FR 2887041 A1 20061215 FR 0511329 A 20051108 DISPOSITIF D'AFFICHAGE A CRISTAUX LIQUIDES EQUIPE D'UNE FONCTION DE DETECTION D'IMAGE ET SON PROCEDE DE FABRICATION L'invention concerne un dispositif d'affichage à cristaux liquides, et plus particulièrement un dispositif d'affichage à cristaux liquides comportant une fonction de détection d'image. Un dispositif d'affichage à cristaux liquides commande la transmittance d'un cristal liquide au moyen d'un champ électrique, affichant ainsi une image. Un dispositif d'affichage à cristaux liquides comporte un panneau d'affichage à cristaux liquides où des cellules de cristaux liquides sont agencées en forme de matrice, et des circuits d'attaque destinés à exciter le panneau d'affichage à cristaux liquides. Le panneau d'affichage à cristaux liquides comporte un support de matrice de transistors à couches minces et un support de matrice de filtres chromatiques, lesquels substrats sont disposés de façon à être opposés l'un par rapport à l'autre. Des espaceurs sont situés entre les deux substrats pour maintenir un écartement de cellule uniforme. Un cristal liquide est introduit dans l'écartement de cellule. Le support de matrice de transistors à couches minces comporte des lignes de grille et des lignes de données. Un transistor à couches minces ("TFT") est formé en tant que dispositif de commutation au niveau de chaque intersection des lignes de grille et des lignes de données. Des électrodes de pixels sont formées par la cellule de cristal liquide connectée aux transistors à couches minces. Un film d'alignement s'étend au-dessus des électrodes de pixels. Les lignes de grille et les lignes de données reçoivent des signaux provenant des circuits d'attaque par l'intermédiaire de chaque partie de plage de contact. Le transistor à couches minces fournit à l'électrode de pixel un signal de tension de pixel fourni à la ligne de données en réponse à un signal de balayage fourni à la ligne de grille. Le support de matrice de filtres chromatiques comporte des filtres chromatiques formés par la cellule de cristal liquide et une matrice noire afin de diviser les filtres chromatiques et de réfléchir une lumière externe. Une électrode de référence fournit habituellement une tension de référence aux cellules de cristaux liquides et un film d'alignement s'étend au-dessus de l'électrode de référence. On achève la fabrication du panneau d'affichage à cristaux liquides en injectant et en scellant le cristal liquide après avoir réalisé et collé ensemble le support de matrice de transistors à couches minces et le support de matrice de filtres chromatiques. Le dispositif d'affichage à cristaux liquides a pour fonction d'afficher une image. Le dispositif d'affichage à cristaux liquides peut ne pas avoir une fonction qui détecte et affiche une image externe qui est réalisée comme une image de contenu R. 1Rrevets/24 500124 53 8-05 1 1 03-tradTXT. doc - 3 novembre 2005 - I/24 telle qu'un document ou une image externe. Un dispositif séparé tel qu'un dispositif de détection d'image peut être nécessaire pour détecter l'image. La figure 1 est un schéma illustrant un dispositif de détection d'image 5 de l'art connexe. Le dispositif de détection d'image 5 comporte un phototransistor à couches minces 40, un condensateur de stockage 80 connecté au phototransistor à couches minces 40, un transistor de commutation à couches minces 6 situé dans la direction opposée au phototransistor à couches minces 40 avec le condensateur de stockage 80 disposé entre eux. Le phototransistor à couches minces 40 comporte une électrode de grille 8 formée sur un substrat 42; une couche active 14 chevauchant l'électrode de grille 8 avec un film d'isolation 44 de grille intercalé entre elles; une électrode source d'attaque 60 connectée électriquement à la couche active 14; et une électrode drain d'attaque 62 opposée à l'électrode source d'attaque 60. La couche active 14 est formée de façon à chevaucher l'électrode source d'attaque 60 l'électrode drain d'attaque 62, et comporte en outre une partie de canal entre l'électrode source d'attaque 60 et l'électrode drain d'attaque 62. Une couche de contact ohmique 48 est en outre formée sur la couche active 14 de façon à être en contact ohmique avec l'électrode source d'attaque 60 et l'électrode drain d'attaque 62. Le phototransistor à couches minces 40 a pour fonction de détecter la lumière liée à une image désignée telle qu'un document ou une empreinte digitale humaine. Le condensateur de stockage 80 comporte une électrode inférieure de stockage 72 connectée à l'électrode de grille 8 du phototransistor à couches minces 40, un film d'isolation 44 et une électrode supérieure de stockage 74 formée pour chevaucher l'électrode inférieure de stockage 72 et connectée à l'électrode drain d'attaque 62 du phototransistor à couches minces 40. Le condensateur de stockage 80 stocke la charge électrique générée par un courant photoélectrique. Le courant photoélectrique est généré dans le phototransistor à couches minces 40. Le transistor de commutation à couches minces 6 comporte une électrode de grille 8' formée sur un substrat 42; une électrode source 10' connectée à l'électrode supérieure de stockage 74; une électrode drain 12' opposée à l'électrode source 10' ; et une couche active 14' qui chevauche l'électrode de grille 8' et forme un canal entre l'électrode source 10' et l'électrode drain 12'. La couche active 14' est formée de façon à chevaucher l'électrode source 10' et l'électrode drain 12' et comporte en outre une partie de canal entre l'électrode source 10' et l'électrode drain 12'. Une couche de contact ohmique 48' est en outre formée sur une couche active 14' afin d'être en contact ohmique avec l'électrode source 10' et l'électrode drain 12'. Ce transistor de commutation à couches minces 6 est protégé de la lumière incidente par une couche de protection contre la lumière 41. R Brevets24500A24538-051103-tradTXT doc - 3 novembre 2005 - 2+24 L'excitation du dispositif de détection d'image 5 est expliquée. Une tension d'attaque, par exemple, environ 10V, est appliquée à l'électrode source d'attaque 60 du phototransistor à couches minces 40, et une tension de polarisation inverse, par exemple, environ -5V, est appliquée à l'électrode de grille 8. Une lumière est détectée au niveau de la couche active 14. Un trajet de courant photoélectrique est généré, lequel trajet s'étend de l'électrode source d'attaque 60 à l'électrode drain d'attaque 62 à travers le canal conformément à l'intensité lumineuse détectée. Le trajet de courant photoélectrique s'étend de l'électrode drain d'attaque 62 à l'électrode supérieure de stockage 74. L'électrode inférieure de stockage 72 est connectée à l'électrode de grille 8 du phototransistor à couches minces 40, et la charge électrique est chargée dans le condensateur de stockage 80 par le courant photoélectrique. De cette façon, la charge électrique dans le condensateur de stockage 80 est transmise au transistor de commutation à couches minces 6, et l'image est détectée par le phototransistor à couches minces 40 et peut être lue par un circuit intégré de lecture. Le dispositif séparé de détection d'image comporte un phototransistor à couches minces, un condensateur de stockage connecté au phototransistor à couches minces, et un transistor de commutation à couches minces situé dans la direction opposée au phototransistor à couches minces avec un condensateur de stockage entre eux. Tel que noté ci-dessus, le dispositif d'affichage à cristaux liquides et le dispositif de détection d'image sont construits séparément et fonctionnent pour accomplir leurs propres fonctions, respectivement. Par conséquent, on a besoin d'un dispositif d'affichage à cristaux liquides comportant une fonction de détection d'image. A titre d'introduction uniquement, dans un mode de réalisation, un dispositif d'affichage à cristaux liquides comporte une ligne de grille et une ligne de données se coupant l'une et l'autre sur un substrat. Le dispositif d'affichage à cristaux liquides comporte en outre un dispositif de photodétection et un premier transistor à couches minces ("TFT") situé au niveau d'une zone d'intersection de la ligne de grille. Le dispositif de photodétection a pour fonction de détecter une lumière ambiante et comporte un condensateur de stockage destiné à stocker une charge générée par la lumière. Le dispositif de photodétection est excité par une tension d'attaque autre que la tension de données. L'invention propose un d'affichage à cristaux liquides comprenant: une ligne de données délivrant une tension de données; une ligne de grille coupant la ligne de données; un premier transistor à couches minces ("TFT") situé au niveau d'une zone d'intersection de la ligne de grille et de la ligne de données; et R 'Brevets\24500'24538-051 I03-tradTXT doc - 3 novembre 2005 - 3'24 un dispositif de photodétection pouvant être utilisé pour détecter une lumière et comprenant un condensateur de stockage (180) pouvant être utilisé pour stocker une charge générée par la lumière, où le dispositif de photodétection est excité par une tension d'attaque autre que la tension de données. De préférence, le dispositif de photodétection comprend: un phototransistor à couches minces; et un second TFT délivrant de façon sélective un signal détecter par le phototransistor à couches minces par l'intermédiaire du condensateur de stockage. Selon un mode de réalisation, le dispositif de photodétection comprend en outre un circuit intégré (190) recevant le signal détecté provenant du second TFT. Le dispositif peut comprendre en outre une première ligne d'alimentation en tension d'attaque formée parallèlement à la ligne de grille pour délivrer une première tension d'attaque au phototransistor à couches minces. De préférence, la tension d'attaque comprend la première tension d'attaque. Le dispositif à cristaux liquides peut comprendre en outre une seconde ligne d'alimentation en tension d'attaque formée en parallèle à la première ligne d'alimentation en tension d'attaque pour délivrer la tension d'attaque au phototransistor à couches minces. De préférence, la tension d'attaque comprend la seconde tension d'attaque. Selon un mode de réalisation, la première tension d'attaque est connectée à une source du phototransistor à couches minces et la seconde tension d'attaque est connectée à une grille du phototransistor à couches minces. Le dispositif d'affichage à cristaux liquides peut comprendre en outre une ligne de transmission de signal de détection pouvant être utilisée pour transmettre le signal détecté du second TFT au circuit intégré. Selon un mode de réalisation, le phototransistor à couches minces comprend: une première électrode de grille connectée à la seconde ligne d'alimentation en tension d'attaque; une première électrode source connectée électriquement à la première ligne d'alimentation en tension d'attaque; et une première électrode drain connectée au second TFT. La première électrode source et la première ligne d'alimentation en tension d'attaque sont de préférence connectée électriquement à un motif d'électrode transparente. Selon un mode de réalisation, le condensateur de stockage comprend: une première électrode inférieure de stockage connectée à la première électrode de grille; une première électrode supérieure de stockage en face de la première électrode inférieure de stockage et connectée à la première électrode drain; et RABrevets\24500/2453& 051103-tradTXT. doc - 3 novembre 20,05 - 4/24 un film d'isolation de grille disposé entre la première électrode inférieure de stockage et la première électrode supérieure de stockage. Selon un autre mode de réalisation, le second TFT comprend: une seconde électrode de grille qui s'étend à partir de la ligne de grille; une seconde électrode source qui s'étend à partir de la première électrode supérieure de stockage; et une seconde électrode drain connectée à la ligne de transmission de signal de détection. Le dispositif peut comprendre en outre un autre condensateur de stockage comportant une électrode de pixel et une ligne de grille avoisinante d'un étage précédent, et/ou: une zone de pixel disposée au niveau de l'intersection de la ligne de données et de la ligne de grille; un support de matrice de filtres chromatiques comportant un filtre chromatique correspondant à la zone de pixel; et une matrice noire destinée à masquer une zone à l'exception du phototransistor à couches minces et de la zone de pixel. Le dispositif d'affichage à cristaux liquides comprend de préférence des pixels rouge, vert et bleu et le dispositif de photodétection est disposé dans au moins un parmi les pixels rouge, vert ou bleu. L'invention propose également un procédé de fabrication d'un dispositif d'affichage à cristaux liquides comprenant les étapes consistant à : former un motif de grille sur un support; former des premier, deuxième et troisième motifs de semi-conducteur au- dessus du motif de grille; former un premier motif source/drain, un deuxième motif source/drain, et un troisième motif source/drain sur les premier, deuxième et troisième motifs de semi-conducteur où un phototransistor à couches minces est formé avec le premier motif source/drain, un TFT de pixel est formé avec le deuxième motif source/drain et un transistor de commutation à couches minces est formé avec le troisième motif source/drain; former un film de passivation pour former un trou de contact; et former un motif d'électrode transparente qui comporte une électrode de pixel. Selon un mode de réalisation du procédé, l'étape consistant à former le motif de grille comprend en outre les étapes consistant à : former une première ligne d'alimentation en tension d'attaque de façon à ce qu'elle soit parallèle à la ligne de grille pour délivrer une première tension d'attaque au phototransistor à couches minces; R, Brevets124500124538- 051103-IradTXT. dot - 3 novembre 2005 5'24 2887041 6 former une seconde ligne d'alimentation en tension d'attaque de façon à ce qu'elle soit connectée à l'électrode de grille du phototransistor à couches minces et parallèlement à la première ligne d'alimentation en tension d'attaque; et former une première électrode inférieure de stockage de façon à ce qu'elle soit parallèle à la ligne de données et connectée à la première électrode de grille. Le procédé de fabrication peut comprendre en outre l'étape consistant à : former une première électrode supérieure de stockage de façon à chevaucher la première électrode inférieure de stockage avec un film d'isolation de grille intercalé entre elles où la première électrode supérieure de stockage forme un premier conden- to sateur de stockage avec la première électrode inférieure de stockage. Selon un mode de réalisation, l'étape consistant à former le film de passivation comprend l'étape consistant à : former un autre trou de contact qui expose la première ligne d'alimentation en tension d'attaque et un premier motif source du premier motif source/drain du phototransistor à couches minces par pénétration du film d'isolation de grille et du film de passivation. Le procédé de fabrication peut comprendre en outre l'étape consistant à : former une électrode transparente connectant électriquement le phototransistor à couches minces et la première ligne d'alimentation en tension d'attaque par l'inter- médiaire de l'autre trou de contact. Selon un autre aspect, un procédé de détection d'image d'un dispositif d'affichage à cristaux liquides est prévu. Dans le procédé de détection d'image, une lumière transportant des informations sur l'image désignée est irradiée sur un dispositif de photodétection où le dispositif de photodétection est intégré au dispositif d'affichage à cristaux liquides. La lumière irradiée sur le dispositif de photodétection est transformée en un signal désigné. Les informations relatives à l'image sont détectées sur la base du signal transformé. L'invention propose donc un procédé destiné à détecter une image dans un dispositif d'affichage à cristaux liquides, comprenant les étapes consistant à : irradier un dispositif de photodétection qui est intégré à un dispositif d'affichage à cristaux liquides avec une lumière transportant des informations relatives à une image désignée; transformer la lumière en un signal désigné ; et détecter les informations relatives à l'image sur la base du signal transformé. Selon un mode de réalisation, l'étape consistant à détecter les informations relatives à l'image comprend l'étape consistant à former les informations relatives à l'image avec une lumière réfléchie à partir d'un objet situé de façon adjacente au R,Brevets24500/24538-051 I03-tradTXT doc - 3 novembre 2005 - 6/24 dispositif d'affichage à cristaux liquides, l'objet comprenant au moins soit une main humaine soit un stylo tactile. Selon un autre mode de réalisation, l'étape consistant à détecter les informations relatives à l'image comprend l'étape consistant à détecter les informations rela-5 tives à l'image dans une zone bloquée par l'objet et une zone ouverte. Le procédé destiné à détecter une image peut comprendre en outre l'étape consistant à former des informations relatives à l'image avec au moins une parmi une lumière ambiante ou une lumière provenant d'un stylo optique. Selon un mode de réalisation, l'étape consistant à détecter les informations relatives à une image comprend l'étape consistant à détecter la clarté et l'obscurité d'une matière imprimée sur la base d'une lumière réfléchie par la matière imprimée. Selon un autre mode de réalisation, l'étape consistant à détecter les informations relatives à l'image comprend en outre I'étape consistant à détecter les informations relatives à l'image conformément à l'intensité de la lumière qui est réfléchie par une zone claire et l'intensité de la lumière qui est réfléchie par une zone sombre. Selon un autre mode de réalisation, l'étape consistant à irradier le dispositif de photodétection comprend l'étape consistant à délivrer la lumière provenant d'un autre éclairage d'un dispositif d'affichage à cristaux liquides. Selon un autre mode de réalisation, l'étape consistant à détecter les informa-20 tions relatives à une image comprend les étapes consistant à : stocker le signal transformé ; et délivrer le signal transformé stocké à un circuit de détection de signal. Les dessins annexés qui sont ici inclus pour fournir une meilleure compréhension de l'invention et qui sont incorporés à, et qui constituent une partie de cette demande, illustrent les modes de réalisation de l'invention et, conjointement avec la description, servent à expliquer le principe de l'invention. Sur les dessins: la figure 1 illustre une vue en coupe d'un dispositif de détection d'image de l'art connexe. La figure 2 est une vue en plan illustrant une zone de pixel d'un support de 30 matrice de transistors à couches minces d'un dispositif d'affichage à cristaux liquides comportant une fonction de détection d'image; les figures 3A et 3B sont des schémas en coupe réalisés respectivement le long des lignes I-I' et II-II' de la figure 2; la figure 4 est un schéma de circuit de la zone de pixel de la figure 2; la figure 5 est un schéma illustrant une zone recouverte par une matrice noire; la figure 6 est un schéma en coupe illustrant un procédé de photodétection selon un premier mode de réalisation; R. ABrevets\24500'24538-051103-tradTXT doc - 3 novembre 2005 - 7/24 les figures 7 et 8 sont des schémas de circuit illustrant le procédé de photo-détection selon le premier mode de réalisation; la figure 9 est un schéma en coupe illustrant un procédé de photodétection de la figure 6; la figure 10 est un schéma en coupe illustrant un procédé de photodétection selon un troisième mode de réalisation; les figures 11 et 12 sont des schémas en coupe illustrant un procédé de photo-détection selon un quatrième mode de réalisation; les figures 13A à 13E illustrent un procédé de fabrication d'un dispositif d'affi- chage à cristaux liquides comportant une fonction de détection d'image; et la figure 14 est un schéma représentant des positions des dispositifs de photo- détection. On se référera maintenant en détail aux modes de réalisation préférés dont des exemples sont illustrés sur les schémas annexés. Ci-après, les modes de réalisation préférés seront décrits en détail en se référant aux figures 2 à 14. La figure 2 est une vue en plan illustrant une zone 100 de pixel d'un dispositif d'affichage à cristaux liquides comportant une fonction de détection d'image selon un premier mode de réalisation. Les figures 3A et 3B sont des schémas en coupe illustrant la zone 100 de pixel de la figure 2 réalisés le long des lignes I-I' et II-II' repré- sentées sur la figure 1. Les figures 2 et 3 illustrent un support de matrice TFT du dispositif d'affichage à cristaux liquides. En se référant aux figures 2 et 3A à 3B, la zone 100 de pixel comporte une ligne de grille 102 et une ligne de données 104. La ligne de grille 102 et la ligne de données 104 sont formées sur un support inférieur 142 et un film d'isolation de grille 144 et se coupent l'une l'autre. La zone 100 de pixel comporte en outre un transistor de commutation à couches minces 106 de pixel (ci-après appelé "premier TFT") formé au niveau de chaque intersection de la Iigne de grille 102 et de la ligne de données 104. Une électrode 118 de pixel est formée entre une ligne de lecture 204 et la ligne de données 104, qui sont parallèles l'une par rapport à l'autre. Des première et seconde lignes d'alimentation en tension d'attaque 152, 171 sont formées parallèlement à la ligne de grille 102 pour alimenter en première et seconde tensions d'attaque un phototransistor à couches minces 140. Le phototransistor à couches minces 140 est formé au niveau de l'intersection entre la première ligne d'alimentation en tension d'attaque 152 et la ligne de lecture 204. Un transistor de commutation à couches minces 170 (ci-après appelé "second TFT") est formé au niveau d'une inter-section de la ligne de grille 102 et de la ligne de lecture 204. Un condensateur de stockage photodétecteur 180 (appelé ci-après "premier condensateur de stockage") est situé entre le phototransistor à couches minces 140 et le second TFT 170. Un R VBrevetsV24500A24538-051 103-tradTXT doc - 3 novembre 2005 -8124 2887041 9 condensateur de stockage 120 de pixel (appelé ci-après "second condensateur de stockage") est formé au niveau d'une partie en chevauchement de l'électrode 118 de pixel d'un étage précédent et la ligne de grille 102. Le second condensateur de stockage 120 est destiné à être utilisé avec un pixel avoisinant d'un étage suivant. Le second condensateur de stockage 120 peut être formé avec l'électrode 118 de pixel et une ligne de grille d'un étage précédent tel que représenté sur la figure 4 (pixel Cst2). Le premier TFT 106 comporte une électrode de grille 108 connectée à la ligne de grille 102, une électrode source 110 connectée à la ligne de données 104, une électrode drain 112 connectée à une électrode de pixel 118 et une couche active 114. La couche active 114 est formée de façon à chevaucher la ligne de données 104, l'électrode source 110 et l'électrode drain 112 et comporte en outre une partie de canal entre l'électrode source 110 et le drain électrode 112. Une couche de contact ohmique 148 est en outre formée sur la couche active 114 pour permettre le contact ohmique avec la ligne de données 104, l'électrode source 110 et l'électrode drain 112. La couche active 114 et la couche de contact ohmique 148 sont appelées motif semi-conducteur 145. Le premier TFT 106 répond à un signal de grille délivré à la ligne de grille 102 pour charger l'électrode 118 de pixel avec un signal de tension de pixel et maintient la tension de pixel dans l'électrode 118 de pixel. L'électrode 118 de pixel est connectée à l'électrode drain 112 du TFT 106 par l'intermédiaire d'un premier trou de contact 116 qui pénètre dans un film de passivation 150. La tension de pixel chargée génère une différence de potentiel entre l'électrode 118 de pixel et une électrode de référence qui est formée dans un support supérieur (non représenté), par exemple, un support de matrice de filtres chromatiques. Entre le support de matrice de filtres chromatiques et de matrice TFT, un cristal liquide est intercalé. Le support de matrice de filtres chromatiques comporte également une matrice noire, des filtres chromatiques et ainsi de suite. La différence de potentiel amène le cristal liquide, qui est situé entre le support de matrice TFT et le support de matrice de filtres chromatiques, à effectuer une rotation en fonction de l'anisotropie diélectrique, et la lumière provenant d'une source lumineuse (non représentée) à travers l'électrode 118 de pixel est transmise au support supérieur. Le second condensateur de stockage 120 est formé par la ligne 102 de grille et l'électrode 118 de pixel de l'étage précédent. Le film d'isolation 144 de grille et le film de passivation 150 sont situés entre la ligne 102 de grille et l'électrode 118 de pixel. Le second condensateur de stockage 120 contribue à retenir la tension de pixel chargée dans l'électrode 118 de pixel jusqu'à ce que la prochaine tension de pixel soit chargée. R.\Brevets\24500\24538-051103-tradTXT. doc 3 novernbrc 2005 - 0/24 2887041 lo Le phototransistor à couches minces 140 comporte une électrode 108" de grille, une couche active 114", une électrode source d'attaque 160 et une électrode drain d'attaque 162. L'électrode 108" de grille est connectée à la seconde ligne d'alimentation en tension d'attaque 171. La couche active 114" chevauche l'électrode 172 de grille avec un film d'isolation 144 de grille disposé entre elles. L'électrode source d'attaque 160 est électriquement connectée à la couche active 114" et connectée à la première ligne d'alimentation en tension d'attaque 152. L'électrode drain d'attaque 162 est disposée à l'opposé de l'électrode source d'attaque 160. L'électrode 108" de grille est intégrée à une première électrode inférieure de stockage 172. Le phototransistor à couches minces 140 comporte un second trou de contact 155 qui pénètre dans le film de passivation 150 et le film d'isolation 144 de grille pour exposer partiellement la première ligne d'alimentation en tension d'attaque 152. L'électrode source d'attaque 160 est connectée à la première ligne d'alimentation en tension d'attaque 152 par un motif d'électrode transparente 154 formé sur le second trou de contact 155. La couche active 114" est formée de façon à chevaucher l'électrode source d'attaque 160 et l'électrode drain d'attaque 162, et comporte en outre une partie de canal entre l'électrode source d'attaque 160 et l'électrode drain d'attaque 162. Une couche de contact ohmique 148" est en outre formée sur la couche active 114" pour permettre le contact ohmique avec l'électrode source d'atta- que 160 et l'électrode drain d'attaque 162. Le phototransistor à couches minces 140 a pour fonction de détecter la lumière qui est liée à une image désignée telle qu'un document ou une empreinte digitale humaine. Le premier condensateur de stockage 180 comporte la première électrode inférieure de stockage 172 intégrée à l'électrode 108 de grille du phototransistor à couches minces 140. Le premier condensateur de stockage 180 comporte en outre une première électrode supérieure de stockage 174formée de façon à chevaucher la première électrode inférieure de stockage 172 et connectée à l'électrode drain d'attaque 162 du phototransistor à couches minces 140. Le premier condensateur de stockage 180 a pour fonction de stocker la charge électrique qui est générée par un courant photoélectrique dans le phototransistor à couches minces 140. Le second TFT 170 comporte une électrode 108' de grille formée sur un support 142, une électrode source 110' connectée à la première électrode supérieure de stockage 174, une électrode drain 112' opposée à l'électrode source 110, et une couche active 114' qui chevauche l'électrode 108' de grille. La couche active 114' est formée de façon à chevaucher l'électrode source 110' et l'électrode drain 112' et comporte en outre une partie de canal entre l'électrode source 110' et l'électrode drain 112'. Une couche de contact ohmique 148' est en outre formée sur la couche active R VBrevetsV24500A2453 8-05 1 1 03-tradTXT doc - 3 novembre 2005 - 10124 114' pour permettre le contact ohmique avec l'électrode source 110' et l'électrode drain 112'. La figure 4 est un schéma de circuit de la zone 100 de pixel des figures 2 et 3A et 3B. Sur la figure 4, le premier TFT 106 est connecté à l'électrode 118 de pixel. L'électrode de pixel est couplée à une ligne de grille (n-1) d'un étage précédent et forme le second condensateur de stockage Cst2. Le phototransistor à couches minces 140 est connecté à la première ligne d'alimentation en tension d'attaque 152 et le premier condensateur de stockage Cstl est couplé au phototransistor à couches minces 140. Le second transistor de commutation à couches minces 170 est connecté au premier condensateur de stockage Cstl et a un circuit intégré 190. Le second transistor de commutation à couches minces 170 est connecté à la ligne de lecture 204. En se référant à la figure 3, une opération de détection d'image est décrite. Une première tension d'attaque est appliquée à l'électrode source d'attaque 160 du photo- transistor à couches minces 140, et une seconde tension d'attaque est appliquée à l'électrode 108" de grille. Une lumière désignée est détectée de la couche active 114" et un courant photoélectrique est généré. Un trajet de courant photoélectrique s'étend de l'électrode source d'attaque 160 à l'électrode drain d'attaque 162 à travers le canal conformément à l'intensité de la lumière détectée. Le courant photoélectrique circule de l'électrode drain d'attaque 162 à la première électrode supérieure de stockage 174 et la première électrode inférieure de stockage 172 est connectée à l'électrode 108' de grille du phototransistor à couches minces 140. En conséquence, la charge électrique est chargée dans le premier condensateur de stockage 180 par le courant photo-électrique. De cette façon, la charge électrique dans le premier condensateur de stockage 180 est lue dans un circuit intégré de lecture 190 par l'intermédiaire du second transistor à couches minces 170 et de la ligne de lecture 204. Le signal détecté au niveau du circuit intégré de lecture 190 diffère en fonction de l'intensité lumineuse détectée dans le phototransistor à couches minces 140. L'image, tel qu'un document, un balayage d'image, une entrée tactile et ainsi de suite peut être détectée. L'image détectée est transmise à un dispositif de commande ou peut être reproduite dans une illustration d'un panneau d'affichage à cristaux liquides conformément à une commande de l'utilisateur. Sur la figure 5, une matrice noir B du support de matrice de filtres chromatiques recouvre la zone 100 de pixel, à l'exception d'une zone A où l'électrode 118 de pixel est située, et le phototransistor à couches minces 140 destiné à détecter une lumière. La figure 6 est un schéma en coupe illustrant un dispositif d'affichage à cristaux liquides 500 comportant une fonction de détection d'image conformément au R VBrevetsV?4500.24538-05I 103-tradTXT doc - 3 novembre 2005 - 1 premier mode de réalisation, et la figure 7 est un schéma de circuit illustrant une fonction de détection d'image du dispositif d'affichage à cristaux liquides 500. La figure 8 est un schéma de circuit illustrant la détection d'un signal détecté par un circuit intégré de lecture. Le dispositif d'affichage à cristaux liquides 500 de la figure 6 comporte la zone 100 de pixel du support de matrice TFT des figures 2 et 3A à 3B. Un support 200 de matrice de filtres chromatiques et le support 100 sont disposés à l'opposé l'un de l'autre avec un cristal liquide 195 disposé entre eux. Le support 200 de matrice de filtres chromatiques comporte une matrice noire 254 et un filtre chromatique 256 correspondant à la zone de pixel. La matrice noire 254 masque le second TFT 170 et expose la zone de pixel et le phototransistor à couches minces 140. En se référant à la figure 7, la fonction de détection d'image du dispositif d'affichage à cristaux liquides 500 est décrite. Une tension d'attaque, par exemple d'environ 10V, est appliquée à l'électrode source d'attaque 160 du phototransistor à couches minces 140 à partir de la première ligne d'alimentation en tension d'attaque 152, et une tension de polarisation inverse, par exemple, d'environ -5V, est appliquée à l'électrode 108" de grille du phototransistor à couches minces 140 à partir de la seconde ligne d'alimentation en tension d'attaque 171. Une lumière, par exemple, une lumière externe, est détectée au niveau de la couche active 114" et un courant photoélectrique est généré. Le courant photoélectrique circule de l'électrode source d'attaque 160 à l'électrode drain d'attaque 162 par l'intermédiaire du canal de la couche active 114 conformément à l'intensité de la lumière détectée. Le courant photoélectrique circule en outre de l'électrode drain d'attaque 162 à la première électrode supérieure de stockage 174, et la première électrode inférieure de stockage 172 est intégrée à l'électrode 108" de grille du phototransistor à couches minces 140. Ainsi, la charge électrique est stockée dans le premier condensateur de stockage 180 (photo Cstl) grâce au courant photoélectrique. La quantité de charge maximum du premier condensateur de stockage 180 peut être la différence de tension entre l'électrode source d'attaque 160 et l'électrode 108" de grille, par exemple, environ 15V. Sur la figure 7, tandis que le phototransistor à couches minces 140 détecte une lumière et que la charge électrique est chargée dans le premier condensateur de stockage 180, la basse tension de grille, par exemple, -5V, est appliquée à l'électrode 108 de grille du second TFT 170, et le second TFT 170 est maintenu dans un état fermé. Tel que représenté sur la figure 8, lorsqu'une haute tension, par exemple, environ 20 à 25 V, est appliquée à l'électrode 108' de grille du second TFT 170, le second TFT 170 est ouvert. Le courant provenant de la charge électrique chargée dans le premier condensateur de stockage 180 circule vers le circuit intégré de lecture 190 à RABrecets\24500124538-051 1 03tradTXT doc - 3 novembre 2005 - 12/24 travers l'électrode source 110' du second TFT 170, le canal de la couche active 114', l'électrode drain 112' et la ligne de lecture 204. Le signal de détection est lu par le circuit intégré de lecture 190. Le dispositif d'affichage à cristaux liquides 500 accomplit la fonction d'affi- chage, qui reproduit l'illustration, ainsi que la capacité de détection d'image. Le dispositif d'affichage à cristaux liquides 500 est capable d'entrer un document externe et une entrée tactile et de sortir l'image entrée conformément à une requête de l'utilisateur. La figure 9 est un schéma en coupe illustrant un dispositif d'affichage à cristaux liquides 800 selon un deuxième mode de réalisation. Dans le dispositif d'affichage à cristaux liquides 800, des images sont entrées au moyen du doigt ou d'un stylo tactile (appelées ci-après "Image"). La lumière externe est interceptée dans une zone recouverte par l'Image pour fermer le phototransistor à couches minces 140 qui est disposé dans une zone de blindage correspondant à l'image. Dans un autre mode de réalisation, du fait de l'Image, le phototransistor à couches minces 140 ne génère qu'une petite quantité du courant photoélectrique. Le phototransistor à couches minces 140 est ouvert s'il n'est pas recouvert par l'Image car une forte intensité lumineuse est détectée. En d'autres termes, les informations relatives à la position de l'Image peuvent être obtenues dans la limite de la photodétection, ou par l'ouver-ture ou la fermeture du phototransistor à couches minces 140 dans le dispositif d'affichage à cristaux liquides 800. Dans le dispositif d'affichage à cristaux liquides 800, le principe de photo-détection est que le courant photoélectrique augmente dans la zone vers laquelle la lumière externe est irradiée afin d'augmenter la quantité de charge électrique qui est chargée dans le premier condensateur de stockage 180. D'un autre côté, la lumière externe est interceptée dans la zone correspondant à l'Image afin de ne pas augmenter le courant photoélectrique et diminuer la quantité de charge électrique stockée dans le premier condensateur de stockage 180. Le dispositif de stockage à cristaux liquides 800 a pour fonction d'accomplir une opération de détection et de lecture du signal détecté, tel que décrit conjointement avec les figures 7 et 8, à l'exception du fait que la position de l'Image est déterminée sur la base de toute différence quelconque de valeur lue dans une série de procédés. La figure 10 est un schéma en coupe illustrant un dispositif d'affichage à cristaux liquides 900 comportant une fonction de détection d'image selon un troisième mode de réalisation. Le troisième mode de réalisation représenté sur la figure 10 illustre le fait que la lumière d'un stylo optique tel qu'un stylo à diode électroluminescente, ainsi qu'une lumière ambiante, est irradiée sur le phototransistor à couches minces 140, ce qui permet ainsi de détecter l'intensité lumineuse irradiée. R. ARrevetsl24500A2_453 8-05 1 1 03-tradTXT. doc - 3 novembre 2005 - 13/24 Le dispositif d'affichage à cristaux liquides 900 fonctionne sur la base du principe de détection selon lequel si la lumière du stylo optique ainsi que la lumière ambiante est irradiée, le courant photoélectrique est généré. La quantité de courant photoélectrique est supérieure à celle du dispositif d'affichage à cristaux liquides 500 dans le premier mode de réalisation. Ceci est en partie dû au fait que l'intensité de la lumière est plus forte dans ce mode de réalisation. Par conséquent, la quantité de charge stockée dans le premier condensateur de charge 180 est supérieure à celle des dispositifs d'affichage à cristaux liquides 500 à 800 dans les premier et deuxième modes de réalisation et la quantité de courant passant à travers le second TFT 170 et la ligne de lecture 204 devient plus importante. En conséquence, le circuit intégré de lecture 190 peut détecter des signaux plus importants. Les figures 11 et 12 sont des schémas en coupe illustrant un dispositif d'affichage à cristaux liquides 1000 comportant la fonction de détection d'image selon un quatrième mode de réalisation. Le dispositif d'affichage à cristaux liquides 1000 accomplit une opération de balayage qui peut balayer une matière imprimée présentant une certaine clarté et une certaine obscurité. La figure 11 illustre une réflexion dans un espace vierge d'un papier 271, c'est-à-dire, une zone où il n'y a aucune image désignée. La figure 12 illustre une réflexion dans une zone d'image d'un papier 273, par exemple, une image, des caractères, des symboles et ainsi de suite. Dans le dispositif d'affichage à cristaux liquides 1000, après qu'une lumière provenant d'un rétroéclairage située au niveau de la partie inférieure d'un panneau d'affichage à cristaux liquides est passée à travers le panneau d'affichage à cristaux liquides, elle est réfléchie sur le papier 271 et détectée dans le phototransistor à couches minces 140 tel que représenté sur la figure 11. Le circuit intégré de lecture détecte le signal qui est conforme à l'intensité lumineuse à cet instant. En d'autres termes, le circuit intégré de lecture détecte le signal de détection par l'ouverture du second transistor à couches minces 170 conformément à la quantité de charge électrique qui est générée par le courant photoélectrique. Le courant photoélectrique est généré par la lumière réfléchie dans la zone d'arrière-plan ou claire du papier, c'està-dire, une zone où il n'y a pas d'encre noire. Sur la figure 11, après que la lumière provenant du rétroéclairage est passée à travers le panneau d'affichage à cristaux liquides, elle est réfléchie dans la zone sombre et détectée dans le phototransistor à couches minces 140. Par exemple, la zone sombre du papier 273 comporte une zone où il y a de l'encre noire telle que des caractères et symboles. Le circuit intégré de lecture détecte le signal conformément à l'intensité lumineuse à cet instant. En d'autres termes, le circuit intégré de lecture détecte le signal de détection par l'ouverture du second transistor à couches minces R.Brcvets.24500A24538-051103-tradTXT. doc - 3 novembre 2005 - 14/24 2887041 15 conformément à la quantité de charge électrique qui est générée par le courant photoélectrique généré par la lumière réfléchie dans la zone sombre du papier 273. Le caractère et l'image peuvent être séparés de l'espace noir et de la zone sans image dans le papier 271 et 273 du fait que l'intensité lumineuse détectée dans le phototransistor à couches minces 140 à partir du papier 273 peut différer de l'intensité détectée à partir du papier 271. Un balayage peut être effectué conformément au signal détecté grâce à une série de procédés de détection et l'image détectée peut être affichée dans une image conformément à une requête de l'utilisateur. Sur les figures 13A à 13E, un procédé de fabrication d'un panneau d'affichage à cristaux liquides comportant la fonction de détection d'image est décrit. Pour la commodité de la description, les mêmes numéros de référence utilisés sur les figures 2 et 3A à 3B sont utilisés. Après que la couche métallique de grille a été formée sur le support inférieur 142 par l'intermédiaire d'un procédé de dépôt tel qu'un procédé de pulvérisation, une couche métallique de grille est tracée grâce à un procédé de photolithographie et un procédé de gravure. Tel que représenté sur la figure 12A, les motifs de grille sont formés de façon à inclure la ligne 102 de grille, l'électrode 108' de grille du premier TFT 106 et l'électrode 108 de grille du second TFT 170. En outre, les motifs de grille comprennent la première ligne d'alimentation en tension d'alimentation 152, la première électrode inférieure de stockage 172 du premier condensateur de stockage et la seconde ligne d'alimentation en tension d'attaque 171. Sur la figure 13B, le film d'isolation 144 de grille est formé sur le support inférieur 142 où les motifs de grille sont formés grâce au procédé de dépôt tel que le procédé de dépôt chimique en phase vapeur assisté par plasma, pulvérisation et ainsi de suite. Une couche de silicium amorphe et une couche de silicium amorphe N+ sont séquentiellement formées sur le support inférieur 142 où le film d'isolation 144 de grille est formé. La couche de silicium amorphe et la couche de silicium amorphe N+ sont tracées grâce à un procédé de photolithographie au masque et un procédé de gravure. Sur la figure 13B, les motifs de semi-conducteur 145, 145' et 145" des premier et second TFT 106, 170 et du phototransistor à couches minces 140 sont formés. Les motifs de semi-conducteur 145, 145' et 145" comprennent une double couche constituée de la couche active 114, 114' et 114" et de la couche de contact ohmique 148, 148' et 148". Après avoir formé séquentiellement une couche métallique source/drain sur le support inférieur 142 où le motif semi-conducteur 145, 145' et 145" est formé, un motif source/drain est formé tel que représenté sur la figure 13C. Le motif source/drain comprend la ligne de données 104, l'électrode source 110, 110' des premier et second TFT 106, 170, l'électrode drain 112 et 112', l'électrode source d'attaque 160 et l'électrode drain d'attaque 162 du phototransistor à couches minces R VBrevets\24500A24538-051 t03-b adTXT doc - 3 novembre 2005 - 15/24 140, et la première électrode supérieure de stockage 174 connectée à l'électrode drain 162 du phototransistor à couches minces 140. Par exemple, le procédé de photolithographie et le procédé de gravure peuvent être utilisés en même temps qu'un masque. Sur la figure 13D, le film de passivation 150 est formé sur toute la surface du film d'isolation 144 de grille où le motif source/drain est formé, grâce à un procédé de dépôt tel qu'un procédé de dépôt chimique en phase vapeur assisté par plasma et ainsi de suite. Le film de passivation 150 est tracé grâce au procédé de photolithographie et au procédé de gravure tel que représenté sur la figure 13D, pour ainsi former un premier trou de contact 116 qui expose l'électrode drain 112 du premier TFT 106 et un second trou de contact 155 qui expose la première ligne d'alimentation en tension d'attaque 152. Sur la figure 13E, un motif d'électrode transparente est tracé grâce au procédé de photolithographie et au procédé de gravure après que le motif d'électrode transparente a été déposé sur toute la surface du film de passivation 150 grâce au procédé de dépôt tel que par pulvérisation et ainsi de suite. Un motif d'électrode transparente 154 destiné à connecter électriquement l'électrode 118 de pixel, la première ligne d'alimentation en tension d'attaque 152 et la ligne source d'attaque 160 est formé. L'électrode 118 de pixel est connectée électriquement à l'électrode drain 112 par l'intermédiaire du trou de contact 116. En outre, l'électrode 118 de pixel est formée de façon à chevaucher la ligne 102 de grille de l'étage précédent, pour ainsi former le second condensateur de stockage 120. Tel que noté ci-dessus, le dispositif d'affichage à cristaux liquides comportant la fonction de détection d'image est fabriqué avec un procédé à 5 masques. Le motif de grille est formé sur le support, les premier, deuxième et troisième motifs de semi- conducteur sont formés au-dessus du motif de grille. Les premier, deuxième et troisième motifs source/drain sont formés sur les premier, deuxième et troisième motifs de semiconducteur. Au cours de ce procédé, le phototransistor à couches minces, le transistor à couches minces de pixel et le transistor de commutation à couches minces sont formés. Le film de passivation est formé afin de réaliser le trou de contact et le motif d'électrode transparente est formé de façon à inclure l'électrode de pixel. Aucun procédé supplémentaire n'est nécessaire pour fournir la fonction de détection d'image. Le procédé à 5 masques destiné à fabriquer le dispositif d'affichage à cristaux liquides peut être utilisé pour fournir à la fois la fonction d'affichage et la fonction de détection d'image. Le procédé de fabrication peut être simplifié et les coûts de production peuvent être réduits. Chacun des sous-pixels rouge R, vert V et bleu B constituant un pixel est agencé tel que représenté sur la figure 14. Un dispositif de photodétection 1300, phototransistor à couches minces 140 et second TFT 170 compris, pourrait être R.ABrevets\24500'24538-051103-tradTXT. don -3 novembre 2005 - 16/24 formé au niveau d'un des quatre pixels. Le dispositif de photodétection 1300 peut n'être formé que dans un souspixel bleu B, ce qui minimiserait tout effet quelconque sur les caractéristiques de transmission de l'affichage. En variante, ou en plus, il peut être formé au niveau d'un des sous-pixels ou d'un des deux pixels. Le dispositif de photodétection 1300 peut être formé de façon aléatoire sans être limité à l'agence-ment représenté sur la figure 14. Tel que décrit ci-dessus, le dispositif d'affichage à cristaux liquides peut fournir la fonction de détection d'image permettant de détecter des documents, des images et ainsi de suite. Le dispositif d'affichage à cristaux liquides peut reproduire l'image détectée sous la forme d'une illustration. L'image détectée peut être entrée et sortie dans le dispositif d'affichage à cristaux liquides. En conséquence, les coûts de production peuvent être réduits et la taille du dispositif d'affichage à cristaux liquides peut être compacte. L'homme du métier comprendra que l'invention n'est pas limitée aux modes de réalisation mais au contraire divers changements ou modifications de ceux-ci sont possibles sans s'éloigner de l'esprit de l'invention. Par conséquent, la portée de l'invention devra être déterminée uniquement selon les revendications annexées et leurs équivalents. R Brevets\24500124538-051103-tradTXT doc - 3 novembre 2005 - 17/24 18 REVENDICATIONS 1. Dispositif d'affichage à cristaux liquides (500, 800, 900, 1000) comprenant: une ligne de données (104) délivrant une tension de données; une ligne (102) de grille coupant la ligne de données; un premier transistor à couches minces ("TFT") (106) situé au niveau d'une zone d'intersection de la ligne de grille et de la ligne de données; et un dispositif de photodétection (1300) pouvant être utilisé pour détecter une lumière et comprenant un condensateur de stockage (180) pouvant être utilisé pour stocker une charge générée par la lumière, où le dispositif de photodétection (1300) est excité par une tension d'attaque autre que la tension de données. 2. Dispositif d'affichage à cristaux liquides selon la revendication 1, dans lequel le dispositif de photodétection (1300) comprend: un phototransistor à couches minces (140) ; et un second TFT (170) délivrant de façon sélective un signal détecter par le phototransistor à couches minces par l'intermédiaire du condensateur de stockage (180). 3. Dispositif d'affichage à cristaux liquides selon la revendication 2, caractérisé en ce que le dispositif de photodétection (1300) comprend en outre un circuit intégré (190) recevant le signal détecté provenant du second TFT (170). 4. Dispositif d'affichage à cristaux liquides selon la revendication 2, comprenant en outre une première ligne d'alimentation en tension d'attaque (152) formée parallèlement à la ligne (102) de grille pour délivrer une première tension d'attaque au phototransistor à couches minces (140), dans lequel la tension d'attaque comprend la première tension d'attaque. 5. Dispositif à cristaux liquides selon la revendication 4, comprenant en outre une seconde ligne d'alimentation en tension d'attaque (171) formée en parallèle à la première ligne d'alimentation en tension d'attaque (152) pour délivrer la tension d'attaque au phototransistor à couches minces (140), dans lequel la tension d'attaque comprend la seconde tension d'attaque. 6. Dispositif d'affichage à cristaux liquides selon la revendication 5, caractérisé en ce que la première tension d'attaque est connectée à une source du RABrevets\24500A24538-051103-tradTXTdoc - 3 novembre 2005 18/24 2887041 19 phototransistor à couches minces (140) et la seconde tension d'attaque est connectée à une grille du phototransistor à couches minces (140). 7. Dispositif d'affichage à cristaux liquides selon l'une quelconque des revendications 3 à 6, comprenant en outre une ligne de transmission de signal de détection pouvant être utilisée pour transmettre le signal détecté du second TFT (140) au circuit intégré. 8. Dispositif d'affichage à cristaux liquides selon la revendication 5, caractérisé en ce que le phototransistor à couches minces (140) comprend: une première électrode (108) de grille connectée à la seconde ligne d'alimenta- tion en tension d'attaque (171) ; une première électrode source (110) connectée électriquement à la première ligne d'alimentation en tension d'attaque (152) ; et une première électrode drain (112) connectée au second TFT (140). 9. Dispositif d'affichage à cristaux liquides selon la revendication 8, comprenant en outre la première électrode source (110) et la première ligne d'alimentation en tension d'attaque (152) connectée électriquement à un motif d'élec- trode transparente. 10. Dispositif d'affichage à cristaux liquides selon la revendication 8 ou 9, caractérisé en ce que le condensateur de stockage (180) comprend: une première électrode inférieure de stockage (172) connectée à la première 25 électrode (108) de grille; une première électrode supérieure de stockage (174) en face de la première électrode inférieure de stockage (172) et connectée à la première électrode drain (112); et un film d'isolation (144) de grille disposé entre la première électrode inférieure 30 de stockage (172) et la première électrode supérieure de stockage (174). 11. Dispositif d'affichage à cristaux liquides selon la revendication 10, caractérisé en ce que le second TFT (170) comprend: une seconde électrode (108') de grille qui s'étend à partir de la ligne (102) de 35 grille; une seconde électrode source (110') qui s'étend à partir de la première électrode supérieure de stockage (174) ; et R3Brevets\24500'2 453 8-0 5 1 1 03-tradTXT. doc - 3 novembre 2005 - 19/24 une seconde électrode drain (112') connectée à la ligne de transmission de signal de détection. 12. Dispositif d'affichage à cristaux liquides selon la revendication 11, 5 comprenant en outre un autre condensateur de stockage (120) comportant une électrode (118) de pixel et une ligne (102) de grille avoisinante d'un étage précédent. 13. Dispositif d'affichage à cristaux liquides selon l'une quelconque des revendications 2 à 12, comprenant en outre: une zone (100) de pixel disposée au niveau de l'intersection de la ligne de données (104) et de la ligne (102) de grille; un support (200) de matrice de filtres chromatiques comportant un filtre chromatique correspondant à la zone de pixel; et une matrice noire (B) destinée à masquer une zone à l'exception du photo-15 transistor à couches minces (104) et de la zone (100) de pixel. 14. Dispositif d'affichage à cristaux liquides selon l'une quelconque des revendications 1 à 13, caractérisé en ce que le dispositif d'affichage à cristaux liquides comprend des pixels rouge, vert et bleu et le dispositif de photodétection (1300) est disposé dans au moins un parmi les pixels rouge, vert ou bleu. 15. Procédé de fabrication d'un dispositif d'affichage à cristaux liquides (500, 800, 900, 1000), comprenant les étapes consistant à : former un motif de grille sur un support; former des premier, deuxième et troisième motifs de semi-conducteur (145, 145', 145") au-dessus du motif de grille; former un premier motif source/drain, un deuxième motif source/drain, et un troisième motif source/drain sur les premier, deuxième et troisième motifs de semi-conducteur (145, 145', 145") où un phototransistor à couches minces (140) est formé avec le premier motif source/drain, un TFT de pixel est formé avec le deuxième motif source/drain et un transistor de commutation à couches minces (170) est formé avec le troisième motif source/drain; former un film de passivation (150) pour former un trou de contact (116, 155) ; et former un motif d'électrode transparente (154) qui comporte une électrode (118) de pixel. R,Brevets \24500A24538-051103-tradTXT doc - 3 novembre 2005 -20124 16. Procédé de fabrication selon la revendication 15, caractérisé en ce que l'étape consistant à former le motif de grille comprend en outre les étapes consistant à: former une première ligne d'alimentation en tension d'attaque (152) de façon à 5 ce qu'elle soit parallèle à la ligne (102) de grille pour délivrer une première tension d'attaque au phototransistor à couches minces (140) ; former une seconde ligne d'alimentation en tension d'attaque (171) de façon à ce qu'elle soit connectée à l'électrode (108) de grille du phototransistor à couches minces (140) et parallèlement à la première ligne d'alimentation en tension d'attaque 10 (152) ; et former une première électrode inférieure de stockage (172) de façon à ce qu'elle soit parallèle à la ligne de données (104) et connectée à la première électrode (108) de grille. 17. Procédé de fabrication selon la revendication 16, comprenant en outre l'étape consistant à : former une première électrode supérieure de stockage (174) de façon à chevaucher la première électrode inférieure de stockage (172) avec un film d'isolation (144) de grille intercalé entre elles où la première électrode supérieure de stockage (174) forme un premier condensateur de stockage (180) avec la première électrode inférieure de stockage (172). 18. Procédé de fabrication selon la revendication 16, caractérisé en ce que l'étape consistant à former le film de passivation (150) comprend l'étape consistant à. former un autre trou de contact (155) qui expose la première ligne d'alimentation en tension d'attaque (152) et un premier motif source du premier motif source/drain du phototransistor à couches minces (140) par pénétration du film d'isolation (54) de grille et du film de passivation (150). 19. Procédé de fabrication selon la revendication 18, comprenant en outre l'étape consistant à : former une électrode transparente connectant électriquement le phototransistor à couches minces (140) et la première ligne d'alimentation en tension d'attaque (152) 35 par l'intermédiaire de l'autre trou de contact. 20. Procédé destiné à détecter une image dans un dispositif d'affichage à cristaux liquides, comprenant les étapes consistant à : R \Breeets, 24500249 8-0 51 1 03-tradTXT doc - 3 novembre 2005 - 21/24 irradier un dispositif de photodétection (1300) qui est intégré à un dispositif d'affichage à cristaux liquides (500, 800, 900, 1000) avec une lumière transportant des informations relatives à une image désignée; transformer la lumière en un signal désigné ; et détecter les informations relatives à l'image sur la base du signal transformé. 21. Procédé de détection d'image selon la revendication 20, caractérisé en ce que l'étape consistant à détecter les informations relatives à l'image comprend l'étape consistant à former les informations relatives à l'image avec une lumière réfléchie à partir d'un objet situé de façon adjacente au dispositif d'affichage à cristaux liquides, l'objet comprenant au moins soit une main humaine soit un stylo tactile. 22. Procédé destiné à détecter une image selon la revendication 20, caractérisé en ce que l'étape consistant à détecter les informations relatives à l'image comprend l'étape consistant à détecter les informations relatives à l'image dans une zone bloquée par l'objet et une zone ouverte. 23. Procédé destiné à détecter une image selon l'une quelconque des revendications 20 à 22, comprenant en outre l'étape consistant à former des informations relatives à l'image avec au moins une parmi une lumière ambiante ou une lumière provenant d'un stylo optique. 24. Procédé destiné à détecter une image selon l'une quelconque des revendications 20 à 23, caractérisé en ce que l'étape consistant à détecter les informations relatives à une image comprend l'étape consistant à détecter la clarté et l'obscurité d'une matière imprimée sur la base d'une lumière réfléchie par la matière imprimée. 25. Procédé destiné à détecter une image selon l'une quelconque des revendications 20 à 24, caractérisé en ce que l'étape consistant à détecter les informations relatives à l'image comprend en outre l'étape consistant à détecter les informations relatives à l'image conformément à l'intensité de la lumière qui est réfléchie par une zone claire et l'intensité de la lumière qui est réfléchie par une zone sombre. 26. Procédé destiné à détecter une image selon l'une quelconque des revendications 20 à 25, caractérisé en ce que l'étape consistant à irradier le dispositif de photodétection (1300) comprend l'étape consistant à délivrer la lumière provenant R-ABrerets.24500A2453 8-05 1 103-tradTXT_doc - 3 novembre 2005 - 2'_%24 d'un autre éclairage d'un dispositif d'affichage à cristaux liquides (500, 800, 900, 1000). 27. Procédé destiné à détecter une image selon l'une quelconque des revendications 20 à 26, caractérisé en ce que l'étape consistant à détecter les infor- mations relatives à une image comprend les étapes consistant à : stocker le signal transformé ; et délivrer le signal transformé stocké à un circuit de détection de signal. k 'Brevets\24500\2453 8-0 5 1 1 03-tradTXT doc 3 novembre 2005 -23/24