisi arbitrairement de représenter ou de décrire les différents procédés de formation des cavités débouchantes, en liaison avec le substrat support 3. Toutefois ces procédés sont identiques lorsqu'ils sont réalisés sur le substrat utile 4. Selon un premier mode de réalisation, la couche support 30 est une couche d'un matériau poly-cristallin et le traitement de formation de cavités débouchantes 34 consiste à soumettre sa face avant 32, à une attaque chimique sélective, au niveau des joints existant entre les cristaux 35 qui s'y trouvent. Ces joints sont ainsi agrandis et forment lesdites cavités débouchantes, qui portent alors la référence numérique 341, (voir figures 6 et 7). La couche support 30 polycristalline peut également être soumise à un traitement thermique permettant d'homogénéiser la dimension et la répartition des cristaux 35, afin de créer entre eux lesdites cavités débouchantes 341 qui sont alors de forme relativement régulière. Enfin, comme représenté sur la figure 6, la couche support 30 polycristalline (par exemple en silicium polycristallin) peut également être déposée sur une couche de matériau isolant 36, (par exemple d'oxyde de silicium), par une technique de dépôt permettant de contrôler la dimension des cristaux 35 obtenus et ainsi, celle des cavités débouchantes 341 créées entre. Selon un deuxième mode de réalisation représenté sur les figures 8 et 9, on soumet la couche support 30 à un traitement de porosification, de manière à y créer des pores 342 débouchant au niveau de sa face avant 32. Selon un troisième mode de réalisation non représenté sur les figures, il est également possible de déposer la couche support par épitaxie, sur la couche arrière correspondante, et de choisir cette dernière, pour qu'elle présente des paramètres de mailles différents de ceux de ladite couche support. Lorsque la couche support se trouve à l'état relâché, elle présente alors en surface, une première série d'ondulations parallèles qui coupe 10 perpendiculairement une seconde série d'ondulations parallèles. Le résultat obtenu présente la forme d'un quadrillage, connu sous la dénomination anglaise de cross-hatch . Les creux formés entre des ondulations voisines peuvent être considérés comme des "cavités débouchantes", au sens du procédé conforme à l'invention. On pourra se reporter à ce sujet à l'article de B. Gallas et al. "Influence of misfit and threading dislocations on the surface morphology of SiGe graded layers", Journal of Crystal Growth 201/202 (1999) 547-550 et à l'article de J.M Hartmann, Gas-source molecular beam epitaxy of SiGe virtual substrates: Strain relaxation and surface morphology , Semicond. Sci. Technol. 15 (2000) 370-377. En se référant au second article précité, il est possible, de déposer la couche support, en deux temps, en formant d'abord une couche support, dite tampon , puis une couche support, dite superficielle . A titre d'exemple, on peut ainsi déposer successivement, une couche support tampon en silicium germanium, dans laquelle le pourcentage de germanium augmente progressivement au fur et à mesure de l'épaisseur déposée et une couche support superficielle, dans laquelle le pourcentage de germanium par rapport au silicium est fixe. On constate que l'amplitude des ondulations du quadrillage de 30 surface peut être régulée en jouant notamment sur: - la température de croissance épitaxiale des couches supports tampon et superficielle, - le pourcentage de germanium dans la couche support superficielle, et - la vitesse d'incorporation du germanium par micromètre de silicium germanium, déposé dans la couche support tampon. De plus, la périodicité des ondulations peut être contrôlée en jouant notamment sur: - l'épaisseur de la couche support tampon. On peut ainsi réguler les dimensions des cavités et donc la valeur de 5 l'énergie de collage. Enfin, un quatrième mode de réalisation du traitement de formation de cavités débouchantes, illustré sur les figures 10 et 11, consiste à graver les cavités débouchantes sur la face avant 32 du substrat support 3, par photolithographie, à travers un masque. Ces cavités portent alors la référence 343. Cette gravure peut être effectuée par gravure humide ou gravure sèche. Des masques présentant des schémas de gravure différents (en nombre et en aire des cavités) permettent au choix de l'opérateur d'obtenir ultérieurement des substrats plus ou moins facilement démontables. Ainsi, contrairement aux techniques de rugosification de l'état de la technique, les techniques conformes à l'invention permettent de définir des cavités débouchantes 34 qui ne présentent pas de point de contact avec la face avant de la couche en regard. Sur la figure 5, on peut voir que l'aire totale Ac des cavités débouchantes 34 correspond à la somme des aires individuelles Acx de chaque cavité débouchante 34 dans le plan de la face avant, dans laquelle elles sont ménagées. La valeur de cette aire totale Ac peut donc être prédéterminée. Il en résulte que le rapport Ac/At, où At est l'aire totale de l'interface de collage 5, peut également être prédéterminé, et ce, avant le collage des deux substrats 3 et 4 l'un contre l'autre. L'énergie de collage Ec au niveau de ladite interface de collage 5 peut ainsi être diminuée et ajustée pour fournir le degré de caractère démontable souhaité pour ledit substrat démontable 6, 6'ou 6". Dans les divers procédés qui viennent d'être décrits, le traitement de formation des cavités débouchantes est effectué sur toute la surface du substrat, ou quasiment toute, pour obtenir une capacité de démontage uniforme ou sensiblement uniforme au niveau de la totalité de l'interface de collage 5. Les procédés précités permettent de stocker temporairement les substrats démontables 6, 6' ou 6" et de n'effectuer qu'ultérieurement, les étapes de traitement ou de détachement du reste 41 et/ou de démontage, par exemple chez l'utilisateur final de ce substrat. Deux exemples particuliers de réalisation vont maintenant être décrit en détails. Exemple 1. Sur un substrat en silicium, on forme une couche d'oxyde de silicium de l'ordre de 10 nanomètres, par exemple par oxydation thermique ou par dépôt. On réalise ensuite sur ladite couche d'oxyde, un dépôt de silicium polycristallin, par un procédé de dépôt chimique en phase vapeur par élévation rapide de la température, connu sous l'acronyme RTCVD , d'après la terminologie anglo-saxonne de Rapid Thermal Chemical Vapor Deposition ou par un procédé de dépôt chimique en phase vapeur sous pression réduite, connu sous l'acronyme LPCVD , d'après la terminologie anglo-saxonne de Low Pressure Chemical Vapor Deposition . Ce dépôt est effectué à une température comprise entre 660 et 730 C et à une pression comprise entre 15 et 35 Torr (soit entre 2000 et 4666 Pa), avec un flux de silane (en sccm) compris entre 0,05 et 0,1 sccm (centimètre cube par minute (standard) de la terminologie anglo-saxonne standard cubic centimeter per minute ). En fonction des conditions choisies (et en particulier de la température), on obtient une couche de silicium polycristallin dont la taille des 20 grains est comprise entre 60 et 90 nm (60 et 90 nanomètres). On traite alors le substrat à l'aide d'une solution à base d'acide fluorhydrique (HF), afin de révéler les joints de grains et accentuer ainsi les cavités débouchantes. Ces cavités sont réparties de manière uniforme en surface du substrat. Par ailleurs, on effectue une implantation ionique d'hydrogène, sur un substrat utile en silicium. L'énergie d'implantation est comprise entre 20 et 200 keV et la dose d'implantation est de l'ordre de 1.1016 ion H+ /cm2. Le substrat utile présente éventuellement en surface, une couche d'oxyde de silicium dont l'épaisseur est, par exemple, de 150 nanomètres. Le substrat utile est alors mis en contact intime avec la couche traitée de silicium polycristallin, afin d'en assurer le collage. On effectue ensuite un traitement thermique additionnel et/ou d'application d'énergie mécanique pour détacher le reste du substrat utile. On obtient ainsi un substrat démontable, comprenant une couche de silicium qui adhère avec une énergie contrôlée à un substrat support. L'énergie de collage est suffisante pour réaliser des composants électroniques dans la couche de silicium, sans que celle-ci ne se détache du substrat support au cours de ces opérations. Ensuite, on colle un substrat d'accueil sur la couche de silicium 5 comprenant les composants. L'étape de collage peut être précédée d'une étape de préparation de surface (polissage, activation plasma) et/ou suivie d'un traitement thermique de renforcement des forces de collage (500 C pendant quelques heures), de façon que l'énergie d'adhésion entre le substrat d'accueil et la couche de silicium soit supérieure à l'énergie d'adhésion entre la couche de silicium et le substrat support. On démonte alors la couche de silicium au niveau de l'interface de collage démontable, par exemple par application d'une énergie mécanique, à l'aide d'une lame (guillotine). Exemple 2 On dépose par épitaxie, sur un substrat support en silicium, une couche tampon en silicium germanium (SiGe), dans la quelle la concentration en germanium augmente graduellement de 5% au niveau de l'interface avec le silicium, jusqu'à environ 50% en surface de la couche déposée. Avec une vitesse d'incorporation d'environ 10% de Ge/micromètre, une couche d'environ 5 micromètres est réalisée. Un quadrillage de surface (cross hatch) est observé. Sa rugosité est comprise entre 20 et 30nm RMS, pour des températures de dépôt du SiGe comprises entre 550 et 700 C. Le cross hatch forme en surface, les cavités débouchantes qui permettront de contrôler l'énergie de collage. Le reste du procédé (implantation, collage, détachement) est similaire à ce qui a été décrit dans l'exemple 1. REVENDICATIONS 1. Procédé d'obtention d'un substrat démontable (6, 6', 6"), destiné à des applications dans le domaine de l'électronique, l'optoélectronique ou l'optique, ce substrat (6, 6', 6") comprenant au moins deux couches de matériau, l'une (30) dite de "support" et l'autre (40) dite "utile", ces deux couches (30, 40) étant collées l'une contre l'autre, par l'une (32, 42) de leurs faces, dite "face avant", ce substrat (6, 6', 6") étant susceptible d'être démonté le long de l'interface de collage (5) entre ces deux faces avant (32, 42), caractérisé en ce qu'il consiste, avant le collage des deux couches (30, 40), à effectuer une étape de formation de cavités débouchantes (34, 341, 342, 343), sur la majeure partie de la surface de l'une ou l'autre des deux faces avant (32, 42) ou des deux, la profondeur de ces cavités débouchantes (34, 341, 342, 343) et leurs dimensions, dans le plan des faces avant (32, 42) dans lesquelles elles sont ménagées, étant telles, qu'il n'y a aucun collage au niveau de ces cavités débouchantes (34, 341, 342, 343) avec la face avant (42, 32) située en regard, l'aire totale Ac desdites cavités débouchantes (34, 341, 342, 343), dans le plan de la face avant (32, 42) dans laquelle elles sont ménagées, étant prédéterminée, de sorte que l'énergie de collage Ec au niveau de ladite interface de collage (5) peut être contrôlée, pour fournir audit substrat démontable (6, 6', 6") le degré de caractère démontable souhaité. 2. Procédé selon la revendication 1, caractérisé en ce que la couche (30, 40) dans laquelle sont formées les cavités débouchantes est une couche de matériau polycristallin, et en ce que le traitement de formation desdites cavités débouchantes consiste à soumettre la face avant (32, 42) de cette couche (30, 40), à une attaque chimique sélective, au niveau des joints qui existent entre les cristaux (35) qui s'y trouvent, de sorte que ces joints constituent lesdites cavités débouchantes (341). 3. Procédé selon la revendication 1, caractérisé en ce que la couche (30, 40) dans laquelle sont formées les cavités débouchantes est une couche de matériau polycristallin, et en ce que le traitement de formation desdites cavités débouchantes consiste à soumettre la face avant (32, 42) de cette couche (30, 40), à un traitement thermique permettant d'homogénéiser la dimension et la répartition des cristaux (35) qui s'y trouvent, pour créer entre eux lesdites cavités débouchantes (341). 4. Procédé selon la revendication 1, caractérisé en ce que la couche (30, 40) dans laquelle sont formées les cavités débouchantes est une couche de matériau polycristallin, déposée sur une couche d'un matériau isolant (36) , par une technique de dépôt permettant de contrôler la dimension des cristaux (35) qui la constituent, les cavités débouchantes (341) étant créées entre lesdits cristaux (35). 5. Procédé selon la revendication 1, caractérisé en ce que le traitement de formation des cavités débouchantes consiste à soumettre ladite couche à traiter (30, 40) à un traitement de porosification, de manière à y créer des pores (342) qui débouchent au niveau de sa face avant (32, 42). 6. Procédé selon la revendication 1, caractérisé en ce que le traitement de formation des cavités débouchantes consiste à déposer la couche à traiter (30, 40) par épitaxie, sur une couche arrière (31, 41) présentant des paramètres de mailles différents, de façon que cette couche à traiter (30, 40) soit à l'état relâché et présente un quadrillage de surface de type "cross hatch". 7. Procédé selon la revendication 1, caractérisé en ce que ledit traitement de formation des cavités débouchantes (34, 341, 342, 343) consiste à graver celles-ci par photolithographie à travers un masque. 8. Procédé selon la revendication 7, caractérisé en ce que la gravure est effectuée par gravure humide. 9. Procédé selon la revendication 7, caractérisé en ce que la gravure est effectuée par gravure sèche. 10. Procédé selon l'une quelconque des revendications précédentes, caractérisé en ce que le collage entre lesdites deux couches (30, 40) est effectué par collage par adhésion moléculaire. 11. Procédé selon l'une quelconque des revendications précédentes, caractérisé en ce que la couche (30, 40) dans laquelle sont formées les cavités débouchantes est une couche d'un matériau choisi parmi le silicium, le carbure de silicium, le diamant, le nitrure de silicium, le silicium germanium, l'arséniure de gallium, le nitrure de gallium et l'oxyde de silicium. 12. Procédé selon l'une quelconque des revendications précédentes, caractérisé en ce que ladite couche utile (40) est obtenue, avant son collage contre la couche support (30), par formation d'une zone de fragilisation (45) à l'intérieur d'un substrat (4) dit "utile", cette zone de fragilisation (45) délimitant ladite couche utile (40) du reste (41) dudit substrat utile (4). 13. Procédé selon la revendication 12, caractérisé en ce que la zone de fragilisation (45) est obtenue par implantation d'espèces atomiques. 14. Procédé selon la revendication 12, caractérisé en ce que la zone de fragilisation (45) est constituée d'une couche poreuse. 15. Procédé selon l'une des revendications 12 à 14, caractérisé en ce qu'après le collage, on procède au détachement du reste (41) du substrat utile (4), le long de la zone de fragilisation (45), par applications de contraintes, de façon à obtenir un substrat démontable (6"), comprenant ladite couche utile (40) collée sur ladite couche support (30), le long de l'interface de collage (5). 16. Procédé selon l'une quelconque des revendications 1 à 12, caractérisé en ce ladite couche utile (40) est obtenue, par attaque chimique et rodage 10 de la face arrière (43) du substrat utile (4). 17. Procédé selon l'une quelconque des revendications précédentes, caractérisé en ce que la formation des cavités débouchantes (34, 341, 342, 343) est effectuée sur la face avant (32) de la couche support (30). 18. Substrat démontable (6, 6', 6") destiné à des applications dans le domaine de l'électronique, l'optoélectronique ou l'optique, ce substrat (6, 6', 6") comprenant au moins deux couches de matériau, l'une (30) dite de "support" et l'autre (40) dite "utile", ces deux couches (30, 40) étant collées l'une contre l'autre, par l'une (32, 42) de leurs faces, dite "face avant", ce substrat (6, 6', 6") étant susceptible d'être démonté le long de l'interface de collage (5) entre ces deux faces avant (32, 42), caractérisé en ce que la majeure partie de la surface de l'une ou l'autre des deux faces avant (32, 42) ou des deux, comprend des cavités débouchantes (34, 341, 342, 343), la profondeur de ces cavités débouchantes (34, 341, 342, 343) et leurs dimensions, dans le plan des faces avant (32, 42) dans lesquelles elles sont ménagées, étant telles, qu'il n'y a aucun collage au niveau de ces cavités débouchantes (34, 341, 342, 343) avec la face avant (42, 32) située en regard, l'aire totale Ac desdites cavités débouchantes (34, 341, 342, 343), dans le plan de la face avant (32, 42) dans laquelle elles sont ménagées, étant prédéterminée, de sorte que l'énergie de collage Ec au niveau de ladite interface de collage (5) peut être contrôlée, pour fournir audit substrat démontable (6, 6', 6") le degré de caractère démontable souhaité. 19. Procédé de préparation d'un ensemble à base de semi-conducteurs (8), pour des applications dans le domaine de l'électronique, l'optoélectronique ou l'optique, cet ensemble comprenant au moins un substrat d'accueil (7) et une couche utile (40), caractérisé en ce qu'il comprend: - la mise en oeuvre des étapes du procédé selon l'une quelconque des revendications 12 à 17, pour obtenir un substrat (6") démontable, de part et d'autre d'une interface de collage (5) entre une couche utile (40) et un substrat support (3), - l'application éventuelle d'un substrat d'accueil (7) sur la surface libre (46) de ladite couche utile (40), et le démontage de ladite couche utile (40), le long de l'interface de collage démontable (5) à énergie de collage contrôlée, par application d'au moins un traitement choisi parmi un traitement mécanique, un traitement thermique ou un traitement chimique.