FR 2733088 A1 19961018 FR 9604660 A 19960415 DETECTEUR HYBRIDE DE RAYONS INFRAROUGES AYANT UNE STRUCTURE PERFECTIONNEE DE LIAISON ENTRE UN SUBSTRAT EN Si PORTANT DES CIRCUITS INTEGRES ET UNE COUCHE EN HgCdTe PORTANT DES RESEAUX BIDIMENSIONNELS DE PHOTODIODES ET PROCEDE POUR SA FABRICATION La présente invention concerne un détecteur hybride de rayons infrarouges, et plus particulièrement un détecteur hybride de rayons infrarouges ayant une structure perfectionnée de liaison entre un substrat en Si portant des circuits intégrés et une couche en HgCdTe portant des réseaux bidimensionnels de photodiodes ainsi qu'un procédé pour sa fabrication. Des détecteurs de rayons infrarouges utilisables doivent être sensibles à des rayons infrarouges ayant une longueur d'onde dans la gamme allant de 3 à 5 micromètres ou dans la gamme allant de 8 à 14 micromètres, puisque les rayons infrarouges ont un grand pouvoir de transmission dans l'atmosphère. I1 est connu dans l'art auquel appartient l'invention, que différents composés semi-conducteurs tels que InAs, InSb, HgCdTe et PbSnTe ont des largeurs de bandes interdites qui correspondent aux gammes de longueurs d'onde ci-dessus. En particulier, HgCdTe est supérieur parce qu'un détecteur de rayons infrarouges ayant des réseaux due photodiodes en HgCdTe est très sensible aux rayons infrarouges ayant des longueurs d'onde dans la gamme comprise entre quelques micromètres et environ 10 micromètres.Une structure de réseau bidimensionnel de photodiodes en HgCdTe convient au détecteur hybride de rayons infrarouges. Dans ces conditions, un développement a influencé un détecteur de rayons infrarouges ayant des réseaux bidimensionnels de photodiodes en HgCdTe. Les réseaux bidimensionnels de photodiodes en HgCdTe sont formés sur une couche épitaxique en HgCdTe. La couche épitaxique en HgCdTe est formée sur un substrat tel qu'un substrat en CdTe, un substrat en GaAs et un substrat en Si pour constituer un substrat de réseau de photodiodes. D'autre part, les circuits intégrés sont normalement formés sur un substrat en Si pour former un substrat de circuits intégrés en Si. Le substrat du réseau de photodiodes et le substrat des circuits intégrés en Si sont fixés entre eux mécaniquement et électriquement par des bossages pour constituer une structure hybride. Le détecteur hybride de rayons infrarouges est refroidi en service à 77 K qui est la température de l'azote liquide. Puisque les coefficients de dilatation thermique du HgCdTe et du Si sont différents, la structure hybride est soumise à un effort thermique. Un effort thermique élevé appliqué à une structure hybride provoque une détérioration des performances du détecteur de rayons infrarouges. La figure 1 représente un premier détecteur hybride classique de rayons infrarouges dans lequel un effort thermique est créé par le refroidissement du détecteur hybride de rayons infrarouges. Le détecteur hybride de rayons infrarouges est conçu de façon à compenser l'effort thermique dû au refroidissement par une contrainte thermique de bossages flexibles ayant un rapport d'aspect élevé. Une couche épitaxique 7 en HgCdTe est formée sur un substrat 17 en CdTe. Des réseaux bidimensionnels 5 de photodiodes sont formés sur une surface de la couche épitaxique 7 en HgCdTe. Des circuits intégrés sont formés sur un substrat 9 en Si. Le substrat 17 en CdTe est lié au substrat 9 en Si par des bossages 18 en In ayant un rapport d'aspect élevé pour former la structure hybride. Quand le détecteur hybride de rayons infrarouges est refroidi, le substrat 9 en Si et le substrat 17 en CdTe subissent des retraits de refroidissement différents. Mais, cette différence des retraits de refroidissement entre le substrat 9 en Si et le substrat 17 en CdTe est quelque peu compensée par une contrainte des bossages 18 en In. La figure 2 représente un second détecteur hybride de rayons infrarouges qui a été conçu de manière à réduire l'effort thermique créé par son refroidissement. Une couche tampon 19 en CdTe est formée sur un substrat 14 en Si. Une couche 7 en HgCdTe est formée sur la couche tampon 19 en CdTe. La couche 7 en HgCdTe a presque la même épaisseur que la couche tampon 19 en CdTe. Des réseaux bidimensionnels de photodiodes 5 sont formés sur une surface de la couche épitaxique 7 en HgCdTe. Des circuits intégrés sont formés sur un substrat 9 en Si. Le substrat 14 en Si est lié au substrat 9 en Si par des bossages 18 en In ayant un rapport d'aspect élevé pour former la structure hybride. Quand le détecteur hybride de rayons infrarouges est refroidi, le substrat 9 en Si et le substrat 14 en Si présentent le même retrait de refroidissement. Cependant, la couche tampon 19 en CdTe et la couche 7 en HgCdTe présentent des retraits de refroidissement différents de celui du substrat 14 en Si. Cette différence des retraits de refroidissement entre le substrat 14 en Si et la couche tampon 19 en CdTe ou la couche 7 en HgCdTe entraîne une légère courbure de la structure stratifiée comprenant la couche 7 en HgCdTe, la couche tampon 19 en CdTe et le substrat 14 en Si, si bien que les parties d'extrémité opposées de cette structure se rapprochent du substrat 9 en Si et que la partie centrale s'écarte du substrat 9 en Si comme l'indique la figure 2. Les premier et second détecteurs hybrides classiques de rayons infrarouges ci-dessus présentent les problèmes suivants. L'exigence d'une image à haute définition par détection de rayons infrarouges s'est récemment accrue. Pour satisfaire l'exigence de l'image à haute définition par détection de rayons infrarouges, il faut agrandir la surface des réseaux de photodiodes. L'agrandissement de la surface des réseaux de photodiodes impose nécessairement un agrandissement de la surface de la couche en NgCdTe. L'agrandissement de la surface des réseaux de photodiodes et de la couche en HgCdTe pose le problème d'un accroissement de l'effort thermique appliqué aux bossages 18 en In, en particulier dans la région périphérique. Pour éviter une augmentation excessive de l'effort thermique des bossages 18 en In, il faut alors augmenter le rapport d'aspect des bossages 18 en In. Mais l'agrandissement du rapport d'aspect des bossages 18 en In soulève un autre problème dû à une diminution de la robustesse de liaison des bossages 18 en In. Dans le procédé de liaison, des bossages en In sont formés séparément à la fois sur le substrat 9 en Si et sur les réseaux bidimensionnels de photodiodes 5. Ensuite, les bossages en In du substrat 9 en Si sont amenés à adhérer sous pression-aux bossages en In des réseaux bidimensionnels de photodiodes 5. Pour maintenir le rapport d'aspect élevé des bossages 18 en In, il faut supprimer à la fois l'élévation de la température de liaison et l'élévation de la pression de liaison, alors qu'une température de liaison élevée et une pression de liaison élevée sont nécessaires pour obtenir une grande robustesse mécanique des bossages en In. C'est pourquoi il est difficile d'obtenir à la fois la grande robustesse mécanique et le rapport d'aspect élevé des bossages 18 en In. En outre, le second détecteur hybride classique de rayons infrarouges présente le problème suivant. Quand le détecteur hybride de rayons infrarouges est refroidi pour le faire fonctionner, un effort interne est créé sur la structure stratifiée comprenant la couche 7 en HgCdTe, la couche tampon 19 en CdTe et le substrat 14 en Si. Si le substrat 14 en Si est construit avec une épaisseur d'environ 500 micromètres pour faciliter son traitement, l'effort interne se concentre alors sur une surface de la couche 7 en HgCdTe. C'est-à-dire que l'effort interne se concentre au niveau des photodiodes 5. D'autre part, pour empêcher la concentration de l'effort interne au niveau des photodiodes 5, le substrat 14 en Si peut être construit avec une épaisseur d'environ 25 micromètres.Mais, dans ce cas, l'effort interne se concentre à l'interface entre la couche tampon 19 en CdTe et le substrat 14 en Si. Cette concentration interne de l'effort à l'interface entre la couche tampon 19 en CdTe et le substrat 14 en Si peut provoquer du pelage entre eux. Dans ces conditions, il était nécessaire de développer un nouveau détecteur hybride de rayons infrarouges ayant une structure de liaison perfectionnée qui libère le détecteur des quelconques problèmes exposés précédemment. Aussi, un objet de la présente invention est de proposer un nouveau détecteur hybride de rayons infrarouges ayant une structure perfectionnée de sa liaison qui libère le détecteur des quelconques problèmes exposés précédemment. Un autre objet de la présente invention est de proposer un nouveau détecteur hybride de rayons infrarouges ayant une structure perfectionnée de liaison qui apporte une grande robustesse mécanique de la liaison. Encore un autre objet de la présente invention est de proposer un nouveau détecteur hybride de rayons infrarouges ayant une structure perfectionnée de liaison qui diminue l'effort thermique créé par le refroidissement du détecteur en service. Encore un autre objet de la présente invention est de proposer un nouveau détecteur hybride de rayons infrarouges ayant une structure perfectionnée de liaison qui supprime une déformation cristalline d'une couche épitaxique incluse dans le détecteur. Encore un autre objet de la présente invention est de proposer un nouveau détecteur hybride de rayons infrarouges ayant une structure perfectionnée de liaison qui supprime toute détérioration des performances des photodiodes incluses dans le détecteur. Un autre objet de la présente invention est de proposer un nouveau détecteur hybride de rayons infrarouges ayant une grande fiabilité. Encore un objet de la présente invention est de proposer un nouveau détecteur hybride de rayons infrarouges présentant d'excellentes performances. Un autre objet de la présente invention est de proposer un nouveau détecteur hybride de rayons infrarou-ges ayant une structure perfectionnée de liaison qui supprime tout pelage de couches incluses dans le détecteur. Un autre objet de la présente invention est de proposer un procédé de fabrication d'un nouveau détecteur hybride de rayons infrarouges ayant une structure perfectionnée de liaison qui libère le détecteur des quelconques problèmes exposés précédemment. Encore un autre objet de la présente invention est de proposer un procédé de fabrication d'un nouveau détecteur hybride de rayons infrarouges à fort rendement. Les objets ci-dessus ainsi que d'autres objets, caractéristiques et avantages de la présente invention apparaîtront d'après les descriptions suivantes. La présente invention propose un détecteur hybride de rayons infrarouges qui comprend les éléments suivants. Un premier substrat semi-conducteur est prévu, lequel a une première épaisseur et un premier coefficient d'élasticité. Une couche tampon est prévue sur le premier substrat semi-conducteur. La couche tampon est faite en un premier composé semi-conducteur ayant un second coefficient d'élasticité supérieur au premier coefficient d'élasticité. La couche tampon a une seconde épaisseur inférieure à la première épaisseur. Une couche épitaxique est prévue sur la couche tampon. La couche épitaxique est faite en un second composé semi-conducteur ayant un troisième coefficient d'élasticité inférieur au second coefficient d'élasticité et supérieur au premier coefficient d'élasticité. La couche épitaxique a une troisième épaisseur qui est presque identique à la seconde épaisseur.Des réseaux bidimensionnels de photodioaes sont prévus sur une surface de la couche épitaxique. Des premiers bossages sont prévus sur les photodiodes. Des seconds bossages sont prévus sur la surface de la couche épitaxique. Les seconds bossages sont placés à l'extérieur des réseaux bidimensionnels de photodiodes. On prévoit un second substrat semiconducteur ayant des circuits intégrés. Le second substrat semi-conducteur porte des troisièmes bossages placés pour correspondre aux premiers bossages et des quatrièmes bossages placés pour correspondre aux seconds bossages. Le second substrat semi-conducteur est lié à la couche épitaxique par l'intermédiaire des premiers aux quatrièmes bossages. Le second substrat semi-conducteur a une quatrième épaisseur qui est presque identique à la première épaisseur.Le second substrat semi-conducteur a un quatrième coefficient d'élasticité qui est presque identique au premier coefficient d'élasticité. Les première à quatrième épaisseurs et les premier à quatrième coefficients d'élasticité sont déterminés de manière à ce qu'un effort thermique dû au refroidissement du détecteur hybride de rayons infrarouges en service se concentre dans la couche tampon. Des modes de réalisation préférés de la présente invention sont décrits en détail en référence aux dessins annexés, sur lesquels La figure 1 est une vue en élévation en coupe transversale illustrant le premier détecteur hybride classique de rayons infrarouges. La figure 2 est une vue en élévation en coupe transversale illustrant le second détecteur hybride classique de rayons infrarouges. La figure 3 est une structure multicouche stratifiée semblable à une structure d'un nouveau détecteur hybride de rayons infrarouges selon la présente invention. La figure 4 est un graphe illustrant les variations de l'effort thermique dû au refroidissement de la structure multicouche stratifiée de la figure 3 en fonction de la distance à un axe central. La figure 5 est une vue en élévation en coupe transversale illustrant un nouveau détecteur hybride de rayons infrarouges, selon la présente invention. La figure 6A est une vue en élévation en coupe transversale illustrant un nouveau détecteur hybride de rayons infrarouges avant le procédé de liaison selon la présente invention. La figure 6B est une vue en élévation en coupe transversale illustrant un nouveau détecteur hybride de rayons infrarouges après le procédé de liaison selon la présente invention. La présente invention propose un détecteur hybride de rayons infrarouges qui comprend les éléments suivants. Un premier substrat semi-conducteur est prévu, lequel a une première épaisseur et un premier coefficient d'élasticité. Une couche tampon est prévue sur le premier substrat semi-conducteur. La couche tampon est faite en un premier composé semi-conducteur ayant un second coefficient d'élasticité supérieur au premier coefficient d'élasticité. La couche tampon a une seconde épaisseur inférieure à la première épaisseur. Une couche épitaxique est prévue sur la couche tampon. La couche épitaxique est faite en un second composé semi-conducteur ayant un troisième coefficient d'élasticité inférieur au second coefficient d'élasticité et supérieur au premier coefficient d'élasticité. La couche épitaxique a une troisième épaisseur qui est presque identique à la seconde épaisseur.Des réseaux bidimensionnels de photodiodes sont prévus sur la surface de la couche épitaxique. Des premiers bossages sont prévus sur les photodiodes. Des seconds bossages sont prévus sur la surface de la couche épitaxique. Les seconds bossages sont placés à l'extérieur des réseaux bidimensionnels de photodiodes. On prévoit un second substrat semiconducteur ayant des circuits intégrés. Le second substrat semi-conducteur porte des troisièmes bossages placés pour correspondre aux premiers bossages et des quatrièmes bossages placés pour correspondre aux seconds bossages. Le second substrat semi-conducteur est lié à la couche épitaxique par l'intermédiaire des premiers aux quatrièmes bossages. Le second substrat semi-conducteur a une quatrième épaisseur qui est presque identique à la première épaisseur.Le second substrat semi-conducteur a un quatrième coefficient d'élasticité qui est presque identique au premier coefficient d'élasticité. Les première à quatrième épaisseurs et les premier à quatrième coefficients d'élasticité sont déterminés de manière à ce qu'un effort thermique dû au refroidissement du détecteur hybride de rayons infrarouges en service se concentre dans la couche tampon. Les premier et second substrats semi-conducteurs peuvent être faits en silicium. La couche tampon peut être faite en CdTe. La couche épitaxique peut être faite en HgCdTe. Les premiers bossages peuvent être faits en In. Les seconds bossages peuvent être faits en CdTe. Les troisièmes et quatrièmes bossages peuvent être faits en polysilicium fortement dopé. Les troisièmes et quatrièmes bossages peuvent être enduits de films minces en In. Les seconds et quatrièmes bossages peuvent avoir des surfaces quatre fois supérieures aux surfaces des premiers et troisièmes bossages. Un premier substrat est préparé, sur lequel une couche épitaxique en semi-conducteurs composés est prévue. Des réseaux bidimensionnels de photodiodes sont formés sur une surface de la couche épitaxique. Un second substrat portant des circuits intégrés est préparé. Les premier et second substrats sont faits en silicium et ont presque la même épaisseur. Les premier et second substrats sont liés entre eux au moyen de bossages qui ont une faible flexibilité. Les bossages sont prévus sur les photodiodes. Les bossages ont un faible rapport d'aspect pour assurer une robuste liaison mécanique qui empêche les premier et second substrats de se courber. La figure 3 illustre une structure stratifiée comprenant une couche 1 en Si, une couche 2 en CdTe et une couche 3 en Si, dans laquelle la couche en CdTe est intercalée entre les couches 1 et 3 en Si.Si les couches 1 et 3 en Si ont presque la même épaisseur, presque aucune courbure ne se produit dans la structure stratifiée. L'effort thermique appliqué à la structure stratifiée varie avec des positions le long d'un axe a-a'. La figure 4 illustre les variations de l'effort thermique de la structure stratifiée. Si les couches 1 et 3 en Si ont la même épaisseur, alors la distribution de l'effort thermique présente une valeur maximale au niveau d'un axe central 4 dans la couche 2 en CdTe le long des interfaces de la couche 2 en CdTe avec les substrats 1 et 3 en Si. La distribution de l'effort thermique est symétrique par rapport à l'axe central 4 et diminue progressivement avec l'éloignement par rapport à l'axe central. Quand l'épaisseur des substrats 1 et 3 en Si augmente, la concentration de l'effort thermique au niveau de l'axe central 4 augmente. Le détecteur de rayons infrarouges a une structure hybride semblable à la structure stratifiée ci-dessus. Le détecteur hybride de rayons infrarouges comprend un substrat~'en Si, une couche tampon en CdTe prévue sur le substrat en Si, une couche en HgCdTe prévue sur la couche tampon en CdTe, des réseaux bidimensionnels de photodiodes prévus sur la surface de la couche en HgCdTe, les bossages prévus sur les réseaux bidimensionnels de photodiodes et un substrat en Si portant des circuits intégrés et lié à la couche en HgCdTe par l'intermédiaire des bossages. Si le détecteur hybride de rayons infrarouges cidessus est refroidi, alors presque aucune courbure ne se produit sur la structure hybride ci-dessus. Le HgCdTe a un module de Young ne présentant presque aucune différence avec celui du CdTe. Le CdTe a un coefficient de dilatation thermique supérieur à celui du HgCdTe. La couche tampon en CdTe a une épaisseur supérieure à celle de la couche en HgCdTe, si bien que l'effort thermique présente un maximum dans la couche tampon en CdTe. La couche tampon en CdTe a une limite élastique supérieure à celle de la couche en HgCdTe. De ce fait, l'effort thermique créé sur la couche tampon en CdTe est inférieur au maximum de la limite élastique. Aucune déformation cristalline n'est créée dans la couche tampon en CdTe.Un effort thermique réduit est appliqué sur la surface de la couche en HgCdTe et sur l'interface entre la couche tampon en CdTe et le substrat en Si. Un mode de réalisation préféré selon la présente invention est décrit en détail en référence aux figures 5 et 6A-6B qui représentent un détecteur hybride de rayons infrarouges. Une couche tampon 13 en CdTe ayant une épaisseur de 20 micromètres est prévue sur un substrat 14 en Si ayant une épaisseur de 500 micromètres. Une couche 7 en HgCdTe ayant une épaisseur de 10 micromètres est prévue sur la couche tampon 13 en CdTe. Des photodiodes 5 et 16 sont prévues sur une surface'~'de la couche 7 en HgCdTe pour constituer un réseau bidimensionnel de 256 x 256 photodiodes. Les substrats 9 et 14 en Si mesurent 1 x 1 cm2. Les photodiodes 16 représentent des photodiodes placées sur les bords périphériques des réseaux bidimensionnels. Des bossages 6 en In sont prévus sur les photodiodes 5 et 16. Des bossages 15 en polysilicium sont prévus pour être liés aux bossages 6 en In, les bossages 15 en polysilicium étant enrobés dans les bossages 6 en In. En outre, des bossages 8 en CdTe sont prévus sur la surface de la couche 7 en HgCdTe. Les bossages 8 en CdTe sont placés à l'extérieur des réseaux bidimensionnels de photodiodes 5 et 16. Des bossages 12 de renforcement en polysilicium sont prévus pour être liés aux bossages 8 en CdTe. Un substrat 9 en Si portant des circuits intégrés est lié au substrat 14 en Si au moyen des bossages 10 en polysilicium, des bossages 6 en In, des bossages de renforcement 12 en polysilicium et des bossages 8 en CdTe. Comme le montre la figure 6A, avant la liaison entre les substrats 9 et 14 en Si, les bossages 8 en CdTe d'une épaisseur d'un micromètre formés par évaporation sur la surface de la couche 7 en HgCdTe sur les parties d'extrémité périphériques. Les bossages 6 en In d'une épaisseur de 6 micromètres sont prévus sur les photodiodes 5. Les bossages 12 de renforcement en polysilicium sont prévus sur la surface du substrat 9 en Si en des positions correspondant aux bossages 8 en CdTe. Les bossages 10 en polysilicium fortement dopés pour avoir une résistivité réduite sont prévus sur la surface du substrat 9 en Si en des positions correspondant aux photodiodes 5. Les bossages 10 en polysilicium ont une épaisseur de 3 micromètres.Les bossages 12 de renforcement en polysilicium et les bossages 10 en polysilicium sont enduits de film mince 11 en rn ayant une épaisseur de 0,5 micromètre. Les films minces 11 en In sont formés par évaporation. Les bossages 12 de renforcement en polysilicium ont une surface supérieure, de quatre fois ou plus, aux bossages 10 en polysilicium. Comme le montre la figure 6B, les substrats 14 et 9 en Si sont liés entre eux sous une certaine pression au moyen des bossages 6 en In, des bossages 8 en CdTe, des bossages 10 en polysilicium et des bossages 12 de renforcement en polysilicium. Les bossages en In sont déformés de manière à entourer les bossages 10 en polysilicium mais sans s'étendre jusqu'au bord de chacune des photodiodes 5. Les films minces 11 en In sont cassés de manière à ce que les bossages 6 en In soient directement liés aux bossages 10 en polysilicium. Les bossages 6 et 10 ci-dessus sont de faible rapport d'aspect, ce qui assure une liaison robuste et une grande conductivité électrique. Les bossages 8 et 12 ci-dessus servent à relâcher l'effort de compression. Le détecteur hybride de rayons infrarouges cidessus est refroidi en service à une température de 77 K. Les bossages 10 et 12 en polysilicium ont une faible flexibilité. Ceci empêche les substrats 9 et 14 en Si de se courber. Des concentrations d'effort thermique apparaissent dans la région 4 d'effort thermique maximal à l'intérieur de la couche tampon 13 en CdTe. Un effort thermique de 24 x 106 N/m2 est créé dans la région 4 d'effort thermique maximal. Cet effort thermique de 24 x 106 N/m2 est inférieur à la valeur critique de déformation cristalline du CdTe. Donc, aucune déformation cristalline n' est créée dans la région 4 d'effort thermique maximal à l'intérieur de la couche tampon 13 en CdTe. Les photodiodes 5 sont soumises à l'effort thermique créé de 24 x 106 N/m2 qui représentent environ la moitié de la valeur maximale de la limite élastique du HgCdTe. C'est pourquoi, les photodiodes ne subissent presque aucune dégradation due à l'effort thermique causé par le refroidissement du détecteur hybride de rayons infrarouges en service. En outre, les bossages 8 en CdTe et les bossages 12 de renforcement en polysilicium empêchent la création locale d'efforts de compression dans les photodiodes 16 placées dans la région périphérique. Mais, si aucun bossage de renforcement en polysilicium ni aucun bossage en CdTe n'est prévu, alors un effort important de compression d'environ 40 x 106 N/m2 est créé au niveau des photodiodes 16 placées dans la région périphérique. Cette valeur de 40 x 106 N/m2 de l'effort de compression dépasse la valeur maximale de la limite élastique du HgCdTe. Donc, si aucun bossage de renforcement en polysilicium ni aucun bossage en CdTe n'est prévu, alors une déformation cristalline quelconque peut être créée dans la photodiode. Les bossages 8 en CdTe et les bossages 12 de renforcement en polysilicium empêchent toute déformation cristalline de la photodiode en HgCdTe et ramènent l'effort thermique appliqué aux photodiodes 16 à environ 12 x 106 N/m2.Les bossages 8 en CdTe et les bossages 12 de renforcement en polysilicium libèrent non seulement les photodiodes 5 mais aussi les photodiodes 16 de toute détérioration due à un effort thermique excessif. Bien qu'un effort thermique soit également créé à l'interface entre les bossages 8 en CdTe et les bossages 12 de renforcement en polysilicium, l'effort thermique est de 14 x 106 N/m2 à 15 x 106 N/m2, ce qui n'entraîne aucune déformation cristalline du HgCdTe. La'structure de liaison ci-dessus est applicable à des substrats de dimensions variées et applicable également à de quelconques détecteurs hybrides de rayons infrarouges quelconques constitués par des semiconducteurs composés variés. Le détecteur hybride de rayons infrarouges cidessus peut être fabriqué de la manière suivante. On prépare le substrat 14 en Si avec une épaisseur presque égale à celle du substrat 9 en Si portant les circuits intégrés. Les bossages 10 en Si fortement dopés sont formés sur le substrat 9 en Si. Les bossages 12 en polysilicium sont formés ensuite sur le substrat 9 en Si. Les bossages 6 en In sont formés sur les photodiodes 5. Les bossages 8 en CdTe sont formés sur la couche 7 en HgCdTe. On forme les films minces 11 en In pour enduire les bossages 10 en Si et les bossages 12 en polysilicium. Les substrats 9 et 14 sont pressés l'un vers l'autre sous pression pour les lier. Alors que des modifications de la présente invention apparaîtront à tout spécialiste dans l'art auquel appartient l'invention, il faut considérer que les modes de réalisation tels que présentés et décrits à titre d'illustration ne sont en rien destinés à être considérés de manière limitative. Par conséquent, il faut considérer que les revendications couvrent toutes les modifications entrant dans l'esprit et le cadre de la présente invention. REVENDICATIONS 1. Détecteur hybride de rayons infrarouges caractérisé en ce qu'il comprend un premier substrat semi-conducteur (14) ayant une première épaisseur et un premier coefficient d'élasticité une couche tampon (13) prévue sur ledit premier substrat semi-conducteur (14), ladite couche tampon (13) étant faite en un premier semi-conducteur composé ayant un second coefficient d'élasticité supérieur audit premier coefficient d'élasticité, ladite couche tampon ayant une seconde épaisseur inférieure à ladite première épaisseur une couche épitaxique (7) étant prévue sur ladite couche tampon (13), ladite couche épitaxique (7) étant faite en un second semi-conducteur composé ayant un troisième coefficient d'élasticité inférieur audit second coefficient d'élasticité et supérieur audit premier coefficient d'élasticité, ladite couche épitaxique (7) ayant une troisième épaisseur presque identique à ladite seconde épaisseur des réseaux bidimensionnels de photodiodes (5 et 16) étant prévus sur une surface de ladite couche épitaxique (7) des premiers bossages (6) étant prévus sur lesdites photodiodes des seconds bossages (8) étant prévus sur ladite surface de ladite couche épitaxique (7), lesdits seconds bossages (8) étant placés à l'extérieur desdits réseaux bidimensionnels (5, 16) desdites photodiodes et un second substrat semi-conducteur (9) portant des circuits intégrés, ledit second substrat semiconducteur ayant des troisièmes bossages (10) positionnés pour correspondre auxdits premiers bossages et des quatrièmes bossages (12) positionnés pour correspondre auxdits seconds bossages (8), ledit second substrat semi-conducteur étant lié par l'intermédiaire desdits premiers à quatrièmes bossages à ladite couche épitaxique (7), ledit second substrat semi-conducteur (9) ayant une quatrième épaisseur presque identique à ladite première épaisseur, ledit second substrat semiconducteur (9) ayant un quatrième coefficient d'élasticité qui est presque identique audit premier coefficient d'élasticité, et en ce que lesdites première à quatrième épaisseurs et lesdits premier à quatrième coefficients d'élasticité sont déterminés de manière qu'un effort thermique dû au refroidissement dudit détecteur hybride de rayons infrarouges en service se concentre dans ladite couche tampon (13). 2. Détecteur hybride de rayons infrarouges selon la revendication 1, caractérisé en ce que lesdits premier et second substrats semi-conducteurs sont faits en silicium. 3. Détecteur hybride de rayons infrarouges selon la revendication 1, caractérisé en ce que ladite couche tampon (13) est faite en CdTe. 4. Détecteur hybride de rayons infrarouges selon la revendication 1, caractérisé en ce que ladite couche épitaxique (7) est faite en HgCdTe. 5. Détecteur hybride de rayons infrarouges selon la revendication 1, caractérisé en ce que lesdits premiers bossages (6) sont faits en In. 6. Détecteur hybride de rayons infrarouges selon la revendication 1, caractérisé en ce que lesdits seconds bossages (8) sont faits en CdTe. 7. Détecteur hybride de rayons infrarouges selon la revendication 1, caractérisé en ce que lesdits troisièmes et quatrièmes bossages (10 et 12) sont faits en polysilicium fortement dopé. 8. Détecteur hybride de rayons infrarouges selon la revendication 7, caractérisé en ce que lesdits troisièmes et quatrièmes bossages (10 et 12) sont revêtus de films minces en In. 9. Détecteur hybride de rayons infrarouges selon la revendication 1, caractérisé en ce que lesdits seconds et quatrièmes bossages (8 et 12) ont des surfaces qui sont quatre fois supérieures aux surfaces desdits premiers et troisièmes bossages (6 et 10).