FR 2721135 A1 19951215 FR 9407497 A 19940614 CORRECTION D'ERREURS DANS UNE MÉMOIRE La présente invention concerne la correction d'erreurs survenant dans une mémoire statique à la suite de perturbations, telles que des bombardements d' ions lourds. Des équipements électroniques peuvent, dans certaines conditions, notamment dans l'espace, être soumis à des bombardements de particules, en particulier des ions lourds. Lorsque la région de drain d'un transistor MOS polarisé d'une manière déterminée est traversée par un ion lourd, le transistor MOS génère une impulsion parasite sur son drain. Un tel phénomène de perturbation, couramment appelé phénomène de "upset", peut entrainer des effets gênants, notamment changer l'état d'une cellule mémoire. On a déjà cherché dans l'art antérieur à résoudre ce problème et à réaliser des cellules de mémoire statique insensibles aux radiations (durcies). Une première approche consiste à prévoir une architecture de cellule mémoire telle qu'une perturbation sur un noeud sensible ntentraîne pas de basculement de cette cellule. Pour cela, un article de IEEE Transactions on Nuclear Science, volume 35, N" 6, déoernbre 1988, pages 1682 à 1687, "An SEU-Hardened CMOS Data Latch", propose d'utiliser une cellule mémoire entourée d'un réseau de transistors FDS qui a pour rôle de rétablir la donnée modifiée par un phénomène de perturbation. Cette solution entraîne une augmentation notable de la complexité de chaque cellule mémoire. Une autre approche consiste à rallonger chaque mot stocké dans une mémoire d 'un code de contrôle d'erreur. Ainsi, à chaque fois qu'un mot est lu dans la mémoire, on lit également son code de contrôle. Si le code de contrôle est un ode détecteur d'erreur, il indique seulement, le cas échéant, que le mot comporte des bits erronés. Si le code de contrôle est un code correcteur, on peut en outre corriger un certain nombre de bits erronés du mot. Toutefois, pour ne pas augmenter significativement la capacité mémoire et la taille des bus d' accès à cette mémoire, le code de contrôle doit avoir un nombre de bits limité, ce qui diminue son efficacité. Par exemple, pour powoir corriger un seul bit erroné d'un mot de 8 bits, il faut un code correcteur de 4 bits (au moins 3 bits pour corriger une erreur dans le mot et un bit pour déceler des erreurs dans le code correcteur lui-même). Un exemple de tel code est le code de Hamming. Un bit supplémentaire du code correcteur, par exemple un bit de parité, ne permettra pas de corriger une deuxième erreur mais permettra d'indiquer de manière fiable, en combinaison avec les trois autres bits du code, qu'il y a une erreur corrigible ou deux erreurs. Ce dernier type de code, code correcteur d'erreurs simples et de détection d'erreurs doubles, est couramnent employé. On utilise parfois aussi des codes correcteurs dits bidimensionnels, décrits dans l'ouvrage "Testing Semiconductor Memories, Theory and Practice", par A.J. van de Goor, éditions John Wiley & Sons, 1991. Ce codage consiste à prévoir un code de contrôle, souvent de parité, pour chaque mot et pour chaque colonne de cellules d'une mémoire. Ainsi, on localise une erreur à l'intersection d'un mot et d'une colonne indiqués par des parités respectives erronées. Ce codage a l'inconvénient de notablement réduire la rapidité des écritures dans la mémoire, puisqu'il faut recalculer les parités des colonnes à chaque écriture. Un objet de la présente invention est de prévoir une structure de mémoire statique permettant de corriger un nombre élevé d 'erreurs à l'aide de codes de contrôle réduits, sans pour autant affecter la cadence d'accès à la mémoire. Pour atteindre cet objet, la présente invention prévoit une mémoire statique comprenant des cellules mémoire disposées en rangees et colonnes, chaque rangée de cellules constituant au moins un mot et un code de contrôle d'erreur correspondant. Chaque colonne de cellules comprend au moins une ligne d'alimentation spécifique reliée à une ligne d'alimentation générale de la mémoire par l'intermédiaire d'un détecteur de courant. Chaque détecteur active un signal d'erreur si le courant de la ligne d'alimentation spécifique associée dépasse un seuil prédétermine. Selon un mode de réalisation de la présente invention, la mémoire est associée à un microprooesseur ou à un circuit de correction qui, quand au moins un signal d'erreur est activé, lit des mots de la mémoire et leurs codes de contrôle et, si le code de contrôle d'un mot indique une erreur, corrige le bit du mot dans la colonne correspondant au signal d 'erreur activé. Selon un mode de réalisation de la présente invention, la mémoire comprend des moyens pour augmenter le seuil de chaque détecteur pendant un accès à la mémoire. Selon un mode de réalisation de la présente invention, chaque colonne comprend deux lignes d'alimentation spécifiques reliées à deux lignes d'alimentation générale de la mémoire par l'intermédiaire de détecteurs de courant respectifs. Selon un mode de réalisation de la présente invention, le code de contrôle est un bit de parité. Ces objets, caractéristiques et avantages ainsi que d'autres de la présente invention seront exposés plus en détail dans la description suivante de modes de réalisation particuliers faite à titre non-limitatif à l'aide des figures jointes parmi lesquelles la figure 1 représente schématiquement un mode de réalisation d'architecture de mémoire statique selon 1 'inven- tion la figure 2 représente une cellule de mémoire statique classique ; et la figure 3 représente un mode de réalisation de détecteurs de courant pouvant être utilisés dans l'architecture de la figure 1. Selon l'invention, on a constaté qu'une erreur due à une perturbation, telle qu 'un bombardement d 'ions lourds, entraine une conscmmation de courant momentanée due au basculement de la cellule perturbée. L'invention propose de détecter la survenue anormale d'une telle consommation de courant dans chaque colonne de cellules d'une mémoire. L'erreur est ensuite localisée dans une rangée de cellules grâce à un code de contrôle qui peut être particulièrement simple. La figure 1 représente schématiquement une mémoire comprenant des cellules mémoire MC disposées en rangées et colonnes, comme cela est classique. Chaque rangée de cellules correspond à un ou plusieurs mots et à des codes de contrôle d 'erreur respectivement associés aux mots. Selon l'invention, chaque colonne de cellules est alimentée par des lignes d'alimentation Vcc' et GND' spécifiques. La figure 2 représente un exemple de cellule de mémoire statique, utilisée dans la mémoire de la figure 1. Cette cellule comprend deux inverseurs 6 et 8 reliés tête-bêche pour former une bascule. Ces inverseurs sont alimentés par des lignes spécifiques Vcc' et GND'. On accède au contenu de la cellule par l'intermédiaire de transistors M1 et M2 reliés respectivement entre une ligne de bit B1 et l'entrée de l'inverseur 6 et entre une ligne de bit B2 et l'entrée de l'inverseur 8. Les transistors M1 et M2 sont commandés par des signaux d' accès respectifs Al et A2 qui peuvent être respectivement un signal de lecture et un signal d'écriture de la cellule ou, en fonctionnement différentiel, un même signal servant à la fois de signal de lecture et de signal d'écriture. A la figure 1, chaque ligne spécifique Vcc' est reliée à une ligne d'alimentation générale positive Vcc par l'intermédiaire d'un détecteur de courant respectif (DETP) 10. De même, chaque ligne spécifique GND' est reliée à une ligne d'alimentation générale négative GND, telle qu'une ligne de masse, par 1'intermédiaire d'un détecteur de courant respectif (DETN) 12. Dans de nombreux cas de défaillance, un détecteur de courant sur une seule des lignes d'alimentation spécifiques suffirait car, dans la plupart des cas, le basculement d'une cellule entraîne une consommation de courant sur les deux lignes spécifiques Vcc' et GND'. Toutefois, notamment dans le cas de bombardements d'ions lourds, la consommation de courant sur 1 'une des lignes spécifiques est notablement plus élevée que dans l'autre. Pour cela, on prévoit de préférence un détecteur de oourant par ligne d'alimentation spécifique. Les sorties des détecteurs de courant 10 et 12 de chaque colonne sont fournies à une porte OU 14. Ainsi, la sortie de la porte 14 devient active lorsqu'au moins un des détecteurs 10 et 12 détecte un courant dans une ligne d'alimentation spécifique. Les sorties des portes 14 sont fournies à un ensemble de bascules asynchrones 16 qui mémorisent la sortie de chacune des portes 14 des qu'elle devient active. Avec cette configuration, dès que l'une des bascules 16 devient active, au moins une erreur s'est produite dans l'une des cellules mémoire MC de la colonne correspondante. L'erreur peut avantageusement être détectée dès qu'elle se produit. Pour traiter l'erreur, un microprocesseur associé à la mémoire est par exemple, interrompu par le passage à un état actif de l'une quelconque des bascules 16. Le traitement de l'interruption consiste alors, par exemple, à lire le contenu des bascules 16 pour "marquer" la colonne dans laquelle s'est produite l'erreur puis à lire successivement les mots correspondant à la oolonne marquée, avec leurs codes de contrôle. Lorsque le code de contrôle indique une erreur, le bit provenant de la colonne marquée est inversé et le mot ainsi corrigé est réécrit dans la mémoire. A la fin de la procédure de correction, les bascules 16 sont remises à zéro par un signal RST. La procédure qui vient d'être décrite permet de corriger une erreur pratiquement au moment où elle se produit. Une variante de cette procédure consiste à lire les mots par paquets jusqu'à ce que l'on trouve l'erreur, la tâche courante du microprooesseur étant reprise entre chaque lecture de paquets. Pour éviter de perdre du temps à chercher 1 'erreur au moment où elle se produit, la procédure peut être la suivante. L'activation d'une bascule 16 n'entraîne aucune action. Si, en cours d'exécution, un programme lit un mot erroné, il détecte l'erreur à l'aide du code de contrôle. I1 vient alors lire le contenu des bascules 16 pour corriger 1 'erreur. Si plusieurs erreurs sont survenues simultanément ou successivement sans que 1 'on ait pu en corrigeur, on peut arriver à une situation ambiguë où l'on ne peut corriger que certaines d'entre elles ou aucune. Pour cette raison, toute la mémoire doit en pratique être lue afin de vérifier si la situation est ambiguë ou non, avant de procéder à des corrections. Plus le code de contrôle est complet, plus la probabilité de survenue d'une situation ambiguë est faible. Bien entendu, la correction d 'erreurs peut être effectuée par un circuit spécialisé qui arrête tout circuit demandant à accéder à la mémoire tant que la procédure de correction n'est pas terminée. L'architecture de mémoire selon l'invention permet de corriger des erreurs avec un code de contrôle aussi simple qu'un bit de parité. A l'aide d'un bit de parité, qui ne permet normalement pas de corriger une erreur, l'invention permet de corriger une erreur et même plusieurs erreurs survenues dans une même colonne. Selon l'invention, avec un code classique correcteur d'erreurs simples et détecteur d'erreurs doubles, on peut, dans le cas général, corriger jusqu'à trois erreurs survenues dans la mémoire, notamment trois erreurs dans un même mot ou trois erreurs dans deux mots. Bien entendu, ce code de contrôle permet, ce qui est son rôle classique, de corriger toutes les erreurs simples des mots. Si les mots erronés ont deux erreurs chacun dans les mêmes colonnes, ces erreurs peuvent également être corrigées. L 'homme du métier pourra facilement déterminer les cas non ambigus en fonction des indications du code de contrôle utilisé et des bascules 16. En tout cas, la probabilité pour que plusieurs cellules soient perturbées simultanément est faible. Ainsi, une architecture de mémoire selon 1'invention employée avec des bits de parité en tant que codes de contrôle fournit des résultats satisfaisants et constitue un système particulièrement simple. La figure 3 représente de manière détaillée un exemple de structure des détecteurs de courant 10 et 12. Les détecteurs 10 reçoivent une tension de référence générée aux bornes d'un transistor MOS à canal P MP1 relié à la ligne GND par 1 'intermé- diaire d'une source de courant IN et à la ligne Vcc. La grille du transistor MP1 est reliée à la ligne GND, de manière que ce transistor est conducteur et se comporte comme une résistance. De même, les détecteurs 12 reçoivent une tension de référence générée aux bornes d'un transistor MOS à canal N MN1 relié à la ligne Vcc par l'intermédiaire d'une source de courant IP et à la ligne GND. La grille du transistor MN1 est reliée à la ligne Vcc. Les souroes de courant IP et IN fournissent un meme courant de référence Iref. Chaque détecteur 10 comprend un transistor MOS à canal P de mesure MPm reliant entre elles les lignes Vcc et Vcc'. La grille du transistor MPm est reliée à la ligne GND. La sortie du détecteur 10 est fournie par un comparateur 10-1 qui compare la tension aux bornes du transistor MPm à la tension seuil aux bornes du transistor MP1. De même, chaque comparateur 12 comprend un transistor MOS à canal N de mesure MNm reliant entre elles les lignes GND et GND'. Un comparateur 12-1 compare la tension apparaissant aux bornes du transistor MNm à la tension seuil aux bornes du transistor MN1. Ainsi, la sortie du comparateur 10-1 ou 12-1 devient active lorsque le courant dans la ligne Vcc' ou dans la ligne GND' dépasse le courant Iref d'un certain facteur déterminé par les rapports de surface des transistors MP1 et MPm, et des transistors MN1 et MNm. Le seuil de détection déterminé par le courant de référenoe Iref est choisi suffisamment élevé pour que l'on ne détecte pas intempestivement une consommation de courant normale des cellules mémoire, telle que celle consommée lors d'une lecture ou d'une écriture. En effet, les transistors M1 et M2 de la figure 2 sont alors rendus passants et les inverseurs 6 et 8 doivent délivrer un oourant de charge des lignes B1 et B2. Lors d'une écriture la cellule est en outre susceptible d'être basculée. Toutefois, en augmentant le seuil, on diminue la sensibilité des détecteurs en dehors des phases d'accès en lecture et en écriture. Pour assurer une bonne sensibilité des détecteurs en dehors des phases d'accès sans toutefois risquer de les déclencher intempestivement pendant les phases d'accès, on augmente le seuil de détection seulement pendant ces phases d'accès. Pour cela, un transistor MN2 est relié en parallèle sur le transistor MN1 et un transistor MP2 est relié en parallèle sur le transis tor MP1. Les transistors MP2 et MN2 sont respectivement commandées par un signal de validation en lecture R (ou en écriture W) et par son oomplément R* (W*). Ainsi, les transistors MP2 et MN2 sont conducteurs en dehors des phases d'accès, ce qui diminue la tension seuil aux bornes des transistors MP1 et MN1, et donc le seuil de détection. Par contre, pendant les phases d'accès, les transistors MP2 et MN2 sont bloqués, ce qui augmente le seuil de détection. On évite ainsi de détecter la seule phase d'accès, mais on détectera une perturbation pendant la phase d'accès, avec pratiquement la même sensibilité qu'en dehors de la phase d'accès. La présente invention a été décrite en relation avec des phénomènes de perturbation, en particulier des bombardements d'ions lourds, mais elle s'applique à d d'autres possibilités d'erreur entraînant une oonsommation de courant anormale, par exemple lorsqu'une cellule est bloquée à un état par un courtcircuit. Dans ce cas, un courant anormal est en permanence détecté. Le mot erroné ne pourra pas être corrigé dans la mémoire, mais il pourra l'être à chaque fois qu'il est lu. De nombreuses variantes et modifications de la présente invention apparaitront à l'homme du métier, notamment en ce qui concerne la réalisation des détecteurs 10 et 12 qui peuvent être simplifiés et optimisés de manière à ne oonsommer aucun courant de repos. REVENDICAT IONS 1. Mémoire statique comprenant des cellules mémoire (MC) disposées en rangées et colonnes, chaque rangée de cellules constituant au moins un mot et un code de contrôle d'erreur correspondant, caractérisée en ce que chaque colonne de cellules comprend au moins une ligne d'alimentation spécifique (Vcc', GND') reliée à une ligne d'alimentation générale (Vcc, GND) de la mémoire par l'intermédiaire d'un détecteur de courant (10, 12), chaque détecteur activant un signal d'erreur si le courant de la ligne d'alimentation spécifique associée dépasse un seuil prédéterminé. 2. Mémoire statique selon la revendication 1, caractérisée en ce qu'elle est associée à des moyens pour, quand au moins un signal d'erreur est activé, lire des mots de la mémoire et leurs codes de contrôle et, si le code de contrôle d'un mot indique une erreur, corriger le bit du mot dans la colonne correspondant audit au moins un signal d'erreur activé. 3. Mémoire statique selon la revendication 1, caractérisée en ce qu'elle comprend des moyens (MP2, MN2) pour augmenter le seuil prédéterminé de chaque détecteur (10, 12) pendant un accès à la mémoire. 4. Mémoire statique selon la revendication 1, caractérisée en ce que chaque colonne comprend deux lignes d'alimentation spécifiques (Vcc', GND') reliées à deux lignes d'alimentation générale (Vcc, GND) de la mémoire par 1' intermédiaire de détecteurs de courant respectifs (10, 12). 5. Mémoire statique selon la revendication 1, caractérisée en ce que le code de contrôle est un bit de parité.