FR 2704994 A1 19941110 FR 9305364 A 19930505 DISPOSITIF DE DELIVRANCE D'UN SIGNAL D'HORLOGE Description La présente invention concerne un dispositif délivrant un signal d'horloge et comportant en série - un circuit adaptateur qui comporte un module diviseur et un module translateur, et qui fournit une tension de commande de rapport cyclique 1/2 à l'entrée d'un circuit de sortie, - ce circuit de sortie comportant un transistor de commande sur la base duquel est appliquée la tension de commande et qui active alternativement, en fonction du niveau du signal de commande par rapport à un niveau dit niveau de commutation du transistor de commande, au moins un premier et un second transistors de sortie, le premier chargeant et le second déchargeant une charge de sortie à dominante capacitive. Pour de nombreuses applications, des horloges de rapport cyclique de l'ordre de 40% à 60% sont suffisantes. Toutefois, certains circuits intégrés pour microprocesseurs nécessitent des rapports cycliques beaucoup plus précis, par exemple 50% ≈3%. Un dispositif tel que décrit dans le paragraphe introductif est utilisé dans le circuit d'interface pour microprocesseurs commercialisé sous la référence TDA8000 par la demanderesse. Dans ce dispositif, l'amplitude du signal issu du module diviseur est pratiquement constante en fonction de la température. Puis ce signal est décalé d'une tension égale à la tension seuil d'une jonction base-émetteur par le module translateur, de façon à fournir une tension de commande au circuit de sortie. La valeur moyenne de cette tension de commande est ajustée au niveau de commutation du transistor de commande du circuit de sortie pour la température moyenne de fonctionnement. Mais ce niveau de commutation, qui est égal à deux fois la tension seuil d'une jonction base-émetteur, varie avec la température de telle sorte que la valeur moyenne de la tension de commande ne lui est plus ajustée lorsque la température varie. Le rapport cyclique est alors détérioré. L'invention a pour but de proposer un dispositif qui fournit un rapport cyclique plus précis. Pour cela, un dispositif selon l'invention et tel que défini dans le paragraphe introductif est caractérisé en ce que le circuit adaptateur comporte un module de contrôle qui injecte, dans une résistance de sortie du module diviseur, un courant destiné à créer à ses bornes une chute de potentiel égale à un multiple de tension de seuil de jonction base-émetteur tel que la valeur moyenne du signal de commande soit égale au même multiple de tension de seuil de jonction base-émetteur que le niveau de commutation du transistor de commande. Ainsi le signal de commande, qui est fourni par le circuit adaptateur au transistor de commande du circuit de sortie, suit les variations du niveau de commutation du transistor de commande lorsque la température varie. Dans un mode de réalisation particulièrement avantageux, le module de contrôle comporte des moyens pour copier, aux bornes d'une résistance dite résistance témoin, une tension prise sur au moins une jonction base-émetteur, le courant dit courant d'asservissement qui traverse alors la résistance témoin étant délivré sur le collecteur d'un transistor dit transistor témoin dont la base est reliée à la base d'au moins un transistor dit transistor recopieur du module diviseur, et dont l'émetteur est relié d'une part à une masse et d'autre part à l'émetteur du transistor recopieur, de telle sorte que le courant collecteur du transistor recopieur, qui est égal à un multiple du courant d'asservissement, soit injecté dans la résistance de sortie du module diviseur. Ainsi, en jouant sur le rapport des géométries du transistor témoin et du transistor recopieur, ainsi que sur le rapport des valeurs de la résistance témoin et de la résistance de sortie du module diviseur, il est possible de recopier aux bornes de la résistance de sortie du module diviseur le multiple voulu de la tension seuil de la jonction base-émetteur. Dans une première variante de ce mode réalisation, le module translateur comporte au moins une première et une seconde branches comprenant respectivement un premier et un second transistors dont les collecteurs sont reliés à une borne de tension d'alimentation et dont les émetteurs sont respectivement connectés aux premières bornes d'une première et d'une seconde résistances de même valeurs, le premier transistor étant monté en diode et le second transistor recevant sur sa base le signal issu du module diviseur, la seconde borne de la première résistance constituant une sortie du circuit translateur et étant reliée à la sortie d'un miroir de courant dont l'entrée est reliée à la seconde borne de la seconde résistance. Dans cette première variante, le signal de commande du transistor de commande du circuit de sortie est obtenu de la façon suivante : le niveau haut de la tension créée aux bornes de la résistance de sortie du module diviseur étant égal à deux fois la tension seuil de la jonction base-émetteur utilisée comme référence par le module de contrôle, cette tension est décalée par le module translateur d'une tension seuil de jonction base-émetteur. Dans une seconde variante de ce mode de réalisation, le module translateur comporte au moins une première et une seconde branches comprenant respectivement un premier et un second transistors dont les collecteurs sont reliés à une borne de tension d'alimentation, dont les bases constituent respectivement une première et une seconde entrées du circuit translateur, sur lesquelles sont respectivement appliqués d'une part le signal issu du module diviseur et d'autre part son inverse, et dont les émetteurs sont respectivement reliés aux premières bornes d'une première et d'une seconde résistances de même valeurs, la seconde borne de la première résistance constituant une sortie du circuit translateur et étant reliée à la sortie d'un miroir de courant, et la seconde borne de la seconde résistance étant reliée à la base d'un troisième transistor monté en diode dont l'émetteur est relié à l'entrée du miroir de courant. Dans cette seconde variante, le signal de commande du transistor de commande du circuit de sortie est obtenu de la façon suivante : le niveau haut de la tension créée aux bornes de la résistance de sortie du module diviseur étant égal à la tension seuil de la jonction base-émetteur utilisée comme référence par le module de contrôle, cette tension est appliquée sur la première entrée du module translateur, et la tension inverse est appliquée sur sa seconde entrée. C'est la différence de ces deux entrées qui est maintenant décalées de deux fois la tension seuil d'une jonction base-émetteur par le module translateur. Cette variante différentielle du module translateur a ainsi l'avantage par rapport à la première variante, de permettre d'utiliser un signal de sortie du module diviseur dont l'amplitude varie davantage avec la température, sans affecter le résultat. Un autre but de l'invention est d'améliorer la raideur des fronts du signal d'horloge délivré en sortie du dispositif. Pour cela, un module translateur d'un dispositif selon l'invention dispose d'une seconde sortie prise sur une troisième branche, parallèle et identique à la première, et un circuit de sortie du dispositif selon l'invention comporte un premier et un second transistors de commande sur les bases desquels sont respectivement appliquées les deux sorties du module translateur, et qui activent respectivement le premier et le second transistors de sortie. Ainsi, les commandes des deux transistors de sortie sont dissociées ce qui permet d'obtenir un gain élevé du premier transistor de commande sans limiter le courant de commande des transistors de sortie. Les fronts obtenus sont donc plus raides. De plus, dans un mode de réalisation préférentiel d'un circuit de sortie d'un dispositif selon l'invention, l'émetteur du premier transistor de sortie du circuit de sortie est relié par l'intermédiaire d'une capacité d'accélération au point milieu d'un pont de résistances dont une première extrémité est reliée à une borne de tension d'alimentation et dont une seconde extrémité est reliée à la base du premier transistor de sortie. Cette capacité d'accélération produit une réaction positive permettant d'améliorer la commutation. Les fronts ainsi obtenus sont très raides, même pour une charge faible. Enfin, dans un autre mode de réalisation d'un circuit de sortie d'un dispositif selon l'invention, le premier transistor de commande et le second transistor de sortie du circuit de sortie sont respectivement protégés par un premier et un second modules d'antisaturation. L'utilisation de ces modules d'anti-saturation permet d'augmenter la fréquence de travail du circuit de sortie. D'autres particularités, détails et avantages de l'invention seront mis en évidence par la description qui va suivre en regard des dessins annexés qui sont relatifs à des exemples donnés à titre non limitatif, dans lesquels - la figure 1 est un schéma représentant un exemple d'un dispositif connu de délivrance d'un signal d'horloge, - la figure 2 est un schéma d'un circuit de sortie du dispositif connu tel que décrit sur la figure 1, - la figure 3 est un schéma représentant un exemple d'un dispositif de délivrance d'un signal d'horloge selon l'invention, - la figure 4 est un schéma d'un exemple de module de contrôle d'un dispositif selon l'invention, - les figures 5 et 6 sont respectivement des schémas d'un sous-ensemble de polarisation et d'un sous-ensemble diviseur d'un exemple de module diviseur d'un dispositif selon l'invention. - la figure 7 est un diagramme représentant le signal disponible en sortie d'un module diviseur tel que décrit sur la figure 6, - la figure 8 est un schéma d'une première variante d'un module translateur d'un dispositif selon l'invention, - la figure 9 est un schéma d'une seconde variante d'un module translateur d'un dispositif selon l'invention, - la figure 10 est un schéma d'un exemple de circuit de sortie d'un dispositif selon l'invention. Dans la description qui va suivre, les éléments ayant les mêmes fonctions portent, dans la mesure du possible, les mêmes références. Toutefois les circuits correspondant ne sont pas nécessairement identiques. D'après la figure 1, un dispositif connu de délivrance d'un signal d'horloge comporte un circuit adaptateur 1 et un circuit de sortie 2, le circuit adaptateur 1 comprenant lui-même un module diviseur 3 et un module translateur 4. Une entrée 5 du module diviseur 3 reçoit un signal issu d'un oscillateur connu et non représenté, le niveau de ce signal ayant été adapté au niveau nécessaire en entrée du module diviseur 3. Ce module diviseur 3 fournit, sur une sortie 6, un signal de rapport cyclique 1/2 qui est délivré sur une entrée 7 du module translateur 4. Après translation, le signal, dit signal de commande du circuit de sortie 2, est délivré sur une sortie 8 du module translateur 4 et fournit à une entrée 9 du circuit de sortie 2. Une sortie 10 du circuit de sortie 2 constitue la sortie du dispositif. D'après la figure 2, un circuit de sortie 2 d'un dispositif selon l'art antérieur comporte un transistor de commande T13 dont le collecteur est d'une part relié à une borne de tension d'alimentation Vcc par l'intermédiaire d'une première résistance R14, et d'autre part relié à la base d'un premier transistor de sortie T15 correspondant à un montage "Darlington", dont le collecteur est relié à la borne d'alimentation Vcc et dont l'émetteur constitue la sortie 10 du dispositif. L'émetteur du transistor de commande T13 est relié d'une part à une masse par l'intermédiaire d'une seconde résistance R16, et d'autre part à la base d'un second transistor de sortie T17 dont l'émetteur est relié à la masse et dont le collecteur est relié à la sortie 10 du dispositif. La base du transistor de commande T13 constitue l'entrée 9 du circuit de sortie 2 du dispositif. Ainsi, le niveau de commutation du transistor de commande T13 est égal à la somme des tensions base-émetteur du second transistor de sortie T17 et du transistor de commande T13. Lorsque le signal de commande appliqué sur l'entrée 9 du circuit de sortie 2 dépasse ce niveau de commutation, le transistor de commande T13 active le second transistor de sortie T17, déchargeant une charge de sortie non représentée, connectée à la borne de sortie 10 du dispositif, qui est essentiellement capacitive. Au contraire, lorsqu'il lui est inférieur, le transistor de commande T13 est bloqué et le premier transistor de sortie T15 est activé ce qui charge la charge en sortie 10. Pour que le rapport cyclique du signal de sortie soit proche de 50% quelle que soit la température, il faut donc que la valeur moyenne du signal de commande du circuit de sortie 2 suive les variations du niveau de commutation du transistor de commande T13 lorsque la température varie. C'est-à-dire que la valeur moyenne de ce signal de commande doit être égale à environ deux fois la tension de seuil d'une jonction base-émetteur moyenne (ou plus précisément à la somme des tensions seuil des jonctions base émetteur des transistors T13 et T17). D'après la figure 3, un dispositif de délivrance d'un signal d'horloge selon l'invention comporte un circuit adaptateur 1 et un circuit de sortie 2. Le circuit adaptateur 1 comporte lui-même un module diviseur 3, un module de contrôle 11 et un module translateur 4. Le module diviseur 3 comporte un sous-ensemble de polarisation A et un sous-ensemble diviseur B. Une entrée 5 du sousensemble diviseur B constitue une entrée du dispositif selon l'invention. Elle reçoit un signal issu d'un oscillateur connu et non représenté, le niveau de ce signal ayant été adapté au niveau nécessaire en entrée du sous-ensemble diviseur B. Ce sous-ensemble diviseur B est connecté au sous-ensemble de polarisation A en trois noeuds Al, A2 et A3, le noeud A3 étant lui-même relié à une sortie 12 du module de contrôle 11. Une sortie 6 du sous-ensemble diviseur B est reliée à une entrée 7 du module translateur 4 dont une sortie 8 est reliée à une entrée 9 du circuit de sortie 2. Une sortie 10 du circuit de sortie 2 constitue la sortie du dispositif de délivrance d'un signal d'horloge selon l'invention. Le signal de commande du circuit de sortie 2 est donc fourni par le circuit adaptateur 1 de la façon suivante : à partir d'un signal de sortie d'un oscillateur, le module diviseur 3 délivre un signal de rapport cyclique 1/2 dont l'amplitude est fixée par le module de contrôle 11. Puis le module translateur 4 adapte le niveau et éventuellement l'amplitude de ce signal pour obtenir le signal de commande désiré. D'après la figure 4, un exemple d'un module de contrôle 11 d'un dispositif selon l'invention comporte un miroir de courant M18 dont l'entrée E19 est reliée au collecteur d'un transistor T20. L'émetteur de ce transistor T20 est relié à une première borne d'une résistance R21, dite résistance témoin, et sa base est reliée d'une part à la base et d'autre part au collecteur d'un transistor T22. Le collecteur de ce transistor T22 est relié d'une part à la sortie S23 du miroir de courant M18 et d'autre part, part l'intermédiaire d'une résistance R24, dite résistance d'amorçage, à la borne de tension d'alimentation Vcc. L'émetteur du transistor T22 est relié à la base d'un premier transistor T25 d'une succession de trois transistors T25, T26 et T27 montés en série et connectés en diodes, l'émetteur du transistor T27 étant relié à la masse. Une seconde borne de la résistance témoin R21 est reliée au collecteur d'un transistor T28, dit transistor témoin, dont l'émetteur est relié à la masse et dont la base constitue la sortie 12 du module de contrôle 11. Enfin, un transistor T29 est connecté, par son collecteur, à la borne de tension d'alimentation Vcc. Sa base est reliée au collecteur du transistor témoin T28, et son émetteur est relié d'une part à la base du transistor témoin T28 et d'autre part à la masse par l'intermédiaire d'une résistance R30. Ainsi, la tension seuil de la jonction base-émetteur du transistor T27 est recopiée aux bornes de la résistance témoin R21 3≈+ R21.i = R21.i = où m représente la tension base-émetteur d'une jonction, et i est le courant, dit courant d'asservissement, qui traverse la résistance témoin R21. Ce courant i est délivré sur le collecteur du transistor témoin T28 dont la base est commandée par le transistor T29. La sortie 12 du module de contrôle 11 est destinée à être connectée aux bases de transistors recopieurs du module diviseur 3 de telle sorte que ces transistors recopieurs recopient une certaine proportion du courant d'asservissement i. Cette proportion est déterminée par le rapport des géométries des transistors témoin et recopieurs. D'après la figure 5, un exemple d'un module diviseur 3 d'un dispositif selon l'invention comporte un sous-ensemble A de polarisation. Ce sous-ensemble A de polarisation comporte lui-même trois transistors recopieurs T31, T32 et T33 dont les bases sont reliées au noeud A3 lui-même relié à la sortie 12 du module de contrôle 11 et dont les émetteurs sont reliés à la masse. Le collecteur du transistor T31 est relié à l'émetteur d'un premier transistor T34 d'une succession de deux transistor T34 et T35 montés en série et connectés en diode, la base du transistor T35 étant reliée à la borne de tension d'alimentation Vcc. Les collecteurs des transistors T32 et T33 sont respectivement reliés aux émetteurs de deux transistors T36 et T37 dont les bases sont respectivement reliées aux émetteurs des transistors T35 et T34, et dont les collecteurs sont reliés à la borne de tension d'alimentation Vcc. Les émetteurs de ces transistors T36 et T37 constituent ainsi respectivement deux noeuds de référence Al et A2. Le sous-ensemble de polarisation A permet de fixer des potentiels de référence VA1 = Vcc - 2 et VA2 = Vcc - 3 aux noeuds Al et A2. D'après la figure 6, un exemple d'un module diviseur 3 d'un dispositif selon l'invention comporte également un sousensemble diviseur B. Ce sous-ensemble B comporte six cellules logiques ECL (pour Emitter Current Logic) référencées P4i à P46. Chacune des cellules P41 à P46 est composée de deux transistors T41a et T41b, T42a et T42b, T43a et T43b, T44a et T44b, T45a et T45b, T46a et T46b, reliés entre eux par leurs émetteurs. De plus, le sous-ensemble B comprend cinq transistors recopieurs T47, T48, T49, T50 et T51, dont les bases sont reliées au noeud A3 lui-même connecté à la sortie 12 du module de contrôle 11, et dont les émetteurs sont connectés à la masse. Le collecteur du transistor T47 est connecté aux émetteurs des transistors T41a et T41b. La base du transistor T41a constitue l'entrée 5 du module diviseur 3. Son collecteur est relié aux émetteurs des transistors T42a et T42b. La base du transistor T4ib est reliée au noeud de référence A2. Son collecteur est connecté aux émetteurs des transistors T43a et T43b. La base du transistor T42a est reliée au collecteur du transistor T49, constituant un noeud B1 de potentiel variable, et son collecteur est connecté à la borne de tension d'alimentation Vcc. La base du transistor T42b est reliée au noeud de référence Al. Son collecteur est relié d'une part au collecteur du transistor T43b, lui-même connecté à la borne de tension d'alimentation Vcc par l'intermédiaire d'une résistance R53, et d'autre part à la base d'un transistor T54 dont le collecteur est relié à la borne de tension d'alimentation Vcc et dont l'émetteur est relié au collecteur du transistor T48, constituant ainsi un noeud B2 de potentiel variable. La base du transistor T43a est reliée au noeud de potentiel variable B2, et son collecteur est relié à la borne de tension d'alimentation Vcc par l'intermédiaire d'une résistance R55. La base du transistor T43b est reliée au noeud de référence Al. De même, le collecteur du transistor T50 est connecté aux émetteurs des transistors T44a et T44b. La base du transistor T44b est reliée à l'entrée 5 du module diviseur 3, et son collecteur est relié aux émetteurs des transistors T46a et T46b. La base du transistor T44a est reliée au noeud de référence A2, et son collecteur est connecté aux émetteurs des transistors T45a et T45b. La base du transistor T45a est reliée au noeud de potentiel variable B2. Son collecteur est relié d'une part au collecteur du transistor T46a, lui-même relié à la borne de tension d'alimentation Vcc par l'intermédiaire d'une résistance R56, et d'autre part à la base d'un transistor T57 dont le collecteur est relié à la borne de tension d'alimentation Vcc, et dont l'émetteur est relié au noeud de potentiel variable B1. La base du transistor T45b est reliée au noeud de référence Al. Son collecteur est relié d'une part au collecteur du transistor T46b, lui-même connecté à la borne de tension d'alimentation Vcc par l'intermédiaire d'une résistance R58, et d'autre part à la base d'un transistor T59 dont le collecteur est relié à la borne de tension d'alimentation Vcc et dont l'émetteur est relié à la base du transistor T46a, et au collecteur du transistor T51. Le collecteur du transistor T46b constitue la sortie 6 du module diviseur 3. Le module diviseur 3 ainsi décrit est un diviseur par 2 classique bien connu de l'homme du métier. I1 est constitué d'une bascule D, en logique ECL, comportant un premier et un second éléments de mémoire maître-esclave, dits "latch" (P41, P42 et P43 d'une part, P44, P45 et P46 d'autre part), et délivrant sur la sortie 6 un signal dont l'amplitude est égale à 2. En effet, la géométrie des transistors recopieurs (T47, T48, T49, T50 et T51) étant double de celle du transistor témoin T28 du module de contrôle 11, l'intensité du courant qui est destiné à parcourir les résistances R53, R55, R56 et R58 est égale au double de celle du courant d'asservissement. Ces résistances ayant la même valeur que la résistance témoin R21 du module de contrôle 11, la chute de tension AU à leurs bornes est égale à Finalement, comme l'indique la figure 7, ce module diviseur 3 permet de changer l'état du signal S, délivré sur la sortie 6, pour chaque front descendant du signal E appliqué à l'entrée 5. Le signal ainsi obtenu a un rapport cyclique proche de 1/2, et une amplitude égale à Une amplitude quelconque multiple de la tension seuil de la jonction base-émetteur du transistor T27 pourrait être obtenue en faisant varier les rapports des géométries des transistors témoin T28 et recopieurs T47, T48, T49, T50 et T51 et/ou le rapport des valeurs des résistances R53, R55, R56 et R58, et de la résistance témoin R21. Ce module diviseur 3 fonctionne donc à une fréquence double de celle du circuit de sortie 2 du dispositif. L'utilisation de la logique ECL pour sa mise en oeuvre permet de ne pas limiter la fréquence maximum de travail du circuit de sortie 2 qui fonctionne en logique TTL. La figure 8 est un schéma représentant une première variante d'un module translateur 4 permettant d'adapter le niveau du signal délivré sur la sortie 6 du module diviseur 3 pour obtenir le signal de commande du circuit de sortie 2. Ce module translateur 4 comporte deux branches B61 et B62 comprenant respectivement un transistor T63 et un transistor T64 dont les collecteurs sont reliés à la borne de tension d'alimentation Vcc et dont les émetteurs sont respectivement reliés aux premières bornes d'une résistance R65 et d'une résistance R66 de même valeurs. Le transistor T64 est connecté en diode, et la base du transistor T63 constitue l'entrée 7 du module translateur 4. Les secondes bornes des résistances R65 et R66 sont respectivement reliées à l'entrée et la sortie d'un miroir de courant M68. La sortie de ce miroir de courant M68 constitue la sortie 8 du module translateur 4. Le miroir de courant M68 impose que le même courant i circule dans les branches B61 et B62 du module translateur 4. La relation suivante est donc vérifiée AU + ≈+ R.i + = U' + R.i | + P donc AU' = AU + où R est la valeur des résistances R65 et R66, AU est le signal disponible sur la sortie 6 du module diviseur 3, et AU' est le signal disponible sur la sortie 8 du module translateur 4. Ainsi le signal obtenu en sortie est décalé de la tension seuil d'une jonction base-émetteur par rapport au signal délivré par le module diviseur 3. Dans le cas où le module diviseur 3 utilisé est tel que celui décrit sur les figures 5 et 6, le signal AU' est égal à Ce module translateur 4 pourrait, dans une autre variante, non représentée, comporter une troisième branche parallèle et identique à la branche B62, de telle sorte qu'il dispose de deux sorties distinctes. La figure 9 est un schéma représentant une seconde variante d'un module translateur 4 permettant d'adapter le niveau du signal délivré sur la sortie 6 du module diviseur 3 pour obtenir le signal de commande du circuit de sortie 2. Ce module translateur 4 comporte trois branches B71, B72 et B73 comprenant respectivement un transistor T74, T75 et T76 dont les collecteurs sont reliés à la borne de tension d'alimentation Vcc. Les bases des transistors T74 et T75 sont reliées entre elles et constituent une première entrée 7a du module translateur 4 sur laquelle est appliquée le signal AU issu du module diviseur 3. La base du transistor T76 constitue une seconde entrée 7b du module translateur 4 sur laquelle est appliquée l'inverse logique ZNU du signal AU issu du module diviseur 3. Les émetteurs des transistors T74, T75 et T76 sont respectivement reliés aux premières bornes de trois résistances R79, R80 et R81, de mêmes valeurs. La résistance R80 est en fait constituée d'un pont de deux résistances R801 et R802. Une de ses extrémités est reliée à l'émetteur du transistor T75; la seconde est reliée à une première sortie d'un miroir de courant M82, constituant une première sortie 8b du module translateur 4. Le point milieu de ce pont de résitances R80 est relié à une borne 103. La seconde borne de la résistance R79 est reliée à une seconde sortie du miroir de courant M82, constituant ainsi une seconde sortie 8a du module translateur 4. La seconde borne de la résistance R81 est reliée à la base d'un transistor T85 monté en diode dont l'émetteur est relié à l'entrée du miroir de courant M82. Le miroir de courant M82 impose que le même courant i circule dans les branches B71, B72 et B73 du module translateur 4. La relation suivante est donc vérifiée AU + + R.i + AU' = ZKU + ç + R.i + 2 donc AU' = ZiU - AU + 2 où R est la valeur des résistances R79, R80 et R81, AU est le signal disponible sur la sortie 6 du module diviseur 3, ZIU est l'inverse logique du signal disponible sur la sortie 6 du module diviseur 3, et AU' est le signal disponible sur les sorties 8a et 8b du module translateur 4. Dans le cas où les géométries des transistors témoin et recopieurs, et les valeurs de la résistance témoin et de la résistance de sortie du module de contrôle 11 et du module diviseur 3 sont telles que l'amplitude du signal délivré sur la sortie 6 du module diviseur 3 soit égale à , le signal AU' est égal à Ainsi le signal obtenu en sortie est décalé de la tension seuil d'une jonction base-émetteur par rapport au signal délivré sur la sortie 6 du module diviseur 3, et il est amplifié de façon à obtenir le signal de commande du circuit de sortie 2. Le module translateur 4 décrit sur cette figure comporte trois branches, la branche B72 étant identique et parallèle à la branche B71 de telle sorte que le module dispose de deux sorties distinctes 8a et 8b. Cette variante est nécessaire dans le cas où le circuit de sortie 2 dispose de deux transistors de commande dissociés comme il est décrit sur la figure 10. Dans le cas contraire, une seule de ces deux branches est nécessaire. D'après la figure 10, un circuit de sortie 2 d'un dispositif selon l'invention comporte un premier transistor de commande T13a, correspondant à un montage "Darlington" composé de deux transistors T91 et T92, et d'une résistance R93. La base du transistor T91 constitue une première entrée 9a du circuit de sortie 2, destinée à être reliée à la sortie 8a du module translateur 4 décrit sur la figure 9. Son collecteur est relié à la borne de tension d'alimentation Vcc, et son émetteur est connecté d'une part à la masse par l'intermédiaire de la résistance R93, et d'autre part à la base du transistor T92 dont l'émetteur est relié à la masse. Le collecteur du transistor T92 est relié d'une part à la borne de tension d'alimentation Vcc par l'intermédiaire d'un pont R95 formé de deux résistances R951 et R952, et d'autre part à la base du premier transistor de sortie T15. Le circuit de sortie 2 comporte également un second transistor de commande T13b dont la base constitue une seconde entrée 9b du circuit de sortie 2, et dont l'émetteur est relié d'une part à la masse par l'intermédiaire d'une résistance R98, et figure 10, le transistor T92 n'a pas de résistance émetteur et dispose donc d'un gain important. Ce gain est indépendant de la valeur de la résistance R98 qui est donc choisie de façon à assurer un courant de commande suffisant pour le second transistor de sortie T17. De plus, la capacité d'accélération C99 réalise une réaction positive permettant d'améliorer la commutation : lorsque l'amplitude du signal disponible sur la sortie 10 du dispositif augmente, la capacité d'accélération C99 entraîne le point milieu du pont de résistances R95, qui entraîne lui-même le potentiel de base du transistor T15. Ainsi, quelque soit la charge, les fronts obtenus sont raides. De plus, le potentiel maximum disponible sur la sortie 10 atteind alors le potentiel délivré par la borne de tension d'alimentation Vcc à quelques dixièmes de volt près. Enfin, la diode D100 d'une part et les diodes D101 et D102 d'autre part permettent d'éviter la saturation des transistors T92 et T17. La diode D100 limite la tension entre le collecteur et l'émetteur du transistor T92 à une valeur minimale égale à la tension seuil d'une jonction base-émetteur. Cette tension qui est de l'ordre de 0,7V est bien supérieure à la tension de saturation du transistor T92. De même, les diodes D101 et D102 limitent la tension entre le collecteur et l'émetteur du transistor T17 à une valeur minimale qui est proche de tension prise aux bornes de la résistance R802 du module translateur 4 décrit sur la figure 9. Cette tension minimale est choisie légèrement supérieure à la tension de saturation du transistor T17, de l'ordre de lOOmV par exemple. I1 va de soi que des modifications peuvent être apportées aux modes de réalisations qui viennent d'être décrits, notamment par substitution de moyens techniques équivalents, sans que l'on sorte pour cela du cadre de la présente invention. REVENDICATIONS 1. Dispositif délivrant un signal d'horloge et comportant en série - un circuit adaptateur (1) qui comporte un module diviseur (3) et un module translateur (4), et qui fournit une tension de commande de rapport cyclique 1/2 à l'entrée (9) d'un circuit de sortie (2), - ce circuit de sortie (2) comportant un transistor de commande (T13) sur la base duquel est appliquée la tension de commande et qui active alternativement, en fonction du niveau du signal de commande par rapport à un niveau dit niveau de commutation du transistor de commande, au moins un premier et un second transistors de sortie (T15, T17), le premier chargeant et le second déchargeant une charge de sortie à dominante capacitive, caractérisé en ce que le circuit adaptateur (1) comporte un module de contrôle (11) qui injecte, dans une résistance de sortie (R58) du module diviseur (3), un courant destiné à créer à ses bornes une chute de potentiel égale à un multiple de tension de seuil de jonction base-émetteur tel que la valeur moyenne du signal de commande soit égale au même multiple de tension de seuil de jonction base-émetteur que le niveau de commutation du transistor de commande (T13). 2. Dispositif selon la revendication 1, caractérisé en ce que le module de contrôle (11) comporte des moyens pour copier, aux bornes d'une résistance (R21) dite résistance témoin, une tension prise sur au moins une jonction base-émetteur (T27), le courant dit courant d'asservissement qui traverse alors la résistance témoin (R21) étant délivré sur le collecteur d'un transistor (T28) dit transistor témoin dont la base est reliée à la base d'au moins un transistor (T50) dit transistor recopieur du module diviseur (3), et dont l'émetteur est relié d'une part à une masse et d'autre part à l'émetteur du transistor recopieur (T5O), de telle sorte que le courant collecteur du transistor recopieur (T50), qui est égal à un multiple du courant d'asservissement, soit injecté dans la résistance de sortie (R58) du module diviseur (3). 3. Dispositif selon l'une des revendications 1 ou 2, caractérisé en ce que le module translateur (4) comporte au moins une première et une seconde branches (B62, B61) comprenant respectivement un premier et un second transistors (T64, T63) dont les collecteurs sont reliés à une borne de tension d'alimentation (Vcc) et dont les émetteurs sont respectivement connectés aux premières bornes d'une première et d'une seconde résistances (R66, R65) de même valeurs, le premier transistor (T64) étant monté en diode et le second transistor (T63) recevant sur sa base le signal issu du module diviseur (3), la seconde borne de la première résistance (R66) constituant une sortie (8) du circuit translateur (4) et étant reliée à la sortie d'un miroir de courant (M68) dont l'entrée est reliée à la seconde borne de la seconde résistance (R65). 4. Dispositif selon l'une des revendications 1 ou 2, caractérisé en ce que le module translateur (4) comporte au moins une première et une seconde branches (B71, B73) comprenant respectivement un premier et un second transistors (T74, T76) dont les collecteurs sont reliés à une borne de tension d'alimentation (Vcc), dont les bases constituent respectivement une première et une seconde entrées (7a, 7b) du circuit translateur (4), sur lesquelles sont respectivement appliqués d'une part le signal issu du module diviseur (3) et d'autre part son inverse, et dont les émetteurs sont respectivement reliés aux premières bornes d'une première et d'une seconde résistances (R79, R81) de même valeurs, la seconde borne de la première résistance (R79) constituant une sortie (8a) du circuit translateur (4) et étant reliée à la sortie d'un miroir de courant (M82), et la seconde borne de la seconde résistance (R81) étant reliée à la base d'un troisième transistor (T85) monté en diode dont l'émetteur est relié à l'entrée du miroir de courant (M82). 5. Dispositif selon l'une des revendications 3 ou 4, caractérisé en ce que le module translateur (4) dispose d'une seconde sortie (8b) prise sur une troisième branche (B72), parallèle et identique à la première (B71), et en ce que le circuit de sortie (2) comporte un premier et un second transistors de commande (T13a, T13b) sur les bases desquels sont respectivement appliquées les deux sorties (8a, 8b) du module translateur (4), et qui activent respectivement le premier et le second transistors de sortie (T15, T17). 6. Dispositif selon l'une des revendications 1 à 5, caractérisé en ce que, l'émetteur du premier transistor de sortie (T15) du circuit de sortie (2) est relié par l'intermédiaire d'une capacité d'accélération (C99) au point milieu d'un pont de résistances (R95) dont une première extrémité est reliée à une borne de tension d'alimentation (Vcc) et dont une seconde extrémité est reliée à la base du premier transistor de sortie (T15). 7. Dispositif selon la revendication 5, caractérisé en ce que le premier transistor de commande (T92) et le second transistor de sortie (T17) du circuit de sortie (2) sont respectivement protégés par un premier (D100) et un second (D101, D102) modules d' anti-saturation.