FR 2702089 A1 19940902 FR 9309369 A 19930729 La présente invention se rapporte à des dispositifs à semi-conducteurs et, plus particulièrement, à une structure pour connecter les électrodes de source et de drain aux couches de câblage de source et de drain L'invention se rapporte également à un procédé pour former les couches de câblage. La figure 5 (a) est une vue en coupe illustrant un transistor à effet de champ de l'art antérieur (que l'on appellera ci-après FET), o des couches en métal formant barrière sont insérées entre les électrodes de source et de drain et les couches de câblage de source et de drain Cette structure est révélée par exemple dans "A High-Speed 16-kb Ga As SRAM of Less than 5 ns Using Triple-Level Metal Interconnection", IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES Volume 39 ( 1992) page 494. Sur la figure, le chiffre de référence 120 désigne un FET fabriqué sur un substrat 1 en Ga As Des électrodes 3 a et 3 b de source et de drain, comprenant un alliage de Au Ge-Ni-Au, sont disposées sur le substrat 1 en Ga As en étant espacées l'une de l'autre Un métal de porte de Schottky 21, tel qu'un siliciure de tungstène (W Si), est disposé sur une partie prescrite du substrat en Ga As, entre les électrodes de source et drain. Un film 2 en Si O 2 (premier film isolant) est disposé sur le substrat 1 en Ga As ou il n'y a pas les électrodes de porte, de source ni de drain Un film 4 en Si O 2 (second film isolant) est disposé sur le premier film isolant 2 et sur des portions des électrodes de source et de drain 3 a et 3 b Des trous de contact 4 a et 4 b traversent le second film isolant 4 en des positions opposées à l'électrode de source 3 a et à l'électrode de drain 3 b, respectivement des couches de métal formant barrière 18 a et 18 b, comprenant du siliciure nitrure de tungstène (W Si N) ou analogue, sont disposées dans les trous de contact 4 a et 4 b, respectivement, s'étendant sur le second film isolant 4 à proximité des trous de contact Des couches de câblage de source et de drain 19 a et 19 b, comprenant AI, Cu ou analogues, sont disposées sur les couches de métal formant barrière 18 a et 18 b, respectivement. Un trou de contact 4 c traverse des portions des films isolants 2 et 4, face au métal de porte de Schottky 21 Une couche de câblage de porte 23, comprenant AI ou Cu est disposée sur le métal de porte de Schottky 21, via une couche en métal formant barrière 8 c. Des régions de source et de drain l la et lb du type n, à relativement forte concentration en dopant, sont disposées dans le substrat 1 en Ga As en se trouvant sous les électrodes de source et de drain 3 a et 3 b, respectivement Une région 13 de canal du type N est disposée dans le substrat en Ga As, se trouvant sous le métal de porte de Schottky 21 Des régions du type N 12 a et 12 b, à relativement faible concentration en dopant, sont disposées entre la région active 13 et les régions respectives de source et de drain 1 la et 1 lb. Dans le FET semiconducteur composé conventionnel, le taux d'activation du dopant dans le semi-conducteur composé est faible et même si un dopant du type N est fortement dopé dans le semi-conducteur composé, par exemple, Ga As, cela ne produit que 1018 porteurs par cm 3 Par conséquent, quand les électrodes de source et de drain sont formées sur le substrat en semi- conducteur composé, afin d'obtenir un contact ohmique de faible résistance fiable entre le substrat et les électrodes de source et de drain, les étapes suivantes sont effectuées En effet, après fort dopage du dopant dans les régions du substrat devant former les régions de source et de drain et activation des régions dopées par recuit, on dépose en succession Au Ge, Ni, et Au sur le substrat et on recuit à 400 'C pour allier les films laminés en Au Ge/Ni/Au, laquelle étape de recuit est appelée frittage. Cependant, comme la résistance du métal est usuellement réduite lors de son alliage, les électrodes de source et de drain, comprenant l'alliage en Au Ge- Ni-Au, sont fortement endommagées par la chaleur. Quand les couches de câblage sont directement disposées sur les électrodes de source et de drain comme le montre la figure 5 (a), la diffusion mutuelle des impuretés entre les électrodes de source et de drain ainsi que leurs couches de câblage augmente défavorablement les résistances aux parties de contact En particulier, quand les couches de câblage comprennent de l'aluminium ou du cuivre, l'aluminium ou le cuivre se trouve défavorablement en contact ohmique avec l'or incorporé dans les électrodes de source et de drain, ce qui augmente considérablement les résistances de contact. Ce problème peut être résolu si un matériau réfractaire ne contenant pas d'or est employé pour les électrodes de source et de drain mais on n'a pas encore découvert de matériau satisfaisant ces conditions tout en étant approprié à une production en masse. Actuellement, des couches en métal formant barrière pour empêcher la diffusion mutuelle des impuretés sont insérées entre les électrodes de source et de drain et les couches de câblage afin de réduire la détérioration aux interfaces entre les électrodes et les couches de câblage. Les figures 6 (a)-6 (d) illustrent des étapes de procédé pour obtenir les couches de câblage sur les électrodes de source et de drain via les couches en métal formant barrière Comme les étapes de procédé sont effectuées symétriquement par rapport au côté source et au côté drain du FET, seule une partie du FET du côté source est montrée sur les figures 6 (a)-6 (d) pour la simplification De plus, les régions o sont diffusées des impuretés dans le substrat sont omises. Initialement, un film 2 en Si O 2 est déposé sur la surface du substrat 1 en Ga As, sur une épaisseur d'environ 200 nn, et il reçoit un motif pour former une ouverture opposée à une région prescrite o devra être formée l'électrode de source Ensuite, un métal est déposé en utilisant le premier film 2 en Si O 2 comme masque et le film 2 en Si O 2 ainsi que les portions qui le recouvrent du métal sont enlevées par décollage pour former l'électrode de source 3 a Après dépôt d'un film 4 en Si O 2 à la surface, sur une épaisseur de 400 à 800 nm, un vernis photosensible est disposé sur le film 4 en Si O 2 et il reçoit un motif pour former un premier motif 25 de vernis photosensible ayant des ouvertures 25 a face à l'électrode de source 3 a (figure 6 (a)). En utilisant le motif 25 en vernis photosensible comme masque, le film 4 en Si O 2 est attaqué par un attaque par ions réactifs en utilisant un mélange gazeux de CHF 3 et 02, pour former le trou de contact 4 a sur l'électrode de source 3 a (figure 6 (b)). Après enlèvement du motif 25 en vernis photosensible en utilisant de la cendre de 02 ou un solvant organique (figure 6 (c)), on dépose W Si sur la surface pour former la couche de métal formant barrière 18 et un métal 19 de faible résistance tel que Au ou Cu est déposé sur la couche de métal formant barrière 18 (figure 6 (d)) Enfin, la couche de métal formant barrière 18 et la couche de métal de faible résistance 19 reçoivent un motif pour former la couche de câblage de source 19 a. Cependant, dans les étapes ci-dessus décrites de procédé, comme la couche de métal formant barrière 18 est déposée sur deux niveaux différents, c'est-à-dire sur l'électrode source 3 a dans le trou de contact 4 a et sur le film isolant en Si O 2 4, la couverture de la couche en métal 18 formant barrière dans le trou de contact est mauvaise Comme le montre la figure 5 b, la qualité de la couche en métal formant barrière 18 se détériore particulièrement au coin C du trou de contact 4 a et la couche 18 au coin C n'empêche pas efficacement la diffusion mutuelle d'impuretés entre l'électrode de source 3 a et la couche de câblage 19 a. La figure 7 (a) est une vue en coupe illustrant une structure d'électrode révélée dans la demande de brevet publiée au Japon N O 2- 90610, o une couche de câblage d'électrode 209 est disposée sur une région prescrite d'un substrat semi-conducteur 201, via une couche en métal formant barrière 208 qui empêche la diffusion mutuelle des composants entre la couche de câblage d'électrode 209 et le substrat semi-conducteur 201 Un film d'oxyde de champ 202 est disposé sur le substrat 201 d'o est absente la couche en métal formant barrière 208 Un film isolant 204 est disposé sur le film d*oxyde de champ 202 et sur des portions de la couche en métal formant barrière 208 Un trou de contact 204 a traverse le film isolant 204 pour exposer une portion de la couche en métal formant barrière 208. Dans la structure de la figure 7 (a), comme la couche en métal formant barrière 208 est disposée en dessous du trou de contact 204 a du film isolant 204, le problème ci-dessus décrit, c'est-à-dire la mauvaise couverture de la couche en métal formant barrière dans le trou de contact, être évité Cependant, quand le trou de contact 204 a est formé par attaque sélective du film isolant 204, comme le montre la figure 7 (b), il est nécessaire de choisir une méthode d'attaque ainsi qu'un agent d&attaque qui n'attaque pas la couche en métal formant barrière 208, ce qui restreint le procédé de production. La figure 8 est une vue en coupe illustrant un dispositif semi- conducteur révélé dans la demande de brevet publiée au Japon N O 63- 283161, o une couche de câblage 309 est électriquement connectée à un substrat semi- conducteur 301 via un trou de contact 304 a qui traverse un film isolant 304 disposé sur une région o sont diffusées des impuretés 311 dans le substrat conducteur 301 Dans cet art antérieur, le trou de contact 304 a est rempli d'une couche d'électrode 307 pour aplanir la surface du film isolant 304 et ainsi la couverture de la couche de câblage 309 dans le trou de contact 304 est améliorée Par ailleurs, une couche en métal formant barrière 308 est disposée entre la couche d'électrode 307 et la couche de câblage 309 pour éviter une augmentation de résistance due au dépôt de silicium à l'interface entre la couche d'électrode 307 et la couche de câblage 309. Cependant, dans la structure de la figure 8, comme la couche en métal formant barrière 308 et la couche d'électrode 307 sont noyées dans le trou de contact 304 a, les composants de la couche d'électrode 307 et de la couche de câblage 309 se diffusent mutuellement le long de l'interface entre la surface latérale de la couche en métal formant barrière 308 et la surface latérale interne du trou de contact 304 a, ce qui signifie que l'on ne peut empêcher efficacement la diffusion mutuelle d'impuretés par la couche 308 en métal formant barrière. La présente invention a pour objet de procurer un dispositif semi- conducteur comportant des couches en métal formant barrière insérées entre les électrodes de source et de drain et les couches de câblage des électrodes de source et de drain, lesquelles couches en métal formant barrière empêchent efficacement la diffusion mutuelle d'impuretés entre les électrodes et les couches de câblage. La présente invention a pour autre objet de procurer un procédé relativement simple de production des électrodes de source et de drain, des couches en métal formant barrière ainsi que des couches de câblage, sans restriction sur le procédé de production. Selon un premier aspect de la présente invention, un dispositif semi- conducteur comprend des électrodes de source et de drain qui sont disposées sur un substrat semi-conducteur en étant séparées l'une de l'autre, un film isolant plat disposé sur le substrat et ayant des trous de contact qui sont placés sur les électrodes de source et de drain et qui sont remplis de films en métal, des couches en métal formant barrière qui sont disposées sur les films en métal couvrant les interfaces entre les films en métal et le film isolant et des couches de câblage de source et de drain disposées sur les couches en métal formant barrière Par conséquent, la qualité de la couche en métal formant barrière couvrant le trou de contact et le film isolant à proximité du trou de contact est uniforme, c'est-à-dire que la couverture de la couche en métal formant barrière sur l'électrode de source (drain) est améliorée et ainsi on peut empêcher efficacement la diffusion mutuelle d'impuretés entre l'électrode de source (drain) et la couche de câblage des électrodes grâce à la couche en métal formant barrière De plus, comme l'interface entre le film en métal noyé dans le trou de contact et la paroi latérale interne du trou de contact, c'est-à-dire le film isolant, est couverte de la couche en métal formant barrière, la diffusion mutuelle d'impuretés entre l'électrode et la couche de câblage le long de l'interface est empêchée par cette couche en métal formant barrière. Selon un second aspect de la présente invention, un procédé de production d'un dispositif semi-conducteur consiste à former un film isolant sur un substrat semi-conducteur composé sur lequel sont disposées les électrodes de source et de drain en étant séparées l'une de l'autre, à éliminer sélectivement des portions du film isolant pour former des trous de contact sur les électrodes de source et de drain, à remplir les trous de contact de premiers films en métal pour aplanir la surface du film isolant, à déposer en succession une couche de métal formant barrière et un second film en métal sur toute la surface du film isolant et à former un motif de la couche en métal formant barrière et du second film en métal pour former des couches de câblage de source et de drain qui sont électriquement connectées aux électrodes de source et de drain Dans cette méthode, la couche en métal formant barrière de qualité uniforme est formée sur le trou de contact et le film isolant à proximité du trou de contact De plus, lorsqu'on attaque le film isolant pour former les trous de contact, il n'est pas nécessaire de choisir un agent d'attaque qui attaque le film isolant mais qui n'attaque pas la couche en métal formant barrière, ce qui augmente le degré de liberté dans le processus de production. Selon un troisième aspect de la présente invention, dans le procédé de production du dispositif semi-conducteur, les trous de contact sont formés en attaquant sélectivement des portions du film isolant en utilisant un film d'un vernis photosensible prescrit en tant que masque et les trous de contact sont remplis des premiers films en métal en déposant le premier métal sur toute la surface en utilisant le film en vernis photosensible comme masque puis en enlevant le film en vernis photosensible et les portions le recouvrant du premier métal par décollage, pour ainsi aplanir la surface du film isolant. Selon un quatrième aspect de la présente invention, dans le procédé de production du dispositif semi-conducteur, les trous de contact sont remplis des premiers films en métal en faisant sélectivement croître le premier métal sur les électrodes de source et de drain qui sont exposées dans les trous respectifs de contact Par conséquent, il ne se forme aucun espace entre la surface latérale du film en métal remplissant le trou de contact et la paroi latérale interne de ce trou de contact, ce qui donne un dispositif semi-conducteur très fiable. L'invention sera mieux comprise et d'autres buts, caractéristiques, détails et avantages de celle-ci apparaîtront plus clairement dans la description explicative qui va suivre faite en référence aux dessins schématiques annexés donnés uniquement à titre d'exemple illustrant plusieurs modes de réalisation de l'invention et dans lesquels: la figure 1 est une vue en coupe illustrant un dispositif semi- conducteur selon un premier mode de réalisation de la présente invention; les figures 2 (a)-2 (f) sont des vues en coupe illustrant des étapes du procédé de production d'une couche de câblage d'électrodes dans une méthode de production du dispositif semi-conducteur de la figure 1; les figures 3 (a)-3 (c) sont des vues en coupe illustrant des étapes du procédé de production d'une couche de câblage d'électrodes selon un second mode de réalisation de la présente invention; les figures 4 (a) et 4 (b) sont des vues en coupe expliquant l'effet du procédé de formation de la couche de câblage du second mode de réalisation en comparaison avec le premier; la figure 5 (a) est une vue en coupe illustrant un dispositif semi- conducteur selon l'art antérieur, la figure 5 (b) étant une vue agrandie dune partie du dispositif semi-conducteur; les figures 6 (a)-6 (d) sont des vues en coupe illustrant des étapes du procédé de production d'une couche de câblage d'électrodes dans une méthode de production du dispositif semi-conducteur de la figure 5 (a); les figures 7 (a) et 7 (b) sont des vues en coupe illustrant une structure de câblage d'électrodes d'un dispositif semi-conducteur selon l'art antérieur; et la figure 8 est une vue en coupe illustrant une structure de câblage d'électrodes dun dispositif semi-conducteur selon l'art antérieur. La figure 1 est une vue en coupe illustrant un FET selon un premier mode de réalisation de la présente invention Sur la figure, les mêmes chiffres de référence que sur la figure 5 (a) désignent des pièces identiques correspondantes Les trous de contact 4 a et 4 b du film 4 en Si O 2 sont remplis de films en métal 7 a et 7 b, comprenant respectivement du tungstène (W) ou du molybdène (Mo), pou aplanir la surface du film 4 en Si O 2 Des couches en métal formant barrière 8 a et 8 b, comprenant du siliciure nitrure de tungstène (W Si N) ou du nitrure de titane (Ti N), sont disposées sur les films en métal 7 a et 7 b et sur des portions du film 4 en Si O 2 à proximité des films en métal, respectivement Des couches de câblage de source et de drain 9 a et 9 b sont disposées sur les couches en métal 8 a et 8 b, respectivement. Les figures 2 (a)-2 (f) illustrent les étapes du procédé de production de la structure de câblage de source et de drain du FET de la figure 1 Comme les étapes du procédé sont effectuées symétriquement par rapport au côté source et au côté drain du FET, seule une partie du FET du côté source est montrée aux figures 2 (a)-2 (f), pour la simplification De plus, les régions dopées d'impuretés dans le substrat sont omises. Les étapes du procédé des figures 2 (a) et 2 (b) sont identiques à celles déjà décrites en se référant aux figures 6 (a) et 6 (b) et, par conséquent, ne nécessitent pas une répétition de la description. Après avoir formé le trou de contact 4 a, un premier film en métal 7 est disposé sur toute la surface (figure 2 (c)) Le premier film en métal 7 est déposé sur la même épaisseur que le film 4 en Si O 2, c'est-à-dire, 400 800 nm De préférence, le film en métal 7 se compose de W ou Mo qui n'agissent pas sur Au Ge, Ni, ni Au contenus dans les électrodes de source et de drain ou Au qui agit sur Au Ge, Ni et Au mais n'augmente pas la résistance. Alors, le masque 5 en vernis photosensible est fondu en utilisant un solvant organique ou analogue et est enlevé en même temps que les portions le recouvrant du film en métal 7 par décollage, laissant une portion 7 a du film en métal dans le trou de contact 4 a (figure 2 (d)) Ainsi, le trou de contact 4 a se trouve rempli du film en métal 7 a. Ensuite, un premier métal est déposé par pulvérisation sur une épaisseur d&environ 100 nm, pour former la couche en métal formant barrière 8 et un second métal est déposé par dessus, en pulvérisant sur une épaisseur d'environ nm, pour former une seconde couche en métal 9 (figure 2 (e)) De préférence, la couche en métal formant barrière 8 se compose de W Si N ou Ti N et la seconde couche en métal 9 se compose de Au, Ti/Au, un alliage à base de AI comprenant Si et Cu, ou Cu. Enfin, la seconde couche en métal 9 et la couche en métal formant barrière 8 sont sélectivement attaquées en utilisant un second masque 10 en vernis photosensible, pour former une couche de câblage de source 9 a qui est électriquement connectée à l'électrode de source 3 a (figure 2 (f)). Selon le premier mode de réalisation de la présente invention, les trous de contact 4 a et 4 b traversant le film 4 en Si O 2 pour exposer les électrodes sous-jacentes de source et de drain sont remplis des films en métal 7 a et 7 b pour aplanir la surface du film 4 en Si O 2 et les couches de câblage 9 a et 9 b de source et de drain sont disposées sur la surface plate via les couches en métal 8 a et 8 b formant barrière, respectivement Par conséquent, la qualité des couches en métal 8 a et 8 b est uniforme sur les trous de contact 4 a et 4 b et sur le film 4 en Si O 2 à proximité des trous de contact, ce qui améliore la couverture des couches en métal formant barrière sur les électrodes de source et de drain, ainsi les couches en métal formant barrière empêchent efficacement la diffusion mutuelle entre les électrodes de source et de drain et les couches respectives de câblage. En particulier, quand le second film en métal 9 se compose d'un alliage à base de AI, les couches en métal formant barrière empêchent la plaie pourpre, c'est-à-dire un mélange eutectique non voulu d'aluminium-or à la limite entre les couches de câblage contenant AI et les électrodes de source et de drain contenant Au. Comme l'interface entre le film en métal 7 a ( 7 b) et la paroi latérale interne du trou de contact 4 a ( 4 b) est couverte de la couche en métal formant barrière 8 a ( 8 b), la couche en métal empêche la diffusion mutuelle d'impuretés entre l'électrode 3 a ( 3 b) et la couche de câblage 9 a ( 9 b) le long de l'interface. Dans la méthode de production selon le premier mode de réalisation de la présente invention, comme la couche en métal formant barrière est formée après attaque sélective du film en Si O 2 4 pour former le trou de contact, il n'est pas nécessaire de choisir un agent d'attaque qui attaque le film 4 en Si O 2 mais qui n'attaque pas la couche en métal formant barrière, ce qui signifie que le procédé de production n'est pas restreint. Tandis que, dans le premier mode de réalisation ci-dessus décrit, le premier film en métal 7 est introduit dans le trou de contact par la technique conventionnelle de dépôt et décollage, d'autres méthodes peuvent être employées. Les figures 3 (a)-3 (c) sont des vues en coupe illustrant des étapes du procédé de production d'une structure de câblage de source et de drain selon un second mode de réalisation de la présente invention Dans ce second mode de réalisation, une méthode de CVD sélective (Dépôt de Vapeur Chimique) est employée pour introduire le film en métal dans le trou de contact. Après avoir formé le trou de contact 4 a dans le film 4 en Si O 2 (figure 3 (a)), le substrat 1 en Ga As est exposé à une atmosphère dans laquelle on fait s'écouler Si H 4/WF 6 gazeux à une pression de 0,266 mbar et à une température de 300 'C, ce qui provoque la croissance sélective du tungstène sur l'électrode de source 3 a dans le trou de contact 4 a (figure 3 (b)) Après dépôt en succession de la couche en métal formant barrière 8 et de la second couche en métal 9 (figure 3 (c)), ces couches reçoivent un motif pour former la couche de câblage de source 9 a qui est en contact avec l'électrode de source 3 a via la couche en métal formant barrière. La méthode CVD sélective donne un dispositif semi-conducteur très fiable en comparaison avec les techniques de dépôt et décollage employées dans le premier mode de réalisation. Dans le procédé de production selon le premier mode de réalisation, o le premier film en métal 7 est formé dans le trou de contact 4 a en utilisant les techniques de dépôt et décollage, des espaces non voulus sont quelquefois produits entre les surfaces latérales opposées du film en métal noyé 7 a et les parois latérales internes du trou de contact 4 a (portions indiquées par "A" sur la figure 4 (a)), lesquels espaces réduisent la fiabilité du dispositif. Dans le second mode de réalisation de la présente invention, comme le trou de contact 4 a est rempli du film en métal 17 sélectivement tiré sur 2702089 l'électrode de source 3 a dans le trou de contact par CVD, il n'y a aucun espace entre les surfaces latérales opposées du film en métal 7 et les parois latérales internes du trou de contact 4 a (portions indiquées par "B" sur la figure 4 (b)), ce qui donne un dispositif semi-conducteur très fiable. REVENDICATIONS 1 Transistor à effet de champ caractérisé en ce qu'il comprend: des électrodes de source et de drain ( 3 a, 3 b) disposées sur un substrat semi-conducteur ( 1) en étant séparées l'une de l'autre; un film isolant ( 4) disposé sur ledit substrat semi-conducteur ( 1) et sur les électrodes de source et de drain ( 3 a, 3 b), ayant des premier et second trous de contact ( 4 a, 4 b) face aux électrodes de source et de drain ( 3 a, 3 b), respectivement, lesdits premier et second trous de contact ( 4 a, 4 b) étant remplis de premier et second films en métal ( 7 a, 7 b) pour aplanir la surface du film isolant ( 4); des première et seconde couches en métal formant barrière ( 8 a, 8 b), respectivement disposées sur les premier et second films en métal ( 7 a, 7 b) et sur des portions du film isolant ( 4) à proximité des films en métal ( 7 a, 7 b), couvrant les surfaces des premier et second films en métal ( 7 a, 7 b) et les interfaces entre les premier et second films en métal ( 7 a, 7 b) et le film isolant ( 4); et des couches de câblage de source et de drain ( 9 a, 9 b) disposées respectivement sur des première et seconde couches en métal formant barrière ( 8 a, 8 b). 2 Transistor à effet de champ selon la revendication 1, caractérisé en ce que les électrodes de source et de drain ( 3 a, 3 b) se composent d'or, de cuivre ou d'un alliage à base d'or et les première et seconde couches en métal formant barrière ( 8 a, 8 b) se composent de nitrure silicium de tungstène ou de nitrure de titane. 3 Procédé de production d'un transistor à effet de champ, caractérisé en ce qu'il consiste à: former un film isolant ( 4) sur un substrat semi-conducteur composé ( 1) sur lequel sont disposées, en étant séparées l'une de l'autre, des électrodes de source et de drain ( 3 a, 3 b); éliminer sélectivement des portions du film isolant ( 4) pour former des trous de contact ( 4 a, 4 b) sur lesdites électrodes de source et de drain ( 3 a, 3 b); remplir lesdits trous de contact ( 4 a, 4 b) de premiers films en métal ( 7 a, 7 b) pour aplanir la surface du film isolant ( 4); déposer, en succession, une couche de métal formant barrière ( 8) et un second film en métal ( 9) sur toute la surface et former un motif sur ladite il couche en métal formant barrière ( 8) et ledit second film en métal ( 9) afin de former des couches de câblage de source et de drain ( 9 a, 9 b) électriquement connectées aux électrodes de source et de drain ( 3 a, 3 b) via les premiers films en métal ( 7 a, 7 b). 4 Procédé selon la revendication 3, caractérisé en ce que les trous de contact ( 4 a, 4 b) sont formés par attaque sélective de portions du film isolant ( 4) en utilisant un film en un vernis photosensible prescrit ( 5) en tant que masque et lesdits premiers films en métal ( 7 a, 7 b) sont formés en déposant un premier métal ( 7) sur toute la surface en utilisant le film en vernis photosensible ( 5) comme masque et en éliminant le film en vernis photosensible ( 5) et les portions le recouvrant du premier métal ( 7) par décollage. Procédé selon la revendication 3, caractérisé en ce que les premiers films en métal ( 7 a, 7 b) sont formés par croissance sélective de films en métal ( 17) sur les électrodes de source et de drain ( 3 a, 3 b) exposées dans les trous de contact ( 4 a, 4 b). 6 Procédé selon la revendication 3, caractérisé en ce que les électrodes de source et de drain ( 3 a, 3 b), sont formés par dépôt sélectif de Au Ge, Ni et Au et alliage de ces films de métal par recuit.