FR 2849504 A1 20040702 FR 0216847 A 20021230 PROCEDE DE CARACTERISATION OPTIQUE DE MATERIAUX SANS UTILISATION DE MODELE PHYSIQUE DESCRIPTION DOMAINE TECHNIQUE La présente invention concerne un procédé de caractérisation optique de matériaux. Ce procédé permet de caractériser des couches minces ou épaisses de ces matériaux, qui sont formées sur des substrats. Les grandeurs physiques, que ce procédé permet de déterminer, sont: - l'épaisseur d'une couche d'un matériau, - l'indice de réfraction de ce matériau, et - le coefficient d'absorption de ce matériau. La caractérisation optique des matériaux est utile pour l'analyse chimique de ces matériaux (notamment étude des bandes d'absorption, des propriétés de densification et des propriétés d'oxydation), dans les domaines de la micro- électronique, des capteurs, de la biologie, de la médecine), ou bien pour l'analyse des épaisseurs de dépôts de ces matériaux. Pour des exemples d'application, on se reportera au document [1] qui, comme les autres documents cités par la suite, est mentionné à la fin de la présente description. La caractérisation des propriétés optiques d'un matériau est également utile lorsque le matériau est par la suite structuré ( pour y former par exemple des gravures ou des rugosités) et que les propriétés de diffraction optique de la structure obtenue doivent être calculées (voir le document [2]). Indiquons dès à présent que l'invention est particulièrement utile lorsque la loi physique suivie par l'indice de réfraction complexe du matériau que l'on veut caractériser n'est, a priori, pas connue. ETAT DE LA TECHNIQUE ANTERIEURE On rappelle que les mesures optiques peuvent être de diverses natures : Il peut s'agir de mesures réflectométriques. Dans ce cas, le coefficient de réflexion en intensité d'une structure est mesuré sur un spectre (c'est-à-dire un intervalle) de longueurs d'ondes [i,"" iM] . L'angle d'incidence de la lumière d'éclairement peut être non nul. Le coefficient de réflexion peut être mesuré pour plusieurs angles d'incidence #. Nous noterons R (#, #, p) le spectre réflectométrique, où p est la polarisation du faisceau incident et # la longueur d'onde de ce dernier. Généralement, l'angle # est nul et la polarisation p indéterminée. Dans le cas où # n'est pas nul, il faut connaître cette polarisation p. En général, cette dernière est de type (S) où (P). Il peut s'agir aussi de mesures ellipsométriques. Les grandeurs mesurées sont alors les parties réelle et imaginaire du rapport du coefficient de réflexion en polarisation (P) au coefficient de réflexion en polarisation (S). On note généralement p=pexp(j) ce rapport complexe (avec j2=-1). Les grandeurs généralement traitées sont 1 p que l'on note tan(yI), et cos(), ou des combinaisons des deux. Par souci de généralité, nous noterons Si et 82 ces grandeurs. Les spectres Si, i # [1,2], sont mesurés sur une plage de longueurs d'ondes [7,I", iM] . L'angle d'incidence peut être quelconque. Plusieurs spectres peuvent être mesurés à différents angles d'incidence afin d'obtenir un spectre plus riche. Nous noterons s (6, î) =S1 (9, ,) , ,S2(S,À)} } le spectre ellipsométrique. De façon complémentaire, des mesures goniométriques (coefficient de réflexion en fonction de l'angle d'incidence) peuvent être ajoutées aux mesures servant à la caractérisation, afin de déterminer l'épaisseur des diverses couches, pour une ou plusieurs longueurs d'ondes. Ces mesures ne sont pas suffisantes en elles-mêmes puisque l'on veut déterminer l'indice de réfraction complexe sur une gamme spectrale allant de #m à ÀM. Afin de simplifier l'exposé, nous noterons # un ensemble de spectres réflectométrique ou/et ellipsométrique(s) (et éventuellement goniométriques pour quelques longueurs d'ondes). Sans perdre aucune généralité, nous n'exposerons, dans la présente description, le mode d'utilisation des procédés de l'art antérieur et de la présente invention que dans le cas d'une seule couche mince d'un matériau, formée sur un substrat connu. L'épaisseur de cette couche est notée e et l'indice de réfraction complexe du matériau à la longueur d' onde est noté n* (,) . On rappelle à ce propos que la partie réelle (respectivement imaginaire) de cet indice de réfraction complexe est notée n(#) (respectivement k(#)) et appelée "indice de réfraction" (respectivement "coefficient d'extinction"). En outre on note Er ((1), vii/(2> ) une fonction d'erreur (par exemple l'écart quadratique moyen) entre deux spectres (1) et tp (2) . Par exemple, on pourra prendre, lorsque l'on dispose de spectres ellipsométriques sur plusieurs angles 6;,, le {l..n}, et d'un spectre réflectométrique : E.(T',')=## J 1!= L \ l l e'' I ll !vi m Àm 1=1 + [Rm(Â)-Ri2)(Â)f\iÂ (1) avec (1) (A.) ={S{1) (Oi E 11.. nl, 1) , ,S2(1) (6El..n,,) R (1) (,) et pl2)(1)=ISJ(2)(0,.etl..nl,X),S2 (2) (eE{1..n},À.) ,R(2J (À.)} Des facteurs de pondération peuvent être apportés à l'intégrale de façon à ce que la fonction d'erreur puisse tenir compte de variations sur la présicion de mesure des spectres. La caractérisation optique de couches de matériaux s'articule généralement autour de deux applications : La première application est le contrôle dimensionnel du dépôt de couches minces utilisées en microélectronique. Généralement on connaît bien le matériau déposé, c'est-à-dire que l'on connaît bien l'indice de réfraction complexe de ce matériau aux longueurs d'ondes de la lumière utilisée pour la caractérisation. Les lois suivies par l'indice de réfraction complexe sont soit tabulées, soit approchées par des lois physiques connues telles que, par exemple, le modèle de Cauchy, le modèle de Sellmeier (voir le document [3]), les lois de Forouhi (voir le document [4]), et les lois lois d'oscillateurs harmoniques (voir le document [5]). Ces lois sont définies par un nombre fini de paramètres. Par exemple, une loi de type Cauchy sans absorption à deux paramètres est définie de la manière suivante : Lorsque l'on est sûr de la valeur des coefficients ai de {1,2}) mais que l'on ne connaît pas l'épaisseur, un algorithme de recherche est utilisé afin de trouver l'épaisseur qui minimise l'erreur entre la mesure *P et la réponse théorique Y compte tenu de l'indice modélisé. L'algorithme de recherche peut être, par exemple, la méthode du Simplex, la recherche Tabou, la méthode de Levendt-Marquart ou la méthode du recuit simulé (voir le chapitre 10 du document [6]). Lorsque l'indice de réfraction est approximatif, les coefficients ai sont intégrés dans la procédure d'ajustement de # et #. La recherche des coefficients ai constitue un procédé de caractérisation de l'indice de réfraction. Cependant, lorsque la loi suivie par cet indice de réfraction est inconnue (il arrive que le matériau soit inconnu ou bien ne soit pas bien décrit par une loi physique connue), ce procédé reste approximatif et l'épaisseur risque d'être fausse. La deuxième application est la caractérisation des matériaux. Le procédé utilisé reste le même, mis à part que le matériau n'est pas bien connu. C'est précisément la fonction d'indice de réfraction complexe la plus proche de la réalité qui est visée. Le type de loi peut être choisi par analogie avec d'autres matériaux. Cependant, la loi suivie par l'indice de réfraction complexe peut être compliquée, ce qui est par exemple le cas d'une loi d'oscillateurs harmoniques : Dans l'expression ci-dessus, j2=-1 et l'indice de réfraction et le coefficient d'extinction sont exprimés non pas en fonction de # mais de E, avec E= 1240/À en nm) . Dans ce cas, les coefficients des oscillateurs sont difficiles à trouver si l'on n'a pas leur ordre de grandeur. La recherche est difficilement automatisable, les algorithmes de recherche pouvant donner des réponses erronées et le temps perdu peut être considérable. Il existe une alternative à la recherche des coefficients : la méthode point-à-point (PAP). Cette méthode PAP propose de ne pas choisir de loi physique et de rechercher l'indice de réfraction complexe du matériau pour chaque longueur d'onde #i, iE [1...n], avec ,1=7,a, et 2=Xm. Pour chaque #i, un algorithme de recherche tente de trouver l'épaisseur, l'indice n(#i) et le coefficient d'extinction k(#i) qui minimisent l'erreur entre la mesure IF (li) et la réponse théorique Y ( %1,i , n ( %l,i ) . k ( %li ) F-) Un tel procédé pose un problème parce que les divers points (,i, , n (,;,) , k (,;,) ) ne sont pas forcément physiquement compatibles entre eux : par exemple, l'épaisseur trouvée peut varier en fonction de la longueur d'onde et la loi suivie par l'indice de réfraction complexe, plus simplement appelée loi d'indice, peut présenter des discontinuités. Ce procédé est généralement valable seulement lorsque l'épaisseur est très bien connue et que les mesures sont de très bonne qualité. EXPOSÉ DE L'INVENTION La présente invention a pour but de remédier aux inconvénients précédents. Le procédé objet de l'invention permet de caractériser un matériau sans utiliser un modèle physique, c'est-à-dire sans utiliser une loi physique suivie par l'indice de réfraction complexe du matériau étudié. Il est donc tout particulièrement utile lorsqu'une telle loi n'est pas connue. Ce procédé constitue une alternative aux procédés de caractérisation connus, mentionnés plus haut. Il peut être appelé "méthode des n#uds" car il utilise des "n#uds" c'est-à-dire des points de coordonnées (Ài n; ) , où nl est la valeur prise par l'indice de réfraction complexe à la longueur d'onde #i et i prend un nombre limité de valeurs (entières). De façon précise, la présente invention a pour objet un procédé de caractérisation optique d'au moins une couche d'un matériau dans un intervalle de longueurs d'ondes [# min, , max], cette couche étant formée sur un substrat, ce procédé étant caractérisé en ce que : - on effectue un ensemble de mesures de réflectométrie et/ou d'ellipsométrie, cet ensemble de mesures conduisant à un spectre mesuré, noté #, - on choisit m longueurs d'ondes initiales #1 ...#m appartenant à cet intervalle, m étant un nombre entier au moins égal à 1, on associe, à chaque longueur d'onde, un indice de réfraction, - on choisit une loi d'interpolation au moins pour l'indice de réfraction du matériau, pour les longueurs d'ondes comprises entre les longueurs d'ondes initiales #1...#m, - on choisit M paramètres initiaux, M étant au moins égal à m, à savoir un indice de réfraction initial ni pour chaque longueur d'onde initiale #i, 1 # i m, les longueurs d'ondes initiales étant choisies de manière à pouvoir déterminer par interpolation au moins l'indice de réfraction pour toute longueur d'onde de l'intervalle [# min, , max] , les couples (#i, ni) étant appelés n#uds, - on choisit des méthodes de calcul de réflectométrie et d'ellipsométrie, - on choisit aussi une fonction d'erreur Er, représentative de l'écart entre deux spectres #1 et #2, les spectres #1 et 2 étant calculés ou mesurés sur un nombre de points supérieur au nombre m de n#uds, - à l'aide des m longueurs d'ondes initiales, des M paramètres initiaux et de la loi d'interpolation, on met en #uvre le processus d'optimisation suivant : - on détermine un spectre théorique, noté #, en fonction des méthodes de calcul choisies, et de l'indice déduit par interpolation de sa valeur en #i, i allant de 1 à m, sur le spectre [À,min, À,max] , - on détermine l'erreur Er (\fi, \fi), entre le spectre mesuré et le spectre théorique, - on minimise cette erreur en faisant varier la position des valeurs des indices inconnus et/ou l'épaisseur de la couche et/ou les valeurs des indices de réfraction aux longueurs d'ondes initiales, et l'on obtient un spectre, - on ajoute des longueurs d'ondes aux longueurs d'ondes initiales #1 ... #m, les longueurs d'ondes ajoutées constituant de nouveaux n#uds, - on répète le procédé en choisissant un nombre m' de longueurs d'ondes initiales, m' étant supérieur à m, et M' paramètres initiaux, M' étant supérieur à M, jusqu'à ce que la précision sur chaque spectre ainsi représenté au mieux soit égale à une précision prédéfinie. Il est question, ci-dessus, d'effectuer la caractérisation optique sur un intervalle de longueurs d'ondes X, en l'occurrence l'intervalle [Xmin, kax] , mais on ne sortirait pas du cadre de l'invention en effectuant cette caractérisation optique - sur un intervalle de longueurs d'ondes inverses 1/#, en l'occurrence sur un intervalle [ ( 1/,) min, (1/1)max], où ( 1/,) min est égal à 1/ (Xmax) et (1/À.)max à 1/ (,min) , - ou sur un intervalle d'énergies E (avec E = hv = hc/# où h est la constante de Planck, c la vitesse de la lumière dans le vide et v la fréquence correspondant à #), en l'occurrence sur un intervalle [Emin, Emax] , où Emin est égal à hc/(#max) et Emax à hc/ (#min), ou, plus généralement, sur un intervalle [amin, amax] de valeurs d'une variable a fonction de #. L'homme du métier adaptera aisément la définition du procédé objet de l'invention que l'on vient de donner en fonction de la variable ,, ainsi que les modes de réalisation particuliers et les exemples qui en sont donnés par la suite, à l'une ou l'autre des variables 1/# et E et, plus généralement, à la variable [alpha] dépendant de #. Par exemple, si l'on effectue la caractérisation optique sur l'intervalle [(1/#)min, (1/#)max] (respectivement sur l'intervalle [Emin, Emax]), on remplacera l'étape où l'on choisit les longueurs d'ondes initiales #1...#m par une étape où l'on choisit des longueurs d'ondes inverses initiales (1/,)1...(1/,)m (respectivement des énergies initiales Ei...Em) et, plus généralement, par une étape où l'on choisit des valeurs initiales [alpha]1...[alpha]m de [alpha]. En outre, l'invention s'applique pour caractériser un spectre ou une partie de spectre. Selon un premier mode de mise en #uvre particulier du procédé objet de l'invention, m est au moins égal à 2. Selon un deuxième mode de mise en #uvre particulier du procédé objet de l'invention, m est égal à 1 et l'on choisit des indices de réfraction initiaux égaux. Selon un mode de réalisation particulier de l'invention, le matériau est non absorbant et le nombre M est égal à m, le coefficient d'extinction du matériau étant pris égal à 0. Selon un autre mode de réalisation particulier de l'invention, - M est au moins égal à 2 m, - on choisit en outre une loi d'interpolation pour le coefficient d'extinction du matériau, - pour chaque longueur d'onde initiale #i, 1 # i m, on choisit en outre un coefficient d'extinction initial ki, les longueurs d'ondes initiales étant en outre choisies de manière à pouvoir déterminer par interpolation le coefficient d'extinction pour toute longueur d'onde de l'intervalle [# min, À max], - dans le processus d'optimisation, on minimise l'erreur en faisant varier en outre les valeurs des coefficients d'extinction aux longueurs d'ondes initiales et les longueurs d'ondes ajoutées sont en outre placées de façon à représenter au mieux le spectre du coefficient d'extinction du matériau. Dans ce cas, selon un mode de réalisation particulier de l'invention, m est égal à 1 et l'on choisit des indices de réfraction initiaux égaux et des coefficients d'extinction initiaux égaux. Selon un mode de mise en #uvre particulier du procédé objet de l'invention, la couche de matériau est mince, c'est-à-dire a une épaisseur inférieure à la longueur de cohérence de la lumière utilisée pour les mesures, on choisit un paramètre initial supplémentaire, à savoir une épaisseur initiale de couche, et dans le processus d'optimisation on minimise l'erreur en faisant en outre varier la valeur de l'épaisseur de couche. Selon un autre mode de mise en #uvre particulier du procédé objet de l'invention, la couche de matériau est épaisse, c'est-à-dire n'est pas mince, et M est au plus égal à 2 m. Selon un autre mode de mise en #uvre particulier, l'épaisseur de la couche de matériau est connue avec une précision suffisante et M est au plus égal à 2 m. Chaque loi d'interpolation peut être choisie parmi les lois d'interpolation linéaires, les lois d'interpolation cubiques, les lois d'interpolation polynômiales et les lois d'interpolation de type fonction spline . Dans l'invention, la répartition des n#uds peut être homogène. BRÈVE DESCRIPTION DES DESSINS La présente invention sera mieux comprise à la lecture de la description d'exemples de réalisation donnés ci-après, à titre purement indicatif et nullement limitatif, on faisant référence aux dessins annexés, sur lesquels : - la figure 1 est une vue schématique de dispositifs permettant de caractériser une couche conformément à l'invention, - la figure 2 montre les variations de l'indice de réfraction en fonction de la longueur d'onde, pour un matériau suivant une loi de Cauchy (courbe I) et pour un matériau caractérisé conformément à l'invention (courbe II), et - la figure 3A (respectivement 3B) montre les variations de l'indice de réfraction (respectivement du coefficient d'extinction) en fonction de la longueur d'onde, pour un matériau suivant une loi à deux oscillateurs (courbe I) et pour un matériau caractérisé conformément à l'invention. EXPOSÉ DÉTAILLÉ DE MODES DE RÉALISATION PARTICULIERS L'invention propose une alternative aux procédés classiques, mentionnés plus haut. Elle permet d'allier la cohérence d'un modèle de couche (correspondant à une loi d'indice continue et à des épaisseurs physiques constantes), à la généralité concernant la loi d'indice à trouver (comme dans la méthode PAP). En outre, la résolution n'est limitée que par la résolution du spectre mesuré. Dans le procédé objet de l'invention, le spectre d'indice n* (#) est caractérisé par : - un nombre réduit de "n#uds", qui sont des points de coordonnées (Xi, ni,ki) , avec ni = n (li) et ki = k (li) et - une loi d'interpolation entre les n#uds, qui peut être, par exemple, linéaire, cubique, de type spline ou polynômiale (de degré quelconque). Cette loi d'interpolation permet de calculer, à partir des n#uds, les indices de réfraction et les coefficients d'extinction pour les longueurs d'ondes situées entre les n#uds. Par exemple, lorsque l'indice de réfraction est caractérisé par un ensemble de valeurs pour des longueurs d'ondes #1 ... #m, on peut utiliser une interpolation linéaire entre deux longueurs d'ondes #i et #i+1 pour calculer l'indice n à la longueur d'onde (voir le document [6] chapitre 3) : na)~(4+1-A) (4) + (A-W4+1) #l+1 - #t avec #i On peut faire de même pour le coefficient d'extinction. Lorsque le nombre de n#uds le permet, des formules d'interpolation plus complexes, faisant intervenir les n#uds voisins, peuvent être utilisées (voir le document [6] chapitre 3) . Un modèle de couche est donc caractérisé par une épaisseur e et une famille de n#uds. On donne ci-après un exemple du procédé objet de l'invention. Dans cet exemple, les mesures sont constituées d'une mesure réflectométrique R(#) et d'une mesure ellipsométrique SI,2 (#,#) où # est l'angle d'incidence du faisceau lumineux que l'on envoie sur la couche à étudier lors de la mesure d'ellipsométrie. Cette couche est une couche mince de sorte que l'épaisseur de cette couche est aussi une variable du problème. En outre, on suppose qu'une seule couche est inconnue, cette couche étant formée sur un substrat connu. Expliquons d'abord brièvement cet exemple, qui utilise un algorithme. A partir d'informations supposées sur l'épaisseur # de la couche étudiée, sur l'indice de réfraction n(#) et sur le coefficient d'extinction k(X), du matériau de cette couche, on construit des n#uds de départ (en faible nombre) et une épaisseur de départ #. On dispose ainsi de m n#uds et, par interpolation, on peut connaître n(#) et k(#) en dehors des valeurs des longueurs d'ondes associées aux n#uds. A partir de l'épaisseur de départ et de ces valeurs de départ n(#) et k(#), on détermine le spectre théorique # en utilisant des calculs ellipsométriques et réflectrométriques. Par ailleurs, au moyen de dispositifs d'ellipsométrie et de réflectrométrie et d'un spectromètre, on obtient SI,2 (#,#) et R(#) et l'on en déduit les mesures notées #. On compare ensuite # et * en utilisant une fonction d'erreur Er et l'on optimise la valeur de l'indice de réfraction et la valeur du coefficient d'extinction aux différents n#uds, ainsi que la valeur de l'épaisseur, en cherchant à minimiser Er (#,#). Lorsque ces valeurs sont optimisées et si la précision sur le spectre n(#), le spectre k(#) et l'épaisseur # n'est pas suffisante, on ajoute de nouveaux n#uds, on fait varier l'épaisseur #, et l'on recommence la détermination de #, la comparaison de # et et l'optimisation mentionnées plus haut, etc. On arrête la boucle ainsi définie lorsque la précision sur chacun des spectres n(#) et k(#) et sur l'épaisseur e est jugée suffisante. Les spectres n(A,), k(#) et l'épaisseur # sont ainsi caractérisés. La figure 1 montre de façon schématique la couche étudiée 2, formée sur un substrat 4. On voit le dispositif d'ellipsométrie 5,6, le dispositif de réflectrométrie 8 et le spectromètre 10. On voit en outre des moyens électroniques de traitement 12 permettant de caractériser n (,) , k(À) et E en fonction des informations fournies par le spectromètre 10 et conformément au procédé de l'invention. Ces moyens 12 sont munis de moyens d'affichage 14. Revenons de façon plus détaillée sur l'exemple donné. Phase 1 Le procédé de cet exemple comporte d'abord une étape d'initialisation. L'algorithme débute avec un nombre réduit de n#uds (2 ou plus de 2). Cependant, on peut débuter par un seul n#ud en imposant un indice de réfraction et un coefficient d'extinction qui restent constants lorsque la longueur d'onde varie. On choisit des positions de n#uds de façon à pouvoir, à partir de cette famille de n#uds, déduire tout le spectre par interpolation. Le modèle de couche est donc à 3 paramètres ou plus, puisque l'épaisseur est aussi une variable à déterminer. La table d'indice sur tout le spectre est donc déduite des n#uds par interpolation. C'est le cas lorsque l'épaisseur des couches est de l'ordre de grandeur de la longueur d'onde (couches minces). Mais lorsque l'épaisseur de la couche est très importante, l'épaisseur n'intervient quasiment plus dans le calcul de la réponse de la couche, et n'est donc plus une variable du problème. Par exemple, dans le cas de disques optiques, sur lesquels une couche très importante est déposée (son épaisseur est de l'ordre de 1 millimètre), le coefficient de réflexion d'une telle couche n'est plus fonction de l'épaisseur de la couche, mais seulement de l'indice de réfraction de celle-ci. Par exemple, on choisit de placer les deux premiers n#uds aux extrémités 1 min et 1 max du spectre. Les valeurs de l'indice complexe en ces extrémités sont choisies en fonction du type du matériau étudié. Par exemple, sur un spectre ellipsométrique entre 300nm et 800nm d'une couche mince de résine photosensible, on prend n(300nm)=n(800nm)=1,5 et k(300nm)=k(800nm)=0. Lorsque le spectre n'est caractérisé que par deux n#uds, l'indice entre les extrêmes est déterminé par interpolation linéaire. Dans le cas considéré, on a donc n (,) =1, 5 et k (,) =0 pour appartenant à [300nm, 800nm] . A partir de trois n#uds, on choisit plutôt une interpolation cubique afin d'obtenir des formes de loi d'indice plus douces que celles obtenues par interpolation linéaire. L'épaisseur de départ est, quant à elle, choisie aussi proche que possible de l'épaisseur réelle. Phase 2 On procède ensuite à une détermination optimale des valeurs de l'indice de réfraction et du coefficient d'extinction sur les n#uds et de la valeur de l'épaisseur. Pour ce faire, les spectres #(#) sont calculés à l'aide du modèle de couche utilisé, résultant du choix des n#uds, de la loi d'interpolation et de l'épaisseur de la couche. Le modèle physique utilisé pour le calcul de # est bien sûr fonction de la méthode de mesure utilisée, c'est-à-dire notamment de l'angle d'incidence de la lumière, du spectre utilisé et du modèle de couches minces ou de couches épaisses le cas échéant (voir par exemple les modèles de couches empilées dans le document [3]). Les spectres étant constitués par un ensemble de mesures de natures diverses (par exemple des mesures ellipsométriques et réflectométriques), on utilise pour les mesures de réflectométrie (respectivement d'ellipsométrie) une méthode de calcul de réflectométrie (respectivement d'ellipsométrie). Les mesures réflectométriques et ellipsométriques sont combinées par l'intermédiaire d'une fonction d'erreur Er(#,#) qui est par exemple du genre de celle qui est définie par l'équation (1). Grâce à une fonction de recherche telle que Simplex par exemple, on minimise l'écart entre #(#) et #(#), en faisant varier la valeur de l'indice de réfraction et la valeur du coefficient d'extinction à la position de chacun des n#uds ainsi que l'épaisseur de couche (si cette épaisseur est un facteur important dans le calcul de #). Lorsque l'écart est minimum c'est-à-dire lorsque Er(#,#) est minimum, cela signifie que les mesures réflectométriques et ellipsométriques coïncident au mieux (pour un nombre de n#uds donné). A ce stade, on obtient, pour un nombre connu de n#uds et une position spectrale connue pour chacun de ces des n#uds, le modèle de couche (indice de réfraction, coefficient d'extinction et épaisseur) qui correspond au mieux à la couche réelle. La validité du modèle trouvé est d'autant plus assurée que le nombre de mesures est grand. Pour avoir un grand nombre de mesures, on peut par exemple utiliser plusieurs angles d'incidence de la lumière #i, 1 i # , pour les spectres ellipsométriques, faire une mesure réflectométrique et faire des mesures goniométriques complémentaires. Phase 3 Ensuite, on ajoute un nombre fini de n#uds. Dans un premier mode de réalisation, les n#uds rajoutés sont positionnés de façon à représenter au mieux les spectres n (,) et k (,) . A titre d'exemple, on place ces n#uds supplémentaires aux endroits où l'écart entre et # est maximum ou aux endroits en lesquels les n#uds sont les plus espacés. Et l'on retourne à la phase 2 tant que la précision sur chacun des spectres n(#) et k(#) et sur l'épaisseur e n'est pas suffisante, c'est-à-dire n'est pas égale à une précision prédéfinie. Dans un deuxième mode de réalisation, on intercalle de nouveaux n#uds entre deux n#uds de l'ensemble de n#uds préalablement choisis et qui se répartiront de façon homogène sur le spectre. Dans ce qui suit, nous donnons deux exemples courants d'application de l'invention. Ces exemples mettent en jeu deux types de matériaux qui suivent des lois différentes. A partir de mesures ellipsométriques et réflectométriques, nous proposons de retrouver les lois physiques suivies par ces matériaux. Nous procédons de la façon suivante : Un matériau fictif est créé, ce matériau suivant une loi théorique connue (une loi de Cauchy ou une loi d'oscillateurs harmoniques), avec des paramètres que nous fixons arbitrairement. Les variations de l'indice de réfraction complexe en fonction de la longueur d'onde sont ainsi parfaitement connues. Nous imposons en outre au matériau une épaisseur de 200,00nm, sur un substrat de silicium, ce dernier étant très bien connu. Des mesures fictives (mesures ellipsométriques, mesures réflectométriques) sont calculées, puis bruitées de façon à introduire un défaut d'appareillage. Tout se passe comme si nous avions des mesures réelles, effectuées sur le matériau. Mais, contrairement à la réalité, nous connaissons parfaitement l'indice de réfraction complexe puisque nous l'avons fixé, de même que nous avons fixé l'épaisseur de la couche de matériau. Nous testons ici la méthode "en aveugle", c'est-à-dire que nous partons d'une épaisseur fausse (220nm) et d'indices de réfraction complexes faux, puisqu'ils sont sensés être inconnus. Nous appliquons le procédé objet de l'invention puis nous comparons l'indice de réfraction complexe trouvé à l'indice de réfraction complexe théorique. Nous retrouvons bien les mêmes lois, très précisément, ainsi que la même épaisseur de couche. Prenons comme premier exemple un matériau dont l'indice de réfraction complexe suit une loi de Cauchy telle que : Cette loi d'indice est typique des résines photosensibles (dans la plage spectrale 300-800nm). Afin de retrouver à l'aide de la méthode des n#uds (c'est-à-dire du procédé objet de l'invention) la loi d'indice mentionnée ci-dessus, nous effectuons deux mesures, à savoir une mesure ellipsométrique à un angle de 70 et une mesure réflectométrique. Les conditions de traitement sont les suivantes : - le spectre traité est compris entre 300nm et 800nm, - au départ, les n#uds sont aux positions (300nm, 1,6) et (800nm, 1,6), c'est-à-dire que l'indice est considéré comme variant linéairement entre 300nm et 800nm, et que sa valeur est constante (égale à 1,6), - le nombre de n#uds est augmenté itérativement en rajoutant au moins un n#ud à chaque itération (par exemple, on ajoute 2 n#uds), - la loi d'interpolation est une loi cubique, lorsque le nombre de n#uds est supérieur à 2, sinon elle est linéaire, et - l'algorithme de minimisation utilisé est un algorithme de type Simplex. La figure 2 permet de comparer l'indice de réfraction correspondant au matériau fictif qui suit parfaitement une loi de Cauchy (courbe I) à l'indice de réfraction que nous trouvons par la méthode des n#uds (courbe II), à l'aide de 6 n#uds (représentés par des cercles sur la figure 2). Nous avons utilisé un *? composé d'une mesure ellipsométrique S1 (,) , S2 (,) à 70 et d'une mesure réflectométrique R(#). Prenons comme deuxième exemple un matériau dont l'indice de réfraction complexe suit une loi à deux oscillateurs, telle que : La méthode des n#uds est appliquée à un ensemble de mesures ellipsométriques effectuées entre 250nm et 800nm, à 75 , 70 , 60 , et 45 , avec en plus une mesure réflectométrique. L'épaisseur réelle du matériau étant de 200nm, on trouve une épaisseur de 200,25 nm avec la méthode des n#uds. L'ajustement sur la loi d'indice est très bon. Les figures 3A et 3B montrent respectivement les reconstructions des courbes n(#) et k(#) du matériau à l'aide de la méthode des n#uds. La reconstruction est effectuée à l'aide de quatre spectres ellipsométriques et d'un spectre réflectométrique. Les pics d'absorption réels sont très bien représentés par la courbe obtenue par interpolation cubique entre les n#uds (représentés par des cercles sur les figures 3A et 3B). Sur la figure 3A, la courbe I (respectivement II) correspond à n suivant parfaitement la loi choisie (respectivement à n trouvé par la méthode des n#uds) . Sur la figure 3B, la courbe I (respectivement II) correspond à k suivant parfaitement la loi choisie (respectivement à k trouvé par la méthode des n#uds) . On vient de décrire des exemples de l'invention. On remarquera d'une manière plus générale que, dans cette dernière, on considère un ensemble X de valeurs, avec X= {nx, n2 , ... , n , ...nm , kl7 k2,..., ki, ..., km,e}, où ni est la valeur de l'indice de réfraction au n#ud #i, i#{l...m}, m étant le nombre de noeuds ki est la valeur du coefficient d'absorption au n#ud ,i, i e {l...m} , e est l'épaisseur de la couche étudiée. L'opération de minimisation d'erreur Er (#, #) revient à trouver l'ensemble X tel que Er soit minimum. Lorsque l'on n'impose pas de contrainte particulière, la minimisation est une minimisation à 2xm+l paramètres. On peut bien sûr ajouter des contraintes afin de diminuer le nombre de variables. En particulier, si l'on sait que le matériau est non absorbant, on impose ki=0 pour tout i de {l...m} et X devient : X={nl,n2...,ni,...nm, E . Si, par une mesure complémentaire (par exemple une mesure de goniométrie ou une mesure directe non optique), on connaît l'épaisseur de la couche considérée avec une précision suffisante, l'épaisseur e n'est plus une variable et l'on a : X={nl, n2...., ni, ...nm,ki,k2,...,ki,..., km} . Les deux options précédentes peuvent être bien sûr combinées. De plus, la présente invention n'est pas limitée à la caractérisation de couches minces. Elle s'applique aussi à la caractérisation de couches épaisses. En outre, la présente invention n'est pas limitée à la caractérisation d'une seule couche, formée sur un substrat. Elle s'applique aussi à la caractérisation de deux, ou plus de deux, couches formées sur un substrat. Les documents cités dans la présente description sont les suivants : [1] R. M.A. Azzam and N. M. Bashara, Ellipsometry and Polarized Light, North-Holland Physics Publishing, 1997, chapitre 6. [2] B. K. Minhas, S.A. Coulombe, S. Sohail, H. Naqvi and J.R. McNeil, Ellipsometric scatterometry for the metrology of sub-0.1-.m-linewidth structures, Applied Optics, 37(22) : 5112-5115,1998. [3] M. Born and E. Wolf, Principle of Optics, Cambridge University Press edition. [4] A. R. Forouhi and I. Bloomer, Optical dispersion relations for amorphous semiconductors and amorphous dielectrics, Physical Review B, 34 (10) 7018-7026, November 1986. [5] F. L. Terry, Jr., A modified harmonic oscillator approximation scheme for the dielectric constants of AlxG1-xAs, Journal of Applied Physics, 70(1), 1991, pages 409-417. [6] W. H. Press, S. A. Teukolsky, W. T. Vetterling and B. P. Flannery, Numerical Recipes in C, Cambridge University Press, 1992, chapitres 3 et 10. REVENDICATIONS 1. Procédé de caractérisation optique d'au moins une couche d'un matériau dans un intervalle de longueurs d'ondes [# min, max], cette couche étant formée sur un substrat, ce procédé étant caractérisé en ce que : - on effectue un ensemble de mesures de réflectométrie et/ou d'ellipsométrie, cet ensemble de mesures conduisant à un spectre mesuré, noté #, - on choisit m longueurs d'ondes initiales #1 ...#m appartenant à cet intervalle, m étant un nombre entier au moins égal à 1, on associe, à chaque longueur d'onde, un indice de réfraction, - on choisit une loi d'interpolation au moins pour l'indice de réfraction du matériau, pour les longueurs d'ondes comprises entre les longueurs d'ondes initiales #1...#m, - on choisit M paramètres initiaux, M étant au moins égal à m, à savoir un indice de réfraction initial ni pour chaque longueur d'onde initiale #i, 1 # i m, les longueurs d'ondes initiales étant choisies de manière à pouvoir déterminer par interpolation au moins l'indice de réfraction pour toute longueur d'onde de l'intervalle [# min, , max], les couples (#i,ni) étant appelés n#uds, - on choisit des méthodes de calcul de réflectométrie et d'ellipsométrie, - on choisit aussi une fonction d'erreur Er, représentative de l'écart entre deux spectres #1 et #2, les spectres #1 et #2 étant calculés ou mesurés sur un nombre de points supérieur au nombre m de n#uds, - à l'aide des m longueurs d'ondes initiales, des M paramètres initiaux et de la loi d'interpolation, on met en #uvre le processus d'optimisation suivant : - on détermine un spectre théorique, noté #, en fonction des méthodes de calcul choisies, et de l'indice déduit par interpolation de sa valeur en #i, i allant de 1 à m, sur le spectre [,min, tanax] , - on détermine l'erreur Er (#, #), entre le spectre mesuré et le spectre théorique - on minimise cette erreur en faisant varier la position des valeurs des indices inconnus et/ou l'épaisseur de la couche et/ou les valeurs des indices de réfraction aux longueurs d'ondes initiales, et l'on obtient un spectre, - on ajoute des longueurs d'ondes aux longueurs d'ondes initiales #1 ... #m, les longueurs d'ondes ajoutées constituant de nouveaux n#uds, - on répète le procédé en choisissant un nombre m' de longueurs d'ondes initiales, m' étant supérieur à m, et M' paramètres initiaux, M' étant supérieur à M, jusqu'à ce que la précision sur chaque spectre ainsi représenté au mieux soit égale à une précision prédéfinie. 2. Procédé selon la revendication 1, dans lequel m est au moins égal à 2. 3. Procédé selon la revendication 1, dans lequel m est égal à 1 et l'on choisit des indices de réfraction initiaux égaux. 4. Procédé selon l'une quelconque des revendications 1 à 3, dans lequel le matériau est non absorbant et le nombre M est égal à m, le coefficient d'extinction du matériau étant pris égal à 0. 5. Procédé selon l'une quelconque des revendications 1 à 3, dans lequel : - M est au moins égal à 2 m, - on choisit en outre une loi d'interpolation pour le coefficient d'extinction du matériau, - pour chaque longueur d'onde initiale #i, 1 # i m, on choisit en outre un coefficient d'extinction initial ki, les longueurs d'ondes initiales étant en outre choisies de manière à pouvoir déterminer par interpolation le coefficient d'extinction pour toute longueur d'onde de l'intervalle [À. min, max], - dans le processus d'optimisation, on minimise l'erreur en faisant varier en outre les valeurs des coefficients d'extinction aux longueurs d'ondes initiales et les longueurs d'ondes ajoutées sont en outre placées de façon à représenter au mieux le spectre du coefficient d'extinction du matériau. 6. Procédé selon la revendication 5, dans lequel m est égal à 1 et l'on choisit des indices de réfraction initiaux égaux et des coefficients d'extinction initiaux égaux. 7. Procédé selon l'une quelconque des revendications 1 à 6, dans lequel la couche de matériau est mince, c'est-à-dire a une épaisseur inférieure à la longueur de cohérence de la lumière utilisée pour les mesures, on choisit un paramètre initial supplémentaire, à savoir une épaisseur initiale de couche, et dans le processus d'optimisation on minimise l'erreur en faisant en outre varier la valeur de l'épaisseur de couche. 8. Procédé selon l'une quelconque des revendications 1 à 6, dans lequel la couche de matériau est épaisse, c' est-à-dire n'est pas mince, et M est au plus égal à 2 m. 9. Procédé selon l'une quelconque des revendications 1 à 6, dans lequel l'épaisseur de la couche de matériau est connue avec une précision prédéfinie et M est au plus égal à 2 m. 10. Procédé selon l'une quelconque des revendications 1 à 9, dans lequel chaque loi d'interpolation est choisie parmi les lois d'interpolation linéaires, les lois d'interpolation cubiques, les lois d'interpolation polynômiales et les lois d'interpolation de type fonction spline. 11. Procédé selon l'une quelconque des revendications 1 à 10 , dans lequel la répartition des n#uds est homogène.