FR 2797713 A1 20010223 FR 9910667 A 19990820 PROCEDE DE TRAITEMENT DE SUBSTRATS POUR LA MICRO- ELECTRONIQUE ET SUBSTRATS OBTENUS PAR CE PROCEDE. L'invention concerne le domaine des procédés de traitement de substrats destinés à la fabrication de composants pour la micro-électronique et/ou pour l'opto-électronique. L'invention porte également sur les substrats obtenus par ce procédé. Plus précisément, l'invention concerne le domaine des procédés de traitement de substrats entièrement semi-conducteurs (par exemple de silicium) ou entièrement isolants ou bien encore constitués d'un empilement de couches semi-conductrices ou isolantes. Il peut s'agir de substrats sur lesquels est déposée une couche (par exemple épitaxiale) ou encore de substrats comprenant des structures non homogènes, tels que des substrats comprenant des composants ou parties de composants à des niveaux plus ou moins avancés de leur élaboration. Il existe sur certaine profondeur à partir de la surface d'au moins une face de ces substrats, une couche de matériau entrant, au moins en partie, dans la constitution composants réalisés sur cette face. Pour la suite, cette couche sera désignee par l'expression "couche utile". La qualité de cette couche utile conditionne celle des composants. Des recherches sont constamment effectuées pour améliorer la qualité de cette couche utile. Ainsi, cherche aussi bien à diminuer la rugosité de surface de cette couche utile, qu'à réduire la concentration de défauts dans l'épaisseur de celle-ci. Il est connu l'on peut utiliser des méthodes de polissage mécano- chimique pour réduire rugosité de surface de la couche utile. Il est aussi connu que l'on peut utiliser des techniques de polissage mécano-chimique pour réduire la concentration de certains défauts dans la couche utile, lorsqu'il existe un gradient de concentration de ces défauts, croissant en direction de la surface de celle-ci. Dans ce cas, le polissage mécano-chimique permet d'abraser la couche utile jusqu'aux zones, situées en profondeur par rapport à la surface initiale de la couche utile, présentant une concentration de ces défauts acceptable. Cependant, il est aussi connu que le polissage mécano-chimique engendre une dégradation de certaines propriétés de la couche utile et diminution de la capacité de production de substrats ( FR 2 762 136 et 2 761 526)# Il a alors été proposé de remplacer le polissage mécano-chimique, particulier lorsque la couche utile est constituée de silicium, par un recuit dans une atmosphère hydrogénée (FR 2 762 136 et FR 2 761 526). Un recuit sous atmosphère hydrogénée, de substrats comprenant une couche utile constituee de silicium a un effet de réduction de la rugosité de surface, en particulier reconstruction de la surface de silicium, ainsi qu'un rôle de guérison de certains défauts cristallins. Un de l'invention est d'améliorer encore la qualité de la couche utile. Ce est atteint, selon l'invention, grâce à un procédé de traitement de substrats pour la micro-électronique ou l'opto-électronique, comportant couche utile sur au moins une de leurs faces, ce procédé comprenant étape de polissage mécano-chimique sur la surface libre de la couche utile, caractérisé en ce qu'il comprend en outre, une étape de recuit sous atmosphère réductrice, avant l'étape de polissage. Il est bien connu que le polissage mécano-chimique engendre certains défauts dans le matériau sous-jacent à la surface polie et est susceptible de provoquer des inhomogénéités d'épaisseur des substrats, et de la couche utile en particulier. Cependant, et de manière surprenante, le déposant a pu constater qu'en faisant précéder l'étape de polissage mécano-chimique, par un recuit sous atmosphère réductrice, on pouvait à la fois améliorer la qualité de la couche utile de manière plus efficace qu'avec un simple polissage ou un simple recuit, mais aussi que l'on évitait en grande partie les effets néfastes d'un simple polissage mécano-chimique. En effet, le recuit sous atmosphère réductrice a déjà commencé à lisser la surface de la couche utile. Le temps de polissage nécessaire pour obtenir une rugosité satisfaisante est donc réduit. De ce fait, procédé selon l'invention permet d'augmenter les capacités de production. outre, la réduction du temps de polissage limite les effets négatifs du polissage, tels que ceux cités ci-dessus, ou encore la perte d'uniformité d'épaisseur intervient généralement lorsque le polissage est long. Ainsi, la qualité, en termes de rugosité de la couche utile, après mise ceuvre du procédé selon l'invention, est particulièrement intéressante. Les mesures de la rugosité sont généralement effectuées grâce à un microscope à force atomique. Avec ce type d'appareil, la rugosité est mesurée sur des surfaces balayées par la pointe du microscope à force atomique, allant de 1 xl à 1OX10 PM2 et plus rarement 5Ox5O PM2# voire 10OX100 PM2 . La rugosité peut être caractérisée, en particulier, selon deux modalités. Selon l'une de ces modalités, la rugosité est dite à hautes fréquences et correspond à des surfaces balayées de l'ordre de lxl PM2. Selon l'autre de ces modalités, rugosité dite à basses fréquences et correspond à des surfaces balayées l'ordre OX10 PM2# OU plUS. polissage mécano-chimique et un recuit sous atmosphère réductrice se distinguent par leurs effets sur des plages de fréquences différentes. Ainsi, un recuit sous atmosphère réductrice favorise un lissage de la rugosité à hautes fréquences, mais est moins efficace pour réduire les ondulations, qui sont plutot de basses fréquences. Tandis qu'un polissage mécano-chimique permet aussi d'améliorer la rugosité à basses fréquences. Grace au procédé selon l'invention, on peut obtenir une faible rugosite hautes frequences, grâce au recuit sous atmosphère réductrice, ainsi que faibles ondulations, c'est à dire un type de rugosité à basses fréquences, grace au polissage. Or, une faible rugosité à hautes fréquences est primordiale pour obtenir bons oxydes de grille, et une faible ondulation (rugosité à basses fréquences) est intéressante lorsque l'on souhaite coller un autre substrat la surface libre de la couche utile. En plus de son effet sur la rugosité, le procédé selon l'invention permet de réduire concentration de certains défauts dans la couche utile. En effet, recuit sous atmosphère réductrice permet de commencer à reconstruire surface de couche utile et de guérir certains défauts dans l'épaisseur de couche utile. Cependant, cette guérison peut n'être que partielle. Mais, polissage mécano-chimique, si on le poursuit suffisamment, permet un enlèvement de la matière comportant une grande partie des défauts situés au voisinage de la surface libre de la couche utile et dans l'épaisseur de cette couche utile. Le procédé selon l'invention est donc particulièrement avantageux, lorsqu'il existe un gradient de concentration croissant en direction de la surface libre de la couche utile, et une forte concentration de défauts au voisinage de cette surface. L'effet combiné de la guérison des défauts, le recuit sous atmosphère réductrice, et de l'enlèvement de matière, le polissage, permet de retirer particulièrement efficacement les défauts au voisinage de la surface libre de la couche utile. Grâce au procédé selon l'invention, on obtient donc un substrat avec couche utile dont la qualité est suffisante et compatible avec l'utilisation de cette couche utile dans des applications en micro- ou opto-électronique. Avantageusement, l'atmosphère réductrice comprend de l'hydrogène. Préférentiellement, cette l'atmosphère réductrice comprend en outre de l'argon. Ainsi, l'atmosphère réductrice peut être composée d'hydrogène à 00%. Mais avantageusement, l'atmosphère réductrice est composée d'un melange d'hydrogène et d'argon. Ce mélange est préférentiellement dans un rapport H2/Ar de 20/80 ou de 25/75. Avec des rapports de ce type, l'hydrogène est en concentration suffisante pour être significative, mais grâce à l'argon, le melange est meilleur conducteur thermique. L'amélioration des propriétés de conduction thermique mélange permet de réduire les contraintes thermiques le substrat. Il résulte une plus faible génération de défauts de type bandes de glissement. Ce type de mélange est également moins agressif, il en résulte une attaque moins sélective de certains défauts. Avantageusement aussi, le procédé selon l'invention comporte en outre, une étape d'oxydation sacrificielle. Cette étape d'oxydation sacrificielle comporte une étape d'oxydation de la couche utile sur au moins une partie de son épaisseur et une étape de désoxydation de cette partie oxydée. Les étapes d'oxydation et de désoxydation peuvent être menées subséquemment à l'étape de polissage et/ou précédemment à celle-ci. Une étape d'oxydation sacrificielle est avantageusement mise en ceuvre pour améliorer la qualité d'une couche utile, que le matériau constitutif de cette couche utile soit un matériau facilement oxydable ou un matériau peu oxydable. Dans la suite, et en particulier dans les revendications, on considérera une étape d'oxydation sacrificielle réalisable, que le matériau de la couche utile soit facilement oxydable ou peu oxydable. Chacune des étapes de polissage et d'oxydation sacrificielle participe au retrait de la partie de la couche utile comportant une concentration défauts trop importante. Mais une étape d'oxydation sacrificielle, subséquente ' l'étape de polissage, participe plus spécifiquement à la suppression des défauts superficiels générés par l'étape de polissage. étape d'oxydation sacrificielle permet en outre de limiter d'autres effets néfastes du polissage. En effet, si l'on part d'une couche de défauts relativement épaisse, il faut un long polissage pour l'ôter. Or un long polissage abouti généralement à un manque d'uniformité en épaisseur. Cet inconvénient est d'autant plus critique que l'épaisseur de matériau à enlever est importante et donc que l'étape de polissage est longue. De plus, de longs polissages ralentissent l'exécution du procédé et induisent une limitation à la capacité de production. En introduisant une étape d'oxydation sacrificielle dans le procédé selon l'invention, on évite ces inconvénients en limitant le polissage essentiellement à ce qui est nécessaire pour réduire la rugosité, l'étape d'oxydation sacrificielle contribuant de manière non négligeable à retirer la partie de la couche utile comportant une forte concentration de défauts. De plus en réduisant le polissage nécessaire, les défauts engendrés par celui-ci peuvent etre développés à moins grande échelle. Avantageusement encore, le procédé selon l'invention comporte au moins étape de traitement thermique, l'étape d'oxydation de la couche utile étant réalisée avant la fin de chacune de ces étapes de traitement thermique, pour protéger le reste de la couche utile. Dans ces conditions, le traitement thermique permet aussi de guérir, au moins en partie, les défauts générés au cours de l'étape d'oxydation. Avantageusement encore, le procédé selon l'invention comporte en outre une étape de recuit sous atmosphère réductrice subséquente à l'étape de polissage. Avantageusement encore, le procédé selon l'invention comprend une étape d'implantation d'atomes sous une face d'une plaque, dans une zone d'implantation, une étape de mise en contact intime de face de la plaque, ayant subi l'implantation, avec un substrat support et une etape de clivage de la plaque niveau de la zone d'implantation, pour transferer une partie de la plaque le substrat support et former un film mince ou couche mince sur celui-ci, ce film mince ou cette couche mince, constituant la couche utile subissant ensuite les étapes de recuit hydrogéné et de polissage. Avantageusement encore, le procédé selon l'invention est mis en oeuvre sur un substrat comportant une couche utile constituée matériau semi- conducteur. Ce matériau semi-conducteur est par exemple silicium. Avantageusement encore, et en particulier si la couche utile est constituée par du silicium, l'étape de recuit sous atmosphère réductrice, est réalisée, suivant un mode opératoire connu et décrit par exemple dans le document FR 2 761 526. Selon ce mode opératoire, on recuit le substrat à une température comprise entre environ 10500C et 13500C pendant quelques dizaines de secondes à quelques dizaines de minutes, sous une atmosphère hydrogénée. Suivant une autre variante avantageuse du procédé selon l'invention, l'étape de recuit sous atmosphère réductrice, est réalisee, suivant un autre mode operatoire connu et décrit par exemple dans le document EP 917 188. Selon autre mode opératoire, on recuit le substrat, sous atmosphère hydrogénée, à une température comprise entre environ 1100'C et 1300'C, pendant 1 à 60 secondes et préférentiellement pendant moins de 30 secondes. Cet autre mode opératoire correspond à un recuit rapide, aussi appelé recuit RTA (RTA étant l'acronyme de l'expression anglo-saxonne Rapid Thermal Annealing). Suivant encore une autre variante avantageuse du procédé selon l'invention, l'étape de recuit sous atmosphère réductrice, est réalisée, suivant un autre mode opératoire connu et décrit par exemple dans le document FR 2 761 526. Selon cet autre mode opératoire, on recuit le substrat dans un appareil produisant un plasma d'hydrogène. L'avantage de ce type de recuit réside dans le fait que la température de recuit est basse. Typiquement, cette température est située dans une plage allant de la température ambiante à 6000C environ. Avec une couche utile constituée de silicium, que l'étape de recuit sous atmosphère hydrogénée soit effectuée selon un recuit long, un recuit dans un plasma d'hydrogène ou qu'elle le soit selon un recuit de type RTA, elle a plusieurs effets. Ces effets sont : - désintégration de l'oxyde natif en surface de la couche utile - gravure du silicium (SiH2 et SiH4 étant volatils), menant à une réduction de l'épaisseur moyenne de la couche utile , -une guérison de certains défauts par dissolution précipités d'oxygène et autres parois d'oxydes, susceptibles de jouer un role stabilisant sur certains défauts cristallins ; mais aussi -un lissage et une diminution de la rugosité de la surface de la couche utile, avec apparition de terrasses à l'échelle atomique. En particulier, la désintégration des oxydes de silicium par l'hydrogène facilite grandement la réorganisation des atomes, de silicium. surface en particulier, les atomes de silicium, activés le recuit sous atmosphère hydrogénée, migrent en surface jusqu'à ce qu' se trouvent dans configuration énergétique correspondant à une stabilité accrue. Ainsi les atomes de silicium se trouvant sur des excroissances tendent à migrer dans des cavités. C'est ainsi que l'étape de recuit sous atmosphère hydrogénée tend à réduire la rugosité de surface. ce qui concerne la guérison de certains défauts, l'effet de dissolution des precipités d'oxygène et autres parois d'oxyde, est particulièrement intéressant dans le cas des défauts appelés COPs (de l'acronyme de l'expression anglo-saxonne Crystal Originated Particles). Ces défauts COPs sont des amas de lacunes, dont la taille est de l'ordre de quelques centaines à quelques milliers d'angstrôms et dont les parois orientées, selon des plans cristallins, sont stabilisées par des oxydes dont l'épaisseur est de l'orde de quelques dizaines d'angstrôms au maximum. Ces défauts COPs apparaissent en particulier dans le silicium CZ. Selon un autre aspect, l'invention est un substrat pour la micro- électronique ou l'opto-électronique, comportant une couche utile sur au moins une ses faces, ce substrat ayant été obtenu après une étape de polissage mécano-chimique sur la surface libre de la couche utile, caractérisé en ce qu'il a subi outre, une étape de recuit sous atmosphère réductrice, avant l'étape de polissage. D'autres aspects, buts et avantages de l'invention apparaitront à lecture de la description détaillée qui suit. L'invention sera aussi mieux comprise à l'aide des dessins annexés sur lesquels : la figure 1 représente schématiquement, en coupe longitudinale, exemple de chambre pour effectuer chaque étape de recuit en atmosphère hydrogénée, du procédé selon l'invention -, -la figure 2 représente schématiquement, en coupe selon un plan perpendiculaire à ses surfaces principales, un substrat au cours de son traitement par le procédé conforme à la présente invention ; - la figure 3 représente schématiquement, en coupe selon un plan perpendiculaire à ses surfaces principales, un substrat au cours de son traitement par une variante du procédé conforme à la présente invention ; - la figure 4 représente schématiquement, en coupe selon un plan perpendiculaire à ses surfaces principales, un substrat au cours de son traitement par une autre variante du procédé conforme à la présente invention ; - la figure 5 représente schématiquement, en coupe selon un plan perpendiculaire à ses surfaces principales, un substrat au cours de son traitement par encore une autre variante du procédé conforme à la présente invention ; et - la figure 6 représente schématiquement, en coupe selon un plan perpendiculaire à ses surfaces principales, un substrat au cours de son traitement par encore une autre variante du procédé conforme à la présente invention. Cinq modes de mise en #uvre du procédé conforme à la présente invention sont décrits ci-dessous, à titre d'exemples, de manière détaillée. Ces cinq modes de mise en #uvre sont illustrés ci-dessous, à titre d'exemple, mais sans que cela soit limitatif, dans le cadre de la fabrication de substrats de silicium sur isolant. Les substrats de silicium sur isolant sont aussi appelés substrats SOI (SOI étant l'acronyme de l'expression anglo-saxonne Silicon On insulator ). Dans ce cadre, le procédé selon l'invention trouve une application particulièrement intéressante, dans la fabrication de substrats SOI par un type particulier de procédés, appelés procédés SMART-CUr. Une manière particulière de mettre en #uvre un procédé SMART-CUT@ est décrite dans le brevet FR 2 681 472, Dans le cadre de la fabrication de substrats SOI, un procédé SMART- CUT@ permet de réaliser des substrats comportant une couche utile constituée de silicium sur une de leur face, cette couche de silicium reposant sur une couche d'isolant, aussi appelée couche d'oxyde enterré 56. Selon l'une de ses variantes, le procédé SMART-CUT@ comporte: - une étape d'implantation d'atomes, sous une face d'une plaque semi conducteur, dans une zone d'implantation; - une étape de mise en contact intime de la plaque soumise l'implantation, avec un substrat support, et - une étape de clivage de la plaque au niveau de la zone d'implantation, pour transférer la partie de la plaque située entre la surface soumise à l'implantation et la zone d'implantation, sur ledit substrat support et former un film mince, ou une couche, de silicium sur celui-ci. implantation d'atomes, on entend tout bombardement d'espèces atomiques ou ioniques, susceptible d'introduire ces espèces dans un matériau avec maximum de concentration de ces espèces dans ce matériau, ce maximum étant situé à une profondeur déterminée par rapport à la surface bombardée. Les espèces atomiques ou ioniques sont introduites dans le matériau avec une énergie également distribuée autour d'un maximum. L'implantation des espèces atomiques dans le matériau peut être réalisée grâce à un implanteur par faisceau d'ions, un implanteur par immersion dans un plasma, etc. Par clivage, on entend toute fracture du matériau implanté au niveau du maximum concentration, dans ce matériau, des espèces implantées ou au voisinage ce maximum. Cette fracture n'intervient pas nécessairement selon un plan cristal log raphi que du matériau implanté. Plusieurs manières peuvent être envisagées pour réaliser un substrat SOI, selon le procédé SMART-CUTO. Selon une première manière, on recouvre une plaque de silicium sur sa face d'implantation, d'une couche d'oxyde isolant (par exemple par oxydation du silicium), et on utilise un substrat support, par exemple aussi en silicium, pour le transfert. Selon une deuxième manière, on transfère une couche complètement semi-conductrice (en silicium), soit sur un substrat support recouvert d'une couche d'isolant, soit sur un substrat support* complètement isolant (par exemple en quartz). Selon une troisième manière, on transfère une couche recouverte d'une couche d'isolant, soit sur un substrat support recouvert également d'isolant, soit sur un substrat support complètement isolant. Après clivage et transfert, on obtient dans tous les un substrat 50 SOI avec une couche transférée sur une face du substrat support, la surface libre de cette couche correspondant à une surface de clivage. Après clivage, le substrat 50 est dépoussiéré, nettoyé et rincé selon les techniques habituelles utilisées en micro-électronique. Il est alors avantageux d'utiliser le procédé selon l'invention, pour réduire la rugosité de ladite surface libre et la densité de défauts dans la couche transférée. Selon le procédé conforme à la présente invention, substrat 50 SOI subit une étape de recuit sous atmosphère réductrice et une étape de polissage Pour tous les modes de mise en #uvre décrits ' dessous, l'étape de recuit sous atmosphère réductrice est réalisée selon le mode opératoire RTA decrit ci-dessus. Un exemple de chambre destinée à la mise en ceuvre d'une étape de recuit sous atmosphère réductrice 100, selon le mode opératoire RTA, est illustré par la figure 1. Cette chambre 1 comporte une enceinte 2, un reacteur 4, un plateau porte-substrat 6, deux réseaux de lampes halogène 8, 0 et deux paires de lampes latérales. L'enceinte 2 comporte en particulier une paroi inférieure 12, une paroi supérieure 14 et deux parois latérales 16, 18, situées respectivement aux extrémités longitudinales de l'enceinte 2. L'une des parois latérales 16, 18 comporte une porte 20. Le réacteur 4 est constitué d'un tube quartz s'étendant longitudinalement entre les deux parois latérales 16, 18. est muni au niveau chacune de ces parois latérales 16, 18, respectivement d'une entrée de gaz et d'une sortie de gaz 22. La sortie de gaz 22 est située du coté de la paroi latérale 18 comportant la porte 20. Chaque réseau de lampes halogène 8, 10 est situé respectivement au- dessus et en-dessous du réacteur 4, entre celui-ci et les parois inférieure 12 et supérieure 14. Chaque réseau de lampes halogène 8, 10 comporte 17 lampes 26 disposées perpendiculairement à l'axe longitudinal du réacteur 4. Les deux paires de lampes latérales (non représentées sur la figure 1) sont situées parallèlement à l'axe longitudinal du réacteur 4, chacune côté de celui-ci, globalement aux extrémités longitudinales des lampes des réseaux de lampes halogène 8, 10. Le plateau porte-substrat 6 coulisse dans le réacteur 4. Il supporte les substrats 50 destinés à subir l'étape de recuit sous atmosphère hydrogénée 100 et permet de les rentrer ou les sortir de la chambre 1. Une chambre 1 de ce type est commercialisée par STEAGO, sous le nom SHS AST 2800 . Les cinq modes de mise en #uvre du procédé selon l'invention, décrits ci-dessous, sont appliqués au traitement de substrats 50 SOI comportant une couche utile ayant elle même une surface libre 54. Cette surface libre 54 est une surface clivage obtenue, comme décrit ci-dessus, par la mise en #uvre d'un procède SMART-CUTO. Sous la couche utile 52, le substrat comporte une couche d'oxyde enterré 56. Sous la couche d'oxyde enterré substrat 50 comporte un substrat support 58. Les paramètres donnés pour les cinq modes de mise #uvre du procédé selon l'invention, qui vont être décrits ci-dessous, correspondent à des applications dites produits fins . Ces produits fins sont des substrats SOI dont la couche de silicium sur isolant, c'est à dire la couche utile 52, fait environ 2000 A d'épaisseur, tandis que la couche d'isolant enterré 56, fait environ 4000 A d'épaisseur. Pour réaliser des substrats SOI ayant une couche utile 52 et/ou une couche d'oxyde enterré plus épaisse(s), on procédera à une implantation à plus haute énergie, pour que la couche d'espèces atomiques implantées soit située plus profondément par rapport à la surface bombardée. Dans ce cas il faudra aussi tenir compte du fait que plus, les espèces atomiques sont implantées profond, plus il sera nécessaire de retirer de la matiere après clivage, pour retrouver une concentration de défauts dans la couche utile 52, acceptable. En effet, plus les espèces atomiques sont implantées profondément, plus la largeur de la zone défectueuse augmente. Selon le premier mode de mise en #uvre, représenté sur la figure 2, un substrat 50 est soumis, après l'étape de clivage du procédé SMART-CUT15 décrit ci-dessus et un nettoyage, à une étape de recuit sous atmosphère réductrice 100, puis à une étape de polissage mécano-chimique Avant ces deux étapes, la concentration de défauts 59 de couche utile 52, au voisinage de la surface libre 54, et la rugosité de cette dernière ne sont pas satisfaisantes. L'étape de recuit sous atmosphère réductrice 100 est réalisée selon le mode opératoire du type RTA décrit plus haut. L'étape de recuit sous atmosphère réductrice consiste à - disposer le substrat 50 dans, une chambre 1 telle que celle décrite ci- dessus, celle-ci étant froide au moment de l'introduction du substrat 50 ; - introduire, à une pression égale ou voisine de la pression atmosphérique, un mélange d'hydrogène et d'argon, dans des proportions en volume 25% d'hydrogène pour 75% d'argon ; - faire croître, en allumant les lampes halogène 26, la température dans la chambre 1, à une vitesse de l'ordre de 500C par seconde, jusqu'à une température de traitement , - maintenir le substrat 50 dans la chambre 1, pendant 20 secondes, à la température de traitement, cette température de traitement étant avantageusement choisie entre 1200 et 1230 OC, et étant préférentiellement égale à 1230OC - et - éteindre les lampes halogène 26 et refroidir, par circulation d'air, le substrat à une vitesse de plusieurs dizaines de degrés centigrades par secondes variant selon la gamme de température . Dans ces conditions, avec des rampes de chauffage et de refroidissement rapides, et un palier court, ce recuit sous atmosphère réductrice 100 a réduit la rugosité, sans pratiquement retirer de matière. L'épaisseur de matériau retirée est inférieure à 20 A. La réduction de la rugosité a été essentiellement réalisée par reconstruction de surface et lissage et pas par gravure. En outre, les défauts 59 cristallins du silicium de la couche utile 52, générés au cours de l'implantation et du clivage, ont au moins partie été guéris ce recuit sous atmosphère réductrice 100. La concentration de ces défauts dans la couche utile 52, a donc diminué. En conséquence, l'épaisseur couche utile 52, sur laquelle la concentration de défauts 59 est trop importante pour être acceptable, est réduite. De plus, le fait d'opérer ce recuit sous atmosphère réductrice 100, selon le mode opératoire RTA, permet d'éviter la propagation de l'attaque de certains défauts jusqu'à la couche d'oxyde enterré 56. L'étape de recuit sous atmosphère réductrice 100 décrite ci-dessus offre de nombreux autres avantages. Elle est facilement compatible avec une grande capacité de production de substrats 50, est d'utilisation aisée, peut être mise en ceuvre avec des équipements déjà existants, etc. rugosité est généralement exprimée soit en terme d'écart entre la hauteur minimum et la hauteur maximum mesurée au cours du balayage de la surface dont la rugosité est mesurée, soit par une valeur quadratique moyenne, dite (de l'expression anglo-saxonne root mean square ). L'écart entre hauteurs minimum et maximum sera désignée ci-dessous par P-V l'expression anglo-saxonne Peak-Valley ). Après l'étape de recuit sous atmosphère réductrice 100, la rugosite mesurée lors d'un balayage d'une surface de lxl pM2# est réduite de 50 à 1-1 A rms (c'est à dire d'une valeur supérieure à 500 A à 20 A environ, en valeur V), et rugosité mesurée lors d'un balayage d'une surface de 1 OX1 0 pM2 , est réduite 50 à 5-15 A rms (c'est à dire d'une valeur supérieure à 500 A à 50 A en valeur P-V). L'etape de polissage 200 est réalisée par un polissage mécano-chimique classique, connu de l'homme du métier. Partant d'une surface déjà bien lissée par l'étape de recuit sous atmosphère réductriqe 100, une étape de polissage 200 sur épaisseur de 200 à 400 A seulement, est suffisante pour ramener la rugosité, et plus particulièrement celle à basses fréquences, à une valeur satisfaisante, Typiquement, la rugosité après polissage est de l'ordre de 0 à 1,5 A rms, si cette mesure est réalisée au cours du balayage d'une surface 1X, pM2 ou de l'ordre de 1 à 2 A rms, si cette mesure est réalisée au cours balayage d'une surface de 1OX10 PM2. Cette étape de polissage 200 permet en outre de retirer la matière la couche utile 52, située à proximité de la surface libre 54 et comportant défauts deuxième mode de mise en #uvre du procédé selon l'invention représenté sur la figure 3. A titre d'exemple, comme précédemment, il. réalisé un substrat 50 de type SOI obtenu après l'étape de clivage du procédé SMART-CUTe décrit ci-dessus et un nettoyage. Selon ce deuxième mode de mise en #uvre, le substrat 50 est soumis à une étape de recuit sous atmosphère réductrice 100A, puis à une étape de polissage mécano-chimique 200A, et enfin à une étape d'oxydation sacrificielle 300A combinée à un traitement thermique 320A. Les étapes de recuit sous atmosphère réductrice 100A et de polissage mécano-chimique 200A de ce mode de mise en #uvre sont identiques à celles décrites pour le premier mode de mise en #uvre. L'étape d'oxydation sacrificielle 300A est destinée à retirer les défauts 59 restant après l'étape de polissage 200A. Ces défauts 59 peuvent provenir de l'implantation, du clivage, ou avoir été générés pendant l'étape de polissage 200A, etc. L'étape d'oxydation sacrificielle 300A se decompose en une étape d'oxydation 310A et une étape de désoxydation 330A. Le traitement thermique 320A est intercalé entre l'étape d'oxydation 310A l'étape de désoxydation 330A. L'étape d'oxydation 310A est préférentiellement réalisée à une température comprise entre 700"C et 1100"C. L'étape d'oxydation 310A peut être réalisée par voie sèche ou par voie humide. Par voie sèche, l'étape d'oxydation 310A est, par exemple, menée en chauffant le substrat 50 sous oxygène gazeux. Par voie humide, l'étape d'oxydation 310A est, par exemple, menée en chauffant le substrat 50 dans une atmosphère chargée en vapeur d'eau. Par voie sèche ou par voie humide, selon des procédés classiques connus de l'homme du métier, l'atmosphère d'oxydation peut aussi être chargée en acide chlorhydrique. L'étape d'oxydation 31 OA aboutit à la formation d'un oxyde 60. L'étape de traitement thermique 320A est realisée par toute opération thermique destinée à améliorer les qualités du matériau constitutif de la couche utile 52. Ce traitement thermique 320A peut être effectué à température constante ou à température variable. Dans ce dernier cas, le traitement thermique 320A est réalisé, par exemple, avec augmentation progressive de la température entre deux valeurs, ou avec oscillation cyclique entre deux valeurs, etc. Préférentiellement, l'étape de traitement thermique 320A est effectuée au moins partie à une température supérieure à 1 000'C, et plus particulièrement vers 1100-12000C. Préférentiellement, l'étape de traitement thermique 320A est effectuée sous atmosphère non oxydante. L'atmosphère du traitement thermique 320A peut comprendre de l'argon, de l'azote, de l'hydrogène, etc., ou encore mélange de ces gaz. Le traitement thermique 320A peut également être réalisé sous vide. Préférentiellement aussi, l'étape d'oxydation 310A est réalisée avant l'étape traitement thermique 320A. De cette manière, l'oxyde 60 protège reste la couche utile pendant le traitement thermique 320A et évite phénomène de piquage. Le phénomène de piquage est bien connu de l'homme du métier qui le nomme aussi pitting . Il se produit à la surface de certains semi-conducteurs lorsque ceux-ci sont recuits sous atmosphère non oxydante, telle que l'azote, l'argon, sous vide, etc. Il se produit dans le cas du silicium particulier lorsque celui-ci est à nu, c'est à dire lorsqu'il n'est pas du tout recouvert d'oxyde. Selon une variante avantageuse, l'étape d'oxydation 310A débute avec le début de la montée en température du traitement thermique 320A et se termine avant la fin de ce dernier. Le traitement thermique 320A permet de guérir, au moins en partie, défauts générés au cours des étapes précédentes du procédé de fabrication de traitement du substrat 50. Plus particulièrement, le traitement thermique 320A peut être effectué pendant une durée et à une température telles que l'on réalise celui-ci une guérison de défauts cristallins, tels que des fautes d'empilement, des défauts HF , etc., engendrés dans la couche utile 52, au cours de l'étape d'oxydation 310A. On appelle défaut HF , un défaut dont présence révélée par une auréole de décoration dans l'oxyde enterré après traitement du substrat 50 dans un bain d'acide fluorhydrique. Le traitement thermique 320A présente en outre l'avantage de renforcer l'interface de collage, par exemple entre la couche transférée lors du transfert par le procédé SMART-CUr et le substrat support 58. L'étape de désoxydation 330A est préférentiellement réalisée en solution. Cette solution est par exemple une solution d'acide fluorhydrique ' 10 ou 20%. Quelques minutes suffisent pour enlever mille à quelques milliers d'angstrôms d'oxyde 60, en plongeant le substrat 50 dans une telle solution. Au cours de ce deuxième mode de mise en #uvre du procédé selon l'invention, on retirera - - moins de 15 A de silicium sur la couche utile 52, au cours de l'étape de recuit sous atmosphère réductrice 100, - 300 A de silicium sur la couche utile 52, au cours de l'étape de polissage 200, et - 650 A de silicium sur la couche utile 52, au cours de l'étape d'oxydation sacrificielle 300. L'épaisseur totale de couche utile 52, retirée au cours du procédé selon l'invention, dans ce deuxième mode de mise en #uvre, est égale à A environ. D'une manière générale, le deuxième mode de mise en #uvre du procédé selon l'invention permettra avantageusement de retirer 800 à 1100 Le tableau 1 regroupe les rugosités mesurées à l'issu des différentes étapes du deuxième mode de mise en #uvre du procédé selon l'invention. yéelOX10p 2 Surface bala ée 1 xl pm Surface bal Rugosité P-V Rugosité rms Rugosité P-V Rugosité rms (A) (A) (A) (A) Après clivage 500/1000* 50/100* 500/1 000* 50/100* Après l'étape 10/30 1-1,5 40-50 5-15 de recuit sous atmosphère réductrice 100 Après l'étape 10 0,8-1,5 10 1-2 de polissage 200 Après l'étape 10 0,84,5 10 1-2 d'oxydation sacrificielle 1 300 1 * .- Après clivage, la surface est tellement rugueuse que la rugosité ne peut être mesurée, de manière significative au microscope à force atomique. Tableau 1 : Rugosités mesurées à l'issue des différentes étapes du deuxième mode de mise en #uvre du procédé selon l'invention. Le troisième mode de mise en #uvre du procédé selon l'invention est représenté sur la figure 4. A titre d'exemple, et comme pour modes de mise en #uvre précédents, il est réalisé sur un substrat 50 de type obtenu après l'étape clivage du procédé SMART-CUTO décrit ci-dessus un nettoyage. Après l'étape de clivage et un nettoyage, le substrat est soumis à: - une première étape d'oxydation sacrificielle 301 combinée à un traitement thermique 321 B, - étape de recuit sous atmosphère réductrice 1 OOB, - étape de polissage mécano-chimique 200B, et - deuxième étape d'oxydation sacrificielle 302B combinée à un traitement thermique 322B. Les étapes de recuit sous atmosphère réductrice 100B et de polissage mécano-chimique 200B de ce mode de mise en #uvre sont identiques à celles décrites pour le premier mode de mise en #uvre décrit ci-dessus. Les première et deuxième étapes d'oxydation sacrificielle 301 B, 302B, se décomposent, comme l'étape d'oxydation sacrificielle 300A décrite ci-dessus, en une etape d'oxydation 311 B, 312B et une, étape de désoxydation 331 B, 332B. première et deuxième étapes d'oxydation sacrificielle 301 B, 302B, ainsi les étapes de traitement thermique 321 B, 322B, sont analogues à celles dejà décrites pour le deuxième mode de mise en #uvre, décrit ci-dessus, du procedé conforme à la présente invention. cours de ce troisième mode de mise en #uvre du procédé selon l'invention, on retirera: - 650 A de silicium sur la couche utile 52, au cours de la première étape d'oxydation sacrificielle 301 B, - moins de 15 A de silicium sur la couche utile 52, au cours de l'étape de recuit sous atmosphère réductrice 100B, - 300 A de silicium sur la couche utile 52, au cours de l'étape de polissage 200B, et - 650 A de silicium sur la couche utile 52, au cours de la deuxième étape d'oxydation sacrificielle 302B. L'épaisseur totale de couche utile, retirée au cours du procédé selon l'invention dans ce troisième mode de mise en #uvre, est égale à 1 A environ. Le tableau 2 regroupe les rugosités mesurées à l'issu des différentes étapes du deuxième mode de mise en #uvre du procédé selon l'invention. Surface bala ée jXj PM2 Surface balayée 10xl 0 pm2 Rugosité P-V Rugosité rms Rugosité P-V Rugosité rms (A) (A) (A) (A) Après clivage 500-1000* 50-100* 500-1000* 50-100* Après la première 250-500 25-50 300-600 30-60 étape d'oxydation sacrificielle 301 B Après l'étape de 20 1-1,5 40-50 5-10 recuit sous atmosphère réductrice 1 0013 Après l'étape de 10 0,8-1,5 10 1-2 polissag 200B Après la 10 0,8-1,5 10 1-2 deuxième étape d'oxydation sacrificielle 302B * : Après clivage, la surface est tellement rugueuse que la rugosité ne peut être mesurée, de manière significative au microscope à force atomique. Tableau 2 : Rugosités mesurées à l'issue des différentes étapes du troisième mode de mise en ceuvre du procédé selon l'invention. Le quatrième mode de mise en #uvre est représenté sur la figure A titre d'exemple, et comme pour les modes de mise en #uvre précédents, est réalisé sur un substrat 50 de type SOI obtenu après l'étape de clivage du procédé SMART-CUTO décrit ci-dessus. Après l'étape de clivage et un nettoyage, le substrat 50 est soumis à étape de recuit sous atmosphère réductrice 1 OOC, première étape d'oxydation sacrificielle 301C combinée à un traitement thermique 321 C, - une étape de polissage mécano-chimique 200C, et - une deuxième étape d'oxydation sacrificielle 302C combinée à traitement thermique 322C. Les étapes de recuit sous atmosphère réductrice IOOC et de polissage mécano-chimique 200C de ce mode de mise en #uvre sont identiques à celles décrites pour le premier mode de mise en #uvre décrit ci-dessus. Les première et deuxième étapes d'oxydation sacrificielle 301 C, 302C se décomposent, comme l'étape d'oxydation sacrificielle 300A décrite * dessus en une étape d'oxydation 311 C, 312C et une étape de désoxydation 331 C, 332C. première et deuxième étapes d'oxydation sacrificielle 301 C, 302C ainsi les étapes de traitement thermique 321C, 322C, sont analogues à celles dejà décrites pour le deuxième mode de mise en #uvre, décrit ci-dessus, du procedé conforme à la présente invention. cours de ce quatrième mode de mise en #uvre du procédé selon l'invention, on retirera - - moins de 15 A de silicium sur la couche utile 52, au cours de l'étape de recuit sous atmosphère réductrice 100C, - 650 A de silicium sur la couche utile 52, au cours de la première étape d'oxydation sacrificielle 301 C, - 300 A de silicium sur la couche utile 52, au cours de l'étape de polissage 200C, et - 650 A de silicium sur la couche utile 52, au cours de la deuxième étape d'oxydation sacrificielle 302C. L'épaisseur totale de couche utile 52, retirée au cours du procédé selon l'invention, dans ce quatrième mode de mise en #uvre, est égale à 1600 A environ. tableau 3 regroupe les rugosités mesurées à l'issu des différentes étapes quatrième mode de mise en #uvre du procédé selon l'invention. Surface balayée lxl PM2 Surface balayée 1 OXI 0 pM2 Rugosité P-V Rugosité rms Rugosité P-V Rugosité rms (A) (A) (A) (A) Après clivage 500-1000* 50-100* 500-1000* 50-100* Après l'étape de 10-30 1-1,5 40-50 5-15 recuit sous atmosphère réductrice 1 OOC Après la première 10-30 1-1,5 40-50 5-15 étape d'oxydation sacrificielle 301 C Après l'étape de 10 0,8-1,5 10 1-2 polissage 200C Après la 10 0,84,5 10 1- deuxième étape d'oxydation sacrificielle 302C * - Après clivage, la surface est tellement rugueuse que la rugosité ne peut être mesurée, de manière significative au microscope à force atomique. Tableau 3 : Rugosîtés mesurées à l'issue des différentes étapes du quatrierne niode de mise en oeuvre du procédé selon l'invention. 1 cinquième mode de mise en #uvre est représenté sur la figure 6. A titre d'exemple, et comme pour les modes de mise en #uvre précédents, il est réalisé un substrat 50 de type SOI obtenu après l'étape de clivage du procédé SMART-CUTO décrit ci-dessus. Après l'étape de clivage et un nettoyage, le substrat 50 est soumis à - une première étape de recuit sous atmosphère réductrice 101 - une étape de polissage mécano-chimique 200D, et -une deuxième étape de recuit sous atmosphère réductrice 1 Les étapes de recuit sous atmosphère réductrice 101D, 1 et de polissage mécano-chimique 200D de ce mode de mise en #uvre sont identiques à celles décrites pour le premier mode de mise en #uvre. Au cours de ce cinquième mode de mise en #uvre du procédé selon l'invention, on retirera : - moins de 15 A de silicium sur la couche utile 52, au cours de la première étape de recuit sous atmosphère réductrice 101 D, - 400 A de silicium sur la couche utile 52, au cours de l'étape de polissage 200D, et - moins de 15 A de silicium sur la couche utile 52, au cours de deuxième étape de recuit sous atmosphère réductrice 102D, L'épaisseur totale de couche utile 52, retirée au cours du procédé sel l'invention dans ce cinquième mode de mise en #uvre, est égale à 400A environ. Suivant une variante de ce cinquième mode de mise en #uvre procédé selon l'invention, il peut être intercalé, dans le cinquième mode mise en #uvre décrit ci-dessus, un traitement thermique tel que ceux dejà décrits encore une oxydation sacrificielle combinée avec un traitement thermique, telle que celles également décrites ci-dessus. Le tableau 4 regroupe les rugosités mesurées à l'issu des différentes étapes du cinquième mode de mise en #uvre du procédé selon l'invention. Surface bal yée 1 Xl pM2 Surface bala 'e l Oxl 0 pm' Rugosité P-V Rugosité rms Rugosité P-V Rugosité rms (A) (A) (A) (A) Après clivage 500-1000* 50-100* 500-1000* 50-100* Après la première 10-30 1-1,5 40-50 5-15 étape recuit sous atmosphère réductrice 101 D Après l'etape de 10 0,8-1,5 10 1-2 polissage 200D Après la deuxième 10 0,8-1,5 10 1-2 étape recuit sous atmosphère réductrice 102D * : Après clivage, la surface est tellement rugueuse que la rugosité ne peut être mesurée, de manière significative au microscope à force atomique. Tableau 4 : Rugosités mesurées à l'issue des différentes étapes cinquième mode de mise en #uvre du procédé selon l'invention. Ce cinquième mode de mise en #uvre du procédé selon l'invention particulièrement intéressant lorsque la rugosité de surface après clivage est réduite. C'est le cas notamment lorsque l'on a réalisé l'implantation avec plusieurs énergies 2 774 510) etiou avec plusieurs espèces atomiques ou bien encore lorsque clivage est assisté par des contraintes mécaniques (FR 2 748 851). REVENDICATIONS . Procédé de traitement de substrats (50) pour la micro-électronique ou l'opto-electronique, comportant une couche utile (52) sur au moins une de leurs faces, ce procédé comprenant une étape de polissage mécano-chimique sur la surface libre (54) de la couche utile (52), caractérisé en ce qu'il comprend en outre, une étape de recuit sous atmosphère réductrice (100, 1 OOA, 1 0013, 1 OOC, 101D, 02D), avant l'étape de polissage (200, 200A, 200B, 200C, 200D). Procédé selon la revendication 1, caractérisé en que l'atmosphère réductrice comprend de l'hydrogène. Procédé selon l'une des revendications précédentes, caractérisé en que l'atmosphère réductrice comprend de l'argon. 4. Procédé selon l'une des revendications précédentes, caractérisé en ce qu'il comporte en outre, subséquemment à l'étape de polissage (200, 200A, 200B, 200C, 200D), une étape d'oxydation (310A, 312B, 312C) de la couche utile (52) sur au moins une partie de son épaisseur. 5. Procédé selon l'une des revendications précédentes, caractérisé en ce qu'il comporte en outre, précédemment à l'étape de polissage (200, 200A, 200B, 200C, 200D), une étape d'oxydation (311 B, 311 C) de la couche utile (52) sur au moins une partie de son épaisseur. 6. Procédé selon l'une des revendications 4 et 5, caractérisé en ce qu'il comporte en outre au moins une étape de désoxydation (330A, 331 B, 332B, 331 C, 332C). 7. Procédé selon l'une des revendications 4 à 6, caractérisé en ce il comprend en outre au moins une étape de traitement thermique (320A, B, 322B, C, 322C), l'étape d'oxydation de la couche utile (52) étant réalisée avant fin de chaque étape de traitement thermique (320A 321 B, 322B, 322C), pour protéger le reste de la couche utile (52). 8. Procédé selon l'une des revendications précédentes, caractérisé qu'il comporte en outre une étape de recuit sous atmosphère réductrice (Il 02D) subséquente à l'étape de polissage (200, 200A, 200B, 200C, 200D). Procédé selon l'une des revendications précédentes, caractérisé en ce qu'il comprend une étape d'implantation d'atomes sous une face d'une plaque, dans zone d'implantation, une étape de mise en contact intime de la face de la plaque, ayant subi l'implantation avec un substrat support et une étape de clivage de la plaque au niveau de la zone d'implantation, pour transférer une partie de la plaque sur le substrat support et former un film mince ou une couche mince sur celui-ci, ce film mince ou cette couche mince constituant la couche utile (52) subissant ensuite les étapes de recuit sous atmosphère réductrice (100, 100A, 100B, 100C, 101D, 102D) et de polissage (200, 200A, 200B, 200C, 200D). Procédé selon l'une des revendications précédentes, caractérisé en ce que couche utile (52) est constituée d'un semi-conducteur. 1 . Procédé selon la revendication 10, caractérisé en que le semi- conducteur est du silicium. 12. Substrat pour la micro-électronique ou l'opto-électronique, comportant une couche utile (52) sur au moins une de ses faces, ce substrat (50) ayant été obtenu après une étape de polissage mécano chimique (200, 200A, 200B, 200C, 200D) sur la surface libre (54) de la couche utile (52), caractérisé en ce qu'il a subi en outre, une étape de recuit sous atmosphère réductrice (100, 100A, 100B, 100C, 101D, 102D), avant l'étape de polissage (200, 200A, 200B, 200C, 200D).