FR 2860920 A1 20050415 FR 0311987 A 20031014 PROCEDE DE REALISATION DE CONNEXIONS CONDUCTRICES DE CIRCUITS INTEGRES, ET CIRCUIT INTEGRE METTANT EN UVRE DES TELLES CONNEXIONS. L'invention concerne la réalisation de circuits intégrés, et plus particulièrement une technique de connexion électrique sélective entre des éléments du circuit intégré, notamment lorsque ces derniers sont relativement proches l'un de l'autre. A ce titre, l'invention permet de réaliser des interconnexions dites locales sur de courtes distances à l'échelle du circuit intégré. Dans l'état de l'art, on réalise ces connexions locales par des techniques dites de niveau d'interconnexion local (connues par l'acronyme anglais de LIL, pour "Local Interconnect Level"). De manière générale, ces interconnexions sont réalisées avec des niveaux de métallisation sur le silicium dans une structure diélectrique pré- métallique. De telles interconnexions sont typiquement réalisées par dépôt de tungstène directement sur le silicium. La figure 1 illustre un exemple, vu de dessus, d'une topographie d'interconnexion de niveau local (abrévié dans ce qui suit à "interconnexion locale"), dans lequel sont représentées deux zones actives 2 et 4, chacune formant un îlot dans un substrat en silicium 6 du circuit intégré 8. L'isolation des deux zones actives est obtenue par formation d'un oxyde de champ du type dit tranchée d'isolation à faible profondeur 3 (connu par l'acronyme anglais STI, pour "Shallow Trench Isolation"). Une première zone active 2 représentée comporte deux transistors MOS, dont les grilles respectives 10 et 12 sont reliées électriquement par une première interconnexion locale 14. Par ailleurs, les deux zones actives 2 et 4 sont reliées électriquement entre elles de part et d'autre de la tranchée 3 par une deuxième interconnexion locale 16. Enfin, la seconde zone active 4 comporte une troisième interconnexion locale 18, qui est verticale afin de relier deux niveaux conducteurs superposés, en l'occurrence au voisinage de la grille de contrôle 20 d'un transistor MOS. Les interconnexions locales sont réalisées au niveau du silicium dans le but de connecter entre elles des lignes de silicium polycristallin et des lignes de zones actives. Selon les techniques classiques de réalisation, les interconnexions locales 14, 16, 18 sont en métal, typiquement du tungstène (W). Les interconnexions locales qui sont latérales relativement au plan du circuit intégré, comme les première et deuxième interconnexions 14, 16, sont chacune sous forme de tranchée. Les interconnexions verticales, par exemple la troisième interconnexion 18, sont sous forme d'un trou rempli d'un matériau conducteur formant un contact connu par le terme anglais de "plug". Plus généralement, les interconnexions locales se répartissent en deux types tranchées et trous, comblés de matériau conducteur. Les tranchées servent à connecter notamment deux zones du circuit, par exemple deux zones actives, deux ligne de polysilicium, ou une zone active et une ligne de polysilicium. Les trous servent à connecter juste un point particulier à un autre. La réalisation des interconnexions locales fait intervenir un niveau supplémentaire de photolithographie et gravure. Pour mémoire, les figures 2a à 2d représentent schématiquement les étapes principales dans la formation d'un motif en relief sur une plaquette de silicium par une technique de photolithographie et gravure. A un stade initial (figure 2a), un masque 22 comportant sous forme de découpes 24 un motif de matériau à supprimer est apposé sur une couche de résine photosensible 26 déposée uniformément sur la surface de la plaquette de silicium 28. Un rayonnement 30 apte à provoquer une réaction sur la résine est appliqué à travers le masque. L'ensemble comprenant le substrat 28 et la résine 26 est développé dans un bain chimique de sorte à retirer les parties exposée de la résine, rendues non résistantes au bain. On obtient alors le motif du masque 22 reproduit en relief sur la résine, permettant d'exposer la surface supérieure 28a du substrat 28 aux endroits où la résine est retirée (figure 2b). L'ensemble précité est ensuite soumis à une gravure, par exemple du type par contact, durant laquelle la surface exposée 28a du silicium est usinée chimiquement pour former des tranchées 32, dont la surface du fond 32a est sensiblement en retrait de la surface supérieure 28a du substrat (figure 2c). Enfin, la résine est complètement retirée du substrat silicium 28 (figure 2d). La figure 3 illustre, par une vue selon la ligne III-III' de la figure 1, la réalisation concrète des interconnexions locales de la figure 1 selon un état de la technique. Pour définir les tranchées et les trous ("plugs") devant former les interconnexions locales du circuit, on prévoit le dépôt, sur la surface du substrat 28, de deux niveaux de diélectrique dits pré-métalliques (plus connue par l'acronyme anglais PMD, pour "Pre-Metal Dielectric"), chacun comportant les éléments conducteurs 14, 16 qui constituent les interconnexions locales. (Le terme "pré-métallique provient du fait que ces niveaux sont situés entre le substrat 28 et un premier niveau de métallisation 34, dit "métal 1" du circuit intégré.) Dans la figure, les premier et second niveaux de la structure, comptés à partir du substrat 28, sont respectivement désignés PMD1 et PMD2. On observe que les éléments sur lesquels doivent être formés les interconnexions locales, à savoir les contacts de grilles de contrôle 10, 12, ainsi que les zones de contact pour les deuxième et troisième interconnexions locales 16, 20 précitées, sont recouvertes de CoSi2 (ces parties sont repérées par des hachures). Le CoSi2 recouvre également d'autres éléments, notamment la grille de contrôle 20. Les reliefs verticaux sur la surface du substrat 28, constitués ici par les grilles de contrôle 10, 12, 20, sont bordés sur leur flancs par des éléments dits "espaceur" (plus connus par le terme anglais de "spacer") 38, dont les faces extérieures présentent des pentes. Les espaceurs sont ici formés par un bicouche oxyde-nitrure gravé de manière anisotropique. Initialement, le premier niveau PMD1 est formé selon les étapes suivantes: Al. Formation préalable d'une couche de siliciure de cobalt (CoSi2), comprenant: A1.1. le dépôt d'une couche de cobalt, ou autre conducteur équivalent, sur l'ensemble de la partie exposée du substrat semiconducteur 6, après nettoyage de celle-ci; A1.2. un recuit rapide de cette couche enrobée, (connu par l'acronyme anglais de RTP, pour "Rapid Thermal Processing") ; A1.3. le retrait sélectif par voie humide d'une partie de la couche, soit du cobalt non réagi et du TiN. A2. Dépôt de la couche PMD1, comprenant: A2.1. le dépôt d'une couche en nitrure, du type connu par le terme anglais de "borderless nitride" (traduction littérale: "nitrure sans bordure") ; A2.2. le dépôt d'oxyde de silicium SiO2 en utilisant par exemple une technique de dépôt chimique sub-atmosphérique en phase vapeur (connu par l'acronyme anglais SACVD, pour "Sub-Atmospheric Chemical Vapour Deposition"), ou de dépôt chimique en phase vapeur renforcé par plasma (connu par l'acronyme anglais PECVD, pour "Plasma-Enhanced Chemical Vapour Deposition), ou de dépôt en plasma à haute densité (connu par l'acronyme anglais HOP, pour "High density plasma), etc. Selon l'application, ce dépôt peut être soit non dopé, soit dopé. Dans ce dernier cas, le matériau de dopage peut être, à titre d'exemple, du bore et du phosphore formant un dépôt connu par l'acronyme anglais BPSG, pour "Boron/Phosphorous-Doped Silicon Glass") ; et A2.3. une étape de densification de la couche PMD1 ainsi formée, avec transformation du matériau CoSi en CoSi2. A.2.4. un polissage ou de planarisation mécano- chimique (connu par l'acronyme anglais CMP, pour "Chemical-Mechanical Polising/Planarisation")de l'oxyde. Cette étape permet d'obtenir une couche PMD plane. A3. Photolithographie et gravure du motif des interconnexions locales avec remplissage du motif par du tungstène. Cette phase permet de définir, par un masque approprié, les "plugs" et les tranchées de la l'interconnexion locale. Elle comprend les étapes suivantes. A3.1. une photolithographie pour la formation du motif de résine photosensible 26 (cf. figures 2a et 2b) ; A3.2. une gravure sèche (par plasma) des interconnexions locales (cf. figures 2c et 2d), avec arrêt critique sur le CoSi2 et/ou sur la tranchée d'isolation STI 3 servant à isoler les zones actives entre elles A3.3. le retrait de la résine; A3.4. la réalisation d'un dépôt barrière (couche conductrice) sur toute la plaquette, réalisée en bicouche, par exemple avec du Ti/TiN, entrant dans les contacts (tranchées ou "plugs"). Plus particulièrement, cette couche très fine, typiquement de 200 Angstrom au total, se dépose au fond des contacts et surtout sur les flancs de ces derniers; A3.5. le dépôt de tungstène formant les éléments conducteurs 14 et 20, ainsi que la partie du "plug" 18 sur l'étendu de la section verticale du diélectrique pré-métallique PMD1; et A3.6. le polissage/la planarisation mécanochimique utilisant une technique CMP comme pour l'étape A.2.4 supra. Cette étape a pour but d'enlever par usinage le tungstène qui se trouve au- dessus de l'oxyde afin de ne le laisser que dans les "plugs" et dans les tranchées. A l'issu de ces étapes, il ne subsiste du tungstène que dans les tranchées 14 et dans les "plugs" 18 de l'interconnexion locale. A partir de cette préparation, on réalise le second niveau diélectrique PMD2, constitué d'un ensemble de "plugs" destiné à la connexion sélective des parties du tungstène du premier diélectrique avec la première métallisation 34, désigné métal 1. Pour ce faire, on dépose à nouveau une couche pré-métallique (soit diélectrique) servant à définir les connexions. Cette seconde couche prémétallique ne définit que des "plugs". Ces derniers sont destinés à relier le métal 1 avec soit les "plugs" du niveau PMD1, soit les lignes réalisées par le premier dépôt de tungstène. Le second niveau PMD2 est réalisé par les étapes suivantes, consistant à former les "plugs" : 4.1. un dépôt d'oxyde de silicium SiO2 qui, comme pour le premier niveau PMD1, peut être non dopé ou dopé, le dopage dans ce dernier cas pouvant être avec du bore et du phosphore pour former la composition BPSG précitée; 4.2. si le dépôt est dopé, une densification de ce dépôt, par exemple de BPSG; 4.3. une photolithographie afin de définir les trous pour les "plugs"; 4.4. une gravure des "plugs" ; et 4.5. le retrait de la résine utilisée lors de la gravure. Concernant l'ensemble de ce processus classique de fabrication des connexions locales, on remarque que l'étape de photolithographie est très critique et nécessite un masque coûteux, s'agissant d'un masque à décalage de phase, spécialement conçu pour définir des motifs très fins. Au niveau de la gravure, un point de criticité très élevé dans l'exemple de la figure 3 est indiqué par le repère A, situé au bord de la tranchée 3 et du substrat 28, soit à l'arrêt de la gravure. En effet, ce masque doit définir simultanément, pour un même niveau et avec un même masque, des ouvertures à la fois en forme de tranchée et en forme de trou, pour les "plugs". L'étape de photolithogravure est également très critique, car elle nécessite d'être hautement sélective, à la fois: - par rapport au siliciure de cobalt (CoSi2), celui-ci se présentant sous forme d'une couche métallique formée sélectivement sur les zones actives et sur les lignes de polysilicium, afin de réduire les résistances de ligne de contact, et - par rapport à l'oxyde de la tranchée d'isolation STI 3, s'agissant d'un oxyde de champ servant à isoler entre elles les zones actives 2, 4 (cf. repère A de la figure 3). En effet, une sur-gravure du cobalt ou de l'oxyde en bord du tranché d'isolation précité peut provoquer des courants de fuite, par fuite de jonction, destructeurs pour le circuit. De plus, il est pénalisant d'avoir recours à un second dépôt de diélectrique pré-métallique (cf. phase 4 supra) afin de permettre d'établir un contact entre le tungstène de l'interconnexion avec l'aluminium du métal 1. Au vu de ce qui précède, l'invention propose une nouvelle approche permettant de réaliser notamment des connexions conductrices avec une simplification par rapport à l'état de la technique, entre autres au niveau des masques. Dans le mode de réalisation qui sera décrit, l'invention permet la suppression d'une gravure critique à sec au niveau des lignes locales d'interconnexion, en la remplaçant par une attaque humide sélective masquée du métal déposé, en l'occurrence du cobalt dans l'exemple décrit. Plus particulièrement, l'invention prévoit, selon un premier aspect, un procédé de réalisation d'au moins une connexion électriquement conductrice reliant sélectivement des éléments sur un substrat de circuit intégré, caractérisé en ce qu'il comprend les étapes de: - réaliser lesdits éléments sur un substrat dont au moins une portion de la surface est constituée d'un premier matériau, - déposer, sur le substrat et lesdits éléments, au moins un deuxième matériau, qui est conducteur et susceptible de créer une réaction avec le premier matériau pour former un matériau conducteur à la surface du substrat, - traiter le substrat pour réaliser ladite réaction, - réaliser un retrait sélectif du deuxième matériau n'ayant pas réagi avec ledit premier matériau, pour laisser du deuxième matériau selon un motif qui correspond à au moins une partie de la connexion. Avantageusement, le retrait sélectif du deuxième matériau n'ayant pas réagi est réalisé par au moins un masque définissant ledit motif, par exemple en utilisant une technique de gravure par voie humide. Dans ce cas, le retrait sélectif peut être réalisé par immersion du substrat et de son masque dans un bain. Dans le mode de réalisation, au moins une connexion relie un desdits éléments à une aire du substrat rendue conductrice par ladite réaction entre le premier et le deuxième matériau. Au moins une aire du substrat rendue conductrice par ladite réaction entre le premier et le deuxième matériau peut être utilisée comme point de base pour un contact par trou, connu par le terme anglais de "plug", permettant une connexion vers un point de contact superposé. De préférence, le retrait sélectif réalise de multiples connexions. Avantageusement, la connexion est réalisée sous forme de ligne/les connexions sont réalisées uniquement sous forme de lignes. Le masque peut alors comporter un motif uniquement de ligne(s) pour définir la ou chaque connexion. Le masque peut être formé par une technique de photolithographie. Ladite étape de traitement peut comprendre un traitement thermique rapide, connu par l'acronyme anglais RTP, pour "Rapid Thermal Processing". Le deuxième matériau déposé, ou l'un au moins des matériaux déposés, peut être un métal, par exemple un métal réfractaire. Dans ce dernier cas, le métal réfractaire peut être au moins l'un parmi du cobalt, du titane, du nickel. L'étape de dépôt d'au moins un deuxième matériau peut, selon une option avantageuse, consister à déposer un bicouche formé d'une première composante qui est recouverte, ou encapsulée, par une deuxième composante, différente le la première. Si cette option est utilisée, la première composante du bicouche peut comprendre, entre autres, du cobalt, et la seconde composante, qui la recouvre ou la l'encapsule, peut comprendre, entre autres, du titane (Ti), la première composante étant en contact avec le premier matériau. Ledit premier matériau formant au moins une portion de ladite surface exposée du substrat peut être du silicium. Dans ce cas, le matériau conducteur formé par ladite réaction peut être un siliciure. Dans ce dernier cas, le siliciure peut être au moins l'un parmi: un siliciure de cobalt (CoSi), un siliciure de titane, un siliciure de nickel. Le procédé peut comprendre en outre la réalisation d'une structure dite diélectrique pré-métallique (PMD) unique comprenant au moins un contact par trou, connu par le terme anglais de "plug", permettant une connexion vers un point de contact superposé destiné à relier des points de ladite connexion électrique avec un niveau de métallisation. La ou chaque connexion électrique ainsi réalisée peut former une connexion locale s'étendant sur de courtes distances à l'échelle du circuit intégré. Selon un second aspect, l'invention concerne en outre un circuit intégré comprenant au moins une connexion électriquement conductrice reliant sélectivement des éléments sur son substrat, dont au moins une portion de la surface est constitué d'un premier matériau, caractérisé en ce que la connexion est réalisée par un motif formé par au moins un deuxième matériau qui est conducteur, ce deuxième matériau formant en outre au moins une région conductrice sur la substrat par réaction avec le premier matériau de ce dernier. Le second matériau peut être du nitrure de titane. Les aspects optionnels présentés dans la cadre du procédé selon le premier objet, peuvent s'appliquer mutatis mutandis à ce circuit intégré selon le second objet, et ne seront pas repris ici par souci de concision. L'invention et les avantages qui en découlent apparaîtront plus clairement à la lecture des modes de réalisation préférés, donnés purement à titre d'exemples non-limitatifs, par référence aux dessins annexés, dans lesquelles: - la figure 1, déjà décrite, est une vue de plan d'un exemple d'interconnexions à un niveau local d'une zone d'un circuit intégré, les figures 2a à 2d, déjà décrites, sont des vues en coupe simplifiées montrant les étapes 0 successives intervenant lors d'une opération de photolithographie et de gravure sur un substrat en silicium, utilisée notamment lors de la réalisation d'interconnexions à un niveau local, la figure 3, déjà décrite, est une vue en coupe selon la ligne III-III' de la zone du circuit de la figure 1, pour le cas d'une structure d'interconnexions à un niveau local réalisée selon une technique classique à deux niveaux de diélectrique pre-métal, et - les figures 4a à 4g sont des vues en coupe d'une portion de plaquette silicium sur laquelle sont formées des interconnexions locales conformément au mode de réalisation préféré de l'invention, montrant l'évolution de la fabrication à travers des étapes successives. Le mode de réalisation préféré de l'invention est décrit dans le cadre de connexions locales sur un substrat en silicium, en reprenant l'exemple de la topographie de la figure 1. Dans ce contexte, l'invention permet d'éliminer le niveau critique que constitue l'utilisation d'un type particulier de masque utilisé classiquement pour réaliser l'interconnexion au niveau local LIL, celuici devant, dans l'état de la technique, définir à la fois des trous et des tranchés. Dans l'exemple, cette élimination est obtenue, inter alla, par une exploitation judicieuse d'un matériau, ici sous forme d'un bicouche, pour réaliser les chemins conducteurs des interconnexions de niveau local. (Par contraste, dans l'état de la technique, lorsqu'un bicouche est utilisé, celui-ci ne sert qu'à former les points de contact, lesquels sont recouverts par des tranchées de tungstène formant les chemins conducteurs de l'interconnexion). Ainsi, on utilise la propriété conductrice d'un bicouche, en l'occurrence le couple cobalt/TiN, pour supprimer le niveau local d'interconnexion LIL. Le bicouche ainsi utilisé conformément au mode de réalisation sert à réduire la résistance des contacts et la résistance des lignes, s'agissant d'une couche équipotentielle. L'ensemble des étapes du présent mode de réalisation de l'invention est représentée par les figures 4a à 4g, qui reprennent comme élément de base la structure d'interconnexion locale représenté à la figure 1. Les parties structurelles de ces figures déjà décrites dans le cadre des figures précédentes ne seront pas répétées, et portent les mêmes références que ces dernières. Pour les mêmes raisons, toute étape de fabrication utilisée également dans le mode de réalisation de l'état de la technique et déjà décrite (cf. figures 2a-2d, 3) ne sera pas décrite à nouveau. La figure 4a reprend la configuration décrite dans le cadre de la figure 3, en ce qui concerne le substrat de silicium 28 constituant la plaquette, la tranchée d'isolation STI 3 constituant l'oxyde de champ, les grilles de contrôle 10, 12, 20 des transistors MOS, et les espaceurs de nitrure 38. Cette configuration initiale est obtenue selon des techniques classiques. A partir de cette base, on procède à un nettoyage approprié de la surface de la plaquette 28. Ensuite, comme le montre la figure 4b, on dépose un bicouche 42 sur l'ensemble de la surface de la plaquette (ou du moins sur au moins une zone de sa surface destinée à recevoir des interconnexions locales si possible). Dans l'exemple, ce bicouche 42 est réalisé par dépôt d'une fine couche de cobalt 44 avec une couche de nitrure de titane (TiN) 46. Cette dernière constitue une couche d'enrobage, ou d'encapsulation, de la couche de cobalt 44. Une transformation par recuit rapide (connu par l'acronyme anglais RTP, pour "Rapid Thermal Processing") est ensuite effectuée pour faire réagir le cobalt avec le silicium en contact de la plaquette 28, pour y former du siliciure de cobalt (CoSi). Comme le montre la figure 4c, le CoSi n'est donc formé qu'aux endroits où le cobalt 44 a été en contact avec le silicium. Ainsi, il ne se forme pas sur les surfaces comprenant de l'oxyde ou du nitrure, notamment sur les portions constituées par les espaceurs 38 et sur l'oxyde de champ 3 constitué par la tranchée d'isolation (STI). Dans ces portions, le cobalt non réagi reste à l'état métallique pur. On obtient ainsi deux zones de formation de CoSi - une première zone 48 sur les éléments de silicium en relief, en l'occurrence le sommet des grilles de contrôle 10, 12, 20, et - une seconde zone 50 au niveau du silicium du substrat. Ces zones 48, 50 laissent exposées en surface la couche conductrice de TiN. Globalement, le bicouche 42, ayant réagi ou pas, reste conducteur. De la sorte, on peut former la topographie de l'ensemble des lignes d'interconnexion locale en utilisant le bicouche, par retrait sélectif des portions de celui-ci non affectées aux lignes conductrices. Conformément au mode de réalisation, ce retrait sélectif est réalisé non pas en pleine plaque, mais en plaque masquée. De manière remarquable, il suffit alors de masquer les zones que l'on souhaite relier électriquement, puis de plonger la plaquette dans le bain de retrait sélectif. Le cobalt et le TiN ne seront retirés qu'aux endroits où la résine est ouverte (exposée). On garde ainsi le bicouche cobalt/TiN 42 dans les zones protégées par la résine, et obtient alors une interconnexion électrique basse impédance qui correspond fonctionnellement au niveau local d'interconnexion obtenu selon les techniques classiques. Pour ce faire, le mode de réalisation met en oeuvre une photolitographie selon le principe présenté par référence à la figure 2. Dans le cas d'espèce, le retrait sélectif s'opère par voie humide. Comme le montre la figure 4d, on dépose sur la structure de la figure 4c une couche de résine photo résiste 26, sur laquelle on appose un masque de photolithographie 22, dont les parties masquées 22a se situent à l'aplomb des emplacements du circuit des lignes conductrices d'interconnexion à réaliser. On note que cette étape de photolithographie correspond à l'inverse de celle utilisée classiquement pour la réalisation d'interconnexions locales, en ce sens que les ouvertures 24 définissent des lignes à la surface du substrat (et sur les éléments de faible relief, tels que les grilles, qui sont sensiblement dans le même plan focal), et non pas des tranchées et des trous. Comme le montre la figure 4e, à l'issu de l'exposition au rayonnement 30 à travers le masque de photolithographie 22, et du retrait sélectif de la résine 26, la résine restante définit un masque de gravure qui masque les emplacements destinés uniquement aux lignes d'interconnexion. On note que cette approche contraste avec le procédé conventionnel qui nécessite la réalisation de tranchées. Ensuite, on effectue un retrait chimique au moyen d'un bain humide qui est sélectif au CoSi, permettant de retirer, aux parties exposées par le masque de résine 26, le TiN et le cobalt n'ayant pas réagis lors du traitement thermique (i.e. se situant, dans le cas illustré, sur les espaceurs de nitrure 38 et sur les tranchées d'isolation STI 2). Comme le montre la figure 4f, ce retrait sélectif laisse ainsi des zones dites "siliciurées" 48, 50, dépourvues de TiN conducteur. Ensuite, on retire la résine du masque et on 35 effectue les opérations de déposition de diélectrique pré-métallique PMD et de formation des contacts sous forme de trous de contact 52 (plus connus par le terme anglais "plug") de la structure PMD, donnant le résultat illustré à la figure 4g. On note qu'un seul niveau de diélectrique pré-métallique PMD est nécessaire. Plus particulièrement, ces opérations comprennent Il. Le dépôt de la couche unique de diélectrique pré-métallique PMD, comprenant: I1.1. la réalisation de plages de contact en nitrure, du type sans bordure (connu par le terme anglais de "borderless nitride"; I1.2. le dépôt d'oxyde de silicium SiO2, soit sans dopage, soit avec dopage. Dans ce dernier cas, on peut utiliser, entre autres, un dopage de bore et de phosphore pour obtenir du dioxyde de silicium dopé bore/phosphore, (connu par l'acronyme anglais BPSG, pour "Boron/Phosphorous-Doped Silicon Oxide"). Cela peut être obtenu en utilisant une technique de dépôt chimique subatmosphérique en phase vapeur (connu par l'acronyme anglais SACVD, pour "Sub-Atmospheric Chemical Vapour Deposition") ou par tout autre moyen adapté, comme le dépôt chimique en phase vapeur renforcé par plasma (connu par l'acronyme anglais PECVD, pour "Plasma-Enhanced Chemical Vapour Deposition), ou de dépôt en plasma à haute densité (connu par l'acronyme anglais HDP, pour "High-Density Plasma), etc. I1.3. une étape de densification de la couche unique de diélectrique pré-métallique ainsi formée, avec transformation du matériau CoSi en CoSi2. I2. Photolithographie et gravure contact, comprenant: I2.1. une photolithographie de type contact, I2.2. une gravure de type contact, et I2.3. le retrait de la résine. De ce qui précède, on remarque que l'une des originalités du procédé réside dans le fait que l'on effectue un retrait sélectif du TiN et du cobalt, qui n'ont pas réagis lors du traitement thermique, en utilisant un retrait sélectif masqué, en l'occurrence par une étape de photolithographie. Bien que le masque utilisé pour cette opération soit spécifique, il est moins critique que le masque utilisé classiquement pour obtenir les lignes locales d'interconnexion avec le tungstène. En effet, le masque pour le retrait sélectif utilisé conformément à l'invention n'a pas à définir à la fois des trous et des tranchés. Ce masque ne définit que des lignes. Il n'y donc pas le problème lié à une profondeur de champ conséquente qui apparaît avec les reliefs constitués notamment par les trous. L'invention peut être utilisée avec tout matériau pouvant former dusilicide. Le métal utilisé peut être, par exemple, du titane, du nickel, etc. soit tout métal réfractaire qui entre la définition du siliciure. Par ailleurs, le siliciure peut être remplacé par d'autres compositions selon l'application envisagée, en apportant les adaptations qui s'imposent aux enseignements donnés dans le contexte de présente description donnée dans le cadre du siliciure. Plus généralement, la technique venant d'être décrite peut être appliquée à tous les métaux réfractaires encapsulés (Ti, Ni, ....). Une application avantageuse de la technique conforme à l'invention est la fabrication de composant électroniques de faible consommation électrique, notamment pour véhiculer du signal. Le procédé conforme à l'invention est remarquable en ce qu'il permet: - de passer d'un masque critique à décalage de phase à un masque critique standard (passage d'un masque où l'on défini des tranchées et des trous à un masque où l'on défini uniquement des lignes; - de supprimer la gravure du niveau local d'interconnexion, très critique au niveau des bords de zone d'oxyde de champ; - de réaliser le diélectrique pré-métallique en une seule fois, grâce à la suppression d'un niveau de diélectrique pré-métallique avec le dépôt de BPSG, dépôt espaceur, dépôt de tungstène et de tungstène avec polissage/planarisation chimico-mécanique. Revendications 1. Procédé de réalisation d'au moins une connexion électriquement conductrice reliant sélectivement des éléments (2, 4, 10, 12) sur un substrat (28) de circuit intégré (8), caractérisé en ce qu'il comprend les étapes de: - réaliser lesdits éléments (2, 4, 10, 12) sur un substrat dont au moins une portion de la surface est constituée d'un premier matériau, déposer, sur le substrat et lesdits éléments, au moins un deuxième matériau, qui est conducteur (42, 44, 46) et susceptible de créer une réaction avec le premier matériau pour former un matériau conducteur à la surface du substrat, - traiter le substrat pour réaliser ladite réaction, - réaliser un retrait sélectif du deuxième matériau n'ayant pas réagi avec ledit premier matériau, pour laisser du deuxième matériau selon un motif qui correspond à au moins une partie de la connexion. 2. Procédé selon la revendication 1, caractérisé en ce que le retrait sélectif du deuxième matériau n'ayant pas réagi est réalisé par au moins un masque (46) définissant ledit motif. 3. Procédé selon la revendication 1 ou 2, caractérisé en ce que le retrait sélectif du deuxième matériau n'ayant pas réagi est réalisé selon une technique de gravure par voie humide. 4. Procédé selon la revendication 3, caractérisé en ce que le retrait sélectif du deuxième matériau n'ayant pas réagi est réalisé par immersion du substrat (28) et de son masque (46) dans un bain. 5. Procédé selon l'une quelconque des revendications 1 à 4, caractérisé en ce que au moins une connexion relie un desdits éléments (2, 4, 10, 12) à une aire du substrat rendue conductrice par ladite réaction entre le premier et le deuxième matériau. 6. Procédé selon l'une quelconque des revendications 1 à 5, caractérisé en ce qu'au moins une aire du substrat rendue conductrice par ladite réaction entre le premier et le deuxième matériau est utilisée comme point de base pour un contact par trou, connu par le terme anglais de "plug", permettant une connexion vers un point de contact superposé. 7. Procédé selon l'une quelconque des revendications 1 à 6, caractérisé en ce que le retrait sélectif réalise de multiples connexions. 8. Procédé selon l'une quelconque des revendication 1 à 7, caractérisé en ce que la connexion est réalisée sous forme de ligne/les connexions sont réalisées uniquement sous forme de lignes. 9. Procédé selon l'une quelconque des revendications 2 à 8, caractérisé en ce que le masque (46) comporte un motif uniquement de ligne(s) pour 35 définir la ou chaque connexion. 10. Procédé selon l'une quelconque des revendications 2 à 9, caractérisé en ce que le masque (46) est formé par une technique de photolithographie. 11. Procédé selon l'une quelconque des revendications 1 à 10, caractérisé en ce que ladite étape de traitement comprend un traitement thermique rapide, connu par l'acronyme anglais RTP, pour "Rapid Thermal Processing". 12. Procédé selon l'une quelconque des revendications 1 à 11, caractérisé en ce que le deuxième matériau déposé (42, 44, 46), ou l'un au moins des matériaux déposés, est un métal. 13. Procédé selon l'une quelconque des revendications 1 à 12, caractérisé en ce que le deuxième matériau déposé (46) comprend un métal réfractaire. 14. Procédé selon l'une quelconque des revendications 1 à 13, caractérisé en ce que le deuxième matériau déposé (44) comprend au moins l'un parmi. - du cobalt, - du titane, - du nickel. 15. Procédé selon l'une quelconque des revendications 1 à 14, caractérisé en ce que l'étape de dépôt d'au moins un deuxième matériau consiste à déposer un bicouche (42) formé d'une première composante (44) qui est recouverte, ou encapsulée, par une deuxième composante (46), différente le la première. 16. Procédé selon la revendication 15, caractérisé en ce que la première composante (44) du bicouche comprend du cobalt, et en ce que la seconde composante, qui la recouvre ou l'encapsule, comprend du nitrure de titane (TiN), ladite première composante étant en contact avec le premier matériau. 17. Procédé selon l'une quelconque de revendications 1 à 16, caractérisé en ce que ledit premier matériau formant au moins une portion de ladite surface exposée du substrat (28) est du silicium. 18. Procédé selon 1a revendication 17, caractérisé en ce que le matériau conducteur formé par ladite réaction est un siliciure. 19. Procédé selon la revendication 18, caractérisé en ce que ledit siliciure est au moins l'un parmi: - un siliciure de cobalt (CoSi), - un siliciure de titane, - un siliciure de nickel. 20. Procédé selon l'une quelconque des revendications 1 à 19, caractérisé en ce qu'il comprend en outre la réalisation d'une structure dite diélectrique prémétallique (PMD) unique comprenant au moins un contact par trou, connu par le terme anglais de "plug", permettant une connexion vers un point de contact superposé (52) destiné à relier des points de ladite connexion électrique avec un niveau de métallisation (34). 21. Procédé selon l'une quelconque des revendications 1 à 20, caractérisé en ce que la ou chaque connexion électrique ainsi réalisée est une connexion locale s'étendant sur de courtes distances à l'échelle du circuit intégré. 22. Circuit intégré (8) comprenant au moins une connexion électriquement conductrice reliant sélectivement des éléments (2, 4, 10, 12) sur son substrat (28), dont au moins une portion de la surface est constitué d'un premier matériau, caractérisé en ce que la connexion est réalisée par un motif formé par au moins un deuxième matériau qui est conducteur, ce deuxième matériau formant en outre au moins une région conductrice sur la substrat par réaction avec le premier matériau (28) de ce dernier. 23. Circuit intégré selon la revendication 22, caractérisé en ce que le deuxième matériau (44) comprend du cobalt. 24. Circuit intégré selon l'une quelconque des revendications 22 ou 23, caractérisé en ce que le deuxième matériau (46) comprend un métal réfractaire. 25. Circuit intégré selon la revendication 24, caractérisé en ce que le deuxième matériau est du nitrure de titane (TiN). 26. Circuit intégré selon l'une quelconque des revendications 22 à 25, caractérisé en ce qu'il comprend en outre une structure dite diélectrique pré-métallique (PMD) unique comprenant au moins un contact par trou, connu par le terme anglais de "plug", permettant une connexion vers un point de contact superposé (52) et destiné à relier des points de ladite connexion conductrice avec un niveau de métallisation (34). 27. Circuit intégré selon l'une quelconque des revendications 22 à 26, caractérisé en ce que ladite connexion électrique est une connexion locales s'étendant sur de courtes distances à l'échelle du circuit intégré.