FR 2701601 A1 19940819 FR 9401495 A 19940210 ELEMENT DIEMISSION DE CHAMP ET PROCEDE DE FABRICATION DE#..#.#Ç##L..M.#t..##C DE L'invention concerne un élément d'émission de champ et un procédé de fabrication de celui-ci et plus particulièrement un élément démission de champ utilisé comme source d él ect rons pour une variéte de dispositifs d'application de faisceaux d'électrons tels que dispositif d'affichage de type lumineux, tête d'écriture pour imprimante5 microscope electronique, dispositif d'exposition a faisceau d él ect rons, canon d'électrons pour tube â rayons cathodiques, tube amplificateur a ondes décimétriques et analogues, ainsi qu une diminution des couts de fabrication, et un procédé de fabrication de celui-ci. Lorsqu'un champ électrique appliqué a une surface d'une matiere métallique ou semi-conductrice est réglé sur environ 100 (V/m), un effet de tunnel permet a des électrons de traverser une barrière, ce qui a pour résultat de décharger les électrons vers un vide, meme â température normale.Ce phénomene s'intitule "émission par effet de champ" et une cathode construite pour émettre des électrons selon un tel principe s appelle une "cathode émettrice de champ", Depuis peu, des techniques de traitement à base de semi-conducteurs permettent la construction d'une cathode émettrice de champ du type surface de décharge a partir delements de cathode émettrice de champ de l'ordre de quelques microns, Les cathodes émettrices de champ ainsi construites ont tendance â être utilisées pour des dispositifs d'affichage fluorescent, des tubes a rayons cathodiques, des microscopes électroniques et des appareils a faisceau d'électrons. Un élément d'émission de champ classique comporte typiquement une cathode dite de type Spindt, très connue dans l'art, qui a été présentée comme afficheur à puce par Standard Research Institute (SRI) et le Labo rato i re d El ect roni que de Technologie et de l'instrumentation (LETI) en France. La cathode de type Spindt est formée de telle sorte qu'une grille est formée sur un film à oxydation thermique ou alors un film isolant est prévu sur une électrode à film métallique pour un émetteur forme sur un substrat en verre, et le film à grille métallique et le film isolant sont l'un et l'autre muni d'une ouverture. L'ouverture y est ensuite formée, ainsi qu'un émetteur de forme conique pour émission d'un champ d'électrons, à laide de techniques d'alignement automatique pour le dep8t, par déport par faisceaux d'électrons, d'un métal tel que le Mo ou analogue qui fait fonction de masque. La figure 17 montre un dispositif incorporant une cathode émettrice de champ du type dit Spindt qui comporte une résistance entre un émetteur et un élément cathodique. Plus particulièrement, le dispositif montre dans la figure 17 comporte des lignes de cathodes 101 formées sur un substrat 100. Les lignes de cathodes 101 y sont toutes formées à travers une couche résîstive 102 ayant des émetteurs 115 de forme conique selon un procédé décrit ci-apres. Par ailleurs, les lignes de cathodes 101 sont toutes munies d'une couche d'électrodes de grille ou ligne de grilles 104 à travers une couche isolante 103. La couche d'électrodes de grille 104 comporte des ouvertures circulaires dans lesquelles sont disposés les émetteurs 115. Les émetteurs 115 sont disposés de telle sorte qu'une de leurs portions d'extrémité est exposé par l'ouverture de la couche d'électrodes de grille 104. La disposition de la couche résistive entre chacun des émetteurs 115 et chacun des éléments cathodiques de la cathode, même lorsqu'une poussière ou un champ électrique provoque un court-circuit entre l'émetteur et la grille qui sont disposes à proximité l'un de l'autre pendant la fabrication ou le fonctionnement du dispositif, élimine efficacement un inconvénient qui consiste dans le fait que le passage d'un courant élevé dans l'émetteur, occasionne par le cou rt-c i rcu i tage, provoque une fusion de 1 'émetteur, conduisant à un eparpillement de l'émetteur vers tout élément cathodique disposé à proximité de celui-ci, détériorant ainsi une fonction de la cathode émettrice de champ. Un exemple de fabrication d'une telle cathode émettrice de champ de type Spindt sera maintenant décrit en référence aux figures 18(a) à 18(f). D'abord, conformément à la figure 18(a), la ligne de cathodes 101 est formée sur le substrat 100 en verre ou analogue par déport en phase vapeur avant la formation de la couche résistive 102 sur la ligne de cathodes 131 par pulvérisation. Ensuite, la couche isolante 103, qui est réalisée en oxyde de silicium, est formée sur la couche resistive 102. Puis on forme sur la couche isolante 103 une couche d'électrodes de grille 104 en niobium (Nb) par dépôt en phase gazeuse, suivi par le dépôt d'un agent de réserve, avant la formation de la couche d'électrodes de grille 104 ayant une ouverture 113 par application d'un masque et réaction d'attaque, conformément à la figure 18(b), produisant ainsi un 1 aminé. Le laminé ainsi formé peut être soumis à une réaction d'attaque à l'état humide au BHF ou analogue, ou à une réaction d'attaque ionique au CHF, pour que la couche isolante 103 soit soumise à une attaque isotrope ayant pour résultat la formation d'une ouverture 114 dans laquelle est forme l'émetteur 115, conformément ta la figure 18(c). Ensuite, conformément à la figure 18(c), on dépose de l'aluminium dans un sens oblique sur le substrat 100 tout en tournant le substrat 100, conduisant à la formation d'une couche de séparation 105. Un tel dépôt oblique permet à la couche de séparation 105 d'être sélectivement déposée sur la seule surface de la couche d'électrodes de grille 104 et non dans le trou 114 de la couche isolante 103. Puis, conformément à la figure 18(d), une couche de matière 106 en mélange de molybdène (Mo) ou analogue est déposée verticalement vers le bas par rapport au substrat 100, par-dessus la couche de séparation 105, par dépôt par faisceaux d'électrons. Ceci a pour effet de faire entrer la couche de matière 106 dans le trou 114 de la couche isolante 103 également si bien que la couche de matière 106 peut être déposée sous forme conique sur la couche resistive 102, conduisant à la formation de l'émetteur 115. Par la suite, la couche de séparation 105 et la couche de matière 106 formbes sur la couche d'électrodes de grille 104 sont retirées par réaction d'attaque, produisant ainsi une cathode émettrice de champ telle que celle montrée dans la figure 18(e). La cathode émettrice de champ montrée dans la figure 18(e) permet à une distance, entre l'émetteur conique 115 et la couche d'électrodes de grille 104, d'être réduite à des dimensions inférieures au micron, de sorte que l'application d'une tension aussi faible que 10 V entre l'émetteur 115 et la grille 104 permet à l'émetteur 115 d'omettre des électrons. De même, conformément à la figure 18(f), une deuxième couche isolante 107 et une deuxième couche d'électrodes de grille 108 peuvent être disposées à leur tour sur la couche dfelectrodes de grille 104, suivies par la formation de la cathode emettrice de champ conformément à la description ci-dessus. Ceci a pour résultat que la cathode émettrice de champ est construite avec une structure de triode dans laquelle la deuxième couche d'électrodes de grille 108 fait fonction d'électrode de concentration. L'étape consistant à former l'élément d'émission de champ décrit ci-dessus et montre dans la figure 18(d) fait typiquement appel à un appareil de dépôt par faisceaux d'électrons pour déposer 1 'émetteur. Un appareil de dépôt par faisceaux d'électrons utilisé classiquement â cette fin sera maintenant décrit en référence à la figure 19. L'appareil de dépôt par faisceaux d'électrons comporte un caisson à vide dans lequel est dispose un creuset H destiné à fondre la matière à déposer (ci-après la "matière déposée"). Le creuset H contient une matière déposée M pour la formation d'un émetteur place à l'intérieur de celui- ci. Le repère F désigne un filament destine à émettre des faisceaux d'électrons. Les faisceaux d'électrons EB émis du filament sont défléchis, conformément aux flèches dans la figure 19, au moyen d'une bobine de déflexion (non représentée), puis heurtent la matière déposée M tout en étant accélérés par une électrode accélératrice P. Une telle incidence des faisceaux d'électrons sur la matière M chauffe celle-ci à un degré suffisant pour la fondre, pour que celle-ci soit ainsi vaporisée ou évaporée. Il en résulte que la matière est déposée sur le lamine, conformément à la figure 18(d), conduisant à la formation de l'émetteur conique 115. En général, le dépôt par faisceaux d'électrons produit une restriction de la composition et de la pureté de la matière. De même, dans la mesure où le dépôt par faisceaux d'électrons est destine à chauffer uniformément la matière déposée M pour la convertir en vapeur tout en explorant des faisceaux d'electrons, ceci nécessite l'utilisation d'un creuset ayant une ouverture de diamètre agrandie. Cependant, la formation de la partie d'extrémité de l'émetteur conique en forme pointue nécessite que la matière ou le métal à déposer ait un point de fusion élevé. Malheureusement, la fusion d'un métal à point de fusion élevé pour le dépôt porte également le creuset à une température élevée, si bien qu'il est extrêmement difficile de réaliser le dépôt tout en assurant la formation d'un film de grande pureté ou de qualité élevée. Par ailleurs, l'utilisation d'un tel creuset ayant une ouverture de diamètre agrandi conformément à la description cidessus provoque une large diffusion de la matière M, vaporisée ou évaporée, selon les traits discontinus dans la figure 19, servant ainsi de source d'evaporation du spot, ce qui réduit la quantité de molécules de matière vaporisée qui sont verticalement incidentes sur le laminé sur lequel l'élément d'émission de champ est destiné à être formé. Ceci empêche la formation uniforme de l'émetteur en une forme conique. Malheureusement, ceci a l'inconvénient que l'émetteur 115, conformément à la figure 20, prend une forme selon laquelle une partie périphérique de lemetteur est inclinée à l'une de ses extrémités par rapport à la partie centrale du lamine. Pour remédier à ce problème, on pourrait envisager une approche qui consisterait à espacer les positions respectives de la source d'évaporation et du lamine et à entraSner le laminé en rotation pour permettre à la matière évaporée d'être sensiblement verticalement incidente sur le laminé. Cependant, dans un appareil tel que celui montre dans la figure 19, une augmentation de la distance L entre la source d'évaporation et le laminé provoque une augmentation considérable des besoins mécaniques pour purger l'appareil vers un vide, et augmente le temps de dépôt de la matière destinée à former l'émetteur sur le lamine occasionnant ainsi une perte importante de la matière déposée qui est coûteuse. Au vu de ce qui précède, un procédé de pulvérisation cathodique pour former 1 'émetteur est mis en oeuvre conformément à "Vacuum", vol. 34, n 8. Néanmoins, comme ce procédé consiste essentiellement à utiliser une éjection de neutrons et/ou de molécules se produisant lorsque des ions accélérés heurtent une matière solide, il crée une augmentation de l'angle suivant lequel des particules éjectées en raison d'un choc ou d'une collision entre molécules de gaz et une matière à pulvériser sont insidantes sur le laminé, conduisant à une diminution du nombre de particules qui passent dans l'ouverture de grille de dimensions réduites. Pour cette raison, le procédé de pulvérisation cathodique provoque souvent une obturation de la grille avant la formation de 1 'émetteur en forme conique, manquant ainsi sensibiement de former uniformément 1 'émetteur en forme conique dont la partie d'extrémité est pointue ou effilée. Par ailleurs, une scission de particules éjectées de niveau d'énergie élevé ou une diminution de la pression des molécules de gaz par le procédé de pulvérisation cathodique réduit considérablement le rendement de la matière, ce qui conduit à une augmentation du coût de la fabrication. De plus, dans l'élément d'émission de champ décrit ci-dessus, l'émetteur est généralement constitué d'un polycristal ce qui a pour inconvénient que l'adsorption et l'émission de gaz aux joints des grains du cristal pendant le fonctionnement de l'élément d'émission de champ rendent instable l'éjection d'électrons de celui-ci, et/ou que la concentration d'un champ électrique sur l'émetteur endommage ce dernier. Le brevet japonais ouvert à l'inspection publique n 86427/1979 décrit un procédé de fabrication d'un élément d'émission de champ comprenant un émetteur de structure monocristalline.Selon le procédé décrit, un germe monocristaîl in est déposé au fond d'un évidement forme sur un substrat et on forme un émetteur comprenant une extrémité pointue, tandis que le germe sert de noyau. Il s'est malheureusement avéré que le procédé utilisant le germe monocristallin comme noyau pour former l'émetteur monocristallin comporte de nombreux inconvénients Un de ces inconvénients réside dans le fait que le procède ne parvient pas à former l'émetteur avec une reproductibilité et une uniformité satisfaisantes.Un autre inconvénient consiste en ce qu'il est extrêmement difficile d'établir, avec une bonne reproductibilité, une relation précise de positionnement entre la partie d'extrémité de l'émetteur et la grille dans la mesure ou la forme de l'émetteur varie selon la crîstallogénèse. Encore un autre inconvénient du procédé est qu'une combinaison de la matière isolante et du germe cristallin est sujette å une contraction sensible. Encore un autre inconvénient du procédé consiste en ce qu'il est extrêmement difficile d'effiler ou de tailler en pointe la partie d'extrémité de l'emetteur. Il a aussi comme inconvénient que la matière a tendance à se contracter.Le procédé a, de plus, l'inconvénient d'être complexe à mettre en oeuvre. Par ailleurs, avec l'élément d'émission de champ classique, la couche isolante doit être formée sur le substrat. A cette fin, une couche de SiO2 est formée sur une surface d'un substrat en Si. Pour ce faire, le SiOz est généralement obtenu par oxydation thermique de Si, par dépôt en phase gazeuse par procédé chimique, ou analogue. Cependant, l'obtention du Sirop par oxydation thermique, par dépôt en phase gazeuse par procédé chimique ou analogue confère à la couche isolante une structure amorphe ou une structure polycristalline extrêmement fine proche d'une structure amorphe, ce qui comporte des inconvénients. Parmi ces inconvénients, le fait que l'uniformité de la résistance disruptive de la couche isolante est diminuée sur une surface plus importante de la couche isolante entrain des variations des caractéristiques de l'élément d'émission de champ, ce qui conduit à une distribution de la densité de courant de l'élément et à une diminution de la densité de courant occasionnées par une anomalie dans les émetteurs dont les caractéristiques initiales étaient bonnes. Un autre inconvénient consiste en ce que le pouvoir isolant de la couche isolante classique en polycrîstal très fin proche d'une structure amorphe varie dans le temps en raison de la décharge de gaz occlu dans les joints des grains et/ou d'un endommagement de l'element d'émission de champ par chocs d'électrons, ce qui occasionne facilement une détérioration des caractéristiques d'émission de champ. Un autre inconvénient consiste en ce que le pouvoir isolant de la couche isolante classique en polycristal très fin proche d'une structure amorphe a tendance à être détérioré thermiquement pendant la fabrication d'un dispositif sur lequel est monte l'element d'émission de champ. On retrouve un autre inconvénient lorsque la couche isolante est appliquée à un dispositif à vitesse élevée. Plus particulièrement, dans le dispositif à vitesse éleviez la capacitance entre l'émetteur et la grille est un facteur important. Pour reduire encore la capac i tance, on s'efforce de construire un element d'émission de champ de structure plus fine. Cependant, ces tentatives réduisent le pouvoir isolant de la couche isolante. Malheureusement, la couche isolante classique ne parvient pas à manifester un pouvoir isolant suffisant pour permettre à ces tentatives d'aboutir L'invention vise à remédier aux inconvénients de l'art antérieur. L'objet de l'invention est donc de proposer un élément d'émission de champ susceptible de permettre la formation dun émetteur monocristallin ayant une reproductîbilité et une uniformité satisfaisantes. Un autre objet de l'invention est de proposer un élément d'émission de champ susceptible d'avoir des caractéristiques ameliorees. Un autre objet encore de l'invention est de proposer un élément d'émission de champ ayant un pouvoir isolant et une uniformite meilleurs. Un autre objet encore de l'invention est de proposer un procédé de fabrication d'un élément d'émission de champ susceptible de réaliser un élément d'émission de champ permettant d'atteindre les objectifs précités. Selon une caractéristique de l'invention, il est propose un procédé de fabrication d'un élément d'émission de champ ayant un substrat, un émetteur et une grille disposés sur ledit substrat. Le procédé comporte l'étape consistant à former au moins une partie d'extremite de l'émetteur ayant une partie à émission d'électrons, caractérisée en ce que ladite partie à émission d'électrons est constituee d'un métal ou d'un semi-conducteur, forme par dépôt, dans une structure monocristalline ou polycristalline orientée, de préférence, dans au moins une direction perpendiculaire au substrat. Selon une réalisation préférée de l'invention, la partie 3 émission d'électrons est réalisée en une matière sélectionnée dans le groupe constitué de Au, Ag, Al, Be, Co, Cu, Cr, Fe, Ga, Ge, In, Ir, La, Li, Mg, Mn, Mo, Ni, Nb, Pd, Pt, Sb, Si, Th, Ti, Zr et Zn, et de carbures, oxydes, nitrures et autres composés inorganiques contenant chacun au moins l'un des métaux. Selon une realisation préférée de 1 'invention, la section à émission d'électrons est formée par dépôt ICB ou par épitaxie par faisceau moléculaire. Selon une autre caractéristique de l'invention, il est propose un élément d'émission de champ. L'élément d'émission de champ comprend un substrat, un émetteur et une grille disposés sur ledit substrat, caractérisés en ce que l'émetteur est formé à partir d'un métal ou d'un semi-conducteur en une structure monocristalline dont tout 18 fond est dispose selon une orientation cristalline spécifiée par rapport au substrat. Selon cette caractéristique de l'invention, il est également propose un élément d'émission de champ. L'élément d'émission de champ comprend un substrat, un émetteur et une grille disposés sur ledit substrat, caractérisé en ce que l'émetteur est forme à partir d'un polycristal orienté, de préférence, par rapport au substrat. De plus, selon cette caractéristique de l'invention, il est également propose un élément d'mission de champ. L'élément d'émission de champ comprend un substrat, un émetteur et une grille disposés sur ledit substrat, caractérisé en ce que l'émetteur comporte un fond contigu au substrat et une partie d'extrémité réalisés en matières différentes, la partie d'extrémité étant en métal ou en matière semiconductrice dans une structure monocristalline ou polycristaîl ine orientée, de préférence, dans au moins une direction perpendiculaire au substrat. De plus, selon l'invention, il est propose un procédé de fabrication dfun élément d'émission de champ comprenant d'une part un substrat, et d'autre part une couche d'électrodes de cathode, une couche isolante et une électrode de grille toutes formées sur le substrat, caractérisé en ce que la couche isolante est soumise, en une partie prédéterminée, à une réaction d'attaque qui a pour effet de former d'une ouverture dans laquelle est forme un émetteur.Le procédé de formation de l'émetteur comporte une première étape consistant en la formation d'un métal à bas point de fusion par dépôt ICB, et une deuxième étape consistant en la formation d'un autre métal, par-dessus le métal à bas point de fusion de la première étape, par dépôt par faisceaux d'électrons ou par pulvérisation cathodique, pour former un émetteur ayant au moins une partie d'extrémité. Selon une réalisation préférée de l'invention, une matière à déposer par dépôt ICB est placée dans un creuset muni d'une pluralité de buses ou dans une pluralité de creusets. Selon une réalisation préférée de l'invention, le métal à bas point de fusion est sélectionné dans un groupe constitue de Cr, Cu, Fe, Mg, Mn, Ni, Sn, Zn Al et de composes de ceux-ci, et le métal dont est formée la partie d'extrémité de l'émetteur est sélectionné dans un groupe constitué de Nb, Mo, Pd, Pt, Ti, Au, C, La, Re, Rh, Ru, Ta, Tc, Th, U, V, W, Zr et de composés de ceux-ci. En outre, 1 'invention propose un élément d'émission de champ. L'élément d'émission de champ comprend d'une part un substrat, et d'autre part une couche d'electrodes de cathode, une couche isolante et une couche d'électrodes de grille toutes formées sur le substrat, caractérisé en ce que la couche isolante est formée, à une partie prédéterminée de celui-ci, par reaction d'attaque et comporte une ouverture dans laquelle est forme un émetteur, l'émetteur étant formée sur une partie prédéterminée de celle-ci, à partir d'un métal susceptible d'être déposée par ICB, et l'émetteur étant recouvert, sur au moins sa partie d'extrémité, d'un métal à point de fusion élevé. En outre, 1 invention propose un autre élément d'émission de champ Celui-ci comprend d'une part un substrat, et d'autre part une grille et un émetteur isoles par une couche isolante, qui sont tous disposes sur le substrat, caractérisé en ce que la couche isolante est formée en une structure monocrîstallîne ou polycristalline orientée, de préférence, dans au moins une direction perpendiculaire au substrat. Selon une réalisation préférée de 1 'invention, la couche isolante est réalisée en une matière sélectionnée dans le groupe constitué d'oxydes de Al Ti, Be, Ca, Th, Mg, Zn et Zr et de composés d'au moins un des métaux. Par ailleurs, l'invention propose un procédé pour la fabrication d'un élément d'émission de champ comprenant d'une part un substrat, et d'autre part une grille et un émetteur, isolés par une couche isolante, qui sont tous formes sur le substrat. Le procédé consiste en la formation par dépôt de la couche isolante en une structure monocristalline ou polycristaîlîne orientée, de préférence, dans au moins une direction perpendiculaire au substrat. Ces objets et de nombreux avantages de l'invention seront mieux compris à la lecture de la description detaillee ci-apres en référence aux dessins annexés dans lesquels : Les figures 1(a) å 1(f) sont des représentations schématiques montrant chacune des étapes d'un mode de réalisation selon l'invention ; La figure 2 est une représentation schématique d'un exemple d'un appareil de dépôt ICB apte à être utilisé dans un mode de réalisation selon l'invention ;; La figure 3 est une diffraction par faisceau d'électrons montrant un schéma RHEED d'un film de croissance epitaxiale en Au sur un substrat en Ge obtenu dans une réalisation de l'invention La figure 4 est une représentation graphique d'une analyse par sceptroscopie él ect ron i que montrant des relations entre des tensions accélératrices d'un ion de liaison d'un électron selon Auger ;; Les figures 5(a) à 5(d) sont des représentations schématiques montrant chacune des étapes d'un autre mode de réalisation d'un procédé pour la fabrication d'un élément d'émission de champ selon l'invention Les figures 6(a) à 6(c) sont des representations schématiques montrant des étapes ultérieures du mode de réalisation des figures 5(a) à 5(d) ~ La figure 7 est une représentation schématique illustrant le principe de l'appareil de dépôt par faisceaux d'électrons él ectrons La figure 8 est représentation schématique d'une distribution de la décharge d'une matière évaporée en fonction du diamètre et de la longueur d'une buse destinée à décharger la matière évaporée Les figures 9(a) à 9(f) sont des représentations schématiques illustrant chacune des étapes d'un autre mode de réalisation d'un procédé pour la fabrication d'un élément d'émission de champ selon l'invention ; La figure 10 est une vue en coupe illustrant un exemple d'un appareil de dépôt R-ICss apte à être utilise dans un mode de réalisation de l'invention La figure 11 est une photographie montrant une image TEM d'une interface Al(111)/Sî(111) formée dans une réalisation de l'invention ;; Les figures 12(a) à 12(c) sont des vues montrant un schéma RHEED d'un a-AlZ03 d'une croissance épîtaxiale hétérogène obtenue selon une réalisation de l'invention La figure 13 est une représentation graphique d'un film en A1203 préparé dans différentes conditions dune réalisation de l'invention par rapport à une température de croissance La figure 14 est un diagramme de diffraction de rayons X montrant une film en T40 dans une réalisation de l'invention, avec l'oxygène maintenu à une pression partielle constante de 2,66 10-2 Pa et un courant d'ionisation réglé à entre O et 400 mA La figure 15 est un diagramme de diffraction de rayons X montrant un film en Ti02 dans une réalisation de l'invention, avec maintien d'un courant d'électrons d'ionisation le réglé å 300 mA et dune tension accélératrice d'ionisation réglée entre 1 et 6,6 kV ;; La figure 16 est une réprésentation graphique montrant la relation entre un faisceau d'électrons d'ionisation le réglé entre 0 et 400 mA et un indice de réfraction n d'un film en TiOz dans une réalisation de l'invention La figure 17 est une vue en perspective illustrant un dispositif de cathode émettrice de champ; Les figures 18(a) à 18(f) sont des représentations schématiques montrant chacune des étapes de fabrication d'un élément d'émission de champ; La figure 19 est une représentation schématique illustrant le principe d'un appareil de dépôt ICB s et La figure 20 est une vue en coupe montrant un émetteur classique. L'invention sera maintenant décrit en référence aux dessins annexes. En référence d'abord aux figures 1 à 3, il est montre une réalisation de 1 invention concernant un procédé de formation d'un élément d'émission de champ de type Spindt sur un substrat en Si, ainsi qu'un élément d'émission de champ préparé conformément au procédé. Les figures 1(a) à 1(f) montrent des étapes executees dans la fabrication d'un élément d'émission de champ de type Spindt, D'abord, conformément à la figure 1(a), sur un substrat en Si 1 est forme du SiO2, qui sert de couche isolante 2, par oxydation thermique du SiO2, pulvérisation cathodique du SiO2, métallisation sous vide du Sien, ou analogue, avant le dépôt d'une couche de grilles 3 en film en Nb sur la couche isolante 2 Ensuite, conformément à la figure 1(b), le diamètre de chacun des trous de la couche de grilles 3 est dessine par une couche de réserve 4, avant de soumettre le film en Nb ou la couche de grilles 3 à une réaction d'attaque par ions. Conformément à la figure 1(ci, la couche isolante 2 est alors soumise à une réaction d'attaque par de l'acide fluorhydrique tampon ou analogue pour former des trous de grilles 5. On dépose ensuite une couche de séparation en AI 6 dans une direction oblique sur la couche de grilles 3, tout en empêchant la formation de la couche 6 dans chacun des trous de grilles 5, conformément à la figure 1(d), avant de former un emetteur 7 conique sur le substrat 1 à travers le trou 5, par depôt vertical dune matière émettrice telle que Au, Mo ou analogue sur le substrat 1 par dépôt ICB ou par épitaxie par faisceau moléculaire, conformément à la figure 1te). Enfin, la couche de séparation 3 en Al est retirée conformément à la figure 1(f). On va maintenant décrire la formation d'une couche en Ge sur un substrat en Si, utilisant Au comme exemple de matière pour un émetteur, suivi par la formation d'un émetteur sur la couche en Ge ou de la formation d'un émetteur sur un substrat en Ge. La figure 2 montre schématiquement un appareil de dépôt ICB (ci-après "appareil ICB") susceptible d'être utilisé dans l'étape de formation d'émetteur montrée dans la figure 1Ce). Dans l'appareil ICB, une matière destinée a former un émetteur est placée dans un creuset ICB 10 en carbone et muni d'une buse 11 à son extrémité supérieure. Le creuset 10 est chauffe par un élément de chauffage 12.La matière émettrice vaporisée et déchargée de la buse 11 est partiellement ionisée par des chocs avec des électrons accélérés dans une section d'ionisation 13, conduisant à la formation d'amas Les amas ainsi formés sont accélérés par une él ectrode accélératrice 14 pour leur permettre d'atteindre une section de maintien 16 qui est maintenue à une température prédéterminée par un appareil de chauffage 15. Dans l'appareil ICB construit conformément à la description ci-dessus on charge de l'or (4N) de grande pureté dans le creuset ICB 10 en carbone. Pendant le dépôt, un courant d'ionisation et une tension d'ionisation sont respectivement réglés à 100 mA et 200 V et une tension accélératrice est réglée à une valeur entre 0 et 5 kv. Lorsqu'on utilise un substrat en Si, un film d'oxyde de silicium est retire de la surface du substrat en soumettant celui-ci à une attaque chimique, puis en le portant à 8800C pendant 20 minutes dans un ultravide avant le dépôt. On forme alors une couche épitaxiale en Ge dune épaisseur d'environ 700 A sur le substrat en Si à l'aide d'un appareil ICB avant de former une couche epitaxiale en Au sur celle-ci. Lorsqu'on utilise un substrat en Ge, celui-ci est soumis à un polissage avec une poudre fine en Al203 comme matière de polissage avant d'être soumis à une réaction d'attaque avec une solution de CP-4 (HF, HN03, CH-C00H, Br), ce qui a pour effet de retirer une couche destructrice de la surface du substrat. Celui-ci est porte à température ambiante lorsqu'il est en Si, et à une température de 300 à 5000C lorsqu'il est en Ge. Par ailleurs, l'appareil est réglé pour un degré de vide de 6,66 1017 Pa ou moins. La figure 3 est une diffraction par faisceau d'électrons montrant un schéma RHEED d'un film de croissance epitaxiale en Au ou en Au/Ge (111)/Si (100) ainsi forme. Le schéma RHEED indique que Au sur le substrat est monocristali in. Une combinaison de matière émettrice et de substrat applicable à la réalisation de l'invention comprend également Al/Si, Cu/Si, Au/Si, Al/Ge, Cu/Ge, Au/Ge et analogue. Dans la réalisation de l'invention il lustrée, la tension accélératrice d'ions a une influence essentielle sur la qualité du film. La figure 4 montre une variation de tension accélératrice d'ions à une crête d'énergie de liaison de Au4#7,2 et Si2 pendant la formation du film, obtenue par analyse par sceptroscopie électronique. La figure 4 montre qu'une application de la tension accélératrice d'ions suite à l'ionisation permet à l'énergie de liaison d'approcher une valeur de volume à une épaisseur réduite du film par rapport au cas d'absence d ionisation.Selon la figure 40 une tension accélératrice d'ions de 3 kV permet l'obtention d'un film métallique stable à une épaisseur minimum du film. Ceci démontre que le dépôt ICB est avantageux pour la formation d'un film épîtaxial stable sur un substrat semi-conducteur. La formation de l'élément d'émission de champ selon la description ci-dessus permet de former l'émetteur à partir d'un monocristal ou d'un polycristal orienté, de préférence, perpendiculairement au substrat. Dans la mesure ou c'est la partie d'extrémité de l'émetteur qui émet des électrons, la formation de la base de l'émetteur, qui est disposée de façon à être contigue au ou en contact avec le substrat par un procédé classique quelconque tel que le pulvérisation cathodique, la métallisation sous vide ou analogue suivi par la formation de la partie d'extrémité par dépôt ICB, épitaxie par faisceau mol écul aire ou analogue, permet de former la partie d'extrémité à partir d'un monocristal ou d'un polycristal orienté, de préférence, dans une direction perpendiculaire au substrat. Le fait que la partie d'extrémité et la base de l'émetteur soient formées à partir de métaux différents lun de l'autre permet d'utiliser une matière dure conforme au substrat pour former la partie d'extrémité de l'émetteur. La description de la realisation illustrée cidessus concerne un élément d'émission de champ de type Spindt et le procédé de fabrication de celui-ci3 mais s'applique également à la préparation d'un émetteur pour un élément d'émission de champ de type plat. Conformément à la description ci-dessus, la réalisation illustrée est construite de telle sorte que l'émetteur est formée par dépôt ICB ou par épitaxie par faisceau moleculaire. Une telle construction permet de rendre uniforme la configuration de l'émetteur et d'aligner les positions de l'ouverture de l'électrode de grille et de la partie d'extrémité de l'émetteur. Par ailleurs, dans la réalisation illustrée, l'émetteur est formée dans une structure monocristalline ou polycristalline orientée, de préférence, perpendiculairement au substrat. De plus, le dépôt ICB facilite le contrôle de l'orientation des cristaux de l'émetteur. Ainsi3 l'émetteur peut être construit sous forme d'une structure cristalline optimale pour ltemission d'electrons. Une autre réalisation de l'invention sera maintenant décrite en référence aux figures 5 à 8. Les figures 5fa) à 5(d) montrent des étapes dans la fabrication d'une cathode émettrice de champ selon la réalisation illustrée. Plus particulièrement, une couche de silicium amorphe 122 dopée de phosphore ou de bore est d'abord formée sur une surface du substrat en verre 121 par procédé plasma CVD ou analogue. Outre le phosphore et le bore, la matière de dopage peut être le gallium (Ga), l'indium (In), le thallium (Ta) et analogue, dont chacun permet à la couche de silicium amorphe 122 d'être de type n ou p lorsquzil y est incorpore. Quant aux gaz, un PH4 est incorporé dans une quantité entre plusieurs pour-cent et plusieurs dizaines de pour-cent de SiH4 ou Si2HX, suivi par une decomposition du plasma, permettant la formation de la couche se silicium amorphe 122 d'une résistivité de 102 à 108 #.cm, conformément à la figure 5(a), qui sert de couche resistive 122. Ensuite, conformément à la figure 5(b), la couche amorphe 122 est irradiée, par exemple au laser exciter (dune longueur d'onde de 308 nm) pour réaliser un recuit destine à chauffer instantanément des régions prédéterminées de la couche 122, ce qui a pour effet que les régions de la couche de silicium amorphe 122 irradiée au laser sont converties d'une structure amorphe en une structure monocristalline. Ceci provoque une activation du phosphore ou du bore de dopage dans la couche 122, si bien que les régions 123 recuites peuvent voir leur resistivite modifiée d'un conducteur de 10-' à 1094 Q/cm. Les régions 123 sont toutes adaptées pour se comporter en élément cathodique. En variante, celui-ci peut être forme par dépôt de AI qui est le procédé classiquement sidis en oeuvre dans 1lart antérieur. La couche de silicium amorphe 122 ainsi formée sur le substrat en verre y est successivement formée avec une couche isolante 124 et une couche d'électrodes de grille 125, conformément à la figure 5(c), avant la formation d'une cathode émettrice de champ, conformément à la figure 5(d) et aux figures 6(a) à 6(c). Plus particulièrement, la couche d'électrodes de grille 125 est recouverte sur des parties prédéterminées par un masque, pour former ainsi une couche photoresistante 126.On realise ensuite une réaction d'attaque pour former la couche d'électrodes de grille 125 avec des trous 130, conformément à la figure 5(d), suivi d'un depot de AI dans une direction oblique pour former une couche de séparation 127 sur la couche photorésistante 1263 conformément à la figure 6(a). La couche isolante 124 est ensuite formée avec des trous 130 à travers des ouvertures dans la couche de séparation 127 par attaque isotrope, conformément à la figure 6(a). Un métal à bas point de fusion, tel que le chrome (Cr), est alors forme pour l'émetteur sur le silicium amorphe 122 à travers chacun des trous par dépôt ICB décrit ci-après. Un appareil de dépôt ICB utilisé à cette fin peut être construit conformément à la figure 7. Plus particulièrement, un métal à bas point de fusion tel que le chrome est place comme matière déposée ou comme matière à déposer M dans un creuset 200. Le creuset 200 est relié électriquement à une source d'alimentation pour le chauffage direct, ce qui a pour effet de le chauffer.Par ailleurs, il est également soumis à un chauffage auxiliaire par filament 201 Le creuset 200 est pourvu, à l'une de ses parties sup#rieurCs, d'une pluralité de buses 202 à travers lesquelles la vapeur V, de la matière déposée M évaporée dans le creuset par chauffage, est déchargée dans un caisson à vide. La matière déposée déchargée dans le caisson à vide est ionisée dans une section d'ionisation 203 dans laquelle sont disposes un filament et une grille d'ionisation, avant d'être accélérée dans une section d'accélération 20, ce qui a pour effet de la heurter contre un substrat laminé 205. La référence 206 désigne un détecteur pour détecter une vitesse de dépôt de la matière sur le substrat 205, et la référence 207 désigne une section de commande pour commander la vitesse de dépôt. En supposant qu'un diamètre des buses 202 de forme cylindrique prévues au creuset 200 et une épaisseur L du creuset 200 sont exprimes respectivement par r et L, on sait qu'une augmentation du rapport d'allongement Lfr produit une directivité aiguë de l'angle d'éjection du gaz des buses 202, conformément à la figure 8. L'utilisation d'un tel l'appareil ICB pour le dépôt permet donc un dépôt vertical efficace de la matière émettrice à travers les trous 130 montres dans la figure 6(b), pour que la matière déposée soit déposée sur la couche d'arrêt 123 conformément à la figure 6(b), et il en résulte la formation d'un émetteur 115 de configuration conique fine dont la partie d'extrémité est de forme pointue. Quand les buses 202 sont linéairement juxtaposées les unes par rapport aux autres, il est avantageux de prévoir un mécanisme de déplacement parallèle du substrat laminé 205 ou des creusets 200 pour permettre une incidence uniforme de la matière déposée sur la totalité de la surface du substrat lamine 205. Dans la réalisation illustrée, l'émetteur 115 est formée conformément à la figure 6(b) au moyen de l'appareil de dépôt avant de retirer, dune part, la matière émettrice 128 déposée sur la couche d'électrodes de grille et, d'autre part, la couche de séparation, par tout procédé classique approprié. On exécute ensuite une deuxième étape de dépôt pour déposer un métal à point de fusion relativement élevé tel que le platine (Pt), le tungstène (W), le molybdène (Mo) ou analogue sur la surface de l'émetteur 115, et plus particulièrement sur la partie d'extrémité de lemetteurss pendant une durée courte par dépôt par faisceaux d'électros, (épitaxie par faisceau moléculaire), pulvérisation cathodique à basse pression ou analogue, pour revêtir 1 a partie d'extrémité de l'émetteur d'une matière 11SA. De même, la formation de l'émetteur 115 conformément à la figure 6(b) peut être réalisée par dépôt de la matière 115 de la partie d'extrémité de 1 'émetteur avant la fermeture complète de la couche de matière émettrice 128, formant ainsi l'émetteur conique ou le cône émetteur, suivi du retrait de la couche de séparation 127. Lors de la deuxième étape de dépôt, la matière est déposee pendant une dure courte pour empêcher des variations dans la formation de l'émetteur même lorsque l'utilisation d'un métal à point de fusion élevé influe sur la pureté de la matière déposée et/ou provoque un élargissement de l'angle d'irradiation de la matière déposée vaporisée. La real isation illustrée concerne la cathode émettrice de champ dans laquelle l'émetteur forme est conique. Cependant, la cathode émettrice de champ n'est pas limitez à la construction réalisée dans la réalisation illustrée. Elle peut s'appliquer à la fabrication d'un élément de cathode émettrice de champ comprenant un émetteur pour la formation d'une cathode froide. De même, le creuset de l'unité de dépôt ICB n'est pas limité à la configuration décrite ci-dessus. Par exemple, une unité de dépôt construite pour décharger la matière déposée à partir d'une pluralité de creusets à travers des buses de celle-ci peut être utilisée pour réaliser l'invention. Au vu de ce qui précède, la réalisation illustrée est construite de telle sorte que la formation de l'émetteur par depot est réalisée conformément à la première étape de dépôt sel on laquelle un mental å point de fusion relativement bas est déposé à l'aide de l'appareil de dépôt ICB, ce qui a pour effet que la décharge de matière déposée dans une direction prédéterminée se fait avec une directivite améliorée, pour ainsi former l émetteur par dépôt.Une telle construction conduit à une amélioration du débit de la matière vaporisée destinée à être déposée, pour ainsi rendre uniforme la configuration de l'émetteur forme sur le substrat 1aminé et pour fournir une cathode émettrice de champ de plus grande superficie en une période de temps relativement courte La deuxième étape de dépôt pour former émetteur est conçue de telle sorte qu'un métal à point de fusion relativement élevé et de faible travail de sortie peut être déposé en épaisseur réduite sur la surface de l'émetteur.Une telle construction renforce la partie d'extrémité de l'émetteur qui émet des électrons à un degré suffisant pour permettre de maintenir la configuration effilée de la partie d'extrémité, assurant ainsi la capacité d'émission d'électrons de celle-ci. En particulier, la réalisation illustrée permet au substrat lamine et à la source d'évaporation d'être disposés à proximité l'un de l'autre, minimisant ainsi tout gaspillage de la matière déposée qui est coûteuse, ce qui réduit le coût de fabrication de la cathode émettrice de champ. En référence aux figures 9(a) à 16, celles-ci illustrent une autre réalisation de l'invention qui concerne un élément d'émission de champ de type Spindt et un procédé de fabrication de celui-ci. Un appareil de dépit R-ICB (ci-après "appareil R-ICB") utilisé dans la réalisation illustrée sera décrit en référence à la figure 10. L'appareil R-ICB désigné globalement par la référence 31 possède une chambre 32 définie à 1 'intérieur de celui-ci et adaptée pour être évacuée vers un vide très poussa. La chambre 32 comporte une section à canon ICB 33 pour convertir une matière dépose en amas d'ions et pour les faire se heurter contre un substrat tout en les accélérant, de façon à les y déposer. Le section à canon ICB 33 comporte un creuset ferme 34 en graphite et une unité de chauffage 35 pour chauffer le creuset 34. Le creuset 34 est muni dune buse à travers laquelle la matière déposée vaporisée dans le creuset est éjectée pour former des amas.Les amas sont au moins partiellement ionises au moyen de faisceaux d'électrons dans une section d'ionisation 36 pour former des amas d ions, que l'on projette verticalement contre un substrat 37 tout en les accélérant, de façon à les y déposer. Le substrat 37 est maintenu sur un porte-substrat 39 muni d'un dispositif de chauffage 38. La référence 40 désigne un obturateur. La chambre 32 comporte un tuyau d'arrivée d'oxygène 41 en son enceinte.Le tuyau 41 est muni, à son extrémité distale, d'un injecteur 42 destiné à éjecter de l'oxygène. L'oxygène est alors au moins partiellement ionisé dans une section d'ionisation d'oxygène 43 avant de heurter un substrat 37 sous un angle oblique tout en étant accéléré. Entre la section à canon ICB 33 et le porte-substrat 39 est dispose un cadre 44 dont la fonction est d' accroître la pression partielle de l'oxygène à proximité du substrat 37. La formation d'une couche isolante, réalisée à l'aide d'un appareil 31, dans la fabrication d'un élément d'émission de champ sera maintenant décrite. L'appareil 31 est démarré de sorte que le substrat 37 est porte à une température de croissance de film par le dispositif de chauffage 38 et que la chambre 32 est evacuee pour réduire la pression de gaz résiduel dans la chambre 32 à un niveau de 6,66 10-4 Pa ou moins, le fonctionnement de la section à canon ICB étant interrompu pendant ce temps pour élever le degré de vide dans la section à canon a un niveau de 2,66 10 Pa ou moins. Ensuite, la section à canon ICB 33 est redémarré et de 1 'oxygène d'une pureté de 99,99 % est introduit dans la section à canon pour réduire le degré de vide à un niveau de 2,66.10-2 Pa de façon à initier le dépôt. Celui-ci a lieu dans les conditions suivantes s le courant d'ionisation le, la tension d'ionisation Ve, tension accélératrice d'ions Va et la température du substrat Ts sont respectivement réglés à 300 mA, 500 V, entre O et 3 kV, et entre 200 et 5000C Un procédé de formation de couche isolante dans laquelle un film en Al2O3 sert de film d'isolant sera décrit ci-dessous. Un substrat en Si (111) est préalablement soumis à un nettoyage chimique, puis à une oxydation de sa surface par une solution d'acide sulfurique / peroxyde d'hydrogène, avant le retrait d'un film d'oxyde par cuisson 8500C dans un ultravide pour nettoyer la surface du substrat. La source ICB fonctionne dans les conditions suivantes : le courant d'ionisation le, la tension d'ionisation Ve, la tension accélératrice d'ions Va et la température du substrat sont respectivement réglés à 100 mA, 150 V, entre 0 et 5 kV, et la température ambiante. Ceci provoque la croissance d'un film en Al sur le substrat en Si (111) tout en maintenant l'orientation cristalline parallèle au substrat.La figure 11 montre la disposition atomique sur une interface de Al ( Si (111) formée avec une tension accélératrice d'ions maintenue à 3 kV. Il est à noter que, indépendamment du fait que le taux de désadaptation de Al par rapport à Si peut atteindre 25 % au niveau de l'interface, la surface en Al (111) croIt directement à partir d'une surface en Si sans la formation d'une couche de transition destinée à soulager la tension. Par ailleurs, en règle générale, un degré de formation d'une solution solide de Si dans Al se dilate de 1,2 % à 500 C, cependant que le film formé par dépôt ICB est dépourvu de toute limite de grain et possède une disposition atomique d'une bonne régularité au niveau de l'interface entre le film et le substrat. En outre, le film possède une stabilité thermique amelioree par rapport au film polycristallin classique.Le film ainsi préparé est alors soumis à un recuit pour déterminer sa capacité de cristallisation. La valeur résultante montre que la capacité de cristallisation du film en Al ainsi formé par dépôt ICS constitue une légère amélioration par rapport à un recuit entre 250 et 500 C, mais est sensiblement inchangée par rapport à un recuit à 550 C. Par ailleurs, on n'observe pas de bosse ou de creux au niveau de l'interface ou de la surface, même après le recuit. Le filin en Al ainsi déposé est soumis à un recuit à 4000C pendant 8 heures avant d'être retiré dans une atmosphère ambiante, créant ainsi un substrat pour la croissance de &alpha;-Al203. La croissance d'un film en a-AlaOss est réalisée par la formation de Al sur le substrat dans une atmosphère d'oxygène par un dépôt ICB réactif. Plus particulièrement, le creuset 34 est charge en AI d'une pureté de 99,999 % avant d'être porte à une température de 15000C par l'impact d'un faisceau d'électrons dans l'unité de chauffage 35, formant ainsi des vapeurs de AI .Les vapeurs de Al ainsi obtenues sont éjectées d'une buse cylindrique prévue sur une partie supérieure du creuset 34 puis formées en dimensions de 1,3 mm de diamètre et de 1,3 mm de longueur, formant ainsi des amas qui sont ensuite ionisés à l'aide de faisceaux dielectrons émis à partir d'un filament dans la section d'ionisation 36 pour former des amas ionises. Les amas ionises sont accélérés vers le substrat 37, ce qui a pour effet de les y déposer. La distance entre le creuset 34 et le substrat 37 est fixée à 150 nm. On introduit de l'oxygène dans une région de la chambre à proximité du substrat 37, par un robinet de dosage.La croissance est réalisée de manière à évacuer la chambre 32 jusqu a un niveau d'environ 1,33 10-4 Pa et d'interrompre le fonctionnement de la section à canon ICB 33 pour retrouver le degré de vide dans la chambre. Le substrat en Al/Si est alors chauffé jusqu'à 5000C pendant 2 minutes pour retirer toute impureté adsorbe sur une surface du substrat. La section à canon ICB 33 est alors redémarrée et on introduit dans la chambre de 1 'oxygène à une pureté de 99,99 % pour faire baisser le degré de vide jusqu a un niveau de 2,66 10-6 Pa, avant de regler la température du substrat à une température de croissance de film pour initier le dépôt. Le courant d'ionisation le, la tension d'ionisation Ve et la tension acceleratrice d'ions sont respectivement réglés à 400 mA, 400 V et entre O et 5 kv. Les figures 12(a) à 12(c) montrent toutes une diffraction par faisceau d'électrons du film en &alpha;-Al2O3 forme par croissante epitaxiale hétérogène, obtenue à l'aide de faisceaux d'électrons à 75 keV : la figure 12(a) montre un schéma de &alpha;-Al2O3 forme sur un substrat en saphir, la figure 12(b) montre un schéma de &alpha;-Al203 forme sur un film monocristallin en Al (111) forme sur un substrat en Si, et la figure 12(c) montre un indice de chacun de ces films. Comme ces schémas RHEED montrent l'apparition d'un schéma de traînage distinct sur le film, il est à noter qu'il possède une surface plate et une capacité de cristallisation satisfaisante. Les rapports epitaxiaux entre les films de croissance obtenus et le substrat sont comme suit &alpha;-Al203 (0001)//Al (lll)//Si (111) &alpha;-Al203 (0227)//Al (111)//Si (111) Lorsque la température du substrat est considérée etre un facteur de croissance, une température de substrat de 2000C confère au film une capacité de cristallisation optimale sur une surface en AI (111). Il est à noter que, indépendamment du fait que la désadaptation de réseau cristallin au niveau de l'interface hétérogène de a-Al203 (0001)ffAl (111) peut atteindre 18,6 %, la température de substrat de 2000C permet l'obtention d'une croissance épitaxiale efficace. On sait que l'indice de réfraction de Al203 varie en fonction de sa structure cristalline. La figure 13 montre les relations entre l'indice de réfraction d'un film déposé avec Va = 1 kV et le = 100 mA et la température du substrat, ainsi que celles entre l'indice de réfraction d'un film déposé avec Va 5 V et le = 200 mA et la température du substrat. Les mesures ont été obtenues à l'aide d'un ellipsometre automatique utilisant un rayon raser He-Ne d'une longueur d'onde de 633,8 nm.L'indice de réf ract i on du film augmente à chaque augmentation de l'un ou l'autre de la tension accélératrice d'ions et du courant d'ionisation, et a également tendance a s' accroItre à mesure que la température de substrat augmente. Une tension accélératrice d'ions de 5 kV confère au film un indice de réfraction maximum une température du substrat de 400 C, améliorant ainsi la capacité de cristallisation du film. L'indice de réfraction est de 1,763 ce qui approche de tres près 1,765, c'est-à-dire 1 'indice de réfraction de &alpha;-Al2O3 monocristallin. L'utilisation d'un film en TiO2 comme couche isolante sera maintenant décrite. A cette fin, on fait appel à l'appareil R-ICB 31 montre dans la figure 10. On charge du Ti à 99,9 % de pureté dans le creuset 34 sous une atmosphère d'oxygène, puis on le porte à 20000C par impact d'un faisceau d'électrons pour former des amas. A laide d'un robinet de dosage, on introduit une pression d'oxygène dans une région à proximité du substrat 37 et on maintient cette pression à 2,66 1012 Pa Les amas de Ti et 1 'oxygène sont partiellement ionisés par des faisceaux d'électrons en provenance d'un filament dans la section d'ionisation 36.Le taux d'ionisation peut être ajusté en variant le faisceau d'électrons d'ionisation Cette préparation est réalisée dans les conditions suivantes : la température du substrat Ts, la tension d'ionisation Ve, le courant d'ionisation le et la tension accélératrice d'ions Va sont respectivement réglés à 500C, 500 V, entre 0 et 400 mA, et entre 0 et 6,6 kV. La figure 14 montre un diagramme de diffraction de rayons X obtenu lorsque la pression partielle d'oxygène est maintenue constante à 2,66 10-2 Pa pour des variations de courant d'ionisation entre O et 400 mA.Quand le courant le se situe dans une plage allant de O à 100 mA, on observe une crête d'une surface en TiOa (112) d'une structure de type anatase, tandis que la crête de la surface en Ti02 de type anatase diminue, lorsque le courant d'ionisation le est augmente entre 200 et 400 mA, pour voir apparalt re une crête d'un T402 de type rutile dont l'intensité augmente quand le courant d'ionisation est augmente. La figure 15 montre un diagramme de diffraction de rayons X obtenu lorsque le courant d' ionisation le est maintenu à 300 mA et la tension accélératrice d'ions Va est variée entre 1 et 6,6 kV. Le TiO2 est soumis à une phase de transformation d'une structure de type anatase en une structure de type rutile lorsque la tension accélératrice d'ions est augmentée Lorsque la tension accélératrice d'ions est encore augmentée, le TiOz change à nouveau d'une structure de type rutile en une structure de type anatase. On sait dans l'art antérieur qu'un indice de réfraction n du TiOa est fonction de sa structure cristalline. La figure 16 montre la variation de l'indice de réfraction du Ti02 en fonction de variations du courant d'ionisation le dans une plage allant de O à 400 mA. Il est à noter que l'indice de réfraction passe de 2,2 à 2,6 lorsque le courant d'ionisation est augmente. Par ailleurs, la figure 16 montre que l'indice d'absorption du film est réduit, lorsque le courant d'ionisation est augmenté, à une valeur s'approchant par approximation de 2,7 qui est l'indice d'absorption de Ta structure monocristalline de type rutile. La description ci-dessus concerne la couche isolante formée soit de a-A1203 soit de Ti02. Or, la couche isolante peut être formée à partir d'une matière sél ect i onnée dans le groupe constitue de BeO, BeO2, ThO2, MgO, ZrO2 et des composés de ceux-ci par des techniques de dépôt multiple faisant appel à des amas d'ions. L'épitaxie par faisceau moléculaire permet également d'obtenir une croissance epitaxiale sur le substrat et permet également de former la couche isolante. La fabrication d'un él ément d'émission de champ faisant appel à la couche isolante ainsi formée sera maintenant décrite en référence à la figure 9. La couche isolante 20 ainsi prévue sur le substrat 27 y est formée avec une couche de grilles 21 d'un film en Nb ayant une épaisseur de 0,4 m. Le diamètre de chacun des trous de la grille est dessiné par un réservage 22, avant de soumettre la couche de grilles 21 à une réaction d'attaque ionique au SF. La couche isolante 20 est ensuite soumise à une attaque destiné à former un trou.L'attaque est réalisée avec une solution de soude caustique à 20 %5 ou avec 340 g d'une solution de mélange comprenant une partie en volume de solution de chlorure ferrique (à 42 degrés Baume et une partie en volume d'acide chlorhydrique concentré 38 %, lorsque la couche isolante est formee en A1203 ; et l'attaque est réalisée avec de l'acide sulfurique concentré lorsque la couche isolante est en TiO. Une couche d'arrêt 23 en Al est ensuite formée par dépit oblique sur la couche de grilles 21, tout en empêchant la pénétration des trous, avant le dépôt vertical de Mo sur le substrat. Ceci conduit à la formation d'un émetteur 24 de forme conique. Enfin, la couche d'arrêt 23 en Al est ret i rée pour terminer l'élément d'émission de champ. La réalisation illustrée s'applique efficacement à la fabrication d'un émetteur pour un élément d'émission de champ de type plat ainsi que pour l'élément d'émission de champ de type Spindt décrit cidessus. Ainsi, la réalisation illustrée permet la formation de la couche isolante de l'élément d'émission de champ à partir d'un monocristal ou d'un polycristal oriente, de préférence, dans au moins une direction perpendiculaire au substrat, conférant ainsi à la couche isolante un pouvoir isolant uniforme sur une surface plus importante et empêchant 7 'adsorption de gaz par des limites de grains, ce qui a pour effet de stabiliser l'émission d'électrons. En outre, la réalisation illustrée empêche sensiblement la détérioration de la couche isolante due à un courant d'émission, et la détérioration du pouvoir isolant par une température de fabrication. La réalisation illustrée constitue donc une amélioration des caractéristiques de l'élément d'émission de champ de par un raffinement de I 'él ément. Bien que des réalisations préférées de l'invention aient été décrites avec un certain degré de particularité en référence aux dessins, certaines mod i f: i cati ons variantes seront évidentes au vu de ce qui précède. REVENDICATIONS 1. - Procédé de fabrication d'un élément d'émission de champ ayant un substrat, un émetteur et une grille disposés sur ledit substrat, caractérisé par le fait que 1 'on forme au moins une partie d'extrémité de l'émetteur ayant une partie à émission d'électrons, ladite partie à émission d'électrons étant formée, par dépôt, à partir d'un métal ou d'un semi-conducteur en une structure monocristalline ou polycristalline orientée, de préférence, dans au moins une direction perpendiculaire au substrat. 2. - Procédé selon la revendication 1, caractérisé en ce que la partie à émission d'électrons est réalisée en une matière selectionnee dans le groupe constitue de Au, Ag, Al Be, Co, Cu, Cr, Fe, Ga, Ge, In, Ir, La, Li, Mg, Mn, Mo, Ni, Nb, Pd, Pt, Sb, Si, Th, Ti, Zr et Zn, et de carbures, oxydes, nitrures et autres composes inorganiques contenant chacun au moins lsun de ces métaux. 3 - Procédé selon l'une quelconque des revendications 1 ou 2, caractérisé en ce que la partie d'émission d'électrons est formée par dépôt ICB ou par épitaxie par faisceau moleculaire. 4. - Element d'émission par effet de champ comprenant un substrat et un émetteur et une grille disposés l'un et l'autre sur ledit substrat, caractérisé en ce que l'émetteur est forme à partir d'un métal ou d'un semi-conducteur en une structure monocristalline dont tout le fond est disposé selon une orientation cristaîl ine spécifiée par rapport au substrat 5. - Elément d'émission par effet de champ comprenant un substrat (1) et un émetteur (7) et une grille (3) disposés l'un et l'autre sur ledit substrat, caractérisé en ce que l'émetteur (7) est forme à partir d'un polycristal orienté, de préférence, par rapport au substrat (1). 6. - Element d'émission par effet de champ comprenant un substrat et un émetteur et une grille disposes l'un et l'autre sur ledit substrat caractérisé en ce que l'émetteur comporte un fond contigu au substrat et une partie d'extrémité réalisés en matières différentes, la partie d'extrémité étant en métal ou en matière semi-conductrice en une structure monocristalline ou polycristaîl ine orientée, de prefrérence, dans au moins une direction perpendiculaire au substrat. 7. - Procédé de fabrication d'un élément d'émission de champ comprenant un substrat, et une couche d'électrodes de cathode, une couche isolante et une électrode de grille toutes formes sur le substrat, ladite couche isolante étant soumise, à une partie prédéterminée, une réaction d'attaque qui a pour effet de former d'une ouverture dans laquelle est forme un émetteur, caractériSé par les étapes suivantes: - formation d'un métal à bas point de fusion par dépôt ICB ; et - formation d'un autre métal, par-dessus le métal à bas point de fusion déposé lors de la première étape par dépôt par faisceaux d'électrons ou par pulvérisation cathodique, pour former un émetteur ayant au moins une partie d'extrémité, formant ainsi l'émetteur. 8. - Procédé selon la revendication 7, caractérisé en ce qu'une matière à dépose r par dépôt ICB est placée dans un creuset muni d'une pluralité de buses ou dans une pluralité de creusets. 9. - Procédez selon la revendication 7 ou 8, caractérisé en ce que le métal à bas point de fusion est sélectionné dans un groupe constitue de C r, C u, Fe, Mg, Mn, Ni, Sn, Zn Al et de composés de ceux-ci, et le métal dont est formée la partie d'extrémité de L'émetteur est sélectionné dans un groupe constitue de Nb, Mo, Pd, Pt, Ti, Au, C, La, Re, Rh, Ru, Ta, Tc, Th, U, V, W, Zr et de composés de ceux-ci. 10. - Element d'émission par effet de champ comprenant un substrat et une couche d'électrodes de cathode, une couche isolante et une couche d'électrodes de grille toutes formées sur le substrat caractérisé en ce que ladite couche isolante est formée, sur une partie prédéterminée de celui-ci, par réaction d'attaque et comporte une ouverture dans laquelle est forme un émetteur, l'émetteur étant formée sur une partie prédéterminée de celle-ci, partir d'un métal susceptible d'être drosse par ICB, et étant recouvert, sur au moins sa partie d'extrémité, d'un métal à point de fusion élevé. 11. - Elêment d'émission par effet de champ comprenant un substrat et une grille et un émetteur, isolés par une couche isolante, qui sont disposes sur ledit substrat caractérisé en ce que la couche isolante est formée en une structure monocristal1ine ou polycristalline orientée, de préférence, dans au moins une direction perpendiculaire au substrat. 12. - Elément d'émission par effet de champ selon la revendication 11, caractérisé en ce que ladite couche isolante est réalisée en une matière sélectionnée dans le groupe constitue d'oxydes de Al ri 5 Be, Ca, Th, Mg, Zn et Zr et de composés d'au moins un de ces métaux 13. - Procède de fabrication d'un élément d'émission par effet de champ comprenant un substrat, et une grille et un émetteur, isole par une couche isolante, qui sont formés sur ledit substrat, caractérisé en ce qu'il comprend 7'étape de formation, par dépôt, de la couche isolante en une structure monocristalline ou polycristalline orientée, de préférence, dans au moins une direction perpendiculaire au substrat.