FR 2713667 A1 19950616 FR 9315111 A 19931215 PROCEDE ET DISPOSITIF DE DEPOT A BASSE TEMPERATURE D'UN FILM CONTENANT DU SILICIUM SUR UN SUBSTRAT NON METALLIQUE L'invention concerne le domaine des traitements de surface de substrats non métalliques, en particulier les substrats polymères, textiles (fibres ou pièces de laine de coton etc..) papier, verre, ou encore, bois, platre, ou tuile, que ces substrats soient plats ou qu'ils se présentent sous la forme d'un volume. Ces traitements de surface sont le plus souvent pratiqués dans le but d'améliorer l'aptitude de ces substrats à l'adhésion et à la mouillabilité. Ils ont fait l'objet d'un grand nombre de travaux, permettant notamment de dégager les catégories suivantes de méthodes: - Les traitements en phase liquide, - Les traitements plasma (à basse pression), - Les traitements par décharges couronnes, - Le flammage, - Les dépôts de silice en phase gazeuse sous plasma ou par pulvérisation cathodique. Ces méthodes ne sont toutefois pas pleinement satisfaisantes et comportent un certain nombre d'inconvénients non négligeables. Ainsi, pour ce qui est du flammage, la méthode s'avère difficile à contrôler, en particulier difficile à appliquer à des surfaces non planes. Les inconvénients des méthodes en phase liquide sont liés à des problèmes d'environnement, notamment du fait du retraitement des bains avant rejet, mais sont aussi liés à des problèmes de séchage après traitement. Pour ce qui est des traitements plasma, que ces traitements soient utilisés pour réaliser l'activation de la surface du substrat ou pour effectuer un dépôt de silice sur cette surface, ils sont le plus souvent pratiqués sous vide ou sous basse pression, ce qui représente une complexité et un surcoût non négligeable, relativement incompatible avec la faible valeur ajoutée de ces produits, notamment des polymères. Dans ce contexte, la demanderesse a récemment proposé dans la demande de brevet français déposée sous le numéro 90.15757, un procédé pour le dépôt d'une couche mince d'oxyde de silicium sur un substrat en polyoléfine. Ce procédé permettait d'effectuer successivement ou de façon concomitante la préactivation de la surface polymère par décharge couronne, puis le dépôt d'une couche d'oxyde de silicium par exposition de la surface ainsi préactivée à une atmosphère contenant un silane, ceci s'effectuant à la pression atmosphérique. Si ce procédé constitue indiscutablement une avancée par rapport aux techniques existantes, la Demanderesse a mis en évidence le fait qu'il peut être amélioré, notamment en ce que: - La distance entre l'échantillon à traiter et l'électrode est critique pour l'obtention d'un traitement parfaitement homogène, ce qui constitue une contrainte lorsqu'il est nécessaire de traiter des substrats d'épaisseur variable ou variable d'un substrat à l'autre. - D'autre part, la mise en oeuvre du procédé nécessite que les substrats passent au sein de la décharge, d'où une source de pollution pour les électrodes du fait de la présence de poussières ou de particules grasses à la surface de ces substrats. - Lorsque le procédé réalise de façon concomitante la préactivation et le dépôt, le précurseur gazeux du silicium (silane) est introduit directement dans la décharge, d'où le risque de déposer des oxydes de silicium sur les électrodes. - Enfin, la configuration géométrique permettant la mise en oeuvre de ce procédé limitait la densité de puissance que l'on pouvait mettre en oeuvre, une augmentation de la densité de puissance au delà de cette limite risquant d'entraîner une délocalisation du nuage ionisé. - Par ailleurs, dans une telle configuration de décharge couronne, le substrat est exposé à un plasma, qui comme son nom l'indique comporte des espèces électriquement chargées, ce qui n'est pas sans poser des problèmes dans le cas de matériaux isolants comme le sont les polymères pour lesquels on assiste à une accumulation de charges. Dans un contexte plus général, la demanderesse a dans la demande de brevet français déposée sous le N" 92.07486, dont le contenu est supposé intégré ici pour référence, récemment proposé un dispositif de formation de molécules excitées ou instables fonctionnant sensiblement à la pression atmosphérique. Dans ce contexte, la présente invention a pour objet de proposer un procédé amélioré pour former un dépôt d'un film contenant du silicium sur un substrat non métallique, permettant: - d'opérer à pression atmosphérique, - de pouvoir travailler à basse température, selon le substrat considéré, - une grande flexibilité de distance entre l'objet à traiter et le dispositif utilisé pour effectuer ce traitement, - d'offrir une densité énergétique améliorée, permettant d'atteindre une vitesse de traitement accrue, - d'éviter la mise en contact du substrat avec des espèces électriquement chargées, - d'éviter que le précurseur gazeux du silicium utilisé ne soit mis en situation de donner lieu à des réactions à l'intérieur du dispositif en question (dépot de poudre), - d'éviter que le substrat sur lequel doit être effectué le dépôt n'ait à passer au sein de ce dispositif. Pour ce faire, le procédé pour former un dépôt d'un film contenant du silicium sur un substrat non métallique, selon l'invention, se caractérise par le fait que l'on met en contact ledit substrat avec une atmosphère gazeuse de traitement, à une pression voisine de la pression atmosphérique, la dite atmosphère gazeuse de traitement comprenant un mélange gazeux primaire de traitement et un mélange gazeux adjacent de traitement qui comprend au moins un précurseur gazeux du silicium, ledit mélange gazeux primaire de traitement étant obtenu à la sortie de gaz d'au moins un appareil aval de formation d'espèces gazeuses excitées ou instables dans lequel a été transformé un mélange gazeux initial de traitement, ledit mélange gazeux primaire de traitement étant substantiellement dépourvu d'espèces électriquement chargées et ledit mélange gazeux adjacent de traitement n'ayant pas transité par ledit appareil aval. On entend par substrat non métallique, selon l'invention, un substrat dans un matériau organique ou encore céramique, par exemple polymère, textile (fibres ou pièces de laine de coton etc..) papier, verre, ou encore bois, platre ou tuile, que ces substrats soient plats ou qu'ils se présentent sous la forme d'un volume. On entend par pression voisine de la pression atmosphérique selon l'invention, une pression se situant dans l'intervalle [0,1 x 105 Pa, 3 x 105 Pa]. On entend par l'expression "précurseur gazeux du silicium" selon l'invention, un gaz tel que par exemple le silane, le disilane ou tout autre précurseur gazeux classiquement utilisé pour de telles applications de dépot à base de silicium. Selon un des aspects de l'invention, au préalable, le substrat aura subit une préparation de surface par mise en contact avec une atmosphère gazeuse de préparation de surface, à une pression voisine de la atmosphérique, la dite atmosphère gazeuse de préparation comprenant un mélange gazeux primaire de préparation, et le cas échéant, un mélange gazeux adjacent de préparation, ledit mélange gazeux primaire de préparation étant obtenu à la sortie de gaz d'au moins un appareil amont de formation d'espèces gazeuses excitées ou instables dans lequel a été transformé un mélange gazeux initial de préparation comprenant un gaz réducteur ou un gaz oxydant et le cas échéant au moins un gaz inerte, ledit mélange gazeux primaire de préparation étant substantiellement dépourvu d'espèces électriquement chargées, et ledit mélange gazeux adjacent de préparation n'ayant pas transité par ledit appareil amont et ne contenant aucun précurseur gazeux du silicium. L' appareil selon l'invention (qu'il soit de type amont ou aval) est constitué par tout dispositif permettant "d'exciter" un mélange gazeux initial, pour obtenir, en sortie de gaz du dit appareil, un autre mélange gazeux comportant des espèces gazeuses instables ou excitées, ce dernier mélange gazeux étant substantiellement dépourvu d'espèces électriquement chargées, donc d'ions ou d'électrons. Comme il apparaîtra clairement à l'homme du métier, l'atmosphère de traitement selon l'invention est obtenue par la combinaison du mélange gazeux primaire de traitement obtenu en sortie d'un tel appareil (dit aval) de formation d'espèces gazeuses excitées ou instables, mélange gazeux primaire de traitement qui comprend donc de telles espèces gazeuses excitées ou instables, et du mélange gazeux adjacent de traitement, le mélange gazeux primaire de traitement transférant tout ou partie de son énergie au précurseur gazeux du silicium compris dans le mélange gazeux adjacent de traitement et à la surface du substrat à traiter, permettant ainsi le dépôt. De même, l'atmosphère de préparation, selon l'invention, est obtenue par la combinaison du mélange gazeux primaire de préparation, obtenu en sortie d'un tel appareil (dit amont) de formation d'espèces gazeuses excitées ou instables, mélange gazeux primaire de préparation qui comprend donc de telles espèces gazeuses excitées ou instables, et le cas échéant, du mélange gazeux adjacent de préparation. Le précurseur gazeux du silicium n'ayant pas transité par l'appareil, le risque de dépôt de poudre de silice (ou plus généralement de composé de silicium) à l'intérieur de la décharge est de ce fait éliminé. Le substrat n'est par ailleurs en contact qu'avec la sortie de gaz de l'appareil considéré, il n'a pas "séjourné" dans l'appareil. La nature et la structure du composé du silicium déposé (SiOxNy, SiOX, voire SiOxNyHz) sera étroitement liée aux conditions expérimentales utilisées, notamment aux pressions partielles d'oxygène et d'azote dans l'atmosphère de traitement. I1 sera par exemple possible de contrôler la nature du film déposé en jouant notamment sur la nature du gaz inerte utilisé tant dans le mélange initial de traitement que dans le mélange adjacent de traitement, mais aussi sur le niveau de la pression partielle d'oxygène maintenue au sein de l'atmosphère de traitement. Comme il apparaîtra clairement à l'homme du métier, le substrat à traiter, tant pour l'opération de traitement proprement dite que pour l'opération préliminaire de préparation de surface, pourra être mis en contact avec la sortie de gaz d'un seul appareil ou avec les sorties de gaz de plusieurs appareils de formation d'espèces gazeuses excitées ou instables placées en parallèle sur la largeur du substrat ou successivement avec les sorties de gaz de plusieurs appareils de formation d'espèces gazeuses excitées ou instables placées en série. De même, l'opération de traitement proprement dite comme l'opération préliminaire de préparation de surface pourront intervenir sur une seule des faces du substrat comme sur ses deux faces. Comme il apparaîtra aussi clairement à l'homme du métier, le ou les appareils de formation d'espèces gazeuses excitées ou instables utilisés durant l'opération de préparation de surface (du genre amont) pourront être identiques ou de structure différente du ou des appareils utilisés pour l'opération de traitement proprement dite (du genre aval). Le cas échéant, le substrat à traiter aura au préalable subit une autre étape de préparation de surface selon l'une quelconque des multiples méthodes disponibles, que ce soit en phase liquide ou en phase gazeuse. Selon une des mises en oeuvre de l'invention, le mélange gazeux initial de traitement comme le mélange gazeux initial de préparation comprennent un gaz inerte et/ou un gaz réducteur et/ou un gaz oxydant. Le gaz inerte peut par exemple consister en de l'azote, de l'argon, de l'hélium ou un mélange de tels gaz inertes. Le gaz réducteur peut par exemple consister en de l'hydrogène, du CH4 ou encore de l'amoniac ou un mélange de tels gaz réducteurs. Le gaz oxydant peut quant à lui par exemple consister en de l'oxygène, ou du CO2, ou encore du N2O ou un mélange de tels gaz oxydants. La liste de gaz donnés dans chaque catégorie n'étant qu'indicative, nullement limitative. Le mélange gazeux adjacent de traitement comprendra avantageusement, en dehors du ou des précurseurs gazeux du silicium, un gaz inerte et/ou un gaz réducteur, et comprendra le cas échéant un gaz oxydant. Selon une des mises en oeuvre de l'invention, le précurseur gazeux du silicium du mélange gazeux adjacent de traitement est du monosilane SiH4. En revanche, dans le cas du mélange gazeux adjacent de préparation, qui selon l'invention est dépourvu de précurseurs gazeux du silicium, il comprendra avantageusement, un gaz inerte et/ou un gaz réducteur et/ou un gaz oxydant. Selon un des aspects de l'invention, le substrat à traiter est porté à une température comprise entre la température ambiante et 2000C. Comme il apparaîtra clairement à l'homme du métier, la température mise en oeuvre dépendra très largement du substrat traité, elle pourra par exemple être réduite (voire maintenue à la température ambiante) dans le cas de polymères ne pouvant supporter des températures élevées. Selon une des mises en oeuvre de l'invention, le substrat à traiter est amené en regard de la sortie de gaz de l'appareil aval de formation d'espèces gazeuses excitées ou instables, le cas échéant, en regard des sorties de gaz de plusieurs appareils aval placés en parallèle sur la largeur du substrat et/ou successivement en regard des sorties de gaz de plusieurs appareils aval placés en série par un système de convoyage traversant un espace intérieur délimité par un tunnel aval ou un ensemble de capotage aval, isolé de l'atmosphère environnante, ledit tunnel aval ou ensemble aval étant raccordé de façon étanche audit appareil aval ou incluant ledit appareil aval. Selon une autre mise en oeuvre de l'invention, le substrat dont la surface est à préparer est amené en regard de la sortie de gaz de l'appareil amont de formation d'espèces gazeuses excitées ou instables, le cas échéant, en regard des sorties de gaz de plusieurs appareils amont placés en parallèle sur la largeur du substrat et/ou successivement en regard des sorties de gaz de plusieurs appareils amont placés en série par un système de convoyage traversant un espace intérieur délimité par un tunnel amont ou un ensemble de capotage amont, isolé de l'atmosphère environnante, ledit tunnel amont ou ensemble amont étant raccordé de façon étanche audit appareil amont ou incluant ledit appareil amont. On pourra alors avantageusement passer continûment du tunnel ou ensemble amont au tunnel ou ensemble aval. Selon une des mises en oeuvre de l'invention, le ou lesdits appareils dans lequel est transformé le mélange gazeux initial qu'il soit de traitement ou de préparation, est le siège d'une décharge électrique créée entre une première électrode et une seconde électrode, une couche d'un matériau diélectrique étant disposée sur la surface d'au moins une des électrodes, en regard de l'autre électrode, le dit mélange gazeux initial, de traitement ou de préparation, traversant la décharge transversalement aux électrodes. L'énergie mise en oeuvre dans l'appareil, ramenée à l'unité de surface de diélectrique sera alors avantageusement supérieure à 1W/cm2, préférentiellement supérieure à 10 W/cm2. Selon une des mises en oeuvre de l'invention, on réalise un zonage de l'atmosphère de traitement rencontrée successivement par la pièce à traiter le long du convoyeur, de la façon suivante: a) au moins un des appareils aval de formation d'espèces gazeuses excitées ou instables, transforme un mélange gazeux initial de traitement différent de celui transformé par l'appareil aval le précédant dans le dit tunnel ou ensemble, et/ou b) le mélange gazeux adjacent de traitement mis en oeuvre au niveau d'au moins un des appareils aval de formation d'espèces gazeuses excitées ou instables est différent de celui mis en oeuvre au niveau de l'appareil aval le précédant dans le dit tunnel ou ensemble. Selon une des mises en oeuvre de l'invention, les étapes a) et b) ci-dessus pourront concerner un même appareil aval. On pourra ainsi par exemple utiliser des mélanges de pouvoir réducteur croissant, d'un appareil à l'autre ou encore jouer sur ce paramètre "composition successive de l'atmosphère de traitement" pour réaliser des dépôts multicouches, chaque couche étant d'épaisseurs et de structures différentes et contrôlées. Selon une autre mise en oeuvre de l'invention, on réalise un zonage de l'atmosphère de préparation rencontrée successivement par la pièce, dont la surface doit être préparée, le long du convoyeur, de la façon suivante: a) au moins un des appareils amont de formation d'espèces gazeuses excitées ou instables, transforme un mélange gazeux initial de préparationt différent de celui transformé par l'appareil amont le précédant dans le dit tunnel ou ensemble, et/ou b) le mélange gazeux adjacent de préparation mis en oeuvre au niveau d'au moins un des appareils amont de formation d'espèces gazeuses excitées ou instables est différent de celui mis en oeuvre au niveau de l'appareil amont le précédant dans le dit tunnel ou ensemble. Selon une des mises en oeuvre de l'invention, les étapes a) et b) ci-dessus pourront concerner un même appareil amont. L'invention concerne aussi un dispositif de dépôt d'un film contenant du silicium sur un substrat non métallique, convenant notamment pour la mise en oeuvre du procédé selon l'invention, comprenant un tunnel ou ensemble de capotage définissant un espace intérieur traversé par des moyens de convoyage des substrats non métalliques à traiter, isolé de l'atmosphère environnante, se raccordant de façon étanche à ou incluant un ou plusieurs appareils de formation d'espèces gazeuses excitées ou instables montés en série et/ou parallèle, comprenant au moins un passage de gaz tubulaire ayant un axe, formé entre une électrode extérieure et une électrode intérieure, l'une au moins des électrodes comportant, en regard de l'autre, un revêtement diélectrique, les électrodes étant reliées à une source haute tension et haute fréquence, l'électrode extérieure entourant le diélectrique et comportant une entrée de gaz initial et une sortie de gaz primaire allongées, parallèles à l'axe et sensiblement diamétralement opposées, ledit tunnel ou ensemble étant muni d'au moins un moyen d'injection d'un gaz adjacent n'ayant pas transité par le ou lesdits appareils, et le dispositif comportant par ailleurs, le cas échéant, un moyen de chauffage des substrats à traiter. D'autres caractéristiques et avantages de la présente invention ressortiront de la description suivante de mode de réalisation donnée à titre illustratif mais nullement limitatif, fait en relation avec les dessins annexés sur lesquels: - La figure 1 est une représention schématique d'un dispositif simplifié convenant pour la mise en oeuvre de l'invention. - La figure 2 est une représentation schématique d'un mode de réalisation de l'invention comprenant un tunnel. - La figure 3 est une représentation schématique en section d'un appareil de formation d'espèces gazeuses excitées ou instables convenant pour la mise en oeuvre de l'invention. Est schématisé, sur la figure 1 en 4, un appareil de formation d'espèces gazeuses instables ou excitées (appareil dit "aval" compte tenu qu'il est utilisé pour effectuer le dépôt), alimenté en son entrée de gaz 5 par un mélange gazeux initial de traitement 7. Est obtenu en sortie de gaz 6, un mélange gazeux primaire de traitement 8. Un substrat 1 placé en regard de cette sortie de gaz 6 voit par ailleurs un mélange adjacent de traitement qui arrive, sur le mode de réalisation représenté, par deux entrées de gaz 9, 10, ce mélange adjacent de traitement ne transitant pas par l'appareil de formation d'espèces gazeuses excitées ou instables 4. On a symbolisé sur cette figure 1, par le rectangle en tirets 30, la zone où interagissent les mélanges de gaz primaire et adjacent de traitement de façon à réaliser le dépôt contenant du silicium sur le substrat 1. On reconnaît sur la figure 2 qui est un mode de réalisation particulier de l'invention, un tunnel 3 délimitant un espace intérieur 31, dans lequel est convoyé le substrat 1, grâce à un moyen de convoyage 2. Le substrat 1 est amené en regard de la sortie de gaz 6 d'un appareil (aval) de formation d'espèces gazeuses excitées ou instables 4 où il entre en contact avec le mélange gazeux primaire de traitement 8 obtenu à partir du mélange initial de traitement 7 et avec le mélange adjacent de traitement qui entre par des entrées de gaz 9 et 10, ce mélange adjacent de traitement n'ayant lui pas transité par l'appareil 4. Ici encore, on a schématisé par le rectangle en tirets 30, la zone d'interaction entre le mélange gazeux primaire de traitement 8 et le mélange adjacent de traitement arrivant par les entrées de gaz 9 et 10. Le mode de réalisation représenté sur la figure 2 permet de traiter le substrat 1 par plusieurs appareils aval de formation d'espèces gazeuses instables ou excitées placés en série, les appareils placés en 1 1 et 12 n'ayant pas été représentés, les symboles 13 et 29 illustrent des exemples supplémentaires d'entrées de mélange adjacent de traitement. I1 est à noter, que l'appareil de formation d'espèces gazeuses excitées ou instables en localisation 1 1 pourrait aussi être du genre "amont", et donc être utilisé pour effectuer l'étape préliminaire de préparation de surface selon l'invention, le mélange gazeux adjacent de préparation (29) lui correspondant ne contenant alors aucun précurseur gazeux du silicium. On reconnaît sur la figure 3, qui représente schématiquement une section d'un appareil de formation d'espèces gazeuses excitées ou instables convenant pour la mise en oeuvre de l'invention, que ce soit pour un appareil du genre amont ou aval, une première électrode tubulaire 14 formée par exemple par une face interne d'un bloc métallique 15, et dans laquelle est disposé, concentriquement, un ensemble d'un tube en matériau diélectrique 16, par exemple en céramique, sur la face interne duquel est déposée, par métallisation, une deuxième électrode 17 (exagérément épaissie sur la figure 3 pour une meilleure compréhension). L'ensemble du diélectrique 16 et de la deuxième électrode 17 définis ainsi avec la première électrode 14, un passage tubulaire de gaz 18, et intérieurement, un volume interne 19 dans lequel on fait circuler un réfrigérant, avantageusement un Fréon pour son caractère électronégatif, ou encore de l'eau permutée. Le passage de gaz interne 18 a une extension axiale inférieure à 1 m, typiquement inférieure à 50 cm, et son épaisseur radiale e n'excède pas 3 mm et est typiquement inférieure à 2,5 mm. Le bloc 15 comporte diamétralement opposées, deux fentes longitudinales 20 et 21, formant respectivement l'entrée du gaz initial à exciter dans le passage 18 et la sortie du flux de gaz primaire comportant des espèces excitées ou instables. Les fentes 20 et 21 s'étendent sur toute la longueur axiale de la cavité 18 et ont une hauteur qui, pour le mode de réalisation représenté, n'excède pas l'épaisseur e et est typiquement sensiblement identique à cette dernière. Le corps 15 est formé avantageusement, à la périphérie de la première électrode 14, avec une pluralité de conduits 22 pour le passage d'un réfrigérant, par exemple de l'eau. L'entrée de gaz 20 communique avec une chambre ou plénum d'homogénéisation 23 formée dans un boîtier 24 accolé au bloc 15 et comportant une tubulure 25 d'amenée de mélange gazeux initial, à une pression comprise dans l'intervalle [0,1 x 105 Pa, 3 x 105 Pa] en provenance d'une source de mélange gazeux initial 26. Les électrodes sont reliées à un générateur électrique haute tension et haute fréquence 27 fonctionnant à une fréquence supérieure à 15 kHz et délivrant une puissance par exemple de l'ordre de 10 kW. On pourra d'ailleurs avantageusement exprimer cette puissance délivrée par le générateur en la ramenant à la surface de diélectrique. Le flux gazeux contenant les espèces excitées disponible à la sortie 21 est adressé à un poste utilisateur 28, par exemple pour le dépôt d'une couche contenant du silicium sur un substrat, ou encore pour effectuer une étape de préparation de surface d'un substrat. Une installation telle que celle décrite en relation avec la figure 2 comprenant un unique appareil 4 de formation d'espèces gazeuses excitées ou instables (donc du genre aval) tel que celui décrit en relation avec la figure 3 a été utilisé pour réaliser un exemple de mise en oeuvre de l'invention. Pour ce faire, des échantillons de films plastiques d'emballage en polypropylène de dimensions 10 cm x 10 cm, ont été traités dans les conditions suivantes: - l'échantillon n'était pas chauffé, - la densité d'énergie mise en oeuvre sur le diélectrique était de l'ordre de 15 W/cm2, - le mélange gazeux initial de traitement était de l'azote, à un débit de 10 m3m, - le mélange gazeux adjacent de traitement, ne transitant pas l'appareil de formation d'espèces gazeuses excitées ou instables, était constitué par un débit de 5 litres/minute d'une source initiale à 2% de silane dans l'argon, - la pression partielle d'oxygène résiduelle au dessus des films était de l'ordre de 10 ppm, - la distance film/sortie de gaz était de 5 mm, l'échantillon défilait à la vitesse de 7.5 m/mn, L'observation du dépôt effectué dans ces conditions, à l'aide d'un microscope électronique à balayage a montré la formation d'un dépôt de particules submicroniques, le dépôt présentant un aspect parfaitement continu et dense. I1 était notamment important de vérifier qu'un tel dépôt de bonne qualité pouvait intervenir dans des conditions de basse température, compatibles avec la nature du substrat traité. Quoique la présente invention est été décrite en relation avec des modes de réalisations particuliers, elle ne s'en trouve pas limité pour autant mais est au contraire susceptible de modifications et de variantes qui apparaîtront à l'homme de l'art dans le cadre des revendications ci-après. REVENDICATIONS 1. Procédé pour former un dépôt d'un film contenant du silicium sur un substrat non métallique (1), caractérisé en ce que l'on met en contact ledit substrat avec une atmosphère gazeuse de traitement, à une pression voisine de la pression atmosphérique, la dite atmosphère gazeuse de traitement comprenant un mélange gazeux primaire de traitement (8) et un mélange gazeux adjacent de traitement (9,10) qui comprend au moins un précurseur gazeux du silicium, ledit mélange gazeux primaire de traitement étant obtenu à la sortie de gaz (6) d'au moins un appareil aval (4) de formation d'espèces gazeuses excitées ou instables dans lequel a été transformé un mélange gazeux initial de traitement (7), ledit mélange gazeux primaire de traitement étant substantiellement dépourvu d'espèces électriquement chargées et ledit mélange gazeux adjacent de traitement n'ayant pas transité par ledit appareil aval. 2. Procédé selon la revendication 1, caractérisé en ce que, au préalable, ledit substrat a subit une préparation de surface par mise en contact avec une atmosphère gazeuse de préparation de surface, à une pression voisine de la pression atmosphérique, la dite atmosphère gazeuse de préparation de surface comprenant un mélange gazeux primaire de préparation et le cas échéant un mélange gazeux adjacent (29) de préparation, ledit mélange gazeux primaire de préparation étant obtenu à la sortie de gaz d'au moins un appareil amont (11) de formation d'espèces gazeuses excitées ou instables dans lequel a été transformé un mélange gazeux initial de préparation comprenant un gaz réducteur ou un gaz oxydant et le cas échéant au moins un gaz inerte, ledit mélange gazeux primaire de préparation étant substantiellement dépourvu d'espèces électriquement chargées et ledit mélange gazeux adjacent de préparation n'ayant pas transité par ledit appareil amont et ne comprenant aucun précurseur gazeux du silicium. 3. Procédé selon l'une des revendications 1 ou 2, caractérisé en ce que au moins un des dits mélanges gazeux initial de traitement ou initial de préparation comprend un gaz inerte et/ou un gaz réducteur et/ou un gaz oxydant. 4. Procédé selon l'une des revendications 1 à 3, caractérisé en ce que le dit mélange gazeux adjacent de traitement comprend, en plus du ou des précurseurs gazeux du silicium, un gaz inerte et/ou un gaz réducteur, et le cas échéant un gaz oxydant. 5. Procédé selon l'une des revendications 1 à 4, caractérisé en ce que le précurseur gazeux du silicium est le monosilane SiH4. 6. Procédé selon l'une des revendications 1 à 5, caractérisé en ce que ledit substrat est porté à une température comprise entre la température ambiante et 2000C. 7. Procédé selon l'une des revendications 1 à 6, caractérisé en ce que le substrat à traiter est amené en regard de la sortie de gaz dudit appareil aval (4), le cas échéant en regard des sorties de gaz de plusieurs appareils aval placés en parallèle sur la largeur du substrat et/ou successivement en regard des sorties de gaz de plusieurs appareils aval (4, 12) placés en série, par un système de convoyage (2) traversant un espace intérieur (31) délimité par un tunnel aval (3) ou un ensemble de capotage aval, isolé de l'atmosphère environnante, ledit tunnel aval ou ensemble aval, étant raccordé de façon étanche audit appareil aval ou incluant ledit appareil aval. 8. Procédé selon la revendication 2 ou selon l'une des revendications 3 à 7 dans leur rattachement à la revendication 2, caractérisé en ce que le substrat (1) dont la surface est à préparer, est amené en regard de la sortie de gaz dudit appareil amont (11), le cas échéant en regard des sorties de gaz de plusieurs appareils amont placés en parallèle sur la largeur du substrat et/ou successivement en regard des sorties de gaz de plusieurs appareils amont placés en série, par un système de convoyage (2) traversant un espace intérieur (31) délimité par un tunnel amont (3) ou un ensemble de capotage amont, isolé de l'atmosphère environnante, ledit tunnel amont ou ensemble amont, étant raccordé de façon étanche audit appareil amont ou incluant ledit appareil amont. 9. Procédé selon l'une des revendications 7 ou 8, caractérisé en ce que au moins un desdits appareils amont ou aval (11, 4, 12), dans lequel est transformé ledit mélange gazeux initial de traitement ou ledit mélange gazeux initial de préparation, est le siège d'une décharge électrique créée entre une première électrode (14) et une seconde électrode (17), une couche (16) d'un matériau diélectrique étant disposée sur la surface d'au moins une des électrodes (17), en regard de l'autre électrode, et en ce que le dit mélange gazeux initial qu'il soit du genre amont ou aval, traverse la décharge transversalement aux électrodes. 10. Procédé selon la revendication 9, caractérisé en ce que l'énergie mise en oeuvre dans le dit appareil, ramenée à l'unité de surface de diélectrique est superieure à 1 W/cm2, préférentiellement superieure à 10 W/cm2. 11. Procédé selon l'une des revendications 7 à 10, caractérisé en ce que on réalise un zonage de l'atmosphère de traitement rencontrée successivement par la pièce à traiter le long du convoyeur, de la façon suivante: a) au moins un des appareils aval de formation d'espèces gazeuses excitées ou instables, transforme un mélange gazeux initial de traitement différent de celui transformé par l'appareil aval le précédant dans le dit tunnel ou ensemble, et/ou b) le mélange gazeux adjacent de traitement mis en oeuvre au niveau d'au moins un des appareils aval de formation d'espèces gazeuses excitées ou instables est différent de celui mis en oeuvre au niveau de l'appareil aval le précédant dans le dit tunnel ou ensemble. 12.Procédé selon la revendication 11, caractérisé en ce que les étapes a) et b) ont lieu au niveau d'un même appareil aval. 13. Procédé selon la revendication 8 ou selon l'une des revendications 9 à 12 dans leur rattachement à la revendication 8, caractérisé en ce que on réalise un zonage de l'atmosphère de préparation rencontrée successivement par la pièce, dont la surface doit être préparée, le long du convoyeur, de la façon suivante: a) au moins un des appareils amont de formation d'espèces gazeuses excitées ou instables, transforme un mélange gazeux initial de préparation différent de celui transformé par l'appareil amont le précédant dans le dit tunnel ou ensemble, et/ou b) le mélange gazeux adjacent de préparation mis en oeuvre au niveau d'au moins un des appareils amont de formation d'espèces gazeuses excitées ou instables est différent de celui mis en oeuvre au niveau de l'appareil amont le précédant dans le dit tunnel ou ensemble. 14. Procédé selon la revendication 13, caractérisé en ce que les étapes a) et b) ont lieu au niveau d'un même appareil amont. 15. Dispositif pour former un dépôt d'un film contenant du silicium sur un substrat non métallique (1), convenant notamment pour la mise en oeuvre du procédé selon l'une des revendications 1 à 14, comprenant un tunnel (3) ou ensemble de capotages définissant un espace intérieur (31) traversé par des moyens de convoyage (2) des substrats à traiter, isolé de l'atmosphère environnante, se raccordant de façon étanche à ou incluant un ou plusieurs appareils (11, 4, 12) de formation d'espèces gazeuses excitées ou instables montés en série et/ou parallèle, comprenant au moins un passage (18) de gaz tubulaire ayant un axe, formé entre une électrode extérieure (14) et une électrode intérieure (17), l'une au moins des électrodes comportant, en regard de l'autre, un revêtement diélectrique (16), les électrodes étant reliées à une source haute tension et haute fréquence, l'électrode extérieure (14) entourant le diélectrique (16) et comportant une entrée (20) de gaz initial et une sortie (21) de gaz primaire allongées, parallèles à l'axe et sensiblement diamétralement opposées, le dit tunnel ou ensemble étant muni d'au moins un moyen d'injection (9, 10, 13) d'un gaz adjacent n'ayant pas transité par le ou les dits appareils, et le dispositif comprenant par ailleurs, le cas échéant, un moyen de chauffage des substrats.