FR 2784491 A1 20000414 FR 9912160 A 19990929 La présente invention concerne un disque optique à changement de phase et, plus particulièrement, un disque optique à changement de phase réinscriptible comprenant une couche de réflexion à double revêtement et ayant une excellente résistance à la corrosion, à effacement répétitif et une fidélité de signal. Un disque optique a généralement la structure représentée en figure 1, et dans la zone d'enregistrement d'informations (1), des cavités (11) formant des informations numériques sont formées sur la piste d'un substrat (10). Une couche de réflexion (12) et une couche de protection (13) sont ensuite séquentiellement formées sur celui-ci, comme représenté en figure 2. Avec l'avènement des disques CD-ROM (disques optiques numériques non effaçables), il y a des demandes croissantes pour des supports d'enregistrement réinscriptibles qui peuvent efficacement recevoir un logiciel en rapport aux multi-médias tels que des images vidéo, des images fixes et des animations. Par conséquent, on a développé des disques audionumériques optiques réinscriptibles CD-RW, qui peuvent être enregistrés et effacés de façon répétée. Les CD-RW comprennent des disques du type magnéto optique, des disques optiques du type à changement de phase et analogue. Un disque optique à changement de phase fait utilisation d'un matériau d'enregistrement qui est capable de supporter un changement de phase entre des phases cristalline et amorphe en réponse à de la lumière, par exemple, un faisceau laser, et ce type de disque optique est compatible avec le mécanisme de lecture d'informations utilisé en liaison avec les compacts disques conventionnels. Dans un disque à changement de phase, l'information peut être enregistrée sur une couche d'information ou effacée de celle-ci au moyen de conversion mutuelle de la phase des cavités d'enregistrement entre phases cristalline/amorphe par une irradiation de faisceau laser contrôlée. Comme représenté en figure 3, un disque à changement de phase conventionnel comporte une première couche diélectrique 21, une couche d'enregistrement 22, une seconde couche diélectrique 23, une couche de réflexion 24 et une couche de protection 25, qui sont séquentiellement formées sur un substrat transparent 20. Les pistes dans la couche d'enregistrement contiennent des signaux enregistrés formés sur celle-ci lorsqu'un faisceau laser est irradié afin de convertir la phase d'une zone spécifique de la couche d'enregistrement de l'état cristallin à l'état amorphe, ou vice versa. Ce type de disque optique à changement de phase, par lequel un faisceau laser de courte longueur d'onde et un système optique unique peuvent être utilisés, est applicable à des disques optiques réinscriptibles de haute densité de génération suivante tels que des disques vidéo numériques à mémoire à accès aléatoire (DVD-RAM). Dans des disques optiques à changement de phase conventionnels, une couche en Al ou Ag est utilisée en formant une couche de réflexion relativement épaisse ayant des caractéristiques de performance limitées. L'utilisation d'une couche de réflexion réalisée en un film d'alliage mince en Al, cependant, peut conduire à un disque ayant des propriétés d'enregistrement non satisfaisantes et une couche de réflexion réalisée en un film mince en Ag tend à présenter une faible résistance à la corrosion. De ce fait, il existe un besoin de développer un disque optique à changement de phase comprenant une mince couche de réflexion qui est résistante à la corrosion et possède des propriétés d'enregistrement améliorées. De ce fait, c'est un but principal de la présente invention de réaliser un disque optique à changement de phase ayant des propriétés d'enregistrement excellentes ainsi qu'une résistance à la corrosion. Selon la présente invention, on réalise un disque optique à changement de phase ayant une première couche diélectrique, une couche d'enregistrement, une seconde couche diélectrique, une couche de réflexion et une couche de protection, caractérisé en ce que la couche de réflexion comprend une première couche de réflexion réalisée en un métal ou en un alliage de celui-ci ayant une électronégativité s'étendant de 1,9 à 3,0 et une seconde couche de réflexion réalisée en Cu, Ag ou un alliage de ceux-ci, la première couche de réflexion étant en contact fermé avec la seconde couche diélectrique et la seconde couche de réflexion, avec la première couche de réflexion et la couche de protection. L'invention sera mieux comprise et d'autres buts, caractéristiques, détails et avantages de celle-ci apparaîtront plus clairement dans la description explicative qui va suivre faite en référence aux dessins schématiques annexés donnés uniquement à titre d'exemple illustrant un mode de réalisation de l'invention et dans lesquels: - la figure 1 représente un schéma schématique d'un disque optique conventionnel; - la figure 2 représente une vue en coupe agrandie de la figure 1 effectuée le long de la ligne A-A'; - la figure 3 représente un schéma schématique illustrant la structure en couches d'un disque optique à changement de phase conventionnel; la figure 4 représente un schéma schématique du disque optique à changement de phase selon un mode de réalisation de la présente invention; - la figure 5 concerne un schéma schématique du procédé d'écrasement dans un disque optique à changement de phase; - la figure 6 exemplifie la configuration à impulsion multiple du faisceau laser utilisé dans les exemples de la présente invention; - la figure 7 représente une photographie SEM de la surface de corrosion d'une couche de réflexion en Ag produite dans un test de vieillissement accéléré; la figure 8 représente le motif d'ondes des signaux lus du disque à changement de phase préparé dans l'Exemple Comparatif 10, où une couche de réflexion unique en Al-Ti ayant une épaisseur de 750 est utilisée; - la figure 9 décrit un motif d'onde idéal estimé pour les signaux lus, correspondant à la figure 8; - la figure 10 démontre les comportements d'échauffement-refroidissement simulés des disques d'Exemples Comparatifs contenant une couche de réflexion unique en Al-Ti de diverses épaisseurs; - la figure 11 montre des résultats de tests de vieillissement accéléré pour le disque de changement de phase ayant une couche de réflexion unique en Ag() et le disque préparé dans l'Exemple 10 ayant une première couche de réflexion en Al-Ti et une seconde couche de réflexion en Ag(#); - la figure 12 explique les changements de valeur de gigue d'écrasement et de cyclabilité en fonction des épaisseurs de la couche de réflexion unique en Al-Cr utilisée dans les disques des Exemples Comparatifs 15 à 18 ; - la figure 13 indique la dépendance de l'énergie d'enregistrement sur l'épaisseur de la couche unique de réflexion en Al-Tr utilisée dans les disques des Exemples Comparatifs 15 à 18; - la figure 14 explique les changements de valeur de gigue ou d'instabilité d'écrasement et de cyclabilité en fonction de l'épaisseur de la seconde couche de réflexion en Cu utilisée dans les disques des Exemples 15 à 19 et de l'Exemple Comparatif 19 ; - la figure 15 montre la dépendance des valeurs d'instabilité des disques optiques à changement de phase préparés dans l'exemple 20 (#) et les Exemples Comparatifs 22( ) et 23 (À) sur le nombre de cycles de réécriture. En se référant à la figure 4, le disque optique à changement de phase selon un mode de réalisation de la présente invention comprend une première couche diélectrique 31, une couche d'enregistrement 32, une seconde couche diélectrique 33, une première couche de réflexion 34, une seconde couche de réflexion 35 et une couche de protection, qui sont séquentiellement formées sur un substrat transparent 30, dans cet ordre. Le substrat qui peut être utilisé dans la présente invention est préparé par un procédé de moulage d'injection conventionnel utilisant une résine de polycarbonate. La largeur et la profondeur des rainures formées sur le substrat sont conçues en tenant compte des caractéristiques d'asservissement qui affectent les propriétés d'enregistrement et de lecture du disque. En particulier, lorsqu'à la fois la surface ou les intervalles entre les rainures ou sillons et les sillons sont utilisés dans l'enregistrement pour obtenir un disque de haute densité, la profondeur des rainures doit être établie à /5n-/7n(=longueur d'onde d'enregistrement/ lumière de lecture, n=indice de réfraction d'un substrat de polycarbonate) afin d'empêcher le phénomère de diaphonie. La couche diélectrique d'un disque optique doit être optiquement transparente et résister à la chaleur. Le matériau diélectrique qui peut être utilisé en formant la couche diélectrique du disque de l'invention a de préférence une stabilité thermique élevée et un coefficient d'absorption optique proche de 0. Des exemples de celui-ci comprennent des oxydes métalliques, du carbonate métallique, des nitrures métalliques ou un mélange de ceux-ci. Des exemples spécifiques de matériau diélectrique qui peuvent être utilisés dans la présente invention comprennent ZnS-Si02(8:2), AIN et GeN. Les première et seconde couches diélectriques de la présente invention peuvent être formées en utilisant un procédé de pulvérisation haute fréquence RF dans une épaisseur de 300 à 3000Â pour la première couche diélectrique et de 50 à 500 pour la seconde couche diélectrique. Utilisé dans la formation de la couche d'enregistrement de la présente invention est un matériau qui peut facilement supporter un changement de phase entre phases cristalline et amorphe en réponse à l'irradiation d'un faisceau laser et des exemples de celui-ci comprennent des composés calcogènes conventionnels tels que des alliages en Ge-Sb-Te, In-SbTe, Ag-In-Sb-Te, Cr-Ge-Sb-Te et N-Ge-Sb-Te. Ces matériaux peuvent être utilisés avec d'autres additifs pour améliorer les caractéristiques de couches d'enregistrement. La couche d'enregistrement peut être formée en utilisant un procédé conventionnel tel qu'une pulvérisation à courant continu dans une épaisseur s'étendant de 100 à 1000Â. Pour former une couche de réflexion, des métaux conventionnels tels que Al, Ag, Au, Cu peuvent être utilisés. Afin d'améliorer les propriétés d'enregistrement et de résistance à l'oxydation, une petite quantité d'autres métaux tels que Cr, Ni, Ti, Si, Mg peut être ajoutée à ceux-ci pour former un alliage tel que Al-Ti(Ti 1,5% en poids), Al-Cr(Cr 2% atomique), Ag-Al et Ag-Mg. Dans le disque optique de l'invention, le matériau qui peut être utilisé dans la formation de la première couche de réflexion est un métal ou un alliage de celuici qui a une électronégativité s'étendant de 1,9 à 3,0 et ne réagit pas avec la couche diélectrique. Le second matériau de réflexion peut être formé en utilisant un métal ou un alliage, par exemple, Cu, Ag ou un alliage de ceux-ci, qui a une conductivité thermique supérieure à la première couche de réflexion et peut contenir un composant métallique choisi dans le groupe consistant en Al, Au, Cu, Ag, W, Mo, Ni, Ge, Si, Fe, Cr, Co, Zr, Zn, Ti, Ta, Mg, Pd, V, Nb, Hf, Sn, Sc, Rh, Pt, Mn et une combinaison de ceux-ci en tant que composant mineur. Des métaux à titre d'exemple pour former la première couche de réflexion comprennent Al, Au, W, Mo, Ni, Ge, Si, Pd, Sn, Rh, Pt et un alliage de ceux-ci qui peut contenir Al, Au, Cu, Ag, W, Mo, Ni, Ge, Si, Fe, Cr, Co, Zr, Zn, Ti, Ta, Mg, Pd, V, Nb, Hf, Sn, Sc, Rh, Pt, Mn ou une combinaison de ceux-ci en tant que composant mineur. En général, on exige que la couche de réflexion soit capable de refroidir rapidement une marque moulée, qui est produite dans la couche d'enregistrement par l'action de chauffage du rayonnement à faisceau laser à une température supérieure au point de fusion du matériau d'enregistrement, de sorte qu'une marque d'enregistrement amorphe est formée sur celui-ci, et en même temps, soit capable de cristalliser une marque d'enregistrement amorphe au moyen du maintien de la marque à une température constante préétablie pendant une période suffisante pour permettre la cristallisation de celle-ci pendant un cycle d'effacement. Lorsqu'un alliage en Al est utilisé dans la couche de réflexion, les propriétés du signal tendent à se détériorer avec des cycles répétés d'enregistrement/d'effacement à cause d'une charge thermique excessive qui s'établit sur la couche de réflexion. Afin de surmonter un tel problème, l'utilisation de Ag et de Cu a été suggérée, mais une couche de réflexion réalisée en Ag ou Cu présente des caractéristiques d'effacement faibles à cause de sa conductivité thermique excessivement élevée et également sa tendance à réagir avec la seconde couche diélectrique. Dans la présente invention, la première couche de réflexion, qui est en contact proche avec la seconde couche diélectrique, fonctionne pour maintenir la température de la couche d'enregistrement à une étendue souhaitable pendant un cycle de cristallisation et joue également le rôle d'empêcher la réaction entre la seconde couche de réflexion et la couche diélectrique. En outre, la seconde couche de réflexion, qui est positionnée entre la première couche de réflexion et la couche de protection, a une conductivité thermique plus élevée et allège la croissance ou l'élévation d'une charge thermique excessive sur la première couche de réflexion. L'épaisseur des première et seconde couches de réflexion peut être déterminée convenablement dépendant des matériaux utilisés dans la formation des première et seconde couches de réflexion, de la composition de la couche d'enregistrement, de la vitesse d'enregistrement et de la composition de l'épaisseur des couches diélectriques. Par exemple, lorsque la première couche de réflexion est réalisée en W, Si ou un alliage de Al, et la seconde couche de réflexion est formée à partir de Cu, Ag ou un alliage de Ag, la première couche de réflexion a de préférence une épaisseur de 10 ou plus, plus de préférence de 100 ou plus, et la seconde couche de réflexion, une épaisseur de 250 ou plus, plus de préférence de 450 ou plus. En outre, lorsqu'une première couche de réflexion réalisée en un alliage de Al et une seconde couche de réflexion formée à partir de Cu ou de Ag sont utilisées dans un disque conçu pour un disque vidéo numérique à mémoire vive (DVD-RAM), la première couche de réflexion a de préférence une épaisseur de 1300Â ou plus et la seconde couche de réflexion a de préférence une épaisseur de 10 ou plus, plus de préférence de 10 à 800 , tandis que l'épaisseur combinée des première et seconde couches de réflexion n'excède pas de préférence 2000Â. Afin d'atteindre des caractéristiques de modulation de signal convenables, on préfère que le disque soit préparé de telle sorte que la différence dans la réflectivité entre les phases amorphe et cristalline de la couche d'enregistrement soit supérieure à 10%. En outre, lorsqu'à la fois les régions de sillon et de surface entre sillons du disque sont utilisées dans l'enregistrement, l'amplitude du signal tend à diminuer à cause de l'interférence induite par la différence des phases de signaux, qui est produite par la différence en indice de réfraction entre les marques amorphes enregistrées et les marques cristallines effacées. Afin d'empêcher un tel problème, il est souhaitable de réaliser la réflectivité de la phase amorphe à 0, ou de concevoir l'épaisseur de chaque couche afin de minimiser la différence d'amplitude de signal entre le sillon et la surface entre sillons. En outre, afin de réduire les coûts de fabrication, il est préférable que l'épaisseur de chaque couche soit conservée a une limite inférieure pouvant être autorisée. Une résine pouvant être cuite aux ultra-violets peut être utilisée dans la couche de protection du disque de l'invention. La figure 5 représente le procédé de recouvrement du disque optique à changement de phase selon la présente invention. Lorsqu'un faisceau laser de puissance élevée est irradié sur une zone de la couche d'enregistrement, la zone irradiée fond et la zone fondue est refroidie rapidement pour former une zone amorphe, c'est-à-dire, une marque d'enregistrement. La marque d'enregistrement peut être effacée par recristallisation de la zone d'enregistrement au moyen d'irradiation de la zone d'enregistrement par un faisceau laser ayant une puissance correspondant de 1/3 à 1/2 de la puissance d'enregistrement. Un faisceau laser ayant une configuration à impulsions multiples consistant en un nombre d'impulsions courtes continues est préféré. La présente invention est en outre décrite et illustrée dans des exemples, qui sont, cependant, non destinés à limiter la portée de l'invention. Disque Compact Réinscriptible(CD-RW) Les propriétés de disques optiques à changement de phase à vitesse double CD préparés dans les Exemples 1 à 14 et les Exemples Comparatifs 1 à 14 furent évaluées selon les procédés suivants. (1) Résistance à la Corrosion (Test de Vieillissement Accéléré) Un disque d'échantillon fût conservé à 25-85 C, 50- 95% d'humidité relative pendant 100 heures, et ses propriétés d'enregistrement et de lecture furent évaluées (bonne:0, pauvre ou mauvaise:X). (2) Propriétés d'Enregistrement Les propriétés d'enregistrement d'un disque furent évaluées avec un équipement d'évaluation de propriétés dynamiques pour CD-RW (APEX Co., Modular Media Tester (MMT)). Un faisceau laser ayant la configuration à impulsions multiples représenté en figure 6 fût utilisé. L'énergie d'enregistrement et l'énergie d'effacement étaient respectivement de 12,5 mW et 6,25 mW. La longueur d'onde de la source de lumière était de 780nm et l'ouverture numérique de la lentille d'objectif était de 0,55. La propriété d'enregistrement initial fût représentée par la valeur de gigue après un enregistrement initial. La propriété du signal d'enregistrement fût considérée pour être mauvaise lorsque la valeur de gigue excédait 20ns. La propriété d'enregistrement d'écrasement, représentée par la valeur de gigue après le 10ième écrasement, fût considérée pour être mauvaise lorsque la valeur de gigue excédait 20ns (bonne:0, mauvaise :X). La cyclabilité d'écrasement signifie le nombre de cycles d'écrasement pouvant être accompli jusqu'à ce que la valeur de gigue atteigne un point qui est de 50% supérieur à la valeur de gigue d'écrasement après le 10ième écrasement. Exemple 1 Un substrat de disque de polycarbonate d'épaisseur de 1,2 mm ayant des sillons en spirale d'une profondeur de 500 fût préparé en utilisant une matrice selon un procédé de moulage par injection. Une première couche diélectrique en ZnS-Si02(8:2) ayant une épaisseur de 950 À fût formée sur les sillons en utilisant un procédé de pulvérisation haute fréquence. Ensuite, une mince couche d'alliage de Ag-In-Sb-Te fût formée sur la première couche diélectrique dans une épaisseur de 200 . Ensuite, une seconde couche diélectrique en ZnS-Si02 (8: 2) ayant une épaisseur de 250 fût formée sur celle-ci par pulvérisation haute fréquence. Une première couche de réflexion en Al-Ti(Al 98,5% en poids, Ti 1,5% en poids) ayant une épaisseur de 50 fût formée sur la seconde couche diélectrique, et ensuite, une seconde couche de réflexion en Ag ayant une épaisseur de 500 fût formée sur la première couche de réflexion. Une résine pouvant cuire aux ultraviolets (SD 17:DIC) fût appliquée par centrifugation sur la seconde couche de réflexion en tant que couche de protection. Le disque optique à changement de phase résultant fût initialisé en irradiant la couche d'enregistrement par un faisceau laser à semi-conducteur (longueur d'onde de 830 nm) en utilisant un équipement d'initialisation à vitesse élevée (POP-120, d'Hitachi Co.) Les propriétés du disque ainsi préparé sont représentées au Tableau I. Exemples 2 à 5 La procédure de l'Exemple 1 fût répétée à l'excepté que les constituants et/ou l'épaisseur des couches de réflexion furent variés comme représenté au Tableau I. Les propriétés des disques ainsi préparés sont représentées au Tableau I. Exemples Comparatifs 1 à 14 La procédure d'Exemple 1 fût répétée à l'excepté que les constituants et/ou l'épaisseur des couches de réflexion furent variés comme représenté au Tableau I. Les propriétés des disques ainsi préparés sont représentées au Tableau I. Tableau I 1ère (au unique) 2ème couche réflexion Résistance Propriété Gigue couche réflexion corrosion écrasement Initiale matériau Epaisseur ( ) Matériau Epaisseur ( ) (ns) Ex. 1 Al-Ti 50 Ag 500 0 12 Ex. 2 Al-Ti 30 Ag 500 o 0 12 Ex. 3 Al-Ti 10 Ag 500 o 0 12 Ex. 4 Al-Ti 10 Ag 250 o 0 13 Ex. 5 Al-Ti 100 Ag 400 o 0 14 Ex. C#p. 1 1>8 1000 - - 0 0 21 Ex. Ccnp. 2 1>8 750 - - 0 0 19 Ex. Comp. 3 Ag 500- - x 0 15 Ex. C#p. 4 1>8 300 - - X 0 18 Ex. Comp. 5 Ag 250- - X 0 19 Ex. Comp. 6 Ag 200- - X X 34 Ex. Comp. 7 Ag 150 - - X Ex. Comp. 8 Al-Ti 1500- - o o 19 Ex. Comp. 9 Al-Ti 1000- - o o 19 Ex. Carp. 10 Al-Ti 750 - - 0 X 23 Ex. Comp. 11 Al-Ti 500- - o Ex. Comp. 12 Al-Ti 300- - o - Ex. Comp. 13 Al-Ti 10 Ag 200 o X 21 Ex. C#p. 14 Cu 10 1>8 200 0 X 23 Comme on peut le voir au Tableau I, les disques optiques à changement de phase de l'invention préparés dans les Exemples 1 à 5 présentent une bonne propriété d'enregistrement par écrasement et une bonne résistance à la corrosion ainsi que des valeurs de gigue d'enregistrement initial faibles en dessous de 15ns. Les disques préparés dans les Exemples Comparatifs 1 et 2 qui comprennent une couche de réflexion unique en Ag ayant une épaisseur de 750Â ou plus présentent une bonne résistance à la corrosion mais l'utilisation d'une telle couche d'argent épaisse n'est pas économiquement faisable. Lorsque l'épaisseur de la couche de réflexion unique en Ag est réduite à en dessous de 500 , la résistance à la corrosion devient faible. Dans le cas où l'épaisseur de la couche de réflexion unique en Ag est inférieure à 200 (Exemples Comparatifs 6 et 7), les disques présentent de faibles propriétés d'enregistrement, à côté du problème de corrosion. La figure 7 représente une photographie SEM (par microscope électronique à balayage) de la surface de corrosion d'une couche de réflexion en Ag du disque de l'Exemple Comparatif 3 obtenue dans un test de vieillissement accéléré. En considérant les disques contenant une couche de réflexion unique en Al-Ti, lorsque l'épaisseur de la couche de réflexion Al-Ti est de 1000Â ou plus (Exemples Comparatifs 8 et 9), la résistance à la corrosion et la propriété d'écrasement sont satisfaisantes, mais les valeurs de gigue initiale sont supérieures à celles des gigues de l'invention. Egalement, le procédé pour produire une telle couche épaisse en Al-Ti a le problème d'une faible productibilité. Comme l'épaisseur de la couche de réflexion Al-Ti était réduite à 750,500 et 300 (Exemples Comparatifs 10 à 12), les propriétés du signal d'enregistrement se détériorent. La figure 8 représente le motif d'onde de signaux lus du disque à changement de phase dans l'Exemple Comparatif 10 utilisant une couche de réflexion unique de 750Â en Al-Ti. A cause de la présence des marques amorphes imparfaites sur le disque, le motif d'onde représenté en figure 8 est différent de celui de la figure 9 qui présente un motif d'onde idéal. Réprésentées sur la figure 10 sont des courbes de comportement simulé chauffage-refroidissement des disques préparés dans les Exemples Comparatifs 8 à 12 utilisant une couche de réflexion unique en Al-Ti de diverses épaisseurs. Les propriétés physiques et les constantes optiques des matériaux utilisés dans la simulation sont représentées au Tableau II. Tableau II Matériau Indice Conductivité Chaleur Réfraction Thermique Spécifique (780 nm) (J/cm/sec/ C) Couche ZnS-Si02 2,05+0,00li 0,006 2,055 Diélectrique Couche Ag-In-Sb-Te 4,13+4,68i 0,0055 1,292 Enregistrement Couche de Al-Ti 2,54+7,82i 1,1 2,464 Réflexion Comme on peut le voir en figure 10, la vitesse de refroidissement devient plus faible comme l'épaisseur de la couche de réflexion d'alliage de Al diminue. Une marque d'enregistrement amorphe est généralement créée en amenant la température de la couche d'enregistrement au-dessus de son point de fusion et refroidissant rapidement la couche fondue en dessous du point de fusion et si la vitesse de refroidissement n'est pas suffisamment élevée, la couche fondue tend à se cristalliser avant d'être refroidie en une phase amorphe. Les disques ayant une couche de réflexion unique d'alliage de Al d'une épaisseur inférieure à 750Â ont un tel problème de vitesse de refroidissement insuffisante et, de ce fait, ont de mauvaises propriétés d'enregistrement. Ainsi, l'utilisation d'une couche de réflexion unique conventionnelle d'alliage en Al-Ti exige qu'elle ait une épaisseur de 1000Â ou plus, tandis qu'une couche de réflexion unique en Ag d'une épaisseur inférieure à 500 souffre du problème de corrosion. Par contraste, le disque mince de la présente invention ayant une couche relativement mince présente des propriétés améliorées. Exemples 6 à 14 La procédure de l'Exemple 1 fût répétée à l'excepté que les constituants et l'épaisseur des couches de réflexion furent variés comme représenté au Tableau III. Les propriétés d'un dique ainsi préparé sont représentées au Tableau III. Tableau III 1ère (ou unique) 2ème couche réflexion Résistance Propriété Gigue Cyclabilité couche réflexion corrosion écrasement Initiale écrasement matériau Epaisseur ( ) matériau Epaisseur ( ) (ns) Ex. 6 Al-Ti 500 Ag 500 o 0 19 > 2000 Ex. 7 Al-Ti 400 Ag 500 o 0 18 > 2000 Ex. 8 Al-Ti 300 Ag 500 o 0 19 > 2000 Ex. 9 Al-Ti 200 Ag 500 o 0 18 > 2000 Ex. 10 Al-Ti 100 Ag 500 o o 18 > 1800 Ex. 11 Al-Ti 100 Ag 450 o o 14 > 900 Ex. 12 W 100 Ag 500 o o 18 > 2000 Ex. 13 W 500 Ag 500 o o 18 > 2000 Ex. 14 Si 100 Ag 500 o 0 18 > 1100 Comme on peut le voir dans le Tableau III, les disques optiques à changement de phase de l'invention préparés dans les Exemples 6 à 14 présentent de bonnes propriétés de signal d'enregistrement, une bonne résistance à la corrosion et une excellente cyclabilité ou périodicité d'écrasement. La figure 11 représente les résultats de test de vieillissement accélérés obtenus pour le disque à changement de phase préparé dans l'Exemple Comparatif 3 en utilisant une couche de réflexion unique en Ag # et le disque préparé dans l'Exemple 10 ayant une première couche de réflexion Al-Ti et une seconde couche de réflexion Ag # Le disque de la présente invention présente une valeur de gigue constante tandis que la valeur de gigue du disque ayant une couche unique en Ag augmente brutalement après 10 heures. Disques Vidéo Numériques à Mémoire Vive (DVD-RAM) Les propriétés des disques DVD-RAM préparées dans les Exemples 15 à 20 et les Exemples Comparatifs 15 à 18 furent évaluées par les procédés suivants. Un disque fût chargé sur un équipement d'évaluation de propriétés dynamiques pour DVD-RAM(Nakamichi Co. ) et les propriétés de celui-ci furent évaluées sous une vitesse de rotation de 6,0 ms/s. Un faisceau laser fût utilisé selon le standard 1.0 DVD-RAM (Forum DVD). La longueur d'onde de la source de lumière était de 680 nm et l'ouverture numérique de la lentille d'objectif était de 0,60. La gigue d'écrasement fût définie comme la valeur de gigue après le 10ième écrasement et considérée pour être pauvre lorsque la valeur de gigue excède 4ns. La cyclabilité de l'écrasement est représentée par le nombre de cycles d'écrasement pouvant être accompli jusqu'à ce que la valeur de gigue atteigne un point qui est de 50% supérieur à la gigue d'écrasement. Pp(mW) représente l'énergie ou puissance d'enregistrement. La propriété globale d'un disque est classée comme bonne lorsque la valeur de gigue d'écrasement est inférieure à 4,Ons et la cyclabilité d'écrasement excède 100 000 cycles (bonne:0, pauvre :X). Exemple 15 Un substrat d'un disque de polycarbonate d'une épaisseur de 0,6 mm ayant des sillons en spirale d'une profondeur de 70nm fût préparé en utilisant une matrice selon un procédé de moulage par injection. La distance entre deux sillons adjacents était de 1,48 m et la distance entre le centre d'un sillon et le centre d'une surface de jonction entre sillons était de 0,74 m. Le long de la ligne centrale des sillons, des cavités en tête furent formatées pour détecter l'adresse de chaque secteur. En outre, une section fût formée dans chaque sillon de sorte que des signaux oscillant du même nombre de fréquence purent être détectés. Une première couche diélectrique en ZnS-Si02(8:2) ayant une épaisseur de 950 fût formée sur les sillons en utilisant un procédé de pulvérisation haute fréquence. Une couche mince d'alliage de Ge-Sb-Te fût formé sur la première couche diélectrique dans une épaisseur de 200 . Ensuite, une seconde couche diélectrique en ZnS-Si02 (8:2) ayant une épaisseur de 140 fût formée sur celleci par un procédé de pulvérisation haute fréquence. Une première couche de réflexion en Al-Cr (Al 98% atomique, Cr 2% atomique) ayant une épaisseur de 500 fût formée sur la seconde couche diélectrique par pulvérisation haute fréquence. Finalement, une seconde couche de réflexion en Cu ayant une épaisseur de 400 fût formée sur la première couche de réflexion en utilisant un procédé de pulvérisation à courant continu. Une résine pouvant être cuite aux ultraviolets (SD 17 :DIC) fût revêtue par centrifugation en tant que couche de protection. Les propriétés du disque ainsi préparées sont représentées au Tableau IV. Exemples 16 à 19 La procédure de l'Exemple 15 fût répétée à l'excepté que les constituants et l'épaisseur des couches de réflexion furent variés comme représenté au Tableau IV. Les propriétés des disques ainsi préparés sont représentées au Tableau IV. Exemples Comparatifs 15 à 21 La procédure de l'Exemple 15 fût répétée à l'excepté que les constituants et l'épaisseur des couches de réflexion furent variés comme représenté au Tableau IV. Les propriétés des disques ainsi préparées sont représentées au Tableau IV. Tableau IV 1ère (ou unique) 2ème couche réflexion Gigue Çyclabilité Pp A* couche réflexion Ecrasement écrasement (mW) Matériau Epaisseur ( ) Matériau Epaisseur ( ) (ns) Ex. 15 Al-Cr 500 Cu 400 3,7 120 000 12,0 o Ex. 16 Al-Cr 500 Cu 500 3,8 120 000 12,6 0 Ex. 17 Al-Cr 500 Cu 600 3,9 130 000 12,6 0 Ex. 18 Al-Cr 1000 Cu 500 3,7 100 000 13,1 0 Ex. 19 Al-Cr 500 Cu 700 4,0 140 000 12,6 0 Ex. Coup. 15 Al-Cr 500 - - 3,8 2 000 10,8 X Ex. Comp. 16 Al-Cr 1000 - 3,7 2 000 12,0 X Ex. Comp. 17 Al-Cr 1500- - 3,6 50 000 12,2 X Ex. Comp. 18 Al-Cr 2000- 3,6 70 000 13,0 X Ex. Comp. 19 Al-Cr 500 Cu 800 4,7 - 12,6 X Ex. Comp. 20 Al-Cr 500 Cu 1000 4,6 - 12,8 X Ex. Comp. 21 Al-Cr 1500 Cu 500 3,8 50 000 12,2 X note : A = propriété globale Comme on peut le voir dans le Tableau IV, les disques optiques à changement de phase de l'invention préparés dans les Exemples 15 à 19 présentent de bonnes propriétés de signal d'enregistrement et de résistance à la corrosion ainsi que de faibles valeurs de gigue d'enregistrement initial. La figure 12 représente les changements de la valeur de gigue d'écrasement et de cyclabilité des Exemples Comparatifs 15 à 18 avec l'épaisseur de la couche de réflexion unique en Al-Cr. Comme représenté en figure 12, même lorsque l'épaisseur de la couche en Al-Cr est aussi élevée que 2000Â, la cyclabilité d'écrasement atteint seulement 70 000. La figure 13 représente le changement de l'énergie d'enregistrement des disques des Exemples Comparatifs 15 à 18 avec l'épaisseur de la couche de réflexion unique en Al-Cr. Comme on peut le voir en figure 13, comme l'épaisseur de la couche de réflexion augmente, l'énergie d'enregistrement doit être élevée à un niveau non souhaitable. En outre, lorsqu'une couche de réflexion excessivement épaisse est utilisée dans la production d'un disque, le procédé devient non économique à cause des coûts de matériaux augmentés et de la faible productibilité. En outre, lorsque l'épaisseur combinée des couches de réflexion en Al-Cr et Cu est supérieure à une limite prescrite de 1300Â comme dans les Exemples Comparatifs 19 à 21, on obtient des disques ayant des valeurs de gigue d'écrasement élevée et une cyclabilité d'écrasement faible. La figure 14 représente les changements de valeur de gigue d'écrasement et de cyclabilité avec l'épaisseur de la seconde couche de réflexion en Cu. Exemple 20 La procédure de l'Exemple 15 fût répétée à l'excepté que le constituant de la couche d'enregistrement était GeSb2Te4; une couche d'alliage de Al-Cr (Cr 2% atomique) avait une épaisseur de 500 et une couche de Cu ayant une épaisseur de 100 fût utilisée respectivement comme les première et seconde couches de réflexion ; la cavité d'entête et l'oscillation ne furent pas formées sur le substrat. Exemple Comparatif 22 La procédure de l'Exemple 20 fût répétée à l'excepté qu'une couche d'alliage en Al-Cr ayant une épaisseur de 500 À fût utilisée comme couche de réflexion unique. Exemple Comparatif 23 La procédure de l'Exemple 20 fût répétée à l'excepté que l'épaisseur de la seconde couche de réflexion en Cu était de 200 A. Les disques préparés dans l'Exemple 20 et les Exemples Comparatifs 22 et 23 furent enregistrés sous la condition de l'Exemple 12 à l'excepté que les vitesses furent réglées à 8,2 m/s. La figure 15 représente les changements des valeurs de gigue d'écrasement (3Tw) des disques optiques à changement de phase préparés dans l'Exemple 20 # et les Exemples Comparatifs 22(#) et 23(#) en fonction du nombre de cycles d'écrasement. Comme on peut le voir des résultats ci-dessus, la mince couche en Cu ayant une épaisseur de 100 À (Exemple 20) présente de meilleures propriétés que la couche épaisse en Cu de 200 À utilisée dans l'Exemple Comparatif 23 lorsque sous la condition examinée. De ce fait, le disque optique à changement de phase de la présente invention peut être avantageusement appliqué à des CD-RW, DVD-RAM, et analogues. REVENDICATIONS 1. Disque optique à changement de phase contenant une première couche diélectrique (31), une couche d'enregistrement (32), une seconde couche diélectrique (33), une couche de réflexion et une couche de protection, caractérisé en ce que la couche de réflexion comprend une première couche de réflexion (34) réalisée en un métal ou en un alliage de celui-ci ayant une électronégativité s'étendant de 1,9 à 3,0 et une seconde couche de réflexion (35) réalisée en Cu, Ag ou un alliage de ceux-ci, la première couche de réflexion (34) étant en contact proche avec la seconde couche diélectrique (33) et la seconde couche de réflexion (35), avec la première couche de réflexion (34) et la couche de protection. 2. Disque optique à changement de phase selon la revendication 1, dans lequel le métal ou l'alliage de la première couche de réflexion est choisi dans le groupe consistant en Al, Au, W, Mo, Ni, Ge, Si, Pd, Sn, Rh, Pt et un alliage de ceux-ci. 3. Disque optique à changement de phase selon la revendication 2, caractérisé en ce que l'alliage contient un composant métallique choisi dans le groupe consistant en Al, Au, Cu, Ag, W, Mo, Ni, Ge, Si, Fe, Cr, Co, Zr, Zn, Ti, Ta, Mg, Pd, V, Nb, Hf, Sn, Sc, Rh, Pt, Mn et une combinaison de ceux-ci, comme composant mineur. 4. Disque optique à changement de phase selon la revendication 1, caractérisé en ce que l'alliage qui constitue la seconde couche de réflexion contient un composant métallique choisi dans le groupe consistant en Al, Au, Cu, Ag, W, Mo, Ni, Ge, Si, Fe, Cr, Co, Zr, Zn, Ti, Ta, Mg, Pd, V, Nb, Hf, Sn, Sc, Rh, Pt, Mn et une combinaison de ceux-ci, comme composant mineur. 5. Disque optique à changement de phase selon la revendication 1, caractérisé en ce que la couche d'enregistrement est en un alliage de Ag-In-Sb-Te, la première couche de réflexion est en W, Si, ou un alliage de Al, ayant une épaisseur de 10 ou plus et la seconde couche de réflexion est en Ag ou un alliage de Ag, ayant une épaisseur de 250 À ou plus. 6. Disque optique à changement de phase selon la revendication 5, caractérisé en ce que la première couche de réflexion est en un alliage de Al, ayant une épaisseur de 100 ou plus et la seconde couche de réflexion est en Ag ou un alliage de Ag, ayant une épaisseur de 450 À ou plus. 7. Disque optique à changement de phase selon la revendication 1, caractérisé en ce que la couche d'enregistrement est en alliage de Ge-Sb-Te, la première couche de réflexion est en Al ou un alliage de Al et la seconde couche de réflexion est en Cu ou Ag. 8. Disque optique à changement de phase selon la revendication 7, caractérisé en ce que l'épaisseur combinée de la première couche de réflexion et de la seconde couche de réflexion est de 2000 À ou moins. 9. Disque optique à changement de phase selon la revendication 8, caractérisé en ce que l'épaisseur de la première couche de réflexion est de 1300 À ou moins, et celle de la seconde couche de réflexion est de 10 ou plus. 10. Disque optique à changement de phase selon la revendication 9, caractérisé en ce que l'épaisseur de la seconde couche de réflexion est de 800 À ou moins.