FR 2677841 A1 19921218 FR 9107138 A 19910612 Réacteur pour dépôt plasma en phase gazeuse de composés inorganiques sur un substrat polymère La présente invention concerne un réacteur pour dépôt plasma en phase gazeuse de composés inorganiques, notamment à base de silicium, sur un substrat polymère, notamment optique du type comprenant une enceinte étanche dans laquelle est disposé un support de substrat, un tube à plasma à onde de surface, ayant une extrémité s'étendant dans l'enceinte, à l'aplomb du support de substrat, le tube étant connectable à au moins une source de gaz plasmagène, typiquement et/ou d'un ou plusieurs gaz vecteurs d'azote, d'oxygène ou de carbone, et étant associé à des moyens d'excitation de ces gaz, et des moyens d'injection d'au moins un gaz précurseur du composé inorganique disposés entre l'extrémité du tube et le support de substrat. Un tel réacteur, du type à injection de précurseur de silicium en post-décharge, est décrit dans le document FR-A-2.614.317, au nom de la Demanderesse. Le réacteur décrit dans ce document convient tout particulièrement pour le dépôt à basse température de composés siliciés de protection et/ou de filtrage sur un substrat polymère optique, notamment en polycarbonate, pour la réalisation d'éléments optiques à hautes performances, mais ne permet pas d'effectuer des dépôts rapides et homogènes sur des surfaces de substrat importantes, ni de contrôler aisément la microstructure et le niveau de contrainte intrinsèque des couches. La présente invention a pour objet de proposer un réacteur du type défini ci-dessus d'utilisation souple et aisément contrôlable, qui soit permette d'effectuer des dépôts sensiblement homogènes sur des substrats de plus grandes dimensions et avec des vitesses de dépôt accrues, pouvant atteindre 0,2 ym par minute, ainsi qu'un contrôle indépendant de la microstructure des couches et de leurs contraintes x intrinsèques. Pour ce faire, selon une caractéristique de l'invention, l'extrémité du tube à plasma s'étendant dans l'enceinte présente un profil s'évasant progressivement et présentant une surface d'ouverture terminale au moins égale à celle de la zone de substrat à revêtir. Selon une autre caractéristique de l'invention, les moyens d'injection comportent une pluralité d'orifices d'injection dirigés vers le support de substrat et situés sensiblement dans un plan s'étendant parallèlement à l'ouverture terminale de la colonne, à une faible distance de celle-ci, n'excédant pas 15 millimètres, typiquement moins de 10 millimètres, les orifices d'injection étant de préférence sensiblement régulièrement répartis à l'aplomb du support de substrat. Selon une autre caractéristique plus particulière de l'invention, le porte-substrat est relié à un générateur électrique radio-fréquence. Avec un tel agencement, on obtient un plasma de diffusion notablement élargi et demeurant homogène radialement à une faible distance du support de substrat où s' effectue l'injection des précurseurs du dépôt, le bombardement ionique du substrat étant modulé aisément et indépendamment de la création des précurseurs par autopolarisation du substrat sous l'effet du champ radiofréquence, qui permet de réaliser une polarisation relativement uniforme de la surface du substrat, même quand elle est de forme gauche. D'autres caractéristiques et avantages de la présente invention ressortiront de la description suivante d'un mode de réalisation, donné à titre illustratif mais nullement limitatif, faite en relation avec les dessins annexés, sur lesquels - la figure 1 représente schématiquement en coupe verticale un réacteur selon l'invention, - La figure 2 est une vue en plan de l'injecteur de la figure I - La figure 3 est une vue analogue à la figure I montrant une variante d'injecteur ; et, - La figure 4 est une vue analogue à la figure 2 de l'injecteur de la figure 3. Dans les modes de réalisation représentés, le réacteur comprend une enceinte cylindrique 1 ouverte à son extrémité supérieure et dans le fond 2 de laquelle est montée une canalisation d'évacuation 3 reliée à une pompe à vide 4. Dans l'enceinte est montée centralement, à distance du fond 2, un support de substrat métallique 5 pour un substrat 6 à revêtir, en l'occurrence dans l'exemple représenté, un "verre" correcteur de lunette en polycarbonate ou en polyallyldiglycolcarbonate (CR 39). Sur le bord de l'ouverture supérieure de l'enceinte 1 est monté, avec interposition d'un joint d'étanchéité 7, un flasque annulaire métallique 8 supportant, par une canalisation métallique d'amenée de gaz 9 le traversant de façon étanche, une structure métallique d'injecteur généralement désignée par la référence 10. Sur le flasque 8 est monté, avec interposition d'un joint d'étanchéité 11, une cloche 12 comportant une partie tubulaire supérieure 13 dans laquelle est montée, par une soudure 14, une prolongation 15 d'un tube à plasma dont l'extrémité inférieure s'évase progressivement pour former un entonnoir inversé 16 dont la surface d'ouverture terminale inférieure s'étend parallèlement au support de substrat 5 et a une surface au moins égale, typiquement supérieure à celle de la zone du substrat 6 à revêtir. La cloche 12 et la prolongation de tube 15 sont avantageusement réalisées en quartz. L'extrémité supérieure du tube 15, au-dessus de la cloche 12, est associée à un guide d'ondes rectangulaire transversal 17, couplé à un générateur à micro-ondes 18 et à un guide tubulaire coaxial 19 dans un agencement d'application dit Surfatron/Surfaguide entretenant un plasma à ondes de surface à l'intérieur du tube 15, lequel est alimenté, à son extrémité supérieure, par, un gaz plasmagène et/ou un ou plusieurs gaz vecteurs d'oxygène, d'azote ou de carbone provenant de réservoirs 20', 20 à travers un système classique de détente, de distribution et de contrôle des débits. De façon classique, le guide tubulaire 19 comporte un piston d'accord annulaire 21 et le guide rectangulaire 17, un piston de court-circuit accordable 22, les deux pistons 21 ou 22 étant mobiles manuellement ou, de préférence, par télécommande. La structure d'injecteur 10 doit permettre de répartir uniformément le débit de gaz vecteur de silicium dans une section perpendiculaire à l'axe du réacteur de façon à assurer une création uniforme des précurseurs de dépôt. L'injection est donc réalisée de manière délocalisée dans un plan horizontal coupant le flux de gaz plasmagène et d'oxygène et/ou d'azote, en pertubant le moins possible l'écoulement de ce dernier. Diverses solutions remplissant cette condition existent. Le document US-A-4.692.343 décrit un dispositif de pénétration des gaz comprenant des tronçons tubulaires radiaux ayant des ouvertures sur une partie tournée du côté opposé à celui du substrat. Il est précisé que ces tronçons tubulaires peuvent n'avoir pas tous la même longueur. Le contexte de cette application est cependant très différent du cas présent.La totalité des gaz de procédé sont en particulier injectés par ce dispositif, tandis qu'un plasma radiofréquence est créé dans une chambre séparée à l'opposé du substrat. Ce plasma n'intervient d'ailleurs pas dans le procédé de dépôt qui est purement thermique, mais sert seulement à amorcer la nucléation des couches. Les détails de conception du dispositif, devant conduire à une répartition spatiale la plus uniforme possible des pressions partielles de réactants dans la chambre, ne sont pas précisés. En particulier, aucune mention n'est faite de l'importance du diamètre des tronçons tubulaires aussi bien que des ouvertures pour la maîtrise des écoulements gazeux. De même, l'existence de chambres tampons, destinées à réaliser un quasi-équilibre de pression en amont des tronçons tubulaires, n'est pas précisée. Le document FR-A-2.614.317 sus-mentionné décrit un injecteur torique dont la paroi est percée d'une pluralité d'orifices de 1 à 2mm de diamètre. L'alimentation en gaz s'effectue par un seul point de la circonférence du tore. Avec ce dispositif, on observe une forte inhomogénéité d'épaisseur et de composition de la couche déposée dès lors que les dimensions transversales de l'échantillon dépassent 5 cm. Ceci est dû à une variation importante des flux gazeux injectés entre les différents orifices, sous l'effet des pertes de charge. Pour s'en affranchir, il est souhaitable que le gaz vecteur se trouve en quasi équilibre de pression en avant des orifices. Ceci est possible si l'on prévoit d'une part un volume tampon suffisant juste en amont des orifices, et si ceux-ci sont calibrés à un diamètre suffisamment faible. Dans ce cas, tous les orifices injecteront des flux de gaz égaux dans l'enceinte. Un perfectionnement du dispositif décrit dans US 4.692.343 consiste donc, comme représenté sur les figures 1 et 2, à prévoir une structure d'injecteur avec, dans un support annulaire métallique 23, 26, une ou plusieurs chambres-tampon 24, 25 mettant en communication les moyens d'alimentation en gaz vecteur 9 et une série de tronçons tubulaires métalliques 27, s'étendant radialement vers l'intérieur à partir du support 26 et pourvus chacun de plusieurs orifices d'éjection 28. Ces chambres peuvent, quoique non exclusivement, être de forme tonique, suivant la circonférence de la chambre de dépôt. Plusieurs chambres toriques deux par exemple, peuvent être superposées, leurs volumes intérieurs se trouvant en communication. Cependant, on peut se passer de ces chambres toujours dans le cas où les tronçons tubulaires peuvent jouer eux-mêmes ce rôle en étant dimensionnés de manière suffisamment volumineuse. Il y a lieu toutefois de s'assurer dans ce cas que la structure de tubes ne pertube pas l'écoulement du gaz excité en provenance du tube à onde de surface. Les orifices 28 débouchent préférablement face au porte substrat. Un autre mode de réalisation, représenté sur les figures 3 et 4, comporte plusieurs anneaux tubulaires métalliques toriques, de préférence trois au moins (40, 41, 42,), centrés sur l'axe de symétrie de l'enceinte et percés d'orifices d'éjection 46 faisant face au porte-substrat. Les volumes intérieurs de ces anneaux communiquent entre eux par un petit nombre de tubes radiaux sensiblement de même diamètre 43, 44, 45 et l'anneau externe 42 est relié aux moyens d'alimentation en gaz vecteur de silicium 26,9. De même que dans le cas précédent, les anneaux toriques peuvent jouer eux-mêmes le rôle de chambre tampon, à moins que des chambres séparées ne soient prévues, comme précédemment (24, 25). Selon un aspect de l'invention, la distance entre le plan des orifices d'injection 28, 46 et la surface d'ouverture du pavillon 16 est inférieure ou égale à 1 centimètre, la distance par rapport au substrat 6 n'excédant pas 3 centimètres. Cet agencement permet d'obtenir une concentration élevée d'espèces excitées au niveau de la surface du film en cours de croissance, permettant d'améliorer la qualité de la microstructure de ce dernier en suppléant à l'absence d'énergie thermique pour assister le réarrangement des atomes condensés sur la surface. Ces espèces excitées sont des états énergétiques métastables atomiques ou moléculaires dont la durée de vie est très supérieure à celle des ions, mais telle que leur nombre devient très rapidement négligeable si le porte-substrat est éloigné de l'excitation plasma sensiblement au-delà de la distance prescrite. Dans ce dernier cas, les couches déposées sont de médiocres qualité, avec un aspect diffus, une adhésion et une résistance à l'abrasion faibles. La densité ionique du plasma micro-ondes décroît très rapidement (quasi exponentiellement) dès la terminaison de l'entonnoir inversé 16. Au niveau du porte-substrats, cette densité est faible sinon négligeable. Lorsqu'aucune tension RF n'est appliquée au porte-substrats, le potentiel flottant qui en résulte sur ce dernier est nettement insuffisant pour induire un bombardement ionique d'effet notable sur la microstructure de la couche déposée. Comme on le voit sur les dessins, le support de substrat 5 présente une forme de caisson définissant une cavité interne 29 alimentée en fluide de refroidissement, par exemple de l'eau, par une canalisation de distribution 30, le retour du fluide de refroidissement s'effectuant par une tubulure 31. La structure métallique du support de substrat 5 est reliée à un générateur radio-fréquence de polarisation 32 via un circuit 33 d'accord automatique d'impédance. Le générateur RF 32 et le générateur micro-ondes 18 sont avantageusement reliés électriquement à une unité de synchronisation et de commande 34 (non représentée). Le support de substrat 5 comporte, à sa partie supérieure, une sonde thermocouple 35 pour le suivi grossier de l'évolution de sa température.Selon une caractéristique particulière de l'invention, pour réaliser une polarisation relativement uniforme de la surface du substrat 6, lorsque celui-ci est de forme gauche, on prévoit de rapporter sur le support de substrat 5 une empreinte métallique amovible 36 épousant la forme du substrat 6 à revêtir et assurant les contacts électrique et thermique entre le substrat 6 et le support de substrat 5. Selon un aspect de l'invention, pour satisfaire aux spécifications sévères imporées par les cahiers des charges des utilisateurs finaux, les films constituant les revêtements doivent être déposés avec un contrôle précis de leur microstructure et de leurs contraintes intrinsèques. C'est le cas en particulier pour la couche structurelle dure de nitrure de silicium, qui sera déposée invariablement en présence de polarisation radiofréquence. Dans les conditions selon l'invention, l'effet du champ radiofréquence est d'initier un second plasma entre le support 5 du substrat 6 et la nappe de tubes (27, 40-42) de la structure d'injecteur, cette dernière se comportant sensiblement, du point de vue électrique, comme une électrode pleine. Ce plasma radiofréquence fournit donc une partie des espèces chargées responsables de l'effet d'autopolarisation du support de substrat, mais cet effet est également influencé par le plasma micro-onde qui injecte une quantité notable de particules chargées entre les électrodes RF. La contribution du plasma RF à la génération de précurseurs du dépôt est négligeable par rapport à celle du plasma micro-ondes. De plus, la vitesse de dépôt est réglée essentiellement par le flux entrant de gaz précurseur de silicium, et il est possible de varier légèrement la localisation de la limite de la zone luminescente dans le tube plasma à onde de surface, en agissant sur la puissance micro-onde incidente et les conditions d'accord, sans changer considérablement le taux de croissance de la couche. Du fait de la variation très rapide de la densité de charge dans le plasma micro-onde en dehors de la structure à onde de surface 15, 16, il est ainsi possible de moduler notablement le flux de charges injectées entre les électrodes RF par le plasma micro-ondes. En jouant d'autre part sur la puissance fournie par le générateur RF, on peut régler le courant et l'énergie des ions bombardant la surface du substrat relativement indépendamment de la génération de précurseurs de dépôt. L'exploitation pratique de ces possibilités implique que soient bien maîtrisées la stabilité et la reproductibilité des deux plasmas. Il est en ce sens avantageux de disposer d'un diagnostic optique du plasma microonde par spectroscopie d'émission, portant sur des raies reconnues comme significatives, afin de s'affranchir des problèmes de réglage des paramètres externes, puissance micro-onde incidente et position des pistons d'accord 21 et 22. La reproductibilité du plasma micro-ondes étant ainsi assurée, il reste à établir celle des conditions de polarisation du substrat. Le générateur RF 32 et son accord automatique d'impédance délivrent au plasma RF une puissance constante WRF. En particulier, si les caractéristiques électriques du circuit de polarisation dérivent au cours du temps, les grandeurs significatives du bombardement ionique, à savoir le flux d'ions arrivant sur le substrat et leur énergie, varieront corrélativement de manière généralement indésirable. C'est le cas en particulier lorsque le matériau isolant de dépôt se dépose sur les surfaces initialement nues du support de substrat. Pour s'affranchir de cet inconvénient, selon un aspect de l'invention, la surface libre du support de substrat, autour du substrat 6 et sur ses faces latérales, est avantageusement recouverte d'une couche 37 de diélectrique de forte épaisseur résistant au bombardement ionique, par exemple en céramique. De la sorte l'épaisseur additionnelle de diélectrique générée au cours d'un dépôt est faible en valeur relative et n'influe plus sur les paramètres de polarisation. D'autre part, la puissance WRF est lue généralement sur un wattmètre intégré au générateur 32 et peu précis.Il apparaît plus avantageux, toutes choses égales par ailleurs, de se baser sur la valeur VDC de la tension continue apparaissant entre la partie métallique 35 du support de substrat et la masse. De même pour contrôler plus efficacement le plasma RF, on peut adjoindre au faisceau de tubes 27 des tiges conductrices additionnelles, mais on prévoira de préférence une électrode de référence indépendante sous la forme d'une grille métallique 38 interposée entre le support de substrat et le plan des orifices d'injection 28, 46, à faible distance (5 à 15 mm) de ce dernier et reliée à la masse en étant supportée par la structure annulaire 26. Cette disposition présente l'avantage de confiner le plasma RF à distance de l'injecteur, évitant que ce dernier ne soit recouvert par des dépôts riches en composés siliciés partiellement conducteurs, obligeant à de fréquents nettoyages. Pour le dépôt de couches de protection et de filtrage sur un substrat optique 6, le gaz précurseur injecté par les orifices 28 est typiquement du silane emmagasiné dans un réservoir 39 auquel sont adjoints des équipements appropriés pour la détente, la distribution et le contrôle de débit d'un gaz pyrophonique. Le gaz plasmagène est avantageusement de l'argon emmagasiné dans le réservoir 20. L'addition d'argon au gaz vecteur d'oxygène, d'azote ou de carbone permet d'ajuster la zone luminescente du plasma avec une souplesse suffisante en jouant sur la puissance incidente et permet d'augmenter la vitesse de pompage. On donnera maintenant, à titre d'exemple, un mode de mise en oeuvre du dispositif pour l'obtention de dépôts à base de silicium sur un substrat 6 en polycarbonate. Le gaz plasmagène est de l'argon auquel est mélangé, selon le cas, de l'oxygène, de l'azote, et/ou de l'ammoniaque pour la phase initiale du procédé, et le précurseur de silicium est le silane. Une fois le substrat positionné sur le support de substrat, on établit dans l'enceinte 1 un vide de conditionnement inférieur à 10-2 Pa, typiquement de l'ordre de 5 x 10 Pa. Le générateur micro-ondes 18 fonctionne à la fréquence standard de 2,45 GHz et à une puissance de l'ordre de quelques centaines de Watts; le générateur radio-fréquence 32 fonctionne typiquement à une fréquence de 13,56 MHz avec une puissance de quelques dizaines de Watts. On effectue tout d'abord une activation de la surface du substrat en deux étapes avec les paramètres suivants 1. débit : Ar : 85 sccm pression : 10 Pa puissance MW : 200 W 2. débit : Ar : 76,5 sccm NH3 : 8,5 sccm pression : 10 Pa puissance MW : 200 W On effectue ensuite le dépôt d'une couche d'adhésion a-Si:H avec les paramètres suivants débit : Ar : 17,0 sccm He : 5,0 sccm (injecté avec SiH4 en post décharge) pression : 14 Pa puissance MW : 200 W puis le dépôt d'une couche structurelle dure et transparente de silice avec les paramètres suivants débit : Ar : 125 sccm O2 : 15 sccm SiH4 : 6 > 5 sccm pression totale : 10 Pa puissance MW : 400 W On peut également déposer des couches de nitrure de silicium hydrogéné faiblement carburé avec les paramètres suivants débit :Ar : 125 cm3/mn 3 N : 15 cm /mn SiH4 : 4 à 5 sccm pression : 8 Pa puissance MW : 200 W Ces couches de nitrum sont impérativement déposées en présence de polarisation radiofréquence, avec VDC, selon le cas, de l'ordre de quelques dizaines de Volts. Dans tous les cas, les débits gazeux et la pression sont ajustés préalablement et le dépôt est initié par l'allumage du plasma micro-ondes en opérant de la manière suivante : les pistons d'accord 21, 22 sont d'abord positionnés, puis le générateur 18 est mis en marche et la puissance incidente est réglée à la valeur appropriée. Le plasma micro-ondes ne s initiant pas spontanément, il est amorcé à l'aide d'une électrode radio-fréquence auxiliaire disposée à l'extérieur du tube à plasma 13. Cette procédure est préférable à celle consistant à établir d'abord le plasma micro-ondes en l'absence de l'injection du gaz précurseur de silicium. En effet, compte-tenu du temps de stabilisation des régulateurs de débit massique, de la vitesse de dépôt caractéristique et des épaisseurs déposées, la valeur de consigne du débit n'est souvent pas atteinte au cours de l'étape considérée. Avec un tel agencement, on obtient des vitesses de croissance d'oxyde de silicium supérieures à 0,2 gm/minute, l'élévation de température du substrat demeurant suffisamment faible pour permettre un traitement de plus de 25 minutes d'affilée, ou plus en utilisant le refroidissement du support de substrat. Des résultats similaires sont obtenus dans le cas de nitrure de silicium. Le dispositif selon l'invention s'applique à la réalisation de dépôts selon les documents FR-A-2.614.317, FR-A-2.631.346 et de la demande de brevet français N" 90.05529, toutes au nom de la Demanderesse, dont le contenu est supposé intégré ici pour référence. L'agencement décrit permet d'obtenir une homogénéité radiale suffisante de la densité d'espèces excitées à la sortie du tube à plasma, de contrôler la distribution des concentrations et des temps de transit des espèces excitées, d'obtenir une répartition spatiale optimisée des flux de précurseurs gazeux injectés, et de contrôler de façon sensiblement indépendante le flux et l'énergie des ions bombardant la surface du substrat pour le contrôle de la microstructure et de la contrainte intrinsèque des films déposés. Quoique la présente invention ait été décrite en relation avec un mode de réalisation particulier, elle ne s'en trouve pas limitée mais est au contraire susceptible de modifications et de variantes qui apparaîtront à l'homme de l'art. REVENDICATIONS 1. Réacteur pour dépôt plasma en phase gazeuse de composés inorganiques sur un substrat polymère, comprenant : une enceinte étanche (1) dans laquelle est disposé un support de substrat (5) ; un tube plasma à onde de surface (13, 15) ayant une extrémité (15, 16) s'détendant dans l'enceinte à l'aplomb du support de substrat, le tube étant connectable à au moins une source de gaz plasmagène (20, 20') et étant associé à des moyens (18, 17) d'excitation du gaz plasmagène et des moyens (10) d'injection d'au moins un gaz précurseur du composé inorganique disposés entre l'extrémité du tube et le support de substrat, caractérisé en ce que l'extrémité du tube présente un profil (16) s'évasant progressivement et présentant une surface d'ouverture terminale au moins égale à celle de la zone de substrat (6) à revêtir. 2. Réacteur selon la revendication 1, caractérisé en ce que les moyens d'injection (10) comportent une pluralité d'orifices d'injection (28 ; 46) dirigés vers le support de substrat (5) et situés sensiblement dans un plan s'étendant parallèlement à l'ouverture terminale du tube plasma, à une distance de celle-ci n'excédant pas 15 millimètres. 3. Réacteur selon la revendication 2, caractérisé en ce que les orifices d'injection (28) sont sensiblement régulièrement répartis à l'aplomb du support de substrat (5), à une distance de celui-ci n'excédant pas 30 mm. 4. Réacteur selon la revendication 2 ou la revendication 3, caractérisé en ce que les orifices d'injection (28) sont formés par une structure métallique (27) et alimentés par au moins une chambre annulaire (25) disposée extérieurement par rapport à l'ouverture terminale de la colonne (15). 5. Réacteur selon l'une des revendications 1 à 4, caractérisé en ce que le support de substrat (5) est métallique et comporte des moyens de refroidissement (30, 31). 6. Réacteur selon la revendication 5, caractérisé en ce que le support de substrat (5) comporte une empreinte métallique interchangeable (36) adaptée au profil du substrat (6) à revêtir. 7. Réacteur selon la revendication 5 ou la revendication 6, caractérisé en ce que le support de substrat (5) est relié électriquement à un générateur radio-fréquence (32). 8. Réacteur selon la revendication 4 et la revendication 7, caractérisé en ce qu'il comporte une grille métallique (38) interposée entre la structure métallique d'injection (27) et le support de substrat (5). 9. Réacteur selon la revendication 7 ou la revendication 8, caractérisé en ce que le support de substrat (5) a des dimensions transversales supérieures à celles du substrat (6), les surfaces du support de substrat non recouvertes par le substrat étant recouvertes d'un revêtement en matériau céramique (37). 10. Réacteur selon l'une des revendications précédentes, caractérisé en ce que le tube à plasma à onde de surface comporte, au-dessus de l'extrémité évasée (16), une partie en forme de cloche (12) montée de façon étanche sur l'enceinte (1). 11. Réacteur selon la revendication 10, caractérisé en ce que l'enceinte (1) comporte une ouverture d'accès supérieure, la partie en forme de cloche (12) étant supportée par un flasque annulaire (8) monté de façon étanche sur l'ouverture d'accès. 12. Réacteur selon la revendication 11, caractérisé en ce que les moyens d'injection (10) sont supportés par le flasque annulaire (8). 13. Réacteur selon l'une des revendications précédentes, caractérisé en ce que les moyens d'excitation du gaz plasmagène comprennent un générateur micro-ondes (18). 14. Réacteur selon l'une des revendications précédentes, caractérisé en ce que le gaz plasmagène contient de l'argon.