FR 2880570 A1 20060714 FR 0650123 A 20060113 La présente invention se rapporte au domaine du polissage. En particulier, la présente invention se rapporte à un tampon de polissage chimique-mécanique (CMP) ayant une configuration de segments de rainures alternées radialement. Dans la fabrication de circuits intégrés et autres dispositifs électroniques, de multiples couches de matières conductrices, semiconductrices et diélectriques sont déposées sur et gravées dans une tranche de semi- conducteur. Des couches minces de matières conductrices, semi-conductrices et diélectriques peuvent être déposées grâce à de nombreuses techniques de dépôt. Des techniques de dépôt courantes dans le traitement de tranches moderne comprennent le dépôt physique en phase gazeuse (PVD) (également appelé projection), le dépôt chimique en phase gazeuse (CVD), le dépôt chimique en phase gazeuse amélioré par plasma (PECVD) et le plaquage électrochimique. Des techniques de gravure courantes comprennent la gravure isotrope et anisotrope humide et à sec, parmi d'autres. Lorsque les couches de matériaux sont déposées et gravées de manière séquentielle, la surface de la tranche devient non plane. Du fait qu'un traitement de semi-conducteur consécutif (par exemple une photolithographie) exige que la tranche ait une surface plate, la tranche doit être aplanie de manière périodique. L'aplanissement est utile afin d'enlever une topographie de surface indésirable ainsi que des défauts de surface, tels que des surfaces rugueuses, des matériaux agglomérés, un endommagement de réseau cristallin, des rayures et des couches ou des matériaux contaminés. Un aplanissement chimique-mécanique, ou polissage chimique- mécanique (CMP), est une technique courante utilisée pour aplanir des tranches de semi-conducteur et d'autres pièces. Dans le CMP conventionnel utilisant un polissoir rotatif à axe double, un support de tranche, ou une tête de polissage, est monté sur un ensemble de support. La tête de polissage maintient la tranche et la positionne en contact avec une couche de polissage d'un tampon de polissage à l'intérieur du polissoir. Le tampon de polissage a un diamètre plus grand que le double du diamètre de la tranche qui est aplanie. Pendant le polissage, le tampon de polissage et la tranche sont entraînés en rotation autour de leurs centres concentriques respectifs alors que la tranche est engagée avec la couche de polissage. L'axe de rotation de la tranche est décalé par rapport à l'axe de rotation du tampon de polissage d'une distance plus grande que le rayon de la tranche de telle sorte que la rotation du tampon balaie une piste de tranche annulaire sur la couche de polissage du tampon. Lorsque le mouvement seulement de la tranche est une rotation, la largeur de la piste de tranche est égale au diamètre de la tranche. Toutefois, dans certains polissoirs à axe double, la tranche est amenée à osciller dans un plan perpendiculaire à son axe de rotation. Dans ce cas, la largeur de la piste de polissage est plus grande que le diamètre de la tranche d'une valeur qui prend en compte le déplacement dû à l'oscillation. L'ensemble de support procure une pression pouvant être commandée entre la tranche et le tampon de polissage. Pendant le polissage, une pâte, ou un autre agent de polissage, est amenée à s'écouler sur le tampon de polissage et dans l'espace entre la tranche et la couche de polissage. La surface de tranche est polie et rendue plane par une action chimique et mécanique de la couche de polissage et de l'agent de polissage sur la surface. L'interaction entre les couches de polissage, l'agent de polissage et les surfaces de tranche pendant le polissage chimique-mécanique est étudiée de manière accrue dans un effort d'optimisation des conceptions de tampon de polissage. La plupart des développements de tampon de polissage ces dernières années ont été de nature empirique. La majeure partie de la conception des surfaces de polissage, ou des couches, s'est focalisée sur le fait de pourvoir ces couches de différents motifs de vides et d'agencements de rainure qui sont supposés améliorer l'utilisation de la pâte et l'uniformité de polissage. Ces dernières années, quelques motifs et agencements de rainure et de vides différents ont été mis en oeuvre. Les motifs de rainure de l'art antérieur comprennent un motif radial, circulaire concentrique, à grille cartésienne et en spirale, entre autres. Les configurations de rainure de l'art antérieur comprennent des configurations dans lesquelles la largeur et la profondeur de toutes les rainures sont uniformes parmi toutes les rainures et des configurations dans lesquelles la largeur ou la profondeur des rainures varie d'une rainure à l'autre. Certains des concepteurs de tampons pour CMP rotatifs ont conçu des tampons ayant des configurations de rainure qui comprennent deux configurations de rainure ou plus qui changent d'une configuration à l'autre sur la base d'une ou plusieurs distances radiales par rapport au centre du tampon. Ces tampons sont recherchés du fait qu'ils procurent des performances supérieures en termes d'uniformité de polissage et d'utilisation de pâte, entre autres choses. Par exemple, dans le brevet U. S. numéro 6 520 847 d'Osterheld et autres, Osterheld et autres décrivent plusieurs tampons ayant trois zones de forme annulaire concentriques, chacune contenant une configuration de rainures qui est différente des configurations des deux autres zones. Les configurations varient de différentes manières dans différentes formes de réalisation. Les manières selon lesquelles les configurations varient comprennent des variations de nombre, de section, d'espacement et de type de rainures. Dans un autre exemple de tampons pour CMP de l'art antérieur décrit dans la publication de demande de brevet coréen numéro 1020020020022198 de Kim et autres, le tampon de Kim et autres comprend une multiplicité de rainures non linéaires globalement radiales qui: (1) se courbent dans le sens de rotation de conception du tampon dans une partie radialement vers l'intérieur du tampon; (2) inversent la courbure â l'intérieur de la piste de tranche et (3) se courbent dans la direction opposée de la direction de rotation de conception à proximité de la périphérie extérieure du tampon. Kim et autres indiquent que cette configuration de rainure minimise les défauts en évacuant rapidement les sous-produits du processus de polissage. Bien que les concepteurs de tampons aient jusqu'à présent conçu des tampons pour CMP qui comprennent deux configurations de rainure ou plus qui sont différentes l'une de l'autre ou varient dans des zones différentes de la couche de polissage, ces conceptions ne tiennent pas compte directement des bénéfices qui peuvent résulter de la variation de vitesse dans laquelle l'agent de polissage s'écoule dans l'espace entre la tranche et le tampon sur la largeur de la piste de tranche. La recherche actuelle par le présent inventeur montre que le polissage peut être amélioré en permettant à l'agent de polissage de s'écouler relativement rapidement à l'intérieur de l'espace tampon-tranche dans une ou plusieurs zones de la piste de tranche tout en empêchant l'écoulement de l'agent de polissage dans une ou plusieurs autres zones de la piste de tranche. Par conséquent, il existe un besoin de conceptions de tampon de polissage pour CMP qui commandent et modifient la vitesse de l'écoulement de l'agent de polissage à l'intérieur de l'espace tampon-tranche. Dans un aspect de l'invention, il est prévu un tampon de polissage comportant: a) une couche de polissage configurée pour polir au moins un substrat magnétique, optique ou à semi-conducteur en présence d'un agent de polissage, la couche de polissage ayant un centre de rotation et comprenant une piste de polissage annulaire concentrique au centre de rotation et ayant une largeur; et b) une multiplicité de rainures, disposées dans la couche de polissage, chacune traversant la totalité de la largeur de la piste de polissage annulaire et comprenant une courbure extrinsèque ayant au moins deux discontinuités à l'intérieur de la piste de polissage annulaire, les au moins deux discontinuités étant dans des directions opposées l'une par rapport à l'autre et procurant une augmentation et une diminution de la valeur de la courbure extrinsèque, et ayant une première direction radialement vers l'intérieur de la première discontinuité, une deuxième direction entre la première discontinuité et la deuxième discontinuité, et une troisième direction radialement vers l'extérieur de la deuxième discontinuité, et le changement de direction entre au moins une paire de directions adjacentes est de -85 degrés à 85 degrés. Dans un autre aspect de l'invention, dans le tampon de polissage qui vient d'être décrit, N représente un nombre et chaque rainure a N discontinuités, N transitions apparaissant au niveau des N discontinuités, et N + 1 segments de commande d'écoulement disposés de manière alternée avec les N transitions, chacune des N transitions ayant une largeur qui n'est pas supérieure à la largeur de la piste de polissage divisée par 2N. Dans un autre aspect de l'invention, il est prévu un procédé de polissage d'au moins un substrat magnétique, optique, ou à semi- conducteur en présence d'un agent de polissage, comprenant le fait de: a) polir avec un tampon de polissage, le tampon de polissage comportant: i) une couche de polissage configurée afin de polir au moins un substrat magnétique, optique ou à semi-conducteur en présence d'un agent de polissage, la couche de polissage ayant un centre de rotation et comprenant une piste de polissage annulaire concentrique au centre de rotation et ayant une largeur, la piste annulaire ayant au moins trois zones de commande d'écoulement; et ii) une multiplicité de rainures, disposées dans la couche de polissage, chacune traversant la totalité de la largeur de la piste de polissage annulaire et comprenant une courbure extrinsèque ayant au moins deux discontinuités à l'intérieur de la piste de polissage annulaire, les au moins deux discontinuités étant dans des directions opposées l'une par rapport à l'autre et procurant une augmentation et une diminution de la valeur de la courbure extrinsèque, et ayant une première direction radialement vers l'intérieur de la première discontinuité, une deuxième direction entre la première discontinuité et la deuxième discontinuité, et une troisième direction radialement vers l'extérieur de la deuxième discontinuité, et le changement de direction entre au moins une paire de directions adjacentes est de -85 degrés à 85 degrés; et b) ajuster le taux d'enlèvement du substrat avec chacune des au moins trois zones de commande d'écoulement. La figure 1 est une vue en perspective d'une partie d'un polissoir à axe double adapté à une utilisation avec la présente invention; La figure 2A est une vue en plan d'un tampon de polissage de la présente invention contenant une multiplicité de rainures ayant chacune trois segments de commande d'écoulement et deux discontinuités progressives dans la pente à l'intérieur de la piste de polissage; la figure 2B est un tracé de la trajectoire de chaque rainure de la figure 2A; la figure 2C est un tracé de la pente de la trajectoire de chaque rainure de la figure 2A; la figure 2B est un tracé de la courbure extrinsèque de la trajectoire de chaque rainure de la figure 2A; La figure 3A est une vue en plan d'un tampon de polissage de la présente invention contenant une multiplicité de rainures ayant chacune trois segments de commande d'écoulement à courbure positive et deux discontinuités marquées dans la pente à l'intérieur de la piste de polissage; la figure 3B est un tracé de la trajectoire de chaque rainure de la figure 3A; la figure 3C est un tracé de la pente de la trajectoire de chaque rainure de la figure 3A; la figure 3D est un tracé de la courbure extrinsèque de la trajectoire de chaque rainure de la figure 3A; La figure 4A est une vue en plan d'un tampon de polissage de la présente invention contenant une multiplicité de rainures ayant chacune trois segments de commande d'écoulement à courbure positive et deux discontinuités progressives dans la pente à l'intérieur de la piste de polissage; la figure 4B est un tracé de la trajectoire de chaque rainure de la figure 4A; la figure 4C est un tracé de la pente de la trajectoire de chaque rainure de la figure 4A; la figure 4D est un tracé de la courbure extrinsèque de la trajectoire de chaque rainure de la figure 4A; La figure 5A est une vue en plan d'un tampon de polissage de la présente invention contenant une multiplicité de rainures ayant chacune deux segments de commande d'écoulement à courbure positive, un segment de commande d'écoulement à courbure négative et deux discontinuités progressives de largeur inégale dans la pente à l'intérieur de la piste de polissage; la figure 5B est un tracé de la trajectoire de chaque rainure de la figure 5A; la figure 5C est un tracé de la pente de la trajectoire de chaque rainure de la figure 5A; la figure 5D est un tracé de la courbure extrinsèque de la trajectoire de chaque rainure de la figure 5A; La figure 6A est une vue en plan d'un tampon de polissage de la présente invention contenant une multiplicité de rainures ayant chacune un segment de commande d'écoulement à courbure positive, deux segments de commande d'écoulement à courbure négative et deux discontinuités progressives dans la pente à l'intérieur de la piste de polissage; la figure 6B est un tracé de la trajectoire de chaque rainure de la figure 6A; la figure 6C est un tracé de la pente de la trajectoire de chaque rainure de la figure 6A; la figure 6D est un tracé de la courbure extrinsèque de la trajectoire de chaque rainure de la figure 6A; La figure 7A est une vue en plan d'un tampon de polissage de la présente invention contenant une multiplicité de rainures ayant chacune trois segments de commande d'écoulement en arc de cercle et deux discontinuités progressives dans la pente à l'intérieur de la piste de polissage; la figure 7B est un tracé de la trajectoire de chaque rainure de la figure 7A; la figure 7C est un tracé de la pente de la trajectoire de chaque rainure de la figure 7A; la figure 7D est un tracé de la courbure extrinsèque de la trajectoire de chaque rainure de la figure 7A; La figure 8A est une vue en plan d'un tampon de polissage de l'art antérieur contenant une multiplicité de rainures ayant chacune deux segments en arc de cercle et une discontinuité progressive dans la pente à l'intérieur de la piste de polissage; la figure 8B est un tracé de la trajectoire de chaque rainure de l'art antérieur de la figure 8A; la figure 8C est un tracé de la pente de la trajectoire de chaque rainure de l'art antérieur de la figure 8A; la figure 8D est un tracé de la courbure extrinsèque de la trajectoire de chaque rainure de l'art antérieur de la figure 8A; et La figure 9A est une vue en plan d'un tampon de polissage de la présente invention contenant une multiplicité de rainures ayant chacune cinq segments de commande d'écoulement à courbure positive et quatre discontinuités marquées dans la pente à l'intérieur de la piste de polissage; la figure 9B est un tracé de la trajectoire de chaque rainure de la figure 9A; la figure 9C est un tracé de la pente de la trajectoire de chaque rainure de la figure 9A; la figure 9D est un tracé de la courbure extrinsèque de la trajectoire de chaque rainure de la figure 9A. Si l'on se réfère aux dessins, la figure 1 illustre d'une manière générale les caractéristiques principales d'un polissoir pour polissage chimique-mécanique (CMP) à axe double 100 adapté à une utilisation avec un tampon de polissage 104 de la présente invention. Le tampon de polissage 104 comprend d'une manière générale une couche de polissage 108 destinée à engager un article, tel qu'une tranche de semi-conducteur 112 (traitée ou non traitée) ou une autre pièce, par exemple du verre, un affichage à panneau plat ou un disque de stockage d'information magnétique, entre autres, de façon à effectuer le polissage de la surface polie 116 de la pièce en présence d'un agent de polissage 120. Pour des raisons pratiques, le terme tranche est utilisé ci-dessous sans la perte de la généralité. De plus, comme cela est utilisé dans cette description, le terme agent de polissage comprend des solutions de polissage contenant des particules et des solutions ne contenant pas de particules, telles que des solutions de polissage sans abrasif et à liquide réactif. La couche de polissage 108 comprend une piste de tranche de manière typique annulaire, ou piste de polissage 122, qui est balayée par la tranche 112 lorsque le polissoir 100 entraîne en rotation le tampon de polissage 104 et que la tranche 112 est pressée contre le tampon. Comme cela a été mentionné ci-dessus et est décrit ci-dessous en détail, la présente invention comprend le fait de prévoir un tampon de polissage 104 avec une configuration de rainures(voir par exemple la configuration de rainure 144 de la figure 2A) qui, essentiellement, modifie la vitesse de l'agent de polissage 120 à l'intérieur de l'espace tampon-tranche sur la largeur de la piste de polissage 122. La modification de la vitesse de l'agent de polissage 120 selon la présente invention procure au concepteur du tampon de polissage 104 une autre option pour modifier les temps de séjour de l'agent de polissage dans différentes zones de la piste de polissage 122 de façon à permettre au concepteur davantage de commande sur le processus de polissage. Le polissoir 100 peut comprendre un plateau 124 sur lequel est monté le tampon de polissage 104. Le plateau 124 peut être entraîné en rotation autour d'un axe de rotation 128 par un dispositif d'entraînement de plateau (non représenté). La tranche 112 peut être supportée par un support de tranche 132 qui peut tourner autour d'un axe de rotation 136 parallèle à, et espacé de, l'axe de rotation 128 du plateau 124. Le support de tranche 132 peut présenter une liaison articulée (non représentée) qui permet à la tranche 112 de prendre un aspect très légèrement non parallèle à la couche de polissage 108, auquel cas les axes de rotation 128, 136 peuvent être légèrement décalés. La tranche 112 comprend une surface polie 116 qui fait face à la couche de polissage 108 et est aplanie pendant le polissage. Le support de tranche 132 peut être supporté par un ensemble de support (non représenté) prévu pour entraîner en rotation la tranche 112 et procurer une force vers le bas F afin d'appuyer la surface polie 116 contre la couche de polissage 108 de telle sorte qu'une pression souhaitée existe entre la surface polie et la couche de polissage pendant le polissage. Le polissoir 100 peut également comprendre une entrée d'agent de polissage 140 afin de délivrer de l'agent de polissage 120 à la couche de polissage 108. Comme l'homme du métier pourra l'apprécier, le polissoir 100 peut comprendre d'autres composants (non représentés) tels qu'un dispositif de commande de système, un système de stockage et de distribution d'agent de polissage, un système de chauffage, un système de rinçage et différentes commandes destinées à commander différents aspects du processus de polissage tels que: (1) des dispositifs de commande de vitesse et des sélecteurs pour une ou bien deux des vitesses de rotation de la tranche 112 et du tampon de polissage 104; (2) des dispositifs de commande et des sélecteurs destinés à modifier la vitesse et l'emplacement d'alimentation en agent de polissage 120 vers le tampon; (3) des dispositifs de commande et des sélecteurs destinés à commander l'amplitude de la force F appliquée entre la tranche et le tampon, et (4) des dispositifs de commande, des dispositifs d'actionnement et des sélecteurs destinés à commander l'emplacement de l'axe de rotation 136 de la tranche par rapport à l'axe de rotation 128 du tampon, entre autres. L'homme du métier comprendra comment ces composants sont construits et agencés de telle sorte qu'une explication détaillée de ceux-ci n'est pas nécessaire pour que l'homme du métier comprenne et mette en uvre la présente invention. Pendant le polissage, le tampon de polissage 104 et la tranche 112 sont entraînés en rotation autour de leurs axes de rotation 128, 136 respectifs et l'agent de polissage 120 est distribué depuis une entrée d'agent de polissage 140 sur le tampon de polissage en rotation. L'agent de polissage 120 s'étale sur la couche de polissage 108, y compris l'espace sous la tranche 112 et le tampon de polissage 104. Le tampon de polissage 104 et la tranche 112 sont de manière typique, mais pas nécessairement, entraînés à des vitesses choisies de 0,1 tour par minute à 150 tours par minute. La force F est de manière typique, mais pas nécessairement, d'une amplitude choisie afin d'induire une pression souhaitée de 6,9 à 103 kPa entre la tranche 112 et le tampon de polissage 104. La figure 2A illustre, en liaison avec le tampon de polissage 104 de la figure 1, une configuration de rainures 144 qui procure aux tampons une multiplicité de rainures 148 contenant une multiplicité de segments de commande d'écoulement CS1 à CS3 configurés chacun afin de commander la vitesse d'écoulement de l'agent de polissage 120 (figure 1) pendant le polissage. Les segments respectifs des segments de commande d'écoulement CS1 à CS3 peuvent être considérés comme s'étendant dans des zones de commande d'écoulement d'agent de polissage CZ1 à CZ3 correspondantes dans lesquelles l'agent de polissage (non représenté) s'écoule à différentes vitesses, en fonction de la forme et de la direction (davantage discutées ci-dessous) des segments de commande respectifs dans les zones. Dans le tampon de polissage 104 de la figure 2A, les segments de commande d'écoulement CS1 dans la zone de commande d'écoulement d'agent de polissage CZ1 sont configurés afin de faciliter l'écoulement de l'agent de polissage pendant le polissage. Plus particulièrement, les segments de commande d'écoulement CS1 sont linéaires et radiaux par rapport au centre de rotation 200 du tampon de polissage 104. Les segments de rainure radiale CS1 facilitent l'écoulement de l'agent de polissage en prévoyant des passages qui s'alignent avec l'écoulement radial de l'agent de polissage qui tendrait à se produire du fait de la force centrifuge lorsque le tampon de polissage 104 est entraîné en rotation à une vitesse constante, comme cela se produit de manière typique pendant le polissage. Comme les gens du métier l'apprécieront, si l'on souhaite que des segments de commande d'écoulement CS1 facilitent l'écoulement, ils ne doivent pas être radiaux ni linéaires. Par exemple, les segments de commande CS1 peuvent être courbes et enroulés , c'est- à-dire s'étendant d'une manière générale dans une direction dans ou opposée à la direction de rotation de conception 204, c'est-à-dire que le tampon de polissage a été conçu pour être entraîné en rotation pendant le polissage de façon à obtenir les effets souhaités des segments de commande d'écoulement CS1 à CS3. Les segments de commande d'écoulement CS2 du tampon de polissage 104 représentés sont configurés afin d'empêcher l'écoulement de l'agent de polissage pendant le polissage lorsque le tampon de polissage est entraîné en rotation dans la direction de rotation de conception 204. Dans ce cas, les segments de commande CS2 sont légèrement courbes et sont enroulés dans la direction de rotation de conception 204. Pendant le polissage, lorsque le tampon de polissage 104 est entraîné en rotation dans la direction de rotation de conception 204, cette configuration tend à retenir l'agent de polissage dans la zone de commande d'écoulement d'agent de polissage CZ2 jusqu'à ce qu'il soit soumis aux effets de la tranche 112 lorsqu'elle est entraînée en rotation contre le tampon de polissage. Comme l'homme du métier l'appréciera, des variables pour le segment de commande d'écoulement CS2 comprennent la courbure (ou l'absence de courbure) et l'orientation (direction par rapport à une ligne radiale), c'est-à-dire une direction d'enroulement (dans le sens des aiguilles d'une montre, représentant un angle négatif, ou dans le sens inverse des aiguilles d'une montre représentant un angle positif), s'il y en a. D'une manière similaire aux segments de commande d'écoulement CS1, les segments de commande CS2 ne doivent pas empêcher l'écoulement d'agent de polissage. Au contraire, ils peuvent être configurés pour faciliter l'écoulement de l'agent de polissage. Par exemple, les segments de commande d'écoulement CS2 peuvent être radiaux ou enroulés dans une direction opposée à la direction de rotation de conception 204. Dans la forme de réalisation représentée, les segments de commande d'écoulement CS3 dans la zone de commande d'écoulement d'agent de polissage CZ3 sont configurés essentiellement comme les segments de commande CS1, c'est-à-dire qu'ils sont linéaires et radiaux par rapport au centre de rotation 200 du tampon de polissage 104. De nouveau, cette configuration radiale tend à faciliter l'écoulement de l'agent de polissage pendant le polissage. Comme les segments de commande d'écoulement CS1 et CS2, les segments de commande CS3 peuvent avoir virtuellement n'importe quelle configuration qui facilite ou empêche l'écoulement de l'agent de polissage. Il est à noter que les effets des segments de commande d'écoulement CS1 à CS3, c'est-à-dire faciliter l'écoulement ou empêcher l'écoulement, sont relatifs, pas absolus. C'està-dire que le fait que les segments de commande d'écoulement CS1 à CS3 dans l'une quelconque des zones de commande d'écoulement d'agent de polissage CZ1 à CZ3 soient considérés comme facilitant l'écoulement ou empêchant l'écoulement est mesuré par rapport aux segments de commande d'écoulement dans une zone de commande d'écoulement adjacente suivante. Par exemple, dans une variante de configuration (non représentée), les segments de rainure CS1 à CS3 dans trois zones de commande d'écoulement d'agent de polissage CZ1 à CZ3 adjacentes peuvent tous être considérés comme facilitant l'écoulement dans un sens absolu, par exemple les segments dans une zone étant radiaux et les segments dans l'autre zone étant enroulés dans une direction opposée à la direction de rotation de conception, mais dans un sens relatif, l'un peut faciliter l'écoulement ou bien empêcher l'écoulement par rapport à l'autre. En d'autres termes, une configuration facilite davantage l'écoulement que l'autre. Les segments de commande d'écoulement CS1 et CS3 peuvent être appelés, respectivement, segments de commande d'écoulement de bord interne et segments de commande d'écoulement de bord externe , puisqu'ils commandent l'écoulement de l'agent de polissage dans des zones sous et adjacentes, respectivement, aux bords radialement vers l'intérieur et vers l'extérieur 208, 212 (par rapport au tampon de polissage 104) de la tranche 112 pendant le polissage. Spécialement lorsqu'un agent de polissage est distribué sur le tampon 104 radialement vers l'intérieur de la limite circulaire intérieure 216 de la piste de polissage 122, les segments de commande d'écoulement de bord interne CS1 peuvent s'étendre sur la limite interne dans la zone centrale 220 du tampon. De cette manière, des segments de commande d'écoulement de bord interne CS1 peuvent aider dans le mouvement de l'agent de polissage dans la piste de polissage 122. D'une manière similaire, lorsque la limite extérieure circulaire 222 de la piste de polissage 122 est disposée radialement vers l'intérieur par rapport à la périphérie extérieure 230 du tampon 104, les segments de commande d'écoulement de bord externe CS3 s'étendent de préférence sur la limite extérieure afin d'aider le mouvement de l'agent de polissage hors de lapiste de polissage 122. De plus, il est à noter qu'il est souvent, mais pas toujours, souhaitable que les segments de commande d'écoulement de bord interne et externe CS1, CS3 aient la même orientation et la même courbure l'un par rapport à l'autre de façon à traiter essentiellement la zone de bord de la tranche 112 comme au niveau des zones radialement vers l'intérieur et vers l'extérieur de la piste de polissage 122. Dans ce contexte, l'orientation peut être basée sur le centre transversal de la trajectoire de rainure dans les segments de commande d'écoulement CS1 à CS3 correspondants, et est mesurée par l'angle qu'elle forme par rapport à une ligne radiale R (représentée dans la figure 2A). Par conséquent, l'orientation de deux segments de commande d'écoulement peut être comparée que les segments de commande d'écoulement soient adjacents ou non. Par exemple, si le segment de commande d'écoulement CS1 est radial et le segment de commande d'écoulement CS3 est radial, ils peuvent être dits ayant la même orientation (même s'ils peuvent ne pas avoir la même direction). La courbure peut être définie comme la courbure extrinsèque de ce segment. La courbure extrinsèque est décrite plus en détail ci-dessous. Puisque les effets des segments de commande d'écoulement CS1 à CS3 sur l'écoulement de l'agent de polissage diffèrent d'une zone de commande d'écoulement d'agent de polissage CZ1 à CZ3 à la zone suivante, il est souvent souhaitable de pourvoir chaque rainure 148 d'un segment de transition TS1, TS2 pour la transition d'un segment de commande d'écoulement CS1 à CS3 vers le segment de commande d'écoulement immédiatement adjacent. Ces segments de transition TS1, TS2 peuvent être considérés comme s'étendant dans des zones de transition annulaires TZ1, TZ2 disposées entre des zones correspondantes des zones de commande d'écoulement CZ1 à CZ3. Afin de prévoir des zones de vitesses d'écoulement d'agent de polissage différentes sous la tranche 112, c'est- à-dire à l'intérieur de la piste de polissage 122, il est facile de voir que la zone de transition TZ1 doit être contenue totalement à l'intérieur de la piste de polissage et espacée de la limite intérieure 216 de la piste de polissage de telle sorte qu'au moins une partie de la zone de commande d'écoulement CZ1 s'étend à l'intérieur de la piste de polissage. De même, si au moins une partie de la zone de commande d'écoulement CZ3 s'étend à l'intérieur de la piste de polissage 122, la zone de transition TZ2 doit également être contenue totalement à l'intérieur de la piste de polissage et espacée de la limite extérieure 224 de la piste de polissage. Si l'on se réfère aux figures 2B à 2D, et également à la figure 2A, les figures 2B à 2D illustrent comment chaque rainure 148 (reproduite dans la figure 2B) peut être décrite en termes de sa direction (figure 2B) , de sa pente (figure 2C) et de sa courbure extrinsèque K (figure 2D). Le vecteur de direction V1 à V3 de chaque segment de commande d'écoulement CS1 à CS3 est donné par l'axe transversal de la trajectoire de rainure dans la zone de commande d'écoulement respective. Chaque vecteur de direction V1 à V3 forme un angle par rapport à un vecteur de direction adjacent. L'angle a est formé par l'intersection du vecteur de direction V1 et du vecteur de direction V2. L'angle est formé par l'intersection du vecteur de direction V2 et du vecteur de direction V3. Lorsque les angles a et [3 sont proches de 90 , l'écoulement de l'agent de polissage est freiné. Ceci est particulièrement vrai lorsque le changement de direction entre une paire de segments de commande d'écoulement adjacents est brutal (correspondant à une petite zone de transition). De préférence, le changement de direction, tel que mesuré par l'angle formé par leurs vecteurs de direction respectifs, entre au moins une paire de segments de commande d'écoulement adjacents est de - 85 à 85 (-85 à 0 et 0 à 850). De préférence, le changement de direction, tel que mesuré par l'angle formé par leurs vecteurs de direction respectifs, entre au moins une paire de segments de commande d'écoulement adjacents est de -75 à 75 (-75 à 0 et 0 à 750). De préférence, le changement de direction entre au moins une paire de segments de commande d'écoulement adjacents est de -60 à 60 (-60 à 0 et 0 à 60 ). De préférence encore, ces plages de changement de direction s'appliquent à tous les segments de commande d'écoulement adjacents. Comme cela est bien connu en mathématique, la pente d'une courbe plane est égale à la dérivée première de la fonction qui définit la courbe. La figure 2C est un tracé de pente 240 de la pente de la rainure 148 de la figure 2B. Le tracé de pente 240 va être décrit plus en détail ci-dessous en liaison avec la courbure extrinsèque des rainures 148. Comme cela est bien connu en mathématique, la courbure extrinsèque K d'une courbe plane en un point donné sur la courbe est définie comme la dérivée d'un angle tangent par rapport à la courbe en ce point. Si 0(s) désigne l'angle que la courbe fait avec un axe de référence fixe en fonction d'une longueur de passage s le long de la courbe, alors K = dO/ds. Une courbe plane peut être définie en utilisant les coordonnés cartésiennes x et y, dans lesquelles x et y sont des coordonnées orthogonales naturellement à l'échelle, ce qui signifie que (ds)2 (dx)2 (dy)2 et 0 = tan(dy/dx). Par conséquent, ds/dx = [1 + (dy/dx)2]1/2. Par conséquent, la courbure K peut être déterminée en évaluant directement la dérivée de/ds comme suit: de dx. de K= ds ds dx s (dy\ d tan_1(dx)_ dx d2y dx2 d2y dx2 1+(dy) 2 / (dy\2-_ 3/2 L,{! JJ 1 + 1 + La figure 2D montre un tracé de courbure 244 de la courbure K par rapport â la position radiale le long de la rainure 148 telle que mesurée le long de l'axe x. D'après le tracé de courbure 244, on voit facilement que la courbure extrinsèque de la rainure 148 (figure 2B) a deux discontinuités Dl, D2 correspondant aux segments de transition TS1 et TS2 (figures 2A et 2B). Les discontinuités Dl, D2 sont dues à la courbure de la rainure 15 148 qui change de direction dans chaque segment de transition TS1 et TS2. C'est-à-dire que, en déplaçant la rainure 148 de la figure 2B de gauche à droite dans la figure, la discontinuité Dl est due au segment de transition TS1 qui se déplace globalement vers la gauche 20 depuis le segment de commande d'écoulement de bord interne radial CS1 jusqu'au segment de commande d'écoulement intermédiaire enroulé dans le sens inverse des aiguilles d'une montre CS2, et la discontinuité D2 est due au segment de transition TS2 qui se déplace globalement vers la droite 25 depuis le segment de commande d'écoulement intermédiaire CS2 jusqu'au segment de commande d'écoulement de bord externe radial CS3. Dans le présent exemple, chacun des segments de commande d'écoulement de bord interne et externe CS1, CS3 30 est linéaire et le segment de commande d'écoulement intermédiaire CS2 est un arc d'une courbe en spirale. Comme cela est illustré ci-dessous dans d'autres exemples, la configuration de chaque segment de commande d'écoulement CS1 à CS3 peut être différente de la configuration représentée. Par exemple, n'importe lequel des segments de commande d'écoulement CS1 à CS3 peut être linéaire, un arc d'une spirale, un arc de cercle ou un arc d'une autre forme courbe, telle qu'une ellipse. D'une manière générale, les configurations des segments de commande d'écoulement CS1 à CS3 découlent de la conception du tampon de polissage afin d'obtenir un résultat particulier, tel que par exemple un taux d'enlèvement uniforme depuis le centre de la tranche jusqu'au bord de la tranche. Il est à noter que les discontinuités Dl, D2 sont dans des directions opposées l'une par rapport à l'autre, c'est-à-dire qu'une des discontinuités (Dl) correspond à une augmentation de courbure extrinsèque et l'autre discontinuité (D2) correspond à une diminution de courbure extrinsèque, telle que vue depuis la gauche vers la droite le long de la rainure 148. Il en va nécessairement ainsi dans n'importe quelle rainure, telle que la rainure 148, qui a trois segments de commande d'écoulement, tels que des segments de commande d'écoulement CS1 à CS3, et dans laquelle les segments de commande d'écoulement interne et externe ont les mêmes orientations l'un par rapport à l'autre et différentes de l'orientation du segment de commande d'écoulement intermédiaire. Lorsque chaque rainure (148) a trois segments de commande d'écoulement (CS1 à CS3) et deux segments de transition (TS1, TS2), afin d'obtenir les bénéfices de l'invention, chacun des segments de commande d'écoulement de bord interne et externe (CS1, CS3) doit être au moins partiellement dans la piste de polissage (122) (ils doivent être totalement dans la piste de polissage s'ils ne s'étendent pas sur les limites intérieure et extérieure). Il en résulte que chaque segment de transition (TS1, TS2) et segment de commande d'écoulement intermédiaire (CS2) est totalement à l'intérieur de la piste de polissage 122. Par conséquent, il doit y avoir une sorte de limite sur les largeurs de chacune des cinq zones, c'est-à- dire les zones de commande d'écoulement CZ1 à CZ3 et les deux zones de transition TZ1, TZ2. Pour parler d'une manière pratique, on préfère actuellement que la largeur WT de chaque zone de transition (par exemple TZ1, TZ2) ne soit pas supérieure à la largeur Wp de la piste de polissage divisée par deux fois le nombre N de discontinuités (par exemple Dl, D2), ou bien WT Wp/(2N). Il est préférable que la largeur WT de chaque zone de transition ne soit pas supérieure à la largeur Wp de la piste de polissage divisée par quatre fois le nombre N de discontinuités, ou bien WT Wp/(4N) de telle sorte que chaque zone de commande d'écoulement CZ1 à CZ3 peut avoir une largeur WC raisonnable. Comme cela a été noté ci- dessus, il est souvent souhaitable de configurer les rainures 148 de telle sorte que leurs segments de commande d'écoulement de bord interne et externe CS1, CS3 ont sensiblement le même effet sur la zone de la tranche 112 adjacente au bord de tranche. Il en résulte qu'il est souvent souhaitable, mais pas nécessaire, de rendre les largeurs WC des zones de commande d'écoulement CZ1, CZ3 égales ou sensiblement égales l'une à l'autre. Une discontinuité, telle que chacune des discontinuités Dl, D2, est généralement de l'un quelconque des trois types, en fonction de la configuration des segments de transition TS1, TS2 correspondants. Un premier type de discontinuité apparaît sous forme d'une crête dans le tracé de courbure et peut être appelé discontinuité progressive . Si l'on se réfère à la figure 2D, les deux discontinuités Dl, D2 sont du type crête. D'une manière générale, le type crête est caractérisé par la crête à la sortie, par exemple les crêtes S1, S2, ayant une largeur WT non nulle, qui correspond à la largeur de la zone de transition correspondante, par exemple les zones de transition TZ1, TZ2 dans l'exemple représenté dans les figures 2A et 2B. Lorsqu'une discontinuité est du type crête, la partie de transition correspondante du tracé de pente 240, par exemple les parties de transition TP1, TP2 de la figure 2C dans l'exemple, est généralement non verticale. Si on se réfère maintenant aux figures 3A à 3B, les figures 3A et 3B montrent un tampon de polissage 300 ayant une multiplicité de rainures équivalentes 304 qui sont globalement similaires aux rainures 148 des figures 2A et 2B, mais ont des segments de commande d'écoulement de bord interne et externe courbés de manière positive CSli, CS31 au lieu des segments de commande d'écoulement de bord interne et externe linéaires CS1, CS3 des figures 2A et 2B. Il est à noter que chaque segment de commande d'écoulement CS11 à CS3' est un arc d'une spirale. Comme avec les rainures 148 des figures 2A et 2B, chaque segment de commande d'écoulement CS11 à CS3' peut avoir une autre forme. Le vecteur de direction V11 à V3' de chaque segment de commande CS1' à CS3' est donné par l'axe transversal de la trajectoire de rainure dans la zone de commande d'écoulement respective. L'angle a' est formé par l'intersection du vecteur de direction V11 et du vecteur de direction V21. L'angle (3' est formé par l'intersection du vecteur de direction V21 et du vecteur de direction V31. De plus, chaque rainure 304 a un deuxième type de discontinuité D11, D21, qui apparaît globalement sous la forme d'une ligne verticale 308, 312 (figure 3D) dans le tracé de courbure correspondant 316. Une discontinuité marquée n'a généralement pas une largeur WT comme cela apparaît dans la discontinuité de type crête ou progressive (telles que les discontinuités Dl, D2 de la figure 2D) et peut être appelée discontinuité marquée . Dans le présent exemple, les deux discontinuités D11, D2I dans la figure 3D sont des discontinuités marquées. D'une manière correspondante, les parties de transition TP11, TP21 du tracé de pente 320 correspondant aux discontinuités Dl', D21 sont de la même manière verticales, ce qui indique le caractère marqué des transitions. D'autres caractéristiques des rainures 304 des figures 3A et 3B peuvent être les mêmes que les rainures 148 des figures 2A et 2B. Par exemple, les segments de commande d'écoulement de bord interne et externe CS11, CS31 peuvent, mais ne doivent pas nécessairement, s'étendrent sur les limites intérieure et extérieure 324, 328 de la piste de polissage 332, et peuvent avoir sensiblement les mêmes orientations et courbures l'un par rapport à l'autre. De plus, chaque segment de commande d'écoulement CSli à CS31 peut avoir une orientation et une courbure souhaitées quelconques adaptées à un usage particulier. De nouveau, il est à noter que les discontinuités D11, D21 apparaissent toutes les deux à l'intérieur de la piste de polissage 332. Un troisième type de discontinuité (non représenté) qui est possible peut être appelé une discontinuité brutale , qui est formée lorsque la transition est essentiellement un coin entre deux segments de commande d'écoulement, c'est-à-dire que la zone de transition a une largeur nulle. Le tracé de pente (non représenté) d'une rainure ayant une discontinuité brutale peut avoir un saut correspondant à la discontinuité brutale. Si l'on se réfère aux figures 3A à 3D, si la rainure 304 a deux discontinuités brutales plutôt que deux discontinuités Dli, Dll, le tracé de pente 320 de la figure 3C aurait seulement les parties 330, 340, 344 correspondant aux segments de commande d'écoulement CSli à CS31. C'est-à-dire que les parties de transition verticales TPli, TP21 ne seraient pas présentes puisque la pente sauterait au- dessus du coin, sans aucune transition entre. D'une manière correspondante, le tracé de courbure (non représenté) pourrait avoir des sauts au niveau des deux discontinuités. Par conséquent, le tracé de courbure ressemblerait au tracé de courbure 316 de la figure 3D, mais n'aurait pas les parties verticales 308, 312. Seules les parties 348, 352, 356 correspondant aux trois segments de commande d'écoulement CS11 à CS31 seraient présentes. Si l'on se réfère aux figures 4A à 4D, la figure 4A illustre un tampon de polissage 400 de la présente invention ayant une multiplicité de rainures équivalentes 404 qui sont sensiblement les mêmes que les rainures 304 de la figure 3A, excepté que les rainures 404 de la figure 4A ont chacune deux discontinuités progressives Dl", D211 (figure 4D) à l'intérieur de la piste de polissage 408 plutôt que des discontinuités marquées Dl1, D21 (figure 3D) des rainures 304 du tampon de polissage 300. (La figure 4B montre une des rainures 404 reproduite dans un système de coordonnées pratique pour analyser la pente et la courbure des rainures). De nouveau, comme cela a été discuté ci- dessus en liaison avec les figures 2C et 2D, des discontinuités progressives, telles que les discontinuités Dl", D211, sont globalement caractérisées par des crêtes 511, S21 dans le tracé de courbure 412 (figure 4D) et les parties de transition TPlii, TP21i du tracé de pente 416 de la figure 4C qui sont inclinées dans les zones de transition annulaires TZ11, TZ21. Tous les autres aspects des rainures 404 peuvent être identiques aux rainures 304 des figures 3A et 3B, tels que la courbure et l'orientation entre autres. Bien sûr, cependant, les rainures 404 peuvent être différentes dans ces aspects ainsi que d'autres, par exemple courbure et orientation et longueur des segments de commande d'écoulement, etc. comme cela a été décrit ci-dessus en liaison avec les rainures 148 des figures 2A et 2B. Il est à noter que dans chaque rainure 404 du tampon 400, la pente de chaque segment de commande d'écoulement CS111 à CS3' est positive, c'est- à-dire que chaque segment se courbe vers la gauche en progressant depuis l'extrémité radialement vers l'intérieur de la rainure correspondante jusqu'à l'extrémité radialement vers l'extérieur par rapport au tampon. Les figures 5A à 5D se rapportent à un autre tampon de polissage 500 de la présente invention dans lequel des segments de commande d'écoulement CS1m, CS2111 de rainure 504 ont des pentes positives et un segment de commande d'écoulement CS3111 a une pente négative par rapport au déplacement des rainures depuis leurs extrémités radialement vers l'intérieur jusqu'aux extrémités radialement vers l'extérieur. D'une manière correspondante, chaque rainure 504 a deux discontinuités Dltm, D2tm à l'intérieur de la piste de polissage 508. Dans cet exemple, les discontinuités Dlm, D2m sont du type progressif, comme cela est caractérisé par des crêtes Slii, S21i dans le tracé de courbure 512. Dans ce cas, les largeurs des discontinuités Dlm, D2i11, et de manière correspondante les largeurs des zones de transition TZ111, TZ211 sont remarquablement différentes l'une de l'autre. La nature positive de la courbure des segments de commande d'écoulement CS11II, CS2111 est clairement représentée dans le tracé de pente 516 de la figure 5C par la tendance vers le haut de parties 520, 524 et dans le tracé de courbure 512 de la figure 5D et par des parties 528, 532 indiquant des valeurs positives. D'une manière correspondante, la nature négative de la courbure du segment de commande d'écoulement CS3111 se voit facilement dans le tracé de pente 516 de la figure 5C grâce à la tendance vers le bas de la partie 536 et dans le tracé de courbure 512 de la figure 5D grâce à la partie 540 indiquant des valeurs négatives. Dans cet exemple, tous les segments de commande d'écoulement CS1111 à CS3111 sont représentés comme étant des arcs de spirale. De nouveau, ceci ne doit pas toutefois nécessairement être ainsi. Les segments de commande d'écoulement CSllii à CS3'1' peuvent chacun avoir une forme quelconque souhaitée afin de répondre aux exigences de conception pour une application particulière. Les figures 6A à 6D illustrent un tampon de polissage 600 et des rainures 604 correspondantes de la présente invention qui sont globalement similaires au tampon de polissage 500 et aux rainures 504 des figures 5A à 5D, excepté que, plutôt que des segments de commande d'écoulement CSliv ayant une courbure positive comme dans les segments de commande d'écoulement CSlill des figures 5A à 5D, les segments de commande d'écoulement CSli' ont une courbure négative. La courbure négative est facilement vue dans la tendance vers le bas de la partie 608 du tracé de pente 612 de la figure 6C et dans la partie 616 du tracé de courbure 620 de la figure 6D qui indique des valeurs négatives. Les courbures des segments de commande d'écoulement CS21V, CS31v sont, de manière respective, positives et négatives d'une manière similaire aux courbures des segments de commande d'écoulement CS2m, CS3m des figures 5A et 5B. Les deux discontinuités Dllv, D21v (figure 6D) de chaque rainure 604 sont, comme les discontinuités Dllll, D21i1, progressives, de longueur inégale, et apparaissent dans la piste de polissage 624. De nouveau, tous les segments de commande d'écoulement CS21v à CS31V des figures 6A et 6B sont représentés comme étant des arcs de spirale, et ne doivent pas nécessairement être ainsi. Les figures 7A à 7D se rapportent à un tampon de polissage 700 de la présente invention contenant une multiplicité de rainures équivalentes 704 ayant chacune trois segments de commande d'écoulement en arc de cercle CS1V à CS3V reliés l'un à l'autre par deux transitions très courtes 708, 712 (voir le tracé de pente 716 de la figure 7C) à l'intérieur de la piste de polissage 720. Comme cela se voit dans le tracé de courbure 724 de la figure 7B, les discontinuités Dlv, D2v au niveau des segments de transition 708, 712 sont des discontinuités marquées, comme cela est mis en évidence par les deux parties verticales 728, 732. A des fins de comparaisons du tampon de polissage 700 et de ses rainures 704, comme cela est représenté dans les figures 7A à de polissage de l'art antérieur publication de 1020020022198 au 7D, les figures 8A à 8D montrent un tampon l'art antérieur 800 et ses rainures de 804 configurées selon l'objet de la demande de brevet coréen numéro nom de Kim et autres mentionné ci-dessus. D'une manière similaire aux rainures 704 des figures 7A et 7B, les rainures de l'art antérieur 804 des figures 8A et 8B sont sous la forme de segments circulaires. Toutefois, chaque rainure de l'art antérieur 804 a seulement deux segments circulaires 808, 812, au contraire des trois segments CSlv à CS3v représentés dans les figures 7A et 7B. Par conséquent, chaque rainure de l'art antérieur 804 a seulement une unique discontinuité 816, dans ce cas une discontinuité marquée, comme cela est indiqué par la partie verticale 820 du tracé de courbure 824 de la figure 8D. Alors que la discontinuité unique 816 se trouve à l'intérieur de la piste de polissage 830, le fait qu'il y ait une seule discontinuité est en net contraste avec le tampon de polissage 700 des figures 7A à 7D, qui a deux discontinuités Dl', D2', qui apparaissent toutes les deux à l'intérieur de la piste de polissage 708. Avec seulement une unique discontinuité 816 à l'intérieur de chacune de ses rainures 804, le tampon de polissage de l'art antérieur 800 des figures 8A à 8D ne peut procurer l'un quelconque des nombreux bénéfices qu'un tampon de polissage de la présente invention peut procurer. D'une manière importante, le tampon de polissage de l'art antérieur 800 ne peut traiter les bords radialement interne et externe 208, 210 de la tranche 112 (figure 8A) de la même manière l'un par rapport à l'autre. Par conséquent, le tampon de l'art antérieur 800 ne peut obtenir les mêmes caractéristiques de polissage qu'un tampon de polissage de la présente invention, par exemple les tampons de polissage 104, 200, 300, 400, 500, 600, 700, 900. Comme cela a été mentionné ci-dessus en liaison avec les figures 2A à 2D, un tampon de polissage de la présente invention n'est pas limité au fait d'avoir seulement trois segments de commande d'écoulement et deux discontinuités correspondantes. Au contraire, un tampon de polissage de la présente invention peut avoir quatre segments de commande d'écoulement ou plus et, de manière correspondante, trois discontinuités ou plus disposées chacune entre deux segments de commande d'écoulement correspondant. Par exemple, les figures 9A à 9D se rapportent à un tampon de polissage 900 de la présente invention qui comprend une multiplicité de rainures équivalentes 904 ayant chacune cinq segments de commande d'écoulement CSlvl, CS2v1, CS3"1, CS4V1, CS5V1 (figures 9A et 9D) et quatre discontinuités Dl'', D2 ', D3v1, D4"' (figure 9D), qui apparaissent toutes à l'intérieur de la rainure de polissage 908. Dans le présent exemple, tous les segments de commande d'écoulement CSIV1, CS2v1, CS3V1, CS4V1, CS5v" sont des arcs de spirale et ont tous une courbure positive. Comme les segments de commande d'écoulement des autres tampons de polissage de la présente invention, par exemple les tampons des figures 2A, 3A, 4A, 5A, 6A et 7A, les segments de commande CS1'1, CS2V1, CS3'1, CS4V1, CS5v' du tampon de la figure 9A peuvent avoir une forme et une courbure quelconques souhaitées afin de s'adapter à une conception particulière. Il est à noter que chaque discontinuité D1, D2 1, D3', D4'1 est une discontinuité marquée, qui est caractérisée principalement par des parties verticales 912, 916, 920, 924 correspondantes du tracé de courbure 928 de la figure 9D. Dans d'autres formes de réalisation, des discontinuités Dlvi, D2vl peuvent être toutes d'un autre type, c'est-à- dire progressif ou brutal, ou peuvent être une combinaison quelconque de discontinuités du type progressif, marqué et brutal lorsque cela est souhaité. Comme cela a été exposé ci-dessus, une raison de la séparation de la piste de polissage en trois zones de section d'écoulement ou plus est de permettre à un concepteur de tampon d'adapter les tampons de polissage à l'opération de polissage à la main afin d'améliorer le polissage autant que possible. D'une manière générale, un concepteur réalise cela en comprenant comment l'écoulement d'un agent de polissage dans l'espace entre la tranche et le tampon de polissage dans les multiples zones affecte le polissage. Par exemple, un certain polissage bénéficie du fait d'avoir l'agent de polissage dans les zones de commande d'écoulement près des bords de la tranche, par exemple les zones CZ1 et CZ3 dans la forme de réalisation de la figure 2A, qui s'écoule à travers ces zones de commande d'écoulement relativement rapide de façon à réduire le temps de résidence de l'agent de polissage dans ces zones. Dans ce même type de polissage, il peut également être souhaitable que l'agent de polissage ait des temps de résidence plus longs dans la partie centrale de la tranche, par exemple dans la zone de commande d'écoulement CZ2 de la figure 2A. Dans ce cas, le concepteur peut choisir de pourvoir le tampon de segments de rainure fortement radiale CS1 et CS3 dans les zones de commande d'écoulement CZ1 et CZ3 qui facilitent l'écoulement de l'agent de polissage et de segments de rainure plus circonférentielle CS2 dans la zone de commande d'écoulement CZ2 qui empêchent l'écoulement de l'agent de polissage. De cette manière, un concepteur peut adapter le profil de l'écoulement d'agent de polissage radialement à travers la piste de polissage. Dans d'autres types de polissage, l'opposé peut être souhaitable. C'est-à-dire que, dans d'autres types de polissage, des temps de résidence relativement longs dans les zones de commande d'écoulement CZ1 et CZ3 et des temps de résidence relativement courts dans la zone de commande d'écoulement CZ2 peuvent être souhaitables. Pendant le polissage, le substrat est de préférence en contact au moins de trois zones de commande d'écoulement afin d'ajuster le taux d'enlèvement dans des zones correspondantes du substrat. Ainsi, l'ajustement de la courbure extrinsèque dans différentes zones d'écoulement peut procurer un ajustement de profil, par exemple corriger un profil de tranche à centre élevé ou bord élevé. REVENDICATIONS 1. Tampon de polissage caractérisé en ce qu'il comporte: une couche de polissage (108) configurée afin de polir au moins un substrat magnétique, optique ou semi-conducteur en présence d'un agent de polissage, la couche de polissage (108) ayant un centre de rotation et comprenant une piste de polissage annulaire (122) concentrique au centre de rotation et ayant une largeur (Wp); et b) une pluralité de rainures (148), disposées dans la couche de polissage (108), chacune traversant la totalité de la largeur (Wp) de la piste de polissage annulaire (122) et comprenant une courbure extrinsèque (x) ayant au moins deux discontinuités à l'intérieur de la piste de polissage annulaire (122), les au moins deux discontinuités étant dans des directions opposées l'une par rapport à l'autre et procurant une augmentation et une diminution de la valeur de la courbure extrinsèque (x), et ayant une première direction radialement vers l'intérieur de la première discontinuité, une deuxième direction entre la première discontinuité et la deuxième discontinuité, et une troisième direction radialement vers l'extérieur de la deuxième discontinuité, et le changement de direction entre au moins une paire de directions adjacentes est de -85 degrés à 85 degrés. 2. Tampon de polissage selon la revendication 1, caractérisé en ce que les au moins deux discontinuités de chacune des rainures (148) séparent cette rainure de façon 0 à avoir un segment de commande d'écoulement de bord interne (CS1), un segment de commande d'écoulement de bord externe (CS3) et au moins un segment d'écoulement intermédiaire (C52) disposé entre le segment de commande d'écoulement de bord interne (CS1) et le segment de commande d'écoulement de bord externe (CS3). 3. Tampon de polissage selon la revendication 2, caractérisé en ce que le segment de commande d'écoulement de bord interne (CS1) a une première orientation et une première courbure et le segment de commande d'écoulement de bord externe (CS3) a une deuxième orientation et une deuxième courbure chacune la même que la première orientation et la première courbure. 4. Tampon de polissage selon la revendication 3, caractérisé en ce que chacune des première et deuxième orientations est radiale. 5. Tampon de polissage selon la revendication 3, caractérisé en ce que chacune des première et deuxième courbures est nulle. 6. Tampon de polissage selon l'une quelconque des revendications précédentes, caractérisé en ce que chacune des rainures a au moins trois discontinuités dans la courbure et en ce que des discontinuités adjacentes des au moins trois discontinuités sont dans des directions opposées l'une par rapport à l'autre. 7. Tampon de polissage selon l'une quelconque des revendications précédentes, caractérisé en ce que la piste de polissage annulaire a une limite intérieure circulaire et une limite extérieure circulaire espacées par la largeur (Wp), chacune des rainures ayant un segment de commande d'écoulement de bord interne qui coupe la limite intérieure et un segment de commande d'écoulement de bord externe qui coupe la limite extérieure. 8. Tampon de polissage selon l'une quelconque des revendications précédentes, caractérisé en ce que N représente un nombre et chaque rainure a N discontinuités, N transitions apparaissant au niveau des N discontinuités, et N + 1 segments de commande d'écoulement disposés de manière alternée avec les N transitions, chacune des N transitions ayant une largeur (WT) qui n'est pas supérieure à la largeur (Wp) de la piste de polissage divisée par 2N. 9. Tampon de polissage selon la revendication 8, caractérisé en ce que la largeur (WT) de chacune des N transitions n'est pas supérieure à la largeur (Wp) de la piste de polissage divisée par 4N. 10. Procédé de polissage d'au moins un substrat magnétique, optique, ou semi-conducteur en présence d'un agent de polissage, caractérisé en ce qu'il comprend le fait de: a) polir avec un tampon de polissage, le tampon de polissage comportant: i) une couche de polissage (108) configurée afin de polir au moins un substrat magnétique, optique ou à semi-conducteur en présence d'un agent de polissage, la couche de polissage (108) ayant un centre de rotation et comprenant une piste de polissage annulaire {122) concentrique au centre de rotation et ayant une largeur (Wp), la piste annulaire ayant au moins trois zones de commande d'écoulement (CZ1 à CZ3); et ii) une multiplicité de rainures (148), disposées dans la couche de polissage (108), chacune traversant la totalité de la largeur (Wp) de la piste de polissage {122) annulaire et comprenant une courbure extrinsèque (K) ayant au moins deux discontinuités à l'intérieur de la piste de polissage annulaire (122), les au moins deux discontinuités étant dans des directions opposées l'une par rapport à l'autre et procurant une augmentation et une diminution de la valeur de la courbure extrinsèque (K), et ayant une première direction radialement vers l'intérieur de la première discontinuité, une deuxième direction entre la première discontinuité et la deuxième discontinuité, et une troisième direction radialement vers l'extérieur de la deuxième discontinuité, et le changement de direction entre au moins une paire de directions adjacentes est de -85 degrés à 85 degrés; et b) ajuster le taux d'enlèvement du substrat avec chacune 15 des au moins trois zones de commande d'écoulement (CZl à CZ3).