FR 2713401 A1 19950609 FR 9500522 A 19950118 DISPOSITIF A SEMICONDUCTEURS OPTIQUE La présente invention concerne des dispositifs à semiconducteurs optiques et elle concerne plus particulièrement un dispositif laser à semiconducteurs qui est utilisé pour les communications par fibres optiques. La figure 6 est une vue en perspective illustrant un dispositif laser à semiconducteurs qui utilise un boîtier fermé hermétiquement de type cylindrique classique. Sur la figure 6, une puce de laser à semiconducteurs 104 est montée sur un radiateur 105 au moyen d'une monture intermédiaire 106. Le radiateur 105 avec la puce de laser 104 et une photodiode de contrôle 107 sont montés sur une plaque de base (pièce en forme de disque) 112 consistant en fer ou en une matière semblable. Les éléments qui se trouvent sur la plaque de base 112 sont recouverts par un chapeau 100. Le chapeau 100 comprend un corps de chapeau 101 et une fenêtre 116. Le corps de chapeau 101 est constitué par un alliage appelé covar (un alliage contenant Fe, Co, Ni ou des matières semblables) et il a une ouverture à sa surface supérieure. Le diamètre de l'ouverture est de 3 à 4 mm. On fait adhérer la fenêtre 116 au corps de chapeau 101 en utilisant du verre contenant du plomb, 117, tel que du verre du type PbSn, recouvrant l'ouverture du corps de chapeau 101. La référence 108 désigne une broche pour la photodiode de contrôle 107, la référence 109 désigne une broche pour la mise à la masse et la référence 110 désigne une broche pour la puce de laser 104. Un fil d'Au 111 connecte la puce de laser 104 à la broche 110. Un fil d'Au 118 connecte la puce de photodiode 107 à la broche 108. De façon générale, un dispositif laser à semiconducteurs qui est utilisé en télécommunication optique a une longueur d'onde d'oscillation de 0,98 > im, 1,2 ym, 1,3 > im ou 1,55 pm. Par exemple, une puce de laser comprenant une structure de puits quantiques multiples InGaAs/GaAs est utilisée pour un dispositif laser ayant une longueur d'onde d'oscillation de 0,98 pm, et une puce de laser comprenant des matériaux de la famille InGaAsP est utilisée pour un dispositif laser ayant une longueur d'onde d'oscillation de 1,2 ym, 1,3 pm ou 1,55 pm. Dans ce dispositif de l'art antérieur, le chapeau 100 est soudé sur la plaque de base 112, de façon que le boîtier du dispositif laser à semiconducteurs 200 soit fermé hermétiquement. Les figures 7(a) et 7(b) sont des schémas qui illustrent des étapes de processus dans un procédé de fabrication du chapeau 100 du dispositif laser à semiconducteurs 200. Sur ces figures, on utilise les mêmes références numériques que sur la figure 6 pour désigner les éléments identiques ou correspondants. La référence 101a désigne une ouverture du corps de chapeau 101. Initialement, comme représenté sur la figure 7(a), on prépare une fenêtre circulaire 116, un corps de chapeau 101 et une lame de verre annulaire 117. On forme la fenêtre circulaire 116 en polissant ou en revêtant une lame de verre utilisée pour des composants optiques, et en découpant la lame de verre pour former une lame circulaire ayant un diamètre de 3 à 4 mm. Le corps de chapeau 101 comporte une ouverture circulaire dont le diamètre est inférieur au diamètre de la fenêtre 116. La lame annulaire 117 consiste en verre contenant du plomb et elle a un diamètre intérieur supérieur au diamètre de l'ouverture 101a et un diamètre extérieur inférieur au diamètre de la fenêtre 116. Ensuite, comme représenté sur la figure 7(b), on place la lame de verre annulaire 117 sur la surface intérieure du corps de chapeau 101, le long de la périphérie de l'ouverture 101a, et on place la fenêtre 116 sur la lame de verre annulaire 117. Ensuite, on chauffe dans un four la structure de la figure 7(b) pour faire fondre la lame de verre annulaire 117, grace à quoi la fenêtre 116 adhère au corps de chapeau 101, ce qui donne le chapeau 100. Ensuite, on fixe le chapeau 100 sur la plaque de base 112 sur laquelle sont montées la puce de laser 104 et la puce de photodiode 107, de préférence par soudage électrique, ce qui donne le dispositif laser à semiconducteurs 200 qui est représenté sur la figure 6. En fonctionnement, la lumière laser qui est émise par la puce de laser 104 sort par la fenêtre 116 et elle est utilisée à titre de source de lumière souhaitable dans un dispositif utilisant la lumière laser. Dans le dispositif laser à semiconducteurs décrit ci-dessus, du fait que la fenêtre 116 est fixée sur le corps de chapeau 101 en utilisant le verre contenant du plomb, 117, lorsque le verre contenant du plomb, 117, fond à cause d'influences externes a par exemple l'humidité, et contamine la fenêtre 116, les caractéristiques du dispositif laser sont dégradées et l'herméticité du boîtier est réduite. En outre, du fait que la fenêtre 116 consiste en verre, non seulement la lumière laser mais également la lumière dans la région visible, c'est-à-dire la lumière ayant une longueur d'onde de 400 à 750 nm, sont transmises à travers la fenêtre 116. Par conséquent, on peut observer visuellement l'intérieur du chapeau 100, à travers la fenêtre 116, après la fabrication du dispositif laser. Dans ce cas, si les éléments dans le boîtier semblent anormaux à cause d'une disposition irrégulière des éléments, on considère que le dispositif est défectueux bien que les performances du dispositif en tant que dispositif à semiconducteurs optique soient normales, ce qui fait que le rendement de fabrication est diminué. De plus a du fait que la fenêtre 116 consiste en verre, le traitement de la lame de verre, tel que le polissage, le revêtement et la coupe, présente des difficultés, ce qui fait que le coût de fabrication de la fenêtre 116 augmente, ce qui conduit à un chapeau 100 coûteux. D'autre part, le document ELECTRON MATERIAL 21 (février 1983, page 60) décrit un capteur infrarouge employant du silicium à titre de matériau d'une fenêtre qui transmet sélectivement de la lumière ayant une longueur d'onde déterminée, en utilisant un type de silicium qui ne transmet pas la lumière ayant une longueur d'onde inférieure à 0,9 jum. Dans un dispositif à semiconducteurs optique sensible à la lumière ayant la structure décrite ci-dessus, une partie de la lumière incidente ayant une longueur d'onde désirée est sélectionnée par la fenêtre en silicium et est transmise à travers cette dernière, de façon que l'élément sensible à la lumière réagisse à la lumière ayant la longueur d'onde désirée. De plus, l'élément n'est pas défavorablement affecté par une partie non désirée de la lumière incidente. Par conséquent, les performances du dispositif à semiconducteurs optique sont améliorées. Cependant, du fait que la fenêtre en silicium et le corps de chapeau sont fixés ensemble au moyen d'un adhésif, lorsque l'adhésif fond partiellement sous l'effet d'influences externes, en particulier l'humidité, la fenêtre est contaminée et l'herméticité du dispositif est réduite. Un but de la présente invention est de procurer un dispositif à semiconducteurs optique dont les performances ne soient pas défavorablement affectées par les influences externes. Un autre but de la présente invention est de procurer un dispositif à semiconducteurs optique dont on ne puisse pas voir la structure interne à partir de l'extérieur, et qui soit fabriqué avec un faible coût. Conformément à un premier aspect de la présente invention, un dispositif à semiconducteurs optique comprend un élément sélectionné parmi un élément à semiconducteurs sensible à la lumière, un élément à semiconducteurs émetteur de lumière et un élément à semiconducteurs sensible à la lumière et émetteur de lumière, et un boîtier pour enfermer hermétiquement l'élément à semiconducteurs. Le boîtier comprend une fenêtre consistant en silicium qui transmet sélectivement la lumière incidente tombant sur l'élément à semiconducteurs ou émise par l'élément à semiconducteurs. La fenêtre en Si est fixée au corps du boîtier en utilisant une matière de brasage qui forme une alliage eutectique avec le silicium. Dans cette structure, du fait que l'alliage eutectique est formé à la jonction de la fenêtre en Si et du corps du boîtier, la jonction n'est pas défavorablement affectée par des influences externes, en particulier l'humidité. En outre, du fait que la fenêtre en Si ne transmet pas la lumière dans la région visible, on ne peut pas voir l'intérieur du boîtier à partir de l'extérieur, à travers la fenêtre en Si, après la fabrication du dispositif. Par conséquent, un dispositif termine n'est pas jugé défectueux seulement sur son aspect anormal dû à une disposition irrégulière des éléments qui sont contenus dans le boîtier, grâce à quoi le rendement de production est amélioré. En outre, du fait que la fenêtre en Si est formée en utilisant une tranche de Si classique et un appareil utilisé dans un processus de traitement de tranches classique de dispositif à semi- conducteurs, la fenêtre en Si est produite de façon économique, par un processus relativement simple. Selon un second aspect de la présente invention, des pellicules non réfléchissantes, comprenant chacune une pellicule diélectrique à une seule couche ou à plusieurs couches, sont disposées sur les surfaces opposées, avant et arrière, de la fenêtre en Si. De ce fait, la réflexion de la lumière sur la fenêtre est réduite, ce qui a pour effet d'améliorer le facteur de transmission de la fenêtre. Conformément à un troisième aspect de la présente invention, la pellicule non réfléchissante consiste en une pellicule de SiO2 qui est formée par oxydation de la surface de la fenêtre en Si, et une pellicule diélectrique comprenant une seule couche ou plusieurs couches qui est disposée sur la surface de la pellicule en Six2. Par conséquent, la pellicule non réfléchissante est fabriquée aisément en utilisant la propriété du silicium consistant en ce qu'il est aisément oxydé dans l'air. D'autres caractéristiques et avantages de l'invention seront mieux compris à la lecture de la description qui va suivre de modes de réalisation, donnés à titre d'exemples non limitatifs. La suite de la description se réfère aux dessins annexés dans lesquels Les figures l(a)-l(c) sont des schémas destinés à l'explication d'un dispositif laser à semiconducteurs conforme à un premier mode de réalisation de la présente invention, parmi lesquels la figure l(a) est une coupe d'un chapeau, la figure l(b) est une coupe du dispositif laser et la figure l(c) est une vue en perspective d'une partie de fenêtre. Les figures 2(a)-2(d) sont des schémas illustrant des étapes de processus dans un procédé de fabrication du chapeau du dispositif laser à semiconducteurs qui est représenté sur la figure l(a). La figure 3 est une coupe illustrant une structure de fenêtre d'un dispositif laser à semiconducteurs conforme à un second mode de réalisation de la présente invention. Les figures 4(a)-4(h) sont des coupes illustrant des étapes de processus dans un procédé do fabrication de la structure de fenêtre du disposisif laser à semiconducteurs conforme au second mode de réalisation. La figure 5(a) est une représentation graphique illustrant le résultat d'une simulation de réflectivité d'une pellicule non réfléchissante disposée sur la surface de la structure de fenêtre de la figure 3, et la figure 5(b) montre un modèle de la pellicule non réfléchissante qui est utilisée dans la simulation. La figure 6 est une vue en perspective illustrant un dispositif laser à semiconducteurs conforme à l'art antérieur. Les figures 7(a) et 7(b) sont respectivement une représentation en perspective et une représentation en coupe illustrant des étapes de processus dans un procédé de fabrication d'un chapeau du dispositif laser à semiconducteurs qui est représenté sur la figure 6. Les figures l(a)-l(c) sont des schémas destinés à l'explication d'une structure d'un dispositif laser à semiconducteurs conforme à un premier mode de réalisation de la présente invention, dans lesquels la figure l(a) est une coupe d'un chapeau, la figure l(b) est une coupe d'un dispositif laser et la figure l(c) est une vue en perspective d'une couche de fenêtre avec une matière de brasage. Sur la figure l(b), un dispositif laser à semiconducteurs 50 comprend un chapeau 40. Le chapeau 40 comprend un corps de chapeau 3 ayant une ouverture 3a de 3 à 4 mm de diamètre, et une fenêtre circulaire 1 consistant en silicium et ayant un diamètre supérieur au diamètre de l'ouverture 3a et une épaisseur de 300 à 400 pm. La fenêtre 1 est fixée au corps de chapeau 3 au moyen d'une brasure annulaire consistant en Au, ayant une épaisseur de quelques micromètres. Le diamètre intérieur de la brasure 2 est égal ou supérieur au diamètre de l'ouverture 3a, et le diamètre extérieur de la brasure 2 est égal ou inférieur au diamètre de la fenêtre 1. Une puce de laser à semiconducteurs 4 ayant une longueur d'onde d'oscillation supérieure à 0,9 pm, est montée au moyen d'une monture intermédiaire 6 sur un radiateur 5 consistant en Ag ou une matière semblable. Le radiateur 5 avec la puce de laser 4 est monté sur une plaque de base 12. La plaque de base 12 consiste de préférence en Fe. De plus, une puce de photodiode 7 pour le contrôle de la lumière laser qui est émise par la puce de laser 4, est montée sur la plaque de base 12. La puce de laser 4 est connectée à une broche 10 au moyen d'un fil d'Au 11. La photodiode de contrôle 7 est connectée à une broche 8 au moyen d'un fil d'Au 13. La référence 9 désigne une broche pour la connexion de masse. Le processus de fabrication du chapeau 40 est illustré sur les figures 2(a)-2(d). Sur ces figures, des références numériques identiques à celles des figures l(a)-l(c) désignent les éléments identiques ou correspondants. La référence 20 désigne une tranche de Si ayant une surface spéculaire que l'on utilise habituellement pour la fabrication de dispositifs à semiconducteurs. La référence 2a désigne une pellicule d'Au qui est formée sur la tranche 20. Initialement, comme représenté sur la figure 2(a), on dépose une pellicule d'Au 2a ayant une épaisseur de quelques micromètres sur une tranche de Si 20 ayant une épaisseur de 300 à 400 ,um. Ensuite, on définit un motif dans la pellicule d'Au 2a, pour former un ensemble de brasures annulaires en Au 2 (figure 2(b)). Un cristal eutectique Au-Si est formé à l'interface entre la brasure 2 et la tranche de Si 20. Ensuite, on coupe la tranche le long de la périphérie de chaque brasure 2, de préférence par attaque, pour produire une fenêtre 1 avec la brasure 2, comme représenté sur la figure 2(c). A l'étape de la figure 2(d), on place la fenêtre 1 dans le corps de chapeau 3 avec la brasure 2 en contact avec la périphérie de l'ouverture 3a du corps de chapeau 3. On chauffe ensuite le corps de chapeau 3 avec la fenêtre 1 pour faire fondre la brasure 2, grâce à quoi la fenêtre 1 est fixée au corps de chapeau 3. Enfin, on soude le corps de chapeau 3 sur la plaque de base 12, grâce à quoi les éléments qui se trouvent sur la plaque de base 12 sont enfermés hermétiquement. Dans le premier mode de réalisation de l'invention qui est décrit ci-dessus, la fenêtre 1 consiste en silicium. Du fait que le silicium a une bande d'énergie interdite d'environ 1,1 eV, il absorbe la lumière ayant une énergie supérieure à environ 1,1 eV, c'est-à-dire la lumière ayant une longueur d'onde inférieure à 1,1 pm, mais il n'absorbe pas la lumière ayant une énergie inférieure à environ 1,1 eV, c'est-à-dire la lumière ayant une longueur d'onde supérieure à environ 1,1 pm. De plus, le silicium absorbe partiellement la lumière ayant une longueur d'onde dans une plage de 0,9 à 1,1 pm, du fait que le coefficient d'absorption du silicium pour la lumière dans cette gamme de longueurs d'onde n'est pas suffisamment grand. Ainsi, le silicium ne transmet pas la lumière ayant une longueur d'onde inférieure à 0,9 pm, mais il transmet la lumière ayant une longueur d'onde supérieure à 0,9 pm. Par conséquent, dans un dispositif laser à semiconducteurs 50 comprenant la puce de laser 4 dont la longueur d'onde d'oscillation est supérieure à 0,9 pm, la fenêtre en Si 1 n'affecte pas défavorablement les performances du dispositif laser. Du fait que des dispositifs lasers ayant des longueurs d'onde d'oscilla tion de 1,2 zum, 1,3 um et 1,55 pm sont largement employés en télécommunication optique à l'heure actuelle, il est possible d'utiliser un chapeau ayant une fenêtre en Si dans un dispositif laser employé en télécommunication optique. En outre, du fait que la fenêtre 1 consiste en silicium, on peut la fixer au corps de chapeau 3 en utilisant la brasure en Au 2. Dans ce cas, un alliage eutectique est formé entre la brasure 2 et la fenêtre en Si 1, ce qui a pour effet d'améliorer la stabilité de la brasure 2 vis-à-vis d'influences externes, en particulier l'humidité. Ainsi, à la différence du verre contenant du plomb qui est utilisé dans l'art antérieur, la brasure en Au 2 ne fond pas sous l'effet de l'humidité et ne contamine pas la fenêtre 1. De ce fait, les performances du dispositif laser ne sont pas dégradées et l'herméticité du boîtier n'est pas réduite. En outre, du fait que la fenêtre en Si 1 ne transmet pas la lumière visible ayant une longueur d'onde inférieure à 0,9 um, on ne peut pas voir l'intérieur du dispositif terminé à travers la fenêtre 1. Par conséquent, l'aspect du dispositif laser n'est pas dégradé par la disposition irrégulière des éléments dans le boîtier, ce qui réduit notablement le caractère visuellement inférieur du dispositif laser. En outre, la fenêtre 1 est fabriquée en utilisant une tranche de silicium monocristallin, qui est peu coûteuse, et un appareil pour un processus de traitement de tranche classique, et par conséquent un ensemble de couches de fenêtre sont produites simultanément et le cout de la fenêtre est considérablement réduit. Comme décrit ci-dessus, conformément au premier mode de réalisation de la présente invention, on utilise du silicium pour un matériau de la fenêtre 1 du dispositif laser à semiconducteurs 50, et la fenêtre 1 est fixée au corps de chapeau 3 avec la brasure en Au 2 qui forme un alliage eutectique Au-Si avec Si. Par conséquent, la connexion entre la fenêtre 1 et le corps de chapeau 3 est améliorée, ce qui donne un dispositif laser à semiconducteurs ayant une fiabilité élevée. Bien qu'on utilise une brasure en Au dans le premier mode de réalisation décrit ci-dessus, on peut employer une brasure à base de Au-Si avec des effets identiques à ceux décrits ci-dessus. La figure 3 est une coupe illustrant une partie de fenêtre d'un chapeau d'un dispositif laser à semiconducteurs conforme à un second mode de réalisation de la présente invention. Sur la figure, des références numériques identiques à celles de la figure l(a) désignent les composants identiques ou correspondants. Dans ce second mode de réalisation de l'invention, des pellicules non réfléchissantes 200a et 200b sont disposées sur les surfaces avant et arrière de la fenetre 1. Les références 13a et 13b désignent des pellicules de SiO2 qui sont formées par oxydation thermique sur les surfaces avant et arrière de la fenêtre en Si 1. L'épaisseur de la pellicule de SiO2 équivaut à > /2nul, en désignant par Â la longueur d'onde du dispositif laser à semiconducteurs et par nl l'indice de réfraction du SiO2. Les références 14a, 14b, 16a et 16b désignent des pellicules d'Al203 qui sont produites par pulvérisation cathodique ou dépôt en phase vapeur. L'épaisseur de la pellicule d'Al2O3 équivaut à > /4n2, en désignant par n2 l'indice de réfraction d'Al2O3. Les références 15a et 15B désignent des pellicules de SiO2 qui sont formées par pulvérisation cathodique ou dépôt en phase vapeur. L'épaisseur de la pellicule de SiO2 équivaut à ; #/4n1. La pellicule non réfléchissante 200a comprenant la pellicule de SiO2 13a, la pellicule d'A1203 14a, la pellicule de SiO2 15a et la pellicule d'A1203 16a, est disposée sur la surface avant de la fenêtre 1, et la pellicule non réfléchissante 200b comprenant la pellicule de SiO2 13 b, la pellicule d'Al2O3 14b, la pellicule de SiO2 15b et la pellicule d'A1203 16b, est disposée sur la surface arrière de la couche de fenêtre 1. Les figures 4(a)-4(h) sont des coupes qui illustrent des étapes de processus dans un procédé de fabrication de la structure de fenêtre qui est représentée sur la figure 3. Dans les figures, des références numériques identiques à celles de la figure 3 désignent les éléments identiques ou correspondants. La référence 17 désigne une pellicule de matière de réserve. Initialement, comme représenté sur la figure 4(a), on dépose une pellicule d'Au 2a, de plusieurs micromètres d'épaisseur, sur un substrat en Si 20 de 300 à 400 pm d'épaisseur. Ensuite, on définit un motif dans la pellicule d'Au 2a, pour former un ensemble de brasures annulaires en Au 2 ayant chacune un diamètre intérieur de 3 à 4 mm (figure 4(b)). Un cristal eutectique Au-Si est formé à l'interface entre la brasure en Au 2 et le substrat en Si 20. Au cours de l'étape de la figure 4(c), on dépose une pellicule de matière de réserve 17 sur le substrat 20 et sur les brasures annulaires en Au 2, à l'exclusion des parties du substrat 20 qui sont entourées par les brasures annulaires en Au 2. En utilisant à titre de masque la pellicule de matière de réserve 17, et en procédant par oxydation thermique, on forme sélectivement une pellicule de SiO2 13a sur les parties du substrat en Si 20 dans lesquelles la pellicule de matière de réserve 17 est absente, et on forme une pellicule de SiO2 13b sur la surface arrière du substrat en Si 20 (figure 4(d)). A l'étape de la figure 4(e), on forme successi vement sur la pellicule de SiO2 13a, une pellicule d'Al2O3 14a, une pellicule de SiO2 15a et une pellicule d'A1203 16a, de préférence par pulvérisation cathodique ou dépôt en phase vapeur. Ensuite a comme représenté sur la figure 4(f), on enlève par une technique de décollement la pellicule de matière de réserve 17 et des parties inutiles des pellicules 14a, 15a et 16a sur la pellicule de matière de réserve 17. En outre, comme représenté sur la figure 4(g), on forme successivement une pellicule d'A1203 14b, une pellicule de SiO2 15b et une pellicule d'A1203 16b sur la pellicule de SiO2 13b sur la surface arrière du substrat 20, de préférence par pulvérisation cathodique ou dépôt en phase vapeur. Ensuite, on découpe la tranche le long de la périphérie de la brasure 2, de préférence par attaque, pour donner une structure de fenêtre 1 ayant des pellicules non réfléchissantes 200a et 200b respectivement sur les surfaces avant et arrière opposées (figure 4(h)). Enfin, on fixe la structure de fenêtre 1 sur le corps de chapeau 3 en utilisant la brasure 2, ce qui donne le chapeau 40 qui est représenté sur la figure 3. Les figures 5(a) et 5(b) sont des représentations destinées à l'explication du résultat d'une simulation de la réflectivité de la pellicule non réfléchissante comprenant les quatre pellicules décrites ci-dessus sur la fenêtre en Si. Dans la simulation, on suppose que l'epais- seur de la pellicule d'A1203 supérieure dans la pellicule non réfléchissante varie dans une plage de +100% autour de l'épaisseur prescrite de A /4n2. La figure 5(b) montre un modèle de la structure de fenêtre avec la pellicule non réfléchissante qui est employée dans la simulation. Sur la figure 5(b), la référence 30 désigne une fenêtre en Si. Une pellicule non réfléchissante disposée sur la fenêtre en Si 30 comprend une pellicule de SiO2 31 ayant une épaisseur D1 de > /2nl, une pellicule d'Al203 32 ayant une épaisseur D2 de 3/4n2, une pellicule de SiO2 33 ayant une épaisseur D3 de > /2nl, et une pellicule d'Al203 34 ayant une épaisseur D4 qui est variable dans une plage allant de 0 à Â /4n2. La référence 35 désigne la lumière incidente ayant une longueur d'onde > . La figure 5(a) est une représentation graphique illustrant la relation entre l'épaisseur D4 de la pellicule d'A1203 supérieure 34 et la réflectivité R à la surface de cette pellicule, dans laquelle l'abscisse montre la variation de l'épaisseur D4 de la pellicule d'A1203 34, en prenant pour 100% l'épaisseur de , /4n2, et l'ordonnée montre la variation de la résistivité R en fonction de la variation de l'épaisseur D4. Dans cette simulation, l'indice de réfraction nl de SiO2 est de 1,45, l'indice de réfraction n2 d'A1203 est de 1,63 et l'indice de réfraction de la fenêtre en Si est de 3,50. Comme représenté sur la figure 5(a), dans la pellicule non réfléchissante conforme à ce second mode de réalisation, lorsque l'épaisseur D4 de la pellicule d'A1203 supérieure 34 est égale à 0 ou h/2n2, la réflectivité R atteint la valeur maximale (22,04%). Lorsque l'épaisseur D4 est égale à > /4n2, la réflectivité R atteint la valeur minimale (0,04%). Ainsi, lorsque l'épaisseur D4 de la pellicule d'A1203 supérieure 34 est égale à ss /4n2, la réflectivité de la pellicule non réflé- chissante est de 0,04%, ce qui procure une pellicule non réfléchissante ayant une fonction appropriée. Du fait que les pellicules de SiO2 13a et 13b de la pellicule non réfléchissante sont produites en utilisant la réaction chimique dans laquelle la surface de la tranche de Si est convertie en SiO2 lorsqu'elle est chauffée, la formation de la pellicule non réfléchissante est simplifiée. Comme décrit ci-dessus, conformément au second mode de réalisation de la présente invention, on utilise du silicium pour le matériau de la fenêtre 1 du dispositif laser à semiconducteurs, et la pellicule non réfléchissante disposée sur la fenêtre en Si 1 comprend les pelli cules de SiO2 13a et 13b qui sont produites par oxydation thermique de la fenêtre en Si 1. Par conséquent, une réflexion indésirable de la lumière incidente sur la fenêtre e3t supprimée, et un dispositif laser à semiconducteurs ayant des performances élevées est fabriqué avec un processus relativement simple. En outre, la fenêtre 1 comportant la pellicule non réfléchissante est produite en utilisant une tranche de silicium monocristallin peu coûteuse, et un appareil utilisé pour un processus de traitement de tranche classique. Une fenêtre ayant des performances élevées est donc fabriquée avec un faible coût. Bien que dans le second mode de réalisation décrit ci-dessus, on utilise une pellicule non réfléchissante multicouche formée par des pellicules de SiO2 et des pellicules d'A1203 empilées en alternance, on peut employer une pellicule non réfléchissante monocouche ou multicouche constituée par d'autres matériaux diélectriques, avec des effets identiques à ceux décrits ci-dessus. Bien que dans les premier et second modes de réalisation décrits ci-dessus, la fenêtre en Si soit fixée sur le corps de chapeau consistant en un matériau autre que Si, en utilisant la brasure qui forme un alliage eutectique avec Si, il est possible d'appliquer la présente invention à une structure de chapeau dans laquelle on assemble une partie de fenêtre et un corps de chapeau consistant tous deux en silicium. Dans ce cas, on fixe le chapeau sur la plaque de base en utilisant une brasure qui forme un alliage eutectique avec Si, de façon à obtenir des effets identiques à ceux décrits ci-dessus. Bien que l'on décrive dans la présente un dispositif à semiconducteurs optique comprenant une puce de laser à semiconducteurs à titre d'élément semiconducteur optique, il est possible d'appliquer la présente invention à des dispositifs à semiconducteurs optiques comprenant une diode électroluminescente, une photodiode ou un élément sensible à la lumière et émetteur de lumière. I1 va de soi que de nombreuses autres modifications peuvent être apportées au dispositif et au procédé décrits et représentés, sans sortir du cadre de l'invention. ~EVENDICATIONS 1. Dispositif d semiconducteurs optique caracterisé en ce qu'il comprend : un élément semiconducteur émetteur de lumière (4); et un bottier (3, 12) pour enfermer hermétiquement l'élément semiconducteur, ayant une partie de fenêtre (1) qui transmet sélectivement la lumière émise par l'élément semiconducteur. 2. Dispositif à semiconducteurs optique selon la revendication 1, caractérise en ce qu'il comprend en outre des pellicules non réfléchissantes (200a, 200b) disposées sur des surfaces avant et arrière de la fenêtre (1) et consistant en une pellicule diélectrique monocouche ou multicouche. 3. Dispositif à semiconducteurs optique selon la revendication 2, caractérisé en ce que chacune des pellicules non réfléchissantes (200a, 200b) comprend une pellicule de SiO2 (13a ou 13B) produite par oxydation de la surface avant ou arrière de la fenêtre (1), et une pellicule diélectrique monocouche ou multicouche qui est formée sur la pellicule de SiO2 (13a ou 13b). 4. Dispositif à semiconducteurs optique selon la revendication 3, caractérisé en ce que chacune des pellicules non réfléchissantes (200a, 2OOb) comprend : une première pellicule de SiO2 (13a ou 13b) formée en oxydant la surface de la fenêtre (1) et ayant une épaisseur de A /2nl ( ,( : longueur d'onde de la lumière traversant la fenêtre, nl : indice de réfraction de SiO2); une première pellicule d'A1203 (14a ou 14b) disposée sur la première pellicule de SiO2 (13a ou 13b) et ayant une épaisseur de À/4n2 (n2 : indice de réfraction d'A1203); une seconde pellicule de SiO2 (15a ou 15b) disposée sur la première pellicule d'Al203 (14a ou 14b) et ayant une épaisseur de /4nul; et une seconde pellicule d'Al203 (16a ou 16b), disposée sur la seconde pellicule de SiO2 (15a ou 15b) et ayant une épaisseur de ) /4n2. 5 . Dispositif å semiconducteurs optique, caractérisé en ce qu'il comprend : un élement sélectionné parmi un élément semiconducteur sensible a la lumière, un élément semiconducteur émetteur de lumière et un élément semiconducteur sensible à la lumière et émetteur de lumière (4); un boîtier (3, 12) pour enfermer hermétiquement l'élément semiconducteur, comprenant un corps de boîtier et une partie de fenêtre (1) consistant en silicium qui transmet sélectivement la lumière incidente tombant sur l'élément semiconducteur ou émise par l'élément semiconducteur; et des pellicules non réfléchissantes (200a, 200b) disposées sur des surfaces avant et arrière opposées de la partie de fenêtre (1), comprenant chacune une pellicule de SiO2 produite par oxydation de la surface de la partie de fenêtre, et une pellicule diélectrique monocouche ou multicouche (14a, 14b; 16a, 16b) disposée sur la pellicule de SiO2.