FR 2793951 A1 20001124 FR 9906501 A 19990521 PROCEDE ET INSTALLATION DE TRAITEMENT D'UN SUBSTRAT TEL QU'UN CIRCUIT INTEGRE PAR UN FAISCEAU FOCALISE DE PARTICULES ELECTRIQUEMENT NEUTRES L'invention concerne le traitement d'un substrat tel qu'un circuit intégré à l'aide d'un faisceau de particules appliqué sur au moins une portion de surface du substrat. Dans tout le texte, le terme "traitement" englobe en particulier les micro-usinages (gravures de matériau électrique, semi-conducteur ou conducteur, dépôts de matériau conducteur, à l'aide d'un faisceau focalisé en présence de gaz appropriés) notamment pour corriger les défauts des circuits intégrés après leur fabrication ; les tests de qualité (détection et/ou localisation des défauts) ; l'analyse physico-chimique et l'imagerie en général, notamment par détection des particules secondaires. De plus, le terme "particule" englobe les particules élémentaires, les ions, les atomes, et les molécules. Le terme "substrat" englobe tous les dispositifs susceptibles d'être soumis à un faisceau de particules en vue d'un tel traitement. Il s'agit en particulier des circuits intégrés (après leur fabrication ou au cours de leur fabrication), des microsystèmes (après leur fabrication ou au cours de leur fabrication), de tous autres dispositifs réalisés sur plaquettes de matériau semi- conducteur (tel que le silicium) et/ou conducteur et/ou isolant ou d'échantillons de produits artificiels ou d'origine naturelle. On sait qu'un circuit intégré peut être observé par microscopie, dite SEM, à l'aide d'un faisceau d'électrons et par détection des électrons secondaires en contraste de potentiel. Cette technique fournit des images de bonne qualité, mais est limitée dans ses applications, et ne permet pas en particulier de réaliser des micro-usinages. Pour les opérations de micro-usinage, on utilise en général un faisceau d'ions positif d'énergie élevée focalisé sur une zone submicrométrique (systèmes dits FIB). Il en va de même dans le cas de la technique de spectroscopie de masse par détection des ions secondaires (SIMS), bien que dans cette application le faisceau d'ions est en général focalisé sur une portion de surface plus large que dans le cas d'un micro-usinage sous FIB. L'inconvénient d'un tel faisceau d'ions est d'entraîner une accumulation importante de charges électriques à la surface du circuit intégré sur les portions en matériau non conducteur, qui provoque de nombreux problèmes pratiques parmi lesquels on peut citer : risque de détérioration de la couche de passivation ; décharges électrostatiques dites ESD établissant des puits conducteurs dans l'épaisseur du circuit ; dérives des paramètres fonctionnels du circuit ; décalage latéral du faisceau repoussé par la charge de surface empêchant l'automatisation des opérations successives et grêvant la durée nécessaire à la réalisation de micro-sections transversales ou de lamelles en vue de réaliser une analyse des caractéristiques cristallographiques par imagerie TEM ("transmission électrons microscopy") ; impossibilité de réaliser des images de qualité en imagerie par contraste de potentiel, notamment pour réaliser des tests en appliquant des signaux électriques au circuit intégré, et en particulier sur les circuits passivés tels que les circuits dits "planar" comprenant une couche supérieure d'oxyde de passivation planéifiant le circuit et supprimant les informations topographiques ... Pour résoudre ce problème, on utilise parfois un faisceau d'électrons de faible énergie dirigé vers la zone d'impact du faisceau d'ions pour neutraliser la charge électrique sur la surface du circuit intégré (technique dite du "FLOODGUN") comme décrit par exemple par US-4639301 ou par la publication "Electrical Biasing Voltage Contrast Imaging in a Foursed Ion Beam System", A.N. CANWBELL et al, ISTFA'95, 21 st International Symposium for Testing and Failure Analysis, 6-10 Nov. 1995, SANTA CLARA, CALIFORNIA. US-4874947 propose aussi, dans un système SIMS, un canon à électrons orienté perpendiculairement au faisceau et dont le flux d'électrons est dévié vers le circuit par une électrode placée en sortie du canon, de sorte que les électrons bombardent la surface du circuit intégré au niveau de la zone d'impact du faisceau d'ions. Ces canons à électrons sont des équipements relativement lourds, encombrants et coûteux, ne pallient que partiellement au problème de l'accumulation des charges superficielles (lénergie et la densité de courant du faisceau d'électrons ne pouvant pas correspondre exactement à la charge superficielle à neutraliser qui varie selon le site d'impact des ions et la nature du matériau correspondant, de sorte que des ajustements manuels sont nécessaires à chaque nouvelle étape d'application du faisceau, ou même en cours d'usinage si la nature du matériau change), et empêchent l'utilisation d'un détecteur d'électrons secondaires et donc notamment la réalisation d'images par détection des électrons secondaires (ce qui impose une imagerie par détection des ions secondaires, beaucoup moins précise). Une autre technique connue consiste à faire préalablement un dépôt de couche antistatique sur la couche isolante de passivation du circuit intégré (comme décrit par exemple FR-2.755.703), ce qui nécessite une opération supplémentaire. Une autre solution connue a été proposée pour pallier le problème du décalage latéral du faisceau. Cette solution consiste à graver un motif (par exemple une croix) à la surface du circuit intégré, et à analyser l'image de ce motif et son évolution dans le temps par un procédé de reconnaissance d'image. Lorsque l'image du motif est modifiée ou perdue, on corrige manuellement la déviation du faisceau afin de retrouver l'image du motif. Cette solution nécessite l'usage d'un dispositif et d'un logiciel de reconnaissance d'image, et est lourde, complexe, coûteuse, et ne permet pas de pallier les autres problèmes sus-mentionnés résultant d'une accumulation des charges à la surface du circuit intégré. Elle nécessite en outre une intervention de modification du circuit intégré pour la réalisation du motif, ce qui peut avoir des conséquences sur ses caractéristiques fonctionnelles. L'invention vise donc à pallier ces inconvénients en proposant un procédé et une installation de traitement à l'aide d'un faisceau de particules ayant les propriétés d'un faisceau d'ions (notamment permettant la réalisation de micro-usinages) sans présenter les inconvénients liés à l'accumulation de charges superficielle, et tout en évitant l'application d'un faisceau d'électrons sur la surface du substrat et la mise en #uvre d'opérations de préparation préalable du substrat. L'invention vise ainsi à résoudre de façon simple les problèmes pratiques sus-mentionnés liés à l'accumulation de charges superficielle sur le substrat. L'invention vise en particulier à autoriser une automatisation complète du traitement sans nécessiter d'intervention humaine pour chaque nouveau site du substrat sur lequel le faisceau est appliqué, ou à chaque changement de la nature du matériau recevant le faisceau. L'invention vise plus particulièrement à permettre la réalisation d'images en contraste de potentiel de bonne qualité - notamment par détection des électrons secondaires et en appliquant des signaux électriques aux bornes d'entrée du circuit intégré -, y compris sur des circuits passivés tels que les circuits "planar". L'invention vise aussi en particulier à éviter les phénomènes de décalages intempestifs d'un faisceau focalisé nuisant à la précision du traitement et empêchant son automatisation. L'invention vise de surcroît à permettre d'atteindre ces buts de façon simple, économique et fiable. Pour ce faire, l'invention concerne une installation de traitement d'un substrat comprenant des moyens pour générer et orienter vers une surface du substrat au moins un faisceau d'ions, caractérisée en ce qu'elle comprend des moyens, dits moyens de neutralisation du faisceau, adaptés pour former et interposer, sur la trajectoire du faisceau d'ions, un nuage de particules neutralisantes de charge électrique opposée à celle des ions du faisceau d'ions, ce nuage de particules neutralisantes s'étendant à distance de la surface du substrat, ce nuage de particules neutralisantes étant adapté pour pouvoir être traversé par le faisceau d'ions qui est, à la sortie du nuage de particules neutralisantes, transformé en un faisceau au moins partiellement constitué de particules électriquement neutres bombardant la surface du substrat. L'invention s'étend aussi à un procédé de traitement d'un substrat dans lequel on génère et on oriente vers une surface d'un substrat, au moins un faisceau d'ions, caractérisé en ce qu'on forme et on interpose sur la tra ectoire du faisceau d'ions un nuage de particules neutralisantes de charge j électrique opposée à celle des ions du faisceau d'ions, ce nuage de particules neutralisantes s'étendant à distance de la surface du substrat, ce nuage de particules neutralisantes étant adapté pour pouvoir être traverse par le faisceau d'ions qui est, à la sortie du nuage de particules neutralisantes, transformé en un faisceau au moins partiellement constitué de particules électriquement neutres bombardant la surface du substrat. Ainsi, avec une installation et un procédé selon l'invention, les particules incidentes du faisceau n'ont pas ou peu d'influence électrique sur le substrat, contrairement à l'art antérieur dans lequel il était considéré que le faisceau devait nécessairement être formé d'ions incidents pour traiter le substrat, et dans lequel l'influence électrostatique de ces ions était ensuite neutralisée par un faisceau d'électrons orienté sur la surface. Autrement dit, dans l'invention, on empêche l'accumulation des charges superficielles sur le substrat alors que dans l'art antérieur on ne faisait qu'essayer de compenser ou d'annihiler la charge superficielle créée. L'invention part du constat selon lequel, en fait, la présence d'ions chargés n'est pas indispensable pour traiter un substrat, y compris pour réaliser un micro-usinage tel q'un dépôt ou une gravure, les mêmes traitements pouvant être obtenus avec des particules neutres possédant la même énergie (supérieure à 20 keV - notamment de l'ordre de 30 keV -). Dans un procédé selon l'invention, les particules incidentes sont à l'origine des ions qui sont d'abord accélérés à une énergie Eac (supérieure à 20 keV - notamment de l'ordre de 30 keV -) puis neutralisés par passage dans un nuage de particules neutralisantes. En final, les particules incidentes sont donc des atomes ou des molécules neutres mais excités (l'énergie des particules neutralisantes ne correspondant pas exactement au niveau d'énergie nécessaire pour former l'atome ou la molécule correspondant) et accélérés avec la même énergie Eac que les ions d'origine. L'énergie des ces particules incidentes est donc élevée et permet, en fait, les traitements tels que les micro-usinages, les tests de qualité, l'analyse physico-chimique et l'imagerie en général, et ce sans présenter les inconvénients sus-cités d'un faisceau d'ions traditionnels. Le nuage de particules neutralisantes est formé d'un ensemble de particules neutralisantes de densité adaptée pour neutraliser le faisceau d'ions, et d'énergie aussi faible que possible, notamment possédant une énergie cinétique aussi faible que possible, de façon à traverser, à une vitesse aussi faible que possible, une zone traversée par le faisceau d'ions. Avantageusement et selon l'invention, on adapte la densité du nuage de particules neutralisantes en fonction du courant du faisceau d'ions pour neutraliser au moins sensiblement l'intégralité des ions du faisceau, de sorte que ce dernier est ensuite formé au moins sensiblement en totalité de particules neutres bombardant la surface du substrat. L'invention permet en particulier de s'affranchir des phénomènes d'accumulation de charges superficielle et de leurs conséquences sus-mentionnées. En particulier, elle permet d'automatiser une succession d'opérations distinctes sur plusieurs zones différentes d'un même substrat, sans nécessiter d'intervention humaine, et avec une grand précision. Elle permet aussi la réalisation facile et rapide de micro-sections transversales et de préparations TEM. Rien n'empêche d'utiliser plusieurs faisceaux de particules simultanément ou successivement. Néanmoins, il fait partie des avantages de l'invention de ne nécessiter l'utilisation que d'un seul faisceau de particules dans l'installation. Dans tout le texte, les termes "amont et "aval" sont utilisés par référence à la direction et au sens de déplacement des particules du faisceau. Avantageusement, un procédé selon l'invention est en outre caractérisé par l'une au moins des caractéristiques suivantes : - on détecte des particules secondaires de même nature que les particules neutralisantes - notamment à des fins d'imagerie - à l'aide de moyens de détection de particules secondaires disposés au voisinage de la surface du substrat ; et on forme le nuage de particules neutralisantes à l'amont desdits moyens de détection, de sorte que ce nuage n'interfere ni avec lesdits moyens de détection, ni avec les particules secondaires ; - on forme le nuage de particules neutralisantes entre une source de particules neutralisantes et une électrode d'attraction des particules neutralisantes que l'on dispose latéralement de part et d'autre de la trajectoire du faisceau d'ions, à l'amont et à distance de la surface du substrat ; - on utilise un cache adapté pour protéger lesdits moyens de détection, des photons qui peuvent être émis par la source de particules neutralisantes, et/ou on utilise une source de particules neutralisantes incorporée dans une chambre noire de façon à minimiser l'émission de photons ; - on associe la source de particules neutralisantes et l'électrode diamétralement à l'opposé l'une de l'autre, à un cylindre creux en matériau conducteur formant une cage de Faraday, que l'on dispose par rapport à la trajectoire du faisceau de façon que le faisceau traverse axialement le cylindre creux ; on applique sur l'électrode un potentiel électrique le plus faible possible pour extraire les particules neutralisantes de la source de particules neutralisantes et les confiner dans le cylindre ; on applique sur l'électrode un potentiel dont la valeur absolue est comprise entre 0, 1 V et 10 V ; - on forme un faisceau d'ions dans une colonne qui comprend une sortie débouchant dans une chambre de traitement contenant le substrat, et on forme le nuage de particule neutralisantes dans la colonne, notamment immédiatement à l'amont de la sortie de la colonne ; en variante, on forme le nuage de particules neutralisantes dans la chambre de traitement ; les ions du faisceau d'ions étant des ions positifs, les particules neutralisantes sont des électrons adaptés pour interagir avec les ions du faisceau avant qu'ils n'atteignent la surface du substrat pour former des particules électriquement neutres bombardant la surface du substrat ; - les ions du faisceau sont des ions monoatomiques - on focalise le faisceau ions, et donc le faisceau de particules électriquement neutres bombardant la surface du substrat, en une zone submicrométrique de la surface du substrat; - on focalise un faisceau de particules électriquement neutres sur au moins une portion de surface non conductrice du circuit intégré ; - le traitement est un micro-usinage en présence d'au moins un gaz de micro-usinage, le faisceau de particules neutres présentant une énergie incidente supérieure de 20 keV - notamment de l'ordre de 30 keV - ; En outre, une installation selon l'invention est aussi avantageusement caractérisée en ce qu'elle comprend des moyens adaptés à la mise en #uvre d'un procédé selon l'invention, notamment de l'une au moins des caractéristiques mentionnées ci-dessus. L'invention concerne aussi un procédé et une installation caractérisés en combinaison par tout ou partie des caractéristiques mentionnées ci-dessus ou ci-après. D'autres buts, caractéristiques et avantages de l'invention apparaissent de la description suivante qui se réfère aux figures annexées dans lesquelles : - la figure 1 est un schéma illustrant en coupe axiale les principaux éléments d'une première variante de réalisation d'une installation selon l'invention, - la figure 2 est un schéma similaire à la figure 1 illustrant une deuxième variante de réalisation d'une installation selon l'invention, la figure 3 est un schéma en perspective arrachée illustrant plus en détail un mode de réalisation des moyens de neutralisation du faisceau de l'installation de la figure 2, - la figure 4 est un schéma illustrant en coupe axiale un dispositif utilisé dans l'exemple donné ci-après. L'installation représentée figure 1 est une installation de correction des défauts de circuits intégrés par un faisceau d'ions focalisé (FIB) dont les principaux éléments constitutifs sont connus en eux-mêmes et ne sont donc ni décrits ni représentés en détail. Une telle installation est par exemple un système IDS P2X commercialisé par la Société SCHLUMBERGER (San Jose, CA 95110-1397, USA). D'autres installations semblables sont commercialisées par les sociétés FEI Company (Hillsboro, OR 97124-5830, USA) et MICRION Corporation (Peabody, MA 01960-7990, USA). Une telle installation comprend une colonne 1 de formation d'un faisceau d'ions positifs 42. Cette colonne 1 permet d'émettre des ions, de les accélérer avec l'énergie appropriée et de focaliser le faisceau. Elle comprend une chambre à vide 2 en forme de colonne adaptée pour délimiter une enceinte 3 close et associée à des moyens pour réaliser un vide poussé (de l'ordre de 10-8 Torr, soit 10-6 Pa) dans cette enceinte 3. Les parois de la chambre à vide 2 sont conductrices (métalliques) et définissent le potentiel de masse de l'installation. La colonne 1 comprend, à une extrémité, une source d'ions 4, par exemple un échantillon de gallium réchauffé par une tension continue issue d'un générateur 5 de tension électrique continue. Les ions positifs sont extraits de la source 4 et accélérés par un dispositif extracteur/accélérateur comprenant au moins un générateur 6 délivrant une tension électrique continue d'accélération Uac de valeur fixe mais de préférence réglable, dont la borne négative est reliée aux parois de la chambre à vide 2 et dont la borne positive est reliée à une électrode d'accélération 7. A l'aval de l'électrode d'accélération 7, les ions du faisceau 42 sont émis avec une énergie correspondant à la tension d'accélération Uac, qui est supérieure à 20,5keV, par exemple de l'ordre de 30keV, ou 50keV, voire même plus, selon un faisceau d'axe 39. Un dispositif 8, connu en soi, permet de focaliser, d'orienter et de commander le balayage du faisceau d'ions 42 émis vers une zone à traiter. Il comprend un ou plusieurs condenseurs et des moyens de déviations transversales du faisceau selon deux directions orthogonales transversales par rapport à l'axe 39 du faisceau (en X et en Y, l'axe 39 représentant les coordonnées en Z). Ce dispositif 8 est piloté ainsi que l'ensemble de l'installation par un système informatique (non représenté). Le faisceau d'ions positifs 42 arrive à une extrémité 41 de la colonne 1 qui est opposée, selon l'axe 39 du faisceau, à la source d'ions 4, et est équipée d'une fenêtre guillotine 9, formée d'une ouverture 29 pouvant laisser passer le faisceau, pouvant être ouverte ou refermée et obturée de façon étanche au vide par un écran 10 coulissant, mobile en translation et commandé par un dispositif motorisé 11. L'écran 10 comprend une lumière 28 qui laisse passer le faisceau 42 lorsqu'elle est en regard de l'ouverture 29, et une portion pleine 30 d'obturation adaptée pour obturer l'ouverture 29 lorsqu'elle est en regard de cette ouverture 29. La fenêtre guillotine 9 formant la sortie de la colonne 1 débouche dans une deuxième chambre à vide 12 comprenant un porte-échantillon 13 apte à porter un substrat tel qu'un circuit intégré 14 placé sur le trajet du faisceau débouchant de la fenêtre guillotine 9 de la colonne 1, c'est-à-dire au moins sensiblement centré sur l'axe 39 du faisceau. La deuxième chambre à vide 12 est adaptée pour délimiter une enceinte 15 close et est associée à des moyens pour réaliser un vide secondaire (de l'ordre de 10`5 Torr, soit 10-4 Pa) dans cette enceinte 15. Les parois de la chambre à vide 12 sont conductrices (métalliques) et reliées au potentiel de masse, c'est-à-dire aux parois de la chambre à vide 2 de la colonne 1. La deuxième chambre à vide 12 comprend une première ouverture 16 recevant l'extrémité 41 de la colonne 1 par l'intermédiaire de moyens d'étanchéité 17 préservant le vide dans l'enceinte 15. Ces moyens d'étanchéité 17 sont adaptés pour autoriser les déplacements relatifs transversaux de la colonne 1 (en X et en Y) et éventuellement en tilt (rotation autour des directions transversales X et Y), et un dispositif motorisé micrométrique (non représenté) est prévu pour contrôler la position transversale de la colonne 1 dans l'ouverture 16. La chambre à vide 12 comprend une deuxième ouverture 18, opposée à la première ouverture 16 dans la direction axiale 39 du faisceau et de la colonne 1. Cette deuxième ouverture 18 est obturée, par l'intermédiaire de moyens d'étanchéité 19, par une plaque 20 qui est montée amovible par rapport à la chambre à vide 12. Cette plaque 20 constitue ainsi une paroi amovible de la chambre à vide 12. Elle porte le porte-échantillon 13. Le porte-échantillon 13 est, dans l'exemple représenté, un support de circuit intégré, d'un type connu en soi, comprenant un corps en matière synthétique isolante globalement parallélépipédique, des connecteurs électriques femelles 40 adaptés pour recevoir des broches 22 du circuit intégré 14. Ces connecteurs électriques femelles 40 sont prolongés par des broches 21 de liaison électrique. Ces broches 21 traversent l'épaisseur de la plaque 20 tout en étant isolées électriquement de cette plaque 20. Pour ce faire, la plaque 20 est dotée de perçages traversant son épaisseur, remplis d'une matière isolante et étanche résistant au vide dans l'enceinte 15. Chaque perçage est traversé par l'une des broches 21 du porte- échantillon 13. Les broches 21 saillent des perçages, à l'extérieur de la plaque 20 et de l'enceinte 15 de façon à pouvoir être reliées électriquement à des dispositifs approprié. Les broches 22 de connexion du circuit intégré 14 sont engagées dans des connecteurs femelles 40 du porte- échantillon 13 et reliées électriquement via ces connecteurs femelles 40, aux broches 21 correspondantes du porte- échantillon 13 qui débouchent et sont accessibles de l'extérieur de la chambre à vide 12. Le porte- échantillon 13 est porté par la plaque 20 dont il est isolé électriquement. Le circuit intégré 14 est placé sur le porte-échantillon 13 et est disposé dans l'enceinte 15 avec sa surface libre 23, du côté de sa couche isolante de passivation 24, orientée au moins sensiblement dans le plan transversal XY pour recevoir le faisceau issu de la colonne 1. L'installation comprend aussi un détecteur 31 des électrons secondaires émis permettant d'obtenir une image microscopique par contraste de potentiel. Le détecteur 31 comprend une anode de détection 32 et une source 33 de tension électrique continue positive fixe, adaptée pour appliquer un potentiel électrique Vs positif fixe sur l'anode de détection 32. Enfin, l'installation comprend aussi un ou plusieurs injecteur(s) de gaz 38, relié(s) électriquement au potentiel de masse, qui permet, selon le gaz utilisé, d'effectuer des dépôts ou des gravures sélectives de couches métalliques ou d'oxydes. Un tel injecteur de gaz 38 est mobile (par exemple, parallèlement à l'axe 39 du faisceau comme représenté) pour être rapproché du circuit intégré 14 lors de l'injection du gaz, les mouvements étant commandés par un dispositif motorisé approprié connu en soi. Cet injecteur de gaz 38 est relié à des sources de gaz, à l'extérieur de l'enceinte 15, de façon conventionnelle. L'installation représentée figure 1 comprend, à l'intérieur de la colonne 1, entre le dispositif 8 de focalisation, d'orientation et de commande du balayage du faisceau d'ions, et la sortie 9 de la colonne 1, des moyens 44 de neutralisation du faisceau 42 adaptés pour être traversés par le faisceau 42 et pour que les ions du faisceau 42 soient neutralisés électriquement à la traversée de ces moyens 44, de sorte que le faisceau issu de ces moyens 44 est un faisceau 43 de particules neutres accélérées vers le circuit intégré 14. Ces moyens 44 de neutralisation du faisceau comprennent un cylindre de révolution 45 creux de matériau conducteur, par exemple en aluminium ou en cuivre, formant une cage de Faraday, traversé axialement par le faisceau 42, dont l'axe 39 coïncide avec l'axe de symétrie du cyclindre 42. Une source d'électrons 46 est fixée en partie médiane du cylindre 45 de façon à émettre transversalement (radialement par rapport à l'axe 39 du faisceau 42) des électrons dans le cylindre 45. Cette source d'électrons 46 est par exemple formée d'un filament 47 de matériau conducteur tel que du tungstène placé dans une chambre 48 close, à parois métalliques, dotée d'un orifice 49 de sortie des électrons. Cette on ice 49 est orienté vers l'axe 39 du faisceau 42 et débouche dans le cylindre 45. Le filament 47 est chauffé par une source de courant 50 à laquelle il est relié. Cette source de courant 50 est disposée à l'extérieur de la colonne 1, et est alimentée en énergie électrique et commandée de façon à permettre l'ajustement de l'intensité du courant électrique qu'elle délivre au filament 47, qui correspond au flux d'électrons émis par ce filament 47. A l'opposé diamétralement de la source d'électrons 46, une anode 51 est fixée au cylindre 45 dont elle traverse la paroi par l'intermédiaire d'un isolant 52 empêchant toute liaison électrique entre l'anode 51 et cette paroi du cylindre 45. L'anode 51 présente donc une portion à l'intérieur du cylindre 45, diamétralement opposée à l'orifice 49, attirant les électrons issus de l'orifice 49. L'anode 51 est alimentée et polarisée par une source de tension 53 disposée à l'extérieur de la colonne 1 fournissant une tension ajustable comprise entre 0J et 10 V. Les parois métalliques de la source d'électrons 46 et du cylindre 45 sont reliées à la masse (paroi de la colonne 1). Un nuage d'électrons 54 est ainsi formé et confiné dans le cylindre 45, entre l'orifice 49 et l'anode 5 1. La densité (ou le courant) de ce nuage d'électrons 54 dépend de la valeur du courant électrique circulant dans le filament 47. L'énergie et la vitesse de ces électrons dépendent de la valeur de la tension appliquée sur l'anode 51. La vitesse des électrons n'est pas nulle de façon à assurer un débit d'électrons de neutralisation suffisant pour neutraliser les ions du faisceau 42. En pratique, la tension de l'anode 51 peut être faible, de l'ordre de IV (correspondant à une énergie des électrons de l'ordre de leV). Le courant du filament 47 (et donc la densité du nuage d'électrons) est ajusté en fonction du courant du faisceau 42 de façon à pouvoir neutraliser les ions du faisceau 42. Plus le courant du faisceau 42 est grand, plus le courant d'alimentation du filament 47 est grand. A la sortie du cylindre 45, le faisceau est formé d'un faisceau 43 de particules électriquement neutres constituées d'ions positifs accélérés et neutralisés par des électrons, c'est-à-dire en pratique d'atomes de gallium excités. C'est ce faisceau 43 qui bombarde le circuit intégré 14 (ou autre substrat) placé sur le porte-échantillon 13. Cette première variante présente l'avantage de neutraliser le faisceau 42 dans la colonne 1 dans laquelle règne un vide poussé, et d'isoler les moyens 44 de neutralisation du faisceau par rapport à la chambre de traitement 12 et aux dispositifs et accessoires qu'elle renferme. En particulier, les moyens 44 de neutralisation ne perturbent pas le détecteur 31 des électrons secondaires qui est isolé des électrons et des photons émis par la source d'électrons 46. De même, les moyens 44 de neutralisation ne sont pas perturbés par les électrodes ou champs électriques dans la chambre de traitement 12. Cette première variante nécessite cependant de pouvoir modifier la colonne 1, lors de sa fabrication. La figure 2 représente une deuxième variante de réalisation qui diffère de la précédente par le fait que les moyens 44 de neutralisation sont incorporés dans la chambre de traitement 12, immédiatement à l'aval de la sortie 9 de la colonne 1, à la distance la plus grande possible du porte-échantillon 13. Cette variante présente l'avantage de pouvoir être réalisée par simple modification des installations existantes, en incorporant ces moyens 44 de neutralisation dans la chambre de traitement 12, ce qui est relativement aisé. Pour éviter que les photons émis par la source d'électrons 46 ne perturbent le détecteur 31, ce dernier est revêtu d'un cache 55 de matériau réfléchissant ou absorbant la lumière, par exemple une feuille d'aluminium ou une plaque métallique noire. L'installation et le procédé selon l'invention décrits ci- dessus en référence aux figures peuvent faire l'objet de nombreuses autres variantes et applications. Ainsi, si le faisceau d'ions 42 est avantageusement formé d'ions positifs monoatomiques tels que des ions gallium Ga+, il peut tout aussi bien, en variante, être formé d'ions négatifs. Dans cette variante, les particules neutralisantes sont des ions positifs tels que des protons (les moyens de neutralisation comprenant alors une source gazeuse à ionisation de champ fournissant des protons). A titre d'exemples d'autres sources d'ions monoatomiques, on peut citer le nickel, l'antimoine, le phosphore, l'or, le béryllium, le silicium, le palladium, le bore et l'arsenic. Les ions du faisceau peuvent aussi être des ions moléculaires tels que des molécules H2+. L'invention est avantageusement applicable pour réaliser la correction de défauts des circuits intégrés après leur fabrication en effectuant des micro-usinages (dépôts de piste métallique, gravures dans des couches de matériau diélectrique, coupure d'une piste métallique ... ). Le faisceau de particules 43 a alors une énergie supérieure à 20 keV et est focalisé sur une zone submicrométrique du circuit intégré 14 en présence d'un gaz approprié de micro- usinage injecté par l'injecteur 38. L'invention permet alors d'automatiser les opérations puisqu'aucun décalage intempestif du faisceau n'est à craindre. L'invention est aussi applicable pour faciliter la préparation de micro-sections de pistes de circuits intégrés, par exemple pour la réalisation de lamelles ultrafines (préparations TEM). L'invention est aussi applicable pour le micro-usinage de précision de microsystèmes (micro-actionneurs, microcapteurs, microvannes, micropompes, micromoteurs, microturbines ... ) dans des couches de matériaux diélectriques, semi-conducteurs ou conducteurs empilées à la façon des circuits intégrés. Plus généralement, l'invention permet d'appliquer avec précision un faisceau de particules neutres pouvant avoir une énergie incidente élevée, notamment supérieure à 20 keV, sur tout échantillon, artificiel ou d'origine naturelle, de matériau quelconque, même isolant, sans nécessiter un réglage manuel de la position du faisceau ni risquer une détérioration de l'échantillon sous l'effet d'une accumulation de charges superficielles. L'invention est aussi applicable lorsque le faisceau n'est pas finement focalisé sur le substrat, comme c'est le cas par exemple dans l'analyse SIMS, en permettant néanmoins un ciblage précis de la zone d'analyse recevant le faisceau. EXEMPLE: On a réalisé un essai avec une installation conforme à la figure 2, comprenant un appareil IDS P2X (SCHLUMBERGER, USA) comprenant un faisceau 42 de gallium accéléré à 30 keV avec un courant de faisceau de 50 pA, comme représenté figure 4. Le cylindre 45 avait un diamètre de 1 cm et une hauteur de 2 cm. Il est à noter que ces dimensions peuvent bien sûr être considérablement réduites. Le substrat est remplacé par une chambre creuse close 56 métallique recevant le faisceau de particules neutres 43 par un orifice 54 de dimension correspondant aussi précisément que possible à la largeur du faisceau 43, par exemple de l'ordre de 1 gin. Le fond de la chambre 56 est connecté électriquement (par l'intermédiaire de la plaque 20 et du porte-échantillon 13 non représentés figure 4) à un pico-ampèremètre 57 qui permet de mesurer le courant électrique du faisceau 43. Lorsque l'on coupe la source de courant 50 et la source de tension 53, on mesure un courant de l'ordre de 50 pA sur le pico-ampèremètre en l'absence de nuage électrique, le faisceau 42 n'est pas neutralisé. En appliquant une tension de IV sur l'anode 51, on augmente progressivement le courant dans le filament 47. Pour une valeur de l'ordre de 2A, on constate que le faisceau 43 présente un courant nul (non détectable avec le pico-ampèremètre 57). De surcroît, en plaçant un substrat formé d'un circuit intégré passivé sur le porte-échantillon 13, on vérifie qu'avec les valeurs mentionnées ci-dessus, aucun décalage latéral du faisceau 43 n'apparaît plus. Il est à noter que la valeur du courant appliqué au filament 47 par la source de courant 50 peut être asservie sur un signal de mesure du courant du faisceau 43 par un automatisme bien connu qui ajuste cette valeur du courant du filament 47 pour annuler le courant de faisceau 43. Ce dernier est mesuré par un dispositif connu de mesure du courant de faisceau 43 (par exemple tel que celui utilisé dans les colonnes des appareils FIB du commerce) interposé sur la trajectoire du faisceau 43 en laissant passer ce faisceau 43 jusqu'au substrat 14. REVENDICATIONS I/ - Installation de traitement d'un substrat (14) comprenant des moyens (1) pour générer et orienter vers une surface (23) du substrat (14) au moins un faisceau d'ions (42), caractérisée en ce qu'elle comprend des moyens, dits moyens (44) de neutralisation du faisceau, adaptés pour former et interposer, sur la trajectoire du faisceau d'ions (42), un nuage (54) de particules neutralisantes de charge électrique opposée à celle des ions du faisceau d'ions (42), ce nuage (54) de particules neutralisantes s'étendant à distance de la surface (23) du substrat (14), ce nuage (54) de particules neutralisantes étant adapté pour pouvoir être traversé par le faisceau d'ions (42) qui est, à la sortie du nuage (54) de particules neutralisantes, transformé en un faisceau (43) au moins partiellement constitué de particules électriquement neutres bombardant la surface (23) du substrat (14). 2/ - Installation selon la revendication 1, comprenant des moyens (31) disposés au voisinage de la surface (23) du substrat (14), de détection des particules secondaires de même nature que les particules neutralisantes - notamment à des fins d'imagerie -, caractérisée en ce que les moyens (44) de neutralisation du faisceau sont disposés à l'amont desdits moyens (31) de détection, de sorte que le nuage (54) de particules neutralisantes n'interfère ni avec lesdits moyens (3 1) de détection, ni avec les particules secondaires. Y - Installation selon l'une des revendications 1 ou 2, caractérisée en ce que les moyens (44) de neutralisation du faisceau comportent une source (46) de particules neutralisantes et une électrode (5 1) d'attraction des particules neutralisantes, cette source (46) et cette électrode (51) étant disposées latéralement de part et d'autre de la trajectoire du faisceau d'ions (42), à l'amont et à distance de la surface (23) du substrat (14). 4/ - Installation selon les revendications 2 et 3, caractérisée en ce qu'elle comporte un cache (55) adapté pour protéger lesdits moyens (3 1) de détection, des photons qui peuvent être émis par la source (46) de particules neutralisantes. 5/ - Installation selon l'une des revendications 3 ou 4, caractérisée en ce que la source (46) de particules neutralisantes est incorporée dans une chambre (48) noire de façon à minimiser l'émission de photons. 6/ - Installation selon l'une des revendications 3 à 5, caractérisée en que la source (46) de particules neutralisantes et l'électrode (51) sont associées diamétralement à l'opposé l'une de l'autre, à un cylindre (45) creux en matériau conducteur formant une cage de Faraday, ce cylindre (45) étant disposé par rapport à la trajectoire du faisceau (42) de façon que le faisceau (42) le traverse axialement. V - Installation selon l'une des revendications 3 à 6, caractérisée en ce qu'elle comprend une source de tension (53) apte à appliquer sur l'électrode (5 1) un potentiel le plus faible possible pour extraire les particules neutralisantes de la source (46) de particules neutralisantes et les confiner dans le cylindre (45). 8/ - Installation selon la revendication 7, caractérisée en ce que la source de tension (53) est adaptée pour appliquer sur l'électrode (5 1) un potentiel dont la valeur absolue est comprise entre 0, 1 V et 10 V. 9/ - Installation selon l'une des revendications 1 à 8 comportant une colonne (1) apte à former un faisceau d'ions (42), qui comprend une sortie (9) débouchant dans une chambre de traitement (12) contenant le substrat (14), caractérisée en ce que les moyens (44) de neutralisation du faisceau sont disposés dans la colonne (1). 10/ - Installation selon la revendication 9, caractérisée en ce que les moyens (44) de neutralisation du faisceau (42) sont disposés immédiatement à l'amont de la sortie (9) de la colonne (1). 1 l/ - Installation selon l'une des revendications 1 à 8 comportant une colonne (1) apte à former un faisceau d'ions (42), qui comprend une sortie (9) débouchant dans une chambre de traitement (12) contenant le substrat (14), caractérisée en ce que les moyens (44) de neutralisation du faisceau (42) sont disposés dans la chambre de traitement (12). 12/ - Installation selon l'une des revendications 1 à 11, caractérisée en ce que les ions du faisceau d'ions (42) sont des ions positifs et en ce que les particules neutralisantes sont des électrons adaptés pour interagir avec les ions du faisceau (42) avant qu'ils n'atteignent la surface (23) du substrat (14) pour former des particules électriquement neutres bombardant la surface (23) du substrat (14). 13/ - Installation selon l'une des revendications 1 à 12, caractérisée en ce que les ions du faisceau (42) sont des ions monoatomiques. 14/ - Installation selon l'une des revendications 1 à 13, caractérisée en ce qu'elle comprend des moyens (8) pour focaliser le faisceau d'ions (42), et donc le faisceau (43) de particules électriquement neutres bombardant la surface (23) du substrat (14), en une zone submicrométrique de la surface (23) du substrat (14). 151 - Installation selon l'une des revendications 1 à 14, caractérisée en ce qu'elle est adaptée pour réaliser un traitement de micro-usinage en présence d'au moins un gaz de micro-usinage, et comprend des moyens (38) d'injection d'au moins un gaz de micro-usinage et des moyens (6, 7) pour donner au faisceau (43) de particules électriquement neutres une énergie incidente supérieure à 20 keV - notamment de l'ordre de 30 keV -. 16/ - Procédé de traitement d'un substrat (14) dans lequel on génère et on oriente vers une surface (23) d'un substrat (14), au moins un faisceau d'ions (42), caractérisé en ce qu'on forme et on interpose sur la trajectoire du faisceau d'ions (42) un nuage (54) de particules neutralisantes de charge électrique opposée à celle des ions du faisceau d'ions (42), ce nuage (54) de particules neutralisantes s'étendant à distance de la surface (23) du substrat (14), ce nuage (54) de particules neutralisantes étant adapté pour pouvoir être traversé par le faisceau d'ions (42) qui est, à la sortie du nuage (54) de particules neutralisantes, transformé en un faisceau (43) au moins partiellement constitué de particules électriquement neutres bombardant la surface (23) du substrat (14). 17/ - Procédé selon la revendication 16, dans lequel on détecte des particules secondaires de même nature que les particules neutralisantes - notamment à des fins d'imagerie - à l'aide de moyens (3 1) de détection de particules secondaires disposés au voisinage de la surface (23) du substrat (14), caractérisé en ce qu'on forme -le nuage (54) de particules neutralisantes à l'amont desdits moyens (3 1) de détection, de sorte que ce nuage (54) n'interfère ni avec lesdits moyens (3 1) de détection, ni avec les particules secondaires. 18/ - Procédé selon l'une des revendications 16 ou 17, caractérisé en ce que l'on forme le nuage (54) de particules neutralisantes entre une source (46) de particules neutralisantes et une électrode (5 1) d'attraction des particules neutralisantes que l'on dispose latéralement de part et d'autre de la trajectoire du faisceau d'ions (42), à l'amont et à distance de la surface (23) du substrat (14). 19/ - Procédé selon les revendications 17 et 18, caractérisé en ce qu'on utilise un cache (55) adapté pour protéger lesdits moyens (3 1) de détection, des photons qui peuvent être émis par la source (46) de particules neutralisantes. 20/ - Procédé selon l'une des revendications 18 ou 19, caractérisé en ce qu'on utilise une source (46) de particules neutralisantes incorporée dans une chambre (48) noire de façon à minimiser l'émission de photons. 21/- Procédé selon l'une des revendications 18 à 20, caractérisé en ce qu'on associe la source (46) de particules neutralisantes et l'électrode (5 1) diamétralement à l'opposé l'une de l'autre, à un cylindre (45) creux en matériau conducteur formant une cage de Faraday, que l'on dispose par rapport à la trajectoire du faisceau (42) de façon que le faisceau (42) traverse axialement le cylindre (45) creux. 22/ - Procédé selon la revendication 2 1, caractérisé en ce qu'on applique sur l'électrode (5 1) un potentiel électrique le plus faible possible pour extraire les particules neutralisantes de la source (46) de particules neutralisantes et les confiner dans le cylindre (45). 23/ - Procédé selon la revendication 22, caractérisé en ce qu'on applique sur l'électrode (21) un potentiel dont la valeur absolue est comprise entre 0, 1 V et 10 V. 24/ - Procédé selon l'une des revendications 16 à 23 dans lequel on forme un faisceau d'ions (42) dans une colonne (1) qui comprend une sortie (9) débouchant dans -une chambre de traitement (12) contenant le substrat (14), caractérisé en ce qu'on forme le nuage (54) de particule neutralisantes dans la colonne (1). 25/ - Procédé selon la revendication 24, caractérisé en ce qu'on forme le nuage (54) de particules neutralisantes immédiatement à l'amont de la sortie (9) de la colonne (1). 26/ - Procédé selon l'une des revendications 16 à 23 dans lequel on forme un faisceau d'ions (42) dans une colonne (1) qui comprend une sortie (9) débouchant dans une chambre de traitement (12) contenant le substrat (14), caractérisé en ce qu'on forme le nuage (54) de particules neutralisantes dans la chambre de traitement (12). 27/ - Procédé selon l'une des revendications 16 à 26, caractérisé en ce que les ions du faisceau d'ions (42) sont des ions positifs et en ce que les particules neutralisantes sont des électrons adaptés pour interagir avec les ions du faisceau (42) avant qu'ils n'atteignent la surface (23) du substrat (14) pour former des particules électriquement neutres bombardant la surface (23) du substrat ( 1 4). 28/ - Procédé selon l'une des revendications 16 à 27# caractérisé en ce que les ions du faisceau (42) sont des ions monoatomiques. 29/ - Procédé selon l'une des revendications 16 à 28> caractérisé en ce qu'on focalise le faisceau (42) d'ions, et donc le faisceau (43) de particules électriquement neutres bombardant la surface (23) du substrat (14), en une zone submicrométrique de la surface (23) du substrat (14). 30/ - Procédé selon l'une des revendications 16 à 29, caractérisé en ce que le substrat (14) étant un circuit intégré (14), on focalise un faisceau (43) de particules électriquement neutres sur au moins une portion de surface non conductrice du circuit intégré (14). 31/ - Procédé selon l'une des revendications 16 à 30> caractérisé en ce que le traitement est un micro-unisage en présence d'au moins un gaz de micro-usinage, le faisceau (43) de particules électriquement neutres présentant une énergie incidente supérieure à 20 keV - notamment de l'ordre de 30 keV -.