FR 2690026 A1 19931015 FR 9211892 A 19921007 "Dispositif de mémoire destiné à supprimer le bruit produit entre des lignes de signaux" La présente invention concerne un dispositif de mémoire à semi-conducteurs et, plus particulière- ment, un procédé de câblage de chaque ligne de signal d'un circuit périphérique d'un bloc de réseau de mé- moire dans une puce de semi-conducteurs. Un circuit périphérique d'un bloc de réseau de mémoire d'un dispositif de mémoire à semi- conducteurs, comporte un certain nombre de lignes de signaux telles qu'un bus de données et un bus de com- mande transportant respectivement un signal de données et un signal de commande, de sorte qu'on a produit des interférences mutuelles entre les lignes de signaux. Dans le cas par exemple o un signal présentant un ni- veau de tension irrégulier tel qu'un niveau de signal TTL (TransistorTransistor Logique), est appliqué au circuit périphérique, l'interférence est beaucoup trop importante pour qu'on obtienne un fonctionnement nor- mal du circuit périphérique, ce qui constitue donc l'un des facteurs de dégradation de la fiabilité dans un dispositif de mémoire à semi-conducteurs à intégra- tion élevée. La figure 1 est un schéma représentant un procédé de câblage classique de lignes de signaux Le procédé de câblage des lignes de signaux représenté à la figure 1 est bien connu de la technique, et les li- gnes de signaux constituées par des lignes métalliques ou en polysilicium, etc, sont placées dans une dispo- sition parallèle, croisée, ou d'empilement les unes sur les autres Cependant, comme chaque ligne de si- gnal est placée au voisinage des autres sans blindage, du bruit apparaît dans chaque ligne de signal du fait de la résistance spécifique et de la capacité de cou- plage de cette ligne de signal Le bruit a une in- fluence sur la ligne de signal adjacente, ce qui pro- voque ainsi un défaut de fonctionnement de la puce. Par exemple, lorsqu'une ligne de signal quelconque ef- fectue une opération de basculement pour passer d'un état logique "haut" à un état logique "bas", ou d'un état logique "bas" à un état logique "haut", comme une ligne de signal adjacente à celle-ci ne se maintient pas dans un état précédent, il se produit un phénomène tel qu'un phénomène d'étincelle produisant une impul- sion d'onde momentanée, de sorte que la puce risque alors de présenter un défaut de fonctionnement. La figure 2 A est un schéma électrique repré- sentant la modélisation de la ligne de signal de la figure 1 La figure 2 B est un schéma partiel, plus dé- taillé, de la figure 2 A, et la figure 2 C est un schéma électrique équivalent à celui de la figure 2 B L'in- fluence du bruit sur une ligne de signal adjacente, dans la construction de la figure 1, sera exprimée en se référant aux figures 2 B et 2 C Les conditions ini- tiales sont les suivantes 1 Si l'on suppose que l'épaisseur d d'un diélectrique compris entre le substrat et le conduc- teur A, est la même que l'épaisseur d' d'un diélectri- que compris entre le substrat et le conducteur B, le diélectrique se trouvant sous le conducteur A étant réalisé dans la même substance que le diélectrique se trouvant sous le conducteur B, et si l'on suppose éga- lement que la largeur b du conducteur A est la même que la largeur b' du conducteur B tandis que la lon- gueur e du conducteur A est la même que la longueur e' du conducteur B, on peut alors estimer que la capacité CA entre le conducteur A et le substrat est la même que la capacité CB entre le conducteur B et le substrat, c'est à dire que CA = CB; 2 Si l'on suppose que les conditions de tension initiales des conducteurs A et B sont les mê- mes, on peut alors estimer que la tension VA du con- ducteur A est la même que la tension VB du conducteur B, c'est à dire que VA = VB; 3 Si l'on suppose que l'épaisseur a du con- ducteur A et l'épaisseur a' du conducteur B sont les mêmes, et s'il existe un intervalle 1 entre le conduc- teur A et le conducteur B, la capacité entre le con- ducteur A et le conducteur B est alors CAB. Dans les conditions initiales ci-dessus, c'est à dire CA = CB, VA = VB et a = a', si un bruit MVA est généré par le conducteur A, ce bruit AVA pré- sente une influence sur le conducteur B sous la forme d'un bruit AVB Pour calculer le bruit AVB, on peut introduire l'équation suivante à savoir V = Q/C o V, Q et C sont respectivement la tension, la charge et la capacité. On obtient alors facilement l'équation sui- vante AVB = CAB (VA+AVA-VB) / CAB+CB) et les conditions initiales ci-dessus s'ap- pliquent pour donner: AVB = CAB AVA / (CAB+CB) Par suite, le bruit AVB présente un effet sur le conducteur B Le bruit AVB est généré à chaque fois qu'une ligne de signal donnée effectue l'opéra- tion de basculement et, dans un dispositif de mémoire à semi-conducteurs à haute intégration comportant des transistors de petite taille, le bruit est beaucoup trop élevé. Par suite, la présente invention a pour but de créer un procédé de câblage des lignes de signaux permettant de minimiser la génération du bruit. Un autre but de la présente invention est de créer un dispositif de mémoire à semi-conducteurs qui permette d'obtenir un fonctionnement de circuit stable en supprimant le bruit entre les lignes de signaux. A cet effet, la présente invention concerne, sous un premier aspect de celle-ci, un procédé de câ- blage des lignes de signaux d'un dispositif de mémoire à semiconducteurs, procédé caractérisé en ce qu'il comprend l'étape consistant à introduire un blindage donné entre une première ligne de signal et une secon- de ligne de signal adjacentes l'une à l'autre, afin que cette première ligne de signal ou cette seconde ligne de signal ne soit pas influencée par le bruit généré respectivement par une opération de - transition de la seconde ligne de signal ou de la première ligne de signal. Selon une autre caractéristique de l'inven- tion, le niveau de tension du blindage est fixé à un niveau constant tel que le niveau de tension d'alimen- tation ou le niveau de la terre. Selon un autre aspect de la présente inven- tion, celle-ci concerne un dispositif de mémoire à se- mi-conducteurs comportant un bloc de réseau de mémoire muni d'une cellule de mémoire donnée et utilisant un circuit périphérique pour fournir un signal de déclen- chement d'une opération du bloc de réseau de mémoire, dispositif de mémoire à semi-conducteurs caractérisé en ce qu'il comprend des blindages introduits entre un certain nombre des lignes de signaux du circuit péri- phérique, de manière à supprimer ainsi le bruit et à empêcher un défaut de fonctionnement d'une puce lorsqu'une ligne de signal donnée effectue une opéra- tion de transition. Selon une autre caractéristique de l'inven- tion, le niveau de tension du blindage est maintenu à un niveau de tension constant. Selon un autre aspect encore de la présente invention, celle-ci concerne un procédé de câblage d'une ligne de signal d'un dispositif de mémoire à se- mi-conducteurs, procédé caractérisé en ce qu'il com- prend l'étape consistant à introduire un blindage don- né entre un premier groupe et un second groupe de li- gnes de signaux, afin que ce premier groupe ou ce se- cond groupe de lignes de signaux ne soit pas influencé par le bruit généré respectivement par une opération de transition du second groupe ou du premier groupe de lignes de signaux. Les buts ci-dessus ainsi que d'autre buts et avantages de la présente invention apparaîtront plus clairement à la lecture de la description détaillée qui suit et qui se réfère aux dessins ci-joints dans lesquels: la figure 1 est un schéma représentant un procédé de câblage selon l'art antérieur; la figure 2 A est un schéma électrique re- présentant la modélisation de la ligne de signal de la figure 1; la figure 2 B est un schéma partiel, plus détaillé, de la figure 2 A; la figure 2 C est un schéma de circuit équivalent à celui de la figure 2 B; la figure 3 est un schéma représentant un procédé de câblage selon un exemple d'une forme préfé- rée de réalisation de la présente invention; la figure 4 A est un schéma électrique re- présentant la modélisation de la ligne de signal de la figure 3; la figure 4 B est un schéma partiel, plus détaillé, de la figure 4 A; la figure 4 C est un schéma de circuit équivalent à celui de la figure 4 B; la figure 5 est un schéma représentant un procédé de câblage selon un autre exemple d'une forme préférée de réalisation de la présente invention; et la figure 6 est un schéma électrique re- présentant la modélisation de la ligne de signal de la figure 5. On remarquera qu'un blindage introduit entre une première ligne de signal donnée et une seconde li- gne de signal donnée, est monté entre des lignes de signaux comprises dans un circuit périphérique d'un bloc de réseau de mémoire d'une puce De plus, un blindage introduit dans un premier groupe donné et dans un second groupe donné de lignes de signaux, est monté entre des groupes de lignes de signaux compris dans un bloc de réseau de mémoire et/ou un circuit pé- riphérique d'un bloc de réseau de mémoire d'une puce. En se référant maintenant à la figure 3, les blocs ha- churés Si à 53 sont des blindages Chaque blindage est monté entre des lignes de signaux dans le circuit pé- riphérique du bloc de réseau de mémoire de la puce. Par suite, même si une ligne de signal 01 effectue une opération de basculement ou de transition, cette opé- ration de transition n'a que peu d'effet sur une ligne de signal 02 du fait de la présence du blindage Si De la même manière, on obtient le même effet dans le cas des lignes de signaux 03 ou 04 L'influence du bruit sur une ligne de signal adjacente dans la construction de la figure 3, sera décrite en se référant aux figu- res 4 B et 4 C On suppose que les conditions initiales sont les suivantes 1 Si l'on suppose que les épaisseurs d, d' et d" des diélectriques respectifs entre le substrat et les conducteurs X, Y et Z, sont les mêmes, les dié- lectriques se trouvant sous les conducteurs X, Y et Z étant réalisés dans la même substance, et si l'on sup- pose également que les largeurs b, b' et b" des con- ducteurs X, Y et Z sont les mêmes, tandis que les lon- gueurs e, e' et e" des conducteurs X, Y et Z sont les mêmes, on peut alors estimer que les capacités Cx, Cy et Cz entre les conducteurs X, Y, Z et le substrat, sont les mêmes, c'est à dire que Cx = Cy = Cz. 2 Si l'on suppose que les épaisseurs a, a'et a" des conducteurs X, Y et Z sont les mêmes, que les longueurs e, e' et e" des conducteurs X, Y et Z sont les mêmes, et que l'intervalle 1 entre le conduc- teur X et le conducteur Y est le même que l'intervalle l' entre le conducteur X et le conducteur Z, on peut alors estimer que la capacité Cxy entre le conducteur X et le conducteur Y est la même que la capacité Cyz entre le conducteur Y et le conducteur Z, c'est à dire que Cxy = Cyz. 3 Si l'on suppose que les conditions de tension initiales des conducteurs X, Y et Z sont les mêmes, on peut alors estimer que les tensions Vx, Vy et Vz des conducteurs X, Y et Z sont les mêmes, c'est à dire que Vx = Vy = Vz. Dans les conditions initiales ci-dessus, si le conducteur X génère un bruit A Vx, ce bruit A Vx exerce sur le conducteur Z un effet se traduisant par un bruit A Vz La valeur du bruit A Vz doit être compa- rée à celle du bruit AVB du procédé selon l'art anté- rieur De plus, le bruit A Vx exerce sur le conducteur Y une influence se traduisant par un bruit A Vy Par un certain nombre de calculs, on obtient le bruit A Vy sous la forme de l'équation suivante: A Vy = Cxe (Vx+A Vx-Vy) / (Cy+Cy+Cyz). Si l'on applique les conditions initiales ci-dessus, A Vy = Cxy A Vx/( 2 Cy+Cy). Si toutes les conditions initiales du procé- dé selon l'art antérieur et du procédé selon la pré- sente invention sont les mêmes, on peut en conclure que le bruit A Vy est inférieur au bruit AVB lorsqu'on introduit le conducteur Y. Le bruit A Vy a influencé séquentiellement le conducteur Z Dans ce cas, on obtient l'équation sui- vante: A Vz = Cyz (Vy+a Vy-Vz(Cyz+Cz). Si l'on applique également les conditions initiales ci-dessus, A Vz = Cxz A Vy/Cxz+Cz). En se rappelant que A Vy = Cy AVX/2 Cy+Cy), A Vz = CXZ/(Cxz+Cz)} {Cxz A Vx/( 2 Cxz+Cz)} = (Cxz a Vx) / (Cxz+Cz) {Cxz/( 2 Cxz+Cz) Le terme {Cxz/( 2 Cxz+Cz)} est inférieur à 1, c'est à dire que {Cxz/( 2 Cxz+Cz)} Si toutes les conditions initiales du procé- dé selon l'art antérieur et du procédé selon la pré- sente invention sont les mêmes, on peut estimer faci- lement que A Vz Par suite, même si la tension Vz du conduc- teur Z est influencée par le bruit A Vx, la valeur de Vz+A Vz devient faible Ainsi, on obtient un effet du bruit A Vy lorsqu'on introduit le conducteur Y entre le conducteur X et le conducteur Z et, dans le cas o le conducteur Y est branché par exemple à une ligne de tension d'alimentation, comme le rendement de couplage devient faible, on peut supprimer le bruit transmis aux conducteurs adjacents. En se référant à la figure 5, un bloc hachu- ré Si est un blindage Dans la construction de la fi- gure 3, le blindage est monté entre les lignes de si- gnaux comprises dans le circuit périphérique du bloc de réseau de mémoire Cependant, dans la construction de la figure 5, le blindage est monté entre le premier groupe et le second groupe de lignes de signaux com- pris dans le bloc de réseau de mémoire ou/et dans le circuit périphérique du bloc de réseau de mémoire. Dans le bloc de réseau de mémoire ou dans le circuit périphérique du bloc de réseau de mémoire, on trouve un groupe de lignes de signaux d'adresses de rangées, un groupe de lignes de signaux d'adresses de colonnes, un groupe de lignes de signaux destinés à décoder une adresse de rangée, un groupe de lignes de signaux des- tinés à décoder une adresse de colonne, et analogues. Dans le cas o les groupes de lignes de signaux indi- qués ci-dessus sont adjacents les uns aux autres, dans le bloc de réseau de mémoire utilisé pour définir une règle dans une plage inférieure au micromètre, si le groupe de lignes de signaux d'adresses de rangées ef- fectue par exemple une opération de transition, le groupe de lignes de signaux d'adresses de colonnes ad- jacent à celui-ci est influencé par l'opération de transition. A ce moment, on peut empêcher très simple- ment l'effet du bruit de transmission par le blindage Sul Ainsi, on peut monter le blindage Si X respective- ment dans le bloc de réseau de mémoire, dans le cir- cuit périphérique du bloc de réseau de mémoire, ou dans le bloc de réseau de mémoire et le circuit péri- phérique De plus, le blindage est constitué par une ligne métallique ou par du polysilicium, etc, et l'on peut fixer son niveau de tension en utilisant un con- ducteur quelconque conservant un état flottant, une ligne de tension d'alimentation ou une ligne de terre. Pendant ce temps, lorsque le blindage de la figure 3 introduit entre les lignes de signaux du circuit péri- phérique du bloc de réseau de mémoire, est monté dans le bloc de réseau de mémoire, on doit considérer le degré d'intégration. Comme décrit ci-dessus, étant donné que le blindage coupe un chemin de transmission du bruit pro- duit par la capacité de couplage entre des lignes de signaux adjacentes, on supprime le bruit généré dans chaque ligne de signal du circuit périphérique du bloc de réseau de mémoire de la puce De plus, comme on coupe le chemin de bruit entre des groupes de lignes de signaux adjacents les uns aux autres, on évite les défauts de fonctionnement de la puce et l'on peut aug- menter la fiabilité du dispositif de mémoire à semi- conducteurs. Bien qu'on ait plus particulièrement repré- senté et décrit des formes de réalisation préférées de la présente invention, il apparaîtra à l'évidence aux spécialistes de la question qu'on peut apporter d'au- tres modifications de formes et de détails sans sortir de l'esprit et du cadre de la présente invention. L 1 R E V E N D I C A TI O N S ) Procédé de câblage des lignes de signaux d'un dispositif de mémoire à semi-conducteurs, procédé caractérisé en ce qu'il comprend l'introduction d'un blindage donné entre une première ligne de signal et une seconde ligne de signal adjacentes l'une à l'au- tre, afin que cette première ligne de signal ou cette seconde ligne de signal ne soit pas influencée par le bruit généré respectivement par une opération de transition de la seconde ligne de signal ou de la pre- mière ligne de signal. 2 ) Procédé de câblage de lignes de signaux selon la revendication 1, caractérisé en ce que le ni- veau de tension du blindage est fixé à un niveau con- stant tel que le niveau de tension d'alimentation ou le niveau de la terre. 3 ) Dispositif de mémoire à semi-conducteurs comportant un bloc de réseau de mémoire muni d'une cellule de mémoire donnée et utilisant un circuit pé- riphérique pour fournir un signal de déclenchement d'une opération du bloc de réseau de mémoire, disposi- tif de mémoire à semi-conducteurs caractérisé en ce qu'il comprend des blindages introduits entre un cer- tain nombre des lignes de signaux du circuit périphé- rique, de manière à supprimer ainsi le bruit et à em- pêcher un défaut de fonctionnement d'une puce lorsqu'une ligne de signal donnée effectue une opéra- tion de transition. ) Dispositif de mémoire à semi-conducteurs selon la revendication 3, caractérisé en ce que le ni- veau de tension du blindage est maintenu à un niveau de tension constant. ) Procédé de câblage d'une ligne de signal d'un dispositif de mémoire à semi-conducteurs, procédé caractérisé en ce qu'il comprend l'étape consistant à introduire un blindage donné entre un premier groupe et un second groupe de lignes de signaux, afin que ce premier groupe ou ce second groupe de lignes de si- gnaux ne soit pas influencé par le bruit généré res- pectivement par une opération de transition du second groupe ou du premier groupe de lignes de signaux.