FR 2787610 A1 20000623 FR 9915762 A 19991214 i 2787610 CARTE A CIRCUIT INTEGRE CAPABLE D'EMPECHER UNE PUCE DE SEMICONDUCTEUR MONTEE SUR CELLE-CI DE SE FRACTURER Description Cette invention se rapporte à une carte à circuit intégré (CI), et en particulier à une carte à circuit intégré comportant une puce de semiconducteur ayant une fonction d'unité centrale etc..., et en particulier à une carte à circuit intégré capable d'empêcher une puce de semiconducteur de se fracturer durant une utilisation réelle. En tant que carte classique, une carte du type à enregistrement magnétique telle qu'une carte de paiement, une carte de crédit et autre sont largement utilisées. Ce type de carte est fabriqué en étalant une bande magnétique sur une carte en matière plastique de sorte que les informations enregistrées sur celle-ci sont lues. Dans cette sorte de carte du type à enregistrement magnétique, il se posait un problème en ce que les nformations peuvent être aisément déchiffrées par une tierce personne, et en ce que la capacité d'enregistrer des informations est relativement faible. De ce fait, récemment, une carte à circuit intégré dans laquelle une puce de semiconducteur présentant une fonction de mémoire, une fonction d'unité centrale ou autre est montée sur un substrat du type carte a été développée, et est déjà mise en pratique. En général ce type de carte à circuit intégré comporte une structure à trois couches comprenant une feuille de circuit sur laquelle la puce à semiconducteur présentant un motif de circuit est montée, une feuille intermédiaire comportant un creux pour contenir la puce de semiconducteur et montée sur la feuille de circuit, et une feuille de couverture prévue pour recouvrir la feuille intermédiaire. Dans ce cas, la carte à circuit intégré présentant la structure décrite ci-dessus est relativement fragile vis-à-vis 2 2787610 d'une force de flexion appliquée à la puce de semiconducteur, et peut se trouver mise hors service en raison d'une fracture de la puce de semiconducteur. Pour résoudre ce problème et pour améliorer la caractéristique anti-flexion de la puce de semiconducteur, certaines contre-mesures sont proposées dans les documents JP A 9-156 265, JP A 9-263 082, par exemple. Une carte à circuit intégré décrite dans le document JP A 9- 156 265 est fabriquée grâce aux étapes suivantes. C'est-à-dire qu'une puce de semiconducteur est montée sur un substrat de circuit et une pièce d'espacement comportant un creux pour contenir la puce de semiconducteur est collée au substrat de circuit. En outre, une plaque inoxydable en tant que plaque de renfort présentant une épaisseur d'approximativement 30 pm et formée légèrement plus grande que le creux, est agencée juste au-dessus de la puce de semiconducteur. Après cela, un film de couverture est collé sur la plaque inoxydable. Au contraire, une carte à circuit intégré décrite dans le document JP A 9- 263 082 est fabriquée en collant une plaque inoxydable en tant que plaque de renfort présentant une épaisseur d'approximativement 20 pm sur au moins une surface de côté de la puce de semiconducteur. Après cela, la puce de semiconducteur est modifiée en inter-couche de type feuille, et des feuilles sont collées à la fois sur la surface principale et la surface arrière de l'inter-couche. Dans ce cas, divers types de charges sont appliqués à la carte à circuit intégré durant son utilisation réelle. En général, la charge est classée en deux types, c'est-à-dire une charge de flexion pour laquelle la carte à circuit intégré se courbe suivant un arc circulaire ou se voile, et une charge de pression en un point pour laquelle une force de pression est appliquée localement à la carte à circuit intégré. Avec ce type de charge, comme la dureté de la puce de semiconducteur est substantiellement améliorée en agençant une plaque de renfort sur au moins une surface de la puce de semiconducteur, elle peut empêcher la puce de semiconducteur de se fracturer. Cependant, conformément à un résultat expérimental, il se trouve que le procédé de renfort classique pour la puce de semiconducteur dans lequel la plaque de renfort est agencée sur une surface de la puce de semiconducteur, ne peut pas toujours empêcher la puce de semiconducteur de se fracturer. C'est-à-dire 3 2787610 qu'il se trouve qu'une contrainte générée dans la puce de semiconducteur peut être augmentée par comparaison à celle sans la plaque de renfort, lorsque la charge est appliquée à la carte à circuit intégré par flexion ou pression sur un point, suivant la relation entre l'épaisseur de la plaque de renfort et l'épaisseur de la puce de semiconducteur. Cette invention a été conçue au vu de l'arrière-plan décrit jusqu'à présent et son premier but est de réaliser une carte à circuit intégré, qui permet de supporter une charge qui lui est appliquée sous forme d'une flexion ou d'une pression sur un point et permet d'empêcher une puce de semiconducteur de se fracturer. Conformément à la présente invention, une carte à circuit intégré comprenant: un substrat de circuit comportant un circuit conducteur, une puce de semiconducteur montée sur le substrat de circuit, une plaque de renfort stratifiée sur la puce de semiconducteur, afin de renforcer la puce de semiconducteur, et une feuille de couverture stratifiée sur la plaque de renfort, afin de protéger la puce de semiconducteur. Dans ce cas, lorsque l'épaisseur de la puce de semiconducteur est T, l'épaisseur t de la plaque de renfort est dans une plage satisfaisant au moins l'une des équations suivantes (1) et (2). t > (1,04 x 10-6)T4 - (5,26 x 10-4)T3 + (1,02 x 10-1)T2 - 9,12T + 3,55 x 102 ---(1) t > (7,22 x 10-7)T4 - (4,0 x 10-4)T3 + (8, 08 x 10-1)T2 - 7,61T + 3,3 x 102 ---(2) Conformément à la présente invention, comme l'épaisseur t de la plaque de renfort est choisie de façon à satisfaire l'une des équations (1) et (2), elle peut empêcher la puce de semiconducteur de se fracturer même si l'un des cas suivants (A), (B) est provoqué. En outre, lorsque l'épaisseur t de la plaque de renfort est choisie de façon à satisfaire l'équation (2), elle peut empêcher la puce de semiconducteur de se fracturer même si l'un des cas (A), (B) ou le cas suivant (C) est provoqué. (A) un premier cas dans lequel l'utilisateur est assis sur une chaise, la carte à circuit intégré étant dans la poche revolver du pantalon, (B) un second cas dans lequel la carte à circuit intégré est pressée par une protubérance relativement pointue telle qu'une 4 2787610 pointe d'un stylo à bille, c'est-à-dire qu'une force de pression est appliquée sur un point très étroit de la carte à circuit intégré, (C) un troisième cas dans lequel la carte à circuit intégré dans un sac à main ou analogue est pressée par un bouton ou autre du sac à main ou des vêtements, c'est-à-dire qu'une force de pression est appliquée sur un point relativement large de la carte à circuit intégré. Ceux-ci et d'autres buts, configurations et caractéristiques de la présente invention seront appréciés d'après une étude de la description détaillée suivante, des revendications annexées et des dessins, la totalité faisant partie de cette demande. Sur les dessins, des parties identiques ou des parties correspondantes reçoivent les mêmes références numériques les unes et les autres afin d'éliminer une explication redondante. Sur les dessins: La figure 1 est une vue en coupe simplifiée d'une carte à circuit intégré d'un mode de réalisation préféré conforme à la présente invention, La figure 2 est une vue en perspective de la carte à circuit intégré avant d'être montée, La figure 3 est un graphe illustrant un examen par flexion, La figure 4 est un graphe illustrant un examen par application de pression sur un point étroit, La figure 5 est un graphe illustrant un examen par application de pression sur un point obtus, Les figures 6A et 6B sont des graphes illustrant les résultats expérimentaux de l'examen par flexion, Les figures 7A et 7B sont des graphes illustrant les résultats expérimentaux de l'examen par application de pression sur un point étroit, Les figures 8A et 8B sont des graphes illustrant les résultats expérimentaux de l'examen par application de pression sur un point obtus, La figure 9 est un graphe illustrant une première courbe destinée à calculer une équation d'une épaisseur d'une plaque de renfort, et La figure 10 est un graphe illustrant une second courbe destinée à calculer une équation de l'épaisseur de la plaque de renfort. 2787610 [Premier mode de réalisation] Un mode de réalisation préféré de la présente invention sera expliqué ci-après en faisant référence aux dessins annexés. Tout d'abord, comme indiqué sur les figures 1 et 2, une carte à circuit intégré 1 est constituée d'une feuille de circuit 2 en tant que substrat de circuit, d'une feuille intermédiaire 3 et d'une couche de liaison intermédiaire, ainsi que d'une feuille de couverture 4. La feuille de circuit 2 est formée d'une feuille constituée de matière plastique telle qu'une matière plastique à base de polyester, concrètement du PET (polytéréphtalate d'éthylène). Un motif de circuit 5 présentant une forme enroulée en tant que circuit conducteur est formé sur une surface de la feuille de circuit 2, et également une puce de semiconducteur 6 reliée au motif de circuit 5 est montée sur la une surface de la feuille de circuit 2. La puce de semiconducteur 6 est moulée par un élément de joint 7, qui est fait d'un matériau relativement dur tel qu'une matière plastique à base d'époxy. L'élément de joint 7, la feuille intermédiaire 3, et la feuille de couverture 4 définissent un boîtier 8 destiné à protéger la puce de semiconducteur 6. Dans ce mode de réalisation, le motif de circuit 5 présentant la forme enroulée est formé par un moyen de sérigraphie en utilisant une pate conductrice telle qu'une pâte d'argent (Ag) à base de polyester, et la puce de semiconducteur 6 est montée par un collage conducteur anisotrope 9, par exemple en utilisant un procédé de puce à bosses. Le motif de circuit 5 fonctionne en tant qu'élément pour la communication des signaux (émission/réception) avec un dispositif externe et joue également le rôle d'une antenne pour émettre/recevoir des signaux radio. Dans ce mode de réalisation, l'énergie pour mettre en oeuvre l'unité centrale et autre formée sur la puce de semiconducteur 6 est fournie par le signal radio provenant du dispositif externe reçu par le motif de circuit 5. La feuille intermédiaire 3 est faite d'une matière plastique du type thermofusible qui passe à l'état liquide par fusion lorsqu'elle est chauffée, telle qu'un adhésif fusible à base de polyester. La feuille intermédiaire 3 protège non seulement le motif de circuit 5, la puce de semiconducteur 6 etc..., mais colle également la feuille intermédiaire 3 elle-même à la 6 2787610 feuille de circuit 2 et à la feuille de couverture 4 de façon à recouvrir le motif de circuit 5, la puce de semiconducteur 6 et autre sans interstices. En outre, la feuille de couverture 4 a pour fonction de protéger la feuille intermédiaire 3, laquelle est relativement molle, et la feuille de couverture 4 est faite d'une feuille de polytéréphtalate d'éthylène comme la feuille de circuit 2, par exemple. De manière à fabriquer cette carte à circuit intégré présentant une structure à trois couches, la puce de semiconducteur 6 est montée sur la feuille de circuit 2, et ensuite la puce de semiconducteur 6 est recouverte de la matière plastique à base d'époxy pour former l'élément de joint 7. Comme la matière plastique à base d'époxy présente un état liquide à la température ambiante avant d'être durcie, elle peut recouvrir une partie environnante de la puce de semiconducteur 6 sans interstices en raison de son état liquide. Après moulage de la puce de semiconducteur 6 avec l'élément de joint 7, la feuille intermédiaire 3 et la feuille de couverture 4 sont stratifiées sur celle-ci dans cet ordre. Après cela, une structure stratifiée est collée par thermocompression en utilisant un dispositif de presse thermique non-représenté. Il en résulte que, comme l'adhésif fusible constituant la feuille intermédiaire 3 est fondu en étant chauffé de façon à présenter un état liquide, l'adhésif fusible fondu recouvre le motif de circuit 5 et l'élément de joint 7 sans interstices. En même temps, la feuille intermédiaire 3 est comprimée de façon à présenter une épaisseur uniforme en étant pressée à la fois depuis les côtés supérieur et inférieur, et se colle à la feuille de circuit 2 et à la feuille de couverture 4. Après cela, la feu--le intermédiaire 3 est durcie par refroidissement. Il résulte de ces étapes que la carte à circuit intégré 1 présentant la structure à trois couches comprenant la feuille de circuit 2, la feuille intermédiaire 3 et la feuille de couverture 4, est formée. Dans la carte à circuit intégré 1 décrite ci-dessus, comme la feuille de circuit 2 et la feuille de couverture 4 sont faites de PET, et que la feuille intermédiaire 3 est faite d'un adhésif fusible à base de polyester, les deux présentant une élasticité, la carte à circuit intégré 1 se courbe de façon souple avec élasticité lorsqu'une force de flexion lui est appliquée. Lorsque la carte à circuit intégré est courbée, la puce de semiconducteur 6 peut se fracturer en raison de la force de flexion appliquée à la puce de semiconducteur 6. De ce fait, la plaque de renfort 10 est prévue pour améliorer substantiellement la dureté en renforçant la puce de semiconducteur 6. La plaque de renfort 10 est formée pratiquement de même taille que l'élément de joint 7, et est agencée sur l'élément de joint 7 par superposition sur celui-ci après que la puce de semiconducteur 6 soit scellée par l'élément de joint 7. Dans ce cas, la plaque de renfort 10 est positionnée de façon à ce que le centre de la plaque de renfort 10 corresponde pratiquement à celui de la puce de semiconducteur 6. Après cela, comme la feuille de circuit 2, la feuille intermédiaire 3 et la feuille de couverture 4 sont collées par thermocompression comme décrit ci-dessus, la plaque de renfort 10 est recouverte de l'adhésif fusible sans interstices par l'adhésif fusible constituant la feuille intermédiaire 3 qui est fondue. Ici, une surface supérieure de la puce de semiconducteur 6 (se reporter à la figure 1) est formée en une surface de miroir 6a. C'est-à-dire qu'un circuit intégré est formé sur une surface inférieure 6b de la puce de semiconducteur 6 (le côté de la feuille de circuit 2), et la surface supérieure 6a présente une surface de miroir qui est meulée par un meulage de face arrière pendant que la puce de semiconducteur est encore à l'état de tranche. De ce fait, la surface supérieure de la puce de semiconducteur 6 sera appelée surface de miroir et la surface inférieure sera appelée surface de circuit, ci-après. La plaque de renfort 10 est faite d'un matériau dont le module d'Young est à l'intérieur d'une plage de 100 à 300 GPa (gigapascal) tel qu'une plaque d'acier inoxydable. En général, plus l'épaisseur de la plaque de renfort 10 est épaisse, meilleur est l'effet de renfort de la plaque de renfort 10. Cependant, pendant un état de charge tel que la flexion ou l'application de pression en un point habituellement provoqué et en utilisation réelle, la contrainte appliquée à la puce de semiconducteur 6 peut être augmentée de façon indésirable suivant la relation avec l'épaisseur de la puce de semiconducteur 6 même si la plaque de renfort 10 est prévue. 8 2787610 De ce fait, un certain examen comprenant un examen par flexion, deux types d'examens par application de pression en un point, sont entrepris sur la carte à circuit intégré 1 de manière à étudier l'épaisseur de la plaque de renfort 10, de manière à ce que la puce de semiconducteur 6 présente une durabilité sans fracture importante, sous forme d'une relation avec l'épaisseur de la puce de semiconducteur 6. Comme indiqué sur la figure 3, l'examen par flexion est exécuté grâce aux étapes suivantes. La carte à circuit intégré 1 est montée sur un mandrin 11 présentant un rayon de 40 mm, de sorte que la face de surface de miroir 6a de la puce de semiconducteur 6 soit positionnée face du côté inférieur. La totalité de la carte à circuit intégré 1 est pressée par urn montage de maintien présentant un arc circulaire de façon à courber la carte à circuit intégré 1 suivant une surface extérieure cylindrique du mandrin 11. Après cela, une contrainte appliquée à la puce de semiconducteur 6 est détectée et calculée en utilisant une analyse par éléments finis par simulation de l'examen, et il est détecté si la puce de semiconducteur 6 comporte des fractures ou non. Il existe deux types d'examens par application de pression, c'est-à-dire l'examen par application de pression en un point étroit et l'examen par application de pression en un point obtus. Chacun des examens par application de pression en un point calcule une contrainte appliquée à la puce de semiconducteur 6 durant l'application de pression sur la carte à circuit intégré 1 là o la puce de semiconducteur 6 (la plaque de renfort 10) est sollicitée par des dents hémisphériques 13, 14. Chacun des examens par application de pression en un point détecte également si la puce de semiconducteur 6 comporte des fractures ou non. Dans ces examens, la carte à circuit intégré 1 est montée sur une plaque de caoutchouc 15 présentant une épaisseur de 20 mm, de sorte que la face de surface de miroir 6a de la puce de semiconducteur 6 est installée du côté supérieur. Dans cette situation, la carte à circuit intégré 1 est pressée par la dent 13 présentant un diamètre de 1,5 mm avec une force de pressage de 10 N (newton) au cours de l'examen par application de pression en un point aigu, et est pressée par la dent 14 présentant un diamètre de 10 mm avec une force de 9 2787610 pression de 17 N dans le cas de l'examen par application de pression en un point obtus. Ici, les raisons du montage de la carte à circuit intégré 1 sur le mandrin 11 de façon à ce que la face de surface de miroir 6a de la puce de semiconducteur 6 soit installée du côté inférieur dans l'examen par flexion, et du montage de la carte à circuit intégré 1 sur la plaque de caoutchouc 15 de façon à ce que la face de surface de miroir 6a de la puce de semiconducteur 6 soit installée du côté supérieur sont les suivantes. C'est-à- dire que lorsque la carte à circuit intégré 1 est pressée par le montage de maintien 12, ou bien par la dent hémisphérique 13 ou 14, la carte à circuit intégré 1 est courbée de sorte que la face de feuille de circuit 2 prend une forme convexe. Dans ce cas, on considère que l'axe neutre de flexion de la carte à circuit intégré 1 existe sur la face de surface de miroir 6a par rapport au centre de la direction de l'épaisseur de la puce de semiconducteur 6, comme indiqué par une ligne à traits et points alternés p sur la figure 1. De ce fait, une contrainte de compression est générée au niveau de la face de surface de miroir 6a de la puce de semiconducteur 6, alors qu'une contrainte en traction est générée au niveau de la face de surface de circuit 6b. Ici, la face de surface de miroir 6a de la puce de semiconducteur 6 présente une dureté élevée du fait que cette surface est faite du monocristal de la tranche, alors que la face de surface de circuit 6b présente une faible dureté car des impuretés sont implantées dans celleci pour former un circuit intégré ou du fait que la surface présente des aspérités. De ce fait, la puce de semiconducteur 6 se fracture aisément lorsque la contrainte de traction est appliquée à la carte à circuit intégré 1 de telle sorte que la face de surface de circuit 6b prend une forme convexe, par comparaison au cas o la même contrainte de flexion est appliquée à la carte à circuit intégré 1 de sorte que la face de surface de miroir 6a prend une forme convexe. De ce fait, la carte à circuit intégré 1 est montée de manière à ce que la face de surface de circuit 6a prenne une forme convexe lorsque la carte à circuit intégré 1 est courbée au cours de l'examen par flexion, et de l'examen par application de pression en un point. 2787610 Ces examens comprenant l'examen par flexion, l'examen par application de pression en un point aigu et i'examen par application de pression en un point obtus correspondent aux conditions de charge caractéristiques pendant une utilisation réelle. C'est-à-dire que divers types de charges sont appliqués à la carte à circuit intégré 1 durant l'utilisation réelle. Cependant, la plupart des charges peuvent être classées comme suit, c'est-à-dire, (A) un premier cas dans lequel l'utilisateur est assis sur une chaise, la carte à circuit intégré 1 étant dans la poche revolver de pantalon de l'utilisateur, (B) un second cas dans lequel la carte à circuit intégré 1 est pressée par une protubérance relativement pointue telle que la pointe d'un stylo à bille, c'est-à-dire qu'une force de pression est appliquée sur un point très étroit de la carte à circuit intégré 1, et (C) un troisième cas dans lequel la carte à circuit intégré 1 dans un sac à main ou analogue est pressée par un bouton ou autre du sac ou des vêtements, c'est-à-dire qu'une force de pression est appliquée sur un point relativement large de la carte à circuit intégré 1. De ce fait, l'examen par flexion qui est représenté sur la figure 3 a conduit à analyser le premier cas, l'examen par application de pression en un point étroit comme indiqué sur la figure 4 a conduit à analyser le second cas, et l'examen par application de pression en un point obtus comme indiqué sur la figure 5 a conduit à analyser le troisième cas. La figure 6 représente les résultats expérimentaux de l'examen par flexion. La figure 7 représente les résultats expérimentaux de l'examen d'application de pression en un point aigu, et la figure 8 représente les résultats expérimentaux de l'examen d'application de pression en un point obtus, respectivement. Ici, les figures 6A, 7A, 8A représentent la contrainte maximum dans la surface de circuit 6b, respectivement, et les figures 6B, 7B, 8B représentent la contrainte maximum appliquée à la partie de bord (quatre bords périphériques) de la puce de semiconducteur 6, respectivement. Sur ces figures, les plages de contraintes à l'intérieur desquelles la puce de semiconducteur 6 ne se fracture pas sont indiquées avec des lignes obliques (hachures). La raison de la mesure de la contrainte maximum de la partie de bord de la puce 11 2787610 de semiconducteur 6 est la suivante. Comme la puce de semiconducteur 6 est mise sous forme de puce par découpage en dés de la tranche, une surface de coupe (partie de bord) de la puce de semiconducteur 6 peut facilement provoquer une fracture en raison de minuscules éclats. De ce fait, la contrainte appliquée au bord est calculée en utilisant l'analyse par éléments finis par simulation de l'examen et l'on détecte si la puce de semiconducteur 6 comporte des fractures ou non. Après cela, une plage d'épaisseur t de la plaque de renfort 10 à l'intérieur de laquelle la puce de semiconducteur 6 ne subit pas de fracture suivant la relation avec l'épaisseur T de la puce de semiconducteur 6 dans chaque examen est fondée sur les résultats expérimentaux des examens décrits ci-dessus comprenant la flexion et l'application de pression en un point aigu. Ces plages indiquées par les lignes obliques correspondent à la plage d'épaisseur de la plaque de renfort 6 à l'intérieur de laquelle la puce de semiconducteur 6 subit difficilement une fracture, même si l'utilisateur est assis sur une chaise, la carte à circuit intégré 1 étant dans la poche revolver du pantalon de l'utilisateur, une force de pression est appliquée sur un point très étroit de la carte à circuit intégré 1. La figure 9 représente une plage d'épaisseur de la plaque de renfort 10 à l'intérieur de laquelle la puce de semiconducteur subit difficilement la fracture dans l'examen par flexion et l'examen par application de pression en un point aigu. Sur cette figure, une courbe Cl (qui est la même que la courbe Cl de la contrainte maximum de 350 MPa sur la figure 6B) présente une limite o la puce de semiconducteur 6 subit la fracture ou non. Lorsqu'une équation destinée à représenter la courbe Cl est calculée en utilisant une approximation par les moindres carrés, le membre de droite de l'équation suivante (1) peut être obtenu. De ce fait, lorsque l'épaisseur t de la plaque de renfort 10 est établie à l'intérieur de la plage de l'équation suivante (1), ceci peut empêcher que la puce de semiconducteur 6 se fracture même si l'un des cas ci-dessus (A), (B) est provoqué. t > (1,04 x 10-6)T4 - (5,26 x 10-4)T3 + (1,02 x 10-')T2 - 9,12T + 3,55 x 102 ---(1) En outre, une plage d'épaisseur t de la plaque de renfort 10 à l'intérieur de laquelle la puce de semiconducteur 6 ne subit pas de fracture par une relation avec l'épaisseur T de la puce 12 2787610 de semiconducteur 6 dans chaque examen est fondée sur les résultats expérimentaux des examens décrits ci-dessus comprenant la flexion, l'application de pression en un point aigu et l'application de pression en un point obtus. Ces plages indiquées par les lignes obliques correspondent à la plage d'épaisseur de la plaque de renfort 6 à l'intérieur de laquelle la puce de semiconducteur 6 subit difficilement la fracture, même si l'utilisateur est assis sur une chaise, la carte à circuit intégré 1 étant dans la poche revolver du pantalon de l'utilisateur, la force de pression est appliquée sur un point très étroit de la carte à circuit intégré 1, ou bien la force de pression est appliquée sur un point relativement large de la carte à circuit intégré 1. La figure 9 représente une plage d'épaisseur de la plaque de renfort 10 à l'intérieur de laquelle la puce de semiconducteur subit difficilement la fracture. Sur cette figure, une courbe C2 (qui est la même que la courbe C2 de la contrainte maximum de 380 MPa de la figure 7a) représente une limite o la puce de semiconducteur 6 subit la fracture ou non. Lorsqu'une équation destinée à représenter la courbe C2 est calculée en utilisant une approximation par les moindres carrés, le membre de droite de l'équation suivante (2) peut être obtenu. De ce fait, lorsque l'épaisseur t de la plaque de renfort 10 est établie à l'intérieur de la plage de l'équation suivante (1), ceci peut empêcher la puce de semiconducteur 6 de se fracturer, même si l'un des cas ci-dessus (A), (B), (C) est provoqué. t > (7,22 x 10-7)T4 - (4,0 x 10-4)T3 + (8,08 x 10-')T2 - 7,61T + 3,3 x 102 ---(2) Dans ce cas, l'exemple particulier des dimensions de la carte à circuit intégré 1 sera présenté ci-après. [Exemple particulier 1] Chaque épaisseur de la feuille de circuit 2 et de la feuille de couverture 4 est de 125 pm, respectivement. L'épaisseur totale de la carte à circuit intégré 1 après que les deux feuilles 2, 4 soient collées par l'intermédiaire de la feuille intermédiaire 3 est de 605 pm, l'épaisseur de la puce de semiconducteur 6 est de 150 pm, et l'épaisseur de la plaque de renfort 10 est de 50 pm. Cet exemple particulier 1 satisfaitl'équation (1). [Exemple particulier 2] Chaque épaisseur de la feuille de circuit 2 et de la feuille de couverture 4 est de 100 pm, respectivement. L'épaisseur totale de la carte à circuit intégré 1 après que les deux feuilles 2, 4 soient collées par l'intermédiaire de la feuille intermédiaire 3 est de 627 pm, l'épaisseur de la puce de semiconducteur 6 est de 150 pm, et l'épaisseur de la plaque de renfort 10 est de 50 pm. Cet exemple particulier 2 satisfait les deux équations (1) et (2). L'épaisseur totale de la carte à circuit intégré 1 n'est pas limitée à la valeur décrite dans les exemples particuliers 1 et 2. Cependant, en prenant en considération la souplesse ou les possibilités d'utilisation de la carte à circuit intégré 1, il est préférable d'établir l'épaisseur totale de la carte à circuit intégré 1 à l'intérieur d'une plage de 400 à 900 pm. En outre, il est préférable d'établir l'épaisseur T de la puce de semiconducteur 6 à l'intérieur d'une plage de 10 à 30 % de l'épaisseur totale de la carte à circuit intégré 1, et d'établir l'épaisseur de la plaque de renfort 10 à l'intérieur d'une plage de 8 à 20 % de l'épaisseur totale de la carte à circuit intégré 1. Lorsque la carte à circuit intégré 1 doit être rendue plus mince, il est préférable d'amincir la feuille intermédiaire 13 et en outre la puce de semiconducteur 6, car la feuille de circuit 2 et la feuille de couverture 4 ne peuvent être amincies que de façon limitée. Dans ce cas, une épaisseur préférable de la puce de semiconducteur 6 est de 50 à 150 pm. Il doit être noté que la présente invention n'est pas limitée au mode de réalisation décrit ci-dessus, et peut être étendue et modifiée comme suit. C'est-à-dire que l'épaisseur totale de la carte à circuit intégré 1 peut être inférieure à 400 pm, ou bien peut être supérieure à 900 pm. L'épaisseur de la puce de semiconducteur 6 n'est pas limitée à l'intérieur de 50 à 150 pm. Lorsqu'il est nécessaire d'amincir la carte à circuit intégré 1, l'épaisseur de la puce de semiconducteur 6 peut être pratiquement de 0,5 pm, par exemple, alors que lorsqu'il n'y a pas besoin d'amincir la carte à circuit intégré 1, l'épaisseur de la puce de semiconducteur 6 peut être pratiquement de 200 pm, par exemple. 14 2787610 La plaque de renfort 10 peut être faite de cuivre, d'aluminium ou autre au lieu d'acier inoxydable. Dans ce cas, dans le but d'augmenter substantiellement la dureté de la puce de semiconducteur 6 de manière à empêcher une fracture, il est préférable d'effectuer une sélection parmi des matériaux présentant un module d'Young de 100 à 300 GPa. En d'autres termes, de la matière plastique peut être utilisée si une telle matière plastique présente le module d'Young décrit ci-dessus. La carte à circuit intégré 1 n'est pas limitée à comporter la structure à trois couches présentant la feuille de circuit 2, la feuille intermédiaire 3 et la feuille de couverture 4. La plaque de renfort 10 peut être agencée sur une surface de la feuille de circuit 2 opposée à une surface o la puce de semiconducteur 6 est montée. Dans ce cas, il est préférable de coller une feuille sur la feuille de circuit 2 de façon à sceller la plaque de renfort 10. En outre, on peut omettre l'élément de joint 7. 2787610 REVENDICATIONS 1. Carte à circuit intégré comprenant: un substrat de circuit (2) comportant un circuit conducteur (5), une puce de semiconducteur (6) montée sur le substrat de circuit, une plaque de renfort (10) montée sur la puce de semiconducteur, afirn de renforcer la puce de semiconducteur, et faite d'un matériau dont le module d'Young est à l'intérieur d'une plage de i00 à 300 [GPa], et une feuille de couverture (4) montée sur la plaque de renfort, afin de protéger la puce de semiconducteur, dans laquelle une épaisseur totale de la structure stratifiée comprenant le substrat de circuit, la puce de semiconducteur, la plaque de renfort, la feuille de couverture est à l'intérieur d'une plage de 400 à 900 [pm], et lorsqu'une épaisseur de la puce de semiconducteur est T, une épaisseur t de la plaque de renfort est à l'intérieur d'une plage satisfaisant au moins l'une des équations suivantes (1) et (2). t > (1, 04 x 10-6)T4 - (5,26 x 10-4)T3 + (1,02 x 10-1)T2 - 9,12T + 3,55 x 102 ---(1) t > (7,22 x 10-7)T4 - (4,0 x 1C-4)T3 + (8,08 x 10-l)T2 - 7,61T + 3,3 x 102 ---(2) 2. Carte à circuit intégré selon la revendication 1, dans laquelle l'épaisseur t de la plaque de renfort est à l'intérieur d'une plage satisfaisant l'équation (1). 3. Carte à circuit intégré selon la revendication 1, dans laquelle l'épaisseur t de la plaque de renfort est à l'intérieur d'une plage satisfaisant l'équation (2). 4. Carte à circuit intégré selon l'une quelconque des revendications 1 à 3, dans laquelle la plaque de renfort (10) est agencée sur une surface du substrat de circuit (2) à l'opposé d'une surface o la puce de semiconducteur (6) est montée. 16 2787610 5. Carte à circuit intégré selon l'une quelconque des revendications 1 à 4, dans laquelle l'épaisseur de la puce de semiconducteur (6) est à l'intérieur d'une plage de 50 à [pm]. 6. Carte à circuit intégré comprenant: un substrat de circuit (2) comportant un circuit conducteur (5), une puce de semiconducteur (6) montée sur le substrat de circuit, et présentant une épaisseur sélectionnée à partir d'une plage de 50 à 150 [pm], une plaque de renfort (10) montée sur la puce de semiconducteur, afin de renforcer la puce de semiconducteur, et une feuille de couverture (4) montée sur la plaque de renfort, afin de protéger la puce de semiconducteur, dans laquelle une épaisseur totale de la structure stratifiée comprenant le substrat de circuit, la puce de semiconducteur, la plaque de renfort, la feuille de couverture est à l'intérieur d'une plage de 400 à 900 [pm], et lorsqu'une épaisseur de la puce de semiconducteur est T, une épaisseur t de la plaque de renfort est sélectionnée à partir d'une plage satisfaisant au moins l'une des équations suivantes (1) et (2). t > (1,04 x 10-6)T4 - (5,26 x 10-4)T3 + (1,02 x 10-1)T2 - 9, 12T + 3,55 x 102 ---() t > (7,22 x 10-7)T4 - (4,0 x 10-4)T3 + (8,08 x 10-1)T2 - 7,61T + 3,3 x 102 ---(2) 7. Carte à circuit intégré comprenant: un substrat de circuit (2) comportant un circuit conducteur (5), une puce de semiconducteur (6) montée sur le substrat de circuit, une plaque de renfort (10) montée sur la puce de semiconducteur, afin de renforcer la puce de semiconducteur, et faite d'un matériau dont le module d'Young est à l'intérieur d'une plage de 100 à 300 [GPa], et une feuille de couverture (4) montée sur la plaque de renfort, afin de protéger la puce de semiconducteur, 17 2787610 dans laquelle, lorsqu'une épaisseur de la puce de semiconducteur est T, une épaisseur t de la plaque de renfort est sélectionnée à partir d'une plage satisfaisant au moins l'une des équations suivantes (1) et ",2).5 t > (1,04 x 10-%)T4 - (5,26 x 10- 4)T3 + (1,02 x 10-1)T2 - 9,12T + 3,55 x 102 ---(1) t > (7,22 x 10-7)T4 - (4,0 x 10-4)T3 + (8,08 x 10-1)T2 - 7,61T + 3,3 x 102 ---(2)