FR 2861500 A1 20050429 FR 0452406 A 20041022 Domaine de l'invention La présente invention concerne un procédé de liaison de plaquettes. L'invention concerne également un dispositif pour la mise 5 en oeuvre de ce procédé. Etat de la technique La fabrication de plaquettes SOI (silicium sur isolant) a été développée en micro-électronique pour avoir une meilleure isolation électrique du circuit intégré par rapport au substrat entre autre pour des ap- plications en courants forts ou à températures élevées. Une plaquette SOI caractéristique utilisable pour la fabrication de circuits en micro- électronique se compose d'une plaquette de support ayant une épaisseur caractéristique comprise entre 800 gm et 300 gm. La plaquette de support reçoit un oxyde mince ayant une épaisseur d'environ 0,5 gm jusqu'à 2 gm. L'oxyde est revêtu d'une couche de silicium monocristallin d'une épaisseur comprise entre 1 gm et 100 gm. La qualité du cristal de cette couche de silicium placée au-dessus est importante pour la réalisation des éléments de circuits intégrés. Les plaquettes SOI sont devenues de plus en plus intéressantes pour fabriquer des structures de microélectromécanique (structures MEMS). Surtout pour les applications dans le domaine des composants optiques MEMS ou des capteurs de vitesse de rotation on a présenté de plus en plus de prototypes et de nouvelles fonctions. Les avantages vis-à-vis des techniques en couches minces à l'exception de l'épitaxy de polysilicium, sont comme cela est fréquemment indiqué, l'absence de gradient de contrainte, la possibilité d'avoir des couches épaisses et des surfaces supérieures planes. Pour fabriquer de tels substrats de plaquettes on envisage essentiellement deux solutions. Une première solution, la technique SIMOX, consiste à im- planter des doses très importantes d'oxygène dans une plaquette de sili- cium monocristallin. Lorsqu'ensuite les dommages des rayonnements guérissent, il se forme aux températures très élevées, une couche d'oxyde enfouie d'une épaisseur d'environ 0,5 gm. Au-dessus de la couche d'oxyde se recristallise une mince couche de silicium qui forme un film monocristallin non perturbé. Sur cette couche de germe de silicium on développe ensuite par un procédé épitaxial, une couche monocristalline plus épaisse. Dans cette couche à croissance épitaxiale on développe ensuite des composants de circuits intégrés. La technique SIMOX est très coûteuse car elle nécessite des installations pour l'implantation d'oxygène avec des courants forts. De plus, dans ce procédé, l'épaisseur de la couche utile de silicium et celle de la couche d'oxyde sont limitées. Une autre limitation constructive de la technique SIMOX est qu'elle ne permet pas de faire pas- ser les chemins conducteurs enfouis sous la couche fonctionnelle. Les chemins conducteurs doivent passer en surface. Cela complique considérablement les techniques d'encapsulage de composants micromécaniques car il n'est pas possible avec des moyens simples de développer un cadre de liaison sans topographie pour la capsule. Une seconde solution consiste à munir la plaquette de support d'une mince couche d'oxyde thermique. Sur cette couche d'oxyde, on fixe une seconde plaquette par un procédé de liaison directe. On amincit cette plaquette à l'épaisseur voulue en attaquant le côté arrière, en le gravant et en le polissant. La difficulté de tous ces procédés de liaison directe est le rendement et par suite le coût. Les procédés de liaison directe sont très sensibles aux particules qui peuvent entraîner des inclusions importantes de liaison. C'est pourquoi les pertes risquent d'être importantes lorsqu'on structure la couche d'oxyde. Dans le procédé de liaison directe, on ne peut faire passer le chemin conducteur enfoui sous la couche fonctionnelle car cela développerait des effets de liaison étendue à cause de la topographie. Cela complique là encore l'encapsulage. Exposé et avantage de l'invention La présente invention concerne un procédé de liaison anodique de plaquettes du type défini ci-dessus, caractérisé par une couche intermédiaire entre la première plaquette, la seconde plaquette et les deux plaquettes étant liées de manière anodique. L'invention concerne également un dispositif du type défini ci-dessus, caractérisé par une couche intermédiaire entre la première pla- quette et la seconde plaquette, les deux plaquettes étant liées par voie 30 anodique. L'élément principal de l'invention réside dans la couche intermédiaire entre les deux plaquettes et de la liaison anodique que l'on réalise ensuite pour les deux plaquettes. Le procédé et le dispositif selon l'invention ont l'avantage d'une réalisation particulièrement économique. La couche intermédiaire à liaison anodique entoure de façon plastique les éventuelles particules ou compense les différences de niveau de la surface des plaquettes à fixer pour ne pas former de défauts de liaison. Il est particulièrement avantageux de réaliser des plaquettes SOI selon le procédé de l'invention. Selon un développement avantageux du procédé, la couche intermédiaire est une couche de verre appliquée selon un procédé de pro- jection sur au moins l'une des deux plaquettes. La couche intermédiaire peut se répartir régulièrement sur la plaquette et former une surface supérieure plane. Selon un développement avantageux de l'invention, la couche intermédiaire de liaison est structurée. La mise en structure peut con- sister par exemple à former par la liaison, une cavité entre la plaquette de support et la seconde plaquette. Cette caverne est intégrée dans la fabrication de structures de capteurs libres en mouvement. Il est en outre avantageux de réaliser la couche intermédiaire pour entourer de manière plastique d'éventuelles particules et de compenser les différences de niveau de hauteur des surfaces liées. On évite ainsi tout effet de liaison étendue. Il est particulièrement avantageux que la seconde plaquette se compose de plusieurs couches, en particulier d'un substrat de silicium et d'autres couches. Si ces couches sont mises en structure d'une certaine manière, la couche intermédiaire permet d'éviter d'éventuelles différences de niveau (différences de hauteur) de la surface résultant de la mise en structure en compensant ces différences de niveau et en évitant ainsi l'effet de liaison. Selon un autre développement particulièrement avantageux de l'invention, on réalise une couche conductrice isolée électriquement sur la couche fonctionnelle de silicium de la seconde plaquette. Cette couche conductrice peut être mise sous la forme d'une structure de chemin conducteur fixée localement à la couche fonctionnelle. Ces couches réalisent la liaison électrique entre les structures électromécaniques d'un compo- sant MEMS que l'on définit seulement après l'assemblage de la plaquette de support et de la couche fonctionnelle. En combinant plusieurs couches isolées, conductrices, mises en structure, on peut réaliser pratiquement n'importe quelle liaison électrique dans la surface de liaison; cela permet de développer également des structures de capteurs complexes, par exem- ple des intersections de chemins conducteurs. En outre, les chemins conducteurs enfouis permettent d'avoir des surfaces planes sur la face supérieure de la couche fonctionnelle permettant d'utiliser des techniques d'encapsulage, par exemple par des procédés de liaison. Le procédé permet par exemple de réaliser des capteurs d'accélération ou de vitesses de rotation avec des chemins conducteurs enfouis et un procédé à quatre masques; la couche fonctionnelle peut avoir n'importe quelle épaisseur. En outre, on évite le dopage de la couche fonctionnelle, sa mise sous forme planaire et l'oxyde protecteur. Le procédé selon l'invention permet de réaliser avantageusement un dispositif selon l'invention. Dessins La présente invention sera décrite ci-après de manière plus 10 détaillée à l'aide d'exemples de réalisation représentés dans les dessins annexés dans lesquels: la figure 1 montre la fixation anodique d'une plaquette de support avec une couche intermédiaire et une seconde plaquette en appliquant les étapes de procédé suivantes: figure lA: substrat de silicium muni d'une couche intermédiaire, figure 1B: mise en structure de la couche intermédiaire, figure 1C: liaison anodique de la seconde plaquette sur la couche intermédiaire, figure 1D: amincissement du substrat en partant du côté arrière, figure lE: application d'un métal de contact et mise en structure d'une couche fonctionnelle, - la figure 2 montre la liaison anodique d'une plaquette de support avec une couche intermédiaire et une seconde plaquette formée d'un substrat et de deux autres couches isolantes, appliquant les étapes de pro- cédé suivantes: figure 2A: substrat avec une couche sacrifiée isolante, une autre couche d'isolation et une couche intermédiaire, figure 2B: liaison anodique de la plaquette de support à la couche intermédiaire et la seconde plaquette, figure 2C: amincissement du côté arrière du substrat, figure 2D: application et mise en structure d'un métal de contact, mise en structure d'une couche fonctionnelle, figure 2E: gravure de la couche sacrifiée, la figure 3 montre la liaison anodique d'une plaquette de support et d'une couche intermédiaire ainsi que d'une seconde plaquette formée d'un substrat, une couche d'isolation mise en structure et d'une autre couche d'isolation et appliquant les étapes de procédé suivantes: figure 3A: plaquette de support avec couche intermédiaire, couche d'isolation structurée et autres couches d'isolation, figure 3B: liaison des deux plaquettes et mise en structure de la seconde plaquette, figure 3C: gravure de la couche isolante sacrifiée, la figure 4 montre la liaison anodique d'une plaquette de support à une couche intermédiaire et une seconde plaquette formée d'un substrat, une couche d'isolation structurée et une structure conductrice enfouie, appliquant les étapes de procédé suivantes: figure 4A: application de la couche d'isolation et de la couche conductrice sur le substrat, figure 4B: compensation de la topographie par application de revêtement, figure 4C: liaison anodique de la plaquette de support, figure 4D: amincissement du substrat par le côté arrière, figure 4E: application du métal de contact, mise en structure de la couche fonctionnelle, figure 4F: gravure de la couche sacrifiée, la figure 5 montre un dispositif selon l'invention et une plaquette 20 d'encapsulage fixée à celle-ci. Description de modes de réalisation La figure 1 montre la liaison anodique d'une plaquette de support avec une couche intermédiaire et une seconde plaquette. Une réalisation du procédé permet de cette manière de fabriquer une plaquette SOI. La figure lA montre tout d'abord un substrat de silicium 1 sur lequel est appliquée une couche intermédiaire 2. Sur le substrat de silicium 1, de préférence dopé de manière conductrice, on applique selon un mode de réalisation avantageux du procédé de l'invention, une couche de verre 2 comme couche intermédiaire 2 par un procédé de projection (SOG) et on trempe pour que la couche 2 présente une surface supérieure plane. Comme le montre la figure 1B, la couche 2 peut être structurée par exemple par gravure pour foi nier des cavités 5 qui viendront ultérieurement directement sous la structure de capteur. L'étape de gravure permet de réaliser des repères d'ajustage pour les cavités 5 utilisés ultérieurement pour l'ajustage des plans de la face arrière. La couche 2 peut également être travaillée sans être structurée. Dans l'étape suivante, comme le montre la figure 1C, sur une plaquette de support 6 on fixe le substrat 1 réalisé ici comme seconde plaquette 1, en utilisant la couche SOG 2. Pour cela, on applique la liaison anodique selon l'invention. Les particules de la surface de liaison 7 jouent un rôle beaucoup plus réduit que par exemple dans le cas du procédé de liaison directe. La figure 1D montre l'amincissement consécutif du substrat 1. Pour cela, on amincit le substrat 1 à partir de son côté arrière, on le grave et on le polit. On obtient ainsi la couche fonctionnelle 12. L'épaisseur définitive de la couche mono-cristalline 12 doit être de l'ordre de 10 gin jusqu'à 200 m. Il n'est pas nécessaire d'effectuer ensuite un montage. La figure lE montre l'application d'un métal de contact 10 et la mise en structure de la couche fonctionnelle 12. Tout d'abord on applique le métal de contact 10 et on met en structure (de préférence Al(SiCu)). Puis on applique une couche de masquage structurée, non représentée, qui définit les composants mécaniques de la structure de composants pour l'étape consécutive de gravure en profondeur. Pour structurer les sillons d'isolation 11 et les structures mobiles 120 dans la couche fonctionnelle 12, on utilise de manière préférentielle le procédé de gravure en profondeur connu selon l'état de la technique. A ce stade, le procédé de fabrication d'une structure microélectromécanique est déjà terminé sans gravure de la couche sacrifiée car la cavité 5 se situe direc- terrent sous la structure de capteur mobile 120. Dans le cas de la liaison selon la figure 1C, avec une couche SOG non structurée, il n'est pas nécessaire de graver cette couche. La figure 2 montre un autre mode de réalisation du procédé de l'invention, à savoir la liaison anodique d'une plaquette de support avec une couche intermédiaire et une seconde plaquette formée d'un substrat et de deux autres couches isolantes. Selon cette réalisation du procédé on obtient une plaquette SOI en procédant comme suit: La figure 2A montre comment réaliser une autre couche d'isolation non structurée 3 (par exemple une couche d'oxyde) sur le substrat 1; cette couche sera ultérieurement enlevée en appliquant un procédé de gravure connu de la couche sacrifiée. Ensuite, on réalise sur celle-ci une couche d'isolation 4 qui ne sera pas attaquée lors de la gra- vure ultérieure de la couche sacrifiée. Il peut s'agir par exemple d'une couche SiN. Puis on applique finalement la couche intermédiaire 2 sus- ceptible d'être liée par voie anodique; cette couche intermédiaire peut être une couche SOG 2 selon un développement du procédé. Le substrat 1 avec les couches 3 et 4 forme la plaquette 100. Comme le montre la figure 2B, la seconde plaquette 100 avec la couche supérieure 7 et au-dessus de celle-ci la couche SOG est par voie anodique sur une plaquette de support 6. La figure 2C montre comment on amincit le substrat 1 en partant de son côté arrière jusqu'à atteindre l'épaisseur voulue, en gravant 5 et en polissant. On forme ainsi la couche fonctionnelle 12. Il n'est pas nécessaire de prévoir un dopage a posteriori. La figure 2D montre l'application et la mise en structure du métal de contact 10 ainsi que la mise en structure de la couche fonctionnelle 12. On applique le métal de contact 10 et on le met en structure (il s'agit de préférence de Al(SiCu)). Puis on applique une couche formant masque de structure non représenté. La couche formant masque définit les composants mécaniques de la structure de composants pour l'étape consécutive de gravure profonde. Pour structurer la couche fonctionnelle 12 on utilise de préférence un procédé de gravure en profondeur connu selon l'état de la technique pour les structures mobiles 120 et les sillons d'isolation 11. L'autre plaquette 100 comprend la couche fonctionnelle 12, la couche sacrifiée 3 et la couche d'isolation 4 résistant à la gravure. Ensuite, selon la figure 2 E, on effectue une opération de gravure de la couche sacrifiée qui enlève la couche 3 de manière sélective par rapport à la couche 4 et la couche 12 dans la zone 20 sous les structures mobiles 120 de la couche fonctionnelle 12 et dans la zone 21 sous le sillon d'isolation 11. Le procédé de fabrication d'une structure de microélectromécanique est ainsi terminé. La figure 3 montre selon un autre développement préféren- tiel du procédé de l'invention, la liaison anodique d'une plaquette de support avec une couche intermédiaire et une seconde plaquette formée d'un substrat, d'une couche d'isolation structurée et d'une autre couche d'isolation. En particulier, cela permet de fabriquer une plaquette SOI. La figure 3A montre tout d'abord le substrat 1 sur lequel on développe la couche d'isolation 3. La couche d'isolation 3 est mise en structure dans les zones 3a, 3b et constitue une couche sacrifiée. Ensuite, on dépose l'autre couche d'isolation 4 qui est de préférence résistante vis-à-vis de la gravure de la couche auxiliaire. Les couches 1, 3a, 3b et 4 for-ment en combinaison la seconde plaquette 200. Sur la couche 4 on appli- que la couche intermédiaire 2 pour obtenir une surface plane 7. La couche intermédiaire 2 peut être notamment constituée par la couche SOG 2. La figure 3B montre une plaquette SOI liée, ayant une couche fonctionnelle structurée. Pour cela, on fixe tout d'abord la seconde s plaquette 200 à la surface supérieure 7 de la couche SOG 2 sur la plaquette de support 6. Ensuite, on amincit le substrat 1 à partir de son côté arrière et on le structure pour obtenir la couche fonctionnelle avec des sillons d'isolation 11 et des structures mobiles 120. Pour la mise en structure en profondeur de la couche fonctionnelle 12 on définit les sillons d'isolation 11 et les structures mobiles 120 sur les zones 3a, 3b de la couche sacrifiée, adjacents latéralement de tous côtés aux zones de la couche 4. La figure 3C montre la gravure de la couche sacrifiée 3. Cette opération de gravure de la couche sacrifiée faite ensuite enlève les parties de la couche sacrifiée 3a sous les sillons d'isolation 11 et les parties de la couche sacrifiée 3b sous les structures mobiles 120 de la couche fonctionnelle 12. La gravure s'arrête sélectivement à la surface avec la couche d'isolation 4 (par exemple SiN) pour ne pas rencontrer de gravure non voulue de la couche fonctionnelle 12. Le procédé de gravure développe des cavités 30a sous les sillons d'isolation 11 et les cavités 30b sous les structures mobiles 120. Les sillons d'isolation avec la cavité 30b s'étendent jusque vers la couche d'isolation 4. Les structures 120 deviennent mobiles par les cavités 30b. La figure 4 montre la liaison anodique d'une plaquette de support avec une couche intermédiaire et une couche d'isolation structurée ainsi que des structures de conducteur enfouies. La figure 4A montre l'application d'une couche d'isolation et d'une couche conductrice sur un substrat. Un substrat Si, 1, dopé de préférence de manière conductrice, reçoit une première couche d'isolation 401. Pour cela, on procède par exemple par oxydation thermique, TEOS, par oxydation PECVD ou en appliquant un procédé analogue. Ensuite, on structure la couche d'isolation 401 pour former les trous de contact 402 vers le substrat 1 situé en dessous. Cette mise en structure se fait par exemple par voie humide ou sèche ou encore par oxydation locale de sili- cium (LOCOS). Puis on munit la première couche d'isolation 401 d'une couche conductrice 403; il peut s'agir de préférence de silicium polycris- tallin mais également d'un siliciure ou autres. La couche conductrice 403 est structurée en partie de chemins conducteurs 403. En option on peut appliquer une seconde couche d'isolation après la mise en structure des chemins conducteurs; cette seconde couche n'est pas représentée. La seconde couche d'isolation prévue en option couvre toutes les surfaces 404 de la couche conductrice 403 et de l'oxyde 401. Cette couche n'est pas structurée et peut avoir une épaisseur d'environ 50 nm jusqu'à 0,51am. Selon l'invention, la seconde couche d'isolation est en une matière qui ne sera pas attaquée par les gaz de réaction lors de l'opération de gravure de la couche sacrifiée faite ultérieurement, comme par exemple SiN. Selon la figure 4B, dans l'étape suivante on compense la surface supérieure, structurée, en appliquant un revêtement. Sur le chemin conducteur 403 ou la seconde couche d'isolation et sur les surfaces accessibles de la couche 401 on applique une ou plusieurs couches 405 qui ne sont pas structurées. La couche 405 peut être un isolant ou, si l'on utilise l'option de la seconde couche d'isolation, il peut s'agir d'une matière conductrice. On utilise de préférence une matière compensant totalement ou partiellement les différences de hauteur entre la surface supérieure 404, en particulier les trous de contact 402. Pour ce revêtement, on peut appliquer les procédés tels que les procédés TEOS, TEOS:03, les procédés de filage sur verre ou procédés analogues. Une autre possibilité consiste à déposer du silicium polycristallin comme couche 405 et de l'aplanir chimiquement ou par polissage mécanique. Les couches 1, 401, 403 et la seconde couche d'isolation en option forment la seconde plaquette 300. Au-dessus de la couche 405 on projette une application de filage sur verre (procédé SOG) et on soumet à un traitement thermique. Ce procédé SOG fait couler pour donner un film lisse de surface 7. Selon l'invention, la couche 2 peut être une couche SOG alcaline. Comme le montre la figure 4C, dans l'étape suivante on fixe de manière anodique la seconde plaquette 300 à la surface 7 de la couche SOG 2 sur la plaquette de support 6. La surface de liaison 7 est alors beaucoup moins sensible aux impuretés par les particules que dans le cas du procédé de liaison directe. La figure 4D montre l'amincissement consécutif du substrat 1 à partir de son côté arrière. Le substrat 1 est aminci à une épaisseur comprise entre 10 m et 100 m. On obtient la couche fonctionnelle 12 mise en contact électrique par les trous de contact 402 avec le chemin conducteur 403. La figure 4E montre l'application suivante et la mise en structure du métal de contact 10 ainsi que la mise en structure de la cou- che fonctionnelle 12. Au cours d'une étape suivante on dépose les con- tacts métalliques 10 et on met en structure. L'ajustage du masque de photolithogravure peut se faire sur des structures enfouies par exemple dans la couche 403 reconnaissables facilement par transmission de lumière infrarouge. Puis on définit un masque de gravure (vernis, masque d'oxyde, etc...) pour le procédé de mise en structure en profondeur suivant. Au cours de ce procédé de mise en structure en profondeur on grave les sillons 11. Ces sillons définissent les patins de contact extérieur 15, les cadres de liaison 16, les patins de contact intérieur 14, les structures liées 13 et les éléments fonctionnels mobiles 120. Puis, comme le montre la figure 4F, on enlève la couche sacrifiée par gravure. Après la mise en structure en profondeur on grave la couche sacrifiée des zones exposées de la couche 402 dégagée par les sillons 11. L'attaque par gravure se fait de manière sélective vis-à-vis de la couche 403; la gravure peut arriver jusque dans la couche 405. L'utilisation d'une seconde couche d'isolation appropriée non attaquée par l'agent de gravure, arrête sélectivement la gravure à la frontière 404, évitant toute gravure en contre-dépouille incontrôlée des chemins conduc- teurs 403. Après la gravure de la couche sacrifiée, les structures mobiles librement 120 dépassent des zones enlevées par gravure 30. La gravure est réalisée pour que la couche sacrifiée 401 subsiste d'une part entre la couche conductrice 403 ou la couche 405 et d'autre part de façon continue entre le cadre de liaison 16 et le patin de contact extérieur 15 et reste en grande partie conservée. Les zones d'isolation divisées ainsi formées 120, 13 et 14, 15 sont reliées électriquement par les chemins conducteurs 403. Le patin de contact intérieur 14 passe sous le cadre de liaison 16 et il est relié au patin de contact extérieur 15. Ainsi, il n'y aura pas de topo-graphie sur les surfaces de liaison 8 du cadre de liaison 16. La figure 5 montre une réalisation d'un dispositif 600 selon l'invention; il se compose d'une plaquette SOI 400 et d'une plaquete d'encapsulage 500. La plaquette d'encapsulage ou de recouvrement 500 est fixée par un milieu d'assemblage 17 par exemple par un ciment de verre à la surface de liaison 8 avec la plaquette SOI 400. La plaquette SOI 400 se compose de la première plaquette ou plaquette de support 6, de la couche intermédiaire 2 et de la seconde plaquette 300. La première plaquette 6 et la seconde plaquette 300 sont liées de manière anodique par la couche intermédiaire 2. La seconde plaquette 300 comprend la couche de compensation 405, la couche électroconductrice 403, la couche d'isolation ou couche sacrifiée 401 et la couche fonctionnelle 12. La couche fonctionnelle 12 est subdivisée par des sillons 11 en des patins de contact extérieur 15, des cadres de liaison 16, des patins de contact intérieur 14, des structures reliées 13 et des éléments fonctionnels mobiles 120. Les zones 120 et 13 ainsi que 14 et 15, isolées les unes des autres par les sillons 11, sont reliées électriquement par les chemins conducteurs 403. Le conducteur 403 partant du patin de contact intérieur 14, passe sous le cadre de liaison 16 pour être relié au patin de contact extérieur 15. Il n'y a pas de topographie associée aux chemins conducteurs 403 sur la surface de liaison 8 du cadre de liaison 16. C'est pourquoi la surface de liaison 8 est plane. Entre d'une part la couche conductrice 403 ou couche 405 et d'autre part le cadre de liaison 16 et le patin de contact extérieur 15, on a une couche sacrifiée 401 ininterrompue. Le contact métallique 10 est prévu sur le patin de contact extérieur 15. Des cavités existent sous les éléments fonctionnels mobiles 120. REVENDICATIONS 1 ) Procédé de liaison de plaquettes, caractérisé par une couche intermédiaire (2) entre la première plaquette (6), la seconde 5 plaquette (1, 100, 200, 300) et les deux plaquettes étant liées de manière anodique. 2 ) Procédé selon la revendication 1, caractérisé en ce que la couche intermédiaire (2) contient un alcalin. 3 ) Procédé selon la revendication 1, caractérisé en ce qu' il réalise une plaquette SOI. 4 ) Procédé selon la revendication 1, caractérisé en ce que la couche intermédiaire (2) est une couche de verre appliquée sur au moins l'une des deux plaquettes par un procédé de projection. 5 ) Procédé selon la revendication 1, caractérisé en ce que la couche intermédiaire (2) est structurée. 6 ) Procédé selon la revendication 1, caractérisé en ce que lorsqu'on réalise la liaison on forme au moins une cavité (5) entre la plaquette de support (6) et la seconde plaquette (1, 100, 200, 300), délimitée au moins en partie par la couche intermédiaire (2). 7 ) Procédé selon la revendication 1, caractérisé en ce que la couche intermédiaire (2) est réalisée pour envelopper plastiquement d'éventuelles particules existantes et/ou pour compenser les différences de hauteur des surfaces liées de façon à ne pas développer d'effet de liai-son étendue lorsqu'on réalise la liaison. 8 ) Procédé selon la revendication 1, caractérisé en ce que la seconde plaquette (1, 100, 200, 300) se compose de plusieurs couches, notamment d'un substrat de silicium (1) et d'autres couches (3, 4, 403). 9 ) Procédé selon la revendication 8, caractérisé en ce qu' on réalise sur le substrat de silicium (1), au moins une couche conductrice (403) eu. contact avec le substrat de silicium (1), notamment au ni-veau de trous de contact (402), et structurée notamment pour donner des chemins conducteurs (403). 10 ) Dispositif formé de deux plaquettes, caractérisé par une couche intermédiaire (2) entre la première plaquette (6) et la seconde 15 plaquette (1, 100, 200, 300), les deux plaquettes étant liées par voie anodique. 11 ) Dispositif selon la revendication 10, caractérisé en ce que la couche intermédiaire (2) contient un alcalin. 12 ) Dispositif selon la revendication 10, caractérisé en ce que la couche intermédiaire (2) est structurée. 13 ) Dispositif selon la revendication 10, caractérisé par au moins une cavité (30) en partie délimitée par la couche inter uiédiaire alcaline (2) entre la première plaquette (6) et la seconde plaquette (1, 100, 30 200, 300). 14 ) Dispositif selon la revendication 10, caractérisé en ce que la seconde plaquette (300) comporte tout d'abord une couche fonctionnelle (12) et ensuite au moins une couche conductrice (403) installée entre la couche fonctionnelle (12) et la couche intermédiaire (2), et la couche conductrice (408) présente des contacts (402) pour la couche fonctionnelle (12).