FR 2704674 A1 19941104 FR 9400941 A 19940128 La présente invention concerne des améliorations apportées à un contrôleur d'un panneau d'affichage plasma du type à courant alternatif qui a une fonction de mémoire ainsi qu'un procédé d'écriture/effacement de celui-ci. La tendance à l'utilisation d'une unité d'affichage du type plat telle qu'un affichage à cristaux liquides et qu'un panneau d'affichage plasma présentant une faible profondeur en lieu et place d'un tube cathodique froid profond a été développée dans les récentes années du fait de la demande en ce qui concerne la formation d'un équipement électronique présentant une dimension compacte. Par exemple, un panneau d'affichage plasma du type courant alternatif est développé et une amélioration de la résolution et de la qualité d'affichage est envisagée. Le panneau d'affichage plasma du type courant alternatif présente une structure dans laquelle des cellules d'affichage dont chacune a une fonction de mémoire sont assemblées. Selon le panneau d'affichage plasma du type courant alternatif, on adopte généralement un procédé d'adresse d'écriture dans lequel une impulsion d'effacement large ou une impulsion d'effacement étroite est appliquée à une électrode de soutien suite à l'opération d'écriture complète afin de laisser des charges électriques de paroi agir efficacement lors de la décharge d'adresse du panneau d'affichage plasma du type courant alternatif, la décharge d'adresse étant effectuée après. Lorsqu'il y a une dispersion au niveau de la tension de démarrage de décharge dans chaque cellule d'affichage, il est cependant impossible de réaliser une opération d'effacement avec précision sans détériorer la qualité de l'affichage. L'art antérieur concernant la présente invention est maintenant décrit. Par exemple, un contrôleur permettant de commander un panneau d'affichage plasma 25 d'un type à décharge de surface à trois électrodes est muni d'un dispositif de pilotage X 1, d'un dispositif de pilotage de balayage Y 2, d'un dispositif de pilotage Y 3, d'un dispositif de pilotage d'adresse 4 et d'un circuit de commande 5 comme représenté sur la figure 1. En outre, le panneau d'affichage plasma 25 comporte N lignes x M rangées x 3 (R, G, B) éléments de cellules d'affichage Cs dont chacun a une fonction de mémoire. La cellule d'affichage Cs d'un bit est munie d'électrodes de soutien (ci-après appelées simplement électrode X et électrode Y) 6 et 7 placées dans le même plan, d'une électrode d'adresse 8 prévue en une position qui leur fait face, d'un film de protection 9 permettant de protéger l'électrode X 6 et l'électrode Y 7 et d'un phosphore 10 permettant de revêtir l'électrode d'adresse 8 et de réaliser un affichage en couleur. Pour autant que la fonction du contrôleur est concernée, une tension prédéterminée Vx est appliquée à l'électrode X 6 depuis le dispositif de pilotage X 1 et une tension prédéterminée Vy est appliquée au dispositif de pilotage Y 3. Moyennant cela, I'électrode Y 7 est balayée par le dispositif de pilotage de balayage Y 2 et la tension prédéterminée Vy est appliquée à l'électrode Y 7. Par ailleurs, lorsque des données d'adresse sont appliquées au dispositif de pilotage d'adresse 4 depuis le circuit de commande 5, la cellule d'affichage Cs est sélectionnée et un affichage de luminance est réalisé. C'est-à-dire que dans le panneau d'affichage plasma 25, une forme d'onde de tension prédéterminée (ci-après appelée impulsion de soutien) est appliquée en alternance aux deux éléments des électrodes X et Y 6 et 7 pour ainsi soutenir une décharge et réaliser un affichage de luminance. Ici, la décharge est terminée en 1 ,us jusqu'à plusieurs ,us immédiatement après que la fonction est appliquée. En outre, une tension négative est appliquée à des charges électriques positives (ions) générées par la décharge qui sont accumulées sur la surface du film de protection (couche isolante) 9 sur l'électrode X 6 par exemple où -une tension négative est appliquée.De façon similaire, des charges électriques négatives (électrons) sont accumulées sur la surface du phosphore 10 (couche isolante) sur l'électrode Y 7 qui se voit appliquer une tension positive. Par conséquent, une décharge est générée entre les électrodes 6 et 7 au moyen de l'application d'une tension d'écriture (ci-après appelée également impulsion d'écriture) présentant une valeur de tension élevée au début entre les électrodes X et Y 6 et 7, d'où la formation d'une charges électriques de paroi. Puis lorsqu'une tension de soutien présentant une polarité différente est appliquée entre les électrodes X et Y 6 et 7 moyennant une valeur inférieure à celle appliquée précédemment, les charges électriques de paroi accumulées précédemment sont amenées à chevaucher la tension de soutien. Moyennant cela, la tension relative par rapport à l'espace de décharge de la cellule d'affichage Cs devient plus élevée et excède une valeur de seuil de décharge et la cellule d'affichage Cs commence à se décharger. En d'autres termes, la cellule d'affichage Cs dans laquelle une décharge d'écriture est mise en oeuvre en premier et dans laquelle les charges électriques de paroi sont générées présente une caractéristique telle qu'une décharge est soutenue au moyen de l'application d'une impulsion de soutien d'une polarité inverse de façon alternée. En général, un tel état est appelé effet de mémoire ou fonction mémoire et un affichage est réalisé en utilisant un tel effet de mémoire dans le panneau d'affichage plasma du type courant alternatif 25. Un objet de la présente invention consiste à commander une forme d'onde de décharge d'une électrode de soutien et à disposer de charges électriques de paroi efficaces pour une décharge d'adresse qui reste à l'arrière de manière à réaliser une opération d'effacement de façon sûre même lorsqu'une dispersion de la tension de démarrage de décharge est produite dans chaque cellule d'affichage. Un autre objet de la présente invention consiste à commander une forme d'onde de décharge d'une impulsion d'effacement de manière efficace et en outre de manière très fine moyennant un circuit simple pour ainsi réaliser une décharge d'adresse à faible tension. De ce fait, il est proposé un contrôleur d'un affichage plasma selon la présente invention, en tant que mode de réalisation particulier représenté sur la figure 6, qui comprend un premier dispositif de pilotage pour appliquer une tension impulsionnelle entre une première électrode et une seconde électrode d'une cellule d'affichage comportant trois électrodes, un circuit de régulation pour réguler une quantité de charge électrique accumulée au moyen de l'application de la tension d'impulsion et un second dispositif de pilotage pour sélectionner une cellule d'affichage individuelle en appliquant une tension d'adresse à une troisième électrode de la cellule d'affichage. Le circuit de régulation est constitué par un élément de retard pour déterminer une constante de temps à l'instant de la décharge des charges électriques et par un élément de commutation pour commander un cadencement de décharge des charges électriques. L'élément de retard et l'élément de commutation sont connectés en série l'un à l'autre et l'élément de retard ainsi que l'élément de commutation connectés en série l'un à l'autre sont connectés entre la première électrode et la seconde électrode de la cellule d'affichage. L'élément de discrimination de tension constante est prévu dans le circuit de régulation et l'élément de discrimination de tension constante est connecté en parallèle à l'élément de retard et il régule un courant de décharge appliqué à l'élément de retard. Selon un procédé de commande d'un affichage plasma selon la présente invention, on propose l'application d'une tension impulsionnelle pour soutenir une décharge entre les première et seconde électrodes de toutes les cellules d'affichage d'un panneau d'affichage plasma, la régulation de charges électriques accumulées entre les première et troisième électrodes ou entre les seconde et troisième électrodes qui se voit appliquer la tension impulsionnelle et l'application d'une tension d'adresse pour sélectionner une cellule d'affichage individuelle entre les première et troisième électrodes ou entre les seconde et troisième électrodes où les charges électriques sont régulées. La tension impulsionnelle pour soutenir une décharge appliquée entre les première et seconde électrodes de toutes les cellules d'affichage est une impulsion présentant une polarité qui est la même que celle de la tension d'adresse permettant de sélectionner la cellule d'affichage individuelle et elle est amenée à croître jusqu'à une valeur qui n'excède pas la tension de soutien maximum de la cellule d'affichage pendant plusieurs microsecondes jusqu'à plusieurs centaines de microsecondes. Du fait de l'adoption d'une telle structure et d'un tel procédé, il devient possible de proposer un contrôleur d'un panneau d'affichage plasma qui soit d'un type à consommation d'énergie faible et qui soit susceptible d'une intégration élevée ainsi que d'obtenir une qualité de réalisation élevée et une qualité d'image élevée de l'affichage plasma. Les objets mentionnés ci-avant ainsi que d'autres de la présente invention apparaîtront à la lumière de la description qui suit que l'on lira en relation avec les dessins annexés parmi lesquels la figure 1 est un schéma fonctionnel qui représente un contrôleur d'un panneau d'affichage plasma du type courant alternatif selon l'art antérieur de la présente invention la figure 2 est un schéma fonctionnel qui représente une section d'une cellule d'affichage d'un bit du contrôleur du panneau d'affichage plasma du type courant alternatif représenté sur la figure 1 la figure 3 représente des schémas de forme d'onde de fonctionnement du contrôleur du panneau d'affichage plasma du type courant alternatif représenté sur la figure 1 la figure 4A représente une section en coupe transversale qui montre une opération d'effacement large permettant d'expliquer des problèmes de la cellule d'affichage représentée sur la figure 2 la figure 4B représente une section en coupe transversale permettant d'expliquer un état de décharge à petite échelle de la cellule d'affichage représentée sur la figure 2 la figure 4C représente une section en coupe transversale permettant d'expliquer un état de décharge à grande échelle de la cellule d'affichage représentée sur la figure 2 la figure 5A représente une section en coupe transversale qui représente une étape initiale de décharge à l'instant d'une opération d'effacement étroite, pour expliquer des problèmes de la cellule d'affichage représentée sur la figure 2 la figure 5B représente une section en coupe transversale permettant d'expliquer un état qui se situe lors d'une étape ultérieure de la décharge de la cellule d'affichage représentée sur la figure 5A la figure 6 est un schéma fonctionnel qui représente un contrôleur d'un panneau d'affichage plasma selon le principe selon la présente invention la figure 7 est un schéma fonctionnel d'un moyen de commande de décharge du contrôleur représenté sur la figure 6 la figure 8 est un schéma fonctionnel d'un autre moyen de commande de décharge du contrôleur représenté sur la figure 6 la figure 9 est un schéma fonctionnel d'une cellule d'affichage d'un bit permettant d'expliquer un procédé de commande selon le principe selon la présente invention la figure 10 représente des schémas de formes d'ondes de fonctionnement permettant d'expliquer un procédé de commande de la cellule d'affichage d'un bit représentée sur la figure 9 la figure 11 est un schéma fonctionnel général d'un contrôleur d'un panneau d'affichage plasma du type courant alternatif selon des modes de réalisation particuliers respectifs de la présente invention la figure 12A est une vue en plan d'un panneau d'affichage du contrôleur du panneau d'affichage plasma du type courant alternatif représenté sur la figure 11 ;; la figure 12B est une vue en coupe d'une cellule d'affichage d'un bit du panneau d'affichage représenté sur la figure 12A la figure 13 est un schéma fonctionnel d'un circuit de commande selon un premier mode de réalisation particulier de la présente invention la figure 14 représente des schémas de formes d'ondes de fonctionnement d'une partie de mise en forme d'onde du circuit de commande représenté sur la figure 13 la figure 15 représente des schémas de formes d'ondes permettant d'expliquer un procédé de commande selon le premier mode de réalisation préféré de la présente invention les figures 16A à 16D sont des schémas permettant d'expliquer encore un procédé de commande selon des premier et second modes de réalisation particuliers de la présente invention, la figure 16A représentant une section en coupe transversale permettant d'expliquer un état de décharge à l'instant de la fin d'une opération d'écriture de la cellule d'affichage représentée sur la figure 12A, la figure 16B représentant une section en coupe transversale permettant d'expliquer un état d'une décharge de soutien de la cellule d'affichage représentée sur la figure 16A, la figure 16C représentant une section en coupe transversale permettant d'expliquer l'opération d'effacement de la cellule d'affichage représentée sur la figure 16B et la figure 16D représentant une section en coupe transversale permettant d'expliquer un état de décharge à l'instant d'une écriture sélective (décharge d'adresse) de la cellule d'affichage représentée sur la figure 16C;; la figure 17 est un schéma fonctionnel d'un circuit de commande selon le second mode de réalisation particulier de la présente invention la figure 18 représente des schémas de formes d'ondes de fonctionnement de la partie de mise en forme d'onde du circuit de commande représenté sur la figure 17 la figure 19 représente des schémas de formes d'ondes permettant d'expliquer un procédé de commande selon le second mode de réalisation particulier de la présente invention la figure 20 représente des schémas de formes d'onde agrandies à l'instant d'une opération d'effacement pour comparer une forme d'onde selon le premier mode de réalisation de la présente invention à une forme d'onde selon le second mode de réalisation de la présente invention la figure 21 est un graphique permettant d'expliquer un gradient en fonction de la quantité de charge électrique d'une impulsion d'effacement de la forme d'onde agrandie à l'instant de l'opération d'effacement représentée sur la figure 20 la figure 22 représente des schémas de formes d'ondes permettant d'expliquer un procédé de commande selon un troisième mode de réalisation particulier de la présente invention les figures 23A à 23C sont des schémas permettant d'expliquer encore un procédé de commande selon le troisième mode de réalisation particulier de la présente invention, la figure 23A représentant une section en coupe transversale permettant d'expliquer un état de décharge à l'instant de la fin d'une opération d'écriture de la cellule d'affichage représentée sur la figure 12A, la figure 23B représentant une section en coupe transversale permettant d'expliquer l'opération d'effacement de la cellule d'affichage représentée sur la figure 23A et la figure 23C représentant une section en coupe transversale permettant d'expliquer un état de décharge à l'instant d'une écriture sélective (décharge d'adresse) de la cellule d'affichage représentée sur la figure 23B. Selon un procédé de commande d'un panneau d'affichage plasma selon l'art antérieur de la présente invention, un procédé d'adresse d'écriture dans lequel une impulsion d'effacement large (ligne en trait plein) ou une impulsion d'effacement étroite (ligne en pointillés) représentées sur la figure 3 sont appliquées entre des électrodes X et Y 6 et 7 suite à la fin de l'opération d'écriture d'un panneau d'affichage plasma 25 afin de laisser des charges électriques de paroi agir efficacement lors d'une décharge d'adresse et dans lequel une décharge d'adresse est réalisée ensuite est adopté. Ceci est dû au fait que lorsqu'une quantité de charges électriques de paroi est constante dans chaque cellule d'affichage Cs, la tension d'adresse devient également pratiquement constante et les marges de tension de fonctionnement de toutes les cellules d'affichage Cs coïncident les unes avec les autres et il devient possible, en tant que résultat, d'assurer un fonctionnement stabilisé. Cependant, lorsqu'il y a une dispersion de la tension de démarrage de décharge dans chaque cellule d'affichage Cs, un problème tel que décrit ci-après se pose. La figure 4A représente une distribution des charges électriques de paroi dans une plage large sur les électrodes X et Y 6 et 7 immédiatement avant qu'une décharge d'effacement large ne soit mise en oeuvre. L'opération d'effacement large est réalisée de telle sorte qu'une tension inférieure à l'impulsion de soutien soit appliquée entre les électrodes X et Y 6 et 7 pendant une longue période temporelle, d'où la neutralisation des charges électriques de paroi (elles restent en partie à l'arrière). Le processus réalise une décharge immédiatement après l'application de l'impulsion lors de l'opération d'effacement large mais cependant, une décharge à petite échelle est générée comme représenté sur la figure 4B, laquelle est différente d'une décharge de soutien normale puisque la tension appliquée est faible. Par conséquent, la zone où la décharge est générée est limitée de façon extrême au voisinage de l'espace entre les électrodes X et Y 6 et 7 (ci-après appelé espace de décharge) et seulement les charges électriques de paroi situées au voisinage de l'espace de décharge sont neutralisées. A l'opposé, lorsqu'une tension qui est inférieure à l'impulsion de soutien mais qui est supérieure à la tension dans le cas de la figure 4B est appliquée, il ne devient plus possible de réaliser une opération d'effacement du fait que l'état s'approche de l'état de décharge soutenu. En un mot, il est important que des charges électriques de paroi effectives restent à l'arrière au moyen de la décharge à petite échelle, lors de l'opération d'effacement large. Par conséquent, cette décharge des charges électriques de paroi est trop faible en échelle et la tension de paroi ainsi que la tension de l'impulsion de soutien excèdent la tension de démarrage de décharge, ce qui fait que les charges ne restent pas à l'arrière. La tension de paroi signifie la tension des charges électriques de paroi. Puisqu'il y a une dispersion de la tension de démarrage de décharge dans chaque cellule d'affichage Cs, lorsque l'on souhaite générer une décharge à petite échelle en relation avec une certaine cellule d'affichage Cs en tant que référence, la décharge elle-même n'est pas générée et un état dans lequel une opération d'effacement ne peut pas être réalisée est produit dans une cellule présentant une tension de démarrage de décharge plus élevée que celle de la cellule d'affichage Cs. En outre, lorsque l'on souhaite démarrer une décharge dans toutes les cellules d'affichage Cs, se pose un problème qui consiste en ce qu'une décharge suffisamment importante est générée et est décalée en une décharge soutenue normale dans une cellule présentant une tension de démarrage de décharge faible. La figure 5A représente une distribution des charges électriques de paroi sur les électrodes X et Y 6 et 7 lors de la phase initiale d'une décharge à l'instant d'une opération d'effacement étroite. Lors de l'opération d'effacement étroite, I'impulsion de soutient est ôtée avant que la décharge entre les électrodes X et Y 6 et 7 ne soit terminée mais un état dans lequel des charges électriques de paroi peuvent être neutralisées complètement et un état dans lequel des charges électriques de paroi ne peuvent pas être neutralisées complètement sont générés en fonction des instants. En outre, dans l'état dans lequel les charges électriques de paroi ne peuvent pas être neutralisées complètement, il y a un cas pour lequel des charges électriques de paroi présentant une polarité qui est la même que celle de l'impulsion d'effacement étroite reste à l'arrière et un cas dans lequel les charges électriques de paroi présentant une polarité inverse à celle de l'impulsion restent à l'arrière. Par exemple, dans le premier cas, puisque l'impulsion d'effacement étroite est ôtée immédiatement avant toutes les charges électriques de paroi existant immédiatement après l'application de l'impulsion participent à la décharge comme représenté sur la figure 5A, il devient difficile de générer des charges d'espace pour neutraliser toutes les charges électriques de paroi. Moyennant cela, les charges électriques de paroi restent dans un état qui est tel que celui dans lequel elles étaient en des positions éloignées de l'espace de décharge. Par ailleurs, dans le second cas, comme représenté sur la figure 5B, la période temporelle d'application d'impulsion s'écoule et la décharge se déroule pour une part considérable et ainsi, les charges électriques de paroi existant en des positions éloignées de l'espace de décharge en viennent à participer à la décharge comme représenté par la distribution des charges électriques de paroi sur les électrodes X et Y 6 et 7 lors d'une phase ultérieure de la décharge. En cet instant cependant, l'absorption des charges d'espace est avancée déjà dans l'espace de décharge au moyen de la tension appliquée et les charges d'espace sont absorbées en tant que charges électriques de paroi. II résulte de cela que le fonctionnement s'approche d'un fonctionnement à décharge soutenue, comme représenté sur la figure 5B. Par conséquent, si la somme de la tension de paroi et de la tension de l'impulsion de soutien n'excède pas la tension de démarrage de décharge, aucun problème n'est produit lors de l'opération d'effacement. Puisqu'il y a également dans la pratique une dispersion du temps de retard de décharge dans chaque cellule d'affichage Cs, il est relativement difficile de réaliser une opération d'effacement sûre sur la totalité du panneau d'affichage plasma 25. En outre, dans le cas du procédé d'adresse d'écriture, le problème est davantage sérieux du fait que la quantité des charges électriques de paroi résiduelles exerce également une influence sur une marge de fonctionnement de la décharge d'adresse. Ensuite,nous allons décrire l'influence exercée par la différence entre les quantités de charges électriques de paroi résiduelle rapportées à des opérations d'effacement large et d'effacement étroite. Dans le procédé d'adresse d'écriture, un fonctionnement d'adresse stable devient possible pour une tension appliquée faible puisque des charges électriques de paroi efficaces sont formées immédiatement avant la décharge d'adresse. Ce qui revient à dire que lorsque l'on suppose que la tension de démarrage de décharge entre l'électrode d'adresse 8 et l'électrode Y 7 vaut Vfa, la tension appliquée entre l'électrode d'adresse 8 et l'électrode Y 7 est Va et la tension de paroi résultant des charges électriques de paroi accumulées sur le côté d'électrode d'adresse et des charges électriques de paroi accumulées sur le côté d'électrode Y est Vwa, les conditions d'obtention de Vfa En outre, lorsque l'on suppose que la tension la plus faible pour démarrer une décharge dans une cellule non sélectionnée adjacente vaut Vfoa, I'inégalité Va + Vwa En outre, même lorsqu'une décharge d'adresse objective est réalisée dans une cellule sélectionnée, des charges électriques de paroi générée sont trop nombreuses. Ainsi, la déchargée générée au moyen de seulement la tension des charges électriques de paroi après enlèvement de l'impulsion et il y a une probabilité de donner naissance à une opération d'effacement qui est appelée décharge d'auto-effacement. Lorsque l'on suppose que cette tension vaut Vfse, Va + Vwa En outre, les relations Vfa Vwa Dans ce cas, puisque les tensions appliquées émises en sortie depuis le dispositif de pilotage Y 3 et depuis le dispositif de pilotage d'adresse 4 sont ici toutes constantes, Vwa doit être déterminé de manière à satisfaire les expressions mentionnées ci-avant. Du fait de ce qui a été décrit ci-avant, I'impulsion d'effacement a pour objet important de faire en sorte que les charges électriques de paroi selon une quantité prédéterminée restent à l'arrière en plus de la réalisation de l'effacement qui est l'objet original du procédé d'adresse d'écriture. En outre, il est efficace de disposer de charges électriques de paroi qui n'excèdent ni Vfoa - Va ni Vfse -Va mais qui en soient proches et qui subsistent à l'arrière afin de réaliser une adresse de tension faible. En outre, normalement, lorsque l'impulsion d'écriture complète est ôtée, soit la différence de potentiel entre l'électrode X 6 et l'électrode Y 7 est rendue égale à 0 V de façon nette ou soit une impulsion de soutien d'une polarité inverse est appliquée à l'électrode de soutien. Dans le cas où une quantité trop importante de charges électriques de paroi sont obtenues au moyen d'une décharge d'écriture complète, un procédé permettant de rendre la différence de potentiel entre les deux électrodes de soutien égale à 0 V est concevable. Cependant, la décharge est générée seulement par les charges électriques de paroi, ce qui fait perdre des charges électriques de paroi suffisamment pour procéder à une décharge soutenue et pour aboutir quelquefois à une opération d'auto-effacement. Dans ce cas, le fonctionnement devient impossible par la suite. En outre, lorsqu'une impulsion de soutien d'une polarité inverse est appliquée immédiatement après l'application de l'impulsion, il se produit un problème consistant en ce qu'une décharge est démarré pendant le processus d'application de l'impulsion (à l'instant de la croissance de la tension) et qu'une décharge soutenue normale ne peut pas être réalisée. A l'opposé de ce qui précède, un contrôleur d'un panneau d'affichage plasma selon le principe de la présente invention est muni d'un premier moyen de pilotage 11 pour appliquer une tension à des électrodes de soutien X, Yi où i=1 à N d'un moyen d'affichage 15 ayant une fonction de mémoire, un second moyen de pilotage 12 pour appliquer une tension à une électrode d'adresse Aj du moyen d'affichage 15 et un moyen de commande 13 pour commander une entrée/sortie des premier et second moyens de pilotage 11 et 12, comme représenté sur la figure 6. Un moyen de commande de décharge 14 est prévu dans le premier moyen de pilotage 1 1 et le moyen de commande de décharge 14 commande une forme d'onde de décharge de la tension appliquée aux électrodes de soutien X, Yi où i=1 à N du moyen d'affichage 15. Comme représenté sur la figure 7, le moyen de commande de décharge 14 comporte un élément de polarisation R et un élément de commutation 14A, L'élément de commutation 14A étant connecté en série à l'élément de retard R et l'élément de retard R ainsi que l'élément de commutation 14A connectés en série l'un à l'autre étant connectés entre les électrodes de soutien X et Yi. En outre, dans un second contrôleur selon le principe de la présente invention, un élément de discrimination de tension constante ZD est prévu dans le moyen de commande de décharge 14 et l'élément de discrimination de tension constante -ZD est connecté en parallèle à l'élément de retard R, comme représenté sur la figure 8. En outre, le premier procédé de commande d'un panneau d'affichage plasma selon un principe de la présente invention est un procédé incluant les électrodes de soutien X et Yi ainsi que l'électrode d'adresse Aj, comme représenté sur la figure 9, et pilotant un moyen d'affichage 15 présentant une fonction de mémoire. La forme d'onde de décharge entre les électrodes de soutien X et Yi est commandée avant sélection de l'électrode d'adresse Aj et après la fin de l'opération d'écriture complète du moyen d'affichage 15 ou après la fin d'une décharge soutenue. En outre, selon un premier procédé de commande, la partie de variation de tension de l'impulsion d'effacement à l'instant de l'opération d'effacement complète est appliquée de façon douce lorsque la forme tonde de décharge entre les électrodes de soutien X et Yi est commandée comme représenté sur la figure 10. En outre, dans le premier procédé de commande, la partie de variation de tension de l'impulsion d'effacement est rendue constante par rapport à la partie de variation temporelle. En outre, dans un second procédé de commande de la présente invention, I'impulsion d'effacement est appliquée rapidement pendant plusieurs nanosecondes jusqu'à plusieurs microsecondes jusqu'à immédiatement avant la valeur la plus faible de la tension de soutien minimum des cellules d'affichage Cs dans le moyen d'affichage 15 et l'impulsion d'effacement est appliquée de façon douce selon une fréquence de plusieurs nanosecondes à plusieurs microsecondes par tension unitaire à l'instant de la fin de l'opération d'effacement. En outre, selon un troisième procédé de commande de la présente invention, une impulsion d'écriture excédant la tension de démarrage de décharge est appliquée à l'une des électrodes de soutien X et Yi lors d'une opération d'écriture complète du moyen d'affichage 15 et lorsque la forme d'onde de décharge entre les électrodes de soutien X et Yi est commandée, la différence de potentiel entre les électrodes de soutien X et Yi est rendue égale à 0 V depuis l'état de potentiel à l'instant de la fin de l'opération d'écriture complète puis une impulsion d'effacement présentant la polarité de l'impulsion d'écriture à l'instant de l'opération d'écriture complète est appliquée jusqu'à une valeur qui n'excède pas la tension de soutien la plus élevée. En outre, dans les premier à troisième procédés de commande selon la présente invention, la tension qui est une impulsion présentant la même polarité que celle de l'impulsion d'adresse sélectionnant l'électrode de soutien Yi et qui est augmentée jusqu'à une valeur qui n'excède pas la tension de soutien maximum en plusieurs microsecondes jusqu'à plusieurs centaines de microsecondes est appliquée entre les électrodes de soutien X et Yi lors d'une opération d'écriture complète du moyen d'affichage 15. En outre, dans les premier à troisième procédés de commande de la présente invention, le potentiel à l'instant d'une non sélection de l'électrode d'adresse Aj et le potentiel de l'électrode commune à chaque ligne d'affichage prise parmi les électrodes de soutien X et Yi sont fixés à leur valeur à l'instant de l'application de l'impulsion d'effacement et une impulsion d'effacement présentant un gradient important est appliquée à une électrode indépendante dans chaque ligne d'affichage prise parmi les électrodes de soutien X et Yi lorsque la forme d'onde de décharge entre les électrodes de soutien X et Yi est commandée. Le fonctionnement du premier contrôleur de la présente invention est décrit maintenant. Par exemple, il est possible de commander la forme d'onde de décharge de l'impulsion d'effacement à l'instant d'une écriture complète du moyen d'affichage 15 avant sélection de l'électrode d'adresse Aj et après sa fin au moyen du moyen de commande de décharge 14 comportant l'élément de retard R et l'élément de commutation 14A comme représenté sur la figure 7. C'est-à-dire que la tension d'écriture complète est appliquée aux électrodes de soutien X et Yi depuis le premier moyen de pilotage 1 1 par l'intermédiaire du moyen de commande 13, ce qui constitue un pré-fonctionnement de décharge d'adresse. A cet instant, l'élément de commutation 14A est coupé et l'élément de commutation 14A est commuté dans un fonctionnement marche lorsqu'une écriture complète et une opération de décharge soutenue qui lui fait suite sont terminées. Moyennant cela, dans un circuit comportant la cellule d'affichage Cs, L'élément de retard R et l'élément de commutation 1 4A, les charges électriques des électrodes de soutien X et Yi sont déchargées moyennant la constante de temps du circuit. Ici, la forme d'onde de décharge du moyen d'affichage 15 est commandée par le moyen de commande de décharge 14, ce qui rend possible d'avoir des charges électriques de paroi efficaces pour une décharge d'adresse qui subsiste sur les électrodes de soutien X et Yi. Ainsi, il devient possible de réaliser une opération d'effacement efficacement et de façon sûre moyennant un circuit simple même lorsqu'une dispersion de la tension de démarrage de décharge est produite dans chaque cellule d'affichage Cs. En outre, il devient possible de réaliser une décharge d'adresse normale en appliquant une impulsion d'adresse inférieure à celle de l'art antérieur de la présente invention à l'électrode d'adresse Aj depuis un second moyen de pilotage 12. Puis le fonctionnement d'un second contrôleur de la présente invention est décrit. Par exemple, lorsque la tension caractéristique de l'élément de discrimination de tension constante ZD est établie à l'avance à une valeur inférieure à la tension de soutien minimum par rapport à la tension de soutien entre les électrodes de soutien X et Yi, il est possible de commander très finement la forme d'onde de décharge de l'impulsion d'effacement à l'instant de l'écriture complète du moyen d'affichage 15 avant la sélection de l'électrode d'adresse Aj et après sa fin au moyen du moyen de commande de décharge 14 qui inclut l'élément de discrimination de tension constante ZD. C'est-à-dire que de façon similaire au premier contrôleur de la présente invention, la tension d'écriture complète est appliquée aux électrodes de soutien X et Yi depuis le premier moyen de pilotage 11, ce qui constitue le pré-fonctionnement de décharge d'adresse. A cet instant, L'élément de commutation 14A est coupé et l'élément de commutation 14A est commuté dans un fonctionnement marche lorsqu'une écriture complète et une opération de décharge soutenue qui lui fait suite sont terminées. Ainsi, un courant est appliqué à l'élément de retard R et à l'élément de discrimination de tension constante ZD à l'instant d'une opération d'effacement complète au moyen du fonctionnement marche de l'élément de commutation 14A. A cet instant, un courant circule brutalement du fait qu'il n'y a pas de composant pour limiter le courant dans un état dans lequel la tension de l'électrode de soutien Yi est à la tension caractéristique de l'élément de retard R ou plus. En outre, lorsque la tension dans la période intermédiaire chute audessous de la tension caractéristique, le courant ne circule plus dans l'élément de discrimination de tension constante ZD. Puis des charges électriques appliquées sur les électrodes de soutien X et Yi sont déchargées moyennant la constante de temps du circuit basée sur la cellule d'affichage Cs et sur l'élément de retard R. Moyennant cela, il devient possible d'obtenir une impulsion d'effacement qui présente une variation brutale de la forme d'onde lors de l'étape initiale de l'effacement et qui fait varier le gradient largement ensuite et il devient également possible de disposer de charges électriques de paroi efficaces pour une décharge d'adresse qui subsiste sur les électrodes de soutien X et Yi même lorsqu'une dispersion est produite au niveau de la tension de démarrage de décharge dans chaque cellule d'affichage Cs. En outre, selon le premier procédé de commande de la présente invention, la tension (ci-après appelée impulsion d'effacement) qui est une impulsion présentant une polarité qui est la même que celle de l'impulsion de décharge qui sélectionne l'électrode d'adresse Aj et qui est augmentée jusqu'à une valeur qui n'excède pas la tension de soutien maximum en plusieurs microsecondes jusqu'à plusieurs centaines de microsecondes est appliquée entre les électrodes de soutien X et Yi comme représenté sur la figure 9 lors de l'opération d'écriture complète du moyen d'affichage 15. En outre, lorsque la forme d'onde de décharge entre les électrodes de soutien X et Yi est commandée, le potentiel à l'instant de la non sélection de l'électrode d'adresse Aj et le potentiel de l'électrode qui est commune à chaque ligne d'affichage parmi les électrodes de soutien X et Yi sont fixés tels qu'ils sont à l'instant de l'application de l'impulsion d'effacement et l'impulsion d'effacement présentant un gradient important est appliquée à une électrode indépendante dans chaque ligne d'affichage parmi les électrodes de soutien X et Yi. En outre, à l'instant de l'opération d'effacement complète, la partie de variation de tension de l'impulsion d'effacement devient constante par rapport à la partie de variation temporelle comme représenté sur la figure 10 et une commande de décharge est réalisée de telle sorte que la partie de variation de tension de l'impulsion d'effacement devient une constante par rapport à la partie de variation temporelle depuis la valeur de tension excédant la valeur la plus faible de la tension de soutien minimum de la cellule d'affichage Cs située dans le moyen d'affichage 15. II résulte de cela que lorsque la somme de la valeur de tension appliquée entre les électrodes de soutien X et Yi et de la valeur de tension au moyen desquelles des charges électriques de paroi ont été accumulées dans les cellules d'affichage Cs présente une valeur qui excède légèrement la valeur de tension de démarrage de décharge dans l'espace, les charges électriques de paroi participant à la décharge sont seulement celles situées au niveau des positions les plus courtes des électrodes de soutien X et Yi où l'intensité du champ est la plus élevée dans l'espace de décharge. Dans ce cas, la quantité de charges électriques de paroi neutralisées même après qu'une décharge est terminée est très faible et il est possible de disposer d'une quantité importante de charges électriques de paroi qui subsiste dans une plage où une décharge soutenue n'est pas générée même lorsque la tension de soutien est appliquée. En outre, du fait que la polarité des charges électriques de paroi restantes devient équivalente à la polarité des charges électriques de paroi immédiatement avant que la décharge d'effacement ne soit réalisée, par exemple, des électrons restent sur le côté d'électrode de soutien Yi et des ions restent sur le côté d'électrode de soutien X. Moyennant cela, il est possible de réaliser l'opération d'effacement sur la totalité du plan image de façon sûre par comparaison avec l'art antérieur de la présente invention, ainsi que d'afficher une image excellente ne présentant aucune erreur d'effacement. En outre, il devient possible d'accumuler des charges électriques de paroi agissant efficacement sur la décharge d'adresse avant que la décharge d'adresse (décharge d'écriture sélective) ne soit réalisée, ainsi que de réaliser une décharge soutenue au moyen d'une tension appliquée faible (tension d'adresse). Ce fait contribue notablement à l'obtention d'une consommation d'énergie faible et d'une intégration d'un circuit. En outre, selon le second procédé de commande de la présente invention, même lorsqu'une dispersion de la tension de démarrage de décharge est produite dans chaque cellule d'affichage Cs par exemple, il est possible d'avoir des charges électriques de paroi efficaces pour une décharge d'adresse qui subsiste sur les électrodes de soutien X et Yi au moyen d'une impulsion d'effacement dans laquelle la forme d'onde chute brutalement lors de la phase initiale de l'effacement et le gradient présente une variation importante ensuite. C'est-à-dire que les charges électriques de paroi qui participent à la décharge deviennent moins nombreuses par comparaison avec le premier procédé de commande de la présente invention, ce qui permet de neutraliser les charges d'espace et de disposer d'une quantité importante de charges électriques de paroi agissant efficacement sur la décharge d'adresse qui reste à l'arrière en tant que résultat de ce qui précède. Moyennant cela, même lorsqu'il y a une dispersion jusqu'à un certain point de la tension de démarrage de décharge dans chaque cellule d'affichage Cs, il est possible de disposer d'une quantité importante de charges électriques de paroi qui subsistent pendant une période temporelle limitée et il devient possible de réaliser une décharge d'adresse faible tension sans obtenir une opération d'auto-effacement telle que rencontrée dans l'art antérieur de la présente invention. Ainsi, il devient possible d'éviter une erreur d'écriture et de réaliser un affichage d'image excellent. En outre, selon un troisième procédé de commande de la présente invention, il devient possible, ce qui est différent des premier et second procédés de commande, de réaliser une décharge d'effacement dans laquelle une quantité de charges électriques de paroi pratiquement constantes est amenée à rester sur les électrodes de soutien X et Yi sans l'intermédiaire d'une décharge soutenue après application d'une impulsion d'écriture complète entre les électrodes de soutien X et Yi ainsi que d'exécuter une décharge d'écriture complète. Moyennant cela, même lorsqu'une quantité trop importante de charges électriques de paroi sont générées sur les électrodes de soutien X et Yi au moyen de l'opération d'écriture complète, il devient possible de rendre la quantité de charges électriques de paroi résiduelle constantes jusqu'à avant la décharge d'adresse. Ainsi, il devient possible d'éviter une erreur d'écriture et d'obtenir un affichage d'image excellent. Des modes de réalisation particuliers de la présente invention sont décrits maintenant par report aux dessins. (1) Description du premier mode de réalisation particulier Par exemple, un contrôleur permettant de commander un panneau d'affichage plasma du type à décharge de surface à trois électrodes 25 comporte un dispositif de pilotage commun X 21A, un dispositif de pilotage de balayage Y 21B, un dispositif de pilotage commun Y 21C, un dispositif de pilotage d'adresse 22, un circuit de commande 23 et un contrôleur de forme d'onde 24, comme représenté sur la figure 11. C'est-à-dire que le dispositif de pilotage commun X 21A, le dispositif de pilotage de balayage 21 B et le dispositif de pilotage commun Y 21C forment un exemple d'un premier moyen de pilotage 11 et le dispositif de pilotage commun X 21A est un circuit permettant d'appliquer une tension à une électrode de soutien X (ci-après appelée simplement électrode X) du panneau d'affichage plasma 25 ayant une fonction de mémoire. Par exemple, le dispositif de pilotage commun X 21A génère une impulsion d'écriture Vw, une impulsion de soutien Vs ou autre sur la base des signaux de commande de pilotage (ci-après appelé signal X-UD et signal X-DD). En outre, au niveau de l'électrode X, N lignes (N = 1 à i .. N) du panneau d'affichage plasma 25 sont connectées en commun comme représenté sur la figure 12A. Le dispositif de pilotage de balayage Y 21B est un circuit permettant de piloter par balayage l'électrode de soutien Yi (ciaprès appelée simplement électrode Yi) de N lignes (i=1 à N). Le dispositif de pilotage de balayage Y 21B génère des impulsions de balayage sur la base de données de balayage (ci-après appelées signal Y-DATA), sur la base d'un signal d'horloge de balayage (ci-après appelé signal Y-CLK) et sur la base de signaux d'échantillonnage (ci-après appelés signaux Y-STB1 et Y-STB2) à l'instant d'une décharge d'adresse. En outre, le dispositif de pilotage commun Y 21C est un circuit permettant de commander l'entrée/sortie du dispositif de balayage Y 21 B sur la base des signaux de commande de pilotage (ci-après appelés signaux Y-UD et Y-DD). Le dispositif de pilotage d'adresse 22 est un exemple du second moyen de pilotage 12 et est un circuit permettant d'appliquer une tension à des électrodes d'adresse Aj où j = 1 à M (R, G, B) du panneau d'affichage plasma 25. Par exemple, le dispositif de pilotage d'adresse 22 génère des impulsions d'adresse sur la base des données d'adresse (ci-après appelées simplement signal A-DATA) et sur la base d'un signa d'horloge d'adresse (ci-après appelé simplement signal A-CLK) et applique ces signaux à l'électrode d'adresse Aj à l'instant d'une décharge d'adresse. Le circuit de commande 23 est un exemple du moyen de commande 13 et il s'agit d'un circuit permettant de commander l'entrée/sortie du dispositif de pilotage commun X 21 A, du dispositif de pilotage commun Y 21C et du dispositif de pilotage de balayage Y 21B. Par exemple, le circuit de commande 23 comporte un contrôleur de donnée d'affichage 23A et un contrôleur de pilotage de panneau 23B. Le contrôleur de donnée d'affichage 23A est muni d'une mémoire d'image 231 et il commande l'écriture/lecture de donnée d'affichage d'image (ciaprès simplement appelé signal DATA) sur la base d'un signal d'horloge d'image (ci-après appelé simplement signal CLK). Le contrôleur de pilotage de panneau 23B comporte un contrôleur de pilotage de balayage 232 et un contrôleur de pilotage commun 233. Le contrôleur de pilotage de balayage 232 reçoit un signal de synchronisation verticale (ci-après appelé simplement signal VSYNC) et un signal de synchronisation horizontale (ci-après simplement appelé signal HSYNC) et génère un signal Y-DATA, un signal Y-CLK, des signaux Y-STBl et Y STB2 et un signal de commande de grille GS et applique ces signaux au dispositif de pilotage de balayage Y 21 B et au contrôleur de forme d'onde 24. Le contrôleur de dispositif de pilotage commun 233 génère des signaux Y-UD et Y-DD sur la base du signal VSYNC et du signal HSYNC et applique ces signaux au dispositif de pilotage commun Y 21C. Le contrôleur de forme d'onde 24 est un mode de réalisation du moyen de commande de décharge 14. Il est prévu entre le dispositif de pilotage commun T 21C et le dispositif de pilotage de balayage Y 21B et il commande la forme d'onde de décharge du panneau d'affichage plasma 25 sur la base du signal de commande de grille GS. En outre, le circuit interne du contrôleur de forme d'onde 24 est décrit en détail par report à la figure 13 et sa fonction, c'est-à-dire la commande d'affichage du panneau d'affichage plasma 25, est décrite en détail par report aux figures 15 et 16A à 16D. En outre, le panneau d'affichage plasma 25 comporte N lignes x M rangées x 3 éléments (R, G, B) de cellules d'affichage Cs dans le cas d'un affichage couleur comme représenté selon une vue en plan sur la figure 12A. La cellule d'affichage Cs comporte une fonction de mémoire. C'est-à-dire que M éléments des électrodes d'adresse Al à AM sont agencés suivant la direction X du panneau d'affichage plasma 25 et sont connectés au dispositif de pilotage d'adresse 22 ligne après ligne. L'électrode Y1 à l'électrode YN contenues dans N lignes sont agencées suivant la direction Y du panneau d'affichage plasma 25 et sont connectées individuellement au dispositif de pilotage de balayage Y 21 B. En outre, I'électrode X est juxtaposée à l'électrode Y1 à l'électrode YN dans N lignes et sont connectées en commun et sont connectées en outre au dispositif de pilotage commun X 21A. En outre, dans la cellule d'affichage Cs d'un bit, un espace entre un substrat en verre arrière 26 et un substrat en verre avant 27 qui se font face l'un l'autre est subdivisé par des parois (barrières) 30 et l'électrode X, I'électrode Y et l'électrode d'adresse Aj sont prévues dans les zones subdivisées par les deux substrats en verre 26 et 27 et par les parois 30, comme représenté sur la vue en coupe transversale de la figure 12B. Sur le substrat en verre arrière 26 sont prévues l'électrode X et l'électrode Y en parallèle l'une à l'autre dans le même plan et une couche diélectrique 28 est formée entre les deux électrodes et un film d'oxyde de magnésium (MgO) est formé sur la couche diélectrique 28 en tant que film de protection. En outre, I'électrode d'adresse Aj est prévue en une position qui lui permet de faire face à ces couches et de se rencontrer à angle droit avec les électrodes X et Y, et elle est prévue en outre sur le substrat en verre avant 27. En outre, un phosphore 31 présentant une caractéristique lumineuse rouge, verte et bleue est prévu sur la surface de l'électrode Aj. En outre, le contrôleur de forme d'onde 24 permettant de commander la forme d'onde de décharge de la cellule d'affichage Cs d'un bit comporte un transistor à effet de champ de type N (ci-après appelé simplement transistor FET) et une résistance R, comme représenté sur la figure 13. C'est-à-dire que le transistor FET est un exemple de l'élément de commutation 14A, transistor dans lequel la grille est connectée au contrôleur de dispositif de pilotage de balayage 232 et dans la source connectée à la ligne de masse GND. La résistance R est un exemple de l'élément de retard R et une extrémité de celui-ci est connectée à l'électrode Y1 et son autre extrémité est connectée au drain du transistor FET. Tout comme pour la fonction du contrôleur de forme d'onde 24, le transistor FET est amené dans un fonctionnement passant lorsque le signal de commande de grille GS émis en sortie depuis le contrôleur de dispositif de pilotage de balayage 232 est à un niveau haut "H" lorsque l'opération d'écriture complète est terminée. Moyennant cela, après que l'impulsion d'écriture complète est appliquée, une impulsion d'effacement qui décale la tension impulsionnelle selon un taux constant de variation (partie de variation temporelle en fonction de la partie de variation de tension) peut être obtenue. Ici, le gradient de l'impulsion d'effacement varie en fonction de la constante de temps déterminée par la capacité électrostatique C et par la valeur de résistance R existant entre les électrodes de la cellule d'affichage Cs. En d'autres termes, lorsqu'il est supposé que la différence de potentiel lorsque l'impulsion d'effacement est terminée vaut Vs et que la différence de potentiel entre l'électrode X et l'électrode Y1 à l'instant t vaut Vt, la relation qui lie les deux est exprimée au moyen d'une expression Vt-Vs (l-et/cr). En tant que résultat, il est possible de commander la forme d'onde comme représenté sur la figure 14 et d'obtenir un gradient du potentiel suffisamment faible dans la zone de tension de décharge. Ainsi, selon un contrôleur d'un affichage plasma selon le premier mode de réalisation de la présente invention, sont prévus le dispositif de pilotage commun X 21A, le dispositif de pilotage de balayage Y 21B, le dispositif de pilotage commun Y 21C, le dispositif de pilotage d'adresse 22, le circuit de commande 23 et le contrôleur de forme d'onde 24, comme représenté sur les figures 11 à 13. Le contrôleur de forme d'onde 24 est prévu entre le dispositif de pilotage de balayage Y 21B et le dispositif de pilotage commun Y 21C. II résulte de cela qu'il est possible de commander la forme d'onde de décharge de l'impulsion d'effacement à l'instant de l'écriture complète du panneau d'affichage plasma 25 avant la sélection de l'électrode d'adresse Aj ou après sa fin au moyen du contrôleur de forme d'onde 24 présentant la valeur de résistance R et comportant le transistor FET comme représenté sur la figure 13. C'est-à-dire qu'une impulsion d'écriture complète Vw est appliquée en premier aux électrodes X et Yi depuis le dispositif de pilotage commun X 21A ou depuis le dispositif de pilotage de balayage Y 21B par l'intermédiaire du circuit de commande 23, ce qui constitue un pré-fonctionnement de décharge d'adresse. A cet instant, le transistor FET est rendu bloqué et lorsque l'opération d'écriture complète et l'opération de décharge soutenue qui suit sont terminées, le transistor FET est amené dans un état passant. Moyennant cela, dans le circuit de décharge comportant la capacité C, la résistance R et le transistor FET de la cellule d'affichage Cs, des charges électriques présentes sur les électrodes X et Yi sont déchargées moyennant la constante de temps de circuit X = RC. Ici, la forme d'onde de décharge du panneau d'affichage plasma 25 est commandée par le contrôleur de forme d'onde 24, ce qui rend possible de disposer de charges électriques de paroi effectives pour une décharge d'adresse qui subsiste sur les électrodes X et Yi. II résulte de cela qu'il est possible de réaliser une opération d'effacement efficacement et de façon sûre moyennant un circuit simple même lorsque la dispersion de la tension de démarrage de décharge est produite dans chaque cellule d'affichage Cs. En outre, il devient possible de réaliser une décharge d'adresse normale en appliquant une impulsion d'adresse plus faible par comparaison avec l'art antérieur de la présente invention à l'électrode d'adresse Aj depuis le dispositif de pilotage d'adresse 22. Puis un procédé de commande selon la présente invention est décrit avec en supplément le fonctionnement du contrôleur concerné. Par exemple, un cycle de pilotage (équivalent à une soustrame) concernant la cellule d'affichage Cs d'un bit dans le cas de la commande du panneau d'affichage plasma 25 au moyen d'un système du type à séparation décharge d'adresse/décharge soutenue est décrit. Comme représenté sur la figure 15, une impulsion d'écriture présentant une tension de Vw est appliquée à l'électrode X en premier et une écriture est exécutée sur la totalité des cellules. Ici, lorsqu'une opération d'écriture complète du panneau d'affichage plasma 25 est réalisée, des charges électriques positives (ions) sont accumulées sur l'électrode d'adresse Aj, comme représenté sur la figure 16A. Puis une impulsion présentant une tension Vs est appliquée à l'électrode Y1 et la totalité des cellules d'affichage Cs réalise une décharge soutenue, comme représenté sur la figure 16B. Puis une impulsion d'effacement d'une polarité négative est appliquée à l'électrode T1. Ici, "appliquer une impulsion d'une polarité négative" signifie appliquer une tension suivant une direction négative, la tension immédiatement qu'avant l'impulsion concernée est démarrée étant prise en tant que référence. En un mot, il s'agit d'une impulsion d'effacement appliquée à partir de la tension de soutien VS jusqu'à 0 V. Concrètement, le potentiel à l'instant de la non sélection de l'électrode d'adresse Aj et le potentiel de l'électrode X sont fixés tels quels. L'électrode X est une électrode commune à chaque ligne d'affichage prise parmi les électrodes X et Yi. Une impulsion d'effacement présentant un gradient important est appliquée à l'électrode Yi. L'électrode Yi est une électrode indépendante dans chaque ligne d'affichage prise parmi les électrodes X et Yi. Cette impulsion d'effacement est une impulsion qui présente la même polarité que celle de l'impulsion de balayage pour sélectionner l'électrode Yi et elle est augmentée jusqu'à une valeur qui n'excède pas la tension de soutien maximum pendant plusieurs microsecondes jusqu'à plusieurs centaines de microsecondes. Cette impulsion d'effacement est appliquée entre les électrodes X et Yi. En outre, cette impulsion d'effacement ressemble au mécanisme d'opération d'effacement large de l'art antérieur de la présente invention. L'état effacé est réalisé au moyen de la neutralisation des dispositif de pilotage des charges électriques de paroi qui est réalisée au moyen d'une absorption des charges électriques d'espace par la tension appliquée. Moyennant cela, toutes les cellules d'affichage Cs présentent une opération d'effacement tel que représenté sur la figure 16C. A cet instant, les charges électriques de paroi sur les électrodes X et Yi sont réduites. Concrètement, la réduction est réalisée jusqu'à une valeur qui est telle qu'une décharge n'est pas générée même si la tension de soutien VS est appliquée. II est préférable de commander la décharge de telle sorte que la partie de variation de tension devienne constante en fonction de la partie de variation temporelle ou de telle sorte que la partie de variation de tension de l'impulsion d'effacement depuis une valeur de tension qui a excédé la valeur la plus faible de la tension de soutien minimum des cellules d'affichage Cs dans le panneau d'affichage plasma 25 devienne constante par rapport à la partie de variation temporelle. Ici, lorsque la somme de la différence de potentiel entre l'électrode X et l'électrode Y1 et de la valeur de tension du fait des charges électriques de paroi accumulées dans la cellule d'affichage Cs présente une valeur qui excède légèrement la valeur de tension de démarrage de décharge dans cet espace, seules les charges électriques de paroi situées au niveau du point le plus court par rapport à l'électrode X et à l'électrode Y1 où l'intensité de champ est la plus élevée participe à la décharge dans l'espace de décharge. Dans ce cas, la quantité de charges électriques de paroi qui est neutralisée même après que la décharge est terminée est faible et une quantité importante de charges électriques de paroi restent à l'arrière dans une plage où une décharge soutenue n'est pas générée même si la tension de soutien VS est appliquée également après qu'une décharge d'effacement est terminée. Ainsi, puisque la polarité des charges électriques de paroi résiduelle est la même polarité que celle des charges électriques de paroi immédiatement avant que la décharge d'effacement soit réalisée, des électrons (charge électrique négative) restent sur le côté d'électrode Y1 et des ions (charge électrique positive) restent sur le côté d'électrode X comme représenté sur la figure 16C. En outre, une décharge d'effacement est réalisée au même point du gradient du potentiel dans la totalité des cellules d'affichage Cs. Puis une décharge d'écriture (décharge d'adresse) est exécutée selon une séquence de ligne. En outre, sur la figure 16D, une écriture sélective (décharge d'adresse) de la cellule d'affichage Cs est exécutée. Les tensions participant à la décharge d'écriture le sont du fait de la tension positive Va appliquée à l'électrode d'adresse Aj, des ions positifs accumulés sur la surface de phosphore située sur le côté d'électrode d'adresse et des électrons accumulés sur la surface diélectrique du côté d'électrode Y1. La tension positive Va est un potentiel entre l'électrode d'adresse Aj et l'électrode Y1 et des ions positifs sont les charges électriques de paroi positives et les électrons sont des charges électriques de paroi négatives. En outre, les électrons sur le côté d'électrode Y1 sont formés au moyen de l'impulsion d'effacement décrite précédemment. Par ailleurs, des ions sur le côté d'électrode d'adresse sont formés et accumulés au moyen d'une décharge d'écriture complète. En outre, après qu'une décharge d'adresse est réalisée dans la totalité des lignes d'affichage, I'impulsion de soutien est appliquée en alternance à l'électrode X et à l'électrode Y1 sur la totalité du plan image, d'où la répétition de la décharge soutenue. Moyennant cela, lorsque la période de décharge soutenue par rapport à la première sous-trame est terminée, une décharge d'écriture complète est réalisée de façon similaire dans la sous-trame suivante, une décharge d'effacement complète est exécutée en outre et la décharge d'adresse est exécutée à nouveau par l'intermédiaire du processus. Moyennant cela, il est possible de commander le panneau d'affichage plasma 25. Ainsi, selon le procédé de commande du premier mode de réalisation de la présente invention, la forme d'onde de décharge entre les électrodes X et Yi est commandée avant la sélection de l'électrode d'adresse Aj du panneau d'affichage plasma 25 et après que l'opération d'écriture complète de décharge soutenue qui suivent immédiatement sont amenées, comme représenté sur la figure 15. II résulte de cela que lorsque la somme de la tension appliquée entre les électrodes X et Yi et de la valeur de tension au moyen de laquelle les charges électriques de paroi s'accumulent dans la cellule d'affichage Cs présente une valeur excédant légèrement la valeur de tension de démarrage de décharge de l'espace, seulement les charges électriques de paroi situées au niveau des points les plus courts par rapport aux électrodes X et Yi où l'intensité de champ est la plus élevée subsiste à l'arrière dans l'espace de décharge en tant que charges électriques de paroi qui participent à la décharge. Dans ce cas, la quantité de charges électriques de paroi qui sont neutralisées est faible même lorsque la décharge est terminée et il est possible de disposer d'une quantité importante de charges électriques de paroi qui subsistent à l'arrière dans une plage pour laquelle une décharge soutenue n'est pas produite même lorsque la tension de soutien est appliquée après que la décharge d'effacement est terminée. En outre, puisque la polarité des charges électriques de paroi résiduelles devient équivalente à la polarité des charges électriques de paroi immédiatement avant que la décharge d'effacement ne soit réalisée, il devient possible d'avoir des électrons qui restent sur le côté d'électrode Y1 et que des ions restent sur le côté d'électrode X. Moyennant cela, il est possible de réaliser une opération d'effacement de façon sûre sur la totalité du plan image par comparaison avec l'art antérieur de la présente invention et il devient possible d'obtenir un affichage d'image excellent sans erreur d'effacement. En outre, il devient possible d'accumuler les charges électriques de paroi qui agissent efficacement sur la décharge d'adresse avant que la décharge d'adresse ne soit réalisée. II résulte de cela qu'il devient possible de mettre en oeuvre une décharge d'adresse à une tension appliquée faible. Ce fait contribue notablement à l'obtention d'une consommation d'énergie faible et à l'intégration du circuit dans le contrôleur concerné. (2) Description du second mode de réalisation particulier Le second mode de réalisation est différent du premier mode de réalisation et une diode Zener ZD est prévue dans un contrôleur de forme d'onde 34. La diode Zener ZD est un exemple de l'élément de discrimination de tension constante et une caractéristique est constituée par le fait que la diode ZD est connectée en parallèle à la résistance R. La tension Zener Vz de la diode ZD est établie à la tension de soutien minimum Vsm1-Vs ou plus. Lorsque le transistor FET est rendu à l'état passant sur la base d'un signal de commande de grille, un courant est appliqué à la résistance R et à la diode Zener ZD. En outre, lorsque le potentiel de l'électrode Yi est à la tension Zener Vz ou plus, un courant est appliqué brutalement puisqu'il n'y a pas de composant pour limiter le courant. Lorsque la tension appliquée aux bornes des autres extrémités de la diode ZD chute jusqu'à la tension Zener Vz ou moins, le courant s'arrête de circuler dans la diode ZD. Ainsi, selon un contrôleur d'un affichage plasma concernant le second mode de réalisation de la présente invention, la diode Zener ZD est prévue dans le contrôleur de forme d'onde 34 et la diode ZD est connectée en parallèle à la résistance R, comme représenté sur la figure 17. Par conséquent, il est possible de commander la forme d'onde de décharge de l'impulsion d'effacement à l'instant de l'écriture complète du panneau d'affichage plasma 25 avant de sélectionner l'électrode d'adresse Aj et après la fin de cette sélection de façon très fine au moyen du contrôleur de forme d'onde 34. Par exemple, I'impulsion d'écriture complète Vw est appliquée aux électrodes X et Yi depuis le dispositif de pilotage commun X 21A et depuis le dispositif de pilotage de balayage Y 21B d'une manière similaire au premier mode de réalisation de la présente invention, ce qui constitue une pré-opération de décharge d'adresse. A cet instant, le transistor FET est amené dans l'état bloqué et en outre, le transistor FET est passé dans un fonctionnement d'état passant lorsqu'une opération d'écriture complète et l'opération de décharge soutenue qui suit sont terminées. Ainsi, comme représenté sur la figure 18, le transistor FET est rendu passant sur la base d'un signal de commande de grille GS, ce qui applique un courant à la résistance R et à la diode Zener ZD à l'instant de l'opération d'effacement complète. Dans ce cas, le courant circule brutalement du fait qu'il n'y a pas de composant pour limiter le courant dans l'état dans lequel la tension de l'électrode Yi est à la tension Zener de la diode ZD ou plus. Lorsque la tension dans la période transitoire chute audessous de la tension Zener, le courant n'est plus appliqué à la diode ZD. Puis les charges électriques sur les électrodes X et Yi sont déchargées moyennant une constante de temps de circuit basée sur la cellule d'affichage Cs et sur la résistance R. Moyennant cela, il devient possible d'obtenir une impulsion d'effacement dont la forme d'onde varie brutalement lors de la phase initiale de l'effacement, laquelle forme d'onde présente une variation importante du point de vue de son gradient par la suite, et il devient possible de disposer de charges électriques de paroi efficaces pour une décharge d'adresse qui reste sur les électrodes X et Yi même lorsqu'une dispersion de la tension de démarrage de décharge est produite dans chaque cellule d'affichage Cs. Puis un procédé de commande d'affichage plasma selon le second mode de réalisation de la présente invention est décrit avec le fonctionnement du contrôleur concerné. Le fonctionnement de base est similaire à celui du premier mode de réalisation et le point de différence entre eux consiste à commander l'impulsion d'effacement de manière douce au moyen du contrôleur de forme d'onde 34. C'est-à-dire que, sur la figure 19, une impulsion d'écriture présentant une tension Vw est appliquée à un électrode X et une écriture est exécutée sur la totalité des cellules de façon similaire au premier mode de réalisation. Moyennant cela, les charges électriques positives (ions) sont accumulées sur l'électrode d'adresse Aj, comme représenté sur la figure 16A. Puis une impulsion de soutien présentant une tension Vs est appliquée, d'où la réalisation d'une décharge soutenue. Puis l'impulsion d'effacement est appliquée afin de mettre en oeuvre un effacement. A cet instant, une impulsion d'effacement qui présente une polarité qui est la même que celle de l'impulsion de balayage permettant de sélectionner l'électrode Y et qui est augmentée jusqu'à une valeur qui n'excède pas la tension de soutien maximum est appliquée entre les électrodes X et Yi pendant plusieurs microsecondes à plusieurs centaines de microsecondes. En outre, comme représenté sur la figure 20, une tension est appliquée brutalement par le contrôleur de forme d'onde 34 jusqu'à immédiatement avant que la tension de soutien minimum Vsmî qui est la tension de soutien de la cellule d'affichage Cs présentant la tension la plus faible parmi les panneaux d'affichage 15 soit atteinte. Le mécanisme de décharge d'effacement est similaire à celui du premier mode de réalisation mais il devient possible de rendre le gradient de l'impulsion d'effacement plus doux lorsque la même période d'effacement est établie. Moyennant cela, il devient possible de disposer d'une plus grande quantité de charges électriques de paroi et de mettre en oeuvre une décharge d'adresse pour une tension encore plus faible par comparaison avec le premier mode de réalisation. Ici, I'influence exercée par le gradient de l'impulsion sur la formation des charges électriques de paroi est décrite par report à la figure 20. Dans un phénomène de décharge de gaz, des charges d'espace telles que des électrons et que des ions se déplacent dans l'espace à une vitesse comparativement faible. II est connu qu'il y a un retard jusqu'à un certain point depuis un état d'application de tension jusqu'à un état de démarrage de décharge. Cette période temporelle est appelée temps de retard de décharge. Dans le panneau d'affichage plasma typique 25, le temps de retard de décharge est normalement compris entre quelques centaines de nanosecondes et plusieurs microsecondes, ce temps de retard étant cependant différent en fonction des conditions telles que la tension appliquée et que le gaz de remplissage. Lorsque l'on suppose que le temps de retard de décharge vaut Td, la tension de démarrage de décharge excède un processus de croissance d'impulsion dans le cas où du temps de croissance Tr de la tension appliquée représenté est Tr Puisqu'il y a le temps de retard de décharge Td, la décharge se produit cependant à la tension de pic. Par ailleurs, une décharge est générée à un niveau inférieur à la tension de pic lorsque Tr > Td. Dans ce cas, la quantité formée de charges électriques de paroi devient inférieure à celle obtenue lorsqu'une décharge se produit à la tension de pic. Par conséquent, lorsque Tr Td, les charges électriques de paroi participant à la décharge voient leur quantité réduite et les charges d'espace ainsi que les charges électriques de paroi formées par la décharge voient également leur quantité réduite et les charges électriques de paroi résiduelles sont augmentées en tant que résultat de ce qui précède. Par exemple, comme représenté sur la figure 20, lorsqu'il est supposé que l'instant lorsque le panneau d'affichage plasma 25 atteint l'instant de démarrage de décharge et que la décharge menée vaut Td, la tension après Td est inférieure dans un second mode de réalisation (2) par comparaison avec le premier mode de réalisation (1). On peut dire que la quantité de charges électriques de paroi résiduelles est supérieure à celle observée dans le cas (2). En outre, I'axe des ordonnées de la figure 21 représente une valeur absolue d'une quantité de charges électriques Q et l'axe des abscisses représente le gradient dv/dt de l'impulsion d'effacement. Le gradient dv/dt est le taux de la partie de variation de tension en fonction de la partie de variation temporelle. Une zone B où l'impulsion joue le rôle d'une impulsion d'effacement est une zone où l'impulsion chute en-dessous de la tension de décharge, comme représenté sur la figure 21. Cette tension de démarrage de décharge est la somme de la tension Vwr due aux charges électriques de paroi générées et de la tension de l'impulsion de soutien au point temporel où la décharge est complètement terminée. En outre, puisque l'échelle de décharge est faible et puisque les charges d'espace générées sont en faible quantité dans une zone A, la quantité neutralisée de charges électriques de paroi par charges d'espace est également réduite et la quantité de charges électriques de paroi restant pour finir est augmentée dans cette zone. Les charges électriques de paroi dans ce cas présentent la même polarité que l'état avant que les impulsions ne soient appliquées. En outre, le fonctionnement de l'impulsion est pratiquement équivalent au fonctionnement de l'impulsion de soutien dans une zone C. Ici, les charges d'espace générées en quantité importante neutralisent les charges électriques de paroi ne participant pas à la décharge et sont attirées en outre par la tension appliquée et sont accumulées en tant que charges électriques de paroi. Ainsi, la polarité devient différente de celle dans l'état avant que l'impulsion ne soit appliquée. Moyennant cela, I'accès le plus proche est effectué sur le côté de zone A, les charges électriques de paroi négatives sont augmentées sur le côté d'électrode Yi dans la zone B, ce qui rend possible de mettre en oeuvre une décharge d'adresse à une tension appliquée faible Va. A l'opposé, lorsque l'on s'approche du côté de zone C, les charges électriques de paroi d'une polarité inverse qui est positive sont accumulées sur le côté de l'électrode Yi. II résulte de cela qu'une tension appliquée élevée devient nécessaire en relation avec la décharge d'adresse. Ainsi, selon un procédé de commande concernant le second mode de réalisation de la présente invention, une impulsion d'effacement est appliquée rapidement pendant plusieurs nanosecondes à plusieurs microsecondes jusqu'à immédiatement avant la plus petite valeur de la tension de soutien minimum des cellules d'affichage Cs dans le panneau d'affichage plasma 25 au moyen du contrôleur de forme d'onde 34 et ensuite, une impulsion d'effacement est appliquée de façon douce selon une fréquence de plusieurs nanosecondes à plusieurs microsecondes par tension unitaire lorsque la forme d'onde de décharge entre les électrodes X et Yi est commandée. II résulte de cela que même une dispersion de la tension de démarrage de décharge est produite dans chaque cellule d'affichage Cs, la forme d'onde chute brutalement lors de l'étape initiale de l'effacement. Puis il est possible de disposer de charges électriques de paroi efficaces pour une décharge d'adresse qui subsiste sur les électrodes X et Yi au moyen d'une impulsion d'effacement présentant une variation de gradient importante. C'est-à-dire que les charges électriques de paroi participant à la décharge sont en quantité plus faible dans le second mode de réalisation (2) par comparaison avec le premier mode de réalisation (1), tel que représenté sur la figure 20. Il résulte de cela qu'il devient possible de disposer d'une quantité importante de charges électriques de paroi qui agissent efficacement sur la décharge d'adresse, lesquelles lesquelles subsistent après que les charges d'espace sont neutralisées. Moyennant cela, même s'il y a une dispersion jusqu'à un certain point de la tension de démarrage de décharge dans chaque cellule d'affichage Cs, il est possible de disposer d'une quantité importante de charges électriques de paroi qui subsistent pendant une période temporelle limitée et il devient possible de réaliser une décharge d'adresse à faible tension sans encourir une opération d'auto-effacement comme rencontré dans l'art antérieur de la présente invention. Ce fait rend possible d'échapper à une erreur d'écriture et d'obtenir un affichage d'image excellent. (3) Description du troisième mode de réalisation particulier Ce mode de réalisation est différent du second mode de réalisation et une impulsion d'écriture complète (tension Vw) est appliquée aux électrodes Y1 à YN, une décharge d'écriture complète est exécutée et ensuite, une décharge d'effacement est réalisée sans l'intermédiaire d'une décharge soutenue selon un troisième mode de réalisation. C'est-à-dire que lorsqu'une impulsion d'écriture complète normale est ôtée, soit la différence de potentiel entre l'électrode X et l'électrode Y1 est rendue en douceur égale à 0 V soit une impulsion de soutien d'une polarité inverse est appliquée immédiatement. Dans le cas où une quantité trop importante de charges électriques de paroi est conformée au moyen de la décharge d'écriture complète, il existe un procédé permettant de rendre la différence de potentiel entre l'électrode X et l'électrode Y1 égale à 0 V. Cependant, une décharge est générée par les charges électriques de paroi seulement et l'opération d'auto-effacement pendant laquelle des charges électriques de paroi suffisantes pour réaliser un décalage sur la décharge soutenue sont perdues et démarrées quelquefois. Dans ce cas, la commande devient ensuite impossible. En outre, lorsqu'une impulsion de décharge soutenue d'une polarité inverse est appliquée immédiatement après que l'impulsion d'écriture complète est appliquée, il existe une possibilité qu'une décharge soit démarrée pendant le processus d'application d'impulsion (à l'instant de la croissance de la tension), ce qui rend impossible l'obtention d'une décharge soutenue normale. Dans le troisième mode de réalisation, comme représenté sur la figure 22, une décharge d'écriture est réalisée pour des cellules d'affichage contenues dans la totalité du plan au moyen d'une impulsion d'écriture complète présentant une tension Vw > Vf appliquée depuis l'électrode Y1, puis une tension est ensuite appliquée pendant plusieurs heures de telle sorte que la différence de potentiel entre l'électrode X et l'électrode Y1 soit égale à 0 V tandis que l'état de potentiel est maintenu tel quel. En outre, Vf représente une tension de démarrage de décharge entre les électrodes X et Y1. Puis une impulsion dans laquelle la différence de potentiel présente une polarité inverse à celle de la tension Vw et dans laquelle la différence de potentiel de Vs est appliquée. Ici, lorsqu'une quantité importante de charges électriques de paroi sont générées au moyen d'une décharge d'écriture complète lors du processus qui va de la différence de potentiel initiale Vw à 0 V, une décharge est réalisée moyennant les charges électriques excessives de manière à neutraliser les charges électriques. En d'autres termes, lorsqu'il est supposé que les charges électriques de paroi générées au moyen d'une décharge d'écriture complète valent Vww, la tension électrique Vc appliquée entre l'électrode X et l'électrode Y1 dans un état dans lequel la tension Vw est appliquée est exprimée par Vc = Vw Vww lorsque Vww 2 Vf. En outre, Vc Bien que Vww présente une valeur supérieure à Vf, cette tension ne devient pas en particulier élevée. Ainsi, les charges électriques de paroi (à Vww) participant à la décharge deviennent faibles. Moyennant cela , des charges électriques excessives sont neutralisées et perdues. II résulte de cela que même si une tension Vw élevée est appliquée et une trop grande quantité de charges électriques de paroi est générée, la quantité de charges électriques de paroi immédiatement avant que la décharge d'effacement ne soit démarrée est soutenue à une valeur pratiquement constante du fait que les charges électriques de paroi sont ôtées lors du processus décrit ciavant. Lors de l'étape suivante, la différence de potentiel entre l'électrode X et l'électrode Y1 est amenée de 0V à Vs. Par conséquent, il est possible de réaliser une décharge d'effacement similaire à celle obtenue dans le cas du premier et du second modes de réalisation, comme représenté sur la figure 23B. En outre, une écriture sélective (décharge d'adresse) de la cellule d'affichage Cs est exécutée de façon similaire au premier mode de réalisation et l'impulsion soutenue est appliquée en alternance à l'électrode X et à l'électrode Y1 sur la totalité du plan image après que la décharge d'adresse est réalisée dans toutes les lignes d'affichage, d'où la répétition de la décharge soutenue. Moyennant cela, il est possible de commander le panneau d'affichage plasma 25 de façon similaire au premier mode de réalisation. De cette manière, selon un procédé de commande selon le troisième mode de réalisation de la présente invention, I'impulsion d'écriture Vw excédant la tension de démarrage de décharge Vf est appliquée à l'une des électrodes X et Yi lors de l'opération d'écriture complète du panneau d'affichage plasma 25 puis la différence de potentiel entre les électrodes X et Yi est rendue égale à 0 V depuis l'état de potentiel à l'instant de la fin de l'opération d'écriture complète et successivement, une commande de la forme d'onde de décharge entre les électrodes X et Yi qui se voit appliquer l'impulsion d'effacement présentant la polarité de l'impulsion d'écriture Vw à l'instant de l'opération d'écriture complète jusqu'à une valeur qui n'excède pas la tension de soutien maximum est obtenue. Ainsi, à la différence des premier et second modes de réalisation, il devient possible de réaliser une décharge d'effacement pour disposer d'une quantité de charges électriques de paroi pratiquement constante sur les électrodes X et Yi sans passer par l'intermédiaire d'une décharge soutenue après que I'impulsion d'écriture complète est appliquée entre les électrodes X et Yi et après que la décharge d'écriture complète est exécutée. Moyennant cela, il devient possible de faire en sorte que les charges électriques de paroi résiduelles soient en quantité constante avant la décharge d'adresse même lorsqu'une quantité trop importante de charges électriques de paroi sont générées sur les électrodes X et Yi au moyen de l'opération d'écriture complète. Ainsi, il devient possible d'éviter une erreur d'écriture et d'obtenir un affichage d'image excellent. REVENDICATIONS 1. Contrôleur d'affichage plasma caractérisé en ce qu'il comprend (a) un premier dispositif de pilotage (11) pour appliquer une tension impulsionnelle entre une première électrode (X) et une seconde électrode (Yi) d'une cellule d'affichage (Cs) comportant trois électrodes (b) un circuit de régulation (14) pour réguler une quantité de charges électriques accumulées du fait de l'application de ladite tension impulsionnelle, ledit circuit de régulation (14) incluant (i) un élément de retard (R) pour déterminer une constante de temps à l'instant de la décharge desdites charges électriques ; et (ii) un élément de commutation (14A) pour commander un cadencement de décharge desdites charges électriques ; et (c) un second dispositif de pilotage (12) pour sélectionner une cellule d'affichage individuelle en appliquant une tension d'adresse à une troisième électrode (Aj) de ladite cellule d'affichage (Cs). 2. Contrôleur d'affichage plasma selon la revendication 1, caractérisé en ce que ledit élément de retard (R) et ledit élément de commutation (14A) sont connectés en série l'un à l'autre et ledit élément de retard (R) et ledit élément de commutation (1 4A) connectés en série l'un à l'autre sont connectés entre la première électrode (X) et la seconde électrode (Yi) de ladite cellule d'affichage (Cs). 3. Contrôleur d'affichage plasma selon la revendication 1, caractérisé en ce qu'un élément de discrimination de tension constante (ZD) est prévu dans ledit circuit de régulation (14) et ledit élément de discrimination de tension constante (ZD) est connecté en parallèle audit élément de retard (R) et régule un courant de décharge appliqué audit élément de retard (R). 4. Procédé de commande d'un affichage plasma, caractérisé en ce qu'il comprend les étapes suivantes application d'une tension impulsionnelle pour soutenir une décharge entre les première et seconde électrodes des cellules d'affichage d'un panneau d'affichage plasma régulation des charges électriques accumulées entre les première et troisième électrodes ainsi qu'entre les seconde et troisième électrodes qui se voient appliquer ladite tension impulsionnelle et régulation des charges électriques pour rendre contante une variation de tension de l'impulsion d'effacement par rapport à la variation du temps ; et application d'une tension d'adresse pour sélectionner une cellule d'affichage individuelle entre les première et troisième électrodes ou entre les seconde et troisième électrodes dans lesquelles lesdites charges électriques sont régulées. 5. Procédé de commande d'un affichage plasma selon la revendication 4, caractérisé en ce qu'une tension impulsionnelle pour soutenir une décharge appliquée entre les première et seconde électrodes desdites cellules d'affichage est une impulsion présentant une polarité qui est la même que celle de la tension d'adresse permettant de sélectionner ladite cellule d'affichage individuelle et est amenée à croître jusqu'à une valeur qui n'excède pas la tension de soutien maximum de ladite cellule d'affichage pendant plusieurs microsecondes jusqu'à plusieurs centaines de microsecondes. 6. Procédé de commande d'un affichage plasma selon la revendication 4, caractérisé en ce que les charges électriques accumulées entre lesdites première et troisième électrodes ainsi qu'entre lesdites seconde et troisième électrodes sont régulées avant que la tension d'adresse permettant de sélectionner ladite cellule d'affichage individuelle ne soit appliquée entre les première ou seconde électrodes et la troisième électrode et après que la tension pour soutenir la décharge est appliquée entre les première ou seconde électrodes et la troisième électrode desdites cellules d'affichage. 7. Procédé de commande d'un affichage plasma selon la revendication 4, caractérisé en ce que les charges électriques accumulées entre lesdites première et troisième électrodes ainsi qu'entre lesdites seconde et troisième électrodes sont régulées après qu'une décharge soutenue desdites cellules d'affichage est terminée. 8. Procédé de commande d'un affichage plasma selon la revendication 4, caractérisé en ce que la régulation des charges électriques accumulées entre lesdites première et troisième électrodes ainsi qu'entre lesdites seconde et troisième électrodes est assurée en appliquant une impulsion d'effacement qui croît rapidement pendant plusieurs nanosecondes jusqu'à plusieurs microsecondes jusqu'à immédiatement avant la valeur la plus faible de la tension de soutien minimum desdites cellules d'affichage et en appliquant ensuite une impulsion d'effacement qui décroît selon une vitesse de plusieurs nanosecondes à plusieurs microsecondes par tension unitaire. 9. Procédé de commande d'un affichage plasma selon la revendication 4, caractérisé en ce que la régulation des charges électriques accumulées entre lesdites première et troisième électrodes ainsi qu'entre lesdites seconde et troisième électrodes est assurée en rendant constante une variation de tension de l'impulsion d'effacement en fonction de la variation du temps à partir de l'instant où la valeur de tension la plus faible de la tension de soutien minimum de ladite cellule d'affichage est dépassée. 10. Procédé de commande d'un affichage plasma selon la revendication 4, caractérisé en ce que la régulation des charges électriques accumulées entre lesdites première et troisième électrodes ainsi qu'entre lesdites seconde et troisième électrodes est assurée en fixant le potentiel de la troisième électrode lorsque ladite cellule d'affichage individuelle n'est pas sélectionnée et le potentiel de l'une des première et seconde électrodes qui est commun dans chaque ligne de ladite cellule d'affichage, et en appliquant une impulsion d'effacement présentant un gradient important à l'une des seconde et première électrodes qui est indépendante pour chaque ligne de ladite cellule d'affichage. 11. Procédé de commande d'un affichage plasma selon la revendication 4, caractérisé en ce que la tension impulsionnelle permettant de soutenir une décharge appliquée entre les première et seconde électrodes desdites cellules d'affichage est amenée à croître jusqu'à ce que la tension de démarrage de décharge entre lesdites première et seconde électrodes est dépassée. 12. Procédé de commande d'un affichage plasma selon la revendication 4, caractérisé en ce que la régulation des charges électriques accumulées entre lesdites première et troisième électrodes ainsi qu'entre lesdites seconde et troisième électrodes est assurée en rendant la différence de potentiel entre lesdites première et seconde électrodes égale à 0 V depuis un état de potentiel dans lequel la tension impulsionnelle dépassant ladite tension de démarrage de décharge est appliquée et, par la suite, en appliquant une impulsion d'effacement présentant une polarité qui est la même que celle de ladite tension impulsionnelle jusqu'à une valeur qui ne dépasse pas la tension de soutien maximum de ladite cellule d'affichage. 13. Procédé de comrnande d'un affichage plasma selon la revendication 4, caractérisé en ce que, dans ledit panneau d'affichage plasma, la première électrode et la seconde électrode sont agencées en parallèle dans chaque ligne d'affichage sur un premier substrat et la troisième électrode est agencée à angle droit par rapport à ladite première électrode et à ladite seconde électrode sur un second substrat qui fait face audit premier substrat. 14. Procédé de commande d'un affichage plasma selon la revendication 4, caractérisé en ce que, dans ledit panneau d'affichage plasma, une écriture est exécutée dans une cellule d'affichage sélectionnée au moyen de soit ladite première électrode soit ladite seconde électrode soit ladite troisième électrode, et une décharge soutenue pour poursuivre l'affichage entre ladite première électrode et ladite seconde électrode est exécutée sur la base d'une information écrite dans ladite cellule d'affichage.