FR 2811807 A1 20020118 FR 0009129 A 20000712 PROCEDE DE DECOUPAGE D'UN BLOC DE MATERIAU ET DE FORMATION D'UN FILM MINCE. Domaine technique La présente invention concerne de façon générale un procédé de découpage d'un bloc de matériau. Ce procédé peut être mis en oeuvre en particulier pour la formation de films minces. Les films minces, autoportés ou solidaires d'un substrat de support, sont largement utilisés dans les domaines de la micro-électronique, de l'optoélectronique et de la micromécanique. Ainsi, l'invention trouve des applications dans ces domaines, notamment pour la réalisation de composants ou de circuits intégrés. Etat de la technique antérieure Comme évoqué ci-dessus, l'utilisation de couches minces est de plus en plus répandue pour des composants dont le fonctionnement ou le procédé de fabrication font appel à des propriétés physiques et électriques particulières. Les couches minces présentent une épaisseur qui est habituellement comprise entre quelques nanomètres et quelques micromètres Elles permettent ainsi, par exemple, de mettre en oeuvre des matériaux dont l'usage sous forme de substrat épais serait rédhibitoire pour des raisons de coût ou de compatibilité avec d'autres matériaux utilisés. La compatibilité des matériaux peut aussi constituer un obstacle à la formation directe d'une couche mince sur un substrat de support sur lequel elle est finalement utilisée. Un certain nombre de procédés ont été développés pour former initialement une couche mince sur un substrat source et pour transférer ensuite la couche mince du substrat source vers un substrat cible. Ces procédés ainsi que d'autres techniques connues relatives à la fabrication et au transfert de couches minces sont illustrés par les documents (1), (2), (3), (4), (5), (6) et (7) dont les références complètes sont données à la fin de la présente description. En particulier, le document (1) illustre la possibilité de former par implantation ionique une zone fragilisée dans une plaque de matériau pour ensuite détacher une couche mince superficielle de la plaque au niveau de cette zone. La séparation de la couche mince du substrat source est provoquée, ou tout au moins assistée, par l'exercice d'un certain nombre de contraintes mécaniques ou thermiques. En particulier le découpage de la couche mince requiert un budget énergétique sous forme thermique et/ou mécanique, qui est lié notamment à la dose des espèces implantées pour former la zone fragilisée. La mise en oeuvre des techniques de découpage et de transfert d'une couche mince, tels que décrites dans les documents mentionnés ci-dessus, peut être liée à un certain nombre de difficultés. Par exemple, l'usage de certains matériaux à fort coefficient de dilatation thermique n'est pas compatible avec un traitement thermique à trop forte température. Pour certains substrats il est également nécessaire de limiter la dose des espèces implantées soit pour préserver la couche mince soit pour des raisons économiques. En outre, la mise en oeuvre de forces mécaniques pour séparer le substrat source de la couche mince, telle qu'évoquée ci-dessus en référence au document (7), permet également de réduire le budget thermique de fracture, notamment dans le cas o les matériaux en contact présentent des coefficients de dilatation différents. L'exercice d'efforts mécaniques sur le substrat source et/ou le support cible n'est toutefois pas toujours possible, notamment lorsque les matériaux mis en oeuvre sont fragiles, ou lorsque la zone de clivage n'est pas assez fragilisée par l'implantation ionique. Finalement, les techniques de séparation et de transfert de couche mince, décrites ci-dessus, impliquent un certain nombre de contraintes et de20 compromis. Ces contraintes sont imposées en particulier par le type de matériaux utilisés pour constituer le substrat source, la couche mince et le support cible. Exposé de l'invention L'invention a pour but de proposer un procédé de découpage, permettant, en particulier, de former et de transférer des couches minces, qui ne présente pas les limitations évoquées ci-dessus. Un autre but est de proposer un procédé de découpage pouvant être mis en oeuvre avec un budget énergétique réduit, et en particulier avec un budget thermique réduit. Un but est encore de proposer un procédé économique dans lequel une éventuelle implantation d'impuretés, destinée à former une zone fragilisée, peut être effectuée avec une dose réduite. Pour atteindre ces buts l'invention a plus précisément pour objet un procédé de découpage d'un bloc de matériau, comprenant les étapes suivantes: a) la formation dans le bloc d'une zone enterrée fragilisée, délimitant au moins une partie superficielle du bloc, b) la formation dans le bloc d'au moins une amorce de séparation par l'utilisation d'un premier moyen de séparation, c) la séparation au niveau de la zone fragilisée de la partie superficielle du bloc d'une partie restante, dite partie massive, à partir de l'amorce de séparation par l'utilisation d'un deuxième moyen. La ou les amorces de séparation peuvent être situées sur tout ou partie de la périphérie du bloc et/ou sur des zones locales internes au bloc, et sont aptes à se propager dans la zone fragilisée. L'invention repose sur le constat qu'il est possible de réduire notablement l'énergie globale à fournir au bloc (qu'elle soit d'origine thermique et/ou mécanique) pour la mise en oeuvre d'un procédé de découpage, en formant une amorce de séparation avant la séparation proprement dite. Les contraintes mécaniques éventuellement mises à profit pour la séparation peuvent être des contraintes appliquées depuis l'extérieur du bloc ou des contraintes internes présentes dans le bloc. Bien que les étapes soient exécutées de préférence de façon successive dans l'ordre indiqué, il est possible, pour certaines applications tout au moins, d'exécuter les étapes a et b de manière concomitante. Par ailleurs, lorsque les premier et deuxième moyens de séparation sont différents, les étapes b et c peuvent être concomitantes. Selon une mise en oeuvre particulière du procédé, destinée à la fabrication de couches minces, on peut former une zone fragilisée s'étendant de façon sensiblement parallèle à une face sensiblement plane du bloc, pour définir dans le bloc une partie superficielle sous la forme d'une couche superficielle mince. On entend par face sensiblement plane, une face dont le plan moyen est plan, mais qui peut comporter des microrugosités de surface dont les valeurs de rugosité vont de quelques dixièmes de nanomètres à plusieurs centaines de nanomètres. Les inventeurs ont pu mettre en évidence qu'une implantation à travers une surface présentant une micro-rugosité, par exemple d'une valeur RMS (valeur quadratique moyenne) de 10 nm, ne perturbe pas le mécanisme de fragilisation et la fracture subséquente. Cette constatation est intéressante car cette rugosité est de l'ordre de grandeur de la rugosité de la face libre du film après transfert. Il est donc possible dans ces conditions de recycler plusieurs fois le même substrat sans recourir à un polissage de surface. La zone enterrée fragilisée peut être formée avantageusement par implantation. Il s'agit plus précisément d'une implantation d'espèces gazeuses qui permet de former dans le bloc de matériau une fine couche de microcavités. Cette couche délimite la partie superficielle à découper et fragilise localement le bloc de matériau. On entend par espèces gazeuses des éléments, tels que l'hydrogène ou les gaz rares, par exemple, sous leur forme atomique (par exemple H), sous leur forme moléculaire (par exemple H2), sous leur forme ionique (par exemple H+,H2+), sous leur forme isotopique (par exemple deutérium) ou sous leur forme isotopique et ionique. Par ailleurs, on entend par implantation toute technique d'introduction dans le bloc des espèces mentionnées ci-dessus, telles que le bombardement la diffusion etc.. Ces techniques peuvent être mises en euvre individuellement ou en combinaison de plusieurs d'entre elles. A titre d'illustration des techniques d'implantation, on peut se reporter aux documents cités précédemment. Toutefois grâce à la formation d'une amorce de séparation, conformément à l'invention, les doses des espèces implantées pour former la zone fragilisée peuvent être réduites. Les doses réduites permettent de moins perturber l'état de surface des couches minces, ou des parties découpées, et ainsi d'en contrôler la rugosité. Selon un aspect particulier de l'invention on peut effectuer localement une implantation avec un surdosage pour former l'amorce de séparation, le premier moyen de séparation correspond alors à un surdosage. Cette possibilité est très intéressante dans la mesure ou une implantation à forte dose n'a lieu que dans une partie réduite du bloc de matériau. De plus, comme indiqué précédemment, une dose beaucoup plus faible peut être utilisée pour former la zone fragilisée. L'amorce de séparation peut être formée dans un même plan que la zone fragilisée comme une prolongation de cette zone. Si l'initiation de l'amorce est réalisée dans un autre plan que celui de la zone fragilisée, la propagation de l'amorce rejoint la zone fragilisée. Plusieurs possibilités peuvent être retenues pour la formation de l'amorce de séparation. Selon une première possibilité, on peut effectuer un surdosage, lors de l'implantation ionique. Le surdosage constitue alors un premier moyen de séparation. L'amorce de séparation peut aussi être formée par une implantation ionique d'une espèce différente de celle retenue pour la formation de la zone fragilisée. Selon une autre possibilité, on peut former l'amorce de séparation par l'insertion dans le bloc d'un outil. Le premier moyen de séparation correspond alors à l'insertion de l'outil. Selon encore une autre possibilité, on peut former l'amorce de séparation par injection locale d'un fluide sur le bloc. Le premier moyen de séparation correspond alors à l'injection de fluide. Selon encore une autre possibilité on peut former l'amorce de séparation par un traitement thermique local du bloc. Le premier moyen de séparation correspond alors au traitement thermique local. Dans une application du procédé de l'invention à la formation d'une couche mince, en fonction de son épaisseur, il est peut-être avantageux de la rendre solidaire d'un raidisseur avant l'étape c de séparation (voire même avant d'étape b). Le raidisseur peut être déposé à la surface du bloc de matériau, en contact avec la couche mince à découper, selon une quelconque technique de dépôt. Il peut aussi être rendu solidaire de la couche mince par adhésion moléculaire ou par collage au moyen d'un liant (colle). Lorsqu'en revanche la couche mince ou la partie à découper est suffisamment épaisse ou est en un matériau suffisamment rigide pour ne pas se déchirer, la présence d'un raidisseur n'est pas indispensable. Dans la suite du texte, on désigne une partie ou une couche présentant une épaisseur ou une rigidité suffisantes pour ne pas se déchirer lors de la séparation, par partie ou couche "autoportée". D'autres caractéristiques et avantages de l'invention ressortiront de la description qui va suivre, en référence aux figures des dessins annexés. Cette description est donnée à titre purement illustratif et non limitatif. Brève description des fiqures - Les figures lA à 1D sont des coupes schématiques d'un substrat et illustrent des étapes de découpage d'une couche mince, maintenue par un raidisseur, selon un procédé conforme à l'invention. - Les figures 2A à 2C sont des coupes schématiques d'un substrat et illustrent des étapes découpage d'une couche mince autoportée, selon un procédé conforme à l'invention. - Les figures 3A à 3D sont des coupes schématiques d'un substrat et illustrent des étapes de découpage d'une couche mince, maintenue par un raidisseur, selon un procédé conforme à l'invention et constituant une variante par rapport au procédé illustré par les figures lA à 1D. Description détaillée de modes de mise en oeuvre de l'invention Dans la description qui suit, des parties identiques, similaires ou équivalentes des différentes figures sont repérées par les mêmes références, de façon à pouvoir se reporter plus facilement d'un mode de réalisation à l'autre. Il convient, par ailleurs, de préciser que les différentes figures et les différentes parties des figures ne sont pas représentées selon une échelle homogène pour augmenter la lisibilité des figures. La figure lA montre un substrat 10 qui constitue un bloc de matériau, homogène ou non, tel qu'évoqué dans la description qui précède. Ce bloc peut être, par exemple, un lingot ou une plaquette de matériau semi-conducteur ou piézo-électrique ou encore ferroélectrique. Il peut être préalablement traité ou non. Dans le cas o le bloc est une plaquette de semi- conducteur traitée ou non, il s'agit par exemple d'un substrat de silicium. Une implantation ionique d'hydrogène avec une dose de l'ordre de 7.1016 H+ /cm2 à une énergie de 100keV, par exemple, permet de former dans le substrat un zone fragilisée 12. Celle-ci s'étend sensiblement selon un plan parallèle à la surface du substrat par laquelle les impuretés ont été implantées. Dans l'exemple de la figure les impuretés sont implantées par une face du substrat 18 qui est désignée dans la suite du texte par face superficielle. La zone fragilisée délimite dans le substrat 10 une couche mince superficielle 14 et une partie massive 16. La figure lB, montre le report de la face superficielle de la couche mince 14 sur un deuxième substrat 20 appelé substrat cible et qui peut constituer un raidisseur pour la couche mince. il s'agit, par exemple, d'un substrat de silice fondu appelé abusivement quartz. La solidarisation de la couche 14 avec le substrat 20 peut être réalisée soit directement par adhésion moléculaire, soit comme représenté sur les figures 1 par l'intermédiaire d'au moins une couche de matériau 22 disposée sur la couche mince et/ou sur le substrat. Dans ce dernier cas, la couche intermédiaire 22 est choisie soit pour favoriser l'adhésion moléculaire (par exemple du SiO2) soit pour réaliser un collage adhésif (par exemple une couche de colle). Dans le cas d'un collage moléculaire direct entre les faces à assembler des deux substrats, les substrats subissent, par exemple, un traitement de nettoyage chimique destiné à rendre hydrophiles les faces à assembler. Après la mise en contact des faces à assembler, les substrats peuvent subir éventuellement un premier traitement thermique destiné à renforcer les forces d'adhésion. Ce traitement est effectué, par exemple, avec un budget thermique de l'ordre de 300 C pendant 2 heures. La figure 1C, montre la formation d'une amorce de séparation 30 dans le substrat 10. L'amorce de séparation 30 s'étend depuis une face extérieure 32 du substrat 10, en l'occurrence une face latérale sur la figure, jusqu'à la zone fragilisée 12. L'amorce de séparation peut être provoquée par différents moyens, représentés symboliquement sur la figure sous la forme d'une flèche avec la référence 34. Ces moyens peuvent comporter une injection d'eau, ou d'un autre fluide, ou un outil, tel qu'une lame, insérés au niveau de la zone fragilisée. Selon une autre possibilité, l'amorce de séparation peut être provoquée par une implantation ionique avec un surdosage limité à une région de bordure du substrat. Une telle région est représentée sur les figures avec la référence 36. Bien entendu, le surdosage peut être réalisé dans d'autres régions du substrat telles que, par exemple, une région centrale. Dans ce cas, la formation de l'amorce de séparation peut avoir lieu éventuellement lors d'une même étape d'implantation mise en oeuvre également pour la formation de la zone fragilisée. Pour se rapporter à l'exemple numérique donné précédemment, la région 36 est surimplantée, par exemple avec une dose de 9. 1016H+/cm2. Selon encore une autre possibilité, une amorce de séparation peut être provoquée en surchauffant localement le substrat (par exemple à l'aide d'un laser ou d'une source chaude locale). Il convient de remarquer ici que les termes "amorce de séparation" désignent dans le cadre du présent exposé soit une région dans laquelle la séparation est déjà entamée, soit une région, particulièrement fragile, dans laquelle la séparation sera entamée lors d'une étape ultérieure de séparation proprement dite. Une flèche 34a en trait mixte indique la possibilité de former une pluralité d'amorces de séparation, soit de former une amorce de séparation qui fait le tour du substrat 10. La figure 1D montre une étape finale de séparation de la couche mince 14 et de la partie massive 16 du substrat. La séparation peut être assistée par l'exercice de contraintes mécaniques, sous forme de pression, de forces de traction de cisaillement ou de pelage, et/ou par un traitement thermique. A titre d'exemple, dans les conditions évoquées précédemment, on peut effectuer un traitement thermique de quelques minutes à 350 C pour obtenir la séparation totale. Le budget thermique mis en oeuvre pour obtenir la séparation des parties tient compte des traitement thermiques préalables, tel que, par exemple, un traitement thermique pour renforcer l'adhérence entre les substrats, ont été effectués. Dans tous les cas, ce budget thermique est réduit du fait de l'utilisation de l'amorce de séparation. On obtient finalement une structure formée du substrat cible 20 à la surface duquel se trouve la couche mince 14. La partie massive 16 du premier substrat peut être réutilisée pour le découpage ultérieur d'une autre couche mince. Elle peut éventuellement servir aussi comme substrat cible pour le support d'une autre couche mince d'un autre matériau. Grâce au procédé illustré par les figures lA à 1D, il est possible, par exemple, d'obtenir également des structures comportant sur un substrat de silicium des matériaux non semi-conducteurs tels que le LiNbO3, le LiTaO3 ou le SrTiO3, par exemple. On peut aussi reporter des couches de matériaux semi-conducteurs III-V sur du silicium ou sur d'autres semi- conducteurs III-V. Le procédé peut également être mis en oeuvre pour obtenir des substrats de type SOI (silicium sur isolant). On donne ci-après, à titre d'illustration des paramètres de procédé pouvant être retenus pour la fabrication d'un support SOI. Lors de la première étape on effectue une implantation ionique d'hydrogène avec une dose de 7.10"6H+/cm2 à 100KeV dans une plaque standard de silicium oxydée en surface. Cette implantation permet de définir une couche mince délimitée par une zone fragilisée. Un surdosage local à 9.1016H+/cm2 est effectuée à la périphérie de la zone fragilisée. Le surdosage permet de former une amorce de séparation au sens de l'invention sur une longueur de 1 à 2 cm, depuis le bord de la plaque dans le cas d'une amorce en bordure de plaque. Après le report de la plaque sur une autre plaque de silicium sur laquelle on fait adhérer la couche d'oxyde, on procède à un traitement thermique de séparation. On observe qu'un traitement de 4 heures à 350 C permet d'obtenir une séparation qui se propage à partir de l'amorce sur l'ensemble de la zone fragilisée. En l'absence de l'amorce de séparation, il serait également possible de provoquer la séparation. Toutefois dans ce cas, un traitement thermique de 350 C pendant 11 heures serait nécessaire. Ceci montre la réduction importante du budget thermique imposé aux substrats, grâce à l'invention. La figure 2A, qui illustre la première étape d'une deuxième possibilité de mise en oeuvre de l'invention, est identique à la figure 1A. On peut donc se reporter à la description qui précède au sujet de cette figure. La figure 2B illustre la formation d'une amorce de séparation 30. On observe que l'amorce 30 est pratiquée sensiblement au niveau de la zone fragilisée 12 et que, par ailleurs, la surface 18 de la couche mince 14 est laissée libre. La figure 2C montre l'étape finale de séparation qui est provoquée sans équiper la couche mince 14 d'un raidisseur. Une telle mise en oeuvre du procédé est adaptée en particulier à la formation de couches minces autoportées. / Les figures 3A à 3D montrent encore une autre possibilité de mise en oeuvre du procédé. Les figures 3A et 3B sont identiques aux figures 1A et lB, de sorte que leur description n'est pas répétée. La figure 3C, qui illustre la formation d'une amorce de séparation, montre que les moyens de séparation 34 peuvent être appliqués ailleurs qu'au niveau de la zone fragilisée 12. Dans l'exemple de la figure 3C, un outil, tel qu'une lame est inséré sur un coté latéral 32 de la structure, au niveau de l'interface entre le premier substrat 10 et le substrat cible 20. L'outil est inséré par exemple au niveau de la couche intermédiaire 22 lorsqu'elle existe. En raison de l'épaisseur relativement fine de la couche mince, par exemple inférieure ou de l'ordre de quelques pm, c'est à dire de la faible profondeur de la zone fragilisée dans le premier substrat 20, l'amorce de séparation se propage à travers la couche mince pour venir rejoindre la zone fragilisée 12. La figure 3D illustre la séparation finale qui se propage depuis l'amorce 30 sur l'ensemble de la surface de la couche mince en suivant la zone fragilisée. Comme évoqué précédemment, la présence d'une amorce de séparation permet de réduire le budget thermique de la dernière étape et/ou permet de réduire la dose d'implantation de la zone fragilisée. En jouant sur ces deux paramètres, il est ainsi possible de contrôler la rugosité de la partie massive 16 et surtout de la couche mince 14. DOCUMENTS CITES (1) FR-A-2681472 / US-A-5374564 (2) FR-A-2773261 (3) FR-A-2748851 (4) FR-A-9909007 (5) US-A-5994207 (6) EP-A-0925888 (7) FR-A-2 748 851 REVENDICATIONS 1. Procédé de découpage d'un bloc de matériau (10) comprenant les étapes suivantes: a) la formation dans le bloc d'une zone enterrée (12), fragilisée, délimitant au moins une partie superficielle (14) du bloc, b) la formation dans le bloc d'au moins une amorce de séparation (30, 36) par l'utilisation d'un premier moyen de séparation, c) la séparation au niveau de la zone fragilisée de la partie superficielle (14) du bloc d'une partie restante (16), dite partie massive, à partir de l'amorce de séparation (30,36) par l'utilisation d'un deuxième moyen. 2. Procédé selon la revendication 1, dans lequel l'amorce de séparation est formée sur tout ou partie de la périphérie du bloc et/ou sur des zones locales internes du bloc. 3. Procédé selon la revendication 1, dans lequel on forme une zone fragilisée s'étendant de façon sensiblement parallèle à une face sensiblement plane du bloc, pour définir dans le bloc une partie superficielle sous la forme d'une couche superficielle mince. 4. Procédé selon la revendication 1, dans lequel les étapes a et b sont concomitantes. 5. Procédé selon la revendication 1, caractérisé en ce que les premier et deuxième moyens de séparation sont différents et en ce que les étapes b et c sont concomitantes. 6. Procédé selon la revendication 1, dans lequel on forme la zone enterrée fragilisée par implantation ionique. 7. Procédé selon la revendication 6, caractérisé en ce que l'amorce de séparation est formée par une implantation ionique d'une espèce différente de celle de l'étape a), cette implantation correspondant au premier moyen de séparation. 8.Procédé selon la revendication 6, dans lequel lors de l'implantation ionique on effectue localement une implantation avec un surdosage pour former l'amorce de séparation (36). 9. Procédé selon la revendication 1, dans lequel on forme l'amorce de séparation par l'insertion dans le bloc d'un outil, le premier moyen de séparation correspondant à l'insertion de l'outil. 10. Procédé selon la revendication 1, dans lequel on forme l'amorce de séparation par injection locale d'un fluide sur le bloc, le premier moyen de séparation correspondant à l'injection de fluide. 11. Procédé selon la revendication 1, dans lequel on forme l'amorce de séparation par un traitement thermique local du bloc, le premier moyen de séparation correspondant au traitement thermique local. 12. Procédé selon la revendication 1, dans lequel on forme l'amorce de séparation au niveau de la zone fragilisée, ou au voisinage de celle-ci. 13. Procédé selon la revendication 1, dans lequel le deuxième moyen de séparation de l'étape c correspond à une mise en ouvre de forces mécaniques s'exerçant entre la partie superficielle et la partie massive du bloc, et/ou un traitement thermique. 14. Procédé selon la revendication 12, dans lequel les forces mécaniques sont des forces exercées depuis l'extérieur du bloc, et/ou des contraintes internes présentes dans le bloc. 15. Procédé selon la revendication 3, dans lequel, avant l'étape c, on met en contact la couche mince superficielle avec un raidisseur. 16. Procédé selon la revendication 15, dans lequel on dépose sur la couche mince superficielle au moins une couche de matériau formant ledit raidisseur. 17. Procédé selon la revendication 15, dans lequel on rend solidaire la couche mince superficielle d'un raidisseur par collage ou par adhésion moléculaire de contact. 18. Procédé selon la revendication 1, dans lequel, après l'étape c, on réutilise la partie massive (16) du bloc de matériau, pour le découpage d'une nouvelle partie superficielle. 19. Procédé selon la revendication 1, dans lequel, après l'étape c, on réutilise la partie massive du bloc de matériau (16), comme raidisseur pour la partie superficielle d'un autre bloc.