FR 2797603 A1 20010223 FR 0011872 A 20000918 MACHINE ET PROCEDE DE POLISSAGE CHIMIO-MECANIQUE ET MANCHON DE RETENUE UTILISE DANS CETTE MACHINE La présente invention concerne des technologies de fabrication de semiconducteurs, et elle concerne plus particulièrement une structure perfectionnee pour le manchon de retenue qui est utilise sur la tête de polissage d'une machine de polissage chimio-mécanique (ou PCM), pour retenir une tranche de semiconducteur en position pendant l'accomplis sement du processus de PCM. Dans la fabrication des semiconducteurs, la technique de polis sage chimio mécanique (PCM) est largement utilisée pour l'aplanissement global de tranches de semiconducteur qui sont utilisées pour la fabrica tion de circuits intégrés à très haut niveau d'intégration (ou VLSI) et à ultra-haut niveau d'intégration (ou ULSI). figures 1A et 1 B sont des schémas montrant une machine de PCM classique. La machine de PCM comprend' une table de polissage 10 sur laquelle est étendu un tampon de polissage 12, tête de polis sage 14 pour maintenir en position une tranche de semiconducteur 16, et une buse 18 pour appliquer une masse de suspension à la tranche de semiconducteur 16 pendant le processus de PCM. figure 1 C montre une vue respective de structure inté rieure de tête de polissage 14. Comme représenté, la tete de polissage 14 comprend des moyens pneumatiques 20 qui appliquent de l'air com primé à dispositif d'application de charge à la tranche, 22, qui est uti lisé pour maintenir la tranche 16. De plus, un manchon retenue 24 est monté autour du dispositif d'application de charge 22 et la tranche 16, et il peut retenir la tranche 16 en une position fixe pendant le processus de PCM. En outre, un tampon d'amortissement (non représenté) est placé entre la tranche 16 et le dispositif d'application de charge 22. Les figures 2A-2B montrent une structure classique pour le manchon de retenue 24. A travers structure de manchon de retenue des figures 2A-2B, la suspension est fournie, pour le polissage, sous la tête de polissage 14, c'est-à-dire sur la surface d'une tranche à polir. Cependant, en l'absence d'un conduit ou d'un passage approprié du manchon de retenue, la suspension est répartie de façon non uniforme sur la surface de la tranche. On trouve que la suspension ne peut pas circuler librement sur la surface de la tranche. II apparaît ainsi des dé fauts tels qu'une grande plage d'exclusion sur le bord de la tranche, une faible vitesse d'enlèvement de débris, une mauvaise utilisation de la sus pension et une durée de vie réduite du tampon d'amortissement. La fi gure 3 montre la planéité de surface résultante de la tranche après avoir subi un processus de PCM utilisant le manchon de retenue des figures 2A-2B. La représentation graphique de la figure 3 montre l'épaisseur de la tranche en relation avec les divers points d'une ligne droite passant par le centre de rotation de la tranche. D'après le tracé qui est repré senté sur la figure 3, on peut voir que la planéité n'est pas pleinement satisfaisante. L'écart-type des données d'épaisseur est d'environ 5,06%. Un but de la présente invention est donc de -procurer un nou veau manchon de retenue pour l'utilisation sur la tête de polissage d'une machine de PCM. Le nouveau manchon de retenue dans la machine de PCM permet de fournir la suspension plus unifQfmément sur la surface d'une tranche. Ceci résout donc les problèmes mentionnés ci-dessus qui sont occasionnés par l'utilisation de la machine de PCM classique, tels qu'une grande plage d'exclusion au bord de la tranche, une faible vitesse d'enlèvement de débris, une mauvaise utilisation de la suspension et une durée de vie réduite du tampon d'amortissement. Un autre but de l'invention est de procurer un procédé de fabri cation pour une tranche. La tranche est aplanie par le procédé de PCM utilisant la machine de PCM avec un nouveau manchon de retenue, pour obtenir une planéité fortement améliorée. Conformément aux buts précédents et à d'autres, la présente invention procure un manchon de retenue pour l'utilisation sur la tête de polissage d'une machine de PCM. Le manchon de retenue comprend un ensemble de passages de suspension qui sont formés au bord inférieur du manchon de retenue. Les passages de suspension sont pratiquement équidistants, et chacun des passages de suspension est incliné radiale- ment de manière à former un angle d'attaque aigu par rapport à la sus pension se trouvant à l'extérieur du manchon de retenue, lorsque ce der nier tourne. Conformément à un premier mode de réalisation de l'invention, un manchon de retenue comporte un ensemble de rainures rectilignes uniformément espacées autour du bas du manchon de retenue. Chacune des rainures rectilignes est inclinée radialement de manière à former un angle d'attaque aigu par rapport à la suspension qui se trouve à l'exté rieur du manchon de retenue lorsque ce dernier tourne. Conformément à un second mode de réalisation de l'invention, le manchon de retenue comprend en outre un chemin irculaire au bas, entre périphérie intérieure et la périphérie extérieure du manchon de retenue. La configuration des rainures rectilignes uniformément espacées a pour action d'attirer la suspension vers l'intérieur du manchon de rete nue, à partir de toutes les directions radiales, ce qui permet à la suspen sion s'étaler uniformément sur la tranche qui est maintenue à l'inté rieur manchon de retenue. En outre, la présence du chemin circulaire permet à la suspension d'être emmagasinée en tampon ce chemin et de circuler dans celui-ci, grâce à quoi les parties de bord de la tranche proches des extrémités intérieures des rainures rectilignes peuvent rece voir un écoulement de suspension qui a été emmagasiné tampon. Dans le troisième mode de réalisation, les passages de suspen sion sont conçus avec un chemin pour la suspension qui s'agrandit pro gressivement à partir d'une entrée jusqu'à une sortie de celui-ci, avec un angle de diffusion compris entre 0 et 10 , et avec un angle d'attaque cpl qui est calculé par la relation dans laquelle x est la distance minimale entre une ligne tan gente point d'entrée et une ligne tangente d'un point de sortie, et e est longueur de chemin de chacun des passages de suspension. Dans le quatrième mode de réalisation, le manchon de retenue est formé avec une combinaison des passages de suspension du troi sième mode de réalisation et du chemin circulaire du second mode de réalisation. Pour atteindre les buts de l'invention, celle-ci procure égale ment procédé de fabrication. Pour aplanir une tranche sur laquelle se trouve couche déposée, on dispose fa tranche à l'intérieur d'une tête de polissage, avec la couche déposée dirigée vers le bas et faisant face à la table de polissage. On retient la tranche à l'intérieur de la tête de polissage avec un manchon de retenue, et le manchon de retenue com prend un ensemble de passages de suspension. On fournit une suspen sion à partir d'un dispositif d'alimentation en suspension, pour que celle ci soit répartie uniformément sur la couche déposée, à travers le man chon de retenue. On fait tourner la table de polissage et on fait tourner tête de polissage sur elle-même pour atteindre le but de l'invention, celle-ci procure donc également un procédé de fabrication. Dans un autre mode de réalisation, l'invention procure un pro cédé de traitement chimio-mécanique. On forme une couche déposée sur une tranche. On effectue un traitement chimio-mécanique de la couche déposee, en utilisant une machine de polissage chimio-mécanique avec un manchon de retenue ayant un ensemble de passages de suspension à sa partie inférieure. D'autres caractéristiques et avantages de l'invention seront mieux compris à la lecture de la description qui va suivre de modes de réalisation, donnés à titre d'exemples non limitatifs. La suite de la des cription se réfère aux dessins annexés, dans lesquels La figure 1A est une vue de dessus schématique d'une machine de pour effectuer un traitement de PCM sur une tranche de semi conducteur; La figure 1 B est une coupe schématique de la machine de PCM de la figure 1A; La figure 1 C est une coupe montrant une structure intérieure détaillée de la tête de polissage qui est utilisée dans la machine de PCM des figures 1A et 1B; La figure 2A est une vue de dessus schématique d'un manchon de retenue classique qui est utilisé sur la tête de polissage de la figure 1 C; La figure est une vue de dessous schématique du manchon de retenue classique la figure 2A; La figure 3 une représentation graphique montrant la pla- néité résultante de la tranche de semiconducteur après avoir subi un traitement de PCM utilisant le manchon de retenue classique des figures 2A-2B; La figure 4A est une vue de dessus schématique d'un premier mode de réalisation manchon de retenue conforme à l'invention; La figure est une vue de dessous schématique du manchon de retenue de la figure 4A; La figure 5A est une vue de dessus schématique d'un second mode de réalisation manchon de retenue conforme à l'invention; La figure est une vue de dessous schématique du manchon de retenue de la figure 5A; La figure 6 est une représentation graphique montrant la pla- néité résultante de la tranche de semiconducteur après avoir subi un traitement de PCM utilisant le manchon de retenue des figures 4A-4B; La figure est une représentation graphique montrant la pla- néité résultante de tranche de semiconducteur après avoir subi un traitement de PCM utilisant le manchon de retenue des figures 4A-4B; La figure 8A et la figure 8B sont respectivement une vue de dessus et une vue de côté d'un manchon de retenue dans un troisième mode de réalisation conforme à l'invention; La figure 8C est une coupe schématique du passage de sus pension; Les figures 9A à 9D montrent le mécanisme de l'écoulement de la suspension; La figure 10 est une vue de dessus schématique d'un quatrième mode de réalisation manchon de retenue conforme à l'invention; Les figures 1A à 11B montrent des coupes illustrant le traite ment pour l'aplanissement d'une couche déposée sur une tranche; Les figures 12A et 12B sont des coupes montrant un traitement d'attaque de réduction d'épaisseur; et Les figures 13A à 13D sont des coupes illustrant un procédé de fabrication d'une isolation par tranchées de faible profondeur, utilisant la machine chimio-mécanique que procure l'invention. L'invention procure une structure perfectionnée d'un manchon de retenue. La structure perfectionnée du manchon de retenue permet de repartir uniformément sur la tranche la suspension qui est fournie pour polir la tranche. On décrira dans ce qui suit un premier mode de réalisa tion de l'invention, en se référant aux figures 4A-4B. Premier mode de réalisation La figure 4A est une vue de dessus schématique du manchon retenue 40 dans le premier mode de réalisation conforme à l'invention, la figure 4B est une vue de dessous schématique du manchon de rete- 40 qui est représenté sur la figure 4A. Le diamètre intérieur du man chon de retenue 40 est compris dans une plage allant d'environ 10 cm (4 pouces) à environ 30 cm (12 pouces), ou même plus. Cependant, du fait que le manchon de retenue 40 a pour fonction de retenir une tranche de semiconducteur pendant le traitement de PCM, le diamètre intérieur réel manchon de retenue 40 dépend donc de la taille de tranche à polir. Comme représenté sur la figure 4B, le manchon de retenue 40 comporte ensemble de chemins, de passages ou de conduits de suspension, 42. Les passages de suspension 42 peuvent être réalisés sous la forme de rainures sous le manchon de retenue, de canaux .ou de tubes à travers le manchon de retenue, ou de cavités ayant une autre forme. Dans ce mode de réalisation, on utilise des rainures rectilignes espacées à des inter valles angulaires pratiquement égaux autour du manchon de retenue 40. Chacun de ces passages de suspension 42 est oriente sous un certain angle par rapport au rayon, de manière que son extrémité extérieure pré sente une position angulaire avancée par rapport à extrémité inté rieure, lorsqu'on considère la direction de rotation du manchon de rete nue 40. Pendant l'accomplissement d'un traitement de polissage, le man chon de retenue 40 est mis en rotation avec une vitesse exigée, et ces passages de suspension 42 sont orientés avec un angle d'attaque aigu par rapport à la suspension qui est fournie à partir de l'extérieur du man chon de retenue 40. Par conséquent, la suspension circule librement sur la surface de la tranche à l'intérieur du manchon de retenue 40, en étant fournie à travers le manchon de retenue 40, avec l'aide des passages de suspension 42. Dans le cas de la figure 4B, par exemple, l'orientation des rainures rectilignes 42 montre que le manchon de retenue 40 doit être ' en rotation en sens inverse d'horloge. On notera que l'homme de l'art pourrait réarranger d'une autre manière les passages de suspension 42, de façon que le manchon de retenue 40 soit mis en rotation en sens d'horloge pendant le polissage. Dans ce mode de réalisation, chacun des passages de suspension 42 a une largeur de 0,05 à 0,3 mm, et une pro fondeur de 2 à 4 mm. La largeur et la profondeur réelles de ces passages de suspension seront différentes en fonction des exigences spécifiques pour le traitement de polissage. L'espacement uniforme des passages de suspension 42 permet à la suspension d'être attirée l'intérieur du man chon retenue 40 en une quantité pratiquement égale à partir de toutes les directions radiales, ce qui permet à la suspension de s'étaler unifor mément sur la surface de la tranche. Les figures 6 et 7 montrent la planéité résultante d'une tranche qui a subi un traitement de PCM utilisant le manchon de retenue des figu res 4A, 4B. La planéité est mesurée en termes de valeurs d'épaisseur le long d'une ligne droite passant par le centre de la tranche. D'après les représentations graphiques des figures 6 et 7, on voit que la planéité des échantillons de tranche est notablement meilleure que la planéité de la tranche qui est représentée sur la figure 3, résultant de l'utilisation du manchon de retenue de l'art antérieur des figures 2A, 2B. L'écart-type de l'épaisseur est de 0,92% dans le cas de la figure 6 et de 1,38% dans le cas de la figure 7, ces deux valeurs étant notablement meilleures que l'écart-type de 5,06% dans le cas de la figure 3. Cependant, comme re présenté sur la figure 7, du fait que les parties de bord de la tranche pro ches des extrémités intérieures des passages de suspension 42 rece vront une plus grande quantité de suspension que d'autres parties de la tranche, l'effet de polissage est plus important que dans d'autres parties. Par conséquent, l'épaisseur des parties de bord proches des passages de suspension est notablement inférieure à celle d'autres parties de la tranche. Second mode de réalisation La figure 5A est une vue de dessus schématique du second mode de realisation du manchon de retenue 50 conforme à l'invention, la figure est une vue de dessous schématique du manchon de retenue 50 qui représenté sur la figure 5A. Comme représenté sur la figure 58, la conception des passages de suspension 52 du manchon de retenue 50 dans ce mode de réalisation est identique à celle du mode de réalisation précédent. Ainsi, ces passa ges de suspension 52 ont la forme de rainures rectilignes espacées façon pratiquement égale. Chacun de ces passages de suspension 52 orienté d'une manière similaire à celle du mode de réalisation précédent, et il est formé de façon similaire avec une largeur de 0,1 mm et une pro fondeur de 2 à 4 mm. Ici encore, la largeur et la profondeur des passages de suspension 52 dépendent des exigences spécifiques pour le traite ment de polissage. Dans ce mode de réalisation, au moins un anneau circulaire formant une cavité, 54, par exemple une rainure circulaire, est formé à la surface inférieure du manchon de retenue 50, entre la périphé rie extérieure et la périphérie intérieure du manchon de retenue 50, rencontrant toutes les rainures rectilignes 52. L'anneau circulaire formant une cavité, 54, remplit la fonction d'un anneau tampon. La suspension qui est aspirée à travers les passages de suspension 52 est partiellement emmagasinée en tampon et mise en circulation dans l'anneau circulaire formant une cavité, 54, permettant ainsi aux parties de bord de la tranche qui sont proches des extrémités intérieures des passages de suspension 52 de recevoir seulement une partie de la suspension. Par conséquent, l'effet de polissage qui est obtenu avec le mode de réalisation précédent, c'est-à-dire une surface de la tranche aplanie de manière égale et forme, est obtenu sans former des parties de bord plus minces. L'anneau circulaire formant une cavité, 54, a une dimension similaire à celle passages de suspension 52, c'est-à-dire une largeur d'environ 0,05 à 0 mm et une profondeur d'environ 2 à 4 mm. Les deux modes de réalisation ci-dessus sont envisagés d'un point de vue qualitatif. Avec la formation des passages de suspension, ou même avec la rainure circulaire tampon qui rencontre les passages de suspension, on obtient un bien meilleur effet d'aplanissement. Cepen dant, dans les modes de réalisation ci-dessus, les paramètres tels que la forme détaillée des passages de suspension, l'angle d'attaque, c'est-à- dire l'angle entre l'axe du passage de suspension et la tangente, et l'an gle de diffusion, n'ont jamais été envisagés. Dans modes de réalisa tion qui suivent, on adopte un point de vue quantitatif. On considère les paramètres qui déterminent l'écoulement de la suspension. Troisième mode de réalisation La figure 8A montre une vue de dessus schematique d'un man chon de retenue. Dans ce mode de réalisation, douze passages de sus pension 82 sont formés au bas du manchon de retenue 80. On notera que l'homme de l'art pourra sélectionner un nombre différent de passages de suspension, conformément à des exigences spécifiques pour certains traitements de polissage. Si l'on considère un manchon de retenue 80 avec un diamètre extérieur de 25,40 cm et un diamètre intérieur de 22,86 cm, la largeur du manchon de retenue 80 est donc de 25,40 cm - 22,86 cm = 2,54 cm. La formation des passages de suspension 82 permet à la suspension de s'écouler en entrant dans le manchon de retenue et d'être repartie sur la surface de la tranche à polir. Comme mentionné ci-dessus, les passages de suspension 82 peuvent avoir la forme de tubes, de rai nures, de canaux ou de trous de guidage pénétrant à travers la largeur totale du manchon de retenue 80. L'angle au centre entre deux passages suspension consécutifs (deux passages voisins) 82 est désigné par 8 1 , et l'angle d'attaque de chaque passage de suspension 82 est désigné par cpl. On suppose que le diamètre de l'extrémité intérieure du passage de suspension 82 est d2, tandis que celui de l'extrémité extérieure est dl. La figure 8B montre une vue de côté schématique du manchon de rete nue 80 avec les passages de suspension 82 ayant la forme de trous de guidage. En traçant un axe passant par les centres d'un passage de sus pension 82, un angle de diffusion (p2 est défini comme l'angle entre l'axe et une périphérie du passage de suspension 82. Les figures 9A à 9D illustrent le mécanisme du processus de polissage utilisant le manchon de retenue 80 qui est représenté sur les figures 8A à 8C. On suppose que la table de polissage 90 tourne avec une vitesse angulaire 01 et que la distance entre le centre de la table de polissage 90 et le centre de la tête de polissage 94 est il. D'autre part, la tête de polissage 94 tourne avec une vitesse angulaire w2 et avec un rayon de . Comme représenté sur la figure 9A, si on désigne par 63 l'angle entre ii et l'axe j, et par 84 l'angle entre Y2 et l'axe j, tout point à la périphérie de la tête de polissage 90 tourne donc avec une vitesse Vh. On peut calculer la vitesse de la façon suivante Uh=01x + r2) +02x r2 = (r1(01 COS83 + r201 COS84 + r2(02 COS64)i - (r101 SinA3 + r201 sin84 + sin94)j =Ai+ (1) figure 9B montre le mouvement du manchon de retenue 80. On notera que le mouvement du manchon de retenue 80 est en synchro nisme avec celui de la tête de polissage 94 qui représentée sur la figure 9A. Si l'on considère la formation des passages de suspension avec leur axe dans la direction de la vitesse du manchon de retenue 80, d'après la relation ci-dessus, la direction de la vitesse Vh, c'est-à-dire l'angle d'attaque du passage de suspension, est Pour un manchon de retenue 80 ayant une distance minimale de 1,25 cm entre la tangente du point d'entrée et la tangente point de sortie, et une longueur du passage de suspension de P, on a Le passage de suspension peut donc être conçu conformément aux pa ramètres deduits des relations ci-dessus. figure 9C montre un passage de suspension avec une entrée étroite et sortie plus large. Ainsi, le passage suspension a une aire de section droite plus grande à l'extrémité intérieure qu'à l'extrémité extérieure. Avec cette conception, le chemin de l'écoulement de suspen sion s'élargit progressivement, et le gradient de pression positif et la dé- viation de l'écoulement de suspension sont modérés. La quantité de pension qui est fournie à travers le passage de suspension est donc crue. Comme représenté sur la figure, P1, A1 et V1 représentent respecti vement la pression et l'aire de section droite de l'entrée, et la vitesse de l'écoulement de suspension à l'entrée. D'autre part, P2, A2 et V2 repré sentent respectivement la pression et l'aire de section droite de la sortie, et la vitesse de l'écoulement de suspension à la sortie. On considère la friction entre la suspension et le passage de suspension, et la force gravité s'exerçant sur la suspension sont négligeables, et que la suspen sion est incompressible. Si l'angle de diffusion est (p2 et la longueur du passage est de @, on peut employer l'équation de Bernoulli en négligeant le tourbillon de l'écoulement de suspension à l'entrée, la barrière à la sortie et toute vibration externe avec notations suivantes : P est la pression, p est la masse volumique et V la vitesse de l'écoulement, et Po est la pression statique. in troduisant l'équation (4), le coefficient d'élasticité de pression Cp D'apres l'équation de continuité A1V1 - A2V2 (6) Le coefficient d'élasticité de pression peut être obtenu sous la forme sui vante Par conséquent, plus Cp est élevé, plus le rapport A1/A2 est grand. outre, plus la valeur de A1/A2 est grande, plus l'angle de diffusion qP2 ouvert, et plus la suspension pourra circuler librement, d'après ce qu'on peut prévoir. Cependant, lorsque l'angle de diffusion (P2 est augmenté au- dessus de 10 , un effet de déviation d'écoulement 91 ou un écoulement avec région d'annulation de *la vitesse, 93, est induit. En outre, un écou lement inverse 95 peut être occasionné, ce qui fait que l'aire de section transversale est réduite. Compte tenu des explications ci-dessus, pour concevoir le pas sage de suspension, on doit considérer les facteurs suivants : (1) tan(P2, (2) (p2 dl de la section droite extérieure du passage suspension 82 est d'environ 1 cm. D'autre part, le diamètre d2 de la - tion droite intérieure du passage de suspension 82 est d'environ 1,8 L'angle au centre 0 1 entre les deux passages de suspension 82 voisins est d'environ 30 , et l'angle de diffusion cp2 de chaque passage de pension est d'environ 3 . Quatrième mode de réalisation La figure 5 est une vue de dessus schématique du quatrieme mode de réalisation du manchon de retenue 100 conforme à l'invention. La conception des passages de suspension 102 du manchon de retenue 100 dans ce mode de réalisation est identique à celle du troisième mode de réalisation. Ces passages de suspension 102 ont la forme de rainures espacées de façon pratiquement égale, avec une plus grande section transversale @ l'extrémité intérieure et une plus petite section transver sale à l'extrémité extérieure, c'est-à-dire une plus grande sortie et une plus petite entrée. Chacun de ces passages de suspension 102 est formé et orienté d'une manière similaire à celle du mode de réalisation précé dent. Ici encore, la largeur et la profondeur des passages de suspension 102 dépendent des exigences spécifiques pour le traitement de polis sage. Ainsi, dimensions des passages de suspension 102 doivent être déterminées les facteurs suivants : (1) tancP2, (2) (p2 Cinquième mode de réalisation Dans 1a technologie des semiconducteurs, le polissage chimio- mécanique est la seule technique qui permette jusqu'à présent de réali ser un aplanissement global dans le processus de fabrication d'un circuit intégré à très haut niveau ou à ultra-haut niveau d'intégration. On peut appliquer le traitement de PCM dans de nombreux processus de fabrica tion, par exemple pour aplanir une surface inégale d'un substrat semi conducteur afin de favoriser le processus ultérieur, par exemple pour obtenir un alignement précis dans le processus d'attaque de photolitho graphie suivant. Le paragraphe suivant montre ei décrit des exemples de fabrication d'un dispositif à semiconducteur par l'utilisation du PCM. Sur la figure 11A, on trouve un substrat semiconducteur 100' ayant une surface inégale 110. On forme une couche déposée 120 sur le substrat semiconducteur 100'. La couche déposée 120 est donc formée avec une surface inégale, à cause de la surface inégale 110 sous- jacente. Dans l'invention on utilise une machine de PCM comprenant le manchon de retenue avec des passages de suspension. La machine de PCM comprend une table de polissage, une tête de polissage faisant face à la table de polissage, une source de suspension qui fournit une sus pension sur la table de polissage, pour le polissage. Le manchon de re tenue est disposé au bord inférieur de la tête de polissage. Le substrat semiconducteur 100' est disposé à l'intérieur de la tête de polissage et il est retenu par le manchon de retenue, avec 1a surface de la couche dé- posée 120 faisant face à la table de polissage. La couche déposée 120 est ainsi aplanie. I1 faut noter qu'avec la machine de PCM classique, du fait que la suspension est distribuée de façon inégale, la couche déposée 120 ne peut pas être aplanie avec une surface uniforme comme on le souhaite. En faisant passer la suspension à travers le passage de sus pension du manchon de retenue, ou même à travers le chemin circulaire, la suspension est répartie uniformément sur la surface de la tranche, c'est-à-dire la surface de la couche déposée 120, et on peut obtenir une surface uniformément aplanie, comme représenté sur la figure 11 B. On peut également appliquer le traitement de PCM pour une attaque de réduction d'épaisseur, par exemple pour former un bouchon. Sur la figure 12A, on trouve un substrat 200 ayant une ouverture 210. On forme une couche déposée 220 sur le substrat 200 et de façon à remplir l'ouverture 210. Pour former un bouchon à l'intérieur de l'ouverture, on applique ensuite une attaque de réduction d'épaisseur à la couche dépo sée 220. Très souvent, on effectue un traitement de PCM pour le traite ment d'attaque de réduction d'épaisseur. En utilisant une machine de PCM avec le manchon de retenue qui est introduit dans l'invention, un bouchon 220A avec une excellente uniformité est formé comme repré senté sur la figure 1 Une autre application spécifique et largement utilisée pour le traitement de PCM est la fabrication d'une isolation par tranchées de fai ble profondeur. Les figures 13A à 13D montrent un procédé de formation d'une isolation par tranchées de faible profondeur. Sur la figure 13A, on forme sur un substrat 300, consistant de préférence en une tranche de silicium, une couche d'oxyde de plot 302 avec une épaisseur d'environ 10 nm à 15 nm. On forme une couche de masque 304, par exemple une cou che de nitrure de silicium avec une épaisseur d'environ 100 nm à 300 nm, de façon à recouvrir couche d'oxyde de plot 302. On forme une tran chée 306 avec une profondeur d'environ 0,5 #tm, par attaque à travers la couche de masque 304, la couche d'oxyde de plot 302 et le substrat 300. Sur la figure 13B, on forme une couche d'oxyde de revêtement 308 le long de parois latérales de la tranchée 306 qui a été formée par attaque, avec une épaisseur allant d'environ 15 nm à environ 20 nm. On forme une couche d'isolation 310 de façon à recouvrir la couche de mas- que 304 et à remplir la tranchée 306. On forme de préférence la couche d'isolation 310 avec une épaisseur d'environ 900 nm à environ 1100 nm. Une densïfication est habituellement effectuée ensuite de façon caracté ristique, pour améliorer la qualité structurale. Sur la figure 13C, en utilisant la couche de masque 304 à titre de couche d'arrêt, on polit par un traitement de PCM la couche d'isolation 310 représentée sur la figure 13B, pour former un bouchon d'isolation 310a. En utilisant une machine de PCM classique, du fait que la suspen sion ne peut pas être fournie en étant répartie uniformément sur la sur face de la couche d'isolation 310, les particules qui sont contenues dans la suspension produisent des micro-rayures ou d'autres défauts. Sous l'effet de formation de ces micro-rayures et défauts, dans le processus qui suit, effet de pont ou de court-circuit électrique est susceptible se produire. Le rendement de fabrication de produits est dégradé. Dans l'invention, on utilise une machine de PCM ayant un - chon de retenue avec des passages de suspension. Le substrat 300 est retenu à l'intérieur du manchon de retenue comportant les passages de suspension. Pendant le polissage, la couche d'isolation 310 (figure 1 est orientee vers le bas, de façon à faire face à un tampon de polissage sur une table de polissage de la machine de PCM, pour former un - chon d'isolation 310a, comme représenté sur la figure 13C. Du fait que la suspension de polissage est fournie de manière: égale et est uniformé ment répartie sur la couche d'isolation 310, le bouchon d'isolation 310a est formé avec une structure uniforme, sans micro-rayures ou défauts. En utilisant un procédé classique, on enlève la couche de masque 304, ce qui fait l'isolation par tranchées de faible profondeur est formée. va de soi que de nombreuses modifications peuvent être ap portées dispositif et au procédé décrits et représentés, sans sortir du cadre de l'invention. REVENDICATIONS remplir la tranchée (306) avec la couche d'isolation; et on retient le substrat (300) à l'intérieur d'un manchon de retenue (40, 50, 80, 100) d'une machine de polissage chimio-mécanique, avec la couche d'isolation (310) faisant face à un tampon de polissage (12) de la machine de polis sage chimio-mécanique, le manchon de retenue (40, 50, 80, 100) ayant un ensemble de passages de suspension (42, 52, 82, 102), de façon qu'un dispositif de fourniture de suspension (18) de la machine de polis sage chimio-mécanique fournisse une suspension de manière égale et uniforme sur la couche d'isolation (310); on polit la couche d'isolation (310) pour former un bouchon d'isolation (310a); et on enlève la couche de masque (304) pour former l'isolation par tranchees de faible profon deur. 3 . Procédé selon la revendication 2 , caractérisé en ce que le substrat (300) consiste en une tranche de silicium. 4 . Procédé selon la revendication 2 ou , caractérisé en ce qu'il comprend en outre une étape de formation d'une couche d'oxyde de plot (302) le substrat (300), avant la formation de la couche de mas que (304). 5-. Procédé selon la revendication 2 , caractérisé en ce qu'il comprend en outre une étape de formation d'une couche d'oxyde de re vêtement (308) le long d'une paroi latérale de la tranchée (306) avant la formation de la couche d'isolation (310). . Procédé selon la revendication 2 , caractérisé en ce que les passages de suspension (42, 52, 82, 102) sont déviés par rapport à la direction radiale de manière à former un angle d'attaque aigu par rapport à l'écoulement de suspension à l'extérieur du manchon de retenue (40, 50, 80, 100). ,Ï. Procédé selon l'une quelconque des revendications 2 , à 6 -, caractérisé en ce que les passages de suspension (82, 102) sont conçus de manière à avoir un chemin pour la suspension qui s'élargit progressivement depuis une entrée jusqu'à une sortie de celui-ci. Procédé selon l'une quelconque des revendications 2 - s 6 , caractérisé en ce que chacun des passages de suspension (82, 102) a un angle de diffusion compris entre 0 et 10 , et un angle d'atta que cpl qui calculé d'après la relation dans laquelle x est la distance minimale entre une tangente d'un point d'entrée et ûne tangente d'un point de sortie, et e est une longueur de chemin de chacun des passages de suspension (82, 102). . Procédé selon la revendication 2 . , caractérisé en ce que les passages de suspension comprennent en outre un chemin circulaire (54, 104) rencontrant les passages de suspension (52, 102) entre une surface intérieure et une surface extérieure du manchon de retenue (50, 100).