FR 2767605 A1 19990226 FR 9710625 A 19970825 CIRCUIT INTEGRE DE PUISSANCE, PROCEDE DE FABRICATION D'UN TEL CIRCUIT ET CONVERTISSEUR INCLUANT UN TEL CIRCUIT La présente invention concerne un circuit intégré de puissance, du type comprenant une couche de substrat en matériau semi-conducteur, une couche active en matériau semi-conducteur dopé, qui forme plusieurs composants portés à des potentiels différents, ainsi qu'une couche isolante permettant d'isoler électriquement ces composants. Il est connu, dans le domaine de l'électronique de puissance, d'intégrer différents composants au sein d'un même module électronique de puissance. Un circuit intégré de ce genre comprend alors des composants électroniques de puissance, des circuits de commande, des circuits de protection ainsi que des circuits d'interface avec des15 micro-processeurs réalisés à partir de transistors et de diodes. Une telle intégration entraîne une réduction des connexions, ce qui induit une diminution des inductances parasites et une limitation des problèmes de compatibilité électromagnétique, de sorte que la vitesse de traitement est notablement accrue. Il est toutefois nécessaire d'isoler électriquement les uns par rapport aux autres les composants de ce genre de circuits intégrés, qui fonctionnent à des tensions très différentes les uns des autres.25 A cet effet, il est connu d'intercaler, entre la couche substrat et la couche active dopée, une couche isolante réalisée en silice. Différents procédés de préparation de circuits intégrés incluant une telle couche de silice, sont décrits dans la publication "Silicon-On-Insulator-An Emerging HighLeverage Technology", part A, vol. 18, NE 1, mars 1995 de la revue IEEE. Selon ces procédés, la couche d'oxyde enterrée est réalisée soit par implantation d'oxygène dans une tranche de silicium, soit par liaison à haute température entre deux tranches de silicium dont l'une a été préalablement oxydée, soit par dépôt sur une tranche de silicium oxydée d'un film de silicium amorphe ou poly-cristallin, qui est recristallisé par fusion de zone. Quel que soit leur mode d'obtention, les circuits intégrés de puissance comprenant une couche isolante enterrée en silice présentent certains inconvénients. Ils possèdent en effet une tenue en tension limitée à environ 500 volts, de sorte que des composants fonctionnant à une tension supérieure ne peuvent être intégrés sur le même circuit que des composants fonctionnant à basse tension, ce qui entraînerait la destruction de ces derniers. Cette limitation est particulièrement critique dans le domaine du transport par traction électrique, o les tensions rencontrées sont généralement très élevées.15 Un autre problème réside dans la faible conductibilité thermique de la silice qui peut conduire à des échauffements du semi-conducteur qui sont préjudiciable à son intégrité. L'invention se propose donc de réaliser un circuit intégré dont la couche isolante permet de pallier les inconvénients évoqués ci-dessus. A cet effet, l'invention a pour objet un circuit intégré de puissance du type précité, caractérisé en ce que la couche isolante comporte du carbone sous forme de diamant.25 L'invention permet de réaliser les objectifs précédemment mentionnés, puisque le diamant est un bien meilleur isolant électrique, et un bien meilleur conducteur de la chaleur que la silice. De manière avantageuse, la couche isolante, en spectrographie RAMAN, possède un pic à une longueur d'onde de 1332cm-1 dont la largeur à mi- hauteur est inférieure à cm1 et, de préférence, inférieure à 3cm-1 La couche isolante comportant du carbone sous forme de diamant possède alors la pureté nécessaire pour assumer son rôle d'isolation35 électrique. La couche isolante a une épaisseur supérieure à 1 gm, de manière préférée supérieure à 5 gm et, de manière encore plus préférée, supérieure à 10 gm. Selon une autre caractéristique avantageuse de l'invention, la couche isolante comportant du carbone sous forme de diamant recouvre partiellement la couche de substrat. Cette couche isolante se trouve alors en contact localement avec une couche isolante en silice. En effet, l'interposition de la couche comportant du carbone sous10 forme de diamant peut être limitée au niveau de la jonction entre des composants fonctionnant à des tensions supérieures à celles admissibles par la couche de silice, et des compo- sants fonctionnant à basse tension susceptibles d'être influencés par ces derniers.15 Selon une caractéristique supplémentaire de l'invention, au moins une partie de la couche de substrat est réalisée en matériau semi-conducteur dopé, de manière à réaliser, sur le circuit intégré conforme à l'invention, des composants présentant une structure verticale, tels que des20 transistors bipolaires à grille isolée dits IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor). L'invention a également pour objet un procédé de fabrication d'un circuit intégré de puissance du type comprenant une couche de substrat en matériau semi-25 conducteur, une couche active en matériau semi- conducteur dopé, ladite couche active formant plusieurs composants portés à des potentiels différents, et une couche isolante permettant d'isoler électriquement lesdits composants, comprenant les étapes suivantes de:30 - disposition de la couche de substrat dans une enceinte à vide, - mise sous vide de ladite enceinte, - réalisation d'une couche isolante, et - réalisation sur ladite couche isolante d'une couche supérieure semi-conductrice de manière à constituer des composants susceptibles d'être portés à des tensions différentes entre eux, caractérisé en ce que la réalisation de ladite couche isolante comprend les étapes: 5 - d'introduction dans ladite enceinte d'un gaz renfer- mant du carbone, et - de chauffage de ladite couche de substrat à une température comprise entre 600 C et 1000 C de manière à revêtir la couche substrat d'une couche isolante comportant10 du carbone sous forme de diamant. Selon une première caractéristique de l'invention, l'étape de réalisation sur la couche comportant du carbone sous forme de diamant, d'une couche supérieure semi- conductrice comprend une étape de disposition, sur la face15 libre de la couche comportant du carbone sous forme de diamant, d'une plaquette monocristalline, une étape de recuit de cet ensemble à une température comprise entre 800 C et 1000 C, et une étape de dopage de ladite plaquette monocristalline. Selon une autre caractéristique de l'invention, l'étape de réalisation sur la couche comportant du carbone sous forme de diamant, d'une couche supérieure semi- conductrice, comprend une étape de dépôt sur ladite couche comportant du carbone sous forme de diamant, d'une couche25 amorphe ou poly-cristalline, une étape de recristallisation par fusion de zone de manière à transformer ladite couche amorphe ou poly-cristalline en couche mono-cristalline, et une étape de dopage de ladite couche monocristalline. L'invention a enfin pour objet un convertisseur pour véhicule à alimentation électrique, destiné à être placé entre une source d'alimentation et un moteur électrique dudit véhicule, caractérisé en ce qu'il comprend au moins un circuit intégré de puissance tel que décrit ci-dessus. L'invention va être décrite ci-dessous, en référence aux dessins annexés, donnés uniquement à titre d'exemple et dans lesquels: les figures lA, lB et 1C sont trois vues schémati- ques illustrant des phases successives d'un premier mode de fabrication d'un circuit intégré conforme à l'invention; - les figures 2A, 2B et 2C sont des vues analogues aux figures 1A à 1C, illustrant des phases successives d'un second mode de fabrication d'un circuit intégré conforme à l'invention; - la figure 3 est une vue schématique à plus grande échelle d'un circuit intégré conforme à l'invention, incluant des composants fonctionnant à des tensions respectivement très élevées et faibles. La figure 1A représente une plaquette mince de silicium mono- cristallin non dopé. Cette plaquette 2 présente une épaisseur d'environ 200 gm et une surface de l'ordre d'un cm2 Cette plaquette 2 est revêtue par un procédé de dépôt chimique en phase de vapeur, encore dénommé procédé CVD. A cet effet, la plaquette est introduite dans une chambre non représentée susceptible d'être mise sous vide. La chambre est évacuée de sorte qu'il y règne une pression de 0.08 à 0. 8 mbar et on y introduit un gaz contenant du carbone, tel que du méthane dilué à 1% volumique dans l'hydrogène. Puis on produit une décharge électrique entre la plaquette 2 à revêtir et une partie de la chambre ce qui25 permet de décomposer l'hydrogène gazeux en hydrogène atomi- que. On pourrait également prévoir d'utiliser un plasma ou une flamme. De plus, on élève par tout moyen approprié, la température de la plaquette jusqu'à environ 600 à 1000 C. La plaquette 2 est soumise à ces conditions pendant une durée30 d'environ dix minutes de sorte qu'il se forme sur sa surface une couche 4 composée de carbone dans laquelle une proportion très élevée des liaisons entre atomes de carbone est du type des liaisons des atomes de carbone dans le diamant.35 Il se forme, à l'interface entre la couche 4 et la plaquette 2 de silicium, une mince couche de carbure de silicium 6 qui assure une excellente tenue mécanique de la couche 4 sur la plaquette 2 et n'est pas préjudiciable au bon fonctionnement du circuit, car son épaisseur est très faible. 5 La durée du traitement de revêtement est réglée pour obtenir une couche 4 isolante comportant du carbone sous forme de diamant d'une épaisseur souhaitable, c'est-à-dire supérieure à environ 10 pm. Comme le montre la figure lB, une plaquette supplémen- taire 8 en silicium monocristallin est rapportée sur la face supérieure libre de la couche 4. Ces différentes couches superposées sont ensuite recuites sous vide à une température d'environ 1000 C, de manière à augmenter les forces de liaison existant entre la couche 4 et la plaquette15 8. Il importe toutefois de ne pas effectuer cette opération à une température supérieure à 1000 C, afin d'empêcher la transformation du diamant contenu dans la couche 4 en graphite. La plaquette supplémentaire 8 liée par sa surface inférieure à la couche isolante 4, est ensuite amincie jusqu'à l'épaisseur désirée par exemple conformément au procédé mécanique décrit dans le journal Appl. Phys. Lett., vol. 48, NE.1, 1986, p. 78. La plaquette supplémentaire 8 subit alors une opération classique de dopage, de manière à y réaliser des composants habituels de circuits intégrés. Les figures 2A à 2C illustrent les phases successives d'un autre procédé de fabrication d'un circuit intégré conforme à l'invention. Des plaquettes de silicium 2 sont30 tout d'abord recouvertes d'une couche 4 isolante, de manière analogue à ce qui a été décrit en faisant référence à la figure 1A. Comme l'illustre la figure 2B, une couche 10 de silicium amorphe ou poly-cristallin est déposée sur la face supérieure de la couche isolante 4, par dépôt chimique en phase vapeur. A cet effet, on introduit, de manière classique, dans la chambre sous vide un précurseur gazeux du silicium, tel du silane, que l'on chauffe à environ 600 C en absence d'oxygène. La couche 10 est ensuite soumise à une recristallisation par fusion de zones de sorte que le silicium amorphe ou poly-cristallin dont elle est composée se transforme de manière à réaliser une couche 12 en silicium mono-cristallin susceptible d'être dopé. Cette opération de recristallisation par fusion de zone est par10 exemple illustrée dans l'article "Role of impurities in zone melting recristallization of 10 m High poly-cristalline silicone film" J.APPL.PHYS., vol. 63, NE 8, PP. 2660-2668, 1988. La couche 12 de solicium monocristallin est ensuite dopée, de manière analogue à ce qui a été décrit ci-dessus. La figure 3 montre un circuit intégré conforme à l'invention, regroupant des composants fonctionnant à des tensions très différentes. Ce circuit comprend un transistor 14 vertical type IGBT, fonctionnant à une très haute tension supérieure à 1000 volts et un circuit CMOS fonctionnant à une tension voisine de 15 volts, et constitué d'un transistor NMOS 16 et d'un transistor PMOS 18. L'IGBT 14 est réalisé de manière connue, à partir d'un substrat 20 dopé de manière à former des couches 22 et 24 respectivement P+ et N-, substrat sous lequel est rapporté un collecteur 26. Le substrat comprend des zones supérieures dopées 28, de plus faibles dimensions transversales, respectivement P+ et N+. L'IGBT est complété par des grilles 32 ainsi qu'un émetteur 34 réalisés de manière connue. La tension entre l'émetteur 34 et le collecteur 26 est supérieure à 1 000 volts. Les deux transistors MOS sont formés à partir des couches 22 et 24 du substrat. Toutefois, contrairement à l'IGBT, une couche 36 comportant du carbone sous forme de diamant est disposée sur la face supérieure de la couche N- 24. Cette couche 36 a été réalisée par un procédé de dépôt chimique en phase vapeur conforme à celui décrit en référence à la figure 1A, et présente par exemple une épaisseur régulière de 10 4m. Sur la face supérieure de cette couche 36 a été déposée une couche de silicium amorphe ou poly-cristallin, qui a été rendu mono- cristallin au moyen d'un procédé de recristallisation par fusion de zone. Ce silicium mono- cristallin a ensuite été dopé, de manière connue, de manière10 à réaliser des zones dopées respectivement N+ 38, N- 40, N 41, P- 42 et P+ 44. Deux grilles 46 et quatre émetteurs 48 ont ensuite été disposés au-dessus de ces zones dopées 38, , 42, 44 de manière à former le premier transistor NMOS 16 et le second transistor PMOS 18. La couche composée de diamant ne s'étend pas sur toute la surface du substrat 20, du fait de la structure verticale de l'IGBT. En outre, les grilles 32 de l'IGBT sont recouvertes d'une couche isolante 49 supplémentaire qui permet l'isolation mutuelle des grilles et de l'émetteur. Toutefois, cette couche supplémentaire est réalisée en un oxyde tel que de la silice, car la tension entre les grilles et l'émetteur, inférieure à celle régnant entre le collecteur et l'émetteur, est admissible par ce type de25 matériau. La couche 49 se prolonge par une couche 50 prévue à la jonction entre les deux transistors MOS 16, 18, ainsi que par des couches supplémentaires analogues 52, 54 prévues au voisinage de chaque grille 46 des transistors 16, 18. Ces30 couches 50, 52, 54 présentent une tenue en tension suffisante dans la mesure o les transistors 16, 18 sont isolés de l'IGBT par la couche 36. L'exemple comparatif ci- dessous démontre les performances supérieures d'une couche isolante renfermant du diamant, conformément à l'invention, par rapport à une couche isolante en silice. EXEMPLE COMPARATIF Un premier circuit intégré de type classique comporte une couche de substrat composée de silicium mono-cristallin, une couche isolante en silice d'une épaisseur de 400 à 500 5 nm et une couche supérieure de silicium mono-cristallin dopé de 250 nm d'épaisseur de manière à réaliser un ou plusieurs IGBT et/ou un ou plusieurs MOS. Un second circuit intégré, conforme à l'invention, comporte une couche de substrat et une couche supérieure analogue à celle du premier circuit ci-dessus, ainsi qu'une couche isolante comportant du carbone sous forme de diamant, d'une épaisseur de 10 gm. Ce second circuit intégré a été réalisé conformément au procédé décrit en faisant référence aux figures 1A à 1C.15 On impose aux deux circuits une tension d'environ 200 volts. La conductibilité thermique du diamant, qui est de 1500 W/m.K, est bien supérieure à celle de la silice qui n'est que de 1,5 W/m.K., de sorte que la couche isolante du second circuit est nettement mieux à même d'évacuer la20 chaleur générée lors du fonctionnement de ce dernier, que la couche isolante du premier circuit. La couche isolante conforme à l'invention permet donc de réduire de manière significative les échauffements que subit le circuit intégré.25 On impose ensuite aux deux circuits une tension voisine de 1 000 volts. Etant donné que la tension de claquage du diamant est de 100 kV/mm, alors que celle de la silice n'est que de 10 kV/mm, seule la couche isolante du second circuit continue à assumer sa fonction d'isolation30 électrique. L'exemple comparatif ci-dessus démontre clairement les avantages de la couche conforme à l'invention, en comparaison avec la couche isolante en silice. En effet, aux gammes de tension pour lesquelles les deux couches assurent une fonction d'isolement électrique, la couche conforme à l'invention garantit une bien meilleure évacuation de la chaleur, ce qui permet de préserver l'intégrité du circuit. En outre, la couche conforme à l'invention continue à assurer cette fonction d'isolation électrique, à des tensions très élevées pour lesquelles la couche en silice n'est plus isolante. La couche conforme à l'invention conserve cette fonction isolante jusqu'à des tensions extrêmement élevées, dans la mesure o son épaisseur peut être aisément accrue en10 augmentant la durée du traitement chimique en phase vapeur. Ceci n'est pas possible dans le cas d'une couche en silice, car cette dernière est formée soit par implantation ionique, soit par oxydation du silicium, ce qui limite son épaisseur à moins de 1 gm. Il est ainsi possible d'envisager, pour une durée de traitement d'environ dix minutes, l'obtention d'une couche comportant du carbone sous forme de diamant d'une épaisseur d'environ 10 im, qui posséderait ainsi une tenue en tension d'environ 1 500 volts.20 La couche conforme à l'invention présente en outre une excellente tenue mécanique due à la présence de carbure de silicium se formant, lors du dépôt chimique en phase vapeur, à l'interface de la couche de silicium et la couche comportant du carbone sous forme de diamant. La couche conforme à l'invention trouve tout particulièrement son application à l'électronique de puissance de véhicules à alimentation électrique, pour lesquels les tensions utilisées sont nettement supérieures aux tensions admises par la couche de silice. Il demeure30 alors possible d'intégrer, grâce à la couche conforme à l'invention, tout type de composants sur un même circuit intégré, ce que ne permet pas la couche de silice. REVENDICATIONS 1. Circuit intégré de puissance du type comprenant une couche de substrat (2; 20) en matériau semi- conducteur, une couche active (8; 12; 28, 30; 36, 38, 40, 42, 44) en matériau semi-conducteur dopé, ladite couche active formant plusieurs composants (14 16, 18) portés à des potentiels différents, et une couche isolante (6; 36) permettant d'isoler électriquement lesdits composants, caractérisé en ce que ladite couche isolante comporte du carbone sous forme de diamant. 2. Circuit intégré selon la revendication 1, caractérisé en ce que ladite couche isolante en spectrographie RAMAN, possède un pic à une longueur d'onde de 1332 cm1 dont la largeur à mi-hauteur est inférieure à 5 cmn et, de préférence, inférieure à 3 cm1. 3. Circuit intégré selon la revendication 1 ou 2, caractérisé en ce que ladite couche isolante présente une épaisseur supérieure à 1 lm, de manière préférée une épaisseur supérieure à 5 gm et, de manière encore plus préférée, une épaisseur supérieure à 10 gm. 4. Circuit intégré selon l'une quelconque des revendica- tions 1 à 3, caractérisé en ce que ladite couche isolante recouvre partiellement la couche de substrat (2; 20). 5. Circuit intégré selon la revendication 4, caractérisé en ce que ladite couche isolante comportant du carbone sous forme de diamant se trouve en contact avec une couche (49; 50) renfermant un oxyde, notamment de la silice. 6. Circuit intégré selon l'une quelconque des revendica- tion 1 à 5, caractérisé en ce qu'au moins une partie (22, 24) de la couche de substrat est réalisée en matériau semi-conducteur dopé. 7. Procédé de fabrication d'un circuit intégré de puis- sance du type comprenant une couche de substrat en matériau semiconducteur, une couche active en matériau semi-conducteur dopé, ladite couche active formant plusieurs composants portés à des potentiels différents, et une couche isolante permettant d'isoler électriquement lesdits composants, comprenant les étapes suivantes de: - disposition de la couche de substrat dans une enceinte à vide, - mise sous vide de ladite enceinte, - réalisation d'une couche isolante, et - réalisation sur ladite couche isolante d'une couche supérieure semi-conductrice, de manière à constituer des composants susceptibles d'être portés à des tensions différentes entre eux, caractérisé en ce que la réalisation de ladite couche isolante comprend les étapes: - d'introduction dans ladite enceinte d'un gaz renfer- mant du carbone, et - de chauffage de ladite couche de substrat à une température comprise entre 600 C et 1000 C de manière à revêtir la couche substrat d'une couche isolante comportant du carbone sous forme de diamant. 8. Procédé selon la revendication 7, caractérisé en ce que l'étape de réalisation sur la couche comportant du carbone sous forme de diamant, d'une couche supérieure semi-conductrice, comprend une étape de disposition, sur la face libre de la couche comportant du carbone sous forme de diamant, d'une plaquette monocristalline, une étape de recuit de cet ensemble à une température comprise entre 800 C et 1000 C, et une étape de dopage de ladite plaquette monocristalline. 9. Procédé selon la revendication 7, caractérisé en ce que l'étape de réalisation sur la couche comportant du carbone sous forme de diamant, d'une couche supérieure semi-conductrice, comprend une étape de dépôt sur ladite couche comportant du carbone sous forme de diamant, d'une couche amorphe ou poly-cristalline, une étape de recristallisation par fusion de zone de manière à transformer ladite couche amorphe ou poly- cristalline en couche monocristalline et une étape de dopage de ladite couche monocristalline. 10. Convertisseur pour véhicule à alimentation électrique, destiné à être placé entre une source d'alimentation et un moteur électrique du véhicule, caractérisé en ce qu'il comprend au moins un circuit intégré conforme à l'une quelconque des revendications 1 à 6.