FR 2736765 A1 19970117 FR 9607677 A 19960620 La présente invention concerne un laser à semiconducteur et, plus particulièrement, un laser à semiconducteur qui est doté d'un plan incliné d'émission de lumière et est dépourvu de structure mesa enterrée. On a récemment considéré les lasers à semiconducteur donnant une lumière visible dans une bande à 0,6 ,czm comme constituant une source lumineuse prometteuse, susceptible d'améliorer les performances de systèmes de traitement d'informations optiques, tels que des systèmes de points de vente (PDV), des lecteurs de disques optiques, et des imprimantes laser. Les lasers à semiconducteur typiques classiques utilisent une structure mesa enterrée. Plus spécialement, on grave par un procédé mesa une structure stratifiée de manière épitaxiale comportant une couche active afin de définir la largeur latérale de la couche active, après quoi on enterre la structure mesa au moyen d'une matière de faible indice de réfraction. On a pu s'attendre à ce que des lasers à semiconducteur à base de AlGaInP soient utilisés pour constituer les lasers à semiconducteur donnant de la lumière visible dans la bande à 0,6 ssm. Il est nécessaire de faire croître AIGaInP par un procédé d'épitaxie en phase vapeur par organométalliques (MOVPE) ou par un procédé d'épitaxie par faisceau moléculaire (MBE), en raison de la nécessité d'ajuster la composition en Al. Avec ces procédés de croissance, il est très difficile de faire croître une couche contenant Al sur une couche sous-jacente contenant Al, car il est difficile d'éviter une oxydation en surface. 11 est donc difficile d'obtenir une distribution d'indice de réfraction qui soit adaptée à la commande en mode latéral en enterrant la structure mesa au moyen d'une matière contenant Al. Un coût réduit, un courant de seuil bas et une puissance élevée sont nécessaires pour les lasers à semiconducteur donnant de la lumière visible dans la bande à 0,6cru. Des caractéristiques de faisceau élevées et stables sont également souhaitables, par exemple un niveau élevé de bosse de transconduction, un rendement quantique élevé, une faible consommation électrique, des configurations de champ proche et de champ éloigné ayant un seul pic, ainsi qu'un faible astigmatisme de faisceau. S'il est possible de fabriquer un laser à semiconducteur à l'aide d'une série de processus MOVPE, il est possible de fabriquer à un coût réduit un laser à semiconducteur à base de AIGaInP. Diverses propositions ont été faites pour former une structure de laser à l'aide d'une série de traitements de croissance. Cest un but de l'invention de fournir un laser à semiconducteur que l'on peut fabriquer à l'aide d'une série de traitements MOVPE. Selon un premier aspect de l'invention, il est proposé un laser à semiconducteur comprenant : un substrat échelonné de semiconducteur composé des groupes m-V qui expose, sur une de ses surfaces, des plans supérieur et inférieur disposés à plat présentant un plan (1 0 0) ou un plan (n 1 1) A (n étant un nombre réel, 7 inférieur n) et un plan incliné présentant un plan (m 1 1) A (m étant un nombre réel, 2 5 m 5 7), le plan incliné raccordant les plans supérieur et inférieur disposés à plat ; une couche de confinement optique inférieure faite d'un semiconducteur composé des groupes III-V, qui est formée à la surface du substrat échelonné ; une couche active directement formée sur la couche de confinement optique inférieure, la couche active ayant deux plans disposés à plat qui exposent le plan (1 0 0) ou le plan (n 1 1) A (n étant un nombre réel, 7 L'aire de distribution de l'émission de lumière d'un laser à semiconducteur ayant un plan incliné d'émission de lumière est ellipsoidale, le grand axe de l'ellipse étant sensiblement parallèle au plan incliné de la couche active. La direction de polarisation du faisceau laser change avec l'angle O défini par le plan frontière dans la première région de profondeur. En ajustant de manière appropriée cet angle 0, on peut fixer la direction de polarisation suivant une direction voulue. Si l'on décale l'angle e de 90, des porteurs sont injectés de manière contradictoire dans l'aire supérieure ou inférieure de la partie inclinée de la couche active. Avec cette concentration, les porteurs rayonnent de la lumière dans l'aire Stable. Si l'on fait en sorte que l'angle e de la deuxième région de profondeur de la couche de confinement optique soit différent de l'angle 8 de la première région de profondeur et si on ajuste cet angle de façon appropriée, on peut stabiliser l'aire de rayonnement. Selon un autre aspect de l'invention, il est proposé un laser à semiconducteur où l'angle e pour la première région de profondeur est généralement de 908. En fixant l'angle e de la première région de profondeur sensiblement à 90, on peut placer la direction de polarisation sensiblement suivant la direction du plan incliné de la couche active. Selon un autre aspect de l'invention, il est proposé un procédé de fabrication d'un laser à semiconducteur, qui comprend les opérations suivantes préparer un substrat échelonné de semiconducteur composé des groupes m-V qui expose, sur une de ses surfaces, des plans supérieur et inférieur disposés à plat présentant un plan (1 0 O) ou un plan (n 1 1) A (n étant un nombre réel, 7 fi est possible d'ajuster l'angle formé entre le plan frontière, se trouvant entre la région située le long du plan disposé à plat et la région située le long du plan incliné, respectivement, des couches de confinement optique supérieure et inférieure, et le plan incliné de la couche active, en faisant varier les rapports V/m pendant la croissance des couches de semiconducteur composé des groupes III-V. Selon un autre aspect de l'invention, il est proposé un laser à semiconducteur comprenant : un substrat échelonné de semiconducteur composé des groupes m-V qui expose, sur une de ses surfaces, des plans supérieur et inférieur disposés à plat présentant un plan (1 0 0) ou un plan (n 1 1) A (n étant un nombre réel, 7 En insérant la couche de contraintes parallèlement à la couche active, on peut rendre petit le décalage angulaire de la direction de polarisation par rapport à la direction du grand axe de l'aire elliptique de distribution de l'émission lumineuse. Comme décrit ci-dessus, un laser à semiconducteur possédant un plan incliné d'émission de lumière peut être réalisé, qui possède un assez petit décalage angulaire de la direction de polarisation par rapport à la direction du plan incliné de la couche active, tout en conservant une aire stable de rayonnement. La description suivante, conçue à titre d'illustration, vise à donner une meilleure compréhension de ses caractéristiques et avantages ; elle s'appuie sur les dessins annexés, parmi lesquels: la figure 1 est une vue en perspective montrant un laser à semiconducteur antérieurement proposé par l'inventeur associé à la présente demande et son collègue; la figure 2 est un graphe montrant l'effet du degré de dopage sur l'orientation du cristal; les figures 3A et 3B sont des vues simplifiées en section droite d'un laser à semiconducteur doté d'un plan incliné d'émission de lumière, qui illustre l'analyse de stabilité d'une région d'émission de lumière; la figure 4 est un graphe montrant la dépendance du rapport des épaisseurs de pellicule entre régions ayant crû sur un substrat échelonné avec la température de croissance;; la figure 5 est une vue en section droite d'un laser à semiconducteur doté d'un plan incliné d'émission de lumière, qui illustre la distribution d'intensité et la direction de polarisation de la lumière; la figure 6 est un graphe montrant la relation qui existe entre les angles 1 et 2 où 01 est l'angle compris entre le plan frontière, se trouvant entre une partie plan disposé à plat et une partie plan incliné d'un laser à semiconducteur doté d'un plan incliné d'émission de lumière, et le plan incliné lui-même, et 2 est l'angle compris entre une direction de polarisation et le plan incliné; la figure 7 est un graphe montrant la dépendance, avec le rapport V/m, de la densité de défauts de creux existant dans la surface d'une couche de GaAs ayant crû sur un substrat échelonné;; la figure 8A est une vue en section droite d'un laser à semiconducteur doté d'un plan incliné d'émission de lumière, selon un premier mode de réalisation de l'invention, et la figure 8B montre la structure stratifiée de la couche active à puits quantiques multiples du laser de ce mode de réalisation; la figure 9 est une vue en section droite d'un laser à semiconducteur doté d'un plan incliné d'émission de lumière, selon un deuxième mode de réalisation de l'invention; la figure 10 est un graphe montrant la dépendance du courant de seuil avec le rapport V/m; la figure 11 est une vue en section droite d'un laser à semiconducteur doté d'un plan incliné d'émission de lumière, selon un troisième mode de réalisation de l'invention;; la figure 12 est une vue en section droite d'un laser à semiconducteur doté d'un plan incliné d'émission de lumière, selon un quatrième mode de réalisation de l'invention ; et la figure 13 est une vue en section droite d'un laser à semiconducteur doté d'un plan incliné d'émission de lumière, selon un cinquième mode de réalisation de l'invention. On va d'abord décrire les propositions antérieurement faites par l'inventeur de la présente demande et son collègue, dans le but de faciliter la compréhension de l'invention. La figure 1 montre un laser à semiconducteur doté d'un plan incliné d'émission de lumière qui a été antérieurement proposé par l'inventeur de la présente demande et son collègue (brevet des Etats-Unis d'Amérique n 5436 194 et demande de brevet des Etats-Unis d'Amérique, n08/427352, auxquels on pourra se reporter pour obtenir plus de détails). Un substrat 1 de GaAs de type n possède un plan principal (1 0 0), et sa partie plan incliné présente par exemple un plan (3 1 1). Sur le substrat 1 de GaAs, une couche tampon 2 de GaAs de type n, une couche intermédiaire 3 de GalnP de type n, et une couche de confinement optique 4 en AlGaInP de type n sont formées, dans cet ordre, depuis le bas.La couche intermédiaire 3 de GalnP possède une bande interdite qui est intermédiaire entre celle de la couche tampon 2 de GaAs et celle de la couche de confinement optique 4 de AIGaInP, afin d'amener un relâchement des barrières de potentiel au niveau des hétérojonctions. Sur la couche de confinement optique 4 en AlGaInP de type n, une couche active 5 à puits quantiques multiples (MQW) 5 est formée. La couche active 5 est une couche non dopée et possède des parties plans disposés à plat et une partie plan incliné qui suivent la forme de la couche sous-jacente. La couche active 5 est recouverte par une structure stratifiée de couches de confinement optique 6, 7 et 8 en AlGaInP. Lorsque du courant passe dans la partie plan incliné de la couche active, une recombinaison radiative a lieu et de la lumière est émise. Même si la lumière se propage dans la direction d'inclinaison de façon à entrer dans les couches de confinement optique supérieure et inférieure, les couches de confinement optique ont un indice de réfraction qui est inférieur à celui de la couche active, de sorte que la distribution de lumière laser se limite à la partie plan incliné suivant la direction latérale. De cette manière, on réalise un confinement de lumière dans la direction latérale. La couche 7 de AlGaInP est formée sur la première couche de confinement optique 6 de type p, la couche 7 de AlGalnP étant telle que ces régions de type n et de type p sont dopées à l'aide de Se et Zn. Comme indiqué par des cercles noirs sur la figure 2, le dopage en impuretés Se de type n est fort dans la région du plan (1 0 0) et est moindre vers la région du plan (3 1 1) A, et, comme indiqué par les cercles blancs, le dopage en impuretés Zn de type p est fort dans la région du plan (3 1 1) A et est moindre vers la région du plan (1 0 0). Par conséquent, dans la couche 7 de AlGaInP dopée à l'aide de Se et Zn, la proportion en impuretés de dopage change avec l'orientation du cristal, et on obtient finalement les concentrations en porteurs qui sont indiquées par les carrés noirs et blancs.La région du plan disposé à plat (1 0 0) est une région de type n, et la région voisine du plan (3 1 1) A est une région de type p. Comme on peut le voir sur la figure 1, la couche 7 en AlGaInP possède donc une deuxième couche de confinement optique 7a de type p au niveau de la partie plan incliné et des couches d'arrêt de courant 7b de type n au niveau des parties plans disposés à plat. Sur la couche 7 en AlGaInP, une troisième couche de confinement optique en AlGaInP de type p, une couche intermédiaire 9 en GaInP de type p, et une couche de contact 10 en GaAs de type p sont empilées dans cet ordre. La stratification de couches allant de la couche tampon 2 à la couche de contact 10 a été formée par une série de traitements MOVPE afin de fabriquer un laser à semiconducteur de la bande à 0,6 Crm. Bien qu'un laser à semiconducteur doté d'un plan incliné d'émission de lumière représente un faible astigmatisme, si la largeur du plan incliné est fixée à environ 3 Fm, il est dur d'obtenir une émission de lumière dans toute la région du plan incliné. Au contraire, elle rayonne au niveau de l'aire supérieure ou inférieure du plan incliné et la distribution de lumière localisée à l'aire supérieure est transite à l'aire inférieure, ou inversement. L'aire de rayonnement est donc instable. On va discuter ci-après les raisons expliquant la formation d'aires instables de rayonnement. On se reporte à la figure 3A. On suppose qu'un substrat semiconducteur de type n 1 1 la possède des parties plans disposés à plat et une partie plan incliné et que, sur le substrat 11 la, une couche de confinement optique inférieure de type n 112a, une couche active 113a et une couche de confinement optique supérieure de type p 114a sont formées. Les frontières séparant les parties plans disposés à plat et la partie plan incliné de la couche de confinement optique supérieure de type p 114a se déplacent graduellement vers la gauche au fur et à mesure de la croissance de la couche 14a. Dans chacune des parties plans disposés à plat de la couche de confinement optique supérieure de type p 114a, une couche d'arrêt de courant de type n 115a est formée au niveau de la position intermédiaire, dans la direction verticale, de la couche de confinement optique 114a du fait de la différence de probabilité d'incorporation ou de dopage entre les impuretés de type p et de type n. Par conséquent, les porteurs entrant dans le segment de plan incliné BF de la couche active 113a peuvent être considérés comme arrivant sur ce segment en provenance du segment de plan incliné DG du plan supérieur de la couche de confinement optique supérieure 114a. Si le pied E de la perpendiculaire tirée depuis le milieu C du segment DG jusque sur la partie plan incliné de la couche active 113a coïncide avec le milieu A du segment de plan incliné BF, alors la probabilité d'une émission de lumière par la demi-partie supérieure AF est égale à la probabilité d'émission de lumière par la demi-partie inférieure BA. Si la source d'alimentation en porteurs n'est pas répartie de façon uniforme sur le segment de plan incliné DG, mais était déportée vers la moitié droite ou la moitié gauche du segment DG, il y a augmentation de la probabilité d'émission lumineuse par la moitié droite ou gauche de la partie plan incliné BF. Cest la raison pour laquelle se forment des aires stables de rayonnement. La partie 3B est un schéma simplifié montrant la structure d'un laser à semiconducteur doté d'une aire de rayonnement stabilisée, qui a été décrite par l'inventeur de la présente demande et son collègue dans la demande de brevet japonais mise à la disposition du public sous le n de publication Hei 7-66495. Cette structure est présentée dans la demande de brevet des Etats-Unis d'Amérique n 08/275 427, à laquelle on pourra se reporter pour obtenir d'autres détails. Sur la surface d'un substrat semiconducteur villa comportant une partie plan incliné en bande, on fait croître séquentiellement, par épitaxie, une couche de confinement optique inférieure 112a, une couche active 116a et une couche de confinement optique supérieure 114a. Dans la couche de confinement optique supérieure 114a, des couches d'arrêt de courant 115a ayant des types de conductivité opposés se forment au niveau des parties plans disposés à plat.Les porteurs sont considérés circuler sensiblement du côté supérieur de la région active jusque dans la région intermédiaire entre les couches d'arrêt de courant 115a, cette région étant définie par B', F, G' et D'. Si la vitesse de croissance épitaxiale est plus élevée au niveau de la partie plan incliné qu'au niveau de la partie plans disposés à plat, le pied E' de la perpendiculaire tracée depuis le milieu C du segment de plan incliné D'G' de la couche épitaxiale passe par un point situé plus bas que le milieu A' du segment de partie inclinée B'F. Dans ce cas, les porteurs introduits depuis le côté supérieur de la région active se concentrent dans la partie inférieure dc la partie plan incliné, qui devient une aire stable de rayonnement. Pour obtenir une structure stratifiée présentant une section droite telle que représenté sur la figure 3B, on choisit de manière voulue le rapport de l'épaisseur (ou vitesse de croissance) de la couche de confinement optique au niveau de la partie plan incliné à l'épaisseur (ou vitesse de croissance) au niveau des parties plans disposés à plat. La figure 4 est un graphe représentant la dépendance du rapport des épaisseurs des pellicules (au niveau de la partie plan incliné et de la partie plans disposés à plat) avec la température de croissance de (A107Gao,3)0s5Ino5P. L'ordonnée représente le rapport R = tl/t2, et l'abscisse représente la température de croissance C), où tl est l'épaisseur au niveau de la partie plans disposés à plat et t2 est l'épaisseur au niveau de la partie plan incliné. La courbe R1 est associée à un rapport V/m de valeur a 300, tandis que la courbe R2 est associée à un rapport V/III de valeur a 180. La partie plans disposés à plat présente un plan qui a un décalage angulaire de 6 avec le plan (1 0 0), et la partie plan incliné présente le plan (4 1 1) A. Comme on peut le voir sur la figure 4, le rapport R des épaisseurs des pellicules s'abaisse lorsque la température s'élève. Pour un rapport a valant 180, le rapport des épaisseurs des pellicules vaut 1 ou plus à une température inférieure à environ 715-C, et 1 ou moins à une température supérieure. Pour un rapport a valant 330, le rapport des épaisseurs des pellicules est supérieur à 1 dans l'intervalle de températures de 690 à 730*C, et s'abaisse d'environ 1,7 à environ 1,1 lorsque la température s'élève. En choisissant de manière appropriée la température de croissance ou le rapport V/III, on peut obtenir une valeur voulue pour le rapport R des épaisseurs des pellicules. La configuration en champ éloigné du laser à semiconducteur représenté sur la figure 3A ou 3B possède un unique pic. Toutefois, la configu ration en champ proche possède des doubles pics ou est asymétrique, dans certains cas. L'inventeur de la présente demande et son collègue ont proposé, dans la description du brevet japonais mis à la disposition du public n Hei 7-202314, d'obtenir une configuration en champ proche dotée d'un seul pic en fixant l'angle qui sépare le prolongement en ligne droite du plan disposé à plat et le plan incliné de la région active 113 à une valeur de 12, ou moins, ou en fixant la largeur du segment de plan incliné BF ou B'F' de la région active 113 à une valeur de 2,5,ut ou moins. On peut ainsi former un laser à semiconducteur qui possède une aire stable de rayonnement et une configuration en champ proche à un seul pic. Dans les études faites des caractéristiques d'émission de lumière du laser à semiconducteur possédant la structure de la figure 3B, il a été découvert que la direction du vecteur électrique (direction de polarisation) d'un faisceau laser n'était pas parallèle à la région active, mais qu'il existait un certain angle entre elles. La figure 5 montre la distribution de lumière et la direction de polarisation d'un laser ayant un plan incliné d'émission de lumière. A la surface d'un substrat semiconducteur 111 ayant une partie plan incliné en bande, une couche de confinement optique inférieure 112, une couche active 113, une couche de confinement optique supérieure 114, et une couche de contact 118 sont séquentiellement formées par épitaxie.Dans la couche de confinement optique supérieure 114, des blocs d'arrêt de courant 115 ayant des types de conductivité opposés sont formés dans les parties plans disposés à plat en une position intermédiaire de la direction de la profondeur. Les faisceaux laser sont distribués dans une aire elliptique 116 au voisinage de la partie plan incliné de la région active 113. Le grand axe de l'aire elliptique 116 est parallèle à la couche active 113. Toutefois, la direction de polarisation du faisceau laser est inclinée d'un angle û2 par rapport au plan incliné de la couche active, comme indiqué par la flèche 117. La direction de polarisation du faisceau laser est donc décalée par rapport au grand axe de l'aire elliptique 116. Un tel laser ne convient pas comme source de lumière pour un appareil tel qu'un lecteur de disques magnéto-optiques qui utilise la rotation de la direction de polarisation du faisceau laser. Il est souhaitable que le grand axe de l'aire elliptique de la distribution d'intensité de lumière coïncide avec la direction de polarisation. L'inventeur a découvert que l'angle 2 compris entre la direction de polarisation et le plan incliné de la couche active dépendait de l'angle 81, qui est l'angle compris entre le plan frontière, séparant la partie plan incliné et la partie plan supérieur à plat, et le plan incliné de la couche active. La figure 6 est un graphe montrant la dépendance de l'angle û2, compris entre la direction de polarisation et le plan incliné de la couche active, avec l'angle û1. L'abscisse représente l'angle û1 (en degrés) compris entre le plan frontière, séparant la partie plan incliné et la partie plan supérieur à plat, et le plan incliné de la couche active. L'ordonnée représente l'angle "2 (en degrés) compris entre la direction de polarisation et le plan incliné de la couche active. Pour un angle ûl de 60,1'angle û2 vaut environ +15U. Lorsque l'angle ûl augmente, l'angle U2 diminue.Pour un angle ûl d'environ 80, l'angle 2 vaut environ 0, c'est-àdire que la direction de polarisation est sensiblement parallèle à la partie plan incliné de la couche active. Sur les figures 5 et 6, on utilise, dans la description précédente, l'angle compris entre le plan frontière, séparant la partie plan incliné et la partie plan supérieur à plat, et le plan incliné de la couche active. 1l existe deux plans frontières 120 et 121 sur la figure 5. On peut n'utiliser qu'un seul plan frontière si les deux plans frontières séparant la partie plan incliné et les parties plans disposées à plat sont parallèles. Toutefois, d'un point de vue plus strict, ces deux plans frontières ne sont pas parallèles.Dans certains cas, l'angle û1 compris entre le plan frontière, qui sépare la partie plan incliné et la partie plan supérieur à plat, et le plan incliné diffère de 20- ou plus pu rapport à l'angle 9 compris entre le plan frontière qui sépare la partie plan incliné et la partie plan inférieur à plat, et un plan virtuel obtenu par prolongement linéaire du plan incliné jusqu'au plan inférieur disposé à plat. L'angle + représenté sur la figure 5 est égal à l'angle compris entre le plan virtuel qu'on obtient en prolongeant le plan frontière séparant la partie plan incliné et la partie plan inférieur à plat, jusque dans la couche de confinement optique inférieure 112, et le plan incline.Dans de semblables cas, on fixe l'angle ûl ou + à environ 90, ou on fixe une moyenne des deux angles ûl et 9 à environ 90'. Comme décrit en liaison avec la figure 6, si l'angle compris entre le plan frontière et le plan incliné est fixé à environ 90, l'angle compris entre la direction de polarisation et le plan incliné de la couche active peut être rendu petit. Toutefois, avec un angle de 90- entre le plan frontière et le plan incliné, les aires de rayonnement deviennent instables ou bien le mode à un seul pic de la configuration en champ proche se dégrade, comme discuté en liaison avec la figure 3A. De plus, le nombre de défauts de creux d'environ 1 m de diamètre présents sur la couche de contact 10 en GaAs indiquée sur la figure 1 augmente. Ces défauts de creux abrègent la durée de vie du laser. La figure 7 est un graphe montrant la relation qui existe entre la densité de défauts de creux et le rapport V/III d'une couche de confinement optique formée par croissance sous la couche de contact en GaAs. L'abscisse représente le rapport V/m et l'ordonnée représente la densité de défauts de creux (cm-2). La densité de défaut de creux est d'environ 107 cm-2 pour un rapport V/m d'environ 130, et s'abaisse lorsque le rapport V/m augmente. Pour un rapport V/III valant 250 ou plus, la densité de défauts de creux est devenue 105 cl~2, ou moins. Par conséquent, si l'on fait croître une couche de confinement optique en AlGaInP avec un rapport V/III valant 250 ou plus avant de faire croître la couche de contact en GaAs, on peut atténuer l'augmentation des défauts de creux. L'inventeur a également découvert qu'il était possible de résoudre le problème posé par les aires instables de rayonnement et la dégradation du mode à un seul pic de la configuration en champ proche en ne fixant l'angle entre le plan incliné et les plans frontières à environ 90- qu'au voisinage de la couche active, et en rendant l'épaisseur de pellicule au niveau de la partie plan incliné plus épaisse qu'elle ne l'est au niveau des parties plans à plat. On peut en attribuer la raison au fait que la direction de polarisation est principalement déterminée par la structure des couches au voisinage de la couche active et que les aires de rayonnement et la configuration en champ proche sont influencées non seulement par la structure des couches au voisinage de la couche active, mais aussi par la structure des couches sur un intervalle plus large. La figure 8 est une vue en section droite montrant un laser à semiconducteur selon le premier mode de réalisation, celui-ci ayant la structure discutée ci-dessus. On décrira aussi un procédé permettant de fabriquer un laser à semiconducteur selon le premier mode de réalisation. On a préparé un substrat en GaAs de type n, dopé à l'aide de Si et possédant une concentration en porteurs de 4 x 1018 cl~3, ce substrat ayant un plan principal qui présente un décalage angulaire de 6* par rapport au plan (1 0 0), en direction du plan (1 1 1) A. A la surface de ce substrat de GaAs de type n, on a formé un motif en agent photosensible du type réserve, dit photorésist, qui s'étend suivant la direction [0 1 1], le motif de photorésist ayant des bandes qui présentent chacune une largeur de 150 ssm, l'intervalle entre les bandes étant de 150,um. En utilisant le motif de photorésist comme masque de gravure, on a gravé la surface du substrat à une profondeur d'environ 0,5 ssm en utilisant une solution à base d'acide fluorhydrique (HF) afin de former une partie plan incliné faisant un angle d'environ 14- par rapport à la surface principale du substrat. La partie plan incliné présente approximativement le plan (4 1 1) A. Après cela, on a retiré le motif de photorésist. A l'aide de ces traitements, on a formé un substrat échelonné en GaAs de type n qui possède une partie formant un plan supérieur disposé à plat (qui expose la surface du substrat initial), une partie formant un plan inférieur disposé à plat, et une partie formant un plan incliné et reliant les parties plans supérieur et inférieur disposés à plat. On a formé une couche tampon de type n 21 sur le substrat échelonné 20 possédant la partie plan incliné. La couche tampon 21 est une structure à deux couches comprenant une couche en GaAs et une couche en Gao sIno 5P. Tout d'abord, on a fait croître une couche de GaAs d'épaisseur 1,5 ,czm par le procédé MOVPE, avec une concentration en porteurs du type n de 5 x 1017 cm-3. Les gaz sources utilisés sont le triméthylgallium (TMG) et l'arsine (AsH3), l'agent dopant est le disilane (Si2H6), le rapport V/III vaut 100, la température de croissance vaut 670 C, et la vitesse de croissance est de 1 Crm/h. La pression de croissance est de 670 Pa (50 mmHg), le débit total des gaz sources est de 8 NVmin, le rendement de croissance est d'environ 800 fan/mol, et le gaz porteur est l'hydrogène. Ces conditions concernant la pression de croissance, le débit total des gaz sources, le rendement de croissance et le gaz porteur ont été utilisées de manière commune pour chacune des couches réalisées par MOVPE. Ensuite, tandis qu'on faisait doucement varier la température de croissance de 670il à 710-C, on a fait croître une couche de Ga0,5In0,5P de type n d'une épaisseur de 0,1 ,am, qui possède une concentration en porteurs d'environ 1 x 1018 cm-3. Les gaz sources utilisés sont le triméthylgallium (TEG), le triméthylindium OUI), et la phosphine (PH3), l'agent dopant est Si2H6, le rapport V/m est de 500, et la vitesse de croissance est de 1 San/h. Ensuite, on a fait croître une couche de confinement optique 22 en (Al0,7Ga0,3)0,5In0,5P de type n d'une épaisseur de 1,5 m, qui présente une concentration en porteurs d'environ 5 x 1017 cm-3. Les gaz sources utilisés sont le triméthylaluminium (TMA), le TEG, le TMI, et PH3, l'agent dopant est Si2H6, le rapport V/m est de 330, la température de croissance est de 710*C, et la vitesse de croissance est de 2 San/h. Comme on peut le voir sur le graphe de la figure 4, un rapport R des épaisseurs des pellicules d'environ 1,3 est obtenu dans les conditions ci-dessus indiquées, tandis que la partie plan incliné de la couche de confinement optique 22 se déplace graduellement vers la partie plan inférieur à plat. Ensuite, on fait croître une couche de confinement optique en (Alo 7Gao,3)0,5InossP de type n sur une épaisseur de 0,5 m, ayant une concentration en porteurs d'environ 5 x 1017 cm-3. Le rapport V/III des gaz sources est de 160, et les autres conditions sont identiques aux conditions de croissance de la couche de confinement optique 22 en (A10 (Al0,7Ga0,3)0,5In0,5P de type n. A la température de croissance de 710-C et pour un rapport V/III de 160, la couche de confinement optique 23 croît alors que les plans frontières séparant la partie plan incliné et les parties plans disposés à plat deviennent perpendiculaires au plan incliné. Ensuite, on fait croître une couche active de puits quantiques multiples (MQW) 24. Comme on peut le voir sur la figure 8B, la couche active de MQW 24 présente une structure stratifiée comportant des couches guides (barrières) 45a en (Al0,4Ga0,6)0,5In0,5P et des couches de puits quantiques 45b en Ga0,44In0,56As0,08P0,92 s'empilant en alternance l'une sur l'autre. La couche de puits quantiques possède environ 1 % de contraintes. On fait croître quatre couches guides ayant chacune 5 nm d'épaisseur et trois couches de puits quantiques ayant chacune 6 nm d'épaisseur. Le rapport V/III de la couche guide est de 400, et celui de la couche de puits quantiques est de 500. La température de croissance est 7100C et la vitesse de croissance est 1 San/h. On vient à la figure 8A. Sur la couche active 24, on fait croître une couche de confinement optique 25 en (Alo,7Gao,3)o's!no,sP de type p sur une épaisseur de 0,1 ssm. Les gaz sources utilisés sont le TMA, le TEG, le TMI et PH 3, l'agent dopant est le diméthylzinc (DMZn), le rapport V/III est de 160, la température de croissance est 710 C, et la vitesse de croissance est 2San/h. On choisit les conditions de dopage de façon que la concentration en porteurs de type p soit 6 x 1017 cm-3 au niveau de la partie plan incliné et 1 x 1017 cm-3 au niveau de la partie plans disposés à plat. Ensuite, on fait croître une couche de confinement optique/arrêt 26 en (Al0,7Gao,3)o,5!no,5P. Les gaz sources utilisés sont le TMA, le TEG, le TMI et PH3, le rapport V/III est de 160, la température de croissance est 7100C et la vitesse de croissance est 2fem/h. On fait croître la couche 26 en utilisant en alternance DMZn comme agent dopant de type p et H2S comme agent dopant de type n, et on répète 30 cycles donnant chacun 5 nm d'épaisseur, de façon à obtenir une épaisseur de pellicule totale de 0,30 ,am. La dépendance de la proportion de dopage de S avec la concentration cristalline est supérieure à celle de Se telle que présentée sur la figure 2. On choisit les conditions de dopage de façon à satisfaire les concentrations en porteurs suivantes. Ainsi, la concentration en porteurs de type p d'une couche mince de type p se trouvant au niveau de la partie plan incliné et dopée avec Zn est d'environ 1,2 x 1018 cl~3, la concentration en porteurs de type p se trouvant au niveau de la partie plans disposés à plan et dopée avec Zn est d'environ 2 x 1017 cl~3, la concentration en porteurs de type n d'une couche mince de type n se trouvant au niveau de la partie plan incliné et dopée avec S est d'environ 1 x 1017 cm-3, et la concentration en porteurs de type n se trouvant au niveau de la partie plans disposés à plat et dopée avec S est d'environ 8 x 1017 cm-3. Ainsi, au niveau des parties plans disposés à plat, des couches de type p et des couches de type n+ sont disposées de manière stratifiée, et, au niveau de la partie plan incliné, des couches de type p+ et des couches de type n sont disposées de manière stratifiée. Puisque la concentration en Zn de la couche dopée par Zn se trouvant au niveau de la partie plan inclinée est élevée, Zn diffuse et se propage dans la couche de type n dopée par S. Ainsi, la concentration en porteurs de type p de la partie plan incliné devient égale à environ 6 x 1017 cl~3, ce qui est à peu près la moitié de la concentration en porteurs avant la diffusion de Zn. Puisque la concentration en porteurs de type n de la couche mince de type n dopée par S se trouvant au niveau de la partie plan incliné est d'environ 1 x 1017 cm-3, la partie plan incliné 26a de la couche de confinement optique/arrêt 26 devient de type p. Les parties plans disposés à plat 26b de la couche de confinement optique/arrêt 26 deviennent de type n, fonctionnant en couche d'arrêt de courant. Alors qu'on a formé la couche de confinement optique/arrêt 26 en appliquant alternativement des impuretés de dopage de type p et de type n, on peut former cette couche en appliquant en même temps des impuretés de type p et de type n. Dans ce cas, on applique uniformément des impuretés de dopage de type p et de type n aux parties plans disposés à plat et plan incliné, et elles se compensent entre elles de manière à former la partie plans disposés à plat de type n et la partie plan incliné de type p. Si l'on utilise pour les impuretés de type p Cd au lieu de Zn, la dépendance vis-à-vis de l'orientation cristalline augmente par rapport au cas de l'utilisation de Zn. Sur la couche de confinement optique/arrêt 26, on fait croître, sur 0,1 cri d'épaisseur, une couche de confinement optique 27 (A10,7Ga0,3)0,5In0,5P sP de type p. Les gaz sources utilisés sont le TMA, le TEG, le TMI et PH3, l'agent dopant est DMZn, le rapport V/m est de 160, la température de croissance est 710 C et la vitesse de croissance est 2fian/h. On choisit les conditions de dopage de façon que la concentration en porteurs de type p soit d'environ 6 x 1017 cm-3 pour la partie plan incliné et d'environ 1 x 1017 cm-3 pour la partie plans disposés à plat. Pour une température de croissance de 7100C et un rapport V/m d'environ 160 pendant la formation des couches de confinement optique 25 à 27, les plans frontières séparant la partie plan incliné et les parties plans disposés à plat deviennent sensiblement perpendiculaires à la partie plan incliné. Sur la couche de confinement optique de type p 27, on fait croître sur environ 1,5 m d'épaisseur, une couche de confinement optique 28 en (A10,7Ga0,3)0,5In0,5P de type p. Les gaz sources utilisés sont le TMA, le TEG, le TMI et PH 3, l'agent dopant est DMZn, le rapport V/m est de 330, la température de croissance est 710 C et la vitesse de croissance est 2 fiem/h. Pour ces conditions de croissance, puisque le rapport R des épaisseurs des pellicules est d'environ 1,3, comme on peut le voir sur le graphe de la figure 4, la couche de confinement optique 27 croît tout en déplaçant graduellement sa partie plan incliné en direction de la partie plan inférieur disposé à plat.On choisit les conditions de dopage de façon que la concentration en porteurs de type p devienne supérieure dans la partie plan incliné à ce qu'elle est dans les parties plans disposés à plat, par exemple 6 x 1017 cm-3 dans la partie plan incliné et 1 x 1017 cm-3 dans les parties plans disposés à plat. En donnant à la concentration en porteurs une plus grande valeur dans la partie plan incliné que dans les parties plans disposés à plat, on peut former un trajet de courant approprié. Ensuite, on fait croître sur environ 0,1,um une couche intermédiaire 29 en G,5,5P de type p tout en abaissant graduellement la température de croissance de 7100C à 670-C. Les gaz sources utilisés sont le PEG, le TMI et PH3, l'agent dopant est le DMZn, le rapport V/III est de 500, et la vitesse de croissance est de 1 San/h. On choisit les conditions de dopage de façon que la concentration en porteurs de type p devienne 1 x 1018 cm-3 pour la partie plan incliné. En dernier lieu, on forme sur une épaisseur de 5yrn une couche de contact 30 en GaAs de type p, qui possède une concentration en porteurs de type p d'environ 2 x 1018 cm-3 dans la partie plan incliné. Les gaz sources utilisés sont le TMG et AsH3, l'agent dopant est le DMZn, le rapport VnlIest de 100, la température de croissance est 670 C et la vitesse de croissance est 1 fzm/h. Après une série d'opérations MOVPE telles que ci-dessus décrites, on sort le substrat semiconducteur du système d'épitaxie, et on le sépare en dispositifs indépendants en formant des tranchées qui coupent au moins les régions de type p, par exemple, avec une largeur de 100 fem. Sur le fond du substrat de GaAs 20, pour réaliser une électrode de côté n, on peut déposer, par dépôt en phase vapeur, une structure stratifiée comprenant une couche de Au, une couche de Ge et une couche de Au, et, pour réaliser une électrode de côté p, on peut déposer, par dépôt en phase vapeur, une structure stratifiée comprenant une couche de AuZn et une couche de Au, sur la couche de contact en GaAs de type p 30.Après cela, on coupe le substrat en puces ayant par exemple une largeur de 300 ssm et une longueur de 700,rem. On colle chaque puce à un puits thermique, ou radiateur, les régions de type p étant disposées vers le haut. On introduit Si comme agent dopant dans la couche de confinement optique de type n de façon que la concentration de type n dans la partie plan incliné ne soit pas inférieure à ce qu'elle est dans les parties plans disposés à plat. Si l'on utilise Cd comme agent dopant pour la couche de confinement optique de type p, on peut encore abaisser la résistivité. Le laser à semiconducteur représenté sur les figures 8A et 8B présente une structure dans laquelle l'angle entre le plan incliné et les parties frontières séparant les parties plan incliné et plans disposés à plat au niveau des couches de confinement optique 23, 25, 26 et 27 dans le voisinage de la couche active 24 est d'environ 90-. De ce fait, la direction de polarisation est sensiblement alignée suivant le plan incliné de la couche active, comme décrit en liaison avec la figure 6.Dans cette description, un angle valant "environ 90'" est supposé désigner un angle compris dans l'intervalle de 80 à 100". Il n'est pas nécessairement obligatoire que l'angle entre le plan incliné et les plans frontières séparant les parties plan incliné et plans disposés à plat soit d'environ 90-. Il est également possible de fixer la direction de polarisation suivant le plan incliné de la couche active si l'angle prévalant dans une région profonde au voisinage de la couche active est plus près de 90 que dans une région profonde éloignée de la couche active.Les couches de confinement optique 22 et 28 ont une structure telle que la partie plan incliné se déplace vers la partie plan inférieur disposé à plat lorsque les couches croissent, comme pour la structure décrite en liaison avec la figure 3B. De ce fait, l'aire de rayonnement devient stable et on peut obtenir une configuration en champ proche à un seul pic. L'épaisseur des couches qui se trouvent de part et d'autre de la couche active ayant la structure selon laquelle les plans frontières séparant les parties plans disposés à plat et plan incliné sont sensiblement perpendiculaires au plan incliné est de préférence égale à 1 ssm ou moins. Les couches de confinement optique supérieur 22 et inférieur 28 du laser à semiconducteur des figures 8A et 8B, prenant en sandwich une pluralité de couches 23 et 25 et 27 au voisinage de la couche active 24 lorsque les plans frontières séparant les parties plans disposés à plat et plan incliné sont perpendiculaires au plan incliné, croissent avec un rapport V/m grand de sorte que les parties plan incliné des couches de confinement optique 22 et 28 se déplacent graduellement vers les parties plan inférieur disposé à plat. Au contraire, on peut faire croître les couches de confinement optique avec un petit rapport V/III, de façon que leurs parties plan incliné se déplacent graduellement vers les parties plan supérieur disposé à plat. La figure 9 est une vue en section droite d'un laser à semiconducteur selon le deuxième mode de réalisation de l'invention, où on a fait croître avec un petit rapport V/III les couches supérieure et inférieure prenant en sandwich les couches de confinement optique au voisinage de la couche active de façon à faire que les parties plan incliné se déplacent graduellement vers les parties plan supérieur disposé à plat. On forme, entre les couches supérieures 46 et 47 et la couche inférieure 44 une couche active à MQW 45 faite d'une structure stratifiée comprenant des couches de GaInAsP et des couches de AlGaInP. La couche supérieure 46 est une couche de confinement optique en AlGaInP de type p d'une épaisseur de 0,2,mu, la couche supérieure 47 est une couche de confinement optique/arrêt en AlGaInP d'une épaisseur de 0,2ym, la couche inférieure 44 est une couche de confinement optique en AlGaInP de type n d'une épaisseur de 0,4 ,um. On fait croître les couches de confinement optique 44 et 46 et la couche de confinement optique/ arrêt 47 avec un rapport V/III de 160 de façon à faire que les plans frontières séparant les parties plans disposés à plat et plan incliné soient sensiblement parallèles au plan incliné. On forme la couche de confinement optique/arrêt 47 dans des conditions telles que sa partie plan incliné devienne de type p et que ses parties plans disposés à plat deviennent de type n, de sorte qu'elle se comporte en couche de confinement de courant. Cette structure stratifiée est de plus prise en sandwich entre une couche de confinement optique 48 en AlGalnP de type p d'une épaisseur de 1,um et une couche de confinement optique en AlGaInP de type n d'une épaisseur de 1,am. On a fait croître les couches de confinement optique 43 et 48 avec un rapport V/III d'environ 100, de sorte que les parties plan incliné de celles-ci se sont déplacées graduellement vers les parties plan supérieur disposé à plat. Cette structure stratifiée comprise entre la couche de confinement optique 43 et la couche de confinement optique 48 est de plus prise en sandwich entre une couche de confinement optique 49 en AlGaInP de type p et une couche de confinement optique 42 en AlGaInP de type n. On a fait croître les couches de confinement optique 42 et 49 avec un rapport V/m de 330, de sorte que leurs parties plan incliné se sont déplacées graduellement vers les parties plan inférieur disposé à plat. Cette structure stratifiée comprise entre la couche de confinement optique 42 et la couche de confinement optique 49 est formée sur une couche tampon 41 de type n que l'on a fait croître sur un substrat échelonné en GaAs de type n 40. Sur la surface de la couche de confinement optique 49, on a fait déposer, de manière stratifiée, dans cet ordre, une couche intermédiaire en GaInP de type p 50 et une couche de contact en GaAs de type p 51. Comme représenté sur la figure 9, dans la structure stratifiée qui va de la couche de confinement optique 44 à la couche de confinement optique/arrêt 47 se trouvant au voisinage de la couche active 45, puisque les plans frontières séparant les parties plans disposés à plat et plan incliné sont sensiblement perpendiculaires au plan incliné, on peut considérer que la direction de polarisation se trouve sensiblement suivant le plan incliné de la couche active.De plus, puisque la structure stratifiée comprise entre la couche de confinement optique 44 et la couche de confinement optique/arrêt 47 est prise en sandwich entre les couches de confinement optique 43 et 48 où les parties plan incliné se déplacent graduellement en direction des parties plan supérieur disposé à plat, les porteurs se concentrent au voisinage du centre de la couche active si bien que l'aire de rayonnement se stabilise et qu'on peut former une configuration en champ proche avec un seul pic. A cette structure, est toutefois associé le problème que pose une grande densité de défauts de creux, comme représenté sur la figure 7, puisque le rapport V/III est plus petit que 250 lors de la croissance des couches de confinement optique 43 et 48. Pour réduire la production des défauts de creux, il est préférable de prendre en sandwich la structure stratifiée qui va de la couche de confinement optique 43 à la couche de confinement optique 48 entre les couches de confinement optique 42 et 49, que l'on a fait croître avec un rapport V/III supérieur à250. On a fabriqué des lasers à semiconducteur selon les premiers et deuxième modes de réalisation pour divers rapports V/III lors de la croissance des couches de confinement optique. La mesure des caractéristiques d'émission de lumière de ces lasers a montré qu'il existait une corrélation entre le rapport V/m et le courant de seuil. La figure 10 illustre la relation existant entre le rapport V/IIIet le courant de seuil. L'abscisse représente le rapport V/m pendant la croissance de couches de confinement optique, et l'ordonnée représente le courant de seuil, en milliampères. Pour un rapport V/III valant 330 lors de la croissance des couches de confinement optique, on obtient un courant de seuil d'environ 29 à 33 mA et, lorsque le rapport V/m s'abaisse, le courant de seuil diminue. Lorsque le rapport V/III s'abaisse jusqu'à 100, le courant de seuil diminue jusqu'à environ 23 mA. Comme on peut le voir sur la figure 10, on peut réduire le courant de seuil en abaissant le rapport V/m pendant la croissance des couches de confinement optique. Par exemple, pour réduire le courant de seuil à une valeur de 30 mA ou de 25 mA, ou moins, on fixe le rapport V/III à 250 ou 150, ou moins. La figure 11 est une vue en section droite d'un laser à semiconducteur selon le troisième mode de réalisation, dans lequel on vise principalement à réduire le courant de seuil en faisant appel à un petit rapport V/m lors de la croissance des couches de confinement optique. On forme une couche active à MQW à contraintes 64 faite d'une stratification de couches de GaInAsP et de couches de AlGaInP entre une couche de confinement optique en AlGaInP de type p supérieure 65 d'une épaisseur de 0,1 m et une couche de confinement optique en AlGaInP de type n inférieur 63 d'une épaisseur de 0,1,um. On fait croître les couches de confinement optique 63 et 65 à un rapport V/III de 110 afin de faire que les parties plan incliné se déplacent graduellement vers les parties plan supérieur à plat. Cette structure stratifiée allant de la couche de confinement optique 63 à la couche de confinement optique 65 est de plus prise en sandwich entre trois couches supérieures et une couche inférieure. Les trois couches supérieures comprennent une couche de confinement optique 66 en AlGaInP de type p, une couche de confinement optique/arrêt en AlGaInP 67, et une couche de confinement optique 68 en AlGaInP de type p. La couche inférieure est une couche de confinement optique 62 en AlGaInP de type n. La partie plan incliné 67a de la couche 67 de confinement optique/arrêt est de type p, et ses parties plans disposés à plat 67b sont de type n, la couche de confinement optique/arrêt faisant fonction de couche de confinement de courant.Les couches de confinement optique 62, 66 et 68 et la couche de confinement optique/arrêt 67 ont crû pour un grand rapport V/m de façon que les parties plan incliné se déplacent graduellement vers les parties plan inférieur disposé à plat. La structure stratifiée allant de la couche de confinement optique 62 à la couche de confinement optique 68 est formée sur une couche tampon de type n 61 que l'on a fait croître sur un substrat échelonné en GaAs de type n 60. Sur la surface de la couche de confinement optique 68, une couche intermédiaire 69 en GaInP de type p et une couche de contact 70 en GaAs de type p sont disposées de manière stratifiée dans cet ordre. Dans le laser à semiconducteur représenté sur la figure 11, les couches de confinement optique 63 et 65 se trouvant en contact direct avec la couche active ont crû avec un rapport V/III de 110. On s'attend donc à ce que le courant de seuil puisse être ramené à environ 23 mA, comme représenté sur la figure 10. Toutefois, puisque les plans frontières séparant les parties plans disposés à plat et plan incliné ne sont pas perpendiculaires au plan incliné, au niveau des couches de confinement optique 63 et 65 voisines de la couche active, il existe le risque que la direction de polarisation soit inclinée par rapport au plan incliné de la couche active 64. Si l'on donne peu d'épaisseur aux couches de confinement optique 63 et 65, il est possible de considérer que la direction de polarisation est plus influencée par les couches de confinement optique extérieures que par les couches de confinement optique intemes 63 et 65. Les couches de confinement optique 63 et 65 font tourner la direction de polarisation dans un sens, tandis que les couches de confinement optique 62 et 66 à 68 font tourner la direction de polarisation dans le sens inverse. Par conséquent, en ajustant les épaisseurs des couches de confinement optique 63 et 65 et l'inclinaison des plans frontières séparant les parties plans disposés à plat et plan incliné au niveau de chaque couche de confinement optique, on peut espérer annuler la fonction qui consiste à faire tourner la direction de polarisation et que la direction de polarisation pourra être fixée suivant le plan incliné de la couche active. Pour annuler à un degré suffisant les fonctions consistant à faire tourner la direction de polarisation, on suppose que les épaisseurs préférables des couches de confinement optique sont de 0,2 an ou moins. Si l'on utilise un laser à semiconducteur dans des domaines techniques qui ne sont pas fondés sur la direction de polarisation, on peut réduire son courant de seuil en utilisant un rapport V/1II aussi petit que possible pendant la croissance des couches de confinement optique 63 et 65. On va maintenant décrire un laser à semiconducteur selon le quatrième mode de réalisation, en se reportant à la figure 12. L'inventeur a trouvé des déformations, ou contraintes, produites au voisinage de la zone frontière entre les parties plans disposés à plat et plan incliné en observant, au moyen d'un microscope électronique du type par transmission (IEM), les sections droites du laser à semiconducteur possédant la structure présentée sur la figure 3B. Une des raisons entraînant la rotation de la direction de polarisation peut être auribuée à ces contraintes. Il a été découvert que la réaction de polarisation tournait dans une direction perpendiculaire à celle suivant laquelle les contraintes s'étendent.On peut supposer que, si l'on forme intentionnellement une couche de contraintes parallèlement à la couche active, il est possible de réduire dans une mesure relative l'influence due aux contraintes au voisinage de la zone frontière séparant les parties plans disposés à plat et plan incliné. La figure 12 est une vue en section droite d'un laser à semiconducteur selon le quatrième mode de réalisation, qui possède une couche de contraintes parallèle à la couche active. Une couche active à MQW à contraintes 85 qui est faite d'une structure stratifiée de couches de GaInAsP et de couches de AlGaInP est formée entre une couche supérieure 86 de confinement optique à contraintes en AlGaInP de type p d'une épaisseur de 50nm et une couche inférieure 84 de confinement optique à contraintes en AlGaInP de type n d'une épaisseur de 50 nm. Cette structure stratifiée est prise en sandwich entre une couche supérieure 87 de confinement optique à contraintes en AlGalnP de type p d'une épaisseur de 50 mn et une couche inférieure 83 de confinement optique à contraintes en AlGaInP de type n d'une épaisseur de 50 nm. Cette structure stratifiée comprise entre la couche de confinement optique 83 et la couche de confinement optique 87 est formée sur une couche 82 de confinement optique en AlGalnP de type n. La couche de confinement optique 82 est formée sur une couche tampon de type n 81 que l'on a fait croître sur un substrat échelonné en GaAs de type n 81. On a fait croître la couche de confinement optique 82 jusqu'à une épaisseur de 1,5 fi pour les conditions suivantes : gaz sources formés par TMA, TEG, TMI et PH3, température de croissance de 710il, rapport V/III de 400, et vitesse de croissance de 2,nm/h. On a utilisé Si2H6 comme agent de dopage et on a fixé la concentration en porteurs de type n à 5 x 1017 cm-3. Le taux de composition de In dans les couches de confinement optique 83 et 87 est fixé à une plus grande valeur que dans la couche de confinement optique 82 de façon à produire 0,3 % de contraintes de contraction. Le taux de composition de In dans les couches de confinement optique 84 et 86 est fixé plus bas que dans la couche de confinement optique 82 de façon à produire 0,3 % de contraintes d'allongement. Sur la couche de confinement optique 87, une couche de confinement optique en AlGalnP de type p 88, une couche de confinement optique/arrêt en AlGaInP 89 et une couche de confinement optique en AlGaInP de type p 90 sont formées dans cet ordre. Les couches de confinement optique 88 et 90 et la couche de confinement optique/arrêt 89 ont leur réseau apparié avec une couche tampon en GaAs de type n 81, et il n'est produit aucune contrainte dans ces couches. La couche de confinement optique/arrêt 89 est formée par application alternée des agents de dopage Zn et S de manière à former un type p au niveau de la partie plan incliné 89a et un type n au niveau des parties plans disposés à plat 89b. Sur la surface de la couche de confinement optique 90, une couche intermédiaire en GaInP de type p 91 et une couche de contact en GaAs de type p 92 sont disposées de manière stratifiée dans cet ordre. L'insertion des couches de confinement optique à contraintes 83, 84, 86 et 87 comme couches supérieures et inférieures de la couche active 85 peut réduire le décalage angulaire de la direction de polarisation par rapport au plan incliné. La variation de l'indice de réfraction des couches de confinement optique à contraintes 83, 84, 86 et 87 est négligeable par comparaison avec les couches de confinement optique sans contraintes. Par conséquent, on pourra considérer que la distribution de la lumière est à peine influencée du fait de l'insertion de ces motifs de confinement optique à contraintes. Il est possible de former une couche de contraintes relativement épaisse sans augmenter le nombre total de contraintes en disposant en alternance, de manière stratifiée, des couches ayant des contraintes d'allongement et des couches ayant des contraintes de contraction. Il est préférable de fixer la quantité de contraintes à 0,1 %, ou plus, pour qu'on puisse obtenir des effets de réduction du décalage angulaire de la direction de polarisation par rapport au plan incline. La figure 13 est une vue en section droite d'un laser à semiconducteur selon le cinquième mode de réalisation, lequel est une combinaison du quatrième mode de réalisation et du premier mode de réalisation de la figure 8A. La couche de confinement optique 23 présentée sur la figure 8A est séparée en des couches de confinement optique 23a et 23b entre lesquelles il est inséré une couche de confinement optique à contraintes en AlGalnP de type n 100. La couche de confinement optique 25 de la figure 8A est séparée en couches de confinement optique 25a et 25b, entre lesquelles est insérée une couche de contraintes en AlGaInP de type p 101. Les autres structures sont identiques à celles du laser à semiconducteur de la figure 8A. Les couches de confinement optique 100 et 101 ont par exemple 0,5 % de contraintes d'allongement. Le cinquième mode de réalisation, qui est une combinaison des premier et quatrième modes de réalisation, est considéré comme susceptible de réduire le décalage angulaire de la direction de polarisation par rapport au plan incliné. Des avantages analogues peuvent également être espérés d'une combinaison du quatrième mode de réalisation avec le deuxième mode de réalisation de la figure 9 ou avec le troisième mode de réalisation de la figure 11. Le substrat échelonné en GaAs qui est utilisé dans les modes de réalisation présentés ci-dessus possède un plan disposé à plat qui présente un décalage angulaire de 6* par rapport au plan (1 0 0) en direction du plan (1 1 1) A, et un plan incliné selon le plan (4 1 1) A. fi est possible d'utiliser d'autres plans présentant différentes probabilités d'impuretés de dopage. Par exemple, on peut utiliser un substrat échelonné qui comporte le plan (1 0 0) ou le plan (n 1 1) A (7 Dans les modes de réalisation ci-dessus présentés, l'angle compris entre le plan frontière, séparant les parties plans disposés à plat et plan incliné, et le plan incliné est ajusté à la fois pour la couche de confinement optique supérieure et la couche de confinement optique inférieure de la couche active. L'angle peut être ajusté pour un seul des côtés supérieur et inférieur. Il est possible d'insérer une couche de confinement optique à contraintes entre les couches de confinement optique d'un seul des côtés supérieur et inférieur. De même, dans les modes de réalisation ci-dessus présentés, l'angle entre les plans frontières, séparant les parties plans disposés à plat et plan incliné, et le plan incliné a été défini sans qu'il soit fait de distinction entre les parties plan supérieur et plan inférieur disposés à plat. Si les angles relatifs aux parties plans disposés à plat supérieur et inférieur sont différents, il est possible d'ajuster l'angle relatif à l'une des parties plans disposés à plat supérieur et inférieur, ou bien l'angle moyen de ces deux angles. Dans les modes de réalisation présentés ci-dessus, on a utilisé un laser à semiconducteur à base de AlGaInP/GaAs. On considérera également que des lasers à semiconducteur composé d'autres groupes III-V présentent des phénomènes analogues à ceux décrits ci-dessus et que l'invention leur est applicable. Bien entendu, l'homme de l'art sera en mesure d'imaginer, à partir des lasers et des procédés dont la description vient d'être donné à titre simplement illustratif et nullement limitatif diverses variantes et modifications ne sortant pas du cadre de l'invention. REVENDICATIONS 1. Laser à semiconducteur, caractérisé en ce qu'il comprend: un substrat échelonné d'un semiconducteur composé des groupes m-V qui expose, à sa surface, des plans disposés à plat supérieur et inférieur présentant un plan (1 0 0) ou un plan (n 1 1) A (n étant un nombre réel, 7 une couche de confinement optique inférieure (22, 23) faite d'un semiconducteur composé des groupes III-V et formée sur la surface dudit substrat échelonné;; une couche active (24) directement formée sur ladite couche de confinement optique inférieure, ladite couche active ayant deux plans disposés à plat qui exposent le plan (1 0 0) ou le plan (n 1 1) A (n étant un nombre réel, 7 une couche de confinement optique supérieure (25, 26, 27) faite d'un semiconducteur composé des groupes III-V et directement formée sur ladite couche active, ladite couche de confinement optique supérieure comportant une couche d'arrêt de courant (26) formée dans des régions situées le long dudit plan disposé à plat à une certaine profondeur, où, si l'on désigne par 8 l'angle compris entre un plan frontière, séparant une région située dans ladite couche de confinement optique supérieure le long dudit plan disposé à plat supérieur et une région de ladite couche de confinement optique supérieure située le long dudit plan incliné, et ledit plan incliné de ladite couche active, ou bien l'angle formé entre un premier plan virtuel et ledit plan incliné de ladite couche active, ledit premier plan virtuel étant fait par prolongement linéaire d'un plan frontière, qui sépare une région de ladite couche de confinement optique inférieure située le long dudit plan disposé à plat supérieur et une région de ladite couche de confinement optique inférieure située le long dudit plan incliné, jusque dans ladite couche de confinement optique supérieure, ledit angle 0, en une première région profonde partielle, du côté de ladite couche active, relativement à au moins une, considérée, desdites couches de confinement optique supérieure et inférieure, est différent dudit angle 8 relatif à ladite couche considérée de confinement optique en une deuxième région profonde plus éloignée de ladite couche active que ladite première région profonde. 2. Laser à semiconducteur selon la revendication 1, caractérisé en ce que ledit angle û, en ladite première région profonde, est sensiblement de 90-. 3. Laser à semiconducteur selon la revendication 1, caractérisé en ce que, si l'on désigne par cp l'angle compris entre un plan frontière, qui sépare une région de ladite couche de confinement optique inférieure située le long dudit plan disposé à plat inférieur et une région de ladite couche de confinement optique inférieure située le long dudit plan incliné, et ledit plan incliné de ladite couche active, ou bien l'angle compris entre un deuxième plan virtuel et ledit plan incliné de ladite couche active, ledit deuxième plan virtuel étant fait par prolongement d'un plan frontière, qui sépare une région de ladite couche de confinement optique supérieure située le long dudit plan disposé à plat inférieur et une région de ladite couche de confinement optique supérieure située le long dudit plan incliné, jusque dans ladite couche de confinement optique inférieure, l'angle formé par la moyenne dudit angle (p et dudit angle 0, en ladite première région profonde, est sensiblement de 90'. 4. Laser à semiconducteur selon la revendication 1, caractérisé en ce que, si l'on désigne par ep l'angle compris entre un plan frontière, qui sépare une région de ladite couche de confinement optique inférieure située le long dudit plan disposé à plat inférieur et une région de ladite couche de confinement optique inférieure située le long dudit plan incliné, et ledit plan incliné de ladite couche active, ou bien l'angle compris entre un deuxième plan virtuel et ledit plan incliné de ladite couche active, ledit deuxième plan virtuel étant fait par prolongement d'un plan frontière, qui sépare une région de ladite couche de confinement optique supérieure située le long dudit plan disposé à plat inférieur et une région de ladite couche de confinement optique supérieure située le long dudit plan incliné, jusque dans ladite couche du confinement optique inférieure, ledit angle , en ladite première région profonde, est sensiblement de 90-. 5. Laser à semiconducteur selon la revendication 1, caractérisé en ce que l'épaisseur de ladite première région profonde de ladite couche considérée de confinement optique est de 1 tram ou moins. 6. Laser à semiconducteur selon la revendication 1, caractérisé en ce que ledit angle û, en ladite première région de ladite couche considérée de confinement optique, est plus grand que ledit angle O prévalant dans la deuxième région de ladite couche considérée de confinement optique. 7. Laser à semiconducteur selon la revendication 1, caractérisé en ce que: ledit angle û, en une région profonde partielle, du côté de ladite première région profonde, dans ladite deuxième région profonde, est plus grand que ledit angle O prévalant dans ladite première région profonde ; et ledit angle û, en au moins une autre région profonde partielle se trouvant dans ladite deuxième région profonde et étant plus éloignée de ladite couche active que ladite région profonde partielle, est plus petit que ledit angle O prévalant dans ladite première région profonde. 8. Laser à semiconducteur selon la revendication 1, caractérisé en ce que ledit angle O prévalant dans ladite première région de ladite couche considérée de confinement optique est supérieur à 90, et ledit angle O prévalant dans ladite deuxième région de ladite couche considérée de confinement optique est plus petit que 90'. 9. Laser à semiconducteur selon la revendication 8, caractérisé en ce que l'épaisseur de ladite première région profonde située dans ladite couche considérée de confinement optique est de 0,2 fzm ou moins. 10. Laser à semiconducteur selon la revendication 1, caractérisé en ce que ladite première région profonde de ladite couche considérée de confinement optique comporte une ou plusieurs couches de contraintes disposées parallèlement à ladite couche active, ladite couche de contraintes contenant des contraintes. 11. Laser à semiconducteur selon la revendication 10, caractérisé en ce que la quantité absolue de contraintes présentes dans ladite couche de contraintes est de 0,1 % ou plus. 12. Laser à semiconducteur selon la revendication 10, caractérisé en ce que ladite couche de contraintes est une structure stratifiée d'une couche contenant des contraintes de traction et d'une couche contenant des contraintes de compression. 13. Procédé de fabrication d'un laser à semiconducteur, caractérisé en ce qu'il comprend les opérations suivantes: préparer un substrat échelonné fait d'un semiconducteur composé des groupes III-V qui expose sur une de ses surfaces des plans disposés à plat supérieur et inférieur présentant un plan (1 0 0) ou un plan (n 1 1) A (n étant un nombre réel, 7 former une couche de confinement optique inférieure faite d'un semiconducteur composé des groupes III-V et formée sur la surface dudit substrat échelonné, via une épitaxie en phase vapeur par organométalliques;; former une couche active directement sur ladite couche de confinement optique inférieure, ladite couche active ayant deux plans disposés à plat qui exposent le plan (1 0 0) ou le plan (n 1 1) A (n étant un nombre réel, 7 former une couche de confinement optique supérieure faite d'un semiconducteur composé des groupes III-V directement sur ladite couche active via une épitaxie en phase vapeur par organométalliques, ladite couche de confinement optique supérieure comportant une couche d'arrêt de courant formée dans des régions situées le long dudit plan disposé à plat à une certaine profondeur, où au moins l'une, considérée, des opérations que constituent ladite opération de formation de la couche de confinement optique inférieure et ladite opération de formation de la couche de confinement optique supérieure comprend:: une première opération consistant à faire croître un semiconducteur composé des groupes III-V par délivrance de gaz sources suivant un premier rapport V-ffl; et une deuxième opération consistant à faire croître un semiconducteur composé des groupes III-V par délivrance de gaz sources suivant un deuxième rapport V/III, différent dudit premier rapport V/III. 14. Procédé de fabrication d'un laser à semiconducteur selon la revendication 13, caractérisé en ce que ladite première opération de l'opération considérée forme une couche qui est directement en contact avec ladite couche active, et ledit premier rapport V/III est plus petit que ledit deuxième rapport vtm. 15. Procédé de fabrication d'un laser à semiconducteur selon la revendication 14, caractérisé en ce que l'opération considérée comporte une opération consistant à faire croître un semiconducteur composé des groupes III-V par délivrance de gaz sources suivant un troisième rapport V/III, qui est plus petit que ledit premier rapport V/III, entre les première et deuxième opérations. 16. Laser à semiconducteur, caractérisé en ce qu'il comprend: un substrat échelonné d'un semiconducteur composé des groupes III-V qui expose, à sa surface, des plans disposés à plat supérieur et inférieur présentant un plan (1 0 0) ou un plan (n 1 1) A (n étant un nombre réel, 7 une couche de confinement optique inférieure (22, 23) faite d'un semiconducteur composé des groupes III-V et formée sur la surface dudit substrat échelonné;; une couche active (24) directement formée sur ladite couche de confinement optique inférieure, ladite couche active ayant deux plans disposés à plat qui exposent le plan (1 0 0) ou le plan (n 1 1) A (n étant un nombre réel, 7 une couche de confinement optique supérieure (25, 26, 27) faite d'un semiconducteur composé des groupes III-V et directement formée sur ladite couche active, ladite couche de confinement optique supérieure comportant une couche d'arrêt de courant (26) formée dans des régions situées le long dudit plan disposé à plat à une certaine profondeur, où, au moins l'une, considérée, desdites couches de confinement optique supérieure et inférieure comporte une ou plusieurs couches de contraintes disposées parallèlement à ladite couche active, ladite couche de contraintes contenant des contraintes. 17. Laser à semiconducteur selon la revendication 16, caractérisé en ce que la quantité absolue de contraintes contenue dans ladite couche de contraintes est de 0,1 % ou plus. 18. Laser à semiconducteur selon la revendication 16, caractérisé en ce que lesdites couches de contraintes sont faites par des structures stratifiées formées d'une couche contenant des contraintes de traction et d'une couche contenant des contraintes de compression.