FR 2857456 A1 20050114 FR 0308256 A 20030707 CELLULE DE DETECTION DE TEMPERATURE, ET PROCEDE DE DETERMINATION DU SEUIL DE DETECTION D'UNE TELLE CELLULE L'invention concerne une cellule de détection de température pour un circuit intégré, et un procédé associé de détermination du seuil réel de détection d'une telle cellule. L'invention peut être utilisée par exemple pour des circuits intégrés pour des téléphones cellulaires, elle peut être plus généralement utilisée pour tout circuit intégré susceptible de dissiper de la chaleur. Les cellules de détection de température sont généralement utilisées dans les circuits intégrés comme alarme pour indiquer un échauffement anormal du dit circuit intégré. L'utilisation de telles cellules permet d'arrêter le fonctionnement, et donc l'échauffement, du circuit intégré avant qu' il ne soit endommagé par un tel échauffement. Le principe de fonctionnement d'une telle cellule est résumé sur la figure 1. La cellule comprend un circuit produisant une tension VR qui augmente avec la température T, et qui est comparée à une tension VBEON qui diminue avec la température T. A température ambiante TO, VBEON est supérieure à VR. Lorsque la température au voisinage de la cellule augmente, les deux tensions se rapprochent et la cellule produit un signal d'alarme VOUT lorsque la tension VBEON devient inférieure à la tension VR (seuil TD de détection). Un exemple d'une telle cellule est représenté sur la figure 2. Elle comprend une source de courant 11, trois transistors MN1, MN2, MN3 de type N, deux transistors MP1, MP2 de type P, un transistor bipolaire Ql, une résistance R et deux inverseurs 12,13. Un potentiel d'alimentation VPLUS est appliqué sur une des bornes de la source 11 dont l'autre borne est connectée au drain du transistor MN1. Le potentiel VPLUS est également appliqué sur la source du transistor MP1 dont le drain est connecté à une des bornes de la résistance R dont l'autre borne est connectée au drain de MN2. Le potentiel VPLUS est encore appliqué sur la source de MP2 dont le drain est connecté au drain de MN3. Les grilles de MP1 et MP2 sont connectées ensemble au drain de MP1. L'émetteur de Ql est connecté au point commun de la résistance R et du transistor MP1. La base de Ql est connectée au point commun de la résistance R et du transistor MN2. Les grilles des transistors MN1, MN2, MN3 sont connectées ensemble au point commun de MN1 et de la source de courant 11. Les deux inverseurs 12,13 sont connectés en série, l'entrée de l'inverseur 12 étant connectée au point commun de MP2 et de MN3 et la sortie de l'inverseur 13 formant la sortie VOUT de la cellule de détection. Les inverseurs 12,13 ont simplement pour effet de transformer le potentiel analogique VComp présent au point commun des transistors MP2, MN3 en un signal digital VOUT qui est inactif si la température est inférieure au seuil TD de détection de la cellule, et qui est qui est actif sinon. Enfin, un potentiel de masse VMINUS est appliqué sur la source des transistors MN1, MN2, MN3 et sur le collecteur du transistor Ql. Les transistors MN1, MN2 sont identiques et forment un miroir de courant : le courant I produit par la source 11 traverse le transistor MN1 qui le recopie dans le transistor MN2. Le courant I circule ainsi dans la résistance R. Les transistors MP1, MP2 sont identiques et forment également un miroir de courant. Le courant circulant dans le transistor MP, courant égal à la somme du courant circulant dans la résistance R et du courant circulant dans l'émetteur du transistor Ql, est recopié dans le transistor MP2. Enfin, les transistors MN1, MN3 forment également un miroir de courant. Par contre, le transistor MN3 est choisi tel que le courant recopié dans le transistor MN3, proportionnel (principe d'un miroir de courant) au courant I circulant dans le transistor MN1, soit également légèrement supérieur au courant circulant dans MP2. Le transistor Ql a une tension VBEON base - émetteur qui décroît avec la température (figure 1), caractéristique bien connue des transistors bipolaires. La source de courant 11 est quant à elle construite selon un schéma connu utilisant notamment des transistors bipolaires ; le courant I produit par la source 11 est proportionnel à la différence (notée AVBE) entre les tensions base - émetteur de deux transistors bipolaires et le courant I augmente avec la température. Ceci est dû aux caractéristiques en température bien connues des transistors bipolaires qui la constituent. On note I - AVBE/RI, RI étant une constante. La source de courant 11, les transistors MN1, MN2 et la résistance R forment ensemble le circuit qui produit une tension VR croissante avec la température (figure 1) : AVBE, I et VR suivent la même évolution en fonction de la température. En fonctionnement normal, le courant I fourni par la source 11 est faible de sorte que la tension VR aux bornes de R (égale à R*I) est faible et le transistor Ql est bloqué. Le courant dans l'émetteur de Ql est donc nul et le courant circulant dans les transistors MP1, MP2 est égal à I. Enfin, le courant I circulant dans MN1 est recopié dans MN3. Comme le courant circulant dans MN3 est supérieur (MN3 a été choisi en conséquence) au courant I circulant dans le transistor MP2, le point commun des transistors MP2, MN3 est ramené au potentiel VMINUS et la sortie VOUT est égale à un zéro logique. Lorsque la température augmente, la tension VR, le courant I augmentent, tandis que le potentiel VBEON diminue. Lorsque la température dépasse le seuil TD de détection de la cellule, le courant I produit par la source 11 est important, il est tel que la tension VR est supérieure au seuil de conduction VBEON du transistor Ql qui devient passant. Un courant circule dans le transistor Ql et vient s'additionner au courant I dans le transistor MP2. Le courant I additionné au courant circulant dans l'émetteur de Ql est recopié dans MP2. Comme le courant circulant dans MP2 est supérieur au courant circulant dans MN3, le transistor MP2 tire le point commun des transistors MP2, MN3 au potentiel VPLUS et la sortie VOUT devient égale à un un logique, indiquant que la température a atteint le seuil TD de détection. Le seuil de détection TD est atteint lorsque la température est telle que la tension VR devient égale à la tension émetteur-base à partir de laquelle Ql devient passant et conduit un courant. Un problème des cellules de détection actuelles est la variation du seuil de détection d'une cellule à l'autre. Malgré tout le soin apporté au design d'une série de cellule, les valeurs des résistances, des tensions #VBE, VBEON des transistors bipolaires varient de quelques pour cents d'une cellule à l'autre sur une même chaîne de production. Du fait de ces variations de paramètres, les tensions produites par les bipolaires, les courants produits par les bipolaires ou recopiés par les miroirs de courant varient également d'une cellule à l'autre. Ces erreurs se cumulent généralement et ont au final une influence non négligeable sur la valeur du seuil de détection de la cellule. On constate dans la pratique que, pour une série de cellules dimensionnées pour avoir un seuil de détection TD théorique donné, on peut avoir des cellules dont le seuil de détection réel s'écarte de 20 à 30% de la valeur souhaitée, ce qui est inacceptable pour certaines applications. le seul moyen de garantir la valeur du seuil de détection d'une cellule est de le mesurer. Or, actuellement le seul procédé de test (mesure du seuil TD de température) connu d'une cellule est un test en conditions réelles, consistant à augmenter progressivement la température au voisinage de la cellule jusqu'à atteindre le seuil de détection. Pour des raisons évidentes de coût et de temps, un tel test est réalisé dans la pratique sur un échantillon très réduit de cellules issues d'une même série de fabrication comprenant plusieurs dizaines de milliers de cellules; ceci ne permet pas de garantir le seuil de détection de chaque cellule prise individuellement. Un objectif de l'invention est de réaliser une cellule intégrant un circuit de test pour déterminer précisément le seuil de détection en température de la cellule. Un autre objet de l'invention est un procédé de mesure du seuil de détection d'une telle cellule. Cet objectif est atteint avec une cellule de détection de température selon l'invention comprenant : - un circuit produisant une tension croissante (VR) avec la température, - un circuit produisant une tension décroissante (VBEON) avec la température, et - un circuit de comparaison pour comparer la tension croissante avec la tension décroissante (VR) et produire un signal d'alerte lorsque la température atteint un seuil de détection tel que la tension décroissante devient inférieure à la tension croissante (VR) . Selon l'invention, la cellule comprend également un circuit de test pour déterminer le seuil de détection de la cellule. Ainsi, et contrairement aux cellules connues, une cellule selon l'invention comprend un circuit de test permettant de déterminer avec précision la valeur réel du seuil de détection de la cellule. Ce circuit de test peut être par exemple utilisé en sortie de chaîne de fabrication, pour tester individuellement les cellules. Plus précisément, selon l'invention le seuil de détection est calculé à partir de mesures de la tension croissante et de la tension décroissante (VBEONO) à une température ambiante. Il n'est ainsi plus nécessaire de tester la cellule à haute température (seuil de l'ordre de 100 à 200 C), des mesures à température ambiante sont suffisantes. Les cellules peuvent ainsi être testées à peu de frais. Le circuit produisant une tension décroissante est par exemple réalisé de même que dans une cellule connue (transistor Ql, figure 2). Le circuit de comparaison est également réalisé selon le schéma connu de la figure 2. Selon un mode de réalisation préféré d'une cellule selon l'invention, le circuit produisant la tension croissante (VR) comprend : - une première source de courant produisant un courant (1= AVBE/RO) qui augmente avec la température et qui, à une température donnée, augmente en fonction d'un potentiel de commande appliqué à la première source de courant, et une résistance qui reçoit le courant et aux bornes de laquelle est produite la tension croissante. Le fait d'utiliser un potentiel de commande pour piloter la source de courant permet de déplacer le point de mise en conduction du transistor Ql, ce qui revient à simuler une élévation de température. Selon le mode préféré de réalisation de l'invention, le circuit de test comprend quant à lui une deuxième source de courant , et une résistance de test qui reçoit le courant produit par la deuxième source et aux bornes de laquelle est produite, à la température de référence, une tension qui est : - proportionnelle à la tension croissante lorsque le potentiel de commande est sans effet sur le courant produit par la première source et la deuxième source, et - proportionnelle à la tension décroissante (VBEON) lorsque la première source et la deuxième source (22) sont commandées par un potentiel de commande tel que la tension croissante soit égale à la tension décroissante à la température de référence. La deuxième source de courant est par exemple identique à la première source de courant. La deuxième source de courant peut également être un miroir de courant constitué par exemple avec des transistors PMOS, et qui recopie le courant produit par la première source de courant. L'invention a également pour objet un procédé de détermination d'un seuil de détection (TD) de chaque cellule de détection de température d'une série de une ou plusieurs cellules issues d'un même process de fabrication. Chaque cellule à tester comprend un circuit pour produire une tension croissante en fonction de la température, un circuit produire une tension décroissante en fonction de la température, et un comparateur pour fournir un signal d'alerte lorsque la tension croissante atteint la tension décroissante signifiant que le seuil de détection est atteint. Le procédé selon l'invention met en #uvre les étapes suivantes : - au cours d'une étape d'initialisation, on détermine des coefficients X, Y constants liés à la série de cellules, - au cours d'une étape de test, on détermine le seuil de détection d'une cellule à partir de mesures de la tension croissante et de la tension décroissante à une température de référence. Seules des mesures à température ambiante sont nécessaires pour effectuer l'étape de test. La mise en #uvre de cette étape est donc peu onéreuse. De préférence, l'étape de test est répétée pour chaque cellule de la série de cellules. L'étape d'initialisation peut être réalisée une seule fois avant les étapes de test : on limite ainsi le nombre d'étapes à réaliser lorsque plusieurs cellules doivent être testées successivement. L'étape d'initialisation peut également être répétée avant chaque étape de test : on améliore ainsi la précision de la valeur du seuil de température détecté, comme on le verra mieux par la suite. Au cours de l'étape de test, le seuil de détection est calculé selon la relation : TD = TO + (VS2 - VS1)/ (X-Y) TO étant la température de référence, X, Y étant les coefficients déterminés lors de l'étape d'initialisation, VS1 étant une image de la tension croissante (VR) à la température de référence, VS2 étant une image de la tension décroissante (VBEON) à la température de référence. L'invention sera mieux comprise et d'autres caractéristiques et avantages apparaîtront à la lecture de la description qui va suivre, d'un exemple de mise en oeuvre d'une cellule de détection de température et d'un procédé de test d'une telle cellule, selon l'invention. La description est à lire en relation aux dessins annexés dans lesquels : - la figure 1, déjà décrite, montre l'évolution de deux tensions à l'intérieur d'une cellule de détection connue, la figure 2, déjà décrite, est un schéma électronique d'une cellule de détection connue, et - la figure 3 est un schéma d'une cellule de détection selon l'invention. Pour obtenir une cellule de détection selon l'invention (figure 3), une cellule connue (figure 2) a été modifiée et complétée de la manière suivante. La source de courant 11 a été remplacée par une source 21 de courant réalisée selon un schéma similaire à celui utilisé pour la source 11 de la cellule connue. Par rapport à la source 11, la source 21 peut être commandée par un potentiel VF. La source 21 produit un courant I qui est : - croissant linéairement en fonction de la température, pour une valeur VFO donnée du potentiel VF, - variable en fonction du potentiel VF, pour une valeur TO donnée de la température T. Ont été ajoutés par ailleurs une deuxième source 22 de courant et une résistance RS connectées en série. Le potentiel VPLUS est appliqué sur une borne de la source 22 dont l'autre borne est connectée à une borne de la résistance RS. Le potentiel de masse VMINUS est appliqué sur l'autre borne de la résistance RS. La source 22 est identique à la source 21 ; produit en particulier un courant I qui évolue de la même manière en fonction de la température et du potentiel VF. Avant de décrire le fonctionnement de la cellule selon l'invention, et également le procédé de test de la cellule, il convient de décrire plus longuement, du point de vue théorique, le comportement des différents composants de la cellule en fonction de la température. Dans l'exemple de la figure 3, les transistors MN1, MN2, la source 11 et la résistance R forment un circuit qui produit une tension VR qui est linéaire et qui augmente avec la température. En effet, le courant I produit par la source 21 étant linéaire en fonction de la température pour une valeur VF donnée, il s'ensuit que la tension VR aux bornes de la résistance R est également linéaire, pour VF donnée : VR = A*T + C T étant la température, A, C, étant des constantes. Le courant I étant nul à température (absolue) égale à zéro, on en déduit que C = 0. Par ailleurs, en notant VRO, la valeur de VR, à une température TO de référence (par exemple la température ambiante, de l'ordre de 15 à 25 C), on peut alors écrire : A = VRO / TO et donc VR = VRO/TO * T VRO est proportionnel à un coefficient AVBEO propre à la source 21 et à un rapport de résistances R/RB. AVBEO est un coefficient constant, indépendant notamment du process de fabrication, pour les mêmes raisons que précédemment. Si les résistances R et RB sont sensibles au process, le rapport R/RB est quant à lui peu dépendant (de l'ordre de 1 à 2%), de sorte que VRO et A sont considérés comme constants. Dans l'exemple de la figure 3, le transistor Ql forme un circuit qui produit une tension VBEON linéaire et décroissante en fonction de la température. En effet, la tension émetteur - base VBEON du transistor bipolaire Ql est variable linéairement avec la température. On peut écrire VBEON = B*T + D B et D sont des coefficients à déterminer. B est un coefficient constant, indépendant notamment du process de fabrication. D est par contre sensible au process de fabrication, et peut ainsi varier d'une cellule à l'autre. Dans l'exemple de la figure 3, les transistors MP1, MP2 et MN3 et les inverseurs 12,13 forment un circuit de comparaison de la tension VR et de la tension VBEON, comme on l' a vu précédemment dans le cadre de la description de la figure 2. Lorsque la température atteint le seuil de détection TD, on a VTD = VR(TD) = VBEON(TD) soit : VRO = A*TO + C VBEONO = B*TO + D VTD = A*TD + C VTD = B*TD + D On en déduit que : A = (VTD - VRO)/(TD-TO) B = (VTD - VBEONO)/(TD-TO) D'où (A-B)*(TD-TO) = VTD-VRO - VTD + VBEONO = VBEONO - VRO Soit encore : TD = TO + (VBEONO - VRO) / (A-B) On rappelle que, pour T = TO, VBEONO est la tension base-émetteur du transistor Ql et que VRO est, à un coefficient près, le courant produit par les sources 21 et 22. Les coefficients A et B étant indépendants du process, ils sont constants pour une même série de cellules. Dans l'exemple de la figure 3, la source 22 et la résistance RS forment un circuit de test qui permet, à une température T donnée, de mesurer d'une part la tension VRO aux bornes de R et d'autre part la tension VBEONO de mise en conduction du transistor Ql. Les courants circulant dans les résistances R et RS étant identiques à une température T donnée et une valeur VF donnée du potentiel de commande des sources de courant. On peut écrire, pour un potentiel VF donné et une température donnée : VS = RS/R * VR On note VS1, la valeur de la tension VS lorsque la valeur (VF1) du potentiel VF est telle que les sources 21,22 ne sont pas commandées (potentiel VF sans effet). On a : VS1 = RS/R * VR pour VF = VF1 Par ailleurs, à une température T donnée, la tension VBEON de Ql est égale à la tension VR à l'instant où le transistor Ql devient passant. On note VS2, la valeur de la tension VS telle que le courant produit par la source 21 et traversant la résistance R soit suffisant pour que VR = VBEON ; est obtenu en choisissant une valeur appropriée (VF2) de VF. On a : VS2 = RS/R * VBEON On peut alors exprimer la température TD en fonction de TO, VS1 et VS2 : TD = TO + (VBEONO - VRO) (A-B) = TO + (R/RS * VS2 - R/RS * VS1) / (A-B) = TO + (VS2 - VS1) (RS/R * A - RS/R * B) = TO + (VS2 - VS1) (X-Y) avec X = RS/R * A et Y = RS/R * B Le procédé selon l'invention utilise la dernière relation pour déterminer, pour chaque cellule de détection de température produite et à partir de mesures à température ambiante de VS2 et VS1, et donc de VBEONO et VRO, le seuil TD de détection de la cellule. Ainsi, le procédé selon l'invention comprend : - une première étape d'initialisation, au cours de laquelle on détermine deux paramètres X, Y associés à une ou plusieurs cellules d'une même série ayant des caractéristiques identiques, - une deuxième étape au cours de laquelle, pour chaque cellule : - on mesure la valeur de VS2 et VS1 - puis on détermine la valeur du seuil de température TD de chaque cellule. Enfin, si cela est souhaitable, on écarte les cellules ayant un seuil TD réel de température trop différent du seuil souhaité et considérés comme défectueuses. L'étape d'initialisation peut être réalisée une seule fois pour un ensemble de cellules issues d'un même process de fabrication. Le nombre d'étapes, et donc la durée globale du procédé est limitée. L'étape d'initialisation peut également être répétée pour chaque cellule. La mise en #uvre du procédé est un peu plus longue, mais on obtient une meilleure précision sur la valeur du seuil TD : on s' affranchit en effet des faibles variations des coefficients X, Y (dus aux faibles variations des rapports de résistances RS/R d'une cellules à l'autre. Initialisation du procédé : détermination de X, Y: A = VRO/TO, VRO étant la valeur de VR à la température de référence TO. Or, à la température TO, VS1(TO) = RS/R * VRO. On en déduit : X = VSl(TO) / TO X est ainsi obtenu en mesurant la tension VS1(TO) aux bornes de la résistance RS à température égale à TO et lorsque les sources 21,22 ne sont pas commandées, puis en divisant le résultat de la mesure par TO. B est la pente de la courbe VBEON = B*T + D. Comme VS2 = RS/R * VBEON, on peut écrire : VS2 = RS/R *B * T + D Y * T + RS/R*D Y est donc la pente de la droite VS2 en fonction de la température. On rappelle que VS2 est, à la température donnée, la tension aux bornes de la résistance RS lorsque le courant produit par la source 21 ou la source 22 est tel que la tension aux bornes de R est égale à la tension VBEON d'entrée ne conduction du transistor Ql. Selon le procédé de l'invention, Y est déterminé à partir de deux mesures de VS2 à deux températures différentes sur une même cellule. Eventuellement, si une meilleure précision sur la valeur de Y est souhaitée, on peut aussi effectuer plus de deux mesures sur la même cellule et/ ou faire des mesures sur des cellules à tester différentes, puis finalement faire une détermination statistique de Y en fonction de l'ensemble des mesures de VS2 effectuées. Test d'une série comprenant une ou plusieurs cellules. Pour chaque cellule, on mesure tout d'abord la tension VS1 (image de VR) , puis la tension VS2 (image de VBEON) à la température ambiante TO. La mesure de VS1 est effectuée comme lors de l'étape d'initialisation : la valeur du potentiel VF étant telle que VF est sans effet sur les sources 21,22, on mesure la tension VS1 aux bornes de la résistance RS, tension VS1. La mesure de VS2 est effectuée ensuite à la température TO, selon le même mode opératoire que lors de la phase d'initialisation : on varie le potentiel VF pour augmenter le courant I circulant dans la résistance R et dans la résistance RS, et on mesure VS2 à l'instant où le transistor Ql commence à conduire. Ensuite, pour chaque cellule à tester, on détermine par le calcul le seuil TD de température exact selon la relation : TD = TO + (VS2 - VS1) / (X-Y) X, Y étant les coefficients déterminés lors de l'étape d'initialisation. On notera qu'avec l'invention, on détermine le seuil de température (100-200 C) d'une cellule ou d'une cellule de cellules uniquement à partir de mesures à température ambiante (20-30 C). Seules quelques mesures (au moins une, et dans tous les cas un très petit nombre de mesures suffit) à température supérieure à la température ambiante doivent être réalisées lors de la phase d'initialisation pour la détermination du coefficient Y. Ces quelques mesures à température plus élevée peuvent cependant aisément être réalisées bien en amont, par exemple sur un prototype en laboratoire, en dehors de tout processus de fabrication. Un test selon l'invention peut ainsi être aisément réalisé en sortie de chaîne de production sur toutes les cellules produites, pour garantir la valeur de ce seuil avec un faible taux d'erreur. REVENDICATIONS 1. Cellule de détection de température comprenant : - un circuit (11, MN1, MN2, R) produisant une tension croissante (VR) avec la température (T), - un circuit (Q1) produisant une tension décroissante (VBEON) avec la température (T), et - un circuit de comparaison (MP1, MP2, MN3,12, 13) pour comparer la tension croissante (VBEON) avec la tension décroissante (VR) et produire un signal d'alerte lorsque la température atteint un seuil de détection (TD) tel que la tension décroissante (VBEON) devient inférieure à la tension croissante (VR), caractérisée en ce qu'elle comprend également un circuit de test (22, RS) pour déterminer le seuil de détection (TD) de la cellule. 2. Cellule selon la revendication 1, dans laquelle le seuil de détection (TD) est calculé à partir de mesures de la tension croissante (VRO) et de la tension décroissante (VBEONO) à une température ambiante (TO). 3. Cellule selon la revendication 1 ou 2, dans laquelle le circuit produisant la tension croissante (VR) comprend : - une première source de courant (21) produisant un courant (1= VBE/R) qui augmente avec la température (T) et qui, à une température donnée (T), augmente en fonction d'un potentiel de commande (VF) appliqué à la première source de courant (11), et - une résistance (R) qui reçoit le courant (I) et aux bornes de laquelle est produite la tension croissante (VR) . 4. Cellule selon la revendication 3, dans laquelle le circuit de test comprend une deuxième source de courant (22), et une résistance de test (RS) qui reçoit le courant (I) produit par la deuxième source et aux bornes de laquelle est produite, à la température de référence (TO), une tension (VS, VS1, VS2) qui est : - proportionnelle à la tension croissante (VR) lorsque le potentiel de commande (VF) est sans effet sur le courant (I) produit par la première source (21) et la deuxième source (22), et - proportionnelle à la tension décroissante (VBEON) lorsque la première source (21) et la deuxième source (22) sont commandées par un potentiel de commande (VF) tel que la tension croissante soit égale à la tension décroissante à la température de référence. 5. Procédé de détermination d'un seuil de détection (TD) de chaque cellule de détection de température d'une série de une ou plusieurs cellules issues d'un même process de fabrication, chaque cellule comprenant un circuit (21, MN1; MN2, R) pour produire une tension croissante (VR) en fonction de la température (T), un circuit (Ql) pour produire une tension décroissante (VBEON) en fonction de la température, et un comparateur pour fournir un signal d'alerte lorsque la tension croissante atteint la tension décroissante signifiant que le seuil de détection est atteint, le procédé étant caractérisé en ce qu'on réalise les étapes suivantes : au cours d'une étape d'initialisation, on détermine des coefficients X, Y constants liés à la série de cellules, - au cours d'une étape de test, on détermine le seuil de détection (TD) d'une cellule à partir de mesures de la tension croissante (VR) et de la tension décroissante (VBEON) à une température de référence (TO). 6. Procédé selon la revendication 5, dans lequel l'étape de test est répétée pour chaque cellule de la série de cellules, l'étape d'initialisation étant réalisée une seule fois avant les étapes de test. 7. Procédé selon la revendication 5, dans lequel l'étape d'initialisation et l'étape de test sont répétée pour chaque cellule de la série de cellules. 8. Procédé selon l'une des revendications 5 à 7, dans lequel, au cours de l'étape de test, le seuil de détection est calculé selon la relation : TD = TO + (VS2 - VS1)/ (X-Y) TO étant la température de référence, X, Y étant les coefficients déterminés lors de l'étape d'initialisation, VS1 étant une image de la tension croissante (VR) à la température de référence, VS2 étant une image de la tension décroissante (VBEON) à la température de référence. 9. Procédé selon l'une des revendications 5 à 8, dans lequel, pour déterminer un premier coefficient (X) au cours de l'étape d'initialisation, on mesure une tension image (VS1) de la tension croissante (VR) à la température de référence (TO) , puis on divise le résultat par la température de référence (TO). 10. Procédé selon l'une des revendications 5 à 9, dans lequel, pour déterminer un deuxième coefficient (Y) au cours de l'étape d'initialisation, on mesure une tension image (VS2) de la valeur de la tension décroissante (VBEON) à deux températures différentes, puis on calcule une pente d'une droite passant par les deux points de mesure. 11. Procédé selon l'une des revendications 5 à 9, dans lequel, pour déterminer le deuxième coefficient (Y) lors de l'étape d'initialisation, on mesure la tension image (VS2) de la tension décroissante (VBEON) de deux cellules à une même température ou à des températures différentes, puis on calcule une pente d'une droite passant par les deux points de mesure. 12. Procédé selon l'une des revendications 5 à 9, dans lequel, pour déterminer le deuxième coefficient (Y) lors de l'étape d'initialisation, on mesure la tension image (VS2) de la tension décroissante (VBEON) de deux cellules ou plus à une même température ou à des températures différentes , puis on calcule par une étude statistique une pente d'une droite passant au voisinage de l'ensemble des points de mesure.