FR 2855650 A1 20041203 FR 0306568 A 20030530 Domaine technique et art antérieur L'invention concerne le domaine des substrats en vue de la croissance cristalline (croissance épitaxiale), ainsi que les techniques de croissance cristalline mettant en oeuvre de tels substrats. Elle s'applique aux techniques de croissance épitaxiale de couches de matériaux tels que GaN, GaAs, InP, GaAIAs, InGaAs, AIN, AIGaN ou encore SiGe. On cherche en effet aujourd'hui à obtenir des couches épitaxiées de ces matériaux, notamment dans le cas de nitrure de gallium GaN. En 15 particulier, on recherche des couches relativement épaisses (> 1 ou 2 pm) ayant des qualités cristallines suffisantes, et notamment ne présentant pas, ou peu, de contraintes, et peu défectueuses (avec, par exemple, une densité de dislocations de moins de 106/ cm2). On connaît par exemple des épitaxies de GaN par technique 20 MOCVD pour l'obtention de couches de GaN épaisse (> 1-2 pm) sur un substrat d'épitaxie. Sont mentionnées dans la littérature des épitaxies de ce type essentiellement sur les substrats massifs suivants: saphir, SiC et Si. Ces trois substrats sont les plus utilisés car les plus disponibles. On note aussi 25 des essais marginaux sur des substrats comme ZnO ou LiGaO2. Aujourd'hui les couches de GaN épitaxiées déposées de manière homogène sur la surface du substrat ont une densité de dislocations entre 108 et 10 10 / cm2 et ceci quelle que soit la surface de nucléation utilisée. L'état de contraintes de couches épaisses de GaN obtenues par 30 MOCVD (température de croissance entre 1000-1100 C) dépend bien sûr du coefficient de dilatation thermique du substrat d'épitaxie qui va déterminer les contraintes d'origine thermoélastiques imposées au système. Ainsi, les couches de GaN obtenues sur saphir sont en 35 compression tandis que celles obtenues sur SiC sont légèrement en tension et celles sur silicium fortement en tension. Il en résulte, pour les couches en tension, une tendance forte à former des fissures dans le film épitaxié, ce qui le détruit. Les couches en compression posent aussi problème. Ce phénomène est particulièrement vrai pour les croissances sur silicium. Pour ce support d'épitaxie, la limite au-delà de laquelle 5 apparaissent des fissures est d'environ 1 à 2 pm, ce qui est un facteur limitant quant à l'obtention de couches de bonnes qualités. Des essais de croissance sur substrats SOI (Silicium sur Isolant) ont montré que l'utilisation de ce type de substrat permet de diminuer la densité de défauts cristallins dans la couche épitaxiée grâce à l'aspect 10 compliant du film très mince de silicium présent sur l'oxyde. Ce système est cependant limité dans sa capacité à absorber des contraintes, notamment pour les couches épaisses de GaN (au mieux 1 à 2 pm). La qualité cristalline semble pouvoir être améliorée par croissance sur substrats avec motifs. Les densités de dislocations obtenues sont de 15 I'ordre de 106 / cm2. Il existe des techniques de croissance latérale ELO (Epitaxial Lateral Overgrowth), ainsi que des techniques dites "pendeoepitaxy" (PE), croissance latérale sur tranchées (LOFT: Lateral Overgrowth From Trenches) ou croissance sur substrats gravés (CE: Cantilever Epitaxy). Toutes ces techniques reposent sur de la croissance 20 latérale et de la coalescence de couche épitaxiée pour former en final un film continu. Les films continus obtenus possèdent des zones précises améliorées en qualité cristalline (cas de la technique ELOG) ou bien présentent un film homogène en qualité cristalline (cas de la technique LOFT). Ces techniques ont été démontrées sur sapphire, SiC et Si 111. Ces solutions, si elles permettent d'améliorer la qualité cristalline du film épitaxié, ne permettent pas de résoudre efficacement le problème de contraintes des films épitaxiés. Il se pose donc le problème de réaliser un substrat ou un support pouvant absorber, lors d'une croissance cristalline, un niveau de 30 contraintes important, notamment lors d'une épitaxie épaisse de matériau, et en particulier dans le cas o le coefficient de dilatation du matériau est différent ou très différent de celui du substrat ou du support d'épitaxie. Il se pose aussi le problème de trouver un substrat ou un support permettant d'absorber des niveaux de contraintes supérieurs, notamment 35 pour l'obtention de couches épaisses, par exemple dans le cas de la croissance de couches GaN. Exposé de l'invention L'invention concerne d'abord un support pour croissance cristalline comportant: - une couche de nucléation ou de croissance, - une couche tampon, ou couche intermédiaire, polycristalline ou poreuse, ou amorphe, - un substrat de base. La couche tampon permet d'absorber ou d'accommoder des contraintes apparaissant lors d'une croissance épitaxiale réalisée sur la 10 couche de nucléation ou de croissance du support. Ce nouveau type de support permet donc de réaliser plus aisément des couches épitaxiales ayant une épaisseur de l'ordre de quelques pm, par exemple 4 pm, et notamment des couches de GaN épaisses. La couche de nucléation peut être une couche en matériau monocritallin, par exemple en Si ou en SiC ou en GaN, ou en saphir ou en AIN ou en diamant. Elle peut être obtenue par report à partir d'un autre substrat. Le substrat support peut être en Si ou SiC, et la couche tampon 20 en silicium amorphe ou en silicium poreux ou en polysilicium ou en dioxyde de silicium SiO2 amorphe ou en nitrure de silicium Si3N4 amorphe ou en carbure de silicium (SiC) ou en nitrure de Gallium (GaN) ou en saphir ou en nitrure d'aluminium (AIN). Selon une variante, la couche de nucléation est en silicium, la 25 couche tampon est polycristalline ou poreuse, le substrat de base étant en silicium, et une couche d'isolant électrique est en outre comprise entre la couche de nucléation et la couche tampon. La couche d'isolant peut alors être une couche d'oxyde (par exemple de silicium) ou une couche de verre de boro-phospho-silicate. Ainsi, la structure selon l'invention est compatible avec les structures de type SOI (abréviation de Silicon on Insulator, ou Silicium sur Isolant) . Selon ce premier mode de réalisation de l'invention, on forme donc une couche intermédiaire entre, d'une part, le substrat de base et, 35 d'autre part, soit la couche de nucléation, soit le bicouche SOI (couche de silicium superficielle et couche d'isolant (par exemple: oxyde de silicium). Selon un autre mode de réalisation de l'invention, on forme sur le substrat de base des moyens d'absorption mécanique ou un système mécanique permettant d'absorber les contraintes thermoélastiques générées en surface. Ce système mécanique comporte par exemple un réseau d'éléments absorbeurs, qui peut être obtenu par usinage du substrat de base, par exemple par gravure ionique. Ainsi l'invention a aussi pour objet un support pour croissance cristalline comportant au moins une couche de nucléation ou de 10 croissance, et un substrat de base, dans lequel des motifs sont gravés. La couche de nucléation et le substrat de base peuvent être en silicium, une couche d'oxyde ou d'isolant électrique étant située entre la couche de nucléation et le substrat. Ce deuxième mode de réalisation est donc lui aussi compatible 15 avec une structure de type SOI. Une couche tampon peut être située entre, d'une part, la couche de nucléation ou de croissance, ou la couche d'oxyde, et, d'autre part, le substrat de base, cette couche tampon étant par exemple polycristalline ou poreuse, par exemple en Si ou en silicium amorphe ou en silicium poreux 20 ou en polysilicium ou en SiC ou en GaN ou en saphir ou en AIN. Un procédé de croissance épitaxiale selon l'invention peut être réalisé sur un support selon l'invention, tel que défini ci-dessus. Brève description des figures - les figures 1 et 2 représentent un premier mode de réalisation de l'invention, - les figures 3A à 4 représentent un deuxième mode de réalisation de l'invention, - les figures 5A et 5B représentent des étapes d'un procédé de 30 fracture de substrat. Exposé détaillé de modes de réalisation de l'invention: Selon un premier mode de réalisation, on intercale, entre une couche de nucléation ou de croissance et un substrat de base, une couche 35 tampon ou intermédiaire pouvant absorber une quantité de contraintes, par exemple par génération de défauts cristallins dans cette couche ou par déplacement mécanique de matière dans cette couche. Un exemple de cette structure est donné en figure 1, o sont indiquées une couche de nucléation 2, une couche tampon 4 telle que mentionnée cidessus, et un substrat support 6 tel que du Si ou du SiC ou du saphir (AI2 03) ou du nitrure d'aluminium (AIN) ou du diamant. La couche tampon 4 est par exemple une couche poly-cristalline ou poreuse ou amorphe. Elle peut être formée par technique CVD et être en Silicium (Si), ou en carbure de silicium (SiC), ou en nitrure de gallium (GaN), ou en saphir ou en nitrure d'aluminium (AIN) ou en dioxyde de siliicum (SiO2) ou en nitrure de silicum Si3N4. Ces matériaux sont là encore 10 donnés à titre d'exemples. Dans l'exemple de la couche de silicium, la couche tampon peut être une couche mince de silicium amorphe, de poly-silicium ou de silicium poreux (obtenu par porosification intentionnelle ou par dépôt poreux). La couche de nucléation 2 est par exemple une couche en 15 matériau monocristallin, obtenu par report de couche mince à partir d'un premier substrat, par exemple par le procédé par fracture connu sous le nom de "Smart Cut" (voir figures 5A et 5B à ce sujet, ou encore l'article de A.]. Auberton-Hervé cité plus loin dans cette description). Typiquement, la couche de nucléation a une épaisseur de l'ordre 20 de 0,1 à 2 pm, par exemple 0,5 pm, la couche tampon a une épaisseur de l'ordre de quelques dixièmes de pm, par exemple de environ 0,01 pm à environ 1 pm ou 2 pm, et le substrat peut avoir une épaisseur d'environ plusieurs centaines de pm, ou comprise entre 100 pm et 700 pm, par exemple environ 500 pm ou 525 pm. Les coefficients de dilatation thermique c1 et c2 de la couche de nucléation 2 et du substrat 6 peuvent être différents. Par exemple, le SiC a un coefficient de dilatation thermique de 4,5.10-6 K-1, le Si un coefficient de 2,5.10-6 K-, I'alumine (AI203) un coefficient de 7.10-6 K-1. Cette différence des coefficients de la couche 2 et du substrat 6 30 peut générer des contraintes lors de phases de montée ou de descente en température, notamment dès lors que la différence relative Ici - c21/c1 ou Ic1 - c21/c2 est d'au moins 10% ou 20% ou 30% à température ambiante, c'est-à-dire à environ 20 C ou 25 C. Dans ce type de structure, les contraintes engendrées lors d'une 35 excursion en température sont absorbées par la couche tampon 4. Dans le cas d'une couche poly-cristalline, les contraintes y sont absorbées par génération de défauts. Dans le cas d'une couche poreuse, les porosités permettent des déplacements locaux de matière qui absorbent mécaniquement les tensions ou les contraintes. Dans le cas d'une couche amorphe, le mode privilégié de relaxation des contraintes se fait par fluage des couches présentes. L'invention s'applique aussi à une structure de type SOI, dans laquelle l'oxyde n'est pas un oxyde de silicium, mais un oxyde qui devient visqueux à température plus faible, par exemple un verre de borophospho- silicate (BPSG). Si la couche est visqueuse, elle absorbe les tensions et contraintes par fluage. Ce même type de couche tampon peut être intercalé dans une structure SOI, entre la couche d'oxyde ou d'isolant et le substrat. Une telle structure est représentée sur la figure 2, o la référence 10 désigne une couche mince de matériau semiconducteur, de préférence monocristallin, par exemple en silicium ou en carbure de silicium SiC ou en nitrure de 15 gallium GaN ou en saphir ou en AIN. La référence 12 désigne une couche d'oxyde SiO2, la couche 14 la couche tampon, et la référence 16 un substrat en un matériau semiconducteur, par exemple en silicium épais. Dans une telle structure SOI, la couche d'oxyde joue aussi le rôle de couche d'accommodation de contraintes, du fait que les procédés de 20 croissance cristalline ont lieu à des températures de l'ordre de plusieurs centaines de degrés (par exemple: 10000C). A ces températures, l'oxyde devient visqueux et absorbe une partie des contraintes. La couche tampon 14 va aussi absorber une partie de ces contraintes, mais de manière différente puisqu'elle ne devient pas visqueuse. La différence relative de coefficient de dilatation thermique entre la couche 10 de nucléation et le substrat 16 peut donc là aussi être supérieure à 10% ou 20% ou 30% à température ambiante (200C ou 25 C). Dans une structure SOI la couche tampon 14 peut par exemple 30 résulter d'un dépôt de silicium amorphe ou poly-cristallin pouvant encaisser et absorber les contraintes, et a par exemple une épaisseur comprise entre 10nm et lpm ou entre 0,1pm et 2pm. Typiquement, la couche 10, qui peut être formée par report, a une épaisseur d'environ 10 nm à 300 nm ou encore comprise entre 0,lpm 35 et 2pm. La couche 12, qui peut être formée par dépôt, a une épaisseur de l'ordre de quelques centaines de nm, comprise entre par exemple 100 nm et 700 nm, par exemple 400 nm. Le substrat 10 peut avoir sensiblement la même épaisseur que le substrat 6 de la figure 1. Selon un autre mode de réalisation, illustré sur la figure 3A, on génère dans un substrat 20, ou support rigide, une couche 22 5 d'accommodation élastique, ou présentant une certaine élasticité au moins dans un plan xy, parallèle au plan des différentes couches 24, 26. Cette couche 22 est par exemple obtenue par gravure, dans le substrat 20, de plots, ou de tranchées, ou de tout autre motif géométrique. Ces motifs présentent une élasticité ou sont flexibles dans un plan parallèle aux plans 10 des couches 24, 26. L'élasticité résultante peut être calculée par application de la théorie classique des poutres. Selon une variante, illustrée sur la figure 3B, une couche d'accomodation élastique 23, similaire à celle de la figure 3A, pourra être aussi formée en face arrière du substrat 20, ce qui permet d'éviter les 15 éventuels problèmes d'adhérence entre la couche 26 et le substrat 20 qui peuvent apparaître dans la configuration de la figure 3A. Cette variante permet aussi d'absorber les contraintes. Les deux systèmes d'accomodation mécanique des contraintes des figures 3A et 3B peuvent être présents dans un même substrat. Selon encore une variante (figure 3C), des entailles 25, telles que par exemple des " traits de scie " sont réalisées dans le substrat 20, d'un côté et/ou de l'autre du substrat. Là encore, on obtient un effet d'absorption des contraintes. On peut aussi avoir un système tel que celui de la figure 3A ou 25 3B sur un côté du substrat et un système tel que celui de la figure 3C aur l'autre côté. Les motifs gravés ou creusés se répètent de préférence selon un périodicité bidimensionnelle ou selon une seule dimension comme illustré sur la figure 4. Par exemple des tranchées de profondeur p égale à environ 10 pm, larges de I = 1 pm et espacées de e = 1 pm, sont creusées dans le substrat 20 de façon à générer un tel système d'absorption mécanique. Les couches 24, 26 et le substrat 20 peuvent être identiques ou similaires aux couches 2, 4 et au substrat 6 de la figure 1, avec les mêmes 35 épaisseurs typiques, et obtenues avec les mêmes techniques. La couche de nucléation 24 peut être par exemple une couche de matériau monocristallin, obtenu par report de couche mince à partir d'un premier substrat, par exemple par le procédé "Smart Cut" ou de fracture de substrat (dont des étapes sont décrites ci-dessous en liaison avec les figures 5A et 5B), et la couche tampon 26 peut être par exemple une couche poly-cristalline ou poreuse, de Si, ou de SiC, ou de GaN, ou de saphir ou de AIN. La structure des figures 3A, 3B ou 3C peut aussi être une structure de type SOI, la couche 26 étant une couche d'oxyde ou d'isolant et la couche 24 une couche de silicium fin. Il est également possible de mettre ces modes de réalisation en 10 oeuvre avec une structure telle que celle de la figure 2, le substrat 16 étant gravé, sur une et/ou l'autre des faces parallèles au plan des couches 10, 12, 14 pour réaliser une couche d'accommodation élastique comme il vient d'être décrit en liaison avec les figures 3A à 3C. Dans le cas de la figure 3A, si le support est obtenu par adhésion 15 moléculaire de la couche 26 sur le substrat 20, le fait de réaliser un collage sur un substrat avec des tranchées peut modifier l'étape de collage, notamment parce que la surface mise en contact peut être sensiblement réduite (d'environ 50% par exemple). Aussi, de préférence, dans le cas de surfaces fortement gravées 20 (donc avec une faible surface de contact ou une surface de contact très réduite) , on pourra optimiser la répartition des tranchées ou des plots de manière à permettre un collage spontané. A cette fin, on pourra jouer sur les paramètres géométriques des motifs, par exemple la largeur et/ou la périodicité de ces motifs. Afin d'obtenir un substrat gravé et de pouvoir conserver une surface de collage plane, il est possible de boucher, partiellement ou complètement, la surface du substrat avant collage. Même un bouchage complet sur toute la profondeur des tranchées ou des motifs gravés permet de conserver un effet d'absorption des contraintes. Ainsi, selon un exemple, si la surface est en silicium, on peut réaliser une étape de lissage de la surface du substrat 20 sous flux d'hydrogène pour refermer partiellement ou complètement les trous de gravure par migration d'atomes de silicium, comme illustré sur la figure 4, o la référence 28 indique le remplissage de la tranchée, par ce silicium, 35 réalisé sur une certaine hauteur h. Ou bien, selon un autre exemple, on effectue un dépôt non conforme (par un oxyde par exemple) qui va boucher en surface les tranchées. Ce dépôt peut être réalisé par un procédé de remplissage de type " isolation par tranchée >>, ou STI (abréviation de l'expression anglosaxonne Une fois le support assemblé, on dispose d'un élément permettant d'absorber mécaniquement les contraintes par mouvement et/ou déformation des poutres ou plots ou des parois des tranchées sous 10 l'effet de la contrainte thermoélastique. Le procédé connu sous la dénomination " smart-cut " (ou de fracture de substrat), est décrit dans l'article de A.3. Auberton-Hervé et al " Why can Smart Cut change the future of microelectronics ? ", paru dans International Journal of High Speed Electronics and Systems, Vol. 10, N 1, 15 2000, P.131-146. Des étapes de ce procédé vont être décrites en liaison avec les figures 5A et 5B, sur lesquelles les références 40 et 42 désignent deux substrats, par exemple tous deux en matériaux semiconducteurs. Selon une première étape (figure 5A), une implantation ionique 20 ou atomique est réalisée dans le substrat 40, formant une mince couche 52 qui s'étend sensiblement parallèlement à la surface 41 du substrat 40. En fait est ainsi formée une couche ou un plan de fragilisation ou de fracture délimitant dans le volume du substrat 40 une région inférieure 45 destinée à constituer un film mince et une région supérieure 44 constituant 25 la masse du substrat 40. Cette implantation est en général une implantation d'hydrogène, mais peut aussi être faite à l'aide d'autres espèces, ou encore avec une co-implantation hydrogène/hélium. Le substrat 42 est par exemple muni de motifs gravés, comme décrits cidessus. La gravure est réalisée à partir de la surface 43 et/ou de 30 la surface 47. Les deux substrats 40 et 42 ainsi préparés sont ensuite assemblés, face 43 contre face 41, par une technique de type "wafer bonding" (assemblage de tranches par toute technique connue dans le domaine de la microélectronique) ou par contact de type adhérent (par 35 exemple par adhésion moléculaire) ou par collage. On pourra se reporter, en ce qui concerne ces techniques, à l'ouvrage de Q.Y. Tong et U. Gôsele >, (Science and Technology), Wiley Interscience Publications. Une partie 44 du substrat 40 est ensuite éliminée par un traitement thermique ou mécanique permettant de provoquer une fracture 5 le long du plan de fragilisation 52. Un exemple de cette technique est décrit dans l'article de A.J. Auberton-Hervé et al. cité ci-dessus. La structure obtenue est celle de la figure 5B. Il peut être souhaitable, pour renforcer l'interface de collage ou d'assemblage entre le substrat 42 (ou sa face 43) et la couche mince 45 10 (ou la face de contact 41), d'effectuer une montée en température pouvant atteindre environ 1000 C. Lors de ces différentes montées en température, la structure de motifs gravés dans le substrat 42, et notamment leur flexibilité ou leur élasticité, permet de compenser ou d'absorber les contraintes et les 15 différences de variations dues à la différence entre les coefficients de dilatation thermique des deux substrats 40, 42. La différence relative entre ces coefficients peut être, comme déjà indiqué ci-dessus, d'au moins 10% ou d'au moins 20% ou d'au moins 30% à température ambiante. Le film 45 peut aussi être une couche de nucléation ou de 20 croissance telle que la couche 2, 10 ou 24 des figures i - 3C (le substrat 42 étant similaire au substrat 6, 16, 20 des figures i à 4). A la différence de ces dernières, cependant, la structure de la figure 5B ne présente pas de couche tampon. Le film 45 peut aussi être remplacé par un ensemble de films 25 superposés. Autrement dit, cet aspect de l'invention concerne non seulement un système monocouche sur substrat, mais tout système multicouche mettant en oeuvre un dépôt des couches sur un substrat. C'est par exemple l'association couche de nucléation - couche tampon des figures 1 - 3C. La formation d'un plan de fragilisation peut être obtenue par d'autres méthodes que par l'implantation d'ions. Ainsi, il est aussi possible de réaliser une couche de silicium poreux, comme décrit dans l'article de K. Sataguchi et al. D'autres techniques encore permettent de réaliser un amincissement des substrats sans mettre en oeuvre une implantation 2855650 il d'ions et sans créer de plan de fragilisation: il s'agit des techniques de polissage ou de gravure. REVENDICATIONS 1. Support pour croissance cristalline comportant: - une couche (2, 10) de nucléation, - une couche tampon (4, 14), polycristalline ou poreuse ou amorphe, - un substrat support (6, 16). 2. Support selon la revendication 1, la couche (2) de nucléation étant une couche en matériau monocristallin. 3. Support selon la revendication 2, le matériau monocristallin étant du 15 silicium ou du carbure de silicium (SIC) ou du nitrure de gallium (GaN), ou du saphir ou du nitrure d'aluminium (AIN) ou du diamant. 4. Support selon l'une des revendications 1 à 3, la couche de nucléation (2) étant obtenue par report à partir d'un autre substrat. 20 5. Support selon l'une des revendications 1 à 4, le substrat support (6, 16) étant en silicium (Si) ou en carbure de silicium (SiC) ou en saphir ou en nitrure d'aluminium (AIN) ou en diamant. 6. Support selon l'une des revendications 1 à 5, la couche tampon étant en silicium ou en silicium amorphe ou en silicium poreux ou en poly- silicium ou en carbure de silicium ou en nitrure de gallium ou en saphir ou en nitrure d'aluminium ou en nitrure de silicium. 7. Support selon l'une des revendications i à 6, la couche (10) de nucléation étant en silicium, la couche tampon (14) étant polycristalline ou poreuse, le substrat support (16) étant en un matériau semiconducteur, une couche (12) d'oxyde étant comprise entre le couche de nucléation et la couche tampon (14). 35 8. Support selon la revendication 7, la couche d'oxyde étant une couche d'oxyde de silicium, thermique ou déposé, ou une couche de verre de boro- phospho-silicate (BPSG). 9. Support selon l'une des revendications 1 à 8, la couche de nucléation ayant une épaisseur comprise entre 0,1 pm et 2 pm. 10. Support selon l'une des revendications 1 à 9, la couche tampon ayant une épaisseur comprise entre 0,01 pm et 2 pm. 10 11. Support selon l'une des revendications 1 à 10, comportant en outre des motifs (22, 23, 25, 43) gravés ou formés dans le substrat support (6, 26). 12. Support pour croissance cristalline comportant au moins une couche (24) de nucléation, et un substrat support (6, 16), dans lequel des motifs (22, 23, 25, 43) sont gravés ou formés ou réalisés, ces motifs présentant une élasticité, ou étant flexibles, dans un plan parallèle à la couche de nucléation. 13. Support selon la revendication 12, la couche de nucléation et le substrat support étant en silicium, une couche d'oxyde ou d'isolant étant située entre la couche de nucléation et le substrat. 14. Support selon la revendication 12 ou 13, comportant en outre une couche tampon (4, 14), ou intermédiaire, située entre la couche (24) de nucléation, ou la couche d'oxyde ou d'isolant, et le substrat support. 15. Support selon la revendication 14, la couche tampon étant polycristalline ou poreuse. 16. Support selon la revendication 15, la couche tampon étant en silicium ou en silicium amorphe ou en silicium poreux ou en poly35 silicium ou en carbure de silicium (SiC) ou en nitrure de gallium (GaN) ou en saphir ou en nitrure d'aluminium (AIN) ou en nitrure de silicium. 17. Support selon l'une des revendications 11 à 16, les motifs étant gravés ou formés ou réalisés dans, ou à partir de, la face (43) du substrat tournée vers la couche de nucléation, et/ou dans, ou à 5 partir de, la face (47) du substrat opposée à celle tournée vers la couche de nucléation (2, 10, 24). 18. Support selon l'une des revendications 11 à 16, des motifs étant gravés ou formés ou réalisés dans, ou à partir de, la face (43) du 10 substrat tournée vers la couche de nucléation, et étant partiellement ou complètement bouchés en surface (43) du substrat support. 19. Support selon l'une des revendications 11 à 18, les motifs étant en forme de plots ou de tranchées ou de traits de scie. 15 20. Procédé de croissance épitaxiale, dans lequel la croissance est réalisée sur un support selon l'une des revendications 1 à 19. 21. Procédé selon la revendication 20, le matériau dont la croissance est 20 réalisée étant du GaN, du GaAs, du InP, du GaAIAs, du InGaAs, du AIN, du AIGaN ou du SiGe.