FR 2812515 A1 20020201 FR 0009879 A 20000727 L'invention concerne un procédé amélioré de réalisation d'une circuiterie d'interconnexion à haute densité d'intégration comportant pistes, pastilles et microtraversées conductrices. Dans le cadre de l'invention, on entend par microtraversées, les microtrous borgnes traversant de part en part l'épaisseur d'une couche de diélectrique. Les microtraversées sont communément connues sous le nom de microvias dans la technique. Dans le domaine de l'électronique, on tend vers une miniaturisation optimale des produits ainsi que vers un accroissement des performances en terme de rapidité. Ces tendances sont accentuées par l'utilisation croissante de composants à connexion surfacique tels que les BGA/CGA, CSP ou autre Flip Chip. La densification d'intégration est souhaitable dans les trois dimensions : à la fois dans une direction axiale par empilement successif de couches de diélectrique/cuivre de plus en plus minces pour obtenir un multicouche, que dans le plan perpendiculaire à cette direction par rapprochement de pistes et pastilles de plus en plus fines. Le procédé de l'invention répond à ces exigences en assurant l'élaboration d'une circuiterie "lignes fines" caractérisée par des largeurs de pistes et d'interpistes inférieures à 100 m et des diamètres de trous ou traversées inférieurs à 100 m. Ce procédé assure par ailleurs une excellente adhésion des couches métalliques au substrat diélectrique et limite les phénomènes de sous-gravure, c'est-à-dire qu'il permet d'éviter une gravure non uniforme au niveau des microtraversées. Le procédé de l'invention est en outre économiquement avantageux dans la mesure où il permet une simplification de la procédure globale de métallisation des traversées, pastilles et pistes par diminution du nombre d'étapes. Selon un premier de ses aspects, l'invention fournit un procédé de formation et de métallisation de trous borgnes ou microtraversées dans un diélectrique recouvrant un premier niveau de circuiterie ou une première couche métallisée, sans détérioration dudit premier niveau de circuiterie ou de ladite première couche métallisée. Un procédé conventionnel de l'état de la technique consiste à mettre en oeuvre la succession des différentes étapes suivantes : - graver et éventuellement oxyder une couche métallisée portée par un diélectrique (montage RCC) ; - percer une ou plusieurs microtraversées dans le diélectrique aux endroits où la couche métallique a été gravée et oxydée ; - procéder à un traitement de surface par décapage (ou déglaçage) acide par voie oxydante pour favoriser l'accrochage ultérieur de particules métalliques; - sensibiliser et activer la surface résultante, la sensibilisation étant généralement réalisée par immersion dans une solution acide de sel stanneux ; et l'activation pouvant être réalisée par trempage dans une solution aqueuse d'un sel de palladium ; - métalliser par voie électrochimique sans courant la surface activée résultante, les microtraversées se trouvant également métallisés lors de cette opération ; - renforcer éventuellement la couche de métal obtenue par une métallisation ultérieure par voie électrolytique ; - procéder au séchage et au brossage de la surface résultante ; - revêtir d'une couche protectrice la partie constituant la circuiterie d'interconnexion ; puis - graver le métal non protégé. EP 82 094 décrit par ailleurs un procédé simplifié de métallisation de substrats en matière plastique selon lequel on réalise d'abord un substrat isolant électriquement formé par l'association d'une résine polymère et de particules d'oxyde de cuivre, on réduit ensuite au moins une partie de l'oxyde cuivreux présent dans ladite résine en cuivre métallique, puis on procède ensuite au dépôt de la couche métallique souhaitée, ledit procédé étant notamment caractérisé en ce que la réduction en cuivre métallique est réalisée par action de borohydrure et en ce qu'il ne comprend ni étape d'activation, ni étape de sensibilisation. La fabrication de circuiteries d'interconnexion à partir de l'élément métallisé obtenu par mise en oeuvre du procédé de EP 82094 impliquerait des étapes similaires à celles décrites précédemment, en vue notamment de la formation de traversées borgnes. De façon étonnante, les inventeurs ont mis au point un procédé permettant la formation rapide d'interconnexions (pistes, pastilles et microtraversées) à la surface d'un diélectrique en vue de préparer circuits intégrés, circuits imprimés et modules multicouches à haute densité d'intégration. Ce procédé, outre sa simplicité de mise en oeuvre, présente les avantages d'un ancrage solide du cuivre à la surface du diélectrique et d'une miniaturisation optimale des microtraversées. Plus précisément, le procédé de l'invention permet d'élaborer une circuiterie d'interconnexion comportant pistes, pastilles et microtraversées conductrices, à la surface d'un diélectrique constitué d'une matrice polymère et de particules d'oxyde métallique choisi parmi les oxydes de Cu, Co, Cr, Cd, Ni, Pb, Sb, Sn et leurs mélanges, et le cas échéant d'une ou plusieurs autres charges non conductrices et inertes, ledit diélectrique recouvrant un premier niveau de circuiterie ou une première couche métallisée, par mise en oeuvre, dans l'ordre, des étapes consistant à : a - percer de part en part ledit diélectrique sans percer la couche métallisée sous-jacente, de façon à former une ou plusieurs microtraversées aux emplacements souhaités ; b - soumettre tout ou partie dudit diélectrique à l'action réductrice d'un agent réducteur approprié jusqu'à obtenir une couche métallique, recouvrant en particulier lesdites microtraversées, par réduction des particules d'oxyde métallique sur la surface exposée dudit diélectrique, dont la résistivité superficielle est comprise entre 0,01 et 1010 #/# ; c - réaliser une circuiterie à la surface supérieure du diélectrique résultant par mise en oeuvre d'une séquence d'étapes de traitement comprenant, dans un ordre approprié, les étapes (i) de métallisation par voie électrochimique (sans courant) et/ou par voie électrolytique, (ii) de gravure, et (iii) de protection sélective par dépôt d'une couche protectrice. La présence de particules d'oxyde métallique dans le diélectrique assure une diminution du coefficient thermique de dilatation, de façon isotropique, tout en favorisant le transfert thermique. De préférence, les particules d'oxyde métallique sont des particules d'oxyde cuivreux. S'agissant de l'oxyde métallique utilisé, il doit se présenter sous la forme de particules de petites dimensions ; la granulométrie est en général comprise entre 0,1 et 5 m. La matrice polymère utilisable selon l'invention est un matériau diélectrique, c'est-à-dire électriquement isolant. La nature de ce matériau n'est pas critique selon l'invention. Préférablement, il s'agit d'un polymère thermoplastique, d'une résine thermodurcissable ou d'un mélange de tels constituants. Comme exemple de polymère thermoplastique, on peut citer les polymères de type polyoléfinique, vinylique, polystyrénique, polyamide et polyamide-imide, acrylique, polysulfone, polysulfure, polyphénylène oxyde, polyacétal, polyfluoré, polyparabanique, polyhydantoïne, polyimide linéaire, polyalkylène oxyde, polyuréthane linéaire, polyester saturé, élastomère ou un mélange de ces polymères. Des résines thermodurcissables appropriées sont du type prépolymère phénolique, polyester insaturé, époxyde, polyimide de type bismaleïmide, polyimide-amide réactif, triazine, cyanate ester, ou un mélange de ces résines. Des exemples de résines polyoléfiniques sont le polyéthylène, le polypropylène et les copolymères éthylène-propylène. Des résines vinyliques sont le polychlorure de vinyle, le polychlorure de vinylidène, les copolymères éthylène-acétate de vinyle. Les résines polystyréniques sont illustrées par le polystyrène, les copolymères styrène-butadiène, les copolymères styrène-acrylonitrile et les copolymères styrène-butadiène-acrylonitrile. A titre de polymère polyamide, on peut citer le polyhexaméthylèneadipamide (type 6-6), le polyaminocaprolactame (type 6) et le polyundécanamide (type 11). Comme polymère acrylique approprié, on utilisera par exemple le polyméthacrylate de méthyle, les polyuréthanes linéaires et notamment les polyuréthanes résultant de la polymérisation du di-isocyanate d'hexaméthylène avec le propanediol-1,3 ou le butanediol-1,4. Des polyesters saturés sont par exemple le polytéréphtalate d'éthylèneglycol ou de butylèneglycol, les polyesters fluorés, les polycarbonates, les polyacétals, les polyphénylène oxydes, les polyphénylène sulfures ou les élastomères thermoplastiques. Les résines phénoliques sont par exemple les condensats de phénol, résorcinol, crésol ou xylénol avec du formaldéhyde ou du furfural. Des polyesters insaturés sont les produits de réaction d'un anhydride d'acide dicarboxylique non saturé tel que l'anhydride maléique ou citraconique avec un polyalkyèneglycol. A titre d'exemple de résines époxyde, on peut mentionner les produits de réaction du chloro-1-époxy-2,3-propane ou du diépoxy-1,2,3,4-butane avec le bis-phénol A ou d'autres phénols comme le résorcinol, l'hydroquinone ou le dihydroxy-1,5-naphtalène. Comme élastomère, on peut citer les caoutchoucs naturels ou synthétiques, les silicones ou les polyuréthanes. A titre de polyfluoré approprié, on peut mentionner le polytétrafluoroéthylène et le poly(fluorure de vinylidène). De façon préférée, la matrice polymère est une résine thermodurcissable de type polyimide ou époxyde ou bien encore un polymère thermoplastique de type polyamide-imide. La matrice polymère formant le diélectrique peut contenir une ou plusieurs autres charges isolantes électriquement, totalement inertes dans les conditions de mise en oeuvre du procédé de l'invention. Elles jouent le rôle de charge de renforcement et sont par exemple formées de fibres simples, de nature minérale ou organique, dont la longueur n'excède pas en général 10 mm, telles que notamment des fibres d'amiante, de céramique ou de préférence de verre ou bien encore elles sont des matières de renforcement de grande longueur : fils, tissus, non-tissés ou tricots. D'autres charges de renforcement sont constituées de grains, de nature minérale ou organique, telles que les particules de mica, de sulfure de molybdène, d'alumine, de silice, de polytétrafluoroéthylène ou des microbilles de verre. La granulométrie des charges est choisie de façon à être compatible avec l'application par dépôt de la matrice polymère. De façon préférée, l'épaisseur du diélectrique n'excède pas les 100 m. Avantageusement, la couche de diélectrique présente une épaisseur comprise entre 10 et 70 m, mieux encore entre 15 et 50 m, par exemple entre 20 et 40 m. De préférence, les proportions des constituants du diélectrique conforme à la présente invention sont choisis entre les limites suivantes (exprimant le pourcentage pondéral de chacun des constituants dans le substrat) : - 10 à 90 %, de préférence de 25 à 90% d'oxyde métallique, de préférence d'oxyde cuivreux ; - de 0 à 50% d'autre (s) inerte (s) dansles conditions de la réduction ; et - de 10 à 90 %, de préférence de 10 à 75% de résine polymère. En variante, le diélectrique est constitué de : - moins de 10% en poids d'oxyde métallique, de préférence d'oxyde cuivreux ; - 0 à 50% en poids de charge (s) et non conductrice(s) ; et - 10 à 90 %, de préférence de 10 à 75% en poids de résine polymère. L'étape a) du procédé de l'invention implique un perçage du diélectrique jusqu'au niveau de la couche métallisée sous-jacente, c'est-à-dire jusqu'au niveau sous-jacent de circuiterie. Selon l'invention, ladite couche métallisée c'est-à-dire le niveau sousjacent de circuiterie restent intacts pendant le perçage. Le perçage peut être réalisé de façon conventionnelle, par plasma, par mise en oeuvre d'un procédé par insolation ou enfin par laser, cette dernière technique étant nettement préférée dans le mesure où elle conduit à des diamètres de microtraversées nettement plus petits et permettant des cadences de perçage nettement plus importantes. Parmi les lasers utilisables, on peut citer les lasers YAG, C02, les lasers combinés YAG-C02 ou les lasers Excimer. L'homme du métier saura facilement sélectionner le laser approprié en fonction du diélectrique à percer. Une attention toute particulière sera portée à la phase finale de perçage, étant entendu que la couche métallisée sous-jacente ou le niveau de circuiterie sous-jacent doit rester intact. Le laser C02 qui opère à des longueurs d'onde de 9300 nm à 10600 nm est particulièrement préféré pour la mise en oeuvre de l'étape a) dans la mesure où il permet un perçage sélectif du diélectrique sans toucher la couche métallique sous-jacente et ceci sans qu'un réglage supplémentaire ne soit nécessaire, la couche métallique n'étant pas attaquée par le laser C02. La vitesse de perçage du laser C02, supérieure à celle d'un laser YAG, rend par ailleurs cette technique de perçage particulièrement avantageuse. Le laser YAG est en l'occurrence d'utilisation plus délicate, puisqu'il peut percer la couche métallisée sous-jacente et nécessite un contrôle précis de l'opération de perçage dans sa phase finale. De manière préférée, le diamètre de la microtraversée est supérieur à l'épaisseur du diélectrique. A l'étape b), tout ou partie de la surface exposée du diélectrique est revêtue d'une couche métallique continue ou discontinue d'une résistivité comprise entre 0,01 et 1010 #/#. La résistivité superficielle qu'il est préférable d'atteindre à l'étape b) dépend de la nature du diélectrique. Lorsque le diélectrique est constitué de 10 à 90% en poids d'oxyde métallique ; de 0 à 50% en poids de charge (s) et non conductrice(s) ; et de 10 à 90% en poids de résine polymère, la réduction est avantageusement poursuivie jusqu'à obtenir une résistivité superficielle de 0,01 à 10 3 #/#./ Lorsque le diélectrique est constitué de moins de 10% en poids d'oxyde métallique ; de 0 à 50% en poids de charge (s) et non conductrice(s) ; et de 10 à 90% en poids de résine polymère, la réduction est avantageusement poursuivie jusqu'à obtenir une résistivité superficielle supérieure à 106 #/#. La présence de ladite couche métallique continue ou discontinue assure également la catalyse du dépôt métallique ultérieur réalisé à l'étape c) tout en lui étant parfaitement compatible. Cette étape contribue plus précisément à améliorer l'adhérence du dépôt métallique ultérieur en évitant toute rupture de la conduction électrique au niveau des traversées métallisées. Avant de procéder à la réduction de l'étape b), il peut s'avérer nécessaire de procéder à un décapage préalable de la surface du diélectrique de façon à faire apparaître en surface les particules d'oxyde métallique. C'est notamment le cas lorsque la totalité des particules d'oxyde métallique est revêtue par la matrice polymère. Le décapage consiste soit en un traitement chimique par un agent chimique capable d'attaquer superficiellement la matrice polymère, soit en une technique de décapage mettant en oeuvre des moyens mécaniques, telle que l'abrasion, le brossage, le sablage, le meulage ou le limage. Selon un mode de réalisation préféré de l'invention, le décapage est réalisé à l'aide de moyens mécaniques. A l'étape b), on opère plus précisément à la réduction, en surface, des particules d'oxyde métallique contenues dans la matrice polymère formant le diélectrique. Au cours de cette opération, lorsque l'oxyde métallique est un oxyde cuivreux, une partie du cuivre est réduit jusqu'à l'état CuH, état dans lequel le cuivre agit en tant que catalyseur pour le dépôt métallique réalisé en c). S'il y a excès de CuH, ce dernier se transforme lentement en cuivre métal à température ambiante, avec diffusion de l'hydrogène vers l'extérieur. Dans la suite, la présence de cet hydrure transitoire n'est plus mentionnée et il est simplement fait référence à une couche métallique. Pour la mise en oeuvre de la réduction, l'homme du métier pourra sélectionner l'un quelconque des agents réducteurs capables de réduire l'oxyde métallique en métal de degré d'oxydation 0. L'obtention des valeurs de résistivité souhaitées lors de cette étape va dépendre d'une part des proportions et de la nature de l'oxyde métallique compris dans la matrice polymère formant diélectrique et d'autre part, de l'importance de la réduction opérée, et notamment du type d'agent réducteur utilisé ainsi que l'étape de décapage préalable. Suivant le type d'agent réducteur utilisé à l'étape b) et suivant la nature de l'oxyde métallique à réduire, la nature de la couche métallique déposée varie. Selon un mode de réalisation préféré de l'invention, l'agent réducteur est un borohydrure. Dans la suite, on décrit plus précisément l'action de borohydrures dans le cas où l'oxyde métallique est un oxyde cuivreux. Par action d'un borohydrure Cu2O est réduit en cuivre métallique. Par utilisation de ce type d'agent réducteur, la couche formée en surface du diélectrique est une couche métallique continue ou discontinue de cuivre. Les borohydrures utilisables dans la présente invention englobent des borohydrures substitués aussi bien que des borohydrures non substitués. Des borohydrures substitués dans lesquels au plus trois atomes d'hydrogène de l'ion borohydrure ont été remplacés par des substituants inertes dans les conditions de réduction comme par exemple des radicaux alkyles, des radicaux aryles, des radicaux alkoxy, peuvent être utilisés. On fait appel de préférence à des borohydrures alcalins dans lesquels la partie alcaline consiste en du sodium ou du potassium. Des exemples typiques de composés qui conviennent sont : le borohydrure de sodium, le borohydrure de potassium, le diéthylborohydrure de sodium, le triphénylborohydrure de potassium. Le traitement réducteur est conduit de manière simple par mise en contact de la surface du diélectrique avec une solution du borohydrure dans l'eau ou dans un mélange d'eau et d'un solvant polaire inerte comme par exemple un alcool aliphatique inférieur. On donne la préférence aux solutions purement de borohydrure. La concentration de ces solutions peut varier dans de larges limites et elle se situe de préférence entre 0,05 et 1% (en poids d'hydrogène actif du borohydrure dans la solution). Le traitement réducteur peut être effectué à température élevée, cependant on préfère le mettre en oeuvre à une température voisine de la température ambiante, par exemple entre 15 et 30 C. A propos du déroulement de la réaction, il faut noter qu'elle donne naissance à du B(OH)3 et à des ions OHqui ont pour effet d'induire une augmentation du pH du milieu au cours de la réduction. Or, à des valeurs de pH élevées, par exemple supérieures à 13, la réduction est ralentie de sorte qu'il peut être avantageux d'opérer dans un milieu tamponné pour avoir une vitesse de réduction bien fixée. C'est en jouant principalement sur la durée du traitement qu'il est possible de contrôler aisément l'importance de la réduction opérée. Pour obtenir une résistivité répondant aux valeurs souhaitées, la durée du traitement qui est nécessaire est en général assez courte et, selon les proportions d'oxyde compris dans le diélectrique, elle se situe habituellement entre environ une minute et une quinzaine de minutes. Pour une durée de traitement donnée, il est possible d'agir encore sur la vitesse de réduction en ajoutant dans le milieu des accélérateurs variés comme par exemple de l'acide borique, de l'acide oxalique, de l'acide citrique, de l'acide tartrique ou des chlorures de métaux tels que le chlorure de cobalt-Il, de nickel-11, de manganèse-)!, de cuivre-)). Il est possible également d'agir sur la quantité de borohydrure mise en oeuvre, de façon à contrôler l'importance de la réduction. Un mode opératoire préféré consiste à tremper le substrat à réduire dans une solution de borohydrure plus ou moins visqueuse, puis à retirer le substrat pour laisser l'opération de réduction se réaliser à l'air. La quantité d'ions borohydrures, BH4-, consommée est fonction de la viscosité. Le BH4- réagit donc en couche mince sur la surface à réduire. Ce procédé a également l'avantage de ne pas polluer le bain de départ, ni de le déstabiliser. Les conditions exactes et précises de la réduction par le borohydrure sont telles que décrites dans EP 82 094. Il doit être entendu cependant que, dans le cadre de l'invention, seule une partie surfacique du diélectrique doit être réduite. En choisissant un autre type de système réducteur et à partir de particules d'oxyde cuivreux, on peut ainsi déposer en surface du diélectrique, une couche métallique continue d'or, de ruthénium, de rhodium, de palladium, d'osmium, d'iridium ou de platine, au fur et à mesure de l'oxydation des particules d'oxyde cuivreux en oxyde cuivrique. Pour ce faire, on utilise avantageusement comme sytème oxydant le sel métallique d'un élément de la colonne VIII du tableau périodique des éléments, tel que le ruthénium, le rhodium, le palladium, l'osmium, l'iridium et le platine ou bien encore un sel d'or, en milieu acide. Cette technique d'oxydoréduction est décrite dans l'Encyclopédie de chimie minérale PASCAL, volume du cuivre, p. 219, et Hackspill, vol. 2, p. 1152. En variante, dans le cas où par réduction des particules d'oxyde de cuivre on a tout d'abord déposé en surface du diélectrique une couche continue métallique de cuivre, il est possible de procéder à un inter-échange de métaux de façon à transformer la couche de cuivre en une couche d'un métal autre que le cuivre par oxydo-réduction. On procède généralement par mise en contact de la couche cuivrée avec un sel métallique approprié, en milieu acide, la condition étant que le potentiel d'oxydation du couple redox Cu20/Cu soit inférieur à celui du couple redox du métal à déposer. A l'étape c), on fabrique en surface du diélectrique la circuiterie d'interconnexion. Pour ce faire, il convient de métalliser sélectivement les parties constituant la circuiterie en surface du diélectrique. Cette étape implique généralement une séquence d'opérations (i) de métallisation, (ii) de gravure et (iii) de protection sélective par dépôt d'une couche de protection sur une partie de la surface exposée du diélectrique. L'ordre de mise en oeuvre de ces opérations dans la séquence dépend de la méthode utilisée. De façon conventionnelle, on procède soit par métallisation sélective de la circuiterie (méthode dite "pattern"), soit par métallisation de la surface totale (méthode dite "panel"). La méthode "pattern" comprend plus précisément les étapes consistant à : c1 - revêtir d'une couche protectrice certaines parties de la surface du diélectrique résultant de l'étape b), les parties non recouvertes correspondant aux zones destinées à constituer la circuiterie d'interconnexion souhaitée ; d1 - renforcer lesdites parties non recouvertes en c1) par un dépôt métallique complémentaire par voie électrochimique (sans courant) et/ou par voie électrolytique ; e1 - mettre à nu la surface supérieure du diélectrique par élimination de la couche protectrice déposée à l'étape c1) ; f1 - procéder à une gravure différentielle du métal déposé sur le diélectrique jusqu'à complète élimination, au niveau des parties du diélectrique qui ont été mises à nu à l'étape e1), de la couche continue de cuivre déposée à l'étape b1). L'étape c1) va permettre de renforcer sélectivement les zones destinées à constituer la circuiterie d'interconnexion souhaitée à la surface du diélectrique par dépôt d'une couche de métal conducteur plus épaisse et généralement d'au moins 3 m. La sélectivité est assurée lors de cette étape par protection des futures zones dépourvues de circuiterie. La méthode de protection utilisable n'est pas critique selon l'invention. On pourra par exemple recourir à un procédé consistant à (i) déposer une couche de résine photosensible sur la totalité de la surface du diélectrique, (ii) à former une image sur la couche photosensible par insolation ;puis (iii) éliminer la partie solubilisable de ladite couche de résine photosensible. Deux techniques connues de l'état de la technique sont parfaitement appropriées. La première consiste à recourir au dépôt de résine photosensible positive (photoresist positif) ou de résine photosensible négative (photoresist négatif) sur la totalité de la surface du diélectrique issu de l'étape b), puis insolation ultérieure de la couche de résine déposée, de façon connue en soi, et selon un masque prédéterminé, et enfin, élimination de la partie solubilisable de résine photosensible, qui selon le cas, est constituée de la résine photosensible insolée à travers le masque (photoresist positif) ou constituée de la résine photosensible non insolée (photoresist négatif). La seconde technique est la technique LDI dite d'exposition directe de résine photosensible (Laser Direct Imaging). Cette technique est avantageuse sur le plan économique puisqu'elle ne nécessite pas l'utilisation d'un masque. Selon cette seconde technique, la résine photosensible est sélectivement insolée, pixel par pixel, par un faisceau laser balayant la surface du diélectrique revêtu de résine photosensible. Les parties solubilisables de la résine sont ensuite éliminées de la même façon que pour la technique conventionnelle utilisant les photoresists positifs et négatifs. Pour la mise en oeuvre de cette seconde technique, deux types de laser sont par exemple appropriés : un laser fonctionnant dans l'infrarouge (LDI thermique), un laser UV fonctionnant dans la gamme de longueur d'onde 330- 370 nm (LDI-UV). Ainsi, selon un mode de réalisation préféré de l'invention, l'étape c1) comprend les étapes consistant à : c1 [alpha]- déposer une couche de résine photosensible sur la totalité de la surface du diélectrique, après traitement par l'agent réducteur ; c1 p - former une image sur la couche photosensible par insolation ; c1y - éliminer la partie solubilisable de ladite couche de résine photosensible. A l'étape d1) les parties non recouvertes de couche protectrice sont renforcées par un dépôt métallique complémentaire par voie électrochimique (sans courant) et/ou par voie électrolytique, cette dernière voie étant plus particulièrement préférée. La couche métallique de renforcement est de préférence une couche de cuivre, mais l'invention n'entend pas se limiter à ce mode particulier de réalisation. Toutefois, le dépôt de métaux conducteurs divers peut être envisagé tel qu'un dépôt d'une couche de nickel, d'or, d'étain ou d'un alliage étain-plomb. La métallisation par voie électrochimique (sans courant) est une technique connue qui est décrite dans "Encyclopedia of Polymer Science and Technology, 1968, vol. 8, 658-661 ". De même, la métallisation par voie électrolytique est une technique conventionnelle également décrite dans Encyclopedia of Polymer Science, 661- 663. Selon un mode particulièrement préféré de l'invention, la métallisation, qu'elle soit électrochimique et/ou électrolytique, est poursuivie jusqu'à obtenir une couche métallique présentant une épaisseur d'au moins 5 m, préférablement une épaisseur comprise entre 10 et 20 m. A l'étape e1), la couche protectrice déposée à l'étape c1) est éliminée de façon conventionnelle en soi. L'homme du métier adaptera la méthode de mise à nu au type de couche protectrice utilisée de façon tout-à-fait connue en soi. Puis, à l'étape f1), on procède à la gravure différentielle du métal déposé sur le diélectrique jusqu'à exposition à l'air du diélectrique au niveau des futures zones dépourvues de circuiterie lesquelles se trouvent recouvertes, à ce stade du procédé, d'une couche métallique continue d'une résistivité superficielle de 0,01 à 103 #/#. Lors de cette étape, l'on grave parallèlement les zones destinées à constituer la circuiterie d'interconnexion ainsi que les futures zones dépourvues de circuiterie. Toutefois, l'épaisseur de métal recouvrant les zones destinées à constituer la circuiterie d'interconnexion étant plus importante que celle recouvrant les futures zones dépourvues de circuiterie, il est possible de "dénuder" sélectivement les parties à faible épaisseur de revêtement. La gravure est généralement poursuivie jusqu'à obtenir une épaisseur finale de la couche métallique d'au moins 3 m. Avantageusement, cette épaisseur est préférablement comprise entre 5 et 18 m au niveau des zones à circuiterie d'interconnexion, les zones restantes étant parfaitement dépourvues de métal. En variante, la méthode de métallisation de la surface totale (méthode panel), comprend la mise en oeuvre des étapes consistant à : - c2) métalliser la totalité de la surface du diélectrique résultant de l'étape b) ; - d2) protéger sélectivement, par dépôt d'une couche protectrice, les parties ainsi métallisées destinées à constituer la circuiterie d'interconnexion ; - e2) graver les parties métalliques non protégées. Cette technique est connue et pourra être mise en oeuvre de façon conventionnelle. Généralement, la couche protectrice de l'étape d2) est une couche de résine photosensible. Selon un mode de réalisation particulièrement préféré, le diélectrique comprend à titre de charge non conductrice inerte une nappe de fibres non tissée ou un papier, imprégné de résine diélectrique. La présence de ladite nappe assure une meilleure uniformisation des coefficients thermiques de dilatation (encore désigné coefficient thermique d'expansion : CTE), sans nuire à l'aptitude à l'ablation par laser, du diélectrique. L'incorporation d'une telle charge au sein du diélectrique permet en outre de réduire l'épaisseur de la couche de diélectrique et donc, d'améliorer encore la miniaturisation. Selon un premier mode de réalisation, ladite charge est un papier tel que décrit dans FR 2 685 363 ou US 5 431 782. De façon particulièrement avantageuse, la charge est une nappe constituée de fibres d'aramide non tissées (polyamide aromatique commercial) pré-imprégnées d'une résine époxy, d'une résine polyimide ou d'un mélange de ces résines. Mieux encore, ces fibres d'aramide (qui sont préférablement des fibres de méta-aramide, de para-aramide ou un mélange de telles fibres) sont préimprégnées de résine polyimide-amide fonctionnalisée (avec des motifs chimiques réticulables à chaud). Cette fonctionnalisation peut être obtenue avec des doubles liaisons ou des groupes maleïmides tels que définis dans le brevet EP 0 336 856 ou US 4 927 900. Avantageusement, la nappe comprend de 35 à 60% en poids de résine diélectrique, préférablement de 44 à 55% en poids, mieux encore de 40 à 50% en poids, par exemple 47% en poids. A titre d'exemple, l'épaisseur de la nappe varie entre 10 et 70 m, préférablement entre 15 et 50 m, mieux encore entre 20 et 40 m. Son grammage varie généralement entre 10 et 50 g/m2, mieux encore entre 15 et 40 g/m2. Selon un autre de ses aspects, l'invention concerne l'utilisation du procédé selon l'invention pour la réalisation de circuits imprimés et de modules multicouches (communément désignés MCM ou multi chips modules dans la technique) à haute densité d'intégration. L'exemple suivant décrit plus en détail la fabrication d'un circuit imprimé. PREPARATION 1 : Dans cette préparation, on illustre la fabrication d'une nappe constituée de fibres d'aramide non tissée imprégnée de résine diélectrique. Une résine polyimide-amide est réalisée à partir d'anhydride trimellique, de diisocyanototoluène (mélange des isomères 2,4 et 2,6 dans le rapport 80/20) et d'acide téréphtalique (dans le rapport molaire anhydride trimellique / acide téréphtalique : 60/40). Le diisocyanato d'une part et l'ensemble anhydride trimellique plus acide téréphtalique d'autre part sont en quantité stoechiométrique. Cette résine polyimide-amide est obtenue dans un solvant polaire qui est la 1,3-diméthyl-2-imidazolidinone (DMEU). En fin de polycondensation à raison de 21 % d'extrait sec, sa viscosité à 20 C est de 630 poises. Le mélange résine/solvant est appelé collodion. Un non tissé, constitué d'une part de fibres polyimide-amide KERMEL non surétirées et d'autre part de pulpe de fibres aramide TWARON dans le rapport pondéral 50/50 est réalisé par voie sèche en continu, à un grammage de 55 g/m2. Cette nappe fortement calandrée à chaud est ensuite imprégnée par la résine polyimide-amide préparée ci-dessus, à l'aide d'un équipement "size press". En sortie de "size press" la nappe imprégnée plonge dans un bain de coagulation constitué d'un mélange DMEU/eau dans le rapport pondéral de 60/40 maintenu à 20 C. La nappe ainsi imprégnée est calandrée puis lavée à contrecourant par une succession de gicleurs alimentés à l'extrémité avale du système de lavage par de l'eau pure qui se charge progressivement de DMEU à mesure de son mouvement vers l'amont. Une partie du liquide de lavage sert à rééquilibrer automatiquement la composition du bain de coagulation. Après lavage, la nappe imprégnée est séchée en continu dans un four ventilé jusqu'à une température de 140 C. Cette nappe, après séchage, a un grammage global de 93 g/m2. Les bordures irrégulières sont coupées pour donner une nappe large de 92 cm. PREPARATION 2 : Dans cette préparation, on illustre la fabrication d'un diélectrique chargé de Cu2O comprenant une couche interne constituée d'une nappe de fibres d'aramide non tissée, le décapage en surface de ce diélectrique, la réduction du Cu2O en cuivre métallique et le cuivrage du diélectrique résultant, sur ses deux faces. Une partie du collodion préparé à la préparation 1 est prélevé et mélangé avec de l'oxyde cuivreux pulvérulent. Le rapport pondéral CU20 / collodion de polyimide-amide est de 14,6 %. Ce mélange est passé sur un équipement dit "tricylindres" ordinairement utilisé pour préparer des peintures. Le racle de récupération du dernier cylindre délivre une suspension de Cu2O dans la résine, parfaitement homogène qui est utilisé pour enduire la nappe imprégnée dans la préparation 1. L'enduction est réalisée en "plein bain" et l'emport de résine chargée régulé par un jeu de 2 cylindres rotatifs équipés de racleurs. La composition de la résine d'enduction est maintenue constante par une pompe assurant sa circulation en boucle. Dans son mouvement ascendant la nappe enduite traverse un four électrique de séchage avant d'entrer en contact avec le cylindre de détour refroidi qui la renvoie au poste de bobinage. La mesure d'épaisseur de la nappe enduite, déterminée à l'aide d'un palmer fait apparaître un dépôt de résine chargée de 63 m sur chacune des faces de la nappe (en supposant que les 2 faces sont identiquement enduites). La nappe ainsi préparée est passée entre 2 cyclindres abrasifs tournant dans le sens inverse de son déplacement. La nappe enduite, de surface brillante à l'entrée en ressort matifiée avec une couleur rouge plus vive qu'à l'origine. La nappe ainsi décapée en surface est alors réduite par une solution de borohydrure de potassium. Le bain de réduction aqueux contient en solution : 0,5 % de soude, 1 % de carboxyméthylcellulose, 5 % de borohydrure de potassium, 1 % d'une solution aqueuse, elle même à 1 % de tensioactif. Le bain est agité en continu par un bullage d'air. La nappe immergée rapidement dans le bain de réduction (contact environ 5s) puis le réactif entraîné par la nappe sous forme de film mince réagit à l'air pendant environ 1 min. La nappe est alors rincée en continu par passage dans un bain mort puis soumise à une pulvérisation d'eau recto-verso et enfin l'eau liquide de surface est éliminée en passant devant des buses de soufflage d'air comprimé. La résistivité de surface entre électrodes ponctuelles est alors comprise entre 15 et 30 Q pour une distance de 20 cm. La nappe ainsi préparée passe alors dans un bain de cuivrage chimique du commerce dans lequel des rouleaux de détour accroissent le temps de séjour dans le bain. Après 15 min de contact le dépôt de cuivre est proche de 1 m sur chacune des faces de la nappe. Ce dépôt peut alors être augmenté par passage dans un bain galvanique de sulfate de cuivre. PREPARATION 3 : On illustre dans cette préparation la formation d'une circuiterie de part et d'autre du diélectrique métallisé obtenu à la préparation précédente. Des formats découpés à partir de la nappe cuivrée recto-verso, dans l'exemple 2 sont alors aptes à être réalisés sous forme de circuit selon la technologie de plaquage en réseau, encore désignée "pattern plating" incluant : # le calandrage d'un film de "photoresist" sec sur chaque face # son insolation à travers des masques mis en contact avec le substrat # le développement à l'aide d'une solution basique douce ne laissant inchangée que la partie négative du masque # et enfin le renforcement électrolytique des parties cuivrées dégagées. Le renforcement électrolytique est effectué dans un bain aqueux contenant 75 g/l de sulfate de cuivre (CuS04, 5H20) et 2 moles / litre d'acide sulfurique ainsi qu'un additif brillanteur du commerce. Les anodes du dispositif sont constituées par des plaques de cuivre pur enfermées dans des sacs constitués de toiles fines en fils synthétiques. Le courant d'électrolyse est fixé à 3 A/dm2. Après une dizaine de minutes le renforcement électrolytique est arrêté et le format traité est rincé. Le solde de film photoresist est alors dissout par une solution fortement basique, laissant apparaître le circuit désiré en surépaisseur par rapport au fond cuivré mince. La différence d'épaisseur entre ces deux zones est de l'ordre de 9 m sur chacune des faces. Dans un dernier temps le circuit double face est immergé dans un bain aqueux à 10 % de chlorure ferrique sous faible agitation, et après deux minutes, rincé à l'eau. Seul le circuit désiré apparaît alors, très matifié sur un fond exempt de cuivre. Un rapide passage en bain acide, à 1 % d'acide sulfurique, redonne de la brillance aux circuits de cuivre qui sont alors rincés et séchés. EXEMPLE La résine diélectrique chargée de Cu2O, préparée dans la préparation 2 est reprise, ainsi que le circuit double face réalisé à la préparation 3. La résine est étalée sur une face du circuit à l'aide d'un racle de Meyer et séchée par passage en four ventilé 15 min à 190 C. La même opération est réalisée sur l'autre face puis le circuit est décapé par passage entre des rouleaux abrasifs comme à la préparation 2. L'augmentation moyenne d'épaisseur du circuit double face est de 112 m, soit 56 m par face en supposant un dépôt identique. La planéité du circuit est satisfaisante. Il est alors procédé aux perçages, sur chacune des faces, à l'aide d'un laser C02, selon un plan préétabli. Ce perçage est réalisé directement sans préparation particulière de l'échantillon. Par examen à la binoculaire les perçages apparaissent comme grossièrement circulaires et d'un diamètre à la partie supérieure, de l'ordre de 80 m. Il est alors procédé à une opération de réduction puis de cuivrage chimique comme indiqué dans la préparation 2. Enfin, les opérations décrites dans la préparation 3 sont effectuées pour aboutir à leur terme à un circuit multicouches de 4 niveaux dont les couches 1 et 2 d'une part et 3 et 4 d'autre part sont interconnectées. On peut alors reprendre la procédure exemplifiée ci-dessus (objet de cet exemple) en vue d'ajouter deux nouveaux niveaux de circuits. REVENDICATIONS 1. Procédé de réalisation d'une circuiterie comportant pistes, pastilles et microtraversées conductrices, à la surface supérieure d'un diélectrique constitué d'une matrice polymère et de particules d'oxyde métallique choisi parmi les oxydes de Cu, Co, Cr, Cd, Ni, Pb, Sb, Sn et leurs mélanges et, le cas échéant d'une ou plusieurs autres charges non conductrices et inertes, ledit diélectrique recouvrant un niveau de circuiterie ou une couche métallisée, par mise en oeuvre des étapes consistant à: a - percer de part en part ledit diélectrique sans percer la couche métallisée sous-jacente, de façon à former une ou plusieurs microtraversées aux emplacements souhaités ; b - soumettre tout ou partie dudit diélectrique à l'action réductrice d'un agent réducteur approprié jusqu'à obtenir une couche métallique, recouvrant en particulier lesdites microtraversées, par réduction des particules d'oxyde métallique sur la surface exposée dudit diélectrique, dont la résistivité superficielle est comprise entre 0,01 et 1010 #/# ; c - réaliser une circuiterie à la surface supérieure du diélectrique résultant par mise en oeuvre d'une séquence d'étapes de traitement comprenant, dans un ordre approprié, les étapes (i) de métallisation par voie électrochimique (sans courant) et/ou par voie électrolytique, (ii) de gravure, et (iii) de protection sélective par dépôt d'une couche protectrice. 2. Procédé selon la revendication 1, caractérisé en ce que l'étape c) implique la mise en oeuvre, dans l'ordre, des étapes c1) à f1) suivantes : c1 - revêtir d'une couche protectrice certaines parties de la surface du diélectrique résultant de l'étape b), les parties non recouvertes correspondant aux zones destinées à constituer la circuiterie d'interconnexion souhaitée ; d1 - renforcer lesdites parties non recouvertes en c1) par un dépôt métallique complémentaire par voie électrochimique (sans courant) et/ou par voie électrolytique ; e1 - mettre à nu la surface supérieure du diélectrique par élimination de la couche protectrice déposée à l'étape c1) ; f1 - procéder à une gravure différentielle du métal déposé sur le diélectrique jusqu'à complète élimination, au niveau des parties du diélectrique qui ont été mises à nu à l'étape e1), de la couche continue de cuivre déposée à l'étape b1). 3. Procédé selon la revendication 2, caractérisé en ce que l'étape c1) comprend les étapes consistant à : c1a - déposer une couche de résine photosensible sur la totalité de la surface du diélectrique, après traitement par l'agent réducteur ; c1ss - former une image sur la couche photosensible par insolation ; c1y - éliminer la partie solubilisable de ladite couche de résine photosensible. 4. Procédé selon l'une quelconque des revendications 1 à 3, caractérisé en ce que le perçage est réalisé, à l'étape a), à l'aide d'un laser CO2. 5. Procédé selon l'une quelconque des revendications 1 à 4, caractérisé en ce que l'agent réducteur est un borohydrure alcalin, la réduction étant réalisée par mise en contact dudit diélectrique avec une solution aqueuse dudit borohydrure jusqu'à obtenir une couche continue de cuivre d'une résistivité superficielle comprise entre 0,01 et 1010 #/#. 6. Procédé selon l'une quelconque des revendications 1 à 5, caractérisé en ce que le diélectrique est constitué de : - 10 à 90 %, de préférence de 25 à 90% en poids d'oxyde métallique ; - 0 à 50% en poids de charge (s) et non conductrice(s) ; et - 10 à 90 %, de préférence de 10 à 75% en poids de résine polymère ; et en ce qu'à l'étape b) la réduction est poursuivie jusqu'à obtenir une résistivité superficielle comprise entre 0,01 et 103 #/#. 7. Procédé selon l'une quelconque des revendications 1 à 5, caractérisé en ce que le diélectrique est constitué de : - moins de 10% en poids d'oxyde métallique ; - 0 à 50% en poids de charge (s) et non conductrice(s) ; et - 10 à 90 %, de préférence de 10 à 75% en poids de résine polymère ; et en ce qu'à l'étape b) la réduction est poursuivie jusqu'à obtenir une résistivité superficielle supérieure à 106 Q/D ; la métallisation étant réalisée à l'étape c) exclusivement par voie électrochimique (sans courant). 8. Procédé selon l'une quelconque des revendications 1 à 7, caractérisé en ce que ladite matrice polymère est choisie parmi les polymères thermoplastiques, les résines thermodurcissables ou des mélanges de ces constituants. 9. Procédé selon la revendication 8, caractérisé en ce que le polymère thermoplastique est de type polyoléfinique, vinylique, polystyrénique, polyamide et polyamide-imide, acrylique, polysulfone, polysulfure, polyphénylène oxyde, polyacétal, polyfluoré, polyparabanique, polyhydantoïne, polyimide linéaire, polyalkylène oxyde, polyuréthane linéaire, polyester saturé, élastomère ou un mélange de ces polymères. 10. Procédé selon la revendication 8, caractérisé en ce que les résines thermodurcissables sont du type prépolymère phénolique, polyester insaturé, époxyde, polyimide de type bismaleïmide, polyimide-amide réactif, triazine, cyanate ester, ou un mélange de ces résines. 11. Procédé selon l'une quelconque des revendications 1 à 6 et 8 à 10, caractérisé en ce qu'à l'étape c), la métallisation est réalisée exclusivement par voie électrolytique. 12. Procédé selon l'une quelconque des revendications précédentes, caractérisé en ce que le diélectrique comprend une couche interne constituée d'une nappe de fibres non tissée ou d'un papier, imprégnés de résine diélectrique. 13. Procédé selon la revendication 12, caractérisé en ce que la nappe non tissée et le papier sont constitués de fibres aramide. 14. Procédé selon l'une quelconque des revendications précédentes, caractérisé en ce que les particules d'oxyde métallique sont des particules d'oxyde cuivreux, et en ce que l'on dépose, à l'étape b), une couche métallique de cuivre sur la surface exposée dudit diélectrique. 15. Procédé selon l'une quelconque des revendications précédentes, caractérisé en ce que la métallisation à l'étape c) consiste en un dépôt métallique de cuivre. 16. Procédé selon l'une quelconque des revendications précédentes, caractérisé en ce qu'avant la mise en oeuvre de l'étape b), on procède au décapage de la surface supérieure dudit diélectrique de façon à faire apparaître en surface des particules d'oxyde métallique. 17. Utilisation du procédé selon l'une quelconque des revendications 1 à 16 pour la réalisation de circuits imprimés et de modules multicouches à haute densité d'intégration. 18. Circuiterie comportant pistes, pastilles et microtraversées pouvant être obtenue par mise en oeuvre d'un procédé selon l'une quelconque des revendications 1 à 16. 19. Circuit imprimé comprenant au moins une circuiterie selon la revendication 18. 20. Module mulicouche comprenant au moins une circuiterie selon la revendication 18.