FR 2764435 A1 19981211 FR 9807155 A 19980608 ELES:NT A OMISSION DE CHAMP La présente invention concerne un élément à émission de champ pourvu de cathodes à émission de champ connues sous le nom de cathodes froides. Lorsque le champ électrique appliqué sur une surface d'un métal ou d'un semi-conducteur est aussi grand que 109 V/m, des électrons traversent la barrière de potentiel en raison de l'effet tunnel, émettant ainsi dans un vide, même à des températures ambiantes. Ce phénomène est dénommé émission de champ. La cathode émettant des électrons, conçue selon ce principe, est dénommée cathode de type à émission de champ (abrégé parfois simplement par FEC). Récemment, des cathodes planes à émission de champ par zone, chacune constituée d'une matrice de cathodes de type à émission de champ, de la taille du micron, ont pu être complètement fabriquées en utilisant la technologie d'usinage des semi-conducteurs. L'élément constitué d'un grand nombre de FEC sur un substrat est utilisé à titre de source d'électrons pour un affichage à émission de champ (abrégé simplement par FED), des appareils de gravure à faisceau d'électrons, ou analogues, en irradiant l'écran fluorescent avec des électrons émis par chaque émetteur. La figure 5 est une vue en plan illustrant partiellement et schématiquement un élément à émission de champ classique. La figure 6 est une vue en coupe transversale illustrant un élément à émission de champ classique, suivant la ligne VI-VI de la figure 5. En se référant à la figure 5, le numéro 31 désigne un conducteur cathodique, 32 désigne une zone en îlot, 33 désigne une couche de résistance, 1 désigne un substrat cathodique, 6 désigne une couche isolante, 7 désigne un cône d'émetteur, et 8 désigne une électrode de grille. Cet art antérieur est décrit, par exemple, dans la publication ouverte à l'inspection publique du brevet japonais No. 7-153369 (Demande No. 5-320923). Le conducteur cathodique 31 et les électrodes en îlot 32 sont formés sur le substrat cathodique 1, tel qu'un substrat en verre, par l'étape de formation de motifs sur un mince film conducteur de Nb, Mo, Al ou analogue. Les électrodes en îlot 32 sont entourées par des fossés formés dans le conducteur cathodique en bande. Ainsi, le substrat cathodique est réalisé sous la forme d'un motif à rebord. L'électrode en îlot 32 et le substrat cathodique 31 sont séparés l'un de l'autre par un intervalle ayant un espace prédéterminé et sont complètement isolés sur le même plan. Une ligne d'électrode cathodique est constituée du conducteur cathodique 31 et des différentes électrodes en îlot 32. Dans l'affichage à émission de champ, plusieurs lignes d'électrode cathodique sont réalisées sous la forme d'un motif en bande et croisent perpendiculairement les lignes d'électrode de grille 8. Comme représenté sur la figure 6, une couche de résistance 33 constituée, par exemple, de silicium amorphe (a-Si) est formée sur le conducteur cathodique 31 et les électrodes en îlot 32. Une couche isolante 6 constituée de dioxyde de silicium (SiO2) est formée sur la couche de résistance 33. L'électrode de grille 8 réalisée en Nb, Al, ou WSi2 est formée est formée sur la couche isolante 6. Une pluralité d'ouvertures est formée dans l'électrode de grille 8 et la couche isolante 6. Un cône d'émetteur 7 servant d'électrode d'émetteur (puce d'émetteur), réalisé en Mo, est formé sur la couche de résistance 33, dans chacune des ouvertures. Les pointes des cônes d'émetteur 7 sont observées à partir de l'électrode anodique (non représentée) à travers chacune des ouvertures. Dans la structure précitée, les cônes d'émetteurs 7 sont reliés électriquement à l'électrode en îlot 32 via la couche de résistance 33. Chaque électrode en îlot 32 est connectée électriquement à l'électrode cathodique 32 via la jonction de la couche de résistance 33. Etant donné que l'intervalle entre l'électrode de grille 8 et la pointe du cône d'émetteur 2 est établi à une valeur inférieure au micron, le cône d'émetteur 5 peut émettre par champ des électrons en appliquant une faible tension de plusieurs dizaines de Volts. En outre, étant donné que le pas entre les émetteurs 7 peut être établi à une valeur de l'ordre de 5 à 10 um, plusieurs dizaines de milliers à plusieurs centaines de milliers de cônes d'émetteurs 7 peuvent être formés sur un substrat cathodique 1 unique. Le substrat anodique en verre transparent et le substrat cathodique 1 sont disposés à l'opposé l'un de l'autre à une distance prédéterminée. L'espace entre le substrat anodique et le substrat cathodique 1 est évacué afin d'obtenir un degré de vide. Une électrode anodique est formée sur le substrat anodique afin de collecter les électrons émis par les cônes d'émetteurs. Les électrons heurtent la substance fluorescente appliquée en revêtement sur l'électrode anodique, afin de provoquer une luminescence de la substance fluorescente. Plusieurs cônes d'émetteurs 7, formés sur une ou plusieurs électrodes en îlot 32, correspondent à un tronçon d'affichage. Dans un affichage en couleur, les différents cônes d'émetteurs 7 correspondent à l'une des couleurs rouge, verte et bleue formant un tronçon d'affichage. Dans la structure classique, la ligne d'électrode cathodique est divisée en le conducteur cathodique 31, et l'électrode en îlot 32 et la couche de résistance 33 sont formées. La raison est la suivante D'abord, étant donné que la distance entre le cône d'émetteur 7 et l'électrode de grille 8 est très courte, le cône d'émetteur 7 peut être court-circuité par l'électrode de grille 8 en raison de la poussière dégagée durant la fabrication plusieurs lignes d'électrodes cathodiques dans la direction X et plusieurs lignes d'électrodes de grille dans la direction Y sont formées sur le substrat cathodique 1 sous la forme d'un motif de matrice. Des cônes d'émetteurs 7 correspondant à plusieurs centaines de points sont formés pour une ligne d'électrodes cathodiques. En vue d'émettre des électrons, un émetteur conique 7 spécifique est sélectionnant en appliquant un signal d'entrée à la ligne d'électrodes cathodiques et une tension positive sur une ligne des électrodes de grille 8, perpendiculairement à la ligne d'électrodes cathodiques. Dans cette structure, même si un cône d'émetteur 7 est court-circuité, la ligne d'électrodes cathodiques correspondante est complètement mise hors service, donnant lieu ainsi à un mauvais fonctionnement de ligne. Deuxièmement, les gaz libérés dans le panneau à émission de champ au moment d'une opération initiale peuvent provoquer une décharge entre le cône d'émetteur 7 et l'électrode de grille 8 ou l'électrode anodique, de sorte que le courant excessif détruit souvent l'électrode cathodique. En outre, certains cônes d'un grand nombre de cônes d'émetteurs 7 ont tendance à émettre facilement des électrons, produisant ainsi un point lumineux anormal sur l'écran. Afin d'éviter un tel phénomène, la couche de résistance 33 est disposée entre le cône d'émetteur 7 et le substrat cathodique 31. Lorsqu'un cône d'émetteur 7 spécifique émet des électrons excessifs, la couche de résistance 33 augmente sa chute de tension selon le courant croissant, afin de supprimer l'émission d'électrons, de sorte qu'une salve d'émission d'électrons peut être empêchée. Ainsi, la couche de résistance 33 peut empêcher le courant de se concentrer localement sur le cône d'émetteur 7 spécifique. Cette caractéristique permet d'augmenter le rendement de fabrication et de stabiliser le fonctionnement du système. Troisièmement, lorsque des cônes d'émetteurs sont directement formés sur la couche de résistance 33, sans former l'îlot 32, la résistance entre l'électrode cathodique 31 et chaque cône d'émetteur 7 dépend de la distance entre eux. C'est-à-dire que le cône d'émetteur formé à proximité du conducteur cathodique 31 présente une faible valeur de résistance. Le cône d'émetteur éloigné du conducteur cathodique 31 formé sur la partie intermédiaire du groupe des cônes d'émetteurs présente une valeur de résistance élevée. Ceci signifie que le cône d'émetteur 7 adjacent au conducteur cathodique 31 émet une grande quantité d'électrons, tandis que le cône d'émetteur 7, au niveau de la partie intermédiaire, émet une faible quantité d'électrons. Ainsi, la quantité d'électrons émis devient irrégulière. Afin de surmonter de tels problèmes, des espaces ouverts sont formés dans le conducteur cathodique 31. Les électrodes en îlot 32 isolés du conducteur cathodique 31 sont formées dans les espaces ouverts. Plusieurs cônes d'émetteurs 7 sont formés sur chacune des électrodes en îlot 32. Cette structure peut uniformiser les valeurs de résistance entre le conducteur cathodique 31 et les cônes d'émetteurs 7 respectifs, égalisant ainsi les caractéristiques d'émission d'électrons. La présente invention est réalisée afin de surmonter les problèmes précités. Le but de l'invention est de proposer un élément à émission de champ ayant une structure améliorée. Un autre but de la présente invention est de proposer un élément à émission de champ qui puisse empêcher une ligne d'électrodes cathodiques d'être complètement mise hors service en raison d'un court-circuit ou d'une décharge entre une électrode d'émetteur et une électrode de grille, par rapport à l'élément à émission de champ de l'art antérieur. Selon un premier aspect de la présente invention, un élément à émission de champ comprend : un conducteur cathodique; plusieurs électrodes en îlot; une couche de haute résistance; plusieurs couches de faible résistance respectivement formées sur lesdites plusieurs électrodes en îlot; plusieurs électrodes d'émetteur formées directement sur chacune desdites différentes électrodes en îlot ou formées sur chacune desdites différentes zones en îlot via ladite couche de haute résistance; chacune desdites électrodes en îlot étant reliée audit conducteur cathodique via ladite couche de haute résistance et une couche de faible résistance reliées en série. Ainsi, lorsqu'un courant excessif s'écoule dans une électrode en îlot en raison d'une décharge entre une électrode d'émetteur et une électrode de grille, la partie dans laquelle la couche de haute résistance et la couche de faible résistance sont connectées en série entre elle est détruite en raison d'un chauffage, de sorte que seules les électrodes d'émetteur formées sur l'électrode en îlot peuvent être mises hors service concernant l'émission d'électrons. Ainsi, il peut être évité qu'une ligne d'électrodes cathodiques devienne complètement hors de contrôle. L'élément à émission de champ selon la présente invention comprend en outre un substrat cathodique; une couche isolante; et une électrode de grille; dans lequel le conducteur cathodique et les différentes électrodes en îlot sont formés sur le substrat cathodique; dans lequel une première partie de la couche de haute résistance est formée sur les électrodes en îlot, tandis qu'une deuxième partie de la couche de haute résistance relie en série le conducteur cathodique et chacune des électrodes en îlot; dans lequel les couches de faible résistance sont formées sur la deuxième partie de la couche de haute résistance; dans lequel la couche isolante est formée sur la couche de haute résistance et les couches de faible résistance; dans lequel l'électrode de grille est formée sur la couche isolante; des premières ouvertures étant formées dans l'électrode de grille et la couche isolante recouvrant chacune des électrodes en îlot; et dans lequel les différentes électrodes d'émetteur sont respectivement disposées dans les premières ouvertures et sont chacune formées sur chacune des électrodes en îlot, via la première partie de la couche de haute résistance. Ainsi, la structure dans laquelle chaque électrode en îlot est connectée au conducteur via la couche de haute résistance et une couche de faible résistance reliées en série peut être fabriquée facilement. La structure de couche dans laquelle la couche de haute résistance peut être facilement amincie améliore la productivité. Etant donné que la couche de haute résistance peut être constituée d'un matériau d'une grande résistivité en volume, p, la deuxième partie de la couche de haute résistance peut être établie à une grande valeur de résistance. Dans l'élément à émission de champ selon la présente invention, des deuxièmes ouvertures sont formées dans la couche isolante recouvrant les couches de faible résistance. La couche de faible résistance est exposée depuis la couche isolante. Ainsi, lorsque l'on trouve un défaut un défaut ou un défaut possible dans l'ouverture ménagée dans une électrode de grille ou au niveau d'un cône d'émetteur ou d'une électrode en îlot au cours de la fabrication, la couche de faible résistance au niveau de la partie défaillante peut être fondue avec le faisceau laser. Ainsi, la partie défaillante peut être séparée au préalable du conducteur cathodique. En outre, selon la présente invention, l'élément à émission de champ comprend, en outre, un substrat cathodique; une couche isolante; et une électrode de grille; dans lequel le conducteur cathodique et les différentes électrodes en îlot sont formés sur une surface de la couche à résistance élevée; dans lequel la couche isolante est formée sur la couche à haute résistance sur laquelle sont formées les électrodes en îlot et le conducteur cathodique; dans lequel l'électrode de grille est formée sur la couche isolante; des premières ouvertures étant formées dans l'électrode de grille et la couche isolante recouvrant chacune des électrodes en îlot; dans lequel les différentes électrodes d'émetteur sont respectivement disposées dans les premières ouvertures et sont formées sur chacune des électrodes en îlot; dans lequel les de faible résistance sont formées sur l'autre surface de la couche à haute résistance qui relie électriquement le conducteur cathodique à chacune des électrodes en îlot; dans lequel le substrat cathodique est disposé sur l'autre surface de la couche à haute résistance, qui présente une surface sur laquelle sont formées les couches de faible résistance. Ainsi, la structure dans laquelle chaque électrode en îlot est reliée au conducteur cathodique via la couche de haute résistance et une couche de faible résistance reliées en série peut être facilement fabriquée. La structure de couche dans laquelle la couche de haute résistance peut être facilement amincie améliore la productivité. Etant donné que la couche de haute résistance peut être constituée d'un matériau d'une grande résistivité en volume, p, la deuxième partie de la couche de haute résistance peut être établie à une grande valeur de résistance. Les buts, caractéristiques et avantages ci-dessus, ainsi que d'autres, de la présente invention, vont devenir évidents à la lecture de la description qui suit, faite en liaison avec les dessins annexés qui illustrent des modes de réalisation préférés de la présente invention, à titre d'exemple. La figure 1 est une vue en plan illustrant partiellement et schématiquement un élément à émission de champ selon un premier mode de réalisation de la présente invention; la figure 2 est une vue en coupe transversale, illustrant un élément à émission de champ suivant la ligne II-II de la figure 1; la figure 3 est une vue en coupe transversale, illustrant un élément à émission de champ selon un deuxième mode de réalisation de la présente invention; la figure 4 est une vue en coupe transversale, illustrant un élément à émission de champ selon un troisième mode de réalisation de la présente invention; la figure 5 est une vue en plan illustrant partiellement et schématiquement un élément à émission de champ classique; et la figure 6 est une vue en coupe transversale, illustrant un élément à émission de champ classique, suivant la ligne VI-VI de la figure 5. Les modes de réalisation selon la présente invention vont à présent être décrits ci-après en détail en se référant aux dessins annexés. La figure 1 est une vue en plan illustrant partiellement et schématiquement un élément à émission de champ selon un premier mode de réalisation de la présente invention. La figure 2 est une vue en coupe transversale illustrant un élément à émission de champ suivant la ligne II-II de la figure 1. Les mêmes numéros sont attribués aux mêmes composants que ceux des figures 5 et 6. Ainsi, toute description double sera ici supprimée. Le numéro 2 désigne un conducteur cathodique; 3 désigne une électrode en îlot, 4 désigne une première couche de résistance; et 5 désigne une deuxième couche de résistance. Sur la figure 1, l'électrode de grille 8 est illustrée, mais la couche isolante 6 est retirée afin de présenter la topographie de la structure inférieure. Dans ce mode de réalisation, une première couche de résistance 4 et une deuxième couche de résistance 5 ayant chacune une valeur de résistance différente sont laminées sous la forme de la couche de résistance à contrôle de courant. L'électrode en îlot 3 est isolée latéralement du conducteur cathodique 2, de manière que la partie de couche épaisse laminée soit détruite lorsqu'un courant excessif s 'écoule dans le cône d'émetteur 7 ou qu'une tension excessive est appliquée au cône d'émetteur 7. Par exemple, si l'électrode de grille 8 est court-circuitée par rapport au cône d'émetteur 7, seule l'électrode en îlot 3 connectée électriquement au cône d'émetteur 7 défaillant peut être séparée électriquement du conducteur cathodique 2. En explication, il est à présent supposé qu'une ligne d'électrode cathodique ou cathode est constituée d'un conducteur cathodique 2 rectiligne et de plusieurs électrodes en îlot 3 agencées sur un côté du conducteur cathodique 2 rectiligne. L'électrode de grille 8 est formée sur la couche isolante 6 correspondant à chaque électrode en îlot 3. Une partie de liaison étroite s'étend horizontalement afin de configurer une ligne d'électrodes de grille perpendiculairement à la ligne de cathodes. La deuxième couche de résistance 5 est laminée localement sur la première couche de résistance 4 recouvrant chacune des différentes électrodes en îlot 3. La deuxième couche de résistance 5 engendre la zone d'intervalle entre l'électrode en îlot 3 et la ligne cathodique 2 et est parallèle à la partie de connexion de l'électrode de grille 8. La structure transversale de la figure diffère de l'art antérieur de la figure 6, par l'existence des deuxièmes couches de résistance 5. Le conducteur cathodique 2 et l'électrode en îlot 3 sont constitués du même matériau métallique que ceux du conducteur cathodique 31 et de la couche de résistance 32 représentées sur la figure 6. La première couche de résistance 4 est réalisée en silicium amorphe (a-Si), de manière analogue à la couche de résistance 33 de la figure 6. Le conducteur cathodique 2 et l'électrode en îlot 3 sont formés sur le substrat cathodique 1. La première couche de résistance 4 recouvre le conducteur cathodique 2 et l'électrode en îlot 3. C'est-à-dire que la première couche de résistance 4 est formée sur électrode en îlot 3 et relie électriquement le conducteur cathodique 2 à sur électrode en îlot 3. La deuxième couche de résistance 5 est formée sur la première couche de résistance 4 recouvrant la zone d'intervalle qui relie électriquement le conducteur cathodique 2 à l'électrode en îlot 3. Une couche isolante 6 est formée sur la première couche de résistance 4 et la deuxième couche de résistance 5. Une électrode de grille 8 est formée sur la couche de résistance 6. Plusieurs ouvertures sont formées dans l'électrode de grille 8 et la couche isolante 6. Un cône d'émetteur 7 est formé sur la première couche de résistance 4 dans chaque ouverture. La pointe du cône d'émetteur 7 est observée depuis l'électrode anodique (non représentée) via l'ouverture. La première couche de résistance 4 est disposée pour chaque ligne de cathode et est isolée de la première couche de résistance associée à la ligne de cathode avoisinante, au moyen de la couche isolante 6. La première couche de résistance 4 présente une valeur de résistance relativement supérieure à celle de la deuxième couche de résistance 5. La première couche de résistance 4 contrôle le courant provenant de plusieurs cônes d'émetteurs 7 dans une électrode en îlot 3. La valeur de résistance de la première couche de résistance 4 est établie d'après la quantité de courant émise par le cône d'émetteur 7, ainsi que le potentiel de force électromotrice produit en vue d'une commande à rétroaction. Globalement, le film de résistance d'une résistivité en volumique p (Q.cm) est exprimé par R = p L/A, où A est une aire (cm2) faisant face à l'électrode et L est une épaisseur (cm) d'un film de résistance. Ainsi, la valeur de résistance de la première couche de résistance 4 entre plusieurs cônes d'émetteurs 7 et l'électrode en îlot 3 est proportionnelle à l'épaisseur et à la résistivité en volume de la première couche de résistance. La réduction de l'épaisseur de la couche de résistance améliore la productivité. Ainsi, la valeur de résistance de la première couche de résistance 4 est établie à une valeur prédéterminée et la résistivité volumique est établie à une grande valeur en réduisant l'épaisseur de film. Dans une telle conception, la zone entre le conducteur cathodique 2 et l'électrode en îlot 3 présente une grande valeur de résistance et sert de couche isolante. Cette structure de couche permet à la première couche de résistance 4 et à la deuxième couche de résistance 5 de présenter une valeur de résistance largement différentes l'une de l'autre. Il s'ensuit que plusieurs cônes d'émetteurs 7 sont connectés électriquement à l'électrode en îlot 3 par la première couche de résistance 4. L'électrode en îlot 3 est connectée au conducteur cathodique 2 par la première couche de résistance 4, ainsi que par la première couche de résistance 4 et la deuxième couche de résistance 5 connectées en série. Dans cette structure, le courant d'émetteur composite en raison de l'émission des cônes d'émetteurs 7 s'écoule verticalement depuis la première couche de résistance 4 vers l'électrode en îlot 3 puis s 'écoule verticalement depuis l'électrode en îlot 3 vers la première couche de résistance 4, et s'écoule enfin depuis la deuxième couche de résistance 5 vers le conducteur cathodique 2, par la première couche de résistance 4. Le courant d'émetteur total provenant des cônes d'émetteurs 7, formés sur l'électrode en îlot 3, peut être commandé en réglant la valeur de résistance de la deuxième couche de résistance. Ceci définit la quantité d'émission d'électrons correspondant à chaque tronçon d'affichage. Ainsi, les caractéristiques entre les tronçons d'affichage peuvent être égalisées en contrôlant la valeur de résistance de la deuxième couche de résistance 5. La valeur de résistance de la deuxième couche de résistance 5 peut être rendue optimale en réglant l'aire de la deuxième couche de résistance 5. Si un courant excessif, supérieur à une valeur normale, s'écoule dans l'électrode en îlot 3 en raison d'un court-circuit entre une électrode de grille 8 et un cône d'émetteur 7 et qu'une tension excessive est appliquée sur une électrode de cône d'émetteur 7, la première couche de résistance 4 qui se trouve entre l'électrode en îlot 3 et la deuxième couche de résistance 5 ou entre la deuxième couche de résistance 5 et le conducteur cathodique 2, ayant une valeur de résistance supérieure à celle de la deuxième couche de résistance 5, est détruite thermiquement. Même si le conducteur cathodique 2 et l'électrode de grille 8 sont en contact avec la deuxième couche de résistance 5 à l'état détruit, un courant excessif s 'écoule de nouveau dans la partie de contact lorsqu'une tension est appliquée sur le conducteur cathodique 2 et l'électrode en îlot 3 lors de l'opération de balayage suivante. Il s'ensuit que la deuxième couche de résistance 5 est complètement détruite thermiquement et est séparée du conducteur cathodique 2. La zone de ligne de connexion de l'électrode de grille 8 ne traverse pas la deuxième couche de résistance 5 en raison d'une rupture de la partie laminée de la première couche de résistance 4, et la deuxième couche de résistance 5 peut nuire à la zone de ligne de connexion de l'électrode de grille 8. Etant donné que l'électrode en îlot 3 exposée au courant excessif est coupée du conducteur cathodique 2, l'opération d'émission d'électrons devient invalidée. Ainsi, d'autres électrodes en îlot 3 peuvent émettre normalement des électrons. Par conséquent, bien qu'un tronçon d'affichage correspondant à plusieurs cônes d'émetteurs 7 sur une électrode en îlot 3 soit rompu, il peut être empêché qu'une ligne d'affichage soit détruite. Un mode de réalisation va être décrit ici afin de former la première couche de résistance 4 et la deuxième couche de résistance 5 ayant une valeur de résistance différente l'une par rapport à l'autre. La première couche de résistance 4 est constituée de silicium amorphe (a-Si). La deuxième couche de résistance 5 est constituée d'oxyde d'étain à l'indium (ITO). La substance A-Si modifie fortement sa valeur de résistance avec les températures ambiantes. En comparaison, ITO maintien de façon stable sa valeur de résistance par rapport aux températures ambiantes. La deuxième couche de résistance peut être une couche de résistance constituée d'un mince film métallique. En l'absence d'une deuxième couche de résistance 5, la valeur de résistance de la zone en îlot 3 et le conducteur cathodique 2 est établi à environ 1000 MS2, tandis que la deuxième couche de résistance est établie à plusieurs Q jusqu'à plusieurs centaines d'n. Avec la deuxième couche de résistance 5 laminée, la première couche de résistance 4 entre l'électrode en îlot 3 et la deuxième couche de résistance 5 est établie à environ 1 MQ, tandis que la première couche de résistance 4 entre la deuxième couche de résistance 5 et le conducteur cathodique 2 est établi à environ 1 Ml. La figure 3 est une vue en coupe transversale illustrant un élément à émission de champ selon le deuxième mode de réalisation de la présente invention. Sur la figure 3, les mêmes numéros sont attribués aux mêmes composants que ceux des figures 5 et 6. Ainsi, toute description double sera ici supprimée. Le numéro 11 désigne une électrode en îlot; 12 désigne un conducteur cathodique; 13 désigne une deuxième couche de résistance; 14 désigne un composé d'étanchéité; 15 désigne un substrat anodique; et 16 désigne un faisceau laser. De manière analogue à la structure de l'art antérieur représentée sur les figures 5 et 6, il est à présent supposé que le conducteur cathodique 12 de ce mode de réalisation est réalisé sous la forme d'un motif à rebord; et l'électrode en îlot 11 est séparée de et entouré par le conducteur cathodique 12. La figure 3 représente la vue en coupe transversale illustrant un élément à émission de champ, longitudinalement par rapport au conducteur cathodique 12. La figure 3 représente partiellement la partie d'étanchéité 14 et l'électrode en îlot 11 de manière adjacente à la partie d'étanchéité 14, dans l'enceinte hermétique sous vide d'un affichage à émission de champ. La couche isolante 6 est soudée au substrat anodique 15, afin d'assembler une enceinte hermétique sous vide. L'anode 12 sert de borne cathodique s'étendant depuis la zone située entre le substrat cathodique 1 et la première couche de résistance 4 et hors de l'enveloppe. Ce mode de réalisation présente à peu près la même section transversale que le premier mode de réalisation représenté sur la figure 2. Cependant, la couche de résistance 6 se trouvant sur la deuxième couche de résistance 13 est gravée sélectivement afin de former une ouverture, de manière qu'une partie de la deuxième couche de résistance 13 soit exposée. Si l'on trouve un défaut dans l'ouverture destinée à l'électrode de grille 8, le cône d'émetteur 7 ou l'électrode en îlot 11 en contrôlant le côté cathode au cours du procédé de fabrication, la deuxième couche de résistance peut être fondue avec le faisceau laser 16 pour séparer l'électrode en îlot 11 depuis le conducteur cathodique 12. Dans cette opération, le rendement sur le côté cathode peut être amélioré en mettant au préalable hors service le tronçon défaillant durant le procédé de fabrication. La figure 4 est une vue en coupe transversale illustrant un élément à émission de champ selon le troisième mode de réalisation de la présente invention. Sur la figure 4, les mêmes numéros sont attribués aux mêmes composants que ceux des figures 1, 2, 5 et 6. Ainsi, toute description double sera ici supprimée. Le numéro 21 désigne une deuxième couche de résistance, 22 désigne une électrode en îlot et 23 représenté une cathode. De manière analogue au mode de réalisation représentés sur la figure 3, il est à présent supposé que le conducteur cathodique 23 de ce mode de réalisation est réalisé sous la forme d'un motif à rebord; et l'électrode en îlot 22 se trouve dans le conducteur cathodique 23. La figure 4 est la vue en coupe transversale illustrant un élément à émission de champ longitudinalement par rapport au conducteur cathodique 23. La figure 4 représente partiellement la partie d'étanchéité 14 et l'électrode en îlot 22 de manière adjacente à la partie d'étanchéité 14 dans l'encein l'électrode en îlot 22. Plusieurs électrodes d'émetteur 7 sont respectivement formées sur l'électrode en îlot 22 dans les ouvertures. La deuxième couche de résistance 21 est disposée au-dessous de la zone d'intervalle entre le conducteur cathodique 23 et l'électrode en îlot 22 et sur la surface inférieure de la première couche de résistance 4. Dans ce mode de réalisation, plusieurs cônes d'émetteur 7 sont reliés électriquement à l'électrode en îlot 22. L'électrode en îlot 22 est reliée au conducteur cathodique 23 en série, via la première couche de haute résistance 4 et au conducteur cathodique 23 via la première couche de résistance 4 et la deuxième couche de faible résistance 21 destinée à chaque électrode en îlot 22. Dans cette structure, le courant d'émetteur total imputable aux électrons émis par les cônes d'émetteur 7 s'écoule principalement depuis l'électrode en îlot 22 vers le conducteur cathodique 23, via la première couche de résistance 4 et la deuxième couche de résistance 21 et via la première couche de résistance 4. Les électrons peuvent être émis de façon stable et uniforme d'après la valeur de résistance de la première couche de résistance 4 entre l'électrode en îlot 22 et la deuxième couche de résistance 21, ainsi que la résistance de la première couche de résistance 4 entre le conducteur cathodique 23 et la deuxième couche de résistance 21. Si un courant excessif passe dans l'électrode en îlot 22, la première couche de résistance 4 est rompue thermiquement en raison de sa valeur de résistance supérieure à celle de la deuxième couche de résistance 21, de sorte que l'électrode en îlot 22 peut être coupée électriquement du conducteur cathodique 23. Dans ce mode de réalisation, la première couche de résistance 4 se trouvant au-dessous de l'électrode en îlot 22 n'est pas essentielle en raison de sa moindre contribution en fonctionnement. Dans les modes de réalisation précités, la deuxième couche de résistance disposée entre une électrode en îlot et un conducteur cathodique a été décrite. Comme décrit dans la publication Japonaise No. 9-92131 (demande No. 7-270737), une variation de la luminosité a lieu parfois dans une image d'affichage selon des coordonnées se trouvant sur le plan en deux dimensions d'un affichage à émission de champ. Dans les deuxièmes couches de résistance disposées de façon à correspondre à toutes les électrodes en îlot agencées en deux dimensions, chaque valeur de résistance peut être établie de façon arbitraire dans le plan en deux dimensions en réglant la largeur et la longueur de la deuxième couche de résistance lors de la fabrication. Ainsi, les variations de position dans le plan en deux dimensions des caractéristiques d'émission de champ d'un affichage à émission de champ peuvent être annulés et uniformisés en réglant la valeur de résistance. En outre, comme décrit dans la référence précitée de l'art antérieur, l'affichage à émission de champ en couleur doit compenser l'équilibre de couleur de chacune des trois couleurs lumineuses (équilibre de blanc). La luminosité de chaque couleur peut être établie à une valeur appropriée, en différenciant la valeur de résistance de la couche de faible résistance formée sur une électrode en îlot, selon les points de luminophore pour les trois couleurs principales qui sont heurtées ou non par les électrons émis par une électrode en îlot. C'est-à-dire que les valeurs de résistance des couches de faible résistance respectivement formées sur les électrodes en îlot diffèrent selon la couleur limuneuse du luminophore rendue luminescent par les électrons émis par l'électrode en îlot correspondante. Dans les modes de réalisation précités, une électrode en îlot correspondant à un tronçon d'affichage. Cependant, plusieurs électrodes en îlot peuvent correspondre à un tronçon d'affichage. Dans ce cas, si une électrode en îlot est coupée du conducteur cathodique en raison d'un courant excessif, les électrodes en îlot restants, correspondant au tronçon d'affichage, peuvent émettre une quantité réduite d'électrons, si bien que le tronçon d'affichage ne sera pas complètement endommagé. Dans l'affichage en couleur, plusieurs électrodes en îlot peuvent être manipulées en correspondant à une couleur lumineuse dans un tronçon d'affichage. Dans les modes de réalisation précités, la première couche de résistance est formée entre les électrodes en îlot et le conducteur cathodique; et la deuxième couche de résistance est formée sur la première couche de résistance. Cette structure laminée peut être facilement fabriquée. Cependant la structure selon la présente invention ne doit pas être limitée seulement à la structure laminée. Chaque électrode en îlot peut être reliée au conducteur cathodique via la première couche de haute résistance et la deuxième couche de résistance reliées en série. Dans cette configuration, étant donné que la première couche de haute résistance 4 est détruite thermiquement en raison d'un courant excessif s'écoulant dans une électrode en îlot, l'électrode en îlot est séparée électriquement du conducteur cathodique. En établissant la deuxième de couche de résistance à une valeur relativement élevée, la deuxième couche de résistance peut être directement et respectivement reliée aux électrodes en îlot sans supprimer la première couche de résistance. De façon clairement évidente à partir de la description ci-dessus, l'élément à émission de champ selon la présente invention offre l'avantage qu'un défaut de ligne peut être évité même si un court-circuit doit avoir lieu entre l'électrode de grille et le conducteur cathodique. Il s'ensuit que le rendement de produit lors de l'inspection avant l'expédition peut être fortement amélioré et que le défaut de ligne peut être évité, même si un court-circuit a lieu lors de l'utilisation de l'affichage. Ainsi, la durée de vie en service de l'affichage peut être fortement prolongée. En outre, une électrode en îlot endommagée ou pouvant être endommagée peut être au préalable séparée du conducteur cathodique lors de l'étape d'inspection dans la fabrication. La présente invention offre l'avantage d'obtenir la meilleure productivité et les moindres coûts de fabrication, du fait que la première couche de résistance peut être amincie. Le matériau a-Si pour la première couche de résistance fait fortement varier sa valeur de résistance par rapport aux températures de l'environnement. Cependant, les caractéristiques de températures de toute la couche de résistance peuvent être stabilisées à l'aide d'un matériau, tel que l'ITO, qui est immun aux températures de l'environnement, à titre de matériau pour la deuxième couche de résistance. Ainsi, la performance de l'affichage peut être améliorée. Ce qui a été décrit ci-dessus est considéré à titre d'exemple seulement des principes de la présente invention. De nombreuses modifications et variantes vont facilement apparaître à l'Homme de l'art, et l'invention n'est pas limitée à la structure et aux applications exactes décrites. REVENDICATIONS 1. - Elément à émission de champ, comprenant un conducteur cathodique (2); plusieurs électrodes en îlot (3); une couche de haute résistance; plusieurs couches de faible résistance respectivement formées sur lesdites plusieurs électrodes en îlot (3); plusieurs électrodes d'émetteur formées directement sur chacune desdites différentes électrodes en îlot (3) ou formées sur chacune desdites différentes zones en îlot via ladite couche de haute résistance; chacune desdites électrodes en îlot (3) étant reliée audit conducteur cathodique (2) via ladite couche de haute résistance et une couche de faible résistance reliées en série. 2. - Elément à émission de champ selon la revendication 1, comprenant en outre un substrat cathodique; une couche isolante (6); et une électrode de grille (8); dans lequel ledit conducteur cathodique (2) et lesdites différentes électrodes en îlot (3) sont formés sur ledit substrat cathodique; dans lequel une première partie de ladite couche de haute résistance est formée sur lesdites électrodes en îlot (3), tandis qu'une deuxième partie de ladite couche de haute résistance relie en série ledit conducteur cathodique (2) et chacune desdites électrodes en îlot (3); dans lequel lesdites couches de faible résistance sont formées sur ladite deuxième partie de ladite couche de haute résistance; dans lequel ladite couche isolante (6) est formée sur ladite couche de haute résistance et lesdites couches de faible résistance; dans lequel ladite électrode de grille (8) est formée sur ladite couche isolante (6); des premières ouvertures étant formées dans ladite électrode de grille (8) et ladite couche isolante (6) recouvrant chacune desdites électrodes en îlot (3); et dans lequel lesdites différentes électrodes d'émetteur sont respectivement disposées dans lesdites premières ouvertures et sont chacune formées sur chacune desdites électrodes en îlot (3), via ladite première partie de ladite couche de haute résistance. 3. - Elément à émission de champ selon la revendication 2, dans lequel des deuxièmes ouvertures sont formées dans ladite couche isolante (6) recouvrant lesdites couches de faible résistance. 4. - Elément à émission de champ selon la revendication 1, comprenant en outre un substrat cathodique; une couche isolante (6); et une électrode de grille (8); dans lequel ledit conducteur cathodique (2) et lesdites différentes électrodes en îlot (3) sont formés sur une surface de ladite couche à résistance élevée; dans lequel ladite couche isolante (6) est formée sur ladite couche à haute résistance sur laquelle sont formées lesdites électrodes en îlot (3) et ledit conducteur cathodique (2); dans lequel ladite électrode de grille (8) est formée sur ladite couche isolante (6); des premières ouvertures étant formées dans ladite électrode de grille (8) et ladite couche isolante (6) recouvrant chacune desdites électrodes en îlot (3); dans lequel lesdites différentes électrodes d'émetteur sont respectivement disposées dans lesdites premières ouvertures et sont formées sur chacune desdites électrodes en îlot (3); dans lequel lesdites de faible résistance sont formées sur l'autre surface de ladite couche à haute résistance qui relie électriquement ledit conducteur cathodique (2) à chacune desdites électrodes en îlot (3); dans lequel ledit substrat cathodique est disposé sur l'autre surface de ladite couche à haute résistance, qui présente une surface sur laquelle sont formées lesdites couches de faible résistance.