FR 2797740 A1 20010223 FR 0010710 A 20000818 ARRIERE-PLAN DE L'INVENTION Domaine de l'invention La présente invention concerne une carte de circuit, un composant semiconducteur et un procédé de fabrication de ceuxci. De façon davantage spécifique, la carte de circuit est fabriquée en formant un premier motif conducteur, lequel détermine la fonction du dispositif de circuit, sur un côté d'un premier substrat diélectrique comportant deux couches conductrices constituées respectivement sur ses deux côtés, en formant un second motif semiconducteur, lequel est sensiblement identique du point de vue de la forme au premier motif conducteur lorsque les deux motifs sont placés l'un au-dessus de l'autre, sur un côté d'un second substrat diélectrique comportant deux couches conductrices constituées respectivement sur ses deux côtés et en liant le premier substrat diélectrique et le second substrat diélectrique l'un à l'autre au moyen d'une couche diélectrique adhésive de telle sorte que le premier motif conducteur et le second motif conducteur puissent se chevaucher l'un l'autre. Par ailleurs, tandis qu'un dispositif semiconducteur est connecté au premier motif conducteur ou au second motif conducteur, le premier motif conducteur et le second motif conducteur sont connectés I'un à l'autre pour l'entrée et la sortie de signaux. Par conséquent, un niveau souhaité de la réponse en fréquence peut être obtenu indépendamment de l'épaisseur de la couche diélectrique adhésive qui joint les deux substrats diélectriques. DESCRIPTION DE L'ART ANTERIEUR Pour la transmission de données à une vitesse plus élevée sur une liaison radio ou sur une ligne câblée dans la technologie des télécommunications qui se développe fortement, une certaine variété de blocs de circuit sont installés dans des appareils tels que des instruments de communication mobile, des dispositifs RNIS ou des ordinateurs. Dans un équipement constitué avec un tel bloc de circuit, on souhaite que chaque agencement minimise l'effet du bruit tout en mettant en oeuvre la transmission des données à une vitesse élevée. Il est également essentiel dans le cas d'appareils de communication portable de diminuer la dimension des composants, de faire en sorte que les composants soient intégrés et de prévoir des types multifonctions des composants. Par exemple, pour la mise en oeuvre d'un bloc fonctionnel dans un circuit haute fréquence, des circuits de constantes distribuées sont classiquement utilisés pour minimiser et intégrer des filtres, des circuits d'adaptation haute fréquence ou des circuits de couplage du fait qu'un oscillateur commandé en tension ou VCO ou qu'un filtre est difficilement réalisable en utilisant des dispositifs semiconducteurs du fait que la longueur d'onde correspondante devient courte. On a connaissance du fait qu'un développement haute précision d'un filtre passe-bande haute performance sur un substrat est mis en oeuvre en utilisant un guide d'ondes coplanaire ou une microbande qui est une ligne de transmission plane avec une voie de couplage quart d'onde ou 1/4 X; (X étant une longueur d'onde). Cependant, un tel agencement de circuit classique est développé sur la surface d'un substrat et il peut par conséquent éventuellement générer une interférence avec d'autres circuits externes. L'agencement peut également émettre des ondes électromagnétiques depuis sa partie fléchie ou incurvée, ce qui peut générer un dysfonctionnement des dispositifs adjacents. Il est par conséquent nécessaire pour minimiser l'effet des ondes électromagnétiques de protéger ou blinder la totalité de l'agencement ou de le protéger au moyen d'un matériau absorbeur d'ondes électromagnétique. Ceci a pour effet que l'agencement devient très complexe et augmente les dimensions globales, ce qui conduit à une augmentation des coûts. En outre, I'agencement de circuit est normalement développé suivant un plan et sa dimension sera par conséquent augmentée lorsque la fréquence est dans une plage relativement plus basse. L'agencement de circuit tel qu'un filtre passe-bande est modifié de manière à présenter une combinaison constituée par la structure de résonance d'impédance par pas et par la structure microbande, combinaison selon laquelle les lignes de signal sont prises en sandwich entre deux conducteurs de masse pour minimiser l'effet des ondes électromagnétiques et ainsi, la largeur de l'agencement peut être diminuée en miniaturisant le résonateur. La figure 1 représente un filtre passe-bande de ce type comportant la structure de résonance d'impédance par pas selon laquelle deux substrats diélectriques 202 sont installés entre des conducteurs de masse externe 201 tandis qu'un résonateur 203 qui comprend deux couches conductrices de signal qui sont différentes du point de vue de la valeur d'impédance est pris en sandwich entre les deux substrats diélectriques 202. La réponse en fréquence du filtre passe-bande de la figure 1 est représentée graphiquement sur la figure 2 au niveau de laquelle f0 représente une fréquence centrale et WT représente une bande passante de transmission. Une carte de circuit incorporant le filtre passe-bande représenté sur la figure 1 voit sa réponse en fréquence diminuer si des variations au niveau de l'épaisseur des substrats diélectriques ou au niveau de la précision de fabrication des motifs conducteurs sont observées, lesquelles variations déterminent la fonction d'un dispositif de circuit. La figure 3 représente la relation de variation entre l'épaisseur de substrat diélectrique et la fréquence centrale. Par exemple, lorsque l'épaisseur de substrat diélectrique varie de 5 %, la fréquence centrale peut varier de façon substantielle de 1 % à 2 %. Lorsque la fréquence centrale du filtre passe-bande est de 5 GHz, la fréquence varie jusqu'à 100 MHz au maximum et le dispositif est difficilement réalisable. Pour éliminer des variations non souhaitées de la réponse en fréquence, il est nécessaire de fabriquer les substrats et les motifs selon un niveau de précision considérable et le filtre passe-bande sera par conséquent coûteux. Afin de diminuer le coût des dispositifs modernes d'un appareil de communication spécifique qui utilise des micro-ondes ou milli-ondes (des ondes hyperfréquence), les substrats sont formés en des matériaux organiques tels qu'une résine époxy à base de fibres de verre ou qu'une résine BT (bimaléide-triazine) à base de fibres de verre en lieu et place des matériaux céramique traditionnels. Ces substrats organiques sont cependant différents des substrats céramique traditionnels et sont davantage difficiles à fabriquer que ces derniers. Plus particulièrement, un agencement en couches du filtre passe-bande selon lequel une pluralité de substrats organiques sont placés les uns au-dessus des autres conduit éventuellement à une difficulté à contrôler l'épaisseur d'une couche adhésive d'une partie du film diélectrique, et la caractéristique de filtrage afférente se maintiendra difficilement à un niveau souhaité. Les figures 4A et 4B représentent chacune un agencement incluant les substrats diélectriques réalisés en un matériau organique. La figure 4A est une vue en perspective éclatée et la figure 4B est une vue en coupe schématique prise le long de la ligne PA de la figure 4A. Par report à la figure 4A, I'agencement d'un filtre passe-bande utilise deux substrats organiques 210 et 215. Le substrat organique 210 est une carte de circuit imprimé double face dont le côté de jonction (situé à lI'opposé de l'autre substrat diélectrique 215) comporte des motifs conducteurs 210a et 210b d'un circuit de résonance constitué dessus. Un revêtement de blindage ou protection 210c est prévu de l'autre côté du substrat organique 210. L'autre substrat organique 215 est une carte de circuit imprimé monoface dont le côté de conduction est recouvert d'un revêtement de blindage ou protection 215c. Du fait que le côté du motif conducteur 21 Oa de la carte de circuit imprimé double face 210 est de fait à l'opposé de l'autre côté de la carte de circuit imprimé monoface 215 o le revêtement de blindage 215c n'est pas prévu, un préimprégné 218 pour la liaison est pris en sandwich entre la carte de circuit imprimé double face 210 et la carte de circuit imprimé monoface 215. Après pression et chauffage de l'assemblage, un agencement de résonance d'impédance par pas du filtre passe-bande est parachevé. L'épaisseur de la carte de circuit imprimé double face 210 ou de la carte de circuit imprimé monoface 215 peut être aisément contrôlée selon une précision élevée. Cependant, l'épaisseur du préimprégné 218 qui est une couche diélectrique adhésive pour lier les substrats peut varier de manière significative en fonction des conditions de fabrication et du taux de conformation par motif de la carte de circuit imprimé et peut s'avérer pouvoir être difficilement réglée à une valeur souhaitée. Si l'épaisseur du préimprégné 218 varie, un niveau souhaité de la caractéristique de filtrage peut rarement être obtenu. Du fait que le rendement du filtre passe-bande décline, le filtre passe-bande présente un coût élevé parce que ses matériaux de substrat sont coûteux. RESUME DE L'INVENTION Par conséquent, un objet de la présente invention consiste à proposer une carte de circuit, un composant semiconducteur et un procédé afférent dont la caractéristique présente un niveau souhaité, deux substrats diélectriques ou plus étant joints les uns aux autres. Une carte de circuit selon la présente invention est constituée en: la jonction d'un premier substrat diélectrique comportant un premier motif conducteur prévu sur lui sur un second substrat diélectrique comportant un second motif conducteur prévu sur lui au moyen d'une couche diélectrique adhésive, de telle sorte que les deux motifs conducteurs en viennent à se faire face l'un l'autre; I'agencement du premier motif conducteur selon une forme de motif de circuit pour réaliser une fonction souhaitée tout en agençant le second motif conducteur selon une forme qui est sensiblement identique à celle du premier motif conducteur, de telle sorte que les deux motifs puissent se chevaucher l'un l'autre; et la constitution d'un conducteur de mise à la masse sur le côté externe de chacun des premier et second substrats diélectriques. Un procédé de fabrication d'une carte de circuit selon la présente invention est constitué de telle sorte qu'il comprend les étapes de: formation d'un premier motif conducteur, lequel détermine la fonction du dispositif de circuit, sur un côté d'un premier substrat diélectrique qui comporte deux couches conductrices respectivement constituées sur ses deux côtés; formation d'un second motif conducteur, lequel est sensiblement identique du point de vue de la forme au premier motif conducteur lorsque les deux motifs sont placés l'un au-dessus de l'autre, sur un côté d'un second substrat diélectrique comportant deux couches conductrices respectivement constituées sur ses deux côtés; et liaison du premier substrat diélectrique et du second substrat diélectrique l'un à l'autre au moyen d'une couche diélectrique adhésive de telle sorte que le premier motif conducteur et le second motif conducteur puissent se chevaucher l'un l'autre. Un composant semiconducteur selon la présente invention est constitué par: la jonction d'un premier substrat diélectrique comportant un premier motif conducteur prévu sur lui sur un second substrat diélectrique comportant un second motif conducteur prévu sur lui au moyen d'une couche diélectrique adhésive, de telle sorte que les deux motifs conducteurs en viennent à se faire face l'un l'autre; I'agencement du premier motif conducteur selon une forme de motif de circuit pour réaliser une fonction souhaitée tout en agençant le second motif conducteur selon une forme qui est sensiblement identique à celle du premier motif conducteur, de telle sorte que les deux motifs puissent se chevaucher l'un l'autre; la connexion du premier motif conducteur et du second motif conducteur l'un à l'autre à l'aide d'éléments de connexion; et la constitution d'un dispositif semiconducteur connecté à au moins l'un des premier et second motifs conducteurs. Un procédé de fabrication d'un composant semiconducteur selon la présente invention est constitué de manière à comprendre les étapes de: formation d'un premier motif conducteur, lequel détermine la fonction du dispositif de circuit, sur un côté d'un premier substrat diélectrique qui comporte deux couches conductrices respectivement constituées sur ses deux côtés; formation d'un second motif conducteur, lequel est sensiblement identique du point de vue de la forme au premier motif conducteur lorsque les deux motifs sont placés l'un au-dessus de l'autre, sur un côté d'un second substrat diélectrique comportant deux couches conductrices respectivement constituées sur ses deux côtés; et liaison du premier substrat diélectrique et du second substrat diélectrique l'un à l'autre au moyen d'une couche diélectrique adhésive de telle sorte que le premier motif conducteur et le second motif conducteur puissent se chevaucher l'un l'autre. d'o ainsi la connexion du premier motif conducteur et du second motif conducteur l'un à l'autre et du dispositif semiconducteur à au moins l'un des premier et second motifs conducteurs. Par conséquent, lorsqu'un filtre passe-bande est développé en tant que dispositif de circuit sur un côté d'une carte empilée en cuivre double face qui est le premier substrat diélectrique comportant les deux couches conductrices prévues sur ses deux côtés, le premier motif conducteur incorpore un motif de résonateur. Par ailleurs, un motif de résonateur qui est sensiblement identique du point de vue de la forme au motif de résonateur de la première carte empilée en cuivre double face est constitué sur un côté d'une seconde carte empilée en cuivre double face ou du second substrat diélectrique de telle sorte que les deux motifs soient situés l'un au-dessus de l'autre. Les première et seconde cartes empilées en cuivre double face sont liées l'une à l'autre par la couche diélectrique adhésive de telle sorte que leurs motifs de résonateur viennent à l'opposé l'un de l'autre. Selon une variante, une pluralité de motifs de résonateur dont les formes sont sensiblement équivalentes, y compris ceux des première et seconde cartes empilées en cuivre double face, peuvent être constitués les uns au-dessus des autres, les deux motifs adjacents de chaque jeu de deux motifs adjacents étant isolés l'un de l'autre par une couche diélectrique isolante. En outre, le motif de résonateur de la première carte empilée en cuivre double face peut être joint au motif de résonateur de la seconde carte empilée en cuivre double face au moyen d'électrodes en protubérance. Le motif de résonateur de la première carte empilée en cuivre double face ou de la seconde carte empilée en cuivre double face peut être connecté au dispositif semiconducteur tel que selon un MMIC. Le dispositif semiconducteur peut être monté sur un côté externe de l'assemblage des première et seconde cartes empilées en cuivre double face qui sont jointes l'une à l'autre au moyen de trous de via ou au moyen de trous traversants connectés entre les motifs de résonateur. Selon une variante, après que le motif de résonateur de la première ou seconde carte empilée en cuivre double face est connecté au moyen de bossements avec le dispositif semiconducteur tel que selon un MMIC, la première carte empilée en cuivre double face et la seconde carte empilée en cuivre double face sont liées l'une à l'autre de telle sorte que le dispositif semiconducteur est pris en sandwich entre elles. BREVE DESCRIPTION DES DESSINS La figure 1 est une vue qui représente un filtre passe-bande; la figure 2 est un schéma qui représente une réponse en fréquence du filtre passebande; la figure 3 est un schéma qui représente la relation de variation entre l'épaisseur de la couche diélectrique et la fréquence centrale; les figures 4A et 4B sont des vues qui représentent un filtre passe-bande classique qui utilise des substrats organiques; les figures 5A et 5B sont des vues qui représentent le filtre passe- bande; les figures 6A à 6D sont des vues qui représentent un procédé de fabrication du filtre passe-bande; les figures 7A à 7G sont des vues qui représentent un procédé de fabrication d'un filtre passe-bande dans lequel les motifs sont constitués selon des couches; les figures 8A à 8F sont des vues qui représentent un procédé de fabrication du composant semiconducteur; les figures 9A à 9G sont des vues qui représentent un procédé de fabrication du composant semiconducteur; les figures 1 OA à 1 OD sont des vues qui représentent un procédé de fabrication d'un composant semiconducteur selon lequel le dispositif semiconducteur est pris en sandwich; les figures 11A à 11C sont des vues qui représentent un autre procédé de fabrication du composant semiconducteur selon lequel le dispositif semiconducteur est pris en sandwich; les figures 12A à 12G sont des vues qui représentent un procédé de fabrication d'un composant semiconducteur selon lequel le dispositif semiconducteur est pris en sandwich; la figure 13 est une vue qui représente un filtre passe-bas; et la figure 14 est une vue qui représente un filtre passe-haut. DESCRIPTION DU MODE DE REALISATION PREFERE Un mode de réalisation de la présente invention sera décrit de manière davantage détaillée par report aux dessins. Les figures 5A et 5B représentent chacune une structure de base de la présente invention qui comprend deux substrats diélectriques 11 et 12 qui forment une carte de circuit, c'est-à-dire un filtre passe-bande comportant une structure de résonance d'impédance (SIR) par pas.. Les deux substrats diélectriques 11 et 12 peuvent être mis en oeuvre au moyen d'une base diélectrique comportant une couche conductrice constituée sur chaque côté (appelée ciaprès carte de circuit imprimé double face). Par exemple, la carte de circuit imprimé double face en tant que carte conformée en cuivre double face comporte deux motifs conducteurs 11a et 11b ou 12a et 12b qui incorporent un résonateur (appelés simplement des motifs ci-après) sur un côté. Du fait que les motifs 1 la et 1 lb sur la carte de circuit imprimé double face 11 sont placés au-dessus des motifs 12a et 12b de la carte de circuit imprimé double face 12, les motifs opposés 11 a et 12a en viennent à se faire face l'un l'autre tandis que les autres motifs opposés 1 b et 12b en viennent à se faire face l'un l'autre, comme représenté sur la figure 5A. Un préimprégné 13 pour la jonction est pris en sandwich entre les deux cartes de circuit imprimé double face 11 et 12, les motifs opposés 11a et 12a étant situés à l'opposé l'un de l'autre et les autres motifs opposés 11b et 12b étant situés à l'opposé l'un de l'autre. Lorsque les cartes de circuit imprimé double face 11 et 12 sont pressées et chauffées, elles sont jointes l'une à l'autre. Puis les motifs se faisant face 11a et 12a sont liés l'un à l'autre tandis que les autres motifs se faisant face 11b et 12b sont liés l'un à l'autre. Les autres côtés des cartes de circuit imprimé double face 11 et 12 o aucun motif n'est constitué sont respectivement recouvertes de revêtements de blindage 11c et 12c. En tant que résultat, une carte de circuit qui joue de rôle d'un filtre passebande de la structure SIR est parachevée, lequel filtre présente un niveau souhaité de caractéristique de filtrage indépendamment de l'épaisseur du préimprégné 13. La figure 5B est une vue en coupe transversale schématique prise selon la ligne en pointillés représentée en PB sur la figure 5A. Les figures 6A à 6D représentent chacune un procédé de fabrication d'un dispositif de carte de circuit présentant l'agencement représenté sur les figures 5A et 5B. Deux cartes de circuit imprimé double face 21 et 22 préparées en tant que substrats diélectriques sont choisies par exemple parmi des substrats en fibres de verre imprégnées d'une résine époxy (ce qui est équivalent au type FR-4 de National Electrical Manufacturers Association, U.S.A.), d'une résine époxy spécifique présentant un niveau plus élevé de température de transition vitreuse Tg telle que le type FR5 et d'autres résines qui présentent une constante diélectrique faible (s diélectrique faible (ô triazine), de l'éther polyphénylène ou PPE, du téflon et des polyimides, ce qui améliore la réponse haute fréquence. D'autres substrats peuvent également être utilisés en relation avec les procédés de jonction qui suivent. Le matériau des substrats n'est pas limité à des fibres de verre mais n'importe quels autres polymères organiques tels que polyimide, acrylate ou polyoléphine peuvent également être utilisés. Qui plus est, des substrats en céramique tels que alumine, mullite ou céramique de verre ainsi que des substrats composites organique-céramique peuvent être utilisés. Pour élaborer les motifs 21a, 21b, 22a et 22b sur les cartes de circuit imprimé double face 21 et 22, les régions non souhaitées de feuille de cuivre sont ôtées par gravure. La feuille de cuivre qui est conformée selon un motif souhaité est de préférence aussi mince que possible pour augmenter la précision de conformation. Par ailleurs, du fait que la fréquence d'un signal soumis à réjection par un filtre est élevée, le courant afférent circule en suivant la surface de la feuille de cuivre du fait de l'effet de peau. Par conséquent, même si la feuille de cuivre est mince, le filtre peut être maintenu à un niveau souhaité de la caractéristique de fréquence. Comme représenté sur la figure 6A, l'épaisseur de la feuille de cuivre qui est classiquement de 18 pm peut être de 12 pm, de préférence de 9 pm et de façon davantage préférable de 5 pm. A l'opposé, la feuille de cuivre sur l'autre côté au niveau duquel aucun motif n'est constitué ou aucune formation de motif ou conformation de précision n'est mise en jeu joue le rôle de protection ou blindage, et son épaisseur peut de préférence être supérieure à celle de la feuille de cuivre conformée. Les motifs 21a, 21b, 22a, 22b sont formés comme représenté sur la figure 6B, les cartes de circuit imprimé double face 21 et 22 sont ensuite recouvertes au niveau d'un côté par les motifs 21a, 21b et 22a, 22b de la feuille de cuivre formant respectivement des voies de signal selon une précision élevée. La conformation est élaborée de telle sorte que les motifs 21a et 22a soient placés l'un au-dessus de l'autre tandis que les motifs 21b et 22b sont placés l'un au-dessus de l'autre. Ceci est suivi par l'application d'un film adhésif ou d'un empilement 23 (jouant le rôle de préimprégné) sur le côté conformé de l'une des cartes de circuit imprimé double face, par exemple la carte 21, comme représenté sur la figure 6C. Les deux cartes de circuit imprimé double face 21 et 22 sont ensuite positionnées de telle sorte que les motifs 21 a et 21 b en viennent à faire face respectivement aux motifs 22a et 22b de telle sorte que ces motifs soient placés les uns au-dessus des autres, comme représenté sur la figure 6D et soient pressés les uns contre les autres, d'o par conséquent, la liaison du motif 21a sur Je motif 22a et la liaison du motif 21b sur le motif 22b. Les cartes de circuit imprimé double face 21 et 22 sont ensuite respectivement recouvertes de deux revêtements de blindage ou protection 21c et 22c. En tant que résultat, une carte de circuit qui joue le rôle de filtre passe-bande représenté sur les figures 5A et 5B est parachevée. Bien que les deux cartes de circuit imprimé double face 21 et 22 soient jointes l'une à l'autre au moyen du film adhésif 23 selon le premier procédé, elles peuvent être liées l'une à l'autre au moyen d'un agent adhésif. L'agent adhésif peut être choisi parmi des résines époxy, des résines polyimides, des résines acryliques et des résines de caoutchouc. L'agent adhésif peut être appliqué au moyen d'un procédé d'impression, d'un procédé de revêtement par rideau consistant à préparer un rideau mince de l'adhésif et à faire passer le substrat dessous le rideau, un procédé de revêtement par centrifugation consistant à faire tomber l'adhésif au-dessus du substrat qui tourne et à l'étaler au moyen de l'effet de la force centrifuge ou un procédé de revêtement en ménisque consistant à étaler un écoulement d'adhésif sur le substrat au moyen de l'effet de la tension de surface jusqu'à un point tel qu'il ne chute pas depuis le bord. Les deux substrats revêtus de l'agent adhésif au moyen d'un tel procédé sont ensuite pressés l'un contre l'autre et sont chauffés pour le thermo-durcissage. En tant que résultat, un dispositif de carte de circuit qui joue le rôle de filtre passe- bande représenté sur les figures 5A et 5B est parachevé. Selon le premier procédé, les deux cartes de circuit imprimé double face 21 et 22 sont jointes l'une à l'autre afin d'obtenir un filtre passebande présentant la structure SIR. Le filtre peut également être formé au moyen d'une structure multicouche constituée par les voies de signal en tant que lignes de transmission en bande. Les figures 7A à 7G représentent chacune un autre procédé selon lequel les motifs sont développés selon des couches. Comme représenté sur la figure 7B, des motifs de résonateur 31a et 31b sont conformés de la même manière que dans le cas du premier procédé sur la couche mince en cuivre d'une carte de circuit imprimé double face 31 représentée sur la figure 7A. Puis comme représenté sur la figure 7C, un matériau diélectrique isolant 32 tel qu'une résine époxy est appliqué au- dessus au moyen d'un procédé d'impression ou d'un procédé de revêtement par rideau. Le matériau diélectrique isolant 32 est durci par chauffage dans un four de refluage, est aplani au moyen par exemple d'un polissage en surface et est revêtu sur sa surface aplanie d'une couche de feuille de cuivre 33 au moyen par exemple d'un plaquage non électrolythique, comme représenté sur la figure 7D. La couche de feuille de cuivre 33 est recouverte d'une réserve 34 qui est ensuite exposée de manière à ce qu'elle présente des motifs identiques aux motifs 31a et 31b. Le reste de la réserve 34 est ôté par gravure. En tant que résultat, les motifs 33a et 33b identiques aux motifs inférieurs 31a et 31b sont obtenus sur le matériau diélectrique isolant 32, comme représenté sur la figure 7E. De façon similaire, deux couches de motifs 35a, 35b et 37a, 37b sont constituées sur la couche mince en cuivre d'une autre carte de circuit imprimé double face 35 au moyen de la même façon que représenté sur les figures 7A à 7E. Lorsque les deux cartes de circuit imprimé double face 31 et 35 sont placées l'une au-dessus de l'autre, les motifs 31a, 33a, 35a et 37a se chevauchent les uns les autres tandis que les motifs 31b, 33b, 35b et 37b se chevauchent les uns les autres. Un film adhésif ou un empilement 38 (qui joue le rôle de préimprégné) est appliqué au moyen de la même manière que dans le cas du premier procédé sur le côté conformé de l'une des deux cartes de circuit imprimé double face, par exemple la carte 31 comme représenté sur la figure 7F. Du fait que les deux cartes de circuit imprimé double face 31 et 35 sont jointes l'une à l'autre au moyen de l'empilement 38, les motifs 31a, 33a, 35a et37a sont liés ensemble tandis que les motifs 31b, 33b, 35b et 37b sont liés ensemble. En tant que résultat, une carte de circuit de la structure multicouche jouant le rôle de filtre passe-bande est parachevée, comme représenté sur la figure 7G. Puisque les motifs sont constitués selon la structure multicouche, I'aire de surface des voies de signal augmente et l'effet de peau peut par conséquent être amélioré dans une plage haute fréquence des signaux, ce qui permet que le filtre passe-bas minimise la perte de signal. Bien que les matériaux diélectriques isolants 32 et 36 soient une résine époxy selon l'autre procédé, ils peuvent être n'importe quel autre matériau organique tel que polyimide, acrylate ou benzo-cyclo-butène (BCB) . Selon une variante, une base diélectrique non organique est formée en dioxyde de silicium (SiO2) ou en nitrure de silicium (SiN) au moyen d'un processus à film mince tel qu'un procédé de dépôt chimique en phase vapeur ou CVD basse température, est lissée en surface au moyen d'un procédé de polissage chimico-mécanique ou CMP qui consiste à réaliser un polissage avec des abrasifs, des acides ou une solution alcaline ou au moyen d'un procédé de gravure partielle superficielle (appelé "etch-back") qui consiste à éliminer des ondulations de surface, et est constituée sur la surface lissée selon des motifs souhaités au moyen d'un procédé de pelage (appelé "lift-off'). De façon davantage spécifique, après qu'une réserve est appliquée au-dessus de la surface lissée à l'exception des motifs, une couche métallique en Cu ou en Ni/Au ou en Ti/Pt/Au est déposée. La couche métallique à l'exception des motifs est ensuite ôtée avec la réserve. Il en résulte l'obtention des motifs de la couche métallique. Le filtre passe-bande fabriqué au moyen du procédé mentionné ci-avant est classiquement connecté à un dispositif semiconducteur correspondant tel qu'un dispositif discret haute fréquence ou qu'un MMIC (circuit intégré micro-ondes ou hyperfréquence monolithique). Lorsque le filtre passebande est connecté à un dispositif semiconducteur, ces deux éléments sont de façon souhaitable montés ensemble sur une carte de circuit pour minimiser des lignes de connexion afin d'éviter une perte de signal sur la longueur des lignes de connexion étendues ou afin d'empêcher une interférence avec des circuits adjacents. Un procédé de fabrication d'un. composant semiconducteur comportant un dispositif semiconducteur tel qu'une puce montée par bosses (appelée "flip-chip") MMIC montée sur une carte de circuit sera maintenant décrit par report aux figures 8A à 8F. Comme représenté sur la figure 8A, des motifs 41a et 41b qui incorporent un filtre passe-bande ainsi que des électrodes en saillie (des bossements) 42 en or ou en cuivre pour des signaux d'entrée et de sortie sont constitués sur une carte de circuit imprimé double face 41. Les bossements 42 peuvent être formés au moyen d'une technique de plaquage ou d'une technique de liaison par billes. De façon similaire, des motifs 43a et 43d qui incorporent un filtre passebande sont constitués sur une autre carte de circuit imprimé double face 43 de la même manière que dans le cas de la carte de circuit imprimé double face 41, comme représenté sur la figure 8B. Par ailleurs des trous de via 44 sont ménagés au niveau de la région de sortie de signal des motifs pour la sortie des signaux. Les trous de via 44 ne sont pas limités à la région de sortie de signal des motifs mais peuvent être également situés en correspondance avec des bossements 51 sur le MMIC 50 pour délivrer d'autres signaux au MMIC 50 ou pour transférer des signaux de sortie en provenance du MMIC 50 à un circuit de traitement. Lorsque les motifs et les trous de via ont été constitués, un revêtement constitué par un adhésif 45 est appliqué sur l'une des deux cartes de circuit imprimé double face, par exemple la carte 41 selon ce mode de réalisation, comme représenté sur la figure 8C. La carte de circuit imprimé double face 41 qui est revêtue de l'adhésif 45 est ensuite placée au-dessus de l'autre carte de circuit imprimé double face 43 de telle sorte que ses motifs 43 et 43b en viennent à faire face aux motifs sur l'autre carte 43. Les deux cartes de circuit imprimé double face 41 et 43 sont ensuite chauffées tout en étant pressées l'une contre l'autre, comme représenté sur la figure 8D, afin de connecter la carte de circuit imprimé 41a sur la carte de circuit imprimé double face 41 au moyen des bossements 42 à la carte de circuit imprimé 43a sur la carte de circuit imprimé double face 43. Simultanément, la carte de circuit imprimé 41b sur la carte de circuit imprimé double face 41 est connectée au moyen des bossements 42 à la carte de circuit imprimé 43b sur la carte de circuit imprimé double face 43. Lorsque les deux cartes de circuit imprimé double face 41 et 43 sont jointes l'une à l'autre, une carte de circuit 49 qui joue le rôle de filtre passe-bande est parachevée. Puis comme représenté sur la figure 8E, les bossements 51 prévus sur le MMIC 50 pour un montage de puce par bosses sont placés au-dessus de plots de connexion 44p joints au trou de via 44 dans la carte de circuit imprimé double face 43. Les bossements 51 sur le MMIC sont pressés thermiquement contre les plots de connexion 44p sur la carte de circuit imprimé double face 43 et sont joints à ces mêmes plots de connexion au moyen d'une tête de pression thermique 60. Par conséquent, le MMIC 50 est connecté avec succès sur des longueurs minimum aux motifs incorporant le filtre passe-bande, comme représenté sur la figure 8F. Conformément au procédé mentionné ci-avant consistant à connecter le MMIC 50 sur des longueurs minimum aux motifs incorporant le filtre passe-bande, les trous de via 44 sont ménagés avant la jonction des deux cartes de circuit imprimé double face l'une à l'autre. Selon une variante, les deux cartes peuvent être tout d'abord jointes l'une à l'autre puis munies de trous traversants qui sont plaqués au métal au niveau de la paroi interne afin d'obtenir un certain niveau de conductivité ou qui sont remplis avec une patte électriquement conductrice pour obtenir que les trous de via établissent une connexion entre les motifs en couches. Un autre procédé de fabrication du composant semiconducteur sera expliqué par report aux figures 9A à 9G. Comme représenté sur la figure 9A, des motifs 71a et 71b incorporant un filtre passe-bande sont constitués sur un côté d'une carte de circuit imprimé double face 71 tandis que des zones 72 sont constituées sur l'autre côté de manière à être en correspondance avec des trous traversants correspondants. De façon similaire, comme représenté sur la figure 9B, des motifs 73a et 73b incorporant un filtre passe-bande sont constitués sur un côté d'une autre carte de circuit imprimé double face 73 similaire à la carte de circuit imprimé double face 71 tandis que des zones 74 sont constituées sur l'autre côté de manière à correspondre à des trous traversants correspondants. En outre, des zones 75 sont constituées, zones sur lesquelles un MMIC 50 est monté. Un revêtement constitué par un adhésif 76 est appliqué sur le côté conformé de l'une des deux cartes de circuit imprimé double face 71 et 73 par exemple la carte 71 selon ce mode de réalisation, comme représenté sur la figure 9C. Les deux cartes de circuit imprimé double face 71 et 73 sont positionnées l'une au-dessus de l'autre de telle sorte que les motifs sur la carte de circuit imprimé double face 73 en viennent à faire face aux motifs sur la carte de circuit imprimé double face 71 revêtue de l'adhésif 76. Puis les deux cartes de circuit imprimé double face 71 et 73 sont chauffées tout en étant pressées l'une contre l'autre pour leur jonction, comme représenté sur la figure 9D. Des trous traversants 77 sont ensuite ménagés au niveau de leurs emplacements correspondants au moyen d'un perçage ou d'un faisceau laser comme représenté sur la figure 9E. Les trous traversants 77 sont ensuite plaqués au métal au niveau de la paroi interne de manière à faire en sorte que des films métalliques 78 assurent une connexion entre les plages et les motifs, comme représenté sur la figure 9F. Par ailleurs, la connexion peut être réalisée pour les revêtements de blindage ou de protection sur les cartes de circuit imprimé double face 71 et 73. Les trous traversants 77 peuvent être remplis d'une pâte électriquement conductrice non représentée en lieu et place du plaquage au métal pour assurer une connexion entre les plages et les motifs. Lorsque les deux cartes de circuit imprimé double face 71 et 76 ont été jointes l'une à l'autre, le filtre passe-bande est fabriqué. Le MMIC 50 est ensuite placé sur les plages 75 constituées sur le côté de protection de la carte de circuit imprimé double face 73, comme représenté sur la figure 9G. Les bossements 51 du MMIC 50 sont liés aux plages 75 sur la carte de circuit imprimé double face 73 au moyen d'un pressage thermique réalisé à l'aide d'une tête de pression thermique. En tant que résultat, un composant semiconducteur 70 selon lequel le filtre passe-bande est connecté au MMIC 50 sur des longueurs minimum est parachevé, de façon similaire à celui représenté sur les figures 8A à 8F. Le MMIC peut être connecté à la carte de circuit imprimé double face en prévoyant des bossements de soudure sur le MMIC, en appliquant des gouttes de soudure sur les plots de connexion de la carte de circuit imprimé double face et en réalisant un chauffage afin d'effectuer une soudure entre le MMIC et la carte de circuit imprimé double face. Selon une variante, le MMIC peut être joint à la carte de circuit imprimé double face au moyen d'une technique de liaison par fil ou de toute autre manière appropriée. Conformément au procédé représenté ci-avant, le composant semiconducteur est fabriqué de telle sorte que le dispositif semiconducteur est monté sur le côté de blindage ou de protection de l'une quelconque des deux cartes de circuit imprimé double face qui sont jointes l'une à l'autre. Le dispositif semiconducteur peut être pris en sandwich entre les deux cartes de circuit imprimé double face pour minimiser la perte de signal et par conséquent pour empêcher une interférence avec des circuits périphériques. Les figures 10A à 10D représentent chacune un procédé de fabrication d'un composant semiconducteur comportant un dispositif semiconducteur pris en sandwich entre deux cartes de circuit imprimé double face qui sont jointes l'une à l'autre. Le dispositif semiconducteur tel qu'un MMIC 55 pour le traitement d'un signal haute fréquence est basé classiquement sur un substrat en gallium/arsenic. Le MMIC 55 qui est basé sur le substrat en gallium/arsenic peut voir son épaisseur réduite de 20 à 30 pm si l'on soumet son côté arrière à une technique CMP, soit une combinaison d'un polissage mécanique et d'une gravure par voie humide. Des bossements 56 sont ensuite constitués sur des plots de connexion du MMIC aminci 55. Le MMIC aminci 55 muni des bossements est placé de telle sorte que son côté de face soit dirigé vers le haut en un emplacement donné sur une carte de circuit imprimé double face 81, comme représenté sur la figure 10A. Si on le souhaite, des trous de via thermiques 82 sont ménagés pour la dissipation de la chaleur générée au niveau du MMIC ou pour le développement de plans de masse. Par ailleurs, des motifs 81a et 81b incorporant un filtre passe-bande sont constitués sur le côté monté du MMIC 55 de la carte de circuit imprimé double face 81 puis des bossements 83 sont constitués sur les motifs 81a et 81b. De façon similaire, comme représenté sur la figure 10B, des motifs 84a et 84b incorporant un filtre passe-bande et des plots de connexion 85 pour une connexion avec des bossements 56 du MMIC 55 sont constitués sur un côté d'une autre carte de circuit imprimé double face 84 similaire à la carte de circuit imprimé double face 81. Un revêtement constitué par un adhésif 86 est appliqué sur le côté monté du MMIC 55 de la carte de circuit imprimé double face 81, comme représenté sur la figure 10C. Les deux cartes de circuit imprimé double face 81 et 84 sont ensuite placées l'une au-dessus de l'autre de telle sorte que les motifs 84a et 84b avecles plots de connexion 85 de la carte de circuit imprimé double face 84 en viennent à faire face aux motifs 84a et 84b de la carte de circuit imprimé double face 81. Les deux cartes de circuit imprime double face 81 et 84 sont chauffées tout en étant pressées l'une contre l'autre, d'o ainsi la connexion des motifs 81a et 81b sur les motifs 84a et 84b, et les bossements 56 du MMIC 55 sur les plots de connexion 85 de la carte de circuit imprimé double face 84. En tant que résultat, un composant semiconducteur 80 comportant le MMIC 55 installé est parachevé, comme représenté sur la figure 1 OD. Conformément au procédé représenté sur les figures 10OA à 10D, après que le MMIC 55 est placé au-dessus de la carte de circuit imprimé double face 81, les deux cartes de circuit imprimé double face 81 et 84 sont jointes l'une à l'autre et les bossements 56 du MMIC 55 sont connectés aux plots de connexion 85 de la carte de circuit imprimé double face 84. Selon une variante, les bossements 56 du MMIC 55 sont tout d'abord connectés aux plots de connexion 85 de la carte de circuit imprimé double face 84 puis les deux cartes de circuit imprimé double face 81 et 84 sont jointes l'une à l'autre. Dans ce second cas, le MMIC aminci et muni des bossements 56 est positionné à l'emplacement spécifique tandis que son côté de face dirigé vers le bas est sur les plots de connexion 85 de la carte de circuit imprimé double face 84 de telle sorte que les bossements 56 du MMIC 55 en viennent à être juste au- dessus des plots de connexion 85, comme représenté sur la figure 11A. Puis les bossements 56 sont connectés aux plots de connexion 85 au moyen d'un pressage thermique. Ceci est suivi par l'action consistant à placer la carte de circuit imprimé double face 84 avec le MMIC 55 monté au-dessus de la carte de circuit imprimé double face 81 revêtue d'un adhésif 86 de telle sorte que leurs motifs en viennent à se faire face, comme représenté sur la figure 11 B. Les deux cartes de circuit imprimé double face 81 et 84 sont chauffées en étant pressées l'une contre l'autre. En tant que résultat, un composant semiconducteur 80 comportant le MMIC 55 installé est parachevé, comme représenté sur la figure 11C. Le MMIC 55 n'est pas limité à un substrat en gallium/arsenic mais il peut être basé sur un substrat en silicium ou sur un substrat en germanium avec un succès équivalent. Dans le cas o le dispositif semiconducteur est un transistor à mobilité électronique élevée (HEMT) ou un transistor bipolaire à hétérojonction (HBT) obtenu au moyen d'une croissance épitaxiale d'un semiconducteur composite, il peut être isolé en dissolvant des couches sacrificielles à l'aide d'un acide. Le dispositif est ensuite transféré sur la carte de circuit intégré double face et est pris en sandwich entre les deux cartes de circuit imprimé double face qui sont placées l'une au- dessus de l'autre. Les figures 12A à 12G représentent chacune un autre procédé de fabrication d'un composant semiconducteur comportant un dispositif semiconducteur installé en son sein. Conformément à ce procédé, le dispositif semiconducteur est séparé d'une puce semiconductrice, est transféré sur une carte de circuit intégré double face et est pris en sandwich entre les substrats. Comme représenté sur la figure 12A, une couche en AlAs 92 qui joue le rôle de couche sacrificielle est déposée sur un substrat composite ou sur un substrat en GaAs 91, puis un dispositif 93 incluant des motifs de circuit, des connexions et des bossements est développé sur la couche en AlAs 92. Par ailleurs, une couche de cire 95 est constituée au-dessus du dispositif 93 pour protéger la surface et pour faciliter le transfert. Une puce semiconductrice résultante 90 est ensuite placée sur un substrat de transfert primaire 96 de telle sorte que sa couche de cire 95 en vienne à faire face au substrat 96, comme représenté sur la figure 12B. Lorsque la puce semiconductrice 90 qui est placée sur le substrat de transfert primaire 96 est chauffée jusqu'à une température aussi élevée qu'entre 60 et 100 C afin d'évacuer par fusion la couche de cire puis après qu'elle est refroidie par abaissement de température, elle est liée au substrat de transfert primaire 96. La couche en AlAs 92 est ensuite ôtée en utilisant une solution d'acide telle que de l'acide fluorhydrique ou HF dilué, de l'acide fluorhydrique tamponné ou BHF ou de l'acide chlorhydrique ou HCI. En tant que résultat, le dispositif 93 est séparé du substrat en GaAs 91, lequel est ensuite mis à l'écart. Par conséquent, le dispositif 93 est laissé sur le substrat de transfert primaire 96. Ceci est suivi par la liaison du dispositif 93 qui est séparé du substrat en GaAs 91 à l'aide d'un adhésif thermoplastique 97 sur un substrat de transfert secondaire 98, comme représenté sur la figure 12C, et par le chauffage du composant afin d'évacuer par fusion la couche de cire 95. En tant que résultat, le dispositif 93 est séparé avec succès du substrat de transfert primaire 96, comme représenté sur la figure 12D. Puis le composant est rincé ou nettoyé de telle sorte que les bossements 94 du dispositif 93 puissent être liés de façon favorable sur les plots de connexion 102 sur une carte de circuit imprimé double face 101, ce qui sera expliqué ultérieurement de manière davantage détaillée. Le dispositif 93 qui est lié au substrat de transfert secondaire 98 est positionné au-dessus de la une carte de circuit imprimé double face 101 de telle sorte que son côté de face soit dirigé vers le bas, comme représenté sur la figure 12E, de telle sorte que ses bossements 94 en viennent à faire face aux plots de connexion 102 sur la carte de circuit imprimé double face 101. Les bossements 94 sont ensuite liés aux plots de connexion 102 au moyen d'une pression thermique. Lorsqu'un chauffage est réalisé de manière à déformer thermiquement l'adhésif 97 au moyen duquel le dispositif 93 est joint au substrat de transfert secondaire 98, le dispositif 93 est séparé du substrat de transfert secondaire 98, comme représenté sur la figure 12F. La carte de circuit imprimé double face 101 qui supporte le dispositif 93 est ensuite placée au-dessus d'un côté d'une autre carte de circuit imprimé double face 104 sur laquelle un revêtement constitué par un adhésif 97 est appliqué de telle sorte que leurs motifs en viennent à se faire face l'un l'autre. Lorsque les deux cartes de circuit imprimé double face 101 et 104 sont chauffées tout en étant pressées l'une contre l'autre, elles sont jointes l'une à l'autre. Par conséquent, un composant semiconducteur 105 comportant le dispositif 93 installé en son sein est parachevé, comme représenté sur la figure 12G. Dans le cas o le dispositif destiné à être transféré est développé sur un substrat en silicium, la couche sacrificielle peut être une couche en polysilicium poreuse ou une couche en carbone amorphe. Par ailleurs, si le dispositif est déposé sur un substrat en InP, la couche sacrificielle peut être une couche en AlInAs. Bien que les modes de réalisation soient décrits sous la forme d'un filtre passe-bande présentant la structure SIR, le dispositif de circuit n'est pas limité au filtre passe-bande mais il peut s'agir d'un filtre passe- bas, d'un filtre passe-haut ou d'un connecteur. Par exemple, un filtre passe-bas tel que mentionné est représenté sur la figure 13. Un couple constitué par des cartes de circuit imprimé double face 111 et 115 comporte respectivement au niveau d'un côté deux motifs 11 la et 115a qui incorporent le filtre passe-bas et au niveau de l'autre côté deux revêtements de blindage et de protection 112 et 116, de façon respective. Les deux cartes de circuit imprimé double face 111 et 115 sont placées l'une au-dessus de l'autre de telle sorte que le motif 111a en vienne à faire face au motif 115a et que ces deux motifs soient joints l'un à l'autre au moyen d'un adhésif pour ainsi réaliser la connexion du motif 111 a sur le motif 115a. En tant que résultat, le filtre passe-bas peut présenter un niveau de caractéristique de filtrage souhaité sans être affecté par l'adhésif. Dans le cas d'un filtre passe-haut, trois cartes de circuit imprimé double face 121, 124 et 127 sont utilisées, comme représenté sur la figure 14. Plus particulièrement, les deux cartes de circuit imprimé double face 121 et 124 comportent au niveau d'un côté deux motifs 121a et 124a qui incorporent le filtre passe-haut. Par ailleurs, des motifs 124b et 127b incorporant le filtre passe-haut sont constitués respectivement sur l'autre côté de la carte de circuit imprimé double face 124 et sur un côté de la carte de circuit imprimé double face 127. Les autres côtés des deux cartes de circuit imprimé double face 121 et 127 sont respectivement recouverts de deux revêtements de blindage ou de protection 122 et 18. Les deux cartes de circuit imprime double face 121 et 124 sont placées l'une au-dessus de l'autre de telle sorte que le motif 121a en vient à faire face au motif 124a et les deux motifs sont joints l'un à l'autre au moyen d'un adhésif. De façon similaire, les deux cartes de circuit imprimé double face 124 et 127 sont placées l'une au-dessus de l'autre de telle sorte que le motif 124a en vient à faire face au motif 127a et les deux motifs sont joints l'un à l'autre au moyen d'un adhésif. En tant que résultats, les motifs 121a et 124a sont connectés l'un à l'autre tandis que les motifs 124b et 127b sont connectés l'un à l'autre. Par conséquent, le filtre passe-haut peut présenter un niveau souhaité de caractéristique de filtrage sans être affecté par l'adhésif. Le dispositif de circuit n'est pas limité à un filtre qui joue le rôle de circuit à constante distribuée mais il peut s'agir d'un circuit à constante concentrée tel qu'un condensateur. Dans ce second cas, le dispositif peut être établi à un niveau souhaité de valeur de capacité indépendamment de l'effet d'un matériau de liaison. Selon la présente invention, une carte de dispositif de circuit est constituée en joignant un premier substrat diélectrique comportant un premier motif conducteur constitué sur lui à un second substrat diélectrique comportant un second motif conducteur constitué sur lui au moyen d'une couche adhésive diélectrique de telle sorte que les deux motifs conducteurs en viennent à se faire face l'un l'autre, en agençant le premier motif conducteur selon une forme de motif de dispositif de circuit pour réaliser une fonction souhaitée tout en agençant le second motif conducteur selon une forme sensiblement identique à celle du premier motif conducteur de telle sorte que les deux motifs puissent se chevaucher l'un l'autre et en constituant un conducteur de masse sur le côté externe de chacun des premier et second substrats diélectriques. Il s'ensuit que lorsqu'un dispositif de circuit tel qu'un filtre passe-bande est mis en ceuvre au moyen d'une combinaison des premier et second motifs conducteurs et des conducteurs de masse, sa réponse en fréquence peut être obtenue à un niveau souhaité sans entrave du fait du facteur diélectrique ou de l'épaisseur de la couche diélectrique adhésive. Par ailleurs, lorsque les motifs conducteurs sont constitués selon des couches, I'aire de surface des lignes de signal afférentes peut être augmentée, ce qui améliore l'effet de peau pour une plage haute fréquence et ce qui minimise la perte de signal. L'épaisseur du motif conducteur est inférieure à celle du conducteur de masse, ce qui assure une précision plus élevée au niveau de la fabrication des motifs conducteurs. En outre, le dispositif semiconducteur qui est connecté avec le premier ou le second motif conducteur est monté sur ou entre les substrats de carte de circuit en étant connecté sur des longueurs minimum à ceux-ci et ainsi, la perte de signal se produisant dans des connexions longues peut être évitée et l'interférence avec d'autres circuits peut être minimisée. REVENDICATIONS 1. Carte de circuit caractérisée par: la jonction d'un premier substrat diélectrique (11) comportant un premier motif conducteur (l1 a, 1 1b) prévu sur lui sur un second substrat diélectrique (12) comportant un second motif conducteur (12a, 12b) prévu sur lui au moyen d'une couche diélectrique adhésive, de telle sorte que les deux motifs conducteurs (l11a, 11b; 12a, 12b) en viennent à se faire face l'un l'autre; I'agencement du premier motif conducteur (11a, 11b) selon une forme de motif de circuit pour réaliser une fonction souhaitée tout en agençant le second motif conducteur (12a, 12b) selon une forme qui est sensiblement identique à celle du premier motif conducteur, de telle sorte que les deux motifs puissent se chevaucher l'un l'autre; et la constitution d'un conducteur de mise à la masse (Il1 c, 12c) sur le côté externe de chacun des premier et second substrats diélectriques (11,12). 2. Carte de circuit selon la revendication 1, caractérisée en ce que l'un ou l'autre des premier et second substrats diélectriques (11, 12) ou les deux comportent au moins une ou plusieurs couches ( la, 1 b; 12a, 12b) présentant des motifs conducteurs de formes sensiblement équivalentes constitués via une couche diélectrique isolante (13) sur le motif conducteur afférent. 3. Carte de circuit selon la revendication 1, caractérisée en ce que chacun des premier et second substrats diélectriques (11, 12) est une carte de circuit imprimé double face dont le côté autre que le côté de motif conducteur comporte une couche conductrice (11c, 12c) constituée en tant que conducteur de mise à la masse. 4. Carte de circuit selon la revendication 3, caractérisée en ce que l'épaisseur du motif conducteur (l1 la, 11 b; 12a, 12b) est inférieure à celle de la couche conductrice (l1 c, 12c) qui joue le rôle de conducteur de mise à la masse. 5. Procédé de fabrication d'une carte de circuit caractérisé en ce qu'il comprend les étapes de: formation d'un premier motif conducteur (11a, llb) , lequel détermine la fonction du dispositif de circuit, sur un côté d'un premier substrat dielectrique (11) qui comporte deux couches conductrices respectivement constituées sur ses deux côtés; formation d'un second motif conducteur (12a, 12b), lequel est sensiblement identique du point de vue de la forme au premier motif conducteur (1 la, 1 1 b) lorsque les deux motifs sont placés l'un au-dessus de l'autre, sur un côté d'un second substrat diélectrique (12) comportant deux couches conductrices respectivement constituées sur ses deux côtés; et liaison du premier substrat diélectrique (11) et du second substrat diélectrique (12) l'un à l'autre au moyen d'une couche diélectrique adhésive (13) de telle sorte que le premier motif conducteur (1 1 a, 1 1 b) et le second motif conducteur (12a, 12b) puissent se chevaucher l'un l'autre. 6. Procédé de fabrication d'une carte de circuit selon la revendication 5, caractérisé en ce que le premier substrat diélectrique (11) et le second substrat diélectrique (12) sont liés l'un à l'autre après qu'au moins une ou plusieurs couches présentant des motifs conducteurs de formes sensiblement équivalentes sont constituées via une couche diélectrique isolante (13) sur le motif conducteur de l'un ou l'autre des premier et second substrats diélectriques (11, 12) ou des deux. 7. Composant semiconducteur caractérisé par: la jonction d'un premier substrat diélectrique (11) comportant un premier motif conducteur ( la, 1 1b) prévu sur lui sur un second substrat diélectrique (12) comportant un second motif conducteur (12a, 12b) prévu sur lui au moyen d'une couche diélectrique adhésive, de telle sorte que les deux motifs conducteurs (l11a, 11b; 12a, 12b) en viennent à se faire face l'un l'autre; l'agencement du premier motif conducteur (11a, 1 1b) selon une forme de motif de circuit pour réaliser une fonction souhaitée tout en agençant le second motif conducteur (12a, 12b) selon une forme qui est sensiblement identique à celle du premier motif conducteur, de telle sorte que les deux motifs puissent se chevaucher l'un l'autre; la connexion du premier motif conducteur et du second motif conducteur l'un à l'autre à l'aide d'éléments de connexion; et la constitution d'un dispositif semiconducteur connecté à au moins l'un des premier et second motifs conducteurs. 8. Composant semiconducteur selon la revendication 7, caractérisé en ce que l'un ou l'autre des premier et second substrats diélectriques (11, 12) ou les deux comportent au moins une ou plusieurs couches (l11a, 11b; 12a, 12b) présentant des motifs conducteurs de formes sensiblement équivalentes constitués via une couche diélectrique isolante (13) sur le motif conducteur afférent. 9. Composant semiconducteur selon la revendication 7, caractérisé en ce que le dispositif semiconducteur est pris en sandwich entre le premier substrat diélectrique et le second substrat diélectrique qui sont liés l'un à l'autre. 10. Composant semiconducteur selon la revendication 7, caractérisé en ce que le dispositif semiconducteur est monté sur le côté autre que le côté de motif conducteur du premier substrat diélectrique ou du second substrat diélectrique tandis que le premier substrat diélectrique ou le second substrat diélectrique comporte un moyen de connexion pour connecter le dispositif semiconducteur avec un premier motif conducteur ou un second motif conducteur. 11. Procédé de fabrication d'un composant semiconducteur caractérisé en ce qu'il comprend les étapes de: formation d'un premier motif conducteur (11la, 11b), lequel détermine la fonction du dispositif de circuit, sur un côté d'un premier substrat diélectrique (11) qui comporte deux couches conductrices respectivement constituées sur ses deux côtés; formation d'un second motif conducteur (12a, 12b), lequel est sensiblement identique du point de vue de la forme au premier motif conducteur (l1 a, 11 b) lorsque les deux motifs sont placés l'un au-dessus de l'autre, sur un côté d'un second substrat diélectrique (12) comportant deux couches conductrices respectivement constituées sur ses deux côtés; et liaison du premier substrat diélectrique (11) et du second substrat diélectrique (12) l'un à l'autre au moyen d'une couche diélectrique adhésive (13) de telle sorte que le premier motif conducteur (1 a, 1 b) et le second motif conducteur (12a, 12b) puissent se chevaucher l'un l'autre. d'o ainsi la connexion du premier motif conducteur et du second motif conducteur l'un à l'autre et du dispositif semiconducteur à au moins l'un des premier et second motifs conducteurs, 12. Procédé de fabrication d'un composant semiconducteur selon la revendication 11, caractérisé en ce que le premier substrat diélectrique (11) et le second substrat diélectrique (12) sont liés l'un à l'autre après qu'au moins une ou plusieurs couches présentant des motifs conducteurs de formes sensiblement équivalentes sont constituées via une couche diélectrique isolante (13) sur le motif conducteur de l'un ou l'autre des premier et second substrats diélectriques (11, 12) ou des deux. 13. Procédé de fabrication d'un composant semiconducteur selon la revendication 11, caractérisé en ce que le premier substrat diélectrique ou le second substrat diélectrique comporte un moyen de connexion constitué sur lui pour connecter son motif conducteur avec le dispositif semiconducteur, et après que le premier substrat diélectrique et le second substrat diélectrique sont joints l'un à l'autre, le dispositif semiconducteur est monté sur le côté autre que le côté de motif conducteur du premier substrat diélectrique ou du second substrat diélectrique puis est connecté par le moyen de connexion avec le premier motif conducteur ou le second motif conducteur. 14. Procédé de fabrication d'un composant semiconducteur selon la revendication 11, caractérisé en ce qu'après que l'épaisseur du dispositif semiconducteur est réduite puis que ce dernier est connecté au premier motif conducteur ou au second motif conducteur, le premier substrat diélectrique et le second substrat diélectrique sont liés l'un à l'autre. 15. Procédé de fabrication d'un composant semiconducteur selon la revendication 11, caractérisé en ce qu'après que l'épaisseur du dispositif semiconducteur est réduite puis que ce dernier est lié à l'un des premier et second substrats diélectriques, le premier substrat diélectrique et le second substrat diélectrique sont liés l'un à l'autre de manière à connecter le dispositif semiconducteur avec le motif conducteur de l'autre substrat diélectrique.