FR 2828582 A1 20030214 FR 0210138 A 20020809 La présente invention concerne un filtre passe-bas à caractéristique plate de retard de groupe qui empêche et réduit au minimum la dégradation de la forme d'onde d'un signal avec des caractéristiques plates de retard de groupe et qui atténue le bruit en dehors de la bande, et elle concerne aussi un récepteur de signaux optiques comprenant un tel filtre passe-bas à caractéristique plate de retard de groupe. Un filtre passe-bas de Bessel peut être utilisé pour supprimer une composante de bruit et améliorer le taux d'erreurs dans des communications numériques par une fibre optique. Le filtre passe-bas de Bessel est un circuit du type en échelle qui comporte une self formant un élément en série et un condensateur formant un élément en shunt, ayant une première extrémité à la masse. Pour que des caractéristiques plates de retard de groupe soient obtenues, l'argument argT de la fonction de transfert T(j#) du filtre est approximativement proportionnel à la fréquence. Si le nombre d'étages du filtre est déterminé, la valeur des éléments de circuit est déterminée automatiquement. La valeur des éléments est aussi facilement calculée à l'aide de paramètres de normalisation d'un filtre passe-bas standard, tel que décrit dans l'ouvrage "Handbook of Filter Synthesis" de A.I. Sverev. La figure 19 représente la disposition d'un circuit d'un filtre passe-bas de Bessel à quatre étages. Les figures 20(A) et 20(B) représentent les caractéristiques de transmission, de réflexion et de retard de groupe. Sur la figure 19, L1 et L2 sont des éléments en série formant des selfs, et Cl et C2 sont des éléments en shunt formant des condensateurs. Comme l'indique la figure 20A, S11 représente les caractéristiques par réflexion et S21 les caractéristiques par transmission. Dans cet exemple, la fréquence de coupure (à laquelle un signal est atténué de 3 dB) est de 7,5 GHz. Sur la figure 20(B), la caractéristique de retard de groupe est plate et la distorsion des signaux sur une large bande est maîtrisée et le bruit harmonique est supprimé. Le filtre représenté sur la figure 19 a de mauvaises caractéristiques par réflexion et présente une ondulation des caractéristiques par transmission à cause des réflexions multiples dues à la mauvaise adaptation entre les étages antérieurs et postérieurs. Pour que les caractéristiques par réflexion soient meilleures, des atténuateurs fixes sont placés aux extrémités avant et arrière du filtre. Un atténuateur fixe, lorsqu'il est inséré pour assurer une adaptation d'impédance, non seulement provoque une perte par transmission mais n'est pas économique non plus. Pour que les caractéristiques par réflexion soient meilleures, la demande publiée et non examinée de brevet japonais n 9-270 655 décrit un circuit de correction qui comporte un circuit en série possédant un condensateur et un circuit parallèle possédant une inductance et une résistance, et il est utilisé comme élément en shunt pour un filtre passe-bas de Bessel. La figure 21 représente la construction interne du filtre du document précité. Sur la figure 21, R1 à R4 sont des résistances, Cl à C4 sont des condensateurs et Ll' à L4' sont des selfs. L1 à L4 désignent des selfs formées de rubans métalliques. Des isolateurs de support 5, 6,7 et 8 sont fixés à une plaque métallique 4 pour le support des selfs L1, L2 et L3 qui forment des éléments en série. La figure 22 est un schéma d'un circuit du filtre de la figure 21. La figure 22 ne représente que quatre étages du filtre. Sur la figure 22, Lw est l'inductance d'un fil qui relie chacune des résistances R1 et R2 à un autre élément. Dans le filtre représenté sur la figure 21, l'inductance varie avec les variations de longueur de chaque fil raccordant chacune des résistances R1 à R4 à d'autres éléments, et les caractéristiques de retard de groupe du filtre changent de façon importante. Pour cette raison, les caractéristiques doivent être ajustées et le coût de fabrication du filtre est accru. De plus, cette disposition doit comporter une self ayant une inductance supérieure à celle de l'élément en série, telle qu'une self spiralée formant l'élément en shunt. Une telle self est coûteuse par rapport au condensateur ou à la résistance et le coût du filtre est donc accru. L'invention, pour résoudre les problèmes précités, concerne, dans des modes de réalisation préférés, un filtre passe-bas à caractéristique plate de retard de groupe qui élimine la nécessité du montage d'atténuateurs fixes à l'extrémité avant et à l'extrémité arrière du filtre, ces atténuateurs étant destinés à réduire l'effet des réflexions dues à la désadaptation d'impédance avec les composants placés à l'avant et à l'arrière du filtre, et dont les coûts de fabrication et les coûts des composants sont faibles, et elle concerne aussi un récepteur de signaux optiques comprenant un tel filtre passe-bas à caractéristique plate de retard de groupe. Dans des modes de réalisation préférés, l'invention concerne aussi un tel filtre passe-bas à caractéristique plate de retard de groupe qui comprend un circuit en série possédant un condensateur et une résistance, une extrémité du circuit en série étant à la masse et formant un élément en shunt, et une self délimitant un élément en série. Dans cette disposition, l'élément résistif du circuit en série a une caractéristique de fréquence telle que le filtre passe-bas à caractéristique plate de retard de groupe a une caractéristique plate idéale de retard de groupe dans la plage des basses fréquences alors qu'un signal est absorbé par la résistance dans la plage des hautes fréquences. De préférence, la self et le condensateur comportent chacun un motif d'électrodes formé sur le substrat diélectrique, et la résistance possède un motif de film résistif formé sur le substrat diélectrique. Cette disposition élimine les variations de caractéristiques dues aux variations entre les fils, si bien que l'ajustement des caractéristiques du filtre est superflu. De préférence, la self comprend une microligne à bande plate ayant une électrode de masse placée à la surface inférieure d'un substrat diélectrique et un motif d'électrodes de ligne placé à la surface supérieure du substrat diélectrique, et le motif d'électrodes de ligne de la microbande plate est réalisé afin que l'impédance caractéristique de la microbande plate soit supérieure à 50 Q environ, et une électrode de connexion externe qui est connectée au motif d'électrodes de la microligne à bande plate est disposée à la face supérieure du substrat diélectrique. De préférence, le motif d'électrode de ligne est fabriqué par un procédé de formation de couches minces, la face la plus externe étant formée d'or, et le motif de film résistif est de préférence formé d'une couche d'oxyde de tantale dans un procédé de formation de couches minces. Le filtre passe-bas à caractéristique plate de retard de groupe comprend en outre de préférence un motif d'électrode de masse connecté à l' électrode de masse et disposé sur l'une au moins des deux régions latérales de l'électrode de connexion extérieure. De préférence, le filtre passe-bas à caractéristique plate de retard de groupe comprend en outre une couche protectrice qui recouvre la self, les condensateurs et la résistance sur le substrat diélectrique. De préférence, l'électrode de connexion externe est connectée à un circuit extérieur par un fil. De préférence, le filtre passe-bas à caractéristique plate de retard de groupe comporte en outre une électrode latérale qui s'étend depuis l'électrode de connexion externe et qui est placée à la surface latérale du substrat diélectrique. De préférence, le filtre passe-bas à caractéristique plate de retard de groupe comporte en outre une saillie placée sur l' électrode de connexion externe au moins à la face supérieure du substrat diélectrique, et permettant une connexion de composant à composant. De préférence, un dispositif à filtre passe-bas à caractéristique plate de retard de groupe des modes de réalisation préférés de l'invention comprend un filtre passe-bas à caractéristique plate de retard de groupe de l'un des types précités et une base de boîtier sur laquelle est monté le filtre passe-bas à caractéristique plate de retard de groupe, et la base de boîtier a une électrode formant une borne à couche épaisse permettant un montage en surface, si bien que la base de boîtier peut être montée en surface sur une carte d'appareil électronique, tel qu'un récepteur de signaux optiques. Un récepteur de signaux optiques d'un mode de réalisation préféré de l'invention comprend un circuit convertisseur photoélectrique destiné à transformer un signal optique reçu en un signal électrique, et le filtre passe-bas à caractéristique plate de retard de groupe qui reçoit le signal électrique, dans lequel le circuit convertisseur photoélectrique transforme le signal électrique et atténue la composante à hautes fréquences du signal électrique. Dans des communications numériques avec une fibre optique, le bruit en dehors de la bande est réduit sans dégradation de la forme d'onde du signal. D'autres caractéristiques et avantages de l'invention seront mieux compris à la lecture de la description qui va suivre d'exemples de réalisation, faite en référence aux dessins annexés sur lesquels : les figures 1(A) à 1(C) représentent des dispositions de circuits de filtre passe-bas à caractéristique plate de retard de groupe dans des modes de réalisation préférés de l'invention ; la figure 2 indique les caractéristiques par réflexion et par transmission du filtre passe-bas à caractéristique plate de retard de groupe ayant quatre étages du type représenté sur la figure 1(A) ; la figure 3 est un schéma du circuit équivalent du filtre passe-bas à caractéristique plate de retard de groupe des modes de réalisation préférés de l'invention ; la figure 4 permet la comparaison des caractéristiques de retard de groupe du filtre passe-bas à caractéristique plate de retard de groupe des modes de réalisation préférés de l'invention à celles d'un filtre classique ; la figure 5 représente spécifiquement la structure interne d'un filtre passe-bas à caractéristique plate de retard de groupe dans un autre mode de réalisation préféré de l'invention ; la figure 6 est un schéma d'un motif d'électrodes et de composants placés sur elles dans le filtre passe-bas à caractéristique plate de retard de groupe dans un autre mode de réalisation préféré de l'invention ; la figure 7 est une vue en plan d'un substrat logé dans un carter de filtre passe-bas à caractéristique plate de retard de groupe dans un autre mode de réalisation préféré de l'invention ; la figure 8 est une vue éclatée en perspective du filtre passe-bas à caractéristique plate de retard de groupe dans un autre mode de réalisation préféré de l'invention ; la figure 9 est une vue en perspective agrandie de la plus grande partie du filtre passe-bas à caractéristique plate de retard de groupe de la figure 8 ; les figures 10(A) et 10(B) sont des vues agrandies en perspective du filtre passe-bas à caractéristique plate de retard de groupe dans un autre mode de réalisation préféré de l'invention ; les figures 11 (A) et 11 (B) sont des vues en perspective extérieure du filtre passe-bas à caractéristique plate de retard de groupe dans un autre mode de réalisation préféré de l'invention ; les figures 12(A) et 12(B) sont des vues extérieures en perspective du filtre passe-bas à caractéristique plate de retard de groupe dans un autre mode de réalisation préféré de l'invention ; les figures 13(A) et 13(B) représentent l'ensemble de mesures des caractéristiques du filtre passe-bas à caractéristique plate de retard de groupe ; les figures 14(A) et 14(B) sont des vues extérieures en perspective du filtre passe-bas à caractéristique plate de retard de groupe dans un autre mode de réalisation préféré de l'invention ; la figure 15 est une vue extérieure en perspective du filtre passe-bas à caractéristique plate de retard de groupe dans un autre mode de réalisation préféré de l'invention, à l'état monté ; la figure 16 est une vue extérieure en perspective du filtre passe-bas à caractéristique plate de retard de groupe dans un autre mode de réalisation préféré de l'invention, à l'état monté ; la figure 17 est une vue extérieure en perspective du filtre passe-bas à caractéristique plate de retard de groupe dans un autre mode de réalisation préféré de l'invention, à l'état monté ; la figure 18 est un diagramme synoptique représentant la disposition du circuit du filtre passe-bas à caractéristique plate de retard de groupe d'un récepteur de signaux optiques dans un autre mode de réalisation préféré de l'invention ; la figure 19 est un schéma du circuit d'un filtre classique de Bessel ; les figures 20(A) et 20(B) représentent les caractéristiques de réflexion, les caractéristiques de transmission et les caractéristiques de retard de groupe du filtre de Bessel classique ; la figure 21 représente la structure du filtre passebas à caractéristique plate de retard de groupe classique ; et la figure 22 représente un schéma d'un circuit équivalent du filtre passe-bas à caractéristique plate de retard de groupe classique. Sur les figures 1 (A) à 1(C), L1 à Ln désignent des éléments en série formant des selfs, Cl à Cn des éléments en shunt formant des condensateurs, et RI et C1' , R2 et Cl' , ... Rn et Cn' des circuits en série. Les circuits en série qui forment les éléments en shunt sont connectés respectivement en parallèle avec les condensateurs Ci à Cn. La figure 1(A) représente un circuit qui comporte un élément en série à son extrémité d'entrée et un élément en shunt à son extrémité de sortie. La figure 1(B) représente un circuit qui comprend un élément en série à l'extrémité d'entrée et un élément en série à l'extrémité de sortie. La figure 1(C) représente un circuit qui comporte un élément en shunt à l'extrémité d'entrée et un élément en shunt à l'extrémité de sortie. Le nombre d'étages de ces circuits peut être déterminé d'après les caractéristiques que doit avoir le filtre. Suivant les conditions, Cr (condensateur formant un élément en shunt du rième étage) et un circuit en série formé par Rr et Cr' (circuit en série constituant un élément en shunt dans le rième étage) peuvent être supprimés l'un ou l'autre. La figure 2 indique les caractéristiques de transmission S21 et les caractéristiques de réflexion Sll et S22 du filtre passe-bas à caractéristique plate de retard de groupe à quatre étages de la figure 1 (A) . Sur la figure 2, la perte par réflexion à la fréquence de coupure d' environ 7,5 GHz est d'environ 15 dB ou plus. Ce niveau de perte par réflexion est suffisamment grand par rapport à la perte par réflexion à la fréquence de coupure du filtre passe-bas idéal de Bessel représenté sur la figure 13 et qui est de 3 dB. La figure 3 est un schéma du circuit équivalent du filtre passe-bas à caractéristique plate de retard de groupe à quatre étages. Le circuit équivalent, qui diffère de ceux des figures 1 (A) à 1 (C) , comprend une inductance représentée par Lw du fil connectant une résistance R à un autre élément. La figure 4 représente les caractéristiques de retard de groupe du filtre dans le mode de réalisation préféré de la figure 3 et d'un filtre classique représenté sur la figure 19. Comme l'indique clairement la figure 4, l'écart des caractéristiques de retard de groupe du filtre de ce mode de réalisation préféré est plus petit que celui des caractéristiques du filtre classique. Plus précisément, le filtre passe-bas à caractéristique plate de retard de groupe selon l'invention est moins sensible à une inductance équivalente créée en série avec la résistance. Même lorsque la résistance est connectée par le fil, les caractéristiques du filtre ne subissent que des variations réduites. Le filtre passe-bas à caractéristique plate de retard de groupe d'un second mode de réalisation préféré de l'invention est décrit dans la suite en référence à la figure 5. La figure 5 représente spécifiquement la structure interne du filtre. Sur la figure 5, R1, à R4 désignent des résistances et Cl à C4 et C1' à C4' désignent des condensateurs. L1 à L3 sont des selfs formées de préférence chacune d'un ruban métallique. Des isolateurs de support 5,6, 7 et 8 sont fixés à une plaque métallique 4 de support des selfs L1, L2 et L3 qui sont des éléments en série. Dans ce mode de réalisation préféré, les résistances R1 à R4, les condensateurs C1 à C4 et Cl' à C4' et les selfs L1 à L3 sont tous des composants séparés. Les résistances R1 à R4 sont connectées respectivement aux électrodes de surface supérieure sur les supports 5 à 8 par des fils W et sont aussi connectées respectivement aux électrodes de surface supérieure des condensateurs Cl' à C4' par des fils W. De même, les électrodes de surface supérieure placées sur les supports 5 à 8 sont connectés respectivement aux condensateurs C1 à C4 par des fils W. Chacune des selfs L1, L2 et L3 est de préférence formée d'un ruban métallique. La self L1 chevauche les électrodes de surface supérieure placées sur les supports 5 et 6 d'isolateur et est connectée à celle-ci, la self L2 chevauche les électrodes de la surface supérieure des supports isolants 6 et 7 et est connectée à celles-ci, et la self L3 chevauche les électrodes de la surface supérieure des supports d'isolateur 7 et 8 et est connectée à celles-ci. Comme l'indique clairement la comparaison des figures 5 et 21, le filtre représenté sur la figure 5 élimine la nécessité de l'utilisation de selfs spiralées L1' à L4' et réduit donc le nombre de fils à connecter. Dans le filtre de la figure 21, la variation des caractéristiques du filtre résultant des variations des fils connectés respectivement aux résistances R1 à R4 est ajustée par réduction des électrodes des surfaces supérieures des condensateurs C1 à C4 des éléments en shunt. Dans des modes de réalisation préférés de l'invention, des variations de caractéristiques du filtre sont suffisamment faibles pour qu'il ne soit pas nécessaire d'ajuster les caractéristiques. La construction du filtre passe-bas à caractéristique plate de retard de groupe du troisième mode de réalisation préféré de l'invention est décrite dans la suite en référence à la figure 6. La figure 6 représente la disposition du motif d'électrodes disposé sur le substrat et des composants montés sur le motif. Sur la figure 6, R1 à R3 désigne des résistances, Cl à C3 et C1' à C3' des condensateurs et ces composants sont tous des composants discrets. L1 et L2 désignent des selfs formées chacune par un enroulement à noyau d'air. Des trous débouchants H conduisent à des électrodes de masse placées à la surface inférieure du substrat. Le filtre est du type représenté sur la figure 1C et il possède cinq étages. Les selfs L1 et L2 peuvent être des enroulements sous forme de composants séparés à la place de bobines à noyau d'air. Le troisième mode de réalisation préféré forme un filtre passe-bas à caractéristique plate de retard de groupe peu coûteux comprenant des composants discrets largement disponibles et un substrat peu coûteux. Le filtre passe-bas à caractéristique plate de retard de groupe d'un quatrième mode de réalisation préféré est décrit dans la suite en référence à la figure 7. La figure 7 est une vue en plan d'un substrat logé dans un carter de filtre. Sur la figure 7, quatre motifs d'électrodes C1, C2' Cl' et C2'. deux motifs de résistances R1 et R2 et des motifs de selfs L1 et L2 sont formés de couches minces placées à la surface supérieure d'une carte 10 de circuit. Dans cet exemple, l'électrode C2 de condensateur délimite aussi une plage de sortie. La plage d'entrée et la plage de sortie sont connectées respectivement par les fils à une plage d'entrée et une plage de sortie d'un substrat diélectrique différent sur lequel est monté le substrat 10 de circuit. Cette disposition donne un filtre passe-bas à caractéristique plate de retard de groupe à quatre étages du type représenté sur la figure 1(A). Le substrat 10 peut être un substrat monocouche d'une céramique cuite, un substrat multicouche d'une céramique cuite ou un substrat d'une résine. Le motif d'électrodes et le motif de résistances peuvent être formés par un procédé de formation de couches épaisses ou de couches minces. Dans le procédé de formation de couches épaisses, le motif d'électrodes ou le motif de couches de résistance est formé par sérigraphie d'un matériau d'électrode, tel qu'une pâte à l'or, ou d'un matériau de résistance, tel que le ruthénium, sous forme d'un motif, puis par cuisson du motif. Dans le procédé de formation de couches minces, un matériau d'électrode tel qu'une pâte à l'or ou un matériau de résistance tel que le ruthénium forme une couche entière sur le substrat par dépôt, pulvérisation ou application. Un matériau de réserve est alors formé sur la couche par un procédé photolithographique et les parties indésirables de la couche métallique sont retirées par attaque. Dans une variante, après formation d'un motif d'un matériau de réserve par un procédé photolithographique, le matériau d'électrode ou le matériau de résistance est déposé sur des parties du substrat autres que les régions du motif du matériau de réserve par dépôt, pulvérisation ou application, et le motif du matériau de réserve est alors retiré par pelage. Les électrodes de condensateur Cl, C2, C1' et C2' ne sont pas limitées à la forme pratiquement rectangulaire représentée. Les électrodes de condensateur peuvent avoir pratiquement une forme triangulaire, circulaire, de secteur ou de losange ou toute autre commode. Suivant les conditions particulières, la self de l'élément série peut être de type spiralé ou d'un autre type convenable. Le condensateur de l'élément en shunt peut être du type métal-isolant-métal MIM. La résistance, la self et le condensateur sont ainsi mis sous forme de motifs sur le substrat. Les variations de caractéristiques sont faibles par rapport au cas où des composants individuels sont connectés par des rubans ou des fils. Il n'est pas nécessaire d'ajuster les caractéristiques et le rendement de fabrication des filtres est grandement accru. Comme les composants principaux du filtre sont logés dans la région d'un matériau diélectrique unique, le filtre obtenu a un faible encombrement. Le procédé de transformation de la self constituant l'élément en série sous forme d'une ligne plate est décrit dans la suite. Si l'on appelle Za l'impédance caractéristique de la ligne et # l'angle électrique de la ligne, les paramètres F de la ligne sont exprimés par l'équation suivante : Les paramètres F d'un circuit du type en # de condensateurs parallèles et d'une self en série sont déterminés par l'équation suivante : Les équations (1) et (2) deviennent identiques par substitution des équations (3) et (4) : Zasin# = #L (3) roC = (1 - cose)/Zasin9 = tg (6/2) /Za (4) Par compensation de la capacité exprimée dans l'équation (4) et créée aux deux extrémités de l'inductance L avec l'inductance L, l'inductance L est transformée en une ligne ayant une impédance caractéristique Za et un angle électrique 6. Si la valeur de l'inductance formant l'élément en série est grande, une self spiralée ou une self sinueuse peut être placée sur le substrat. La self comprend une ligne plate plutôt qu'un composant discret, et la résistance est sous forme d'une couche résistive. De cette manière, le filtre ne présente pas de variation de caractéristique due à l'assemblage des composants et ne nécessite aucun ajustement des caractéristiques. Les coûts de fabrication du filtre sont ainsi réduits. Comme la surface de montage de la self est éliminée, le filtre devient peu encombrant. La figure 7 représente le substrat logé dans le carter. Les électrodes des bornes qui peuvent être montées en surface sont placées sur le substrat et le substrat lui-même est monté sur un autre substrat. Le filtre est ainsi un composant de filtre qui peut être monté en surface. La construction du filtre passe-bas à caractéristique plate de retard de groupe du cinquième mode de réalisation préféré est maintenant décrite en référence aux figures 8 et 9. La figure 8 est une vue éclatée en perspective du filtre passe-bas à caractéristique plate de retard de groupe dont le capuchon a été retiré, et la figure 9 est une vue agrandie de la partie principale du filtre passe-bas à caractéristique plate de retard de groupe. Sur les figures 8 et 9, un substrat 10 de composant comprend les composants principaux du filtre, c'est-à-dire un élément en série et un élément en shunt. Dans le cinquième mode de réalisation préféré, les motifs d'électrodes de condensateur C1', C2' et C3 ' , les motifs de résistances Rl, R2 et R3, les motifs d'électrodes de selfs L1 et L2, et les lignes S1 et S2 (microlignes plates) sont placés sur le substrat 10. Chacune des lignes a de préférence une impédance caractéristique d'environ 50 Q. Une électrode de masse s'étend sur toute la surface inférieure du substrat 10. Une base de boîtier 11 qui peut être montée sur une carte porte le substrat 10. La base 11 a une électrode de masse 12, des bornes de masse 13, une borne d'entrée 14 et une borne de sortie 15. Comme ces électrode et bornes sont formées par un procédé de formation de couches épaisses, la base 11 peut être montée en surface sur une carte par soudage par exemple. L'électrode de masse placée sous le substrat est connectée électriquement à l'électrode de masse 12 placée sur la base 11 du boîtier. Une plage d'entrée P1 et une plage de sortie P2 isolées de l'électrode de masse 12 se trouvent à la face de la base de boîtier 11. Les plages P1 et P2 sont connectées respectivement aux lignes SI et S2 par deux fils W. Un ruban métallique peut être utilisé à la place des fils. On se réfère à la figure 8 qui représente un capuchon métallique 16. Le capuchon 16 est connecté électriquement et mécaniquement à l'électrode de masse 12 de la base de boîtier 11 afin qu'il recouvre le substrat 10 et les fils W. Dans cette disposition, le capuchon 16 et l'électrode de masse 12 placée sur la base 11 protègent la partie de circuit du filtre en empêchant ainsi le rayonnement des ondes électromagnétiques depuis la surface du substrat 10 et en empêchant ainsi la dégradation des caractéristiques d'atténuation. Les figures 10A et 10B représentent la partie principale du filtre passe-bas à caractéristique plate de retard de groupe dans un sixième mode de réalisation préféré de l'invention. Comme dans la partie principale représentée sur la figure 9, le substrat 10 est connecté à la base 11 de boîtier comme indiqué sur les figures 10(A) et 10(B). Dans l'exemple de la figure 10(A), la ligne SI se poursuit dans une ligne SI' à la surface latérale du substrat 10. La ligne SI' de la surface latérale est connectée à la plage d'entrée P1 placée sur la base 11 du boîtier par soudage avec apport. Dans l'exemple de la figure 10 (B), la ligne SI se prolonge dans la ligne SI' qui s'étend dans une cavité formée sur le substrat 10. Dans les exemples représentés sur les figures 9, 10(A) et 10(B), le substrat 10 est monté sur la base 11 du boîtier qui peut être montée en surface sur une carte. Comme les substrats 10 des figures 9 et 10(A) et 10(B), le substrat 10 de la figure 7 peut être monté sur une base de boîtier qui peut être montée en surface. Les figures 11 (A) et 11 (B) représentent la construction du filtre passe-bas à caractéristique plate de retard de groupe dans le septième mode de réalisation préféré de l'invention. La figure 11(A) est une vue extérieure en perspective du filtre passe-bas à caractéristique plate de retard de groupe, représentant sa surface supérieure, et la figure 11(B) est une vue en perspective de l'extérieur du filtre passe-bas à caractéristique plate de retard de groupe, représentant sa surface inférieure. L'électrode de la surface inférieure d'un substrat diélectrique 17 forme une électrode de masse 18. Des selfs N1, N2 et N3 sont sous forme d'une ligne plate et les électrodes 19 de connexion externe sont disposées sur la ligne plate. Des condensateurs Cl' et C2' ont des électrodes de surface supérieure tournées vers l'électrode de masse 18 avec interposition du substrat diélectrique 17. Les résistances R1 et R2 comportent des motifs de couches résistives formées sur le substrat 17. Un composant de filtre passe-bas à caractéristique plate de retard de groupe à cinq étages est ainsi formé. La capacité exprimée par l'équation (4) est supérieure à la capacité de chacun des condensateurs C1 et C2 de l'élément en shunt représenté sur la figure 1. Si l'élément en série est transformé en une ligne, ces condensateurs sont omis. Pour cette raison, les éléments en shunt ne sont définis que par les condensateurs C1' et C2' connectés aux résistances R1 et R2 respectivement. Le nombre d'éléments est ainsi notablement réduit. L'électrode de connexion extérieure 19 est habituellement formée avec une impédance d'environ 50 Q. D'après l'équation (3), plus l'impédance caractéristique est élevée et plus l'inductance L des lignes est grande pour un angle électrique # déterminé. Pour cette raison, l'impédance caractéristique de la ligne plate est habituellement supérieure à 50 Q environ. La ligne plate est ainsi raccourcie. Les résistances R1 et R2 comportent un film résistif et des condensateurs C1' et C2' sont définis par l'électrode de la surface supérieure tournée vers l'électrode de masse 18 placée sur le substrat diélectrique 17. Le filtre est ainsi réalisé uniquement sur la surface du substrat 17. Le filtre est miniaturisé par utilisation d'une ligne plate ayant une impédance caractéristique supérieure à 50 Q pour la self. En outre, le nombre de condensateurs est réduit. Le filtre peut ainsi être encore miniaturisé. Comme le filtre est construit sur le substrat 17 uniquement, le filtre produit peut être très compact. Le filtre passe-bas à caractéristique plate de retard de groupe représenté sur la figure 11 est un composant logé dans un carter de filtre. Des électrodes de borne qui peuvent être montées en surface sont placées sur le composant si bien que le composant lui-même peut être monté en surface sur un autre substrat. Une électrode latérale peut être placée à la surface latérale du substrat diélectrique, et l'électrode de masse 18 de la surface inférieure peut être connectée électriquement à l'électrode de masse 20 à sa surface supérieure. Le filtre passe-bas à caractéristique plate de retard de groupe d'un huitième mode de réalisation préféré de l'invention et le procédé de mesure des caractéristiques du filtre sont décrits dans la suite en référence aux figures 12 (A) à 13 (B) . La figure 12(A) est une vue extérieure en perspective du filtre passe-bas à caractéristique plate de retard de groupe indiquant sa surface supérieure et la figure 12(B) est une vue extérieure en perspective du filtre passe-bas à caractéristique plate de retard de groupe représentant sa surface inférieure. Le filtre passe-bas à caractéristique plate de retard de groupe a des électrodes de masse 20 à sa face supérieure, qui sont connectées à l'électrode de masse 18 de la face inférieure du substrat par des trous débouchants H. Le reste de la construction du filtre est inchangé par rapport à la représentation de la figure 11. La ligne plate et l'électrode de connexion extérieure ont des motifs formés par un procédé en couches minces. La ligne plate et l'électrode de connexion externe sont revêtues par exemple d'or. Le motif de film résistif est de préférence formé de tantale. Les figures 13 (A) et 13(B) illustrent le procédé de mesure du composant de filtre. Elles représentent un composant 30 des figures 12(A) et 12(B) et une sonde coplanaire 31 d'un dispositif de mesure. Des lignes de signaux 31s et des lignes de masse 31e sont aussi représentées. Les caractéristiques du filtre sont mesurées par simple contact de la sonde 31 avec la surface supérieure du composant 30. Lorsque les parties d'entrée et de sortie du filtre comprennent des microbandes plates, l'électrode de masse de la sonde de mesure doit être connectée à la surface inférieure du composant, et l'électrode des signaux de la sonde doit être connectée à l'électrode de connexion extérieure de la surface supérieure du composant pour la mesure des caractéristiques à hautes fréquences du filtre. La construction de la sonde devient importante tridimensionnellement et le coût de fabrication de celle-ci augmente. Une telle sonde ne convient pas à la mesure de petits composants de dimension inférieure ou égale à 5 mm environ. Dans la structure des figures 12(A), 12(B), 13(A) et 13(B), des parties d'entrée et de sortie du filtre ont une structure coplanaire de masse formée par les électrode de masse supérieure et inférieure et l'électrode de connexion extérieure. Comme déjà décrit, la sonde coplanaire peut mesurer les caractéristiques du filtre depuis la surface supérieure du composant. L'étalonnage de la sonde est facilement réalisé à la surface d'extrémité de la sonde par la méthode SOLT, et la mesure est possible même si le composant du filtre devient très petit. Les caractéristiques électriques du filtre sont mesurées avant découpe de la tranche. Le procédé de mesure nécessite moins d'étapes de fabrication et provoque une moindre détérioration, par exemple par formation de fissures. Le huitième mode de réalisation préféré réduit ainsi le coût du filtre et augmente son rendement. Les figures 14(A) et 14(B) représentent le filtre passe-bas à caractéristique plate de retard de groupe dans un neuvième mode de réalisation préféré de l'invention. La figure 14(A) est une vue en perspective extérieure de la surface supérieure du filtre, et la figure 14(B) une vue extérieure en perspective de la surface inférieure du filtre. Une couche protectrice 21 recouvre les électrodes et le film résistif à la surface supérieure du filtre, sauf au niveau de l'électrode de connexion extérieure et d'une électrode de masse à la surface supérieure du filtre. La couche protectrice 21 a la construction déjà représentée sur les figures 12 (A) et 12(B). Les électrodes de la surface supérieure et le film résistif sont protégés contre les chocs mécaniques extérieurs (frottement) et l'humidité par la couche protectrice. Un filtre très fiable est ainsi produit. La couche protectrice est formée par dépôt d'une résine liquide, par exemple époxyde, par sérigraphie, puis par durcissement du film de résine par chauffage ou par de la lumière ultraviolette. La couche protectrice est aussi formée par dépôt d'une résine, par exemple de polyimide qui convient à un procédé photolithographique, sur toute la surface du filtre par revêtement par rotation, puis par formation de motifs dans la résine par des étapes d' expo- sition et de développement. La figure 15 est une vue extérieure en perspective du filtre passe-bas à caractéristique plate de retard de groupe dans un dixième mode de réalisation préféré de l'invention, à l'état monté. Ce dixième mode de réalisation préféré correspond à un exemple de composant de filtre monté tel que représenté sur les figures 14(A) et 14(B). La figure 15 représente des cartes extérieures de circuit 22 ayant des microbandes plates. Dans cet exemple, un composant 30 de filtre est placé entre les deux cartes extérieures 22 avec des électrodes externes de connexion 19 sur le composant 30 connectées respectivement aux microbandes plates des cartes extérieures 22 par des fils W. La figure 16 est une vue extérieure en perspective du filtre passe-bas à caractéristique plate de retard de groupe dans un onzième mode de réalisation préféré de l'invention, à l'état monté. Sur la figure 16, un composant 30 de filtre a des électrodes latérales aux surfaces latérales du substrat diélectrique, qui prolongent des électrodes de connexion externe. La construction de la surface supérieure du substrat diélectrique reste inchangée par rapport à celle des figures 11(A) et 11(B). Dans cet exemple, une couche protectrice 21 recouvre la surface supérieure du substrat diélectrique. Le composant 30 de filtre est monté en surface par apport de soudure sur une carte extérieure de circuit 22. Le montage en surface est réalisé par soudage avec apport par prolongement de l'électrode externe de connexion à la surface latérale du substrat diélectrique, si bien que les coûts de montage sont réduits. La figure 17 est une vue extérieure en perspective du filtre passe-bas à caractéristique plate de retard de groupe dans un douzième mode de réalisation préféré de l'invention, à l'état monté. Sur la figure 17, un composant 30 de filtre est représenté avec sa surface de montage tournée vers le haut. Des saillies de soudure ou d'or 23 sont placées sur les électrodes de connexion extérieure 19 et les électrodes de masse 20 des deux côtés sur le composant. Des lignes 24 de signaux et des électrodes 25 de masse, placées respectivement au contact des saillies 23, sont placées sur la carte extérieure de circuit 22. Le composant 30 de filtre est monté par les saillies à la surface supérieure de la carte extérieure 22, la surface ayant les saillies étant tournée vers la carte extérieure 22. L'utilisation des fils peut faire varier les caractéristiques du filtre d'après la longueur de chaque filtre. Si le composant de filtre est soudé sur de telles saillies, la variation des caractéristiques du filtre est maîtrisée. En conséquence, le filtre passe-bas à caractéristique plate de retard de groupe et un récepteur de signaux optiques comprenant un tel filtre sont fabriqués avec un rendement élevé. On décrit maintenant le filtre passe-bas à caractéristique plate de retard de groupe d'un treizième mode de réalisation de l'invention. La construction du filtre passe-bas à caractéristique plate de retard de groupe est inchangée par rapport à celle du filtre passe-bas à caractéristique plate de retard de groupe des figures 12 (A) et 12 (B) . Cependant, l' électrode de connexion extérieure 19 et l'électrode de masse 20 sont de préférence formées par un procédé en couche épaisse. Dans cette construction, le composant de filtre est monté sur une base de boîtier qui peut elle-même être montée en surface sur une carte. Un dispositif à filtre passe-bas à caractéristique plate de retard de groupe qui peut être monté en surface comprend ainsi le filtre passe-bas à caractéristique plate de retard de groupe et la base de boîtier. On décrit maintenant la construction du récepteur de signaux optiques dans un quatorzième mode de réalisation de l'invention, en référence à la figure 18. La figure 18 est un diagramme synoptique du récepteur de signaux optiques. La figure 18 représente une photodiode 121 destinée à recevoir un signal optique d'une fibre optique. Un préamplificateur 122 amplifie un signal électrique obtenu à partir du signal optique transformé par la photodiode 121. Un filtre passe-bas à caractéristique plate de retard de groupe 123 a de préférence la même structure que l'un des filtres passe-bas à caractéristique plate de retard de groupe décrits précédemment. Le filtre retire alors les composantes de bruit, telles que les composantes harmoniques résultant de la transmission à grande distance et de l'amplification du signal. Un circuit de synchronisation 125 crée une impulsion d'échantillonnage du motif numérique du signal d'entrée et transmet l'impulsion d'échantillonnage à un circuit discriminateur 124. A la suite de l'impulsion d'échantillonnage, le circuit discriminateur 124 distingue un "1" et un "0" d'une onde égalisée et reproduit le motif original d'impulsions numériques. Le récepteur de signaux optiques nécessite habituellement un atténuateur fixe avant le filtre passe-bas pour maîtriser l'effet des réflexions. Dans des modes de réalisation préférés de l'invention cependant, le filtre 123 ne nécessite pas d'atténuateur fixe pour la propriété de réflexion à basses fréquences. Dans des modes de réalisation préférés de l' invention, le filtre passe-bas à caractéristique plate de retard de groupe comprend le circuit en série de la résistance dont une extrémité est à la masse et du condensateur qui délimite l'élément en shunt et la self qui délimite l'élément en série. Cette disposition donne des caractéristiques idéales de filtre passe-bas à caractéristique plate de retard de groupe dans la région des basses fréquences, et une propriété de réflexion réduite d'un signal absorbé par la résistance dans la région des hautes fréquences. Le filtre risque peu de présenter l'effet de l'inductance équivalente créée en série avec la résistance. Même lorsque la résistance est connectée par un fil, les variations des caractéristiques du filtre sont très petites. Aucun ajustement des caractéristiques n'est nécessaire et le coût du filtre est grandement réduit. Dans des modes de réalisation préférés de l'invention, la self et le condensateur sont délimités par des motifs d'électrodes formés sur le substrat diélectrique, et la résistance est délimitée par un motif de film résistif. Les variations de connexion des éléments sont ainsi éliminées et des filtres passe-bas à caractéristique plate de retard de groupe de faible encombrement obtenus ont des caractéristiques uniformes. Dans des modes de réalisation préférés de l'invention, le substrat diélectrique est monté sur un autre substrat diélectrique ayant une structure de borne qui peut être montée en surface. L'élément en série et l'élément en shunt sont disposés avec précision. Le filtre passe-bas à caractéristique plate de retard de groupe peut donc être monté en surface sur une carte. Dans des modes de réalisation préférés de l' invention, le récepteur de signaux optiques comprend le circuit convertisseur photoélectrique qui transforme un signal optique reçu en un signal électrique, et le filtre passe-bas à caractéristique plate de retard de groupe qui reçoit le signal électrique du circuit convertisseur photoélectrique et atténue la composante à hautes fréquences du signal. Dans des communications numériques par fibre optique, la composante de bruit est supprimée sans dégradation de la forme d'onde du signal. Ce mode de réalisation préféré de l'invention améliore donc le taux d'erreurs et contribue à l'exécution de communications optiques à grande distance avec une capacité élevée. L'atténuateur fixe classique est supprimé et le récepteur de signaux optiques obtenu a donc un faible coût. Bien entendu, diverses modifications peuvent être apportées par l'homme de l'art aux filtres et récepteurs qui viennent d'être décrits uniquement à titre d'exemple non limitatif sans sortir du cadre de l'invention. REVENDICATIONS 1. Filtre passe-bas à caractéristique plate de retard de groupe, caractérisé en ce qu'il comprend : un élément en série connecté entre une borne d'entrée (14) et une borne de sortie (15), et un élément en shunt ayant une borne à la masse, dans lequel l'élément en série comprend une self (L1-Ln), et l'élément en shunt comprend un circuit parallèle ayant un condensateur (C1-Cn) et un circuit en série compre- nant une résistance (Rx# R,,) et un condensateur (C1'-Cn' ) . 2. Filtre passe-bas à caractéristique plate de retard de groupe selon la revendication 1, caractérisé en ce qu'il comprend un substrat diélectrique (17), et dans lequel la self (L1-Ln) comporte une ligne plate formée par un motif d'électrodes plates comme élément de self, placé sur le substrat diélectrique (17), chaque condensateur (C1-Cn) comprenant un motif d'électrodes disposé sur le substrat diélectrique (17) et la résistance (R1-Rn) comprenant un motif de film résistif placé sur le substrat diélectrique (17) . 3. Filtre passe-bas à caractéristique plate de retard de groupe selon la revendication 1, caractérisé en ce qu'il comprend en outre un substrat diélectrique (17), la self (L1-Ln) comprenant une microbande plate délimitée par une électrode de masse placée à la surface inférieure du substrat diélectrique (17) et un motif d'électrodes de ligne placé à la surface supérieure du substrat diélectrique (17), le motif d'électrodes de ligne de la microbande plate est construit afin que l'impédance caractéristique de la microbande plate soit supérieure à 50 Q environ, le condensateur (C-Cn) comporte une électrode de masse placée à la surface inférieure du substrat diélectrique (17) et un motif d'électrodes placé à la surface supérieure du substrat diélectrique (17) afin qu'une capacité soit créée entre l'électrode de masse et le motif d'électrodes, la résistance (R1-Rn) comprend un motif de film résistif placé à la surface supérieure du substrat diélectrique (17) et une électrode de connexion extérieure connectée au motif d'électrodes de la microbande plate est disposée à la surface supérieure du substrat diélectrique (17). 4. Filtre passe-bas à caractéristique plate de retard de groupe selon la revendication 2, caractérisé en ce que le motif d'électrodes de ligne est un motif à couches minces dont la surface la plus externe est formée d'or, et le motif de film résistif est un film d'oxyde de tantale à couches minces. 5. Filtre passe-bas à caractéristique plate de retard de groupe selon la revendication 3, caractérisé en ce qu'il comprend en outre un motif d'électrodes de masse connecté à l'électrode de masse et placé sur l'une au moins des deux régions latérales de l'électrode extérieure de connexion. 6. Filtre passe-bas à caractéristique plate de retard de groupe selon la revendication 2, caractérisé en ce qu'il comprend en outre une couche de protection (21) qui recouvre la self (L1-Ln), les condensateurs (C1-Cn) et la résistance (R1-Rn) placée sur le substrat diélectrique (17). 7. Structure de montage d'un filtre passe-bas à caractéristique plate de retard de groupe, caractérisée en ce qu'elle comprend un filtre passe-bas à caractéristique plate de retard de groupe selon la revendication 2, et l'électrode de connexion extérieure est connectée à un circuit extérieur par un fil. 8. Filtre selon la revendication 2, caractérisé en ce qu'il comprend une électrode latérale qui s'étend depuis l'électrode extérieure de connexion et placée à la surface latérale du substrat diélectrique (17). 9. Filtre passe-bas à caractéristique plate de retard de groupe selon la revendication 2, caractérisé en ce qu'il comprend en outre une saillie conductrice placée au moins sur l'électrode de connexion extérieure à la surface supérieure du substrat diélectrique (17) et destinée à faciliter le montage par application en surface. 10. Dispositif à filtre passe-bas à caractéristique plate de retard de groupe, caractérisé en ce qu'il comprend un filtre passe-bas à caractéristique plate de retard de groupe selon la revendication 2 et une base de boîtier sur laquelle est monté le filtre passe-bas à caractéristique plate de retard de groupe, et la base de boîtier a une électrode de borne à couches épaisses destinée à permettre un montage en surface. 11. Filtre selon la revendication 1, caractérisé en ce que l'élément en série est placé à la borne d'entrée (14) et l'élément en shunt est placé à la borne de sortie (15). 12. Filtre passe-bas à caractéristique plate de retard de groupe selon la revendication 1, caractérisé en ce que l'élément en série est placée à la borne d'entrée (14) et un autre élément en série est placé à la borne de sortie (15). 13. Filtre passe-bas à caractéristique plate de retard de groupe selon la revendication 1, caractérisé en ce que l'élément en shunt est placé à la borne d'entrée (14) et un autre élément en shunt est placé à la borne de sortie (15). 14. Filtre passe-bas à caractéristique plate de retard de groupe selon la revendication 1, caractérisé en ce que les condensateurs (C1-Cn), la self (L1-Ln) et la résistance (R1-Rn) comportent chacun un ruban métallique. 15. Filtre passe-bas à caractéristique plate de retard de groupe selon la revendication 1, caractérisé en ce que le filtre possède au moins quatre étages. 16. Filtre passe-bas à caractéristique plate de retard de groupe selon la revendication 1, caractérisé en ce qu'il comprend une couche protectrice (21) qui recouvre les condensateurs (Cl-Cn) , la self (L1-Ln) et la résistance (Ri-Rj . 17. Récepteur de signaux optiques, caractérisé en ce qu'il comprend un circuit convertisseur photoélectrique (121) destiné à transformer un signal optique reçu en un signal électrique, et un filtre passe-bas à caractéristique plate de retard de groupe selon la revendication 1.