FR 2819143 A1 20020705 FR 0017230 A 20001228 PROCEDE DE REALISATION DE PLOTS DE CONNEXION SUR UN CIRCUIT IMPRIME L'invention concerne un procédé de réalisation de plots de connexion et notamment de plots de connexion sur un circuit imprimé ou un circuit intégré. L'invention est applicable notamment dans la réalisation de plots de connexion de très petites dimensions par exemple de diamètre de 200 u voire moins et d'épaisseur 100 microns voire également moins. De plus, ces plots de connexion doivent être de constitution relativement homogène avec peu de défauts et cela sur l'ensemble du circuit. Par ailleurs, dans les techniques connues la délimitation à la surface du circuit des dimensions d'un plot de connexion est faite couramment par une couche de matériau isolant. Cette couche d'isolant a une épaisseur non négligeable, ce qui fait que la hauteur du plot de connexion est soit relativement importante soit très peu supérieure à l'épaisseur de la couche d'isolant. De plus, la géométrie du plot est de qualité médiocre. L'invention vise à remédier à ces inconvénients. L'invention concerne donc un procédé de réalisation de plots de connexion sur un circuit comportant au moins une piste conductrice, caractérisé en ce qu'il comporte les étapes suivantes : a) dépôt d'une fine couche de cuivre et d'une couche de chrome sur la surface de l'ensemble du circuit ; b) dépôt d'une couche de résine et enlèvement de cette résine aux endroits des plots à réaliser et également aux endroits où il n'y a pas de piste conductrice ; c) enlèvement de la couche de chrome aux endroits laissés libres par la résine ; d) retrait de la résine ; e) dépôt d'un film photosensible et réalisation dans ce film d'ouvertures aux endroits où l'on désire réaliser des plots de connexion ; f) dépôt d'un matériau de connexion dans lesdites ouvertures ; g) retrait du film photosensible ; h) retrait de la couche de cuivre dans les endroits du circuit non recouverts par la couche de chrome ou par le matériau de connexion ; i) chauffage de l'ensemble de façon à atteindre la température de fusion du matériau de connexion. Les différents objets et caractéristiques de l'invention vont maintenant être décrits en se reportant à la description qui va suivre faite à titre d'exemple et des figures annexées qui représentent : - les figures 1 à à k, un exemple du procédé de réalisation selon l'invention montrant par des vues en coupe du dispositif réalisé, les différentes étapes du procédé ; - les figures 2a et 2b, un dispositif en vue du dessus à différentes étapes du procédé selon l'invention. On va donc décrire maintenant un procédé de réalisation selon l'invention. Au cours d'une première étape, sur un substrat 1 portant au moins une piste conductrice ou un plot conducteur 2, on réalise une fine couche de cuivre 3 puis une fine couche de chrome 4 de quelques microns voire quelques dixièmes de microns. La figure 2a représente à titre d'exemple, une vue du dessus du dispositif de la figure 1 a. On voit donc sur la figure 2a, qu'à titre d'exemple, le substrat 1 porte un conducteur et une partie élargie correspondant à un plot de connexion. Au cours d'une deuxième étape, telle que représentée en figure 1 b, on réalise le dépôt d'une résine photosensible 5. Au cours d'une troisième étape, représentée en figure 1c, on enlève par tout procédé connu dans la technique, la résine 5 située aux endroits des plots de connexion à réaliser et également là où il n'y a pas de piste conductrice. La figure 2b représente le dispositif à ce stade du procédé. Au cours d'une quatrième étape, tel que cela est représenté en figure 1d, on procède à l'enlèvement du chrome dans les zones non protégées par la résine 5 par tout procédé et notamment par un procédé d'attaque chimique. Au cours d'une cinquième étape, telle que représenté en figure 1 e, on enlève la couche de résine 5. Au cours d'une sixième étape (figure 1f), on réalise le dépôt d'un film photosensible 6 et dans cette couche de matériau photosensible 6, on réalise des ouvertures correspondant à la surface des plots de connexion à réaliser. Ensuite, au cours d'une septième étape, on réalise dans les ouvertures ainsi obtenues une surcharge en cuivre 7 (5 à 10 um) sur) a fine couche de cuivre 3 (figure 1g). Puis, au cours d'une huitième étape représentée en la figure 1h, on procède à un dépôt de matériau conducteur tel que de l'étain-plomb (SnPb), ce dépôt permettra de réaliser un plot de connexion 8. Au cours d'une neuvième étape, on retire le film de photosensible 6 (figure 1 i). Puis au cours d'une dixième étape, on retire le cuivre à la surface du circuit dans toutes les zones non protégées par la couche de chrome 4 et le matériau conducteur 8 (figure 1j). Enfin, au cours d'une onzième étape, on procède à un chauffage de l'ensemble de façon à atteindre le point de fusion du mélange d'étainplomb 8 de telle façon que le mélange d'étain-plomb se mette sous la forme d'un plot quasiment sphérique, la surface de ce plot étant nettement délimitée par la couche de chrome 4 située autour du mélange d'étain-plomb. REVENDICATIONS 1. Procédé de réalisation de plots de connexion sur un circuit comportant au moins une piste conductrice, caractérisé en ce qu'il comporte les étapes suivantes : a) dépôt d'une fine couche de cuivre (3) et d'une couche de chrome (4) sur la surface de l'ensemble du circuit ; b) dépôt d'une couche de résine (5) et enlèvement de cette résine aux endroits des plots à réaliser et également aux endroits où il n'y a pas de piste conductrice ; c) enlèvement de la couche de chrome aux endroits laissés libres par la résine (5) ; d) enlèvement de la résine (5) ; e) dépôt d'un film photosensible (6) et réalisation dans ce film d'ouvertures aux endroits où l'on désire réaliser des plots de connexion ; f) dépôt d'un matériau de connexion (8) dans lesdites ouvertures ; g) retrait du film photosensible (6) ; h) retrait de la couche de cuivre dans les endroits du circuit non recouverts par la couche de chrome ou par le matériau de connexion (8) ; i) chauffage de l'ensemble de façon à atteindre la température de fusion du matériau de connexion. 2. Procédé selon la revendication 1, caractérisé en ce que le matériau de connexion est de l'étain-plomb. 3. Procédé selon la revendication 1, caractérisé en ce qu'il prévoit entre les étapes (d) et (e), une étape de dépôt d'une couche de cuivre (7) dans les ouvertures réalisées dans le film (6) de l'étape (e).