FR 2774807 A1 19990813 FR 9801412 A 19980206 PORTE-SUBSTRAT ELECTROSTATIQUE ET SON PROCEDE D'UTILISATION Domaine technique La présente invention concerne un porte-substrat électrostatique et son procédé d'utilisation. Un tel porte-substrat est destiné à permettre la manipulation, le transport et le traitement de substrats (de matériau semiconducteur notamment) dont les caractéristiques (épaisseur, taille, fragilité,...) sont telles que les moyens classiques pour effectuer ces opérations ne peuvent pas être utilisés directement sur ces substrats. Etat de la technique On peut être amené à traiter, sur un même parc d'équipements, des substrats de diamètres différents, par exemple des substrats de 100 mm et des substrats de 200 mm. Pour passer d'un diamètre de substrat à un autre, il est, dans la plupart des cas, indispensable d'adapter ou de modifier l'équipement. Ceci est long et coûteux. Dans certains cas, quand l'équipement est configuré de telle sorte que les substrats sont manipulés et positionnés horizontalement, il peut être possible de poser le substrat sur une plaquette (en matériau de même nature que le substrat ou en matériau différent) qui sert de support au substrat pendant toute la durée du procédé. Cependant, ceci n'est possible que dans une proportion faible des équipements. En outre, les substrats peuvent échapper de leur support sous l'effet de vibrations, d'accélérations, de mouvements d'air, de flux gazeux. Un autre inconvénient de ce type de support est qu'il ne fournit pas un bon contact thermique avec le substrat, en raison principalement de l'absence de pression appliquant le substrat sur son support ou porte-substrat. Or, dans certains procédés de traitement du substrat, le contrôle de la température du substrat est indispensable, par exemple dans le cas d'une opération de gravure ionique réactive. Dans ce cas, l'équipement comporte un système de fixation du substrat à traiter sur uh porte-substrat permettant le contrôle de sa température. On contrôle donc la température du substrat par l'intermédiaire de son support. I1 est donc indispensable que le substrat et son support soient en contact thermique intime. Pour cela, il peut être nécessaire que le substrat soit appliqué sur son support avec une certaine pression. Un autre problème à considérer est celui de la fragilité de certains substrats. En particulier, certains procédés de fabrication de circuits électroniques de puissance sur silicium doivent faire face à ce problème. En effet, les performances électriques de certains de ces dispositifs sont dépendantes de l'épaisseur du substrat sur lequel ils sont fabriqués, ce qui conduit à utiliser des substrats de faible épaisseur, par exemple 240 micromètres ou moins (au lieu de 500 micromètres pour un substrat standard). Les substrats minces n'ont pas les propriétés mécaniques suffisantes pour supporter directement les manipulations, transferts et fixations, nécessaires à l'application des procédés concernés. Un autre exemple où les opérations de manipulation, de transport et de traitement peuvent être délicates est celui des éléments relevant des microtechnologies que constituent des substrats se présentant sous la forme de films minces et/ou souples, par exemple les films de matériau polymère destinés à réaliser des diodes électroluminescentes. On connaît des porte-substrat électrostatiques. Ces dispositifs se présentent sous la forme de structures fixes polarisées extérieurement par des connexions appropriées. Ces structures restent donc à demeure sur les équipements. Exposé de l'invention I1 est proposé selon la présente invention un porte-substrat permettant de manipuler, de transporter un substrat et permettant de le soumettre à un procédé de fabrication tout en remédiant aux problèmes de l'art antérieur. I1 est également proposé un procédé d'utilisation d'un tel porte-substrat. L'ensemble formé par le substrat et le porte-substrat selon l'invention peut être manipulé, transporté et peut subir différentes étapes d'un procédé comme un substrat de caractéristiques suffisantes pour être manipulé, transporté et traité sans risque particulier. Pour cela, l'ensemble est libre de toute liaison physique avec le milieu environnant, sauf éventuellement pendant les phases de fixation du substrat sur le porte-substrat. L'invention permet d'obtenir une bonne conduction thermique entre le substrat et le porte-substrat. L'invention permet aussi à l'ensemble constitué par le substrat et son support de pouvoir supporter les divers traitements apportés au substrat lors d'un procédé, sans que ce substrat ne se désolidarise de son support, sans perturbation du procédé, sans création de dommages irréversibles au substrat et à son support. L'invention permet de réaliser une liaison de préférence réversible entre le porte-substrat et le substrat, c'est-à-dire que le substrat doit pouvoir être séparé aisément de son support après avoir été soumis à un procédé. L'invention permet aussi de rendre le porte-substrat réutilisable. L'invention offre la possibilité d'avoir une phase de fixation du substrat sur son support simple, rapide et sans dommage pour les deux pièces. L'invention a donc pour objet un porte-substrat destiné à maintenir un substrat pendant qu'un traitement lui est appliqué, comportant, de manière interne et sans contact électrique direct avec l'extérieur, des moyens de conservation de charges électriques pour assurer, au moyen des forces électrostatiques créées par la présence desdites charges électriques, le maintien du substrat sur le porte-substrat. Les moyens de conservation des charges électriques peuvent être des moyens permettant la conservation de charges implantées. Dans ce cas, le porte-substrat peut être constitué d'une plaquette de silicium recouverte d'une couche de silice, lesdites charges électriques étant implantées dans la plaquette de silicium. I1 peut aussi être constitué d'une plaquette de matériau isolant. Avantageusement, les charges électriques implantées sont des ions H+. Les moyens de conservation des charges électriques peuvent être des moyens permettant la conservation de charges générées par un circuit de charge. Ce porte-substrat peut comporter des moyens d'accès électrique permettant d'apporter lesdites charges électriques générées par le circuit de charge aux moyens de conservation desdites charges électriques. Ces moyens d'accès électrique permettent notamment d'établir un contact électrique avec les moyens de conservation des charges électriques seulement pendant la phase de fixation de ces charges. Le porte-substrat selon l'invention peut comporter en outre au moins une électrode externe susceptible d'exercer une action sur le substrat par effet capacitif ou par effet de conduction électrique, cette électrode externe étant apte à être reliée électriquement à un potentiel de référence extérieur. Selon une autre variante, les moyens de conservation des charges électriques comprennent au moins une électrode interne. Le porte-substrat peut comporter au moins deux électrodes internes chargées à des potentiels différents. I1 peut alors comporter un circuit de charge des deux électrodes internes. Ce circuit de charge peut être un circuit redresseur dont la sortie est reliée auxdites deux électrodes internes pour leur fournir, sous l'effet d'un champ électromagnétique alternatif appliqué au circuit de charge, une différence de potentiel continu. Des moyens de coupure peuvent être prévus pour isoler le circuit de charge des électrodes internes. Les moyens de conservation des charges électriques permettant la conservation de charges générées par un circuit de charges, le porte-substrat peut être conçu pour être chargé au moyen d'au moins deux électrodes disposées de part et d'autre du porte-substrat, l'une de ces électrodes étant transparente, reliée à une première borne d'un générateur de charges et en contact électrique avec une couche photoconductrice du porte-substrat, l'autre électrode étant reliée à l'autre borne du générateur de charges et étant isolée desdits moyens de conservation de charges électriques du porte-substrat. Le circuit de charge peut comporter des moyens photovoltaïques intégrés dans le porte-substrat. L'invention a aussi pour objet un procédé d'utilisation d'un porte-substrat tel que défini ci-dessus, comportant les étapes suivantes - une étape de fourniture desdites charges électriques au porte-substrat, - une étape d'installation du substrat sur le porte-substrat, en vue de les rendre solidaires gracie à des forces électrostatiques, avant de lui appliquer le traitement, - une étape de séparation éventuelle entre le substrat et le porte-substrat après l'application dudit traitement. L'étape d'installation du substrat sur le porte-substrat peut être effectuée avant l'étape de fourniture desdites charges électriques au porte-substrat. L'étape de fourniture des charges électriques peut être réalisée par un circuit de charge. Si le circuit de charge comporte des moyens photovoltaïques, les charges peuvent être produites suite à une illumination du porte-substrat. Si les moyens de conservation des charges électriques permettent la conservation de charges implantées, celles-ci sont fournies par implantation de particules chargées électriquement. Si le circuit de charge comporte au moins deux électrodes disposées de part et d'autre du porte-substrat, l'une de ces électrodes étant transparente, reliée à une première borne d'un générateur de charges et en contact électrique avec une couche photoconductrice du porte-substrat, l'autre électrode étant reliée à l'autre borne du générateur de charge et étant isolée desdits moyens de conservation des charges électriques du porte-substrat, l'étape de fourniture des charges électriques comprend l'application d'un champ électrique continu au porte-substrat par le générateur de charges et l'illumination du porte-substrat. L'étape de séparation peut comprendre au moins l'une des opérations suivantes : application de forces mécaniques entre le substrat et le porte-substrat, diminution du nombre des charges électriques fournies au porte-substrat, fourniture de charges électriques de signe opposé à celui des charges électriques fournies au porte-substrat. Brève description des dessins L'invention sera mieux comprise et d'autres avantages et particularités apparaîtront à la lecture de la description qui va suivre, donnée à titre d'exemple non limitatif, accompagnée des figures annexées parmi lesquelles - la figure 1 représente, en coupe transversale, une première variante d'un porte-substrat selon la présente invention - la figure 2 représente, en coupe transversale, une deuxième variante d'un porte-substrat selon la présente invention, - la figure 3 représente, en coupe transversale, une troisième variante d'un porte-substrat selon la présente invention, équipé d'un circuit de charge représenté de manière symbolique, - la figure 4 représente, en coupe transversale, une quatrième variante d'un porte-substrat selon la présente invention, équipé d'un circuit de charge fonctionnant par génération photovoltaïque, - la figure 5 représente, en coupe transversale, une cinquième variante d'un porte-substrat selon la présente invention, au cours de l'étape de fourniture des charges électriques. Description détaillée de modes de réalisation de 1 ' invention Pour une utilisation dans le domaine de la micro-électronique, le porte-substrat est avantageusement réalisé à partir de matériaux compatibles avec les exigences des procédés mis en oeuvre et des traitements en température. Ces matériaux peuvent être, de façon non limitative, le silicium monocristallin, le silicium polycristallin, l'oxyde de silicium SiO2, le nitrure de silicium Si3N4, le carbure de silicium SiC. Le procédé d'utilisation du porte-substrat comporte une étape de charge du porte-substrat afin de fixer des charges électriques internes et une étape d'installation du substrat à traiter sur le porte-substrat, ces deux étapes pouvant éventuellement être combinées. L'installation du substrat sur le porte-substrat consiste à mettre directement en contact des surfaces de ces éléments. Les forces nécessaires au maintien du substrat sur le porte-substrat sont constituées par les forces électrostatiques existant entre le porte-substrat (comportant les charges électriques) et le substrat où sont induites des charges par influence électrostatique due aux charges électriques du porte-substrat. Eventuellement, le substrat peut aussi porter des charges électriques fixes. Si le substrat est entièrement constitué de matériau diélectrique, les charges induites sont des charges dipolaires liées à la polarisation du diélectrique sous l'effet du champ électrique créé par la charge du porte-substrat. Si le substrat n'est pas entièrement constitué de matériau diélectrique et comporte donc une partie conductrice (au sens électrostatique du terme), deux situations se présentent suivant que la partie conductrice du substrat présente ou non une possibilité de liaison électrique vers l'extérieur (vers la masse ou vers un générateur de tension). Cette liaison, si elle existe, n'est pas nécessairement permanente. I1 suffit qu'elle existe pendant la phase de fixation du substrat sur le porte-substrat. Dans le cas où la liaison électrique n'est pas possible, la charge électrique globale induite par influence dans le substrat reste égale à zéro (autant de charges plus créées par influence que de charges moins). Dans lthypothèse où les moyens de conservation des charges électriques du porte-substrat présentent au substrat un même potentiel, le potentiel du substrat s'ajuste à une valeur égale ou très voisine de celle des moyens de conservation des charges du porte-substrat. En conséquence, la force d'attraction entre le substrat et son support est nulle ou très faible. Si le porte-substrat offre au substrat des potentiels différents, le potentiel du substrat s'ajuste à une valeur intermédiaire, fonction des différents potentiels offerts par le porte-substrat et des divers éléments capacitifs intervenants. La force d'attraction entre le substrat et son support est alors significative. Donc, dans le cas où la liaison électrique de la partie conductrice du substrat avec l'extérieur (vers la masse ou vers un générateur) n'est pas possible, un porte-substrat offrant au moins deux potentiels différents (de préférence de signes différents, ou l'un des potentiels étant égal à zéro) est une solution envisageable. Une autre solution envisageable est de combiner des moyens de conservation de charges électriques internes au substrat avec une ou plusieurs électrodes externes, c'est-à-dire non recouvertes de matériau diélectrique et dont le potentiel peut être fixé en établissant une liaison électrique avec un générateur ou avec la masse. A titre d'exemple, le potentiel interne du porte-substrat peut être positif et une électrode externe peut être prévue et être mise au potentiel de la masse. L'électrode ou les électrodes externes participent à la fixation du potentiel du substrat, par effet capacitif si elles ne sont pas en contact avec la partie conductrice du substrat (soit qu'il y ait un espace entre elles et le substrat, soit que le substrat est recouvert d'un diélectrique) ou par conduction si la partie conductrice du substrat et les électrodes externes sont en contact. Ce dernier cas correspond au cas où la partie conductrice du substrat peut être reliée électriquement à l'extérieur. Dans le cas où une liaison électrique vers l'extérieur est possible, le potentiel du substrat peut être imposé, en particulier à un potentiel différent de celui fourni par le porte-substrat. La force d'attraction entre le substrat et son support peut alors être significative. Dans ce cas, un porte-substrat à charges électriques internes uniquement (sans électrode externe) est satisfaisant. Dans une variante du procédé d'utilisation, l'installation du substrat sur son support ou porte-substrat peut être réalisée avant l'étape de charge du porte-substrat. Ainsi pendant la phase de charge du porte-substrat, le substrat se trouve disposé sur son support et y est maintenu pendant la durée de cette phase. Ce mode de mise en oeuvre présente l'avantage de solidariser le substrat et son support de façon optimum. En effet, dans ce cas, toute charge électrique déposée dans le porte-substrat induit une charge équivalente dans le substrat alors que si la mise en contact est réalisée après la charge du porte-substrat, dans l'intervalle de temps entre les deux opérations, l'effet d'une partie des charges peut être compensé par le piégeage en surface du support de charges de signe opposé dues, par exemple, à l'attraction d'électrons ou d'ions libres dans l'atmosphère. La figure 1 représente un porte-substrat 1, vu en coupe transversale, destiné à supporter un substrat de silicium de 100 mm de diamètre et de 150 um d'épaisseur. Le porte-substrat 1 est constitué d'une plaquette 2 de silicium de 100 mm de diamètre et de 500 um d'épaisseur, recouverte sur toute sa surface d'une couche 3 de SiO2 de 1,5 um d'épaisseur. Dans ce mode particulier de réalisation, la charge du porte-substrat 1 est obtenue par implantation d'ions H+ dans la plaquette 2 au travers de la couche d'oxyde 3 comme cela est figuré sur la figure 1. Les charges implantées se répartissent dans la zone 4 jouant le rôle d'électrode. L'énergie d'implantation peut être de l'ordre de 200 keV pour une dose de l'ordre de 6.1012 cm2. Cette dose correspond à une charge électrique déposée de l'ordre de 10-6 C/cm2 soit 7.10-5 C pour une surface implantée d'environ 70 cm2. Cette charge électrique génère dans la couche d'oxyde un champ électrique inférieur à son champ de claquage. En effet, la dose apportant la charge électrique correspondant au champ de claquage de l'oxyde est 2,5.1013 cm2. Cette valeur est calculée sur la base d'un champ de claquage de 109 V/cm et d'une constante diélectrique de 4. A titre de variante, le porte-substrat peut être constitué d'une plaquette de silicium de 100 mm de diamètre pour 500 um d'épaisseur, recouverte de deux couches diélectriques, une couche de SiO2 et une couche de Si3N4, totalisant une épaisseur de 20 um La charge du porte-substrat est obtenue par implantation d'ions H+ dans la plaquette au travers des couches diélectriques. L'énergie d'implantation peut être de l'ordre de 2000 keV pour une dose de l'ordre de 6.10'2 cm2. Cette dose correspond à une charge électrique déposée de l'ordre de 7. 10-5 C pour une surface implantée d'environ 70 cm2. La figure 2 représente un porte-substrat 5, vu en coupe transversale, destiné à supporter un substrat de silicium de 100 mm de diamètre et de 150 um d'épaisseur. Cette fois, le porte-substrat 5 est constitué d'une plaquette de matériau isolant, par exemple de la silice. Comme précédemment la plaquette fait 100 mm de diamètre pour 500 um d'épaisseur. La charge du porte-substrat est réalisée par implantation d'ions H+ qui se répartissent dans la zone 6 constituant ainsi une électrode. L'énergie d'implantation peut être de l'ordre de 200 keV pour une dose de l'ordre de 6.1012 cl~2. La zone 6 où les ions restent implantés est à une profondeur, par rapport à la surface d'implantation, voisine de la fin de parcours des ions, c'est-à-dire entre 1,5 et 2 um. Le choix d'ions positifs permet de générer une charge d'électrode positive qui peut, dans certaines conditions, être plus stable dans le temps qu'une charge négative. En effet, dans l'hypothèse d'une charge négative, une compensation partielle de cette charge au cours du temps pourrait avoir lieu du fait de la migration sous le champ électrique d'ions alcalins positifs (apportés ou présents à la surface) à travers l'oxyde SiO2 en direction de l'électrode chargée, ceci en particulier si la plaquette support est portée en température. Lorsqu'une charge négative est choisie, on utilise l'irradiation de la plaquette support avec des électrons. Par exemple, des électrons d'une énergie de l'ordre de 100 keV pour une épaisseur d'oxyde de 1,5 um La figure 3 illustre une variante de porte-substrat selon l'invention qui comprend deux électrodes (ou deux jeux d'électrodes) dont les charges apportées sont de signes opposés. Le porte-substrat 10 est réalisé à partir d'une plaquette de silice 11 incorporant deux électrodes 12 et 13 (ou deux jeux d'électrodes), par exemple en silicium polycristallin dopé, sous la surface supérieure de la plaquette. La polarisation des électrodes 12 et 13 est obtenue au moyen d'un circuit de charge 14 incorporé à la plaquette 11. Ce circuit de charge comprend une bobine 15 et un redresseur 16. La bobine 15 est réalisée en couche mince par les techniques connues de la microtechnologie. Le redresseur 16 peut être une diode à très faible courant de fuite. L'application d'un champ électromagnétique à l'ensemble de la plaquette 11 génère une différence de potentiel continu entre les deux électrodes 12 et 13 grâce au système redresseur et intégrateur constitué par la bobine, le redresseur et les capacités des électrodes. L'ensemble bobine-redresseur peut être réalisé sous forme plus élaborée qu'une simple bobine en série avec une diode. Des ponts redresseurs, multiplieurs de tension, systèmes polyphasés peuvent être employés. De façon préférentielle, le système redresseur sera constitué d'un dispositif électronique commandable. Par exemple, un transistor MOS dont la grille sera elle-même commandée par l'intermédiaire d'un circuit comportant une bobine de détection du signal de commande. Dans un mode particulier de réalisation, le porte-substrat comporte, dans la partie supérieure de sa face avant (c'est-à-dire la face destinée à supporter le substrat), un réseau d'électrodes internes destiné à être polarisé positivement, intercalé avec un réseau d'électrodes internes destiné à être polarisé négativement. Un tel dispositif est représenté à la figure 4. Le porte-substrat 20 est réalisé à partir d'une plaquette de silicium 21 isolée sur toutes ses faces par un ensemble de couches iolantes référencé, par souci de simplification, par la référence unique 22. Ces couches sont par exemple des couches d'oxyde. Côté face avant, la couche d'oxyde 22 inclut des électrodes 23 et 24 destinées à être polarisées sous des signes opposés. La face arrière du porte-substrat 20 est pourvue d'un ensemble de cellules photovoltaïques 25 réalisées à partir de jonctions pn dans la plaquette 21. Les cellules photovoltaïques sont isolées les unes des autres et du reste de la plaquette grâce à une couche d'oxyde 22A (structure de type SOI) et des tranchées isolantes 22B. Elles sont éventuellement mises en série par des métallisations 26. Dans ce cas, l'électrode 23 est reliée électriquement à une extrémité du circuit de charge constitué par l'ensemble des cellules photovoltaïques grâce à un puits conducteur 27 et l'électrode 24 est reliée électriquement à l'autre extrémité du circuit de charge grâce à un puits conducteur 28. Ces puits conducteurs sont isolés de part et d'autre par le diélectrique 22. La polarisation des électrodes 23 et 24 est effectuée en éclairant la face arrière du porte-substrat par un faisceau lumineux de longueur d'onde et de flux appropriés. La mise en place et la fixation d'un substrat sur un tel porte-substrat sont réalisées de la façon suivante. On place le substrat en contact intime avec la face avant du porte-substrat (de préférence le porte-substrat est maintenu horizontalement, la face avant tournée vers le ' haut) . La face arrière du porte-substrat est éclairée de façon à générer la tension qui maintient le substrat sur le porte-substrat par le jeu des forces électrostatiques. De façon générale, quel que soit le système de génération de la tension de polarisation, un interrupteur électrique à contact mécanique peut être introduit dans le circuit. Cet interrupteur doit être commandable de l'extérieur et permet d'isoler galvaniquement les électrodes après la période de charge. En particulier, cela permet d'éviter les pertes, relativement faibles, dues au courant inverse des diodes de redressement, ou photovoltaïques, qui conduisent à une décharge lente des électrodes. La figure 5 illustre une autre manière de polariser un porte-substrat selon l'invention. Le porte-substrat 30 est par exemple constitué d'une plaquette 31 de silicium entourée d'une couche d'oxyde de silicium 32. La fourniture des charges électriques est réalisée de la manière suivante. Le porte-substrat 30 est inséré entre deux électrodes conductrices 33 et 34. L'électrode 34 est choisie transparente à un flux de rayonnement (visible, ultraviolet, X). Pour cela, on peut utiliser un matériau conducteur transparent. On peut également utiliser une électrode ajourée (par exemple percée d'un réseau d'ouvertures) si le matériau n'est pas transparent. Les deux électrodes sont polarisées par une tension V. On peut par exemple appliquer + 1000 volts sur l'électrode 33 et 0 volt sur l'électrode 34. Les deux électrodes étant polarisées, la couche d'oxyde 32 du porte-substrat est éclairée au travers de l'électrode transparente 34 par le flux de rayonnement qui permet de rendre la couche d'oxyde éclairée suffisamment conductrice pour que l'électrode transparente 34 et la zone du porte-substrat qui doit conserver les charges électriques soient équipotentielles. Alors, l'éclairement est interrompu et la polarisation est supprimée. Les électrodes 33 et 34 peuvent être retirées. Le porte-substrat 30 est alors chargé, négativement dans cet exemple. Selon une variante de ce procédé, on peut utiliser une couche apte à devenir conductrice uniquement entre l'électrode 34 et la plaquette 31, le reste de la plaquette étant alors isolé par un diélectrique non nécessairement photoconducteur. Le même principe peut s'appliquer à un porte-substrat devant comporter deux moyens de conservation de charges de signes différents. Pour cela, les électrodes de polarisation doivent avoir une géométrie adaptée. I1 en va de même pour les tensions de polarisation. La charge des moyens de conservation peut être effectuée séquentiellement. Les porte-substrat selon l'invention peuvent être chargés de manière définitive ou etre régulièrement rechargés selon les fuites de charge qui peuvent se produire lors de l'utilisation des porte-substrat. REVENDICATIONS 1. Porte-substrat (1, 5, 10, 20, 30) destiné à maintenir un substrat pendant qu'un traitement lui est appliqué, comportant, de manière interne et sans contact électrique direct avec l'extérieur, des moyens de conservation de charges électriques (4, 6, 12, 13, 23, 24) pour assurer, au moyen des forces électrostatiques créées par la présence desdites charges électriques, le maintien du substrat sur le porte-substrat. 2. Porte-substrat (1, 5) selon la revendication 1, caractérisé en ce que les moyens de conservation desdites charges électriques (4, 6) permettent la conservation de charges implantées. 3. Porte-substrat (1) selon la revendication 2, caractérisé en ce qu'il est constitué d'une plaquette de silicium (2) recouverte d'une couche de silice (3), lesdites charges électriques étant implantées dans la plaquette de silicium. 4. Porte-substrat (5) selon la revendication 2, caractérisé en ce qu'il est constitué d'une plaquette de matériau isolant. 5. Porte-substrat (5) selon l'une quelconque des revendications 3 à 4, caractérisé en ce que les charges électriques implantées sont des ions H+ 6. Porte-substrat selon la revendication 1, caractérisé en ce que les moyens de conservation desdites charges électriques permettent la conservation de charges générées par un circuit de charge. 7. Porte-substrat selon la revendication 6, caractérisé en ce qu'il comporte des moyens d'accès électrique permettant d'apporter lesdites charges électriques aux moyens de conservation desdites charges électriques. 8. Porte-substrat selon la revendication 1, caractérisé en ce qu'il comporte en outre au moins une électrode externe susceptible d'exercer une action sur le substrat par effet capacitif ou par effet de conduction électrique, cette électrode externe étant apte à être reliée électriquement à un potentiel de référence extérieur. 9. Porte-substrat (10 ; 20)selon la revendication 1, caractérisé en ce que les moyens de conservation desdites charges électriques comprennent au moins une électrode interne (12, 13 ; 23, 24). 10. Porte-substrat (10 ; 20) selon la revendication 9, caractérisé en ce qu'il comporte au moins deux électrodes internes (12, 13 ; 23, 24) chargées à des potentiels différents. 11. Porte-substrat (10) selon la revendication 10, caractérisé en ce qu'il comporte un circuit de charge (14) des deux électrodes internes (12,13). 12. Porte-substrat (10) selon la revendication 11, caractérisé en ce que le circuit de charge (14) est un circuit redresseur dont la sortie est reliée auxdites deux électrodes internes (12, 13) pour leur fournir, sous l'effet d'un champ électromagnétique alternatif appliqué au circuit de charge, une différence de potentiel continu. 13. Porte-substrat (30) selon la revendication 6, caractérisé en ce qu'il est conçu pour être chargé au moyen d'au moins deux électrodes disposées de part et d'autre du porte-substrat, l'une (34) de ces électrodes étant transparente, reliée à une première borne d'un générateur de charges et en contact électrique avec une couche photoconductrice (32) du porte-substrat, l'autre électrode (33) étant reliée à l'autre borne du générateur de charges et étant isolée desdits moyens de conservation de charges électriques (31) du porte-substrat. 14. Porte-substrat selon la revendication 6, caractérisé en ce que le circuit de charge comporte des moyens photovoltaïques intégrés dans le porte-substrat. 15. Porte-substrat selon la revendication 11, caractérisé en ce qu'il comprend des moyens de coupure permettant d'isoler le circuit de charge des électrodes internes. 16. Procédé d'utilisation d'un porte-substrat (1, 5, 10, 20, 30) selon la revendication 1, comportant les étapes suivantes - une étape de fourniture desdites charges électriques au porte-substrat, - une étape d'installation du substrat sur le porte-substrat, en vue de les rendre solidaires grâce à des forces électrostatiques, avant de lui appliquer le traitement, - une étape de séparation éventuelle entre le substrat et le porte-substrat après l'application dudit traitement. 17. Procédé d'utilisation selon la revendication 16, caractérisé en ce que l'étape d'installation du substrat sur le porte-substrat est effectuée avant l'étape de fourniture desdites charges électriques au porte-substrat. 18. Procédé d'utilisation selon la revendication 16, caractérisé en ce que l'étape de fourniture des charges électriques est réalisée par un circuit de charge. 19. Procédé d'utilisation selon la revendication 16, caractérisé en ce que, les moyens de conservation des charges électriques (4, 6) permettant la conservation de charges implantées, celles-ci sont fournies par implantation de particules chargées électriquement. 20. Procédé d'utilisation selon la revendication 18, caractérisé en ce que, le circuit de charge comportant des moyens photovoltaïques, les charges sont produites suite à une illumination du porte-substrat. 21. Procédé d'utilisation selon la revendication 20, caractérisé en ce que, le circuit de charge comportant au moins deux électrodes disposées de part et d'autre du porte-substrat (30), l'une (34) de ces électrodes étant transparente, reliée à une première borne d'un générateur de charges et en contact électrique avec une couche photoconductrice (32) du porte-substrat, l'autre électrode (33) étant reliée à l'autre borne du générateur de charge et étant isolée desdits moyens de conservation des charges électriques (31) du porte-substrat, l'étape de fourniture des charges électriques comprend l'application d'un champ électrique continu au porte-substrat par le générateur de charges et l'illumination du porte-substrat. 22. Procédé d'utilisation selon la revendication 16, caractérisé en ce que, le porte-substrat (10) comportant un circuit de charge (14) d'au moins deux électrodes internes (12, 13), l'étape de fourniture desdites charges électriques consiste à soumettre le circuit de charge (14) à un champ électromagnétique alternatif. 23. Procédé d'utilisation selon l'une quelconque des revendications 16 à 22, caractérisé en ce que l'étape de séparation comprend au moins l'une des opérations suivantes : application de forces mécaniques entre le substrat et le porte-substrat, diminution du nombre des charges électriques fournies au porte-substrat, fourniture de charges électriques de signe opposé à celui des charges électriques fournies au porte-substrat.