FR 2801724 A1 20010601 FR 0013558 A 20001023 DISPOSITIF DE TRAITEMENT AU PLASMA ET PROCEDE DE TRAITEMENT AU PLASMA POUR UN SUBSTRAT DOMAINE DE L'INVENTION La présente invention se rapporte à un dispositif de traitement au plasma destiné à traiter une tranche de semiconducteur ou de tels autres substrats par un plasma, et au procedé de traitement. ARRIERE-PLAN DE L'INVENTION Le dispositif de traitement au plasma une installation formée d'un espace fermé hermétiquement dans lequel électrodes sont disposées. Un objet de traitement, tel qu'un substrat destiné à des dispositifs à semiconducteurs, est placé sur l'électrode, et une décharge de plasma est réalisée dans une atmosphère de pression réduite en vue de nettoyer ou de graver le substrat, ou bien de deposer une certaine couche particulière sur le substrat. La décharge de plasma s'accompagne d'une génération de chaleur, il en résulte que la température d'un substrat augmente au cours du traitement au plasma. Dans un extrême où la température s'élève jusqu'à un niveau extrêmement élevé, le substrat pourra être brûlé ou brisé en raison d'un dommage thermique. De manière à empêcher que ceci n'arrive, le dispositif de traitement au plasma est normalement muni d'un système de refroidissement prévu pour empêcher un substrat d'atteindre une température trop élevée en refroidissant l'électrode. Cependant, dans un cas où l'objet du traitement au plasma est un substrat mince dont l'épaisseur est très faible par rapport à l'espace de surface, le substrat peut facilement provoquer une déformation en forme d'arc lorsque la température monte haut. Ensuite, une partie du substrat se soulève de la surface de l'électrode durant le traitement au plasma, ce qui génère un espace entre le substrat et l'électrode. Une fois qu'un tel espace est généré, la transmission de chaleur depuis le substrat vers l'électrode est empêchée, ou bien les effets de refroidissement ne peuvent pas atteindre le substrat en depit du fait que l'électrode est refroidie. Dans une telle situation, la température du substrat continue à monter, et substrat subira un dommage thermique. En outre, une décharge anormale générée à travers l'espace affecte uniformité du traitement au plasma. L'établissement d'une pression mécanique sur le substrat au niveau du bord de circonférence est l'une des contre-mesures couramment employées en vue d'empêcher la deformation en forme d'arc. Par exemple, le brevet japonais mis à la disposition du public N 211703/1995 (technologie classique) décrit un procédé dans lequel une tranche de icium 1 placée sur une électrode pour spécimen est pressée mécaniquement vers le bas au niveau du bord par un dispositif de maintien de spécimen 4. Un tel procédé, cependant, ne fonctionne pas bien pour diminuer le soulèvement de la tranche de silicium au niveau la partie centrale. La réalisation d'un dispositif 'aspiration électrostatique (mandrin électrostatique sur 1 électrode pourrait constituer une solution. Cependant, le coût d'un tel dispositif est assez élevé, lequel à son tour entraîne un coût de production élevé. RÉSUME DE L'INVENTION La présente invention vise à proposer un dispositif de traitement au plasma, de même qu'un procédé destiné au traitement au plasma, grâce auxquels un substrat peut être refroidi de façon efficace durant le traitement au plasma, dommage thermique est évité, et un traitement uniforme par le plasma est obtenu. Avec un dispositif de traitement au plasma la présente invention, un substrat est muni intégralement sur surface inférieure d'un élément de support dont le coefficient de dilatation thermique est supérieur à celui substrat, lequel dispositif de traitement au plasma comprend un moyen de maintien de substrat destiné à realiser un contact avec le bord de circonférence du substrat et à presser au niveau de celui-ci, qui est placé sur une électrode, l'élément de support étant vers bas, sur l'électrode depuis le dessus, et un moyen de refroidissement destiné refroidir l'électrode. Dans la pratique, une feuille de résine est utilisée pour l'élément de support décrit ci-dessus, et une tranche de semiconducteur est utilisée pour le substrat. Un dispositif de traitement au plasma de la présente invention se caractérise en ce qu'il traite un substrat qui est un substrat de semiconducteur portant un motif de circuit formé sur la surface de recto et un élément de support est fixé sur la surface de recto du substrat de semiconducteur. Le substrat de semiconducteur est placé sur une électrode afin de subir un traitement au plasma sur la surface de verso. Dans le présent dispositif de traitement au plasma, le moyen de maintien de substrat presse un substrat sur l'électrode avec une force qui permet au substrat et à l'élément de support de réaliser une dilatation/contraction thermique. Dans un procédé de traitement au plasma de la présente invention, un substrat est muni intégralement au niveau de la surface inférieure d'un élément de support dont le coefficient de dilatation thermique est supérieur à celui du substrat. Le procédé de traitement au plasma comprend les étapes consistant à placer le substrat sur la surface supérieure d'une électrode, l'élément de support étant vers le bas, à presser le substrat au niveau du bord de circonférence sur l'électrode, et à générer un plasma dans une chambre de traitement en appliquant une tension à haute fréquence à l'électrode, pendant qu'elle est refroidie. En pratique, une feuille de résine est utilisée pour l'élément de support décrit ci-dessus fixé sur la surface inférieure du substrat, et une tranche de semiconducteur est utilisée pour le substrat. Dans un procédé de traitement au plasma de la présente invention, le substrat est un substrat de semiconducteur portant un motif de circuit formé sur la surface de recto et l'élément de support est fixé sur la surface de recto du substrat de semiconducteur. Le substrat de semiconducteur est placé sur l'électrode pour être traité par plasma sur surface de verso. Dans le présent procédé de traitement au plasma, le substrat est pressé au niveau du bord de circonférence par une force qui permet au substrat et à l'élément support de réaliser une dilatation/contraction thermique. procédé de la présente invention convient en particulier à la fabrication de dispositifs à semiconducteurs. Sur la base du présent procédé, des dispositifs à semiconducteurs plus minces peuvent être mis en oeuvre. Dans le montage décrit ci-dessus, où un substrat est assujetti au niveau de la surface inférieure par un élément de support et où le substrat est traité par un plasma pendant qu'il est pressé par un moyen de maintien de substrat, qui réalise un contact au niveau du bord de circonférence, sur l'électrode, une force provoquée par une déformation thermique du substrat comportant l'élément de support est convertie en une force qui s'exerce afin de permettre au substrat d'adhérer plus étroitement à la surface de l'électrode. Ainsi, le procédé simple est efficace pour empêcher le soulèvement d'un substrat en raison d'une déformation thermique. BREVE DESCRIPTION DES DESSINS figure 1 est une vue en coupe transversale représentant l'aspect global d'un dispositif de traitement au plasma destiné à traiter un substrat, conforme ' un mode de réalisation d'exemple de la présente invention. figure 2(a) est une vue partielle coupe transversale d'un dispositif de traitement au plasma destiné à traiter un substrat, conforme à un mode de réalisation d'exemple de la présente invention. figure 2(b) est une vue en perspective d'une partie du dispositif de traitement au plasma destiné à traiter un substrat, conforme à un mode de réalisation d'exemple de la présente invention. figure 3 est constituée de dessins utilisés pour illustrer une déformation thermique d'un substrat dans un mode réalisation d'exemple de la présente invention. DESCRIPTION DU MODE DE REALISATION PREFERE (Mode réalisation) La figure 1 est une vue en coupe transversale représentant l'aspect global d'un dispositif de traitement au plasma destiné à traiter un substrat, conforme à un mode de réalisation d'exemple de la présente invention, la figure 2(a) est une vue partielle en coupe transversale du dispositif de traitement au plasma, la figure 2(b) est une vue en perspective d'une partie du dispositif de traitement au plasma, la figure 3 est constituée de dessins utilisés pour décrire une déformation thermique d'un substrat. La structure du dispositif de traitement au plasma est décrite en se référant à la figure 1. Un dispositif de traitement au plasma dans le présent mode réalisation est un dispositif de gravure destiné à graver la surface arrière d'une tranche en vue de l'amincir. la figure 1, une chambre à vide 1 est un récipient hermétique, à l'intérieur duquel est formé un volume traitement 2 destiné au traitement au plasma. A l'intérieur du volume de traitement 2, une électrode inférieure en forme de disque 3 est disposée, l'électrode inférieure 3 comportant une partie de colonne 3a au niveau du fond traverse un corps isolant la disposé dans un trou traversant d'isolement formé au niveau d'une partie fond de la chambre à vide 1. Un trou d'évacuation d' ' lb est prévu au niveau d'une partie de fond de la chambre à vide 1, lequel trou d'évacuation est raccordé à section de pompe à vide 10. L'air dans le volume de traitement 2 est enlevé pour réaliser un vide en résultat du fonctionnement de la section de pompe à vide 10. La surface supérieure de l'électrode inférieure 3 forme une plate-forme destinée à placer sur celle-ci un objet de traitement au plasma, ou bien une tranche de semiconducteur (appelée simplement ci-après "tranche") 4. Comme représenté sur la figure 2(a), la tranche 4, qui est faite principalement de silicium, est munie d'une feuille de résine 4a collée par un adhésif sur la surface inférieure afin de recouvrir la surface entière. La feuille de résine 4a présente un coefficient dilatation thermique al qui est supérieur à celui du silicium (a2 = 3 x 10-6), qui est le matériau formant la tranche 4. Le matériau de la feuille de résine 4a utilisé dans le présent exemple est une polyoléfine, dont le coefficient de dilatation thermique est al = 100 x 10-6. A savoir, la tranche 4 est munie intégralement d'un élément de support fait de polyoléfine, ou d'une feuille de résine 4a, dont le coefficient de dilatation thermique est superieur à celui du silicium. La feuille de résine 4a présente une propriété de résistance à la chaleur, laquelle feuille fixée à la tranche 4 sur la surface recevant un circuit. Une electrode supérieure 6 est disposee face à la surface supérieure de l'électrode inférieure 3, comme représenté sur la figure 1. I1 existe un palier d'étanchéité 8 dans une partie de la partie supérieure de la chambre à vide 1, une partie coulissante 6b de l'électrode supérieure 6 est associée à un trou traversant 8a du ier d'étanchéité 8 de sorte la partie coulissante puisse se déplacer vers le haut et vers le bas, ainsi chambre à vide est scellée hermétiquement. L'électrode supérieure 6 est en prise avec un mécanisme de déplacement vers le haut/vers le bas 9, qui entraîne l'électrode supérieure 6 vers le haut et vers le bas dans le volume traitement 2. Lorsque l'électrode supérieure 6 est à la position basse, existe un espace libre entre la surface inférieure de l'électrode supérieure 6 et l'électrode inférieure 3, lequel espace libre étant une distance interélectrodes convenant à un traitement au plasma, lorsque 'electrode supérieure 6 est à une position élevée, il existe un espace rendu disponible sur la surface supérieure de l'électrode inférieure 3 en vue de placer une tranche 4 sur la plate-forme. Bien que n'étant pas représentée sur le dessin, une porte d'accès est prévue dans chambre à vide 1 en vue de permettre l'introduction et la sortie de la tranche 4. L électrode supérieure 6 comporte un conduit de intérieur 6c, qui est associé à un certain nombre de buses pour 6a disposées dans le fond faisant face a l'électrode inférieure 6. Le conduit de gaz 6c est relie à une alimentation en gaz 11, qui délivre du gaz oxygène, du gaz fluor ou d'autres gaz nécessaires à la génération d plasma pour être injectés par l'intermédiaire des buses pour 6a sur la tranche 4, qui a été disposée l'électrode inférieure 3 à l'intérieur du volume traitement 2. Comme représenté sur la figure 2, un dispositif maintien de substrat en forme d'anneau 5 est disposé au- dessus de l'électrode inférieure 3. Le bord de circonference intérieure 5a du dispositif de maintien substrat 5 est situé juste au-dessus du bord de la tranche 4. Lorsque le dispositif de maintien de substrat 5 abaissé de façon qu'il réalise un contact au niveau du bord de circonférence intérieure 5a sur la surface supérieure la tranche 4, le dispositif de maintien de substrat presse son propre poids la tranche 4 sur la surface supérieure de l'électrode inférieure 3. L'intensité de force avec laquelle le dispositif de maintien de substrat 5 presse le substrat 4 est telle qu'elle permet au substrat 4 et à la feuille de résine 4a de réaliser une dilatation/contraction thermique. En faisant ainsi, une concentration de la contrainte due à une dilatation thermique sur la partie centrale d'une tranche peut être évitée. Comme illustré sur la figure 1, l'électrode supérieure 6 est munie d'une pluralité de bras 7 pendant vers le bas après s'être étendue légèrement dans des directions rayonnantes, la partie d'extrémité 7a du bras 7 venant au- dessous du dispositif de maintien de substrat 5. Le dispositif de maintien de substrat 5 est muni d'une broche 5b faisant saillie vers le bas, tandis que la partie d'extrémité 7a du bras 7 est munie d'un trou 7b disposé à un endroit correspondant à la broche 5b. Le dispositif de maintien de substrat 5 est supporté par la partie d'extrémité 7a, la broche 5a étant insérée de façon lâche dans le trou 7b. Les bras 7 sont les éléments qui portent le dispositif de maintien de substrat 5 grâce à 1 électrode supérieure 6. Lorsque l'électrode supérieure 6 s'élève, les bras 7 s'élèvent également, il en résulte que le dispositif de maintien de substrat 5 monte. Par contre, lorsque l'électrode supérieure 6 s'abaisse, le dispositif de maintien de .substrat 5 l'accompagne pour venir toucher le bord de circonférence de la surface supérieure de la tranche placée sur l'électrode inférieure et la surface inférieure du dispositif de maintien de substrat 5 se détache de la surface supérieure de partie d'extrémité 7a du bras 7. Dans cet état, le dispositif de maintien substrat 5 presse la tranche 4 sur l'électrode inférieure 3 par son propre poids. A savoir, dans un état où l'électrode supérieure 6 est à la position inférieure, le dispositif de maintien de substrat presse la tranche 4 sur l'électrode inférieure 3, tandis que lorsque l'électrode supérieure 6 s'élève, la tranche 4 libérée de la force de pression. Le mouvement vers le haut/vers le bas du dispositif de maintien de substrat est réalisé par le mécanisme 9 de déplacement vers le haut/vers le bas décrit ci-dessus. A savoir, le mécanisme 9 de déplacement vers le haut/vers le bas représente un moyen destiné à déplacer le dispositif de maintien de substrat 5 par rapport à l'électrode inférieure 3. Dans une autre conception, l'électrode inférieure 3 peut être déplacée vers le haut/vers le bas en vue d atteindre le même but. A l'intérieur de l'électrode inférieure 3, il existe des canaux intérieurs 3b, 3c, qui sont reliés à une chemise d'eau 3d formée dans la partie supérieure de l'électrode inférieure 3. Les canaux intérieurs 3b, 3c sont reliés à une unité de dispositif de refroidissement 13 qui fait circuler de l'eau de refroidissement dans la chemise d'eau 3d en vue de refroidir l'électrode inférieure 3. A savoir, l'unité de dispositif de refroidissement 13 et la chemise d'eau 3d représentent un moyen de refroidissement destiné à refroidir l'électrode inférieure 3. L'électrode inférieure 3 est reliée à un bloc d'alimentation à haute fréquence 12, qui fournit une tension à haute fréquence entre 'électrode supérieure mise à la masse 6 et l'électrode inférieure 3. Maintenant, dans ce qui suit, le fonctionnement du dispositif de traitement au plasma configuré comme ci- dessus est décrit. En premier lieu, la porte d accès (non représentée) de la chambre à vide 1 est ouverte et une tranche 4 assujettie par une feuille de résine au niveau de la surface inférieure est placée sur surface supérieure de l'électrode inférieure 3. La porte d'accès est fermée afin d'amener le volume de traitement 2 à être fermé hermétiquement, et l'électrode supérieure 6 est abaissée. en résulte qu'un espace libre est formé entre la surface inférieure de l'électrode supérieure 6 et la surface supérieure de l'électrode inférieure lequel espace libre représentant une certaine distance de décharge particulière, dans le même temps, le dispositif de maintien de substrat 5 descend afin de réaliser un contact avec le bord de circonférence supérieure de la tranche 4. Ainsi, la feuille de résine 4a disposée sur la surface inférieure de la tranche est amenée à avoir un contact avec la surface supérieure de l'électrode inférieure 3. La section de pompe à vide 10 est mise en fonctionnement afin d'évacuer l'air à l'intérieur du volume de traitement 2. Après qu'elle ait atteint un certain niveau spécifié de vide, l'alimentation en gaz 11 est mise en fonctionnement afin d'amener un gaz de génération de plasma à être injecté par l'intermédiaire des buses pour gaz 6a. A ce stade, le bloc d'alimentation à haute fréquence 12 est mis en fonctionnement afin de délivrer une tension à haute fréquence entre l'électrode supérieure 6 et l'électrode inférieure 3. En faisant de la sorte, une décharge de plasma est générée entre l'électrode supérieure 6 et l'électrode inférieure 3, et la surface de la tranche 4 est traitée par le plasma ainsi généré. A mesure que le traitement au plasma se poursuit, la température de la tranche 4 et de la feuille de résine 4b s élève. L'unité de dispositif de refroidissement 13 fait circuler de l'eau de refroidissement dans la chemise à eau disposée dans l'électrode inférieure 3 en vue de refroidir l'électrode inférieure 3. La température élevée générée dans la tranche 4 suite au traitement au plasma est transmise à l'électrode inférieure 3, et la tranche 4 est empêchée de monter à une température trop élevée. Ensuite, le comportement durant le traitement au plasma de la tranche 4 munie intégralement de la feuille de résine 4a au niveau de la surface inférieure est décrit en faisant référence à la figure 3. La figure 3(a) représente état déformé de la tranche 4 pour une température accrue, aucune restriction n'étant imposée un dispositif de maintien de substrat. Du fait que la tranche 4 a été assujettie collée une feuille de résine 4a présentant un coefficient de dilatation thermique supérieur à celui de la tranche , une plus grande dilatation thermique est générée par la feuille résine 4a que dans la tranche 4, il en résulte 'elle présente une déformation en forme d'arc (forme concave dans direction du haut, forme convexe dans la direction du bas), comme illustré sur la figure 3(a), lorsqu'il n'y a aucune restriction par un moyen de maintien de substrat. A savoir, une tranche 4 dans le présent mode de réalisation, qui a été assujettie au niveau de la surface inférieure par une feuille de résine 4a, présente une déformation thermique où la tranche se soulève de l'électrode inférieure 3 au niveau du bord de circonférence. Une telle déformation en forme d'arc est significative pour des tranches 4 d'épaisseur plus faible. La figure 3(b) représente un état de la tranche 4 décrite ci-dessus qui est traitée dans un dispositif de traitement au plasma conforme au présent mode de réalisation. Dans cet état, la tranche 4 est pressée au niveau de la partie de bord de circonférence le dispositif de maintien de substrat 5 sur l'électrode inférieure 3 avec une force qui permet une dilatation/contraction en raison d'une dilatation thermique. De ce fait, même lorsque la température s'élève durant le traitement au plasma pour atteindre une déformation thermique, la tranche 4 reste dans un état où elle est pressée au niveau du bord de circonférence et il n'existe aucune telle déformation concave comme celle illustrée sur la figure 3(a). Dans le présent état où le gauchissement d'un substrat en raison 'une différence de coefficient de dilatation thermique entre la feuille de résine 4a et la tranche 4 est corrigé de force, il se génère une force à l'intérieur qui presse la partie centrale de la tranche vers la surface supérieure l'électrode inférieure 3 par l'intermédiaire de la feuille de résine 4a, en plus de la force qui empêche la tranche d'être amenée à se soulever au niveau de la circonférence. Il en résulte qu'un contact uniforme la tranche 4 sur sa surface entière, sur la surface supérieure de l'électrode inférieure 3 est conservé par l'intermédiaire de la feuille de résine 4a. Le phénomène de soulèvement au niveau de la région centrale d'un substrat, qui est observé lorsqu'un substrat normal de faible épaisseur est placé sur une électrode et pressé au niveau de la circonférence (illustré des lignes à traits interrompus 4' sur la figure 3(b)), n'est pas observé ici dans la présente invention. De ce fait, aucun espace n'existe entre la tranche 4 et la surface supérieure l'électrode inférieure 3, la chaleur générée par la tranche 4 suite au traitement au plasma est transmise façon efficace à l'électrode inférieure refroidie 3 et la température de la tranche 4 ne s'élève pas jusqu'à un niveau anormal. En outre, dans 1a présente invention, la non-uniformité du traitement au plasma se produit suite à une décharge locale à travers l'espace, n'apparaîtra pas. Dans le mode de réalisation 1 décrit ci-dessus, un substrat mince comme la tranche 4 est assujetti au niveau de la surface inférieure par élément de support, dont le matériau présente un coefficient de dilatation thermique supérieur à celui du substrat mince, et le substrat mince subit un traitement au plasma pendant qu'il est pressé au niveau de la circonférence l'électrode. La déformation thermique provoquée sur un substrat mince de la présente invention par la chaleur générée durant le traitement au plasma amène le substrat mince à se comporter de telle sorte qu'il est pressé entièrement sur la surface de l'électrode, et la génération d'espace entre le substrat mince et l'électrode est empêchée. Comme décrit dans ce précède, dans la présente invention, un substrat est assujetti par un élément de support fait d'un matériau présentant un coefficient de dilatation thermique supérieur à celui du substrat, et il est traité par un plasma pendant qu'il est pressé par le dessus, au niveau de la circonférence du substrat ou au niveau de la circonférence 'élément de support, par un dispositif de maintien de substrat, sur l'électrode, en vue d'être sûr du contact avec 'électrode. Il en résulte qu'une déformation thermique s'il en existe, provoquée sur le substrat par une température élevée est convertie en une force qui amène le substrat à se comporter de telle sorte qu'il est pressé de façon uniforme sur l'électrode, et la génération d'espace entre substrat et l'électrode est empêchée. De cette manière des dommages possibles devant être encourus sur un substrat par une température anormalement élevée peuvent être empêchés, et un traitement uniforme d'un substrat un plasma peut être assuré conformément à la présente invention. REVENDICATIONS 1. Dispositif de traitement au plasma destiné à traiter un substrat, lequel fait l'objet du traitement, placé sur une électrode disposée dans une chambre de traitement formant un espace scellé hermétiquement, dans lequel le substrat est muni intégralement sur surface inférieure d'un élément de support présentant un coefficient de dilatation thermique supérieur celui du substrat lequel dispositif comprenant un moyen de maintien de substrat destiné à presser le substrat placé, la surface de l'élément de support étant vers le sur l'électrode, sur l'électrode réalisant un contact depuis le dessus avec le substrat au niveau du bord de circonférence, et un moyen de refroidissement destiné à refroidir l'électrode. 2. Dispositif de traitement au plasma selon la revendication 1, dans lequel l'élément de support est une feuille résine. 3. Dispositif de traitement au plasma selon la revendication 1, dans lequel le substrat est une tranche de semiconducteur. 4. Dispositif de traitement au plasma selon la revendication 1, dans lequel le substrat est un substrat de semiconducteur portant un motif de circuit sur la surface de recto lequel substrat de semiconducteur est muni sur la face de recto de l'élément de support devant être placé sur l'électrode, en vue de subir un traitement au plasma au niveau la surface de verso. 5. Dispositif de traitement au plasma selon la revendication 1, dans lequel le moyen de maintien de substrat presse le substrat sur l'électrode avec une force qui permet au substrat et à l'élément de support de réaliser une expansion/contraction thermique. 6. Procédé de traitement au plasma destiné à traiter un substrat, lequel fait l'objet du traitement placé sur une électrode disposée dans une chambre de traitement scellée hermétiquement, comprenant les étapes consistant à munir le substrat intégralement sur surface inférieure d'un élément de support présentant un coefficient de dilatation thermique supérieur a celui du substrat, et le placer, l'élément de support étant vers le bas sur la surface supérieure de l'électrode, presser le substrat, au niveau du bord de circonférence, placé sur l'électrode, sur l'électrode, et génerer un plasma dans une chambre de traitement en appliquant une tension à haute fréquence sur l'électrode pendant 'elle est refroidie. 7. Procédé de traitement au plasma selon la revendication 6, dans lequel l'élément de support est une feuille résine fixée par collage sur surface inférieure du substrat. 8. Procédé de traitement au plasma selon la revendication 6, dans lequel le substrat est tranche de semiconducteur. 9. Procédé de traitement au plasma selon la revendication 6, dans lequel le substrat est substrat de semiconducteur portant un motif de circuit sur la surface de recto et le substrat de semiconducteur muni d'un élément support sur la surface de recto devant être placé sur l'électrode en vue de subir un traitement au plasma au niveau de la surface de verso. 10. Procédé de traitement au plasma selon la revendication 6, dans lequel le substrat pressé au niveau du bord de circonférence sur l'électrode avec une force qui permet au substrat et à l'élément de support de réaliser une dilatation/contraction thermique. 11. Dispositif à semiconducteurs traité par l'un ou l'autre des procédés de traitement au plasma énoncés dans la revendication 6 jusqu'à la revendication 10.