FR 2887160 A1 20061222 FR 0506091 A 20050616 PROCEDE D'APPLICATION D'UNE COUCHE MINCE DISCONTINUE SUR UN SUBSTRAT Domaine technique de l'invention L'invention se situe dans le domaine technologique des matériaux en couche mince appliqués sur des substrats, et destinés notamment à être utilisés comme écrans d'affichage. L'invention concerne plus spécifiquement un procédé pour former, par pression et repoussage, une couche mince discontinue formant des proéminences sur le substrat. Etat de la technique antérieure Les moyens pour fabriquer des éléments minces, comme par exemple des semi-conducteurs ou des transistors, sont connus dans l'état de la technique. La demande de brevet US 2004/0002216 décrit un procédé et un système pour former un élément semi-conducteur destiné à la micro-électronique. L'élément semi-conducteur est formé à partir d'un substrat, de préférence flexible, sur lequel sont déposés au moins une couche mince de résine. L'ensemble forme une couche continue sur le substrat. Un outil d'estampage forme, dans la résine, une structure en trois dimensions en un seul bloc, c'est-à-dire que la couche continue présente des hauteurs différentes et est formée en une seule partie. Puis, des parties de la couche mince sont enlevées par un procédé de gravure anisotropique, rendant ainsi l'ensemble des couches discontinu sur le substrat. Lors de la mise en oeuvre du procédé décrit, la transition couche continue-couche discontinue est opérée par enlèvement de matière. Les étapes successives de production de l'élément semi-conducteur permettent de respecter le degré de précision géométrique recherché. Pour réaliser des formes discontinues de couche, le procédé décrit dans la demande de brevet US 2004/0002216 opère par des opérations successives de dépôt de couche, d'emboutissage, et d'enlèvement de matière, ce qui présente l'inconvénient de ne pas optimiser l'utilisation de matière. Ce procédé génère par conséquent des déchets et génère des coûts de production inhérents à ces déchets et à la succession d'opérations. La demande de brevet US 2004/0075155 divulgue un procédé de production d'un transistor. Le procédé permet de déposer au moins une couche d'un matériau électriquement conducteur sur un substrat, puis d'opérer, avec un dispositif presseur préalablement chauffé, une pression sur la couche déposée pour insérer par poinçonnage la partie de la couche sur laquelle est exercée une pression, dans le substrat, en déformant simultanément ce dernier. Ce procédé a pour objectif de réduire le coût de fabrication des transistors. Le brevet US 5 234 717 divulgue un procédé pour graver rapidement des matériaux minces, et préférentiellement des disques optiques. La formation d'empreintes, par exemple annulaires pour les disques optiques, est opérée à la surface du matériau couché sur le substrat du disque. Ces empreintes, de dimensions inférieures au micromètre (en largeur et profondeur) sont réalisées superficiellement, sur la surface couchée, sans la traverser. Exposé de l'invention L'invention a pour objet un procédé pour fournir un substrat sur lequel se présentent une ou plusieurs couches en matériau mince. Chaque couche présente des parties proéminentes discontinues disposées en relief sur le substrat. Le procédé a pour objet de ne pas présenter les inconvénients et les difficultés ou contraintes de maîtrise des opérandes liés aux procédés de la technique antérieure. L'invention possède l'avantage de pouvoir réaliser des couches discontinues suivant une large gamme d'épaisseurs pouvant aller de quelques dixièmes de micromètres à quelques centaines de micromètres. L'invention a plus spécifiquement pour objet un procédé pour former, à partir d'une couche continue en matériau mince déposée sur un substrat, une couche discontinue en au moins deux parties sur le substrat, selon les étapes suivantes: a) appliquer la couche continue sur le substrat, la couche continue étant appliquée sur le substrat en phase liquide ou bien, alternativement, en phase gélifiée; b) gélifier, si nécessaire, la couche mince continue appliquée sur le substrat; c) faire pénétrer, au travers de toute l'épaisseur de la couche mince continue maintenue à l'état de gel, au moins un élément proéminent d'un dispositif de repoussage, l'élément proéminent pénétrant dans la couche continue sous l'effet d'une pression en repoussant une même quantité du matériau formant la couche mince dans chacune des parties formées de la couche discontinue; d) retirer l'élément proéminent de la couche discontinue formée. La couche continue qui est appliquée sur le substrat peut elle-même être composée d'une pluralité de couches distinctes. L'invention a pour objet un procédé tel que décrit ci-dessus, et comprenant en outre une étape de solidification de la couche discontinue formée; cette solidification étant opérée après l'étape de retrait de l'élément proéminent de la couche discontinue. Selon un autre mode de réalisation du procédé de l'invention, l'élément proéminent du dispositif de repoussage est retiré de la couche discontinue après l'étape de solidification de la couche discontinue formée. L'élément proéminent du dispositif de repoussage pénètre dans la couche continue, ou est retiré de la couche discontinue formée, selon une direction perpendiculaire à la surface du substrat. Il est d'autre part nécessaire que l'élément proéminent n'entre pas en contact avec la surface supérieure externe et opposée au substrat de la couche discontinue. L'élément proéminent est composé d'un matériau métallique, comme par exemple un acier, et il pénètre dans la couche continue sous l'effet d'une pression appliquée à ladite couche comprise de préférence entre 1 MPa et 1000 MPa, de manière à former la couche discontinue. Dans un mode de réalisation particulier, l'élément proéminent pénètre dans la couche continue, ou est retiré de la couche discontinue formée, selon un mouvement de rotation autour d'un axe parallèle à ladite couche. L'invention a pour objet un procédé dans lequel au moins deux couches en matériau mince sont appliquées sur le substrat, et dans lequel on applique à chacune desdites couches, successivement, toutes les étapes du procédé exposé ci-dessus. Le dispositif de repoussage de l'invention comprend avantageusement une pluralité d'éléments proéminents composés chacun d'un matériau métallique. L'invention a également pour objet un substrat sur lequel sont déposées une ou plusieurs couches en matériau mince présentant chacune une empreinte formée d'au moins deux parties proéminentes pratiquées dans toute l'épaisseur de la couche en matériau mince, la proéminence étant obtenue avec le procédé de l'invention exposé ci-dessus. Le substrat est un matériau rigide constitué par exemple de métal, ou de verre, ou de silicium. Le substrat peut aussi être un matériau flexible constitué par exemple de polyester, ou de papier, ou d'acétate de cellulose. La couche en matériau mince est composée avantageusement d'un mélange contenant de la gélatine et de l'eau. Les parties proéminentes formées sont par exemple de formes carrées ou rectangulaires, suivant une section dans un plan parallèle au substrat. La couche en matériau mince peut être conductrice d'électricité, et le substrat est ainsi utilisé avantageusement comme écran d'affichage électronique, antenne radiofréquence (utilise des fréquences radio), ou support de circuit électrique ayant des fonctions électroniques au travers de la couche en matériau mince. D'autres caractéristiques et avantages de l'invention apparaîtront à la lecture de la description qui suit, faite en référence aux différentes figures. Brève description des dessins La figure 1 représente une couche continue en matériau mince déposée sur un substrat. La figure 2 représente schématiquement un premier mode de réalisation de l'invention appliqué à un substrat sur lequel est déposée une couche en matériau mince. La figure 3 représente une section pratiquée dans un substrat et dans une couche discontinue produite selon l'invention. La figure 4 représente schématiquement un second mode de réalisation de l'invention appliqué à un substrat sur lequel sont déposées deux couches en matériau mince. La figure 5 représente un exemple de forme d'une empreinte pratiquée dans une couche en matériau mince. La figure 6 représente schématiquement un troisième mode de réalisation de l'invention appliqué à un substrat sur lequel est déposée une couche en matériau mince. Description détaillée de l'invention La description suivante est une description détaillée des principaux modes de réalisation de l'invention, en référence aux dessins, dans lesquels les mêmes références identifient les mêmes éléments dans chacune des différentes figures. La figure 1 représente une couche continue 2A en matériau mince déposée sur un substrat 1. Le substrat 1 est un support pour la couche continue, et il peut être rigide ou flexible. Le substrat 1 est préférentiellement flexible, et composé d'un matériau comme par exemple du polyester. Mais le substrat 1 peut aussi être un support rigide, par exemple en métal, ou en verre, ou en silicium. La couche continue 2A est une couche mince, c'est-à-dire que son épaisseur est par exemple comprise entre quelques dixièmes de micromètres et quelques centaines de micromètres. La couche 2A est composée, par exemple, d'un mélange qui contient de la gélatine et de l'eau. La couche 2A peut être conductrice de l'électricité, par exemple en contenant un polymère conducteur, ou des particules métalliques. La couche 2A peut posséder en outre des caractéristiques optiques particulières, par exemple en contenant un colorant ou des particules qui diffusent la lumière. Selon le procédé de l'invention, et suivant une première étape, la couche continue 2A est appliquée sur le substrat 1 de manière uniforme sur toute la surface du substrat. La couche 2A est appliquée sur le substrat soit en phase liquide, soit avantageusement en phase de gel ou gélifiée. Lorsque la couche 2A est appliquée sur le substrat en phase liquide, la viscosité de la couche est comprise généralement entre 50 mPa. s et 300 mPa.s. Dans un mode de réalisation préférentiel, la viscosité de la couche est comprise entre 150 mPa.s et 250 mPa.s. Les techniques de dépôt de la couche 2A en phase liquide peuvent être les suivantes: électropolymérisation, polymérization par plasma, polymérisation en phase vapeur, pulvérisation, dépôt à l'aide d'un applicateur, dépôt par trempage, dépôt par étalement, dépôt par report de liquide à partir d'un cylindre gravé, dépôt à la cuvette avec limitation de la couche par un jet d'air, dépôt à la racle, dépôt avec des rouleaux, couchage au moyen d'une vis hélicoïdale, dépôt par centrifugation, dépôt par une fente, dépôt par le procédé dit de cascade ou de rideau. Les trois dernières techniques citées qui peinnettent de déposer plusieurs couches uniformes à la fois, et de manière maîtrisée, sont particulièrement intéressantes à utiliser lorsque la couche liquide déposée est composée d'une superposition de plusieurs couches uniformes. Le choix de la technique de dépôt sera également fonction de l'épaisseur couchée, du type de matériau à déposer, du support (substrat), et des contraintes économiques et de qualité. Après que la couche 2A ait été appliquée en phase liquide sur le substrat 1, 10 elle est gélifiée, c'est-à-dire qu'elle est mise sous la forme d'une phase solide aisément déformable. Cet état de gel peut être atteint avec un procédé de refroidissement, ou à l'inverse, par un chauffage, ou bien encore par réaction chimique entre les constituants. Suivant une troisième étape du procédé, la couche 2A est maintenue à l'état de gel, et un élément proéminent 4 d'un dispositif de repoussage 3 pénètre au travers de toute l'épaisseur de la couche 2A. L'élément proéminent 4 pénètre préférentiellement dans la couche 2A, suivant une direction perpendiculaire à la surface du substrat 1, c'est-à-dire aussi suivant une direction perpendiculaire à la surface de la couche 2A. L'élément proéminent 4 est géométriquement défini, pour être poussé au travers de la couche 2A sous l'effet d'une force générant, sur la couche 2A, une pression avec un moyen (non représenté) propre au dispositif de repoussage. La pression déterminée sur la couche 2A au niveau de la partie inférieure 12 de l'élément proéminent 4 est comprise généralement entre 1 mégapascal (MPa) et 1000 MPa. Pour que la couche devienne discontinue, la pression est adaptée à une valeur minimale qui dépend de l'épaisseur du matériau constituant la couche mince, de sa résistance mécanique, des dimensions de la surface 12, et du temps d'application de la poussée. Suivant les figures 2 et 3, l'élément proéminent 4 présente des formes 12 pour réaliser une seule ou une pluralité de partie(s) proéminente(s) 11 dans la 30 couche 2A. Dans un mode de réalisation avantageux, le dispositif de repoussage 3 comprend une pluralité d'éléments proéminents 4, destinés à former des proéminences dans la couche mince, comme par exemple les proéminences représentées dans la figure 5. Chaque proéminence est, par exemple, de forme carrée ou rectangulaire. Mais les proéminences peuvent aussi, par exemple, générer des formes de segments formant des chiffres, des lettres d'un alphabet, voire des symboles ou des graphismes particuliers. Elles peuvent aussi former des lignes droites, courbes, ou en spirales, pour assurer la fonction d'antenne radiofréquence, ou bien des éléments ponctuels pour former des transistors. L'antenne radiofréquence est par exemple utilisée sur des étiquettes qui sont destinées à être radioidentifiées. Selon les figures 2 et 4, le dispositif de repoussage 3 comprend une pluralité d'éléments proéminents 4, séparés par des parties creuses 4C. Cette pluralité d'éléments proéminents 4 séparés par des parties creuses 4C, peut ainsi former, dans la couche 2A, une proéminence ayant préférentiellement une section carrée (voir aussi figure 5). La proéminence 11 est formée dans la couche mince par la combinaison des parties inférieures 12, et d'une partie centrale creuse 4C du dispositif de repoussage 3. Chaque proéminence 11 ainsi formée est isolée d'une autre proéminence. Dans un mode de réalisation particulier, et selon les figures 2, 4, 5, chaque partie creuse 4C est entourée d'un quadrillage d'éléments proéminents 4, pour former sur le substrat 1, des parties proéminentes 11 entrecoupées de rainures plus étroites de largeur 13. Les parties proéminentes 11 ont une largeur qui correspond à une dimension 7, à laquelle on retranche deux fois la valeur d'un espace 13 existant entre deux parties proéminentes 11 consécutives. La dimension de l'espace 13 correspond à une dimension de la partie inférieure 12 de l'élément proéminent 4, et la dimension de la partie proéminente 11 matérialisée par les arêtes 14 correspond à une dimension de la partie creuse 4C de l'élément proéminent 4. D'autres formes géométriques de couche discontinue formant les proéminences peuvent être réalisées: par exemple des fou les rectangulaires ou hexagonales (alvéolaires). B s'agit simplement d'adapter les formes et dimensions de la partie inférieure 12 de l'élément proéminent 4 aux formes de parties proéminentes 11 envisagées. Selon un mode particulier d'utilisation de l'invention, on peut définir des parties proéminentes 11 conductrices de l'électricité et de formes linéaires ou courbes pour former avantageusement des pistes d'un circuit électrique. Selon la figure 3, une caractéristique essentielle de l'invention est qu'une même quantité 8 du matériau est repoussée dans chacune des parties proéminentes 11 formées de la couche discontinue 2. La quantité de matière repoussée 8 est répartie uniformément tout au long des arêtes 14 de la partie proéminente 11. Le procédé présente l'avantage, hormis les zones qui correspondent à la quantité de matière 8 repoussée le long des arêtes 14, d'obtenir une bonne uniformité de la surface et de l'épaisseur de couchage de chacune des parties proéminentes 11 qui forment la couche discontinue. Cet avantage est intéressant, notamment lorsqu'on recherche la précision dimensionnelle pour réaliser un écran d'affichage ou un circuit imprimé. Suivant une quatrième étape du procédé, selon la figure 2, et selon un premier mode de réalisation, l'élément proéminent 4 pénètre dans toute l'épaisseur 5 de la couche 2A (c'est-à-dire l'intégralité de cette épaisseur), pour former la couche discontinue 2, et l'élément proéminent 4 est retiré de la couche discontinue 2 qui vient d'être formée, ladite couche 2 restant dans l'état de gel lors du retrait de l'élément proéminent 4. Dans ce mode de réalisation, le substrat 1 est préalablement posé ou fixé sur une surface plane d'un support plat (non représenté sur la figure 2), et le dispositif de repoussage 3 est disposé, par exemple, au-dessus de ce support plat. Dans une cinquième et dernière étape, suivant le procédé de l'invention, la couche discontinue 2 est transformée de l'état de gel à un état solide rigide. Pour opérer cette transformation de l'état de gel à l'état solide, des procédés techniques connus peuvent être utilisés, comme par exemple l'évaporation d'un solvant contenu dans la couche discontinue formée, ou la réticulation d'un polymère contenu dans la couche discontinue sous l'effet d'un rayonnement UV (ultraviolet), ou encore par réaction chimique entre les composants contenus dans la couche. Dans une variante du premier mode de réalisation précédemment décrit (retrait de l'élément proéminent avant l'étape de solidification), l'élément proéminent est retiré de la couche discontinue 2 formée, après l'étape de solidification de ladite couche 2. La figure 4 représente un second mode de réalisation de l'invention. Dans ce cas, deux couches discontinues 9 et 2, sont appliquées puis formées successivement sur le substrat 1. Toutes les étapes du procédé décrites ci-dessus sont opérées successivement, et respectivement pour chacune des deux couches. Une première couche continue est appliquée sur le substrat 1; puis on opère le procédé de l'invention, pour former la première couche discontinue 9 (sous-couche). Ensuite, une seconde couche continue est appliquée sur le substrat 1; puis on opère de nouveau le procédé de l'invention, pour former la seconde couche discontinue 2. Dans ce mode de réalisation, le substrat 1 est préalablement posé ou fixé sur une surface plane d'un support plat (non représenté sur la figure 2), et le dispositif de repoussage 3 est disposé, par exemple, au-dessus du support plat. Une autre caractéristique de l'invention est que, suivant les figures 1 et 2, la hauteur 6 de l'élément proéminent 4 soit supérieure à la hauteur 5, de la couche mince déposée sur le substrat 1. La hauteur 5 correspond à l'épaisseur de la couche 2A juste avant pénétration de l'élément proéminent 4. Suivant les figures 2 ou 4, il est nécessaire de prévoir suffisamment de différence entre la hauteur 6 de l'élément proéminent 4 et la hauteur 5 de la couche mince, pour que la légère surépaisseur créée par la matière repoussée 8 le long des arêtes de la partie proéminente 11 ne produise pas un contact de la couche discontinue 2 founée, avec la partie avoisinante 15 du dispositif de repoussage 3, sur lequel est, par exemple, fixé l'élément proéminent 4. Dans un mode de réalisation particulier, la hauteur 5 est, par exemple, avantageusement comprise entre 0,5 mm et 1,0 mm; ceci, pour une couche mince qui mesure pratiquement 0,2 mm d'épaisseur avant pénétration de l'élément proéminent 4. La même couche mince n'ayant plus qu'une épaisseur de 0,02 mm après séchage, c'est-à- dire lorsqu'elle a été transformée à l'état solide par un procédé d'évaporation du solvant. Toutes les étapes du procédé de l'invention décrites précédemment peuvent être opérées itérativement pour chacune des couches d'un substrat (non représenté) sur lequel sont appliquées au moins trois couches. La figure 6 représente schématiquement un troisième mode de réalisation de l'invention appliqué au substrat 1 sur lequel est déposée une couche en matériau mince 2A. Ce troisième mode de réalisation correspond, non plus à un procédé mis en oeuvre à plat, comme les modes de réalisation décrits ci-dessus, mais au défilement du substrat entre deux rouleaux de révolution, préférentiellement de lo forme cylindrique. Un premier rouleau 16 est par exemple placé en face d'un second rouleau 17. La surface du rouleau 16 est utilisée comme un support sur lequel s'appuie le substrat 1 avec une certaine tension, par unité de largeur du support. Cette tension est typiquement comprise entre 100 N/m et 500 N/m. Le rouleau 16 tourne par exemple dans un sens en faisant défiler le substrat par rapport au second rouleau 17. Le rouleau 17 est muni d'éléments proéminents 4 placés sur sa surface extérieure. Pour mettre en oeuvre le procédé de l'invention, le rouleau 17 est destiné à tourner dans le sens inverse du rouleau 16. Le rouleau 17 tourne à la même vitesse de translation instantanée (vitesse linéaire) que le rouleau 16: vitesse mesurée à un point des surfaces respectives desdits rouleaux. Il n'y a donc pas de glissement relatif entre les deux rouleaux 16 et 17 lors de leur rotation. Les axes de rotation respectifs des deux rouleaux 16 et 17 sont parallèles. Le rouleau 17 est amené à une distance du rouleau 16, telle qu'elle est ajustée pour permettre, lorsque le rouleau 16 fait défiler le substrat 1,que l'élément proéminent 4 du rouleau 17 pénètre simultanément au défilement au travers de toute l'épaisseur de la couche mince continue 2A, pour repousser une même quantité du matériau à l'état de gel formant la couche mince discontinue 2, dans chacune des parties formées de la couche discontinue 2. La pression appliquée à la couche mince est comprise préférentiellement entre 1 MPa et 1000 MPa. La distance inter-rouleaux est ajustée pour que l'élément proéminent 4 traverse toute l'épaisseur de la couche mince quand une section de l'élément proéminent 4 est placée dans le plan formé par les deux axes de rotation parallèles des rouleaux 16 et 17. Le rapport entre la surface de l'extrémité 12, ou la somme des surfaces des extrémités 12, du/des éléments proéminents 4 du dispositif de repoussage et la surface de la couche continue 2A appliquée sur le substrat 1, constitue le rapport de la somme des surfaces de matière repoussée 8 sur la surface totale de la couche. Pour des rapports de surface inférieurs à 0,75, des proéminences 11 ont été créées avec le constat que la totalité de la couche a été repoussée de manière uniforme le long des arêtes 14.. L'invention concerne aussi un substrat 1 sur lequel est déposée au moins une couche en matériau mince 2A présentant au moins deux parties proéminentes pratiquées dans toute l'épaisseur de la couche en matériau mince, les proéminences étant obtenues avec le procédé de l'invention exposé ci-dessus selon les modes de réalisation décrits. Le substrat selon l'invention trouve son application industrielle dans la réalisation de circuits électroniques, par exemple pour élaborer des antennes radiofréquence, des transistors avec des polymères semi-conducteurs, des pistes électriques avec des matériaux conducteurs, et des afficheurs munis de segments, ou de matrices de lignes et de colonnes. Le substrat selon l'invention peut aussi être utilisé pour réaliser des capteurs digitaux sensibles à la lumière, ou des filtres optiques pixelisés placés à l'avant d'un écran digital. Les différents paramètres opératoires permettant la mise en oeuvre de l'invention sont décrits dans les exemples ci-dessous. Exemple 1 Cet exemple est basé sur les modes de réalisation décrits qui correspondent aux figures 2 et 4. Une couche 2A d'un mélange de gélatine d'osséine chaulée à 20%, de colorant, et d'eau, ayant une viscosité de 220 mPa.s à 40 C, est enduite ou appliquée sur un support 1 en polyester dont la surface a préalablement été traitée par un gélatinage, de manière à faciliter l'adhésion. Le support en polyester est maintenu en adhérence avec une plaque métallique plane, à une température de 15 C avant, pendant et après l'enduction. L'enduction est réalisée avec un dispositif de couchage à la racle. L'épaisseur de la couche enduite est pratiquement 200 m (micromètres). La réalisation du gel est opérée par un abaissement de la température de la couche. Comme celle-ci contient de la gélatine, elle fige. Soixante secondes après l'opération d'enduction, une série de 16 (seize) proéminences 11 est formée, en faisant pénétrer dans la couche les éléments proéminents 4, perpendiculairement au substrat 1, pendant une durée d'une seconde et avec une pression de 50 MPa à la suite de laquelle le dispositif de repoussage 3 est retiré de la couche. Après élimination de l'eau par séchage, la couche présente des discontinuités et des proéminences. Les couches discontinues représentent des segments en fourre de carrés, comme représenté dans la figure 5; la largeur 7 est de 5,3 mm, et la valeur de l'espace 13 est de 0,15 mm. Le rapport entre la somme des surfaces des extrémités 12 des éléments proéminents 4 du dispositif de repoussage et la surface de la couche continue 2A est pratiquement 0,06. Une observation en coupe du substrat enduit permet de constater que la totalité de la couche 8 a été repoussée le long des arêtes 14 des proéminences 11. Exemple 2 Cet exemple est basé sur le mode de réalisation décrit qui correspond à la figure 6. Une couche 2A d'un mélange de gélatine d'osséine chaulée à 20%, de colorant, et d'eau, ayant une viscosité de 220 mPa.s à 40 C est enduite (appliquée) sur un support en polyester dont la surface a préalablement été traitée par un gélatinage, de manière à faciliter l'adhésion. Le procédé de couchage utilisé est la cascade. Le support en polyester d'une épaisseur de 100 micromètres est maintenu à une température de 5 C après l'enduction. L'épaisseur de la couche 2A est de 85 20!lm (micromètres). Soixante secondes après l'opération d'enduction, une proéminence est formée avec la couche en faisant pénétrer dans la couche le cylindre rotatif' 17 pendant une durée inférieure à 0,1 seconde. Après élimination de l'eau par séchage, la couche présente des discontinuités et des proéminences. Les couches discontinues représentent des segments en forme de carrés, comme représenté dans la figure 5la largeur 7 est de 4,1 mm, et la valeur de l'espace 13 est de 0,10 mm. Le rapport entre la somme des surfaces des extrémités 12 des éléments proéminents 4 du dispositif de repoussage et la surface de la couche continue 2A est pratiquement 0,05. Une observation en coupe du substrat enduit permet de constater que la totalité de la couche 8 a été repoussée de façon uniforme le long des arêtes 14 des proéminences 11. Exemple 3 Cet exemple correspond au mode de réalisation représenté dans la figure 6. La couche 2A, le type de couchage, le support et les conditions opératoires sont identiques à ceux de l'exemple 2. Les couches discontinues représentent des segments en forme de carrés similaires à ceux de la figure 5; les largeurs 7 sont de 3,0 mm et la valeur de l'espace 13 est de 1,0 mm. Le rapport entre la somme des surfaces desextrémités 12 des éléments proéminents 4 du dispositif de repoussage et la surface de la couche continue 2A est pratiquement 0,75. Suivant une réalisation particulière, les bords des carrés sont alignés suivant les axes de rotations des cylindres. Suivant une autre réalisation particulière, les bords des canés forment un angle de 45 degrés suivant l'axe de défilement du support. Dans les deux cas une observation en coupe du substrat enduit permet de constater que la totalité de la couche 8 a été repoussée de façon uniforme le long des arêtes 14 des proéminences 11. Exemple 4 Cet exemple est également basé sur le mode de réalisation représenté dans la figure 6. La couche 2A est identique à celle utilisée dans l'exemple 2. Le procédé de couchage utilisé est la cascade. Le support en polyester d'épaisseur 100 micromètres est maintenu à une température de 5 C après l'enduction. L'épaisseur de la couche 2A est de 21 m (micromètres). Soixante secondes après l'opération d'enduction, une proéminence est formée, en faisant pénétrer dans la couche le cylindre rotatif 17 pendant une durée inférieure à 0,1 seconde. Après élimination de l'eau par séchage, la couche présente des discontinuités et des proéminences. L'épaisseur sèche de la couche au centre des proéminences 11 est de 3 micromètres. Les couches discontinues représentent des segments en forme de huit . Une observation en coupe du substrat enduit permet de constater que la totalité de la couche 8 a été repoussée de façon uniforme le long des arêtes des proéminences 11. Exemple 5 Cet exemple est basé sur le mode de réalisation qui correspond à la figure 6. La couche 2A, le procédé de couchage, le support et les conditions opératoires sont identiques à ceux de l'exemple 4. Les couches discontinues représentent des lignes courbes en forme de spirales. Une observation en coupe du substrat enduit permet de constater que la totalité de la couche 8 a été repoussée de façon uniforme le long des arêtes des proéminences 11. L'invention a été décrite en référence aux modes de réalisation préférés, mais il est évident que les modes de réalisation présentés sont illustratifs, et ne sont pas restrictifs quant à la protection revendiquée. REVENDICATIONS 1 - Procédé pour former une couche discontinue (2) en au moins deux parties (11) sur un substrat (1), comprenant les étapes suivantes: a) appliquer une couche mince continue (2A) sur le substrat (1); b) gélifier la couche mince continue (2A) appliquée sur le substrat (1); c) faire pénétrer, au travers de toute l'épaisseur (5) de la couche mince continue gélifiée, au moins un élément proéminent (4) d'un dispositif de repoussage (3), l'élément proéminent (4) pénétrant dans la couche continue pour repousser une même quantité (8) du matériau formant la couche mince dans chacune des parties de la couche discontinue (2) formée par la pénétration de l'élément proéminent (4); d) retirer l'élément proéminent (4) de la couche discontinue (2) formée. 2 - Procédé selon la revendication 1, dans lequel la couche continue (2A) appliquée sur le substrat (1) est composée d'une superposition d'au moins deux couches continues distinctes. 3 - Procédé selon l'une quelconque des revendications 1 ou 2, comprenant une étape supplémentaire de solidification de la couche discontinue (2) formée, après le retrait de l'élément proéminent (4). 4 - Procédé selon la revendication 3, dans lequel l'élément proéminent (4) est retiré de la couche discontinue (2) après l'étape de solidification de la couche discontinue formée. - Procédé selon l'une quelconque des revendications 1 à 4, dans lequel l'élément proéminent (4) pénètre dans la couche continue (2A), ou est retiré de la couche discontinue (2) formée, selon une direction perpendiculaire à la surface du substrat (1). 6 - Procédé selon l'une quelconque des revendications 1 à 4, dans lequel l'élément proéminent (4) est placé sur la surface externe d'un premier rouleau (17), le substrat (1) sur lequel est appliqué la couche continue (2A) est placé en tension sur la surface externe d'un second rouleau (16) dont l'axe de rotation est parallèle à l'axe de rotation du premier rouleau (17), pour former la couche discontinue (2) lors d'une mise en rotation des rouleaux (16), (17) à une même vitesse linéaire. 7 - Procédé selon la revendication 6, dans lequel la tension par unité de largeur de support appliquée au substrat (1) sur la surface externe du second rouleau est comprise entre 100 N/m et 500 N/m. 8 - Procédé selon l'une quelconque des revendications 1 à 7, dans lequel au moins deux couches en matériau mince continues sont déposées sur le substrat (1) pour former au moins deux couches discontinues (2), (9) en appliquant successivement, à chacune desdites couches, le procédé selon l'une quelconque des revendications 1 à 5. 9 - Procédé selon l'une quelconque des revendications 1 à 8, dans lequel la hauteur (6) de l'élément proéminent (4) est supérieure à la hauteur de la couche (2A) déposée sur le substrat (1). - Procédé selon l'une quelconque des revendications 1 à 9, dans lequel le rapport entre la surface de l'extrémité (12) du au moins un élément proéminent (4) du dispositif de repoussage (3) et la surface de la couche continue (2A) est inférieur à 0,75. 11 - Procédé selon la revendication 1, dans lequel l'élément proéminent pénètre dans la couche continue sous l'effet d'une pression appliquée à ladite couche comprise de préférence entre 1 MPa et 1000 MPa, de manière à foinier la couche discontinue. 12 - Procédé selon la revendication 1, dans lequel l'élément proéminent est composé d'un matériau métallique, comme par exemple un acier. 13 - Procédé selon la revendication 1, dans lequel la couche mince continue (2A) est appliquée en phase liquide sur le substrat (1), avec une viscosité de ladite couche comprise entre 50 mPa.s et 300 mPa.s. 14 - Procédé selon la revendication 13, dans lequel la viscosité de la couche mince 10 continue (2A) est comprise de préférence entre 150 mPa.s et 250 mPa.s. - Procédé selon la revendication 1, dans lequel la couche mince continue est appliquée en phase gélifiée sur le substrat (1). 16 - Substrat (1) sur lequel est déposée au moins une couche en matériau mince présentant au moins deux parties proéminentes (11) pratiquées dans toute l'épaisseur (5) de la couche en matériau mince, la proéminence étant obtenue avec le procédé selon l'une quelconque des revendications 1 à 15. 17 - Substrat selon la revendication 16, composé d'un matériau rigide, constitué de métal, ou de verre, ou de silicium. 18 - Substrat selon la revendication 16, composé d'un matériau flexible, constitué de polyester, ou de papier, ou d'acétate de cellulose. 19 - Substrat selon la revendication 18, dans lequel la couche en matériau mince est conductrice d'électricité. - Substrat selon la revendication 16, dans lequel la partie proéminente (11) est 30 de foilne carrée ou rectangulaire suivant une section dans un plan parallèle au substrat. 21 - Utilisation du substrat selon la revendication 19 comme écran d'affichage électronique au travers de la couche en matériau mince. 22 - Utilisation du substrat selon la revendication 19 comme antenne radiofréquence. 23 - Utilisation du substrat selon la revendication 19 comme support de circuit électrique ayant des fonctions électroniques.