FR 2812984 A1 20020215 FR 0010554 A 20000811 Amplificateur à seuil L'invention concerne un amplificateur à seuil et un circuit intégré comprenant un tel amplificateur. Les circuits intégrés sont très largement utilisés, dans des environnements très variés. Pour répondre à tous les besoins du marché, il est parfois nécessaire de prévoir des options de fabrication, selon le domaine plus particulièrement visé. La gestion de ces options de fabrication est coûteuse, car elle implique différents jeux de masques de fabrication, différents jeux de tests.... Si on prend l'exemple des applications en milieu très bruité, comme les applications automobiles, il est notamment nécessaire de filtrer l'alimentation logique appliquée au circuit intégré. I1 est habituel de prévoir pour cela, un circuit trigger de Schmitt. Ce circuit bien connu comprend un étage inverseur associé à un étage de fixation d'hystérésis, par lequel on obtient deux seuils de basculement. La différence de tension entre ces deux seuils donne la valeur de l'hystérésis. Entre ces deux seuils, toute commutation de l'étage inverseur est impossible. Cette caractéristique est notamment utilisée pour fournir un signal propre à partir d'un signal d'entrée bruité. Cependant les circuits de type trigger de Schmitt ont quelques inconvénients. Ils sont plus lents à commuter qu'un simple inverseur. En outre, il y a toujours une boucle de contre-réaction active, en sorte que le trigger est le siège d'une consommation permanente, même en mode de veille. Enfin, ils sont difficilement utilisables dans les applications basse tension. Par exemple, en technologie CMOS, les seuils de commutation définis pour "0", respectivement "1" sont de 0,3.Vcc, respectivement 0,7.Vcc. A basse tension d'alimentation, ces niveaux 0,3.Vcc et 0,7.Vcc imposent un fonctionnement des transistors N et P respectivement à des niveaux proches de leur tension de seuil. Dans ces conditions, le circuit de type trigger de Schmitt augmentant le seuil des transistors N et P d'entrée par effet de substrat, est défavorable à la détection des niveaux 0,3 Vcc et 0,7 Vcc à basse tension. Pour ces raisons, on prévoit habituellement sur ces circuits une option de fabrication par laquelle, pour les applications en domaine bruité, on implante entièrement le circuit trigger de Schmitt, avec l'étage inverseur et l'étage de fixation d'hystérésis, et pour les applications en domaine non bruité ou basse tension, on n'implante que l'étage inverseur qui ne présente pas les inconvénients précités. Par exemple, on utilise un masque métal approprié pour réaliser ou ne pas réaliser les interconnexions correspondantes de l'étage de fixation d'hystérésis. Un objet de l'invention est de proposer un circuit intégré apte à répondre aux différentes applications. Un autre objet de l'invention est de réduire le coût de fabrication des circuits intégrés. Selon l'invention, on propose un amplificateur à seuil, qui se comporte en trigger de Schmitt, avec hystérésis, pour des niveaux élevés de tension d'alimentation logique, et qui se comporte comme un simple inverseur, pour des niveaux bas de tension d'alimentation logique. On a ainsi une commutation automatique d'un comportement à l'autre selon le niveau de la tension d'alimentation. L'invention concerne un tel amplificateur et son utilisation dans un circuit intégré, notamment pour filtrer les signaux logiques externes. L'invention concerne donc un amplificateur à seuil recevant comme tensions d'alimentation, une tension d'alimentation logique et la masse, et comprenant un trigger de Schmitt avec un étage inverseur et un étage de fixation des seuils haut et bas d'hystérésis, caractérisé en ce qu'il comprend un circuit d'invalidation de l'étage d'hystérésis en fonction du niveau de la tension d'alimentation. D'autres caractéristiques et avantages de l'invention sont détaillés dans la description suivante faite à titre indicatif et non limitatif et en référence aux dessins annexés, dans lesquels - la figure 1 représente un circuit trigger de Schmitt, dans une technologie CMOS; - la figure 2a représente la courbe de transfert d'un tel circuit; - la figure 2b montre la forme du signal récupéré en sortie, à partir d'un signal d'entrée bruité; - la figure 3 représente un amplificateur à seuil selon l'invention; - la figure 4 représente la variation de la valeur de l'hystérésis avec le tension d'alimentation, dans un amplificateur à seuil selon l'invention ; - les figures Sa et 5b montre l'influence du facteur de proportionnalité des miroirs de courant dans un amplificateur à seuil selon l'invention, sur l'hystérésis ; et - la figure 6 montre un circuit intégré comprenant plusieurs amplificateurs à seuil selon l'invention, pour filtrer des signaux d'entrée. L'invention va être plus particulièrement expliquée en prenant l'exemple d'une réalisation en technologie CMOS. Mais l'invention s'applique dans toutes les technologies. La figure 1 représente un exemple de réalisation d'un circuit trigger de Schmitt selon l'état de la technique, dans une technologie CMOS. Ce circuit trigger de Schmitt 1 comprend un étage inverseur 10 et un étage 11 de fixation d'hystérésis. Ce circuit trigger de Schmitt présente ainsi un seuil haut Vh à la montée en tension d'un signal d'entrée Vin, et un seuil bas Vb à la descente. La valeur de l'hystérésis est donnée par la différence Vh-Vb entre ces deux seuils, généralement de l'ordre de Vcc/5 à Vcc/3. L'étage inverseur 10 comprend dans une branche supérieure, deux transistors MOS de type P, Tl et T2, en série entre la tension d'alimentation et le n#ud S de sortie de l'étage inverseur. Dans une branche inférieure, deux transistors MOS de type N, T3 et T4 sont placés en série entre le n#ud de sortie S de l'étage inverseur et la masse Vss. Les grilles (ou électrodes de commande) de ces quatre transistors sont reliées ensemble et forment l'entrée E de l'étage inverseur, sur laquelle est appliqué un signal d'entrée Vin. Le n#ud S de sortie de l'étage inverseur fournit le signal filtré Vout. L'étage 11 de fixation d'hystérésis Vh et Vb comprend dans l'exemple deux transistors MOS un premier transistor MOS T5, de type P, connecté entre le point milieu N2 de la branche supérieure de l'étage inverseur, et la masse Vss. On entend par point milieu le point de connexion entre les deux transistors de la branche. La grille du transistor T5 est commandée par le signal Vout de l'étage inverseur. Un deuxième transistor MOS T6, de type N, est connecté entre le point milieu Nl de la branche inférieure de l'étage inverseur et la tension d'alimentation Vcc. Sa grille est commandée par la sortie S de l'étage inverseur qui fournit le signal de sortie Vout de l'amplificateur à seuil. Le transistor T5 fixe le seuil Vb à la descente de la tension d'entrée Vin de l'amplificateur en abaissant le basculement de la branche supérieure de l'étage inverseur et le transistor T6 fixe le seuil Vh à la montée de la tension d'entrée Vin, en relevant le basculement de la branche inférieure de l'étage inverseur. Les transistors T4 et T6 forment une boucle de contre-réaction par laquelle le seuil Vh à la montée de la tension d'entrée est défini, en relevant la mise en conduction du transistor T3 ; et les transistors Tl et T5 forment une boucle de contre-réaction par laquelle le seuil Vb à la descente de la tension d'entrée est défini, en abaissant la mise en conduction du transistor T2. Le fonctionnement du trigger de Schmitt est le suivant. Partant des conditions dans lesquelles la tension d'entrée Vin est à zéro et le signal de sortie Vout de l'étage inverseur est à "1" (Vcc), le transistor T5 est bloqué. Le transistor T6 est passant et commute une tension maximum de l'ordre de Vcc-Vtn (Vtn étant la tension de seuil du transistor T6) sur le noeud N1. Quand le niveau de la tension d'entrée Vin devient supérieur à la tension de seuil du transistor T4 (Vtn), ce transistor devient passant. Il fait baisser la tension au noeud N1, ce qui baisse la tension de source du transistor T3 et tend à le rendre conducteur. L'inverseur bascule. Le signal de sortie Vout passe à zéro. La tension au n#ud Nl dépend en pratique des rapports de conduction entre les transistors T4 et T6. En d'autres termes, le seuil à la montée Vh est fixé par les rapports géométriques W/L des transistors T4 et T6. Inversement, lorsque le signal de sortie Vout de l'inverseur est à zéro, le transistor T6 est bloqué. Le transistor T5 est passant et impose une tension minimum de l'ordre de sa tension de seuil Vtp sur le n#ud N2. Quand la tension Vin devient inférieure à Vcc-Vtp, le transistor T1 devient passant. Il fait monter la tension au n#ud N2, ce qui tend à rendre passant le transistor T2. l'inverseur bascule. Le signal de sortie Vout de l'inverseur passe à "1". La tension au noeud N2 dépend en pratique des rapports de conduction entre les transistors Tl et T5. En d'autres termes, le seuil à la descente Vb est fixé par les rapports géométriques W/L des transistors Tl et T5. Les figures 2a et 2b montrent le signal de sortie Vout fourni par un tel circuit trigger de Schmitt, en fonction de la tension d'entrée Vin qui lui est appliquée. En pointillé, on a représenté le seuil de basculement Vs d'un simple inverseur, typiquement de l'ordre de Vcc/2. La figure 2b montre plus spécifiquement la réponse en tension de ce circuit par rapport à une entrée bruitée. Ces figures montrent que si la tension d'alimentation logique est faible, l'amplificateur à seuil n'est plus efficace, car la valeur de l'hystérésis Vh-Vb devient trop faible par rapport à la tension d'alimentation. Dans ces conditions, l'utilisation du trigger de Schmitt devient désavantageuse, tant sur le plan de la vitesse de commutation que de la consommation. La figure 3 représente un exemple de réalisation d'un amplificateur à seuil selon l'invention. Il comprend en plus du circuit trigger de Schmitt, un circuit 2 de détection de seuil de tension d'alimentation et un circuit 3 d'invalidation de l'étage de fixation d'hystérésis. Un tel amplificateur fonctionne en trigger de Schmitt si le niveau de la tension d'alimentation logique est suffisamment élevé, et il fonctionne en simple inverseur sinon. Pour la simplification de l'exposé, les éléments de l'amplificateur à seuil représenté sur la figure 2 déjà décrits en référence à la figure 1, portent les mêmes références. L'amplificateur à seuil selon l'invention comprend ainsi un trigger de Schmitt 1 comprenant les mêmes éléments T1 à T6 que dans la figure 1 ; un circuit 2 de détection du niveau de la tension d'alimentation logique Vcc par rapport à un seuil de détection; et un circuit 3 d'invalidation de l'étage de fixation d'hystérésis du trigger de Schmitt. Le circuit 2 de détection comprend dans l'exemple une branche de détection en courant, par rapport à un seuil de détection Sd. Cette branche de détection comprend dans l'exemple, un transistor de type P T20, une résistance RX et un transistor de type N T21, connectés en série entre la tension d'alimentation logique Vcc et la masse. Chacun des transistors T20 et T21 est connecté en diode (drain et grille connectés ensemble). Le seuil de détection Sd de tension établi dans cette branche est ainsi égal à la somme des tensions de seuil des transistors T20 et T21, soit Vtp+Vtn dans l'exemple. Si la tension d'alimentation logique Vcc a un niveau inférieur à ce seuil, aucun des transistors T20 et T21 n'est passant. Le courant I est nul dans la branche de détection. Si le niveau de la tension d'alimentation logique Vcc est supérieur à ce seuil, un courant I non nul passe dans cette branche, d'intensité d'autant plus importante que le niveau de la tension logique Vcc est supérieur au seuil de détection. On a en effet I=(Vcc-Vtn(T21)-Vtp(T2o)]/RX. Cette absence ou présence de courant est utilisée dans le circuit d'invalidation pour invalider ou valider l'étage de fixation d'hystérésis. Le circuit 3 d'invalidation comprend deux dispositifs d'invalidation 30 et 31, un pour chaque seuil du trigger de Schmitt, commandés par le circuit 2 de détection. Le premier dispositif 30 associé à la boucle de contre-réaction définie par les transistors Tl et T5, comprend -un premier transistor T300, de type P, connecté entre la tension d'alimentation logique Vcc et le noeud N2 ; -un deuxième transistor T301, de type P, connecté en série avec une résistance R300 entre la tension d'alimentation logique Vcc et la masse, la résistance R300 étant connectée côté masse. Le point de connexion AP entre le deuxième transistor et la résistance R300 est connecté à la grille du transistor T300, et la grille du deuxième transistor forme une entrée E1 du circuit d'invalidation, commandée par le circuit de détection ; -un troisième transistor T302, de type N, connecté en série entre le transistor T5 du trigger de Schmitt et la masse, et dont la grille forme une entrée E2 du circuit d'invalidation, commandée par le circuit de détection. Dans l'exemple, l'entrée E1 est connectée à la grille du transistor T20 du circuit 2 de détection et l'entrée E2 est connectée à la grille du transistor T21 du circuit de détection. De façon duale, le dispositif d'invalidation 31 associé à la boucle de contre-réaction définie par les transistors T4 et T6 du trigger de Schmitt, comprend -un premier transistor T310, de type N, connecté entre le n#ud N1 et la masse; -un deuxième transistor T311, de type N, connecté en série avec une résistance R310 entre la tension d'alimentation logique Vcc et la masse, la résistance R310 étant connectée côté tension d'alimentation Vcc. Le point de connexion AN entre le deuxième transistor et la résistance R310 est connecté à la grille du transistor T310, et la grille du deuxième transistor forme une entrée E3 du dispositif d'invalidation, commandée par le circuit de détection ; -un troisième transistor T312, de type P, connecté en série entre le transistor T6 du trigger de Schmitt et la tension d'alimentation logique Vcc, et dont la grille forme une entrée E4 du dispositif d'invalidation, commandée par le circuit de détection. Dans l'exemple, l'entrée E3 du dispositif d'invalidation 31 est connectée à la grille du transistor T21 du circuit 2 de détection et l'entrée E4 est connectée à la grille du transistor T20 du circuit de détection. En fait, les entrées El et E4, respectivement les entrées E2 et E3 du circuit 3 d'invalidation sont communes. Chacun des dispositifs d'invalidation 30 et 31 est ainsi commandé en courant par le circuit de détection 2. En effet, les transistors T301 et T302 du premier dispositif 30 sont chacun montés en miroir de courant le premier par rapport au transistor T20 et le deuxième par rapport au transistor T21. De même, les transistors T311 et T312 du deuxième dispositif 31 sont chacun montés en miroir de courant, le premier par rapport au transistor T21 et le deuxième par rapport au transistor T20. Dans l'exemple, le facteur de proportionnalité k est le même pour chacun des transistors T301, T302, T311 et T312, mais cela n'a aucun caractère obligatoire. Si le courant I dans le circuit de détection n'est pas nul, il est recopié avec un facteur de proportionnalité k dans chacun des transistors T301, T302, T311, T312, ce qui permet à l'étage de fixation d'hystérésis d'être actif. La valeur de l'hystérésis est alors fonction du niveau de la tension d'alimentation. Si ce niveau est suffisamment au-dessus du seuil de détection Sd, le circuit d'invalidation n'influe pas dans le circuit trigger de Schmitt et l'hystérésis a sa valeur nominale, typiquement entre Vcc/5 et Vcc/3. Si le niveau de la tension d'alimentation Vcc est proche du seuil de détection, la valeur de l'hystérésis est plus faible. Dans le cas contraire où le niveau de la tension d'alimentation est inférieur au seuil de détection, le courant I est nul, il n'y a pas d'hystérésis. L'amplificateur à seuil fonctionne alors comme un inverseur pur. L'invalidation de l'étage de fixation de l'hystérésis est obtenue en forçant chacun des n#uds de connexion N1 et N2 entre l'étage inverseur et l'étage de fixation d'hystérésis, à la tension d'alimentation appropriée, c'est à dire à la masse Vss pour N1 et à Vcc pour N2. Cette fonction est assurée par les éléments T300 (pour N2) et T310 (pour N1), chacun commandé par la branche inverseuse commandée en courant formée des éléments T301 et R300, respectivement T311 et R310. Pour empêcher les transistors T5 et T6 de l'étage de fixation d'hystérésis de conduire, il est aussi préférable de les déconnecter de leur tension d'alimentation. C'est ce qui est obtenu par les transistors T302 et T312. La variation de la valeur de l'hystérésis en fonction du niveau de la tension d'alimentation Vcc est représentée sur la figure 4. Tant que la tension d'alimentation Vcc est inférieure au seuil de détection Sd, la valeur de l'hystérésis est nulle l'amplificateur à seuil fonctionne comme un inverseur. Dès que la tension d'alimentation Vcc a un niveau supérieur au seuil de détection Sd, on a une hystérésis dont la valeur est d'autant plus proche de la valeur nominale, Vcc/3, que l'on est loin du seuil. Le fonctionnement du circuit d'invalidation 3 va être expliqué de façon plus détaillée, en prenant la première boucle de contre-réaction Tl/T5 et le dispositif 30 d'invalidation associé. Le fonctionnement dual s'en déduit aisément pour la deuxième boucle de contre-réaction T4/T6 et le dispositif d'invalidation 32 associé. Lorsque la tension d'alimentation logique Vcc a un niveau supérieur à celui du seuil de détection Sd, on a un courant non nul I dans la branche T20, RX, T21. Ce courant est recopié avec un facteur k de proportionnalité dans le transistor T301, par miroir de courant (T20, T301). La tension au n#ud AP va progressivement monter vers Vcc. Le transistor T300 est bloqué. Par ailleurs, le transistor T302, monté en miroir de courant avec le transistor T21 du circuit de détection, est passant. I1 amène ainsi le drain du transistor T5 à la masse. La boucle de contre-réaction T1/T5 du trigger de Schmitt est active. Si le niveau de tension d'alimentation logique Vcc est inférieur au seuil de détection Sd, le courant I est nul dans la branche de détection. Le transistor 301 est bloqué. Le transistor T300 est passant, car sa grille est tirée à la masse par la résistance R300 et amène le n#ud N2 à Vcc. Le transistor 302 est bloqué, ce qui met le drain du transistor T5 à un potentiel flottant. Le transistor T5 est donc bloqué et son effet de contre-réaction invalidé. Le trigger de Schmitt se comporte alors comme un simple inverseur. Le seuil de détection du circuit de détection 2 peut être augmenté si nécessaire, en ajoutant entre les deux transistors T20 et T21, d'autres transistors montés en diode. Par exemple, si on ajoute un autre transistor de type P, entre le transistor T20 et la résistance RX, le seuil de détection Sd devient égal à 2Vtp + Vtn. De préférence, on prévoit dans la branche de détection en courant du circuit de détection, une porte de transfert G1, commandée par un signal de contrôle CSR (et /CSR). Quand ce signal est à 0, la porte de transfert est ouverte, et aucun courant ne peut passer. Si il est à 1, la porte de transfert est équivalente à un court-circuit et la branche de détection en courant fonctionne normalement. Dans l'exemple, cette porte de transfert G1 est connectée en série entre la résistance RX et le transistor T21. On peut ainsi empêcher toute consommation dans la branche de détection, par exemple, lorsque l'amplificateur à seuil n'est pas utilisé. Mais lorsque la branche de détection est ouverte (CSR à 0), les entrées E1, E2, E3 et E4 du circuit d'invalidation 3 sont à un potentiel flottant. Pour être certain que les transistors T301, T302, T311 et T312 soient bloqués, pour qu'eux mêmes ne consomment pas de courant, on prévoit de préférence, et comme représenté sur la figure 3, que le circuit de détection 2 comprenne en outre un premier transistor T22, de type P, commandé sur sa grille par le signal de contrôle CSR, et connecté en parallèle sur le transistor T20 (entre la tension d'alimentation Vcc et le drain du transistor T20), et un deuxième transistor, T23, de type N, commandé sur sa grille par l'inverse du signal de contrôle et connecté en parallèle sur le transistor T21 (entre le drain du transistor T21 et la masse Vss). Lorsque le signal CSR est à 0, le transistor T22 amène les entrées E1 et E4 du circuit 3 d'invalidation à un niveau proche de Vcc et le transistor tire les entrées E3 et E2 à la masse. De cette façon, les transistors T301, T302, T3111, T312 sont bloqués. Dès que le signal de contrôle CSR est à 1 (/CSR à 0), ces transistors T22 et T23 passent à l'état bloqué et n'interviennent plus dans le fonctionnement de l'amplificateur. Le signal de contrôle CSR peut correspondre typiquement au signal de sélection du circuit intégré (chie select). Ainsi, lorsque le circuit n'est pas ou n'est plus sélectionné, l'amplificateur à seuil ne consomme aucun courant. Dans une variante, on prévoit une résistance supplémentaire sur les entrées El et E3 du circuit d'invalidation 3, pour aider au blocage rapide des transistors T301 et T311, lorsque le courant I dans la branche de détection devient non nul. L'intérêt de cette variante de réalisation, est de permettre l'activation de l'hystérésis beaucoup plus vite, quand le circuit est sélectionné. On n'a pas à attendre que tous les n#uds internes se chargent. Sur la figure 3, on a ainsi représenté une résistance R301 dans le dispositif 30, connectée entre la tension d'alimentation logique Vcc et la grille du transistor T301 et une résistance R311 dans le dispositif 31, connectée entre la masse et la grille du transistor T311. Dans un amplificateur à seuil selon l'invention, le passage d'un mode de fonctionnement de l'amplificateur à seuil à l'autre, trigger de Schmitt, avec hystérésis, ou simple inverseur- se fait progressivement dès le seuil de détection dépassé. Plus le courant est faible, dans des niveaux de tension peu élevés par rapport au seuil de détection, moins l'hystérésis est importante, comme montré sur la figure 4. Ainsi, l'amplificateur à seuil selon l'invention se comporte -comme un inverseur, si la tension d'alimentation logique Vcc a un niveau inférieur ou égal au seuil de détection. I1 commute à environ Vcc/2, de façon abrupte (commutation rapide). -comme un trigger de Schmitt pur, si la tension d'alimentation logique Vcc a un niveau très supérieur au seuil de détection. -de façon intermédiaire, pour des niveaux de tension peu supérieurs au seuil de détection, avec un hystérésis d'autant plus faible que l'on est proche du seuil de détection. La courbe de variation de la valeur de l'hystérésis avec le niveau de la tension d'alimentation dépend en pratique des facteurs de proportionnalité des structures à miroir de courant utilisées entre le circuit de détection et le circuit d'invalidation. En agissant sur ces facteurs de proportionnalité, on modifie cette courbe. Sur la figure 5a, on montre ainsi une courbe de variation de l'hystérésis peu abrupte qui correspond à un facteur k de proportionnalité faible, et plus abrupte. Sur la figure 5b, la courbe de variation de l'hystérésis est très abrupte, correspondant à un facteur k de proportionnalité élevé. Dans un même circuit intégré, on peut avoir plusieurs amplificateurs à seuil, chacun pour filtrer une entrée du circuit intégré. Or le circuit de détection 2 peut consommer à lui seul quelques dizaine de microampères sous une tension d'alimentation logique de 5 volts. Pour réduire la consommation globale du circuit intégré et comme représenté schématiquement sur la figure 6, on prévoir avantageusement qu'un circuit de détection 2 soit commun à plusieurs amplificateurs à seuil Al, A2, A3. Le circuit de détection 2 commande alors les entrées El à E4 de chaque amplificateur. Dans l'exemple, les entrées El et E4 sont commandées en commun (par T20) et les entrées E2 et E3 sont commandées en commun (par T21). Les résistances de blocage R301 et R311 prévues en entrées E1 et E3 du circuit d'invalidation de chaque amplificateur peuvent aussi être communes aux amplificateurs à seuil, comme représenté sur la figure 6. L'invention a été décrite dans un exemple de réalisation dans une technologie CMOS. L'invention s'applique d'une manière générale dans toutes les technologies, par exemple en technologie bipolaire. L'homme du métier saura faire les adaptations nécessaires fonction de la technologie envisagée. Elle s'applique aussi d'une manière générale aux différentes variantes de structure de trigger de Schmitt de l'état de la technique. REVENDICATIONS 1. Amplificateur à seuil recevant comme tensions d'alimentation, une tension d'alimentation logique (Vcc) et la masse (Vss), et comprenant un trigger de Schmitt (1) avec un étage inverseur (10) et un étage (11) de fixation des seuils haut (Vh) et bas (Vb) d'hystérésis, caractérisé en ce qu'il comprend un circuit d'invalidation (3) de l'étage d'hystérésis en fonction du niveau de la tension d'alimentation (Vcc). 2. Amplificateur à seuil selon la revendication 1, caractérisé en ce qu'il comprend un circuit de détection (2) du niveau de la tension d'alimentation logique (Vcc) par rapport à un seuil de détection (Sd), pour activer le circuit d'invalidation (3) de l'étage de fixation des seuils lorsque la tension d'alimentation logique est inférieure au seuil de détection (Sd). 3. Amplificateur à seuil selon la revendication 2, caractérisé en ce que le circuit de détection (2) comprend une branche de détection en courant. 4. Amplificateur à seuil selon la revendication 3, caractérisé en ce que ladite branche de détection comprend un premier transistor (T20), une résistance (RX) et un deuxième transistor (T21), connectés en série entre la tension d'alimentation logique (Vcc) et la masse, lesdits premier et deuxième transistors étant connectés en diode. 5. Amplificateur à seuil selon la revendication 4, caractérisé en ce que la branche de détection comprend un ou plusieurs autres transistors montés en diode, connectés entre lesdits premier et deuxième transistors. 6. Amplificateur à seuil selon l'une quelconque des revendications 3 à 5, caractérisé en ce que le circuit d'invalidation (3) comprend des moyens de recopie (T301, T302) du courant (I) de la branche de détection. 7. Amplificateur à seuil selon la revendication 6, caractérisé en ce que le circuit de détection (2) comprend un troisième transistor (T22) connecté en parallèle sur le premier transistor (T20) et un quatrième transistor (T23) connecté en parallèle sur le deuxième transistor (T21), lesdits troisième et quatrième transistors étant commandés par un signal de contrôle (CSR), permettant de désactiver les dits moyens de recopie. 8. Amplificateur à seuil selon l'une quelconque des revendications 3 à 7, caractérisé en ce que la branche de détection comprend une porte de transfert (G1) connectée entre lesdits premier et deuxième transistors et commandée par un signal de contrôle (CSR), permettant d'ouvrir ladite branche. 9. Amplificateur à seuil selon l'une des revendications 6 à 8, l'étage de fixation d'hystérésis (11) comprenant pour chacun des seuils haut (Vh) et bas (Vb) d'hystérésis, un noeud correspondant (N2) de connexion à l'étage inverseur (10), entre la sortie (S) dudit étage inverseur et une tension d'alimentation (Vcc), caractérisé en ce que le circuit d'invalidation comprend pour chaque nceud (N2), un premier transistor (T300) connecté entre la dite tension d'alimentation (Vcc) et le dit noeud de connexion (N2), commandé par un deuxième transistor (T301) connecté en miroir de courant avec un transistor (T20) de la branche de détection du circuit de détection (2). 10. Amplificateur à seuil selon la revendication 9, caractérisé en ce que ledit deuxième transistor (T301) est connecté en série avec une résistance (R300) entre la tension d'alimentation logique (Vcc) et la masse (Vss), le point de connexion (AP) entre ce deuxième transistor (T301) et la résistance (R300) fournissant le signal de commande du premier transistor (T300). 11. Amplificateur à seuil selon la revendication 9 ou 10, caractérisé en ce que le circuit d'invalidation comprend pour chaque noeud (N2), un autre transistor (T302) connecté en miroir de courant avec un transistor (T21) de la branche de détection, et connecté entre l'étage de fixation des seuils d'hystérésis (11) et l'autre tension d'alimentation (VSS). 12. Amplificateur à seuil selon l'une quelconque des revendications 9 à 11, caractérisé en ce que le rapport de proportionnalité des miroirs de courant est fonction d'une pente déterminée de variation de l'hystérésis avec le niveau de la tension d'alimentation logique (Vcc). 13. Circuit intégré comprenant au moins un amplificateur à seuil selon l'une quelconque des revendications précédentes. 14. Circuit intégré selon la revendication 13, caractérisé en ce qu'il comprend un circuit de détection (2) de la tension d'alimentation logique (VCc) commun à plusieurs amplificateurs à seuil (A1, A2, A3). 15. Circuit intégré selon la revendication 13 ou 14, caractérisé en ce qu'il comprend au moins un amplificateur à seuil pour filtrer la tension d'alimentation logique appliquée en entrée dudit circuit intégré.