FR 2736210 A1 19970103 FR 9202218 A 19920226 HETEROSUBSTRAT POUR MATERIAU II-VI SEMI-CONDUCTEUR ET DISPOSITIF UTILISANT CET HETEROSUBSTRAT DESCRIPTION L'invention se rapporte à un heterosubstrat destiné à supporter un matériau II-VI semi-conducteur de composition ternaire ou quaternaire ainsi qu'aux dispositifs utilisant cet héterosubstrat. Les matériaux II-VI semi-conducteurs à supporter sont en particulier des composés du type H91 Cdx Te ou du type H91 Cd Te Se avec O O O Ces composés présentent une bande d'énergie interdite variant de façon continue avec les compositions x et y. Cette bande interdite fixe le domaine spectral de détection du rayonnement. Le domaine spectral de détection s'etend de 0,8 m à 30 m. Le plus souvent, on s'intéresse aux deux gammes de longueur d'onde 3 à 5,um et 8 à 12 m bien adaptées à l'imagerie thermique. Pour le matériau HgCdTe, noté ci-apres MCT, les compositions x voisines de 0,30 et de 0,20 correspondent respectivement aux gammes spectrales de detection de 3 à 5pm et 8 à 12ym. Les matériaux HgCdTeSe et CdZnHgTe sont notés ci-après MCTSe et MCZT. Le composé MCT est universellement adopté pour la réalisation de détecteurs infrarouges de haute performance ; ces détecteurs sont du type photoconducteur ou photovoltarque. En outre, ces composés MCT sont parfaitement bien adaptés à la réalisation de détecteurs à lecture électronique intégrée, utilisant des circuits de lecture formés sur des substrats en silicium. Les substrats généralement utilises comme support de couches minces en MCT, MCTSe ou MCZT sont le CdTe ou le Cd Zn Te avec O 1-z z Dans les realisations de detecteurs de rayonnements infrarouges, on choisit, pour des raisons d'adaptation de parametres de maille cristalline, z=0,04 pour des couches de MCT travaillant dans la fenêtre de 3 à 5Mm ou z=0,05 pour des couches de MCT travaillant dans la fenêtre 8 à 12vu. Ces substrats de CdTe et CdZnTe présentent un certain nombre d'inconvénients à savoir - la disponibilité en petites dimensions, - la fragilité, - I'irreproductibilite de la qualite cristalline ainsi que de la purete. Ces trois premiers inconvenients alourdissent considérablement le prix de revient des substrats en CdTe ou CdZnTe et donc celui des dispositifs les utilisant. Enfin, la différence qui existe entre les coefficients de dilatation thermique d'un substrat de CdTe ou de CdZnTe et d'un substrat de silicium, destiné au support des circuits de lecture des détecteurs infrarouges et qui va être hybridé au substrat II-VI, est telle qu'elle présente un risque de casse lors de la mise en froid du composant, ainsi qu'une limitation à l'extension des dimensions latérales des dispositifs infrarouges réalisables. Afin de remédier à ces différents inconvénients, de nombreux laboratoires ont envisagé le remplacement des substrats de CdTe et de CdZnTe. Les differents substrats de remplacement proposes sont : - le saphir, - l'arséniure de gallium massif, - l'arséniure de gallium épitaxie sur du silicium, - les fluorures d'alcalins épitaxiés sur du silicium, - le silicium. Ces substrats, de nature différente de celle des matériaux MCT, MCTSe ou MCZT, sont communement appelés des hetérosubstrats. Comme il est impossible de prédire si un hétérosubstrat est compatible ou non avec la fabrication de détecteurs infrarouges performants utilisant des couches minces en MCT, l'approche experimentale en utilisant une couche MCT de bonne qualité est indispensable. Actuellement, seule l'épitaxie en phase liquide (LPE) est unanimement reconnue comme capable de produire des matériaux MCT conformes aux criteres imposés par les dispositifs de detection performants dans les deux gammes de longueur d'onde 3 à 5m et 8 à 121ut. L'utilisation de cette technique impose cependant une contrainte liée à l'orientation du substrat d'épitaxie qui doit être . Certains laboratoires, n'ayant pas à leur disposition un procede d'épitaxie en phase liquide fiable, ont tenté de valider ces heterosubstrats au travers de couches MCT obtenues par croissance en phase vapeur, soit par jet moléculaire (MBE), soit à partir d'organométalliques (MOCVD) ou d'hydrures, mais sans grand succès. Parmi les hétérosubstrats proposes ci-dessus, on ne retiendra donc que ceux qui ont été étudiés avec du MCT déposé par LPE sur substrat oriente et qui ont conduit à des résultats significatifs, à savoir : - le saphir utilisé avec une couche de CdTe par Rockwell (voir le document de W.E. TENNANT, IEDM 83, pp. 704 à 706, "Recent developments in HgCdTe photovoltaic devices grown on alternative substrates usine heteroepitaxy"), - l'arséniure de gallium utilisé par Honeywell avec une couche de CdTe (voir le document de J.L. SCHMIT, J. Vac. Sci. Technol. A4(4), de juilletaoût 1986, pp. 2141-2149, "Metal-organic chemical vapor deposition hybrid substrates for HgCdTe"), - l'arséniure de gallium sur silicium utilisé avec une couche de CdTe par SBRC (voir l'article de S.M. JOHNSON et al., Appl. Phys.Lett. 56(10) du 5 mars 1990, p. 946-948, "HgCdTe 128x128 infrared focal plane arrays on alternative substrates of cdznTe/GaAs/si" ainsi que l'article de K.R. ZANIO et T.C. BEAN, SPIE vol. 930, IR detectors and arrays (1988), pp. 44-55, " HgCdTe photovoltaic detectors on Si substrates"). Chacune de ces voies souffre cependant d'un handicap. En effet, le saphir n'étant pas transparent au-delå de 5Mm de longueur d'onde, les détecteurs infrarouges réalisés sur un tel substrat ne peuvent fonctionner que dans la gamme 3 à 5Mm. L'arséniure de gallium ayant un coefficient de dilatation thermique du même ordre de grandeur voire supérieur à celui de CdTe et donc très different de celui du silicium ne résout pas les problèmes rencontrés au cours du refroidissement du composant. D'autre part, la contamination de la couche active de MCT ou de MCTSe par exodiffusion de Ga et d'As est réelle aux températures auxquelles se pratique l'épitaxie en phase liquide nuisant en cela aux performances des détecteurs. Le CdTe/GaAs/Si et le CdZnTelGaAs/Si paraissent mieux placés que les deux autres hétérosubstrats. Toutefois, le reproche que l'on peut leur faire est encore la contamination de la couche active de MCT, MCTSe ou MCZT par exodiffusion de Ga et d'As, nuisant aux performances des détecteurs tres sensibles aux moindres variations de dopage, surtout dans la gamme 8 à 12,ut. D'ailleurs, les seules diodes ayant fait l'objet de publication jusqu'à ce jour ont une longueur d'onde de détection de 6pm à 80K et encore leurs performances sont-elles 10 fois inférieures à celles obtenues à la même longueur d'onde sur un substrat conventionnel massif de CdZnTe. L'invention a donc pour objet un hétérosubstrat pour matériau II-VI semi-conducteur permettant de remédier aux différents inconvénients mentionnés ci-dessus ainsi qu'un dispositif utilisant cet hétérosubstrat. En particulier, cet hétérosubstrat répond à tous les criteres imposes par l'utilisateur tels que la dimension, le coût, la solidité, la qualité cristalline, la transparence dans les deux fenêtres infrarouges les plus couramment utilisées. De façon plus précise, l'invention a pour objet un hetérosubstrat pour un matériau II-VI ternaire ou quaternaire, comportant un substrat de base en germanium et au moins une couche de transition en matériau II-VI destinée à être interposee entre le matériau ternaire ou quaternaire et le substrat de base en germanium, dont la composition est choisie pour réduire le désaccord de mailles cristallines entre le substrat de base et le matériau ternaire ou quaternaire. Cette couche peut être épaisse, de l'ordre de 101ut ou bien être réduite à une épaisseur de l'ordre de 3nm. Elle peut être réalisée en matériau binaire, ternaire ou quaternaire. Le germanium présente un coefficient de dilatation thermique qui n'est certes pas mieux placé que celui du GaAs ou du saphir par rapport au silicium. Cependant, il présente un avantage considérable que n'offre aucun des hétérosubstrats de l'art antérieur, celui d'autoriser une transition graduelle du paramètre de maille jusqu'à celui du matériau ternaire ou quaternaire II-VI. En outre, il est transparent aux infrarouges dans les deux fenêtres de longueurs d'ondes 3 à 51um et 8 à 12gui. Selon l'invention, l'utilisation d'une couche de transition en matériau II-VI permet de réduire le désaccord de mailles cristallines entre le substrat de base et le matériau ternaire ou quaternaire (MCT par exemple). Dans le cas où le matériau ternaire ou quaternaire (MCT par exemple) est déposé par épitaxie en phase liquide, cette couche de transition permet de plus d'assurer le mouillage du substrat par la solution d'épitaxie. Par ailleurs, cette couche de transition n'est pas un poison pour le matériau II-VI ternaire ou quaternaire, ce qui fait que pour une couche active en matériau II-VI, les propriétés électriques de cette dernière ne sont pas susceptibles d'être modifiées aussi bien au cours de l'élaboration du dispositif semi-conducteur qu'au cours de son utilisation. Quant à la contamination de la couche active en matériau II-VI par le germanium lui-même, elle est devenue tres faible, voire impossible par la présence de la couche de transition. Le matériau II-VI auquel s'applique plus spécialement l'invention est du Hg Cd Te avec O 1-x x Toutefois, de façon générale, L'invention s'applique à tout composé ternaire ou quaternaire constitué d'au moins un élément Il choisi parmi le zinc, le cadmium, le mercure et d'au moins un élément VI choisi parmi le sélénium, le tellure et le soufre comme par exemple les composés CdZnHgTe, CdHgTeSe, HgZnTeSe. L'hétérosubstrat de l'invention est parfaitement bien adapte à la réalisation de dispositifs de détection infrarouge. Aussi, l'invention a pour objet un dispositif de détection infrarouge comportant une couche semiconductrice active en matériau II-VI ternaire ou quaternaire, dopée d'un premier type de conductivité et comportant une région active diffusée ou implantée d'un second type de conductivité, une prise de contact électrique sur la zone active et isolée de la couche semi-conductrice, caractérisé en ce que la couche semiconductrice est formée sur un hétérosubstrat tel que défini précédemment. De façon avantageuse, la couche semiconductrice II-VI du dispositif de détection est obtenue par épitaxie en phase liquide sur la couche de transition en matériau II-VI. Cette couche de transition est constituée d'au moins un élément II choisi parmi le zinc, le cadmium, le mercure et d'au moins un élément VI choisi parmi le sélénium, le tellure et le soufre. Sa composition binaire, ternaire ou quaternaire doit être différente de celle constituant la couche semiconductrice II-VI en vue de l'adaptation des paramètres de mailles. Le germanium offre par ailleurs l'avantage exceptionnel de pouvoir être lui-même épitaxié sur un substrat de silicium. Aussi, afin de régler définitivement le problème engendré par la différence de coefficient de dilatation thermique entre le substrat de base en germanium et le substrat en silicium sur lequel sont réalisés les circuits de lecture d'un détecteur infrarouge notamment lors du refroidissement de 300 à 77K (77K etant la temperature de fonctionnement du détecteur infrarouge final), l'hétérosubstrat de l'invention comporte avantageusement un substrat massif en silicium sur lequel est épitaxie le substrat de base en germanium. Afin d'adapter le paramètre de maille entre le germanium et le silicium massif, on interpose avantageusement entre le substrat massif de silicium et le germanium un matériau d'adaptation de maille cristalline en Si 1-a Ge avec O 1-a a ~ ~ Ce matériau d'adaptation a une composition fixe ou de préférence variant graduellement et continûment du silicium au germanium. Ainsi, le matériau de composition graduelle est en silicium, à l'interface avec le substrat massif, et en germanium à l'interface avec le substrat de base. La transition entre Ge et Si s'effectuant graduellement, le désaccord de paramètre de maille est graduellement reduit ; il en va de même pour le taux de dislocation et pour l'écart de coefficient de dilatation thermique. Conformément à l'invention, une ou plusieurs couches de transition en matériau II-VI peuvent être intercalees entre le substrat de base en germanium et le matériau ternaire ou quaternaire II-VI. Conformément à l'invention, ce ou ces couches de transition sont formées par dépôt chimique en phase vapeur, de préférence par épitaxie par jets moléculaires (MBE) ou à partir d'organométalliques (MOCVD) et/ou d'hydrures métalliques. Aussi, de façon avantageuse, l'hétérosubstrat de l'invention comprend au moins une première et une seconde couches lI-VI, superposées, de composition différente présentant des paramètres de maille proches respectivement de ceux du substrat en germanium et de ceux du matériau ternaire ou quaternaire, la premiere et la seconde couches étant au contact respectivement du substrat en germanium et du matériau ternaire ou quaternaire. L'emploi de plusieurs couches II-VI empilees permet d'adapter le paramètre de maille au mieux entre le germanium et le matériau ternaire ou quaternaire II VI. Pour un matériau ternaire en MCT, l'hétérosubstrat de l'invention comporte avantageusement une couche de CdTe sur laquelle est epitaxié le matériau MCT. De préférence, cette couche de CdTe est ellemême épitaxie sur une couche de ZnTe. Dans une version plus complète, l'hetérosubstrat de l'invention comprend entre le substrat de base en germanium et la couche active en MCT une couche de ZnSe epitaxiée sur le substrat en germanium, une couche de ZnTe épitaxiée sur la couche de ZnSe et une couche de CdTe épitaxiée sur la couche de ZnTe, la couche de CdTe etant destinée à recevoir le matériau II-VI ternaire ou quaternaire. Il est toutefois possible d'epitaxier la couche de CdTe sur une couche de ZnSe. Dans ces réalisations, il n'intervient que des composés binaires de la même famille II-VI que le MCT formant entre eux des solutions solides continues dans lesquelles le paramètre de maille varie graduellement. La différence d'accord de maille entre le germanium et le MCT qui, se traduit normalement par une densité de dislocation, est ainsi graduellement résorbée et la densite de dislocation reduite. Dans une version encore plus élaborée, on peut utiliser entre le germanium et le matériau ternaire ou quaternaire une couche en ZnSe Te avec 1-t t O On peut par ailleurs utiliser entre la couche de ZnSeTe précédente et le matériau actif une couche de Zn 1-u Cd Te avec O On peut aussi utiliser simplement entre le germanium et Le matériau actif une couche de Zn 1-u Cd Te u avec O l'autre ; cette couche est de préférence destinée à recevoir le matériau ternaire ou quaternaire et présente alors la composition u=1 au niveau du matériau ternaire. D'autres caractéristiques et avantages de l'invention ressortiront mieux de la description qui va suivre, donnee à titre illustratif et non limitatif, en référence aux dessins annexés, dans lesquels - la figure 1 représente schématiquement un détecteur infrarouge à hétérosubstrat conforme à l'invention ; - les figures 2 à 7 représentent schématiquement differentes variantes de realisation d'un hétérosubstrat conforme à l'invention ; et - la figure 8 donne la caracteristique courant-tension d'une diode de détection infrarouge realisee sur un hétérosubstrat conforme à l'invention. Sur les figures 1 à 7, les couches de même composition porteront les mêmes références. Sur la figure 1, l'hétérosubstrat d'un détecteur de rayonnement infrarouge selon l'invention comporte un substrat massif monocristallin 10 de germanium d'orientation cristalline . Sur ce substrat 10 sont epitaxiées, dans l'ordre, une couche 12 de ZnSe, une couche 14 de ZnTe puis une couche 16 de CdTe. Ces couches 12 à 16 ont une épaisseur inferieure ou égale à 10pu. Elles peuvent être réalisées par toutes méthodes de dépôt en phase vapeur, par exemple par épitaxie par jets moleculaires ou par MOCVD. Sur cet héterosubstrat, on forme par épitaxie en phase liquide, une couche 18 de MCT de 10pm d'épaisseur environ. Cette couche a une composition x en cadmium de 0,2 ou 0,3. Conformément à l'art antérieur, on réalise une mosaïque de détecteurs infrarouges 25 dans La couche 18 de MCT. Cette mosaïque de détecteurs infrarouges est ensuite connecté, via des circuits hybrides 20 bien connus de l'homme de l'art, à des circuits de lecture réalisés sur substrat en silicium 22, conformement à l'art antérieur. Ces circuits sont en particulier des circuits à transfert de charge du type CCD. On decrit, ci-apres, dans une conception simple la réalisation de détecteurs infrarouges. A cet effet, la couche active 18 en MCT est dopee de type p et contient des zones n 24 diffusées ou implantées constituant chacune la zone active d'un détecteur. Les couches epitaxiees 12, 14 et 16 sont non intentionnellement dopees. La couche active 18 est surmontée d'une couche isolante 26, généralement en ZnS, comportant des fenêtres 28 en regard des zones diffusées 24 et permettant une prise de contact électrique 30 sur ces zones. C'est sur ces prises de contact électrique que sont connectés les circuits d'hybridation 20 des circuits de lecture 22. Bien entendu, d'autres types de détecteurs infrarouges peuvent être réalisés sur l'hétérosubstrat de l'invention et en particulier des detecteurs à hétérostructure comme decrits dans le document FR-A-2 592 740 déposé au nom du demandeur. La différence de maille entre le germanium et la couche 18 de MCT est grâce à l'empilement CdTe/ZnTe/ZnSe graduellement résorbée (comme cela ressort du tableau ci-apès) et la densité de dislocation réduite. Dans cette configuration, la contamination de la couche 18 en MCT par le germanium est impossible du fait de la présence de la couche 12 de ZnSe, réputée étanche à la diffusion du germanium. On donne dans le tableau ci-apres, les propriétés cristallines et de refroidissement des composés binaires II-VI utilises dans la structure de la figure 1 ainsi que celles du silicium et du germanium. Paramètre de raille Contraction en pi pour 10 mm de matériau refroidi (nm)x1-0 de 300 K à 77 K CdTe 6,481 9,5 m ZnTe 6,104 16.6 m ZnSe 5,667 15,4 m MCT 6,465 10,5 pi Si 5,431 2.8 pi Ge 5,658 8.5 pi D'apres ce tableau, on constate bien que ZnSe, ZnTe et CdTe assurent une adaptation de maille cristalline entre le substrat de germanium et le silicium utilisés pour les circuits de lecture des détecteurs infrarouges. Toutes les variantes de réalisation de l'hétérosubstrat de l'invention (voir figures 1 à 7) font appel à la croissance MOCVD de couches individuelles, suivie d'une reprise en épitaxie en phase liquide pour faire la couche active 18 en MCT. Pratiquement, la réalisation de la structure représentée sur la figure 1 se fait dans les conditions opératoires données ci-après. Un substrat monocristallin de germanium d'orientation est introduit dans un réacteur de 4 dépôt MOCVD maintenu à la pression de 2,026x10 Pa (0,2 atm). La température du suscepteur sur lequel repose le substrat de germanium se situe dans la gamme de 400 à 6000C. Les organométalliques tels que les DEZn (diethylzinc), DESe (diéthyisélénium), DMCd (diméthylcadmium), DETe (diéthyltellure), sont contenus dans des bulleurs maintenus respectivement à 200C, 100C, 50C et 300C afin d'assurer une pression partiel le respectivement de zinc, sélénium, cadmium et tellure convenable. Ces organométalliques sont entrasses de leur bulleur respectif vers le reacteur par un flux de gaz vecteur d'hydrogène, d'argon ou d'hélium dont les débits sont régulés à des valeurs de 200å 300cc/minute. Lorsque le substrat de germanium atteint la temperature de 400 à 6000C, on injecte DEZn et DESe dont la décomposition réactive permet la croissance d'une couche monocristalline de ZnSe de 2?m d'épaisseur (pour une durée d'épitaxie de 60 min.). La croissance de ZnSe est interrompue par fermeture de la vanne de DESe ; simultanément, l'ouverture de la vanne de DETe permet l'initialisation de La croissance de ZnTe. Pour 60 minutes d'épitaxie, une couche de ZnTe de 5um est déposée sur la couche précédente. L'interruption de la croissance de ZnTe se fait en fermant la vanne de DEZn ; en même temps, l'ouverture de la vanne de DMCd initialise la croissance de CdTe, qui, poursuivie sur une duree d'épitaxie de 30 minutes, donne naissance à une couche de 101ut d'épaisseur. L'interruption de la croissance se fait par fermeture simultanée des vannes de DMCd et de DETe. Bien entendu, il est possible de remplacer le DESe par de l'hydrure de sélénium H Se pour le dépôt de 2 la couche de ZnSe. La température du substrat est alors abaissée vers la température ambiante. Sorti du reacteur de dépôt MOCVD, le substrat de germanium recouvert de l'empilement de couches ZnSe/ZnTe/CdTe est charge dans un bâti d'épitaxie en phase liquide pour y recevoir la couche de MCT selon une procédure bien connue et largement publiée dans la littérature scientifique. Une réalisation plus simple d'héterosubstrat conforme à l'invention est représentée sur la figure 2. Dans cette réalisation, la couche 16 en CdTe est directement épitaxie par MOCVD sur le substrat massif 10 de germanium. Cet empilement, tout à fait possible, presente les mêmes avantages que celui de la figure 1 si ce n'est que l'adaptation du paramètre de maille est légèrement moins bonne que celle de la variante de La figure 1. Conformément à l'invention, il est aussi possible de realiser une variante intermédiaire entre celle de la figure 1 et celle de la figure 2. Cette variante est représentée sur la figure 3. Elle se distingue de la structure de La figure 1 par l'épitaxie directe de la couche 14 de ZnTe sur le substrat 10 en germanium, par MOCVD. Cette realisation est mieux adaptée en parametre de maille que celle représentée sur la figure 2, mais elle est toutefois moins bien adaptée que dans la structure ideale représentée sur la figure 1. Afin de régler le problème de la différence de coefficient de dilatation thermique entre le germanium et les circuits de lecture 22 en silicium, il est possible de réaliser la structure représentée sur la figure 4. Cette structure comporte un substrat massif 32 en silicium monocristallin par exemple d'orientation sur lequel on a épitaxie par MOCVD ou par toute autre technique (MBE, LPE, ...) une couche 34 de Si 1-a Ge avec a variant graduellement et a continûment de O à 1. A l'interface 36 avec le substrat de silicium 32, la couche 34 est du silicium pur et à l'interface 38 avec le germanium, la couche 34 est du germanium pur. La transition s'effectuant graduellement entre le silicium 32 et le germanium 10, le taux de dislocation se trouve réduit ainsi que l'écart entre les coefficients de dilatation thermique. Dans une version encore plus élaborée, on utilise, comme représenté sur la figure 5, une croissance continue de couches ternaires 15 et 17 respectivement en ZnSe Te et Zn Cd Te avec O 1-t t 1-u u et O De même, la couche 17 a, à L'interface 21, la composition u=O et est donc en ZnTe et, à L'interface 23 avec la couche de MCT, la composition u=1 et est donc en CdTe. La structure graduelle entre le substrat 10 de germanium et la couche 18 en MCT a une épaisseur de 30 m environ. Cette composition graduelle de couches ternaires offre une variation graduelle du paramètre de maille depuis celui du germanium jusqu'à celui du MCT. Dans une autre version représentée sur la figure 6, on n'utilise que la couche 17 de Zn Cd Te 1-u u avec u variant graduellement, entre le substrat de germanium 10 et la couche 18 de MCT. Cette couche 17 présente à l'interface 27, au contact du germanium 10 la composition ZnTe (correspondant à u=0) et à l'interface 23 une composition en cadmium proche de 1. Cette couche a une épaisseur d'au moins 10 m. La valeur exacte de u à l'interface 23 est fonction de la composition x en cadmium du matériau MCT de la couche 18. Pour Le compose Hg Cd Te (avec 0,7 0,3 x=0,3), u est choisi régal à 0,96, ce qui correspond au compose Zn Cd Te et pour le compose Hg Cd Te 0 04 0,96 (avec x=0,2S, u est egal à 0,95, ce qui correspond au composé Zn0,05 Cd0,95 Te. Il est aussi impossible de remplacer la couche 17 de Zn Cd Te de composition graduelle par une 1-u u couche ternaire de composition fixe dans toute l'épaisseur de la couche. Comme représente sur la figure 7, cette couche ternaire 29 est par exemple en ZnCdTe. Elle est interposée entre le substrat 10 de germanium et la couche 18 de MCT. Elle a une épaisseur d'au moins 10 m. La composition en cadmium de cette couche 29 déprend de la composition en cadmium de la couche de MCT. Pour x=0,3, la couche 29 est en Zn Cd Te et 0,04 0,96 pour x=0,2, la couche 29 est en Zn Cd Te. 0,05 0,95 Cette couche ternaire de composition fixe peut aussi etre utilisée dans les variantes représentées sur les figures 1, 3 et 4 à la place de la couche 16 de CdTe. Par ailleurs, il est possible d'utiliser une couche quaternaire entre le substrat de germanium 10 et la couche active 18 en MCT. Cette couche quaternaire doit avoir une composition assurant une réduction du désaccord de mailles cristallines entre le germanium et la couche 18. Elle peut être réalisée en Zn Cd Te Se 1-d d 1-p p avec O Conformément à l'invention, la structure représentée sur les figures 5 à 7 ainsi que celles représentées sur les figures 2 et 3 peuvent etre complétées par une couche de Si Ge et un substrat 1-a a massif en silicium comme représenté sur la figure 4. Sur la figure 8, on a représente une caractéristique courant-tension d'une diode en MCT épitaxie sur un hétérosubstrat de CdTe/Ge. L'intensité I du courant est exprimée en nA et la tension V est exprimée en mV. La couche de MCT est réalisée par épitaxie en phase liquide et la couche de CdTe par MOCVD dans les conditions décrites précédemment. La composition en mercure du matériau MCT correspond à x=0,3, ce qui correspond à La fenêtre de détection infrarouge de 3 à La La couche de MCT est dopée de type p par encart à 17 3 la stoechiométrie à un niveau de 10 at/cm dans 13 laquelle est l.plantée du bore à une dose de 10 à 15 2 10 at/cm , creant une zone active du type n. La description précédente a été faite pour une couche active semi-conductrice en MCT mais il va de soi que l'invention s'applique aussi pour des couches en MCTSe, MCZT et de façon générale pour tout composé II-VI ternaire ou quaternaire. REVENDICATIONS 1. Hetérosubstrat pour un matériau II-VI ternaire ou quaternaire, comportant un substrat de base en germanium (10) et au moins une couche (12, 14, 16, 15, 17) de transition en matériau II-VI destinée à être interposée entre le matériau ternaire ou quaternaire et le substrat de base en germaniumJ dont la composition est choisie pour réduire le désaccord de mailles cristallines entre le substrat de base et le matériau ternaire ou quaternaire. 2. Hétérosubstrat pour un matériau en Hg Cd Te avec O 1-x x (10) en germanium et au moins une couche (12, 14, 16, 15, 17) de transition en matériau II-VI destinée à etre interposee entre le matériau ternaire ou quaternaire et le substrat de base en germaniumv dont la composition est choisie pour réduire le désaccord de mailles cristallines entre le substrat de base et le matériau ternaire ou quaternaire. 3. Hétérosubstrat selon la revendication 1 ou 2, caracterisé en ce que le substrat de base est épitaxie sur un substrat massif (32) en silicium. 4. Hétérosubstrat selon la revendication 3, caractérisé en ce qu'un matériau (34) d'adaptation de maille cristalline en Si Ge est intercalé entre le 1-a a substrat massif de silicium et le substrat de base en germanium, avec O 5. Hétérosubstrat selon La revendication 4, caractérisé en ce que le matériau (34) d'adaptation a une composition variant graduellement du silicium au germanium en partant du substrat massif vers le substrat de base. 6. Hétérosubstrat selon l'une quelconque des revendications 1 à 5, caractérise en ce que la couche (12, 14, 16, 15, 17) de transition est constituée d'au moins un élément Il choisi parmi le zinc, le cadmium, le mercure et d'au moins un élément VI choisi parmi le sélénium, Le tellure et le soufre. 7. Hétérosubstrat selon l'une quelconque des revendications 1 à 6, caractérise en ce qu'il comprend au moins une première (12, 14, 15) et une seconde (16, 17) couches de transition lI-VI, superposées, de composition différente pressentant des paramètres de maille proches respectivement de ceux du substrat (10) en germanium et de ceux du matériau (18) ternaire ou quaternaire, la premiere et la seconde couches entant au contact respectivement du substrat en germanium et du matériau ternaire ou quaternaire. 8. Hétérosubstrat selon l'une quelconque des revendications 1 à 7, caractérisé en ce qu'il comprend une couche (16) de CdTe destinée à recevoir le matériau ternaire ou quaternaire. 9. Hétérosubstrat selon l'une quelconque des revendications 1 à 8, caractérisé en ce qu'il comprend une couche de ZnTe (14) déposée sur le substrat (10) en germanium et une couche de CdTe (16) déposée sur la couche de ZnTe, la couche de CdTe entant destinée à recevoir le matériau II-VI ternaire ou quaternaire. 10. Heterosubstrat selon l'une quelconque des revendications 1 à 9, caractérisé en ce qu'il comprend une couche de ZnSe (12) épitaxie sur le substrat (10) en germanium, une couche de ZnTe (14) épitaxie sur la couche de ZnSe et une couche de CdTe (16) épitaxie sur la couche de ZnTe, la couche de CdTe entant destinée à recevoir le matériau II-VI ternaire ou quaternaire. 11. Hétérosubstrat selon L'une quelconque des revendications 1 à 10, caractérisé en ce qu'il comprend au moins une couche de transition en matériau II-VI ternaire ou quaternaire dont la composition varie graduellement d'une face à l'autre. 12. Heterosubstrat selon L'une quelconque des revendications 1 à 11, caractérisé en ce qu'il comprend une couche (15) en ZnSe Te avec O 1-t t composition est constante ou varie graduellement d'une face à l'autre, cette couche entant épitaxie sur le substrat (10) en germanium et présentant la composition t=O au niveau du substrat de base. 13. Heterosubstrat selon L'une quelconque des revendications 1 à 12, caractérisé en ce qu'il comprend une couche (17, 29) de Zn 1-u Cd Te avec O 14. Hétérosubstrat selon l'une quelconque des revendications 1 à 13, caractérisé en ce qu'il comprend une couche (29) de Zn Cd Te dont la composition u est 1-u u fixe en tout point de l'épaisseur de la couche et égale à 0,96 ou 0,95 pour être adaptée au matériau II-VI ternaire à recevoir. 15. Héterosubstrat selon la revendication 13, caractérisé en ce que la couche (17) de Zn Cd Te a 1-u u une composition graduelle d'une face à l'autre et présente au niveau du matériau ternaire à recevoir une composition u=0,96 ou 0,95 pour etre adaptée au matériau II-VI à recevoir. 16. Hétérosubstrat selon L'une quelconque des revendications 1 à 15, caractérisé en ce que la couche de transition est formée par dépôt chimique en phase vapeur à partir d'organométalliques (MOCVD) et/ou d'hydrures. 17. Dispositif de détection infrarouge comportant une couche semi-conductrice active (18) en matériau II-VI ternaire ou quaternaire dopée d'un premier type de conductivité et comportant une région active (24) d'un second type de conductivité diffuse ou implantée dans la couche semi-conductrice, une prise de contact (30) électrique sur la zone active et isolée de la couche semi-conductrice, caracterise en ce que La couche semi-conductrice (18) est formée sur un hétérosubstrat selon l'une quelconque des revendications 1 à 16. 18. Dispositif selon la revendication 17, caractérisé en ce que la couche semi-conductrice active (18) est obtenue par épitaxie en phase liquide sur la couche de transition.