FR 2769751 A1 19990416 FR 9712826 A 19971014 SOURCE D'ELECTRONS A MICROPOINTES, A GRILLE DE FOCALISATION ET A DENSITE ELEVEE DE MICROPOINTES, ET ECRAN PLAT UTILISANT UNE TELLE SOURCE Domaine technique La présente invention concerne une source d'électrons à micropointes, à grille de focalisation et à densité élevée de micropointes. Elle concerne également un écran plat utilisant une telle source. Etat de la technique Les documents FR-A-2 593 953 et FR-A-2 623 013 divulguent des dispositifs de visualisation par cathodoluminescence excitée par émission de champ. Ces dispositifs comprennent une source d'électrons à cathodes émissives à micropointes. A titre d'illustration, la figure 1 est une vue en coupe transversale d'un tel écran de visualisation à micropointes. Par souci de simplification, seulement quelques micropointes alignées ont été représentées. L'écran est constitué par une cathode 1, qui est une structure plane, disposée en regard d'une autre structure plane formant l'anode 2. La cathode 1 et l'anode 2 sont séparées par un espace dans lequel on a fait le vide. La cathode 1 comprend un substrat de verre 11 sur lequel est déposé le niveau conducteur 12 en contact avec les pointes émettrices d'électrons 13. Le niveau conducteur 12 est recouvert d'une couche isolante 14, par exemple en silice, elle-même recouverte d'une couche conductrice 15. Des trous 18, d'environ 1,3 um de diamètre, ont été réalisés au travers des couches 14 et 15 jusqu'au niveau conducteur 12 pour déposer les pointes 13 sur ce niveau conducteur. La couche conductrice 15 sert de grille d'extraction pour les électrons qui seront émis par les pointes 13. L'anode 2 comprend un substrat transparent 21 recouvert d'une électrode transparente 22 sur laquelle sont déposés des phosphores luminescents ou luminophores 23. Le fonctionnement de cet écran va maintenant être décrit. L'anode 2 est portée à une tension positive de plusieurs centaines de volts par rapport aux pointes 13 (typiquement 200 à 500 V). Sur la grille d'extraction 15, on applique une tension positive de quelques dizaines de volts (typiquement 60 à 100 V) par rapport aux pointes 13. Des électrons sont alors arrachés aux pointes 13 et sont attirés par l'anode 2. Les trajectoires des électrons sont comprises dans un cône de demi-angle au sommet O dépendant de différents paramètres, entre autres de la forme des pointes 13. Cet angle entraîne une défocalisation du faisceau d'électrons 31 d'autant plus importante que la distance entre l'anode et la cathode est grande. Or, l'une des façons d'augmenter le rendement des phosphores, donc la luminosité des écrans, est de travailler avec des tensions anode-cathode plus grandes (entre 1 000 et 10 000 V), ce qui implique d'écarter davantage l'anode et la cathode afin d'éviter la formation d'un arc électrique entre ces deux électrodes. Si on désire conserver une bonne résolution sur l'anode, il faut refocaliser le faisceau d'électrons. Cette refocalisation est obtenue classiquement grâce à une grille qui peut être soit placée entre l'anode et la cathode, soit disposée sur la cathode La figure 2 illustre le cas où la grille de focalisation est disposée sur la cathode. La figure 2 reprend l'exemple de la figure 1 mais limité à une seule micropointe pour plus de clarté dans le dessin. Une couche isolante 16 a été déposée sur la grille d'extraction 15 et supporte une couche métallique 17 servant de grille de focalisation. Des trous 19, de diamètre adéquat (typiquement entre 8 et 10 um) et concentriques aux trous 18, ont été gravés dans les couches 16 et 17. La couche isolante 16 sert à isoler électriquement la grille d'extraction 15 et la grille de focalisation 17. La grille de focalisation est polarisée par rapport à la cathode de façon à donner au faisceau d'électrons 32 la forme représentée à la figure 2. Dans le cas d'un écran à micropointes sans grille de focalisation, tel que celui représenté sur la figure 1, la distance entre deux micropointes adjacentes est de l'ordre de 3 um. Pour un écran à micropointes avec grille de focalisation, tel que représenté sur la figure 2, cette distance est de l'ordre de 10 à 12 um. Dans ce cas, la densité de micropointes, c'est-à-dire la densité d'émetteurs d'électrons, est entre 9 et 16 fois plus faible. Ceci a pour conséquence une baisse de luminosité de l'écran. Dans un écran plat, les luminophores sont déposées sur l'anode sous forme de bandes parallèles, successivement rouge-vert-bleu, etc. Pour une bonne qualité de l'image restituée, il est impératif qu'il n'y ait pas de mélange de couleurs. Pour cela, il faut que tous les électrons émis par un pixel d'une couleur donnée aillent sur le luminophore correspondant, et non pas sur des luminophores voisins. On obtient ce résultat par le phénomène de focalisation. Etant donnée la structure en bandes des luminophores, il est important que la focalisation se fasse dans la direction perpendiculaire à ces bandes pour éviter les mélanges de couleurs. Exposé de l'invention L'invention permet de remédier au problème de la faible densité de micropointes présentée par les sources d'électrons à grille de focalisation de l'art antérieur. Ceci est obtenu en remplaçant les ouvertures circulaires de la grille de focalisation par des fentes. L'invention s'avère particulièrement efficace dans une application aux écrans plats où les luminophores sont disposés en bandes. il est proposé de graver, dans la grille de focalisation, des ouvertures en forme de fentes, les micropointes étant alignées sur les axes de ces fentes. En disposant les luminophores situés sur l'anode sous forme de bandes parallèles aux fentes de la source d'électrons et juste au-dessus des fentes correspondantes, les électrons émis par les micropointes de ces fentes restent concentrés sur la bande de luminophore qui leur fait face. il n'y aura donc pas de mélange de couleurs. Si la focalisation n'est pas obtenue dans le sens des bandes, il se produit un léger étalement du pixel dans cette direction, ce qui nuit assez peu à la qualité de l'image. La grille de focalisation conforme à la présente invention procure donc une fonction de focalisation dans une seule direction. L'invention a donc pour objet une source d'électrons à micropointes comportant - au moins une zone d'émission électronique constituée d'une pluralité de micropointes reliées électriquement à un conducteur cathodique, - au moins une électrode de grille, disposée en vis-à-vis de ladite zone d'émission électronique et percée d'ouvertures situées en regard des micropointes, pour extraire les électrons des micropointes, - une grille de focalisation des électrons émis, disposée en vis-à-vis de l'électrode de grille, et possédant des moyens d'ouverture situés en regard des micropointes, caractérisée en ce que les moyens d'ouverture de la grille de focalisation comprennent au moins une fente située en regard d'au moins deux micropointes successives. Selon une première variante, la grille de focalisation est séparée de l'électrode de grille d'extraction disposée en vis-à-vis par une couche de matériau électriquement isolant pourvue d'une fente alignée sur la fente de la grille de focalisation et de même dimension. Selon une deuxième variante, la grille de focalisation est séparée de l'électrode de grille d'extraction disposée en vis-à-vis par une couche de matériau électriquement isolant pourvue d'une fente alignée sur la fente de la grille de focalisation, ou d'une succession de trous alignés sur la fente de la grille de focalisation, et de largeur inférieure à la largeur de la fente de la grille de focalisation. Selon une disposition avantageuse, la source d'électrons à micropointes peut comprendre une pluralité de zones d'émission électronique disposées sous forme d'arrangement matriciel en lignes et en colonnes, les conducteurs cathodiques et les électrodes de grille étant en nombre correspondant aux lignes et aux colonnes pour conférer un accès matriciel à la source d'électrons à micropointes. Si chaque zone d'émission comporte plusieurs rangées de micropointes, à chaque rangée de micropointes correspond une ou plusieurs fentes dans la grille de focalisation. L'invention a aussi pour objet un dispositif comportant une première et une deuxième structure plane maintenues en regard et à une distance déterminée l'une de l'autre par des moyens formant entretoise, la première structure plane comprenant, sur sa face interne au dispositif, une source d'électrons à micropointes telle que définie ci-dessus, la deuxième structure plane comprenant, sur sa face interne au dispositif, des moyens formant anode. Un tel dispositif peut être utilisé pour constituer un écran plat de visualisation, des luminophores étant interposés entre la source d'électrons à micropointes et les moyens formant anode. L'invention a encore pour objet un écran plat de visualisation comportant une première et une deuxième structure plane maintenues en regard et à une distance déterminée l'une de l'autre par des moyens formant entretoise, la première structure plane comprenant, sur sa face interne à l'écran, une source d'électrons à micropointes telle que définie ci-dessus, du type où chaque zone d'émission comportant plusieurs rangées de micropointes, à chaque rangée de micropointes correspond une ou plusieurs fentes dans la grille de focalisation, la deuxième structure plane comprenant, sur sa face interne à l'écran, une couche conductrice formant anode et supportant des luminophores disposés en bandes de couleur alternativement rouge, verte et bleue, chaque bande étant située parallèlement et en regard d'une série (ligne ou colonne) de zones d'émission électronique, les fentes de la grille de focalisation ayant leur axe principal dirigé dans le sens des bandes de luminophores, chaque zone d'émission définissant un pixel pour l'écran de visualisation. Bien entendu, la source d'électrons à micropointes selon la présente invention peut être utilisée en relation avec des anodes de structure différente, en particulier des structures classiques réalisées pour des écrans à tube cathodique, adaptées aux écrans plats. L'invention a en outre pour objet un procédé de fabrication d'une source d'électrons à micropointes et à grille de focalisation, comprenant - une étape où l'on dépose successivement sur une face d'un support électriquement isolant : des moyens de connexion cathodiques, une première couche isolante électriquement d'épaisseur adaptée à la hauteur des futures micropointes, une première couche conductrice destinée à former la grille d'extraction, une deuxième couche isolante électriquement d'épaisseur correspondant à la distance devant séparer la grille d'extraction de la grille de focalisation, - une étape consistant à percer la deuxième couche isolante de trous atteignant la première couche conductrice, les axes des trous correspondant aux axes des futures micropointes, le diamètre de ces trous étant adapté à la taille des futures micropointes, - une étape de dépôt électrolytique de matériau conducteur dans lesdits trous, la première couche conductrice servant d'électrode au cours de l'électrolyse, le dépôt électrolytique remplissant lesdits trous à partir de la première couche conductrice et débordant sur la deuxième couche isolante en donnant d'abord au matériau conducteur déposé électrolytiquement la forme de champignons dont les chapeaux reposent sur la deuxième couche isolante, le dépôt électrolytique étant mené pour faire croître ensuite, par coalescence des chapeaux de champignons formés dans des trous adjacents et suffisamment proches, une masse de forme sensiblement demi-cylindrique par ensemble de trous adjacents et suffisamment proches, - une étape de dépôt d'une deuxième couche conductrice destinée à former la grille de focalisation, cette deuxième couche conductrice étant en un matériau de nature différente de celle du matériau conducteur déposé électrolytiquement, - une étape d'élimination du matériau conducteur déposé électrolytiquement, cette élimination laissant, aans la deuxième couche conductrice, une fente par masse précédemment formée et d'axe principal aligné sur les trous par lesquels elle a cru, - une étape d'approfondissement des trous jusqu'aux moyens de connexion cathodiques, - une étape de gravure de la deuxième couche isolante pour faire apparaître la première couche conductrice, - une étape de formation des micropointes sur les moyens de connexion cathodiques révélés par l'étape d'approfondissement des trous. L'étape d'approfondissement des trous peut être réalisée par gravure. Cette étape ainsi que l'étape de gravure de la deuxième couche isolante peuvent être menées simultanément. L'invention a en outre pour objet un procédé de fabrication d'une source d'électrons à micropointes et à grille de focalisation comprenant - une étape où l'on dépose successivement sur une face d'un support électriquement isolant : des moyens de connexion cathodiques, une première couche isolante électriquement d'épaisseur adaptée à la hauteur des futures micropointes, une première couche conductrice destinée à former la grille d'extraction, une deuxième couche isolante électriquement d'épaisseur correspondant à la distance devant séparer la grille d'extraction de la grille de focalisation, une couche de masquage, - une étape consistant à percer des trous au travers de l'ensemble constitué par la couche de masquage, la deuxième couche isolante et la première couche conductrice jusqu'à atteindre la première couche isolante, les axes des trous correspondant aux axes des futures micropointes, le diamètre de ces trous étant adapté à la taille des futures micropointes, - une étape d'approfondissement des trous dans la première couche isolante jusqu'aux moyens de connexion cathodiques, - une étape de gravure latérale de la deuxième couche isolante pour augmenter le diamètre des trous percés précédemment jusqu'à une valeur déterminée, cette gravure latérale pouvant rendre sécants des trous adjacents et suffisamment proches, - une étape d'enlèvement de la couche de masquage, - une étape de dépôt électrolytique de matériau conducteur dans lesdits trous, la première couche conductrice servant d'électrode au cours de l'électrolyse, le dépôt électrolytique remplissant lesdits trous à partir de la première couche conductrice et débordant sur la deuxième couche isolante en donnant d'abord au matériau conducteur déposé électrolytiquement la forme de champignons dont les chapeaux reposent sur la deuxième couche isolante, le dépôt électrolytique étant mené pour faire croître ensuite, par coalescence des chapeaux de champignons formés dans des trous adjacents et suffisamment proches, une masse de forme sensiblement demi-cylindrique par ensemble de trous adjacents et suffisamment proches, - une étape de dépôt d'une deuxième couche conductrice destinée à former la grille de focalisation, cette deuxième couche conductrice étant en un matériau de nature différente de celle du matériau conducteur déposé électrolytiquement, - une étape d'élimination du matériau conducteur déposé électrolytiquement, cette élimination laissant, dans la deuxième couche conductrice, une fente par masse précédemment formée et d'axe principal aligné sur les trous par lesquels elle a crû, - une étape de formation des micropointes sur les moyens de connexion cathodiques au travers des trous qui ont été réalisés dans la première couche conductrice et la première couche isolante. L'étape d'approfondissement des trous dans la première couche isolante et l'étape de gravure latérale de la deuxième couche isolante peuvent être menées simultanément et effectuées par gravure isotrope. Quel que soit le procédé mis en oeuvre, l'étape consistant à percer des trous peut être réalisée par gravure. L'étape d'élimination du matériau conducteur déposé électrolytiquement peut être réalisée par dissolution chimique. Les moyens de connexion cathodiques peuvent être obtenus par un dépôt de conducteurs cathodiques sur le support, suivi d'un dépôt d'une couche résistive. Brève description des figures L'invention sera mieux comprise et d'autres avantages et particularités apparaîtront dans la description qui va suivre, donnée à titre d'exemple non limitatif, accompagnée des dessins annexés parmi lesquels - la figure 1 est illustrative d'un écran plat à micropointes selon l'art connu, - la figure 2 est illustrative d'un écran plat à micropointes et à grille de focalisation selon l'art connu, - la figure 3 est une vue partielle et en perspective d'une première variante de source d'électrons à micropointes selon la présente invention, - la figure 4 est une vue partielle et en perspective d'une deuxième variante de source d'électrons à micropointes selon la présente invention, - les figures 5A à 5D sont illustratives d'un procédé de fabrication d'une source d'électrons à micropointes du type représenté à la figure 3, - les figures 6A à 6E sont illustratives d'un procédé de fabrication d'une source d'électrons à micropointes du type représenté à la figure 4, - la figure 7 est une vue de dessus d'une première source d'électrons à micropointes pour écran plat de visualisation selon la présente invention, cette vue ne montrant qu'une partie de la source d'électrons correspondant à un pixel de l'écran, - la figure 8 est une vue de dessus d'une deuxième source d'électrons à micropointes pour écran plat de visualisation selon la présente invention cette vue ne montrant qu'une partie de la source d'électrons correspondant à un pixel de l'écran. Description détaillée de modes de réalisation de l'invention La figure 3 est une vue partielle et en coupe d'une source d'électrons à micropointes selon l'invention. Elle a été élaborée à partir d'un support en verre 40. Sur ce support 40, on a successivement déposé une première couche 41 formant des moyens de connexion cathodiques, une première couche isolante 42 et une première couche conductrice 43. Dans les couches 42 et 43, on a gravé des trous 44 jusqu'à la première couche 41. Des émetteurs d'électrons 45, en forme de pointes, ont été déposés à l'intérieur des trous 44 et en contact àvec la première couche 41. Les micropointes 45 sont disposées en alignements. Pour une utilisation de la source d'électrons comme cathode d'un écran plat de visualisation en couleurs, les alignements de micropointes sont parallèles aux bandes de luminophores disposées sur l'anode de l'écran. La couche conductrice 43 sert de grille d'extraction des électrons. Elle est recouverte d'une couche isolante 46 (deuxième couche isolante) et d'une couche conductrice 47 (deuxième couche conductrice). Des fentes 48 ont été réalisées dans les couches 46 et 47 jusqu'à atteindre la grille d'extraction 43. Les axes des fentes 48 sont confondus avec les axes des alignements d'émetteurs ou micropointes 45. Les fentes 48 peuvent avoir une largeur de 8 à 10 um. Le pas des fentes (selon leur axe principal), et en conséquence le pas des lignes d'émetteurs, est de 10 à 12 um. La distance entre deux émetteurs d'une même ligne est de l'ordre de 3 um. La solution proposée par l'invention permet donc d'avoir une densité d'émetteurs qui est 3 à 4 fois plus élevée que dans le cas où la focalisation est réalisée dans toutes les directions de chacun des émetteurs (cas de la figure 2). La source d'électrons à micropointes représentée à la figure 3 est généralement destinée à être utilisée comme cathode d'un écran plat de visualisation. Cet écran plat est un dispositif constitué d'une structure cathodique et d'une structure anodique en vis-à-vis, entre lesquelles on a fait le vide. La distance séparant la grille d'extraction 43 de la grille de focalisation 47 est très faible. Dans certains cas d'utilisation, il pourrait en résulter un risque d'arc électrique dans le vide entre ces deux grilles. Une solution pour remédier à cet inconvénient est représentée à la figure 4 où les mêmes éléments que pour la figure 3 sont désignés par les mêmes références. Dans le cas de la figure 4, les fentes 48 ont été limitées à la grille de focalisation. La couche isolante 46 a été gravée de fentes 49 centrées sur les lignes d'émetteurs correspondantes et de largeur inférieure à la largeur des fentes 48. A titre de variante, la couche isolante 46 peut être percée de trous concentriques aux trous 44. Le diamètre de ces trous concentriques ou la largeur des fentes 49, selon le cas, peut être de deux à trois fois le diamètre des trous 44. Ainsi, le prolongement de la couche isolante 46 sur la grille d'extraction 43 assure une meilleure protection contre les arcs électriques. Les électrons émis par les micropointes correspondant à une fente de grille de focalisation d'une source d'électrons selon la présente invention sont focalisés dans la direction perpendiculaire à l'axe de la fente. Ils ne s'écartent que très peu du plan perpendiculaire à la source et passant par l'axe de la fente. Les impacts de ces électrons sur un plan parallèle à la cathode sont donc situés dans une bande étroite parallèle à l'axe de la fente mais un peu plus longue que celle-ci. Les sources d'électrons telles que représentées aux figures 3 et 4 peuvent être réalisées en utilisant des techniques de dépôt, de photolithographie et de gravure classiques en microélectronique, les micropointes étant réalisées selon l'art connu. Cependant, les calculs de simulation montrent que la qualité de la focalisation dépend du centrage de la grille de focalisation suivant l'axe des émetteurs et que ce paramètre est très sensible. La précision requise nécessite l'utilisation d'appareils très performants qui seront d'autant moins adaptés que la taille des écrans à réaliser augmente. Pour remédier à ce problème, il est proposé de réaliser la grille de focalisation par un procédé d'auto-alignement. Un premier exemple de ce procédé est illustré par les figures 5A à 5D. Il permet d'obtenir une source d'électrons à micropointes du type de celle représentée à la figure 3. En se référant à la figure 5A, on a déposé sur une lame de verre 50 une couche métallique qui a été gravée pour constituer des colonnes 51. Une couche résistive 52 a ensuite été déposée de manière uniforme et de manière à présenter une surface plane. Sur la couche résistive 52, on a déposé ensuite successivement une première couche isolante 53, une couche conductrice 54 et une deuxième couche isolante 55. L'épaisseur de ces différentes couches est adaptée à la structure désirée. Les couches isolantes 53 et 55 peuvent être en silice. La couche conductrice 54, destinée à former la grille d'extraction des électrons peut être en niobium. Ensuite, par des techniques classiques de photolithographie et de gravure, on grave dans la couche isolante 55 des trous 56 dont les centres sont alignés sur des droites parallèles entre elles. Les trous 56 révèlent la couche conductrice 54. La distance entre deux trous successifs d'une même ligne est de l'ordre de 3 um. La distance entre deux lignes consécutives est d'environ 10 à 12 pm. Par souci de clarté, on n'a représenté sur la figure 5A qu'une petite partie d'une seule ligne de trous. L'étape suivante (voir la figure 5B) consiste à effectuer un dépôt électrolytique d'un matériau conducteur (par exemple un alliage fer-nickel) sur les parties révélées de la couche conductrice 54, c'est-à-dire au fond des trous 56. L'épaisseur du dépôt électrolytique est ajusté de façon à obtenir, pour chaque trou, la croissance d'un champignon dont le pied remplit le trou et tel que le chapeau se développe sur la face externe de la couche isolante 55. La croissance est poursuivie jusqu'à ce que le diamètre du chapeau atteigne la largeur désirée pour la fente de la grille de focalisation. Cette largeur étant environ de 10 um, les champignons vont coalescer pour constituer une masse 57 en forme de demi-cylindre de diamètre égal à la largeur désirée de la fente. On dépose ensuite, par une technique de dépôt sous vide adaptée à la nature du matériau à déposer, une seconde couche conductrice afin de former la grille de focalisation. Cette seconde couche conductrice (en métal ou en un autre matériau résistif) se dépose sur la couche isolante 55 entre les masses 57, pour constituer le dépôt 58, et sur les masses 57 pour constituer le dépôt 59, comme cela est représenté sur la figure 5B. Chaque masse 57 sert de masque pour l'ouverture de la grille de focalisation. Comme l'axe de chaque demi-cylindre formant une masse passe par la ligne qui joint les centres des trous, l'ouverture obtenue sera automatiquement centrée sur cette ligne. Les masses 57 sont ensuite dissoutes chimiquement et on obtient la structure représentée à la figure 5C. Les ouvertures 60 pratiquées dans la grille de focalisation 58 sont centrées sur les axes des trous 56. La couche métallique 54 est ensuite gravée de manière anisotrope au travers des trous 56 pour approfondir ce trou jusqu'à la première couche isolante 53. La gravure anisotrope est poursuivie dans la couche isolante 53 jusqu'à atteindre la couche résistive 52. Les couches isolantes 53 et 55 étant toutes deux en silice dans l'exemple décrit, la gravure de ces deux couches peut être effectuée simultanément. On obtient, comme le montre la figure 5D, des trous 61 et 64 (dans le prolongement des trous 56 de la figure 5C) traversant respectivement la couche conductrice 54 et la couche isolante 53. On obtient également une ouverture 62 en forme de fente dans la continuité de la fente 60. Les micropointes 63 sont ensuite réalisées de manière classique, au fond des trous 61. Les micropointes, les trous de la grille d'extraction et les fentes de la grille de focalisation sont donc auto-alignés. Un deuxième exemple de procédé d'auto-alignement est illustré par les figures 6A à 6E. Il permet d'obtenir une source d'électrons à micropointes du type de celle représentée à la figure 4. En se référant à la figure 6A, on a déposé sur une lame de verre 70, comme pour le premier exemple de procédé, des colonnes 71 de conducteurs cathodiques et une couche réslstive 72. Sur la couche résistive 72, on a déposé ensuite successivement une première couche isolante 73, une couche conductrice 74 et une deuxième couche isolante 75 de même nature que la première couche isolante 73. Une couche de résine 85 a finalement été déposée. Le choix des épaisseurs des couches et des matières utilisées peut être le même que pour le premier exemple de procédé. Des trous 76 ont été ouverts dans la couche de résine 85 qui sert de masque pour la gravure de la couche isolante 75 et de la couche conductrice 74. Les trous 76 sont donc approfondis jusqu'à atteindre la première couche isolante 73. On procède ensuite à la gravure chimique de la première couche isolante 73 de façon à prolonger les trous jusqu'à la couche résistive 72. En pratiquant une gravure isotrope, on obtient une surgravure importante et les trous 84 réalisés dans la première couche isolante vont avoir le profil montré sur la figure 6B. La deuxième couche isolante 75, étant de même nature que la première couche isolante 73, est gravée de manière identique. On obtient une augmentation du diamètre des trous 76, entre la couche conductrice 74 et la couche de résine 85, qui fournit des cavités 82. Cette augmentation de diamètre est égale à au moins deux fois l'épaisseur de la première couche isolante 73. La figure 6C représente la structure obtenue après enlèvement de la couche de résine. La deuxième couche isolante 75 présente des trous 82 coaxiaux avec les trous 76 de la couche conductrice 74 mais de plus grand diamètre. Ces trous 82 peuvent être isolés ou sécants (ce que montre la figure 6C) suivant l'épaisseur de la première couche isolante 73 et la distance entre les trous 76 d'une même ligne de trous. On réalise ensuite un dépôt électrolytique d'un matériau conducteur à partir de la couche conductrice 74. L'étape de dépôt est menée de façon à obtenir des masses 77 en forme de demi-cylindre, de diamètre égal à la largeur désirée pour la fente de la grille de focalisation (par exemple 10 um) . C'est ce que montre la figure 6D. Comme pour le premier exemple de procédé, on dépose une seconde couche conductrice afin de former la grille de focalisation. On obtient le dépôt 78 entre les masses 77, et le dépôt 79 sur les masses 77. Les masses 77 sont ensuite dissoutes chimiquement pour conférer à la structure le profil représenté à la figure 6E. Les ouvertures 80 pratiquées dans la grille de focalisation 78 sont centrées sur les axes de trous 76. Cette grille 78 est posée sur la couche isolante faire la longueur du pixel, comme sur la figure 7. Elles peuvent être scindées en plusieurs parties, comme sur la figure 8. REVENDICATIONS 1. Source d'électrons à micropointes comportant - au moins une zone d'émission électronique constituée d'une pluralité de micropointes (45,63,83) reliées électriquement à un conducteur cathodique (41,51, Vi) - au moins une électrode de grille (43,54,74), disposée en vis-à-vis de ladite zone d'émission électronique et percée d'ouvertures (61) situées en regard des micropointes, pour extraire les électrons des micropointes, - une grille de focalisation des électrons émis (47,5S,78), disposée en vis-à-vis de l'électrode de grille, et possédant des moyens d'ouverture situés en regard des micropointes, caractérisée en ce que les moyens d'ouverture de la grille de focalisation comprennent au moins une fente située en regard d'au moins deux micropointes successives. 2. Source d'électrons à micropointes selon la revendication 1, caractérisée en ce que la grille de focalisation (58) est séparée de l'électrode de grille d'extraction (54) disposée en vis-à-vis par une couche de matériau électriquement isolant (55) pourvue d'une fente (62) alignée sur la fente (60) de la grille de focalisation (58) et de même dimension. 3. Source d'électrons à micropointes selon la revendication 1, caractérisée en ce que la grille de focalisation (78) est séparée de l'électrode de grille d'extraction (74) disposée en vis-à-vis par une couche de matériau électriquement isolant (75) pourvue d'une fente (82) alignée sur la fente (80) de la grille de focalisation (78), ou d'une succession de trous alignés sur la fente de la grille de focalisation, et de largeur inférieure à la largeur de la fente de la grille de focalisation. 4. Source d'électrons à micropointes selon l'une quelconque des revendications 1 à 3, caractérisée en ce qu'elle comprend une pluralité de zones d'émission électronique disposées sous forme d'arrangement matriciel en lignes et en colonnes, les conducteurs cathodiques et les électrodes de grille étant en nombre correspondant aux lignes et aux colonnes pour conférer un accès matriciel à la source d'électrons à micropointes. 5. Source d'électrons à micropointes selon la revendication 4, caractérisée en ce que chaque zone d'émission ' comportant plusieurs rangées de micropointes, à chaque rangée de micropointes correspond une ou plusieurs fentes (60) dans la grille de focalisation (58). 6. Dispositif comportant une première et une deuxième structure plane maintenues en regard et à une distance déterminée l'une de l'autre par des moyens formant entretoise, la première structure plane comprenant, sur sa face interne au dispositif, une source d'électrons à micropointes selon l'une quelconque des revendications 1 à 5, la deuxième structure plane comprenant, sur sa face interne au dispositif, des moyens formant anode. 7. Ecran plat de visualisation constitué d'un dispositif selon la revendication 6, des luminophores étant interposés entre la source d'électrons à micropointes et les moyens formant anode. 8. Ecran plat de visualisation comportant une première et une deuxième structure plane maintenues en regard et à une distance déterminée l'une de l'autre par des moyens formant entretoise, la première structure plane comprenant, sur sa face interne à l'écran, une source d'électrons à micropointes selon la revendication 5, la deuxième structure plane comprenant, sur sa face interne à l'écran, une couche conductrice formant anode et supportant des luminophores disposés en bandes de couleur alternativement rouge, verte et bleue, chaque bande étant située parallèlement et en regard d'une série (ligne ou colonne) de zones d'émission électronique, les fentes de la grille de focalisation ayant leur axe principal dirigé dans le sens des bandes de luminophores, chaque zone d'émission définissant un pixel pour l'écran de visualisation. 9. Procédé de fabrication d'une source d'électrons' à micropointes et à grille de focalisation, comprenant - une étape où l'on dépose successivement sur une face d'un support électriquement isolant (50) des moyens de connexion cathodiques (51,52) , une première couche isolante électriquement (53) d'épaisseur adaptée à la hauteur des futures micropointes, une première couche conductrice (54) destinée à former la grille d'extraction, une deuxième couche isolante électriquement (55) d'épaisseur correspondant à la distance devant séparer la grille d'extraction de la grille de focalisation, - une étape consistant à percer la deuxième couche isolante (55) de trous (56) atteignant la première couche conductrice (54), les axes des trous correspondant aux axes des futures micropointes, le diamètre de ces trous étant adapté à la taille des futures micropointes, - une étape de dépôt électrolytique de matériau conducteur dans lesdits trous, la première couche conductrice (54) servant d'électrode au cours de l'électrolyse, le dépôt électrolytique remplissant lesdits trous (56) à partir de la première couche conductrice (54) et débordant sur la deuxième couche isolante (55) en donnant d'abord au matériau conducteur déposé électrolytiquement la forme de champignons dont les chapeaux reposent sur la deuxième couche isolante (55), le dépôt électrolytique étant mené pour faire croître ensuite, par coalescence des chapeaux de champignons formés dans des trous adjacents et suffisamment proches, une masse (58) de forme sensiblement demi-cylindrique par ensemble de trous (56) adjacents et suffisamment proches, - une étape de dépôt d'une deuxième couche conductrice (58,59) destinée à former la grille de focalisation, cette deuxième couche conductrice étant en un matériau de nature différente de celle du matériau conducteur déposé électrolytiquement, - une étape d'élimination du matériau conducteur déposé électrolytiquement, cette élimination laissant, dans la deuxième couche conductrice (58), une fente (60) par masse précédemment formée et d'axe principal aligné sur les trous (56) par lesquels elle a crû, - une étape d'approfondissement des trous (56) jusqu'aux moyens de connexion cathodiques (51,52), - une étape de gravure de la deuxième couche isolante (55) pour faire apparaître la première couche conductrice (54), - une étape de formation des micropointes (63) sur les moyens de connexion cathodiques (51,52) révélés par l'étape d'approfondissement des trous. 10. Procédé selon la revendication 9, caractérisé en ce que l'étape d'approfondissement des trous est réalisé par gravure. 11. Procédé selon la revendication 10, caractérisé en ce que l'étape d'approfondissement des trous et l'étape de gravure de la deuxième couche isolante (55) sont menées simultanément. 12. Procédé de fabrication d'une source d'électrons à micropointes et à grille de focalisation comprenant - une étape où l'on dépose successivement sur une face d'un support électriquement isolant (70) des moyens de connexion cathodiques (71, 72) , une première couche isolante électriquement (73) d'épaisseur adaptée à la hauteur des futures micropointes, une première couche conductrice (74) destinée à former la grille d'extraction, une deuxième couche isolante électriquement (75) d'épaisseur correspondant à la distance devant séparer la grille d'extraction de la grille de focalisation, une couche de masquage (85), - une étape consistant à percer des trous (76) au travers de l'ensemble constitué par la couche de masquage (85), la deuxième couche isolante (75) et la première couche conductrice (74) jusqu'à atteindre la première couche isolante (73) , les axes des trous (76) correspondant aux axes des futures micropointes, le diamètre de ces trous étant adapté à la taille des futures micropointes, - une étape d'approfondissement des trous dans la première couche isolante jusqu'aux moyens de connexion cathodiques (71,72), - une étape de gravure latérale de la deuxième couche isolante (75) pour augmenter le diamètre des trous percés précédemment jusqu'à une valeur déterminée, cette gravure latérale pouvant rendre sécants des trous adjacents et suffisamment proches, - une étape d'enlèvement de la couche de masquage (85), - une étape de dépôt électrolytique de matériau conducteur dans lesdits trous, la première couche conductrice (74) servant d'électrode au cours de l'électrolyse, le dépôt électrolytique remplissant lesdits trous à partir de la première couche conductrice (74) et débordant sur la deuxième couche isolante (75) en donnant d'abord au matériau conducteur déposé électrolytiquement la forme de champignons dont les chapeaux reposent sur la deuxième couche isolante (75), le dépôt électrolytique étant mené pour faire croître ensuite, par coalescence des chapeaux de champignons formés dans des trous adjacents et suffisamment proches, une masse (77) de forme sensiblement demi-cylindrique par ensemble de trous adjacents et suffisamment proches, - une étape de dépôt d'une deuxième couche conductrice (78,79) destinée à former la grille de focalisation, cette deuxième couche conductrice étant en un matériau de nature différente de celle du matériau conducteur déposé électrolytiquement, - une étape d'élimination du matériau conducteur déposé électrolytiquement, cette élimination laissant, dans la deuxième couche conductrice (78), une fente (80) par masse (77) précédemment formée et d'axe principal aligné sur les trous par lesquels elle a crû, - une étape de formation des micropointes (83) sur les moyens de connexion cathodiques (71,72) au travers des trous (76) qui ont été réalisés dans la première couche conductrice (74) et la première couche isolante (73). 13. Procédé selon la revendication 12, caractérisé en ce que l'étape d'approfondissement des trous dans la première couche isolante (73) et l'étape de gravure latérale de la deuxième couche isolante (75)sont menées simultanément et effectuées par gravure isotrope. 14. Procédé selon l'une quelconque des revendications 9 à 13, caractérisé en ce que l'étape consistant à percer des trous est réalisée par gravure. 15. Procédé selon l'une quelconque des revendications 9 à 14, caractérisé en ce que l'étape d'élimination du matériau conducteur déposé électrolytiquement est réalisée par dissolution chimique. 16. Procédé selon l'une quelconque des revendications 9 à 15, caractérisé en ce que les moyens de connexion cathodiques (51,71) sont obtenus par un dépôt de conducteurs cathodiques sur le support (50,70), suivi d'un dépôt d'une couche résistive (52,72).