FR 2834126 A1 20030627 FR 0214293 A 20021115 dudit film d'oxyde d' isolation en tranchée. La présente invention concerne, d'une manière générale, un procédé pour former une grille floUtante auto-alignse dans une cellule de mémoire flash. Elle concerne plus précisément un procédé pour former un film isolant de tranchée, permettant d'éviter la création d'un fossé lors de la formation de la grille 0 floUtante auto - al ignée dans la cel lule de mémoire flash. En général, une cellule de mémoire flash est fabriquée au moyen d'une isolation par tranchée peu profonde (STI) comme procédé d' isolation de dispositif. Au cours du processus d' isolation d'une grille floLtante par la création d'un motif de masque, l'uniformité de la plaquette est médiocre en raison de variations de la dimension critique (CD). Il est par conséquent difficile de mettre en _uvre une grille floLtante uniforme. D'autre part, des problémes, tels que des défauts de programmation et d' effacement de la cellule de mémoire, entre autres, résultent de variations du rapport de couplage. De plus, lorsqu'un espace inférieur à 0,13 m est utilisé dans une configuration à haute intogration, l'opération de masquage est plus compliquce. Par conséquent, le processus de fabrication de la cellule de mémoire flash, qui constitue un facteur important de la mise en _uvre d'une grille floUtante uniforme est rendu plus difficile. Pour les raisons évoquces ci-dessus, si la grille floUtante n'est pas formée de manière uniforme, les différences de rapport de couplage risquent d'être importantes. Par conséquent, lors de la programmation et de l' effacement de la cellule de mémoire, un problème de sureffacement risque de se poser. Ceci affecte de manière préjudiciable les caractéristiques fonctionnelles du dispositif. De plus, le rendement du produit est plus faible et son coût plus élevé du fait de l' augmentation des coûts et de la diminution des rendements du processus de masquage. En outre, une défaillance du dispositif, par exemple, résulte de la formation d'un fossé au cours du processus d' isolation par tranchée peu profonde (STI) et du processus disolation par tranchée profonde (DTI) ou du processus d'oxydation locale du silicium à l'aide d'un élément intercalaire en nitrure (NS-LOCOS). Dans une mémoire flash à haute intégration, il est important d' augmenter le rapport de couplage en élaborant une cellule protégée contre la formation d'un fossé. La présente invention se propose de résoudre les problèmes ci-dessus. A cet effet, l' invention a pour but principal de proposer un procédé qui permette d'empêcher la création d'un fossé dans un film isolant de tranchée et de réduire au minimum l'espacement d'une grille flottante destinée à être formée au cours d'une étape suivante, grâce à la formation d'une couche de recouvrement sur le film isolant de tranchée, puis à l'exéaution d'une opération de nettoyage pour attaquer le film isolant de tranchée jusqu'à une dimension souhaitée. La présente invention a pour autre but de proposer un procédé qui permette d'améliorer le rapport de couplage entre la grille flottante et la grille de commande qui sera formée au cours d'une étape ultérieure, grâce à la formation d'une couche de recouvrement sur un film isolant de tranchée, afin d' augmenter la hauteur du film isolant de tranchée. Pour atteindre ces buts et selon un premier aspect de la présente invention, il est proposé un procédé pour former une grille floUtante auto-alignée dans une cellule de mémoire flash, caractérisé en ce qu'il comprend les étapes qui consistent à former une tranchée dans un substrat semi-conducteur; à former dans la tranchée un film isolant de tranchée comprenant une première partie saillante, la première partie saillante ayant une première largeur et une première hauteur; à former une couche de recouvrement sur l 'ensemble de la structure; à former une seconde partie saillante plus petite dans le film isolant de tranchée en attaquant la couche de recouvrement et une portion de la première partie saillante, la seconde partie saillante ayant une seconde largeur et une seconde hauteur, seconde largeur qui est inférieure à la première largeur et seconde hauteur qui est inférieure à la première hauteur; et à former une grille flottante isolée par la seconde partie saillante du film isolant de tranchée. Selon un second aspect de la présente invention, il est également proposé un procédé pour former une grille floUtante auto-alignée dans une cellule de mémoire flash, caractérisé en ce qu'il comprend les étapes qui consistent à former un film d'oxyde de remplissage et un film de nitrure de remplissage sur un substrat semi 2s conducteur; à former une tranchée dans le substrat semi-conducteur en attaquant une portion du substrat semi-conducteur, du film de nitrure de remplissage et du film d'oxyde de remplissage; à former un film d'oxyde sacrificiel sur une surface intérieure de la tranchée; à éliminer le film d'oxyde sacrificiel; à former un film d'oxyde de paroi sur la surface intérieure de la tranchée; à former un film d'oxyde de revêtement sur l 'ensemble de la structure; à former un film isolant de tranchée sur le film d'oxyde de revêtement; à former une première partie saillante dans le film isolant de tranchée en réalisant une opération de polissage chimico-mécanique et en éliminant le film de nitrure de remplissage, la première partie saillante ayant une première largeur et une première hauteur; à former une couche de recouvrement sur l 'ensemble de la structure; à former une seconde partie saillante dans le film isolant de tranchée en attaquant la couche de recouvrement et une portion de la première partie saillante, la seconde partie saillante ayant une seconde largeur et une seconde hauteur, seconde largeur qui est inférieure à la première largeur et seconde hauteur qui est inférieure à la première hauteur; à former un film d'oxyde à effet tunnel et une grille flottante isolée par la seconde partie saillante du film isolant de tranchée; à éliminer la seconde partie saillante du film isolant de tranchée; et à former un film diélectrique et une grille de commande. Ce qui précède, ainsi que d'autres buts, caractéristiques et avantages de la présente invention, ressortira plus clairement de la description détaillée suivante d'un mode de réalisation préféré donnée à titre d'exemple nullement limitatif en référence aux dessins annexés dans lesquels: les figures 1A à 1K sont des vues en coupe traneversale de grilles floUtantes auto-alignées formées dans une cellule de mémoire flash, destinées à illustrer un procédé de fabrication de grille floUtante conformément au mode de réalisation décrit et à des variantes de celui-ci. En référence tout d'abord à la figure 1A, un substrat semi-conducteur 10 est nettoyé par un procédé de nettoyage préalable. Puis, un film d'oxyde de remplissage 12 et un film de nitrure de remplissage 14 sont formés successivement sur le substrat semi conducteur 10. A ce moment-là, le procédé de nettoyage préalable est mis en _uvre à l 'aide de HF dilué (DHF), c'est-à-dire, de manière caractéristique, à l' aide d'une solution de HF dans laquelle H2O est dilué dans une proportion d'environ 50:1, ou d'un réactif d'attaque d'oxyde tamponné (BOE), qui est une solution dans laquelle HF et NH4F sont mélangés dans une proportion qui se situe dans la plage d' environ 100:1 à environ 300:1. Ensuite, le film d'oxyde de remplissage 12 est formé par un procédé d'oxydation par voie sèche ou humide à une température donnée afin d'éliminer des défauts cristallins ou à l' aide d'un traitement réalisé sur la surface du substrat semi-conducteur 10. Le film de nitrure de remplissage 14 est formé pour avoir une épaisseur d'au moins environ 3000 À par un procédé de dépôt utilisant une méthode de dépôt chimique en phase vapeur à basse pression (LP-CVD) afin d' augmenter la hauteur d'un film isolant de tranchée qui doit être formé au cours d'une étape de traitement suivante. En référence maintenant à la figure 1B, un procédé disolation par tranchée peu profonde (STI) utilisant un masque d' isolation (ISO) est mis en _uvre sur l'ensemble de la structure pour attaquer une portion donnée du substrat semi-conducteur 10, y compris du film de nitrure de remplissage 14 et du film d'oxyde de remplissage 12. Par conséquent, une tranchée 16 à travers laquelle une portion du substrat semi conducteur 10 est exposée est formée. Le substrat semi conducteur 10 est alors divisé en une zone active et une zone inactive (c'est-à-dire une zone dans laquelle la tranchée est formoe) par la tranchée 16. A ce moment-là, la tranchée 16 a un angle d'inclinaison "" donné et le film de nitrure de remplissage 14 présente un profil presque vertical. En référence à la figure 1C, un traitement doxydation par voie sèche selon un procédé doxydation sacrificiel (SAC) de paroi est exécuté pour réaliser la croissance de silicium situé sur une surface intérieure s de la tranchée 16, pour ainsi former un film d'oxyde sacrificiel 18 sur la surface intérieure de la tranchée 16. Préalablement, pour éliminer le film d'oxyde natif formé sur la surface intérieure de la tranchée 16, un procédé de nettoyage préalable peut être mis en _uvre à l' aide de DHF ou BOE avant le procédé d'oxydation SAC de paroi. En référence à la figure 1D, le film d'oxyde sacrificiel 18 est éliminé par un procédé de nettoyage utilisant une cible d'attaque de même épaisseur qu'une cible de dépôt du film d'oxyde sacrificiel 18. Puis, le procédé d'oxydation de paroi est mis en _uvre pour arrondir le fond de la tranchée 16. Ainsi, un film d'oxyde de paroi 20 est formé sur une surface intérieure de la tranchée 16. En référence à la figure 1E, une couche mince d'oxyde haute température (HTO) 22 comportant DCS (SiH2Cl2) comme composant de base est déposée sur l 'ensemble de la structure. Le procédé de dépôt de HTO est mis en _uvre à une température élevée pour ainsi 2s former le film d'oxyde de revêtement 22. A ce moment là, le procédé de dépôt de HTO affine la texture du film d'oxyde de revêtement 22, ce qui augmente la résistance à l'attaque. Par conséquent, pour empêcher la formation d'un fossé au cours du processus STI et d'éviter un courant de fuite, le procédé de dépôt HTO est mis en _uvre à une température d' au moins 1000 C. En référence à la figure 1F, un film d'oxyde développé au plasma haute densité (HDP) comme film isolant de tranchée est formé sur l'ensemble de la structure. Puis, un procédé de polissage chimico mécanique (CMP) est mis en _uvre pour former un film isolant de tranchée 24 à l' aide duquel la tranchée 16 est comblée. A ce moment-là, le film d'oxyde HDP 24 destiné à constituer le film isolant de tranchée est formé par un procédé de remplissage d'espace afin qu'aucun vide ne soit créé à l'intérieur de la tranchée 16. En outre, au cours de la mise en _uvre du procédé de polissage chimico-mécanique (CMP), le film de 0 nitrure de remplissage 14 est utilisé pour faire barrière à l'attaque jusqu'à ce qu'il soit exposé. Ensuite, pour éliminer des parties du film isolant de tranchée 24 susceptibles de rester sur le film de nitrure de remplissage 14, un traitement de nettoyage à l 'aide de HF ou BOE est réalisé. Ainsi, le film isolant de tranchée 24 est surattaqué, de sorte que, comme cela est visible sur la figure, sa surface supérieure est située plus bas que celle du film de nitrure de remplissage 14. En référence à la figure 1G, un procédé d'attaque, à l 'aide du film d'oxyde de remplissage 12 pour faire barrière à l'attaque, est mis en _uvre pour attaquer le film de nitrure de remplissage 14, à l' exception du film isolant de tranchée 24, jusqu'à ce que le film d'oxyde de remplissage 12 soit exposé. Par conséquent, une première partie saillante est formée au niveau d'un côté supérieur du film isolant de tranchée 24. A ce moment-là, bien que la dimension du film isolant de tranchée 24 comportant la première partie saillante puisse varier en fonction du degré d'intégration du dispositif, une première hauteur H1 du film isolant de tranchée 20 se situe dans une plage d' environ 800 à environ 2000 A, et une première largeur W1 du film isolant de tranchée 20 se situe dans une plage d' environ 1800 à environ 2100 A, dans une technologie de type 0,18 m. En référence maintenant à la figure 1H, un procédé de dépôt utilisant le film d'oxyde HDP est mis en _uvre s pour former une couche de recouvrement 26 sur l 'ensemble de la structure. La couche de recouvrement 26 est formoe par le procédé de dépôt au plasma au cours duquel un dépôt et une attaque de la couche de recouvrement ont lieu simultanément. Par conséquent, à ce moment-là, la couche de recouvrement 26 est formée de telle facon que le rapport de l'épaisseur de dépôt entre une première portion A de la couche de recouvrement 26 et une seconde portion B de cette dernière se situe dans une plage d' environ 3:1 à environ 10:1. La première portion A est située sur le film d'oxyde de remplissage 12 et la première partie saillante du film isolant de tranchée 24. La seconde portion B est située sur une paroi latérale extérieure de la première partie saillante du film isolant de tranchée 24. La couche de recouvrement 26 est formoe pour avoir une épaisseur qui se situe dans une plage d' environ 300 à environ 800 À en ce qui concerne lépaisseur de la première portion A. Le procédé de dépôt pour former la couche de recouvrement 26 est mis en _uvre dans des conditions telles que la température au sein de l' installation de dépôt se situe dans une plage d' environ 300 à environ 450 C, la pression se situe dans une plage d' environ 0,333 à environ 0,866 Pa (environ 2,5 à environ 6,5 mTorr) et des gaz silane (SiH4), oxygène et argon sont introduits dans l' installation de dépôt à des déLits qui se situent respectivement dans la plage d' environ 50 à environ 200 Ncm3/min, dans la plage d' environ 50 à environ 300 Ncm3/min et dans la plage d' environ 50 à environ 300 Ncm3/min. Én outre, le procédé de dépôt comprend l 'application d'une énergie de plasma de source qui se situe dans une plage denviron 2 à environ 5 kW et l 'application simultance d'une énergie de polarisation qui se situe dans une S plage d' environ 2 à environ 5 kW en direction du substrat semi-conducteur 10 ou l'application d'une énergie faible pratiquement égale à OW. Ainsi, l'attaque dune troisième portion C due à la présence du gaz argon peut être réduite au minimum. I1 est préférable que la couche de recouvrement 26 soit formée de manière à être presque verticale afin de réduire au minimum l'attaque de la troisième portion C. Si la troisième portion C est surattaquce pendant le processus de dépôt de la couche de recouvrement 26, des IS problèmes risquent de se poser au cours d'un traitement CMP suivant de la première couche de polysilicium. En outre, une portion donnée du film isolant de tranchée 24 est attaquce sous l'effet de l'énergie de polarisation en courant alternatif. C' est ainsi que le phénomène par lequel une portion attaquce est redéposée sur la zone active est crcé. Par conséquent, il est préférable que l'énergie de polarisation en courant alternatif soit réduite au minimum ou que cette énergie de polarisation en courant alternatif ne soit pas appliquée au cours du processus de dépôt de la couche de recouvrement 26. Ainsi, la raison pour laquelle la première portion A de la couche de recouvrement 26 est formée pour avoir une épaisseur plusieurs fois supérieure à celle de la seconde portion B est de minimaliser la réduction de la première hauteur H1 de la première partie saillante du film isolant de tranchée 24 comparativement à la réduction de la première largeur W1 de celle-ci au cours d'un processus d'attaque suivant du film isolant 3s de tranchée 24. De cette manière, le taux d'attaque d'une partie o un fossé est créé (c'est-à-dire une frontière entre le film d'oxyde de remplissage et le film isolant de tranchée) et de la portion supérieure de la partie saillante du film isolant de tranchée 24 est réduit au minimum. Ceci permet par conséquent d'éviter au maximum la création d'un fossé tout en conservant au côté supérieur de la partie saillante du film isolant de tranchée 24 la plus grande hauteur possible. De cet fait, la zone de contact entre la l0 grille floLtante et la grille de commande qui seront formées au cours d'une étape suivante est élargie pour améliorer le rapport de couplage. En outre, étant donné que le taux d'attaque de la paroi latérale de la partie saillante du film isolant de tranchée 24 est augmenté au maximum, un espacement de la grille floLtante qui doit être formée au cours d'une étape suivante peut être amélioré. En référence à la figure 1I, un procédé d'attaque est mis en _uvre à l' aide de BOE ou HF, une cible d'attaque étant fixce à une épaisseur de dépôt maximum de la couche de recouvrement 26 afin d'éliminer complètement le film d'oxyde de remplissage 12 et la couche de recouvrement 26. La première partie saillante du film isolant de tranchée 24 est attaquée jusqu'à une épaisseur donnée, tandis que le film d'oxyde de remplissage 12 et la couche de recouvrement 26 sont éliminés. Un film isolant de tranchée 24 en forme de téton est ainsi formé. A ce moment-là, une seconde hauteur H2 et une seconde largeur W2 de la seconde partie saillante de la configuration en forme de téton se situent respectivement dans des plages d' environ 500 à environ 1800 À et d' environ 500 à environ 1200 . Comme cela a été mentionné précédemment, la première partie saillante du film isolant de tranchée 24 peut être attaquée jusqu'à une dimension souhaitée si l'on met en _uvre le procédé d'attaque en réglant la cible d'attaque sur l'épaisseur de la couche de recouvrement 26. Par conséquent, la créstion dun fossé dans le film isolant de tranchée 24 peut être évitée et S l'espacement entre les grilles flottantes formées au cours d'une étape ultérieure peut être réduit au minimum. Ensuite, un procédé d'oxydation par voie humide ou sèche donné est mis en _uvre en ce qui concerne une partie de la structure de laquelle le film d'oxyde de remplissage 12 a été éliminé, pour ainsi réaliser un film d'oxyde formant écran (non représenté). Un procédé dimplantation d' ions de puits et un procédé dimplantation d' ions de tension de seuil sont mis en _uvre en ce qui concerne l 'ensemble de la structure pour former une zone de puits (non représentée) et une zone d'impuretés (non représentée) dans la zone active du substrat semi-conducteur 10. En référence maintenant à la figure 1J, le film d'oxyde formant écran est éliminé. Un procédé de dépôt donné est mis en _uvre pour former un film d'oxyde à effet tunnel 28 ayant une épaisseur dans la plage d' environ 50 à environ 100 . Puis, une première couche de polysilicium destinée à une grille flottante est 2s déposoe sur l'ensemble de la structure. Un polissage chimico-mécanique (CMP) est ensuite réalisé, le film isolant de tranchée 24 étant utilisé pour faire barrière à l'attaque, afin de polir une portion donnée de la première couche de polysilicium. Une grille floLtante 30 isolée par le film isolant de tranchée 24 est ainsi formoe. En réLérence à la figure 1K, un procédé d'attaque à l'aide de HF ou BOE est mis en _uvre pour éliminer la seconde partie saillante du film isolant de tranchée 24 située entre les grilles floLtantes 30, une cible dattaque se situant dans la plage d' environ 500 à environ 2000 . Puis, un film diélectrique 32 ayant une structure du type oxyde/nitrure/oxyde (ONO) ou une structure du type oxyde/nitrure/oxyde/nitrure (ONON) et une seconde couche de polysilicium 34 pour une grille de commande sont déposés successivement sur l 'ensemble de la structure. Le film diélectrique 32 et la seconde couche de polysilicium 34 sont ensuite pourvus d'un motif par un procédé dattaque donné, pour ainsi former la grille de commande (non représentée). Comme cela a été mentionné précédemment, selon le procédé décrit, une couche de recouvrement est formoe sur un film isolant de tranchée, après quoi un procédé d'attaque est mis en _uvre pour attaquer le film isolant de tranchée jusqu'à une dimension souhaitée. Par conséquent, le procédé décrit permet d'éviter la créstion d'un fossé dans le film isolant de tranchée et de réduire au minimum un espacement d'une grille floLtante formée au cours d'une étape suivante. De plus, conformément au procédé décrit, la largeur de la grille floLtante peut être augmentée par une réduction au minimum de l'espacement de celle-ci, ce qui permet d'améliorer des caractéristiques de programmation et d' effacement. Le rapport de couplage peut également être réduit au minimum puisqu'une variation de la grille floLtante est réduite. En outre, conformément au procédé décrit, l'épaisseur du film isolant de tranchée peut être augmentée autant que celle de la couche de recouvrement, ce qui assure une marge au cours du processus CMP pour former la grille flottante. Bien que la description précédente ait porté sur un mode de réalisation préféré de la présente invention, celle-ci n'est bien entendu pas limitée à l'exemple particulier décrit et illustré ici et l'homme de l'art comprendra aisément qu'il est possible d'y apporter de nombreuses variances et modifications sans pour autant sortir du cadre de l'invention. REVEND I CAT I ON S 1. Procédé pour former une grille floLtante auto alignce dans une cellule de mémoire flash, caractérisé s en ce qu'il comprend les étapes qui consistent à: former une tranchée (16) dans un substrat semi conducteur (10); former dans la tranchée un film isolant de tranchée (24) comprenant une première partie saillante, la première partie saillante ayant une première largeur (w1) et une première hauteur (H1); former une couche de recouvrement (26) sur l' ensemble de la structure; former une seconde partie saillante plus petite dans le film isolant de tranchée (24) en attaquant la couche de recouvrement (26) et une portion de la première partie saillante, la seconde partie saillante ayant une seconde largeur (W2) et une seconde hauteur (H2), seconde largeur qui est inférieure à la première largeur et seconde hauteur qui est inférieure à la première hauteur; et former une grille floLtante (30) isolée par la seconde partie saillante du film isolant de tranchée (24). 2. Procédé selon la revendication 1, caracterisé en ce que l'épaisseur de toutes les portions (A) de la couche de recouvrement (26), à l' exception des portions (B) formées sur les deux parois latérales de la première partie saillante du film isolant de tranchée (24), se situe dans une plage représentant d' environ 3 à environ 10 fois l'épaisseur de la couche de recouvrement formée sur les deux parois latérales de la première partie saillante du film isolant de tranchée. 3. Procédé selon la revendication 1, caractérisé en ce qu'une portion (C) de la couche de recouvrement (26), formée au niveau d'une partie de bord de la première partie saillante, est sensiblement verticale. 4. Procédé selon la revendication 1, caractérisé en ce que la couche de recouvrement (26) est formoe par un procédé de dépôt au plasma au cours duquel un dépôt et une attaque de la couche de recouvrement ont lieu simultanément. 5. Procédé selon la revendication 4, caractérisé en ce que le procédé de dépôt au plasma est mis en _uvre à une température qui se situe dans une plage d' environ 300 à environ 450 C et à une pression qui se situe dans une plage d' environ 0,333 à environ 0,866 Pa (environ 2,5 à environ 6,5 mTorr), après introduction de gaz silane, oxygène et argon à des débits se situant respectivement dans des plages d'environ 50 à environ Ncm3/min, d' environ 50 à environ 300 Ncm3/min et d' environ 50 à environ 300 Ncm3/min. 6. Procédé selon la revendication 4, caractérisé en ce que le procédé de dépôt au plasma comprend l'application d'une énergie de polarisation qui se situe dans une plage d' environ 0 à environ 5 kW. 7. Procédé selon la revendication 1, caractérisé en ce qu'une épaisseur maximum de la couche de recouvrement (26) se situe dans une plage denviron 300 2s à environ 800 . 8. Procédé selon la revendication 1, caractérisé en ce que la couche de recouvrement (26) comprend un film d'oxyde HDP. 9. Procédé selon la revendication 1, caractérisé en ce que l'attaque de la couche de recouvrement (26) et de la première partie saillante pour former la seconde partie saillante est réalisée à l' aide de BOE ou HF, une cible d'attaque étant réglée sur une épaisseur maximum de la couche de recouvrement. 10. Procédé selon la revendication 1, caractérisé en ce qu'il comprend également les étapes qui consistent à: après la formation de la tranchée (16), former s un film d'oxyde sacrificiel (18) sur une surface intérieure de la tranchée; éliminer le film droxyde sacrificiel (18); former un film d'oxyde de paroi (20) sur la surface intérieure de la tranchée débarrassée du film d'oxyde sacrificiel; et former un film d'oxyde de revêtement (22) sur le film d'oxyde de paroi (20); 11. Procédé pour former une grille floUtante auto alignce dans une cellule de mémoire flash, caractérisé lS en ce qu'il comprend les étapes qui consistent à: former un film d'oxyde de remplissage (12) et un film de nitrure de remplissage (14) sur un substrat semi-conducteur (10); former une tranchée (16) dans le substrat semi conducteur (10) en attaquant une portion du substrat semi-conducteur, du film de nitrure de remplissage (14) et du film d'oxyde de remplissage (12); former un film d'oxyde sacrificiel (18) sur une surface intérieure de la tranchée (16); éliminer le film doxyde sacrificiel; former un film d'oxyde de paroi (20) sur la surface intérieure de la tranchée; former un film d'oxyde de revêtement (22) sur l'ensemble de la structure; former un film isolant de tranchée (24) sur le film d'oxyde de revêtement; former une première partie saillante dans le film isolant de tranchée en mettant en _uvre un procédé de polissage chimico-mécanique et en éliminant le film 3s de nitrure de remplissage (14), la première partie saillante ayant une première largeur (W1) et une première hauteur (H1); former une couche de recouvrement (26) sur l 'ensemble de la structure; former une seconde partie saillante dans le film isolant de tranchée (24) en attaquant la couche de recouvrement et une portion de la première partie saillante, la seconde partie saillante ayant une seconde largeur (W2) et une seconde hauteur (H2), seconde largeur qui est inférieure à la première largeur et seconde hauteur qui est inférieure à la première hauteur; former un film d'oxyde à effet tunnel (28) et une grille floUtante (30) isolée par la seconde partie saillante du film isolant de tranchée (24); éliminer la seconde partie saillante du film isolant de tranchée; et former un film diélectrique (32) et une grille de commande. 12. Procédé selon la revendication 11, caractérisé en ce que l'épaisseur de toutes les portions (A) de la couche de recouvrement (26), à ltexception des portions (B) formées sur les deux parois latérales de la première partie saillante du film isolant de tranchée 2s (24), se situe dans une plage reprécentant d' environ 3 à environ 10 fois l'épaisseur de la couche de recouvrement formoe sur l es deux paroi s l atéral es de la première partie saillante du film isolant de tranchée. 13. Procédé selon la revendication 11, caractérisé en ce que la couche de recouvrement (26) est formoe par un procédé de dépôt au plasma au cours duquel un dépôt et une attaque de la couche de recouvrement ont lieu simultanément. 14. Procédé selon la revendication 13, caractérisé en ce que le procédé de dépôt au plasma est mis en 1& euvre une Lemp@raLure qui se siLue dans ue plage denviron 300 environ 4S0 C eL une preion qui se siLue daos une plage d' environ 0,333 environ 0,866 Pa (environ 2,5 environ 6,5 morr), aprAs inLoduction i de gaz ilane, oxygne eL argon de dbit se iLuanL repecLivemenL dans des plages d' environ 50 environ cm3/min, d' environ 50 environ 300 Ncml/min eL d'envion 50 environ 300 Ncm3/min. 15. ProcAd selon la revendicaLion 13, caracL{riA en ce que le procAd de dp5L au plama comprend l'applicaLion d'une Anergie de polariaLion qui se Gitue dans une plage d'environ 0 environ 5 kW. 16. Procd selon la revendicaLion 11, caracLrisA en ce qu'une paiseur maimum des portions () de la couche de recouvremenL non siLue sur de parois laLrale de la premi@re parLie saillanLe e situe dans une plage d' environ 300 environ 800 i. 17. ProcdA selon la reendicaLion 11, caracLris en ce que la couche de recouvremenL (26) comprend un film d'oxyde HP. 18. Procd selon la revendication 11, caracL6ris en ce que le procAd d'aLLaque pour tormer la seconde parLie saillanLe est mis en uvre l' aide de BOE ou HE, une cible d'aLLaque LanL rgle sur une paisseur gale celle des porLions de la couche de recouvremenL non disoses sur les parois laLArales de la premire