FR 2766602 A1 19990129 FR 9802431 A 19980227 La présente invention concerne un affichage à émission de champ (appelé ci-après FED ) et, plus particulièrement, un agencement de commande de cellule pour obtenir une échelle de gris évoluée en ajustant une quantité de courant fourni à une cathode. Récemment, un affichage à cristaux liquides (appelé ci-après LCD ) qui représente des images en interceptant sélectivement des faiscaux optiques émis par une source optique, a été mis en lumière comme l'un des affichages à panneaux plats. Le LCD est commandé selon deux méthodes dont l'une est une méthode à matrice passive et l'autre une méthode a matrice active. Le procédé à matrice passive stocke les données d'image dans un point d'image, qui est défini par une intersection de deux électrodes choisies, en appliquant des tensions différentes à une plaque supérieure et une plaque inférieure du LCD, respectivement. Dans le cas où le LCD utilise le procédé à matrice passive, un circuit de compensation est nécessaire pour améliorer la qualité d'image du fait qu'un point d'image peut affecter les points d'images environnants. Il en résulte qu'un circuit de commande de cellule du LCD devient compliqué. D'autre part, en utilisant le procédé à matrice active, chaque point d'image ayant un transistor de cellule, d'élément ou élémentaire et un condensateur, dans le LCD stocke les données antérieures jusqu'à des données suivantes soient inscrites. Par conséquent, la qualité d'image du LCD peut être améliorée et également le circuit de commande de cellule ou d'élément peut être simplifié. Cependant, bien que le procédé à matrice active permet d'obtenir une qualité d'image améliorée et une simplicité du circuit de commande d'élément, il présente les inconvénients qu'un procédé de fabrication du LCD devient complexe et que son rendement est diminué étant donné qu'une quantité substantielle de transistors et de condensateurs doit être déposée sur un substrat cristallin du LCD. Le LCD présente aussi l'inconvénient d'une consommation de puissance élevée étant donné que seulement une partie de la lumière de la source est actuellement utilisée pour la représentation des images. Il est également nécessaire de fabriquer un LCD de grande taille. En plus, étant donné que le LCD utilise des minuscules capsules étanches qui contiennent des cristaux liquides transparents, il présente des limites par exemple au niveau de sa sensibilité à l'égard des changements thermiques de l'environnement, une souplesse à la pression et une faible résolution. Pour pallier ces inconvénients, un affichage à émission de champ (FED) est proposé. Le FED produit des images d'une manière similaire à celle utilisée dans un tube à rayon cathodique (CRT) qui reproduit des images en utilisant des électrons émis. Cependant, le FED utilise une émission d'électrons froide, contrairement au CRT, qui utilise une émission d'électrons thermique. Le FED établit pour chaque point d'image un dispositif à émission de champ qui émet des électrons et reproduit les images en utilisant des électrons qui viennent en collision avec une électrode ayant une plaque fluorescente sur elle. Récemment, un tel FED est dans les feux de la rampe comme prochaine génération d'affichage à panneaux plats, capable de pallier les inconvénients du LCD sus-mentionné. Le FED peut intégrer des centaines ou des milliers de dispositifs à émission de champ pour produire un point d'image. En se référant à la figure 1, chacun des dispositifs à émission de champ constituant le point d'image du FED comprend une cathode 12 reliée à une électrode de cathode 10, une électrode de grille 14 déposée sur la cathode 12, et une anode 18 comprenant une plaque fluorescente 16 déposée sur l'arrière de l'électrode 18. Ci-dessus, la plaque fluorescente 16 engendre une lumière correspondant à une quantité d'électrons venant en collision avec celle-ci pour reproduire les images. L'anode tire les électrons émis par la cathode 12 et est ainsi transparente en rendant possible de transmettre la lumière à travers la plaque fluorescente 16. La cathode 12 a une structure conique comme cela est montré sur la figure 1 et émet des électrons de son cône grâce à une tension de fonctionnement dérivée de l'électrode de cathode 10. L'électrode de grille 14 induit lémission des électrons de la cathode 12 en utilisant une haute tension qui est supérieure à une tension fournie à l'anode 18 et les électrons émis sont dirigés vers la cathode 12 ayant une tension supérieure. Un procédé de commande d'éléments du FED comprenant les dispositifs à émission de champ sus-mentionnés peut être un procédé à matrice passive ou un procédé à matrice active. Ils, c'est-à-dire les deux procédés à matrice, sont similaires à ceux utilisés dans le LCD. Le procédé à matrice passive commande généralement un élément en utilisant une différence entre une tension de grille Vg fournie à une ligne de grille et une tension de cathode Vk appliquée à une ligne de cathode. En utilisant le procédé à matrice passive ci-dessus, une couleur complète peut être facilement obtenue. Cependant, étant donné qu'une vitesse courant - tension de pointe n'est pas linéaire et les points ne sont pas uniformément déposés, il est dfficile de contrôler un niveau de courant. Bien que le procédé à matrice passive produise en sortie la tension de cathode Vk sous forme d'un motif d'impulsions, avec un nombre prédéterminé d'impulsions, pendant que la tension de grille Vg est maintenue à un niveau élevé en représentant ainsi un niveau de gris par utilisation du nombre d'impulsions, il présente l'inconvénient d'avoir une limitation au niveau de la représentation de l'échelle de gris. Entre temps, comme procédé à matrice active, un procédé qui est décrit dans le brevet US No. 5 210 472 a été constaté. En commandant une cellule ou un élément en utilisant le procédé à matrice active décrit dans ce brevet, on obtient les avantages de minimiser la diaphonie et l'adressage avec une faible tension. Selon la commande d'élément réalisée selon le procédé à matrice active, l'échelle de gris est représentée par une modulation de largeur d'impulsions (PWM) et, ainsi, il est difficile d'obtenir des couleurs complètes. Aussi, un transistor devrait être intégré à chaque cellule ou élément, et, de ce fait, on constante une complexité lors des processus de fabrication et un coût élevé. Par conséquent, pour éliminer les inconvénients sus-mentionnés, un agencement de commande d'élément de cellule d'un FED a été proposé (voir demande de brevet Coréen No. 95-45457). L'agencement de commande de cellule utilise le procédé d'indication passive pour éviter la complexité de processus de fabrication et assure une échelle de gris appropriée en commandant une quantité de courant fourni à une cathode. Le FED décrit dans la demande de brevet Coréen cidessus comprend un point d'image à émission de champ, qui contient une cathode et une électrode de grille émettant des électrons par la cathode, et utilise le procédé d'indication à matrice passive. L'agencement de commande de cellule pour l'utilisation dans le FED comprend plus d'une source de courant déposée de façon à fournir un signal de courant constant à la cathode et un dispositif de commande ou de contrôle commandant sélectivement deux ou plus de sources de courant qui engendrent différentes quantités de signaux de courant selon la taille d'un signal vidéo. L'agencement de commande d'élément du FED décrit dans la demande de brevet Coréen No. 95-45457 procure divers signaux de courant à la cathode en faisant fonctionner sélectivement deux ou plus de sources de courant selon la taille du signal vidéo pour ajuster ainsi linéairement la quantité d'électrons devant etre émis par la cathode. Comme résultat, l'agencement de commande d'éléments pallie les inconvénients dus au manque d'uniformité des points et la limitation dans l'obtention de la couleur complète. Entre temps, dans les agencements de commande d'élément ou de cellule du FED décrit dans la demande de brevet Coréen No. 95-45457, des dispositifs haute tension étaient utilisés pour désigner un mode de courant CAN (convertisseur analogique-numérique) tel qu'un miroir de courant 18, une vanne de courant 20 et une source de courant 21 qui fournit un courant constant à la cathode du FED. Le convertisseur analogique-numérique (CAN) en mode courant était destiné à empêcher qu'une tension élevée soit appliquée instantanément à la cathode, la haute tension instantanée étant due à la capacité parasite existant sur la ligne de grille et la ligne de cathode. Cependant, étant donné que le dispositif MOS haute tension a une structure de source à extension dans le sens de la longueur, capable d'exclure la haute tension instantanée, en comparaison à un dispositif à faible tension, il occupe une large zone. Supplémentairement à ceci, l'emploi du dispositif MOS à tension élevée occupant la large zone peut induire un problème lors d'une accentuation d'un niveau de gris représenté par un point d'image dans le FED en divisant finement un niveau de courant qui est destiné à la cathode, étant donné que, pour engendrer le courant ayant des niveaux divers, le CAN en mode courant devrait augmenter le nombre des dispositifs composants. Par conséquent, un but principal de la présente invention est de proposer un agencement de commande d'élément d'un FED qui est en mesure d'augmenter le niveau de gris et de minimiser un problème de zone en créant un CAN en mode courant qui comporte des dispositifs faible tension. Selon un aspect de la présente invention, il est proposé un agencement de commande de cellule pour utilisation dans un affichage à émission de champ utilisant un procédé d'indication à matrice passive, dans lequel l'affichage à émission de champ comporte un élément dispositif émetteur de champ comprenant une cathode et une électrode de grille, et une unité de commande de données produisant en sortie des signaux numériques provenant de l'extérieur des signaux de données, comportant : une unité CAN mode courant pour fournir un courant à la cathode en réponse aux signaux de données provenant de l'unité de commande de données ; et une unité d'isolement des hautes tensions, montée entre l'unité CAN en mode courant et une ligne de cathode, pour empêcher qu'une haute tension instantanée soit fournie à l'unité CAN en mode courant pour protéger ainsi l'unité CAN en mode courant, la haute tension instantanée étant engendrée entre une ligne de grille et la ligne de cathode en réponse à un signal de commande de grille dérivé d'une unité de commande de grille. Selon un autre aspect de l'invention, il est proposé que l'agencement de commande de cellule pour l'utilisation dans le FED comprend en outre une unité d'empêchement d'un flottement pour éviter que l'unité d'isolement des hautes tensions puisse flotter lorsque la haute tension instantanée est appliquée à la ligne de cathode. L'invention sera mieux comprise et d'autres buts, caractéristiques, détails et avantages de celle-ci apparaîtront plus clairement dans la description explicative qui va suivre faite en référence aux dessins schématiques annexés donnés uniquement à titre d'exemple illustrant un mode de réalisation de l'invention et dans lesquels - la figure 1 montre une structure d'un affichage à émission de champ conventionnel - la figure 2 montre un agencement de commande de cellule d'un affichage à émission de champ selon un premier mode de réalisation de la présente invention - la figure 3 est un chronogramme des signaux utilisés dans l'agencement de commande de cellule selon la figure 2 ; et - la figure 4 représente un agencement de commande de cellule de l'affichage à émission de champ selon un second mode de réalisation de la présente invention. Les modes de réalisation de la présente invention sont décrits en détail en se référant aux dessins annexés. Sur la figure 2, on a représenté un agencement de commande d'élément ou de cellule d'un FED selon un premier mode de réalisation de la présente invention. Comme cela est montré sur la figure 2, l'agencement ou dispositif de commande cellule comprend un circuit 22 d'isolement d'une haute tension, monté entre une ligne de cathode 5 d'une cellule 1, qui comporte essentiellement des dispositifs à émission de champ comprenant une électrode de grille 14 et une cathode 12, et une unité CAN en mode courant 20 déposée entre le circuit d'isolement des hautes tensions 22 et une faible tension Vdd2. Lorsqu'une haute tension produite en sortie par une unité de commutation haute tension 24 reliée à une ligne de grille 3 est transmis à la ligne de grille 3, le circuit d'isolement des hautes tensions 22 empêche que la haute tension soit instantanément appliquée à la ligne de cathode 5 par une capacité parasite existant sur la ligne de grille 3 et la ligne de cathode 5. Il est préférable que le circuit d'isolement de haute tension 22 comporte une dispositif NMOS haute tension qui a une grille reliée à une borne de sortie d'une unité de commande de grille 26, un drain relié à la ligne de cathode 5 et une source reliée à l'unité CAN en mode courant 20. L'unité de commutation haute tension 24 procure adaptivement une haute tension Hvdd et une tension de terre ou de base GND à la ligne de grille 3 basée sur une impulsion de balayage de grille Pulsel appliquée de l'extérieur. L'unité de commande de grille 26 fait fonctionner le transistor NMOS du circuit d'isolement des hautes tensions 22 basé sur un signal de commande Pulse2 dérivé d'un contrôleur (non représenté). L'unité CAN en mode courant 20 fournit du courant à la cathode 12 sur la base de signaux de données NO, N1, N2 et N3 dérivés de l'unité de commande de données 30, dans lequel l'unité CAN en mode courant 20 se compose d'une multitude de transistors NMOS 20a, 20b, 20c, et 20d reliés l'un à l'autre en parallèle, chacun des transistors NMOS étant un dispositif basse tension. Les signaux de données respectifs NO, N1, N2, N3 de l'unité de commande de données 30 sont reliés à des grilles respectives des transistors NMOS 20a, 20b, 20c et 20d. La multitude des transistors NMOS 20a, 20b, 20c et 20d peut procurer des courants ayant des valeurs identiques. Cependant, il est plus préférable que les valeurs de courant engendrées par les transistors NMOS augmentent en multiple de 2n de la valeur de courant produite par le transistor NMOS 20a le plus faible dans un ordre commencé par le transistor NMOS le plus bas vers le transistor NMOS le plus élevé 20d, n étant un nombre positif entier. Pour cette raison, il est préférable que les transistors NMOS 20b, 20c et 20d soient conçus pour avoir des largeurs de canaux dont les tailles sont deux fois, quatre fois et huit fois la largeur de canal du transistor NMOS le plus bas 20a, respectivement. Par exemple, lorsqu'une quantité de courant s'écoulant à travers une source du transistor NOMS le plus bas 20a est de 100,uA, ceux des transistors NOMS 20b, 20c et 20d sont de 200pu, 400pA, et 800,uA, respectivement. Entre temps, une unité convertisseur analogique/numérique (CAN) 28 convertit un signal vidéo appliqué en signaux numériques DO, D1, D2 et D3 et les transmet à l'unité de commande de données 30. L'unité de commande de données 30 applique les signaux numériques DO, D1, D2 et D3 à l'unité CAN en mode courant comme signaux de données NO, N1, N2 et N3. Sur la figure 2, un circuit d'empêchement de flottement est monté entre la source du transistor NMOS formant le circuit d'isolement des hautes tensions 22 et une borne d'entrée de l'unité de commande de grille 26 pour empêcher que la source du circuit d'isolement des hautes tensions 22 flotte lorsqu'une haute tension est appliquée à la ligne de cathode 5. Le circuit 32 d'empêchement du flottement comporte des premier au troisième dispositifs MOS MP1, MN1 et MN2. Le premier dispositif MOS MP1 est un transistor PMOS dont la grille et la source sont reliées à la borne d'entrée de l'unité de commande de grille 26 et une source de tension Vdd, respectivement, et dont le drain est utilisé comme borne de sortie du circuit 32 d'empêchement de flottement. Le second dispositif MOS MN1 utilise un transistor NMOS dont la grille est réunie avec la borne d'entrée de l'unité de commande de grille 26 via un inverseur IV comprise dans le circuit d'empêchement du flottement 32 et dont le drain est relié au drain du premier dispositif MOS MP1. Le troisième dispositif MOS MN2 comprend un transistor NMOS qui est déposé entre la source du second dispositif MOS MN1 et la source de tension de terre CND et dont la grille est reliée à la borne d'entrée de l'unité de commande de grille 26. La tension de source Vdd reliée au circuit d'empêchement de flottement a un niveau identique au niveau élevé du signal de commande engendré par le contrôleur ou régisseur. Le fonctionnement du circuit 32 d'empêchement du flottement sera décrit ci-après. Lorsque la haute tension est appliquée à la ligne de cathode 5 et le signal de commande Pulse2 dérivé du contrôleur a un niveau bas, les premiers et le second dispositifs MOS MP1 et MN1 dans le circuit d'empêchement de flottement 32 sont mis hors service et le troisième dispositif MOS MN2 est mis en service. Ensuite, la tension de source Vdd est appliquée à la source du transistor NMOS dans le circuit d'isolement des hautes tensions 22. Il en résulte de l'opération ci-dessus, qu'un niveau de tension à la source du transistor NMOS dans le circuit d'isolement des hautes tensions 22 n'est pas à un niveau supérieur à Vdd et, par conséquent, l'unité CAN en mode courant 20 ayant des dispositifs basse tension est protégée contre une tension plus élevée. D'autre part, si le signal de commande Pulse2 a un niveau élevé, les premier et second dispositifs MOS MP1 et MN1 sont mis hors service et, ensuite, le circuit d'empêchement de flottement 32 n'accomplit plus son opération. En se référant à la figure 3, on y montre un chronogramme des signaux de données NO, N1, N2 et N3 et des signaux d'impulsions Pulsel et Pulse2 utilisés dans le dispositif de commande de cellule sur la figure 2. Tout d'abord, l'impulsion de balayage de grille Pulsel, qui est appliquée à l'unité de commutation haute tension 24, est portée à un niveau élevé et, après une courte période de temps, le signal de commande Pulse2, qui est appliqué à l'unité de commande de grille 26, est porté à un niveau élevé. Pulse2 est changé à un niveau bas pendant le niveau élevé de Pulsel. Ensuite, les sorties des unités de commande de données 30, à savoir les signaux de données NO, N1, N2 et N3 sont appliquées en parallèle à l'unité CAN en mode courant 20. La figure 4 montre un dispositif ou agencement de commande de cellule d'un FED selon un second mode de réalisation de la présente invention. Sur la figure 4, les unités ayant les mêmes numéros de référence que dans le premier mode de réalisation de la figure 2 sont identiques à ceux du premier mode de réalisation. De ce fait, la description des fonctionnements des unités sont omis pour des raisons de simplicité. Parmi les composants du second mode de réalisation sur la figure 4, seulement le circuit d'empêchement du flottement est différent de celui de la figure 2. En effet, le circuit d'empêchement du flottement 32 sur la figure 4 comprend un inverseur I2 pour convertir le niveau du signal de commande Pulse2 engendré par le contrôleur ou régisseur (non montré) et un transistor NMOS N1 qui est relié entre la source du transistor NMOS dans le circuit d'isolement des hautes tensions 22 et la source de tension de terre GND. La grille du transistor NMOS N1 est commandée par la sortie de l'inverseur 12. Le fonctionnement du circuit d'empêchement du flottement 32 sera décrit ci-après. Lorsque le signal de commande Pulse2 d'un niveau bas est appliqué à l'inverseur I2 par le contrôleur, la sortie de l'inverseur I2 prend un niveau élevé et, ensuite, le transistor NMOS N2 est mis hors service pour fournir ainsi la tension de terre à un noeud x, clest-à-dire la source du transistor NMOS dans le circuit d'isolement des hautes tensions 22. Par conséquent, lorsque la haute tension est appliquée à la ligne de cathode 5, la source du transistor NMOS constituant le circuit d'isolement des hautes tensions 32 maintient la tension de terre de façon qu'il puisse protéger l'unité CAN en mode courant 20 constituée de dispositifs basses tensions. Subséquemment, lorsque le signal de commande Pulse2 est à un niveau élevé, la sortie de l'inverseur I2 prend un niveau bas. Il en résulte que le transistor NMOS est mis hors service et l'opération d'empêchement du flottement n'est plus accomplie. Dans ce cas, la tension appliquée au noeud x est déterminée par la caractéristique courant-tension de l'unité CAN en mode courant 20 et le FED. Ensuite, le fonctionnement du dispositif de commande de cellule du FED selon le premier mode de réalisation de la présente invention sera illustré. Tout d'abord, lorsque l'impulsion de balayage de grille Pulsel ayant un niveau élevé est appliquée à l'unité de commutation haute tension 24, la haute tension est appliquée à la ligne de grille 3. A cet instant de temps, la haute tension instantanée peut être appliquée à la ligne de cathode 5 par une capacité parasite existant entre la ligne de grille 3 et la ligne de cathode 5 et, ensuite, les dispositifs reliés à la ligne de cathode 5 peuvent être coupés ou cassés. Cependant, les dispositifs reliés à la ligne de cathode 5 peuvent être protégés de la haute tension par le fonctionnement d'empêchement du flottement du circuit d'empêchement du flottement 32. Après cela, lorsque le signal de commande Pulse2 d'un niveau élevé est appliqué à l'unité de commande de grille 26, le transistor NMOS formant le circuit d'isolement des hautes tensions 22 est mis en service et, ainsi, le fonctionnement d'empêchement du flottement est terminé. Comme cela est illustré ci-dessus, lorsque le transistor NMOS du circuit d'isolement des hautes tensions 22 est mis en service, l'unité CAN en mode courant 20 établit un chemin de courant entre la cathode 12 et la source basse tension VDD2 sous la commande des signaux de données NO, N1, N2 et N3 dérivés de l'unité de commande de données 30. Par exemple, au cas où les signaux de données NO, N1, N2 et N3 de 4 chiffres binaires sont 1, 0, 0 et 0, respectivement, seulement le transistor NMOS 20a est mis en service de façon que le chemin de courant passant à travers le transistor NMOS du circuit d'isolement des hautes tensions 22 et le transistor NMOS 20a soit établi entre la cathode 12 et la source basse tension Vdd2. A ce moment, la valeur de courant appliquée à la cathode 12 devient environ 100pA. Entre temps, lorsque les signaux de données NO, N1, N2 et N4 de 4 chiffres bianires sont 0, 1, O et 0, respectivement, seulement le transistor NMOS 20b est mis en service de façon que le chemin de courant passant à travers le transistor NMOS du circuit d'isolement des hautes tensions 22 et le transistor NMOS 20b soit établi entre la cathode 12 et la source basse tension Vdd2. De ce fait, la valeur de courant d'environ 200pA est appliquée à la cathode 12. Dans le cas où les signaux de données NO, N1, N2 et N3 de 4 chiffres binaires sont 0, 0, 1 et O, respectivement, seulement le transistor NMOS 20c est mis en service de façon que le chemin de courant passant à travers le transistor NMOS du circuit d'isolement des hautes tensions 22 et le transistor NMOS 20c soit établi entre la cathode 12 et la source basse tension Vdd2. Par conséquent, la valeur de courant d'environ 40OuA est appliquée à la cathode 12. D'autre part, dans le cas où les signaux de données NO, N1, N2 et N3 de 4 chiffres binaires sont 0, 0, O et 1, respectivement, seulement le transistor NMOS 20d est mis en service de façon que le chemin de courant passant à travers le transistor NMOS du circuit d'isolement des hautes tensions 22 et le transistor NMOS 20d soit établi entre la cathode 12 et la source basse tension Vdd2. De ce fait, la valeur de courant appliquée à la cathode 12 est approximativement 800pA. Finalement, lorsque les signaux de données NO, N1, N2 et N3 de 4 chiffres binaires sont 1, 1, 1, et 1, respectivement, tous les transistors NMOS 20a, 2Ob, 20c et 20d sont mis en service si bien que le chemin de courant passant à travers le transistor NMOS et le circuit d'isolement des hautes tensions 22 et le transistor NMOS 20a, 20b, 20c et 20d soit établi entre la cathode 12 et la source basse tension Vdd2. Par conséquent, la valeur de courant appliquée a la cathode 12 devient environ 1,5mA. Cependant, les valeurs susmentionnées telles que 100pu, 200pu, 400pu, 8OOpA et 1,5mA sont données seulement pour élucider le chemin de courant entre la cathode et la source basse tension. Entre temps, lorsque les signaux de données NO, N1, N2 et N3 ayant une combinaison de données différentes des exemples ci-dessus sont appliqués aux transistors NMOS 20a, 20b, 20c ou 20d, les opérations des dispositifs deviennent similaires aux exemples ci-dessus. Comme le montre la figure ci-dessus, lorsqu'une quantité établie de courant est appliquée à la cathode 12 pendant que le haute tension est appliquée à la ligne de grille 3, la quantité établie d'électrons est émis par le grain de la cathode 12. Les électrons émis sont accélés par l'anode 18 et, ensuite, mis en collision avec la plaque fluorescente 16 pour engendrer ainsi la lumière. Le fonctionnement du dispositif ou agencement de commande de cellule selon le second mode de réalisation de la présente invention est accompli de la même manière que dans le premier mode de réalisation. Par conséquent, l'explication du fonctionnement du second mode de réalisation est omise. Selon la présente invention telle qu'illustrée cidessus, en utilisant des dispositifs basse tension à la place des dispositifs haute tension, lorsqu'une haute tension est appliquée a la ligne de grille à l'état initial, une caractéristique tension-courant dans une région de saturation est extraordinairement meilleure que dans les cas d'utilisation de dispositif haute tension et, de ce fait, une source de courant idéale peut être obtenue. Il en résulte qu'un niveau de gris plus correct peut être réalisé. De plus, en réalisant un niveau de gris varié, un CAN avec des dispositifs basse tension peut être moins limité quant à son aire en comparaison à un CAN comprenant des dispositifs haute tension, et il peut être aisé de commander des courants ayant un niveau bas en utilisant les dispositifs basse tension. Dans les modes de réalisation ci-dessus de la présente invention, le cas de procurer un point d'image avec une échelle de gris de 16 niveaux est expliqué. Cependant, la présente invention peut être utilisée pour fournir un point d'image avec une échelle de gris de 32, 64 ou 124 niveaux. Supplémentairement à ceci, similaire à une correction y dans un CRT, dans les modes de réalisation décrits ci-dessus, la luminosité des images peut être ajustée en contrôlant la tension correspondant aux signaux de données NO, N1, N2 et N3 qui sont appliqués par l'unité de commande de données 30 à l'unité CAN en mode courant 20. Bien que la présente invention a été décrit par rapport a des modes de réalisation particuliers, il est évident à l'homme de l'art que des divers changements et modifications peuvent être faits sans sortir de l'esprit et du cadre de l'invention, tels que définis dans les revendications qui suivent. REVENDICATIONS 1. Agencement de commande de cellule pour utilisation dans un affichage à émission de champ utilisant un procédé d'indication à matrice passive, caractérisé en ce que l'affichage à émission de champ comporte une cellule de dispositif à émission de champ comprenant une cathode et une électrode de grille, et un moyen de commande de données produisant en sortie des signaux numériques venant de l'extérieur, comme signaux de données, comprenant un moyen CAN en mode courant (20) pour fournir un courant a la cathode en réponse à des signaux de données en provenance des moyens de commande de données (30) ; et des moyens d'isolement des hautes tensions (22), montés entre les moyens CAN en mode courant (20) et une ligne de cathode (5), pour empêcher qu'une haute tension instantanée soit appliquée aux moyens CAN en mode courant (20) pour protéger ainsi les moyens CAN en mode courant, la haute tension instantanée étant engendrée entre une ligne de grille (3) et la ligne de cathode (5) en réponse à un signal de commande de grille dérivé d'un moyen de commande de grille. 2. Agencement de commande de cellule selon la revendication 1, caractérisé en ce que les moyens CAN en mode courant (20) comportent une pluralité de transistors NMOS basse tension (20a, 20b, 20c, 20d) qui sont montés en parallèle. 3. Agencement de commande de cellule selon la revendication 2, caractérisé en ce que, parmi la multitude de transistors NMOS, en comparaison avec la largeur de canal du transistor NMOS la plus faible, celle de son transistor NMOS suivant est ajustée de façon à avoir une valeur de courant qui augmente en multiple de 2n de la valeur de courant produit par le transistor NMOS le plus faible, en réponse à une même tension de grille appliquée aux transistors NMOS, n étant zéro ou un nombre entier positif. 4. Agencement de commande de cellule selon la revendication 1, caractérisé en ce que les moyens d'isolement des hautes tensions (22) comprend un dispositif MOS haute tension. 5. Agencement de commande de cellule selon la revendication 4, caractérisé en ce que le dispositif MOS haute tension est un transistor NMOS. 6. Agencement de commande de cellule selon la revendication 1, caractérisé en ce que le signal de commande de grille est appliqué au moyen d'isolement des hautes tensions (22) avant les signaux de données qui sont appliqués au moyen CAN en mode courant (22). 7. Agencement de commande de cellule selon la revendication 1, caractérisé en ce qu'il comprend en outre un moyen d'empêchement d'un flottement pour empêcher que les moyens d'isolement des hautes tensions puissent flotter lorsque la haute tension instantanée est appliquée à la ligne de cathode (5). 8. Agencement de commande cellule selon la revendication 7, caractérisé en ce que les moyens d'empêchement d'un flottement comprennent un premier dispositif MOS monté entre une borne d'entrée des moyens de commande de grille et une borne de sortie des moyens d'isolement des hautes tensions un second dispositif MOS monté en série avec le premier dispositif MOS et comportant une partie reliée à la borne d'entrée des moyens de commande de grille par l'intermédiaire d'un inverseur ; et un troisième dispositif MOS monté en série avec le second dispositif MOS et comportant une partie reliée à la borne d'entrée du moyen de commande de grille. 9. Agencement de commande de cellule selon la revendication 8, caractérisé en ce que le premier dispositif MOS est un transistor PMOS. 10. Agencement de commande de cellule selon la revendication 8, caractérisé en ce que les second et troisième dispositifs MOS sont des transistors NMOS, respectivement. 11. Agencement de commande de cellule selon la revendication 7, caractérisé en ce que les moyens d'empechement d'un flottement comprennent un inverseur relié à la borne d'entrée du moyen de commande de grille pour inverser un signal de commande produit par un moyen de commande ; et un dispositif MOS monté entre les moyens d'isolement des hautes tensions et une source de terre et commuté en service/hors service en réponse à un signal de sortie de 1' inverseur. 12. Agencement de commande de cellule selon la revendication 11, caractérisé en ce que le dispositif MOS est un transistor NMOS.