FR 2816127 A1 20020503 FR 0014005 A 20001031 PROCÉDÉ ET CIRCUIT DE COMMANDE PAR IMPULSIONS D'UN COMPOSANT DE PUISSANCE La présente invention concerne la commande de composants semiconducteurs de puissance. La présente invention concerne plus particulièrement la commande par des impulsions de composants semiconducteurs de puissance utilisés comme interrupteurs et commutant une charge alimentée par un réseau alternatif. Les interrupteurs statiques de puissance les plus courants sont les thyristors et les triacs. On utilise également des structures dérivées de ces dispositifs qui peuvent combiner plusieurs thyristors et utiliser des transistors MOS ou bien des transistors bipolaires dans le circuit de gâchette. Les dispositifs de type thyristor s'initialisent en position ouverte à chaque alternance du réseau. Dans l'hypothèse où l'interrupteur de puissance doit être maintenu en position fermée, il faut, à chaque alternance du réseau, lui appliquer des signaux de commande adéquats. Un objet de la présente invention est de prévoir un circuit ou un procédé permettant, à partir d'une impulsion de commande unique, d'assurer la mise en conduction ou le blocage de l'interrupteur pendant plusieurs alternances jusqu'à ce qu'un ordre contraire soit fourni. Un autre objet de la présente invention est de prévoir un tel circuit ou procédé ayant les caractéristiques suivantes : - mémorisation du signal de commande sans limitation de durée ; - mémorisation très fidèle et notamment insensible aux perturbations électriques extérieures ainsi qu'à la température et aux conditions mécaniques ; - énergie nécessaire au fonctionnement du système de commande prélevée sur le réseau extérieur ; - isolation galvanique entre le signal de commande et le réseau ; - large choix du composant de puissance commandé. Pour atteindre ces objets la présente invention prévoit la mémorisation de l'impulsion de commande ou impulsion d'écriture sous forme d'induction magnétique dans un tore en matériau ferromagnétique. Plus particulièrement, la présente invention prévoit un circuit de commande d'un composant semiconducteur de puissance, comportant un tore en matériau ferromagnétique possédant au moins un enroulement d'entrée, au moins un enroulement d'interrogation, au moins un enroulement de lecture destiné à être connecté aux bornes de commande du composant de puissance, et au moins un enroulement de régénération. Selon un mode de réalisation de la présente invention, le composant de puissance est inséré dans un circuit de puissance alimenté en alternatif, dans lequel l'un au moins des enroulements d'interrogation reçoit une impulsion de polarité donnée au début de chaque alternance de la tension appliquée au circuit de puissance que le composant est susceptible de laisser passer ; et les enroulements de régénération sont en série avec le composant de puissance. Selon un mode de réalisation de la présente invention, le composant de puissance est un composant unidirectionnel pouvant être commandé par impulsion et se désamorçant quand le courant qui le traverse s'annule. Selon un mode de réalisation de la présente invention, le composant de puissance est bidirectionnel et est inséré dans un circuit de puissance alimenté en alternatif, deux enroulements sont utilisés pour régénérer l'état magnétique ; et chaque enroulement de régénération est parcouru par le courant correspondant à l'une des deux alternances. Selon un mode de réalisation de la présente invention, le composant de puissance est constitué de deux thyristors montés en parallèle et en opposition, l'enroulement de lecture commande un transistor bipolaire connecté pour alimenter les gâchettes des thyristors ; et un enroulement de régénération est placé en série avec chaque thyristor. Selon un mode de réalisation de la présente invention, le composant de puissance est un triac, l'enroulement de lecture est connecté sur la gâchette du triac ; et deux diodes montées tête-bêche sont placées en série avec les deux enroulements de régénération. Selon un mode de réalisation de la présente invention, le composant de puissance est constitué de deux thyristors commandés par un transistor MOS, les deux thyristors sont placés en série et en opposition ; chaque thyristor est connecté, séparément, à un enroulement de lecture et à un enroulement de régénération ; et une diode est placée en parallèle sur chaque thyristor et son enroulement de régénération associé. La présente invention prévoit aussi un procédé de commande d'un dispositif semiconducteur de puissance, comportant les étapes suivantes : prévoir un tore en matériau ferromagnétique avec au moins quatre enroulements ; appliquer à un premier enroulement une impulsion positive ou négative d'écriture ; appliquer à un deuxième enroulement une impulsion d'interrogation de polarité donnée ; utiliser comme signal de commande électrique la tension apparaissant sur un troisième enroulement et résultant de l'application de l'impulsion d'interrogation ; et régénérer par action sur un quatrième enroulement l'état magnétique antérieur à l'interrogation. Ces objets, caractéristiques et avantages, ainsi que d'autres de la présente invention seront exposés en détail, dans la description suivante de modes de réalisation particuliers faite à titre non limitatif en relation avec les figures jointes parmi lesquelles : la figure 1 représente de manière schématique un circuit de commande selon la présente invention ; la figure 2A représente un cycle d'hystérésis dans un matériau ferromagnétique saturé ; la figure 2B représente un tore avec un enroulement la figure 2C représente le schéma électrique d'un enroulement et indique les conventions du sens de l'enroulement, du sens du courant et du sens de la tension aux bornes de cet enroulement ; la figure 3 représente un premier mode de réalisation de l'invention ; la figure 4A représente le chronogramme du courant d'écriture du premier mode de réalisation ; la figure 4B représente le chronogramme de l'induction magnétique dans le tore du premier mode de réalisation ; la figure 4C représente le chronogramme des alternances du réseau d'alimentation de la charge ; la figure 4D représente le chronogramme du courant d'interrogation suivant le premier mode de réalisation ; la figure 4E représente le chronogramme du courant de lecture suivant le premier mode de réalisation ; la figure 4F représente le chronogramme du courant commuté dans la charge suivant le premier mode de réalisation ; la figure 5 représente un thyristor à grille de commande isolée (IGTH) utilisable dans le premier mode de réali- sation ; la figure 6 représente un deuxième mode de réalisation de l'invention où le dispositif de puissance est un dispositif commutant un courant alternatif ; la figure 7 représente un troisième mode de réalisation de l'invention où le dispositif de puissance est un triac ; la figure 8A propose un schéma générique pour commuter les deux alternances à partir de dispositifs de puissance unidirectionnels en courant ; la figure 8B propose un deuxième schéma générique pour commuter les deux alternances d'une source de tension alternative à partir de dispositifs unidirectionnels en courant ; et la figure 9 représente un quatrième mode de réalisation de l'invention où deux dispositifs IGTH sont utilisés pour contrôler les deux alternances du réseau. Dans les diverses figures des éléments homologues sont signalés par les mêmes références. Pour simplifier le raisonnement, et à titre d'exemple, aucun déphasage entre le courant et la tension n'est pris en compte sur les chronogrammes. De plus il est supposé qu'un état d'équilibre quasi stationnaire est atteint à chaque instant pour le système complet, et qu'il n'y a pas de conflit entre les différents signaux électriques. La figure 1 représente un système de commande d'un composant semiconducteur Sw, selon l'invention. Ce composant est placé en série avec une charge Z, alimentée par un réseau alternatif Vs. Le système de commande comprend un tore T réalisé en matériau ferromagnétique associé à au moins quatre enroulements We, Wi, Wl, Wr. L'enroulement We, nommé enroulement d'écriture, est relié à l'entrée El du système. L'enroulement Wi, nommé enroulement d'interrogation, est relié au réseau alternatif. L'enroulement Wl, nommé enroulement de lecture, est relié à la commande du dispositif de puissance Sw. Le courant dans l'enroulement Wr, nommé enroulement de régénération, est lié au courant parcourant la charge Z. Le fonctionnement du circuit de commande est le suivant. Durant une phase d'écriture, une impulsion appliquée en El, crée une induction magnétique dans le tore T, à travers l'enroulement d'écriture We. Le sens de cette induction dépend du sens de l'impulsion : il est positif ou négatif selon que l'on veut commander la fermeture ou l'ouverture de l'interrupteur Sw. Une phase d'interrogation prend place, dans le cas général, au début de chaque alternance du réseau. Durant cette phase d'interrogation, l'enroulement Wi est relié au réseau de telle façon qu'une induction magnétique, par exemple positive, soit imposée dans le tore T. Durant une phase de lecture, la variation du flux de l'induction magnétique, générée dans le tore pendant la phase d'interrogation, est prise en compte par l'enroulement de lecture Wl. Si cette variation est nulle, il n'y a pas de signal électrique de lecture. Si cette variation est non nulle une force électromotrice apparaît aux bornes de Wl. Cette force électromotrice crée une tension ou un courant permettant la mise en conduction de l'interrupteur Sw. Si, après la phase de lecture, l'interrupteur Sw est passant, cela signifie qu'il y a eu un changement de l'induction magnétique pendant la phase d'interrogation. Il est donc néces- saire, pour retrouver dans le tore l'état de l'induction magnétique d'avant la phase d'interrogation, de régénérer cet état antérieur. Cela s'effectue grâce à l'enroulement Wr qui utilise le courant passant dans l'interrupteur Sw. Cette régénération constitue la quatrième phase du cycle de commande. L'état du système après la phase de régénération est identique à celui qui existait après la phase d'application de l'impulsion d'écriture. Aux prochaines alternances du réseau, les phases d'interrogation, de lecture et de régénération vont se reproduire tant qu'une autre impulsion d'écriture n'est pas appliquée. Ainsi, si l'impulsion appliquée sur l'entrée El correspond à un ordre de mise en conduction de l'interrupteur de puissance Sw, cet interrupteur sera mis à l'état passant à chaque alternance du réseau sans qu'il faille répéter l'impulsion d'écriture et sans limitation dans le temps. Une nouvelle impulsion sur l'entrée El ne provoquera aucun changement d'état de l'interrupteur Sw si elle est identique à la précédente et inversera cet état si elle est de signe opposé à la précédente et d'amplitude suffisante. Le contrôle de l'induction magnétique dans le tore, suivant la présente invention, va maintenant être détaillé. La figure 2A représente le cycle d'hystérésis B=f (H) dans un matériau ferromagnétique dont le cycle d'hystérésis est rectangulaire. Lorsqu'un matériau ferromagnétique est soumis à un champ magnétique H, il en résulte une induction magnétique B dans ce matériau. Pour un champ magnétique positif suffisamment élevé, supérieur au champ coercitif Hc, l'induction magnétique se sature à un niveau +Bmax et n'augmente pratiquement plus même si le champ magnétique augmente. Lorsque le champ magnétique redevient nul, il subsiste une induction rémanente Br pratiquement égale à +Bmax pour les matériaux ferromagnétiques dont le cycle d'hystérésis est rectangulaire. Lorsque le champ magnétique continue de décroître l'induction magnétique reste à son niveau (+Bmax) tant que le champ magnétique appliqué n'est pas inférieur au champ coercitif-Hc. Lorsque le champ magnétique devient inférieur à ce champ coercitif-Hc, l'induction magnétique bascule de +Bmax à-Bmax. Cette dernière valeur se maintient même si le champ magnétique redevient nul. En résumé les matériaux ferromagnétiques préférés pour la présente invention présentent un cycle d'hystérésis B=f (H) pratiquement rectangulaire avec une induction rémanente égale à l'induction maximale créée par le champ magnétique. En l'absence de champ magnétique appliqué, il y a deux états stables pour l'induction, +Bmax et-Bmax. Ces états correspondent à un état de saturation magnétique, ils ne dépendent que du matériau utilisé. La figure 2B est une vue en perpective d'un tore T utilisable dans la présente invention. Les enroulements sont constitués de quelques spires en fil électrique isolé entourant le matériau ferromagnétique du tore. Lorsqu'un courant électrique parcourt un tel enroulement, un champ magnétique proportionnel au courant est généré dans le tore. Ainsi, dans la figure 2A, on peut substituer au champ magnétique l'intensité du courant parcourant un enroulement. Ie (+Bmax) est défini comme l'intensité minimale du courant d'écriture permettant d'obtenir une induction +Bmax. De façon similaire, Ie (-Bmax) est l'intensité du courant d'écriture générant une induction-Bmax. Pour toute valeur du courant d'écriture respectivement supérieure à Ie (+Bmax) et inférieure à Ie (-Bmax) il y aura mémorisation de l'impulsion du courant d'écriture sous forme d'induction magnétique rémanente dans le tore. Sur la figure 2C, le tore et l'enroulement We sont schématisés par une représentation de self. Par convention, le courant est positif lorsqu'il est entrant par l'extrémité pointée de la self. Le point sur la self repère le sens de l'enroulement. Par convention, pour un courant Ie positif le champ magnétique est positif. Une éventuelle force électromotrice Ve est représentée, ainsi que son sens positif sur la figure 2C. La figure 3 est un schéma électrique d'un premier mode de réalisation de l'invention. Le composant semiconducteur de puissance utilisé comme interrupteur est un thyristor Th. La commande de ce thyristor est constituée par un tore comportant quatre enroulements We, Wi, Wl, Wr. L'enroulement We est relié à l'entrée El. On suppose qu'une impulsion du courant d'écriture le négative parcourant We commande l'état conducteur du thyristor. En conséquence une impulsion Ie positive doit commander l'état bloqué du thyristor. L'enroulement d'interrogation Wi est connecté entre l'anode et la cathode du thyristor. On prévoit de préférence un dispositif D en série avec l'enroulement Wi. Le dispositif D a deux fonctions. D'une part, ce dispositif D ne laisse passer le courant qu'au début de chaque alternance positive du réseau, d'autre part le dispositif D limite le courant dans l'enroulement Wi. De nombreuses solutions existent pour réaliser cette fonction de limiteur et disjoncteur de courant, notamment celles décrites dans les brevets EP0780952 ou FR9609132. Ainsi l'état de l'induction magnétique sera interrogé au début de chaque alternance positive du réseau. Ces alternances positives correspondent au sens passant du thyristor. Le sens des enroulements de la figure 3 représente que cette interrogation se fait en imposant une induction magnétique positive. L'enroulement de lecture Wl est branché en parallèle entre la cathode et la gâchette du thyristor. De préférence une résistance R limite le courant dans cette branche du circuit. En cas de variation du flux de l'induction magnétique pendant la phase d'interrogation, l'enroulement Wl génère une force électromotrice positive et par suite un courant négatif dans la gâchette du thyristor. Ce courant de gâchette n'existe que si l'impulsion d'écriture a généré une induction magnétique négative. Ce courant rend le thyristor conducteur pendant l'alternance positive. L'enroulement de régénération Wr est placé en série avec le thyristor. Il est parcouru par le courant principal Is. Le sens de l'enroulement de Wr est tel que, dans le cas où le thyristor conduit, l'induction magnétique générée par le courant Is dans l'enroulement Wr est négative. L'état magnétique antérieur à l'interrogation est ainsi régénéré. Les figures 4A, 4B, 4C, 4D, 4E, et 4F explicitent les tensions, induction magnétique, et courants en divers points du circuit de la figure 3. Le chronogramme de la figure 4A représente à l'instant ta une impulsion Ie de courant négative, appliquée sur l'entrée El, et destinée à rendre conducteur le thyristor. À l'instant tb une impulsion de courant positive est appliquée afin de bloquer le thyristor. Le chronogramme de la figure 4B représente l'induction magnétique B dans le tore. Cette induction est négative juste après l'instant ta et positive après l'instant tb. Le chronogramme de la figure 4C représente la tension Vs du réseau alternatif. En particulier l'instant tl est le début de la première alternance positive après l'instant ta. L'instant t2 correspond à la fin de cette première alternance positive. L'instant t3 correspond au début de la seconde alternance positive. Le chronogramme de la figure 4D représente le courant Ii dans l'enroulement d'interrogation Wi. A l'instant tl le thyristor est bloqué car il n'y a pas de tension à ses bornes et on suppose que le courant principal Is est nul. Au fur et à mesure que la tension du réseau augmente, cette tension se retrouve aux bornes du dispositif D limiteur et disjoncteur de courant. Ce dispositif D laisse passer le courant Ii tant que celui ci est inférieur à Ii (+Bmax). Pour Ii supérieur à Ii (+Bmax) le dispositif D coupe le courant dans l'enroulement Wi. A l'instant où Ii est égal à Ii (+Bmax), le champ magnétique dans le tore bascule de - Bmax à +Bmax comme le représente le chronogramme 4B. Il y a alors une forte variation du flux de l'induction magnétique et l'enroulement de lecture génère un courant Il négatif comme le représente le chronogramme de la figure 4E. Ce courant injecté dans la gâchette du thyristor rend donc celui-ci conducteur au début de chaque alternance positive. Le courant dans le thyristor est, au signe près, le courant dans l'enroulement de régénération. Le chronogramme de la figure 4F représente ce courant de régénération qui subsiste jusqu'à la fin t2 de l'alternance positive. Il impose une induction magnétique négative-Bmax dans le tore comme l'illustre le chronogramme de la figure 4B. Pendant l'alternance négative il n'y a pas d'interrogation car le dispositif D ne laisse pas passer le courant et ainsi l'état magnétique du tore reste inchangé. Au début de l'alternance positive suivante, à l'instant t3, le cycle recommence. Après l'instant tb, l'interrogation ne crée pas de variation de flux de l'induction magnétique, il n'y a pas de courant dans la gâchette du thyristor et celui-ci reste bloqué. Selon une variante de ce premier mode de réalisation, le thyristor Th est remplacé par un thyristor commandé par un transistor MOS. Le schéma d'un tel dispositif constituant un thyristor à grille isolée (IGTH) est représenté sur la figure 5. Le fonctionnement est similaire à celui du premier mode de réalisation. L'enroulement Wl doit alors générer une tension supérieure à la tension de seuil du transistor MOS pour débloquer le thyristor. Cette tension est proportionnelle au nombre de spires de l'enroulement Wl et est ainsi facile à ajuster. La présente invention est susceptible de s'adapter à de nombreux dispositifs de puissance à semiconducteur. Ainsi la figure 6 représente un deuxième mode de réalisation de la présente invention. Dans ce deuxième mode le dispositif de puissance fonctionne avec les deux alternances du réseau. Le dispositif Swl est constitué de deux thyristors à gâchette d'anode, T1 et T2, montés en parallèle et en opposition, chacun étant susceptible de faire passer le courant correspondant à l'une des deux alternances du réseau. Les gâchettes de ces deux thyristors sont reliées et connectées au collecteur d'un transistor bipolaire T3 de commande. La cathode du thyristor T1 est reliée à l'anode du thyristor T2 et à la base du transistor T3. L'anode du thyristor Tl et la cathode du thyristor T2 sont reliées entre elles à travers respectivement des enroulements Wrl et Wr2. La commande de ce dispositif bidirectionnel de puissance utilise un tore avec des enroulements We, Wi, Wl, Wrl et Wr2. L'enroulement We est connecté à l'entrée et son fonctionnement a été décrit en relation avec la figure 3. L'interrogation de l'état magnétique se fait grâce à l'enroulement Wi. Cependant le système devant fonctionner sur les deux alternances du réseau, l'enroulement Wi est connecté aux bornes de l'interrupteur de puissance à travers un pont redresseur double alternance Pr. Une autre solution équivalente consiste à utiliser deux enroulements Wi chacun alimenté par l'une des deux alternances à travers une diode et branchés de telle façon que l'induction magnétique produite soit toujours positive. L'enroulement de lecture génère, le cas échéant, un courant entre la base et l'émetteur du transistor T3. Ce courant rend le transistor T3 conducteur et permet le passage du courant dans la gâchette de l'un des thyristors Tl et T2. Enfin les deux enroulements wrl et Wr2, insérés respectivement dans l'anode et la cathode des thyristors T1 et T2 permettent, chacun pour une alternance, de régénérer l'induction magnétique négative dans le tore en cas de mise en conduction du thyristor correspondant. La figure 7 présente un troisième mode de réalisation de la présente invention utilisant un dispositif bidirectionnel de type triac. La gâchette du triac est reliée à l'enroulement de lecture Wl et est déclenchée par le courant induit dans cet enroulement durant la phase de lecture. Pendant la phase de régénération de l'induction magnétique, on distingue le courant correspondant à l'alternance positive de celui correspondant à l'alternance négative du réseau d'alimentation. Deux diodes D3 et D4 en opposition, respectivement en série avec un enroulement de régénération Wr3, Wr4, ne laissent passer un courant dans cet enroulement que pour une polarité donnée de l'alimentation. La présente invention est adaptable à de nombreux dispositifs unidirectionnels montés de telle manière qu'ils utilisent les deux alternances du réseau alternatif. De tels montages sont représentés dans les figures 8A et 8B. Les dispositifs choisis dans ces exemples sont des thyristors commandés par un transistor MOS à grille isolée. Ces dispositifs sont remarquables car ils permettent le contrôle de la variation du courant di/dt et ainsi ils ne polluent pas électriquement le réseau sur lequel ils sont connectés. La figure 8A représente deux thyristors IGTH1 et IGTH2 commandés par un MOS et montés en série et en opposition. L'anode du thyristor IGTH1 est connectée à l'anode du thyristor IGHT2. Deux diodes D5 et D6 sont placées en parallèle sur les thyristors IGHT1 et IGTH2 respectivement. Ces diodes sont montées en opposition sur les thyristors de telle façon que lorsque le thyristor IGTH1 conduit, la diode D5 est bloquée. Ainsi en se référant à la figure 8A, le courant peut traverser la diode D6 et le thyristor IGTH1 ou bien la diode D5 et le thyristor IGHT2 suivant son sens. Ce type de montage permet une utilisation bidirectionnelle des deux thyristors commandés par un transistor MOS. Le même résultat peut être obtenu en montant en parallèle et en opposition les deux thyristors IGTH1 et IGTH2 comme sur la figure 8B. Dans ce cas chaque thyristor doit supporter une tension inverse qui peut être importante. La figure 9 présente un quatrième mode de réalisation de la présente invention. Deux thyristors IGTH1 et IGTH2 commandés par un transistor MOS sont montés comme sur la figure 8A. La commande de ces thyristors est réalisée en utilisant un tore en matériau ferromagnétique qui comporte les enroulements suivants : We, Wi, W15 et W16, Wr5 et Wr6. Le système représenté en figure 9 utilise les deux alternances du réseau. Les branchements et les fonctions des enroulements We et Wi ont été décrits précédemment, notamment avec la description des figures 6 et 7. Deux enroulements W15 et W16 participent à la phase de lecture. Ils sont placés entre la grille de commande et la cathode des thyristors respectifs IGTH1 et IGTH2. Ces enroulements développent des tensions V15 et V16 supérieures à la tension de seuil des transistors MOS commandant la mise en conduction du thyristor. La régénération de l'état magnétique antérieur se fait grâce aux enroulements Wr5 et Wr6. L'enroulement Wr6 est parcouru par le courant principal Is de la charge lorsque celui-ci est positif ; le courant Is traverse alors D5, IGTH2 et Wr6 ; il n'y a pas de courant dans la branche constituée de Wr5, IGTH1 et D6. Lorsque Is est négatif, il traverse uniquement Wr5, IGTH1 et D6. Le sens des enroulements Wr5 et Wr6 est tel qu'une induction magnétique négative est régénérée. Bien entendu, la présente invention est susceptible de diverses variantes et modifications qui apparaîtront à l'homme de l'art. Le type de dispositif semiconducteur commutant le courant n'est pas limité ainsi que l'électronique de commande propre à ces dispositifs. Le nombre des enroulements de type We, Wi, Wl et Wr n'est pas limité. La présente invention peut aisément s'adapter à de nombreux types de réseaux alternatifs caractérisés par la fréquence, la forme d'onde et le nombre de phase de la tension. La charge Z peut être complexe et non uniquement résistive. Le tore T peut être remplacé par tout dispositif en matériau ferromagnétique équivalent. REVENDICATIONS 1. Circuit de commande d'un composant semiconducteur de puissance, caractérisé en ce qu'il comporte un tore (T) en matériau ferromagnétique possédant au moins un enroulement d'entrée (We), au moins un enroulement d'interrogation (wi), au moins un enroulement de lecture (Wl) destiné à être connecté aux bornes de commande du composant de puissance, et au moins un enroulement de régénération (wir). 2. Circuit de commande selon la revendication 1, dans lequel le composant de puissance est inséré dans un circuit de puissance alimenté en alternatif, caractérisé en ce que : l'un au moins des enroulements d'interrogation (wi) reçoit une impulsion de polarité donnée au début de chaque alternance de la tension appliquée au circuit de puissance que le composant est susceptible de laisser passer ; et les enroulements de régénération (wir) sont en série avec le composant de puissance. 3. Circuit de commande selon la revendication 2, dans lequel le composant de puissance est un composant unidirectionnel pouvant être commandé par impulsion et se désamorçant quand le courant qui le traverse s'annule. 4. Circuit de commande selon la revendication 2, dans lequel le composant de puissance est bidirectionnel et est inséré dans un circuit de puissance alimenté en alternatif, caractérisé en ce que : deux enroulements (Wrl, Wr2) sont utilisés pour régénérer l'état magnétique ; et chaque enroulement de régénération est parcouru par le courant correspondant à l'une des deux alternances. 5. Circuit de commande selon la revendication 4, dans lequel le composant de puissance (Swi) est constitué de deux thyristors (tel, T2) montés en parallèle et en opposition, caractérisé en ce que : l'enroulement de lecture (Wl) commande un transistor bipolaire (T3) connecté pour alimenter les gâchettes des thyristors ; et un enroulement de régénération (Wrl, Wr2) est placé en série avec chaque thyristor. 6. Circuit de commande selon la revendication 4, dans lequel le composant de puissance est un triac (T4), caractérisé en ce que : l'enroulement de lecture (Wl) est connecté sur la gâchette du triac ; et deux diodes (D3, D4) montées tête-bêche sont placées en série avec les deux enroulements de régénération (Wr3, Wr4). 7. Circuit de commande selon la revendication 4, dans lequel le composant de puissance est constitué de deux thyristors commandés par un transistor MOS (IGTH1, IGTH2), caractérisé en ce que : les deux thyristors (IGTH1, IGTH2) sont placés en série et en opposition ; chaque thyristor est connecté, séparément, à un enroulement de lecture (W15, W16) et à un enroulement de régénération (Wr5, Wr6) ; et une diode (D5, D6) est placée en parallèle sur chaque thyristor et son enroulement de régénération associé. 8. Procédé de commande d'un dispositif semiconducteur de puissance, caractérisé en ce qu'il comporte les étapes suivantes : prévoir un tore (T) en matériau ferromagnétique avec au moins quatre enroulements ; appliquer à un premier enroulement (We) une impulsion positive ou négative d'écriture ; appliquer à un deuxième enroulement (wi) une impulsion d'interrogation de polarité donnée ; utiliser comme signal de commande électrique la tension apparaissant sur un troisième enroulement (owl) et résultant de l'application de l'impulsion d'interrogation ; et régénérer par action sur un quatrième enroulement (wir) l'état magnétique du tore antérieur à l'interrogation. 9. Procédé de commande selon la revendication 8, caractérisé en ce que le dispositif semiconducteur de puissance se met à l'état ouvert lorsque la tension à ses bornes est nulle. 10. Procédé de commande selon la revendication 8, caractérisé en ce que la tension du réseau dans lequel est inséré le dispositif de puissance s'annule périodiquement. 11. Procédé de commande selon la revendication 8, caractérisé en ce que la tension du réseau dans lequel est inséré le dispositif de puissance est alternative. 12. Procédé de commande selon la revendication 8, caractérisé en ce que plusieurs enroulements (we) sont utilisés pour prendre en compte des impulsions d'écriture, le sens de chaque enroulement (we) dépendant du signe de ces impulsions. 13. Procédé de commande selon la revendication 8, caractérisé en ce que le deuxième enroulement (Wi) est alimenté à partir d'un réseau alternatif à travers un pont redresseur (Pr). 14. Procédé de commande selon la revendication 8, caractérisé en ce que le deuxième enroulement (wi) est alimenté à travers un dispositif (D) dont la fonction est de limiter le courant.