FR 2865574 A1 20050729 FR 0400694 A 20040126 La présente invention concerne un procédé de fabrication d'un substrat démontable réalisé à partir de matériaux semiconducteurs. Par substrat démontable on entend un substrat comportant deux couches qui ont été associées ensemble par une liaison réversible, la liaison entre les deux couches pouvant être rompue typiquement par une action mécanique. L'action de rompre la liaison entre de telles couches correspond ainsi au démontage du substrat. On connaît déjà des procédés du type mentionné ci-dessus. II est ainsi connu de fabriquer des substrats démontables en mettant en oeuvre un collage de deux couches, en définissant les conditions de collage pour que l'énergie de collage demeure limitée et que le collage soit de ce fait réversible sous l'effet d'une action mécanique. Le document FR 2 823 599 donne un exemple de réalisation de tels 15 substrats démontables. On précise que I' énergie associée à une interface collée ou plus généralement à une interface de démontage d'un substrat démontable) correspond à une force de cohésion entre les deux couches définissant cette interface. Cette énergie est généralement caractérisée par une résistance mécanique: É Résistance à l'écartement des deux couches typiquement sous l'effet de l'insertion d'un coin attaquant ladite interface, et/ou É Résistance à la délamination (application d'une traction sur une des 25 deux couches définissant l'interface, et mesure de la force de traction correspondant à un début de délamination). Dans de nombreuses applications, on désire faire subir au substrat démontable des traitements (par exemple des traitements thermiques du type recuit), avant son démontage. Or, il est connu qu'un traitement thermique tend à augmenter l'énergie (c'est à dire la force de cohésion) d'une interface de collage entre deux couches. Un problème qui se pose avec de tels substrats démontables est donc que les éventuels traitements (thermiques en particulier) que l'on peut vouloir faire subir au substrat démontable avant de procéder à son démontage risquent de compromettre le caractère réversible de la liaison démontable du substrat, et de rendre le démontage de ce dernier problématique. Et ce problème n'est pas limité aux substrats démontables dont la liaison réversible est constituée par collage. En effet, de manière générale, l'application d'un traitement thermique de type recuit à des substrat démontables dont la liaison réversible a été constituée par une technique quelconque (collage, mais également autre technique par exemple création d'une région poreuse, etc..) risque de modifier l'énergie associée à la liaison réversible du substrat. Ceci constitue un problème. Un but de l'invention est de permettre de s'affranchir de ce problème. Un but de l'invention est ainsi de permettre de réaliser des substrats démontables pouvant subir avant leur démontage des traitements (par exemple des traitements thermiques du type recuit), sans que cela affecte notablement l'énergie de la liaison réversible du substrat démontable. Afin d'atteindre ces buts l'invention propose un procédé de fabrication d'un substrat démontable réalisé à partir de matériaux semiconducteurs, le procédé comportant la création d'une liaison réversible entre deux couches de démontage du substrat, caractérisé en ce que la liaison réversible est constituée par une couche de liaison réalisée à base d'un premier matériau , ladite couche de liaison comprenant en outre une une zone de concentration de nano-particules d'un deuxième matériau disposées de manière à faciliter le démontage du substrat, les premier et deuxième matériaux étant choisis de manière à permettre de maintenir une énergie sensiblement constante au niveau de la liaison réversible même lorsque le substrat est exposé à un traitement thermique. Des aspects préférés mais non limitatifs du procédé selon l'invention sont les suivants: É la couche de liaison est constituée en réalisant les opérations suivantes: - création d'une couche initiale réalisée en ledit premier matériau, - création dans ladite couche initiale d'une région enrichie en un matériau d'enrichissement qui peut être le deuxième matériau, ou un précurseur du deuxième matériau, - traitement thermique de ladite région enrichie, de manière à provoquer une ségrégation de nano-particules entre le premier et le deuxième matériau, É la région enrichie est réalisée par implantation du matériau d'enrichissement dans la couche initiale, É la réalisation de la couche de liaison met en oeuvre les étapes suivantes (sans limitation d'ordre de réalisation de ces étapes) : - formation d'une couche élémentaire dite enrichie en un matériau d'enrichissement qui peut être le deuxième matériau, ou un précurseur du deuxième matériau, - traitement thermique de ladite couche enrichie de manière à provoquer une ségrégation de nano-particules entre le premier et le deuxième matériau, É pour constituer la couche de liaison on forme en outre sous ladite couche enrichie une couche dite première couche élémentaire en ledit premier matériau, ladite couche enrichie correspondant alors à une couche dite deuxième couche élémentaire , É la deuxième couche élémentaire est réalisée par dépôt sur la première couche élémentaire, É la première couche élémentaire est réalisée par dépôt sur une première couche de démontage du substrat, É la première couche élémentaire est réalisée sur une première couche de démontage du substrat par oxydation thermique, É pour constituer la couche de liaison on constitue en outre, sur la surface de ladite couche enrichie, une couche dite troisième couche élémentaire en ledit premier matériau, É la troisième couche élémentaire est réalisée par dépôt sur la couche enrichie, É la troisième couche élémentaire est réalisée par oxydation thermique d'une partie du matériau de ladite couche enrichie, É l'épaisseur de ladite couche enrichie est calibrée pour que ladite couche puisse fournir une partie de son matériau pour constituer la troisième couche élémentaire, É ladite troisième couche élémentaire est constituée sur la deuxième couche de démontage avant assemblage de la deuxième couche de démontage avec la couche de liaison, É a troisième couche élémentaire est réalisée par oxydation thermique de la deuxième couche de démontage du substrat avant l'assemblage de ladite deuxième couche de démontage avec le reste de la couche de liaison, É ledit traitement thermique de ségrégation est réalisé à une température de l'ordre de 900 à 1100 C, É la couche de liaison est créée sur une première des deux couches de démontage du substrat, et on constitue après l'étape de traitement thermique de ségrégation la deuxième couche de démontage sur la couche de liaison, É la couche de liaison est créée sur une première des deux couches de démontage du substrat et on constitue, après l'étape de création dans la couche de liaison d'une région enrichie et avant l'étape de traitement thermique de ségrégation, la deuxième couche de démontage sur la couche de liaison, É ladite première couche de démontage est constituée sous la couche de liaison par une technique de transfert, É ladite technique de transfert est une technique de type Smart-Cut , É ladite deuxième couche de démontage est constituée sur la couche de liaison par une technique de transfert, É ladite technique de transfert est une technique de type Smart-Cut , É ledit premier matériau est du SiO2, É ledit deuxième matériau est du Si, É ledit matériau d'enrichissement est du SiO, É ledit deuxième matériau est du Ge. D'autres aspects, buts et avantages de l'invention apparaîtront mieux à la lecture de la description suivante de l'invention, faite en référence aux dessins des figures annexées, sur lesquels: É La figure 1 est un schéma de principe représentant un substrat démontable fabriqué selon l'invention, É Les figures 2a à 2c représentent schématiquement trois étapes permettant d'aboutir à un tel substrat démontable, selon un premier mode de réalisation de l'invention, É Les figures 3a à 3d représentent schématiquement quatre étapes permettant d'aboutir à un tel substrat démontable, selon un second mode de réalisation de l'invention, É Les figures 4a et 4b illustrent l'effet d'un traitement thermique permettant de provoquer une ségrégation de nano-particules, et pouvant être mis en oeuvre dans l'invention, É La figure 5 est un diagramme de phases illustrant différents domaines d'état du Si, du SiO, et du SiO2 en fonction notamment de la température, et faisant en particulier apparaître une évolution thermodynamique pouvant être mise en oeuvre dans le cadre de l'invention. On précise en préalable à la description qui suit que les figures 1, 2a à 2c, 3a à 3d, sont des représentations schématiques qui ne respectent pas les proportions et échelles réelles, mais qui illustrent les principes mis en oeuvre de l'invention. La figure 1 représente un substrat démontable 10 fabriqué selon l'invention. Ce substrat démontable comprend: É Deux couches 11 a, 11 b qui correspondent aux deux couches pouvant être démontées. On appellera ainsi ces deux couches couches de démontage du substrat. Ces couches peuvent être en un matériau semiconducteur tel que le silicium, É Une couche 12 de liaison qui assure entre les couches 11 a, 11 b la fonction de liaison réversible du substrat démontable 10. Cette couche 12 de liaison est réalisée à base d'un premier matériau , par exemple un matériau tel que le SiO2, - On remarque en outre au coeur de la couche de liaison 12 des particules 13, qui correspondent comme on va le voir à des nanoparticules. Ces nano- particules 13 sont organisées en une une zone de concentration qui permet de faciliter le démontage du substrat 10 au niveau de la couche de liaison 12, - Les nano-particules 13 sont réalisées en un deuxième matériau différent du premier matériau mentionné ci-dessus. Il peut par exemple s'agir de Si ou de Ge. On précise qu'on entend dans ce texte par nano-particules des particules de taille très réduite de l'ordre de quelques nanomètres à quelques dizaines de nanomètres. Dans une application de l'invention, ces nano-particules ont un diamètre qui peut typiquement être de l'ordre de 1 à 10 nm. La zone de concentration de nano-particules correspond à une zone dans laquelle la plupart des nano-particules sont concentrées. On précise qu'il est possible de manière générale de réaliser les couches de démontage 11 a, 11 b en un matériau semiconducteur quelconque. De la même manière, la couche 12 et les nano-particules 13 peuvent être réalisées dans des matériaux différents de ceux mentionnés ci-dessus. En tout état de cause, le matériau des nano-particules 13 ( deuxième matériau ) est différent du matériau de la couche de liaison 12 ( premier matériau ). Et on choisira ces deux matériaux de manière à assurer une haute stabilité des propriétés mécaniques de la couche de liaison 12 lorsque le substrat 10 est amené à subir un traitement thermique avant son démontage (cet aspect sera détaillé plus loin dans ce texte). La couche de liaison 12 a été constituée: É en créant une couche dite initiale dans ledit premier matériau qui constitue la base de la couche de liaison 12 (SiO2 dans le présent exemple), - Cette couche initiale peut être créée directement sur la couche 11 b, par exemple par dépôt ou par oxydation thermique, É en constituant dans l'épaisseur de cette couche initiale une région 120 dite enrichie, - A cet effet, on constitue dans l'épaisseur de la couche 12 une région comportant un matériau dit d'enrichissement. - Ce matériau peut être le deuxième matériau mentionné ci-dessus et correspondant au matériau des nano-particules, ou un précurseur de ce deuxième matériau. Par précurseur du deuxième matériau, on entend un matériau apte à produire, à l'issue d'un traitement thermique adapté, ledit deuxième matériau. Dans le cas où le deuxième matériau est du Si, le précurseur peut ainsi typiquement être du SiO, É En faisant subir à ladite région enrichie 120 (ou 122 comme on le verra à propos d'un deuxième mode de réalisation de l'invention) un traitement thermique de manière à provoquer une ségrégation de nano-particules du deuxième matériau à l'intérieur de la couche 12 réalisé à base du premier matériau. - A l'issue de ce traitement thermique, on peut constituer la deuxième couche de démontage 11 a en recouvrement de la couche de liaison 12, pour finaliser la fabrication du substrat démontable 10. Dans tous les modes de réalisation de l'invention, la couche 11 a peut également être constituée après l'étape de création de la région enrichie 120 mais avant l'étape de traitement thermique de ladite région enrichie 120 pour y provoquer une ségrégation de nano-particules. On précise que le processus de ségrégation sera détaillé, plus particulièrement en référence aux figures 4a, 4b et 5. En référence maintenant aux figures 2a à 2c, on a représenté les principales étapes de mise en oeuvre de l'invention selon un premier mode de réalisation. La figure 2a illustre ainsi la constitution sur une couche 11 b en silicium d'une couche initiale en SiO2, par exemple par dépôt ou par oxydation thermique. La figure 2b illustre un mode de réalisation de l'enrichissement de cette couche initiale. Dans ce mode de réalisation, l'enrichissement est réalisé par une implantation I de la couche initiale qui recouvre la couche 11 b. L'espèce implantée correspond au deuxième matériau mentionné ci-dessus, ou à un précurseur de ce deuxième matériau. Il peut ainsi s'agir par exemple de silicium, mais également de germanium. A l'issue de cette implantation, les espèces implantées (atomes de silicium par exemple) se trouvent réparties de manière plus ou moins régulière, et plus ou moins agrégée, dans l'épaisseur de la couche initiale en SiO2. On fait ensuite subir à la structure représentée sur la figure 2b un traitement thermique de ségrégation. Dans ce mode de réalisation comme dans les autres modes de réalisation de l'invention, un tel traitement thermique de ségrégation peut être réalisé à une température de l'ordre de 900 à 1100 C. On rappelle que ce traitement thermique de ségrégation sera en outre expliqué plus en détail plus loin dans ce texte. A l'issue de ce traitement thermique de ségrégation, on obtient une structure telle que représentée schématiquement sur la figure 2c. Le traitement thermique de ségrégation a provoqué une ségrégation de l'espèce implantée (par exemple le silicium), en formant des nanoparticules. Après recouvrement (par exemple par dépôt ou par collage) d'une telle structure par une deuxième couche de démontage 11 a, on aboutit à un substrat démontable du type de celui représenté sur la figure 1. Les figures 3a à 3d illustrent les étapes de mise en oeuvre d'un deuxième mode de réalisation de l'invention. Dans ce mode de réalisation, la couche de liaison est constituée par la formation de différentes couches élémentaires successives sur la couche de 15 démontage 11 b du substrat. On précise qu'il est possible en variante de ne prévoir qu'une seule de ces couche élémentaires (dans ce cas la seule couche élémentaire est la couche 122 voir ci-dessous). Dans ce deuxième mode de réalisation, les couches élémentaires (ou la couche élémentaire 122, dans le cas où on ne met en oeuvre qu'une seule couche élémentaire) constitue(nt) sur la couche de démontage 11 b la couche de liaison du substrat. Dans ce mode de réalisation comme dans tous les modes de réalisation de l'invention, l'autre couche 11a de démontage sera ensuite assemblée avec la couche de liaison par exemple en reportant cette couche 11 a sur la couche de liaison, notamment par collage. On précise toutefois qu'il est également possible, dans tous les modes de réalisation de l'invention, de constituer cette deuxième couche de démontage directement sur la couche de liaison (par dépôt, ou par toute autre technique connue de réalisation de couche). La figure 3a illustre ainsi la formation d'une première couche élémentaire 121. La couche 121 peut être formée directement sur la couche 11 b, par exemple par oxydation thermique, ou par d'autres moyens (par exemple par dépôt). La première couche élémentaire est réalisée dans ledit premier matériau mentionné ci-dessus, à savoir le SiO2 dans le présent exemple. La figure 3b illustre la formation d'une deuxième couche élémentaire 122 en recouvrement de la première couche élémentaire 121. Cette deuxième couche élémentaire 122 est réalisée dans le matériau d'enrichissement mentionné ci-dessus, à savoir ledit deuxième matériau (Si ou Ge par exemple), ou un précurseur de ce deuxième matériau. La couche 122 correspond ainsi à la région enrichie de la couche de liaison. Cette deuxième couche élémentaire 122 peut être déposée sur la couche 121. On procède ensuite à la formation sur la surface de la couche 122 d'une troisième couche élémentaire 123, qui est réalisée dans le même matériau que la première couche élémentaire 121. Cette troisième couche élémentaire peut être réalisée notamment par 20 un dépôt sur la deuxième couche élémentaire. On précise que d'autres modes d'association de la couche 123 à la couche 122 sont également envisageables (oxydation thermique, collage, etc...). Dans le cas où on réalise la couche 123 sur la couche 122 par une technique telle que l'oxydation thermique, qui implique une consommation d'une partie du matériau de la couche sous-jacente 122 (consommation d'une partie du Si de la couche 122 pour constituer le SiO2 de la couche 123), l'épaisseur de ladite couche 122 aura été calibrée de sorte que son épaisseur soit suffisante pour fournir la matière nécessaire à la mise en oeuvre de ladite technique de réalisation de la couche 123. On a ainsi créé, par la formation successive des trois couches élémentaires 121, 122, 123, une couche 12 dans laquelle la couche 122 correspond à la région enrichie. On procède alors à un traitement thermique permettant de provoquer 5 une ségrégation dans cette région enrichie, comme dans le premier mode de réalisation décrit ci-dessus. On aboutit à une structure telle que représentée sur la figure 3d, dans laquelle la couche 12 de liaison comporte une zone de concentration de nano-particules 13 du deuxième matériau, suite au traitement thermique de ségrégation. On précise qu'il est possible dans ce deuxième mode de réalisation de l'invention de supprimer la première couche élémentaire 121 et/ou la troisième couche élémentaire 123. Au total, il est ainsi possible de constituer dans ce deuxième mode de réalisation plusieurs configurations de structure, selon le nombre de couches élémentaires dans la couche de liaison (1, 2 ou 3 couches élémentaires). Les figures 4a et 4b sont issues d'un article de M. Zacharias et al. Paru dans Applied Physis Letter, 80(4), 2002, p.661. Ces figures illustrent plus particulièrement l'état de la couche correspondant à la couche de liaison, avant le traitement thermique de ségrégation (région enrichie 120 de la figure 4a), et après ce traitement (région de la couche de liaison finalisée 12 qui comporte la zone de concentration de nano-particules, sur la figure 4b). Les échelles sont indiquées dans les coins inférieurs droit de ces deux 25 figures. La figure 4a illustre ainsi une région enrichie 120, composée de SiO2 enrichie en atomes de siliium. Cette région enrichie 120 peut avoir été constituée par exemple: É Par une implantation par du silicium d'une couche initiale en SiO2 30 (premier mode de réalisation de l'invention), É ou par la constitution d'une couche élémentaire qui correspond à la région 120 (deuxième mode de réalisation de l'invention). Dans tous les cas, on a constitué, dans l'épaisseur d'une couche de SiO2, une région enrichie en silicium dont la composition moyenne est: Si(l_x) Ox, avec X compris entre 0 et 0,66.On constate sur cette figure que le SiO est diffusé dans la masse de la couche 120. La figure 4b illustre la même région de la tranche, après un recuit de ségrégation à 1100 C d'une durée d'une heure, sous atmosphère neutre d'azote. On constate sur cette figure que le SiO n'est plus présent à l'état diffus. Le cercle agrandi de cette figure fait au contraire apparaître des agrégats discrets, séparés les uns des autres. Ces agrégats correspondent à des nano-particules de silicium, dans le 15 SiO2 qui correspond au matériau de base de la couche de liaison 12 ( premier matériau ). Ces nano-particules constituent des points de fragilisation discrets, qui vont permettre un bon démontage localisé au niveau de cette couche 12. En outre, cette configuration après ségrégation est extrêmement stable, vis-à-vis des traitements thermiques que peut subir avant le démontage la couche 12 (et plus généralement un substrat 10 comportant une telle couche 12). Le traitement thermique de ségrégation a en effet permis de mettre en oeuvre l'équation de ségrégation suivante: SiOX-* 2 SiO2 + (1-2) Si. Dans le cas où x=1, cette équation correspond à la ségrégation du SiO en SiO2 et en Si. Et comme on va l'expliquer en référence à la figure 5, des traitements thermiques ultérieurs n'affecteront pas la configuration générale de la zone de concentration de nano-particules dans le premier matériau de la couche de liaison 12. En référence à la figure 5, on a représenté un diagrammes de phases illustrant les domaines de stabilité des différents composés de silicium. La figure 5 illustre ainsi, en fonction de la température (en ordonnée), des domaines de stabilité du Si, du SiO et du SiO2 (en abscisse, le pourcentage d'oxygène dans le Si). On constate qu'en dessous d'une température Ts, dite température de ségrégation, le Si, le SiO et le SiO2 peuvent coexister sans ségrégation. Dans le cas du silicium, la température de ségrégation est légèrement inférieure à 1100 C. Au-delà de cette température Ts, les phases de Si et de SiO2 se séparent selon un phénomène de ségrégation. Le SiO ne connaît quant à lui pas d'état stable dès cette température. Il est possible d'exploiter astucieusement ces propriétés dans le cadre de l'invention. Ceci est fait lors du traitement thermique de ségrégation, qui est illustré par l'évolution entre les points A et C de la figure 5: É Le point de départ de ce traitement thermique de ségrégation correspond au point A. Ce point correspond à un état à température ambiante dans lequel on a constitué une région enrichie 120, qui peut être réalisée en 20 SiO2 enrichi en silicium, É On procède ensuite à une élévation de température B, qui correspond au traitement thermique de ségrégation. Cette montée en température amène en effet le Si ou le SiO présent dans le SiO2 à se ségreger de ce SiO2. Lors de ce traitement thermique, on augmente la température jusqu'à température de ségrégation Ts, É Une fois que cette température Ts est atteinte (point C), la ségrégation entre le Si ou le SiO d'une part, et le SiO2 d'autre part, est finalisée et le Si ou le SiO qui était présent à l'état diffus dans le SiO2 est agrégé en nano-particules de Si. En outre, des traitements thermiques ultérieurs ne modifieront pas une telle configuration de nano-particules, la réaction de ségrégation n'étant pas réversible. Il en résulte qu'un substrat démontable fabriqué selon une telle 5 technique conserve entre ses couches de démontage une énergie sensiblement constante, quels que soient les traitements thermiques que l'on fait subir à un tel substrat avant son démontage. On précise que dans tous les modes de réalisation de l'invention plusieurs possibilités sont offertes: É Possibilité de faire subir aux différentes couches des traitements de surface (planarisation, ..), notamment préalablement au collage de ces couches, É Possibilité de mettre en oeuvre le traitement thermique de ségrégation à différents stades du procédé : Immédiatement après la constitution de la couche enrichie (on rappelle que dans le cadre du deuxième mode de réalisation cette couche enrichie correspond à la couche élémentaire 122), - Après que la couche de liaison ait été finalisée et avant la constitution de la couche de démontage 11 a sur la couche de liaison (par exemple, après l'implantation en matériau d'enrichissement dans le premier mode de réalisation, ou après la constitution de l'ensemble des couches élémentaires dans le deuxième mode de réalisation), - Après la constitution de la couche de démontage 11 a sur la couche de liaison, (on précise qu'il est possible de répartir le traitement thermique de ségrégation en plusieurs traitements thermiques mis en oeuvre à plusieurs des moments qui viennent d'être mentionnés toutes les combinaisons de mise en oeuvre de ces traitements thermiques de ségrégation étant possibles), É Possibilité de procéder entre chaque étape à un nettoyage de la surface des couches exposées, É Possibilité de mettre en oeuvre différents types de technique pour constituer des couches de démontage 11 a et 11 b d'épaisseur désirée: - Méthodes de transfert notamment méthode de type Smart-Cut mettant en oeuvre une ou plusieurs étapes d'implantation de fragilisation d'une ou plusieurs espèces, un collage et un détachement au niveau de la zone implantée / A cet égard, la couche 11 b peut être constituée: ^ préalablement à la constitution de la couche de liaison (et la couche 11 b peut alors être constituée sur un raidisseur temporaire si son épaisseur ne lui permet pas d'être traitée sans moyen de support), ^ ou bien après la couche de liaison, par report sur la face inférieure (celle tournée vers la bas sur les figures) de cette couche de liaison, d'un substrat fragilisé par implantation dont la fine couche collée à la couche de liaison correspondra à la couche 11 b après détachement au niveau de la zone implantée de ce substrat, / La couche 11 a qui est ensuite constituée sur la couche de liaison peut quant à elle être constituée par collage d'un substrat fragilisé par implantation, sur une structure intermédiaire composée de la couche 11 b et de la couche de liaison, puis détachement au niveau de la zone implantée du substrat pour ne laisser sur ladite structure intermédiaire que la partie du substrat implanté correspondant à la couche 11 a, Méthodes de type BESOI mettant en oeuvre un collage et un enlèvement de matière en face arrière (ceci pouvant notamment être mis en oeuvre pour constituer la couche 11 a sur la couche de liaison déjà constituée), etc.. É Possibilité de mettre en oeuvre différents matériaux pour réaliser la première couche élémentaire 121 et/ou la troisième couche élémentaire 123 (dans le cadre du deuxième mode de réalisation) : on peut mettre en oeuvre non seulement du SiO2, mais également des matériaux tels que du Si3N4. 17 REVENDICATIONS 1. Procédé de fabrication d'un substrat démontable (10) réalisé à partir de matériaux semiconducteurs, le procédé comportant la création d'une liaison réversible entre deux couches (11 a, 11 b) de démontage du substrat, caractérisé en ce que la liaison réversible est constituée par une couche de liaison (12) réalisée à base d'un premier matériau, ladite couche de liaison comprenant en outre une zone de concentration de nanoparticules (13) d'un deuxième matériau disposées de manière à faciliter le démontage du substrat, les premier et deuxième matériaux étant choisis de manière à permettre de maintenir une énergie sensiblement constante au niveau de la liaison réversible même lorsque le substrat est exposé à un traitement thermique. 2. Procédé selon la revendication précédente, caractérisé en ce que la couche de liaison est constituée en réalisant les opérations suivantes: É création d'une couche initiale réalisée en ledit premier matériau, É création dans ladite couche initiale d'une région enrichie (120) en un matériau d'enrichissement qui peut être le deuxième matériau, ou un précurseur du deuxième matériau, É traitement thermique de ladite région enrichie (120), de manière à 25 provoquer une ségrégation de nano-particules entre le premier et le deuxième matériau. 3. Procédé selon la revendication précédente, caractérisé en ce que la région enrichie (120) est réalisée par implantation du matériau 30 d'enrichissement dans la couche initiale. 4. Procédé selon la revendication 1, caractérisé en ce que la réalisation de la couche de liaison met en oeuvre les étapes suivantes (sans limitation d'ordre de réalisation de ces étapes) : É formation d'une couche élémentaire dite enrichie (122) en un matériau d'enrichissement qui peut être le deuxième matériau, ou un précurseur du deuxième matériau, É traitement thermique de ladite couche enrichie de manière à provoquer une ségrégation de nano-particules entre le premier et le deuxième matériau. 5. Procédé selon la revendication précédente, caractérisé en ce que pour constituer la couche de liaison on forme en outre sous ladite couche enrichie (122) une couche (121) dite première couche élémentaire en ledit premier matériau, ladite couche enrichie (122) correspondant alors à une couche dite deuxième couche élémentaire . 6. Procédé selon la revendication précédente, caractérisé en ce que la deuxième couche élémentaire est réalisée par dépôt sur la première couche élémentaire. 7. Procédé selon l'une des deux revendications précédentes, caractérisé en ce que la première couche élémentaire est réalisée par dépôt sur une première couche de démontage (11 b) du substrat. 8. Procédé selon l'une des revendications 5 ou 6, caractérisé en ce que la première couche élémentaire est réalisée sur une première couche de démontage (11 b) du substrat par oxydation thermique. 9. Procédé selon l'une des quatre revendications précédentes, caractérisé 30 en ce que pour constituer la couche de liaison on constitue en outre, sur la surface de ladite couche enrichie (122), une couche (123) dite troisième couche élémentaire en ledit premier matériau. 10. Procédé selon la revendication précédente, caractérisé en ce que la 5 troisième couche élémentaire est réalisée par dépôt sur la couche enrichie. 11. Procédé selon la revendication 9, caractérisé en ce que la troisième couche élémentaire est réalisée par oxydation thermique d'une partie du 10 matériau de ladite couche enrichie. 12. Procédé selon la revendication précédente, caractérisé en ce que l'épaisseur de ladite couche enrichie (122) est calibrée pour que ladite couche puisse fournir une partie de son matériau pour constituer la 15 troisième couche élémentaire. 13. Procédé selon la revendication 9, caractérisé en ce que ladite troisième couche élémentaire est constituée sur la deuxième couche de démontage avant assemblage de la deuxième couche de démontage avec la couche de liaison. 14. Procédé selon la revendication précédente, caractérisé en ce que la troisième couche élémentaire (123) est réalisée par oxydation thermique de la deuxième couche de démontage du substrat avant l'assemblage de ladite deuxième couche de démontage avec le reste de la couche de liaison. 15. Procédé selon l'une des treize revendications précédentes, caractérisé en ce que ledit traitement thermique de ségrégation est réalisé à une 30 température de l'ordre de 900 à 1100 c. 16. Procédé selon l'une des quatorze revendications précédentes, caractérisé en ce que la couche de liaison est créée sur une première (11 b) des deux couches de démontage du substrat, et on constitue après l'étape de traitement thermique de ségrégation la deuxième couche de démontage (11a) sur la couche de liaison. 17. Procédé selon l'une des revendications 1 à 15, caractérisé en ce que la couche de liaison est créée sur une première (11b) des deux couches de démontage du substrat et on constitue, après l'étape de création dans la couche de liaison d'une région enrichie et avant l'étape de traitement thermique de ségrégation, la deuxième couche de démontage (11a) sur la couche de liaison. 18. Procédé selon l'une des revendications précédentes, caractérisé en ce que ladite première couche de démontage est constituée sous la couche de liaison par une technique de transfert. 19. Procédé selon la revendication précédente, caractérisé en ce que ladite technique de transfert est une technique de type Smart-Cut . 20. Procédé selon l'une des revendications précédentes, caractérisé en ce que ladite deuxième couche de démontage est constituée sur la couche de liaison par une technique de transfert. 21. Procédé selon la revendication précédente, caractérisé en ce que ladite technique de transfert est une technique de type Smart-Cut . 22. Procédé selon l'une des revendications précédentes, caractérisé en ce que ledit premier matériau est du SiO2. 23. Procédé selon l'une des revendications précédentes, caractérisé en ce que ledit deuxième matériau est du Si. 24. Procédé selon la revendication précédente, caractérisé en ce que ledit 5 matériau d'enrichissement est du SiO. 25. Procédé selon l'une des revendications précédentes à l'exception des deux revendications précédentes, caractérisé en ce que ledit deuxième matériau est du Ge.