FR 2795571 A1 20001229 FR 8716277 A 19871124 Amplificateur de puissance à large bande en hyperfréquences. L'invention concerne les amplificateurs de puissance à large bande en hyperfréquences ou microondes. En ce domaine, on connait les amplificateurs à adaptation résistive, les amplificateurs à contre-réaction et les amplificateurs distribués. Les premiers fournissent une puissance insuffisante; les seconds offrent une largeur de bande limitée. Or, certaines applications nécessitent une bande dont la limite supérieure est au moins dix fois la limite inférieure. Par contre, les amplificateurs distribués sont aptes à fonctionner sur une très large bande, avec une platitude de gain et une adaptation d'impédance excellentes. Encore faut-il pouvoir obtenir une puissance suffisante à partir de circuits intégrés monolithiques, en particulier en techno logie Arséniure de Gallium (AsGa). Il a été observé que l'on peut atteindre une puissance de quelques dixièmes de watts sur une bande relativement large (AYASLI-REYNOLDS-MOZZI-HANES, "2.20 GHz Ga As Travelling Wave Power Amplifier" IEEE-MTT Vol. MTT 32, Mars 1984, pp. 290-295. La difficulté est qu'il faut obtenir, pour les lignes de grille et de drain assurant la propagation du signal entre les transistors à effet de champ successifs, d'une part une impédance caractéristique bien déterminée (typiquement 50 ohms pour chaque ligne), d'autre part un même retard par transistor -ou cellule-, en d'autres termes une même vitesse de phase. Ceci voudrait que les transistors utilisés offrent une capacité grille-source égale à leur capacité drain-source. Or, cette condition est loin d'être réalisée en pratique car la capacité drain-source est très inférieure à la capacité grille-source. Les solutions immédiates consistant à diminuer la capacité grille-source (par mise en série d'une capacité plus faible), à augmenter la capacité drain-source (par mise en parallèle d'une capacité plus forte), et/ou à compenser-l'écart de capacité par une inductance additionnelle (par exemple en série sur le drain), ont l'inconvénient d'introduire une diminution du gain par cellule. Pour améliorer les choses, il a été proposé de construire un amplificateur distribué à double ligne de grille (CHRIST- ARDNT, "Optimized Travelling Wave Amplifier with two Parallel gate transmission lines", IEEE Proceedings, Vol. 132, Pt 1, N 3, juin 1985). Ce système permet de diminuer d'un facteur 2 le rapport entre la capacité grille-source et la capacité drain-source. Cependant, la puissance obtenue reste moyenne, tandis que se posent des problèmes d'adaptation d'impédance et d'application du signal d'entrée à amplifier. I1 a encore été proposé de recourir à des cellules d'amplifi cation dont les éléments de filtrage sont du type passe- tout, plutôt que passe-bas (CHASE-KENNAN, "A Power Distri- buted Amplifier Using Constant-R networks", 1986, IEEE MTT's Digest). De plus, au lieu d'un transistor seul, cet article utilise un montage de type "cascode". Cependant, cette proposition conduit encore l'homme de l'art à effectuer un compromis entre la puissance d'amplification et la bande passante, compromis qui est insatisfaisant pour certaines applications. La présente invention a pour but de permettre une amplifi cation à très large bande pour des puissances de l'ordre de 1 watt ou plus sur toute la bande, en résolvant les problèmes associés aux structures antérieures. L'amplificateur hyperfréquence proposé est du type comportant au moins une cellule de base d'amplification, laquelle comprend : __ - un transistor à effet de champ monté en source commune, tandis que sa grille est connectée à une ligne de grilles équipées d'éléments de filtrage, - un transistor à effet de champ monté en grille commune, tandis que son drain est connecté à une ligne de drains équipés d'éléments de filtrage, et - une liaison entre le drain du transistor à source commune et la source du transistor à grilles communes, agencée de sorte que les retards par cellule ou vitesse de phase sur la ligne de grilles et la ligne de drains soient égaux. Selon l'invention, une telle cellule de base comporte en outre un autre transistor à effet de champ monté en source commune, tandis que sa grille est connectée à une autre ligne de grilles équipées d'éléments de filtrage; les drains des deux transistors montés en source commune sont directe ment interconnectés; enfin, le transistor à effet de champ monté en grille commune possède une largeur de grille sensible ment égale à la somme de celle des deux transistors à effet de champ montés en source commune. En principe, l'amplificateur selon l'invention comporte plusieurs cellules de base sensiblement identiques ainsi montées entre les deux lignes de grilles et la ligne de drains, les unes à la suite des autres. Très avantageusement, les éléments de filtrage sont du type passe-tout, au moins pour les deux lignes de grilles. On comprendra mieux à l'examen de la description détaillée les avantages que présente la disposition selon l'invention. Dans un mode de réalisation intéressant, la liaison entre la source du transistor à grille commune et les drains des deux transistors à source commune comprend une inductance, tandis que le drain du transistor -à grille commune est en outre relié à la masse par une capacité. Dans une première version de l'amplificateur, les trois lignes ont la même impédance caractéristique, en particulier 50 ohms. Les deux lignes de grilles sont alimentées à partir d'un diviseur adapté formant une entrée de l'étage ampli ficateur. Dans une seconde version de l'amplificateur selon l'invention, la cellule de base de tête est précédée par un étage d'entrée comportant au moins une cellule amont qui comprend - un transistor à effet de champ amont monté en source commune, tandis que sa grille est connectée à une ligne de grilles amont équipées d'éléments de filtrage, - un transistor à effet de champ amont monté en grille commune, tandis que son drain est connecté à une ligne de drains amont équipés d'éléments de filtrage, et - une liaison entre le drain du transistor amont à source commune tt la source du transistor amont à drain commun, agencée de sorte que les vitesses de phase sur la ligne de grilles amont et la ligne de drains amont soient égales. Les éléments de filtrage, réalisés de préférence sous la forme de filtres passe-tout, sont@choisis de sorte que la ligne de drains amont présente une impédance caractéris tique sous-multiple de celle de la ligne de grilles de la cellule de base. On décrira plus loin différentes variantes utilisant cette disposition. Très avantageusement, les transistors à effet de champ utilisés selon l'invention sont de technologie Arséniure de Gallium (As Ga), ou encore de technologie Phosphure d'Indium (In P), plus généralement de toute technologie rapide faisant intervenir des semi-conducteurs des classes III et V de la classification de Mendeleiev. D'autres caractéristiques et avantages de l'invention appa raîtront à l'examen de la description détaillée ci-après, et des dessins annexés, sur lesquels - la figure 1 est le schéma de principe d'un amplificateur hyperfréquence distribué; - la figure 2 est le schéma équivalent très simplifié d'une cellule de l'amplificateur de la figure 1; - les figures 3A à 3C illustrent trois variantes des cellules utilisables pour améliorer le fonctionnement de l'amplifica teur de la figure 1; - la figure 4 illustre un amplificateur hyperfréquence distribué à deux lignes de grilles; - la figure 5 illustre une cellule d'amplificateur distribué comportant deux transistors en montage CASCODE entre une ligne de grilles et une ligne de drains; - la figure 6 illustre le schéma équivalent d'une cellule passe-tout; - la figure 7 illustre une cellule pour amplificateur dis tribué selon la présente invention; - la figure 8 illustre une première version d'un amplifi cateur distribué selon l'invention; et - la figure 9 illustre une seconde version d'un amplificateur distribué selon la présente invention. Les dessins annexés comportent pour l'essentiel des éléments de caractère certain. Ils pourront donc non seulement servir à mieux faire comprendre la description détaillée, mais aussi contribuer à la définition de l'invention, le cas échéant. La figure 1 illustre un amplificateur distribué connu. Il est constitué d'une pluralité de cellules Cl à Cn, montées en série sur une ligne de grilles SG et une ligne de drains SD. La tête de la ligne de grilles SG forme l'entrée de l'ampli ficateur. A l'autre extrémité, elle est chargée sur une impédance zg qui est en principe de 50 ohms. Inversement, en tête, la ligne de drains SD est chargée sur une impédance ZD de 50 ohms, tandis qu'à l'autre extrémité elle définit la sortie de l'amplificateur distribué. Chaque cellule comporte un transistor à effet de champ monté en source commune. Sa grille est reliée au point commun de deux induc tances Lg dont l'une va vers l'entrée de la ligne de grilles et l'autre vers sa sortie (pour cette cellule). De même, le drain du transistor à effet de champ est relié au point commun de deux inductances Ld allant, l'une vers l'entrée, l'autre vers la sortie de la ligne de drains SD. Les inductances Lg et Ld sont en principe constituées par l'inductance répartie de la ligne elle-même. On relèvera également que les cellules ne sont pas nécessairement iden tiques, de même que le montage ne présente pas nécessairement toutes les symétries apparaissant sur la figure 1. Le principe de fonctionnement est le suivant Le signal d'entrée se propage sur la ligne de grilles SG. Chaque transistor le reçoit entre sa grille et sa source, et fournit à la ligne de drains SD une version amplifiée du signal d'entrée, version qui se propage sur cette ligne de drains SD. La figure 2 illustre une cellule, dans laquelle le transistor à effet de champ a été remplacé par son schéma équivalent très simplifié, qui comporte une capacité grille-source Cgs, et une capacité drain-source Cds. La fonction d'amplifi cation du transistor est illustrée par un générateur de courant GCA, qui agit en fonction de la tension présente aux bornes de la capacité Cgs. L'examen de cette figure 2 montre que, pour la ligne de grilles, chaque cellule introduit en série deux inductances Lg, dont le point commun est mis à la masse par la capacité CGS. I1 s'agit là d'un filtre passe-bas. La même remarque vaut pour la ligne de drains SD, avec les inductances Ld et la capacité Cds. Les impératifs de base pour le bon fonctionnement de l'ampli ficateur concernent d'une part l'adaptation d'impédance des lignes, d'autre part l'égalisation des retards par cellule (ou vitesse de phase) sur la ligne de grilles et sur la ligne de drains. I1 faut en effet que les signaux qui se propagent selon les deux lignes se recombinent en phase à chaque cellule. L'impédance habituellement utilisée est 50 ohms. Pour que les deux lignes soient adaptées sur la même impédance, il faut que le rapport Lg/Cgs soit égal au rapport Ld/Cds. Ces deux rapports doivent eux-même être égaux au carré de 50 ohms. Quant à l'égalisation des vitesses de phase, elle impose que les produits Lg.Cgs et Ld.Cds soient égaux. La satisfaction de ces deux conditions amènerait donc à choisir Lg = Ld et Cgs = Cds. Mais, dans la pratique, les transistors à effet de champ possèdent une capacité grille-source Cgs bien supérieure à leur capacité drain-source Cds. Pour satisfaire les deux conditions précitées, on peut alors : _. - soit mettre une capacité faible Cg. en série avec la grille du transistor à effet de champ (figure 3A); - soit placer une inductance de compensation Lda en série avec le drain du transistor à effet de champ (figure 3B); - soit placer une capacité plus forte Cda en parallèle entre drain et source du transistor à effet de champ. La présente invention vise maintenant à obtenir un amplifi cateur qui possède une puissance importante, sur une très large bande. Dans un transistor à effet de champ, ce qu'on appelle la largeur de la grille est supérieur à sa longueur. La longueur est fixée par des impératifs de construction. Si l'on veut augmenter la puissance que peut traiter un transistor, c'est donc la largeur de grille qu'il faut augmenter, éven tuellement en multipliant le nombre de "doigts de grille" que présente ce transistor. Malheureusement, augmenter la largeur de grille du transistor signifie l'augmentation conjointe de son gain de transconductance GM et de sa capa cité grille-source. I1 faut alors augmenter en conséquence les inductances de la ligne de grille, puis agir sur les paramètres de la ligne de drain pour obtenir l'impédance désirée et l'égalisation des vitesses de phases. Ces para- m êtres sont e - les inductances de lignes de drains; - les capacités et inductances rajoutées pour l'égalisation des vitesses; - éventuellement l'impédance de ligne de drains. I1 en résulte que la largeur de bande des filtres apparaissant en série sur la ligne de grilles_diminue. I1 y a donc contradiction entre l'augmentation de la puis sance de l'amplificateur et le maintien de sa largeur de bande de fonctionnement. La figure 4 illustre un montage proposé dans l'article CHRIST-ARDNT déjà cité. Les auteurs proposent d'utiliser deux lignes de grilles, avec une seule ligne de drains. Des transistors Tl à T4 d'une part, T'1 à T'4 d'autre part sont montés symétriquement entre les deux lignes de grilles et la ligne de drains. Ce montage permet de gagner un facteur 2 en puissance de sortie disponible pour une même fréquence de coupure sur chaque ligne de grille, cette fréquence étant limitée par Cgs. I1 reste que ce montage ne donne pas entièrement satisfaction car se posent de sérieux problèmes en ce qui concerne la possibilité d'y réaliser une adaptation d'impédance, et notamment l'application du signal d'entrée aux deux lignes de grilles. I1 est maintenant fait référence à la figure 5, qui représente une cellule CD, dont le schéma est relativement semblable à celui décrit dans l'article CHASE-KENNAN déjà cité. Le montage de la figure 5 utilise une ligne de grilles SG-SG' et une ligne de drains SD-SD'. I1 présente deux particula rités - au lieu d'un transistor, on utilise deux transistors à effet de champ par cellule. Le premier, noté Ts, est le transistor de source commune déjà mentionné. Mais celui-ci est chargé, dans un montage du type CASCODE, par un autre transistor à effet de champ Tg monté en grille commune. L'électrode de drain du transistor Ts est reliée à l'élec trode de source du transistor Tg par une liaison qui est en principe une inductance Li. L'électrode de drain du transistor Tg est reliée au point commun des deux inductances Ld. - L'autre particularité du montage est que les éléments de filtrage mis en série tant sur la ligne de grilles que sur la ligne de drains ne sont plus du type passe-bas, mais du type passe-tout. Un filtre passe-tout FPT est illustré sur la figure 6. II comprend deux inductances en série, habituellement notées L/2. En parallèle sur ces deux inductances est montée une capacité Cb. Entre le point commun des deux inductances et la masse est montée une capacité C. Enfin, entre les deux inductances de valeur L/2 existe une inductance mutuelle M. Selon l'article CHASE-KENNAN précité, la cellule passe- tout permet de gagner un rapport 1,4 (exactement, la racine carrée de 2) quant à la fréquence de coupure. Le montage CASCODE permet d'exercer la fonction d'amplification sur la tension comprise entre drain et grille des transis tors à grille commune, qui est supérieure à celle comprise entre drain et source, utilisée dans le cas d'un simple transistor à source commune. Ce montage permet donc de tirer un meilleur parti d'un transistor de largeur de grille donnée, en puissance et en gain, sans sacrifier sur la largeur de bande. Il est maintenant fait référence à la figure 6, qui illustre le schéma général d'une cellule passe-tout. Pour que la cellule présente cette fonction passe-tout, il faut que soient satisfaites les relations (I), (II) et (III) données en annexe. C'est là le point de départ des observations de la Demanderesse, notamment en ce qui concerne le para mètre K intervenant dans lesdites relations. La Demanderesse a également observé que ce paramètre K ne peut être choisi librement. En effet, pour que le système soit réalisable, il faut également satisfaire la condition exprimée par la relation (IV) annexée. Cette condition exprime que la mutuelle entre deux inductances ne peut être supérieure à la valeur de ces inductances elles-mêmes. La satisfaction de ces quatre conditions est nécessaire pour que l'on conserve la qualité de "passe-tout" des lignes de grilles et de drains. En d'autres termes, ces conditions sont nécessaires pour qu'un ensemble de n cellules du type de la figure 7, mises en série, forment une ligne capable de faire passer toutes les fréquences. La Demanderesse a également observé qu'il ne suffit pas que les lignes de grilles et de drains soient capables de faire passer toutes les fréquences. I1 faut encore réaliser l'amplification à toutes ces fréquences. Or, cela introduit une contrainte supplémentaire sur la ligne de grilles. En effet, la capacité C (selon la figure 6) de la ligne de grilles est en fait la capacité Cgs du transistor Ts de la figure 5. On rappelle alors que la tension de commande du transistor pour l'amplification est celle qui apparaît aux bornes de cette même capacité. Conformément à la figure 6, on note Ye le courant d'entrée de la cellule passe-tout, et Vc la tension aux bornes de sa capacité C. La fonction de transfert liant le courant Ie à la tension Vc est alors donnée par la relation (V) annexée. Cette relation (V)est exprimée en termes de transformée de Laplace, où p est la variable de Laplace, les autres grandeurs sont définies sur la figure 6. On notera en particulier que Rs est l'impé- dance de charge en sortie de la cellule passe-tout, qui sera en principe égale à son impédance de charge en entrée Re. La Demanderesse a alors observé que si les lignes de grilles et de drains sont en elles-mêmes passe-tout, par contre la fonction de transfert d'amplification de chaque étage possède une fréquence de coupure, donnée par la relation (VI) annexée. Là encore, il apparaît que cette fréquence de coupure dépend de la capacité, c'est-à-dire de la capacité grille-source Cgs du transistor à source commune Ts, ainsi que de la grandeur Rs, qui est l'impédance caractéristique de la ligne de grilles. Après avoir fait ces constatations, la Demanderesse a pu aboutit à une solution fournissant un degré de liberté supplémentaire, et permettant par conséquent d'améliorer d'une manière substantielle le compromis contraignant entre puissance et bande passante que l'on avait rencontré jusqu'à présent. La cellule de base conforme à l'invention est illustrée sur la figure 7. Elle comprend deux lignes de grilles, Sgl-Sgil et Sg2-SgI2 respectivement, ainsi qu'une ligne de drains Sd-Sd'. Les deux lignes de grilles sont munies de cellules de filtrage, de préférence de type passe-tout, Fgl et Fg2 respectivement. Chacune de ces cellules est définie par deux inductances en série de même valeur Lg, présentant une mutuelle Mg, et mises ensemble en parallèle sur une capacité Cbg. La fonction passe-tout est complétée par la capacité grille-source du transistor en source commune (Tsl ou Ts2) associée à la ligne de grilles concernée. Les drains de deux transistors Tsl et Ts2 sont directement reliés. Cette liaison entre les deux drains est appliquée à travers une inductance Li à la source d'un transistor Tg monté en grille commune. En variante, l'inductance Li peut se trouver répartie entre les drains des deux transistors Tsl et Ts2 et la source du transistor Tg. Le drain de ce transistor est relié à une autre cellule Fd, de préférence passe-tout, la capacité C de cette cellule (selon la figure 6) étant ici définie par la capacité drain- grille du transistor Tg, ainsi que par une capacité addition nelle Cdd allant vers la masse. Cette capacité Cdd présente l'avantage essentiel de contribuer non seulement à la fonction passe-tout de la cellule FD, mais aussi, avec l'inductance Li, de permettre l'égalisation des vitesses de phase entre les lignes de grilles et les lignes de drains. Il s'agit donc là d'une combinaison des moyens précédemment décrits en référence aux figures 3B et 3C. La valeur de cette capacité Cdd est donc, compte tenu de l'inductance Li, imposée par la condition d'égalisation des vitesses de phase entre lignes de grilles et ligne de drains. La valeur de Cdd impose à son tour la valeur de l'inductance Ld. Se trouve alors imposée aussi la cons tante Kd de la ligne de drains. La Demanderesse a observé que cette contrainte n'est pas gênante, car la ligne de drains n'est pas soumise à la fréquence de coupure Fc de la relation (VI), qui s'applique seulement aux lignes de grilles. A partir de là, il devient possible de choisir librement la constante Kg des lignes de grilles, dans la limite des possibilités d'organisation pratique (fixées par la relation (IV)). La Demanderesse estime actuellement que l'on peut ainsi amener la valeur Kg à 0,1, la valeur 0,25 étant conve nable pour beaucoup d'applications, ce qui apporte un gain substantiel par rapport aux résultats obtenus selon la technique antérieure. Enfin, dans la cellule de la figure 7, les deux transistors Tsl et Ts2 peuvent avoir une largeur de grille Wg, alors que le transistor Tg peut avoir une largeur de grille double 2 x Wg (que l'on note également 2*Wg). Ceci permet de doubler la puissance sur la ligne de drains pour une même capacité Cgs sur les lignes de grilles, donc pour une même fréquence de coupure Fc. La Demanderesse a également observé que cette disposition permet de polariser les trois transistors montés en série (au point de vue de leur courant continu de polarisation) avec une seule source de tension de drain (non représentée sur les dessins pour simplifier). Dans une première version du dispositif de l'invention (figure 8), les impédances caractéristiques ou impédances image des deux lignes de grilles et de la ligne de drains sont toutes trois égales à 50 ohms. La ligne de drains est donc en adaptation directe en sortie avec l'impédance normalisée que l'on utilise habituellement. I1 ne reste plus alors qu'à réaliser l'adaptation à l'entrée. Sur la figure 8, l'adaptation entre une ligne d'entrée unique à impédance normalisée de 50 ohms et les deux lignes de grilles également à 50 ohms est réalisée par un montage du type diviseur Wilkinson. L'homme de l'art sait qu'il s'agit là d'un diviseur sélectif, mais que l'on peut aménager de manière à obtenir un fonctionnement satisfaisant de l'amplificateur distribué selon l'invention. En bref, on pourra choisir le diviseur WIlkinson de manière à assurer un bon transfert d'énergie dans la partie haute de la bande de fréquence utile, tandis que dans la partie basse, le diviseur de Wilkinson pourra être aménagé pour améliorer sa réponse. Une seconde version du dispositif selon l'invention est utilisée sur la figure 9. La partie droite de la figure 9 est semblable à la figure 8, sauf le fait qu'elle ne comporte pas de diviseur de Wilkinson. En effet, les deux lignes de grilles Sgl et Sg2 sont directement reliées à la ligne de drains Sda d'un étage amont, ligne de drains qui possède une impédance caractéristique de 25 ohms. Dans cet étage amont sont prévues p cellules qui peuvent être semblables à la cellule C de la figure 2, ou mieux à l'une des cellules CA, CB et CC des figures 3A à 3C ou 5. La ligne de grilles amont Sga possède pour sa part une impédance caractéristique Zga de 50 ohms, ce qui permet de disposer d'une entrée à l'impédance normalisée de 50 ohms. Les essais effectués par la Demanderesse à partir du montage de la figure 9 ont montré que l'on pouvait obtenir de bonnes performances avec p = n = 3, et des performances encore meilleures avec p = n = 6. L'invention peut être mise en oeuvre avec des transistors en source commune possédant une largeur totale de grille de 200 microns, et des transistors en grille commune possé dant une largeur totale de grille de 400 microns (deux fois plus de doigts de grilles). Avec le montage de la figure 9 à deux fois six cellules, on peut obtenir une puissance de sortie de l'ordre du watt, sur une très grande largeur de bande. L'invention pourrait s'étendre à une troisième variante (non représentée). Cette variante peut être tirée de la figure 9. Dans l'étage amont, l'impédance de la ligne de drains est abaissée à 12,5 ohms. La ligne de drains amont Sda peut alors être reliée à quatre lignes de grilles, à savoir deux lignes Sgl et Sg2 appartenant à un étage tel que CE (figure 9) et deux autres lignes de grilles appartenant à un autre étage du même type, qui se trouve ainsi mis en parallèle sur le premier. Les impédances des lignes de drains Sd de ces deux étages CE peuvent alors être portées à 100 ohms, et interconnectées en sortie pour fournir l'impédance normalisée de 50 ohms. Revendications 1.- Amplificateur hyperfréquence, du type comportant au moins une cellule de base d'amplification (CE), laquelle comprend - un transistor à effet de champ (Tsl) monté en source commune, tandis que sa grille est connectée à une ligne de grilles (Sgl-Sgil) équipée d'éléments de filtrage, - un transistor à effet de champ-(T.) monté en grille commune, tandis que son drain est connecté à une ligne de drains (Sd-Sd') équipée d'éléments de filtrage, et - une liaison (Li) entre le drain du transistor à source commune et la source du transistor à grille commune, agencée de sorte que les vitesses de phases sur la ligne de grilles et la ligne de drains soient égales, caractérisé en ce que cette cellule de base comporte un autre transistor à effet de champ (Ts2) monté en source commune, tandis que sa grille est connectée à une autre ligne de grille (Sg2, Sg'2) équipée d'éléments de filtrage, et en ce que les drains des deux transistors montés en source commune (Tsl, Ts2) sont directement interconnectés, le transistor à effet de champ (Tg) monté en grille commune possédant une largeur de grille sensiblement égale à la somme de celles des deux transistors à effet de champ (Tsl, Ts2) montés en source commune. 2.- Amplificateur selon la revendication 1, caractérisé en ce qu'il comporte plusieurs cellules de base (CE) sensible ment identiques, montées entre les deux lignes de grilles et la ligne de drains. 3.- Amplificateur selon l'une des revendications 1 et 2, caractérisé en ce que les éléments de filtrage sont du type passe-tout, au moins pour les deux lignes de grilles (Fgl,Fg2lFd)# 4.- Amplificateur selon l'une des revendications 1 à 3, caractérisé en ce que la liaison entre la source du transis tor à grille commune (Tg) et les drains des deux transistors à source commune (Tsl,Ts2) comprend une inductance (Li), tandis que le drain du transistor à grille commune (T g) est en outre relié à la masse par une capacité (Cdd). 5.- Amplificateur selon l'une des. revendications 1 à 4, caractérisé en ce que les trois lignes (Sgl,Sd,Sg2) ont la même impédance caractéristique, et en ce que les deux lignes de grilles (Sgl,Sg2) sont alimentées à partir d'un diviseur adapté formant une entrée de l'étage amplificateur. 6.- Amplificateur selon l'une des revendications 1 à 4, caractérisé en ce que la cellule de base de tête est précédée par un étage d'entrée comportant au moins une cellule amont qui comprend - un transistor à effet de champ amont monté en source commune (Ts), tandis que sa grille est connectée à une ligne de grilles amont équipée d'éléments de filtrage, - un transistor à effet de champ amont monté en grille commune (Tg), tandis que son drain est connecté à une ligne de drains amont équipée d'éléments de filtrage, et - une liaison (Li) entre le drain du transistor amont à source commune et la source du transistor amont à drain commun, agencée de sorte que les vitesses de phases sur la ligne de grilles amont et la ligne de drains amont soient égales, - les éléments de filtrage étant choisis de sorte que la ligne de drains amont présente une impédance caractéristique sous-multiple de celles des lignes de grilles de la cellule de base. 7.- Amplificateur selon la revendication 6, caractérisé en ce que la ligne de drains amont présente une impédance moitié de celles des deux lignes de grilles de la cellule de base, auxquelles elle est connectée directement. 8.- Amplificateur selon la revendication 6, caractérisé en ce que la ligne de drains amont présente une impédance égale au quart de celles des deux lignes de grille de la cellule de base, et en ce que deux cellules de base sont montées en parallèle avec toutes leurs lignes de grilles reliées à la ligne de drains amont. 9.- Amplificateur selon la revendication 8, caractérisé en ce que les lignes de drains des deux cellules de base sont reliées aux deux lignes de grilles d'une troisième cellule de base, placée en aval, dont la ligne de drains possède une impédance caractéristique égale à la moitié de celles de ses deux lignes de grilles et des lignes de drains respectives des deux cellules de base montées en parallèle. 10.- Amplificateur selon l'une des revendications précédentes, caractérisé en ce que les transistors à effet de champ sont de technologie Arséniure de Gallium. Annexe - Formules