FR 2762929 A1 19981106 FR 9805511 A 19980430 BOITIER DE SEMI-CONDUCTEUR AYANT UN ELEMENT SEMI CONDUCTEUR, UNE STRUCTURE DE FIXATION DE BOITIER DE SEMI CONDUCTEUR MONTEE SUR UNE PLAQUETTE DE CIRCUITS IMPRIMES, ET PROCEDE D'ASSEMBLAGE DE BOITIER DE SEMI-CONDUCTEUR ARRIERE-PLAN DE L'INVENTION 1. Domaine de l'invention La présente invention concerne un boîtier de semiconducteur monté sur une plaquette de circuits imprimés, une structure de fixation d'un boîtier de semi-conducteur pour monter le boîtier de semi-conducteur sur la plaquette de circuits imprimés, et un procédé d'assemblage d'un boîtier de semi-conducteur. 2. Description de l'art antérieur On connaît traditionnellement comme système de fixation d'un élément semi-conducteur, un système de soudage de connexions tel qu'un système de soudage sur bande. En général, comme système de soudage sur bande, il existe ce qu'on appelle une soudure sur bande "TAB" (Tape Automated Bonding). Cette TAB est utilisée pour le montage d'un micro-boîtier de semi-conducteur, et pour un montage de haute densité à puce multiple. La TAB est telle qu'un conducteur est formé sur une bande en forme de film constituée d'un film polyimide ou d'un film polyester. Une extrémité avant du conducteur et un élément semi-conducteur sont assemblés par un bossage en or. Le conducteur est formé à partir d'un film en cuivre étamé ou doré. Une électrode du semi-conducteur forme un bossage sur une plage de connexion en aluminium dorée, et similaires, au niveau de la plaquette. Un élément semi-conducteur soudé sur bande est collé sur une plaquette de circuits imprimés grâce à une brasure après qu'on ait coupé le conducteur en un endroit prédéterminé. Cependant, dans le système de fixation classique d'un élément semi-conducteur, la technologie KGD (Known Good Die) pour le tri valide/défaut par une détection avant montage du semi-conducteur sur la plaquette de circuits imprimés est difficile. En outre, une technologie de pointe est nécessaire pour changer cet élément semi-conducteur après avoir monté l'élément semi-conducteur sur la plaquette de circuits imprimés. Par conséquent, habituellement, lorsqu'un défaut est devenu évident, à la suite de la réalisation d'un examen après que l'élément semi-conducteur ait été monté, la technologie de montage nuit au rendement économique puisque la plaquette de circuits imprimés et l'élément semi-conducteur seraient abandonnés. De même, dans la technologie TCP (boîtier à soudage sur bande) sur lequel la TAB est réalisée, il est possible d'équiper la plaquette de circuits imprimés d'un seul article valide par un examen, mais il est difficile de changer l'élément semi-conducteur lorsqu'il devient nécessaire de renouveler l'élément semi-conducteur ultérieurement. RESUME DE L'INVENTION Un objet de la présente invention est de fournir un boîtier semi-conducteur qui met en oeuvre un montage avec une haute densité, et facilite une fixation à ou un enlèvement d'une plaquette de circuits imprimés et permet un changement rapide lorsqu'un défaut est trouvé et/ou lorsqu'une nécessité de renouvellement est indispensable. Un autre objet de la présente invention consiste à fournir une structure de montage d'un boîtier semiconducteur qui facilite une fixation à ou un enlèvement d'une plaquette de circuits imprimés, et qui met également aisément en oeuvre un empilage d'un niveau ou de plusieurs niveaux sur une plaquette de circuits imprimés de la même zone. Un autre objet de la présente invention est de fournir un procédé d'assemblage d'un boîtier de semiconducteur, qui permet de réaliser un examen pendant un processus d'assemblage, et qui est capable de trier un bon article, avant d'équiper la plaquette de circuits imprimés. Suivant un aspect de la présente invention, il est prévu un boîtier de semi-conducteur comprenant un élément semi-conducteur ayant une première face, une seconde face opposée à la première face, et une face latérale s'étendant entre la première et la seconde faces, une électrode prévue sur la face ; et un conducteur ayant une première et une seconde extrémités opposées l'une à l'autre, la première extrémité étant connectée de manière conductrice à l'électrode, la seconde extrémité étant connectée de manière non conductrice à la seconde surface, et le conducteur s'étendant sur la face latérale. Suivant un autre aspect de la présente invention, il est prévu une structure de montage utilisable dans le montage d'un boîtier de semi-conducteur sur une plaquette de circuits imprimés, le boîtier de semi-conducteur incluant un élément semi-conducteur ayant une première face, une seconde face opposée à la première face, et une face latérale s'étendant entre la première et la seconde faces, une électrode prévue sur la première face, et un conducteur ayant une première et une seconde extrémités opposées l'une à l'autre, la première extrémité étant connectée de manière conductrice à l'électrode, la seconde extrémité étant connectée de manière non conductrice à la seconde surface, le conducteur s'étendant pour faire face à la face latérale, la plaquette de circuits imprimés ayant une surface de plaquette principale, la structure de montage comprenant un motif d'interconnexion formé sur ladite surface de plaquette principale ; et des moyens de connexion couplés à ladite plaquette de circuits imprimés pour connecter ledit boîtier de semi-conducteur avec ledit motif d'interconnexion. Suivant un autre aspect de la présente invention, il est prévu un procédé de fabrication d'un boîtier de semi-conducteur, comprenant les étapes de préparation d'un boîtier de semi-conducteur ayant une première et une seconde faces opposées l'une à l'autre de formation d'une électrode sur la première face ; de préparation d'un élément de film non conducteur ; de connexion d'un conducteur entre l'électrode et l'élément de film dans un état selon lequel l'électrode et l'élément de film sont placés sensiblement sur un endroit plat commun ; de pliage du conducteur pour que l'élément de film soit orienté face à la seconde face ; et de fixation de l'élément de film sur la seconde face. BREVE DESCRIPTION DES DESSINS La figure 1 est une vue en plan montrant un exemple d'un boîtier de semi-conducteur classique la figure 2 est une vue en coupe transversale selon la ligne II-II de la figure 1 la figure 3 est une vue en perspective montrant un boîtier de semi-conducteur suivant un premier mode de réalisation de la présente invention la figure 4 est une vue en coupe transversale selon la ligne IV-IV de la figure 3 la figure 5 est un organigramme illustrant un processus d'assemblage du boîtier de semi-conducteur représenté à la figure 1 la figure 6 est une vue en plan montrant une partie d'un processus d'assemblage du boîtier de semi-conducteur représenté à la figure 1 la figure 7 est une vue en coupe transversale selon la ligne VII-VII de la figure 6 la figure 8 est un vue en perspective montrant une partie d'un processus d'assemblage du boîtier de semiconducteur représenté à la figure 1, et montrant un état après estampage la figure 9 est une vue en coupe transversale selon la ligne IX-IX de la figure 6 la figure 10 est une vue en coupe transversale d'un boîtier de semi-conducteur suivant un deuxième mode de réalisation du boîtier de semi-conducteur de la présente invention la figure 11 est une vue en coupe transversale d'un boîtier de semi-conducteur suivant un troisième mode de réalisation du boîtier de semi-conducteur de la présente invention la figure 12 est une vue en coupe transversale d'un boîtier de semi-conducteur suivant un quatrième mode de réalisation du boîtier de semi-conducteur de la présente invention la figure 13 est une vue en coupe transversale d'un boîtier de semi-conducteur suivant un cinquième mode de réalisation du boîtier de semi-conducteur de la présente invention la figure 14 est une vue en coupe transversale d'un boîtier de semi-conducteur suivant un sixième mode de réalisation du boîtier de semi-conducteur de la présente invention la figure 15 est une vue en coupe transversale d'un boîtier de semi-conducteur suivant un septième mode de réalisation du boîtier de semi-conducteur de la présente invention la figure 16 est une vue en coupe transversale suivant un premier mode de réalisation d'une structure de montage d'un semi-conducteur de la présente invention la figure 17 est une vue en coupe transversale suivant un deuxième mode de réalisation d'une structure de montage d'un semi-conducteur de la présente invention ; et la figure 18 est une vue en coupe transversale suivant un troisième mode de réalisation d'une structure de montage d'un semi-conducteur de la présente invention. DESCRIPTION DES MODES DE REALISATION PREFERES Avant de décrire les exemples concrets de la présente invention, certains exemples classiques seront décrits concrètement pour faciliter la compréhension de la présente invention. En référence aux figures 1 et 2, un boîtier de semi-conducteur réalisé en adoptant une technologie TAB (soudure sur bande) classique sera décrit. Un boîtier de semi-conducteur comprend un élément semi-conducteur 1, une pluralité d'électrodes 2 connectées à un circuit de cet élément semi-conducteur 1, une pluralité de conducteurs 3 connectés aux électrodes 2, et un film de résine isolant 4 prévu avec les conducteurs 3. Le film 4 est constitué de l'une d'une résine de polyimide, d'une résine verre-époxy, d'une résine au phénol formaldéhyde, ou d'une résine de polyester, d'une épaisseur d'environ 0,1 mm. Au centre du film 4, un trou de composant 7 pour monter l'élément semi-conducteur 1 est formé. Le trou de composant 7 est formé de telle sorte qu'une dimension d'une forme externe de celui-ci est plus grande qu'une forme externe de l'élément semi-conducteur 1. Le conducteur en cuivre 3 d'une épaisseur d'environ 30 micromètres est prévu sur le film 4. Des unités à une extrémité de la pluralité de conducteurs 3 s'étendent dans le trou de composant 7. Sur une surface du conducteur 3, un traitement de dorure ou de brasure est réalisé sur un placage qui est constitué d'un placage de silicium ou de nickel, et similaires. Les unités à une extrémité de la pluralité des conducteurs 3 s'étendant dans le trou de composant 7 et la pluralité d'électrodes 2 de l'élément semi-conducteur 1 sont connectées une à une. Les connexions telles que celles-ci sont appelées "ILB" (soudage de connexions intérieures). Une plage de connexion conductrice 8 utilisable dans un examen est prévue sur les unités à l'autre extrémité de la pluralité de conducteurs 3 sur le film 4. Cependant, comme décrit précédemment, dans le système de montage du boîtier de semi-conducteur, une technologie de triage d'un défaut est difficile. En outre, à la suite de l'examen, lorsque le défaut est devenu évident, il y a un problème qui nuit à un rendement économique puisque la plaquette de circuits imprimés et l'élément semi-conducteur seraient abandonnés. De même, dans le cas du TCP (boîtier à soudure sur bande) sur lequel la TAB est réalisée, il est difficile de changer l'élément semi-conducteur 1 lorsqu'il devient nécessaire de renouveler l'élément semi-conducteur 1 ultérieurement. Les modes de réalisation de la présente invention seront décrits ci-dessous en détail en référence aux dessins. Les figures 3 et 4 montrent un boîtier de semi conducteur suivant un premier mode de réalisation de la présente invention. En référence aux figures 3 et 4, le boîtier de semi-conducteur 11 comprend un élément semi-conducteur 21, tel qu'un LSI, ayant une plaque quadrangulaire, une électrode 22 connectée à un circuit de l'élément semiconducteur 21 au niveau d'une première face 21a parmi la première et la seconde faces 21a, 21b opposées en parallèle l'une à l'autre dans une direction coupant à angle droit une direction d'épaisseur de la plaque du semi-conducteur 21, un élément de film isolant 24 prévu sur la seconde face 21b du semi-conducteur 21, tel qu'il fait face à l'électrode 22, et un conducteur 23 qui relie l'électrode 22 et l'élément de film 24 l'un à l'autre. L'électrode 22 est une pièce qui correspond à une plage de connexion conductrice de l'élément semiconducteur 21 ou à une borne d'entrée/sortie de l'élément semi-conducteur 21. Le conducteur 23 est replié grossièrement en une forme en U sur la face latérale. L'élément de film 24 est collé sur la seconde face 21b de l'élément semi-conducteur 21 par un adhésif. Dans le présent mode de réalisation, sur chacune des quatre parties de périmètre de l'élément semiconducteur 21 formant un quadrangle, il y a quatre feuilles d'éléments de film 24, une pluralité d'électrodes 22, et une pluralité de conducteurs 23 qui relient l'élément de film 24 et les électrodes 22 l'un à 1 'autre. C'est-à-dire que, dans le présent mode de réalisation, sur la première face 21a, chacune des pièces a une extrémité de neuf des conducteurs 23 dans un groupe d'une partie de périmètre est connectée à neuf des électrodes 22 une à une. En outre, les parties à l'autre extrémité de neuf des conducteurs 23 dans un groupe sont connectés à un des éléments de film 24. En conséquence, les parties à l'autre extrémité de neuf des conducteurs 23 dans un groupe sont connectés à chacune des quatre feuilles d'éléments de film 24, dans une partie de périmètre. Chacune des électrodes 22 prévues sur la première surface 21a est placée à proximité de quatre faces latérales 21c, 21d, 21e, 21f en parallèle à une direction d'épaisseur de la plaque de l'élément semi-conducteur 11. De même, chacun des quatre éléments de film 24 prévus sur la seconde face 21a s'étend légèrement en dehors des quatre faces latérales 21c, 21d, 21e, 21f, en parallèle à une direction d'épaisseur de la plaque de l'élément semiconducteur 11 à partir des quatre parties de périmètre. Chacun des conducteurs 23 est connecté à l'électrode 22 et à l'élément de film 24 de manière qu'une partie centrale de ceux-ci soit repliée pour faire face aux faces latérales 21c, 21d, 21e, 21f. Une partie centrale de chacun des conducteurs 23 est repliée pour s'étendre vers l'extérieur depuis les faces latérales 21c, 21d, 21e, 21f, et ces parties repliées deviennent les parties terminales (bornes) 23a utilisables comme entrée ou sortie pour être connectées à un motif d'électrode de la plaquette de circuits imprimés une fois montée sur la plaquette de circuits imprimés qui sera décrite ultérieurement. En outre, dans le présent mode de réalisation, l'invention est décrite pour un élément semi-conducteur 21 formant un quadrangle, mais elle peut être appliquée à un élément semi-conducteur 21 dans une forme rectangulaire autre, ou de cercle, et similaire, mais sans être limité à l'élément semi-conducteur 21 formant un quadrangle. Un procédé d'assemblage d'un boîtier de semiconducteur suivant la présente invention sera décrit ciaprès. La figure 5 montre un organigramme de chaque étape d'assemblage du boîtier de semi-conducteur 11. Les figures 6 et 7 montrent un processus au milieu de l'assemblage du boîtier de semi-conducteur 11 dans une étape d'ILB (soudage de connexions intérieures) où il est connecté à l'élément semi-conducteur 21 représenté sur les figures 3 et 4, par la TAB. En référence aux figures 5 à 7, d'abord, des unités à une extrémité du conducteur 23 sont soudées (ILB) aux électrodes 22 de l'élément semi-conducteur 21 par la TAB qui est réalisée classiquement (étape P1). Au centre de l'élément de film 24, un trou de composant 27 pour montage du semi-conducteur 21 est formé. Le trou de composant 27 est formé dans une dimension d'une forme externe plus grande qu'une forme externe du semi-conducteur 21. Le conducteur 23 en cuivre d'une épaisseur d'environ 30 micromètres est prévu sur l'élément de film 24. Des unités à une extrémité d'une pluralité de conducteurs 23 s'étendent dans le trou de composant 27. Un traitement tel qu'une dorure ou une métallisation par soudure a été réalisé sur un placage tel qu'un étamage ou nickelage, sur une surface du conducteur 23. Les unités à une extrémité de la pluralité de conducteurs 3 s'étendant dans le trou de composant 27 et la pluralité d'électrodes 28 de l'élément semi-conducteur 21 sont connectées une à une. De même, une plage de connexion conductrice 28 est prévue au niveau de l'unité à l'autre extrémité du conducteur 23 sur l'élément de film 24. Dans cet état, tel qu'identique à la TAB classique, il est possible de conduire un examen du boîtier de semiconducteur 21 par excitation sur une couche de résine, ou la plage de connexion conductrice 28, et de réaliser la couche de résine (étapes P2, P3). L'élément de film 24 dans un état représenté sur la figure 6 est ensuite découpé sur une partie de la ligne tiretée de la figure 6. C'est-à-dire que l'élément de film 24 doit être découpé par estampage, dans un état dans lequel les conducteurs 23 sur l'élément de film 24 sont laissés légèrement à distance d'un bord voisin du trou de composant 27 (étape P4). Les figures 8 et 9 montrent l'état après que l'élément de film 24 ait été estampé par rapport à l'état représenté sur les figures 6 et 7. Dans cet état, différent de la TAB classique, les conducteurs 23 sont connectés à l'élément de film restant 24 après avoir été estampées. Les conducteurs 23 sont ensuite repliés, et tel que représenté par une flèche tiretée de la figure 9, l'élément de film restant 24 après avoir été estampé est replié sur quatre unités de périmètre sur la seconde face 21b (étape P5). A la fin, l'élément de film 24 est alors fixé sur la seconde face 21b de l'élément semi-conducteur 21 en utilisant un adhésif (étape P6). Tel que décrit cidessus, le boîtier de semi-conducteur 11 représenté sur les figures 3 et 4 est terminé. En outre, en tant qu'adhésif, une famille époxy ou une famille silicone est souhaitable. Les conducteurs 23 du boîtier de semi-conducteur 11 terminé sont tels que les parties repliées de ceux-ci, placées pour être opposées à quatre faces latérales de l'élément semi-conducteur 21 deviennent les parties terminales 23a utilisables comme entrée/sortie. Cet état est identique à l'état représenté sur les figures 3 et 4. La figure 10 montre un boîtier de semi-conducteur 11 suivant un deuxième mode de réalisation de la présente invention. En référence à la figure 10, le boîtier de semi-conducteur 11 selon le deuxième mode de réalisation est tel qu'une partie de connexion des conducteurs 23 et des électrodes 22 est fixée par un élément en résine 35 de manière à renforcer/protéger les conducteurs 23 et les électrodes 22 dans le boîtier de semi-conducteur 11 du premier mode de réalisation représenté sur la figure 4. L'élément en résine 35 couvre les conducteurs 23 et les électrodes 22, et est prévu sur l'élément de semiconducteur 21. La figure 11 montre un boîtier de semi-conducteur 11 suivant un troisième mode de réalisation de la présente invention. En référence à la figure 11, le boîtier de semi-conducteur 11 selon le deuxième mode de réalisation est tel qu'une partie de connexion des conducteurs 23 et des électrodes 22 est fixée par un élément en résine 35 de manière à renforcer/protéger les conducteurs 23 et les électrodes 22 dans le boîtier de semi-conducteur 11 du premier mode de réalisation représenté sur la figure 4. L'élément en résine 35 couvre les conducteurs 23 et les électrodes 22, et est prévu sur l'élément de semi-conducteur 21. En outre, un boîtier de semi-conducteur 21 suivant un quatrième mode de réalisation représenté sur la figure 11, est tel que non seulement il fournit un élément en résine 35 juste autour des électrodes 22 du boîtier de semi-conducteur 11 suivant le deuxième mode de réalisation, mais il protège également la totalité de la première face 21a de l'élément semi-conducteur 21 grâce à l'élément en résine 35. De plus, dans les deuxième et troisième modes de réalisation, il est souhaitable que l'élément en résine 35 soit une famille époxy. De même, un processus de solidification de l'élément en résine 35 permettrait d'obtenir un effet de relâchement de contraintes appliquées sur la partie connexion des électrodes 22 et des conducteurs 23, par le repliage des conducteurs 23, tel que réalisé avant le repliage des conducteurs 23. La figure 12 montre un boîtier de semi-conducteur 11 suivant un quatrième mode de réalisation de la présente invention. En référence à la figure 12, le boîtier de semi-conducteur 11 selon le quatrième mode de réalisation est tel qu'un élément élastique 36 ayant une forme de bâton est placé le long de chacune des faces latérales 21c, 21d, 21e, 21f de l'élément semi-conducteur 21 dans le boîtier de semi-conducteur 11 du premier mode de réalisation représenté sur la figure 4. Le conducteur 23 est replié en une forme permettant d'envelopper l'élément élastique 36. Ce faisant, tel que décrit précédemment, le conducteur 23 permettrait d'obtenir un effet de compensation d'une faiblesse d'une force élastique de celui-ci par l'élément élastique 36. Cependant, comme élément élastique 36, par exemple, une résine silicone, ou un élément en caoutchouc sont souhaitables. La figure 13 montre un boîtier de semi-conducteur 11 suivant un cinquième mode de réalisation de la présente invention. En référence à la figure 13, le boîtier de semi-conducteur 11 selon le cinquième mode de réalisation est tel qu'un élément de film 24 s'étend jusqu'à une partie terminale 23a du conducteur 23 de manière à s'opposer à ou à faire face aux faces latérales 21c, 21d, 21e, 21f de l'élément semi-conducteur 21 dans le boîtier de semi-conducteur 11 du premier mode de réalisation représenté sur la figure 4. Une résistance du conducteur 23 peut être compensée en formant l'élément de film 24 tel que décrit précédemment. La figure 14 montre un boîtier de semi-conducteur 11 suivant un sixième mode de réalisation de la présente invention. En référence sur la figure 14, le boîtier de semi-conducteur 11 selon le sixième mode de réalisation est tel qu'un élément de film 24 s'étend jusqu'à une partie terminale 23a du conducteur 23 de manière à s'opposer à ou à faire face aux faces latérales 21c, 21d, 21e, 21f de l'élément semi-conducteur 21 dans le boîtier de semi-conducteur 11 du premier mode de réalisation représenté sur la figure 4. En outre, sur la première face 21a de l'élément semi-conducteur 21, un élément de film supplémentaire 24a est prévu. L'élément de film supplémentaire 24a fait face à la première face 21a selon un espacement prédéterminé, et est maintenu sur une unité à une extrémité du conducteur 23. De plus, l'élément de film supplémentaire 24a utilise la même matière que l'élément de film 24. Puisque l'élément de film supplémentaire 24a couvre la première face 21a de l'élément de semi-conducteur 21 selon un espacement prédéterminé, il peut protéger un circuit de l'élément semi-conducteur 21. La figure 15 montre un boîtier de semi-conducteur 11 suivant un septième mode de réalisation de la présente invention. En référence à la figure 15, le boîtier de semi-conducteur 11 selon le sixième mode de réalisation est tel qu'un élément de film 24 s'étend jusqu'à une partie terminale 23a du conducteur 23 de manière à s'opposer à ou à faire face aux faces latérales 21c, 21d, 21e, 21f de l'élément semi-conducteur 21 dans le boîtier de semi-conducteur 11 du premier mode de réalisation représenté sur la figure 4. En outre, sur la première face 21a de l'élément semi-conducteur 21, un élément de film supplémentaire 24a, maintenu par une unité à une extrémités du conducteur 23, est prévu de manière à faire face à la première face 21a selon un écartement prédéterminé. L'élément de film supplémentaire 24a utilise la même matière que l'élément de film 24. Les parties à rainure 23g, 23h du conducteur sont formées sur l'unité à une extrémité du conducteur sur le côté connecté à l'électrode 22 de manière à s'adapter sur les parties d'extrémité de l'élément de film 24 et l'élément de film supplémentaire 24a dans celui-ci. Dans les parties à rainure 23g, 23h du conducteur, les parties d'extrémité de l'élément de film 24 et de l'élément de film supplémentaire 24a sont maintenues telles que placées à l'intérieur. En outre, puisque l'élément de film supplémentaire 24a couvre la première face 21a du semi-conducteur 21 selon un espacement prédéterminé, le circuit de l'élément semi-conducteur 21 peut être protégé. La figure 16 montre ensuite un premier mode de réalisation d'une structure de montage d'un boîtier de semi-conducteur de la présente invention. En outre, dans la structure de montage du boîtier de semi-conducteur de la présente invention, le boîtier de semi-conducteur 11, et l'un quelconque des boîtiers de semi-conducteur 11 décrits par le premier au septième modes de réalisation pour ce boîtier de semi-conducteur 11 peuvent être adoptés. En conséquence, pour le boîtier de semiconducteur 11, le boîtier de semi-conducteur 11 décrit dans le premier mode de réalisation peut être adopté comme exemple représentatif, et la description de celuici peut être omise en désignant les parties identiques avec les symboles identiques. En référence à la figure 16, la structure de montage du boîtier de semi-conducteur 11 possède une plaquette de circuits imprimés 41 sur laquelle le boîtier de semi-conducteur 11 doit être monté. Une pluralité de motifs de connexions conductrices 45a, 45b sont prévus sur une surface de cette plaquette de circuits imprimés 41. Une partie à rainure de logement 46 ayant une dimension d'une taille adéquate pour placer le boîtier de semi-conducteur 11 est formée sur une surface du circuit 41. Dans la rainure de logement 46, les motifs d'électrode 47a, 47b sont prévus sur chacune des faces de la paroi interne opposées l'une à l'autre. Les motifs d'électrode 47a, 47b sont respectivement connectés aux motifs de connexion 45a, 45b prévus sur une surface de la plaquette de circuits imprimés 41. Le boîtier de semi-conducteur 11 est logé dans la partie à rainure de logement 46. Dans la partie à rainure de logement 46, une partie terminale 23a du conducteur 23 est connectée entre les motifs d'électrode 47a, 47b. Le boîtier de semi-conducteur 11 est monté sur la plaquette de circuits imprimés 41, en logeant la partie terminale 23a du conducteur 23 comme étant disposée dans la partie à rainure de logement 46, de manière à s'étendre entre les motifs d'électrode 47a, 47b. Dans la structure de montage du boîtier de semiconducteur 11 selon ce mode de réalisation, comme le boîtier de semi-conducteur 11 est monté dans la partie à rainure de logement 46, une dimension d'épaisseur générale après le montage peut être réalisée comme dimension fine. En outre, les symboles 48a, 48b de la figure 16 indiquent un motif de couche intérieure conductrice formant une couche interne dans la plaquette de circuits imprimés 41. Dans un cas où il n'est pas nécessaire de remplacer le boîtier de semi-conducteur 11, en ayant monté le boîtier de semi-conducteur 11 sur la plaquette de circuits imprimés 41, et après avoir confirmé l'opération, les parties d'extrémité 23a des conducteurs 23 sont soudées aux motifs d'électrode 47a, 47b. Dans ce cas, en ayant réalisé auparavant une métallisation par brasure des motifs d'électrode 47a, 47b sur le côté de la plaquette de circuits imprimés 41, une brasure est réalisée sur l'extrémité des conducteurs 23 en mettant en oeuvre une refusion. La figure 17 montre un deuxième mode de réalisation d'une structure de montage du boîtier de semi-conducteur de la présente invention. En outre, dans la structure de montage du boîtier de semi-conducteur de la présente invention, pour le boîtier de semi-conducteur 11, l'un quelconque des boîtiers de semi-conducteur 11 décrits par le premier au septième modes de réalisation 11 peuvent être adoptés. En conséquence, pour le boîtier de semi-conducteur 11, le boîtier de semi-conducteur 11 du premier mode de réalisation est adopté comme exemple représentatif, et la description sera omise en désignant les parties identiques par des symboles identiques. En référence à la figure 17, une structure de montage d'un boîtier de semi-conducteur possède un boîtier de semi-conducteur 11, et une plaquette de circuits imprimés 41 sur laquelle ce boîtier de semiconducteur 11 est monté. Une pluralité de motifs de connexions conductrices 45a, 45b sont prévus sur ce circuit 41. Une partie de châssis 48 ayant une dimension d'une taille adéquate pour y insérer et placer le boîtier de semi-conducteur 11 est prévue sur une surface du circuit 41. Dans la partie de châssis 48, les motifs d'électrode 47c, 47d sont prévus le long de chacune des faces de la paroi interne qui sont opposées l'une à l'autre. Les motifs d'électrode 47c, 47d sont respectivement connectés aux motifs d'interconnexion 45a, 45b prévus sur la surface de la plaquette de circuits imprimés. Le boîtier de semi-conducteur 11 est logé à l'intérieur de la partie de châssis 48. Dans la partie de châssis 48, les conducteurs 23 du boîtier de semiconducteur 11 sont connectés entre les motifs d'électrode 47c, 47d. Le boîtier de semi-conducteur 11 est monté sur la plaquette de circuits imprimés 41, en le logeant sur la partie de châssis 50 pour qu'elle soit opposée à la partie terminale 23a des conducteurs 13, de mani assemblés à l'intérieur de la plaquette de circuits imprimés 41. Dans un cas où il n'est pas nécessaire de remplacer le boîtier de semi-conducteur 11, après avoir monté le boîtier de semi-conducteur 11 sur la plaquette de circuits imprimés 41, et après avoir confirmé l'opération, les parties d'extrémité des conducteurs 23 et le motif d'électrode 45a sont brasées. Un exemple d'application de la structure de montage du boîtier de semi-conducteur 11 représenté sur la figure 17 sera décrit ci-dessous en référence à la figure 18. Selon le présent mode de réalisation, il s'avère qu'il s'agit d'une partie de châssis 61 qui est définie par une nouvelle extension de la partie de châssis 50 représentée sur la figure 17 dans une direction verticale, sur la plaquette de circuits imprimés 41. La partie de châssis 61 est étendue sur la plaquette de circuits imprimés 41 selon une longue dimension. A l'intérieur de la partie de châssis 61, une pluralité de boîtiers de semi-conducteur 11 sont montés comme étant empilés horizontalement selon un espacement prédéterminé. Un élément semi-conducteur 21 ayant beaucoup de bornes communes, telle qu'une mémoire, est particulièrement adapté en tant que boîtier de semiconducteur 11 dans ce cas. En outre, les motifs d'électrode 47e, 47f, 47g faisant face à un côté à l'intérieur de la partie de châssis 61 sont formés de façon multiple dans les directions haute et basse de la plaquette de circuits imprimés 41, et le motif d'électrode 47j de l'autre côté est formé en continu dans les directions haute et basse de la plaquette de circuits imprimés 41. Le motif d'interconnexion 45a sur un côté est connecté au motif d'électrode 47e au sommet de la face supérieure de la partie de châssis 61 d'un côté, le long d'une face externe de la partie de châssis 61 d'un côté. Chacun des motifs d'électrode 47f, 47g placé sous le motif d'électrode 47a au sommet est connecté, respectivement, au motif à couche interne 28b. Chacun des motifs d'électrode 47e, 47f, 47g d'un côté est connecté un à un à chacune des unités terminales 23a des conducteurs 23 d'un côté dans la pluralité de boîtiers de semiconducteur 11. En outre, le motif d'électrode 47j de l'autre côté est connecté à la partie terminale 23a du conducteur 23 de l'autre côté dans la pluralité de boîtiers de semi-conducteur 11. Comme décrit précédemment par chaque mode de réalisation, suivant le boîtier de semi-conducteur 11 de la présente invention, un examen est possible au milieu du processus puisque, la technologie TAB y est appliquée. Par suite, il devient possible de trier les bons articles, avant de monter le boîtier semi-conducteur 11 sur la plaquette de circuits imprimés 41. En outre, suivant la structure de montage du boîtier de semi-conducteur de la présente invention, une fixation et/ou un enlèvement du boîtier de semiconducteur 11 peut être facilement mis(e) en oeuvre. Par suite, dans un cas où le défaut du boîtier de semiconducteur 11 a été trouvé après qu'on ait monté le boîtier de semi-conducteur 11 sur la plaquette de circuits imprimés 41, ou dans un cas où une demande de renouvellement du boîtier de semi-conducteur 11 est intervenue, un remplacement du boîtier de semi-conducteur 11 pourrait être réalisé facilement et rapidement. De même, une pluralité de boîtiers de semiconducteur 11 peuvent être facilement disposés sur plusieurs niveaux en fournissant la partie de châssis 61. Par suite, la pluralité de boîtiers de semi-conducteur peuvent être montés sur la plaquette de circuits imprimés 41 de la même zone. De plus, dans un cas où il n'est pas nécessaire de remplacer le boîtier de semi-conducteur 11, après avoir monté le boîtier de semi-conducteur 11 sur la plaquette de circuits imprimés 41, et après avoir confirmé l'opération, les parties d'extrémité des conducteurs 23 peuvent être soudées aux motifs d'électrode 47a, 47b, et ainsi une fiabilité de connexion peut être améliorée, tout en maintenant une élasticité pendant une longue période. REVENDICATIONS l.Boîtier de semi-conducteur comprenant un élément semi-conducteur ayant une première face (21a), une seconde face (21b) opposée à ladite première face, et une face latérale (21c, 21d) s'étendant entre ladite première et ladite seconde faces, une électrode (22) prévue sur ladite première face ; et un conducteur (23) ayant une première et une seconde extrémités opposées l'une à l'autre, ladite première extrémité étant connectée de manière conductrice à ladite électrode, ladite seconde extrémité étant connectée de manière non conductrice à ladite seconde surface, ledit conducteur (23) s'étendant sur ladite face latérale. 2.Boîtier de semi-conducteur selon la revendication 1, dans lequel ledit conducteur (23) est constitué de matière élastique. 3.Boîtier de semi-conducteur selon la revendication 1, dans lequel ledit conducteur (23) a une partie repliée entre ladite première et ladite seconde extrémités de celui-ci, ladite partie repliée servant de partie terminale (borne) qui doit être connectée à une plaquette de circuits imprimés lorsque ledit boîtier de semiconducteur est monté sur ladite plaquette de circuits imprimés. 4.Boîtier de semi-conducteur selon la revendication 3, comprenant, de plus, un élément élastique entre ladite face latérale et ladite partie repliée, ladite partie repliée étant repliée de manière à envelopper ledit élément élastique vers l'intérieur. 5.Boîtier de semi-conducteur selon la revendication 1, comprenant, de plus, un élément de film isolant (24) qui est interposé entre ladite seconde face et ladite seconde extrémité pour connecter de manière non conductrice ladite seconde extrémité à ladite seconde face. 6.Boitier de semi-conducteur selon la revendication 5, dans lequel ledit élément de film est fixé par collage à ladite seconde face. 7.Boîtier de semi-conducteur selon la revendication 5, dans lequel ledit élément de film s'étend à partir de ladite seconde face le long dudit conducteur pour faire face à ladite face latérale. 8.Boitier de semi-conducteur selon la revendication 1, comprenant, de plus, un élément en résine (35) prévu sur ladite première face pour couvrir ladite première extrémité et ladite électrode. 9.Boîtier de semi-conducteur selon la revendication 8, dans lequel l'élément en résine s'étend pour protéger une totalité de ladite première face. 10.Boîtier de semi-conducteur selon la revendication 1, comprenant, de plus, un élément de film supplémentaire (24a) isolant qui fait face à ladite première face (21a) avec un espace prédéterminé entre eux et maintenu par ladite première extrémité. 1l.Boîtier de semi-conducteur selon la revendication 10, dans lequel ladite première extrémité a une partie de conducteur à rainure, ledit élément de film supplémentaire isolant ayant une partie d'extrémité qui est insérée dans ladite partie de conducteur à rainure pour être, de ce fait, maintenu sur ladite première extrémité. 12.Boîtier de semi-conducteur selon la revendication 1, comprenant, de plus une électrode supplémentaire sur ladite première face ; et un conducteur supplémentaire ayant une première et une seconde extrémités opposées l'une à l'autre, la première extrémité dudit conducteur supplémentaire étant connectée de manière conductrice à ladite électrode supplémentaire, la seconde extrémité dudit conducteur supplémentaire étant connectée de manière non conductrice à ladite électrode supplémentaire, ledit conducteur s'étendant pour faire face à ladite face latérale. 13.Structure de montage pour être utilisée dans le montage d'un boîtier de semi-conducteur (11) sur une plaquette de circuits imprimés (41), ledit boîtier (11) de semi-conducteur incluant un élément semi-conducteur ayant une première face, une seconde face opposée à ladite première face, et une face latérale s'étendant entre ladite première et ladite seconde faces, une électrode prévue sur ladite première face, et un conducteur ayant une première et une seconde extrémités opposées l'une à l'autre, ladite première extrémité étant connectée de manière conductrice à ladite électrode, ladite seconde extrémité étant connectée de manière non conductrice à ladite seconde surface, ledit conducteur s'étendant pour faire face à ladite face latérale, ladite plaquette de circuits imprimés ayant une surface de plaquette principale, ladite structure de montage comprenant un motif d'interconnexion (45a, 45b) forme sur ladite surface de plaquette principale ; et des moyens de connexion couplés à ladite plaquette de circuits imprimés pour connecter ledit boîtier de semi-conducteur avec ledit motif d'interconnexion. 14.Structure de montage selon la revendication 13, dans laquelle lesdits moyens de connexion comprenant une surface définissant une rainure connectée à ladite surface de plaquette principale pour définir une partie à rainure de logement (46) qui a une dimension d'une taille adéquate pour y placer ledit boîtier de semi-conducteur ; et un motif d'électrode (47a, 47b) sur ladite surface définissant une rainure et connecté audit motif d'interconnexion, ladite partie repliée étant amenée en contact avec ledit motif d'électrode lorsque ledit boîtier de semi-conducteur est placé dans ladite partie à rainure de logement (26). 15.Structure de montage selon la revendication 14, dans laquelle ladite partie à rainure de logement est réalisée dans ladite plaquette de circuits imprimés. 16.Structure de montage selon la revendication 14, dans laquelle ladite partie à rainure de logement est formée sur ladite surface de plaquette principale. 17.Structure de montage selon la revendication 14, comprenant, de plus, un couvercle (51) connecté auxdits moyens de connexion pour fermer hermétiquement ladite partie à rainure de logement. 18.Structure de montage selon la revendication 17, comprenant, de plus, un élément supplémentaire (55) placé entre ledit couvercle (51) et ledit élément semiconducteur pour maintenir ledit boîtier de semiconducteur dans ladite partie à rainure de logement. 19.Structure de montage selon la revendication 13, dans laquelle ledit moyen de connexion comprend un motif d'électrode supplémentaire formé sur ladite surface définissant une rainure et connectée audit motif d'interconnexion, ledit motif d'électrode supplémentaire étant placé dans une position qui est différente de celle dudit motif d'électrode mentionné en premier dans une direction perpendiculaire à ladite surface de plaquette principale, la partie repliée étant amenée en contact avec ledit motif d'électrode supplémentaire lorsque ledit boîtier de semi-conducteur est placé dans ladite partie à rainure de logement. 20.Procédé de fabrication d'un boîtier de semiconducteur, comprenant les étapes de préparation d'un boîtier de semi-conducteur (11) ayant une première et une seconde faces (21a, 21b) opposées l'une à l'autre formation d'une électrode (22) sur ladite première face préparation d'un élément de film non conducteur connexion d'un conducteur (23) entre ladite électrode et ledit élément de film dans un état dans lequel ladite électrode et ledit élément de film sont placés sensiblement sur un endroit plat commun repliage dudit conducteur (23) pour orienter ledit élément de film face à ladite seconde face ; et fixation dudit élément de film à ladite seconde face. 21.Procédé selon la revendication 20, comprenant, de plus, l'étape de formation d'un élément en résine (35) avant l'étape de repliage pour couvrir une partie de connexion dans laquelle ladite électrode et ledit conducteur sont connectés l'un à l'autre.