FR 2803102 A1 20010629 FR 9916400 A 19991223 TRANSISTOR BIPOLAIRE A HETEROJONCTION A COLLECTEUR EN HAUT ET PROCEDE DE REALISATION L'invention concerne un transistor bipolaire à hétérojonction à collecteur en haut et son procédé de realisation. L'invention vise à l'amélioration du transport électronique dans les transistors bipolaires à hétérojonction (TBH) en topologie Collecteur en haut (Collector-up), tout en assurant un rendement de fabrication élevé. La configuration Collecteur en haut est particulièrement intéressante dans le cas d'un transistor bipolaire à hétérojonction du fait des faibles valeurs de capacité base-collecteur qu'elle permet d'obtenir en comparaison à celles que l'on retrouve avec une topologie classique dite émetteur en haut. La réduction cette capacité de jonction permet d'améliorer notablement les performances hyperfréquences de ce type de composant. En revanche, si l'on prend pas quelques précautions particulières, apparaît dans un TBH Collecteur en haut une injection parasite d'électrons dans les zones de base extrinsèque. Ces électrons sont alors collectés par les contacts de base ou se recombinent dans la base extrinsèque ; ce qui, dans les deux , aboutit à une dégradation du facteur de transport dans la base et donc pénalise fortement le gain en courant du transistor. Certaines solutions ont dejà été apportées à ce problème et notamment dans le cadre des TBH Collecteur en haut élaborés avec des matériaux GaAlAsIGaAs ou GaInPIGaAs. Ainsi Yamahata et al. décrit dans une publication (IEEE Electron Device Letters, Vol.14, n 4, Avril 1993) un transistor bipolaire à simple hétérojonction (S-TBH) Collecteur en haut GaAlAsIGaAs où la zone d'émetteur située en dessous de la base extrinsèque est transformée en une couche hautement résistive par implantation ionique. II s'affranchit, de cette manière, de l'injection parasite d'électrons que nous avons mentionnée précédemment et par la même, améliore le gain en courant du TBH ainsi réalisé. La figure 1 montre le procédé de fabrication utilisé par Yamahata et al.. En premier lieu, un contact métallique de collecteur est déposé sur la structure épitaxiale. II est utilisé comme masque pour la gravure de la couche de collecteur (Fig.1 a). La structure alors implantée aux ions Oxygène à travers la base avec une énergie déterminée pour rendre électriquement isolantes les zones d'émetteur extrinsèque (Fig.1 b). Une diffusion de Zinc permet de rétablir un niveau suffisant de dopage p+ de la couche de base endommagée lors de l'implantation ionique (Fig.1 c). Les contacts métalliques de base sont alors déposés. Les couches de base et d'emetteur sont ensuite gravées pour déposer sur un sous-émetteur dopé n+ des contacts métalliques d'émetteur. Le composant ainsi réalisé présente une faible capacité base-collecteur et une base fortement dopée. Un tel procédé de fabrication présente certains inconvénients. Tout d'abord, la base est sévèrement endommagée lors de l'étape d'implantation ionique Oxygène. En effet, la plaque étant désorientée de 7 par rapport à la direction du faisceau d'implantation, elle est donc vue par ce dernier dans un état quasi-amorphe. Le nombre défauts cristallins générés dans la base est donc maximum. La diffusion de Zinc permet de masquer en partie cette dégradation mais ne permet de retrouver la conductivité initiale de la base. De plus, lors des étapes d'implantation et de diffusion, les flancs de la mésa de collecteur doivent être protégés par un nitrure ce induit une étape de lithographie et de process supplémentaire. Avec ce procédé, la surface de la zone active intrinsèque définie, donc limitée, par taille du collecteur. II est à noter que, du fait de la diffusion élevée du Zinc, il existe un risque important de voir apparaître, à la jonction base-émetteur, des court-circuits ayant un impact déplorable sur la fiabilité des composants. Laboratoire Centre de Recherche de THOMSON-CSF a abouti à la réalisation de transistors bipolaires à hétérojonction (D-TBH) GaInPIGaAs en topologie collecteur en haut tel que cela est décrit dans l'article de HENKEL et al IEE Electronics Letters, Vol. 33, n 7, Mars 1997. La zone d'emetteur située en-dessous de la base extrinsèque est là aussi transformée en une couche hautement résistive mais par une implantation ionique optimisée en vue de conserver à la base de sa conductivité initiale. La figure 2 montre le procédé de fabrication utilisé. Un contact métallique collecteur est, tout d'abord, déposé sur la structure épitaxiale. II est utilisé comme masque pour la gravure de la couche de collecteur (Fig.2a). structure est alors implantée aux ions Bore à travers la base et à faible dose (Fig.2b). L'angle d'implantation est de 0 de manière à minimiser les collisions des ions Bore avec le réseau cristallin de la base. Les contacts métalliques base sont alors déposés. Les couches de base et d'émetteur sont ensuite gravées pour déposer sur un sous-émétteur dopé n des contacts métalliques d'émetteur (Fig.2c). Ces derniers subissent alors un recuit (41 pendant 10mn par exemple) permettant la formation d'un alliage à l'interface métal/semiconducteur. II est important de remarquer que la résistivité de la base, qui augmente légèrement lors de l'étape d'implantation ionique, décroît et revient à l'issue de ce recuit à sa valeur initiale. Ce procédé de fabrication, basé sur la sensibilité différente de la conductivité de matériaux semiconducteurs différents soumis à une même implantation ionique, permet d'isoler électriquement, et ce, très efficacement, les zones d'émetteur extrinsèque tout en maintenant la conductivité de la couche de base à une valeur proche de sa valeur initiale. Cette dernière propriété est, d'une part, liée au fait que l'implantation se fait à faible dose. Le nombre de défauts cristallins générés dans la base est donc minimisé. D'autre part, la plaque n'est plus désorientée par rapport à la direction du faisceau d'implantation (angle d'implantation nul), les ions implantés sont alors canalisés dans le réseau cristallin. Les possibilités de collision d'une particule de Bore incidente avec les atomes et les électrons constituants le matériau de base sont alors réduites. II en est donc de même pour le nombre de défauts cristallins générés dans la base. De plus, l'étape de diffusion de Zinc proposée par Yamahata et al. est alors inutile d'où une simplification du procédé de fabrication. procédé de fabrication particulièrement avantageux présente malheureusement certaines limitations. En effet, si les performances hyperfréquences de ce type de composants sont particulièrement intéressantes =115GHz), la valeur du gain statique en courant obtenue est faible. Pour analyser ce comportement, il nous faut rappeler les résultats des travaux Horio et al. publiés dans IEEE Transactions on Electron Devices, Vol.42, n 11, Novembre 1995. Les travaux de HORIO et al portent sur des dispositifs TBH Emetteur en haut élaborés avec des matériaux GaAlAs/GaAs. Ces travaux ont mis en exergue une accumulation des électrons dans les régions de base extrinsèque dans le cas où le TBH Emetteur en haut présente un collecteur extrinsèque rendu parfaitement isolant et une surface de la jonction base collecteur légèrement inférieure à celle de la jonction émetteur-base. De cette accumulation résultent, d'une part, une dégradation de la fréquence de coupure du gain en courant ft, et d'autre part, une recombinaison des porteurs dans la base qui va fortement pénaliser le gain statique du transistor. Dans le cas d'une structure similaire mais présentant un collecteur extrinsèque semi-isolant (ce qui correspond à un collecteur extrinsèque électriquement isolé par implantation ionique), le phénomène d'accumulation des électrons semble beaucoup plus limité et donc les dégradations du gain en courant et de ft, beaucoup plus faibles. De plus, Horio constate que les performances du composant sont optimales lorsque la surface de la jonction émetteur-base est légèrement inférieure à celle de la jonction base-collecteur et ce, quelle que soit la nature du collecteur extrinsèque (isolant ou semi- isolant). Malheureusement, la topologie Collecteur en haut revient à se placer dans le plus défavorable des deux cas précédents. En effet, dans cette structure, la surface du collecteur à la jonction base-collecteur définit 1a zone active du composant. Les zones de collecteur extrinsèque sont donc inexistantes et peuvent être modélisées par un isolant parfait. Dans cette configuration, si la surface de la jonction base-collecteur est inférieure à celle de la jonction émetteur-base, le phénomène d'accumulation des électrons dans les régions de base extrinsèque est particulièrement important. Et de même que pour la topologie Emetteur en haut, les performances optimales sont obtenues lorsque la surface de la jonction émetteur-base est la plus petite des deux. La réalisation de composants Collecteur en haut performants exige donc une parfaite maîtrise des techniques d'implantation et de gravure qui vont aboutir à la définition des surfaces des deux jonctions. Dans le cas de transistors bipolaires à hétérojonction en topologie Collecteur en haut, la gravure de la mésa de collecteur repose sur la sélectivité de gravure entre les deux matériaux constituant collecteur et base (cas du D-TBH) ou couche d'arrêt de gravure et base (cas du S-TBH). Le contact métallique de collecteur est utilisé comme masque pour la gravure du collecteur. La surface de ce contact définit donc celle de la jonction base- collecteur la sous-gravure près (si elle existe). figure 3 montre le profil de gravure que l'on obtient selon l'orientation cristalline pour un collecteur en GalnP (cas du TBH). Ce profil est classiquement obtenu par gravure chimique (par exemple à l'aide d'acide chlorhydrique dilué ou non). On remarque que, selon l'orientation cristalline, un angle rentrant ou sortant est observé. L'exemple est pris dans le cas d'un substrat GaAs (100) orienté selon la norme Européenne-Japonaise de repérages plaquettes. La forme indiquée est très simplement obtenue sous la condition que la couche de GaInP soit suffisamment fine (de l'ordre de 0,5 notera que la gravure du GaInP se bloque à l'interface GaAsIGaInP ce qui rend la fabrication plus aisée (voir brevet français n 2 697 945). couche de GaAs fixe ainsi la dimension latérale du dispositif. Une fois la structure implantée au bore, la surface de la jonction émetteur- base est definie par la forme des caissons d'isolation crées dans la zone d'émetteur extrinsèque. Comme on a pu le voir précédemment le contact métallique collecteur sert de masque d'implantation mais la forme de ces caissons va dépendre aussi du profil des flancs de la mésa collecteur. Ainsi pour un D-TBH dont le doigt de collecteur orienté selon la direction cristallographique , les flancs de la mésa collecteur sont rentrants (Fig. 4a). Si l'on définit x comme la différence entre la largeur du collecteur extrinsèque (définie par la gravure) et celle de l'émetteur extrinsèque (définie par la forme des caissons d'isolation), x alors négatif et de l'ordre de -0,2Nm. La jonction émetteur-base présente donc une surface supérieure à celle de la jonction base-collecteur et x est suffisamment important pour entraîner une forte dégradation du gain en courant et de ft. l'électrode de collecteur du D-TBH est orientée selon la direction cristallographique , le profil de gravure alors sortant. Les flancs la mésa collecteur, non protégés par la métallisation de collecteur, sont alors exposés à l'implantation ionique au Bore. Il y a donc apparitions de caissons d'isolation dans l'émetteur r0 mais aussi dans le collecteur O (Fig. 4b). La largeur du collecteur extrinsèque 'est non plus définie par gravure mais par la forme des caissons d'isolation de collecteur. x est alors négatif mais faible en valeur absolue. La dégradation du gain en courant et de ft est alors moins importante que dans le cas précédent mais cependant toujours présente. La gravure d'un collecteur en GaAs (cas du S-TBH) s'effectue en deux opérations : une gravure ionique réactive (telle que SiCl4) suivie d'une gravure chimique (à l'acide citrique par exemple). En effet, manière à ne pas endommager le matériau de base, on peut profiter de l'existence de la très grande sélectivité de gravure entre une couche à base phosphore et une couche à base d'arsenic. Une couche d'arrêt de gravure de faible épaisseur est donc rajoutée entre le collecteur (GaAs n) et base (GaAs p+). Faite par exemple de GaInP, elle permet de stopper la gravure du collecteur en GaAs. Une gravure chimique de la couche d'arrêt est ensuite realisée à l'aide d'une solution qui peut être à base, par exemple, d'acide chlorhydrique dilué. A l'issue de cette séquence, le profil obtenu ne dépend de l'orientation cristalline et présente un angle sortant associé à une sous-gravure à l'interface avec le contact ohmique (Fig. 4c). La largeur du collecteur extrinsèque est donc définie par les flancs de gravure et x est, là encore, négatif mais faible en valeur absolue. La dégradation du gain en courant et de ft est sensiblement la même que dans le cas precédent. Ainsi des solutions ont été apportées pour s'affranchir de l'injection parasite d'électrons dans la base extrinsèque qui constitue difficulté la plus importante lors de la réalisation de TBH Collecteur en haut. Parmi celles-ci, réalisation de caissons d'isolation dans l'émetteur extrinsèque par une implantation ionique à faible dose à travers la base permet en outre de conserver à cette dernière sa conductivité initiale. Mais comme nous avons le constater, il n'est pas possible dans le cas de la fabrication de TBH Collecteur en haut constitués de composés Gaxlnl_xAs/Gaylnl_YP de définir surfaces des jonctions émetteur-base et base-collecteur de manière à obtenir les performances optimales susceptibles d'être atteintes avec de telles structures. La présente invention vise à atteindre ces performances en optimisant la collection des porteurs minoritaires à la sortie la base c'est à dire en s'affranchissant de l'accumulation d'électrons dans régions de base extrinsèque. Il faut pour cela réussir à définir jonction base- collecteur dont la surface soit plus importante que celle la jonction émetteur-base, et que le collecteur extrinsèque, s'il existe, soit fait d'un matériau semi-isolant. L'invention concerne donc un transistor bipolaire ' hétérojonction à collecteur en haut comprenant notamment empilées sur un substrat - une couche d'émetteur - une couche de base - une couche de collecteur caractérisé en ce que - la surface de la jonction active base-émetteur est de dimensions inférieures à la surface de la jonction active base- collecteur ; - matériau de la couche de base présente une sensibilité la conductivité électrique à une implantation ionique plus faible la sensibilité de la conductivité électrique du matériau la couche d'émetteur à la même implantation ionique. L'invention concerne également un procédé de réalisation transistor bipolaire à hétérojonction à collecteur en haut comprenant notamment croissance épitaxiale de couches semiconductrices sur un substrat semiconducteur - une couche d'émetteur - une couche de base - une couche de collecteur caractérisé en ce que - les matériaux de la couche de base et de la couche d'émetteur sont choisis tels que le matériau de la couche de base présente une sensibilité de la conductivité électrique à une implantation ionique plus faible que la sensibilité de la conductivité électrique de la couche d'émetteur à la même implantation ionique ; - et en ce qu'il comporte les étapes supplémentaires suivantes realisation d'un masque sur la couche de collecteur et largeur (1c) définissant la largeur du collecteur à obtenir, puis realisation d'une première implantation ionique permettant rendre isolant le matériau de la couche d'émetteur de part et d'autre de l'émetteur à obtenir, puis réalisation d'une deuxième implantation ionique faite à une ou plusieurs énergies inférieures à la première implantation ionique pour rendre isolant le matériau de la couche de collecteur de part et d'autre collecteur à obtenir. différents objets et caractéristiques de l'invention apparaîtront plus clairement dans la description qui va suivre faite à titre d'exemple ainsi que dans figures annexées. Ces figures représentent les figures 1a à 4c, différents états de la technique décrits dans ce qui précède ; les figures 5a et 5b, des courbes montrant les effets d'une implantation ionique sur les couches d'un transistor selon l'invention ; figures 6 et 7, un exemple de réalisation d'un transistor TBH selon l'invention ; figure 8, une variante de réalisation d'un transistor selon l'invention ; figures 9a à 91, un exemple de procédé de réalisation selon l'invention d'un transistor TBH à collecteur haut. De façon générale, le principe de la présente invention repose, d'une part, sur la sélectivité de gravure entre les deux matériaux constituant collecteur et base (cas du D-TBH) ou couche d'arrêt de gravure et base (cas du S-TBH), et d'autre part, sur la sensibilité différente de la conductivité des matériaux semiconducteurs soumis à une implantation ionique. A titre d'exemple, l'invention est décrite dans le cadre des transistors bipolaires à double hétérojonction Gao.SIno.5P/GaAs en topologie Collecteur en haut. Cependant, elle s'applique simple transposition à toute structure de transistor bipolaire à hétérojonction en topologie Collecteur en haut utilisant des hétérostructures Gaxlni_xAs/Gaylnl_YP, que le matériau constituant le collecteur soit différent de celui de la base (cas du D-TBH) ou identique (aux caractéristiques de dopage pres, dans le cas du S-TBH). Elle est aussi applicable à nombre de composants en cours de développement (SiC/GaN, AIGaNIGaN, AIGaNIInGaN...). Comme nous l'avons décrit précédemment en figure 3, profil de gravure Galnl? dépend fortement de l'orientation cristalline. Suivant la direction cristallographique selon laquelle est orienté l'électrode de collecteur, flancs de la mésa collecteur présentent un angle rentrant ou sortant. On rappelle que la dimension latérale du dispositif est alors fixée par celle de la couche contact en GaAs n+, la gravure du GaInP se bloquant à l'interface des deux matériaux. Les figures 5a et 5b montrent, à titre d'exemple, la différence de sensibilite de la conductivité électrique du GaInP dopé n et du GaAs dopé p+ respectivement, à une implantation de Bore à 200 keV à angle d'implantation nul en fonction de la dose d'ions introduits dans la structure. Cette évolution est suivie en fonction du temps de recuit à 416 C. Dans le cas du GaInP de type n, matériau présente une résistivité électrique supérieure à 105 Ç2.cm pour une dose d'implantation de 5x10'2 cm-2, alors que le GaAs de type p+ reste pratiquement insensible à l'implantation ionique jusqu'à des doses de 10'3 . Le comportement très différent de ces deux matériaux va nous permettre de rendre des couches de GaInP dopé n pratiquement isolantes tout préservant à une couche de GaAs de type p+ (la base d'un TBH en l'occurrence) sa résistivité électrique initiale. Il est important de noter qu'un comportement similaire existe avec d'autres espèces atomiques, voire même entre deux couches de même matériau présentant des caractéristiques de dopage différents (GaAs de type p et n par exemple). Grâce à ces propriétés physico-chimiques, il est possible de réaliser des composants présentant de part et d'autre de la base, une couche de semiconducteur rendue localement électriquement isolante par implantation ionique. La figure 6 montre la vue en coupe d'un D-TBH Collecteur en haut conçu à l'aide de la présente invention. surfaces des jonctions émetteur-base et base-collecteur sont alors définies lors de l'étape d'implantation ionique. On notera que se forme alors de part d'autre de la mésa de collecteur, et ce, avant dépôt du contact de base, un caisson d'isolation équivalent à un sidewall, ce qui permet de réduire présence de métallisation sur les flancs dénudés de la mésa de collecteur. On voit donc que le dispositif de l'invention concerne un transistor TBH à collecteur en haut qui comporte notamment un empilement de couche d'émetteur EM, de couche de base BA et de couche de collecteur CO dans lequel le collecteur et l'émetteur sont auto-alignés par implantation et dans lequel - la couche d'émetteur EM comporte l'émetteur intrinsèque lui- même encadrée par du matériau isolant, de meure la couche de collecteur CO comporte le collecteur encadré de matériau isolant ; - la surface de la jonction base émetteur est inférieure à la surface de la jonction base collecteur; - le matériau de la base BA est tel qu'il présente une sensibilité de la conductivité électrique à une implantation ionique d'isolation plus faible que la sensibilite de la conductivité electrique du matériau de l'émetteur EM à la même implantation. On va maintenant décrire de façon génerale le procédé de réalisation selon l'invention d'un tel dispositif. Le doigt (électrode) de collecteur est orienté selon la direction cristallographique de manière à ce que, lors l'étape de gravure, les flancs la couche de collecteur rendue électriquement isolante présentent des angles rentrants. Une couche de contact en GaInAs au sommet de la structure épitaxiale permet de réaliser prise de contact ohmique à l'aide d'un métal réfractaire tel que TiWSi, WN, ou TiW .... Afin d'obtenir une résistance de collecteur faible et de réaliser un masque d'implantation ionique efficace, une métallisation en Ti/Pt/Au, typiquement de 2 pm de large et d'une, épaisseur de l'ordre d' 1 Nm, est déposée en surface. Les matériaux semiconducteurs protégés par ce masque métallique voient leur conductivité électrique initiale préservée. L'épaisseur de la métallisation en métal réfractaire est suffisamment fine pour permettre aux ions de la traverser sans perte majeure d'énergie. L'étape d'implantation se divise en deux opérations utilisant le même masque métallique. Une des deux opérations consiste à réaliser une implantation à haute énergie, faible dose (2.5X1012 cm'z), à travers la totalité de la structure et qui peut être à angle d'implantation nul. L'énergie fournie aux ions implantés est calculée de manière à rendre isolante la couche d'émetteur en GaInP dans les zones situées sous la future base extrinsèque (caissons d'isolation 1 et 2) de manière à éliminer toute injection parasite d'électrons. L'autre opération consiste à définir la surface de la jonction base-collecteur par une implantation à plus faible énergie, faible dose et à travers la totalité de la structure. Les caissons d'isolations 3 et 4 sont ainsi créés localement dans la couche de collecteur en GalnP. Lors de ces étapes, la queue de distribution ions traverse alors la base sans réellement la dégrader du fait de la faible sensibilité du matériau GaAs p+ à l'implantation. La faible augmentation la résistivité du matériau de base est compensée lors d'une étape de recuit post-implantation (qui peut-être celle de recuit de contact ohmique allié exemple) permettant de ramener la concentration de défauts cristallins au niveau le plus faible possible. II est à noter que l'utilisation d'un matériau réfractaire offre la possibilité de recuire la structure à des températures élevées (si nécessaire) après définition de la mésa de collecteur. On constate que plus l'énergie fournie aux ions implantés importante, plus grande est leur profondeur de pénétration mais aussi plus étalée est la distribution finale des ions dans le volume (et par là même defauts cristallins qu'ils engendrent). Ainsi la surface de la jonction émetteur base (définie par l'implantation à haute énergie) va être plus faible que celle la jonction base-collecteur (définie par une implantation à plus faible énergie). La figure 7 représente le profil que l'on va typiquement obtenir a l'issue de l'étape d'implantation ; x définie comme dans la figure 4 est l'ordre de +0.2 Nm. La présente invention nous permet donc d'éliminer l'accumulation des électrons dans la région de base extrinsèque et donc rapprocher des performances optimales autorisées par la structure composant. La mésa de collecteur doit être typiquement de l'ordre de 1 Nm chaque côté du ruban collecteur en Ti/Pt/AU afin de réaliser une collection efficace des électrons à la sortie de la base. La largeur de 1 Nm permet trouver un compromis efficace afin de réaliser des composants fonctionnant hyperfréquence. La gain hyperfréquence tend, en effet, à chuter lorsqu'on eloigne le bord du ruban de contact ohmique de base de la zone active de d'émetteur puisqu'il y a alors augmentation de la résistance de base et la capacité base-collecteur. II est possible de minimiser l'influence de cette dernière en gravant la couche de métal réfractaire, et en gravant ou isolant implantation à forte dose la couche de contact en GaInAs et GaAs n+, au- dessus des caissons d'isolation de collecteur. Et en prenant certaines precautions particulières, le contact ohmique de base peut être réalisé en autoalignement par rapport à la mésa de collecteur. De plus, de telles dimensions de la mésa de collecteur restent compatibles avec le procédé de passivation à ledge épais décrit dans le brevet français n 2 764 1 En effet, deux mécanismes au moins agissent sur la dérive des TBH en cours de fonctionnement. II s'agit, d'une part, de l'évolution des recombinaisons dans la base neutre et, d'autre part, d'une augmentation des recombinaisons de surface à la surface libre de la base. La présence d'un matériau grande bande interdite de part et d'autre du collecteur actif passivant base extrinsèque est une solution efficace pour lutter contre ce second mecanisme. La couche de GaInP de collecteur rendue isolante limite donc les recombinaisons de surface au pied du doigt de collecteur. Elle passive ainsi à la fois la surface libre de la base extrinsèque et les flancs collecteur. La présente invention peut aussi être associée à une fine couche passivation par ledge plus classique telle que celle définie dans le brevet français n 2 736 468. Un exemple de composant réalisé avec cette invention associée à un ledge mince classique est donné en figure 8. Le procédé fabrication utilisé pour la présente invention est alors directement adaptable. La structure épitaxiale reste identique, seul l'enchaînement des étapes fabrication est modifié. En outre, cette invention peut utiliser un drain thermique permettant d'évacuer une partie des calories par le haut de la structure. II peut être de type "nitrure" que celui breveté précédemment (brevet français n 2 737 342) ou issu de toute autre méthode similaire. On peut rappeler dans le cas d'un S-TBH (Collecteur en GaAs n-), le contact ohmique réfractaire pourra être remplacé par un contact de type Schottky. Un contact métallique (Ti/Pt/AU par exemple) est alors directement déposé sur le collecteur en GaAs n-. La couche de contact (GaInAs n+ sur GaAs n+) alors inutile. La structure épitaxiale est donc simplifiée. De plus, placé au plus proche de la zone de champs base- collecteur n" (là où est généré l'essentiel de la chaleur), le contact métallique, par sa haute conductivité thermique, préfigure un meilleur comportement thermique. Les figures 9a à 91 décrivent plus en détails le procédé de fabrication selon l'invention permettant d'obtenir un transistor bipolaire à double hétérojonction en topologie collecteur en haut. La structure présentée ici est réalisée sans couche de passivation de type ledge mince mais avec un drain thermique supérieur. La description ne représente que la succession de procédés nécessaires à l'élaboration du composant élémentaire sans tenir compte des composants actifs ou passifs réalisés par ailleurs lors de la fabrication la fonction totale à laquelle il faut aboutir. Figure 9a A partir d'un substrat de GaAs semi-isolant, on réalise la croissance épitaxiale des couches suivantes - une couche de sous-émetteur en GaAs dopé - une couche d'émetteur en GalnP dopé n - une couche de base en GaAs dopé p+ - une couche de collecteur en GalnP dopé n - une couche de contact en GaInAs dopé n+ GaAs dopé n+ Avantageusement, un espaceur fait d'une couche en GaAs dopé n associée non à une couche en GalnP dopé n, ou d'une couche graduelle de Gaxlnj xAsYP,_Y dopé n, peut être introduit entre base et collecteur (voire entre émetteur et base) pour minimiser le phénomène d'accumulation d'électrons dans le puits de potentiel de chacune des hétérojonctions. Cet espaceur 'est pas représenté ici. Une couche de métal réfractaire est déposée ex-situ afin d'assurer le contact ohmique réfractaire de collecteur. Figure 9b Après réalisation d'un masque de protection en résine, on procède à une étape d'implantation ionique profonde d'isolation électrique (H, He, B, O, F, ... ) afin de diminuer les parasites du composant et réaliser l'isolation inter-composants. Figure 9c On procède alors au dépôt d'une métallisation d'épaississement du contact ohmique de collecteur de largeur Ic par "Lift-off' (Ti/AU, Ti/Pt/AU ... ) puis à l'implantation ionique sélective au bore à haute énergie, de manière à définir les caissons d'isolation @O et dans les zones d'émetteur extrinsèque. Cette étape d'implantation conduit de manière inhérente à la définition de la forme de l'émetteur intrinsèque et donc à celle de la surface de la jonction émetteur-base. Toujours avec le masque de protection fait de métallisation d'épaississement du contact ohmique, on implante la structure au bore mais à plus faible énergie de manière à définir les caissons d'isolation m et O dans les zones de collecteur extrinsèque. Cette étape d'implantation conduit de manière inhérente à la définition de la forme du collecteur intrinsèque et donc à celle la surface de la jonction base-collecteur. En raison du fait que l'implantation au bore dans l'emetteur se fait à haute énergie et que l'implantation dans le collecteur se fait à moindre énergie, la surface implantée au niveau de la jonction émetteur-base est plus importante celle de la jonction collecteur-base. On a donc une surface de la jonction base/collecteur supérieure à la surface la jonction base/émetteur. Figure 9d métallisation d'épaississement du contact de collecteur est encore utilisée comme masque de protection. On effectue alors une gravure sèche du métal réfractaire par gravure ionique réactive à base de SF6 par exemple. Figure 9e On définit alors la mésa de collecteur. Pour cela on réalise un masque de protection de résine de largeur Lc>Ic. On procède ' la gravure de la couche de contact de GaInAs par gravure humide à base d'acide citrique, puis à celle la couche de contact en GaAs par gravure ionique réactive (RIE) chlorée telle que SiCl4 ou par gravure chimique à l'aide d'acide citrique par exemple de la couche de collecteur en GaInP implanté au bore en gravure chimique à base d'acide chlorhydrique. Figure 9f dépose les contacts ohmiques de base par technique de "Lift off'. Le film métallique utilisé peut être fait d'un alliage de Ti/Pt/Au ou Mo/Au par exemple. Figure 9g réalise un masque de protection de résine de largeur LB>Lc puis on procède à la gravure de la mésa de base par voie sèche (gravure ionique réactive chlorée) ou mixte (RIE puis chimique) suivi de la gravure de la couche d'émetteur en GaInP implanté au bore en gravure chimique à base d'acide chlorhydrique. La gravure du GalnP se bloque à l'interface GaAs/GaInP. La dimension latérale de la mésa de base fixe donc celle de la mésa d'émetteur, Figure 9h contacts ohmiques d'émetteur sont déposés en utilisant technique "Lift-off'. Figure 9i dépose alors une résine protégeant la totalité de la surface du composant. On procède à l'ouverture de cette résine en surface de la couche de contact en GaInAs/GaAs. Les zones de cette couche de contact ainsi mises à nues et protégées par la métallisation d'épaississement de collecteur, sont alors gravées de manière à minimiser la capacité base-collecteur. On procède donc à la gravure de la couche de contact de GaInAs par gravure humide à base d'acide citrique, puis à celle de la couche de contact en GaAs par gravure ionique réactive (RIE) chlorée telle que SiCl4 ou par gravure chimique à l'aide d'acide citrique par exemple. On procède au dépôt d'une couche de diélectrique de passivation protégeant la totalité de la surface du composant (figure 9j). Figures 9k et 91 peut alors réaliser un drain thermique reposant sur le haut de la structure après passivation du composant tel que cela est décrit dans le brevet français n 2 737 342. tel drain thermique peut être basé sur une technique piliers/tabliers telle que représenté sur la figure 9j. Avantageusement, l'air présente sous le tablier peut être remplacé par un diélectrique possédant de bonnes propriétés de planarisation comme le benzocyclobutène (BCB) par exemple. Ce qui permet, du point de vue de ses propriétés mécaniques, de renforcer structure en vue notamment d'opérations de report. D'autres solutions sont envisageables pour la réalisation du drain thermique. La figure 9k présente la vue en coupe d'un TBH utilisant drain thermique type "double nitrure". Avec cette technique, le drain thermique recouvre la totalité du composant et n'utilise pas de ponts (à air, à , ...). L'étape de réalisation des piliers est supprimée, l'évacuation des calories, donc le comportement thermique du composant, sont optimales. Mais une faible dégradation de la valeur de certains éléments parasites est prévoir (augmentation de la capacité parasite de collecteur par exemple), dégradation pouvant influencer légèrement le comportement hyperfrequence du composant. REVENDICATIONS 1. Transistor bipolaire à hétérojonction à collecteur en haut comprenant notamment empilées sur un substrat - une couche d'émetteur (EM) - une couche de base (BA) une couche de collecteur (CO) caractérisé en ce que la surface de la jonction base-émetteur est de dimensions inférieures à la surface de la jonction base-collecteur ; le matériau de la couche de base présente une sensibilité de la conductivité électrique à une implantation ionique plus faible que la sensibilité de la conductivité électrique du matériau de couche d'émetteur à la même implantation ionique. 2. Transistor bipolaire à hétérojonction selon la revendication 1, caractérisé en ce que la couche d'émetteur et la couche collecteur comportent chacune une zone intrinsèque encadrée par du materiau isolant. 3. Transistor bipolaire à hétérojonction selon la revendication 2, caractérisé en ce que la largeur de chaque élément isolant electrique de collecteur voisine du micron, la largeur de la mésa étant voisine de deux microns. Transistor bipolaire à hétérojonction selon la revendication 2, caractérisé en ce que le collecteur est constituée de Gaxin, dopé n, la base de Gayln1_YAs dopé p, l'émetteur de Gaxlnl_XP dopé et tous les éléments isolants (d'émetteur comme de collecteur) de Gaxlnl_XP contenant du Bore. 5. Transistor bipolaire à hétérojonction selon la revendication 2, caractérisé en ce que le collecteur est constituée de Gaylnl_YAs dopé n, la base de Gaylnl_YAs dopé p, l'émetteur de Gaxln,_XP dopé n, les éléments isolants de collecteur de Gaylni_YAs contenant du Bore, et les éléments isolants d'émetteur de Gaxlni_XP contenant du Bore. 6. Transistor bipolaire à hétérojonction selon la revendication 2, caractérisé en ce qu'il comprend entre la couche d'émetteur et celle de base, et/ou, entre la couche de base et celle de collecteur, une couche d'espaceur formée d'une succession de couche de Gaxlni_XP et de Gayln,_YAs dopés n. 7. Transistor bipolaire à hétérojonction selon l'une revendications 1 ou 2, caractérisé en ce que le collecteur comprend surface une couche de contact ohmique en métal réfractaire de type TiWSi WN, TiW. 8. Transistor bipolaire à hétérojonction selon l'une revendications 1 ou 6, caractérisé en ce qu'il comprend une couche mince semiconductrice de passivation entre la couche de base et la couche collecteur ou entre la couche d'espaceur et la couche de collecteur. 9. Transistor bipolaire à hétérojonction selon l'une des revendications précédentes, caractérisé en ce qu'il comprend en outre une couche passivation recouvrant l'ensemble du relief du transistor. 10. Transistor bipolaire à hétérojonction selon la revendication caractérise en ce qu'il comprend un drain thermique en forme de pont reposant d'une part sur une partie du relief du transistor, d'autre part sur substrat. 11. Transistor bipolaire à hétérojonction selon la revendication caractérise en ce qu'il comporte un drain qui est en contact avec la totalité composant et qui est couplé thermiquement avec le substrat. 12. Procédé de réalisation d'un transistor bipolaire a hétérojonction à collecteur en haut comprenant la croissance épitaxiale de couches semiconductrices sur un substrat semiconducteur une couche d'émetteur - une couche de base - une couche de collecteur caractérisé en ce que - les matériaux de la couche de base et de la couche d'émetteur sont choisis tels que le matériau de la couche de base présente une sensibilité de la conductivité électrique à une implantation ionique plus faible que la sensibilité de la conductivité électrique de la couche d'émetteur à la même implantation ionique ; - et en ce qu'il comporte les étapes supplémentaires suivantes réalisation d'un masque sur la couche de collecteur et de largeur (1c) correspondant à la largeur du collecteur à obtenir, puis réalisation d'une première implantation ionique permettant de rendre isolant le matériau de la couche d'émetteur de part et d'autre de l'émetteur à obtenir, puis réalisation d'une deuxième implantation ionique d'énergie inférieure à la première implantation ionique pour rendre isolant le matériau de la couche de collecteur de part et d'autre du collecteur à obtenir. 13. Procédé de réalisation d'un transistor bipolaire à hétérojonction selon la revendication 12, caractérisé en ce que le transistor est à base de matériaux III-V et comprend la croissance épitaxiale de couches semiconductrices dont une couche dopée de type p (ou n) et constitutive de la base est comprise entre deux couches de type n (ou p) et constitutives de l'émetteur et du collecteur, caractérisé à ce qu'il comprend en outre - l'implantation ionique à travers un masque de largeur Ic de la couche dite supérieure située au-dessus de la base de manière à définir des éléments électriquement isolants de part et d'autre élément semiconducteur dopé de largeur - l'implantation ionique à travers le même masque de largeur Ic la couche dite inférieure située en dessous la base de manière à définir des éléments électriquement isolants de part d'autre d'un élément semiconducteur dope largeur LEB inférieure à LBc, - gravure à travers un masque de largeur Lc>Ic la couche supérieure en vue de réaliser une mésa qui definit la géométrie caissons d'isolation créés précédemment implantation ionique. - gravure à travers un masque de largeur superieure à Lc de la couche inférieure en vue de réaliser une mess qui définit la geométrie des caissons d'isolation créés précedemment par implantation ionique. 14. Procédé de réalisation d'un transistor bipolaire à hétérojonction selon la revendication 13, caractérisé en ce les couches dite supérieure et de base ont des comportements différents vis-à-vis de l'implantation ionique. 15. Procédé de réalisation d'un transistor bipolaire à hétérojonction selon la revendication 14, caractérisé en ce que couche dite inférieure en Gaxln,_XP dopé n, la base en Gayln,_YAs dopé p, et couche dite supérieure en Gaxlnl_XP dopé n ou en Gaylnl_YAs dopé n. Procédé de réalisation d'un transistor bipolaire a hétérojonction selon l'une des revendications 13 à 15, caractérisé en ce le masque largeur Ic est en métal de type Ti/Au ou Ti/Pt/Au. Procédé de réalisation d'un transistor bipolaire a hétérojonction selon l'une des revendications 13 à 15, caractérisé en ce que le masque largeur Ic est en résine.