FR 2743554 A1 19970718 FR 9600361 A 19960115 L'invention concerne un procédé pour la production en continu de disilane (Si2H6) à partir de monosilane (six4) par décharge électrique et piégeage cryogénique, ainsi qu'une installation pour la mise en oeuvre de ce procédé. Les pressions indiquées ci-dessous sont des pressions absolues. Le disilane est avantageusement utilisé dans l'industrie microélectronique pour la préparation de dépôts de silicium amorphe semiconducteurs: il permet notamment une économie d'énergie, les températures de dépit étant réduites par rapport aux températures traditionnellement mises en oeuvre dans les procédés classiques. II conduit également à une rentabilité élevée, en rendant possible un accroissement de la vitesse de dépôt. Ces avantages, aussi considérables qu'ils soient, n'ont pas suffi au développement du disilane dans l'industrie microélectronique en raison du prix excessivement élevé de ce produit et des impuretés généralement associées au disilane disponible sur le marché. Les procédés classiques de production de disilane mettent en jeu la réaction de siliciures métalliques sur des acides minéraux ou celle de l'hexachlorosilane sur l'hydrure d'aluminium et de lithium. L'inconvénient de ces procédés réside dans le fait que le disilane obtenu contient des impuretés gênantes provenant des réactifs métalliques utilisés. En vue de limiter ces impuretés, un procédé de production de disilane à partir de monosilane ayant recours à une décharge électrique luminescente a été décrit dans US-A-4 568 437. Ce procédé, qui conduit à un rendement médiocre, est en outre difficilement extrapolable à l'échelle industrielle puisqu'il nécessite d'opérer à très basse pression. Récemment, un procédé discontinu de production de disilane à partir de monosilane a été proposé de façon à pallier ces différents inconvénients. Selon ce procédé, du monosilane gazeux mélangé à un gaz inerte est soumis à une décharge électrique engendrée par un courant radiofréquence, le disilane généré par la décharge étant séparé du mélange réactif gazeux au fur et à mesure de sa formation par piégeage cryogénique. L'avantage de ce procédé est double puisqu'il limite la production d'impuretés tout en évitant la mise sous vide du milieu réactionnel. Néanmoins, ce procédé ne répond pas aux besoins industriels dans la mesure où il n'assure pas une production continue de disilane. La présente invention vise donc à remédier à cet inconvénient en fournissant un procédé, économiquement avantageux, de production en continu de disilane, conduisant à un rendement élevé en disilane, exempt d'impuretés métalliques. Le procédé de l'invention utilise la mise en oeuvre d'une phase de production comprenant les étapes consistant à soumettre un mélange gazeux à base de monosilane à une décharge électrique engendrée par un courant radiofréquence, et de condensation du disilane obtenu, au fur et à mesure de sa formation, par piégeage cryogénique. De façon à assurer une production continue du disilane, I'invention propose la mise en oeuvre de ladite phase de production dans un nombre déterminé de réacteurs communiquant avec une seule et même enceinte de stockage. Selon l'invention, le disilane produit dans chacun desdits réacteurs est évacué, après la phase de production, vers ladite enceinte de stockage, laquelle, bien qu'alimentée de façon discontinue par chacun desdits réacteurs, permet un prélèvement en continu du disilane qu'elle contient. Le nombre de réacteurs utilisés selon l'invention est limité: de fait, le disilane est produit de façon cyclique dans lesdits réacteurs. Aussi, suivant le débit de disilane souhaité en fin de ligne de production, on détermine facilement le nombre de réacteurs nécessaires. Ainsi, la présente invention concerne un procédé pour la production en continu de disilane par mise en oeuvre d'une phase de production comprenant les étapes de conversion du monosilane contenu dans un mélange gazeux en disilane gazeux par action d'une décharge électrique engendrée par un courant radiofréquence, et de condensation du disilane obtenu au fur et à mesure de sa formation, par piégeage cryogénique, comprenant la mise en oeuvre de ladite phase de production de façon cyclique dans un nombre déterminé de réacteurs, chacun desdits réacteurs étant nettoyé entre deux phases de production successives, notamment par gravure par plasma, le disilane piégé par voie cryogénique au cours de chaque phase de production étant évacué, après chaque phase de production et avant nettoyage du réacteur, vers une enceinte de stockage commune, le nombre de réacteurs étant défini de façon à permettre le prélèvement en continu du disilane recueilli dans l'enceinte de stockage sans tarissement ni engorgement. II va sans dire en effet qu'un nombre de réacteurs trop important n'est pas souhaitable, du point de vue de l'investissement. Ainsi, le procédé de production de disilane prévoit l'utilisation du nombre de réacteurs suffisant et nécessaire pour permettre le prélèvement en continu du disilane sans tarissement, ni engorgement de l'enceinte de stockage. Ce nombre est naturellement fonction du débit nécessaire en sortie de ligne de production. La phase de production mise en oeuvre selon l'invention est basée sur l'utilisation conjointe d'une décharge électrique formatrice de plasma et d'un piège cryogénique situé dans la zone réactionnelle même. La décharge électrique, qui est du type dit silencieux ou en effet de couronne, agit sur les molécules de monosilane pour créer des ions, des radicaux et des molécules excitées, et ces espèces réagissent entre elles pour former d'abord du disilane, lequel peut ensuite être converti en trisilane, puis en polysilanes et enfin en particules de silicium amorphe hydrogéné. Selon l'invention, on prévoit un piège cryogénique situé dans la zone réactionnelle même pour piéger le disilane au fur et à mesure de sa formation et avant qu'il ne soit lui-même converti à un degré notable en espèces supérieures. Une optimisation des conditions opératoires mises en jeu dans chaque phase de production conduit à une optimisation du rendement global. Selon un mode de réalisation préféré, la pression du mélange gazeux à base de monosilane varie entre 0,1 et 3 bars, de préférence entre 1 et 1,3 bar. En dessous de 0,1 bar et au-dessus de 3 bars, I'appareillage nécessaire devient trop onéreux. Egalement, au-dessus de 3 bars, la proportion de monosilane dans le mélange gazeux est limitée à de basses teneurs sous peine que la tension requise pour l'amorçage de la décharge devienne trop élevée, ce qui nécessiterait une isolation électrique plus poussée. Avantageusement, le mélange gazeux contenant le monosilane comprend en outre un ou plusieurs gaz inertes choisis parmi l'hélium et l'argon. De manière préférée, on alimentera chacun des réacteurs en début de cycle avec un mélange gazeux de monosilane et d'hélium. La composition exacte du mélange gazeux dépend largement de la pression opératoire. En effet, on a constaté que la pression partielle de monosilane de départ doit se situer de préférence entre 0,01 et 0,1 bar, de préférence entre 0,04 et 0,08 bar, une pression partielle de moins de 0,1 bar donnant une faible productivité en disilane désiré et, du fait que la tension d'amorçage de la décharge électrique est une fonction croissante de la pression partielle de silane dans la zone réactionnelle, une pression partielle de monosilane de plus de 0,1 bar nécessitant une tension d'amorçage élevée de la décharge électrique. Or, comme on l'a vu, ceci n'est pas souhaitable dans la mesure où cela nécessiterait la mise en place de conditions extrêmes d'isolation électrique. Si donc, on opère à une pression voisine de la pression minimale possible (0,1 bar), le mélange gazeux peut être constitué d'une proportion fortement majoritaire de monosilane. Dans le cas préféré où on opère à la pression atmosphérique ou à une pression légèrement supérieure, le mélange gazeux contient avantageusement 1 à 10 %, de préférence 4 à 8 %, en volume de SiH4 et 90 à 99 %, de préférence 92 à 96 %, en volume dudit gaz inerte. II est à noter que le mélange gazeux peut inclure, outre le monosilane et le gaz inerte, une petite quantité (moins de 10 % en volume par exemple) d'hydrogène, sans que cela soit préjudiciable au procédé. La fréquence du courant électrique semble influer le rendement en disilane, bien que les raisons n'en soient pas élucidées. On a constaté par exemple qu'avec l'installation dont on disposait et qui est décrite ci-dessous, une fréquence de 3 kHz améliorait fortement le rendement en disilane par rapport à une fréquence de 50 kHz. Une fréquence de 1 à 10 kHz, en particulier de 2 à 5 kHz, paraît donc recommandable en l'état actuel des connaissances. Le temps de séjour du mélange gazeux dans la zone réactionnelle est avantageusement bref, par exemple inférieur à 10 secondes, de préférence inférieur à 4 secondes et mieux encore inférieur à 2 secondes. Habituellement on fixera le temps de séjour entre 1 et 2 secondes. Par contre, on notera que la durée de la phase de production sera généralement comprise entre 1 h et 10 h, de préférence entre 3 et 6 h. Les conditions opératoires permettant le piégeage cryogénique doivent permettre la condensation sélective du disilane généré par la décharge, sans provoquer la condensation du monosilane gazeux. Une façon relativement simple et économique d'opérer consiste à porter l'une des parois délimitant la zone réactionnelle à une température comprise entre -120 et -145' C, de préférence entre -135 et -145- C. Par exemple, lorsque le mélange gazeux de départ contient 5 % en volume de monosilane, la température sera avantageusement comprise entre -138 et142 C. II va de soi que les conditions sus-indiquées ne sont qu'indicatives et nullement limitatives. Des rendements en disilane (nombre de moles de disilane formé par rapport au nombre de moles maximum théorique) supérieurs à 50 % et pouvant atteindre des valeurs aussi élevées que 90 % et davantage peuvent être ainsi obtenus. La mise en oeuvre répétée de ladite phase de production dans un même réacteur est cependant génératrice d'un dépôt solide de silicium amorphe hydrogéné qui s'accumule dans la zone réactionnelle, qu'il finit par boucher tout en limitant considérablement l'obtention de disilane. Aussi est-il nécessaire de prévoir en fin de phase de production une étape de nettoyage du réacteur. Selon un mode de réalisation préféré, le nettoyage est réalisé par gravure par plasma. En vue d'éliminer le dépôt formé de silicium amorphe hydrogéné, on peut utiliser indifféremment comme gaz de gravure de l'hydrogène, du trifluorure d'azote ou tout autre gaz connu dans la technique. Toutefois, de façon à éviter l'introduction d'impuretés, telles que des impuretés fluorées, dans la ligne de production et afin d'assurer une longévité optimale des installations, on optera avantageusement pour l'hydrogène. L'étape de nettoyage par gravure par plasma comprend donc l'introduction du gaz de gravure, par exemple l'hydrogène, dans le réacteur puis l'application d'une décharge électrique engendrée par un courant radiofréquence. Selon une variante préférée, la gravure par plasma d'hydrogène est réalisée à une température proche de la température ambiante, comprise entre 15 et 30 C, et sous une pression proche de la pression atmosphérique, comprise entre 0,3 et 1,8 bars, de préférence entre 0,8 et 1,2 bar. II est clair que suite à cette opération de nettoyage, I'élimination des résidus particulaires encore présents dans le réacteur peut être parachevée par des mises sous vide et purges successives. De préférence, le gaz de purge utilisé ici est l'hélium. De même, afin d'optimiser le nettoyage du réacteur, il peut être avantageux, à l'issue de la phase de production, de procéder à une purge préalable de la chambre réactionnelle, avant mise en oeuvre du nettoyage proprement dit. Celle-ci est réalisée simplement par mise sous vide puis balayage à l'aide d'un gaz de purge tel que l'hélium. Selon une variante préférée du procédé de l'invention, une enceinte de transfert commune est disposée en amont de l'enceinte de stockage, le disilane récupéré en fin de phase de production étant intermédiairement évacué dans ladite enceinte de transfert. Selon cette variante, le réacteur en phase de production de disilane est réchauffé en fin de phase de production à une température légèrement supérieure à la température de piégeage cryogénique de façon à augmenter la pression au sein de la chambre réactionnelle: de préférence, on montera la température de 5 à 30 C, mieux encore de 5 à 20 C. Pendant le même temps, L'enceinte de transfert directement reliée audit réacteur est portée à une température comprise entre -170 et -196 C, soit à une température bien inférieure à la température du réacteur. La différence de pression résultante entre le réacteur et l'enceinte de transfert permet le soutirage du disilane piégé au niveau du réacteur dans l'enceinte de transfert. Cette opération terminée, on procède par une démarche analogue pour l'évacuation du disilane de l'enceinte de transfert vers l'enceinte de stockage. Par exemple, L'enceinte de transfert est isolée puis réchauffée à une température comprise entre 10 et 300 C, pour en augmenter la pression. Dans le même temps l'enceinte de stockage est portée à une température inférieure, par exemple entre -20 et 10 C de préférence entre -10 et 10 C. Sous l'effet de la différence de pression, le disilane contenu dans l'enceinte de transfert passe dans l'enceinte de stockage. On notera que pendant toute la durée du transfert, L'enceinte de transfert est isolée du réacteur. L'utilisation d'une enceinte de transfert intermédiaire est particulièrement avantageuse dans la mesure où elle permet la récupération du disilane en sortie de chacun desdits réacteurs, à la fin de chaque phase de production, tout en permettant le prélèvement continu de disilane à partir de l'enceinte de stockage. De fait, afin d'optimiser l'évacuation du disilane produit dans chaque réacteur, la température de l'enceinte de transfert est maintenue volontairement très basse pendant toute la durée du transfert. Or, une telle température n'est pas compatible avec un prélèvement en continu de disilane, d'où l'intérêt d'amener le disilane de l'enceinte de transfert vers une enceinte de stockage dont la température pourra facilement être régulée et maintenue constante en vue d'un soutirage en continu du disilane qu'elle contient. Selon un mode de réalisation préféré, les effluents gazeux sont récupérés en sortie de chacun desdits réacteurs en cours de phase de production en vue du recyclage des différents composants gazeux les constituant. Un tel recyclage est particulièrement indiqué lorsque le mélange de départ contenant le monosilane est constitué d'hélium et de monosilane gazeux. Dans ce cas en effet, L'effluent gazeux consiste en un mélange ternaire constitué de monosilane gazeux n'ayant pas réagi, de L'hélium gazeux non consommé au cours de la synthèse et de l'hydrogène produit lors de la synthèse du disilane à partir du monosilane gazeux. En raison des coûts respectifs de l'hélium et du monosilane, le recyclage de ces gaz présente un grand intérêt. Aussi, une variante du procédé de l'invention prévoit la mise en oeuvre en continu des étapes suivantes pour la séparation de l'hélium et du monosilane contenus dans les effluents gazeux (a) L'effluent gazeux est dirigé dans un module membranaire de perméation dont le refus de perméation est constitué d'un gaz chargé essentiellement en monosilane, le perméat étant essentiellement constitué du mélange d'hélium et d'hydrogène; (b) le perméat issu de l'étape précédente est traité en présence d'un catalyseur, tel qu'un catalyseur à base d'oxyde de cuivre finement divisé et stabilisé sur un support, dans une unité d'oxydation, de façon à convertir l'hydrogène contenu dans ledit perméat en H2O; puis (c) le mélange gazeux issu de l'étape précédente est mis en contact avec un tamis moléculaire approprié, par exemple une zéolithe 3A, dans une unité de déshydratation, de façon à piéger l'eau formée et récupérer ainsi un flux gazeux d'hélium. Dans l'étape (a), le module membranaire est constitué d'un ensemble d'une ou plusieurs membranes semi-perméables montées en série ou en parallèle, présentant de bonnes propriétés de séparation du SiH4 contenu dans un mélange He + SiH4 + H2. De telles membranes sont généralement à base de polyimides éventuellement aromatiques. De façon avantageuse, le module membranaire est du type membrane à fibres creuses dont la couche active est un polyimide aromatique. Un tel module est décrit dans la demande FR 93 11 083. On utilisera par exemple les membranes polymère prévues pour la séparation de mélanges gazeux d'hydrogène et de mélanges d'hydrocarbures destinées à la fois à la récupération de l'hydrogène et au recyclage des mélanges d'hydrocarbures, qui sont fabriquées par la Société MEDAL. II doit être entendu que selon l'invention, le gaz récupéré en sortie du module membranaire et constituant le refus de perméation est du monosilane pratiquement pur, le perméat étant constitué du mélange d'hydrogène et d'hélium. Selon un aspect de l'invention, le milieu gazeux à traiter sur le module membranaire arrive sur ce module membranaire à une pression préférablement comprise entre 1.105 et 2.1 Os Pa, mieux encore entre 3.105 et 1.106 Pa. On peut noter qu'il est possible d'abaisser la pression partielle du mélange hélium/hydrogène que l'on souhaite séparer du monosilane, du côté perméat de la membrane, en effectuant un balayage côté perméat de la membrane, à l'aide d'un gaz auxiliaire autre que celui que l'on souhaite séparer, et présentant par ailleurs une faible perméation du perméat vers l'intérieur de la membrane, de façon à éviter que ce gaz auxiliaire n'aille polluer l'intérieur de la membrane et n'affecte de ce fait le résultat obtenu en sortie du perméateur. Dans l'étape b), on réalise l'oxydation de l'hydrogène contenu dans le perméat issu du module membranaire, en H2O : de fait, étant donné le faible coût de l'hydrogène utilisé dans le procédé de l'invention, celui-ci n'est pas récupéré. Pour ce faire, de nombreux catalyseurs sont connus dans la technique. On utilisera avantageusement le catalyseur R3-1 1 commercialisé par la Société BASF, lequel est composé d'environ 30 % de cuivre finement divisé et stabilisé sur un support. De manière préférée, I'oxygène fixé sur le catalyseur sous forme d'oxyde de cuivre, à raison d'environ 40 à 60 1 d'oxygène par kg de catalyseur, est utilisé pour la conversion de H2 en H2O. Cette réaction d'oxydation peut être effectuée à une température comprise entre 140 et 250 C. Dans l'étape c) on utilise de préférence des zéolithes en tant que tamis moléculaire. Le choix de la zéolithe appropriée est fait en tenant compte de sa capacité de rétention d'eau, de sa facilité de régénération et des conditions opératoires devant être mises en oeuvre. En guise de tamis moléculaire on pourra par exemple utiliser les zéolithes 3A, 4A, 5A et 13X commercialisées par les Sociétés GRACE, UETIKON ou BAYER, la zéolithe 3A étant particulièrement préférée. Pour cette zéolithe le diamètre nominal des pores est de 3 À et la chaleur d'adsorption est au maximum de 1000 kcal par kg d'eau adsorbé. Les tamis moléculaires de type 3A peuvent être régénérés par chauffage à 2400 C, la mise en place d'un flux inverse de gaz de purge étant particulièrement indiqué de façon à augmenter l'efficacité de la régénération. Ainsi le monosilane gazeux et l'hélium respectivement recueillis à l'issue des étapes a) et c) ci-dessus peuvent-ils être réinjectés dans la ligne de production, vers l'alimentation en mélange gazeux à base de monosilane de chacun des réacteurs en phase de production. Suivant les conditions opératoires mises en oeuvre lors du piégeage cryogénique du disilane produit pendant toute la durée de la phase de production, il n'est pas exclu que des traces de trisilane soient également condensées et finalement récupérées au côté du disilane attendu. Ainsi, une purification du disilane accumulé dans l'enceinte de stockage peut-elle être envisagée dans les cas où l'obtention de disilane pur est souhaitée. Le mode de purification recommandé est la distillation du disilane. De façon plus précise, le disilane brut prélevé de l'enceinte de stockage en vue de sa distribution en continu est injecté dans une colonne de distillation située en aval de l'enceinte de stockage. Le disilane brut peut être indifféremment à l'état liquide ou gazeux lors de son prélèvement de l'enceinte de stockage. A une pression d'environ 0,8 à 1,5 bar et une température de 0 C, le disilane est liquide. La distillation est mise en oeuvre de façon classique : le disilane brut est injecté à une température d'entrée comprise entre -10 et -20" C à un niveau intermédiaire entre la cuve de la colonne et la tête de colonne, le bouilleur de ladite colonne étant situé en cuve et maintenu à une température supérieure à la température d'entrée et comprise entre -10- C et 0 C, le condenseur de ladite colonne étant situé en tête de colonne et maintenu à une température inférieure à la température d'entrée et comprise entre -20 et 300 C, le disilane purifié étant récupéré en tête de colonne. Suivant la pression et la température régnant en tête de colonne, le disilane purifié est récupéré à l'état liquide ou gazeux. A titre d'exemple on fixera la température d'entrée du disilane brut à -149 C, la température du bouilleur à 0 C et la température du condenseur à -20- C. L'invention concerne également une installation pour la production en continu de disilane à partir d'un mélange gazeux à base de monosilane, caractérisée en ce qu'elle comprend i) un nombre n de réacteurs délimitant n chambres réactionnelles, respectivement munis de moyens propres à générer au travers desdites chambres réactionnelles une décharge électrique engendrée par un courant radiofréquence, de moyens de refroidissement et de chauffage, d'un conduit d'alimentation en continu en mélange gazeux contenant le monosilane, d'un conduit d'évacuation en continu des effluents gazeux, ou torchère, et d'un conduit d'évacuation en discontinu du disilane; ii) une enceinte commune de stockage pour l'accumulation du disilane produit, équipée de moyens de refroidissement et de chauffage, et iii) des conduites de liaison reliant sélectivement chacun desdits réacteurs à ladite enceinte de stockage, le nombre n de réacteurs étant défini de façon à permettre le prélèvement en continu du disilane accumulé dans ladite enceinte de stockage, sans tarissement ni engorgement de ladite enceinte. Selon un mode de réalisation préféré, les moyens propres à générer une décharge électrique au travers de chaque chambre réactionnelle sont une paire d'électrodes cylindriques coaxiales et une source de courant électrique radio fréquence. L'électrode intérieure est constituée d'un bloc cylindrique plein en graphite revêtu d'un élément diélectrique, et l'électrode extérieure forme un cylindre creux constitué d'un métal conducteur pouvant être refroidi par un serpentin parcouru par un liquide réfrigérant, I'espace délimité par lesdites électrodes formant la chambre réactionnelle du réacteur. De préférence, I'élément diélectrique est constitué de nitrure de bore. Selon un mode particulier de réalisation, c'est la paroi métallique externe de l'électrode extérieure qui est refroidie de façon à permettre la condensation progressive du disilane produit. En vue d'optimiser le procédé, une régulation précise de la température de ladite paroi est souhaitable. Celle-ci sera par exemple réalisée en équipant en outre ladite paroi d'une résistance chauffante et en disposant des capteurs de température appropriés. De même, I'installation de l'invention inclut de préférence une enceinte de transfert communiquant d'une part et de façon sélective avec chacun des n réacteurs, et d'autre part1 avec l'enceinte de stockage. Selon un autre aspect de l'invention, I'installation comprend un système de séparation des effluents gazeux constitué par exemple de: - un module membranaire; - une unité pour l'oxydation de l'effluent gazeux; et - une colonne garnie de tamis moléculaire. Selon un autre aspect de l'invention, I'installation comprend une colonne pour l'épuration par distillaiion du disilane soutiré de l'enceinte de stockage. L'invention va être maintenant décrite en se référant aux dessins et aux exemples ci-après. La figure 1 représente schématiquement une installation pour la production de disilane fonctionnant en continu; la figure 2 est une vue schématique de la circulation des gaz effluents et des gaz d'alimentation dans ladite installation; la figure 3 est une vue schématique en coupe axiale d'un réacteur de cette installation; et la figure 4 est un agrandissement du réacteur au voisinage de la chambre réactionnelle. L'installation représentée à la figure 1 correspond à un mode de réalisation préféré de l'invention. Elle comprend trois réacteurs 1.1, 1.2 et 1.3, deux réservoirs d'azote liquide 2 et 3 alimentant l'installation en fluide réfrigérant, ici de l'azote gazeux à très basse température, une enceinte de transfert commune 4, une enceinte de stockage commune 5, une colonne de distillation 6, des régulateurs de débit 7, 8, 9, 10 et 11, diverses conduites munies de vannes 12, 13, 14, 15 et 18, permettant de relier de façon sélective chacun des réacteurs 1.1, 1.2, 1.3 à l'enceinte de transfert 4, et l'enceinte de transfert 4 à l'enceinte de stockage 5. Selon le procédé de l'invention, la phase de production par décharge/condensation est successivement et cycliquement mise en oeuvre dans chacun des réacteurs 1.1, 1.2 puis 1.3, puis à nouveau dans le réacteur 1.1, etc. C'est en répétant cette suite d'opérations sans interruption qu'une production continue du disilane en sortie de la ligne de production 19 est possible. Après mise en oeuvre d'une phase décharge/condensation, chaque réacteur est purgé à l'hélium, nettoyé par gravure par plasma d'hydrogène puis purgé à nouveau à l'hëlium. Chaque réacteur passe donc par quatre phases successives : une phase de production, une phase de purge, une phase de nettoyage et une seconde phase de purge. Dans la mesure où les phases de purge et de nettoyage prennent au total environ deux fois plus de temps que la phase de production proprement dite, I'installation de la figure 1 est telle que lorsque l'un des réacteurs est en phase de production, les deux autres sont en cours de nettoyage ou de purge. On notera que la durée de la phase de purge n'est pas critique selon l'invention. Elle est notamment fonction de la capacité des réacteurs et du débit du gaz de purge. D'ordinaire, pour une durée de la phase de nettoyage comprise entre 8 et 12 h, la durée de la phase de purge varie entre 5 et 30 mn. Dans la suite, on supposera que le réacteur 1.1 est en phase de production, le réacteur 1.2 est en phase de nettoyage et le réacteur 1.3 est en phase de purge. Les réacteurs 1.1, 1.2 et 1.3 sont respectivement reliés à l'enceinte de transfert 4 par des conduites 20.1, 20.2 et 20.3, lesquelles sont respectivement munies de vannes, par exemple des vannes cryogéniques à commande pneumatique 12, 13 et 14, et débouchent dans une même conduite 21. La conduite 21, elle-même munie d'une vanne 15, est reliée à l'enceinte de transfert 4. Chacun des réacteurs est équipé d'une conduite d'alimentation 30.1, 30.2 et 30.3 en gaz à base de monosilane et d'une conduite d'évacuation 31.1, 31.2 et 31.3 des effluents gazeux. Chacun des réacteurs est de plus muni d'un serpentin de refroidissement 22.1, 22.2 et 22.3 dans lequel circule de l'azote gazeux froid provenant d'une source d'azote liquide 2. En sortie 23.1, 23.2 et 23.3 de chacun des serpentins de refroidissement, on récupère l'azote gazeux afin de l'évacuer. Le débit du liquide réfrigérant est régulé au moyen de régulateurs de débit 9, 10 et 11. Chaque réacteur est par ailleurs équipé d'une résistance électrique chauffante (non représentée) enroulée autour du réacteur. De même, L'enceinte de transfert 4 est en contact avec un serpentin de refroidissement (non représenté) dans lequel circule de l'azote gazeux froid en provenance d'une source d'azote liquide 3. Une pompe 24 et une vanne 16, qui équipent une conduite 25 reliant la source d'azote liquide 3 au serpentin de refroidissement en contact avec l'enceinte de transfert 4, permettent la circulation et la régulation du débit du fluide réfrigérant. Enroulée autour de l'enceinte 4 est disposée une résistance électrique chauffante (non représentée) permettant une montée en température de l'enceinte de transfert 4. Le refroidissement de l'enceinte de stockage est également réalisée par échange de chaleur entre l'enceinte de stockage 5 et un serpentin de refroidissement 26 dans lequel circule de l'azote gazeux à basse température provenant de la source d'azote liquide 3. Une résistance électrique chauffante (non représentée) enroulée autour de l'enceinte 5 permet une régulation précise de la température de celle-ci. La circulation et le débit d'azote liquide dans ledit serpentin sont commandés en amont du serpentin de refroidissement, dans une conduite 27 reliant la source 3 à l'enceinte de stockage 5, au moyen d'une pompe 28 et de la vanne 17. De l'enceinte de stockage 5 part une conduite 29, laquelle alimente une colonne de distillation 6. Le disilane sortant de la colonne 6 est récupéré dans une conduite 19 pourvue d'un régulateur de débit 8. La conduite 19 constitue ainsi une source en continu de disilane. Ladite installation peut donc fonctionner et produire en continu du disilane pur sur le site même d'utilisation du disilane. Un mode préféré de fonctionnement de ladite installation est le suivant: La paroi du réacteur 1.1. est tout d'abord refroidie à une température de -140 C. Pendant toute la durée de la phase de production constituée de l'étape de décharge/condensation, le réacteur 1.1 est alimenté en mélange gazeux contenant du monosilane par la conduite 30.1, les effluents gazeux étant évacués par la conduite ou torchère 31.1. Dans le même temps, on applique une décharge électrique au travers de la zone réactionnelle du réacteur 1.1; au contact de la paroi froide du réacteur, le disilane est condensé au fur et à mesure de sa formation. A l'issue de cette phase de production, au cours de laquelle la vanne 12 reste fermée, le réacteur 1.1 est réchauffé à une température de -120- C à l'aide d'une résistance chauffante (non représentée). Parallèlement, L'enceinte de transfert 4 est portée à une température de 196 C par échange de chaleur entre la paroi de ladite enceinte de transfert et son serpentin de refroidissement 53 à circulation d'azote froid. Par ouverture des vannes 12 et 15, la différence de température et donc de pression entre le réacteur 1.1 et l'enceinte de transfert 4 entraîne le transfert du disilane, dans l'enceinte 4, laquelle est isolée de l'enceinte de stockage 5 par la vanne 18, qui reste fermée pendant toute la durée du transfert. En fin de transfert, la vanne 12 est fermée à son tour. A ce stade, la résistance chauffante (non représentée) reliée à l'enceinte 4 est actionnée de façon à monter la température de l'enceinte 4 aux environs de 25 C. Pendant ce temps, le serpentin de refroidissement 26 à circulation d'azote froid maintient en permanence l'enceinte de stockage 5 à une température de Oe C. Suite à la différence de température entre l'enceinte de transfert 4 et l'enceinte de stockage 5, et du fait de la différence de pression résultante, I'ouverture de la vanne 18 entraîne le passage du disilane de l'enceinte 4 vers l'enceinte de stockage 5. Le disilane accumulé dans l'enceinte de stockage 5 est dirigé en continu, via la conduite 29, vers la colonne 6 prévue pour la distillation du disilane. Pour ce faire, on maintient en entrée de la colonne 6 une température inférieure à la température du disilane contenu dans l'enceinte de stockage 5, étant entendu qu'une différence de 15 à 300 C est largement suffisante pour induire par actionnement du régulateur de débit 7, une différence de pression permettant le transfert du disilane contenu dans l'enceinte de stockage 5 vers la colonne 6. Les réacteurs 1.2 et 1.3 n'étant pas en phase de production, ne sont pas alimentés en gaz à base de monosilane. Par contre, ces réacteurs sont alimentés respectivement en gaz de gravure par plasma (cas du réacteur 1.2) et en hélium (cas du réacteur 1.3). Sur la figure 2, la circulation des différents gaz a été représentée. On notera que l'installation de la figure 2 est identique à celle de la figure 1 en ce qu'elle comprend les trois mêmes réacteurs 1.1, 1.2 et 1.3. On se placera également dans l'hypothèse que le réacteur 1.1 est en phase de production et que les réacteurs 1.2 et 1.3 sont respectivement en phase de nettoyage et de purge. Plus précisément, sur le schéma de la figure 2, on a représenté en trait plein les opérations en cours en supposant le réacteur 1.1 en phase de production, le réacteur 1.2 en phase de nettoyage et le réacteur 1.3 en phase de purge, les traits en pointillés figurant les circulations inactivées de gaz. De façon à synchroniser les différentes opérations de production, de nettoyage et de purge, des vannes ont été disposées sur les différentes conduites d'amenée et d'évacuation des gaz de l'installation. Celles-ci, bien que représentées à la figure 2, ne sont pas mentionnées dans la description qui va suivre. II doit être entendu cependant que l'homme du métier saura installer, lorsque de besoin, lesdites vannes aux endroits appropriés. Par ailleurs, les nombreux circuits de sécurité et la circulation d'azote (fluide réfrigérant) n'ont pas été représentés sur la figure 2. On notera là encore que l'installation de tels circuits est pure routine pour l'homme du métier. II convient à ce propos de préciser que de l'azote gazeux pourra être avantageusement introduit en cours de production dans les diverses conduites d'évacuation des gaz sortant par les torchères 31.1,31.2 et 31.3 de façon à diluer le monosilane n'ayant pas réagi. Et, dans le cas où on utilise des vannes pneumatiques, celles-ci pourront être alimentées par de l'azote. Chacun des réacteurs 1.1, 1.2 et 1.3 possède une conduite d'alimentation 30.1, 30.2 et 30.3 et une torchère ou conduite d'évacuation 31.1,31.2 et 31.3. Chaque conduite d'alimentation 30.i débouche dans trois conduites distinctes 33.i, 34.i et 35.i. Les trois conduites 33.i (33.1, 33.2 et 33.3) sont reliées via la conduite 33 à une bouteille d'alimentation en hydrogène 36. Lorsque la bouteille 36 est vidée de son hydrogène, c'est la bouteille 36 bis qui prend le relais et alimente la conduite 33. Les trois conduites 34.i (34.1, 34.2 et 34.3) sont reliées via la conduite 34 à une bouteille d'alimentation en hélium 37. Là encore, on prévoit un dédoublement de l'alimentation en hélium de façon à éviter toute interruption de la ligne de production : ainsi, lorsque la bouteille 37 est vide, c'est la bouteille 37 bis qui prend le relais et alimente la conduite 34. Les trois conduites 35.i (35.1, 35.2 et 35.3) sont reliées à un mélangeur 38 via la conduite 35. Dans le mélangeur 38 a lieu la préparation du gaz d'alimentation à base de monosilane par mélange de monosilane avec de l'hélium. Le monosilane arrivant au mélangeur 38 par la conduite 39 a deux origines : il provient soit de la bouteille d'alimentation 40 (ou 40 bis), soit de l'unité de recyclage 41. Lorsqu'il provient de l'une des bouteilles d'alimentation 40 ou 40 bis, il est amené à la conduite 39 par la conduite 42. Lorsqu'il provient de l'unité de recyclage 41, il est amené à la conduite 39 par la conduite 43. De même, L'hélium arrivant au mélangeur 38 a deux origines: il provient soit de la bouteille d'alimentation 37 ou 37 bis via la conduite 44, soit de l'unité de recyclage via la conduite 45. Chaque conduite d'évacuation 31.i débouche dans trois conduites distinctes 46.i, 47.i et 48.i. Les trois conduites 46.i débouchent dans la torchère 49 par laquelle s'échappent les gaz. Les trois conduites 47.i débouchent dans la conduite 50, laquelle amène les effluents gazeux vers un compresseur 51. A la sortie du compresseur 51, les effluents gazeux sont traités dans l'unité de recyclage 41. Les trois conduites 48.i débouchent dans la conduite 52. C'est par cette conduite 52, reliée à une pompe (non représentée), que chacun des réacteurs peut être mis sous vide en phase de purge. Lorsque les réacteurs 1 i sont en phase de purge, ils sont respectivement alimentés en hélium par les conduites 34.i , lesquelles débouchent respectivement dans les conduites 30.i. L'unité de recyclage 41 comprend un module membranaire de perméation 55, deux unités pour l'oxydation de l'effluent gazeux 56 et 56 bis et deux unités de déshydratation (colonnes garnies de tamis moléculaire) 57 et 57bis. L'unité d'oxydation 56 et la colonne 57 d'une part, et l'unité d'oxydation 56bis et la colonne 57bis d'autre part, sont montées en parallèle de telle sorte que lorsque le gaz effluent est traité dans les unités 56 et 57, la régénération du catalyseur de l'unité d'oxydation 56bis et du tamis moléculaire de la colonne 57bis peut être effectuée. Plus précisément, le gaz effluent sortant du compresseur 51 est dirigé sur le module membranaire 55. En sortie du module membranaire 55, le monosilane pratiquement pur constituant le refus de perméation est récupéré dans la conduite 43, le perméat étant récupéré dans la conduite 58. La conduite 58 est reliée sélectivement aux deux unités d'oxydation 56 et 56bis. Chaque unité d'oxydation communique avec une seule colonne garnie de tamis moléculaire, à savoir l'unité 56 avec la colonne 57 et l'unité 56bis avec la colonne 57bis. Les deux colonnes 57 et 57bis sont reliées sélective ment à la même conduite de sortie 45. Pendant toute la durée de la phase de production, le réacteur 1.1 est alimenté par un mélange d'hélium et de monosilane par la conduite 30.1, dans laquelle débouche la conduite 35.1. Le mélangeur 38 monté dans la conduite 35 est destiné au mélange de l'hélium et du monosilane provenant par exemple des bouteilles d'alimentation en hélium et en monosilane gazeux 37, 40 respectivement, ou, de l'unité de recyclage 41. Les gaz effluents récupérés en sortie du réacteur 1.1 passent via les conduites 31.1, 47.1 et 50 dans un compresseur 51 avant d'être dirigés sur le module membranaire 55. A la sortie du module membranaire 55 le refus de perméation, constitué par du monosilane pratiquement pur, est réinjecté dans le circuit d'alimentation en monosilane du réacteur en phase de production via la conduite 43 qui débouche dans la conduite 39 disposée en amont du mélangeur 38. Le perméat de l'étape de séparation du monosilane est amené via la conduite 58 dans une unité d'oxydation 56 puis dans une unité de déshydratation 57, à la suite de quoi l'hélium récupéré dans la conduite 45 est à son tour réinjecté dans le circuit d'alimentation en mélange (He + SiH4) du réacteur 1.1 en phase de production. Ainsi que représenté sur la figure 2, lorsque les unités 56 et 57 sont en fonctionnement, les unités 56bis et 57bis sont isolées, de façon à régénérer l'adsorbant de l'unité de déshydratation d'une part et à réoxyder le catalyseur de l'unité d'oxydation d'autre part. Dans le même temps le réacteur 1.2 est en phase de nettoyage. L'hydrogène de gravure par plasma est introduit dans ce réacteur via les conduites 33.2 et 33, cette dernière étant reliée à la bouteille d'alimentation en hydrogène 36. Pendant ce temps, le réacteur 1.3 est en phase de purge: ledit réacteur est alimenté en hélium par les conduites 34.3 et 34, cette dernière étant raccordée en amont à la bouteille d'alimentation en hélium 37. Lors de la phase de purge, l'introduction d'hélium dans le réacteur est précédée d'une mise sous vide de la chambre réactionnelle par les conduites 52, 48.3 et 31.3. De manière préférée on procède à plusieurs purges successives. Il est clair que de façon à permettre les passages successifs aux phases respectives de production, de nettoyage et de purge, chacun desdits réacteurs est successivement raccordé aux diverses alimentations en SiH4 + H e, en He pur et en hydrogène, les vannes correspondantes étant actionnées de façon synchrone. Le temps de purge étant très bref par rapport à la durée de la phase de nettoyage, on notera que le réacteur 1.3 passe très rapidement en phase de nettoyage. Ainsi, la plupart du temps deux réacteurs se trouveront en phase de nettoyage, alors qu'un seul des trois réacteurs sera en phase de production. La figure 3 représente un exemple de réacteur utilisable selon l'invention. Ce réacteur, désigné par la référence générale 1, est constitué d'une enceinte close 59 à axe vertical, fermée par une chemise constituée d'une paroi externe 60 et d'une paroi interne métallique 61 espacées, à section en U, entre lesquelles on a fait le vide dans un but d'isolation thermique. De préférence, les parois 60 et 61 sont en acier inoxydable. Un anneau 72 ferme l'extrémité supérieure de l'interparoi, et un couvercle amovible 73 ferme l'enceinte 59. Selon le mode de réalisation préféré représenté, la partie inférieure de l'enceinte 59 a une forme en trémie conique. A l'intérieur de l'enceinte 59 est disposé un corps cylindrique plein coaxial 62 présentant des bossages axiaux 62a et 62b respectivement à ses extrémités supérieure et inférieure pour le maintien du corps cylindrique 62 dans la partie intermédiaire de l'enceinte 59. Sur la figure 3, les références 63 et 64 désignent respectivement des organes de fixation du corps cylindrique 62 à la paroi interne 61 du réacteur 1. La forme des organes de fixation 63 et 64 n'est pas essentielle selon l'invention, du moment qu'elle permet une libre circulation des gaz et liquides dans la totalité de l'enceinte 59. Selon le mode de réalisation préféré de l'invention, lesdits organes de fixation 63 et 64 enserrent respectivement les bossages 62a et 62b et sont chacun constitués d'un disque traversé dans le sens de l'épaisseur par des passages 65 pour la libre circulation des fluides au sein de l'enceinte 59. Les organes de fixation 63 et 64 sont respectivement fixés aux bossages 62a et 62b du bloc de graphite 62, reçus dans des évidements 74 de ces organes, par l'intermédiaire de boulons 75. Le corps cylindrique plein 62 et la paroi interne 61 délimitent une chambre réactionnelle annulaire 66. Tout le long de la chambre réactionnelle 66 et dans toute sa partie inférieure, la paroi interne 61 est équipée sur sa surface extérieure d'un serpentin de refroidissement 22 et d'une résistance électrique chauffante 67 enroulée autour de ce dernier. Un conduit d'alimentation 68 en azote gazeux froid et un conduit d'évacuation de l'azote gazeux 69 permettent d'établir un courant d'azote gazeux froid dans le serpentin. Le réacteur comprend également un conduit d'alimentation 30 en mélange gazeux de départ, qui traverse le couvercle 73 et débouche dans la partie supérieure de l'enceinte 59. De même, le réacteur comprend un conduit d'évacuation 31 du mélange gazeux résiduel, prenant naissance dans la partie inférieure de l'enceinte 59, au-dessous de l'organe de fixation 64 et traversant la partie inférieure des parois externe 60 et interne 61 de l'enceinte. Le niveau de l'extrémité supérieure de la conduite d'évacuation 31 est telle qu'en fin de phase de production, le disilane liquide recueilli au fond de l'enceinte 59 ne recouvre pas cette extrémité supérieure. Le fond de l'enceinte 59 est par ailleurs muni d'une conduite d'évacuation 20 du disilane liquide formé, reliée à l'extrémité inférieure de la partie de l'enceinte 59 en forme de trémie conique. La conduite d'évacuation 20 traverse le point bas de la paroi externe 60 du réacteur. Le corps cylindrique 62 est constitué d'un bloc de graphite plein 76 intérieur revêtu d'un élément diéléctrique 77. Le bloc de graphite plein 76 est relié par un conducteur 70 à une source électrique 71 génératrice de radiofréquences. De son côté, la paroi métallique 61 est reliée à la terre. En cours de production, le réacteur 1 est alimenté en continu en mélange gazeux à base de monosilane par la conduite 30. Le gaz circule dans la chambre réactionnelle 66, où il est amené à réagir, le gaz résiduel étant continûment évacué par la conduite 31. C'est par application d'une décharge électrique entre les deux électrodes constituées respectivement du bloc de graphite 76 revêtu d'un diélectrique 77 et de la paroi métallique 61 qu'a lieu la réaction de formation du disilane. Au fur et à mesure de sa formation, celui-ci est condensé au contact de la paroi métallique 61 maintenue à une température inférieure à la température de condensation du disilane et supérieure à la température de condensation du monosilane, à la pression partielle de travail. Pendant toute la phase de production, la vanne 12, 13 ou 14 (représentées sur la figure 1) de la conduite 20 reste fermée, de telle sorte que le disilane produit est recueilli au fond de l'enceinte 59. Le disilane est récupéré en fin de cycle de production via la conduite 20, après réchauffement de la zone réactionnelle à environ -120- C et ouverture de la vanne respective 12, 13 ou 14 prévue dans cette conduite. REVENDICATIONS 1. Procédé pour la production en continu de disilane par mise en oeuvre d'une phase de production comprenant les étapes de conversion du monosilane contenu dans un mélange gazeux en disilane gazeux par action d'une décharge électrique engendrée par un courant radiofréquence, et de condensation du disilane obtenu, au fur et à mesure de sa formation, par piégeage cryogénique, caractérisé en ce que l'on met en oeuvre ladite phase de production de façon cyclique dans un nombre déterminé de réacteurs (1.i), chacun desdits réacteurs (1.i) étant nettoyé, entre deux phases de production successives notamment par gravure par plasma, le disilane piégé par voie cryogénique au cours de chaque phase de production étant évacué, après chaque phase de production et avant nettoyage du réacteur (1.i), vers une enceinte commune de stockage (5), le nombre de réacteurs étant défini de façon à permettre le prélèvement en continu du disilane recueilli dans l'enceinte de stockage (5). 2. Procédé selon la revendication 1, caractérisé en ce que le disilane produit dans les réacteurs (1.i) en phase de production est évacué dans une enceinte de transfert (4) intermédiaire commune avant d'être accumulé dans l'enceinte de stockage (5). 3. Procédé selon la revendication 1 ou 2, caractérisé en ce que le nettoyage est réalisé par gravure par plasma, par introduction d'hydrogène dans le réacteur (1.i) pendant toute la durée du nettoyage, et application d'une décharge électrique engendrée par un courant radiofréquence. 4. Procédé selon la revendication 3, caractérisé en ce que la décharge électrique mise en oeuvre lors de la gravure par plasma est appliquée en maintenant l'hydrogène à une température comprise entre 15 et 300 C, sous une pression comprise entre 0,3 et 1,8 bar, de préférence entre 0,8 et 1,2 bar. 5. Procédé selon l'une quelconque des revendications 1 à 4, caractérisé en ce qu'avant et après nettoyage, le réacteur (1.i) est purgé à l'hélium. 6. Procédé selon l'une quelconque des revendications précédentes, caractérisé en ce qu'au cours de la phase de production l'on soumet le mélange gazeux contenant le monosilane à une décharge électrique sous une pression comprise entre 0,1 et 3 bars. 7. Procédé selon l'une quelconque des revendications précédentes, caractérisé en ce que le piégeage cryogénique est réalisé en maintenant la température de la chambre réactionnelle (62) entre -120 et -145- C pendant toute la durée de la phase de production. 8. Procédé selon l'une quelconque des revendications précédentes, caractérisé en ce que le mélange gazeux contenant le monosilane est un mélange de monosilane avec au moins un gaz inerte choisi parmi l'hélium et l'argon, et de préférence un mélange de monosilane et d'hélium. 9. Procédé selon l'une quelconque des revendications précédentes, caractérisé en ce que le mélange gazeux contenant le monosilane est un mélange de monosilane et d'hélium, et en ce qu'en vue d'un recyclage de l'hélium et du monosilane gazeux contenus dans l'effluent gazeux récupéré en sortie du réacteur (1.i) en phase de production, on met en oeuvre les étapes consistant à: a) faire passer ledit effluent gazeux dans un module membranaire (55) de façon à séparer le monosilane gazeux n'ayant pas réagi, lequel constitue le refus de perméation; b) oxyder le perméat de l'étape précédente en présence d'un catalyseur à base d'oxyde de cuivre de façon à convertir l'hydrogène contenu dans ledit effluent gazeux en H2O, puis c) mettre en contact le mélange gazeux issu de l'étape précédente avec un tamis moléculaire approprié de façon à adsorber l'eau formée à l'étape b) et récupérer l'hélium pur. 10. Procédé selon l'une quelconque des revendications précédentes, caractérisé en ce qu'on injecte le disilane extrait de l'enceinte de stockage (5) dans une colonne de distillation (6) située en aval de ladite enceinte de stockage de façon à le purifier. 11. Procédé selon la revendication 10, caractérisé en ce que le disilane extrait de l'enceinte de stockage (5) est injecté dans ladite colonne de distillation (6) à une température d'entrée comprise entre -10 et -20' C à un niveau intermédiaire entre la cuve de la colonne et la tête de colonne, le bouilleur de ladite colonne étant situé en cuve et maintenu à une température supérieure à la température d'entrée et comprise entre -10 et 00 C, le condenseur de ladite colonne étant situé en tête de colonne et maintenu à une température inférieure à la température d'entrée et comprise entre -20 et -30" C, le disilane purifié étant récupéré en tête de colonne. 12. Installation pour la production en continu de disilane à partir d'un mélange gazeux à base de monosilane, caractérisée en ce qu'elle comprend: i) un nombre n de réacteurs (1.1, 1.2 ... 1.n) délimitant n chambres réactionnelles, respectivement munis de moyens (61, 62, 70, 71) propres à générer au travers desdites chambres réactionnelles une décharge électrique engendrée par un courant radiofréquence, de moyens (22, 67) de refroidissement et de chauffage, d'un conduit (30) d'alimentation en continu en mélange gazeux contenant le monosilane, d'un conduit (31) d'évacuation en continu des effluents gazeux et d'un conduit (20) d'évacuation en discontinu du disilane; ii) une enceinte de stockage commune (5) pour l'accumulation du disilane produit, équipée de moyens de refroidissement et de chauffage et iii) des conduites de liaison (20, 21) reliant sélectivement chacun desdits réacteurs à ladite enceinte de stockage, le nombre n de réacteurs étant défini de façon à permettre le prélèvement en continu du disilane accumulé dans ladite enceinte de stockage (5) sans tarissement ni engorgement. 13. Installation selon la revendication 12, caractérisée en ce que les moyens (61, 62, 70, 71) propres à générer une décharge électrique à travers chaque chambre réactionnelle sont une paire d'électrodes cylindriques coaxiales (61, 62) et une source de courant électrique radiofréquence (71), I'électrode intérieure (62) étant constituée d'un bloc cylindrique plein en graphite (76) revêtu d'un élément diélectrique (77) et l'électrode extérieure (61) formant un cylindre creux constitué d'un métal conducteur pouvant être refroidi par un serpentin (22) parcouru par un fluide réfrigérant, I'espace délimité par lesdites électrodes formant la chambre réactionnelle (66) du réacteur. 14. Installation selon la revendication 13, caractérisée en ce que l'élément diélectrique est constitué de nitrure de bore. 15. Installation selon l'une des revendications 12 à 14, caractérisé en ce qu'elle comprend en outre des moyens de séparation des effluents gazeux s'échappant des conduites d'évacuation (31) équipant chacun desdits réacteurs, lesdits moyens de séparation comprenant: a) un module membranaire (55) de perméation dont le refus est constitué du monosilane gazeux n'ayant pas réagi; b) une unité (56) pour l'oxydation de l'effluent gazeux constituant le perméat du module membranaire (55); et c) une unité de déshydratation (57) destinée à la déshydratation de l'effluent gazeux récupéré en sortie de l'unité d'oxydation (56). 16. Installation selon l'une quelconque des revendications 12 à 15, caractérisée en ce qu'elle comprend en outre une colonne de distillation (6) située en aval de l'enceinte de stockage (5), ladite colonne de distillation (6) étant alimentée en un point intermédiaire située entre la cuve de la colonne de distillation, munie d'un bouilleur, et la tête de colonne, munie d'un condenseur, par une conduite de soutirage (29) reliée à ladite enceinte de stockage (5). 17. Installation selon l'une quelconque des revendications 12 à 16, caractérisée en ce qu'une enceinte de transfert commune (4) est disposée en amont de l'enceinte de stockage (5), une série de conduites (20, 21) reliant sélectivement chacun desdits réacteurs à ladite enceinte de transfert (4), laquelle est elle-même reliée sélectivement à l'enceinte de stockage par une conduite de liaison, ladite enceinte de transfert (4) étant munie de moyens de refroidissement et de chauffage.