FR 2798774 A1 20010323 FR 0011968 A 20000920 PROCEDE DE FIXATION DE PUCE HDI POUR UN TRAITEMENT REDUIT La présente invention concerne des procédés pour la fabrication de circuits HDI (High Density Interconnect), et plus particulièrement de tels procédés qui réduisent le nombre d'étapes de traitement. Les circuits HDI sont formés en montant puces semiconductrices ou plus de manière que les surfaces comportant des électrodes soient coplanaires, puis en appliquant couche de matériau diélectrique visuellement transparent, absorbant l'ultraviolet, généralement du polyamide, sur l'électrode ou en fixant les côtés renforcés des puces semiconductrices juxtaposées. laser est aligné optiquement sur la position de chaque puce à travers le diélectrique transparent et un faisceau laser ultraviolet est utilisé pour faire des trous dans le matériau diélectrique aux emplacements électrodes des puces semiconductrices. Une fabrication de HDI améliorée est souhaitable. Une fois que les trous sont formés dans le matériau diélectrique dans un procédé de l'art antérieur pour fabriquer des structures HDI, et que les trous sont transformés en trous de passage conducteurs par ajout de métallisation, une étape supplémentaire est requise, qui est l'étape d'ajout de traces d'interconnexion individualisées entre l'ensemble de trous de passage de chaque puce semiconductrice, quelle que soit l'orientation qu'elles puissent avoir, selon le motif d'interconnexion standardisé. Cette tâche est réalisée formant une région "adaptative" sur le matériau diélectrique autour de chaque puce semiconductrice, dans laquelle des traces individualisées sont ajoutées pour connecter les différents trous de passage selon motif d'interconnexion standardisé. Selon un aspect de l'invention afin de réduire nombre d'alignements du laser requis pour faire les trous dans le film d'interconnexion diélectrique et réduire ainsi le coût de fabrication, des ouvertures sont préformées dans le film diélectrique, en utilisant gravure directe avec un laser ou un laser et un masque, aux emplacements auxquels les électrodes à interconnecter se trouveraient si les montages de puce semiconductrice étaient parfaits. Ces trous peuvent être formés en illuminant le film diélectrique à travers les ouvertures d'un masque direct ou de projection qui s'étend sur l'intégralité la surface du film HDI. Si le faisceau laser couvre le masque entier alors il n'est plus nécessaire de faire les ouvertures. Si le faisceau laser ne couvre pas le masque, alors il peut être balayé ou déplacé pas à pas sur la surface du masque, de façon à former des ouvertures dans le film diélectrique sous-jacent aux emplacements des régions transparentes ou trous dans le masque. En alternative à l'utilisation d'un masque, la gravure directe au laser peut être utilisée pour faire les ouvertures. Une fois que les trous sont formés dans le film diélectrique, les puces semiconductrices sont montées sur une première face ou face exposée du film, avec leurs différentes électrodes au-dessus des trous. Cette procédure peut utiliser une robotique "prélever et placer", en observant la face exposée du film, pour placer les puces au-dessus des trous. Ce placement peut être facilité davantage par un appareil d'alignement optique, en observant la face opposée du film, pour aligner les électrodes visibles à travers les trous dans le film, afin d'effectuer l'alignement final. Les puces semiconductrices peuvent être maintenues en place par tout moyen, tel qu'une couche de matériau adhésif non cuit appliquée sur la face exposée du film, et perforée avec le matériau du film lui-même. A ce stade de la fabrication les puces sont parfaitement alignées avec les trous de passage, qui sont parfaitement alignés avec le masque représentant un alignement parfait. Si le montage des puces semiconductrices sur le film diélectrique est effectué à l'aide d'adhésif non cuit, l'adhésif peut ensuite etre cuit. Le motif d'interconnexion peut être appliqué aux trous de passage au moyen d'un masque supplémentaire qui correspond aux trous parfaitement alignés, éliminant ainsi la nécessité d'une région adaptative. Les étapes restantes du traitement HDI sont conventionnelles. Plus particulièrement, un procédé selon un aspect de l'invention, pour interconnecter des contacts électriques de puces semiconductrices dans un contexte HDI, comprend l'étape d'application d'énergie laser pour produire des ouvertures ou trous de passage dans un film diélectrique selon un motif correspondant aux emplacements idéaux des électrodes ou bornes de puces semiconductrices correctement placées sur un film diélectrique. Ce masque peut etre suffisamment grand pour couvrir une pluralité de circuits HDI formés sur un substrat, ou peut ne couvrir qu'un seul circuit HDI. L'énergie laser est appliquée à un film diélectrique à travers des ouvertures ou regions transparentes du masque, afin de produire ainsi le motif idéal de trous dans le film. Des puces semiconductrices sont montées une première face du film diélectrique, les électrodes étant en correspondance avec les trous. Ceci a pour effet de permettre le montage des puces semiconductrices à leurs emplacements ideaux. Le montage des puces semiconductrices peut être réalisé par application d'adhésif non cuit sur la première face du film avant la formation des ouvertures dans le film. L'adhésif est ensuite cuit, sans laisser les trous se fermer. Un matériau électriquement conducteur, tel qu'une métallisation, est appliqué sur une deuxième face du film et au moins sur les côtés des trous, de façon à interconnecter les électrodes selon le motif d'interconnexion du matériau électriquement conducteur. Specifiquement, la présente invention concerne un procédé pour interconnecter des contacts électriques de puces semiconductrices dans un contexte HDI, ledit procédé comprenant les étapes consistant à appliquer une énergie laser à un film diélectrique, pour produire ainsi un motif de trous dans ledit film, ledit motif correspondant en position emplacements des électrodes des puces semiconductrices correctement alignés dans une structure HDI ; monter des puces semiconductrices sur une première face dudit film diélectrique, lesdites électrodes étant en correspondance avec lesdits trous, de façon que lesdites puces présentent un alignement correct; appliquer un matériau électriquement conducteur sur une deuxième face dudit film et au moins sur les côtés desdits trous, de façon a interconnecter lesdites électrodes selon le motif d'interconnexion dudit matériau électriquement conducteur. La présente concerne également un procédé pour interconnecter les contacts électriques de puces semiconductrices dans un contexte HDI, ledit procédé comprenant les étapes consistant à produire un masque optique définissant un motif idéal d'électrodes de puces semiconductrices correctement alignées dans une structure HDI ; appliquer une énergie laser à travers ledit masque à un film diélectrique, pour produire ainsi ledit motif idéal de trous dans le film ; monter des puces semiconductrices sur une première face dudit film diélectrique, lesdites électrodes étant correspondance avec lesdits trous ; appliquer un matériau électriquement conducteur sur une deuxième face dudit film et au moins sur côtés desdits trous, de façon à interconnecter lesdites électrodes selon le motif d'interconnexion dudit matériau électriquement conducteur. De plus, la présente invention concerne une structure HDI réalisée selon un procédé comprenant les étapes consistant à appliquer une énergie laser à un film dielectrique, pour produire ainsi un motif de trous dans ledit film, ledit motif correspondant aux emplacements des électrodes des puces semiconductrices correctement alignés dans ladite structure HDI ; monter des puces semiconductrices sur une première face dudit film diélectrique, lesdites électrodes étant en correspondance avec lesdits trous, de manière que lesdites puces presentent un alignement correct; et appliquer un matériau électriquement conducteur sur une deuxième face dudit film et au moins sur côtés desdits trous, de façon à interconnecter lesdites électrodes selon le motif d'interconnexion dudit matériau électriquement conducteur. L'invention sera décrite à présent en regard des dessins annexés dans lesquels la figure la est une vue en perspective simplifiée d'une partie du procédé selon un aspect de l'invention, la figure lb est une vue en coupe transversale de la figure la, la figure 1c est une coupe transversale similaire représentant les résultats d'une étape dans le procédé ; la figure 2 est une représentation en perspective simplifiée d'une étape d'insertion selon un aspect du procédé l'invention ; et les figures 3a, 3b, 3c, 3d et 3e représentent le résultat d'autres étapes du procédé selon un aspect de l'invention. Sur la figure la, une feuille diélectrique 10 est étirée par un dispositif de cerceau à ressort ou d'anneau à ressort 12, qui maintient la feuille 10 tendue, avec sa grande surface 1 par dessus. La feuille 10 peut être préimprimée sur sa surface inférieure (non visible sur la figure la) avec un motif de conducteurs électriques 16 dans différentes régions 14. Ces conducteurs préimprimés électriques, dans le de circuits hyperfréquence, peuvent être utilisés comme plan de base. Un masque 20 définit une pluralité d'ouvertures, dont certaines sont désignées par 22, groupées dans des régions 24. Les régions du masque sont en correspondance avec des régions 14 sur film diélectrique 10. Dans chaque région 24 du masque 20, chaque ouverture 22 est en correspondance avec une région dans laquelle interconnexion doit être effectuée entre des couches de diélectrique plusieurs couches sont présentes). Dans le cas où une seule couche de diélectrique est utilisée, telle que la couche 10, les ouvertures dans le masque 20 sont sélectionnées pour recouvrir les régions dans lesquelles électrode d'une puce doit faire connexion avec un motif conducteur, qui doit ensuite être appliqué sur le côté supérieur du film Les ouvertures, telles que les ouvertures 22a de la figure lb, peuvent etre situées dans des régions couvrant les régions de métallisation 16 de façon à "délimiter", percer ou former des ouvertures à travers lesquelles un contact peut être réalisé entre les couches de métallisation, comme, exemple, pour la réalisation des connexions de masse. Les ouvertures 22b de la figure lb dans le masque 20 peuvent être réalisées emplacements auxquels les trous sont souhaités pour réaliser des connexions aux électrodes des puces à ajouter dans une étape ultérieure. La figure lb représente également une couche 1? d'adhésif appliquée sur la face inférieure 101s de la feuille diélectrique 10 et ses métallisations 16. On notera que chaque région 14 correspond à la région qui, à la fin du procédé, est associée à un circuit HDI complet. Par conséquent, la surface du film 10 représentée sur la figure la peut supporter la fabrication de six circuits HDI. Evidemment, ces circuits sont découpés ou séparés après la fabrication du lot. Comme indiqué sur la figure la, les dimensions préférées du masque 20 doivent permettre la réalisation de toutes les ouvertures pour tous les circuits HDI en une seule opération. Cependant, il est suffisant pour les besoins de l'invention que le masque 20 couvre ou s'étende sur une région de circuit HDI 14 complète, de façon que les ouvertures formées dans celle-ci soient correctement ou idéalement en correspondance. Sur la figure la, un faisceau laser désigné par 30 provenant d'une source (non représentée) est balayé ou déplacé pas à pas dans deux dimensions mutuellement orthogonales sur le masque 20, comme indiqué par les flèches 32 et 34. Naturellement, si le faisceau laser est assez large pour couvrir l'intégralité du motif du masque 20, le balayage le déplacement pas à pas n'est pas nécessaire. Si le masque 20 comporte des ouvertures ou des régions transparentes, la lumière du faisceau laser 30 passe à travers pour illuminer le film sous-jacent 10. figure 1c représente une coupe transversale d'une partie de la structure de la figure la correspondant à celle de la figure lb, représentant les trous 42a formés dans le film diélectrique 10 par le faisceau laser traversant les ouvertures 22a surplombant des parties de la métallisation 16, et les trous 42b formés dans la feuille diélectique 10 et la couche adhésive sous-jacente 17 par la lumière laser traversant les ouvertures 22b à des emplacements qui ne surplombent pas de metallisation 16. Sur la figure 1c, les ouvertures correspondant à celles formées par la lumière laser traversant les ouvertures 22a sont désignées par 42a, et celles formées par la lumière traversant les ouvertures 22b sont désignées par 42b. Les trous formés par la lumière traversant les ouvertures 22b s'étendent depuis la surface supérieure 1 du film diélectrique 10 à la surface inférieure 171s de la couche d'adhésif 17. De façon à ce que le faisceau lumineux 30 de la figure la forme les ouvertures 42a et 42b de la figure l c, le film diélectrique 10, et la couche d'adhésif 17, si elle est utilisée, doit être absorbante à la longueur d'onde du faisceau laser, afin que l'ablation puisse se produire. Dans le cas où le film diélectrique 10 est en polyimide, l'absorption se produit dans l'ultraviolet, et particulièrement à 248 nanomètres. L'énergie laser traversant les trous élimine film diélectrique, et tout adhésif appliqué sur la face arrière du film pour former un motif de trous en correspondance ou en alignement avec le motif de trous ou ouvertures 22 dans le masque 20. La figure 2 est un diagramme simplifié d'une autre étape du procédé de l'invention. Si la feuille diélectrique de la figure ne comporte pas de métallisation préalable, la seule contrainte sur la face sur laquelle les puces semiconductrices sont placées est celle établie par le motif de trous dans la feuille diélectrique. Si, d'autre part, un motif de métallisation, tel que le motif 16 des figures lb et 1c a déjà été établi avant la formation des trous, la feuille diélectrique 10 doit être retournée, façon que la face visible soit la face 101s, ou 171s si un adhésif est utilisé. Dans l'étape du procédé représentée sur la figure 2, une machine de prélèvement et mise en place, généralement désignée par 220, comprend un élément articulé comportant des bras 222a et 222b supportant un support de puce 222c, et est associée à un dispositif vision électronique comportant des caméras 224 et 226. La machine 220 prélève les puces semiconductrices, telles que la puce 230c de la figure 2, et les oriente sur les ouvertures prépercées 42b 42a, le cas échéant), et les dépose sur la couche adhésive en faisant correspondre les électrodes, les pastilles de borne ou les pastilles connexion auxquelles les connexions sont formées avec les ouvertures correspondantes. Pour cela, la machine est associée à deux systèmes de vision séparés mais en interaction 224 et 226. Le système de vision 224 visualise la surface supérieure 171s du film pour déterminer les emplacements et les orientations des motifs de trou, et le système de vision 226 observe, par dessous, la face inférieure (la face de connexion électrique) de la puce 230c tenue par le bras de préhension 222c, afin de déterminer la position en rotation de son motif d'électrodes. Une telle machine est disponible dans le commerce sous le nom de modèle 505, fabriqué par Micro Robotics Systems Inc., 25 Industrial Ave., Chelmsford, MA 01824. La machine place chacune des puces sur la partie appropriée du motif d'ouvertures, comme indiqué sur la figure 2, sur laquelle deux puces, à savoir les puces 230a et 230b, ont été placées sur une des nombreuses régions 14. Une troisième puce, désignée par 230c, est tenue par le support 222c de la machine 220 sur la figure 2, et doit être placée sur une deuxième région 14. Par conséquent, chaque région 14 représentée sur la figure 2, correspondant à un circuit HDI, est associée à deux puces. Etant donné que la face adhésive du film est vers le haut, les puces sont maintenues en place par l'adhésif collant jusqu'à ce que l'adhésif soit ultérieurement cuit. Etant donné que les ouvertures 42a, 42b de la figure 1c, avec lesquelles les puces placées sont en correspondance dans l'étape représentée sur la figure 2, sont elles-mêmes formées dans un masque qui place précisément toutes les ouvertures pour au moins une région 14, toutes les puces placées sur une région 14 particulière sont précisément placées par rapport à toutes les autres puces placées dans la même région. Bien sûr, il est préférable que le masque 20 soit dimensionné de façon à former simultanément toutes les ouvertures 42a, 42b dans toutes les régions 14 sur un film particulier 10. Si les métallisations existantes, telles que les métallisations 16 de la figure lb, sont également placées à l'aide d'un masque en correspondance avec le masque de formation des ouvertures, les puces sont également précisément placées par rapport à une telle métallisation existante. Après l'étape représentée sur la figure 2, l'adhésif 17 est cuit par cuisson, de façon à empêcher tout mouvement des puces rapport au film 10. Ensuite, deux opérations peuvent être effectuées, dans 'importe quel ordre. Ces étapes sont (a) l'encapsulation des puces dans un encapsulant, qui peut être, par exemple, une résine époxy chargée, et (b) la formation des interconnexions électriquement conductrices connectant les puces sur la face lOus du film. L'étape de formation des connexions électriquement conductrices indiquée (a) ci-dessus est illustrée à l'aide des figures 3a et Sur la figure une couche de métallisation 310 est appliquée sur l'intégralité de la partie appropriée de la surface supérieure 10us du film diélectrique 10. Cette couche de métallisation 310 s'étend dans les trous preformés 42a et 42b, réalisant la connexion de la couche de métallisation 310 avec la ou les couche(s) de métallisation inférieure(s) 16, ainsi qu'avec les électrodes, telles que l'électrode 230be des puces précédemment placées, comme, par exemple, la puce 230b. Après l'étape représentée sur la figure 3a, la métallisation est recouverte par une couche de réserve 330, comme illustré sur la figure 3b. La couche de réserve 330 est exposée à une source 339 de lumière ' travers un autre masque 340 en correspondance avec le motif d'ouvertures ou avec des marques de correspondance placées sur le film, comme illustré sur la figure 3c. Le masque 340 comprend des parties transparentes ou ouvertures 342,à travers lesquelles la lumière, représentée par les symboles de photon 344, peut passer pour exposer la couche de réserve 330. Les couches de réserve ainsi exposées peuvent alors être éliminées par un solvant, mais l'aspect de la structure après exposition est identique à celui de la figure 3b. Après l'étape représentée la figure 3b, les parties exposées de la couche de réserve 330 sont eliminées par lavage retirées, comme indiqué sur la figure 3d, en laissant la réserve 330 dans les zones dans lesquelles la métallisation doit rester. La couche de métallisation 310 de la figure 3d et sa réserve profilée 330 sont exposées à un agent de gravure, et les parties exposées de la métallisation sont éliminées par attaque chimique, laissant la métallisation recouverte de réserve 330 selon un motif 320, comme indiqué sur la figure 3e. Le motif 320, tel que décrit, est réalise à l'aide d'un masque qui s'étend sur au moins un circuit HDI complet, de la même façon que le masque 20 de la figure la et s'étend sur moins une région 14 de circuit HDI complète. Comme décrit, les étapes de la formation du motif électriquement conducteur sur la surface supérieure lOus du film 10 conduisent à la connexion entre l'ouverture plus à gauche 42a et l'ouverture 42b, mais pas entre l'ouverture 42b et l'ouverture la plus à droite 42a. Les étapes associées aux figures 3a à 3f sont conventionnelles, et ne requièrent pas d'explication supplémentaire. D'autres techniques conventionnelles pour former motif électriquement conducteur sur la surface lOus peuvent être utilisées à la place des étapes décrites en rapport avec les figures 3a et 3b. L'etape d'encapsulation des puces indiquée (b) ci-dessus est conduite de manière conventionnelle. En résumé, ce procédé consiste à - placer paroi de rétention amovible autour des puces 230a, 230b, ... sur la face film-adhésif représentée sur la figure 2, suivie par le dépôt d'un matériau de moulage dans la région interne de la paroi. Le matériau de moulage est cuit et la paroi de rétention est retirée. Les figures 3a, 3b, 3c, 3d, 3e et 3f représentent, en lignes fictives, le matériau de moulage cuit 390 appliqué sur la couche adhésive 17 dans la région entourant la puce 230b. D'autres modes de réalisation de l'invention apparaîtront aux personnes versées dans l'art. Par exemple, bien que les conducteurs de métallisation sur le film diélectrique aient été décrits comme étant sur une face du film, les deux faces peuvent comporter de tels dépôts ou traces conducteurs. Bien que seulement deux puces aient été décrites comme étant associées à chaque circuit HDI, et six circuits pour un lot de fabrication, il est possible d'associer un nombre beaucoup plus important de puces à chaque circuit HDI, le nombre de circuits HDI qui peuvent être traités dans un lot pouvant être superieur ou inférieur à six, suivant la quantité requise, les tailles relatives des régions de circuit HDI et la capacité dimensionnelle de fabrication de lot, ainsi que de nombreux autres facteurs. Par conséquent, un procédé selon un aspect de l'invention, pour interconnecter des contacts électriques ou électrodes 230be de puces semiconductrices 230a, 230b, 230c dans un contexte HDI, comprend l'étape consistant à former dans un film diélectrique un motif de trous correspondant aux emplacements idéaux des électrodes des puces semiconductrices correctement alignées sur le circuit Ceci peut être effectué par gravure directe au laser ou en produisant un masque optique 20 définissant un motif idéal d'électrodes de puces semiconductrices correctement alignées dans la structure HDI. Ce masque peut être suffisamment grand pour couvrir pluralité de circuits HDI formés sur un substrat, ou bien il peut ne couvrir qu'un seul circuit HDI. L'énergie laser 30 est appliquée à un film diélectrique 10 ; 10, 17 directement ou à travers des ouvertures ou régions transparentes 22 du masque, pour réaliser ainsi le motif idéal de trous dans le film. Des puces semiconductrices 230a, 230b, 230c sont montées sur une première face 101s, 171s du film diélectrique, les électrodes 230be étant en correspondance avec les trous correspondants 22. Ceci a pour effet de monter les puces semiconductrices 230a, 230b, 230c à leurs emplacements idéaux sur l'intégralité du circuit HDI. L'étape de montage peut être conduite en appliquant un adhésif non cuit sur une première face du film diélectrique avant l'étape de formation des trous dans le film, de façon que trous traversent l'adhésif. Après l'application des puces semiconductrices sur l'adhésif, l'adhésif est cuit sans fermer les ouvertures. Un matériau électriquement conducteur 310, tel qu'une métallisation, est appliqué sur une deuxième face lOus du film 10 et sur moins les côtés des trous 42a, 42b, de façon à interconnecter les électrodes 230be selon le motif d'interconnexion 320 du matériau électriquement conducteur 310. Si le film est recouvert d'adhésif cuit, l'étape d'application de matériau électriquement conducteur comprend l'application du matériau sur les côtés des trous dans l'adhésif cuit. REVENDICATIONS 1. Procédé d'interconnection contacts électriques de puces semiconductrices dans un contexte HDI, caractérisé en ce qu'il comprend les étapes consistant à-: appliquer une énergie laser (30) à un film diélectrique (10 ; 10, 17), pour produire ainsi un motif trous dans ledit film, ledit motif correspondant en position aux emplacements des électrodes (230be) des puces semiconductrices (230a, 230b 230c) correctement alignés dans une structure HDI ; monter des puces semiconductrices (230a, 230b, 230c) sur une première face (101s, 171s) dudit film diélectrique (10 ; 10, 17), lesdites électrodes (230be) étant en correspondance avec lesdits trous (22), de manière que lesdites puces présentent un alignement correct ; et appliquer un matériau électriquement conducteur (310) sur une deuxième face (l0us) dudit film et au moins sur les côtés desdits trous (42a, 42b), de façon à interconnecter lesdites électrodes (230be) selon le motif d'interconnexion (320) dudit materiau électriquement conducteur. 2. Procédé selon la revendication 1, caractérisé en ce que ladite étape d'application d'énergie laser comprend les étapes consistant à produire un masque optique (20) définissant un motif idéal d'électrodes (230be) de puces semiconductrices (230a, 230b, 230c) correctement alignées dans une structure HDI ; appliquer ladite énergie laser (30) audit film diélectrique (10 ; 10, 17) à travers une des ouvertures ou régions transparentes (22) dudit masque (20). 3. Procédé selon la revendication 1, caractérisé en ce que ladite étape de montage de puces semiconductrices (230a, 230b, 230c) sur une première face (l 01s, 171s) dudit film diélectrique (10 ; 10, 17) comprend l'étape consistant à appliquer un adhésif non cuit sur ladite première face dudit film diélectrique avant ladite étape d'application d'énergie laser, à monter lesdites puces semiconductrices sur ledit adhésif non cuit et à cuire ledit adhésif. 4. Procédé pour interconnecter contacts électriques de puces semiconductrices (230a, 230b, 230c) dans un contexte HDI, ledit procédé comprenant les étapes consistant à produire un masque optique (20) définissant un motif idéal d'électrodes (230be) de puces semiconductrices (230a, 230b, 230c) correctement alignées dans une structure HDI ; appliquer une énergie laser (30) à travers ledit masque (20) - un film diélectrique (10 ; 10, 17), pour produire ainsi ledit motif idéal de trous dans ledit film ; monter des puces semiconductrices (230a, 230b, 230c) sur première face (lots, 171s) dudit film diélectrique, lesdites électrodes (230be) étant en correspondance avec lesdits trous ; appliquer un matériau électriquement conducteur (310) sur une deuxieme face (l0us) dudit film et au moins sur les côtés desdits trous (42a, 42b), de façon à interconnecter lesdites électrodes (230be) selon le motif d'interconnexion (320) dudit matériau électriquement conducteur. Structure HDI réalisée selon un procédé comprenant les étapes consistant à appliquer une énergie laser (30) à un film diélectrique, pour produire ainsi un motif de trous dans ledit film, ledit motif correspondant en position aux emplacements des électrodes (230be) des puces semiconductrices (230a, 230b, 230c) correctement alignés dans une structure HDI ; monter des puces semiconductrices (230a, 230b, 230c) sur une premiere face (101s, 171s) dudit film diélectrique, lesdites électrodes étant en correspondance avec lesdits trous, caractérisée en ce lesdites puces présentent un alignement correct ; et appliquer un matériau électriquement conducteur (310) sur deuxième face (10us) dudit film et au moins sur les côtés desdits trous (42a, 42b), de façon à interconnecter lesdites électrodes selon le motif d'interconnexion (320) dudit matériau électriquement conducteur.