FR 2698210 A1 19940520 FR 9309730 A 19930806 PROCÉDÉ DE FABRICATION DE TRANSISTORS A FILM MINCE La présente invention concerne un procédé de fabrication de transistors à film mince et, en particulier, un procédé de formation d'un élément d'activation d'un dispositif d'affichage à cristaux liquides à matrice active. Un dispositif d'affichage à cristaux liquides à matrice active et un dispositif d'affichage à cristaux liquides à multiplex direct sont utilisés en tant qu'unité d'affichage pour un terminal d'un équipement de traitement d'informations ou similaires. Comme le dispositif d'affichage à cristaux liquides à matrice active commande, de façon indépendante, chacun d'une pluralité d'éléments d'images, il ne diminue pas le taux d'utilisation des cristaux liquides, de contraste ou l'angle de vue de façon différente d'une matrice simple même si le nombre de lignes de balayage augmente par l'augmentation du contenu de l'information à afficher. Par conséquent, le type à matrice active fournit un affichage couleur équivalent à celui d'un tube à rayon cathodique (CRT) et est plus largement utilisé comme affichage mince plat. Un transistor à film mince (référencé ci-après par TFT) est utilisé comme un élément d'activation d'une électrode d'élément d'image du dispositif d'affichage à cristaux liquides à matrice active présentant l'avantage cité ci-dessus. Le TFT est divisé en un type à décalage illustré sur la Figure 1, et en un type à décalage inversé, illustré sur la Figure 4, à cause de leur différence de structure. Le TFT du type à décalage, comme illustré sur la Figure i, comprend un film de masquage de la lumière 2 formé dans une zone du TFT sur un support ou substrat transparent 1, un film isolant 3 recouvrant le film de masquage de la lumière 2, une électrode de source 4s et une électrode de drain 4d formées sur le film isolant, des couches de contact 5s et 5d formées sur l'électrode de source 4s et sur l'électrode de drain 4d, une couche active à semi-conducteur 6 formée du sommet des deux couches de contact 5s et 5b vers la région les séparant et une électrode de gâchette 8 formée sur la couche active à semi-conducteur 6 à travers un film isolant de gâchette ou de grille 7. Le film de masquage de la lumière 2 est formé pour empêcher la lumière de pénétrer dans une couche de zone de canal de la couche active à semi-conducteur 6 mais il n'est pas nécessaire d'en certains cas. Le film isolant 3 est formé entre le film de masquage de la lumière 2 et la couche active à semi-conducteur 6 de façon à recouvrir entièrement le support 1. L'électrode de source 4s et l'électrode de drain 4d formées sur le film isolant 3 sont constituées, par exemple, d'un film d'oxyde d'indium-étain (référencé ci-après comme un film ITO). Les couches de contact 5s et 5d sont constituées d'un film de silicium amorphe n+ (référencées ci-après comme un film a-Si) et du phosphore est introduit dans le film a-Si. La couche active à semi-conducteur 6, servant de zone de canal, est constituée d'un silicium amorphe. L'électrode de source 4s et l'électrode de drain 4d ainsi que les couches de contact 5s et 5d sont formées par formation d'un motif sur le film ITO et sur le film a-Si 5. La formation du motif est, comme illustré sur la Figure 2A, effectuée à l'aide d'un film de réserve à motif 10 en tant que masque et par attaque chimique du film ITO 4 et du film a-Si 5 exposés à partir du film de réserve 10. Dans cette étape de formation du motif, le film ITO 4, exposé à partir de film de réserve 10 est surgravé de façon à ce qu'il ne reste pas sur le film isolant 3. Par conséquent, comme illustré sur la Figure 2A, aux extrémités de l'électrode source 4s et de l'électrode de drain 4d se faisant face (parties A sur la Figure 2A), le film ITO 4 constituant ces électrodes est gravé latéralement et, par conséquent, le film a-Si 5 sur le film ITO 4 est en porte-à-faux. Le film en porte à faux 5 provoque une diminution de l'épaisseur du film a-Si 6 servant de couche active à semiconducteur 6 ou la coupure du film 6, provoquant un dysfonctionnement du TFT. Afin d'empêcher l'apparition du phénomène cité ci-dessus, on envisage un procédé pour former un motif sur le film ITO 4 puis sur le film a-Si servant de couche de contact, comme illustré sur la Figure 3A. cependant pour ce procédé, il est difficile d'ajuster un motif du film ITO 4 sur celui du film a-Si 5 et le film ITO 4 peut être exposé sur la zone de canal car ces films sont formés pas-à-pas. Comme illustré sur la Figure 3B, lorsqu'un film a-Si 6A servant de couche active à semi-conducteur 6 est entièrement formé dans la zone étagée, du silicium sur le film ITO 4, exposé à partir des couches de contact 5s et 5d, peut être déposé de façon anormale et ce dépôt anormal affecte les caractéristiques du transistor. Même si le dépôt anormal est évité, la solution de réserve ou de gravure chimique utilisée pour former un motif sur le film ITO 4 peut rester sur la surface du film ITO 4 ou des couches de contact 5s et 5d. Ainsi, la surface du film ITO 4 ou du film a-Si 5 est contaminée. Ceci provoque un problème dans le fait que la surface n'est pas parfaitement en contact avec un film formé sur la surface. Afin de résoudre le problème cité ci-dessus, un procédé pour le dépôt sélectif de silicium sur un film conducteur est proposé dans les publication suivantes C11 Lett. Phys. d'Appl. 59 (1991) de G. N. Parsons, pages 2546 à 2548; [ 2 ] Lett. du Dispositif Électronique IEEE Vol. 13 (1992) de G. N. Parsons, pages 80 à 82. Dans ces publications, l'homme de l'art propose de déposer sélectivement du silicium sur une électrode de source et une électrode de drain en tant que couche de contact. Si un dépôt sélectif est effectué de façon régulière, aucune zone en porte-à-faux, ni étagée mentionnée précédemment, n'apparaît sur un film ITO. La température du dépôt, présenté dans ces publications, s'étend de 250 à 300 OC. Le TFT du type à décalage inversé, comme illustré sur la Figure 4, comprend une électrode de gâchette 12 formée sur un support transparent 11, un film isolant de gâchette 13 recouvrant l'électrode de gâchette 12, une couche active de semi-conducteur 14 recouvrant la couche d'isolation de gâchette 13, un revêtement de protection de canal 15 formé sur la couche active à semi-conducteur 14 au dessus de l'électrode de gâchette 12 et une électrode de source 16s et une électrode de drain 16d divisées sur le revêtement de protection de canal 15 et formées sur la couche active à semiconducteur 14. De plus, des couches de contact 17s et 17b sont formées entre l'électrode de source 16s et la couche active à semi-conducteur 14 et entre l'électrode de drain 16d et la couche active à semi-conducteur 14. L'électrode de gâchette 13 et le revêtement de protection de canal 15 présentent presque la même taille. L'électrode de source 16s et l'électrode de drain 16d sont réalisés en un film en Ti, les couches de contact 17s et 17d sont réalisées en un a-Si du type n+ et la couche active à semi-conducteur 14 est réalisée en un a-Si. Les étapes de formation de l'électrode de source 16s, de l'électrode de drain 16d et des couches de contact 17s et 17d du TFT du type à décalage inversé sont expliquées ci-dessous. Comme illustré sur la Figure 5A, un film a-Si du type n+ 17 et un film en Ti 18 sont déposés en couches; ensuite, un film de réserve 19 est appliqué sur le film en Ti 18. Puis, le film de réserve 19 est exposé à l'aide d'un masque d'exposition PM et est développé pour former un motif de formation d'une source et d'un drain. Alors, comme illustré sur la Figure 5B, le film en Ti 18 et le a-Si du type n+ 17 reçoivent un motif à l'aide d'un film de réserve 23 comme masque. Dans cette formation de motif, une marge est conservée sur le motif du film de réserve 23 de façon à ce que le motif recouvre chaque côté du revêtement de protection de canal 15 car il est difficile d'ajuster les bords de l'électrode de source 16s et de l'électrode de drain 16d au bord de l'électrode de gâchette 12. Par conséquent, l'électrode de gâchette 12, comme illustrée sur la Figure 5B, présente une largeur Lsd pour la fixation d'une zone de canal et une largeur de marge "AL x 2" où l'électrode de source 16s chevauche l'électrode de drain 16d. Alors, la longueur de canal Lg atteint une valeur proche de Lg = Lsd + 2AL. La capacité parasite du TFT augmente à cause de la marge AL. Lorsque la capacité parasite augmente, il est aussi nécessaire d'augmenter une capacité de stockage relative au TFT de façon à empêcher un écran statique d'un dispositif d'affichage à cristaux liquides d'être brûlé et l'augmentation de la capacité de stockage provoque une diminution du taux d'ouverture. Pour résoudre ce problème, on envisage un procédé de formation de l'électrode de source 16s et de l'électrode de drain 16d en auto-alignement à l'aide du procédé de décollement. Par exemple, sur la Figure 6A, un a-Si du type n+ 22 et un film en Ti 23 sont formés en laissant le motif de réserve 20 utilisé pour former le motif du revêtement de protection de canal 15 tel quel; ensuite, le motif de réserve 20 est enlevé, comme illustré sur la Figure 6B. Par conséquent, le motif de réserve 20, un film en Si 21 et un film en Ti 22 sur le revêtement de protection de canal 15 sont enlevés et un film stratifié du a-Si du type n+ 21 et du film en Ti 22 sont laissés sur la couche active de semi-conducteur 18 sur chaque côté du revêtement de protection de canal 15. Alors, l'électrode de source 16s et l'électrode de drain 16d sont formées sur chaque côté de l'électrode de gâchette 13 en auto-alignement. Cependant, ce procédé présente des inconvénients selon lesquels le résidu du motif de réserve 20 se fixe au film en Ti 22 sur chaque côté du revêtement de protection de canal 15 et celui du a-Si du type n+ 21 et du film en Ti 22 enlevé du revêtement de protection de canal 15 se fixe sur le support transparent 11. Bien que le TFT soit recouvert d'une couche finale de protection non représentée, une pluralité d'électrodes d'élément d'image peuvent être raccourcies à moins que le résidu du motif de réserve 20 ne soit enlevé. En tant que prétraitement pour la formation d'un film, un procédé de nettoyage d'un matériau de base par exposition à un plasma d'hydrogène est décrit dans les Journaux Officiels de [ 3 ] USP 4477311, [ 4 ] USP 4579609 et [ 5 ] USP 4849375. cependant, comme ces publications ne décrivent pas le nettoyage d'un support et d'un film lorsqu'un film ITO est exposé, il est nécessaire d'étudier le procédé avant son application à la fabrication d'un TFT. Un objet de la présente invention est de fournir un procédé de fabrication d'un transistor à film mince du type à décalage pour former un film actif de semiconducteur qui n'est pas découpé au voisinage d'une zone de canal. Un autre objet de la présente invention est de fournir un procédé de fabrication d'un transistor à film mince afin d'éliminer toute contamination dans la formation des électrodes de source et de drain et de nettoyer l'interface entre les couches à partir d'une couche active de semi-conducteur jusqu'aux électrodes de source et de drain. Encore un autre objet de la présente invention est de fournir un procédé de fabrication d'un transistor à film mince pour le dépôt efficace et sélectif d'une couche de contact formée entre une électrode de source ou de drain et une couche active de semi-conducteur. La présente invention colle, de façon sélective, un matériau conducteur à la surface des électrodes de source et de drain d'un transistor à film mince du type à décalage et dépose, de façon sélective, un semiconducteur en utilisant le matériau conducteur comme espèces de croissance pour former une couche de contact. Alors, aucune forme étagée n'apparaît sur le(s) bord(s) de la couche de contact et des électrodes de source et de drain et, de plus, la sélectivité augmente et l'efficacité du dépôt sélectif est augmentée car le matériau conducteur sert d'espèces de croissance. Pour former des électrodes de source et de drain d'un transistor à film mince du type à décalage inversé, un matériau conducteur est déposé, de façon sélective, à la surface d'une couche de contact pour former des électrodes de source et de drain à l'aide d'un film réalisé dans le matériau conducteur. Par un dépôt sélectif des électrodes de source et de drain, une contamination d'un transistor à film mince due à la formation du motif est éliminée. Le moyen de formation d'une couche de contact comprend un procédé pour la formation sélective d'un film de semi-conducteur contenant des impuretés sur une couche active de semiconducteur sur chaque côté d'un film de protection de canal isolant et un procédé pour l'introduction d'impuretés dans la couche active de semi-conducteur. Pour une autre forme de la présente invention, lors du dépôt sélectif d'un film à semi-conducteur servant de couche de contact par attaque chimique et dépôt répétés de façon alternée, la température pour l'attaque chimique est de 200 OC ou moins et la température de dépôt est réglée à une valeur égale ou supérieure à celle de l'attaque chimique . Lors de l'abaissement de la température dans le cas de l'attaque chimique, l'efficacité du dépôt sélectif d'un film est augmentée car le taux de gravure est augmenté. Une couche contaminée sur la surface d'un film de semi-conducteur servant de couche active de semiconducteur et de couche de contact est enlevée par un plasma à hydrogène ou halogène à la température de 200 OC ou moins. A cette température, la qualité du film de la couche de semi-conducteur ne peut se dégrader et une électrode exposée à partir du film de semi-conducteur ne peut se détériorer à cause du plasma. Pour encore une autre forme de la présente invention, lors de la formation sélective d'un film de semi-conducteur contenant des impuretés servant de couche de contact, la proportion d'hydrogène ou d'halogène d'un isolant de support des électrodes de source et de drain est augmentée pour un transistor à film mince du type à décalage et la proportion d'hydrogène ou d'halogène d'un film isolant servant de film de protection de canal est augmentée pour un transistor à film mince du type à décalage inversé. Alors, dans le cas d'un dépôt sélectif, le film de semi-conducteur collé sur les surfaces de l'isolant de support et du film de protection de canal est facilement attaqué chimiquement et le temps du dépôt sélectif est diminué. Sur les dessins annexés la Figure 1 est une vue de section illustrant la structure d'un TFT général du type à décalage; les Figures 2A et 2B sont des vues de section pour expliquer un premier problème dans l'étape de formation d'un TFT du type à décalage; les Figures 3A et 3B sont des vues de section pour expliquer un second problème dans l'étape de fabrication d'un TFT du type à décalage; la Figure 4 est une vue de section illustrant la structure d'un TFT du type à décalage inversé général; les Figures SA et 5B sont des vues de section pour expliquer un premier problème dans l'étape de fabrication d'un TFT du type à décalage inversé; les Figures 6A et 6B sont des vues de section pour expliquer un second problème dans l'étape de fabrication d'un TFT du type à décalage inversé;; la Figure 7A est une vue en perspective pour expliquer la constitution d'un dispositif d'affichage à cristaux liquides du type à matrice active d'un mode de réalisation de la présente invention et la Figure 7B est une vue de dessus d'un TFT pour l'activation d'un élément d'image de l'unité d'affichage; les Figures 8A à 8G sont des vues de section illustrant l'étape de formation d'un TFT du type à décalage du premier mode de réalisation de la présente invention et la Figure 8H est une vue de dessus illustrant le TFT du type à décalage et sa périphérie; les Figures 9A à 9F sont des vues de section illustrant l'étape de formation d'un TFT du type à décalage inversé du second mode de réalisation de la présente invention et la Figure 9G est une vue de dessus illustrant le TFT du type à décalage inversé et sa périphérie;; les Figures 10A à 10C sont des vues de section illustrant l'étape de formation d'un TFT du type à décalage inversé du troisième mode de réalisation de la présente invention; la Figure 11 est un synoptique d'un dispositif de formation de film utilisé pour chaque mode de réalisation de la présente invention; la Figure 12A est un graphe du débit de gaz d'hydrogène dans la formation d'un film du TFT de chaque mode de réalisation de la présente invention et la Figure 12B est un graphe du débit d'un autre gaz dans la formation d'un film du TFT de chaque mode de réalisation de la présente invention; les Figures 13A à 13C sont des chronogrammes pour l'explication du dépôt sélectif d'un a-Si de chaque mode de réalisation de la présente invention;; les Figures 14A à 14F sont des vues de section pour compléter l'explication de l'étape de formation d'un film a-Si de chaque mode de réalisation de la présente invention; la Figure 15A est une vue de dessus pour expliquer le dépôt anormal d'un film a-Si sur le film ITO de chaque mode de réalisation de la présente invention et la Figure 15B est une vue de dessus pour expliquer le dépôt normal du silicium amorphe; les Figures 16A à 16C sont des vues de section illustrant l'étape de nettoyage du a-Si de chaque mode de réalisation de la présente invention; les Figures 17A à 17D sont des vues de section pour expliquer l'étape de nettoyage du a-Si constituant le TFT du type à décalage du premier mode de réalisation de la présente invention;; la Figure 18 est une illustration de la relation entre la température du support et le taux d'attaque chimique pour expliquer la caractéristique de gravure du film de silicium utilisé pour chaque mode de réalisation de la présente invention; la Figure 19 est un synoptique d'un autre dispositif de formation de film utilisé pour chaque mode de réalisation de la présente invention; les Figures 20A à 20F sont des vues de section illustrant l'étape de formation du TFT du type à décalage du huitième mode de réalisation de la présente invention; la Figure 21A est une vue de section illustrant l'état stratifié avant la formation d'un échantillon et la Figure 21B est une vue de section d'un échantillon 1 pour l'explication de la présente invention; la Figure 22 est une vue de section d'un échantillon 2 pour l'explication de la présente invention;; la Figure 23 est une vue de section d'un échantillon 3 pour l'explication de la présente invention; les Figures 24A à 24C sont des graphes de répartition de la concentration d'élément illustrant les résultats d'une analyse SIMS sur les échantillons 1 à 3; les Figures 25A à 25F sont des vues de section illustrant l'étape de fabrication d'un TFT du type à décalage du huitième mode de réalisation de la présente invention; la Figure 26A est un graphe caractéristique de transistor illustrant la relation entre la tension de gâchette et le courant de drain lors de la variation de la température de dépôt d'un film de nitrure de silicium utilisé pour le TFT du huitième mode de réalisation de la présente invention et la Figure 26B illustre un état combiné d'atomes;; la Figure 27 est un graphe caractéristique illustrant la relation entre la température de dépôt d'un film de nitrure de silicium et la concentration en phosphore sur la surface du film de nitrure de silicium; la Figure 28 est un graphe caractéristique illustrant la relation entre la température de dépôt d'un film de nitrure de silicium et le courant à vide d'un TFT muni du film de nitrure de silicium; la Figure 29 est une vue de section d'un TFT du type à décalage du neuvième mode de réalisation de la présente invention; la Figure 30 est une vue de section d'un TFT du type à décalage du dixième mode de réalisation de la présente invention; la Figure 31 est un graphe caractéristique illustrant la relation entre le courant de drain et la tension de drain pour expliquer le TFT du type à décalage du dixième mode de réalisation de la présente invention; ; les Figures 32A à 32C sont des vues de section illustrant l'étape de fabrication d'un TFT du type à décalage du onzième mode de réalisation de la présente invention; la Figure 33 est une vue de section d'une autre structure du TFT du type à décalage du onzième mode de réalisation de la présente invention; et la Figure 34 est une vue de section d'un TFT du type à décalage inversé du douzième mode de réalisation de la présente invention. Avant de décrire les modes de réalisation, la structure général d'un dispositif d'affichage à cristaux liquides comprenant un TFT est décrite en référence aux Figures 7A et 7B. Pour les dispositifs d'affichage à cristaux liquides, comme illustré sur la Figure 7A, la surface supérieure d'un premier support transparent d'isolation S1 et la surface inférieure d'un second support transparent d'isolation S2 sont disposées de façon à se faire face, où un circuit de matrice MC est formé sur la surface supérieure du premier support transparent d'isolation S1 et une électrode transparente TE est formée sur la surface inférieure du second support transparent d'isolation S2. De plus, des cristaux liquides LQ sont placés entre l'électrode transparente TE et le circuit de matrice MC. Le circuit de matrice MC comprend un pluralité de transistor à film mince (référencés ci-après comme TFTs) disposés sur le premier support transparent d'isolation S1 et une pluralité d'électrodes transparentes d'élément d'image PE appariées aux TFTs respectifs. La gâchette d'un TFT est, comme illustré sur la Figure 7B, raccordée à une ligne de bus de gâchette GB s'étendant dans une direction; le drain du TFT est raccordé à une ligne de bus de drain DB s'étendant dans la direction orthogonale de la ligne de bus de gâchette et la source du TFT est raccordée à une électrode d'élément d'image PE. La ligne de bus de gâchette GB est isolée de la ligne de bus de drain DB par un film isolant non illustré. Alors, l'affichage d'une image est effectué par variation de la direction de transmission de la lumière des cristaux liquides LQ sur des éléments d'image selon une tension de signal appliquée entre l'électrode d'élément d'image PE et l'électrode transparente TE. La ligne de bus de gâchette GB est aussi référencée comme ligne de bus de balayage et la ligne de bus de drain DB est aussi référencée comme ligne de bus de données. (lJ Premier mode de réalisation Tout d'abord, un dispositif de formation de film utilisé pour la formation d'une couche de contact d'un TFT est décrit ci-dessous en référence à la Figure 11. Le dispositif de formation de film possède un orifice d'introduction de gaz 72, un orifice d'échappement 74 et un support de pastille 75 servant aussi d'électrode et une électrode 76 dans une chambre 71 dans laquelle une masse GND est raccordée au support de pastille 75 et une alimentation de puissance 70 pour fournir une puissance de fréquence radio est raccordée à une électrode 76. L'orifice d'introduction du gaz 72 introduit un gaz de réaction dans la chambre 71 qui est intégrée à l'électrode 76. Le support de pastille 75 supporte une pastille W sur laquelle un film doit être formé et sert simultanément d'électrode (électrode négative) pour transformer le gaz dans la chambre 71 en un plasma et est raccordé à la masse GND. De plus, il comporte un réchauffeur. L'électrode 76 est disposée pour transformer le gaz dans la chambre 71 en un plasma par couplage avec le support de pastille 75 et est raccordée à l'alimentation de puissance 77. L'alimentation de puissance 77 fournit une puissance à une fréquence radio de 13, 56 MHz. I1 est aussi possible de raccorder l'électrode 75 à la masse GND pour fournir la puissance de fréquence radio au support de pastille 76 à l'aide d'un commutateur de sélection pour commuter les connexions entre la masse GND et l'alimentation de puissance 77. Alors, l'étape de fabrication du TFT du type à décalage de ce mode de réalisation est décrite cidessous en référence aux Figures 8A à 8H. Tout d'abord, comme illustré sur la Figure 8A, un film de chrome (référencé ci-après comme un film de Cr) 32 est formé sur un support transparent 31 en verre, en quartz ou similaires à l'épaisseur d'environ 600 ; puis le film de Cr 32 reçoit un motif par lithographie pour former un film de masquage de la lumière 32 en chrome. Le film de masquage de la lumière 32 masque le rétro-éclairage d'activation d'un affichage à cristaux liquides de façon à ce qu'il ne frappe pas une couche de zone de canal d'une couche active de semi-conducteur à mentionner plus loin. Alors, le support transparent 31 est calé sur le support de pastille 75 du dispositif de formation de film illustré sur la Figure 11; ensuite, un gaz mélangé de SiH4 et de NH3 est introduit dans la chambre 71 par l'orifice d'introduction du gaz 72. Alors, un film isolant 33 réalisé en nitrure de silicium pour couvrir le film de masquage de la lumière 32 est formé sur le support transparent 31 jusqu'à une épaisseur de 5000 À. Alors, le support transparent 31 est extrait de la chambre 71. Alors, un film d'oxyde d'idium-étain (référencé ci-après comme un film ITO) est formé sur le film isolant 33 jusqu'à une épaisseur d'environ 500 À par projection. Ensuite, comme illustré sur la Figure 8B, un motif de réserve 36 à diviser au dessus du film de masquage de la lumière 32 est formé de façon à former une électrode de source, une électrode de drain et une électrode d'élément d'image. Alors, le film ITO 35 est gravé, de façon sélective, à l'aide du motif de réserve 36 comme masque. cette attaque chimique est une gravure humide utilisant, par exemple, une solution mélangée de Hcl et de NH03. Alors, une électrode de source 35a et une électrode de drain 35b constituées du film ITO 35 sont formées et le film ITO 35 dans une zone d'élément d'image non illustrée sert d d'électrode d'élément d'image. Alors, le support transparent 31 est calé sur le support de pastille 75 du dispositif de formation de film illustré sur la Figure 11 et le support transparent 31 est chauffé par un réchauffeur stocké dans le support de pastille 75 afin de maintenir le support à la température par exemple de 350 OC. Alors, un gaz de mélange de MoF6 et d'Ar est introduit dans la chambre 71 par l'orifice d'introduction du gaz 72 afin de maintenir la pression interne dans la chambre à 0,1 Torr. Dans ce cas, des espèces actives contenant du molybdène (Mo) décomposé thermiquement sont adsorbées à la surface du film ITO 35 avec une grande conductivité due au déplacement des électrons. Pour le film d'isolation 33 non recouvert par le film ITO 35, un déplacement des électrons n'apparaît cependant pas à la surface car le film 33 est réalisé en un matériau isolant et aucun molybdène n'est, par conséquent, adsorbé à la surface. Alors, comme illustré sur la Figure 8C, une très petite quantité de molybdène 37 est collée, de façon sélective, sur les seules surfaces de l'électrode de source 35a et de l'électrode de drain 35b constituées du film ITO 35. Pour réaliser un collage sélectif du molybdène de façon aisée, il est aussi possible d'attaquer légèrement les surfaces de l'électrode de source 35a et de l'électrode de drain 35b à l'aide d'un plasma à hydrogène comme le prétraitement pour le collage sélectif du molybdène. Pour le traitement au plasma, la température du support transparent 31 est établie à 15 OC, du gaz d'hydrogène est introduit dans la chambre 71 pour placer la pression interne à 0,1 Torr et la puissance appliquée entre les électrodes 75 et 76 est réglée à environ 100 W. Bien que la température du support transparent 31 ne soit pas restreinte à 150 OC, on cherche à maintenir la température à 200 OC ou moins de façon à empêcher le film ITO 35 constituant les électrodes de se détériorer. Ceci est aussi décrit dans le document suivant J. d'Appl.Phys., 51, 7, 3890 (1980) de A. J. Steckl et G. Mohamed. Après que le molybdène 37 soit collé, l'introduction des gaz de MoF6 et d'Ar est arrêtée et la température du support transparent 31 est calée à 250 OC dans un état décompressé. Alors, comme illustré sur la Figure 12A, du gaz d'hydrogène est introduit, de façon régulière, dans la chambre 71 à partir du premier orifice d'introduction de gaz 72 avec un certain débit. De plus, comme illustré sur la Figure 12B, un gaz de mélange de SiH4 et de PH3 est introduit au premier instant t1 et l'introduction du gaz mélangé est arrêtée au second instant suivant t2. Alors, le gaz mélangé est introduit de façon intermittente dans la chambre 71 en considérant la somme de ces temps tl + t2" comme un cycle "tc". Par exemple, le premier instant t1 est établi à 5 sec. et le second instant t2 est établi à 40 sec. Alors, la pression dans la chambre 71 est réglée à 0,3 Torr et la puissance de fréquence radio à appliquer entre le support de pastille 75 et l'électrode 76 est réglée à 60 W pour amorcer le CVD à plasma. Alors, le film de silicium amorphe du type n+ (a-Si du type n+) dopé de phosphore est déposé. Dans ce cas, le film a-Si du type n+ 38 est formé de façon régulière, sur l'électrode de source 35a et l'électrode de drain 35b réalisées sur le film ITO 35 en utilisant le molybdène 37 comme espèces de croissance. cependant, comme les espèces de croissance sont presque absentes sur le film isolant 33 dans le temps d'introduction du gaz mélangé t1, le film a-Si du type n+ est difficilement formé. Même si les espèces de croissance sont un peu présentes sur le film isolant 33 et si un a-Si du type n+ est légèrement formé sur le film, le a-Si du type n+ est gravé par le plasma à hydrogène à l'instant d'arrêt du gaz mélangé t2. Alors, comme illustré sur la Figure 8D, le film a-Si du type n+ 378 est déposé, de façon sélective, sur l'électrode de source 35a et l'électrode de drain 35b réalisées dans l'ITO. Cet état est maintenu pendant un temps prédéterminé pour former le film a-Si du type n+ 38 jusqu'à l'épaisseur d'environ 350 À. Le dépôt sélectif du film a-Si du type n+ 38 sera expliqué, de plus, pour un mode de réalisation à mentionner plus loin. Une description de l'étape de formation d'un film illustrée sur la Figure 8E est ensuite effectuée. Tout d'abord, le film a-Si du type n+ 38 est formé et l'introduction des gaz de H2 et de PH3 est ensuite arrêtée tout en maintenant la faible pression dans la chambre 71 et en maintenant la température du support transparent 31 à 250 OC et du gaz SiH4 est introduit, de façon régulière, dans la chambre 71 par l'orifice d'introduction du gaz 72 pour ajuster la pression de la chambre à 0,7 Torr. Alors, la puissance appliquée à l'électrode est réglée à 30 W pour former un film a-Si 39 servant de couche active de semiconducteur jusqu'à une épaisseur d'environ 350 À par le CVD à plasma. Alors, la température du support est réglée à 200 OC et des gaz de SiH4 et de NH3 sont introduits dans la chambre 71 pour ajuster la pression à 1 Torr. Alors, la puissance appliquée d'électrode est réglée à 100 W pour déposer un film de nitrure de silicium 40 servant de film d'isolation de gâchette sur le film a Si 39 jusqu'à une épaisseur d'environ 3000 À par le CVD à plasma. Ensuite, le support transparent 31 est extrait de la chambre 71 puis transférer vers un dispositif de pulvérisation non illustré pour former un film d'Al 41 servant d'électrode de gâchette sur le film de nitrure de silicium 40 qui constitue la couche supérieure jusqu'à une épaisseur d'environ 3000 À. Alors, le support transparent 31 est extrait du dispositif de pulvérisation puis la réserve 42 est appliquée sur le film en Al 41 pour former des motifs pour une électrode de gâchette et une ligne de bus de gâchette par exposition et développement de la réserve 42. Le motif d'électrode de gâchette est conformé de façon à couvrir partiellement l'électrode de source 35a et l'électrode de drain 35b. Alors, comme illustré sur la Figure 8F, le film en Al 41, le film de nitrure de silicium 40, le film a-Si 39, le film a-Si du type n+ 38 et le molybdène 37 dans la zone qui n'est pas couverte par le motif de la réserve 42 sont enlevés par attaque chimique. Alors, une électrode de gâchette 41a constituée du film en Al 41, un film d'isolation de gâchette 40a constitué du film de nitrure de silicium 40, une couche active de semi-conducteur 39a constituée du film a-Si 39 et des couches de contact 38a et 38b constituées du film a-Si du type n+ 38 sont formés. La zone séparant l'électrode de source 43a et l'électrode de drain 43b de la couche active de semi-conducteur 39a sert de zone de canal. Alors, le TFT du type à décalage est achevé. Alors, comme illustré sur les Figures 8G et 8H, le TFT est recouvert d'un film de nitrure de silicium 44 et une section d'ouverture 44a est formée sur le film de nitrure de silicium 44 sur l'électrode de drain 35b. Alors, une ligne de bus de drain 45 à raccorder à l'électrode de drain 35b est formée à travers la section d'ouverture 44a puis une couche de cristaux liquides 46 est déposée; de plus, une électrode transparente (non illustrée) et un second support transparent (non illustré) sont placés sur la couche 46. Alors, une section d'affichage d'un dispositif d'affichage à cristaux liquides du type à matrice active comprenant le TFT du type à décalage est achevée. Dans l'étape de fabrication du TFT décrite cidessus, le molybdène est collé, de façon sélective, sur l'électrode de source 35 et l'électrode de drain 35b constituées de l'ITO, le film a-Si du type n+ 38 est déposé, de façon sélective, en utilisant le molybdène comme espèces de croissance et le film 38 est utilisé comme couches de contact 38a et 38b. Lors du dépôt sélectif du film a-Si du type n+ 38 sans collage du molybdène, le dépôt initial du film se poursuit difficilement et la production est diminuée. De plus, dans l'étape de fabrication décrite cidessus, les étapes de collage sélective du molybdène sur les surfaces de l'électrode de source 35a et de l'électrode de drain 35b pour la formation du film d'isolation de gâchette 40 sont effectuées en continu à l'aide du même dispositif de formation du film. Par conséquent, le film a-Si du type n+ 38 servant de couche de contact est en contact parfait avec le film a-Si 39 servant de couche active de semi-conducteur car l'interface entre chaque film n'est pas contaminée. De plus, comme le film a-Si du type n+ 38 servant de couches de contact 38a et 38b est déposé, de façon sélective, sur l'électrode de source 35a et l'électrode de drain 35b, la forme plane des couches de contact 38a et 38b se rapproche de celle de l'électrode de source 35a et de l'électrode de drain 35b. Par conséquent, la couche active de semi-conducteur 39a n'est pas diluée ou anormalement déposée sur les bords des couches de contact 38a et 38b. Le molybdène mentionné ci-dessus est légèrement collé sur le film ITO 35. cependant, il est possible de déposer de façon sélective le molybdène comme un film avec une épaisseur de plusieurs centaines d' à plusieurs À. il est aussi possible de déposer de façon sélective le film a-Si du type n+ 38 sur un film de molybdène. Bien que ce mode de réalisation utilise du molybdène obtenu à partir du gaz de MoF6 comme matériau central pour le dépôt sélectif du film a-Si du type n+, il est aussi possible d'utiliser un métal conducteur tel que le tungstène obtenu à partir du gaz WF6, de l'aluminium obtenu à partir du gaz de Al(cH)3, du Ti obtenu à partir du gaz de TiC14 ou du Ta obtenu à partir du gaz de TaC15. De plus, il est possible d'utiliser un métal réfractaire tel qu'un silicate de molybdène ou un silicate de tungstène. Le même effet peut aussi être obtenu par un léger dépôt de l'un quelconque de ces matériaux, en le répartissant comme un îlot ou en le formant en un film. Bien que l'étape de fabrication mentionnée cidessus utilise un procédé (dépôt chimique et thermique en phase vapeur) pour l'activation thermique d'un gaz contenant un matériau conducteur et pour le dépôt du matériau conducteur sur le film ITO 35 (électrode de source 35a et électrode de source 35b), il est aussi possible d'utiliser le dépôt chimique à plasma en phase vapeur pour l'activation électrique et le dépôt du gaz contenant le matériau conducteur. Afin de former de façon sélective le film a-Si du type n+ 38 servant de couche de contact, il n'est pas nécessaire d'introduire régulièrement le gaz d'hydrogène. Par conséquent, il est possible d'introduire le gaz d'hydrogène seulement à partir de l'instant t2 où un gaz mélangé de SiH4 et de PH3 s'arrête. La raison est que le gaz d'hydrogène est transformé en plasma et est introduit pour enlever le silicium de la surface du film isolant 33. Un procédé pour enlever, de façon efficace, du silicium de la surface du film isolant 33 est décrit ci-après. Ainsi, à l'instant t2 où le gaz mélangé de SiH4 et PH3 s'arrête, il est possible d'améliorer la capacité de gravure du a-Si légèrement formé sur le film isolant 33 par commutation des connexions entre l'alimentation de puissance 77 et la masse GND, raccordant l'alimentation de puissance 77 au support de pastille 75 et raccordant la masse GND à l'électrode 76. Alors, la sélectivité de dépôt du film a-Si 38 sur le film ITO 35 peut être améliorée. Parallèlement, du H2, Ne, Ar, Kr ou Xe peut être utilisé comme gaz d'attaque chimique. [ 2 ] Second mode de réalisation L'étape de fabrication d'un TFT du type à décalage inversé est décrite ci-dessous en référence aux Figures 9A à 9C. Tout d'abord, comme illustrée sur la Figure 9A, l'électrode de gâchette 52 réalisée en un film de titane (Ti) avec une épaisseur d'environ 800 À et une ligne de bus de gâchette (non illustrée) sont formées sur un support transparent 51 en verre ou en quartz puis un film d'isolation de gâchette 53 constitué d'un film de nitrure de silicium avec une épaisseur d'environ 3000 À. De plus, un film a-Si 54 et un film isolant 55 réalisés en oxyde de silicium sont formés en continu jusqu'à des épaisseurs respectives de 300 À et 1500 À via le CVD. Alors, comme illustré sur la Figure 9B, la réserve 56 est appliquée sur le film isolant 55 puis la réserve 56 est exposée de façon sélective, à l'aide de l'électrode de gâchette 52 comme masque et par application d'une lumière de l'arrière du support transparent 51. Alors, comme illustrée sur la Figure 9C, la réserve 56 est développée pour former, de façon sélective, un motif de réserve 56a puis le film isolant 55 non recouvert par le motif de réserve 56a est attaqué chimiquement. Alors, un revêtement de protection de canal 55a est formé sur l'électrode de gâchette 52. Alors, comme illustré sur la Figure 9D, le motif de réserve 56a sur le revêtement de protection de canal 55a est enlevé puis du phosphore est introduit sur le film a-Si 54 sur chaque côté du film 55a, via une implantation ionique, à l'aide du revêtement de protection de canal 55a comme masque. Comme conditions de l'implantation ionique, le dosage est réglé à 5 x 1015/cm2 et la tension d'accélération est réglée à 30 keV. Ensuite, au moins la partie supérieure de film a Si 54 sur chaque côté du revêtement de protection de canal 55a est transformée en type n+ par activation des impuretés via un recuit à la température d'environ 250 OC. Le film a-Si 54 transformé en type n+ sert de couches de contact 54c et 54d. Le film a-Si 54 dans la zone séparant les couches de contact 54c et 54d, c'est-à-dire dans la zone sous le revêtement de protection de canal 56a, sert de couche active de semi-conducteur 54e. Ensuite, du gaz d'hydrogène est introduit dans la chambre 71 à l'aide du dispositif de formation de film illustré sur la Figure 11. Alors, l'hydrogène est transformé en plasma par réglage de la pression dans la chambre 71 à 0,1 Torr et par application de la puissance à fréquence radio de 300 W à l'électrode 76 et les surfaces des couches de contact du type n+ 54c et 54d et le revêtement de protection de canal 56a sont nettoyés pendant 5 minutes par le plasma à hydrogène. La description du procédé de nettoyage des couches de contact du type n+ 54c et 54d est complétée sur les Figures 15A à 16C. Alors, le support transparent 51 est chauffé par un réchauffeur stocké dans le support de pastille 75 pour maintenir la température à 250 OC. Alors, un gaz de mélange de MoF6 et d'Ar est introduit dans la chambre 71 pour maintenir la pression à 0,1 Torr. Dans ce cas, les espèces actives contenant du molybdène décomposé thermiquement (Mo) sont adsorbées sur les couches de contact du type n+ 54c et 54d avec une grande conductivité due au déplacement des électrons sur les couches. cependant, les espèces actives ne sont pas adsorbées sur le revêtement de protection de canal 56a car le film 56a est réalisé en un matériau isolant et, par conséquent, aucun déplacement d'électrons ne survient sur le film 56a. Alors, comme illustrés sur la Figure 9E, les films de Mo 57a et 57b avec une épaisseur d'environ 1000 À sont formés en auto-alignement par dépôt du Mo sur les couches de contact 54c et 54d sur chaque côté du revêtement de protection de canal 56a. Ensuite, le support transparent 51 est extrait de la chambre 71 puis les films de Mo 57a et 57b et le film a-Si 54 (couches de contact 54c et 54d) reçoivent un motif par lithographie à l'aide d'un masque de réserve pour enlever ces films des zones différentes de la zone du TFT. Alors, une électrode de source 57c constituée d'un film de Mo 57c et une électrode de drain 57d constituée d'un film de Mo 57d sont formées. La lithographie utilise le procédé de gravure à sec à l'aide de gaz Col4. Alors, le TFT du type à décalage inversé est achevé. Ensuite, comme illustré sur les Figures 9F et 9G, une électrode d'élément d'image 58 à raccorder à l'électrode de source 57c est formée et, de plus, une ligne de bus de drain 59 à raccorder à l'électrode de drain 57d est formée. Alors, une couche de cristaux liquides 60 est formée et une électrode transparente ainsi que support transparent, qui ne sont pas illustrés, sont formés sur la couche 60. Comme décrit ci-dessus, ce mode de réalisation forme les films de Mo 57a et 57b sur le film a-Si 54 exposé sur chaque côté du revêtement de protection de canal 55a, de façon sélective et en auto-alignement, et utilise les films 57a et 57b comme respectivement électrode de source 57c et électrode de drain 57d. Par conséquent, l'électrode de source 57c et l'électrode de drain 57d ne sont pas recouvertes par le revêtement de protection de canal 55a, la longueur de gâchette et la largeur de gâchette sont effectivement diminuées et la capacité parasite diminue. De plus, comme le procédé de décollement n'est pas utilisé, un polluant tel que la réserve ne reste pas sur la surface du support transparent 51 ou du revêtement de protection du canal 55a. Pour ce mode de réalisation, les films de Mo 57a et 57b sont formés, de façon sélective, sur le film a Si 54 via le CVD thermique à l'aide du gaz de mélange de MoF6 et d'Ar. cependant, il est aussi possible de déposer de façon sélective un film conducteur, via le CVD thermique, à l'aide du gaz suivant. Par exemple, le film conducteur comprend des films métalliques tels qu'un film de tungstène (W) formé à l'aide d'un gaz de WF6 et H2, un film de titane (Ti) formé à l'aide d'un gaz de TiC14 et H2 et un film d'aluminium (Al) formé à l'aide d'un gaz de Al(cH3)3 et H2 et comprend, de même, des films réfractaires en silicate métallique tels qu'un film de silicate de molybdène formé à l'aide de gaz de Moco5 et SiH4, un film de silicate de tungstène formé à l'aide de gaz de WF6 et SiH4 et un film de silicate de titane formé à l'aide de gaz de TiC14 et SiH4. Pour augmenter la vitesse de formation d'un film métallique ou d'un film réfractaire en silicate de métal servant d'électrode de source et d'électrode de drain, il est possible d'utiliser le CVD à plasma au lieu du CV thermique. 133 Troisième mode de réalisation Une description d'une autre étape de fabrication du TFT du type à décalage inversé est effectuée cidessous. Tout d'abord, l'électrode de gâchette 52 et une ligne de bus de gâchette (non illustrée) sont formées sur le support transparent 51 en verre ou en quartz puis le film d'isolation de gâchette 53, un film a-Si 54 et un film isolant 55 en oxyde de silicium sont déposés en couches dans l'ordre selon la même étape que le second mode de réalisation. Alors, comme dans le cas du second mode de réalisation, le film isolant 55 reçoit un motif à l'aide du motif de réserve 56a pour former le revêtement de protection de canal 55a sur l'électrode de gâchette 52. La Figure lOB illustre la section droite de l'état décrit ci-dessus. Après l'enlèvement du motif de réserve 56a, des films en silicium amorphe du type n+ (films a-Si du type n+) 61a et 61b dopés de phosphore sont déposés, de façon sélective, sur le film a-Si 54. Le procédé de dépôt sélectif est présenté cidessous. Tout d'abord, le support transparent 51 est introduit dans la chambre 71 à l'aide du dispositif de formation de film illustré sur la Figure 11 puis est fixé au support de pastille 75 et la chambre 71 est décompressée pour chauffer le support transparent 51 jusqu'à 250 OC. Alors, du gaz H2 est introduit, de façon régulière, dans la chambre 71 tout en appliquant une lumière d'une longueur d'onde de 800 nm ou moins au film a-Si 54, comme illustré sur la Figure 12A. Au même instant, le gaz de mélange de SiH4 et de PH3 est introduit dans la chambre 71 à l'instant d'introduction t1 et l'introduction du gaz de mélange est stoppée à l'instant d'arrêt t2. cette opération est répétée de façon cyclique. Par exemple, le temps d'introduction t1 est réglé à 20 sec. et le temps d'arrêt t2 est réglé à 40 sec. Dans ce cas, la pression dans la chambre 71 est calée à 0,3 Torr. Dans l'état cité ci-dessus, la puissance de fréquence radio de 60 W est appliquée entre le support de pastille 75 et l'électrode 76 pour transformer le gaz de mélange en un plasma. Alors, la formation des films a-Si du type n+ 61a et 61b est amorcée. Dans ce cas, une surface du film a-Si 54 est activée par un rayonnement lumineux. Par conséquent, les films a-Si du type n+ 61a et 61b sont déposés, de façon régulière, sur le film a-Si 54 dans le temps d'introduction t1. cependant, comme aucune barrière conductrice n'est produite sur le revêtement de protection de canal 55a, un film a-Si est difficilement déposé sur le revêtement de protection de canal 55a. Même si un a-Si du type n+ est légèrement formé sur le revêtement de protection de canal 55a, le a-Si du type n+ est attaqué chimiquement par le plasma d'hydrogène à l'instant d'arrêt t2. Par conséquent, seuls les films a-Si du type n+ 61a et 61b sont formés de façon sélective sur le film a-Si 54. En répétant le cycle de dépôt et d'attaque chimique, les films a-Si du type n+ 61a et 61b deviennent des couches de contact. Après la formation des couches de contact, le gaz de mélange de MoF6 et d'Ar est introduit dans la chambre 71 et la pression atmosphérique est calée sur 0,1 Torr tout en maintenant la chambre 71 décompressée et la température du support transparent 51 à 250 OC. Dans ce cas, les espèces actives contenant le Mo décomposé thermiquement sont adsorbées sur les films a Si du type n+ 61a et 61b par le déplacement des électrons car les surfaces de film possèdent une grande conductivité. cependant, comme le revêtement de protection de canal 55a est constitué d'un matériau isolant, le déplacement des électrons n'apparaît pas dans le film et, par conséquent, les espèces actives ne sont pas adsorbées sur le film. Alors, comme illustrés sur la Figure îoc, les films de Mo 62a et 62b ne sont formés que sur les films a-Si du type n+ (couches de contact) 61a et 61b de chaque côté du revêtement de protection de canal 55a en auto-alignement et de façon sélective. Les films de Mo 62a et 62b sont déposés jusqu'à une épaisseur d'environ 1000 À. Ensuite, les films de Mo 62a et 62b, les films a Si du type n+ 61a et 61b et le film a-Si 54 reçoivent un motif par lithographie, de la même façon que le second mode de réalisation, pour former une électrode de source 63a et une électrode de drain 63b constituées des films respectifs de Mo 62a et 62b et pour transformer le film a-Si 54 en une couche active de semi-conducteur. L'électrode de source 63a et l'électrode de drain 63b constituent la couche active de semi-conducteur 54 via les films a-Si du type n+ 61a et 61b servant de couches de contact. Alors, le TFT du type à décalage inversé est achevé et l'étape de formation d'une électrode d'élément d'image et d'une ligne de bus de drain est décrite ci-dessous. cependant, les étapes suivant l'étape décrite ci-dessus sont omises car elles sont les mêmes que celles du second mode de réalisation. Comme décrit ci-dessus, l'étape de fabrication du TFT du type à décalage inversé du troisième mode de réalisation de la présente invention dépose en couche les films a-Si du type n+ 61a et 61b et les films de Mo 62a et 62b sur le film a-Si 54 exposés sur chaque côté de revêtement de protection de canal 55a de façon sélective et en auto-alignement. Par conséquent, l'électrode de source 63a et l'électrode de drain 63b ne sont pas recouvertes par le revêtement de protection de canal 55a. Alors, comme dans le cas du second mode de réalisation, la capacité parasite diminue et le support transparent 51a n'est pas pollué lors de la formation de motif. De plus, pour le second mode de réalisation, une implantation ionique est effectuée pour améliorer la conductivité du film a-Si 54 lors de la formation des films a-Si du type n+ 61a et 61b. cependant, ce mode de réalisation simplifie l'étape par rapport au second mode de réalisation car seule de la lumière est appliquée. (4) Quatrième mode de réalisation Pour les modes de réalisation cité ci-dessus, toute l'étape de fabrication du TFT est décrite. Pour les modes de réalisation suivants, un dépôt sélectif d'une couche amorphe de semi-conducteur servant de couche de contact et le nettoyage avant le dépôt sélectif sont principalement décrits. Tout d'abord, le dépôt sélectif mentionné cidessus du film a-Si effectué par répétition du cycle de dépôt et d'attaque chimique est décrit ci-dessous en référence aux Figures 13A à 13C et aux Figures 14A à 14F. La Figure 13A est un diagramme de commande du débit du gaz d'hydrogène à fournir à un dispositif de formation de film utilisé pour la fabrication du TFT, la Figure 13B est un diagramme de commande du débit du gaz de silane pour un dépôt de a-Si et la Figure 13C est un diagramme de commande de la puissance de fréquence radio (référencée ci-après comme sortie RF). Sur les Figures 13A à 13C, l'axe des ordonnées illustre l'amplitude de commande et l'axe des abscisses illustre la base de temps. Sur la base de temps du diagramme de commande de la sortie RF de la Figure 13C, O et a, b, ... et g illustrent des instants de commande et les intervalles de temps b-c et f-g illustrent des états dans lesquels l'amplitude de la sortie RF est augmentée. Pour attaquer chimiquement du silicium ou similaire à l'aide d'un plasma à hydrogène en utilisant le dispositif de formation de film illustré sur la Figure 11, il existe un procédé d'établissement de la pression dans la chambre 71 pour l'attaque chimique à une valeur inférieure à celle de la formation du film et un procédé pour l'établissement de l'énergie d'excitation du plasma pour l'attaque chimique à une valeur supérieure à celle de la formation du film comme moyens d'accélération du traitement. De plus, il existe un procédé pour établir le potentiel à appliquer à un support pour l'attaque chimique à une valeur inférieure à celle de la formation du film et un procédé d'établissement de la fréquence de la tension d'excitation d'une alimentation de puissance RF 77 pour l'attaque chimique à une valeur différente de celle de la formation du film.De plus, il existe un procédé d'établissement de la densité du flux magnétique pour le confinement du plasma par un champ magnétique pour l'attaque chimique à une valeur supérieure à celle de la formation du film et un procédé d'établissement de la tension d'accélération du plasma à distance pour l'attaque chimique à une valeur supérieure à celle de la formation du film. ces procédés sont décrits ci-dessous en référence aux dessins. Par exemple, comme illustré sur la Figure 14A, lorsqu'un a-Si est déposé, de façon sélective, seulement sur le film ITO 2 formé en motif sur le film isolant 38 en verre ou en nitrure de silicium, un support possédant le film isolant 33 est calé sur le support de pastille 75 illustré sur la Figure 11. Le film isolant 33 peut être un support en verre ou un film de nitrure de silicium stratifié sur le support. Par conséquent, le matériau n'est pas restreint. De plus, la température du film isolant 33 est considérée comme égale à celle du support. Dans ce cas, du gaz de silane (SiH4) est fourni, de façon intermittente, par l'orifice d'introduction de gaz 72 du dispositif de formation de film et une puissance RF est appliquée entre le support de pastille 75 et l'électrode 76 pour produire le plasma. De façon concrète, pendant le temps de commande O-a dans le diagramme de commande du débit de gaz de silane illustré sur la Figure 14B, le gaz de silane est fourni avec un débit de 5 sccm pour régler la pression dans la chambre 71 à 0,3 Torr. Pendant le temps de commande O-a sur le diagramme de commande de la sortie RF illustré sur la Figure 13C, la puissance RF est calée sur 200 W et la température du support est calée sur 250 OC. Dans cette étape, il est possible de diluer le gaz de silane en fournissant simultanément de l'hydrogène avec un débit de 15 sccm. Alors, le SiH4 est décomposé par l'atmosphère de plasma produite 101 et le film a-Si 38 est déposé sur le film isolant 38 et sur le film ITO 35. Le film a-Si 38 est déposé en épaisseur sur le film ITO 35 mais, de façon fine, sur le film isolant 33. La raison est que le temps de croissance des espèces a-Si à la surface du film ITO 35 est plus long que celui à la surface du film isolant 33. Le temps de croissance de espèces est défini comme le temps atteignant le départ du dépôt du film a-Si 38 après la fourniture d'un gaz de réaction. La fourniture du gaz de silane est arrêtée à l'instant "a" et le dépôt simultané du film a-Si 38 est arrêté. Alors, du gaz d'hydrogène est fourni par l'orifice d'introduction du gaz 72, une puissance RF est appliquée entre le support de pastille 75 et l'électrode 76 pour produire une atmosphère de plasma d'hydrogène 102 illustrée sur la Figure 14C dans l'atmosphère les séparant et pour attaquer chimiquement le film a-Si 38 sur le film isolant 33 par le plasma d'hydrogène produit. il est aussi possible d'utiliser un fluorure à base d'halogène, un chlorure, un iodure ou un bromure, un composé de bromure ou un gaz mélangé contenant un quelconque d'entre eux à la place de l'hydrogène. De façon concrète, du gaz d'hydrogène est fourni avec un débit de 100 sccm pendant l'intervalle de temps b-c sur le graphe de commande du débit d'hydrogène de la Figure 13A pour régler la pression dans la chambre 71 à 0,3 Torr. De même, pendant le temps de commande bc du diagramme de commande de la sortie RF sur la Figure 13C, la puissance RF est réglée à 300 W et la température du support est réglée à 200 OC ou moins. La raison est que la température de cristallisation du film ITO 35 est de 200 OC. Lorsque l'attaque chimique est effectuée à 200 OC ou plus, une recristallisation du film ITO 35 ou une variation de l'état de liaison moléculaire progresse et l'hydrogène ou l'halogène réagit chimiquement sur des parties à faible liaison pour détruire la structure du film ITO 35. Par conséquent, une mauvaise influence peut être produite selon laquelle la résistivité du film ITO 35 augmente, sa transparence diminue ou un film formé sur le film 35 est déposé de façon anormale. Pour l'attaque chimique par le plasma à hydrogène, il est possible d'ajouter un composé de fluorure et de chlorure à base d'halogène ou un gaz de mélange contenant le composé. Pour l'attaque chimique d'un a-Si, l'intervalle de 200 OC à la température ambiante est préférable en ce qui concerne la détérioration du film ITO 35 car le taux de gravure augmente avec l'abaissement de la température du support, comme décrit dans un mode de réalisation ultérieur. L'attaque chimique par plasma à hydrogène enlève complètement le film fin a-Si 38 du film isolant 33, comme illustré sur la Figure 14C. Au même instant, le film a-Si 38 déposé en épaisseur sur le film ITO 35 est attaqué chimiquement par la gravure citée ci-dessus. cependant, le film a-Si 38 sur le film ITO 35 n'est pas complètement enlevé car il est plus épais que le film a-Si 38 sur le film isolant 33, comme illustré sur la Figure 14C. L'alimentation en hydrogène est arrêtée à l'instant "c" pour stopper la gravure. Dans ce cas, la puissance RF est réduire à 200 W. cependant, il est possible de fournir en continu l'hydrogène avec un débit de 15 sccm. Alors, pendant le temps de commande d-e illustré sur la Figure 13B, du gaz de silane est fourni dans la chambre 71 avec un débit de 5 sccm de la même façon que l'étape de dépôt du a-Si illustrée par le temps de commande O-a pour ajuster la pression de la chambre 71 à 0,3 Torr. Pendant le temps de commande de la sortie RF d-e illustré sur la Figure 13C, la puissance RF est réglée à 200 W et la température du support est calée à 250 OC. Alors, du SiH4 est décomposé par le plasma et le film a-Si 38 est déposé sur le film isolant 33 et sur le film ITO 35, comme illustré sur la Figure 14D. Alors, l'alimentation du gaz de silane est arrêtée à l'instant "e" pour arrêter le dépôt du film a-Si 38. Ensuite, du gaz d'hydrogène est appliqué dans la chambre 71 avec un débit de 100 sccm pendant le temps de commande f-g pour placer la pression de la chambre 71 à 0,3 Torr. De même, pendant le temps de commande fg, la sortie RF est réglée à 300 W et la température du support est réglée à 200 OC ou moins. Alors, le film a Si 38 est enlevé du film isolant 33, comme illustré sur la Figure 14E. Alors, l'alimentation du gaz d'hydrogène est arrêtée à l'instant "g" pour arrêter l'attaque chimique et diminuer la sortie RF à 200 W. Lors des étapes suivantes, le film a-Si 38 est déposé, de façon sélective, selon une épaisseur désirée sur le film ITO 35 illustré sur la Figure 14F par les étapes répétées de dépôt et d'attaque chimique mentionnées ci-dessus. Les intervalles de temps a-b, cd et e-f sont établis pour remplacer le gaz dans la chambre de génération du plasma lors du dépôt et de l'attaque chimique. Pour les étapes ci-dessus, la température du support est réglée à 200 OC ou moins de façon à ce qu'un film ITO soit difficilement réduit par le plasma à hydrogène pour l'attaque chimique d'un a-Si par le plasma à hydrogène. L'attaque chimique est accélérée en augmentant la sortie RF pour l'attaque chimique. De plus, la vitesse de déplacement moléculaire de l'hydrogène est augmentée et le taux d'attaque chimique est amélioré en réglant la pression dans la chambre 71 pour l'attaque chimique à une valeur inférieure à celle pour le dépôt du film a-Si 38. De plus, le taux d'attaque chimique augmente, de plus, en réglant la température à 200 OC ou moins. Dans les conditions citées ci-dessus, comme l'énergie pour l'excitation de l'atmosphère du plasma 102 pour l'attaque chimique par plasma est supérieure à celle pour l'excitation de l'atmosphère du plasma 101 pour le dépôt du film a-Si 38, la densité du plasma et le taux d'attaque chimique sont augmentés. De plus, comme le potentiel du support pour l'attaque chimique du film a-Si 38 est inférieur à celui pour le dépôt d'un a-Si, l'énergie ionique incidente augmente et le taux d'attaque chimique augmente par le réglage relatif du potentiel du support à une valeur négative. De plus, comme décrit ci-dessus, la fréquence de la tension d'excitation de l'alimentation de puissance de fréquence radio 77 pour l'attaque chimique par plasma est différente de celle pour le dépôt du film a Si 38. Par exemple, la densité du plasma peut être augmentée en élevant la fréquence de l'alimentation de puissance RF 77 pour l'attaque chimique et en augmentant la concentration des espèces d'excitation. De plus, comme décrit ci-dessus, en réglant la densité du flux magnétique pour le confinement de l'atmosphère de plasma 102 pour l'attaque chimique par plasma à l'aide d'un champ magnétique à une valeur supérieure à celle pour le confinement de l'atmosphère de plasma 101 pour le dépôt d'un film a-Si 38 par le champ magnétique, le plasma est comprimé par le champ magnétique et la densité de plasma augmente. De plus, comme décrit ci-dessus, lors du réglage de la tension d'accélération du plasma à distance pour l'attaque chimique par plasma à une valeur supérieure à celle pour le dépôt du film a-Si 38, du plasma est appliqué à une surface à graver avec une grande énergie pour augmenter le taux d'attaque chimique. Alors, le taux d'attaque chimique est augmenté en modifiant les conditions du plasma dans le temps pour l'attaque chimique du film a-Si 38 sur le film isolant 33, le dépôt sélectif du a-Si est amélioré de façon efficace et la productivité est augmentée. Lors du réglage de la température du support pour l'attaque chimique comme mentionné ci-dessus, un endommagement du film ITO 35 servant l'électrode d'élément d'image est fortement diminué, la transparence de l'électrode est maintenue et la valeur de résistance électrique ne peut augmenter. Par suite du dépôt sélectif d'un film a-Si dans les conditions suivantes, des phénomènes comme de la barbe sont produits sur le film a-Si du film ITO. Les phénomènes similaires à de la barbe sont aussi produites lorsque du silicium est déposé, de façon sélective, sur du SnO2, Nio ou du TiN. Les conditions sont de placer la température du support à 300 OC, la pression à 0,6 Torr, la puissance RF à 200 W et le débit d'hydrogène à 300 sccm pendant le temps de commande de l'attaque chimique et de même, la température du support à 300 OC, la pression à 0,6 Torr, la puissance RF à 200 W, le débit de silane à 160 sccm pendant le temps de commande du dépôt. Des phénomènes similaires à de la barbe sont produits car la température du support est réglée à 300 OC. Par suite du dépôt du film à la température du support de 200 OC ou moins, des phénomènes similaires à de la barbe ne sont pas produites, comme illustré sur la Figure 15B. La température du support ne provoque pas seulement un tel dépôt anormal sur le a-Si mais influence aussi le temps nécessaire pour le dépôt sélectif. Par exemple, pour obtenir une sélectivité adéquate entre un film ITO et un support de verre en plaçant la température du support à 350 OC, il est nécessaire d'effectuer l'attaque chimique avec un plasma à hydrogène pendant 42 sec. et un dépôt de silicium avec du silane pendant 8 sec. Dans cette condition, le dépôt d'un film de silicium avec une épaisseur de 1000 À prend 1 heure et 40 min. En plaçant la température du support à 250 OC, cela est cependant suffisant pour effectuer l'attaque chimique avec un plasma à hydrogène pendant 16 sec. et un dépôt du film a-Si 38 avec du SiH4 pendant 8 sec. et le temps pour le dépôt d'un film de silicium d'une épaisseur de 1000 À prend 48 min. Dans les modes de réalisation de la présente invention, on décrit le cas dans lequel du a-Si est déposé de façon sélective, sur un film ITO. cependant, la présente invention peut aussi être appliquée à un cas dans lequel un métal tel que du Mo ou du Ti ou un silicate réfractaire est déposé sur un film ITO. Bien que la température du support soit différente dans l'étape de formation du film et l'étape d'attaque chimique, il est aussi possible d'effectuer une formation et une attaque chimique du film à la même température. De plus, il est possible d'utiliser du SnO2, du Nio, du ZnO ou du TiN à la place du film ITO. 153 Cinquième mode de réalisation Le nettoyage de la surface de film dans l'étape de fabrication du TFT est décrit ci-dessous en référence aux Figures 16A à 16C. De même, le nettoyage de la surface d'un film a-Si est décrit ci-dessous en référence aux Figures 17A à 17C. Pour le procédé de fabrication du TFT du type à décalage inversé, le revêtement de protection de canal 55a est formé par masquage du motif de réserve 56a comme illustré sur la Figure 16A. Dans ce cas, une couche contaminée 78 peut être formée sur le revêtement de protection de canal 55a et sur un film a-Si 54, comme illustré sur la Figure 16B. La couche 78 est formée lors de l'étape de gravure humide ou est due à la contamination de l'atmosphère stockée après la formation du motif. Comme la couche contaminée 78 provoque un contact imparfait, il est nécessaire de l'enlever avant le début de l'étape suivante. Par conséquent, pour déposer de façon sélective un film a-Si sur la surface du film a-Si 54 en utilisant le dispositif de formation de film illustré sur la Figure 11, il est nécessaire d'enlever la couche contaminée 78 à l'aide d'une attaque chimique par plasma à hydrogène. Ainsi, le support 51 est placé dans la chambre 71 du dispositif de formation de film pour libérer le gaz de la chambre puis la température du support est réglée à 200 OC ou moins, du gaz d'hydrogène est introduit par l'orifice d'introduction du gaz 72 et une puissance RF est appliquée entre le support de pastille 75 et l'électrode 76 pour générer une décharge électrique. Alors, comme illustré sur la Figure 16c, l'atmosphère du plasma à hydrogène 102 est formée autour du support 51. il est aussi possible d'utiliser un gaz d'halogène tel que le SiF4, CC14 à la place du gaz d'hydrogène. Comme le plasma à hydrogène attaque la couche contaminée 78 sur le film a-Si 54 et le revêtement de protection de canal 55a, les surfaces des films 54 et 55a sont nettoyées. Dans ce cas, il est aussi possible d'améliorer l'effet de gravure par application d'un faisceau laser ou électronique sur le film a-Si 54 et sur le revêtement de protection de canal 55a, de façon simultanée, avec la décharge à plasma. Après l'achèvement du nettoyage, une étape débute selon laquelle la couche de contact ou l'électrode de source/drain décrite dans le second mode de réalisation est déposée de façon sélective. Bien que le procédé d'enlèvement de la couche contaminée puisse être appliquée au cas où la couche de contact d'un TFT du type à décalage est déposée, de façon sélective, avant le nettoyage de la surface, il peut aussi être appliqué au cas où la couche de contact est formée par le CVD à plasma de façon non sélective. Pour former la couche de contact par le CVD normal à plasma, la surface d'un film de silicium servant de couche de contact est contaminée car il est nécessaire de former un motif sur le film de silicium. Par conséquent, il est nécessaire de nettoyer la surface de la couche de contact avant le dépôt d'une couche active de semi-conducteur. Une brève description de cette étape est donnée ci-dessous. Tout d'abord, comme illustré sur la Figure 17A, un film a-Si 79 est déposé chimiquement en phase vapeur sur l'électrode de source 37a et sur l'électrode de drain 37b au dessus du support 31. Alors, pour former une couche de contact, le film a-Si 79 est attaqué chimiquement, de façon sélective, à l'aide d'un motif de réserve 80 comme masque puis le motif de réserve 80 est enlevé. Alors, les couches de contact 79a et 79b sont formées. Si la couche contaminée 78 est formée sur le film isolant 33 et sur un film a-Si 79 après formation du motif sur les couches, il est nécessaire d'enlever la couche contaminée 78 avant la formation d'une couche active de semi-conducteur sur les films, comme illustré sur la Figure 17B. De même, dans ce cas, le support 31 est placé dans une chambre de réaction d'un CVD à plasma pour enlever la couche contaminée 78 par génération du plasma à hydrogène, illustré sur la Figure 17C, dans la chambre de réaction avant la formation de la couche active de semi-conducteur. Les conditions de génération du plasma à hydrogène sont les mêmes que les conditions pour l'enlèvement de la couche contaminée 78 sur la Figure 16C. Ensuite, comme illustré sur la Figure 17D, le film a-Si 39 servant de couche active de semiconducteur est formé sur le film a-Si nettoyé 79. Comme décrit ci-dessus, pour enlever la couche contaminée 78 à l'aide du plasma à hydrogène, la qualité du film évite une détérioration due à l'entrée de l'hydrogène dans le film en plaçant la température du support à 200 OC ou moins. Par exemple, un film a-Si servant de couche de contact ou de couche active de semi-conducteur se détériore par réaction avec l'hydrogène pénétrant~dans le film. Un TFT du type à décalage peut avoir une zone faisant partie d'un film conducteur ITO ou de Ti ou de TiN réalisé en oxyde ou en nitrure et n'est pas recouvert d'une couche de contact. cependant, le film conducteur est actif pour le plasma à halogène (espèces d'excitation) d'hydrogène, de chlorure ou de fluorure. En particulier, lorsque la température du support est élevée, l'oxyde ou le nitrure est réduit par l'atmosphère du plasma à hydrogène ou oxydé pour varier de qualité et provoquer, par conséquent, une diminution de la conductivité du film conducteur. Par exemple, lorsque le film conducteur est constitué d'un oxyde d'indium, le film peut être réduit par l'hydrogène du plasma à hydrogène, sa résistance peut augmenter et de même, il risque être obscurci et sa transmission de la lumière peut diminuer si la température du support est supérieure à 200 C. cependant, en maintenant la température du support à 200 OC ou moins, les caractéristiques ne peuvent pas se dégrader par la variation des propriétés du film conducteur; en d'autres termes, la conductivité du film conducteur transparent ne peut diminuer à cause de la variation des propriétés du film ou la transmission de la lumière par le film ne peut diminuer à cause de la variation de couleur du film. Une autre raison à la diminution de la température du support réside dans le fait que le taux de gravure du film conducteur dans l'atmosphère à plasma 102 dépend fortement de la température. Par exemple, l'attaque chimique d'un film a-Si par le plasma à hydrogène est provoquée par le fait que l'hydrogène se combine au silicium et se volatilise sous la forme d'un gaz de polysilane tel que le SiH4 ou le Si2H6. cependant, lorsque la température du support est élevée, la probabilité de transformation en un gaz de polysilane de la surface d'un film a-Si ou du support en verre diminue car l'hydrogène diffuse profondément dans le film a-Si ou dans le support en verre sous le film. cependant, lorsque la température du support est de 200 OC ou moins, la vitesse de diffusion de l'hydrogène dans le film a-Si ou dans le support diminue et la quantité d'hydrogène à la surface du support augmente. Par conséquent, la surface du film a-Si se transforme facilement en un gaz de silane. Cela est aussi vrai pour l'attaque chimique de la surface du support en verre par un plasma à hydrogène. La Figure 18 est un graphe caractéristique illustrant la relation entre la température du support et le taux d'attaque chimique d'un film a-Si. Sur la Figure 18, l'axe des ordonnées illustre le taux d'attaque chimique du film a-Si par le plasma à hydrogène et l'axe des abscisses illustre la température du support. Sur la Figure 18, on constate que le taux d'attaque chimique a tendance à monter lors de l'abaissement de la température du support dans l'attaque chimique du film a-Si par le plasma à hydrogène. Par conséquent, pour le taux d'attaque chimique requis pour l'étape de fabrication dans une production importante, on préfère placer la température du support à 200 OC ou moins. Le taux d'attaque chimique pour une température du support de 200 oc sur la Figure 18 est d'environ de 2 A/min. Bien que le graphe caractéristique de la Figure 18 illustre des résultats de mesures, presque la même caractéristique d'attaque chimique est illustrée pour les autres couches de semi-conducteur. Comme décrit ci-dessus, l'effet de nettoyage de la surface du film a-Si est amélioré en maintenant la température du support à 200 OC ou moins, par exemple à la température ambiante, et en augmentant le taux d'attaque chimique. De plus, même si un film ITO est exposé dans l'étape de nettoyage, le film n'est pas détérioré. De plus, comme un CVD à plasma largement utilisé comme dispositif d'attaque chimique peut être en général utilisé, il est possible non seulement de diminuer le coùt de développement du dispositif mais aussi d'améliorer en continu le nettoyage de surface et la formation du film tout en maintenant l'état de vide dans le même CVD à plasma et empêcher complètement la surface nettoyée d'être recontaminée. il est aussi possible de diminuer les dommages dus à l'impact d'ions positifs lourds en plaçant un support sur le côté à la masse de l'électrode. Bien que ce mode de réalisation utilise un film ITO comme film conducteur, le film conducteur n'est pas restreint au film ITO. Le même effet peut être obtenu à partir d'un matériau conducteur d'oxyde tel qu'un oxyde d'étain ou un Nio ou un matériau conducteur de nitrure tel que le TiN. Comme moyen pour empêcher l'entrée de l'hydrogène, il existe un procédé pour diminuer l'énergie incidente des ions d'hydrogène en commandant la polarisation du support. Csl Sixième mode de réalisation Pour les modes de réalisation mentionnés cidessus, on effectue une attaque chimique par plasma à hydrogène et un dépôt en phase vapeur dans la même chambre du dispositif de formation de film illustré sur la Figure 11. cependant, comme illustré sur la Figure 19, il est aussi possible d'utiliser un dispositif de réaction à plasma du type à combinaison réalisé en plaçant, de façon séparée, une chambre de dépôt en phase vapeur et une chambre d'attaque chimique et en les combinant. Sur la Figure 19, un dispositif de gravure par plasma 81 et un dispositif de dépôt en phase vapeur 91 sont raccordés par un passage de connexion en maintenant une forte étanchéité à l'air. Ainsi, comme illustré sur la Figure 19, le dispositif de gravure par plasma 81 pour l'attaque chimique d'un film sur un support 100 comprend un tube d'alimentation du gaz d'attaque chimique 82, un orifice d'échappement 84, ' un sollicitateur à électrode (référencé ci-après comme sollicitateur) 85, une électrode 86 et une alimentation de puissance RF 87. Le dispositif de dépôt en phase vapeur 91 pour le dépôt d'un film sur le support 100 comprend un sollicitateur à électrode (référencé ci-après comme sollicitateur) 88, une électrode 89, un tube d'introduction de gaz 92, une alimentation de puissance RF 90 et un orifice d'échappement 94. Par exemple, pour nettoyer une couche contaminée 115 sur le support 100, le support 100 est tout d'abord monté sur le sollicitateur 85 dans le dispositif d'attaque chimique par plasma 81 et le dispositif est ventilé. Alors, le gaz d'attaque chimique est introduit par le tube d'introduction de gaz d'attaque chimique 82 et une tension RF est appliquée entre le sollicitateur 85 et l'électrode 86 pour générer une décharge de plasma et former l'atmosphère de plasma 102 autour du support 100. Alors, la couche contaminée 115 est gravée et le support 100 est nettoyé. Alors, pour effectuer la formation du film, le support 100 est transféré du dispositif d'attaque chimique par plasma 81 au dispositif de dépôt en phase vapeur 91 afin de le monter sur le sollicitateur 88. Alors, un gaz de matériau est introduit par le tube d'introduction de gaz 92, une tension RF est appliquée entre le sollicitateur 88 et l'électrode 89 pour générer une décharge de plasma et former l'atmosphère de plasma 101 autour du support 100. Un film a-Si ou similaire est déposé sur le support 100 par le gaz de réaction transformé en plasma. Lorsque le dispositif d'attaque chimique par plasma 81 pour le nettoyage d'une surface et le dispositif de dépôt en phase vapeur 91 pour le dépôt d'un film sont établis séparément comme mentionné cidessus, on peut obtenir respectivement une température optimale pour l'attaque chimique et celle pour le dépôt du film. Par exemple, pour enlever la couche contaminée 115 du support 100 constitué d'un a-Si par un plasma à hydrogène, le temps de réglage de la température dans la chambre de réaction n'est pas requis par l'attaque chimique de la couche à la température ambiante à partir de laquelle un fort taux d'attaque chimique est obtenu, comme décrit dans les modes de réalisation cidessus. Lorsqu'un film déposé sur le support 100 est constitué d'un a-Si, une excellente qualité de film est obtenue en réglant la température du support à 200 OC. Pour un dispositif de traitement de pastille unique pour le nettoyage de surface et la formation de film dans la même chambre de réaction, il est nécessaire de commander, de façon alternée, la température de nettoyage et celle de dépôt. Dans ce cas, le temps de refroidissement et de chauffage devient inutile et ainsi, la productivité diminue. Pour le dispositif illustré sur la Figure 19, le dispositif d'attaque chimique par plasma 81 et le dispositif de dépôt en phase vapeur 91 sont cependant raccordés par le passage de connexion 83 et une température adaptée au nettoyage et une adaptée à la formation du film sont commandées, de façon indépendante, dans chaque chambre de réaction. Par conséquent, il est possible de diminuer le temps séparant la préparation du support 100 et son traitement de surface. On est libre d'utiliser la chambre de nettoyage comme chambre de préparation ou d'utiliser une chambre de préparation séparément de façon à empêcher l'entrée de l'atmosphère. [ 7 ] Septième mode de réalisation Une description du nettoyage de surface d'un film dans une étape de fabrication TFT du type à décalage est ensuite effectuée. Tout d'abord, comme illustré sur la Figure 20A, un film conducteur transparent 112 réalisé en un oxyde d'indium à addition d'étain et une couche de semiconducteur 113 servant de couche de contact sont déposés en continu sur un support de verre 111 par dépôt en phase vapeur. Alors, comme illustré sur la Figure 20B, un motif de réserve 114 est formé sur la couche de semiconducteur 113 pour former une électrode de source 112s, une électrode de drain 112d et une électrode d'élément d'image non illustrée à l'aide du motif de réserve 114 comme masque pour former le motif sur la couche de semi-conducteur 113. Dans ce cas, la couche de semi-conducteur sur l'électrode de source 112s et l'électrode de drain 112d sert de couche de contact 113s pour la source et de couche de contact 113d pour le drain et la couche de semi-conducteur 113 sur l'électrode d'élément d'image sert de revêtement de protection. Après l'enlèvement de la réserve 114, la couche contaminée 115 constituée d'un résidu de réserve est présente sur la couche de semi-conducteur 113 et sur le support en verre 111, comme illustré sur la Figure 20C. A ce stade, il est possible d'enlever précédemment une épaisse couche d'oxyde de tout le support en utilisant de l'acide hydrofluorique tamponné ou similaire. Dans ce cas, le nettoyage de surface par le plasma à mentionner plus loin n'est achevé que par l'enlèvement du film d'oxyde fin restant. Alors, le support en verre 111 est placé dans le dispositif d'attaque chimique par plasma 81 illustré sur la Figure 19. Dans ce cas, la chambre de réaction du dispositif 81 est drainée brusquement jusqu'à 3 x 10-6 Torr puis la température du support est maintenue à 200 OC pour placer la pression de l'atmosphère à 0,6 Torr en fournissant l'hydrogène avec un débit de 300 sccm et de plus, une puissance RF de 13,56 MHz et de 200 W est appliquée entre les électrodes 85 et 86 pour générer le plasma à hydrogène entre les électrodes. Alors, comme illustrée sur la Figure 20D, la couche contaminée 115 est enlevée des couches de contact 113s et 113d et du support en verre 111. Pour cette attaque chimique, le film conducteur transparent 112 ne peut se détériorer car les couches de contact 113s et 113d servent aussi de couches de protection du film conducteur transparent. Dans ce cas, si la température du support est maintenue à 200 OC, la qualité du film diminue car l'hydrogène, pénétrant dans l'intervalle séparant la couche de contact 113s pour la source, servant aussi de couche de protection, et la couche de contact 113d pour le drain, réagit avec le silicium. cependant, comme la température du support se trouve dans l'intervalle de 200 OC à la température ambiante (25 OC) pour ce mode de réalisation, la qualité du film ne peut se dégrader sous l'action du plasma à hydrogène. De plus, il est possible d'empêcher l'hydrogène de pénétrer la couche de semi-conducteur 113 et le support en verre 111 en diminuant l'énergie des ions d'hydrogène pénétrant dans le support en verre 111. Une diminution de l'énergie peut être obtenue en élevant la polarisation appliquée au support en verre 111. Alors, comme illustré sur la Figure 20E, la couche contaminée 115 est enlevée puis le support en verre 111 est transféré du dispositif d'attaque chimique par plasma 81 au dispositif de dépôt en phase vapeur 91 pour former en continu une couche de semiconducteur 116 constituée d'une couche de silicium amorphe et d'un film isolant de gâchette 117 constitué d'une couche de SiNx dans le dispositif 91. Ensuite, le support en verre 111 est extrait du dispositif de dépôt en phase vapeur 91 puis un film métallique en aluminium ou similaire est formé sur le film d'isolation de gâchette 117 par projection et création d'un motif par lithographie pour former une électrode de gâchette 118 et une ligne de bus de gâchette (non illustrée) dans une zone de gâchette. Après application de l'attaque chimique du film d'isolation de gâchette 117 aux couches de contact 113s et 113d en utilisant l'électrode de gâchette comme masque, un TFT du type à décalage est formé avec une section droite illustrée sur la Figure 20F. Pour le procédé de fabrication d'un TFT du type à décalage décrit ci-dessus, le film conducteur transparent 112 n'est pas en contact avec le plasma à hydrogène lors de l'attaque chimique de la couche contaminée 115 car le film conducteur transparent 112 est protégé par la couche de semi-conducteur 113 constituant les couches de contact 113s et 113d. Par conséquent, les dommages du film conducteur transparent 112 sont réduits. De plus, en plaçant la température du support à 200 OC ou moins, par exemple à la température ambiante, les dommages de la couche de semi-conducteur et de la couche conductrice peuvent être réduits. Alors, en dépit d'un processus simple, des impuretés sur l'interface séparant les couches de contact 113s et 113d et la couche de semi-conducteur 116 peuvent être fortement réduites. Par conséquent, cette étape favorise une production de masse du transistor concerné. Pour ce mode de réalisation, le film conducteur transparent est recouvert, dans une zone différente de celles de source et de drain, d'un film de semiconducteur lors de l'attaque chimique d'une couche contaminée. cependant, il est aussi possible de couvrir la zone d'un motif d'un film de nitrure de silicium ou similaire avant le début de l'étape de nettoyage. C83 Huitième mode de réalisation (1) Avant de décrire le huitième mode de réalisation, les trois échantillons suivants sont préparés pour examiner la concentration en éléments contenus dans les échantillons via une spectrométrie de masse ionique secondaire (SIMS). L'échantillon 1 est formé par dépôt d'un film de nitrure de silicium 122 sur un support en verre 121 via un CVD, puis par dépôt d'un film de chrome 123 sur le film de nitrure de silicium 122 via une projection D.C., comme illustré sur la Figure 21A; ensuite on effectue une attaque chimique du film de chrome 123 à la température ambiante pour exposer le film de nitrure de silicium 122, comme illustré sur la Figure 21B. Le produit d'attaque chimique pour le chrome utilise une solution aqueuse mélangée d'un nitrate de seriumammonium (IV) et d'acide perchlorique. On considère que le point final de l'attaque chimique est à l'instant où le chrome est complètement enlevé de façon visuelle. L'échantillon 2 est obtenu par attaque chimique du film de chrome 123 illustré sur la Figure 21A jusqu'à ce qu'il ne soit plus visible à l'oeil nu avant de répéter le dépôt et l'attaque chimique du silicium plusieurs fois à l'aide du procédé décrit dans les passages [ 1 ] et [ 2 ] illustrés dans la section de l'arrière-plan de l'invention. Par suite du réglage du temps de dépôt 2 à 6 sec. et du temps d'attaque chimique de 40 à 60 sec., un film de silicium 124 est déposé sur la surface du film de nitrure de silicium 122, comme illustré sur la Figure 22. L'échantillon 3 est formé par attaque chimique du film de chrome 123 illustré sur la Figure 21A jusqu'à ce que l'on ne puisse pas le voir à l'oeil nu puis par légère attaque chimique de la surface du film de nitrure de silicium 122 à l'aide d'une solution aqueuse d'acide fluorhydrique dilué avant le dépôt et l'attaque chimique répétés du silicium dans les mêmes conditions que celles de l'échantillon 2. Par conséquent, comme illustré sur la Figure 23, aucun film de silicium n'est déposé à la surface du film de nitrure de silicium 122. ces films de nitrure de silicium 122 sont déposés en plaçant la température du support à 400 oc et la proportion d'hydrogène dans les films est de 10 % ou moins. Les films de nitrure de silicium 122 de ces trois échantillons sont équivalents à, par exemple, les films isolants du matériau de base d'une électrode de source et d'une électrode de drain d'un TFT du type à décalage et les isolants du support sont en contact avec la couche active de semi-conducteur du TFT. Par conséquent, pour déposer, de façon sélective, du silicium contenant des impuretés servant de couche de contact sur les électrodes de source et de drain d'un TFT, il est nécessaire d'empêcher le silicium contenant des impuretés d'être déposé sur le film de nitrure de silicium 122 de façon à empêcher un raccourcissement des électrodes de source et de drain. Par suite de l'analyse des trois échantillons cidessus par spectrométrie de masse ionique secondaire (SIMS), on obtient les résultats illustrés sur les Figures 24A à 24C. Les axes d'ordonnées sur la gauche de ces graphes illustrent les valeurs obtenues par conversion de l'intensité ionique secondaire du chrome en concentration et les axes des ordonnées sur la droite illustrent une intensité ionique secondaire relative à l'azote et au silicium et les axes des abscisses illustrent la profondeur de la surface de chaque échantillon. A partir des résultats de la SIMS de l'échantillon 1, comme illustré sur la Figure 24A, on constate que du chrome de 5 x 1019 atomes/cm3 reste à la surface du film de nitrure de silicium 122 juste après l'attaque chimique du chrome.En prenant une densité atomique du film de nitrure de silicium 122 égale à 5 x 1022 atomes/cm3, la densité du chrome est équivalente à 0,1 %. La densité du chrome ne varie pas, même après avoir doublé le temps d'attaque chimique du chrome pour la formation de l'échantillon. A partir des résultats de la SIMS de l'échantillon 2, comme illustré sur la Figure 24B, on constate que des atomes de chrome, presque identiques à ceux de l'échantillon 1, sont présents à la surface du film de nitrure de silicium 122 et la quantité restante de chrome ne varie pas avant et après le dépôt sélectif de silicium. A partir des résultats de la SIMS, comme illustré sur la Figure 24C, on constate que le nombre d'atomes de chrome à la surface du film de nitrure de silicium 122 a baissé à environ 1 x 1017 atomes/cm3. Par conséquent, pour déposer de façon sélective le silicium, le nombre d'atomes contaminés à la surface d'un isolant de support, pour empêcher le silicium de se déposer, doit être inférieur à 0,1 % de la densité atomique du support et il est requis que la surface du film soit propre. La description d'un procédé de diminution du temps du processus de dépôt sélectif et d'amélioration de la reproductibilité et de la production est effectuée ci-après. (2) Description des modes de réalisation Les Figures 25A à 25F sont des vues de section illustrant l'étape de fabrication d'un TFT du type à décalage du huitième mode de réalisation de la présente invention. Tout d'abord, on décrit ci-dessous jusqu'à l'état illustré sur la Figure 25A. Tout d'abord, un film de nitrure de silicium 126 est formé jusqu'à une épaisseur de 3000 À sur un support transparent 125 en verre ou en quartz via le CVD à plasma. Pour déposer le film, du SiH4, du NH3 et du H2 sont introduits dans l'atmosphère du support transparent 125 avec des débits respectifs de 10, 40 et 250 sccm. Alors, la pression de l'atmosphère est réglée à 1,0 Torr, la température du support est calée entre 100 et 230 OC et une puissance RF à appliquer entre les électrodes est réglée à 300 W. Alors, un film de chrome 127 est formé sur le film de nitrure de silicium 126 jusqu'à une épaisseur de 1000 À par la pulvérisation D.C. Alors, la réserve est appliquée, exposée puis développée pour former un motif de réserve RP recouvrant le film de chrome 127 dans les zones de source et de drain. Ensuite, le film de chrome 127 est gravé par voie humide en utilisant le motif de réserve RP comme masse. La solution d'attaque chimique utilise une solution de mélange de nitrate d'ammonium-sérium (IV) et d'acide perchlorique. Ensuite, le motif de réserve RP est enlevé. Alors, une électrode de source 127s et une électrode de drain 127d, constituées d'un film de chrome illustrées sur la Figure 25B, sont formées. Alors, comme illustré sur la Figure 25C, un résidu de chrome sur le film de nitrure de silicium 126 est enlevé par légère attaque chimique de la surface du film 126 à l'aide d'une solution aqueuse d'acide fluorhydrique diluée. Ensuite, le support transparent 125 est placé, par exemple, dans la chambre 71 du CVD à plasma illustré sur la Figure 11, de l'H2 est introduit avec un débit de 400 sccm, la puissance RF à appliquer entre les électrodes est réglée à 450 W et la pression dans la chambre 71 est réglée à 0,6 Torr. Ainsi, un plasma à hydrogène est généré dans la chambre 71 pour enlever les polluants de la surface du support transparent 125. Alors, les espèces de croissance du silicium sont enlevées de la surface du support transparent 125 et la surface est nettoyée. Alors, l'étape de formation d'une couche de contact sur l'électrode de source 127s et sur l'électrode de drain 127d est amorcée en utilisant le même CVD à plasma. La couche de contact est formée par dépôt sélectif à l'aide d'un dépôt et d'une attaque chimique répétés. Le dépôt sélectif est décrit cidessous. L'attaque chimique pour un dépôt sélectif est effectuée pendant 47 sec par une introduction régulière d'H2 dans la chambre 71 avec un débit de 400 sccm, un réglage de la pression du gaz à 0,6 Torr et de la puissance RF à appliquer entre les électrodes à 200 W, utilisant alors le plasma à hydrogène généré. Pour le dépôt, du SiH4 et du PH3 sont fournis dans l'atmosphère du plasma à hydrogène avec des débits respectifs de 25 et 150 sccm pendant 3 sec pour déposer le silicium. Un film de silicium du type n+ à fin cristaux est formé sur l'électrode de source 127s et sur l'électrode de drain 127d jusqu'à une épaisseur de 30 À selon un cycle de dépôt et d'attaque chimique, répétés sur 30 cycles. Il est aussi possible d'arrêter l'introduction d'hydrogène pour le dépôt. Le film de silicium sert de couche de contact 128, comme illustré sur la Figure 25D. Alors, le support transparent 125 est transféré vers un autre CVD tout en conservant le vide pour déposer une couche de silicium amorphe 129 servant de couche active de semi-conducteur jusqu'à une épaisseur de 800 À et pour former, en continu, un film de nitrure de silicium 130 servant de film d'isolation de gâchette sur la couche 129 jusqu'à une épaisseur de 3000 . Alors, un film d'aluminium 131 est déposé jusqu'à une épaisseur de 3000 À par pulvérisation D.C. L'état stratifié ci-dessus est illustré sur la Figure 25E. Alors, un motif de réserve pour former une électrode de gâchette est formé pour former en continu le motif du film d'aluminium 131, du film de nitrure de silicium 130, de la couche de silicium amorphe 129 et de la couche de contact 128 en utilisant le motif de réserve comme masque. Alors, une couche de contact 128, une couche active de semi-conducteur 132 et une électrode de gâchette 134 illustrées sur la Figure 25F sont formées sur le film 126 servant de support de la 127s et de la 127d. Alors, le TFT du type à décalage est achevé. Pour déposer de façon sélective le film de silicium du type n+ servant de couche de contact 128 dans l'étape de fabrication du TFT décrite ci-dessus, il est important qu'aucun silicium ne soit présent à la surface du film de nitrure de silicium 126 dans la zone séparant l'électrode de source 127s et l'électrode de drain 127d. Si le silicium est présent sur la surface, un courant passe entre la 127s et la 127d et ainsi le fonctionnement en tant que transistor n'est pas assuré ou aucune différence adéquate ne peut être fixée entre le passage du courant et le blocage. Par conséquent, la dépendance du dépôt sélectif par le différence de qualité du film de nitrure de silicium 126 est examinée. Tout d'abord, par suite de l'examen de la caractéristique d'un TFT du type à décalage en formant la température du dépôt d'un film de nitrure de silicium servant de support des électrodes de source et de drain, on obtient les résultats illustrés sur la Figure 26A. La Figure 26A illustre les différences entre la caractéristique du transistor en réglant la température de dépôt de nitrure de silicium à 100 oc, 280 oc et 410 oc. Les conditions de fabrication du TFT différentes de la température de dépôt sont les mêmes. Pour la formation du film à la température de 410 OC, le courant de drain ne dépend pas de la tension de gâchette ou la caractéristique de commutation n'apparaît pas. La raison est que du silicium du type n+ est déposé à la surface du film de nitrure de silicium 126 entre l'électrode de source 127s et l'électrode de drain 127d. Tandis que la température de dépôt est abaissée de 410 OC à 280 OC et 100 OC, la caractéristique de commutation apparaît. En particulier pour un TFT utilisant le film de nitrure de silicium 126 déposé à 100 OC, la différence entre le passage du courant et le blocage s'approche de 1 x 10-7 A et de plus, le courant passant s'approche de 1 x 10-11 A. Alors, une caractéristique suffisante pour être appliquée à un dispositif d'affichage à cristaux liquide est obtenue. Cela est du aux raisons suivantes selon lesquelles le dépôt de silicium dépend de la différence de la température de dépôt du nitrure de silicium. On constate que l'attaque chimique du nitrure de silicium ou de l'oxyde de silicium par le plasma à hydrogène est effectuée à cause du fait qu'un radical d'hydrogène coupe la liaison entre les atomes de silicium ou celle entre un atome de silicium et un autre atome et du silicium est lié à l'hydrogène pour se vaporiser sous la forme d'un polysilane comprenant du silane, du disilane et du trisilane. cependant, le facteur et la fonction de commande de la réaction ne sont pas clarifiés. Par exemple, la réaction de vaporisation du silicium sous forme de silane (SiH4) est illustrée cidessous Si + 4H* - > SiH4# La Figure 27B illustre l'état de liaison des atomes. La concentration en hydrogène d'un isolant de support des électrodes de source et de drain est diminuée usuellement aussi bas que possible de façon à assurer l'isolation électrique et empêcher l'oxydation. Par exemple, la concentration en hydrogène est réglée à 10 % pour un film de nitrure de silicium et presque à 0 % pour un film d'oxyde de silicium. Pour une attaque chimique par plasma d'un film de nitrure de silicium ou d'un film d'oxyde de silicium, de l'hydrogène fourni à la surface du film diffuse rapidement dans le film selon le gradient de concentration d'hydrogène si la concentration en hydrogène du film est faible. Par conséquent, on a constaté que le film est difficilement gravé car la concentration en hydrogène à la surface du film diminue. Ainsi, le fait que le film soit difficilement gravé signifie que beaucoup d'espèces de croissance restent à la surface du film. Par conséquent, les conditions de formation du film sont modifiées, c'est-à-dire la concentration en hydrogène dans le film est améliorée pour empêcher l'hydrogène de diffuser dans le film lors de l'attaque chimique et le nombre de radicaux d'hydrogène à la surface du film est diminué de façon à ce que l'attaque chimique progresse facilement. Lors de la diminution de la température de dépôt, la concentration en hydrogène dans le film augmente. Une description de la relation entre la température de dépôt du nitrure de silicium et la quantité restante de silicium est effectuée ci-dessous. Comme chaque film contient du silicium, il est difficile de différencier le film de nitrure de silicium du silicium déposé sur le film et ainsi, de les détecter directement. Par conséquent, la quantité de silicium déposée sur le film de nitrure de silicium peut être estimée en examinant la concentration en phosphore sur un film de nitrure de silicium lors du dépôt selectif de silicium contenant du phosphore sur le film dans les conditions citées ci-dessus. Du silicium est déposé, de façon sélective, sur l'électrode de source 127s et l'électrode de drain 127d jusqu'à une épaisseur de 30 À pour détecter la concentration en phosphore du film de nitrure de silicium 126 autour du film de silicium. Alors, par suite de l'examen de la relation entre la température de dépôt du film de nitrure de silicium 126 et sa concentration en phosphore de surface, on obtient la relation illustrée sur la Figure 27. A partir de la Figure 27, on constate que la concentration en phosphore restant à la surface du film de nitrure de silicium après le dépôt sélectif diminue avec un abaissement de la température de dépôt de nitrure de silicium. Ainsi, il est possible d'estimer que la quantité de silicium à la surface du film de nitrure de silicium diminue de même. De plus, par suite de l'examen de la relation entre la température de dépôt du film de nitrure de silicium et le courant de blocage du TFT, on constate que le courant de blocage diminue à 1 x 10-10 A ou moins lorsque la température de dépôt diminue à 220 OC ou moins et une température de dépôt 220 OC ou moins est préférable. cependant, pour appliquer le film à un dispositif d'affichage à cristaux liquides, la température de dépôt de 100 OC ou moins est optimale, le courant de blocage passant à 1 x 10-11 A ou moins. Comme décrit ci-dessus, lorsque du silicium est déposé de façon sélective sur l'électrode de source 127s et l'électrode de drain 127d jusqu'à une épaisseur de 30 A en utilisant le film de nitrure de silicium 126 formé à la température de 100 OC comme isolant de support, le temps pour un cycle de dépôt et d'attaque chimique peut être diminué à environ 20 sec. Dans ce cas, le temps de dépôt est de 3 sec. Pour ce mode de réalisation, on a décrit que la température du support pour former l'isolant de support est abaissée de façon à augmenter la proportion d'hydrogène du film de nitrure de silicium. cependant, la proportion d'hydrogène peut être diminuée en écartant le rapport de SiH4 et de NH3 du gaz de matériau de la composition stoechiométrique ou en plaçant un film de nitrure de silicium dans le plasma à hydrogène avant la formation des électrodes de source et de drain. Bien que ce mode de réalisation utilise un film de nitrure de silicium pour un isolant de support, il est aussi possible d'utiliser un film d'oxyde de silicium contenant beaucoup d'hydrogène. (9) Neuvième mode de réalisation Pour le huitième mode de réalisation, on a décrit que la température de dépôt d'un film de nitrure de silicium servant d'isolant de support des électrodes de source et de drain est abaissée. cependant, lorsque la température de dépôt est abaissée, la surface du film de nitrure de silicium est facilement attaquée et une forme concave est formée entre les électrodes de source et de drain. Par conséquent, comme illustré sur la Figure 25E, lorsqu'une couche active de semi-conducteur 129 est déposée après le dépôt de la couche de contact 128, la couche active de semi-conducteur 129 peut être coupée par la différence de niveau entre la forme concave 135 et l'épaisseur d'électrode. Par conséquent, comme illustré sur la Figure 29, la partie inférieure 126A du film de nitrure de silicium 126 est déposée à une température de par exemple 450 OC ou plus et la partie supérieure 126B du film de nitrure de silicium 126 est déposée à une température de 220 OC ou moins. Alors, il est possible de diminuer la quantité d'attaque chimique au stade final du dépôt sélectif de la couche de contact 128, d'empêcher l'apparition d'une forme concave avec une profondeur excessive et d'améliorer la productivité. L'épaisseur de la partie supérieure 126B est déterminée en estimant la profondeur à attaquer par le plasma à hydrogène. C10 ] Dixième mode de réalisation Pour le neuvième mode de réalisation décrit cidessus, la différence de niveau due à la forme concave ne peut augmenter en modifiant les températures de dépôt de l'isolant de support des électrodes de source et de drain. Dans ce cas, il est nécessaire de régler l'épaisseur de la couche active de semi-conducteur à 1/2 ou plus de la différence de niveau du sommet des électrodes de source et de drain au fond de la forme concave de l'isolant de support, de préférence à une valeur plus grande que la différence de niveau. Même si la couche active de semi-conducteur est formée sans découpe, une distorsion due à la différence de niveau est appliquée à la couche active de semiconducteur et ainsi, la caractéristique électrique est facilement dégradée ou la résistance mécanique est facilement réduite. Par conséquent, en formant une conicité sur les bords des parties adjacentes des électrodes de source et de drain, la différence de niveau avec la couche active de semi-conducteur diminue et la distorsion due à la différence de niveau sur la couche active de semiconducteur diminue. L'angle de la partie conique devra être de 100 ou plus à partir de la verticale, en particulier de 400 de façon optimale. Une brève description d'un procédé de formation de la partie conique est effectuée ci-dessous. Tout d'abord, comme illustré sur la Figure 25A, le film de chrome 127 reçoit un motif à l'aide d'un motif de réserve RP comme masque pour former l'électrode de source 127s et l'électrode de drain 127d puis de l'acide nitrique est ajouté à la solution d'attaque chimique ou à la solution de mélange de nitrate d'amonium-sérium (IV) et d'acide perchlorique, le bord du motif de réserve apparaît alors. Par conséquent, la solution d'attaque chimique pénètre dans l'intervalle séparant l'électrode de source 127s et l'électrode de drain 127d d'une part et le motif de réserve RP d'autre part et la partie conique 136 est formée sur le côté de l'électrode de source 127s et de l'électrode de drain 127d, comme illustré sur la Figure 30. Sur la Figure 30, le même symbole que sur la Figure 25F illustre le même élément. La zone dite de triode d'un transistor à effet de champ du type à isolation de gâchette est importante pour activer une unité d'affichage à cristaux liquides, en particulier, parce que la zone est un des facteurs de détermination du grade et de la résolution pour réaliser l'affichage de l'unité. Par conséquent, on cherche à obtenir un courant de drain aussi grand que possible. Par suite de l'examen de la caractéristique de tension de drain et de courant de drain dans les cas où la partie conique 136 est formée sur l'électrode de source 127s et l'électrode de drain 127d et où elle n'est pas formée, on obtient la caractéristique illustrée sur la Figure 31. La zone de triode dans le schéma de caractéristique est la zone où la tension de drain s'étend de 0 à 5 V. Par suite du réglage de l'angle de la partie conique de l'électrode de source 127s et de l'électrode de drain 127d à 400, on obtient la caractéristique illustrée par une ligne continue sur la Figure 31, une caractéristique linéaire dans la zone de triode et de plus, la valeur du courant de drain s'approche de 2 x 10-6 A pour une tension de drain de 5 V. cependant, par suite du non établissement d'une partie conique sur l'électrode de source 127s et l'électrode de drain 127d, en conservant la profondeur de la forme concave 136, on obteint la caractéristique illustrée par une ligne brisée sur la Figure 31, une caractéristique non linéaire dans la zone de triode et le courant de drain n'atteint pas 1 x 10-5 A. Alors, pour ce mode de réalisation, on constate que la capacité du transistor à film mince est améliorée en formant une conicité sur les bords des électrodes de source et de drain. (11) Onxième mode de réalisation Pour le dixième mode de réalisation, une conicité est formée sur le bord de l'électrode de source 127s et de l'électrode de drain 127d afin de diminuer la distorsion d'une couche active de semi-conducteur. cependant, l'effet est amélioré, de plus, en formant une conicité sur le bord d'une forme concave formée sur l'isolant de support des électrodes de source et de drain. Une description d'un procédé de formation de la conicité est donnée ci-dessous. Tout d'abord, comme illustré sur la Figure 32A, un film isolant de support 137 constitué de SiO2 possédant une forte proportion d'hydrogène est formé sur un support transparent 125 jusqu'à l'épaisseur de 3000 À via un CVD à plasma et un film ITO est formé sur le film isolant de support 137 jusqu'à une épaisseur de 1000 À. Ensuite, le film ITO reçoit un motif par photolithographie pour former une électrode de source 138s, une électrode de drain 138d et une électrode d'élément d'image (non illustrée). Alors, une forme concave 140 est formée en utilisant l'électrode de source 138s et l'électrode de drain 138d comme masques et en diminuant légèrement l'épaisseur du film isolant de support 137 par une attaque chimique à ions réactifs (RIE). Dans ce cas, du CHF3 est introduit dans une chambre de gravure avec un débit de 200 sccm pour placer la pression de la chambre à 0,04 Torr est diminuer la température du support à 100 OC ou moins. Par conséquent, comme illustré sur la Figure 32B, un matériau isolant (Sio2) sublimé par l'attaque chimique se fixe à la paroi latérale de la forme concave 140 du film isolant de support 137 et un film de protection à paroi latérale conique 141 est formé sur la paroi latérale par l'effet de refroidissement du support. L'attaque chimique latérale décrite ci-dessus a aussi pour effet de diminuer la contamination de la surface du film isolant de support 137 entre l'électrode de source 138s et l'électrode de drain 138d. Alors, une couche de contact 142 est déposée de façon sélective entre l'électrode de source 138s et l'électrode de drain 138d en répétant le cycle de dépôt et d'attaque chimique, comme décrit dans le premier mode de réalisation. Alors, une couche active de semi-conducteur 143 constituée de silicium amorphe est formée par un CVD. Dans ce cas, comme une conicité est formée sur le bord de la forme concave 140, une distorsion due à la différence de niveau apparaît difficilement dans la couche active de semi-conducteur 143. Ensuite, comme illustré sur la Figure 32c, un film d'isolation de gâchette 144 et une électrode de gâchette 145 sont formés. cependant, les détails sont omis car ils sont les mêmes que ceux du premier mode de réalisation. Bien que l'on est décrit ci-dessus que le film de protection de paroi latérale conique 141 est formé sur la forme concave 140 du film isolant de support 137, il est aussi possible de former une partie conique 146 sur la paroi latérale de l'électrode de source 138s et de l'électrode de drain 138d. Ainsi, une diminution de l'épaisseur de la couche active de semi-conducteur 143 est, de plus, empêchée et la distorsion est, de plus, diminuée. Il est aussi possible de former le film isolant de support 137 par du nitrure de silicium. Lors de l'utilisation de SiNx déposé à basse température, un dépôt sélectif d'une couche de contact est effectué de façon efficace, comme décrit dans le premier mode de réalisation. Pour ce mode de réalisation, les électrodes de source et de drain utilisent un ITO. cependant, il est aussi possible d'utiliser un autre film conducteur. De plus, lorsque le film isolant de support 137 est constitué d'oxyde de silicium, il est possible de former un film de SiNx pour une attaque chimique facile par plasma à hydrogène à la surface du film isolant de support 137. (12) Douzième mode de réalisation Pour les huitième à onzième modes de réalisation cités ci-dessus, on a décrit un isolant de support utilisé pour un TFT à décalage. cependant, il est aussi possible de diminuer le courant à l'état bloqué entre une source et un drain en utilisant un film isolant présentant une forte proportion d'hydrogène pour un TFT du type à décalage inversé. L'étape de dépôt sélectif d'une couche de contact d'un TFT du type à décalage inversé est décrite cidessous en référence à la Figure 34. Le TFT comprend une électrode de gâchette 148 formée sur un support 147 tel qu'un support transparent ou un film de nitrure de silicium, un film d'isolation de gâchette 149 pour couvrir l'électrode de gâchette 148 et une couche active de semi-conducteur 150 stratifiée sur le film d'isolation de gâchette 149. L'étape de formation d'une couche de contact démarre par l'état décrit ci-dessus. Pour former la couche de contact, la zone de canal de la couche active de semi-conducteur 150 est recouverte d'un film de protection de canal 151. La zone de canal est située au dessus de l'électrode de gâchette 148. Alors du silicium contenant des impuretés est déposé, de façon sélective, sur la couche active de semi-conducteur 150 de la zone non recouverte du film de protection de canal 151. Le dépôt sélectif du silicium utilise le procédé pour le dépôt et l'attaque chimique répétés dont les détails ont été décrits précédemment. Pour le dépôt sélectif du silicium, le courant à l'état bloqué entre la source et le drain de chaque côté du film de protection de canal 151 augmente car du silicium reste sur le film de protection de canal 151 si la température de dépôt du nitrure de silicium consituant le film de protection de canal 151 est élevée à, par exemple, 400 oc. Par conséquent, la température de dépôt du nitrure de silicium constituant le film de protection de canal 151 est réglée à 280 OC ou moins, de préférence à 100 OC ou moins pour augmenter la proportion d'hydrogène du nitrure de silicium de façon à ce que du silicium ne reste pas sur le film de protection de canal 151 lors du dépôt sélectif. Le film de silicium ainsi formé sert de couche de contact 152. Alors, un film conducteur de molybdène est déposé, de façon sélective, sur la couche de contact 152 en motif dans l'intervalle allant du film conducteur à la couche active de semi-conducteur 150 et former une électrode de source 153s et une électrode de drain 153d constituées du film conducteur. Revendications 1. Procédé de fabrication d'un transistor à film mince comprenant les étapes suivantes - la formation d'une électrode (35) dans au moins une zone de source et une zone de drain d'un isolant (33) de substrat; - le collage sélectif d'un matériau conducteur (37) seulement sur l'électrode; - la formation sélective d'un film de semi-conducteur (38) contenant des impuretés, sur l'électrode collant au matériau conducteur, à l'aide d'une répétition alternée d'une attaque chimique et d'un dépôt à l'aide de la différence du taux de dépôt due à une base de dépôt; - la formation d'une couche active de semi-conducteur (39) pour couvrir le film de semi-conducteur contenant des impuretés et d'isolant de substrat; - la formation d'un film d'isolation de grille (40) sur la couche active de semi-conducteur;; - la formation d'un film conducteur (41) pour une grille sur le film d'isolation de grille; et - la formation en motif des couches depuis le film conducteur jusqu'au film de semi-conducteur contenant des impuretés de façon à laisser les couches sur les zones de la source au drain. 2. Procédé de fabrication d'un transistor à film mince selon la revendication 1, selon lequel le collage sélectif du matériau conducteur (37) est effectué à l'aide d'un dépôt chimique en phase vapeur (CVD) à plasma. 3. Procédé de fabrication d'un transistor à film mince selon la revendication 1, selon lequel le matériau conducteur (37) contient au moins un matériau parmi le tungstène, le molybdène, le titane, le tantale, l'aluminium et un silicate réfractaire de métal. 4. Procédé de fabrication d'un transistor à film mince selon la revendication 1, selon lequel le matériau conducteur (37) est dispersé à la surface de l'électrode (35). 5. Procédé de fabrication d'un transistor à film mince selon la revendication 1, selon lequel le matériau conducteur (37) est sous forme d'un film sur l'électrode. 6. Procédé de fabrication d'un transistor à film mince selon la revendication 1, selon lequel l'électrode (35) sur l'isolant de substrat (33) est exposée au plasma sous faible pression puis le matériau conducteur (37) est collé en continu à l'électrode sans interruption de la basse pression. 7. Procédé de fabrication d'un transistor à film mince selon la revendication 1, selon lequel l'électrode (35) est exposée à un plasma à hydrogène ou à halogène à la température de 230' C ou moins avant le collage du matériau conducteur (37) sur l'électrode. 8. Procédé de fabrication d'un transistor à film mince selon la revendication 1, selon lequel un gaz contenant un composé de silicium et des impuretés est utilisé pour le dépôt et au moins un gaz parmi l'hydrogène, l'hélium, le néon, l'argon, le krypton et le xénon est utilisé pour l'attaque chimique dans l'étape de formation sélective du film de semi-conducteur (38) contenant des impuretés. 9. Procédé de fabrication d'un transistor à film mince selon la revendication 1, selon lequel l'attaque chimique dans l'étape de formation sélective du film de semi-conducteur (38) contenant des impuretés est effectuée par un traitement au plasma contenant de l'hydrogène ou de l'halogène à la température de 200' C ou moins. 10. Procédé de fabrication d'un transistor à film mince selon la revendication 1, selon lequel une électrode de décharge (76) pour le support de l'isolant (33) de support est raccordée à la masse dans le cas du dépôt et l'électrode de décharge est raccordée à une parmi une alimentation de puissance de fréquence radio (77) et une alimentation de puissance D.C. dans le cas de l'attaque chimique. 11. Procédé de fabrication d'un transistor à film mince selon la revendication 1, selon lequel une étape d'attaque chimique de la surface du film de semi-conducteur (38) contenant des impuretés à l'aide d'un plasma à hydrogène ou à halogène à la température de 200' C ou moins est ajoutée avant le dépôt en couche de la couche active de semi-conducteur (39). 12. Procédé de fabrication d'un transistor à film mince selon la revendication 11, selon lequel la surface du film de semi-conducteur (38) contenant des impuretés est gravée à la température ambiante. 13. Procédé de fabrication d'un transistor à film mince selon la revendication 11, selon lequel l'étape d'attaque chimique de la surface du film de semi-conducteur (38) contenant des impuretés et l'étape de formation de la couche active de semi-conducteur (39) sont effectuées, de façon séparée, dans deux chambres de réaction (81, 91) raccordées par un passage de connexion (83) sous basse pression. 14. Procédé de fabrication d'un transistor à film mince selon la revendication 1, selon lequel les étapes de collage sélectif du matériau conducteur (37) au dépôt sélectif du film de semi-conducteur (38) contenant des impuretés sont effectuées en continu sans être exposé à l'atmosphère externe. 15. Procédé de fabrication d'un transistor à film mince selon la revendication 1, selon lequel les étapes du dépôt sélectif du film de semiconducteur (38) contenant des impuretés au dépôt en couche de la couche active de semi-conducteur (39) sont effectuées en continu sous une faible pression. 16. Procédé de fabrication d'un transistor à film mince selon la revendication 1, selon lequel l'électrode (35) sur l'isolant de substrat (33) est constituée d'un matériau conducteur parmi un métal, un oxyde ou un nitrure. 17. Procédé de fabrication d'un transistor à film mince selon la revendication 1 selon lequel l'électrode (35) sur l'isolant de substrat (33) est constituée d'un matériau quelconque parmi l'oxyde d'indium-étain, l'oxyde d'étain, l'oxyde de zinc, l'oxyde de nickel, et le nitrure de titane. 18. Procédé de fabrication d'un transistor à film mince selon la revendication 1, selon lequel la température de chauffage du film d'isolant de substrat (33) pour l'attaque chimique est de 200 C ou moins et la température de chauffage de l'isolant de substrat pour le dépôt est égale à celle pour l'attaque chimique ou supérieure dans l'étape du film de semiconducteur (38) contenu de façon sélective. 19. Procédé de fabrication d'un transistor à film mince selon la revendication 1, selon lequel l'hydrogène ou l'halogène est empêché de pénétrer dans l'isolant de substrat (33) de l'extérieur en augmentant la proportion d'hydrogène ou d'halogène sur au moins la partie supérieure de l'isolant de substrat (33). 20. Procédé de fabrication d'un transistor à film mince selon la revendication 1, selon lequel au moins la partie supérieure de l'isolant de substrat (33) est constituée d'un film de nitrure de silicium formé à la température de dépôt de 220* C ou moins. 21. Procédé de fabrication d'un transistor à film mince selon la revendication 1, selon lequel une paroi latérale de l'électrode (35) est formée selon un biseau dans les zones de source et de drain. 22. Procédé de fabrication d'un transistor à film mince selon la revendication 1, selon lequel une forme concave est formée sur l'isolant de substrat (33) dans les zones de source et de drain et le côté de la forme concave est en biseau. 23. Procédé de fabrication d'un transistor à film mince, comprenant les étapes suivantes - la formation d'une électrode (35) sur un isolant de substrat (33); - le dépôt en couche d'un film de semi-conducteur (38) sur l'isolant de substrat et l'électrode; - la formation en motif du film de semi-conducteur pour exposer une partie de l'électrode; et - l'attaque chimique de la surface de film de semi-conducteur à l'aide d'un plasma à hydrogène ou à halogène à la température de 200- C ou moins. 24. Procédé de fabrication d'un transistor à film mince selon la revendication 23, selon lequel l'électrode (35) est constituée d'un matériau conducteur parmi un métal, un oxyde et un nitrure. 25. Procédé de fabrication d'un transistor à film mince selon la revendication 23, selon lequel l'électrode (35) est constituée d'un matériau parmi l'oxyde d'indium-étain, l'oxyde d'étain, l'oxyde de zinc, l'oxyde de nickel et le nitrure de titane. 26. Procédé de fabrication d'un transistor à film mince, comprenant les étapes suivantes - le dépôt en couche d'un premier film conducteur (112) et d'un film de semi-conducteur (113) contenant des impuretés sur un isolant de substrat (111), dans l'ordre; - la formation en motif, de façon continue, du film de semiconducteur contenant des impuretés et du film conducteur pour former une électrode de source, une électrode de drain et une électrode d'élément d'image constituées du film conducteur; - l'attaque chimique de la surface du film de semi-conducteur contenant des impuretés à l'aide d'un plasma à hydrogène ou à halogène à la température de 200- C ou moins; - la formation d'une couche active de semi-conducteur (116) pour recouvrir le film de semi-conducteur contenant des impuretés et l'isolant de support; et - la formation d'un film d'isolation de grille (117) sur la couche active de semi-conducteur. 27. Procédé de fabrication d'un transistor à film mince selon la revendication 26, selon lequel l'électrode de source, l'électrode de drain et l'électrode d'élément d'image (118) sont constituées d'un matériau conducteur quelconque comme un métal, un oxyde et un nitrure. 28. Procédé de fabrication d'un transistor à film mince selon la revendication 26, selon lequel l'électrode de source, l'électrode de drain et l'électrode d'élément d'image (118) sont constituées d'un matériau quelconque parmi l'oxyde d'indium-étain, l'oxyde d'étain, l'oxyde de zinc, l'oxyde de nickel et le nitrure de titane. 29. Procédé de fabrication d'un transistor à film mince selon la revendication 26, selon lequel les étapes de l'attaque chimique de la surface du film de semi-conducteur (113) contenant les impuretés à la formation de la couche active de semi-conducteur (116) sont effectuées sans interruption d'une basse pression. 30. Procédé de fabrication d'un transistor à film mince selon la revendication 26, selon lequel l'étape d'attaque chimique de la surface du film de semi-conducteur (113) contenant des impuretés et celle de formation de la couche active de semi-conducteur (116) sont effectuées dans différentes chambres de réaction (81, 91). 31. Procédé de fabrication d'un transistor à film mince selon la revendication 26, selon lequel la surface du film de semi-conducteur (113) contenant des impuretés est gravée à la température ambiante. 32. Procédé de fabrication d'un transistor à film mince, comprenant les étapes suivantes - la formation d'un isolant de substrat (126) ne contenant qu'un peu d'hydrogène ou d'halogène pénétrant de l'extérieur par augmentation de la proportion d'hydrogène ou d'halogène; - le dépôt en couche d'un premier film conducteur (127) sur l'isolant de substrat; - la formation en motif du premier film conducteur pour former une électrode (127s, 127d) dans au moins des zones de source et de drain; - la formation sélective d'un film de semi-conducteur (128) contenant des impuretés à la surface de l'électrode par répétition alternée de l'attaque chimique à l'aide d'un plasma à hydrogène ou à halogène et du dépôt en utilisant la différence du taux de dépôt due à une base de dépôt;; - la formation d'une couche active de semi-conducteur (129) sur l'isolant de substrat et le film de semi-conducteur contenant des impuretés; - le dépôt en couche d'un film isolant (130) et d'un second film conducteur (131) dans l'ordre sur la couche active de semi-conducteur; et - la formation en motif des films du second film conducteur au film contenant des impuretés pour former une couche de contact constituée du film de semi-conducteur contenant des impuretés, un film d'isolant de gâchette constitué du film isolant et une électrode de grille (134) constituée du second film conducteur. 33. Procédé de fabrication d'un transistor à film mince selon la revendication 32, selon lequel au moins la partie supérieure de l'isolant de substrat (126) est constituée de nitrure de silicium déposé chimiquement en phase vapeur à la température de 220 C ou moins. 34. Procédé de fabrication d'un transistor à film mince selon la revendication 32, selon lequel l'électrode (127s, 127d) est formée à la surface de l'isolant de substrat (126) avant l'exposition de la surface de l'isolant de substrat entre les zones de source et de drain au plasma pour la nettoyer. 35. Procédé de fabrication d'un transistor à film mince selon la revendication 32, selon lequel une forme concave est formée sur l'isolant de substrat (126) entre les zones de source et de drain et un biseau est formé sur le bord de la forme concave. 36. Procédé de fabrication d'un transistor à film mince selon la revendication 32, selon lequel un biseau est formé sur le bord de l'électrode (127s, 127d) sur l'isolant de substrat (126). 37. Procédé de fabrication d'un transistor à film mince selon la revendication 32, selon lequel de l'hydrogène ou un halogène est empêché de pénétrer dans l'isolant de substrat (126) de l'extérieur en augmentant la proportion d'hydrogène ou d'halogène au moins sur la partie supérieure de l'isolant de support. 38. Procédé de fabrication d'un transistor à film mince selon la revendication 32, selon lequel au moins la partie supérieure de l'isolant de substrat (126) est constituée d'un film de nitrure de silicium formé à une température de dépôt de 220 C ou moins. 39. Procédé de fabrication d'un transistor à film mince, comprenant les étapes suivantes - la formation d'une électrode de grille (52) sur l'isolant de substrat (51); - la formation d'un film d'isolation de grille (53) pour recouvrir l'électrode de grille; - le dépôt en couche d'une couche active de semi-conducteur (54) sur le film d'isolation de grille; - la formation d'un film protecteur d'isolation de canal (55a) sur une position à la surface de la couche active de semi-conducteur située au dessus de l'électrode de grille; -la formation d'une couche de contact (57a, 57b) sur chaque côté du film de protection de canal; et - le dépôt sélectif d'un matériau conducteur sur la couche de contact pour former une électrode de source (57s) et une électrode de drain (57d) constituées du matériau conducteur. 40. Procédé de fabrication d'un transistor à film mince selon la revendication 39, selon lequel le matériau conducteur est déposé de façon sélective sur la surface de la couche de contact (57a, 57b) à l'aide d'un dépôt chimique en phase vapeur (CVD) à plasma. 41. Procédé de fabrication d'un transistor à film mince selon la revendication 39, selon lequel la couche de contact (57a, 57b) est constituée d'une couche active de semi-conducteur dans une zone où des impuretés sont introduites de l'extérieur en utilisant le film de protection de canal (55a) comme masque. 42. Procédé de fabrication d'un transistor à film mince selon la revendication 39, selon lequel la couche de contact (57a, 57b) est constituée d'un film de semi-conducteur contenant des impuretés déposé, de façon sélective, sur la couche active de semi-conducteur (54) par dépôt et attaque chimique répétés en utilisant la différence du taux de dépôt due à une base de dépôt. 43. Procédé de fabrication d'un transistor à film mince selon la revendication 42, selon lequel de la lumière est appliquée à la couche active de semi-conducteur (54) lorsqu'un film de semi-conducteur est contenu, de façon sélective, sur la couche active de semi-conducteur. 44. Procédé de fabrication d'un transistor à film mince selon la revendication 42, selon lequel une étape d'attaque chimique de la surface de la couche active de semi-conducteur (54) non recouverte d'un film de protection de canal (55a) par un plasma à hydrogène ou à halogène à la température de 200' C ou moins est ajoutée avant la formation de la couche de contact (57a, 57b). 45. Procédé de fabrication d'un transistor à film mince selon la revendication 39, selon lequel une étape d'attaque chimique de la surface de la couche de contact (57a, 57b) par un plasma à hydrogène ou à halogène à la température de 200' C ou moins est ajoutée avant le dépôt sélectif du matériau conducteur sur la surface de la couche de contact. 46. Procédé de fabrication d'un transistor à film mince selon la revendication 45, selon lequel les étapes à partir de l'attaque chimique de la surface de la couche active de semi-conducteur (54) jusqu'à la formation des électrodes de source et de drain (57s, 57d) sont effectuées en continu sous une faible pression. 47. Procédé de fabrication d'un transistor à film mince selon la revendication 39, selon lequel le film de protection de canal (55a) est formé par lithographie à l'aide d'un motif de réserve comme masque et le motif de réserve est formé selon une étape d'exposition pour appliquer de la lumière du côté isolant de substrat (51) en utilisant l'électrode de grille comme masque. 48. Procédé de fabrication d'un transistor à film mince selon la revendication 39, selon lequel le matériau conducteur (57) contient au moins un matériau parmi le tungstène, le molybdène, le titane, le tantale, l'aluminium et un silicate réfractaire de métal. 49. Procédé de fabrication d'un transistor à film mince selon la revendication 39, selon lequel un gaz de matériau contenant un composé de silicium et des impuretés est utilisé pour le dépôt et au moins un parmi de tels gaz comme l'hydrogène, l'hélium, le néon, l'argon, le krypton et le xénon est utilisé pour l'attaque chimique lors de l'étape du film de semiconducteur (54) contenu de façon sélective. 50. Procédé de fabrication d'un transistor à film mince selon la revendication 39, selon lequel une électrode de décharge (76) en contact avec un support de l'isolant de substrat (51) est raccordée à la masse pour le dépôt et 11 électrode de décharge (76) est raccordée à une parmi une alimentaton de puissance à fréquence radio (77) et une alimentation de puissance D.C. pour l'attaque chimique. 51. Procédé de fabrication d'un transistor à film mince selon la revendication 39, selon lequel l'attaque chimique lors de l'étape du film de semi-conducteur (54) contenu, de façon sélective, est effectuée à l'aide d'un traitement à plasma contenant de t'hydrogène ou de l'halogène sous une faible pression à la température de 200 C ou moins. 52. Procédé de fabrication d'un transistor à film mince selon la revendication 39, selon lequel le dépôt sélectif du matériau conducteur (57) et celui de la couche de semi-conducteur (54) sont effectués, en continu, sans exposition à l'atmosphère externe. 53. Procédé de fabrication d'un transistor à film mince selon la revendication 39, selon lequel le film de protection de canal (55a) est constitué d'un film isolant ne contenant qu un peu d'hydrogène ou d'halogène pénétrant de l'extérieur par augmentation de la proportion d'hydrogène ou d'halogène. 54. Procédé de fabrication d'un transistor à film mince selon la revendication 39, selon lequel le film isolant constituant le film de protection de canal est constitué d'un nitrure de silicium déposé chimiquement en phase vapeur à 220 C ou moins. 55. Procédé de fabrication d'un transistor à film mince selon la revendication 39, selon lequel la température de l'isolant de substrat (51) pour l'attaque chimique est de 200 C ou moins et la température de l'isolant de substrat (53) pour le dépôt est égale à celle pour l'attaque chimique ou supérieur lors de l'étape du film de semi-conducteur (54) contenu de façon sélective. 56. Procédé de fabrication d'un transistor à film mince comprenant les étapes suivantes - la formation d'une électrode de grille (148) sur un isolant de substrat (147); - la formation d'un film d'isolation de grille (149) pour recouvrir l'électrode de grille; - le dépôt en couche d'une couche active de semi-conducteur (150) sur le film d'isolation de grille; - la formation d'un film isolant (151) ne contenant qu'un peu d'hydrogène ou d'halogène pénétrant de l'extérieur sur le film d'isolation de grille par augmentation de la proportion d'hydrogène ou d'halogène en utilisant la différence du taux de dépôt due à une base de dépôt; - la formation en motif du film isolant pour former un film de protection de canal constitué du film isolant sur une position située au dessus de l'électrode de grille;; - la formation sélective d'un film de semi-conducteur (152) contenant des impuretés sur la couche active de semi-conducteur non recouverte du film de protection de canal par une attaque chimique et un dépôt, répétés de façon alternée, à l'aide d'un plasma à hydrogène ou à halogène; et - la formation d'une électrode de source (153s) et d'une électrode de drain (153d) sur le film de semi-conducteur (152) contenant des impuretés de chaque côté du film de protection de canal. 57. Procédé de fabrication d'un transistor à film mince selon la revendication 56, selon lequel le film isolant (151) constituant le film de protection de canal est constitué d'un nitrure de silicium déposé chimiquement en phase vapeur à 280- C ou moins. 58. Procédé de fabrication d'un transistor à film mince comprenant une étape de dépôt sélectif d'un film de semi-conducteur (79) servant de couche de contact par dépôt sélectif où une attaque chimique effectuée à la température de 200 C ou moins et un dépôt de semi-conducteur, effectué à une température égale à celle de l'attaque chimique ou supérieure, sont répétés, de façon alternée, dans une chambre de réaction à dépression (51). 59. Procédé de fabrication d'un transistor à film mince selon la revendication 58, selon lequel la pression de la chambre de réaction (51) pour l'attaque chimique est inférieure à celle pour le dépôt lors de l'étape du dépôt sélectif du film de semi-conducteur (79). 60. Procédé de fabrication d'un transistor à film mince selon la revendication 58, selon lequel une énergie d'excitation par plasma, générée pour l'attaque chimique est supérieure à celle générée pour le dépôt lors de l'étape de dépôt sélectif du film de semi-conducteur (79). 61. Procédé de fabrication d'un transistor à film mince selon la revendication 58, selon lequel un potentiel du support (76) pour l'attaque chimique est inférieur à celui pour le dépôt lors de l'étape de dépôt sélectif du film de semi-conducteur (79). 62. Procédé de fabrication d'un transistor à film mince selon la revendication 58, selon lequel la fréquence d'une tension d'excitation du plasma, générée pour le dépôt sélectif dans le cas de l'attaque chimique, est différente de celle dans le cas du dépôt lors de l'étape de dépôt sélectif du film de semi-conducteur (79). 63. Procédé de fabrication d'un transistor à film mince selon la revendication 58, selon lequel une densité du flux magnétique, pour le confinement du plasma généré pour le dépôt sélectif dans le cas de l'attaque chimique, est supérieure à celle dans le cas du dépôt lors de l'étape de dépôt sélectif du film de semi-conducteur (79). 64. Procédé de fabrication d'un transistor à film mince selon la revendication 58, selon lequel une tension d'accélération du plasma à distance, pour l'attaque chimique, est supérieure à celle pour le dépôt lors de l'étape de dépôt sélectif du film de semi-conducteur (79). 65. Procédé de fabrication d'un transistor à film mince selon la revendication 58, selon lequel un gaz de matériau contenant un composé de silicium et des impuretés est utilisé pour le dépôt et au moins un parmi de tels gaz comprenant l'hydrogène, l'hélium, le néon, l'argon, le krypton et le xénon est utilisé pour l'attaque chimique lors de l'étape du film de semiconducteur contenu de façon sélective (79). 66. Procéde fabrication d'un transistor à film mince selon la revendication 58, selon lequel l'électrode (37a) sur l'isolant de substrat est exposée au plasma sous une faible pression puis le matériau conducteur est collé, en continu, à l'électrode sans interruption de la basse pression. 67. Procédé de fabrication d'un transistor à film mince selon la revendication 58, selon lequel l'électrode (37a) est exposée à un plasma à hydrogène ou à halogène à la température de 230- C ou moins avant le collage du matériau conducteur sur l'électrode. 68. Procédé de fabrication d'un transistor à film mince selon la revendication 58, selon lequel la surface du film de semi-conducteur contenant des impuretés (78) est gravée à la température ambiante. 69. Procédé de fabrication d'un transistor à film mince selon la revendication 58, selon lequel l'électrode (32) sur l'isolant de substrat (31) est constituée d'un matériau conducteur choisi parmi un métal, un oxyde et un nitrure. 70. Procédé de fabrication d'un transistor à film mince selon la revendication 58, selon lequel l'électrode (32) sur l'isolant de substrat est constituée d'un matériau quelconque parmi l'oxyde de zinc, l'oxyde de nickel et le nitrure de titane.