FR 2786564 A1 20000602 FR 9814968 A 19981127 CAPTEUR DE PRESSION A MEMBRANE COMPORTANT DU CARBURE DE SILICIUM ET PROCEDE DE FABRICATION Domaine technique La présente invention concerne un capteur de pression à membrane comportant du carbure de silicium. Elle concerne également la fabrication de l'élément sensible du capteur. Etat de la technique antérieure Les techniques de la micro-électronique permettent la réalisation de capteurs de pression miniatures par des procédés de fabrication collective. Elles procurent donc des capteurs de dimensions réduites et de faible coût. Elles permettent la réalisation sur un mme support d'un capteur et de son électronique associée. On connaît des capteurs de pression micro-usines constitués d'une membrane de silicium de quelques dizaines de um d'épaisseur. La différence de pression entre les deux faces de la membrane peut tre détectée par la mesure des contraintes à l'encastrement avec des jauges piézorésistives obtenues par diffusion ou implantation ionique. Ces jauges piézoélectriques présentent une sensibilité élevée et une grande stabilité mécanique due à la structure monocristalline du silicium utilisé. On réalise l'isolation électrique entre chaque jauge et avec le substrat sur lequel elles sont élaborées par des jonctions inverses. Ceci a pour inconvénient de limiter la gamme de température de fonctionnement de ces capteurs à 125 C maximum à cause du courant de fuite élevé de la jonction inverse et d'introduire un niveau de bruit élevé (bruit thermique et bruit de jonction piézoélectrique) ce qui réduit la gamme dynamique. Un autre inconvénient des jauges piézorésistives dans leur utilisation habituelle résulte de l'exposition directe de ces jauges ainsi que des métallisations correspondantes au fluide dont on veut mesurer la pression, ce qui soumet ces éléments aux effets de l'humidité et des agents corrosifs. On connaît aussi des capteurs de pression à jauges piézorésistives enterrées dans le silicium. Cependant, ces capteurs ne sont pas utilisables pour des températures supérieures à 200 C. On connaît aussi des capteurs de pression réalisés sur des substrats SOI (silicium-sur-isolant). Ces capteurs ne présentent pas les inconvénients dus aux courants de fuite ou au bruit à cause de la couche isolante intermédiaire. Ils peuvent tre utilisés jusqu'à des températures de l'ordre de 400 C. Les recherches s'orientent actuellement sur des techniques à base de carbure de silicium qui sont susceptibles de fournir des produits pouvant fonctionner jusqu'à des températures de l'ordre de 700 C. Ces capteurs de pression micro-usines sont, pour leur utilisation, encapsulés en fonction de leur destination. Les capteurs de pression pour le domaine automobile et ceux destinés à tre montés sur une carte sont généralement encapsulés dans des boîtiers du type "dual-in-line"prémoulés. Certains boîtiers peuvent tre faits sur mesure, en fonction de l'application visée, en concevant un logement prémoulé en matière thermoplastique pour assurer la meilleurs intégration mécanique possible pour le capteur, et en utilisant la technique"dual chip"pour l'intégration de l'électronique associée. Ce type d'encapsulation offre pratiquement peu de débouchés et la présence de matière thermoplastique impose une température maximale. L'utilisation de capteurs de pression en milieu hostile nécessite de tenir compte des contraintes imposées par la température, la nature du fluide dont on veut mesurer la pression et en particulier son caractère corrosif. Afin de protéger la membrane du capteur de l'environnement immédiat, l'encapsulation intègre souvent un moyen de transmission hydraulique de la pression à mesurer associant par exemple de l'huile de silicone et une membrane ou un soufflet métallique. Cette solution présente l'inconvénient d'augmenter le coût du capteur. D'autre part, l'huile de silicone ne supporte pas une température supérieure à 300 C. Pour des températures plus élevées, le mercure peut tre utilisé, mais il faut tenir compte de son effet nocif sur l'environnement. En milieu hostile, llencapsulation peut encore utiliser des matériaux tels que 1'acier inoxydable et la céramique afin de protéger la partie silicium du capteur. La membrane du capteur est, quant à elle, protégée du milieu dont on veut mesurer la pression par une autre membrane qui la recouvre directement (ce qui permet un fonctionnement du capteur jusqu'à 300 C) ou par un système de transmission mécanique de la pression utilisant un diaphragme (ce qui permet un fonctionnement du capteur jusqu'à 450 C). En résumé, certains capteurs de pression utilisant une membrane en silicium peuvent fonctionner jusqu'à des températures maximales de 300 C. En prévoyant une encapsulation spécifique pour le capteur (acier inoxydable, céramique), il est possible de protéger la partie silicium du capteur des milieux chimiquement agressifs et d'étendre la gamme de température de fonctionnement jusqu'à 450 C. Exposé de l'invention La présente invention a été conçue pour remédier aux inconvénients présentés par les capteurs de pression de l'art antérieur. Elle permet la réalisation d'un capteur de pression miniature, fabriqué par des procédés de fabrication collective, compatible avec une tenue en environnement sévère (température élevée, milieu de mesure chimiquement agressif), compatible avec une en capsulation simplifiée et de faible coût de fabrication. L'invention a donc pour objet un capteur de pression capable de fonctionner à haute température et de mesurer la pression d'un milieu hostile, comportant : -un élément sensible intégrant une membrane et réalisé par micro-usinage d'un substrat, une première face de la membrane étant destinée à tre mise au contact dudit milieu, une seconde face de la membrane comprenant des moyens de détection d'une déformation de la membrane reliés à des contacts électriques pour la connexion de moyens de liaison électrique, les surfaces de l'élément sensible destinées à tre au contact dudit milieu étant chimiquement inertes par rapport à ce milieu ; -un support de l'élément sensible supportant l'élément sensible de façon que ladite première face de la membrane puisse tre mise au contact dudit milieu et que la seconde face de la membrane puisse tre soustraite du contact avec ledit milieu, le matériau constituant le support étant chimiquement inerte par rapport audit milieu et présentant un coefficient de dilatation thermique voisin de celui de l'élément sensible ; -un cordon d'étanchéité disposé entre le support et l'élément sensible pour préserver la seconde face de la membrane de tout contact avec ledit milieu. Si le capteur est destiné à la mesure de pression absolue, le support peut comprendre un élément de fermeture scellé afin de pouvoir faire le vide à l'intérieur du support. Avantageusement, le support est en forme de tube, l'élément sensible fermant l'une des extrémités du tube, la première face de la membrane étant dirigée vers l'extérieur du tube. Il peut alors comporter un filetage permettant de le visser sur un réservoir contenant le milieu. Le support peut tre en carbure de silicium polycristallin. La membrane peut tre en carbure de silicium monocristallin. La partie substrat de l'élément sensible peut tre en carbure de silicium polycristallin. Il peut tre prévu une couche d'interface isolante entre la membrane et la partie substrat de l'élément sensible. Cette couche d'interface isolante peut tre en un matériau choisi parmi l'oxyde de silicium, le nitrure de silicium et le silicium carboné. Les contacts électriques équipant les moyens de détection peuvent tre en un siliciure comprenant du tungstène. La connexion entre les contacts électriques et les moyens de liaison électrique peut tre obtenue par un matériau de soudure supportant les températures élevées. Ce matériau de soudure peut tre un siliciure comprenant du tungstène. Il peut aussi tre prévu des moyens conducteurs formant ressort pour assurer la connexion entre les contacts électriques et les moyens de liaison électrique. Les moyens de détection peuvent comprendre au moins deux jauges piézorésistives, par exemple en carbure de silicium monocristallin. Avantageusement, le cordon d'étanchéité est brasé entre le support et l'élément sensible. L'invention a aussi pour objet un premier procédé de fabrication par micro-usinage d'au moins un élément sensible à membrane pour capteur de pression capable de fonctionner à haute température et de mesurer la pression d'un milieu hostile, comportant les étapes suivantes : -la réalisation d'une couche de carbure de silicium monocristallin sur une face d'un substrat chimiquement inerte par rapport audit milieu, -la réalisation sur la face libre de la couche de carbure de silicium monocristallin de moyens de détection de la déformation de la membrane, -la réalisation de contacts électriques sur ladite face libre pour connecter les moyens de détection à des moyens de liaison électrique, -la formation de la membrane dudit élément sensible par élimination de matière à partir de l'autre face du substrat. La réalisation de ladite couche de carbure de silicium monocristallin peut comprendre : -le report d'une première couche de carbure de silicium monocristallin sur ladite face du substrat, -le dépôt par épitaxie d'une deuxième couche de carbure de silicium monocristallin sur la première couche afin d'obtenir ladite couche de carbure de silicium monocristallin d'épaisseur contrôlée. Selon ce premier procédé, la réalisation de ladite couche de carbure de silicium monocristallin peut comprendre l'utilisation d'une plaquette de carbure de silicium monocristallin dans laquelle une couche a été définie par une couche de microcavités générées par implantation ionique, ladite plaquette étant collée sur ladite face du substrat puis clivée au niveau de la couche de microcavités pour ne conserver que ladite couche définie sur le substrat. De préférence, le clivage de la plaquette est obtenu par la coalescence des microcavités résultant d'un traitement thermique. De préférence également, le collage de ladite plaquette sur le substrat est obtenu par adhésion moléculaire. Avant l'étape de réalisation de ladite couche de carbure de silicium monocristallin, une couche d'interface isolante peut tre déposée sur la face du substrat sur laquelle sera réalisée ladite couche. Lors de l'étape de formation de la membrane, l'élimination de matière à partir de l'autre face du substrat peut tre menée par une opération choisie parmi l'usinage mécanique et la gravure chimique. Si les éléments sensibles sont fabriqués collectivement à partir d'un mme substrat, il peut tre prévu une étape finale de découpe du substrat pour obtenir des éléments sensibles séparés. L'invention a encore pour objet un deuxième procédé de fabrication par micro-usinage d'au moins un élément sensible à membrane pour capteur de pression capable de fonctionner à haute température et de mesurer la pression d'un milieu hostile, comportant les étapes suivantes : -l'usinage d'un substrat pour obtenir un bossage de forme complémentaire à la forme de l'élément sensible désiré vu du côté du milieu hostile, -le dépôt d'une couche d'un matériau chimiquement inerte par rapport audit milieu sur le substrat côté bossage, -l'arasement de la couche déposée précédemment jusqu'à atteindre le sommet du bossage, -la réalisation d'une couche de carbure de silicium monocristallin sur le substrat côté couche arasée, -la réalisation sur la face libre de la couche de carbure de silicium monocristallin de moyens de détection de la déformation de la membrane, -la réalisation de contacts électriques sur ladite face libre pour connecter les moyens de détection à des moyens de liaison électrique, -la formation de la membrane dudit élément sensible par élimination du substrat initial. La couche de matériau chimiquement inerte déposée sur le substrat côté bossage doit tre suffisamment épaisse pour assurer une bonne tenue mécanique lorsque le substrat initial aura été retiré. Le substrat peut tre en silicium. La réalisation de ladite couche de carbure de silicium monocristallin peut comprendre : -le report d'une première couche de carbure de silicium monocristallin sur le substrat, -le dépôt par épitaxie d'une deuxième couche de carbure de silicium monocristallin sur la première couche de carbure de silicium monocristallin afin d'obtenir ladite couche de carbure de silicium monocristallin d'épaisseur contrôlée. Avantageusement, l'étape de dépôt d'une couche d'un matériau chimiquement inerte consiste à déposer une couche de carbure de silicium polycristallin par exemple par CVD. L'étape d'arasement peut tre réalisée par polissage mécano-chimique. Selon ce deuxième procédé, la réalisation de ladite couche de carbure de silicium monocristallin comprend l'utilisation d'une plaquette de carbure de silicium monocristallin dans laquelle une couche a été définie par une couche de microcavités générées par implantation ionique, ladite plaquette étant collée sur le substrat côté couche arasée puis clivée au niveau de la couche de microcavités pour ne conserver que ladite couche définie sur le substrat. De préférence, le clivage de la plaquette est obtenu par la coalescence des microcavités résultant d'un traitement thermique. De préférence également, le collage de ladite plaquette sur le substrat est obtenu par adhésion moléculaire. Avant l'étape de réalisation de ladite couche de carbure de silicium monocristallin, une couche d'interface isolante peut tre déposée sur la face du substrat sur laquelle sera réalisée ladite première couche. Lors de l'étape de formation de la membrane, l'élimination du substrat initial peut tre obtenue par gravure chimique. Si les éléments sensibles sont fabriqués collectivement à partir d'un mme substrat, il peut tre prévu une étape finale de découpe du substrat pour obtenir des éléments sensibles séparés. L'invention a enfin pour objet un troisième procédé de fabrication par micro-usinage d'au moins un élément sensible à membrane pour capteur de pression capable de fonctionner à haute température et de mesurer la pression d'un milieu hostile, comportant les étapes suivantes : -l'usinage d'un substrat pour obtenir un bossage de forme complémentaire à la forme de l'élément sensible désiré vu du côté du milieu hostile, -le dépôt d'une couche d'un matériau chimiquement inerte par rapport audit milieu sur le substrat côté bossage, -l'arasement de la couche déposée précédemment jusqu'à laisser subsister au-dessus du bossage l'épaisseur désirée pour la membrane, -la réalisation d'une couche de carbure de silicium monocristallin sur ladite couche arasée, -la constitution de moyens de détection à partir de la couche de carbure de silicium monocristallin, -la réalisation de contacts électriques pour connecter les moyens de détection à des moyens de liaison électrique, -la formation de la membrane de l'élément sensible par élimination du substrat initial. Le substrat peut tre en silicium. Avantageusement, l'étape de dépôt d'une couche d'un matériau chimiquement inerte consiste à déposer une couche de carbure de silicium polycristallin par exemple par CVD. L'étape d'arasement peut tre réalisée par polissage mécano-chimique. Selon ce troisième procédé, la réalisation de la couche de carbure de silicium monocristallin peut tre obtenue à partir d'une plaquette de carbure de silicium monocristallin dans laquelle ladite couche a été définie par une couche de microcavités générées par implantation ionique, ladite plaquette étant collée sur le substrat côté couche arasée puis clivée au niveau de la couche de microcavités pour ne conserver que la couche de carbure de silicium monocristallin sur le substrat. De préférence, le clivage de la plaquette est obtenu par la coalescence des microcavités résultant d'un traitement thermique. De préférence également, le collage de ladite plaquette sur le substrat est obtenu par adhésion moléculaire. Lors de l'étape de formation de la membrane, l'élimination du substrat initial de silicium peut tre obtenue par gravure chimique. Une couche d'interface isolante peut tre déposée sur la couche arasée avant d'y réaliser ladite couche de carbure de silicium monocristallin. Lors de la constitution des moyens de détection, la partie restante de la couche de carbure de silicium monocristallin peut tre éliminée. Si le procédé est un procédé de fabrication collective d'éléments sensibles à partir d'un mme substrat, il peut tre prévu une étape finale de découpe du substrat pour obtenir des éléments sensibles séparés. Brève description des dessins L'invention sera mieux comprise et d'autres avantages et particularités apparaîtront à la lecture de la description qui va suivre, donnée à titre d'exemple non limitatif, accompagnée des dessins annexés parmi lesquels : -la figure 1 est une vue en coupe axiale d'un capteur de pression à membrane, du type à pression relative, selon la présente invention, -la figure 2 est une vue en coupe axiale d'un capteur de pression à membrane, du type à pression absolue, selon la présente invention, -les figures 3A à 3D illustrent un premier procédé de réalisation d'éléments sensibles pour capteurs de pression selon la présente invention, -les figures 4A à 4E illustrent un deuxième procédé de réalisation d'éléments sensibles pour capteurs de pression selon la présente invention, -les figures 5A à 5C illustrent un troisième procédé de réalisation d'éléments sensibles pour capteurs de pression selon la présente invention. Description détaillée de modes de réalisation de l'invention La figure 1 montre un capteur de pression 1, selon l'invention, monté sur un orifice ouvert dans la paroi 2 d'un réservoir (il peut s'agir d'un cylindre de moteur). L'intérieur 3 du réservoir contient un milieu hostile dont on veut mesurer la pression. Le capteur de pression 1 comprend un élément sensible 4 fixé à une extrémité d'un support 5 grâce à un cordon d'étanchéité 6. Le support 5 est, dans cet exemple de réalisation, de forme tubulaire. Cette forme permet de le fixer aisément, par vissage, dans un logement approprié de la paroi 2 du réservoir. L'élément sensible 4 est fixé par sa périphérie à l'extrémité du support 5 située du côté du réservoir. La face de l'élément sensible située vers l'intérieur du réservoir 2 est donc soumise à la pression interne du réservoir et la face opposée de l'élément sensible est soumise à la pression externe. L'élément sensible 4 comporte une partie périphérique 7 plus épaisse et une partie centrale plus mince ou membrane 8. L'élément sensible est prévu, en fonction de la gamme de pression à mesurer, pour que la partie périphérique 7 ne se déforme pas, ou pratiquement pas, tandis que la partie centrale ou membrane 8 va se déformer. La déformation de la membrane 8 est détectée grâce à des éléments de détection 9, par exemple des jauges piézorésistives situées sur la face de la membrane 8 non soumise au milieu hostile. L'élément sensible 4 comprend également, sur sa face non soumise au milieu hostile, des contacts électriques 10 assurant la connexion entre les jauges piézorésistives et un circuit électronique d'exploitation des signaux délivrés par les jauges. Cette connexion électrique doit se faire en tenant compte de la température élevée à laquelle le capteur de pression peut tre soumis. On peut, comme cela est représenté sur la figure 1, utiliser un fil métallique exerçant une pression sur le contact électrique. Ainsi les fils 11, maintenus grâce à des vis en céramique 12 sur le support 5, permettent la connexion électrique avec les contacts 10 par effet ressort. On peut également souder les fils électriques sur les contacts au moyen d'une soudure supportant les hautes températures, par exemple en utilisant un matériau composé d'un siliciure comprenant du tungstène. Le support 5 peut tre réalisé à partir d'un tube de carbure de silicium. L'élément sensible peut tre réalisé par l'un des procédés décrits dans la suite de la description. Au moins les jauges piézorésistives sont réalisées en carbure de silicium monocristallin. Le cordon d'étanchéité 6 par exemple brasé entre la partie périphérique 7 de l'élément sensible et le support 5 peut tre exécuté par l'un des procédés divulgués dans les documents FR-A-2 749 787 (Procédé d'assemblage à l'aide d'un joint épais de pièces en matériaux à base de SiC par brasage réfractaire et joint réfractaire et épais ainsi obtenu) ou FR-A-2 748 471 (Assemblage par brasage de matériaux céramiques contenant du carbure de silicium). Ces procédés permettent de braser directement des éléments en carbure de silicium entre eux. On peut alors réaliser un capteur de pression haute température sans utiliser de boîtier en acier inoxydable/céramique et placer la membrane de l'élément sensible en contact direct avec le milieu dont on veut mesurer la pression. Cette solution permet de réaliser un capteur à plus faible coût et plus précis, puisqu'il n'implique pas de fonction de transfert due au boîtier. Le capteur de pression 13 de la figure 2 comprend des éléments qui sont identiques à des éléments du capteur de la figure 1. Ces éléments portent les mmes numéros de référence. Un élément de fermeture 14, par exemple en céramique, est scellé sur l'extrémité du support 15 opposée à l'élément sensible 4. Il permet de faire le vide à l'intérieur du support. Il comporte deux passages étanches 16 permettant l'introduction à l'intérieur du support 15 de fils électriques 17 destinés à tre connectés aux contacts 10. Dans cet exemple, la liaison des fils électriques 17 sur les contacts 10 se fait par des soudures haute température 18. L'élément sensible peut tre fabriqué de manière collective à partir d'un substrat initial. Après achèvement des différentes étapes du procédé de réalisation, le substrat final est découpé pour fournir des éléments sensibles sous forme de puces qui sont alors montés sur leurs supports. Les figures 3A à 3D sont des vues en coupe qui illustrent un premier procédé de réalisation des éléments sensibles. Par souci de simplification, on a représenté la réalisation d'un seul élément sensible. Ce premier procédé utilise comme substrat initial 20 (voir la figure 3A), un substrat dit passif c'est-à-dire chimiquement inerte par rapport au milieu auquel il est destiné pour en mesurer la pression. Le substrat 20 est par exemple en carbure de silicium polycristallin. Une couche d'interface isolante 21, par exemple en oxyde de silicium, a été réalisé par exemple par dépôt sur la face 22 du substrat 20. Une première couche 23 de carbure de silicium monocristallin est reportée sur la couche d'interface isolante 21. Ce report peut avantageusement tre réalisé par le procédé de transfert divulgué par la demande FR-A-2 681 472. Selon ce procédé de transfert, une plaquette de carbure de silicium monocristallin est bombardée par des ions (d'hydrogène par exemple) de façon à créer à l'intérieur de la plaquette une couche de microcavités parallèle à l'une de ses faces principales. La couche de microcavités est située à une profondeur correspondant à l'épaisseur de la couche que l'on veut reporter. La plaquette est ensuite collée sur le substrat 20 de façon que la couche à reporter soit au contact de la couche d'interface 21. Le collage peut se faire par la méthode d'adhésion moléculaire. Par un traitement thermique approprié, on provoque la coalescence des microcavités et le clivage de la plaquette le long de la couche de microcavités. On obtient alors une couche 23 adhérant au substrat 20, séparée du reste de la plaquette. Si la couche ainsi obtenue possède un dopage et une épaisseur ne permettant pas une bonne lecture de la gamme de pression par les jauges piézorésistives, on peut faire le dépôt par épitaxie d'une deuxième couche 24 de carbure de silicium monocristallin qui permet de contrôler l'épaisseur et le dopage désirés pour la membrane. Les deux couches de carbure de silicium monocristallin seront par la suite désignées sous la seule référence 25. Comme le montre la figure 3B, des jauges piézorésistives 26 sont alors constituées à des endroits de la couche 25 déterminés en fonction de la forme de la future membrane. Ces jauges piézorésistives sont réalisées par une méthode connue de l'homme de l'art, par exemple par implantation ionique et recuit. On dépose ensuite sur la couche 25 une couche conductrice (par exemple un siliciure contenant du tungstène) qui est ensuite gravée pour constituer des contacts électriques 27 avec les jauges piézorésistives 26 (voir la figure 3C). Le substrat 20 est ensuite usiné localement au droit des jauges à partir de sa face arrière jusqu'à atteindre la couche de carbure de silicium monocristallin 25 afin de constituer, pour chaque élément sensible, une membrane 28 rattachée à une partie périphérique 29. Une découpe transversale du substrat final permet de séparer les éléments sensibles (voir la figure 3D). Les figures 4A à 4E sont des vues en coupe qui illustrent un deuxième procédé de réalisation des éléments sensibles. Pour la mme raison que précédemment, on a représenté la réalisation d'un seul élément sensible. La figure 4A montre un substrat par exemple en silicium 30 qui a été usiné, par exemple par gravure chimique, pour pourvoir sa face supérieure de bossages 31 de forme tronconique. A chaque bossage 31 correspond la réalisation d'un élément sensible. On peut employer en particulier la gravure utilisant des bases (par exemple KOH), permettant à partir d'un substrat en silicium d'orientation (100) d'usiner des cavités avec des bords orientés selon les plans (111) à 54 . On dépose ensuite, sur la face supérieure du substrat 30, une couche 32 de carbure de silicium polycristallin qui épouse la surface bosselée du substrat 30 (voir la figure 4B). La couche 32 peut tre déposée grâce à une technique CVD (dépôt chimique en phase vapeur). Le substrat ainsi recouvert est ensuite arasé, par exemple par polissage mécano-chimique, pour obtenir la structure représentée à la figure 4C. Chaque sommet de bossage est découvert et chaque bossage 31 est entouré de carbure de silicium polycristallin 32. Comme pour le premier procédé décrit, une première couche 33 de carbure de silicium monocristallin est reportée sur le substrat arasé. Une deuxième couche 34 de carbure de silicium monocristallin peut éventuellement tre épitaxiée sur la première couche 33. Les couches 33 et 34 constituent la couche 35 de carbure de silicium monocristallin (voir la figure 4D). La couche épitaxiée 34 permet de contrôler l'épaisseur de la membrane. On forme ensuite, de la mme manière que pour le premier procédé décrit, les jauges piézorésistives 36 et leurs contacts électriques 37 (voir la figure 4E). Le substrat initial en silicium 30 est alors éliminé, par exemple par gravure chimique. On obtient alors des éléments sensibles comprenant une membrane 38 rattachée à une partie périphérique 39. Une découpe transversale du substrat final permet de séparer les éléments sensibles. Les figures 5A à 5C sont des vues en coupe qui illustrent un troisième procédé de réalisation des éléments sensibles. Pour la mme raison que précédemment, on a représenté la réalisation d'un seul élément sensible. Ce troisième procédé débute comme le deuxième procédé. Des bossages 41 de forme tronconique sont réalisés sur la face supérieure d'un substrat 40 par exemple en silicium. Une couche 42 de carbure de silicium polycristallin est ensuite déposée par exemple par une technique CVD et arasée. Comme le montre la figure 5A, l'arasement ne concerne que la couche 42. Il peut tre réalisé par polissage mécano-chimique afin de bien contrôler l'épaisseur de carbure de silicium polycristallin située au-dessus des bossages 41. On dépose ensuite, sur la couche 42, une couche d'interface isolante 43 (par exemple en silice) comme cela est montré sur la figure 5B. Une couche de carbure de silicium monocristallin est reportée sur la couche d'interface 43 par exemple selon le procédé de transfert divulgué par le document FR-A-2 681 472 déjà cité. L'étape d'épitaxie des procédés décrits précédemment n'est pas nécessaire. Des jauges piézorésistives 44 sont formées dans cette couche de carbure de silicium monocristallin qui peut tre gravée pour ne laisser subsister que les jauges. Comme le montre la figure 5C, des contacts électriques 45 sont fournis aux jauges piézorésistives 44. Le substrat initial 40 en silicium est inertie chimique et tenue aux environnements chimiquement agressifs, tenue à haute température, bonne tenue mécanique, bonne tenue électrique des jauges. Le substrat passif peut tre choisi en fonction de l'application. Par exemple, un substrat en SiC polycristallin présentera les mmes propriétés chimiques et mécaniques que la membrane et constitue un bon choix pour des applications en milieu hostile. REVENDICATIONS 1. Capteur de pression (1,13) capable de fonctionner à haute température et de mesurer la pression d'un milieu hostile, comportant : -un élément sensible (4) intégrant une membrane (8) et réalisé par micro-usinage d'un substrat, une première face de la membrane étant destinée à tre mise au contact dudit milieu, une seconde face de la membrane comprenant des moyens de détection (9) d'une déformation de la membrane reliés à des contacts électriques (10) pour la connexion de moyens de liaison électrique (11,17), les surfaces de l'élément sensible (4) destinées à tre au contact dudit milieu étant chimiquement inertes par rapport à ce milieu ; -un support (5,15) de l'élément sensible (4) supportant l'élément sensible de façon que ladite première face de la membrane (8) puisse tre mise au contact dudit milieu et que la seconde face de la membrane (8) puisse tre soustraite du contact avec ledit milieu, le matériau constituant le support (5, 15) étant chimiquement inerte par rapport audit milieu et présentant un coefficient de dilatation thermique voisin de celui de l'élément sensible (4) ; -un cordon d'étanchéité (6) disposé entre le support (5,15) et l'élément sensible (4) pour préserver la seconde face de la membrane (8) de tout contact avec ledit milieu. 2. Capteur de pression selon la revendication 1, caractérisé en ce que, le capteur (13) étant destiné à la mesure de pression absolue, le support (15) comprend un élément de fermeture (14) scellé afin de pouvoir faire le vide à l'intérieur du support. 3. Capteur de pression selon l'une des revendications 1 ou 2, caractérisé en ce que le support (5,15) est en forme de tube, l'élément sensible (4) fermant l'une des extrémités du tube, la première face de la membrane (8) étant dirigée vers l'extérieur du tube. 4. Capteur de pression selon la revendication 3, caractérisé en ce que le support (5, 15) comporte un filetage permettant de le visser sur un réservoir (2) contenant le milieu. 5. Capteur de pression selon l'une quelconque des revendications 1 à 4, caractérisé en ce que le support (5,15) est en carbure de silicium polycristallin. 6. Capteur de pression selon l'une quelconque des revendications 1 à 5, caractérisé en ce que la membrane (8) est en carbure de silicium monocristallin. 7. Capteur de pression selon l'une quelconque des revendications 1 à 6, caractérisé en ce que la partie substrat de l'élément sensible (4) est en carbure de silicium polycristallin. 8. Capteur de pression selon l'une quelconque des revendications 1 à 7, caractérisé en ce qu'il est prévu une couche d'interface isolante entre la membrane (8) et la partie substrat de l'élément sensible (4). 9. Capteur de pression selon la revendication 8, caractérisé en ce que la couche d'interface isolante est en un matériau choisi parmi l'oxyde de silicium, le nitrure de silicium et le silicium carboné. 10. Capteur de pression selon l'une quelconque des revendications 1 à 9, caractérisé en ce que lesdits contacts électriques (10) sont en un siliciure comprenant du tungstène. 11. Capteur de pression selon l'une quelconque des revendications 1 à 10, caractérisé en ce que la connexion entre les contacts électriques (10) et les moyens de liaison électrique (17) est obtenue par un matériau de soudure (18) supportant les températures élevées. 12. Capteur de pression selon la revendication 11, caractérisé en ce que ledit matériau de soudure (18) est un siliciure comprenant du tungstène. 13. Capteur de pression selon l'une quelconque des revendications 1 à 10, caractérisé en ce qu'il est prévu des moyens conducteurs (11) formant ressort pour assurer la connexion entre les contacts électriques (10) et les moyens de liaison électrique. 14. Capteur de pression selon l'une quelconque des revendications 1 à 13, caractérisé en ce que lesdits moyens de détection (9) comprennent au moins deux jauges piézorésistives. 15. Capteur de pression selon la revendication 14, caractérisé en ce que lesdites jauges piézorésistives sont en carbure de silicium monocristallin. 16. Capteur de pression selon l'une quelconque des revendications 1 à 15, caractérisé en ce que le cordon d'étanchéité est brasé entre le support et l'élément sensible. 17. Procédé de fabrication par microusinage d'au moins un élément sensible à membrane pour capteur de pression capable de fonctionner à haute température et de mesurer la pression d'un milieu hostile, comportant les étapes suivantes : -la réalisation d'une couche (25) de carbure de silicium monocristallin sur une face d'un substrat (20) chimiquement inerte par rapport audit milieu, -la réalisation sur la face libre de la couche (25) de carbure de silicium monocristallin de moyens de détection (26) de la déformation de la membrane, -la réalisation de contacts électriques (27) sur ladite face libre pour connecter les moyens de détection (26) à des moyens de liaison électrique, -la formation de la membrane (28) dudit élément sensible par élimination de matière à partir de l'autre face du substrat (20). 18. Procédé selon la revendication 17, caractérisé en ce que la réalisation de ladite couche (25) de carbure de silicium monocristallin comprend : -le report d'une première couche de carbure de silicium monocristallin sur ladite face du substrat (20), -le dépôt par épitaxie d'une deuxième couche (24) de carbure de silicium monocristallin sur la première couche (23) afin d'obtenir ladite couche (25) de carbure de silicium monocristallin d'épaisseur contrôlée. 19. Procédé selon la revendication 17, caractérisé en ce que la réalisation de ladite couche de carbure de silicium monocristallin comprend l'utilisation d'une plaquette de carbure de silicium monocristallin dans laquelle une couche a été définie par une couche de microcavités générées par implantation ionique, ladite plaquette étant collée sur ladite face du substrat (20) puis clivée au niveau de la couche de microcavités pour ne conserver que ladite couche définie sur le substrat. 20. Procédé selon la revendication 19, caractérisé en ce que le clivage de la plaquette est obtenu par la coalescence des microcavités résultant d'un traitement thermique. 21. Procédé selon l'une des revendications 19 ou 20, caractérisé en ce que le collage de ladite plaquette sur le substrat (20) est obtenu par adhésion moléculaire. 22. Procédé selon l'une quelconque des revendications 17 à 21, caractérisé en ce que, avant l'étape de réalisation de ladite couche de carbure de silicium monocristallin (25), une couche d'interface isolante (21) est déposée sur la face (22) du substrat (20) sur laquelle sera réalisée ladite couche (25). 23. Procédé selon l'une quelconque des revendications 17 à 22, caractérisé en ce que, lors de l'étape de formation de la membrane (28), l'élimination de matière à partir de l'autre face du substrat est menée par une opération choisie parmi l'usinage mécanique et la gravure chimique. 24. Procédé selon l'une quelconque des revendications 17 à 23, caractérisé en ce que, les éléments sensibles étant fabriqués collectivement à partir d'un mme substrat, il est prévu une étape finale de découpe du substrat pour obtenir des éléments sensibles séparés. 25. Procédé de fabrication par micro-usinage d'au moins un élément sensible à membrane pour capteur de pression capable de fonctionner à haute température et de mesurer la pression d'un milieu hostile, comportant les étapes suivantes : -l'usinage d'un substrat (30) pour obtenir un bossage (31) de forme complémentaire à la forme de l'élément sensible désiré vu du côté du milieu hostile, -le dépôt d'une couche (32) d'un matériau chimiquement inerte par rapport audit milieu sur le substrat (30) côté bossage (31), -l'arasement de la couche (32) déposée précédemment jusqu'à atteindre le sommet du bossage (31), -la réalisation d'une couche (35) de carbure de silicium monocristallin sur le substrat côté couche arasée, -la réalisation sur la face libre de la couche (35) de carbure de silicium monocristallin de moyens de détection (36) de la déformation de la membrane, -la réalisation de contacts électriques (37) sur ladite face libre pour connecter les moyens de détection (36) à des moyens de liaison électrique, -la formation de la membrane (38) dudit élément sensible par élimination du substrat initial. 26. Procédé selon la revendication 25, caractérisé en ce que ledit substrat (30) est en silicium. 27. Procédé selon l'une des revendications 25 ou 26, caractérisé en ce que la réalisation de ladite couche (35) de carbure de silicium monocristallin comprend : -le report d'une première couche (33) de carbure de silicium monocristallin sur le substrat, -le dépôt par épitaxie d'une deuxième couche (34) de carbure de silicium monocristallin sur la première couche (33) de carbure de silicium monocristallin afin d'obtenir ladite couche (35) de carbure de silicium monocristallin d'épaisseur contrôlée. 28. Procédé selon l'une quelconque des revendications 25 à 27, caractérisé en ce que l'étape de dépôt d'une couche (32) d'un matériau chimiquement inerte consiste à déposer une couche de carbure de silicium polycristallin. 29. Procédé selon l'une quelconque des revendications 25 à 28, caractérisé en ce que l'étape d'arasement est réalisée par polissage mécano-chimique. 30. Procédé selon l'une des revendications 25 ou 26, caractérisé en ce que la réalisation de ladite couche (33) de carbure de silicium monocristallin comprend l'utilisation d'une plaquette de carbure de silicium monocristallin dans laquelle une couche a été définie par une couche de microcavités générées par implantation ionique, ladite plaquette étant collée sur le substrat (30) côté couche arasée puis clivée au niveau de la couche de microcavités pour ne conserver que ladite couche définie sur le substrat. 30. Procédé selon la revendication 29, caractérisé en ce que le clivage de la plaquette est obtenu par la coalescence des microcavités résultant d'un traitement thermique. 31. Procédé selon l'une des revendications 29 ou 30, caractérisé en ce que le collage de ladite plaquette sur le substrat est obtenu par adhésion moléculaire. 32. Procédé selon l'une quelconque des revendications 25 à 31, caractérisé en ce que, avant l'étape de réalisation de ladite couche de carbure de silicium monocristallin (35), une couche d'interface isolante est déposée sur la face du substrat sur laquelle sera réalisée ladite couche. 33. Procédé selon l'une quelconque des revendications 25 à 32, caractérisé en ce que l'élimination du substrat initial (30) est obtenue par gravure chimique. 34. Procédé selon l'une quelconque des revendications 25 à 33, caractérisé en ce que, les éléments sensibles étant fabriqués collectivement à partir d'un mme substrat, il est prévu une étape finale de découpe du substrat pour obtenir des éléments sensibles séparés. 35. Procédé de fabrication par micro-usinage d'au moins un élément sensible à membrane pour capteur de pression capable de fonctionner à haute température et de mesurer la pression d'un milieu hostile, comportant les étapes suivantes : -l'usinage d'un substrat (40) pour obtenir un bossage (41) de forme complémentaire à la forme de l'élément sensible désiré vu du côté du milieu hostile, -le dépôt d'une couche (42) d'un matériau chimiquement inerte par rapport audit milieu sur le substrat (40) côté bossage (41), -l'arasement de la couche (42) déposée précédemment jusqu'à laisser subsister au-dessus du bossage (41) l'épaisseur désirée pour la membrane, -la réalisation d'une couche de carbure de silicium monocristallin sur ladite couche arasée, -la constitution de moyens de détection (44) à partir de la couche de carbure de silicium monocristallin, -la réalisation de contacts électriques (45) pour connecter les moyens de détection (44) à des moyens de liaison électrique, -la formation de la membrane (48) de l'élément sensible par élimination du substrat initial. 36. Procédé selon la revendication 35, caractérisé en ce que ledit substrat (40) est en silicium. 37. Procédé selon l'une des revendications 35 ou 36, caractérisé en ce que l'étape de dépôt d'une couche (42) d'un matériau chimiquement inerte consiste à déposer une couche de carbure de silicium polycristallin. 38 Procédé selon l'une quelconque des revendications 35 à 37, caractérisé en ce que l'étape d'arasement est réalisée par polissage mécano-chimique. 39. Procédé selon l'une quelconque des revendications 35 à 38, caractérisé en ce que la réalisation de ladite couche de carbure de silicium monocristallin est obtenue à partir d'une plaquette de carbure de silicium monocristallin dans laquelle ladite couche a été définie par une couche de microcavités générées par implantation ionique, ladite plaquette étant collée sur le substrat côté couche arasée puis clivée au niveau de la couche de microcavités pour ne conserver que la couche de carbure de silicium monocristallin sur le substrat. 40. Procédé selon la revendication 39, caractérisé en ce que le clivage de la plaquette est obtenu par la coalescence des microcavités résultant d'un traitement thermique. 41. Procédé selon l'une des revendications 39 ou 40, caractérisé en ce que le collage de ladite plaquette sur le substrat est obtenu par adhésion moléculaire. 42. Procédé selon l'une quelconque des revendications 35 à 41, caractérisé en ce que l'élimination du substrat initial est obtenue par gravure chimique. 43. Procédé selon l'une quelconque des revendications 35 à 42, caractérisé en ce qu'une couche d'interface isolante (43) est déposée sur la couche arasée avant d'y réaliser ladite couche de carbure de silicium monocristallin. 44. Procédé selon l'une quelconque des revendications 35 à 43, caractérisé en ce que, lors de la constitution des moyens de détection (44), la partie restante de la couche de carbure de silicium monocristallin est éliminée. 45. Procédé selon l'une quelconque des revendications 35 à 44, caractérisé en ce que, le procédé étant un procédé de fabrication collective d'éléments sensibles à partir d'un mme substrat (40), il est prévu une étape finale de découpe du substrat pour obtenir des éléments sensibles séparés.