FR 2885731 A1 20061117 FR 0603984 A 20060504 2885731 1 STRUCTURE DE DISPOSITIF A SEMI-CONDUCTEURS ET PROCEDES DE FABRICATION DE CELUI-CI Un concepteur de circuit intégré (CI) a souvent le souhait de regrouper ou de placer de manière dense des transistors à grilles multiples dans une certaine zone d'un schéma d'implantation d'un CI, alors que d'autres régions sont prévues pour avoir des grilles isolées ou autonomes. Cette variation dans la densité de transistors, dans une même conception de CI, peut influencer la taille ou la dimension critique des éléments du transistor au cours du traitement des semi-conducteurs. En particulier, des irrégularités de la taille des éléments peuvent devenir évidentes pendant la photolithographie et ces irrégularités peuvent être amplifiées pendant le dépôt ou la gravure ultérieurs. En d'autres termes, un groupe de transistors denses peut être imprimé ou gravé différemment d'un transistor isolé, même s'ils ont tous les deux des conceptions communes dans une même implantation. L'irrégularité de la taille des éléments est due à des effets de diffraction et d'interférence des ondes lumineuses, tel qu'illustré sur les figures 1A-1B, qui montrent une lumière 102 qui passe à travers un élément isolé 104 et un groupe d'éléments denses 114 dans un masque de photolithographie 106, sur une vue latérale. Les effets deviennent encore plus significatifs si les dimensions du transistor sont réduites pour être inférieures au micron. Lorsque la lumière 102 rayonne vers un élément isolé 104 dans un masque photographique 106, tel que le montre la 2885731 2 figure 1A, la lumière est diffractée uniformément au moment où elle passe à travers l'ouverture de l'élément 104. Sous l'élément isolé 104, la plaquette sous-jacente 108 reçoit une intensité maximum en dessous du centre de l'élément 104, l'intensité va en s'amenuisant vers les bords dans un profil de répartition gaussienne d'intensité en forme de cloche 110, tel qu'illustré. La figure 1B illustre un schéma de diffraction pour un groupe d'éléments denses 114. La répartition de l'intensité résultante, dans cet exemple, est dominée par des effets d'interférence dus à des éléments voisins qui mènent au schéma de frange d'interférence destructrice et constructrice. Comme c'est le cas avec une seule ouverture 104, les ondes lumineuses 102, qui passent à travers plusieurs ouvertures 114 dans un masque phctographique 106, sont uniformément diffractées au moment où elles passent à travers les ouvertures 114. Cependant, des ondes circulaires émises par une ouverture peuvent interférer avec des ondes circulaires qui sortent de l'autre ouverture. Si les ondes lumineuses sont en phase lorsqu'elles se heurtent, ce qui signifie qu'elles correspondent exactement ou qu'elles subissent une interférence constructive , alors les ondes se combinent pour donner une intensité maximale. Si les ondes lumineuses sont en décalage de phase lorsqu'elles se heurtent, ce qui signifie qu'elles sont décalées d'un demi-cycle ou qu'elles subissent une interférence destructrice , alors une crête d'une onde fusionne avec une vallée d'une autre onde, ce qui entraîne la formation d'ondes ayant une intensité minimale. Des éléments denses 114 dus au phénomène d'interférence provenant des éléments voisins, produisent ainsi un profil d'intensité avec un schéma de frange d'interférence sinusoïdale 120. En outre, l'intensité sera à son maximum 2885731 3 près du centre du groupe et ira en s'amenuisant vers les bords, avec pour résultat que les éléments situés près du centre sont imprimés avec une meilleure fidélité et une meilleure fiabilité, parce qu'ils voient plus de lumière, alors que ceux qui sont près des bords voient moins de lumière, tel qu'illustré par le profil d'intensité 120. A titre d'exemple, supposons des éléments denses 114 comprenant des schémas pour cinq lignes. Du fait du schéma de frange d'interférence provenant des éléments voisins, et du profil d'intensité résultant 120, les trois lignes situées au centre peuvent être reproduites sur la plaquette 108 avec une dimension critique plus précise que les deux lignes extérieures. Il résulte de la différence d'intensité que des éléments denses 114 et isolés 104 dans une conception de CI sont imprimés avec une fidélité différente, ce qui entraîne des éléments avec des dimensions critiques ou des largeurs de ligne différentes. Un tel phénomène est quelquefois mentionné comme étant un effet de polarisation iso-dense en photolithographie. De plus, il peut y avoir des soucis d'uniformité entre des éléments isolés 104 et denses 114 sur l'ensemble d'une plaquette 108, alors que La tendance vers des dimensions d'éléments plus petites et un substrat plus grand se poursuit. Des techniques visant à réduire au minimum la polarisation iso-dense incluent l'amélioration des processus de photolithographie ou l'utilisation de systèmes chimiques à photorésistants de pointe. D'autres procédés incluent les corrections optiques avec des masques photographiques à décalage de phase ou une illumination décentrée. Pour d'autres études, se référer à une publication de Uzodinma Okoroanyanwu, Materials and Process Issues Delaying the Introduction of ArF into Production (Problèmes de matériaux 2885731 4 et de procédé traitant l'introduction de l'ARF en production), 12 FUTURE FAB INTL. Ch. 5 (2002) que l'on peut se procurer sur le site http://www.futurefab.com/documents. asp?d_ID=9251f. Cependant, la plupart de ces techniques et procédés consomment des ressources de valeur et quelquefois nécessitent des contrôles du traitement précises et délicates. Par conséquent, il existe un besoin d'un contrôle de l'effet de polarisation iso-dense avec une efficacité maximum et un coût minimum. On décrit une structure de dispositif à semi-conducteurs avec une fidélité et une uniformité améliorées ainsi que des procédés de fabrication de celle-ci. Une disposition de circuit intégré avec des dispositifs à fonctions multiples tels que des cellules logiques et des multiplexeurs ayant des schémas fonctionnels est définie à l'origine. Dans l'implantation, au moins une couche de schémas non fonctionnels peut être positionnée physiquement près des schémas fonctionnels de la au moins une couche de schémas fonctionnels. Les schémas non fonctionnels peuvent prendre une pluralité de formes et de tailles. En outre, au moins une couche de cellules de remplissage peut également être incorporée à l'intérieur de l'implantation près des schémas fonctionnels, grâce à quoi la couche des cellules de remplissage inclut au moins un schéma non fonctionnel. Les figures 1A-1B illustrent les effets de diffraction et d'interférence des éléments denses ou isolés; la figure 2 illustre un dispositif fonctionnel classique; la figure 3 illustre un dispositif fonctionnel utilisant le mode de réalisation décrit; la figure 4 illustre une cellule de remplissage utilisant le mode de réalisation décrit; 2885731 5 la figure 5 illustre des dispositifs fonctionnels utilisant les modes de réalisation du schéma non fonctionnel décrit; et les figures 6A-6B comparent la différence entre une implantation de circuit intégré classique et une implantation utilisant les modes de réalisation décrits actuellement. On fait maintenant référence à un dispositif fonctionnel classique 200, tel qu'il est illustré sur la figure 2. Comme le montre la figure, le dispositif fonctionnel 200 contient un schéma fonctionnel 202 entouré par une région VDD 204 et une région VSS 206. Le dispositif fonctionnel 200 peut être une grille logique électronique telle qu'un circuit INV (inverseur), NAND (non et), NOR (non ou), AND (opération logique où la sortie est élevée seulement si toutes les entrées sont élevées), XOR (ou exclusif), ou F/F (à bascule). De plus, le dispositif fonctionnel 200 peut également être un multiplexeur ou une conception qui combine deux ou plusieurs signaux sur une seule ligne. Il peut y avoir une pluralité de dispositifs fonctionnels 200 dans une même conception d'implantation de CI. Un dispositif fonctionnel 200 sur une plaquette de semi-conducteurs peut contenir différents composants. Ces composants sont constitués de couches multiples de matériaux ayant des schémas complexes, selon ce qu'on attend du dispositif. Les couches sont produites lorsque des schémas des masques photographiques complexes sont réduits sur un substrat de semi-conducteur grâce à des procédés de photolithographie. Par exemple, avec un dispositif à semi- conducteurs à oxyde de métal complémentaire (CMOS), les régions de source et de drain peuvent être initialement formées sur le substrat, suivies par des grilles en 2885731 6 polysilicium, des lignes en métal d'aluminium, des couches de passivation, et ainsi de suite. Des couches supplémentaires peuvent être répétées ou reproduites avec des conceptions différentes pour former le dispositif fonctionnel souhaité 200. La photolithographie d'un dispositif fonctionnel classique 200 sans les modes de réalisation actuellement décrits entraîne qu'une plaquette sousjacente subit l'intensité maximum en dessous du centre du schéma fonctionnel 202, avec une intensité qui s'amenuise vers les bords dans un profil de répartition gaussienne d'intensité en forme de cloche, tel que précédemment examiné. De même, un dispositif fonctionnel classique 200 avec des schémas fonctionnels denses (non représentés) sans les modes de réalisation décrits actuellement subit un phénomène d'interférence provenant des schémas fonctionnels voisins. Le résultat est un profil d'intensité avec un schéma de frange d'interférence sinusoïdale en dessous des schémas fonctionnels denses (non représentés), tel que préalablement examiné. Du fait de ce schéma de frange, certaines couches de la cellule fonctionnelle 200 peuvent ne pas être aussi pointues et formées aussi précisément que ce qui serait souhaitable. La figure 3 illustre la manière dont les schémas non fonctionnels 310 peuvent être inclus sur une couche munie de schémas fonctionnels 302 d'un dispositif fonctionnel 300, afin de réduire les effets de polarisation iso-dense. Un dispositif fonctionnel 300 muni d'un schéma fonctionnel isolé 302 sur une couche donnée est illustré sur la figure. Lorsqu'on ajoute des schémas non fonctionnels 310 à une couche ou à des couches des schémas fonctionnels 302 formant le dispositif fonctionnel 300, le profil d'intensité sur une plaquette sous-jacente peut être manipulé pour refléter 2885731 7 celui des éléments denses. En d'autres termes, plutôt qu'un schéma fonctionnel isolé 302, l'image recevra un groupe dense d'éléments avec un schéma fonctionnel 302 et deux schémas non fonctionnels 310 généralement sur son périmètre. De plus, le groupe dense d'éléments peut également être un schéma fonctionnel 302 et quatre schémas non fonctionnels 310 généralement sur son périmètre (non représentés). La capacité d'ajouter ou de retirer des schémas non fonctionnels 310 sur ou des couches d'un dispositif fonctionnel 300 permet ainsi à un concepteur d'implantation de CI de contrôler les profils d'intensité de la taille des éléments, ce qui peut alors dicter une fidélité et une uniformité des éléments. Un schéma non fonctionnel 310 équilibre et contrôle ainsi les profils d'intensité d'image adjacents sur un niveau localisé. De plus, les schémas non fonctionnels 310 peuvent également réduire les effets de chargement pendant le processus de gravure chimique, tel que la gravure humide, la gravure sèche ou le traitement chimique mécanique (CMP) près des schémas fonctionnels 302 sur un niveau global de la plaquette. En équilibrant des profils d'intensité d'image adjacents sur un niveau localisé, un dispositif fonctionnel 300 aura un équilibre global avec une bonne fidélité d'image et une bonne uniformité. Etant donné que de plus en plus de dispositifs fonctionnels 300 sont imprimés sur un substrat, la plaquette aura des effets de chargement optimisés, parce que tous les déséquilibres auront été réduits au minimum grâce à l'ajout des schémas non fonctionnels 310 adjacents aux schémas fonctionnels 302, ce qui permettra ainsi que les deux schémas 310, 302 subissent favorablement les traitements de gravure chimique. Les schémas non fonctionnels 310 équilibrent les densités des éléments au niveau microscopique ou localisé, ainsi qu'un équilibre global plus important au niveau macroscopique ou de la 2885731 8 globalité de la plaquette, ce qui produit les dispositifs fonctionnels 300 ayant, de manière générale, un meilleur contrôle de dimension critique et les plaquettes avec une planarité de surface optimale. Dans un mode de réalisation, les schémas non fonctionnels 310 peuvent être un métal, un semi-conducteur, ou une combinaison de ceux-ci. Dans un autre mode de réalisation, la couche d'un schéma non fonctionnel 310 peut être une couche de métal, une couche de polysilicium, une couche de semiconducteur, ou une couche de combinaison de ceux-ci. Dans encore un autre mode de réalisation, le schéma non fonctionnel 310 peut être formé d'un substrat à semi-conducteurs. Le matériau résultant formé sur le dispositif fonctionnel dans ce schéma non fonctionnel 310 sera piloté par un matériau utilisé pour les schémas fonctionnels 302 de la couche d'intérêt. De plus, bien que le schéma non fonctionnel 310, tel qu'il est illustré, soit de forme rectangulaire, il peut prendre n'importe quelle forme polygonale telle qu'un triangle, un carré, un parallélogramme, un losange, ou un trapèze. En outre, le schéma non fonctionnel 310 peut également avoir la forme d'une courbe plane telle qu'un cercle, une ellipse, une ligne, une parabole, ou une hyperbole. Il existe un certain nombre de nécessités que ces éléments non fonctionnels 310 peuvent être conçus pour remplir. Dans un mode de réalisation, la superficie totale des schémas non fonctionnels 310 peut être conçue pour être sensiblement la même que la superficie totale des schémas fonctionnels 302. Dans un autre mode de réalisation, la superficie totale des schémas non fonctionnels 310 peut être conçue pour être sensiblement inférieure à environ 80 % de la superficie totale du dispositif fonctionnel 300. La superficie totale du dispositif fonctionnel 300 inclut les schémas 2885731 9 fonctionnels 302 ainsi que les schémas non fonctionnels 310. En outre, la superficie totale du dispositif fonctionnel 300 peut également inclure n'importe lequel et tous les éléments passifs ou actifs restants dans le dispositif fonctionnel 300. Dans encore un autre mode de réalisation, une densité de schéma d'environ 10 % à 60 % est préférée, lorsqu'on ajoute les schémas fonctionnels 302 et/ou les schémas non fonctionnels 310 au dispositif fonctionnel 300. La densité de schéma est définie comme étant la superficie totale des couches (y compris les schémas fonctionnels 302 et les schémas non fonctionnels 310) divisée par la superficie totale du dispositif fonctionnel 300. Tel qu'illustré, les schémas non fonctionnels 310 ont une certaine largeur minimum 312 semblable à celle de la largeur minimum 308 du schéma fonctionnel 302. Dans un mode de réalisation, l'espacement 314 entre le schéma fonctionnel 302 et le schéma non fonctionnel 310 peut être conçu pour être égal à sensiblement la moitié de la largeur minimum 308 du schéma fonctionnel 302. Dans un autre mode de réalisation, l'espacement 314 entre le schéma fonctionnel 302 et le schéma non fonctionnel 310 peut être conçu pour ne pas être sensiblement supérieur à une fois et demi, ou 150 %, la dimension géométrique minimum 316 du dispositif fonctionnel 300. Plus particulièrement, l'espacement 314 peut être conçu pour n'être sensiblement pas supérieur à 85 % de la dimension géométrique minimum 316. Dans un autre mode de réalisation, au moins une couche de cellules de remplissage 400 contenant un ou plusieurs schémas non fonctionnels 402 peut être utilisée dans les limites de la conception d'implantation du CI. La figure 4 illustre une cellule de remplissage 400 qui n'inclut aucun schéma fonctionnel ou dispositif fonctionnel. La couche de cellules de remplissage 400 peut avoir un ou plusieurs 2885731 10 schémas non fonctionnels 402, en même temps qu'une région VDD 404 et une région VSS 406. Tel qu'illustré sur la figure, les schémas non fonctionnels 402 peuvent, mais n'ont pas besoin d'être, en contact avec la région VDD 404 et la région VSS 406. La figure 5 illustre la manière dont les schémas non fonctionnels 502, 504 peuvent prendre une variété de formes et de tailles. Tel qu'illustré par les deux dispositifs fonctionnels 500, au lieu d'avoir la forme d'un rectangle simple de schéma non fonctionnel, tel qu'Illustré sur les figures précédentes, le mode de réalisat=ion présentement décrit des schémas non fonctionnels 502 peut être divisé en deux sections différentes 502. Selon une autre solution, ils peuvent être séparés en trois sections différentes 504. Ces schémas non fonctionnels 502, 504 peuvent prendre une variété de formes et de tailles et la conception optimale peut nécessiter un plan d'expériences (DOE) supplémentaire. En outre, les schémas non fonctionnels 502, 504 peuvent également entrer ou non en contact avec la région VDD ou la région VSS. Les figures 6A-6B comparent une conception d'implantation de CI classique sans les modes de réalisation actuellement décrits (figure 6A) par rapport à une conception d'implantation de CI utilisant les modes de réalisation présentement décrits (figure 6B). Une série de dispositifs fonctionnels 600 (contours rectangulaires en pointillé) sont illustrés sur la figure 6A. Ces dispositifs fonctionnels 600 peuvent inclure des dispositifs similaires aux cellules logiques tels que les circuits INV, NAND, NOR, AND, XOR, ou F/F. Les dispositifs fonctionnels 600 peuvent également inclure des multiplexeurs. Tel qu'illustré, les dispositifs fonctionnels 600 peuvent contenir à la fois des schémas fonctionnels denses 602 et des schémas fonctionnels isolés 2885731 11 604. Les schémas fonctionnels 602, 604 peuvent être formés ou non sur la même couche. Les schémas fonctionnels 602 sont denses parce qu'ils ont des schémas fonctionnels voisins 602, alors que les schémas fonctionnels 604 sont isolés parce qu'ils n'ont pas de schémas fonctionnels voisins proches. Ces schémas fonctionnels, qu'ils soient denses 602 ou isolés 604, peuvent être une couche de matériau de polysilicium, une couche métallique, une couche de grilles à semi-conducteurs, ou une couche de transistors actifs ou de schémas et de circuits conducteurs. Tel qu'examiné précédemment, sans utiliser les modes de réalisation présentement décrits, un groupe classique de schémas fonctionnels denses 602 et un schéma fonctionnel isolé de manière classique 604 dans une même configuration d'implantation de CI commune sont imprimés avec des dimensions critiques différentes sur une plaquette sous-jacente du fait de l'effet de polarisation iso-dense. Si l'on prend la configuration de la figure 6A, une couche de schémas non fonctionnels 612 et une couche de cellules de remplissage 614 (contours ovales en pointillé) peuvent être ajoutées pour améliorer la fidélité et l'uniformité des éléments, tel qu'illustré sur la figure 6B. La couche de schémas non fonctionnels 612 peut ou non être formée sur la même couche que celle de la couche de cellules de remplissage 614. Comme le montre la rangée supérieure de la figure 6B, une couche de schémas non fonctionnels 612 peut être formée près des périmètres des dispositifs fonctionnels 600. Bien que les schémas fonctionnels denses 602 aient des zones d'intensité minimum et maximum, l'ajout de la couche de schémas non fonctionnels 612 transforme la rangée de schémas fonctionnels denses 602 en un grand groupe dense. En d'autres termes, au lieu d'une rangée de dispositifs fonctionnels 600 avec des poches séparées de schémas fonctionnels denses 602, les schémas non fonctionnels 612 2885731 12 équilibrent les dispositifs fonctionnels 600 pour fournir un schéma de composants relativement cohérent pour les couches de dispositif. Cette approche améliore la fidélité des éléments pour les schémas fonctionnels 602 et améliore l'uniformité des éléments sur l'intégralité de la plaquette. Si l'on regarde maintenant la rangée inférieure de la figure 6B, au moins une couche de cellules de remplissage 614 peut être formée sensiblement de manière adjacente aux schémas fonctionnels isolés 604. A l'intérieur des cellules de remplissage 614, on peut trouver un ou plusieurs schémas non fonctionnels 612. Les schémas non fonctionnels 612 équilibrent les dispositifs fonctionnels 600 pour fournir un schéma de composants relativement cohérent pour la couche de dispositif. Bien qu'elles ne soient pas illustrées, les cellules de remplissage 614 ou les schémas non fonctionnels 612 supplémentaires peuvent être formés entre les cellules de remplissage 614 dans la rangée inférieure aux fins d'autres améliorations dans la fidélité de la taille de l'élément. En outre, la polarisation due à la gravure sera réduite à cause de la fidélité et de l'uniformité de l'élément. La polarisation due à la gravure se produit après la photolithographie, lorsque la taille des éléments avec différentes dimensions critiques est transférée sur la couche sous- jacente, ce qui entraîne des lignes non uniformes et des trous de contact. En densifiant les schémas fonctionnels sur l'ensemble de la plaquette de manière uniforme, la polarisation due à la gravure est réduite au minimum et le dispositif global a tendance à s'améliorer. Les avantages des modes de réalisation actuellement décrits non seulement réduisent au minimum l'effet de polarisation iso-dense, mais ils améliorent aussi la fidélité et l'uniformité de la taille de élément, sur l'intégralité d'une plaquette. Bien qu'il existe un certain nombre de 2885731 13 nécessités à respecter en matière de conception, pour l'utilisation des modes de réalisation présentement décrits, les règles de conception de base doivent toujours être suivies. En d'autres termes, un concepteur d'implantation de CI ne doit pas briser les règles de conception fondamentales simplement à cause de son désir d'utiliser les modes de réalisation présentement décrits. En outre, les modes de réalisation présentement décrits peuvent également économiser de l'espace pour l'implantation, parce que les dispositifs isolés peuvent maintenant être placés plus près les uns des autres, sans qu'il y ait des contraintes dues aux règles d'implantation ou des problèmes de polarisation iso-dense photolithographique. Les spécialistes de la technique remarqueront que l'invention peut être réalisée sous d'autres formes spécifiques sans qu'on s'éloigne de l'esprit ou des caractères essentiels de celle-ci. Les modes de réalisation actuellement décrits sont donc, par conséquent, considérés sous tous les aspects comme étant des illustrations et non des limitations. L'étendue de l'invention est indiquée grâce aux revendications jointes plutôt que par la description précédente, et tous changements qui pourraient tomber dans les limites et la plage des équivalents de celle-ci y seront intégrés. 2885731 14 Revendications 1. Dispositif à semi-conducteurs comprenant: une pluralité de couches placées en schémas fonctionnels, le dispositif à semi-conducteurs étant au moins partiellement formé à partir des schémas fonctionnels; et au moins l'une d'une pluralité de couches comprenant en outre des schémas non fonctionnels, les schémas non fonctionnels étant formés adjacents à au moins une couche pour faire un schéma composite de la au moins une couche, grâce à quoi la densité des éléments du schéma composite est sensiblement plus équilibrée. 2. Dispositif selon la revendication 1, dans lequel un espacement entre les schémas fonctionnels et les schémas non fonctionnels est égal à au moins la moitié d'une dimension géométrique minimum des schémas fonctionnels. 3. Dispositif selon la revendication 1, dans lequel un espacement entre les schémas fonctionnels et les schémas non fonctionnels n'est pas supérieur à 85 % d'une dimension géométrique minimum du dispositif. 4. Dispositif selon la revendication 1, dans lequel une superficie totale des schémas non fonctionnels est sensiblement la même qu'une superficie totale du dispositif. 5. Dispositif selon la revendication 1, dans lequel une superficie totale des schémas non fonctionnels est sensiblement inférieure à 80 % d'une superficie totale du dispositif. 6. Dispositif selon la revendication 1, dans lequel le schéma non fonctionnel comprend un matériau semi-conducteur. 2885731 15 7. Dispositif selon la revendication 1, dans lequel le schéma non fonctionnel comprend un polygone. 8. Structure de dispositif à semi-conducteurs comprenant une pluralité de dispositifs fonctionnels, les dispositifs fonctionnels comprenant: une pluralité de couches placées en schémas fonctionnels; et une pluralité de schémas non fonctionnels, les schémas non fonctionnels étant formés pour être adjacents à la au moins une couche de schémas fonctionnels pour faire un schéma composite de la au moins une couche, grâce à quoi la densité des éléments du schéma composite est sensiblement plus équilibrée. 9. Structure selon la revendication 8, dans laquelle un espacement entre les structures fonctionnelles et les structures non fonctionnelles n'est pas supérieur à 85 % des dimensions géométriques minimum de la structure. 10. Structure selon la revendication 8, dans laquelle une superficie totale des structures non fonctionnelles est sensiblement inférieure à 80 % de la superficie totale de la structure. 11. Structure selon la revendication 8, dans laquelle les structures non fonctionnelles comprennent des polygones. 12. Procédé de fabrication d'un dispositif à semi-conducteurs, le procédé comprenant: la mise en place d'une pluralité de couches en des schémas fonctionnels, le dispositif à semi-conducteurs étant au moins partiellement formé à partir des schémas fonctionnels; et la formation d'au moins une ou plus de pluralité de couches comprenant en outre des schémas non fonctionnels, les schémas 2885731 16 non fonctionnels étant formés adjacents à la au moins une couche de schémas fonctionnels pour faire un schéma composite de la au moins une couche, grâce à quoi la densité des éléments du schéma composite est sensiblement plus équilibrée. 13. Procédé selon la revendication 12, dans lequel le masque photographique comprend les schémas fonctionnels adjacents aux schémas non fonctionnels ayant un espacement entre les schémas fonctionnels et les schémas non fonctionnels d'au moins la moitié des dimensions géométriques minimum des schémas fonctionnels. 14. Procédé selon la revendication 12, dans lequel le masque photographique comprend les schémas fonctionnels adjacents aux schémas non fonctionnels ayant un espacement entre les schémas fonctionnels et les schémas non fonctionnels qui n'est pas supérieur à 85 % d'une dimension géométrique minimum du dispositif à semi-conducteurs. 15. Procédé selon la revendication 12, dans lequel le masque photographique comprend les schémas fonctionnels adjacents aux schémas non fonctionnels ayant une superficie totale des schémas non fonctionnels qui est sensiblement la même qu'une superficie totale des schémas fonctionnels. 16. Procédé selon la revendication 12, dans lequel le masque photographique comprend les schémas fonctionnels adjacents aux schémas non fonctionnels ayant une superficie totale des schémas non fonctionnels qui est sensiblement inférieure à 80 % d'une superficie totale du dispositif à semi-conducteurs.