FR 2718885 A1 19951020 FR 9404523 A 19940415 PROCEDE DE FABRICATION D'UN TFT ETAGE INVERSE La présente invention concerne un procédé de fabrication de transistors à effet de champ et en couches minces, étagé inverse, ainsi qu'un transistor obtenu par ce procédé. La présente invention concerne aussi un écran à cristaux liquides à matrice active comportant de tels transistors. Les transistors en couches minces sont bien adaptés au commande des électrodes des pixels d'un écran à cristaux liquides. Ces derniers sont composés de lignes (lignes de sélection) et colonnes (lignes de données) aux intersections desquelles sont situées les électrodes de pixel connectées au travers des transistors à ces lignes. Les grilles de ces transistors forment les lignes de sélection et sont commandées par les circuits de commande périphériques qui balayent les lignes et rendent passants les transistors de chaque ligne en permettant, par les lignes de données connectées aux autres circuits de commande périphériques, de polariser les électrodes et modifier les propriétés optiques du cristal liquide compris entre ces électrodes et la contre-électrode (ou électrode de référence). Les transistors sont de préférence à effet de champ à base de silicium amorphe et réalisés à partir d'un empilement de couches minces. Ils peuvent être dits étagés inverses dans la mesure où leurs grilles sont situées sous l'isolant de grille et sous le niveau semi-conducteur. Les procédés de fabrication de tels transistors peuvent être divisés en deux grandes catégories, les procédés avec "etch-stopper" (équivalent en langue française à "bloqueur de gravure") et les procédés avec gravure non sélective du silicium amorphe dopé n +. Les premiers types de procédés consistent, après avoir traiter le substrat (transparent ou non) et disposer la grille, I'isolant de grille, la couche semi-conductrice et une seconde couche isolante, à déposer sur cette dernière le semi-conducteur dopé n + et à le graver avec une étape de photolithographie spécifique au design des contacts avec les drain et source du transistor. En effet, cette couche dopée n+ permet d'obtenir un bon contact entre le métal et le semi-conducteur intrinsèque et de bloquer la conduction par trous, donc d'assurer un courant dans l'état non-passant des transistors le plus faible possible. La couche d'isolant jusqu'à laquelle est gravée le niveau dopé n+ permet de déterminer la fin de la gravure de ce niveau, d'où son nom "etch-stopper". Ces types de procédés permettent de déposer une couche mince de semiconducteur (typiquement de 500 A), d'améliorer les performances des transistors, d'obtenir une faible dispersion des caractéristiques des transistors et d'augmenter le rendement de l'étape de gravure du niveau dopé n+, ils sont cependant plus coûteux que les seconds types de procédé. Cette seconde catégorie de procédés de fabrication de transistors étagés inverses en couches minces consiste à déposer le niveau dopé n+ à la suite du niveau semi-conducteur intrinsèque en utilisant la même machine de dépôt sans ainsi casser le vide entre les deux dépôts. Lorsque les drains et sources ont été réalisés, ils sont utilisés comme masque pour la gravure du niveau n +. Les contacts sources et drains ne sont plus isolés que par le semi-conducteur intrinsèque. Le processus chimique qui permet la gravure du niveau semi-conducteur intrinsèque est le même que celui qui permet la gravure du niveau semi-conducteur dopé n+. Les couleurs des couches et les vitesses de gravure identiques, rendent très difficile la détermination de la fin de la gravure de n+. Le contrôle de l'épaisseur semi-conductrice dopée gravée étant très difficile à réaliser, les transistors fabriqués par ce procédé sont donc moins reproductibles d'une plaque à l'autre et moins uniforme sur une même plaque. II est nécessaire qu'ils aient une plus grande épaisseur de silicium amorphe (typiquement 1500 à 2000 A), donc un plus grand courant de fuite quand le transistor est dans l'état non passant, et éventuellement des problèmes de résistances de contact. Ils sont, pour cette raison, plus sensibles aux variations de température. Un de ces procédés est décrit dans le brevet français N02 585 863 de General Electric Company. La présente invention permet de s'affranchir de tels inconvénients et propose un procédé de fabrication d'un transistor étagé inverse en couches minces, à effet de champ, de très bonne qualité, comportant des étapes simples à mettre en oeuvre et permettant de réaliser des couches semi-conductrices intrinsèques et semi-conductrices dopées de très faible épaisseur. En effet, la présente invention concerne un procédé de fabrication de transistors en couches minces à effet de champ étagés inverse, comportant une couche intermédiaire semi-conductrice dopée n+ entre la couche semiconductrice intrinsèque et la couche métallique des sources et drains et caractérisé en ce qu'il comporte une étape d'oxydation de ladite couche semi-conductrice dopée n+ entre la source et le drain. La présente invention concerne aussi un procédé de fabrication de tels transistors consistant, avant cette étape d'oxydation, en les étapes suivantes: . dépôt et gravure du métal de grille, . dépôt de la tricouche isolant de grille, silicium amorphe et silicium dopé, dépôt de résine et insolation face-avant de celle-ci, gravure de la tricouche isolant I silicium amorphe / silicium dopé, dépôt et gravure des source et drains. La présente invention concerne aussi un procédé de fabrication de tels transistors consistant, avant cette étape d'oxydation, en les étapes suivantes: . dépôt et gravure du métal de grille en lignes parallèles, . dépôt de la tricouche isolant de grille, silicium amorphe et silicium dopé, dépôt de résine positive et insolation de celle-ci au travers du substrat en utilisant la grille comme masque, . développement de la résine positive et gravure de la bicouche silicium amorphe et silicium amorphe dopé, . dépôt et gravure de l'électrode de pixel et des colonnes formant les source et drain. Une autre caractéristique importante de l'invention est que, durant cette étape d'oxydation, la totalité de l'épaisseur de la couche semi-conductrice dopée est oxydée. De préférence, la couche dopée n+ doit avoir une épaisseur de quelques dizaines d'A, et la couche de semiconducteur intrinsèque peut avoir une épaisseur inférieure à 500 A. La présente invention concerne aussi un transistor réalisé selon ces procédés de fabrication et un écran à matrice active commandée par des circuits périphériques intégrés ("drivers intégrés") ou non, dont les dispositifs de commutation sont des transistors réalisés selon le procédé de l'invention. La présente invention concerne aussi un perfectionnement à la présente invention consistant en un design particulier d'un écran réalisé selon la présente invention. Cet écran à cristaux liquide comporte une matrice active constituée d'électrodes de pixels commandées par des transistors en couches minces dont la partie sources et drains est constituée par les colonnes et les électrodes de pixels et les lignes de sélection par les lignes, et il est caractérisé en ce qu'un segment connecté par une de ses extrémités à la ligne vient recouvrir à la fois la colonne et l'électrode de pixel afin de réaliser l'electrode de grille du transistor de façon à ce que le transistor parasite soit situé entre deux colonnes adjacentes et non entre une colonne adjacente et électrode de pixel. Ainsi, la gravure du niveau de grille est faite de manière à ce que le segment de métal de grille réalisant le transistor, dont la source et le drain sont respectivement la colonne et le pixel, à un endroit différent de la ligne de sélection. Cela permet d'éliminer le transistor parasite entre l'électrode de pixel et la colonne adjacente. La présente invention sera mieux comprise et des avantages supplémentaires apparaitront à la lecture de la description qui va suivre illustrée par les figures suivantes: la figure 1 représente la vue en coupe d'un transistor étagé inverse réalisé selon un procédé de l'invention, la figure 2 représente une vue planaire d'un motif d'une matrice active réalisée selon un second mode de réalisation de l'invention, et la figure 3 représente un perfectionnement de ce même motif. Sur la figure 1 est représentée une vue en coupe d'un exemple de réalisation d'un transistor fabriqué selon le procédé de l'invention, appliquée à la commande d'une électrode de pixel d'un écran à cristaux liquides. Sur cette figure est représenté un transistor à effet de champ 1 utilisé pour la commande de l'électrode de pixel 2. Ce transistor 1 et cette électrode 2 peuvent être disposés sur une couche isolante 3 constituée par exemple d'un matériau tel que le dioxyde de silicium (Si02), déposée sur le substrat 4 du dispositif de visualisation constitué d'un matériau tel que le verre ou déposé directement sur le substrat 4. En regard de cette plaque substrat 4, la contre-plaque 5, pouvant être elle aussi en verre, sur laquelle est disposée sur sa face intérieure une fine couche 6 d'un matériau tel que l'oxyde d'étain et d'indium constituant la contre-électrode, vient emprisonner le cristal liquide 7. Dans le cas d'écrans transmissifs, la plaque substrat 4, l'électrode 2, la couche isolante 3, la contre-plaque 5 et la contreélectrode 6 sont constituées d'un matériau transparent. La grille 8 du transistor 1 reliée électriquement à une ligne de sélection conductrice de l'écran est déposée entre les électrodes 2, cette électrode de grille est de préférence en titane. Une couche isolante 9, constituée par exemple par un matériau comme le nitrure de silicium vient recouvrir cette électrode de grilles 8. Au-dessus de cette couche isolante 9, est déposé le niveau semi-conducteur intrinsèque 10, cette couche active étant de préférence réalisée en silicium amorphe mais peut aussi être réalisée en silicium polycristallin. Afin de former un bon contact entre le silicium amorphe et les source 12 et drain 13 (de préférence en molybdène) et faciliter et améliorer la liaision électrique avec le silicium amorphe, une couche semiconductrice dopée 11, de préférence un matériau identique dopé n+ à celui utilisé pour la couche active semiconductrice 10, de silicium amorphe dopée n + 1 1 est déposée sur la couche active 10. Une couche métallique (typiquement du molybdène) définissant les contacts source 12 et drain 13 est déposée et gravée. Une caractéristique principale de l'invention consiste à remplacer l'étape de gravure de la couche dopée n + 1 1 entre la source et le drain des solutions connues et décrites plus haut, par une étape d'oxydation. Une couche de silice isolante 27 croît ainsi à partir de la couche déposée n+. Les contacts source 12 et drain 13 métalliques (transparents ou opaques) empêchent l'oxydation de la couche n+ 1 1 située entre eux et le silicium intrinsèque 10. II est préférable que l'oxygène diffuse au moins dans toute l'épaisseur de la couche n + 11 de façon à constituer une silice suffisamment peu conductrice. Pour cela, il faut déposer soit une couche ultra-mince de silicium amorphe dopée n+ (quelques dizaines d'A), soit faire simplement un flash de n+ consistant en une couche non continue déposée pendant un temps très bref (quelques dizaines de secondes), soit faire un flash de Phosphine (PH3) de façon à préparer l'interface avec le contact métallique sans pour autant avoir une couche dopée n+ trop épaisse donc difficile à oxyder en profondeur. Cependant la présente invention peut être réalisée quelque soit l'épaisseur de la couche dopée n+. Cette couche dopée n+ peut être oxydée soit en chauffant suffisamment la plaque substrat traitée dans une atmosphère d'oxygène ou de protoxyde d'azote (N20) soit en chauffant la plaque et en la plaçant dans un plasma d'oxygène ou de protoxyde d'azote, ou par un autre procédé d'oxydation connu du silicium avec ou sans chauffage. Cette étape d'oxydation de la couche dopée n + présente l'avantage d'utiliser une très faible épaisseur de silicium intrinsèque (moins de 500 A au lieu de 1500 à 2000 A) et donc d'obtenir des transistors dont le courant de fuite dans l'état non passant sera peu sensible aux élévations de température et beaucoup moins sensible au problème de photoconductivité que ne le sont des transistors réalisés selon le second procédé connu décrit. Ils ont également l'avantage d'être réalisés par un procédé moins onéreux que le premier procédé connu décrit. Un autre avantage de la présente invention est que cette caractéristique permet de s'affranchir du caractère aléatoire de la détection de fin de gravure de la couche dopée n+ des solutions connues. D'autre part, elle permet d'obtenir une interface arrière siliciumlsilice de bonne qualité qui ne perturbera pas les caractéristiques du transistor à effet de champ. Enfin, le processus d'oxydation est beaucoup plus uniforme sur l'ensemble de la plaque substrat traitée. Après cette étape d'oxydation, vient le dépôt d'une couche de passivation 14 réalisée par exemple en nitrure de silicium. Dans le cas d'un procédé de fabrication de transistors étagés inverses à trois étapes de photolithographie, les étapes du procédé de fabrication peuvent être les suivantes: la première étape consiste à déposer et à graver le métal de grille (première étape de photolithographie), la seconde, à déposer la tricouche isolant de grille, silicium amorphe et silicium amorphe dopé, puis à graver les couches silicium intrinsèque et silicium dopé. Cette étape consiste à déposer une résine positive sur la tricouche, I'insoler en face arrière au travers du substrat en utilisant comme masque les motifs définis au niveau grille, développer la résine positive, graver la bicouche, puis éliminer le restant de résine (seconde étape de photolithographie), la troisième à déposer et graver l'électrode de pixel-drain et colonne-source en ITO (ou tout autre type de conducteur transparent) (troisième étape de photolithographie), et la quatrième à oxyder selon l'invention le silicium amorphe dopé n+ de la même manière que décrit plus haut afin d'isoler les contacts de source et de drain. En effet, la technologie utilisant la gravure pour isoler les contacts de source et de drain ne peut être appliquée dans ce cas. Pour éviter que le silicium intrinsèque ne soit totalement gravé, il faut en déposer une épaisseur importante. Or, I'insolation n'est pas possible au travers d'un silicium intrinsèque trop épais. La quatrième étape autorise l'utilisation de faibles épaisseurs de silicium (typiquement inférieures à 500 A) et donc quasiment transparent à la longeur d'onde d'insolation de la résine. D'autre part, avec une surgravure astucieuse de la résine, on peut reproduire une technologie de masque noir. Cependant, comme cela est représenté sur la figure 2, I'utilisation de cette technologie à 3 étapes de photolithographie pose le problème de la présence de transistors parasites. En effet, la ligne 18 horizontale constitue les grilles des transistors de commande des pixels de la ligne de l'écran représenté sur cette figure, la colonne 22 et le doigt 16 de l'électrode de pixel 17 constituant les source et drain de ce transistor. On constate qu'il existe un transistor parasite 15 qui a pour grille la ligne 18 et pour source et drain le doigt 16 de l'électrode de pixel 17 et la colonne adjacente 19, la ligne étant une superposition de couches métal I isolant de grille I silicium amorphe intrinsèque. Un perfectionnement de la présente invention consiste à utiliser une structure judicieuse de transistor de commande de pixel permettant d'éliminer dans ce procédé de réalisation de transistors étagés inverses, ces transistors parasites. Un exemple de réalisation de ce type de transistor de commande de pixel est représenté sur la figure 3. Lors de la première étape du procédé décrit ci-dessus, chaque ligne 20 est gravée de manière à ce qu'un segment 25 - de préférence en forme de "L" majuscule - solidaire par une de ses extrémités de la ligne 20, vienne, parallèlement à celle-ci, jusque dans la zone où sera déposée et gravée l'électrode de pixel en passant sous la zone où sera déposée et gravée dans la même étape du procédé que le pixel (ou au cours d'une étape différente) la colonne 22. Le niveau de grille est situé entre la plaquesubstrat éventuellement munie d'une grille noire ("Black Matrix"), et le ou les niveaux conducteurs colonne et électrode de pixel. Ainsi est créé un transistor 26 étagé inverse, le segment 25 constituant la grille, la colonne 22 et l'électrode 21 constituant les source et drain. Le transistor parasite 24 relie deux colonnes adjacentes (colonnes qui transportent des informations qui ne sont pas destineés au pixel) et le pixel 21 est isolé de la colonne adjacente de la figure 2. Le problème du transistor de la figure 2 est éliminé. Par ailleurs, cette structure de transistor de commande de pixel proposé ici, est aussi applicable à la réalisation d'un transistor de commande étagé direct, c'est à dire à grille dessus". Dans ce cas, la grille constituée par le segment connecté par une de ses extrémités à une ligne, est déposée après les source et drain (colonne et électrode de pixel) qui peuvent être réalisés ensemble dans un même matérieu ou indépendamment dans des matériaux différents) et le niveau semiconducteur. Un exemple de ce type de technologie dite "grille dessus" qui peut ne nécessiter que deux ou trois niveaux de masquage est décrite dans le brevet EP 0 103 523 du CNET. La présente invention s'applique à tous les types de transistors en couches minces à effet de champ étagés inverses, comme par exemple ceux utilisés dans les barrettes de photo-diode, et particulièrement à ceux utilisés pour la réalisation de matrice active d'écrans à cristaux liquides commandés par des circuits électroniques périphériques externes et/ou intégrés (drivers intégrés) sur la plaque substrat de la matrice active. REVENDICATIONS 1. Procédé de fabrication sur un substrat de transistors en couches minces à effet de champ étagé inverse (1), comportant une couche intermédiaire semi-conductrice dopée (11) entre la couche semiconductrice (10) et la partie source (12) et drain (13), caractérisé en ce qu'il comporte une étape d'oxydation de ladite couche semi-conductrice dopée (11) entre les contacts source (12) et drain (13) du transistor (1). 2. Procédé selon la revendication 1, caractérisé en ce qu'il comporte avant cette étape d'oxydation les étapes suivantes: . dépôt et gravure du métal de grille (8;20), . dépôt de la tricouche isolant de grille (9), silicium amorphe (10) et silicium dopé (11), . dépôt de résine et insolation face-avant de celle-ci, . gravure de la tricouche isolant / silicium amorphe / silicium dopé (9,10,11?, . dépt et gravure des source (12) et drains (13). 3. Procédé selon la revendication 1, caractérisé en ce qu'il comporte avant cette étape d'oxydation, les étapes suivantes: . dépôt et gravure du métal de grille (8,20), . dépôt de la tricouche isolant de grille (9), silicium amorphe (10) et silicium dopé (11), . dépt de résine positive et insolation face-arriere de celle-ci au travers du substrat transparent en utilisant la grille comme masque, . développement de la résine positive et gravure de la bicouche silicium amorphe et silicium amorphe dopé, . dépt et gravure des source (22,23) et drain (21). 4. Procédé selon l'une quelconque des revendications précédentes, caractérisé en ce qu'au moins la totalité de l'épaisseur de la couche semi-conductrice dopée (11? est oxydée. 5. Procédé selon l'une quelconque des revendications précédentes, caractérise en ce que la couche de semi-conducteur (10) a une épaisseur inférieure à 500 A. 6. Procédé selon l'une quelconque des revendications précédentes, caractérisé en ce que le dépôt de la couche semiconductrice dopée (11) est réalisée en déposant une couche non continue pendant quelques dizaines de secondes. 7. Procédé selon l'une quelconque des revendications 1 à 4, caractérisé en ce que le dépôt de la couche semiconductrice dopée (11) est réalisée par un flash de Phosphine. 8. Procédé selon l'une quelconque des revendications précédentes, caractérisé en ce que l'étape d'oxydation s'effectue en chauffant la plaque substrat (4) traitée, dans une atmosphère d'oxygène ou de protoxyde d'azote. 9. Procédé selon l'une quelconque des revendications 1 à 7, caractérisé en ce que l'étape d'oxydation s'effectue en plaçant la plaque substrat (4) traitée, dans un plasma d'oxygène ou d'oxyde de nitrure avec ou sans chauffage de la plaque. 10. Procédé selon l'une quelconque des revendications précédentes, caractérisé en ce que la couche semi-conductrice (10) est réalisée en silicium amorphe. 11. Procédé selon l'une quelconque des revendications 1 à 8 caractérisé en ce que la couche semi-conductive (10) est réalisée en silicium polycristallin. 12. Procédé selon l'une quelconque des revendications 10 et 11, caractérisé en ce que la couche semi-conductive dopée (11) est dopée n+ et constituée par le même matériau semiconducteur que le niveau semiconducteur actif (10) du transistors (1). 13. Transistor en couches minces étagé direct à effet de champ, caractérisé en ce qu'il est réalisé selon l'une quelconque des revendications précédentes. 14. Ecran à cristaux liquides comportant une matrice active formée d'électrodes de pixels - drains (17,21), de colonnes d'adressages - sources (19,22,23) et de lignes de sélections - grilles (18,20), caractérisé en ce que les dispositifs de commutation de cette matrice active sont des transistors réalisés selon l'une quelconque des revendications 1 à 12. 15. Ecran à cristaux liquides comportant une matrice active et des circuits électroniques périphériques de commandes intégrées sur la même plaque substrat, caractérisés en ce que les dispositifs de commutation de la matrice active et/ou des circuits périphériques de commande sont constitués de transistors réalisés selon la revendication 13.