FR 2761537 A1 19981002 FR 9703935 A 19970401 LASER COMPRENANT UN EMPILEMENT DE DIODES LASER EPITAXIEES COMPRIS ENTRE DEUX MIROIRS DE BRAGG Le domaine de l'invention est celui des lasers comprenant un empilement de lasers à semiconducteurs permettant d'atteindre des puissances de l'ordre de plusieurs kilowatts. Selon l'art connu, de tels lasers comprennent des diodes laser réalisées par croissance épitaxiale, sur un substrat semiconducteur Cn dopé par des impuretés d'un certain type (généralement de type n) d'une structure émettrice à puits quantique PQ puis d'une couche dopée par des impuretés de type opposé Cp (généralement de type p). La figure 1 illustre un empilement selon l'art connu de deux diodes laser: des contacts métalliques ME1 et ME2 sont déposés de part et d'autre des diodes laser et les diodes laser sont empilées couche Cn sur couche Cp, via les contacts métalliques ME1 et ME2. Généralement des mâchoires métalliques mécaniques enserrent l'ensemble des diodes1 pour assurer l'évacuation de la chaleur due aux effets thermiques importants qui ont lieu au niveau de chaque diode laser. Les diodes sont mises en contact électrique par soudure entre une métallisation ME1 et une métallisation ME2. Les électrons traversent par effet tunnel la jonction Schottky correspondant à l'interface d'une couche Cn et d'une métallisation ME1, alors que les trous peuvent traverser par effet tunnel la jonction Schottky correspondant à l'interface couche Cp et métallisation ME2. Ceci est illustré sur la figure 2 qui représente le diagramme des bandes d'énergie des couches Cn, MEj et " utilisées dans un empilement de diodes laser selon l'art antérieur. Les structures émettrices à puits quantiques sont espacées d'au moins l'épaisseur d'une couche substrat (typiquement une couche Cn représentée sur la figure 1), soit plusieurs centaines de microns. Dans cette configuration les diodes doivent être pilotées par des impulsions suffisamment courtes pour que les longueurs de diffusion des gradients de température Ld ne se recouvrent pas, pour éviter localement des élévations de températures trop importantes, la longueur Ld étant donnée par l'équation (1) suivante : suivante: avec k: conductibilité thermique s: durée de l'impulsion p: densité du semiconducteur Kp: capacité calorifique du semiconducteur. Pour des substrats d'environ 400 pm d'épaisseur, on obtient typiquement des longueurs Ld de l'ordre de 200 pm pour des durées d'impulsions de l'ordre de 70 à 100 microsecondes. Ces configurations de diodes laser empilées présentent l'inconvénient de nécessiter l'utilisation de moyens extérieurs pour réaliser l'assemblage (soudure notamment) et présentent une taille difficile à minimiser davantage, en raison de l'épaisseur du substrat de chaque diode élémentaire. Pour résoudre ces problèmes, I'invention propose une structure laser dans laquelle l'empilement des diodes laser est réalisé de façon périodique par croissance épitaxiale d'un ensemble de couches semiconductrices, ne nécessitant pas d'intervention manuelle. Plus précisément, I'invention a pour objet un laser comprenant un empilement de N diodes laser DLi comportant chacune une structure émettrice à puits quantique Sj caractérisé en ce que: - I'empilement de diodes DLi est un empilement de couches semiconductrices épitaxiées, inséré entre deux miroirs, de manière à réaliser une cavité laser; - le contact ohmique entre une diode laser DLi et une diode laser DLi+1 est assuré par une jonction de type diode Esaki constituée d'une couche dopée n de taux de dopage très élevé et d'une couche dopée p de dopage très élevé - le champ électrique optique du mode créé dans la cavité laser s'annule périodiquement au niveau des jonctions de type diode Esaki. Plus précisément, les jonctions étant de type diode Esaki, ce laser selon l'invention peut comprendre un empilement de N diodes laser, caractérisé en ce que l'empilement de couches épitaxiées comprend des couches S, des couches C'nui dopées de type n, des couches C'psi dopées de type p, une couche C'ni étant adjacente à une couche C'p+1, le taux de dopage t'ni des couches C'nui et les taux de dopage t'pi des couches C'pi étant tels qu'un flux d'électrons est en mesure de passer par effet tunnel d'une couche C'psi vers une couche C'ni+i de manière à assurer le contact ohmique entre une diode DLi et une diode DLi+1. Comme les porteurs libres présents en très grande quantité à la jonction de type diode Esaki absorbent l'onde optique générée, I'invention propose une structure laser conçue pour que le champ électrique optique du mode s'annule au niveau de la position des jonctions de type diode Esaki. Cette solution est intéressante dans la mesure où elle permet de conserver des structures laser de faibles dimensions, en comparaison avec une structure laser dans laquelle on choisit d'éloigner les jonctions entre diodes de la zone d'émission laser. Selon une variante de l'invention, I'empilement de diodes (Dl1) est inséré entre deux miroirs plans parallèles au plan des couches semiconductrices épitaxiées, de manière à créer une émission laser perpendiculaire au plan des couches. Avantageusement, les miroirs peuvent être des miroirs de Bragg, dont l'un présente une réflectivité voisine de 100 % pour l'onde optique créée, L'autre miroir de Bragg ayant une réflectivité plus faible de manière à permettre la sortie de l'émission laser. Selon une autre variante de l'invention, I'empilement de diodes (Dl1) est inséré entre deux miroirs plans perpendiculaires au plan des couches semiconductrices epitaxiées, de manière à créer une émission laser parallèle au plan des couches. L'onde optique est confinée dans l'empilement des diodes en insérant l'ensemble des couches épitaxiées entre deux structures ou couches de confinement. Ces structures de confinement peuvent notamment être constituées de miroirs de Bragg, présentant une réflectivité voisine de 100 % vis-à-vis de l'onde optique créée dans la cavité laser. L'invention sera mieux comprise et d'autres avantages apparaîtront à la lecture de la description qui va suivre donnée à titre non limitatif et grâce aux figures annexées parmi lesquelles: - la figure 1 illustre un empilement de diodes laser selon l'art antérieur; - la figure 2 représente le diagramme des bandes d'énergie des couches Cn, MEi et Cp utilisées dans un empilement de diodes laser selon l'art antérieur; - la figure 3 illustre un exemple d'empilement de diodes laser selon l'invention, utilisant des jonctions de type Esaki; - la figure 4a illustre le diagramme de bande d'énergie de l'empilement de diodes laser utilisées dans un laser selon l'invention comprenant des jonctions de type Esaki en absence de tension; - la figure 4b illustre les diagrammes de bande d'énergie de l'empilement de diodes laser utilisées dans un laser selon l'invention comprenant des jonctions de type Esaki en présence d'une tension appliquée; - la figure 5 illustre un exemple de laser selon l'invention comprenant deux miroirs de Bragg de réflexion maximale, des diodes Esaki, et émettant selon un plan parallèle au plan des diodes; - la figure 6 illustre le champ optique créé par le laser selon l'invention, à proximité du laser (champ proche) et éloigné du laser (champ lointain); - la figure 7 illustre un exemple de laser selon l'invention à émission surfacique, utilisant un miroir de Bragg, partiellement transparent; - la figure 8 illustre l'évolution de la température d'un laser selon l'invention, au centre dudit laser, en fonction du temps, au cours d'une impulsion; - la figure 9 illustre la durée d'impulsion maximale permise en fonction de l'épaisseur d'une structure laser selon l'invention pour un écart de température admis To = 10 K. Selon l'invention, la structure laser selon l'invention comprend un ensemble de couches semiconductrices épitaxiées de manière à réaliser un empilement de diodes lasers, deux diodes lasers contiguës étant mises en contact électrique par l'intermédiaire de jonctions de type diode Esaki, formée d'une région dopée très fortement de type p et d'une région dopée très fortement de type n. On sait en effet comme exposé par exemple dans le livre de S.M. Sze, Physics of Semiconductor Devices, John Wiley (New York, 1983) qu'une telle jonction polarisée en inverse (comme cela est le cas dans la structure empilée de l'invention) permet le passage des électrons de la bande de valence du côté fortement dopé p vers la bande de conduction du côté fortement dopé n. La structure émettrice Sj de chaque diode laser peut être comprise entre deux couches de confinement optique d'indice plus faible, I'une des couches Cni étant dopée de type n, L'autre couche P Cpi étant dopée de type p. La figure 3 montre l'empilement d'une diode laser Di+l sur une diode laser Di par l'intermédiaire des couches fortement dopées C'nui et C'pi+1. Le vecteur champ électrique E indique le sens de polarisation électrique à appliquer en fonctionnement pour permettre les recombinaisons électrons-trous au niveau des structures émettrices Sj. La figure 4a illustre le diagramme de bandes d'énergie de l'ensemble des couches semiconductrices permettant d'élaborer l'empilement de diodes laser selon l'invention, sans tension appliquée. La figure 4b illustre le diagramme de bandes d'énergie de l'ensemble des couches semiconductrices permettant d'élaborer l'empilement de diodes laser selon l'invention, avec une tension appliquée. Plusieurs structures à puits quantiques ont été représentées pour mettre en évidence le passage des électrons à chaque jonction. Ainsi 4 diodes laser sont ici illustrées par une succession de couches Cni, de structures à puits quantiques PQi et de couches Cp. La figure 4a montre les diagrammes de bande d'énergie d'une telle structure. A tension nulle, les jonctions en série présentent des barrières de potentiel périodiques. Sous une tension en polarisation directe appliquée à la structure totale, les jonctions de type Esaki sont toutes polarisées en inverse. Comme l'indique la figure 4b, pour une tension suffisamment importante, le système se configure en bandes plates. Une fois en bandes plates (avec des chutes de potentiel faibles aux jonctions), la structure laisse passer le courant et les couches se mettent à laser. Le principe de fonctionnement peut s'interpréter de la façon suivante: l'électron ayant effectué une transition optique à la jonction Si est injecté de la région Cpi à la région Cni+l par la jonction Esaki CpiiCni+i. On notera que la diode Esaki peut être réalisée dans un semiconducteur ayant un gap plus petit que le substrat pour diminuer la résistance de contact de la diode, en utilisant un alliage lnGaAs sur du GaAs par exemple. Selon une première variante, I'empilement de diodes est inséré entre deux miroirs plans perpendiculaires au plan des couches. Un premier miroir présentant une réflectivité voisine de 100 %, L'autre miroir présentant une réflectivité inférieure. Pour assurer l'annulation du champ électrique optique du mode créé au niveau des jonctions de type Esaki, I'empilement de diodes peut avantageusement être intégré entre deux séries de miroirs de Bragg parallèles au plan des couches, présentant une réflectivité voisine de 100 %. La structure constitue un guide, tel que le mode guidé ait un champ électrique nul, au niveau des jonctions Esaki JT, le faisceau laser étant émis parallèlement aux couches (voir figure 5), E(x) représentant le champ électrique de l'onde optique dans la cavité laser. A titre d'exemple, pour 10 étages, I'épaisseur totale serait alors de 10 fois la demi longueur d'onde divisée par l'indice optique soit de l'ordre de 2 Clam. Dans cette configuration, les couches lasers sont très fortement couplées entre elles et leurs émissions peuvent être naturellement mises en phase. On obtient ainsi un réseau vertical de lasers en phase ce qui est extrêmement difficile à obtenir en géométrie horizontale. On sait que ces réseaux peuvent émettre des faisceaux dont la divergence est beaucoup plus faible que dans un laser seul (A. Yariv, Quantum Electronics, Wiley Interscience). La figure 6 illustre à ce titre, I'étendue du champ optique dit proche du laser et l'étendue du champ optique dit lointain. Nous donnons maintenant un exemple de réalisation. Le substrat est du GaAs fortement dopé de type n+ (typiquement 1018 cm-3). Une couche tampon GaAs n+ est réalisée suivant les règles de l'art puis le composant est constitué d'un empilement de structures élémentaires suivantes: une barrière AlGaAs très dopée de type p suivie d'une couche de GaAs dopée n++ (quelques 1019 cm-3) puis dopée p++. Chaque couche élémentaire a une épaisseur typique de 1 Clam. La résistance de contact n++/p++ est typiquement de 104 ohm.cm-2. Comme les courants de lasers sont de l'ordre de 15 kA/cm2, on assiste à une chute de potentiel de 100 millivolts à chaque jonction Esaki. Cette chute de potentiel peut être diminuée en utilisant une diode Esaki en ln0.2Ga0.8As qui conduit grâce à la diminution du gap vis-à-vis de celui de GaAs, à une chute de tension de 30 mV. Selon une autre variante de l'invention, L'émission laser est obtenue perpendiculairement au plan des diodes, pour cela l'empilement des diodes peut être intégré entre deux miroirs de Bragg dont l'un est légèrement transparent, le plan desdits miroirs étant parallèle au plan des diodes. La structure est réalisée sous forme de mésa de petites dimensions. L'émission laser a alors lieu par la surface et le système est donc de type VCSEL (Vertical Cavity Surface Emission Laser) (voir figure 7). Notons que dans ce cas, les deux miroirs de Bragg peuvent être dopés n, ce qui diminue considérablement les résistances d'accès et facilite grandement le procédé de réalisation du VCSEL. Les empilements de diodes lasers épitaxiées selon l'invention, ont un comportement thermique différent des diodes lasers empilées selon l'art antérieur: Malgré la proximité accrue des structures émettrices entre elles, et des zones d'échauffement maximal, les structures selon l'invention sont en mesure d'évacuer la chaleur de manière satisfaisante. Dans les structures classiques utilisant plusieurs diodes fabriquées au préalable, puis empilées, la température décroît linéairement dans chaque couche sur une distance donnée par l'équation (1) définie précédemment (typiquement sur une distance de 200 pm pour une durée de 100 ps). Dans la structure épitaxie selon l'invention, la température peut être considérée comme homogène sur toute l'épaisseur de chaque diode laser au bout d'un temps très court, en raison des faibles distances qui séparent deux régions émettrices Sj. Les embases métalliques constituent des réservoirs thermiques. On considère ainsi que la structure active est placée entre deux réservoirs thermiques à une température relative T = O et que durant une impulsion de courant, la puissance thermique dissipée est distribuée de manière homogène dans toute la structure active. Si x correspond à la distance à partir du centre de la structure en direction d'un réservoir thermique, le champ de température T (x, t) en fonction de cette distance et du temps, est alors déterminé par l'équation de diffusion (2): a t = D 82T/ac2 +P/pcpL avec D: constante de diffusion thermique P: puissance thermique divisée par la section du laser L: I'épaisseur de l'ensemble du laser correspondant à la structure épitaxiée. Les conditions limites de cette équation (2) sont: T(-U2, t) = T(U2,t) = 0 et T(x, 0)=0 En redimensionnant avec comme unité de longueur L, unité de temps L21D et unité de température PUpCpD ou bien encore PUK, K étant la conductibilité thermique, on obtient aussi l'équation suivante (3): a a2T'2+1 La solution stationnaire de l'équation 3 étant l'équation suivante (4): oe(x')= (X)=118-x2/2 et la température maximale en continu est donc Tmax = PU8K A ce titre la figure 8 illustre les résultats de l'évolution de la courbe r (o, t) au centre de la structure. Deux domaines sont facilement mis en évidence: pour t' petit, la température monte linéairement, indiquant que la chaleur n'est pas du tout évacuée vers les réservoirs, et pour t' plus grand, la température se stabilise à la valeur stationnaire indiquant que la chaleur est évacuée en permanence. Ces principes peuvent être appliqués dans le cas précis d'une structure laser selon l'invention à base de GaAs. Compte tenu d'une élévation de température Tg admissible et d'une épaisseur de laser donnée L, on est en mesure à partir d'une courbe de type représentée en figure 6, de déterminer les durées d'impulsion maximales que peut supporter la structure laser en fonction des paramètres imposés tels que l'élévation de température admissible. Un exemple est illustré en figure 9, les constantes du matériau GaAs étant les suivantes: D = 2,5.10-5m2/s K=46Wm-1.K-1 P = 2 kW/0,06.10-6m To = 10 K La courbe de la figure 9 fournit la durée d'impulsion maximale T en secondes en fonction de l'épaisseur L du laser exprimée en mètres. La courbe illustrée sur cette figure est relative à une température TO = 10 K REVENDICATIONS 1. Laser comprenant un empilement de N diodes laser (DLi) comportant chacune une structure émettrice à puits quantique (Si) caractérisé en ce que: - l'empilement de diodes (DLi) est un empilement de couches semiconductrices épitaxiées, inséré entre deux miroirs de manière à réaliser une cavité laser; - le contact ohmique entre une diode laser (DLi) et une diode laser (DLi+1) est assuré par une jonction de type Esaki; - le champ électrique optique du mode créé dans la cavité laser s'annule périodiquement au niveau des jonctions de type Esaki. 2. Laser comprenant un empilement de N diodes laser selon la revendication 1, caractérisé en ce que l'empilement de couches épitaxiées comprend des couches (Si), des couches (C'ni) dopées de type n, des couches (C'pi) dopées de type p, une couche (C'ni) étant adjacente à une couche (C'pj+1), le taux de dopage (t'ni) des couches (C'ni) et les taux de dopage (t'pi) des couches (C'pi) étant tels qu'un flux d'électrons est en mesure de passer par effet tunnel d'une couche (C'pj) vers une couche (C'ni+l) de manière à assurer le contact ohmique entre une diode (DLi) et une diode (DLi+1). 3. Laser comprenant un empilement de N diodes laser selon la revendication 2, caractérisé en ce que les diodes (DLi) comprennent une couche (Cni) dopée de type n de taux de dopage (tni) inférieur au taux (t'nj), une structure émettrice (spi) et une couche (Cpi) dopée de type p de taux de dopage (tpi) inférieur au taux (t'pi). 4. Laser comprenant un empilement de N diodes laser selon la revendication 3, caractérisé en ce que les couches (C'pi) et (C'ni) sont réalisées à partir de In1 xGaxAs, les couches (cri) et (Cni) étant réalisées à partir de AlGaAs, les structures (Si) à partir de GaAs. 5. Laser selon l'une des revendications 1 à 4, caractérisé en ce que l'empilement de diodes (Dli) est inséré entre deux miroirs (M1) et (Mz) dont le plan est perpendiculaire au plan des couches de manière à produire une émission laser dans le plan des diodes. 6. Laser selon la revendication 5, caractérisé en ce que l'empilement de diodes (Dl1) est inséré entre deux miroirs de Bragg (M'1) et (M'2) de réflectivité maximale voisine de 100 %, de manière à créer un guide d'onde. 7. Laser selon l'une des revendications 1 à 4, caractérisé en ce que l'empilement des diodes (Dl1) est inséré entre deux miroirs (M1) et (M2) créant une cavité Pérot-Fabry, dont le plan est parallèle au plan des diodes de manière à produire une émission laser perpendiculaire au plan des diodes.