FR 2877783 A1 20060512 FR 0511485 A 20051110 DISPOSITIF A SEMICONDUCTEUR DE PUISSANCE L'invention concerne un dispositif à semiconducteur de puissance et, en particulier, l'atténuation d'une surintensité ou d'une surtension transitoire se produisant dans le dispositif à semiconducteur de puissance. Des dispositifs à semiconducteur de puissance incluant des semiconducteurs de puissance sont largement utilisés. Un module de puissance est un boîtier incorporant une pluralité d'éléments semiconducteurs de puissance tels que des transistors à effet de champ métal- oxyde-semiconducteur (MOSFET) ou des transistors bipolaires à grille isolée (IGBT) avec des circuits périphériques pour ceux-ci. Ses avantages sont sa taille réduite du fait de l'intégration, et la facilité de connexion. Des modules de puissance sont ainsi utilisés dans de nombreuses applications. Dans un dispositif à semiconducteur de puissance, il est nécessaire d'éviter une influence nuisible d'une surtension ou d'une surintensité transitoire. Par exemple, un étage pilote pour des éléments semiconducteurs de puissance dans un circuit onduleur, décrit dans la Publication de Brevet du Japon ouverte à l'examen du public n 7297696/1995, comprend un circuit de protection pour éviter un échauffement excessif. Un tel circuit de protection peut fonctionner de façon défectueuse à cause d'une variation de courant abrupte au moment du recouvrement inverse d'une diode de roue libre incorporée pour l'élément semiconducteur de puissance. Dans ces conditions, pour éviter un tel fonctionnement défectueux, une unité de commande, ayant une borne de sortie commune pour envoyer un signal d'alarme lorsqu'une surintensité transitoire ou un courant de court-circuit se produit, connecte une diode Schottky entre une borne de sortie commune d'une unité de commande pour une branche inférieure et une borne de source d'énergie, de façon à éviter l'apparition d'un courant circulant en sens inverse dans une carte de circuit de l'unité de commande. Selon une variante, un condensateur est connecté entre la borne de sortie commune du circuit d'unité de commande et la borne de masse, pour éviter des fluctuations de la tension de référence dans la carte de circuit de l'unité de commande. Lorsqu'on utilise un dispositif à semiconducteur de puissance, un circuit périphérique tel qu'un circuit d'attaque de grille ou un photo- coupleur, ou un générateur de signal externe tel qu'un microprocesseur pour appliquer un signal de commande à un circuit d'attaque de grille, peut être détruit à cause d'une surintensité ou d'une surtension transitoire générée dans le dispositif à semiconducteur de puissance. Cependant, par exemple, l'onduleur mentionné ci-dessus ne peut pas bloquer la surtension ou la surintensité transitoire, ou ne peut pas empêcher l'influence nuisible sur un dispositif connecté au dispositif à semiconducteur de puissance. Une surtension transitoire dans le circuit onduleur peut alors être appliquée à un dispositif périphérique, ou bien une surintensité transitoire dans le circuit onduleur peut circuler vers un dispositif péri- phérique, et dans un tel cas le dispositif périphérique peut être détruit, ou des pertes électriques augmentent. Un but de l'invention est de procurer un dispositif à semi-conducteur de puissance qui puisse réduire une défaillance d'un circuit périphérique ou d'un circuit externe à cause d'une surintensité ou d'une surtension transitoire générée dans le dispositif à semiconducteur de puissance. Selon un aspect de l'invention, un dispositif à semiconducteur de puissance conforme à l'invention comporte un premier élément semiconducteur de commutation de puissance du côté de tension élevée et un deuxième élément semiconducteur de puissance du côté de tension basse, connectés en série, et des premières diodes formant diodes de roue libre, chacune d'elles étant connectée de manière antiparallèle à l'un des premier et deuxième éléments semiconducteurs de commutation de puissance. Deux extrémités des éléments semiconducteurs de commu- tation connectés en série peuvent être connectées à une source d'éner- gie à courant continu externe, et un point de connexion entre les premier et deuxième éléments semiconducteurs de commutation de puissance peut fournir une tension de sortie. Le dispositif comporte en outre un premier circuit d'attaque connecté à une grille du premier élément semi- conducteur de commutation de puissance, et un deuxième circuit d'attaque connecté à une grille du deuxième élément semiconducteur de commutation de puissance. En outre, une deuxième diode est connectée à une ligne destinée à être connectée à une borne d'au moins un des premier et deuxième circuits d'attaque, en sens direct, de façon qu'un cou- rant ne circule pas dans la ligne à partir de la borne à travers la deuxième diode. Dans un exemple, le dispositif a une source d'énergie commandée pour les premier et deuxième circuits d'attaque. La deuxième diode est connectée entre la source d'énergie et une borne qui est une borne de source d'énergie de l'au moins un des premier et deuxième circuits d'attaque. Dans un autre exemple, la borne est une borne d'entrée destinée à recevoir un signal de commande pour l'au moins un des premier et deuxième circuits d'attaque. La deuxième diode est connectée entre la borne d'entrée et un dispositif pour générer le signal de commande. Dans un exemple supplémentaire, le dispositif comporte un photocoupleur pour fournir un signal de commande pour l'au moins un des premier et deuxième circuits d'attaque. La borne est une borne d'entrée pour recevoir le signal de commande provenant du photocoupleur, et la deuxième diode est connectée entre la borne et le photocoupleur. Un avantage de l'invention consiste en ce qu'il est possible d'éviter une défaillance d'un circuit périphérique ou d'un circuit externe utilisé pour un dispositif à semiconducteur de puissance, du fait qu'une surtension et une surintensité transitoires générées dans le dispositif à semiconducteur de puissance sont atténuées et ne sont pas transmises au circuit externe. Dans diverses formes de réalisation, le dispositif conforme à l'invention peut comporter l'une et/ou l'autre des dispositions suivantes: - un condensateur et une résistance connectés à un point en- tre la deuxième diode et la borne d'entrée (IN), et connectés en parallèle à une masse du dispositif à semiconducteur de puissance; - une tension de claquage de la deuxième diode supérieure à une tension continue devant être appliquée aux premier et deuxième éléments semiconducteurs de commutation de puissance connectés en série; - au moins un des premier et deuxième circuits d'attaque comprenant le premier circuit d'attaque; - au moins un des premier et deuxième circuits d'attaque comprenant les premier et deuxième circuits d'attaque; - une résistance à travers de laquelle un courant circule entre un côté de niveau bas de la source d'énergie à courant continu et le deuxième élément semiconducteur de commutation de puissance; - les premier et deuxième éléments semiconducteurs de commutation de puissance sont des transistors à effet de champ métal-oxydesemiconducteur ou des transistors bipolaires à grille isolée; - le dispositif à semiconducteur de puissance étant un dispositif à semiconducteur de puissance triphasé incluant trois combinaisons des premier et deuxième éléments semiconducteurs de commutation de puissance, et les premier et deuxième circuits d'attaque; et - deux extrémités des éléments semiconducteurs de commutation de puissance connectés en série étant connectées à la source d'énergie à courant continu. D'autres caractéristiques et avantages de l'invention seront mieux compris à la lecture de la description qui va suivre de modes de réalisation préférés, donnés à titre d'exemples non limitatifs. La suite de la description se réfère aux dessins annexés, dans lesquels: - la figure 1 représente un circuit d'attaque conforme à un premier mode de réalisation de l'invention; - la figure 2 représente un circuit d'attaque conforme à un deuxième mode de réalisation de l'invention; - la figure 3 représente un circuit d'attaque conforme à un troisième mode de réalisation de l'invention; - la figure 4 représente un circuit d'attaque conforme à un quatrième mode de réalisation de l'invention; et - la figure 5 représente un circuit d'attaque obtenu en combi- nant les premier et deuxième modes de réalisation. En se référant maintenant aux dessins, dans lesquels des caractères de référence semblables désignent des éléments semblables ou correspondants dans l'ensemble des différentes représentations, la figure 1 montre un circuit d'attaque de moteur triphasé conforme à un premier mode de réalisation de l'invention, dans lequel un module de puissance 10 incluant des éléments semiconducteurs de commutation de puissance (appelés ci-après puces de puissance) 22, 24 est connecté à une source d'énergie à courant continu qui fournit une tension continue aux puces de puissance 22, 24. La source d'énergie continue comprend un circuit redresseur à pont de diodes 12 et un condensateur de lissage 14. Un microprocesseur 20, un processeur de signal numérique (ou DSP pour "Digital Signal Processor"), ou autre, fournit des signaux de commande pour les puces de puissance 22, 24 dans le module de puissance 10. Le mo- dule de puissance 10 génère un courant alternatif triphasé conformément aux signaux de commande pour attaquer un moteur 18, qui est un exemple d'une charge inductive. Dans le module de puissance 10, trois paires de puces de puissance 22 et 24 connectées en série sont connectées entre les côtés de niveaux supérieur et inférieur du condensateur de lissage 14. Les puces de puissance 22, 24 sont par exemple des transistors à effet de champ MOS de puissance ou des IGBT. Une diode roue libre 26 est connectée de manière anti-parallèle à chacune des puces 22, 24. Une branche supérieure, destinée à être connectée au côté de tension supérieure de la tension d'alimentation continue, est formée par trois puces de puissance 22 et les diodes de roue libre 26 pour celles-ci, tandis qu'une branche inférieure, destinée à être connectée au côté de tension inférieure de la tension d'alimentation continue, est formée par trois puces de puissance 24 et les diodes de roue libre 26 pour celles-ci. Des points de connexion entre les puces de puissance 22, 24 constituent des bornes de sortie U, V ou W pour le moteur triphasé 18. Un circuit d'attaque de grille est incorporé pour la grille de chacune des puces de puissance 22, 24, et le microprocesseur 20 applique un signal de commande à chaque circuit d'attaque de grille. Le circuit d'attaque de grille peut également être ap- pelé un circuit d'attaque, et il s'agit d'un circuit intégré (Cl) d'attaque de grille 28, 30, dans ce mode de réalisation. Un Cl d'attaque de grille 28 est également appelé HVIC, tandis qu'un Cl d'attaque de grille 30 est également appelé LVIC. (Les Cl d'attaque de grille 28, 30 sont également connectés aux grilles des puces de puissance 22, 24 dans les paires centraie et droite, de façon similaire à la paire gauche représentée sur la figure 1, mais ils ne sont pas représentés explicitement, pour la brièveté de l'illustration sur la figure 1.) Le microprocesseur 20 applique les signaux de commande aux Cl d'attaque de grille 28, 30, qui appliquent à leur tour aux grilles des puces de puissance 22, 24 des signaux de grille ba- sés sur les signaux de commande, et les puces de puissance 22, 24 effectuent une opération de commutation conformément aux signaux de grille. Un circuit d'attaque de grille connu peut être utilisé pour le Cl d'attaque de grille 28, 30. En outre, une résistance 16 est placée entre la branche inférieure et le côté de niveau inférieur de la source d'énergie à courant continu afin de détecter un courant, et la chute de tension à travers la résistance 16 est déterminée pour détecter la surintensité transitoire circulant dans la branche inférieure. (En général, les Cl d'attaque de grille 28, 30 comprennent une fonction pour la protection contre la surintensité, basée sur la chute de tension dans la résistance 16, mais son explication est omise ici.) Le microprocesseur 20, le Cl d'attaque de grille 28, 30 et la résistance 16 du côté du pont 12 sont connectés en commun à la masse. En outre, une source d'énergie commandée, 34, est établie à l'extérieur du module de puissance 10, pour fournir par exemple une tension d'alimentation de 15 V aux Cl d'attaque de grille 28, 30 et, par exemple, une tension d'alimentation de 5 V au microprocesseur 20. Le module de puissance représenté sur la figure 1 travaille avec un courant alternatif triphasé, mais il apparaîtra à l'homme de l'art qu'un module de puissance pour un courant alternatif biphasé peut être configuré de façon similaire en utilisant une seule paire de puces de puissance 22, 24. Chaque Cl d'attaque de grille (LVIC) 30 dans la branche inférieure est connecté, par l'intermédiaire d'une diode 32 à tension de claquage élevée, à la source d'énergie commandée 34 pour le Cl d'attaque de grille 30. Ainsi, la diode 32 est connectée entre une borne de source d'énergie de chaque Cl d'attaque de grille 30 et la source d'énergie corn- mandée 34, dans le sens direct, de façon qu'un courant ne circule pas à pas à travers la diode 32 en direction de la source d'énergie commandée 34. Une raison de l'utilisation des diodes 32 est la suivante. Lorsque les puces de puissance 24 dans la branche inférieure sont bloquées, un changement de courant rapide se produit à travers les diodes de roue libre 26, pour le recouvrement inverse. Par exemple, si l'une des puces de puissance 24 est détruite par le courant, ce qui fait passer l'émetteur en circuit ouvert, ou si la résistance 16 pour détecter le courant passe en circuit ouvert, une surtension transitoire et une surintensité transitoire se produisent dans le circuit dans le module de puissance. Une tension éle- vée est alors appliquée au Cl d'attaque de grille 30 qui attaque la puce de puissance 24, et une tension élevée est également appliquée à la source d'énergie commandée 34 pour le Cl d'attaque de grille 30 ou le microprocesseur 20. Ceci peut détruire la source d'énergie commandée 34 pour les Cl d'attaque de grille 30 ou le microprocesseur 20. Dans ces conditions, pour éviter cette défaillance, les diodes 32 à tension de claquage élevée sont insérées entre les Cl d'attaque de grille 30 et leur source d'énergie 34. Du fait de l'insertion des diodes 32 à tension de claquage élevée, la surtension transitoire et la surintensité transitoire se produisant dans le circuit du module de puissance 10 sont bloquées, ce qui permet de réduire l'influence nuisible de la surtension transitoire et de la surintensité transitoire sur le dispositif périphérique. Comme expliqué ci-dessus, du fait que les diodes 32 sont utilisées pour empêcher qu'une tension élevée provenant de la source d'énergie continue ne soit appliquée à la source d'énergie commandée 34 pour les Cl d'attaque de grille 30 ou au microprocesseur 20, la tension de claquage élevée des diodes 32 doit être fixée à un niveau supérieur à la tension appliquée par la source d'énergie continue qui est connectée au côté d'entrée du module de puissance 10. Par exemple, elle est fixée approximativement à la même valeur que la tension de claquage du condensateur de lissage 14, par exemple 600 V. Ce concept de tension de claquage élevée est commun aux autres modes de réalisation expliqués ultérieurement. La structure de la branche inférieure incluant les puces de puissance 24 et les Cl d'attaque de grille 30 est expliquée ci-dessus pour 35 l'atténuation d'une surtension ou d'une surintensité transitoire, mais les puces de puissance 22 dans la branche supérieure peuvent également endommager un circuit périphérique du circuit d'attaque, tel que la source d'énergie commandée 34 ou le microprocesseur 20. Ainsi, il peut arriver qu'une tension élevée due à une surtension transitoire et une surintensité transitoire générées dans le module de puissance 10 soit appliquée aux Cl d'attaque de grille (HVIC) 28. D'autre part, du fait que les Cl d'attaque de grille 28 dans la branche supérieure ont un circuit interne à tension de tenue élevée, ils sont plus résistants que leurs homologues dans la branche inférieure lorsqu'une tension élevée est appliquée. Cependant, pour éviter de façon pratiquement complète l'influence sur un circuit périphérique connecté au module de puissance 10, il est préférable de connecter la borne de source d'énergie de chaque Cl d'attaque de grille 28 dans la branche supérieure à la source de tension commandée 34 par l'intermédiaire d'une diode 32 à tension de claquage élevée, de façon similaire aux Cl d'attaque de grille 30 dans la branche inférieure. Par conséquent, le courant ne circule pas vers la source d'énergie commandée 34. En outre, dans ce cas, il n'est pas nécessaire d'utiliser la diode 32 à tension de claquage élevée pour chaque borne de source d'énergie individuelle des Cl d'attaque de grille 28 et 30. Par exemple, les bornes de source d'énergie des Cl d'attaque de grille 28 et 30 sont connectées les unes aux autres, et elles sont connectées à une diode commune 32 qui doit être connectée à son tour à la source d'énergie commandée 34 (voir la figure 5). En outre, la diode 32 peut être placée à l'intérieur ou à l'extérieur du module de puissance 10. La figure 2 montre un autre circuit d'attaque de moteur triphasé conforme à un deuxième mode de réalisation de l'invention. Ce circuit d'attaque diffère de celui représenté sur la figure 1 par le fait qu'une diode 36 à tension de claquage élevée est insérée dans une ligne pour l'application d'un signal de commande, provenant du microprocesseur 20, à une borne d'entrée de chaque Cl d'attaque de grille 30, au lieu de la diode 32 représentée sur la figure 1, placée entre chaque Cl d'attaque de grille 30 et la source d'énergie commandée 34. La diode 36 est connectée dans le sens direct de façon qu'un courant ne circule pas à travers la diode 36 vers le microprocesseur 20. Par conséquent, la surtension tran- sitoire et la surintensité transitoire dans le circuit du module de puis- sance 10 sont bloquées, et la défaillance du microprocesseur 20 ou de la source d'énergie commandée 34 des Cl d'attaque de grille 30 peut être évitée. En outre, il est souhaitable d'insérer des diodes 36 à tension de claquage élevée non seulement pour les lignes pour appliquer des signaux de commande provenant du microprocesseur 20 aux Cl d'attaque de grille (LVIC) 30 dans la branche inférieure, mais également pour des lignes pour appliquer des signaux de commande provenant du microprocesseur 20 aux Cl d'attaque de grille (HVIC) 28 dans la branche supé- rieure (voir la figure 5). L'influence de la surtension transitoire et de la surintensité transitoire dans le module de puissance 10 sur un circuit périphérique tel que la source d'énergie commandée 34 ou le microprocesseur 20, peut alors être pratiquement complètement évitée. En outre, les diodes 36 peuvent être placées à l'intérieur ou à l'extérieur du module de puissance 10. Dans les premier et deuxième modes de réalisation de l'invention, une ligne pour appliquer le signal de commande pour chaque Cl d'attaque de grille 28, 30 est connectée à la masse (ou rappelée au ni-veau bas) par l'intermédiaire d'une résistance, à l'intérieur du Cl lui- même. L'invention n'est cependant pas limitée aux lignes de signal d'entrée rappelées au niveau bas. La figure 3 montre un circuit d'attaque de moteur triphasé différent, conforme à un troisième mode de réalisation de l'invention. Le circuit d'attaque diffère de celui représenté sur la figure 1 par le fait que des photocoupleurs 38 sont utilisés pour isoler électriquement le microprocesseur 20 vis-à-vis des puces de puissance 22, 24. Une ligne de sortie du microprocesseur 20 est connectée à un élément (diode) d'émission de lumière 40 dans le photocoupleur 38, tandis qu'un élément (diode) de réception de lumière 44 à l'intérieur de celui-ci est connecté dans le sens inverse entre la source d'énergie commandée 34 et la base d'un transistor 42. Le collecteur du transistor 42 est connecté au Cl d'attaque de grille 30 et à une résistance de rappel au niveau haut 45, qui est connectée entre le collecteur du transistor 42 et la source d'énergie commandée 34. L'émetteur du transistor 42 est connecté à la masse du module de puissance 10. Contrairement au circuit d'attaque représenté sur la figure 1, les diodes 32 à tension de claquage élevée, entre la source d'énergie commandée 34 de ce circuit et le Cl d'attaque de grille 30 ne sont pas utilisées. Dans le circuit d'attaque, par exemple, si l'une des puces de puissance 24 dans la branche inférieure est détruite, ce qui place l'émetteur en circuit ouvert, ou si la résistance 16 pour détecter le courant est en circuit ouvert, une tension élevée est appliquée au Cl d'attaque de grille 30 et au photocoupleur 38, et ceci peut détruire le photocoupleur 38. Pour éviter cette défaillance, une diode 46 à tension de claquage éle- vée est insérée entre une borne d'entrée du Cl d'attaque de grille 30 et le photocoupleur 38, de façon à ne pas permettre la circulation d'un courant à partir de chaque Cl d'attaque de grille 30, par l'intermédiaire de la ligne de signal d'entrée, vers une borne de sortie du photocoupleur 38. Par conséquent, le courant ne circule pas vers le photocoupleur 38, et la dé- faillance du photocoupleur 38 peut être évitée. En outre, il est souhaitable d'insérer une diode 46 à tension de claquage élevée entre un CI d'attaque de grille 28 et une borne de sortie d'un photocoupleur 38 de la branche supérieure, aussi bien qu'entre chaque Cl d'attaque de grille 30 et la borne de sortie du photocoupleur 38 pour la branche inférieure. L'influence de la surtension transitoire et de la surintensité transitoire dans le module de puissance 10, comme un endommagement de photocoupleur 38 dans un circuit périphérique tel que le photocoupleur 38, peut ainsi être pratiquement complètement évitée. La figure 4 montre un circuit d'attaque de moteur triphasé supplémentaire, conforme à un quatrième mode de réalisation de l'invention. Dans le circuit d'attaque, les diodes 46 à tension de claquage élevée sont insérées entre la borne d'entrée du Cl d'attaque de grille 30 et le photocoupleur 38, de façon similaire au circuit représenté sur la figure 3, afin d'empêcher la défaillance des photocoupleurs 38. En outre, un condensateur 48 et une résistance 50 sont connectés en parallèle entre une ligne allant de l'une des diodes 46 vers le Cl d'attaque de grille 30 pertinent et la masse. Le condensateur 48 fonctionne comme un filtre d'entrée. Lorsque le condensateur 48 est inséré du côté destiné à rece- voir un signal de chaque CI d'attaque de grille 30, si le transistor de réception de lumière dans le photocoupleur 38 passe au niveau bas, une réponse est retardée à cause de la décharge de la capacité par l'intermédiaire de la résistance de rappel au niveau bas, ayant une valeur de résistance relativement élevée, incorporée dans le Cl d'attaque de grille 30, jusqu'à ce que le signal d'entrée du Cl d'attaque de grille 30 atteigne le niveau bas. La résistance 50 est alors montée en parallèle sur le condensateur 48 dans le but de raccourcir le temps de retard. La cons-tante de temps de la réponse due au condensateur 48 et à la résistance 50 peut être déterminée conformément à un temps de réponse désiré. Il est également avantageux de prévoir une combinaison du premier mode de réalisation pour la borne de source d'énergie avec le deuxième ou le troisième mode de réalisation pour les bornes d'entrée. Dans la combinaison, l'influence sur un circuit périphérique de la surtension transitoire et de la surintensité transitoire dans le module de puissance 10, peut être pratiquement complètement évitée. Par exemple, la figure 5 montre un circuit d'attaque de moteur triphasé sous la forme d'une combinaison des premier et deuxième modes de réalisation. Dans le circuit d'attaque, une diode commune 32 ayant une tension de claquage élevée est placée entre une source d'énergie commandée 34 et des Cl d'attaque de grille 28, 30. La diode 32 est connectée non seulement à chaque Cl d'attaque de grille 30 dans la branche inférieure, comme représenté sur les figures 1 et 2, mais également à chaque Cl d'attaque de grille 28 dans la branche supérieure. En outre, des diodes 36 à tension de claquage élevée sont incorporées entre le microprocesseur 20 et les Cl d'attaque de grille 30 dans la branche inférieure. En outre, des diodes 36 à tension de claquage élevée sont également incorporées entre le microprocesseur 20 et les Cl d'attaque de grille 28 dans la branche supérieure. Les détails de leurs fonctions ont déjà été expliqués dans chaque mode de réalisation. Dans les modes de réalisation mentionnés précédemment, les modules de puissance sont principalement décrits. Cependant, un dispositif à semiconducteur de puissance peut également être fabriqué en intégrant les éléments du circuit inclus dans l'un des modules de puissance avec la source de puissance continue 12, 14. Lorsqu'on utilise un tel dispositif à semiconducteur de puissance, le câblage associé devient plus simple, et un appareil utilisant le dispositif à semiconducteur de puissance intégré peut être assemblé plus aisément. Bien que la présente invention ait été complètement décrite en relation avec ses modes de réalisation préférés, en référence aux des- sins annexés, il faut noter que divers changements et modifications apparaîtront à l'homme de l'art. On doit considérer que de tels changements et modifications sont inclus dans le cadre de la présente invention, tel qu'il est défini par les revendications annexées, sauf s'ils s'en écartent. REVENDICATIONS 1. Dispositif à semiconducteur de puissance, caractérisé en ce qu'il comprend: un premier élément semiconducteur de commutation de puissance (22) d'un côté de tension élevée et un deuxième élément semi- conducteur de puissance (24) d'un côté de tension basse connectés en série, deux extrémités des éléments semiconducteurs de commutation (22, 24) connectés en série pouvant être connectées à une source d'énergie à courant continu (12) externe, un point de connexion entre les premier et deuxième éléments semiconducteurs de commutation de puis- sance (22, 24) pouvant fournir une tension de sortie; des premières diodes formant diodes de roue libre (26), chacune d'elles étant connectée en parallèle et en inverse sur l'un des premier et deuxième éléments semi- conducteurs de commutation de puissance (22, 24); un premier circuit d'attaque (28) connecté à une grille du premier élément semiconducteur de commutation de puissance (22); un deuxième circuit d'attaque (30) connecté à une grille du deuxième élément semiconducteur de commutation de puissance (24); et une deuxième diode (32, 36, 46) connectée à une ligne devant être connectée à une borne d'au moins un des premier et deuxième circuits d'attaque (28, 30), en sens direct, de façon qu'un courant ne circule pas dans la ligne partant de la borne, en traversant la deuxième diode (32, 36, 46). 2. Dispositif à semiconducteur de puissance selon la revendication 1, comprenant en outre une source d'énergie commandée (34), et dans lequel la borne comprend une borne de source d'énergie (Vcc) et la deuxième diode (32, 36, 46) est connectée entre la borne de source d'énergie (Vcc) et la source d'énergie commandée (34). 3. Dispositif à semiconducteur de puissance selon la revendication 1 ou 2, caractérisé en ce que la borne comprend une borne d'entrée (IN) destinée à recevoir un signal de commande pour l'au moins un des premier et deuxième circuits d'attaque (28, 30), et la deuxième diode (36) peut être connectée à un dispositif (20) pour générer le signal de com- mande, de façon que la deuxième diode (36) soit connectée entre la borne d'entrée (IN) et le dispositif (20). 4. Dispositif à semiconducteur de puissance selon la revendication 1 ou 2, comprenant en outre un photocoupleur (38) pour fournir un signal de commande pour l'au moins un des premier et deuxième circuits d'attaque (28, 30), et dans lequel la borne comprend une borne d'entrée (IN) pour recevoir le signal de commande provenant du photocoupleur (38), et la deuxième diode (46) est connectée entre la borne (IN) et le photocoupleur (38). 5. Dispositif à semiconducteur de puissance selon la revendication 4, caractérisé en ce qu'il comprend en outre un condensateur (48) et une résistance (50) connectés à un point entre la deuxième diode (46) et la borne d'entrée (IN), et connectés en parallèle à une masse du dispositif à semiconducteur de puissance. 6. Dispositif à semiconducteur de puissance selon l'une quel-conque des revendications 1 à 5, caractérisé en ce qu'une tension de claquage de la deuxième diode (32, 36, 46) est supérieure à une tension continue devant être appliquée aux premier et deuxième éléments semi-conducteurs de commutation de puissance (22, 24) connectés en série. 7. Dispositif à semiconducteur de puissance selon l'une quel-conque des revendications 1 à 6, caractérisé en ce que l'au moins un des premier et deuxième circuits d'attaque (28, 30) comprend le deuxième circuit d'attaque (30). 8. Dispositif à semiconducteur de puissance selon l'une quel- conque des revendications 1 à 6, caractérisé en ce que l'au moins un des premier et deuxième circuits d'attaque (28, 30) comprend les premier et deuxième circuits d'attaque (28, 30). 9. Dispositif à semiconducteur de puissance selon l'une quel-conque des revendications 1 à 8, comprenant en outre une résistance (16) à travers de laquelle un courant circule entre un côté de niveau bas de la source d'énergie à courant continu (12) et le deuxième élément semiconducteur de commutation de puissance (24). 10. Dispositif à semiconducteur de puissance selon l'une quel-conque des revendications 1 à 9, caractérisé en ce que les premier et deuxième éléments semiconducteurs de commutation de puissance (22, 24) sont des transistors à effet de champ métal-oxyde-semiconducteur ou des transistors bipolaires à grille isolée. 11. Dispositif à semiconducteur de puissance selon l'une quel-conque des revendications 1 à 10, caractérisé en ce que le dispositif à semiconducteur de puissance est un dispositif à semiconducteur de puissance triphasé (10) incluant trois combinaisons des premier et deuxième éléments semiconducteurs de commutation de puissance (22, 24), et les premier et deuxième circuits d'attaque (28, 30). 12. Dispositif à semiconducteur de puissance selon l'une quel- conque des revendications 1 à 11, comprenant en outre une source d'énergie à courant continu, et dans lequel deux extrémités des éléments semiconducteurs de commutation de puissance (22, 24) connectés en série sont connectées à la source d'énergie à courant continu (12).