FR 2781604 A1 20000128 FR 9903217 A 19990316 STRUCTURE DE CARTE DE MONTAGE DE LSI ET SON PROCEDE DE FABRICATION CONTEXTE DE L'INVENTION 1. Domaine de l'invention La présente invention concerne la structure d'une carte de montage de puce LSI obtenue en montant une puce LSI sur une carte de câblage et son procédé de fabrication et en particulier la structure d'une carte de montage LSI obtenue en montant une puce nue et son procédé de fabrication. 2. Description de l'art associé Le procédé de montage de puce nue a été récemment utilisé comme moyen de montage d'une puce pour monter une puce sur un boîtier LSI tel que BGA (Ball Grid Array), CSP (Chip Size Package) ou analogue. Ce procédé a également été utilisé lorsqu'une pluralité de puces nues sont montées sur une carte de montage pour fabriquer un MCM (Multi-Chip Module). Lorsqu'une puce LSI est montée, en particulier, sur une BGA multibroches, un LSI ayant une grande dimension externe est utilisé. En conséquence, si une BGA est montée sur une PWB (Print Wiring Board), il est généralement connu que la fiabilité structurelle de la carte de montage est réduite en raison de la différence de dilatation thermique entre la puce LSI et la PWB. Selon les comptes-rendus de IMB Japan, Ltd., par exemple, il a été démontré que lorsqu'une puce LSI de 13,5 mm carrés était montée sur une carte de montage du type BGA de 35 mm carrés d'une manière par montage "flip-chip" et que la carte ainsi formée était ensuite montée sur une PWB, une destruction des plots de soudure se produisait à partir du centre de la puce LSI en raison du gauchissement de la carte de montage BGA. Le problème ci-dessus dans le montage de la puce LSI sur la carte BGA provoque un problème dans un montage secondaire sur la PWB. En conséquence, du point de vue du cas présent o un problème de fiabilité se produit, même lorsque la puce LSI de 13,5 mm carrés est montée, il est estimé qu'à mesure que les dimensions externes de la puce LSI augmentent, la fiabilité structurelle de la carte de montage diminue davantage. En conséquence, la demande publiée de brevet japonais No. Hei-6- 244242 et la demande publiée de brevet japonais No. Hei-6-204654 ont effectué des propositions selon lesquelles une plaque de renfort en forme de cadre est fixée sur la surface avant ou la surface arrière de la PWB autour de la puce LSI. Ces deux propositions sont basées sur l'idée selon laquelle le gauchissement de la PWB dans l'étape de refusion est obligatoirement supprimé à l'aide de la rigidité de la plaque de renfort. En outre, la demande publiée d'enregistrement de modèle d'utilité japonais No. Hei- 2-101546 a effectué une proposition selon laquelle un organe de cadre de renfort est fixé sur un substrat allongé de manière à entourer une puce LSI et est obturé avec de la résine en même temps que la puce LSI. RESUME DE L'INVENTION La présente invention a été mise en oeuvre, non dans le but de supprimer le gauchissement d'une carte dans l'étape de refusion, mais dans le but de conserver la fiabilité structurelle d'une carte de montage après qu'une puce LSI est montée sur celle-ci et a pour but de fournir la structure d'une carte de montage de puce LSI pouvant être empêchée d'être diminuée en fiabilité structurelle, même lorsqu'une puce LSI est montée sur la surface d'une carte de câblage dans les mêmes conditions que l'art antérieur et un procédé de fabrication de la carte de montage de puce LSI. Selon la présente invention, il est fourni une structure d'une carte de montage LSI obtenue en fixant une puce LSI sur une carte de câblage d'une manière par montage de puce nue, dans lequel la puce LSI est réunie à une première surface de la carte de câblage et un dispositif de rigidification est réuni à une deuxième surface de la carte de câblage dans la position correspondant à la puce LSI, supprimant ainsi l'apparition du gauchissement de la carte de montage de LSI dû à la différence de coefficient de dilatation thermique entre la puce LSI et la carte de câblage lorsque la température varie. Dans la présente invention, la dimension externe du dispositif de rigidification peut être sensiblement égale à la dimension externe de la puce LSI. La dimension externe du dispositif de rigidification est, de préférence, située dans la plage allant de 0,8 à 1,2 fois la dimension externe de la puce LSI. Le dispositif de rigidification et la puce LSI peuvent avoir sensiblement le même coefficient de dilatation thermique. La puce LSI est constituée d'une puce de silicium et le dispositif de rigidification est constitué d'une plaque de silicium, par exemple. Dans la présente invention, le dispositif de rigidification peut être formé d'un matériau ayant un coefficient de dilatation thermique différent de celui de la puce LSI. Le produit de la dimension externe de la puce LSI par le coefficient de dilatation thermique de la puce LSI est, de. préférence, sensiblement égal au produit de la dimension externe du dispositif de rigidification par le coefficient de dilatation thermique du dispositif de rigidification. Lorsque la dimension externe de la puce LSI est représentée par Si, le coefficient de dilatation thermique de la puce LSI est représenté par Tl, la dimension externe du dispositif de rigidification est représentée par S2 et le coefficient de dilatation thermique du dispositif de rigidification est représenté par T2, il est préférable que l'expression relationnelle suivante soit satisfaite: 0,8 (S2 x T2) Dans un aspect de la présente invention, une pluralité de puces LSI sont réunies à la première surface de la carte de câblage et un dispositif de rigidification qui est commun aux diverses puces LSI est utilisé. Dans ce cas, la somme des produits de la dimension externe par le coefficient de dilatation thermique des diverses puces LSI est, de préférence, sensiblement égale au produit de la dimension externe par le coefficient de dilatation thermique du dispositif de rigidification. Lorsque la dimension externe de la n-ième des puces LSI est représentée par Sln (1 0,8 (S2 x T2) Dans la présente invention, un remplissage inférieur peut être rempli dans l'espace compris entre la puce LSI et la carte de câblage, le dispositif de rigidification et la carte de câblage peuvent être réunis l'un à l'autre par une colle, le remplissage inférieur est formé de résine époxy et la colle est une colle à base d'époxy. Selon la présente invention, il est également fourni un procédé de fabrication d'une carte de montage de LSI par fixation d'une puce LSI sur une carte de câblage d'une manière par montage de puce nue, comprenant les étapes consistant à: réunir la puce LSI à une première surface de la carte de câblage; remplir un remplissage inférieur dans l'espace entre la puce LSI et la carte de câblage; réunir un dispositif de rigidification à une deuxième surface de la carte de câblage dans la position correspondant à la puce LSI par une colle; et traiter le remplissage inférieur et la colle en même temps. BREVE DESCRIPTION DES DESSINS La figure 1 est une vue schématique en coupe transversale montrant un premier mode de réalisation de la structure d'une carte de montage de LSI selon la présente invention; la figure 2 est une vue schématique en coupe transversale montrant un deuxième mode de réalisation de la structure de la carte de montage de LSI selon la présente invention; les figures 3A à 3D sont des vues schématiques en coupe transversale montrant un procédé de fabrication de la carte de montage de LSI selon la présente invention; et la figure 4 est un dessin schématique montrant la structure d'une carte de montage de LSI à laquelle aucun dispositif de rigidification n'est réuni. DESCRIPTION DETAILLEE DES MODES DE REALISATION PREFERES Des modes de réalisation préférés selon la présente invention vont être décrits ci-dessous en référence aux dessins annexés. (Premier mode de réalisation) La figure 1 est une vue schématique en coupe transversale montrant un premier mode de réalisation de La structure d'une carte de montage LSI selon la présente invention. Dans ce mode de réalisation, une puce LSI est montée sur une PWB (print wiring board) d'une manière par montage de puce nue. Sur la figure 1, le numéro de référence 1 représente une puce LSI pour montage de puce nue et un certain nombre de plots d'électrodes 11 sont agencés de manière bidimensionnelle dans une zone prédéterminée de la surface inférieure de la puce LSI 1. Avec cette construction, la conception à plusieurs électrodes peut être obtenue sans diminuer l'espacement d'agencement des plots 11. Comme puce LSI 1, peut être utilisée une puce de silicium de 20 à 40 mm carrés de dimension externe et d'une épaisseur de 0,3 a 1,0 mm. Le numéro de référence 2 représente une PWB faite d'un matériau organique et comme PWB, une carte de montage peut être utilisée obtenue par formation sur les deux surfaces d'un organe formant noyau d'une couche de montage pouvant être soumise à un micro- câblage. La carte de montage est utilisée de manière convenable pour le montage de la puce nue et elle peut soutenir suffisamment un espacement d'agencement de 200 gm des plots li de la puce LSI 1. L'épaisseur de la PWB 2 est fixée à 1,0 à 1,6 mm environ, par exemple. Le numéro de référence 3 représente le remplissage inférieur et il est rempli dans un espace qui exclut les plots de soudure 11 entre la puce LSI 1 et la PWB 2 pour améliorer la fiabilité de la jonction entre la puce LSI 1 et la PWB 2. Une résine époxy peut être utilisée comme remplissage inférieur 3. La puce LSI 1 et la PWB 2 sont réunies dans un corps par le remplissage inférieur 3, évitant ainsi l'apparition du problème, à savoir l'exfoliation ou la rupture, dans la fiabilité structurelle de la carte de montage, même s'il existe une légère différence de dilatation thermique entre la puce LSI 1 et la PWB 2. C'est-à-dire que, la variation de forme de la carte de montage due à la variation de température peut être supprimée. Le numéro de référence 4 représente un dispositif de rigidification qui constitue la caractéristique principale de la présente invention. Le dispositif de rigidification 4 est réuni à la surface inférieure de la PWB 2 par une colle 5 dans la position correspondant à la puce LSI 1 réunie à la surface supérieure de la PWB 2 (dans la position qui est symétrique de la position de localisation de la puce LSI 1 par rapport à la PWB 2). Comme dispositif de rigidification 4, sont utilisés, de préférence, des matériaux qui sont aussi proches que possible de la puce LSI en dimension externe, épaisseur et coefficient de dilatation thermique. Lorsque par exemple, la puce LSI 1 est une puce de silicium, une plaque de silicium ayant la même dimension externe et la même épaisseur que la puce LSI 1 peut être utilisée comme dispositif de rigidification 4. Toutefois, si la dimension externe, etc., sont fixés de manière.à supprimer l'apparition du gauchissement de la PWB 2 dû à la différence de coefficient de dilatation thermique entre la puce LSI 1 et la PWB 2 lorsque la température varie, des matériaux de coefficient de dilatation thermique différent de la puce LSI 1, tels que l'alumine, le nitrure d'aluminium, Cu/W, etc., peuvent être utilisés pour le dispositif de rigidification 4. La colle 5 est utilisée pour réunir le dispositif de rigidification 4 à la surface inférieure de la PWB 2 comme décrit ci-dessus. Pour la colle 5, sont utilisés, de préférence, des matériaux qui sont choisis de façon qu'une association du dispositif de rigidification 4 et de la colle 5 et une association du remplissage inférieur 3 et de la puce LSI 1 réunie à la PWB 2 par les plots de soudure 11 aient le même comportement lorsque la température varie (c'est-à-dire que ces associations génèrent la même contrainte à la PWB 2. Puisque l'association du dispositif de rigidification 4 et de la colle 5 et l'association de la puce LSI 1 et du remplissage inférieur 3 sont réunies à la PWB 2 dans des positions opposées dans les directions haute et basse par rapport à la PWB 2, lorsqu'une association applique une contrainte de courbure à la PWB 2 de façon que la PWB 2 soit contrainte vers le haut, l'autre association applique une contrainte de courbure à la PWB 2 de façon que la PWB 2 soit contrainte vers le bas. En d'autres termes, une contrainte de décalage se produit). Les mêmes matériaux que pour le remplissage inférieur 3 tels que la colle à base d'époxy ou analogue peuvent être utilisés comme colle 5. L'action de ce mode de réalisation va ensuite être décrite. Le coefficient de dilatation thermique de la puce LSI 1 est égal à 3 ppm/ C par exemple et le coefficient de dilatation thermique de la PWB 2 est égal à 15 ppm/ C par exemple. Lorsque la puce LSI 1 et la PWB 2 sont réunies l'une à l'autre par de la soudure ayant un point eutectique de 180 C et refroidies à la température ambiante (20 C) le rapport de rétrécissement de la PWB 2 est supérieur au rapport de rétrécissement de la puce LSI 1 et la relation positionnelle entre la puce LSI 1 et la portion de surface inférieure de la PWB 2 à laquelle est réunie la puce LSI 1 est limitée, de sorte que la portion de surface inférieure de la PWB 2 est plus rétrécie que la portion de surface supérieure de la PWB 2, établissant ainsi l'état équilibré. De façon spécifique, un côté de la puce LSI 1 de 20 mm carrés est rétrécie de 9,6 pm et la portion de 20 mm de longueur de la PWB 2 est sur le point d'être rétrécie de 48 im. Toutefois, la surface supérieure de la PWB 2 ne peut pas être rétrécie suffisamment tandis que la surface inférieure de la PWB 2 rétrécit bien plus que la surface inférieure de la PWB 2, ayant pour conséquence l'apparition d'un gauchissement convexe vers le haut. En général, lorsque la dimension externe de la puce LSI 1 est petite (par exemple, d'environ 10 mm carrés), la différence de quantité de rétrécissement entre la puce LSI 1 et la portion de la PWB 2 à laquelle est réunie la puce LSI 1 est petite et ainsi, le gauchissement qui apparaît est faible. Dans ce cas, il y a peu de possibilité d'apparition d'exfoliation ou de rupture due au gauchissement. En conséquence, dans un tel cas, la fiabilité de la jonction de la puce LSI 1 à la PWB 2 peut être améliorée dans une certaine mesure en remplissant le remplissage inférieur 3 comme représenté sur la figure 4. Toutefois, lorsque la taille de la puce LSI 1 est supérieure (20 mm carrés ou davantage) comme décrit ci- dessus, la différence de quantité de rétrécissement est supérieure au niveau des portions de longueurs correspondantes entre la puce LSI 1 et la PWB 2 et ainsi, il est difficile de maintenir la fiabilité de la jonction par le seul effet du remplissage inférieur. En conséquence, comme décrit ci-dessus, selon ce mode de réalisation, le dispositif de rigidification 4 similaire en dimensions externes, épaisseur et coefficient de dilatation thermique à la puce LSI 1, est réuni à la PWB 2 dans une certaine position sur la surface inférieure de la PWB 2, correspondant à la position de jonction de la puce LSI 1 réunie à la surface supérieure de la PWB 2, de façon que les deux côtés de surface de la PWB 2 puissent être fixés de manière à avoir la même quantité de rétrécissement. En conséquence, les déformations de la PWB 2 dans la direction normale à sa surface (dans les directions vers le haut et vers le bas) peuvent être décalées l'une par rapport à l'autre et l'apparition du gauchissement de la PWB 2 est sensiblement parfaitement évitée. La contrainte résiduelle est intensifiée dans la direction le long des surfaces supérieure et inférieure de la PWB 2, toutefois la contrainte peut être dispersée dans le côté de surface supérieure et le côté de surface inférieure et l'effet du remplissage inférieur 3 est également plus grand dans la direction le long des surfaces supérieure et inférieure de la PWB 2 que dans la direction normale. En conséquence, la fiabilité de la jonction peut être renforcée de façon plus que suffisante par rapport au cas o l'apparition du gauchissement est autorisée par la construction telle que représentée sur la figure 4. Lorsque la dimension externe du dispositif de rigidification 4 est fixée de manière à être excessivement plus grande que celle de la puce LSI 1, la quantité de rétrécissement du côté de surface supérieure de la PWB 2 est plus grande que celle du côté de surface inférieure dans une portion de la PWB 2 qui est située à l'extérieur de la portion de jonction de la PWB 2 avec la puce LSI 1 et sur le côté inférieur de laquelle le dispositif de rigidification 4 est réuni à la PWB 2. En conséquence, la PWB 2 est gauchie de façon à devenir convexe vers le bas. Inversement, lorsque la dimension externe du dispositif de rigidification 4 est excessivement plus petite que celle de la puce LSI 1, la quantité de rétrécissement du côté de surface inférieure est plus grande que celle du côté de surface supérieure dans une portion de la PWB 2 qui est située à l'extérieur de la portion de jonction de la PWB 2 avec le dispositif de rigidification 4 et à la surface latérale supérieure de laquelle la puce LSI 1 est réunie à la PWB 2 et ainsi, la PWB 2 est gauchie de manière à devenir convexe vers le haut. La dimension externe (longueur) du dispositif de rigidification 4 est fixée, de préférence, de manière à se trouver à l'intérieur de la plage allant de 0,8 à 1,2 fois la dimension externe (longueur) de la puce LSI 1 et de façon davantage préférée, dans la plage allant de 0,9 à 1,1 fois la dimension externe (longueur) de la puce LSI 1. Toutefois, selon ce mode de réalisation, un matériau ayant un coefficient de dilatation thermique différent de celui de la puce LSI 1 peut être utilisé pour le dispositif de rigidification 4. Dans ce cas, la dimension externe du dispositif de rigidification 4 est fixée, de préférence, à la valeur correspondant au coefficient de dilatation thermique de façon à supprimer l'apparition du gauchissement de la PWB 2. Lorsque par exemple, la puce LSI de 20 mm carrés est formée de silicium (coefficient de dilatation thermique de 3 ppm/ C) et que le dispositif de rigidification 4 est formé d'un matériau ayant un coefficient de dilatation thermique de 9 ppm/ C, la dimension externe du dispositif de rigidification 4 est fixée à 7 mm carrés pour supprimer l'apparition du gauchissement de la PWB 2. C'est-à-dire que le produit de la dimension externe S1 de la puce LSI 1 par le coefficient de dilatation thermique T1 de la puce LSI 1 est fixé comme étant sensiblement égal au produit de la dimension externe S2 du dispositif de rigidification 4 par le coefficient de dilatation thermique T2 du dispositif de rigidification 4 {c'est-à-dire que, S1 x T1 = 0,8(S2 x T2) à 1,2 (S2 x T2), de préférence, Si x Tl = 0,9(S2 x T2) à 1,1 (S2 x T2)}. (Deuxième mode de réalisation) La figure 2 est un dessin schématique représentant un deuxième mode de réalisation de la structure de la carte de montage de LSI selon la présente invention. Ce mode de réalisation est obtenu en montant plusieurs puce LSI sur la PWB. Sur la figure 2, les éléments ayant les mêmes fonctions que représenté sur la figure 1 sont représentés par les mêmes numéros de référence. Dans ce.mode de réalisation, une pluralité de puces LSI 1, 1', 1 ", sont réunies sur la surface supérieure d'une PWB 2 de la même manière que dans le premier mode de réalisation et un dispositif de rigidification 4, qui est commun aux puces LSI 1, 1', 1 ", est réuni à la surface inférieure de la PWB 2 de la même manière que dans le premier mode de réalisation. Dans ce mode de réalisation, la somme des produits entre la dimension externe Si, Si', Si", de la puce LSI 1, 1', 1 ", et le coefficient de dilatation thermique correspondant Tl, Ti', Ti", de la puce LSI 1, 1', 1 ", est fixée comme étant sensiblement égale à la somme du produit entre la dimension externe S2 du dispositif de rigidification 4 et le coefficient de dilatation thermique T2 du dispositif de rigidification 4 {c'est- à-dire que, Si x T1 + Si' x Ti' + Si" x Ti" = 0,8(S2 x T2) à 1,2 (52 x T2), de préférence, Si x Tl + Si' x Ti' + Si" x Ti" = 0,9(S2 x T2) à 1,1 (S2 x T2)}. Selon ce mode de réalisation, le processus de montage peut être plus simplifié que dans le cas o des dispositifs de rigidification différents sont positionnés et réunis aux positions correspondantes des puces LSI respectives 1, 1', 1 ", de la même manière que dans le premier mode de réalisation. (Troisième mode de réalisation) La figure 3A a 3D sont des vues schématiques en coupe transversale montrant un mode de réalisation d'un procédé de fabrication de la carte de montage de LSI de la présente invention. Le procédé de ce mode de réalisation est utilisé pour fabriquer la carte de montage de LSI du premier mode de réalisation. Sur les figures 3A a 3D, les éléments ayant les mêmes fonctions que représenté sur la figure 1 sont représentés par les mêmes numéros de référence. Premièrement, comme représenté sur la figure 3A, un motif de soudage 22 est imprimé sur une portion de montage de puce LSI de la PWB 2 de façon que le motif de soudage imprimé 22 rencontre les positions de localisation des plots 11 de la puce LSI 1. Subséquemment, comme représenté sur la figure 3B, la puce LSI 1 est montée sur la PWB 2 tandis que le motif de soudage 22 situé sur la surface supérieure de la PWB 2 est mis en correspondance avec les plots 11 et le motif de soudage 22 fait l'objet d'une refusion pour réunir la puce LSI 1 à la PWB 2. Subséquemment, comme représenté sur la figure 3C, le dispositif de rigidification 4 est disposé dans une position prédéterminée d'un gabarit de fixation de dispositif de rigidification 6, une colle non- traitée 5 est déposée sur le dispositif de rigidification 4 puis, la PWB 2 avec la puce LSI 1 est montée sur le gabarit 6, de façon que la puce LSI 1 et le dispositif de rigidification 4 soient disposés dans les positions correspondantes. En outre, le remplissage inférieur 3 est injecté dans l'espace compris entre la puce LSI 1 et la PWB 2, de façon qu'il ne reste aucune bulle entre eux. Enfin, le remplissage inférieur 3 et l'agent adhésif 5 sont traités simultanément par un traitement thermique ou analogue, de façon à obtenir la carte de montage de LSI comme représenté sur la figure 3D. Comme décrit ci-dessus, dans ce mode de réalisation, puisque le remplissage inférieur 3 et l'agent adhésif 5 sont traités en même temps, l'apparition du gauchissement de la PWB 2 dans un processus de fabrication peut être évitée et l'exfoliation ou la rupture de la portion de jonction de la PWB 2 et de la puce LSI 1 peut être empêchée. REVENDICATIONS 1. Structure d'une carte de montage de LSI obtenue en fixant une puce LSI (1) sur une carte de câblage (2) d'une manière par montage de puce nue, caractérisée en ce que ladite puce LSI (1) est réunie à une première surface de ladite carte de câblage (2) et un dispositif de rigidification (4) est réuni à une deuxième surface de ladite carte de câblage (2) dans la position correspondant à ladite puce LSI (1), supprimant ainsi l'apparition du gauchissement de ladite carte de montage de LSI dû à la différence de coefficient de dilatation thermique entre ladite puce LSI (1) et ladite carte de câblage (2) lorsque la température varie. 2. Structure de la carte de montage de LSI selon la revendication 1, caractérisée en ce que la dimension externe dudit dispositif de rigidification (4) est sensiblement égale à la dimension externe de ladite puce LSI (1). 3. Structure de la carte de montage de LSI selon la revendication 1, caractérisée en ce que la dimension externe dudit dispositif de rigidification (4) est située dans la plage allant de 0,8 à 1,2 fois la dimension externe de ladite puce LSI (1). 4. Structure de la carte de montage de LSI selon la revendication 1, caractérisée en ce que ledit dispositif de rigidification (4) et ladite puce LSI (1) ont sensiblement le même coefficient de dilatation thermique. 5. Structure de la carte de montage de LSI selon la revendication 1, caractérisée en ce que ladite puce LSI (1) est constituée d'une puce de silicium et ledit dispositif.de rigidification (4) est constitué d'une plaque de silicium. 6. Structure de la carte de montage de LSI selon la revendication 1, caractérisée en ce que ledit dispositif de rigidification (4) est formé d'un matériau ayant un coefficient de dilatation thermique différent de celui de ladite puce LSI (1). 7. Structure de la carte de montage de LSI selon la revendication 1, caractérisée en ce que ledit produit de la dimension externe de ladite puce LSI (1) par le coefficient de dilatation thermique de ladite puce LSI (1) est sensiblement égal au produit de la dimension externe dudit dispositif de rigidification (4) par le coefficient de dilatation thermique dudit dispositif de rigidification (4). 8. Structure de la carte de montage de LSI selon la revendication 6, caractérisée en ce que, lorsque la dimension externe de ladite puce LSI (1) est représentée par Si, le coefficient de dilatation thermique de ladite puce LSI (1) est représenté par Tl, la dimension externe dudit dispositif de rigidification (4) est représentée par S2 et le coefficient de dilatation thermique dudit dispositif de rigidification (4) est représenté par T2, l'expression relationnelle suivante est satisfaite: 0,8 (S2 x T2) c Si x Tl 9. Structure de la carte de montage de LSI selon la revendication 1, caractérisée en ce qu'une pluralité de puces LSI (1) sont réunies à la première surface de ladite carte de câblage (2) et un dispositif de rigidification (4) qui est commun auxdites diverses puces LSI (1) est utilisé. 10. Structure de la carte de montage de LSI selon la revendication 9, caractérisée en ce que la somme des produits de la dimension externe par le coefficient de dilatation thermique desdites diverses puces LSI (1) est sensiblement égale au produit de la dimension externe par le coefficient de dilatation thermique dudit dispositif de rigidification (4). 11. Structure de la carte de montage de LSI selon la revendication 9, caractérisée en ce que, lorsque la dimension externe de la n-ième desdites puces LSI (1) est représentée par Sln (1 0,8 (S2 x T2) 12. Structure de la carte de montage de LSI selon la revendication 1, caractérisée en ce qu'un remplissage inférieur (3) est rempli dans l'espace compris entre ladite puce LSI (1) et ladite carte de câblage (2). 13. Structure de la carte de montage de LSI selon la revendication 1, caractérisée en ce que ledit dispositif de rigidification (4) et ladite carte de câblage (2) sont réunis l'un à l'autre par une colle (5). 14. Structure de la carte de montage de LSI selon la revendication 1, caractérisée en ce qu'un remplissage inférieur (3) est rempli dans l'espace compris entre ladite puce LSI (1) et ladite carte de câblage (2)., ledit dispositif de rigidification (4) et ladite carte de câblage (2) sont réunis l'un à l'autre par une colle (5), ledit remplissage inférieur (3) est formé de résine époxy et ladite colle (5) est une colle à base d'époxy. 15. Procédé de fabrication d'une carte de montage de LSI par fixation d'une puce LSI (1) sur une carte de câblage (2) d'une manière par montage de puce nue, comprenant les étapes consistant à: réunir ladite puce LSI (1) à une première surface de ladite carte de câblage (2); remplir un remplissage inférieur (3) dans l'espace entre ladite puce LSI (1) et ladite carte de câblage (2); réunir un dispositif de rigidification (4) à une deuxième surface de ladite carte de câblage (2) dans la position correspondant à ladite puce LSI (1) par une colle (5); et traiter le remplissage inférieur (3) et ladite colle (5) en même temps.