FR 2787241 A1 20000616 FR 9815759 A 19981214 La présente invention concerne la technologie des circuits microélectroni- ques, plus particulièrement la technologie connue sous le nom de "CSP" (Chip Scale Packaging) dans laquelle le composant final réalisé s'étend sur une surface qui n'excède pas la taille de la puce; en d'autres termes, I'enrobage de la puce pour réaliser le composant n'augmente pas la sur- face occupée par le composant sur le substrat qui le recevra. ç,ette technologie est particulièrement avantageuse dans les domaines o la miniaturisation des circuits est un paramètre essentiel, comme dans ce- lui des circuits de stimulateurs cardiaques ou autres dispositifs médicaux actifs implantables. Une telle technique est par exemple décrite dans le WO-A-93/24956, dont la demanderesse est co-titulaire et qui décrit un procédé de fabrication d'un composant dont une face de la puce est complètement recouverte d'une couche d'enrobage de résine et porte une série de métallisations reliées à des plots de contact de la puce, ces plots étant noyés sous la couche de résine. La technique décrite dans ce document permet d'opérer un enrobage col- lectif applicable globalement à la plaquette ("wafer") avant sa découpe, ce qui minimise le surcoût unitaire appliqué à chaque puce. Cependant, dans cette technique la résine d'enrobage couvre l'intégralité de la plaquette, ce qui peut engendrer deux types de difficultés: - En premier lieu, les plaquettes produites aujourd'hui étant de taille croissante (évolution des diamètres de 4, 5, 6, 8 jusqu'à 12 pouces), la contrainte globale générée sur la plaquette par le durcissement de la résine, qui est très dure une fois polymérisée, peut voiler cette pla- quette, voire même provoquer des fissures, cassures ou clivages. - En second lieu, la résine est en contact avec la partie active des cir- cuits électroniques gravés sur les différentes puces et peut, à long terme, laisser filtrer des contaminations ioniques ou pollutions chimi- ques diverses. En effet, à la différence des technologies "chip carrie' o la puce est complètement isolée dans un boîtier scellé rempli d'un gaz neutre tel que l'azote, la résine ne constitue ici qu'un frein, pas une barrière, aux agressions du milieu extérieur et peut en consé- quence réduire la fiabilité à long terme du micromotif électronique, qui n'est pas totalement isolé. La présente invention a pour but de proposer un procédé de réalisation d'un composant en technologie CSP permettant de remédier à ces incon- vénients, ce procédé restant un procédé collectif, applicable globalement à la plaquette avant sa découpe en puces de manière à conserver un coût de fabrication compétitif. Le procédé de l'invention est du type générique.indiqué plus haut, à sa- voir un procédé collectif appliqué à une plaquette portant une pluralité de puces individuelles et à partir de laquelle seront formés, après découpe de la plaquette, une pluralité correspondante de composants, le compo- sant résultant étant un composant CMS de type CSP, ayant dans le sens de la longueur et de la largeur sensiblement les mêmes dimensions que celles de la puce qu'il incorpore. Selon l'invention, ce procédé est caractérisé par les étapes consistant à: a) obtenir une plaquette sur laquelle est gravée ladite pluralité de puces individuelles, avec pour chacune une série de plots de contact dispo- sés sur au moins l'un des côtés de la puce, b) sceller sur cette plaquette, dans des régions prédéterminées de cha- que composant, un capot comportant des lumières au droit de chacun des plots des puces sous-jacentes, ces lumières étant des trous tra- versants autorisant un accès aux plots correspondants, c) réaliser dans le capot, sur une fraction de l'épaisseur de celui-ci, un quadrillage, ou hachurage, de tranchées suivant le côté, ou respecti- vement la périphérie, de chaque puce sous-jacente, avec les différen- tes lumières débouchant toutes dans une tranchée, d) mettre en place dans les lumières des liaisons électriquement con- ductrices aux plots, ces liaisons émergeant sur la face supérieure du capot, e) couler une résine d'enrobage dans les lumières et les tranchées, f) polir et métalliser le capot, et g) découper la plaquette ainsi préparée en composants individuels. Selon diverses caractéristiques subsidiaires avantageuses: le capot est une plaquette de même nature et de même dimensions que la plaquette sur laquelle sont gravées les puces, notamment une plaquette de silicium; - le scellement de l'étape b) est opéré par dépôt ou gravure d'un cordon d'adhésif défini en périphérie de chaque puce et, éventuellement, dé- posé également dans la région centrale de chaque puce; - les liaisons électriquement conductrices mises en place à l'étape d) comportent des fils métalliques soudés sur les plots au travers des lu- mières, et/ou des conducteurs métalliques formés par dépôt et gravure d'une métallisation en contact avec les plots et s'étendant sur les flancs des lumières et le fond et les flancs des tranchées, cette métal- lisation étant électriquement isolée de la plaquette et du capot; - les liaisons électriques conductrices mises en place à l'étape d) émer- gent à la surface du capot en des contacts de report distribués en pé- riphérie du composant, et/ou en des points d'un motif d'interconnexion aboutissant à des contacts de report distribués en région centrale du composant. L'invention couvre également un composant CMS du type générique com- portant une puce comportant un enrobage externe permettant son report sur un substrat, cet enrobage portant en surface une pluralité de métalli- sations externes reliées électriquement, au travers du matériau d'enroba- ge, aux plots de la puce situés en vis-à-vis et noyés dans l'épaisseur du matériau d'enrobage, le composant enrobé étant un composant de type CSP ayant dans le sens de la longueur et de la largeur sensiblement les mêmes dimensions que celles de la puce avant enrobage. Selon l'invention, ce composant est caractérisé en ce que la puce est re- couverte sur sa surface d'un capot scellé sur la puce dans des régions prédéterminées de celle-ci, ce capot comportant des lumières au droit de chacun des plots sous-jacents, ces lumières étant des trous traversants autorisant un accès aux plots correspondants, et comportant également une tranchée formée sur une fraction de l'épaisseur du capot le long d'au moins l'un des côtés du composant portant les plots, les différentes lumiè- res débouchant toutes dans cette tranchée, et en ce que l'enrobage est formé dans le capot et sur une partie réduite de la surface de celui-ci, es- sentiellement dans la région de la tranchée. Le capot peut être notamment une plaquette de même nature et de même dimensions que la plaquette sur laquelle sont gravées les puces, notam- ment une plaquette de silicium. Par ailleurs, il peut être scellé par un cordon d'adhésif défini en périphérie de chaque puce et, éventuellement, déposé également dans la région centrale de chaque puce. Les figures 1 et 2 sont des vues en coupe partielle agrandie de la pla- quette enrobée, illustrant respectivement une étape intermédiaire du pro- cédé et le résultat final obtenu. La figure 3 est une vue en plan de la plaquette enrobée obtenue par le procédé de l'invention, avant découpe en composants individuels. Sur les figures, o les mêmes références numériques désignent des élé- ments identiques, la référence 10 désigne une plaquette de matériau se- miconducteur, par exemple de silicium, que l'on peut désigner "plaquette active", portant un certain nombre de micromotifs électroniques gravés et destinée à former des composants individuels 12 après séparation le long de lignes de découpe 14. Chaque composant comporte une puce pourvue d'une pluralité de plots de contacts ("pads") 16, qui sont des plages métallisées affleurant la sur- face de la plaquette 10. Essentiellement, I'invention propose de réaliser un capotage physique de la plaquette active 10 par le scellement d'une plaque 18, ci-après dési- gnée "capot", qui peut être par exemple (mais pas nécessairement) une plaquette de silicium, constituant alors une "plaquette passive" scellée sur la plaquette active 10. Pour permettre l'accès aux plots de contact 16, le capot 18 est gravé pro- fondément, de part en part, en 20, afin de pratiquer des lumières en re- gard des plots 16 et permettre la prise de connexion à ces derniers. Pour isoler complètement la plaquette active 10 du milieu environnant et la pro- téger des éventuelles contaminations chimiques, les connexions électri- ques aux plots de contact 16 seront ensuite engluées dans une résine isolante, sous atmosphère inerte, de la manière que l'on décrira ci-des- sous plus en détail. Plus précisément, la première étape du procédé consiste à microphotoli- thographier un capot 18 de façon à y créer, d'une part, des lumières 20 et, d'autre part, une tranchée périphérique 22 contenant l'ensemble de ces lumières 20, ceci sur une partie seulement de l'épaisseur du capot 18 et le long d'un ou plusieurs côtés de chaque composant 12 (les plots de contact 16 pouvant être situés eux-mêmes sur un ou plusieurs des côtés du composant 12, donnant ainsi sur la plaquette un motif de quadrillage (comme illustré par exemple en plan figure 3) ou de hachurage de tran- chées 22. On notera que les tranchées 22 de deux composants adjacents 12 sont, comme illustrées sur les figures, jointives en 24, de manière à permettre, comme on le verra plus loin, un bon écoulement de la résine qui sera coulée dans ces tranchées. Le capot ainsi microphotolithographié (l'étape de microphotolithographie étant de préférence une étape préalable), le capot 18 est scellé sur la pla- quette active 10. Ce scellement peut être notamment réalisé par un adhé- sif, par exemple un adhésif photoimageable, afin de définir un cordon pé- riphérique sur le pourtour de chaque puce (l'adhésif pouvant éventuelle- ment être également déposé, par exemple en croisillons, sur la partie centrale des puces si l'on souhaite augmenter l'adhérence). L'adhésif choisi est bien entendu un adhésif compatible avec le silicium de la plaquette 10 afin d'éviter toute création de contraintes à l'interface plaquette/capot lors de cycles thermiques. Le capot n'étant pas en contact étroit avec la puce, sauf à l'endroit du cordon d'adhésif, I'opération de scellement est pratiqué sous atmosphère inerte, par exemple d'azote, pour protéger le micromotif électronique de toute éventuelle contamina- tion chimique. Bien entendu, le scellement du capot 18 sur la plaquette active 10 est opéré en respectant un positionnement précis tel que les plots de contact 16 se situent tous en regard d'une lumière 20 permettant d'accéder à ces derniers au travers du capot 18. Pour permettre ce positionnement précis, on peut en particulier utiliser le même masque pour la réalisation de la plaquette 10 et celle du capot, par exemple utiliser le masque de passiva- tion de la plaquette 10 comme masque de gravure des lumières 20 dans le capot 18. L'opération suivante consiste à réaliser les reprises de contact sur les T,rw plots 16, au travers des lumières 20. Une première technique qui peut être utilisée, et qui correspond à l'exem- pie illustré, est celle exposée dans le WO-A-93/24956 précité. Cette tech- nique consiste à relier des fils 26 traversant la lumière 20 d'une part aux plots de contact 16 par une bille fusible 28, ces fils 26 se terminant à leur autre extrémité par une queue 30 provisoirement soudée sur une métalli- sation 32 prévue à cet effet en surface supérieure du capot 18 après avoir réalisé des boucles (qui seront par la suite supprimées, comme on l'expli- quera plus loin). Une autre technique de reprise de contact sur la puce active consiste, par une technique connue en elle-même de dépôt et gravure, à déposer des métallisations sur les flancs des lumières 20 et des tranchées 22. Si l'on utilise pour le capot 18 un matériau conducteur tel que le silicium, il est nécessaire d'isoler auparavant ces flancs par dépôt d'une couche de pas- sivation appropriée. Une fois effectuée l'opération de reprise de contact, la structure présente la configuration illustrée figure 1. L'étape suivante consiste à couler dans les lumières 20 et les tranchées 22 une résine d'enrobage 34, cette résine étant coulée suivant la direction des tranchées de sorte que la résine remplisse les lumières 20 et englue les fils d'interconnexion 26. La résine coulée dans les tranchées est un matériau polymérisable tel qu'un polyimide, un polymère époxy, etc. susceptible d'être coulé locale- ment et durci in situ, par exemple par exposition aux UV ou passage en température. Après polymérisation, le matériau durci, bien que rigide, pré- sente néanmoins une souplesse suffisante, notamment du fait de la faible épaisseur sur laquelle elle est déposée dans la tranchée, pour ne générer qu'une contrainte minimale, insusceptible de voiler la plaquette 10. Incidemment, il y a lieu de préciser que le terme d"'enrobage" qui pourra être utilisé dans la présente description ne doit pas être interprété dans un sens restrictif suggérant un enveloppement complet de la puce du composant; ce terme ne se réfère qu'à la technologie particulière em- ployée ("coating") o la résine peut n'être appliquée, comme ici, que lo- calement, en périphérie du composant. L'ensemble plaquette 10/capot 18 est ensuite poli de façon à ôter l'excès - rTu de résine et la partie du fil dépassant du niveau supérieur de la tranchée. La résine 34 affleure alors la surface supérieure du capot 18, l'extrémité du fil 26 débouchant à la surface de la résine. Il est éventuellement possible de réaliser dans la résine 34, par exemple par meulage, un sillon 36 destiné à former ultérieurement sur l'arête du composant 12 un biseau permettant (de manière en elle-même bien con- nue) le contrôle visuel de la soudure lorsque ce composant sera monté sur son substrat hôte. La face supérieure du capot est ensuite métallisée, puis gravée pour réa- liser des plots de contact 38 qui permettront le report du composant final obtenu; dans le cas o l'on a formé un sillon 36, ces plots 38 peuvent dé- border en 40 dans ce sillon afin de permettre un meilleur étalement de la soudure au moment du montage du composant sur son substrat hôte. Sur la vue en plan de la figure 3, on peut voir les différentes métallisa- tions émergeantes, avec les métallisations 38 formées sur la résine en surface du capot, ainsi que des points 42 en contact avec des conduc- teurs reliés à des plots de la puce. Ces points 42, qui ne sont pas prolon- gés à l'extérieur par une métallisation, peuvent être par exemple utilisés pour opérer un test sous pointes de la plaquette, avant découpe en com- posants individuels, ce test pouvant être opéré aussi bien avant qu'après enrobage de la plaquette. Dans la variante illustrée figure 3, on notera que les métallisations 38 (contacts de report sur le substrat hôte) sont distribués en périphérie du composant. Cette caractéristique n'est cependant pas limitative, et il est par exemple possible d'avoir des contacts de report distribués sur la sur- face du capot, en prévoyant un reroutage entre, d'une part, les parties émergeantes des conducteurs 26 situées en périphérie du composant, et, d'autre part, des contacts de report situés dans la région centrale du ca- pot, et généralement de plus grandes dimensions. Dans ce dernier cas, on peut prévoir de déposer des billes de métal fusi- bles sur les contacts de report, ce qui permettra de souder le composant sur son substrat hôte sans apport de soudure. Cette technique dite "BGA" (Bail Grid Array) permet, dans le cas d'un nombre important de contacts, de répartir ceux-ci selon une grille dont le pas, par exemple de 0,8 mm, est notablement supérieur au pas des plots de contact de la puce, typi- quement de 0,2 mm, évitant ainsi les problèmes liés à des plots de con- tact trop proches. Enfin, la plaquette est découpée en composants individuels (suivant la ligne 44 de la figure 2), de manière à obtenir des composants CSP indivi- duels 12 en forme de puces enrobées montables sur un substrat à la manière d'un composant CMS, le biseau sur l'arête inférieure (provenant de la réalisation du sillon 36) permettant le contrôle visuel de la soudure sur le substrat hôte. i T-ll REVENDICATIONS 1. Un procédé d'enrobage de puces électroniques, ce procédé étant un procédé collectif appliqué à une plaquette portant une pluralité de puces individuelles et à partir de laquelle seront formés, après découpe de la plaquette, une pluralité correspondante de composants, le composant résultant étant un composant CMS de type CSP procédé caractérisé par les étapes consistant à: h) obtenir une plaquette (10) sur laquelle est gravée ladite pluralité de puces individuelles (12), avec pour chacune une série de plots de contact (16) disposés sur au moins l'un des côtés de la puce, i) sceller sur cette plaquette, dans des régions prédéterminées de cha- que composant, un capot (18) comportant des lumières (20) au droit de chacun des plots des puces sous-jacentes, ces lumières étant des trous traversants autorisant un accès aux plots correspondants, j) réaliser dans le capot, sur une fraction de l'épaisseur de celui-ci, un quadrillage, ou hachurage, de tranchées (22) suivant le côté, ou res- pectivement la périphérie, de chaque puce sous-jacente, avec les dif- férentes lumières débouchant toutes dans une tranchée, k) mettre en place dans les lumières des liaisons électriquement con- ductrices aux plots, ces liaisons (26) émergeant sur la face supérieure du capot, I) couler une résine d'enrobage (34) dans les lumières et les tranchées, m) polir et métalliser le capot, et n) découper la plaquette ainsi préparée en composants individuels. 2. Le procédé de la revendication 1, dans lequel le capot est une plaquet- te de même nature et de même dimensions que la plaquette sur laquelle sont gravées les puces, notamment une plaquette de silicium. 3. Le procédé de la revendication 1, dans lequel le scellement de l'étape b) est opéré par dépôt ou gravure d'un cordon d'adhésif défini en périphé- rie de chaque puce et, éventuellement, déposé également dans la région centrale de chaque puce. 4. Le procédé de la revendication 1, dans lequel les liaisons électrique- ment conductrices mises en place à l'étape d) comportent des fils métalli- ques soudés sur les plots au travers des lumières. 5. Le procédé de la revendication 1, dans lequel les liaisons électriques conductrices mises en place à l'étape d) comportent des conducteurs mé- talliques formés par dépôt et gravure d'une métallisation en contact avec les plots et s'étendant sur les flancs des lumières et le fond et les flancs des tranchées, cette métallisation étant électriquement isolée de la pla- quette et du capot. 6. Le procédé de la revendication 1, dans lequel les liaisons électriques conductrices mises en place à l'étape d) émergent à la surface du capot en des contacts de report (38) distribués en périphérie du composant. 7. Le procédé de la revendication 1, dans lequel les liaisons électriques conductrices mises en place à l'étape d) émergent à la surface du capot en des points d'un motif d'interconnexion aboutissant à des contacts de report distribués en région centrale du composant. 8. Un composant CMS avec une puce comportant un enrobage externe permettant son report sur un substrat, cet enrobage portant en surface une pluralité de métallisations externes reliées électriquement, au travers du matériau d'enrobage, aux plots de la puce situés en vis-à-vis et noyés dans l'épaisseur du matériau d'enrobage, le composant enrobé étant un composant de type CSP ayant dans le sens de la longueur et de la lar- geur sensiblement les mêmes dimensions que celles de la puce avant enrobage, composant caractérisé en ce que la puce (10) est recouverte sur sa sur- face d'un capot (18) scellé sur la puce dans des régions prédéterminées de celle-ci, ce capot comportant des lumières (20) au droit de chacun des plots (16) sous-jacents, ces lumières étant des trous traversants autori- sant un accès aux plots correspondants, et comportant également une tranchée (22) formée sur une fraction de l'épaisseur du capot le long d'au moins l'un des côtés du composant portant les plots, les différentes lumiè- res débouchant toutes dans cette tranchée, et en ce que l'enrobage (34) est formé dans le capot et sur une partie réduite de la surface de celuici, essentiellement dans la région de la tranchée. 9. Le composant de la revendication 8, dans lequel le capot est une plaquette de même nature et de même dimensions que la plaquette sur laquelle sont gravées les puces, notamment une plaquette de silicium. 10. Le composant de la revendication 8, dans lequel le capot est scellé par un cordon d'adhésif défini en périphérie de chaque puce et, éven- tuellement, déposé également dans la région centrale de chaque puce.