FR 2799014 A1 20010330 FR 9912016 A 19990927 PROCEDE ET INSTALLATION DE NANOLITHOGRAPHIE PAR INTERFEROMETRIE ATOMIQUE L'invention a pour objet un procédé de lithographie à l'échelle nanométrique utilisant l'interférométrie atomique et une installation de mise en couvre d'un tel procédé. L'invention se rapporte au domaine de la lithographie à l'échelle sub micronique. Par projection de jets d'atomes, respectivement de type alcalin (par exemple Na, Li ou Cr), ou de type métastable (He* ou Ar'), la lithographie atomique peut permettre d'obtenir au travers d'un masque, respectivement le dépôt sur un substrat à traiter ou la gravure motif sur une résine disposée sur ce substrat. L'article M. Kreis et al, paru dans Applied Physics, volume B63, 649 (1996) illustre ce type de technique. La lithographie atomique présente, par rapport à technique plus classique de la lithographie photonique, des avantages qui tiennent aux conditions mise en couvre et aux limites physiques de ces techniques - la source de photons, en générales un laser nécessite une brillance élevée et des moyens complexes et coûteux (par exemple un laser de type Nd :YAG pour exister un jet supersonique d'atomes xénon) pour produire des photons de longueur d'onde de plus en plus courtes afin d'augmenter la résolution de l'installation ; - une optique de grandissement (par 4 ou 5) formée miroirs multicouches réflectivité sélective en longueur d'ondes et de durée de vie limitée ; - une épaisseur de motif limitée par la longueur d'onde utilisée, par exemple 157 nm pour celle du jet de xénon évoqué plus haut dans des dispositifs produisant des rayonnements dans l'ultra-violet extrême, proche des rayons X mous. Les techniques de micro-lithographie basées sur l'optique atomique utilisent des jets thermiques ou quasi supersoniques d'atomes confinés dans un piège magnéto-optique. Dans ces techniques, le faisceau d'atomes collimaté par refroidissement à l'aide de lasers, interagit avec un masque optique. Un masque de ce type est généralement formé par une onde optique stationnaire, désaccordée vers le bleu par rapport à la fréquence de transition atomique, créant un potentiel répulsif périodique sur la trajectoire des atomes. Un tel potentiel agit comme un réseau de pas égal à une demi- longueur d'onde optique. De telles applications sont décrites par exemple dans l'article de E.M. Rasel paru dans Physical Review Letter, volume 75, 2633 (1995). II est ainsi possible de déposer ou de graver une série de traits parallèles sur le substrat ou, par la mise en oeuvre de deux masques croisés un ensemble périodique de forme géométrique prédéterminée (carré, rectangle ou losange). Par essence, cette technique atomique n'est pas limitée par la longueur d'onde de l'onde associée, car celle-ci est de l'ordre de l'Angstrôm, contrairement aux méthodes optiques décrites ci-dessus. Cependant, la micro-lithographie atomique utilisée en interaction avec des masques optiques nécessite une intensité du potentiel de masquage, et donc une intensité l'onde optique qui crée le potentiel, de niveau élevé pour suffisamment perturber les trajectoires des atomes de manière significative. Ainsi l'installation n'est pas souple d'utilisation. De plus, la résolution obtenue limitée la performance du masque utilisé. L'invention propose une nouvelle technique pour réaliser la lithographie atomique, mais qui ne présente pas les inconvénients ci-dessus mentionnes. Cette technique utilise l'interférométrie atomique de type Stern- Gerlach dans des conditions particulières, permettant de réaliser perturbations de la phase atomique du jet et non des perturbations de trajectoire. Une telle interaction provoque alors directement une modulation contrôlable de l'intensité de l'onde associée dans le plan transverse au jet atomique. Plus précisément, l'invention a pour objet un procédé de lithographie par interférométrie atomique sur une cible, à partir d'une polarisation de spin d'un faisceau d'atomes incidents par pompage optique, passage dans un objet de phase par induction magnétique transverse agissant sur une superposition cohérente d'états, puis analyse du faisceau atomique par interaction optique pour ne retenir qu'un seul état de spin, le faisceau atomique émergent contenant une série de termes interférentiels, caractérisé en ce que l'induction magnétique présente un gradient transverse pour former une figure d'interférence annulaire, en ce que le faisceau d'atomes présente une distribution de vitesse supérieure à 20 % pour éliminer sensiblement les franges d'interférence autres que la frange centrale formant alors un spot, et en ce qu'une induction magnétique homogène transverse réglable ajoutée à l'induction à gradient afin de translater de manière prédéterminée le spot central sur la cible. L'utilisation d'une distribution large de vitesse des atomes de type maxwellienne, permet une décroissance rapide du contraste avec l'ordre d'interférence, c'est-à-dire du contraste des anneaux de la figure d'interférence au-delà du spot central. Selon un mode de réalisation particulier, le gradient de l'induction transverse est ajusté en fonction du diamètre et de l'intensité de spot souhaités. Le spot obtenu est d'autant plus fin et intense que le gradient est élevé. C'est la valeur limitante de la résolution spatiale de l'appareillage utilisé qui finalement déterminer la valeur du gradient de champ à appliquer. L'invention a également pour objet une installation de nanolithographie par interférométrie atomique de mise en oeuvre de ce procédé. Selon une forme de réalisation, cette installation comporte un interférometre de type Stern-Gerlach, comprenant comme objet de phase induction magnétique quadripolaire à gradient transverse créé par quatre barres parallèles conduisant des courants continus alternés, encadré par deux zones séparatrices, précédé et suivi respectivement d'un polariseur de spin et d'un analyseur fonctionnant par pompage laser, le champ homogène additionnel étant créé par exemple par quatre autres barres de même longueur disposées à 45 des précédentes et parcourues par des courants appariés. L'énergie interne des atomes est largement suffisante pour graver film de résine polymère disposé sur un substrat, par exemple leur énergie interne est supérieure ou égale à 15 eV, et l'intensité du faisceau est de quelques 109 atomes par seconde. Selon des caractéristiques préférées - la source d'atomes est une source à décharge continue d'hélium d'argon métastable, avec une dispersion de vitesse approximativement maxwellienne d'environ 30 à 40 % autour d'environ 2 kmls pour les atomes d'hélium et de 500 m/s pour les atomes d'argon ; - le pompage laser du polariseur est effectué par diode laser polarisée circulairement, la polarisation en spin étant réalisée sur le niveau Zeeman ou -J ; - l'analyse est conduite par déviation des atomes trouvant dans des états Zeeman autres que l'état sélectionné en utilisant des fréquences optiques différentes au moyen d'au moins un modulateur acousto- optique couplé au laser en présence d'un champ magnétique intense ; - les lames séparatrices sont formées de réseaux matériels à fentes ultrafines, ou de réseaux optiques formés d'une onde stationnaire produit rayonnement laser réfléchi sur un miroir, par exemple laser à colorant anneau, ou encore au moyen d'un champ magnétique de très faible intensité, et tournant de 90 pour induire des transitions entre états Zeeman ; Dans un mode de réalisation préféré, le faisceau atomique est collimaté refroidissement transversal au moyen d'une mélasse optique à deux dimensions, formée de deux mélasses successives identiques agissant respectivement sur l'une et l'autre des composantes transverses. Elles utilisent faisceaux laser élargis en fréquence, décalés vers le rouge et polarisés circulairement au moyen d'un modulateur acousto-optique. La mélasse est formée par une série de réflexions en zigzag faisceau laser sur deux miroirs plans opposés. Les vitesses transverses sont alors fortement limitées, de l'ordre de 0,1 mlseconde ou moins. La constance du gradient magnétique n'est utile dans un voisinage de l'axe du faisceau de l'ordre de la taille du motif à graver, par exemple quelques microns. Dans des modes de réalisation particuliers, le gradient du champ magnétique transverse peut être créé par deux bobines en configuration anti-Helmholtz , ou par un ensemble d'électro-aimants disposés en configuration multipolaire ou 2n-polaires. Ces moyens permettent de réaliser la configuration de champ transverse adaptée au portrait de phase souhaité pour réaliser une figure d'interférence prédéterminée. D'autres caractéristiques et avantages de l'invention ressortiront de la description détaillée qui suit, relative à des exemples de réalisation exposés à titre non limitatif, en référence à des figures annexées qui représentent respectivement - la figure 1, un schéma général d'une installation nanolithographique selon l'invention - la figure 2, une vue perspective simulée d'une figure d'interférence obtenue dans le plan transverse au jet atomique lorsque celui-ci est constitué d'un faisceau monocinétique ; - la figure 3, une vue perspective similaire lorsque le jet atomique a une distribution de vitesse de type maxwellienne de 40% ; - la figure 4, une vue perspective d'un exemple de translation de figure d'interférence par addition du champ magnétique uniforme ; les figures 5a à 5d, des profils d'interférence obtenus suivant des conditions variables de mise en oeuvre d'une installation conforme à l'invention ; et la figure 6, des exemples de réduction du fond d'interférence autour du spot central par l'utilisation d'interféromètres multiples. L'installation de nano-lithographie, illustrée en figure 1, est basée sur un interféromètre de type stern-Gerlach. Les éléments constitutifs d'un tel interféromètre se composent successivement, suivant un axe central Z'-Z, d'un polariseur 3, d'un ensemble de barres 51 de production du champ magnétique transverse formant l'objet de phase entre deux lames séparatrices 4 et 6, suivi d'un analyseur 7 puis d'un détecteur 8, qui est disposé à l'endroit du substrat où le dépôt ou la gravure interviendra. L'interféromètre atomique reçoit un faisceau d'atomes d'hélium He' métastables délivré par une source 1. La source est à décharge électrique continue amorcée dans une détente à travers une tuyère, entre une électrode conique en tungstène et la tuyère. La décharge est déclenchee sous une tension d'environ 1 keV et une intensité de quelques milliampères. Avantageusement, cette décharge peut être pulsée et le gaz formé refroidi, à l'azote liquide par exemple. La densité d'atomes délivrée est alors supérieure de l'ordre de 4.10'4 atomeslslsrd dans une largeur angulaire de 0,5 radian et la distribution de vitesse des atomes, de type maxwellienne, est large, environ autour de la valeur moyenne de 2 km par seconde. Une telle dispersion induit, par superposition de figures d'interférence de pas différents, un contraste à décroissance rapide des anneaux d'interférences. Comme illustré a la figure 2, en absence d'une dispersion de vitesse, la.figure d'interférences F présente un contraste constant entre les franges d'interférences brillantes lb et les franges d'interférences sombres Is. Avec une dispersion de vitesse de l'ordre de 30%, avec une distribution de type maxwellienne, seule demeure, comme illustré sur la figure 3, la frange centrale brillante I,, formant un spot central fin, qui émerge sensiblement des autres anneaux fortement atténués selon l'axe Z'-Z. Les figures 2 et 3 sont des simulations qui prennent en compte l'ensemble des paramètres quantifiés dans la présente description. L'ouverture angulaire du jet d'hélium en sortie de source 1 est définie par la collimation réalisée par refroidissement transversal. Ce refroidissement est réalisé au moyen de deux mélasses optiques, 2a et 2b, agissant sur les composantes transverses de vitesse atomes, respectivement selon les axes X'-X et Y'-Y. Elles utilisent des faisceaux lasers 2f, élargis en bandes latérales de fréquence de largeur 15 à 20 MHz, décalées vers le rouge, la largeur et le décalage spectral étant obtenus à l'aide d'un modulateur acousto-optique (non représenté). Ces faisceaux lasers sont polarisés circulairement. Les faisceaux 2f subissent une série de réflexions entre deux miroirs plan proposé M pour former un zigzag de largeur égal 8 mm, la longueur d'interaction étant alors portée à 8 cm pour chaque melasse. La puissance laser utile reste faible, environ 40 mW. Dans ces conditions, le faisceau atomique présente une ouverture d'environ 0,1 rd et des vitesses transverses inférieures à 0,1 mls. L'interaction optique entre le faisceau d'atomes d'Hélium et le polariseur 3 sélectionne un sous-niveau Zeeman, en référence à l'axe de quantification du polariseur (avec champ magnétique) réalisé par pompage optique dans l'exemple de réalisation. Ce pompage est obtenu à l'aide d'un faisceau laser polarisé par une diode DBR de longueur d'onde de 1,08 Nm et de puissance 1 mW. Ce faisceau laser est colinéaire à un champ magnétique d'intensité de l'ordre du gauss. Le faisceau subit ainsi une polarisation de spin ' travers le polariseur La lame séparatrice 4 transforme l'état Zeeman sélectionné par le polariseur, par exemple l'état +1 ou -1, en une superposition cohérente d'états identique pour tous les atomes. Les caractéristiques la figure d'interférence obtenue seront fonction de l'objet de phase 5, qui est construit sur les superpositions cohérentes d'états Zeeman obtenues à l'aide de la zone séparatrice 4. Dans l'exemple, cet effet de séparation est réalisé au moyen champ magnétique de faible intensité, 10 milligauss, tournant de 90 sur une distance de l'ordre de 8 mm pour induire des transitions dites de Majorana entre les états Zeeman. Dans l'exemple, l'objet de phase 5 est constitué d'un profil d'induction magnétique B formé par quatre barres parallèles 51, en cuivre d'environ 10 cm de longueur et réparties régulièrement autour de l'axe Z'-Z à une distance a , d'environ 16 mm dans l'exemple. Les barres conduisent des courants continus alternés iA d'intensité de quelques centaines de milliampères les barres étant parallèles à l'axe Z'-Z. L'induction magnétique B présente un gradient transverse radial et constant au voisinage l'axe Z'-Z, champ quadripolaire. La figure d'interférence obtenue est alors annulaire F dans le plan transverse (X'-X, Y'-Y). Le champ magnétique B quadripolaire à gradient transverse, formé les quatre barres parallèles 51, induit un objet de phases pour chaque état Zeeman, avec un déphasage proportionnel à l'intégrale du champ magnétique B le long de la trajectoire atomique, et inversement proportionnelle à la vitesse de l'atome considéré. Le déphasage est produit sur le mouvement externe relatif à chaque état Zeeman. L'installation permet d'obtenir un gradient G l'ordre de 5.10"4.iA /mm, mais des valeurs supérieures, par exemple celles utilisées pour les simulations de l'ordre de 10"Z iAlmm peuvent être aisément obtenues en utilisant d'autres dispositifs , par exemple des bobines en configuration anti- Helmhotz ou des électro-aimants en configuration hexapolaire. Le diamètre du spot central est d'autant plus fin que le gradient est élevé. L'installation donne des gradients relativement modestes mais permet d'obtenir une taille de spot de l'ordre d' dizaine de nanomètres. La constance du gradient G est assurée dans un voisinage de l'axe Z' de la taille du motif à graver, par exemple quelques micromètres. Seule la largeur initiale du profil du faisceau atomique en sortie de la source est grande devant la taille du motif à graver ou à déposer. La seconde lame séparatrice 6 est constituée opère de la même manière que la première lame séparatrice 4 pour fournir des superpositions cohérentes pour chaque état atomique émergent de l'objet de phase. D'autres techniques existent pour réaliser former une telle séparation, par exemple par diffraction à travers des réseaux matériels à fentes ultrafines, constituées par exemple de 20 000 pas/mm, ou de réseaux optiques formés d'une onde stationnaire produit par rayonnement laser réfléchi un miroir ou par effet de recul obtenu par absorption d'un photon résonnant. L'analyseur 7 ne retient qu'un seul état Zeeman pour que le flux atomique émergent ne contienne qu'une série de termes interférentiels formant des franges brillantes et sombres annulaires dont l'intensité est mesurée par le détecteur 8. Dans l'exemple de réalisation, l'analyseur 7 est constitué à partir d'un faisceau laser du même type que celui formant le polariseur 3. Ce détecteur est substitué par le substrat de silicium nappé la résine que l'on souhaite graver ou sur lequel on dépose la structure souhaitee. L'analyse est conduite optiquement par déviation, pression de radiation, des atomes qui se trouvent dans des états Zeeman autres celui sélectionné, en utilisant des fréquences optiques différentes ajustées par un ou deux modulateurs acousto-optiques opérant avec le même laser que le polariseur, en présence d'un champ magnétique de l'ordre de 100 G. Afin de permettre la gravure ou le dépôt de motifs de géométrie prédéterminée sur le substrat à traiter, un champ magnétique uniforme additionnel Bh est produit par quatre barres 52, disposées à 45 des premières barres 51 dans le plan transverse (X'-X, Y'-Y), les barres etant alimentées par des courants appariés iH d'intensité réglable, par exemple de l'ordre 0,1A. Un tel champ additionnel permet alors de réaliser une translation du spot central dans le plan transverse du substrat : le gradient est simplement déplacé le long de l'axe X'-X, autour d'une nouvelle origine. La figure montre la translation du spot central selon l'axe X'-X. Pratiquement, il est possible d'obtenir n'importe quelle translation dans le plan transverse, en alimentant les barres 52 appariées ordre tournant) avec des courants réglables +il, +i2, -il, -i2, pour disposer deux paramètres (il, i2) et réaliser un champ uniforme d'intensite et d'orientation arbitraire. II est à noter que si le gradient G du champ magnétique principal B est augmenté en augmentant iA, les intensités iH, il et/OU i2 sont également augmentée(s) pour obtenir une même translation du spot, la translation dépendant du rapport iAliH. Pour ce faire, les barres 52 du champ additionnel peuvent être remplacées par deux paires de bobines configuration Helmholtz . En simulation, il est présenté respectivement sur les figures 5a à 5d, des profils de configuration d'interférences selon des mises #uvres variables. Ces conditions sont résumées dans le tableau ci-après, en fonction de la largeur de la source (6), de la largeur relative de la distribution de vitesse longitudinale du jet (8vlv), du diamètre du spot central obtenu (8x), et des distances des principaux composants de l'interféromètre = distance de l'objet de phase à la source, L = largeur de l'objet de phase, et D = distance la source au détecteur/substrat). TABLEAU Fig. (Y(#tm) 8vlv d(cm) L(cm) D(cm) Glq,m ôx (nm) Sources 0,2 1 5 5 11 410" 40 cohérente 5a 5b 2000 2 5 20 200 410"' 100 cohérente 5c 500 1 5 10 25 810"' 80 Incohérente Etat Zeemann M=0 5d 2000 1 5 10 100 410"' 120 Cohérente Etat Zeeman M=0 Ces exemples montrent que des diamètres de spot de l'ordre d'une ou quelques dizaines de nanomètres sont aisément accessibles dans des conditions normales. II est à noter que des écarts rapport à la forme idéale illustrée par les figures 5a à 5d, se traduit par une deformation de la figure interférences qui, en tout état de cause, ne porte pas à conséquence. II est à noter que l'intensité de courant atomique emis, c'est-à- dire le nombre d'atomes par seconde et par centimètre carré, est égale à l'intensité de courant sur le spot central formé, la modulation réalisée par le gradient n'agissant que sur l'intensité de fond, qui est 2J + 1 fois plus faible, J étant le spin de l'atome utilisé. Par exemple, pour l'argon (J = 2), le fond est cinq fois plus faible et pour une source émettant à 4.10'4 atomeslslsrd, on obtient une densité de courant égal à 1,3.101 atomes/s.cm2 pour une distance D d'objet de phase égal à 0,5 m. II est à noter également que, dans le mécanisme de la gravure ou de dépôt, c'est l'énergie interne des atomes métastables utilisés joue le rôle principal et non leur énergie cinétique, l'effet de la vitesse étant négligeable. Pour l'argon, l'énergie interne est d'environ 15 eV par atome sont transférés à la résine, pour l'hélium, l'énergie interne est supérieure égale à 20 eV. Cette énergie est largement suffisante pour graver film polymère. Dans le processus de dépôt, la vitesse des atomes est limitée et le facteur de réflexion des atomes rendu négligeable. C'est le aux vitesses thermiques pour des atomes déposables de type alcalin ou chrome. Dans tous les cas, c'est le nombre d'atomes parvenant la cible pendant une durée déterminée qui est à prendre en considération et non leur vitesse. Un seuil de densité peut être par exemple d'environ 10'4 atome lslsrd. En particulier, les atomes déposables présentent un flux sensiblement plus important (104 fois environ) que celui des atomes métastables, ce qui conduit à une densité de courant de l'ordre de 10'4 atomesls.cm2. Dans le cas de la gravure, les atomes métastables ne creusent pas directement la résine recouvrant le support de silicium, mais modifient ses propriétés en cassant ses molécules avec un rendement proche de l'unité. Par exemple, quelques dizaines d'atomes arrivant sur une aire de 40 nm de diamètre produisent l'effet désiré, ce qui dure environ 60 s. Quant au dépôt, pour réaliser une épaisseur dé 1 nm sur la même surface, il faut déposer 10,5 dIMA, d étant la densité et MA la masse atomique, ce qui nécessite un temps de quelques millisecondes. Le spot atomique apparaît sur un fond uniforme d'intensité qui vaut 11(2J+1) l'intensité du spot central. Lorsque la vitesse de tracé est relativement faible (de l'ordre de 0,7 nmls), l'accumulation de l'intensité du fond peut devenir un inconvénient. Cette perturbation peut être levée en utilisant un interféromètre multiple, en utilisant une succession d'interféromètres disposés en série, l'analyseur de l'un étant utilisé comme polariseur du suivant. La figure 6 montre pour un nombre n d'interféromètres identiques en série variant-de 1 à 4, un profil transversal final modulé par les interféromètres successifs. Le contraste s'en trouve ainsi très sensiblement amélioré car, si M(p) désigne la modulation induite par chaque interféromètre, profil transversal final sera M(p)". Le diamètre du spot central à mi-hauteur trouve également réduit, d'un facteur statistique égal à ,_. L'invention n'est pas limitée aux exemples de réalisation décrits et représentés. La loi de distribution transverse de densité atomique dans le faisceau peut être par exemple de type gaussien avec un écart-type de 100pm. RFV Nn1C'.r4T1oNS 1. Procédé de lithographie par interférométrie atomique sur une cible, à partir d'une polarisation de spin d'un faisceau d'atomes incidents pompage optique, de la formation d'un objet de phase par induction magnétique transverse à partir d'une superposition cohérente d'états de spin, puis analyse du faisceau atomique par interaction optique pour ne retenir seul état de spin, le faisceau atomique émergent contenant une série de termes interférentiels, caractérisé en ce que l'induction magnétique (B) présente un gradient transverse (G) pour former une figure d'interférence annulaire (F), en ce que le faisceau d'atomes présente une distribution de vitesse supérieure à 20 % pour éliminer sensiblement les franges d'interférence autres que la frange centrale formant alors un spot (1c), et en ce qu'une induction magnétique homogène transverse réglable (Bh) est ajoutée à l'induction à gradient (B) afin de translater de manière prédéterminée spot central (1c) sur la cible (8). 2. Procédé de lithographie selon la revendication 1 dans lequel le gradient (G) de l'induction transverse est ajusté en fonction du diamètre et de l'intensité de spot souhaités, le spot obtenu (1c) est d'autant plus fin et intense que le gradient est élevé. 3. Installation de nanolithographië par interférométrie atomique comportant un interféromètre de type Stern-Gerlach comprenant comme objet de phase une induction magnétique quadripolaire à gradient transverse créé par quatre barres parallèles (51) conduisant des courants continus alternés ( ia), encadré par deux lames séparatrices (4, 6), précedé et suivi respectivement d'un polariseur de spin (3) et d'un analyseur (7) fonctionnant par pompage laser, le champ homogène additionnel étant creé par quatre autres barres additionnelles (52) alimentées de manière appariée avec des courants réglables (+il, +i2, -il, -i2) afin de réaliser un champ uniforme d'intensité et d'orientation arbitraire par réglage de deux paramètres (il, i2). 4. Installation de nanolithographie par interférométrie atomique selon la revendication 3, dans laquelle les barres additionnelles (52) même longueur que les barres principales (51), sont disposées à des précédentes et parcourues par des courants appariés ( iH). 5. Installation de nanolithographie selon la revendication 3, dans laquelle les barres (52) du champ additionnel sont par deux paires bobines en configuration Helmholtz. 6. Installation de nanolithographie par interférométrie atomique selon l'une des revendications 3 et 5, dans laquelle la source d'atomes (1) est une source à décharge continue d'hélium ou d'argon métastable avec une dispersion de vitesse approximativement maxwellienne d'environ à 40 % autour d'environ 2 kmls pour les atomes d'hélium et 500 mls pour les atomes d'argon. 7. Installation de nanolithographie par interférométrie atomique selon l'une quelconque des revendications 3 à 6, dans laquelle pompage laser du polariseur est effectué par diode laser polarisée circulairement, la polarisation en spin étant réalisée sur le niveau Zeeman +1 ou -1. 8. Installation de nanolithographie par interférométrie atomique selon l'une quelconque des revendications 3 à 7, dans laquelle l'analyse conduite par déviation des atomes se trouvant dans des états Zeeman autres que l'état sélectionné en utilisant des fréquences optiques différentes au moyen d'au moins un modulateur acousto-optique couplé au laser (7) en présence d'un champ magnétique intense, par exemple de l'ordre de 100 G. 9. Installation de nanolithographie par interférométrie atomique selon l'une quelconque des revendications 3 à 8, dans laquelle les lames séparatrices (4, 6) sont formées de réseaux matériels à fentes ultrafines, de réseaux optiques formés d'une onde stationnaire produit par rayonnement laser réfléchi sur un miroir, ou au moyen d'un champ magnétique de très faible intensité, et tournant de 90 pour induire des transitions entre les états Zeeman. 10. Installation de nanolithographie par interférométrie atomique selon l'une quelconque des revendications 3 à 9, dans laquelle le faisceau atomique est collimaté par refroidissement transversal au moyen d'une mélasse optique à deux dimensions, formée de deux mélasses successives identiques (2a, 2b) agissant respectivement sur l'une et l'autre des composantes transverses (X'-X, Y-Y), utilisant des faisceaux laser (2f) élargis latéralement en fréquence, décalés vers le rouge au moyen d'un modulateur acousto-optique et polarisés circulairement, et chaque mélasse est formée par une série de réflexions en zigzag du faisceau laser sur deux miroirs plans opposés (M). 11. Installation de nanolithographie par interférométrie atomique selon l'une quelconque des revendications 3 à 10, dans laquelle le gradient (G) du champ magnétique transverse (B) est créé par deux bobines en configuration anti-Helmholtz , ou un ensemble d'électro-aimants disposés en configuration multipolaire ou 2n-polaires. 12. Installation de nanolithographie par interférométrie atomique selon l'une quelconque des revendications 3 à 11, dans laquelle la source (1) est à décharge électrique continue amorcée dans une détente à travers une tuyère, entre une électrode conique en tungstène et la tuyère, pour former un jet d'atomes, respectivement de type alcalin ou chrome, ou métastable de type hydrogène ou gaz rare pour obtenir respectivement le dépôt sur un substrat à traiter ou la gravure motif sur une résine disposée sur ce substrat. 13. Installation de nanolithographie par interférométrie atomique selon l'une quelconque des revendications 3 à 12, dans laquelle l'interféromètre est multiple par l'utilisation d'une succession d'interféromètres disposés en série, l'analyseur de l'un étant utilisé comme polariseur du suivant pour éliminer le fond dans la figure interférence et affiner le spot central.