FR 2740610 A1 19970430 FR 9606281 A 19960521 l La présente invention concerne un dispositif à semiconducteurs modulaire et elle concerne plus particulièrement un dispositif à semicon- ducteurs comportant un dispositif de puissance et un dispositif de com- mande formés sur des cadres de montage. On a développé récemment des dispositifs à semiconducteurs du type module de puissance intelligent (que l'on appellera ci-après en abrégé MPI) qui ont une structure modulaire et contiennent un dispositif de puissance et un dispositif de commande pour commander le dispositif de puissance. Premier dispositif de l'art antérieur La figure 12 est une coupe d'un MPI 100 qui est un exemple des MPI classiques. En se référant à la figure 12, on note que le MPI comprend un radiateur en métal 3 qui remplit la fonction d'une embase pour le montage d'un dispositif de puissance 1 et d'un dispositif de com- mande 2 et pour dissiper vers l'extérieur la chaleur qui est produite par le dispositif de puissance 1 lorsque celui-ci est sous tension. Des substrats du type DBC ("direct bonding copper", c'est-à-dire "cuivre à fixation directe") 4a et 4b sont brasés sur une surface principale du radiateur 3. La brasure est désignée par SD sur la figure 12. Les substrats du type DBC comprennent une plaque de céramique consistant en alumine ayant des surfaces principales opposées sur lesquelles des pellicules de cuivre sont fixées directement au moyen d'une liaison par oxydation. Un motif de circuit prédéterminé est formé dans la couche de pellicule de cuivre sur une première surface principale du substrat DBC 4a sur laquelle le dispositif de puissance 1 et une borne principale 5 pour établir une connexion électrique entre le dispositif de puissance 1 et l'extérieur sont fixées par brasage, conformément au motif de circuit. Le dispositif de puissance 1 comprend un transistor bipolaire à grille isolée la et une diode de roue libre lb. La borne principale 5 est positionnée de façon à s'étendre perpendiculairement à la première surface principale du substrat DBC 4a. Un substrat DBC 4c est brasé sur une première surface princi- pale du substrat DBC 4b. Le dispositif de commande 2 et une borne de commande 6 pour établir une connexion électrique entre le dispositif de commande 2 et l'extérieur sont fixés par brasage sur une première surface principale du substrat DBC 4c. La borne de commande 6 est positionnée de façon à s'étendre perpendiculairement à la première surface principale du substrat DBC 4c. Un signal de commande qui provient du dispositif de commande 2 est appliqué au dispositif de puissance 1 par l'intermédiaire d'un fil d'interconnexion en aluminium Wl. L'entrée et la sortie du dispositif de puissance 1 sont connectées à la borne principale 5 par un fil d'intercon- nexion en aluminium W2. Le dispositif de commande 2 est connecté élec- triquement à la borne de commande 6 par un fil d'interconnexion en alu- minium W3. Le fil d'interconnexion en aluminium Wl établit une connexion électrique entre le dispositif de puissance I et le dispositif de com- mande 2. Un fil d'interconnexion en aluminium W4 établit une connexion électrique entre le transistor bipolaire à grille isolée la et la diode de roue libre lb. Comme décrit ci-dessus, dans le MPI 100, le dispositif de commande 2 est disposé au-dessus du substrat DBC 4b, avec le substrat DBC 4c interposé entre eux. Une telle configuration vise à réduire l'in- fluence sur le dispositif de commande 2 de bruits qui sont produits par le fonctionnement du dispositif de puissance 1, lorsque la puissance nominale du dispositif de puissance I est très élevée. Le substrat DBC 4c remplit la fonction d'un blindage contre des bruits électriques. Le MPI 100, considéré comme un produit complet, a par exemple un courant de sortie nominal d'environ 600 A et une tenue en tension nominale d'environ 2000 V. Le MPI 100 dans lequel le substrat DBC 4e recouvrant le substrat DBC 4b est utilisé à titre de blindage, est appelé dispositif à semiconducteurs du type à couche de blindage ajoutée. Deuxlme dispositif de l'art antérieur La figure 13 est une coupe d'un MPI 200 ne comportant pas de substrats DBC, qui est un exemple des MPI classiques. En se référant à la figure 13, on note que le MPI 200 comprend un radiateur en métal 13 remplissant la fonction d'une embase pour le montage d'un dispositif de puissance 11 et d'un dispositif de commande 12, et pour dissiper vers l'extérieur la chaleur qui est produite par le dispositif de puissance 11 lorsqu'il est sous tension. Une couche isolante 14 consistant en résine époxy ou en une substance semblable est formée sur une surface princi- pale du radiateur 13. Une couche de motif de circuit 15 dont la forme est définie de façon à correspondre à un motif de circuit prédéterminé, est formée sur une surface principale de la couche isolante 14. La couche de motif de circuit 15 est formée par exemple par des pellicules de pla- cage de cuivre et d'aluminium, et elle est fixée sur la surface principale de la couche isolante 14 avec un adhésif spécial (non représenté). On appelle substrat en métal isolant IM un corps semblable à une plaquette qui est constitué par le radiateur 13, la couche isolante 14 et la couche de motif de circuit 15. Le dispositif de puissance 11 et une borne principale pour établir une connexion électrique entre le dispositif de puissance 11 et l'extérieur sont fixés sur la couche de motif de circuit 15 par brasage, conformément au motif de circuit. La brasure est désignée par SD sur la figure 13. Le dispositif de puissance 11 comprend un transistor bipolaire à grille isolée lia et une diode de roue libre lb. La borne principale 18 est position- née de façon à s'étendre perpendiculairement à la surface principale de la couche de motif de circuit 15. Un substrat en toile de verre/résine époxy, 16, placé en cor- respondance avec le dispositif de commande 12, est fixé sur la couche de motif de circuit 15 avec un adhésif spécial (non représenté). Le substrat en toile de verre/résine époxy 16 comprend une couche conductrice de l'électricité, 17, ayant une forme adaptée au motif de circuit de la cou- che de motif de circuit 15, et formée sur une surface principale du substrat en toile de verre/résine époxy 16. La couche conductrice de l'élec- tricité 17 est formée par exemple par chauffage et fixation sous pression d'une pellicule de cuivre sur le substrat en toile de verre/résine époxy 16, pendant la fabrication de ce dernier. Le dispositif de commande 12 et une borne de commande 19 pour établir une connexion électrique entre le dispositif de commande 12 et l'extérieur, sont fixés par brasage sur la couche conductrice de l'élec- tricité 17. La borne de commande 19 est positionnée de façon à s'étendre perpendiculairement à la surface principale de la couche conductrice de l'électricité 17. Un signal de commande provenant du dispositif de com- mande 12 est appliqué au dispositif de puissance 11 par le fil d'intercon- nexion en aluminium Wl. L'entrée et la sortie du dispositif de puissance Il sont connectées à la borne principale 18 par le fil d'interconnexion en aluminium W2. Le dispositif de commande 12 est connecté électri- quement à la borne de commande 19 par le fil d'interconnexion en alumi- nium W3. Un fil d'interconnexion en aluminium W4 établit une connexion électrique entre le transistor bipolaire à grille isolée 1la et la diode de roue libre lb. Comme décrit ci-dessus, dans le MPI 200, le dispositif de com- mande 12 est disposé sur la couche conductrice de l'électricité 17 du substrat en toile de verre/résine époxy 16, et ce substrat est disposé sur le substrat en métal isolant IM. On appelle première couche la combi- naison de la couche isolante et de la couche de motif de circuit 15, et on appelle seconde couche la combinaison du substrat en toile de verre/ résine époxy 16 et de la couche conductrice de l'électricité 17. Le dispo- sitif de commande 12 est ainsi protégé contre des bruits électriques par les première et seconde couches. Une telle configuration réduit l'influence sur le dispositif de commande 12 des bruits qui sont produits par le fonctionnement du dispo- sitif de puissance 11, lorsque la puissance nominale du dispositif de puis- sance 11 est relativement élevée. Le MPI 200 considéré comme un produit complet, a par exemple un courant de sortie nominal d'environ 75 A et une tenue en tension nominale d'environ 1200 V. Le MPI 200 qui utilise un substrat à deux couches comprenant les première et seconde couches, est appelé dispositif à semiconducteurs du type à substrat à deux couches. La figure 14 est une coupe du MPI 200 sous la forme finale. En se référant à la figure 14, on note qu'un boîtier en résine 20 entoure le substrat en métal isolant IM pour former un corps en forme de boite ayant un fond défini par le substrat en métal isolant IM et des parois latérales définies par le boitier en résine 20. Le corps en forme de boite est rempli avec un gel de silicone 21, de façon que le dispositif de puissance 11 et le dispositif de commande 12 soient enterrés à l'intérieur. Un couvercle en résine 22, consistant par exemple en résine époxy, est formé au-dessus du gel de silicone 21 pour fermer le corps en forme de boite. Le MPI 100 est construit de façon similaire, de façon que le corps en forme de boite soit formé en utilisant le boîtier en résine dans lequel le gel de silicone est introduit, tandis que la résine est durcie pour fermer le corps en forme de boite. Cette structure nécessite la formation séparée du boîtier en résine et l'étape de processus qui consiste à monter le boitier en résine sur le substrat en métal isolant IM ou sur le radiateur 13. En outre, le substrat en métal isolant IM et le substrat à deux couches sont coûteux, ce qui occasionne le problème d'un coût de fabrication élevé. Pour résoudre ces problèmes, on a produit récemment des dispositifs à semicon- ducteurs du type à moulage par transfert qui utilisent un moulage par transfert pour l'enrobage dans une résine, sans le coût d'un boîtier en résine. Troisième dispositif de l'art antérieur La figure 15 est une coupe d'un MPI 300 qui est l'un des dispo- sitifs à semiconducteurs classiques du type à moulage par transfert. En se référant à la figure 15, on note qu'un dispositif de puissance 31 et un dispositif de commande 32 sont placés dans des positions prédéterminées sur des cadres de montage respectifs, 33a et 33b, positionnés horizonta- lement. Un signal de commande qui provient du dispositif de commande 32 est appliqué au dispositif de puissance 31 par le fil d'interconnexion en aluminium W1. L'entrée et la sortie du dispositif de puissance 31 sont connectées électriquement au cadre de montage 33a par le fil d'intercon- nexion en aluminium W2. Le dispositif de commande 32 est connecté élec- triquement au cadre de montage 33d par le fil d'interconnexion en alu- minium W3. Un radiateur en métal 34, qui est destiné à dissiper vers l'ex- térieur la chaleur produite par le dispositif de puissance 31 lorsque ce dernier est sous tension, est formé sous les cadres de montage 33a et 33b, avec interposition d'une résine de moulage MR Le radiateur 34, les cadres de montage 33a, 33b et les dispositifs de puissance et de com- mande 31, 32 qui sont formés sur les cadres de montage 33a, 33b sont enrobés dans la résine de moulage MR. Le fait de positionner de cette manière le dispositif de puissance 31 et le dispositif de commande 32 sur les cadres de montage 33a et 33b permet l'enrobage dans de la résine par moulage par transfert. Dans le MPI 300 enrobé dans de la résine par moulage par transfert, comme décrit ci-dessus, la chaleur qui est produite par le dis- positif de puissance 31 lorsqu'il est sous tension est transférée vers le radiateur 34 par l'intermédiaire de la résine de moulage MR, du fait que cette dernière est présente entre le cadre de montage 33a et le radia- teur 34. Par conséquent, le MPI 300 dissipe la chaleur moins efficacement que le MPI 100 et le MPI 200, et il est incapable de satisfaire les exi- gences de dispositifs de puissance ayant une puissance nominale élevée, comme les dispositifs de puissance 1 et 11. Le MPI 300, considéré comme un produit complet, a par exemple un courant de sortie nominal d'environ A et une tenue en tension nominale d'environ 1200 V. Comme décrit ci-dessus, le MPI 100 et le MPI 200 doivent utiliser le bottier en résine pour l'enrobage dans la résine, ce qui exige l'étape de fabrication consistant dans le montage du boîtier en résine sur le substrat en métal isolant IM ou sur le radiateur 3. En outre, le substrat en métal isolant IM et le substrat à deux couches sont coûteux (le coût du substrat à deux couches est deux à trois fois supérieur à celui du substrat en métal isolant ayant la même étendue), ce qui fait apparaitre le problème d'un coût de fabrication élevé. D'autre part, le MPI 300 qui est enrobé dans de la résine par moulage par transfert exige une étape d'enrobage dans de la résine plus simple que dans le cas du MPI 100 et du MPI 200, et il est moins coû- teux du fait qu'il n'utilise ni le substrat en métal isolant, ni le substrat à deux couches. Cependant, le MPI 300 dans lequel la chaleur qui est produite par le dispositif de puissance 31 est transférée au radiateur 34 par l'intermédiaire de la résine de moulage MR,dissipe la chaleur moins efficacement que le MPI 100 et le MPI 200, ce qui fait qu'il est difficile d'augmenter la puissance nominale du dispositif de puissance 31. Pour augmenter l'efficacité de la dissipation de chaleur, la résine de moulage MR entre le cadre de montage 33a et le radiateur 34 doit être aussi mince et uniforme que possible, ce qui nécessite deux opérations de mou- lage, et occasionne un problème concernant l'aptitude à la fabrication. Selon un premier aspect de la présente invention, un dispo- sitif à semiconducteurs comprend: un substrat en métal isolant; un cadre de montage formé sur le substrat en métal isolant et ayant des première et seconde parties de circuit; un dispositif de puissance for- mé sur la première partie de circuit du cadre de montage; et un dispo- sitif de commande formé sur la seconde partie du cadre de montage pour commander le dispositif de puissance, le substrat en métal isolant com- prenant un radiateur pour dissiper vers l'extérieur la chaleur qui est produite par le dispositif de puissance lorsque le dispositif à semicon- ducteurs est en fonctionnement, une couche isolante formée sur une surface principale supérieure du radiateur, et une couche de motif de circuit formée sur la couche isolante et ayant des premier et second motifs de circuit correspondant respectivement aux première et seconde parties de circuit, les première et seconde parties de circuit du cadre de montage étant jointes respectivement aux premier et second motifs de circuit, et le dispositif à semiconducteurs étant enrobé dans une résine par moulage par transfert, de façon qu'une surface principale inférieure du radiateur soit à nu. Selon un second aspect de la présente invention, un dispositif à semiconducteurs comprend: un élément de base isolant; un cadre de montage formé sur l'élément de base isolant et ayant des première et seconde parties de circuit; un dispositif de puissance formé sur la pre- mière partie de circuit du cadre de montage; un dispositif de commande formé sur la seconde partie de circuit du cadre de montage pour com- mander le dispositif de puissance; et un radiateur qui est joint à une surface principale inférieure de l'élément de base isolant, pour dissiper vers l'extérieur la chaleur qui est produite par le dispositif de puis- sance lorsque le dispositif à semiconducteurs est en fonctionnement, l'élé- ment de base isolant comprenant un substrat électriquement isolant et thermiquement conducteur, une couche de motif de circuit formée sur le substrat électriquement isolant et ayant des premier et second motifs de circuit correspondant respectivement aux première et seconde parties de circuit, et une couche conductrice de l'électricité formée sur une surface principale inférieure du substrat électriquement isolant, et jointe à une surface principale supérieure du radiateur, les première et seconde parties de circuit du cadre de montage étant respectivement jointes au premier et second motifs de circuit, et le dispositif à semiconducteurs étant enrobé dans une résine par moulage par transfert, de façon qu'une surface principale inférieure du radiateur soit à nu. Selon un troisième aspect de la présente invention, un dispo- sitif à semiconducteurs comprend: un élément de base isolant; un cadre de montage formé sur l'élément de base isolant et ayant des première et seconde parties de circuit; un dispositif de puissance formé sur la première partie de circuit du cadre de montage; et un dispositif de com- mande formé sur la seconde partie de circuit du cadre de montage pour commander le dispositif de puissance, l'élément de base isolant compre- nant un substrat électriquement isolant et thermiquement conducteur, une couche de motif de circuit formée sur le substrat électriquement isolant et ayant des premier et second motifs de circuit qui correspondent res- pectivement aux première et seconde parties de circuit, et une couche conductrice de l'électricité formée sur une surface principale inférieure du substrat électriquement isolant, les première et seconde parties de circuit du cadre de montage étant jointes respectivement aux premier et second motifs de circuit, et le dispositif à semiconducteurs étant enrobé dans une résine par moulage par transfert, de façon qu'une surface prin- cipale inférieure de la couche conductrice de l'électricité soit à nu. Selon un quatrième aspect de la présente invention, la seconde partie de circuit et le second motif de circuit sont de préférence joints ensemble par un adhésif isolant, par exemple à base de silicone ou d'époxy. Selon un cinquième aspect de la présente invention, un dispo- sitif à semiconducteurs comprend: un substrat en métal isolant; un cadre de montage formé sur le substrat en métal isolant et ayant une partie de circuit prédéterminée; un dispositif de puissance formé sur le substrat en métal isolant; et un dispositif de commande formé sur la partie de circuit du cadre de montage, pour commander le dispositif de puissance, le cadre de montage comprenant en outre un conducteur qui est connecté au dispositif de puissance, le substrat en métal isolant comprenant un radiateur pour dissiper vers l'extérieur la chaleur qui est produite par le dispositif de puissance pendant le fonctionnement, une couche isolante formée sur le radiateur, et une couche de motif de circuit formée sur la couche isolante et ayant un premier motif de circuit qui est joint directement au dispositif de puissance, et un second motif de circuit correspondant à la partie de circuit prédéterminée du cadre de montage, la partie de circuit prédéterminée du cadre de montage étant jointe au second motif de circuit, le conducteur étant joint au premier motif de circuit, et le dispositif à semiconducteurs étant enrobé dans une résine par moulage par transfert, de façon qu'une surface principale inférieure du radiateur soit à nu. Selon un sixième aspect de la présente invention, un dispositif à semiconducteurs comprend: un élément de base isolant; un cadre de montage formé sur l'élément de base isolant et ayant une partie de cir- cuit prédéterminée; un dispositif de puissance formé sur l'élément de base isolant; un dispositif de commande formé sur la partie de circuit du cadre de montage pour commander le dispositif de puissance; et un radiateur qui est joint à une surface principale inférieure de l'élément de base isolant pour dissiper vers l'extérieur la chaleur qui est produite par le dispositif de puissance lorsque le dispositif à semiconducteurs est en fonctionnement, le cadre de montage comprenant en outre un con- ducteur qui est connecté au dispositif de puissance, l'élément de base isolant comprenant un substrat électriquement isolant et thermiquement conducteur, une couche de motif de circuit formée sur le substrat élec- triquement isolant et ayant un premier motif de circuit qui est joint directement au dispositif de puissance, et un second motif de circuit correspondant à la partie de circuit prédéterminée du cadre de montage, et une couche conductrice de l'électricité qui est formée sur une sur- face principale inférieure du substrat électriquement isolant et qui est jointe à une surface principale supérieure du radiateur, la partie de cir- cuit prédéterminée du cadre de montage étant jointe au second motif de circuit, le conducteur étant joint au premier motif de circuit, et le dispo- sitif à semiconducteurs étant enrobé dans une résine par moulage par transfert, de façon qu'une surface principale inférieure du radiateur soit à nu. Selon un septième aspect de la présente invention, un dispo- sitif à semiconducteurs comprend: un élément de base isolant; un cadre de montage formé sur l'élément de base isolant et ayant une partie de circuit prédéterminée; un dispositif de puissance formé sur l'élément de base isolant; et un dispositif de commande formé sur la partie de cir- cuit du cadre de montage pour commander le dispositif de puissance, le cadre de montage comprenant en outre un conducteur qui est connecté au dispositif de puissance, l'élément de base isolant comprenant un substrat électriquement isolant et thermiquement conducteur, une couche de motif de circuit formée sur le substrat électriquement isolant et ayant un premier motif de circuit qui est joint directement au dispositif de puissance, et un second motif de circuit correspondant à la partie de circuit prédéterminée du cadre de montage, et une couche conductrice de l'électricité, formée sur la surface principale inférieure du substrat électriquement isolant, la partie de circuit prédéterminée du cadre de montage étant jointe au second motif de circuit, le conducteur étant joint au premier motif de circuit, et le dispositif à semiconducteurs étant en- robé dans une résine par moulage par transfert, de façon qu'une surface principale inférieure de la couche conductrice de l'électricité soit à nu. Selon un huitième aspect de la présente invention, la partie de circuit et le second motif de circuit sont de préférence joints ensem- ble par un adhésif isolant, par exemple à base de silicone ou d'époxy. Selon un neuvième aspect de la présente invention, le dispo- sitif de puissance est de préférence joint soit au substrat en métal iso- lant, soit à l'élément de base isolant, de façon qu'une surface principale supérieure du dispositif de puissance affleure pratiquement des surfaces principales supérieures du conducteur et de la partie de circuit. Dans le dispositif à semiconducteurs du premier aspect de la présente invention, la chaleur qui est produite par le dispositif de puis- sance pendant que le dispositif à semiconducteurs est en fonctionnement, est transférée vers le radiateur par l'intermédiaire du cadre de montage, de la couche de motif de circuit et de la couche isolante. Ceci améliore l'efficacité de la dissipation de chaleur par rapport à la structure com- prenant la résine de moulage entre le cadre de montage et le radiateur, ce qui permet d'augmenter la puissance nominale du dispositif de puis- sance. L'utilisation du cadre de montage permet d'effectuer le moulage par transfert, de façon à simplifier les étapes de fabrication et à ré- duire le nombre d'éléments, ce qui réduit le coût de fabrication. Dans le dispositif à semiconducteurs du second aspect de la présente invention, la chaleur qui est produite par le dispositif de puis- sance pendant que le dispositif à semiconducteurs est en fonctionnement, est transférée vers le radiateur par l'intermédiaire de l'élément de base isolant qui comporte le substrat électriquement isolant et fortement con- ducteur au point de vue thermique. Ceci procure une amélioration sup- plémentaire de l'efficacité de la dissipation de chaleur, ce qui augmente encore la puissance nominale du dispositif de puissance. L'utilisation du cadre de montage permet d'effectuer le moulage par transfert, pour sim- plifier les étapes de fabrication et réduire le nombre d'éléments, ce qui réduit le coût de fabrication. Dans le dispositif à semiconducteurs du troisième aspect de la présente invention, la chaleur qui est produite par le dispositif de puissance pendant que le dispositif à semiconducteurs est en fonction- nement, est transférée vers le radiateur par l'intermédiaire de l'élément de base isolant qui comprend le substrat électriquement isolant et forte- ment conducteur au point de vue thermique. Ceci améliore encore davan- tage l'efficacité de la dissipation de chaleur, ce qui augmente encore la puissance nominale du dispositif de puissance. L'utilisation du cadre de montage permet d'effectuer le moulage par transfert pour simplifier les étapes de fabrication et réduire le nombre d'éléments, ce qui réduit le coût de fabrication. Il est possible de supprimer le radiateur, pour réduire le coût de fabrication. Dans le dispositif à semiconducteurs du quatrième aspect de la présente invention, la seconde partie de circuit du cadre de montage, qui est fixée au second motif de circuit avec l'adhésif isolant, est électri- quement isolée du second motif de circuit, qui remplit à son tour la fonc- tion d'un blindage contre des bruits électriques. Le dispositif de com- mande qui est monté sur la seconde partie de circuit est donc protégé contre les bruits électriques. L'adhésif isolant est moins coûteux que d'autres moyens isolants, ce qui contribue à la réduction du coût de fabrication. Dans le dispositif à semiconducteurs du cinquième aspect de la présente invention, la chaleur qui est produite par le dispositif de puissance lorsque le dispositif à semiconducteurs est en fonctionnement, est directement transférée vers la couche de motif de circuit du substrat en métal isolant, sans passer par le cadre de montage. Ceci procure une amélioration de l'efficacité de la dissipation de chaleur par rapport à la structure dans laquelle la chaleur est transférée à travers le cadre de montage, ce qui a pour effet d'augmenter la puissance nominale du dispositif de puissance. L'utilisation du cadre de montage permet d'ef- fectuer le moulage par transfert pour simplifier les étapes de fabrica- tion et réduire le nombre d'éléments, ce qui réduit le coût de fabrication. Dans le dispositif à semiconducteurs du sixième aspect de la présente invention, la chaleur qui est produite par le dispositif de puis- sance pendant que le dispositif à semiconducteurs est en fonctionnement, est directement transférée vers la couche de motif de circuit de l'élé- ment de base isolant, sans passer par le cadre de montage. Ceci améliore l'efficacité de la dissipation de chaleur par rapport à la structure dans laquelle la chaleur est transférée à travers le cadre de montage, ce qui augmente la puissance nominale du dispositif de puissance. L'utilisation du cadre de montage permet d'effectuer le moulage par transfert pour simplifier les étapes de fabrication et réduire le nombre d'éléments, ce qui réduit le coût de fabrication. Dans le dispositif à semiconducteurs du septième aspect de la présente invention, la chaleur qui est produite par le dispositif de puis- sance pendant que le dispositif à semiconducteurs est en fonctionnement, est directement transférée à la couche de motif de circuit de l'élément de base isolant, sans passer par le cadre de montage. Ceci améliore l'efficacité de la dissipation de chaleur par rapport à la structure dans laquelle la chaleur est transférée à travers le cadre de montage. L'utili- sation du cadre de montage permet d'effectuer le moulage par transfert, pour simplifier les étapes de fabrication et réduire le nombre d'éléments, ce qui réduit le coût de fabrication. La nécessité du radiateur est éli- minée, ce qui réduit le coût de fabrication. Dans le dispositif à semiconducteurs du huitième aspect de la présente invention, la partie de circuit du cadre de montage qui est fixée au second motif de circuit de la couche de motif de circuit avec l'adhésif isolant, est électriquement isolée du second motif de circuit qui remplit lui-même la fonction d'un blindage vis-à-vis de bruits élec- triques. Par conséquent, le dispositif de commande qui est monté sur la partie de circuit est protégé contre les bruits électriques. En outre, l'adhésif isolant est moins coûteux que d'autres moyens isolants, ce qui contribue à la réduction du coût de fabrication. Dans le dispositif à semiconducteurs du neuvième aspect de la présente invention, la surface principale supérieure du dispositif de puissance affleure pratiquement les surfaces principales supérieures du conducteur et de la partie de circuit du cadre de montage. Ceci diminue la hauteur des fils d'interconnexion qui s'étendent entre le dispositif de puissance et le conducteur et la partie de circuit du cadre de montage, ce qui réduit le coût de fabrication. L'enrobage dans une résine par mou- lage par transfert, qui fait intervenir l'injection de résine dans le moule sous une pression élevée, pourrait faire descendre de force les fils d'interconnexion sous l'action de la résine, si ces fils avaient une grande hauteur, ce qui occasionnerait des contacts entre les fils d'intercon- nexion et entre le conducteur et le fil d'interconnexion adjacents, entrai- nant ainsi des rejets. La diminution de hauteur des fils d'interconnexion résout le problème et améliore le rendement de fabrication. Un but de la présente invention est donc de procurer un dis- positif à semiconducteurs qui n'exige qu'une étape simple d'enrobage avec une résine, par l'utilisation du moulage par transfert, et un coût de fa- brication réduit, et n'utilise pas de composants coûteux, ce dispositif ayant une meilleure efficacité de dissipation de la chaleur produite par un dispositif de puissance et ayant une meilleure puissance nominale du produit complet. L'invention sera mieux comprise à la lecture de la description qui va suivre de modes de réalisation, donnés à titre d'exemples non limi- tatifs. La suite de la description se réfère aux dessins annexés, dans lesquels: la figure 1 est une coupe d'un dispositif à semiconducteurs conforme à un premier mode de réalisation préféré de la présente invention la figure 2 est une vue en plan du dispositif à semiconducteurs conforme au premier mode de réalisation préféré de la présente invention la figure 3 est une coupe d'une forme modifiée du dispositif à semiconducteurs conforme au premier mode de réalisation préféré de la présente invention; la figure 4 est une coupe du dispositif à semiconducteurs conforme à un second mode de réalisation préféré de la présente inven- tion; la figure 5 est une vue en plan du dispositif à semiconducteurs conforme au second mode de réalisation préféré de la présente invention la figure 6 est une coupe du dispositif à semiconducteurs conforme à un troisième mode de réalisation préféré de la présente inven- tion; l a figure 7 est une vue en plan du dispositif à semiconducteurs conforme au troisième mode de réalisation préféré de la présente inven- tion; la figure 8 est une coupe d'une forme modifiée du dispositif à semiconducteurs conforme au troisième mode de réalisation préféré de la présente invention; la figure 9 est une coupe du dispositif à semiconducteurs conforme à un quatrième mode de réalisation préféré de la présente in- vention; la figure 10 est une vue en plan du dispositif à semiconducteurs conforme au quatrième mode de réalisation préféré de la présente inven- tion; la figure 11 est une coupe d'une forme modifiée du dispositif à semiconducteurs conforme au quatrième mode de réalisation préféré de la présente invention; la figure 12 est une coupe d'un dispositif à semiconducteurs classique; les figures 13 et 14 sont des coupes d'un autre dispositif à semiconducteurs classique; et la figure 15 est une coupe d'encore un autre dispositif à semi- conducteurs classique. A. Premier mode de réalisation préféré A-1. Structure du dispositif En se référant aux figures 1 et 2, on va maintenant décrire la structure d'un module de puissance intelligent, ou MPI, 1000, qui est un dispositif à semiconducteurs conforme à un premier mode de réalisa- tion préféré de la présente invention. En se référant à la figure 1, on note qu'un dispositif de puis- sance 101 et un dispositif de commande 102 sont placés dans des positions prédéterminées respectivement sur des cadres de montage 103a et 103b, positionnés horizontalement. Le MPI 1000 comprend un radiateur en métal 104 qui remplit la fonction d'une embase destinée à recevoir les cadres de montage 103a et 103b et à dissiper vers l'extérieur la chaleur qui est produite par le dispositif de puissance 101 lorsqu'il est sous tension. Une couche isolante 105, consistant par exemple en résine époxy, est formée sur une surface principale du radiateur 104. La couche isolante 105 contient une faible proportion de résine, pour augmenter sa conductivité thermique. A titre d'exemple, la couche isolante 105 com- * prend 80 % en poids de composants qui consistent en charges. Une couche de motif de circuit 106 est formée sur une surface principale de la couche isolante 105 avec une forme adaptée à un motif de circuit prédéterminé, pour remplir la fonction d'un blindage contre des bruits électriques, ainsi que la fonction d'un motif de circuit. La couche de motif de circuit 106 est formée par exemple par des pellicules de placage de cuivre et d'aluminium, et elle est fixée sur la surface principale de la couche isolante 105 avec un adhésif spécial (non représenté). On appelle substrat en métal isolant IM un corps en forme de plaquette qui comprend le radiateur 104, la couche isolante 105 et la couche de motif de circuit 106. Le cadre de montage 103a est brasé sur la couche de motif de circuit 106 conformément au motif de circuit. Une couche de brasure est désignée par SD sur la figure 1. Le dispositif de puissance 101 est brasé sur le cadre de montage 103a. Le dispositif de puissance 101 comprend un transistor bipolaire à grille isolée 101a et une diode de roue libre 101b. Un adhésif isolant IA est appliqué sur une surface supérieure de la couche de motif de circuit 106 conformément au motif de circuit, pour fixer le cadre de montage 103b sur la couche de motif de circuit 106. L'adhésif isolant IA comprend un adhésif à base de silicone ou un adhésif à base d'époxy. Le dispositif de commande 102 est brasé sur le cadre de montage 103b (bien que la couche de brasure ne soit pas représentée). Un signal de commande qui provient du dispositif de commande 102 est appliqué au dispositif de puissance 101 par un fil d'interconnexion en aluminium Wl qui est connecté par une opération de soudage de fil. L'en- trée et la sortie du dispositif de puissance 101 sont connectées électri- quement au cadre de montage 103a par un fil d'interconnexion en alumi- nium W2. Le dispositif de commande 102 est connecté électriquement au cadre de montage 103b par un fil d'interconnexion en aluminium W3. Un fil d'interconnexion en aluminium W4 établit une connexion électrique entre le transistor bipolaire à grille isolée 0lla et la diode de roue libre IOlb. Comme représenté sur la figure 1, le MPI 1000 est enrobé dans une résine de moulage MR, à l'exception d'une surface inférieure du radiateur 104 (la surface du radiateur 104 qui est opposée aux cadres de montage) et de parties des cadres de montage 103a et 103b qui doi- vent remplir la fonction de conducteurs externes après le processus de moulage. La figure 2 est une vue en plan du MPI 1000. La figure 1 est une coupe dans la direction des flèches A-A de la figure 2. Dans un but de simplification, la résine de moulage MR n'est pas représentée sur la figure 2. En se référant à la figure 2, on note que le cadre de montage 103a comprend un motif de circuit de dispositif de puissance PC, et un cadre FR qui est connecté à un groupe de conducteurs LI qui s'étendent à partir du motif de circuit de dispositif de puissance PC. Le cadre de montage 103b comprend un motif de circuit de dispositif de commande SC, et un cadre FR qui est connecté à un groupe de conducteurs L2 s'éten- dant à partir du motif de circuit de dispositif de commande SC. La struc- ture de la figure 2 constitue une partie du cadre de montage, et le cadre de montage comprend en pratique un ensemble de structures similaires. La couche de motif de circuit 106 comprend une paire de parties séparées: une partie qui est jointe au motif de circuit de dispo- sitif de puissance PC, et une partie qui est jointe au motif de circuit de dispositif de commande SC. Lorsque la couche de motif de circuit 106 est utilisée à titre de blindage contre des bruits électriques, la partie jointe au motif de circuit de dispositif de commande SC est connectée au potentiel de la masse. Les deux cadres FR sont disposés parallèlement l'un à l'autre et sont connectés ensemble par deux éléments de jonction JM. Les groupes de conducteurs L1 et L2 qui s'étendent à partir du motif de circuit de dispositif de puissance PC et du motif de circuit de dispositif de com- mande SC et les éléments de jonction JM sont formés d'un seul tenant avec les cadres FR. Des trous traversants formés dans les parties d'ex- trémités droite et gauche du substrat en métal isolant IM sont incorporés pour assembler avec des vis le MPI 1000 à un radiateur externe ou un élément semblable, lorsque le MPI 1000 est utilisé. Ceci s'applique égale- ment à d'autres modes de réalisation préférés. Le fait de fixer sur la couche de motif de circuit 106 les cadres de montage 103a et 103b ayant de telles configurations, permet l'enrobage avec de la résine par moulage par transfert. A-2. Fonction et effet caractéristiques Conformément au premier mode de réalisation préféré de la présente invention qui est envisagé ci-dessus, en fixant les cadres de mon- tage 103a et 103b sur le substrat en métal isolant IM, la chaleur qui est produite par le dispositif de puissance 101 pendant le fonctionnement peut être transférée vers le radiateur 104 par l'intermédiaire de la cou- che de brasure SD, de la couche de motif de circuit 106 formée par des pellicules de placage de cuivre et d'aluminium, et de la couche isolante ayant une conductivité thermique élevée, ce qui améliore l'efficacité de la dissipation de chaleur par rapport au MPI 300 qui comprend la résine de moulage entre les cadres de montage et le radiateur. Ceci augmente la puissance nominale du dispositif de puissance 101. Par exem- ple, le MPI 1000, considéré comme un produit complet, peut avoir un courant de sortie nominal d'environ 75 A et une tenue en tension nomi- nale d'environ 1200 V. On utilise l'adhésif isolant IA pour fixer le cadre de montage 103b sur la couche de motif de circuit 106. Ceci isole électriquement le cadre de montage 103b vis-à-vis de la couche de motif de circuit 106, qui remplit elle-même la fonction du blindage contre des bruits électriques. Le dispositif de commande 102 qui est disposé sur le cadre de montage 103b est donc protégé contre les bruits électriques. Bien que le MPI 100 et le MPI 200 qui sont représentés à titre de dispositifs à semiconduc- teurs classiques soient également construits de façon à protéger le dispo- sitif de commande contre des bruits électriques, le MPI 1000 conforme à la présente invention utilise un adhésif isolant, moins coûteux, pour parvenir à un coût de fabrication inférieur à celui du MPI 1000 qui uti- lise le substrat DBC 4c pour l'isolation électrique et à celui du MPI 200 qui utilise pour l'isolation électrique la seconde couche constituée par le substrat en toile de verre/résine époxy 16 et la couche conductrice de l'électricité 17. Le fait de fixer les cadres de montage 103a et 103b sur la couche de motif de circuit 106 permet l'enrobage avec une résine par moulage par transfert. De plus, l'absence de résine de moulage entre les cadres de montage et le radiateur élimine la nécessité d'effectuer deux opérations de moulage par transfert séparées comme dans le MPI 300 qui est le dispositif à semiconducteurs classique, et n'exige qu'une seule opération de moulage par transfert. A-3. Première modification du premier mode de réalisation préféré Dans le mode de réalisation préféré du dispositif à semiconduc- teurs conforme à la présente invention, le cadre de montage 103b est fixé sur la couche de motif de circuit 106 par l'utilisation de l'adhésif isolant IA. Cependant, s'il n'est pas nécessaire de protéger contre des bruits électriques le dispositif de commande 102 qui est disposé sur le cadre de montage 103b, on peut utiliser de la brasure à la place de l'adhésif isolant IA pour fixer le cadre de montage 103b sur la couche de motif de circuit 106. Dans cette forme modifiée, on doit donner à la couche de brasure SB une forme adaptée à la configuration des motifs de circuit, pour empêcher une conduction électrique entre les motifs de cir- cuit individuels par l'intermédiaire de la brasure. A-4. Seconde modification du premier mode de réalisation préféré Le premier mode de réalisation préféré du dispositif à semicon- ducteurs conforme à l'invention, qui est décrit ci-dessus, vise à améliorer la puissance nominale du produit complet constitué par le MPI 300, qui est le dispositif à semiconducteurs classique. Une seconde modification du premier mode de réalisation préféré, représentée sur la figure 3, vise à réduire le coût de fabrication en réduisant le nombre d'éléments du MPI 300. En se référant à la figure 3, on note que le dispositif de puissance 101 et le dispositif de commande 102 sont placés dans des posi- tions prédéterminées respectivement sur les cadres de montage 103a et 103b, qui sont positionnés horizontalement. Un signal de commande prove- nant du dispositif de commande 102 est appliqué au dispositif de puissance 101 par le fil d'interconnexion en aluminium Wl. L'entrée et la sortie du dispositif de puissance 101 sont connectées électriquement au cadre de montage 103a par le fil d'interconnexion en aluminium W2. Le disposi- tif de commande 102 est connecté électriquement au cadre de montage 103b par le fil d'interconnexion en aluminium W3. Le MPI de la figure 3 est enrobé dans la résine de moulage MR, à l'exception des parties des cadres de montage 103a et 103b qui doivent remplir la fonction de con- ducteurs externes après l'opération de moulage. Une telle structure supprime la nécessité du radiateur 104, de la couche isolante 105 et de la couche de motif de circuit 106, ce qui réduit le coût de fabrication. Lorsqu'on utilise le MPI de la figure 3, la surface inférieure de la résine de moulage MR (la surface de la résine de moulage MR qui est opposée aux cadres de montage) est jointe à un radiateur externe, pour dissiper la chaleur. B. Second mode de réalisation préféré B-I. Structure du dispositif En se référant aux figures 4 et 5, on va décrire la structure d'un MPI 2000 qui est le dispositif à semiconducteurs conforme à un second mode de réalisation préféré de la présente invention. En se référant à la figure 4, on note qu'un cadre de montage 203a est fixé sur la couche de motif de circuit 106 par brasage confor- mément au motif de circuit. La couche de brasure est désignée par SD sur la figure 4. Le dispositif de puissance 101 est directement brasé surla couche de motif de circuit 106. L'adhésif isolant IA est appliqué sur la surface supérieure de la couche de motif de circuit 106 conformément au motif de circuit, pour fixer un cadre de montage 203b sur la couche de motif de circuit 106. On utilise des caractères numériques et alphabéti- ques de référence similaires pour désigner des éléments identiques à ceux du MPI 1000 représenté sur la figure 1, et on ne présentera pas de description redondante. La figure 5 est une vue en plan du MPI 2000. La figure 4 est une coupe dans la direction des flèches A-A de la figure 5. Dans un but de simplification, la résine de moulage MR n'est pas représentée sur la figure 5. En se référant à la figure 5, on note que le cadre de montage 203a ne comprend pas le motif de circuit de dispositif de puissance PC, et que le groupe de conducteurs L1 s'étendant à partir du cadre FR est connecté à la surface supérieure de la couche de motif de circuit 106. B-2. Fonction et effet caractéristiques Conformément au second mode de réalisation préféré de la présente invention qui est décrit ci-dessus, le fait de fixer directement le dispositif de puissance 101 sur la couche de motif de circuit 106 permet de transférer directement à la couche de motif de circuit 106, sans passer par le cadre de montage 203a, la chaleur qui est produite par le dispositif de puissance 101 pendant le fonctionnement, ce qui améliore l'efficacité de la dissipation de chaleur en comparaison avec le MPI 1000 dans lequel la chaleur est transférée par l'intermédiaire du cadre de montage 203a. La surface principale du dispositif de puissance 101 peut af- fleurer pratiquement les surfaces principales des cadres de montage 203a et 203b, pour réduire la hauteur des fils d'interconnexion en aluminium qui s'étendent à partir du dispositif de puissance 101 vers les cadres de montage 203a et 203b, réduisant ainsi le coût de fabrication. En outre, l'enrobage dans une résine par moulage par transfert fait intervenir l'injection de résine dans le moule, sous une pression élevée. Dans ces conditions, en présence d'une hauteur élevée des fils d'intercon- nexion en aluminium, la résine pourrait faire descendre de force les fils d'interconnexion en aluminium, ce qui occasionnerait des contacts entre les fils d'interconnexion en aluminium et entre le conducteur et le fil d'interconnexion en aluminium adjacents et produirait des rejets. La hauteur réduite des fils d'interconnexion en aluminium résout le problème et améliore le rendement de fabrication. B-3. Modification du second mode de réalisation préféré Dans le second mode de réalisation préféré conforme à l'in- vention qui est envisagé ci-dessus, le cadre de montage 203b est fixé à la couche de motif de circuit 106 en utilisant l'adhésif isolant IA. Cependant, s'il n'est pas nécessaire de protéger contre des bruits élec- triques le dispositif de commande 102 qui est disposé sur le cadre de montage 203b, on peut utiliser de la brasure à la place de l'adhésif iso- lant IA pour fixer le cadre de montage 203b sur la couche de motif de circuit 106. Dans cette forme modifiée, on doit donner à la couche de brasure SD une forme adaptée à la configuration du motif de circuit, pour empêcher la conduction électrique entre les motifs de circuit indivi- duels par l'intermédiaire de la brasure. C. Troisième mode de réalisation préféré C-1. Structure du dispositif En se référant aux figures 6 et 7, on va décrire la structure d'un MPI 3000 qui est le dispositif à semiconducteurs conforme à un troisième mode de réalisation préféré de la présente invention. En se référant à la figure 6, on note qu'un dispositif de puis- sance 301 et un dispositif de commande 302 sont placés dans des positions prédéterminées sur les cadres de montage respectifs 103a et 103b, position- nés horizontalement. Le MPI 3000 comprend le radiateur en métal 104 remplissant la fonction d'une embase destinée à recevoir les cadres de montage 103a et 103b, et à dissiper vers l'extérieur la chaleur qui est produite par le dispositif de puissance 301 lorsqu'il est sous tension. Un substrat DBC (substrat à pellicules de cuivre à fixation directe) 305 est fixé par brasage sur la surface principale du radiateur 104. La couche de brasure est désignée par SD sur la figure 6. Le substrat DBC comprend une plaquette de céramique consistant en alumine (A1203) ayant des surfaces principales opposées sur lesquelles des pellicules de cuivre sont fixées directement par liaison par oxydation. On peut rem- placer la plaquette de céramique consistant en alumine par une plaquette de nitrure d'aluminium (AIN). Cependant, lorsqu'on utilise la plaquette de nitrure d'aluminium, des pellicules de cuivre sont fixées sur la plaquette de nitrure d'aluminium au moyen d'un adhésif. La couche de pellicule de cuivre sur la première surface principale du substrat DBC 305 présente un motif de circuit prédéterminé pour former une couche de motif de circuit 306. La couche de pellicule de cuivre sur une seconde surface principale du substrat DBC 305 remplit la fonction d'une couche conductrice de l'électricité 307, pour faciliter le brasage sur le radiateur 104. Les cadres de montage 103a et 103b sont fixés à la couche de motif de circuit 306 du substrat DBC 305 conformément au motif de circuit. Le cadre de montage 103a est fixé par brasage sur la couche de motif de circuit 306. La couche de brasage est désignée par SD sur la figure 6. Le dispositif de puissance 301 est brasé sur le cadre de mon- tage 103a. Le dispositif de puissance 301 comprend un transistor bipolaire à grille isolée 301a et une diode de roue libre 301b. La couche conduc- trice de l'électricité 307 du substrat DBC 305 est brasée sur le radia- teur 104. Le cadre de montage 103b est fixé sur la couche de motif de circuit 306 au moyen de l'adhésif isolant IA. Le dispositif de commande 302 est fixé sur le cadre de montage 103b par brasage (bien que la cou- che de brasure ne soit pas représentée). Un signal de commande provenant du dispositif de commande 302 est appliqué au dispositif de puissance 301 par le fil d'interconnexion en aluminium Wl qui est connecté par soudage de fil. L'entrée et la sortie du dispositif de puissance 301 sont con- nectées électriquement au cadre de montage 103a par le fil d'intercon- nexion en aluminium W2. Le dispositif de commande 302 est connecté électriquement au cadre de montage 103b par le fil d'interconnexion en aluminium W3. Le fil d'interconnexion en aluminium W4 établit une con- nexion électrique entre le transistor bipolaire à grille isolée 301a et la diode de roue libre 301b. On utilise des références numériques et alpha- bétiques semblables pour désigner des éléments identiques à ceux du MPI 1000 représenté sur la figure 1, et on ne présentera pas de description redondante. La figure 7 est une vue en plan du MPI 3000. La figure 6 est une coupe dans la direction des flèches A-A de la figure 7. Pour simpli- fier, la résine de moulage MR n'est pas représentée sur la figure 7. Le motif de circuit de dispositif de puissance PC et le motif de circuit de dispositif de commande SC des cadres de montage 103a et 103b sont conçus de façon à se conformer à la couche de motif de cir- cuit 306 sur le substrat DBC 305, comme représenté sur la figure 7. La couche de motif de circuit 306 comprend une paire de par- ties séparées: une partie qui est jointe au motif de circuit de dispo- sitif de puissance PC, et une partie qui est jointe au motif de circuit de dispositif de commande SC. Lorsque la couche de motif de circuit 306 est utilisée à titre de blindage contre des bruits électriques, la partie jointe au motif de circuit de dispositif de commande SC est connectée au po- tentiel de la masse. C-2. Fonction et effet caractéristiques Conformément au troisième mode de réalisation préféré de la présente invention qui est envisagé ci- dessus, en fixant les cadres de montage 103a et 103b sur le substrat DBC 305, la chaleur qui est pro- duite par le dispositif de puissance 301 pendant le fonctionnement peut être transférée au radiateur 104 par l'intermédiaire de la couche de brasure SD et du substrat DBC 305. La plaquette de céramique consistant en alumine (A1203) ou la plaquette de nitrure d'aluminium (AIN) formant le substrat DBC 305 a une meilleure conductivité thermique que la résine époxy, ce qui améliore l'efficacité de la dissipation de chaleur en com- paraison avec le MPI 1000 et le MPI 2000 comprenant la couche isolante en résine époxy formée sur le radiateur 104. Ceci augmente la puis- sance nominale du dispositif de puissance 301. Par exemple, le MPI 3000, considéré comme un produit complet, peut avoir un courant de sortie nominal d'environ 600 A et une tenue en tension nominale d'environ 2000 V. On a obtenu à titre d'exemple des données de conductivités thermiques exprimées en W/(m*K), et dans ce cas les conductivités thermiques de la céramique consistant en alumine et du nitrure d'aluminium sont respecti- vement de 21 et 130, tandis que la conductivité thermique de la résine époxy est de 3. C-3. Première modification du troisième mode de réalisation préféré Dans le troisième mode de réalisation préféré du dispositif à semiconducteurs conforme à la présente invention, qui est décrit ci- dessus le cadre de montage 103b est fixé à la couche de motif de circuit 306 en utilisant l'adhésif isolant IA. Cependant, s'il est nécessaire de pro- téger contre des bruits électriques le dispositif de commande 302 qui est disposé sur le cadre de montage 103b, on peut utiliser de la brasure à la place de l'adhésif isolant IA pour fixer le cadre de montage 103b sur lacouche de motif de circuit 306. Dans cette forme modifiée, on doit donner à la couche de brasure SD une forme adaptée à la configuration de motif de circuit, pour éviter la conduction électrique entre les motifs de circuit individuels par l'intermédiaire de la brasure. C-4. Seconde modification du troisième mode de réalisation préféré Dans le troisième mode de réalisation préféré de la présente invention, le substrat DBC 305 est placé sur le radiateur 104 qui remplit la fonction d'une embase pour le substrat. On peut cependant utiliser le substrat DBC 305 à titre d'embase, sans utiliser le radiateur 104. La figure 8 montre une seconde modification du troisième mode de réalisation préféré. En se référant à la figure 8, on note que la surface inférieure du substrat DBC 305 (la surface du substrat DBC 305 qui est opposée aux cadres de montage) n'est pas recouverte par la résine de moulage MR, mais que la couche conductrice de l'électricité 307 du substrat DBC 305 est à nu. Une telle configuration supprime la nécessité du radiateur 104, de façon à réduire le coût de fabrication. Lorsqu'on utilise le MPI, la couche conductrice de l'électricité 307 du substrat DBC 305 est jointe à un radiateur externe, non représenté, pour dissiper la chaleur. D. Quatrième mode de réalisation préféré D-1. Structure du dispositif En se référant aux figures 9 et 10, on va décrire la structure d'un MPI 4000 qui est le dispositif à semiconducteurs conforme à un quatrième mode de réalisation préféré de la présente invention. En se référant à la figure 9, on note que le cadre de montage 203a est brasé sur la couche de motif de circuit 306 du substrat DBC 305 en conformité avec le motif de circuit de la couche de motif de circuit 306. Le dispositif de puissance 301 est directement fixé par brasage sur le cadre de montage 203a. L'adhésif isolant IA est appliqué sur la surface supérieure de la couche de motif de circuit 306 en conformité avec le motif de circuit, pour fixer le cadre de montage 203b sur la couche de motif de circuit 306. On utilise des références numériques et alphabétiques similaires pour désigner des éléments identiques à ceux du MPI 3000 qui est repré- senté sur la figure 6, et on ne présentera pas de description redondante. La figure 10 est une vue en plan du MPI 4000. La figure 9 est une coupe dans la direction des flèches A-A de la figure 10. Pour simplifier, la résine de moulage MR n'est pas représentée sur la figure 10. Comme représenté sur la figure 10, le cadre de montage 203a ne comprend pas le motif de circuit de dispositif de puissance PC, et le groupe de conducteurs L1 s'étendant à partir du cadre FR est connecté au motif de circuit de la couche de motif de circuit 306. D-2. Fonction et effet caractéristiques Conformément au quatrième mode de réalisation préféré de la présente invention qui est décrit ci-dessus, la fixation directe du dis- positif de puissance 301 sur la couche de motif de circuit 306 permet de transférer directement à la couche de motif de circuit 306, sans passer par le cadre de montage 203a, la chaleur qui est produite par le dispo- sitif de puissance 301 pendant le fonctionnement, ce qui améliore l'ef- ficacité de la dissipation de chaleur en comparaison avec le MPI 3000 dans lequel la chaleur est transférée par l'intermédiaire du cadre de montage 203a. La surface principale du dispositif de puissance 301 peut af- fleurer pratiquement les surfaces principales des cadres de montage 203a et 203b. Ceci diminue la hauteur des fils d'interconnexion en aluminium qui s'étendent à partir du dispositif de puissance 301 jusqu'aux cadres de montage 203a et 203b, de façon à réduire le coût de fabrication. En outre, l'enrobage dans une résine par moulage par transfert fait intervenir l'injection de résine dans le moule à une pression élevée. Dans ces conditions, en présence d'une hauteur élevée des fils d'intercon- nexion en aluminium, la résine pourrait faire descendre de force les fils d'interconnexion en aluminium, ce qui aurait pour effet de produire des contacts entre les fils d'interconnexion en aluminium et entre le conduc- teur et le fil d'interconnexion en aluminium adjacents, entraînant ainsi des rejets. La hauteur réduite des fils d'interconnexion en aluminium résout le problème et améliore le rendement de fabrication. D-3. Première modification du quatrième mode de réalisation préféré Dans le quatrième mode de réalisation préféré du dispositif à semiconducteurs conforme à la présente invention, qui est décrit ci- dessus, le cadre de montage 203b est fixé à la couche de motif de circuit 306 par l'utilisation de l'adhésif isolant IA. Cependant, s'il n'est pas néces- saire de protéger contre des bruits électriques le dispositif de commande 302 qui est disposé sur le cadre de montage 203b, on peut utiliser de la brasure à la place de l'adhésif isolant IA pour fixer le cadre de montage 203b sur la couche de motif de circuit 306. Dans cette forme modifiée, on doit donner à la couche de brasure SD une forme adaptée à la confi- guration de motif de circuit, pour éviter la conduction électrique entre les motifs de circuit individuels par l'intermédiaire de la brasure. D-4. Seconde modification du quatrième mode de réalisation préféré Dans le quatrième mode de réalisation préféré conforme à la présente invention, le substrat DBC 305 est placé sur le radiateur 104 qui remplit la fonction d'une embase pour le substrat. On peut cependant utiliser le substrat DBC 305 à titre d'embase, sans utiliser le radiateur 104. La figure 11 illustre une seconde modification du quatrième mode de réalisation préféré. En se référant à la figure 11, on note que la surface inférieure du substrat DBC 305 (la surface du substrat DBC 305 qui est opposée aux cadres de montage) n'est pas recouverte par la résine de moulage MR, mais que la couche conductrice de l'électricité 307 du substrat DBC 305 est à nu. Une telle configuration supprime la nécessité du radiateur 104, ce qui réduit le coût de fabrication. Lorsqu'on utilise le MPI, la couche conductrice de l'électricité 307 sur la surface inférieure du substrat DBC 305 est jointe à un radiateur extérieur, non représenté, pour dissiper la chaleur. Il va de soi que de nombreuses autres modifications peuvent être apportées au dispositif décrit et représenté, sans sortir du cadre de l' invention. REVENDICATIONS 1. Dispositif à semiconducteurs (1000), caractérisé en ce qu'il comprend: un substrat en métal isolant (IM); un cadre de montage (FR) formé sur le substrat en métal isolant (IM) et ayant des première et seconde parties de circuit (103a, 103b); un dispositif de puissance (101) formé sur la première partie de circuit (103a) du cadre de montage (FR) et un dispositif de commande (102) formé sur la seconde partie de circuit (103b) du cadre de montage (FR), pour commander le dispositif de puis- sance (101), le substrat en métal isolant (IM) comprenant: un radiateur (104) pour dissiper vers l'extérieur la chaleur qui est produite par le dispositif de puissance (101) lorsque le dispositif à semiconducteurs est en fonctionnement, une couche isolante (105) formée sur une surface prin- cipale supérieure du radiateur (104), et une couche de motif de circuit (106) formée sur la couche isolante (105) et ayant des premier et second motifs de circuit (PC, SC) correspondant respectivement aux première et seconde parties de circuit (103a, 103b), les première et seconde parties de circuit (103a, 103b) du cadre de montage (FR) étant respectivement jointes aux premier et second motifs de circuit (PC, SC), et le dispositif à semiconducteurs (1000) étant enrobé dans une résine (MR) par moulage par transfert, de façon qu'une surface principale inférieure du radiateur (104) soit à nu. 2. Dispositif à semiconducteurs selon la revendication 1, caractérisé en ce que la seconde partie de circuit (103b) et le second motif de circuit (SC) sont joints ensemble par un adhésif isolant (IA). 3. Dispositif à semiconducteurs (3000) caractérisé en ce qu'il comprend: un élément de base isolant; un cadre de montage (FR) formé sur l'élément de base isolant et ayant des première et seconde parties de circuit (103a, 103b); un dispositif de puissance (301) formé sur la première partie de circuit (103a) du cadre de montage (FR); un dispo- sitif de commande (302) formé sur la seconde partie de circuit (103b) du cadre de montage (FR) pour commander le dispositif de puissance (301) et un radiateur (104) joint à une surface principale inférieure de l'élé- ment de base isolant pour dissiper vers l'extérieur la chaleur qui est pro- duite par le dispositif de puissance (301) lorsque le dispositif à semi- conducteurs est en fonctionnement, l'élément de base isolant comprenant un substrat électriquement isolant et thermiquement conducteur (305), une couche de motif de circuit (306) formée sur le substrat électri- quement isolant et ayant des premier et second motifs de circuit (PC, SC) correspondant respectivement aux première et seconde parties de circuit (103a, 103b), et une couche conductrice de l'électricité (307) formée sur une surface principale inférieure du substrat électriquement isolant (305) et jointe à une surface principale supérieure du radiateur (104), les première et seconde parties de circuit (103a, 103b) du cadre de montage (FR) étant jointes respectivement aux premier et second mo- tifs de circuit (PC, SC), et le dispositif à semiconducteurs (3000) étant enrobé dans une résine (MR) par moulage par transfert, de façon qu'une surface principale inférieure du radiateur (104) soit à nu. 4. Dispositif à semiconducteurs selon la revendication 3, carac- térisé en ce que la seconde partie de circuit (103b) et le second motif de circuit (SC) sont joints ensemble par un adhésif isolant (IA). 5. Dispositif à semiconducteurs caractérisé en ce qu'il com- prend: un élément de base isolant; un cadre de montage formé sur l'élément de base isolant et ayant des première et seconde parties de circuit (103a, 103b); un dispositif de puissance (301) formé sur la pre- mière partie de circuit (103a) du cadre de montage; et un dispositif de commande (302) formé sur la seconde partie de circuit (103b) du cadre de montage pour commander le dispositif de puissance (301), l'élément de base isolant comprenant: un substrat électriquement isolant et thermi- quement conducteur (305), une couche de motif de circuit (306) formée sur le substrat électriquement isolant (305) et ayant des premier et second motifs de circuit correspondant respectivement aux première et seconde parties de circuit (103a, 103b), et une couche conductrice de l'électricité (307) formée sur une surface principale inférieure du substrat électriquement isolant (305), les première et seconde parties de circuit (103a, 103b) du cadre de montage étant jointes respectivement aux pre- mier et second motifs de circuit, et le dispositif à semiconducteurs étant enrobé dans une résine (MR) par moulage par transfert, de façon qu'une surface principale inférieure de la couche conductrice de l'électricité (307) soit à nu. 6. Dispositif à semiconducteurs selon la revendication 5, carac- térisé en ce que la seconde partie de circuit (103b) et le second motif de circuit sont joints ensemble par un adhésif isolant (IA). 7. Dispositif à semiconducteurs (2000) caractérisé en ce qu'il comprend: un substrat en métal isolant (IM); un cadre de montage (FR) formé sur le substrat en métal isolant (IM) et ayant une partie de cir- cuit prédéterminée (203b); un dispositif de puissance (101) formé sur le substrat en métal isolant (IM); et un dispositif de commande (102) formé sur la partie de circuit prédéterminée (203b) du cadre de montage (FR), pour commander le dispositif de puissance (101), le cadre de mon- tage (FR) comprenant en outre un conducteur (L1) qui est connecté au dispositif de puissance (101), le substrat en métal isolant (IM) com- prenant: un radiateur (104) pour dissiper vers l'extérieur la chaleur qui est produite par le dispositif de puissance (101) lorsque le dispositif à semiconducteurs est en fonctionnement, une couche isolante (105) formée sur le radiateur (104), et une couche de motif de circuit (106) formée sur la couche isolante (105) et ayant un premier motif de circuit qui est joint directement au dispositif de puissance (101) et un second motif de circuit (SC), correspondant à la partie de circuit prédéterminée (203b) du cadre de montage (FR), la partie de circuit prédéterminée (203b) du cadre de montage (FR) étant jointe au second motif de circuit (SC), tandis que le conducteur (L1) est joint au premier motif de circuit, et le dispositif à semiconducteurs (2000) étant enrobé dans une résine (MR) par moulage par transfert, de façon qu'une surface principale inférieure du radiateur (104) soit à nu. 8. Dispositif à semiconducteurs selon la revendication 7, carac- térisé en ce que la partie de circuit prédéterminée (203b) et la seconde partie de circuit (SC) sont jointes ensemble par un adhésif isolant (IA). 9. Dispositif à semiconducteurs selon la revendication 7, carac- térisé en ce que le dispositif de puissance (101) est joint au substrat en métal isolant (IM) de façon qu'une surface principale supérieure du dis- positif de puissance (101) affleure pratiquement des surfaces principales supérieures du conducteur (L1) et de la partie de circuit prédéterminée (203b). 10. Dispositif à semiconducteurs (4000), caractérisé en ce qu'il comprend: un élément de base isolant; un cadre de montage (FR) formé sur l'élément de base isolant et ayant une partie de circuit pré- déterminée (203b); un dispositif de puissance (301) formé sur l'élément de base isolant; un dispositif de commande (302) formé sur la partie de circuit prédéterminée (203b) du cadre de montage (FR), pour commander le dispositif de puissance (301); et un radiateur (104) qui est joint à une surface principale inférieure de l'élément de base isolant pour dis- siper vers l'extérieur la chaleur qui est produite par le dispositif de puissance (301) lorsque le dispositif à semiconducteurs est en fonction- nement, le cadre de montage (FR) comprenant en outre un conducteur (L1) qui est connecté au dispositif de puissance (301), l'élément de base isolant comprenant: un substrat électriquement isolant et thermiquement conducteur (305), une couche de motif de circuit (306) formée sur le substrat électriquement isolant (305) et ayant un premier motif de cir- cuit qui est joint directement au dispositif de puissance (301) et un second motif de circuit (SC) correspondant à la partie de circuit prédé- terminée (203b) du cadre de montage (FR), et une couche conductrice de l'électricité (307) formée sur une surface principale inférieure du substrat électriquement isolant (305) et jointe à une surface principale supérieure de radiateur (104), la partie de circuit prédéterminée (203b) du cadre de montage (FR) étant jointe au second motif de circuit (SC), tandis que le conducteur (LI) est joint au premier motif de circuit, et le disposi- tif à semiconducteurs (4000) étant enrobé dans une résine (MR) par mou- lage par transfert, de façon qu'une surface principale inférieure du radiateur (104) soit à nu. 11. Dispositif à semiconducteurs selon la revendication 10, carac- térisé en ce que la partie de circuit prédéterminée (103b) et le second motif de circuit (SC) sont joints ensemble par un adhésif isolant (IA). 12. Dispositif à semiconducteurs selon la revendication 10, carac- térisé en ce que le dispositif de puissance (301) est joint à l'élément de base isolant de façon qu'une surface principale supérieure du dispo- sitif de puissance (301) affleure pratiquement des surfaces principales supérieures du conducteur (L1) et de la partie de circuit prédéterminée (203b). 13. Dispositif à semiconducteurs caractérisé en ce qu'il com- prend: un élément de base isolant (305, 306, 307); un cadre de mon- tage formé sur l'élément de base isolant et ayant une partie de circuit prédéterminée (203b); un dispositif de puissance (301) formé sur l'élé- ment de base isolant; et un dispositif de commande (302) formé sur la partie de circuit prédéterminée (203b) du cadre de montage, pour com- mander le dispositif de puissance (301), le cadre de montage comprenant en outre un conducteur qui est connecté au dispositif de puissance (301), l'élément de base isolant comprenant: un substrat électriquement Isolant et thermIquement conducteur (305), une couche de motif de circuit (306) formée sur le substrat électriquement isolant (305) et ayant un premier motif de circuit qui est joint directement au dispositif de puissance (301), et un second motif de circuit correspondant à la partie de circuit pré- déterminée (203b) du cadre de montage, et une couche conductrice de l'électricité (306) qui est formée sur une surface principale inférieure du substrat électriquement isolant (305), la partie de circuit prédéterminée (203b) du cadre de montage étant Jointe au second motif de circuit, tandis que le conducteur est joint au premier motif de circuit, et ce dis- positif à semiconducteurs étant enrobé dans une résine (MR) par mou- lage par transfert, de façon qu'une surface principale inférieure de la couche conductrice de l'électricité (307) soit à nu. 14. Dispositif à semiconducteurs selon la revendication 13, carac- térisé en ce que la partie de circuit prédéterminée (203b) et le second motif de circuit sont Joints ensemble par un adhésif Isolant (IA). 15. Dispositif à semiconducteurs selon la revendication 14, carac- térisé en ce que le dispositif de puissance (301) est joint à l'élément de base isolant de façon qu'une surface principale supérieure du disposi- tif de puissance (301) affleure pratiquement des surfaces principales su- périeures du conducteur et de la partie de circuit (203b).