FR 2759493 A1 19980814 FR 9701605 A 19970212 La présente invention concerne les dispositifs de puissance à semi- conducteur. Dans les transistors de puissance métal-oxyde-semiconducteur laté- raux à double diffusion (LDMOS), les régions semiconductrices de drain et de source sont typiquement des régions interdigitées s'étendant à travers la puce du transistor LDMOS, et les plots de soudage sont disposés autour de la périphérie de la puce de transistor LDMOS. Des conducteurs métalliques finals s'étendent au travers des régions semiconductrices de drain et de source pour connecter les régions semiconductrices à des plots de soudage respectifs. Puisqu'une partie du courant doit parcourir la longueur de la région de drain ou de source jusqu'au plot de soudage, ces transistors de puissance ont une résistance dans l'état conducteur, soit Rdson, de valeur élevée, qui est une partie notable de la résistance totale du dispositif. Une résistance Rdson élevée produit une forte dissipation de puissance aux courants élevés (de 15 à 20 A). Ainsi, pour permettre une capacité élevée de transport de courant, le boîtier de ces transistors de puissance doit être suffisamment grand pour assurer la dissipation de puissance. En d'autres termes, si l'on réduit la résistance Rdson, le transistor de puissance pourra supporter les applications en courants plus élevés pour un même niveau de dissipation de puissance (ou une même aire de transistor) ou pourra assumer une dissipation de puissance plus faible, demandant un boîtier plus petit. D'autres transistors latéraux, comme les transistors de puissance TMOS (marque déposée de la société Motorola, Inc.) qui sont fournis par la société Motorola, Inc., sont disposés de la même manière et souffrent des mêmes incon- vénients. Une solution pour réduire la résistance des dispositifs de puissance, comme le transistor de puissance LDMOS, consiste à utiliser des fils multiples soudés aux conducteurs métalliques sur les régions semiconductrices du dispositif de puissance et à des plots dc soudage de fils se trouvant à la périphérie de la puce, afin de réduire la longueur que lc courant doit parcourir dans les conducteurs métalliques. Puisque la capacité de transport de courant de chaque fil est limitée par sa largeur, un certain nombre de fils sont nécessaires pour atteindre une capa- cité élevée de transport de courant dans la gamme de 15 à 20 A. Les plots de soudage supplémentaires demandés pour une semblable pluralité de fils augmentent considérablement la taille du dispositif de puissance. De plus, le coût de fabrication d'un tel dispositif de puissance est extrêmement élevé, puisque chaque fil doit être soudé séparément. Un autre inconvénient de ce montage résulte du fait que, comme le courant doit parcourir une certaine distance dans les fils, il apparaît des points chauds non uniformes qui réduisent la fiabilité du dispositif. Une autre solution fait appel à une couche épaisse de cuivre métallique déposée sur la puce au-dessus des conducteurs métalliques finals afin de réduire la résistance du dispositif de puissance et remplace la pluralité de fils par de gros fils en aluminium soudés sur les régions semiconductrices. Toutefois, l'opération de dépôt supplémentaire qui correspond à cette solution augmente la complexité et la durée du cycle du processus de fabrication, ce qui augmente notablement le coût du dispositif de puissance intégré. C'est donc un but de l'invention de proposer un dispositif de puissance à semiconducteur perfectionné qui réduit les problèmes ci-dessus mentionnés. Selon l'invention, il est proposé un dispositif de puissance à semicon- ducteur, qui comprend: un conducteur métallique couplé à une région semiconductrice du dis- positif; un ou plusieurs bossages formés en contact avec le conducteur métal- lique; et un cadre formé d'une matière à forte conductivité, le cadre comprenant une partie de connexion servant à connecter le bossage ou au moins l'un des bossages de façon à réaliser une connexion externe avec la région semiconductrice du dispositif. La description suivante, conçue à titre d'illustration de l'invention, vise à permettre une meilleure compréhension de ses caractéristiques et avantages; elle s'appuie sur les dessins annexés, parmi lesquels: la figure 1 est un schéma simplifié présentant une vue de dessus d'une partie d'une puce de transistor LDMOS, selon l'invention; la figure 2 cst une vue cn plan de dessus d'une partie d'un cadre d'un dispositif à transistor LDMOS, scion l'invention; la figure 3 est une vue en plan de dessus de la totalité d'un cadre d'un dispositif à transistor LDMOS, selon l'invention; la figure 4 cst un schéma simplifié montrant une vue en plan de dessus d'une partie d'une puce de transistor LDMOS, selon un deuxième mode de réali- sation de l'invention; la figure 5 est un schéma simplifié montrant une vue en plan de dessus d'une partie d'une puce de transistor LDMOS, selon un troisième mode de réali- sation de l'invention; la figure 6 est un schéma simplifié montrant une vue en section droite d'une partie d'une puce de transistor LDMOS, selon l'invention; et la figure 7 est un schéma simplifié montrant une vue en section droite de la partie représentée sur la figure 6, lorsque cette dernière est couplée à une partie du cadre du dispositif à transistor LDMOS, selon l'invention. On va maintenant décrire l'invention en liaison avec un dispositif à transistor de puissance LDMOS. On comprendra toutefois que l'invention peut être appliquée à n'importe quel dispositif de puissance dans lequel la résistance des interconnexions métalliques finales influence la capacité de transport de courant du dispositif, par exemple des dispositifs qui ont de longues interconnexions métalliques finales, comme des transistors de puissance latéraux. Un dispositif à transistor de puissance LDMOS selon un mode de réa- lisation préféré de l'invention comprend une puce de transistor LDMOS, dont une partie 2 est présentée sur la figure 1. Des conducteurs métalliques 4 et 6 disposés en alternance s'étendent au-dessus de régions semiconductrices de drain et de source respectives (non représentées) de la puce de transistor LDMOS et leur sont couplés. Pour chacun des conducteurs métalliques de drain 4 et de source 6, un ou plusieurs bossages 8 sont formés à leur contact. Chaque bossage 8 est formé d'un métal, comme le cuivre, ou d'un alliage, comme un alliage de cuivre, d'étain et de plomb. La figure 1 ne montre pas tous les conducteurs métalliques de drain 4 et de source 6 et présentent seulement deux bossages sur chacun des conducteurs métalliques 4 et 6. Il faut toutefois noter qu'il est possible de disposer plusieurs bossages sur l'ensemble de la longueur de chacun des conducteurs métalliques 4 et 6 ou un seul bossage sur chacun des conducteurs métalliques 4 et 6. De plus, au lieu que les conducteurs métalliques 4 ct 6 soient disposés en alternance, ou interdigités, le dispositif à transistor de puissance peut comporter des conducteurs qui ne sont pas en alternance ou même un seul conducteur de drain et un seul conducteur de source. On se reporte maintenant à la figure 2. Le dispositif à transistor LDMOS selon le mode de réalisation préféré de l'invention comprend en outre un cadre, dont une partie, 14, seulement cst représentée sur la figure 2, ce cadre étant formé en un matériau de forte conductivité. Dans le mode de réalisation préféré, le cadre comprend une pluralité de premières parties de connexion 16 destinées à être couplées aux conducteurs métalliques de drain 4 via les bossages 8 respectifs et une pluralité de deuxièmes parties de connexion 18 destinées à être couplées aux conducteurs métalliques de source 6 via les bossages 8 respectifs. Les premières et deuxièmes parties de con- nexion 16 et 18 réalisent une connexion externe avec les régions semiconductrices de drain et de source, respectivement. Le nombre particulier et la disposition parti- culière des parties de connexion du cadre dépendent du nombre des conducteurs métalliques, du nombre des bossages présents sur chaque conducteur métallique et de la disposition spatiale des bossages. Ceci semblera plus clair dans la suite de la description. Lorsque le dispositif à transistor LDMOS a été assemblé, le cadre s'étend au-dessus des conducteurs métalliques 4 et 6 de la puce de transistor LDMOS, de sorte que les parties de connexion 16 et 18 sont connectées aux con- ducteurs métalliques respectifs, via les bossages respectifs. De plus, pour permettre des connexions avec les régions semiconductrices du dispositif, ce cadre est égale- ment le cadre de montage, appelé également grille de connexion, du dispositif et assure donc le support de la puce de transistor LDMOS. La figure 3 montre un exemple de l'ensemble d'un cadre 3, selon un mode de réalisation de l'invention. Des composants analogues à ceux représentés sur la figure 2 seront désignés par les mêmes numéros de référence. De préférence, le cadre comprend un motif en cuivre, possédant des parties connectrices de cuivre d'une épaisseur de 70 um et d'une largeur de 200,um (la largeur est indiquée par la référence 22), qui est formé sur un substrat constitué par une bande en polymère. L'envers du substrat en forme de bande peut être fixé au produit final via un soudage par refusion. Dans le mode de réalisation représenté sur la figure 1, les conducteurs métalliques de drain 4 et de source 6 sont disposés parallèlement à une première direction X. Les bossages 8 présents sur les conducteurs métalliques de drain 4 sont disposés de façon à être alignés suivant des premières lignes 10, qui s'étendent dans une deuxième direction Y. Les bossages 8 se trouvant sur les conducteurs métalliques de source 6 sont disposés dc façon à être alignés suivant des deuxièmes lignes 12 qui s'étendent suivant la deuxième direction Y. Sur la figure 1, la deuxième direction Y est représentée comme étant sensiblement perpendiculaire à la première direction X. Les bossages peuvent être alternativement disposés sur les conducteurs métalliques de drain 4 et de source 6, de façon à être respectivement alignés sur les premières et deuxièmes lignes respectives 10 et 12, lesquelles lignes s'étendent suivant une deuxième direction Y qui est inclinée par rapport à la première direction, comme représenté sur la figure 4. Dans le mode de réalisation préféré de l'invention, les parties de con- nexion 16 et 18 du cadre sont disposées de façon que, lorsque la puce et le cadre sont assemblés, chaque partie de connexion s'étend sur l'une, respective, des pre- mières et deuxièmes lignes 10 et 12 suivant la direction Y (voir par exemple la figure 1 ou la figure 4). Ceci signifie que le plus long trajet du courant est égal à la moitié de la distance 24 séparant des bossages adjacents, le long d'un conducteur métallique respectif. Pour des bossages séparés d'une distance de 400 /m, ceci signifie que le plus long trajet du courant est de 200,um. Ainsi, plus la distance de séparation 24 entre les bossages est petite, et plus la résistance Rdson du dispositif est basse. Toutefois, la valeur de la distance de séparation 24 est limitée par l'étroi- tesse que l'on peut donner aux parties de connexion 16 et 18. Sur la figure 5, les bossages 8 sont disposés de façon aléatoire entre les conducteurs métalliques 4 et 6. Avec cette disposition particulière, le cadre est ainsi fait que les premières et deuxièmes parties de connexion 16 et 18 du cadre, une fois monté, s'étendent suivant des conducteurs métalliques dans la première direction X, comme indiqué par les lignes en trait interrompu. Les premières et deuxièmes parties de connexion 16 et 18 du cadre peuvent également être disposées de façon à s'étendre le long des conducteurs métalliques respectifs dans la première direction X, dans le cas de la disposition ordonnée des bossages représentée sur la figure 1. Le fait d'orienter les parties de connexion suivant la direction X est toutefois plus difficile à mettre en oeuvre, car il peut se poser des problèmes dans la réalisation de parties de connexion 16 et 18 qui soient suffisam- ment étroites. La largeur 20 de chacun des conducteurs métalliques 4 et 6 est la même et, dans le mode de réalisation préféré, est d'environ 80, um. Ceci signifie que les parties de connexion 16 et 18 doivent avoir, pour ce mode de réalisation, une largeur inférieure à 80,um. La figure 6 est une vue en section droite d'une partie d'une puce de transistor LDMOS selon l'invention, qui montre l'un des bossages 8 en contact avec un conducteur métallique 34 couplé aux régions semiconductrices 30. Le bossage 8 représenté sur la figure 6 peut être l'un quelconque des bossages des figures 1, 4 et 5. Par exemple, le conducteur métallique 34 peut être l'un des conducteurs de source 6, et les régions semiconductrices 30 peuvent être les régions semiconductrices de la source. On forme les régions semiconductrices de source 30 dans une région épitaxiale 32, d'une manière bien connue. On forme une première couche métallique 36 sur la région épitaxiale 32 et une couche d'oxyde 38. On forme une deuxième couche d'oxyde 40 sur la première couche métallique 36 et on lui applique un tracé de motif et une gravure afin de réaliser une ouverture 42 donnant accès à la première couche métallique 36. On dépose une deuxième couche métal- lique sur la deuxième couche d'oxyde 40 afin de former le conducteur métallique 34. On forme ensuite une couche de passivation 44 sur la deuxième couche d'oxyde 40 et une partie du conducteur métallique 34, de manière à ménager une ouverture 46. On forme ensuite le bossage 8 dans l'ouverture 46. De préférence, le conducteur métallique 34 s'étend sur une distance, notée par la référence 48, de 2 /nm au-dessus de la deuxième couche d'oxyde 40, et le bossage 8 s'étend sur une distance, notée 50, de 35,um au-dessus de la couche de passivation 44. Pour coupler le cadre aux bossages 8, on peut appliquer une soudure 52 sur le sommet du bossage 8, comme représenté sur la figure 6, ou sur le cadre lui- même. Lors de l'assemblage, on place le cadre sur le dessus de la puce, de façon que chaque partie de connexion, la partie de connexion 54 de la figure 7, soit en contact avec le bossage 8 ou les bossages 8 respectifs. On forme donc des soudages métallurgiques de part et d'autre du bossage 8. Ensuite, on encapsule le dispositif à transistor LDMOS. Comme mentionné ci-dessus, le cadre est de préférence formé en un métal épais qui, via les parties de connexion, est utilisé pour former les intercon- nexions métalliques avec les régions semiconductrices du dispositif. En utilisant un métal épais ou une autre matière présentant une forte conductivité ainsi que des bossages répartis sur l'étendue des conducteurs métalliques se trouvant sur les régions semiconductrices, on peut notablement réduire la résistance des intercon- nexions métalliques finales et, par conséquent, on peut fortement abaisser la résis- tance Rdson. Par exemple, le montage connu utilisant une pluralité de soudages de fils qui a été ci-dessus mentionné possède une résistance Rdson d'environ 77 mQ, alors que le dispositif selon l'invention possède une résistance Rdson d'environ mQ. Cette réduction importante de la résistance du dispositif assure que le dispositif de puissance selon l'invention peut supporter des courants plus élevés, de l'ordre de 15 à 20 A, pour un même niveau de puissance (ou une même aire de transistor) par comparaison avec les montages de la technique antérieure. Ceci se révèle particulièrement utile dans les applications qui demandent l'intégration, sur la même puce, de dispositifs logiques et de dispositifs de puissance, avec un fonctionnement continu à des niveaux dc puissance supéricurs à 5 A. De plus, on peut faire varier la résistance du dispositif en faisant sim- plement varier l'étalement ou l'épaisseur des parties de connexion 16 et 18 ou en faisant varier le motif de bossages. Les parties de connexion selon l'invention sont faites sous la forme de parties du cadre, ou du cadre de montage noté également grille de connexion, du dispositif. Ceci signifie que les connexions avec les régions semiconductrices peuvent être réalisées par une simple opération d'assemblage et sans qu'il soit nécessaire d'utiliser des soudages dc fils. L'invention est donc simple à mettre en oeuvre et apporte d'importantes réductions de la taille des puces, puisqu'elle évite la nécessité de prévoir des aires de plots de soudage de fils. De plus, l'invention ne demande pas un coûteux processus de dépôt de métal épais (troisième processus) comme utilisé dans le montage de la technique antérieure qui a été mentionné dans l'introduction. L'invention permet également une dissipation thermique plus efficace à travers les bossages courts et d'aire relativement grande (par comparaison avec le soudage de fils) qui sont soudés directement aux sources de la chaleur sur la face active du dispositif, via les parties de connexion métalliques du cadre avec la plaquette à circuit imprimé du niveau produit. De plus, l'invention laisse l'accès à l'envers du dispositif LDMOS pour permettre une dissipation supplémentaire de la puissance. Bien entendu, l'homme de l'art sera en mesure d'imaginer, à partir des dispositifs dont la description vient d'être donnée à titre simplement illustratif et nullement limitatif, diverses variantes et modifications ne sortant pas du cadre de l'invention. REVENDICATIONS 1. Dispositif de puissance à semiconducteur, caractérisé en ce qu'il comprend: un conducteur métallique (4, 6) couplé à une région semiconductrice (30) du dispositif; un ou plusieurs bossages (8) formés en contact avec le conducteur métallique (4, 6); et un cadre (14) formé d'une matière à forte conductivité, le cadre com- prenant une partie de connexion (16, 18) servant à assurer la connexion avec le bossage ou au moins l'un des bossages (8) de façon à réaliser une connexion externe avec la région semiconductrice (30) du dispositif. 2. Dispositif de puissance à semiconducteur selon la revendication 1, caractérisé en ce qu'il comprend en outre des régions semiconductrices différentes (30), chaque région semiconductrice comportant un conducteur métallique (4, 6) qui lui est couplé, et chacun des conducteurs métalliques possédant un ou plusieurs bossages (8) en contact avec lui. 3. Dispositif de puissance à semiconducteur selon la revendication 1, caractérisé en ce qu'il comprend en outre: des première et deuxième régions semiconductrices (30), une pluralité de premiers conducteurs métalliques (4) couplés à la pre- mière région semiconductrice (30) et s'étendant suivant une première direction (X), chaque conducteur de la pluralité de premiers conducteurs métalliques possédant au moins un bossage (8) qui est en contact avec lui, une pluralité de deuxièmes conducteurs métalliques (6) couplés à la deuxième région semiconductrice ct s'étendant parallèlement à la pluralité de pre- miers conducteurs métalliques (4) suivant la première direction (X), chaque con- ducteur de la pluralité de deuxièmes conducteurs métalliques possédant au moins un bossage (8) qui est en contact avec lui, et o le cadre (14) possèdc une pluralité de premières parties de connexion (16) servant à assurer la connexion avec ledit au moins un bossage des premiers conducteurs métalliques et une pluralité de deuxièmes parties de connexion (18) servant à assurer la connexion avec ledit au moins un bossage des deuxièmes conducteurs métalliques. 4. Dispositif de puissance à semiconducteur selon la revendication 3, caractérisé en ce que les premiers conducteurs métalliques (4) sont interdigités avec les deuxièmes conducteurs métalliques (6). 5. Dispositif de puissance à semiconducteur selon la revendication 3 ou 4, caractérisé en ce que chaque conducteur de la pluralité des premiers et deuxièmes conducteurs métalliques (4, 6) possède une pluralité de bossages (8) qui sont disposés le long du conducteur métallique respectif suivant la première direc- tion (X). 6. Dispositif de puissance à semiconducteur selon la revendication 3 ou 4, caractérisé en ce que chaque conducteur de la pluralité des premiers et deuxièmes conducteurs métalliques (4, 6) possède une pluralité de bossages (8) qui sont disposés le long du conducteur métallique respectif suivant la première direction (X) de façon que les bossages se trouvant sur les premiers conducteurs métalliques soient sensiblement alignés suivant des premières lignes qui s'étendent dans une deuxième direction (Y) et de façon que les bossages (8) qui se trouvent sur les deuxièmes conducteurs métalliques (6) soient sensiblement alignés suivant des deuxièmes lignes qui s'étendent dans la deuxième direction (Y). 7. Dispositif de puissance à semiconducteur selon la revendication 6, caractérisé en ce que la deuxième direction (Y) est sensiblement perpendiculaire à la première direction (X). 8. Dispositif de puissance à semiconducteur selon la revendication 6, caractérisé en ce que la deuxième direction (Y) est inclinée par rapport à la pre- mière direction (X). 9. Dispositif de puissance à semiconducteur selon la revendication 6, 7 ou 8, caractérisé en ce que les deuxièmes lignes sont en alternance avec les pre- mières lignes. 10. Dispositif de puissance à semiconducteur selon la revendication 6, 7, 8 ou 9, caractérisé en ce que le cadre possède une pluralité de premières parties de connexion (16), chacune des premières parties de connexion servant à assurer la connexion avec les bossages disposés suivant l'une, respective, des premières lignes s'étendant dans la deuxième direction (Y), et chacune des deuxièmes parties de connexion (18) servant à assurer la connexion avec les bossages disposés suivant l'une, respective, des deuxièmes lignes s'étendant dans la deuxième direction (Y). 11. Dispositif à transistor de puissance latéral à semiconducteur, caractérisé en ce qu'il comprend: des régions semiconductrices de drain et de source (30); une pluralité de conducteurs métalliques (4) de drain couplés à la région semiconductrice de drain et s'étendant suivant une première direction (X), chaque conducteur de la pluralité de conducteurs métalliques de drain possédant une pluralité de bossages (8) qui sont en contact avec lui et sont disposés le long du conducteur métallique de drain respectif suivant la première direction, de façon que les bossages se trouvant sur les conducteurs métalliques de drain soient sensi- blement alignés suivant des premières lignes qui s'étendent dans une deuxième direction (Y); une pluralité de conducteurs métalliques (6) de source couplés à la région semiconductrice de source et s'étendant parallèlement à la pluralité de con- ducteurs métalliques de drain suivant la première direction (X), chaque conducteur de la pluralité de conducteurs métalliques de source possédant une pluralité de bossages (8) qui sont en contact avec lui et sont disposés le long du conducteur métallique de source respectif suivant la première direction, de façon que les bos- sages qui se trouvent sur les conducteurs métalliques de source soient sensiblement alignés suivant des deuxièmes lignes qui s'étendent dans la deuxième direction (Y); et un cadre (14) formé de matière à forte conductivité, le cadre compre- nant une pluralité de premières et deuxièmes parties de connexion (16, 18), cha- cune des premières parties de connexion (16) servant à assurer la connexion avec les bossages disposés suivant l'une, respective, des premières lignes s'étendant dans la deuxième direction, et chacune des deuxièmes parties de connexion (18) servant à assurer la connexion avec les bossages disposés suivant l'une, respective, des deuxièmes lignes s'étendant dans la deuxième direction, o les premières et deuxièmes parties de connexion réalisent des connexions cxternes avec les régions semiconductrices de drain et de source du dispositif. 12. Dispositif à transistor de puissance latéral à semiconducteur selon la revendication 11, caractérisé en ce que la deuxième direction (Y) est sensible- ment perpendiculaire à la première direction (X). 13. Dispositif à transistor de puissance latéral à semiconducteur selon la revendication 11, caractérisé en ce que la deuxième direction (Y) est inclinée par rapport à la première direction (X).