FR 2840067 A1 20031128 FR 0305882 A 20030516 CAPTEUR DE PRESSION A SEMICONDUCTEUR DU TYPE MEMBRANE ET TRANCHE DE SEMICONDUCTEUR UTILISEE POUR SA FABRICATION La présente invention concerne un capteur de pression à semiconducteur du type membrane, qui comprend un substrat semiconducteur ayant : une surface active et une surface arrière d'orientation de face cristallographique (110); et une membrane qui a été formée dans la surface active en formant une cavité dans la surface arrière, et elle concerne également une tranche de semiconducteur utilisée pour la fabrication du capteur de pression à semiconducteur du type membrane. Le capteur de pression à semiconducteur du type membrane comprend un substrat semiconducteur qui a une surface active d'orientation de face cristallographique (110) et une surface arrière, qui est opposée à la surface active, d'orientation de face cristallographique (110). Ce type de substrat semiconducteur sera appelé ciaprès un substrat semiconducteur (110). Comme représenté sur la figure 12, un capteur de pression à semiconducteur du type membrane qui est proposé comprend un substrat semiconducteur (110) rectangulaire, 10, ayant quatre côtés 10a. Le substrat semiconducteur (110), 10, comprend une membrane 14 utilisée pour détecter une pression. La membrane 14 est placée au fond d'une cavité 13, ou dans la surface active du substrat semiconducteur (110), 10. La cavité 13 a été formée par gravure anisotrope d'une partie du substrat en silicium, à partir duquel le substrat semiconducteur (110) a été formé, en partant de la surface arrière de celui-ci. La membrane 14 comprend des résistances extensométri- ques Rc1, Rc2, Rs1, Rs2, qui sont des éléments piézorésistifs. Comme représenté sur la figure 12, les résistances extensométriques Rc1, Rc2, Rs1, Rs2 sont constituées de deux résistances extensométriques centrales Rc1 , Rc2, qui sont placées dans la région centrale de la membrane 14, et de deux résistances extensométriques latérales Rs1, Rs2, qui sont placées à la périphérie de la membrane 14. Les quatre résistances extensométriques Rc1, Rc2, Rs1 , Rs2 constituent un circuit en pont utilisé pour détecter la pression. Lorsque la membrane 14 est déformée par une pression à détecter, les valeurs des résistances extensométriques Rc1 , Rc2, Rs1, Rs2 varient en réponse à la déformation de la membrane 14, et la pression est détectée sur la base de la variation des valeurs des résistances. Dans le processus de fabrication du capteur de pression à semiconducteur du type membrane qui est proposé, une multiplicité de régions rectangulaires, qui deviennent des puces de capteur, sont formées dans une tranche de silicium, qui a une surface active d'orientation de face cristallographique (110), une surface arrière, qui est opposée à la surface active, d'orientation de face cristallographique (110), et un méplat d'orientation ayant une face cristallographique d'orientation (100). Les régions sont définies en formant des lignes de marquage sensiblement parallèles au méplat d'orientation et des lignes de marquage sensiblement orthogonales au méplat d'orientation. Ensuite, les résistances extensométriques Rc1, Rc2, Rs1, Rs2 sont formées en utilisant des techniques de traitement de semiconducteurs telles que l'implantation ionique et la diffusion, dans la zone de chacune des régions dans lesquelles une membrane 14 doit être formée. Ensuite, une partie de la tranche de silicium est gravée de façon anisotrope à partir de la surface arrière dans chacune des régions, pour former une cavité 13 et, simultanément, la membrane 14 dans la surface active de la tranche de silicium. Une tranche de semiconducteur (110) est formée par les étapes cidessus. Enfin, la tranche de semiconducteur (110) est découpée en une multiplicité de capteurs de pression à semiconducteur représentés sur la figure 12. Dans le capteur de pression à semiconducteur de la figure 12, dans lequel on utilise un substrat semiconducteur (110), la déformation de la membrane 14 est utilisée pour détecter la pression appliquée à la membrane 14, comme décrit ci-dessus. Il existe deux axes cristallographiques d'orientations et sur un plan cristallographique d'orientation (100). Cependant, le coefficient piézorésistif du silicium dans la direction d'un axe cristallographique d'orientation est beaucoup plus grand, par exemple environ cinquante fois plus grand, que dans la direction d'un axe cristallographique d'orientation . Ainsi, la sensibilité dans la détection de la déformation générée dans la direction d'un axe cristallographique d'orientation est beaucoup plus grande que celle dans la direction d'un axe cristallographique d'orientation . Par conséquent, les résistances extensométriques Rc1, Rc2, Rs1, Rs2 ont été formées de façon que les résistances extensométriques s'étendent sensiblement dans la direction d'un axe cristallographique d'orientation dans le capteur de pression à semiconducteur de la figure 12, afin d'augmenter la sensibilité. Un plan cristallographique d'orientation (100) contient un seul axe cristallographique d'orientation , ce qui fait que la disposition des résistances extensométriques Rc1, Rc2, Rs1, Rs2 représentée sur la figure 12 est sensiblement la meilleure pour obtenir la sensibilité la plus élevée dans la détection de pression. Le capteur de pression de la figure 12 a été fixé sur un substrat d'obturation tel qu'un plot en verre, qui n'est pas représenté sur la figure, à la surface arrière du substrat semiconducteur (110), 10, en utilisant la soudure anodique ou autres, de façon que la cavité 13 soit obturée hermétiquement par le substrat d'obturation pour former une chambre de référence de pression. Il est apparu récemment des demandes visant à réduire les dimensions du capteur de pression à semiconducteur de la figure 12, dans le but de réduire le coût, etc. Pour réduire les dimensions du capteur de pression à semiconducteur de la figure 12, il est nécessaire de réduire les dimensions du substrat semiconducteur (100), 10. Cependant, si les dimensions du substrat semiconducteur (110), 10, étaient réduites en réduisant simplement les dimensions de la membrane 14 sans changer la configuration, la sensibilité dans la détection de pression serait dégradée. Même si les dimensions du substrat semiconducteur (110), 10, étaient réduites sans réduire les dimensions de la membrane 14 ou sans changer la configuration, la largeur minimale L de la zone de contact entre la surface arrière du substrat semiconducteur (110), 10, et le substrat d'obturation deviendrait plus étroite. Ainsi, la partie du substrat semiconducteur (110), 10, semblable à un cadre, qui entoure la membrane 14, doit être rétrécie. L'herméticité de la chambre de référence de pression est exprimée en utilisant l'équation de taux de fuite moléculaire (1) dans la technique du vide, Q = (2DV/3) x r3 x (P1 - P2)/L (1) dans laquelle Q est le taux de fuite de la chambre de référence de pression, r est le rayon d'un passage de fuite LP à la frontière entre la surface arrière du substrat semiconducteur (110), 10, et le substrat d'obturation, L est la longueur du passage de fuite LP, ou la largeur minimale précitée de la surface arrière, V est la vitesse moyenne des molécules de gaz, P1 est la pression à l'extérieur de la chambre de référence de pression, et P2 est la pression dans la chambre de référence de pression. Comme on le comprend d'après l'équation (1), le taux de fuite Q est inversement proportionnel à la longueur L du passage de fuite LP. Par conséquent, si les dimensions du substrat semiconducteur (110), 10, étaient réduites sans réduire les dimensions de la membrane 14 ou sans changer la configuration, il deviendrait difficile d'assurer l'herméticité de la chambre de référence de pression. Il en résulte que la fiabilité du capteur de pression de la figure 12 deviendrait plus mauvaise. La présente invention a été faite en considération des aspects ci-dessus. Un premier but de la présente invention est de réduire les dimensions d'un capteur de pression à semiconducteur du type membrane sans réduire les dimensions de sa membrane ni raccourcir la largeur minimale de sa surface arrière, afin de tirer le meilleur parti des dimensions du capteur. Un second but de la présente invention est de procurer une tranche de semiconducteur qui peut être utilisée pour réduire les dimensions d'un capteur de pression à semiconducteur du type membrane, afin de tirer le meilleur parti des dimensions du capteur. Pour atteindre le premier but, un capteur de pression à semiconducteur du type membrane conforme à la présente invention comprend un substrat semiconducteur (110) sensiblement rectangulaire, qui a quatre côtés, une surface active d'orientation de face cristallographique (110), et une surface arrière, qui est opposée à la surface active, d'orientation de face cristallographique (110). Chacune des surfaces est entourée par les quatre côtés. Chacun des quatre côtés fait un angle sensiblement de 45 degrés avec un axe cristallographique d'orientation qui est sensiblement parallèle à la surface active. Le substrat comprend une membrane dans la surface active. La membrane a été formée en formant une cavité dans la surface arrière. La membrane comprend une résistance extensométrique. Une pression est détectée sur la base de la variation de la valeur de la résistance extensométrique. Pour atteindre le second but, une tranche de semiconducteur conforme à la présente invention qui est utilisée pour fabriquer un capteur de pression à semiconducteur du type membrane, comprend une couche de semiconducteur (110). La couche de semiconducteur (110) comprend une surface active d'orientation de face cristallographique (110), et une surface arrière, qui est opposée à la surface active, d'orientation de face cristallographique (110), et un méplat d'orientation. La surface active porte une multiplicité de lignes de marquage. Le méplat d'orientation fait un angle sensiblement de 45 degrés avec une face cristallographique d'orientation (100) qui est sensiblement orthogonale à la surface active de la couche de semiconducteur (110). Chacune des lignes de marquage est sensiblement parallèle ou orthogonale au méplat d'orientation. La couche de semiconducteur (110) comprend également des régions sensiblement rectangulaires, qui sont définies par les lignes de marquage. Chacune des régions contient une membrane dans la surface active. La membrane a été formée en formant une cavité dans la surface arrière. La membrane comprend une résistance extensométrique. Une pression est détectée sur la base de la variation de la valeur de la résistance extensométrique dans un capteur de pression à semiconducteur du type membrane fabriqué à partir de la tranche de semiconducteur. D'autres caractéristiques et avantages de l'invention seront mieux compris à la lecture de la description qui va suivre de modes de réalisation, donnés à titre d'exemples non limitatifs. La suite de la description se réfère aux dessins annexés, dans lesquels : La figure 1 est une vue en plan schématique d'un capteur de pression à semiconducteur du type membrane conforme à un mode de réalisation de la présente invention ; La figure 2 est une coupe schématique du capteur de pression à semiconducteur de la figure 1, faite selon la ligne II-II, montrant l'état du capteur de la figure 1 qui a été fixé sur un plot en verre; La figure 3 est une vue en plan schématique du capteur de pression à semiconducteur de la figure 1, observé par l'arrière du capteur de la figure 1; La figure 4 est une vue montrant les axes cristallographiques qui se trouvent sur la surface active du substrat inclus dans le capteur de pression de la figure 1; La figure 5 est un schéma de circuit équivalent pour un pont de Wheatstone inclus dans le capteur de pression de la figure 1; La figure 6 est une représentation montrant des différences dimensionnelles entre le capteur de pression proposé de la figure 12 et le capteur de pression de la figure 3; La figure 7A est une vue en plan schématique d'un capteur de pression à semiconducteur du type membrane qui comprend un substrat semiconducteur (100), lorsqu'on l'observe par sa surface arrière, et la figure 7B est une coupe schématique du capteur de pression de la figure 7A, faite selon la ligne VIIB-VIIB; La figure 8 est une vue en plan schématique d'une tranche de semiconducteur à partir de laquelle le capteur de pression à semiconducteur de la figure 1 est fabriqué; La figure 9 est une représentation montrant les orientations de faces cristallographiques fondamentales orthogonales à une face cristallographique d'orientation (110); La figure 10 est une vue en plan schématique d'une autre tranche de semiconducteur à partir de laquelle le capteur de pression à semiconducteur de la figure 1 est fabriqué; La figure 11A est une représentation graphique montrant la corrélation entre la sensibilité du capteur de pression et l'écart par rapport à l'angle visé, et la figure 11 B est une représentation graphique montrant la corrélation entre la dépendance de la sensibilité vis- à-vis de la température et l'écart par rapport à l'angle visé ; et La figure 12 est une vue en plan schématique d'un capteur de pression à semiconducteur du type membrane proposé, fabriqué en utilisant un substrat semiconducteur (110), montrant une cavité et une membrane placée au fond de la cavité. On décrira la présente invention en détail en se référant à un mode de réalisation. Un capteur de pression à semiconducteur du type membrane S1 représenté sur les figures 1 à 3 comprend un substrat semiconducteur 10 consistant sensiblement en silicium, qui a été formé en utilisant une technique de fabrication de puce de semiconducteur bien connue. Le substrat semiconducteur 10 a la forme d'une plaquette rectangulaire. Comme représenté sur les figures 1 à 3, le substrat semiconducteur 10 a une surface active 11, une surface arrière 12, qui est opposée à la surface active 11, et quatre côtés 10a. Chacune des surfaces 11,12 a une face cristallographique d'orientation (110). Comme représenté sur la figure 2, le substrat semiconducteur 10 est constitué fondamentalement d'un substrat en silicium d'un type de conductivité. Cependant, le substrat semiconducteur 10 peut être constitué fondamentalement de deux couches ayant un type de conductivité différent. Par exemple, l'une des deux couches peut être un substrat en silicium de type p, et l'autre peut être une couche épitaxiale de type n. Comme représenté sur les figures 2 et 3, le substrat semiconducteur 10 comporte une cavité 13, qui a été formée en utilisant une gravure anisotrope avec une solution alcaline, dans la surface arrière 12, et une membrane 14 au fond de la cavité 13, à l'endroit auquel le substrat semiconducteur 10 a été aminci par la formation de la cavité 13. Comme représenté sur les figures 1 et 3, la membrane 14 est octogonale. Deux côtés de la membrane octogonale 14 sont sensiblement orthogonaux à un axe cristallographique d'orientation sensiblement parallèle à la surface active 11. Deux autres côtés de la membrane octogonale 14 sont sensiblement orthogonaux à un axe cristallographique d'orientation sensiblement parallèle à la surface active 11. Les deux autres côtés de la membrane octogonale 14 sont sensiblement orthogonaux à un axe cristallographique sensiblement parallèle à la surface active 11. La membrane octogonale 14 peut être formée en utilisant un masque de gravure ayant une ouverture hexagonale et une opération de gravure anisotrope. A la place de la membrane octogonale 14, il est possible de former une membrane ayant une forme différente, telle qu'un rectangle, à condition que la membrane de forme différente soit formée par gravure anisotrope d'un substrat semiconducteur (110). La membrane 14 comprend quatre résistances extensométriques Rc1 , Rs1 , Rc2, Rs2, qui sont des éléments piézorésistifs. Les résistances extensométriques Rc1, Rs1 , Rc2, Rs2 s'étendent sensiblement dans la direction d'un axe cristallographique d'orientation sensiblement parallèle à la surface active 11, du fait que le coefficient piézorésistif du silicium est plus élevé dans une direction d'un axe cristallographique d'orientation que dans la direction de tout autre axe cristallographique. Lorsque la membrane 14 est déformée par une pression à détecter, les valeurs des résistances extensométriques Rc1 , Rs1 , Rc2, Rs2 varient en réponse à la déformation de la membrane 14, et la pression est détectée sur la base des variations des valeurs des résistances. Comme représenté sur les figures 1,3 et 4, les résistances extensométriques Rc1 , Rs1, Rc2, Rs2 comprennent des première et seconde résistances extensométriques centrales Rc1, Rc2, qui sont placées dans la région centrale de la membrane 14, et des première et seconde résistances extensométriques latérales Rs1, Rs2, qui sont placées à la périphérie de la membrane 14. Les résistances extensométriques centrales Rc1, Rc2 se déforment plus aisément que les résistances extensométriques latérales Rs1, Rs2. Ainsi, les valeurs des résistances extensométriques centrales Rc1, Rc2 changent avec une plus grande sensibilité vis-à-vis de la pression à détecter, en comparaison avec celles des résistances extensométriques latérales Rs1, Rs2. Les résistances extensométriques Rc1, Rs1, Rc2, Rs2 ont été formées en implantant et en diffusant des ions dans une couche de silicium à partir de laquelle le substrat semiconducteur 10 est formé. Les résistances extensométriques Rc1, Rs1, Rc2, Rs2 sont connectées électriquement par des régions de diffusion d'interconnexion 15, qui ont également été formées en implantant et en diffusant des ions dans la couche de silicium. Comme représenté sur la figure 1, les résistances extensométriques centrales Rc1, Rc2 et les résistances extensométriques latérales Rs1 , Rs2 sont connectées en série en utilisant les régions de diffusion d'interconnexion 15, pour former un pont de Wheatstone, qui est un circuit fermé constitué de quatre branches résistives, comme représenté sur la figure 5. Dans le schéma de circuit en pont de la figure 5, une tension continue constante V est appliquée entre deux bornes la, lb. Les valeurs des résistances extensométriques centrales Rc1 , Rc2 augmentent avec une plus grande sensibilité vis-à-vis de la pression à détecter, en comparaison avec celles des résistances extensométriques latérales Rs1, Rs2. Par conséquent, un premier potentiel Pa à un point situé entre la première résistance extensométrique centrale Rc1 et la première résistance extensométrique latérale Rs1, et un second potentiel Pb à un point situé entre la seconde résistance extensométrique centrale Rc2 et la seconde résistance extensométrique latérale Rs2, varient en sens opposé lorsque la membrane 14 se déforme sous l'effet d'une pression qui lui est appliquée. Ainsi, lorsque l'un des potentiels Pa, Pb augmente, l'autre diminue. Par conséquent, le potentiel différentiel Vout entre les premier et second potentiels Pa, Pb varie en réponse à la pression appliquée à la membrane 14. Comme représenté sur la figure 1, des lignes d'interconnexion métalliques 21 et des plages de connexion métalliques 22 sont placées sur la surface active 11 à l'extérieur de la membrane 14. Les lignes d'interconnexion 21 et les plages de connexion métalliques 22 sont connectées électriquement aux régions de diffusion d'interconnexion 15, pour connecter électriquement les régions de diffusion d'interconnexion ensemble, en formant les deux bornes la, Ib, entre lesquelles la tension continue constante V est appliquée, et pour capter le potentiel différentiel Vout entre les premier et second potentiels Pa, Pb dans le circuit en pont formé sur le substrat semiconducteur 10. Le circuit en pont est connecté électriquement à un circuit extérieur par l'intermédiaire de fils de micro-câblage qui sont soudés par micro-câblage sur les plages de connexion métalliques 22. Comme représenté sur la figure 2, une pellicule isolante inter-couche 30, qui est par exemple une pellicule d'oxyde de silicium, est placée sur la surface active du substrat semiconducteur 10. Les plages de connexion métalliques 22 sont isolées par la pellicule isolante 30. Les lignes d'interconnexion 21 sont également isolées par la pellicule isolante 30, sauf dans les parties dans lesquelles les lignes d'interconnexion 21 sont connectées électriquement aux régions de diffusion d'interconnexion 15 à travers des trous de contact dans la pellicule isolante 30. Les lignes d'interconnexion 21 et les plages de connexion métalliques 22 peuvent être formées, par exemple, par évaporation d'aluminium sous vide. Comme représenté sur la figure 2, une pellicule de passivation 40, qui consiste par exemple en nitrure de silicium, est placée sur les lignes d'interconnexion 21, les plages de connexion métalliques 22 et la pellicule d'isolation 30 pour protéger le capteur de pression S1 de la figure 1. Bien que ceci ne soit pas illustré sur la figure, la pellicule de passivation 40 comporte des ouvertures sur les plages de connexion métalliques 22 pour permettre de connecter électriquement les plages de connexion métalliques 22 à un circuit extérieur, par micro-câblage. Le capteur de pression S1 de la figure 1 peut être fabriqué en utilisant des techniques de fabrication de semiconducteurs bien connues. Après qu'un capteur de pression S1 a été fabriqué, le capteur de pression S1 est fixé par sa surface arrière 12 sur un plot de verre 50, en utilisant par exemple la soudure anodique. Avec la soudure, une cavité 13 du capteur de pression S1 est obturée hermétiquement pour former une chambre de référence de pression, à l'intérieur de laquelle la pression est maintenue constante, par exemple à un niveau proche du vide, comme représenté sur la figure 2. Sur la figure 2, la pression à détecter est appliquée à la face supérieure de la membrane 14. Lorsque la membrane 14 est déformée par la pression, les valeurs des résistances extensométriques Rc1, Rs1 , Rc2, Rs2 varient en réponse à la déformation générée dans la membrane 14, et le potentiel différentiel Vout corrélé aux variations de valeurs de résistance est fourni en sortie. Le potentiel différentiel Vout est transmis vers un circuit extérieur par l'intermédiaire des plages de connexion métalliques 22. Le potentiel différentiel Vout est traité par le circuit extérieur pour fournir le signal de sortie final pour détecter la pression. On a employé une configuration originale dans le capteur de pression à semiconducteur S1 de la figure 1, dont la structure fondamentale et le fonctionnement sont décrits ci-dessus. La configuration originale permet au capteur de pression S1 d'être plus petit que le capteur de pression proposé sur la figure 12, sans réduire les dimensions de la membrane 14 ou raccourcir la largeur minimale de l'étendue de contact entre la surface arrière 12 du substrat semiconducteur 10 et le plot en verre 50. De façon spécifique, comme représenté sur la figure 3, chacun des quatre côtés 10a fait un angle sensiblement égal à 45 avec l'axe cristallographique d'orientation qui est sensiblement parallèle à la surface active 11. De plus, lorsque la direction de la membrane 14 est définie comme la direction longitudinale de la cavité 13, la membrane 14 est établie de fa- çon que la direction de la membrane 14 fasse un angle qui est sen- siblement de 45 degrés, avec les quatre côtés 10a. Comme représenté sur la figure 1, chacune des résistances extensométriques Rc1, Rs1, Rc2, Rs2 a été repliée pour former une multiplicité de branches qui s'étendent sensiblement dans la direction de l'axe cristallographique d'orientation . Par conséquent, chacune des résistances extensométriques Rc1, Rs1, Rc2, Rs2 s'étend sensiblement dans la direction de l'axe cristallographique d'orientation . Chacune des branches fait également un angle de sensiblement 45 degrés avec l'axe cristallographique d'orientation . Avec la configuration ci-dessus, le capteur de pression S1 de la figure 1 peut être plus petit que le capteur de pression proposé sur la figure 12, sans réduire les dimensions de la membrane 14 ni raccourcir la largeur minimale de l'étendue de contact entre la surface arrière 12 du substrat semiconducteur 10 et le plot en verre 50, comme représenté sur la figure 6. Sur la figure 6, les côtés 10a du capteur proposé de la figure 12 et ceux du capteur S1 de la figure 3 sont conçus de façon que les membranes 14 des deux capteurs aient la même dimension, et les surfaces arrière 12 des deux capteurs procurent la même largeur minimale L de l'étendue de contact entre la surface arrière 12 du substrat semiconducteur 10 et le plot en verre 50. Sur la figure 6, une première ligne en pointillés DL1 montre les côtés 10a du capteur proposé de la figure 12. Pour la commodité de la comparaison de taille entre le capteur proposé de la figure 12 et le capteur S1 de la figure 3, une seconde ligne en pointillés DL2, qui est obtenue en faisant tourner de 45 degrés la première ligne en pointillés DL1 , est également représentée sur la figure 6. Comme on le comprend d'après la figure 6, le capteur S1 de la figure 3, dont les côtés 10a font un angle de sensiblement 45 degrés avec l'axe cristallographique d'orientation , peut être plus petit que le capteur proposé de la figure 12, dont les côtés 10a sont sensiblement parallèles ou orthogonaux à l'axe cristallographique d'orientation , sans réduire les dimensions de la membrane 14 ni raccourcir la largeur minimale L de l'étendue de contact entre la surface arrière 12 et le plot en verre 50. Sur la figure 6, si les côtés 10a du capteur proposé de la figure 12 sont fixés à une longueur de 2,78 mm, les côtés 10a du capteur S1 de la figure 3 ont alors une longueur de 2,44 mm. Il en résulte que la taille de puce du capteur S1 de la figure 3 est inférieure de 23% à celle du capteur proposé de la figure 12. Au contraire, si les côtés 10a du capteur S1 de la figure 3 sont fixés de façon à avoir la même longueur que les côtés 10a du capteur proposé de la figure 12, le capteur S1 de la figure 3 a une largeur minimale L plus grande que celle du capteur proposé de la figure 12. Il en résulte que le capteur S1 de la figure 3 a une plus grande fiabilité de la soudure entre la surface arrière 12 du substrat semiconducteur 10 et le plot en verre 50, par rapport au capteur proposé de la figure 12. Par conséquent, la chambre de référence de pression du capteur S1 de la figure 3 a une plus grande herméticité ou une plus grande aptitude à réduire les fuites, par rapport au capteur proposé de la figure 12. L'effet de réduction de taille mentionné ci-dessus est spécifique au capteur de pression à semiconducteur du type membrane S1 de la figure 3, qui comprend le substrat semiconducteur (110), 10. Par exemple, un capteur de pression à semiconducteur du type membrane des figures 7A et 7B comprend un substrat semiconducteur (100) J10, ou un substrat semiconducteur J10 qui a une surface active J11 ayant une face cristallographique d'orientation (100) et une surface arrière, J12, qui est opposée à la surface active, ayant une face cristallographique d'orientation (100), et quatre côtés J10a. Le capteur de pression de la figure 7A a une cavité J13, au fond de laquelle se trouve une membrane J14. La cavité J13 est définie par la membrane J14 et quatre parois latérales. Chacune des quatre parois latérales est un plan cristallographique d'orientation (111), du fait que lorsque la cavité J13 est formée par gravure anisotrope, la vitesse de gravure de plans cristallographiques d'orientation (111) est inférieure à celle de plans cristallographiques d'autres orientations. Par conséquent, chacune des quatre parois latérales est sensiblement parallèle à un axe cristallographique d'orientation . De ce fait, la largeur minimale L de l'étendue de contact entre la surface arrière J12 et un plot en verre qui est fixé sur la surface arrière J12 devient maximale lorsque chacun des quatre côtés J10a est établi de façon à être sensiblement parallèle à un axe cristallographique d'orientation sensiblement parallèle à la surface active J11, comme représenté sur la figure 7A. Pour la commodité, une troisième ligne en pointillés DL3, qui est obtenue en faisant tourner de 45 degrés les quatre côtés J10a, est également représentée sur la figure 7A. Le capteur S1 de la figure 3 est fabriqué en utilisant une tranche de semiconducteur 100 de la figure 8, qui comprend une couche de semiconducteur (110) qui a une surface active ayant une face cristallographique d'orientation (110) et une surface arrière, qui est opposée à la surface active, ayant une face cristallographique d'orientation (110). La surface active et la surface arrière de la tranche de semiconducteur (110) deviennent la surface active 11 et la surface arrière 12 du substrat semiconducteur 10 de la figure 2. Comme représenté sur la figure 8, la tranche 100 comporte un méplat d'orientation 110 et des lignes de marquage 120. Chacune des lignes de marquage 120 est sensiblement parallèle ou orthogonale au méplat d'orientation 110. Chacune des régions rectangulaires 130, qui sont définies par les lignes de marquage 120, devient un capteur S1 de la figure 1 lorsque la tranche 100 est découpée en puces. Comme représenté sur la figure 8, le méplat d'orientation 110 a été formé de façon à faire un angle sensiblement de 45 avec une face cristallographique d'orientation (100) qui est sensiblement orthogonale à la surface active de la couche de semiconducteur (110). La figure 8 montre un axe cristallographique d'orientation qui est sensiblement parallèle à la surface active de la tranche 100. La face cristallographique d'orientation (100) est orthogonale à l'axe cristallographique d'orientation . Le méplat d'orientation 110 est formé dans le processus de fabrication de la tranche de semiconducteur (100) en utilisant des axes cristallographiques fondamentaux d'un lingot de silicium monocristallin. Comme représenté sur la figure 9, deux axes cristallogra- phiques d'orientations et , qui sont mutuellement orthogonaux, existent sur un plan cristallographique d'orientation (110) du lingot de silicium. Un axe cristallographique d'orientation , qui fait un angle de 54,74 degrés avec l'axe cristallographique d'orientation , existe également sur le plan cristallographique d'orientation (110) dans le lingot de silicium. Par conséquent, premièrement, on détermine les axes cidessus en utilisant par exemple la diffraction de rayons X, sur la base des relations angulaires entre les axes ci-dessus dans un lingot de silicium monocristallin. Ensuite, on détermine un axe visé K1, qui fait un angle de 9,74 avec l'axe cristallographique d'orientation , comme représenté sur la figure 9. L'axe visé K1 fait un angle de 45 avec les deux axes cristallographiques d'orientations et . Ensuite, on meule le lingot de façon à mettre à nu une surface OF qui est sensiblement orthogonale à l'axe visé K1. La surface OF devient le méplat d'orientation 110, qui fait un angle sensiblement de 45 avec la face cristallographique d'orientation (100) qui est sensiblement orthogonale à la surface active de la couche de semiconducteur (100). Par conséquent, le méplat d'orientation 110 prend un angle de sensiblement 45 avec un axe cristallographique d'orientation et un axe cristallographique d'orientation , qui sont sensiblement parallèles à la surface active de la couche de semiconducteur (110). Ensuite, on découpe le lingot pour former une tranche de silicium. Ensuite, en utilisant des techniques de fabrication de puces de semiconducteurs bien connues, on forme des éléments tels que les résistances extensométriques Rc1 , Rc2, Rs1 , RS2, les lignes d'interconnexion métalliques 21 et les plages de connexion métalliques 22, dans ou sur la surface active de la tranche de silicium dans chacune des régions rectangulaires 130. Dans le processus de formation des éléments, on forme des lignes de marquage 120 sur la tranche de silicium pour diviser la tranche de silicium en régions rectangulaires 130. Chacune des lignes de marquage 120 est définie, par exemple, en utilisant des ouvertures linéaires d'une pellicule ou en utilisant une paire de lignes sensiblement parallèles consistant par exemple en aluminium. Ensuite, on forme une membrane 14 dans chacune des régions rectangulaires 130 dans la surface active de la tranche de silicium, en formant une cavité 13 dans la surface arrière de la tranche de silicium. On forme la cavité 13 par gravure anisotrope de la tranche de silicium à partir de la surface arrière. Avec les étapes ci-dessus, une tranche de semiconducteur 100 de la figure 8 est achevée. Un capteur de pression à semiconducteur du type membrane S1 de la figure 1, dont le substrat semiconducteur 10 comprend quatre côtés 10a qui font un angle sensiblement de 45 avec l'axe cristallographique d'orientation qui est sensiblement parallèle à la surface active du substrat 10, peut être formé en découpant la tranche de semiconducteur 100 de la figure 8 le long des lignes de marquage 120. Un capteur de pression à semiconducteur du type membrane S1 de la figure 1 peut également être fabriqué en utilisant une autre tranche de semiconducteur 200 de la figure 10, qui comprend une couche de semiconducteur (110) qui a une surface active ayant une face cristallographique d'orientation (110) et une surface arrière, qui est opposée à la surface active, ayant une face cristallographique d'orientation (110). Comme représenté sur la figure 10, la tranche 200 de la figure 10 a un méplat d'orientation 210 et des ligne de marquage 220. Comme représenté sur la figure 10, le méplat d'orientation 210 a une face cristallographique d'orientation (100) qui est sensiblement orthogonale à la surface active de la couche de semiconducteur (110), et chacune des lignes de marquage 220 fait un angle sensiblement de 45 degrés par rapport au méplat d'orientation 210. Chacune des régions rectangulaires 130, qui sont définies par les lignes de marquage 220, devient un capteur de pression S1 de la figure 1 lorsque la tranche 200 de la figure 10 est découpée en puces. Dans chacune des régions rectangulaires 130, une membrane 14 et des éléments tels que des résistances extensométriques Rc1, Rc2, Rs1 , Rs2, des lignes d'interconnexion métalliques 21 et des plages de connexion métalliques 22, ont été formés. Les résistances extensométriques Rc1, Rc2, Rs1, Rs2 ont été formées dans la configuration représentée sur la figure 4. Dans la tranche 200 de la figure 10, chacune des résistances extensométriques Rc1 , Rs1, Rc2, Rs2 a été repliée pour former une multiplicité de branches dont les directions longitudinales sont sensiblement parallèles au méplat d'orientation 210, alors que dans la tranche 100 de la figure 8, chacune des résistances extensométriques Rc1 , Rs1, Rc2, Rs2 a été repliée pour former une multiplicité de branches dont les directions longitudinales font un angle sensiblement de 45 avec l'orientation du méplat 110. Dans le capteur de pression S1 de la figure 1, l'angle entre les quatre côtés 10a et l'axe cristallographique d'orientation qui est sensiblement parallèle à la surface active 11 doit être de préférence, au point de vue économique, dans la plage de 43 degrés à 47 degrés, en considération de l'écart d'usinage lorsque les tranches 100,200 de la figure 8 et de la figure 10 sont formées à partir d'un lingot de silicium, et des performances du capteur de pression S1 de la figure 1. De façon spécifique, lorsque les méplats d'orientation 110, 210 sont formés sur le lingot, l'angle entre les méplats d'orientation 110,210 et l'axe cristallographique théorique d'orientation dans le lingot présente un écart de 1 . De plus, lorsqu'une marque d'alignement, qui est utilisée pour aligner des masques, est formée sur une tranche de silicium fabriquée à partir du lingot, l'angle entre les méplats d'orientation 110,210 et la marque d'alignement présente un écart de 1 degré. Il en résulte que l'écart maximal par rapport à l'angle visé de 45 degrés entre les quatre côtés 10a et l'axe cristallographique d'orientation devient 2 degrés. Ainsi, bien que l'angle visé soit de 45 degrés, l'angle réel est de 45 2 degrés, ou dans la plage de 43 degrés à 47 degrés. Cependant, l'écart maximal de 2 degrés est acceptable à cause des raisons décrites ci-dessous. Comme représenté sur la figure 11A, la sensibilité du capteur de pression S1, de la figure 1, qui est définie comme le taux de variation du potentiel différentiel Vout de la figure 5 par rapport à la pression appliquée extérieurement à la membrane du capteur de pression S1, est sensiblement constante, au moins lorsque l'écart sur l'angle visé de 45 degrés est à l'intérieur de la plage de 2 degrés, en considération de sa plage de spécification de 11 à 27 uV/mmHg. De plus, comme représenté sur la figure 11 B, la dépendance de la sensibilité vis-à-vis de la température est également sensiblement constante au moins lorsque l'écart par rapport à l'angle visé de 45 degrés est à l'intérieur de la plage de 2 degrés, en considération de sa plage de spécification de-50 à 350 ppm/ C. Sur la figure 1 1 B, la dépendance de la sensibilité vis-à-vis de la température est définie comme le taux de variation de la sensibilité en fonction de la température à l'intérieur de la plage de 25 à 125 C. Par conséquent, les performances du capteur de pression S1 de la figure 1 sont sensiblement constantes à condition que l'écart par rapport à l'angle visé de 45 degrés soit compris à l'intérieur de la plage de 2 degrés. Les inventeurs de la présente invention ont effectué une analyse par la Méthode des Eléments Finis sur les contraintes thermiques générées dans le substrat semiconducteur 10 de la figure 12 et les contraintes thermiques générées dans le substrat semiconducteur 10 de la figure 3. Bien que ceci ne soit pas représenté sur la figure, l'analyse par la Méthode des Eléments Finis a montré que l'écart des contraintes thermiques générées dans les résistances extensométriques Rc1, Rs1 , Rc2, Rs2 est plus faible dans le substrat 10 de la figure 3 que dans le substrat 10 de la figure 12. On pense que la raison est la suivante. Les résistances extensométriques latérales Rs1, Rs2 sont plus sensibles aux contraintes thermiques occasionnées par un facteur externe tel que le plot en verre 50, que les résistances extensométriques centrales Rc1, Rc2. Comme représenté sur la figure 6, les résistances extensométriques latérales Rs1 , Rs2 sont plus éloignées de la périphérie du substrat 10 dans la direction de l'axe cristallographique d'orientation dans le substrat 10 de la figure 12 que dans le substrat 10 de la figure 3. Par conséquent, les contraintes thermiques occasionnées par le facteur externe sont plus faibles dans le substrat 10 de la figure 3 que dans le substrat 10 de la figure 12. De plus, les contraintes thermiques produites de façon inhérente par le substrat 10 tendent à se concentrer aux coins de la membrane 14. Comme représenté sur la figure 6, le substrat 10 de la figure 3 est plus petit que le substrat 10 de la figure 12, ce qui fait que les coins sont plus proches de la périphérie du substrat 10 dans le substrat 10 de la figure 3 que dans le substrat 10 de la figure 12. Par conséquent, Les contraintes thermiques occasionnées de façon inhérente par le substrat 10 ont moins tendance à se concentrer aux coins dans le substrat 10 de la figure 3 que dans le substrat 10 de la figure 12. Avec les raisons ci-dessus, l'écart des contraintes thermiques générées dans les résistances extensométriques Rc1, Rs1, Rc2, Rs2 est plus faible dans le substrat 10 de la figure 3 que dans le substrat 10 de la figure 12. Du fait du plus faible écart, le capteur de pression S1 de la figure 1 a une plus petite tension de décalage du potentiel différentiel Vout que le capteur de pression de la figure 12. Il va de soi que de nombreuses modifications peuvent être apportées au dispositif décrit et représenté, sans sortir du cadre de l'invention. REVENDICATIONS 1. Capteur de pression à semiconducteur du type membrane (S1) comprenant un substrat semiconducteur (110) sensiblement rectangulaire (10), qui a quatre côtés (10a), une surface active (11) d'orientation de face cristallographique (110), et une surface arrière (12), qui est opposée à la surface active (11), d'orientation de face cristallographique (110), caractérisé en ce que chacune des surfaces (11,12) est entourée par les quatre côtés (10a), chacun des quatre côtés (10a) fait un angle de sensiblement 45 avec un axe cristallographique d'orientation qui est sensiblement parallèle à la surface active (11), le substrat (10) comprend une membrane (14) dans la surface active (11), la membrane (14) a été formée en formant une cavité (13) dans la surface arrière (12), la membrane (14) comprend une résistance extensométrique (Rc1, Rc2, Rs1 , Rs2), et 'une pression est détectée sur la base d'une variation d'une valeur de la résistance extensométrique (Rc1, Rc2, Rs1 , Rs2). 2. Capteur de pression (S1) selon la revendication 1, caractérisé en ce que l'angle de sensiblement 45 degrés est dans la plage de 43 degrés à 47 degrés. 3. Capteur de pression (S1) selon la revendication 1, caractérisé en ce que la résistance extensométrique (Rc1 , Rc2, Rs1, Rs2) s'étend sensiblement dans la direction de l'axe cristallographique d'orientation pour augmenter une sensibilité de la variation de la valeur de résistance. 4. Capteur de pression (S1) selon la revendication 1, caractérisé en ce que la membrane (14) comprend trois résistances extensométriques supplémentaires (Rc1, Rc2, Rs1 , Rs2), et en ce que les quatre résistances extensométriques (Rc1, Rc2, Rs1, Rs2) sont toutes utilisées pour former un pont de Wheatstone. 5. Capteur de pression (S1) selon la revendication 1, caractérisé en ce que le capteur (S1) est utilisé avec un substrat d'obturation (50), qui a été fixé à la surface arrière (12) du substrat semiconducteur (110) (10), pour obturer la cavité (13) de façon à former une chambre de référence de pression, lorsque la pression est détectée. 6. Tranche de semiconducteur (100), utilisée pour fabriquer un capteur de pression à semiconducteur du type membrane (S1), comprenant une couche de semiconducteur (110), qui comporte une surface active d'orientation de face cristallographique (110), une surface arrière, qui est opposée à la surface active, d'orientation de face cristallographique (110), et un méplat d'orientation (110), caractérisée en ce qu'une multiplicité de lignes de marquage (120) sont placées sur la surface active, le méplat d'orientation (110) fait un angle de sensiblement 45 degrés avec une face cristallographique d'orientation (100) qui est sensiblement orthogonale à la surface active de la couche de semiconducteur (110), le méplat d'orientation (110) fait un angle de sensiblement 45 degrés avec un axe cristallographique d'orientation qui est sensiblement parallèle à la surface active de la couche de semiconducteur (110), chacune des lignes de marquage (120) est sensiblement parallèle ou orthogonale au méplat d'orientation (110), la couche de semiconducteur (110) comprend des régions sensiblement rectangulaires (130), qui sont définies par les lignes de marquage (120), chacune de ces régions (130) contient une membrane (14) dans la surface active, la membrane (14) a été formée en formant une cavité (13) dans la surface arrière, la membrane (14) comprend une résistance extensométrique (Rc1, Rc2, Rs1, Rs2), et une pression est détectée sur la base d'une variation de la valeur de la résistance extensométrique (Rc1, Rc2, Rs1 , Rs2) dans un capteur de pression à semiconducteur du type membrane (S1) fabriqué à partir de la tranche de semiconducteur (100). 7. Tranche de semiconducteur (100) selon la revendication 6, caractérisée en ce que l'angle de sensiblement 45 degrés est dans la plage de 43 degrés à 47 degrés. 8. Tranche de semiconducteur (100) selon la revendication 6, caractérisée en ce que la résistance extensométrique (Rc1, Rc2, Rs1, Rs2) s'étend sensiblement dans la direction d'un axe cristallographique d'orientation qui est sensiblement parallèle à la surface active, pour augmenter une sensibilité de la variation de la valeur de résistance. 9. Tranche de semiconducteur (100) selon la revendication 6, caractérisée en ce que la membrane (14) comprend trois résistances extensométriques supplémentaires (Rc1 , Rc2, Rs1 , Rs2), et en ce que les quatre résistances extensométriques (Rc1 , Rc2, Rs1, Rs2) sont toutes utilisées pour former un pont de Wheatstone. 10. Tranche de semiconducteur (200), utilisée pour fabriquer un capteur de pression à semiconducteur du type membrane (S1), comprenant une couche de semiconducteur (110), qui comporte une surface active d'orientation de face cristallographique (110), et une surface arrière, qui est opposée à la surface active, d'orientation de face cristallographique (110), et un méplat d'orientation (210), caractérisée en ce qu'une multiplicité de lignes de marquage (220) se trouvent sur la surface active, le méplat d'orientation (210) a une face cristallographique d'orientation (100) qui est sensiblement orthogonale à la surface active, chacune des lignes de marquage (220) fait un angle de sensiblement 45 degrés avec le méplat d'orientation (210), la couche de semiconducteur (110) comprend des régions sensiblement rectangulaires (130), qui sont définies par les lignes de marquage (220), chacune des régions (130) contient une membrane (14) dans la surface active, la membrane (14) a été formée en formant une cavité (13) dans la surface arrière, la membrane (14) comprend une résistance extensométrique (Rc1, Rc2, Rs1, Rs2), et une pression est détectée sur la base d'une variation de la valeur de la résistance extensométrique (Rc1 , Rc2, Rs1 , Rs2) dans un capteur de pression à semiconducteur du type membrane (S1) fabriqué à partir de la tranche de semiconducteur (200). 11. Tranche de semiconducteur (200) selon la revendication 10, caractérisée en ce que l'angle de sensiblement 45 degrés est dans la plage de 43 degrés à 47 degrés. 12. Tranche de semiconducteur (200) selon la revendication 10, caractérisée en ce que la résistance extensométrique (Rc1, Rc2, Rs1, Rs2) s'étend sensiblement dans la direction d'un axe cristallographique d'orientation qui est sensiblement parallèle à la surface active, pour augmenter une sensibilité de la variation de la valeur de résistance. 13. Tranche de semiconducteur (200) selon la revendication 10, caractérisée en ce que la membrane (14) comprend trois résistances extensométriques supplémentaires (Rc1, Rc2, Rs1, Rs2), et en ce que les quatre résistances extensométriques (Rc1, Rc2, Rs1, Rs2) sont toutes utilisées pour former un pont de Wheatstone.