FR 2834081 A1 20030627 FR 0216420 A 20021220 Renvoi à demande apparentée Cette demande revendique le bénéfice de la demande U. S. provisoire S. N. 60/342, 629 déposée le 20 décembre 2001, dont l'entière description est ici incorporée à titre de référence. ARRIÈRE-PLAN DE L'INVENTION Domaine de l'invention La présente invention est orientée vers un modulateur de lumière spatial et de façon davantage spécifique, vers un modulateur de lumière spatial présentant une performance interpixel améliorée. Arrière-plan technique Les modulateurs de lumière spatial à cristaux liquides (LC) à réflexion (SLM) ont été construits à l'aide de pixels discrets distribués spatialement selon une ou plusieurs dimensions. La figure 1 représente une vue en coupe partielle d'un SLM de l'art antérieur typique 100, étant entendu que sont absentes un certain nombre de couches de barrière classiques telles qu'en nitrure de silicium (SiN) et qu'en dioxyde de silicium (Si02) qui sont bien connues, qui ne sont pas particulièrement pertinentes pour la présente description et qui ne sont par conséquent pas représentées. Comme représenté sur la figure 1, le SLM 100 inclut un premier substrat transparent 102 qui inclut une première électrode optiquement transparente continue 106 qui est formée sur la surface supérieure du substrat 102, laquelle électrode joue le rôle d'électrode de masse. Un second substrat sommital 104 inclut une couche de pixels 108 qui est formée sur une surface inférieure, laquelle couche de pixels inclut un certain nombre d'éléments de pixel conducteurs discrets 108A, 108B et 108C. Une couche d'alignement transparente d'éléments de pixel conducteurs discrets 108A, 108B et 108C. Une couche d'alignement transparente 112 est formée au-dessus de la couche 108 et une couche d'alignement transparente 116 est formée au-dessus de la première électrode 106. Les couches d'alignement 112 et 116 peuvent être réalisées en un polyamide et elles sont utilisées pour aligner des molécules de cristaux liquides (LC) d'un matériau électro-optique 114. Les éléments de pixel 108A à 108C fonctionnent également en tant que miroirs et opèrent pour réfléchir un faisceau lumineux arrivant qui se déplace au travers du matériau électro-optique 114, par exemple un film de cristaux liquides (LC), qui est interposé entre la couche 108 et l'électrode 106, lorsqu'une différence de potentiel qui est appliquée entre l'un des éléments de pixel 108A à 108C et la première électrode 106 est telle que le matériau électro-optique 114 dans la zone d'au moins l'un des éléments de pixel 108A à 108C laisse passer la lumière. L'élément de pixel 108A est séparé de l'élément de pixel 108B par une région interpixel 11 DA et l'élément de pixel 108B est séparé de l'élément de pixel 108C par une région interpixel 11 OB. Par référence à un centre de l'élément de pixel 1 08B, il sera apprécié que, du fait d'une formation de franges de champ électrique et en l'absence d'un matériau d'électrode, les propriétés optiques (par exemple la perte d'insertion) des régions interpixel 110A et 11 OB différeront de celle du centre de l'élément de pixel 108B. La figure 2 représente un graphique qui illustre une perte d'insertion typique qui est associée avec le SLM 100 de la figure 1. Comme représenté sur la figure 2, la perte d'insertion atteint une perte maximum au niveau de points 120 et 122, lesquels correspondent respectivement à des régions interpixel 11 OB et 110A. Comme également représenté au niveau de points 124,126 et 128, les pertes d'insertion respectives qui sont associées aux éléments de pixel 108A, 108B et 108C sont inférieures à la perte d'insertion qui est associée aux régions interpixel 11 OA et 11 OB. Dans de nombreuses applications, la différence en termes de propriétés optiques entre un centre d'un élément de pixel et une région interpixel n'est pas critique et les régions interpixel peuvent simplement être masquées à l'aide d'un matériau absorbeur. Cependant, dans un certain nombre d'applications, il est souhaitable que les régions interpixel présentent des propriétés optiques qui sont similaires à celles des centres des éléments de pixel. Par exemple, lorsque des canaux sont constitués en bandes afin de produire un spectre continu, il est souhaitable que les régions interpixel d'un SLM présentent les mêmes caractéristiques que les centres d'éléments de pixel. Par conséquent, un modulateur de lumière spatial (SLM) dont des régions interpixel présentent des propriétés optiques qui sont sensiblement similaires aux propriétés optiques des centres d'éléments de pixel est souhaité. RÉSUMÉ DE L'INVENTION Un mode de réalisation de la présente invention est orienté vers un modulateur de lumière spatial (SLM) à réflexion qui inclut un premier substrat, un second substrat et un matériau électro-optique qui est positionné entre les premier et second substrats. Selon un mode de réalisation, le premier substrat inclut une couche de masse réfléchissante continue qui joue le rôle de première électrode et le second substrat est transparent et il inclut une couche de pixels qui comporte une pluralité d'éléments de pixel formés selon un motif. Les éléments de pixel sont formés en un matériau conducteur transparent et sont séparés par des régions interpixel qui sont formées en un matériau non conducteur. Une transmissivité du matériau électrooptique au voisinage de chacun de la pluralité d'éléments de pixel est commandée par une différence de potentiel qui est appliquée entre la première électrode et l'un respectif des éléments de pixel. Selon un autre mode de réalisation de la présente invention, le SLM à réflexion inclut un premier substrat transparent optiquement, un second substrat, un matériau électro-optique qui est positionné entre les premier et second substrats et un miroir diélectrique. Le premier substrat inclut une couche de masse qui joue le rôle de première électrode transparente continue. Le second substrat inclut une couche de pixel qui comporte une pluralité d'éléments de pixel qui sont formés selon un motif. Les éléments de pixel sont formés en un matériau conducteur et sont séparés par des régions interpixel qui sont formées en un matériau non conducteur. La transmissivité du matériau électrooptique au voisinage de chacun de la pluralité d'éléments de pixel est commandée par une différence de potentiel qui est appliquée entre la première électrode et l'un respectif des éléments de pixel. Le miroir diélectrique est positionné entre la couche de pixels et le matériau électro-optique. Des caractéristiques et avantages additionnels de l'invention seront mis en exergue dans la description détaillée qui suit et apparaîtront à l'homme de l'art au vu de la description ou seront reconnus au moyen de la mise en oeuvre pratique de l'invention comme décrit dans la description qui suit en association avec les revendications et les dessins annexés. Il doit être bien entendu que la description qui est mentionnée ci-avant est un exemple de l'invention seulement et qu'elle est destinée à assurer un aperçu global pour la compréhension de la nature et du caractère de l'invention telle qu'elle est définie par les revendications. Les dessins annexés sont inclus afin d'assurer une compréhension supplémentaire de l'invention et sont incorporés et constituent une partie de la présente description. Les dessins illustrent diverses caractéristiques et divers modes de réalisation de l'invention qui, en association avec la description afférente, servent à expliquer les principes et les fonctionnements de l'invention. BRÈVE DESCRIPTION DES DESSINS La figure 1 est une vue en coupe partielle d'un modulateur de lumière spatial (SLM) présenté à titre d'exemple, selon l'art antérieur ; la figure 2 est un graphique qui représente une variation typique de perte d'insertion entre des pixels et des régions interpixel pour le SLM de la figure 1 ; la figure 3 est une vue en coupe partielle d'un SLM selon un mode de réalisation de la présente invention ; la figure 4 est une vue en coupe partielle qui représente une intensité et une direction d'un champ électrique à l'intérieur du SLM de la figure 3 ; la figure 5 est un graphique qui représente la perte d'insertion en fonction de la longueur d'onde pour le SLM de la figure 3 à un niveau de perte d'insertion minimum et moyennant une atténuation de 1 dB au-dessous du niveau de perte d'insertion minimum ; la figure 6 est une vue en coupe d'un SLM selon un autre mode de réalisation de la présente invention ; la figure 7 est une vue en coupe du SLM de la figure 6 qui représente une intensité et une direction d'un champ électrique à l'intérieur du SLM de la figure 6 ; la figure 8 est une vue en coupe partielle d'un SLM selon encore un autre mode de réalisation de la présente invention ; la figure 9 est un graphique qui représente la réflectivité d'un certain nombre de différents miroirs diélectriques, comme mis en oeuvre à l'intérieur du SLM de la figure 8, en fonction de l'épaisseur et du type de matériau pour un certain nombre de miroirs diélectriques ; la figure 10 est un graphique qui représente l'ondulation de perte d'insertion en fonction de la longueur d'onde pour le SLM de la figure 8 ; la figure 11 est un graphique qui représente l'ondulation à l'atténuation pour le SLM de la figure 8 ; la figure 12 est un graphique qui représente l'extinction en fonction de la longueur d'onde pour le SLM de la figure 8 ; et la figure 13 est un système optique présenté à titre d'exemple qui inclut un égaliseur de spectre dynamique (DES) présenté à titre d'exemple qui incorpore un SLM construit selon l'une quelconque des figures 3,6 et 8. DESCRIPTION DÉTAILLÉE DU MODE (DES MODES) DE RÉALISATION PRÉFÉRÉ (S) Un certain nombre d'attributs sont utiles pour l'évaluation de la performance interpixel de diverses conceptions de modulateur de lumière spatial (SLM). Lorsqu'un SLM est utilisé dans des applications du type à bandes, on peut de façon générale supposer qu'il est souhaitable que des pixels voisins présentent la même orientation et les mêmes dimensions. Un premier attribut qui est utile pour l'évaluation de la performance d'une conception de SLM est l'ondulation de perte d'insertion minimum. L'ondulation de perte d'insertion minimum est définie en tant que déviation maximum de la perte d'insertion optique lorsqu'un faisceau optique passe d'un pixel au travers d'une région interpixel dans un pixel voisin tandis que les deux pixels sont maintenus à une tension appropriée afin de réaliser une perte d'insertion minimum. La perte d'insertion (en dB) est définie comme suit : 1 Un graphique de perte d'insertion typique qui est associé à un SLM de l'art antérieur est représenté sur la figure 2. En général, une conception de SLM utile devrait présenter une ondulation de perte d'insertion minimum inférieure à 0,2 dB. Un second attribut qui est utile pour l'évaluation d'une conception de SLM est l'ondulation de perte d'insertion à l'atténuation. L'ondulation de perte d'insertion à l'atténuation est essentiellement définie de même que l'ondulation de perte d'insertion minimum, à ceci près que les tensions de pixel sont établies afin de réaliser un certain niveau d'atténuation modéré, par exemple typiquement de 10 à 15 dB au-dessous de la perte d'insertion minimum. Un troisième attribut qui est utile pour l'évaluation des conceptions SLM est une extinction interpixel, laquelle extinction est définie en tant que perte d'insertion dans la région interpixel lorsque les tensions de pixels voisins sont établies pour réaliser une perte d'insertion maximum. Dans une application générale, l'extinction interpixel ne doit pas se dégrader au-dessous d'une certaine valeur de limite minimum, par exemple de 35 à 40 dB. Il doit être apprécié que la présente invention peut de façon générale être appliquée à des SLM à réflexion de divers types de cellules telles que des cellules à biréfringence commandée électriquement (ECB), des cellules nématiques alignées verticalement (VAN) et des cellules à cristaux liquides (LC) nématiques vrillées mélangées (MTN), parmi d'autres cellules LC. Selon la présente invention, un premier mode de réalisation, comme décrit ici, réduit une variation de réflexion au niveau d'un centre d'une région interpixel par l'intermédiaire de la mise en oeuvre d'une couche de masse réfléchissante, par exemple réalisée en or, qui est formée sur un premier substrat, par exemple un substrat en silice fondue, de manière à jouer le rôle de première électrode continue. Selon ce mode de réalisation, un second substrat transparent, par exemple un substrat en silice fondue, inclut une couche de pixels qui comporte un certain nombre d'éléments de pixel discrets, qui sont formés selon un motif, chaque élément de pixel jouant le rôle d'électrode séparée. Les éléments de pixel sont formés en un matériau conducteur transparent, par exemple en oxyde d'indium et d'étain (ITO), et sont séparés par des régions interpixel qui sont formées en un matériau non conducteur. Un matériau électro-optique, par exemple un film de cristaux liquides (LC), est positionné entre les premier et second substrats et la transmissivité du matériau électro-optique au voisinage de chacun de la pluralité d'éléments de pixel est commandée par une différence de potentiel qui est appliquée entre la première électrode et l'un respectif des éléments de pixel. Une électrode transparente peut être construite à partir d'un certain nombre de différents matériaux, par exemple de l'oxyde d'indium et d'étain (ITO) ou du SnOx, et la couche de masse réfléchissante peut être formée à l'aide d'une certaine variété de métaux tels que l'or, l'aluminium ou un alliage aluminium/cuivre. Lorsque la réflexion depuis la couche de masse réfléchissante est continue, la variation de perte d'insertion est dominée par la transmission plus élevée dans la région interpixel du fait de l'absence de l'électrode transparente dans la région interpixel. Comme représenté sur le graphique présenté à titre d'exemple de la figure 5, la variation en termes de perte d'insertion d'une région interpixel d'un SLM à réflexion 200 qui est construit selon la figure 3 est abaissée jusqu'à une valeur relativement faible, par exemple est rendue inférieure à 0,2 dB, à la fois à une perte d'insertion minimum et à un niveau d'atténuation de 1 dB au-dessous du niveau de perte d'insertion minimum. Il doit être apprécié que les composants des SLM présentés ici ne sont pas à l'échelle. La figure 3 représente une vue en coupe partielle du SLM à réflexion 200 qui est construit selon un mode de réalisation de la présente invention, lequel inclut un premier substrat 202 qui comporte une couche de masse réfléchissante 206 qui joue le rôle de première électrode continue et un second substrat optiquement transparent 204 qui inclut une couche de pixels 208 qui comporte une pluralité d'éléments de pixel 208A, 208B et 208C qui sont formés selon un motif selon lequel chaque élément de pixel joue le rôle d'électrode optiquement transparente séparée. Les éléments de pixel 208A, 208B et 208C sont formés en un matériau conducteur transparent, par exemple en ITO, et sont séparés par des régions interpixel 210A et 210B qui sont formées en un matériau non conducteur. Une couche d'alignement transparente 212 est formée au-dessus de la couche 208 et une couche d'alignement transparente 216 est formée au-dessus de la première électrode 206. Les couches d'alignement 212 et 216 sont utilisées pour aligner des molécules de LC du matériau électro-optique 214. Le matériau électro-optique 214, par exemple un film de cristaux liquides (LC), est positionné entre le premier substrat 202 et le second substrat 204. La transmissivité du matériau électro-optique 214 au voisinage de chacun de la pluralité d'éléments de pixel 208A à 208C est commandée par une différence de potentiel qui est appliquée entre la première électrode et l'un respectif des éléments de pixel. Le matériau conducteur transparent qui est utilisé pour former la couche de pixels 208 peut prendre une certaine variété de formes telles que de l'oxyde d'indium et d'étain (ITO) et la couche de masse peut être réalisée en une certaine variété de métaux réfléchissants, par exemple l'or, l'aluminium et un alliage aluminium/cuivre. La figure 4 est un schéma de champ électrique présenté à titre d'exemple qui représente une intensité et une direction d'un champ électrique dans les composants du SLM 200 de la figure 3. Bien que la perte d'insertion soit réduite dans le SLM 200 de la figure 3, le SLM 200 subit toujours des niveaux d'ondulation quelque peu non souhaitables à l'atténuation et à l'extinction du fait d'un effet de franges de champs électriques à proximité du substrat 204. Cependant, comme représenté sur la figure 6, l'ondulation à l'atténuation et à l'extinction peut être améliorée en ajoutant une couche diélectrique 220 qui est optiquement transparente entre la couche de pixel 208 et le matériau électro-optique 214. La couche diélectrique 220 peut être en une certaine variété de différents matériaux diélectriques, par exemple en Si02 ou en AtsOs, et son épaisseur peut s'inscrire dans une plage qui va d'environ 0,5 micromètre à environ 3 micromètres. De cette manière, les champs électriques en franges qui contribuent à une différence en termes de propriétés optiques pour les régions interpixel et le centre des éléments de pixel peuvent être confinés à l'intérieur de la couche diélectrique 220 et de cette manière, peuvent empêcher les champs électriques en franges d'affecter de manière défavorable le fonctionnement du SLM 240. La figure 7 représente une intensité et une direction d'un champ électrique à l'intérieur des composants du SLM 240. La figure 8 représente un modulateur de lumière spatial (SLM) 500 selon un autre mode de réalisation de la présente invention. Le SLM 500 inclut un premier substrat 502 qui est un substrat optiquement transparent, par exemple réalisé en silice fondue, lequel comporte une couche de masse 506 qui est formée sur lui, laquelle joue le rôle de première électrode transparente continue. Une couche d'alignement transparente optiquement 516 est formée en totalité sur la première électrode 506 et est utilisée en conjonction avec une couche d'alignement optiquement transparente 512 qui est formée sur un second substrat 504, afin d'aligner le premier substrat 502 avec le second substrat 504. Le second substrat 504 inclut une couche de pixels 508 qui est formée dessus, laquelle couche comporte une pluralité d'éléments de pixel 508A, 508B et 508C qui sont formés selon un motif, chacun des éléments de pixel 508A à 508C jouant le rôle d'électrode discrète. Les éléments de pixel 508A à 508C sont formés en un matériau conducteur et sont séparés par des régions interpixel 510A et 510B qui sont formées en un matériau non conducteur, par exemple envi02. Un miroir diélectrique 530 est formé sur la couche de pixels 508 et il s'étend à l'intérieur des régions interpixel 510A et 51 OB, et la couche d'alignement 512 est formée sur le miroir diélectrique 530. Un matériau électro-optique 514 est positionné entre le premier substrat 502 et le second substrat 504. Le matériau électro-optique 514, au voisinage de chacun de la pluralité d'éléments de pixel 508A à 508C, est commandé par une différence de potentiel qui est appliquée entre la première électrode 506 et les éléments de pixel 508A à 508C. Le matériau électro-optique 514 peut être pris parmi une large variété de matériaux électro-optiques tels qu'un film de cristaux liquides (LC). Le miroir diélectrique 530 peut être formé en une certaine variété de matériaux à indice élevé et à indice faible, par exemple Si/Si02, NbsOs/SiOs et Ta20s/Si02. La figure 9 représente la réflectivité d'un certain nombre de paires de matériaux réalisées en différents matériaux en fonction d'une épaisseur totale, c'est-à-dire d'un certain nombre de paires de matériaux, du miroir diélectrique 530. Comme représenté sur la figure 9, la réflectivité du miroir diélectrique 530 est augmentée lorsque les éléments de pixel 508A à 508C sont formés à l'aide d'un conducteur non transparent tel que l'or. Cependant, les réflectivités des régions interpixel 510A et 51 OB sont le plus en adaptation étroite lorsque les éléments de pixel 508A à 508C sont formés à l'aide d'un conducteur optiquement transparent tel que l'oxyde d'indium et d'étain (ITO). La figure 10 est un graphique qui représente l'ondulation de perte d'insertion pour trois éléments de pixel et deux régions interpixel (c'est-à-dire depuis un premier pixel jusqu'à une première région interpixel, jusqu'à un second pixel, jusqu'à une seconde région interpixel et jusqu'à un troisième pixel), ce qui correspond à trois canaux pour le SLM 500. La figure 11 est un graphique qui représente l'ondulation à l'atténuation en tant que fonction des éléments de pixel et des régions interpixel pour le SLM 500 de la figure 8 et la figure 12 est un graphique qui représente l'extinction en fonction de régions interpixel et d'éléments de pixel pour le SLM 500 de la figure 8. La figure 13 représente un système optique présenté à titre d'exemple 600 qui inclut une source de données 602 qui est couplée à un égaliseur de spectre dynamique (DSE) 630, lequel est couplé à un récepteur de données optique 628. Le DSE 630 reçoit un signal multiplexé par division en longueurs d'onde (WDM) qui inclut un certain nombre de canaux de données dont seulement trois, soit A 1, A2, A3, sont représentés sur la figure 13. Les signaux WDM sont appliqués par la source de données 602 sur un guide d'ondes 601, lequel guide d'ondes est couplé à une entrée d'un coupleur sélectif en longueur d'onde 604 dont une première sortie est couplée à une entrée d'un coupleur 608, par exemple un coupleur à 98,2/1, 8 %, et dont une seconde sortie est couplée à une entrée d'un second coupleur sélectif en longueur d'onde 606. Comme représenté, le coupleur 604 laisse passer la longueur d'onde A1 sur une entrée du coupleur 608 et applique les longueurs d'onde A2 et A3 sur l'entrée du coupleur 606. Le coupleur 606 applique une seconde longueur d'onde A2 au niveau d'une première sortie, qui est couplée à une entrée du coupleur 610, et une troisième longueur d'onde A3 au niveau de sa seconde sortie qui est couplée à une entrée du coupleur 612. Une première sortie du coupleur 608 est couplée à un premier port d'un circulateur 622 dont un second port est couplé à un guide d'ondes qui dirige la première longueur d'onde A1 sur un premier pixel d'un modulateur de lumière spatial (SLM) à réflexion 616. Une seconde sortie du coupleur 608 est couplée à une entrée d'une photodiode 611 dont une sortie est couplée à une entrée d'une unité de commande 614. Une première sortie du coupleur 610, par exemple un coupleur 98,2/1, 8%, est couplée à un premier port d'un circulateur 620 dont un second port est couplé à un guide d'ondes qui dirige la seconde longueur d'onde A2 sur un second pixel qui est localisé dans le SLM 616. Une seconde sortie du coupleur 610 est couplée à une entrée d'une photodiode 613 dont une sortie est couplée à une seconde entrée de l'unité de commande 614. Une première sortie du coupleur 612, par exemple un coupleur 98,2/1, 8%, est couplée à un premier port d'un circulateur 618 dont un second port est couplé à un guide d'ondes qui dirige la troisième longueur d'onde A3 sur un troisième pixel qui est localisé dans le SLM 616. Une seconde sortie du coupleur 612 est couplée à une entrée d'une photodiode 615 dont une sortie est couplée à une troisième entrée de l'unité de commande 614. Des sorties de l'unité de commande 614 sont couplées au SLM 616 et l'unité de commande 614 est programmée pour commander la transmissivité des pixels du SLM en réponse au niveau des signaux de sortie qui sont appliqués au niveau des première, seconde et troisième entrées au moyen des photodiodes 611,613 et 615, de façon respective. Par conséquent, l'unité de commande 614 détermine les niveaux des premier, second et troisième signaux À1, À2 et À3 et atténue un ou plusieurs des signaux de manière à égaliser ou atténuer les canaux, lorsqu'on le souhaite ou lorsque nécessaire. Un premier canal égalisé À'1 est réfléchi sur le second port du circulateur 622 et sort au niveau d'un troisième port du circulateur 622, qui est couplé à une entrée d'un coupleur directionnel 624. Un second signal égalisé À'2 est réfléchi sur le second port du circulateur 620 et est aiguillé sur le troisième port du circulateur 620 qui est couplé à une seconde entrée du coupleur directionnel 624. Une sortie du coupleur directionnel 624 est couplée à une première entrée du coupleur directionnel 626 et une seconde entrée du coupleur 626 est couplée à un troisième port du circulateur 618 qui reçoit un troisième signal de canal égalisé'3 qui est réfléchi sur le second port du circulateur 618 depuis le troisième pixel du SLM 616. La sortie du coupleur 626 est couplée sur une entrée du récepteur de données 628 et applique les premier, second et troisième canaux égalisés À'1, À'2 et À'3 sur le récepteur de données 628. Par conséquent, un certain nombre de modulateurs de lumière spatial (SLM) à réflexion ont été décrits ici, lesquels assurent une performance interpixel améliorée par rapport à des SLM à réflexion antérieurs. Ces SLM peuvent être de manière avantageuse mis en oeuvre à l'intérieur d'applications qui nécessitent la mise en bandes d'éléments de pixel, tel que lorsque les SLM sont mis en oeuvre à l'intérieur d'un égaliseur de spectre dynamique (DES) d'un système optique. Il apparaîtra à l'homme de l'art que diverses modifications peuvent être apportées aux modes de réalisation préférés de l'invention comme décrit ici sans que l'on s'écarte ni de l'esprit, ni du cadre de l'invention telle que définie par les revendications annexées. REVENDICATIONS 1. Modulateur de lumière spatial à réflexion (SLM) comprenant : un premier substrat (202) qui comprend une couche de masse réfléchissante (206) qui joue le rôle de première électrode continue ; un second substrat optiquement transparent (204) qui inclut une couche de pixels (208) qui comporte une pluralité d'éléments de pixel (208A, 208B, 208C) qui sont formés selon un motif, où les éléments de pixel (208A, 208B, 208C) sont formés en un matériau conducteur transparent et sont séparés par des régions interpixel (21 OA, 21 OB) qui sont formées en un matériau non conducteur ; et un matériau électro-optique (214) qui est positionné entre les premier (202) et second (204) substrats, où une transmissivité du matériau électro-optique (214) au voisinage de chacun de la pluralité d'éléments de pixel (208A, 208B, 208C) est commandée par une différence de potentiel qui est appliquée entre la première électrode (206) et l'un respectif des éléments de pixel (208A, 208B, 208C). 2. SLM selon la revendication 1, dans lequel le matériau conducteur transparent est de l'oxyde d'indium et d'étain (ITO). 3. SLM selon la revendication 1 ou 2, dans lequel la couche de masse (206) est réalisée en un métal réfléchissant qui est choisi parmi le groupe qui comprend l'or, l'aluminium et des alliages aluminium/cuivre. 4. SLM selon l'une quelconque des revendications 1 à 3, incluant en outre : une couche diélectrique optiquement transparente (220) qui est positionnée entre la couche de pixels (208) et le matériau électrooptique (214). 5. SLM selon la revendication 4, dans lequel la couche diélectrique transparente (220) est en un matériau choisi parmi Si02 et Aises. 6. SLM selon la revendication 4 ou 5, dans lequel la couche diélectrique transparente (220) présente une épaisseur qui est comprise entre 0,5 micromètre et 3,0 micromètres. 7. SLM selon l'une quelconque des revendications 1 à 6, dans lequel le matériau électro-optique (214) est un film de cristaux liquides. 8. Modulateur de lumière spatial (SLM) à cristaux liquides à réflexion comprenant : un premier substrat optiquement transparent (502) qui inclut une couche de masse (506) qui joue le rôle de première électrode transparente continue ; un second substrat (504) qui inclut une couche de pixels (508) qui comporte une pluralité d'éléments de pixel (508A, 508B, 508C) qui sont formés selon un motif, où les éléments de pixel (508A, 508B, 508C) sont formés en un matériau conducteur transparent et sont séparés par des régions interpixel (510A, 5108) qui sont formées en un matériau non conducteur ; un matériau électro-optique (514) qui est positionné entre les premier (502) et second (504) substrats, où une transmissivité du matériau électro-optique (514) au voisinage de chacun de la pluralité d'éléments de pixel (508A, 508B, 508C) est commandée par une différence de potentiel qui est appliquée entre la première électrode (506) et l'un respectif des éléments de pixel ; un miroir diélectrique (530) qui est positionné entre la couche de pixels (508) et le matériau électro-optique (514). 9. SLM selon la revendication 8, dans lequel la première électrode est réalisée en oxyde d'indium et d'étain (ITO). 10. SLM selon la revendication 8 ou 9, dans lequel les éléments de pixel (508A, 508B, 508C) sont réalisés en oxyde d'indium et d'étain (ITO). 11. SLM selon la revendication 8 ou 9, dans lequel les éléments de pixel (508A, 508B, 508C) sont réalisés en or. 12. SLM selon l'une quelconque des revendications 8 à 11, dans lequel le matériau électro-optique (514) est un film de cristaux liquides.