FR 2751633 A1 19980130 FR 9609232 A 19960723 Procédé de fabrication d'oxydes inorganiques, installation pour la mise en oeuvre d'un tel procédé et oxydes inorganiques obtenus La présente invention concerne un procédé de fabrication d'oxydes inorganiques, l'installation pour la mise en oeuvre d'un tel procédé et les oxydes inorganiques obtenus. Elle concerne en particulier un procédé et une installation pour la fabrication d'oxydes inorganiques, notamment sous forme de particules de dimension comprise dans la plage [l - 100 nm], à partir d'un produit de départ formé d'un ou plusieurs composés volatils de formule générale M[OR]x où R est un groupement alkyle, M est un métal ou l'un des éléments, tels que Si, Ge, As, Sb, choisi parmi les éléments des groupes IVA ou VA période 3 à 6 du tableau de classification périodique, et x est compris entre 1 et 6. Les oxydes inorganiques, tels que les oxydes métalliques du type oxyde de titane TiO2, oxyde de zirconium, etc. trouvent à l'état de particules, de préférence cristallisées, de nombreuses applications, en particulier dans la réalisation de céramiques ou de matériaux composites. Toutefois, les procédés de fabrication pour obtenir des particules d'oxydes inorganiques ultra fines, comprises par exemple dans la plage [1 - 100 nm], de préférence [1 - 10 nm], présentent encore un certain nombre de problèmes non résolus. Ces procédés peuvent être des procédés de synthèse dits par voie solide dans lesquels les particules de produit de départ à l'état solide sont soumises à des opérations de broyage et de tamisage très intenses pour obtenir la dimension de particule requise. Toutefois, au cours de ces opérations de broyage, il est généré un grand nombre d'impuretés qui polluent les poudres obtenues. En outre, ces opérations de broyage nécessitent une dépense en énergie importante qui rend le procédé onéreux. Enfin, une application de tels procédés à l'échelle industrielle est, en raison du faible rendement et du caractère fastidieux des opérations de broyage, rendue difficile. D'autres procédés pour la formation de fines particules, en particulier d'oxyde de titane, ont été décrits dans deux publications "F. Kirkbir, H. Komiyama : Formation and growth mechanism of porous, amorphous and fine particles prepared by CVD. The Canadian Journal of Chemical Engeneering, Vol 65, P. 759-765 (1987)" et "K.Ohshima, Y. Torimoto, K. Tsuto, K. Okuyama : Experimental control of preparation of thin films and fine particles by CVD. Kona Journal N 9 p. 59-71 (1991). Dans ces deux publications, le produit de départ, constitué par un tétra-isopropoxyde de titane, Ti(OC3H7) 4, a été décomposé chimiquement selon la réaction suivante Cette réaction se produit uniquement sous l'influence de la température, à une température relativement basse comprise entre 300 et 700"C, et à pression atmosphérique ou sous vide. Dans le mécanisme proposé, la réaction commence à la paroi du réacteur là où les molécules de produit de départ sont introduites en phase vapeur à l'intérieur du réacteur, au moyen d'un gaz inerte, puis les particules primaires se forment dans la phase gazeuse par réaction chimique. Les particules primaires se heurtent entre elles et croissent pour former de fines particules de 20 nm minimum. Les auteurs de cet article ont toutefois constaté que, dans le cadre d'un tel procédé, le fait d'augmenter la concentration en produits de départ en entrée du réacteur augmentait le diamètre des particules et que, parallèlement, une faible concentration en entrée du réacteur générait la formation de films d'oxyde diminuant grandement le rendement et l'efficacité d'un tel procédé. C'est pourquoi la mise au point d'un procédé industriel permettant l'obtention de particules de petites dimensions est apparue comme difficile à ces auteurs. En outre, la réaction, en particulier la croissance des particules, cesse après qu'une certaine dimension a été atteinte en raison de la diminution de la concentration en produit de départ et de la diminution de la vitesse d'agglomération desdites particules entre elles. Ces paramètres ne permettent donc pas de mettre en oeuvre un procédé qui pourrait fonctionner en continu à l'échelle industrielle. Dans la seconde publication, le procédé et l'installation décrits sont analogues à ceux de la première publication. Les conclusions sont identiques, à savoir que les pressions partielles des produits de départ ont une influence importante sur la dimension des particules en résultant. De ce fait, il est nécessaire de travailler à des concentrations très faibles pour obtenir des particules de faible dimension. I1 en résulte donc un procédé de rendement médiocre. Dans ces deux publications, les molécules du produit de départ sont introduites en phase vapeur au moyen d'un flux de gaz porteur à l'intérieur d'une enceinte chauffée présentant un gradient de température. Les molécules de produit de départ, une fois décomposées thermiquement, forment des particules qui se déposent dans la zone froide de ladite enceinte chauffée, en particulier sur les parois de cette dernière soit sous forme d'un film, soit sous forme de particules. L'inconvénient majeur de cette installation concerne les faibles concentrations en produit de départ utilisées qui ne permettent pas une mise en oeuvre industrielle d'un tel procédé. Par contre, ces procédés permettent d'obtenir des poudres de particules avec un taux d'impuretés faible et des dimensions de particules relativement homogènes. Le but de la présente invention est donc de proposer un procédé de fabrication d'oxydes inorganiques et une installation mettant en oeuvre ce procédé qui permettent d'obtenir des poudres d'oxydes inorganiques présentant un taux d'impuretés faible, une dimension des particules homogène y compris à l'échelle nanométrique et un rendement important permettant une mise en oeuvre de ce procédé et de cette installation à l'échelle industrielle. Un autre but de la présente invention est de proposer un procédé et une installation qui permettent, à partir d'une concentration élevée de produits de départ, d'obtenir à l'échelle nanométrique des oxydes inorganiques sous forme de poudre et non de films. A cet effet, l'invention a pour objet un procédé de fabrication d'oxydes inorganiques, notamment sous forme de particules de dimension comprise dans la plage [1 - 100 nm], à partir d'au moins un produit de départ formé d'un ou plusieurs composés volatils de formule générale M[OR]X où R est un groupement alkyle, M est un métal ou l'un des éléments, tels que Si, Ge, As, Sb, choisi parmi les éléments des groupes IVA ou VA, période 3 à 6 du tableau de classification périodique, et x est compris entre 1 et 6, lesdites molécules du produit de départ étant introduites en phase vapeur à l'intérieur d'une enceinte chauffée présentant un gradient de température, caractérisé en ce qu'on introduit dans l'enceinte au moins un réactif gazeux riche en oxygène apte à réagir avec lesdites molécules de produit de départ dans une zone chaude de l'enceinte de réaction pour former des particules d'oxydes inorganiques collectées dans une zone froide de l'enceinte. Selon un mode de mise en oeuvre particulier du procédé, le réactif gazeux riche en oxygène est introduit à l'intérieur de l'enceinte de réaction sous forme d'un flux continu ou discontinu. Quant aux molécules en phase vapeur du produit de départ, elles sont introduites à l'intérieur de l'enceinte de réaction au moyen d'un flux de gaz porteur. Dans un mode de mise en oeuvre particulier du procédé, le flux de réactif gazeux riche en oxygène constitue le flux de gaz porteur véhiculant les molécules du produit de départ en phase vapeur jusque dans l'enceinte. L'invention a encore pour objet une installation pour la fabrication d'oxydes inorganiques à partir d'au moins un produit de départ formé d'un ou plusieurs composés volatils de formule générale M[OR]X, où R est un groupement alkyle, M est un métal ou l'un des éléments choisis dans le groupe IVA ou VA, période 3 à 6 du tableau de classification périodique, et x est compris entre 1 et 6, du type comprenant une enceinte chauffée équipée d'au moins une première entrée servant à l'introduction des molécules de produit de départ à l'intérieur de l'enceinte et une sortie d'évacuation des produits de la réaction, des moyens de vaporisation desdites molécules de produits de départ disposés en amont de ladite enceinte et reliés à ladite première entrée, caractérisée en ce qu'elle comporte en outre au moins une source d'un réactif gazeux riche en oxygène sous pression et des premiers moyens d'amenée dudit réactif gazeux sous la forme d'un flux continu ou discontinu, de débit de préférence prédéterminé réglable, à l'intérieur de l'enceinte de réaction. Selon une forme de réalisation préférée de l'installation selon l'invention, les premiers moyens d'amenée sont constitués d'au moins un générateur d'ozone et un dispositif régulateur de débit disposés en série en amont de ladite enceinte et reliant la source de réactif gazeux à une entrée de l'enceinte pour permettre l'introduction à l'intérieur de l'enceinte d'un flux de gaz porteur ou de réactif gazeux constitué au moins d'un mélange oxygèneozone. L'invention a enfin pour objet un oxyde inorganique à l'état individuel ou sous forme de mélange, caractérisé en ce qu'il est obtenu par le procédé décrit ci-dessus. L'invention sera bien comprise à la lecture de la description suivante d'un exemple de réalisation, en référence aux dessins annexés dans lesquels la figure 1 représente un schéma d'un premier mode de réalisation d'une installation conforme à l'invention la figure 2 représente une vue schématique partielle simplifiée d'un deuxième mode de réalisation d'une installation conforme à l'invention ; la figure 3 représente une vue schématique partielle simplifiée d'un troisième mode de réalisation d'une installation conforme à l'invention. Le produit de départ 5, à partir duquel est mise en oeuvre l'invention, est formé d'un ou plusieurs composés volatils de formule générale M[OR]x où R est un groupement alkyle de formule CnH2n+lt M est un métal ou l'un des éléments choisi dans les groupes IVA ou VA, période 3 à 6 du tableau de classification périodique, et x est compris entre 1 et 6. Par élément du groupe IVA ou VA, période 3 à 6 du tableau de classification périodique, on entend l'un des éléments suivants : le silicium Si, le germanium Ge, l'étain Sn, le plomb Pb, le phosphore P, l'arsenic As, l'antimoine Sb, le bismuth Bi. La formule générale de la réaction peut s'écrire comme suit: où x est compris entre 1 et 6, Y varie entre 1 et 3 et Z varie entre 1 et 4. R est un groupement alkyle répondant à la formule CnH2n+lr n étant compris entre 1 et l'infini. Ainsi, pour le titane Ti, x est égal à 4, pour l'aluminium Al, x est égal à 3, pour le zirconium Zr, x est égal à 4, pour le silicium Si, x est égal à 4 et pour l'yttrium Y, x est égal à 3, etc. Ainsi, appliqué au titane qui sera l'exemple de réalisation plus particulièrement décrit ci-après, la réaction peut s'écrire comme suit ou encore, lorsque l'atmosphère de l'enceinte de réaction est choisie particulièrement réactive De manière en soi connue, ces molécules de produits de départ en phase vapeur sont introduites au moyen d'un flux Q1 de gaz porteur à l'intérieur d'une enceinte 1 chauffée présentant un gradient de température. Cette enceinte 1 peut affecter un grand nombre de formes. Dans l'exemple représenté à la figure 1, cette enceinte de réaction 1 est un réacteur tubulaire à flux laminaire constitué par exemple d'un tube de silice présentant un diamètre intérieur de 70 mm et de 900 mm de longueur. Chacune des extrémités de ce tube est pourvue d'un joint annulaire maintenu en applique à l'extrémité du tube au moyen d'un flasque pour maintenir le tube étanche. Cette étanchéité est nécessaire lorsque la réaction est conduite sous vide. Toutefois, il est également possible de conduire la réaction dans une enceinte dont la sortie débouche à l'air libre. Cette enceinte de réaction 1 est équipée d'un dispositif de chauffage 8 qui peut également affecter un grand nombre de formes. Le dispositif de chauffage 8, tel que représenté aux figures 1 à 3, est un four tubulaire disposé autour de l'enceinte de réaction 1, ce four étant conçu de manière telle que le profil de température obtenu à l'intérieur de l'enceinte de réaction 1 affecte une forme parabolique, la température maximale étant constante par exemple sur une distance de 20 cm à partir du centre de l'enceinte de telle sorte qu'en entrée de l'enceinte 1 (figure 1), on délimite une zone froide ZF, puis sensiblement dans la partie médiane de l'enceinte une zone chaude ZC, et en sortie de l'enceinte une troisième zone dite zone froide ZF. Selon la disposition de l'enceinte 1 (par exemple, horizontale (figure 1) ou verticale (figures 2 et 3)), le positionnement et le nombre des zones chaudes ZC et froides ZF pourront varier. Dans tous les cas de figures, cependant, l'enceinte 1 est chauffée de manière à présenter au moins une zone chaude ZC et une zone froide ZF, lesdites zones étant disposées de manière telle que, à l'intérieur de l'enceinte, les particules 20 sont récupérées notamment par gravité dans une zone froide ZF. Cette enceinte 1 chauffée est équipée d'au moins une première entrée El servant à l'introduction des molécules de produit de départ 5 en phase vapeur à l'intérieur de l'enceinte 1 et au moins une sortie S d'évacuation des produits 20 de la réaction. L'installation comporte en outre des moyens 2 de vaporisation desdites molécules de produit de départ disposés en amont de ladite enceinte 1 et reliés à ladite première entrée El. Ces moyens de vaporisation peuvent affecter un grand nombre de formes. Ils sont bien connus de ceux versés dans cet art. Dans l'exemple de réalisation représenté à la figure 1, ces moyens de vaporisation sont constitués d'un évaporateur 3 ou vaporiseur à bulles à l'intérieur duquel sont disposés, à l'état liquide, les produits de départ 5. Si le produit de départ est par exemple Ti(OC3H7)4, ce produit est liquide à température ambiante. Cet évaporateur 3 est immergé dans un bain 4A d'eau chauffée ou disposé à l'intérieur d'une enveloppe isotherme 4B. La température de l'évaporateur 3 est ainsi maintenue à une température de l'ordre de 100"C en faisant par exemple bouillir l'eau. Cet évaporateur 3 est relié, au moyen d'une liaison 6 se présentant par exemple sous forme d'un conduit, à la première entrée El de ladite enceinte de réaction 1. Ce conduit est de préférence chauffé au moyen par exemple d'un brûleur ruban 7 disposé sur ledit conduit pour empêcher une condensation des produits de départ 5 en phase vapeur le long de cette liaison 6. La réaction à l'intérieur de l'enceinte 1 peut s'effectuer soit à pression atmosphérique, soit sous vide. La réaction à pression atmosphérique nécessite de réduire la concentration en produit de départ 5 du fait de l'influence de la pression partielle sur la vitesse de nucléation. De ce fait, le rendement diminue. En effet, la pression partielle étant le produit de la concentration molaire du produit par la pression totale régnant à l'intérieur de l'enceinte, plus la pression totale de l'enceinte 1 augmente, plus la concentration en produits de départ diminue. Or, l'intérêt de la présente invention est de pouvoir travailler, du fait du choix d'une atmosphère hautement réactive régnant à l'intérieur de l'enceinte, avec des pressions partielles élevées sans toutefois constater ni un accroissement de la dimension des particules, ni la formation d'un film de particules. En conséquence, même si la réalisation de la réaction à pression atmosphérique ne peut être écartée, la réalisation de la réaction dans une enceinte 1 placée sous vide est préférée. Pour ce faire, l'enceinte est de préférence équipée d'une pompe à vide 9 reliée à ladite enceinte 1 et par exemple d'une jauge de vide 12 capable d'indiquer la pression régnant à l'intérieur de l'enceinte 1. Pour empêcher la contamination de la pompe à vide par des gaz corrosifs, un piège cryogénique 11 et un filtre 10 peuvent être installés entre une sortie S2 de l'enceinte 1 et la pompe à vide 9. L'installation comporte en outre au moins une source 14 d'un réactif gazeux riche en oxygène sous pression disposée à l'extérieur de l'enceinte 1 et des premiers moyens d'amenée 13 ou 15 dudit réactif gazeux sous la forme d'un flux Q2 continu ou discontinu de débit de préférence prédéterminé réglable à l'intérieur de l'enceinte de réaction. Cette source 14 peut affecter par exemple la forme d'une bouteille remplie d'un gaz riche en 2 sous pression. Ce réactif gazeux peut être de l'oxygène pur ou un mélange d'oxygène avec d'autres gaz. Pour permettre la formation de particules d'oxydes inorganiques, il est nécessaire d'introduire à l'intérieur de l'enceinte 1 des molécules du produit de départ 5 en phase vapeur à l'intérieur de ladite enceinte 1 et le réactif gazeux riche en oxygène. La réaction entre ces deux éléments se produit dans une zone dite chaude de ladite enceinte et est stoppée dans une zone dite froide de ladite enceinte. Dans cette zone froide dite d'arrêt de la réaction, lesdites particules 20 pourront être récupérées à travers une sortie S de l'enceinte 1 tandis que les autres produits de la réaction, maintenus à l'état gazeux sous l'effet de la température de l'enceinte 1, sont évacués à travers une sortie S2 de ladite enceinte 1. Le réactif gazeux est introduit à l'intérieur de l'enceinte de réaction sous forme d'un flux Q2 continu ou discontinu. Les molécules en phase vapeur du produit de départ sont introduites à l'intérieur de l'enceinte de réaction au moyen d'un flux Q1 de gaz porteur. Deux modes de réalisation principaux peuvent être retenus. Dans un premier mode de réalisation, le flux Q2 de réactif gazeux riche en 2 constitue le flux Q1 de gaz porteur véhiculant les molécules de produit de départ 5 en phase vapeur jusque dans l'enceinte 1. Ce cas correspond à l'installation représentée à la figure 2. Dans ce cas, comme on peut le constater dans cette figure, les premiers moyens d'amenée 13 relient ladite source 14 de réactif gazeux riche en oxygène sous pression aux dits moyens de vaporisation 2 des molécules de produit de départ de telle sorte que le flux Q2 du réactif gazeux riche en oxygène sert comme flux Q1 de gaz porteur véhiculant lesdites molécules de produit de départ 5 en phase vapeur au moins jusqu'à l'entrée El de ladite enceinte de réaction 1. Donc, Q1 = Q2. Ainsi, lorsque lesdits premiers moyens d'amenée 13, constitués par exemple d'un dispositif régulateur de débit installé sur une conduite, permettent l'amenée d'un flux Q2 de réactif gazeux riche en oxygène dans l'évaporateur 3, ce flux Q2 se sature en molécules du produit de départ 5, en phase vapeur, et porte lesdites molécules au moins jusqu'à l'entrée El de ladite enceinte 1 par la liaison 6 décrite ci-dessus. La concentration des produits de départ en entrée de l'enceinte 1 est fonction de la température de l'évaporateur 3, du réglage du débit du flux Q2 de réactif gazeux riche en oxygène et de la pression totale régnant à l'intérieur de l'enceinte 1. Ainsi, à titre d'exemple, la pression partielle initiale des molécules de produit de départ est comprise entre 10 Pa et 1000 Pa si la pression initiale totale de l'enceinte est de l'ordre de 1,33.103 Pa. L'enceinte 1 est chauffée de manière à présenter dans la zone chaude ZC une température comprise dans la plage 300"C - 1200"C. Les expériences ont été réalisées ici dans des plages de température comprises entre 300 et 800 C. Les températures idéales sont proches de 700"C. Ce premier mode de réalisation de l'invention permet d'obtenir des poudres d'oxyde inorganique avec un rendement élevé, un taux d'impureté faible et des dimensions desdites poudres comprises dans la plage 1 nm - 100 nm. Toutefois, les auteurs ont constaté que, avec des installations conformes aux figures 1 ou 3, les résultats étaient encore améliorés. En effet, les auteurs ont découvert que la clé de la formation de particules à l'échelle nanométrique est une vitesse de nucléation élevée et le fait d'éviter de manière subséquente la croissance des particules. La vitesse de nucléation est contrôlée par la pression partielle du produit de départ, le type de réactif et la température de réaction. La vitesse de nucléation peut être augmentée en travaillant à des températures élevées et à des pressions partielles élevées des réactifs. Le type de réactif utilisé en particulier un réactif gazeux riche en oxygène permet d'accélérer la réaction tout en empêchant les inconvénients constatés dans l'état de la technique car il est alors possible d'abaisser la température de réaction de manière à empêcher des problèmes de frittage et d'obtenir des particules de dimensions jamais obtenues jusqu'à maintenant par un procédé industriel rapide et peu onéreux. Il a également été découvert qu'un temps de résidence court des produits de départ dans la zone de réaction chaude ZC est requis pour éviter la croissance des particules. Ce temps de résidence peut être réduit grâce à une zone de réaction géométriquement courte et des débits de flux gazeux élevés. Les débits des flux gazeux peuvent être ajustés par l'alimentation externe et par la pression totale régnant à l'intérieur de l'enceinte. Dans le mode de réalisation représenté à la figure 1, les possibilités de réglage de ce débit des flux gazeux sont relativement limitées car le flux Q1 de gaz porteur et le flux Q2 de réactif gazeux constituent un seul et même flux. Tel n'est pas le cas dans les modes de réalisation représentés aux figures 1 et 3. Dans ce cas, le réactif gazeux est introduit à l'intérieur de l'enceinte de réaction sous forme d'un flux Q2 continu ou discontinu distinct du flux Q1 de gaz porteur et de préférence à un débit prédéterminé réglable. Dans ce mode de réalisation, les premiers moyens d'amenée 15 relient la source 14 de réactif gazeux riche en oxygène à une seconde entrée E2 de l'enceinte 1 à travers laquelle le réactif gazeux est introduit dans l'enceinte de réaction sous forme d'un flux Q2 continu ou discontinu de débit prédéterminé réglable de manière à réagir à l'intérieur de l'enceinte avec lesdites molécules des produits de départ 5 en phase vapeur introduites dans ladite enceinte 1 à travers ladite première entrée El. L'installation comporte donc dans ce cas des seconds moyens d'amenée 19 reliant la source 14 de réactif gazeux riche en oxygène (figure 1) ou une autre source 21 (figure 3) de gaz sous pression, tel qu'un gaz inerte, aux moyens de vaporisation 2 des produits de départ de telle sorte que le flux Q1 gazeux passant à travers lesdits moyens de vaporisation 2 sert comme gaz porteur véhiculant lesdites molécules du produit de départ au moins jusqu'à la première entrée El de ladite enceinte 1. Ces moyens d'amenée 19 sont par exemple constitués d'un dispositif régulateur de débit 21 et d'un organe de fermeture 22 installés sur une conduite reliant la source 14 aux moyens de vaporisation 2. Grâce au flux porteur, les molécules de produit de départ sont amenées dans la zone de réaction dite zone chaude de ladite enceinte pendant une durée correspondant au temps nécessaire à la réaction desdites molécules avec le réactif gazeux riche en oxygène également introduit dans ladite enceinte et formant avec lesdites molécules des particules d'oxyde inorganique, puis les particules ainsi formées sont entraînées dans une zone froide dite d'arrêt de réaction. Le temps de résidence dans les particules ainsi formées sont entraînées dans une zone froide dite d'arrêt de réaction. Le temps de résidence dans la zone chaude est fonction d'un grand nombre de paramètres : gradient de température à l'intérieur de l'enceinte, pression partielle, pression totale, disposition de la zone chaude par rapport à la zone froide, gradient de pression, force de gravité, éventuellement force magnétique, débit des flux gazeux entrant à l'intérieur de l'enceinte, etc. Il est difficile de préciser l'ensemble des effets du jeu des forces en présence à l'intérieur de l'enceinte. On peut utiliser la force de gravité comme c'est le cas en particulier dans les exemples représentés aux figures 2 et 3. Enfin, la force thermophorétique provoquée par un gradient de température à l'intérieur de l'enceinte entraîne les particules formées vers la paroi froide de l'enceinte où elles se déposent. La vitesse thermophorétique est proportionnelle au gradient de température et répond à la formule vt = K (n/T)V(T), où K est une constante pour une dimension de particule donnée, n la viscosité du gaz et T la température. En contrôlant l'ensemble des forces en présence à l'intérieur de l'enceinte, on obtient un temps de résidence très court des particules dans la zone chaude. C'est ce qui permet de mettre en oeuvre ce procédé à l'échelle industrielle car la réaction, outre son excellent rendement, est très rapide à mettre en oeuvre. Il a également été constaté que, en rendant l'atmosphère à l'intérieur de l'enceinte encore plus réactive, on améliore la formation de particules de dimension nanométrique. On sait que l'ozone est un gaz hautement réactif. C'est pourquoi, pour obtenir des particules de dimension à l'échelle nanométrique, on choisit de préférence un flux Q2 de réactif gazeux et/ou un flux Q1 de gaz porteur contenant de l'ozone. Ainsi, dans les modes de réalisation représentés aux figures 1 et 3, les premiers moyens d'amenée 15 sont constitués d'au moins un générateur d'ozone 16 et un dispositif régulateur de débit 17 disposés en série et en amont de ladite enceinte 1 et reliant la source 14 de réactif gazeux, telle qu'une source d'oxygène pur sous pression, à ladite seconde entrée E2 dans l'enceinte 1 pour permettre l'introduction à l'intérieur de l'enceinte d'un flux Q2 de réactif gazeux constitué au moins d'un mélange oxygène-ozone. Un dispositif de fermeture 18 tel qu'une vanne permet d'interrompre ce flux Q2. La teneur en ozone dans l'enceinte de réaction est de préférence comprise dans la plage de concentration molaire 0 % - 1,4 %. En effet, on a constaté que, pour une teneur supérieure en ozone, on n'obtenait pas d'effets supplémentaires au niveau de la dimension des particules obtenues. Par contre, le fait d'introduire un mélange oxygène-ozone dans l'enceinte de réaction permet de diminuer la dimension des particules et la dimension des cristallites d'un facteur de 2 et d'augmenter de manière correspondante la surface spécifique desdites particules. Ainsi, dans l'exemple de la figure 1 la pression initiale de tétra-isopropoxyde de titane qui constitue le produit de départ est de 25 Pa, sa concentration molaire de 1,9 %, la température de l'évaporateur 3 est fixée à 100"C, la pression totale de l'enceinte 1 étant de 1,3 x 103 Pa, le débit de gaz total constitué des flux Q1 et Q2 correspondant respectivement aux flux de gaz porteur et de réactif gazeux étant de 433 ml/mn. La dimension des cristallites ainsi obtenue dans une atmosphère oxygèneozone avec une teneur en ozone de l'ordre de 1,4% molaire, était comprise pour une température dans la plage de 600 à 800"C entre 10 et 20 nm. La mise en oeuvre d'une telle installation a permis de collecter à peu près 90 % de toutes les particules à l'extrémité de l'enceinte de réaction dans la zone froide où le gradient de température le plus grand se produit. Pour la récupération des particules d'oxydes inorganiques formées à partir des molécules de produit de départ, la sortie S de l'enceinte 1 est équipée de moyens d'évacuation des particules, tels qu'un sas. Une petite quantité de particules, environ 10 %, a été trouvée dans le piège cryogénique 11 et le système de filtre 10 disposés entre la sortie S2 de l'enceinte 1 et la pompe à vide 9. Du fait que la réaction est conduite dans une atmosphère hautement réactive contenant un réactif gazeux riche en oxygène, le procédé et l'installation, objet de l'invention, permettent, dans des conditions de rendement très performantes, l'obtention d'oxydes inorganiques à l'état individuel ou sous forme de mélange dont le taux d'impuretés est très faible et dont les dimensions des particules sont à l'échelle nanométrique. REVENDICATIONS 1. Procédé de fabrication d'oxydes inorganiques, notamment sous forme de particules de dimension comprise dans la plage [1 - 100 nm], à partir d'au moins un produit de départ formé d'un ou plusieurs composés volatils de formule générale M[OR]X où R est un groupement alkyle, M est un métal ou l'un des éléments, tels que Si, Ge, As, Sb, choisi parmi les éléments des groupes IVA ou VA période 3 à 6 du tableau de classification périodique, et x est compris entre 1 et 6, lesdites molécules du produit de départ étant introduites en phase vapeur à l'intérieur d'une enceinte (1) chauffée présentant un gradient de température, caractérisé en ce qu'on introduit dans l'enceinte (1) au moins un réactif gazeux riche en oxygène apte à réagir avec lesdites molécules de produit de départ dans une zone chaude (ZC) de l'enceinte de réaction (1) pour former des particules (20) d'oxydes inorganiques collectées dans une zone froide (ZF) de l'enceinte (1). 2. Procédé selon la revendication 1, caractérisé en ce que le réactif gazeux riche en oxygène est introduit à l'intérieur de l'enceinte de réaction (1) sous forme d'un flux (Q2) continu ou discontinu. 3. Procédé selon l'une des revendications 1 et 2, caractérisé en ce que les molécules des produits de départ en phase vapeur sont introduites à l'intérieur de l'enceinte de réaction au moyen d'un flux (Q1) de gaz porteur. 4. Procédé selon l'une des revendications 1 à 3, caractérisé en ce que le flux (Q2) de réactif gazeux riche en oxygène constitue le flux (Q1) de gaz porteur véhiculant les molécules des produits de départ en phase vapeur jusque dans l'enceinte (1). 5. Procédé selon l'une des revendications 1 à 4, caractérisé en ce que le flux (Q2) de réactif gazeux et/ou le flux (Q1) de gaz porteur contiennent de l'ozone. 6. Procédé selon l'une des revendications 1 à 5, caractérisé en ce que la teneur en ozone dans l'enceinte de réaction (1) est de préférence comprise dans la plage de concentration molaire [0 % - 1,4 %]. 7. Procédé selon l'une des revendications 1 à 6, caractérisé en ce que l'enceinte de réaction (1) est mise sous vide. 8. Procédé selon l'une des revendications 1 à 7, caractérisé en ce que l'enceinte de réaction (1) est chauffée de manière à présenter dans la zone chaude (ZC) une température comprise dans la plage [300 C - 1200 C]. 9. Procédé selon l'une des revendications 1 à 8, caractérisé en ce que la pression partielle initiale des molécules de produits de départ est comprise entre [10 Pa 1000 Pa], si la pression initiale totale de l'enceinte (1) 3 est de l'ordre de 1,33.103 Pa. 10. Installation pour la fabrication d'oxydes inorganiques à partir d'au moins un produit de départ formé d'un ou plusieurs composés volatils de formule générale M[OR]X où R est un groupement alkyle, M est un métal ou l'un des éléments choisis dans le groupe IVA ou VA période 3 à 6 du tableau de classification périodique et x est compris entre 1 et 6, du type comprenant une enceinte (1) chauffée équipée d'au moins une première entrée (El) servant à l'introduction des molécules de produit de départ en phase vapeur à l'intérieur de l'enceinte (1) et au moins une sortie (S) d'évacuation des produits de la réaction, des moyens de vaporisation (2) desdits produits de départ disposés en amont de ladite enceinte (1) et reliés à ladite première entrée (El), caractérisée en ce qu'elle comporte en outre au moins une source (14) d'un réactif gazeux riche en oxygène sous pression et des premiers moyens (13 ou 15) d'amenée dudit réactif gazeux sous la forme d'un flux (Q2) continu ou discontinu, de débit de préférence prédéterminé réglable, à l'intérieur de l'enceinte de réaction (1). 11. Installation selon la revendication 10, caractérisée en ce que les premiers moyens d'amenée (13) relient ladite source (14) d'un réactif gazeux riche en oxygène aux dits moyens de vaporisation (2) du produit de départ (5) de telle sorte que le flux (Q2) de réactif gazeux riche en oxygène sert comme flux (Q1) de gaz porteur véhiculant lesdites molécules de produit de départ en phase vapeur au moins jusqu'à l'entrée (El) de ladite enceinte (1) 12. Installation selon la revendication 10, caractérisée en ce que les premiers moyens d'amenée (15) relient la source (14) de réactif gazeux riche en oxygène à une seconde entrée (E2) de l'enceinte (1) à travers laquelle le réactif gazeux est introduit dans l'enceinte de réaction (1) sous forme d'un flux (Q2) continu ou discontinu de débit de préférence prédéterminé réglable de manière à réagir à l'intérieur de l'enceinte (1) avec lesdites molécules des produits de départ en phase vapeur introduites dans ladite enceinte (1) à travers ladite première entrée (El). 13. Installation selon l'une des revendications 10 ou 12, caractérisée en ce que les premiers moyens d'amenée (13 ou 15) sont constitués d'au moins un générateur d'ozone (16) et un dispositif régulateur de débit (17) disposés en série en amont de ladite enceinte (1) et reliant la source (14) de réactif gazeux à une entrée (El ou E2) de l'enceinte (1) pour permettre l'introduction à l'intérieur de l'enceinte (1) d'un flux de gaz porteur (Q1) ou de réactif gazeux (Q2) constitué au moins d'un mélange oxygène-ozone. 14. Installation selon la revendication 10, caractérisée en ce qu'elle comporte des seconds moyens d'amenée (19) reliant la source (14) de réactif gazeux riche en oxygène ou une autre source (21) de gaz sous pression aux moyens de vaporisation (2) des produits de départ de telle sorte que le flux gazeux (Q1), passant à travers lesdits moyens de vaporisation (2), sert comme gaz porteur véhiculant lesdites molécules du produit de départ au moins jusqu'à la première entrée (El) de ladite enceinte (1). 15. Installation selon la revendication 10, caractérisée en ce qu'elle comporte des moyens de mise sous vide de l'enceinte (1) tels qu'une pompe à vide (9) reliée à ladite enceinte (1). 16. Installation selon l'une des revendications 10 à 15, caractérisé en ce que l'enceinte (1) est chauffée de manière à présenter au moins une zone chaude (ZC) et une zone froide (ZF), lesdites zones (ZC, ZF) étant disposées de manière telle que, à l'intérieur de l'enceinte (1), les particules (20) formées sont récupérées notamment par gravité dans la zone froide (ZF). 17. Installation selon l'une des revendications 10 à 16, caractérisé en ce que la sortie (S) de l'enceinte est équipée de moyens d'évacuation des particules formées à partir des molécules de produit de départ. 18. Oxyde inorganique à l'état individuel ou sous forme de mélange, caractérisé en ce qu'il est obtenu par le procédé selon l'une des revendications 1 à 9.