FR 2805080 A1 20010817 FR 0001797 A 20000214 La présente invention concerne de manière générale un procédé pour déposer sur un substrat un film à base de silicium amorphe qui présente une conductivité électrique ajustée et concerne plus particulièrement un procédé pour déposer un film à base de silicium amorphe qui possède conductivité ajustée comprise entre celle d'un silicium amorphe intrinsèque et d'un silicium amorphe à dopage n . Le film peut être déposé sur un substrat par un procédé de dépôt chimique en phase vapeur. Ces dernières années, des dispositifs d'affichage sous forme de panneaux plats ont été élaborés à des fins d'utilisation dans de nombreuses applications électroniques, comprenant l'application à des ordinateurs - agendas. Sur un tel dispositif, un affichage à cristaux liquides à matrice active a été utilisé fréquemment. Cependant, le dispositif d'affichage à cristaux liquides présente des limitations inhérentes le rendent impropre à de nombreuses applications. Par exemple, les dispositifs d'affichage à cristaux liquides comportent des limitations de fabrication tels g@ .. procédé lent de dépôt de silicium amorphe sur le verre, grande corrplexi-é de produc;ion et un bas rendement. di vit;@fs d'affichage nécessitent un éclairage fluorescent de fond consommant beaucoup de puissance bien que plus grande partie de la lumière soit perdue. image produite par un dispositif d'affichage à cristaux liquides est également difficile à observer en lumière sofa - intense ou à des angles d'examen extrêmes, ce qui pose un problème essentiel dans de nombreuses applicati Un dispositif élaboré plus récemment d'un dispositif d'affichage à émission par effet de champ (FED` supprime certaines de ces limitations et offre des avartaaes importants par rapport aux dispositifs d'affic:hage à cristaux liquides. Par exemple, les FED ont un rapport contraste plus élevé, un plus grand angle d'examen, une plus grande brillance maximale, une plus faible consommation de puissance et une plus large plage températures de fonctionnement, comparativement à un dispositif classique d'affichage à cristaux liquides à transistor en couche mince. A l'opposé des dispositifs d'affichage à cristaux liquides, les dispositifs d'affichage à émission par effet de champ (FED) produisent leur propre lumière au moyen de luminophores colorés. Les FED ne nécessitent pas des éclairages de fond et filtres complexes, consommant de la puissance, et pratiquement la totalité de la lumière engendrée par un FJD est visible par l'utilisateur. Les FED ne nécessitent pas de grands réseaux de transistors en couche mince. Une source principale des problèmes de rendement pour les dispositifs d'affichage à cristaux liquides à matrice active est donc supprimée. Dans un FED, des électrons sont émis par une cathode et frappent des lum.inophores au dos d'une plaque frontale transoarente pour produire une image. On sait qu'un tel procédé cathodoluminescent est un des moyens les plus efficaces pour engendrer de la lumière. A l'opposé d'un tube cathodique (ORT) classique, chaque pixel dans un FED possède sa propre source d'électrons, tons .stand abituel1eme:zt e r_ ::n réseau de micropontes émeCes. La différence de tension entre la cathode et la griffe extrai-_ des électrons de la cathode et provoque leur accélération vers les luminophores. Le courant d'émission et, ainsi, ,-ia brillance d'affichage dépendent fortement du travail d'extraction de la matière émettrice. La netteté e@ uniformité de la matière émettrice servant de source sc donc essentielles. La plupart des FED sont mises sous vide :à des pressions basses, par exemple 133,32 x 10 ' Pa, pour fcurrir un grand libre parcours moyen pour les électrons émis et pour empêcher une contamination et une détérioratio:@ des pointes. La réèsclution d'affichage est ë#mé =orée er. utilisant une électrode de focalsatl.on pour 1a c^1 des électrons ex; :-a;ts des micropointes. Les premières cathodes à émission par effet de champ élaborées pour un dispositif d'affichage utilisaient un émetteur à micropointes métalliques connstitué de molybdène. Dans un tel dispositif, une tranche de silicium est tout d'abord oxydée pour produire une couche épaisse de SiO2, puis une couche métallique servant de grille est déposée sur l'oxyde. La couche servant de grille est ensuite munie d'un motif pour la formation de trous de grille. Une attaque du SiO2 au-dessous des trous provoque une gravure sous-jacente de la grille et crée un puits. Du molybdène est déposé à une incidence normale et, (un même temps, une matière sacrificielle telle que du Ni est déposée à partir d'une source placée sur le côté du dispositif de telle sorte que des cônes avec des pointes nettes se développent à l'intérieur des cavités. Les cônes tteurs persistent lorsque la couche sacrificieiCe est supprimée. Dans un autre dispositif FF,D, des émetteurs à micropointes en silicium sont produits par oxydation thermique d'un substrat en silicium, gravure de l'oxyde d si_cium suivant un motif pour exposer le substrat en. silicium sous-jacent et attaque sélective du silici= exposé pour former des pointes en silicium. Une cx..@datio:@ et une attaque supplémentaires protègent le silicium et effilent les extrémités des pointes en silicium. Dans une autre conception, les micropo-ntes sont appliquées sur un substrat constitué de matières désirées telles que le verre, qui est une matière idéale comme substrat pour un dispositif d'affichage à panneau Mat de grande surface. Les micropointes peuvent être constituées de matières conductrices telles que des métaux ou des semconducteurs dopés. Dans un tel dispositif VII, une couche intermédiaire ayant une conductvité ajustée entre cathode et les micropointes est hautement souhaitable. Une modification convenable de la résistivité de la couche intermédiaire permet au dispositif de fonctionner d'une manière stable et pouvant être régulée. La résistivité de la couche intermédiaire est située entre celles d'un isolant et d'un conducteur, la valeur réelle désirée dépendant des spécificités de conception du dispositif. Le dépôt chimique en phase vapeur (CVD) ou le dépôt chimique en phase vapeur amplifié par plasma (PECVD) sont des procédés couramment utilisés dans la production de dispositifs à semiconducteurs pour déposer des couches de matières sur divers substrats. Dans un procédé PECVD classique, un substrat est placé dans une chambre de dépôt sous vide équipée d'une paire d'électrodes sous forme de plaques parallèles. Le substrat est généralement monté sur un suscepteur oui constitue également l'électrode inférieure. Un gaz réactionnel s'écoule dans la chambre de dépôt à travers un collecteur d'admission de gaz qui sert également _ectrode supérieure. Une tension radiofréquence (R.F) est appliquée entre les deux électrodes, ce qui engendre une puissance (RF) suffisante pour provoquer la formation d'un plasma dans le gaz réactionnel. Le plasma provoque la décomposition du gai réactionnel et le dépôt d'une couche de 1a matière désirée sur la surface du corps servant de substrat. couches supplémentaires d'autres maté_ électroniques peuvent être déposées sur la première co-aie en faisant passer dans la chambre de dépôt un gaz réactionnel contenant la matière de la couc:ne supplémentaire à déposer. Chaque gaz réactionnel est soumis à un plasma, ayant pour résultat le dépôt d'une couche de la matière désirée. Dans la fabrication d'un dispositif d'affichage à émission par e lfet de champ, i 1 esC souhaitable de déposer un film à base de silicium amorphe qui présente une conductivité électrique sur une plage intermédiaire entre celles du silicium. amorphe intrinsèque et du silicium amorphe à dopage W. La conductivité du silicium amorphe dopage n' est régulée en ajustant la quantité d'atomes de phosphore présents dans le film. Bien qu'il soit possible, en principe, de produire un film de conductivité intermédiaire en ajoutant de très petites quantités d'atomes phosphore, cela constitue une tâche très difficile, cela signifie que cela nécessite du PH; prémélangé spécialement pour ajuster avec précision 1 quantités atomes de phosphore. Puisque les dispositifs d'affichage à émission effet de champ utilisent des couches très épaisses, ii devient nécessaire de déposer des films à faible contrainte pour éviter un gauchissement du verre et un arrachement des films. Le procédé classique pour déposer du silicium amorphe produit des films qui sont hautement compressés, notamment lorsqu'ils sont déposés à de grandes vitesses de dépôt. La présente invention propose un procédé de dépôt pour préparer des films à base de silicium amorphe présentant une résistivité ajustée et une faible contrainte. Ces films peuvent être utilisés comme couche intermédiaire dans la production de FED. Ils peuvent également être utilisés dans d'autres dispositifs électroniques qui nécessitent des films ayant une résistivité ajustée comprise entre celles d'un isolant et d'un conducteur. Le procédé de dépôt décrit dans la présente invention utilise le procédé de dépôt chimique en phase vapeur ou de dépôt chi.mi.que en phase vapeur amplifié par plasma .l est possible également d'utiliser d'autres techniques de dépôt de films telles que le dépôt physique en phase vapeur. Dans un aspect, la présente invention a pour objet un procédé pour former un film à base de silicium amorphe sur un substrat situé à l'intérieur d'une chambre de dépôt, comprenant les .tapes consistant à introduire une substance volatile à base de silicium dans la chambre de dépôt ; à introduire dans la chambre de dépôt une substance volatile d'augmentation de conductivité comprenant: un ou plusieurs constitrants pour accroître la cond,@cti i#è dti film à base de silicium amorphe ; et à introduire dans la chambre de dépôt une substance volatile diminuant 1a conductivité comprenant un ou plusieurs constituants pour diminuer la conductivité du film à base de silicium amorphe. Dans un autre aspect, la présente invention a pour objet un procédé pour former un film à base de silicium amorphe sur un substrat situé à l'intérieur d'une chambre de dépôt, comprenant les étapes consistant . à introduire une substance volatile à base de silicium dans la chambre de dépot ; à introduire une phosphine dans la chambre dépôt ; et à introduire une substance volatile contenant de l'azote dans la chambre de dépôt. Dans un aspect supplémentaire, la présente invention a pour .et un procédé pour former un film à base de silicium amorphe sur un substrat situé à l'intérieur d'une chambre de dépôt, comprenant les étapes consistant introduire une substance volatile à base de s ili cium dans la chambre de dépôt ; à introduire une phcsphne dans la chambre de dépôt ; et à introduire une substance volatil contenant du carbone dans la chambre de dépôt. Des formes de réalisation peuvent comprendre une ou plusieurs des caractéristiques suivantes. la substance volatile augmentant la conductivité et la subst=ances volatile diminuant la conductivité peuvent ëtre introduites dans la chambre de dépôt à :des dépits relatifs respectifs choisis pour parvenir à une résistivité désirée du film. Les débits relatifs peuvent être choisis ocur parvenir à une résistivité du film d'environ 103 à 10 ^hms.cm. La substance volatile d ' auamen@a@ior_ de conductivité peut consister en une phosphins et l'a substance volatile de diminution de conductivité pew_ consister en ammoniac, la phosphine et :!'ammoniac étau` introduits dans la chambre de dépôt en un rapport des débits compris dans l'intervalle d'environ ,:100`) à environ 1:10 (p:hosphine:ammoniac). F; n variante, @a s,ibst,-;::@-:: volatile augmentant la conductivité peut consister en_ phosphine et la substance volatile diminuant la conductivité peut consister en méthane, la phosphine et le méthane étant introduits dans la chambre de dépôt en rapport des débits compris dans l'intervalle d'environ 1:100 à environ 1:1 (phosphine:méthane). La substance volatile d'augmentation de conductivité peut comprendre un dopant. Le dopant peut comprendre un dopant de type n (par exemple le phosphore) ou un dopant de type p (par exemple le bore). Le film à base de silicium amorphe peut être caractérisé par une bande interdite, et la substance volatile de diminution de conductivité comprend préférence un constituant d'augmentation de bande interdite qui augmente la bande interdite du film à base de silicium amorphe par rapport à un film formé dans des conditions similaires mais sans le constituant augmentant la bande interdite. La substance volatile de diminution de conductivité peut comprendre l'azote, l'ammoniac, bY, N.C ou 1e carbone (par exemple méthane). Dans une l orme de réalisation, le film à base silicium consiste c n un silane, la substance vola: i ::. d'augmentation de conductivité consiste en une phosphine et La substance volatile de diminution de conductivité consiste en ammoniac. Dans une autre forme de réaCisation, 1e film à base de silicium consiste en u__ silane, _a substance volat_le d'augmentation de conssue ,une phosphine et la substance volatile de diminuricn de conductivité consiste en méthane. Dans une forme de réalisation supplémentaire, le film à base de si!c:um consiste e.. un sil ane, la substance volatile d'augmentation de conductivité consiste en une phosphine, la substance volatile de diminu:ion de conductivité consiste en ammoniac et la seconde substance de diminution de conductivité consiste en méthane. Une seconde substance volatile de diminution de conductivité peut être introduite dans la chambre de dépôt. Dans une forme de réalisation préférée, des films à base de silicium amorphe ayant une conductivité électrique ajustée de manière précise et une faible contrainte sont produits par écoulement d'un mélange de gaz réactionnel dans chambre de dépôt chimique en phase vapeur amplifié car plasma. Le mélange gazeux réactionnel comprend sil , de l'ammoniac et une phosphine véhiculés par de l'hydrogène gazeux. En modifiant la teneur en phosphore ajustant la pression partielle de la phosphine, conductivité électrique de type n du film G base de silicium amorphe peut être modifiée, ce qui signifie que l'augmentation de la teneur en phosphore provoque une augmentation de 1a conductivité électrique. En modifiant la ;=er.eur en azote du gaz réactionnel par ajustement de la pression partielle d'ammoniac, la résistivité peut être modifiée, ce qui signifie que 1 `augmentas on de la teneur en azote provoque une augmentation de 1a rés-'_stivité du 1à base de silicium amorphe. Une variation idéale de résistivité pour les dispositifs d'affichage à émission par effet de champ est comprise dans l'intervalle d'environ 10' à environ 10' ohms. cm. Le procédé nouveau décrit dans la p r _ ése::t_@e invention cermet C ajuster la résistivité a _ film à base de silicium amorphe d'ans Pfnterras-e avantageux de 10- ,_ 100 ohms. cm. Les films produits par le procédé nouveau présentent une faible contrainte traction, ce qui. fait qu'un gauchissement ou un arrachement des films à partir des substrats est évité. La présente invention concerne également un dispositiL d'affichage à émission par effet de champ produit par une techn i que de dépôt chimique en phase vapeur amplifié par plasma dans lacuel l e un mélange gazeux réactionnel comprenant un s i lane de ].'hydrogène, une phospn i ne (véhiculés dans l'hydrogène) et de l'ammoniac est utilisé pour produire un film à base de silicium amorphe ayant une conducti ..té électrique ajustée. En a,:sta__t. le débit cl c= chaque consrI `uangazeux, un f 1Lm a base de silicium amorphe ayant une conductivité électrique précisément ajustée une faible contrainte pour la formation d un dispositif à émission par effet de champ peut être obtenu. Parmi les avantages de la présente invention se trouvent suivants. La présente invention propose un procédé pour déposer des films à base de silicium amorphe- qui présentent ne conductivité ajustée et une faible contrainte dans un procédé ' dépôt chimique en phase vapeur ou un procédé de dépôt chimique en phase vapeur amplifié par plasma en incorporant des étapes simples de régulation du procédé. La présente invention propose également un procédé pour déposer des films à base de silicium amorphe qui présentent une conductivité ajustée et une faible contrainte dans , procédé de dépôt chimique en phase vapeur ou un procédé de dépôt chimique en phase vapeur amplifié par plasma en utilisant ur# mélange gazeux réactionnel co,tenanc P H, et ?1H-::. La présente invention propose en outre un procédé pour déposer deq films à basé de silicium amorphe qui présentent une conduc.ivité ajustée et une faible contrai=: __e dans ur= procédc de dépôt chimique en phase vapeur ou _... procédé 0 dép8c chimique en phase vapeur amplifié par plasma jusuar.t. les débits des gaz réactionnels dans la chambre réactionnelle. D' utres caractéristiques et avantages apparaîtront dans la -ration suivante, y compris sur les dessins n; les r?-, end ..'a r ions . La ?-igure l est une vue schématique en coupe à' ulze chambre de dépôt chimique en phase vapeur amplifié par arma, dans. laquelle le procédé conforme à la invention peut être mis en couvre. La figure ?_ est une vue agrandie en coupe d'un dispositif classique d'affichage par émission à effet- de champ. La figure 3 est un graphique illustrant dépendance de la résistivité vis-à-vis du rapport des débits entre PH3 et N H3. La figure n est un graphique illustrant dépendance de la contrainte vis-à-vis du rapport des débits entre PH et HH3. La figure 5 est un graphique de la resistivité de films à base de silicium amorphe représentée graphiquement en fonction du rapport des débits phosphine:méthane. La présente invention décrit un procédé perfectionné pour déposer des films à base de silicium amorphe ayant une conductivité électrique ajustée et une faible contrainte sur un substrat pour un dispositif électronique, tel qu'un dispositif d'affichage par émission à effet de champ, par une technique de dépôt chimique en phase vapeur amplifié car plasma. En référa~-:t initialement à la figure 1, il es,. reorésen-é une vue schématique en coupe d'un appareil 10 de démît .. _ . _ ique en phase vapeur amplifié par plasma dans lequel l e procédé conforme à la présent invention peu_ être mis en #uvre. Turner et al. décrivent un tel appareil dans _e brevet des Etats-Unis d'Amérique 1N 5 512 320. Une chambre de dépôt 1.? comprend un orifice à travers .une paroi supérieure 14 et une première électrode ou un collecteur d'admission de gaz 16 à l'intérieur de l'orifice. E._ variante, 1a paroi supérieure 14# peut être pleine, l'électrode :6 étan_. adjacente à sa surface intérieure. Dans la chambre 1 2 se trouve un suscepreur 1 8 sous forme d'une plaque qui s'étend parallèlement à la prem. é rcélectrode 16. Le susceoteur 18 est cors: _ tué l :. tue l: emeni d alümini_ et est revêtu d'une couche d'oxyde d'aluminium. Le suscepteur 18 est connecté à la terre, ce qui fait qu'il sert de seconde électrode de manière à connecter la source RF 36 aux deux électrodes 16 et 18. Le suscepteur 18 est monté sur 1extréminé d'un arbr_ 2i0 qui s eend .ercicalemenc à travers une paroi inférieure de la chambre de dépôt 12. L'arbre 20 est mobile verticalement de manière à permettre le mouvement du suscepteur 18 verticalement vers, et à distance de, la première électrode 16. Une plaque de levage 24 'étend horizontalement entre le suscepteur 18 et la paroi inférieure 22 de la chambre de dépôt 12, pratiquement parallèlement au suscepteur 18, et est mobile verticalement. Des broches de levage 26 font saillie verticalement vers le haut hors de la plaque de levage 24. Les broches de levage sont positionnées de manière à pouvoir s'étendre à travers des trous de levage 28 dans le suscepteur 18 et ont longueur légèrement supérieure à l'épaisseur du suscepteur 18. Bien qu'il existe seulement deux broches de levage 26 représentées sur la figure, il peut exister un plus grand nombre de broches de levage 26 espacées autour de la plaque de levage 24. Un orifice de sortie de gaz 30 s'étend à travers une paroi latérale 32 de la chambre de dépôt 12 et est connecté à un moyen (non représenté) pour mettre sous vide la chambre de dépôt 12. Un conduit d'admission de gaz 42 s'étend dans la première électrode ou le collecteur d'admission de gaz 16 de la chambre de dépôt 12 est connecté par un réseau de commutation de gaz (non représenté) à des sources (non représentées) de divers gaz. La première électrode 16 est connectée à une source de puissance RF 36. Une palette de transfert (non représentée) est habituellement présente pour porter les substrats à travers un sas d'introduction (non représenté) dans la chambre de dépôt 12 et sur le suscepteur 18, et également pour enlever le substrat revêtu de la chambre de dépôt 12. Lors du fonctionnement de l'appareil de dépôt 10, un substrat 38 est tout d'abord chargé dans la chambre de dépôt 12 et est placé sur le suscepteur 18 par la palette de transfert (non représentée). Le substrat 38 a des dimensions lui permettant de s'étendre sur les trous de levage 28 dans le suscepteur 18. Des dimensions couramment utilisees pour un substrat de dispositif d'affichage panneau plat sont approximativement des dimensions de 360 mm par 465 mm. Le suscepteur 18 est positionné au- dessus des broches de levage 26 en déplaçant l'arbre 20 vers haut de telle sorte que les broches de levage 26 ne s'étendent pas à travers les trous 28, et que le suscepteur 18 et le substrat 38 soient relativement proches de la première électrode 16. L'espacement d'électrode ou la distance entre la surface du substrat et la surface de décharge du collecteur d'admission de gaz 16 est compris dans l'intervalle d'environ 12 à environ 50 mm. Un espacement d'électrode plus apprécié est compris dans l'intervalle d'environ 20 à environ 36 mm. Avant la mise en ceuvre du procédé de dépôt de la présente invention, le substrat 38, qui peut consister en une grande feuille d'une matière transparente, est traité par des techniques bien connues. Après le traitement initial dans la forme de réalisation préférée, une couche supérieure contenant un métal sous forme d'un motif est déposée. début de la mise en ceuvre du procédé de dépôt de la présente invention, la chambre de dépôt 12 est tout d'abord mise sous vide par l'orifice de sortie de gaz 30. Le substrat muni d'un motif 38 est ensuite positionné sur le suscepteur 18. Le substrat 38 est maintenu à une température comprise dans l'intervalle d'environ 200 C à environ 400 C au cours du dépôt du film de silicium amorphe de la présente invention. Une plage de températures appréciée pour le substrat va d'environ 300 C à environ 350 C au cours dépôt. La pression est maintenue dans la chambre réactionnelle au cours du dépôt dans l'intervalle d'environ 66,6 Pa à environ 666,6 Pa, la pression préférée étant comprise dans l'intervalle d'environ 199,9 Pa à environ 333,3 Pa. Une description détaillée du traitement au moyen de cet appareil se trouve dans le brevet des Etats-Unis d'Amérique N 5 399 387 au nom de Law et al., cédé au présent Cessionnaire, qui est cité ainsi dans intégralite à titre de référence dans le présent mémoire La figure 2 représente une vue agrandie en coupe un dispositif classique d'affichage par émission à effet champ 50. dispositif 50 est formé en déposant une couche résistive 52 constituée d'un film à base de silicium amorphe sur un substrat en verre 54. Une couche isolante et une couche métallique servant de grille 58 sont ensuite formées successivement et attaquées de manière à former micropointes métalliques 60. Une structure de cathode est couverte par la couche résistive 52. Ainsi, une couche de silicium amorphe résistive mais relativement conductrice 52 est située sous une couche fortement isolante 56, telle qu'une couche de Si02. I1 est important de pouvoir ajuster la résistivité de la couche de silicium amorphe 52 de telle sorte qu'elle ne soit pas excessivement résistive mais qu'elle joue le rôle de résistance de protection pour empêcher un passage du courant excessif si une des micropointes 60 entre en court-circuit avec la couche métallique 58. Il faut noter que, bien qu'un dispositif d'affichage par émission à effet de champ soit représenté dans ce cas pour démontrer le procédé de la présente invention, le procédé n'est nullement limité à la fabrication de FED. Le procédé de la présente invention peut être utilisé dans la fabrication de n'importe quels dispositifs électroniques nécessitant le dépôt d'une couche ayant une résistivité ajustée. Une série d'essais a été effectuée sur des échantillons d'essai préparés par le procédé de la présente invention pour déterminer les effets des débits des gaz réactionnels sur la conductivité et la contrainte des films produits. Les résultats de ces essais sont résumés sur les tableaux 1 et 2. Exemple 1 L'exemple 1 illustre un procédé de dépôt pour un film de silicium amorphe intrinsèque qui ne contient pas de gaz dopants dans le mélange gazeux réactionnel. Le film est formé comme sous-produit d'une réaction de silane hydrogène dans un plasma sur un substrat chauffé. Le débit du silane est ajusté à 1000 cm 3/min en conditions normales (sccm) le débit d'hydrogène est ajusté à 1000 sccm, puissance du plasma (c'est-à-dire la puissance RF fournie à l'électrode 16) utilisée est de 300 W, la pression de la chambre est maintenue à 266,6 Pa, l'espacement d'électrode (c'est-à-dire l'espacement entre l'électrode 16 et le suscepteur 18) est maintenu à 2,44 cm, le suscepteur, ' chauffe le substrat par chauffage par contact, est maintenu à une température de 410 C, et la vitesse de dépôt obtenue est égale à 168 nm/min. Une fois achevée la mise en #uvre du procédé de dépôt, les films obtenus ont été testés pour obtenir les propriétés physiques suivantes : une contrainte de compression de 8,0 x 10$ dynes /cm2 et une résistivité 2,0 x ohms.cm. Exemple 2 L'exemple 2 illustre un procédé de dépôt pour silicium amorphe à dopage p, dans lequel le film a été déposé avec un courant de PH3 gazeux mais sans aucun NH3 gazeux Le débit du silane est égal à 1000 sccm, le débit de PH3 est égal à 0,5 sccm, le débit de l'hydrogène est égal ' 1000 sccm, la puissance RF utilisée est égale 300 W la pression de la chambre est égale à 226,6 Pa l'espacement du suscepteur est égal à 2,44 cm, la température du suscepteur est égale à 410 C et la vitesse de dépôt atteinte est égale à 156 nm/min. La phosphine est présente à une concentration de 0,5 % dans un véhicule consistant en hydrogène, dont il est fait par ailleurs mention dans les débits ainsi indiqués. Le film de silicium amorphe obtenu a une contrainte de compression de 1,7 x 109 dynes /cm2 et une résistivité de 1,7 x 102 ohms.cm. Exemple 3 Dans cet exemple, seul de l'ammoniac gazeux, et non du PH3 gazeux, est utilisé dans le mélange gazeux réactionnel. Le débit du silane gazeux utilisé est égal à 1000 sccm, le débit du NH3 est égal à 500 sccm, le débit d'hydrogène gazeux est égal à 1000 sccm, la puissance RF utilisée est égale à 300 W, la pression de la chambre est maintenue à 266,6 Pa, l'espacement d'électrode est égal à 2,44 cm, la température du suscepteur est égale à 410 C et la vitesse de dépôt de 135 nm/min a été obtenue. Les propriétés physiques du film qui ont été obtenues sont très différentes de celles obtenues dans l'exemple 2. La contrainte du film est, en mode de traction, égale 7,4 x 109 dynes /cm2. La résistivité du film mesurée a une valeur élevée égale à 2,2 x 101 ohms.cm. Exemple 4 Dans cet exemple, un gaz dopant constitué de PH3 et un gaz contenant de l'azote, consistant en NH3, sont utilisés dans mélange gazeux réactionnel. Le rapport des débits du PH3 et NH3 est de 1,25 x 10-2 à 1. Le débit du silane est égal à 1000 sccm, le débit du PH3 est égal à 2,5 sccm, le débit du NH3 est égal à 200 sccm et le débit de H2 égal à 1000 sccm. La puissance RF utilisée est égale à 600 W, la pression de la chambre est égale à 2,0 torrs, l'espacement des électrodes est égal à 2,44 cm, la température du suscepteur est égale à 400 C et la vitesse de dépôt obtenue est égale à 197 nm/min. Un film de silicium amorphe ayant une résistivivé avantageuse est obtenu. Les propriétés physiques du film sont mesurées, ce qui donne une contrainte de traction de 4,0 x 10$ dynes /cm2 et une résistivité de 1,6 x 105 ohms.cm. On notera que la valeur de résistivité est située approximativement au milieu entre les deux valeurs extrêmes indiquées dans l'exemple 2 et l'exemple 3, à savoir 1,7 x 102 et 2,2 x 101o. Exemple 5 Dans cet exemple, les deux gaz consistant en PH3 et NH3 sont utilisés dans le mélange gazeux réactionnel. Le rapport des débits du PH3 au NH3 est de 0, 75 x 10-2 à 1 . Dans ce procédé de dépôt chimique en phase vapeur, le débit du silane est égal à 1000 sccm, le débit du NH3 est égal à 200 sccm, le débit du PH3 est égal à 1,5 sccm, le débit de H2 est égal 1000 sccm, la puissance RF utilisée est égale à 600 W, la pression de la chambre est maintenue 266,6 Pa, l'espacement entre les électrodes est égal 2,44 cm, la température du suscepteur est maintenue à 400 C et une vitesse de dépôt de 197 nm/min est obtenue. Les propriétés physiques des films qui ont été obtenus consistent en une contrainte de traction de 1,3 x 109 dynes/cm2 et une résistivité de 9,6 x 105 ohms.cm. On constate que, en diminuant le débit du PH3 par rapport au débit de NH3, la résistivité du film, comparativement l'exemple 4, est accrue et la contrainte de traction est seulement légèrement accrue. Exemple 6 Dans cet exemple, les deux gaz consistant en NH3 et PH3 sont utilisés dans le mélange gazeux réactionnel. Le rapport des débits du PH3 au NH3 est de 1, 5 x 10-2 à 1. Dans le procédé de dépôt chimique en phase vapeur, un débit de silane de 1000 sccm est utilisé, un débit de PH3 de 1,5 sccm est utilisé, un débit de NH3 de 100 sccm est utilisé, un débit de H2 de 1000 sccm est utilisé, une puissance RF de 600 W est utilisée, une pression de la chambre de 266,6 Pa est utilisée, un espacement entre les électrodes de 2,44 cm est utilisé, une température du suscepteur de 400 C est utilisée et une vitesse de dépôt de 240 nm/min est obtenue. Des films de silicium amorphe ayant pour propriétés une contrainte de traction de 4,7 x 101 dynes/cm2 et une résistivité de 3,6 x 105 ohms.cm sont obtenus. Comparativement à l'exemple 5, on constate que, en diminuant la teneur en ammoniac dans le mélange gazeux réactionnel comparativement à la teneur en PH3, la résistivité du film déposé est réduite et la contrainte de traction est légèrement accrue. Exemple 7 Dans cet exemple, les deux gaz consistant en NH3 et PH3 sont utilisés dans le mélange gazeux réactionnel. Le rapport des débits du PH3 au NH3 est de 0,6 x 10-2 1 . Il est considéré qu'un rapport des débits de PH3:NH3 limité à 0,1 x 10- ou 0,O1:1 peut être utilisé. Dans le procédé de dépôt chimique en phase vapeur, le débit du silane est égal à 1000 sccm, le débit du NH3 est égal à 200 sccm, le débit du PH3 est égal à 1,5 sccm, le débit de H2 est égal à 1000 sccm la puissance RF utilisée est réduite à 400 W, la pression de la chambre est maintenue à 266,6 Pa, l'espacement entre les électrodes est égal à 2,44 cm, la température du suscepteur est maintenue à 400 C et une vitesse de dépôt de 180 nm/min est obtenue. Les propriétés physiques des films obtenus consistent en une contrainte de traction de 6,3 x 109 dynes/cm2 et une résistivité de 7,0 x 106 ohms.cm. On constate que, en augmentant le débit du NH3 comparativement à l'exemple 6, la résistivité du film est fortement accrue tandis que la contrainte de traction reste pratiquement constante. Exemple 8 Dans cet exemple, les deux gaz consistant en PH3 et NH3 sont utilisés dans le mélange gazeux réactionnel. Le rapport des débits de PH3 et NH3 est de 2, 5 x 10-2 à 1. Il est considéré qu'un rapport des débits de PH3:NH3 pouvant atteindre 1 x 10-1 ou 0,1:1 peut être utilisé. Dans le procédé de dépôt chimique en phase vapeur, le débit du silane est égal à 1000 sccm, le débit, le débit du NH3 est égal à 100 sccm, le débit du PH3 est égal à 2,5 sccm, le débit de H2 est égal à 1000 sccm, la puissance RF utilisée est égale à 400 W, la pression de la chambre est maintenue à 266,6 Pa, l'espacement entre les électrodes est égal à 2,44 cm, la température du suscepteur est maintenue à 400 C et une vitesse de dépôt de 190 nm/min est obtenue. Les propriétes physiques des films obtenus consistent en une contrainte de traction de 4,8 x 109 dynes /cm2 et une résistivité de 6,0 x 109 ohms.cm. On constate que, en augmentant le débit du PH3 et par comparaison l'exemple 7, la résistivité du film est fortement réduite tandis que la contrainte de traction reste pratiquement constante. Exemple 9 Dans l'exemple 9, un gaz dopant consistant en PH3 et de l'azote gazeux N2 sont utilisés dans un mélange gazeux réactionnel. Le débit du silane est égal à 1000 sccm, le débit du PH3 est égal à 2,5 sccm, le débit de N2 est égal à 1500 sccm et le débit de H2 est égal à 1000 sccm. La puissance RF utilisée est égale à 600 W, la pression de la chambre égale à 1,2 torr, l'espacement des électrodes est égal à 2,44 cm, la température du suscepteur est égale à 400 C et la vitesse de dépôt obtenue est égale à 190 nm/min. Un film de silicium amorphe ayant une résistivité avantageuse est obtenu. Les propriétés physiques du film sont mesurées, ce qui donne une contrainte de traction de 2,5 x 109 dynes /cm2 et une résistivité de 9,6 x 105 ohms.cm. De la manière prévue, l'augmentation de la concentration d'azote provoque une augmentation de la résistivité et une diminution de la conductivité. Exemple 10 Dans l'exemple 10, un gaz dopant consistant en PH3 et de l'azote N2 sont utilisés dans le mélange gazeux réactionnel. Le débit du silane est égal à 1000 sccm, le débit de PH3 est égal à 2,5 sccm, le débit de N2 est égal à 500 sccm et le débit de H2 est égal à 1500 sccm. La puissance RF utilisée est égale à 600 W, la pression de la chambre est égale à 266,6 Pa, l'espacement des électrodes est égal à 2,44 cm, la température du suscepteur est égale à 400 C et la vitesse de dépôt obtenue est égale à 194 nm/min. Un film de silicium amorphe ayant une résistivité avantageuse est obtenu. Les propriétés physiques du film sont mesurées, ce qui donne une contrainte de compression de 1,1 x 109 dynes/cm' et une résistivité de 8,2 x 102 ohms.cm. Les résultats sont en accord avec les résultats obtenus dans les autres exemples. Les exemples 1 à 3 présentés ci-dessus sont des exemples comparatifs préparés par des procédés de l'art antérieur. Les exemples 4 à 10 présentés ci-dessus illustrent les avantages pouvant être obtenus par la présente invention. Les résultats des exemples 1 à 10 sont présentés ci-dessous sur les tableaux 1 et 2. TABLEAU 1 Exemple 1 Exemple 2 Exemple 3 Exemple 4 Exemple 5 SiH4 l000 1000 l000 1000 1000 sccm PH3 __ V __ 2P5 1 sccm NH3 -- -- 500 200 sccnr p p3 __ __ __ 1,25 075 x102 H2 1000 l000 1000 l000 1000 sccm Puissance 300 300 300 600 600 W Pression 210 2@0 2,0 2,0 2t0 x133,32 Pa Espace 244 2,44 2,44 2,44 2,44 ment cm temp . 4l0 410 4l0 400 400 C Vitesse 168 l56 135 197 197 de depoh nm/min Contrain- C 8,0E8 C 1,7E9 T 7,4E9 T 4@OE8 T 1)3E9 te dvne/cm2 Résist@vi 210E9 1,7E2 2?2E10 1,6E5 96E5 té ohm TABLEAU 2 Exemple 6 Exemple T Exemple g Exemple 9 Exemple 10 SiH4 1000 1000 1000 1 000 1000 sccm PH3 1t5 1,5 2t5 2 1 5 2/5 sccm NH3 100 250 100 -- - sccm PH3 M3 1150 0f60 2,50 -- - x102 N 2 -- -- -- 1500 500 sccm HZ 1000 1000 1000 1000 1500 sccm Puissance 600 400 400 600 W Pression 2,44 2,44 2,44 2,44 ,44 x1 32 Pa Espacement 962 962 962 962 962 temp, 400 400 400 400 400 C Vitesse de 240 180 190 190 194 depot nm/min Contrainte T 4,7E9 T 6,3E9 T 4,8E9 T 2,5E9 C 1,1E9 dyne/cm' Résistivité 316E5 7,0E6 6,0E4 9,0E5 8,2E2 cm En mélangeant les gaz dopants consistant en PH3 et NH3 l'un l'autre à divers rapports en volume, c'est-à-dire dans l'intervalle d'environ 1000:1 à environ 10:1 pour le mélange NH3:PH3, il est possible d'obtenir les films de silicium amorphe ayant des valeurs de contrainte avantageuses et des valeurs de résistivité avantageuses. La figure 3 montre que, en modifiant la teneur en phosphine du mélange gazeux réactionnel, il est possible de faire varier la conductivité des films. Par exemple, l'augmentation de la teneur en phosphine provoque une augmentation de la conductivité du film puisque le phosphore est un donneur d'électrons. De manière similaire, la modification de la teneur en azote dans 1e mélange gazeux réactionnel provoque une modification de la résistivité du film obtenu puisque l'azote contribue à la propriété isolante du film. Par exemple, en augmentant la teneur en azote du mélange gazeux réactionnel, la résistivité du film de silicium amorphe obtenu est accrue. Un intervalle avantageux de résistivité du film à base de silicium amorphe de la présente invention va d'environ 103 à environ 107 ohms.cm. Cet intervalle peut être obtenu de la manière indiquée par les résultats présentés sur le tableau 1 et d'autres résultats expérimentaux non présentés sur ce tableau. Un intervalle apprécié de résistivité va d'environ à environ 106 ohms.cm. Ainsi, en utilisant le mélange gazeux réactionnel de la présente invention consistant en PH3 et NH3, il est possible de former un film à base de silicium amorphe ayant une conductivité ajustée une faible contrainte. Il est généralement préféré que la contrainte dans les films soit réduite au minimum. Les valeurs de contraintes doivent être maintenues dans l'intervalle de 109 dynes/cmz à 108 dynes/cmz. Comme le montre la figure 4, la valeur de tension reste pratiquement constante lors de la modification des rapports des débits PH3:NH3. Le procédé nouveau décrit dans le présent mémoire permet un ajustement convenable du type de contrainte dans le film de silicium amorphe déposé tout en permettant un choix prévisible de la résistivité résultante. Les exemples 1 à 8 utilisaient de l'ammoniac comme gaz contenant de l'azote. Les exemples 9 et 10 utilisaient de l'azote gazeux N2 comme gaz contenant de l'azote et ont produit des résistivités ajustables dans l'intervalle de 102 à 104 ohms.cm. Il est considéré qu'un autre gaz contenant de l'azote, tel que N20, donnerait des résultats similaires. On considère que l'azote est introduit dans la matrice de silicium amorphe en des teneurs bien supérieures à celles associées aux valeurs de dopage. Tandis que l'augmentation des concentrations du dopant P de type n semiconducteur provenant du PH3 provoque une augmentation des conductivités (une diminution des résistivités), l'augmentation de la concentration d'azote tend à augmenter la bande interdite électronique car la matière résultante passe progressivement du silicium amorphe au nitrure de silicium. Les bandes interdites plus étendues sont associées à une résistivité accrue. Ainsi, des effets similaires devraient être obtenus en utilisant des gaz contenant du carbone ou contenant de l'oxygène qui entraînent la matière vers le carbure de silicium semi- isolant et le dioxyde de silicium diélectrique. Par exemple, une substance volatile contenant du carbone (par exemple un gaz ou une sustance gazeuse) peut être introduite au cours du dépôt d'un film à base de silicium amorphe pour ajuster la conductivité du film déposé. Dans une forme de réalisation, du méthane (CH4) est introduit dans la chambre de dépôt avec une substance volatile contenant du silicium (par exemple un silane gazeux) et un dopant volatil (par exemple PH3 gazeux ou B2H6 gazeux) pour former un film à base de silicium amorphe. Comme le montre la figure 5, lorsqu'une phosphine gazeuse est utilisée comme dopant volatil, la résistivité du film déposé augmente lorsque le débit du méthane est accru par rapport au débit de la phosphine gazeuse (c'est-à-dire lorsque le rapport des débits PH3:CHq diminue). Ainsi, l'introduction d'une substance volatile contenant du carbone dans la chambre de dépôt tend augmenter la résistivité du film déposé, en considérant que les autres facteurs restent inchangés. Dans une autre forme de réalisation, une substance volatile contenant de l'azote (par exemple NH3, NZ ou N20) peut être introduite dans la chambre de dépôt avec une substance volatile contenant du carbone (par exemple CH9) et un dopant volatil (par exemple PH3 ou BZH6). Dans cette forme de réalisation, la substance volatile contenant du carbone et la substance volatile contenant de l'azote servent à accroître résistivité du film déposé, et le dopant volatil sert à augmenter la conductivité du film déposé. Dans n'importe laquelle de ces formes de réalisation, le film à base de silicium amorphe peut être formé par de nombreuses techniques de formation de films, comprenant des techniques de depôt chimique en phase vapeur (CVD), le dépôt chimique en phase vapeur amplifié par plasma (PECVD) et le dépôt physique en phase vapeur (PVD). Lorsque le film est formé par le procédé PVD, la substance volatile contenant du carbone peut être introduite dans la chambre de dépôt par pulvérisation cathodique RF d'une cible en carbure de silicium de grande pureté. Les exemples décrits ci-dessus présentent un film de silicium amorphe ayant une résistivité pouvant être ajustée dans la plage de 102 à 10' ohms.cm. On considère que la plage ajustable peut s'étendre à 101 ohms.cm en utilisant des quantités très limitées de phosphine, en particulier avec la forte concentration d'ammoniac de l'exemple 3. Ainsi, la présente invention propose un procédé pour obtenir de manière ajustable des résistivités comprises dans l'intervalle de 103 à 109 ohms.cm, qui n'étaient pas aisément obtenues dans l'art antérieur. Bien que la présente invention ait été décrite à titre illustratif, il doit être entendu que la terminologie utilisée est destinée à avoir une nature descriptive plutôt que limitative. En outre, bien que la présente invention ait été décrite en termes d'une de ses formes de réalisation préférées, il faut noter que l'homme de l'art appliquera aisément ces enseignements à d'autres variantes possibles de la présente invention. Par exemple, d'autres rapports de volumes entre les gaz dopants peuvent être utilisés convenablement à la place de ceux indiqués dans les exemples. Le gaz dopant consistant en PH3 des exemples provoque un dopage de type n. D'autres dopants de type n peuvent être utilisés avec la présente invention. I1 est possible également d'utiliser avec la présente invention des gaz dopants de type p, tels B2H6. L'hydrogène gazeux des exemples est moins réducteur NH3 et, ainsi, joue principalement le rôle de véhicule gazeux bien qu'il soit classique d'utiliser de l'hydrogene pour déposer du silicium amorphe de grande qualité. autres véhicules gazeux qui sont moins réducteurs que gaz contenant de l'azote peuvent être utilisés en remplacement de H2. Des exemples de ces véhicules gazeux consistent en Ar et He. En outre, bien que le procédé PECVD soit utilisé pour déposer des couches dans un dispositif d'affichage à émission par effet de champ, il est possible également d'utiliser d'autres procédés tels que le procédé pour déposer des films à base de silicium amorphe qui présentent une conductivité ajustée dans d'autres dispositifs à semiconducteurs. Il va de soi que la présente invention n'a été décrite qu'à titre explicatif, mais nullement limitatif, et que de nombreuses modifications peuvent y être apportées sans sortir de son cadre. REVENDICATIONS 1. Procédé pour former un film à base de silicium amorphe sur un substrat situé à l'intérieur d'une chambre de depôt (12), caractérisé en ce qu'il comprend les étapes consistant . à introduire une substance volatile à base de silicium dans la chambre de dépôt (12) ; à introduire dans la chambre de dépot une substance volatile d'augmentation de conductivité comprenant un ou plusieurs constituants pour accroître la conductivité du film à base de silicium amorphe ; et à introduire dans la chambre de dépôt (12) une substance volatile de diminution de conductivité comprenant un plusieurs constituants pour diminuer la conductivité du film à base de silicium amorphe. 2. Procédé suivant la revendication 1 caractérisé en ce que la substance volatile d'augmentation de conductivité et la substance volatile de diminution de conductivité sont introduites dans la chambre de dépôt à des débits relatifs respectifs choisis pour parvenir à une résistivité désirée du film. 3. Procédé suivant la revendication 2 caractérisé en ce que les débits relatifs sont choisis pour parvenir à une résistivité du film d'environ 103 à 10' ohms. cm. 4. Procédé suivant la revendication 1 caractérisé en ce que la substance volatile d'augmentation de conductivité consiste en phosphine et la substance volatile de la diminution de conductivité consiste en ammoniac, la phosphine et l'ammoniac étant introduits dans la chambre de dépôt à un rapport des débits compris dans l'intervalle d'environ 1:1000 à environ 1:10 (phosphine:ammoniac). 5. Procédé suivant la revendication 1, caractérisé en ce que la substance volatile d'augmentation de conductivité consiste en phosphine et la substance volatile de diminution de conductivité consiste en méthane, la phosphine et le méthane étant introduits dans la chambre de dépôt à un rapport des débits compris dans l'intervalle d'environ 1:100 à environ 1:1 (phosphine:méthane). 6. Procédé suivant la revendication 1, caractérisé en ce que la substance volatile d'augmentation de conductivité comprend un dopant. 7. Procédé suivant la revendication 6, caractérisé en ce que le dopant comprend un dopant de type n. 8. Procédé suivant la revendication 7, caractérisé en ce que le dopant de type n comprend le phosphore. 9. Procédé suivant la revendication 6, caractérisé en ce que le dopant comprend un dopant de type p. 10. Procédé suivant la revendication 9, caractérisé en ce que le dopant de type p comprend le bore. 11. Procédé suivant la revendication 1, caractérisé en ce que le film à base de silicium amorphe est caractérisé par une bande interdite, et la substance volatile de diminution de conductivité comprend un constituant augmentation de bande interdite qui accroît la bande interdite du film à base de silicium amorphe par rapport à un film formé dans des conditions similaires mais sans constituant d'augmentation de bande interdite. 12. Procédé suivant la revendication 1, caractérisé en que la substance volatile de diminution conductivité comprend l'azote. 13. Procédé suivant la revendication 12, caractérisé ce que la substance volatile de diminution conductivité comprend l'ammoniac. 14. Procédé suivant la revendication 1, caractérisé en que la substance volatile de diminution conductivité comprend N20. 15. Procédé suivant la revendication 1, caractérisé en que la substance volatile de diminution conductivité comprend le carbone. 16. Procédé suivant la revendication 15, caractérisé ce que la substance volatile de diminution de conductivité comprend le méthane. 17. Procédé suivant la revendication 1, caractérisé en ce que film à base de silicium consiste en un silane, la substance volatile d'augmentation de conductivité consiste en phosphine et la substance volatile de diminution de conductivité consiste en ammoniac. 18 Procédé suivant la revendication 1, caractérisé en ce que le film à base de silicium consiste en un silane, la substance volatile d'augmentation de conductivité consiste en phosphine, et la substance volatile de diminution de conductivité consiste en méthane. 19. Procédé suivant la revendication 1, caractérisé en ce qu'il comprend en outre l'introduction dans la chambre de dépôt d'une seconde substance volatile de diminution de conductivité. 20. Procédé suivant la revendication 19, caractérisé en ce que le film à base de silicium consiste en un silane, la substance volatile d'augmentation de conductivité consiste en phosphine, la première substance volatile de diminution de conductivité consiste en ammoniac et seconde substance volatile de diminution de conductivité consiste en méthane. 21. Dispositif d'affichage par émission à effet champ, caractérisé en ce qu'il comporte un substrat fabriqué suivant la revendication 1. 22. Dispositif électronique, caractérisé en ce qu'' comporte un substrat fabriqué suivant la revendication 1. 23. Dispositif d'affichage à panneau plat, caractérisé en ce qu'il comprend un substrat fabriqué suivant revendication 1. 24. Procédé pour former un film à base de silicium amorphe sur un substrat situé à l'intérieur d'une chambre de dépôt, caractérisé en ce qu'il comprend l'introduction d'une substance volatile à base de silicium dans la chambre de dépôt ; l'introduction de phosphine dans la chambre de dépôt ; et l'introduction d'une substance volatile contenant de l'azote dans la chambre de dépôt. Dispositif d'affichage par émission à effet champ, caractérisé en ce qu'il comprend un substrat fabriqué suivant la revendication 24. . Dispositif électronique, caractérisé en ce qu'' comporte un substrat fabriqué suivant la revendication 24. 27. Dispositif d'affichage à panneau plat, caractérisé en ce qu'il comporte un substrat fabriqué suivant revendication 24. 28. Procédé pour former un film à base de silicium amorphe sur un substrat situé à l'intérieur d'une chambre de dépôt, caractérisé en ce qu'il comprend l'introduction d'une substance volatile à base de silicium dans la chambre de dépôt ; l'introduction de phosphine dans la chambre de dépôt ; et l'introduction d'une substance volatile contenant du carbone dans la chambre'de dépôt. Dispositif d'affichage par émission à effet champ, caractérisé en ce qu'il comporte un substrat fabriqué suivant la revendication 28. . Dispositif électronique, caractérisé en ce qu'' comporte un substrat fabriqué suivant la revendication 28. 31. Dispositif d'affichage à panneau plat, caractérisé en ce qu'il comporte un substrat fabriqué suivant la revendication 28.