FR 2803689 A1 20010713 FR 0000272 A 20000111 La présente invention concerne un procédé de réalisation d'une dalle comportant au moins un substrat, un réseau d'électrodes métalliques et une couche diélectrique. La présente invention s'applique plus particulièrement à la fabrication de dalles pour panneaux à plasma alternatifs. Toutefois il est évident pour l'homme de l'art que la présente invention peut s'appliquer à chaque fois qu'il est nécessaire d'empiler un dielectrique sur un réseau d'électrodes. Ainsi, la présente invention peut s'appliquer, par exemple, dans les circuits hybrides ou dans les cellules de type photovoltaïque. Pour simplifier la description, la présente invention sera décrite en référant à des panneaux de visualisation, plus particulièrement des panneaux à plasma de type alternatif. De manière connue, un panneau à plasma comporte deux dalles comprenant chacune au moins un réseau d'électrodes conductrices. Chaque dalle est formée à partir d'un substrat en verre, le plus souvent un verre de type sodocalcique, sur lequel a été déposé le ou les réseaux d'électrodes conductrices, l'ensemble étant recouvert d'une couche diélectrique. Les deux dalles sont assemblées l'une à l'autre de manière étanche avec les réseaux d'electrodes sensiblement orthogonaux. Elles délimitent ainsi un espace rempli de gaz. La couche diélectrique déposée sur les réseaux d'électrodes conductrices a pour but de les isoler du gaz et de limiter courant de décharge en stockant les charges crées par ionisation, conferant ainsi au panneau un effet mémoire. Cette couche diélectrique en général constituée par un verre ou un émail à base d'oxyde de plomb, de silice et de bore, à base d'oxyde de bismuth, de silice et de bore sans plomb ou à base d'oxyde de bismuth, de plomb, de silice et de bore sous forme de mélange. Cette couche diélectrique est utilisée que le panneau à plasma de type alternatif soit coplanaire ou matriciel. En effet, dans les panneaux à plasma dits coplanaires, les décharges d'entretien s'effectuent entre deux électrodes disposées sur un même substrat et les électrodes doivent donc être couvertes d'un diélectrique pour assurer l'effet mémoire. D'autre part, dans type de panneau, les décharges d'adressage sont produites entre des électrodes d'entretien et des électrodes d'adressage, les électrodes d'adressage etant généralement disposées sur le substrat arrière. Ces électrodes d'adressage sont le plus souvent protégées par une couche diélectrique pour assurer la stabilité des conditions de fonctionnement du panneau. Dans le cas des panneaux à plasma dits matriciels, les décharges d'entretien et d'adressage sont produites entre le réseau d'électrodes de la dalle avant et le réseau d'électrodes de la dalle arrière. Ces deux réseaux d'électrodes doivent donc être couverts d'un diélectrique pour assurer l'effet mémoire. Le plus souvent, le diélectrique est lui-même recouvert d'une couche mince d'oxyde de magnésium. Actuellement, la réalisation du réseau d'électrodes et de couche diélectrique a lieu en deux étapes technologiques distinctes. manière connue, on réalise, lors d'une première étape, le réseau d'électrodes. électrodes peuvent être obtenues en déposant, puis gravant une couche mince de métal tel que l'aluminium ou le cuivre ou multicouche type chrome-cuivre-chrome. On peut aussi réaliser le réseau d'électrodes a partir d'une pâte d'argent cuite à une température supérieure à 500 C. Quelle que soit la manière dont est réalisé le réseau d'électrodes sur le substrat en verre, la couche diélectrique est réalisée lors d'une étape ultérieure. Cette couche diélectrique est obtenue par dépôt, notamment sérigraphie d'une pâte contenant une fritte de verre à bas point de fusion. dépôt est ensuite séché et vitrifié lors d'un traitement thermique à haute température (environ 600 C). Le dépôt peut être réalisé par toute méthode permettant de déposer une couche mince de quelques dizaines de microns d'épaisseur, typiquement 20 à 30 microns. Le matériau utilisé pour réaliser couche diélectrique est souvent un borosilicate de plomb ou un borosilicate de bismuth sans plomb dont la résistivité électrique est élevée. Avec procédé de l'art antérieur, la couche diélectrique est une couche recouvrant toute la surface du substrat. De ce fait, elle doit posséder une transmission optique maximale dans les zones inter-électrodes. Une transmission optique élevée n'est obtenue qu'avec des verres du type borosilicate de plomb que l'on cuit à une température élevée. La cuisson à une température élevée présente l'inconvénient de déformer le substrat en verre. présente invention a donc pour but de proposer un nouveau procédé réalisation d'une dalle comportant au moins un substrat, un réseau d'electrodes métalliques et une couche diélectrique qui puisse être mis en ceuvre à des températures relativement basses, n'entraînant pas de déformation substrat. présente invention a aussi pour but de proposer un procédé de réalisation d'une dalle comportant au moins un substrat, un réseau d'électrodes métalliques et une couche diélectrique qui puisse etre mis en oeuvre en seule étape de réalisation, ce qui limite son coût. En conséquence, la présente invention a pour objet procédé de réalisation d'une dalle comportant au moins un substrat, réseau d'électrodes métalliques et une couche diélectrique, caractérisé en que le réseau d'électrodes et la couche diélectrique sont réalisés lors d'une seule étape de gravure, à l'aide d'une résine de masquage comportant un précurseur du matériau diélectrique. Selon un mode de réalisation préférentiel, le précurseur du matériau diélectrique est soit une solution colloïdale ou une poudre d'un oxyde non-conducteur électronique, soit un verre à bas point de fusion compatible avec la résine. De préférence, l'oxyde non-conducteur électronique est choisi parmi les aluminates, les silicates, l'oxyde de titane, l'oxyde de cérium. D'autre part, le verre à bas point de fusion est choisi parmi les verres à base d'oxyde de vanadium, d'oxyde de tellure ou d'oxyde d'argent ou parmi les borosilicates de plomb, de bismuth ou les borosilicates alcalins. De manière connue, la résine de masquage est choisie parmi l'alcool polyvinylique additionné d'un photosensibilisateur pour donner une résine photosensible, le polyvinylbutyral, les résines cellulosiques ou acryliques rendues photosensibles. Selon un mode de réalisation préférentiel, la résine comporte entre - 0,5 % et 20 % en masse de résine sèche, - 20 % et 70 % en masse de solvant, - 30 % et 75 % en masse de précurseur de matériau diélectrique, - % et 2 % en masse d'additifs. additifs sont des composés organiques assurant la cohésion et la densité matériau diélectrique ou des anti-mousses constitués le plus souvent par alcools lourds ou des composés fluorés. présente invention concerne aussi un procédé utilisé pour la réalisation dalles pour panneaux à plasma de type alternatif comportant les étapes suivantes - dépôt sur un substrat en verre d'au moins une couche métallique, - dépôt sur la couche métallique d'une résine de masquage comportant un précurseur d'un matériau diélectrique, - gravure de la résine et de la couche métallique à travers un masque de manière à réaliser au moins un réseau d'électrodes, - cuisson de l'ensemble de manière à éliminer la résine et former une couche diélectrique sur le réseau d'électrodes. Selon une caractéristique supplémentaire, l'étape de gravure est précédée par une étape de durcissement de la résine. Cette étape de durcissement est réalisée, de préférence, à une température comprise entre 100 C et 200 C. Selon un mode de réalisation préférentiel, l'étape de cuisson est réalisée à une température comprise entre 450 C et 600 C pendant une durée comprise entre 20 minutes et 3 heures. D'autres caractéristiques et avantages de la présente invention apparaîtront à la lecture de la description de différents modes de réalisation, cette description étant faite avec référence au dessin ci-annexe dans lequel Figures 1A à 1 E représentent schématiquement différentes étapes de réalisation d'une dalle d'un panneau de visualisation, plus particulièrement d'un panneau à plasma conformément à présente invention. Pour simplifier la description, la présente invention sera décrite en se référant à la réalisation d'une dalle d'un panneau à plasma de type alternatif. Toutefois, il est évident pour l'homme de l'art, comme mentionné ci-dessus, que la présente invention peut s'appliquer à la réalisation de tout circuit comportant un substrat, un réseau d'électrodes métalliques sur lequel est déposée une couche diélectrique tel que les cellules photovolta1ques ou les circuits hybrides. Comme représenté sur la figure 1A, sur un substrat 1 constitué de préférence par un verre de type sodocalcique, on dépose une couche métallique 2. De manière connue, la couche métallique utilisée pour réaliser un réseau d'electrodes peut être soit une couche métallique en aluminium ou en cuivre soit une multicouche telle qu'un ensemble chrome/cuivre/chrome ou aluminium/chrome. La couche métallique peut aussi être réalisée en utilisant une pâte d'un composé conducteur telle qu'une pâte d'argent ou une pâte de cuivre. Dans le cas d'une couche métallique en aluminium ou en cuivre ou d'une multicouche telle qu'une couche chrome/cuivre/chrome ou aluminium/chrome, la couche 2 est déposée sur le substrat 1 en utilisant , par exemple, une technique de pulvérisation cathodique. Dans ce cas, la couche est déposée à basse température et le substrat en verre 1, ne subissant aucune cuisson, ne se déforme pas. Lorsque l'on utilise une pâte d'argent, celle-ci est déposée par sérigraphie puis cuite à une température de l'ordre 450 C à 580 C pour réaliser la couche d'argent. Dans ce cas, le substrat subit une cuisson mais avant la réalisation d'un motif quelconque. De ce fait, déformation est sans importance. Ensuite, comme représenté sur la figure I B, sur la couche métallique 2 on dépose une résine de masquage 3. Conformément à la présente invention, cette résine de masquage est constituée une résine chargée par un précurseur du matériau diélectrique. De maniere spécifique, la résine est constituée d'une résine photosensible telle de l'alcool polyvinylique ou PVA additionné d'un photosensibilisateur peut être par exemple du bichromate de potassium, de sodium ou d'ammonium ou un composé diazoté ou d'autres éléments rendant la résine utilisée sensible à la lumière visible ou UV. De manière classique, l'élément photosensible est mélangé à la résine dans des proportions de 0,1 à 1 %. On peut utiliser aussi d'autres types de résines tels que du polyvinylbutyral ou des résines cellulosiques ou acryliques rendues photosensibles telle une résine à base d'éthyl-cellulose rendue photosensible par ajout sensibilisateur diazoïque. Conformément à la présente invention, la résine chargée avec un précurseur du matériau diélectrique final. Ce précurseur peut être constitué soit par un solution colloïdale ou une poudre d'un oxyde non- conducteur électronique. A titre d'exemple, cet oxyde non-conducteur électronique est choisi parmi les aluminates, les silicates ou l'oxyde de titane et l'oxyde de cerium. Le précurseur du matériau diélectrique final peut aussi être constitué un verre compatible avec la résine, de préférence un verre à bas point fusion tel qu'un verre à base d'oxyde de vanadium, d'oxyde de tellure, d'oxyde d'argent, notamment si la résine un alcool polyvinylique un polyvinylbutyral ou un verre du type borosilicate de plomb ou de bismuth, dans le cas d'une résine compatible avec ces matériaux. Conformément à la présente invention, la résine pourra aussi contenir un précurseur organique destiné à donner plus de cohésion et de densité à la future couche diélectrique. A titre d'exemple, on peut utiliser le tétraéthylorthosilicate. Divers autres additifs peuvent aussi être ajoutés à la résine, notamment des anti-mousses tels que des alcools lourds ou des composés fluorés. Comme représenté sur la figure 1 B, la résine chargée du précurseur du matériau diélectrique est déposée en une couche quelques microns à quelques dizaines de microns d'épaisseur par une technique connue telle que la sérigraphie ou le dépôt au rouleau. Elle est ensuite séchée à une température comprise entre 50 C et 100 C selon sa nature. Ensuite, comme représenté à la figure 1C, en utilisant un masque 4, on insole la couche de résine 3 à travers le masque de manière à obtenir les éléments de résine 3a correspondant aux motifs des électrodes. Dans le cas d'une résine négative comme l'alcool polyvinylique, les motifs clairs du masque représentent le motif à transferer sur la dalle. Ensuite, on développe de manière connue la résine pour révéler le motif. Cette opération peut être réalisée par projection d'eau. Puis, comme représenté la figure 1 D, on réalise la gravure de la ou des couche(s) métallique(s) 2 de manière classique. Toutefois, pour que la tenue chimique de la résine soit satisfaisante, préalablement à la gravure, on réalise un durcissement de la résine en lui faisant subir une cuisson à une température de 1 à 200 C selon le type de résine. La gravure de la couche métallique est réalisée en utilisant des solutions classiques telles qu'un mélange d'acide nitrique et d'acide phosphorique pour l'aluminium ou du perchlorure de fer en milieu acide chlorhydrique pour le chrome et le cuivre. Puis, comme représenté sur la figure l E, on élimine éventuellement la résine sur les parties de la couche métallique réalisant les connecteurs 2C. Cette élimination peut être réalisée en nettoyant la couche de résine sur ces zones avant la cuisson de l'ensemble. Ce nettoyage peut être réalisé par trempage dans une solution qui dissout la résine, telle que l'eau oxygénée dans le cas d'alcool polyvinylique. On peut aussi déposer une couche de résine non-chargée sur les zones de connexion. La cuisson de la résine non-chargée mettra à lesdites zones. Selon un troisième mode de réalisation, après cuisson peut dissoudre par attaque chimique le diélectrique sur les zones de connexion 2c. Conformément à la présente invention, une fois la résine et la couche métallique gravées, on réalise une cuisson de l'ensemble à une température comprise entre 450 C et 600 C et pendant une durée comprise entre 20 minutes et 3 heures, la température et la durée étant fonction du type de résine. Ainsi, dans le cas d'une résine à base d'alcool polyvinylique et d'une charge en silice colloïdale, une cuisson d'une heure à 400 C sera suffisante pour brûler la résine et former une couche diélectrique de silice 5 sur les électrodes. A cette température, le substrat en verre 1 ne se déforme pas. Suivant le type de dalle , la cuisson peut aussi être réalisée après dépôt couches formant barrières et des luminophores, si ceux-ci peuvent etre réalisés à des températures compatibles avec le procédé ci- dessus. Selon un autre mode de réalisation, si le réseau d'électrodes est réalisé à partir d'une pâte d'argent développable, c'est-à-dire solubilisable dans solution aqueuse ou dans un solvant, mais pas forcément photosensible, le procédé décrit ci-dessus est modifié de la manière suivante. On dépose la couche de pâte d'argent que l'on sèche puis on dépose la couche de résine chargée en un matériau précurseur du matériau diélectrique que l'on sèche également. On insole et développe cette couche et on poursuit le développement de cette couche par la solubilisation de la pâte d'argent aux endroits où la résine a été développée. Si la pâte d'argent contient verre fusible à basse température, à savoir comprise entre 350 C et 400 C, cuit alors l'ensemble à cette température. On donnera ci-après différents exemples de réalisation d'une dalle pour panneau à plasma de type alternatif. Exemple 1 : application à la dalle arrière d'un panneau coplanaire. On procède au dépôt par pulvérisation cathodique d'une couche métallique en aluminium de 2 pm d'épaisseur sur un substrat de verre. On prépare ensuite une pâte constituée en masse - de 50% d'une solution d'alcool polyvinylique (PVA) de grade 25-140 à 12% dans l'eau, - de 2% de bichromate de sodium (photosensibilisateur), - de 46% d'une charge de poudre d'alumine de diamètre moyen 3 Nm, - de 2% d'un anti-mousse. On dépose alors cette pâte par sérigraphie sur l'ensemble de surface et sèche à 80 C. L'épaisseur sèche est de 10 Nm. On insole couche rayons UV, à travers un masque tel que les motifs clairs masque représentent le motif à transférer sur la dalle (les PVA sont résines négatives). L'énergie nécessaire est de l'ordre de 900 mJlcmZ. développe la résine à l'eau pour révéler le motif On durcit la couche développée à 150 C pendant 15 minutes. On procède ensuite à la gravure de la couche d'aluminium milieu acide nitrique-phosphorique (80 % d'acide phosphorique à 85 %, 5 d'acide nitrique à 70 % et 15 % d'eau) à 40 C. On dépose ensuite les motifs de barrières et les couches luminophores et on termine par le dépôt du joint de scellement. Pour etre compatible, les motifs de barrières et les couches luminophores sont déposés à basse températures. cuisson finale à 400 C sous air pendant une heure suffit a brûler les resines et à former la couche diélectrique en alumine poreuse les électrodes, à cuire les barrière et les luminophores ainsi qu'à fritter le verre du joint de scellement. Dans ce cas, il n'est pas nécessaire de nettoyer le diélectrique des zones connexion car, après cuisson, il devient peu adhérent. On l'enlève aisement par simple soufflage après scellement du panneau (les zones de connexion sont à l'extérieur du volume fermé du panneau). Dans un tel procédé de réalisation de la dalle portant les électrodes d'adressage d'un panneau à plasma de type coplanaire (généralement la dalle arrière), une seule cuisson est nécessaire et température maximale est de 400 à 450 C. II n'y a aucune déformation substrat le coût associé est très réduit. De plus, l'épaisseur de métallisation des électrodes de 2 pm est suffisante car la conductivité n' pas dégradée, contrairement à ce qui se passe lors des cuissons à haute température (plus de 560 C). Exemple 2 : application à la dalle avant d'un panneau à plasma de type matriciel (on suppose que les électrodes de la dalle avant sont les électrodes lignes). On procède au dépôt par pulvérisation cathodique multicouche métallique en chrome-cuivre-chrome (d'épaisseur 40 nm - pm - 60 nm) sur le substrat de verre. On prépare ensuite une pâte constituée en masse - de 60% d'une solution d'alcool polyvinylique (PVA) de grade 25-140 à 12% dans l'eau - de 2% de bichromate de sodium (photosensibilisateur) - de 30% d'une solution de silice colloïdale (contenant 40% de silice et 60% d'eau) - 6% de TEOS (tétraéthylorthosilicate) - 2% d'un anti-mousse On depose alors cette pâte par sérigraphie sur l'ensemble la surface à l'exception des zones de connexion et on sèche à L'épaisseur seche est de 6 pm. On dépose la même pâte mais sans charge de silice et TEOS par sérigraphie sur les zones de connexion et on seche à 80 C. On insole la couche aux rayons UV, à travers un masque tel les motifs clairs du masque représentent le motif à transférer sur la dalle (les PVA sont des résines négatives). L'énergie nécessaire est de l'ordre de 1100 mJlcm2. On developpe la résine à l'eau pour révéler le motif. On durcit la couche développée à 150 C pendant 10 minutes. On procède ensuite à la gravure des couches de chrome et cuivre dans solution à 40 C de perchlorure de fer à 6 moles par litre d'acide chlorhydrique à 1 mole par litre pour réaliser les électrodes lignes. cuisson finale à 440 C sous air pendant une heure suffit à brûler la résine (le PVA) et à densifier la couche diélectrique en silice sur électrodes. Dans ce cas, il n'y a pas de diélectrique sur les zones connexion la résine déposée dans ces zones n'est pas chargée. On termine par le dépôt d'une couche de magnésie (MgO) 600 nm d'épaisseur par évaporation sous vide. On couple cette dalle avant à une dalle arrière portant un réseau d'électrodes, une couche diélectrique, la couche de MgO, un réseau de barrières , un réseau de luminophores et le joint de scellement. Dans un tel procédé de réalisation de la dalle avant panneau à plasma type matriciel, on retrouve les avantages lies à la non déformation substrat et le faible coût dus une cuisson unique et à basse température. y a également une transmission optique accrue de la dalle avant, l'absorption n'étant due qu'au substrat de verre. Exemple 3 : application à la réalisation des dalles avant et arrière d'un panneau à plasma de type matriciel. On réalise le réseau d'électrodes ainsi que la couche diélectrique sur les électrodes de la même façon pour les deux dalles. On procède au dépôt par pulvérisation cathodique d'une bicouche métallique en aluminium-chrome d'épaisseur 3pm-40nm sur le substrat en verre. prépare ensuite une pâte constituée en masse # 44 % d'une solution d'alcool polyvinylique (PVA) de grade 140 à 12 % dans l'eau. # 2 % de bichromate de sodium (photosensibilisateur). 52 % d'une fritte de verre de diamètre moyen de 3 pm, de température de ramollissement de 350 C (composition à base d'oxydes de tellure, vanadium et argent). On dépose alors cette pâte par sérigraphie sur l'ensemble de la surface à l'exception des zones de connexion et on sèche à 80 C. L'épaisseur sèche est de 15 pm. On dépose la même pâte mais sans charge de fritte de verre par sérigraphie sur les zones de connexion on sèche à 80 C. On insole la couche aux rayons UV, à travers un masque que les motifs clairs masque représentent le motif à transférer dalle (les PVA sont résines négatives). L'énergie nécessaire est de l'ordre de 1500 mJlcm2. développe la résine à l'eau pour révéler le motif On durcit la couche developpée à 120 C pendant 10 minutes. On procède ensuite à la gravure de la couche de chrome dans une solution ' 40 C de perchlorure de fer (à 6 moles par litre) et d'acide chlorhydrique ' 1 mole par litre et à la gravure de la couche d'aluminium dans une solution d'acide nitrique-phosphorique (acide phosphorique 60%, acide nitrique 5%, eau 35%) à 40 C. Une cuisson finale à 450 C sous air pendant une heure suffit à brûler la résine (le PVA) et à densifier la fritte de verre formant la couche diélectrique sur les électrodes. La composition fusible de la couche diélectrique fond lors la cuisson à 450 C et recouvre parfaitement le dessus et les flancs electrodes. II n'y a diélectrique sur les zones de connexion car la résine déposée dans ces zones n'était pas chargée. On termine procédé de la dalle avant par le dépôt et la cuisson des espaceurs puis le depôt et le préfrittage du joint de scellement et enfin le dépôt de la couche de MgO de 600 nm d'épaisseur par évaporation sous vide. On termine le procédé de la dalle arrière par le dépôt de la couche de MgO de 600 nm d'épaisseur par évaporation sous vide puis le dépôt et la cuisson des barrières et des couches luminophores. On procède ensuite à l'assemblage des deux dalles avant et arrière puis à leur scellement et enfin au pompage à vide du panneau et à son remplissage avec un mélange Néon-5% Xénon. Dans un tel procédé de réalisation de la dalle d'un panneau à plasma de type alternatif on retrouve les avantages liés à # la non-déformation des substrats et le faible coût dus à une cuisson unique pour chaque substrat et aux basses températures de cuisson, # une transmission optique accrue de la dalle avant, l'absorption n'étant qu'au substrat de verre, # on a plus une couverture complète des électrodes par le matériau diélectrique du fait de la fusibilité du matériau diélectrique utilisé. II est évident pour l'homme de l'art que les exemples décrits ci- dessus peuvent être modifiés sans sortir du cadre des revendications ci- après. REVENDICATIONS 1 - Procédé réalisation d'une dalle comportant au moins un substrat, un réseau d'electrodes métalliques et une couche diélectrique, caractérisé en ce que réseau d'électrodes et la couche diélectrique sont réalisés lors d'une seule étape de gravure à l'aide d'une résine de masquage comportant un précurseur du matériau diélectrique. 2 - Procédé selon la revendication 1, caractérisé en ce que le précurseur du matériau diélectrique est soit une solution colloïdale ou une poudre d'un oxyde non conducteur électronique soit un verre à bas point de fusion compatible avec la résine. 3 - Procédé selon la revendication 2, caractérisé en ce que l'oxyde non-conducteur électronique est choisi parmi les aluminates, les silicates, l'oxyde de titane, l'oxyde de cérium. 4 - Procédé selon la revendication 2, caractérisé en ce que le verre à bas point de fusion est choisi parmi les verres à base d'oxyde de vanadium, d'oxyde de tellure ou d'oxyde d'argent ou parmi les borosilicates de plomb, de bismuth et les borosilicates alcalins. 5 - Procédé selon l'une quelconque des revendications 1 à 4, caractérisé en ce que la résine de masquage est choisie parmi l'alcool polyvinylique additionné d'un photosensibilisateur, le polyvinylbutyral, les résines cellulosiques ou acryliques rendues photosensibles. 6 - Procédé selon l'une quelconque des revendications précédentes, caractérisé en ce que la résine comporte entre - 0,5 % et 20 en masse de résine sèche, - 20 % et 70 en masse de solvant, - 30 % et 75 en masse de précurseur de matériau diélectrique, - 0 % et 2 % en masse d'additifs. 7 - Procédé selon la revendication 6, caracterisé en ce que les additifs sont des composés organiques assurant la cohésion et la densité du matériau diélectrique, des anti-mousses. 8 - Procédé selon l'une quelconque des revendications 1 à 7, caractérisé en ce qu'il est utilisé pour la réalisation de dalles pour panneaux à plasma de type alternatif (AC-PAP). 9 - Procédé selon la revendication 8, caractérisé en ce qu'il comporte les étapes suivantes - dépôt sur un substrat en verre d'au moins une couche métallique, - dépot sur la couche métallique d'une résine de masquage comportant un precurseur d'un matériau diélectrique, - gravure de la résine et de la couche métallique à travers un masque de manière à réaliser au moins un réseau d'électrodes, - cuisson de l'ensemble de manière à éliminer la résine et former une couche diélectrique sur le réseau d'électrodes. 10 - Procédé selon la revendication 9, caractérisé en ce que l'étape de gravure est précédée par une étape de durcissement de la résine. 11 - Procédé selon la revendication 10, caractérisé en ce que l'étape de durcissement est réalisée à une température comprise entre 100 C et 2000 C. 12 - Procédé selon l'une quelconque des revendications 9 à 11, caractérisé en que l'étape de cuisson est réalisée ' une température comprise entre 450 C et 600 C pendant une durée comprise entre 20 minutes et 3 heures.