FR 2782715 A1 20000303 FR 9910819 A 19990826 Domaine de l'invention La présente invention se rapporte à de nouveaux monomères utilisés pour préparer un copolymère de photorésist, à leurs copolymères, et à des compositions de photorésist préparées à partir de ceux-ci. Plus spécifiquement, elle se rapporte à de tels nouveaux monomères, copolymères et compositions de photorésist, appropriés pour une exposition à une lumière dans la région de l'ultraviolet lointain du spectre. Contexte de l'invention Un film photosensible pour utilisation avec une lumière de l'ultraviolet lointain, en particulier, pour une radiation d'ArF, doit satisfaire plusieurs exigences ; il doit avoir une faible absorbance de la lumière à une longueur d'onde de 193 nm, une excellente résistance à l'attaque et adhésivité à un substrat, et être développable dans une solution aqueuse de tétraméthylammonium hydroxyde (ci-après, abrégé TMAH) à 2,38 % ou 2,6 %. Jusqu'à présent, les chercheurs ont focalisé leurs recherches sur une substance ayant une transparence et une résistance à l'attaque élevées à 193 nm telle que les résines novolaques. Par exemple, les chercheurs du Bell Labs Research Center ont augmenté la résistance à l'attaque des copolymères de photorésist en ajoutant une unité alicyclique à la chaîne principale. En addition, les chercheurs du Fujitsu of Japan et Sipri of the United States ont activement recherché des composés méthacrylates et acrylates en tant que polymères de photorésist. Cependant, ces 'techniques n'ont pas résolu le problème de la résistance à l'attaque, et impliquent des coûts de production augmentés résultant de l'introduction de groupes alicycliques dans le polymère. En addition, la faible adhésivité présentée par la plupart des photorésists de l'art antérieur est désavantageuse en ce que les motifs photolithographiques ne peuvent pas être établis avec des motifs L/S intégrés de 150 nm ou moins. Résumé de l'invention Un objet de la présente invention est de résoudre les problèmes décrits ci-dessus, et de fournir de nouveaux monomères qui peuvent être utilisés pour former des copolymères qui ont une excellente adhésivité et sensibilité, et qui peuvent être facilement produits à un coût de production bas et de fournir un procédé pour préparer les monomères. Un autre objet de l'invention est de fournir des copolymères des nouveaux monomères, et un procédé pour les préparer. Un autre objet de la présente invention est de fournir des compositions de photorésist utilisant les copolymères et un procédé pour les préparer. Toujours un autre objet de la présente invention est de fournir un élément semi-conducteur produit en utilisant la composition de photorésist. La présente invention fournit un nouveau composé représenté par la Formule Chimique 1 suivante : où, R est un alkyle en (C1-C10), substitué ou non substitué, linéaire ou ramifié, un éther en (C1-C10) substitué ou non substitué, un ester en (C1-C10) substitué ou non substitué, ou une cétone en (C1-C10) substituée ou non substituée ; X et Y sont indépendamment CH2, CH2CH2, un oxygène ou un soufre ; et i vaut 0 ou un entier de 1 à 2. De façon à atteindre d'autres objets techniques, un copolymère de photorésist comprenant des unités récurrentes du monomère de Formule 1 est fourni par un autre mode de réalisation de la présente invention. Les copolymères préférés sont représentés par les Formules Chimiques 100 et 100a suivantes : où, R est un alkyle en (C-Co) , substitué ou non substitué, linéaire ou ramifié, un éther en (C1-C10) substitué ou non substitué, un ester en (C1-C10) substitué ou non substitué, une cétone en (C1-C10) substituée ou non substituée ; X, Y, V et W sont indépendamment CH2, CH2CH2, un oxygène ou un soufre ; i et j valent indépendamment 0 ou un entier de 1 à 2 ; R* est un groupe qui réagit avec un acide ; et a, b et c représentent le rapport de polymérisation des monomères. Dans le cas de la formule chimique 100, on préfère que a : b : c = (0,01 - 0,2) : (0,1 - 0,4) : 0,5 en rapport molaire équivalent. La composition de photorésist selon la présente invention comprend (i) un copolymère de photorésist selon la présente invention, un générateur photoacide et un solvant organique conventionnel. Ci-après, la présente invention sera décrite en détail. Description détaillée de l'invention On a trouvé que les composés de Formule Chimique 1 sont particulièrement utiles pour préparer des copolymères de photorésist chimiquement amplifiés. Les composés de Formule Chimique 1 ont un groupe HYDROXY qui peut augmenter l'adhésivité du photorésist à un substrat en tranche et un groupe acide carboxylique qui peut contribuer à l'augmentation de la photosensibilité en même temps. En addition, les composés peuvent être simplement synthétisés sans odeurs toxiques et sont facilement cristallisés dans l'eau sans utiliser un moyen de séparation compliquée tel qu'une chromato-graphie sur colonne ou une distillation. Ainsi, les composés de la présente invention sont avantageux pour une production en masse à un faible coût. Dans les composés préférés de Formule Chimique 1, R est représenté par la Formule Chimique la suivante : où, Z est un carbone ou un oxygène ; R1 et R2 sont indépendamment H ou un alkyle en (C1-C5) ; et m et n valent indépendamment 0 ou un entier de 1 à 5. Le monomère de photorésist selon la présente invention peut être préparé par réaction (i) d'un dialcool tel que l'éthylène glycol, le 1,3-propanediol, le 1,4 butanediol, le 1,5-pentanediol, le 2,2-diéthyl-1,3propanediol, le 2,2-diméthyl-1,3-propanediol et le diéthylène glycol et (ii) d'un anhydride tel que l'anhydride 5-norbonène-2,3-dicarboxylique et l'anhydride exo-3,6-époxy-1,2,3,6-tétrahydrophthalique, dans un solvant organique tel que le tétrahydrofurane, le diméthylformamide, le dioxane, le benzène et le toluène. Par exemple, le composé représenté par la Formule Chimique 2 suivante, un des composés représenté par la Formule 1 ci-dessus, peut être obtenu par réaction d'un composé des Formules Chimiques 2a et 2b en présence d'un catalyseur acide ou d'une base : où, Y est CH2, CH2CH2, un oxygène ou un soufre ; Z est un carbone ou un oxygène ; R1 et R2 sont indépendamment H ou un alkyle en (C1-C5) ; et m et n valent indépendamment 0 ou un entier de 1 à 5. Le composé de Formule Chimique 2a peut être utilisé en la même quantité ou en une quantité en excès par rapport au composé de Formule Chimique 2b- NaH, KH, CaH2, Na2C03, LDA (lithium-diisopropyla- mide) ou analogue peuvent être utilisés en tant que base et l'acide sulfurique, l'acide acétique, l'acide nitrique peuvent être utilisés en tant que catalyseurs acides. Les nouveaux monomères selon la présente invention (les composés représentés par la Formule Chimique 1) peuvent également être préparés par une réaction de Diels-Alder. Par exemple, le composé représenté par la Formule Chimique 2 ci-dessus peut être préparé par les Schémas Réactionnels (1) et (2) suivants ci-après : f1 o +OH-(CH2)m-Z-(CH2)n-OH 0 +OH#(CH2)m#Z#(CH)n##OH R2 1 H+ Ri COOH Lcoo- (CH2) m-Z 1 -(CH2) n-OH R2 où, Y est CH2, CH2CH2, un oxygène ou un soufre ; Z est un carbone ou un oxygène ; R1 et R2 sont indépendamment H ou un alkyle en (Ci-Cg) ; et m et n valent indépendamment 0 ou un entier de 1 à 5. C'est-à-dire que, d'abord, le matériau intermédiaire est obtenu par la réaction d'anhydride maléique et d'un di-alcool dans un solvant organique tel que le benzène, le tétrahydrofurane, le diméthylformamide ou le dioxane en présence d'un catalyseur acide, comme montré dans le Schéma Réactionnel 1, et ensuite, le matériau produit final est obtenu par une réaction de Diels-Alder qui est effectuée dans un solvant organique tel que le benzène et le tétrahydrofurane, comme montré au Schéma Réactionnel 2. Les copolymères de photorésist préférés selon la présente invention comprennent des unités récurrentes d'un composé de Formule Chimique 1 en tant que premier comonomère et un composé de Formule Chimique 3 suivante en tant que second monomère : où, V et W sont indépendamment CH2, CH2CH2, un oxygène ou un soufre ; j vaut 0 ou un entier de 1 à 2 ; et- R* est un groupe qui réagit avec un acide. Dans la Formule Chimique 3, le R* est libéré lorsqu'il est mis à réagir avec l'acide produit par le générateur photoacide dans la composition de photorésist. Ainsi, alors que le polymère de photorésist dans les régions exposées de la couche de photorésist devient soluble dans la solution de développement, le polymère dans les régions non exposées n'est pas dissous dans la solution de développement parce qu'un acide n'est pas généré là et donc les groupes qui réagissent avec un acide sont toujours liés au polymère de photorésist. Comme résultat, un motif prédéterminé est formé. Par conséquent, les composés de Formule Chimique 3 ont un rôle dans l'augmentation de la photosensibilité du polymère de photorésist en augmentant la différence de solubilité dans la solution de développement entre la portion exposée et la portion non exposée. Les groupes qui réagissent avec un acide (labiles avec un acide) appropriés incluent un tert-butyle, un 2-tétrahydrofuranyle, un 2-tétrahydropyranyle, un 2-éthoxyéthyle, un t-butoxyéthyle et ainsi de suite. Dans un mode de réalisation plus préféré, le second comonomère est le tert-butyl-5-norbornène-2-carboxylate, le composé de Formule Chimique 3a suivante : Un anhydride maléique ou des dérivés maléimides peuvent être ajoutés en tant que monomères augmentant la polymérisation pour rendre la polymérisation entre les composés cyclooléfines plus efficace. Cependant, en effectuant la polymérisation en utilisant un catalyseur métallique, un tel monomère augmentant la polymérisation n'est pas nécessairement requis. Le premier comonomère,de Formule 1 et le second comonomère de Formule 3 comprenant le copolymère de photorésist selon la présente invention contiennent chacun des substituants ayant un fort encombrement stérique. Donc, dans les copolymères préférés, un comonomère espaceur, tel que le composé de la Formule Chimique 4 suivante, est ajouté à la chaîne principale du polymère de façon non seulement à réduire l'encombrement stérique (augmentant le rendement de synthèse, de préférence à plus de 40%), mais également pour ajuster de façon appropriée le poids moléculaire dans un intervalle souhaitable (de préférence, dans l'intervalle de 7 000 - 8 000) . où, U est CH2,CH2CH2, un oxygène ou un soufre ; et R' est un hydrogène ou un alkyle en C1-C5. De préférence, le R' est un hydrogène ou un méthyle. Les Formules Chimiques 100,200, 100a et 200a suivantes représentent des copolymères de photorésist préférés selon la présente invention. où, X, Y, V, W et U sont indépendamment CH2, CH2CH2, un oxygène ou un soufre ; R est un alkyle en (C1-C10) substitué ou non substitué, linéaire ou ramifié, un éther en (C1-C10) substitué ou non substitué, un ester en (C1-C10), substitué ou non substitué, ou une cétone en (C1-C10) substituée ou non substituée ; R* est un groupe réagissant avec un acide ; RI est un hydrogène ou un alkyle en C1-C5 ; i et j valent indépendamment 0 ou un entier de 1 à 2 ; et a, b, c et d sont indépendamment le rapport de polymérisation des comonomères. Le poids moléculaire des copolymères de photorésist selon la présente invention est de 3 000 à 12 000, de préférence, de 5 000 à 10 000. Alors que les copolymères représentés par les Formules Chimiques 100 et 200 sont principalement obtenus par une méthode de synthèse utilisant un initiateur de polymérisation, les copolymères représentés par les formules chimiques 100a et 200a sont principalement obtenus par une méthode de synthèse utilisant un catalyseur métallique. Une méthode de synthèse utilisant un initiateur de polymérisation est effectuée par réaction des comonomères dans un solvant organique en présence d'un initiateur de polymérisation. Les solvants organiques actuellement préférés incluent le tétrahydrofurane, le diméthylformamide, le diméthyl sulfoxyde, le dioxane, la méthyl éthyl cétone, le benzène, le toluène ou le xylène peuvent être utilisés. Les initiateurs de polymérisation radicalaire conventionnels, tels que le 2,2azobisisobutyronitrile (AIBN), l'acétyl peroxyde, le lauryl peroxyde et le tert-butyl peroxyde peuvent être utilisés dans la synthèse des copolymères de la présente invention. Les compositions de photorésist selon la présente invention, qui sont utiles pour des procédés de photolithographie employant une source de lumière dans l'ultraviolet lointain telle que ArF, peuvent être préparés par dissolution d'un copolymère de photorésist selon la présente invention avec un générateur photoacide conventionnel dans un solvant organique conventionnel. Les composés sulfures ou du type onium sont de préférence utilisés en tant que générateur photoacide. Le générateur photoacide peut être un ou plus composés sélectionnés dans le groupe consistant en le diphényl iodure hexafluorophosphate, le diphényliodure hexafluoroarsenate, le diphényliodure hexafluoroantimonate, le diphényl p-méthoxyphényl triflate, le diphényl p-toluényl triflate, le diphényl p-isobutylphényl triflate, le diphényl p-tert-butylphényl triflate, le triphénylsulfonium hexafluorophosphate, le triphénylsulfonium hexafluoroarsenate, le triphénylsulfonium hexafluoroantimonate, le triphénylsulfonium triflate et le dibutylnaphthylsulfonium triflate. Le générateur photoacide est utilisé en une quantité de 0,05 à 10% en poids du copolymère de photorésist employé. Si la quantité du générateur photoacide est inférieure à 0,05% en poids, la photosensibilité du photorésist devient faible. D'autre part, la quantité supérieure à 10%, le générateur photoacide absorbe rapidement l'ultraviolet lointain pour fournir un motif ayant une faible surface trans-versale. Un solvant organique conventionnel, tel que l'éthyl-3-éthoxypropionate, le méthyl 3-méthoxypropionate, la cyclohexanone, le propylène glycol méthyl éther acétate, ou analogue, peut être utilisé dans les compositions de photorésist de la présente invention. La quantité de solvant utilisée est de 200 à 1000% en poids du copolymère de photorésist, de façon à obtenir une couche de photorésist de l'épaisseur souhaitable. Selon les expériences des présents inventeurs,.lorsque la quantité de solvant est de 600% en poids, une couche de photorésist ayant une épaisseur de 0,5m est obtenue. Une méthode de formation conventionnelle d'un motif de photorésist peut être utilisée avec la composition de photorésist préparée selon la présente invention, par exemple comme suit : D'abord, la composition de photorésist de la présente invention est revêtue par centrifugation sur une tranche de silicium pour former un film fin, qui est ensuite cuite doucement (c'est-à-dire chauffée dans une étuve ou sur une plaque chaude à 70 à 200 C, de préférence à 80 à 150 C pendant 1 à 5 minutes), et exposée à une lumière en utilisant un dispositif d'exposition employant une source de l'ultraviolet lointain, telle qu'une lumière d'ArF et une lumière de KrF, qui a une longueur d'onde inférieure à 250 nm. Puis, la tranche est post-cuite (c'est-à-dire chauffée à 70 à 200 C, plus préférablement, 100 à 200 C). Ensuite, la tranche est imprégnée dans une solution de développement de TMAH aqueux à 2,38 % pendant 1,5 minutes, pour obtenir une image de photorésist. Dans la procédure ci-dessus, l'énergie d'exposition est de préférence de 0,1 à 30 mJ/cm et, au lieu de la source de lumière de l'ultraviolet lointain, un faisceau E, des rayons X, un EUV, un VUV(Ultraviolet vide) ou une source de lumière similaire peuvent être utilisés. En employant la composition de photorésist selon la présente invention, un motif de photorésist ligne/ espace (L/S) ayant d'excellentes adhésivité et résolution est obtenu, sans écrasement du motif, même lorsque l'isolation n'est pas supérieure à 70 nm. Selon la présente invention, une composition de photorésist ayant d'excellentes résistance à l'attaque et adhésivité peut être fabriquée à grande échelle avec un coût de production bas, et un élément semi-conducteur ayant une excellente fiabilité peut être préparé à partir de celle-ci. Description détaillée des modes de réalisation préférés Cette invention est décrite en plus de détail en se référant aux exemples ci-après, mais il doit être noté que la présente invention n'est en aucune façon restreinte à de tels exemples. Synthèse du monomère de photorésist Exemple 1 : Synthèse du 5-norbornène-2-acide carboxylique-3-hydroxyéthyl carboxylate De l'éthylène glycol (0,1 mole) est ajouté à 100 ml de tétrahydrofurane, et le mélange est refroidi sur de la glace à -20 C. Le mélange refroidi est agité pendant 20 - 30 minutes en présence d'un catalyseur basique, par exemple, 0,1 mole d'hydrure de sodium. Ensuite, 0,1 mole d'anhydride 5-norbornène-2,3-dicarboxylique est ajouté lentement à cela, et la température est augmentée à la température ambiante pour effectuer la réaction pendant 24 heures. Lorsque la réaction est complète, le tétrahydrofurane est distillé, et le résidu est mélangé avec une solution d'acide chlorhydrique 0,2 N (500 ml), et le mélange est cristallisé dans un réfrigérateur pendant plusieurs jours. Ensuite, le matériau résultant est filtré, lavé avec de l'eau froide (100 ml), et séché pour obtenir le composé de Formule Chimique 11 sous la forme d'un solide incolore pur (19,4 g/rendement: 86%). Dans le procédé décrit ci-dessus, l'étape de cristallisation requiert un long temps (pas moins d'une semaine). De façon à résoudre le problème, le matériau résultant du traitement avec l'acide chlorhydrique est extrait avec 500 ml d'éthyl acétate, séché sur un agent déshydratant tel que du sulfate de magnésium anhydre et filtré. Après évaporation du filtrat sous pression réduite, un solide blanc est obtenu, qui est ensuite recristallisé à partir d'acétone/éther de pétrole pour donner le composé de Formule Chimique 11 à l'état pur (17,6 g/rendement: 78%). Exemple 2 : Synthèse du 5-norbonène-2-acide carboxylique-3-hydroxypropyl carboxylate La procédure de l'Exemple 1 est répétée mais en utilisant du 1,3-propanediol à la place de l'éthylène glycol en tant que réactant, pour obtenir le composé de Formule Chimique 12 sous la forme d'un solide incolore (21,1 g/rendement : 88 %). Exemple 3 : Synthèse du 5-norbornène-2-acide carboxYliaue-3-hydroxybutyl carboxylate La procédure de l'Exemple 1 est répétée mais en utilisant du 1,3-butanediol à la place de l'éthylène glycol en tant que réactant, pour obtenir le composé de Formule Chimique 13 sous la forme d'un solide incolore (22,6 g, rendement : 89 %). Exemple 4 : Synthèse du 5-norbornène-2-acide carboxylique-3-hydroxypentyl carboxylate La procédure de l'Exemple 1 est répétée mais en utilisant du 1,5-pentanediol à la place de l'éthylène glycol en tant que réactant, pour obtenir le composé de Formule Chimique 14 sous la forme d'un solide incolore (22,8 g/rendement : 85 %). Exemple 5 : Synthèse du 5-norbornène-2-acide carboxvliaue-3-(2-éthvl-hvdroxyméthvl)butvl carboxylate La procédure de l'Exemple 1 est répétée mais en utilisant du 2,2-diéthyl-1,3-propanediol à la place de l'éthylène glycol en tant que réactant, pour obtenir le composé de Formule Chimique 15 sous la forme d'un solide incolore (26,9 g/rendement 91 %). Exemple 6 : Synthèse du 5-norbornène-2-acide carboxylique-3-(2.2-diméthyl)hydroxypropyl carboxylate La procédure de l'Exemple 1 est répétée mais en utilisant du 2,2-diméthyl-1,3-propanediol à la place de l'éthylène glycol en tant que réactant, pour obtenir le composé de Formule Chimique 16 sous la forme d'un solide incolore (24,1 g/rendement : 90 %). Exemple 7 : Synthèse du 5-norbornène-2-acide carboxvliaue-3-(2-hydroxyéthoxv)éthvl carboxylate La procédure de l'Exemple 1 est répétée mais en utilisant du diéthylène glycol à la place de l'éthylène glycol en tant que réactant, pour obtenir le composé de Formule Chimique 17 sous la forme d'un solide incolore (19,2 g/rendement : 71 %). Exemple 8 : Synthèse de l'oxabicycio[2.2.1]-hept-5- ène-2-acide carboxyliaue-3-hydroxvéthyl carboxylate De l'éthylène glycol (0,1 mole) est ajouté à 100 ml de tétrahydrofurane, et le mélange est refroidi à -20 C. Au mélange refroidi à la glace, de l'hydrure de sodium (0,1 mole) est ajouté, et le mélange résultant est agité pendant 20 à 30 minutes. Puis, 0,1 mole d'anhydride exo- 3,6-époxy-1,2,3,6-tétrahydrophtalique est lentement ajouté à cela, la température est augmentée à la température ambiante pour effectuer la réaction pendant 24 heures. Lorsque la réaction est terminée, le térahydrofurane est distillé, et le résidu est mélangé avec une solution d'acide chlorhydrique 0,2 N (500 ml), et le mélange est cristallisé dans un réfrigérateur pendant plusieurs jours. Puis, le matériau résultant est filtré, lavé avec de l'eau froide (100 ml), et séché pour obtenir le composé de Formule Chimique 18 sous la forme d'un solide incolore (19,4 g/rendement : 86 %). Dans le procédé pour préparer le composé de Formule Chimique 18 décrit ci-dessus, l'étape de cristallisation requiert un temps long de pas moins d'une semaine. Ainsi, de façon à résoudre le problème, le matériau résultant du traitement avec l'acide chlorhydrique est extrait avec 500 ml d'éthyl acétate, séché sur un agent de déshydratation tel que du sulfate de magnésium anhydre, et filtré. Après évaporation du filtrat sous pression réduite, un solide blanc est obtenu, qui est ensuite recristallisé à partir d'acétone/éther de pétrole pour fournir le composé de Formule Chimique 18 à l'état pur (17,6 g/rendement : 78 %). Exemple 9 : Synthèse de l'oxabicvclof2.2.l1hept-5- ène-2-acide carboxylique-3-hydroxypropyl carboxylate La procédure de l'Exemple 8 est répétée mais en utilisant du 1,3-propanediol à la place de l'éthylène glycol en tant que réactant, pour obtenir le composé de Formule Chimique 19 sous la forme d'un solide incolore (20,8 g/rendement : 86 %). Exemple 10 : Synthèse de 1 'oxabicyclo \2 . 2 . Il hept-5- ène-2-acide carboxylique-3-hydroxybutyl carboxylate La procédure de l'Exemple 8 est répétée mais en utilisant du 1,4-butanediol à la place de l'éthylène glycol en tant que réactant, pour obtenir-le composé de Formule Chimique 20 sous la forme d'un solide incolore (22,3 g/rendement : 87 %). Exemple 11 : Synthèse de l'oxabicyclo[2.2.1]hept-5- ène-2-acide carboxylique-3-hydroxypentyl carboxylate La procédure de l'Exemple 8 est répétée mais en utilisant du 1,5-pentanediol à la place de l'éthylène glycol en tant que réactant, pour obtenir le composé de Formule Chimique 21 sous la forme d'un solide incolore (23,8 g/rendement : 88 %). Exemple 12 : Synthèse de l'oxabicyclo[2.2.1]hept-5- ène-2-acide carboxylique-3-(2-éthyl-2-hydroxyméthyl)butyl carboxylate La procédure de l'Exemple 8 est répétée mais en utilisant du 2,2-diéthyl-1,3-propanediol à la place de l'éthylène glycol en tant que réactant, pour obtenir le composé de Formule Chimique 22 sous la forme d'un solide incolore (27,7 g/rendement 93 %). Exemple 13 : Synthèse de l'oxabicyclo[2.2.1]hept-5- ène-2-acide carboxyliaue-3-(2.2-diméthvl)hvdroxypropyl carboxylate La procédure de l'Exemple 8 est répétée mais en utilisant du 2,2-diméthyl-1,3-propanediol à la place de l'éthylène glycol en tant que réactant, pour obtenir le composé de Formule Chimique 23 sous la forme d'un solide incolore (23,6 g/rendement : 86 %). Exemple 14 : Synthèse de l'oxabicyclo[2.2.1]hept-5- ène-2-acide carboxYliaue-3- (2-hydroxyéthoxy) éthyl carboxylate La procédure de l'Exemple 8 est répétée mais en utilisant du diéthylène glycol à la place de l'éthylène glycol en tant que réactant, pour obtenir le composé de Formule Chimique 24 sous la forme d'un solide incolore (21,2 g/rendement : 78 %). Synthèse du copolymère de photorésist Exemple 15 : Synthèse du poly(5-norbornène-2-acide carboxylique-3-(2,2-diéthyl)-hydroxypropyl carboxvlate/tert-butvl-5-norbornène-2-carboxylate/ anhydride maléique Le 5-norbornène-2-acide carboxylique-3-(2,2diéthyl)-hydroxypropyl carboxylate (0,2 mole), le tertbutyl 5-norbornène-2-carboxylate (0,8 mole) et l'anhydride maléique (1,0 mole) sont dissous dans du tétrahydrofurane. Ensuite, 0,5 à 10 g d'AIBN (azobisisobutyronitrile) en tant qu'initiateur de polymérisation sont ajoutés à cela, et le mélange résultant est mis à réagir à environ 60 à 70 C pendant 4 à 24 heures sous une atmosphère d'azote ou d'argon. Le polymère ainsi obtenu est précipité à partir d'éthyl éther ou d'hexane, et séché pour obtenir le composé suivant de Formule Chimique 101 (rendement : 39 %). Exemple 16 : Synthèse du poly(mono-2-éthyl-2hydroxyméthylbutyl bicyclo[2.2.2]oct-5-ène-2,3dicarboxvlate/tert-butyl 5-norbornène-2-carboxylate/ anhydride maléique La procédure de l'Exemple 15 est répétée mais en utilisant du mono-2-éthyl-2-hydroxyméthylbutyl bicyclo [2.2.2]oct-5-ène-2,3-dicarboxylate (0,2 mole) à la place du 5-norbornène-2-acide carboxylique-3-(2,2-diéthyl)hydroxypropyl carboxylate (0,2 mole), pour obtenir le composé représenté par la Formule Chimique 102 suivante (rendement : 36 %). Exemple 17 : Synthèse du poly(5-norbornène-2-acide carboxyliaue-3-(2,2-diéthyl)-hydroxypropyl carboxylate/ tert-butyl bicyclo F 2 . 2 . 2 1 oct-5-endo-2 -carboxylate/ anhydride maléïaue La procédure de l'Exemple 15 est répétée mais en utilisant du tert-butyl bicyclo[2.2.2]oct-5-endo-2carboxylate (0,8 mole) à la place du tert-butyl-5norbornène-2-carboxylate (0,8 mole) pour obtenir le composé suivant représenté par la Formule Chimique 103. (Rendement : 38 %). Exemple 18 : Synthèse du poly(mono-2-éthyl-2- hydroxyméthylbutyl bicyclo[2.2.2]oct-5-ène-2,3- dicarboxylate/tert-butvl bicyclo[2.2.2]oct-5-endo-2carboxylate/anhydride maléique La procédure de l'Exemple 16 est répétée mais en utilisant du tert-butyl bicyclo[2.2.2]oct-5-endo-2carboxylate (0,8 mole) à la place du tert-butyl-5norbornène-2-carboxylate (0,8 mole), pour obtenir le composé suivant représenté par la Formule Chimique 104. (Rendement : 42 %). Exemple 19 : Synthèse du polv(5-norbornène-2-acide carboxylique-3-hydroxyéthyl carboxylate/tert-butyl-5- norbornène-2-carboxylate/anhydride maléïque/norbornène) Dans 25 ml de tétrahydrofurane, le 5-norbornène-2acide carboxylique-3-hydroxyéthylcarboxylate (10 mmoles), l'anhydride maléïque (100 mmoles), le norbornène (20 mmoles), le tert-butyl-5-norbornène-2-carboxylate (70 mmoles) et l'AIBN (0,30 g) sont dissous, et la solution est mise à réagir à 265 C pendant 10 heures. Lorsque la réaction est terminée, le mélange réactionnel est versé dans un solvant pour cristallisation, tel que de l'éther de pétrole, pour obtenir un solide pur, qui est ensuite filtré et séché pour donner le composé de Formule Chimique 105. (11,3 g/rendement : 42 %). Exemple 20 : Synthèse du poly(5-norbornène-2-acide carboxylique-3-hydroxypropyl carboxylate/tert-butyl-5- norbornène-2-carboxylate/anhydride maléïque/norbornène La procédure de l'Exemple 19 est répétée mais en utilisant du 5-norbornène-2-acide carboxylique-3hydroxypropyl carboxylate en tant que réactant, à la place du 5-norbonène-2-acide carboxylique-3-hydroxyéthyl carboxylate, pour obtenir le composé représenté par la Formule Chimique 106 sous la forme d'un solide incolore (11,58 g/rendement : 41 %). Exemple 21 : Synthèse du poly(5-norbornène-2-acide carboxylique-3-hydroxybutyl carboxylate/tert-butyl-5norbornène-2-carboxylate/anhydride maléïaue/norbornène La procédure de l'Exemple 19 est répétée mais en utilisant du 5-norbornène-2-acide carboxylique-3hydroxybutyl carboxylate en tant que réactant, à la place du 5-norbornène-2-acide carboxylique-3-hydroxyéthyl carboxylate pour obtenir le composé représenté par la Formule Chimique 107 sous la forme d'un solide incolore (11,36 g/rendement : 40 %). Exemple 22 : Synthèse du poly(5-norbornène-2-acide carboxylique-3-hydroxypentyl carboxylate/tert-butyl-5norbornène-2-carboxylate/anhydride maléique/norbornène La procédure de l'Exemple 19 est répétée mais en utilisant du 5-norbornène-2-acide carboxylique-3hydroxypentyl carboxylate en tant que réactant, à la place du 5-norbornène-2-acide carboxylique-3-hydroxyéthyl carboxylate pour obtenir le composé représenté par la Formule Chimique 108 suivante sous la forme d'un solide incolore (11,7 g/rendement : 41 %). Exemple 23 : Synthèse du poly(5-norbornène-2-acide carboxylique-3-(2-éthyl-2-hydroxyméthyl?butyl carboxylate/tert-butyl-5-norbornène-2-carboxylate/ anhydride maléïque/norbornène La procédure de l'Exemple 19 est répétée mais en utilisant du 5-norbonène-2-acide carboxylique-3-(2,2diéthyl)hydroxypropyl carboxylate en tant que réactant, à la place du 5-norbornène-2-acide carboxylique-3hydroxyéthyl carboxylate pour obtenir le composé représenté par la Formule Chimique 109 suivante sous la forme d'un solide incolore (27,6 g/rendement : 45 %). Exemple 24 : Synthèse du poly(5-norbornène-2-acide carboxylique-3-(2,2-diméthvl)hydroxypropvl carboxylate/ tert-butyl-5-norbornène-2-carboxylate/anhydride maléiaue/ norbornène. La procédure de l'Exemple 19 est répétée mais en utilisant du 5-norbornène-2-acide carboxylique-3-(2,2diméthyl)hydroxypropyl carboxylate en tant que réactant, à la place du 5-norbornène-2-acide carboxylique-3hydroxyéthyl carboxylate pour obtenir le composé représenté par la Formule Chimique 110 suivante sous la forme d'un solide incolore (11,7 g/rendement : 43 %). Exemple 25 : Synthèse du poly(5-norbornène-2-acide carbolique-3-(2-hydroxyéthoxv)éthyl carboxylate/tert- butyl-5-norbornène-2-carboxylate/anhydride maléïque/ norbornène). La procédure de l'Exemple 19 est répétée mais en utilisant du 5-norbornène-2-acide carboxylique-3-(2- éthoxy)éthanol carboxylate en tant que réactant, à la place du 5-norbornène-2-acide carboxylique-3-hydroxyéthyl carboxylate pour obtenir le composé représenté par la Formule Chimique 111 sous la forme d'un solide incolore (10,9 g/rendement : 39 %). Exemple 26 : Synthèse du poly(oxabicyclo f2.2.11 hept-5-ène-2-acide carboxylique-3-hydroxyéthyl carboxylate/ter-butyl-5-norbornène-2-carboxylate/ anhydride maléïque/norbornène). Dans 25 ml de tétrahydrofurane, l'oxabicyclo- [2.2.1]oct-5-ène-2-acide carboxylique-3-hydroxyléthyl carboxylate (10 mmoles), l'anhydride maléique (100 mmoles), le norbornène (20 mmoles), le tert-butyl-5norbornène-2-carboxylate (70 mmoles) et l'AIBN (0,30 g) sont dissous, et la solution est mise à réagir à 65 C pendant 10 heures. Après que la réaction est terminée, le mélange réactionnel est versé dans du diéthyl éther pour obtenir un solide pur, qui est ensuite séché pour donner le composé représenté par la Formule Chimique 112 suivante (11 g/rendement : 41 %). Exemple 27 : Synthèse du poly(oxabicyclo [2.2.11 hept-5-ène-2-acide carboxylique-3-hydroxypropyl carboxylate/anhydride maléïque/norbornêne/tert-butyl-5- norbornène-2-carboxylate La procédure de l'Exemple 26 est répétée mais en utilisant l'oxabicyclo[2.2.1]oct-5-ène-2-acide carboxylique-3-hydroxypropyl carboxylate à la place de l'oxabicyclo[2.2.1]oct-5-ène-2-acide carboxylique-3hydroxyéthyl carboxylate pour obtenir le composé représenté par la Formule Chimique 113 suivante sous la forme d'un solide incolore (11,3 g/rendement 42 %). Exemple 28 : Synthèse du poly(oxabicyclo-[2.2.1] hept-5-ène-2-acide carboxylique-3-hydroxybutyl carboxylate/tert-butvl-5-norbornène-2-carboxylate/ anhydride maléique/norbornène La procédure de l'Exemple 26 est répétée mais en utilisant l'oxabicyclo[2.2.1]oct-5-ène-2-acide carboxylique-3-hydroxybutyl carboxylate à la place de l'oxabicyclo[2.2.1]oct-5-ène-2-acide carboxylique-3hydroxyéthyl carboxylate pour obtenir le composé représenté par la Formule Chimique 114 suivante sous la forme d'un solide incolore (11, 1 g/rendement : 42 %). Exemple 29 : Synthèse du poly(oxabicyclo-[2.2.1] hept-5-ène-2-acide carboxylique-3-hydroxypentyl carboxylate/tert-butyl-5-norbornène-2-carboxylatel anhydride maléiaue/norbornène La procédure de l'Exemple 26 est répétée mais en utilisant l'oxabicyclo[2.2.1]oct-5-êne-2-acide carboxylique-3-hydroxypentyl carboxylate en tant que réactant, à la place de l'oxabicyclo[2.2.1]oct-5-ène-2- acide carboxylique-3-hydroxyéthyl carboxylate pour obtenir le composé représenté par la Formule Chimique 115 suivante sous la forme d'un solide incolore (10,9 g/rendement : 40 %). Exemple 30 : Synthèse du poly(oxabicyclo [2.2.1]hept-5-ène-2-acide carboxvliaue-3-(2,2di thyl)hydroxypropyl carboxylate/tert-butyl-5- norbornène - 2 - carboxylate /anhydride maléïque/norbornène La procédure de l'Exemple 26 est répétée mais en utilisant l'oxabicyclo[2.2.1]oct-5-ène-2-acide carboxylique-3-(2,2-diéthyl)hydroxypropyl carboxylate en tant que réactant, à la place de l'oxabicyclo[2.2.1]oct- 5-ène-2-acide carboxylique-3-hydroxyéthyl carboxylate pour obtenir le composé représenté par la Formule Chimique 116 suivante sous la forme d'un solide incolore (12,1 g/rendement : 44 %). Exemple 31 : Synthèse du poly(oxabicyclo [2. 2.11 hept-5-ène-2-acide carboxylique-3-(2,2-dimêthyl)hydroxy- propyl carboxylate/tert-butyl-5-norbornène-2-carboxylate/ anhydride maléique/norbornène La procédure de l'Exemple 26 est répétée mais en utilisant l'oxabicyclo[2.2.1]oct-5-ène-2-acide carboxylique-3-(2,2-diméthyl)hydroxypropyl carboxylate en tant que réactant, à la place de l'oxabicyclo[2.2.1] oct- 5-ène-2-acide carboxylique-3-hydroxyéthyl carboxylate pour obtenir le composé représenté par la Formule Chimique 117 suivante sous la forme d'un solide incolore (11,7 g/rendement : 43 %). Exemple 32 : Synthèse du poly(oxabicyclo-[2.2.1] hept-5-ène-2-acide carboxylique-3-(2-éthôxy)éthanol car~boxylate/tert-butyl-5-norbornêne-2-carboxylate/ anhydride maléique/norbornène) La procédure de l'Exemple 26 est répétée mais en utilisant l'oxabicyclo[2.2.1]oct-5-ène-2-acide carboxylique-3-(2-éthoxy)éthanol carboxylate en tant que réactant, à la place de l'oxabicyclo[2.2.1]oct-5-ène-2- acide carboxylique-3-hydroxyéthyl carboxylate pour obtenir le composé représenté par la Formule Chimique 118 suivante sous la forme d'un solide incolore (10,7 g/ rendement : 39 %) . Dans les Exemples décrits ci-dessus, l'éther de pétrole ou le diéthyl éther est employé en tant que solvant pour la cristallisation. Alternativement, des alcools tels que le méthanol, l'éthanol et l'isopropanol peuvent être employés. Préparation d'une composition de photorésist et formation d'un motif de photorésist Exemple 33 10 g de poly(5-norbornène-2-acide carboxylique-3- (2,2-diéthyl)-hydroxyropyl carboxylate/tert-butyl 5norbornène-2-carboxylate/anhydride maléique) obtenu à l'Exemple 15 sont dissous dans 40 g de 3-méthoxyméthyl propionate, et du triphénylsulfonium triflate ou du dibutyl naphtyl sulfonium triflate (0,01 à 1 g) est ajouté à cela en tant que générateur photoacide. Après agitation, le mélange résultant est filtré à travers un filtre de 0,10 m pour obtenir une composition de photorésist. La composition de photorésist ainsi obtenue est revêtue à une épaisseur d'environ 0,3 m sur une surface, et exposée à une lumière en utilisant 193 nm d'une source de lumière ArF. Ensuite le photorésist est post-cuit, et l'élément semi-conducteur est imprégné dans une solution aqueuse d'hydroxyde de tétraméthyl- ammonium (TMAH) à 2,38 %à développer et ainsi un motif L/S de 0,13 m est obtenu. Exemple 34 La procédure de l'Exemple 33 est répétée mais en utilisant le copolymère de photorésist obtenu à l'Exemple 16 au lieu de celui obtenu à l'Exemple 15 et ainsi un motif L/S de 0,13 m est obtenu. Exemple 35 Le copolymère obtenu à l'Exemple 19 (10 g) et du triphénylsulfonium triflate (0,12 g) en tant que générateur photoacide sont dissous dans un solvant éthyl 3-éthoxypropionate (60 g), et le mélange résultant est filtré à travers un filtre de 0,10 m pour préparer une solution de photorésist. La solution du photorésist ainsi préparée est revêtue par centrifugation sur une tranche de silicium, et cuite doucement à 110 C pendant 90 secondes. Après cuisson, la tranche est irradiée avec une énergie d'exposition à la lumière de 0,1 à 10 mJ/cmen utilisant un appareil d'exposition à laser ArF, et la tranche est à nouveau post-cuite à 110 C pendant 90 secondes. Lorsque la post-cuisson est terminée, elle est développée dans une solution aqueuse de TMAH (tétraméthylammonium hydroxyde) à 2,38 % en poids pendant 40 secondes, pour obtenir un motif L/S de 0,11 m. Exemple 36 La procédure selon l'Exemple 35 est répétée mais en utilisant la même quantité du copolymère obtenu à l'Exemple 20 au lieu du copolymère de l'Exemple 19, pour obtenir un motif L/S de 0,13 m. Exemple 37 La procédure selon l'Exemple 35 est répétée mais en utilisant la même quantité du copolymère obtenu à l'Exemple 21 au lieu du copolymère de l'Exemple 19, pour obtenir un motif L/S de 0,13 m. Exemple 38 La procédure selon l'Exemple 35 est répétée mais en utilisant la même quantité du copolymère obtenu à l'Exemple 22 à la place du copolymère de l'Exemple 19, pour obtenir un motif L/S de 0,13 m. Exemple 39 La procédure selon l'Exemple 35 est répétée mais en utilisant la même quantité du copolymère obtenu à l'Exemple 23 au lieu du copolymère de l'Exemple 19, pour obtenir un motif L/S de 0,13 m. Exemple 40 La procédure selon l'Exemple 35 est répétée mais en utilisant la même quantité du copolymère obtenu à l'Exemple 24 au lieu du copolymère de l'Exemple 19, pour obtenir un motif L/S de 0,13 m. Exemple 41 La procédure selon l'Exemple 35 est répétée mais en utilisant la même quantité du copolymère obtenu à l'Exemple 25 au lieu du copolymère de l'Exemple 19, pour obtenir un motif L/S de 0,12 m. Exemple 42 La procédure selon l'Exemple 35 est répétée mais en utilisant la même quantité du copolymère obtenu à l'Exemple 26 au lieu du copolymère de l'Exemple 19, pour obtenir un motif L/S de 0,12 m. Exemple 43 La procédure selon l'Exemple 35 est répétée mais en utilisant la même quantité du copolymère obtenu à l'Exemple 27 au lieu du copolymère de l'Exemple 19, pour obtenir un motif L/S de 0,11 m. Exemple 44 La procédure selon l'Exemple 35 est répétée mais en utilisant la même quantité du copolymère obtenu à l'Exemple 28 au lieu du copolymère de l'Exemple 19, pour obtenir un motif L/S de 0,13 m. Exemple 45 La procédure selon l'Exemple 35 est répétée mais en utilisant la même quantité du copolymère obtenu à l'Exemple 29 au lieu du copolymère de l'Exemple 19, pour obtenir un motif L/S de 0,13 m. Exemple 46 La procédure selon l'Exemple 35 est répétée mais en utilisant la même quantité du copolymère obtenu à l'Exemple 30 au lieu du copolymère de l'Exemple 19, pour obtenir un motif L/S de 0,12 m. Exemple 47 La procédure selon l'Exemple 35 est répétée mais en utilisant la même quantité de copolymère obtenu à l'Exemple 31 au lieu du copolymère de l'Exemple 19, pour obtenir un motif L/S de 0,13 m. Exemple 48 La procédure selon l'Exemple 35 est répétée mais en utilisant la même quantité de copolymère obtenu à l'Exemple 32 au lieu du copolymère de l'Exemple 19, pour obtenir un motif L/S de 0,13 m. REVENDICATIONS 1. Monomère de photorésist caractérisé en ce qu'il est représenté par la Formule Chimique 1 : où, R est un alkyle en (C-Co) linéaire ou ramifié, substitué ou non substitué, un éther en (C-Cio) substitué ou non substitué, un ester en (C1-C10) substitué ou non substitué, ou une cétone en (C1-C10) substituée ou non substituée ; X et Y sont indépendamment CH2, CH2CH2, un oxygène ou un soufre ; et i vaut 0 ou un entier de 1 à 2. 2. Monomère de photorésist selon la revendication 1, caractérisé en ce que ledit R est représenté par la Formule Chimique 1 à suivante : où, Z est un carbone ou un oxygène ; R1 et R2 sont indépendamment H ou un alkyle en (CI- C5) ; et m et n valent indépendamment 0 ou un entier de 1 à 5. 3. Monomère de photorésist selon la revendication 1, caractérisé en ce que ledit i vaut zéro. 4. Monomère de photorésist selon la revendication 1, caractérisé en ce que ledit monomère de photorésist est représenté par la Formule Chimique 2 suivante : où, Y est CH2, CH2CH2, un oxygène ou un soufre ; Z est un carbone ou un oxygène ; R1 et R2 sont indépendamment H ou un- alkyle en (C1C5) ; et m et n valent indépendamment 0 ou un entier de 1 à 5. 5. Monomère de photorésist selon la revendication 1, caractérisé en ce que ledit monomère de photorésist est sélectionné dans le groupe consistant en le 5-norbornène-2-acide carboxylique-3-hydroxyéthyl carboxylate ; le 5-norbornène-2-acide carboxylique-3-hydroxypropyl carboxylate ; le 5-norbornène-2-acide carboxylique-3-hydroxybutyl carboxylate ; le 5-norbornène-2-acide carboxylique-3hydroxypentyl carboxylate ; le 5-norbornène-2-acide carboxylique-3-(2-éthylhydroxyméthyl)butyl carboxylate ; le 5-norbornène-2-acide carboxylique-3-(2,2diméthyl)hydroxypropyl carboxylate ; le 5-norbornène-2-acide carboxylique-3-(2hydroxyéthoxy)éthyl carboxylate ; l'oxabicyclo[2.2.1]-hept-5-ène-2-acide carboxylique-3-hydroxyéthyl carboxylate ; l'oxabicyclo[2.2.1]hept-5-ène-2-acide carboxylique- 3-hydroxypropyl carboxylate ; l'oxabicyclo[2.2.1]hept-5-ène-2-acide carboxylique- 3-hydroxybutyl carboxylate ; l'oxabicyclo[2.2.1]hept-5-ène-2-acide carboxylique- 3-hydroxypentyl carboxylate ; l'oxabicyclo2.2.1]hept-5-êne-2-acide carboxylique- 3-(2-éthyl-2-hydroxyméthyl)butyl carboxylate ; l'oxabicyclo[2.2.1]hept-5-ène-2-acide carboxylique- 3-(2,2-diméthyl)hydroxypropyl carboxylate ; et l'oxabicyclo[2.2.1]hept-5-ène-2-acide carboxylique- 3-(2-hydroxyéthoxy)éthyl carboxylate. 6. Méthode de synthèse d'un monomère de photorésist représenté par la Formule Chimique 1 suivante caractérisée en ce qu'elle comprend : (a) la dissolution d'un composé di-alcool dans un solvant organique ; (b) l'ajout d'un catalyseur acide ou d'une base à la solution résultante avec agitation ; et (c) l'ajout d'un composé anhydride à la solution résultante pour obtenir un composé de Formule 1 : où, R est un alkyle en (C1-C10) substitué ou non substitué, linéaire ou ramifié, un éther en (C1-C10) substitué ou non substitué, un ester en (C1-C10) substitué ou non substitué, une cétone en (C1-C10) substituée ou non substituée ; X et Y sont indépendamment CH2, CH2CH2, un oxygène ou un soufre ; et i vaut 0 ou un entier de 1 à 2. 7. Méthode selon la revendication 6, caractérisée en ce que ledit composé anhydride est l'anhydride 5norbornène-2,3-dicarboxylique ou l'anhydride exo-3,6- époxy-1,2,3,6-tétrahydrophtalique. 8. Méthode selon la revendication 6, caractérisée en ce que ledit composé di-alcool est sélectionné dans le groupe consistant en l'éthylène glycol, le 1,3propanediol, le 1,4-butanediol, le 1,5-pentanediol, le 2,2-diéthyl-1,3-propanediol, le 2,2-diméthyl-1,3propanediol et le diéthylène glycol. 9. Méthode selon la revendication 6, caractérisée en ce que ledit solvant organique est sélectionné dans le groupe consistant en le tétrahydrofurane, le diméthylformamide, le dioxane, le benzène et le toluène. 10. Méthode selon la revendication 6, caractérisée en ce que ladite base est sélectionnée dans le groupe consistant en NaH, KH, CaH2, Na2CO3 et LDA (lithium diisopropylamide). 11. Méthode selon la revendication 6, caractérisée en ce que ledit acide est sélectionné dans le groupe consistant en l'acide sulfurique, l'acide acétique et l'acide nitrique. 12. Méthode de synthèse du monomère de photorésist représenté par la Formule Chimique 2 ci-après, caractérisée en ce qu'elle comprend : (a) la réaction d'un anhydride maléique et d'un composé di-alcool en présence d'un catalyseur acide, comme montré au Schéma Réactionnel 1 ci-après ; et (b) la mise en oeuvre d'une réaction de Diels- Alder avec le produit résultant, comme montré au Schéma Réactionnel 2 ci-après . Schéma Réactionnel 2 Y est CH2, CH2CH2, un oxygène ou un soufre ; Z est un carbone ou un oxygène ; R1 et R2 sont indépendamment H ou un alkyle en (C1C5) ; et m et n valent indépendamment 0 ou un entier de 1 à 5. 13. Copolymère de photorésist caractérisé en ce qu'il comprend au moins un monomère représenté par la Formule Chimique 1 ci-après . où, R est un alkyle en (CCo) substitué ou non substitué, linéaire ou ramifié, un éther en (C1C10) substitué ou non substitué, un ester en (C1-C10) substitué ou non substitué, ou une cétone en (C1-C10) substituée ou non substituée ; X et Y sont indépendamment CH2, CH2CH2, un oxygène ou un soufre ; et i vaut 0 ou un entier de 1 à 2. 14. Copolymère de photorésist selon la revendication 13 caractérisé en ce qu'il comprend de plus un second comonomère représenté par la Formule Chimique 3 : où V et W sont indépendamment CH2, CH2CH2, un oxygène ou un soufre ; R est un groupe qui réagit avec un acide ; et j vaut 0 ou un entier de 1 à 2. 15. Copolymère de photorésist selon la revendication 14, caractérisé en ce que ledit R est un tert-butyl, un 2-tétrahydrofuranyle, un 2-tétrahydro- pyranyle, un 2-éthoxyéthyle ou un t-butoxyéthyle. 16. Copolymère de photorésist selon la revendication 14, caractérisé en ce que ledit i = j =0. 17. Copolymère de photorésist selon la revendication 14, caractérisé en ce que ledit composé représenté par la Formule Chimique 3 suivante est le tert-butyl-5-norbornène-2-carboxylate, le composé de la Formule Chimique 3a suivante ou le composé de la Formule Chimique 3b suivante : 18. Copolymère de phôtorésist selon la revendication 14 caractérisé en ce qu'il comprend de plus un monomère améliorant la polymérisation sélectionné dans le groupe consistant en l'anhydride maléique et les dérivés maléimide. 19. Copolymère de photorésist selon la revendication 14, caractérisé en ce que ledit copolymère de photorésist comprend de plus un matériau espaceur représenté par la Formule Chimique 4 suivante : où, U est CH2, CH2CH2, un oxygène ou un soufre ; et R' est un hydrogène ou un alkyle en C1-C5. 20. Copolymère de photorésist selon la revendication 14, caractérisé en ce que ledit copolymère de photorésist est sélectionné dans le groupe consistant en les Formules Chimiques 100,200, 100a et 200a suivantes : où, X, Y, V, W et U sont indépendamment CH2, CH2CH2, un oxygène ou un soufre ; R est un alkyle en (C1-C10) substitué ou non substitué, linéaire ou ramifié, un éther en (C1-C10) substitué ou non substitué, un ester en (C-Cio) substitué ou non substitué, une cétone en (C1-C10) substituée ou non substituée ; R est un groupe réagissant avec un acide ; R' est un hydrogène ou un alkyle en C1-C5 ; i et j valent indépendamment 0 ou un entier de 1 à 2 ; et a, b, c et d sont indépendamment les rapports de polymérisation des monomères. 21. Copolymère de photorésist selon la revendication 14 caractérisé en ce que le poids moléculaire moyen dudit copolymère de photorésist est de 3 000 à 12 000. 22. Copolymère de photorésist selon la revendication 14, caractérisé en ce que ledit copolymère de photorésist est sélectionné dans le groupe consistant en le poly(5-norbornène-2-acide carboxylique-3-(2,2- diéthyl)-hydroxypropyl carboxylate/tert-butyl 5- norbornène-2-carboxylate/anhydride maléique) ; le poly(mono-2-éthyl-2-hydroxyméthylbutyl bicyclo [2.2.2]oct-5-ène-2,3-dicarboxylate/tert-butyl 5norbornène-2-carboxylate/anhydride maléique ; le poly(5-norbonène-2-acide carboxylique-3-(2,2diéthyl)-hydroxypropyl carboxylate/tert-butyl bicyclo[2.2.2]oct-5-endo-2-carboxylate/anhydride maléique ; le poly(mono-2-éthyl-2-hydroxyméthylbutyl bicyclo[2.2.2]oct-5-ène-2,3-dicarboxylate/tert butyl bicyclo[2.2.2]oct-5-endo-2-carboxylate/anhydride maléique ; le poly(5-norbornène-2-acide carboxylique-3hydroxyéthyl carboxylate/tert-butyl-5-norbornène-2carboxylate/anhydride maléique/norbornène) ; le poly(5-norbornène-2-acide carboxylique-3hydroxypropyl carboxylate/tert-butyl-5-norbornène-2- carboxylate/anhydride maléïque/norbornène) ; le poly(5-norbornène-2-acide carboxylique-3hydroxybutyl carboxylate/tert-butyl-5-norbornène-2carboxylate/anhydride maléïque/norbornène) ; le poly(5-norbornène-2-acide carboxylique-3hydroxypentyl carboxylate/tert-butyl-5-norbornène-2carboxylate/anhydride maléique/norbornène) ; le poly(5-norbornène-2-acide carboxylique-3-(2- éthyl-2-hydroxyméthyl)butyl carboxylate/tert-butyl-5norbornène-2-carboxylate/anhydride maléïque/norbornène) ; le poly(5-norbornène-2-acide carboxylique-3-(2,2diméthyl)hydroxypropyl carboxylate/tert-butyl-5norbornène-2-carboxylate/anhydride maléïque/norbornène) ; le poly(5-norbornène-2-acide carboxylique-3-(2hydroxyéthoxy)éthyl carboxylate/tert-butyl-5-norbornène- 2-carboxylate/anhydride maléïque/norbornène) ; le poly(oxabicyclo[2.2.1]hept-5-ène-2-acide carboxylique-3-hydroxyéthyl carboxylate/tert-butyl-5norbornène-2-carboxylate/anhydride maléique/norbornène) le poly(oxabicyclo[2.2.1]hept-5-ène-2-acide carboxylique-3-hydroxypropyl carboxylate/anhydride maléïque/norbornène/tert-butyl-5-norbornène-2- carboxylate ; le poly(oxabicyclo[2.2.1]hept-5-ène-2-acide carboxylique-3-hydroxybutyl carboxylate/tert-butyl-5norbornène-2-carboxylate/anhydride maléique/norbornène) ; le poly(oxabicyclo[2.2.1]hept-5-ène-2-acide carboxylique-3-hydroxypentyl carboxylate/tert-butyl-5norbornène-2-carboxylate/anhydride maléïque/norbornène) ; le poly(oxabicyclo[2.2.1]hept-5-ène-2-acide carboxylique-3-(2,2-diéthyl)hydroxypropyl carboxylate/tert-butyl-5-norbornène-2carboxylate/anhydride maléïque/norbornène) ; le poly(oxabicyclo[2.2.1]hept-5-ène-2-acide carboxylique-3-(2,2-diméthyl)hydroxypropyl carboxylate/ tert-butyl-5-norbornène2-carboxylate/anhydride maléïque/norbornène) ; et le poly(oxabicyclo[2.2.1]hept-5-ène-2-acide carboxylique-3-(2-éthoxy)éthanol carboxylate/tert-buty-5norbornène-2-carboxylate/anhydride maléïque/norbornène). 23. Méthode de synthèse d'un copolymère de photorésist, caractérisée en ce qu'elle comprend (a) la dissolution dans un solvant organique (i) d'un composé représenté par la Formule Chimique 1 suivante, (ii) d'un composé représenté par la Formule Chimique 3 suivante et (iii) d'au moins l'un d'un anhydride maléique et de dérivés maléimides ; et (b) l'ajout d'un initiateur de polymérisation à la solution résultante pour induire une réaction de polymérisation : R est un alkyle en (C1-C10) substitué ou non substitué, linéaire ou ramifié, un éther en (C1-C10) substitué ou non substitué, un ester en (C-Co) substitué ou non substitué, une cétone en (C1-C10) substituée ou non substituée ; X et Y sont indépendamment CH2, CH2CH2, un oxygène ou un soufre ; et i vaut 0 ou un entier de 1 à 2 ; où, V et W sont indépendamment CH2, CH2CH2, un oxygène ou un soufre ; R est un groupe qui réagit avec un acide ; et j vaut 0 ou un entier de 1 à 2. 24. Méthode selon la revendication 23 où ledit solvant organique est sélectionné dans le groupe consistant en le tétrahydrofurane, le diméthylformamide, le diméthyl sulfoxyde, le doxane, la méthyl éthyl cétone, le benzène, le toluène et le xylène. 25. Méthode selon la revendication 23 caractérisée en ce que ledit initiateur de polymérisation est sélectionné dans le groupe consistant en le 2,2- azobisisobuthronitrile (AIBN), l'acétyl peroxyde, le lauryl peroxyde et le tert-butyl peroxyde. 26. Méthode selon la revendication 23, caractérisée en ce que ladite étape (a) comprend de plus l'ajout d'un monomère espaceur représenté par la Formule Chimique 4 suivante dans le solvant organique, où, U est CH2, CH2CH2, un oxygène ou un soufre ; et R' est un hydrogène ou un alkyle en C1-C5. 27. Méthode de synthèse d'un copolymère de photorésist caractérisée en ce qu'elle comprend : (a) la dissolution dans un solvant organique de (i) un composé représenté par la Formule Chimique 1 suivante et (ii) un composé représenté par la Formule Chimique 3 suivante, et (b) l'ajout d'un catalyseur métallique à la solution résultante pour induire une réaction de polymérisation. où, R est un alkyle en (C1-C10) substitué ou non substitué, linéaire ou ramifié, un éther en (C1-C10) substitué ou non substitué ; un ester en (C-Cio) substitué ou non substitué, ou une cétone en (C1-C10) substituée ou non substituée ; X et Y sont indépendamment CH2, CH2CH2, un oxygène ou un soufre ; et i vaut 0 ou un entier de 1 à 2 : où, V et W sont indépendamment CH2, CH2CH2, un oxygène ou un soufre ; R est un groupe qui réagit avec un acide ; et j vaut 0 ou un entier de 1 à 2. 28. Méthode selon la revendication 27, caractérisée en ce que ladite étape (a) comprend de plus l'étape d'ajout d'un monomère espaceur représenté par la Formule Chimique 4 suivante au solvant organique : où, U est CH2, CH2CH2, un oxygène ou un soufre ; et R' est un hydrogène ou un alkyle en C1-C5. 29. Composition de photorésist caractérisée en ce qu'elle comprend (i) un copolymère de photorésist selon l'une quelconque des revendications 13,14, 18 ou 19 ; (ii) un générateur photoacide et (iii) un solvant organique. 30. Composition de photorésist selon la revendication 29, caractérisée en ce que ledit générateur photo-acide est un sulfure ou des composés du type onium. 31. Composition de photorésist selon la revendication 29, caractérisée en ce que ledit générateur photoacide est sélectionné dans le groupe'consistant en le diphényl iodure hexafluorophosphate, diphényl iodure hexafluoroarsenate, le diphényliodure hexafluoroantimonate, le diphényl p-méthoxyphényl triflate, le diphényl p-toluényl triflate, le diphényl p-isobutylphényl triflate, le diphényl p-tert-butylphényl triflate, le triphénylsulfonium hexafluorophosphate, le triphénylsulfonium hexafluoroarsenate, le triphénylsulfonium hexafluoroantimonate, le triphénylsulfonium triflate et le dibutylnaphthylsulfonium triflate. 32. Composition de photorésist selon la revendication 29, où ledit solvant organique est sélectionné dans le groupe consistant en l'éthyl 3- éthoxypropionate, le méthyl 3-méthoxypropionate, la cyclohexanone et le propylèneglycol méthyléther acétate. 33. Procédé pour former un motif de photorésist, caractérisé en ce qu'il comprend : (a) le revêtement d'une composition de photorésist selon la revendication 29 sur un substrat semiconducteur pour former un film de photorésist ; (b) l'exposition du film de photorésist en utilisant un dispositif d'exposition ; et (c) le développement du film de photorésist. 34. Procédé selon la revendication 32 caractérisé en ce qu'il comprend de plus une étape de cuisson douce après l'étape (a). 35. Procédé selon la revendication 34, caractérisé en ce que la cuisson douce est effectuée à 70-200 C. 36. Procédé selon la revendication 33 caractérisé en ce qu'il comprend de plus une étape de post-cuisson, après l'étape (b). 37. Procédé selon la revendication 36, caractérisé en ce que la post-cuisson est effectuée à 70-200 C. 38. Procédé selon la revendication 33, caractérisé en ce que ledit dispositif d'exposition emploie une source de lumière ayant une longueur d'onde inférieure à 250 nm. 39. Procédé selon la revendication 33, caractérisé en ce qu'il comprend ledit dispositif d'exposition emploie une source de lumière sélectionnée dans le groupe consistant en ArF, KrF, un faisceau E, un faisceau d'ions, un rayonnement VUV (ultra violet vide), EUV et X. 40. Elément semiconducteur fabriqué par le procédé selon la revendication 33.