FR 2879347 A1 20060616 FR 0413287 A 20041214 Dispositif électronique à deux composants assemblés et procédé de fabrication d'un tel dispositif Domaine technique de l'invention L'invention concerne un dispositif électronique comportant au moins un premier composant, un second composant comportant des plots conducteurs et des moyens de fixation des deux composants constituant simultanément des moyens de connexion électrique entre les deux composants. L'invention concerne également un procédé de fabrication d'un tel dispositif électronique. État de la technique Pour former un dispositif électronique comprenant deux composants assemblés, par exemple par retournement, encore appelé "flip-chip", il est possible d'utiliser différents types de matériaux, pour coller et effectuer la liaison électrique entre les deux composants. Le document US 5074947 décrit notamment l'hybridation de deux circuits intégrés par l'intermédiaire d'une colle conductrice comprenant des particules métalliques noyées dans un matériau polymère du type époxy. Le document US-A-2003/0215056 décrit notamment un détecteur de rayonnement électromagnétique comprenant un premier élément à base de matériau détecteur et un deuxième élément comportant des plots conducteurs. Le premier élément est relié aux plots conducteurs du deuxième élément par l'intermédiaire d'une colle conductrice présentant des propriétés adhésives et destinée à fixer et connecter électriquement les deux éléments. Cependant, l'efficacité de ces différents moyens de liaison s'avère peu élevée, notamment au niveau de la conductivité électrique, et la fabrication de ce type de dispositif s'avère trop coûteuse et inapplicable aux méthodes utilisées en microélectronique. Objet de l'invention L'invention a pour but de remédier à ces inconvénients et a pour objet la réalisation d'un dispositif pouvant s'appliquer à la microélectronique et dont la fabrication est simple et peu coûteuse. L'objet de l'invention est caractérisé en ce que les moyens de fixation comportent un matériau polymère à base de polyaniline, rendu conducteur électrique par dopage par l'acide sulfonique ou l'acide phosphonique Selon un développement de l'invention, le matériau polymère conducteur est mélangé à un matériau polymère isolant. Selon un autre développement de l'invention, le matériau polymère conducteur comporte un agent plastifiant. Selon un mode de réalisation préférentiel, le premier composant est un photodétecteur de rayonnement électromagnétique et le deuxième composant est un circuit de lecture. L'invention a également pour objet un procédé de fabrication simple, peu coûteux et applicable aux méthodes utilisées en microélectronique, pour la réalisation d'un tel dispositif électronique. L'objet de l'invention est caractérisé en ce que le procédé comporte: la formation d'une couche structurée de matériau polymère conducteur, l'assemblage du premier composant avec le second composant. Selon un développement de l'invention, l'assemblage du premier composant 10 avec le second composant est effectué à une température supérieure à la température de transition vitreuse du matériau polymère conducteur. Description sommaire des dessins D'autres avantages et caractéristiques ressortiront plus clairement de la description qui va suivre de modes particuliers de réalisation de l'invention donnés à titre d'exemples non limitatifs et représentés aux dessins annexés, dans lesquels: Les figures 1 à 5 représentent différentes étapes successives d'un procédé de fabrication d'un mode particulier de réalisation d'un dispositif électronique selon l'invention. La figure 6 est une vue de dessus du dispositif selon la figure 4, illustrant 25 schématiquement une partie des zones conductrices en matériau polymère conducteur formées sur le premier composant. Les figures 7 et 8 représentent deux étapes successives d'une variante de réalisation d'un procédé de fabrication d'un dispositif électronique selon l'invention. 4 Description de modes particuliers de réalisation Les figures 1 à 5 illustrent différentes étapes successives d'un procédé de fabrication d'un mode particulier de réalisation d'un dispositif électronique 1, représenté sur la figure 5, destiné particulièrement à la détection de rayonnement électromagnétique. o Sur la figure 5, le mode particulier de réalisation du dispositif électronique 1 comporte un premier composant, par exemple un photodétecteur 2 à base de matériau détecteur, et un second composant, par exemple un circuit de lecture 4, comportant des plots conducteurs 3. Le photodétecteur 2 capte le rayonnement électromagnétique et le transmet sous forme de signal électrique au circuit de lecture 4, par l'intermédiaire des plots conducteurs 3, pour être analysé. Le photodétecteur 2 est fixé au circuit de lecture 4 par l'intermédiaire d'une pluralité de zones conductrices 5 en matériau polymère conducteur électrique. Les zones conductrices 5 servent à la fois de moyens de fixation entre le photodétecteur 2 et le circuit de lecture 4 et de moyens de connexion électrique entre le photodétecteur 2 et les plots conducteurs 3 du circuit de lecture 4, les zones conductrices 5 étant disposées en regard des plots conducteurs 3 et en contact uniquement avec les plots conducteurs 3 du circuit de lecture 4. Le matériau polymère conducteur utilisé pour le dispositif 1 est, par exemple, celui décrit dans les documents FR-A-2796379 et FR-A-2830535, à savoir un matériau polymère à base de polyaniline, par exemple de l'emeraldine base. Ce matériau polymère à base de polyaniline est rendu intrinsèquement conducteur électrique par dopage par l'ajout d'acide sulfonique ou d'acide phosphonique. Le matériau polymère conducteur est, de préférence, mélangé à un matériau polymère isolant, par exemple du poly(méthyl méthacrylate) (PMMA) , de manière à modifier ses propriétés mécaniques et électriques, notamment pour ajuster la résistivité électrique du matériau polymère conducteur reliant le photodétecteur 2 au circuit de lecture 4. Ce matériau polymère isolant permet également de modifier les caractéristiques du matériau polymère conducteur, o notamment son comportement mécanique rhéologique thermoplastique. Un agent plastifiant peut, de préférence, être ajouté au matériau polymère isolant, ou uniquement au matériau polymère conducteur électrique, pour ajuster certaines propriétés, notamment la température de transition vitreuse du matériau polymère conducteur électrique. Dans le mode particulier de réalisation du dispositif électronique 1 représenté sur les figures 3 à 6, les zones conductrices 5 sont, de préférence, en forme de pyramide avec une base carrée. Comme représenté sur les figures 4 et 6, le pas P, à savoir la distance entre deux bords identiques de deux zones conductrices 5 adjacentes en forme de pyramide (figure 6), est, par exemple, de l'ordre de 50pm et la base b de la pyramide est, par exemple, de section carrée avec un côté de l'ordre de 30pm et avec une hauteur h de l'ordre de 20pm (figure 4). Le dispositif 1 comporte ainsi une pluralité de zones conductrices 5, disposées régulièrement sur le photodétecteur 2 et à très faible distance les unes des autres, de manière à optimiser l'efficacité du dispositif 1 de détection. Dans le mode particulier de réalisation représenté sur les figures 1 à 5, le photodétecteur 2 est auto-supporté, c'est-à-dire qu'il constitue à lui seul le premier composant du dispositif 1. Dans une variante de réalisation non représentée, le photodétecteur 2 est déposé en couches épaisses sur un substrat transparent au rayonnement à détecter, par exemple, en graphite ou en aluminium. Dans ce cas, le substrat sur lequel est déposé le photodétecteur 2 est conducteur électrique, car le dispositif 1 de détection doit être polarisé pour extraire les charges créées lors de la détection. À titre d'exemple, le photodétecteur 2 est constitué par un matériau choisi parmi le tellure de cadmium (CdTe), le tellure de cadmium (CdTe) dopé au chlore (Cl), un alliage de tellure, de cadmium et de zinc (CdZnTe), un alliage de tellure, de cadmium et de mercure (HgCdTe), le silicium (Si), l'arséniure de gallium (AsGa), l'oxyde de plomb (PbO), l'iodure de plomb (PbI2) ou l'iodure de mercure (HgI2). Les plots conducteurs 3 du circuit de lecture 4 sont, par exemple, reliés à des plots de sortie ou des plots de tests (non représentés), destinés à relier le dispositif 1 à d'autres éléments permettant d'exploiter les résultats de la détection. Les plots conducteurs 3 du circuit de lecture 4 sont, de préférence, en métal choisi parmi l'or (Au), le platine (Pt), l'argent (Ag), le cuivre (Cu), le nickel (Ni) ou l'aluminium (Al). À titre d'exemple, le circuit de lecture 4 peut être en silicium (Si), en arséniure de gallium (AsGa) ou en germanium (Ge). Dans une variante de réalisation non représentée, le circuit de lecture 4 peut être remplacé par un substrat d'interconnexion électrique comportant les plots conducteurs 3 et des lignes conductrices réalisées sur un substrat isolant en céramique, par exemple en alumine, en céramique co-frittée, en nitrure d'aluminium, ou sur un substrat isolant en plastique, par exemple en polyimide, en époxy, ou encore sur un substrat isolant en verre. Le substrat peut également être en silicium ou peut être constitué d'un mélange d'isolants céramiques, verres et plastiques. La fabrication du mode particulier de réalisation du dispositif électronique 1 va être décrite plus en détail au regard des figures 1 à 5. Sur la figure 1, la première étape consiste à fabriquer le photodétecteur 2, de préférence, auto-supporté (figure 1). Dans une variante de réalisation non représentée, le photodétecteur 2 peut être déposé sur un substrat (non représenté) transparent au rayonnement à détecter et conducteur électrique. Sur la figure 2, une couche 6 de matériau polymère conducteur électrique est déposée sur le photodétecteur 2. Le dépôt se fait, par exemple, par couche mince et de façon localisée. Le matériau polymère conducteur déposé sur le photodétecteur 2 peut comporter du solvant dans sa composition. Pour obtenir une couche 6 de matériau polymère dense et sèche, une étape d'évaporation du solvant contenu dans le matériau polymère est alors prévue, de préférence, après le dépôt de la couche 6, pendant une durée prédéterminée et, de préférence, dans une enceinte appropriée. Sur la figure 3, après le dépôt de la couche 6 et l'évaporation du solvant contenu dans la couche 6, une étape de structuration de la couche 6 est effectuée, de manière à former une pluralité de zones conductrices 5. La première étape de la structuration consiste à former les pointes des zones conductrices 5. Cette étape peut être effectuée par emboutissage ou, de préférence, par moulage à chaud par l'intermédiaire d'un moule présentant des empreintes correspondant à la forme définie au préalable des zones conductrices 5. Comme représenté sur la figure 3, le moule a, de préférence, des empreintes en forme de pyramide, de hauteur h1, correspondant à la hauteur des pointes des zones conductrices 5 en forme de pyramide, comme représenté sur la figure 3. Le moule utilisé peut être réalisé en différents matériaux, de préférence, présentant des propriétés antiadhésives. À titre d'exemple, le moule est en silicium, dans lequel les empreintes en forme de pyramide ont été réalisées par gravure anisotrope du silicium. Le moule est revêtu, par exemple, d'une couche mince de polysiloxane, pour conférer au silicium des propriétés antiadhésives. Tout autre matériau à forte énergie de surface, du type téflon , peut être utilisé pour rendre le moule antiadhésif. o Pour réaliser le moulage des pointes des zones conductrices 5, il faut chauffer l'ensemble, à savoir le photodétecteur 2 et la couche 6 de matériau polymère conducteur, à une température supérieure à la température de transition vitreuse du matériau polymère conducteur constituant la couche 6, afin qu'il se ramollisse, grâce à son comportement thermoplastique. La formation des 1s pointes s'effectue alors en exerçant une force de pression avec le moule sur la couche 6, pour former les motifs correspondants de hauteur h1 (figure 3). Au refroidissement, le matériau polymère de la couche 6 redevient dur et le moule se détache facilement grâce à ses propriétés antiadhésives. La couche 6 est alors structurée avec les pointes en forme de pyramide, définissant les pointes des zones conductrices 5. En général, une couche résiduelle 7, de hauteur h2, reste à la surface du photodétecteur 2, notamment à cause des inhomogénéités de parallélisme et de planéité du moule. II faut alors terminer la structuration de la couche 6 en éliminant la couche résiduelle 7, notamment pour isoler électriquement les zones conductrices 5 entre elles. L'élimination de cette couche résiduelle 7 peut être réalisée, par exemple, par gravure chimique réactive par plasma, avec un gaz à base d'oxygène, classiquement utilisé pour la gravure des matériaux polymères. II est possible d'ajouter à l'oxygène un gaz comportant du fluor, par exemple de l'hexafluorure de soufre (SF6), du trifluorométhane (CHF3) ou du tetrafluorométhane (CF4), servant de catalyseur de réaction. La couche résiduelle 7 de matériau polymère conducteur étant très fine, elle est alors facilement éliminée, tout en conservant la forme particulière des zones conductrices 5, à savoir en forme de pyramide, comme représenté sur la figure 4. Après cette étape de structuration, le photodétecteur 2 est alors muni d'une pluralité de zones conductrices 5 en forme de pyramide, toutes isolées électriquement les unes par rapport aux autres. Sur la figure 5, la dernière étape consiste à assembler le photodétecteur 2 avec le circuit de lecture 4. L'assemblage se fait, par exemple, par retournement, ou "flip-chip", en positionnant le photodétecteur 2 muni des zones conductrices 5 sur le circuit de lecture 4 comportant les plots conducteurs 3. Pour l'assemblage, chaque zone conductrice 5 est disposée en regard d'un plot conducteur 3, préalablement réalisé sur le circuit de lecture 4. Cette méthode d'assemblage, appelée aussi "hybridation", consiste à mettre en regard le photodétecteur 2 et le circuit de lecture 4, à chauffer l'ensemble pour faire ramollir le matériau polymère conducteur constituant les zones conductrices 5, qui deviennent alors non seulement les moyens de connexion électrique mais aussi les moyens de fixation du photodétecteur 2 sur le circuit de lecture 4, et à exercer une légère pression sur le photodétecteur 2, de manière à écraser les pointes des zones conductrices 5 (figure 5) et permettre l'adhésion du photodétecteur 2 sur le circuit de lecture 4. L'assemblage des deux composants du dispositif 1 est réalisé à une température supérieure à la température de transition vitreuse du matériau polymère conducteur constituant les zones conductrices 5 et le lien mécanique et la connexion électrique entre les deux composants sont alors obtenus par durcissement du matériau polymère conducteur, lors du refroidissement. Dans la variante de réalisation représentée sur les figures 7 et 8, le procédé de fabrication se distingue du mode de réalisation précédent par l'emplacement des zones conductrices 5. Comme représenté sur la figure 7, les zones conductrices 5 sont réalisées, selon le même principe que précédemment, par dépôt d'une couche de matériau polymère conducteur et par structuration de cette couche, de manière à former une pluralité de zones conductrices 5. Contrairement au mode de réalisation précédent, les zones conductrices 5 sont réalisées sur les plots conducteurs 3 du circuit de lecture 4. Chaque zone conductrice 5 est structurée directement sur un plot conducteur 3 correspondant, pour être isolée des autres zones conductrices 5. Comme représenté sur la figure 8, l'assemblage du photodétecteur 2 sur le circuit de lecture 4 s'effectue alors sans alignement particulier, juste par positionnement du photodétecteur 2 sur les zones conductrices 5. Ce procédé permet ainsi de supprimer tous les problèmes éventuels d'alignement des deux composants, lors de leur assemblage. Dans une autre variante de réalisation non représentée, la formation des zones conductrices 5 peut être réalisée par sérigraphie. Le photodétecteur 2 et le circuit de lecture 4 muni des plots conducteurs 3 sont réalisés au préalable comme décrit précédemment, puis un masque (non représenté) définissant les formes des zones conductrices 5 est posé sur le photodétecteur 2, ou sur les plots conducteurs 3 du circuit de lecture 4. Le matériau polymère conducteur est alors déposé dans les parties libres du masque, pour former directement la couche structurée de matériau polymère conducteur sous forme de zones conductrices 5. Le masque est ensuite retiré et les zones conductrices 5, disposées sur le photodétecteur 2, ou sur les plots conducteurs 3, présentent directement leur forme définitive. Dans ce cas, les zones conductrices 5 sont, de préférence, en forme de parallélépipède, pour faciliter le masquage et la sérigraphie. Dans une autre variante de réalisation non représentée, il peut être avantageux de faire correspondre plusieurs zones conductrices 5 avec chaque plot conducteur 3, pour améliorer le contact électrique entre les deux composants du dispositif 1 et pour simplifier les procédures d'alignement. Quel que soit le mode de réalisation du procédé de fabrication du dispositif électronique 1, selon la io figure 5 ou selon la figure 8, il est ainsi possible de former deux, trois ou une pluralité de zones conductrices 5 sur chaque plot conducteur 3. Quel que soit le procédé de fabrication du dispositif électronique 1, le matériau polymère conducteur des zones conductrices 5 joue donc à la fois le rôle d'interconnexion électrique et de moyen d'assemblage entre le photodétecteur 2 et le circuit de lecture 4 du dispositif 1. Par ailleurs, la température de mise en oeuvre de l'assemblage, pour obtenir le dispositif 1 selon la figure 5 ou selon la figure 8, est ajustable en modifiant les paramètres du matériau polymère conducteur électrique choisi, pour tenir compte, par exemple, des températures supportées par chacun des composants à assembler. À titre d'exemple, il est possible, par l'ajout d'un composant plastifiant, de modifier la température de transition vitreuse du matériau polymère conducteur, c'està-dire sa température de ramollissement. À titre d'exemple, il est également possible d'ajuster la résistivité électrique du dispositif 1 de détection, en faisant varier les pourcentages des différents éléments constitutifs du matériau polymère conducteur choisi. La gamme de résistivité électrique du dispositif 1 de détection étant, de préférence, de l'ordre de 10-3 à 106 2.cm, le tableau ci-dessous donne, par exemple, quatre types de matériau polymère conducteur pouvant être utilisés, pour réaliser le dispositif 1 de détection représenté sur la figure 5. Dans le tableau ci-dessous, la polyaniline est du type "emeraldine base", l'élément constitutif destiné au dopage de la polyaniline est, par exemple, le diester 2-éthylhexyl de l'acide 4 sulphophtalique (DEHEPSA), le matériau polymère isolant est, par exemple, du poly(méthyl méthacrylate) (PMMA) et le plastifiant ajouté aux autres éléments constitutifs est, par exemple, du dibuthylphtalate. Les compositions sont données en pourcentage massique, hors proportion négligeable de solvant, qui est de préférence de l'acide 2,2-dichloro acétique (DCAA), contenu dans le matériau polymère conducteur. Polymère Polyaniline DEHEPSA PMMA di- Résistivité (emeraldine buthylphtalate (SZ.cm) base) 1 30 70 0 0 0,02 2 3 7 90 0 2,7 3 3 7 69 21 2,5 4 15 35 38,5 11,5 0,05 À titre d'exemple, pour réaliser un dispositif 1 de détection comportant un premier composant photodétecteur 2 et un circuit de lecture 4, un dépôt de la solution n 3 de matériau polymère conducteur, correspondant à une résistivité de l'ordre de 2,55.cm, est d'abord effectué, par exemple "à la tournette", sur un substrat de graphite comportant une couche de 300pm de tellure de cadmium (CdTe). L'élimination du solvant présent dans le matériau polymère conducteur est effectuée à 50 C pendant 24 heures, dans une enceinte balayée par un gaz non oxydant de type Argon. L'épaisseur de la couche 6 de matériau polymère conducteur après séchage (figure 2) est de 5pm environ. L'impression de cette couche avec un moule comportant, par exemple, des motifs pyramidaux est ensuite réalisée en exerçant une pression appropriée. L'impression est réalisée, par exemple, à 100 C avec une pression, par exemple, de 10kg. Ces motifs présentent une dimension à la base de l'ordre de 30pm par 30pm, une hauteur de l'ordre de 20pm et sont disposés sous la forme d'une matrice de 270 empreintes par 270 empreintes (figure 6), le pas P entre chaque pyramide étant de 50pm. La couche résiduelle 7 entre les zones conductrices 5 (figure 3) est ensuite éliminée par gravure chimique réactive par plasma avec un gaz, par exemple à base d'oxygène et avec de l'hexafluorure de soufre (SF6). Le photodétecteur 2 est ensuite assemblé au circuit de lecture 4, en mettant en contact chaque zone conductrice 5 avec un plot conducteur 3 du circuit de lecture 4. L'hybridation est réalisée, de préférence, à 80 C avec une pression faible de 500g, de façon à mettre en contact les zones conductrices 5, sans totalement les écraser, pour conserver une isolation électrique entre les zones conductrices 5. Dans les différents modes de réalisation décrits ci-dessus, le dispositif électronique 1 est un détecteur comprenant un photodétecteur 2 et un circuit de lecture 4, reliés par des zones conductrices 5 en matériau polymère conducteur électrique. II est évident que d'autres dispositifs électroniques 1, comprenant deux composants assemblés, peuvent être réalisés avec ce même matériau polymère conducteur électrique, constituant à la fois le lien mécanique et le lien électrique entre les deux composants formant le dispositif 1. À titre d'exemple, le dispositif électronique 1 peut être un dispositif de type "carte à puce". Le premier composant, par exemple en silicium, est alors une puce ou un circuit intégré contenant des données, et comporte des plots conducteurs mis en regard, lors de l'assemblage, avec des plots conducteurs d'un substrat polymère souple, par exemple en polycarbonate, en polypropylène ou en polychlorure de vinyle, constituant le second composant du dispositif électronique 1. Le dispositif électronique 1 peut être, par exemple, un dispositif du type "Chip Scale Package" (CSP). Le premier composant est alors une puce ou un circuit intégré ayant une fonction électronique de calcul ou de mémoire. Le premier composant est reporté dans un boîtier, constituant le second composant, comportant des plots conducteurs et assurant une fonction de protection mécanique et d'interface, par exemple, avec une carte imprimée. Le boîtier peut être en matériau isolant, en céramique et/ou en verre et/ou en plastique. Le dispositif électronique 1 peut être, par exemple, un dispositif d'imagerie du type "Liquid Crystal Display" (LCD). Le premier composant est alors constitué par un ou plusieurs circuits intégrés de commande, généralement en silicium, placés à proximité de la zone active d'un écran et permet la collecte des signaux provenant de la zone active de l'écran. Le premier composant est assemblé, de préférence par retournement, ou "flip-chip", sur un large substrat de verre, constituant le second composant du dispositif 1 et comportant des plots conducteurs et des lignes d'interconnexion électrique. Le dispositif électronique 1 peut être, par exemple, un capteur miniaturisé. Le premier composant est alors un capteur du type Micro Electro Mechanical System (MEMS) ou Micro Opto Electro Mechanical System (MOEMS), par exemple un accéléromètre ou un capteur de pression. Le premier composant est assemblé sur les plots conducteurs d'un boîtier, par exemple en céramique ou en silicium, constituant le second composant du dispositif 1. Le dispositif électronique 1 peut être, par exemple, un système "Lab On Chip". Le premier composant est alors une biopuce, qui collecte un signal électrique issu d'une interaction avec un milieu vivant. Cette biopuce comporte des plots conducteurs, qui sont reliés à des plots conducteurs d'un boîtier ou d'un substrat, constituant le second composant du dispositif électronique 1. Le dispositif électronique 1, selon les différents modes de réalisation décrits ci-dessus, permet ainsi d'obtenir une efficacité optimale, notamment grâce à l'utilisation d'un matériau polymère intrinsèquement conducteur comme moyen de connexion et d'assemblage entre les deux composants. Dans le cas où le contact du matériau polymère conducteur et du matériau constituant le premier composant du dispositif 1 est de bonne qualité électrique, il n'est alors pas nécessaire de réaliser des électrodes sur ce premier composant. Par ailleurs, la température de mise en oeuvre de l'assemblage est ajustable en modifiant les paramètres des éléments constitutifs du matériau polymère conducteur électrique. Le pas P de connexion entre les zones conductrices 5 du dispositif 1 est très fin, ce qui optimise la résolution et la densité surfacique de connexion entre les deux composants. Le matériau polymère conducteur électrique présentant des qualités de déformation importantes, il est possible de limiter les éventuelles contraintes thermomécaniques d'assemblage en température, notamment pour des hybridations de composants présentant de grandes surfaces. Ces qualités peuvent être encore améliorées par un mélange avec un autre matériau polymère thermoplastique. De plus, le matériau polymère conducteur électrique est thermoplastique et réversible, c'est-à-dire qu'il permet la réparation du dispositif 1. En effet, en réchauffant le matériau polymère intrinsèquement conducteur au-dessus de sa température de transition vitreuse, il se ramollit de façon réversible et il est possible d'envisager une déshybridation du dispositif 1 sans endommager ni le premier composant ni le second composant du dispositif électronique 1. Par ailleurs, les zones conductrices 5 en forme de pyramide permettent de doser la force d'appui lors de l'assemblage du dispositif 1, tout en rattrapant d'éventuels défauts de planéité des substrats. L'invention n'est pas limitée aux différents modes de réalisation décrits ci-dessus. Les zones conductrices 5 peuvent notamment être en forme de parallélépipède, de sphère ou de tronc de cône. Un tel dispositif électronique 1 s'applique notamment à l'imagerie à rayons X médicale (radiographie, scanners, fluoroscopie, mammographie, etc.), à l'imagerie à rayons X et y pour des grands instruments (ESRF, synchrotron) et pour l'instrumentation spatiale, ainsi qu'au contrôle non destructif par rayons X (CNDX). Revendications 1. Dispositif électronique (1) comportant au moins un premier composant (2), un second composant (4) comportant des plots conducteurs (3) et des moyens de fixation (5, 6) des deux composants (2, 4) constituant simultanément des moyens de connexion électrique entre les deux composants (2, 4), dispositif caractérisé en ce que les moyens de fixation comportent un matériau polymère (5, 6) à base de polyaniline, rendu conducteur électrique par dopage par l'acide o sulfonique ou l'acide phosphonique. 2. Dispositif selon la revendication 1, caractérisé en ce que le matériau polymère conducteur (5, 6) est mélangé à un matériau polymère isolant. 3. Dispositif selon l'une des revendications 1 et 2, caractérisé en ce que le matériau polymère conducteur (5, 6) comporte un agent plastifiant. 4. Dispositif selon l'une quelconque des revendications 1 à 3, caractérisé en ce que le premier composant (2) est un photodétecteur de rayonnement électromagnétique et le deuxième composant (4) est un circuit de lecture. 5. Procédé de fabrication d'un dispositif électronique selon l'une quelconque des revendications 1 à 4, caractérisé en ce qu'il comporte: la formation d'une couche structurée de matériau polymère conducteur (5, 6), l'assemblage du premier composant (2) avec le second composant (4). 6. Procédé selon la revendication 5, caractérisé en ce que la formation de la couche structurée comporte successivement: le dépôt d'une couche (6) de matériau polymère conducteur sur l'un des composants (2, 4), la structuration de la couche (6) de matériau polymère conducteur, de manière à former une pluralité de zones conductrices (5). 7. Procédé selon la revendication 6, caractérisé en ce que la structuration des zones conductrices (5) est réalisée par emboutissage. 8. Procédé selon la revendication 6, caractérisé en ce que la structuration des 10 zones conductrices (5) est réalisée par moulage à chaud. 9. Procédé selon l'une quelconque des revendications 6 à 8, caractérisé en ce que la structuration de la couche (6) de matériau polymère conducteur est destinée à former des zones conductrices (5) en forme de pyramide. 10. Procédé selon la revendication 5, caractérisé en ce que la formation de la couche structurée de matériau polymère conducteur (5, 6) est réalisée par sérigraphie. 11. Procédé selon l'une quelconque des revendications 5 à 10, caractérisé en ce que l'assemblage du premier composant (2) avec le second composant (4) est effectué à une température supérieure à la température de transition vitreuse du matériau polymère conducteur (5, 6).