FR 2724489 A1 19960315 FR 9509874 A 19950817 ARRIERE-PLAN DE L'INVENTION La présente invention concerne un dispositif à semiconducteur et son procédé de fabrication et plus particulièrement, un dispositif à semiconducteur comportant un motif métallique tel que des câblages, des électrodes et des plages ou plots constitués par un matériau métallique présentant une capacité de corrosion élevée en présence d'eau ainsi que son procédé de fabrication. Dans un dispositif à semiconducteur, divers motifs constitués par des métaux tels que des électrodes, des câblages et des plots de liaison sont formés. Puisque certains des matériaux formant les motifs métalliques sont susceptibles de se corroder en présence d'eau ou de gaz, une structure de recouvrement de la surface du motif métallique dans le dispositif à semiconducteur à l'aide d'un film isolant est de façon générale adoptée. Par exemple, un MESFET en GaAS qui est recouvert d'un film en nitrure de silicium est décrit dans le catalogue JSAP, n" AP902232, 13 Novembre 1990, pages 30 à 35. Cependant, le procédé pour empêcher une réaction de corrosion d'un motif métallique n'est pas suffisamment sûr, et il est souhaitable d'empêcher la voie d'intrusion d'eau dans le dispositif à semiconducteur de façon certaine ou d'empêcher la réaction de corrosion d'un motif métallique par l'eau qui s'est introduite dans le dispositif à semiconducteur. RESUME DE L'INVENTION Un objet de la présente invention consiste à proposer un dispositif à semiconducteur qui limite l'intrusion d'eau et qui empêche également une réaction de corrosion d'un motif métallique par l'eau qui s'est introduite ainsi qu'un procédé de fabrication de ce même dispositif. Selon la présente invention, lorsqu'un motif métallique dans lequel une réaction de corrosion est susceptible de se produire existe dans une voie d'intrusion d'eau, un film de protection métallique constitué par un matériau présentant une tendance à l'ionisation inférieure à celle du motif métallique est formé sur la face située sur le côté d'intrusion de l'eau du motif métallique. Dans un dispositif à semiconducteur, de l'eau est susceptible de s'introduire entre deux films d'adhérence médiocre. En tant que deux films d'adhérence médiocre, par exemple, on peut mentionner un film isolant qui se voit appliquer une contrainte de tension et un film isolant qui se voit appliquer une contrainte de compression ou un film isolant et un film métallique ou un film isolant et un film semiconducteur composite. Puisque la génération d'une corrosion d'un motif métallique est vérifiée en adoptant une telle structure, un courant de fuite ne passe plus entre le motif métallique et l'autre motif conducteur au travers d'un hydrate de métal. En outre, puisque l'application d'eau au travers d'un film isolant jusqu'au motif métallique est empêchée par un film de protection métallique, une réaction de corrosion n'est pas produite par l'eau qui est transmise au travers du film isolant recouvrant le motif métallique. En tant que matériau du film de protection métallique, n importe lequel pris parmi l'or, le platine, le palladium, un alliage d'or, un alliage de platine, un alliage de palladium ou un hexaborure de lanthane (LaB6) est choisi. En outre, en tant que matériau du motif métallique au niveau duquel une corrosion est susceptible de se produire, on peut choisir un métal réfractaire tel que le tungstène, le molybdène, le titane et le tantale, un composé de métal réfractaire ou l'aluminium. En particulier, le tungstène et le molybdène sont susceptibles de réagir en présence d'eau par comparaison avec d'autres métaux réfractaires. Par exemple, dans un transistor à effet de champ, une réaction de corrosion d'une électrode de grille est limitée en recouvrant au moins la partie latérale de l'électrode de grille réalisée en un métal réfractaire existant entre le film en dioxyde de silicium inférieur et le film en nitrure de silicium supérieur, ce qui empêche la génération d'un courant de fuite entre l'électrode de grille et l'électrode de drain (ou l'électrode de source). Lorsque l'électrode de grille forme une jonction Schottky avec une couche semiconductrice, le matériau pour former l'électrode de grille est limité. Par conséquent, ce qui précède est efficace lorsque le matériau au niveau duquel la réaction de corrosion est difficile à générer ne peut pas être choisi. L'électrode de grille peut présenter une section soit en forme de T soit de forme rectangulaire. Puisqu'il est inévitable, dans un transistor à effet de champ, d'agencer l'électrode de source et l'électrode de drain proches de l'électrode de grille conformément à la nécessité de miniaturisation, il est nécessaire d'empêcher de façon sûre une réaction de corrosion de l'électrode de grille. Par conséquent, il est particulièrement efficace de couvrir la partie latérale de l'électrode de grille faisant face à l'électrode de source et à l'électrode de drain à l'aide du film de protection métallique décrit ci-avant pour empêcher une détérioration au fil du temps des caractéristiques du transistor. En outre, dans un plot de grille présentant la même structure de couche que l'électrode de grille, il est également efficace d'empêcher une réaction de corrosion en formant le film de protection métallique mentionné ci-avant sur la partie latérale du plot de grille. II arrive quelquefois qu'un matériau présentant une adhérence élevée vis à vis d'un motif métallique ne puisse pas être choisi en tant que matériau du film de protection métallique. Dans ce cas, une couche constituée par un matériau permettant d'améliorer l'adhérence est placée entre le motif métallique et le film de protection métallique pour ainsi empêcher le pelage du film de protection métallique. Dans le cas où un motif métallique constitué par un matériau susceptible de réagir avec de l'eau est amené en contact avec une couche semiconductrice ou une couche conductrice par l'intermédiaire d'une partie d'ouverture d'un premier film isolant, lorsqu'une configuration plane du motif métallique est rendue telle qu'elle est pratiquement similaire à la configuration plane de la partie d'ouverture, de l'eau s'introduit au travers entre un second film isolant recouvrant le motif métallique et le premier film isolant et s'introduit également entre le premier film isolant et le motif métallique. Lorsqu'une telle structure est adoptée, il est nécessaire de former le film de protection métallique pour empêcher la corrosion non seulement sur le motif métallique mais aussi de manière à recouvrir la frontière entre le motif métallique et le premier film isolant. Moyennant cela, la corrosion du motif métallique par l'eau est empêchée et la génération d'un courant de fuite depuis le motif métallique est empêchée. En adoptant une telle structure, dans l'électrode de grille et les câblages, la corrosion d'électrode est empêchée. L'intrusion d'eau est susceptible de se produire entre un plot de liaison et un film de protection isolant recouvrant sa périphérie. Puis lorsque la périphérie d'un plot de liaison est recouverte d'un film de protection isolant inorganique et que la frontière entre le plot et le film de protection isolant est recouverte encore d'un film organique, il devient difficile que de l'eau s'introduise entre le plot et le film de protection isolant. Ceci est dû à la raison consistant en ce que l'adhérence entre le film organique et le métal est forte. En outre, afin d'empêcher l'intrusion d'eau depuis le plot de liaison, un procédé consistant à former la configuration d'une partie d'ouverture formée dans le film de protection isolant pour mettre à nu le centre du plot selon un polygone et à faire en sorte que tous les angles internes du polygone soient rendus plus importants que 90 degrés est efficace. Lorsqu'un film de protection métallique est formé sur la partie latérale du motif métallique, un procédé de gravure d'un film de protection métallique est mis en oeuvre, après recouvrement de la partie supérieure de ia périphérie du motif métallique à l'aide du film de protection métallique, suivant une direction fixe de manière à faire en sorte que le film reste sélectivement sur la partie latérale seulement. En outre, en tant que procédé d'enterrement d'un motif métallique seulement dans la partie d'ouverture du film isolant, on propose un procédé de formation d'un film métallique formant un motif métallique sur une partie d'ouverture d'un film isolant et sur le film isolant, d'application d'une réserve ensuite sur le film métallique puis d'aplanissement par gravure de la réserve et du film métallique en continu. Moyennant cela, le film métallique (motif métallique) dans la partie d'ouverture est aplani. Il suffit de former un film de protection métallique ensuite au niveau de l'extrémité de la frontière entre le motif métallique et le film isolant et sa circonférence. Lorsqu'une structure qui est telle qu'une pluralité d'électrodes métalliques ou de câblages métalliques présentant des tendances à l'ionisation différentes coexistent dans la voie d'intrusion de l'eau est adoptée, on bénéficie de l'avantage de l'utilisation de l'invention décrite ci-avant qui est évident en particulier dans un MESFET et dans un HEMT dans lesquels deux types de métaux sont adoptés en tant qu'électrodes. BREVE DESCRIPTION DES DESSINS La figure 1 (a) est une vue en coupe qui représente un dispositif à semiconducteur et la figure 1 (b) est une vue en coupe partiellement agrandie de ce même dispositif la figure 2 est une vue en plan qui représente un plot et un film de protection isolant d'un dispositif à semiconducteur la figure 3(a) est une vue en coupe qui représente un premier mode de réalisation d'un dispositif à semiconducteur selon la présente invention la figure 3(b) représente une courbe de taux de défaillance obtenue au moyen d'un test de fiabilité du dispositif à semiconducteur du premier mode de réalisation les figures 4(a) à 4(h) sont des vues en coupe qui représentent un processus de fabrication d'un dispositif à semiconducteur selon un second mode de réalisation de la présente invention les figures .5(a) à 5(d) sont des vues en coupe qui représentent un processus de fabrication d'un dispositif à semiconducteur selon un troisième mode de réalisation de la présente invention les figures 6(a) et 6(b) sont des vues en coupe qui représentent une partie d'un processus de fabrication d'un dispositif à semiconducteur selon un quatrième mode de réalisation de la présente invention la figure 7 est une vue en coupe qui représente un dispositif à semiconducteur selon un cinquième mode de réalisation de la présente invention les figures 8(a) à 8(e) sont des vues en coupe qui représentent un processus de fabrication d'un dispositif à semiconducteur selon un sixième mode de réalisation de la présente invention les figures 9(a) et 9(b) sont des vues en coupe qui représentent un processus ajouté de façon supplémentaire au processus de fabrication d'un dispositif à semiconducteur selon le sixième mode de réalisation de la présente invention la figure 10 est une vue en perspective qui représente l'agencement d'électrodes d'un MESFET dans lequel des espaces d'air sont adoptés les figures 11 (a) et 11 (b) sont des vues en plan qui représentent un processus de formation d'une électrode et d'un plot d'un dispositif à semiconducteur selon un septième mode de réalisation de la présente invention la figure 12 est une vue en coupe prise selon une ligne I-I de la figure 11(b) la figure 13 est une vue en coupe qui représente un dispositif à semiconducteur selon un huitième mode de réalisation de la présente invention la figure 14(a) est une vue en plan qui représente des électrodes et des plots d'un dispositif à semiconducteur selon un neuvième mode de réalisation de la présente invention et la figure 14(b) est une vue en coupe prise selon une ligne ll-ll de cette même figure la figure 15(a) est une vue en plan qui représente des électrodes et des plots d'un dispositif à semiconducteur selon un dixième mode de réalisation de la présente invention et la figure 15(b) est une vue en coupe prise selon une ligne 111-111 de cette même figure la figure 16(a) est une vue en plan qui représente un film de protection isolant de plots d'un dispositif à semiconducteur selon un onzième mode de réalisation de la présente invention, la figure 16(b) est une vue en coupe prise selon une ligne IV-IV de la figure 16(a) qui représente la relation qui lie les électrodes et les plots dans le dispositif à semiconducteur et la figure 16(c) est une vue en coupe agrandie d'une partie de la figure 16(b) entourée par une ligne en pointillés ; et la figure 17 est une vue en plan qui représente un exemple modificatif d'un film de protection isolant d'un plot utilisé dans un dispositif à semiconducteur selon un douzième mode de réalisation. DESCRIPTION DES MODES DE REALISATION PREFERES La progression de la présentation de l'invention est la suivante. En tant qu'exemple d'une telle structure, on connaît un transistor à effet de champ à semiconducteur métallique (MESFET) tel que représenté sur la figure 1(a). Sur la figure 1(a), on peut voir une couche semiconductrice active 102 constituée par du GaAs dopé au silicium sur un substrat en arséniure de gallium (GaAs) semi-isolant 101, et cette couche semiconductrice active 102 est recouverte d'un film en dioxyde de silicium 103 qui a été obtenu par croissance à approximativement 350"C au moyen d'un procédé de dépôt chimique en phase vapeur (CVD) thermique. En outre, une électrode de grille 105 constituée par un composé de tungstène est formée sur la couche semiconductrice active 102 au travers d'une partie d'ouverture 104 du film en dioxyde de silicium 103. Puisque une barrière Schottky est formée au niveau d'une partie de jonction avec l'électrode de grille 105 dans la couche semiconductrice active 102, I'aire d'une couche d'appauvrissement 106 formée sous l'électrode de grille 105 dans la couche semiconductrice active 102 varie conformément à l'amplitude d'une tension de grille. En outre, un câblage métallique 107 est formé sur une face supérieure du composé de tungstène formant l'électrode de grille 105. En outre, une électrode de source 108 et une électrode de drain 109 sont en contact ohmique avec la couche semiconductrice active 102 sur les deux côtés de l'électrode de grille 105. L'électrode de source 108 et l'électrode de drain 109 sont formées par une structure bicouche en or-germanium et or par exemple. Le MESFET présentant une telle structure est recouvert d'un film en nitrure de silicium 110 afin d'empêcher une détérioration due à la réaction entre l'eau ou le gaz existant à l'extérieur et le matériau de formation. Le film en nitrure de silicium 110 est formé à une température basse d'approximativement 350"C ou moins afin d'empêcher une dénaturation de l'électrode de source 108 et de l'électrode de drain 109. En outre, I'électrode de source 108 et l'électrode de drain 109 sont extraites de la couche semiconductrice active 102 par I'intermédiaire d'un câblage 112 et sont connectées à un plot de liaison 111, comme représenté sur la figure 2. Le plot de liaison 111 est formé en un métal qui réagit difficilement avec de l'eau ou du gaz externe, par exemple en or. Une partie d'ouverture 113 selon une forme rectangulaire plane est formée afin de mettre à nu le centre du plot de liaison 111 pour une liaison dans le film en nitrure de silicium 110 recouvrant le plot de liaison 111. En outre, afin de clarifier la relation de positionnement relative entre l'électrode de source 108 ou l'électrode de drain 109 et la partie d'ouverture 113, la partie d'ouverture 113 est représentée au-dessus de l'électrode de source 108 ou de l'électrode de drain 109 sur la figure 1(a) et sur la figure 1(b). Ici, dans un FET présentant la structure représentée sur la figure 1(a), le film en nitrure de silicium 110 formé à une température basse présente une finesse de structure médiocre et de l'eau est susceptible d'être transmis au travers, comme représenté par une voie IN1. En outre, puisque le film en nitrure de silicium 110 présente une adhérence médiocre vis à vis d'un film métallique et qu'en outre une contrainte de tension a été produite dans le film en nitrure de silicium 110, I'adhérence avec le film en dioxyde de silicium 103 présentant une contrainte de compression est également médiocre. En tant que résultat, comme représenté à l'aide d'une voie IN2, I'eau qui s'est introduite depuis la partie d'ouverture 113 du film en nitrure de silicium 110 atteint l'électrode de grille 105 en passant entre les électrodes de source/drain 109, 108 et le film en nitrure de silicium 110 et en passant entre le film en dioxyde de silicium 103 et le film en nitrure de silicium 110. En tant que mesure de prévention vis à vis de l'intrusion d'eau, des bords de l'électrode 108 et de l'électrode de drain 109 sont recouverts selon une forme d'encadrement rectangulaire par le film en nitrure de silicium 110, comme représenté sur la figure 2. Cependant, I'eau est susceptible de s'introduire à I'intérieur du dispositif à semiconducteur par l'intermédiaire des quatre angles de la partie d'ouverture carrée 113. Puisqu'une partie de l'électrode de grille 105 et de l'électrode de drain 109 décrites ci-avant est en contact avec la couche semiconductrice active 102, une différence de potentiel de contact est produite du fait de la différence au niveau de la tendance à l'ionisation entre ces électrodes lorsque ces électrodes viennent en contact avec de l'eau. Moyennant cela, une partie du composé de tungstène formant l'électrode de grille 105 est ionisée par l'eau et en outre, le tungstène et l'eau réagissent l'un avec l'autre. Moyennant cela, un hydrate de tungstène 114 tel que représenté sur la figure 1(b) est généré, d'où la production d'une corrosion au niveau de l'électrode de grille 105. En outre, lorsque du fluor est transmis au travers du film en nitrure de silicium 110 et est appliqué sur le tungstène, la réaction entre le tungstène et l'eau est stimulée, ce qui accélère la génération de l'hydrate de tungstène 114. L'hydrate de tungstène 114 généré comme décrit ci-avant s'étale sur l'électrode de source 108 et sur l'électrode de drain 109 en passant entre le film en dioxyde de silicium 103 et le film en nitrure de silicium 110, ce qui provoque la génération d'un courant de fuite entre l'électrode de grille 105 et l'électrode de source 108 ou entre l'électrode de grille 105 et l'électrode de drain 109. En outre, il existe également un inconvénient qui consiste en ce que des caractéristiques de transistor sont modifiées par la corrosion de l'électrode de grille 105. Cette corrosion métallique est produite par l'eau qui pénètre entre deux films présentant une adhérence médiocre et en outre, la corrosion métallique est accélérée par l'eau qui se transmet au travers d'un film isolant et qui entre à l'intérieur du dispositif à semiconducteur. En outre, puisque le câblage qui extrait l'électrode de grille, I'électrode de drain ou l'électrode de source jusqu'au plot de liaison présente une structure de couche qui est la même que celle de ces électrodes, la corrosion est également produite au niveau de la partie latérale du câblage, ce qui provoque une augmentation de la résistance électrique du câblage et du risque de rupture du câblage. Puisqu'un motif en or est formé sur l'électrode et sur le câblage afin d'abaisser la résistance électrique, la partie qui subit une corrosion est essentiellement l'électrode ou la partie latérale du câblage. PREMIER MODE DE REALISATION La figure 3(a) est une vue en coupe d'un MESFET qui représente un premier mode de réalisation de la présente invention. Sur la figure 3(a), une couche active en GaAs de type N 2 est formée sur un substrat en GaAs semi-isolant 1 et un film en dioxyde de silicium (un film isolant) 3 est obtenu par croissance au moyen d'un procédé de dépôt chimique en phase vapeur (CVD) sur la couche active en GaAs 2. La température de croissance du film en dioxyde de silicium 3 est d'approximativement 3500C. Une partie d'ouverture 4 est formée dans le film en dioxyde de silicium 3 situé dans une région de grille, une partie évidée 5 est formée dans la couche active en GaAs 2 sous la partie d'ouverture 4 et une électrode de grille 6 réalisée en siliciure de tungstène est connectée à la couche active en GaAs 2 par l'intermédiaire de la partie d'ouverture 4 et de la partie évidée 5. L'électrode de grille 6 est constituée par une couche de jonction Schottky 6a connectée à la couche active en GaAs 2 et par une couche de câblage 6b formée dessus, et l'électrode de grille 6 fait saillie sur le film en dioxyde de silicium 3 et présente une section en forme de T. La couche de jonction Schottky 6a est constituée par un métal réfractaire, soit un composé métallique réfractaire ou de l'aluminium, et la couche de câblage 6b est formée en un matériau faible résistance tel que de l'or (Au), du platine (Pt), un alliage d'or ou un alliage de platine. En tant que métal réfractaire, le tungstène, le molybdène, le titane, le tantale ou autres sont disponibles et en tant que son composé, on peut noter un siliciure de métal réfractaire, un nitrure de métal réfractaire, un aluminium de métal réfractaire ou autres. Sur la paroi latérale de l'électrode de grille en forme de T 6, un film de protection métallique 7 constitué par un matériau métallique qui ne réagit pas en présence d'eau ou qui présente une réaction médiocre en présence d'eau est formé. En tant qu'un tel matériau métallique, par exemple, on peut noter l'or (Au), le platine (Pt), le palladium (Pd), un alliage d'or, un alliage de platine, un alliage de palladium et un hexaborure de lanthane. Ici, la raison pour laquelle un film métallique est utilisé pour protéger la partie inaltérable de l'électrode de grille 6 est constituée par le fait que l'adhérence avec une couche métallique formant l'électrode de grille 6 est forte. En outre, des parties d'ouverture 8s et 8d sont formées en laissant un espace sur les deux côtés de l'électrode de grille 6 dans le film en dioxyde de silicium 3 et une électrode de source 9s et une électrode de drain 9d sont en contact ohmique avec la couche active en GaAs 2 au travers de ces parties d'ouverture 8s et 8d. L'électrode de source 9s et l'électrode de drain 9d sont formées par une couche en or-germanium (AuGe) et par une couche en Au formées l'une sur l'autre sur la couche active en GaAs 2. En outre, I'électrode de grille 6, I'électrode de source 9s, I'électrode de drain 9d et le film en dioxyde de silicium 3 sont recouverts d'un film de protection isolant 10 constitué par un nitrure de silicium obtenu par croissance à une température de 350"C ou moins. Puisque des contraintes respectives dans le film de protection isolant 10 et dans le film en dioxyde de silicium 3 sont selon des sens opposés, I'adhérence de ces films est insuffisante. Par conséquent, la frontière entre le film de protection isolant 10 et le film en dioxyde de silicium 3 devient une voie d'intrusion d'eau. En outre, puisque l'adhérence entre l'électrode de grille métallique 6 et le film de protection isolant 10 est également médiocre, sa frontière devient une voie d'intrusion d'eau. En outre, I'eau passant au travers du film de protection isolant 10 est appliquée sur l'électrode de grille 6. Puisque la face latérale et la face supérieure de l'électrode de grille 6 sont recouvertes du film de protection métallique 7 et du film de câblage supplémentaire 6b constitué par un matériau qui ne réagit pas avec l'eau ou qui présente une réaction médiocre vis à vis de l'eau, cependant, la voie d'intrusion d'eau et la couche de câblage 6b de l'électrode de grille 6 ne sont pas amenées en contact l'une avec l'autre. Moyennant cela, le métal tel que le métal réfractaire, le composé métallique réfractaire ou l'aluminium formant l'électrode de grille 6 ne devient plus ionisé en présence d'eau et une réaction de corrosion due à l'élution des ions est supprimée. En outre, la réaction de corrosion n'est jamais stimulée par le gaz traversant le film de protection isolant 10. En outre, I'adhérence entre le film de protection métallique 7 et le film en dioxyde de silicium 3 est meilleure que l'adhérence entre le film de protection métallique 7 et un film en siliciure de tungstène. Par conséquent, L'hydrate de métal réfractaire n'existe pas entre l'électrode de grille 6 et les électrodes de source/drain 9s, 9d et aucun courant de fuite n'est produit entre. Moyennant cela, la fiabilité de l'élément est notablement améliorée. La figure 3(b) représente des courbes de taux de défaillance obtenues par l'intermédiaire d'un test de fiabilité d'un MESFET présentant une structure représentée sur la figure 1 (a) et par l'intermédiaire d'un test de fiabilité d'un MESFET présentant une structure représentée sur la figure 17. Lors du test de fiabilité, un élément comportant une électrode de grille constituée par du siliciure de tungstène est utilisé et une couche en GaAs dopée au silicium est utilisée en tant que couche active. En outre, le film de protection métallique adopté seulement pour un élément de la présente invention est formé en or. En outre, I'évaluation de la fiabilité est réalisée à la tension de polarisation entre la grille et la source de 6 V, à une humidité de 100% et à une température de 1300C. Avec un élément classique, un défaut initial est généré seulement au bout de trois heures. Par opposition à cela, la génération du défaut initial est reportée à 15 heures ou plus. En outre, le temps d'obtention de défaut moyen d'un élément classique est de 5 heures mais le temps d'obtention de défaut moyen devient égal à 20 heures ou plus lors de la mise en oeuvre d'un élément de la présente invention. SECOND MODE DE REALISATION Un MESFET selon un second mode de réalisation de la présente invention est décrit en relation avec un processus de fabrication. Tout d'abord, comme représenté sur la figure 4(a), du GaAs dopé au silicium est obtenu par croissance épitaxiale sur un substrat en GaAs semi-isolant 1 1 pour ainsi former une couche active en GaAs de type N 12. En outre, une couche intermédiaire en AIGaAs 12a et une couche capuchon en GaAs 13 sont formées l'une après l'autre sur la couche active en GaAs 12. En outre, du silicium est introduit dans la couche capuchon 13 et dans la couche active en GaAs 12 de la région de source et de la région de drain pour ainsi former des couches de contact 15s et 15d. Puis du nitrure de silicium (SiN) et de l'oxyde de silicium (SiO2) sont respectivement obtenus par croissance en continu sur 500 et 3000 À sur la couche capuchon 13 pour ainsi former un film isolant 14. Ensuite, une conformation est appliquée au film isolant 14 au moyen d'une photolithographie qui utilise un motif de réserve 16 pour ainsi former une partie d'ouverture 17 dans la région de grille. Puis du GaAs formant la couche capuchon 13 est ôté au moyen d'une gravure ionique réactive (RIE) en utilisant le motif de réserve 16 en tant que masque. Moyennant cela, une partie évidée 18 telle que représentée sur la figure 4(b) est formée sur la couche intermédiaire 12a. Lorsque le processus RIE est réalisé, un gaz mixte contenant de l'hexafluorure de souffre (SF6) et du tétrachlorure de silicium (SiCI4) est utilisé en tant que gaz de gravure et la vitesse de gravure est établie à 2000 /mn en réglant l'énergie appliquée et la valeur de réduction de pression. Moyennant cela, puisque la sélectivité de gravure du GaAs par rapport à l'AlGaAs vaut 100 ou plus, la couche intermédiaire en AlGaAs 12a joue le rôle de couche d'arrêt de gravure. Puis comme représenté sur la figure 4(c), après que le motif de réserve 16 est ôté par pelage, une couche en siliciure de tungstène (WSi) (couche de jonction Schottky) 19 selon une épaisseur de 1500 , une couche en titane (Ti) 20 selon une épaisseur de 50 À et une couche en Au 21 selon une épaisseur de 1000 À sont formées en continu par pulvérisation sur les surfaces du film isolant 14, de la couche capuchon 13 et de la couche intermédiaire 12a. La couche en WSi 19 forme une barrière Schottky au voisinage de la frontière avec la couche intermédiaire en AlGaAs 12a. En outre, la couche en Au 21 est formée en abaissant la valeur de résistance de l'électrode de grille. La couche en Ti 20 est formée pour renforcer l'adhérence entre la couche en Au 21 et la couche en WSi 19. Ensuite, une photo réserve de type positif 22 est appliquée selon une couche épaisse, une lumière est irradiée sur la région de grille par exposition puis la photoréserve 22 est développée. Moyennant cela, comme représenté sur la figure 4(d), une fenêtre 23 pour mettre à nu l'intérieur de la partie d'ouverture 17 du film isolant 14 et la couche en Au 21 autour est formée dans la photoréserve 22. La fenêtre 23 présente une section de forme trapézoïdale inversée en jouant sur le réglage de l'exposition. Puis un plaquage électrolytique est alors appliqué sur la couche en Au 21 dans la fenêtre 23 dans la photoréserve 22 en utilisant la couche en Au 21, la couche en Ti 20 ou autres en tant qu'électrodes de plaquage. Moyennant cela, comme représenté sur la figure 4(e), une couche de recouvrement de grille 24 constituée par de l'or est formée dans la fenêtre 23 de la photoréserve 22. L'inclinaison O d'une paroi latérale de la couche de recouvrement de grille 24 est supérieure à 90". Après que la photoréserve est ôtée par pelage à l'aide d'un solvant, comme représenté sur la figure 4(f), la couche en Au 21, la couche en Ti 20 et la couche en WSi 19 sous la couche de recouvrement de grille 24 sont gravées en utilisant la couche 24 en tant que masque. Une électrode de grille 25 est formée par la couche de recouvrement de grille 24 et par la couche en Au 21, par la couche en Ti 20 et par la couche en WSi 19 auSessous. La couche en WSi 19 dans l'électrode de grille 25 vient en contact Schottky avec la couche intermédiaire en AlGaAs 1 2a et devient une électrode Schottky. En tant que procédé de gravure de la couche en Au 21 et de la couche en Ti 20, une gravure par pulvérisation magnétron est utilisée. Lorsqu'un gaz argon est utilisé en tant que gaz de gravure dans ce cas, que la pression atmosphérique de gravure est établie à 5 mTorr et que la puissance haute fréquence est établie à 1 kW, la vitesse de gravure de 1000 tmn est obtenue. En outre, le procédé RIE est appliqué en tant que procédé de gravure de la couche en WSi 19, et du gaz SF6 est utilisé en tant que gaz de gravure, d'où l'obtention de la vitesse de gravure de 1200 /mn. Puis comme représenté sur la figure 4(9), un film de protection métallique résistant à l'humidité 26 constitué par de l'Au est formé sur la face supérieure et sur la face latérale de l'électrode de grille 25 et sur la face supérieure du film isolant 14 par pulvérisation. Ce film de protection métallique 26 est formé de telle sorte que l'épaisseur de film atteigne 2000 À sur le film isolant 14 mais le film est formé de manière à être plus mince sur la partie latérale de l'électrode de grille 25 par comparaison avec d'autres régions. Puis comme représenté sur la figure 4(h), le film de protection métallique 26 est gravé anisotropiquement suivant une direction perpendiculaire de manière à le laisser seulement sur la paroi latérale de l'électrode de grille 25 selon une forme trapézoïdale inverse. Dans ce cas, une gravure par pulvérisation magnétron est utilisée, de l'Ar est introduit dans l'atmosphère ambiante de gravure en tant que gaz de gravure, la pression de l'atmosphère ambiante de gravure est réduite jusqu'à 5 mTorr et l'énergie électrique haute fréquence est établie à 1 kW. Moyennant cela, la vitesse de gravure de 1000 A/mn est obtenue. Ensuite, des parties d'ouverture 27s et 27d sont formées dans le film isolant 14 sur les couches de contact 15s et 15d et une électrode de source 28s et une électrode de drain 28d sont formées sur les couches de contact 15s et 15d au travers de ces parties d'ouverture 27s et 27d. L'électrode de source 28s et I'électrode de drain 28d sont formées au moyen d'un pelage par gravure. Pour finir, du nitrure de silicium est obtenu par croissance selon une épaisseur de 1000 À au moyen d'un procédé CVD en tant que film de protection de surface isolant 29 et le MESFET est recouvert de ce film de protection de surface 29. La température de croissance du nitrure de silicium est établie à approximativement 300"C. En outre, des câblages sont respectivement élaborés à partir de l'électrode de grille, de l'électrode de source et de l'électrode de drain et sont connectés aux plots séparément. Ces câblages et plots sont recouverts du film de protection de surface 29. En outre, une ouverture permettant de mettre à nu le centre du plot est formée dans le film de protection de surface 29. Une structure pour empêcher l'intrusion d'eau depuis l'ouverture est décrite ultérieurement. Une évaluation de fiabilité est réalisée sur le MSFET ainsi terminé tout en établissant la tension de polarisation entre la grille et la source à 6 V, I'humidité à 100 % et la température à 1300C. En tant que résultat de l'évaluation de fiabilité, il est trouvé qu'un défaut initial n'apparaît pas avant 15 heures et que le nombre d'heures moyen avant observation du défaut est de 20 heures ou plus. En outre, le matériau formant une jonction Schottky avec la couche intermédiaire en AlGaAs 12a n'est pas limité à une couche en WSi mais il peut s'agir d'un composé métallique réfractaire tel qu'un composé de titane et qu'un composé de molybdène ou d'un métal réfractaire autre que ceux mentionnés ci-avant. En tant que composé métallique réfractaire, par exemple, on peut noter un siliciure de métal réfractaire, un nitrure de métal réfractaire et un aluminiure de métal réfractaire. En outre, en tant que film de protection métallique 26 formé sur la face latérale de l'électrode de grille 25, il suffit que le film soit relativement supérieur du point de vue de la résistance à l'humidité au métal réfractaire ou au composé de métal réfractaire formant l'électrode de grille 25. En tant que matériau résistant à l'humidité, on peut noter le platine, le palladium, un alliage d'or, un alliage de platine, un alliage de palladium, un hexaborure de lanthane ou un matériau similaire autre que l'Au. Lorsque l'électrode de grille est formée en tungstène ou en un alliage de tungstène, un effet constitué par le fait que l'obtention d'une réaction de corrosion de l'électrode de grille est plus difficile peut être attendu même lorsque le film de protection métallique 26 est formé en tantale ou en titane présentant une tendance à l'ionisation plus faible que celle du tungstène. TROISIEME MODE DE REALISATION Selon le second mode de réalisation, la section de la couche de recouvrement de grille est réalisée selon une forme trapézoïdale inverse afin de laisser le film de protection métallique sur la paroi latérale de l'électrode de grille, et sa face latérale est inclinée de telle sorte que la partie supérieure devienne plus large que la partie inférieure. Cependant, même lorsque la section de la couche de recouvrement de grille est formée selon une forme trapézoïdale, il est possible de laisser le film résistant à l'humidité seulement sur la paroi latérale de I'électrode de grille sélectivement en suivant le processus décrit ci-après. Tout d'abord, un état représenté sur la figure 4(c) est produit par l'intermédiaire du même processus que le second mode de réalisation. Puis une photoréserve est appliquée sur la couche en Au 21, est exposée en irradiant la région de grille avec une lumière puis est développée. La photoréserve 30 est formée en appliquant successivement une pluralité de photoréserves présentant différentes sensibilités et la sensibilité est distribuée de manière à devenir plus faible depuis le fond en direction du sommet. Moyennant cela, comme représenté sur la figure 5(a), une fenêtre 31 est formée au-dessus de la partie d'ouverture 17 du film isolant 14 dans la photoréserve 30. La fenêtre 31 présente une section de forme trapézoïdale et elle est plus large que la partie d'ouverture 17. Puis un plaquage électrolytique est appliqué à l'aide d'or sur la couche en Au 21 dans la fenêtre 31 de la photoréserve 30 en utilisant la couche en Au 21, la couche en Ti 20 ou autres en tant qu'électrode de plaquage. Moyennant cela, comme représenté sur la figure 5(b), une couche de recouvrement de grille 32 constituée par de l'or est formée selon une forme trapézoïdale dans la fenêtre 31 de la photoréserve 30. L'inclinaison o de la paroi latérale de la couche de recouvrement de grille 32 est inférieure à 90". Puis après que la photoréserve 30 est ôtée par pelage à l'aide d'un solvant en utilisant la couche de recouvrement de grille 32 en tant que masque, la couche en Au 21, la couche en Ti 20 et la couche en WSi 19 dessous sont gravées au moyen du même procédé que le second mode de réalisation. Une électrode de grille 33 telle que représentée sur la figure 5(c) est structurée à l'aide de la couche de recouvrement de grille 32, et la couche en Au 21, la couche en Ti 20 et la couche en WSi 19 restent en-dessous. La couche en WSi 19 dans l'électrode de grille 33 vient en contact Schottky avec la couche intermédiaire en AlGaAs 12a. Puis un film de protection métallique résistant à l'humidité 34 constitué par de l'Au est formé le long de la face supérieure et de la face latérale de l'électrode de grille 33 ainsi que le long de la face supérieure du film isolant 14 par pulvérisation pour ainsi recouvrir l'électrode de grille 33 complètement. Ce film de protection métallique 34 est formé de manière à présenter une épaisseur de film de 2000 À sur le film isolant 14 mais il est rendu plus épais sur la partie latérale de l'électrode de grille 33 par comparaison avec d'autres régions. Puis des ions sont irradiés depuis une direction oblique tout en faisant tourner le substrat en GaAs 1 1 pour ainsi graver le film de protection métallique 34 par pulvérisation suivant la direction oblique en laissant donc le film de protection métallique 34 seulement sur la paroi latérale de l'électrode de grille 33 selon une forme trapézoïdale. Puis comme représenté sur la figure 5(d), des parties d'ouverture 27s et 27d sont formées dans le film isolant 14 sur les couches de contact 15s et 15d et une électrode de source 28s ainsi qu'une électrode de drain 28d sont formées dans les couches de contact 15s et 15d au travers de ces parties d'ouverture 27s et 27d. L'électrode de source 28s et l'électrode de drain 28d sont formées au moyen d'un pelage par gravure. Et pour finir, un film de protection de surface 29 constitué par du nitrure de silicium est formé à approximativement 300"C de façon similaire au second mode de réalisation. En formant la section de l'électrode de grille 33 selon une forme trapézoïdale comme décrit ci-avant, le film de protection métallique 34 formé sur la paroi latérale est rendu plus épais que dans le second mode de réalisation, ce qui rend possible d'améliorer la performance de recouvrement de la paroi latérale de l'électrode de grille 33. En tant que procédé de réalisation de la section de l'électrode de grille 33 selon une forme trapézoïdale, on peut noter un procédé de pelage par gravure d'un dépôt en phase vapeur ou un procédé d'application d'une gravure par pulvérisation utilisant un masque de réserve. QUATRIEME MODE DE REALISATION Selon les modes de réalisation décrits ci-avant, un film de protection métallique est formé directement sur la paroi latérale de l'électrode de grille mais une structure telle que décrite ci-après peut également être adoptée afin de renforcer l'adhérence entre le film de protection métallique et l'électrode de grille. Tout d'abord, un état représenté sur la figure 4(f) du second mode de réalisation est obtenu par l'intermédiaire du processus déjà décrit. Puis comme représenté sur la figure 6(a), un film de renforcement d'adhérence 35 constitué par du titane présentant une épaisseur de film de 50 À est formé sur la face supérieure et sur la face latérale de l'électrode de grille 25 ainsi que sur la face supérieure du film isolant 14 par pulvérisation. Puis un film de protection métallique résistant à l'humidité 36 constitué par de l'Au est formé sur le film de renforcement d'adhérence 35 selon une épaisseur de 2000 À par pulvérisation. Puis comme représenté sur la figure 6(b), le film de protection métallique 36 est gravé anisotropiquement suivant une direction perpendiculaire pour ainsi laisser le film 36 seulement sur la paroi latérale de l'électrode de grille 25 selon une forme trapézoïdale inverse. Un MESFET est formé ensuite par l'intermédiaire du même processus que dans le second mode de réalisation. Le film de protection métallique 36 devient plus difficile à ôter par pelage du fait de la formation du film de renforcement d'adhérence 35, tel que décrit ci-avant. En particulier, il est tout particulièrement efficace lorsque la plage de sélection du matériau de l'électrode de grille 25 est étroite. En outre, puisque le métal gravé à partir du film de protection métallique 36 adhère à la paroi latérale du film de renforcement d'adhérence 35, on peut éviter que la paroi latérale du film de renforcement d'adhérence 35 vienne en contact avec l'eau. Lorsque le film de protection métallique est formé en platine, du Ti est également utilisé en tant que film de renforcement d'adhérence 35. Un tel film de renforcement d'adhérence peut également être adopté selon le troisième mode de réalisation. En outre, le film de renforcement d'adhérence 35 existe sur l'électrode de grille 25 et il est situé en une position au niveau de laquelle de l'eau s'introduit difficilement. CINQUIEME MODE DE REALISATION Le présent mode de réalisation est un exemple dans lequel la couche de jonction Schottky est formée selon une structure bicouche afin d'abaisser la résistance électrique spécifique de l'électrode de grille. Par exemple, la couche de jonction Schottky formant l'électrode de grille est constituée par une couche composite métallique réfractaire 19a constituée par du siliciure de tungstène venant en contact avec une couche active 12 et par un métal réfractaire 19b constitué par du tungstène, comme représenté sur la figure 7. Moyennant cela, la valeur de résistance de la couche de jonction Schottky est abaissée. En outre, cette structure est tout particulièrement efficace lorsqu'il est nécessaire de sélectionner un matériau à résistance élevée en tant que couche de jonction Schottky de l'électrode de grille. En outre, les index de référence qui sont les mêmes que sur la figure 4(h) indiquent les mêmes éléments sur la figure 7. Cette structure bicouche peut également être adoptée dans le troisième mode de réalisation. SIXIEME MODE DE REALISATION Dans les modes de réalisation décrits ci-avant, la partie latérale de la couche de jonction Schottky formant l'électrode de grille est amenée à faire saillie sur le film isolant. Cependant, la couche de jonction Schottky peut être amenée à exister seulement dans la partie d'ouverture du film isolant au moyen de la mise en oeuvre d'un processus décrit ci-après. Tout d'abord, le processus jusqu'à celui représenté sur la figure 4(b) est le même que dans le cas du second mode de réalisation. Dans un tel état, un film en WSi 37 qui est un matériau d'électrode Schottky est formé selon une épaisseur de 1500 À par pulvérisation au-dessus d'une partie d'ouverture 17 d'un film isolant 14, d'une partie évidée 18 d'une couche capuchon 13 et du film isolant 14, comme représenté sur la figure 8(a). Dans ce film en WSi 37, une marche est produite au niveau de la partie de bord de la partie d'ouverture 17 du film isolant 14. Puis une réserve de type positif 38 est déposée par centrifugation sur le film en WSi 37 moyennant pour conditions qu'une épaisseur de 2 Rm est atteinte. La face supérieure de la réserve de type positif 38 est plane. Puis la réserve de type positif 38 et le film en WSi 37 sont aplanis par gravure en continu au moyen d'une gravure plasma ECR. Du gaz SF6 est utilisé en tant que gaz de gravure et les autres conditions de gravure sont établies de telle sorte que la profondeur de gravure atteigne 2000 . Moyennant cela, comme représenté sur la figure 8(b), le film en WSi 37 est enterré dans la partie d'ouverture 17 sans être amené à faire saillie par rapport au film isolant 14 et ce film en WSi 37 est utilisé en tant qu'électrode de grille. Lorsque le film en WSi 37 est aplani par gravure ensemble avec la réserve 38 comme décrit ci-avant, le film en WSi 37 qui a subsisté dans la partie d'ouverture 17 est aplani et la couche intermédiaire 12a n'est pas mise à nu. Puis comme représenté sur la figure 8(c), un film en Au 39 est formé selon une épaisseur de 2000 À par pulvérisation sur le film isolant 14 et sur le film en WSi 37. Puis comme représenté sur la figure 8(d), une conformation est appliquée au film en Au 39 en utilisant une réserve (non représentée) et une gravure par pulvérisation de manière à former une configuration de recouvrement de la face supérieure du film en WSi 37 et de la frontière entre le film en WSi 37 et le film isolant 14. Moyennant cela, le film en Au 39 est utilisé en tant que film de protection métallique. Ce film en Au 39 peut être tiré depuis le dessus de la partie d'ouverture 17, pour ainsi former un motif de câblage (non représenté) connecté au film de protection métallique et au plot de liaison (non représenté). Puis comme représenté sur la figure 8(e), des parties d'ouverture sont formées dans le film isolant 14 sur des couches de contact 15s et 1 5d et une électrode de source 28s ainsi qu'une électrode de drain 28d sont formées au travers de ces parties d'ouverture. En outre, un film de protection de surface 29 constitué par du nitrure de silicium est obtenu par croissance à approximativement 300OC de manière à recouvrir la totalité et une conformation est appliquée au film de protection de surface 29 de manière à mettre à nu le centre du plot de liaison (non représenté). Dans un MESFET formé au moyen du processus décrit ci-avant, le film en Au 39 recouvre la partie supérieure du film en WSi 37 et recouvre également la frontière entre le film en WSi 37 et le film isolant 14 autour depuis le sommet. Par conséquent, de l'eau ne peut plus s'introduire dans la frontière depuis l'extérieur. En tant que résultat, la réaction de corrosion ne se produit plus dans le film en WSi 37 et la génération d'un courant de fuite due à un hydrate entre le film en WSi 37 qui devient l'électrode de grille et les électrodes de source/drain 28s et 28d au voisinage est empêchée. En outre, d'autres métaux réfractaires ou d'autres composées métalliques réfractaires peuvent également être utilisés en lieu et place du film en WSi 37. L'exemple est omis puisqu'il a été décrit dans le mode de réalisation mentionné ci-avant. En outre, un quelconque élément pris parmi le platine, le palladium, un alliage d'or, un alliage de platine, un alliage de palladium et de l'hexaborure de lanthane peut être utilisé en lieu et place du film en Au 39. Puis le film en Au 39 est formé directement au-dessus du film en WSi 37 sur la figure 8(c), mais un film en Ti 40 présentant une épaisseur d'approximativement 50 A est amené à exister entre ces films, comme représenté sur la figure 9(a), de manière à renforcer l'adhérence entre le film en WSi 37 et le film en Au 39 au moyen du film en Ti 40. Une conformation est appliquée au film en Ti 40 comme représenté sur la figure 9(b) en utilisant le masque de réserve utilisé pour la conformation du film en Au 39. SEPTIEME MODE DE REALISATION Dans un MESFET en GaAs dans une bande micro-onde, des doigts de grille G pour diviser l'électrode de grille en une pluralité de sections sont utilisés et des électrodes de source S et de drain D sont agencées entre, comme représenté sur la figure 10. En outre, les électrodes de source S sont extraites jusqu'à des plots de source SP et sont isolées des doigts de grille G au moyen d'espaces d'air AG dans des régions où elles intersectent les doigts de grille G. En outre, les plots de source SP sont formés dans les régions qui entourent le plot de grille GP. Des plots de drain (non représentés) sont extraits jusque sur le côté opposé aux plots de grille GP et aux plots de source SP. Dans un MESFET en GaAs d'une telle structure, il est impossible d'enterrer l'électrode de grille et le plot de grille dans la partie d'ouverture du film isolant en même temps en adoptant un aplanissement par gravure tel que décrit selon le sixième mode de réalisation. Par exemple, lorsqu'une partie d'ouverture de grille étroite est formée dans le film isolant pour former des doigts de grille, une partie d'ouverture pour un plot large tel qu'un plot de grille est formée dans le film isolant par ailleurs et un film en WSi est obtenu par croissance dessus, des niveaux de creusement dans le film en WSi sont différents entre l'intérieur de la partie d'ouverture de plot et l'intérieur de la partie d'ouverture de grille. En outre, I'épaisseur de film de la réserve qui est formée sur une pluralité de parties d'ouverture présentant différentes aires présente une tendance à devenir plus mince dans une partie d'ouverture large.Par conséquent, lorsque la réserve et la couche en WSi sont aplanies par gravure selon le processus selon le sixième mode de réalisation, il y a un risque que le film en WSi disparaisse à l'intérieur de la partie d'ouverture de plot du fait que le film en WSi devient plus mince dans la partie d'ouverture large que dans la partie d'ouverture étroite. Du fait de ce phénomène, on peut craindre que la jonction Schottky avec le plot de grille ne soit plus formée. Par conséquent, lorsque l'électrode de grille, le câblage de grille et le plot de grille sont en train d'être formés en même temps, la partie d'ouverture formée dans le film isolant 14 est formée comme représenté sur la figure 11(a), comme suit. C'est-à-dire que des parties d'ouverture 41a du film isolant 14 dans la région où une pluralité d'électrodes de grille (doigts de grille) sont formées et une partie d'ouverture conformée en bande fine 41b pour connecter les extrémités de ces parties d'ouverture 41a sont formées et en outre, une partie d'ouverture fine 41c est étendue depuis une partie de ces parties d'ouverture 41a et 41b jusqu'à une région de formation de plot de grille. En outre, une pluralité de parties d'ouverture fines 41d sont formées en parallèle à la partie d'ouverture 41c selon des intervalles dans la zone de formation de plot de grille. Selon une telle configuration des ouvertures 41a à 41d, lorsque le film en WSi est aplani par gravure de manière à subsister dans la partie d'ouverture seulement selon le sixième mode de réalisation, les épaisseurs de film des films en WSi remplis dans les parties d'ouverture 41c et 41d dans la région de formation de plot de grille et dans la partie d'ouverture 41a de l'électrode de grille deviennent pratiquement égales l'une à l'autre. Ces films en WSi forment une jonction Schottky avec la couche active au-dessous. La largeur des parties d'ouverture 41c et 41d dans la région de formation de plot de grille est autorisée jusqu'à une largeur qui est telle que le film en WSi subsiste. En outre, il suffit qu'au moins l'une des parties d'ouverture 41c et 41d dans la région de formation de plot de grille existe et la configuration de ces parties d'ouverture 41c et 41d n'a pas besoin d'être une figure rectiligne. En outre, après que les parties d'ouverture 41a à 41d sont remplies du film en WSi, le film en Au est formé sur les parties d'ouverture 41a à 41d et sur le film isolant 14 puis une conformation est appliquée au film en Au comme représenté sur la figure 11 (b) de manière à recouvrir les parties d'ouverture 41a à 41d et leur circonférence, et un plot de grille 42a ainsi qu'un câblage 42b dans le but de couvrir les parties d'ouverture 41c et 41d et leur circonférence de façon unitaire sont formés dans la région de formation de plot de grille. La section du plot de grille est représentée sur la figure 12. Sur la figure 12, les index de référence qui sont les mêmes que sur la figure 8(d) représentent les mêmes éléments. Dans le métal réfractaire ou le composé de métal réfractaire enterré dans les parties d'ouverture selon une telle structure, la réaction de corrosion en présence d'eau est empêchée par le film de protection métallique dessus de façon similaire au sixième mode de réalisation. En outre, la fonction du plot de grille consiste à élaborer un courant électrique et une caractéristique d'élément n'est pas modifiée par l'application de la présente technique. En outre, puisque le plot de grille 42a est positionné en une position éloignée d'une région de canal entre l'électrode de source et l'électrode de drain, il ne fonctionne pas en tant qu'électrode de grille. HUITIEME MODE DE REALISATION Selon le présent mode de réalisation, un MESFET comportant une électrode de grille présentant une section carrée est décrit. Sur la figure 13, une couche active en GaAs de type N 44 est formée sur un substrat en GaAs semi-isolant 43 et une électrode de grille de forme rectangulaire 45 constituée par une structure bicouche constituée par du siliciure de tungstène et par de l'or est formée sur la couche active en GaAs 44. En outre, un film de protection métallique 46 constitué par un matériau présentant une tendance à l'ionisation plus faible que le siliciure de tungstène, par exemple en titane, est formé sur la partie latérale de l'électrode de grille 45. Puisqu'une barrière Schottky est formée dans la couche active en GaAs 44 au niveau de la partie de jonction entre l'électrode de grille 45 et le film de protection métallique 46, le film de protection métallique 46 joue le rôle de partie de l'électrode de grille 45. Le film de protection métallique 46 est formé par l'intermédiaire d'un processus tel que décrit ci-après. C'est-à-dire qu'après que l'électrode de grille 45 est formée, un film en titane (non représenté) est formé sur la totalité de manière à recouvrir l'électrode de grille 45 et la couche active 44. Puis une gravure anisotrope est appliquée au film en titane suivant une direction pratiquement perpendiculaire de manière à le laisser seulement sur la paroi latérale de l'électrode de grille 45, laquelle est utilisée en tant que film de protection métallique 46. Lorsqu'une gravure anisotrope est réalisée au moyen d'une gravure plasma ECR qui utilise en tant que gaz de l'hexafluorure de souffre (SF6), il est possible d'éviter une formation de crevasse sur la surface de la couche active 44. Après que le film de protection métallique 46 est formé, une électrode de source 47s et une électrode de drain 47d sont formées en laissant un espace entre sur les côtés du film de protection métallique 46. Puis les surfaces de l'électrode de grille 45, du film de protection métallique 46, de l'électrode de source 47s, de l'électrode de drain 47d et de la couche active 44 sont recouvertes d'un film en nitrure de silicium 48. Le film en nitrure de silicium 48 est obtenu par croissance à une température basse de 300"C afin d'éviter une dénaturation de l'électrode de source 47s et de l'électrode de drain 47d. Puis dans une structure dans laquelle le film de protection métallique 46 n'existe pas sur la partie latérale de l'électrode de grille 45 présentant une section selon une forme rectangulaire, I'électrode de grille 45 constituée par du siliciure de tungstène est corrodée par de l'eau qui s'introduit au travers entre la couche active 44 et le film en nitrure de silicium 48. Par opposition à ce qui précède, selon le présent mode de réalisation, le film de protection métallique 46 est formé sur la partie latérale de l'électrode de grille 45. Par conséquent, il arrive difficilement que de l'eau qui s'introduit entre la couche active 44 et le film en nitrure de silicium 48 réagisse sur l'électrode de grille 45. En outre, la réaction de corrosion n'est pas accélérée par le gaz qui se transmet dans le film de protection isolant 10. Par conséquent, un hydrate du métal réfractaire n'existe pas entre l'électrode de grille 45 et les électrodes de source/drain 47s, 47d, et un courant de fuite n'est jamais produit entre. Moyennant cela, la fiabilité de l'élément est notablement améliorée. NEUVIEME MODE DE REALISATION La configuration plane des électrodes respectives de la grille, de la source et du drain et des plots qui leur sont connectés dans un MESFET en GaAs fonctionnant dans une bande micro-onde est représentée sur la figure 14(a). C'est-à-dire qu'un MESFET en GaAs comporte des électrodes de grille (doigts de grille) 51 qui ont été divisées en une pluralité de doigts, des électrodes de source 52 et des électrodes de drain 53 agencées en alternance entre, des plots de grille 54 connectés aux électrodes de grille 51, un plot de source 55 connecté aux électrodes de source 52 et un plot de drain 56 connecté aux électrodes de drain 53. Dans la région où les électrodes de source 52 et l'électrode de grille 51 s'intersectent les unes les autres, des espaces d'air existent entre. L'électrode de grille 51 présente la même structure que dans le premier mode de réalisation. En outre, le plot de grille 54 est en contact Schottky avec une couche intermédiaire en AlGaAs 58 formée sur une couche active en GaAs de type N 57, comme représenté sur la figure 14(b). Le plot de grille 54 est formé sur la couche intermédiaire en AlGaAs 58 au travers d'une partie d'ouverture 60a d'une couche capuchon en GaAs 59 et d'un film isolant 60 formé sur la couche intermédiaire en AlGaAs 58. En outre, le plot de grille 54 est constitué par une électrode Schottky 54a, constituée par un métal réfractaire ou par un composé métallique réfractaire, connectée à la couche intermédiaire en AlGaAs 58 et par une couche de câblage 54b en or (Au), en platine (Pt) ou autres. En outre, sur la bande latérale du plot de grille 54, un film de protection métallique 61 constitué par un élément quelconque pris parmi l'or, le platine, le palladium, un alliage d'or, un alliage de platine, un alliage de palladium et un hexaborure de lanthane est formé. Le procédé de formation est exécuté conformément au second ou au troisième mode de réalisation. En outre, le plot de source 55 est structuré en Au et il est formé sur un film isolant 60 autour du plot de grille 54. Puisque le film de protection métallique 61 constitué par un matériau qui réagit plus difficilement en présence d'eau par comparaison avec le métal réfractaire ou le composé métallique réfractaire est formé sur la paroi latérale du plot de grille 54, un hydrate devient difficile à générer depuis sa paroi latérale et un courant de fuite entre le plot de grille 54 et le plot de source 55 est empêché. En particulier, il est efficace du point de vue de la fiabilité d'un dispositif à semiconducteur d'empêcher une réaction de corrosion du fait que le plot est exposé à l'environnement extérieur. En outre, la raison pour laquelle le plot de grille 54 est divisé en une pluralité de sections est qu'il convient d'appliquer une tension uniformément sur une pluralité d'électrodes de grille. DIXIEME MODE DE REALISATION Un MESFET du présent mode de réalisation présente une structure pour rendre difficile le passage d'un courant de fuite entre le plot de grille et le plot de source. Dans un MESFET, une électrode de grille est divisée en une pluralité de pièces, comme représenté sur la figure 1 5(a). L'électrode de grille 6 présente la même structure que celle du premier mode de réalisation, comme représenté sur la figure 15(b). Sur la figure 15(b), les mêmes index de référence que ceux sur la figure 1 indiquent les mêmes éléments. En outre, une partie d'ouverture 62 est formée sur la partie d'extrémité de l'électrode de grille 6 dans un film de protection de surface 10 constitué par du nitrure de silicium qui recouvre l'électrode de grille 6. Des plots de grille 63 formés sur le film de protection de surface 10 sont connectés à l'électrode de grille 6 par l'intermédiaire de la partie d'ouverture 62. Puisque les plots de grille 63 sont formés en un matériau résistant à l'humidité tel que l'or, le platine, le palladium, un alliage d'or, un alliage de platine et un alliage de palladium, une réaction de corrosion n'est jamais produite dans les plots de grille 63. Par conséquent, un courant de fuite dû à un hydrate n'est jamais produit entre les plots de grille 63 et les plots de source (non représentés) autour. ONZIEME MODE DE REALISATION La présente invention concerne une structure permettant d'empêcher l'intrusion d'eau depuis des plots connectés à une électrode de source et à une électrode de drain d'un MESFET ou d'un HEMT. Sur les figures 16(a) et 16(b), une électrode de grille 63 et des électrodes de source 64 élaborées à partir de la grille et de la source d'un transistor à effet de champ sont formées sur une couche semiconductrice 62. L'électrode de grille 63 est constituée par un matériau formant une jonction Schottky avec la couche semiconductrice 62 tel qu'un métal réfractaire, un composé métallique réfractaire ou de l'aluminium. En outre, I'électrode de source 64 est formée en un matériau réalisant un contact ohmique avec la couche semiconductrice 62 tel que de l'or ou que du germanium/or. L'électrode d'extension de grille 63 est les électrodes d'extension de source 64 sont recouvertes d'un film isolant 66, et un plot de grille 67 ainsi que des plots de source 68 sont formés sur le film isolant 66. En outre, le plot de grille 67 est connecté à l'électrode d'extension de grille 63 par l'intermédiaire d'une partie d'ouverture 66a du film isolant 66, et les plots de source 68 sont connectés aux électrodes d'extension de source 64 par l'intermédiaire de parties d'ouverture 66b du film isolant 66. Le plot de grille 67 et les plots de source 68 sont recouverts d'un film en nitrure de silicium (film isolant inorganique) 70, et les parties d'ouverture 70a et 70b prévues pour exposer des régions centrales respectives du plot de grille 67 et des plots de source 68 sont formées dans le film en nitrure de silicium 70. En outre, un polyimide photosensible 71 est formé sur un film en nitrure de silicium 70. Une conformation est appliquée au polyimide 71 par l'intermédiaire d'une exposition et d'un développement, d'où ainsi la formation de parties d'ouverture 71a et 71b dans des régions centrales respectives du plot de grille 67 et des plots de source 68. En outre, le polyimide 71 est poussé légèrement vers le centre davantage que le film en nitrure de silicium 70 sur les plots respectifs 67 et 68, comme représenté selon une figure partiellement agrandie de la figure 16(c), d'où le recouvrement de la partie de bord du film en nitrure de silicium 70 complètement. Par conséquent, la partie de bord du film en nitrure de silicium 70 ne peut pas être vue depuis l'extérieur. Lorsque le bord du film en nitrure de silicium 70 sur le plot de grille 67 et le plot de source 68 est recouvert du polyimide 71 comme décrit ci-avant, L'effet d'empêchement de l'intrusion d'eau dans un dispositif à semiconducteur est amélioré. Ceci est concevable du fait de la raison consistant en ce que l'adhérence entre le polyimide et le métal est forte. En outre, des effets similaires ont également été obtenus même lorsqu'une réserve ou qu'une autre résine organique est utilisée en lieu et place du polyimide. DOUZIEME MODE DE REALISATION Des parties d'angle du plot peuvent être mentionnées en tant que parties où l'eau est susceptible de s'introduire dans le film en nitrure de silicium recouvrant les plots. Ce fait a été déjà décrit dans le commentaire de l'art antérieur. Puis comme représenté sur la figure 17 par exemple, les parties d'angle du plot de grille 67 et le voisinage de celles-ci sont poussés davantage vers l'intérieur que d'autres parties dans le film en nitrure de silicium 70 recouvrant le plot de grille 67 de manière à former une configuration pour réaliser un recouvrement étendu. Dans ce cas, une configuration plane d'une partie d'ouverture 70a formée sur le plot de grille carré 67 présente une forme hexagonale. Lorsqu'une telle structure a été adoptée, de l'eau est empêchée de s'introduire entre le film en nitrure de silicium 70 et les plots de grille 67 depuis la partie d'ouverture 70a. En outre, I'intrusion d'eau peut également être empêchée en adoptant une structure similaire en relation avec une partie d'ouverture (non représentée) sur le plot de source ou le plot de drain. On obtient des effets similaires lorsque le bord du plot est recouvert d'un film isolant tel qu'en Six2, en verre de phosphosilicate (PSG) et en verre déposable par centrifugation (SOG) en lieu et place du film en nitrure de silicium pour former la partie d'ouverture sous le plot selon une configuration telle que décrite ci-avant. En outre, la forme externe de la partie d'ouverture 70a n'est pas limitée à un hexagone pour autant qu'il s'agisse d'un polygone présentant un angle interne supérieur à 90" mais l'effet d'empêchement d'intrusion de l'eau depuis l'extérieur peut également être ainsi obtenu. En outre, I'intrusion d'eau entre le film en nitrure de silicium et le plot de grille est empêchée de façon sûre en recouvrant le bord d'une telle partie d'ouverture polygonale avec une résine organique. AUTRES EXEMPLES Selon les modes de réalisation décrits ci-avant, les électrodes d'un MESFET et les plots qui leur sont connectés ont été décrits. Cependant, on n'est pas limité à une électrode de grille d'un MESFET pour recouvrir la partie latérale d'une électrode avec un film de protection métallique qui réagit difficilement avec de l'eau ou qui ne réagit pas avec celle-ci mais on peut adopter des électrodes d'éléments à semiconducteur tels qu'un HEMT, un MOSFET et autres, des câblages se connectant entre des éléments ou des plots généraux. Moyennant cela, la génération d'un courant de fuite par une réaction de corrosion est empêchée.Dans un HEMT, lorsque l'on suppose que l'index de référence 44 représente une couche en AlGaAs dopée au silicium et que l'index de référence 43 représente une couche en GaAs non dopée sur la figure 13 par exemple, un gaz électronique bidimensionnel est formé au voisinage de la frontière entre ces couches. En outre, une structure dans laquelle le bord du film en nitrure de silicium recouvrant la périphérie du plot est recouvert encore d'une résine organique est également adoptée pour des plots généraux. En outre, le GaAs et l'AlGaAs ont été mentionnés en tant que matériau semiconducteur mentionné ci-avant avec lequel l'électrode forme une jonction Schottky mais cependant, on n'est pas limité à ceux-ci et un semiconducteur composite tel I'lnP et l'lnGaAs ou un semiconducteur tel qu'un silicium et un germanium peuvent également être utilisés. REVENDICATIONS 1. Dispositif à semiconducteur caractérisé en ce qu'il comprend un motif métallique (6a, 19, 37); et un film de protection métallique (7, 36, 39) formé entre une voie d'intrusion d'eau et ledit motif métallique (6a, 19, 37) et constitué par un métal présentant une tendance à l'ionisation inférieure à celle dudit motif métallique (6a, 19, 37). 2. Dispositif à semiconducteur selon la revendication 1, caractérisé en ce que le matériau formant ledit film de protection métallique (7, 36, 39) est un élément quelconque pris parmi l'or, le platine, le palladium, un alliage d'or, un alliage de platine, un alliage de palladium et un hexaborure de lanthane. 3. Dispositif à semiconducteur selon la revendication 1, caractérisé en ce que ladite voie d'intrusion d'eau existe sur au moins le côté dudit motif métallique (6a) et est localisée entre deux films (3, 10). 4. Dispositif à semiconducteur selon la revendication 3, caractérisé en ce que lesdits films sont deux films isolants présentant des compositions différentes ou un film métallique et un film isolant ou un film isolant et un film semiconducteur. 5. Dispositif à semiconducteur selon la revendication 1, caractérisé en ce que ledit matériau formant ledit motif métallique (6a) est un élément pris parmi un métal réfractaire, un composé de métal réfractaire et l'aluminium. 6. Dispositif à semiconducteur selon la revendication 1, caractérisé en ce que ledit composé de métal réfractaire est un siliciure de métal réfractaire, un aluminiure de métal réfractaire ou un nitrure de métal réfractaire. 7. Dispositif à semiconducteur selon la revendication 1, caractérisé en ce que ledit motif métallique (6a) est formé sur une couche semiconductrice (2) et c'est une électrode de grille d'un transistor à effet de champ formant une jonction Schottky avec ladite couche semiconductrice (2). 8. Dispositif à semiconducteur selon la revendication 7, caractérisé en ce que la section de ladite électrode de grille (6) présente une forme rectangulaire ou une forme de T. 9. Dispositif à semiconducteur selon la revendication 1, caractérisé en ce que ledit motif métallique (6a) est un plot de liaison. 10. Dispositif à semiconducteur selon la revendication 1, caractérisé en ce qu'un film métallique de renforcement d'adhérence (35) est formé entre ledit motif métallique (19) et ledit film de protection métallique (36). 11. Dispositif à semiconducteur selon la revendication 10, caractérisé en ce que ledit motif métallique (19) est constitué par un métal réfractaire ou par un composé de métal réfractaire, ledit matériau dudit film de protection métallique (36) est un élément pris parmi l'or, un alliage d'or, le platine et un alliage de platine et ledit film métallique de renforcement d'adhérence (35) est un film en titane. 12. Dispositif à semiconducteur selon la revendication 1, caractérisé en ce que la partie supérieure dudit motif métallique (6a) est structurée par une couche (6b) constituée par un matériau métallique présentant une résistance spécifique inférieure à celle dudit motif métallique (6a). 1 3. Dispositif à semiconducteur selon la revendication 1, caractérisé en ce que ledit motif métallique (37, 37a) est enterré dans une partie d'ouverture (17) formée dans un film isolant (14) et ledit film de protection métallique (39, 42a) recouvre au moins la frontière entre ledit motif métallique (37) et ledit film isolant (14). 14. Dispositif à semiconducteur selon la revendication 1, caractérisé en ce que ledit motif métallique (37) est une électrode de grille d'un transistor à effet de champ formant une jonction Schottky avec une couche semiconductrice (2). 15. Dispositif à semiconducteur selon la revendication 13, caractérisé en ce qu'un film métallique (40) pour renforcer l'adhérence avec ledit motif métallique (37) est formé sous ledit film de protection métallique (39). 16. Dispositif à semiconducteur selon la revendication 13, caractérisé en ce qu'il existe ladite pluralité de motifs métalliques (37) enterrés dans les parties d'ouverture dudit film isolant (14) et en ce que lesdits films de protection métalliques (42a) formés sur ladite pluralité de motifs métalliques (37) sont formés selon un seul corps sur ledit film isolant pour former un plot de liaison. 17. Dispositif à semiconducteur caractérisé en ce qu'il comprend: un plot de liaison (68) connecté à un câblage (64); un film isolant inorganique (70b) qui recouvre ledit câblage (64) et ledit plot de liaison (68) et qui comporte une partie d'ouverture (70b) pour mettre à nu le centre dudit plot de liaison (68); et un film organique (71) qui recouvre le bord de ladite partie d'ouverture (70b) dudit film isolant inorganique (70) sur ledit plot (68). 18. Dispositif à semiconducteur selon la revendication 17, caractérisé en ce que ledit film organique (71) est en polyimide. 19. Dispositif à semiconducteur selon la revendication 17, caractérisé en ce que ledit film isolant inorganique est un film en nitrure de silicium. 20. Dispositif à semiconducteur caractérisé en ce qu'il comprend un plot de liaison (67) connecté à un câblage (63); un film isolant (70) qui recouvre ledit câblage (63) et ledit plot de liaison (67); et une partie d'ouverture polygonale (70a) formée dans le film isolant (70) sur ledit plot de liaison (67), chacun de tous les angles internes étant supérieur à 90 degrés. 21. Dispositif à semiconducteur selon la revendication 20, caractérisé en ce que ledit polygone est un hexagone. 22. Procédé de fabrication d'un dispositif à semiconducteur caractérisé en ce qu'il comprend les étapes de: application d'une réserve (22) sur un premier film métallique (19); formation d'une partie d'ouverture (23) dans une région de formation d'électrode de ladite réserve (22); remplissage dudit second film métallique (24) constitué par un matériau qui réagit plus difficilement avec l'eau que ledit premier film métallique (19) dans ladite partie d'ouverture (22) par placage; application d'une conformation audit premier film métallique (19) en utilisant ledit second film métallique (24) en tant que masque après enlèvement de ladite réserve (22);; formation d'un troisième film métallique (26) constitué par un matériau qui réagit plus difficilement avec l'eau que ledit premier film métallique (19) sur des faces mises à nu dudit premier film métallique (19) se voyant appliquer une conformation et sur ledit second film métallique (24) et sur une couche (14) située autour ; et gravure dudit troisième film métallique (26) de façon anisotrope de manière à laisser le film seulement sur les parois latérales desdits premier et second films métalliques (19, 24). 23. Procédé de fabrication d'un dispositif à semiconducteur caractérisé en ce qu'il comprend les étapes de: formation d'un film isolant (14) sur une couche semiconductrice (13); formation d'une partie d'ouverture (17) dans ledit film isolant (14); formation d'un premier film métallique (37) dans ladite partie d'ouverture (17) et sur ledit film isolant (14); formation d'un film (38) comportant une face supérieure plane sur ledit premier film métallique (37); ; gravure dudit film plat (38) et dudit premier film métallique (37) successivement de manière à faire en sorte que ledit premier film métallique (37) subsiste dans ladite partie d'ouverture (17) seulement formation d'un second film métallique (39) constitué par un matériau qui réagit plus difficilement avec l'eau que ledit premier film métallique (37) sur ledit premier film métallique dans ladite partie d'ouverture et sur ledit film isolant ; et application d'une conformation audit second film métallique (39) de manière à former un motif qui recouvre ladite partie d'ouverture (17) et sa circonférence.