FR 2872625 A1 20060106 FR 0451376 A 20040630 2872625 1 ASSEMBLAGE PAR ADHESION MOLECULAIRE DE DEUX SUBSTRATS, L'UN AU MOINS SUPPORTANT UN FILM CONDUCTEUR ELECTRIQUE DESCRIPTION DOMAINE TECHNIQUE L'invention concerne un procédé d'assemblage par adhésion moléculaire de deux substrats, l'un au moins desdits substrats supportant un film conducteur électrique. ÉTAT DE LA TECHNIQUE ANTÉRIEURE Dans le domaine de la microélectronique, il est souvent nécessaire d'assembler deux substrats selon des faces principales de ces substrats. Il peut s'agir par exemple de reporter une couche mince délimitée dans un substrat semi-conducteur de qualité électronique sur un autre substrat servant de support. Une technique appréciée pour réaliser un tel assemblage est l'adhésion moléculaire qui évite l'utilisation d'une substance adhésive. Cette technique est particulièrement efficace pour fixer deux substrats semi-conducteurs de même nature, par exemple deux substrats de silicium. Dans ce cas, on améliore encore cette efficacité si les faces à mettre en contact sont recouvertes d'un oxyde. Cependant, les faces à mettre en contact peuvent présenter des zones métalliques. De nombreux documents de l'art antérieur présentent des procédés permettant d'assembler des substrats à l'aide de films métalliques. Par exemple, les auteurs B. Aspar et al. expliquent dans le document [1] qu'il est possible de réaliser l'assemblage de deux substrats de silicium à l'aide de films de palladium à température ambiante. Dans le document [2], les auteurs Thüngstrom et al. présentent un procédé de siliciuration du cobalt après collage de deux films métalliques de Co déposés sur deux substrats de silicium dopé N et/ou P. Enfin, les auteurs Shigetou et al. divulguent dans le document [3] comment réaliser des collages métalliques de cuivre localisés à l'aide d'une technique permettant d'obtenir des électrodes de profils bien contrôlés. Les auteurs de ces différents documents s'intéressent tous à l'obtention d'une conduction électrique au niveau d'un collage de deux substrats. Cependant, ils ne présentent pas de procédés permettant d'obtenir un bon collage sur toute la surface des substrats à assembler. On entend par bon collage un collage ne présentant pas de défaut tels que des bulles ou des particules emprisonnées entre les deux substrats, et ayant une forte énergie de collage dès les basses températures. Par ailleurs, la conduction obtenue dans ces documents au niveau de l'interface de collage est à une échelle macroscopique et ne peut être contrôlée en toute zone de la surface. Elle apparaît comme une valeur moyennée sur la surface de collage considérée. Or cette dispersion des résultats de conduction verticale à l'interface de deux substrats peut être 10 problématique, en particulier si on veut obtenir une structure ayant des petites surfaces de conduction verticales. Les structures de l'art antérieur obtenues par l'assemblage de deux substrats à l'aide d'un film métallique par adhérence moléculaire présentent un collage qui n'est pas de bonne qualité et/ou assez fort et/ou comportent de l'oxyde du métal qui diminue la conduction au niveau de la zone de collage. EXPOSÉ DE L'INVENTION Le but de l'invention est de fournir un procédé d'assemblage de deux substrats dont l'un au moins supporte un film conducteur électrique, par exemple un film métallique ou en alliage conducteur comme en siliciure d'un métal ou encore en germaniure d'un métal, ledit procédé ne possédant pas les inconvénients de l'art antérieur. Ce but est atteint par un procédé d'assemblage par adhésion moléculaire d'un premier substrat et d'un deuxième substrat selon des faces de contact, la face de contact du premier substrat présentant une couche d'un matériau électriquement conducteur sur au moins une partie de sa surface, le procédé comprenant les étapes suivantes: - dépôt d'une couche de liaison sur au moins une partie de la couche de matériau électriquement conducteur, ladite couche de liaison étant en un matériau apte à assurer une adhésion moléculaire avec une zone de la face de contact du deuxième substrat et apte à se combiner avec ledit matériau électriquement conducteur pour former un alliage conducteur, - mise en contact et collage par adhésion moléculaire de la couche de liaison du premier substrat avec la zone de la face de contact du deuxième substrat, - transformation de tout ou partie de la couche de liaison avec tout ou partie de la couche de matériau électriquement conducteur pour former un alliage conducteur. Avantageusement, l'étape de transformation consiste en un traitement thermique. La température et le temps du traitement thermique sont choisis en fonction de l'alliage souhaité et de la quantité d'alliage que l'on veut obtenir. En effet, l'affinité entre le matériau de la couche de liaison et le matériau de la couche de matériau électriquement conducteur pour former un alliage détermine la température à laquelle la structure doit être portée pour permettre la constitution de l'alliage. De façon combinée ou alternative, cette étape de transformation peut comporter une étape de mise sous pression ou une étape d'électromigration connues de l'homme du métier pour former un alliage. Les substrats peuvent être en n'importe quel matériau. Ils peuvent inclure ou non des niveaux processés. Ce peut être également un ensemble de pistes sur un isolant. Le premier substrat peut être un circuit de lecture CMOS, CCD... présentant en surface des plots de contact. Ce circuit peut avoir en surface une topologie... Le deuxième substrat peut être par exemple un matériau photodétecteur ou photoémetteur ou une structure multicouche (diode...). Selon un premier mode de réalisation, le procédé d'assemblage comprend en outre, avant l'étape de mise en contact et de collage, une étape de formation de la zone de la face de contact du deuxième substrat par dépôt d'une couche de liaison en un matériau apte à assurer une adhésion moléculaire avec la couche de liaison du premier substrat. L'étape de mise en contact et de collage par adhésion moléculaire se fait donc entre la couche de liaison du premier substrat et la couche de liaison comprise sur la face de contact du deuxième substrat. Avantageusement, la couche de liaison du 15 premier substrat et la couche de liaison du deuxième substrat sont en un même matériau. Selon un deuxième mode de réalisation, le procédé d'assemblage comprend en outre, avant l'étape de mise en contact et de collage, une étape de formation de la zone de la face de contact du deuxième substrat par dépôt d'une couche de matériau électriquement conducteur recouverte au moins en partie d'une couche de liaison en un matériau apte à assurer une adhésion moléculaire avec la couche de liaison du premier substrat et apte à se combiner, au cours de l'étape de transformation, avec ledit matériau électriquement conducteur du deuxième substrat pour former un alliage conducteur. Ici, la face de contact du deuxième substrat comprend une couche de liaison sur une couche de matériau électriquement conducteur; l'étape de mise en contact et de collage par adhésion moléculaire se fait donc entre la couche de liaison du premier substrat et la couche de liaison comprise sur la face de contact du deuxième substrat. On peut ainsi réaliser une structure résultant de l'assemblage de deux substrats comportant chacun une couche de matériau électriquement conducteur sur laquelle est formée une couche de matériau déterminé servant de couche de liaison. Avantageusement, dans le cas où seul un substrat comporte une couche de matériau électriquement conducteur, on fera diffuser ledit matériau électriquement conducteur vers l'autre substrat. Si la couche est métallique, on fera donc avantageusement diffuser le métal vers l'autre substrat. Avantageusement, l'épaisseur de la couche de liaison du premier et/ou du deuxième substrat et l'épaisseur de la couche de matériau électriquement conducteur du premier et/ou du deuxième substrat, ainsi que la durée du traitement thermique (temps du recuit) sont adaptés de façon à ce que l'alliage conducteur créé soit situé au niveau et/ou autour de l'interface de collage des substrats. Avantageusement, la couche de liaison du premier substrat et la couche de liaison du deuxième substrat sont en un même matériau et la couche de matériau électriquement conducteur du premier substrat et la couche de matériau électriquement conducteur du deuxième substrat sont en un même matériau. Avantageusement, le matériau électriquement conducteur du premier substrat et/ou du deuxième substrat est un métal choisi parmi le nickel Ni, le platine Pt, le palladium Pd, le cobalt Co, le tungstène W, le tantale Ta, le titane Ti, le vanadium V, le chrome Cr, le manganèse Mn, le fer Fe, le molybdène Mo ou un mélange de ces éléments. Ce peut être également un alliage conducteur comme un siliciure ou un germaniure de ces métaux et, de manière générale, tout matériau électriquement conducteur apte à former avec le matériau de la couche de liaison un alliage conducteur. Avantageusement, la couche de liaison du premier substrat et/ou du deuxième substrat est en un matériau choisi parmi le silicium, le germanium, le carbure de silicium ou un mélange de ces éléments comme SiGe. La couche de liaison peut également être un empilement de plusieurs couches réalisées avec un ou plusieurs de ces matériaux. De manière générale, la couche de liaison est en un matériau apte à former avec le matériau électriquement conducteur un alliage conducteur. Pour être aptes à réaliser un bon collage par adhérence moléculaire, les matériaux de la couche de liaison du premier substrat et/ou du deuxième substrat sont avantageusement choisis selon les possibilités pour l'homme du métier de préparer et contrôler leur état de surfaces par des techniques classiques de la microélectronique. Selon un mode réalisation particulier, le procédé comprend en outre, avant l'étape de dépôt de la couche de liaison du premier et/ou du deuxième substrat, une étape de traitement de la surface de la couche de matériau électriquement conducteur du premier et/ou du deuxième substrat, destinée à enlever au moins une partie des oxydes et/ou isolants présents à sa surface. Ainsi, la couche de liaison est déposée sur une couche de matériau électriquement conducteur dont la surface est dépourvue au moins en partie de tout oxyde et/ou isolant. On évite ainsi la présence de tout oxyde et/ou isolant à l'interface entre la couche de matériau électriquement conducteur et la couche de liaison. Ce traitement pourra par exemple être réalisé par une des techniques classiques de gravure utilisées en microélectronique, par exemple par pulvérisation ( sputtering en anglais), par exemple ionique, et/ou par attaque chimique et/ou un traitement thermique, sous vide en atmosphère réductrice. Avantageusement, le procédé comprend en outre, avant l'étape de mise en contact et de collage des faces de contact des deux substrats, une étape de traitement de surface de la surface de la couche de liaison du premier substrat et de la zone de la face de contact du deuxième substrat. Avantageusement, ladite étape de traitement de surface consiste en une préparation chimique. Ce traitement a pour but de supprimer toute contamination particulaire sur la surface de contact des substrats. Avantageusement, ladite étape de traitement de surface consiste en un traitement conduisant à une surface hydrophobe. Une telle préparation permet de réduire, voire supprimer, l'oxyde présent en surface lors du collage, ce qui favorise la conduction verticale entre les substrats assemblés. Avantageusement, ladite étape de traitement de surface consiste en un traitement conduisant à une surface hydrophile. Il est avantageux que les deux surfaces de contact des substrats subissent ce traitement de façon à profiter, dès les basses températures, d'un collage par liaisons hydrogènes liées à la présence d'eau en surface, par exemple. Avantageusement, ladite étape de traitement de surface consiste en un traitement par plasma d'au moins une des surfaces de contact afin d'obtenir une énergie de collage forte à basse température. BRÈVE DESCRIPTION DES DESSINS L'invention sera mieux comprise et d'autres avantages et particularités apparaîtront à la lecture de la description qui va suivre, donnée à titre d'exemple non limitatif, accompagnée des dessins annexés parmi lesquels: les figures 1A et 1B représentent les étapes d'un 20 exemple de réalisation du procédé d'assemblage selon l'invention, - les figures 2A et 2B illustrent les étapes d'un autre exemple de réalisation du procédé d'assemblage selon l'invention, - les figures 3A et 3B illustrent les étapes d'un autre exemple de réalisation du procédé d'assemblage selon l'invention - les figures 4A et 4B illustrent encore les étapes d'un autre exemple de réalisation du procédé 30 d'assemblage selon l'invention, - les figures 5A et 5B illustrent encore les étapes d'un autre exemple de réalisation du procédé d'assemblage selon l'invention. Il faut noter que les dimensions des 5 couches et des substrats dans ces figures ne sont pas représentées à l'échelle. EXPOSÉ DÉTAILLÉ DE MODES DE RÉALISATION PARTICULIERS Nous allons à présent détailler le mode de 10 réalisation de plusieurs structures réalisées selon le procédé de l'invention. Nous allons tout d'abord réaliser une structure résultant de l'assemblage d'un substrat de silicium avec un autre substrat de silicium comportant une couche de métal en nickel. On commence par déposer une couche de nickel 3 sur un substrat de silicium 1. Le dépôt de la couche de nickel peut être réalisée selon une technique classique de dépôt connue de l'homme de l'art, par exemple par pulvérisation. L'épaisseur de la couche 3 déposée est de quelques nanomètres à quelques micromètres. Puis, on dépose une couche de liaison 4 sur la couche de Ni 3; cette couche de liaison 4 peut être en silicium amorphe. L'épaisseur de la couche 4 de silicium amorphe sera, par exemple, de l'ordre de grandeur de la moitié de l'épaisseur de la couche de Ni 3 précédemment déposée. Pour éviter la présence de tout oxyde à l'interface entre la couche de Ni 3 et la couche de Si amorphe 4, on effectue de préférence une attaque préalable de la surface de la couche de Ni. Cette attaque pourra par exemple être réalisée par pulvérisation, par exemple ionique. Il est préférable de réaliser cette pulvérisation sous vide dans le même bâti que celui utilisé pour le dépôt du Si amorphe afin d'éviter toute remise à l'air ou à l'oxyde entre ces deux étapes. L'ensemble constitué du substrat de silicium 1, de la couche de nickel 3 et de la couche de silicium amorphe 4 subit ensuite un nettoyage chimique de manière à supprimer toute contamination particulaire, en particulier au niveau de la surface de contact pour le collage avec un autre substrat 2. Par exemple, on peut plonger cet ensemble dans une solution de (NH4OH: H2O2: H2O) . On rend ainsi les surfaces à assembler hydrophiles. Puis, la couche de silicium amorphe de cet ensemble est mise en contact et collée par adhésion moléculaire sur la surface d'un deuxième substrat 2, par exemple un substrat de silicium (voir figure 1A). L'adhésion moléculaire est une technique d'assemblage bien connue de l'homme du métier. Ce collage peut être effectué à température ambiante ou plus élevée, et il peut être ou non assisté par l'application de pression sur l'assemblage. Enfin, la structure ainsi réalisée est soumise à un traitement thermique de façon à faire réagir ensemble la couche de silicium amorphe 4 (couche de liaison) et la couche de nickel 3 (couche métallique). Dans le cas présent, on va obtenir un alliage de siliciure 10 (figure 1B). La température et le temps du traitement thermique sont choisis en fonction de la phase de siliciure souhaitée et de la quantité de siliciuration que l'on veut induire. On peut en effet arrêter le traitement thermique avant que la totalité de l'épaisseur de la couche de liaison et de la couche métallique ne se soient transformée en alliage. Par exemple, pour obtenir un alliage de phase siliciure NiSi, le traitement thermique sera réalisé à une température supérieure à 350 C. La durée du traitement thermique pourra être comprise entre 1 minute et 10 heures pour permettre la formation de NiSi d'une épaisseur de quelques nanomètres à quelques micromètres pour une couche de silicium amorphe de quelques nanomètres à quelques micromètres. Si on utilise du palladium Pd à la place du Nickel, un temps d'environ 15 minutes à une température de 275 C environ permet de générer environ 142 nanomètres de Pd2Si à partir d'une couche de 100 nanomètres de Pd et de 68 nanomètres de Si. Il faut pour ces évaluations tenir compte également du fait que l'épaisseur du siliciure obtenu dépend de la diffusion des matériaux considérés formant l'alliage. Selon une variante illustrée dans les figures 2A et 2B, le deuxième substrat 2 est également recouvert d'une couche de liaison 5 de Silicium amorphe avant d'être assemblé par collage avec l'ensemble constitué du substrat de Silicium 1, de la couche de Ni 3 et de la couche de Si amorphe 4 (figure 2A). On peut choisir ici par exemple d'obtenir une structure d'assemblage dans laquelle l'épaisseur totale de la couche de liaison de silicium amorphe (c'est-à-dire la couche de Si 4 déposée sur la couche de Ni 3 du premier substrat 1 et la couche de Si 5 déposée sur le deuxième substrat 2) est égale à environ la moitié de l'épaisseur de la couche de Ni 3 déposée sur le premier substrat 1. On procède ensuite au traitement thermique de façon à faire réagir ensemble la couche de silicium amorphe 4 avec la couche de nickel 3 et avec la couche de silicium amorphe 5. On obtient alors un assemblage présentant deux alliages 11 et 10 entre le premier substrat 1 et le deuxième substrat 2, les deux alliages étant ici des alliages de siliciure (figure 2B). Selon une autre variante illustrée dans les figures 3A et 3B, on peut réaliser une structure résultant de l'assemblage de deux ensembles, chacun desdits ensemble comprenant un substrat de silicium 1,2 recouvert d'une couche de Ni 3,6 et d'une couche de silicium amorphe 4,5. Après traitement thermique, on obtient deux alliages 10 et 11 de siliciure (figure 3B). Dans toutes les variantes précédemment décrites, la couche de matériau électriquement conducteur 3,6 recouvre tout le substrat de silicium 1,2. Selon d'autres variantes, cette couche de matériau électriquement conducteur peut également n'être présente que localement sur le substrat 1,2 (voir les figures 4A et 5A). Ce sera le cas par exemple si l'on considère les plots de connexion d'un substrat CMOS. Dans ce cas, la face à assembler pourra comporter une topographie de surface. Pour réaliser l'assemblage de ce substrat 1 (CMOS) avec un autre substrat 2, on peut déposer une couche de liaison 4 sur la couche localisée de matériau électriquement conducteur 3 (plot de connexion) (figure 4A). Puis, on réalise un traitement thermique de manière à ce que le matériau électriquement conducteur 3 et la couche de liaison 4 forme un alliage 10 (figure 4B). Dans cette variante, l'alliage 10 n'occupe pas la totalité de la surface des substrats 1 et 2 comme dans les exemples précédents. On peut également déposer la couche de liaison 4 avec une épaisseur suffisante pour permettre après polissage, par exemple mécano-chimique, d'obtenir une surface de couche de liaison 4 à assembler relativement plane (figure 5A). La localisation du contact électrique entre les deux substrats 1,2 au niveau de la couche localisée de matériau électriquement conducteur 3 pourra être obtenue par les techniques suivantes prises seules ou en combinaison: gravure, implantation, chauffage localisé (par exemple recuit laser avant collage ou après, si le substrat est transparent). On obtient alors un assemblage de deux substrats 1,2 entre lesquels se trouve un alliage 10 au milieu d'une couche de liaison 4 (figure 5B). Toutes les variantes décrites précédemment concernant le deuxième substrat 2 recouvert ou non d'une couche de matériau électriquement conducteur 6 et/ou d'une couche de liaison 5 s'applique également. Selon une autre variante, la surface des substrats, comportant ou non une couche de liaison de matériau déterminé, est préparée par une technique la rendant hydrophobe. Par exemple, pour préparer la surface d'un substrat comportant une couche de liaison de silicium amorphe, on peut utiliser un nettoyage dit d'attaque HF finale . La dilution de l'acide fluorhydrique HF peut par exemple être comprise dans la gamme [l%-49%]. Cet acide peut être utilisé en phase liquide ou avantageusement en phase vapeur pour diminuer la densité de particules en surface. En variante, on peut rendre la surface de silicium amorphe hydrophobe par un traitement plasma, par exemple riche en hydrogène. On peut également effectuer un traitement thermique, par exemple sous hydrogène à une température inférieure à celle induisant une réaction entre la couche conductrice et la couche de liaison ou, si cette température est supérieure à la température induisant la réaction entre la couche conductrice et la couche de liaison, de sorte que la réaction engendrée n'affecte par la surface de collage, la siliciuration n'étant que partielle et enterrée. On peut pour cela jouer sur le temps de réaction. L'ensemble constitué du substrat et de la couche de Si amorphe est ensuite collé sur la surface d'un substrat suivant une des variantes décrites précédemment. Selon une variante des exemples précédents, la couche de liaison en silicium est réalisée par une méthode de dépôt (par exemple par pulvérisation) qui lui donne un caractère polycristallin. Dans ce cas, le choix du siliciure à obtenir devra tenir compte de la température de dépôt du silicium polycristallin: si le dépôt du silicium polycristallin est réalisé à une température de 600 C, alors on ne pourra envisager que des siliciures ayant une température d'élaboration supérieure à 600 C, par exemple le siliciure NiSi2 obtenu d'après la littérature pour un température supérieure à 750 C. Bien que les exemples donnés plus haut présentent tous des structures obtenues avec une couche métallique de nickel, il est bien entendu qu'on peut utiliser une couche en tout autre matériau électriquement conducteur, des métaux comme par exemple une couche en palladium, en platine, en cobalt, en tungstène, en tantale, en titane, en vanadium, en chrome, en manganèse, en fer, en molybdène, en un mélange de ces éléments ou encore en un alliage conducteur (par exemple en siliciure ou en germaniure conducteur de ces métaux). Par exemple, en collant deux substrats comportant une couche de Ni2Si (couche de matériau électriquement conducteur) sous une couche de silicium amorphe et en traitent la structure ainsi obtenue à une température supérieure à 350 C, on peut former une couche d'alliage conducteur NiSi. De même, on peut utiliser une couche de liaison en un matériau autre que le silicium amorphe ou polycristallin. On peut par exemple obtenir une structure comportant une couche d'alliage de germaniure en déposant une couche de liaison en germanium. De même qu'avec les siliciures des exemples précédents, l'épaisseur de la couche de liaison en germanium à déposer dépend de la quantité de germaniure que l'utilisateur veut former par réaction avec le métal enfoui (c'est-à-dire la couche de matériau métallique). En effet, la réaction de formation de l'alliage est contrôlée par la température du traitement thermique utilisé, qui détermine la nature de l'alliage obtenu, et par le temps du traitement thermique, qui détermine l'épaisseur de l'alliage formé en fonction de la diffusion des matériaux mis en jeu. Par exemple, en collant deux substrats comportant une couche de cuivre (couche métallique) sous une couche de germanium (couche de liaison) et en traitant la structure ainsi obtenue à une température supérieure à 400 C, on peut former une couche d'alliage de germaniure Cu3Ge. On peut citer également comme matériau de liaison SiGe ou SiC; un empilement de ces matériaux est également possible. Le procédé selon l'invention permet d'obtenir une structure dans laquelle on peut contrôler la conduction électrique à l'interface des deux substrats assemblés. Avantageusement, l'épaisseur de la couche de liaison, l'épaisseur de la couche métallique et le temps de recuit sont adaptés de manière à ce que la phase d'alliage soit induite au niveau et/ou autour de l'interface de collage des substrats. Une telle démarche permet d'induire par exemple une conduction électrique verticale ohmique de bonne qualité au niveau et/ou autour de l'interface. Par ailleurs, dans le cas où seul un substrat comporte une couche de métal, il est avantageux de faire diffuser le métal vers l'autre substrat de manière à induire une réaction de formation d'un alliage conducteur (par exemple un siliciure) et ainsi induire une conduction électrique verticale ohmique de bonne qualité au niveau et/ou autour de l'interface. Pour finir, le tableau ci-dessous présente quelques exemples de siliciures formés selon le procédé de l'invention à l'aide d'une couche de métal X déterminé (X= Ni, Pt, Co ou Pd) ou d'un siliciure (SiX) et une couche de liaison en silicium. Ce tableau reprend également les valeurs actuellement publiées des températures de traitement thermique à effectuer pour obtenir tel ou tel siliciure. Métal Siliciures / Siliciures / Siliciures / T( C) de T( C) de T( C) de formation formation formation Ni Ni2Si / ? 200 C NiSi / >- 350 C NiSi2 / > - 750 C Pt Pt2Si / >- 200 C PtSi / >- 300 C Co CoSi / ? 350 C CoSi2 / >- 550 C Pd Pd2Si / >- 200 C PdSi / >- 800 C BIBLIOGRAPHIE [1] B. Aspar et al, "Smart-Cut process using metallic bonding: Application to transfer of Si, GaAs, InP thin films", Electronics Letters, 10th June 1999, Vol. 35, No. 12. [2] G. Thungstrôm et al., Physica Scripta, T 54, p 77-80, 1994. [3] A. Shigetou, "Boom Temperature Bonding of Ultra-Fine Pitch and LowProfiled Cu Electrodes for Bump-Less interconnect", Electronic Components and Technology Conference, 2003. REVENDICATIONS 1. Procédé d'assemblage par adhésion moléculaire d'un premier substrat (1) et d'un deuxième substrat (2) selon des faces de contact, la face de contact du premier substrat (1) présentant une couche d'un matériau électriquement conducteur (3) sur au moins une partie de sa surface, le procédé comprenant les étapes suivantes: - dépôt d'une couche de liaison (4) sur au moins une partie de la couche de matériau électriquement conducteur (3), ladite couche de liaison (4) étant en un matériau apte à assurer une adhésion moléculaire avec une zone de la face de contact du deuxième substrat (2) et apte à se combiner avec ledit matériau électriquement conducteur (3) pour former un alliage conducteur (10), mise en contact et collage par adhésion moléculaire de la couche de liaison (4) du premier substrat (1) avec la zone de la face de contact du deuxième substrat (2), - transformation de tout ou partie de la couche de liaison (4) avec tout ou partie de la couche de matériau électriquement conducteur (3) pour former un alliage conducteur (10). 2. Procédé d'assemblage selon la revendication précédente, caractérisé en ce que l'étape de transformation consiste en un traitement thermique. 3. Procédé d'assemblage selon l'une quelconque des revendications précédentes, caractérisé en ce qu'il comprend en outre, avant l'étape de mise en contact et de collage, une étape de formation de la zone de la face de contact du deuxième substrat (2) par dépôt d'une couche de liaison (5) en un matériau apte à assurer une adhésion moléculaire avec la couche de liaison (4) du premier substrat (1). 4. Procédé d'assemblage selon la revendication précédente, caractérisé en ce que la couche de liaison (4) du premier substrat (1) et la couche de liaison (5) du deuxième substrat (2) sont en un même matériau. 5. Procédé d'assemblage selon l'une quelconque des revendications 1 ou 2, caractérisé en ce qu'il comprend en outre, avant l'étape de mise en contact et de collage, une étape de formation de la zone de la face de contact du deuxième substrat (2) par dépôt d'une couche de matériau électriquement conducteur (6) recouverte au moins en partie d'une couche de liaison (5) en un matériau apte à assurer une adhésion moléculaire avec la couche de liaison (4) du premier substrat (1) et apte à se combiner, au cours de l'étape de transformation, avec ledit matériau électriquement conducteur (6) du deuxième substrat (2) pour former un alliage conducteur (11). 6. Procédé d'assemblage selon la revendication précédente, caractérisé en ce que la couche de liaison (4) du premier substrat (1) et la couche de liaison (5) du deuxième substrat (2) sont en un même matériau et en ce que la couche de matériau électriquement conducteur (3) du premier substrat (1) et la couche de matériau électriquement conducteur (6) du deuxième substrat (2) sont en un même matériau. 7. Procédé d'assemblage selon l'une quelconque des revendications précédentes, caractérisé en ce que le matériau électriquement conducteur (3,6) du premier substrat (1) et/ou du deuxième substrat (2) est un métal choisi parmi le nickel Ni, le platine Pt, le palladium Pd, le cobalt Co, le tungstène W, le tantale Ta, le titane Ti, le vanadium V, le chrome Cr, le manganèse Mn, le fer Fe, le molybdène Mo ou un mélange de ces éléments. 8. Procédé d'assemblage selon l'une quelconque des revendications 1 à 6, caractérisé en ce que la couche de liaison (4,5) du premier substrat (1) et/ou du deuxième substrat (2) est en un matériau choisi parmi le silicium, le germanium, le carbure de silicium ou un mélange de ces éléments. 9. Procédé d'assemblage selon l'une quelconque des revendications précédentes, caractérisé en ce qu'il comprend en outre, avant l'étape de dépôt de la couche de liaison (4,5) du premier (1) et/ou du deuxième substrat (2), une étape de traitement de la surface de la couche de matériau électriquement conducteur (3,6) du premier (1) et/ou du deuxième substrat (2), destinée à enlever au moins une partie des oxydes et/ou isolants présents à sa surface. 10. Procédé d'assemblage selon l'une quelconque des revendications précédentes, caractérisé en ce qu'il comprend en outre, avant l'étape de mise en contact et de collage des faces de contact des deux substrats, une étape de traitement de surface de la surface de la couche de liaison (4) du premier substrat (1) et de la zone de la face de contact du deuxième substrat (2). 11. Procédé d'assemblage selon la revendication précédente, caractérisé en ce que ladite étape de traitement de surface consiste en une préparation chimique. 12. Procédé d'assemblage selon l'une quelconque des revendications 10 ou 11, caractérisé en ce que ladite étape de traitement de surface consiste en un traitement conduisant à une surface hydrophobe. 13. Procédé d'assemblage selon l'une quelconque des revendications 10 ou 11, caractérisé en 25 ce que ladite étape de traitement de surface consiste en un traitement conduisant à une surface hydrophile. 14. Procédé d'assemblage selon la revendication 10, caractérisé en ce que ladite étape de 30 traitement de surface consiste en un traitement par plasma d'au moins une des surfaces de contact afin d'obtenir une énergie de collage forte à basse température.