FR 2840731 A1 20031212 FR 0300780 A 20030124 La présente invention concerne un procédé de fabrication d'un substrat comportant une couche utile en matériau semi-conducteur monocristallin, notamment un matériau à large bande interdite, et en particulier un substrat en nitrure de gallium (GaN), en nitrure d'aluminium (AIN) ou autre nitrure mono- ou polymétallique, ou encore en diamant, sur un support. Les filières du GaN, de l'AIN et des composés de ceux-ci souffrent à l'heure actuelle de l'inexistence de substrats massifs de grande taille de tels matériaux. Ainsi la technique principalement connue pour réaliser un substrat massif en GaN consiste à déposer ce matériau par hétéro-épitaxie sur un substrat. Pour obtenir une bonne qualité cristalline du matériau déposé, il est nécessaire que le matériau du substrat présente un faible désaccord de maille par rapport au monocristal épitaxié. Il est également nécessaire, compte-tenu des températures élevées mises en jeu dans l'hétéro-épitaxie, que le matériau du substrat présente un coefficient de dilatation thermique relativement proche de celui du monocristal épitaxié. Enfin ce substrat doit être stable mécaniquement et chimiquement aux températures considérées pour obtenir une bonne qualité cristalline. Naturellement, l'état de surface et la bonne qualité cristalline du substrat de départ sont également des facteurs importants. Des matériaux qui sont aujourd'hui reconnus comme bon candidats au regard de ces critères sont le saphir et le carbure de silicium (SiC), bien qu'ils soient loin d'être optimaux en termes de paramètres de maille et de coefficients de dilatation. On a également décrit la croissance de couches de GaN sur des substrats en oxyde de zinc ZnO, en oxyde de lithium et de gallium LiGa02 ou encore en oxyde de lithium et d'aluminium LiAI02 (voir l'article Growth of Ill-Nitrides on ZnO, LiGa02 and LiAI02 substrates , Mackenzie et al., J. Electrochem. Soc., vol 145, N 7, Juillet 1998, p. 2581) ou encore en oxyde de néodyme et de gallium NdGaO3 (voir l'article GaN bulk substrates for GaN based LEDs and LDs , Oda et al., Phys. Stat. Sol., (a) 180,51 (2000)), ces matériaux ayant été choisis pour leur faible désaccord de maille et leur faible écart de coefficient de dilatation par rapport au GaN. Cependant, ces substrats sont des oxydes dont la stabilité chimique à haute température est moins bonne que celle du SiC ou du saphir. Ce défaut de stabilité se manifeste sous la forme d'une dissociation et d'une diffusion des éléments, métal et/ou oxygène, qui composent l'oxyde vers la couche épitaxiée. Ainsi, dans le cas d'un substrat en ZnO, l'article Impurity contamination of GaN epitaxial films from the sapphire, SiC and ZnO substrates , Popovici et al., Appl. Phys. Lett., 71 (23), 8 décembre 1997, a démontré la contamination aussi bien par le zinc que par l'oxygène dans le cas d'un substrat en ZnO, et cette contamination compromet la qualité et la pureté de la couche épitaxiée. Par ailleurs, une fois que la ou les couches destinées à former le substrat ont été formées, on souhaite dans la plupart des cas éliminer le support sur lequel la croissance a été réalisée, ce qui nécessite soit une attaque chimique de ce support et donc sa perte, alors même qu'il est réalisé en un matériau qui peut s'avérer coûteux et donc au détriment du rendement économique du procédé, soit une rupture entre les couches formées par épitaxie et ce support, ce qui peut s'avérer difficile à maîtriser et/ou nécessiterait des dispositions particulières compliquant le procédé ou le rendant plus coûteux. On a également proposé dans l'article Préparation of large freestanding GaN substrates by Hydride Vapor Phase Epitaxy using GaAs as a starting substrate , Motoki et al. Jpn. J. Appl. Phys., Vol 41 (2001), p. 140-143, d'utiliser pour la croissance de GaN par hétéro-épitaxie un substrat en arséniure de gallium AsGa. Toutefois, l'AsGa, lorsqu'il est porté aux hautes températures impliquées dans l'épitaxie, est soumis à une dissociation en surface, qui provoque une évaporation d'arsenic susceptible de contaminer le monocristal de GaN. La présente invention vise à pallier ces limitations de l'état de la technique et à proposer un procédé de fabrication d'un substrat par croissance hétéro-épitaxiale qui d'une part protège bien la ou les couches épitaxiées vis-à-vis des contaminations malgré les hautes températures nécessaires à la croissance, et plus secondairement autorise une élimination aisée d'un support économique sur lequel la croissance est effectuée. Ainsi la présente invention propose selon un premier aspect un procédé de fabrication d'un substrat comprenant une couche utile d'au moins un matériau semi-conducteur monocristallin sur un support, caractérisé en ce qu'il comprend les étapes consistant à : rapporter une couche de nucléation sur un support intermédiaire par prélèvement de couche mince dans un substrat source, le support intermédiaire étant constitué d'un matériau apte à être attaqué chimiquement par un milieu d'attaque donné, et le matériau de la couche de nucléation formant une barrière vis-à-vis d'une diffusion d'éléments provenant d'une éventuelle dissociation thermique du matériau du support intermédiaire, faire croître par épitaxie, sur ladite couche de nucléation, le ou chaque matériau semi-conducteur monocristallin de la couche utile, mettre en adhésion la couche utile sur un support final au niveau de sa face opposée au support intermédiaire, et exposer ledit support intermédiaire audit milieu d'attaque pour éliminer celui-ci par attaque chimique sensiblement sans affecter la couche utile. Certains aspects préférés, mais non limitatifs, de ce procédé sont les suivants : - la première étape est réalisée en formant un substrat source comportant à une certaine profondeur une zone de détachement, en collant le substrat source sur le support intermédiaire, et en exerçant sur la zone formant site de détachement un traitement pour aboutir au détachement de la couche mince par rapport au substrat source. - la zone de détachement est réalisée par implantation d'espèces atomiques. - ledit traitement de détachement comprend l'application de contraintes comprises dans le groupe comprenant les contraintes thermiques et les contraintes mécaniques. - l'on rapporte la couche de nucléation sur le support intermédiaire par collage par adhésion moléculaire. - avant de rapporter la couche de nucléation sur ledit support intermédiaire, on dépose sur au moins l'une de ces deux parties une couche de collage. - le support intermédiaire est choisi dans le groupe comprenant le silicium, l'arséniure de gallium, l'oxyde de zinc, l'oxyde de lithium et de gallium et l'oxyde de lithium et d'aluminium. - la couche utile comprend au moins un nitrure mono- ou polymétallique. - la couche utile est constituée de nitrure de gallium, et le matériau de la couche de nucléation est choisi dans le groupe comprenant le carbure de silicium, le nitrure de gallium et le saphir. - le support final comprend sur sa surface recevant la couche utile un revêtement réfléchissant le rayonnement. Selon un deuxième aspect, la présente invention propose un procédé de fabrication d'un substrat comprenant une couche utile de matériau semiconducteur monocristallin sur un support, caractérisé en ce qu'il comprend les étapes consistant à : prévoir un support intermédiaire réalisé en un matériau susceptible d'être attaqué chimiquement par un milieu d'attaque donné et comportant sur l'une de ses faces une couche barrière et une couche de nucléation, le matériau de la couche barrière résistant à la diffusion d'éléments provenant d'une éventuelle dissociation thermique du matériau du support intermédiaire, faire croître par épitaxie, sur ladite couche de nucléation, le ou chaque matériau semi-conducteur monocristallin de la couche utile, mettre en adhésion la couche utile sur un support final au niveau de sa face opposée au support intermédiaire, et exposer ledit support intermédiaire audit milieu d'attaque pour éliminer celui-ci par attaque chimique. Des aspects préférés mais non limitatifs propres à ce second procédé sont les suivants : - la couche barrière et/ou la couche de nucléation est formée en prévoyant un substrat source comportant à une certaine profondeur une zone formant site de détachement, en collant le substrat source sur le support intermédiaire, et en exerçant sur la zone formant site de détachement un traitement pour aboutir au détachement de la couche en question par rapport au substrat source. - l'on rapporte la couche barrière sur le support intermédiaire et/ou la couche de nucléation sur la couche barrière par collage par adhésion moléculaire. - avant de rapporter par collage la couche barrière et/ou la couche de nucléation, on dépose sur au moins l'une des faces à coller une couche de collage. D'autres aspects, buts et avantages de la présente invention apparaîtront mieux à la lecture de la description suivante d'un mode de réalisation préféré de celle-ci, donnée à titre d'exemple non limitatif et faite en référence au dessin annexé, sur lequel les figures 1A à 1G illustrent les étapes successives d'un procédé selon l'invention. En référence aux figures 1A à 1G, on a représenté tout d'abord sur la figure 1A un substrat source 10, par exemple en carbure de silicium SiC monocristallin, dans lequel on a implanté à une certaine profondeur des ions, par exemple des ions d'hydrogène, à l'aide d'une machine de bombardement ionique, machine d'implantation à plasma, etc. Cette implantation délimite une couche mince 12 par rapport au reste du substrat source, la concentration d'ions hydrogène étant indiquée en 14. Typiquement, l'implantation est réalisée à une profondeur comprise entre 200 et 1000 nm, en utilisant des ions d'une énergie comprise entre 50 et 200 keV, et la dose d'implantation est comprise entre 5.1016 et 1.1017 ions/cm2. En référence à la figure 1 B, Le substrat 10 portant la couche 12 est alors collé par adhésion moléculaire sur un substrat formant support de croissance 20 réalisé ici en arséniure de gallium AsGa monocristallin. Ce substrat 20 présente typiquement une épaisseur comprise entre 400 et 800 m. Optionnellement, les faces à assembler du substrat 10 et du substrat 20 sont préalablement pourvues de couches de collage 13,23 notamment en oxyde de silicium SiO2 ou en nitrure de silicium Si3N4, de façon connue en soi. Ces couches de collage, lorsqu'elles sont réalisées en Si02 sur Si, sont avantageusement formées par oxydation thermique, ou alternativement par dépôt. L'énergie de liaison de l'interface de collage est amenée au niveau requis par un traitement thermique, typiquement à une température supérieure à 300 C pendant une durée typiquement de 2 heures. Des contraintes notamment thermiques et/ou mécaniques, mais pouvant être également d'une autre nature, sont exercées de manière à effectuer un détachement de l'ensemble constitué du substrat 20 et de la couche 12 par rapport au reste du substrat 10 au niveau de la zone implantée 14, selon la technologie connue Smart-Cut développée par la Demanderesse. Typiquement, on réalise pour ce faire un traitement thermique à une température comprise entre 800 et 900 C pendant une durée comprise entre 30 minutes et 3 heures. Un tel traitement thermique peut se recouper avec celui utilisé pour renforcer l'interface de collage. On obtient ainsi comme illustré sur la figure 1 C une structure comprenant un support de croissance 20 en AsGa portant une couche mince de nucléation 12 en SiC monocristallin. La surface libre de cette couche peut être soumise à un polissage/nettoyage, et notamment un polissage mécano-chimique ou un lissage par faisceau d'ions, destiné à permettre une croissance épitaxiale de bonne qualité sur celle-ci. Sur cette surface, on réalise par une technique d'hétéro-épitaxie par dépôt chimique en phase vapeur d'organo-métalliques (connue de l'homme du métier sous l'acronyme MOCVD , de l'expression anglo-saxonne Metal Organic Chemical Vapor Déposition ), un empilement de dépôts de nitrure de gallium GaN avec différents types de dopages, cette technique étant connue pour engendrer une empilement de GaN 30 de bonne qualité cristalline. Une telle opération s'effectue à une température de l'ordre de 1050 à 1100 C, température à laquelle on assiste généralement à une dissociation thermique partielle de l'AsGa formant le support 20. Mais la présence de la couche de nucléation 12 en SiC, qui forme une couche barrière contre la diffusion d'atomes d'arsenic ou de gallium vers la couche déposée 30, évite de perturber la qualité cristalline et la pureté de ladite couche 30. L'épaisseur de cet empilement est typiquement de quelques microns, c'est-à-dire qu'il s'agit d'une couche mince par opposition aux couches épaisses d'une épaisseur minimale d'environ 200 à 300 m rendant l'empilement autoporté. La figure 1 D montre la structure résultante. Après la croissance de l'empilement de GaN 30, on applique l'ensemble constitué des couches 20,23, 13,12 et 30 sur un substrat cible 40 en silicium monocristallin ou polycristallin destiné à constituer le support final de la couche utile de GaN. Ce support final 40 porte avantageusement, au niveau de sa surface recevant la couche utile de GaN, une métallisation 41 permettant au support final de constituer un récupérateur du rayonnement visible ou UV émis par les composants électroluminescents qui vont être formés dans la couche utile 30. Cette métallisation est de préférence formée par pulvérisation cathodique ou évaporation sous vide d'or, d'étain ou encore de palladium (ou de tout alliage approprié) avec une épaisseur par exemple de 500 nm. La surface libre de l'empilement de GaN 30 est soumis à un traitement de polissage, typiquement un polissage mécano-chimique ou un lissage par faisceau d'ions, destiné à lui donner une planéité propre à permettre un collage par adhésion moléculaire avec le substrat cible 40, qui lui aussi doit présenter une planéité, obtenue avant dépôt de la métallisation, satisfaisante. Le substrat 40 présente typiquement une épaisseur comprise entre 300 et 500 m. La fixation est réalisée ici par adhésion moléculaire ou encore par collage eutectique (qui permet de se passer de polissage), avec si nécessaire apport d'énergie thermique à une température comprise entre 200 et 350 C pendant quelques heures pour aboutir aux forces de liaison recherchées. Le cas échéant, avant cette opération de fixation, l'empilement 30 de GaN peut être soumis à tout ou partie des traitements de réalisation de composants tels que DELs bleues ou vertes, diodes laser, etc. Ensuite, l'ensemble est exposé à un attaque chimique avec une solution composée d'un mélange de HF, HN03, CH3COOH et H20 dans des proportions de 1 : 3 : 3 : 5 de manière à attaquer le support intermédiaire 20 en AsGa et l'éliminer complètement. L'étape finale consiste à éliminer, de préférence par gravure ionique, la couche de nucléation et le cas échéant les couches de collage 13 et 23 dans la mesure où elles n'ont pas été éliminées chimiquement. Au cours de cette opération, on peut également éliminer une partie des couches épitaxiées qui ont été formées, notamment pour retirer des zones initiales de l'épitaxie présentant des défauts. De nombreuses variantes peuvent être apportées au procédé décrit ci-dessus. En premier lieu, le choix de la couche de nucléation 12 est conditionné principalement par la recherche d'un compromis entre paramètre de maille, coefficient de dilatation thermique, stabilité aux hautes températures, aptitude à former une couche barrière contre la diffusion d'éléments issus d'une éventuelle décomposition partielle de la couche formant support intermédiaire. On choisit de préférence soit le SiC comme indiqué plus haut, soit le GaN, soit encore le saphir. En revanche, le matériau du support intermédiaire 20 n'est nullement critique en termes de paramètre de maille, mais son choix résulte principalement de la recherche d'un compromis entre coefficient de dilatation thermique par rapport à celui du matériau de la couche épitaxiée, stabilité aux hautes températures de l'épitaxie, et surtout de sa facilité à s'éliminer par voie chimique. En dehors de l'AsGa, il peut s'agir en particulier de silicium, de certains oxydes tels que ZnO, ou encore de LiGa2 ou de NdGa03. Par ailleurs, le matériau déposé par épitaxie pour former la ou les couches utiles du substrat est typiquement un empilement de couches de GaN dopées de façon différenciée, de façon classique en soi. Mais il peut également s'agir d'une variété d'autres nitrures métalliques tels que AIN ou GaAIN, etc. Enfin le support final 40, peut être constitué de tout matériau support choisi en fonction d'un compromis entre son aptitude à recevoir le cas échéant la métallisation 41, son aptitude à recevoir par collage ou autre technique la couche déposée 30, ses propriétés en termes de stabilité mécanique et chimique au cours des traitements de réalisation des composants dans l'empilement de couches 30, ses propriétés thermiques, son coût de revient, etc. Selon une variante, et de façon non illustrée, on peut prévoir de former, déposer ou rapporter sur le support intermédiaire deux couches distinctes, l'une formant barrière vis-à-vis de la diffusion d'éléments issus d'une dissociation du matériau du support intermédiaire, et l'autre, extérieure, formant couche de nucléation. On notera à cet égard que la couche barrière peut être formée, déposée ou rapportée soit sur le substrat source 10, soit sur le support intermédiaire 20, avant collage. Exemple On réalise, sur une face d'un substrat source en SiC monocristallin, par oxydation thermique, une couche de Si02 d'une épaisseur de 500 nm. Puis, à l'aide d'un équipement de bombardement ionique, on réalise dans le substrat source une implantation d'ions hydrogène avec une énergie de 100 keV, et une dose d'ions de 8.1016/cm2. On prépare également un substrat en AsGa monocristallin d'une épaisseur de 500 m, destiné à former le support intermédiaire, et une face de ce substrat est revêtue d'une couche de Si02 d'une épaisseur de 500 nm par dépôt chimique en phase vapeur. On réalise ensuite une activation des surfaces, par exemple par polissage mécano-chimique, de manière à les lisser et leur conférer une certaine hydrophilie. Les faces du substrat source et du substrat support intermédiaire sont ensuite rapprochées et collées, une énergie de collage appropriée étant obtenue par traitement thermique à 350 C pendant une durée de 2 heures. On soumet ensuite cet ensemble à un traitement thermique à 900 C pendant une durée d'une heure de manière à obtenir un détachement au niveau de la zone implantée. Un polissage de la face de la couche 12 au niveau de laquelle le détachement s'est effectué est ensuite réalisé par une technique de lissage ionique par grappes d'ions. On réalise ensuite le dépôt par croissance épitaxiale de différentes couches de GaN. Typiquement, cet empilement 30 de GaN comprend la succession de couches suivantes : - couche tampon d'aIN sur 8 nm ; - couche de GaN sur 1 m. Après cette opération, la face libre de l'empilement 30 est polie par une technique de grappes d'ions. Parallèlement, un substrat en silicium monocristallin, ayant un degré de poli de surface commercialement habituel, d'une épaisseur de 500 m, est revêtu d'une métallisation à base d'indium/palladium sur une épaisseur de 400 nm. Le support intermédiaire 20 portant l'empilement 30 et le substrat 40 portant la métallisation 41 sont alors collés par adhésion moléculaire, le renforcement de l'interface de collage étant réalisé par un traitement thermique à 350 C pendant une durée de 2 heures. Le support intermédiaire en AsGa est alors attaqué par immersion dans une solution d'attaque composée d'un mélange de HF, HN03, CH3COOH et H20 dans des proportions de 1 :3 :3 : 5, l'attaque périphérique de la couche métallique 41 étant mineure et sans conséquence. Cette attaque se termine au niveau de la couche 12 de SiC. Cette dernière est ensuite éliminée par exemple par gravure ionique réactive à base de SF6/02. Bien entendu, la présente invention n'est nullement limitée à la forme de réalisation décrite et représentée sur les dessins, mais l'homme du métier saura y apporter de nombreuses variantes et modifications. REVENDICATIONS 1. Procédé de fabrication d'un substrat comprenant une couche utile d'au moins un matériau semi-conducteur monocristallin sur un support, caractérisé en ce qu'il comprend les étapes consistant à : rapporter une couche de nucléation (12) sur un support intermédiaire (20) par prélèvement de couche mince dans un substrat source (10), le support intermédiaire étant constitué d'un matériau apte à être attaqué chimiquement par un milieu d'attaque donné, et le matériau de la couche de nucléation formant une barrière vis-à-vis d'une diffusion d'éléments provenant d'une éventuelle dissociation thermique du matériau du support intermédiaire, faire croître par épitaxie, sur ladite couche de nucléation (12), le ou chaque matériau semi-conducteur monocristallin de la couche utile (30), mettre en adhésion la couche utile (30) sur un support final (40) au niveau de sa face opposée au support intermédiaire, et exposer ledit support intermédiaire (20) audit milieu d'attaque pour éliminer celui-ci par attaque chimique sensiblement sans affecter la couche utile. 2. Procédé selon la revendication 1, caractérisé en ce que la première étape est réalisée en formant un substrat source (10) comportant à une certaine profondeur une zone de détachement (14), en collant le substrat source sur le support intermédiaire, et en exerçant sur la zone formant site de détachement un traitement pour aboutir au détachement de la couche mince (12) par rapport au substrat source. 3. Procédé selon la revendication 2, caractérisé en ce que la formation de la zone de détachement (14) est réalisée par implantation d'espèces atomiques. 4. Procédé selon la revendication 3, caractérisé en ce que ledit traitement de détachement comprend l'application de contraintes comprises dans le groupe comprenant les contraintes thermiques et les contraintes mécaniques. 5. Procédé selon l'une des revendications 1 à 4, caractérisé en ce que l'on rapporte la couche de nucléation (12) sur le support intermédiaire (20) par collage par adhésion moléculaire. 6. Procédé selon la revendication 5, caractérisé en ce qu'avant de rapporter la couche de nucléation (12) sur ledit support intermédiaire (20), on dépose sur au moins l'une de ces deux parties une couche de collage (13; 23). 7. Procédé selon l'une des revendications 1 à 6, caractérisé en ce que le support intermédiaire (20) est choisi dans le groupe comprenant le silicium, l'arséniure de gallium, l'oxyde de zinc, l'oxyde de lithium et de gallium et l'oxyde de lithium et d'aluminium. 8. Procédé selon l'une des revendications 1 à 7, caractérisé en ce que la couche utile (30) comprend au moins un nitrure mono- ou polymétallique. 9. Procédé selon l'une des revendications 1 à 8, caractérisé en ce que la couche utile (30) est constituée de nitrure de gallium et en ce que le matériau de la couche de nucléation (12) est choisi dans le groupe comprenant le carbure de silicium, le nitrure de gallium et le saphir. 10. Procédé selon l'une des revendications 1 à 9, caractérisé en ce que le support final (40) comprend sur sa surface recevant la couche utile (30) un revêtement (41) réfléchissant le rayonnement. 11. Procédé de fabrication d'un substrat comprenant une couche utile (30) de matériau semi-conducteur monocristallin sur un support (40), caractérisé en ce qu'il comprend les étapes consistant à : prévoir un support intermédiaire (20) réalisé en un matériau susceptible d'être attaqué chimiquement par un milieu d'attaque donné et comportant sur l'une de ses faces une couche barrière et une couche de nucléation (12), le matériau de la couche barrière résistant à la diffusion d'éléments provenant d'une éventuelle dissociation thermique du matériau du support intermédiaire, faire croître par épitaxie, sur ladite couche de nucléation (12), le ou chaque matériau semi-conducteur monocristallin de la couche utile (30), mettre en adhésion la couche utile (30) sur un support final (40) au niveau de sa face opposée au support intermédiaire, et exposer ledit support intermédiaire (20) audit milieu d'attaque pour éliminer celui-ci par attaque chimique sensiblement sans affecter la couche utile protégée par le matériau de la couche barrière. 12. Procédé selon la revendication 11, caractérisé en ce que la couche barrière et/ou la couche de nucléation (12) est formée en prévoyant un substrat source (10) comportant à une certaine profondeur une zone (14) formant site de détachement, en collant le substrat source sur le support intermédiaire (20), et en exerçant sur la zone formant site de détachement un traitement pour aboutir au détachement de la couche en question par rapport au substrat source. 13. Procédé selon la revendication 12, caractérisé en ce que la formation de la zone de détachement (14) est réalisée par implantation d'espèces atomiques. 14. Procédé selon la revendication 13, caractérisé en ce que ledit traitement de détachement comprend l'application de contraintes comprises dans le groupe comprenant les contraintes thermiques et les contraintes mécaniques. 15. Procédé selon l'une des revendications 11 à 14, caractérisé en ce que l'on rapporte la couche barrière sur le support intermédiaire (20) et/ou la couche de nucléation (12) sur la couche barrière par collage par adhésion moléculaire. 16. Procédé selon la revendication 15, caractérisé en ce qu'avant de rapporter par collage la couche barrière et/ou la couche de nucléation (12), on dépose sur au moins l'une des faces à coller une couche de collage (13 ; 23). 17. Procédé selon la revendication 11, caractérisé en ce que la couche barrière et/ou la couche de nucléation (12) est formée par une technique de dépôt. 18. Procédé selon l'une des revendications 11 à 17, caractérisé en ce que le support intermédiaire est choisi dans le groupe comprenant le silicium, l'arséniure de gallium, l'oxyde de zinc, l'oxyde de lithium et de gallium et l'oxyde de lithium et d'aluminium. 19. Procédé selon l'une des revendications 11 à 18, caractérisé en ce que la couche utile comprend au moins un nitrure mono- ou polymétallique. 20. Procédé selon l'une des revendications 11 à 19, caractérisé en ce que la couche utile est constituée de nitrure de gallium et en ce que le matériau de la couche de nucléation est choisi dans le groupe comprenant le carbure de silicium, le nitrure de gallium et le saphir. 21. Procédé selon l'une des revendications 11 à 20, caractérisé en ce que le support final comprend sur sa surface recevant la couche utile (30) un revêtement (41) réfléchissant le rayonnement.