FR 2795183 A1 20001222 FR 9907542 A 19990615 COMPOSANT OPTIQUE PROTEGE CONTRE LE VIEILLISSEMENT Domaine technique et art antérieur L'invention concerne un composant optique. Plus particulièrement, l'invention concerne un composant optique protégé contre le vieillissement dû à un bombardement de photons énergétiques. L'invention s'applique à tout domaine dans lequel l'environnement sous vide et/ou le rayonnement favorise un noircissement des optiques par génération de centres colorés. Ces applications concernent, notamment, les lasers à électrons libres, les lasers ultraviolet, les lasers excimères et les composants optiques ultraviolet utilisés pour la transmission de faisceaux laser. Un laser à électrons libres (LEL) utilise des anneaux de stockage de type synchrotron pour générer un ravonnement laser. Des onduleurs constitués d'éléments magnétiéues qui ont pour rôle de faire osciller des électrons de manière contrôlée sont insérés dans des sections droites d'un anneau. De ces oscillations naît une émission spontanée de lumière dont la réponse spectrale s'étend sur un très large spectre allant des rayons X au domaine du visible en passant par l'ultraviolet profond. i-.a réalisation d'un laser à électrons libres consiste alors à stocker les pho-:D^S de cette émission suonta-:ée clans une cavité ooti_-Le et à les faire - interagir avec es paquets d'élec--rons de !'anneau. A chaque passage d'un paquet d'électrons dans l'onduleur il y a une émission spontanée qui s'ajoute à celle déjà stockée dans la cavité optique. L'effet laser (amplification) ne peut se produire que si les pertes de la cavité optique sont inférieures au gain généré au cours du passage du paquet d'électrons. La cavité optique comprend différents composants optiques. Classiquement, comme pour tout laser, on y trouve deux miroirs face à face, l'un totalement réfléchissant (miroir de fond de cavité), l'autre semi-réfléchissant constituant le miroir de sortie. Ces miroirs sont le plus souvent concaves avec une courbure parfaitement définie. Pour obtenir la synchronisation nécessaire à l'amplification des photons dans la cavité optique, la taille de cette cavité est telle que le temps mis Dar les photons pour effectuer un aller-retour dans la cavité doit être égal à la période de révolution de l'électron synchrone dans l'anneau. Dans le cas d'un laser à électrons libres, les conditions d'effet laser supposent une cavité optique aux pertes minimales, d'où des spécifications otiques très sévères pour les miroirs avec des niveaux de réflectivité élevés d'au moins 9 . E'n d'autres termes, dès que l'absorption du miroir devient de l'ordre du pourcent, la cavité ne -fonctionne plus. Comme dans un laser classique, la sélection de la longueur d'onde #,.) de lumière qui est extraite après amplification est réalisée par la -onction optique des 7iroirs. Ces miroirs sont généralement constitués d'un revëte:aent multicouche comprenant une alternance de Couches bas indice e t haut indice "cuar t d'oncle". î'2s couches haut indice H 2@ bas indice L sont r2speCtlVement des couches présentant un haut indice de réfraction nH et un bas indice de réfraction nL. Pour des couches H et L d'épaisseurs respectives eH=Xo/9nL et eL=Xo/9nL empilées, par exemple, suivant l'ordre HLHLHLH... HL, la fonction de réflexion optique R du miroir est du type de celle donnée sur la figure 1. La courbe C1 se caractérise par une réflexion maximale à la longueur d'onde ko et une transmission quasi totale en dehors de la "fenêtre optique" ainsi réalisée. Ce résultat a une conséquence importante sur les miroirs dans une cavité laser à électrons libres. Etant donné que l'émission spontanée injectée dans la cavité a une réponse spectrale très large qui se caractérise, en particulier, par des raies d'émission de très courte longueur d'onde, les miroirs sont traversés par un intense bombardement de photons énergétiques qui constitue un environnement très agressif pour le miroir. En particulier, cela se traduit par une perte de réflectivité du miroir suite à une augmentation de l'absorption optique générée dans l'empilement miroir. I1 s'ensuit rapidement une impossibilité pour 1a cavité laser de fonctionner (absence d'amplification laser). Cet effet de vieillissement des ontiques par accroissement de leur absorption se rencontre également dans d'autres types de lasers que les LEL. Ainsi, dans les lasers ultraviolet tels que, zDal exe:,",pla les lasers exciméres émettant - 24..8, 193 ou 157 nm, observe-t-on ce même phénomène. Le document "?= oceedl nr of @he 30-@' annual Boulder symposium", BoL' I de?" (1998), J. H. C. Sedlacek et al. montre l'effet d'une utilisation prolongée d'une optique miroir fonctionnant à la longueur d'onde de 193 nm et soumise à un rayonnement excimère ArF. Les spectres R (X) qui donnent la réflectivité du miroir en fonction de la longueur d'onde font apparaître, après vieillissement, une chute de R d'environ 35$ à la longueur d'onde 193 nm. Cette dégradation est attribuée à la formation de centres colorés. Pour des conditions de fonctionnement données (spectre d'émission défini) l'accroissement de l'absorption optique des matériaux constituant le miroir dépend de la nature des matériaux. Parmi les matériaux utilisés, on trouve tout d'abord les matériaux oxydes tels que les couples Si02/Ti02, si 02/Zr02, Si02/Ta20;, S102/Hf02, dont le domaine privilégié d'utilisation est le visible. Néanmoins, le couple Si02/HfO, peut convenir pour le domaine ultraviolet entre 400 et 300 n:n et le couple SiO2/A1203 pourrait être utilisé à des longueurs d'onde aussi courtes que 200 nm. Cependant, en couche mince, l'alumine Présente souvent un coefficient d'extinction k>10-' (absorption optique non négligeable), ce qui limite les performances des miroirs et ne permet pas d'atteindre des réflectivités proches de 99-3 telles que souhaitées. Une autre solution pour le domaine ultraviolet consiste à recourir à des couples de matériau;; fluorures connus pour leur granûa transparence jusque dans l'ultraviolet profond, c'esL-à-dire jusqu'à des longueurs d'onde aussi faibles que J_=130 nm. Les couol es les plus connus sont M gFZ/LE F;, MI gF=/ YF3, LiF/YF3, Na 3A1F6/LaF3 ou d'autres utilisant des matériaux tels du GdF3, NdF3, etc... Tous ces matériaux fluorures sont fortement ioniques. Sous l'effet d'un rayonnement dur, d'énergie supérieure ou égale à 6 ou 7 eV, ils deviennent rapidement absorbants par le biais de la création de centres colorés. La figure 2 illustre un exemple de dégradation observée sur une couche mince de MgF-, après irradiation dans la cavité optique d'un LEL. Avant irradiation, le matériau est parfaitement transparent. Après irradiation pendant plusieurs heures, le matériau présente des pertes optiques importantes. La courbe C2 représente le coefficient de pertes P de la cavité en fonction de la longueur d'onde 2.. Le coefficient P présente très distinctement un pic d'absorption centré à ?,=260 nm, ce qui est connu dans rw'igF3 co:2-@e la signature de la présence de centres colorés de type F. Ce type de centre coloré résulte du déplacement sous l'effet du rayonnement énergétique (k 1) l'lonlsatloil du fluor F î- le déplacement du fluor F0 de soi? site cul est`. alors occupé par l'électron. Ces réactions nécessitent tvpiquemsnt dans MgF3 une énergie de 5,09 eV pour la seule formation d'une paire électron-trou. Cela implique qu'un rayonnement de longueur d'onde k=290 nm le permette. A cette énergie, il faut ajouter celle de la mise en interstitiel du fluor. Le rayonnement le plus nocif peut alors être considéré comme celui de longueurs d'onde inférieur à 200 nm. De plus, en cas d'exposition prolongée, des mécanismes de diffusion du fluor F vers la surface de la couche peuvent conduire de proche en proche à une éjection de fluor. Cette défluoration en surface induit une forte absorption optique de type métallique. Ainsi, dans l'exemple illustré en figure 2, le fait que l'irradiation ait lieu sous vide (pression de 10- mbar dans la cavité optique du LEL) favorise l'éjection du fluor de la couche de MgFZ. En conséquence, après irradiation, la couche est largement défluorée et présente une absorption élevée aussi bien dans le domaine spectral de l'ultraviolet que dans le domaine du visible. Cela se traduit par un: noircissement de la couche visible à l'oeil nu. Un recuit sous air vers 150 C ne permet pas de "récupérer" la couche et de faire diminuer son absorption. Sur un autre exemple illustré en figure 3, on observe que le matériau YF3 présente également une forte augmentation de son absorption sous l'effet de l'irradiation dans le laser à électrons libres. Cette fois, on observe la -formation de deux types de centres colorés localisés à ûeux d'onde différentes. Le profil du spectre d'absorption et son e:;tension dans le visible traduisent, comme pour @IgF-, une défluoration du matériau et une absorption de type métallique. Dans ce cas aussi, la récupération de la couche par recuit ne se fait pas. Du fait de leur forte Tonicité, les matériaux fluorures présentent tous le type de comportement illustré aux figures 2 et 3 avec un effet plus ou moins prononcé. L'invention ne présente pas cet inconvénient. En effet, l'invention concerne un composant optique comprenant un élément optique ayant des propriétés optiques pour assurer une fonction optique à la longueur d'onde ko. Le composant optique comprend une couche déposée sur l'élément optique, transparente à la longueur d'onde ko et permettant de protéger l'élément optique contre la formation de centres colorés lors d'une irradiation du composant optique. L'invention concerne également un laser comprenant une cavité définie entre deux miroirs. Au moins l'un des deux miroirs est un composant optique selon l'invention. Selon l'invention, il est possihle de limiter considérablement le vieillissement des composants optiques utilisés, par exemple, dans les lasers ultraviolet ou encore dans les chaînes de transmission de faisceaux du domaine de l'ultraviolet. L'invention propose un nouveau composant optique permettant de limiter la déç=adation des couches dues a la ^2neration C:-- centres colores et d'éviter ainsi le "noirclsse-;leat" `es opi:icues. Brève description des figures D'autres caractéristiques et avantages de l'invention apparaîtront à la lecture d'un mode de réalisation préférentiel de l'invention fait en référence aux figures ci-annexées parmi lesquelles - la figure 1 représente, selon l'art antérieur, la variation du coefficient de réflexion optique R d'un miroir optique à revêtement multicouche en fonction de la fonction de la longueur d'onde, - la figure 2 représente, en fonction de la longueur d'onde, la variation du coefficient de pertes optiques d'une couche mince de MgF, après irradiation, - la figure 3 représente, en fonction de la longueur d'onde, la variation du coefficient de pertes optiques d'une couche mince de YF3 après irradiation, - la figure 4 représente la structure d'un composant optique selon un premier mode de réalisation de l'invention, - la figure 5 représente la structure d'un composant optique selon un deuxième mode de réalisation de l'invention, - la figure 6 représente, en fonction de la longueur d'onde, des courbes de réponse optimales, en transmission et en réflexion, relatives à un composant optique selon l'invention, - les figures 7, SA, -SB et 9 représentent, à -itre d'exemple non limitatif, les réponses comparées d'une première structureorman= composant optique 7rotég-ë selon l'invention et de 1a me'.e première structure formant composant optique nom. protégé selon l'art antérieur, - la figure 10 représente, à titre d'exemple non limitatif, les variations du coefficient de réflexion d'une deuxième structure formant composant optique protégé selon l'invention et de la même deuxième structure formant composant optique non protégé selon l'art antérieur. Sur toutes les figures, les mêmes références désignent les mêmes éléments. Description détaillée de modes de mise en oeuvre de l'invention Les figures 1 à 3 ont été décrites précédemment, il est donc inutile d'y revenir. La figure 4 représente la structure d'un composant optique selon un premier mode de réalisation de l'invention. La structure est composée de l'empilement d'un substrat S, d'un miroir diélectrique A et d'une couche de protection B. Le miroir diélectrique A est composé, par exemple, d'un empilement multicouche agencé de manière é réaliser une fonction optique i-niroir du type de celle représentée en figure 1. De façon plus générale, le miroir A est une structure qui réfléchit préférentiellement la longueur d'onde ?,D du rayonnement que l'on veut amnlifier. Dans le cas où le miroir diélectrique A est composé d'un empilement multicouche diélectrique, les matériaux composant cet empi1eMent sont soit des oxydes, soit des fluorures, soit une co-binaisozl des deux. Pour une utilisation dans l'ultraviolet profond, on privilégie un empilement de matériaux fluorures tels que LaF3/MgFz, LaF3/LiF, YF3/MgF,, YF3/LiF, etc.. ou utilisant des matériaux comme CaFz, GdF3, NdF3, etc.. La couche de protection B a pour fonction de filtrer le rayonnement dur indésirable. Dans sa réalisation la plus simple, la couche de protection B est faite d'un seul matériau. La couche B est optiquement neutre vis-à-vis du miroir, en particulier dans la région spectrale de la fenêtre miroir (réflectivité maximale). Selon le mode de réalisation préférentiel de l'invention, la couche B a pour épaisseur l'une des valeurs suivantes e=K. #,o/2n3 (?,o) où K est un nombre entier, ko la longueur d'onde de centrage du miroir A, et nB(k3) l'indice de réfraction de la monocouche B à la longueur d'onde Idéalement, la transmission de la couche B est r aximale dans la zone spectrale o-L'I le miroir réfléchit, minimale dans la zone spectrale des faibles longueurs d'onde (;. Selon un perfectionnement c!u premier mode de réalisation de l'invention, la couche B a égaler-en' pour rôle de limiter la défluora`-on (ou désoxydation) du miroir A due à l'éjection, hors du multicouche, du fluor (ou de l'oxygène), cette éjection résultant de 1a formation de centres colorés. La couche B est alors une barrière de diffusion réalisée en utilisant de préférence des matériaux tels que SiO2 ou A1203. Le choix du matériau doit préférentiellement tenir compte de l'environnement dans lequel travaille le composant optique. Par exemple, dans la cavité d'un laser excimère renfermant un gaz fluoré, l'alumine sera préférée à la silice qui a tendance à se dégrader en présence de fluor par formation du gaz volatil Si F4. De plus, pour améliorer l'effet de barrière et garantir l'étanchéité de la couche B, on utilisera de préférence une méthode de dépôt en couche mince qui soit énergétique, c'est-à-dire la pulvérisation ou l'évaporation assistée ioniquement ou encore l'ablation laser. Dans une réalisation plus complexe que la réalisation décrite ci-dessus, la couche B peut consister en un élément multicouche, par exemple de type dont les couches sont agencées de façon à présenter une réponse optique proche de la réponse idéale représentée en figure 6. Selon l'invention, la co@:nosition de la couche B dépend préférentiellement de l'application visée. Si la couche A concerne une fonction optique opérant dans l'ultraviolet de longueur d'onde î. De façon générale, selon l'invention, la couche B peut être une couche simple, une couche composite (mélange de plusieurs matériaux) ou un élément multicouche qui sont constitués d'un ou plusieurs oxydes présentant une transparence suffisante dans la gamme de longueurs d'onde où travaille la fonction optique de la couche A. Selon le mode de réalisation préférentiel décrit ci-dessus, la couche A constitue un miroir. L'invention concerne cependant également les cas où la couche A est une couche antireflet, un polariseur, un élément séparateur connu sous la dénomination anglo- saxonne "splitter", un miroir large bande ou multi- longueurs d'onde, un élément atténuateur en fonction de l'incidence du faisceau. La figure 5 représente la structure d'un composant optique selon un deuxième mode de réalisation de l'invention. Selon ce deuxième mode de réalisation de l'invention, le substrat S sur lequel est placé le miroir A constitue la barrière optique au rayonnement dur. Le composant optique est alors composé des deux seuls éléments A et S. Le substrat S est alors préférentiellement un substra_ c:e silice, d'alumine ou de saphir. Pour des applications dans l'ultraviolet profond, des substrats fluorures (CaF,, M-F,, etc...) sont généralement utilisés. La figure 6 représente, en fonction de la longueur d'onde, des courbes de réponse optimales, en transmission et en réflexion, relatives à un composant optique selon l'invention. Sur la figure 6, le domaine des longueurs d'onde est divisée en trois zones Rl, R2, R3. La zone Rl est le domaine des rayonnements durs tels que les rayonnements X et VUV (VUV pour Vacuum UltraViolet). La zone R2 est le domaine de l'ultraviolet et la zone R3 le domaine du visible. Comme cela a été mentionné précédemment, la transmission de la couche B est maximale dans la zone spectrale où le miroir A réfléchit et minimale dans la zone spectrale des faibles longueurs d'onde (@ . La courbe C5 en traits interrompus représente la variation du coefficient de transmission de la couche B. Avantageusement, le coefficient de transmission est proche de zéro pour les longueurs d'onde très courtes (rayonnements durs), et proche de un au-dessus des longueurs d'ondes très courtes (rayonnements ultraviolet et visible). La courbe C9 représente la variation du coefficient de réflexion R du miroir A en fonction de la longueur d'onde ?@. Selon l'invention, la courbe C9 présente un coefficient de.réflexion proche de 1 dans une zone autour d'une longueur d'onde 7.0 où le coefficient de transmission de la couche 3 est voisin de un. Les figures 7, 8A, 8B et 9 représentent, à titre d'exemple non limitatif, les réponses comparées d'une première structure formant composant optique protégé selon l'invention et de la même première structure formant composant optique non protégé selon l'art antérieur. La première structure formant composant optique est constituée d'un substrat de silice, par exemple de qualité ultraviolet suprasil II, et d'un empilement multicouche de YF3 et de MgFz centré à Q0=300 nm. Selon l'invention, la structure est protégée par une couche d'alumine pulvérisée dont l'épaisseur est un multiple de la quantité i,0/2. nAl203 , où nA!203 est l'indice de réfraction de l'alumine. A titre d'exemple non limitatif, l'épaisseur e de la couche d'alumine peut être égale à 270 nm. La figure 7 représente, à titre d'exemple non limitatif, les variations du coefficient de réflexion de la première structure formant composant optique protégé selon l'invention et de la rr,ëme premini ère structure formant composant optic1e non protégé selon l'art antérieur. La courbe C7 représente la réponse de la structure non protégée et la courbe C8 la réponse de la structure protégée, les structures non protégées et protégées ayant subi également une irradiation dans la cavité d'un LEL. Bien que 1a courbe de réponse C8 iiu cor:posant protégé soit légèrement décentré, les variations du coefficient de réflexion R sont sensible ent identlcues entre le corilr)osant protégé et le composant non protégé. La figure 8A représente un diagramme illustrant le taux de dégradation du composant optique protégé et le taux de dégradation du composant optique non protégé à la longueur d'onde centrale d'utilisation )l.0=300 nm. La figure 8B représente un diagramme illustrant le taux de dégradation du composant optique protégé et le taux de dégradation du composant optique non protégé à une longueur d'onde k1=350 nm décentrée par rapport à k0. Le taux de dégradation est exprimé en pourcentage d'absorption par unité de flux d'irradiation. Sur chaque figure, la zone Zl concerne le composant optique selon l'art antérieur et la zone Z2 concerne le composant optique selon l'invention. Les figures 8A et 8B montrent que le taux de dégradation du composant optique protégé est avantageusement beaucoup plus fable que le taux de dégradation du composant optique non protégé tant à la longueur d'onde centrale k0=300 qu'à la longueur d'onde k,=350 nm décentrée par rapport à k0. Le taux de dégradation est ainsi 9 fois plus faible à la longueur d'onde k0. La figure 9 représente 1--s courbes comparées d'absorption du co:niposant op ticue protégé selon l'invention et du composant optique non protégé selon l'art antérieur. La courbe C9 représente la courbe d'absorption du composant optique protégé selon l'invention et la courbe C10 représente la courbe d'absorption du composant optique non protégé selon l'art antérieur. Les courbes C9 et C10 représentent le taux d'absorption en fonction de quatre états différents des composants optiques concernés. Les quatre états différents sont - l'état El ou état dans lequel se trouve les composants optiques avant toute irradiation, - l'état E2 ou état des composants optiques après irradiation, - l'état E3 ou état des composants optiques après irradiation et exposition à un plasma d'oxygène, et - l'état E9 ou état des composants optiques après irradiation, exposition à un plasma d'oxygène et recuit thermique. La courbe C9 montre clairement que l'irradiation d'un composant optique selon l'art antérieur accroît dans de très grandes proportions le taux d'absorption du composant alors que le taux d'absorption du composant optique selon l'invention est peu affecté par une irradiation. En effet, le taux d'absorption du composant optique selon l'art antérieur passe d'environ 2% à environ 43=) entre l'état E1 et l'état E2, alors que le taux d'absorption d. _1 composant optique selon l' lnventlon passe C1' e nvlron ô: a envi ron Il'] entre les mêmes états El et E2. Avantageusement, il appaYaït que l'exposition du composant optique selon l'invention a un plasma d'oxygène (état E3), permet de ramener le taux d'absorption du composant optique à une valeur très proche (typiquement 9$) du taux d'absorption initial. Un recuit thermique permet de diminuer encore le taux d'absorption du composant pour atteindre une valeur sensiblement identique à celle du composant avant toute irradiation. A l'inverse, l'exposition à un plasma d'oxygène, suivie ou non d'un recuit thermique, du composant optique selon l'art antérieur ne permet qu'une faible diminution du taux d'absorption du composant irradié. Le taux d'absorption du composant irradié n'est en effet ramené qu'à une valeur de l'ordre de 38%, ce qui reste une valeur très élevée. Ces résultats indiquent que, dans le cas du composant optique protégé, il n'y a pas défluoration de l'empilement YF3/MgF#> lors da l'irradiation du composant. Les ions fluors ne sont que déplacés lors de l'irradiation et reprennent sensiblement leur position d'origine suite au traitement de récuiDèration que constitue l'exposition à un plasma d'oxygène et/ou le recuit thermique. Dans le cas du composant optique non protégé, ces résultats indiquent que l'empilement YF3/r:gF, est défluoré. L'exposition à un plasma d'oxygène et/ou le recuit thermique ne permettent alors pas de retrouver les propriétés qu'avait l. e coMpoaant avant l'irradiation. La figure 10 représente, à titre d'exemple non limitatif, les variations du coefficient de réflexion d'une deuxième structure formant composant optique protégé selon l'invention et de la même structure formant composant optique non protégé selon l'art antérieur. Selon l'exemple de réalisation montré à la figure 10, la structure formant composant optique est constituée d'un empilement multicouche de La F3 et Mg F2 centré à la longueur d'onde X2=248 nm. Le substrat est un substrat de silice de qualité ultraviolet. Selon l'invention, la structure est protégée par une couche d'alumine déposée par pulvérisation cathodique. La couche d'alumine présente un indice de réfraction de 1,71 à la longueur d'onde de 248 nm. Son épaisseur est proportionnelle à la quantité X2/2. nAl2O3 . Ainsi, à titre d'exemple non limitatif, l'épaisseur el de la couche d'alumine peut-elle être égale à e;=248/2x1,71 nm, soit e1=72,5 nm. La couche d'alumine est amorphe et présente une densité proche de l'alumine massif. Elle constitue ainsi une barrière à l'encontre de la diffusion du fluor susceptible de quitter l'eiP.pilement multicouche suite à une irradiation. La courbe C11 en traits interrompus représente le coefficient de réflexion R de la structure non protégée et la courbe C12 en trait continu représente le coefficient de réflexion R de la structure protégée selon l'invention. Las deux structures présentent des coefficients de réflexion très proches. ..,Tantageusement, sous irradiation prolongée dans le cas d'une utilisation laser de longueur d'onde 193 nm, le composant optique protégé présente un comportement au vieillissement très fortement amélioré. REVENDICATIONS 1. Composant optique comprenant un élément optique (A) ayant des propriétés optiques pour assurer une fonction optique à la longueur d'onde caractérisé en ce qu'il comprend une couche (B) déposée sur l'élément optique (A), transparente à la longueur d'onde X.o et permettant de protéger l'élément optique (A) contre la formation de centres colorés lors d'une irradiation du composant optique. 2. Composant optique selon la revendication 1, caractérisé en ce que la couche (B) est faite d'un seul matériau d'épaisseur e telle que e=ka,ol2n3(?,O), où k est un nombre entier supérieur ou égal à 1, et n3(@o) est l'indice de réfraction du matériau à la longueur d'onde 3. Composant optique selon la revendication 2, caractérisé en ce que le matériau est un cxvde. 4. Composant optique selon la revendication 3, caractérisé en ce que le matériau est de l'alumine (A12203) ou de la silice (SiO,) . 5. Composant optique selon la revendication 1, caractérisé en ce que 1a couche (B) est composée d'un err.oilement de différents matériau,:. 6. Composant optique selon 1a revendication 5, caractérisé en ce que l'empilement est un empilement de silice (Si0_) et d'alumine (A1-03) . 7. Composant optique selon l'une quelconque des revendications précédentes, caractérisé en ce que l'élément optique (A) est un miroir optique. 8. Composant optique selon l'une quelconque des revendications 1 à 6, caractérisé en ce que l'élément optique (A) est un polariseur. 9. Composant optique selon l'une quelconque des revendications 1 à 6, caractérisé en ce que l'élément optique (A) est un élément séparateur. 10. Composant optique selon l'une quelconque des revendications 1 à 6, caractérisé en ce que l'élément optique (A) est un élément atténuateur en fonction de l'incidence d'un -faisceau qu'il reçoit. 11. Composant optique selon l'une quelconque des revendications 1 à 6, caractérisé en ce que l'élément optique (A) est une couche antireflet. 12. Composant optique selon l'une quelconque des revendications 7 à 11, caractérisé en ce que l'élément optique (A) est fait de l'empilement de couches alternées de Si02 et TiO,, ou Si0_ et Zr0?, ou SiO, et Ta?0;, ou Si0, et Hf0_, ou S_0, et A1203- 13. Composant optique selon l'une quelconque des revendications 7 à 11, caractérisé en ce que l'élément optique (A) est fait de l'empilement de alternées de Mg F2 et La F3, ou MgF2 et YF3, ou LiF et YF3 ou Na3AlFô et La F3. 14. Composant optique selon l'une quelconque des revendications précédentes, caractérisé en ce qu'il comprend un substrat (S) sur lequel est déposé l'élément optique (A). 15. Composant optique selon la revendication 13, caractérisé en ce que le substrat (S) est de la silice (Si02) . 16. Laser comprenant une cavité définie entre deux miroirs, caractérisé en ce qu'au moins l'un des deux miroirs est un composant optique selon la revendication 7. 17. Laser selon la revendication 16, caractérisé en ce que le laser est un laser à électrons libres, ou un laser ultraviolet ou un laser excimère.