FR 2888040 A1 20070105 FR 0511939 A 20051125 SUBSTRAT EN RÉSEAU POUR UN DISPOSITIF D'AFFICHAGE TRANSMISSIF-RÉFLECTIF À CRISTAUX LIQUIDES 5 ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION La présente invention se rapporte à un substrat en réseau (array) pour un dispositif d'affichage transmissif-réflectif (ou "transflectif') à cristaux liquides et un procédé de fabrication de celui-ci, et plus particulièrement, à une zone de pastille d'un substrat en réseau pour un dispositif d'affichage transmissif-réflectif à cristaux liquides et un procédé de fabrication de celui-ci. Alors que l'ère de l'information progresse, des dispositifs d'affichage destinés à disposer et à afficher des informations sont activement mise au point. Plus particuliè- rement, un dispositif à écran plat, par exemple, un dispositif d'affichage à cristaux liquides, ayant une petite épaisseur, un poids léger et une faible consommation de courant, a été activement étudié. Le dispositif d'affichage à cristaux liquides affiche des images en commandant une transmittance de la lumière. En d'autres termes, un cristal liquide est placé entre deux substrats l'un en face de l'autre, et ensuite des molécules de cristaux liquides se déplacent par un champ électrique généré en appliquant une tension sur des électrodes, modifiant ainsi la transmittance de la lumière. Cependant, le dispositif d'affichage à cristaux liquides a besoin d'une source de lumière séparée, parce qu'il n'émet pas lui-même la lumière. Par conséquent, un rétroéclairage est agencé sur la surface arrière d'un écran à cristaux liquides, et des images sont affichées par une lumière émise à partir du rétroéclairage et incidente par rapport à l'écran à cristaux liquides. Le dispositif à cristaux liquides mentionné ci-dessus est appelé un dispositif d'affichage à cristaux liquides de type transmission. Le dispositif d'affichage à cristaux liquides de type transmission peut afficher des images brillantes dans un environnement extérieur sombre en raison du fait qu'il utilise une source de lumière séparée telle qu'un rétroéclairage, mais peut avoir une grande consommation de courant suivant le rétroéclairage. Pour résoudre ce problème, un dispositif d'affichage à cristaux liquides de type réflexion a été proposé. Le dispositif d'affichage à cristaux liquides de type réflexion commande une transmittance de la lumière selon un agencement d'un cristal liquide en réfléchissant une lumière naturelle extérieure ou une lumière artificielle. Bien que le dispositif d'affichage à cristaux liquides de type réflexion puisse avoir une plus faible consommation de courant que le dispositif d'affichage à cristaux liquides de \' HIRSCH6ABREVETS\Brevets\24600A'_4626-05 1 1 22-tradFR. doc - 24 novembre 2005 - I/28 type transmission, sa brillance peut être faible lorsque la lumière extérieure est insuffisante ou faible. Par conséquent, pour résoudre ces problèmes, un dispositif d'affichage transmissif-réflectif à cristaux liquides qui s'attaque également aux problèmes à la fois du dispositif d'affichage à cristaux liquides de type transmission et du dispositif d'affichage à cristaux liquides de type réflexion a été proposé. Le dispositif d'affichage transmissif-réflectif à cristaux liquides peut sélectionner un mode de transmission utilisant une lumière d'un rétroéclairage et un mode de réflexion utilisant la lumière extérieure. La figure 1 est une vue en plan illustrant un substrat en réseau d'un dispositif d'affichage transmissif-réflectif à cristaux liquides selon une technique apparentée. Tel que représenté à la figure 1, une zone de pixel P est définie en croisant une ligne de grille 12 et une ligne de données 14 sur un substrat transparent 10, et un transistor T en couche mince est disposé au croisement des lignes de grille et de données 12 et 14. Une pastille de grille 40 est formé à une extrémité de la ligne de grille 12, et un trou 42 de contact de pastille de grille exposant une partie de la pastille de grille 40 est formé. Une électrode de pixel 26 raccordée au transistor T en couche mince par un trou de contact de drain 24 est formée. La zone P de pixels a une surface de réflexion RA et une surface de transmis- Sion TA. La surface de réflexion RA est formée dans le reste de la zone excluant une zone médiane de la zone de pixels P, et a une plaque de réflexion 19 formée sur l'électrode de pixel 26. La surface de transmission TA est formée dans la zone médiane de la zone de pixels P et n'a pas la plaque de réflexion 19. Un motif de gravure 30 avec une forme de cercle convexe est formée dans la surface de réflexion RA de façon à empêcher une réflexion spéculaire. Le transistor T en couche mince dans la surface de réflexion RA comprend une électrode de grille 16 obtenant un signal de balayage à partir de la ligne de grille 12, une électrode de source 18 obtenant un signal image à partir de la ligne de données 14, une électrode de drain 20 éloignée de l'électrode de source 18, et une couche active 22 entre l'électrode de grille 16 et les électrodes de source et de drain 18 et 20. Les figures 2A à 2H sont des vues en coupe transversale selon une coupe le long de l'axe II -- II' de la figure 1 et illustrant un processus de formation d'un substrat en réseau pour un dispositif d'affichage transmissif-réflectif à cristaux liquides selon la technique apparentée. Les figures 3A à 3H sont des vues en coupe transversale selon une coupe le long d'un axe III - III' de la figure 1 et illustrant un processus de formation d'un substrat en réseau pour un dispositif d'affichage transmissif-réflectif à cristaux liquides selon la technique apparentée. Une zone de VAH!RSCH6ABREVETS\Brevets \24600A24626-051122-tradFR doc - 24 novembre 2005 - 2128 transistor en couche mince et une zone de pastille de grille, seront respectivement expliquées, à l'aide d'un procédé à quatre masques. Tel que représenté à la figure 2A et à la figure 3A, une première couche de métal 11 est formée sur un substrat transparent 10. Ensuite, comme premier procédé de masque, une couche photorésistante 13 (elle sera désignée sous le terme de couche PR ) d'un type positif où une partie photoréceptrice est exposée et développée, et est étalée sur la première couche de métal 11, et un masque 50 ayant une zone de transmission A et une zone de barrière B est disposé sur le substrat 10 ayant la couche PR 13. Ensuite, la première couche de métal 11 exposée par un processus d'exposition et un processus de développement est gravée, puis la couche PR restante 13 est éliminée par un processus de polissage. En conséquence, l'électrode de grille 16 est formée dans la surface de réflexion RA du substrat 10 tel que représenté à la figure 2B, et la pastille de grille 40 est formée dans la surface de transmission TA du substrat 10 tel que représenté à la figure 3B. Ensuite, tel que représenté à la figure 2C, un isolant de grille 15, une couche 22A de silicium amorphe intrinsèque, une couche 22B amorphe dopée en impuretés, et une deuxième couche de métal 21 sont formées sur toute la surface du substrat 10 ayant l'électrode de grille 16, tour à tour. Tel que représenté à la figure 3C, un isolant de grille 15, une couche 22A de silicium amorphe intrinsèque, une couche 22B amorphe dopée en impuretés, et une deuxième couche de métal 21 sont formées sur toute la surface du substrat 10 ayant la pastille de grille 40, tour à tour. Ensuite, tel que représenté à la figure 2D, par un deuxième procédé de masque, des électrodes de source et de drain 18 et 20 et une couche active 22 sont formées. La couche active 22 se rapporte à la partie exposée de la couche 22A de silicium amorphe intrinsèque. Bien qu'il ne soit pas représenté à la figure 2D, le deuxième procédé de masque va maintenant être décrit brièvement. Une couche PR est étalée sur la deuxième couche de métal 21, puis un masque ayant une zone de transmission, une zone de barrière et une zone semi-transparente est disposé sur le substrat 10 ayant la couche PR. La zone semi-transparente du masque correspond à l'électrode de grille 16, et la couche PR correspondant à la zone semi-transparente est exposée sur seulement une partie. Comme masque, on peut utiliser un masque tramé ou un masque de diffraction. Après avoir gravé les parties de la deuxième couche de métal exposée 21, la couche 22A de silicium amorphe intrinsèque, et la couche 22B amorphe dopée en impuretés, une partie correspondant à l'électrode de grille 16 est gravée partiellement, formant ainsi les électrodes de source et de drain 18 et 20 et une couche active 22. Dans la zone de la pastille, comme pour le deuxième procédé de masque mentionné ci-dessus, l'isolant de grille 15 ne reste comme représenté à la figure 3D qu'en utilisant un masque ayant une zone de transmission. \\HIRSCH6\BREVETS\Brevets\24600\24626-05 1 122-tradFR dot - 24 novembre 2005 - 3/28 Ensuite, tel que représenté à la figure 2E, une couche de passivation 17 est formée en étalant un parmi des matériaux isolants transparents organiques tel que du benzocyclobutène (BCB) et une résine du groupe alkyle sur les électrodes de source et de drain 18 et 20 et l'isolant de grille 15 exposé tel que représenté à la figure 2E, et sur toute la surface de l'isolant de grille 15 tel que représenté à la figure 3E. Ensuite, on utilise un troisième masque utilisant un masque tramé ou un masque de diffraction. Tel que représenté à la figure 2E, un masque 60 ayant une zone de transmission A, une zone de barrière B et une zone semitransparente C est disposé sur le substrat l 0 ayant la couche de passivation 17. La zone de barrière B et la zone semi-transparente C sont alternativement disposées pour la surface de réflexion RA de façon à former le motif de gravure 30. La zone de transmission A est disposée en correspondance avec l'électrode de drain 20 de façon à former un trou 24 de contact de drain (représenté à la figure 2F). Tel que représenté à la figure 3E, un masque 60 ayant une zone de transmission A et une zone de barrière B est disposé sur le substrat 10 ayant la couche de passivation 17. La couche de passivation 17 est d'un type positif où une partie photoréceptrice est exposée et développée. Ensuite, après un processus d'exposition, un processus de développement et un traitement thermique sont lancés, une couche de passivation 17 à motifs gravés et un trou 24 de contact de drain exposant la couche active 22 sont formés tel que repré- senté à la figure 2F, et une couche de passivation 17 à motifs exposant une partie de l'isolant de grille 15 correspondant à la pastille de grille 40 est formé tel que représenté à la figure 3F.. Ensuite, tel que représenté à la figure 2G, un matériau conducteur transparent 26 et une couche de réflexion 19 sont formés sur la couche de passivation 17 à motifs gravés et l'isolant de grille 15 exposés dans la surface de transmission TA, tour à tour. Le matériau conducteur transparent 26 peut être soit de l'oxyde d'étain indium (OEI) soit de l'oxyde de zinc indium (OZI). L'oxyde d'étain indium (OEI) 26 et la couche de réflexion 19 sont déposés selon la forme de la couche de passivation 17 à motifs gravés. Tel que représenté à la figure 3G, après la formation d'un trou 42 de contact de pastille de grille exposant une partie de la pastille de grille 40 en gravant une partie de l'isolant de grille 15 exposé entre la couche 17 de passivation à motifs gravés, un oxyde d'étain indium (OEI) 26 et une couche de réflexion 19 sont déposés sur la couche de passivation 17 à motifs et sur la pastille de grille 40 exposée, tour à tour. Ensuite, on utilise un quatrième masque utilisant un masque tramé ou un masque de diffraction. Tel que représenté à la figure 2H, une couche PR 25 d'un type positif est étalée sur la couche de réflexion 19, puis un masque tramé 70 ayant une zone de barrière B correspondant à la surface de réflexion RA et une zone C semi- P.HIRSCH6ABREVETS\Brevets\24600A2 4 62 6-051 1 22- radFR doc - 24 novembre 2005 - 4/28 transparente correspondant à la surface de transmission TA est disposé sur le substrat l0 ayant la couche PR 25. En conséquence, la couche PR 25 ayant une hauteur (épaisseur) qui est la moitié de la hauteur de la couche PR 25 dans la surface de réflexion RA, est formée dans la surface de transmission TA. La couche PR 25 dans la zone TA de la figure 2H est appelée une demi-couche PR. Dans la zone de la pastille de la figure 3H, la couche PR 25 est étalée sur la couche de réflexion 19, et doit être formée pour avoir la même hauteur que la couche PR 25 formée dans la surface de transmission TA de la figure 2H. Cependant, tel que représenté à la figure 3H, du fait qu'un échelon créé par la couche de passivation 17 lo à motifs est élevé, une couche PR 25 correspondant à la surface de transmission TA de la figure 3H n'est pas formée comme celle de la couche PR 25 correspondant à la surface de transmission TA de la figure 2H. En d'autres termes, du fait qu'un échelon dans la zone de la pastille est élevé, la formation de la demi-PR est difficile. En conséquence, pendant le processus de cendrage qui va être exécuté ensuite, l'oxyde d'étain indium (OEI) 26 et la couche de passivation 17 à motifs peuvent être endommagés par l'échelon qui, à son tour, rend le contact entre la pastille de grille 40 et l'oxyde d'étain indium (OEI) 26 faible ou incomplet, ce qui constitue un problème. De ce fait, le procédé consistant à former un dispositif d'affichage transmissif-réflectif à cristaux liquides utilisant le procédé à quatre masques selon la technique apparentée peut s'avérer inefficace, complexe et coûteux. Ceci étant, la présente invention concerne un substrat en réseau pour un dispositif d'affichage transmissif-réflectif à cristaux liquides qui évite dans une grande mesure un ou plusieurs problèmes dû(s) à des limitations et à des désavantages de la technique apparentée. Un objet de la présente invention est de fournir un substrat en réseau pour un dispositif d'affichage transmissif-réflectif à cristaux liquides permettant de diminuer l'hauteur d'un échelon dans une zone de pastille en supprimant ou en réduisant une épaisseur d'une couche de passivation de la zone de pastille. Un autre objet de la présente invention est de fournir un procédé de fabrication d'un substrat en réseau d'un dispositif d'affichage transmissif-réflectif à cristaux liquides en utilisant un procédé à quatre masques en formant une demi-couche PR. Pour obtenir ces avantages ainsi que d'autres et en conformité avec le but de la présente invention, tel qu'il est réalisé et décrit dans les grandes lignes, selon un aspect de la présente invention, on propose un procédé de fabrication d'un substrat en réseau pour un dispositif d'affichage transmissif-réflectif à cristaux liquides, le procédé comprenant: la formation d'une pastille de grille sur un substrat par un premier procédé de masque; la formation séquentielle d'un isolant de grille, d'une couche de silicium amorphe intrinsèque, d'une couche de silicium amorphe dopée en \\HIRSCH6\BREVETS\Brevets'24600 24626-051122- tradFR-doc - 24 novembre 2005 - 5/28 impuretés et d'une couche de métal sur la pastille de grille; la formation, dans une zone de pastille, d'un premier motif de pastille auxiliaire ayant une première ouverture exposant une partie de l'isolant de grille, en gravant sélectivement la couche de métal, la couche de silicium amorphe dopée en impuretés et la couche de silicium amorphe intrinsèque par un deuxième procédé de masque, le premier motif de pastille auxiliaire comprenant la couche de silicium amorphe intrinsèque; et la formation d'une couche de passivation sur le premier motif de pastille auxiliaire et de l'isolant de grille exposé. Selon un mode de réalisation, ce procédé comprend en outre:la formation d'un deuxième motif de pastille auxiliaire ayant une deuxième ouverture exposant une partie de la pastille de grille, en gravant sélectivement la couche de passivation, la couche de métal, la couche de silicium amorphe dopée en impuretés, la couche de silicium amorphe intrinsèque et l'isolant de grille correspondant à la pastille de grille par un troisième procédé de masque; et la formation séquentielle d'une couche conductrice transparente et d'une couche de réflexion sur la pastille de grille exposée. Selon un autre mode de réalisation, ce procédé comprend en outre: la formation d'une borne de pastille de grille, en formant une demi-couche photorésistante sur la couche de réflexion et en gravant sélectivement la couche de réflexion et la couche conductrice transparente par un quatrième procédé de masque; et ensuite le retrait de la couche de réflexion dans la borne de pastille de grille. De préférence, le quatrième procédé de masque utilise un masque ayant des première et seconde zones, et une transmittance de la première zone est plus grande qu'une transmittance de la seconde zone. Selon un mode de réalisation, ce procédé comprend en outre: la définition d'une zone de réflexion et d'une zone de transmission sur le substrat; la formation d'une électrode de grille dans la zone de réflexion par le premier procédé de masque, dans lequel l'isolant de grille, la couche de silicium amorphe intrinsèque, la couche de silicium amorphe dopée en impuretés, et la couche de métal sont aussi formés sur l'électrode de grille, de manière séquentielle; et la formation d'électrodes de source et de drain en gravant sélectivement la couche de métal, et une couche active en gravant sélectivement la couche de silicium amorphe dopée en impuretés entre les électrodes de source et de drain par le deuxième procédé de masque. De préférence, la couche de passivation est également formée sur les électrodes de source et de drain et la couche active a une surface gravée et un trou de contact exposant une partie de l'électrode de drain par le troisième procédé de masque, et la couche conductrice transparente et la couche de réflexion sont également formées sur la couche de passivation en ayant la surface gravée et l'électrode de drain exposée, et VAIRSCH6ABREVETS\Brevets \24600A24626-051122-tradFR.doc - 24 novembre 2005 - 6/28 le procédé comprend en outre: la formation d'une plaque de réflexion, en formant une demi-couche photorésistante sur la couche de réflexion dans la zone de réflexion et en gravant sélectivement la couche de réflexion dans la zone de transmission en utilisant la demi-couche photorésistante dans la zone de réflexion par le quatrième procédé de masque, et en éliminant après la demi-couche photorésistante. De préférence, à l'étape de formation de la plaque de réflexion, le quatrième procédé de masque utilise un masque ayant une seconde zone et une troisième zone, et une transmittance de la seconde zone est inférieure à une transmittance de la troisième zone. De préférence, à l'étape de formation de la plaque de réflexion, la troisième zone correspond à la zone de réflexion du substrat et la seconde zone correspond à la zone de transmission du substrat. De préférence, à l'étape de formation de la couche de passivation sur les électrodes de source et de drain, le troisième procédé de masque utilise un masque ayant une première zone, une seconde zone et une troisième zone, et une transmit-tance de la seconde zone est plus petite qu'une transmittance de la première zone et est plus grande qu'une transmittance de la troisième zone. De préférence, la première zone du masque utilisée dans le troisième procédé de masque correspond à une partie de l'électrode de drain dans la zone de réflexion et la zone de transmission, et les seconde et troisième zones du masque utilisées dans le troisième procédé de masque correspondent à une partie de la zone de réflexion. Selon un autre aspect, l'invention propose un procédé de fabrication d'un substrat en réseau pour un dispositif d'affichage transmissif-réflectif à cristaux liquides, le procédé comprenant: la formation d'une pastille de grille sur un substrat par un premier procédé de masque; la formation séquentielle d'un isolant de grille, d'une couche de silicium amorphe intrinsèque, d'une couche de silicium amorphe dopée en impuretés et d'une couche de métal sur la pastille de grille; l'élimination de la couche de métal, de la couche de silicium amorphe dopée en impuretés et de la couche de silicium amorphe intrinsèque par un deuxième procédé de masque; la formation d'une couche de passivation sur l'isolant de grille et ayant une ouverture exposant l'isolant de grille par un troisième procédé de masque; l'exposition d'une partie de la pastille de grille en gravant l'isolant de grille exposé par l'ouverture; la formation séquentielle d'une couche conductrice transparente et d'une couche de réflexion sur la pastille de grille exposée; la formation d'une borne de pastille de grille, en formant une demi-couche photorésistante sur la couche de réflexion et en gravant sélectivement la couche de réflexion et la couche conductrice transparente par un quatrième procédé de masque; et le retrait de la couche de réflexion dans la borne de la pastille de grille. VHIRSCH6ABREVETSVBrevets \24600A24626-05 1 1 22-tradFR doc - 24 novembre 2005 - 7/28 De préférence, le quatrième procédé de masque utilise un masque ayant des première et seconde zones, et une transmittance de la première zone est plus grande qu'une transmittance de la seconde zone. De préférence, le troisième procédé de masque utilise un masque ayant des première et seconde zones, et une transmittance de la première zone est plus grande qu'une transmittance de la seconde zone. Selon un mode de réalisation, ce procédé comprend en outre: la définition d'une zone de réflexion et d'une zone de transmission sur le substrat; la formation d'une électrode de grille dans la zone de réflexion par le premier procédé de masque, dans lequel l'isolant de grille, la couche de silicium amorphe intrinsèque, la couche de silicium amorphe dopée en impuretés, et la couche de métal sont aussi formés sur l'électrode de grille, de manière séquentielle; la formation d'électrodes de source et de drain en gravant sélectivement la couche de métal, et une couche active en gravant sélectivement la couche de silicium amorphe dopée en impuretés entre les électrodes de source et de drain par le deuxième procédé de masque; dans lequel la couche de passivation est également formée sur les électrodes de source et de drain et la couche active et a une surface gravée et un trou de contact exposant une partie de l'électrode de drain par le troisième procédé de masque, et la couche conductrice transparente et la couche de réflexion sont également formées sur la couche de passivation ayant la surface gravée et l'électrode de drain exposée; la formation d'une plaque de réflexion, en formant la demi- couche photorésistante sur la couche de réflexion dans la zone de réflexion et en gravant sélectivement la couche de réflexion dans la zone de transmission utilisant la demi-couche photo- résistante dans la zone de réflexion par le quatrième procédé de masque; et l'élimination de la demi-couche photorésistante après l'utilisation de la demi-couche photorésistante. De préférence, à l'étape de formation de la plaque de réflexion, le quatrième procédé de masque utilise un masque ayant une seconde zone et une troisième zone, et une transmittance de la seconde zone est inférieure à une transmittance de la troisième zone. De préférence, à l'étape de formation de la plaque de réflexion, la troisième zone correspond à la zone de réflexion du substrat et la seconde zone correspond à la zone de transmission du substrat. De préférence, à l'étape de formation de la couche de passivation sur les électrodes de source et de drain, le troisième procédé de masque utilise un masque ayant une première zone, une seconde zone et une troisième zone, et une transmit-V'HIRSCH6ABREVETS\Brevets\24600A2462b-051122-tradFR doc24 novembre 2005 - 8/28 tance de la seconde zone est plus petite qu'une transmittance de la première zone et est plus grande qu'une transmittance de la troisième zone. De préférence, la première zone du masque utilisée dans le troisième procédé de masque correspond à une partie de l'électrode de drain dans la zone de réflexion et la zone de transmission, et les seconde et troisième zones du masque utilisées dans le troisième procédé de masque correspondent à une partie de la zone de réflexion. Selon un autre aspect, l'invention propose un substrat en réseau pour un dispositif d'affichage transmissif-réflectif à cristaux liquides, le substrat en réseau comprenant: une pastille de grille sur un substrat de base; un isolant de grille sur la pastille de grille et ayant une ouverture exposant une partie de la pastille de grille; un motif de pastille auxiliaire sur l'isolant de grille et constitué d'une couche de silicium amorphe intrinsèque; et une couche conductrice sur le motif de pastille auxiliaire et entrant en contact avec la pastille de grille par l'ouverture. Selon un mode de réalisation, le substrat comprend en outre: des lignes de grille et de données se croisant les unes les autres sur le substrat de base, dans lesquelles le substrat de base a une zone de réflexion et une zone de transmission; un transistor en couche mince à un croisement des lignes de grille et de données; une couche de passivation couvrant le transistor en couche mince; une plaque de réflexion sur la couche de passivation dans la zone de réflexion; et une électrode de pixel sur la plaque de réflexion et en connexion avec le transistor en couche mince. Selon un autre aspect, l'invention propose un substrat en réseau pour un dispositif d'affichage transmissif-réflectif à cristaux liquides, le substrat en réseau comprenant: une pastille de grille sur un substrat de base et dans une zone de pastille; un isolant de grille sur la pastille de grille et ayant une ouverture exposant une partie de la pastille de grille; et une couche conductrice sur l'isolant de grille et entrant en contact avec la pastille de grille par l'ouverture. Selon un mode de réalisation, ce substrat comprend en outre: des lignes de grille et de données se croisant les unes les autres sur le substrat de base, dans lesquelles le substrat de base a une zone de réflexion et une zone de transmission; un transistor en couche mince à un croisement des lignes de grille et de données; une couche de passivation couvrant le transistor en couche mince; une plaque de réflexion sur la couche de passivation dans la zone de réflexion; et une électrode de pixel sur la plaque de réflexion et en connexion avec le transistor en couche mince. Selon un autre aspect, l'invention propose un procédé de formation d'un substrat en réseau pour un dispositif d'affichage transmissif-réflectif à cristaux liquides, le procédé comprenant: la formation d'une pastille de grille sur une zone de pastille d'un substrat de base; la formation d'un isolant de grille sur la pastille de grille, la pastille de grille ayant une ouverture exposant une partie de la pastille de \\11IRSCH6\BREVETS\Brevets\24600\24626-051122-tradFR doc - 24 novembre 2005 - 9/28 grille; la formation d'un motif de pastille auxiliaire sur l'isolant de grille, le motif de pastille auxiliaire constitué d'une couche de silicium amorphe intrinsèque; et la formation d'une couche conductrice sur le motif de pastille auxiliaire, la couche conductrice entrant en contact avec la pastille de grille par l'ouverture. De préférence, le dispositif d'affichage est un dispositif d'affichage transmis- sif-réflectif à cristaux liquides. Selon un mode de réalisation, ce procédé comprend en outre: la formation des lignes de grille et de données se croisant les unes les autres sur le substrat de base, dans lesquelles le substrat de base a une zone de réflexion et une zone de transmis- Sion; la formation d'un transistor en couche mince à un croisement des lignes de grille et de données; la formation d'une couche de passivation couvrant le transistor en couche mince; la formation d'une plaque de réflexion sur la couche de passivation dans la zone de réflexion; et la formation d'une électrode de pixel sur la plaque de réflexion, l'électrode de pixel étant en connexion avec le transistor en couche mince. Selon un autre aspect, l'invention propose un procédé de formation d'un substrat en réseau pour un dispositif d'affichage transmissif-réflectif à cristaux liquides, le procédé comprenant: la formation d'une pastille de grille sur une zone de pastille d'un substrat de base; la formation d'un isolant de grille sur la pastille de grille, l'isolant de grille ayant une ouverture exposant une partie de la pastille de grille; et la formation d'une couche conductrice sur l'isolant de grille, la couche conductrice entrant en contact avec la pastille de grille par l'ouverture. De préférence, le dispositif d'affichage est un dispositif d'affichage transmissif-réflectif à cristaux liquides. Selon un mode de réalisation, ce procédé comprend en outre: la formation de lignes de grille et de données se croisant les unes les autres sur le substrat de base, dans lesquelles le substrat de base a une zone de réflexion et une zone de transmission; la formation d'un transistor en couche mince à un croisement des lignes de grille et de données; la formation d'une couche de passivation couvrant le transistor en couche mince; la formation d'une plaque de réflexion sur la couche de passivation dans la zone de réflexion; et la formation d'une électrode de pixel sur la plaque de réflexion, l'électrode de pixel étant en connexion avec le transistor en couche mince. II est entendu que la description générale précédente ainsi que la description 35 détaillée qui suit sont données à titre d'exemple et d'explication et servent à fournir une explication plus poussée de l'invention telle que revendiquée ici. Les dessins annexés, qui sont inclus pour mieux faire comprendre l'invention, lesquels sont intégrés dans la présente demande et en font partie, illustrent des modes \,HIRSCH6\BREVETS\Brevets\24600\24626-051122tradFR. do On se référera maintenant de manière détaillée aux modes de réalisation illustrés de la présente l'invention, qui sont illustrés dans les dessins annexés. Le figure 4 est une vue en plan illustrant un substrat en réseau pour un dispositif d'affichage transmissif-réflectif à cristaux liquides selon la présente invention. Bien qu'une zone de pixels P soit représentée et décrite ci-dessous, un homme de l'art se rendrait compte aisément que le dispositif d'affichage transmissif-réflectif à cristaux liquides de la figure 4 comprend une pluralité de ces zones de pixels définies par des lignes de grille et des lignes de données se croisant les unes les autres dans une configuration matricielle. Tel que représenté à la figure 4, une zone de pixels P est définie en croisant une ligne de grille 112 et une ligne de données 114 sur un substrat transparent 110, et un t\FIIRSCH6ABREVETSVBrevets\24600A24626051122-tradFR doc - 24 novembre 2005 - I l/28 transistor T en couche mince est disposé au croisement des lignes de grille et de données 112 et 114. Une pastille de grille 140 est formé à une extrémité de la ligne de grille 112, un isolant de grille est formé sur la pastille de grille 140, et un trou 142 de contact de pastille de grille exposant une partie de la pastille de grille 140 est formé dans l'isolant de grille. Une électrode de pixel 126 raccordée au transistor T en couche mince par un trou 124 de contact de drain est formée. La zone de pixels P a une surface de réflexion RA et une surface de transmission TA. La surface de réflexion RA est formée dans la zone de pixels excluant une zone médiane de la zone de pixels P, et a une plaque de réflexion 119 formée sur l'électrode de pixel 126. La surface de transmission TA est formée dans la zone médiane de la zone de pixels P et n'a pas la plaque de réflexion 119. Un motif de gravure 130 avec une ou plusieurs forme(s) de cercle convexe dans la surface de réflexion RA de façon à empêcher une réflexion spéculaire. Le transistor T en couche mince dans la surface de réflexion RA comprend une électrode de grille 116 obtenant un signal de balayage à partir de la ligne de grille 112, une électrode de source 118 obtenant un signal image à partir de la ligne de données 114, une électrode de drain 120 éloignée de l'électrode de source 118, et une couche active 122 entre l'électrode de grille 116 et les électrodes de source et de drain 118 et 120. Les figures 5A à 5J sont des vues en coupe transversale selon une coupe le long de l'axe V-V' de la figure 4 et illustrant un processus de formation d'un substrat en réseau pour un dispositif d'affichage transmissif-réflectif à cristaux liquides selon la présente invention. Les figures 6A à 6J sont des vues en coupe transversale selon une coupe le long de la ligne VI-VI' de la figure 4 et illustrant un processus de formation d'un substrat en réseau pour un dispositif d'affichage transmissif-réflectif à cristaux liquides selon un premier exemple de réalisation de la présente invention. Les figures 5A à 5J appartiennent à une zone de transistor en couche mince tandis que les figures 6A à 6J appartiennent à une zone de pastille de grille et par conséquent les zones seront expliquées respectivement selon le procédé à quatre masques. Tel que représenté à la figure 5A et à la figure 6A, une première couche de métal 111 est formée sur un substrat transparent 110. Ensuite, comme premier procédé de masque, une couche photorésistante 113 (elle sera désignée sous le terme de couche PR ) d'un type positif où une partie photoréceptrice est exposée et développée, est étalée sur la première couche de métal 111, et un masque 150 ayant une zone de transmission A et une zone de barrière B est disposé sur le substrat 110 ayant la couche PR 113. Ensuite, la première couche de métal 111 exposée par un processus d'exposition et un processus de développement est gravée, puis la couche PR restante 113 est éliminée par un processus de polissage. En conséquence, 1AHIRSCH6ABREVETS\Brevets\24600A24626-051122-tradFR doc - 24 novembre 2005 - 12/28 l'électrode de grille 116 est formée dans la surface de réflexion RA du substrat 110 tel que représenté à la figure 5B, et la pastille de grille 140 est formé dans la surface de transmission TA du substrat 110 tel que représenté à la figure 6B. Ensuite, tel que représenté à la figure 5C, un isolant de grille 115, une couche 122A de silicium amorphe intrinsèque, une couche 122B amorphe dopée en impure-tés, et une deuxième couche de métal 121 sont formées sur toute la surface du substrat 110 ayant l'électrode de grille 116, tour à tour. Tel que représenté à la figure 6C, un isolant de grille 115, une couche 122A de silicium amorphe intrinsèque, une couche 122B amorphe dopée en impuretés, et une deuxième couche de métal 121 sont formées sur toute la surface du substrat 110 ayant la pastille de grille 140, tour à tour. Ensuite, tel que représenté à la figure 5D, par un deuxième procédé de masque, des électrodes de source et de drain 118 et 120 et une couche active 122 sont formées. La couche active 122 se rapporte généralement à la partie exposée de la couche 122A de silicium amorphe intrinsèque. Dans la zone de la pastille telle que représentée à la figure 6D, des motifs métalliques 118 et 120 exposant une partie de l'isolant de grille 115 sont formés. Bien qu'il ne soit pas représenté sur les figures 5D et 6D, le deuxième procédé de masque va maintenant être expliqué brièvement. Une couche PR est étalée sur la deuxième couche de métal 121, puis un masque ayant une zone de transmission, une zone de barrière et une zone semitransparente est disposé sur le substrat 110 ayant la couche PR. La zone semi-transparente du masque correspond à l'électrode de grille 116 et à la pastille de grille 140, respectivement, et la couche PR correspondant à la zone semi-transparente est exposée sur seulement une partie. Comme masque, on peut utiliser un masque tramé ou un masque de diffrac- tion. Après la gravure de la deuxième couche de métal 121, la couche 122A de silicium amorphe intrinsèque, et la couche 122B de silicium amorphe dopée en impuretés, la couche PR correspondant à la zone semi-transparente est éliminée par un processus de polissage. En conséquence, dans la zone de pixels, des électrodes de source et de drain 118 et 120 sont formées par la deuxième couche de métal 121, et une partie de la couche 122B de silicium amorphe dopée en impuretés est éliminée par gravure pour exposer une partie de la couche 122A de silicium amorphe intrinsèque, formant ainsi la couche active 122. Une première couche de passivation 129 est alors déposée sur les électrodes de source et de drain 118 et 120 et sur la couche active exposée 122. À ce stade, dans la zone de la pastille du substrat en réseau pour le dispositif d'affichage transmissif-réflectif à cristaux liquides utilisant le procédé à quatre masques selon l'art antérieur, l'isolant de grille 15 est le seul à rester, et la couche active 22 et la couche de métal 21 sont toutes éliminées tel que représenté à la figure IdHIRSCH6\BREVETS\Brevets\24600\24626-051122-tradFR doc - 24 novembre 2005 - 13/28 3D. En revanche, la zone de la pastille du substrat en réseau pour le dispositif d'affichage transmissif-réflectif à cristaux liquides utilisant le procédé à 4 masques selon un premier exemple de réalisation de la présente invention a la même structure qu'une zone de canal d'un transistor en couche mince tel que représenté à la figure 6D. Ensuite, tel que représenté à la figure 5E et à la figure 6E, une deuxième couche de passivation 117 est déposée en étalant un des matériaux isolants transparents organiques tel que du benzocyclobutène (BCB) et une résine de groupe alkyle sur la première couche de passivation 129. Ensuite, on utilise un troisième masque utilisant un masque tramé ou un masque de diffraction. Tel que représenté à la figure 5E, un masque 160 ayant une zone de transmission A, une zone de barrière B et une zone semitransparente C est disposé sur le substrat 110 ayant la deuxième couche de passivation 117. Dans la zone de la pastille, tel que représenté à la figure 6E, un masque 160 ayant une zone de transmission A est disposé sur le substrat 110 ayant la deuxième couche de passivation 117. La deuxième couche de passivation 117 est d'un type positif où une partie photoréceptrice est exposée et développée. Tel que représenté à la figure 5E, la zone de barrière B et la zone semi-transparente C sont alternativement disposées en correspondance avec la surface de réflexion RA de façon à former un motif gravé, et la zone de transmission A est disposée en correspondance avec l'électrode de drain de façon à former un trou de contact de drain (124 à la figure 5F). Ensuite, après la réalisation d'un processus d'exposition, d'un processus de développement et d'un traitement thermique, une deuxième couche de passivation 117 à motifs gravés et un trou 124 de contact de drain exposant une partie de la couche 122B de silicium amorphe dopée en impuretés sont formés tel que représenté à la figure 5F. De plus, tel que représenté à la figure 6F, la deuxième couche de passivation 117 est entièrement éliminée et la première couche de passivation 129 et les motifs métalliques 118 et 120 sont éliminés par gravure, et un trou 142 de contact de pastille de grille exposant une partie de la pastille de grille 140 est formé. Ensuite, tel que représenté à la figure 5G, un matériau conducteur transparent 126 et une couche de réflexion 119 sont formés sur la couche de passivation 117 à motifs gravés et l'isolant de grille 115 exposés dans la surface de transmission TA, tour à tour. Le matériau conducteur transparent 126 peut être soit de l'oxyde d'étain indium (OEI) soit de l'oxyde de zinc indium (OZI) ou tout autre matériau adapté. Dans cet exemple, on utilise l'oxyde d'étain indium (OEI). L'oxyde d'étain indium (OEI) 126 et la couche de réflexion 119 sont déposés selon la forme de la deuxième couche de passivation 117 à motifs gravés. Dans la zone de la pastille, tel que repré\\HIRSCH6\BREVETS\Brevets\24600\24626-051122-tradFR doc - 24 novembre 2005 - 14/28 senté à la figure 6G, un oxyde d'étain indium (OEI) 126 et une couche de réflexion 119 sont déposés sur la pastille de grille 140 exposé, tour à tour. Ensuite, on utilise un quatrième masque utilisant un masque tramé ou un masque de diffraction. Tel que représenté à la figure 5H, une couche PR 125 d'un type positif est étalée sur la couche de réflexion 119, puis un masque tramé 170 ayant une zone de barrière B correspondant à la surface de réflexion RA et une zone C semi-transparente correspondant à la surface de transmission TA est disposé sur le substrat 110 ayant la couche PR 125. En conséquence, la couche PR 125 ayant une hauteur (épaisseur) qui est la moitié de la hauteur de la couche PR 125 dans la surface de réflexion RA, est formée dans la surface de transmission TA. La couche PR 125 ici est appelée une demi-couche PR. Dans la zone de la pastille, tel que représenté à la figure 6H, une couche PR 125 est étalée sur la couche de réflexion 119, et un masque tramé 170 ayant une zone de transmission A et une zone semi-transparente C est disposé. À ce stade, la couche PR 125 dans la zone de la pastille de la figure 6H a la même hauteur que la couche PR 125 dans la surface de transmission TA de la figure 5H. En d'autres termes, la couche PR 125 dans la zone de la pastille tel que représenté à la figure 6H a une hauteur égale à la moitié de la hauteur de la couche PR 125 dans la surface de réflexion RA de la figure 5H. Puisque la deuxième couche de passivation 117 n'est pas présente dans la zone de la pastille de la figure 6H, un échelon bas est formé et, de ce fait, la demi-couche PR peut maintenant être formée. Ensuite, la couche PR 125 est éliminée dans les mêmes proportions pendant un processus de polissage. En conséquence, tel que représenté à la figure 5I, toute la couche PR 125 est éliminée dans la surface de transmission TA, tandis que la couche PR 125 reste dans la surface de réflexion RA. Tel que représenté à la figure 6I, toute la couche PR 125 est éliminée dans la zone de la pastille. Ensuite, tel que représenté à la figure 5J, la plaque de réflexion 119 exposée dans la surface de transmission TA est gravée (en utilisant la couche PR 125 comme masque), puis la couche PR restante 125 dans la surface de réflexion RA est éliminée par un processus de polissage. Tel que représenté à la figure 6J, dans la zone de la pastille, la plaque de réflexion 119 exposée est retirée. En conséquence, la zone de la pastille du substrat en réseau pour le dispositif d'affichage transmissifréflectif à cristaux liquides selon le premier exemple de la présente invention est réalisée. De ce fait, dans le premier exemple de réalisation de la présente invention, dans la zone de la pastille telle que la zone de la pastille de grille, on dispose une couche active au lieu d'une couche de passivation, et un échelon bas est formé, permettant ainsi la formation d'une demi-couche PR. Par exemple, la couche active (la couche 122A de silicium amorphe intrinsèque) est déposée directement sur VAHIRSCIi6ABREVETSVBrevets\24600A24626-051 122-tradFR doc - 24 novembre 2005 - 15/28 l'isolant de grille 115 dans la zone de la pastille tel que représenté à la figure 6J. En conséquence, le substrat en réseau pour le dispositif d'affichage transmissif-réflectif à cristaux liquides avec le procédé à quatre masques peut être efficacement réalisé en utilisant la demi-couche PR. Maintenant, un deuxième exemple de réalisation de la présente invention va maintenant être expliqué en se référant aux figures 7A à 7J. Puisque le processus de formation d'une zone de transistor en couche mince pour les premier et deuxième exemples de réalisation est le même, l'explication de la formation de la zone de transistor en couche mince dans le deuxième mode de réalisation de la présente invention sera faite en se référant aux figures 5A à 5J dans il a été question ci-dessus en liaison avec le premier mode de réalisation. Les figures 5A à 5J sont des vues en coupe transversale selon une coupe le long de l'axe V-V' de la figure 4 et illustrant un processus de formation d'un substrat en réseau pour un dispositif d'affichage transmissif-réflectif à cristaux liquides selon la présente invention. Les figures 7A à 7J sont des vues en coupe transversale selon une coupe le long de l'axe VI-VI' de la figure 4 et illustrant un processus de formation d'un substrat en réseau pour un dispositif d'affichage transmissif-réflectif à cristaux liquides selon le deuxième exemple de réalisation de la présente invention. Tel que représenté à la figure 5A et à la figure 7A, une première couche de métal 111 est formée sur un substrat transparent 110. Ensuite, comme premier procédé de masque, une couche PR 113 d'un type positif est étalée sur la première couche de métal 111, et un masque 150 ayant une zone de transmission A et une zone de barrière B est déposé sur le substrat 110 ayant la couche PR 113. Ensuite, la première couche de métal 111 exposée par un processus d'exposition et un processus de développement est gravée, puis la couche PR restante 113 est éliminée par un processus de polissage. En conséquence, l'électrode de grille 116 est formée dans la surface de réflexion RA du substrat 110 tel que représenté à la figure 5B, et la pastille de grille 140 est formée dans la surface de transmission TA du substrat 110 tel que représenté à la figure 7B. Ensuite, tel que représenté à la figure 5C, un isolant de grille 115, une couche 122A de silicium amorphe intrinsèque, une couche 122B amorphe dopée en impure-tés, et une deuxième couche de métal 121 sont formées sur toute la surface du substrat 110 ayant l'électrode de grille 116, tour à tour. Tel que représenté à la figure 7C, un isolant de grille 115, une couche 122A de silicium amorphe intrinsèque, une couche 122B amorphe dopée en impuretés, et une deuxième couche de métal 121 sont formées sur toute la surface du substrat 110 ayant la pastille de grille 140, tour à tour. V'HIRSCH6ABREVETS\Brevets \24600A24626-051122-tradFR. doc - 24 novembre 2005 - 16'28 Ensuite, tel que représenté à la figure 5D, par un deuxième procédé de masque utilisant un masque tramé ou un masque de diffraction, des électrodes de source et de drain 118 et 120 et une couche active 122 sont formées. La couche active 122 se rapporte généralement à la portion exposée de la couche 122A de silicium amorphe intrinsèque. Ensuite, une première couche de passivation 129 est déposée sur les électrodes de source et de drain 118 et 120 et la couche 122 active exposée. Dans la zone de la pastille, après l'agencement d'une zone de transmission et après la réalisation des processus d'exposition, de développement, de gravure et de polissage, tel que représenté à la figure 7D, l'isolant de grille 115 reste. Ensuite, tel que représenté à la figure 5E et à la figure 7E, une deuxième couche de passivation 117 est déposée en étalant un des matériaux isolants organiques transparents tel que du benzocyclobutène (BCB) et une résine de groupe alkyle sur la première couche de passivation 129 et sur l'isolant de grille 115, respective-ment. Ensuite, on utilise un troisième masque utilisant un masque tramé ou un masque de diffraction. Tel que représenté à la figure 5E, un masque 160 ayant une zone de transmission A, une zone de barrière B et une zone semitransparente C est déposé sur le substrat 110 ayant la deuxième couche de passivation 117. Dans la zone de la pastille, tel que représenté à la figure 7E, un masque 160 ayant une zone de transmission A et une zone semi-transparente C est disposé sur le substrat 110 ayant la deuxième couche de passivation 117. La deuxième couche de passivation 117 est d'un type positif où une partie photoréceptrice est exposée et développée. Tel que représenté à la figure 5E, la zone de barrière B et la zone semitransparente C sont alternativement disposées en correspondance avec la surface de réflexion RA de façon à former un motif gravé, et la zone de transmission A est déposée en correspondance avec l'électrode de drain 120 de façon à former un trou de contact de drain (124 à la figure 5F). Ensuite, après la réalisation d'un processus d'exposition, d'un processus de développement et d'un traitement thermique, une deuxième couche de passivation 117 à motifs gravés et un trou 124 de contact de drain exposant une partie de la couche 122B de silicium amorphe dopée en impuretés sont formés tel que représenté à la figure 5F. De plus, tel que représenté à la figure 7F, une deuxième couche de passivation 117 à motifs exposant une partie de l'isolant de grille 115 correspondant à la pastille de grille 140 est formée. À ce stade, du fait que le masque 160 ayant la zone semi-transparente C (non pas B), l'épaisseur de la deuxième couche de passivation 117 à motifs est faible comparée à celle de la couche 17 à la figure 3E de la technique apparentée, formant ainsi un échelon bas. Ensuite dans la zone de la pastille, la partie de l'isolant de grille 115 exposée par une ouverture dans la \\HIRSCH6\BREVETS\Brevets\24600\24626-051122-tradFR_doc - 24 novembre 2005 - 1728 deuxième couche de passivation 117 est gravée, puis la deuxième couche de passivation 117 est complètement retirée en utilisant des techniques connues. Ensuite, tel que représenté à la figure 5G, un matériau conducteur transparent 126 et une couche de réflexion 119 sont formés sur la deuxième couche de passiva- tion 117 à motifs gravés et l'isolant de grille 115 exposés dans la surface de transmission TA, tour à tour. Le matériau conducteur transparent 126 peut être soit un oxyde d'étain indium (OEI) soit un oxyde de zinc indium (OZI) ou tout autre matériau adapté. Dans cet exemple, on utilise l'oxyde d'étain indium (OEI). L'oxyde d'étain indium (OEI) 126 et la couche de réflexion 119 sont déposés selon la forme de la deuxième couche de passivation 117 à motifs gravés. Tel que représenté à la figure 7G, un oxyde d'étain indium (OEI) 126 et une couche de réflexion 119 sont déposés sur l'isolant de grille 115 et sur la partie exposée de la pastille de grille 140, tour à tour. Ensuite, on utilise un quatrième masque utilisant un masque tramé ou un masque de diffraction. Tel que représenté à la figure 5H, une couche PR 125 d'un type positif est étalée sur la couche de réflexion 119, puis un masque tramé 170 ayant une zone de barrière B correspondant à la surface de réflexion RA et une zone C semi-transparente correspondant à la surface de transmission TA est déposé sur le substrat 110 ayant la couche 125 PR. De ce fait, la couche 125 PR ayant une hauteur (épaisseur) qui est la moitié de la hauteur de la couche 125 PR dans la surface de réflexion RA, est formée dans la surface de transmission TA. La couche PR 125 ici est appelée une demie couche PR. Dans la zone de la pastille, tel que représenté à la figure 7H, une couche PR 125 est étalée sur la couche de réflexion 119, et un masque tramé 170 ayant une zone de transmission A et une zone semi-transparente C est déposé. La couche PR 125 dans la zone de la pastille a la même hauteur que la couche PR 125 dans la surface de transmission TA de la figure 5H. En d'autres termes, la couche PR 125 dans la zone de la pastille a une hauteur qui est égale à la moitié de la hauteur de la couche PR 125 dans la surface de réflexion RA de la figure 5H. En conséquence, la deuxième couche de passivation 117 est éliminée après toutes les couches et ainsi la demi-couche PR peut être formée dans la zone de la pastille. Ensuite, la couche PR 125 est éliminée dans les mêmes proportion pendant un processus de polissage. De ce fait, tel que représenté à la figure 5I, toute la couche PR 125 est éliminée dans la surface de transmission TA, tandis que la couche PR 125 reste dans la surface de réflexion RA. Tel que représenté à la figure 7I, la couche PR 125 dans la zone de la pastille est éliminée. Ensuite, tel que représenté à la figure 5J, la plaque de réflexion 119 exposée dans la surface de transmission TA est sélectivement gravée, puis la couche PR /\HIRSCH6\BREVETS\Brevets\24600\24626-051122-tradFR. doc - 24 novembre 2005 - 18/28 restante 125 est éliminée par un processus de polissage. Tel que représenté à la figure 7J, la plaque de réflexion 119 exposée est gravée et retirée. En conséquence, la zone de la pastille du substrat en réseau pour le dispositif d'affichage transmissif-réflectif à cristaux liquides selon le deuxième exemple de la présente invention est réalisée. Dans le deuxième exemple de réalisation de la présente invention, une épaisseur d'une couche de passivation dans une zone de pastille est réduite et ainsi, un échelon bas est crée. En conséquence, le substrat en réseau pour le dispositif d'affichage transmissif-réflectif à cristaux liquides avec le procédé à quatre masques peut être efficacement réalisé en utilisant la demi-couche PR. À partir de l'invention ainsi décrite, il deviendra évident qu'il estpossible de la modifier de bien des façons. Ces modifications ne doivent pas être considérées comme sortant de l'esprit et de la portée de l'invention, et toutes les modifications de ce genre, comme cela sera évident à l'homme de l'art, sont destinées à être incluses dans la portée des revendications suivantes. 9,111RSCH6\BREVETS\Brevets\24600\24b26-051122-tradFR. doc - 24 novembre 2005 - 19'28 REVENDICATIONS 1. Procédé de fabrication d'un substrat en réseau pour un dispositif d'affichage transmissif-réflectif à cristaux liquides, le procédé comprenant: - la formation d'une pastille de grille sur un substrat par un premier procédé de masque; - la formation séquentielle d'un isolant de grille, d'une couche de silicium amorphe intrinsèque, d'une couche de silicium amorphe dopée en impuretés et d'une couche de métal sur la pastille de grille; - la formation, clans une zone de pastille, d'un premier motif de pastille auxiliaire ayant une première ouverture exposant une partie de l'isolant de grille, en gravant sélectivement la couche de métal, la couche de silicium amorphe dopée en impuretés et la couche de silicium amorphe intrinsèque par un deuxième procédé de masque, le premier motif de pastille auxiliaire comprenant la couche de silicium amorphe intrinsèque; et - la formation d'une couche de passivation sur le premier motif de pastille auxiliaire et de l'isolant de grille exposé. 2. Procédé selon la revendication 1, caractérisé en ce que le procédé comprend en outre: - la formation d'un deuxième motif de pastille auxiliaire ayant une deuxième ouverture exposant une partie de la pastille de grille, en gravant sélective-ment la couche de passivation, la couche de métal, la couche de silicium amorphe dopée en impuretés, la couche de silicium amorphe intrinsèque et l'isolant de grille correspondant à la pastille de grille par un troisième procédé de masque; et - la formation séquentielle d'une couche conductrice transparente et d'une couche de réflexion sur la pastille de grille exposée. 3. Procédé selon la revendication 2, caractérisé en ce que le procédé comprend en outre: - la formation d'une borne de pastille de grille, en formant une demi-couche photorésistante sur la couche de réflexion et en gravant sélectivement la couche de réflexion et la couche conductrice transparente par un quatrième procédé de masque; et ensuite -le retrait de la couche de réflexion dans la borne de pastille de grille. \\HIRSCH6\BREVETS\Brevets\24600\24626-051122-tradFR_doc - 24 novembre 2005 - 2W28 4. Procédé selon la revendication 3, caractérisé en ce que le quatrième procédé de masque utilise un masque ayant des première et seconde zones, et une transmittance de la première zone est plus Bande qu'une transmittance de la seconde zone. 5. Procédé selon la revendication 1, 2, 3 ou 4, caractérisé en ce que le procédé comprend en outre: la définition d'une zone de réflexion et d'une zone de transmission sur le substrat; - la formation d'une électrode de grille dans la zone de réflexion par le premier procédé de masque, dans lequel l'isolant de grille, la couche de silicium amorphe intrinsèque, la couche de silicium amorphe dopée en impuretés, et la couche de métal sont aussi formés sur l'électrode de grille, de manière séquentielle; et - la formation d'électrodes de source et de drain en gravant sélectivement la couche de métal, et une couche active en gravant sélectivement la couche de silicium amorphe dopée en impuretés entre les électrodes de source et de drain par le deuxième procédé de masque. 6. Procédé selon la revendication 5, caractérisé en ce que la couche de passivation est également formée sur les électrodes de source et de drain et la couche active a une surface gravée et un trou de contact exposant une partie de l'électrode de drain par le troisième procédé de masque, et la couche conductrice transparente et la couche de réflexion sont également formées sur la couche de passivation en ayant la surface gavée et l'électrode de drain exposée, et en ce que le procédé comprend en outre: - la formation d'une plaque de réflexion, en formant une demicouche photo-résistante sur la couche de réflexion dans la zone de réflexion et en gravant sélectivement la couche de réflexion dans la zone de transmission en utilisant la demi-couche photorésistante dans la zone de réflexion par le quatrième procédé de masque, et en éliminant après la demi-couche photo-résistante. 7. Procédé selon la revendication 6, caractérisé en ce que, à l'étape de formation de la plaque de réflexion, le quatrième procédé de masque utilise un masque ayant une seconde zone et une troisième zone, et une transmittance de la seconde zone est inférieure à une transmittance de la troisième zone. VAHIRSCH6ABREVETSVBrevets\24600A24626-051122-tradFR doc - 24 novembre 2005 - 21/28 8. Procédé selon la revendication 7, caractérisé en ce que, à l'étape de formation de la plaque de réflexion, la troisième zone correspond à la zone de réflexion du substrat et la seconde zone correspond à la zone de transmission du substrat. 9. Procédé selon la revendication 6, 7 ou 8 caractérisé en ce que, à l'étape de formation de la couche de passivation sur les électrodes de source et de drain, le troisième procédé de masque utilise un masque ayant une première zone, une seconde zone et une troisième zone, et une transmittance de la seconde zone est plus petite qu'une transrnittance de la première zone et est plus grande qu'une trans- mittance de la troisième zone. 10. Procédé selon la revendication 9, caractérisé en ce que la première zone du masque utilisée dans le troisième procédé de masque correspond à une partie 15 de l'électrode de drain dans la zone de réflexion et la zone de transmission, et les seconde et troisième zones du masque utilisées dans le troisième procédé de masque correspondent à une partie de la zone de réflexion. 11. Procédé de fabrication d'un substrat en réseau pour un dispositif d'affichage transmissif-réflectif à cristaux liquides, le procédé comprenant: - la formation d'une pastille de grille sur un substrat par un premier procédé de masque; - la formation séquentielle d'un isolant de grille, d'une couche de silicium amorphe intrinsèque, d'une couche de silicium amorphe dopée en impuretés 25 et d'une couche de métal sur la pastille de grille; - l'élimination de la couche de métal, de la couche de silicium amorphe dopée en impuretés et de la couche de silicium amorphe intrinsèque par un deuxième procédé de masque; - la formation d'une couche de passivation sur l'isolant de grille et ayant une ouverture exposant l'isolant de grille par un troisième procédé de masque; l'exposition d'une partie de la pastille de grille en gravant l'isolant de grille exposé par l'ouverture; - la formation séquentielle d'une couche conductrice transparente et d'une couche de réflexion sur la pastille de grille exposée; - la formation d'une borne de pastille de grille, en formant une demi-couche photorésistante sur la couche de réflexion et en gravant sélectivement la couche de réflexion et la couche conductrice transparente par un quatrième procédé de masque; et VvHIRSCH6ABREVETS VBrevets\24600A24626-051122-tradFR doc - 24 novembre 2005 - 22/28 - le retrait de la couche de réflexion dans la borne de la pastille de grille. 12. Procédé selon la revendication 11, caractérisé en ce que le quatrième procédé de masque utilise un masque ayant des première et seconde zones, et une transmittance de la première zone est plus grande qu'une transmittance de la seconde zone. 13. Procédé selon la revendication 11 ou 12, caractérisé en ce que le troisième procédé de masque utilise un masque ayant des première et seconde zones, Io et une transmittance de la première zone est plus grande qu'une transmittance de la seconde zone. 14. Procédé selon la revendication 1l, 12 ou 13 caractérisé en ce que le procédé comprend en outre: - la définition d'une zone de réflexion et d'une zone de transmission sur le substrat; - la formation d'une électrode de grille dans la zone de réflexion par le premier procédé de masque, dans lequel l'isolant de grille, la couche de silicium amorphe intrinsèque, la couche de silicium amorphe dopée en impuretés, et la couche de métal sont aussi formés sur l'électrode de grille, de manière séquentielle; - la formation d'électrodes de source et de drain en gravant sélectivement la couche de métal, et une couche active en gravant sélectivement la couche de silicium amorphe dopée en impuretés entre les électrodes de source et de drain par le deuxième procédé de masque; dans lequel la couche de passivation est également formée sur les électrodes de source et de drain et la couche active et a une surface gravée et un trou de contact exposant une partie de l'électrode de drain par le troisième procédé de masque, et la couche conductrice transparente et la couche de réflexion sont également formées sur la couche de passivation ayant la surface gravée et l'électrode de drain exposée; - la formation d'une plaque de réflexion, en formant la demi-couche photo- résistante sur la couche de réflexion dans la zone de réflexion et en gravant sélectivement la couche de réflexion dans la zone de transmission utilisant la demi-couche photorésistante dans la zone de réflexion par le quatrième procédé de masque; et l'élimination de la demi-couche photorésistante après l'utilisation de la demi-couche photorésistante. \HIRSCH6\BREV ETS\Brevets\24600\24626-051 722-tradFR doc - 24 novembre 2005 - 23128 15. Procédé selon la revendication 14, caractérisé en ce que, à l'étape de formation de la plaque de réflexion, le quatrième procédé de masque utilise un masque ayant une seconde zone et une troisième zone, et une transmittance de la seconde zone est inférieure à une transmittance de la troisième zone. 16. Procédé selon la revendication 15, caractérisé en ce que, à l'étape de formation de la plaque de réflexion, la troisième zone correspond à la zone de réflexion du substrat et la seconde zone correspond à la zone de transmission du substrat. 17. Procédé selon la revendication 14, 15 ou 16 caractérisé en ce que, à l'étape de formation de la couche de passivation sur les électrodes de source et de drain, le troisième procédé de masque utilise un masque ayant une première zone, une seconde zone et une troisième zone, et une transmittance de la seconde zone est plus petite qu'une transmittance de la première zone et est plus grande qu'une trans- mittance de la troisième zone. 18. Procédé selon la revendication 17, caractérisé en ce que la première zone du masque utilisée dans le troisième procédé de masque correspond à une partie de l'électrode de drain dans la zone de réflexion et la zone de transmission, et les seconde et troisième zones du masque utilisées dans le troisième procédé de masque correspondent à une partie de la zone de réflexion. 19. Substrat en réseau pour un dispositif d'affichage transmissifréflectif à cristaux liquides, le substrat en réseau comprenant: - une pastille de grille (140) sur un substrat de base; - un isolant de grille (115) sur la pastille de grille (140) et ayant une ouverture exposant une partie de la pastille de grille; - un motif de pastille auxiliaire sur l'isolant de grille (115) et constitué d'une 30 couche de silicium amorphe intrinsèque (122A) ; et - une couche conductrice sur le motif de pastille auxiliaire et entrant en contact avec la pastille de grille (140) par l'ouverture. 20. Substrat en réseau selon la revendication 19, comprenant en outre: des lignes de grille et de données se croisant les unes les autres sur le substrat de base, dans lesquelles le substrat de base a une zone de réflexion (RA) et une zone de transmission (TA) ; \dIIRSCH6\BREVETS\Brevets\24600\24626-051 122-tradFR doc - 24 novembre 2005 - 24/28 - un transistor en couche mince (T) à un croisement des lignes de grille et de données; - une couche de passivation (129) couvrant le transistor en couche mince; - une plaque de réflexion (119) sur la couche de passivation dans la zone de réflexion; et - une électrode de pixel (126) sur la plaque de réflexion (119) et en connexion avec le transistor en couche mince. 21. Substrat en réseau pour un dispositif d'affichage transmissifréflectif à cristaux liquides, le substrat en réseau comprenant: - une pastille de grille (140) sur un substrat de base et dans une zone de pastille, - un isolant de grille (115) sur la pastille de grille (140) et ayant une ouverture exposant une partie de la pastille de grille; et - une couche conductrice sur l'isolant de grille et entrant en contact avec la pastille de grille (140) par l'ouverture. 22. Substrat en réseau selon la revendication 21, comprenant en outre: des lignes de grille (112) et de données (114) se croisant les unes les autres sur le substrat de base, dans lesquelles le substrat de base a une zone de réflexion et une zone de transmission; - un transistor en couche mince (T) à un croisement des lignes de grille et de données; -une couche de passivation (129) couvrant le transistor en couche mince; -une plaque de réflexion (119) sur la couche de passivation dans la zone de réflexion; et - une électrode de pixel (126) sur la plaque de réflexion (119) et en connexion avec le transistor en couche mince. 23. Procédé de formation d'un substrat en réseau pour un dispositif d'affichage transmissif-réflectif à cristaux liquides, le procédé comprenant: - la formation d'une pastille de grille sur une zone de pastille d'un substrat de base; - la formation d'un isolant de grille sur la pastille de grille, la pastille de grille ayant une ouverture exposant une partie de la pastille de grille; - la formation d'un motif de pastille auxiliaire sur l'isolant de grille, le motif de pastille auxiliaire constitué d'une couche de silicium amorphe intrinsè- que; et vAHIRSCH6ABREVETS\Brevets\24600A24626-05I I22-tradFR. doc - 24 novembre 2005 - 25/28 la formation d'une couche conductrice sur le motif de pastille auxiliaire, la couche conductrice entrant en contact avec la pastille de grille par l'ouverture. 24. Procédé selon la revendication 23, caractérisé en ce que le dispositif d'affichage est un dispositif d'affichage transmissif- réflectif à cristaux liquides. 25. Procédé selon la revendication 23 ou 24, caractérisé en ce que le procédé comprend en outre: - la formation de lignes de grille et de données se croisant les unes les autres sur le substrat de base, dans lesquelles le substrat de base a une zone de réflexion et une zone de transmission; - la formation d'un transistor en couche mince à un croisement des lignes de grille et de données; - la formation d'une couche de passivation couvrant le transistor en couche mince; - la formation d'une plaque de réflexion sur la couche de passivation dans la zone de réflexion; et - la formation d'une électrode de pixel sur la plaque de réflexion, l'électrode de pixel étant en connexion avec le transistor en couche mince. 26. Procédé de formation d'un substrat en réseau pour un dispositif d'affichage transmissif-réflectif à cristaux liquides, le procédé comprenant: - la formation d'une pastille de grille sur une zone de pastille d'un substrat de base; - la formation d'un isolant de grille sur la pastille de grille, l'isolant de grille ayant une ouverture exposant une partie de la pastille de grille; et - la formation d'une couche conductrice sur l'isolant de grille, la couche conductrice entrant en contact avec la pastille de grille par l'ouverture. 27. Procédé selon la revendication 26, caractérisé en ce que le dispositif d'affichage est un dispositif d'affichage transmissif- réflectif à cristaux liquides. 28. Procédé selon la revendication 26 ou 27, caractérisé en ce que le procédé comprend en outre: - la formation de lignes de grille et de données se croisant les unes les autres sur le substrat de base, dans lesquelles le substrat de base a une zone de réflexion et une zone de transmission; F.HIRSCH6ABREVETS\Brevets\24600A24626-051 122-tradFR. doc 24 novembre 2005 - 26/28 - la formation d'un transistor en couche mince à un croisement des lignes de grille et de données; - la formation d'une couche de passivation couvrant le transistor en couche mince; - la formation d'une plaque de réflexion sur la couche de passivation dans la zone de réflexion; et - la formation d'une électrode de pixel sur la plaque de réflexion, l'électrode de pixel étant en connexion avec le transistor en couche mince. VAHIRSCH6ABREVETS\Brevets\24600A24626-05I 122-tradFR (foc - 24 novembre 2005 - 27/28