FR 2718154 A1 19951006 FR 9403962 A 19940405 PROCEDE DE DEPOT DE DIELECTRIQUE ET/OU DE METAL SUR UN SUBSTRAT La présente invention concerne un procédé de dépot de diélectrique etlou de métal sur un substrat. L'invention sera plus particulièrement décrite dans le cadre d'un procédé de fabrication de condensateur de type empilé ou bobiné. Cependant l'invention concerne également d'autres types de condensateurs, tels que les condensateurs multicouches, ou encore d'autres types de composants ou de structures. Dans le cadre d'un procédé de fabrication de type empilé ou bobiné, I'invention représente un perfectionnement de l'invention décrite dans la demande de brevet déposée en France, au nom de la Demanderesse, le 3 décembre 1993, sous le numéro d'enregistrement national 93 14520 et concernant le dépôt sur un substrat donné de couches diélectriques etlou métalliques. II s'en suit que la présente invention conceme, entre autres choses, un procédé de fabrication de condensateur de type empilé ou bobiné constitué d'une alternance de couches diélectriques et de couches métalliques. Les couches diélectriques et métalliques sont déposées simultanément, les premières par polymérisation d'éléments issus de la dissociation par plasma différé d'azote d'un gaz organo-silicé ou organogermané et les secondes par dépôt de polymère conducteur issu de la dissociation par plasma différé d'azote d'hydrogène sulfureux ou de dichlorure de soufre. Les figures 1, 2 et 3 décrivent un tel procédé de fabrication. La figure 1 est un schéma de principe du dispositif mettant en oeuvre l'invention de la demande de brevet déposée en France, au nom de la Demanderesse, le 3 décembre 1993, sous le numéro d'enregistrement national 93 14520. Un substrat diélectrique 1 est déposé sur un tambour 2 qui tourne à la vitesse angulaire Q. Ce substrat, dont la fonction est de servir de support, peut être réalisé en tout matériau dont les caractéristiques électriques ne perturbent pas les caractéristiques électriques des composants issus du procédé. Selon le mode de réalisation préférentiel, une même portion du matériau diélectrique 1 se trouve successivement en regard d'un premier dispositif de masquage DM1, d'une première cavité CI où s'effectue le premier dépôt de diélectrique, d'un deuxième dispositif de masquage DM2, d'une première cavité C2 où s'effectue le premier dépôt de polymère conducteur, d'un troisième dispositif de masquage DM3, d'une deuxième cavité C1 où s'effectue le deuxième dépôt de diélectrique, d'un quatrième dispositif de masquage DM4, et d'une deuxième cavité C2 où s'effectue le deuxième dépôt de polymère conducteur. Le tambour 2, les cavités CI et C2, de meme que les dispositifs de masquages sont situés à l'intérieur d'un même réacteur 6. Les dispositifs de masquage DM1, DM2, DM3 et DM4 seront décrits ultérieurement en figure 3. Les couches diélectriques déposées dans les cavités C1 sont obtenues par polymérisation d'éléments issus de la dissociation par plasma différé d'azote d'un gaz précurseur du dépôt tel qu'un gaz organo-silicé ou organo-germané. Le plasma différé utilisé est un plasma froid différé en écoulement. Comme cela est connu de l'homme de l'art, un plasma froid différé en écoulement est obtenu sous une pression de quelques hPa, par extraction et détente dans un réacteur, en dehors du champ électrique, des espèces actives formées dans un plasma en décharge. Dans le cas présent, une source 3 d'alimentation d'azote est envoyée dans une cavité microonde 4, par l'intermédiaire d'un tube 19. La pression de l'azote à l'intérieur du tube 19 est comprise entre 1 et 20 hPa. Sous l'effet de l'onde générée par le générateur micro-onde 5, une décharge est entretenue dans la cavité 4. La fréquence de l'onde issue du générateur micro-onde 5 est, par exemple, égale à 2450 Mhz, à 433 Mhz, ou à 915 MHz. L'azote, excité en sortie de la cavité micro-onde 4, est amené par l'intermédiaire de tubes 9 à l'intérieur des cavités C1 où doivent s'effectuer les dépôts de diélectrique. Le pourcentage d'azote dissocié est alors préférentiellement compris entre 0,5 et 3 pour cent. Le gaz organo-silicé ou organo-germané issu de la source 10 est introduit dans chaque cavité CI par l'intermédiaire d'un dispositif 8 dont le schéma sera détaillé en figure 2. L'extrémité évasée 7 du dispositif 8 permet au gaz de se répartir au-dessus de la surface sur laquelle le dépôt de diélectrique doit s'effectuer. L'azote excité se trouve donc mélangé au gaz précurseur du dépôt dans la zone située entre l'extrémité évasée 7 du dispositif 8 et la surface où la polymérisation s'effectue. Le plasma froid différé en écoulement est alors obtenu par extraction des espèces excitées de la décharge (électrons, ions, atomes excités). L'écoulement est réalisé à l'aide d'une pompe à vide 14. Pour des raisons de commodité la pompe à vide 14 a été représentée symboliquement sur la figure 1. De façon préférentielle elle est disposée selon une génératrice du tambour 2 et se divise de part et d'autre de l'extrémité évasée 7. Comme cela a été mentionné précédemment, le gaz précurseur du dépôt peut être un composé organo-germané. Ce peut aussi être un composé organo-silicé choisi parmi les alkoxysilanes, les siloxanes ou les silazanes. Selon le mode de réalisation préférentiel de l'invention, il s'agit de tetramethyldisiloxane. L'utilisation d'un plasma différé est un avantage. En effet, en opposition avec les plasmas de décharge, les plasmas différés sont des milieux actifs dépourvus d'électrons et exempts des radiations énergétiques provenant de la décharge. L'absence de champ électrique qui en découle favorise le dépot des éléments lourds sur les couches métalliques et améliore la vitesse de dépôt. Selon le mode de réalisation préférentiel, les dispositifs 8 d'injection du composé gazeux organo-silicé sont reliés à une même source d'oxygène 11. L'introduction d'oxygène dans les cavités C1 en même temps que le composé organo-silicé accélère avantageusement la vitesse de formation de la couche de diélectrique sur la couche métallique. La teneur en oxygène est de l'ordre de quelques pour cent du mélange gazeux présent dans les cavités C1. Un autre agent dopant 12 peut être introduit dans le réacteur par les dispositifs 8 d'injection. II peut s'agir, par exemple, d'un gaz de la famille des tétrakysdialkylamidotitanium IV. Ce deuxième agent dopant permet alors d'accroître l'action du premier agent dopant. Un avantage de ce procédé est le dépôt d'une couche de diélectrique possédant d'excellentes qualités d'adhérence et d'homogénéité et dont l'épaisseur obtenue peut varier, selon les besoins, de 0,05 micron à quelques microns. Les composés organo-silicés introduits dans le réacteur peuvent être: un alkoxysilane de formule avec n inférieur ou égal à 5 un siloxane de formule avec n inférieur ou égal à 4 un silazane de formule avec n inférieur à 4 La constante diélectrique relative des dépôts obtenus est alors supérieure ou égale à 30. La source d'oxygène 11 ou l'élément dopant du gaz précurseur 12 peuvent contenir de l'oxyde de titane, par exemple de l'isopropylate de titane (IV), afin d'augmenter encore la valeur de la constante diélectrique relative du dépôt. A priori, il est connu de l'homme de l'art que les diélectriques ayant des constantes diélectriques relatives élevées présentent souvent des pertes élevées, ainsi qu'une mauvaise tenue en température. Dans le cas présent, il a été constaté que le dépôt diélectrique ne présentait pas ces inconvénients. La tenue en température se trouve améliorée, la température maximale d'utilisation pouvant atteindre de l'ordre de 300 c. Les tensions de claquage des diélectriques se trouvent, elles aussi, fortement améliorées pouvant atteindre, par exemple, 2 000 Volts par micro. De façon générale, le procédé conceme différents gaz précurseurs du dépôt (composé organo-germané, alkosysilane, siloxane, silazane). Ainsi, le procédé permet-il avantageusement la polymérisation de différents diélectriques sur les couches conductrices. A titre d'exemple, lorsqu'on introduit dans les cavités C1 un silazane, on obtient une couche diélectrique formée des composés suivants - Si - NH - Si -Si-O -Si -Si-C -Si Lorsqu'on introduit un siloxane, on obtient une couche diélectrique formée des composés suivants: polymère (Si - O - Si) réticulé - Si - (CH3) 1 -Si-OH -Si -NH -Si pour une très faible teneur en oxygène. ou bien: polymère (Si - O - Si) réticulé - Si - (CH3)2 - Si - (CH3)2 -Si-OH - SI - NH -Si pour une teneur en oxygène plus élevée. Selon le mode de réalisation préférentiel, le gaz dopant est de l'oxygène. Selon d'autres modes de réalisation, il peut s'agir, plus généralement, d'un composé gazeux contenant de l'oxygène. Comme cela a été mentionné précédemment, une même portion de matériau est soumise à un dépôt de polymère conducteur après avoir été soumise à un dépôt de diélectrique. Ce dépôt de polymère conducteur s'effectue dans les cavités C2. Les couches de polymères conducteurs sont déposées par polymérisation d'éléments issus de la dissociation par plasma différé d'azote d'un gaz précurseur du dépôt tel que l'hydrogène sulfureux ou le dichlorure de soufre. Par recombinaison radicalaire du radical SN, les polymères conducteurs sont des polynitrures de soufre de formule chimique S4N4 ou (SN)x, x étant un nombre entier supérieur à 4. Le plasma différé est un plasma froid différé en écoulement, à l'image de celui réalisé pour le dépôt du diélectrique. Une source 15 d'alimentation d'azote est envoyée dans une cavité 16 par l'intermédiaire d'un tube 20. La pression de l'azote à l'intérieur du tube 20 est comprise entre 1 et 20 hPa. Sous l'effet de l'onde générée par le générateur micro-onde 17, une décharge est entretenue dans la cavité 16. La fréquence de l'onde issue du générateur micro-onde 17 est, par exemple, égale à 2450 MHz, à 433 MHz, ou à 915 MHz. L'azote, excité en sortie de la cavité micro-onde 16, est amené par l'intermédiaire de tubes 28 à l'intérieur des cavités C2 où doivent s'effectuer les dépôts de polymères conducteurs. Préférentiellement, la quantité de soufre est légèrement en excès par rapport à la quantité d'azote de façon que le polymère conducteur présente de meilleures performances de conductivité. L'hydrogène sulfureux ou le dichlorure de soufre issu de la source 13 est introduit dans chaque cavité C2 par l'intermédiaire d'un dispositif 8 dont le schéma sera détaillé en figure 2. L'extrémité évasée 7 du dispositif 8 permet au gaz de se répartir au-dessus de la surface où le dépôt de polymère conducteur doit s'effectuer. L'azote excité se trouve donc mélangé au gaz précurseur du dépôt dans la zone située entre l'extrémité évasée 7 du dispositif 8 et la surface où doit s'effectuer la polymérisation. Le plasma froid différé en écoulement est alors obtenu par extraction des espèces excitées de la décharge (électrons, ions, atomes excités). L'écoulement est réalisé à l'aide d'une pompe à vide 14. Comme cela a été mentionné précédemment les polymères conducteurs sont des polynitrures de soufre de formule chimique S4N4 ou (SN)x, x étant un nombre entier supérieur à 4. Avantageusement, le procédé permet de réaliser des couches de polymère conducteur ayant des épaisseurs faibles. Celles-ci peuvent, en effet, être de l'ordre de 0,05 pm. Selon le mode de réalisation décrit en figure 1, à chaque révolution du tambour 2, sont déposées deux couches de diélectriques et deux couches de polymères conducteurs. De façon plus générale, le procédé concerne aussi les modes de réalisation où sont déposées plus de deux couches de diélectriques et plus de deux couches de polymères conducteurs. Les couches de diélectriques, de même que les couches de polymères conducteurs, peuvent alors être de nature différente. II suffit pour cela de multiplier les cavités de dépôt du type de C1 et C2, selon les dépôts souhaités. La figure 2 est une vue de détail du schéma de principe de la figure 1. Cette vue représente le dispositif d'injection 8. Un ensemble de tubes d'injection 22 est contenu dans une gaine 21, laquelle comprend une partie évasée 7 à son extrémité. Chaque tube d'injection 22 débouche sur un orifice 23 de la partie évasée de la gaine. Comme cela a été mentionné précédemment, les dispositifs d'injection 8 sont utilisés aussi bien pour le dépôt de diélectriques que pour le dépôt de polymères conducteurs. Ainsi, les tubes d'injection 22 qui sont reliés aux sources 10, il, 12 véhiculent-ils les gaz nécessaires au dépôt des couches diélectriques. De même, les tubes d'injection 22 qui sont reliés à la source 13 véhiculentils le gaz nécessaire au dépôt des couches de polymères conducteurs. La figure 3 est une vue en coupe d'un dispositif de masquage utilisé selon l'invention de la demande de brevet déposée en France, au nom de la demanderesse, le 3 décembre 1993, sous le numéro d'enregistrement national 93 14 520. Une enceinte 25 contient de l'huile en phase liquide 24. Des éléments chauffants (non représentés sur la figure) permettent à l'huile de s'évaporer partiellement. L'huile en phase vapeur remplit les encoches 27 du rouleau d'impression 26 solidaire de l'enceinte 25. La largeur des encoches 27 définit la largeur des zones de masquage. La distance entre deux encoches voisines définit la distance entre les axes de deux zones de masquage voisines. Le rouleau d'impression est fixe. Le dépôt d'huile s'effectue sur le substrat qui tourne à la vitesse angulaire Q du tambour 2. Ce dépôt est dû à la condensation de l'huile sur le substrat dont la température est plus basse que la température de l'huile. Afin d'assurer des conditions optimales au dépôt d'huile sur le substrat, la distance séparant le rouleau d'impression 26 du substrat est maintenue quasiment constante, par exemple de l'ordre de quelques microns, lors de l'ensemble du procédé. La quantité d'huile transférée est contrôlée en ajustant la puissance de chauffe des éléments chauffants. De façon générale, tous les types de motifs sont envisageables pour réaliser les encoches qui définissent un même masque. Préférentiellement, les encoches 27 qui définissent un même masque sont alignées sur une même génératrice du rouleau d'impression 26. Il est alors possible de définir les motifs de masquage de différents masques sur le même rouleau d'impression. Les motifs de masquage à mettre en regard du substrat sont alors choisis par simple rotation du rouleau d'impression. De même, les encoches 27 qui définissent un même masque peuvent être ajustées de façon qu'une structure réalisée selon le procédé de l'invention soit constituée d'une succession de structures élémentaires alternativement capacitives et résistives. Avantageusement, la découpe ultérieure d'une telle structure peut alors conduire à fabriquer des composants constitués d'une résistance et d'une capacité en série. Les connexions de tels composants sont réalisées de la même manière que celle décrite ci-dessus pour les capacités ou les résistances. Avantageusement, le rouleau d'impression 26 peut aussi servir de support à différents éléments coupants de façon à permettre la découpe de la structure capacitive etlou de la structure résistive en structures élémentaires ou encore permettre le marquage de différents logos sur les composants. L'invention décrite aux figures 1, 2 et 3 présente l'avantage d'un dépôt simultané de couches diélectriques etlou métalliques. A cette fin le procédé mis en oeuvre fait intervenir plusieurs cavités de décharge. La multiplication des cavités de décharge pose des problèmes d'équilibrage des flux tant en débit qu'en taux de dissociation du gaz plasmagène. L'énergie transmise aux gaz précurseurs du dépôt par l'azote est directement liée aux taux d'espèces excitées dans le plasma. II est donc nécessaire de rendre identiques les conditions de décharge dans les différentes cavités destinées à permettre le dépôt de couches diélectriques ou métalliques de même nature. Ceci est d'autant plus nécessaire si l'épaisseur des couches de même nature doit être la même. A cette fin, le dispositif décrit dans la demande de brevet déposée en France, au nom de la Demanderesse, le 3 décembre 1993, sous le numéro d'enregistrement national 93 14520, fait intervenir l'équilibrage des flux par tout moyen connu de l'homme de l'art. Des mesures de débits massiques sont alors effectuées en différents points de la canalisation d'écoulement et l'équilibrage des flux est obtenu par tout moyen d'asservissement connu de l'homme de l'art. II en résulte un dispositif relativement encombrant et complexe. Le procédé de la présente invention ne présente pas un tel inconvénient. La présente invention a pour objet un procédé de dépôt de diélectrique etlou de métal tel que, par exemple, celui décrit en figure 1 et présentant l'avantage d'équilibrer les débits et les densités atomiques sans l'intervention de dispositif d'asservissement. D'autres avantages de l'invention apparaîtront à la lecture d'un mode de réalisation fait avec référence aux figures ci-annexées parmi lesquelles: - la figure 4 représente un schéma de principe du dispositif permettant d'effectuer un dépôt de diélectrique etlou de métal selon la présente l'invention, - la figure 5 représente une vue en coupe d'une structure capacitive obtenue selon la présente invention, - la figure 6 représente une vue en coupe d'une structure résistive obtenue selon la présente invention. Sur les figures 1, 2, 3, 4, 5 et 6 les mêmes références désignent les mêmes éléments. A titre d'exemple de réalisation, il a été mentionné plus haut que l'invention concerne un procédé de dépôt dans lequel les couches métalliques sont réalisées par dépôt de polymères conducteurs issus de la dissociation par plasma différé d'azote d'hydrogène sulfureux ou de dichlorure de soufre. De façon plus générale, I'invention conceme également la formation de couches métalliques par dépôt de matériau conducteur issu de la dissociation par plasma différé d'azote d'un complexe métallique. Ce complexe métallique peut être un métal carbonyle tel que, par exemple, le fer carbonyle ou le nickel carbonyle, ou encore un acétyle acétonate ou un fluoro-acétyle acétonate. La figure 4 représente un schéma de principe du dispositif permettant d'effectuer un dépôt de diélectrique etlou de métal selon la présente invention. Pour des raisons de commodité, le substrat 1 qui se déplace à la vitesse v est représenté en défilement rectiligne. II est évident que l'invention concerne aussi le mode de réalisation ou le défilement du substrat s'effectue circulairement à la vitesse Q comme représenté en figure 1. La cavité micro-onde de décharge 4 alimente les cavités C1 où s'effectue le dépôt de diélectrique et la cavité micro-onde de décharge 16 alimente les cavités C2 où s'effectue le dépôt de matériau conducteur. Les dispositifs d'injection 8 des gaz précurseurs des dépôts de diélectrique ou de métal sont représentés symboliquement par un trait vertical pénétrant dans les cavités de dépôts car l'invention concerne tout type de dispositif d'injection et non exclusivement celui décrit aux figures 1 et2. Comme décrit précédemment, les espèces gazeuses qui ne réagissent pas sont évacuées à l'aide d'une pompe à vide 14. Selon l'invention, chacune des cavités CI ou C2 dans laquelle s'effectue le dépot de diélectrique ou de métal est encadrée par deux cavités de pompage CP, lesquelles permettent l'évacuation vers la pompe à vide 14 des espèces gazeuses qui n'ont pas réagi. L'évacuation s'opère vers le haut, c'est-à-dire dans une direction perpendiculaire à la surface où les dépôts sont réalisés en s'éloignant de cette surface. II s'en suit que le dispositif de l'invention comprend une succession de cavités de dépôt séparées les unes des autres par des cavités de pompage. Chaque cavité de dépôt est reliée aux cavités de pompage qui la jouxtent par un espacement e étroit, par exemple de l'ordre de 2 mm, et situé dans la partie basse des cavités de pompage. Les dispositifs de masquage DM1, DM2, DM3 et DM4 sont alors préférentiellement situées aussi dans la partie basse des cavités de pompage, en quasi-contact avec le substrat en défilement. Selon l'invention, le taux des espèces excitées dans le plasma, communément appelé taux de dissociation, est mesuré en sortie des cavités de décharge 4 et 16 par tout moyen connu de l'homme de l'art, par exemple un spectrographe. Cette mesure est effectuée directement en sortie des cavités de décharge, c'est-à-dire avant les bifurcations qui permettent d'envoyer le plasma différé d'azote de la cavité de décharge 4 vers les cavités de dépôts C1 et de la cavité de décharge 16 vers les cavités de dépôt C2. II a été constaté que, quel que soit le réglage des vannes a ou b, le taux de dissociation mesuré en aval des vannes a ou b reste quasiment identique à celui mesuré en sortie de la cavité de décharge 4. De même, quel que soit le réglage des vannes c ou d, il a été constaté que le taux de dissociation mesuré en aval des vannes c ou d reste quasiment identique à celui mesuré en sortie de la cavité de décharge 16. II s'en suit que la cavité de dépôt Cl en aval de la vanne a est en équilibre de pression avec la cavité de dépôt Cl en aval de la vanne b. De même, la cavité de dépôt C2 en aval de la vanne c est en équilibre de pression avec la cavité de dépôt en aval de la vanne d. D'autre part, le dispositif selon l'invention assure un pompage des espèces gazeuses qui ne réagissent pas de façon à conduire à un équilibrage des débits dans deux cavités de dépôts CI et C2 voisines. II s'en suit que l'équilibre des pressions se trouve établi dans l'ensemble de l'enceinte de dépôt. Avantageusement les risques d'accumulation d'espèces réactives dans l'une ou l'autre des cavités de dépôt C1 ou C2 se trouve évité. Une meilleure maîtrise des dépôts effectués et un meilleur contrôle de leur épaisseur en découlent. Selon l'invention un déséquilibre des flux imposé par un réglage indépendant des vannes a et b ou c et d ne conduit pas à une variation de la densité atomique du gaz plasmagéne, tel que l'azote, en aval. II s'en suit que deux voies reliées en amont à la même cavité de décharge, c'est-à-dire véhiculant le même gaz plasmagène en écoulement, peuvent alimenter deux cavités de dépôt où s'effectuent des dépôts natures différentes, c'est-à-dire utilisant des précurseurs gazeux différents pouvant nécessiter des flux de plasmagène de valeurs distinctes, sans que les modifications de réglage apportées à l'une des voies influent sur l'autre voie. Comme cela a été mentionné précédemment, I'invention concerne un mode de réalisation où les dispositifs de masquage sont tels que ceux décrits en figure 3. Plus généralement, I'invention conceme d'autres modes de réalisation dans lesquels tout type de dispositif de masquage peut être utilisé. Les figures 5 et 6 représentent les vues en coupe respectives d'une structure capacitive et d'une structure résistive obtenues selon l'invention. Ces structures sont identiques à celles obtenues selon le mode de réalisation décrit en figure 1. Sur la figure 5 sont aussi représentés de façon symbolique les masques MA1, MA2, MA3, MA4 associés aux dispositifs de masquage respectifs DM1, DM2, DM3, DM4. Préférentiellement, les différents masques MAi (i = 1, 2, 3, 4) sont réalisés par dépôt d'huile sur les zones où les dépôts de diélectrique et de matériau conducteur ne sont pas autorisés. Le masque MA1 est réalisé par des dépôts d'huile HI sur les zones à protéger du dépôt diélectrique. L'huile issue du dispositif de masquage DM1 se dépose le long de la surface 1 par suite de la rotation du tambour 2. Chaque dépôt d'huile H1 présente une largeur Il dont la valeur est préférentiellement de l'ordre de 50 à 100 pm. Les dépôts d'huile HI sont disposés parallèlement les uns aux autres et préférentiellement équidistants. Leur distance peut être, par exemple de l'ordre de 1 à 2 mm. Le masque MA2 est réalisé par des dépôts d'huile H2 sur les zones à protéger du dépôt de matériau conducteur. L'huile issue du dispositif DM2 se dépose selon le même principe que celui décrit ciaessus. La largeur 12 des dépôts d'huile H2 est plus grande que la largeur Il précédente. Préférentiellement, la largeur 12 est supérieure de 20 à 30 % à la largeur 12. Les dépôts d'huile H1 et H2 sont effectués selon des axes parallèles. Ainsi les dépôts H2 sont-ils disposés de façon que chacun des axes défini par un dépôt H2 se juxtapose à un axe défini par un dépôt HI, la distance séparant les axes définis par deux dépôts H2 voisins étant le double de celle séparant les axes définis par deux dépôts H1 voisins. Le masque MA3 est réalisé par des dépôts d'huile H3. Ce troisième masque MA3 est identique au premier masque MA1. Les dépôts d'huile H3 sont identiques en largeur et en position aux dépôts d'huile H1. Le masque MA4 est réalisé par des dépôts d'huile H4. Chaque dépôt H4 est de largeur identique à la largeur des dépôts H2. Deux dépôts H4 voisins sont séparés de la même distance que deux dépôts H2 voisins. Cependant, I'axe que définit un dépôt H4 ne se superpose pas avec l'axe que définit un dépôt H2, mais se situe à équidistance entre les axes définis par deux dépôts H2 voisins. Dans le cas de dépôts de diélectrique eVou de métal effectués sur un substrat en rotation sur un tambour (cf. fig. 1), la constitution de la structure capacitive selon le mode de réalisation préférentiel de l'invention résulte du dépôt, à chaque révolution du tambour 2, de deux couches de diélectrique et de deux couches de matériau conducteur. La structure capacitive de la figure 5 comprend, pour des raisons de commodité de représentation, six couches diélectriques et six couches conductrices. Ainsi cette structure correspond-elle à trois révolutions du tambour 2. De façon plus générale, le nombre de révolutions du tambour 2 peut-etre beaucoup plus grand et le nombre de couches peut atteindre plusieurs milliers. La structure capacitive selon l'invention se présente sous forme d'un ensemble de N structures capacitives élémentaires Si (i = 1, 2, ... , N) en parallèle. Avantageusement, ces structures sont séparées les unes des autres par des puits Pi (i = 1,2, . . , N-l). Ces puits sont autant de zones permettant de faciliter la découpe de la structure capacitive en structures capacitives élémentaires. La découpe peut alors être effectuée par tout moyen connu de l'homme de l'art. Avantageusement, selon l'invention, elle peut aussi être effectuée par un système de découpe compatible des dispositifs de masquages. Selon l'invention, les parois latérales de chaque structure capacitive élémentaire sont conductrices. II suffit alors soit de passer chaque structure capacitive élémentaire dans une vague d'alliage en fusion, soit de déposer un alliage de brasage ou crème à braser sur les parois latérales de chaque structure capacitive élémentaire afin de réaliser les armatures des futurs condensateurs. L'opération de shoopage qui était nécessaire, selon l'art antérieur, pour la fabrication des condensateurs à feuilles de films plastiques métallisés n'est plus nécessaire selon le procédé de l'invention. Plus généralement, le procédé de l'invention réduit avantageusement le nombre d'étapes successives permettant de réaliser des condensateurs de type empilé. Une fois les armatures réalisées, le procédé selon l'invention comprend une étape de découpe des structures capacitives élémentaires afin de réaliser des condensateurs élémentaires. Avantageusement les condensateurs ainsi réalisés sont des composants de volumes très faibles dont la capacité volumique peut atteindre, par exemple, 20 000 nF par mm3 La figure 6 représente la vue en coupe d'une structure résistive obtenue selon l'invention. Comme cela a été mentionné précédemment, I'invention concerne généralement un procédé permettant de déposer sur un substrat en défilement une succession de couches diélectriques et de couches de matériaux conducteurs. Ainsi l'invention concerne-t-elle un procédé de fabrication permettant la réalisation d'une structure résistive telle que celle représentée en figure 6. De même que la structure capacitive décrite ciaessus, la structure résistive selon l'invention se présente sous la forme d'un ensemble de N structures résistives élémentaires Ri (i = 1, 2, .. , N) en parallèle, séparées les unes des autres par des puits Pi (i = 1, 2 ..., N-l). Chaque structure résistive élémentaire Ri a ses parois latérales métallisées. La succession des masques utilisés pour définir une telle structure est alors ajustée de façon que les parois latérales d'une même structure résistive élémentaire soient reliées entre elles et que les parois latérales de deux structures élémentaires voisines soient reliées entre elles par au moins un dépôt de matériau conducteur. De même que pour les condensateurs décrits précédemment, les puits Pi sont autant de zones permettant de faciliter la découpe de la structure résistive en structures résistives élémentaires. Le procédé selon l'invention comprend alors une étape de découpe des structures résistives élémentaires en résistances élémentaires. Selon l'invention, les parois latérales de chaque structure résistive élémentaire sont conductrices. II suffit alors soit de passer chaque structure résistive élémentaire dans une vague d'alliage en fusion, soit de déposer un alliage de brasage ou crème à braser sur les parois latérales de chaque structure résistive élémentaire afin de réaliser les connexions des futures résistances. Le procédé selon l'invention est aussi caractérisé en ce que le masquage des zones où les dépôts de diélectrique et de conducteur ne sont pas autorisés conduit à la fabrication d'une structure constituée d'une succession de structures élémentaires alternativement capacitives et résistives, chaque structure élémentaire capacitive et résistive ayant ses parois latérales conductrices, chaque structure élémentaire résistive ayant ses parois latérales reliées entre elles, en ce qu'il comprend une étape de découpe de ladite structure en structures élémentaires constituées chacune d'une structure élémentaire capacitive et d'une structure élémentaire résistive, en ce que chaque structure élémentaire est passée dans une vague d'alliage en fusion afin de constituer les connexions des futurs composants, en ce qu'il comprend le dépôt d'un alliage à braser sur les parois latérales desdites structures élémentaires, et en ce qu'il comprend la découpe des structures élémentaires de façon à constituer des composants formés d'une capacité et d'une résistance en série. REVENDICATIONS 1. Procédé de dépôt de couche diélectrique etlou conductrice sur un substrat, caractérisé en ce que le dépôt de couche diélectrique s'effectue dans un réacteur (6) par polymérisation d'éléments issus de la dissociation par plasma différé d'azote d'un gaz organo-silicé ou organogermané, en ce que le dépôt de couche conductrice s'effectue dans ledit réacteur (6) par dépôt de matériau conducteur issu de la dissociation par plasma différé d'azote d'un complexe métallique, en ce que ledit substrat défile de façon qu'une même portion du substrat se trouve successivement en regard d'au moins une cavité (C1) de dépôt de diélectrique et d'au moins une cavité (C2) de dépôt de conducteur, deux cavités (C1) de dépôt de diélectrique successives étant alimentées en plasma différé d'azote par une même cavité (4) de décharge et deux cavités (C2) de dépôt de conducteur successives étant alimentées par une même cavité (16) de décharge, et en ce que l'évacuation des espèces gazeuses n'ayant pas réagi s'effectue par l'intermédiaire de cavités (CP) de pompage vers une pompe à vide (14), deux cavités de pompage successives encadrant une cavité (C1) de dépôt de diélectrique ou une cavité (C2) de dépôt de conducteur. 2. Procédé selon la revendication 1, caractérisé en ce que le composé organo-silicé est choisi parmi les alkoxysilanes de formule: avec n inférieur ou égal à 5 les siloxanes de formule avec n inférieur ou égal à 4 ou les silazanes de formule avec n inférieur à 4 3. Procédé selon la revendication 2, caractérisé en ce que le composé organo-silicé est du tétraméthyldisiloxane. 4. Procédé selon l'une quelconque des revendications précédentes, caractérisé en ce qu'il comprend la présence d'oxygène lors du dépôt des couches diélectriques de façon à accélérer la vitesse du dépôt desdites couches. 5. Procédé selon l'une quelconque des revendications précédentes, caractérisé en ce que le dépôt des couches diélectriques et des couches conductrices s'effectue sur un substrat diélectrique (1) placé à la surface d'un tambour (2) en rotation. 6. Procédé selon l'une quelconque des revendications précédentes, caractérisé en ce que le dépôt de chaque couche de diélectrique etlou de conducteur est précédé d'un masquage dudit substrat là où ledit dépôt n'est pas autorisé. 7. Procédé selon la revendication 6, caractérisé en ce que ledit masquage est réalisé par dépôt d'huile. 8. Procédé selon la revendication 7, caractérisé en ce que ledit dépôt d'huile est réalisé par un dispositif de masquage constitué d'un rouleau d'impression sur lequel sont formées des encoches, lesdites encoches s'emplissant d'huile en phase vapeur, ladite huile en phase vapeur se déposant par condensation. 9. Procédé selon l'une des revendications 6, 7 ou 8, caractérisé en ce que le masquage des zones où les dépôts de diélectrique et de conducteur ne sont pas autorisés conduit à la fabrication d'une structure capacitive constituée de N structures capacitives élémentaires (Si, i = 1, 2, N) en parallèle séparées les unes des autres par des puits (Pi, i = 1, 2, N-l), chaque structure capacitive élémentaire ayant ses parois latérales conductrices. 10. Procédé selon la revendication 9, caractérisé en ce qu'il comprend une étape de découpe de ladite structure capacitive en lesdites N structures capacitives élémentaires, ladite découpe étant réalisée par des éléments coupants solidaires du rouleau d'impression. Il. Procédé selon la revendication 10, caractérisé en ce que chaque structure capacitive élémentaire issue de ladite découpe est passée dans une vague d'alliage en fusions afin de constituer les armatures des futurs condensateurs. 12. Procédé selon la revendication 10, caractérisé en ce qu'il comprend le dépôt d'un alliage à braser sur les parois latérales de chaque structure capacitive élémentaire issue de ladite découpe afin de constituer les armatures des futurs condensateurs. 13. Procédé selon l'une quelconque des revendications 11 ou 12, caractérisé en ce qu'il comprend la découpe des structures capacitives élémentaires en condensateurs élémentaires. 14. Procédé selon l'une des revendications 6, 7 ou 8 caractérisé en ce que le masquage des zones où les dépôts de diélectrique et de conducteur ne sont pas autorisés conduit à la fabrication d'une structure résistive constituée de N structures résistives élémentaires (Ri, i = 1, 2, . N) séparées les unes des autres par des puits (Pi, i = 1, 2, ... , N - 1), chaque structure résistive élémentaire ayant ses parois latérales conductrices et reliées entre elles. 15. Procédé selon la revendication 14, caractérisé en ce qu'il comprend une étape de découpe de ladite structure résistive en lesdites N structures résistives élémentaires, ladite découpe étant réalisée par des éléments coupants solidaires du rouleau d'impression. 16. Procédé selon la revendication 15, caractérisé en ce que chaque structure résistive élémentaire (Ri, i = 1, 2 ..., N) issue de ladite découpe est passée dans une vague d'alliage en fusion afin de constituer les connexions des futures résistances. 17. Procédé selon la revendication 15, caractérisé en ce qu'il comprend le dépôt d'un alliage à braser sur les parois latérales de chaque structure élémentaire issue de ladite découpe afin de constituer les connexions des futures résistances. 18. Procédé selon la revendication 16 ou 17, caractérisé en ce qu'il comprend la découpe de chaque structure résistive élémentaire en résistances élémentaires. 19. Procédé selon l'une des revendications 6, 7 ou 8 caractérisé en ce que le masquage des zones où les dépôts de diélectrique et de conducteur ne sont pas autorisés conduit à la fabrication d'une structure constituée d'une succession de structures élémentaires alternativement capacitives et résistives, chaque structure élémentaire capacitive et résistive ayant ses parois latérales conductrices, chaque structure élémentaire résistive ayant ses parois latérales reliées entre elles. 20. Procédé selon la revendication 19, caractérisé en ce qu'il comprend une étape de découpe de ladite structure en structures élémentaires constituées chacune d'une structure élémentaire capacitive et d'une structure élémentaire résistive. 21. Procédé selon la revendication 20, caractérisée en ce que chaque structure élémentaire est passée dans une vague d'alliage en fusion afin de constituer les connexions des futurs composants. 22. Procédé selon la revendication 20, caractérisé en ce qu'il comprend le dépôt d'un alliage à braser sur les parois latérales desdites structures élémentaires. 23. Procédé selon la revendication 21, caractérisé en ce qu'il comprend la découpe des structures élémentaires de façon à constituer des composants formés d'une capacité et d'une résistance en série.