FR 2725527 A1 19960412 FR 9412060 A 19941010 La présente invention concerne le domaine des filtres optiques. La présente invention peut trouver application dans la réalisation d'un filtre optique passif ou actif. Plus précisément, la présente invention a pour but de proposer un filtre optique pour un grand nombre (supérieur à deux) de longueurs d'ondes guidées. Le filtre multi-longueurs d'ondes conforme à la présente invention peut être inclus par exemple dans une source laser multilongueurs d'ondes. Ces sources sont des composants fondamentaux pour les futurs systèmes de communication à multiplexage. En l'état actuel de la technique, l'inventeur a déterminé notamment qu'il existe un intérêt particulier dans le développement d'une source qui couvre la bande de l'erbium (1530 à 1560 nm) avec un très grand nombre de canaux accessibles, par exemple au moins 50 canaux. Le filtre conforme à la présente invention peut aussi servir à sélectionner, dans une source à spectre étendue, les fréquences pour lesquelles il est réalisé. Le filtre conforme à la présente invention peut être inclus dans une succession d'éléments optiques guidant, ou encore être défini in situ sur une fibre. Deux types d'objets mettant en oeuvre un peigne de fréquences ont été récemment proposés pour les sources laser multi-longueurs d'ondes. Dans ces structures de type à réflecteur de Bragg distribué (Distributed Bragg Reflector-DBR) les éléments filtrants (peigne de fréquences) se trouvent de part et d'autre d'une zone active dans la direction de propagation de la lumière. Ces deux structures antérieures connues sont schématisées sur les figures 1 et 2 annexées. La première structure connue, schématisée sur la figure 1 annexée, est décrite dans le document Jayaraman et al. "Theory, Design, and Performance of Extended Tuning Range Semiconductor Lasers with Sampled Gratines IEEE, Journal of Quantum Electronics, vol. 29, n 6, Juin 1993 et dans le document Jayaraman et al. "Continuous-Wave Operation of Sampled Grating Tunable Lasers with 10 mwatt Output Power, > 60 nm Tuning, and Monotonic Tuning Characteristics" 6ème Int. Conf. Indium Phosphide and Related Materials, Mars, 94, Santa Barbara. Cette source laser comprend un réseau échantilonné 10 de part et d'autre d'une zone active 12. Plus précisément, le guide comporte périodiquement (avec une période Z0) des zones avec réseau de diffraction. Chaque zone avec réseau se comporte comme un réflecteur réparti.La période de l'échantillonnage est définie par la périodicité Z0 des zones avec réseau. La seconde structure antérieure connue illustrée sur la figure 2, est décrite par exemple dans le document Tohmori et al. "Broad-Range Wavelength-Tunable Superstructure Grating (SSG) DBR Lasers" IEEE, Journal of Quantum Electronics, vol. 29, n 6, Juin 1993. Cette structure comprend un réseau à superstructure (Super Structure Grating-SSG). Là encore, on retrouve des guides à réseau 10 de part et d'autre d'une zone active 12. Cependant, dans cette seconde source, chaque guide 10 comporte du réseau sur toute sa longueur. C'est la période (ou la phase) du réseau qui varie et ce périodiquement, avec une période As. La période du peigne de fréquences obtenue est définie par la périodicité As sur la période du réseau. La première structure connue illustrée sur la figure 1 modifie périodiquement en tout ou rien l'amplitude du couplage assuré par le réseau. La seconde structure connue illustrée sur la figure 2 annexée modifie la phase du signal. De nombreux autres documents ont analysé l'influence de différentes structures de réseaux sur un signal optique. Le document Heismann et al. "Polarization-lndependent Wavelength Filter Using a Grating-Assisted Vertical Directional Coupler in InP" Post deadline paper, ECOC 93, décrit par exemple un filtre associé à un coupleur directionnel. Le coupleur directionnel est un réseau comportant deux périodes et permet de filtrer séparément les deux polarisations TE et TNI. Le document "High speed and high density wavelength multichannel butt-jointed DBR lasers" Electronics Letters, 10 Octobre 1991, vol. 27, n" 21, pp 1969-1971, décrit un filtre réalisé par gravure locale d'un réseau et contrôlé par le courant. Le document Peng "Rigorous analysis of guided waves in doubly periodic structures", Optical Society of America, vol.7 , n" 8, Août 1990, analyse mathématiquement les effets d'interaction de deux réseaux sur la propagation d'une onde, dans une direction, dans un film pris en sandwich entre ces deux réseaux et conclut que l'un des réseaux doit avoir une période double de la période du second réseau pour autoriser une propagation. Les documents Minier et al. "Superimposed Phase Gratings in Planar Optical Waveguides for Wavelength Demultiplexing Applications", IEEE Photonics Technology Letters, vol. 5, n" 3, Mars 1993 et Wang et al. "Wavelength-division multiplexing and demultiplexing on locally sensitized single-mode polymer microstructure waveguides", Optics Letters, vol. 15, n" 7, ler Avril 1990, étudient les effets de diffraction obtenus avec des réseaux holographiques de volume dans un guide optique planaire. Les structures de source laser multi-longueurs d'ondes connues à réseaux échantillonnés ou à réseaux en superstructure présentent différents inconvénients. En effet, les structures à réflecteur de Bragg distribué comportant un des deux filtres multifréquence décrits dans ces deux documents sont limitées en terme de canaux accessibles. Il semble en effet difficile, avec les méthodes de réalisation décrites, et en conservant un objet de longueur raisonnable (inférieure à 2mm) de diminuer l'espacement entre canaux, car les dimensions géométriques du filtre fixent l'espacement. En particulier, dans la structure à réseaux échantillonnés présentée par Jayaraman, l'espacement en longueur d'onde entre deux canaux est fixé par la période Z0 de l'échantillonnage. Cet espacement entre deux canaux varie en 1/Zo. Avec Z0 de l'ordre de 50cil, on a un espacement dA, espacement en longueur d'onde entre deux canaux du peigne, de 6nm. Pour obtenir un espacement dA de l'ordre de lnm, il faudrait une période d'échantillonnage Z0 de 300cri. Or, pour être sélectif entre deux canaux, le filtre doit comporter au moins cinq à six périodes ZO. Cela conduit à un filtre d'une longueur de 6x300cim, soit 1,8mm. Sachant qu'une source laser accordable comporte deux filtres et une zone à gain, l'objet conduisant à un espacement entre deux canaux de l'ordre de lnm, avec cette méthode de réalisation, mesurerait au moins 4mm. Une telle longueur ne peut être envisagée pour une source laser car elle conduirait à des pertes trop élevées au cours de la propagation. La présente invention a maintenant pour but de perfectionner les filtres multi-longueurs d'ondes guidées connus. Plus précisément, la présente invention a pour but de proposer un filtre optique multi-longueurs d'ondes guidées pour lequel l'espacement entre les longueurs d'ondes peut varier de plusieurs nm (typiquement de 10 à 20nm) jusqu'à 0,5nm, pour lequel la réflectivité de chaque fréquence peut être contrôlée (toutes égales ou non) et pour lequel l'espacement entre les longueurs d'ondes ne dépend pas de la géométrie (longueur) du filtre. Dans le cadre de l'invention, le filtre peut mesurer typiquement de 100mà5OOiint Le nombre total de longueurs d'ondes obtenu dépendra de la maitrise technologique. Ces différents buts sont atteints dans le cadre de la présente invention grâce à un filtre optique multi-longueurs d'ondes guidées caractérisé par le fait qu'il comprend un réseau continu comportant en chaque partie élémentaire différents réseaux dont les périodes correspondent respectivement aux différentes longueurs d'onde du filtre. D'autres caractéristiques, buts et avantages de la présente invention apparaîtront à la lecture de la description détaillée qui va suivre, et en regard des dessins annexés donnés à titre d'exemples non limitatifs et sur lesquels - les figures 1 et 2 précédemment décrites représentent schématiquement des structures de sources laser multi-longueurs d'ondes conformes à l'état de la technique, - la figure 3 représente une vue en coupe d'un filtre passif schématisant la présente invention, - la figure 4 représente une vue en coupe d'un filtre actif schématisant la présente invention, - la figure 5 schématise la forme géométrique d'un filtre conforme à la présente invention, et - les figures 6 et 7 représentent le spectre à bas courant relevé sur deux structures actives conformes à la présente invention. Comme on l'a évoqué précédemment, au lieu d'être obtenues par échantillonnage d'un réseau (Transformée de Fourier d'une structure périodique), et donc dépendre des longueurs caractéristiques de ce réseau, comme cela est enseigné dans l'état de la technique, selon l'invention les différentes fréquences dont on veut disposer en sortie du filtre sont toutes présentes en chaque partie élémentaire de ce filtre. Plus précisément, pour cela, le filtre optique multi-longueurs d'ondes guidées conforme à la présente invention comprend un réseau continu comportant en chaque partie élémentaire les différents réseaux dont les périodes correspondent respectivement aux différentes longueurs d'onde du filtre. Plus précisément, les différents réseaux élémentaires précités peuvent être prévus dans une même couche guidante ou encore dans différentes couches guidantes superposées. Les phases relatives de ces différents réseaux peuvent être aléatoires ou contrôlées. On a par exemple illustré sur la figure 3 annexée, une structure de filtre passif conforme à la présente invention comportant i réseaux élémentaires 201 à 20j inscrits respectivement dans des couches guidantes 22 à 22i spécifiques superposées à un guide passif 24. Sur la figure 3 annexée, on a schématisé sous la référence E l'entrée de la lumière dans le guide passif 24, sous la référence S la sortie de la lumière hors de ce guide passif 24 et sous la référence L la longueur d'une section élémentaire du filtre passif conforme à la présente invention. La période de chaque réseau 20 est référencée Ai sur la figure 3. Chaque période Ai d'un réseau 20 inscrit dans une couche 22 spécifique correspond à un multiple entier m de la demi-longueur d'onde guidée, soit Ai = m. ho/2. Bien entendu, en variante, un filtre actif équivalent pourrait être obtenu en inscrivant les i réseaux 20 de période Ai dans une seule et même couche 22 superposée au guide passif 24. Les réseaux 20 constituent ainsi un réseau global continu de surface, et réflectif, pour les ondes guidées dans la couche 24. L'inventeur a déterminé par calcul et vérifié expérimentalement que les effets des différents réseaux 20 sont découplés dès que l'espacement ds entre deux canaux est supérieur ou égal à 0,5nm. En outre, il s'avère que pour assurer sa fonction de filtre, c'està-dire assurer le couplage nécessaire pour chaque fréquence, chaque section guidante à réseaux 20 doit posséder de préférence une longueur L variant au minimum de 100Hm à 500Lm selon la valeur voulue pour le maximum de la réflectivité. Toutes les fréquences existant simultanément en chaque partie élémentaire du filtre, selon l'invention, cette zone guidante comportant le réseau assure un couplage pour toutes les fréquences. La réflectivité à une longueur d'onde donnée est contrôlée par l'efficacité du réseau à cette fréquence. Le filtre multi-longueurs d'ondes conforme à la présente invention peut être inclus dans une source optique multi-longueurs d'ondes accordable. Une telle source peut comporter typiquement une section centrale à gain d'une longueur de l'ordre 400cil, encadrée respectivement de part et d'autre, dans la direction de propagation, par deux filtres multi-longueurs d'onde ayant chacun une longueur L de l'ordre de 500,um, ce qui conduit à un objet d'une longueur totale de l'ordre de 1,4mm. L'inventeur a testé le filtre multi-longueurs d'onde conforme à la présente invention sur un laser à réflecteur de Bragg distribué, sous le seuil, comprenant un réseau continu contenant six fréquences espacées. Pour cela, un matériau semi-conducteur comportant en surface une couche de résine photosensible a été insolé successivement avec six systèmes de franges de périodes différentes obtenues en sortie d'un montage d'interférences en lumière U.V.-laser Argon. La période du système de franges a été modifiée par changement de l'angle d'incidence des faisceaux sur l'échantillon. Plus précisément, la durée de chaque insolation a été fixée à 1/6 de la durée totale nécessaire dans le but de rechercher des réseaux de même efficacité, c'est-à-dire une même réflectivité pour toutes les périodes. La couche de résine photo sensible insolée et développée a permis de graver le matériau semi-conducteur. La couche de résine photosensible sert ainsi de masque pour transférer les informations du masque de résine dans le matériau semiconducteur. La caractérisation du transfert des six périodes après gravure a été faite par diffraction optique (avec la même raie U.V. que celle qui a été utilisée pour l'écriture). Cette caractérisation a permis l'observation de six taches de diffraction, chacune correspondant à une période inscrite. L'intensité diffractée par chaque période a été mesurée. Cette mesure permet de corréler l'intensité à la forme du réseau 20 correspondant, et donc dans une condition guidante donnée, au couplage qui en résulte. Pour des durées d'insolation toutes égales, l'inventeur a mesuré des valeurs de diffraction variant au maximum de 6dB, ce qui correspond à un facteur 0.7 entre les couplages assurés par les réseaux. L'inventeur a vérifié par ailleurs qu'à des durées d'insolation différentes correspondent des intensités diffractées différentes donc des réflectivités associées à une longueur d'onde différentes. On peut par conséquent obtenir ainsi un filtre ayant une réflectivité spécifique pour chaque longueur d'onde en contrôlant la durée relative d'insolation pour chaque fréquence. L'inventeur a alors testé le filtre actif ainsi obtenu formé par une structure laser à réseau continu du type illustré sur la figure 4. Sur cette figure 4, on trouve entre deux couches de métallisation 30, 32 assurant la polarisation, un substrat InP 33, une couche de matériau actif 34, la couche de matériau quaternaire GaInAsP 35 dans laquelle ont été transférées les six périodes différentes précitées, et enfin une couche supérieure 36 d'InP. Les deux faces de matériau actif 35 ont été traitées anti-reflets. Plus précisément, l'inventeur a testé deux structures conformes à la figure 4 sous un courant inférieur au seuil, plus précisément sous un courant égal à 0,8 fois le courant seuil. Les figures 6 et 7 illustrent respectivement le spectre à bas courant obtenu sur ces deux structures actives. La figure 6 correspond à une structure active possédant un courant seuil de 28mA et un courant de fonctionnement 22mA, tandis que la figure 7 correspond à une structure active possédant un courant seuil de 35mA et un courant de fonctionnement de 28mA. Comme on le voit sur les figures 6 et 7 les spectres relevés permettent d'observer les six bandes associées respectivement aux 6 fréquences des réseaux 20. L'espacement entre le centre de ces bandes résulte de l'espacement entre les périodes des réseaux 20. La largeur d'une bande représente l'efficacité d'un réseau 20. On observe un espacement régulier entre les bandes et des bandes de largeurs comparables. Chaque bande est l'équivalent dans un matériau actif de la largeur du spectre de réflectivité dans un matériau passif. Bien entendu l'invention n'est pas limitée aux modes de réalisation particuliers qui viennent d'être décrits. En particulier, le transfert de différents réseaux élémentaires 20 dans une seule et même couche du filtre ou encore dans plusieurs couches superposées du filtre, peut faire l'objet de nombreuses variantes. Ainsi, selon une autre variante de mise en oeuvre, le réseau complet comportant toutes les périodes en toute section élémentaire du guide, constitué par la somme de différents réseaux dont les périodes correspondent respectivement aux diverses fréquences du filtre, peut être obtenu à l'aide d'un masqueur électronique définissant directement une forme géométrique, à l'échelle de chaque trait du réseau, qui représente la somme des périodes voulues avec la forme voulue pour chaque période. La contribution en amplitude de chaque réseau peut dans ce cas être contrôlée par la forme géométrique du réseau résultant de la dose appliquée par le masqueur. On veut disposer des périodes Zi. Pour chaque période, la forme géométrique du réseau peut être représentée (au premier ordre de sa décomposition) par Ai cos(2:tz/Zi). La réflectivité sur la lumière guidée à la fréquence Fi associée à la période Zi dépend de Ai. Le réseau obtenu comme somme de réseaux correspond à (toujours au premier ordre) I,Ai Ai cos((2az/Zi) + ei), Gi représentant la phase de chaque période par rapport à une référence. Cette forme géométrique peut correspondre au schéma de la figure 5 sur laquelle on aperçoit un réseau superposé à une couche guidante. L'allure du réseau somme des réseaux dépend des phases relatives. REVENDICATIONS 1. Filtre optique multi-longueurs d'ondes guidées, caractérisé par le fait qu'il comprend un réseau continu comportant en chaque partie élémentaire différents réseaux (20) dont les périodes correspondent respectivement aux diverses longueurs d'onde du filtre. 2. Filtre optique selon la revendication 1, caractérisé par le fait que la contribution en amplitude de chaque réseau est contrôlée, de façon à contrôler la réflectivité pour chaque longueur d'onde. 3. Filtre optique selon l'une des revendications 1 ou 2, caractérisé par le fait que les phases relatives des différents réseaux sont contrôlées. 4. Filtre optique selon l'une des revendications 1 ou 2, caractérisé par le fait que les phases relatives des différents réseaux sont aléatoires. 5. Filtre optique selon l'une des revendications 1 à 4, caractérisé par le fait que les différents réseaux élémentaires (20) sont inscrits dans une même couche guidante (22). 6. Filtre selon l'une des revendications 1 à 4, caractérisé par le fait que les différents réseaux élémentaires (20) sont inscrits dans des couches guidantes superposées (22). 7. Filtre optique selon l'une des revendications 1 à 6, caractérisé par le fait que l'espacement en longueurs d'onde entre deux canaux du filtre est supérieur ou égal à 0,5nm. 8. Filtre optique selon l'une des revendications 1 à 7, caractérisé par le fait que la longueur (L) du filtre comprenant un réseau continu comportant en chaque partie élémentaire différents réseaux est de l'ordre de 1009L 9. Filtre selon l'une des revendications 1 à 8, caractérisé par le fait qu'il constitue un filtre passif. 10. Filtre selon l'une des revendications 1 à 8, caractérisé par le fait qu'il constitue un filtre actif. 11. Filtre optique selon l'une des revendications 1 à 10, caractérisé par le fait que le réseau continu est obtenu par insolation d'une résine photosensible par différents systèmes de franges correspondant aux périodes respectives des diverses fréquences et transfert de ces systèmes de franges dans une couche semiconductrice. 12. Filtre selon la revendication 11, caractérisé par le fait que la contribution en amplitude de chaque réseau est contrôlée par la durée relative d'insolation par chaque systéme de frange. 13. Filtre selon l'une des revendications 1 à 10, caractérisé par le fait que le réseau continu formé en tout point par somme de différents réseaux élémentaires est obtenu à l'aide d'un masqueur électronique. 14. Filtre selon la revendication 13, caractérisé par le fait que la contribution en amplitude de chaque réseau est contrôlée par la forme géométrique du réseau résultant de la dose appliquée par le masqueur. 15. Filtre selon l'une des revendications 1 à 14, caractérisé par le fait que le réseau continu (201, 20s) constitue un réseau de surface réflectif pour les ondes guidées dans une couche guidante adjacente (24). 16. Filtre selon l'une des revendications 1 à 15, caractérisé par le fait qu'il constitue une source laser accordable comprenant une section centrale de gain encadrée de part et d'autre, dans la direction de propagation, par deux sections guidantes comprenant chacune un réseau continu formé en tout point par superposition de différents réseaux élémentaires (20).