FR 2835844 A1 20030815 FR 0201790 A 20020213 La présente invention concerne un procédé de polissage mécanochimique ainsi qu'une composition abrasive utilisés dans le polissage et l'aplanissement des surfaces dans l'industrie microélectronique des semiconducteurs, et plus particulièrement des substrats comprenant au moins une couche métallique et une couche d'isolant. Les circuits intégrés sont constitués par un nombre important de dispositifs actifs (transistors par exemple). Ces dispositifs actifs, isolés les uns des autres, doivent être interconnectés via l'utilisation d'interconnections à des niveaux multiples. Différents métaux sont utilisés pour réaliser ces interconnexions et il est souvent nécessaire de polir ces couches métalliques lors du processus de fabrication. Le polissage mécano-chimique (CMP) est une technologie très utilisée dans l'industrie microélectronique des semi-conducteurs pour polir différentes couches de matières se trouvant sur ou dans des substrats semiconducteurs. Pour le polissage mécano-chimique de substrats contenant au moins une couche métallique et une couche d'isolant, deux phénomènes doivent être évités : Une attaque de la couche d'isolant sous-jacente, appelée aussi érosion. Cela introduit localement des reliefs et va à l'encontre du but d'aplanissement recherché. Un excès de polissage de la couche métallique, appelé aussi"dishing"qui va générer également des reliefs. Il est donc souhaitable de trouver des compositions abrasives permettant d'obtenir une vitesse de polissage élevée de la couche métallique, un excellent état de surface de la couche métallique et de la couche d'isolant, une uniformité de polissage de la couche métallique ainsi qu'une bonne sélectivité entre le polissage du métal et celui de l'isolant. Les compositions abrasives connues à ce jour pour polir des substrats contenant au moins une couche métallique et une couche d'isolant contiennent essentiellement un abrasif, un agent oxydant et un additif permettant de modifier la sélectivité de polissage des couches (voir Advanced Silicon Processing-2002, chapitre 5, page 57, Lattice Press). US 5,916, 855, US 6,117, 783, US 5,244, 534 décrivent l'utilisation de bouillies de polissage contenant des particules d'alumine. Ces compositions de polissage présentent de bonnes vitesses de polissage de la couche métallique ainsi qu'une bonne sélectivité par rapport à la couche d'isolant. Cependant, ces particules d'alumine sont peu stables dans le temps et ont tendance à former des agglomérats provoquant des micro-rayures à la surface des couches polies. Il est donc nécessaire de recourir à une deuxième étape de polissage pour éliminer ces rayures (voir Advanced Silicon Processing - 2002, chapitre 5, page 58, Lattice Press). Des particules colloïdales de silice pyrogénée (ou fumées de silice) sont également utilisées comme dans EP-A-708160, EP-A-844290 ou EP-A-896042. L'utilisation de ces particules présente un certain nombre d'inconvénients. Tout d'abord, du fait de la distribution large de la longueur des agrégats, il y a une tendance à la sédimentation de ces derniers au cours du temps donc un manque de stabilité. D'autre part, cette faible stabilité ne peut être minimisée que par une agitation constante de la suspension, ce qui ne facilite pas la mise en oeuvre. Plus récemment, l'utilisation de silice colloïdale pour le polissage de métaux est décrite par exemple dans le brevet WO 00/30154. Cependant, une faible sélectivité de polissage métal/isolant est observée. Or, la demanderesse a constaté de façon surprenante et inattendue que l'utilisation de particules de silice colloïdale de petites tailles, individualisées, non liées entre elles par des liaisons siloxane, en suspension aqueuse acide, et en présence d'un oxydant permettait d'obtenir directement une vitesse de polissage élevée de la couche métallique, un excellent état de surface de la couche métallique et de la couche d'isolant, une uniformité de polissage de la couche métallique ainsi qu'une bonne sélectivité entre le polissage du métal sur isolant sans avoir à procéder à une deuxième étape supplémentaire de polissage de finition. C'est pourquoi la présente demande a pour objet un procédé de polissage mécano-chimique (encore dit CMP) de substrats utilisés dans l'industrie microélectronique des semi-conducteurs contenant au moins une couche métallique et une couche d'isolant, dans lequel on soumet à un frottement la ou les couches métalliques à l'aide d'un tampon de polissage en mettant en mouvement le substrat par rapport au tampon et en pressant le substrat contre ledit tampon, et l'on dépose une composition abrasive sur le tampon pendant le polissage, caractérisé en ce que ledit procédé est effectué en une seule étape et en ce que la composition abrasive comprend : une suspension aqueuse acide de particules de silice colloïdale individualisées, non liées entre elles par des liaisons siloxane avec un diamètre moyen des particules compris entre 5 et 20 nm, un agent oxydant. On peut citer notamment à titre de substrats selon la présente invention des substrats dans lesquels la couche métallique est sélectionnée dans le groupe comprenant le tungstène, l'aluminium, le cuivre, le titane, le tantale, le nitrure de titane, le nitrure de tantale et n'importe quelle combinaison ou alliage de ce groupe. La couche métallique est avantageusement sélectionnée dans le groupe comprenant le tungstène, le titane, le nitrure de titane et n'importe quelle combinaison ou alliage de ce groupe. La couche d'isolant est notamment sélectionnée dans le groupe comprenant l'oxyde de silicium, l'oxyde de tétraéthoxysilane, le verre de phosphosilicate et le verre de borophosphosilicate. La composition abrasive peut être versée sur le tampon de polissage de manière continue ou séquentielle, régulièrement ou non. La composition est ainsi entraînée à l'interface entre le tampon de polissage et le substrat et peut ainsi polir la surface de ce dernier. Le tampon de polissage est habituellement réalisé en polymère organique de type polyuréthane. Lors de son emploi, la suspension aqueuse acide de silice colloïdale ci-dessus est utilisée à une concentration pondérale en silice comprise entre 0,1 et 15 %, notamment comprise entre 1 et 10 %, particulièrement comprise entre 2 et 5 %. La suspension aqueuse acide de particules de silice colloïdale individualisées, non liées entre elles par des liaisons siloxane est de préférence utilisée à un pH inférieur à 5, notamment compris entre 1 et 5, particulièrement compris entre 1,5 et 3. L'acidification peut être obtenue notamment par addition d'un acide minéral tel que d'acide nitrique. Le diamètre moyen des particules de silice colloïdale individualisées, non liées entre elles par des liaisons siloxane est avantageusement compris entre 7 et 15 nm, particulièrement entre 9 et 12 nm. Les particules de silice colloïdale utilisables dans la présente invention peuvent être obtenues par mise en oeuvre de procédés par voie humide en partant de matières premières telles que le tétraméthyl-ou tétraéthyl-orthosilicate ou bien encore le silicate de sodium ou de potassium. Ces procédés connus de l'homme de l'art sont décrits dans"K. K. 11er, The Chemistry of Silica, chapitre 9, pages 331 à 343, Ed. Wiley Interscience, 1979". On obtient par ces procédés directement des suspensions aqueuses de particules individualisées de silice colloïdale, non liées entre elles par des liaisons siloxane, stables dans le temps. Il y a lieu de rappeler ici les différences fondamentales existant entre les particules de silice colloïdale individualisées, non liées entre elles par des liaisons siloxane et d'autres types de silice comme les silices pyrogénées appelées encore fumée de silice. Ces particules de silice pyrogénée peuvent être obtenues par mise en oeuvre de procédés par voie sèche. Elles sont préparées par exemple par combustion de tétrachlorosilane de haute pureté avec de l'hydrogène et de l'oxygène dans une chambre à combustion à haute température. Les particules ne sont pas individualisées mais existent sous forme d'agrégats ou d'agglomérats de particules primaires de silice sphérique de 5 à 50 nm qui forment des agrégats de particules de longueur généralement comprise entre 50 à 500 nm. Les particules obtenues sous forme de poudre doivent être dispersées dans le milieu de polissage (eau par exemple). La structure des différentes silices est illustrée ci-après dans les figures. Par ailleurs, l'eau oxygénée est mentionnée régulièrement comme un oxydant des métaux dans les bouillies de polissage. Néanmoins, il existe plusieurs inconvénients à l'utilisation de l'eau oxygénée. Elle se décompose dans le temps, ce qui conduit à une diminution de l'activité de la composition abrasive. Par conséquent, pour le transport et le stockage, un emballage spécifique pour la composition abrasive et un emballage spécifique pour l'eau oxygénée sont requis et l'eau oxygénée est rajoutée à la composition abrasive au dernier moment avant utilisation. Dans des conditions préférentielles de mise en oeuvre du procédé ci-dessus décrit, l'oxydant est un iodate, notamment l'iodate de potassium ou l'iodate de sodium. L'oxydant est par exemple utilisé à une concentration pondérale comprise entre 0,1 et 15 % dans la composition prête à l'emploi, notamment comprise entre 0,1 et 6 %, avantageusement comprise entre 2 et 5 %. Les compositions abrasives objet de la présente invention possèdent de très intéressantes propriétés. Elles permettent d'obtenir une vitesse de polissage élevée de la couche métallique. Elles permettent également d'obtenir un excellent état de surface de la couche métallique et de la couche d'isolant. Le polissage de la couche métallique est uniforme. Il faut tout autant noter bonne sélectivité entre le polissage du métal et celui de l'isolant. Selon l'oxydant utilisé, elles peuvent être prêtes à l'emploi. C'est pourquoi la présente demande a aussi pour objet une composition abrasive pour polissage mécano-chimique, caractérisée en ce que ladite composition abrasive comprend : une suspension aqueuse acide de particules de silice colloïdale individualisées, non liées entre elles par des liaisons siloxanes avec un diamètre moyen des particules compris entre 5 et 20 nm, un agent oxydant. La présente demande a également pour objet une composition abrasive ci-dessus prête à l'emploi, ne nécessitant pas de rajouter l'oxydant au moment de l'utilisation, caractérisée en ce que l'oxydant est un iodate, notamment l'iodate de potassium ou l'iodate de sodium. Les compositions abrasives de la présente invention peuvent optionnellement contenir des additifs tels que des tensioactifs, des agents de complexation, des inhibiteurs de corrosion, des additifs qui modifient la sélectivité de polissage, des agents de tamponnage, des stabilisants, des bactéricides, des fongicides et des biocides. Les conditions préférentielles de mise en oeuvre des procédés cidessus décrites s'appliquent également aux autres objets de l'invention visés cidessus, notamment aux compositions abrasives. La structure de la silice colloïdale dont les particules sont individualisées et non liées entre elles par des liaisons siloxane est illustrée dans la Figure 1 par une photographie au microscope électronique. La structure de la silice pyrogénée est illustrée dans la Figure 2 par une photographie au microscope électronique. Les exemples qui suivent illustrent la présente demande. Exemple 1 A 8 370 g d'une suspension aqueuse acide de silice colloïdale ayant une concentration pondérale en silice de 20 %, un diamètre moyen des particules de 12 nm et un pH de 2,4 (commercialisée sous le nom de Klébosot&commat; PL 152H-12), on ajoute 53 630 g d'une solution aqueuse de KtOs à 4,5 %. On obtient 62 000 g d'une composition de polissage acide contenant 2,7 % en poids de silice colloïdale ayant un diamètre moyen des particules de 12 nm et 3,9 % en poids de tOOg à titre d'oxydant. Le pH de la composition abrasive est ajusté à 2,1 par addition d'acide nitrique à 65 %. Exemple 2 On prépare une composition de polissage acide contenant 2,7 % en poids de silice colloïdale ayant un diamètre moyen des particules de 7 nm, un pH de 2,1 et 3,9 % de Kil03 à titre d'oxydant en opérant comme dans l'exemple 1 mais en utilisant une suspension aqueuse acide de silice colloïdale ayant un diamètre moyen des particules de 7 nm. Exemple 3 On prépare une composition de polissage acide contenant 2,7 % en poids de silice colloïdale ayant un diamètre moyen des particules de 9 nm, un pH de 2,1 et 3,9 % de Kil03 à titre d'oxydant en opérant comme dans l'exemple 1 mais en utilisant une suspension aqueuse acide de silice colloïdale ayant un diamètre moyen des particules de 9 nm. Exemple 4 A 8 370 g d'une suspension aqueuse acide de silice colloïdale ayant une concentration pondérale en silice de 20 %, un diamètre moyen des particules de 12 nm et un pH de 2,4 (commercialisée sous le nom de Klébosol&commat; PL 152H-12), on ajoute 16 533 g d'une solution aqueuse à 30 % de H202 puis on ajoute la quantité d'eau suffisante pour atteindre 62 000 g On obtient 62 000 g d'une composition de polissage acide contenant 2,7 % en poids de silice colloïdale ayant un diamètre moyen des particules de 12 nm et 8 % en poids de H202 à titre d'oxydant. Le pH de la composition abrasive est ajusté à 2,1 par addition d'acide nitrique à 65 %. Exemple de comparaison C1 A 5 580 g d'une suspension aqueuse acide de silice colloïdale ayant une concentration pondérale en silice de 30 %, un diamètre moyen des particules de 25 nm (commercialisée sous le nom de Klébosol&commat; PL 150H-25), on ajoute 56 420 g d'une solution aqueuse de Kit03 à 4,3 %. On obtient 62 000 g d'une composition de polissage acide contenant 2,7 % en poids de silice colloïdale ayant un diamètre moyen des particules de 25 nm et 3,9 % en poids de Kil03 à titre d'oxydant. Le pH de la composition abrasive est ajusté à 2,1 par addition d'acide nitrique à 65 %. Exemple de comparaison C2 On prépare une composition de polissage acide contenant 2,7 % en poids de silice colloïdale ayant un diamètre moyen des particules de 50 nm, un pH de 2,1 et 3,9 % de Kit03 à titre d'oxydant en opérant comme dans l'exemple de comparaison C1 mais en utilisant une suspension aqueuse acide de silice colloïdale ayant un diamètre moyen des particules de 50 nm (commercialisée sous le nom de Klébosol&commat; PL 150H-50). Exemple de comparaison C3 A 46 500 g d'une suspension aqueuse acide de silice colloïdale ayant une concentration pondérale en silice de 20 %, un diamètre moyen des particules de 12 nm et un pH de 2,4 (commercialisée sous le nom de Klébosol&commat; PL 152H-12) on ajoute 13 082 g d'eau puis on dissout sous agitation 2 418 g de KtOs. On obtient 62 000 g d'une composition de polissage acide contenant 15 % en poids de silice colloïdale ayant un diamètre moyen des particules de 12 nm et 3,9 % en poids de Kit03 à titre d'oxydant. Le pH de la composition abrasive est ajusté à 2,1 par addition d'acide nitrique à 65 %. EXEMPLES D'APPLICATION Pour le polissage de l'isolant, on utilise des substrats en silicium sur lesquels on dépose par plasma une couche d'oxyde de tétraéthoxysilane (TEOS) d'environ 3200 . Pour le polissage du tungstène, on utilise des substrats en silicium sur lesquels on dépose une couche de TEOS (environ 6000 À), puis une couche de titane (environ 300 ), ensuite une couche de nitrure de titane (environ 1000 ) et enfin une couche de tungstène (environ 8000 ). La couche de TEOS et de tungstène est ensuite polie sur une polisseuse Mecapol&commat; E460 dans les conditions suivantes : Force d'appui : 0,48 bar - Vitesse du plateau : 70 tours/min - Vitesse de tête : 50 tours/min - Débit d'abrasif : 150 ml/min - Tampon de polissage : IC 1000 K avec sillons de Rodel On procède ensuite au test de vitesse d'attaque de la couche de TEOS et de tungstène. La vitesse d'attaque est mesurée par la différence d'épaisseur avant et après polissage par minute de polissage. Elle est exprimée en /min. Pour la mesure d'épaisseur du TEOS, un spectro-réflectomètre AFT-6100 NANOSPEC est utilisé avec une mesure sur 49 points. Pour la mesure d'épaisseur du tungstène, un résistivimètre 4 pointes OmniMap&commat; RS75 KLA-Tencor est utilisé avec une mesure sur 49 points. Expérimentation 1 : Effet de la taille des particules On a procédé au polissage d'une couche de tungstène et de TEOS dans les conditions mentionnées ci-dessus au moyen de compositions abrasives comprenant une suspension aqueuse acide de particules de silice colloïdale individualisées, non liées entre elles par des liaisons siloxane. Les compositions abrasives contiennent 2,7 % en poids de silice colloïdale, ont un pH de 2,1 et contiennent 3,9 % en poids de KtOs. Les résultats obtenus sont présentés dans le Tableau 1. Tableau 1 Diamètre moyen Vitesse de polissage Vitesse de polissage Sélectivité Essais des particules du tungstène du TEOS Tungstène/TEOS abrasives (nm) (A/min) (A/min) 1 7 2400 90 26/1 292800nib25/1 4 25 2000 1000 2/1 5 50 1000 1700 0,6/1 Les différents essais dans le tableau 1 montrent l'influence de la taille des particules abrasives sur la vitesse de polissage de la couche métallique et de la couche d'isolant ainsi que la sélectivité de polissage métal sur isolant. On peut constater pour les petites tailles de particules (7,9 et 12 nm) : une bonne vitesse de polissage de la couche de tungstène - une faible vitesse de polissage du TEOS qui révèlent une bonne sélectivité de polissage tungstène/TEOS. Par contre, pour des plus grandes tailles de particules, on peut constater : une diminution importante de la vitesse de polissage du tungstène une vitesse de polissage du TEOS accrue qui révèlent une très mauvaise sélectivité de polissage tungstène/TEOS. Expérimentation 2 : Effet du pH Dans les mêmes conditions que précédemment, on a procédé au polissage d'une couche de TEOS et de tungstène au moyen de compositions abrasives comprenant une suspension aqueuse de particules de silice colloïdale individualisées, non liées entre elles par des liaisons siloxane. Les compositions abrasives contiennent 2,7 en poids de silice colloïdale, avec un diamètre moyen des particules de 9 nm et contiennent 3,9 % en poids de KlO3. Les résultas obtenus sont présentés dans le Tableau 2. Tableau 2 Vitesse de polissage Vitesse de polissage Sélectivité Essais pH du tungstène du TEOS Tungstène/TEOS ( /min) ( /min) 6 7 800 460 1, 7/1 7 2,1 2800 110 25/1 De l'examen du tableau 2, il ressort qu'il est nécessaire d'avoir une composition de polissage acide pour obtenir une bonne vitesse de polissage du tungstène ainsi qu'une bonne sélectivité. Exemple 3 Effet de la concentration des particules Dans les mêmes conditions que précédemment, on a procédé au polissage d'une couche de TEOS et de tungstène au moyen de compositions abrasives comprenant une suspension aqueuse acide de particules de silice colloïdale individualisées, non liées entre elles par des liaisons siloxanes. Les compositions abrasives, de pH 2,1 contiennent des particules de silice colloïdale avec un diamètre moyen des particules de 12 nm, et contiennent 3,9 % en poids de KlO3. Les résultats obtenus sont présentés dans le Tableau 3. Tableau 3 Concentration Vitesse de polissage Vitesse de polissage Sélectivité Vitesse de polissage Sélectivité Essais pondérale en silice du tungstène du TEOS (A/min) Tungstène/TEOS collofdale (A/min) 8153500200017/1 3300 330025013/1 Les résultats dans le tableau 3 indiquent qu'il est préférable d'utiliser une suspension aqueuse acide diluée de silice colloïdale pour obtenir une grande vitesse d'attaque du tungstène et une bonne sélectivité tungstène/TEOS. REVENDICATIONS 1. Une composition abrasive pour le polissage mécanochimique en une étape de substrats utilisés dans l'industrie microélectronique des semi-conducteurs contenant au moins une couche métallique et une couche d'isolant, caractérisée en ce que ladite composition abrasive comprend : une suspension aqueuse acide de particules de silice colloïdale individualisées, non liées entre elles par des liaisons siloxane avec un diamètre moyen des particules compris entre 5 et 20 nm, un agent oxydant. 2. Une composition selon la revendication 1 caractérisée en ce que l'oxydant est un iodate. 3. Une composition selon la revendication 1 ou 2 caractérisée en ce que l'oxydant est l'iodate de potassium ou l'iodate de sodium. 4. Une composition selon l'une des revendications 1 à 3 caractérisée en ce que l'oxydant est présent à une concentration pondérale comprise entre 0,1 et 15 %. 5. Une composition selon l'une des revendications 1 à 4 caractérisée en ce que l'oxydant est présent à une concentration pondérale comprise entre 2 et 5 %. 6. Une composition selon l'une des revendications 1 à 5 caractérisée en ce que le diamètre moyen des particules de silice colloïdale individualisées, non liées entre elles par des liaisons siloxane est compris entre 7 et 15 nm. 7. Une composition selon l'une des revendications 1 à 6 caractérisée en ce que le diamètre moyen des particules de silice colloïdale individualisées, non liées entre elles par des liaisons siloxane est compris entre 9 et 12 nm. 8. Une composition selon l'une des revendications 1 à 7 caractérisée par le fait que la suspension aqueuse acide de silice colloïdale a une concentration pondérale en silice comprise entre 0,1 et 15 %. 9. Une composition selon l'une des revendications 1 à 8 caractérisée par le fait que la suspension aqueuse acide de silice colloïdale a une concentration pondérale en silice comprise entre 2 et 5 %. 10. Une composition selon l'une des revendications 1 à 9 caractérisée par le fait que la suspension aqueuse acide de silice colloïdale a un pH compris entre 1 et 5. 11 Une composition selon l'une des revendications 1 à 10 caractérisée par le fait que la suspension aqueuse acide de silice colloïdale a un pH compris entre 1,5 et 3. 12. Un procédé de polissage mécano-chimique de substrats utilisés dans l'industrie microélectronique des semi-conducteurs contenant au moins une couche métallique et une couche d'isolant, dans lequel on soumet à un frottement la ou les couches métalliques à l'aide d'un tampon de polissage en mettant en mouvement le substrat par rapport au tampon et en pressant le substrat contre ledit tampon, et dans lequel l'on dépose une composition abrasive sur le tampon pendant le polissage, caractérisé en ce que ledit procédé est effectué en une seule étape et en ce que la composition abrasive comprend : une suspension aqueuse acide de particules de silice colloïdale individualisées, non liées entre elles par des liaisons siloxane, avec un diamètre moyen des particules compris entre 5 et 20 nm, un agent oxydant. 13. Un procédé de polissage mécano-chimique selon la revendication 12, caractérisé en ce que la couche métallique est sélectionnée dans le groupe du tungstène, aluminium, cuivre, titane, tantale, nitrure de titane, nitrure de tantale et n'importe quelle combinaison ou alliage de ce groupe. 14. Un procédé de polissage mécano-chimique selon la revendication 12 ou 13, caractérisé en ce que la couche métallique est sélectionnée dans le groupe comprenant le tungstène, le titane, le nitrure de titane et n'importe quelle combinaison ou alliage de ce groupe. 15. Un procédé de polissage mécano-chimique selon l'une des revendications 12 à 14, caractérisé en ce que la couche d'isolant est sélectionnée dans le groupe comprenant l'oxyde de silicium, l'oxyde de tétraéthoxysilane, le verre de phosphosilicate et le verre de borophosphosilicate. 16. Un procédé de polissage mécano-chimique selon l'une des revendications 12 à 15 caractérisé en ce que l'oxydant est un iodate. 17. Un procédé de polissage mécano-chimique selon l'une des revendications 12 à 16, caractérisé en ce que l'oxydant est l'iodate de potassium ou l'iodate de sodium. 18. Un procédé de polissage mécano-chimique selon l'une des revendications 12 à 17, caractérisé en ce que l'oxydant est utilisé à une concentration pondérale comprise entre 0,1 et 15 %. 19. Un procédé de polissage mécano-chimique selon l'une des revendications 12 à 18, caractérisé en ce que l'oxydant est utilisé à une concentration pondérale comprise entre 2 et 5 %. 20. Un procédé de polissage mécano-chimique selon l'une des revendications 12 à 19 caractérisé en ce que le diamètre moyen des particules de silice colloïdale individualisées, non liées entre elles par des liaisons siloxane est compris entre 7 et 15 nm. 21. Un procédé de polissage mécano-chimique selon l'une des revendications 12 à 20 caractérisé en ce que le diamètre moyen des particules de silice colloïdale individualisées, non liées entre elles par des liaisons siloxane est compris entre 9 et 12 nm. 22. Un procédé de polissage mécano-chimique selon l'une des revendications 12 à 21 caractérisé par le fait que la suspension aqueuse acide de silice colloïdale est utilisée à une concentration pondérale en silice comprise entre 0,1 et 15 %. 23. Un procédé de polissage mécano-chimique selon l'une des revendications 12 à 22 caractérisé par le fait que la suspension aqueuse acide de silice colloïdale est utilisée à une concentration pondérale en silice comprise entre 2 et 5 %. 24. Un procédé de polissage mécano-chimique selon l'une des revendications 12 à 23 caractérisé par le fait que la suspension aqueuse acide de silice colloïdale est utilisée à un pH compris entre 1 à 5. 25. Un procédé de polissage mécano-chimique selon l'une des revendications 12 à 24 caractérisé par le fait que la suspension aqueuse acide de silice colloïdale est utilisée à un pH compris entre 1,5 à 3.