FR 2813721 A1 20020308 FR 0111548 A 20010906 DISPOSITIF DE COMMANDE DE GENERATEUR D'AUTOMOBILE Description La présente invention se rapporte à un dispositif de commande de générateur d'automobile' destiné à commander une tension de sortie d'un générateur d'automobile en activant et en désactivant un courant de bobine de champ. Les générateurs d'automobiles rechargent une batterie durant le fonctionnement du moteur de véhicule en plus de fournir de l'énergie pour l'allumage du moteur, les éclairages du véhicule; et autres équipements électriques. Un contrôleur de générateur est relié au générateur afin d'entretenir une tension de sortie sensiblement uniforme même lorsque la charge électrique varie. La demande pour un bruit réduit pour le générateur a augmenté avec la demande croissante d'une qualité supérieure pour les automobiles. Un premier procédé proposé pour réduire 1e bruit du générateur est décrit dans la demande de brevet japonais mise à la disposition du public N 64-20 000, qui enseigne un procédé de réduction du signal de bruit de commutation qui a lieu lorsqu'un courant de bobine de champ est commandé par un transistor de type MOS. Le signal de bruit de commutation est réduit avec ce procédé grâce à une contre-réaction négative d'une tension d'alimentation depuis un circuit élévateur de tension sur la borne de grille du transistor de sorte que la tension de source du transistor suit une courbe de relèvement de tension particulière. Le problème avec ce procédé est que la conception du circuit est complexe et que le fonctionnement est susceptible de devenir instable. Avec un autre procédé proposé dans la demande de brevet japonais mise à la disposition du public N 4-96 696, lorsqu'un transistor qui commande un courant de bobine de champ est conducteur, l'alimentation en courant vers la grille du transistor est limitée jusqu'à ce que la tension de source du transistor monte à un niveau particulier. Ainsi, la vitesse de conduction du transistor est ralentie afin de réduire le signal du bruit de commutation. Cependant, un fonctionnement intermittent d'un circuit de pompe à charge utilisé en. tant que circuit élévateur de tension produit des fluctuations de l'alimentation du courant de tension de grille, ce qui résulte en des variations de la continuité du courant du transistor. La variation du courant de conduction seule est une cause du signal de bruit de commutation. Il est souhaitable de réduire davantage le signal de bruit de commutation en réprimant cette variation de courant. C'est de ce fait un but de cette invention de réaliser un dispositif de commande destiné à un générateur de véhicule à moteur capable de réduire le signal de bruit de commutation dans une configuration de circuit simple. Un dispositif de commande de générateur d'automobile conforme à la présente invention comporte un dispositif de commutation destiné à interrompre l'alimentation en courant vers une bobine de champ d'un générateur d'automobile. Une diode à effet de volant est reliée en parallèle à la bobine de champ. Un circuit de détection de tension est prévu afin de fournir en sortie une instruction de signal afin d'activer ou de désactiver 1e dispositif de commutation de sorte que la tension de sortie du générateur d'automobile soit ajustée sur une tension spécifiée. Un circuit d'attaque est prévu pour attaquer le dispositif de commutation. Lorsqu'un signal donnant pour instruction au dispositif de commutation de s'activer est appliqué en entrée depuis le circuit de détection de tension, le circuit d'attaque fournit un courant spécifique à une borne de commande du dispositif de commutation afin de relever 1a tension de la borne de commande jusqu'à ce que la tension aux bornes de la bobine de champ dépasse une valeur spécifiée. Après que la tension aux bornes de la bobine de champ monte à la valeur spécifiée, le circuit d'attaque applique une tension plus élevée que la tension de sortie du générateur d'automobile à la borne de commande. Comme le dispositif de commutation est attaqué en fournissant le courant spécifique jusqu'à ce que la tension aux bornes de la bobine de champ monte à la valeur particulière, la variation de la circulation du courant au travers du dispositif de commutation est réduite et le signal de bruit de commutation à la sortie du générateur du véhicule peut être réduit. On notera que le bruit est réduit en utilisant une conception de c-lrcu--t relativement simple car seuls des éléments destinés à fournir le courant spécifique sont ajoutés à la configuration de circuit qui génère une tension plus élevée que la tension 'de sortie du générateur d'automobile. En variante, le circuit d'attaque comporte un circuit de pompe de charge comportant un nombre pair d'étages de condensateurs. Un circuit d'alimentation en courant est prévu pour fournir un courant au circuit de pompe à charge. Un circuit de signal est prévu afin de mettre en oeuvre de façon intermittente le circuit de pompe à charge. Une diode est reliée dans le sens direct depuis la borne d'entrée vers la borne de sortie du circuit de pompe à charge. Le dernier condensateur dans le circuit de pompe à chargé est chargé lorsque le premier condensateur se décharge, mais le courant de sortie du circuit d'alimentation en courant à cet instant est appliqué à la borne de commande du dispositif de commutation par l'intermédiaire de la diode reliée dans le sens direct entre la borne d'entrée et la borne de sortie du circuit de pompe à charge. En fournissant le courant de sortie du circuit d'alimentation en courant à la borne de commande du dispositif de commutation lorsque 1e courant de sortie du circuit de pompe à charge n'est pas fourni, la variation du courant d'attaque du dispositif de commutation peut être réduite, la variation de la circulation du courant au travers du dispositif de commutation peut également être réduite, et le signal du bruit de commutation dans la sortie du générateur d'automobile peut être réduit. En outre, ceci peut être obtenu en utilisant ainsi une conception de circuit relativement simple car seule la diode est ajoutée en parallèle avec le circuit de pompe à charge. D'autres buts, caractéristiques et avantages de la présente invention seront mis plus en évidence d'après la description détaillée suivante faite en faisant -référence aux dessins annexés. Sur les dessins La figure 1 est un schéma de circuit d'un dispositif de commande de générateur d'automobile conforme à un premier mode de réalisation de la présente invention, et La figure 2 est un schéma de circuit d'un dispositif de commande de générateur d'automobile conforme à un second mode de réalisation de.la présente invention. (Premier mode de réalisation) En se référant à la figure 1, un régulateur de tension 1 est prévu pour commander une tension de la borne S, qui est fournie pour détecter la tension appliquée à une batterie 3, à un réglage d'ajustement de tension particulier (tel que 14V). Une borne de détection d'allumage (borne IG) est reliée à la batterie 3 par l'intermédiaire d'un commutateur d'allumage 4. La commande par le régulateur 1 débute lorsque le commutateur d'allumage 4 est fermé (position FERMEE). Un générateur de courant alternatif monté sur le véhicule 2 comprend des enroulements de stator à trois phases 21 enroulés sur un stator, un circuit de redresseur 23 destiné à redresser sur les deux alternances la sortie des trois phases des enroulements de stator 21, et une bobine de champ 22 enroulée sur un rotor. La tension de sortie du générateur 2 est commandée par le régulateur 1 en activant et en désactivant de façon appropriée l'application des courants à la bobine de champ 22. Une borne de sortie (borne B) du générateur 2 est reliée à la batterie 3, de sorte qu'un courant de charge est appliqué depuis la borne B à la batterie 3. Le régulateur 1 comporte un transistor de type MOS (métaloxyde- semiconducteur) 11 relié en série avec la bobine de champ 22, une diode à effet de volant 12 reliée en série avec la bobine de champ 22, une diode à effet de volant 12 reliée en parallèle à la bobine de champ 22, un circuit de détection 13, et un circuit élévateur de tension 14. Le circuit de détection de tension 13 détermine si le transistor de type MOS 11 conduit ou s'active de sorte que la tension de la borne S, qui varie avec la tension de sortie du générateur 2, est maintenue à un réglage d'ajustement de tension spécifié. Le circuit élévateur 14 est disposé entre le circuit de détection de tension 13 et le transistor de type MOS 11 afin de fonctionner en tant que circuit d'attaque pour attaquer le transistor de type MOS 11. Le circuit de détection de tension 13 comprend un transistor 30, une diode Zener 31, et trois résistances 32, 33, 34. La diode Zener 31 est choisie de façon à ce qu'elle soit conductrice lorsque la tension de la borne S .dépasse le réglage d'ajustement de tension, en amenant ainsi le transistor 30 à conduire et le potentiel du collecteur à chuter. Le collecteur du transistor 30 est relié au circuit élévateur 14. Un signal à bas potentiel fourni en sortie depuis le collecteur est :un signal de commande donnant pour instruction au circuit élévateur 14 d'interrompre ou de désactiver le transistor de type MOS il. Inversement, lorsque la tension de 1a borne S est inférieure ou égale au réglage d'ajustement de tension, le potentiel de base du transistor 30 chute, en interrompant le transistor 30 et en relevant le potentiel du collecteur. Ce signal à potentiel élevé fourni en sortie depuis le collecteur du transistor est un signal de commande donnant pour instruction au circuit élévateur 14 de rendre conducteur le transistor de type MOS 11. Le circuit élévateur 14 comprend un circuit de pompe à charge, qui comprend trois diodes 40, 41, 42 et deux condensateurs 43, 44. En outre, un circuit de signal 45 est prévu pour attaquer par intermittence les circuits de pompe à charge. Deux transistors 50, 51, deux résistances 52, 53, et une diode 54 sont prévus pour fonctionner en temps que premier circuit d'alimentation en courant afin de fournir un courant spécifique à la borne de grille du transistor de type MOS 11. Deux transistors 46, 47 et deux résistances 48, 49 sont actionnés en tant que second circuit d'alimentation en courant afin de fournir un courant au circuit de pompe à charge. Deux transistors 55, 56, et une résistance 57 sont prévus pour fonctionner de façon à interrompre la continuité vers le transistor dé type MOS 11 en réponse à un signal d'interruption approprié appliqué en entrée depuis le circuit de détection de tension 13. Deux transistors 58, 59 et deux résistances 60, 61 sont prévus pour mettre en oeuvre 1e second circuit d'alimentation en courant lorsque la tension aux bornes (le potentiel de source du transistor de type MOS 11) de la bobine de champ 22 dépasse un niveau particulier. Le premier mode de réalisation fonctionne comme suit. (A) Lorsque la tension à la borne S est supérieure ou égale au réglage d'ajustement de tension, la diode Zener 31 devient conductrice et le transistor 30 conduit, en interrompant ainsi le transistor 58 du circuit élévateur 14. Le fonctionnement en élévateur du circuit de pompe à charge s'arrête ainsi car le courant n'est pas fourni par le circuit à miroir de courant comprenant les transistors 46, 47. En outre, comme le transistor 5.5 ne conduit pas non plus, aucun courant n'est fourni à 1a grille du transistor de type MOS 11 par le circuit du miroir de courant comprenant les transistors 50 et 51. Dans ce cas, le transistor 56 conduit. Il en résulte que la tension de grille du transistor de type MOS 11 chute et que le transistor de type MOS 11 devient conducteur. Comme la bobine de __champ 22 présente une grande composante d'inductance, le courant circulant au travers de la bobine de champ 22 à cet instant circule par l'intermédiaire de la diode à effet de volant 12 et chute progressivement. (B) Lorsque la tension à la borne S est inférieure au réglage d'ajustement de tension, le transistor 30 devient conducteur et le transistor 55 conduit. Ce transistor 55 consomme un courant spécifique par l'intermédiaire de la résistance 52, et ce courant est fourni à la diode 54 grâce aux transistors 50, 51 qui forment un circuit à miroir de courant. Le courant fourni en sortie depuis la diode 54 amène alors la tension de la borne de grille du transistor de type MOS 11 à monter, le transistor de type MOS 11 conduit progressivement, et la tension de source du transistor de type MOS 11 s'élève. _ Cette tension de source est une tension divisée par des résistances 60, 61. Lorsque la tension divisée (la tension aux bornes de la résistance 61) atteint un niveau particulier, le transistor 59 conduit. En conjonction avec ceci, le transistor 58 conduit également. Un courant spécifié est débité par l'intermédiaire de la résistance 48. Ce courant est fourni à la première diode 40 dans le circuit de pompe à charge par des transistors 46, 47 du circuit à miroir de courant. Le circuit de signal 45 est également relié aux condensateurs 43, 44, auxquels il applique des tensions de signaux de phases opposées. L'autre borne du condensateur 43 est reliée à la cathode de la diode du premier étage 40 et à l'anode de la diode du second étage 41. L'autre borne de l'autre condensateur 44 est relié à la cathode du condensateur du second étage 41 et à l'anode du condensateur du troisième étage 42. fa cathode du condensateur du troisième étage 42 est la borne de sortie du circuit de pompe à charge, et est reliée à la cathode de la diode 54 et à la grille du transistor de type MOS 11. Ceci signifie que lorsque le courant est appliqué à la diode du premier étage 40, lorsque le circuit de signal 45 fonctionne, des tensions de phases mutuellement opposées sont appliquées à des condensateurs 43, 44, et une tension supérieure à la tension de sortie du générateur 2 peut être reproduite à partir de la borne de sortie du circuit de pompe à charge. Il doit être noté que bien que le régulateur 1 utilise deux ensembles de diodes et de condensateurs dans 1e circuit de pompe à charge, le nombre réel des ensembles peut varier comme nécessaire. Lorsque la tension de la borne S chute en dessous du réglage d'ajustement de tension, il est donc possible de réduire 1a variation du courant circulant entre la source et le drain du transistor de type MOS 11 en appliquant un courant en utilisant le circuit d'alimentation en courant séparé du circuit de pompe à charge et en élevant ainsi la tension de grille du transistor de type MOS 11 jusqu'à ce que la tension de source du transistor de type MOS 11 (c'est-à-dire la tension aux bornes de la bobine de champ 22) atteigne une tension dépassant la tension de polarisation inverse de la diode à effet de volant 12. Il est de ce fait possible de réduire le signal de bruit de commutation contenu dans la tension de sortie du générateur 2. En outre, après que la tension de source du transistor de type MOS 11 atteint le niveau spécifique, la tension d'attaque est produite par le circuit de pompe à charge et est appliquée à la grille du transistor de type MOS 11. Cependant, comme 1e courant circulant entre 1a source et le drain du transistor de type MOS 11 circule vers la bobine de champ 22 à cet instant, la fluctuation de la tension appliquée à la grille du transistor de type MOS 11 est lissée par la composante d'inductance de la bobine de champ 22.. Ainsi, le signal de bruit de commutation est réduit. Le transistor de type MOS 11 peut être relié en variante au côté du bas potentiel. En outre, un transistor de type MOS 11 est utilisé en tant que dispositif de commutation, mais il sera évident qu'un transistor bipolaire et d'autres types de dispositifs peuvent êtres utilisés pour le dispositif de commutation. (Second mode de réalisation) Dans un second mode de réalisation représenté sur la figure 2, un circuit élévateur 14 diffère du circuit élévateur 14 du premier mode de réalisation. Plus particulièrement, ce circuit élévateur 14 comprend un circuit de pompe à charge comprenant trois diodes 40, 41, 42 et deux condensateurs 43, 44. Un circuit signal 45 est prévu pour attaquer de façon intermittente le circuit de pompe à charge. Deux transistors 50, 51 et trois résistances 52a, 52b et 53 sont prévus pour fonctionner en tant que circuit d'alimentation en courant afin de fournir un courant au circuit de pompe à charge. Une diode 54 est reliée en parallèle avec le circuit de pompe à charge. Deux transistors 55 et 56 sont prévus pour fonctionner de façon à activer le transistor -de type MOS 11 conformément à un signal de commande d'interruption appliqué en entrée depuis le circuit de détection de tension 13. Les transistors 58, 59a, 59b et la résistance 60 sont prévus pour établir le courant d'alimentation du circuit d'alimentation en courant conformément à la tension de source du transistor de type MOS 11. Le second mode de réalisation fonctionne comme suit. (A) Lorsque la tension de la borne S est supérieure ou égale au réglage d'ajustement de tension, la diode Zener 31 devient conductrice et le transistor 30 conduit, en interrompant ainsi 1e transistor 55 du circuit élévateur 14. Le fonctionnement d'élévation du circuit de pompe à charge et l'alimentation en courant au travers de la diode 50 s'arrête donc, car le courant n'est pas fourni par 1e circuit à miroir de courant comprenant les transistors 47, 50. Le courant n'est de ce fait pas appliqué également à la grille du transistor de type MOS 11. Dans ce cas, le transistor 56 conduit. La tension de grille du transistor de type MOS 11 chute et le transistor de type MOS 11 devient conducteur. Comme la bobine de champ 22 présente une grande composante d'inductance, 1e courant circulant au travers de la bobine de champ 22 à cet instant circule au travers de la diode à effet de volant 12 et chute progressivement. (B) Lorsque la tension de la borne S est inférieure au réglage d'ajustement de tension, le transistor 30 se bloque et le transistor 55 conduit. Ce transistor 55 débite un courant spécifique au travers de la résistance 52a. Ce courant est appliqué à la diode du premier étage 40 du circuit de pompe à charge par les transistors 50, 51 formant un circuit à miroir de courant et à la diode 54 reliée entre les bornes d'entrée et de sortie du circuit de pompe à charge, et la tension de grille du transistor de type MOS 11 s'élève. Le circuit de signal 45 est également relié aux condensateurs 43, 44, auxquels il applique des tensions de signaux de phases opposées. L'autre borne du condensateur 43 est reliée à la cathode de la diode du premier étage 40, dont l'anode est reliée à une borne d'entrée, et à l'anode de la diode du second étage 41. L'autre borne de l'autre condensateur 44 est reliée à la cathode de la diode du second étage 41 et à l'anode de la diode du troisième étage 42. La cathode de la diode du troisième étage 42 est la borne de sortie du circuit de pompe à charge, et est reliée à la cathode de la diode 54 ainsi qu'à la grille du transistor de type MOS 11. Ceci signifie que, lorsqu'un courant est appliqué à la diode du premier étage 40 lorsque le circuit de signal 45 fonctionne, des tensions dé phases mutuellement opposées sont appliquées aux condensateurs 43, 44, et une tension supérieure à la tension de sortie du générateur 2 peut être produite à partir de la borne de sortie du circuit de pompe à charge. I1 doit être noté que comme le circuit de pompe à charge de ce mode de réalisation présente un nombre pair d'étages de condensateurs (deux), le dernier condensateur 44 est dans un état de décharge lorsque 1e premier condensateur 43 se charge, et. ce courant de décharge est appliqué à la grille du transistor de type MOS 11. En outre, comme le dernier condensateur 44 se charge lorsque le premier condensateur 43 se décharge, le courant n'est pas appliqué depuis la pompe à la grille du transistor de type MOS 11, mais le courant fourni à la borne d'entrée du circuit de pompe à charge suivant ce cadencement est appliqué par l'intermédiaire de la diode 54 à la grille du transistor de type MOS 11. En outre, lorsque le courant est ainsi appliqué à la grille du transistor de type MOS 11 et que le courant circulant entre la source et le drain du transistor de type MOS 11 augmente jusqu'à ce que la diode à effet de volant 12 puisse être polarisée à l'inverse, la tension de source du transistor de type MOS 11 commence à monter. Par ailleurs, comme la source du transistor du type MOS 11 est reliée à un transistor 59a du circuit à miroir de courant par l'intermédiaire de la résistance 60 et du transistor 58, le courant circulant au travers du transistor 59a du circuit à miroir de courant augmente en conjonction avec l'augmentation de la tension de source du transistor de type MOS 11 lorsque la tension de la- borne S devient inférieure au réglage d'ajustement de tension, le transistor 30 devient conducteur, et le transistor 58 conduit. Le courant circulant depuis l'autre transistor 59b au travers de la résistance 52b vers le transistor 50 augmente donc, et le courant d'attaque généré par le circuit d'alimentation en courant, qui est formé par le circuit à miroir de courant comprenant ce transistor 50, augmente. En utilisant ainsi un nombre pair d'étages de condensateurs dans le circuit de pompe à charge et la diode reliée en parallèle 54 dans le sens direct depuis la borne d'entrée vers la borne de sortie du circuit de pompe à charge, le courant fourni depuis le circuit d'alimentation en courant à la borné d'entrée est appliqué par l'intermédiaire de la diode 54 à 1a grille du transistor de type MOS 11 lorsque le dernier condensateur 44 du circuit de pompe à charge est en charge et que la tension d'attaque (alimentation de courant d'attaque) n'est pas appliquée à la grille du transistor de type MOS 11 depuis le circuit de pompe à charge. Il est donc possible de lisser l'augmentation de la tension de grille du transistor de type MOS 11 lorsque la tension de la borne S est inférieure au réglage d'ajustement de tension, et de réprimer la variation de la circulation du courant vers le transistor de type MOS 11. I1 est de ce fait possible de réduire le signal de bruit de commutation de la tension de sortie du générateur 2. En outre, en augmentant l'alimentation en courant vers le circuit de pompe à charge et la diode 54 après que la tension de source du transistor de type MOS 11 augmente jusqu'au niveau spécifié (la tension de polarisation inverse de la diode à effet de volant 12), la tension de grille du transistor de type MOS 11 peut être rapidement augmentée et la perte dans le transistor du type MOS 11 peut être réduite. En outre, comme la circulation du courant entre la source et le drain du transistor de type MOS 11 s'écoule vers la bobine de champ 22 lorsque la tension de source de transistor de type MOS 11 est supérieure à la tension de polarisation inverse de la diode à effet de volant 12, la fluctuation de la tension appliquée à la grille du transistor de type MOS 11 est lissée par la composante d'inductance de la bobine de champ 22 et le signal du bruit de commutation est réduit. Il sera évident pour l'homme de l'art que la présente invention ne doit pas être limitée aux modes de réalisation décrits et peut varier de nombreuses manières sans s'écarter de l'esprit de l'invention. Par exemple, le transistor de type MOS 11 peut être relié en variante du côté du bas potentiel. En outre, le transistor de type MOS 11 peut être remplacé par un transistor bipolaire. D'autres dispositifs et d'autres types de dispositifs peuvent êtres utilisés' pour le dispositif de commutation. REVENDICATIONS 1. Dispositif de commande destiné à un générateur d'automobile (2) comportant une bobine de champ (22), comprenant . un dispositif de commutation. (il) destiné à activer et désactiver une alimentation en courant vers la bobine de champ (22) du générateur d'automobile (2), une diode à effet de volant (12) reliée en parallèle avec la bobine de champ (22), et un circuit de détection de tension (13) destiné à fournir en sortie un signal d'instruction afin de rendre conducteur et de bloquer le dispositif de commutation (11) de sorte qu'une tension de sortie du générateur d'automobile (2) soit régulée à une tension ajustée spécifiée, caractérisé en ce qu'il comprend en outre un circuit d'attaque (14) destiné à attaquer le dispositif de commutation (11), lorsque le signal d'instruction donnant pour instruction au dispositif de commutation (11) de devenir conducteur est appliqué en entrée depuis 1e circuit de détection de tension (13), grâce à la circulation d'un courant spécifique vers une borne de commande du dispositif de commutation (11) afin d'augmenter une tension de borne de commande jusqu'à ce qu'une tension aux bornes de la bobine de champ (22) dépasse une valeur spécifiée et en appliquant une tension supérieure à la tension de sortie du générateur d'automobile à la borne de commande après que 1a tension aux bornes de la bobine de champ (22) dépasse la valeur spécifiée. 2. Dispositif de commande selon la revendication 1, dans lequel la tension spécifique comparée à la tension aux bornes de la bobine de champ (22) est supérieure à une tension de polarisation inverse de la diode à effet de volant (12). 3. Dispositif de commande selon la revendication 1 ou 2, dans lequel le dispositif de commutation (11) est un transistor de type MOS comportant une borne de grille en tant que borne de commande. 4. Dispositif de commande selon la revendication 3, dans lequel le circuit d'attaque (13) comprend un premier circuit d'alimentation en courant (50 à 54) destiné à fournir 1e courant spécifique à la borne de grille du transistor de type MOS (11), un circuit de pompe à charge (40 à 44), un second circuit d'alimentation en courant (46 à 49) destiné à fournir un courant au circuit de pompe à charge (40 à 44), et un circuit de signal (45) destiné à mettre en oeuvre de façon intermittente le circuit de pompe à charge (40 à 44), dans lequel, lorsqu'un signal d'instruction de conduction est appliqué en entrée depuis le circuit de détection de tension (13), le circuit d'attaque (13) fournit le courant provenant du premier circuit d'alimentation en courant (50 à 54) à la borne de grille jusqu'à ce que la tension aux bornes de la bobine de champ (22) dépasse la valeur spécifiée, et fournit une tension de sortie du circuit de pompe à charge (40 à 44) à la tension de grille après que la tension aux bornes de la bobine de champ (22) dépasse la valeur spécifiée. 5. Dispositif de commande destiné à un générateur d'automobile (2) comportant une bobine de champ (22) comprenant un dispositif de commutation (11) destiné à activer et à désactiver une alimentation en courant vers la bobine de champ (22) du générateur d'automobile (2), une diode à effet de volant (12) reliée en parallèle avec la bobine de champ (22), et un circuit de détection de tension (13) destiné à fournir en sortie un signal d'instruction afin de rendre conducteur et de bloquer le dispositif de commutation (11) de manière à ce qu'une tension de sorte du générateur d'automobile (2) soit régulée à une tension ajustée spécifiée, caractérisé en ce qu'il comprend en outre un circuit d'attaque (14) destiné à attaquer le dispositif de commutation (11), lorsque le signal d'instruction donnant pour instruction au dispositif de commutation (11) de devenir conducteur est appliqué en entrée depuis le circuit de détection de tension (13), en appliquant une tension supérieure à la tension de sortie du générateur d'automobile (2) à une borne de commande 'du dispositif de commutation (11) , dans lequel le circuit d'attaque (14) comprend un circuit de pompe à charge (40 à 44) comportant un nombre pair d'étages de condensateurs, un circuit d'alimentation en courant (50, 51) destiné à fournir un courant au circuit de pompe à charge (40à 44), un circuit de signal (45) destiné à mettre en oeuvre par intermittence le circuit de pompe à charge (40 à 44), et une diode (54) reliée dans le sens direct depuis une borne d'entrée vers une borne de sortie du circuit de pompe à charge (40 à 44). 6. Dispositif de commande selon la revendication 5, dans lequel le dispositif de commutation (11) est un transistor de type MOS comportant une borne de grille en tant que borne de commande. 7. Dispositif de commande selon la revendication 6, dans lequel le transistor de type MOS comporte une source reliée à la bobine de champ (22), et le circuit d'alimentation en courant (50, 51) établit le courant conformément à une tension de source du transistor de type MOS.