FR 2702313 A1 19940909 FR 9315990 A 19931231 DOMAINE DE L'INVENTION La présente invention concerne un dispositif d'émission de lumière à semi-conducteur et, plus particulièrement, celui ayant une structure qui fait qu'aucun mouvement du point d'émission de lumière ne se produit même lorsque la température varie, qui se produisait autrement à cause d'une différence en coefficients de dilatation thermique entre un bloc dissipateur de chaleur rayonnant portant un dispositif laser semi-conducteur et un pied de conditionnement sur lequel le bloc de dissipateur de chaleur est monté. FOND DE L'INVENTION La figure 5 est une vue en perspective d'un dispositif d'émission de lumière à semi-conducteur de l'art antérieur et les figures 6(a) et 6(b) sont des vues en coupe de celui-ci. La figure 6(a) est une vue en coupe schématique illustrant un état où un dispositif laser à semi-conducteur est monté sur un pied de conditionnement par l'intermédiaire d'un bloc dissipateur de chaleur rayonnant à une température normale et la figure 6(b) est une vue en coupe schématique illustrant un état où le bloc dissipateur de chaleur rayonnant sur le pied de conditionnement est thermiquement dilaté par la chaleur du dispositif laser à semi-conducteur. A ces figures, le chiffre de référence l01 désigne un pied en fer d'un diamètre de 0,5 à 5,6 mm et d'une épaisseur de 1 à 2 mm, et le chiffre de référence 102 désigne un bloc rayonnant en argent d'une largeur de 3 mm, d'une hauteur de 2 mm et d'une épaisseur de 2 mm.Le chiffre de référence 103 désigne un dispositif laser à semi-conducteur d'une largeur de 0,3 mm, d'une hauteur de 0,5 mm et d'une épaisseur de 0,1 mm. Le chiffre de référence 104 désigne un point d'émission de lumière du dispositif laser à semi-conducteur. Le chiffre de référence 105 désigne un fil de liaison comprenant de l'or (Au). Le chiffre de référence 106 désigne un fil en tant que jambe supportant le dispositif d'émission de lumière à semi-conducteur, comprenant un alliage de Fe-Ni d'un diamètre de 0,3 mm. Le chiffre de référence 107 désigne un matériau en verre pour fixer le fil 106 par fusion et solidification. Le chiffre de référence 108b désigne un trou pour fil pénétrant le pied en fer 101 pour faire passer le fil 106 à travers le pied en fer 101 et fixer le fil 106 par le matériau en verre 107.Le chiffre de référence 202 désigne une portion d'un matériau de soudure d'adhésion pour fixer le bloc en argent 102 au pied en fer 101, dans lequel le bloc en argent 102 est soudé sur toute la surface de contact avec le pied en fer 101. Pour clarification, la croix (X) est marquée sur la surface où le bloc en argent 102 est soudé au pied en fer 101. Le caractère de référence A désigne un axe central du pied en fer 101. Après soudage du bloc de dissipation de chaleur rayonnant en argent 102 sur le pied de conditionnement en fer 101 par une soudure d'argent, le dispositif laser à semiconducteur 103 est soudé sur le bloc de dissipation de chaleur rayonnant en argent 102 par un matériau de soudage comprenant de l'étain-or (AuSn), du silicium-or (AuSi), de l'indium (In) et analogue. On prévoit trois fils 106 qui maintiennent le pied en fer 101 et le bloc en argent 102. Un fil 106 passe à travers le trou de fil 108b et est relié au dispositif laser à semi-conducteur 103 par l'intermédiaire du fil de liaison 105, et un autre fil 106 passe à travers le trou de fil 108b et est relié au dispositif laser à semiconducteur 103 par l'intermédiaire du bloc en argent 102. Traditionnellement, comme illustré en figure 6(a), le pied en fer 101 a une configuration cylindrique ayant une différence en escalier de telle manière qu'un cylindre 101b d'un plus petit diamètre soit disposé sur un cylindre 101a d'un plus grand diamètre, de sorte qu'il est facile de fixer un module laser à semi-conducteur à un processus ultérieur. Le pied en fer 101 est monté de façon que le point d'émission de lumière 104 soit positionné sur l'axe central A du pied en fer 101. Tableau 1. Argent Fer Coefficient de dilatation 0,193 x 10 4/K 0,138 x 10 4/K linéaire Conductivité thermique 427W/m K 80,3W/m K Conductivité électrique 0,103 x 108S/m 0,629 X 108S/m spécifique Modèle de Young 76 X 109N/m2 193 x 1019 200 x 1019N/m2 Le coefficient de dilatation linéaire, la conductivité thermique, la conductivité électrique spécifique et le module de Young de l'argent et du fer utilisés dans le dispositif de l'art antérieur sont comme représentés au Tableau 1. Comme représenté dans ce tableau, le coefficient de dilatation linéaire de l'argent est d'environ 1,4 fois celui du fer, la conductivité thermique de celui-ci est d'environ 5,3 fois, la conductivité électrique spécifique de celui-ci est d'environ 6,1 fois et le module de Young de celui-ci est d'environ 0,4 x 10-10 fois. Ici, une description est donnée du coefficient de dilatation thermique. En général, le coefficient de dilatation est une quantité qui représente une proportion de la quantité de dilatation thermique d'un matériau par rapport au changement de température lorsque le matériau est thermiquement dilaté sous une pression constante. En général, le coefficient de dilatation varie suivant la température et la pression. Un coefficient de dilatation de volume a qui est une valeur concernant le changement de volume parmi les coefficients de dilatation thermique est représenté par CL = (dV/dO)/V0 .. (1) où V est le volume, e la température, et VO est le volume à une température de OOC. Un coefficient de dilatation linéaire ss qui est une valeur concernant un changement en longueur dans le cas d'un solide est représenté par ss = (dL/de)/Lg . . (2) où L est la longueur, O la température et Lo est la longueur à une température de OOC. Alors que la valeur ss change suivant la direction pour un matériau anisotropique, la relation de a = 313 s'établit pour un matériau isotropique. Le verre de quartz et 1'Invar sont connus comme matériau ayant tout à fait un coefficient de dilatation petit. Dans le dispositif d'émission de lumière à semiconducteur des figures 5 et 6, afin d'efficacement émettre de la chaleur produite dans le dispositif laser à semiconducteur 103 à l'extérieur, après avoir monté le dispositif laser à semi-conducteur 103 sur le bloc de dissipation thermique par rayonnement 102 comprenant de l'argent, du cuivre, et analogue, et ayant une conductivité thermique, le bloc de dissipation de chaleur par rayonnement 102 est monté sur le pied de conditionnement 101 qui est habituellement réalisé en fer. C'est parce que le fil 106 pénétrant à travers le pied de conditionnement 101 doit être fixé au pied de conditionnement 101 dans un état où le fil 106 est électriquement isolé du pied de conditionnement 101 et le matériau en verre 107 est utilisé pour la fixation. Le coefficient de dilatation thermique du verre est plus petit que celui de l'argent et, si l'argent est utilisé pour le pied de conditionnement 101, le verre est défavorablement craquelé pendant la fusion et la fixation. Parce que le fer a un coefficient de dilatation linéaire petit, c'est-à-dire d'environ deux tiers de celui de l'argent et n'a aucun problème de production de craquelures, qu'il est préférable d'utiliser le pied de conditionnement en fer 101. Par exemple, le coefficient de dilatation linéaire du verre à quartz est de 5,5 x 10-7/K, et les coefficients de dilatation linéaire de l'argent et du fer sont respectivement d'environ 35 et 25 fois celui du verre à quartz. Le coefficient de dilatation linéaire de l'argent est d'environ 1,4 fois celui du fer et la conductivité thermique de l'argent est d'environ 5,3 fois celle du fer. Ainsi, le coefficient de dilatation est linéaire et la conductivité thermique de l'argent sont beaucoup plus grands que ceux du fer. Lorsque de l'argent est utilisé pour le pied de conditionnement 101, le verre en fusion se craquelle pendant qu'il se refroidit et se solidifie, car, lorsque le verre en fusion à température élevée est coulé dans le trou de fil 108b, de la chaleur est facilement conduite à cause du coefficient thermique grand de l'argent, la température de l'argent au voisinage du trou de fil 108b s'élève rapidement sur une large région ainsi qu'à une température élevée, de la sorte le volume d'argent qui est thermiquement dilaté à cause de la chaleur du verre en fusion à température élevée est grandement changé, également provoqué par le coefficient de dilatation linéaire grand de l'argent. Par ailleurs, si du fer est utilisé pour le pied de conditionnement 101, un verre en fusion n'est pas craquelé pendant qu'il se refroidit et se solidifie, car, lorsque le verre en fusion de température élevée est coulé dans le trou de fil 108b, la chaleur n'est pas facilement conduite à cause de la faible conductivité thermique du fer, l'augmentation de température du fer au voisinage du trou de fil 108b est restreinte dans une région étroite ainsi que jusqu t à une température abaissée par rapport au cas du pied en argent, de la sorte le volume de fer qui est dilaté thermiquement à cause de la chaleur du verre en fusion à température élevée est changé seulement d'une petite quantité, provoqué également par le coefficient de dilatation linéaire petit du fer. De plus, la raison pour laquelle le verre en fusion est craquelé pendant qu'il se refroidit et se solidifie est comme suit : la conductivité thermique de l'argent est beaucoup plus grande que celle du fer, c'est-à-dire, elle est d'environ 5,3 fois celle du fer, et lorsque de l'argent de conductivité thermique grande est utilisé pour le pied, le verre en fusion à température élevée est rapidement refroidi, et la différence entre les distributions de température à la surface et à la portion interne du verre est augmentée dans une courte période, de la sorte la différence dans la dilatation thermique due à la différence en température est augmentée à une valeur trop grande. Traditionnellement, le pied en fer 101 qui comporte montés sur celui-ci le laser semi-conducteur 103 et le bloc en argent 102, comprend des parties optiques telles que des lentilles et des fibres optiques, et est construit en une structure appelée un module dans lequel le faisceau laser produit par le laser à semi-conducteur 103 est émis de celuici est sorti à l'extérieur à partir de la fibre optique. En général, la gamme de températures dans laquelle ce module laser à semi-conducteur est utilisé est large, c'està-dire autour de OOC à 800C. Ainsi, lorsque les températures du pied en fer 101 et du bloc en argent 102 changent énormément à cause de la production de chaleur du dispositif laser à semi-conducteur 103, comme schématiquement illustré en figure 6(b), le bloc en argent 102 positionné sur le pied en fer 101 est thermiquement dilaté presque isotropiquement avec son centre de gravité comme centre de dilatation et le point d'émission de lumière 104 du dispositif laser à semi-conducteur 103 monté sur le bloc en argent 102 se déplace de l'axe central A du pied en fer 101 d'une quantité de déplacement 6 dans la direction y. Lorsque l'épaisseur du bloc en argent 102 dans la direction y est d'environ 2 mm, la quantité de déplacement 8 de l'axe central A du pied en fer 101 est d'environ 0,5 pm lorsque la différence de températures est de 30K, comme cela a été vérifié par l'expérience des inventeurs. Parce qu'une lentille est prévue dans le module laser à semi-conducteur et un faisceau laser passe à travers la lentille et entre dans une fibre optique, le déplacement du point d'émission de lumière 104 dû à la dilatation thermique est agrandi par le grandissement de la lentille au plan d'incidence de la fibre optique auquel le faisceau laser du dispositif laser à semi-conducteur 103 est incident. Parce que, traditionnellement, une lentille de grandisssement de cinq ou six est utilisée, le déplacement de la quantité de déplacement 6 = 0,5 pm du point d'émission de lumière 104 du dispositif laser à semi-conducteur 103 correspond au déplacement de 2,5 à 3 Hm au plan d'incidence de la fibre optique.Parce que le diamètre du noyau de la fibre optique, qui est une portion à travers laquelle la lumière se propage, est en dessous de 10 Hm, le déplacement de 2,5 à 3 pm au plan d'incidence de la fibre optique est trop grand pour être ignoré. Comme décrit ci-dessus, même si la lumière de sortie du dispositif laser à semi-conducteur 103, qui varie avec le changement en températures, est exploitée pour être constante en réglant les valeurs de la tension et du courant qui sont appliqués au dispositif laser à semi-conducteur 103, la lumière de sortie ne peut pas être rendue constante à cause d'un grand changement dans la lumière de sortie, de la sorte une sortie de lumière émise de la fibre optique est défavorablement changée. Lorsque le pied de conditionnement 101 est réalisé en même matériau que le bloc dissipateur de chaleur rayonnant 102, par exemple, lorsque le pied en argent 101 et le bloc en argent 102 sont utilisés, parce qu'à la surface de fixation entre le pied en argent 101 et le bloc en argent 102 la quantité de dilatation du pied en argent due à l'élévation en température est égale à celle du bloc en argent 102, la quantité de dilatation du pied en argent supprime celle du bloc en argent 102, n'amenant de la sorte aucun mouvement du point d'émission de lumière 104 du laser à semi-conducteur 103. Cependant, pour la raison décrite ci-dessus, l'argent ne peut pas être utilisé pour le pied. Comme décrit ci-dessus, dans la combinaison conventionnelle du matériau du bloc et du matériau du pied, le point d'émission de lumière laser se déplace à cause de la différence en coefficients de dilatation thermique des deux matériaux suivant le changement de températures à la périphérie, de la sorte la sortie de lumière dans la fibre du module varie défavorablement suivant la variation de température. La demande de brevet japonais publiée No. 61-29188 décrit un récipient à diode laser dans lequel une saillie 27 est prévue à une extrémité d'une base de montage 24 qui est une partie d'un pied 23 sur lequel un dissipateur de chaleur 22 est installé avec une pastille de diode laser 21, et le dissipateur de chaleur 22 doit être disposé en contact avec la saillie 27, de la sorte la position du dissipateur de chaleur 22 est déterminée avec une haute précision. Cependant, ce dispositif de l'art antérieur a également un problème en ce qu'une sortie de lumière stable n'est pas obtenue car la position du point d'émission de lumière se déplace à cause de la dilatation thermique s'élevant à la variation de température. La demande de brevet japonais publiée No. 2-174179 décrit un dispositif électronique de lumière et un procédé de production de celle-ci, dans lesquels, en accomplissant un processus de percussion d'un dissipateur de chaleur 5 fixé sur un pied 3 par l'intermédiaire d'un sous-montage 8, la position d'un élément laser à semi-conducteur 9 est déterminée précisément. Cependant, ce dispositif de l'art antérieur a également un problème en ce qu'une sortie de lumière stable n'est pas obtenue car la position du point d'émission de lumière se déplace à cause de la dilatation thermique s'élevant à la variation de température. La demande de brevet japonais publiée No. 4-24978 décrit un élément semi-conducteur de lumière dans lequel, en fixant un bloc rayonnant 30 pénétrant un pied en résine 31, un élément semi-conducteur de lumière 33 est réalisé d'un type mince. Cependant, ce dispositif de l'art antérieur a également un problème en ce qu'une sortie de lumière stable n'est pas obtenue car la position du point d'émission de lumière se déplace à cause de la dilatation thermique s'élevant à la variation de température. La figure 9 représente un procédé de construction d'un laser semi-conducteur selon un art antérieur. A cette figure, le chiffre de référence 1 désigne un pied en Fe. Un bloc en Ag 8 pour rayonnement de chaleur est prévu sur le pied en Fe 1 pour monter une pastille de laser à semi-conducteur 4 sur le pied en Fe 1. Un sous-montage 3 en nitrure de bore cubique est destiné au montage de la pastille laser 1 sur le bloc en Ag 8. Des broches 5 sont prévues fixées au pied 1 pour appliquer un signal à la pastille à semi-conducteur 4. Une photodiode de contrôle 9 est prévue sur un sous-montage de photodiode de contrôle 10. Un capuchon 6 est prévu pour contenir les éléments comprenant la pastille 4 sur le pied en Fe 1. Le chiffre de référence 7 désigne une fenêtre en verre. Dans ce laser de l'art antérieur représenté en figure 9, le capuchon 6 est actuellement soudé sur le pied 1. Le bloc en Ag 8 est soudé au pied en Fe 1. Le dispositif laser à semi-conducteur de l'art antérieur est utilisé incorporé dans un module. La figure 10 représente une coupe du module. Afin de simplifier la figure, le capuchon 6 du laser à semi-conducteur est omis à cette figure. En figure 10, un support 11 de laser à semiconducteur est prévu pour maintenir la pastille de laser à semi-conducteur 4. Une lentille 13 est prévue maintenue par un support de lentille 12. Une fibre optique 16 est prévue maintenue par un support de fibre optique 15. Le chiffre de référence 17 désigne un trajet optique pour une lumière de la pastille laser 4 émise de sa surface avant. Le chiffre de référence 18 désigne un trajet optique pour une lumière de la pastille laser 4 émise de sa surface arrière. Une description est donnée du fonctionnement du dispositif laser de l'art antérieur. Lorsqu'un courant s'écoule vers la pastille laser à semi-conducteur 4 à travers les broches 5, la lumière laser 17 est émise de la pastille laser à semi-conducteur 4 et la lumière arrive à la fibre optique 16 à travers la lentille 13. Ensuite, la lentille 13 accomplit une fonction de collecte de la lumière. Le courant (courant de contrôle) produit par la photodiode de contrôle 9 circule à travers le circuit externe CPA (Contrôle de Puissance Automatique), et le courant d'attaque du laser à semi-conducteur 4 est contrôlé de façon que le courant de contrôle devienne constant, et de la sorte la sortie de lumière de facette avant est commandée pour être constante.Le laser à semiconducteur 4 a une forte dépendance à la température comme caractéristique, et par exemple, sous un courant d'attaque constant, la sortie de lumière est réduite à un rapport de 1,3 mW/OC et le circuit CPA utilisant un courant de contrôle est pratiquement nécessaire. Dans le module de l'art antérieur comprenant un dispositif laser et une fibre optique, si il est mis en service sous un fonctionnement CPA, une sortie de fibre optique constante est supposée être obtenue indifférente au changement de température. Dans le module de la figure 10, cependant, lorsque la température est réellement variée dans une gamme de 50C à 450C, la sortie de la fibre optique change d'environ 0,5 à 1 dB. Une telle variation dans la sortie de la fibre optique est appelée erreur de suivi et se trouve être causée par une déviation de position d'une pastille de laser à semi-conducteur se produisant avec le changement de température. C'est-à-dire, lorsque la pastille de laser à semi-conducteur 4 se déplace par la dilatation thermique du pied I et du bloc 8, le point d'émission de lumière se déplace également, et sa quantité de déplacement augmente de plusieurs fois par la lentille 13, et la pastille de laser à semi-conducteur 4 se déplace dans la direction y en figure 3 avec le changement de température à un rapport de 0,016 iim/deg. Lorsque la pastille de laser à semi-conducteur 4 se déplace, le trajet optique 17 varie, et la position qui est focalisée change également, changeant de la sorte la proportion de lumière laser entrant dans la fibre optique 16. C'est-à-dire, l'efficacité du couplage optique entre la pastille de laser à semi-conducteur 4 et la fibre optique 16 varie. Lorsque la valeur de l'erreur de suivi provoquée par le changement dans l'efficacité de couplage optique est mesurée, on a trouvé que lorsque la pastille de laser 4 se déplace de 0,2pu, il apparaît une erreur de suivi de 0,24 dB. Cependant, cette erreur de suivi doit être supprimée à une valeur en dessous de 0,5 dB par rapport à une variation de température d'environ 400C, et afin de réaliser cela, on exige que la distance de déplacement du point d'émission de lumière soit en dessous de 0,5 dB dans une gamme de températures de 400C, c'est-à-dire, en dessous de 0,Olîpm/deg. La déduction de cette valeur est accomplie comme suit que la source de lumière se déplace de 0,2 Hm signifie que l'intensité de lumière change de +0,056817 fois, et si on dit au contraire, afin de supprimer l'erreur de suivi en dessous de 0,5 dB (#+0,122018 fois), qu'on suppose que la distance de déplacement de la source de lumière est en proportion au rapport de changement de lumière, x : 0,2 (pm) = 0,122018 : 0,056817 x = 0,42951 (pm) (par 400) De ce fait, à partir de 0,42951/40 = 0,0107 = 0,011 pm/deg, On exige qu'il soit en dessous de 0,011 pm/deg. RESUME DE L'INVENTION C'est un but de la présente invention de réaliser un dispositif d'émission de lumière à semi-conducteur qui améliore une configuration d'un dissipateur de chaleur rayonnant et un procédé d'adhésion du bloc dissipateur de chaleur rayonnant à un pied de conditionnement. C'est un autre but de la présente invention de réaliser un dispositif d'émission de lumière à semi-conducteur qui peut réduire le déplacement d'une pastille de laser à semiconducteur dû à la variation de température, et réduire de la sorte la variation de température de la sortie de la fibre optique, c'est-à-dire, qui réduit l'erreur de suivi. D'autres buts et avantages de la présente invention deviendront apparents à partir de la description détaillée donnée ci-après ; on doit comprendre, cependant, que la description détaillée et le mode de réalisation spécifique sont donnés à titre d'illustration seulement, puisque divers changements et modifications dans la portée de l'invention deviendront apparents à l'homme de l'art à partir de cette description détaillée. Selon un premier aspect de la présente invention, un dispositif d'émission de lumière à semi-conducteur comprend un élément d'émission de lumière à semi-conducteur monté sur un pied de conditionnement par l'intermédiaire d'un bloc dissipateur de chaleur par rayonnement, et un point d'émission de lumière de lrélément d'émission de lumière à semi-conducteur est positionné sur l'axe central du pied de conditionnement et le point d'émission de lumière est positionné au centre de gravité du bloc dissipateur de chaleur rayonnant ou au voisinage de celui-ci. Par cette construction, le déplacement de la position du point d'émission de lumière dû à la variation de température est supprimé et la sortie de lumière du dispositif d'émission de lumière à semi-conducteur est rendue stable. Selon un second aspect de la présente invention, un dispositif d'émission de lumière à semi-conducteur comprend un élément d'émission de lumière à semi-conducteur monté sur un pied de conditionnement par l'intermédiaire d'un bloc dissipateur de chaleur rayonnant, et un point d'émission de lumière de l'élément d'émission de lumière à semi-conducteur est positionné sur l'axe central du pied de conditionnement, et la surface inférieure du bloc dissipateur de chaleur rayonnant est adhérée au pied de conditionnement seulement à une portion plus proche de l'axe central du pied de conditionnement.Par cette construction, le point de dilatation d'origine du bloc dissipateur de chaleur rayonnant est approximativement en coïncidence avec la position du point d'émission de lumière, de la sorte, le déplacement de la position du point d'émission de lumière dû à la variation de température est supprimé et la sortie de lumière du dispositif d'émission de lumière à semi-conducteur est stable. Selon un troisième aspect de la présente invention, un dispositif d'émission de lumière à semi-conducteur comprend un élément d'émission de lumière à semi-conducteur monté sur un pied de conditionnement par l'intermédiaire d'un bloc dissipateur thermique rayonnant, et un point d'émission de lumière de l'élément d'émission de lumière à semi-conducteur est positionné sur l'axe central du pied de conditionnement, et un moyen d'arrêt de restriction de dilatation comprenant un matériau différent de celui du bloc dissipateur thermique rayonnant, est prévu en contact avec le bloc dissipateur thermique rayonnant sur le pied de conditionnement.Par cette construction, le déplacement du bloc de dissipation thermique rayonnant dans la direction y dû à la dilatation est supprimé, le déplacement de la position du point d'émission de lumière dû à la variation de température est diminué et la sortie de lumière du dispositif d'émission de lumière à semiconducteur est stable. Selon un quatrième aspect de la présente invention, un dispositif d'émission de lumière à semi-conducteur comprend un élément de pastille de laser à semi-conducteur monté sur un pied de conditionnement par l'intermédiaire d'un bloc dissipateur de chaleur rayonnant, la pastille de laser à semi-conducteur est montée sur le pied de conditionnement par l'intermédiaire du bloc dissipateur de chaleur rayonnant de sorte que la lumière émise de la pastille produise un angle O avec la surface du pied de conditionnement, et la pastille de laser à semi-conducteur est montée sur le pied par l'intermédiaire du bloc dissipateur de chaleur rayonnant dans un tel agencement géométrique qu'une position et un angle de la lumière émise d'un côté de la pastille traversant la surface du pied de conditionnement ne varient pas même si la température change.De ce fait, la déviation de position de la pastille (point d'émission de lumière) due à la dilatation thermique est réduite, de la sorte, l'erreur de suivi est réduite. Selon un cinquième aspect de la présente invention, dans un dispositif d'émission de lumière à semi-conducteur, en supposant que la distance du centre de la surface du pied de conditionnement à une position sur le pied où le bloc dissipateur de chaleur rayonnant est fixé est ll, l'épaisseur du bloc de réservoir de chaleur est 12, et les coefficients de dilatation linéaire du pied et du bloc dissipateur de chaleur sont respectivement al,a2, ce qui suit est satisfait: De ce fait, la déviation de position de la pastille (point d'émission de lumière) due à la dilatation thermique est réduite, de la sorte, l'erreur de suivi est réduite. Selon un sixième aspect de la présente invention, dans un dispositif d'émission de lumière à semi-conducteur, la déviation de position dans la direction d'émission de lumière de la lumière à partir de la pastille de lumière à semiconducteur de la pastille de laser à semi-conducteur due à la différence dans les longueurs de dilatation linéaire entre le pied de conditionnement et le bloc dissipateur de chaleur est compensée par la dilatation linéaire d'un sous-montage montant la pastille de laser à semi-conducteur sur le bloc dissipateur de chaleur. De ce fait, la déviation de position de la pastille (point d'émission de lumière) due à la dilatation thermique est réduite, de la sorte l'erreur de suivi est réduite. Selon un septième aspect de la présente invention, dans un dispositif d'émission de lumière à semi-conducteur, on suppose que le coefficient de dilatation linéaire du sousmontage est a3, et la distance du centre du bloc de réservoir de chaleur sur la surface du sous-montage au centre de fixation de la pastille laser à semi-conducteur est 13, ce qui suit est satisfait al.11 sine + a2.12 cose = a3.13 .. (2) De ce fait, la déviation de position de la pastille (point d'émission de lumière) due à la dilatation thermique est réduite, de la sorte, l'erreur de suivi est réduite. BREVE DESCRIPTION DES DESSINS L'invention sera mieux comprise et d'autres buts, caractéristiques, détails et avantages de celle-ci apparaîtront plus clairement au cours de la description explicative qui va suivre faite en référence aux dessins schématiques annexés donnés uniquement à titre d'exemple illustrant plusieurs modes de réalisation de l'invention et dans lesquels - les figures l(a) et l(b) sont respectivement une vue en perspective et une vue en coupe illustrant un dispositif d'émission de lumière à semi-conducteur selon un premier mode de réalisation de la présente invention - la figure 2 est une vue en perspective illustrant un dispositif d'émission de lumière à semi-conducteur selon un second mode de réalisation de la présente invention ;; - les figures 3(a) et 3(b) sont des vues en coupe illustrant le dispositif d'émission de lumière à semiconducteur selon le second mode de réalisation de la présente invention ; - les figures 4(a) et 4(b) sont respectivement une vue en perspective et une vue plane de dessus illustrant un dispositif d'émission de lumière à semi-conducteur selon un troisième mode de réalisation de la présente invention - la figure 5 est une vue en perspective illustrant le dispositif d'émission de lumière à semi-conducteur du type à stries - les figures 6(a) et 6(b) sont des vues en coupe illustrant le dispositif d'émission de lumière à semiconducteur du type à stries de l'art antérieur - la figure 7 est un diagramme illustrant une structure d'un laser semi-conducteur selon un quatrième mode de réalisation de la présente invention - la figure 8 est un schéma illustrant une structure d'un laser à semi-conducteur selon un cinquième mode de réalisation de la présente invention ; - les figures 9(a) et 9(b) sont respectivement des vues en perspective et schématique illustrant une structure d'un laser à semi-conducteur selon un second art antérieur ; et - la figure 10 est une vue en coupe illustrant une structure d'un module laser à semi-conducteur selon un second art antérieur. DESCRIPTION DETAILLEE DES MODES DE REALISATION PREFERES Mode de réalisation 1 Les figures l(a) et l(b) sont respectivement une vue en perspective et une vue en coupe illustrant un dispositif d'émission de lumière à semi-conducteur selon un premier mode de réalisation de la présente invention. A ces figures, les mêmes chiffres de référence que ceux des figures 5, 6(a) et 6(b) désignent les mêmes parties ou des parties correspondantes. Le chiffre de référence 102 désigne un bloc en argent qui comprend une partie de cylindre inférieure 102a et une partie de cylindre semi-circulaire supérieure 102b, et a une telle configuration que la partie de cylindre semicirculaire 102b est disposée sur la partie de cylindre 102a. Les chiffres de référence 108a et 108b désignent des trous de fil à travers lesquels les fils 106 pénètrent le pied en fer 101 et le bloc en argent 102. Le pied en fer 101 a un diamètre de 0,5 à 5,6 mm, et une épaisseur de 1 à 2 mm, et une configuration telle que le cylindre 101b d'un diamètre plus petit est disposé sur le cylindre ioula d'un diamètre plus grand avec les axes centraux chevauchés, de la sorte, la partie périphérique du pied 101 est d'une configuration à deux marches, de sorte qu'à un processus ultérieur, un module de laser à semi-conducteur est facilement fixé à cette partie ayant une différence de niveau. La partie de cylindre inférieure 102a du bloc en argent 102 est disposée fixée sur la partie de cylindre supérieure 101b d'un diamètre plus petit du pied en fer 101 par soudage sur toute la surface arrière de la partie de cylindre 102a.Dans le bloc en argent 102, la partie de cylindre 102a a un diamètre de 0,5 à 5,6 mm et une hauteur de 0,5 mm, et la partie de cylindre semi-circulaire 102b a une hauteur de 1,5 mm. Le point d'émission de lumière 104 du dispositif laser à semi-conducteur 103 ayant une largeur de 0,3 mm, une hauteur de 0,5 mm et une épaisseur de 0,1 mm est positionné sur l'axe central A du pied en fer 101 et également au centre de gravité G du bloc dissipateur de chaleur rayonnant 102 ou au voisinage de celui-ci. On prévoit trois fils 106 qui maintiennent le pied en fer 101 et le bloc en argent 102. Un fil 106a passe à travers les trous de fil 108a et 108b et est relié à une électrode de surface avant 109 du dispositif laser à semi-conducteur 103 par l'intermédiaire du fil de liaison 105, et un fil 106b passe à travers le trou de fil 108b et est relié à une électrode de surface arrière 110 du dispositif laser à semiconducteur 103 par l'intermédiaire du bloc en argent 102. Les fils 106 sont fixés par fusion du matériau de verre 107 avec lequel les trous de fil 108b sont remplis. Le trou de fil 108a du bloc en argent 102 n'est pas rempli de matériau en verre 107. Tandis que du fer est généralement utilisé comme matériau du pied 101, un alliage tel que du covar qui comprend du fer comme composant principal ou un alliage comprenant du tungstène comme composant peut être utilisé. L'argent ou le cuivre ayant une conductivité thermique grande est généralement utilisé comme matériau pour le bloc 102. A cet égard, la conductivité thermique du cuivre est telle que représentée au tableau suivant. Tableau 2. Cuivre Coefficient de dilatation 0,162 x 10-4/K linéaire Conductivité thermique Conductivité électrique 0,599 x 108S/m spécifique Module de Young 110 x 109N/m2 La fixation du bloc en argent 102 au pied 101 peut être accomplie par soudage ou par soudage d'argent. Bien que la configuration du bloc en argent 102 soit en une section en forme de L comme représenté à la figure l(b), celle-ci n'y est pas restreinte aussi longtemps que le point d'émission de lumière 104 du dispositif laser à semi-conducteur 103 est positionné au centre de gravité G du bloc en argent 102 ou au voisinage de celui-ci ainsi que sur l'axe central A du pied en fer 101. Par exemple, le bloc 102 peut avoir une section transversale généralement en forme de U qui a une partie d'une configuration cylindrique semi-circulaire restant également sur le côté opposé à la partie de configuration cylindrique semi-circulaire restée non retirée, avec seulement une partie à laquelle le dispositif laser à semiconducteur doit être fixé qui est retirée. Le bloc 102 peut également être celui qui est produit en exécutant un processus similaire à un matériau de bloc d'une configuration prismatique. A l'extrême, le bloc en argent 102 qui est d'une configuration de cylindre circulaire exacte réel et a une petite ouverture sur laquelle le dispositif laser à semiconducteur 103 peut être monté au centre de gravité G qui est un centre de dilatation du bloc 102, ou au voisinage de celui-ci, peut être utilisé. Ainsi, du fait que le dispositif d'émission de lumière à semi-conducteur soit fabriqué de façon que le point d'émission de lumière 104 est positionné presque au centre de gravité G du bloc en argent 102 ou au voisinage de celui-ci ainsi que sur l'axe central A du pied en fer 101, la dilatation du matériau de constitution due à la variation de température se produit principalement au centre de gravité G du bloc en argent 102, c'est-à-dire, le point d'émission de lumière 104, comme centre de dilatation, de sorte que le point d'émission de lumière 104 se déplace à peine.De ce fait, lorsqu'un module est produit en couplant le dispositif d'émission de lumière à semi-conducteur fabriqué comme décrit ci-dessus et un système de lentille, lorsque la sortie du faisceau laser du dispositif d'émission de lumière à semiconducteur est rendue constante, un module de laser à semiconducteur supérieur dans lequel le faisceau laser produit à la fibre varie à peine même par la variation de température, peut être produit. Mode de réalisation 2 La figure 2 est une vue en perspective illustrant un dispositif d'émission de lumière à semi-conducteur selon un second mode de réalisation de la présente invention et les figures 3(a) et 3(b) sont des vues en coupe schématiques de celui-ci. Les figures 3(a) et 3(b) sont des vues en coupe illustrant le dispositif d'émission de lumière à semiconducteur à une température ordinaire et le dispositif d'émission de lumière à semi-conducteur dans un cas où le bloc en argent sur le pied en fer est dilaté thermiquement par la chaleur du dispositif laser à semi-conducteur, respectivement. Aux figures, les mêmes chiffres de référence que ceux des figures 5, 6(a) et 6(b) désignent les mêmes parties ou des parties correspondantes.Le chiffre de référence 201 désigne une portion d'application de soudure pour fixer le bloc en argent 102 au pied en fer 101, et pour clarification, la croix (X) est marquée sur la surface où le bloc en argent 102 est soudé au pied en fer 101. Dans ce second mode de réalisation, en fixant le bloc en argent 102 au pied en fer 101, la fixation est conduite par soudage seulement au côté le plus proche du bloc en argent 102 de l'axe central A du pied en fer 101 (portion d'application de soudure 201). Dans ce second mode de réalisation, le bloc en argent rayonnant 102 en un parallélépipède rectangle ayant une largeur de 3 mm, une hauteur de 2 mm, et une épaisseur de 2mm est fixé sur le pied en fer 101 d'un corps de configuration cylindrique ayant un diamètre de 0,5 à 5,6 mm et une épaisseur de 1 à 2 mm par soudage avec un matériau de soudure, restreint dans une région étroite au voisinage de l'axe central A du pied en fer 101. Le dispositif laser à semi-conducteur 103 est soudé sur le bloc en argent 102 de sorte que le point d'émission de lumière 104 du dispositif laser à semi-conducteur 103 ayant une largeur de 0,3 mm, une hauteur de 0,5 mm et une épaisseur de 0,1 mm est positionné sur l'axe central A du pied en fer 101. Dans le pied en fer 101, le trou de fil 108b à travers lequel passe le fil 106 comprenant un alliage Fe-Ni d'un diamètre de 0,3 mm est formé. Les fils 106 sont fixés par fusion du matériau en verre 107 par lequel les trous de fil 108b sont remplis. On prévoit trois fils 106 qui maintiennent le pied en fer 101 et le bloc en argent 102. Un fil 106a passe à travers le trou de fil 108b et est relié à une électrode de surface avant 109 du dispositif laser à semiconducteur 103 par l'intermédiaire du fil de liaison 105 comprenant du Au, un fil 106b passe à travers le trou de fil 108b et est relié à une électrode de surface arrière 110 du dispositif laser à semi-conducteur 103 par l'intermédiaire du bloc en argent 102. Ensuite, une description va être donnée du fonctionnement et de la fonction du second mode de réalisation. Dans le dispositif de l'art antérieur décrit ci-dessus des figures 5, 6(a) et 6(b), la portion d'application de soudure 202 pour fixer le bloc en argent 102 et le pied en fer 101 est prévue sur toute la surface arrière du bloc en argent 102. Dans ce cas, puisque la soudure est appliquée sur toute la surface arrière, une dilatation du bloc en argent 102 se produit isotropiquement et le point d'émission de lumière 104 du dispositif laser à semi-conducteur 103 se déplace dans la direction y. Par ailleurs, dans ce second mode de réalisation illustré aux figures 2, 3(a) et 3(b), puisque la portion d'application de soudure 201 est restreinte dans une région étroite au voisinage de l'axe central A du pied en fer 101, une extrémité fixée en dilatation est positionnée au voisinage de l'axe central A, le bloc en argent 102 est principalement dilaté dans la direction -y et la quantité de déplacement 6 du point d'émission de lumière 104 du dispositif laser à semi-conducteur 103 est supprimée d'environ de la moitié de celle du dispositif de l'art antérieur. Puisque l'épaisseur du bloc en argent 102 dans la direction y est généralement de plusieurs millimètres, afin d'obtenir les effets ci-dessus décrits de ce second mode de réalisation, la largeur de la portion d'application de soudure 201 est en dessous d'environ 1 mm. Lorsque le trajet pour rayonner la chaleur produite dans le dispositif laser à semi-conducteur 103 est considéré, il est à certains degrés désavantageux de restreindre la portion d'adhésion de soudure 201 dans une région étroite comme dans ce second mode de réalisation. Cependant, afin de résoudre ce problème, un métal qui est facilement déformé plastiquement peut être disposé entre le pied en fer 101 et le bloc en argent 102 à une portion où l'adhésion par soudure n'est pas accomplie. L'indium ou le plomb est utilisé pour un tel métal. Ainsi, dans le dispositif d'émission de lumière à semiconducteur de ce second mode de réalisation, le point d'émission de lumière 104 du dispositif laser à semiconducteur 103 est positionné sur l'axe central A du pied en fer 101, et la surface d'adhésion 201 où le pied en fer 101 et le bloc en argent 102 sont soudés est prévue seulement à une portion plus proche de l'axe central A du pied en fer 101. En conséquence, la quantité de déplacement du point d'émission de lumière 104 due à la dilatation thermique est réduite, produisant de la sorte un dispositif d'émission de lumière à semi-conducteur supérieur qui ne produit aucune variation dans la sortie du laser semi-conducteur même avec la variation de température. Mode de réalisation 3 Les figures 4(a) et 4(b) sont respectivement une vue en perspective et une vue plane de dessus et illustrant un dispositif d'émission de lumière à semi-conducteur selon un troisième mode de réalisation de la présente invention. A ces figures, les mêmes chiffres de référence que ceux des figures 5, 6(a) et 6(b) désignent les mêmes parties ou des parties correspondantes. Le chiffre de référence 301 désigne un moyen d'arrêt de restriction de dilatation pour empêcher la dilatation du bloc en argent. Dans ce troisième mode de réalisation, le moyen d'arrêt de réduction de dilatation 301 qui est réalisé en fer pour empêcher la dilatation du bloc en argent 102 est prévu en contact avec le bloc en argent 102 sur le pied en fer 101. Dans ce troisième mode de réalisation 102, le bloc en argent rayonnant 102 en forme de parallélépipède rectangle ayant une largeur de 3 mm, une hauteur de 2 mm, et une épaisseur de 2 mm, est fixé sur le pied en fer 101 d'une configuration en colonne circulaire ayant un diamètre de 0,5 à 5,6 mm et une épaisseur de 1 à 2 mm en accomplissant une soudure sur toute la surface de contact. Le dispositif laser à semi-conducteur 103 est soudé sur le bloc en argent 102 de sorte que le point d'émission de lumière 104 du dispositif laser à semi-conducteur 103 ayant une largeur de 0,3 mm, une hauteur de 0,5 mm et une épaisseur de 0,1 mm est positionne sur l'axe central A du pied en fer 101. Dans le pied en fer 101, le trou de fil 108b à travers lequel passe le fil 106 comprenant un alliage de Fe-Ni d'un diamètre de 0,3 mm est formé. Les fils 106 sont fixés par fusion du matériau en verre 107 par lequel les trous de fil 108b sont remplis. On prévoit trois fils 106 qui maintiennent le bloc en argent 102 et le pied en fer 101. Un fil 106a passe à travers le trou de fil 108b et est relié à une électrode de surface avant 109 du dispositif laser à semiconducteur 103 par l'intermédiaire du fil de liaison 105 comprenant du Au, et un fil 106b passe à travers le trou de fil 108b qui est relié à une électrode de surface arrière 110 du dispositif laser à semi-conducteur 103 par l'intermédiaire du bloc en argent 102.Le moyen d'arrêt de réduction de dilatation en fer 301 qui supprime le déplacement du bloc en argent 102 en contactant le bloc en argent 102 est prévu sur le pied en fer 101 au voisinage de l'axe central A du pied en fer 101 de sorte que le point d'émission de lumière 104 peut ne pas se déplacer même avec la dilatation du bloc en argent 102 vers le côté de l'axe central A du pied en fer 101. Ensuite, une description va être donnée du fonctionnement et de la fonction du troisième mode de réalisation. Le but principal de ce troisième mode de réalisation est de supprimer le déplacement du bloc en argent 102 dans la direction y dû à la dilatation thermique. Comme illustré aux figures 4(a) et 4(b), dans le troisième mode de réalisation, afin de supprimer la dilatation du bloc en argent 102 dans la direction y, la broche de restriction de dilatation 301 comprenant le même matériau que le pied 101 est prévue sur le pied 101 et cette broche 301 est poussée vers le bloc en argent 102, supprimant de la sorte la dilatation du bloc en argent 102 à une température élevée. Bien que le moyen d'arrêt de restriction de dilatation 301 ait une configuration en prisme aux figures 4(a) et 4(b), le moyen d'arrêt 301 peut avoir une configuration en colonne conformée en fer à cheval avec le même effet obtenu. Bien que le fer soit utilisé comme matériau du moyen d'arrêt 301 dans ce mode de réalisation, un autre matériau ayant un grand module de Young et un petit coefficient de dilatation peut être utilisé. Dans le troisième mode de réalisation tel que décrit ci-dessus, dans le dispositif d'émission de lumière à semi conducteur, le point d'émission de lumière 104 du dispositif laser à semi-conducteur 103 est positionné sur l'axe central A du pied en fer 101 et le moyen d'arrêt de restriction de dilatation 301 pour supprimer le déplacement du bloc en argent 102 dû à la dilatation thermique est formé en contact avec le bloc rayonnant 102 fixé sur le pied en fer 101 au côté de l'axe central A du pied en fer 101. En conséquence, le déplacement du point d'émission de lumière 104 dû à la dilatation thermique ne se produit pas, obtenant un dispositif d'émission de lumière à semi-conducteur ayant une caractéristique supérieure qui n'a aucune variation en sortie du faisceau laser à semi-conducteur même avec la variation de température. Mode de réalisation 4 La figure 7 représente un quatrième mode de réalisation de la présente invention, où les chiffres de référence identiques à ceux représentés aux figures 9 et 10 sont utilisés pour désigner les mêmes éléments ou des éléments correspondants. Dans ce quatrième mode de réalisation, la surface du pied en Fe 1 est inclinée d'un angle (e) de la surface verticale à la lumière émise de la pastille 4 de laser à semi-conducteur, un bloc en Ag 2 comme bloc dissipateur de chaleur rayonnant est prévu sur celui-ci, et une pastille de laser à semi-conducteur 4 est montée sur celui-ci par l'intermédiaire du sous-montage 3 en nitrure de bore cubique. En figure 7, le caractère de référence e représente, comme décrit ci-dessus, un angle d'inclinaison de fixation qui est un angle produit par la lumière émise de la pastille 4 et la surface du pied de conditionnement 4 lorsque le pied en Fe 1 de coefficient de dilatation linéaire al et le bloc en Ag 2 de coefficient de dilatation linéaire a2 sont utilisés, et lorsque le bloc 2 est fixé à un point du pied 1 qui est à une distance ll du centre du pied 1, et l'épaisseur (hauteur) du bloc 2 est 12, ce qui suit est établi tan8 = (5) 11 De plus, la quantité de variation dans la direction y du pied 1 par la variation de température est Ilxalxxcos8, et la quantité de variation dans la direction y du bloc 2 par la variation de température est 12xa2xATxsin0. De ce fait, la condition qu'elles soient supprimées, c'est-à-dire la condition que la position du point d'émission de lumière dans la direction de l'axe y de la pastille de laser à semiconducteur 4 ne change pas par ces quantités de variations qui sont supprimées, devient comme dans ce qui suit, en ne prenant pas en compte le coefficient de dilatation linéaire du sous-montage 3. sin# ~ 11.al ... (6)= I1.(11 tane = ###e - 12.a2 ... (6) De ce fait, lorsque le pied en Fe 1 (aA = 15 x 10-6/ C) et le bloc en Ag 2 (aB = 20 x 10-6/ C) sont utilisés 12 ~ 1,73 0,865 (# = 2 - 0,865 (e = 40,9). Dans ce quatrième mode de réalisation, en contrôlant les configurations du pied 1 et du bloc 2, l'écart de position dans la direction y de la pastille laser est rendu en dessous de 0,0125 pm/deg. En d'autres termes, en supposant que la distance du centre du pied au centre du bloc soit de 3 mm, le coefficient de dilatation thermique de la pastille (point d'émission de lumière) fonctionnant effectivement comme complètement est amené en dessous de 4 x de celui qu'il dilate thermiquement dans la direction -y à cause du pied et il retourne dans la direction +y à cause du bloc, et de la sorte l'écart de position de la pastille 4 dans la direction de l'axe y, c'est-à-dire, l'écart de position du point d'émission de lumière est résolu. Ici, la valeur d'en dessous de 4 x 10~6/des vient de ce qu'on suppose que la distance du centre du pied au centre du bloc est de 3 mm, afin de supprimer l'écart de position en dessous de 0,011 pm/deg, on exige que le coefficient de dilatation thermique soit en dessous 0,011 pm/3 mm = 3,66 x 10-6 -y ~ 4 x 10~6/des, Dans le dispositif d'émission de lumière à semiconducteur de ce quatrième mode de réalisation, l'écart de position de la pastille (point d'émission de lumière) dû à la dilatation thermique est réduit, de la sorte l'erreur de suivi est réduite. Mode de réalisation 5 Dans le quatrième mode de réalisation décrit ci-dessus, en fixant le pied 1 et le bloc 2 en agencements géométriques prédéterminés, l'écart de position de la pastille 4 (point d'émission de lumière) dans la direction de l'axe y est supprimé. Cependant, l'écart de position de la pastille 4 dans la direction de l'axe z n'est pas encore résolu. Un cinquième mode de réalisation de la présente invention est destiné à résoudre ce point. C'est-à-dire, par le fait que la pastille 4 est réalisée séparée de la position du centre du bloc 2 sur le sous-montage 3, l'écart dans la direction de l'axe z (al x ll sine + a2 x 12 cors0) AT et l'écart dans sa direction inverse a3 x l3xAT dû au coefficient de dilatation linéaire du sous-montage 3 sont rendus égaux l'un à l'autre. C'est-à-dire, la formule (2) décrite ci-dessus est établie. Dans ce cinquième mode de réalisation, le coefficient de dilatation linéaire du sous-montage 3 et la distance du centre du bloc 2 au centre de fixation de la pastille 4 sont établis pour satisfaire la relation de la formule (2). De ce fait, non seulement l'écart de position dans la direction de l'axe y du point d'émission de lumière, mais également l'écart de position dans la direction de l'axe z du point d'émission de lumière sont supprimés. Dans les quatrième et cinquième modes de réalisation ci-dessus décrits, un laser à semi-conducteur est décrit, mais les mêmes effets sont obtenus également pour la diode à émission de lumière. Comme décrit ci-dessus, selon le premier mode de réalisation, dans un dispositif d'émission de lumière à semiconducteur, le point d'émission de lumière d'un dispositif laser à semi-conducteur est positionné au centre de gravité d'un bloc en argent ou au voisinage de celui-ci ainsi que sur l'axe central du pied en fer, et de la sorte, il est possible de supprimer la quantité de déplacement de la position du point d'émission de lumière due à une différence en coefficients de dilatation thermique entre le pied en fer et le bloc en argent à une valeur inférieure même avec la variation de températures, obtenant de la sorte un module laser à semi-conducteur qui produit seulement une faible variation en sortie de lumière. Selon le second mode de réalisation, le point d'émission de lumière d'un élément d'émission de lumière à semi-conducteur est positionné sur l'axe central du pied de conditionnement et le bloc en argent est fixé sur le pied en fer par soudage seulement à une portion plus proche de l'axe central du pied en fer, résultant de la sorte en un dispositif d'émission de lumière à semi-conducteur ayant une sortie de lumière stable avec suppression du déplacement de la position du point d'émission de lumière même avec la variation de température. Selon le troisième mode de réalisation, le point d'émission de lumière d'un élément d'émission de lumière à semi-conducteur est positionné sur l'axe central du pied de conditionnement et un moyen d'arrêt de restriction de dilatation est prévu en contact avec le bloc en argent sur le pied en fer au côté plus proche de l'axe central du pied en fer, résultant de la sorte en un dispositif d'émission de lumière à semi-conducteur ayant une sortie de lumière stable, avec suppression du déplacement de la position du point d'émission de lumière dû à la variation de température. Selon le premier au troisième modes de réalisation, l'avantage que la position du point d'émission de lumière n'est pas variée même avec la variation de température est obtenu, de la sorte un dispositif laser à semi-conducteur peut être utilisé pendant une longue période même dans l'environnement dans lequel la température est susceptible de varier, et un dispositif à émission de lumière à semiconducteur avantageux est bien obtenu en vue d'une stabilité à long terme. Selon le quatrième mode de réalisation de la présente invention, un dispositif d'émission de lumière à semiconducteur comprend un élément de pastille de laser à semiconducteur monté sur un pied de conditionnement par l'intermédiaire d'un bloc dissipateur de chaleur rayonnant, la pastille de laser à semi-conducteur est montée sur le pied de conditionnement par l'intermédiaire du bloc dissipateur de chaleur rayonnant de sorte que la lumière émise de la pastille produit un angle e par rapport à la surface du pied de conditionnement, et la pastille laser à semi-conducteur est montée sur le pied par l'intermédiaire du bloc dissipateur de chaleur rayonnant dans un tel agencement géométrique qu'une position et un angle de la lumière émise d'un côté de la pastille traversant la surface du pied de conditionnement ne varient pas même lorsque la température change.De ce fait, l'écart de position de la pastille (point d'émission de lumière) dû à la dilatation thermique est réduit, de la sorte l'erreur de suivi est réduite. Selon le cinquième mode de réalisation de la présente invention, dans un dispositif d'émission de lumière à semiconducteur, à supposer que la distance du centre de la surface du pied de conditionnement à une position sur le pied où le bloc dissipateur de chaleur par rayonnement est fixé, soit Il, la hauteur du centre du pied de conditionnement à une position sur le bloc dissipateur de chaleur où la pastille laser à semi-conducteur est fixée soit 12, et les coefficients de dilatation linéaire du pied et du bloc dissipateur de chaleur soient respectivement al, a2, ce qui suit est satisfait De ce fait, l'écart de position de la pastille (point d'émission de lumière) dû à la dilatation thermique est réduit, de la sorte l'erreur de suivi est réduite. Selon le sixième mode de réalisation de la présente invention, dans un dispositif d'émission de lumière à semiconducteur, l'écart de position dans la direction d'émission de lumière provenant de la pastille laser à semi-conducteur de la pastille laser à semi-conducteur dû à la différence en longueurs de dilatation linéaire entre le pied de conditionnement et le bloc dissipateur de chaleur est compensé par la dilatation linéaire d'un sous-montage montant de la pastille laser à semi-conducteur sur le bloc dissipateur de chaleur. De ce fait, la déviation de position de la pastille (point d'émission de lumière) due à la dilatation thermique est réduite, de la sorte l'erreur de suivi est réduite. Selon le septième mode de réalisation de la présente invention, dans un dispositif d'émission de lumière à semiconducteur, à supposer que le coefficient de dilatation linéaire du sous-montage est a3 et la distance du centre du bloc dissipateur de chaleur sur la surface du sous-montage au centre de fixation de la pastille laser à semi-conducteur est 13, ce qui suit est satisfait al x Il sine + a2 x 12 cose = a3 x 13. (2). De ce fait, la déviation de position de la pastille (point d'émission de lumière) due à la dilatation thermique est réduite, de la sorte l'erreur de suivi est réduite. REVENDICATIONS 1. Dispositif d'émission de lumière à semi-conducteur comprenant un élément d'émission de lumière à semi-conducteur (103) monté sur un pied de conditionnement (101) par l'intermédiaire d'un bloc dissipateur de chaleur par rayonnement (102) ; et caractérisé par un point d'émission de lumière (104) de l'élément d'émission de lumière à semi-conducteur (103) positionné sur l'axe central (A) du pied de conditionnement (101) où le point d'émission de lumière (104) est positionné au centre de gravité (G) du bloc dissipateur de chaleur par rayonnement (102) ou au voisinage de celui-ci. 2. Dispositif d'émission de lumière à semi-conducteur comprenant un élément d'émission de lumière à semi-conducteur (102) monté sur un pied de conditionnement (101) par l'intermédiaire d'un bloc dissipateur de chaleur par rayonnement (102) et caractérisé par un point d'émission de lumière (104) de l'élément d'émission de lumière à semi-conducteur (103) positionné sur l'axe central (A) du pied de conditionnement (101) ; et une surface inférieure du bloc dissipateur de chaleur par rayonnement (102) fixé par adhésion au pied de conditionnement (101) seulement à une portion proche de l'axe central (A) du pied de conditionnement (101). 3. Dispositif d'émission de lumière à semi-conducteur, comprenant un élément d'émission de lumière à semi-conducteur (103) monté sur un pied de conditionnement (101) par l'intermédiaire d'un bloc dissipateur de chaleur par rayonnement (102) et caractérisé par un point d'émission de lumière (104) de l'élément d'émission de lumière à semi-conducteur (103) positionné sur l'axe central (A) du pied de conditionnement (101) ; et un moyen d'arrêt de restriction de dilatation (301) comprenant un matériau différent de celui du bloc (102) prévu en contact avec le bloc dissipateur de chaleur par rayonnement (102) sur le pied de conditionnement (101). 4. Dispositif d'émission de lumière à semi-conducteur, caractérisé en ce qu'il comprend un élément de pastille laser à semi-conducteur (4) monté sur un pied de conditionnement (1) par l'intermédiaire d'un bloc dissipateur de chaleur par rayonnement (2) la pastille laser à semi-conducteur (4) étant montée sur le pied de conditionnement (1) par l'intermédiaire du bloc dissipateur de chaleur par rayonnement (2) de sorte que la lumière émise de la pastille (4) produise un angle e par rapport à la surface du pied de conditionnement (1) ;; la pastille laser à semi-conducteur (4) étant montée sur le pied (1) par l'intermédiaire du bloc dissipateur de chaleur par rayonnement (2) en un tel agencement géométrique qu'une position et un angle de la lumière émise d'un côté de la pastille (4) croisant la surface du pied de conditionnement (1) ne varient pas même lorsque la température change. 5. Disposition selon la revendication 4, caractérisé en ce que, à supposé que la distance du centre de la surface du pied de conditionnement (1) à une position sur le pied (1) où le bloc dissipateur de chaleur par rayonnement (2) fixé est 11, la hauteur dudit centre du pied (1) à une position sur le bloc dissipateur de chaleur (2) où la pastille laser à semiconducteur (4) est fixée est 12, et les coefficients de dilatation linéaire du pied (4) et du bloc dissipateur de chaleur (2) sont respectivement al, a2, ce qui suit est satisfait 6.Dispositif selon la revendication 4, caractérisé en ce que l'écart de position dans la direction d'émission de lumière à partir de la pastille laser à semi-conducteur (4) de la pastille laser à semi-conducteur (4) dû à la différence dans les longueurs de dilatation linéaire entre le pied de conditionnement (1) et le bloc dissipateur de chaleur (2) est compensé par la dilatation linéaire d'un sous-montage (3) montant la pastille laser à semi-conducteur (4) sur le bloc dissipateur de chaleur (2). 7. Dispositif selon la revendication 6, caractérisé en ce que, à supposer que le coefficient de dilatation linéaire du sous-montage (3) est a3 et la distance du centre du bloc dissipateur de chaleur (2) sur la surface du sous-montage (3) au centre de la fixation de la pastille laser à semiconducteur (4) est 13, ce qui suit est satisfait al x ll sine + a2 x 12 cose = a3 x 13