FR 2701189 A1 19940805 FR 9301109 A 19930202 Procédé de fabrication d'un circuit hybride multicouche haute densité et circuit obtenu L'invention concerne la fabrication d'un circuit hybride multicouche haute densité. Elle trouve une application générale en micro-électronique et plus particulièrement dans la fabrication de composants en couches épaisses (THICK FILM). On connaît de nombreux procédés permettant de réaliser des -circuits hybrides- multicouches. Les- dépôts par sérigraphie sont les procédés les plus répandus pour engendrer les lignes conductrices et les trous (ou vias) électriques reliant entre eux les composants actifs et les composants passifs assemblés sur le substrat isolant du circuit hybride multicouche. Des. perfectionnements récemment apportés aux techniques de dépôt par sérigraphie ont permis notamment d'engendrer des lignes conductrices de moins de 100 micromètres de largeur en milieu industriel Toutefois, même en utilisant de'tells perfectionnement, la résolution des vias- n'arrive pas à suivre une telle réduction. En effet, une résolution pour les vias diélectriques de l'ordre de 200 à 250 micromètres est actuellement considérée comme étant la limite pour fabriquer les dépôts par sérigraphie. Pour franchir cette limite en vue d'améliorer la densité ou résolution des circuits, des pâtes diélectriques photosensibles, capables de réaliser des vias de moins de 50 micromètres de diamètre ont été développées et des procédés de fabrication de circuits hybrides multicouches faisant appel à de telles pâtes ont été proposés dans la littérature. La Demanderesse s'est posée le problème d'apporter des améliorations techniques à ces procédés pour réussir leur application en milieu industriel. L'invention porte sur un procédé de fabrication d'un circuit hybride multicouche. Selon une définition générale de l'invention, il comprend les étapes suivantes - a) sur un substrat, déposer par sérigraphie un premier niveau formé d'un matériau conducteur prédéterminé avec des motifs comprenant un premier jeu de repères disposés sur des zones prédéterminées du premier niveau conducteur - b) sur le premier niveau conducteur ainsi déposé, sans recouvrir ledit premier jeu de repères, déposer par sérigraphie une première couche formée d'un matériau diélectrique photosensible prédéterminé jusqu'à obtenir une épaisseur choisie - c) sécher la première couche diélectrique photosensible ainsi déposée - d) graver des vias par microphotolithogravure, dans la première couche diélectrique ainsi séchée, sélectivement visà-vis du premier niveau conducteur, en s'alignant sur ledit premier jeu de repères, et cuire à une température choisie et pendant une durée choisie la première couche diélectrique ainsi gravée - e) sur la première couche diélectrique ainsi cuite et sans recouvrir le premier jeu de repères, déposer par sérigraphie une seconde couche formée du même matériau diélectrique photosensible que la première couche et répéter les étapes c) et d) jusqu'à obtenir une seconde couche diélectrique gravée et cuite ; et - f) sur la seconde couche diélectrique cuite ainsi obtenue, déposer par sérigraphie un second niveau formé d'un matériau conducteur prédéterminé avec des motifs comprenant un second jeu de repères disposés sur des zones prédéterminées du second niveau conducteur, et répéter les étapes b), c), d), et e) jusqu'à la fabrication complète du circuit. Ainsi, pour toutes les opérations de dépôt et de gravure relatives à la constitution d'un étage du circuit, il est prévu de s'aligner sur le jeu de repères inscrits sur le niveau conducteur dudit étage, ce qui permet d'améliorer, au niveau de la profondeur de champ, le réglage et la mise au point des moyens participant à la constitution dudit étage. En pratique, chaque couche diélectrique est constituée - d'une première sous-couche formée d'un matériau diélectrique photosensible prédéterminé, déposée par sérigraphie sans recouvrir le jeu de repères, et séchée, et - d'une seconde-couche formée du même matériau diélectrique que la première sous-couche, déposée par sérigraphie sur ladite première sous-couche, sans recouvrir le jeu de repères, et séchée. Ce mode de réalisation à deux sous-couches diélectriques s applique notamment lorsque l'on veut atteindre une épaisseur totale de diélectrique par exemple de l'ordre de 40 micromètres, une fois séchée. Selon un autre mode de réalisation préférée de l'invention, le procédé comprend en outre après l'étape e), l'étape suivante - ei) sur la seconde couche diélectrique cuite ainsi obtenue, déposer par sérigraphie un matériau conducteur prédéterminé pour remplir les vias gravés dans la première et seconde couches diélectriques. En pratique, la gravure par microphotolithogravure comprend les étapes suivantes - prévoir un masque photosensible possédant des zones opaques représentatives des vias à graver et des zones transparentes - exposer la couche photosensible à graver au travers de l'écran photosensible - développer la couche photosensible ainsi exposée de telle sorte que les zones non exposées correspondant aux vias sont gravées sélectivement ; et - sécher et cuire à une température choisie et pendant une durée prédéterminée la couche ainsi gravée. En pratique, le dépôt par sérigraphie comprend les étapes suivantes - prévoir un masque de sérigraphie à mailles de section choisie - déposer la couche au travers du masque de sérigraphie ; et - sécher la couche ainsi déposée. De préférence, les premier et second jeux de repères sont disposés l'un par rapport à l'autre selon une relation géométrique prédéterminée. En pratique, les repères sont des croix. Dans un autre mode de réalisation de l'invention, les motifs sont gravés dans le niveau conducteur par microphotolithogravure. La présente invention a également pour objet un circuit hybride multicouche obtenu selon le procédé de fabrication mentionné ci-avant. Très avantageusement, les diamètres des vias du circuit obtenu selon le procédé selon l'invention sont de l'ordre de 100 micromètres. En pratique, le substrat est formé en partie d'alumine. En pratique, le niveau conducteur est formé d'un matériau sous la forme pâteuse contenant de l'or, du cuivre ou de l'argent. Par exemple, les couches diélectriques sont formées d'un matériau diélectrique photosensible sous la forme d'une pâte. D'autres caractéristiques et avantages de l'invention apparaîtront à la lumière de la description détaillée ciaprès et des dessins annexés sur lesquels - la figure 1 représente un organigramme illustrant les étapes du procédé selon l'invention - la figure 2 représente schématiquement l'emplacement des repères selon l'invention - la figure 3 est une représentation schématique d'un repère d'alignement en forme de croix grecque selon l'invention - les figures 4A à 4D représentent schématiquement les étapes de microphotolithogravure selon l'invention ; et - les figures SA à 5D représentent schématiquement, de manière plus détaillée, la gravure des vias selon l'invention. Sur la figure 1, on a représenté un organigramme illustrant un procédé de fabrication de circuits hybrides multicouches qui s'inspire de celui décrit dans le document "A NEW THICK FILM PHOTOIMAGEABLE TECHNOLOGY FOR HIGH DENSITY INTERCONNECT" de Gérard VANRIETVELDE, DU PONT DE NEMOURS, juin 1992. Il s'agit d'un procédé de fabrication d'un circuit hybride multicouche utilisant une pâte diélectrique photosensible et un niveau conducteur déposé traditionnellement par sérigraphie. Le nombre d'opérations du procédé tient compte de la résolution des vias à obtenir, c'est-à-dire ici par exemple 50 micromètres. Lors de l'étape 10 (figures 1 et 4A), sur un substrat S, il est déposé de façon classique par sérigraphie un premier niveau Cl formé d'un matériau conducteur prédéterminé. Par exemple, le substrat S est de l'alumine à 90-99%. Le niveau conducteur Cl est déposé selon les étapes classiques de sérigraphie, c'est-à-dire dépôt, au travers d'un écran de sérigraphie comprenant des mailles de section choisie, d'une encre conductrice. Par exemple, l'encre conductrice est constituée en partie d'or, de cuivre ou d'argent. Par exemple, l'épaisseur du niveau conducteur de départ est de l'ordre de 16 micromètres et après l'opération de séchage (étape 12) et de cuisson (étape 14) de l'ordre de 9 micromètres. L'étape 12 de séchage s'effectue par exemple à une température de l'ordre de 1500C pendant une durée de l'ordre de 10 minutes environ. L'étape 14 de cuisson s'effectue dans un four à une température de l'ordre de 8500C pendant une durée de 10 minutes environ. Le cycle complet relatif à la constitution d'un niveau conducteur Cn est de l'ordre de 60 minutes. Il est à remarquer qu'une première opération de contrôle visuel V1, intercalée entre l'étape 12 et l'étape 14, ainsi qu'une seconde opération de contrôle visuel V2, après l'étape 14, sont prévues pour vérifier visuellement le bon déroulement du dépôt conducteur. Lors de l'étape de dépôt par sérigraphie du niveau conducteur, des motifs sont réalisés dans ce niveau. D'une façon générale, ces motifs constituent notamment les lignes conductrices du circuit hybride multicouche. Selon l'invention, il est prévu de réaliser par sérigraphie des motifs comprenant en outre un jeu de repères R1 appelés encore mires d'alignement, disposés sur des zones prédéterminées dudit niveau conducteur. De préférence, ce jeu de repères R1 est disposé à la périphérie du niveau conducteur Cl ainsi déposé. Avantageusement, ce jeu de repères R1 comprend des croix grecques de dimensions choisies. Sur la figure 2, le jeu de repères d'alignement comprend au moins trois croix grecques individualisées en Roll, R12 et R13 et réalisées sur le substrat S à l'extérieur de la zone utile ZU du circuit. En pratique, le substrat S forme un parallélogramme et les croix sont situées aux coins dudit parallélogramme. De préférence, les croix Rll et R12 sont alignées l'une par rapport à l'autre dans un plan parallèle à celui du substrat, tandis que les croix R13 et R12 sont alignées l'une par rapport à l'autre dans un plan perpendiculaire à celui du substrat. Par exemple, la longueur L1 et la largeur L2 des branches des croix Rll à R13 sont respectivement de l'ordre de 40 mils (1.016 mm) et 3,75 mils (95,25 micromètres) (figure 3). Lors de l'étape 16, sur le premier niveau conducteur Cl ainsi déposé, sans recouvrir le jeu de repères R1, il est déposé par sérigraphie une première sous-couche D111 formée d'un matériau diélectrique photosensible prédéterminé. La première sous-couche D111 est constituée d'une pâte diélectrique photosensible. Par exemple, la pâte diélectrique est celle vendue par la Société DU PONT DE NEMOURS sous la référence 6050 D. Cette pâte contient une résine photosensible monomère similaire à celle utilisée en photolithographie classique (PHOTORESIST FILMS). Par exemple, la première sous-couche D111 est déposée par sérigraphie au travers d'un masque de sérigraphie comprenant des mailles de 325 à 200 mesh selon l'épaisseur désirée. En pratique, cette première sous-couche D111 de départ a une épaisseur de l'ordre de 40 micromètres. Une fois déposée par sérigraphie, la couche D111 est séchée pendant une durée de l'ordre de 10 minutes à une température de 85oC, ce qui conduit à obtenir une épaisseur de l'ordre de 20 micromètres. Selon l'invention, l'opération de séchage s'effectue par l'intermédiaire de plaques chauffantes. L'opération de séchage par plaques chauffantes permet un séchage rapide (plus rapide que par étuve). Il évite en particulier l'apparition du phénomène d'effet de peau (séchage de la surface avant séchage du coeur du produit) : phénomène qui ralentit sensiblement le séchage en empêchant les solvants de s'évacuer du bas vers le haut (le haut étant déjà sec, donc plus hermétique aux gaz et solvants). Par exemple, la viscosité de la pâte diélectrique est de l'ordre de 70 à 120 Pascals par seconde. Sur la première sous-couche diélectrique D111 ainsi séchée, il est prévu le dépôt par sérigraphie d'une seconde souscouche D112 formée du même matériau diélectrique que la souscouche Dlll. Selon l'invention, ce dépôt par sérigraphie s'effectue sans recouvrir le jeu de repères R1. Avantageusement, cette seconde sous-couche D112 de départ a une épaisseur de l'ordre de 40 micromètres pour obtenir une épaisseur de l'ordre de 20 micromètres après séchage par plaques chauffantes d'une durée de l'ordre de 15 minutes. Ainsi, après l'étape 18, il est obtenu une première couche Dll constituée des première et seconde sous-couches sèches D111 et D112 avec une épaisseur totale de l'ordre de 40 micromètres. A 1 issue de l'étape 18, le circuit est dans une configuration qui correspond à celle de la figure 4A avec le niveau conducteur Cl et une couche supérieure, ici constituée par la couche diélectrique Dll. Lors de l'étape 20 qui correspond aussi aux figures 4B et 5A, la couche diélectrique Dll est exposée au travers d'un photomasque PHM photographique ou un masque dur en verre ou en polyester. Le photomasque PHM comprend des zones opaques OPA et des zones transparentes TRA. Les zones opaques OPA représentent les vias à graver dans la couche diélectrique car il s'agit ici de photolithogravure soustractive. Une lumière ultraviolette LIG, par exemple issue d'une lampe à mercure haute pression, d'une puissance de l'ordre de 1000 Watts, éclaire le photomasque pendant approximativement 2 à 4 secondes. Cette exposition s'effectue dans une atmosphère d'azote ou d'air. L'atmosphère azote élimine avantageusement l'oxygène qui est un inhibiteur de polymérisation. La résine photosensible incluse dans la pâte diélectrique se polymérise (figure 5B) au niveau des zones non exposées POLY correspondant aux vias VA. Lors de l'étape 22 (figure 5C), il est procédé au développement de la résine photosensible ainsi polymérisée. Ce développement (figure 4C) s'effectue à partir d'un système de développement DEV à diffusion aqueuse, par exemple celui habituellement utilisé lors des étapes de microphotolithogravure pour l'industrie du circuit imprimé. Par exemple, le système DEV diffuse une substance chimique à base de carbonate de sodium à 0,8% environ. Le développement consiste à dissoudre et à retirer les zones POLY qui n'ont pas été exposées à la lumière (figure 5D). Cette dissolution s'effectue par des opérations chimiques comprenant une neutralisation de la surface, une hydratation des ions et par la dissolution ainsi que le retrait physique desdites parties non exposées. En revanche, les parties exposées résistent à ce traitement chimique, ce qui permet d'obtenir des vias VA d'un diamètre choisi. Ensuite, les parties développées sont séchées soit sous un air pressurisé, soit dans un four à 750 Celsius pendant quelques minutes. Enfin, les parties diélectriques ainsi développées sont cuites par un passage à travers un four sous une température de l'ordre de 8500C sous air pendant une durée de l'ordre de 10 minutes. Le cycle complet pour la constitution d'une couche diélectrique gravée est environ de 60 minutes. A l'issue de l'étape 24, il est obtenu ainsi une couche diélectrique cuite de l'ordre de 20 micromètres avec des vias de résolution de l'ordre de 100 micromètres ou moins. Des opérations de contrôle visuel V3 et V3bis sont prévues respectivement entre l'étape 22 et l'étape 24 et entre l'étape 24 et l'étape 26 mentionnée ci-après. Très avantageusement, la gravure des vias par photolithographie décrite ci-avant, sélectivement vis-à-vis du niveau conducteur Cl, s'effectue en s'alignant sur le jeu de repères inscrits dans ledit niveau conducteur Cl. Plus précisément, les moyens de réglage des masques de sérigraphie et de photolithograhie, ainsi que les moyens d'exposition de la résine photosensible sont réglés et alignés sur ce jeu de repères R1. Il en résulte un avantage important au niveau du réglage de la profondeur de champ des moyens mentionnés ci-avant. Lors de l'étape 26, sur la première couche diélectrique Dll ainsi gravée et sans recouvrir le jeu de repères R1, il est déposé par sérigraphie une seconde couche formée d'un matériau diélectrique photosensible identique à celui de la première couche et il est répété les étapes 16, 18, 20, 22, 24 jusqu'à obtenir une seconde couche D12 diélectrique gravée. Les étapes 26, 28, 30, 32 et 34 relatives ou associées à la seconde couche diélectriques sont ainsi identiques respectivement aux étapes 16, 18, 20, 22 et 24. Très avantageusement, les moyens de réglages des masques de sérigraphie et de photolithographie, les moyens d'exposition relatifs à la seconde couche D12 sont aussi réglés et alignés sur le jeu de repères R1. Lors de l'étape 36, il est procédé sur la seconde couche diélectrique gravée ainsi obtenue D12 et cuite à 850 C, au dépôt par sérigraphie d'un matériau conducteur prédéterminé pour remplir d'un matériau conducteur les vias VAn gravés dans les première et seconde couches diélectriques. Ensuite, lors de l'étape 38, il est prévu un chauffage du circuit à une température de l'ordre de 80 C pendant une durée de l'ordre de 10 minutes suivi enfin d'une cuisson à 8500C (étape 40). Une étape relative au contrôle visuel VS est également prévue à l'issue de l'étape 40. Le remplissage des vias par un matériau conducteur peut s'effectuer au travers d'un écran métallique de type clinquant par exemple de nickel électroformé ("Stencil" en anglosaxon). Par exemple, la couche conductrice remplissant les vias VAn est une pâte d'une viscosité prédéterminée vendue par la Société DU PONT DE NEMOURS sous la référence 5727. Ce remplissage s'effectue de la même façon qu'un dépôt par sérigraphie en utilisant l'écran spécifique du type clinquant métallique. En variante, le remplissage peut s'effectuer à partir d'une opération par photolithographie soustractive utilisant une encre conductrice de type de celle vendue par la Société DU PONT DE NEMOURS sous la référence 1056-2. Cette encre conductrice est sous la forme d'une encre pâteuse présentant une viscosité prédéterminée et formée en partie d'or. A l'issue de l'étape VS, il est procédé sur l'ensemble diélectrique constitué des première et seconde couches Dll et D12 dont les vias sont remplis, au dépôt par sérigraphie d'un second niveau conducteur C2 formé d'un matériau conducteur prédéterminé avec des motifs comprenant un second jeu de repères R2 disposés sur des zones prédéterminées du second niveau conducteur C2. Enfin, il est répété les étapes 12 à VS jusqu'à la fabrication complète du circuit. De préférence, les premier et second jeux de repères R1 et R2 sont disposés l'un par rapport à l'autre selon une relation géométrique prédéterminée. En pratique, ils sont écartés l'un de l'autre d'une distance de l'ordre de 3 millimètres dans le plan vertical. En pratique, il est prévu sur les masques des niveaux conducteurs VAn et Cn+l de créer en outre un jeu de repères supplémentaires Pn comprenant des repères ou mires en forme de croix grecque de dimensions plus faibles que celles des repères Rn et situés en regard sur le plan vertical desdits repères Rn. Par exemple, les longueur et largeur des croix Pn sont respectivement de l'ordre de 30 mils (0,762 millimètres) et 2 mils (50,8 micromètres). Dans une application particulière, le circuit peut être constitué de six étages comprenant chacun un niveau conducteur Cn, deux couches diélectriques Dnl et Dn2, et un remplissage de vias VAn. En variante, pour obtenir des lignes conductrices de meilleure révolution, le niveau conducteur Cn est constitué d'un matériau conducteur photosensible sous la forme pâteuse. Par exemple, la pâte conductrice est celle vendue par la Société DU PONT DE NEMOURS sous la référence 1056-2 constituée en partie d'or. Les étapes de sérigraphie et de photolithographie relative à cette pâte conductrice sont sensiblement identiques à celles décrites ci-avant. Par exemple, l'écran de sérigraphie est un écran de 325 mesh à 400 mesh selon l'épaisseur désirée. La couche conductrice Cn de départ présente une épaisseur de l'ordre de 25 à 30 micromètres. Elle est séchée avantageusement sur une plaque chauffante à une température de l'ordre de 85 C pendant 10 minutes pour obtenir une épaisseur de l'ordre de 16 micromètres. La partie ainsi séchée est exposée ensuite au travers d'un photomasque de manière similaire à celle déjà décrite pour la pâte diélectrique. Les parties non exposées sont enlevées lors de la gravure. Par ailleurs, un temps d'exposition supérieur est requis à cause de la nature réflective des matériaux conducteurs. Le temps d'exposition d'une pâte polymère à base d'or requiert approximativement 500 millijoules par centimètre carré, tandis que celle à base de cuivre requiert 750 millijoules par centimètre carré pour une ligne. Le développement de la couche conductrice photosensible utilise une solution de carbonate de sodium à 0,8% pendant 15 secondes environ. Pour ce qui concerne l'or, les parties développées sont cuites dans un four sous air à une température de 850 , tandis que pour le cuivre, il est cuit dans une atmosphère d'azote dopé d'oxygène. La résolution des vias, pistes, ou lignes, gravées par photolithographie dans le cas d'une pâte conductrice d'or ou de cuivre est ici de l'ordre de 25 micromètres. L'épaisseur de la couche conductrice cuite est de l'ordre de 8 micromètres. Ainsi, dans la variante décrite ci-avant, on obtient un étage d'une épaisseur de l'ordre de 48 micromètres avec un conducteur d'une épaisseur de 8 micromètres et de deux couches diélectriques de l'ordre de 20 micromètres chacune. Dans une autre variante, le niveau conducteur Cn est réalisé en deux sous-couches conductrices. La première sous-couche est réalisée par dépôt sérigraphique avec un écran de 400 mesh et une pâte photosensible à base d'or dont la viscosité est choisie pour obtenir une épaisseur fine après séchage. Par exemple, l'épaisseur de la première sous-couche conductrice au départ est de l'ordre de 15 micromètres. Après l'opération de séchage, elle est de l'ordre de 8 micromètres. Enfin, la première sous-couche conductrice est exposée et développée. La seconde sous-couche conductrice est déposée sur la première sous-couche conductrice ainsi développée. Elle est réalisée à partir d'un procédé sérigraphique identique à celui de la première sous-couche. L'ensemble constitué des première et seconde sous-couches conductrices ainsi réalisées présente une épaisseur totale de 16 micromètres (2x8). Les première et seconde sous-couches conductrices sont gravées simultanément puis cuites à Celsius. Le cycle complet de cuisson relatif à la constitution d'un tel niveau conducteur est de l'ordre de 60 minutes. Une telle variante permet d'améliorer encore la résolution du circuit. Dans un autre mode de réalisation de l'invention, à l'issue de l'exposition de la première sous-couche conductrice, il est prévu de graver, puis de cuire les lignes conductrices ainsi réalisées dans ladite première sous-couche conductrice. La seconde sous-couche conductrice est alors déposée par sérigraphie sur la première sous-couche conductrice ainsi gravée et cuite. La densité de la couche conductrice obtenue en est ainsi améliorée (augmentation de la conductibilité électrique de la ligne). Revendications 1. Procédé de fabrication d'un circuit hybride multicouche caractérisé en ce qu'il comprend les étapes suivantes - a) sur un substrat (S), déposer par sérigraphie un premier niveau (C1) formé d'un matériau conducteur prédéterminé avec des motifs comprenant un premier jeu de repères (R1) disposés sur des zones prédéterminées du premier niveau conducteur (C1) ;; - b) sur le premier niveau conducteur (C1) ainsi déposé, sans recouvrir le premier jeu (R1), déposer par sérigraphie une première couche (dol) formée d'un matériau diélectrique photosensible prédéterminé jusqu'à obtenir une épaisseur choisie - c) sécher la première couche (dol) diélectrique photosensible ainsi déposée - d) graver des vias par microphotolithogravure, dans la première couche diélectrique ainsi séchée, vis-à-vis du premier niveau conducteur (Cl), en s'alignant sur ledit premier jeu (R1), et cuire à une température choisie et pendant une durée choisie la première couche diélectrique ainsi gravée - e) sur la première couche diélectrique (dol) ainsi cuite et sans recouvrir ledit premier jeu (R1), déposer par sérigraphie une seconde couche formée d'un matériau diélectrique photosensible identique à celui de la première couche, et répéter les étapes c) et d) jusqu'à obtenir une seconde couche (D12) diélectrique gravée et cuite ; et - f) sur la seconde couche diélectrique (D12) cuite ainsi obtenue, déposer par sérigraphie un second niveau (C2) formé d'un matériau conducteur prédéterminé avec des motifs comprenant un second jeu de repères (R2) disposés sur des zones prédéterminées du second niveau conducteur (C2), et répéter les étapes b), c), d) et e) jusqu'à la fabrication complète du circuit. 2. Procédé selon la revendication 1, caractérisé en ce que chaque couche diélectrique (Dll,D12) est constituée - d'une première sous-couche (D111) formée d'un matériau diélectrique photosensible prédéterminé, déposée par sérigraphie sans recouvrir ledit jeu (R1), et séchée ; et - d'une seconde sous-couche (D112) formée d'un matériau diélectrique sensiblement identique à celui de la première sous-couche (D111), déposée par sérigraphie sur ladite première sous-couche diélectrique, sans recouvrir le jeu de repères (R1), et séchée. 3. Procédé selon la revendication 1, caractérisé en ce qu'il comprend en outre l'étape e) l'étape suivante - ei) sur la seconde couche diélectrique (D12) cuite ainsi obtenue, déposer par sérigraphie un matériau conducteur prédéterminé pour remplir les vias gravés dans les première et seconde couche diélectriques. 4. Procédé selon la revendication 1, caractérisé en ce que la gravure par microphotolithogravure comprend les étapes suivantes - prévoir un écran photographique ou masque (PHM) possédant des zones transparentes (TRA) et des zones opaques (OPA) représentatives des vias à graver - exposer la couche photosensible à graver au travers de l'écran (PHM) - développer la couche photosensible ainsi exposée de telle sorte que les zones non exposées correspondant aux vias sont gravées sélectivement ; et - sécher et cuire à une température choisie pendant une durée prédéterminée la couche ainsi gravée. 5. Procédé selon la revendication 1, caractérisé en ce que le dépôt par sérigraphie comprend les étapes suivantes - prévoir un masque de sérigraphie à mailles très fines - déposer la couche au travers du masque de sérigraphie ; et - sécher la couche ainsi déposée. 6. Procédé selon l'une quelconque des précédentes revendications, caractérisé en ce que les premier et second jeux de repères (R1 et R2) sont disposés l'un par rapport à l'autre selon une relation géométrique prédéterminée. 7. Procédé selon l'une quelconque des précédentes revendications, caractérisé en ce que les repères sont des croix grecques. 8. Procédé selon l'une quelconque des précédentes revendications, caractérisé en ce que les motifs sont réalisés dans le niveau conducteur par sérigraphie. 9. Procédé selon l'une quelconque des revendications 1 à 7, caractérisé en ce que les motifs sont réalisés dans le premier niveau conducteur par microphotolithogravure. 10. Procédé selon l'une quelconque des précédentes revendications, caractérisé en ce que l'opération de séchage s'effectue par plaques chauffantes. 11. Circuit hybride multicouche obtenu par la mise en oeuvre du procédé selon l'une quelconque des revendications 1 à 10. 12. Circuit selon la revendication 11, caractérisé en ce que le diamètre des vias est de l'ordre de 50 micromètres. 13. Circuit selon l'une quelconque des revendications 11 et 12, caractérisé en ce que le substrat est formé en partie d'alumine. 14. Circuit selon l'une quelconque des revendications 11 à 13, caractérisé en ce que les niveaux conducteurs sont formés à partir d'une pâte contenant de l'or, du cuivre ou de l'argent. 15. Circuit selon l'une quelconque des revendications 11 à 14, caractérisé en ce que les couches diélectriques sont formées à partir d'une pâte diélectrique photosensible. 16. Circuit selon l'une quelconque des revendications 1 à 15, caractérisé en ce que l'épaisseur totale de l'ensemble constitué des première et seconde couches diélectriques (Di1 et D12) est de l'ordre de 40 micromètres.