FR 2717606 A1 19950922 FR 9403086 A 19940316 ECHANTILLONNEUR-BLOQUEUR DIFFERENTIEL RAPIDE L'invention conceme les circuits d'échantillonnage et de blocage de signaux électriques analogiques, et plus particulièrement les circuits d'échantillonnage et de blocage rapides. De tels circuits d'échantillonnage et de blocage, qui seront par la suite appelés échantillonneursbloqueurs, sont utilisés, par exemple, dans le traitement des signaux issus de capteurs photosensibles à transfert de charges. De façon plus générale, I'invention concerne aussi les échantillonneursbloqueurs utilisés dans tout autre type d'application. La réalisation d' échanti I lonneurs-bloqueurs rapides passe pratiquement par la mise en oeuvre d'architectures en boucle ouverte, de manière à exploiter au mieux les caractéristiques intrinsèques des technologies utilisées. II en est ainsi, par exemple, de la technologie à transistors bipolaires NPN rapides. Selon l'art antérieur, il est connu, parmi les échantillonneursbloqueurs rapides, des architectures telles que celle représentée en figure 1. C'est une structure de type différentiel dans laquelle les transistors NPN T1 et T2 jouent le rôle d'interrupteurs. Les signaux d'entrée sont appliqués sur les bases B1 et B2 des transistors respectifs T1 et T2 et le signal de sortie est récupéré entre les émetteurs El et E2 des transistors T1 et T2. Une capacité C12 relie les émetteurs El et E2. Le circuit représenté en figure 1 fonctionne selon deux régimes. L'un des régimes est le régime suiveur. Chacun des deux transistors T1 et T2, polarisé à l'aide d'un générateur de courant lo reliant son émetteur à la masse du circuit, est alors passant. L'autre régime est le régime bloqué. Les sources de courant lo sont alors coupées et les transistors T1 et T2 sont bloqués. En régime suiveur, si l'on note Vm la tension de polarisation de Ve mode commun présente sur chacune des bases B1 et B2, +V2e le signal Ve variable d'entrée appliqué sur la base B1 et - 2 le signal variable d'entrée appliqué sur la base B2, la tension totale VB1 appliquée sur la base B1 s'écrit: VB1 = Vm + Ve 2 et la tension totale VB2 appliquée sur la base B2: VB2 = Vm- Ve 2 La capacité mémoire CI 2 de l'échantillonneurbloqueur relie les émetteurs El et E2. La tension VC12 qui existe aux bomes de cette capacité, s'écrit donc: VCl2 = VE1 - VE2 où VE1 et VE2 représentent les tensions appliquées respectivement sur les émetteurs El et E2. Or, il est connu que: VB1 = VBE1 +VEl et VB2 = VBE2 + VE2, où VBE1 et VBE2 représentent respectivement les tensions base-émetteur des transistors TI et T2. La tension Vu 12 peut alors s'écrire: VC12 = VB1 -VB2+(VBE2-VBEI). soit: VCl2 =Ve + (VBE2 - VBE1). En régime dit de "petit signal", c'est-à-dire lorsque l'amplitude du signal variable d'entrée est très petite devant l'amplitude des tensions continues de polarisation, il est connu de l'homme de l'art que le terme VBE2 - VBE1 peut être négligé. Par contre, dès que l'amplitude du signal variable d'entrée ne peut plus être considérée comme petite devant l'amplitude des tensions continues, ce terme n'est plus négligeable. Le circuit est alors dit non linéaire. Dans la pratique, trois causes sont à l'origine de cette nonlinéarité. Une première cause est l'effet Early qui apparat dans les transistors T1 et T2. La tension VBE de chaque transistor varie alors sous l'effet de la modulation du courant de saturation de la jonction bas ómetteur du transistor. Cette première cause de non-linéarité trouve sa solution en réalisant un montage connu par l'homme de l'art sous le nom de montage "cascode". Comme représenté en figure 1, des transistors TCI et TC2, convenablement polarisés par les tensions Vo appliquées sur leur base, sont alors montés en série avec les transistors respectifs T1 et T2. Une deuxième cause réside en ce que les transistors T1 et T2 ne fonctionnent pas à un courant constant mais à un courant dynamique modulé par le courant Ic qui parcourt la capacité Cul2. Comme cela est connu de l'homme de l'art, il vient alors: VBE2 - VBE1 = Ut x Ln [(lo + Ic)/(lo - Ic) avec I c = C12 dVCi2 dt où Ut est le potentiel thermodynamique (Ut = 26 millivolts à la température de 300 degrés Kelvin). Dans l'équation précédente Ln[X] est la notation choisie pour représenter le logarithme népérien de la grandeur X. Une troisième cause est due à la combinaison des première et deuxième causes qui se conjuguent et rendent les courants de base de T1 et T2 variables de façon non linéaire (modulation du courant de base par modulation de Ic, modulation du gain du transistor par l'effet Early). Selon l'art antérieur, la deuxième cause est atténuée en augmentant la valeur du courant lo. Ainsi, I'influence du courant Ic se trouvet-elle diminuée. Ce procédé présente de nombreux inconvénients. L'accroissement de courant lo entraine une augmentation de la puissance consommée par le circuit. D'autre part, cet accroissement de courant implique nécessairement un accroissement de la géométrie des transistors TI et T2 afin que ces demiers travaillent avec des densités de courant raisonnables. La capacité base-émetteur de chacun des transistors TI ou T2 se trouve augmentée. En régime bloqué, une fraction non négligeable de la tension variable appliquée sur la base des transistors T1 et T2 est alors susceptible de se retrouver sur l'émetteur de ces transistors. Une tension parasite de sortie est alors détectée aux bomes de la capacité Cl2. L'invention ne présente pas ces inconvénients. L'invention a pour objet un échantillonneur-bloqueur comprenant deux transistors T1 et T2 commandés de façon à être rendus passants ou bloqués, le signal de sortie de l'échantillonneurbloqueur étant récupéré aux bomes d'une capacité C12 reliant les émetteurs El et E2 desdits transistors, caractérisé en ce que l'échantillonneurbloqueur comprend des moyens pour rendre constant le courant lo qui traverse les transistors TI et T2 à l'état passant, quelle que soit la tension Ve. D'autres caractéristiques et avantages de l'invention apparaîtront à la lecture d'un mode de réalisation préférentiel fait avec référence aux figures ci-annexées dans lesquelles: - la figure I représente un échantillonneur-bloqueur selon l'art antérieur; - la figure 2 représente le schéma de principe d'un échantillonneur-bloqueur selon l'invention; - les figures 3a et 3b représentent le schéma d'un échantillonneurbloqueur selon le mode de réalisation préférentiel de l'invention; - la figure 4 représente le schéma de l'échantillonneurbloqueur de la figure 3 dans lequel a été apporté un premier perfectionnement; - la figure 5 représente le schéma de l'échantillonneurbloqueur de la figure 3 dans lequel a été apporté un deuxième perfectionnement; - la figure 6 représente une vue de détail du circuit représenté en figure 5. Sur toutes les figures, les mêmes repères désignent les mêmes éléments. La figure I a été décrite précédemment, il est donc inutile d'y revenir. La figure 2 représente le schéma de principe d'un échantillonneurbloqueur selon l'invention. Cet échantillonneur-bloqueur est construit à partir d'une structure différentielle. Les signaux d'entrée + Ve et - Ve sont appliqués sur les bases 2 2 Bl et B2 des transistors respectifs T1 et T2 et le signal de sortie est récupéré aux bomes de la capacité CI2 qui relie les émetteurs El et E2 de TI et T2. De même que précédemment, deux transistors TCl et TC2, convenablement polarisés, sont montés en série avec les transistors respectifs T1 et T2 de façon à constituer un montage "cascode". Une tension de polarisation de mode commun Vm est appliquée à chacune des deux bases B1 et B2. Selon l'invention, les deux transistors T1 et T2 sont alimentés par deux générateurs de courant dynamiques. Ces générateurs de courant dynamiques sont intégrés au circuit de façon à foumir des courants dont les variations rendent constant le courant qui parcourt les transistors T1 et T2. Un premier générateur de courant dynamique est associé au transistor T1. II est constitué d'un transistor T4 dont la base reçoit un signal variant au rythme du signal appliqué à la base du transistor T2 et dont l'émetteur est relié à un générateur de courant constant lo. Un second générateur de courant dynamique est associé au transistor T2. II est constitué d'un transistor T3 dont la base reçoit un signal variant au rythme du signal appliqué à la base du transistor TI et dont l'émetteur est relié à un générateur de courant constant de même valeur lo. De façon préférentielle, les transistors T3 et T4 sont respectivement reliés aux transistors T2 et T1 par l'intermédiaire des transistors TC3 et TC4 qui constituent des montages "cascode". Ainsi, le collecteur du transistor T3 est-il relié à l'émetteur du transistor TC3 dont le collecteur est relié à l'émetteur du transistor T2. De même, le collecteur du transistor T4 est-il relié à l'émetteur du transistor TC4 dont le collecteur est relié à l'émetteur du transistor T1. Une capacité C34, préférentiellement de même valeur que la capacité mémoire Cl2, relie les émetteurs des transistors T3 et T4. Les variations de courant AI qui apparaissent dans la capacité C34 sont alors égales en amplitude, mais de signe opposé, à celles qui apparaissent dans la capacité C12 et les transistors T1 et T2 sont traversés par un courant constant sensiblement égal à lo. Comme cela apparaît ci-dessus, les générateurs de courant sont modulés par les signaux variables appliqués sur les entrées B1 et B2 de l'échantillonneurbloqueur. De façon à empêcher la saturation des transistors TC3 et TC4, la tension de mode commun appliquée à ces transistors est décalée d'une tension V1. Ainsi, un dipôle D1 relie-t-il la base B1 du transistor TI à la base B3 du transistor TC3 et un dipôle D2, de préférence identique au dipôle Dl, relie-t-il la base B2 du transistor T2 à la base B4 du transistor TC4. Les dipôles D1 et D2 peuvent être réalisés à l'aide d'une résistance ou d'un ensemble de diodes montées en série comme cela sera précisé ultérieurement. Afin d'éviter la saturation des transistors T3 et T4, les tensions continues appliquées sur les bases des transistors TC3 et T3 sont décalées de même que les tensions continues appliquées sur les bases des transistors TC4 et T4. A cette fin, un transistor T5 a son collecteur et sa base reliés à la base du transistor TC3 et son émetteur relié à la base du transistor T3. De même, un transistor T6 a son collecteur et sa base reliés à la base du transistor TC4 et son émetteur relié à la base du transistor T4. Un générateur de courant Il relie la base de chacun des transistors T3 et T4 à la masse du dispositif, fixant ainsi la valeur du courant qui traverse chacun des dipôles Dl et D2. Un avantage de l'invention est de ne faire appel à aucune réaction (positive ou négative). Ainsi, les circuits permettant, selon l'invention, d'annuler la modulation des courants qui traversent les transistors T1 et T2 n'apportent-ils aucune limitation en vitesse et en stabilité. Un autre avantage de l'invention est l'augmentation sensible de l'impédance dynamique d'entrée de l'échantillonneurbloqueur due à l'affaiblissement des variations du courant de base du circuit. II s'ensuit qu'il est alors inutile d'amener le signal à l'entrée de l'échantillonneur-bloqueur à très basse impédance. La figure 3a représente le schéma d'un échantillonneur-bloqueur selon le mode de réalisation préférentiel de l'invention. On retrouve sur la figure 3a tous les éléments constitutifs du circuit représenté en figure 2. Selon le circuit de la figure 3a, le courant Il du générateur de courant qui relie la base du transistor T3 à la masse circule, en quasi-totalité, dans le transistor T7 dont la base est reliée à la base du transistor TI, dont le collecteur est relié à l'émetteur du transistor TCI et dont l'émetteur est relié à la bome du dipôle Dl précédemment reliée (cf. figure 2) à la base du transistor T1. De même, le courant Il du générateur de courant qui relie la base du transistor T4 à la masse circule, en quasi-totalité, dans le transistor T8 dont la base est reliée à la base du transistor T2, dont le collecteur est relié à l'émetteur du transistor TC2 et dont l'émetteur est relié à la bome du dipôle D2 précédemment reliée (cf. figure 2) à la base du transistor T2. Un tel dispositif présente l'avantage d'éviter que les générateurs qui délivrent les tensions Vm et Ve n'aient à débiter la quasi-totalité du courant 11. Sur la figure 3a, les dipôles Dl et D2 sont réalisés à l'aide d'une résistance R. Cependant, on peut aussi utiliser des chaînes de diodes en série pour constituer ces dipôles. II peut s'agir, par exemple, d'une chaîne de diodes constituées à partir de transistors NPN montés en direct ou en inverse ou encore d'une chaîne de diodes constituées à partir de transistors PNP montés en direct ou en inverse, conformément à la figure 3b. Comme cela est connu de l'homme de l'art, une chaine de n diodes mises en série et parcourues par le courant Il présente une impédance dynamique égale à n Ut /11, où Ut est le potentiel thermodynamique mentionné précédemment. Cette impédance dynamique peut alors être relativement faible, favorisant par là même la rapidité de réponse du circuit. La figure 4 représente le schéma de l'échantillonneurbloqueur de la figure 3a dans lequel a été apporté un premier perfectionnement. Le schéma de la figure 4 reprend les éléments du schéma de la figure 3a. II comprend deux transistors supplémentaires, T9 et TI O, et deux générateurs de courant supplémentaires 12. La base du transistor T7 n'est alors plus reliée à la base du transistor T1 mais à la base d'un transistor T9 dont le collecteur est relié à l'émetteur du transistor TCl et dont l'émetteur est relié d'une part à un générateur de courant 12 et d'autre part à la base du transistor TI. De même, la base du transistor T8 n'est plus reliée à la base du transistor T2 mais à la base d'un transistor TI O dont le collecteur est relié à l'émetteur du transistor TC2 et dont l'émetteur est relié d'une part à un générateur de courant 12 et d'autre part à la base du transistor T2. Un décalage temporel est alors introduit entre le signal appliqué à l'entrée de l'échantillonneurbloqueur, maintenant représentée par les bases des transistors T9 et TI O, et le signal appliqué sur les bases BI et B2 des transistors T1 et T2. Selon l'invention, ce décalage temporel tend à compenser le décalage temporel induit par le dispositif de correction. L'efficacité de la correction se trouve alors améliorée du fait de la quasi simultanéité des variations des courants traversant T1 et T2 et provenant d'une part de Cl2 et d'autre part de TC3 et TC4. Comme cela vient d'être décrit, I'invention permet l'amélioration de la non-linéarité des échantillonneursbloqueurs. Ainsi, à titre d'exemple, pour un signal Ve de 4 volts crête à crête, le taux de distorsion, en régime suiveur, d'un échantillonneurbloqueur du type de celui décrit en figure 7 peut-il atteindre la valeur de - 75 dB à la fréquence de 50 MHz alors que, toutes choses égales par ailleurs, le taux de distorsion d'un échantillonneurbloqueur selon l'art antérieur n'est que de - 50 dB à cette même fréquence. La figure 5 représente le schéma de l'échantillonneurbloqueur de la figure 3 dans lequel a été apporté un deuxième perfectionnement. Le schéma de la figure 5 reprend pour l'essentiel les éléments du schéma de la figure 3. II comporte aussi des éléments supplémentaires permettant de diminuer le couplage parasite qui existe, à l'état bloqué, entre l'entrée et la sortie de l'échantillonneurbloqueur. Comme cela est connu de l'homme de l'art, ce couplage est dû aux capacités parasites base émetteur que présentent les transistors T1 et T2 à l'état bloqué. Selon l'art antérieur, afin de pallier cet inconvénient, le signal appliqué sur la base B1 du transistor T1 est alors ramené sur l'émetteur E2 du transistor T2 par l'intermédiaire d'une première capacité C1 de valeur égale à la capacité base-émetteur du transistor T2 et le signal appliqué sur la base B2 du transistor T2 est ramené sur l'émetteur El du transistor T1 par l'intermédiaire d'une deuxième capacité C2 de valeur égale à la capacité base-émetteur du transistor TI. Les variations de tensions présentes à l'état bloqué aux bomes de la capacité C12 sont ainsi annulées par construction. A l'état passant, l'influence de ces capacités additionnelles est négligeable. Cette solution est difficile à mettre en oeuvre du fait des faibles valeurs à affecter aux capacités Cl et C2. Les capacités utilisées sont alors des capacités MOS dont l'appariement avec les capacités de jonction qu'elles doivent compenser est difficile à réaliser. L'invention ne présente pas cet inconvénient. Selon l'invention, I'échantillonneurbloqueur comprend des moyens permettant que la tension dynamique résiduelle appliquée sur les bases de T1 et T2 quand l'échantillonneurbloqueur est bloqué soit atténuée par rapport aux variations de la tension Ve. ve Ceci est obtenu en couplant les tensions variables d'entrée - ve et - 2e aux transistors respectifs T1 et T2 par l'intermédiaire des 2 interrupteurs respectifs T21 et T22, bloqués quand l'échantillonneurbloqueur est bloqué, et en abaissant l'impédance dynamique sur les bases de T1 et T2. Ce changement de régime est obtenu en abaissant le potentiel statique appliquée aux bases des transistors TI et T2, quand on passe en régime bloqué, d'une quantité égale sur chacune des bases, quelle que soit la valeur de la tension Ve mémorisée. II en résulte alors l'avantage de diminuer la variation transitoire de la tension mémorisée lors du passage de l'état passant à l'état bloqué et réciproquement. Les circuits permettant la diminution du potentiel sur les bases des transistors T1 et T2 interviennent dès le passage de l'état passant à l'état bloqué. Ainsi, afin de permettre une meilleure compréhension du fonctionnement de l'échantillonneurbloqueur, le schéma de la figure 5 inclut-il les circuits de commande qui pennettent de passer de l'état passant à l'état bloqué. Ces circuits de commande sont bien sûr présents quel que soit le type d'échantillonneur-bloqueur. S'ils n'ont pas été représentés sur les figures précédentes c'est pour des raisons de simplification, seul l'état passant de l'échantillonneurbloqueur étant à prendre en compte alors. Les circuits de commande sont constitués de quatre transistors Titi, T12, T13 et T14. L'émetteur du transistor T3 est relié au collecteur du transistor TII dont l'émetteur est relié d'une part à un premier générateur de courant lo et d'autre part à l'émetteur du transistor TI 3 dont le collecteur est relié au circuit permettant de diminuer les couplages parasites et dont la base est reliée à une tension de commande Vb. L'émetteur du transistor T4 est relié, quant à lui, au collecteur du transistor T12 dont l'émetteur est relié d'une part à un second générateur de courant lo et d'autre part à l'émetteur du transistor T14 dont le collecteur est relié au circuit permettant de diminuer les couplages parasites et dont la base est reliée à la même tension de commande Vb. Les bases des transistors T11 et TI 2 sont reliées à une même tension de commande Vp. Quand la différence des tensions de commande Vb - Vp est négative, par exemple de l'ordre de -300 mV, les transistors TII et Tri 2 sont passants et les transistors T13 et Tri 4 sont bloqués. Inversement, quand la différence des tensions de commande Vb - Vp est positive, par exemple supérieure ou égale à 300 mV, les transistors Tri 3 et Tri 4 sont passants, I'échantillonneur est bloqué et les circuits permettant de diminuer les couplages parasites sont activés. Les transistors T11 et T12 sont bloqués. Selon le circuit de la figure 5, les tensions variables d'entrée ve ve + 2 et - 2 , de même que les tensions de polarisation Vm de mode commun ne sont pas directement appliquées sur les bases B1 et B2. Ainsi, le circuit d'accès de la tension variable d'entrée + ve est-il 2 constitué d'un transistor d'accès T23, de deux transistors T21 et T25 montés en diodes et deux générateurs de courant 14 et 15. Le transistor T23 a sa base reliée à la tension variable d'entrée + ve, son collecteur relié à la tension d'alimentation + Vcc et son émetteur 2 relié au générateur de courant 14. Le transistor T21 a sa base reliée à la base du transistors TI, son émetteur relié au générateur de courant 14 et son collecteur relié à l'émetteur du transistor T25 dont la base est reliée à la base du transistor TCI et dont le collecteur est relié à une bome du générateur de courant 15 dont l'autre bome est reliée à la tension d'alimentation + Vcc. Comme cela a été mentionné précédemment, les transistors T21 et T25 sont montés en diodes. Ainsi, la base et le collecteur du transistor T21 d'une part, de même que la base et le collecteur du transistor T25 d'autre part sont-il reliés entre eux. Le courant 15 sert à polariser la diode T21 à l'état passant. De façon préférentielle la valeur du courant 15 est égale à la moitié de celle du courant 14. Le transistor T25, quant à lui, sert à indexer sur le transistor de type "cascode" TCl les variations de tension qui apparaissent sur le transistor T1. Un circuit du même type que celui qui vient d'être décrit pour le circuit d'accès de la tension variable d'entrée +ve existe pour l'accès de la 2 tension variable d'entrée -ve. 2 Ce circuit présente la même configuration que le circuit décrit cidessus et comprend, outre deux générateurs de courant 14 et 15, les transistors T24, T22 et T26 lesquels correspondent aux transistors respectifs précédents T23, T21 et T25. Comme cela a été mentionné précédemment, les circuits permettant de diminuer les couplages parasites sont activés quand l'échantillonneur-bloqueur est à l'état bloqué. A l'état bloqué, les transistors Tu 3 et Tri 4 sont passants. Le transistor Tu 3 a son collecteur relié à l'émetteur d'un transistor Tu 5 dont le collecteur est relié à la tension d'alimentation + Vcc et le transistor T14 a son collecteur relié à l'émetteur d'un transistor Tri 6 dont le collecteur est aussi relié à la tension d'alimentation + Vcc. Ainsi, lorsque les transistors T13 et Tri 4 conduisent, les transistors Tri 5 et T16 conduisent-ils aussi entrainant une diminution du potentiel présent sur leurs émetteurs. Les transistors Tri 5 et T16 ayant leurs émetteurs respectivement reliés aux bases des transistors TI et T2, il s'en suit que les tensions appliquées aux bases des transistors T1 et T2 diminuent aussi. La diminution de tension qui s'opère sur les bases des transistors TI et T2 conduit alors au blocage des diodes T21 et T22 et conjointement à l'abaissement des impédances sur les bases de T1 et T2 par mise en conduction des transistors TI 5 et T16. Selon l'invention, les tensions appliquées sur les bases des transistors Tri 5 et T16 sont choisies suffisamment basses pour garantir le blocage des diodes T21 et T22 même pour les signaux variables d'entrée minima de la gamme de fonctionnement. Le circuit permettant d'appliquer la tension de base du transistor Tri 5 comprend une résistance Ra1, un transistor Tri 9 monté en diode, un transistor T17, un générateur de courant 13 et un amplificateur de lecture ALOI. De même, le circuit permettant d'appliquer la tension de base du transistor Tri 6 comprend une résistance Ra2, choisie préférentiellement de valeur égale à celle de la résistance Ra1, un transistor T20 monté en diode, un transistor T18, un générateur de courant 13 et un amplificateur de lecture AL2. Les transistors Tri 7 et TI 8 constituent un amplificateur différentiel de gain unitaire, dégénéré par une résistance Rd reliant leurs émetteurs et dont la valeur est préférentiellement le double de la valeur de la résistance Rai. La base du transistor Tri 5 est reliée d'une part à l'émetteur du transistor T19 et d'autre part au collecteur du transistor T17. Le transistor T19 a sa base reliée à son collecteur, lequel est relié à une première bome de la résistance Ra1 dont une deuxième bome est reliée à la tension Va. Le transistor T17 a son émetteur relié au générateur de courant 13 et sa base reliée à la sortie de l'amplificateur de lecture AL1 dont l'entrée est reliée à l'émetteur du transistor T4. L'amplificateur de lecture AL1 est un amplificateur tampon d'impédance d'entrée très élevée et de gain unitaire. Le circuit permettant d'appliquer la tension de base du transistor T16 est constitué de composants du même type que le circuit permettant d'appliquer la tension de base du transistor T15. Comme le représente la figure 5, l'architecture des deux circuits est identique: le transistor T18 joue le rôle du transistor T17, le transistor T20 celui du transistor T19, I'amplificateur de lecture AL2 celui de l'amplificateur de lecture ALOI. Selon l'invention, la différence de potentiel appliquée sur les bases des transistors TI 5 II s'en suit que les variations qui affectent le potentiel de base des transistors T1 et T2 lors du passage de l'état passant à l'état bloqué sont quasiment égales. Les variations de la tension de sortie de l'Xchantillonneur- bloqueur lors du transitoire de l'état passant à l'état bloqué se trouvent alors avantageusement minimisé. Comme cela a été mentionné précédemment, les tensions appliquées sur les bases des transistors Tri 5 et Tri 6 sont choisies suffisamment basses pour garantir le blocage des diodes T21 et T22 même pour les signaux variables minima de la gamme de fonctionnement. Le potentiel de mode commun Va est alors choisi en conséquence. Comme cela apparaît sur la figure 5, les générateurs de courant 15 sont de type positif. Le potentiel présent sur leur sortie, c'est-à-dire là où est connectée leur charge, est inférieur à leur potentiel de référence + Vcc. Ils sont alors réalisés soit à l'aide d'un transistor PNP, comme cela est connu de l'homme de l'art, soit à l'aide d'un circuit tel que celui représenté en figure 6. Le schéma de la figure 6 représente une altemative au générateur de courant 15 à transistors PNP. II comprend deux résistances RI et R2, un générateur de courant Iref et un amplificateur différentiel A réalisé à base de transistors NPN. La résistance R2 relie l'entrée sans inversion 2 de l'amplificateur A à la sortie I dudit amplificateur et la résistance RI relie l'entrée avec inversion de l'amplificateur A à ladite sortie 1. Le générateur de courant Iref est placé entre l'entrée avec inversion et la masse. II vient donc: 15 = lrefx R1/R2. Le circuit de la figure 6 représente le générateur de courant 15. La sortie I de l'amplificateur A est la bome du générateur de courant 15 reliée à la tension d'alimentation + Vcc et l'entrée sans inversion de l'amplificateur A est la borne du générateur de courant 15 reliée au collecteur du transistor T25. Avantageusement l'amplificateur A est un amplificateur réalisé en technologie rapide tout NPN tel que celui décrit dans la demande de brevet français déposée le 21 novembre 1991 au nom de la Société Thomson Composants Militaires et Spatiaux sous le N" d'enregistrement national 91 14406. Les figures 4 et 5 représentent séparément deux perfectionnements apportées à l'échantillonneurbloqueur selon l'invention. II est évident que l'invention conceme aussi un circuit contenant simultanément ces deux perfectionnements. REVENDICATIONS 1. Echantillonneurbloqueur comprenant deux transistors T1 et T2 commandés de façon à être rendus passants ou bloqués, le signal de sortie de l'échantillonneurbloqueur étant récupéré aux bomes d'une capacité de sortie (Cl (C12) reliant les émetteurs (El, E2) desdits transistors, caractérisé en ce qu'il comprend des moyens (T3, T4, TC3, TC4, lo, Il, T5, T6, D1, D2) pour rendre constant le courant qui traverse les transistors T1 et T2 à l'état passant. 2. Echantillonneurbloqueur selon la revendication 1, caractérisé en ce que lesdits moyens sont constitués de deux générateurs de courant dynamiques et d'une capacité (C34), les deux générateurs de courant dynamiques étant modulés par un courant différentiel issu de ladite capacité (C34) et dont les variations reproduisent les variations de courant qui apparaissent dans la capacité de sortie (Ci2). 3. Echantillonneurbloqueur selon la revendication 2, caractérisé en ce qu'un premier générateur de courant dynamique est constitué d'un premier transistor (T3) dont le collecteur est relié à l'émetteur (E2) du transistor T2 par l'intermédiaire d'un premier transistor de type "cascode" (TC3) et dont l'émetteur est relié à un premier générateur de courant (lo), ledit premier générateur de courant dynamique étant modulé par un premier circuit de modulation comprenant un premier transistor monté en diode (T5) dont la base est reliée à son collecteur ainsi qu'à la base dudit premier transistor de type "cascode" (TC3), et dont l'émetteur est relié à la base dudit premier transistor (T3) et à un générateur de courant (Il), le collecteur dudit premier transistor monté en diode (T5) étant relié au transistor T1 par des premiers moyens de façon que le courant parcourant ledit premier transistor (T3) soit modulé au rythme du signal appliqué sur la base (BI) du transistor T1, et en ce qu'un second générateur de courant dynamique est constitué d'un second transistor (T4) dont le collecteur est relié à l'émetteur (El) du transistor T1 par l'intermédiaire d'un second transistor de type "cascode" (TC4) et dont l'émetteur est relié à un second générateur de courant (lo), ledit second générateur de courant dynamique étant modulé par un second circuit de modulation comprenant un second transistor monté en diode (T6), dont la base est reliée à son collecteur ainsi qu'à la base du second transistor de type "cascode" (TC4), et dont l'émetteur est relié à la base dudit second transistor (T4) et à un générateur de courant (11), le collecteur dudit second transistor monté en diode (T6) étant relié au transistor T2 par des seconds moyens de façon que le courant parcourant ledit second transistor (T4) soit modulé au rythme du signal appliqué sur la base (B2) du transistor T2. 4. Echantillonneur-bloqueur selon la revendication 3, caractérisé en ce que lesdits premiers moyens sont constitués d'un premier dipôle Dl reliant le collecteur dudit premier transistor monté en diode (T5) à la base (B1) du transistor T1 et en ce que lesdits seconds moyens sont constitués d'un second dipôle D2, identique au premier dipôle (D1) et reliant le collecteur dudit second transistor monté en diode (T6) à la base (B2) du transistor T2. 5. Echantillonneur-bloqueur selon la revendication 3, caractérisé en ce que lesdits premiers moyens sont constitués d'un premier dipôle Dl reliant le collecteur dudit premier transistor monté en diode (T5) à l'émetteur d'un transistor (tri) dont la base et le collecteur sont respectivement reliés à la base et au collecteur du transistor T1 et en ce que lesdits seconds moyens sont constitués d'un second dipôle D2 reliant le collecteur dudit second transistor monté en diode (T6) à l'émetteur d'un transistor (T8) dont la base et le collecteur sont respectivement reliés à la base et au collecteur du transistor T2. 6. Echantillonneurbloqueur selon la revendication 3, caractérisé en ce que lesdits premiers moyens sont constitués d'un premier dipôle Dl reliant le collecteur dudit premier transistor monté en diode (T5) à l'émetteur d'un transistor (T7) dont la base est reliée à la base d'un premier transistor supplémentaire (T9) et dont le collecteur est relié au collecteur du transistor T1, L'émetteur dudit premier transistor supplémentaire (T9) étant relié à un générateur de courant (12) et à la base du transistor TI, et en ce que lesdits seconds moyens sont constitués d'un second dipôle D2 reliant le collecteur dudit second transistor monté en diode (T6) à l'émetteur d'un transistor (T8) dont la base est reliée à la base d'un second transistor supplémentaire (TI O) et dont le collecteur est relié au collecteur du transistor T2, L'émetteur dudit second transistor supplémentaire (T10) étant relié à un générateur de courant (12) et la base du transistor T2. 7. Echantillonneurbloqueur selon l'une quelconque des revendications précédentes, caractérisé en ce qu'il comprend des moyens permettant de réduire, en mode bloqué, I'amplitude du signal dynamique appliqué sur les bases des transistors T1 et T2, en abaissant d'une même quantité le potentiel statique de ces bases, quelle que soit ladite amplitude. 8. Echantillonneur-bloqueur selon la revendication 7, caractérisé en ce que les moyens permettant que le potentiel permettant de réduire en mode bloqué, l'amplitude du signa! dynamique appliqué sur les bases des transistors T1 et T2 comprennent un premier transistor (T15) qui conduit à l'état bloqué de l'échantillonneur-bloqueur, dont l'émetteur est relié à la base du transistor T1 et dont la base est reliée à un premier circuit de commande délivrant une tension indexée sur la tension recueillie sur l'émetteur dudit second transistor (T4) et un deuxième transistor (tri6) qui conduit à l'état bloqué de l'éehantillonneur-bloqueur, dont l'émetteur est relié à la base du transistor T2 et dont la base est reliée à un deuxième circuit de commande délivrant une tension indexée sur la tension recueillie sur l'émetteur dudit premier transistor (T3). 9. Echantillonneuroloqueur selon la revendication 8, caractérisé en ce que ledit premier circuit de commande est composé d'un premier amplificateur tampon (BI) dont l'entrée est reliée à l'émetteur dudit second transistor (T4) et dont la sortie est reliée à la base d'un transistor (tri7) dont l'émetteur est relié à un générateur de courant (13) et dont le collecteur est relié d'une part à la base dudit premier transistor (T15) qui conduit à l'état bloqué de l'éehantillonneurbloqueur et, d'autre part, à l'émetteur d'un troisième transistor monté en diode (T19) dont la base est reliée à son collecteur lequel est relié par une résistance (Ra1) à une tension continue (Va), et en ce que ledit deuxième circuit de commande est composé d'un deuxième amplificateur tampon (b2) dont l'entrée est reliée à l'émetteur dudit premier transistor (T3) et dont la sortie est reliée à la base d'un transistor (tri8) dont l'émetteur est reliée à un générateur de courant (13) et dont le collecteur est relié d'une part à la base dudit second transistor (T16) qui conduit à l'état bloqué de l'échantillonneurbloqueur et, d'autre part, à l'émetteur d'un quatrième transistor monté en diode (T20) dont la base est reliée à son collecteur, lequel est relié par une résistance (Ra2) à ladite tension continue (Va), les émetteurs des transistors (tri7, T18) dont les bases sont reliées aux sorties des amplificateurs tampon (BI ,B2) étant reliés entre eux par une résistance (Rd). I O. Echantillonneur-bloqueur selon la revendication 9, caractérisé en ce que la base (Bi) du transistor TI est reliée à la base d'un cinquième transistor monté en diode (T21) et en ce que la base (B2) du transistor T2 est reliée à la base d'un sixième transistor monté en diode(T22). Il. Echantillonneurbloqueur selon l'une quelconque des revendications 4 à 10, caractérisé en ce que les dipôles D1 et D2 sont réalisés à l'aide d'une résistance. 12. Echantillonneurbloqueur selon l'une quelconque des revendications 4 à 10, caractérisé en ce que les dipoles D1 et D2 sont réalisés par un ensemble de diodes montées en série.