FR 2829874 A1 20030321 FR 0210409 A 20020820 SYSTEME A SEMI-CONDUCTEUR A BOITIER ET ENVELOPPE La présente invention concerne les systèmes à semi-conducteur, systèmes d'alimentation inclus, et plus particulièrement, un système à semiconducteur comportant un élément de commutation. Elle se rattache à celle de la demande de brevet japonais n 2001-287031 dont le contenu est incorporé par référence dans la présente demande de brevet. La figure 7 est une vue en coupe d'un système à semi-conducteur d'alimentation décrit par le document JP 10-512450-A et désigné dans sa totalité comme 500. Le système à semi-conducteur 500 comprend un substrat de métal 501. Une portion de circuit est déposée sur le substrat de métal 501. La portion de circuit comprend un substrat isolant 502. Un élément semi-conducteur 504 est fixé sur le substrat isolant 502 au moyen d'une couche de soudure 503. Des broches ou pattes 505 sont connectées à une électrode de l'élément semi-conducteur 504 par des fils 506. L'élément semiconducteur 504 et les autres éléments de ce type sont scellés dans de la résine 507. La portion de circuit est fixée sur le substrat de métal (couche de base) 501 au moyen d'une couche de soudures 508. De plus, une couche de circuit de contrôle 510 est déposée sur le substrat de métal 501, tandis qu'un conducteur 511, une borne ou"terminal" relais 512 et d'autres éléments de ce type sont disposés sur la couche de circuit de contrôle 510. En outre, un substrat relais 520 est déposé sur le substrat de métal 501, et un conducteur 521 est déposé sur le substrat relais 520. Les pattes 505 de la portion de circuit sont connectées à une borne ou" terminal"de circuit principal 530 et à une borne ou terminal, de contrôle 531 via le conducteur 511. Un tel système à semi-conducteur 500 est utilisé avec un dissipateur de chaleur ou radiateur (non représenté) fixé à la face arrière du substrat de métal 501. Typiquement de la graisse (non représentée) est légèrement appliquée entre le substrat de métal 501 et le dissipateur. Lorsque des vis sont vissées dans des trous formés dans le substrat de métal 501, le dissipateur et le substrat de métal 501 sont fixent (non représenté). Cependant, comme la portion de circuit et les autres éléments de ce type sont disposés sur le substrat de métal 501 qui est cher, il est difficile de réduire les coûts de production du système à semi-conducteur 500. Quand un courant fort est à transporter par un fil de circuit sur le substrat de métal 501, le fil de circuit demande à être épais pas seulement dans la direction de l'épaisseur mais aussi dans la direction de la largeur et, la taille du substrat de métal 501 ne peut pas être réduite. En même temps, l'efficacité de la dissipation de la chaleur depuis le système à semi-conducteur 500 est largement dépendante du niveau d'adhérence entre le substrat de métal 501 et le dissipateur. Le substrat de métal 501 est conçu d'avance de telle manière à ce que le substrat de métal 501 ait une face arrière plate en tant que produit fini portant la portion de circuit 550 et les autres éléments de ce type. La face arrière du substrat de métal 501 n'a pas à être traitée pour la rendre plane après réalisation du produit final. Donc, la surface du substrat de métal 501 est plus importante au moment de l'assemblage qu'une portion de circuit dans le système à semiconducteur 500, et donc il est difficile d'assurer la planéité de la face arrière. De plus, quand l'élément semi-conducteur 504 est fixé directement sur le substrat de métal 501, la résine 507 se déforme. Ceci à son tour provoque une variation de l'épaisseur du film de la couche de soudure qui connecte l'élément semi-conducteur 504 et la résine 507 l'un à l'autre, créant une chute de fiabilité et une variation de la résistance thermique. En plus, il y a un problème d'adhérence étroite entre le substrat de métal 501 et la résine 507 qui devient insuffisante et qui provoque l'apparition d'un claquage diélectrique. De plus, quand les emplacements du terminal de circuit principal 530 et des autres éléments de ce type sont à changer, il est nécessaire de changer tout le dessin du système à semi-conducteur 500, portion de circuit incluse. Un but de la présente invention est de fournir un système à semiconducteur adhérant bien à un dissipateur, réductible en taille et permettant une modification facile de la conception et du dessin d'un terminal externe. La présente invention concerne un système à semi-conducteur possédant un boîtier fixé à une enveloppe. Le système à semi-conducteur comprend un boîtier, où un élément semi-conducteur et une patte connectée à l'élément semi-conducteur sont montés de façon étanche ou enrobés, et une enveloppe formée par un cadre avec un terminal externe. Le boîtier est situé dans le cadre de l'enveloppe et la patte de sortie est connectée au terminal externe. Le boîtier peut comporter de la résine de moulage pour enterrer l'élément semi-conducteur et un substrat isolant portant l'élément semiconducteur et exposant sa face arrière par rapport à la résine. En même temps la face arrière de l'enveloppe et une face arrière du boîtier peuvent être approximativement de niveau. Aussi, le terminal externe peut avoir une action de ressort et une face arrière du boîtier peut être située sous une face arrière de l'enveloppe. BREVE DESCRIPTION DES DESSINS La figure 1 montre un système à semi-conducteur selon une première constitution ; La figure 2 est une vue en coupe du système à semi-conducteur selon la première constitution ; La figure 3 montre un système à semi-conducteur selon la première constitution ; La figure 4 est une vue en coupe d'un système à semi-conducteur selon une seconde constitution ; La figure 5 est une vue en coupe d'un système à semi-conducteur selon une troisième constitution ; La figure 6 est une vue en coupe d'un système à semi-conducteur selon la troisième constitution ; et La figure 7 est une vue en coupe d'un système à semi-conducteur traditionnel. DESCRIPTION DE MODES DE REALISATION Première Constitution La figure 1 montre un système à semi-conducteur selon la première constitution, désigné globalement par 100. La figure 2 est une vue en coupe selon la direction 1 - 1 de la figure 1. Le système à semi-conducteur 100 comprend une enveloppe 10 et trois boîtiers 20. L'enveloppe 10 est formé par des cadres de résine de la forme d'un cadre pour photo, et des formes externes, appelées par la suite terminaux externes, 11 et 12 sont disposées sur l'enveloppe 10. Les terminaux externes 11 et 12 peuvent être noyés dans la résine des cadres (enveloppe d'insertion) ou fixés une fois que les cadres sont formés (fils extérieurs). Les terminaux externes 11 sont des terminaux d'entrée alors que les terminaux externes 12 sont des terminaux ou bornes de sortie. Aux quatre coins de l'enveloppe, il y a des trous de vis 30 pour la connexion à un dissipateur ou radiateur (non représenté). Comme représenté en figure 2, les boîtiers 20 comprennent des blocs de métal 21, en cuivre par exemple. Les éléments semi-conducteurs 23 sont fixés sur les blocs de métal 21 via les cadres 22. Comme éléments semiconducteur 23, des FET de puissance, des IGBT, (transistor bipolaire à porte isolée) ou similaires sont utilisés. Des électrodes des éléments semi-conducteurs 23 sont connectés à des pattes 25 par des fils 24 de liaison en aluminium, ou matériau similaire, d'environ 300um de diamètre. Dans cet exemple, les éléments semi- conducteurs 23 consistent en deux FET de puissance connectés en série, les deux bords des éléments semi-conducteur 23 sont connectées aux terminaux externes 11 du côté entrée, et des portions de connexion entre les FET de puissance sont connectées aux terminaux externes 12 du côté sortie. Les blocs de métal 21 ou similaires sont enfermés dans de la résine 26 comme de la résine epoxy. Les terminaux de contrôle 27 sont aussi enrobés dans le même temps dans la résine 26. Un substrat isolant 28 de céramique ou similaire est fixé aux faces arrières des blocs de métal 21. L'épaisseur de la pellicule de substrat isolant 28 est de 0,635 mm par exemple. Une fois les pattes 25 et les terminaux externes 11,12 connectés les uns aux autres, les boîtiers 20 sont fixés dans l'enveloppe 10. Une méthode de fabrication du système à semi-conducteur 100 va maintenant être décrite. Les boîtiers 20 sont d'abord assemblés en utilisant un appareil à moule de transfert assemblant les éléments semi-conducteur 23 ou similaires sur les blocs de métal 21. En résumé, après avoir placé un cadre de conducteur, où les blocs de métal 21 et similaires sont fixés, à l'intérieur d'un moule de métal, de la résine epoxy ou similaire est coulée dans le moule de métal pour former la résine 26. A cette étape, les faces arrières des blocs de métal 21 sont laissées exposées hors du moule. Après formation de la résine de moulage 26, les blocs de métal sont détachés du moule de métal, et le substrat isolant 28 est fixé aux faces arrières des blocs de métal 21 en utilisant de la pâte d'argent ou similaire. Enfin, une portion inutile du cadre de conducteur est retirée et le cadre de conducteur est traité pour lui donner une forme souhaitée, de manière à obtenir les pattes 25. Cela termine l'assemblage des boîtiers 20. Ensuite, les boîtiers 20 sont placés dans l'enveloppe 10, et les terminaux externes 11,12 et les pattes 25 sont connectés les uns aux autres. Pour cette connexion, une soudure ou similaire est par exemple utilisée. Pour fixer les boîtiers 20 à l'enveloppe 10, une face arrière de l'enveloppe 10 doit être de niveau avec les faces arrières des boîtiers 20 (substrat isolant 28). En d'autres termes, le substrat isolant 28 est assuré d'être en contact avec le dissipateur puisque le dissipateur (non représenté) est attaché à l'enveloppe 10. En général, la résine a un coefficient d'expansion thermique linéaire différent de celui d'un bloc de métal qui agit comme diffuseur de chaleur. Ceci peut mener à une différence de température puisqu'un élément semiconducteur génère de la chaleur, voire même à la déformation du boîtier. Si la déformation est au-delà de quelques centaines de um par exemple, un jeu est créé entre le boîtier et le dissipateur, là où est fixé le boîtier, et en conséquence l'effet de dissipation de chaleur se détériore. Donc, la déformation créée a tendance à augmenter, si les boîtiers deviennent plus épais. Dans le même temps, dans le système à semi-conducteur 100 selon la première constitution, les éléments semi-conducteurs 23 sont enrobés de façon étanche dans plusieurs boîtiers 20 et alors connectés au moyen de l'enveloppe 10. Pour cette raison, chaque boîtier 20 est de petite taille et se déforme donc à peine. Ceci rend possible la dissipation de chaleur de manière stable depuis le système à semi-conducteur 100 vers le dissipateur. Pour réduire la déformation des boîtiers 20 décrite ci-dessus, il est souhaitable que le coefficient de dilatation thermique linéaire des blocs de métal 21 qui agissent comme diffuseurs de chaleur et celui de la résine 26 soient aussi proches que possible l'un de l'autre. Par exemple, quand les blocs de métal 21 sont en cuivre, le coefficient d'expansion thermique linéaire de la résine 26 est de préférence d'environ 16 x 10-6/oC. En plus, selon la première constitution, le substrat isolant 28 est attaché aux faces arrières des blocs de métal 21 après l'étape de moulage de la résine, cela parce que les boîtiers 20 se déformeront plus si le substrat isolant 28 est attaché avant l'étape de moulage de la résine. Cependant il est souhaitable de disposer le substrat isolant 28 avant l'étape de moulage de la résine et de fixer la résine 26 et le substrat isolant 28 fermement l'un à l'autre dans le but d'augmenter la tolérance au claquage diélectrique, il est souhaitable de fixer le substrat isolant 28 après l'étape de moulage de la résine dans le but de diminuer l'importance de la déformation. Se"pf ;'''qtyst a'Jsemi-cpjiducjmjr 11) 0 est uti)) seo ! tîmë effisê\. tr, -9jU) e émëTrtSf1jé6nduçtJJr 2"c ! rrDrrrërjJ 9jí ! r]Gl ? I e q eânducteurs 2- : cnêtesejnépe"esa) 's Quand te système à semi-conducteur 100 est utilisé comme sortie pour un moteur triphasé, trois éléments à semiconducteur de ce type sont nécessaires. En ce qui concerne le système à semi-conducteur 100 selon la première constitution, quand la structure de l'enveloppe 10 seule est changée et que le nombre des boîtiers 20 à incorporer est modifié, il est possible de fabriquer un système à semiconducteur 100 incorporant deux, trois éléments semi-conducteurs 23 ou davantage, sans changer le dessin des boîtiers 20. Les éléments semiconducteurs 23 incorporés dans les boîtiers 20 peuvent être librement changés suivant l'application du système à semi-conducteur 100. La figure 3 montre un autre système à semi-conducteur selon la première constitution, désigné dans sa totalité par 110. En figure 3, les mêmes numéros de référence que ceux utilisés en figure 1 montrent les portions identiques ou correspondantes. Le système à semi-conducteur 110 montré en figure 3 est différent du système à semi-conducteur 100 montré en figure 1 en ce qui concerne les emplacements des terminaux externes 12. Les emplacements des terminaux externes 11 et 12 demandent à être changés selon l'agencement des fils externes connectés aux systèmes à semiconducteur 100,110. Dans le cas du système à semi-conducteur classique 500 montré en figure 7, il est nécessaire de modifier les dessins de la portion de circuit, de la couche de circuit de contrôle, du substrat relais 520 et éventuellement d'autres éléments. A l'opposé, dans le cas du système à semi-conducteur 120 selon cette constitution avantageuse, comme montré en figure 3, il est possible de s'adapter à des changements d'emplacement des terminaux externes 12 en modifiant simplement le dessin de l'enveloppe 10 sans changer le dessin des boîtiers 20. Des fils (non représentés) enterrés dans l'enveloppe 10 connectent les terminaux relais 13 et les terminaux externes 12. De plus, en disposant les terminaux externes 11,12 et de plus les terminaux relais 13 et en plaçant les boîtiers 20 côte à côte comme dans les systèmes à semi-conducteur 100 et 110, un pont est formé. Grâce en particulier à une faible distance entre les terminaux externes 12 sur le côté entrée, il est possible de réduire toute l'inductance des systèmes à semiconducteur 100,120 et de réduire une perte associée à la commutation des éléments semi-conducteur. Le matériau du substrat isolant 28 est avantageusement un matériau céramique comme le nitrure d'aluminium par exemple. La raison en est que la conductivité thermique du nitrure d'aluminium est 100 fois celle de la résine 26 généralement utilisée. Tout matériau ayant au moins une conductivité thermique supérieure à celle de la résine 26 peut être utilisé à la place du nitrure d'aluminium. Bien que la pâte d'argent soit utilisée pour l'adhérence du substrat isolant 28 aux blocs de métal 21, un autre matériau comme la graisse peut être utilisée pour remplir les aspérités de la surface d'adhésion des blocs de métal 21 et du substrat isolant 28. En outre, dans l'éventualité où le substrat isolant 28 est en matériau céramique, il est nécessaire d'appliquer de la graisse entre le substrat isolant 28 et le dissipateur (non représenté). Mais si le substrat isolant 28 est un autre matériau, flexible et adhésif, le substrat isolant 28 et le dissipateur peuvent être connectés l'un à l'autre sans utiliser de graisse. Seconde Constitution La figure 4 est une vue en coupe d'un semi-conducteur selon une seconde constitution, désigné dans sa totalité par120. La figure 4 est une vue en coupe le long de la direction 1 - 1 dans la figure 1. Dans la figure 4, des numéros de référence identiques à ceux utilisés dans la figure 2 montrent des portions identiques ou correspondantes. Dans le système à semi-conducteur 120, les terminaux-ou bornesexternes 11 et 12 sont en un matériau doté d'une action ressort ou élastique. Les matériaux dotés d'une action de ressort ne se limitent pas nécessairement aux matériaux élastiques ainsi appelés mais incluent le cuivre sans oxygène, le cuivre traité pour le rendre dur (par exemple écroui), le cuivre au fer et au titane, un matériau de revêtement constitué de matériau conducteur et de matériau élastique, etc... De plus, l'enveloppe 10 et les boîtiers 20 sont fixés de telle manière que les faces arrières des boîtiers 20 dépassent légèrement des faces arrières de l'enveloppe 10. Le système à semi-conducteur 120 est relié à un dissipateur (non représenté) grâce aux trous de vis 30 formés dans l'enveloppe 10. Quand le système à semi-conducteur 120 est placé dans le dissipateur et vissé, les terminaux externes élastiques 11,12 se déforment. En conséquence, le système à semi-conducteur 120 est fixé au dissipateur avec les faces arrières de l'enveloppe 10 à peu près de niveau avec les faces arrières des boîtiers 20. Lorsque le système à semi-conducteur 120 est fixé au dissipateur, les boîtiers 20 sont pressés contre le dissipateur grâce à l'action de ressort des terminaux externes 11,12. Cela améliore le contact entre les boîtiers 20 et le dissipateur et, donc, l'efficacité de la dissipation de chaleur. Quand de la graisse est appliquée entre les boîtiers 20 et le dissipateur en particulier, la graisse en excès est expulsée d'entre les boîtiers 20 et le dissipateur lorsque les boîtiers 20 sont pressés contre le dissipateur, et en conséquence l'interface de connexion a une faible résistance thermique. De plus, même si les vis destinés à maintenir ensemble l'enveloppe 10 et le dissipateur venaient à se desserrer pendant l'utilisation du système à semi-conducteur 120,, la connexion entre les boîtiers 20 et le dissipateur est maintenue, empêchant à son tour une détérioration de l'efficacité de la dissipation de chaleur, car les terminaux externes 11,12 ont une action de ressort. Dans l'éventualité où plusieurs boîtiers 20 sont attachés à l'enveloppe 10 pour former le système à semi-conducteur 120 montré en figures 1 et 3, les boîtiers 20 individuels sont pressés contre le dissipateur indépendamment les uns des autres. Donc, même si la surface de connexion du dissipateur se déforme, chaque boîtier 20 est pressé contre la surface de connexion du dissipateur et une excellente dissipation de chaleur est produite. Dans l'éventualité où un seul boîtier 20 est fixé à l'enveloppe 10, une excellente dissipation de chaleur est produite de manière similaire. Bien que ci-dessus la seconde constitution ait été décrite en relation avec un exemple où les terminaux externes 11,12 sont en matériau élastique, l'enveloppe 10 et les boîtiers 20 peuvent être connectés les uns aux autres par un élément comme un ressort plat ayant une action de ressort séparément des terminaux externes 11,12. Dans ce cas, un matériau flexible est à utiliser pour les terminaux externes 11 et 12 bien qu'il ne soit pas nécessaire d'avoir une action de ressort. Les terminaux relais 13 demandent à avoir une action de ressort là où les terminaux relais 13 sont utilisés comme montré en figure 3. Comme décrit ci-dessus, dans le système à semi-conducteur 120 selon la seconde constitution, une caractéristique satisfaisante de dissipation de chaleur est obtenue puisque les boîtiers 20 sont fixés en étant pressés contre le dissipateur. Troisième Constitution La figure 5 est une vue en coupe d'un système à semi-conducteur selon la troisième constitution, désigné dans sa totalité par 130. La figure 5 est une vue en coupe le long de la direction 1 - 1 dans la figure 1. Dans la figure 5, des numéros de référence identiques à ceux utilisés dans la figure 2 montrent des portions identiques ou correspondantes. Le système à semi-conducteur 130 selon la troisième constitution est destiné à empêcher le substrat isolant 28 de se rompre pendant la fixation du système à semi-conducteur 130 à un dissipateur. Dans le système à semi-conducteur 130, tout d'abord, le substrat isolant 28 fixé sur les faces arrières des blocs de métal 21 comprend, sur ses deux surfaces, les couches de métal 29a, 29b, de cuivre par exemple. En résumé, au cas où le substrat isolant 28 est constitué de matériau flexible, le substrat isolant 28 ne se fissurera pas pendant la fixation au dissipateur. Cependant, il est préférable d'utiliser un matériau céramique ayant une haute conductivité thermique comme substrat isolant 28 pour un système à semiconducteur quand la puissance thermique du semi-conducteur est supérieure à 100 W. L'utilisation de matériau céramique comme substrat isolant 28 peut conduire à briser ou ébrécher dans certaines situations les céramiques durant la fixation au dissipateur, cela d'autant plus que la surface du substrat isolant 28 est plus grande et que la surface de connexion du dissipateur est plus rugueuse. A l'opposé, dans le système à semi-conducteur 130, le substrat isolant 28 ayant les couches de métal 29a, 29b installées sur ses deux surfaces est fixé aux faces arrières des blocs de métal 21 à l'avance. Ceci permet d'empêcher le substrat isolant 28 de se fissurer pendant la fixation du système à semi-conducteur 130 au dissipateur. De plus, le système à semi-conducteur 130 selon la troisième constitution comprend une projection 31 en saillie vers le bas depuis la résine 26, en forme de jupe, constituant une portion de la résine de moulage 26. La projection 31 est disposée pour entourer le substrat isolant 28 à mi-chemin par rapport à la couche de métal 29b. Comme on donne au moule de métal pour le moulage de la résine une forme présentant une saillie, la projection 31 est créée au moment du moulage de la résine 26. Si les surfaces de connexion du système à semi-conducteur 130 et du dissipateur ne deviennent pas parallèles les unes aux autres pendant la fixation du système à semi-conducteur 130 au dissipateur, et même si une portion de la face inférieure du système à semi-conducteur 130 est pressée contre le dissipateur, le substrat isolant 28 en céramique ne s'ébrèchera pas et ne se fissurera pas. Cela est dû au fait que la résine 26 présente la projection 31. En plus, comme la projection 31 épouse le substrat isolant 28, on empêche le substrat isolant 28 de se briser ou de s'endommager d'autre façon pendant le transport ou la manipulation. Puisque la couche de métal 29b en particulier est située sous la projection 31, la couche de métal 29b se trouve pressée contre le dissipateur et fixée à lui lorsque le système à semi-conducteur 130 est fixé au dissipateur, réalisant ainsi une dissipation de chaleur efficace. La figure 6 montre un autre système à semi-conducteur selon la troisième constitution, désignée dans son ensemble par 140. Dans le système à semi-conducteur 140, excepté le fait qu'il y a un isolant 32 de résines de silicone ou similaire disposé dans la saillie 31, la structure est la même que celle du système à semi-conducteur 130. Plus le système à semi-conducteur est utilisé sous une tension élevée, plus un claquage diélectrique survient facilement entre les couches de métal 29a, 29b disposées sur les deux côtés du substrat isolant 28. Le claquage diélectrique peut être évité en donnant à la surface du substrat isolant 28 une aire supérieure à celle des blocs de métal 21, mais l'expansion du substrat isolant 28 amène à une augmentation du coût, à la fissuration du substrat isolant, etc... Sachant ceci, selon la troisième constitution, de l'isolant 32 est noyé dans la saillie 31, et la tolérance au claquage diélectrique est accrue sans agrandir le substrat isolant 28. Entre la saillie 31 de la résine 26 et le substrat isolant 28, une cavité est de préférence créée fournissant assez de capacité pour enterrer l'isolant 32. L'isolant 32 est obtenu en injectant des résines de silicone dans la saillie 31, par exemple en utilisant un distributeur et ensuite en polymérisant. Les systèmes à semi-conducteur 130 et 140 utilisent un substrat isolant 28 possédant les couches de métal 29a, 29b sur ses deux surfaces, cela parce que les couches du même matériau disposée sur les côtés du substrat isolant 28 empêchent le substrat isolant 28 de se déformer. Donc, la couche de métal 29b peut être seule prévue au cas où aucune déformation du substrat isolant 28 n'est attendue. La structure selon la troisième constitution est applicable à chacun des systèmes à semi-conducteur 100,110 et 120. Comme décrit ci-dessus, dans le système à semi-conducteur selon la troisième constitution, même quand le substrat isolant est constitué de matériau céramique, la fissuration peut être empêchée. En plus, le claquage diélectrique peut être empêché au-dessus et au-dessous du substrat isolant. Ainsi il ressort de ce qui précède que, avec le système à semiconducteur selon les constitutions ci-dessus, il est possible de changer tout le dessin du système à semi-conducteur simplement en changeant le dessin de l'enveloppe. De plus, le système à semi-conducteur présente une excellente caractéristique de dissipation de chaleur puisque le système à semiconducteur adhère bien au dissipateur ou radiateur. De plus, dans le système à semi-conducteur, la tolérance au claquage diélectrique est grande entre les blocs de métal et le dissipateur. Revendications 1. Système à semi-conducteur ayant un boîtier (20) fixé à une enveloppe (10), comprenant : un boîtier (20) où un élément semi-conducteur (23) et une patte de connexion (25) connectée au dit élément semi-conducteur (23) sont enfermés ; et une enveloppe (10) formée par un cadre et un terminal, ou borne, externe (11,12) disposé sur le dit cadre, caractérisé en ce que le dit boîtier (20) est situé dans le cadre de la dite enveloppe (10) et en ce que la dite patte de connexion (25) est connectée au dit terminal externe (11,12). 2. Système à semi-conducteur selon la revendication 1, caractérisé en ce que le dit boîtier (20) comprend de la résine (26) dans laquelle le dit élément semi-conducteur (23) est enterré et un substrat isolant (28) portant le dit élément semi-conducteur (23) avec une face arrière exposée depuis la dite résine (26), et ce qu'une face arrière de la dite enveloppe (10) et une face arrière du dit boîtier (20) sont à peu près au même niveau. 3. Système à semi-conducteur selon la revendication 1, caractérisé en ce que le dit terminal externe (11,12) a une action de ressort et une face arrière du dit boîtier (20) est située sous une face arrière de la dite enveloppe (10). 4. Système à semi-conducteur selon la revendication 2, caractérisé en ce que le dit boîtier (20) comprend une couche de métal (29a) disposée sur la face arrière du dit substrat isolant (28). 5. Système à semi-conducteur selon la revendication 4, caractérisé en ce que la dite résine (26) présente une projection (31) en forme de jupe qui s'étend vers le bas depuis une face inférieure de la dite résine (26) et entoure le dit substrat isolant (28). 6. Système à semi-conducteur selon la revendication 5, caractérisé en ce qu'une cavité entourée par la dite projection (31) est remplie de matériau isolant (32). 7. Système à semi-conducteur selon la revendication 1, caractérisé en ce que le dit boîtier (20) comprend plusieurs pattes de connexion (25) d'entrée adjacente les unes aux autres. 8. Système à semi-conducteur selon la revendication 1, caractérisé en ce que l'enveloppe (10) est constituée d'éléments d'un cadre en forme de cadre de photo, tandis qu'un terminal externe d'entrée et qu'un terminal externe de sortie (11,12) sont disposés sur les éléments de cadre se faisant face l'un à l'autre et encadrant le dit boîtier (20). 9. Système à semi-conducteur selon la revendication 1, caractérisé en ce que la dite enveloppe (10) est constitué d'éléments d'un cadre en forme de cadre de photo, tandis qu'un terminal externe d'entrée et qu'un terminal externe de sortie (11,12) sont disposés sur deux des dits éléments de cadre adjacents l'un à l'autre. 10. Système à semi-conducteur selon la revendication 1, caractérisé en ce que plusieurs des dits boîtiers (20) sont placés côte à côte dans la dite enveloppe (10).