FR 2830329 A1 20030404 FR 0211909 A 20020926 La présente invention concerne un circuit de détection de tension destiné à des dispositifs d'accumulation, et, en particulier, elle concerne un circuit de détection de tension destiné à détecter une anomalie des tensions respectives entre bornes de plusieurs dispositifs d'accumulation connectés en série. On utilise une configuration dans laquelle plusieurs dispositifs d'accumulation sont connectés en série pour donner une tension élevée avec des batteries d'accumulateurs d'automobiles électriques, de chariots élévateurs et analogues par exemple. Dans une telle batterie d'accumulateurs dans laquelle plusieurs dispositifs d'accumulation ont été connectés en série, une anomalie de tension peut être provoquée par une panne des dispositifs d'accumulation, par leur consommation ou analogue, si bien que les performances de la batterie sont détériorées. Il est donc nécessaire d'associer un circuit de détection de tension à de tels dispositifs d'accumulation. Ce circuit de détection de tension des dispositifs d'accumulation contrôle les tensions des dispositifs respectifs d'accumulation, et transmet un signal de détection qui désigne l'anomalie de tension lorsque l'une quelconque des tensions contrôlées s'écarte de sa valeur déterminée. Un exemple d'un tel circuit de détection de tension pour dispositifs d'accumulation de la technique antérieure est maintenant décrit en référence à la figure 2. Cette figure 2 est un schéma d'un circuit de détection de tension de la technique antérieure. Sur la figure 2, les références Bl à B4 désignent des dispositifs d'accumulation, les références Ql à Q4 des dispositifs de commutation à semi-conducteur, les références ql à q4 des transistors générateurs de signaux de commande, les références Vpl à Vp4 des unités de décision sur la tension, et les références PHO à PH4 des photocoupleurs. Sur la figure 2, les dispositifs d'accumulation Bl à B4 sont connectés en série et les unités de détection de tension Vpl à Vp4 sont connectées entre les bornes des dispositifs d'accumulation. En outre, les dispositifs de commutation à semiconducteur Ql à Q4 sont connectés entre les dispositifs d'accumulation Bl à B4 et les unités respectives de décision sur la tension. La base des dispositifs de commutation à semi-conducteur Ql (par exemple un transistor ou un transistor à effet de champ) qui constitue une borne de commande est connectée afin qu'elle reçoive le signal de sortie du photocoupleur PHO qui est commuté par tout ou rien en fonction d'un signal externe de commande c. D'autre part, la base d'un autre dispositif de commutation à semi-conducteur Q2 qui est une borne de commande est connectée au collecteur du transistor générateur de signal de commande ql par l'intermédiaire d'une résistance. La base du transistor générateur de signal de commande ql subit une division de tension par des résistances et est connectée aux extrémités opposées de l'unité de décision sur la tension Vpl du côté de sortie du dispositif de commutation à semi-conducteur Ql. En outre, la base d'un autre dispositif de commutation à semi-conducteur Q3 qui est une borne de commande est connectée au collecteur du transistor générateur de signal de commande Q2 par une résistance. La base du transistor générateur de signal de commande q2 subit une division de tension par des résistances et est connectée aux extrémités opposées de l'unité de décision sur la tension Vp2 du côté de sortie du dispositif de commutation à semi-conducteur Q2. En outre, la base d'un autre dispositif de commutation à semi-conducteur Q4 qui est une borne de commande est connectée au collecteur du transistor générateur de signal de commande q3 par une résistance. La base du transistor générateur de signal de commande q3 subit une division de tension par des résistances et est connectée aux extrémités opposées de l'unité de décision sur la tension Vp3 du côté de sortie du dispositif de commutation à semi-conducteur Q3. En outre, une borne est reliée au collecteur du transistor générateur de signal de commande q4 afin que le collecteur soit connecté à un dispositif de commutation à semi-conducteur d'un étage suivant non représenté. En outre, la base du transistor générateur de signal de commande q4 subit une division de tension par des résistances et est connectée aux extrémités opposées de l'unité de décision sur la tension Vp4 du côté de sortie du dispositif de commutation à semi-conducteur Q4. Les signaux de décision (par exemple qui ne sont pas inférieurs à une tension prédéterminée ni supérieurs à une tension prédéterminée) provenant des unités de décision sur la tension sont extraits et transmis par les photocoupleurs PHI à PH4 respectivement tout en étant isolés électriquement mutuellement. Sur la figure 2, les signaux de sortie des photocoupleurs PHI à PH4 sont connectés en parallèle afin qu'un signal de sortie a soit transmis lorsque l'une quelconque des tensions entre bornes des dispositifs de mémorisation B1 à B4 n'est pas supérieure à la tension prédéterminée ni inférieure à la tension prédéterminée par exemple. On décrit maintenant le fonctionnement du circuit de détection de tension du circuit de la figure 2. Lorsque le signal de sortie du photocoupleur PHO est transmis à la base du dispositif de commutation à semiconducteur Ql d'après le signal externe de commande c, un courant circule de l'émetteur vers la base de ce dispositif de commutation à semi-conducteur Ql si bien que ce dispositif Ql est mis à l'état conducteur. Lorsque le dispositif de commutation à semi-conducteur Ql est mis à l'état conducteur, un courant provenant du collecteur du dispositif de commutation à semi-conducteur Q1 circule de la base à l'émetteur dans le transistor ql générateur de signal de commande si bien que ce transistor ql est mis à l'état conducteur. Ensuite, lorsque le transistor générateur de signal de commande ql est mis à l'état conducteur, un courant circule de l'émetteur à la base du dispositif de commutation à semiconducteur Q2 si bien que ce dispositif Q2 est mis à l'état conducteur. En outre, lorsque le dispositif de commutation à semiconducteur Q2 est mis à l'état conducteur, un courant du collecteur du dispositif Q2 circule de la base vers l'émetteur dans le transistor générateur de signal de commande q2 si bien que ce transistor q2 est mis à l'état conducteur. Ensuite, lorsque le transistor générateur de signal de commande q2 est mis à l'état conducteur, un courant circule de l'émetteur à la base du dispositif de commutation à semiconducteur Q3 si bien que ce dispositif Q3 est mis à l'état conducteur. En outre lorsque le dispositif de commutation à semiconducteur Q3 est mis à l'état conducteur, un courant du collecteur du dispositif Q3 circule de la base à l'émetteur du transistor générateur de signal de commande q3 si bien que ce transistor q3 est mis à l'état conducteur. Ensuite, lorsque le transistor générateur de signal de commande q3 est mis à l'état conducteur, un courant circule de l'émetteur à la base du dispositif de commutation à semiconducteur Q4 si bien que ce dispositif Q4 est mis à l'état conducteur. Au contraire, lorsque le signal externe de commande c est absent, aucun courant ne circule de l'émetteur vers la base dans le dispositif de commutation à semi-conducteur Ql. En conséquence, le dispositif Ql est mis l'état non conducteur. Lorsque le dispositif de commutation à semi-conducteur Ql est mis à l'état non conducteur, les transistors générateurs de signal de commande respectifs ql à q4 ne peuvent pas être mis à l'état conducteur. Ainsi, tous les dispositifs de commutation à semi-conducteur Ql à Q4 sont à l'état non conducteur. Comme décrit précédemment, tous les dispositifs de commutation à semi-conducteur Ql à Q4 peuvent être commandés en fonction d'un seul signal externe de commande c. Les tensions des dispositifs d'accumulation Bl à B4 peuvent ainsi être détectées (déterminées) de la manière suivante par les unités de décision sur la tension Vpl à Vp4 qui sont connectées par ces dispositifs de commutation à semiconducteur. Sur la figure 2, on suppose que les unités de décision sur la tension Vpl à Vp4 transmettent des signaux de sortie de détection aux photocoupleurs PHI à PH4 lorsque les tensions d'entrée des unités de décision sur la tension Vpl à Vp4 ne dépassent pas une tension prédéterminée. Dans ce cas, si le signal de sortie a est obtenu en présence du signal externe de commande c, on peut en conclure que l'une quelconque des tensions entre bornes des dispositifs d'accumulation Bl à B4 ne dépasse pas la tension prédéterminée, ou les éléments constituants du circuit sont à un état anormal. Au contraire, si l'on suppose que les unités de décision sur la tension Vpl à Vp4 transmettent des signaux de sortie de détection aux photocoupleurs PHI à PH4 lorsque les tensions d'entrée de ces unités de décision sur la tension Vpl à Vp4 ne sont pas inférieures à une tension prédéterminée, lorsque le signal de sortie a est obtenu en présence du signal externe de commande c, on peut en conclure que l'une quelconque des tensions entre bornes des dispositifs d'accumulation Bl à B4 n'est pas inférieure à la tension prédéterminée ou que les éléments constituants de ce circuit sont à un état anormal. D'autre part, si le signal de sortie a est obtenu en l'absence du signal externe de commande c, on peut en conclure que les éléments constituants de ce circuit sont à un état anormal. Dans le circuit de la figure 2, de tels mécanismes de détection sont combinés afin que l'anomalie des tensions entre bornes des dispositifs d'accumulation Bl à B4 et l'anomalie des éléments constituants de ce circuit puissent être déterminées. Dans le circuit de la figure 2, l'anomalie des tensions entre bornes des dispositifs d'accumulation Bl à B4 et l'anomalie des éléments constituants du circuit peuvent être déterminées en fait, mais un grand nombre de photocoupleurs PHI à PH4 d'isolement électrique est nécessaire pour l'extraction des signaux de sortie de détection des unités de décision sur la tension vers l'extérieur. Un problème est donc posé par l'augmentation de coût. L'invention a été réalisée compte tenu du problème précité. L'invention a pour objet un circuit de détection de tension pour dispositifs d'accumulation connectés en série, dans lequel le nombre nécessaire d'éléments de transmission de signaux destinés à extraire les résultats de la décision sur la tension vers l'extérieur est réduit si bien que le coût de fabrication de l'appareil peut être réduit. Pour que cet objet soit atteint selon l'invention, celle-ci concerne un circuit de détection de tension pour dispositifs d'accumulation destiné à détecter des tensions entre bornes de plusieurs dispositifs d'accumulation connectés en série. Dans le circuit de détection de tension, des unités de décision sur la tension sont placées entre des bornes des dispositifs respectifs d'accumulation. Le circuit de détection de tension a une caractéristique selon laquelle une unité voulue de décision sur la tension est mise à un état initial alors que le résultat de la décision de l'unité de décision sur la tension de l'étage initial est transmis aux autres unités de décision sur la tension séquentiellement sans isolement, et un résultat général de la décision des unités de jugement sur la tension est obtenu pour les étages allant de l'étage initial à l'étage final. En outre, le résultat de la décision de l'unité de décision sur la tension de l'étage final est transmis à l'extérieur par l'intermédiaire d'un photocoupleur. De cette manière, comme il n'est pas nécessaire de transmettre le résultat de la décision de l'unité de décision sur la tension à chaque étage, il n'est pas nécessaire d'incorporer un photocoupleur à chaque étage. Il est donc possible de réduire le nombre de photocoupleurs nécessaires pour l'extraction du résultat de la décision sur la tension vers l'extérieur. Le coût de fabrication de l'appareil peut donc être réduit. En outre, l'invention concerne un circuit de détection de tension pour dispositifs d'accumulation, dans lequel l'unité de jugement sur la tension de l'étage initial est mise du côté de la tension la plus basse des dispositifs d'accumulation connectés en série, et l'unité de décision sur la tension de l'étage final est placée du côté des tensions élevées parmi les dispositifs d'accumulation connectés en série. Ainsi, le résultat correspondant à la décision sur la tension est transmis par l'unité de décision sur la tension du côté de la tension inférieure vers l'unité de décision sur la tension du côté de la tension supérieure. Le potentiel de la base de chaque transistor qui transmet un résultat de détection est donc plus élevé (du côté du potentiel positif) que le potentiel de masse du module de circuit intégré auquel appartient le transistor qui transmet le résultat de la détection. Le circuit de détection de tension convient donc à une réalisation dans un circuit intégré. En outre, selon l'invention, un circuit de détection pour dispositifs d'accumulation est tel que chaque unité de décision sur la tension détecte soit une tension entre bornes d'un dispositif correspondant d'accumulation qui ne dépasse pas une tension déterminée, soit une tension entre bornes qui n'est pas inférieure à la tension déterminée. Ainsi, une tension insuffisante peut être détectée lorsque la tension entre bornes de chaque dispositif d'accumulation ne dépasse pas la tension déterminée. Au contraire, une surtension peut être détectée lorsque la tension entre bornes de chaque dispositif d'accumulation n'est pas inférieure à la tension déterminée. En outre, l'invention concerne aussi un circuit de détection de tension pour dispositifs d'accumulation dans lequel les unités de décision sur la tension transmettent un signal à l'extérieur lorsque l'une quelconque des tensions entre bornes des dispositifs d'accumulation ne se trouve pas dans une plage de tension déterminée. Il est donc possible de contrôler les dispositifs d'accumulation connectés en série facilement d'après le fait que leurs tensions entre bornes sont comprises dans la plage déterminée de tension ou non. En outre, l'invention concerne un circuit de détection de tension pour dispositifs d'accumulation dans lequel l'unité de décision sur la tension de l'étage initial exécute un diagnostic automatique sur le circuit de détection de tension à la suite d'un signal externe de vérification de fonctionnement qui lui est transmis de façon impérative, et le signal externe de vérification du fonctionnement est transmis par un photocoupleur. Il est donc possible d'obtenir un résultat de contrôle d'après le signal externe. En outre, l'invention concerne un circuit de détection de tension pour dispositifs d'accumulation dans lequel les dispositifs de commutation à semi-conducteur destinés à assurer une commutation par tout ou rien séquentiellement en fonction d'un signal externe sont connectés entre plusieurs dispositifs d'accumulation et les unités de décision sur la tension respectivement, et le signal externe est transmis par un photocoupleur. Ainsi, le circuit de détection de tension peut être déconnecté le cas échéant. D'autres caractéristiques et avantages de l'invention seront mieux compris à la lecture de la description qui va suivre d'exemples de réalisation, faite en référence aux dessins annexés sur lesquels : la figure 1 est un schéma du circuit de détection de tension de dispositifs d'accumulation dans un mode de réalisation de l'invention ; et la figure 2 est un schéma du circuit de détection de tension de dispositifs d'accumulation de la technique antérieure. La figure 1 est un schéma d'un circuit de détection de tension dans un mode de réalisation de l'invention. Sur la figure 1, les références B1 et B2 représentent des dispositifs d'accumulation (correspondant aux dispositifs d'accumulation B1 à B4 du circuit de la technique antérieure de la figure 2), les références Ql et Q2 désignent des dispositifs de commutation à semi-transistor (correspondant aux dispositifs Ql à Q4 de la figure 2), les références ql et q2 désignent des transistors générateurs de signal de commande (correspondant aux transistors ql à q4 de la figure 2) , les références VPL-1 et VPH-1 désignent des unités de décision sur la tension d'un premier étage (étage initial) (correspondant à l'unité Vpl de la figure 2), les références VPL-2 et VPH-2 désignent des unités de décision sur la tension d'un second étage (étage final) (correspondant à l'unité Vp4 de la figure 2), et les références PHO, PHH et PHL désignent des photocoupleurs (correspondant aux photocoupleurs PHO à PH4 de la figure 2). Par ailleurs, les parties désignées par le symbole "o" représentent des bornes de module à circuit intégré, lorsque les circuits des étages respectifs sont constitués de modules de circuit intégré. Bien que la figure 1 représente un exemple dans lequel deux dispositifs d'accumulation sont utilisés, tout nombre voulu de dispositifs d'accumulation peut être connecté en série, par exemple quatre dispositifs d'accumulation peuvent être connectés en série comme l'indique la figure 2. Comme l'indique la figure 1, les dispositifs d'accumulation B1 et B2 sont connectés en série, et les unités de décision sur la tension VPL-1, VPH-1, VPL-2 et VPH-2 sont connectées entre des bornes des dispositifs d'accumulation respectifs. En outre, les dispositifs de commutation à semiconducteur Ql et Q2 sont connectés entre les dispositifs d'accumulation Bl et B2 et les unités respectives de décision sur la tension. La base du dispositif de commutation à semi-conducteur Ql (par exemple un transistor ou un transistor à effet de champ) qui est une borne de commande est connectée afin qu'elle reçoive le signal de sortie du photocoupleur PHO qui est commuté par tout ou rien par un signal externe de commande c . D'autre part, la base du dispositif de commutation à semi-conducteur Q2, qui est une borne de commande, est connectée au collecteur du transistor générateur de signal de commande ql par une résistance. La base du transistor générateur de signal de commande ql subit alors une division de tension assurée par des résistances et est connectée aux extrémités opposées des unités de décision sur la tension VPL-1 et VPH-1 du côté de sortie du dispositif Q1 de commutation à semi-conducteur. En outre, une borne est reliée au collecteur du transistor générateur de signal de commande q2 afin que le collecteur soit connecté à un dispositif de commutation à semi-conducteur d'un étage suivant non représenté. En outre, la base du transistor générateur de signal de commande q2 subit une division de tension par des résistances et est connectée aux extrémités opposées des unités de décision sur la tension VPL-2 et VPH-2 du côté de sortie du dispositif de commutation à semi-conducteur Q2. On décrit maintenant le fonctionnement du circuit de détection de tension représenté sur la figure 1. Lorsque le signal de sortie du photocoupleur PHO est transmis à la base du dispositif de commutation à semiconducteur Q1 d'après le signal externe de commande c, un courant circule de l'émetteur vers la base de ce dispositif de commutation à semi-conducteur Ql si bien que ce dispositif Q1 est mis à l'état conducteur. Lorsque le dispositif 1 de commutation à semiconducteur Ql est à l'état conducteur, un courant du collecteur du dispositif Ql circule de la base vers l'émetteur dans le transistor générateur de signal de commande ql si bien que ce transistor ql est mis à l'état conducteur. Lorsque le transistor générateur de signal de commande ql est mis à l'état conducteur, un courant circule de l'émetteur à la base dans le dispositif de commutation à semi-conducteur Q2 si bien que ce dispositif Q2 est mis à l'état conducteur. En outre, lorsque le dispositif de commutation à semiconducteur Q2 est mis à l'état conducteur, un courant du collecteur du dispositif de commutation à semi-conducteur Q2 circule de la base vers l'émetteur du transistor générateur de signal de commande q2 si bien que ce transistor q2 est mis à l'état conducteur. Lorsque le transistor générateur de signal de commande q2 est mis à l'état conducteur, un courant de la borne circule de l'émetteur vers la base du dispositif de commutation à semi-conducteur de l'étage suivant qui n'est pas représenté. Au contraire, lorsque le signal externe de commande c n'est pas présent, aucun courant ne circule de l'émetteur à la base du dispositif de commutation à semi-conducteur Ql. En conséquence, ce dispositif Ql est mis à l'état non conducteur. Lorsque le dispositif de commutation à semi-conducteur Ql est mis à l'état non conducteur, le transistor générateur de signal de commande ql ne peut pas être mis à l'état conducteur. Le dispositif de commutation à semi-conducteur Q2 est ainsi mis à l'état non conducteur. Comme décrit précédemment, tous les dispositifs de commutation à semi-conducteur Ql et Q2 peuvent être commandés d'après un seul signal externe de commande c. Les tensions des dispositifs d'accumulation Bl et B2 peuvent donc être détectées (déterminées selon que les tensions entre bornes des dispositifs d'accumulation se trouvent dans une plage prédéterminée ou non) de la manière suivante par les unités de décision sur la tension VPL-1, VPH-1, VPL-2 et VPH-2 connectées par ces dispositifs de commutation à semiconducteur. Parmi les unités de décision sur la tension VPL-1, VPH-1, VPL-2 et VPH-2 de la figure 1, les unités VPL-1 et VPL-2 détectent les tensions entre bornes des dispositifs d'accumulation qui ne dépassent pas une valeur déterminée. Sur la figure 1, lorsqu'un signal de vérification de tension insuffisante est transmis par le photocoupleur PHCL, le résultat de la détection de l'unité de décision sur la tension du premier étage (étage initial) VPL-1 (tension insuffisante) est transmis à l'unité de décision sur la tension de l'étage final VPL-2 sans être isolé. Le résultat de la détection de l'unité de décision sur la tension de l'étage final VPL-2 est transmis à l'extérieur par l'intermédiaire du photocoupleur PHL en étant isolé. Sur la figure 1, lorsque le signal de vérification de tension insuffisante est transmis depuis l'extérieur par le photocoupleur PHCL, un transistor Tr1 qui transmet le résultat de la détection est mis à l'état conducteur afin qu'il transmette le résultat de la détection de l'unité de décision sur la tension VPL-1 à l'étage suivant par l'intermédiaire d'un transistor Trl-1 de transmission du résultat de la détection. Ainsi, un transistor Tr2 de transmission de résultat de la détection est mis à l'état conducteur. Du fait de cette conduction du transistor Tr2 de transmission du résultat de la détection, le résultat de la détection de l'unité de décision sur la tension VPL-2 de l'étage suivant est transmis au transistor Tr2-1 de transmission de résultat de détection et au photocoupleur PHL afin qu'il parvienne à l'extérieur. Sur la figure 1, lorsqu'un signal de vérification de tension excessive est transmis par l'intermédiaire du photocoupleur PHCH, le résultat de la détection de l'unité de décision sur la tension du premier étage (étage initial) VPH-1 (tension excessive) est transmis à l'unité de décision sur la tension du second étage (étage final) VPH-2 sans être isolé. Le résultat de la détection de l'unité de décision sur la tension du second étage (étage final) VPH-2 est transmis à l'extérieur par l'intermédiaire du photocoupleur PHH en étant isolé. Le résultat de la détection d'une tension excessive est transmis de la même manière que dans le cas d'une tension insuffisante. En outre, selon l'invention, il n'est pas nécessaire d'utiliser la configuration précédente dans laquelle le résultat de la détection est transmis par l'unité de décision sur la tension du côté de la tension inférieure VPL-1 ou VPH-1 à l'unité de décision sur la tension du côté de la tension supérieure VPL-2 ou VPH-2. Par exemple, le résultat de la détection peut être désigné pour être transmis par l'unité de décision sur la tension du côté de la tension supérieure VPL-2 ou VPH-2 à l'unité de décision sur la tension du côté de la tension inférieure VPL-1 ou VPH-1. Dans une variante, lorsque quatre dispositifs d'accumulation sont connectés en série comme indiqué sur la figure 2 par exemple, le second étage peut être utilisé comme étage initial si bien que le résultat de la détection est transmis séquentiellement aux quatrième, troisième et premier étages dans cet ordre. Ainsi, toute configuration dans laquelle une unité de décision de tension voulue est utilisée comme étage initial alors que le résultat de la décision de l'unité de décision sur la tension de l'étage initial est transmis séquentiellement aux autres unités de décision sur la tension sans être isolé, et le résultat de la décision de l'unité de décision sur la tension de l'étage final est transmis à l'extérieur par un photocoupleur, peut être adoptée. Ainsi, il n'est plus nécessaire d'utiliser un photocoupleur pour transmettre un résultat de détection à l'extérieur dans chaque unité de décision sur la tension associée à chaque dispositif d'accumulation, et le coût de fabrication de l'appareil peut donc être réduit. De plus, sur la figure 1, un résultat de détection est destiné à être transmis par l'unité de décision sur la tension du côté de la tension inférieure VPL-1 ou VPH-1 à l'unité de décision sur la tension du côté de la tension supérieure VPL-2 ou VPH-2 comme décrit précédemment. Ainsi, lorsque les circuits des étages respectifs sont constitués de modules de circuit intégré (les parties désignées par les symboles o de la figure 1 sont des bornes des modules de circuit intégré), le potentiel de base de chaque transistor de transmission de résultat de détection Tr1, Tr2 devient supérieur (du côté des potentiels positifs) au potentiel de masse de chaque module de circuit intégré. La configuration dans laquelle l'étage initial est du côté de la tension inférieure alors que l'étage final est du côté de la tension supérieure comme indiqué sur la figure 1 convient donc à la formation de l'appareil avec des circuits intégrés. Un circuit de détection de tension de dispositifs d'accumulation selon l'invention a la configuration suivante. Dans un circuit de détection de tension de dispositifs d'accumulation destiné à détecter les tensions entre bornes de plusieurs dispositifs d'accumulation connectés en série, les unités de décision sur la tension sont placées entre les bornes de plusieurs dispositifs d'accumulation, une unité voulue de décision sur la tension est déterminée comme étage initial, et le résultat de la décision de l'unité de décision sur la tension de l'étage initial est transmis aux autres unités de décision sur la tension séquentiellement sans isolement, et un résultat général de la décision des unités de décision sur la tension des étages initial à final est obtenu. Il est ainsi possible de réduire le nombre d'éléments d'extraction du résultat de la décision sur la tension vers l'extérieur. Le coût de fabrication peut donc être réduit. En outre, selon l'invention, le résultat de la décision de l'unité des décisions sur la tension de l'étage final est transmis à l'extérieur par un photocoupleur. Il est donc possible de réaliser un circuit de détection de tension de dispositifs d'accumulation ayant une sécurité suffisamment grande pour que les dispositifs d'accumulation soient isolés électriquement des circuits extérieurs. En outre, selon l'invention, l'unité de décision sur la tension de l'étage initial est placée du côté de la tension inférieure des dispositifs d'accumulation connectés en série alors que l'unité de décision sur la tension de l'étage final est placée du côté de la tension supérieure des dispositifs d'accumulation connectés en série. Le potentiel de base de chaque transistor qui transmet un résultat de détection est donc plus élevé (du côté des potentiels positifs) que le potentiel de masse du module de circuit intégré auquel appartient le transistor de transmission du résultat de la détection. Ainsi, le circuit de détection de tension peut être facilement réalisé sous forme de circuit intégré. En outre, selon l'invention, chaque unité de décision sur la tension peut détecter soit une tension entre bornes d'un dispositif correspondant d'accumulation, qui ne dépasse pas une tension déterminée, soit une tension entre bornes qui n'est pas inférieure à la tension déterminée. Une tension insuffisante ou une tension excessive peut donc être détectée. De plus, selon l'invention, les unités de décision sur la tension forment un signal de sortie destiné à l'extérieur lorsque l'une quelconque des tensions entre bornes des dispositifs d'accumulation ne se trouve pas dans une plage déterminée de tension. Il est donc possible de contrôler facilement les dispositifs d'accumulation connectés en série pour déterminer si les tensions entre bornes sont comprises dans la plage déterminée de tension ou non. En outre, selon l'invention, l'unité de décision sur la tension de l'étage initial exécute un diagnostic automatique du circuit de détection de tension à la suite d'un signal externe de vérification de fonctionnement qui lui est transmis de façon impérative. Ainsi, il est possible d'obtenir un résultat de contrôle en fonction du signal extérieur. Selon l'invention, le signal de vérification de fonctionnement provenant de l'extérieur est transmis par l'intermédiaire d'un photocoupleur. Il est donc possible de réaliser un circuit de détection de tension de dispositifs d'accumulation ayant une sécurité suffisamment grande pour que les dispositifs d'accumulation soient isolés électriquement des circuits extérieurs. En outre, selon l'invention, des dispositifs de commutation à semi-conducteur destinés à être commandés par tout ou rien séquentiellement en fonction d'un signal externe sont connectés entre plusieurs dispositifs d'accumulation et les unités respectives de décision sur la tension. Le circuit de détection de tension peut donc être déconnecté le cas échéant. En outre, selon l'invention, le signal externe est transmis par l'intermédiaire d'un photocoupleur. Il est donc possible de réaliser un circuit de détection de tension de dispositifs d'accumulation ayant une sécurité suffisamment grande pour isoler électriquement les dispositifs d'accumulation des circuits extérieurs. Bien entendu, diverses modifications peuvent être apportées par l'homme de l'art aux circuits qui viennent d'être décrits uniquement à titre d'exemple non limitatif sans sortir du cadre de l'invention. REVENDICATIONS 1. Circuit de détection de tension pour dispositifs d'accumulation, destiné à détecter les tensions entre bornes de plusieurs dispositifs d'accumulation connectés en série, caractérisé en ce qu'il comprend : des unités (VPL-1, VPH-1, VPL-2, VPH-2) de décision sur la tension placées entre des bornes des dispositifs d'accumulation (Bl, B2), et en ce que une unité voulue de décision sur la tension est déterminée comme étant un étage initial, alors qu'un résultat de la décision de l'unité de décision sur la tension de l'étage initial est transmis aux autres unités (VPL-1, VPH-1, VPL-2, VPH-2) de décision sur la tension successivement sans isolement, et un résultat général de décision des unités (VPL-1, VPH-1, VPL-2, VPH-2) de décision sur la tension des étages initial à final est obtenu. 2. Circuit selon la revendication 1, caractérisé en ce que le résultat de la décision de l'unité de décision sur la tension de l'étage final est transmis à l'extérieur par l'intermédiaire d'un photocoupleur (PHL, PHH). 3. Circuit selon la revendication 1, caractérisé en ce que l'unité de décision sur la tension de l'étage initial est placée du côté de la tension inférieure des dispositifs d'accumulation (Bl, B2) connectés en série alors que l'unité de décision sur la tension de l'étage final est placée du côté de tension supérieure des dispositifs d'accumulation (B1, B2) connectés en série. 4. Circuit selon la revendication 1, caractérisé en ce que chacune des unités (VPL-1, VPH-1, VPL-2, VPH-2) de décision sur la tension détecte une tension entre bornes choisie parmi une tension entre bornes d'un dispositif d'accumulation correspondant (Bl, B2) qui ne dépasse pas une tension déterminée, et une tension entre bornes qui n'est pas inférieure à la tension déterminée. 5. Circuit selon la revendication 1, caractérisé en ce que les unités (VPL-1, VPH-1, VPL-2, VPH-2) de décision sur la tension transmettent un signal vers l'extérieur lorsque l'une quelconque des tensions entre bornes des dispositifs d'accumulation (B1, B2) ne se trouve pas dans une plage déterminée de tension. 6. Circuit selon la revendication 1, caractérisé en ce que l'unité de décision sur la tension de l'étage initial effectue un diagnostic automatique du circuit de détection de tension sous la commande d'un signal externe de vérification du fonctionnement qui lui est transmis de façon impérative. 7. Circuit selon la revendication 6, caractérisé en ce que le signal externe de vérification du fonctionnement est transmis par l'intermédiaire d'un photocoupleur (PHO). 8. Circuit selon la revendication 1, caractérisé en ce que des dispositifs (Ql, Q2) de commutation à semi-conducteur destinés à être commutés séquentiellement par tout ou rien en fonction d'un signal externe sont connectés entre les dispositifs d'accumulation (Bl, B2) et les unités respectives (VPL-1, VPH-1, VPL-2, VPH-2) de décision sur la tension. 9. Circuit selon la revendication 8, caractérisé en ce que le signal externe est transmis par l'intermédiaire d'un photocoupleur (PHO).