FR 2711863 A1 19950505 FR 9410465 A 19940831 La présente invention concerne un dispositif à onde acoustique de surface et son procédé de fabrication. De façon générale, un dispositif à onde acoustique de surface comprend un substrat piézo-électrique et une électrode interchiffre en forme de peigne disposée sur le substrat, pour convertir une tension en une onde acoustique de surface ou viceversa. La fonction du dispositif à onde acoustique de surface consiste à convertir une tension de fréquence radio en une onde acoustique de surface en utilisant une électrode interchiffre en forme de peigne, ce qui fait que cette onde se propage sur la surface du substrat piézo-électrique, et consiste à convertir à nouveau l'onde en tension au moyen de l'électrode interchiffre en forme de peigne. Une sélectivité de fréquence peut être assurée en relation avec la forme de l'électrode interchiffre pendant deux opérations de conversion entre l'onde acoustique de surface et la tension, et un filtre ou un résonateur peut être constitué en utilisant cette propriété caractéristique. Du fait que la vitesse de propagation peut être retardée, le dispositif à onde acoustique de surface peut être utilisé en tant que dispositif de retard. L'application du dispositif à onde acoustique de surface à de petits filtres ou résonateurs économiques ou à de petites lignes de retard économiques etc. a déjà été effectuée en utilisant les fonctions décrites ci-avant. En d'autres termes, le dispositif à onde acoustique de surface a été appliqué à des filtres de fréquence intermédiaire de postes de télévision, à des résonateurs d'enregistreurs à bande vidéo ou magnétoscopes, à des oscillateurs, à des oscillateurs commandés en tension de téléphones sans fil et récemment, I'application a été étendue à des filtres haute fréquence et à des filtres de fréquence intermédiaire de téléphones automobiles, de téléphones mobiles etc... Afin d'étendre encore l'utilisation dans ce domaine, il est important d'améliorer des caractéristiques de bande passante et de puissance du dispositif à onde acoustique de surface. Plus particulièrement, dans le cas des téléphones automobiles et des téléphones mobiles, la puissance de transmission est relativement importante, c'est-à-dire qu'elle est comprise entre 0,6 et 3 W, et une puissance haute fréquence importante est appliquée à un filtre d'une partie d'extrémité avant à l'intérieur de l'appareil, plus particulièrement à un duplexeur d'antenne. La puissance d'entrée maximum du filtre à onde acoustique de surface a été d'environ 0,2 W jusqu'à présent et le filtre manque d'une caractéristique de puissance suffisante. Pour cette raison, un filtre diélectrique présentant une résistance de puissance élevée a été utilisé pour le duplexeur d'antenne. Cependant, du fait que le filtre diélectrique est d'une taille importante, un problème se pose lorsque la taille globale de l'appareil est réduite. Par conséquent, si les caractéristiques de puissance du dispositif à onde acoustique de surface peuvent être améliorées et si le duplexeur d'antenne peut être réalisé en utilisant le dispositif à onde acoustique de surface, les téléphones mobiles peuvent être réalisés de telle sorte qu'ils soient plus petits et l'effet d'utilisation dans l'industrie devient plus important. L'électrode interchiffre est utilisée dans le dispositif à onde acoustique de surface comme décrit ci-avant et de l'aluminium (Al) ou un alliage d'aluminium contenant une faible quantité d'un type de métal différent (pas toujours un corps en solution solide dans de nombreux cas) est généralement utilisé du fait que la masse est faible et que sa valeur de résistance électrique est faible. Plusieurs propositions ont été effectuées pour la structure du duplexeur d'antenne qui utilise le dispositif à onde acoustique de surface. Des exemples typiques sont décrits dans les demandes de brevet du Japon non examinée (Kokai) n"s 5167388 et 5-167389. Afin de simplifier la structure de filtre dans le duplexeur et afin d'assurer des caractéristiques souhaitées, la demande de brevet du Japon non examinée (Kokai) n" 5-167388 propose de constituer un duplexeur en utilisant une pluralité de filtres passe-bande dont chacun est formé en utilisant le dispositif à onde acoustique de surface. La demande de brevet du Japon non examinée (Kokai) n 5-167389 propose d'intégrer une pluralité de puces de filtre passe-bande à onde acoustique de surface présentant des bandes de fréquence centrale mutuellement différentes et comportant des bornes d'entrée/sortie de signal et des bornes de masse, en les stockant dans un module de manière à minimiser le duplexeur tout en maintenant une isolation excellente. Cependant, le duplexeur d'antenne classique ne présente pas des caractéristiques telles que le filtre puisse supporter suffisamment l'augmentation de l'énergie haute fréquence. Afin d'évaluer la résistance de puissance ou les caractéristiques de puissance, la durée de vie pour la puissance d'entrée maximum à laquelle l'appareil peut être utilisé est généralement utilisée en tant que critère pertinent. Le duplexeur d'antenne classique présente une durée de vie de seulement environ 1600 heures pour une entrée de 1 W et pour une température environnementielle de 85"C (température de puce de 1200C) lors d'un test de détérioration accélérée stipulé pour les téléphones mobiles de la spécification NTT du Japon par exemple. Ces valeurs ne sont pas considérées comme étant suffisantes pour la durée de vie des téléphones mobiles et des valeurs valant au moins deux fois celles-ci sont considérées comme étant nécessaires. Le facteur essentiel qui détermine la durée de vie du dispositif à onde acoustique de surface est la caractéristique de puissance des doigts d'électrode du filtre (doigt d'électrode interchiffre qui est appelé "IDT") et il a été utilisé un film d'alliage du système aluminium contenant une quantité très faible de cuivre et formé par pulvérisation, lequel est bien connu comme résistant à la migration dans le domaine des dispositifs à semiconducteur. Cependant, cet alliage ne suffit encore pas en tant que matériau d'électrode du dispositif à onde acoustique de surface utilisé en tant que duplexeur d'antenne pour lequel une charge de puissance élevée est appliquée. En plus des références de brevet décrites ci-avant, les rapports suivants ont été produits en ce qui concerne les procédés consistant à améliorer la puissance électrique de l'électrode du dispositif à onde acoustique de surface. 1. Modification du métal d'addition dans l'alliage du système aluminium (Al) I'utilisation d'un alliage d'aluminium-titane (Al-Ti) etc. par exemple est décrite en détail dans "Examination of Al System Thin Film Material for SAW Power-Resistant Electrode and Production Method Thereof" (de Yuhara et suivants) n" 17 EM Symposium Presume, pages 7 - 12. Selon ce rapport, la durée de vie du dispositif à onde acoustique de surface peut être améliorée d'environ 10 fois la durée de vie d'un film en alliage d'aluminium-cuivre (Al-Cu) en remplaçant le matériau électrique par un alliage d'aluminium-titane (Al-Ti). 2. Utilisation d'un film monocristallin épitaxial en aluminium (Al) ce procédé est basé sur le fait qu'une diffusion de joint de grain lors d'une migration sous contraintes de l'aluminium (Al) peut être limitée en convertissant la structure en un monocristal et cela est rapporté dans des documents de Electronic Data Communication Society, A, vol. J76-A, n" 2, pages 145-152 (1993) (par leki et suivants). Selon ce rapport, la durée de vie peut être améliorée jusqu'à 2000 fois celle d'un film en alliage d'aluminium-cuivre (Al-Cu) au moyen d'une évaporation sous vide. Par comparaison avec des films formés par pulvérisation, la durée de vie d'un film en alliage d'aluminium-cuivre (Al-Cu) formé par évaporation sous vide est de beaucoup plus courte (se reporter à Yuhara et suivants ainsi qu'à d'autres références) et l'amélioration de la durée de vie est considérée comme étant d'un facteur de sensiblement 20 à 200. Présentement cependant, il a été confirmé que ce procédé permet de réaliser une croissance épitaxiale seulement lorsque le matériau de substrat de base est du quartz, et on ne peut pas réaliser le film lorsque du LiTaO3 ou du LiNbO3, qui ont été largement utilisés en tant que matériau de substrat pour des filtres pour une communication mobile, est utilisé. Comme décrit ci-avant, une migration sous contraintes dans le dispositif à onde acoustique de surface est analogue à une électromigration et à une migration sous contraintes pour une technologie de câblages de dispositifs à semiconducteur, et la technologie de résistance à la migration dans des dispositifs à semiconducteur est utile pour la technologie de résistance à la migration dans les dispositifs à onde acoustique de surface. Entre autre, la technologie suivante fait l'objet d'une attention croissante. Plus précisément, il s'agit du procédé qui forme selon une forme laminaire un film en un composé intermétallique d'aluminium (Al) et d'un métal de transition entre les films en aluminium (Al) de manière à bloquer l'électromìgration des atomes d'aluminium (Al) au moyen du composé intermétallique. Ce procédé est rapporté dans la demande de brevet des Etats Unis d'Amérique n" 4 017 890 (J.K. Howard, IBM avril 1977) et en relation avec ce brevet, un rapport a été effectué par J.K. Howard, J.F. White et P.S. Ho dans "J. Appl. Phys., vol 49, page 4083 (1978). Selon ces rapports, la durée de vie devient maximum lorsque du chrome (Cr) est utilisé en tant que métal de transition et elle vaut environ dix fois celle de l'alliage aluminium-cuivre (Al-Cu). Cependant, lorsque les inventeurs de la présente invention ont appliqué ce procédé à l'électrode du dispositif à onde acoustique de surface, un effet suffisant n'a pas pu être obtenu. Comme décrit ci-avant, plusieurs procédés ont été proposés en tant que technologies de l'art antérieur pour améliorer les matériaux d'électrode mais aucun d'eux ne s'est avéré permettre l'obtention de caractéristiques de puissance suffisantes. Par conséquent, le développement d'un matériau d'électrode présentant une performance plus élevée a été nécessaire. De fait, lorsque le procédé consistant à améliorer les caractéristiques de puissance au moyen de la structure multicouche constitué par les films en aluminium (Al) et par le composé intermétallique constitué par l'aluminium (Al) et par le métal de transition est appliqué au dispositif à onde acoustique de surface, aucun effet ne peut être observé mais de fait, la performance se détériore. La figure 1 est une vue structurelle explicative d'un filtre à onde acoustique de surface comportant la structure à trois couches classique. Sur le dessin, un index de référence 11 indique un substrat piézo-électrique en LiTaO3, un index de référence 12 indique un film en alliage d'Al-1%Cu, un index de référence 13 indique un film en Ta, un index de référence 14 indique un film en Al-1%Cu et des index de référence 15 et 16 indiquent des films en alliage d'AI-Ta. Dans le filtre à onde acoustique de surface qui utilise cette structure d'électrode à trois couches classique, un film en alliage d'Al-1%Cu d'une épaisseur de 1000 À 12 est formé sur le substrat piézo-électrique en LiTaO3 11, un film en Ta d'une épaisseur de 500 À 13 est formé sur le premier et un film d'AI1%Cu d'une épaisseur de 1000 À 14 est encore formé sur le film en Ta 13. Puis un traitement thermique est mis en oeuvre à 400"C sous vide de manière à former des films en Ta-AI (TaA13) 15 et 16 suffisants sur l'interface entre les films en Al-Cu 12, 14 et sur le film en Ta 13 ainsi qu'au niveau des joints de grain des films en alliage d'al-1%Cu 12, 14. La structure d'électrode est ensuite conformée selon une forme interchiffre pour former l'électrode. Lorsque la durée de vie de ce filtre à onde acoustique de surface est mesurée en mettant en oeuvre un test de détérioration accélérée à une température de puce de 1200C et à une puissance de fréquence radio de 1 W, I'espérance de durée de vie s'avère valoir 100 heures et elle chute jusqu'à 1/16-ième de la durée de vie d'un film à couche unique d'AI1%Cu d'une épaisseur de 3200 À, c'est-à-dire 1600 heures. La figure 2 est un graphique utile pour expliquer les caractéristiques de puissance d'un filtre à onde acoustique de surface comportant la structure à trois couches classique. Sur le graphique, I'axe des abscisses représente la puissance d'entrée (W) et l'axe des ordonnées représente la durée de vie (temps moyen jusqu'à l'observation d'une défaillance soit MTTF en heures). Une courbe a représente un film monocouche en Al-Cu qui n'est pas traité thermiquement, une courbe b représente un film en AI-1%Cu/Ta/AI-1%Cu qui n'est pas traité thermiquement et une courbe c représente un film en Al1%Cu/Ta/AI-1%Cu qui est traité thermiquement à 400"C. La température de substrat (puce) lors de la formation de chaque film est de 1200C et chaque film présente une épaisseur de 3200 . Selon la référence de J.K.Howard et suivants décrite ciavant, le filtre à onde acoustique de surface comportant l'électrode de structure à trois couches décrite ci-avant doit présenter une durée de vie plus longue d'au moins 20 fois celle du film en Al-Cu Selon les expérimentations cependant, la durée de vie réelle du film en Al-1%Cu/Ta/Al-1%Cu (voir courbe c) qui est formé moyennant les conditions de traitement thermique ordinaire à 400"C est de beaucoup plus courte que la durée de vie du film monocouche en Al-1%Cu (voir courbe a) qui n'est pas traité thermiquement. Cette différence résulte de certaines différences d'un mécanisme de détérioration de durée de vie de câblages de dispositifs à semiconducteur par rapport à un mécanisme de détérioration de durée de vie d'un transducteur interchiffre du filtre à onde acoustique de surface. Brièvement, à la fois l'électromigration des atomes d'AI et la migration sous contraintes statiques sont mises en jeu au niveau de la détérioration de la durée de vie des câblages des dispositifs à semiconducteur tandis que la détérioration de la durée de vie du transducteur interchiffre du dispositif à onde acoustique de surface résulte essentiellement de la migration sous contraintes dynamiques. Ici, la migration sous contraintes statiques signifie la migration d'AI entraînée par la contrainte interne statique des films en Al. La migration sous contraintes dynamiques signifie la migration d'AI entraînée par la migration dynamique de la contrainte interne provoquée par la propagation de l'onde acoustique de surface. En fonction des paramètres associés à la détérioration de la durée de vie, des actions exactement opposées sont obtenues dans certains cas du fait de la différence entre l'électromigration et la migration de contrainte dynamique. Un exemple typique est la taille des grains d'AI. Selon J.B. Ghate, "Electro-migration-lnduced Failure VLSI Interconnectors", Solid State Technology, pages 113-120, 1983, plus la taille des grains est importante, plus l'effet de suppression de l'électromigration est élevé et plus la durée de vie devient importante, dans le cas des câblages de dispositifs à semiconducteur. Par ailleurs, selon la référence de Yuhara et suivants mentionnée ci-avant, plus la taille des grains est importante, plus la durée de vie devient courte, dans le cas du dispositif à onde acoustique de surface. La figure 3 est un graphique utile pour expliquer schématiquement la relation qui lie la taille des grains du matériau d'électrode et la durée de vie. L'axe des abscisses du graphique représente la taille des grains et l'axe des ordonnées représente la durée de vie. Comme représenté sur le graphique, puisque l'électromigration est prédominante dans le cas des câblages de dispositif à semiconducteur, la durée de vie devient plus longue lorsque la taille des grains augmente (voir courbe b). Dans le cas de l'électrode de dispositif à onde acoustique de surface par ailleurs, puisque la migration sous contraintes est prédominante, la durée de vie devient plus courte lorsque la taille des grains du matériau d'électrode augmente (voir courbe a). La taille des grains du matériau d'électrode peut être augmentée en appliquant un traitement thermique. On peut interpréter au vu de la séquence décrite ci-avant que la cause de la détérioration du film en Al-1%Cu/Ta/Al-1%Cu formé classiquement en appliquant un traitement thermique à 400"C et représenté par la courbe c sur la figure 2 est due à ce traitement thermique à 400"C puisque la taille des grains devient plus grande et que la migration sous contraintes est davantage susceptible de se traduire du fait de ce traitement thermique et ainsi, la durée de vie est réduite. Afin d'étayer davantage ce fait, un film à trois couches présentant la même structure est formé sans la mise en oeuvre du traitement thermique et en outre, de telle sorte que la température n'excède jamais 200"C sur toute la durée du processus de manière à constituer le filtre à onde acoustique de surface. Lorsque la durée de vie de ce filtre est évaluée, la courbe b de la figure 2 peut être obtenue et la durée de vie est sensiblement égale à celle du film monocouche en Al-1%Cu (voir courbe a). On peut comprendre que lorsque le traitement thermique n'est pas mis en oeuvre à une température élevée d'environ 400"C, la durée de vie peut être notablement améliorée. Ceci est dû au fait que la taille des grains peut être maintenue faible. Dans ce cas, bien que la taille des grains reste faible et que la durée de vie soit relativement longue, L'alliage entre l'AI et le métal de transition n'est pas formé entre les couches du fait que le traitement thermique n'est pas effectué et du fait que la fonction d'un arrêt permettant d'empêcher la formation de fissurations dans le film, c'est-à-dire la croissance de vides, n'existe pas et ainsi, la durée de vie n'est pas améliorée par comparaison avec le film monocouche en Al-Cu qui n'est pas traité thermiquement (voir courbe a). Un objet de la présente invention consiste à proposer un dispositif à onde acoustique de surface qui permette d'empêcher la survenue de vides dans un film tout en maintenant une taille de grains d'un film multicouche en Al-Cu faible, et qui présente une durée de vie longue. Un autre objet de la présente invention consiste à proposer un procédé de fabrication d'un tel dispositif à onde acoustique de surface. Ces objets ainsi que d'autres de la présente invention apparaîtront à la lumière de la description détaillée qui suit de ses modes de réalisation préférés. Selon la présente invention, on propose un dispositif à onde acoustique de surface qui comprend un substrat piézoélectrique et une électrode formée sur le substrat en laminant en alternance un film en aluminium contenant au moins du cuivre qui lui est ajouté ou un alliage de cet aluminium et d'un film de cuivre. Dans ce cas, I'électrode est un transducteur qui permet de convertir un signal électrique en une onde acoustique de surface. Dans le dispositif à onde acoustique de surface selon la présente invention, des directions des contraintes internes du film en aluminium contenant au moins du cuivre ou de l'alliage de cet aluminium et du film en cuivre présentent de préférence des sens opposés et en outre, la somme de ces contraintes internes est égale à zéro (0) ou est une contrainte de compression (contrainte sur le côté négatif). Lorsque les contraintes internes sont régulées de cette façon, une migration sous contraintes de l'aluminium peut être réduite. Une structure laminée constituée par l'aluminium ou par le film d'alliage d'aluminium/film de cuivre constituant l'électrode peut être constituée de façon arbitraire selon une structure à deux couches ou multicouche et est de préférence une structure laminée à deux couches ou à trois couches. Dans une telle structure multicouche, I'épaisseur de chaque film peut être largement modifiée en relation avec la fréquence et avec divers autres facteurs mais elle s'inscrit de façon générale et de préférence dans la plage comprise entre environ 300 À et environ 10000 . Selon un mode de réalisation particulier de la présente invention, I'électrode peut être une structure laminée à deux couches constituée par le film en alliage d'aluminium-cuivre et par le film de cuivre. Ici, I'épaisseur du film en Al-Cu pour des filtres de 800 à 1000 MHz est de préférence comprise entre environ 1000 À et environ 5000 À et l'épaisseur du film en Cu est de préférence comprise entre environ 300 et environ 1000 . Selon un autre mode de réalisation préféré de la présente invention, I'électrode peut être une structure laminée à trois couches comprenant deux films en alliage d'aluminium-cuivre et le film de cuivre qui est pris en sandwich entre les films d'alliage d'aluminium-cuivre. L'épaisseur de chacun des films en Al-Cu pour des filtres entre 800 et 1000 MHz est de préférence comprise entre environ 500 À et 1500 À et l'épaisseur du film en Cu est de préférence comprise entre environ 300 À et environ 1000 . Dans le dispositif à onde acoustique de surface selon la présente invention, il est essentiellement nécessaire d'ajouter du cuivre au film en aluminium ou au film en alliage d'aluminium constituant l'électrode. La quantité d'ajout de cuivre est de préférence comprise entre 0,4 et 4% en poids et de manière davantage préférable, entre 0,5 et 1,5% en poids sur la base du poids du film. Si la quantité d'ajout du cuivre est inférieure à 0,4% en poids, des problèmes tels que des migrations de contrainte apparaissent et si par ailleurs cette valeur excède 4% en poids, des motifs fins de doigts d'électrode interchiffre ne peuvent pas être réalisés au moyen d'une gravure ionique réactive du fait d'un résidu à base de cuivre. Dans les modes de réalisation de la présente invention, le cuivre a le plus la préférence pour être ajouté au film en aluminium ou au film en alliage d'aluminium. Le substrat piézo-électrique utilisé en tant que substrat peut être constitué par des substrats en cristal piézo-électrique qui sont ordinairement utilisés dans des dispositifs à onde acoustique de surface tels que du LiNbO3, du LiTaO3, du quartz, du ZnO/verre, des céramiques du type PZT etc... De préférence, du LiTaO3 tel que du LiTaO3 de coupe 36"Y-X et du LiNbO3, tel que du LiNbO3 de coupe 64"Y-X peuvent être utilisés efficacement en tant que substrat piézo-électrique. Lorsqu'un dispositif à onde acoustique de surface comportant un substrat piézo-électrique et une électrode formée sur le substrat est fabriqué, la présente invention propose un procédé de fabrication d'un dispositif à onde acoustique de surface qui comprend le laminage en alternance d'un film en aluminium contenant au moins du cuivre qui lui est ajouté et d'un film en cuivre sur le substrat piézo-électrique à une température non supérieure à 200"C la conformation de la structure laminée résultante pour former une électrode ; et la mise en oeuvre de traitements ultérieurs tout en maintenant la température non supérieure à 200"C. Le substrat piézo-électrique et l'électrode formée sur le substrat ont déjà été décrits ci-avant. L'électrode peut être formée en laminant les films respectifs selon une épaisseur de film prédéterminée au moyen d'une technologie de formation de film ordinaire tel qu'une pulvérisation, un dépôt chimique en phase vapeur, un dépôt par faisceau électronique etc. puis en conformant ensuite la structure laminée résultante selon une forme d'électrode souhaitée. Le procédé de la présente invention permet de limiter la croissance du joint des grains des matériaux d'électrode en utilisant les étapes de processus décrites ci-avant. Les objets et avantages de la présente invention mentionnés ci-avant ainsi que d'autres apparaîtront à la lumière de la description détaillée qui suit que l'on lira en relation avec les dessins annexés parmi lesquels la figure 1 est une vue en perspective permettant d'expliquer la structure d'un filtre à onde acoustique de surface comportant une structure à trois couches selon l'art antérieur la figure 2 est un graphique permettant d'expliquer les caractéristiques de puissance d'un filtre à onde acoustique de surface comportant une structure à trois couches selon l'art antérieur la figure 3 est un graphique permettant d'expliquer la relation qui lie une taille des grains d'un matériau d'électrode et une durée de vie la figure 4 est une vue en perspective permettant d'expliquer la structure d'un dispositif à onde acoustique de surface selon un mode de réalisation de la présente invention la figure 5 est un graphique permettant d'expliquer des résultats expérimentaux d'une épaisseur de film et d'une contrainte interne de chaque film pris parmi un film en Al-Cu et un film en Cu la figure 6 est une vue en perspective permettant d'expliquer la structure d'un filtre à onde acoustique de surface selon un mode de réalisation de la présente invention la figure 7 est un schéma de circuit équivalent du filtre à onde acoustique de surface représenté sur la figure 6 la figure 8 est un graphique qui représente des caractéristiques d'émission du filtre à onde acoustique de surface selon un mode de réalisation de la présente invention la figure 9 est un graphique qui représente des caractéristiques de puissance du filtre à onde acoustique de surface selon un mode de réalisation de la présente invention la figure 10 est une vue explicative d'une structure d'électrode à film en Al-Cu la figure il est une vue en perspective permettant d'expliquer une structure d'électrode à film en Al-Cu/Cu la figure 12 est une vue schématique permettant d'expliquer une structure cristalline en CuAI2; la figure 13 est une vue en perspective permettant d'expliquer une structure d'électrode à film en Al-Cu/Cu/Al-Cu et la figure 14 est un graphique qui représente la relation qui lie une contrainte interne d'un film d'alliage et une caractéristique de puissance d'un dispositif à onde acoustique de surface. Tout d'abord, une structure d'électrode qui peut être avantageusement utilisée dans un dispositif à onde acoustique de surface selon la présente invention ainsi que la fonction et que l'effet d'une telle électrode sont également décrits. De façon générale, on pense qu'un film obtenu en ajoutant une faible quantité (environ 3 à 4% en poids) d'un type de métal différent à l'AI présente une structure dans laquelle un alliage entre l'AI et le type de métal différent existe au niveau d'un joint de grains de l'AI. La figure 10 est une vue explicative d'une structure d'électrode à film d'Al-Cu. Sur ce dessin, un index de référence 21 indique un substrat en LiTaO3, un index de référence 22 indique un film en Al-Cu, un index de référence 23 indique des grains en cristal d'AI, un index de référence 24 indique un joint de grains et un index de référence 25 indique du Cul2. Ce dessin représente un exemple dans lequel le film en Al-Cu 22 est déposé sur le substrat en LiTaO3 21 par pulvérisation ou au moyen d'un dépôt par faisceau électronique puis est conformé. Fondamentalement, il s'agit d'une structure polycristalline de l'AI dans laquelle un nombre important de grains de cristal d'AI 23 existent et le CUVAI2 25 se ségrègue au niveau du joint des grains 24. On pense que la raison pour laquelle le film en Al-Cu présente une résistance plus élevée à la migration que le film en Al est due au fait que le CUVAI2 25 présente une fluidisation des atomes d'AI. Un effet similaire peut être obtenu lorsque du Ti, du Si, etc... est utilisé en tant que métal destiné à être ajouté à l'AI, en lieu et place du Cu décrit ci-avant. Puis considérons le cas pour lequel un film en Cu est formé sur la surface supérieure du film en Al présentant cette structure, par report à la figure 11. La figure 1 1 est une vue explicative référence 21 indique un substrat en LiTaO3, un index de référence 22 indique un film en Al-Cu, un index de référence 23 indique des grains de cristal d'AI, un index de référence 24 indique un joint de grains, un index de référence 25 indique du CUVAI2 et un index de référence 26 indique un film en Cu. Le dessin représente un exemple dans lequel le film en alliage d'AI Cu 22 est formé sur le substrat en LiTaO3 21 par pulvérisation ou au moyen d'un dépôt par faisceau électronique, le film en Cu 26 est formé sur le premier et le film en Cu 26 est ensuite conformé. II s'agit fondamentalement d'une structure polycristalline de l'AI. Un nombre important de grains de cristal d'AI 23 existent et le CUVAI2 25 se ségrègue entre le joint de grains 24, le film en Al-Cu 22 et le film en Cu 26. Même lorsque la température est aussi faible qu'inférieure à 200"C lors de la formation du film en Cu 26 sur le film en Al-Cu 22, une faible quantité de CuAI2 25 est formée sur l'interface entre le joint de grains, le film en Al-Cu 22 et le film en Cu 26. On pense que la raison en est la suivante. Le Cu qui doit être pulvérisé présente une énergie cinétique importante et arrive en incidence contre l'AI et le film est formé tandis que le Cu imprime de l'énergie cinétique aux atomes d'AI. Par conséquent, un effet similaire à l'effet d'un traitement thermique local se produit et du CUVAI2 est formé sur l'interface entre le film en alliage d'AI-Cu 22 et le film en Cu 26. L'épaisseur du Cu-Al2 sur l'interface est de quelques dizaines d'angströms ( ). Considérons maintenant le cas pour lequel le film en alliage d'Al-Cu est en outre formé sur le film présentant la structure représentée sur la figure 11. La figure 12 est une vue explicative de la structure cristalline du Cul2. Comme représenté sur le dessin, le cristal CUVAI2 présente une structure dans laquelle les couches de Cu et les couches d'AI sont laminées en alternance. Par conséquent, une adaptation avec le film en Cu est extrêmement excellente et une liaison ferme peut être attendue. Du fait que du CUVAI2 25 existant au niveau du joint des grains d'AI 24 du film en Al-Cu 22 représenté sur la figure 11 et que du CUVAI2 25 existant sur l'interface entre le film en Al-Cu 22 et le film en Cu 26 sont le même cristal, une résistance de liaison mutuelle devient élevée. La figure 13 est une vue explicative d'une structure d'électrode à film en Al-Cu/Cu/Al-Cu. Sur ce dessin, un index de référence 21 indique un substrat en LiTaO3, un index de référence 22 indique un film en Al-Cu, un index de référence 23 indique un grain à cristaux d'AI, un index de référence 24 indique un joint de grains, un index de référence 25 indique du Cul2, un index de référence 26 indique un film en Cu, un index de référence 27 indique un film en Al-Cu, un index de référence 28 indique un grain de cristal d'AI, un index de référence 29 indique un joint de grains et un index de référence 30 indique du Cul2. Le dessin représente un exemple pour lequel le film en Al-Cu 22 est formé sur le substrat en LiTaO3 21 par pulvérisation ou au moyen d'un dépôt par faisceau électronique, le film en Cu 26 est formé sur le premier et le film en Al-Cu 27 est encore formé sur le film en Cu 26 puis est conformé. Du CUVAI2 25 est formé au niveau du joint de grains 24 des grains de cristaux d'AI 23 du film en Al-Cu 22, du CUVAI2 30 est formé au niveau du joint de grains 29 des grains de cristaux d'AI 28 du film en Al-Cu 27 et du CUVAI2 est en outre formé entre le film en Cu 26 et les films en Al-Cu supérieur et inférieur 22, 27. Moyennant une telle condition, du CUVAI2 25, 30 existant au niveau des joints de grains 24, 29 dans les films en Al-Cu supérieur et inférieur 22, 27 et du CUVAI2 existant sur l'interface entre les films en Al-Cu 22, 27 et le film en Cu 26 sont fermement liés l'un à l'autre et le film en Cu situé au niveau du centre du film fonctionnent globalement en tant qu'unité tandis que du CUVAI2 existant au niveau des joints de grains des films en Al-Cu supérieur et inférieur présente une structure de réseau en os petits. Par conséquent, un film présentant une résistance élevée à la migration sous contraintes peut être réalisé à une température faible inférieure à 200"C. Lorsqu'un traitement thermique est appliqué au film, le CUVAI2 situé sur l'interface devient épais mais du fait que les grains de cristaux d'AI croissent jusqu'à une taille de grain importante comme déjà décrit, la résistance à la migration sous contraintes chute. Par conséquent, un traitement thermique à une température élevée supérieure à 200"C ne doit pas être appliqué. Comme décrit ci-avant, le principe fondamental de la présente invention réside en ce que le film en Al-Cu et le film en Cu sont laminés et la structure de réseau est formée moyennant du CUVAI2 formé au niveau du joint de grains de l'AI dans le film en Al-Cu, le film en Cu constituant le centre, de manière à empêcher une migration sous contraintes. comme décrit dans la référence de Yuhara et suivants mentionnée ci-avant, le principe fondamental de la présente invention est également basé sur le concept consistant en ce que la contrainte interne du film en alliage d'AI est largement associée à des caractéristiques de puissance (durée de vie) du dispositif à onde acoustique de surface, et les caractéristiques de puissance sont élevées lorsque la contrainte du film en alliage d'AI est égale à zéro ou est en lieu et place une contrainte de compression et les caractéristiques de puissance chutent lorsque la contrainte de traction est plus élevée. La figure 14 est un graphique qui représente la relation qui lie la contrainte interne du film en alliage et les caractéristiques de puissance du dispositif à onde acoustique de surface. Sur ce graphique sont reportées les données présentées précédemment par Yuhara et suivants. L'axe des abscisses représente la contrainte interne du film en alliage et l'axe des ordonnées représente la contrainte du dispositif à onde acoustique de surface, c'est-à-dire la tendance de la caractéristique de puissance. Comme il ressort de ce graphique, la caractéristique de puissance du dispositif à onde acoustique de surface est élevée lorsque la contrainte interne du film en alliage est égale à zéro ou est une contrainte de compression mais est détériorée lorsque la contrainte interne est une contrainte de traction. Par conséquent, la caractéristique de puissance peut être améliorée en agençant les films de telle sorte que leurs contraintes internes présentent des signaux opposés lorsque le film en alliage multicouche est formé et en outre, les amplitudes des contraintes internes sont mutuellement dans un état d'équilibre afin de réguler la contrainte interne du film à zéro ou de telle sorte qu'il s'agisse d'une légère contrainte de compression. Puis plusieurs modes de réalisation de la présente invention sont expliqués par report aux dessins. II est bien entendu que ces modes de réalisation sont tous simplement présentés à des fins d'illustration et n'ont pas pour objet de limiter la présente invention. La figure 4 est une vue structurelle explicative d'un dispositif à onde acoustique de surface selon un mode de réalisation de la présente invention. Sur le dessin, un index de référence 1 indique un substrat en LiTaO3, un index de référence 2 indique un film en Al-Cu un index de référence 3 indique des grains de cristaux d'AI, un index de référence 4 indique un joint de grains, un index de référence 5 indique du Cul2, un index de référence 6 indique un film en Cu, un index de référence 7 indique un film en Al-Cu un index de référence 8 indique des grains de cristaux d'AI, un index de référence 9 indique un joint de grains et un index de référence 10 indique du Cul2. Dans le dispositif à onde acoustique de surface de ce mode de réalisation, un film en Al-1%Cu d'une épaisseur de 1000 À 2 est formé sur le substrat en LiTaO3 1 présentant une propriété piézo-électrique tandis que la température est maintenue inférieure à 200"C, un film en Cu d'une épaisseur de 400 À 6 est formé sur le premier et un film en Al-1%Cu d'une épaisseur de 1000 À 7 est formé sur le film en Cu 6. De cette façon, un film à trois couches présentant une épaisseur totale de 2400 À est formé. Ce film laminé à trois couches est conformé pour former une électrode interchiffre (ci-après appelée "l'électrode de film à trois couches A"). Dans le mode de réalisation représenté sur le dessin, du CUVAI2 5 est formé au niveau du joint de grains 4 des grains de cristaux d'AI 3 du film en Al-1%Cu 2, du CUVAI2 10 est formé au niveau du joint de grains 9 des grains de cristaux d'AI 8 du film en Al-1%Cu et du CUVAI2 5, 10 est également formé entre le film en Cu 6 et les films en Al-1%Cu supérieur et inférieur 2, 7. Afin d'effectuer une comparaison avec l'électrode à trois couches A de ce mode de réalisation, une électrode interchiffre constituée par un film monocouche en Al-1%Cu d'une épaisseur de 3200 À (ci-après appelée "l'électrode de film monocouche C") est formée sur le substrat en LiTaO3. Afin de comparer l'effet de la régulation des contraintes de l'électrode de film à trois couches, une électrode interchiffre (ci-après appelée "l'électrode de film à trois couches B") est formée en formant tout d'abord un film en Al-Cu d'une épaisseur de 700 , un film en Cu d'une épaisseur de 600 À et un film en Al-1%Cu d'une épaisseur de 700 À sur le substrat en LiTaO3 selon une épaisseur totale de 2000 À et en conformant ce film laminé à trois couches. Afin d'examiner l'effet de traitement thermique de l'électrode de film à trois couches A, une électrode interchiffre (ci-après appelée "électrode de film à trois couches A") est formée en traitant thermiquement l'électrode de film à trois couches A à 400"C après la formation du film. L'épaisseur de ces films d'électrode est déterminée de la façon suivante. A. En tant que référence, une monocouche en Al-Cu d'une épaisseur de 3200 À est considérée. Lorsqu'un filtre à onde acoustique de surface est fabriqué en utilisant ce film monocouche en Al-1%Cu en tant qu'électrode au moyen du procédé décrit par la suite, un filtre passe-bande de transmission d'une spécification NTT ayant une fréquence centrale de 933 MHz peut être réalisé. Dans le filtre à onde acoustique de surface, la fréquence centrale varie en fonction de la masse de l'électrode du fait de l'effet de charge de masse. Par conséquent, afin de comparer correctement la caractéristique de puissance lorsque l'électrode est modifiée, il est nécessaire d'amener la masse du film d'électrode en conformité avec la masse de l'électrode du filtre à onde acoustique de surface en utilisant l'électrode de film monocouche en Al-1%Cu C de manière à empêcher une fluctuation de la fréquence. La densité du Cu est de 8,9, la densité de l'al est de 2,7 et la densité du film en Cu vaut environ trois fois la densité de l'AI. Par conséquent, les masses des électrodes de film à trois couches A, B et AA sont sensiblement les mêmes que la masse de l'électrode de film monocouche en Al-Cu d'une épaisseur de 3200 À considérée en tant que référence. Par conséquent, les filtres à onde acoustique de surface qui utilisent les électrodes de film à trois couches A, B et AA présentent sensiblement les mêmes caractéristiques que le filtre à 933 MHz. B. L'équilibre des contraintes internes de l'électrode de film multicouche doit être assurée de manière à améliorer les caractéristiques de puissance comme déjà décrit. Si la température du substrat et la vitesse de formation du film à l'instant de la croissance du film multicouche sont constantes, la contrainte interne du film multicouche dépend de l'épaisseur du film de chaque couche. La figure 5 est un graphique permettant d'expliquer les résultats expérimentaux des contraintes internes du film en Al1%Cu et du film en Cu. Sur ce graphique, I'axe des abscisses représente l'épaisseur de film du film en métal et l'axe des ordonnées représente la contrainte. Sur le graphique, les résultats expérimentaux de l'épaisseur de film du film en Al1%Cu et du film en Cu ainsi que la contrainte interne sont tracés. Lorsque l'équilibre de la contrainte interne à l'intérieur du film laminé est pris en considération, la contrainte vaut -6 x 1 08 N/m2 (le signe - représente la contrainte de compression et le signe + représente la contrainte de traction) dans le cas du film en Cu pour une épaisseur de 400 À et + 2 x 108 N/m2 dans le cas du film en Al-1%Cu pour une épaisseur de film de 1000 À dans l'électrode de film à trois couches A constitué par le film en Al-1%Cu/film en Cu/film en Al-Cu Par conséquent, la contrainte vaut -2 x 108 N/m2 dans l'électrode de film à trois couches prise dans sa globalité et une contrainte de compression faible est appliquée. Selon la figure 14 précédemment expliquée, cette contrainte interne de -2 x 108 N/m2 est incluse dans une région dans laquelle la caractéristique de puissance de l'électrode de film multicouche n'est pas détériorée. Dans le cas de l'électrode de film à trois couches B, la valeur de contrainte vaut -1 x 108 N/m2 pour le film en Cu, pour une épaisseur de 600 et 2 x 2,5 x 108 N/m2 pour chaque film en Al-1%Cu pour une épaisseur de 700 . La contrainte totale vaut 4 x 108 N/m2 et il s'agit de la contrainte de traction. Selon la figure 14, cette contrainte interne de 4 x 108 N/m2 est incluse dans la région dans laquelle la caractéristique de puissance de l'électrode de film multicouche est détériorée. Les figures 6 et 7 sont des vues structurelles explicatives du film à onde acoustique de surface selon un mode de réalisation de la présente invention, la figure 6 étant une vue en perspective et la figure 7 étant un schéma de circuit équivalent. Sur les dessins, le symbole Tin indique une borne d'entrée, un symbole Tout indique une borne de sortie, un symbole Rpl indique un premier résonateur parallèle, un symbole Rp2 indique un second résonateur parallèle, un symbole Rp3 indique un troisième résonateur parallèle, un symbole Rs1 indique un premier résonateur série, un symbole Rs2 indique un second résonateur série et des symboles Rpii, Rp12, Rp21, Rp22, Rp31, Rs32, Rus11, Rs12, Rs21 et Rs22 indiquent des réflecteurs. Le filtre à onde acoustique de surface selon le présent mode de réalisation est décrit en détail dans la demande de brevet du Japon non examinée (Kokai) n 5-183380 à laquelle référence est ici faite. L'électrode interchiffre à film multicouche de ce mode de réalisation est formée sur un substrat piézo-électrique en LiTaO3 de coupe 36"Y-X de 1,5 x 2 x 0,5 mm et le premier résonateur série Rsi ainsi que le second résonateur série Rs2 sont connectés en série depuis la borne d'entrée Tin à la borne de sortie Tout. Les premier, second et troisième résonateurs parallèles Rpi, Rp2 et Rp3 sont reliés à la masse depuis la jonction entre la borne d'entrée et le premier résonateur série R1, depuis la jonction entre le premier et le second résonateurs série Rosi, Rs2 et depuis la jonction entre le second résonateur série Rs2 et la borne de sortie. Les réflecteurs Rus11, Rs12 sont prévus pour le premier résonateur série Rsi et les réflecteurs Rs211 Rs22 sont prévus pour le second résonateur série RS2- Les réflecteurs Rp11, Rpl 2 sont prévus pour le premier résonateur parallèle Rp1 et les réflecteurs Rp21, Rp22 sont prévus pour le second résonateur parallèle Rp2. En outre, les réflecteurs Rp31, Rp32 sont prévus pour le troisième résonateur parallèle Rp3. Le substrat piézo-électrique en LiTaO3 d'une épaisseur de 0,5 mm est utilisé de telle sorte que son côté de 1,5 mm, suivant la direction d'axe X de l'axe du cristal, existe suivant la direction transversale du dessin et que son côté de 2 mm existe suivant la direction longitudinale du dessin ou en d'autres termes, suivant la direction de propagation de l'onde acoustique de surface. Le pas Xp des électrodes du premier résonateur parallèle Rp1 est établi à 4,39 clam, sa longueur d'ouverture est établie à 160 m, la longueur d'ouverture du premier résonateur série Rsi est établie à 60 Cim et le pas d'électrode du second résonateur série RS2 est établi à 4,16 clam. La figure 8 est un graphique qui représente la caractéristique de transmission du filtre à onde acoustique de surface selon un mode de réalisation de la présente invention. L'axe des abscisses du graphique représente la fréquence (MHz) et l'axe des ordonnées représente l'atténuation (dB). Comme représenté sur le graphique, le filtre à onde acoustique de surface a les caractéristiques d'un filtre passe-bande présentant une bande passante d'environ 60 MHz à proximité de 930 MHz. L'atténuation dans la bande passante est de 1,5 dB. Le test de durée de vie de ce filtre à onde acoustique de surface est mis en oeuvre en sélectionnant une fréquence à laquelle la caractéristique de puissance est la plus faible dans la bande passante, c'est-à-dire à proximité de 950 MHz dans ce mode de réalisation, et en lui appliquant une puissance de fréquence radio. A cet instant, la température de la puce de filtre croît quelque peu mais une température externe est commandée en prenant une telle croissance de température en considération à l'avance et la puissance de fréquence radio ainsi que la durée de vie sont contrôlées tandis que la température de surface de la puce de filtre est maintenue constante. La figure 9 est un graphique qui représente la caractéristique de puissance du filtre à onde acoustique de surface selon un mode de réalisation de la présente invention. L'axe des abscisses du graphique représente la puissance d'entrée (W) et l'axe des ordonnées représente le temps moyens jusqu'à survenue d'une défaillance (MTTF). La défaillance est définie par la dégradation de 0,3 dB pour une perte d'insertion de 1,5 dB dans la bande passante (voir figure 8). De façon générale, lorsque le MTTF de l'électrode du filtre à onde acoustique de surface repose sur l'équation d'Arrhenius, c'est-à-dire sur In(MTTF) = A + B/T - n x In(Pin), le logarithme naturel (appelé dans la formule In) de la puissance d'entrée (Pin) et le logarithme naturel (In) du temps moyen jusqu'à obtention d'une défaillance (MTTF) sont exprimés par des lignes rectilignes descendant vers la droite. Ici, A, B et n sont des constantes de proportionnalité. En plus du filtre à onde acoustique de surface qui utilise l'électrode de ce mode de réalisation, cette figure 9 représente également la durée de vie des filtres à onde acoustique de surface qui utilisent quatre types des électrodes décrites respectivement ci-avant. Lors de cette mesure, la température de la puce de filtre T est établie à 393 K (120 C). Une courbe a de la figure 9 représente la durée de vie du filtre à onde acoustique de surface qui utilise le film en Al1%Cu/Cu/Al-1%Cu (électrode de film à trois couches A) qui n'est pas traité thermiquement et qui présente une contrainte de compression de -2 x 108 N/m2. La courbe b représente la durée de vie du filtre à onde acoustique de surface qui utilise le film en Al-1%Cu/Cu/Al-1%Cu (électrode de film à trois couches B) qui n'est pas traité thermiquement et qui présente une contrainte de traction de +4 x 108 N/m2. Une courbe c représente la durée de vie du filtre à onde acoustique de surface qui utilise le film en Al-10/0Cu (électrode de film monocouche C) qui n'est pas traité thermiquement et une courbe d représente la durée de vie du filtre à onde acoustique de surface qui utilise le film en Al-1%Cu/Cu/Al-1%Cu (électrode à trois couches AA) qui est traité thermiquement à 400 C. De cette façon, la température du substrat lors de la formation de chaque film est de 1200C. Par comparaison avec le filtre à onde acoustique de surface (voir courbe c) qui utilise le film monocouche en Al1%Cu classique (électrode de film monocouche C), la durée de vie du filtre à onde acoustique de surface (voir courbe a) qui utilise le film en Al-1%Cu/Cu/Al-1%Cu (électrode de film à trois couches A) de ce mode de réalisation, qui n'est pas traité thermiquement et qui présente une contrainte de compression de -2 x 108 N/m2, vaut 120 fois plus. La durée de vie du filtre à onde acoustique de surface (voir courbe d) comportant le film à trois couches (électrode de film à trois couches AA) obtenu en traitant thermiquement le film en Al-1%Cu/Cu/Al-1%Cu (électrode à trois couches A) de ce mode de réalisation qui n'est pas traité thermiquement et qui présente une contrainte de compression de -2 x 108 N/m2 devient fortement courte et elle est plus courte que la durée de vie du filtre à onde acoustique de surface (voir courbe c) qui utilise le film monocouche en Al-Cu (électrode de film monocouche). En outre, la durée de vie du film en Al-1%Cu/Cu/al-1%Cu (électrode de film à trois couches B) qui n'est pas traité thermique ment et qui présente une contrainte de traction de +4 x 108 N/m2 (voir courbe b) est améliorée par comparaison avec la durée de vie du filtre à onde acoustique de surface (voir courbe c) qui utilise le film monocouche en Al-Cu classique (électrode de film monocouche C) mais est d'une façon non comparable plus courte que la durée de vie du filtre à onde acoustique de surface du mode de réalisation qui a sa contrainte interne régulée (voir courbe a). Le filtre à onde acoustique de surface de ce mode de réalisation permet d'obtenir une durée de vie de 200000 heures à l'instant de l'entrée de 1 W. Par conséquent, le filtre peut être considéré comme présentant une caractéristique de puissance suffisante en tant que duplexeur d'antenne. Bien qu'un substrat en cristal piézo-électrique général puisse être utilisé en tant que substrat piézo-électrique, les matériaux piézo-électriques représentés dans ce mode de réalisation tels que le LiTaO3 (propagation 36 Y de coupe X), le LiNbO3 (propagation 64"Y coupe X) etc... sont efficaces pour améliorer les caractéristiques du filtre et autre. Comme décrit ci-avant, la présente invention utilise la structure multicouche constituée par les film en Al-Cu/film en Cu/film en Al-Cu en tant que matériau d'électrode. Par conséquent, même dans le cas de dispositifs à onde acoustique de surface qui ne peuvent pas être traités thermiquement à une température élevée du fait d'une migration sous contraintes, la présente invention permet d'améliorer notablement la caractéristique de puissance et contribue notablement à l'amélioration de la performance des dispositifs à onde acoustique de surface en tant que filtres à onde acoustique de surface. REVENDICATIONS 1. Dispositif à onde acoustique de surface caractérisé en ce qu'il comprend un substrat piézo-électrique (21) ; et une électrode formée sur ledit substrat en laminant en alternance un film en aluminium contenant au moins du cuivre qui lui est ajouté (22) et un film en cuivre (26). 2. Dispositif à onde acoustique de surface selon la revendication 1, dans lequel des contraintes internes dudit film en aluminium comprenant au moins du cuivre qui lui est ajouté (22) et dudit film en cuivre (26) présentent des directions mutuellement opposées et la somme desdites contraintes internes soit est égale à zéro (0) soit correspond à une compression. 3. Dispositif à onde acoustique de surface selon la revendication 1, caractérisé en ce que ladite électrode comprend une structure laminée à deux couches constituées par un film en alliage d'aluminium-cuivre (22) et par un film en cuivre (26). 4. Dispositif à onde acoustique de surface selon la revendication 1, caractérisé en ce que ladite électrode comprend une structure laminée à trois couches constituées par deux films en alliage d'aluminium-cuivre (22, 27) et par un film en cuivre (26) pris en sandwich entre lesdits films en alliage d'aluminium-cuivre. 5. Dispositif à onde acoustique de surface selon la revendication 1, caractérisé en ce que la quantité de cuivre ajouté à l'aluminium ou à son alliage est comprise entre 0,5 et 4 en poids sur la base du poids dudit film en aluminium. 6. Dispositif à onde acoustique de surface selon la revendication 1, caractérisé en ce que ledit substrat piézoélectrique est constitué par soit du LiTaO3 soit du LiNbO3. 7. Dispositif à onde acoustique de surface selon la revendication 1, caractérisé en ce qu'il s'agit d'un filtre à onde acoustique de surface. 8. Procédé de fabrication d'un dispositif à onde acoustique de surface comportant un substrat piézo-électrique et une électrode disposée sur ledit substrat, caractérisé en ce qu'il comprend le laminage de façon alternée d'un film en aluminium contenant au moins du cuivre qui lui est ajouté et d'un film en cuivre sur ledit substrat piézo-électrique à une température non supérieure à 200"C la conformation de la structure de laminat résultante pour former une électrode ; et la mise en oeuvre de traitements suivants tout en maintenant la température de telle sorte qu'elle ne soit pas supérieure à 200"C. 9. Procédé de fabrication d'un dispositif à onde acoustique de surface selon la revendication 8, caractérisé en ce qu'il comprend le laminage séquentiel d'un film en alliage d'aluminium-cuivre et d'un film en cuivre et la mise en oeuvre d'une conformation de manière à former ladite électrode. 10. Procédé de fabrication d'un dispositif à onde acoustique de surface selon la revendication 8, caractérisé en ce qu'il comprend le laminage séquentiel d'un film en alliage d'aluminium-cuivre, d'un film en cuivre et d'un film en alliage d'aluminium-cuivre et de conformation de la structure laminée résultante pour former ladite électrode. 11. Procédé de fabrication d'un dispositif à onde acoustique de surface selon la revendication 8, caractérisé en ce qu'un matériau piézo-électrique constitué par soit du LiTaO3 soit du LiNbO3 est utilisé en tant que dit substrat piézoélectrique.