FR 2853991 A1 20041022 FR 0304814 A 20030417 La présente invention concerne d'une façon générale le traitement des films minces en matériau semiconducteur notamment dans le domaine des substrats pour la microélectronique, l'optoélectronique ou l'optique. Elle concerne en particulier les procédés de polissage de la surface de couches ou films minces, dans le cas o, pour des raisons que l'on explicitera plus loin, ces couches ne peuvent pas subir les traitements de polissage usuels. Il peut s'agir notamment de couches 10 autoportées (c'est-à-dire simplement posées sur un support), ou de couches minces attachées à un support avec un faible niveau d'adhérence avec ce support. Encore plus particulièrement, l'invention vise les techniques de polissage d'une telle surface, 15 préalablement à un dépôt par épitaxie sur celle-ci. Dans certaines applications de la microélectronique, on souhaite disposer de substrats démontables, c'est-àdire de structures comprenant une couche mince superficielle attachée à un support et détachable du 20 support grâce à une interface ou zone enterrée fragile. Le document US-A-5 314 564 décrit une technique générique de clivage de plaquettes connue sous le nom de Smart-Cut , qui permet le transfert d'un film mince depuis un substrat initial jusqu'à un support servant de 25 raidisseur à ce film mince, par détachement au niveau d'une zone enterrée préalablement fragilisée. Le film mince est alors lié au support via une interface de collage obtenue par adhésion moléculaire. Cette interface de collage peut ensuite être 30 renforcée, par exemple par un traitement thermique, pour conférer à la structure une certaine solidité et ensuite réduire la rugosité de surface du film transféré, résultant du clivage selon le plan de fragilisation, typiquement par polissage mécano-chimique. Dans un cas courant, le collage par adhésion moléculaire est définitif, le film mince transféré étant destiné à demeurer sur son support. Mais dans d'autres cas, on peut souhaiter rendre l'interface de collage réversible ou démontable, pour pouvoir ensuite détacher le film mince, typiquement après qu'il ait reçu un ou plusieurs dépôts par épitaxie ou 10 qu'un composant ait été partiellement ou totalement réalisé à partir de ce film. Cette démontabilité est obtenue en préparant de façon adéquate des surfaces avant collage, visant à limiter l'adhérence mécanique du film sur le support, et 15 en limitant le budget thermique apporté après la mise en contact, de manière à ce que l'énergie de collage soit inférieure à un seuil, typiquement de 800mJ/m2. Parmi les traitements envisageables pour limiter l'énergie de collage, on peut compter sur des 20 nettoyages/gravures chimiques qui contrôlent la rugosité ou l'hydrophilie des surfaces à coller. La structure ainsi formée comprend alors un support surmonté d'une couche mince faiblement liée au support. Dans le cas particulier o la structure est issue 25 d'un clivage par Smart-Cut et o le film mince est destiné à recevoir un dépôt épitaxial, la surface libre du film mince est assez rugueuse, et/ou potentiellement non uniforme en épaisseur, et/ou d'épaisseur inadéquate. Ainsi, avant d'engager ou de poursuivre la 30 fabrication de composants sur le film, il peut être nécessaire de corriger les non-uniformités de l'épaisseur et surtout réduire la rugosité de surface jusqu'à une valeur acceptable, pour ainsi rendre la surface prête à l'épitaxie. Il peut aussi être souhaitable d'amincir le film jusqu'à une épaisseur recherchée. Mais cette étape de finition de surface est rendue 5 délicate par le fait qu'il faut conserver le caractère démontable de l'interface de collage, tout en évitant d'arracher le film mince adhérant faiblement sur son support. Ces deux contraintes ont pour inconvénient de mettre 10 en échec de nombreuses techniques connues de polissage et d'amincissement. Ainsi, c'est traditionnellement la technique de polissage mécano-chimique (CMP pour " Chemical-Mechanical Polishing " en terminologie anglo-saxonne) qui est 15 utilisée pour amincir et lisser les films transférés par une technique de transfert de film mince telle que SmartCut , pour autant que ce film soit fortement lié à son support (ce qui est typiquement obtenu par un recuit de stabilisation). Mais dans le cas d'un film dont la tenue mécanique est très faible du fait de la limitation de l'énergie de collage pour assurer la démontabilité, la sollicitation mécanique inhérente à la technique CMP risque de conduire à l'arrachement de la couche mince, ce risque étant 25 d'autant plus fort que le film est très mince. Ceci rend la technique CMP inutilisable dans la pratique industrielle pour amincir et polir les films à faible tenue mécanique. Par ailleurs, cette technique CMP est difficilement 30 applicable aux matériaux durs tels que le.SiC, le GaN ou encore le diamant, qui sont pourtant parmi les matériaux candidats les plus intéressants pour ce type de structure démontable. On connaît également les techniques de gravure par plasma qui, même si elles autorisent par définition un 5 amincissement, ne permettent pas un bon polissage. Elles conduisent en effet à un état final de rugosité très médiocre, et en particulier insuffisant pour une reprise d'épitaxie. Ces techniques ont en outre l'inconvénient de laisser une zone endommagée sous la surface libre. Les traitements thermiques (amincissement par oxydation sacrificielle, lissage par recuit thermique rapide RTA - pour " Rapid Thermal Annealing " en terminologie anglo-saxonne - sous hydrogène, etc.) sont quant à eux proscrits car ils renforcent inévitablement 15 l'énergie de collage et font disparaître le caractère démontable de la structure. Les techniques de nettoyage chimique peuvent également venir à l'esprit pour amincir des films à faible tenue mécanique. Cependant, leur pouvoir lissant 20 est très limité et ils sont inapplicables aux matériaux inertes comme le SiC, le GaN et le diamant. On connaît également des techniques de lissage de finition pour des substrats de silicium sur isolant ou pour des couches de SiC ou de diamant, qui font appel à 25 l'application sur la surface d'un faisceau d'amas gazeux ionisés (technique dite GCIB pour " Gas Cluster Ion Beam " en terminologie anglo-saxonne). On se référera notamment aux documents USA-2002/0014407 et US-A5 814 194 ainsi qu'à l'article " Substrate Smoothing 30 Using Gas Cluster Ion Beam Processing ", L. P. Allen et al., Journal of Electronic Materials, Vol. 30, No. 7, 2001, pp. 829-833. Toutefois, l'homme de métier s'attend à ce que, de telles techniques, qui s'apparentent au bombardement d'ions, mais dont la charge électrique est répartie dans des amas d'atomes ou de molécules obtenus par détente 5 adiabatique d'un gaz condensable, produisent un échauffement du film mince traité risquant, du fait de la faible épaisseur du film, de se propager jusqu'à l'interface de collage, pour ainsi accroître l'énergie de collage et compromettre le caractère démontable de 10 l'interface. Or la Demanderesse a constaté qu'une telle technique pouvait être utilisée pour le traitement de films minces démontables sans accroître l'énergie de collage d'une façon qui compromette la démontabilité. Ainsi la présente invention propose selon un premier aspect un procédé de traitement d'une structure intermédiaire utilisée dans la fabrication de substrats pour l'électronique, l'optoélectronique ou l'optique, la structure intermédiaire comprenant un film mince situé 20 sur un support au niveau d'une interface faiblement adhérente destinée à être démontée, procédé caractérisé en ce qu'il comprend un lissage de la surface libre dudit film mince par bombardement sur ladite surface libre d'amas gazeux ionisés avec une dose et une énergie telles 25 que le caractère démontable de l'interface est préservé. La surface libre du film mince est préférentiellement destinée à recevoir un dépôt d'une ou plusieurs couches de matériau(x), en particulier par épitaxie. Avantageusement, le film mince est collé sur le support par adhésion moléculaire, avec énergie de collage contrôlée. Dans une forme de réalisation, le film mince est posé sur le support, l'interface faiblement adhérente étant produite essentiellement par les forces de Van der Waals. Selon un deuxième aspect, l'invention propose un procédé de fabrication d'une couche de matériau pour la microélectronique, l'optoélectronique ou l'optique, caractérisé en ce qu'il comprend les étapes suivantes: réalisation d'un film mince sur un support, d'une manière telle qu'il existe entre le film mince et le support une interface faiblement adhérente destinée à permettre par la suite un démontage du film mince par rapport au support, - bombardement, sur la surface libre du film mince, d'amas gazeux ionisés de manière à diminuer la rugosité de ladite surface libre, avec une dose et une énergie desdits amas telles que le caractère démontable de l'interface est préservé, - dépôt d'une ou plusieurs couches de matériau(x) sur la surface libre du film mince, et - démontage de l'ensemble formé par le film mince et la ou les couches de matériau(x) par rapport au support au niveau de ladite interface. Des aspects avantageux, mais non limitatifs, de ce procédé sont les suivants: * l'étape de dépôt est mise en oeuvre par épitaxie. * l'étape de réalisation d'un film mince est mise en oeuvre par une technique de transfert de film mince par 30 collage avec interface faiblement adhérente. * la technique de transfert comprend l'implantation d'espèces énergétiques à une profondeur contrôlée dans un substrat donneur, et le détachement d'un film mince au niveau d'un plan de fragilisation formé par ladite implantation. * le matériau du film mince est choisi dans le 5 groupe comprenant les éléments semi-conducteurs Si ou Ge individuellement ou combinés pour former un alliage Si1,Ge,, les carbures, oxydes ou nitrures d'éléments semiconducteurs et de préférence SiC, SiO2 ou Si3N4, les semiconducteurs composés III-V, le diamant et le saphir. * le procédé comprend en outre, préalablement à l'étape de démontage, une étape de collage d'un support final sur la ou les couches de matériau(x). * les espèces constituant les amas sont choisies dans le groupe des gaz condensables et de préférence 15 parmi l'argon (Ar), l'azote (N2), l'oxygène (02), CF4, CHF3, SF6, C02, N20, CH4 et NH3. * le procédé comprend plusieurs bombardements avec des amas gazeux ionisés d'espèces différentes et/ou d'énergies différentes et/ou à des doses différentes. * les espèces des amas bombardés sont choisies de manière à réagir chimiquement avec le matériau du film mince. * les espèces des amas bombardés sont choisies de manière à ne pas réagir chimiquement avec le matériau du 25 film mince. Enfin l'invention propose également un substrat intermédiaire pour la fabrication de plaquettes de matériaux pour la microélectronique, l'optoélectronique ou l'optique, caractérisé en ce qu'il comprend un film 30 mince relié à un support par l'intermédiaire d'une interface apte à être démontée sous l'effet de contraintes notamment mécaniques, une face libre du film mince présentant une faible rugosité, obtenue par bombardement d'amas gazeux ionisés, appropriée pour recevoir un dépôt par épitaxie. L'épaisseur du film mince est typiquement comprise entre environ 50 et 10000 angstrôms. Dans les procédés et dans le substrat définis cidessus, le film mince peut être notamment collé sur le support par adhésion moléculaire, avec énergie de collage contrôlée, ou'posé sur le support, l'interface faiblement 10 adhérente étant produite essentiellement par les forces de Van der Waals. Le procédé selon la présente invention permet ainsi de répondre à au moins certaines des exigences suivantes: 15. ne pas trop solliciter mécaniquement la couche mince, sous peine de l'arracher; faire appel à un budget thermique limité, pour éviter de solidariser définitivement le film mince sur son support (perte de la démontabilité) ; 20. ne pas créer de zone endommagée sous la surface du fil mince. permettre d'amincir le film, et préférentiellement de façon corrective pour rattraper les non-uniformités d'épaisseur) ; 25. conduire à une rugosité finale de l'ordre de quelques angstrôms (valeur RMS), notamment pour permettre une reprise d'épitaxie, et être aussi universel en termes d'aptitude à traiter des matériaux différents (isolants, semi30 conducteurs, conducteurs, inertes, durs, etc. ). On notera que l'invention permet la préparation de surface de substrats démontables avant la fabrication de composants microélectroniques ou optoélectroniques (lissage avant dépôt, polissage de finition avant épitaxie, etc.) mais également pendant et à la fin du processus de fabrication des composants sur la structure 5 fragile (notamment après le dépôt d'une ou plusieurs couches minces sur le film mince mécaniquement fragile. La présente invention apporte en outre la possibilité d'amincir le film mince jusqu'à l'épaisseur désirée, qui peut être extrêmement faible (jusqu'à 10 quelques dizaines d'angstrôms), autorisant ainsi une meilleure croissance épitaxiale par la suite grâce à un effet dit de " compliance " c'est-à-dire d'autoadaptation élastique du film démontable très mince au film déposé par-dessus en termes de paramètre de maille 15 et de coefficient de dilatation thermique, pour ainsi provoquer une relaxation des contraintes liées aux désaccords de paramètre de maille et de coefficient de dilatation thermique. En outre, le procédé selon l'invention peut 20 s'appliquer à de très nombreux matériaux; en effet l'application d'un faisceau d'ions d'amas gazeux peut, selon la nature des éléments constituant les amas et constituant le film mince, provoquer soit un phénomène d'abrasion purement physique, soit une réaction chimique, 25 soit encore d'une combinaison de ces deux phénomènes, ce qui élargit la gamme de matériaux auxquels on peut appliquer le procédé, jusqu'à couvrir en particulier de nombreux matériaux chimiquement inertes et/ou de dureté élevée. On citera notamment les matériaux suivants le silicium, le germanium le carbure de silicium, * les semi-conducteurs associant des éléments des groupes III et V, tels que le nitrure de gallium, le nitrure d'aluminium, l'arséniure de gallium, le phosphure d'indium, etc., le silicium-germanium, le diamant, le saphir, * les oxydes ou nitrures de semiconducteurs, tels 10 que SiO2 ou Si3N4. Les espèces constituant les amas bombardés sont choisies en fonction du matériau du film mince, et par exemple parmi l'argon, l'oxygène, l'azote, le tétrafluorure de carbone CF4, l'hexafluorure de soufre 15 SF6, etc. Par exemple, dans le cas d'un film en SiC, on utilise avantageusement l'argon et/ou l'oxygène. Dans le cas d'un film en GaN, on utilise avantageusement l'argon et/ou l'azote. L'homme du métier saura éviter des amas gazeux susceptibles de réagir avec le matériau du film mince pour former des espèces gênantes. Par exemple, l'utilisation d'amas ionisés de CF4 sur un film mince en silicium donne lieu à la formation de liaisons Si-C 25 indésirables. D'autres aspects, buts et avantages de la présente invention apparaîtront mieux à la lecture de la description détaillée suivante de formes de réalisation préférées de celle-ci, donnée à titre d'exemple non 30 limitatif et faite en référence au dessin annexé, sur lequel les figures lA à 1G illustrent schématiquement les différentes étapes d'un procédé selon l'invention. On va décrire maintenant un exemple de mise en oeuvre de la présente invention, dans le cadre de la préparation d'un substrat SiCOI (film mince de carbure de silicium SiC sur isolant) démontable en vue d'une épitaxie de GaN 5 sur le film de SiC, puis démontage de l'ensemble formé par le film de SiC et la ou les couches épitaxiées. Le substrat SiCOI est réalisé par la technique Smart-Cut , par les étapes suivantes: - bombardement d'espèces ioniques, tels que des ions 10 hydrogène, dans une plaquette donneuse 10 réalisée en carbure de silicium 6H massif, de manière à former un film mince 11 relié au reste 12 de la plaquette par une interface fragile 13, à la profondeur de pénétration des espèces (figure lA) ; - formation sur la face libre d'un support intermédiaire 20 en carbure de silicium polycristallin (et/ou sur la face de la plaquette 10 côté film mince 11) d'une couche mince 21 d'un isolant tel que l'oxyde de silicium, - collage de la plaquette 10 côté film mince 11 sur le support temporaire 20 pour former un empilement comprenant donc successivement le support 20 en poly-SiC, la couche isolante 21, le film mince 11 à transférer en 6H- SiC et le reste 12 de la plaquette 10 (figure 1B) ; ce 25 collage est réalisé de manière à conserver une énergie d'adhérence suffisamment faible pour qu'ultérieurement un démontage puisse intervenir comme on va le voir; on notera ici que l'interface fragile, ou zone de rupture privilégiée peut se situer indifféremment dans l'oxyde 21 30 ou autre isolant ou à l'une des interfaces de cet isolant avec le substrat 20 ou le film 11 de SiC; - application d'énergie (thermique et/ou mécanique, etc.) de manière à aboutir à un clivage au niveau de la zone fragile 13, pour obtenir la structure illustrée sur la figure 1C, avec une face libre lla du film mince 5 présentant après clivage une rugosité et des défauts liés à ce clivage; - application sur cette surface libre de la couche 11 d'un faisceau d'ions d'amas gazeux, dont l'effet principal est d'assurer un polissage de la surface, et le 10 cas échéant un amincissement de la couche 11, pour obtenir une surface polie llb d'une rugosité RMS de l'ordre de l'angstrôm (figure 1D) ; de préférence, on utilise des amas d'argon et/ou d'oxygène; en variante, on peut réaliser ce lissage en plusieurs étapes, avec des 15 amas ionisés d'espèces différentes, et/ou avec des doses différentes, et/ou avec des énergies différentes, notamment pour travailler de plus en plus finement la surface à polir. On a observé que cette étape engendrait un surcroît d'apport thermique très modéré au niveau de 20 l'interface de collage démontable, de manière à ne pas compromettre son caractère démontable, et qu'en outre un tel polissage permettait de ne pas arracher ou endommager le film mince 11, même dans le cas extrême ou celui-ci est simplement posé sur le support; on notera également 25 qu'on peut mettre cette étape à profit pour diminuer globalement l'épaisseur de la couche 11, et l'on peut prévoir avantageusement dans ce cas un premier bombardement avec des espèces et des doses choisies pour réaliser l'amincissement (typiquement avec de l'argon), 30 et le cas échéant une partie du travail de polissage, suivi d'un second bombardement avec des espèces et des doses choisies pour réaliser ou finaliser le polissage (typiquement avec de l'oxygène) ; dans le cas o cette étape comporte un amincissement d'ensemble, on amène l'épaisseur du film 11 de SiC à une valeur comprise de préférence entre 50 et 10000 angtrôms, de manière à 5 obtenir l'effet de compliance mentionné plus haut dans le cas des faibles épaisseurs; - dépôt sur cette surface, par épitaxie, d'une ou plusieurs couches 40 à base de nitrure de gallium GaN (figure 1E) ; ces couches peuvent comporter, outre du 10 GaN, du nitrure d'aluminium et de gallium AlGaN, du nitrure d'aluminium AlN ou encore du nitrure d'indium et de gallium InGaN; on notera ici que la très faible rugosité de la couche de SiC 11 sous-jacente permet de sensiblement réduire la densité de défauts présents dans 15 cette couche 40; la ou les couches 40 présentent une épaisseur totale comprise par exemple entre 0,1 pm et plusieurs dizaines de Pm; selon les épaisseurs recherchées et la qualité désirée, ces couches sont réalisées par exemple par les techniques MOCVD (pour 20 " MetalOrganic Chemical Vapor Deposition " en terminologie anglo-saxonne), MBE (pour " Molecular Beam Epitaxy " en terminologie anglo-saxonne) ou encore HVPE (pour " Hydride Vapor Phase Epitaxy " en terminologie anglo- saxonne) i - collage fort du support final 50 sur la couche de GaN (figure iF) pour former un empilement comprenant successivement le support temporaire 20, la couche isolante 21, le film mince 11 de 6H-SiC à transférer, la ou les couches 40 à base de GaN et le support final 50; 30 ce collage du support 50 sur la couche 40 est réalisé de manière à assurer une énergie d'adhérence supérieure à celle existant au niveau de l'interface fragile obtenue lors du collage de la plaquette 10 côté film 11 sur le support 20; - application de contraintes d'origine mécanique ou autre (sans apport significatif d'énergie thermique pour 5 ne pas renforcer l'interface démontable) entre la couche déposée 40 et le support temporaire 20 pour démonter cette interface, c'est-à-dire obtenir d'une part l'ensemble formé par le film mince 11, la ou les couches déposées à base de GaN 40 et le support final 50, et 10 d'autre part le support temporaire 20 (figure 1G). Le support 20 peut être avantageusement recyclé (nettoyé et poli) pour une nouvelle utilisation en tant que support intermédiaire. On notera que la présente invention s'applique à de 15 nombreuses sortes de structures démontables: - substrats comportant une interface mécaniquement fragile résultant du collage de surfaces intrinsèquement rugueuses ou de faibles affinités chimiques, et notamment: films minces transférés par procédé du type 20 Smart-Cut , ou encore par séparation au niveau d'une couche poreuse enterrée (procédé dit Eltran ), et liés par adhésion moléculaire avec énergie de collage contrôlée (que la structure comporte ou non un isolant intermédiaire) ; - dépôts adhérant faiblement à leur support en raison notamment de contraintes mécaniques, d'une faible affinité chimique, de coefficients de dilatation différents, de surfaces de collage rugueuses, d'une couche de fragilisation enterrée telle qu'entrant en jeu 30 dans des procédés de type SmartCut ou Eltran , , etc. ; - couches minces autoportées, c'est-à-dire simplement posées sur un support pour leur manipulation (supports dits " free-standing " en terminologie anglosaxonne) ; - empilements résultant de dépôts successifs sur les structures précédemment citées (substrat + épitaxie + dépôts métalliques, etc.). REVENDICATIONS 1. Procédé de traitement d'une structure (11, 20) intermédiaire utilisée dans la fabrication de substrats 5 pour l'électronique, l'optoélectronique ou l'optique, la structure intermédiaire comprenant un film mince (11) situé sur un support (20) au niveau d'une interface faiblement adhérente destinée à être démontée, procédé caractérisé en ce qu'il comprend un lissage de la surface 10 libre (lia) dudit film mince par bombardement sur ladite surface libre d'amas gazeux ionisés avec une dose et une énergie telles que le caractère démontable de l'interface est préservé. 2. Procédé selon la revendication 1, caractérisé en ce que la surface libre du film mince (11) est destinée à recevoir un dépôt d'une ou plusieurs couches de matériau(x) (40). 3. Procédé selon la revendication 1 ou 2, caractérisé en ce que la surface libre du film mince est destinée à recevoir un dépôt d'une ou plusieurs couches de matériau(x) par épitaxie (40). 4. Procédé selon l'une des revendications 1 à 3, caractérisé en ce que le film mince (11) est collé sur le support (20) par adhésion moléculaire, avec énergie de collage contrôlée. 5. Procédé selon l'une des revendications 1 à 3, caractérisé en ce que le film mince (11) est posé sur le support (20), l'interface faiblement adhérente étant produite essentiellement par les forces de Van der Waals. 6. Procédé de fabrication d'une couche de matériau pour 5 la microélectronique, l'optoélectronique ou l'optique, caractérisé en ce qu'il comprend les étapes suivantes: - réalisation d'un film mince (11) sur un support (20), d'une manière telle qu'il existe entre le film mince et le support une interface faiblement adhérente 10 destinée à permettre par la suite un démontage du film mince par rapport au support, bombardement, sur la surface libre (fla) du film mince, d'amas gazeux ionisés de manière à diminuer la rugosité de ladite surface libre, avec une dose et une 15 énergie desdits amas telles que le caractère démontable de l'interface est préservé, - dépôt d'une ou plusieurs couches de matériau(x) (40) sur la surface libre du film mince, et - démontage de l'ensemble formé par le film mince 20 (11) et la ou les couches de matériau(x) (40) par rapport au support (20) au niveau de ladite interface. 7. Procédé selon la revendication 6, caractérisé en ce que l'étape de dépôt est mise en òuvre par épitaxie. 25 8. Procédé selon l'une des revendications 6 et 7, caractérisé en ce que l'étape de réalisation d'un film mince (11) est mise en oeuvre par une technique de transfert de film mince par collage avec interface 30 faiblement adhérente. 9. Procédé selon la revendication 8, caractérisé en ce que la technique de transfert comprend l'implantation 5 d'espèces énergétiques à une profondeur contrôlée dans un substrat donneur (10), et le détachement d'un film mince au niveau d'un plan de fragilisation (13) formé par ladite implantation. 10. Procédé selon l'une des revendications 6 à 9, caractérisé en ce que le matériau du film mince (11) est choisi dans le groupe comprenant les éléments semiconducteurs Si ou Ge individuellement ou combinés pour former un alliage Si,_,Gex, les carbures, oxydes ou 15 nitrures d'éléments semi-conducteurs et de préférence SiC, SiO2 ou Si3N4, les semi-conducteurs composés IIIV, le diamant et le saphir. 11. Procédé selon l'une des revendications 6 à 10, 20 caractérisé en ce qu'il comprend en outre, préalablement à l'étape de démontage, une étape de collage d'un support final (50) sur la ou les couches de matériau(x) (40). 12. Procédé selon l'une des revendications 6 à 11, 25 caractérisé en ce que les espèces constituant les amas sont choisies dans le groupe des gaz condensables et de préférence parmi l'argon (Ar), l'azote (N2), l'oxygène (02), CF4, CHF3, SF6, C02, N20, CH4 et NH3. 13. Procédé selon l'une des revendications 6 à 12, caractérisé en ce qu'il comprend plusieurs bombardements avec des amas gazeux ionisés d'espèces différentes et/ou d'énergies différentes et/ou à des doses différentes. 14. Procédé selon la revendication 6, caractérisé en ce que les espèces des amas bombardés sont choisies de manière à réagir chimiquement avec le matériau du film mince. 15. Procédé selon la revendication 6, caractérisé en ce que les espèces des amas bombardés sont choisies de manière à ne pas réagir chimiquement avec le matériau du film mince. 16. Procédé selon l'une des revendications 6 à 15, caractérisé en ce que le film mince (11) est collé sur le support (20) par adhésion moléculaire, avec énergie de collage contrôlée. 17. Procédé selon l'une des revendications 6 à 15, caractérisé en ce que le film mince (11) est posé sur le support (20), l'interface faiblement adhérente étant produite essentiellement par les forces de Van der Waals. 20 18. Substrat intermédiaire pour la fabrication de plaquettes de matériaux pour la microélectronique, l'optoélectronique ou l'optique, caractérisé en ce qu'il comprend un film mince (11) relié à un support (20) par 25 l'intermédiaire d'une interface faiblement adhérente apte à être démontée sous l'effet de contraintes notamment mécaniques, une face libre (llb) du film mince présentant une faible rugosité, obtenue par bombardement d'amas gazeux ionisés, appropriée pour recevoir un dépôt par 30 épitaxie. 19. Substrat intermédiaire selon la revendication 18, caractérisé en ce que l'épaisseur du film mince (11) est comprise entre environ 50 et 10000 angstrôms. 20. Substrat selon l'une des revendications 18 et 19, caractérisé en ce que le film mince (11) est collé sur le support (20) par adhésion moléculaire, avec énergie de collage contrôlée. 21. Substrat selon l'une des revendications 18 et 19, caractérisé en ce que le film mince (11) est posé sur le support (20), l'interface faiblement adhérente étant produite essentiellement par les forces de Van der Waals.