FR 2774175 A1 19990730 FR 9800850 A 19980127 CAPTEUR ELECTRONIQUE MATRICIEL PHOTOSENSIBLE La présente invention concerne un capteur électronique matriciel photosensible. Elle concerne plus particulièrement les capteurs de rayonnements X. Elle a pour objet d'améliorer les performances de ce type de capteurs. On connaît, dans le domaine des capteurs électroniques de rayonnements X, les écrans intensificateurs d'image radiologique disposés en regard d'un détecteur et recevant sur une autre face un rayonnement X. On connaît également dans le domaine de la médecine nucléaire des scintillateurs pour transformer des rayonnements gamma (ou des rayonnements X) en des rayonnements visibles détectables par un détecteur. Les détecteurs les plus communément utilisés sont, dans le domaine de la radiologie, des caméras avec cible ou des barrettes assemblées de dispositifs à transfert de charge (CCD). Dans le domaine de la médecine nucléaire, on utilise également des arrangements de tubes photomultiplicateurs reliés par ailleurs à un circuit électronique de barycentration. Tous ces capteurs avec des détecteurs incapables de détecter directement des rayonnements X sont associés à des scintillateurs chargés de transformer les rayonnements X en des rayonnements dans le spectre approximativement visible. Le matériau utilisé pour effectuer la transformation, le matériau du scintillateur, est normalement de l'oxysulfure de gadolinium. Celui-ci est utilisé sous forme d'un dépôt mince, typiquement de 50 à 300 micromètres. Ce dépôt est constitué de particules de ce matériau assemblées par un liant. L'émission de lumière visible dans toute l'épaisseur1 et toutes les directions, de ce matériau entraîne une perte de sensibilité et une perte de pouvoir résolvant du détecteur, et donc du capteur. L'iodure de césium, Csl, dopé au thallium, en aiguillettes, offre une alternative intéressante pour un rendement lumineux supérieur associé à un effet de guide d'onde des aiguillettes dont les dimensions typiques des sections vont de 3 à 6 micromètres. On connaît ainsi des réalisations dans lesquelles une galette de fibres optiques est recouverte par un tel matériau. Les aiguillettes sont orientées perpendiculairement à la surface du support qui les porte. Elles ne sont jointes que partiellement les unes aux autres. Elles offrent ainsi une porosité de 20 à 25%. Ces pores remplis d'air, associés à l'indice de réfraction favorable du Csl (1,78) apportent une canalisation des photons visibles émis dans chaque aiguillette et donnent une sensibilité et un pouvoir résolvant plus élevés. Cependant des difficultés d'utilisation du Csl, par rapport à l'oxysulfure de gadolinium subsistent. On connaît notamment l'inconvénient que le Csl s'hydrate rapidement à l'air ambiant aux humidités habituelles. Cette prise d'eau a pour effet de dégrader l'image obtenue avec le capteur. Elle provoque un effet de halo dans un premier temps. Puis cette humidification dégrade de manière irréversible les aiguillettes avec une perte conséquente de rendement lumineux et de pouvoir résolvant du capteur. D'autre part le thallium, bien que présent en faibles quantités dans les aiguillettes, est fortement toxique. La faible tenue mécanique du Csl provoque alors des poussières et des déchets dont l'élimination doit être scrupuleusement contrôlée. Dans l'état de la technique cité, la passivation du Csl dopé au thallium est obtenue par vaporisation d'une couche d'aluminium à la surface du scintillateur. À cause de sa faible tenue mécanique, le Csl doit être déposé sur un support rigide. La flexion du support entraînerait en effet des défauts visibles à l'image. Ce support doit par ailleurs normalement subir, sans se déformer, un traitement thermique de diffusion du thallium à une température de l'ordre de 300 . Pour réaliser le support il est connu de le réaliser ainsi en béryllium. Cependant ce matériau présente l'inconvénient d'être excessivement onéreux. L'invention a pour objet de résoudre ces problèmes en préconisant de faire croître une couche de Csl sur un socle de graphite, de préférence pyrolytique, ayant de préférence la particularité de présenter une rugosité de surface faible. De préférence dans l'invention le graphite utilisé est un socle ayant subi, à sa surface, une étape de densification pour en éliminer les porosités naturelles liées au graphite. Par ailleurs cette couche ainsi rendue plus dense est ensuite rectifiée pour lui donner une rugosité faible. On a alors pu constater que, déposé en phase gazeuse, le Csl adopte une croissance tout à fait intéressante : les aiguillettes sont régulièrement espacées et la surface du scintillateur ainsi réalisée est quasiment plane malgré les défauts liés à la rugosité du graphite. Si on ne fait pas subir au socle l'opération de densification, il résulte dans le capteur réalisé des différences de sensibilité. On peut tenter de s'en arranger. Par exemple, si la surface de graphite est striée (par exemple par des traits parallèles) on reconnaît dans l'image obtenue après fonctionnement du capteur la présence de ces stries. II est possible, notamment dans le domaine de la médecine nucléaire, de corriger par un traitement logiciel les différences de sensibilité relatives aux différents endroits. Dans un perfectionnement selon l'invention, on limite l'importance de cette correction par l'opération de densification etlou l'opération de rectification. Dans tous les cas, la présence du socle en graphite apporte la solution aux problèmes de dilatation différentielle se produisant lors de la diffusion du thallium. L'invention a donc pour objet un capteur électronique matriciel photosensible comportant un détecteur surmonté d'un scintillateur pour transformer un rayonnement électromagnétique haute fréquence, typiquement un rayonnement X, en un rayonnement basse fréquence, typiquement un rayonnement du domaine visible, caractérisé en ce que le scintillateur comporte une dalle en iodure de césium portée par un socle en graphite disposé du coté où le rayonnement haute fréquence est reçu. Elle a également pour objet un procédé de fabrication d'un capteur, caractérisé en ce que - on réalise un socle en graphite devant servir de support à un scintillateur, - on rectifie le socle de graphite, - on dépose en phase gazeuse de l'iodure de césium sur le socle en graphite, - on dope le dépôt d'iodure de césium au thallium, - on dépose en phase gazeuse sous vide une couche en une résine de synthèse sur le dépôt d'iodure de césium, - on dépose une couche résine de couplage optique liquide sur la couche en résine de synthèse, - on plaque un détecteur contre la couche de résine de couplage optique liquide. L'invention sera mieux comprise à la lecture de la description qui suit et à l'examen des figures qui l'accompagnent. Celles-ci ne sont données qu'à titre indicatif et nullement limitatif de l'invention. Les figures montrent: - figure 1 : la représentation schématique de la structure du capteur selon l'invention; - figure 2: une représentation schématique d'une machine utilisée pour mettre en oeuvre un procédé de passivation de la couche d'iodure de césium. La figure 1 montre, selon l'invention, un capteur 1 électronique photosensible, de préférence matriciel. Le capteur 1 comporte un détecteur 2 surmonté d'un scintillateur 3. Le but de ce capteur est de transformer un rayonnement X 4 ou un autre rayonnement haute fréquence (qui pourraient également être un rayonnement gamma) en un rayonnement basse fréquence 5. Le rayonnement 5 peut ainsi être émis dans le spectre visible. Le rayonnement 5 est alors détectable par un détecteur 2. Le détecteur 2 peut être un détecteur classique. Dans un exemple préféré, le détecteur 2 est du type CCD, comme indiqué dessus. Chaque barrette de dispositif CCD forme une ligne de points de détection. Des barrettes accolées servent à former les différentes lignes d'une image matricielle. Le capteur comporte essentiellement une dalle 6 en iodure de césium portée par un socle 7 en graphite. Le socle 7 est, dans un exemple, en graphite pyrolytique. Le socle est disposé du coté où le rayonnement X est reçu. En pratique, le graphite à moins qu'il ne soit pyrolytique est lamellaire, c'est-à-dire se présente sous la forme de petites lamelles 10 empilées bout à bout et audessus les unes des autres. L'épaisseur du socle 7, dans un exemple est de l'ordre de 500 micromètres. Dans le cas où le scintillateur serait plus grand, on peut aller jusqu'à 800 ou 2000 micromètres. On peut descendre jusqu'à 200 micromètres s'il est plus petit. Le graphite apporte, en plus de sa bonne perméabilité aux rayonnements X, I'avantage d'être noir, c'est à dire d'absorber les rayonnements visibles émis dans sa direction par le scintillateur et qui contribuent plus à faire baisser le pouvoir de résolution du capteur qu'à augmenter sa sensibilité. Dans un exemple préféré, la qualité du graphite du socle 7 sera telle que la taille des grains, la longueur des lamelles, sera inférieure à 5 micromètres, de préférence de l'ordre de ou inférieur à 1 micromètre. On a remarqué en effet que, si l'anisotropie naturelle du graphite n'était pas contrôlée, elle conduisait à disposer de grains de 20 micromètres. Dans ce cas, la qualité de régularité de l'épaisseur de la dalle 6 en Csl était moins bonne, elle demandait plus de corrections logicielles. Le socle 7 est de préférence recouvert, pour être densifié en surface, par une couche de carbone amorphe 8. La couche de carbone amorphe 8, dont l'épaisseur est de l'ordre de 3 à 20 micromètres, permet de combler des trous 9 présents à la surface du socle 7 du fait de sa porosité. Les atomes de la couche en carbone 8 se distinguent de ceux du socle 7 en ce que, dans la couche 7, les atomes de carbone-graphite sont orientés. La couche 8 de carbone amorphe est une couche non structurée c'est-àdire qu'elle n'est pas polycristalline: les atomes y sont agrégés les uns sur les autres sans organisation. Cette couche de carbone amorphe est par exemple déposée en phase vapeur sous vide sur le socle 7. En variante, ou en complément, la couche 7 en graphite ou en graphite pyrolytique peut subir préalablement, à l'endroit où devra croître la couche 6 d'iodure de césium, une densification par imprégnation. Une telle imprégnation est par exemple obtenue en recouvrant la face du socle 7 de graphite destinée à recevoir l'iodure de césium d'un film en une résine organique. On soumet ensuite cet ensemble à une très haute température (1000 ). Cela a pour effet de casser la résine, de séparer dans la résine les atomes de carbone des atomes d'hydrogène ou autres corps auxquels ils sont liés. Ces impuretés sont ainsi naturellement évacuées par évaporation. La haute température a également pour effet de faire migrer par diffusion les atomes de carbone dans les espaces Il de porosité du socle 7. Pour densifier encore plus la surface utile du socle 7, cette opération d'imprégnation peut être répétée plusieurs fois afin d'augmenter le caractère compact. Dans un exemple elle est effectuée quatre fois de suite. Comme cela a été indiqué si dessus, il peut être décidé de ne pas préparer trop correctement la surface du graphite. On accepte dans ce cas de reporter l'essentiel de la correction des images obtenues sur un traitement logiciel consécutif à leur obtention. Dans l'invention de préférence, on provoque, en particulier après densification, une rectification de la surface de graphite avec un outil 12 de rectification. Typiquement, I'action de rectification enlève une épaisseur de 5 à 10 micromètres de la couche supérieure du socle 7 ou de la couche 8 le cas échéant. Le dépôt de la couche 8 peut avoir lieu avant ou après la rectification. II en résulte une rugosité h de l'ordre de 0,2 à 0,4 micromètres, alors que sans rectification la rugosité naturelle H, notamment sans densification, peut atteindre 130 micromètres, en particulier si la taille des grains du graphite est de l'ordre de 20 micromètres. Puis on fait croître le Csl en agissant d'une manière conventionnelle. On obtient alors des aiguillettes 12 dont la dimension de la section est de l'ordre de 3 à 6 micromètres de diamètre. Les sections des aiguillettes 12 peuvent être de différentes tailles comme cela apparaît sur la figure 1. Dans un exemple, les aiguillettes 12 sont séparées les unes des autres, aléatoirement, par un espace 13 valant entre 1 à 3 micromètres. Cet espace permet de constituer, avec les aiguillettes 12, une face 14 de changement de milieu. La présence de cette face 14 associée à l'indice de réfraction favorable du Csl conduit à un fonctionnement en fibre optique des aiguillettes 12. Autrement dit, les transformations de rayonnement, les scintillations qui se produisent dans une aiguillette 12, retentissent en un rayonnement 5 qui va être guidé. Si ce rayonnement est orienté à son émission vers le détecteur 2, il sort normalement des aiguillettes 12 par leur sommet 15. Par contre si ce rayonnement 5 est oblique, il se réfléchit, à l'intérieur des aiguillettes 12 sur la face 14 et finit par sortir par le sommet 15. La partie émise vers le socle est absorbée par le socle 7 noir. Dans un exemple, la couche 6 de Csl a une épaisseur comprise entre 100 à 300 micromètres. Typiquement, elle mesure 180 micromètres. Puis la couche 6 est elle-même dopée au thallium d'une manière classique. Enfin, la couche 6 de Csl dopé est recouverte d'une couche 16 de passivation. Par rapport à l'état de la technique dans lequel la couche 16 de passivation était un gel de silicone, s'agissant de l'oxysulfure de gadolinium, I'invention préconise de réaliser la couche de passivation 16 sous la forme d'une résine de synthèse polymérisée transparente. Cette résine polymérisée présentant l'avantage d'être plus étanche et d'empêcher les évaporations des poussières de Csl où de thallium, présente cependant l'inconvénient de ne pas conduire à une surface externe parfaitement lisse. Dans l'invention, on associe alors à la couche 16 de passivation une couche 17 de résine liquide de couplage optique avec le détecteur 2. De cette façon, on obtient une bonne étanchéité d'évaporation du thallium sans nuire au rendement du capteur. La figure 2 montre une machine utilisable pour réaliser la couche 16 de passivation. Cette machine comporte trois cellules reliées ensemble. Dans une première cellule 18, le matériau pour réaliser la résine est introduit brut. Dans un exemple préféré ce matériau est du di-para-xylylène. Ce matériau est vaporisé dans la cellule 18 à une température de 175 sous une pression de un torr (un millimètre le mercure). La première cellule 18 est en relation avec une deuxième cellule 19 dans laquelle le matériau vaporisé est soumis à une pyrolyse. Par exemple la vapeur de di-para-xylylène est chauffée à 680" sous une pression de 0, 5 torr. Soumis à cette contrainte le di-para-xylyléne se casse et se transforme en para-xylylène monomère. Le para-xylylène ainsi préparé est introduit à température ambiante et sous une très faible pression de 0,1 torr dans une troisième cellule 20 où il est diffusé en couche 16 sur les aiguillettes 12 de la couche 6. Le para-xylylène se recombine alors pour former un polymère poly-para-xylylène par condensation. Cette condensation conduit à réaliser des ponts au-dessus des espaces 13 de porosité de la couche de Csl sans pénétrer dans les intervalles. II est possible d'utiliser une résine de synthèse autre que la résine désignée dessus. Celle-ci présente cependant l'avantage de bien adhérer au Csl d'une part et, d'autre part, de permettre la constitution des ponts audessus des espaces 13 sans venir combler ces espaces. De préférence, la résine utilisée devra avoir un indice de réfraction compris entre 1,78 et 1,45. De ce fait, cette résine ayant un indice inférieur à celui du Csl forme, à la liaison avec celui-ci, une couche antireflet. Dans un exemple la couche 16 a une épaisseur de 1 à 25 micromètres. Sur la couche 16 de passivation on répand ensuite la couche 17 de résine liquide (et qui le reste) pour assurer un bon couplage optique. Cette résine a de préférence un indice de réfraction inférieur à 1,45. Elle est par exemple du type de celles utilisées dans la constitution des cellules à cristaux liquides. L'épaisseur de la couche 17 est du même ordre que celle de la couche 16. Le détecteur 2 est ensuite fixé au socle 7 par des moyens mécaniques classiques. REVENDICATIONS 1 - Capteur électronique matriciel photosensible comportant un détecteur (2) surmonté d'un scintillateur (3) pour transformer un rayonnement électromagnétique haute fréquence (4), typiquement un rayonnement X, en un rayonnement basse fréquence (5), typiquement un rayonnement du domaine visible, caractérisé en ce que le scintillateur comporte une dalle (6) en iodure de césium portée par un socle (7) en graphite disposé du coté où le rayonnement haute fréquence est reçu. 2 - Capteur selon la revendication 1, caractérisé en ce que le socle du scintillateur est en graphite dont la taille des grains est inférieure à 5 micromètres, de préférence inférieure ou égale à 1 micromètre. 3- Capteur selon l'une des revendications 1 ou 2, caractérisé en ce que le socle est en graphite recouvert d'une couche (8) de carbone amorphe. 4 - Capteur selon l'une des revendications 1 à 3, caractérisé en ce que le socle est en graphite imprégné par du carbone. 5 - Capteur selon l'une des revendications 1 à 4, caractérisé en ce que la dalle du scintillateur est isolée d'un milieu ambiant par une couche (16) de passivation en une résine de synthèse, de préférence du type polypara-xylylène, elle-même recouverte d'une couche de couplage optique liquide (17). 6 - Capteur selon la revendication 5, caractérisé en ce que l'indice de réfraction de la résine de la couche de passivation est compris entre 1,78 et 1,45 pour former une couche antireflet. 7 - Capteur selon l'une des revendications 1 à 6, caractérisé en ce que - le socle de graphite a une épaisseur de 200 à 2000 micromètres, typiquement 500 à 800 micromètres, - la dalle d'iodure de césium a une épaisseur de 100 à 300 micromètres, typiquement de 180 micromètres, et - la couche de passivation en résine a une épaisseur de 1 à 25 micromètres. 8 - Procédé de fabrication d'un capteur, caractérisé en ce que - on réalise un socle en graphite devant servir de support à un scintillateur, - on rectifie le socle de graphite, - on dépose en phase gazeuse de l'iodure de césium sur le socle en graphite, - on dope le dépôt d'iodure de césium au thallium, - on dépose en phase gazeuse sous vide une couche en une résine de synthèse sur le dépôt d'iodure de césium, - on dépose une couche de résine de couplage optique liquide sur la couche en résine de synthèse, - on plaque un détecteur contre la couche de résine de couplage optique liquide. 9 - Procédé selon la revendication 8, caractérisé en ce que - on traite la surface du graphite avant ou après rectification par dépôt d'une couche de carbone amorphe. 10 - Procédé selon la revendication 8 ou la revendication 9, caractérisé en ce qu'on traite la surface du graphite avant rectification par imprégnation.