FR 2761809 A1 19981009 FR 9802397 A 19980227 t:N Tl?ÀNIT()R EN COUCHE MINCIE I La prudente invcntion conccnic un transistor en couche mince d'un afficheur à cristal liquide, et plus particulièrement un transistor en couche mince présentant une grille avec une structure à double couche métallique, ainsi qu'un procédé de fabrication d'une telle grille à structure à double couche métallique. Un afficheur à cristal liquide (LCD) comprend un dispositif de commutation servant d'élément de pilotage, et une structure de pixel sous forme de matrice présentant des électrodes de pixel transparentes ou réfléchissant la lumière en tant qu'unité de base. Le dispositif de commutation est un transistor en couche mince présentant des régions de grille, de source et de drain. La grille du transistor en couche mince est parfois réalisée en aluminium de sorte à réduire sa résistance de ligne, mais une grille en aluminium peut provoquer des défauts tels que des excroissances ou monticules. Une alternative à l'usage de l'aluminium pur pour former une grille est d'utiliser un alliage d'aluminium pour empêcher le problème des excroissances. Toutefois, I'usage d'un alliage d'aluminium tel que AlTa, dans lequel la diffusion des atomes d'aluminium est empêchée en ajoutant une petite quantité d'un métal réfractaire tel que le Ta, conduit à ce que la grille soit électriquement et chimiquement instable. Une autre alternative est de former une grille métallique en deux couches, c'est-à-dire une grille en aluminium revêtue de molybdène, de sorte à surmonter le problème des excroissances. Une telle grille à double couche métallique selon l'art antérieur est représentée sur les figures I et 2A à 2F. La figure 1 est une vue de dessus d'un transistor en couche mince selon l'art antérieur et les figures 2A à 2F sont des vues en coupe transversale de la figure 1 le long de la ligne X-X. Pour fabriquer une grille à deux couches, on dépose séquentiellement des métaux tels que de l'aluminium et du molybdène, et on procède ensuite à un traitement de structuration par photolithographie de sorte à former les films métalliques résultants qui présentent la même largeur. Bien que la grille à double couche soit souhaitable pour surmonter les problèmes de monticules, les films métalliques déposés résultants qui forment la grille à double couche sont si épais qu'ils créent un épaulement unique important, du fait de la différence d'épaisseur entre les films métalliques et le substrat, et ceci provoque un épaulement entre le substrat et la couche double qui détériore le recouvrement de l'épaulement par une couche d'oxyde de grille formée ultérieurement. Les régions de source et de dr.z li,imc;cs sllr la couche d'oxyde dc grille peuvent présenter des déconnexions cnrc Ics surfaces des régions de source et de drain qui recouvrent ou non la grille, ou peuvent présenter des courts-circuits électriques du fait du contact avec la grille. Dans une telle méthode de formation de la grille, chacune des couches mCtal- liques d'aluminium et de molybdène forme une structure en gaine illustrée sur les figures 2A à 2F. Les figures 2A à 2F sont des diagrammes qui montrent un procédé de fabrication d'un transistor en couche mince selon la figure 1. En référence à la figure 2A, on dépose de l'aluminium sur un substrat 11 de sorte à former une première couche métallique 13. Ensuite, une seconde couche métallique 15 est formée de sorte à recouvrir complètement la première couche métallique 13 et à définir la structure en gaine représentée sur la figure 2B. La seconde couche métallique 15 est formée en déposant du molybdène de sorte à complètement recouvrir la première couche métallique 13. Ainsi, les première et seconde couches métalliques 13 et 15 forment une grille présentant une structure à double couche métallique dans un arrangement de gaine. La structure en gaine définit un épaulement unique entre la structure de grille et le substrat 11. Un film isolant de grille 17 est ensuite formé au-dessus de la structure de gaine d'électrode de grille, formée par les première et seconde couches métalliques 13, 15. Une couche semi-conductrice 19 est ensuite formée sur le film d'isolation de grille 17, par dépôt et attaque. Ensuite, une couche de contact 21 est formée de sorte à recouvrir la couche semi-conductrice, comme représenté sur la figure 2C, par dépôt et attaque. Ensuite, une couche d'électrode 23 est formée sur la couche de contact 21 par dépôt et attaque. La couche d'électrode 23 et la couche de contact 21 sont ensuite attaquées de sorte à former une région de canal permettant de séparer la couche de contact 21 et la couche d'électrode 23 en deux électrodes distinctes comme repré- senté sur la figure 2D. Un film d'isolation d'électrode 25 est ensuite déposée sur la couche d'électrode 23 et dans la région de canal située entre les deux électrodes distinctes formées par la couche d'électrode 23. Le film d'isolation d'électrode 25 est attaqué de sorte à former un trou de contact 27 comme représenté sur la figure 2E. Ensuite, une électrode transparente telle qu'une électrode de pixel 29 est formée sur le film d'isolation d'électrode 25 par dépôt et attaque, et recouvre le trou 27 dans le film d'isolation d'électrode 25 de telle sorte que l'électrode de pixel 29 soit reliée électriquement à l'une des deux électrodes (de source et de drain) formées par la coiche cl'+lectlo(l 3. I a structure en gaine de l'électrode de grille formée par la première couche métallique 13 et la seconde couche métallique 15 pose de nombreux problèmes. Avec la structure en gaine représentée sur les figures 2A à 21:, des excroissances peuvent être formées sur les deux côtés de l'épaulement unique, entre l'électrode de grille et le substrat. En outre, le recouvrement de l'épaulement par les couches formées ultérieurement décroît, et les régions de source et de drain formées sur la couche d'oxyde de grille peuvent présenter des déconnexions entre les régions de source et de drain recouvrant ou non la grille, ou peuvent présenter des courtscircuits électriques, du fait du contact avec la grille. Dans un autre transistor en couche mince classique représenté sur la figure 3, un substrat 31 présente une électrode de grille interne 34, qui comprend une première couche métallique 34a formée d'aluminium et une seconde couche métallique 34b formée d'une couche de molybdène. Les première et seconde couches métalliques 34a et 34b sont formées de telle sorte qu'il n'y ait qu'un épaulement unique entre l'électrode de grille 34 et le substrat 31, du fait que les première et seconde couches métalliques 34a, 34b présentent sensiblement la même largeur. Une électrode de grille externe 35 est formée sur l'électrode de grille interne 34 de sorte à complètement recouvrir les première et seconde couches métalliques 34a, 34b. L'électrode de grille externe 35 et l'électrode de grille interne 34 forment une électrode de grille 32. L'électrode de grille 32 est recouverte par un premier film d'isolation de grille 36 de sorte à protéger l'électrode de grille 32. Ensuite, un second film d'isolation de grille 37 est formé de sorte à recouvrir le premier film d'isolation de grille 36. Le second film d'isolation de grille 37 est recouvert d'une couche semi-conductrice 38. Une couche isolante 39 est formée et attaquée de sorte à être située dans une région de canal entre les électrodes de drain et de source qui sont ensuite formées, et qui sont constituées d'une couche de contact 40 et d'une couche d'électrode 41. La couche de contact 40 et la couche d'électrode 41 sont attaquées de sorte à former une électrode de source 42 et une électrode de drain 43. Une électrode de pixel 44 est formée sur la même surface que les électrodes de source et de drain 42 et 43 et est électriquement reliée à l'électrode de drain 43. Comme dans le dispositif classique représenté sur les figures 1 et 2A à 2F, le transistor en couche mince classique représenté sur la figure 3 présente un épaulement unique entre l'électrode de grille 34 et le substrat 31, et subit la plupart des problèmes, y compris les monticules sur les deux côtés de la première couche métallique 34A. Pour éviter le problème des monticules sur les deux côtés de la première couche métallique 34A. qui est aussi subi par le dispositif des figures l et 2A à 212. IL dispositif de In ull e 3 doit utiliser une électrode de grille interne à deux L()LlL' 34, une électrode de grille externe 35, et un film d'oxydation 36. Sans l'électlot IL' grille externe 35 et le film d'oxydation 36, cette structure serait similaire à la stru- ture représentée sur les figures I et 2A à 2F, et subirait l'ensemble des probluna subis par le dispositif des figures I et 2A à 2F et décrit ci-dessus. Bien qu'une structure telle que celle représentée sur la figure 3 puisse permettre d'éviter le problème des monticules, elle nécessite beaucoup plus d'étapes de procédé et de couches, et augmente le temps nécessaire et le coût de fabrication d'un transistor en couche mince. Selon un autre procédé de formation de grille, chacune des couches métalliques d'aluminium et de molybdène forme un épaulement double avec le substrat. de sorte à améliorer le recouvrement de l'épaulement par la couche d'oxyde de grille. Un exemple de ce procédé de formation d'une structure de grille à couche métallique double est décrit dans "Low Cost, High Quality TFT-LCD Process", SOCIETY FOR INFORMATION DISPLAY EURO DISPLAY 96, Proceedings of the 16th International Display Research Conference, Birmingham, Angleterre, ler Octobre 1996. pages 591 à 594. A la page 592 de cette publication, un procédé de formation d'une structure de grille à double couche métallique comprend le procédé de dépôt de deux couches métalliques, et ensuite la structuration des deux couches métalliques de sorte à éliminer une étape d'agent photosensible supplémentaire. La première couche métallique est constituée d'un alliage d'aluminium et la seconde couche métallique est constituée de chrome. Toutefois, avec ce procédé, les difficultés de traitement pendant l'étape unique d'agent photosensible permettant de former la grille à double couche métallique résultent en ce que la couche supérieure est plus large que la couche inférieure. ce qui provoque un surplomb, la couche supérieure surplombant la couche inférieure. Cette difficulté peut provoquer un mauvais recouvrement de l'épaulement et des déconnexions. Ce problème a été résolu en utilisant un procédé d'attaque à trois étapes dans lequel l'agent photosensible doit être cuit avant chacune des trois étapes d'attaque, de sorte à empêcher que l'agent photosensible ne soit soulevé ou enlevé pendant l'attaque. Ce traitement d'attaque à trois étapes, et la cuisson nécessaire de L'agent photosensible augmentent significativement la complexité et le nombre d'étapes du procédé de formation de la grille. Pour pallier les problèmes discutés ci-dessus, les modes de réalisation préférés de la présente invention fournissent un transistor en couche mince qui surmonte les problèmes des dispositifs de l'art antérieur tels que décrits ci-dessus. Plus spécifiquement, les modes de réalisation préférés de la présente invention fournissent un transistor en couche mince qui empêche les monticules et la détérioration du recourcment de l'épitlenent d'cii couche d'oxyde de grille coucllc ultérieurement st!. une grille à double couche nétallique. Les modes de réalisation préférés de la présente invention proposent aussi un procédé de fabrication d'un transistor en couche mince qui évite les problèmes de l'art antérieur et simplifie le procédé de fabrication d'une grille à double couche métallique. D'autres caractéristiques et avantages de l'invention apparaîtront de la description qui suit ou pourront être enseignés par la mise en oeuvre de l'invention. Les objectifs et d'autres avantages de l'invention peuvent être réalisés et obtenus grâce à la structure qui est particulièrement décrite dans la description et dans les revendications, ainsi que dans les dessins joints. L'invention propose un transistor en couche mince comprenant de préférence un substrat, une grille comprenant une structure à double couche avec une première couche métallique formée d'un matériau présentant une contrainte de traction et une seconde couche métallique formée d'un matériau présentant une contrainte de compression, disposées sur le substrat, la première couche métallique étant plus large que la seconde couche métallique. Selon un mode de réalisation, la première couche métallique est plus large que la seconde couche métallique d'environ l à 4 pm. Selon un autre mode de réalisation, la seconde couche métallique est disposée dans une portion médiane de la première couche métallique, de sorte que les portions latérales de la première couche métallique n'étant pas recouvertes par la seconde couche métallique présentent une largeur sensiblement égale. Selon encore un autre mode de réalisation, la première couche métallique comprend au moins un métal choisi parmi Al, Cu et Au. Selon un autre mode de réalisation encore, la seconde couche métallique comprend au moins un métal choisi parmi Mo, un alliage de Mo, MoW, MoTa et MoNb. L'invention propose également un transistor en couche mince comprenant un substrat, une grille comprenant une structure à double couche avec une première couche métallique et une seconde couche métallique disposées sur le substrat, la première couche métallique étant formée d'un matériau présentant une contrainte de traction, la seconde couche métallique étant formée d'un matériau présentant une contrainte de compression, une première couche isolante disposée sur le substrat, y compris sur la grille, une couche semi-conductrice disposée sur une portion de la couche isolante en un lieu correspondant à la grille, une couche de contact ohmique disposée sur les deux côtés de la couche semi-conductrice, une électrode de source et une électrode de drain disposées sur la couche de contact ohmique et s'étendant stii la première couche isolante, et une seconde couche isolante recouvrant la couche semi-conductrice, les électrodes de source et de drain et la première couche isolante. Selon un mode de réalisation, la première couche métallique est plus large cliic la seconde couche métallique d'environ l à 4 ptm. Selon un autre mode de réalisation. la seconde couche métallique est disposée dans une portion médiane de la première couche métallique, de telle sorte que les deux portions latérales de la première couche métallique n'étant pas recouvertes par la seconde couche métallique présentent une largeur sensiblement égale. Selon un autre mode de réalisation encore, la première couche métallique comprend au moins un métal choisi parmi Al, Cu et Au. Selon encore un autre mode de réalisation, la seconde couche métallique comprend au moins un métal choisi parmi Mo, un alliage de Mo, MoW, MoTa et MoNb. Par ailleurs, I'invention propose un procédé de fabrication d'un transistor en couche mince comprenant les étapes de dépôt d'une première couche métallique, formée d'un matériau présentant une contrainte de traction sur un substrat, du dépôt d'une seconde couche métallique, formée d'un matériau présentant une contrainte de compression sur la première couche métallique, directement après l'étape de dépôt de la première couche métallique, de la formation d'un agent photosensible unique présentant une largeur prédéterminée (wl) sur la seconde couche métallique, de la structuration de la seconde couche métallique en utilisant l'agent photosensible unique comme masque, de la structuration de la première couche métallique cn utilisant un agent photosensible comme masque, la première couche métallique étant attaquée de sorte à présenter une largeur (wl) supérieure à la largeur de la seconde couche métallique (w2) et à ainsi former une grille présentant une structure laminée formée de la première et de la seconde couche métallique, et de l'enlèvement de l'agent photosensible, les étapes d'attaque des seconde et première couches métalliques comprenant chacune une étape d'attaque unique. Selon un mode de réalisation, l'étape d'attaque de la seconde couche métallique comprend une attaque isotrope utilisant l'agent photosensible unique comme masque. et en ce que l'étape d'attaque de la première couche métallique comprend une attaque anisotrope utilisant l'agent photosensible unique comme masque, la seconde couche métallique étant attaquée de sorte à être plus large que l'agent photosensible d'environ I à 4 pm. Selon un autre mode de réalisation, le procédé comprend en outre les étapes de la formation d'une première couche isolante sur le substrat, y compris sur la grille, de la formation d'une couche semi-conductrice et d'une couche de contact ohmique sur une portion de la première couche isolante en un lieu correspondant à la grille, de la tormatioll d'une elecllotle de source Ct d'une CtCUllOt c drain s'ètendait Soir première couche isolante des deux côtés dc la couche de contact ohmique. et enlèvement d'une portion de la couche de contact ohmique découverte entre les électrodes de drain et dc source. de la {formation d'unc seconde couche isolante recouvrant la couche semi-conductrice, l'électrode de source, l'électrode de drain et la première couche isolante. Selon un autre mode de réalisation, les première et seconde couches métalliques sont déposées successivement par pulvérisation ou par dépôt chimique en phase vapeur, sans rupture de l'état de vide. Selon un autre mode de réalisation encore, la première couche métallique est formée d'Al, de Cu ou de Au. Selon encore un autre mode de réalisation, la seconde couche métallique est formée de molybdène, d'un alliage de molybdène, de MoTa, de MoW ou de MoNb. Selon un autre mode de réalisation encore, la seconde couche métallique est attaquée avec une solution d'attaque préparée avec un mélange d'acide phosphorique H3PO4, d'acide acétique CH3COOH et d'acide nitrique HNO3. Selon un autre mode de réalisation, la première couche métallique est enlevée par une attaque sèche. Selon encore un autre mode de réalisation, les deux portions latérales de la première couche métallique n'étant pas recouvertes par la seconde couche métallique présentent une largeur sensiblement égale. L'invention propose également un procédé de fabrication d'un transistor en couche mince comprenant les étapes du dépôt d'une première couche métallique sur un substrat, la première couche présentant une contrainte de traction, du dépôt d'une seconde couche métallique sur la première couche métallique sans formation préalable d'agent photosensible, la seconde couche métallique étant formée d'un métal présentant une contrainte de compression, de la formation d'un agent photosensible unique présentant une largeur prédéterminée (wl) sur la seconde couche métallique, de la structuration des première et seconde couches métalliques de sorte que la première couche métallique soit plus large que la seconde couche métallique pour former une électrode de grille à structure à double couche, comprenant les première et seconde couches, de l'enlèvement de l'agent photosensible, de la formation d'une couche isolante de grille unique directement sur au moins l'une des première et seconde couches métalliques, de sorte que la couche isolante de grille unique vienne en contact direct avec au moins l'une des première et seconde couches métalliques. Selon un mode de réalisation. le procédé comprend en outre les étapes d. formation d'un couche semi-conductrice et d'une couche de contact ohmique @@ une portion dc la couche isolante de grille unique. en un lieu correspondant Selon un mode de réalisation, la première couche métallique est formée de Al. de Cu ou de Au. Selon un autre mode de réalisation, la seconde couche métallique est formée de Mo, d'un alliage de Mo, de MoTa, de MoW ou de MoNb. Selon encore un autre mode de réalisation, les première et seconde couches métalliques sont enlevées par attaque sèche. Selon encore un autre mode de réalisation, la seconde couche métallique est attaquée par une solution d'attaque préparée avec un mélange d'acide phosphorique H3PO4, d'acide acétique CH3COOH et d'acide nitrique HNO3. Finalement, l'invention propose un procédé de fabrication d'un transistor en couche mince comprenant les étapes du dépôt d'une première couche métallique sur un substrat, la première couche métallique étant formée d'un métal présentant une contrainte de traction, du dépôt d'une seconde couche métallique sur la première couche métallique sans formation préalable d'agent photosensible sur la première couche métallique, la seconde couche métallique étant formée d'un métal présentant une contrainte de compression, de la formation d'un agent photosensible unique présentant une largeur prédéterminée (wl) sur la seconde couche métallique, de la structuration des première et seconde couches métalliques simultanément en une étape d'attaque unique en utilisant un agent photosensible unique comme masque. et de l'enlèvement de l'agent photosensible. Les dessins joints sont inclus de sorte à permettre une meilleure compréhen- sion de l'invention, illustrent les modes de réalisation préférés de l'invention et, en liaison avec celle-ci, servent à expliquer ses principes et montrent - Figure 1, une vue de dessus d'un transistor en couche mince selon l'art anté rieur; - Figures 2A à 2F, des vues en coupe transversale de la figure 1 le long de la ligne X-X; - Figure 3, une vue en coupe transversale d'un autre transistor en couche mince de l'art antérieur - Figure 4 une vue de dessus d'un transistor en couche mince selon un mode de I-t,lisaj,,,, pré té 1L' de l'inentio - l2igures 52\ à O cs des diagrammes illustrant un procédé dc tabrication d'un transistor en couche mince selon un mode de réalisation préféré de l'invention, dans laquelle on utilise une étape de masquage et deux étapes d'attaque - Figures 6A à 6E, des diagrammes montrant un procédé de fabrication d'un transistor en couche mince selon un mode de réalisation préféré de la présente invention, dans lequel on utilise une étape de masquage et une étape d'attaque. Il est maintenant fait référence en détail aux modes de réalisation préférés de l'invention dont des exemples sont illustrés dans les dessins joints. La figure 4 est une vue de dessus d'un transistor en couche mince selon un mode de réalisation préféré de l'invention. Les figures SA à 5F sont des diagrammes illustrant un procédé de fabrication d'un transistor en couche mince selon un mode de réalisation préféré de l'invention, dans lequel on utilise une étape de masquage et deux étapes d'attaque. Le transistor en couche mince selon la figure 5F comprend une grille 149 présentant une structure à double couche formée d'une première couche métallique 143, d'une seconde couche métallique 145 disposée sur le substrat 141, une première couche isolante 151, une seconde couche isolante 161, une couche semi-conductrice 153, une couche de contact ohmique 155, une électrode de source 157, une électrode de drain 159, et une électrode de pixel 165. La grille 149 présente une structure à double couche, comprenant les première et seconde couches métalliques 143 et 145 disposées sur le substrat 141. La première couche métallique 143 est de préférence formée d'un matériau conducteur qui présente une contrainte de traction tel que par exemple l'aluminium, le cuivre ou l'or, déposés de sorte à présenter une certaine largeur wl. La seconde couche métallique 145 est de préférence formée d'un matériau qui présente une contrainte de compression, tel que le molybdène, un alliage de molybdène, MoW, MoTa, MoNb, etc. et est déposé de sorte à présenter une certaine largeur w2. Les inventeurs de la présente invention ont découvert que lorsque la première couche de métal conducteur 143 présente une contrainte de traction et est utilisée en combinaison avec une seconde couche métallique 145 présentant une contrainte de compression, la réaction entre la couche métallique à contrainte de traction 143 et la couche métallique à contrainte de compression 145 empêche la formation de monticules. Plus spécifiquement, la contrainte de compression de la seconde couche métallique 145 minimise les effets de la contrainte de traction de la première couche métallique 143 de sorte à réduire et empêcher les excroissances ou monticules qui peuvent se former entre la première couche métallique 143 et le substrat 141. Les inventeurs de la présente invention ont en outre découvert que la ré.lctioll entre la couche à contrainte de compression 145 et la couche à contrainte de traction 143 est très efficace pour empêcher la formation de monticules lorsque l'on respecte un rapport nouveau entre la largeur de la première couche métallique et la largeur de la seconde couche métallique dans l'électrode dc grille à double couche métalIiqie. La réaction entre la seconde couche métallique à contrainte de compression et la première couche métallique à contrainte de traction, ainsi que la relation entre les largeurs des première et seconde couches métalliques sont critiques pour empêcher la formation de monticules et la détérioration du recouvrement de l'épaulement par une couche d'oxyde de grille formée ultérieurement dans une telle structure présentant un double épaulement entre le substrat et la grille. Plus spécifiquement, les inventeurs de la présente invention ont déterminé qu'une structure dans laquelle la première couche métallique 143 est formée dans un matériau présentant une contrainte de traction et qui est plus large que la seconde couche métallique 145 formée d'un matériau présentant une contrainte de compression d'environ 1 à 4 clam, par exemple 1 pm Pour obtenir les meilleurs résultats, la seconde couche métallique 145 est de préférence disposée sensiblement au milieu de la première couche métallique 143, de telle sorte que les deux portions latérales de la première couche métallique 143 qui ne sont pas recouvertes par la seconde couche métallique 145 présentent sensiblement la même largeur. La largeur de chacune des portions latérales est de préférence supérieure à environ 0,5 Clam, mais inférieure à environ 2 llm La première couche d'isolation de grille 151 est de préférence formée en déposant une couche unique d'oxyde de silicium SiO2 ou de nitrure de silicium Si Les électrodes de source et de drain 157 et 159 sont en contact avec la couche de contact ohmique 155, et chaque électrode 157 et 159 s'étand sur une portion pre- déterminée de la première couche isolante 151. La seconde couche isolante 161 est formée en déposant un matériau isolant tel que de l'oxyde de silicium SiO2 ou du nitrure de silicium Si3N4 afin de recouvrir les électrodes de source et de drain 157 et 159 et la première couche d'isolation 151. La seconde couche d'isolation 161 sur l'électrode de drain 159 est enlevée de sorte à former un trou de contact 163. L'électrode de pixel 165 est formée à partir de matériau conducteur et transparent tel que de l'ITO (oxyde d'étain d'indium) ou de l'oxyde d'étain SnO2, et de sorte à être connectée avec l'électrode de drain 159 à travers le trou de contact 163. Dans les première et seconde couches métalliques 143 et 145 formant la grille 149, chaque portion latérale de la première couche métallique 143 n'étant pas recouverte par la seconde couche métallique 145 présente une largeur qui est de préférence supérieure à environ 0,5 pm et inférieure à environ 2 llm. Du fait que la première couche métallique 143 est plus large que la seconde couche métallique 145 d'environ 1 à 4 clam, on forme des épaulements doubles entre la grille 149 et le substrat 141, en fonction de la relation entre la largeur de la première couche métallique et la largeur de la seconde couche métallique. Les épaulements doubles selon les nouvelles caractéristiques des modes de réalisation préférés de la présente invention empêchent la détérioration du recouvrement par la première couche isolante 151, qui se produisaient dans les dispositifs de l'art antérieur. Les monticules dans la première couche métallique 143 peuvent aussi être évités du fait de l'effet de la contrainte de compression de la seconde couche métallique 145 sur la contrainte de traction de la première couche métallique 143, qui minimise les effets de la contrainte de traction de la première couche métallique 143 et du fait de la différence de largeur entre les première et seconde couches métalliques 145 et 143 qui est comprise entre environ 1 à 4 llm. Les figures 5A à SF sont des diagrammes illustrant un procédé de fabrication d'un transistor en couche mince selon les modes de réalisation préférés de l'invention. En référence à la figure 5A, un métal présentant une contrainte de traction, tel que de l'aluminium, du cuivre ou de l'or, est déposé sur un substrat 141, de sorte à former une première couche métallique 143. Une seconde couche métallique 145 est formée à partir d'un matériau présentant une contrainte de compression, tel que Mo, un alliage de Mo, MoW, MoTa ou MoNb, et est déposée sur la première couche métallique 143 sans effectuer d'étape de masquage entre l'étape de dépôt de la première couche métallique et l'étape de dépôt de la seconde couche métallique. Les première et seconde couches métalliques 143 et 145 sont successivement déposées. dc sorte à présenter une épaisseur respective de l'ordre d'environ 500 à 4000 Angstroems et 500 à 2000 Angstroems, grâce à un dépôt par pulvérisation ou Liii dépôt chimique en phase vapeur (dans la suite appelé CVD) sans rupture du vide. F.n conséquence la résistance de contact entre les première et seconde coucllcs métalliques 143 et 145 est réduite. Selon les modes de réalisation préférés de l'invention. on utilise une sculc étape d'agent photosensible pour structurer à la fois la première couche métallique 143 et la seconde couche métallique 145, simultanément. Dans l'étape d'agent photosensible unique, un agent photosensible 147 est déposé sur la seconde couche métallique 145, et est ensuite structuré par exposition et développement de sorte à présenter une largeur wl sur une portion déterminée de la seconde couche métallique 145. En référence à la figure SA, la seconde couche métallique 145 est structurée avec une solution d'attaque qui est de préférence préparée avec un mélange d'acide phosphorique H3PO4, d'acide acétique CH3COOH et d'acide nitrique HNO3, grâce à une attaque humide en utilisant l'agent photosensible 147 comme masque. Du fait que la portion de la seconde couche métallique 145, recouverte par l'agent photosensible 147, ainsi que les portions latérales exposées ou découvertes de la seconde couche métallique 145, sont attaquées de manière isotrope, la seconde couche métallique 145 est de préférence attaquée de sorte à présenter une largeur w2 qui est plus faible que la largeur wl de l'agent photosensible 147, cette dernière largeur étant identique à la largeur wl de la première couche métallique 143, et satisfait la relation 1 um En référence à la figure 5B, la première couche métallique 143 est structurée par attaque sèche de caractère anisotrope telle que par exemple par attaque ionique réactive (dans la suite appelée RIE) en utilisant l'agent photosensible 147 comme masque. Lorsque l'on attaque la première couche métallique 143, autre que la portion de la couche 143 recouverte par l'agent photosensible 147, la première couche métallique 143 présente de préférence une largeur identique wl à l'agent photosensible 147. Ainsi, la structuration des première et seconde couches métalliques 143 et 145 respectivement ne requiert que deux étapes d'attaque et ne nécessite pas la cuisson dc l'agent photosensible avant chaque étape d'attaque. En outre la relation entre les Iargetrs es première Cl seconde couches métalliques 143 et 145, peut être représentée par 1 m w1-w2 @ 4 m. Les première et seconde couches métalliques 143 et 145 qui résultent du traitement d'attaque avec le traitement à une seule étape d'agent photosensible décrite cidessus forment une grille 149 présentant une structure à double couches métallique. La grille 149 présente une deuxième couche métallique 145 disposée sensiblement au milieu de la première couche métallique 143 de sorte que chaque portion latérale de la première couche métallique 143 qui n'est pas recouverte par la seconde couche métallique 145 présente une largeur supérieure à environ 0,5 clam, mais inférieure à environ 2 Zm. L'agent photosensible 147 qui reste sur la seconde couche métallique 145 est enlevé après avoir terminé les deux étapes d'attaque. En référence à la figure 5D, une première couche d'isolation 151 est formée en déposant une couche unique ou des double couches d'oxyde de silicium SiO2 ou de nitrure de silicium Si3N4 sur la grille 149 et sur le substrat 141, par CVD. Du fait que chaque portion latérale de la première couche métallique 143 n'étant pas recouverte par la seconde couche métallique 145 présente une largeur supérieure à environ 0,5 clam, les doubles épaulements entre le substrat et la grille peuvent empêcher que le recouvrement de la grille par la première couche d'isolation 151 ne soit détérioré comme dans les dispositifs de l'art antérieur. Les excroissances de la première couche métallique 143 peuvent aussi être évitées du fait de l'effet de la contrainte de compression de la seconde couche métallique 145 sur la contrainte de traction que présente la première couche métallique 143, et du fait que la largeur d'une portion de la première couche métallique 143 qui est exposée et qui n'est pas recouverte par la seconde couche métallique 145 est inférieure à environ 2 ttm. On dépose successivement du silicium amorphe non dopé et du silicium amorphe fortement dopé sur la première couche isolante 151 par CVD, de sorte à former une couche semi-conductrice et une couche de contact ohmique 153 et 155. La couche de contact ohmique et la couche semi-conductrice 155 et 153 sont structurées par photolithographie de sorte à découvrir la première couche isolante 151. En référence à la figure 5E, un métal conducteur tel que Al ou Cr est laminé sur les couches d'isolation et de contact ohmiques 151 et 155 et structurées par photolithographie de sorte à former des électrodes de source et de drain 157 et 159. La couche de contact ohmique 155 découverte entre les électrodes de source et de drain 157 et 159 est attaquée en utilisant les électrodes de source et de drain 157 et 159 comme masque. Fn référence à la figure SF une seconde couche isolante 161 est formée Cii déposant du matériau isolant tel que de l'oxyde de silicium ou du nitrure de silicium par CVD sur toute la surface de la structure formée auparavant. La seconde couche isolante est enlevée par photolithographie de sorte à découvrir une portion prédéter- minée de l'électrode de drain 159 et former ainsi un trou de contact 163. On dépose par pulvérisation un matériau conducteur transparent tel que de l'ITO (oxyde d'étain d'indium) ou de l'oxyde d'étain SnO2 sur la seconde couche isolante 161 et On le structure par photolithographie pour former une électrode de pixel 165 de sorte qu'elle soit électriquement reliée à l'électrode de drain 159 à travers le trou de contact 163. Dans un autre mode de réalisation préféré de l'invention, les première et seconde couches métalliques 143 et 145 sont d'abord attaquées au moyen d'une attaque sèche présentant des caractéristiques d'attaque anisotrope, telles que RIE, en utilisant l'agent photosensible 147 comme masque. La grille 149 est formée par attaque de la seconde couche métallique 145 sous l'agent photosensible 147 par une solution d'attaque préparée avec un mélange d'acide phosphorique H3PO4, d'acide acétique CH3COOH et d'acide nitrique HNO3. Dans encore un autre mode de réalisation préféré de la présente invention représenté sur les figures 6A à 6E, la grille 149 est formée par un traitement à une seule étape d'attaque, permettant d'attaquer les première et seconde couches 143 et 145 simultanément lors d'une étape d'attaque unique, dans laquelle la seconde couche métallique 145 est attaquée plus rapidement que la première couche métallique 143 par une solution d'attaque préparée avec un mélange d'acide phosphorique H3P(4. d'acide acétique CH3COOH et d'acide nitrique HNO3. Du fait du matériau de l'agent d'attaque et des matériaux utilisés pour les première et seconde couches métalliques de la grille, une seule étape d'attaque est seulement nécessaire. En dépit du fait qu'une seule étape d'attaque est effectuée, il est toujours possible d'obtenir la relation entre les largeurs wl et w2 des première et seconde couches métalliques mentionnées plus haut. Dans ce traitement, les première et seconde couches métalliques formant la grille 149 sont formées et sont structurées avec une seule étape d'agent photosensible comme décrit ci-dessus, et une seule étape d'attaque. La figure 6A montre le substrat 141, la première et seconde couche métallique 143 et 145, et l'agent photosensible 147. L'agent photosensible a une largeur wl. La figure 6B montre le substrat 141 avec les première et seconde couches métalliques 143 et 145 après les étapes d'attaque de la première et seconde couches métalliques et enlèvement de l'agent photosensible 147. La première couche métallique a une largeur wl, alors que la seconde couche métallique a une largeur w2. La structure de grille obtenue avec le mode de réalisation de la figure 6 est siniilaire à la structure de grille obtenue selon le mode de réalisation de la figure 5. les tigtires 6Ç à 611 sont sii7iilaii-es aux ligui-es SD à 5F. C'omnie décrit plus haut, dans le mode de réalisation prétéré de la présente invention, une première couche métallique présentant une contrainte de traction et une seconde couche métallique présentant une contrainte de compression sont successivement déposées sur le substrat, sans effectuer d'étape de masquage entre l'étape de dépôt de la première couche métallique et l'étape de dépôt de la seconde couche métallique, à la suite de quoi on forme un agent photosensible qui recouvre une portion prédéterminée de la seconde couche métallique. Dans un mode de réalisation préféré, la seconde couche métallique est attaquée par attaque humide en utilisant l'agent photosensible comme masque, tandis que la première couche métallique est attaquée par attaque sèche. En conséquence, on forme une grille métallique double. Dans un autre mode de réalisation préféré, on utilise une étape d'attaque unique pour former la grille métallique double, la première couche métallique et la seconde couche métallique étant attaquées par attaque humide, mais la différence dans les vitesses d'attaque des première et seconde couches métalliques produit des effets d'attaque différents qui résultent en la structure à double épaulement souhaitée. Bien que l'invention ait été présentée et décrite en référence à des modes de réalisation préférés, on comprendra qu'elle est susceptible de nombreuses variations tout en restant dans l'esprit et la portée de l'invention. REVENDICATIONS 1.- Un transistor en couche mince comprenant - un substrat (141); et - une grille (149) comprenant une structure à double couche avec une première couche métallique (143) formée d'un matériau présentant une contrainte de traction et une seconde couche métallique (145) formée d'un matériau présentant une contrainte de compression, disposées sur le substrat, la première couche métallique étant plus large que la seconde couche métallique. 2.- Le transistor selon la revendication 1, caractérisé en ce que la première couche métallique est plus large que la seconde couche métallique d'environ I à 4 clam. 3.- Le transistor selon la revendication 1 ou 2, caractérisé en ce que la seconde couche métallique est disposée dans une portion médiane de la première couche métallique, de sorte que les portions latérales de la première couche métallique (143) n'étant pas recouvertes par la seconde couche métallique présentent une largeur sensiblement égale. 4.- Le transistor selon l'une des revendications 1 à 3, caractérisé en ce que la première couche métallique comprend au moins un métal choisi parmi Al, Cu et Au. 5.- Le transistor selon l'une des revendications 1 à 4, caractérisé en ce que la seconde couche métallique comprend au moins un métal choisi parmi Mo, un alliage de Mo, MoW, MoTa et MoNb. 6.- Un transistor en couche mince comprenant: - un substrat (141); - une grille comprenant une structure à double couche avec une première couche métallique (143) et une seconde couche métallique (145) disposées sur le substrat, la première couche métallique (143) étant formée d'un matériau présentant une contrainte de traction, et la seconde couche métallique (145) étant formée d'un matériau présentant une contrainte de compression; - une première couche isolante (151) disposée sur le substrat, y compris sur la grille; - une couche semi-conductrice (153) disposée sur une portion de la couche iso lante en un lieu correspondant à la grille; - une couche de contact ohmique (155) disposée sur les deux côtés de la couche semi-conductrice - une électrode de SOUICC (157) et une électrode de drain (1 59) disposées sur la couche de contact ohmique et s'étendant sur la première couche isolante (151); et - une seconde couche isolante recouvrant la couche semi-conductrice, les élec trodes de source et de drain et la première couche isolante. 7.- Le transistor selon la revendication 6, caractérisé en ce que la première couche métallique est plus large que la seconde couche métallique d'environ 1 à 4 ssm. 8.- Le transistor selon la revendication 6 ou 7, caractérisé en ce que la seconde couche métallique est disposée dans une portion médiane de la première couche métallique, de telle sorte que les deux portions latérales de la première couche métallique n'étant pas recouvertes par la seconde couche métallique présentent une largeur sensiblement égale. 9.- Le transistor selon la revendication 6, 7 ou 8, caractérisé en ce que la première couche métallique comprend au moins un métal choisi parmi Al, Cu et Au. 10.- Le transistor selon l'une des revendications 6 à 9, caractérisé en ce que la seconde couche métallique comprend au moins un métal choisi parmi Mo, un alliage de Mo, MoW, MoTa et MoNb. 11.- Un procédé de fabrication d'un transistor en couche mince comprenant les étapes de - dépôt d'une première couche métallique (143), formée d'un matériau présentant une contrainte de traction sur un substrat (141); - dépôt d'une seconde couche métallique (145), formée d'un matériau présentant une contrainte de compression sur la première couche métallique, directement après l'étape de dépôt de la première couche métallique - formation d'un agent photosensible unique présentant une largeur prédétermi née (wl) sur la seconde couche métallique (145); - structuration de la seconde couche métallique (145) en utilisant l'agent photo sensible unique comme masque; - structuration de la première couche métallique (143) en utilisant un agent photosensible comme masque, la première couche métallique étant attaquée de sorte à présenter une largeur (wl) supérieure à la largeur de la seconde couche métallique (w2) et à ainsi former une grille présentant LiIiC structure laiii I iiee formée de la première et de la seconde couche métallique ; et - enlèvement de l'agent photosensible les étapes d'attaque des seconde e première couches métalliques comprenant chacune une étape d'attaque unicluc. 12.- Le procédé selon la revendication 11, caractérisé en ce que l'étape d'attaque de la seconde couche métallique comprend une attaque isotrope utilisant l'agent photosensible unique comme masque, et en ce que l'étape d'attaque dc la première couche métallique comprend une attaque anisotrope utilisant l'agent photosensible unique comme masque, la seconde couche métallique étant attaquée dc sorte à être plus large que l'agent photosensible d'environ 1 à 4 um. 13.- Le procédé selon la revendication 11 ou 12, comprenant en outre les étapes de: - formation d'une première couche isolante (151) sur le substrat, y compris sur la grille; - formation d'une couche semi-conductrice (153) et d'une couche de contact ohmique (155) sur une portion de la première couche isolante en un lieu correspondant à la grille; - formation d'une électrode de source (157) et d'une électrode de drain (159) s'étendant sur la première couche isolante des deux côtés de la couche de contact ohmique, et enlèvement d'une portion de la couche dc contact ohmiqtlc découverte entre les électrodes de drain et de source ; et - formation d'une seconde couche isolante (161) recouvrant la couche SClili- conductrice, I'électrode de source, I'électrode de drain et la première couche isolante. 14.- Le procédé selon l'une des revendications 1 1 à 13, caractérisé en ce qtie les première et seconde couches métalliques sont déposées successivement par pulvérisation ou par dépôt chimique en phase vapeur, sans rupture de l'état de vide. 15.- Le procédé selon l'une des revendications 11 à 14, caractérisé en ce que la première couche métallique est formée d'AI, de Cu ou de Au. 16.- Le procédé selon l'une des revendications 1 1 à 15, caractérisé en ce que la seconde couche métallique est formée de molybdène, d'un alliage de molybdène, de MoTa, de MoW ou de MoNb. 17.- T,e procédé selon l'une des revendications Il à I 6 caractérisé en ce que la seconde couche métallique est attaquée avec une solution d'attaque préparée avec un mélange d'acide phosphorique H3PO4, d'acide acétique CH3COOH et d'acide nitrique HN();. 18.- Le procédé selon l'une des revendications 1 1 à 17, caractérisé en ce que la première couche métallique est enlevée par une attaque sèche. 19.- Le procédé selon l'une des revendications 1 1 à 18, caractérisé en ce que les deux portions latérales de la première couche métallique (143) n'étant pas recouvertes par la seconde couche métallique (145) présentent une largeur sensiblement égale. 20.- Un procédé de fabrication d'un transistor en couche mince comprenant les étapes de: -- dépôt d'une première couche métallique (143) sur un substrat (141), la première couche présentant une contrainte de traction; - dépôt d'une seconde couche métallique (145) sur la première couche métallique sans formation préalable d'agent photosensible, la seconde couche métallique étant formée d'un métal présentant une contrainte de compression; - formation d'un agent photosensible unique présentant une largeur prédétermi née (wl) sur la seconde couche métallique (145); - structuration des première et seconde couches métalliques de sorte que la première couche métallique soit plus large que la seconde couche métallique pour former une électrode de grille à structure à double couche, comprenant les première et seconde couches; - enlèvement de l'agent photosensible - formation d'une couche isolante de grille unique directement sur au moins l'une des première et seconde couches métalliques, de sorte que la couche isolante de grille unique vienne en contact direct avec au moins l'une des première et seconde couches métalliques. 21.- Le procédé selon la revendications 20 comprenant en outre les étapes de: - formation d'une couche semi-conductrice (153) et d'une couche de contact ohmique (155) sur une portion de la couche isolante de grille unique, en un lieu correspondant à la grille; - formation d'une électrode de source (157) et d'une électrode de drain (15s) s'étendant sur la couche d'isolation de grille unique des deux côtés etc la collcllc de contact ohmique, et enlèvement d'une portion de la couche de contact ohmique découverte entre les électrodes de source et de drain ; et - formation d'une couche d'isolation recouvrant la couche semi-conductrice. I'électrode de source et l'électrode de drain ainsi que la couche d'isolation de grille unique. 22.- Le procédé selon la revendication 20 ou 21, caractérisé en ce que la première couche métallique est formée de Al, de Cu ou de Au. 23.- Le procédé selon l'une des revendications 20 à 22, caractérisé en ce que la seconde couche métallique est formée de Mo, d'un alliage de Mo, de MoTa de MoW ou de MoNb. 24.- Le procédé selon l'une des revendications 20 à 23, caractérisé en ce que les première et seconde couches métalliques sont enlevées par attaque sèche. 25.- Le procédé selon l'une des revendications 20 à 23, caractérisé en ce que la seconde couche métallique est attaquée par une solution d'attaque préparée avec un mélange d'acide phosphorique H3PO4, d'acide acétique CH3COOH et d'acide nitrique HNO3. 26.- Un procédé de fabrication d'un transistor en couche mince comprenant les étapes de - dépôt d'une première couche métallique (143) sur un substrat (141), la première couche métallique étant formée d'un métal présentant une contrainte de traction; - dépôt d'une seconde couche métallique (145) sur la première couche métal lique sans formation préalable d'agent photosensible sur la première couche métallique, la seconde couche métallique étant formée d'un métal présentant une contrainte de compression; - formation d'un agent photosensible unique présentant une largeur prédétermi née (wl) sur la seconde couche métallique; - structuration des première et seconde couches métalliques simultanément en une étape d'attaque unique en utilisant un agent photosensible unique comme masque; et - enlèvement de l'agent photosensible.