FR 2807284 A1 20011005 FR 0102825 A 20010301 ARRIÈRE-PLAN DE L'INVENTION 1. Domaine de l'invention La présente invention concerne un substrat de câblage tel qu'un substrat de câblage multicouche en céramique ou similaire, son procédé de fabrication ainsi qu'un dispositif électronique muni de ce même substrat de câblage. 2. Description de l'art antérieur Récemment, pour les dispositifs électroniques tels que les équipements de communication mobile, les ordinateurs etc...., les performances ont été augmentées de façon croissante et les dimensions ont été davantage réduites. Ces avancées ont été réalisées au moyen de la performance augmentée des dispositifs à semiconducteur tels que les circuits intégrés à grande échelle d'intégration (LSI) ou similaire et au moyen du câblage haute densité de substrats de câblage sur lesquels les semiconducteurs sont montés. Tout particulièrement, en tant que ces substrats de câblage, les substrats de câblage multicouche en céramique qui permettent un câblage tridimensionnel et qui présentent une fiabilité élevée sont utiles. En outre, compte-tenu de l'augmentation de la performance et de la réduction de la dimension des différents types de dispositifs à semiconducteur, il a été davantage rendu nécessaire pour les substrats de câblage multicouches en céramique qu'une connexion via de multiples bornes et moyennant un petit pas puisse être mise en oeuvre, que la densité de câblage soit élevée, que des signaux haute fréquence puissent être traités etc.... Tout particulièrement, pour traiter le problème de la connexion à multiples bornes et à petit pas, de nombreuses électrodes de plage fines sont formées sur la face principale de chaque substrat de câblage multicouche en céramique. Par report à un substrat de câblage multicouche en céramique qui comporte une électrode de plage en tant que plage de soudage, une technique permettant d'empêcher que la soudure ne soit mouillée et étalée de façon excessive et ne flue est connue, technique selon laquelle une réserve de soudure qui présente une mouillabilité faible pour la soudure est formée de manière à former une couche de réserve de soudure dans une zone o une adhérence de la soudure est non souhaitée. Classiquement, la couche de réserve de soudure permettant de définir la plage de soudage est formée sur la totalité ou sur pratiquement la totalité de la face à l'exclusion de la plage de soudage du substrat de câblage multicouche en céramique. Par exemple, la publication de demande de brevet non examinée du Japon n 10-107442 décrit un substrat de câblage multicouche en céramique dans lequel une couche de sur-revêtement est formée sur la totalité de la face du substrat à l'exclusion des zones (les plages de soudage) destinées à fonctionner en tant que plots de connexion (correspondant à des électrodes de plage) et en tant qu'électrodes terminales. En outre, la publication de demande du brevet non examinée du Japon n 11-251723 décrit un substrat de câblage multicouche en céramique dans lequel une couche d'isolation est formée pratiquement sur la totalité de la face du substrat à l'exclusion de sa zone à proximité du côté inférieur d'une partie de montage, en plus de plots de connexion pour monter une partie de montage telle qu'un condensateur, un oscillateur ou similaire. En général, la couche de sur-revêtement et la couche d'isolation pour définir les zones de formation de soudure sur le substrat de câblage multicouche en céramique sont formées en ajoutant et en mélangeant une poudre de céramique ou une poudre de verre à un vecteur organique et en imprimant par sérigraphie la pâte d'isolation produite. Ici, une plaque d'écran qui est utilisée lors de l'impression par sérigraphie comprend un maillage de fils fins tissés et une émulsion pour définir une zone de passage de pâte. Lorsque la couche d'isolation est formée dans une large zone à l'exclusion de zones fines, le taux d'occupation de surface de l'émulsion est faible. Par conséquent, dans un tel cas, l'émulsion tend à fléchir sur la plaque d'écran. Par conséquent, dans certains cas, la pâte d'isolation s'introduit sur le côté inférieur de l'émulsion, ce qui produit des bavures au niveau de la pâte d'isolation déposée. Tout particulièrement, dans le contexte du montage de dispositifs à semiconducteur de petite dimension haute qualité via de multiples bornes et moyennant de petits pas, comme décrit ci-avant, il est nécessaire de former de nombreuses plages de soudage fines sur la face principale d'un substrat de câblage multicouche en céramique. Lorsque la couche d'isolation et la couche de sur-revêtement sont formées sur sensiblement la totalité de la face principale à l'exclusion des plages de soudage, selon un procédé d'impression par sérigraphie, les plages de soudage tendent à être abîmées, cet endommagement étant généré par l'effet de bavure de la pâte d'isolation. Par conséquent, il est difficile de former des plages de soudage fines de façon hautement précise. RÉSUMÉ DE L'INVENTION Au vu de ce qui précède, la présente invention a été élaborée. Un objet de la présente invention consiste à proposer un substrat de câblage qui permette de faire face à une réduction de dimension et à un montage selon une densité élevée, un procédé de fabrication pour ce substrat de câblage ainsi qu'un dispositif électronique qui l'utilise. Afin de résoudre les problèmes mentionnés ci-avant, selon la présente invention, on propose un substrat de câblage qui comprend un substrat qui comporte un motif de câblage, et un motif d'isolation en forme de ligne qui est formé sur le substrat de manière à intersecter le motif de câblage et à définir une partie du motif de câblage pour une électrode de plage. De préférence, un autre motif d'isolation en forme de ligne parallèle au motif d'isolation est formé sur le substrat. Egalement de préférence, plusieurs motifs de câblage sont formés sur le substrat et le motif d'isolation est formé de manière à couvrir les plusieurs motifs de câblage. En outre, de préférence, une partie de montage est montée sur au moins l'une des faces principales du substrat et la partie de montage est connectée électriquement à l'électrode de plage. Qui plus est, de préférence, le motif d'isolation est un motif de réserve de soudure qui définit l'électrode de plage pour une zone de formation de soudure. Egalement de préférence, le substrat est un substrat de câblage multicouche qui comporte des motifs de câblage internes qui constituent plusieurs couches. Qui plus est, de préférence, le substrat est un substrat en céramique et le motif d'isolation contient de la céramique en tant que composant principal. Conformément à la présente invention, on propose un procédé de fabrication d'un substrat de câblage qui comprend les étapes consistant à former un motif de câblage sur un substrat et à former un motif d'isolation sur le substrat de manière à ce qu'il intersecte le motif de câblage et à ce qu'il définisse une partie de motif de câblage pour une électrode de plage. De préférence, un autre motif en forme de ligne parallèle au motif d'isolation est formé sur le substrat. Qui plus est, de préférence, le procédé comprend en outre les étapes consistant à former de façon plurielle les motifs de câblage sur le substrat et à former le motif d'isolation de manière à ce qu'il couvre les plusieurs motifs de câblage. Egalement, de préférence, un autre motif d'isolation en forme de ligne parallèle au motif d'isolation est formé sur le substrat. Qui plus est, de préférence, le procédé comprend l'étape de montage d'une partie de montage sur au moins l'une des faces principales du substrat de manière à ce qu'elle soit connectée électriquement à l'électrode de plage. Le motif d'isolation peut être formé en tant que motif de réserve de soudure qui définit l'électrode de plage pour une zone de formation de soudure. Qui plus est, en tant que substrat, un substrat de câblage multicouche qui comprend des motifs de câblage internes qui constituent plusieurs couches peut être utilisé. De préférence, le procédé comprend les étapes consistant à former le motif de câblage sur un substrat en céramique et à former, en tant que motif d'isolation, un motif qui contient de la céramique en tant que composant principal. De préférence, le procédé comprend les étapes consistant à former le motif de câblage sur une feuille de base en céramique, à former le motif d'isolation sur la feuille de base en céramique, à lier par pression la feuille de base en céramique avec d'autres feuilles de base en céramique afin de former un corps à liaison par pression et à cuire le corps à liaison par pression. En outre, conformément à la présente invention, on propose un dispositif électronique muni d'un substrat de câblage conformément à la présente invention. Dans le substrat de câblage conformément à la présente invention, puisque le motif d'isolation en forme de ligne est formé de manière à intersecter le motif de câblage sur le substrat et de manière à définir une partie de motif de câblage pour une électrode de plage, des électrodes de plage fines haute précision, tout particulièrement des électrodes de plage moins soumises à effet de bavure, peuvent être formées du fait du motif d'isolation. Pour différents types de substrats de câblage, un câblage haute densité et une réduction de la dimension peuvent être obtenus. Le procédé de fabrication d'un substrat de câblage conformément à la présente invention comprend les étapes consistant à former un motif de câblage sur un substrat et à former un motif d'isolation sur le substrat de manière à ce qu'il intersecte le motif de câblage et à ce qu'il définisse une partie de motif de câblage pour une électrode de plage. Par conséquent, des zones fines haute précision (des électrodes de plage), tout particulièrement des électrodes de plage moins soumises à effet de bavure, peuvent être formées. Par conséquent, des substrats de câblage qui présentent un câblage haute densité et une dimension réduite peuvent être fabriqués selon une reproductibilité élevée. Qui plus est, le dispositif électronique conformément à la présente invention est muni d'un substrat de câblage présentant un câblage haute densité et d'une dimension réduite. Par conséquent, pour des dispositifs électroniques tels que des dispositifs de communication mobile, des ordinateurs etc...., la réduction de la dimension et l'amélioration de la performance peuvent être réalisées. BRÈVE DESCRIPTION DES DESSINS La figure 1 est une vue en coupe schématique d'un substrat de câblage multicouche en céramique conformément à un premier mode de réalisation de la présente invention; la figure 2A est une vue en plan schématique qui représente un procédé de fabrication du substrat de câblage multicouche en céramique du premier mode de réalisation; la figure 2B es une vue en coupe prise selon une ligne A-A de la figure 2A; la figure 3 est une vue en coupe schématique d'un substrat de câblage multicouche en céramique conformément à un second mode de réalisation de la présente invention; la figure 4A est une vue en plan schématique qui représente un procédé de fabrication du substrat de câblage multicouche en céramique du second mode de réalisation; la figure 4B est une vue en coupe prise selon une ligne B-B de la figure 4A; la figure 5 est une vue en plan schématique d'un substrat de câblage multicouche en céramique conformément à un troisième mode de réalisation de la présente invention; la figure 6 est une vue en plan schématique partielle d'un substrat de câblage multicouche en céramique conformément à un quatrième mode de réalisation de la présente invention; et la figure 7 est un graphique qui représente la relation entre le nombre de fois d'impression en continu d'un motif de réserve de soudure et une zone d'électrode de plage. DESCRIPTION DES MODES DE RÉALISATION PRÉFÉRÉS Ci-après, la présente invention sera décrite par report à des modes de réalisation préférés. (Premier mode de réalisation) Un substrat de câblage conformément à une forme de ce mode de réalisation est un module multicouche en céramique 13 qui comprend un substrat de câblage multicouche en céramique 1 en tant que substrat et un dispositif à semiconducteur 11 monté sur une face principale 9 du substrat de câblage multicouche en céramiquel par l'intermédiaire d'une soudure 10, comme représenté sur la figure 1. Le substrat de câblage multicouche en céramique 1 contient des motifs de câblage internes 2 destinés à fonctionner en tant que condensateur et en tant que câblage, à l'intérieur. Des motifs de câblage en surface 4 sont prévus sur la face principale 9. En outre, sur l'autre face principale du substrat de câblage multicouche en céramique 1, des bornes externes 5 dont chacune est formée de manière à être étendue partiellement sur des faces latérales du substrat de câblage 1 sont formées. Le module multicouche en céramique 13 est connecté à une carte mère ou similaire non représentée via les bornes externes 5. En outre, des trous de via 3 et 3a sont formés à l'intérieur du substrat de câblage multicouche en céramique 1. Les motifs de câblage internes 2 sont connectés les uns aux autres et qui plus est, les motifs de câblage internes 2 et les bornes externes 5 sont respectivement connectés les uns aux autres au moyen des trous de via 3. Les motifs de câblage internes 2 et les motifs de câblage en surface 4 sont respectivement connectés les uns aux autres au moyen des trous de via 3a. Sur la face principale 9 du substrat de câblage multicouche en céramique 1, des motifs d'isolation en forme de ligne 8 sont formés de manière à intersecter respectivement les motifs de câblage en surface 4. Les motifs d'isolation 8 présentent une propriété de mouillabilité de soudure faible et jouent le rôle de réserves de soudure. Par conséquent, une partie des motifs de câblage en surface 4 est définie en tant que zones de formation de soudure et les zones fonctionnent en tant qu'électrodes de plage de soudage 7. C'est-à-dire que le dispositif à semiconducteur 11 qui est une partie de montage est connecté électriquement aux électrodes de plage de soudage 7 qui sont formées sur la surface principale 9 via les soudures 10. Le module multicouche en céramique 13 peut être fabriqué selon les procédures qui suivent. Tout d'abord, en ce qui concerne un matériau permettant de former le substrat de câblage multicouche en céramique 1, un vecteur organique ou un vecteur aqueux est ajouté selon une quantité adéquate à une poudre de céramique qui peut être soumise à une combustion ou cuisson à une température faible et est mélangé afin de préparer une boue pour former une feuille de base en céramique. La boue permettant de former une feuille de base en céramique est déposée sur un film de support selon un procédé par lame ou similaire de manière à être formée selon une forme de feuille, laquelle est séchée afin de former une feuille de base en céramique. La poudre de céramique susceptible d'une cuisson à une température faible peut être soumise à une cuisson à une température qui est inférieure au point de fusion (tout particulièrement inférieure à 1000 C) d'une poudre métallique de Ag, Cu, Au, Ni, Ag/Pd, Ag/Pt ou similaire. Une poudre d'un type verre composite fabriquée par exemple en ajoutant un composant de verre en tant qu'agent d'aide au frittage à une poudre de céramique telle qu'en alumine ou similaire, à une poudre de céramique du type verre cristallisé qui dépose de la cordiérite, de l'anothite ou similaire ou à une poudre de céramique de type non verre qui contient en tant que composant de l'oxyde de baryum, de l'oxyde de silicium, de l'alumine, de l'oxyde de bore ou similaire peut être utilisée. Le vecteur organique comprend de l'alcool polyvinylique, de la cellulose éthylique, une résine acrylique, du butyral polyvinylique, une résine méthacrylate ou similaire en tant qu'agent de liaison et du toluène, du terpinéol, de l'acétate de buthyl carbitol, de l'alcool ou similaire en tant que solvant. Divers types de dispersants, de plastifiants, d'agents d'activation ou similaire peuvent être ajoutés si nécessaire. Ensuite, des trous pour les trous de via sont formés dans la feuille de base en céramique par poinçonnage ou similaire si nécessaire. Ensuite, une pâte conductrice qui est produite en ajoutant et en mélangeant un vecteur organique avec une poudre métallique de Ag, Cu, Au, Ni, Ag/Pd, Ag/Pt ou similaire est remplie dans les trous pour les trous de via afin de former les trous de via 3 et 3a. Qui plus est, une pâte conductrice du même type que décrit ci- avant est imprimée par sérigraphie sur une feuille de base en céramique prédéterminée afin de former des motifs conducteurs pour constituer les motifs de câblage internes 2 et les motifs de câblage en surface 4. Ensuite, les motifs d'isolation 8 sont formés sur la feuille de base en céramique sur le côté de la face principale 9 (la feuille de base en céramique pour la couche la plus externe). Ici, les motifs d'isolation sont chacun formés selon une forme de ligne de manière à couvrir les plusieurs motifs de câblage en surface 4 et à les intersecter. Les motifs d'isolation 8 présentent une propriété d'isolation et ils sont formés en utilisant une composition en film épais qui présente une mouillabilité de soudure faible. La composition en film épais est préparée par exemple en ajoutant et en mélangeant un vecteur organique ou un vecteur aqueux selon une quantité adéquate à différents types de poudres de céramique tels qu'une poudre de céramique du type verre composite, une poudre de céramique du type verre de cristallisation, une poudre de céramique d'une type non verre ou similaire. Plusieurs feuilles de base en céramique préparées selon les procédures mentionnées ci-avant sont empilées séquentiellement de manière à former un empilement en céramique non soumise à une cuisson 12 comme représenté sur la figure 2. C'est-à-dire que l'empilement en céramique non soumise à une cuisson 12 comporte, sur sa surface principale 9, plusieurs motifs de câblage en surface 4 qui sont connectés aux trous de via 3a, et les motifs d'isolation en forme de ligne 8 sont formés de manière à couvrir les plusieurs motifs de câblage en surface 4 et à les intersecter. Ensuite, la totalité de l'empilement en céramique non soumise à une cuisson 12 est liée par pression à chaud et est soumise à une cuisson dans l'air ou dans une atmosphère oxydante ou dans une atmosphère réductrice à une température de 1000 C ou moins et ainsi, le substrat de câblage multicouche 1 qui est représenté sur la figure 1 est formé. Selon ce mode de réalisation, puisque la totalité de l'empilement 12 y compris les motifs d'isolation est liée par pression, la surface de l'empilement en céramique non soumise à une cuisson 12 qui est obtenue après l'empilement est plane et en outre, le substrat de câblage multicouche en céramique qui est obtenu après la cuisson présente également une surface plane. Après que le motif de câblage en surface 4 est traité par placage ou par revêtement ou similaire, si nécessaire, divers dispositifs à semiconducteur 11 sont connectés électriquement aux électrodes de plage de soudage 7 du substrat de câblage multicouche en céramique 1 via les soudures 10. Ainsi, un module multicouche en céramique 13 également comme représenté sur la figure 1 est parachevé. C'est-à-dire que, selon ce mode de réalisation, les motifs d'isolation en forme de ligne sont formés seulement au niveau des endroits qui sont nécessaires pour arrêter le fluage de la soudure. Par conséquent, I'aire d'impression peut être établie à une valeur aussi faible que possible. Pour cette raison, bien que la soudure soit constituée sur la partie qui présente différentes hauteurs de la face principale, comme généré par les motifs de câblage en surface, I'effet de bavure des motifs de câblage est réduit et les électrodes de plage de soudage fines peuvent être formées. Tout particulièrement, puisque les motifs de câblage en surface et les motifs d'isolation sont formés avant la liaison par pression à chaud et la cuisson, les motifs d'isolation ne souffrent pas de variations dimensionnelles en surface, et aucune déviation n'est générée par un retrait dû à la cuisson ou similaire. Par conséquent, des électrodes de plage de soudage fines haute précision peuvent être formées. Qui plus est, avec les motifs d'isolation en forme de ligne, les motifs de câblage en surface sont empêchés de se décoller du substrat par pelage. Par conséquent, les résistances mécaniques de liaison des motifs de câblage en surface sont améliorées. En outre, des différences entre les comportements en cuisson, les coefficients de dilatation thermique ou similaire des matériaux de couche d'isolation et des matériaux de substrat peuvent être réduites. Le substrat de câblage multicouche en céramique qui présente un gondolement moindre et une distorsion moindre peut être proposé. (Second mode de réalisation) Un substrat de câblage de ce mode de réalisation est un module de câblage multicouche en céramique 23 qui comprend un substrat de câblage multicouche en céramique 21 en tant que substrat et le dispositif à semiconducteur 11 qui est formé sur une face principale 29 du substrat de câblage multicouche en céramique 21 via les soudures 10, comme représenté sur la figure 3. Ici, le substrat de câblage multicouche en céramique 21 contient les motifs de câblage internes 2 à l'intérieur, de façon similaire au premier mode de réalisation. Sur la face principale 29, les motifs de câblage en surface 4 dont des extrémités jouent respectivement le rôle d'électrodes de plage de soudage sont prévus. Sur son autre face principale, les bornes externes 5 sont formées de telle sorte qu'un module de câblage multicouche en céramique 23 puisse être connecté à une carte mère ou similaire non représentée. Qui plus est, les trous de via 3 et 3a sont formés à l'intérieur du substrat de câblage multicouche en céramique 21. Grâce aux trous de via 3, les motifs de câblage internes 2 sont connectés les uns aux autres et les motifs de câblage internes 2 et les bornes externes 5 sont connectés les uns aux autres, de façon respective. A l'aide des trous de via 3a, les motifs de câblage internes 2 et les motifs de câblage en surface 4 sont connectés les uns aux autres, de façon respective. Deux motifs d'isolation en forme de ligne parallèles 28a et 28b sont formés sur la face principale 29 du substrat de câblage multicouche en céramique 21, de manière à intersecter les motifs de câblage en surface 4. Ces motifs d'isolation 28a et 28b jouent respectivement le rôle de réserve de soudure. C'est-à-dire que les deux motifs d'isolation parallèles 28a et 28b définissent une partie des motifs de câblage en surface 4 pour des zones de formation de soudure (des électrodes de plage de soudage 27). Le dispositif à semiconducteur 11 qui est une partie de montage est connecté électriquement aux électrodes de plage de soudage 27 via les soudures 10. Le module de câblage multicouche en céramique 23 peut être fabriqué selon les procédures qui suivent. Tout d'abord, en tant que matériau permettant de former le substrat de câblage multicouche en céramique 21, une feuille de base en céramique est formée de façon similaire au premier mode de réalisation décrit ci-avant. Ensuite, des trous pour des trous de via sont formés dans la feuille de base en céramique par poinçonnage ou similaire si nécessaire. Une pâte conductrice est remplie à l'intérieur des trous de via, de façon respective, afin de former les trous de via 3 et 3a. Puis une pâte conductrice est imprimée par sérigraphie sur une feuille de base en céramique prédéterminée de manière à former des motifs conducteurs qui deviennent les motifs de câblage internes 2 et les motifs de câblage en surface 4. Qui plus est, sur une feuille de base en céramique qui constitue la couche la plus externe sur le côté de la face principale 29, les motifs d'isolation 28a et 28b qui définissent une partie des motifs de câblage en surface 4 pour les électrodes de plage de soudage 27 sont formés. Ici, les motifs d'isolation 28a et 28b sont formés au moyen d'une impression par sérigraphie d'une composition en film épais ou similaire. Plusieurs feuilles de base en céramique qui sont préparées selon les procédures décrites ci-avant sont empilées séquentiellement de manière à obtenir un empilement en céramique non soumise à une cuisson 22 comme représenté sur la figure 4. C'est-à-dire que les plusieurs motifs de câblage en surface 4 qui sont connectés aux trous de via 3a sont prévus sur la face principale 29 de l'empilement en céramique non soumise à une cuisson 22. Les motifs d'isolation en forme de ligne 28a sont formés de manière à couvrir les plusieurs motifs de câblage en surface 4 et à les intersecter. En outre, les motifs d'isolation en forme de ligne 28b parallèles aux motifs d'isolation 28a sont formés de manière à couvrir les plusieurs motifs de câblage en surface 4 et à recouvrir leurs extrémités, de façon respective. C'est-à- dire que, comme décrit ci-avant, ces motifs d'isolation 28a et 28b définissent une partie des motifs de câblage en surface 4 pour des zones de formation de soudure, lesquelles zones fonctionnent en tant qu'électrodes de plage de soudage 7, de façon respective. Ensuite, I'empilement en céramique non soumise à une cuisson 22 est lié par pression et est soumis à une cuisson de façon globale à une température de 1000 C ou moins dans l'air, dans une atmosphère oxydante ou dans une atmosphère réductrice et ainsi, le substrat de câblage multicouche en céramique 21 qui est représenté sur la figure 3 est formé. Le dispositif à semiconducteur 11 est connecté électriquement via les soudures aux électrodes de plage de soudage 7 qui sont formées sur la surface principale 9 du substrat de câblage multicouche en céramique 1 et ainsi, le module de câblage multicouche en céramique 23 qui est également représenté sur la figure 3 est parachevé. C'est-à-dire que, selon ce mode de réalisation, puisque les électrodes de plage de soudage sont chacune définies par les deux motifs d'isolation en forme de ligne parallèles, les aires des électrodes de plage de soudage ne sont pas sensiblement modifiées même si les positions de formation des motifs d'isolation sont déviées. Pour cette raison, des électrodes de plage de soudage présentant une aire de plage de petite dimension peuvent être produites de façon stable selon un rendement de production élevé. Qui plus est, les électrodes de plage de soudage sont définies par les deux motifs d'isolation en forme de ligne parallèles. Par conséquent, même si les électrodes de plage de soudage sont déviées jusqu'à un certain degré, phénomène qui est généré lors de l'impression, la déviation peut être réduite. (Troisième mode de réalisation) Un substrat de câblage de ce mode deréalisation est un substrat de câblage multicouche en céramique 31 qui contient des motifs de câblage en surface 34 qui sont connectés à des trous de via 33 et des motifs d'isolation 35a et 35b qui définissent une partie des motifs de câblage en surface 34 pour des électrodes de plage de soudage 37. Ici, les deux motifs d'isolation en forme de ligne parallèles 35a et 35b sont formés selon une forme de ligne de manière à intersecter les plusieurs motifs de câblage en surface 34. Qui plus est, les deux motifs d'isolation 35a et 35b sont formés selon une forme rectangulaire. Qui plus est, en ce qui concerne les motifs d'isolation rectangulaires 35a et b, des parties de déconnexion 36a et 36b sont formées en tant que parties des motifs d'isolation 35a et 35b, de façon respective, afin que des émulsions sur une plaque d'écran puissent être connectées de manière à être renforcées et de telle sorte qu'un effet de bavure généré par une distorsion des émulsions puisse être réduit. En outre, sur une face principale 32 du substrat de câblage multicouche en céramique 31, des trous de via 33 qui sont connectés à des motifs de câblage internes qui sont formés à l'intérieur du substrat 31 mais qui sont non représentés sont également agencés dans la zone qui est entourée par les motifs d'isolation rectangulaires 35a et 35b, par exemple, comme on peut le voir au niveau des trous de via 33a. En ce qui concerne les motifs de câblage en surface 34, un motif qui présente une largeur de câblage qui est différente de celle des autres motifs de câblage en surface comme on peut le voir au niveau d'un motif de câblage en surface 34a, un motif qui présente une position de connexion de trou de via différente de celles des autres motifs de câblage en surface respectifs, comme on peut le voir au niveau d'un motif de câblage en surface 34b, et qui plus est, un motif qui intersecte à l'oblique les motifs d'isolation 35a et 35b, comme on peut le voir au niveau d'un motif de câblage en surface 34c, sont formés de façon respective. C'est-à-dire que, selon ce mode de réalisation, la flexibilité de conception des positions de formation des motifs de câblage en surface 34 est élevée. Par conséquent, les trous de via 33 qui sont connectés aux motifs de câblage en surface 34 peuvent être formés à partir d'une position optionnelle. Par conséquent, un substrat de câblage multicouche en céramique de petite dimension haute qualité peut être réalisé. Les parties de non connexion ne sont pas nécessaires dans les motifs d'isolation 35a et 35b. Les motifs d'isolation peuvent être formés selon différentes formes telles qu'une forme circulaire, une forme en spirale ou une forme en méandre ou similaire en plus de la forme rectangulaire. (Quatrième mode de réalisation) Un substrat de câblage de ce mode de réalisation est un substrat de câblage multicouche en céramique 49 qui comprend des motifs de câblage en surface 43a qui sont connectés à des trous de via 42a, des motifs de câblage en surface 43b qui ne sont pas connectés à un trou de via, des motifs de câblage en surface 43c qui sont connectés à des trous de via 43b et des motifs d'isolation 48a, 48b et 48c qui sont formés de manière à définir une partie des motifs de câblage en surface respectifs pour des électrodes de plage de soudage 44, 45, 46 et 47, comme représenté sur la figure 6. En outre, une partie des motifs de câblage en surface 43a, définie par le motif d'isolation 48a, fonctionne en tant qu'électrodes de plage de soudage 44. Une partie des motifs de câblage en surface 43c, qui est définie par les motifs d'isolation 48c, fonctionne en tant qu'électrodes de plage de soudage 47. Les motifs de câblage en surface 43b qui sont définis par les motifs d'isolation 48b fonctionnent en tant qu'électrodes de plage de soudage 45 et 46. C'est-à-dire que dans le substrat de câblage multicouche en céramique 49 qui présente une structure telle que décrite ci-avant, des parties électroniques en puce telles que des condensateurs en puce ou similaire peuvent être connectées électriquement les unes aux autres au moyen de l'utilisation des motifs de câblage en surface 43b. En outre, des électrodes de plage de soudage fines peuvent être formées. Par conséquent, le substrat de câblage multicouche en céramique 49 permet de satisfaire de façon satisfaisante la miniaturisation de ces parties électroniques en puce. Jusqu'ici, les modes de réalisation préférés de la présente invention ont été décrits. Selon les premier et second modes de réalisation, les motifs de câblage en forme de ligne sont formés de manière à intersecter les motifs de câblage prévus sur la feuille de base en céramique. La feuille de base en céramique est liée par pression en association avec les autres feuilles de base en céramique et ensuite, elles sont soumises à une cuisson. Ainsi, des motifs d'isolation qui présentent moins d'effet de bavure ou similaire, qui présentent une précision élevée et une résistance mécanique élevée peuvent être formés. Par conséquent, des substrats de câblage présentant un câblage haute densité, d'une dimension réduite et présentant une fiabilité élevée peuvent être proposés. Le substrat de câblage de la présente invention n'est pas limité aux modules multicouches en céramique dont chacun comporte un dispositif à semiconducteur monté sur lui et aux substrats de câblage multicouche en céramique comme décrit ci-avant. En particulier, le substrat de câblage de la présente invention peut être un dispositif sous forme de module comportant une partie passive telle qu'un condensateur en puce, un filtre LC en puce ou similaire montée dessus et peut être appliqué en tant que substrats de câblage pour des modules multipuces, des circuits intégrés ou IC hybrides ou similaire. Le substrat n'est pas limité à un substrat en céramique et il peut s'agir d'un substrat en résine tel qu'un substrat de circuit de câblage imprimé, un substrat flexible ou similaire. Que le substrat de câblage en céramique soit un substrat de câblage en céramique monocouche ou un substrat de câblage en céramique multicouche mais cependant tout particulièrement dans le cas du substrat de câblage en céramique multicouche, une cavité peut être formée dans l'une des faces principales ou dans les deux. En outre, un élément passif tel qu'un condensateur, un inducteur et une combinaison de ceux-ci peut être contenu. La fabrication du substrat de câblage multicouche en céramique n'est pas limitée au procédé d'empilement de feuilles de base. Le substrat de câblage multicouche en céramique peut être fabriqué selon un procédé d'impression en film épais. Qui plus est, le dispositif électronique de la présente invention peut être un dispositif de communication mobile, un ordinateur ou similaire muni du substrat multicouche en céramique ou du module multicouche en céramique décrit ci- avant. Par exemple, le module multicouche en céramique 13 et le module de câblage multicouche 23 peuvent être utilisés pour la section de traitement de signal d'entrée/sortie ou similaire d'un dispositif de communication mobile. Dans les modes de réalisation décrits ci-avant, une composition en film épais pour former les motifs d'isolation est formée sur chacune des feuilles de base en céramique avant la liaison par pression. La formation de la composition en film épais peut être mise en oeuvre après la liaison par pression. Dans ce cas, I'empilement en céramique qui est obtenu après l'empilement présente une planéité élevée. Par conséquent, la propriété d'impression pour la composition en film épais est améliorée. Cependant, dans certains cas, des concavités et des convexités qui sont générées par la composition en film épais subsistent sur l'empilement après l'impression par sérigraphie. Si les concavités et les convexités sont non favorables pour le montage de parties et pour la formation de bossements, il est souhaitable que le processus de pression soit appliqué après que la composition en film épais a été imprimée par sérigraphie. Selon les modes de réalisation décrits ci-avant, les électrodes de plage qui sont constituées par une partie des motifs de câblage et qui sont définies par les motifs d'isolation en forme de ligne sont des électrodes de plage de soudage. Un moyen permettant de connecter électriquement les électrodes de plage à une parie de montage est la soudure. Les électrodes de plage peuvent être des électrodes de plage de soudage et des électrodes de plage à bossement en or et le moyen de connexion peut être une soudure, un bossement en or ou similaire. Qui plus est, la présente invention convient en tant que substrat de câblage pour monter une puce à protubérances ou similaire nécessitant de nombreuses électrodes de plage fines. Lorsqu'une électrode de plage et une partie de montage telle qu'un dispositif à semiconducteur ou similaire sont connectées électriquement l'une à l'autre, en tant que moyen de connexion, un bossement peut être formé sur le côté du substrat de câblage ou un BGA ou réseau de grille à billes ou similaire peut être formé sur le côté de la partie de montage. Selon la présente invention, l'épaisseur et la largeur des motifs d'isolation ne sont pas particulièrement limitées. De façon souhaitable, les motifs présentent une largeur et une épaisseur qui sont telles que la soudure ne dépasse pas par excès les motifs. En outre, de façon souhaitable, les motifs d'isolation présentent une mouillabilité de soudure faible. Puis la composition en film épais pour former les motifs d'isolation (les motifs de réserve de soudure) sur le substrat de câblage en céramique multicouche sera décrite. Tout d'abord, de façon souhaitable, la composition en film épais contient en tant que composant principal de la poudre du même type de composition que la poudre de céramique qui constitue le corps en céramique non soumis à une cuisson et la dimension de particule centrale de la poudre de céramique est inférieure à celle de la poudre de céramique qui constitue le corps en céramique non soumis à une cuisson. Ainsi, les poudres de céramique peuvent être soumises à une cuisson de façon simultanée tandis que les propriétés électriques excellentes et que la stabilité de forme du corps en céramique non soumis à une cuisson peuvent être suffisamment assurées. L'expression mentionnée ci-avant "même type de composition" signifie que la composition de la poudre de céramique de la composition en film épais est la même que celle d'au moins un type des composants contenus dans la poudre de céramique constituant le corps en céramique non soumis à une cuisson. Par exemple, lorsque la poudre de céramique qui constitue le corps en céramique non soumis à une cuisson est une poudre de céramique de type BaO-AI203-SiO2, la poudre de céramique de la composition en film épais doit contenir au moins un élément pris parmi BaO, A1203 et SiO2. De façon souhaitable, la dimension de particule centrale de la poudre de céramique de la composition en film épais est d'au moins 10% inférieure à celle de la poudre de céramique qui constitue le corps en céramique non soumis à une cuisson. Lorsque la dimension de particule centrale de la poudre de céramique dans la composition en film épais est dans la plage mentionnée ci-avant, la composition en film épais peut être comprimée ou densifiée de façon suffisante sous les conditions de cuisson du corps en céramique non soumis à une cuisson même si un composant de verre ou similaire n'est pas ajouté à la composition. Si la dimension de particule centrale de la poudre de céramique de la composition en film épais excède la plage mentionnée ci-avant, la composition en film épais est frittée de façon insuffisante sous les conditions de cuisson du corps en céramique non soumis à une cuisson dans certains cas. En outre, de façon souhaitable, la dimension de particule centrale de la poudre de céramique de la composition en film épais est d'au moins 30% inférieure à celle de la poudre de céramique qui constitue le corps en céramique non soumis à une cuisson. En outre, de façon souhaitable, la dimension de particule centrale de la poudre de céramique qui constitue le corps en céramique non soumis à une cuisson est dans la plage de 0,5 tm à 10 im et la dimension de particule de la poudre de céramique de la composition en film épais est dans la plage de 0,49 iam à 9 tm. En outre, de façon souhaitable, la dimension de particule centrale de la poudre de céramique qui constitue le corps en céramique non soumis à une cuisson est dans la plage de 1 im à 5 pm et la dimension de particule de la poudre de céramique de la composition en film épais est dans la plage de 0,7 JLm à 3 tm. Lorsque les dimensions de particule centrale des poudres de céramique sont respectivement dans les plages mentionnées ci-avant, le frittage du corps en céramique non soumis à une cuisson et de la composition en film épais peut être réalisé de façon suffisante même à une température relativement faible. Qui plus est, la dimension de particule brute maximum de la poudre de céramique de la composition en film épais peut être réduite jusqu'à environ 10 im. Qui plus est, la composition en film épais, lorsqu'elle est imprimée par sérigraphie ou similaire, présente une bonne propriété de traversée d'écran et donne un motif qui présente une propriété de conformation excellente. En outre, il est souhaitable que la composition en film épais ne contienne sensiblement pas de composant de verre puisque le composant de verre se diffuse dans le corps en céramique non soumis à une cuisson, ce qui exerce une influence sur la propriété de frittage, lorsque la cuisson simultanée est mise en oeuvre. Par conséquent, un corps traité en céramique qui présente une distorsion moindre et un gauchissement moindre et qui présente des propriétés électriques excellentes peut être proposé. Qui plus est, lorsqu'aucun composant de verre n'est contenu, aucune ségrégation ne se produit sur la surface des motifs conducteurs. Par conséquent, de bonnes propriétés de soudage et de placage peuvent être assurées. Dans le but de différencier des couleurs de la composition en film épais et du corps en céramique non soumis à une cuisson l'une par rapport à l'autre (ou dans le but de différencier les couleurs du motif d'isolation et du corps fritté en céramique), de façon souhaitable, la composition en film épais contient des colorants organiques ou inorganiques. Si les couleurs peuvent être différenciées, une détection, une inspection ou similaire peut aisément être mise en oeuvre lors d'un processus d'impression de la composition en film épais, lors d'un processus de montage de diverses parties de montage ou similaire. Afin de différencier les couleurs, par exemple, en tant que colorant organique, un pigment organique (par exemple phthalocykline de cuivre, un type azo, quinacridone ou similaire) selon une quantité de 0,1% à 1,5% en poids de la poudre de céramique de la composition en film épais peut être ajouté. La composition en film épais peut contenir jusqu'à 3% en poids de poudre du type oxyde d'au moins un type de métal choisi parmi le groupe comprenant le chrome, le cobalt, le cuivre, le nickel, le fer et le titane. En outre, de façon souhaitable, la composition en film épais contient un agent de remplissage inorganique selon une quantité de jusqu'à 30% en poids sur la base de la poudre de céramique de la composition en film épais. De préférence, en tant qu'agent de remplissage inorganique, des matériaux qui sont difficiles à fritter et qui présentent un point de fusion relativement élevé tels que des poudres de céramique du type oxyde que sont l'alumine, le zircone, la magnésie, l'oxyde de titane ou similaire et des poudres de céramique du type non oxyde telles que des nitrures, des carbures ou similaire sont de façon souhaitable utilisées. En ajoutant un tel agent de remplissage inorganique à la composition en film épais, des variations au niveau du profil de cuisson et des variations au niveau du comportement en cuisson générées par une irrégularité au niveau des dimensions de particules centrales des poudres de céramique peuvent être réduites. Par conséquent, des motifs d'isolation qui présentent des qualités stables peuvent être formés. Qui plus est, la résistance mécanique du film de revêtement et la capacité d'impression de la composition en film épais et qui plus est, la résistance mécanique des motifs d'isolation peuvent être augmentées. Qui plus est, de façon souhaitable, la poudre de céramique qui constitue le corps en céramique non soumis à une cuisson est une poudre de céramique du type oxyde qui contient en tant que composants principaux de l'oxyde de baryum, de l'oxyde de silicium, de l'oxyde d'aluminium et de l'oxyde de bore. Egalement de façon souhaitable, la composition en film épais contient des poudres de céramique du type oxyde que sont l'oxyde de baryum, I'oxyde de silicium, I'oxyde d'aluminium et l'oxyde de bore. La poudre de céramique du type décrit ci-avant peut être soumise à une cuisson même dans une atmosphère réductrice et peut être simultanément soumise à une cuisson avec un métal à point de fusion bas tel que le Cu qui présente une valeur de résistance spécifique faible et qui est peu coûteux. Dans le cas dans lequel la poudre de céramique qui constitue le corps en céramique non soumis à une cuisson est du type mentionné ci- avant, de façon souhaitable, la poudre de céramique de la composition en film épais contient de 20% à 50% en poids sur une base conversion BaO de l'oxyde de baryum, de 40 à 70% en poids sur une base conversion SiO2 de l'oxyde de silicium, de 2% à 10% en poids sur une base conversion A1203 de l'oxyde d'aluminium et de 1% à 3% en poids sur une base conversion B203 de l'oxyde de bore. La composition en film épais qui contient la poudre de céramique selon les rapports de poids mentionnés ci-avant peut être soumise à une cuisson dans une atmosphère réductrice à une température jusqu'à 1000 C et peut former une substance cristallisée telle que celsian ou similaire. Par conséquent, un motif d'isolation qui présente une caractéristique haute fréquence excellente avec une constante diélectrique s faible et un Q élevé, une valeur de capacité parasite moindre, aucun fluage lors de la cuisson et une résistance mécanique de film élevée peut être formé. En ce qui concerne la poudre de céramique de la composition en film épais, si la quantité d'oxyde de baryum est inférieure à 20% en poids sur une base conversion BaO, la température de cuisson tend à être supérieure à la température mentionnée ci-avant. Par ailleurs, si la quantité excède 50% en poids, la fiabilité en ce qui concerne la résistance à l'humidité ou similaire du motif d'isolation est détériorée dans certains cas. Qui plus est, si la quantité d'oxyde de silicium est inférieure à % en poids sur une base conversion SiO2, la constante diélectrique ú est augmentée et ceci peut affecter les propriétés électriques. Par ailleurs, si la quantité excède 70% en poids, la température de cuisson peut devenir supérieure à la température mentionnée ci-avant. Qui plus est, si la quantité d'oxyde d'aluminium est inférieure à 2% en poids sur une base conversion A1203, la résistance mécanique du motif d'isolation peut être réduite. Par ailleurs, si la quantité excède 10% en poids, la température de cuisson tend à devenir supérieure à la température mentionnée ci-avant. Qui plus est, si la quantité d'oxyde de bore est inférieure à 1% en poids sur une base conversion B203, de façon similaire, la température de cuisson tend à devenir plus élevée. Par ailleurs, si la quantité excède 3% en poids, la fiabilité en ce qui concerne la résistance à l'humidité ou similaire peut être réduite. Qui plus est, dans ce cas, de façon souhaitable, la composition en film épais contient un oxyde métallique des terres alcalines tel que CaO, SrO, MgO ou similaire selon une quantité jusqu'à 3% en poids sur la base de la quantité de la poudre de céramique de la composition en film épais. Ces oxydes métalliques des terres alcalines sont substitués au Ba dans l'oxyde de baryum mentionné ci-avant et ils présentent une fonction d'amélioration de la fiabilité liée à la résistance à l'humidité ou similaire. Cependant, si la quantité d'addition d'un oxyde métallique des terres alcalines excède 3% en poids, la température de cuisson peut augmenter et les caractéristiques électriques telles que la constante diélectrique E, la valeur Q ou similaire peuvent être détériorées. (Exemples) Ci-après, des exemples concrets de la présente invention seront décrits. Tout d'abord, une poudre de céramique d'un type BaO-SiO2- Al203. B203 a été préparée. Avec la poudre de céramique, un agent de liaison organique comprenant du butyral polyvinylique, un plastifiant comprenant du di-n-butylphthalate et un solvant organique comprenant du toluène et de l'isopropylalcool ont été mélangés selon des quantités appropriées afin de préparer une boue pour une feuille de base en céramique. Puis la boue pour une feuille de base en céramique a été déposée sur un film de support pour être formée selon une feuille au moyen d'un procédé par lame. Ensuite, la feuille a été séchée afin d'obtenir une feuille de base en céramique présentant une épaisseur de Lm. Puis des trous pour des trous de via ont été formés dans la feuille de base en céramique mentionnée ci-avant par poinçonnage. Une pâte de cuivre qui contient du Cu en tant que composant principal a été remplie à l'intérieur des trous pour les trous de via afin de former les trous de via. Qui plus est, la pâte de cuivre qui contient du Cu en tant que composant principal a été imprimée par sérigraphie afin de former des motifs de câblage internes prédéterminés si nécessaire. Sur une feuille de base en céramique qui constitue la couche la plus externe sur le côté de la partie de montage, la même pâte de cuivre qui contient du Cu en tant que composant principal a été imprimée par sérigraphie pour former des motifs de câblage en surface prédéterminés (d'une largeur de câblage de 0,12 im. Par ailleurs, un agent de remplissage constitué par de l'alumine a été ajouté à la poudre de céramique du type BaO-SiO2-AI203-B203. Un agent de liaison organique et un solvant organique ont été ajoutés selon des quantités appropriées, I'ensemble a été agité et malaxé au moyen d'une machine de mélange et de broyage et au moyen d'un laminoir à trois rouleaux afin de préparer la composition en film épais pour former un motif de réserve de soudure. Ensuite, la composition en film épais mentionnée ci-avant a été imprimée par sérigraphie selon un motif prédéterminé sur la feuille de base en céramique pour constituer la couche la plus externe mentionnée ci-avant au moyen d'une plaque d'écran comprenant un maillage constitué par un fil en acier inoxydable et une émulsion et ainsi, des motifs de réserve de soudure définissant des zones de formation de soudure (des électrodes de plage de soudage) ont été formés. Les motifs de réserve de soudure étaient deux motifs d'isolation en forme de ligne parallèles (largeur de ligne: 0,24 mm et intervalle de ligne: 0,12 mm) couvrant les plusieurs motifs de câblage en surface et intersectant les motifs de câblage en surface. Puis dix feuilles de base en céramique au total préparées comme décrit ciavant ont été empilées et ont été coupées selon un carré de deux pouces et ainsi, les empilements en céramique non soumis à une cuisson ont été produits. Chacun des empilements en céramique non soumis à une cuisson produits présentait une structure représentée sur la figure 4 et des électrodes de plage de soudage ont été formées de manière à présenter une forme de carré de 0,12 mm x 0,12 mm (= 0,144 mm2). Puis l'empilement en céramique complet a été lié par pression à chaud sous les conditions constituées par une température de 80 C et par une pression de 200 kg/cm2 et a été soumis à une cuisson à une température de jusqu'à 1000 C dans une atmosphère réductrice et ainsi, un substrat de câblage multicouche en céramique présentant la structure représentée sur la figure 3 (un semiconducteur n'était pas monté) a été produit (exemple 1). A titre de comparaison, un substrat de câblage multicouche en céramique a été préparé de la même manière que selon l'exemple 1 décrit ci-avant à ceci près que la composition en film épais décrite ci- avant a été imprimée par sérigraphie sur la totalité de la surface à l'exclusion des électrodes de plage de soudage, de la feuille de base en céramique pour constituer la couche la plus externe (exemple 1 comparatif) . En tant que résultat, comme représenté sur la figure 7, dans le substrat de câblage multicouche en céramique de l'exemple comparatif 1, lorsque la composition en film épais mentionnée ci-avant a été imprimée par sérigraphie, des variations d'aire des électrodes de plage de soudage ont augmenté. Dans le cas d'une impression continue, le nombre de fois d'impression étant augmenté, I'aire des électrodes de plage de soudage respectives a été réduite. Tout particulièrement, lorsqu'une impression continue en dix fois a été mise en ceuvre, les électrodes de plage de soudage n'ont pas été conformées. Par ailleurs, dans le substrat de câblage multicouche en céramique de l'exemple 1, lorsque la composition en film épais décrite ci- avant a été imprimée par sérigraphie, des variations au niveau de l'aire des électrodes de plage de soudage pouvaient être réduites de manière à s'inscrire dans la plage de +/- 5%. Les motifs de réserve de soudure ont pu être imprimés de façon hautement précise et des électrodes de plage de soudage fines ont pu être formées de façon précise. En outre, même dans le cas d'une impression continue mise en oeuvre au moins vingt fois, sensiblement pas de variation au niveau de l'aire des électrodes de plage de soudage n'a été observée et les variations étaient faibles. Par conséquent, le substrat de câblage multicouche en céramique convenait très bien pour une fabrication en grandes séries. Qui plus est, dans le substrat de câblage multicouche en céramique de l'exemple 1, la résistance mécanique à l'adhérence des électrodes des motifs de câblage en surface a été augmentée. En outre, les gauchissements ou gondolements du substrat pouvaient davantage être atténués par comparaison avec le substrat de câblage multicouche en céramique de l'exemple comparatif 1. Dans le substrat de câblage, conformément à la présente invention, les motifs d'isolation en forme de ligne sont formés de manière à intersecter les motifs de câblage sur le substrat, des électrodes de plage fines haute précision, tout particulièrement des zones de formation de soudage sans effet de bavure, peuvent être formées du fait des motifs d'isolation. Pour différents types de substrats de câblage, un câblage haute densité et une réduction de la dimension peuvent être obtenus. Le procédé de fabrication du substrat de câblage conformément à la présente invention comprend les étapes consistant à former des motifs de câblage sur un substrat et à former des motifs d'isolation sur le substrat de telle sorte qu'ils intersectent les motifs de câblage sur le substrat.Par conséquent, des électrodes de plage fines haute précision, tout particulièrement des électrodes de plage avec moins d'effet de bavure, peuvent être formées. Par conséquent, des substrats de câblage présentant un câblage haute densité et une dimension réduite peuvent être fabriqués selon une reproductibilité élevée. Qui plus est, le dispositif électronique conformément à la présente invention est muni du substrat de câblage qui présente un câblage haute densité et une dimension réduite. Par conséquent, pour des dispositifs électroniques tels que des dispositifs de communication mobile, des ordinateurs etc...., la réduction de la dimension et l'amélioration de la performance peuvent être réalisées. REVENDICATIONS 1. Substrat de câblage caractérisé en ce qu'il comprend un substrat (1) qui comporte un motif de câblage (4), et un motif d'isolation en forme de ligne (8) qui est formé sur le substrat de manière à intersecter le motif de câblage (4) et à définir une partie du motif de câblage pour une électrode de plage (7). 2. Substrat de câblage selon la revendication 1, caractérisé en ce qu'un autre motif d'isolation en forme de ligne (28b) parallèle audit motif d'isolation (28a) est formé sur le substrat (21). 3. Substrat de câblage selon la revendication 1 ou 2, caractérisé en ce que plusieurs motifs de câblage (4) sont formés sur le substrat (1) et le motif d'isolation (8) est formé de manière à couvrir les plusieurs motifs de câblage (4). 4. Substrat de câblage selon la revendication 1, caractérisé en ce qu'une partie de montage (11) est montée sur au moins l'une des faces principales (9) du substrat (1) et la partie de montage est connectée électriquement à l'électrode de plage (7). 5. Substrat de câblage selon la revendication 4, caractérisé en ce que le motif d'isolation (8) est un motif de réserve de soudure qui définit l'électrode de plage (7) pour une zone de formation de soudure. 6. Substrat de câblage selon la revendication 1, caractérisé en ce que le substrat est un substrat de câblage multicouche qui comporte des motifs de câblage internes (2) qui constituent plusieurs couches. 7. Substrat de câblage selon la revendication 1, caractérisé en ce que le substrat est un substrat en céramique et le motif d'isolation (8) contient de la céramique en tant que composant principal. 8. Procédé de fabrication d'un substrat de câblage caractérisé en ce qu'il comprend les étapes de: formation d'un motif de câblage (4) sur un substrat (1); et formation d'un motif d'isolation (8) sur le substrat de telle sorte qu'il intersecte le motif de câblage (4) et qu'il définisse une partie du motif de câblage pour une électrode de plage (7). 9. Procédé de fabrication d'un motif de câblage selon la revendication 8, caractérisé en ce qu'un autre motif d'isolation en forme de ligne (28b) parallèle au motif d'isolation (28a) est formé sur le substrat (21). 10. Procédé de fabrication d'un motif de câblage selon la revendication 8 ou 9, caractérisé en ce qu'il comprend les étapes de: formation de plusieurs motifs de câblage (4) sur le substrat (1); et formation du motif d'isolation (8) de manière à couvrir les plusieurs motifs de câblage. 11. Procédé de fabrication d'un motif de câblage selon la revendication 8, caractérisé en ce qu'il comprend en outre l'étape de montage d'une partie de montage (11) sur au moins l'une des faces principales (9) du substrat (1) de telle sorte qu'elle soit connectée électriquement à l'électrode de plage (7). 12. Procédé de fabrication d'un motif de câblage selon la revendication 11, caractérisé en ce que le motif d'isolation (8) est formé en tant que motif de réserve de soudure qui définit l'électrode de plage (7) pour une zone de formation de soudure. 13. Procédé de fabrication d'un motif de câblage selon la revendication 8, caractérisé en ce que, en tant que substrat, un substrat de câblage multicouche qui comporte des motifs de câblage internes (2) qui constituent plusieurs couches est utilisé. 14. Procédé de fabrication d'un motif de câblage selon la revendication 8, caractérisé en ce qu'il comprend les étapes de: formation du motif de câblage (4) sur un substrat en céramique (1); et formation, en tant que motif d'isolation (8), d'un motif qui contient de la céramique en tant que composant principal. 15. Procédé de fabrication d'un motif de câblage selon la revendication 14, caractérisé en ce qu'il comprend les étapes de: formation du motif de câblage (4) sur une feuille de base en céramique; formation du motif d'isolation (8) sur la feuille de base en céramique; liaison par pression de la feuille de base en céramique en association avec d'autres feuilles de base en céramique afin de former un corps à liaison par pression; et cuisson du corps à liaison par pression. 16. Dispositif électronique caractérisé en ce qu'il est muni du substrat de câblage (1) défini selon l'une quelconque des revendications 1 à7.