FR 2809867 A1 20011207 FR 0006909 A 20000530 SUBSTRAT FRAGILISE ET PROCEDE DE FABRICATION D'UN TEL SUBSTRAT Domaine technique La présente invention concerne un substrat fragilisé par la présence d'une zone de microcavités. Elle concerne aussi un procédé de fabrication d'un substrat fragilisé. Elle concerne également un procédé d'obtention d'une couche mince. Elle concerne encore un procédé d'obtention d'une structure de type semiconducteur sur isolant. L'invention s'applique en particulier à la microelectronique et au domaine des semiconducteurs. Etat la technique antérieure L'introduction d'espèces gazeuses dans un matériau solide peut être avantageusement réalisée par implantation ionique. Ainsi, le document FR-A-2 681 472 (correspondant au brevet américain N 5 564) décrit un procédé de fabrication de films minces de matériau semiconducteur. Ce document divulgue que 'implantation d'un rare ou d'hydrogène dans un substrat en matériau semiconducteur est susceptible d induire, dans certaines conditions, la formation de microcavités ou de microbulles (encore désignées le terme "platelets" dans la terminologie anglo-saxonne) à une profondeur voisine de la profondeur moyenne de pénétration des ions implantés. Si ce substrat est mis en contact intime, par sa face implantée avec un raidisseur et qu'un traitement thermique appliqué à une température suffisante, il se produit une interaction entre les microcavités ou microbulles conduisant à une séparation du substrat semiconducteur en deux parties : un film mince semiconducteur adherant au raidisseur d'une part, le reste du substrat semiconducteur d'autre part. La séparation a lieu au niveau de la zone où les microcavités ou microbulles sont présentes. Le traitement thermique est tel que l'interaction entre les microbulles ou microcavités créées par implantation est apte à induire une séparation entre le film mince et le reste du substrat. On peut donc obtenir le transfert d'un film mince depuis un substrat initial jusqu'à un raidisseur servant de support à ce film mince. Ce procédé peut également s'appliquer à la fabrication d'un film mince de matériau solide autre qu'un matériau semiconducteur, un matériau conducteur ou dielectrique, cristallin ou non. La technique divulguée par le document FR- A-2 472 est connue sous le nom de Smartcut . Elle a donné lieu à certains perfectionnements ou développements. Ainsi, le document FR-A-2 851 divulgue un procédé qui permet, après une étape d'implantation ionique dans une gamme de doses appropriées et avant l'étape de séparation, de réaliser un traitement thermique de la partie de la plaquette correspondant à la future couche mince, en particulier entre 400 C et 900 C pour le silicium, sans dégrader l'état de surface de la face plane de la plaquette et sans séparation de la couche mince. Ce traitement thermique peut faire partie des opérations d'élaboration de composants électroniques ou être imposé pour d'autres raisons. Le document FR-A-2 767 416 divulgue qu'il est possible de baisser la ,température de recuit si l'on tient compte du budget thermique fourni au substrat au cours des différentes étapes du procédé (étape d'implantation ionique, étape eventuelle d'adhésion du substrat sur le raidisseur, traitements intermediaires éventuels, étape de recuit apte à permettre la séparation). Par budget thermique, on entend que, pour une étape où un apport thermique est apporte (par exemple lors de l'étape de recuit), il ne faut pas raisonner uniquement sur la température mais sur le couple temps -température fourni au substrat. De façon générale, le choix du budget thermique a utiliser pour obtenir la fracture dépend de l'ensemble des budgets thermiques appliqués au matériau de base ou à la structure à partir de l'étape d'implantation. Tous ces budgets thermiques constituent un bilan thermique qui permet d'atteindre le clivage de la structure. Ce bilan thermique est généralement formé par au moins deux budgets thermiques : celui de l'implantation et celui du recuit. L'amélioration proposée par le document FR- A-2 773 261 est rendue possible grâce à création dans matériau du substrat initial d'une inclusion ou d'un ensemble d'inclusions permettant de confiner les espèces gazeuses introduites lors l'étape d'implantation ionique. Une inclusion est un volume de matériau dont les propriétés sont différentes de celles du matériau du substrat à partir duquel on veut transferer un film mince ou des films minces. Les inclusions peuvent se présenter sous la forme d'une couche s'étendant sensiblement parallèlement à la surface au travers de laquelle on réalise l'implantation. Les formes que peuvent prendre ces volumes sont diverses et leurs dimensions peuvent aller de quelques dixièmes de nanomètres à plusieurs centaines de micromètres. Lq rôle des inclusions est d'être des pièges pour les espèces gazeuses implantées. Le rayon d'action de ces pièges dépend de la nature des inclusions réalisées. Le procédé comprend une étape préliminaire consistant à former des inclusions dans le matériau du substrat initial. Une étape postérieure consiste à implanter des espèces gazeuses, de gaz rare ou non, dans ce matériau. La présence des inclusions formées l'étape précédente entraîne un confinement des espèces gazeuses implantées. L'efficacité des inclusions est liée à leur pouvoir de confinement des espèces gazeuses. Certains procédés divulgués par les documents cités ci-dessus permettent la réalisation, en partie ou en totalité, de composants par exemple électroniques avant la séparation au niveau de la zone implantée et le report sur un support. C'est cas notamment du document FR-A-2 748 851. I1 est connu par ailleurs de mettre en #uvre une implantation de protons, avec des doses de l'ordre de 3.1016 H+/cm2, pour créer une couche enterrée isolante après un traitement thermique du type RTA (pour "Rapid Thermal Annealing") ou un recuit conventionnel à haute température. On peut se reporter à ce sujet aux brevets des Etats-Unis N 5 633 174 et 5 198 371. Pour certaines applications, il apparaît essentiel de pouvoir réaliser des substrats comprenant une zone fragilisée. De tels substrats peuvent être appelés "substrats démontables". Ainsi, le document FR- A-2 748 851 propose un procédé permettant de créer une zone fragile enterrée à partir d'une implantation d'espèces gazeuses, comme par exemple l'hydrogène et/ou les gaz rares, introduites seules ou en combinaison. La structure ainsi obtenue (présentant une couche superficielle, une zone enterrée et un substrat) est compatible avec la réalisation partielle ou totale de composants microélectroniques, optoélectroniques ou relevant du domaine des micro -technologies. procédé permet d'éviter la formation de cloques en surface lors des traitements thermiques mis en #uvre pour la réalisation de composants électroniques. Un moyens d'y parvenir est de contrôler la dose d'espèces gazeuses implantées. La zone fragilisée est une zone préférentielle de séparation. Si des contraintes sont judicieusement exercées sur cette zone, la séparation peut avoir lieu. Un tel substrat démontable après la réalisation de composants électroniques peut présenter de nombreux avantages dans le domaine de la fabrication de matériaux, dans le domaine où des couches minces de matériaux contenant partiellement ou en totalité des composants électroniques sont nécessaires. Ces couches minces constituant à leur tour des substrats, peuvent être autoportées ou reportées sur des supports qui peuvent être souples, tels que par exemple les plastiques, ou rigides, tels le verre, le silicium ou les matériaux céramiques. De tels substrats sous forme de couche mince peuvent être utilisés pour réaliser des composants photovoltaïques, des composants électroniques ou même des imageurs. Il apparaît de plus en plus désirable de disposer de substrats démontables, c'est-à-dire présentant une couche mince séparée d' substrat initial par une zone fragilisée, compatibles avec la mise #uvre d'étapes technologiques destinées à fabriquer des composants dans la couche mince et pouvant impliquer des températures élevées sans altérer l'état la couche mince. Ces étapes impliquant des températures élevées peuvent être des étapes de réalisation, totale ou partielle, de composants électroniques si la couche mince est couche de matériau semiconducteur. Exposé de l'invention La présente invention permet de disposer de substrats démontables répondant notamment à ce souhait. L'invention a pour objet un procédé réalisation d'un substrat fragilisé comprenant - une étape d'introduction d'au moins espèce gazeuse dans une zone du substrat afin de former microcavités dans cette zone, ladite zone ainsi fragilisée délimitant une couche mince avec une face substrat, - une étape d'élimination de tout ou partie l'espèce gazeuse de la zone fragilisée. Selon l'invention, on élimine tout partie de l'espèce gazeuse de façon à éviter un effet pression, dans les microcavités ou microfissures qui pourrait induire une déformation de la surface (par exemple sous forme de "blisters") ou une séparation au cours des traitements thermiques auxquels ce substrat fragilisé pourrait être soumis. L'objectif d'un tel procédé est d'obtenir un substrat fragilisé en profondeur qui soit à la fois compatible avec des procédés de réalisation de composants à haute température et apte à permettre la séparation de la couche mince d'avec le reste du substrat. Avantageusement, l'introduction d'au moins une espèce gazeuse est réalisée par implantation ionique. Cette implantation peut bien entendu être assistée par une diffusion d'espèces, telle que la diffusion activée thermiquement ou la diffusion plasma. De préférence, l'étape d'élimination de l'espèce gazeuse comprend un, traitement thermique mené de façon à permettre à tout ou partie de l'espèce gazeuse introduite de quitter les microcavités par diffusion. Elle peut comprendre en outre 1 application de contraintes à la zone fragilisée. Si le substrat est un substrat semiconducteur, le traitement thermique de l'étape d'élimination de tout ou partie l'espèce gazeuse peut être un traitement thermique mis en #uvre lors de la fabrication d'au moins un composant dans ladite couche mince. Selon une variante de mise en #uvre, le procédé comprend en outre une étape de surfragilisation de la zone fragilisée. Avant l'étape de surf ragilisation, il peut être avantageux de déposer la couche mince une couche de rigidité, par exemple un oxyde thermique. Cette couche de rigidité permet d'augmenter la fragilisation de la zone tout en évitant la formation de cloques. Cette couche, en fonction des composants à réaliser, est conservée ou éliminée après l'étape d'élimination. L'étape de surfragilisation peut comprendre un traitement thermique appliqué à la zone fragilisée avant l'étape d'élimination l'espèce gazeuse. Elle peut comprendre aussi l'application de contraintes à la zone fragilisée. Elle peut comprendre encore l'introduction d'au moins une espèce gazeuse dans la zone fragilisée. Cette surfragilisation peut être réalisée sur l'ensemble de la zone fragilisée ou une ou plusieurs parties de cette zone (surfragilisation localisée). L'introduction d'au moins espèce gazeuse dans la zone fragilisée peut être effectuée par exemple par une méthode choisie parmi l'implantation ionique, la diffusion activée thermiquement et la diffusion plasma. L'introduction d'au moins une espèce gazeuse dans une zone du substrat, aussi bien pour la première étape du procédé que pour une étape de surf ragilisation, peut être réalisée dans un substrat dont au moins la partie correspondant à ladite couche mince est en silicium, en matériau III-V, en SiC, en Ge, en Gan ou en matériau ferroélectrique ou piézoélectrique tel que par exemple LiNb03, ou encore en saphir. Si le substrat est un substrat semiconducteur, la surfragilisation de la zone fragilisée peut être réalisée lors de la fabrication de tout ou partie d'au moins un composant dans ladite couche mince. Si le substrat est un substrat semiconducteur, il peut comprendre, après 'élimination de l'espèce gazeuse de la zone fragilisée, au moins une étape de fabrication de tout ou partie au moins un composant dans ladite couche mince. Selon un mode de réalisation de l'invention, l'étape fabrication comprend une étape d'épitaxie ou d'hétéroépitaxie. Le procédé peut comprendre étape de solidarisation de la face de ladite couche mince avec un raidisseur. L'invention a aussi pour objet un procédé d'obtention d'une couche mince, caractérisé en ce qu'il met d'abord en #uvre le procédé de réalisation d'un substrat fragilisé mentionné ci-dessus, puis met en #uvre une étape de séparation de la couche mince du reste substrat. L'étape de séparation peut être réalisée par application d'un traitement thermique et/ou application de contraintes mécaniques. L'invention a encore pour objet un procédé d'obtention d'une structure du type semiconducteur sur isolant caractérisé en ce qu'il met d'abord en #uvre le procédé de réalisation d'un substrat fragilisé mentionné ci-dessus et comprenant étape de solidarisation de la face de, ladite couche mince avec un raidisseur, puis met en #uvre étape de séparation de la couche mince du reste du substrat, le raidisseur présentant à ladite couche mince une face isolante, la partie du substrat correspondant à ladite couche mince étant en matériau semiconducteur. La partie du substrat correspondant à ladite couche mince peut être en silicium, en matériau III-V, en SiC, en GaN, en LiNb03 ou en saphir. L'étape de séparation peut être réalisée par application d'un traitement thermique et/ou par application de contraintes mécaniques. Selon un mode de réalisation, avant solidarisation avec un raidisseur, le procédé comporte la réalisation de tout ou partie d'au moins un composant. L'invention a enfin pour objet un substrat fragilisé par la présence d'une zone de microcavités, la zone de microcavités délimitant une couche mince avec une face du substrat, caractérisé en ce que les microcavités sont vides totalement ou partiellement d'especes gazeuses. La zone de microcavités peut être une zone surfragilisée. Au moins la partie du substrat correspondant à ladite couche mince peut être en silicium, en matériau III-V, en SiC, en Ge, en GaN en matériau ferroélectrique ou piézoélectrique. Brève description des dessins L'invention sera mieux comprise et d'autres avantages et particularités apparaîtront à lecture de description qui va suivre, donnée à titre d'exemple non limitatif, accompagnée dessins annexes parmi lesquels - les figures 1A à 1D illustrent étapes d'un procédé selon l'invention permettant de transférer une couche mince de matériau sur un raidisseur - les figures 2A @ 21 illustrent étapes d'un procédé selon l'invention permettant de transférer une couche mince de matériau comprenant des composants sur un raidisseur et permettant le report sélectif de composants sur des supports de réception. Description détaillée de modes de réalisation de 'invention La formation de la zone fragile par introduction d'au moins une espèce gazeuse peut être réalisée par différents moyens, tels ceux divulgués par les documents FR-A-2 681 472, FR-A-2 748 851, FR-A- 767 416 et FR-A-2 773 261 déjà cités. L'introduction de ces espèces peut etre réalisée de façon avantageuse par implantation ionique. espèces gazeuses sont choisies préférentiellement parmi l'hydrogène, les gaz rares ou d'autres especes susceptibles de conduire à la présence de cavités ou platelets" ou petites microfissures. Ces espèces peuvent être implantées seules ou en combinaison. Elles peuvent être introduites simultanément ou de façon séquentielle. Par exemple, l'introduction des espèces gazeuses par implantation permet de former dans le substrat source des cavités situées dans la zone de clivage. Les cavités (ou micro-cavités ou "platelets" microbulles) peuvent se présenter sous différentes formes. Elles peuvent être sphériques et/ou aplaties avec une épaisseur pouvant varier de seulement quelques distances inter-atomiques à plusieurs nanomètres. Par ailleurs, les cavités peuvent contenir une phase gazeuse libre et/ou des atomes de gaz issus des ions implantés, fixés sur les atomes du matériau formant les parois des cavités. Il est cependant nécessaire que les espèces introduites se trouvent dans une configuration telle qu'elles induisent la présence d'une zone fragilisée mais qu'elles ne conduisent pas l'apparition de cloques, encore désignées par le terme anglais "blisters", en surface notamment pendant 'étape d'élimination de l'espèce gazeuse et/ou surfragilisation. Dans certains cas, l'étape d'introduction des espèces gazeuses peut être réalisée de façon locale, par exemple par masquage. On peut ainsi obtenir couche fragilisée en profondeur de façon discontinue. Cependant, si la distance entre les zones fragilisées n'est pas trop importante, il est possible moment de la séparation d'obtenir une séparation continue sur toute la largeur du substrat. Ce masquage peut permettre par exemple de ne pas modifier sur toute la surface les propriétés du matériau l'introduction d'espèces gazeuses. On peut ainsi garder la bonne conductibilité électrique de la zone masquée. L'élimination de tout ou partie des espèces gazeuses est obtenue de façon préférentielle par des traitements thermiques qui permettent aux espèces de diffuser et de quitter les cavités. Cette élimination des espèces gazeuses peut également être assistée de contraintes appliquées de façon interne ou externe à zone de clivage. Cette élimination des espèces gazeuses peut éventuellement s'accompagner d'un réarrangement cristallin qui aura pour principale conséquence modifier la morphologie des cavités ou "platelets". Ces cavités soit seront constituées de vide, soit contiendront une faible quantité d'espèces gazeuses et permettront toujours de fragiliser le matériau. Cependant, étant donné que ces cavités ne contiennent plus de gaz ou contiennent peu de gaz, on peut réaliser plus aisément toutes sortes d'étapes technologiques même à haute température sans induire la présence de déformations de surface ou cloques. Les conditions qui permettent d éliminer tout partie des espèces gazeuses introduites dépendent de la nature même de l'espèce gazeuse (hydrogène, hélium, sous forme ionisé ou sous forme moléculaire ou atomique...). Ces conditions dépendent également des conditions d'implantation (dose d'espèces introduites, profondeur de la zone de présence des cavités par rapport à la surface, budget thermique fourni au cours de l'étape d'introduction des espèces gazeuses, ... ). Dans certains cas, en particulier lors de la réalisation de tout ou partie de composant, les étapes technologiques peuvent être réalisées avantageusement de façon qu'elles participent à l'élimination d'une partie des espèces gazeuses. Dans certaines conditions, il peut rester des espèces gazeuses, après l'étape d'élimination. Cependant, les espèces gazeuses restantes sont soit liées parois des cavités ou microfissures, soit en trop faible quantité pour induire des déformations de surface. De façon préférentielle, il est intéressant d'augmenter la fragilisation au niveau de la zone de clivage. Ainsi, une étape de surfragilisation peut être réalisée. L'étape de surfragilisation est réalisée par application d'étapes de traitement thermique et/ou de contraintes au niveau de la zone fragilisée. Ces étapes pouvant être menées seules ou en combinaison de façon successive ou simultanée. L'étape de surfragilisation peut comprendre une ou plusieurs étapes d'introduction de gaz ou d'espèces gazeuses telles que définies dans l'étape initiale d'introduction d'espèces gazeuses, appliquées seules ou en combinaison. Ces étapes d'introduction d'espèces gazeuses peuvent être alternées avec une ou plusieurs étapes de traitement thermique et/ou d'applications de contraintes telles que définies précédemment. L'objectif de cette étape de surfragilisation est faciliter l'étape consistant à séparer effectivement la couche mince du reste du substrat. De façon avantageuse, cette étape de surfragilisation peut etre conduite pour permettre aux cavités de se développer et de former des cavités plus importantes ou microfissures et donc de surfragiliser le matériau. L'étape surfragilisation peut être réalisée de façon avantageuse en jouant sur les traitements thermiques et plus particulièrement en contrôlant les budgets thermiques. Par exemple, on peut réaliser un traitement thermique associé à une dose qui permet de fragiliser créant des microfissures au niveau de la zone enterrée. Cependant, ces microfissures sont telles qu'elles n'induisent pas de déformation de la surface. Pour obtenir ce résultat, deux manières avantageuses peuvent être utilisées soit on implante à relativement forte énergie par exemple à 200 keV, soit on implante à plus faible énergie et après implantation on dépose un raidisseur par exemple un oxyde de silicium. La surfragilisation peut être obtenue par exemple par le développement de cavités de dimensions relativement importantes qui peuvent être assimilées à des microfissures. Pour cela, on peut par exemple se mettre dans des conditions limites de dose d'hydrogène implanté (6 .1016H+/cm' à 210 keV) qui permettent d'obtenir la fracture à haute température par exemple aux environs de 650 C en quelques minutes mais pas à Passe température (500 C). En effet, il a été montré que de façon générale si l'on veut obtenir une fracture par traitement thermique, il faut tenir compte non seulement de la température de traitement mais aussi du temps : on parle alors de budget thermique (voir le document FR-A-2 767 416). Cependant, dans certaines conditions limites, la fracture ne peut être obtenue en dessous de certaines températures. On obtient alors des microfissures formées par exemple par interaction entre les cavités de plus petites tailles, par effet de pression dans les cavités et/ou par la présence de contraintes externes ou internes et/ou par effet d'apport des espèces gazeuses vers les cavités par exemple par diffusion. Le traitement thermique peut par exemple être realisé durant quelques minutes à 600 C. Une fois ces microfissures obtenues, on réalise un recuit à plus basse température, par exemple 500 C, durant plusieurs heures de façon à éliminer tout ou partie de l'hydrogène présent dans les cavités. Ainsi, on créé des microfissures ou des cavités de grandes dimensions, ces cavités ou microfissures ayant été totalement ou partiellement vidées de leur gaz. Ainsi, peut recuire à haute température la structure surfragilisée sans danger pour la couche mince. Au cours de cette étape de surfragilisation les cavités peuvent voir leur forme évoluer. Dans une variante du procédé, cette étape de surfragilisation peut être réalisée avec des conditions d'introduction d'espèces gazeuses qui conduisent à la présence de "blisters" si on recuit par exemple à 500 C. Dans ce cas, il faut adapter les conditions de traitements thermiques et/ou la présence contraintes de façon à fragiliser le matériau sans induire la présence de "blisters" en surface. Pour cela, on peut jouer sur des temps de recuit très longs a basse température de façon à permettre aux cavités de grossir. Dans une autre variante on peut surfragiliser des substrats avec des conditions d'introduction d'espèces gazeuses qui ne permettent pas de conduire à la présence de "blisters" après implantation ni à la séparation par traitement thermique. De façon générale, les conditions de surfragilisation doivent être adaptées aux conditions d'introduction des espèces gazeuses. Par exemple, dans cas d'une implantation ionique, il faut bien sûr tenir compte de la dose d'espèces implantées mais aussi l'énergie d'implantation et de la température d'implantation. I1 est également essentiel pendant l'étape de surfragilisation de prendre en compte les contraintes présentes au niveau de la zone fragilisée. Ces contraintes peuvent être appliquées à la structure manière interne ou externe. Elles peuvent etre par exemple des forces de traction, de cisaillement, de flexion, de pelage appliquées seules ou en combinaison. De façon avantageuse, il est possible de realiser entre l'étape de surfragilistion et l'etape de séparation tout ou partie d'un procédé de réalisation 'un composant microélectronique, optoélectronique ou meure un micro-système. On peut même introduire des etapes de dépôt, de recuit, de croissance de matériaux épitaxie en phase liquide ou en phase gazeuse. Ces étapes peuvent par exemple permettre d adapter l'épaisseur de la couche mince. Par exemple, pour la réalisation de composants de type CMOS on peut réaliser une épitaxie d'environ 5 um de silicium alors que pour des composants de type photovoltaïque, une épitaxie de 50 um peut être réalisée. Dans certains cas, cette étape de surfragilisation peut même être obtenue par tout ou partie des étapes de création du ou des composants si ces dernières étapes sont judicieusement réalisées. L'intérêt de ce procédé est qu'il est compatible avec des étapes de réalisation de composants à haute .température comme par exemple 1100 C compte tenu du fait que la pression dans les cavités est fortement diminuée lors de l'étape d'élimination de tout ou partie de l'espèce gazeuse. Après l'étape de réalisation de tout ou partie de composants, il est possible de compléter l'étape de surfragilisation ou de fragilisation par une autre étape d'introduction de gaz, par exemple par implantation de gaz rare et/ou d'hydrogène et/ou par diffusion activée thermiquement et/ou par diffusion plasma... L'introduction de ces espèces peut se faire toute la surface du substrat ou de façon masquée en protégeant certaines zones ou de façon localisée en réalisant des chemins d'introduction privilégiée comme par exemple des tranchées dont la profondeur peut atteindre ou dépasser la zone fragilisée ou surfragilisée. Dans ce dernier cas, l'introduction des espèces gazeuses est obtenue de façon latérale. De façon avantageuse, cette introduction peut être contrôlée par diffusion. Cette étape peut être complétée par des étapes de traitements thermiques et/ou d'application de contraintes mécaniques. Ces étapes supplémentaires augmentent la surfragilisation et peuvent favoriser l'étape de séparation. peut ainsi minimiser, voire supprimer les contraintes à appliquer pour obtenir la séparation. Dans le cas où des puces sont découpées dans un substrat, il est possible de surfragiliser après découpe par introduction de gaz par les bords de la puce ou même de surdoser localement. L'étape de séparation peut être menée par différents moyens qui peuvent être des moyens mécaniques combinés ou pas avec des moyens thermiques ou inversement. Ces moyens de séparation peuvent être appliqués de façon impulsionnelle ou continue. Des moyens de séparation à base de fluide gazeux ou liquide peuvent également être utilisés. Parmi les moyens de séparation mécanique on peut citer l'utilisation de forces traction, de flexion, de cisaillement, de pelage, ces forces pouvant être appliquées de façon externe ou être en partie induite par contraintes internes à la structure. Les forces externes peuvent être appliquées soit directement soit des moyens intermédiaires tels qu'un support souple un support rigide. Ainsi, après séparation, la couche mince obtenue peut être autoportée ou sur un support. Dans certains cas, l'utilisation d'un support facilite la manipulation de la couche mince qui peut contenir des composants électroniques. Il peut être avantageux de solidariser, avant la séparation mais après l'étape d'élimination de tout ou partie des espèces gazeuses, le substrat éventuellement surfragilisé sur un raidisseur. Cette solidarisation peut se faire par des moyens qui permettent d'obtenir des forces très importantes ou par des moyens qui permettent d'obtenir des forces d'adhésion contrôlées et particulier compatibles avec un décollement ultérieur au niveau de cette interface. On peut citer par exemple l'adhésion moléculaire ou la colle. Après séparation et obtention de la couche mince, le reste du substrat peut être recyclé aussi bien en tant que substrat initial qu en tant que support. Les figures 1A à, 1D illustrent un exemple de mise en ceuvre de l'invention. Ce sont des vues en coupe transversale. La figure 1A montre un substrat en silicium 1 au cours de l'étape d'introduction d'une espèce gazeuse. Pour cela, la face 2 de ce substrat est soumise à une implantation ionique symbolisée par flèches 3. Pour un substrat en silicium, on peut implanter de l'hydrogène pour une énergie de 200 keV pour une dose de l'ordre de 6.1016 H+/cm2. I1 se forme alors couche 4 de microcavités constituant une zone fragilisée. La couche 4 de microcavités ou zone fragilisée sépare le substrat 1 en deux parties couche mince 5, située entre la face implantée 2 et zone fragilisée 4, et la partie restante 6 du substrat située sous la zone fragilisée 4 Un traitement thermique à une température de 60 pendant 15 minutes permet par exemple surfragiliser le substrat 1 au niveau de la couche 4 microcavités qui deviennent des cavités plus grosses voire des microfissures. L'étape d'élimination de tout ou partie de l'hydrogène présent dans les microcavités est réalisée en soumettant le substrat 1 à un recuit à 500 C pendant plusieurs heures, par exemple 10 heures. La figure représente le substrat 1 à l'issue de cette étape. La zone surfragilisée 4' correspond à la couche 4 microcavités mais ces microcavités sont maintenant vidées totalement ou partiellement du gaz qu'elles contenaient. Différentes opérations technologiques impliquant une température élevée peuvent alors être réalisées. Par exemple, l'épaisseur de la couche mince 5 peut être augmentée par épitaxie en phase gazeuse. La figure 1C illustre une étape solidarisation de la face ,2 du substrat 1 sur substrat support 7 ou raidisseur. La solidarisation peut être obtenue par différents moyens : par substance adhésive ou par adhésion moléculaire exemple. Une couche de collage 8 peut aussi être utilisée. Le substrat 1 étant en silicium, une couche d'oxyde peut être formée sur la face 2 du substrat Si le raidisseur 7 possède lui aussi une couche d'oxyde de silicium, la mise en contact des deux couches d'oxyde constitue alors la couche de collage. La figure 1D illustre une étape de séparation de la couche mince 5 de la partie restante 6 du substrat le long de la zone fragilisée. On peut ainsi obtenir une structure du type silicium sur isolant (structure SOI). Les figures 2A à 21 illustrent un autre exemple de mise en #uvre de l'invention. Ce sont également des vues en coupe transversale. La figure 2A illustre l'étape d'introduction d'une espèce gazeuse effectuée comme précédemment par implantation ionique. La face 12 d'un substrat semiconducteur 11, par exemple en silicium est soumise à une implantation ionique 13 qui crée une couche de microcavités 14. On réalise ensuite éventuellement une étape de surfragilisation. On procède ensuite, comme précédemment à l'étape d'élimination des espèces gazeuses. Le résultat obtenu est représenté à la figure 2B où la référence 14' correspond à la couche de microcavités surfragilisées, vidées partiellement ou totalement du gaz qu elles contenaient. La figure 2C représente le substrat 11 dont la couche mince 15 a subi un certain nombre d'opérations technologiques (épitaxie, traitements thermiques, dépôts, implantation de dopants, etc...) afin de réaliser des composants électroniques 20 dans cette couche mince. La figure 2D représente le substrat 11 a subi une étape supplémentaire d'introduction d'espèces gazeuses. La zone fragilisée porte maintenant la référence 14". La figure 2E illustre la solidarisation substrat* 11 sur un substrat support 17 encore appelé raidisseur ou poignée. Si la couche mince 15 présente une certaine topologie, elle peut être planarisée avant le collage. Les forces d'adhésion entre les deux substrats 11 et 17 peuvent être contrôlées de façon maîtriser les forces de collage pour qu'elles soient suffisamment fortes pour permettre une séparation niveau de la zone fragilisée, et pour que ces forces soient relativement faibles pour permettre éventuellement ensuite un décollement au niveau de l'interface de collage. Pour contrôler ces forces d'adhésion, on peut jouer sur les nettoyages et donc l'hydrophilie des surfaces, mais aussi sur la rugosité ou pourcentage de surfaces collées. On peut également solidariser le raidisseur par 'intermédiaire d'un adhésif qui peut permettre un collage réversible sous l'effet de traitements de type traitement thermique et/ou ultraviolet. La figure 2F illustre l'étape de séparation de couche mince 15 adhérant à la poignée 17 de la partie restante 16 du substrat le long de la zone fragilisée. La poignée peut ensuite être découpée en éléments correspondant aux composants électroniques et qui peuvent être reportés sur différents supports. Ces supports peuvent être en plastique comme sur la carte à puce et dans ce cas on utilise avantageusement de la colle pour le report. Les éléments peuvent aussi être reportés sur une plaque comportant d'autres dispositifs électroniques ou optoélectroniques et dans ce cas le report peut mettre en ceuvre une technique d'adhésion moléculaire. Les éléments peuvent être reportés des moyens classiques tels ceux dénommés "pick and place". Ensuite, en exerçant une contrainte, la couche mince collée sur son support définitif peut être séparée de sa poignée par l'intermédiaire de forces mécaniques. Selon un autre exemple d'application, ces supports sont verre ou en substrat transparent pour réaliser notamment des imageurs. La figure 2G montre la découpe en éléments de la poignée 17 supportant la couche mince 15. Les éléments 21 restent cependant encore attachés à la poignée 17. La figure 2H montre un élément 21 reporté sur son support définitif 22. La figure 21 montre le résultat obtenu après élimination de la partie de la poignée subsistant dans l'élément transféré. Le support définitif 22 supporte un composant 20. L'invention peut s'appliquer à la fabrication de cellules solaires. Dans ce cas, l'objectif est de réaliser une membrane de silicium monocristallin autoportée. Pour cela, on introduit dans du silicium monocristallin des espèces gazeuses par exemple par implantation ionique. On peut utiliser des conditions d'implantation de 5,5.1016H+/cmz à keV mais il est également possible de modifier les conditions de surfragilisation. Les traitements thermiques de surfragilisation peuvent être réalisés comme précédemment afin de développer les cavités de façon à fragiliser le matériau du substrat. Dans ce cas, le traitement thermique peut être effectué à 650 C pendant une minute. Puis, l'espèce gazeuse présente dans les microcavités est éliminée totalement ou partiellement par un traitement thermique effectué à 500 pendant 12 heures. Une épitaxie permet d'amener la couche mince à l'épaisseur désirée, par exemple une épitaxie en phase liquide à environ 90 avec une vitesse de croissance de l'ordre du pm/min. L'épitaxie permet d'obtenir des dopages différents matériau de la couche mince. On peut ensuite réaliser sur la face avant de la couche mince des étapes technologiques comme par exemple la réalisation 'une couche antireflet ou d'un plan de masse ou des zones de dopage contrôlé. Ensuite, on vient séparer la couche mince de son substrat. Par exemple, on peut utiliser des forces mécaniques ou introduire un fluide gazeux au niveau de l'interface. Ensuite, on peut reporter cette membrane sur grande plaque de verre. De façon a obtenir une grande surface de verre recouverte de silicium monocristallin, on peut réaliser des pavages avec des plaques rondes ou carrées de façon à avoir une surface totalement recouverte. Le report peut être réalisé par l'intermédiaire de produits constituant adhésif ou par lisation du collage par adhésion moléculaire. Ensuite, on peut continuer la technologie sur ses grandes surfaces de verre pour terminer cellule. Ce pavage permet de réaliser une technologie de façon collective. Dans une variante du procede, la dose d'implantation peut être réduite à 4,5.1016 H+/cm2 pour une énergie de 200 keV. Ensuite, on réal' l'épitaxie de 50 um de silicium à 950 C durant 50 minutes. Au cours de l'épitaxie, les espèces gazeuses sortent des cavités, voire du matériau, en laissant cavités totalement ou partiellement vides qui fragilisent toujours le matériau. Dans c(#. cas particulier, l'étape d'élimination intègre l'étape d'épitaxie. cavités sont présentes au niveau de la zone implantée. Pour séparer au niveau de zone fragilisé, il suffit d'appliquer des efforts mécaniques sur la structure, par exemple des forces traction et/ou de pelage et/ou de cisaillement ou de flexion... Dans une autre variante du procédé, l'implantation peut être effectuée à 100 keV pour une dose de l'ordre de 5.1016H+/cm2. Puis, un raidisseur est déposé pour éviter la formation de "blisters" au cours du traitement thermique. Ce raidisseur peut être constitué par un dépôt 5 um d'oxyde de silicium. Un recuit de surfragilisation est ensuite réalisé : par exemple à 550 C pendant minutes, puis à 500 C pendant environ 12 heures. I1 faut noter que le temps de recuit nécessaire pour faire grossir les cavités peut être diminué si le dépôt du raidisseur induit une contrainte importante au niveau de zone implantée. Selon encore une autre variante, la zone fragilisée est obtenue co-implantation d'hydrogène et d'hélium. A noter l'ordre d'implantation peut induire de légers changements dans les conditions de fragilisation et que co-implantation peut permettre de diminuer la dose totale d'espèces implantées. Par exemple la co-implantation peut consister à implanter 1016 atomes d'hydrogoène/cm2 à 76 keV et 1016 atomes d'hélium/cm 2 à 120 keV. Dans certains cas, les traitements thermiques de surfragilisation et d'élimination peuvent être réalisés simultanément au cours d'un même traitement thermique qui peut être à une température déterminée, par exemple 0 C. Cette invention est générique et s'applique à différents matériaux à différentes applications. On peut citer par exemple l4# cas du matériau SiC sur lequel on fait une épitaxie de GaN et que l'on sépare après épitaxie pour obtenir une structure autoportée. Par exemple, on réalise une implantation ionique à 150 keV 'hydrogène pour une dose de 6.1016 H+/cm2 . On fait grossir les cavités pour obtenir des microfissures à l'aide 'un traitement thermique par exemple à 950 C pendant 5 minutes. A noter que le SiC est suffisamment rigide ne conduit pas à la formation de cloques. Ensuite on réalise un traitement thermique à 800 C pendant 12 heures pour diminuer la pression dans les cavités en éliminant du gaz. Une épitaxie de GaN ensuite réalisée à 1050 C, à partir de laquelle on peut réaliser une couche mince avec son composant ou couche épaisse. Puis, la séparation est réalisée, par exemple à l'aide de moyens mécaniques pour obtenir une structure autoportée ou un film en couche mince reporté sur un support. REVENDICATIONS 1. Procédé de réalisation d'un substrat fragilisé (1, 11) comprenant - une étape d'introduction d'au moins une espèce gazeuse (3, 13) dans une zone 14) du substrat afin de former des microcavités dans cette zone, ladite zone ainsi fragilisée délimitant une couche mince (5, 15) avec une face (2, 12) substrat, - une étape d'élimination de tout ou partie l'espèce gazeuse de la zone fragilisée (4 14). 2. Procédé selon la revendication 1, caractérisé en ce que l'introduction d'au moins une espèce gazeuse est réalisée par implantation ionique. 3. Procédé selon l'une des revendications 1 2, caractérisé en ce que l'étape d'élimination de l'espèce gazeuse comprend un traitement thermique mené façon à permettre à tout ou partie l'espèce gazeuse introduite de quitter les microcavités par diffusion. 4. Procédé selon la revendication 3, caractérisé en ce que l'étape d'élimination de l'espèce gazeuse comprend en outre l'application de contraintes a la zone fragilisée (4, 14). 5. Procédé selon la revendication 3, caractérisé en ce que, le substrat (1, 11) étant un substrat semiconducteur, le traitement thermique de l'étape d'élimination de tout ou partie de l'espèce gazeuse est un traitement thermique mis en oeuvre lors de la fabrication d'au moins un composant dans ladite couche mince. 6. Procédé selon l'une quelconque des revendications 1 à 5, caractérisé en ce qu'il comprend en outre une étape de surfragilisation de la zone fragilisée. 7. Procédé selon la revendication 6 caractérisé en ce qu'il comprend, avant l'étape surf ragilisation, une étape de dépôt d'une couche rigidité sur la couche mince. 8. Procédé selon la revendication caractérisé en ce que l'étape de surfragilisation comprend un traitement thermique appliqué à la zone fragilisée avant l'étape d'élimination. 9. Procédé selon la revendication caractérisé en ce que l'étape de surfragilisation comprend l'application de contraintes à la zone fragilisée. 10. Procédé selon la revendication caractérisé en ce que l'étape de surfragilisation comprend l'introduction d'au moins une espèce gazeuse dans zone fragilisée. 11. Procédé selon la revendication caractérisé en ce que l'introduction d'au moins une espèce gazeuse dans la zone fragilisée est effectuée par une méthode choisie parmi l'implantation ionique, la diffusion activée thermiquement et la diffusion plasma. 12. Procédé selon la revendication 6 caractérisé en ce que l'étape de surfragilisation procure une surfragilisation localisée de la zone fragilisée. 13. Procédé selon l'une quelconque des revendications 6 à 12, caractérisé en ce que, substrat étant un substrat semiconducteur, la surfragilisation de la zone fragilisée est réalisée lors de la fabrication de tout ou partie d'au moins un composant dans ladite couche mince. 14. Procédé selon la revendication caractérisé en ce que, le substrat étant un substrat semiconducteur, il comprend, après l'élimination 1 espèce gazeuse de la zone fragilisée, au moins une étape de fabrication de tout ou partie d'au moins un composant (20) dans ladite couche mince 15. Procédé selon la revendication 14, caractérisé en ce que ladite étape fabrication comprend une étape d'épitaxie ou d'hétéroepitaxie. 16. Procédé selon la revendication 14, caractérisé en ce qu'après la réalisation de tout ou partie du composant, le procédé comporte une étape supplémentaire d'introduction d'espèces gazeuses. 17. Procédé selon l'une quelconque des revendications 1 à 16, caractérisé en ce 'il comprend étape de solidarisation de la face (2, 12) de ladite couche mince (5, 15) avec un raidisseur (7, 17). 18. Procédé selon l'une quelconque des revendications 1 à 17, caractérisé en que l'étape d'introduction d'au moins une espèce gazeuse dans une zone du substrat est réalisée dans un substrat dont au moins la partie correspondant à ladite couche mince est en silicium, en matériau III-V, en SiC, Ge, en GaN ou en matériau ferroélectrique ou piézoelectrique, ou en saphir. 19. Procédé d'obtention d'une couche mince, caractérisé en ce qu'il met d'abord en #uvre le procédé de réalisation d'un substrat fragilise selon l'une quelconque des revendications 1 à 16, puis met en #uvre une étape de séparation de la couche mince du reste du substrat. 20. Procédé d'obtention d'une couche mince selon la revendication 19, caractérisé en ce que 1 étape de séparation est réalisée par application d'un traitement thermique et/ou par application de contraintes mécaniques. , 21. Procédé d'obtention d'une structure du semiconducteur sur isolant, caractérisé en ce qu'il met d'abord en oeuvre le procédé de réalisation d'un substrat fragilisé selon la revendication 17 puis met en #uvre une étape de séparation de la couche mince (5 15) du reste (6, 16) du substrat, le raidisseur (7, 17 présentant à ladite couche mince une face isolante, la partie du substrat correspondant à ladite couche mince étant en matériau semiconducteur. 22. Procédé d'obtention d'une structure du type semiconducteur sur isolant selon la revendication 21 caractérisé en ce que la partie du substrat correspondant à ladite couche mince est en silicium, en matériau III-V ou en SiC. 23. Procédé d'obtention d'une structure du semiconducteur sur isolant selon l' des revendications 21 ou 22, caractérisé en ce que l'étape de séparation est réalisée par application d'un traitement thermique et/ou par application de contraintes mécaniques. 24. Substrat fragilisé par la présence d'une zone de microcavités, la zone de microcavités (4', 14') délimitant une couche mince (5, 15) avec une face'(2, 12) du substrat (1, 11), caractérisé en que les microcavités sont vides totalement ou partiellement d'espèces gazeuses. 25. Substrat fragilisé selon la revendication 24, caractérisé en ce que la zone de microcavités est une zone surfragilisée (4', 14'). 26. Substrat fragilisé selon l' des revendications 24 ou 25, caractérisé en ce qu'au moins la partie du substrat correspondant à ladite couche mince est en silicium, en matériau III-V, en SiC, en Ge, en GaN, en matériau ferroélectrique ou piézoélectrique. ,