FR 2804764 A1 20010810 FR 0001419 A 20000204 RETICULE ACTIF, PROCEDE DE REALISATION ET DE CONTROLE D'UN RETICULE, PROCEDE DE LITHOGRAPHIE IONIQUE UTILISANT UN TEL RETICULE ET EQUIPEMENT DE MISE EN #WRE L'invention concerne un réticule actif, procédé de réalisation et contrôle, ainsi qu'un procédé lithographie par voie ionique utilisant un tel réticule actif. Elle concerne également un équipement de lithographie utilisant ce réticule actif et permettant de mettre en ceuvre le procédé de lithographie ionique. L'invention s'applique au domaine de 1a micro- électronique sur substrat de silicium, et plus particulièrement à la fabrication de circuits intégrés, de memoires à très haute densité d'intégration et autres composants de la micro-électronique, notamment ceux relatifs aux microsystèmes, qui nécessitent la réalisation de motifs de haute précision. Pour réaliser ces motifs, il est procédé parmi d'autres étapes de fabrication, successivement à une phase de lithographie et à une phase de gravure. La lithographie par radiations lumineuses ou photolithographie consiste d'abord à napper la couche graver déposée sur une tranche de silicium d'une résine photosensible, puis à insoler la résine photosensible l'aide d'un rayonnement ultraviolet, à travers un masque dont les motifs représentent ceux du circuit intégré. image est ainsi déposée et développée dans la résine photosensible. Après développement, les zones réalisés par la révélation de l'image servent de masque à la gravure de la couche sous-jacente à la résine par attaque ionique réactive dite RIE (initiales de Reactive Ionic Etching en terminologie anglo-saxonne) ou par attaque chimique, pour faire apparaître la couche sous jacente, selon contours des motifs souhaités. Puis la résine est éliminee ' l'aide d'un solvant sélectif. Selon les besoins, couche à graver, peut être une couche conductrice, exemple d'aluminium, une couche diélectrique, comme Si0z, Si3N4, Taz05, Ti0z, W03, Al-,03, NiO, etc ... ou couche semi-conductrice. Cependant, les procédés photolithographiques sont de plus en plus délicats à mettre en oeuvre du fait que motifs à réaliser ont des dimensions de plus en plus réduites, par exemple sensiblement inférieures au micron on parle alors de micromotifs et de procédes microlithographiques. De plus, les circuits, de plus plus complexes, nécessitent à l'heure actuelle la superposition de plus de dix niveaux de masquage ou même davantage, avec des précisions d'alignement pouvant aller usqu'à la centaine d'angstrdms et même au-delà. Pour augmenter la résolution de l'image enregistrée, il est apparu nécessaire d'utiliser un rayonnement d'insolation pour la lithographie de plus courte longueur d'onde possible, associée à une énergie la plus élevée possible. C'est ainsi que, comme décrit dans article du journal Semiconductor International de mars 1999, intitulé Next Generation Lithography Tools The Choices Narrow , les équipements actuels utilisent des lasers excimères de longueur d'onde égale à 248nm, dans des dispositifs appelés DUV (initiales de Deep Ultra Violet , c'est-à-dire ultraviolet profond en terminologie anglo-saxonne). Des dispositifs utilisant une longueur d'onde encore plus courte sont également décrits. Ces dispositifs, appelés EUV (initiales de Extrem Ultra Violet , c'est-à- dire ultraviolet extrême en terminologie anglo- saxonne), mettent en ceuvre un rayonnement de longueur d'onde égale à 157 nm, proche des rayons X mous. Les fonctionnent sous vide et utilisent comme source un supersonique de Xénon chauffé par un laser de type YAG, produisant des radiations d'énergie de l'ordre de eV. Cette solution est complexe et coûteuse à mettre en #uvre. Ce type de technologie définit la limite de ce qu' est possible d'obtenir en optimisant les performances des equipements optiques. Par ailleurs, d'autres technologies optiques se sont développées, basées sur l'utilisation rayons X, de faisceaux d'électrons ou de faisceaux ioniques. Ces techniques combinent l'utilisation d'un réticule, servant de masque, et d'une optique de réduction pour former le flux d'insolation projeté sur la résine photosensible. La présente invention relève de la lithographie ionique. Les techniques basées sur l'utilisation des rayons X butent sur la difficulté de réalisation d'un réticule suffisamment stable et d'une optique de réduction des dimensions du faisceau issu du réticule, indispensables pour l'industrialisation de l'équipement. En particulier, le réticule, qui forme le masque associé à l'optique de réduction, est constitué d'une fine membrane fragile instable, destinée à supporter des motifs en or. Un réticule est donc hautement délicat à réaliser. Il en est de même de la lithographie par faisceaux d'électrons : le réticule est encore plus délicat à réaliser et à conserver car il est constitué d'une membrane sensiblement plus fine que celle dédiées aux rayons X. Cette technique est coûteuse mais permet une bonne résolution. La lithographie ionique IPL (initiales de Ion Projecting Lithography , c'est-à-dire Lithographie par projection d'Ions en terminologie anglo-saxonne) présente les avantages d'utiliser des sources puissantes combinées à des dispositifs de réduction ionique performants. Selon cette technique, le faisceau d'ions (hydrogène ou hélium) provenant une source à électrodes multip-es est homogénéisé, - la mise en forme, 1a charge et la vitesse des ions étant sélectionnées -, puis les ions sont projetés sur la résine après avoir traversé 1e réticule. Cependant, le réticule, réalisé sous la forme d'un pochoir mécanique à fenêtres de transmission, limite sensiblement la précision de la résolution. plus, ce type de réticule subit de fortes déformations lorsqu'il est soumis à 1'energie du faisceau. Par ailleurs, type de réticule ne permet pas la gravure de motifs comportant des îlots. L'invention vise à réaliser une lithographie ionique à haute résolution et haute fiabilité qui ne présente pas les défauts précités. Pour ce faire, une interaction particulière est provoquée entre les ions d'un faisceau fortement décéléré et les matériaux actifs d'un réticule aptes à réfléchir sélectivement ions en fonction des motifs à graver, grâce à des mécanismes électrostatiques spécifiques induits par ladite interaction. Plus précisément, l'invention a pour objet un réticule actif pour lithographie ionique, comportant un substrat plein, sur lequel sont déposées des couches comprenant une couche superficielle conductrice de l'électricité et au moins une couche sous-jacente dont au moins une couche isolante. La couche superficielle est gravée en fonction des motifs à insoler, et une partie au moins de la couche superficielle gravée et une partie au moins de couche conductrice complémentaire sont portées à des niveaux de potentiels électriques tels que le différentiel de niveau est supérieur à la tension de claquage sous vide entre elles pour une couche isolante d'épaisseur minimale. Ces niveaux de potentiels sont également tels crue les ions du faisceau incident sont rétrodiffusés et neutralisés respectivement sur l'une l'autre de ces parties au moins de couches conductrices. partie au moins de couche conductrice complémentaire est formée soit par une partie de la couche superficielle soit par une couche sous-jacente séparée de la couche superficielle par une couche électriquement isolante. Selon des mode de réalisation particuliers - les couches comprennent une couche superficielle conductrice, une couche sous-jacente conductrice et d'une couche isolante disposée entre les deux couches conductrices ; la couche superficielle et la couche isolante sont préalablement gravées pour conserver des zones conformées selon les motifs à insoler, à coefficient de réduction près, et dans lequel la couche sous 'acente est portée à un niveau de potentiel apte a neutraliser les ions et la couche superficielle à un niveau de potentiel apte à les rétrodiffuser par répulsion électrostatique, ces niveaux étant déterminés en liaison avec densité ionique du faisceau incident ; - la couche superficielle et la couche isolante sont gravées selon les motifs à graver, la couche sous- jacente étant portée à un potentiel apte à rétrodiffuser les ions du faisceau incident et la couche superficielle à un potentiel apte à neutraliser les ions de ce faisceau. Selon un autre mode réalisation, la couche superficielle conductrice est gravée selon des sillons au droit des contours des motifs à insoler, à un coefficient de réduction près, et dans lequel les portions de la couche situées à l'intérieur de ces contours, conformées selon lesdits motifs, sont portées à un potentiel apte à rétrodiffuser les ions, les autres portions de cette couche conductrice étant portées à un potentiel apte à les neutraliser. Cette solution présente l'avantage présenter une surface externe sensiblement plane. Selon des formes de réalisation plus particulieres, le réticule présente une couche sous-jacente supplémentaire pour alimenter la couche superficielle par des liaisons formées dans des vias, afin de permettre plus spécialement l'alimentation d'îlots dans le cas où la couche superficielle en comporte ; lorsqu'un îlot est dimensions extrêmement réduites, c'est-à-dire inférieures celle d' via, il est remplacé par un trou pratiqué dans un îlot dimensions suffisantes pour être relié à couche sous-jacente supplémentaire par un via, les polarisations des couches conductrices étant alors inversées, l'inversion de polarité s'accompagnant d' inversion de résine (la résine utilisée pour l'iot entourant le trou étant une résine négative qui s'élimine, lors de la révélation, là où elle n'est pas excitée par les ions) ; - la couche superficielle est en aluminium, tungstène ou or et, le cas échéant, la couche sous-jacente conductrice en or ; - des espaceurs sont formés autour des motifs de la couche superficielle et dans les sillons pour réaliser un auto-alignement isolant sur les flancs de la couche superficielle et de la couche isolante afin d'augmenter sensiblement la tension de claquage sous vide et le différentiel AV de potentiels applicable ; - le différentiel de potentiels des couches ou parties de couches de rétrodiffusion et de neutralisation des ions du faisceau incident supérieur à un seuil correspondant aux tolérances nominales relatives aux tensions d'alimentation, de stabilisation et de décélération du faisceau d'ions. Un autre objet de l'invention est un procédé de réalisation d'un tel réticule. Le réticule peut être réalisé, après dépôt d'au moins une couche sous-jacente dont au moins une couche isolante et une couche superficielle conductrice, en déposant une résine électrosensible sur la couche superficielle, en lithographiant par faisceau d'électrons et gravant cette résine et la couche superficielle conductrice RIE selon les motifs à insoler sur la tranche de silicium, à un facteur de reduction près. lithographie électronique est utilisée du fait de performances en terme de dimensions, des dimensions inférieures à SO nm pouvant être obtenues ; le coût en temps relativement élevé de cette technique lithographique est aisément amorti car permet l'insolation de milliers de tranches de silicium ; Une gravure par usinage ionique peut remplacer la gravure RIE de la résine et de 1a couche superficielle, la gravure par usinage pouvant être complétée par une gravure RIE de la couche isolante dans le cas de l'utilisation d'une couche conductrice sous-jacente. Une étape supplémentaire permet d'augmenter la tension de claquage par enduction de la face externe du réticule par dépôt d'une couche de diélectrique, - dépôt réalisé par des techniques classiques pulvérisation cathodique ou en phase vapeur sous vide de type LPCVD , puis gravure directive de cette couche par RIE ou gravure anisotrope à l'aide du faisceau ionique homogène parallèle mis en #uvre dans le procédé selon l'invention, pour former des espaceurs au droit des flancs de la (ou des) couche(s) préalablement gravée(s). En variante, dans le cas d'un réticule comportant deux couches conductrices séparées par une couche isolante, les potentiels étant polarisés pour que la couche superficielle soit neutralisante et la couche sous . acente rétrodiffusante, la gravure préalable de la couche isolante est stoppée à un stade intermédiaire, le potentiel la couche conductrice sous-jacente étant réglé pour que ions soient repoussés avant d'arriver dans la zone d'explosion coulombienne de 1a couche isolante. Afin de repérer les défauts éventuels de la structure multicouche formant le réticule, l'invention concerne également un procédé de contrôle du réticule mettant en #uvre un microscope électronique de type à balayage SEM (initiales de Scanning Electron Microscopy en terminologie anglo-saxonne). Les électrons de microscope réglé en position de contraste de potentiel forme une image des motifs du réticule en fonction de leur potentiel. Ce contrôle permet également d'optimiser réglages des niveaux des potentiels du réticule et de la tension de décélération des ions du faisceau incident pour que ces ions, rétrodiffusés et absorbés par les surfaces équipotentielles du réticule, forment une image calculée par le SEM conformément aux motifs à insoler dans le matériau ionosensible. Un autre objet de l'invention est un procédé de lithographie ionique utilisant le réticule actif précédemment présenté. Un tel procédé est effectué sous vide pour former des motifs sur une couche superficielle d'un substrat nappée d'un matériau ionosensible, du type utilisant une source d'ions et un réticule pour former un faisceau d'ions dont le profil d'intensité correspond aux motifs ' réaliser par insolation du matériau ionosensible, après concentration à travers une optique ionique réductrice. La mise en forme du faisceau d'ions et la sélection ionique en charge, en vitesse, en densité et en direction forment un faisceau homogène et parallèle. Une décélération des ions est alors provoquée à l'approche du réticule jusqu'à atteindre un niveau d'énergie cinétique proche zéro. Les ions sont alors rétrodiffusés sur le réticule selon les motifs à réaliser par répulsion électrostatique provoquée par une application sélective des potentiels électriques sur ce réticule. Le faisceau ionique sélectivement rétrodiffusé est ensuite accéléré, avant d'être concentré par réduction à travers l'optique ionique réductrice et d'insoler le matériau ionosensible. Le procédé selon l'invention présente entre autres avantage de permettre une insolation apte à réaliser tout type de motif, comme en photolithographie classique, notamment des motifs comportant îlots, ce que ne permettent pas les réticules de type ' transmission utilisé en lithographie ionique, tels que les réticules de type pochoir. L'invention concerne également un équipement de lithographie ionique sous vide utilisant le réticule précédemment présenté. Un tel équipement comporte une source de production d'ions de type ECR initiales de Electron Cyclotron Résonance en dénomination anglo- saxonne) couplée à des moyens de contrôle et de sélection en charge, en densité, en vitesse et en direction des ions, et à moyens de décélération des ions à l'approche d'un réticule selon l'invention, monté sur des moyens mobiles selon direction. Des moyens d'accélération ions rétrodiffusés par le réticule projettent ce faisceau, après réduction par des moyens optiques de rétrécissement, la résine ionosensible à insoler. La résine et la tranche de semi-conducteur sont montés sur des moyens mobiles selon deux directions orthogonales. Selon des modes particuliers de mise en #uvre - la source ECR produit des ions dont l'énergie cinétique est comprise entre 5 et 20 keV/q par application d'une tension d'extraction d'une dizaine de kilovolts ; - les ions générés sont des ions de gaz rares de charge uniforme, pris parmi les gaz Argon, Azote, Néon, Krypton et Xénon, les ions étant sélectionnés en nature et en direction par tri magnétique en fonction de leur rapport charge/masse, par exemple par spectromètre de masse ; - les ions produits sont des ions Argon de charge uniforme comprise, au sens large, entre +8 à ; - la densité des ions à l'approche du reticule est comprise entre 10$ et loin ions/cm-.s, de préférence entre et 10i5 ions /cm`.s ; - la direction et la densité des ions sont controlées par des moyens de réglage de la source d'ions et de reglage des dimensions du faisceau par l'application d'un champ électrique et/ou magnétique ; - une sélection fine des ions en direction, en vitesse en parallélisme est réalisée respectivement par un scanner, par des moyens de filtrage de type passe-bande ou passe haut à champ électrique, qui sélectionnent les ions en vitesse en fonction de leur énergie cinétique, et par des moyens de collimation, qui sélectionnent les ions en direction par élimination des ions dont la vitesse latérale est supérieure à un certain seuil ; les moyens de collimation sont constitués préférentiellement par une série de diaphragmes de diamètre millimétrique distants de quelques dizaines de centimètres ; - la décélération des ions est obtenue par l'application d'un champ électrique contrôlé par une tension de décélération d'une dizaine de kilovolts ; - le réticule est disposé selon un plan incliné, pouvant varier entre 45 et quelques degrés par rapport à la direction générale du faisceau incident ; - des moyens électromagnétiques sont prévus pour générer champ magnétique parallèle à la surface du réticule intensité du courant circulant dans les bobines qui genèrent le champ magnétique, est réglée pour que le champ magnétique dévie le faisceau d'ions perpendiculairement et à proximité de la surface du réticule, aussi bien avant qu'après rétrodiffusion sélective sur cette surface. D'autres caractéristiques et avantages de l'invention apparaîtront à la lecture de la description détaillée qui suit, relative à des exemples de réalisation non limitatifs en référence aux figures annexées qui représentent respectivement - figure 1, une vue en coupe schématique, perpendiculaire au plan de la tranche de silicium à insoler, d'un exemple d'équipement de lithographie ionique selon l'invention ; - figure 2, une vue en coupe schématique d'un exemple réticule selon l'invention ; - figure 3, une vue en coupe schématique de l'exemple selon la figure 1, illustrant l'absorption et la rétrodiffusion d'un faisceau incident d'ions sur le réticule ; - la figure une vue en coupe schématique d'un autre exemple réticule selon l'invention, illustrant l'absorption la rétrodiffusion d'un faisceau incident d'ions sur ce reticule ; - les figures S et 6, des vues en coupe schématique illustrant la formation d'espaceurs sur le réticule ; - la figure 7, une vue en coupe schématique d'une variante de réticule selon la figure 4 ; - la figure 8, une vue en coupe schématique d'un exemple de réticule ' vias pour alimenter des motifs à îlots ; - la figure une vue de face partielle du réticule selon la figure précédente ; - les figures 10 à 12, des vues en coupe schématique illustrant la formation d'un autre exemple de réticule selon un autre mode de réalisation à couche superficielle quasi plane formation ; et - la figure deux diagrammes de répartition des tensions à proximite la surface d'un réticule à couche superficielle quasi plane, dont la coupe est disposée en regard, en fonction de la tension de décélération du faisceau incident et des potentiels appliqués au réticule. Sur les figures, les mêmes signes de référence désignent des éléments identiques ou équivalents. L'équipement illustré en coupe sur la figure 1 est disposé dans une enceinte sous un vide poussé, de l'ordre de 10-h à 10-i1 obtenu par des moyens de pompage connus. L'équipement comporte une source 10 de faisceau d'ions, de type ECR. La source produit des ions Argon Ar-a` à basse énergie cinétique, de quelques keV/q (q étant le nombre de charges par ion), généralement de 1 à 20 keV/q, 10 keV/q dans l'exemple de mise en ceuvre. L'energie cinétique d'extraction est réglée par l'application d'une tension extraction, qui est égale à 10 kV dans le cas présent. variante, la source produit des ions argon dont la charge est différente (par exemple de Are+ à AR13 ) ou d'autres ions (par exemple à partir de l'azote ou à partir des gaz rares). A la sortie de la source 10, les ions produits selon un faisceau F1 sont triés en charge, suivant leur rapport masse/charge, par un électroaimant de tri . Un spectromètre de masse réalise ce type de sélection. Les paramètres de réglage de la source et les dimensions du faisceau d'ions sont par ailleurs ajustés par des moyens d'application de champ électrique ou magnétique, pour fournir le débit et la densité d'ions souhaités. La densité ions est définie à partir du débit, c'est-à- dire par nombre d'ions par unité de surface et de temps. Dans le cas présent, la densité d'ions est de 10`4 ions/cm` . s . Un faisceau d'ions parallèle et homogène est ensuite mis en forme à l'aide des moyens qui sélectionnent les ions en direction, en vitesse en parallélisme. I1 est ainsi formé un pinceau de la largeur du réticule 40, mesurée perpendiculairement au plan de la figure, et d'épaisseur de l'ordre de 0,5 à quelques millimètres dans des exemples du type de celui illustré. Les moyens 30 sont composés d'un scanner, d'un filtre et diaphragmes. scanner à recueil de charges contrôle la position du faisceau d'ions pour régler sa direction. I1 est également possible d'utiliser un détecteur de lumière comportant un tel scanner et d'établir le profil d'intensité et la position du faisceau à partir du nombre de photons émis par les ions captés sur la grille ou plaques du scanner. Les ions sont sélectionnés en vitesse et direction des moyens constitués par un filtre de type passe-bande ou passe-haut, les ions d'énergie égale à environ 10 keV/q étant sélectionnés dans l'exemple, couplé à une série de diaphragmes, de diamètre de l'ordre du millimètre Un champ électrique de décélération ralentit les ions à approche de la surface du réticule 40 jusqu à atteindre énergie cinétique au plus égale à quelques eV/q. Ce champ électrique est produit au milieu condensateur plan formé par une électrode 50 et le réticule entre lesquels une tension AU de décélération appliquée. Cette tension, réglée par un potentiomètre, est ajustée généralement entre 1 et 20 kV, 10 kV dans l'exemple. Le réticule 40 présente une surface externe globalement plane, perpendiculaire au plan de la figure, comme la tranche de silicium 60 revêtue de sa résine ionosensible à insoler. Le plan du réticule 40 est avantageusement incliné d'un angle 6, compris entre quelques degrés et 45 , proche de 45 dans cet exemple de réalisation, par rapport à la direction globale D2 du faisceau d'ions F2, afin de ne pas provoquer d'interférence entre ce faisceau F2 d'ions incidents sur le réticule 40 et le faisceau rétrodiffusé F3 par ce réticule. Le plan de la tranche de silicium 60 à insoler est, lui, perpendiculaire à la direction du faisceau d'ions F3 projeté à sa surface, après rétrodiffusion sur le réticule 40, accélération par des moyens 70 et réduction en dimension par une optique ionique de concentration 80. Le réticule 40 est monté sur un chariot mobile 41 qui le déplace selon une direction D parallèlement lui-même dans le plan de coupe de 1a figure, c'est-à-dire selon la même inclinaison par rapport au faisceau F2. faisceau F2 balaye ainsi toute la longueur du réticule 40, alors que, perpendiculairement au plan de coupe, le faisceau F2 embrasse directement toute la largeur du réticule 40 sans avoir à le déplacer. En variante des moyens de déplacement du réticule perpendiculairement au plan de coupe peuvent être prévus. On peut ainsi soit balayer le réticule par un Pinceau étroit, soit au contraire arroser toute sa surface. La réalisation de la topographie d'un circuit intégré peut nécessiter, suivant sa complexité, un nombre de réticules pouvant aller, par exemple, de 6 à 25. Les réticules restent sous vide pour ne pas subir d'oxydation d'altération et sont donc stockés dans un magasin 42, dans la même enceinte sous vide que l'équipement décrit réticules sont rangés et sortis du magasin à l'aide handler (manipulateur en terminologie anglo saxonne) connu de l'homme de l'art. Avant son utilisation, tout réticule subit preférence un décapage de surface pour éliminer toute trace d'oxydation. Le décapage classique consiste à immerger le réticule dans un bain d'acide fluorhydrique suivi d' rinçage à l'eau désionisée. Cependant, il est avantageux ne pas sortir les réticules de l'enceinte à vide, et d'utiliser les ions du type de ceux produits par le présent équipement pour réaliser le décapage souhaité par interaction spécifique à distance. Dans ce cas, les particules d'oxyde sont récupérées par un masque électriquement chargé, disposé entre le réticule 40 et le condensateur d'accélération ionique 70. Une fois sorti de son magasin et décapé, réticule actif est monté sur son support, et connecté à potentiels électriques fournis par une source de tension 200 Selon la forme des motifs, les potentiels sont choisis afin de tirer les meilleures performances du réticule en termes de contraste et définition de la topographie à réaliser. Une telle optimisation est décrite ci-après. La structure du réticule 40 qui sera également décrite également ci-après induit une rétrodiffusion sélective des ions pour former le faisceau d'insolation F3. Ce faisceau rétrodiffusé se compose de faisceaux élémentaires F'3 d'ions aptes à insoler le substrat selon les motifs correspondant rigoureusement, à un facteur de réduction près, à ceux formés par le matériau du réticule qui rétrodiffuse ces ions. Afin d'ajuster au mieux la forme du faisceau rétrodiffusé sur celle des motifs présentés par le réticule 40 regard des mécanismes d'interaction ions/réticule, électroaimant 90 est avantageusement prévu à proximité la face externe du réticule 40 pour former des lignes de champ magnétique 91 parallèles au plan du réticule. L'intensité du courant de l'électroaimant est réglée pour que le champ magnétique, d'amplitude pouvant aller de 0,05 à 0,5 tesla dévie les faisceaux d'ions perpendiculairement au plan du réticule, juste avant et après rétrodiffusion sélective sur 1a face active de celui-ci. Le faisceau d'ions rétrodiffusé F3 est oriente selon une direction D3 sensiblement orthogonâle à direction D2 du faisceau incident F2, du fait déviations provoquées par le champ magnétique 91. faisceau F3 traverse un champ électrique d'accélération ions jusqu'à atteindre une énergie cinétique égale à 10 keV/q. Ce champ électrique est produit par une tension d'accéleration 4U', 10 kV dans l'exemple, appliquee aux bornes un condensateur plan 70. Les ions ainsi accélérés sont concentrés par une lentille électrostatique unipolaire 80 afin de pouvoir insoler des motifs de la taille de 50 nm. Suivant la dimension des plus petits motifs du réticule, par exemple 150, ou 250 nm, un facteur de réduction adapté, égal à 3, 4 5 dans cet exemple, est appliqué par la lentille 80. Le faisceau d'ions réduit F4 se projette alors sur la tranche de silicium 60, revêtue de sa résine ionosensible à insoler. Cette tranche est montée un double chariot 61 pour réaliser un balayage deux axes afin de couvrir toute la surface de la tranche. Ce type de chariot est habituellement mis en #uvre en optique, pour permettre une limitation des surfaces insolées afin qu'elles ne soient pas trop affectées par la déformation de la tranche de silicium au cours des différentes étapes de fabrication du circuit intégré. L'insolation se fait à partir des ions rétrodiffusés sur les motifs du réticule formés un matériau semi-conducteur, par projection de ces ions la surface à graver au travers de l'optique de réduction. Les chariots 41 et 61, respectivement du réticule et de la tranche à insoler, sont commandés en déplacement de façon synchrone. Les mouvements, contrôlés par exemple par interférométrie laser, ont des amplitudes et des rapports de vitesse égaux aux taux de réduction appliqués. Le réticule selon l'invention est plein et multicouche. Il est dit actif du fait de sa connexion à une source de tension extérieure. Selon un premier exemple de réalisation, le réticule 40 se présente en coupe selon le schéma illustré en figure 2. I1 comporte un substrat plan 400, en quartz fondu dans cet exemple, semblable à celui utilisé pour les réticules optiques, ou une tranche de silicium. Sur ce substrat, une première couche isolante 401 puis une couche conductrice 402 sont déposées. Les dépôts sont effectués par tout procédé connu, par exemple par pulverisation cathodique. Le métal peut être de l'aluminium, du tungstène, du titane, de l'or ou tout métal pouvant être déposé en couche mince. L'épaisseur de la couche conductrice est de l'ordre de 10 nm à 1 um. Dans l'exemple illustré, la couche est en or et son épaisseur est très fine, par exemple elle peut être de l'ordre de 50 nm. Sur cette couche conductrice 402, couche isolante 03 puis une seconde couche de matériau conducteur 404 sont successivement déposées. Les couches conductrices 402 et 404 ne véhiculent pratiquement aucun courant et forment simplement des équipotentielles. Une épaisseur très fine, de l'ordre de 20 nm à 100 nm, suffisent alors à maintenir de telles surfaces à l'état d'équipotentielles. La couche 403 isole électriquement couches conductrices l'une de l'autre. La couche conductrice superficielle 404 est gravée selon les motifs à lithographier sur la tranche de silicium finale, au coefficient de réduction près. Cette gravure est formée dans l'exemple de réalisation par dépôt d'une résine électrosensible sur la couche 404 et lithographie de cette résine à aide d'une machine à faisceaux électroniques et gravure deux couches superficielles, la couche conductrice et la couche isolante 403, jusqu'à la surface de la couche conductrice sous-jacente 402. Lorsqu'une gravure RIE est utilisée, la couche superficielle peut être en tungstène, aluminium ou titane, la couche sous-jacente est de préférence en car ce metal n'est pas attaqué par la gravure RIE. I1 possible de procéder alternativement à une gravure usinage ionique. Dans ce cas, la couche superficielle peut également être en or. Cependant, l'usinage ionique n'étant pas sélectif et tout étant alors gravé à peu près ' la même vitesse, i1 convient d'arrêter la gravure dans couche d'isolation, puis de finir de graver cette couche 403 gravure RIE, qui elle est très sélective, et de ce fait n'attaquera pas la couche d'or 402. Selon des exemples de réalisation décrits plus loin, la source de tension extérieure 200 porte la couche conductrice sous-jacente 402 à un potentiel Vl de rétroréflexion des ions, égal à la somme des potentiels correspondants - à l'énergie cinétique des ions, sensiblement égal à la tension d'extraction des ions de la source ECR, soit 10 kV dans l'exemple de réalisation, - à l'attraction née de l'effet d'image électrique, dont l'intensité dépend du matériau constituant la couche et de la charge de l' ion ; pour un ion Aria + au- dessus d'une couche métallique, ce potentiel est d'environ 10 Volts ; et - au potentiel de répulsion proprement dit. L'ensemble des motifs de la couche superficielle 404 est porté à un potentiel de neutralisation V2, qui est égal à la somme des potentiels correspondants - à l'énergie cinétique des ions, et - à l'attraction de l'image électrique, pondérée par un coefficient de pondération donné. Dans ces conditions, l'écart 4V entre Vl et V2 dépend de l'attraction ponderée de l'image électrique de des ions, et du potentiel de répulsion à appliquer. Cet écart reste inférieur à une valeur plafond, par exemple inférieure à 5 volts, pour éviter 1e claquage électrique entre les couches conductrices. Les potentiels sont fournis en sortie de la source de tension 200 par des liaisons qui seront décrites en détail ci-après. La figure 3 illustre 1e fonctionnement du réticule actif 40. Un faisceau d'ions incident F2 est décéléré, comme décrit précédemment, à l'approche des zones 4A, 4B et 4C de la couche 404 correspondant à des motifs du réticule 40. Le potentiel V2 de ces zones, d'une dizaine de kilovolts, est tel que les ions iA, i3, i,-, du faisceau F2, qui approchent respectivement zones, sont repoussés et rétrodiffusés : 1e potentiel repousse les ions par effet de répulsion électrostatique les réfléchissant. Seuls les ions réfléchis conservent l'image des zones 4A, 4B, 4C. Ces ions, forment 1e faisceau F3, sont ensuite accélérés et passent à travers l'optique ionique réductrice 80 pour former le faisceau F4, avant d'insoler la résine ionosensible déposée sur la tranche de silicium 60 à traiter (figure 1). Les zones 2A de la couche 402, qui complètent la face externe du réticule entre les zones 4A, 4B, 4C et qui sont portées au potentiel V1, attirent alors les ions i2 dirigés vers elles. Les ions i_ viennent alors en contact de la surface des zones 2A et sont neutralisés. Ls niveaux des potentiels V1 et V2 sont réglés en fonction de la densité ionique du faisceau F2. Alternativement, il est possible d'appliquer une combinaison inversée des potentiels par une gravure adaptée des couches superficiels comme illustré en figure 4 : la couche superficielle 404 et la couche isolante 403 sont gravées pour apparaissent les zones 2A', 2B', 2C' correspondant aux motifs dans la couche conductrice sous-jacente 402, les zones 4A' de la couche superficielle restante 404 formant par complémentarité la face externe du réticule 40' vis-à- du faisceau incident F2. La tension Vl est appliquée à couche superficielle 404 pour attirer et neutraliser ions i4 du faisceau F2 dirigés vers elle, et la tension V2 est appliquée à la couche sous-jacente 402 pour rétroréfléchir (RETRODIFFUSER)les ions iA', is#, i,-. et former le faisceau F3. Afin d'optimiser la résolution et la définition du faisceau rétroréfléchi, il convient de trouver un compromis entre l'utilisation d'une épaisseur de couche d'isolation 403 minimale, et 1e respect d'un différentiel de tension 4V supérieur à la tension de claquage sous vide. Ce différentiel est également choisi pour permettre le respect des tolérances sur les tensions d'alimentation, de stabilisation et de décélération du faisceau ionique. Pratiquement, la tension de claquage est supérieure à 50 KV/cm, soit 0,5 V pour 100 nm d'épaisseur. Dans ces conditions, il suffit d'un différentiel de tension de 0,5 V pour provoquer respectivement une rétention et une rétroréflexion complètes des ions sur les zones appropriées. Mais plus la différence de tension entre les couches 402 et 404 est petite, plus la vitesse du faisceau d'ion doit être contrôlée en tout point du faisceau. La valeur minimale de la tension, dite tension de claquage, correspond ici aux risques de claquage entre les bords des zones de gravure de la couche 404, - les bords des zones 4A, 4B, 4C ou 4A' - , et la couche sous- acente 402, ces couches étant séparées par exemple de 100 Loin de ces bords, la tension de claquage travers de couche isolante 403, est sensiblement plus grande. Pour limiter les risques, est donc avantageux d'augmenter la tension de claquage. Pour ce faire, il est proposé en référence aux vues en coupe partielles des figures 5 et 6, de former des espaceurs 201, entre les bords des zones de la couche superficielle 404, de la couche isolante 403 et la couche sous-jacente 402. La technique dite de l'espaceur est connue de l'Homme de l'Art dans la réalisation des transistors sous 'appellation Low Doped Drain (c'est-à-dire courant à faible gain en terminologie anglo-saxonne). Plus précisément, après gravure des couches 403 404, une couche diélectrique 405 de SiO@, d'épaisseur de ordre de 20 à 50 nm, est déposée sur toute surface du réticule 40. Le dépôt est effectué par pulvérisation cathodique ou par dépôt sous vide en phase vapeur (dépôt dit LPCVD), afin de bien contrôler l'épaisseur en bordure des flancs 3b et 4b des couches 403 et 404. La gravure de la couche isolante 405 est ensuite réalisée de manière sélective, en choisissant une gravure anisotrope qui ne grave quasiment que verticalement , c'est-à-dire perpendiculairement à la surface extérieure du réticule. Une telle gravure anisotrope est obtenue par exemple par gravure lorsque la couche de diélectrique est du Si02. Avantageusement, il est possible d'utiliser d'autres matériaux diélectriques à forte permittivité, tels que Ta,O" TiO,,, Al,-03, NiO, ou WO_;, si une gravure à faisceau d'ions décéléré, de type à source ECR, est mise en #uvre. Cette gravure reprend la source d'ions et les moyens d'élaboration et de contrôle d'un faisceau parallèle et homogène decrits précédemment. Elle consiste ' utiliser un masque conducteur, par exemple en aluminium, prédécoupé par gravure pour que le faisceau d'ions décéléré forme des tranchées à flancs verticaux dans couche diélectrique Les flancs des tranchées sont creusés exactement au droit de la découpe du masque, du fait que des ions inclinés qui se dirigeraient vers ces flancs ne pourraient provoquer d' explosion coulombienne qui entraînerait une gravure du diélectrique. En effet, cette gravure se produit à partir d'une accumulation de charges électriques positives en un point du diélectrique, résultant de 1a capture d'électrons par l'ion incident à charge multiple. Or, dans les conditions présentes, le vecteur vitesse de l'ion incident incliné ayant une composante parallèle à la surface du matériau diélectrique, le point d'apparition des charges positives induites va se déplacer en suivant l'ion, si bien qu'il ne peut y avoir accumulation de charges, et donc ni explosion coulombienne ni gravure. I1 s'en suit que la gravure présente un fort caractère anisotrope. flancs ne sont donc pas creusés delà du champ d'interaction des ions diriaés perpendiculairement à la surface réticule, soit moins de 2 nm. intensité des forces de répulsion, donc la capacité d'extraction de matière qui s'en déduit, dépend des caractéristiques du faisceau d'ions, et en particulier de sa densité de charges qui peut varier entre 10s à 10i'' ions /cm2.s, mais plus particulièrement entre 1 et 10`i', suivant la charge des ions utilisée, respectivement entre Ar'T et Ar18T. le processus d'éjection de matière auto- stoppant : lorsque 1a tranchée qui se creuse sous l'effet des expulsions de matière atteint les couches conductrices 402 et 404, les ions chargés sont neutralisés par les electrons pompés des profondeurs de ces couches. La gravure anisotrope de la couche 405 provoque gravure uniforme des surfaces S4 et S2 des couches 404 et 402, l'épaisseur de 1a couche 405 diminuant régulièrement, perpendiculairement à sa surface Lorsque la gravure de la couche 405 est achevée par extraction de matière des surfaces S1 et S2, il s'est formé, comme illustré sur la figure 6, un espaceur 201 sur flancs 4b et 3b des couches 404 et 403. Cet espaceur forme une fine couche isolante au bord de la couche 404, ce qui permet d'augmenter la tension de claquage entre les couches 404 et 402 par un facteur de l'ordre de 10. Dans ces conditions, 1a différence de tension entre Vl et V2 peut être de l'ordre de 5V, sans que la résolution ni la définition du faisceau rétroréfléchi en soit diminuée. Une variante de structure à couche sous-jacente rétroréfléchissante, telle que présentée par le réticule 40' en figure 4, permet également d'augmenter sensiblement tension de claquage et donc le différentiel de potentiel A cette fin, comme illustré sur la vue en coupe partielle de la figure 7, lors de 1a gravure sélective de la couche superficielle 404 pour réaliser les motifs du réticule 40', la couche diélectrique 403 n'est que partiellement attaquée. I1 reste alors sur la couche conductrice sous-jacente 402 une fine couche diélectrique, qui repousse la tension de claquage vers des valeurs plus élevées. Pour éviter 1' explosion coulombienne de la couche isolante 403 qui provoque l'éjection de matière, il convient d'appliquer à la couche 402 un potentiel de réflexion pour que les ions i soient repoussés avant arriver dans la zone critique d'interaction, définie par distance de capture des électrons d'environ 2 nm dessus de la surface. Lorsque l'ion se trouve dans cette zone, l'explosion coulombienne peut avoir lieu. Un exemple de structure d'application tensions électriques aux différentes couches conductrices d'un réticule actif selon l'invention, est illustré schématiquement à 1a figure 8. Une telle structure permet en particulier de mettre en ceuvre des topographies dont les motifs présentent des îlots 5. La structure multicouche présente trois couches conductrices - une première couche équipotentielle 404', etalée sur toute la surface du réticule, reliée à la source tension 200 pour être portée au potentiel V2 ; - la couche 402, déposée sur la couche 404' et isolée de cette dernière, cette couche 402 étant reliée au potentiel V1 fourni par la source de tension 200 ; et - La couche 404, isolée de la couche 402 gravée pour former les motifs du réticule, cette couche étant reliée au potentiel V2 de la source 200. Des trous 4, dénommés ci-après nias , sont formés dans la couche intermédiaire 402, avant le dépôt de 1a couche 404, pour relier 1a couche équipotentielle 404' aux îlots 5 formés dans la couche 404. Ces îlots sont même potentiel que le reste de la couche 404, bien sans liaison électrique avec cette couche, par des liaisons electriques 6 entre les couches 404' et 404 au travers des vias 4. Un îlot 5 est représenté en vue de face sur la figure 9. L'îlot apparaît sous la forme d'un rectangle 5, entouré par une zone hachurée appartenant à la couche 402, et donc complètement isolé du reste de la couche 404. Pour amener la tension V2 à cet îlot, un via 4 qui apparaît en traits pointillés, est pratiqué sous la surface l'îlot afin de réaliser la liaison électrique 6. La figure 9 illustre également mode particulier de réalisation d'un îlot lorsque celui ci est de taille trop réduite pour former un via au regard des dimensions de sa surface. Dans ce cas, les polarités des tensions V1 et V2 sont inversées afin que cet îlot apparaisse sous la forme équivalente d'un trou 5m pratiqué dans îlot 5 de la couche 404 (figure 8), les ions étant réfléchis par la couche 402 au travers de ce trou. Les procédés de fabrication des nias, sont connus de l'Homme de l'Art et ne présentent pas de difficultés hors de sa compétence. Selon un autre mode de réalisation, il est propose une organisation des couches du réticule permettant d'obtenir une surface externe quasiment plane, comme illustré par les vues en coupe partielles des figures 10 à 12. Le réticule actif 40" comporte, en référence aux figures 10 et 11, une première couche isolante puis une couche conductrice 404, déposées sur le substrat plan 400 de quartz fondu ou de tranche de silicium, comme dans les exemples de réticule 40 et 40' décrits précédemment. Les dépôts sont effectués par tout procédé connu, par exemple par pulvérisation cathodique. Dans la couche conductrice, des sillons 407 sont gravés. Ces sillons forment les contours motifs 4D, 4E du réticule actif 40". Les motifs sont reliés au potentiel V2 de rétroréflexion des ions incidents et le reste de la couche 404 au potentiel V1 de neutralisation des ions. La largeur des sillons est inférieure à environ 100 nm. GI Afin d'augmenter le différentiel de tensions dV entre les motifs et les parties restantes 4X de la couche 402 une couche mince de matériau isolant est déposée 1a couche conductrice puis gravée, comme illustré en figure 11, afin que cette couche 405' ne subsiste que dans sillons 407. La gravure de la couche 405' reprend technique dite de l'espaceur décrite précédemment. Dans le cas où la topographie comporte des îlots 5, des liaisons à travers des nias peuvent également être mises en oeuvre. Comme illustré à la figure 12, couche conductrice sous-jacente 406 est préalablement déposée sur le substrat 400 avant d'être isolée de couche 402. Un via 4 est pratiqué à travers la couche isolante 401 au regard de chaque îlot 5 et un contact électrique 6 est établi à travers chaque via. Dans le cadre de mode de réalisation, les nias sont plus simples à réaliser que précédemment, car ils ne traversent qu'une couche isolante. Les structures multicouches, telles que celles utilisées pour le réticule actif selon l'invention, sont complexes et donc exposées à présenter des défauts de forme et/ou de connexions électriques. Ainsi, il suffirait que contact au travers d'un via soit défectueux, pour que motif correspondant n'apparaisse pas. IL est donc avantageux d'appliquer à ce réticule actif, un procédé de contrôle du type de celui dédié aux interconnexions des circuits intégrés pour repérer les défauts et optimiser les réglages de la source de tension. Le procédé selon l'invention permet contrôler également le réglage de 1a tension décélération des ions incidents et des tensions du réticule, ces tensions devant être réglées en combinaison afin d'optimiser l'utilisation du réticule, comme illustré ci-après. Un tel procédé met en #uvre un Microscope Electronique à Balayage, SEM en abréviation anglo-saxonne, réglé en position contraste de potentiel Les tensions Vl et V2 sont appliquées aux parties de couches correspondantes aux zones de neutralisation et de rétroréflexion. La surface extérieure réticule est balayée avec les électrons du microscope. A ?'image des ions, les électrons seront attirés repoussés selon la polarité des zones du réticule. image en clair et en sombre ayant la forme des motifs apparaît alors sur l'écran de contrôle du SEM. Les surfaces équipotentielles des motifs correspondant aux tensions appliquées V1 et V2 appliquées, se repèrent facilement Selon le cas, elles peuvent ne correspondre à l'image prévue des motifs. La figure 13 en donne un exemple. La figure 13 comporte une en coupe partielle schématique du réticule acti 40" selon l'invention, à couche externe quasi plane, et deux diagrammes 13A et 13B de répartition des tensions observées à proximite immédiate de la surface extérieure du réticule, correspondant à deux réglages différents de la tension d'accélération des ions et des potentiels du réticule. Dans le réticule illustré par la figure 13, les parties de couche 4D et 4E limitées par les sillons 407 forment bien l'image des motifs du réticule. L'image formée par le SEM permet alors de vérifier que tous les motifs sont bien présents. Dans le cas contraire, les motifs qui ne sont pas correctement reliés à leur potentiel sont identifiés. La forme des motifs permet ensuite de vérifier le réglage des tensions. Un cas de répartition Optimal des réglages tensions est illustré par la courbe 13A. Les paliers courbe 13X, 13Y et 13Z correspondent aux parties 4X, 4Y, et 4Z de la couche 404 reliée au potentiel V1, pour lesquelles les ions sont absorbés, et les paliers 13D et 13E parties de couche 4D et 4E, reliées au potentiel V2, pour lesquels les ions sont repoussés. Les paliers sont relies par des portions 'Linéaires quasi verticales, limitées verticalement par des traits mixtes correspondant extrémités des sillons 407. La courbe 13A illustre le cas où la tension décéleration des ions et les potentiels du réticule sont réglés pour que les ions viennent suffisamment près des parties de la couche externe du réticule, et réalisent l'interaction électrostatique correspondant aux parties de surface ayant l'une ou l'autre des tensions. Ainsi, les largeurs des paliers 13D et 13E de la courbe 13A correspondent aux largeurs L,j et L. des parties 4D et 4E de la surface du réticule formant les motifs. Dans le cas de la courbe 13B, la tension de décéleration des ions est trop basse et les ions sont en général arrêtés avant d'atteindre la distance d'interaction électrostatique à 1a surface du réticule. Pour compenser, les tensions V1 et V2 du réticule sont augmentées tout en restant liées par leur différentiel AV. Les deux phénomènes combinées, - augmentation des tensions du réticule et distance d'interaction trop importante - , ne permettent pas d'obtenir des interactions électrostatiques correspondant aux parties de surface 4X, 4Y, d'une part, et 4D, 4E d'autre part, auxquelles sont appliquées respectivement les potentiels Vl et V2. Dans ces conditions, seules des zones centrales des surfaces 4D, 4E et 4X, 4Z du réticule, correspondant aux largeurs L',;, L' , et L',.,, L' _ la courbe 13B, permettent une interaction électrostatique provoquant respectivement la rétroréflexion et absorption des ions correspondant aux potentiels V2 et . Dans les portions intermédiaires Pi de la courbe 13B, les ions ne sont ni correctement absorbés ni correctement rétroréfléchis. Certaines portions, pourtant reliées au potentiel d'absorption Vl, telle que la partie 4Y, n'atteignent. pas un potentiel d'interaction suffisant en surface pour attirer et absorber les ions. Ainsi, l'image formée par le faisceau d'ions rétroréfléchis ne correspond pas aux dimensions des motifs du réticule. Le procédé permet d'éviter ce type de réglage erroné. En termes de finesse de réglage, pour une tension de décélération de 10 KV, et différentiel de potentiel de 0,5 V entre V1 et V2, il avantageux dans les conditions exposées ci-dessus de pouvoir contrôler 1a tension de décélération à mieux que 0,1 V près. Les alimentations devraient donc délivrer une tension de 10 KV à 0,1 V, soit une stabilité de 10`. Ce type d'alimentation existe bien dans le commerce. Par ailleurs, les phénomènes d'interaction électrostatique sont bien modélisés : il est possible d'apporter des corrections aux motifs du réticule, pour en parfaire l'image ionique. REVENDICATIONS 1. Réticule actif pour lithographie ionique, caractérise en ce qu'il comporte un substrat plein (400), sur lequel sont déposées des couches comprenant couche superficielle conductrice de l'électricité ( et au moins une couche sous-jacente (401, 402, 403, 40 dont au moins une couche isolante (401, 403), en ce que la couche superficielle (404) est gravée en fonction des motifs à insoler, ce qu'une partie au moins de couche superficielle gravée (4A' ; 4A, 4B, 4C, 4D, et une partie au moins de couche conductrice complémentaire (2A, 4X ; 2A', 2B', 2C') sont portées à des niveaux de potentiels électriques (V1 ; V2) tels que le différentiel de niveau est supérieur à la tension de claquage sous vide entre elles pour une couche isolante d'épaisseur minimale, et tels que les ions du faisceau incident (F2) sont rétrodiffusés (iA, ie, iC, iA-, iB#, i;ï., i3) et neutralisés (i2, i4) respectivement sur l'une et l'autre de ces parties au moins de couches conductrices. 2. Réticule actif selon la revendication 1, dans lequel la partie au moins de couche conductrice complémentaire est formée soit par une partie (4X) de la couche superficielle (404) soit par une couche sous-jacente (402) séparée de la couche superficielle (404) par une couche électriquement isolante (403). 3. Réticule actif selon l'une des revendications 1 ou 2, dans lequel les couches comprennent une couche superficielle conductrice (404), une couche sous-jacente conductrice (402) et d'une couche isolante (403) disposée entre les deux couches conductrices, dans lequel la couche superficielle (404) et la couche isolante (403) sont préalablement gravées pour conserver des zones (4A, 4B, 4C) conformées selon les motifs à insoler, à un coefficient de réduction près, et dans lequel la couche sous-jacente (402) est portée à un niveau de potentiel (V1) apte à neutraliser les ions et la couche superficielle (404) à un niveau de potentiel (V2) apte à les rétrodiffuser par répulsion électrostatique, ces niveaux étant déterminés en liaison avec la densité ionique du faisceau incident (F2). 4. Réticule actif selon l'une des revendications 1 ou 2, dans lequel la couche superficielle (404) et la couche isolante (403) sont gravées selon les motifs à graver (2A', 2B', 2C'), la couche sous-jacente (402) étant portée à un potentiel (V2) apte à rétrodiffuser les ions (iA., iB,, ic,) du faisceau incident (F2) et la couche superficielle (404) à un potentiel (V1) apte à neutraliser les ions (i4) de ce faisceau. 5. Réticule actif selon l'une des revendications 1 ou 2, dans lequel la couche superficielle conductrice (404) est gravée selon des sillons (407) au droit des contours des motifs à insoler (4D, 4E), à un coefficient de réduction près, et dans lequel les portions (4D, 4E) de la couche situées à l'intérieur de ces contours, conformées selon lesdits motifs sont portées à un potentiel (V2) apte à rétrodiffuser les ions, les autres portions (4X) de cette couche conductrice (404) étant portées à un potentiel (V1) apte à les neutraliser. 6. Réticule actif selon l' quelconque des revendications précédentes, dans lequel couche sous- jacente supplémentaire (404', 406) alimente des îlots (5) de la couche superficielle (404) par liaisons (6) formées dans des vias (4) 7. Réticule actif selon revendication précédente, dans lequel, lorsqu'un îlot de dimensions inférieures à celles d'un via, il est remplacé par un trou (5m) pratiqué dans un îlot de dimensions suffisantes (5) pour être relié à 1a couche sous-jacente supplémentaire (406) par un via (4), les polarisations des couches conductrices étant alors adaptées. 8. Réticule actif selon l'une quelconque des revendications précédentes, dans lequel couche superficielle (404) est en aluminium, tungstène or et, le cas échéant, la couche sous-jacente conductrice (402) en or. 9. Réticule actif selon l'une quelconque des revendications précédentes, dans lequel des espaceurs (201) sont formés autour des motifs de la couche superficielle (404) et dans les sillons (407) pour réaliser un auto- alignement isolant sur les flancs (4b, 3b) de la couche superficielle (404) et de la couche isolante (403) afin d'augmenter sensiblement la tension de claquage sous vide et le différentiel AV de potentiels applicable. 10. Réticule actif selon l'une quelconque des revendications précédentes, dans lequel le differentiel de potentiels 4V des couches ou parties de couches de rétrodi f fusion (4A, 4B, 4C ; 2A', 2B', 2C' ; 4E) et de neutralisation (2A', 2B', 2C' ; 4A' ; 4X) ions du faisceau incident (F2) est supérieur à seuil correspondant aux tolérances nominales relatives aux tensions d'alimentation, de stabilisation et de décélération du faisceau d'ions. . Procédé de réalisation d'un réticule selon l'une quelconque des revendications précédentes, caractérisé ce que, après avoir déposé au moins une couche sous 'acente (401, 402, 403, 406) dont au moins une couche isolante (401, 403) et une couche superficielle conductrice (404), il consiste à déposer une résine électrosensible sur la couche superficielle (404), à lithographier par faisceau d'électrons et graver cette résine la couche superficielle conductrice (404) par selon motifs à insoler sur la tranche de silicium ( , à un facteur de réduction près. 12. Procédé de réalisation selon la revendication 11, dans lequel une gravure par usinage ionique remplace la gravure RIE de la résine et de la couche superficielle (404), la gravure par usinage pouvant être complétée par une gravure RIE de la couche isolante dans le cas de l'utilisation d'une couche conductrice sous- jacente (402). 13. Procédé de réalisation. selon l'une des revendications il ou 12, dans lequel une étape supplémentaire est effectuée pour augmenter la tension de claquage, par enduction de la face externe du réticule (40) par dépôt par d'une couche de diélectrique (405) puis gravure directive de cette couche pour former des espaceurs (201, ) au droit des flancs (4b, 3b, 407) d'au moins une couche (404, 403) préalablement gravée. 14. Procédé de réalisation selon la revendication 13, dans lequel la gravure préalable de la des couches (404, 403) est effectuée par RIE. 15. Procédé de réalisation selon revendication 13, dans lequel la gravure préalable de la ou des couches (404, 403) est effectuée par gravure anisotrope à l'aide d'un faisceau ionique homogène et parallèle produit une source de type ECR. 16. Procédé de réalisation selon l'une quelconque des revendications 11 à 13, dans lequel, le réticule comportant deux couches conductrices (404, 402) séparées par une couche isolante (402), la gravure préalable de la couche isolante (403) est stoppée à un stade intermédiaire, le potentiel (V2) de la couche conductrice sous-jacente (402) étant réglé pour que les ions soient repoussés avant d'arriver dans la zone où les ions peuvent capturer les électrons de la couche isolante (403). 17. Procédé de contrôle du réticule réalisé selon une quelconque des revendications 11 à 16, dans lequel image des motifs du réticule (40, 40'') est formée en fonction de leur potentiel par microscope électronique de type à balayage SEM, réglé en position de contraste de potentiel , et dans lequel niveaux des potentiels (V1, V2) du réticule et de tension de décélération des ions du faisceau incident (F2) sont réglés pour que ces ions, rétrodiffusés et absorbés par les surfaces équipotentielles (4D, 4E; 4X, 4Y, du réticule (40"), forment une image calculée par le conformément aux motifs à insoler dans le matériau ionosensible. 18. Procédé de lithographie ionique effectué sous vide pour former des motifs sur une couche superficielle d'un substrat (60) nappée d'un matériau ionosensible, du type utilisant une source d'ions (10) et un réticule actif (40, 40', 40") pour former faisceau d'ions (F3) dont le profil d'intensité correspond aux motifs à réaliser par insolation du matériau ionosensible, après concentration à travers une optique ionique réductrice (80), dans lequel un faisceau homogène et parallèle d'ions (F2) est formé par sélection ionique en charge, en vitesse, en densité et en direction, une décélération des ions est provoquée à l'approche du réticule (40, 40', 40") jusqu'à atteindre niveau d'énergie cinétique proche de zéro, les ions sont rétrodiffusés sur le réticule actif selon les motifs à réaliser par répulsion électrostatique provoquée par une application sélective des potentiels électriques (V1, V2) sur ce réticule, et le faisceau ionique sélectivement rétrodiffusé (F3) est ensuite accéléré, avant d'être concentré par réduction à travers l'optique ionique réductrice (80) pour insoler le matériau ionosensible. 19. Equipement de lithographie ionique sous vide utilisant un réticule selon l'une quelconque des revendications 1 à 10, dans lequel une source production d'ions de type ECR (10) est couplée à des moyens (20, 30) de contrôle et de sélection en charge, en densité, en vitesse et direction des ions, et à des moyens (50) de décélération des ions à l'approche du réticule (40, 40' 40" ), le reticule étant monté sur des moyens mobiles (41), des moyens (70) d'accélération du faisceau rétrodiffusé (F3) par le réticule projettent ce faisceau, après réduction par des moyens optiques de rétrécissement (80), sur la résine ionosensible à insoler, 1a resine et 1a tranche de semi-conducteur à insoler (60) étant également montées sur moyens mobiles (61). . Equipement de lithographie ionique selon la revendication 19, dans lequel la source ECR produit des ions dont l'énergie cinétique est comprise entre 5 et 20 keV/q par application d'une tension d'extraction d'une dizaine de kilovolts, les ions générés étant des ions de gaz rares de charge uniforme, pris parmi les gaz Argon, Azote, Néon, Krypton et Xénon, les ions étant sélectionnés en nature et direction par tri magnétique en fonction de leur rapport charge/masse. 2 . Equipement de lithographie ionique selon la revendication 20, dans lequel les ions produits sont des ions Argon de charge uniforme comprise, au sens large, entre +8 à +18, la densité des ions à l'approche du réticule est comprise entre 105 et 101"' ions/cm s, de préférence entre 1012 et 1015 ions/cm`.s, et la direction et la densité des ions sont contrôlees par des moyens de réglage de la source d'ions et de réglage des dimensions du faisceau par l'application d'un champ électrique et/ou magnétique. 22. Equipement de lithographie ionique selon l'une quelconque des revendications 19 à 21, dans lequel une sélection fine des ions en direction, en vitesse et en parallélisme est réalisée respectivement par un scanner, par des moyens de filtrage de passe-bande ou passe- haut à champ électrique, qui selectionnent les ions en vitesse en fonction de leur énergie cinétique, et par des moyens de collimation, qui sélectionnent les ions en direction par élimination des ions dont la vitesse latérale est supérieure à un certain seuil. 23. Equipement de lithographie ionique selon la revendication 22, dans lequel les moyens de collimation sont constitués préférentiellement par une série de diaphragmes de diamètre millimétrique distants de quelques dizaines de centimètres. 24. Equipement de lithographie ionique selon l'une quelconque des revendications à 23, dans lequel la décélération des ions est obtenue l'application d'un champ électrique contrôlé par une tension de décélération d'une dizaine de kilovolts, le réticule actif (40, 40', 40") est disposé selon un plan incliné, pouvant varier entre 45 et quelques degrés par rapport à la direction générale du faisceau incident (F2), des moyens électromagnétiques (90) sont prévus pour générer un champ magnétique (91) parallèle à la surface du réticule, l'intensité du courant circulant dans les bobines qui génèrent le champ magnétique, est réglée pour que le champ magnétique dévie le faisceau d'ions (F2) perpendiculairement et à proximité de la surface du réticule, aussi bien avant qu'après rétrodiffusion sélective sur cette surface.