FR 2882873 A1 20060908 FR 0512699 A 20051214 AMPLIFICATEUR LARGE BANDE À GAIN VARIABLE La présente demande est basée et revendique la priorité de la demande de brevet coréen n 2005-17434, déposée le 02 mars 2005. La présente invention concerne un amplificateur large bande à gain variable destiné à être utilisé comme amplificateur à faible bruit dans un système à large bande. Plus précisément, la présente invention concerne un amplificateur large bande à gain variable du type à rétroaction ou à réaction positive. Actuellement, les systèmes de communication doivent utiliser au moins deux canaux de fréquences différents du fait de la mise en oeuvre croissante du multibande. Lorsqu'il est appliqué à un système de communication utilisant différents canaux de fréquences, un amplificateur doit amplifier ces différents canaux de fréquences en large bande. En outre, du fait que tous les amplificateurs existants ont des caractéristiques non linéaires, il est nécessaire de disposer de moyens pour réduire la distorsion d'intermodulation du 3eme ordre (IMD3) provenant de l'interférence entre les différents canaux de fréquences. L'un des amplificateurs à gain variable à rétroréaction traditionnels est illustré sur les 25 figures 1 et 2. La figure 1 est un schéma de circuit illustrant un amplificateur à gain variable traditionnel, qui comprend un circuit amplificateur AMP1 pour amplifier un signal d'entrée et un contrôleur de gain GC1 connecté en rebouclage au circuit amplificateur AMP1 pour effectuer la commande de gain. Le circuit amplificateur AMP1 comprend une bobine L11, qui est connectée entre le potentiel de l'alimentation VDD et la masse, et un premier transistor à effet de champ FET11. Le premier transistor à effet de champ FET11 possède une grille connectée à l'entrée Vin et un drain connecté à la sortie Vout. Le contrôleur de gain GC1 est connecté entre l'entrée Vin et la sortie Vout, et comprend un second transistor à effet de champ FET12, un condensateur C11, une bobine L12 et une résistance R11. La résistance R11 est connectée en parallèle entre un drain et une source du second transistor à effet de champ FET12. En outre, la grille du second transistor à effet de champ FET12 est connectée à la tension de commande VC1. La description détaillée de l'amplificateur à gain variable illustré sur la figure 1 est présentée dans le brevet US n 6 285 257. Il va maintenant être fait référence au fonctionnement de l'amplificateur à gain variable traditionnel, dans lequel le circuit amplificateur AMP1 de l'amplificateur à gain variable illustré sur la figure 1 ne sera pas décrit car il est bien connu dans l'art. Dans le contrôleur de gain GC1, la résistance R11 maintient un niveau de tension uniforme entre le drain et la source du second transistor à effet de champ FET12, et le condensateur C11 isole la tension à la grille du premier transistor à effet de champ FET11 du potentiel de l'alimentation VDD. Par ailleurs, en régulant la tension appliquée à la grille par la tension de commande VC1, le second transistor à effet de champ FET12 fonctionne comme une résistance variable avec la résistance R11. La bobine L12, en permettant au contrôleur de gain GC1 d'avoir une phase d'impédance positive, a pour rôle d'élargir la plage de phase du signal de rétroaction. La figure 2 est un schéma de circuit équivalent du contrôleur de gain de l'amplificateur à gain variable illustré sur la figure 1, dans lequel le second transistor à effet de champ FET12 et la résistance R11 du contrôleur de gain GC1 sont connectés en série. Comme illustré sur la figure 2, le circuit équivalent du contrôleur de gain GC1 est exprimé de façon équivalente par la connexion série d'une résistance variable R21, d'un condensateur C21 et d'une bobine L21. L'amplificateur à gain variable traditionnel illustré sur la figure 1 peut ajuster la résistance de la résistance variable R12 par une tension de commande VC1 pour contrôler le gain de l'amplificateur. C'est-à-dire que l'amplificateur de gain amplifie la tension de commande VC1 pour avoir un gain élevé en réponse à une faible proportion du signal d'entrée, mais réduit la tension de commande VC1 pour avoir un faible gain en réponse à une large proportion du signal d'entrée. Toutefois, l'amplificateur à gain variable traditionnel possède un transistor à effet de champ comme circuit actif se trouvant sur le trajet de rebouclage à des fins de contrôle de gain. Du fait que le circuit actif a sa propre résistance, il se pose un problème, en ce que le transistor FET sur le trajet de rebouclage aggrave les caractéristiques de bruit. Par ailleurs, si l'amplificateur à gain variable traditionnel est utilisé avec un système à large bande utilisant deux canaux de fréquences différents, la fréquence d'intermodulation du troisième ordre provenant de la distorsion d'intermodulation des différentes fréquences a lieu à proximité du canal. La distorsion d'intermodulation du troisième ordre crée alors un problème de mauvaise linéarité, et l'art antérieur ne décrit aucun moyen pour atténuer la distorsion d'intermodulation du troisième ordre. La présente invention a été réalisée afin de résoudre les problèmes de l'art antérieur susmentionnés, et un objectif de la présente invention est donc de proposer un amplificateur large bande à gain variable capable d'une variation de gain sur une grande plage en contrôlant la charge. Un autre objectif de l'invention est de proposer un amplificateur large bande à gain variable capable d'améliorer la linéarité en effectuant une réaction positive sur un signal d'entrée. Selon un aspect de l'invention pour réaliser ces objectifs, il est proposé un amplificateur large bande à gain variable comprenant: un circuit amplificateur d'inversion pour amplifier un signal d'entrée; un circuit amplificateur de non-inversion pour amplifier ce signal d'entrée; un circuit d'alimentation pour commander le gain du circuit amplificateur de non- inversion; et un circuit de charge pour commander le gain de chacun des circuits amplificateurs d'inversion et de non-inversion, ce circuit de charge étant connecté entre une jonction de bornes de sortie des circuits amplificateurs et un potentiel de l'alimentation, moyennant quoi les signaux de sortie des circuits amplificateurs d'inversion et de non-inversion sont générés en sortie via une borne de signal de sortie commune afin d'atténuer la fréquence d'intermodulation du troisième ordre générée par les circuits amplificateurs, en amplifiant ainsi une fréquence prédéterminée incluse dans le signal d'entrée. De préférence, le circuit amplificateur d'inversion peut comprendre un transistor à effet de champ principal possédant une grille connectée à une borne de signal d'entrée, un drain connecté à la borne de signal de sortie et une source reliée à la masse; et un circuit de rétroaction comportant une pluralité de composants passifs connectés en série entre la grille et le drain du FET principal. De préférence, le circuit amplificateur de non-inversion peut comprendre un premier transistor à effet de champ comportant une grille connectée à une première tension de commande et un drain connecté au drain du transistor à effet de champ principal, et une source connectée à la borne de signal d'entrée via un condensateur de couplage. De préférence, la première tension de commande peut avoir une amplitude prédéterminée d'une tension constante. De préférence, le circuit d'alimentation peut comprendre un second transistor à effet de champ possédant une grille connectée à une seconde tension de commande, un drain connecté à la source du premier transistor à effet de champ de l'amplificateur de non-inversion et une source reliée à la masse. De préférence, le circuit de charge peut comprendre une résistance connectée entre le potentiel de l'alimentation et la borne du signal de sortie, utiliser une bobine à la place de la résistance pour augmenter la fréquence, ou utiliser à la fois la résistance et la bobine, en même temps. Dans ce cas, le circuit de charge peut comprendre également un troisième transistor à effet de champ possédant un drain connecté à la borne du signal de sortie, une source connectée au drain du transistor à effet de champ principal du circuit amplificateur d'inversion et une grille connectée à une troisième tension de commande. De préférence, dans lequel la troisième tension de commande peut avoir une amplitude prédéterminée d'une tension constante. De préférence, le circuit de charge peut comprendre également un quatrième transistor à effet de champ possédant un drain connecté à une extrémité du circuit de charge, une source connectée à l'autre extrémité du circuit de charge et possédant une grille connectée à une quatrième tension de commande. Par ailleurs, le circuit de charge peut comprendre également un cinquième transistor à effet de champ possédant un drain connecté à la borne de tension d'alimentation, une source connectée à la source du troisième transistor à effet de champ et une grille connectée à une cinquième tension de commande. Dans les montages décrits ci-dessus, le transistor FET principal, les premier à troisième FET et le cinquième transistor à effet de champ peuvent être du type à conductivité de canal N, et le quatrième transistor à effet de champ peut être du type à conductivité de canal P. Les objectifs, caractéristiques et avantages qui précèdent et d'autres encore de la présente invention, seront compris plus clairement à la lecture de la description détaillée qui suit, conjointement aux dessins annexés, dans lesquels: la figure 1 est un schéma de circuit illustrant un amplificateur à gain variable traditionnel; la figure 2 est un schéma de circuit illustrant un contrôleur de gain de l'amplificateur à gain variable 20 illustré sur la figure 1; la figure 3 est un schéma de circuit illustrant un amplificateur large bande à gain variable selon l'invention; la figure 4 est un schéma illustrant le 25 fonctionnement de l'amplificateur large bande à gain variable illustré sur la figure 3; la figure 5 est un schéma de circuit illustrant les circuits internes d'un circuit de charge illustré sur la figure 3; et la figure 6 est un schéma illustrant la plage de gain variable de l'amplificateur large bande à gain variable selon l'invention. Un mode de réalisation préférentiel de la présente invention va maintenant être décrit en détail, en référence aux dessins annexés, sur lesquels les mêmes signes de références sont utilisées pour désigner les mêmes composants de référence, tout au long de la description. La figure 3 est un schéma de circuit illustrant un amplificateur large bande à gain variable selon l'invention. Sur la figure 3, l'amplificateur large bande à gain variable comprend un circuit amplificateur d'inversion du type à rétroaction 310 destiné à amplifier une tension d'entrée Vin, un circuit amplificateur de non inversion du type à rétroaction 320 destiné à amplifier une tension d'entrée Vin, un circuit d'alimentation 330 destiné à commander le gain du circuit amplificateur de non-inversion 320 et un circuit de charge 340 connecté entre une jonction de bornes de sortie des circuits amplificateurs d'inversion et de non-inversion 310 et 320 et un potentiel de l'alimentation VDD pour commander le gain des circuits amplificateurs 310 et 320. L'amplificateur large bande à gain variable selon l'invention est du type à réaction positive, qui peut générer en sortie des signaux issus des circuits amplificateurs d'inversion et de non-inversion 310 et 320 via une seule borne de sortie afin d'atténuer la fréquence d'intermodulation du troisième ordre IM3 générée depuis les circuits amplificateurs 310 et 320, en amplifiant ainsi les fréquences prédéterminées fl et f2 incluses dans le signal d'entrée. Le circuit amplificateur d'inversion 310 comprend un transistor à effet de champ principal FET30 comportant une grille connectée à la tension d'entrée Vin, un drain connecté à la tension de sortie Vout et une source reliée à la masse; et un circuit de rétroaction 311 possédant une pluralité de composants passifs connectés en série entre la grille et le drain du transistor à effet de champ principal FET30. Ici, le transistor à effet de champ principal FET30 peut être du type à conductivité de canal N. Le circuit amplificateur de non-inversion 320 comprend un premier transistor à effet de champ FET31 possédant une grille connectée à la première tension de commande VC1, un drain connecté au drain du transistor à effet de champ principal FET30 et une source connectée à l'entrée Vin via un condensateur de couplage CC. La première tension de commande VC1 peut avoir une valeur constante, et le 1er transistor à effet de champ FET31 peut être du type à conductivité de canal N. Le circuit d'alimentation de commande de gain 330 comprend un second transistor à effet de champ FET32 possédant une grille connectée à une seconde tension de commande VC2, un drain connecté à la source du premier transistor à effet de champ FET31 du circuit amplificateur de non- inversion 320 et une source reliée à la masse. Le deuxième transistor à effet de champ FET32 peut être du type à conductivité de canal N. La figure 4 est un schéma illustrant le fonctionnement de l'amplificateur large bande à gain variable illustré sur la figure 3. Sur la figure 4, l'amplificateur large bande à gain variable de l'invention est utilisé pour un système à large bande utilisant deux canaux de fréquences différents, dans lequel les signes de référence fl et f2 désignent deux fréquences différentes, et le signe de référence IM3 désigne la fréquence d'intermodulation du troisième ordre provenant de la distorsion d'intermodulation entre les différentes fréquences f1 et f2. Le circuit de charge 340 comprend une résistance RD connectée entre le potentiel de l'alimentation VDD et la sortie Vout. En variante, le circuit de charge 340 peut également adopter une bobine au lieu de la résistance pour augmenter la fréquence. Bien entendu, la résistance et la bobine peuvent être utilisés ensemble. Le circuit de charge 340 illustré sur la figure 3 peut être constitué des diverses formes illustrées sur la figure 5, lesquelles montrent divers exemples de circuits internes du circuit de charge 340. Comme illustré sur la figure 5(a), le circuit de charge 340 comprend un troisième transistor à effet de champ FET33 possédant une résistance RD connectée entre le potentiel de l'alimentation VDD et la sortie Vout, un drain connecté à la sortie Vout, une source connectée au drain du transistor à effet de champ principal FET30 du circuit amplificateur d'inversion 310, et une grille connectée à la troisième tension de commande VC3. Comme illustré sur la figure 5(b), le circuit de charge 340 comprend un troisième transistor à effet de champ FET33 possédant une résistance RD connectée entre le potentiel de l'alimentation VDD et la sortie Vout, un drain connecté à la sortie Vout, une source connectée au drain du transistor à effet de champ principal FET30 du circuit amplificateur d'inversion 310, et une grille connectée à la troisième tension de commande VC3; et un quatrième transistor à effet de champ FET34 possédant un drain connecté à une extrémité de la résistance RD, une source connectée à l'autre extrémité de la résistance RD et une grille connectée à une quatrième tension de commande VC4. Par ailleurs, comme illustré sur la figure 5(c), le circuit de charge 340 comprend un troisième transistor à effet de champ FET33 possédant une résistance RD connectée entre le potentiel de l'alimentation VDD et la sortie Vout, un drain connecté à la sortie Vout, une source connectée au drain du transistor à effet de champ principal FET30 du circuit amplificateur d'inversion 310, une grille connectée à la troisième tension de commande VC3; un quatrième transistor à effet de champ FET34 possédant un drain connecté à une extrémité de la résistance RD, une source connectée à l'autre extrémité de la résistance RD et une grille connectée à la quatrième tension de commande VC4; et un cinquième transistor à effet de champ FET35 possédant un drain connecté au potentiel de l'alimentation VDD, une source connectée à la source du troisième transistor à effet de champ FET33 et une grille connectée à la cinquième tension de commande VC5. Sur la figure 5, la troisième tension de commande VC3 peut avoir une valeur constante prédéfinie, à la fois le troisième et le cinquième transistors à effet de champ FET33 et FET35 peuvent être du type à conductivité de canal N, et le quatrième transistor à effet de champ FET34 peut être du type à conductivité de canal P. La figure 6 est un schéma illustrant la plage de gain variable de l'amplificateur large bande à gain variable selon l'invention. Sur la figure 6, les signes de référence GR1 à GR4 sont utilisés pour désigner les plages de gain variable de l'amplificateur large bande à gain variable de l'invention selon les charges variables du circuit de charge 340. Il va maintenant être fait référence de manière détaillée au fonctionnement et aux effets de l'invention, en référence aux dessins annexés. Lorsque l'amplificateur large bande à gain variable est utilisé pour un système à large bande traitant deux fréquences différentes désirées fl et f2, un signal d'entrée de l'amplificateur large bande à gain variable contient les fréquences désirées fl et f2, qui génèrent la fréquence d'intermodulation du troisième ordre IM3, tout en passant par l'amplificateur large bande à gain variable. Puis l'amplificateur large bande à gain variable de l'invention amplifie les fréquences désirées mais atténue la fréquence d'intermodulation du troisième ordre IM3, qui sera décrite en détails ci-après, en référence aux figures 3 à 6. En premier lieu, le circuit amplificateur d'inversion 310 de l'amplificateur large bande à gain variable effectue l'amplification d'inversion sur l'entrée Vin. Le circuit amplificateur d'inversion 310 comprend le transistor à effet de champ principal FET30, l'entrée du signal s'effectue via la grille du transistor à effet de champ principal FET30, la sortie du signal s'effectue via le drain du transistor à effet de champ principal FET30. Ainsi, avec le transistor à effet de champ principal FET30, le circuit amplificateur d'inversion 310 effectue une inversion de phase de 180 sur les fréquences désirées fl et f2 contenues dans un signal d'entrée et la fréquence d'intermodulation du troisième ordre IM3 provenant de l'interférence des ondes harmoniques des fréquences désirées fl et f2. En outre, le circuit de rétroaction 311 du circuit amplificateur d'inversion 310 comprend une pluralité de composants passifs connectés en série entre la grille et le drain du transistor à effet de champ principal FET30. Les composants passifs peuvent correspondre à une combinaison d'une résistance, d'un condensateur et d'une bobine. Avec ce circuit de rétroaction 311, l'amplificateur large bande à gain variable de l'invention peut exécuter une adaptation d'impédance à large bande, en permettant ainsi d'obtenir un gain uniforme dans les plages à haute fréquence. Puis le circuit amplificateur de non-inversion 320 de l'invention effectue une amplification de non- inversion sur le signal d'entrée, et le circuit d'alimentation de commande de gain 330 de l'invention commande le gain du circuit amplificateur de non-inversion 130. Le circuit amplificateur de non-inversion 320 comprend le premier transistor à effet de champ FET31, un signal d'entrée est appliqué via la source du premier transistor à effet de champ FET31, et un signal de sortie est appliqué via le drain du premier transistor à effet de champ FET31. Avec le premier transistor à effet de champ FET31, le circuit amplificateur de non-inversion 320 amplifie sans inversion les fréquences désirées f1 et f2 contenues dans le signal d'entrée et la fréquence d'intermodulation du troisième ordre IM3 provenant de l'interférence des ondes harmoniques des fréquences désirées fl et f2. Dans ce cas, la première tension appliquée depuis la première tension VC1 à la grille du premier transistor à effet de champ FET31 peut être fixée, par exemple à 1,1 V. Comme illustré sur la figure 4, l'amplificateur large bande à gain variable de l'invention peut générer en sortie des signaux issus des circuits amplificateurs d'inversion et de non-inversion 310 et 320 via une seule borne de sortie, et amplifier ainsi les fréquences désirées fl et f2 dans un signal d'entrée jusqu'à une valeur prédéfinie tout en atténuant une fréquence d'intermodulation du troisième ordre IM3 jusqu'à une très faible valeur, en améliorant ainsi la linéarité. L'opération de commande du gain de l'amplificateur de non-inversion 320 par le circuit d'alimentation de commande de gain 330 va maintenant être décrite. Si le circuit d'alimentation de commande de gain 330 comprend le second transistor à effet de champ FET32, le second transistor à effet de champ FET32 peut être activé ou désactivé en définissant la seconde tension de commande appliquée à la grille du second transistor à effet de champ comme une tension haute ou basse. Si le second transistor à effet de champ FET32 est désactivé, un signal d'entrée ne sera amplifié que par le circuit amplificateur d'inversion 310. Si le second transistor à effet de champ FET32 est activé, le signal d'entrée sera amplifié par les circuits amplificateurs d'inversion et de non-inversion 310 et 320. Si la seconde tension de commande est générée avec le second transistor à effet de champ FET32 activé, la tension circulant à travers les extrémités drain et source du second transistor à effet de champ FET32 augmente. Cela augmente également la tension circulant à travers les extrémités drain et source du premier transistor à effet de champ FET31, en augmentant ainsi le gain d'amplification du signal par le premier transistor à effet de champ FET31. Au contraire, toute baisse de la seconde tension de commande entraîne également une réduction des tensions circulant à travers les extrémités drain et source des premier et second transistors à effet de champ, en réduisant ainsi le gain d'amplification du signal par le premier transistor à effet de champ FET31. Comme décrit ci-dessus, l'invention peut ajuster l'amplitude des fréquences désirées fl et f2 contenues dans le signal de sortie et la fréquence d'intermodulation du troisième ordre IM3 en régulant le gain du circuit amplificateur de non-inversion 320 en utilisant le circuit d'alimentation de commande de gain 330. Ainsi, la fréquence d'intermodulation du troisième ordre IM3 peut être sensiblement éliminée en la corrigeant au moyen du circuit amplificateur de non-inversion 320. Si le transistor à effet de champ principal FET30 et le premier transistor à effet de champ FET31 sont utilisés avec une propriété différente, les circuits amplificateurs d'inversion et de non-inversion 310 et 320 peuvent générer en sortie les fréquences désirées avec une amplitude prédéfinie, et atténuer jusqu'à un degré remarquable la fréquence d'intermodulation du troisième ordre. Pour décrire cette opération plus en détail, la sortie du circuit amplificateur d'inversion 310 peut être exprimée par des fréquences d'entrée (premier ordre) et une fréquence d'intermodulation (troisième ordre) répondant à l'Equation 1 ci-dessous, et la sortie de l'amplificateur de non-inversion 320 peut être exprimée par des fréquences d'entrée (premier ordre) et une fréquence d'intermodulation (troisième ordre) répondant à l'Equation 2 ci-dessous: yl = - (A, + A Par ailleurs, du fait que la sortie du circuit amplificateur d'inversion 310 et la sortie du circuit amplificateur de non-inversion 320 sont combinées dans l'amplificateur large bande à gain variable de l'invention, la sortie Vout de l'amplificateur large bande à gain variable peut être exprimée par l'Equation 3 ci-dessous. Vout = y2 - yl = (B-A) x + (Bo - Ami) x3 Equation 3 Dans l'Equation 3 qui précède, A est le gain de l'amplificateur d'inversion 310, qui est déterminé par la tension du transistor à effet de champ principal FET30 et la résistance du circuit de charge 340, et a est déterminée par la longueur et la largeur du transistor à effet de champ principal, FET30. En outre, B est le gain de l'amplificateur de non-inversion 320, qui est déterminé par la tension du premier transistor à effet de champ, FET31 et la résistance du circuit de charge 340, et (3 est déterminée par la longueur et la largeur du premier transistor à effet de champ, FET31. Si A et B sont déterminés par le courant et la résistance, la taille du premier transistor à effet de champ FET31 du circuit amplificateur de noninversion 320 est ajustée afin de supprimer le composant du troisième ordre, de telle sorte qu'un facteur Bpi-Ax du terme du troisième ordre devient O. Cela peut, en conséquence, améliorer la linéarité de l'amplificateur large bande à gain variable selon l'invention. Le circuit de charge 340 a sa propre charge qui influence le gain de l'amplificateur large bande à gain variable comprenant les circuits amplificateurs d'inversion et de non-inversion 310 et 320. Ainsi, le gain de l'amplificateur large bande à gain variable de l'invention peut être commandé en faisant varier la charge du circuit de charge 340, comme décrit ci-après. Sur la figure 5, le gain de l'amplificateur large bande à gain variable de l'invention, comprenant l'amplificateur d'inversion 310 et l'amplificateur de non-inversion 320, est déterminé par les caractéristiques de résistance totales RT et FET assurées par le circuit de charge 340. Dans ce cas, les caractéristiques FET comprennent la trans- conductance FET et l'amplitude FET. La résistance RD du circuit de charge 340 influe sur les circuits amplificateurs 310 et 320, ce qui peut être expliqué par l'Equation 4 ci-dessous: Axgm x RT Equation 4, A étant le gain, et gm la trans-conductance. Comme on a pu le voir dans l'Equation 4 ci-dessus, la résistance totale RT assurée par le circuit de charge 340 augmente également le gain de l'amplificateur large bande à gain variable de l'invention. Si le circuit de charge 340 comprend la résistance RD, comme illustré par la figure 3, la résistance totale RT du circuit de charge 340 correspond à la résistance de la résistance RD, ce qui rend le gain du circuit amplificateur d'inversion 310 fixe, sans variation. Par contre, le gain de l'amplificateur à large bande de non-inversion 320 varie selon la seconde tension de commande VC2. En conséquence, l'amplificateur large bande à gain variable selon l'invention possède une plage prédéterminée de gain variable désignée par GR1, comme illustré par la figure 6. Sur la figure 5(a), le troisième transistor à effet de champ FET33 est ajouté en série à la résistance RD du circuit de charge 340. Si la troisième tension de commande VC3 a une valeur prédéterminée (ex. 1,8 V), le troisième transistor à effet de champ FET33 a sa propre résistance, detelle sorte que la résistance totale RT du circuit de charge 340 dépasse la résistance de la résistance RD. Puis l'amplificateur large bande à gain variable selon l'invention a une plage prédéterminée de gain variable désignée par GR2 sur la figure 6. Cela montre que GT2 peut varier jusqu'à un niveau de gain plus élevé que GR1. Sur la figure 5(b), le quatrième transistor à effet de champ FET34 est également ajouté en parallèle à la résistance RD du circuit de charge 340. Si la quatrième tension de commande VC4 appliquée à la grille du quatrième transistor à effet de champ FET34 a une valeur prédéterminée (ex. 0 à 1,8 V), le quatrième transistor à effet de champ FET34 a une résistance correspondant à l'amplitude de la quatrième tension de commande VC4, de telle sorte que la résistance totale RT du circuit de charge 340 devient inférieure à la résistance totale de la figure 5(b). Puis l'amplificateur large bande à gain variable de l'invention a une plage prédéterminée de gain variable désignée par GR3 sur la figure 6. Cela montre que GR3 peut varier jusqu'à un niveau de gain inférieur à GR2. Par ailleurs, sur la figure 5(c), le cinquième transistor à effet de champ FET35 est ajouté en parallèle au circuit de charge 340 illustré sur la figure 5(b). Si la cinquième tension de commande VC5 appliquée à la grille du cinquième transistor à effet de champ FET35 a une valeur prédéterminée (ex. 0 à 1,8 V), le cinquième transistor à effet de champ FET35 a une résistance correspondant à l'amplitude de la cinquième tension de commande VC5, de telle sorte que la résistance totale RT du circuit de charge 340 devient inférieure à la résistance totale de la figure 5(c). Donc l'amplificateur large bande à gain variable de l'invention a un gain prédéterminé désigné par GR4 sur la figure 6. Cela montre que GR4 peut varier jusqu'à un niveau de gain inférieur à GR3. Comme décrit ci-dessus en référence à la figure 5, il est possible de commander le fonctionnement des troisième à cinquième transistors à effet de champ FET33-35 par les troisième à cinquième tensions de commande VC35, en ajustant ainsi la plage de gain variable de l'amplificateur de noninversion 310 de GRl à GR4. Le circuit de charge 340 de l'invention confère donc à l'amplificateur large bande à gain variable une large plage de gain GR, comme illustré sur la figure 6. Selon l'invention décrite ci-dessus, il est possible de faire varier le gain dans une grande proportion en contrôlant la charge. Par ailleurs, par une amplification d'inversion et de non-inversion sur un signal d'entrée et de sortie exécutée par une seule borne de sortie, il est possible d'amplifier une fréquence désirée à une amplitude prédéfinie, tout en atténuant remarquablement la fréquence d'intermodulation du troisième ordre, ce qui améliore la linéarité. Bien entendu, l'invention n'est pas limitée aux exemples de réalisation ci-dessus décrits et représentés, à partir desquels on pourra prévoir d'autres modes et d'autres formes de réalisation, sans pour autant sortir du cadre de l'invention. REVENDICATIONS 1. Amplificateur large bande à gain variable comprenant: un circuit amplificateur d'inversion (310) pour amplifier un signal d'entrée (Vin) ; un circuit amplificateur de non-inversion (320) pour amplifier le signal d'entrée (Vin) ; un circuit d'alimentation (330) pour commander le gain du circuit amplificateur de non-inversion (320) ; et un circuit de charge (340) pour contrôler le gain de chacun des circuits amplificateurs d'inversion et de non-inversion (310, 320), le circuit de charge (340) étant connecté entre une jonction des bornes de sortie des circuits amplificateurs (310, 320) et une tension d'alimentation, moyennant quoi les signaux de sortie des circuits amplificateurs d'inversion et de noninversion (310, 320) sont générés en sortie via une borne de signal de sortie (Vout) commune afin d'atténuer la fréquence d'intermodulation du troisième ordre générée par les circuits amplificateurs (310, 320), en amplifiant ainsi une fréquence prédéterminée incluse dans le signal d'entrée (Vin). 2. Amplificateur large bande à gain variable selon 25 la revendication 1, dans lequel le circuit amplificateur d'inversion (310) comprend un transistor à effet de champ principal (FET30) possédant une grille connectée à une borne de signal d'entrée (Vin), un drain connecté à la borne de signal de sortie (Vout) et une source reliée à la masse; et un circuit de rétroaction (311) comportant une pluralité de composants passifs connectés en série entre la grille et le drain du transistor FET principal (FET30). 3. Amplificateur large bande à gain variable selon la revendication 2, dans lequel le circuit amplificateur de non-inversion (320) comprend un premier transistor à effet de champ (FET11, FET31) comportant une grille connectée à une première tension de commande (VC1) et un drain connecté au drain du transistor à effet de champ principal (FET30), et une source connectée à la borne de signal d'entrée (Vin) via un condensateur de couplage (CC). 4. Amplificateur large bande à gain variable selon la revendication 3, dans lequel la première tension de commande a une amplitude prédéterminée d'une tension constante. 5. Amplificateur large bande à gain variable selon la revendication 3, dans lequel le circuit d'alimentation (330) comprend un second transistor à effet de champ (FET12, FET32) possédant une grille connectée à une seconde tension de commande (VC2), un drain connecté à la source du premier transistor à effet de champ (FET11, FET31) de l'amplificateur de non-inversion et une source reliée à la masse. 6. Amplificateur large bande à gain variable selon la revendication 5, dans lequel le circuit de charge (340) comprend une résistance (R11) connectée entre le potentiel de l'alimentation (VDD) et la borne du signal de sortie (Vout). 7. Amplificateur large bande à gain variable selon la revendication 6, dans lequel le circuit de charge (340) comprend également un troisième transistor à effet de champ (FET13, FET33) possédant un drain connecté à la borne du signal de sortie (Vout), une source connectée au drain du transistor à effet de champ principal (FET30) du circuit amplificateur d'inversion (310) et une grille connectée à une troisième tension de commande (VC3). 8. Amplificateur large bande à gain variable selon la revendication 7, dans lequel la troisième tension de commande a une amplitude prédéterminée d'une tension constante. 9. Amplificateur large bande à gain variable selon la revendication 7, dans lequel le circuit de charge (340) comprend également un quatrième transistor à effet de champ (FET14, FET34) possédant, un drain connecté à une extrémité du circuit de charge (340), une source connectée à l'autre extrémité du circuit de charge (340) et possédant une grille connectée à une quatrième tension de commande (VC4). 10. Amplificateur large bande à gain variable selon la revendication 9, dans lequel le circuit de charge (340) comprend également un cinquième transistor à effet de champ (FET15, FET35) possédant un drain connecté à la borne de tension d'alimentation, une source connectée à la source du troisième transistor à effet de champ (FET13, FET33) et une grille connectée à une cinquième tension de commande (VC5). 11. Amplificateur large bande à gain variable selon la revendication 10, dans lequel le transistor FET principal, les premier à troisième FET et le cinquième transistor à effet de champ (FET15, FET35) sont du type à conductivité de canal N. 12. Amplificateur large bande à gain variable selon la revendication 10, dans lequel le quatrième transistor à effet de champ (FET14, FET34) est du type à conductivité de canal P.