FR 2805902 A1 20010907 FR 0002787 A 20000303 L'invention concerne les dispositifs optiques semiconducteurs à fonction transfert spectrale modulable électriquement, et plus particulièrement les dispositifs du type micro-opto-électro-mécanique , plus connus sous l'acronyme MOEM. dispositifs de ce type sont notamment décrits dans les brevets US 5629951, US 5771253 et US 5739945. Ils comprennent trois couches supérieures présentant toutes un dopage intentionnel de type N , respectivement de type P , et dont les parties centrales sont espacées les unes des autres par des couches d'air pour former un miroir de Bragg supérieur, et trois couches inférieures présentant toutes un dopage intentionnel de type P , respectivement de type N , et dont parties centrales sont également espacées les unes des autres par couches d'air pour former un miroir de Bragg inférieur. Les deux miroirs Bragg sont écartés l'un de l'autre par des espaceurs semiconducteurs, manière à définir une cavité verticale remplie d'air, de type Fabry-Pérot. espaceurs sont non intentionnellement dopés, c'est-à-dire de type I , manière à définir avec les couches des miroirs une structure PIN. plaçant les couches de type N et celles de type sous des potentiels electriques de signes opposés choisis, la structure peut être polarisée inverse. Dans ce cas, le champ électrique créé dans la cavité Fabry-Pérot contraint les deux miroirs de Bragg à se rapprocher, ce qui provoque variation de l'épaisseur de la cavité d'air, et par conséquent une modification de la fonction de transfert. La structure peut donc fonctionner comme un filtre, éventuellement accordable en longueur d'onde, ou un commutateur, ou un photodétecteur, ou encore un laser accordable en longueur d'onde. Ces dispositifs nécessitent un déplacement solidaire de l'ensemble des couches de l'un des miroirs de Bragg, et par conséquent des champs électriques relativement importants compte tenu de la rigidité mécanique de la structure suspendue. De plus, ils ne peuvent assurer une unique fonction de traitement optique des signaux (filtrage accordable), ce qui limite leur utilisation dans les composants optoélectroniques à haute intégration. L'invention a pour but de remédier à tout ou partie inconvénients précités. Elle propose à cet effet un dispositif semiconducteur comprenant une alternance d'au moins trois couches semiconductrices de forme choisie et deux couches d'air; ces couches semiconductrices présentant des dopages dé type N ou P qui diffèrent ou non une couche à la couche voisine, étant séparées par des espaceurs non intentionnellement dopés (de type I ) ou au contraire dopés N ou P de manière à définir une structure PINIP ou NIPIN ou NNNIP ou PPPIN à cavités comportant au moins une sous-structure de type PIN, et étant propres à être placées à potentiels électriques respectifs choisis. plus, dans ce dispositif, les épaisseurs, compositions et dopages respectifs couches et espaceurs sont choisis de sorte la structure présente au moins une fonction de transfert optique adaptée a une lumière à traiter et modulable en fonction des potentiels choisis des couches semiconductrices. Dans le cas d'une structure de type NIPIN ou PINIP chaque couche semiconductrice qui contribue simultanément à une sous-structure (ou jonction) et à une sous-structure (ou jonction) NIP peut être déplacée selon ou deux directions opposées de manière à faire varier soit la fonction de transfert de la sous-structure soit les fonctions de transfert de la structure. Pour ce faire, il suffit, d'une part, que la couche à déplacer soit à l'interface entre deux sous-structures de types différents (NIP et PIN) et, d'autre que les polarisations respectives des sous-structures soient choisies façon appropriée. Tout ajout dans la structure d'une sous- structure OU NIP OU PPP OU encore NNN permet alors d'augmenter le nombre couches qui peuvent être déplacées et par conséquent le nombre de fonctions de transfert spectrales qui peuvent être modulées. Ainsi, le choix des épaisseurs et des compositions respectives couches semiconductrices et des espaceurs permet à la structure d'assurer une (ou plusieurs) fonction(s) de transfert modulable(s) adaptée(s) fonctions choisies dans un groupe comprenant au moins le filtrage longueur d'onde, la commutation et l'accordabilité (ou d'autres fonctions), fonction de la succession d'alternances choisies. Dans le cas d'une structure de type NIPIN, respectivement PINIP, les deux couches d'extrémités de type N, respectivement P, qui encadrent la couche centrale de type P, respectivement N, sont avantageusement placées sous des potentiels de signes opposés de sorte que la structure forme deux sous-structures PIN et NIP polarisées respectivement en inverse et en direct. Dans ce cas, la modulation de la fonction de transfert est obtenue par le déplacement (électro-mécanique) de la couche centrale de type N, respectivement P, vers le haut ou vers le bas , relativement aux deux couches d'extrémités de type P, respectivement N, en faisant varier les polarisations respectives appliquées aux sous-structures PIN et NIP. Des modes de réalisation différents et/ou plus complexes peuvent être envisagés. Le dispositif pourra notamment comprendre une (ou plusieurs) couche(s) semiconductrice(s) supplémentaire(s) intentionnelle ment dopée(s) de type N, respectivement de type P, placée(s) en amont ou en aval, de la structure PINIP, respectivement NIPIN, et espacée(s) de celle- ci par espaceurs non intentionnellement dopés I ou dopés N ou pour former une nouvelle structure de type NIPINIP ou PINIPIN ou PPPINIP ou bien NNNIPIN ou encore NNNIPINIP, par exemple. forme ainsi un dispositif multifonctions présentant plusieurs fonctions transfert modulables adaptées aux fonctions de filtrage longueur d'onde, de commutation ou d'accordabilité, ou analogue. L'une au moins des couches semiconductrices du dispositif pourra être active sorte qu'il soit adapté à la détection ou la génération de lumière. Par ailleurs, la structure du dispositif pourra être formée sur un substrat avec interposition éventuelle d'espaceurs de dimensions dopages choisis. Préférentiellement, les couches semiconductrices et les espaceurs sont réalisés dans des matériaux de type III-V, en particulier en arséniure de gallium (GaAs) ou en phosphure d'indium (InP). Par ailleurs, couches semiconductrices et espaceurs sont préférentiellement réalisés à l'aide de techniques d'épitaxie couplées à des techniques d'attaque chimique sélective. D'autres caractéristiques et avantages de l'invention apparaîtront à l'examen de la description détaillée ci-après, et des dessins annexés, sur lesquels - figure 1 est une vue schématique en perspective d'un dispositif selon l'invention de type PINIP, adapté à la commutation, - figures 2A et 2B sont des vues en coupe transversale d'une partie dispositif illustré sur la figure 1, respectivement sans polarisation et avec polarisation, - figure 2C montre les fonctions de transfert des dispositifs des figures 2A (traits pleins) et 2B (tirets), - figures 3A à 3C sont des vues en coupe transversale d'une partie d'une variante du dispositif, respectivement sans polarisation, avec une première polarisation et avec une seconde polarisation, - la figure 4 montre les fonctions de transfert des dispositifs des figures à 3C, et - figures 5A et 5B sont des vues de côté d'une partie d'une autre variante de dispositif, dans laquelle l'une des couches est active, respectivement sans polarisation et avec polarisation. dessins annexés sont, pour l'essentiel, de caractère certain. En conséquence, ils pourront non seulement servir à compléter l'invention, mais aussi contribuer à sa définition, le cas échéant. On se réfère tout d'abord à la figure 1 pour décrire un premier mode de réalisation d'un dispositif selon l'invention, destiné au traitement optique d'une lumière externe. Dans l'exemple illustré, le dispositif comporte trois couches semiconductrices, dont deux couches d'extrémité 1, 2 encadrant une couche centrale 3. Ces couches présentent de préférence des formes sensiblement identiques. Dans l'exemple illustré, les couches comportent deux extrémités 4, 5 de forme sensiblement rectangulaire, reliées l'une à l'autre une lame 6-i (ici, i= à 3) présentant, dans une partie centrale, un élargissement 7. Les couches voisines sont espacées par des couches séparation (ou espaceurs) 8, 9. Plus précisément, ces espaceurs 8,9 sont formés au niveau extrémités 4, 5 des couches semiconductrices 1-3, sorte que leurs lames 6-i soient suspendues et séparées les unes des autres par des couches d'air. quelque sorte, chaque lame d'extrémité 6-1, 6-2 d'une couche d'extrémite 1, 2 définit avec la lame centrale 6-3 une cavité verticale 10-1, 10-2 dont hauteur H1, H2 est fixée par l'épaisseur des espaceurs 8,9. Comme illustré sur les figures, une telle structure est préférence formée sur un substrat 13, avec interposition d'espaceurs 14, sorte que la lame d'extrémité 6-2 soit également suspendue à distance choisie (égale à la hauteur des espaceurs 14) au dessus du substrat 13. Un tel dispositif peut être associé à des moyens de couplage (par exemple des fibres optiques) destinés à introduire la lumière à traiter et collecter la lumière traitée. Selon l'invention, les couches 1-3 et les espaceurs 8, 9 sont réalisés dans des matériaux semiconducteurs, et de préférence dans des matériaux semiconducteurs de type III-V. II s'agira, par exemple, d'arséniure gallium (GaAs) ou de phosphure d'indium (InP), ou bien d'hétérostructures de type InGaAsIInP ou InAlAsIInGaAlAs déposées sur un substrat d'InP, de type AIAsIGaAs déposées sur un substrat GaAs, ou encore de type InGaP/GaAs déposées sur un substrat GaAs. Bien entendu, ces matériaux ne constituent que des exemples préférentiels. Dans l'exemple illustré sur la figure 1, les couches semiconductrices d'extrémités 1 et 2, qui encadrent la couche semiconductrice centrale 3, sont intentionnellement dopées de type N ou de type P, et la couche semiconductrice centrale 3 est intentionnellement dopée de type P ou de type N de sorte que les types de dopage de deux couches voisines soient différents. Par ailleurs, les espaceurs 8, 9 sont réalisés dans des materiaux semiconducteurs non intentionnellement dopés (de type I) de sorte le dispositif constitue une structure de type PINIP, lorsque les couches semiconductrices d'extrémités 1 et 2 sont de type P, ou bien de type NIPIN, lorsque les deux couches d'extrémités sont de type N. structure ainsi formée est constituée de deux sous-structures et NIP présentent une couche commune, à savoir la couche centrale En d'autres termes, dans une structure de type PINIP la sous-structure partage couche dopée N avec la sous-structure NIP, tandis que dans une structure de type NIPIN, la sous-structure NIP partage sa couche dopée P avec la sous-structure PIN. est clair que chaque sous-structure PIN ou NIP constitue ainsi une jonction bien connue de l'homme du métier. Afin de faciliter la compréhension du texte, on considère dans ce qui suit que dans une structure PINIP la jonction PIN est placée au-dessus la jonction En d'autres termes, la lame d'extrémité 6-1, de type P, la lame superieure, tandis que la lame d'extrémité 6-2, également de type P, est la lame inférieure. L'epaisseur et la composition de chacune des couches semiconductrices et de chaque espaceur, et par conséquent les hauteurs H1 et H2 des cavités, sont choisies en fonction de la longueur d'onde de travail du dispositif et de la fonction de transfert à réaliser. A titre d'exemple, et comme illustré sur la figure 2A (où les échelles ne sont pas respectées), les couches semiconductrices d'extrémités 1 et 2 et la couche semiconductrice centrale 3 peuvent présenter une épaisseur optique sensiblement égale à a,14, tandis que les hauteurs respectives H1 et H2 des deux cavités 10-1 et 10-2 sont sensiblement égales à 5a14 (figure 2A). Dans ces conditions la structure est configurée en réflecteur de Bragg (miroir) à la longueur d'onde î@. Par exemple, pour que le dispositif fonctionne en tant commutateur, il suffit de moduler sa fonction de transfert pour qu'elle passe de l'état de repos assurant une fonction de miroir (figure 2A) à un état assurant une fonction de transmetteur (figure 2B), et réciproquement. Selon l'invention, la modulation de la fonction de transfert obtenue un déplacement électromécanique de l'une au moins des lames 6-i, et de preférence de la lame centrale 6-3. Ce déplacement est obtenu en choisissant les polarisations respectives de chacune des cavités 10-1, 10-2, ou en d'autres termes choisissant potentiels respectifs appliqués aux couches semiconductrices de la structure. En effet, comme cela est illustré sur la figure 2A, en l'absence de polarisation, lame centrale 6-3 est dans une position de repos (ou d'équilibre). revanche, comme cela est illustré sur la figure 2B, lorsque la jonction (constituée par la couche supérieure 1 et la couche centrale 3) est polarisee en inverse, et que dans le même temps la jonction NIP (constituée de la couche centrale 3 et de la couche inférieure 2) est polarisée en direct, tout le champ électrique est subi par la cavité supérieure 10-1 formée la jonction PIN. La lame centrale 6-2 est par conséquent attiree par la lame supérieure 6-1 sur une distance choisie, dépendante potentiels appliqués aux couches et des caractéristiques des cavités. titre d'exemple, lorsque le déplacement vertical de la lame centrale 6-3 est sensiblement égal à a/4 (figure 2B) et que la hauteur H1 de la cavite supérieure -1 est sensiblement égale à 51I4, alors la nouvelle hauteur de la cavité devient égale à 51I4 -1l4, soit 1. De même, la hauteur de la cavité inférieure 10-2 devient H'2, égale à 51I4 + 1I4, soit 31I2. Dans ces conditions de polarisation la structure passe de l'état de miroir à l'état de transmetteur une gamme de longueurs d'onde large, ce qui lui permet de fonctionner tant que commutateur. fonction de transfert de la structure au repos (figure traits pleins) sous polarisation (figure 2B, tirets) est donnée sur la figure pour une longueur d'onde de configuration 1 = 1,55 pm ; le substrat ainsi les lames suspendues sont en InP, et les espaceurs en Ino,53Gao.4,As, nombreuses autres fonctions peuvent être envisagées pour d'autres modes de réalisation de la structure. On citera, à titre d'exemple, la réalisation simultanée avec un seul dispositif des fonctions de filtrage en longueur d'onde, qu'il soit en large bande ou en bande(s) étroite(s), assorti des fonctions de commutation et d'accordabilité en longueur d'onde. L'accordabilité et la commutation sont contrôlées par les tensions de polarisation appliquées aux couches semiconductrices. La possibilité d'assurer avec une même structure plusieurs fonctions constitue un avantage important de l'invention. Pour ce faire, on peut adjoindre à la structure de type PINIP illustrée sur les figures 1 et 2 (ou à une structure à trois couche d'un autre type, comme par exemple NIPIN ou PPPIN ou NNNIP), une ou plusieurs couches semiconductrices supplémentaires (ou complémentaires) en amont et/ou en aval des couches d'extrémités et 2, comme illustré à titre d'exemple sur les figures 3A-3C, 5A et 5B. Plus précisément, dans l'exemple illustré sur la figure 3A la structure, initialement type PINIP, comporte, en amont (au-dessus) de la couche supérieure , de type P, une première couche semiconductrice 11 présentant un dopage intentionnel de type N et espacée de cette couche supérieure 1 par des espaceurs semiconducteurs 12 non intentionnellement dopés (de type I), puis, au dessus cette première couche 11, une seconde couche semiconductrice 15 présentant un dopage intentionnel de type N et espacée de cette couche 11 des espaceurs semiconducteurs 16 intentionnellement dopés N. De plus, structure comporte en aval (en- dessous) de la couche inférieure 2, type P, une troisième couche semiconductrice 17 présentant un dopage intentionnel de type N et espacée de cette couche inférieure 2 par des espaceurs semiconducteurs 18 non intentionnellement dopés (de type I). Les première 11, seconde 15 et troisième 17 couches semiconductrices présentent des dimensions sensiblement identiques à celles des autres couches 1-3. Cette structure, de type NNNIPINIPIN, délimite cinq cavités d'air 10 1 à 10-5 entre la couche 15 dopée N, placée à l'extrémité supérieure, et la couche 17 également dopée N, placée ' l'extrémité inférieure. Les couples de couches 15 et 1 d'une part, et 2 et 17 d'autre part, constituent des miroirs de Bragg. Les épaisseurs optiques des couches 1-3, 11, 15 et 17 sont sensiblement égales à a14, tandis que épaisseurs H1 à H5 des cavités 10-1 à 10-5 sont respectivement sensiblement égales à 5a14, 1I4, a12, 1I4 et 51I4. Comme cela est illustré sur la courbe de transmittance de la figure 4 (en tirets), une telle structure, lorsqu'elle est pas polarisée, est un filtre dont la fonction de transfert optique assure la transmission d'une lumière centrée sur une longueur d'onde d'environ 1 En jouant sur les potentiels appliqués aux différentes couches, ou en d'autres termes en polarisant certaines jonctions PIN (ou NIP), on peut déplacer une ou plusieurs couches, conséquent moduler la fonction de transfert optique de la structure. Plus précisément, comme illustré sur la figure 3B, en modulant l'épaisseur de la cavité d'air centrale 3 d'épaisseur optique H3 = a12 on transforme la structure en un filtre dont la fonction de transfert optique assure la transmission d'une lumière centrée sur une longueur d'onde d'environ 1470 nm (voir courbe de gauche de la figure 4). Cette modulation s'obtient en déplaçant la partie centrale (lame 6-1) de la couche vers le bas sur une hauteur 8 et la partie centrale (lame -3) de la couche vers le haut, également sur une hauteur 8, de sorte les cavités 10-2 10-4 présentent des hauteurs respectives H2, et H4 sensiblement égales à (X/4) + 8, (V2) - 28 et (X/4) + 8. La structure agit donc en tant que filtre accordable. De plus, comme illustré sur la figure 3C, en modulant l'épaisseur de la cavité d'air inférieure 10-5 d'épaisseur optique H5 = 5X/4, c'est-à-dire en dégradant la reflectivité de l'un des réflecteurs de Bragg, on transforme la structure qui agissait au repos (hors polarisation) comme un filtre, dont la fonction de transfert optique assurait la transmission d'une lumière centrée sur une longueur d'onde d'environ 1550 nm, en un réflecteur dont la transmittance (fonction de transfert) est donnée en trait continu sur la figure 4. Cette modulation s'obtient en déplaçant la partie centrale (lame 6 17) de la couche inférieure 17 vers le haut, sur une hauteur X14, de sorte la cavité 10-5 présente une hauteur H5 sensiblement égale à a, (au lieu 5X/4). La structure agit alors en tant que commutateur. La structure illustrée sur les figures 3A à 3C assure donc au moins les fonctions filtrage accordable et de commutation, sur une gamme longueurs d'onde large. Comme cela est mieux illustré sur la figure 5A, le dispositif peut comporter également une ou plusieurs couches actives de manière a permettre la génération ou la détection de lumière, combinée à une ou plusieurs fonctions passives du type de celles évoquées précédemment (filtrage, accordabilité, commutation, etc.). Dans cet exemple, la structure comporte dans sa partie supérieure une sous-structure semiconductrice de type PIN constituée d'une couche supérieure 1 dopée P, espacée d'une couche inférieure 3 dopée N par des espaceurs 8 non intentionnellement dopés (I). Elle comporte également dans sa partie inférieure (en dessous de la couche 3) deux couches semiconductrice 19 et 20 présentant un dopage intentionnel de type N et espacees entre elles et de la couche 3 par des espaceurs semiconducteurs 21 et dopés N. De plus, la structure comporte en-dessous de la couche 20, et contre celle-ci, des couches actives formant un laser 23 de type à cavité verticale, émettant par la surface, et en-dessous de ce laser et contre celui-ci, une alternance de couches semiconductrices de deux types formant miroir de Bragg inférieur 24. Dans cet exemple, les alternances cavité d'air-semiconducteur placées -dessus du laser 23 forment un miroir de Bragg supérieur. les cavités 10-1 à 10-3 présentent des hauteurs respectives Hl, H2 H3 sensiblement égales à 5a14, V4 eU14. Au repos (hors polarisation) la partie supérieure de la structure constituée des couches 1, 3, 19 et 20 agit en tant que miroir, et la lumiere générée par le laser 23 est contrainte à sortir de la structure par le miroir Bragg inférieur 24 (suivant la flèche F1). En revanche, lorsque l'on polarise de façon appropriée la partie supérieure de la structure (formant le miroir de Bragg supérieur), on peut contraindre l'une (ou plusieurs) des lames suspendues à se déplacer de manière à modifier la hauteur H1 de la cavité 10-1. Dans l'exemple illustré sur la figure 5B on déplace la lame 6-1 de la couche 1 vers le bas, d'une hauteur égale à environ V4, de sorte que la hauteur H1 de la cavité 0-1 passe de la valeur 5a,14 à la valeur a,. Cette modulation de la réflectivite du miroir de Bragg supérieur modifie sa fonction de transfert et lui confère une fonction de transmission. L'émission du laser est alors préférentiellement dirigée vers le haut, contraignant ainsi la lumière émise à sortir par le haut de la structure, suivant la flèche F2. Dans cet exemple de réalisation, la structure agit donc comme un générateur de lumière et comme un dispositif d'aiguillage. Les dispositifs selon l'invention sont préférentiellement réalisés par une technique d'épitaxie combinée à une ou plusieurs techniques d'attaque chimique sélective. Différentes techniques d'épitaxie peuvent être envisagées, dès lors elles permettent un contrôle des épaisseurs des couches, à l'échelle la couche atomique. On citera par exemple l'épitaxie par jet moléculaire (plus connue sous l'acronyme anglais MBE), ou bien la déposition chimique phase vapeur d'organométalliques à basse pression (plus connue sous l'acronyme anglais LP-MOCVD ), ou encore l'épitaxie par jet chimique sous pression (plus connue sous l'acronyme anglais CBE ). Ces techniques permettent un contrôle des épaisseurs à l'échelle de la couche atomique et assurent d'excellentes qualités cristallines et des interfaces très abruptes. plus, elles offrent un contrôle de la composition et du dopage d'une tres grande précision. Enfin, elles permettent un excellent contrôle des contraintes mécaniques résiduelles. Il existe, par ailleurs, de nombreuses techniques de gravure chimique, notamment voie humide, permettant un micro-usinage sélectif des parties suspendues (lames). On citera à titre d'exemple les techniques de gravure par voie humide de type FeC13:H20 ou HF:H202:H20 pour le système InGaAS/InP, bien de type HCI :H20 ou HCI :H3PO4 pour les systèmes InAlAs/InGaAlAs et GaInP/GaAS, ou encore de type HF pour le système AIAs/GaAs. Bien entendu, ne s'agit que d'exemples de techniques de croissance et de gravure, parmi d'autres. Par ailleurs, tensions sont appliquées aux couches semiconductrices par contacts ohmiques, de préférence réalisés en alliages de type AuGe, ou bien Pd-AuGe, ou encore Ti-Pt-Au. Ces contacts sont formés sur les couches placées aux deux extrémités de la structure, ou bien sur chaque couche semiconductrice de la structure, ou bien encore sur les couches d'extrémité et sur certaines couches intermédiaires. Comme indiqué précédemment, il est particulièrement avantageux d'utiliser matériaux type III-V pour élaborer les couches semiconductrices et espaceurs. effet, et comme exposé ci-avant, les hétérostructures en matériau III présentent des contraintes mécaniques résiduelles très faibles, mais surtout contrôlées, qui assurent aux lames suspendues une flexibilité relativement importante, indispensable à leurs déplacements électromécaniques. Mais, d'autres matériaux peuvent être envisagés. On citera, à titre d'exemples, le silicium cristallin et le silicium polycristallin. Les structures en silicium cristallin peuvent être obtenues à l'aide de technologies de type SOI par attaque des couches de silice (SiO2), technique plus connue sous son appellation anglaise "smart cut". Les structures polycristallines peuvent être envisagées, mais flexibilité des lames n'est pas très bonne du fait du mauvais contrôle contraintes mécaniques et des possibilités d'absorption de la lumière limitent les applications de filtrage. ailleurs, le silicium ne peut pas être utilisé, actuellement, dans les dispositifs intégrant des couches actives. En conséquence, ils ne peuvent être utilisés sous la forme de composants passifs. dispositifs selon l'invention offrent de nombreux avantages, dans la mesure ou ils présentent des dimensions réduites permettant leur utilisation dans des composants électroniques à haute intégration. A titre d'exemple, ils peuvent être utilisés en tant que laser accordable sur GaAs InP, ou en tant que photodétecteur accordable, résonnant ou non, ou encore en tant que modulateur, en utilisant la fonction de commutation à une longueur d'onde donnée (la modulation peut être de type détection synchrone de sorte que la détection s'effectue sur un signal utile module, dépourvu de parasites modulés comme c'est le cas lorsque l'on utilise hacheur). Mais bien d'autres applications peuvent être envisagées, comme dans le domaine des télécommunications optiques, du contrôle industriel (par exemple dans l'agro-alimentaire), de la micros pectrométrie, notamment dans le domaine de l'environnement (détection de transmission ou d'absorption de gaz), ou encore dans le domaine de l'analyse médicale. D'une manière générale, le dispositif selon l'invention particulièrement adapté aux traitements optiques des signaux. ailleurs, le dispositif pourra présenter d'autres structures celles decrites, comme par exemple une structure de type PPPIN, respectivement NNNIP, les couches dopées P, respectivement N, étant avantageusement placées sous des potentiels de signes opposés au potentiel la couche dopée N, respectivement P, et la modulation de la fonction transfert s'effectuant par un déplacement relatif des couches dopées et P superposées sous l'effet d'une variation des polarisations appliquées respectivement aux couches dopées P, respectivement N, et à couche dopée N, respectivement P. L'invention ne se limite pas aux modes de réalisation de dispositif décrits ' avant, seulement à titre d'exemple, mais elle englobe toutes variantes que pourra envisager l'homme de l'art dans le cadre revendications ci-après. REVENDICATIONS 1. Dispositif semiconducteur, caractérisé en ce qu'il comprend une alternance d'au moins trois couches semiconductrices -3) de forme choisie et deux couches d'air, deux de ces couches semiconductrices (1,2) présentant dopages même type N, respectivement P, tandis qu'une troisième couche (3) presente un dopage de type P, respectivement N, ces couches (1-3) étant séparées par des espaceurs (8,9) de dopages respectifs choisis de manière à définir une structure à cavités (10-i) comportant moins une sous-structure de type PIN et étant propres à être placées à potentiels électriques respectifs choisis, et * les épaisseurs, compositions et dopages respectifs desdites couches (l et espaceurs (8,9) étant choisis de sorte que la structure présente au moins une fonction de transfert optique adaptée à une lumiere à traiter et modulable en fonction des potentiels choisis appliqués aux couches semiconductrices. 2. Dispositif selon la revendication 1, caractérisé en ce que les épaisseurs, compositions et dopages respectifs desdites couches semiconductrices (1-3) et espaceurs (8,9) sont choisies sorte que la structure présente au moins une fonction de transfert modulable adaptée à l' des fonctions choisies parmi le groupe comprenant moins le filtrage en longueur d'onde, la commutation et l'accordabilité. 3. Dispositif selon l'une des revendications 1 et 2, caractérisé en ce qu'il comprend au moins deux couches dopées N encadrant une couche dopée P, lesdites couches 2,3 étant séparées par des espaceurs (8,9) non intentionnellement dopés de type I de manière à former une structure de type NIPIN, et lesdites couches dopées N étant placées sous des potentiels de signes opposés au potentiel de la couche dopée P de sorte que la structure définisse deux sous-structures PIN et NIP polarisées respectivement en inverse et en direct, ladite modulation de la fonction de transfert étant obtenue par un déplacement de la couche encadrée dopée P, relativement aux deux couches dopées N, par une variation polarisations respectives appliquées aux sous-structures NIP et PIN. 4. Dispositif selon l'une des revendications 1 et caractérisé en ce qu'il comprend au moins deux couches (1,2) dopées encadrant une couche (3) dopée N, lesdites couches (1,2,3) étant séparées par des espaceurs (8,9) non intentionnellement dopés de type de manière à former une structure de type PINIP, et lesdites couches dopées P étant placées sous des potentiels de signes opposés au potentiel de la couche dopée N de sorte que la structure définisse deux sous-structures NIP et PIN polarisées respectivement en inverse et en direct, ladite modulation de la fonction de transfert étant obtenue par un déplacement la couche encadrée (3) dopée N, relativement aux deux couches (1 dopées P, par une variation des polarisations respectives appliquées aux sous-structures et NIP. 5. Dispositif selon l'une des revendications 1 et caractérisé en 'il comprend au moins deux couches dopées P placées amont ou aval d'une couche dopée N, les deux couches dopées étant séparées l'une l'autre par des espaceurs dopés P, de sorte que structure soit de type PPPIN, et lesdites couches dopées P étant placées sous des potentiels de signes opposés au potentiel de la couche dopée N, ladite modulation de fonction de transfert étant obtenue par un déplacement relatif des couches dopées N et P superposées sous l'effet d'un variation polarisations appliquées respectivement aux couches dopées P et à la couche dopée N. 6. Dispositif selon l'une des revendications 1 et caractérisé en qu'il comprend au moins deux couches (11,15 ;3,19) dopées N placées en amont ou en aval d'une couche (1) dopée P, les deux couches (1 ;3,19) dopées N étant séparées l'une de l'autre par des espaceurs dopés N, de sorte que la structure soit de type NNNIP, et lesdites couches dopées N étant placées sous des potentiels de signes opposés au potentiel de la couche dopée P, ladite modulation de la fonction de transfert étant obtenue par un déplacement relatif des couches dopées et P superposées sous l'effet d'un variation des polarisations appliquées respectivement aux couches dopées N et à la couche dopée P. 7. Dispositif selon l'une des revendications précédentes, caractérisé en ce qu'il comprend au moins une couche semiconductrice supplémentaire intentionnellement dopée de type N (17 ;20), respectivement de type P, placée en amont ou en aval, de la structure, espacée de celle-ci par des espaceurs (22) de dopage choisi, et présentant forme sensiblement identique à la forme des couches (1-3) de la structure. 8. Dispositif selon la revendication 7, caractérisé en que les épaisseurs et compositions respectives de la couche semiconductrice supplémentaire (17 ;20) et des espaceurs (22) sont choisies de sorte que la structure présente au moins une fonction de transfert optique modulable supplementaire, adaptée à une fonction choisie dans un groupe comprenant le filtrage en longueur d'onde, la commutation et l'accordabilité. 9. Dispositif selon l'une des revendications 1 à 8, caracterisé en ce comporte au moins une couche active semiconductrice (23) adaptée à la detection ou la génération de lumière. 10. Dispositif selon l'une des revendications1 à 9, caracterisé en ce moins deux (1,2,11) desdites couches (1-3,11) comprennent un contact ohmique adapté à l'application de potentiel électrique. 1. Dispositif selon l'une des revendications1 à 10, caractérisé en ce formé sur un substrat (13). Dispositif selon la revendication 11, caractérisé en ce qu'il est forme sur ledit substrat (13) avec interposition d'espaceurs de dimensions et de dopage choisis. 13. Dispositif selon l'une des revendications précedentes, caractérisé en ce que les couches semiconductrices (1-3,11,15,17 et les espaceurs (8,9,12,14,16,18,21,22) sont réalisés dans des materiaux de type -V, en particulier en arséniure de gallium (GaAs) ou en phosphure d'indium (InP). 14. Dispositif selon l'une des revendications 1 à caractérisé en ce lesdites couches semiconductrices (1-3,11,15,17 20) et lesdits espaceurs (8,9,12,14,16,18,21,22) sont réalisés par techniques d'épitaxie et d'attaque chimique sélective.