FR 2709612 A1 19950310 FR 9409216 A 19940726 La présente invention concerne un laser à semiconducteur, et en particulier, elle concerne un laser à semi-conducteur qui comprend deux parties de surface plane parallèles, et une partie de surface plane inclinée créant une connexion entre les parties de surface plane parallèles, la partie de surface inclinée émettant de la lumière. Dans le présent mémoire, l'expression "partie de surface plane" et les expressions analogues désignent l'une ou l'autre des deux surfaces planes parallèles, et l'expression "partie de surface inclinée" et les expressions analogues désignent une surface inclinée par rapport aux parties de surface plane et raccordant ces deux surfaces. Un laser à semi-conducteur à lumière visible dans la bande de 0,6 um a été récemment envisagé comme source lumineuse prometteuse pour l'augmentation des performances des systèmes de traitement d'informations optiques dans les appareils de point de vente, les dispositifs à disque optique et les imprimantes lasers. Un laser à semi-conducteur à base de AlGaTnP mettant en oeuvre un réglage latéral de mode a été envisagé comme l'un des lasers à semi-conducteur travaillant en lumière visible dans la bande de 0,6um. De tels lasers à semi-conducteur à lumière visible doivent avoir diverses caractéristiques telles qu'une faible longueur d'onde d'émission, un faible prix, un faible courant de seuil et une puissance élevée. Des caractéristiques élevées et stables du faisceau sont aussi souhaitables, par exemple un niveau élevé d'émission lumineuse par rapport au courant, un diagramme en champ lointain ayant un seul pic, et un faible astigmatisme. Dans les lasers à semi-conducteur à base de AsGaInP, contrairement aux lasers classiques à semi-conducteur à base GaAs/AlGaAs, une couche d'un matériau contenant de l'aluminium doit être formé par croissance sur une couche formée d'un matériau contenant de l'aluminium. Cependant, après que la couche du matériau contenant de l'aluminium a été exposée à l'air, c'est-à-dire après que sa surface s'est éventuellement oxydée, il est très difficile de faire croître une couche ultérieure d'un matériau contenant de l'aluminium. En conséquence, il a été difficile de réaliser des opérations dans lesquelles une couche d'un matériau contenant de l'aluminium est formée par croissance puis attaquée sélectivement avec une configuration mesa, et une autre couche d'un matériau contenant de l'aluminium est ensuite formée par croissance afin que la structure mesa soit enfouie dans la couche, avec obtention d'une distribution d'indice de réfraction ayant un effet de confinement de lumière. On connaît, comme laser à semi-conducteur n'ayant pas une configuration à structure mesa interne, un laser à semi-conducteur dans lequel une hétérostructure double est formée par croissance sur un substrat ayant une partie de gradin entre des parties de surface ou plans assurant un réglage latéral des modes. La présente invention a pour objet la réalisation d'un laser à semi-conducteur dont la fabrication est facile et qui possède d'excellentes caractéristiques. Dans un premier aspect, l'invention concerne un laser à semi-conducteur comprenant un substrat semi-conducteur à motif comprenant une partie inférieure de surface plane, une partie supérieure de surface plane et une partie de surface inclinée en forme de bande connectant la partie inférieure à la partie supérieure de surface plane, une couche active formée sur le substrat semi-conducteur, une couche superieure de revêtement formée sur la couche active, des couches d'arrêt de courant formées sur des parties de la couche supérieure de revêtement, ces parties étant associées respectivement à la partie inférieure de surface plane et à la partie supérieure de surface plane, et une région de canal de courant formée sur une partie de la couche supérieure de revêtement, cette partie étant associée à la partie de surface inclinée. Si l'on suppose que la partie de surface plane de la couche supérieure de revêtement a une épaisseur t2 et la partie de surface inclinée une épaisseur tl, l'épaisseur tl est supérieure à l'épaisseur t2 (tl > t2). Dans l'hypothèse où une limite comprise entre la partie inférieure de surface plane et la partie de surface inclinée forme un angle e avec le plan inférieur de la partie inférieure de surface plane, où le plan inférieur de la partie de surface inclinée fait un angle avec un prolongement de la partie inférieure de la partie inférieure de surface plane, et la bande de la partie de surface inclinée de la couche active a une largeur W, la relation suivante est obtenue -l tg -1 (2tl/W) s e + Dans la couche active, la partie de surface inclinée est utilisée comme région d'émission de lumière par recombinaison. La partie de surface inclinée reçoit des porteurs de la région de canal de courant. Une sous-partie de la partie de surface inclinée à laquelle les porteurs sont transmis le plus facilement peut devenir un centre d'émission lumineuse. Lorsque l'angle e + est inférieur à 90 , la position centrale de la surface latérale supérieure de la région de canal de courant transmettant les porteurs correspond à la partie placée à la moitié inférieure de la partie de surface inclinée de la couche active, et la lumière est donc émise par la partie inférieure de la partie de surface inclinée de la couche active. En conséquence, la caractéristique du faisceau laser est stabilisée. De cette manière, un dispositif laser à semi-conducteur est réalisé avec un effet élevé de confinement ou d'étranglement de courant et une caractéristique stable du faisceau lumineux. D'autres caractéristiques et avantages de l'invention seront mieux compris à la lecture de la description qui va suivre d'exemples de réalisation, faite en référence aux dessins annexés sur lesquels la figure 1 est une coupe représentant schématiquement la construction d'un laser à semi-conducteur dans un mode de réalisation de la présente invention la figure 2 est une vue agrandie d'une partie d'empilement de couches du laser à semi-conducteur représenté sur la figure 1 les figures 3A et 3B sont des vues schématiques illustrant la formation d'un substrat destiné au laser à semi-conducteur représenté sur la figure 1 la figure 4 est une coupe schématique représentant la construction d'un laser à semi-conducteur la figure 5 est une vue agrandie représentant la partie d'empilement de couches du laser à semi-conducteur du type représenté sur la figure 4 les figures 6A et 6B sont des vues schématiques permettant l'analyse de la réalisation précédente des inventeurs les figures 7A, 7B et 8 sont des représentations schématiques illustrant le principe mis en oeuvre selon l'invention ; et la figure 9 est un graphique représentant la variation du rapport des épaisseurs des couches formées par croissance sur un substrat ayant des motifs, avec la température de croissance. Les inventeurs ont proposé un laser à semi-conducteur émettant de la lumière à partir d'une surface inclinée, dans lequel la lumière est émise par une partie ayant une surface inclinée (par exemple comme décrit dans la demande de brevet des Etats-Unis d'Amérique n" 228 453, déposée le 15 avril 1994 et qui est une continuation de la demande de brevet des Etats-Unis d'Amérique n" 947 171 déposée le 18 septembre 1992). La figure 4 représente la construction d'un tel dispositif laser à semi-conducteur et la figure 5 est une vue agrandie d'une partie d'empilement des couches de la figure 4. Sur les figures 4 et 5, un substrat 51 de GaAs de type n a un plan principal (100) contenant une surface inclinée en forme de bande (kll) placée dans la direction . Sur le substrat 51 ayant la surface inclinée, une couche inférieure 52 de revêtement de AlGaInP de type n et une couche active 53 de GaInP non dopé sont formées dans cet ordre par épitaxie. Une couche 54 de AlGaInP dopé simultanément par des matières de dopage de type n et de type p est formée par croissance sur la couche active 53 afin qu'elle forme une couche 54p de revêtement de type p sur la surface inclinée et une couche 54n d'arrêt de courant à jonction distante de type n sur chacune des surfaces planes. Après croissance de AlGaInP de type p comme couche supérieure de revêtement 55 sur la couche 54 de AlGaInP, une couche 56 de AlGaInP dopé simultanément avec des matières de dopage de type n et de type p est formée par croissance afin qu'elle donne une couche 56p de revêtement de AlGaInP de type p sur la surface inclinée et une couche 56n d'arrêt de courant de AlGaInP de type n sur chacune des surfaces planes. Une couche 57 destinée à empêcher les fuites de courant, formée de GaInP de type n, et une couche 58 de contact de GaAs de type p sont formées par croissance sur la couche 56 de AlGaInP. Les couches empilées peuvent être formées par croissance successive par épitaxie en phase vapeur de composés organométalliques (MOVPE), les couches n'étant pas exposées à l'air pendant le processus de fabrication. Ceci permet alors la formation par croissance épitaxiale d'une couche d'un matériau contenant de l'aluminium sur une couche d'un matériau contenant de l'aluminium. Ce dispositif laser à semi-conducteur n'a pas une configuration de structure de guidage à pertes mettant en oeuvre l'absorption de lumière. La structure adoptée met en oeuvre une distribution réelle d'indice de réfraction et il n' est donc pas nécessaire de prendre en considération les pertes par absorption de lumière. Comme le dispositif laser a un faible astigmatisme et comme les couches peuvent être formées par croissance au cours d'une opération continue de croissance par épitaxie en phase vapeur de composés organométalliques, le rendement de production est accru et le prix du laser est réduit efficacement à une valeur minimale. Bien que le dispositif laser à semi-conducteur émettant la lumière de la surface inclinée comme indiqué sur les figures 4 et 5 possède un faible astigmatisme, lorsque la largeur de la surface inclinée est réglée à 3 um environ, compte tenu des technologies de fabrication utilisables en pratique, un problème se pose car la surface inclinée dans son ensemble ne contribue pas de manière satisfaisante à l'émission de lumière. Ainsi, dans un dispositif laser produit en réalité, l'émission de lumière s'effectue dans une partie supérieure ou inférieure de la surface inclinée comme indiqué respectivement par les références U et L sur la figure 5. I1 existe un phénomène selon lequel la distribution de lumière localisée à la partie supérieure U se déplace vers la partie inférieure L et inversement, donnant une caractéristique instable au faisceau lumineux en champ proche. On décrit maintenant les causes de la caractéristique d'instabilité de la surface d'émission dans la structure décrite précédemment. Les figures 6A et 6B représentent une structure de dispositif laser simplifiée pour la commodité de la description. On suppose qu'un substrat semi-conducteur de type n 61 comprend des parties de surface plane et une partie de surface inclinée sur lesquelles sont formées une couche inférieure 62 de revêtement de type n, une couche active 63 et une couche supérieure 64 de revêtement de type p comme indiqué sur la figure 6A. Dans la couche supérieure 64 de revêtement de type p, les fronts des limites entre les parties de surface plane et la partie de surface inclinée se déplacent vers la gauche lorsque les limites sont formées. Dans chacune des parties de surface plane de la couche 64 de revêtement, une couche 65 d'arrêt de courant de type n est formée en position intermédiaire, dans la direction de l'épaisseur de la couche 64 de revêtement, à cause des différences de probabilité d'incorporation ou de dopage entre les impuretés de type p et de type n. En conséquence, les porteurs qui entrent dans la partie de surface inclinée BF de la couche active 63 depuis la face supérieure peuvent être considérés comme provenant de la partie de surface inclinée DG de la surface supérieure de la couche supérieure 64 de revêtement. Si le pied E d'une perpendiculaire passant par le centre ou point médian C du segment DG de la partie de surface inclinée de la couche active 63 coïncide avec le point central A de la partie de surface inclinée BF de la couche active 63, les probabilités d'émission lumineuse dans la moitié supérieure AF et dans la moitié inférieure de la partie de surface inclinée de la couche active 63 sont presque égales. La figure 6B représente un schéma simplifié de l'état d'émission lumineuse décrit précédemment. Une source 68 de porteurs est placée au-dessus d'une partie d'émission lumineuse 63a de la couche active 63. Lorsqu'un point E auquel la perpendiculaire passant par le point central C de la source 68 sur la partie de surface inclinée 63a de la couche active 63 recoupe la couche active 63 coïncide avec le point central A de la partie plane inclinée 63a de la couche active 63, la probabilité d'émission lumineuse de la moitié gauche de la partie de surface inclinée 63a de la couche 63 est considérée comme presque égale à celle de l'émission lumineuse de la moitié droite. Lorsque la source 68 des porteurs se déplace vers la gauche ou vers la droite comme indiqué par la flèche, la position du pied E de la perpendiculaire partant du point central C de la source 68 sur la partie de surface inclinée 63a se déplace aussi du point central A de la couche active 63a vers la droite ou la gauche respectivement. Si le pied E de la perpendiculaire passant par le point central C de la source 68 est suffisamment éloigné du point central A de la partie de surface inclinée 63a de la couche active 63, la distribution du courant dans la partie de surface inclinée 63a provoque une distribution stable du courant dans les parties gauche ou droite. Dans l'hypothèse où la couche active 63 a une largeur W, lorsque le point E est décalé par rapport au point central A d'au moins W/10, on obtient une partie d'émission lumineuse pratiquement stable. Les inventeurs proposent la stabilisation de la caractéristique du faisceau laser par déplacement positif, sur la couche active, de la position du point central de la source de porteurs par rapport au point central de la partie de surface inclinée de la couche active. Cette propriété peut être obtenue parce que la vitesse de croissance des couches peut être modifiée d'après l'orientation de la surface de la couche placée au-dessous et sur laquelle la couche intéressante doit être formée par croissance. Les figures 7A et 7B sont des schémas illustrant le principe de l'opération décrite précédemment. Sur la figure 7A, un substrat semi-conducteur 62 comporte une partie inférieure ayant une surface plane 71, une partie ayant une surface inclinée 72, et une partie supérieure ayant une surface plane 73, la partie de surface inclinée 72 raccordant les deux parties de surface 71 et 73 et étant perpendiculaire au plan des figures 7A et 7B. Sur le substrat 62 ayant des motifs et comprenant la partie de surface inclinée 72, les couches sont formées par croissance épitaxiale. Sur les schémas, le cas dans lequel une couche 74 est formée par croissance épitaxiale sur les parties 71, 73 et la partie de surface inclinée 72 à la même vitesse de croissance est indiqué en trait plein. Dans l'opération d'épitaxie, la couche est formée par croissance de manière qu'elle possède une surface avant ou supérieure de croissance pratiquement parallèle à la surface de la couche placée au-dessous. En conséquence, à la surface supérieure de la couche 74 formée par croissance, les positions des parties de surface plane et de la partie de surface inclinée sont légèrement décalées par rapport à la position correspondante des parties de surface plane du substrat. Le phénomène de la transition de la région d'émission entre la moitié supérieure et la moitié inférieure de la couche active dans la structure indiquée précédemment implique que la perpendiculaire passant par le point central de la source des porteurs au-dessus de la couche active a un pied à un emplacement qui se trouve presque au point central de la partie de surface inclinée. Le réglage des conditions de croissance de la couche épitaxiale et la variation positive de la vitesse de croissance entre la partie de surface inclinée et les parties de surface plane, permet une modification remarquable du profil de la couche formée par croissance. Sur la figure 7A, les traits interrompus indiquent un exemple de profil de surface de croissance d'une couche épitaxiale dans lequel la vitesse de croissance sur la partie de surface inclinée est supérieure à celle des parties de surface plane, alors que le trait mixte indique à titre illustratif le profil de la surface de croissance sur la couche épitaxiale lorsque la vitesse de croissance de la partie de surface inclinée est inférieure à celle des parties de surface plane. Comme l'indiquent ces figures, lorsque la vitesse de croissance est plus grande sur la partie de surface inclinée que sur les parties de surface plane, le point central de la partie de surface inclinée de la surface de croissance se déplace vers le côté inférieur de la partie de surface inclinée, à la surface disposée comme indiqué par le trait interrompu 74a, alors que, lorsque la vitesse de croissance de la partie de surface inclinée est inférieure à celle des parties plates, le point central de la partie de surface inclinée de la surface de croissance se déplace vers le côté supérieur de la partie de surface inclinée de la surface placée au-dessous. La figure 7B représente schématiquement la configuration d'un dispositif laser à semi-conducteur qui permet la stabilisation de la région d'émission lumineuse par utilisation du comportement de la couche formée par croissance épitaxiale, décrit en référence à la figure 7A. Sur une surface d'un substrat semi-conducteur 61 ayant une partie de surface inclinée en forme de bande, une couche inférieure 62 de revêtement, une couche active 63 et une couche supérieure 64 de revêtement sont formées successivement par épitaxie. Dans une partie de hauteur intermédiaire de la couche supérieure 64, des couches 65 d'arrêt de courant ayant des types opposés de conductivité sont formées dans les parties de surface plane. On considère que la région comprise entre les couches 65 d'arrêt de courant est une région assurant pratiquement la transmission des porteurs, et une région dans laquelle les porteurs circulent vers la couche active 63 depuis la partie supérieure est indiquée par les références B', F', G' et D'. Lorsque la vitesse de croissance épitaxiale de la surface inclinée est supérieure à celle des surfaces planes, le pied E' de la perpendiculaire à la couche active 63 partant du point central C' du segment D'G' vers la face supérieure de la couche épitaxiale a une position se trouvant du côté inférieur par rapport au point central A' du segment B'F' de la couche active 63. En conséquence, la réalisation d'une structure telle que représentée sur la figure 7B et la transmission de porteurs à la couche active depuis la face supérieure assurent le transport des porteurs qui se concentrent à la face inférieure de la couche active. La face inférieure de la partie de surface inclinée de la couche active devient donc une région d'émission de lumière d'une manière stable. La figure 8 est un schéma permettant la description des conditions de stabilisation de la position d'émission lumineuse dans la partie de surface inclinée par utilisation d'une différence de vitesse de croissance entre la partie de surface inclinée et les surfaces planes. Un substrat 61 de type n est réalisé au préalable avec un gradin dans une partie de surface inclinée. Une couche 62 de revêtement de type n, une couche active 63 et une couche 64 de revêtement de type p sont formées par croissance dans cet ordre sur le substrat 61 de type n. La couche active 63 a une partie de surface inclinée 63a de largeur W. Si l'on suppose que la partie de surface inclinée 63a fait un angle par rapport à la partie plane de la couche active 63, la couche 64 de revêtement de type p a une épaisseur t2 dans les parties planes et une épaisseur tl dans la partie de surface inclinée. La couche formée par croissance a des surfaces de croissance qui sont parallèles aux surfaces associées de la couche placée audessous. Une partie de surface inclinée 64a de la couche 64 de revêtement de type p est formée par croissance afin qu'elle se déplace progressivement vers la partie inférieure de surface plane. On appelle BD et FG les limites entre les parties de surface plane 64b et 64c et la partie de surface inclinée 64a. Le quadrilatère BFGD forme un parallélogramme. La limite BD entre la partie de surface inclinée 64a et la partie de surface plane 64b fait un angle 8 par rapport à la surface inférieure de partie de surface plane 64b. Une relation angulaire est telle que BFG = BDG = w = 8 + . Bien que l'angle e soit indiqué du côté inférieur de la partie de surface inclinée, la limite FG et la surface supérieure de la partie supérieure plane 64c forment logiquement l'angle 0. Les épaisseurs tl et t2 de la partie de surface inclinée et de la partie de surface plane de la couche de revêtement de type p peuvent être représentées par les relations tl = BDsinw = BDsin(# + ) = BD(sinOcost + sincose) t2 = BDsinO Le rapport R = tl/t2 des épaisseurs tl et t2 est obtenu sous la forme R = (sinOcosX + sinfcos0)/sinO = (cos# + sin(cos0/sin8) = sinC(cos8/sine) + (cos/sin)) Lorsque des régions de type n sont formées dans la partie de surface plane de la couche 64 de revêtement, le parallélogramme BFGD devient une région qui permet la transmission d'un courant. En d'autres termes, les porteurs circulant de la partie supérieure du dessin vers la partie de surface inclinée de la couche active 63 passent au niveau du segment DG. Si l'on suppose que le point central du segment DG est C et qu'une perpendiculaire passant par le point C de la partie de surface inclinée de la couche active 63 a un pied E, les points E et A coïncident mutuellement lorsque le parallélogramme BFGD est un rectangle, c'est-à-dire lorsque w = 90". Lorsque le pied E de la perpendiculaire passant par le point central C est compris entre les points A et B, la partie inférieure BA de la partie de surface inclinée BF de la couche active 63 joue le rôle d'une région d'émission de lumière. Lorsque le pied E se trouve du côté gauche du point B sur le schéma, bien que la partie inférieure BA de la partie de surface inclinée BF de la couche active 63 émette de la lumière d'une manière stable, le trajet du courant devient plus long si bien que la composante résistive augmente. Lorsque le point E coïncide avec le point B, on a la relation tgw = tl/CD = tl/(W/2) = 2tl/W Comme décrit précédemment, dans un dispositif laser à semi-conducteur émettant de la lumière par une surface inclinée, pour qu'une émission lumineuse stable soit obtenue depuis la partie inférieure de la partie de surface inclinée, l'épaisseur (vitesse de croissance) des couches supérieures de revêtement sur les parties de surface plane et de la couche supérieure de revêtement de la partie de surface inclinée doivent seulement être choisies de manière que e + soit inférieur à 90" ou de préférence que tg l(2tl/W) S e + Lorsque le pied E de la perpendiculaire passant par le point central C du segment DG à la partie de surface inclinée 63a de la couche active 63 se trouve du côté supérieur du point central A de la partie de surface inclinée de la couche active 63, la partie supérieure de la partie de surface inclinée est utilisée comme région d'émission lumineuse stable. Le point central de la région de transmission de courant est décalé avantageusement par rapport au point central de la couche active 63 du dixième au moins de la largeur de la couche active 63 en direction parallèle à la surface inclinée. Pour que ces conditions soient remplies, le rapport de l'épaisseur (vitesse de croissance) de la couche supérieure de revêtement sur la partie de surface inclinée et de l'épaisseur de la couche supérieure de revêtement sur chaque partie de surface plane doit seulement être réglé à une valeur convenable. La figure 9 représente la variation du rapport R des épaisseurs (partie de surface inclinée à partie de surface plane) avec la température de croissance dans le cas de (Al0,7Ga0,3)0,5 1n05P considéré à titre d'exemple. Les ordonnées indiquent que le rapport R de l'épaisseur tl de la partie de surface inclinée à l'épaisseur t2 des parties de surface plane (R = tl/t2) et les abscisses indiquent la température de croissance en degrés Celsius. Les courbes R1 et R2 représentent la variation du rapport avec la température lorsque a (rapport des éléments des groupes V/III) est de 330 et 180 respectivement. Un plan formant un angle de décalage égal à 6" par rapport au plan (100) et le plan (411)A sont sélectionnés comme plans des surfaces planes et inclinée respectivement. Comme l'indique le graphique, le rapport R des épaisseurs diminue lorsque la température augmente. Lorsque a = 180, le rapport est égal ou supérieur à 1 lorsque la température est égale ou inférieure à 715 "C. Le rapport est inférieur à 1 lorsque la température dépasse 715 "C environ. Pour a = 330, le rapport R est supérieur à 1 dans la plage de températures comprise entre 690 et 730 "C. Lorsque la température augmente dans cette plage, la valeur du rapport R diminue d'environ 1,7 à 1,1. La variation du rapport des épaisseurs en fonction de la température peut être approximativement la suivante R = aTg2 + (-)bTg + c + da avec a = 1,9999.10 4, b = 0,297985, c = 111,505 et d = 1,6667.10 3, et Tg et a représentent la température de croissance et le rapport des éléments des groupes V/III respectivement. Ce rapport des éléments des groupes V/III est habituellement déterminé comme le rapport des débits des éléments du groupe V et des éléments du groupe III, transmis à un appareil d'épitaxie par épitaxie en phase vapeur de composés organométalliques. Le rapport entre les quantités des matières du groupe V et des matières du groupe III pénétrant à la surface du substrat a un rôle important pour le réglage du profil d'une couche formée par croissance. I1 est donc avantageux d'effectuer la correction du rapport des éléments des groupes V/lIT par l'appareil de croissance à l'aide de paramètres tels que la pression de croissance PG (torr), le rendement de croissance ERG (,um/mol) et du débit total F T (cm dans les conditions normales) de la manière suivante a = 128aEXp.Pr/(ERG.F ) aEXp désignant un rapport corrigé des éléments des groupes V/TII. Le décalage de la position centrale de la partie de surface inclinée à la face supérieure de la couche supérieure de revêtement par rapport à la partie centrale de la partie de surface inclinée de la surface inférieure permet la localisation de la région d'émission lumineuse stable à la partie inférieure ou supérieure de la partie de surface inclinée de la couche active. Cependant, compte tenu de la stabilité de l'émission lumineuse, il est avantageux que l'épaisseur de la région lumineuse de la couche active soit supérieure à celle des régions périphériques (partie de surface plane). A cet effet, lorsque l'épaisseur de la partie de surface inclinée de la couche active est supérieure à celle de chaque partie de surface plane, la partie centrale de la partie de surface inclinée à la surface supérieure de la couche supérieure de revêtement, en projection sur la couche active, se trouve du côté inférieur de la position centrale de la partie de surface inclinée de la couche active. La figure 1 représente schématiquement une structure de laser à semi-conducteur dans un mode de réalisation de l'invention. Chaque couche d'empilement est formée par croissance par épitaxie en phase vapeur de composés organométalliques, la pression de croissance, le rendement de croissance et le débit total ét probabilité d'activation est presque égale à 1 dans les deux plans. Cela signifie que le sélénium, qui est une substance d'impureté de type n, est beaucoup plus dopé dans le plan (100) que dans le plan (411). Dans le cas du zinc qui est une matière de dopage du type p, lors de l'utilisation de diméthylzinc (DMZn) comme gaz de dopage et lorsque le rapport des éléments des groupes II/III est égal à 0,1, on obtient des concentrations de porteurs d'environ 1.1017 cm 3 et d'environ 7.1017 cm 3 dans les plans (100) et (400)A respectivement. Ainsi, le zinc qui est une substance d'impureté de type p est beaucoup plus dopé dans le plan (411A) que dans le plan (100). Lorsque l'impureté de dopage de type p est le magnésium, lors de l'utilisation de cyclopentadiénylmagnésium (Cp2Mg) comme matière de dopage et lorsque le rapport des éléments des groupes 11/111 est d'environ 5.10 5, les concentrations des porteurs dans les plans (100) et (411)A 17 sont obtenues à des valeurs respectives d'environ 1.10 et 4.1017 cm3. Le magnésium qui est une impureté de dopage de type p est bien plus dopé dans le plan (411)A que dans le plan (100). Comme indiqué précédemment, l'utilisation d'une ou plusieurs impuretés ayant des probabilités différentes d'incorporation suivant les orientations des surfaces inclinées permet la formation d'un trajet convenable pour le courant. Ainsi, dans une opération de croissance, la quantité de dopage peut être modifiée entre une partie de surface inclinée et une partie de surface plane, et des régions ayant des types opposés de conductivité peuvent être formées sur les surfaces inclinée et plane. Les figures 1 et 2 représentent un laser à semiconducteur émettant de la lumière par la surface inclinée, dans un mode de réalisation de l'invention, et la figure 2 est une vue agrandie de la partie d'empilement de la figure 1. Sur les figures 1 et 2, un substrat 11 de GaAs de type n dopé par du silicium a des parties de surface plane ayant des plans (100) présentant un angle de décalage de 6" vers le plan (111)A et une partie de surface inclinée ayant un plan (411)A. Une première couche tampon de GaAs de type n dopé par du sélénium 12, une seconde couche tampon de Ga0,51n0,5P de type n dopé par du sélénium 13, une couche inférieure 14 de revêtement formée de (Al0,4G0,6)0,5In0,5P de type n dopé par du sélénium, et une couche 15 de guidage formée de (Al0,4Ga0,6)0,5In0,5P dopé par du sélénium, formant ainsi des régions de type n, sont disposées sur le substrat 11. Une couche active 16 de Ga In P ayant un profil 0,5 0,5 de surface analogue à celui du substrat et comprenant donc des parties de surface plane et une partie de surface inclinée, est formée sur la couche de guidage 15. Une première couche supérieure 17 de revêtement de (Al Ga n0,5P de type p dopé par du magnésium, une 0,7 0,3)0,51 seconde couche supérieure 18 de revêtement formée de (Alo 7GaO 3)0 5InO 5P dopé par du zinc et du sélénium en même temps, comprenant une couche de revêtement 18b et des régions d'arrêt de courant 18n, sont formées sur la couche active 16. Le zinc est une impureté de type p ayant un rendement élevé de dopage (probabilité d'incorporation) dans la partie de surface inclinée et le sélénium est une impureté de type n ayant un rendement élevé de dopage (probabilité d'incorporation) dans les parties de surface plane. Lorsque le zinc et le sélénium sont dopés simultanément, une région de type n et une région de type p peuvent donc être formées dans les parties de surface plane et dans la partie de surface inclinée respectivement. En conséquence, la couche de revêtement de type p peut être formée sur la partie de surface inclinée alors que la couche d'arrêt de courant est formée par croissance sur les parties respectives de surface plane. Une première couche 19 destinée à empêcher les fuites de courant et de type p formée de (Al Ga n 5InO P dopé par du magnésium, une seconde 0,4 0,6)0,51 0,5 couche empêchant les fuites de courant de type p formées de Ga0,51n0,5P dopé par du zinc, et une couche 21 de contact de type p formée de GaAs dopé par du zinc sont réalisées sur la couche 18 de AlGaInP dopé simultanément par du zinc et du sélénium. Le magnésium et le zinc adoptés comme impuretés pour ces couches sont des matières de dopage de type p dont le rendement de dopage est supérieur dans la partie de surface inclinée par rapport aux parties de surface plane. En conséquence, la région de partie de surface inclinée a une plus faible résistance et forme donc un trajet de courant. Sur le schéma, les angles 0, et w désignent les angles indiqués sur la figure 8. Dans la configuration des figures 1 et 2, la première et la seconde couche 19 et 20 empêchant les fuites de courant sont des régions de type p, mais leur résistance est plus faible dans la partie de surface inclinée que dans la partie de surface plane. Ces couches 20 et 19 sont suivies par la couche 18 de AlGaInP qui a été dopée simultanément par le zinc et le sélénium et qui comprend en conséquence les régions 18n de type n dans les parties de surface plane et une région 18p de type p dans la partie de surface inclinée. En conséquence, un courant formé de trous partant de la couche de contact 21 se concentre sur la partie de surface inclinée à travers les couches 20 et 19 et est étranglé dans la région 18p de type p de la couche 18 de AlGaInP. Lorsque chacune des parties de surface plane des deux côtés de la partie de surface inclinée a une largeur supérieure à une certaine valeur, on peut considérer que des quantités pratiquement égales de trous circulent depuis les deux parties de surface plane vers la partie de surface inclinée. En conséquence, l'ajustement des épaisseurs des films formés par croissance de manière que le point central de la surface supérieure de la seconde couche supérieure 18b de revêtement se trouve du côté inférieur du point intermédiaire de la partie de surface inclinée de la couche active permet à la région inférieure de la partie de surface inclinée de la couche active 16 de former une région de concentration d'un courant stable. En d'autres termes, les conditions précitées de croissance doivent seulement être remplies pendant la croissance épitaxiale de la première et de la seconde couche supérieure 17a et 18b de revêtement. De façon plus avantageuse, le point central du plan supérieur de la seconde couche supérieure 18b de revêtement est à une position décalée vers le côté supérieur ou inférieur du dixième au moins de la largeur de la couche active par rapport au point central de la couche active. On décrit maintenant rapidement un procédé de fabrication du laser à semi-conducteur des figures 1 et 2. Comme l'indique la figure 3A, on prépare d'abord un substrat 11 de GaAs ayant un plan (100) présentant un angle de décalage de 6 vers le plan (lll)A. Le substrat 11 de GaAs est dopé de silicium avec une concentration des porteurs d'environ 4.1018 cm-3. Un long masque 24 d'une matière de réserve photographique en forme de bande est réalisé dans une direction sur le plan (100) du substrat 11 de GaAs. Comme l'indique la figure 3B, avec utilisation du masque 25 comme masque d'attaque, une attaque de type humide est réalisée avec une solution à base de HF de manière qu'un plan 411(A) apparaisse d'un côté du masque 25. Ainsi, le plan (100) est maintenu dans la région recouverte par le masque 25, le plan (411)A est formé du premier côté, et le plan (100) apparaît à nouveau dans une région qui se trouve en dehors du plan (411)A. En conséquence, une structure mesa ayant une hauteur d'environ 1 um est réalisée. Les couches 1 et 2 sont formées par croissance successive par épitaxie en phase vapeur de composés organométalliques sur le substrat 11 ayant le plan (411A) comme plan incliné de la structure mesa. D'abord, lors de la croissance de la première couche tampon 12, à une température de croissance d'environ 3 670 "C, 0,5 cm dans les conditions normales de triéthyl- gallium (TEG) constituant une source de gallium, environ 3 25 cm dans les conditions normales (rapport des éléments des groupes V/III d'environ 50) d'arsine AsH3 formant une source d'arsenic, et environ 4,0.10 3 cm3 dans les conditions normales (rapport des éléments des groupes VI/V d'environ 1,6.10 ) de H2Se formant une impureté de type n sont transmis pendant 30 min pour la croissance d'une couche de GaAs ayant une épaisseur de 0,5 um dans les parties de surface plane. 3 Ensuite, la transmission d'environ 0,3 cm dans les conditions normales de TEG, d'environ 0,29 cm3 dans les conditions normales de triméthylindium (TMI), d'environ 240 cm3 dans les conditions normales (rapport des éléments des groupes V/III d'environ 400) de phosphine (PH3) et d'environ 4,0.10-3 cm dans les conditions normales (rapport des éléments des groupes VI/V d'environ 1,6.10 de H2Se pendant 5 min environ permet la formation d'un film de Ga In P d'environ 0,1 pm d'épaisseur comme seconde 0,5 0,5 couche tampon 13. Dans ce cas, après écoulement d'une minute après le début de la croissance, la température de croissance est progressivement élevée de 670 à 710 C en 3 min environ pour la raison suivante. La croissance présente une défaillance lorsque l'élément du groupe V est changé de l'arsenic (As) au phosphore (P) après augmentation de la température, c' est-à-dire qu'il est avantageux d'augmenter la température après que l'élément As a été remplacé par le phosphore. Pour la couche 14 de revêtement placée au-dessus de la seconde couche tampon 13, 0,2 cm3 dans les conditions 3 normales de triméthylaluminium (TMA)2, environ 0,13 cm dans les conditions normales de TEG, environ 0,49 cm3 dans 3 les conditions normales de TMI, environ 310 cm dans les conditions normales (rapport des éléments des groupes V/III d'environ 300) de PH3 et environ 6,2.104 cm dans les conditions normales (rapport des éléments des groupes VI/V d'environ 2,0.10 6) de H2Se sont transmis pendant 36 min pour la croissance résultante d'un film de (Al0,7Ga0,3)0,5In0,5P de type n d'environ 1,2 pm d'épaisseur. Dans ce cas, la partie de la couche 14 placée le long du plan (411A) a une épaisseur d'environ 1,45 um. Ensuite, pour la couche de guidage 15, environ 3 0,09 cm dans les conditions normales de (TMA)2, environ 0,21 cm dans les conditions normales de TEG, environ 3 0,37 cm dans les conditions normales de TMI, environ 310 cm3 dans les conditions normales (rapport des éléments des groupes V/III d'environ 300) de PH3, et environ 6,2.1O cm3 dans les conditions normales (rapport des éléments des groupes VI/V d'environ 2,0.10-6) de H2Se sont transmis pendant 7 min et 30 s afin qu'une couche de (Al0,4Ga0,6)0,5In0,5P de type n soit formée par croissance avec une épaisseur d'environ 0,2 lum. La partie de la couche 15 qui est le long du plan (411)A a une hauteur d'environ 0,24 ,um. La couche active 16 de GaInP non dopé ayant une épaisseur d'environ 15 nm est formée par croissance par 3 transmission d'environ 0,2 cm dans les conditions normales de TEG, d'environ 0,33 cm3 dans les conditions normales de 3 TMI et d'environ 240 cm dans les conditions normales (rapport des éléments des groupes V/III d'environ 400) de PH3 pendant 45 s environ. La couche active 63 a une épaisseur d'environ 30 nm sur la partie de surface inclinée. Pour la première couche supérieure de revêtement 17, environ 0,2 cm3 dans les conditions normales de (TMA)2, environ 0,13 cm dans les conditions normales de TEG, 3 environ 0,49 cm dans les conditions normales de TMI, 3 environ 310 cm dans les conditions normales (rapport des éléments des groupes V/III d'environ 300) de PH3, et environ 5.10 5 cm3 dans les conditions normales (rapport -5 des éléments des groupes II/III d'environ 5.10 5 de Cp2Mg sont transmis pendant 27 min pour la croissance d'une couche de (Al0,7Ga0,3)0,5In0,5P de type p ayant une épaisseur d'environ 0,9 um. La partie de la couche 17 de revêtement formée le long du plan (411)A a une épaisseur d'environ 1, 1 um. Pour la seconde couche supérieure de revêtement et la couche 18 d'arrêt de courant, environ 0,2 cm3 dans les 3 conditions normales de (TMA)2, environ 0,13 cm dans les conditions normales de TEG, environ 0,49 cm dans les 3 conditions normales de TMI, environ 310 cm dans les conditions normales (rapport des éléments des groupes V/III 3 d'environ 300) de PH3, environ 0,1 cm dans les conditions normales (rapport des éléments des groupes II/III d'environ 4 3 0,1) de diméthylzinc (DMZn), et environ 6,2.10 cm dans les conditions normales (rapport des éléments des groupes VI/V d'environ 2,0.10 -6 ) de H2Se sont transmis pendant 9 min environ pour la formation d'une couche dopée simultanément d'environ 3,0 um d'épaisseur sur le plan (100). La couche 18 ainsi formée par croissance a une épaisseur d'environ 0,36 um dans sa partie qui se trouve le long du plan (411)A. Les parties de surface plane de la couche 18 sont de type n et ont une concentration des -3 porteurs d'environ 7.1017 cm . Dans la partie de surface inclinée, la couche est de type p et a une concentration des des porteurs d'environ 5.1017 cm Pour la première couche 19 empêchant les fuites de courant, environ 0,09 cm3 dans les conditions normales de 3 (TMA)2, environ 0,1 cm dans les conditions normales de 3 TEG, environ 0,37 cm dans les conditions normales de TMT, environ 310 cm3 dans les conditions normales (rapport des éléments des groupes V/III d'environ 300) de PH3, et 3 environ 5.10 5 cm dans les conditions normales (rapport des éléments des groupes II/III d'environ 6.10 5) de Cp2Mg sont transmis pendant 90 s environ pour la croissance d'une couche de (Al0,4Ga0,6)0,5 5P de type p ayant une épaisseur d'environ 40 nm. Pour la seconde couche 20 destinée à empêcher les fuites de courant, une couche de Ga0,5In0,5P de type p est formée par croissance avec une épaisseur d'environ 0,1 pm sur le plan (100) par transmission d'environ 0,3 cm3 dans 3 les conditions normales de TEG, d'environ 0,29 cm dans les conditions normales de TMI, d'environ 240 cm3 dans les conditions normales (rapport des éléments des groupes V/TII d'environ 400) de PH3, et d'environ 0,06 cm3 dans les conditions normales (rapport des éléments des groupes II/III d'environ 0,1) de DMZn pendant 5 min. Dans ce cas, lorsqu'une minute s'est écoulée après le début de la croissance, la température de croissance est progressivement réduite de 710 à 670 "C en 3 min environ. Pour la couche 21 de contact, une couche de GaAs de type p de 5 um d'épaisseur environ est formée par croissance à une température de croissance de 670 "C dans une 3 opération de 3 h dans laquelle environ 1 cm dans les 3 conditions normales de TMG, environ 50 cm dans les condi- tions normales (rapport des éléments des groupes V/III 3 d'environ 50) de AsH3 et environ 0,05 cm dans les condi- tions normales (rapport des éléments des groupes II/III d'environ 0,05) de DMZn sont transmis pendant 2 h, et les 3 mêmes quantités de TMG et de AsH3 et 0,2 cm dans les conditions normales (rapport des éléments des groupes II/III d'environ 0,2) de DMZn sont transmis pendant 1 h. Le produit demi-fini obtenu est alors soumis à diverses opérations, par exemple l'isolement des dispositifs, la formation des contacts, le clivage et le revete- ment de la surface d'extrémité pour la réalisation complète de la structure du dispositif laser à semi-conducteur qui est alors fixée à un radiateur, sa région de type n étant tournée vers le radiateur. Bien qu'on ait décrit un exemple de structure de dispositif laser à semi-conducteur formé de matériau semiconducteur ayant des composés à base de AlGaInP, la structure peut s'appliquer à un dispositif laser à semi-conducteur formé à partir d'autres composés semi-conducteurs. On a utilisé le plan (411)A à titre d'exemple pour la partie de surface inclinée. Cependant, on peut adopter tout autre plan ayant une vitesse de croissance et une caractéristique de dopage différentes de celles des parties de surface plane. Dans l'exemple, le dispositif laser à semi-conducteur émettant de la lumière par le plan incliné a une configuration telle que la lumière est émise à l'état stable par la région inférieure de la partie de surface inclinée. Cependant, il est aussi possible de construire le dispositif laser à semi-conducteur afin qu'il émette de la lumière à partir de la région supérieure de la partie de surface inclinée, à un état stable. Lorsque le point central du plan qui transmet les porteurs circulant dans la couche active est décalé vers le côté supérieur ou inférieur du dixième au moins de la largeur W de la couche active par rapport au point central de cette couche, l'émission lumineuse stable peut être réalisée de façon continue par la partie supérieure ou inférieure respectivement. Bien que la couche d'arrêt de courant ne comprenne qu'une couche dans la description, on peut utiliser des structures dans lesquelles la couche d'arrêt de courant est formée de plusieurs sous-couches. D'autres couches, telles que la couche destinée à empêcher les fuites de courant, peuvent être introduites le cas échéant. Bien entendu, diverses modifications peuvent être apportées par l'homme de l'art aux lasers à semi-conducteur qui viennent d'être décrits uniquement à titre d'exemples non limitatifs, sans sortir du cadre de l'invention. REVENDICATIONS 1. Laser à semi-conducteur, caractérisé en ce qu'il comprend un substrat semi-conducteur (61) à motif comprenant une partie inférieure de surface plane, une partie supérieure de surface plane et une partie de surface inclinée en forme de bande connectant la partie inférieure et la partie supérieure de surface plane, une couche active (63) formée sur le substrat semiconducteur (61), une couche supérieure de revêtement (64) formée sur la couche active (63), une couche (65) d'arrêt de courant formée sur les parties de la couche de revêtement (64), les parties correspondant respectivement à la partie inférieure et à la partie supérieure de surface plane, et une région de canal de courant formée sur une partie de la couche supérieure de revêtement (64), cette partie correspondant à la partie de surface inclinée, et si chacune des parties de surface plane et la partie de surface inclinée de la couche supérieure de revêtement (64) ont des épaisseurs t2 et tl, on a la relation tl > t2, et si la limite entre la partie inférieure de surface plane et la partie de surface inclinée fait un angle e avec le plan inférieur de la partie inférieure de surface plane, et si le plan inférieur de la partie de surface inclinée est incliné d'un angle e par rapport au prolongement du plan inférieur de la partie inférieure de surface plane, et la bande de la partie de surface inclinée de la couche active (63) a une largeur W, on a la relation tg l(2tl/W) s e + 2. Laser à semi-conducteur selon la revendication 1, dans lequel les parties de surface plane du substrat semiconducteur (61) ont un indice de plan d'environ (100), et la bande de la partie de surface inclinée est pratiquement dans la direction . 3. Laser à semi-conducteur selon la revendication 2, caractérisé en ce que la partie de surface inclinée du substrat semi-conducteur (61) a un indice de plan d'environ (411)A. 4. Laser à semi-conducteur selon l'une des revendications 1 et 3, caractérisé en ce que la couche active (63) est essentiellement formée de GaInP. 5. Laser à semi-conducteur selon l'une des revendications 1 et 4, caractérisé en ce qu'il comprend en outre une couche inférieure de revêtement (62) formée sur la couche active (63) du côté du substrat semi-conducteur (61). 6. Laser à semi-conducteur, caractérisé en ce qu'il comprend un substrat semi-conducteur (61) à motif comprenant une première partie de surface plane, une seconde partie de surface plane, et une partie de surface inclinée en forme de bande connectant la première partie et la seconde partie de surface plane, une couche active (63) formée sur le substrat semiconducteur (61), une couche supérieure de revêtement (64) formée sur la couche active (63), et une couche de transmission de porteurs formée sur une partie de la couche de revêtement (64), cette partie correspondant à la partie de surface inclinée, et la couche active (63) a une partie de surface inclinée ayant une largeur W, et une perpendiculaire imaginaire passant par le point central d'une surface plane de la couche de transmission des porteurs et dirigée vers la couche active (63) dans un plan perpendiculaire à la direction de la bande recoupe la couche active (63) à une position séparée d'une position centrale de la partie de surface inclinée de la couche active (63) de largeur W par une distance au moins égale à environ (l/lO)W. 7. Procédé de fabrication d'un laser à semi-conducteur, caractérisé en ce qu'il comprend des étapes de croissance en phase vapeur, sur un substrat semi-conducteur (61) à motif, d'une couche active (63) et d'une couche supérieure de revêtement (64) contenant une couche de AlGaInP, le substrat (61) ayant une première partie de surface plane, une seconde partie de surface plane, et une partie de surface inclinée en forme de bande connectant la première partie et la seconde partie de surface plane, la couche supérieure de revêtement (64) étant formée par croissance dans des conditions pratiquement telles que R = aTg + bTg + c + da et R > 1 avec R = tl/t2 représentant un rapport de surface inclinée, t2 étant l'épaisseur des parties de surface plane de la couche supérieure de revêtement (64), tl étant l'épaisseur de la partie de surface inclinée de cette couche, Tg étant la température de croissance, a étant le rapport des éléments des groupes V/III des matières de croissance, a = 1,9999.10 4, b = -0,297985, c = 111,505 et d = 1,6667.10 8. Procédé selon la revendication 7, caractérisé en ce que le rapport des éléments des groupes V/III a est corrigé de manière que a = 128*aEXp pG/ERG F T a EXP étant le rapport des éléments des groupes V/III des matières premières utilisées pour la croissance, P G étant la pression de croissance en torrs, ERG étant le rendement de croissance en pm/mol et F T étant le débit total en centimètres cubes dans les conditions normales. 9. Procédé selon l'une des revendications 7 et 8, caractérisé en ce que le substrat semi-conducteur (61) est un substrat (61) de type n, et le procédé comporte en outre une étape de dopage simultané de matières de type p et de type n dans la couche supérieure de revêtement (64), avec formation de cette manière d'une couche supérieure auxiliaire de revêtement ayant une partie de type p sur la partie de surface inclinée et des parties de type n sur les parties de surface plane.