FR 2826177 A1 20021220 FR 0107861 A 20010615 SUBSTRAT A BASE DE SILICIUM POREUX ET PROCEDE DE FABRICATION D'UN TEL SUBSTRAT La présente invention concerne un substrat à base de silicium poreux, son procédé de fabrication, ainsi qu'un produit semi-conducteur ou électronique incorporant un tel substrat. Elle se rapporte en particulier au domaine de la fabrication de produits semi-conducteurs, notamment pour circuits électroniques, et plus particulièrement de la fabrication du support de ces produits semi-conducteurs, appelé substrat. Ce substrat est destiné, dans la suite du procédé de fabrication du produit semi-conducteur, à recevoir des composants électroniques rapportés sur au moins l'une de ses faces, en servant de support mécanique à ces composants électroniques. Ces composants peuvent être à base de matériau semi-conducteur, ou bien à base de matériau métallique, comme des spires d'induction en cuivre ou similaire. Dans le premier cas, le produit qui les incorpore est appelé produit semi-conducteur. Dans le second cas, ce produit est en général appelé produit électronique, désignation plus générale que celle de produit semi-conducteur. Le substrat peut en outre entrer dans la composition de certains composants électroniques, tels que des diodes, des transistors et des résistors, directement réalisés au sein de son volume, par exemple par implantation ionique ou atomique au niveau de certaines zones de sa surface. Un tel substrat est en général essentiellement plan, étant obtenu et/ou destiné à être utilisé selon les méthodes de traitement surfacique. Par convention, l'épaisseur du substrat est mesurée suivant une direction orthogonale à la surface du substrat. Dans la suite, les termes épaisseur , dessus , dessous , face supérieure et face inférieure sont utilisés en référence à cette convention. Il existe plusieurs catégories de composants électroniques qui nécessitent d'être appliqués sur un substrat résistif électriquement, afin que la capacité du substrat à être le siège de courants électriques internes n'interfère pas avec le fonctionnement individuel ou collectif de ces composants électroniques. Ceci est notamment le cas des filtres radiofréquences, qui comprennent un circuit inductif constitué par une spire métallique appliquée sur la surface d'un substrat à base de silicium. Cette spire, de par le champ magnétique qui lui est associé, engendre des courants de Foucault sous la surface du substrat si celui-ci n'est pas suffisamment résistif. Ces courants réduisent le coefficient de qualité du filtre ainsi constitué. Afin d'augmenter la résistivité du substrat, il a été proposé d'ôter par attaque chimique des parties du substrat de silicium sous les composants inductifs en utilisant une solution à base de potasse KOH. Cette solution est mise en contact avec la face du substrat de silicium opposée à celle portant les composants électroniques, avec un masquage des parties de cette face à préserver. On obtient ainsi un substrat à base de silicium poreux. Cette méthode présente néanmoins certains inconvénients. D'une part, le masquage précité est difficile à positionner par rapport aux composants présents sur l'autre face du substrat. D'autre part, l'attaque chimique laisse dans le substrat de silicium, à la lisière des zones attaquées, des cavités relativement importantes qui sont gênantes pour l'enrobage final du produit semi-conducteur dans une résine protectrice. On a aussi eu recours à des substrats partiellement isolants, c'est à dire isolants sur une partie de leur épaisseur située en dessous d'une pellicule de surface de silicium semi-conducteur dans laquelle sont élaborés les composants électroniques. Ces produits sont désignés par l'acronyme Sol, de l'anglais Silicon on Insulator , qui signifie silicium sur isolant . Une première méthode pour cela consiste à implanter sous la surface d'un substrat à base de silicium semi-conducteur usuel des atomes d'oxygène afin de transformer localement le silicium en silice Si02 isolante. La profondeur sous la surface à laquelle cette couche de silice est ainsi formée dépend de l'énergie d'implantation des atomes d'oxygène, et permet de laisser en surface du substrat une pellicule de matériau initial sans atomes d'oxygène, qui conserve l'état électrique initial du silicium adapté pour recevoir les traitements pour l'élaboration des composants électroniques. Cette méthode est particulièrement laborieuse et ne permet pas de contrôler suffisamment l'état électrique de la couche isolante générée. Une deuxième méthode consiste à développer une couche isolante d'oxyde uniforme à la surface d'un premier substrat à base de silicium, puis à rapporter sur cette couche d'oxyde un second substrat à base de silicium, et à les assembler entre eux par pression. En amincissant par polissage l'épaisseur du second substrat à partir de sa surface libre, on réalise un support unique constitué de silicium semi-conducteur sur une partie importante de son épaisseur, surmontée d'une partie d'épaisseur isolante, elle-même surmontée d'une faible épaisseur (typiquement quelques micromètres) de matériau conducteur destiné à recevoir les composants électroniques. Selon un inconvénient de cette méthode, l'étape de réduction par polissage de l'épaisseur du substrat rapporté est particulièrement longue. Une troisième méthode consiste à réaliser les composants électroniques sur un premier substrat de silicium semi-conducteur usuel, puis à les transférer sur un second substrat de silicium comportant une pellicule supérieure d'oxyde isolant électriquement par découpe d'une pellicule de surface du premier substrat en dessous du niveau inférieur de profondeur des composants électroniques qu'il porte. Cette méthode, qui procède par implantation d'hydrogène sous la surface du premier substrat au niveau de la découpe recherchée met en oeuvre une technique proposée par la société SOITEC (Parc Technologique des Fontaines-38 190 Bernin-FRANCE) et désignée par l'appellation Smart Cut@ , et est l'objet du brevet US 5,374, 564. Une quatrième méthode consiste à réaliser les composants électroniques sur la face supérieure d'un substrat de silicium semi-conducteur usuel, d'épaisseur égale par exemple de 300 micromètres, puis à rendre ce substrat isolant par traitement électrolytique à partir de son autre face, ou face inférieure. Pour une description de cette méthode, on pourra se reporter aux brevets EP-A-0 959 492 et FR-A-2 779 006. Lors du traitement électrolytique, une frontière entre deux états du matériau de ce substrat progresse de la face inférieure vers la face supérieure : d'une part l'état de silicium semi-conducteur initial, et d'autre part un état isolant, qui résulte de la modification de ce matériau par le traitement électrolytique. Le traitement électrolytique est arrêté lorsque cette frontière arrive à moins de 1 micromètre du niveau de profondeur inférieur de la zone d'implantation des composants électroniques sur la face supérieure du substrat, mais sans l'atteindre pour ne pas altérer le fonctionnement des composants électroniques. Il reste donc toujours, sous ces composants électroniques, une couche de substrat de silicium dans l'état semiconducteur initial, qui peut être suffisante pour dégrader le fonctionnement des composants électroniques qui lui sont contigus, et dont l'épaisseur est mal maîtrisée du fait de l'imprécision de l'instant d'arrêt du traitement électrolytique. Dans toutes les méthodes précitées, le substrat finalement obtenu comporte une partie de son épaisseur restant en matériau semi-conducteur, correspondant parfois à une fraction importante de l'épaisseur totale du substrat, et qui est susceptible de développer des courants électriques internes gênants pour le fonctionnement du produit semi-conducteur ou électronique final. Il est connu du spécialiste des matériaux semi-conducteurs que le silicium, même éventuellement dopé, présente une résistivité électrique qui croît fortement lorsque le silicium est sous forme de grains très petits, de l'ordre de 20 nanomètres. Ce changement de comportement électrique du silicium sous forme de grains lorsque la taille des grains devient suffisamment réduite est dû à la prépondérance des effets électroniques de surface par rapport au comportement du matériau massif. Ces effets électroniques de surface interviennent sur une profondeur caractéristique de 10 nanomètres environ dans le matériau des grains à partir de leur surface. Ainsi, une pièce de silicium composée de grains élémentaires de silicium ayant au moins une de leurs dimensions individuelles de l'ordre de 20 nm peut présenter une résistivité électrique macroscopique très élevée, supérieure à 5000 a. cm (Ohm. centimètres), voire supérieure à 105 Q. cm. Pour ces valeurs de résistivité électrique, les éventuels courants de Foucault résiduels qui pourraient se développer dans le substrat sont alors trop faibles pour dégrader le fonctionnement des circuits électroniques ultérieurement présents sur la surface dudit substrat. Une autre méthode pourrait consister à utiliser un substrat initialement isolant dans son volume, ou au moins très résistif électriquement, c'est à dire dont la résistivité électrique est supérieure à 5000 n. cm, et à créer ou rapporter sur sa surface une pellicule de silicium destinée à recevoir les composants électroniques. L'utilisation pour le substrat d'un matériau différent du silicium, ou plus précisément d'un matériau présentant un coefficient de dilatation thermique différent de celui de la pellicule de silicium, pose néanmoins des problèmes de dilatation thermique différentielle entre le substrat et cette pellicule de silicium sous l'effet d'une élévation de température de l'ensemble. Cette élévation de température peut être provoquée par un chauffage de l'ensemble lors du procédé d'élaboration des circuits électroniques, ou résulter de l'échauffement des composants électroniques en fonctionnement normal. Il est donc d'un intérêt particulier que le substrat soit à base de silicium, en sorte qu'il possède un coefficient de dilatation thermique proche de celui de la pellicule de silicium de surface destinée à recevoir les composants électroniques ou à être le siège de l'élaboration de ces composants, afin d'éviter les conséquences néfastes d'une dilatation thermique différentielle, à savoir notamment une déformation géométrique du substrat, un craquellement de sa surface, ou même la rupture du substrat. Selon un premier aspect de la présente invention, il est proposé un substrat à base de silicium essentiellement plan comprenant, dans au moins une zone du substrat, dite zone granulaire, des grains et des interstices entre les grains répartis sur toute l'épaisseur du substrat au niveau de cette zone, de telle manière que le substrat présente une porosité d'au moins 20% en tout point du volume de ce substrat au niveau de ladite zone granulaire. Ainsi un substrat essentiellement plan en forme de plaque, ou wafer , peut comprendre deux zones : une première zone qui peut être en silicium monolithique, voire monocristallin, en tout cas de haute densité, c'est à dire avec un niveau de porosité standard pour un substrat de silicium destiné à une utilisation électronique, et ce sur toute son épaisseur au niveau de cette zone, et une seconde zone au niveau de laquelle le substrat possède des interstices sur toute son épaisseur correspondant à une porosité locale d'au moins 20%. Cette dernière zone correspond en pratique aux endroits du substrat où seront ultérieurement disposés des composants électroniques qui requièrent en dessous d'eux, pour leur bon fonctionnement, un substrat isolant, ou très résistif, électriquement sur toute son épaisseur. L'un des avantages de la présente invention est donc de procurer un substrat à base de silicium comportant, au niveau de certaines zones déterminées en fonction des composants électroniques à disposer sur ce substrat, des zones isolantes ou très résistives électriquement, sans aucune couche résiduelle de substrat conducteur au niveau de ces zones. Un tel substrat est particulièrement adapté pour servir de support à un ou plusieurs circuits inductifs composés de spires métalliques supportées directement par ce substrat. La porosité du substrat selon l'invention, résultant de la présence des interstices entre les grains, peut soit être sensiblement homogène sur toute l'épaisseur du substrat au niveau de la zone granulaire, soit présenter un gradient de porosité, lié notamment au mode d'élaboration de cette porosité. La caractéristique essentielle pour obtenir les propriétés électriques finales voulues pour le substrat est que la porosité soit supérieure à 20% en tout point de l'épaisseur du substrat au niveau de la zone granulaire de ce substrat. On entend par porosité la fraction du volume des interstices rapporté au volume macroscopique occupé par la zone de substrat comprenant ces interstices. Les grains constituant avec les interstices le volume du substrat au niveau de la zone granulaire ont préférentiellement une de leurs dimensions inférieure à 20 nm. Ainsi le substrat présente, au niveau de cette zone, une résistivité électrique supérieure à 5000 D. cm, voire supérieure à 105 D. cm. On obtient ainsi l'effet recherché d'absence, ou du moins de réduction significative, des courants de Foucault ou d'autres courants parasites dont le substrat peut être le siège. La grande surface spécifique d'un substrat de silicium ainsi poreux le rend particulièrement sensible à une oxydation éventuelle, susceptible de provoquer son bris, sinon son émiettement, si cette oxydation se développe de façon anarchique et trop rapide. Il est donc préférable que ce substrat soit partiellement oxydé pour être stabilisé avant d'être par exemple soumis à traitement à haute température, supérieure à 600 C, dans la suite du procédé de fabrication du produit électronique final. Les grains du substrat selon l'invention sont donc avantageusement au moins partiellement oxydés sur toute l'épaisseur du substrat au niveau de la zone granulaire. Ce traitement de stabilisation est parfois appelé traitement de pré-oxydation des grains par l'homme du métier. On entend par grains partiellement oxydés, conformément à la signification usuelle en chimie du solide, des grains dont l'oxydation n'est pas complète, tant en ce qui concerne la stoechiométrie locale de l'élément oxygène par rapport à l'élément métallique qu'en ce qui concerne des parties différentes du grain inégalement oxydées. Notamment la surface des grains est plus oxydée que leur volume intérieur, étant d'abord exposée à l'agent oxydant amené de l'extérieur des grains. Dans tous les cas, l'oxydation partielle des grains doit être suffisante pour qu'une seconde oxydation ultérieure plus poussée ne risque pas de nuire à l'intégrité du substrat. Le substrat ainsi stabilisé est encore fragile mécaniquement du fait de sa porosité et demeure susceptible de se briser lors de manipulations ultérieures, même effectuées avec précaution. Afin d'augmenter sa solidité, les interstices sont remplis par un matériau de remplissage. Ce matériau de remplissage est préférablement à base de silicium, afin de posséder un coefficient de dilatation thermique proche de celui des grains. L'invention concerne aussi un produit semi-conducteur ou électronique incorporant un tel substrat. Le produit semi-conducteur est par exemple constitué du substrat défini ci-dessus sur lequel ont été rapportés des composants électroniques au niveau des zones rendues isolantes ou très résistives électriquement, suivant le procédé Smart Cut@ par exemple, ou bien par application et collage d'éléments métalliques. En dehors de ces zones, des composants électroniques peuvent avoir été élaborés dans le matériau de silicium massif du substrat selon les méthodes usuelles utilisant un substrat de silicium. L'invention concerne encore un procédé de fabrication d'un substrat à base de silicium comprenant une étape de formation, à l'aide d'un dispositif électrolytique, sur au moins une zone de ce substrat, d'interstices répartis sur toute l'épaisseur du substrat au niveau de cette zone, de telle manière que le substrat présente une porosité d'au moins 20% en tout point du volume de ce substrat au niveau de la zone granulaire. Le dispositif électrolytique utilisé est un dispositif usuellement mis en oeuvre pour la formation de porosité à la surface de pièces métalliques, notamment pour l'anodisation de telles pièces, par exemple en aluminium. Il comprend un bain liquide contenant des espèces ioniques capables de transporter le courant électrique apporté par deux électrodes plongées dans ce bain et reliées aux bornes d'un générateur de courant électrique. La pièce à la surface de laquelle la porosité doit être créée recouvre ou constitue d'une des deux électrodes, à savoir l'anode reliée à la borne positive du générateur de courant électrique. Seules les zones de la surface du substrat destinées à être ainsi rendues poreuses sont mises en contact avec le liquide d'électrolyse, les autres zones étant masquées ou protégées des effets de l'électrolyse par une méthode usuelle pour l'homme du métier. Afin de créer les interstices à l'origine de la porosité sur toute l'épaisseur du substrat au niveau des zones exposées à l'attaque électrolytique, l'électrolyse est poursuivie jusqu'à ce que le front de formation des interstices atteigne, lors de son avancée progressive au sein de l'épaisseur du substrat, la face du substrat opposée à celle exposée à la solution d'électrolyse. La formation de porosité à l'aide du dispositif électrolytique est arrêtée lorsque survient une brusque variation de la tension d'électrolyse pour une densité de courant d'électrolyse maintenue sensiblement constante. Le substrat ainsi rendu poreux, est retiré du dispositif électrolytique et peut être stabilisé lors d'une étape ultérieure de traitement de stabilisation par un agent oxydant mis en contact avec le substrat sur toute son épaisseur via les interstices de ce substrat au niveau de la zone granulaire. Préférentiellement l'agent oxydant est sous forme gazeuse, éventuellement sous pression réduite, inférieure à 1 bar, afin de permettre à l'agent oxydant de bien pénétrer les interstices et d'atteindre le centre de l'épaisseur du substrat pour réagir à la surface des grains. Un chauffage contrôlé, par exemple à une température de 300 C, peut être appliqué au substrat lors de cette étape pour accélérer la pénétration du gaz oxydant dans les interstices et activer cette réaction d'oxydation. Alternativement une oxydation électrolytique anodique peut aussi être pratiquée, en utilisant des conditions opératoires et un liquide d'électrolyse adaptés pour obtenir une oxydation régulière de la surface des grains et la plus uniforme possible sur toute l'épaisseur du substrat au niveau des zones à traiter. Il est néanmoins plus facile d'obtenir une uniformité de préoxydation satisfaisante sur toute l'épaisseur du substrat au niveau des zones poreuses par un procédé du premier type utilisant un agent oxydant gazeux. Afin de renforcer mécaniquement le substrat au niveau des zones poreuses ainsi générées, le procédé peut comprendre en outre une étape de remplissage des interstices du substrat avec un matériau de remplissage amené de l'extérieur du substrat, cette étape de remplissage étant effectuée après le traitement de stabilisation de ce substrat par un agent oxydant. Ce remplissage des interstices est effectué préférentiellement par dépôt chimique en phase vapeur ( Chemical Vapour Deposition ou CVD), qui consiste à apporter par les interstices du substrat le matériau de remplissage sous une forme chimique dans laquelle il est particulièrement volatile, et à provoquer son dépôt sur la surface des grains par réaction chimique activée thermiquement. Les conditions opératoires de cette étape de dépôt chimique en phase vapeur sont connues de l'homme du métier, notamment en suivant l'enseignement du document EP-A-0 669 660 qui divulgue une méthode de remplissage progressif des interstices sans risquer de fermer en premier ceux de la surface exposée au flux du gaz réactif. Alternativement ce remplissage peut aussi être effectué par électrolyse en utilisant des conditions opératoires et un liquide d'électrolyse adaptés pour obtenir un comblement régulier des interstices uniformément sur toute l'épaisseur du substrat au niveau des zones à traiter. L'invention concerne enfin un produit semi-conducteur ou électronique incorporant un substrat obtenu par le procédé précédent. D'autres particularités et avantages de la présente invention apparaîtront dans la description ci-après d'exemples de réalisation non limitatifs, en référence aux dessins annexés, dans lesquels : - la figure 1 représente un disque de silicium comportant une zone de sa surface selon l'invention ; - les figures 2a et 2b sont deux schémas de la structure d'un matériau poreux formé de grains et d'interstices ; - la figure 3 représente un dispositif électrolytique utilisable pour créer la structure poreuse sur toute l'épaisseur du substrat au niveau d'une zone de sa surface ; - la figure 4 montre un dispositif de traitement du substrat par un agent gazeux à pression réduite utilisable pour les étapes de pré- oxydation des grains ou de remplissage des interstices du substrat au niveau des zones à traiter ; - la figure 5 est un schéma de principe d'un matériau composite final obtenu par le procédé de l'invention. Pour raison de lisibilité de ces schémas, les rapports entre les dimensions des détails des schémas des figures 2a, 2b et 5 ne correspondent pas à la réalité. Dans un mode de réalisation préféré, le substrat initial 1 est un support de silicium cristallin ou semi-cristallin, éventuellement dopé, affectant la forme d'un disque de 500 micromètres d'épaisseur et de diamètre par exemple de 12 centimètres, comme illustré par la figure 1. Ce substrat, compte tenu de ses dimensions, est donc un substrat essentiellement plan. Un tel disque est usuellement appelé wafer ou tranche de silicium dans l'industrie électronique. La surface de ce disque comprend une zone 2, par exemple carrée, au niveau de laquelle le substrat doit être rendu très résistif sur toute son épaisseur, par exemple avec une résistivité électrique finale supérieure à 105 a. cm. Pour comparaison, le substrat de silicium cristallin possède une résistivité électrique de 10-4 Q. cm à 20 Q. cm dans le cas le plus fréquent où il est initialement dopé. Les figures 2a et 2b sont des représentations de la structure d'un matériau poreux formé de grains 3 séparés par des interstices 4 au niveau de la zone 2 du substrat 1. Dans la variante de la figure 2a, la répartition des grains et des interstices est isotrope, c'est à dire sans direction privilégiée. Dans la variante de la figure 2b, au contraire, les interstices 4 sont disposés en couloirs tubulaires perpendiculaires aux faces du substrat 1 et séparés entre eux par des parois 3 constituées de grains de matériau de silicium. La disposition des interstices et des grains selon la structure de la figure 2b est préférée car elle permet une meilleure pénétration dans la porosité du substrat des gaz utilisés lors des traitements ultérieurs. Des dimensions préférées sont de l'ordre quelques nanomètres, autour de 5 nanomètres, pour le diamètre des interstices tubulaires, et de 20 nanomètres pour l'épaisseur des parois de matériau. La valeur de porosité recherchée est préférentiellement de l'ordre de 40% à 50%, des valeurs de porosité inférieures à 20% n'aboutissant pas à un matériau final suffisamment résistif électriquement, c'est-à-dire avec une résistivité électrique supérieure à 5000 D. cm, et des valeurs de porosité supérieures à 60% donnant un matériau trop fragile et donc difficile à manipuler sans bris. La figure 3 représente les principaux éléments d'un dispositif électrolytique permettant la création d'une structure poreuse essentiellement du type de celle de la figure 2b. Ce dispositif électrolytique comprend un générateur de courant 5 relié à deux électrodes 7a et 7b plongées dans un bain de solution liquide 8. Le disque de silicium est fixé sur l'électrode 7a reliée au pôle positif du générateur 5, constituant l'anode, de façon à avoir un bon contact électrique avec elle. Il est protégé par un masque 9 du contact avec la solution liquide 8 au niveau des zones qui doivent être conservées intactes, c'est à dire qui ne sont pas destinées à être rendues poreuses. La solution liquide 8 comprend des espèces ioniques dissoutes conductrices du courant électrique, des réactifs chimiques susceptibles de réagir avec le matériau du substrat 1 sous l'effet du passage de ce courant électrique, notamment de l'acide fluorhydrique HF, et d'autres agents selon l'enseignement des brevets EP-A-0 959 492 et FR-A-2 779 006, notamment des tensioactifs et des agents permettant de contrôler le pH de la solution 8, en particulier de l'acide acétique. Ces éléments participent, avec la valeur de l'intensité électrique imposée par le générateur 5, à la détermination de la forme des interstices creusés dans le substrat 1 au fur et à mesure de la prolongation de l'électrolyse. Pour un substrat initial de silicium dopé de résistivité électrique 0,01 Q. cm, la solution liquide comprend de l'acide fluorhydrique à 40%, et 5 à 10% d'acide acétique. On obtient alors, pour une valeur de l'intensité électrique correspondant à une densité de courant de l'ordre de 300 mA par centimètrecarré de surface des zones du substrat à rendre poreuses, une vitesse de formation de silicium poreux de 50 micromètres par minute et une structure poreuse du type de celle de la figure 2b avec une porosité de l'ordre de 20%. Ainsi qu'il est connu, on peut optionnellement adapter la forme géométrique de la seconde électrode 7b, ou cathode, de façon à obtenir une attaque chimique des zones du substrat 1 à rendre poreuses avec une cinétique d'attaque plus uniforme sur toute leur surface par rapport à l'utilisation d'une électrode 7b plane. La durée de la réaction d'attaque chimique du silicium constitutif du substrat 1 lors de l'électrolyse est contrôlée par le volt-mètre 6. Lorsque la porosité formée par cette attaque atteint la face du substrat 1 opposée à celle directement exposée à la solution liquide, une brusque augmentation de la tension lue sur le volt-mètre 6 est observée. L'électrolyse est alors arrêtée par coupure du courant électrique imposé par le générateur 5. Le substrat 1 ainsi rendu poreux sur toute son épaisseur au niveau des zones de sa surface non protégées par le masque 9 est alors débarrassé dudit masque, notamment par dissolution de ce dernier, puis il est pré-oxydé pour accroître sa stabilité thermique en présence d'espèces oxydantes. Pour réaliser cette pré-oxydation, le substrat est introduit dans une enceinte 10 à pression réduite telle que représentée sur la figure 4, munie d'une pompe 11 d'évacuation partielle des gaz contenus dans cette enceinte. Le substrat est alors chauffé par le dispositif 13 à une température de l'ordre de 300 C et un gaz oxydant, tel que de l'oxygène O2 est introduit par l'orifice 12 de l'enceinte. Du dioxyde de carbone C02 ou encore du protoxyde d'azote N20 peuvent être utilisés à la place de l'oxygène, et la température préférée du substrat lors de cette pré-oxydation est alors de 550 C. Le gaz oxydant pénètre dans le coeur du substrat 1 par les interstices présents au niveau de la zone qui avait été exposée lors de l'électrolyse précédente, et réagit avec le silicium de la surface des grains en formant localement de la silice, éventuellement sousstoechiométrique Si02-x, x étant compris entre 0 et 2. La durée de ce traitement de pré-oxydation est d'au moins 10 minutes pour obtenir une réaction suffisante sur toute l'épaisseur du substrat poreux. Lors d'une éventuelle seconde oxydation ultérieure, la cinétique de cette seconde oxydation sera ralentie par cette pellicule déjà partiellement oxydée à la surface des grains. L'apparition de contraintes mécaniques internes importantes lors de cette seconde oxydation sera alors évitée, ainsi que l'émiettement de la structure poreuse que pourraient provoquer ces contraintes. Une autre méthode de stabilisation, divulguée par la demande de brevet EP-A-0 669 660 est simplement un rinçage à l'eau oxygénée H202 du substrat pendant 15 minutes à l'issue de l'électrolyse ayant créé la structure poreuse au niveau des zones de la surface de ce substrat non protégées par le masque. Néanmoins, le premier procédé de pré-oxydation par des agents gazeux à pression réduite est préféré pour la meilleure uniformité de l'oxydation partielle obtenue jusqu'au centre de l'épaisseur du substrat. Enfin, un remplissage des interstices du substrat est opéré à l'issue de l'étape de stabilisation précédente. Ce remplissage est réalisé dans une installation analogue à celle de la figure 4, et préférentiellement sans sortir le substrat 1 de l'enceinte entre l'étape de pré-oxydation et celle de remplissage. Ce remplissage est effectué par dépôt chimique en phase vapeur selon l'enseignement du document EP-A-0 669 660, préférentiellement à une pression de 100 m torr (ou 14 Pa) et à une température de 550 C. Les réactifs gazeux utilisés comprennent du silane SiH4, ou un composé dérivé, apportant l'élément silicium, avec une vitesse de réaction de dépôt suffisamment lente pour réaliser le remplissage des interstices de la structure poreuse sans fermer les interstices de la surface du substrat 1 avant que ceux du coeur de l'épaisseur du substrat ne soient comblés. Pour cela le document précité préconise une vitesse de remplissage inférieure ou égale à 10 nanomètres par minute. On obtient alors, au niveau de la zone du substrat initial traitée selon le procédé complet, une structure de matériau composite telle que représentée sur la figure 5. Cette structure comprend des colonnes d'environ 5 nanomètres de diamètre constituées par le matériau de remplissage 14 à base de silicium, et séparées par les parois 3 de silicium ayant une épaisseur de l'ordre de 20 nanomètres. Les grains de silicium qui constituent ces parois, ayant euxmêmes une de leur dimensions de l'ordre de 20 nanomètres, sont par ailleurs partiellement oxydés sur leur surface. Ce matériau composite présente alors une solidité satisfaisante, notamment compatible avec un procédé de fabrication d'un produit semi-conducteur ou électronique utilisant le substrat ainsi élaboré. Par ailleurs sa résistivité électrique, au niveau des zones traitées selon l'invention, est de l'ordre de 105 O. cm, ce qui est compatible, notamment, avec la disposition ultérieure sur ces zones d'éléments inductifs tels que des spires métalliques. Cette valeur élevée de résistivité électrique empêche en effet la circulation dans l'épaisseur du substrat au niveau de ces zones de courants internes, ou courants de Foucault, à l'origine de la dégradation des caractéristiques électriques des circuits inductifs incorporant ces spires. Le produit semi-conducteur utilisant un tel substrat peut alors être fabriqué selon diverses méthodes. D'une part, des composants semiconducteurs tels que des transistors ou des résistors peuvent être élaborés selon les méthodes usuelles sur les zones n'ayant pas fait l'objet du traitement selon l'invention, ces zones étant toujours constituées de matériau silicium initial n'ayant pas subi d'altération. D'autre part, sur les zones traitées selon l'invention, au niveau desquelles le substrat présente une résistivité électrique particulièrement élevée, les composants ayant nécessité cette précaution peuvent être rapportés soit en utilisant le procédé Smart Cut@, soit par application et collage de circuits métalliques tels que des spires d'induction. REVENDICATIONS 1. Substrat à base de silicium (1) essentiellement plan comprenant, dans au moins une zone (2) du substrat, des grains (3) et des interstices (4) entre les grains répartis sur toute l'épaisseur du substrat au niveau de cette zone, de telle manière que le substrat présente une porosité d'au moins 20% en tout point du volume de ce substrat au niveau de ladite zone. 2. Substrat selon la revendication 1 dans lequel les grains ont une de leurs dimensions inférieure à 20 nm. 3. Substrat selon la revendication 1 ou la revendication 2 dont les grains sont au moins partiellement oxydés sur toute l'épaisseur du substrat au niveau de ladite zone. 4. Substrat selon la revendication 3 dont les interstices sont remplis par un matériau de remplissage (14). 5. Substrat selon la revendication 4 dans lequel le matériau de remplissage est à base de silicium. 6. Produit semi-conducteur ou électronique incorporant un substrat selon l'une quelconque des revendications précédentes. 7. Procédé de fabrication d'un substrat (1) à base de silicium comprenant une étape de formation, à l'aide d'un dispositif électrolytique, sur au moins une zone (2) du substrat, d'interstices (4) répartis sur toute l'épaisseur du substrat au niveau de cette zone, de telle manière que le substrat présente une porosité d'au moins 20% en tout point du volume du substrat au niveau de ladite zone. 8. Procédé de fabrication selon la revendication 7, suivant lequel la formation de la porosité à l'aide du dispositif électrolytique est arrêtée lorsque survient une brusque variation de la tension d'électrolyse pour une densité de courant d'électrolyse maintenue sensiblement constante. 9. Procédé de fabrication selon la revendication 7 ou la revendication 8, comprenant en outre une étape ultérieure de traitement de stabilisation du substrat par un agent oxydant mis en contact avec le substrat sur toute son épaisseur via les interstices de ce substrat au niveau de ladite zone. 10. Procédé de fabrication selon la revendication 9, comprenant en outre une étape de remplissage des interstices du substrat avec un matériau de remplissage (14) amené de l'extérieur du substrat, cette étape de remplissage étant effectuée après le traitement de stabilisation du substrat par un agent oxydant. 11. Procédé de fabrication selon la revendication 10 suivant lequel le remplissage des interstices est effectué par dépôt chimique en phase vapeur. 12. Produit semi-conducteur ou électronique incorporant un substrat obtenu par un procédé selon l'une quelconque des revendications 6 à 11.