FR 2837059 A1 20030912 FR 0215367 A 20021205 Cette invention se rapporte à des éléments émetteurs de lumière et, plus particulièrement, à améliorer les caractéristiques de performance d'éléments émetteurs de lumière notamment avec une impédance d'entrée prédéterminée. Des éléments émetteurs de lumière comme des diodes luminescentes (LEDs), des diodes laser et des lasers d'émission extérieure de cavité verticale (VCSELs) sont utilisés de nos jours dans une grande variété d'applications électroniques. Des exemples communs de produits qui utilisent des éléments émetteurs de lumière comprennent les tourne-disques DVD et des systèmes de communications optiques de vitesse élevée. Fréquemment, le rôle des éléments émetteurs de lumière implique la génération d'impulsions de lumière pour l'acquisition ou la transmission de données. Pour fonctionner dans cette capacité, un circuit d'attaque est utilisé d'une manière typique pour fournir le différentiel électrique approprié à l'élément émetteur de lumière pour produire des signaux optiques numériques. Actuellement, beaucoup d'éléments émetteurs de lumière sont fabriqués avec des valeurs d'impédance qui varient. Un VCSEL, par exemple, présente d'une manière typique une valeur d'impédance qui varie entre environ 17-50 Ohms. Cette variation pose des problèmes au circuit d'attaque à cause d'une mauvaise adaptation d'impédance possible qui résulte entre la sortie du circuit d'attaque et l'entrée du VCSEL. Parmi ces problèmes figurent tout d'abord les réflexions de signaux qui ont lieu le long de la ligne de transmission entre le circuit d'attaque et le VCSEL qui diminuent la qualité des signaux et limitent le temps de réponse. Actuellement, ce problème est traité en manipulant les caractéristiques de fonctionnement du circuit d'attaque. Une solution populaire, par exemple, comprend l'addition de composants de terminaison externes qui absorbent l'énergie réfléchie. Cette solution n'est pas optimale parce qu'elle demande aux fabricants de systèmes de déterminer l'impédance de chaque élément émetteur de lumière individuellement et de coupler les composants de compensation appropriés au circuit d'attaque. D'autres solutions populaires comprennent l'utilisation de modules d'attaque de précision qui peuvent recevoir un défaut d'adaptation d'impédance sans perte de performance importante. Cependant, ces systèmes sacrifient inévitablement certaines quantités de largeurs de bande et de réponses de fréquence. Ainsi, au vu de ce qui précède, il serait souhaitable de réaliser des circuits et des procédés qui réduisent ou réduisent à un minimum la variation de l'impédance associée aux éléments émetteurs de lumière. Il serait également souhaitable de réaliser des circuits et des procédés qui permettent un ajustement de la fonction de transfert associée aux éléments émetteurs de lumière pour améliorer ou optimiser certains attributs de performance. La présente invention a donc pour objet la réalisation de circuits et de procédés qui réduisent ou minimisent la variation d'impédance associée aux éléments émetteurs de lumière. La présente invention a également pour objet la réalisation de circuits et de procédés qui permettent un ajustement de la fonction de transfert associée aux éléments émetteurs de lumière pour améliorer ou optimiser certains attributs de performance. Ces objets sont atteints conformément aux principes de la présente invention en réalisant les éléments émetteurs de lumière avec des circuits additionnels. Les circuits additionnels peuvent avoir une caractéristique d'impédance présélectionnée ou ajustable. Des modes de réalisation utilisant une caractéristique d'impédance présélectionnée atteignent des bénéfices de performance importants en comparaison à l'art antérieur. Des modes de réalisation ayant une impédance ajustable peuvent modifier l'impédance associée au composant émetteur de lumière pour qu'il ait une impédance résistive ou réactive sensiblement constante qui améliore certains attributs de performance. Cette solution élimine virtuellement le besoin de composants de compensation externes et soulage le circuit d'attaque de l'adaptation des impédances et de la spécialisation des circuits. Ainsi, conformément à la présente invention, il est réalisé un procédé de réalisation d'un composant émetteur de lumière avec une impédance d'entrée prédéterminée qui comprend les étapes consistant à réaliser un élément émetteur de lumière disposé sur un substrat ; à réaliser un circuit d'impédance disposé sur le substrat qui est couplé à l'élément émetteur de lumière ; à régler une impédance du circuit d'impédance de telle sorte que l'impédance d'entrée équivalente du composant émetteur de lumière est établie à la valeur prédéterminée. Selon des réalisations avantageuses de l'invention : le procédé peut comprendre la détermination de l'impédance de l'élément émetteur de lumière ; il peut comprendre en outre la détermination de l'impédance du composant émetteur de lumière ; la réalisation d'un circuit d'impédance peut comprendre la réalisation d'une résistance ajustable ; l'ajustement peut comprendre en outre le réglage d'une valeur de la résistance ajustable ; l'ajustement peut comprendre en outre l'ajustement de l'impédance d'entrée du composant émetteur de lumière de telle sorte que l'impédance d'entrée est sensiblement résistive ; la réalisation d'un circuit d'impédance peut comprendre la réalisation d'une inductance ajustable ; l'ajustement peut comprendre en outre le réglage d'une valeur de l'inductance ajustable ; la réalisation d'un circuit d'impédance peut comprendre la réalisation d'un condensateur ajustable ; l'ajustement peut comprendre en outre l'ajustement d'une valeur de capacité du condensateur ajustable ; l'ajustement peut comprendre en outre l'ajustement de l'impédance du circuit d'impédance pour compenser sensiblement une impédance réactive associée à l'élément émetteur de lumière de telle sorte que l'impédance d'entrée équivalente du composant émetteur de lumière est sensiblement résistive ; un laser d'émission extérieure de cavité verticale est utilisé comme élément émetteur de lumière ; l'ajustement peut comprendre en outre le réglage fin de composants de circuits dans le réseau. L'invention se rapporte également à un procédé de réalisation d'un composant émetteur de lumière ayant une impédance d'entrée qui correspond sensiblement à une impédance caractéristique d'une ligne de transmission, qui comprend la réalisation d'un élément émetteur de lumière disposé sur un substrat, la réalisation d'un circuit d'impédance disposé sur le substrat qui est couplé à l'élément émetteur de lumière ; l'ajustement d'une impédance du circuit d'impédance de telle sorte que l'impédance d'entrée du composant émetteur de lumière correspond sensiblement à l'impédance caractéristique de la ligne de transmission. L'invention se rapporte également à un procédé de réalisation d'un composant émetteur de lumière ayant une impédance d'entrée qui correspond sensiblement à une impédance de sortie d'un circuit d'attaque, comprenant la réalisation d'un élément émetteur de lumière disposé sur un substrat ; la réalisation d'un circuit d'impédance variable disposé sur le substrat qui est couplé à l'élément émetteur de lumière ; l'ajustement d'une impédance du circuit d'impédance de telle sorte que l'impédance d'entrée du composant émetteur de lumière correspond sensiblement à l'impédance de sortie du circuit d'attaque. L'invention se rapporte également à un procédé d'obtention d'une réponse aux fréquences recherchée d'un élément émetteur de lumière disposé sur un substrat, qui comprend la détermination de la réponse recherchée aux fréquences de l'élément émetteur de lumière à un signal d'entrée ; la réalisation d'un réseau avec une fonction de transfert variable couplé à l'élément émetteur de lumière et disposé sur le substrat ; et l'ajustement de la fonction de transfert du réseau pour obtenir la réponse recherchée aux fréquences de l'élément émetteur de lumière. Selon des réalisations avantageuses de l'invention, la fonction de transfert peut être réglée pour optimiser la largeur de bande de l'élément émetteur de lumière ; la fonction de transfert peut être réglée pour optimiser une réponse aux fréquences élevées de l'élément émetteur de lumière ; la réalisation peut comprendre la réalisation d'une résistance ajustable dans le réseau. L'invention se rapporte également à un composant émetteur de lumière qui est caractérisé en ce qu'il comprend un élément émetteur de lumière disposé sur un substrat pour émettre de la lumière ainsi qu'un réseau d'impédance disposé sur le substrat et couplé au circuit émetteur de lumière. Selon des réalisations avantageuses de l'invention : l'élément émetteur de lumière peut être un laser d'émission extérieur de cavité verticale ; le réseau d'impédance peut comprendre une résistance ajustable, ou un condensateur ajustable ou une bobine d'inductance ajustable ; le réseau d'impédance peut être formé au moins en partie en métal disposé sur la surface du substrat ; le réseau d'impédance peut être ajusté par un utilisateur de produit final, il peut être ajusté au niveau de la plaquette, au niveau du sous-ensemble optique ou encore au niveau du module ; le composant peut comprendre en outre des circuits pour établir et pour régler un seuil de courant du composant émetteur de lumière, des circuits pour ajuster et établir une efficacité de pente de celui-ci. L'invention concerne également un procédé d'obtention d'une réponse recherchée d'un élément émetteur de lumière disposé sur un substrat, qui comprend la détermination de la réponse recherchée de l'élément émetteur de lumière à un signal d'entrée ; la réalisation d'un réseau avec une fonction de transfert variable couplé à l'élément émetteur de lumière et disposé sur le substrat et l'ajustement de la fonction de transfert du réseau pour obtenir la réponse recherchée de l'élément émetteur de lumière. Selon des réalisations avantageuses de l'invention : la réponse recherchée peut être une réponse recherchée dans le domaine temporel, et ou l'ajustement peut comprendre en outre l'ajustement de la fonction de transfert du réseau pour obtenir la réponse recherchée au domaine temporel ; la réponse recherchée peut être un temps de stabilisation prédéterminé, et l'ajustement peut comprendre l'ajustement de la fonction de transfert du réseau pour obtenir le temps de stabilisation prédéterminé ; la réponse recherchée peut être une largeur de bande étendue, et l'ajustement peut comprendre l'ajustement de la fonction de transfert du réseau pour obtenir la largeur de bande étendue recherchée. Enfin, l'invention concerne encore un procédé de réalisation d'un composant émetteur de lumière présentant une impédance d'entrée dans une plage prédéterminée, comprenant la sélection d'une plage de valeurs d'impédance, la réalisation d'un élément émetteur de lumière disposé sur un substrat ainsi que la réalisation d'un circuit d'impédance disposé sur le substrat et couplé à l'élément émetteur de lumière de telle sorte que l'impédance d'entrée du composant émetteur de lumière se situe dans une plage sélectionnée. L'invention sera mieux comprise, et d'autres buts, caractéristiques, détails et avantages de celle-ci apparaîtront plus clairement au cours de la description explicative qui va suivre faite en référence aux dessins annexés donnés uniquement à titre d'exemple illustrant des modes de réalisation de l'invention et dans lesquels : la figure 1A est une conception physique illustrative d'un composant émetteur de lumière réalisé en accord avec les principes de la présente invention ; la figure 1B est un diagramme schématique de circuits additionnels qui peuvent être inclus dans le composant émetteur de lumière de la figure 1 ; - la figure 2 est un diagramme schématique de la conception physique représentée sur la figure 1 ; la figure 3 est une conception physique illustrative d'un autre composant émetteur de lumière réalisé en accord avec les principes de la présente invention ; la figure 4 est un diagramme schématique du circuit équivalent associé à la conception physique représentée sur la figure 3 ; la figure 5 est un diagramme schématique d'un composant émetteur de lumière réalisé en accord avec les principes de la présente invention couplé au circuit d'attaque par une ligne de transmission. La figure 1 est une conception physique illustrative d'un composant émetteur de lumière 100 réalisé en accord avec les principes de la présente invention. Le composant 100 peut comporter une plage de connexion 110, une résistance ajustable 120 et un élément émetteur de lumière 130. Bien que le composant 100 soit représenté comme un boîtier du type à "puce sur carte", n'importe quels autres types de boîtiers appropriés comme des boîtiers à deux rangées de broches (DIP) et des boîtiers "métalliques" peuvent être utilisés, si cela est souhaité. L'élément émetteur de lumière 130 peut être n'importe quel élément de circuit qui convient pour produire des impulsions de lumière, comme une LED, une diode laser, un VCSEL et analogues. La résistance ajustable 120 peut être créée à partir de n' importe quel matériau qui convient pour former des éléments résistifs sur un substrat comme une résistance métallique réalisée dans le même matériau que la plage de connexion 110 ou une résistance du type à film mince ou à film épais. En cours de fonctionnement, le circuit d'attaque (non représenté) est couplé à l'élément émetteur de lumière 130 par la plage de connexion 110, la résistance ajustable 120 et des trajets 115 et 125 suivis par les signaux. Les signaux du circuit d'attaque passent à travers la résistance 120 et dans l'élément émetteur de lumière 130 en le mettant EN et HORS SERVICE pour produire des impulsions de lumière. Une représentation schématique du composant 100 est montrée sur la figure 2. Le but de la résistance ajustable 120 est de normaliser la variation d'impédance associée à l'élément émetteur de lumière 130 pour que l'impédance d'entrée équivalente du composant émetteur de lumière 100 soit d'une valeur prédéterminée sensiblement constante. Par exemple, si un élément émetteur de lumière donné a une impédance de 29 Ohms et qu'un autre élément émetteur de lumière fabriqué selon le même procédé a une impédance de 34 Ohms, les résistances 120 peuvent être ajustées à 21 Ohms et 16 Ohms, respectivement de telle sorte que les deux composants ont une impédance d'entrée de 50 Ohms. Cette configuration permet aux fabricants des circuits de produire des composants émetteurs de lumière d'une impédance prédéterminée, sensiblement constante et d'éliminer ainsi virtuellement la nécessité de composants de compensation ou d'autres circuits d'attaque spécialisés. La détermination de la valeur appropriée de la résistance ajustable 120 peut être faite de différentes manières. Une méthode comprend la fabrication du composant 100 et la mesure de la résistance de l'élément émetteur de lumière 130. Ensuite, la valeur de la résistance 120 est réglée (par exemple réglée finement) de telle sorte que l'impédance totale du composant 100, en regardant depuis la plage de connexion 110, est réglée à une valeur recherchée (par exemple 50 Ohms). Une autre manière pour ajuster la résistance 120 comprend la mesure de la résistance du composant 100 de la plage de connexion 110 et l'ajustement de la résistance 120 jusqu'à ce que l'impédance totale du composant 100, en regardant depuis la plage de connexion 110, atteigne la valeur recherchée. Dans certains cas, il peut être souhaitable de régler la valeur de la résistance 120 tout en surveillant la réponse optique du composant 100. Cela peut être fait pour obtenir une réponse optique particulière du composant 100 (par exemple pour optimiser une "ouverture de l'oeil") quelle que soit l'impédance d'entrée. Dans un mode de réalisation alternatif du composant 100, la résistance 120 peut être fabriquée à une valeur nominale fixe soumise à des variations associées à la fabrication de la résistance (par exemple à l'intérieur d'environ 20 % de la valeur prévue). Dans ce cas, la résistance 120 n'est pas réglée, et sa fonction consiste uniquement à amener l'impédance totale du composant émetteur de lumière 100 à une valeur plus souhaitable. Par exemple, on suppose que l'impédance moyenne d'un groupe particulier d'éléments émetteurs de lumière 110 soit connue, pour être de 31,6 Ohms et pour se situer entre 20 Ohms et 50 Ohms dans tous les cas. Dans un environnement de ligne de transmission de 50 Ohms rencontré communément, un composant émetteur de lumière souffrirait de réflexions de 43 % à une valeur minimale de 20 Ohms. En gardant cela à l'esprit, un fabricant peut construire la résistance 120 de telle sorte que sa valeur nominale soit également de 18,4 Ohms soumise à des tolérances de fabrication de telle sorte que l'impédance finale du composant 100 est d'environ 50 Ohms. Avec cet agencement, la réflexion dans le pire des cas serait réduite d'un facteur de 2 ou jusqu'à environ 23 %. On comprendra à partir de ce qui précède que l'impédance du composant 100 peut être réglée à l'une de nombreuses valeurs comme spécifié, par exemple, par les demandes des clients. Dans la plupart des cas, l'unique restriction à cette caractéristique est l'impédance minimale de l'élément émetteur de lumière 130. Ainsi, si cela est souhaité, l'impédance équivalente du composant émetteur de lumière 100 peut être augmentée à des valeurs nettement plus grandes que la valeur d'impédance initiale de l'élément émetteur de lumière 100. En outre, dans un autre mode de réalisation de la présente invention, une version de "gabarit" du composant 100 peut être réalisée avec peu ou pas d'ajustement de la résistance 120. Dans ce cas, un utilisateur, comme un fabricant de composants, peut régler la résistance 120 pour répondre à des besoins spécifiques. Par exemple, une version de gabarit du composant 100 peut être couplée à un circuit d'attaque spécifique. Ensuite, la résistance 120 peut être réglée pour atteindre une adaptation sensiblement parfaite des impédances entre le circuit d'attaque et le composant 100 pour optimiser la performance du système. Ce type "d'adaptation du composant à l'usager" fait que le composant 100 convienne pour l'utilisation dans une grande variété d'applications de haute performance comme celles impliquent des schémas de codage avec des binaires auxiliaires élevés ou qui requièrent des vitesses de transfert de données rapides avec une tolérance d'erreur limitée. On comprendra que la résistance 120 peut être ajustée pendant les diverses étapes de fabrication du composant 100, y compris l'ajustement du produit final. Par exemple, la résistance 120 peut être ajustée au niveau de la plaquette, pendant la construction du sousensemble optique (par exemple lorsqu'un connecteur optique est fixé à et aligné avec l'élément 130), pendant l'assemblage du module (par exemple l'addition des circuits d'attaque et la mise en boîtier du composant) ou par un utilisateur final de l'article. Par ailleurs, des composants de réseau additionnels peuvent être ajoutés au composant émetteur de lumière 100 pour régler le seuil du courant (c'est-à-dire la grandeur d'un signal d'attaque requis pour produire un niveau de lumière minimal recherché) et l'efficacité de la pente (c'est-à-dire la réponse incrémentielle du signal de sortie optique de l'élément 100 comparée au signal d'attaque lorsque le signal d'attaque est au-dessus du niveau de seuil) de l'élément émetteur de lumière 130. Par exemple, comme représenté sur la figure 1B, des résistances ajustables 121 et 122 et l'élément émetteur de lumière 131 peuvent être ajoutés au composant 100, si cela est souhaité. Avec ce mode de réalisation, l'élément émetteur de lumière 131 agit comme un organe de fixation de niveau de tension pour polariser l'élément émetteur de lumière 130. La sortie optique produite par l'élément 131 n'est pas nécessairement utilisée. La résistance 121 peut être réglée pour éloigner une partie d'un signal d'attaque appliqué de l'élément 130 et dans l'élément 131 en réduisant ainsi la sortie optique de l'élément 130. Avec cette aptitude, il est possible de faire varier la valeur de la résistance 121 de telle sorte que la sortie optique de l'élément 130 atteint un niveau prédéterminé pour une valeur donnée d'un courant d'attaque. Cela permet la sélection de paramètres de conversion électriques-optiques prédéfinis et sensiblement constants pour le composant 100 en dépit des grandes variations d'efficacité généralement associées à l'élément 130. De plus, le seuil de courant auquel l'élément émetteur de lumière 130 émet de la lumière peut être réglé à une valeur prédéterminée en réglant la résistance variable 122. On comprendra que les caractéristiques de la présente invention représentées sur les figures 1A et 1B peuvent être utilisées séparément, ensemble, ou selon des combinaisons diverses en fonction de la fonctionnalité recherchée. Par exemple, le composant 100 peut être construit de façon qu'il comporte seulement l'élément émetteur de lumière 130 et la résistance variable 122. Dans ce mode de réalisation, le composant 100 aurait un seuil de courant préétabli mais non pas une impédance d'entrée préétablie ou une efficacité de conversion électrique-optique normalisée. On reconnaîtra que toutes les combinaisons et permutations de ces caractéristiques se situent dans l'étendue de la présente invention. La figure 3 est une conception physique illustrative d'un composant émetteur de lumière 200 réalisé en accord avec les principes de la présente invention. Le composant 200 est similaire au composant 100 et comporte en outre le condensateur ajustable 140 et l'inductance ajustable 150. Bien que le composant 200 soit représenté comme un boîtier du type de "puce sur carte", n'importe quels autres types de boîtiers appropriés, comme des boîtiers DIPs et boîtiers "métalliques" peuvent être utilisés, si cela est souhaité. Le composant 200 peut également utiliser quelques-uns ou l'ensemble des éléments de circuit représentés sur la figure 1B. Le premier but du condensateur ajustable 140 et de l'inductance ajustable 150 est de permettre la variation de la fonction de transfert associée au composant émetteur de lumière 200. Avec cet agencement, des fabricants de circuits peuvent produire des composants émetteurs de lumière avec des fonctions de transfert spécialisées qui améliorent ou optimisent certaines caractéristiques de performance. Par exemple, en ajustant les valeurs de quelques-uns ou de tous les éléments de circuit sur le composant 200, il est possible d'obtenir une impédance caractéristique sensiblement résistive (par exemple en "accordant" ou en compensant la réactance du boîtier et du couplage). L'agencement de la figure 3 peut également être utilisé pour créer des fonctions de transfert qui améliorent ou optimisent d'autres caractéristiques de performance comme la réponse aux fréquences élevées, la réponse au domaine temporel, le temps de transition, le temps de stabilisation, la largeur de bande, l'instabilité et analogues. Une telle optimisation peut inclure l'ajustement de quelques-uns ou de tous les éléments de circuit sur le composant 200 pour faire varier la forme d'une impulsion optique produite par l'élément 130 pour être conforme à un certain "masque" ou pour correspondre à un standard de communication particulier (par exemple SONET). Dans un mode de réalisation alternatif du composant 200, le condensateur 140 et l'inductance 150 peuvent être fabriqués à des valeurs nominales fixes soumises à des variations associées à la fabrication du composant (par exemple à l'intérieur d'environ 20 % de la valeur prévue). Dans ce cas, ces composants ne sont pas ajustés, et leur fonction consiste uniquement à améliorer une ou plusieurs des caractéristiques de performance mentionnées ci-dessus du composant 200. La figure 4 représente un circuit équivalent de la conception physique représentée sur la figure 3. Sur la figure 4, la bobine d'inductance 180 représente l'inductance associée à un fil de liaison qui est relié à la plage de connexion 110 (non représentée), et le condensateur 170 représente la capacité associée à la plage de connexion 110. L'élément émetteur de lumière 130 est représenté schématiquement comme une diode laser. La figure 5 représente un circuit d'attaque 210 couplé au composant émetteur de lumière 200 par une ligne de transmission 220. Dans ce mode de réalisation, la valeur de la résistance 120 peut être réglée pour normaliser l'impédance de l'élément émetteur de lumière 130 à une valeur correspondant à l'impédance caractéristique de la ligne de transmission 220 pour une terminaison appropriée de ligne. Les valeurs du condensateur ajustable 140 et de l'inductance ajustable 150 peuvent être réglées pour compenser des transitoires associées à la réactance de mise en boîtier. Dans d'autres modes de réalisation, le circuit d'attaque 210 peut être couplé directement au composant 200 en utilisant une "liaison de fil puce à puce" sans intervention d'une ligne de transmission (non représentée). Dans ce cas, la valeur de l'inductance 180 du fil de liaison peut être légèrement plus grande que celle associée à l'agencement de la figure 5. On comprendra que dans beaucoup de cas, les éléments de circuit 120,140 et 150 peuvent être disposés sur les composants émetteurs de lumière 100 et 200 sans s'écarter des techniques de fabrication normales. Par exemple, les bobines d'inductance, les condensateurs et les résistances peuvent tous être réalisés à partir du métal utilisé pour fabriquer les plages de connexion et les traces ou rubans de circuit. Une inductance en spirale, par exemple, d'une valeur d'approximativement 1,2 nH peut être formée en créant trois spirales métalliques concentriques présentant un diamètre extérieur d'environ 100m en utilisant un métal d'une largeur de 5 m espacé d'environ 1 m. Cette réalisation spécifique est uniquement exemplaire, et beaucoup d'autres configurations d'inductance sont possibles. La valeur d'inductance peut être augmentée ou diminuée, selon ce qui est souhaité, en changeant le diamètre de la spirale, la largeur du métal et l'espacement entre les portions du métal utilisé pour former l'inductance. En outre, l'inductance peut être généralement agencée, comme représenté sur la figure 3, pour éviter un recouvrement avec d'autres traces de métal. Les condensateurs peuvent être formés en déposant une plaque de métal sur le dessus de la matrice utilisée pour former le composant émetteur de lumière. La capacité obtenue dépend de la taille de la plaque métallique et du procédé utilisé pour créer la matrice. Diverses autres techniques de traitement de circuits intégrés connues peuvent être utilisées, si cela est souhaité, pour augmenter la performance de ces éléments de circuit passifs. Par exemple, les techniques de masquage, de plaquage et de gravure peuvent être utilisées pour épaissir le métal de l'inductance ou pour amincir le métal de la résistance à une résistance inférieure. Un métal de base de résistance élevée comme le SiCr, le NiCr ou le tungstène peut être utilisé pour former les résistances. Des couches conductrices de film mince ou épais peuvent être ajoutées à la matrice pour former des résistances physiquement plus petites présentant de grandes valeurs de résistance avec une capacité parasite réduite au substrat. Des couches diélectriques de film mince ou épais peuvent être ajoutées pour former des condensateurs à plaques parallèles ou pour permettre des croisements de trace ou de ruban. Des résistances diffusées ou à implantation d'ions, des condensateurs de jonction et des conducteurs peuvent être créés en utilisant des techniques photolithographiques et analogues. On comprendra en outre que diverses méthodes peuvent être utilisées pour régler les valeurs des composants décrits ci-dessus. Par exemple, un réglage fin peut être effectué avec un laser ou un abrasif sur le condensateur 140 ou la résistance 120. Un tel réglage fin peut être exécuté tout en mesurant la résistance, la capacité ou d'autres paramètres des composants émetteurs de lumière 100 et 200. La résistance 120, le condensateur 140 et l'inductance 150 peuvent être réglés finement avec un ajustement continu ou bien en coupant des segments ou pattes constitutifs lors d'étapes discontinues. N'importe quel procédé approprié peut être utilisé. Dans certains modes de réalisation, l'ajustement des composants peut être fait d'une manière économique au niveau de la plaquette avant que la plaquette soit coupée en composants individuels. L'homme de l'art comprendra que la présente invention peut être mise en oeuvre par d'autres modes de réalisation que ceux décrits ci-dessus qui sont présentés dans un but d'illustration et non pas de limitation, et la présente invention est limitée seulement par les revendications qui suivent. REVENDICATIONS 1. Procédé de réalisation d'un composant émetteur de lumière avec une impédance d'entrée prédéterminée, caractérisé en ce qu'il comprend les étapes consistant à : réaliser un élément émetteur de lumière disposé sur un substrat ; - réaliser un circuit d'impédance disposé sur le substrat qui est couplé à l'élément émetteur de lumière ; - ajuster une impédance du circuit d'impédance de telle sorte que l'impédance d'entrée équivalente du composant émetteur de lumière est réglée à la valeur prédéterminée. 2. Procédé selon la revendication 1, caractérisé en ce qu'il comprend en outre la détermination de l'impédance de l'élément émetteur de lumière. 3. Procédé selon la revendication 1, caractérisé en ce qu'il comprend en outre la détermination de l'impédance du composant émetteur de lumière. 4. Procédé selon la revendication 1, caractérisé en ce que la réalisation d'un circuit d'impédance comprend la réalisation d'une résistance ajustable. 5. Procédé selon la revendication 4, caractérisé en ce que l'ajustement comprend en outre le réglage d'une valeur de résistance de la résistance ajustable. 6. Procédé selon la revendication 1, caractérisé en ce que l'ajustement comprend en outre l'ajustement de l'impédance d'entrée du composant émetteur de lumière de telle sorte que l'impédance d'entrée est sensiblement résistive. 7. Procédé selon la revendication 1, caractérisé en ce que la réalisation d'un circuit d'impédance comprend la réalisation d'une inductance ajustable. 8. Procédé selon la revendication 7, caractérisé en ce que l'ajustement comprend en outre le réglage d'une valeur d'inductance de l'inductance ajustable. 9. Procédé selon la revendication 1, caractérisé en ce que ladite réalisation d'un circuit d'impédance comprend la réalisation d'un condensateur ajustable. 10. Procédé selon la revendication 9, caractérisé en ce que l'ajustement comprend en outre l'ajustement d'une valeur de capacité du condensateur ajustable. 11. Procédé selon la revendication 1, caractérisé en ce que l'ajustement comprend en outre l'ajustement de l'impédance du circuit d'impédance pour compenser sensiblement une impédance réactive associée à l'élément émetteur de lumière de telle sorte que l'impédance d'entrée équivalente du composant émetteur de lumière est sensiblement résistive. 12. Procédé selon la revendication 1, caractérisé en ce qu'un laser d'émission extérieur de cavité verticale (VCSEL) est utilisé comme élément émetteur de lumière. 13. Procédé selon la revendication 11, caractérisé en ce que l'ajustement comprend en outre le réglage fin de composants de circuit dans le réseau. 14. Procédé de réalisation d'un composant émetteur de lumière ayant une impédance d'entrée qui correspond sensiblement à une impédance caractéristique d'une ligne de transmission, caractérisé en ce qu'il comprend les étapes consistant à : - réaliser un élément émetteur de lumière disposé sur un substrat ; réaliser un circuit d'impédance disposé sur le substrat qui est couplé à l'élément émetteur de lumière ; - ajuster une impédance du circuit d'impédance de telle sorte que l'impédance d'entrée du composant émetteur de lumière correspond sensiblement à l'impédance caractéristique de la ligne de transmission. 15. Procédé de réalisation d'un composant émetteur de lumière ayant une impédance d'entrée qui correspond sensiblement à une impédance de sortie d'un circuit d'attaque, caractérisé en ce qu'il comprend les étapes consistant à : - réaliser un élément émetteur de lumière disposé sur un substrat ; - réaliser un circuit d'impédance variable disposé sur le substrat qui est couplé à l'élément émetteur de lumière ; - ajuster une impédance du circuit d'impédance de telle sorte que l'impédance d'entrée du composant émetteur de lumière correspond sensiblement à l'impédance de sortie du circuit d'attaque. 16. Composant émetteur de lumière (100,200), caractérisé en ce qu'il comprend un élément émetteur de lumière (130) disposé sur un substrat pour émettre de la lumière ; et un réseau d'impédance disposé sur le substrat et couplé au circuit émetteur de lumière. 17. Composant émetteur de lumière selon la revendication 16, caractérisé en ce que l'élément émetteur de lumière est un laser d'émission extérieur de cavité verticale (VCSEL). 18. Composant émetteur de lumière selon la revendication 16, caractérisé en ce que le réseau d'impédance comprend une résistance (120). 19. Composant émetteur de lumière selon la revendication 18, caractérisé en ce que la résistance (120) est ajustable. 20. Composant émetteur de lumière selon la revendication 16, caractérisé en ce que le réseau d'impédance comporte un condensateur (140). 21. Composant émetteur de lumière selon la revendication 20, caractérisé en ce que le condensateur (140) est ajustable. 22. Composant émetteur de lumière selon la revendication 16, caractérisé en ce que le réseau d'impédance comporte une bobine d'inductance (150). 23. Composant émetteur de lumière selon la revendication 22, caractérisé en ce que la bobine d'inductance (150) est ajustable. 24. Composant selon la revendication 16, caractérisé en ce que le réseau d'impédance est formé, au moins en partie, en métal disposé sur la surface du substrat. 25. Composant émetteur de lumière selon la revendication 16, caractérisé en ce que le réseau d'impédance est ajustable par un utilisateur de produit final. 26. Composant émetteur de lumière selon la revendication 16, caractérisé en ce que le réseau d'impédance est ajustable au niveau de la plaquette. 27. Composant émetteur de lumière selon la revendication 16, caractérisé en ce que le réseau d'impédance est ajustable au niveau du sous-ensemble optique. 28. Composant émetteur de lumière selon la revendication 16, caractérisé en ce que le réseau d'impédance est ajustable au niveau du module. 29. Composant émetteur de lumière selon la revendication 16, caractérisé en ce qu'il comprend en outre des circuits pour établir un seuil de courant du composant émetteur de lumière. 30. Composant émetteur de lumière selon la revendication 16, caractérisé en ce qu'il comprend en outre des circuits pour régler un seuil de courant du composant émetteur de lumière. 31. Composant émetteur de lumière selon la revendication 16, caractérisé en ce qu'il comprend en outre des circuits pour ajuster une efficacité de pente du composant émetteur de lumière. 32. Composant émetteur de lumière selon la revendication 16, caractérisé en ce qu'il comprend en outre des circuits pour établir une efficacité de pente du composant émetteur de lumière. 33. Procédé de réalisation d'un composant émetteur de lumière présentant une impédance d'entrée dans une plage prédéterminée, caractérisé en ce qu'il comprend les étapes consistant à : - sélectionner une plage de valeurs d'impédance ; - réaliser un élément émetteur de lumière disposé sur un substrat ; et - réaliser un circuit d'impédance disposé sur le substrat et couplé à l'élément émetteur de lumière de telle sorte que l'impédance d'entrée du composant émetteur de lumière se situe dans la plage sélectionnée.