FR 2688940 A1 19930924 FR 9214397 A 19921130 La présente invention se rapporte à un appareil semiconducteur portatif ainsi qu'à un procédé pour sa fabrication. Plus particulièrement, la présente invention se rapporte à un appareil semiconducteur dont les parties fonctionnelles, comme une carte à circuit intégré ou une carte à circuit intégré sans contact, sont complètement noyées dans une résine ainsi qu'à un procédé pour sa fabrication. Les figures 30 et 31 sont respectivement des vues en plan et en coupe transversale de côté d'un appareil semiconducteur mince tel qu'une carte à circuit intégré, qui est un appareil semiconducteur portatif conventionnel. Sur ces figures, un substrat de circuit 2 avec les parties fonctionnelles d'une carte à circuit intégré 1, comme des modules de circuit intégré 3, qui y sont montés, est reçu par exemple dans un boîtier en plastique 4. L'appareil semiconducteur portatif conventionnel est agencé à la manière décrite ci-dessus. La carte à circuit intégré 1 que l'on peut voir aux figures 30 et 31 est du type sans contact qui n'a aucune borne d'électrode pour une connexion externe. Dans la carte à circuit intégré 1, les parties fonctionnelles, comme les modules 3, et une cellule électrique (non représentée) servant de source d'énergie, sont montées sur le substrat 2 du circuit qui est une planche de circuit câblé par impression en résine époxy renforcée de verre de manière à être électriquement connectées à un circuit d'interconnexion 2a sur le substrat 2. Un tel substrat 2 est reçu dans deux éléments 4a et 4b du boîtier qui sont joints l'un à l'autre pour former la carte 1. Dans l'appareil semiconducteur portatif ci-dessus mentionné, il y a un espace entre l'élément 4a du boîtier et le substrat 2 du circuit sur lequel sont montées les parties fonctionnelles. Par conséquent, quand une force externe est appliquée à la surface de la carte 1, sa surface peut être partiellement déformée ou percée. Un tel problème peut être éliminé en formant un boîtier 4 épais. Cependant, une augmentation de l'épaisseur du boîtier 4 prohibe une diminution de l'épaisseur de la totalité de la carte 1 et permet une concentration de la force sur la portion jointe du boîtier 4. Cela à son tour permet une entrée facile de l'eau dans la carte à circuit intégré à partir de la portion jointe. L'eau qui entre peut atteindre les parties fonctionnelles, détériorant la résistance à l'environnement de la carte à circuit intégré. I1 a été également de pratique courante d'accomplir une étanchéification au plastique pour remplir l'espace entre l'élément de boîtier 4a et le substrat 2 du circuit où sont montées les parties fonctionnelles. Cependant, dans le cas d'une carte à circuit intégré 1 qui contient une cellule électrique du type bouton ou en papier, comme la limite de température à laquelle une telle cellule électrique peut résister est d'environ 70"C, une résine haute température peut inhiber la cellule électrique. Dans le cas d'une carte à circuit intégré 1 qui contient un émetteur ou un récepteur, l'émetteur ou le récepteur peut être incapable de résister à la pression de la résine d'étanchéification. En conséquence, la présente invention a pour objet de procurer un appareil semiconducteur portatif dans lequel les parties fonctionnelles d'une carte à circuit intégré sont complètement noyées dans un substrat de la carte pour donner une grande résistance à l'environnement, ainsi qu'un procédé de fabrication d'un appareil semiconducteur portatif qui soit efficace, petit, mince et triés fiable. Afin d'atteindre l'objectif ci-dessus, on prévoit selon la présente invention un appareil semiconducteur portatif qui comprend un conteneur externe, un substrat de circuit sur lequel sont fabriquées les pièces électroniques, le substrat étant reçu dans le conteneur externe, et une résine pouvant mousser introduite dans un espace entre le conteneur externe et les parties électroniques ainsi que le substrat de circuit, la résine pouvant mousser étant forcée à mousser pour donner un composant ayant une résistance prédéterminée. La présente invention concerne de plus un procédé de fabrication d'un appareil semiconducteur portatif qui comprend les étapes d'introduire une quantité prédéterminée d'un composé de résine dans un conteneur externe à l'état solide, d'agencer un substrat de circuit où sont montées des pièces électroniques dans le conteneur externe et de faire mousser le composé de résine dans le conteneur externe pour remplir l'espace dans ce conteneur externe par la résine ayant moussé afin de former un composant de la résine ayant moussé d'une résistance prédéterminée. La présente invention concerne de plus un procédé de fabrication d'un appareil semiconducteur portatif qui comprend les étapes de disposer un substrat de circuit sur lequel sont montées des pièces électroniques dans un conteneur externe, d'introduire une quantité prédéterminée d'un composé de résine dans le conteneur externe à l'état solide et de faire mousser le composé de résine dans le conteneur externe pour remplir l'espace, dans le conteneur externe, de la résine ayant moussé afin d'obtenir un composant de la résine ayant moussé d'une résistance prédéterminée. L'invention sera mieux comprise et d'autres buts, caractéristiques, détails et avantages de celle-ci apparaîtront plus clairement au cours de la description explicative qui va suivre faite en référence aux dessins schématiques annexés donnés uniquement à titre d'exemple illustrant plusieurs modes de réalisation de l'invention et dans lesquels: - la figure 1 est une vue en plan d'un premier mode de réalisation d'un appareil semiconducteur portatif selon la présente invention - la figure 2 est une vue en élévation de côté du premier mode de réalisation de la présente invention; - la figure 3 est une vue en coupe transversale agrandie faite suivant la ligne I-I de la figure 1; - la figure 4 est une vue en élévation de côté d'un substrat de circuit de l'appareil semiconducteur portatif montré à la figure 1, avec les pièces électroniques qui y sont montées; - la figure 5 est une vue en élévation de côté d'un conteneur externe de l'appareil semiconducteur portatif montré à la figure 1; - la figure 6 est une vue en coupe transversale latérale illustrant la façon dont le substrat du circuit est inséré dans le conteneur externe dans lequel est injecté un composé d'une résine pouvant mousser à un état solide; - la figure 7 est une vue en coupe transversale latérale illustrant la façon dont le composé de résine pouvant mousser est forcé à mousser dans le conteneur externe - la figure 8 est une vue en plan d'un deuxième mode de réalisation de l'appareil semiconducteur portatif selon la présente invention; - la figure 9 est une vue en élévation de côté du deuxième mode de réalisation de la présente invention - la figure 10 est une vue en coupe transversale agrandie faite suivant la ligne II-II de la figure 8; - la figure 1 1 est une vue en coupe transversale latérale illustrant le substrat de circuit reçu dans le conteneur externe d'un troisième mode de réalisation de la présente invention; - la figure 12 est une vue en coupe transversale latérale illustrant la façon dont la résine pouvant mousser est injectée dans le conteneur externe que l'on peut voir à la figure 11; - la figure 13 est une vue en plan de l'appareil semiconducteur portatif selon la présente invention; - la figure 14 est une vue en élévation de côté du quatrième mode de réalisation de la présente invention; - la figure 15 est une vue en coupe transversale latérale faite suivant la ligne III-III de la figure 13; - la figure 16 est une vue en coupe transversale de côté illustrant le conteneur externe du quatrième mode de réalisation de la présente invention; - la figure 17 est une vue en élévation de côté du substrat de circuit du quatrième mode de réalisation selon la présente invention; - la figure 18 est une vue en coupe transversale latérale illustrant la façon dont le substrat de circuit et la résine pouvant mousser sont reçus dans le conteneur externe du quatrième mode de réalisation de la présente invention - la figure 19 est une vue en coupe transversale latérale illustrant la façon dont le composé de résine pouvant mousser est forcé à mousser dans le conteneur externe montré à la figure 18; - la figure 20 est une vue en coupe transversale latérale de l'appareil semiconducteur portatif, illustrant la façon dont des charges sphériques creuses sont noyées dans un cinquième mode de réalisation de la présente invention; - la figure 21 est une vue en coupe transversale latérale de l'appareil semiconducteur portatif, illustrant la façon dont des tubes creux et minces et des charges sphériques creuses sont noyés selon le cinquième mode de réalisation de la présente invention - la figure 22 est une vue plan d'un sixième mode de réalisation d'un appareil semiconducteur portatif selon la présente invention; - la figure 23 est une vue en plan d'un septième mode de réalisation de l'appareil semiconducteur portatif selon la présente invention - la figure 24 est une vue en élévation de côté du septième mode de réalisation de la présente invention; - la figure 25 est une vue en coupe transversale agrandie faite suivant la ligne IV-nr de la figure 23; - la figure 26 est une vue en coupe transversale latérale illustrant le conteneur externe avec la résine pouvant mousser introduite selon le septième mode de réalisation de la présente invention; - la figure 27 est une vue en coupe transversale de côté illustrant la façon dont le conteneur externe montré à la figure 26 est pressé par un rouleau chaud; - la figure 28 est une vue en coupe transversale latérale illustrant le conteneur externe avec la résine pouvant mousser introduite selon le septième mode de réalisation de la présente invention; - la figure 29 est une vue en coupe transversale latérale illustrant la façon dont le conteneur externe que l'on peut voir à la figure 28 est pressé par le rouleau chaud - la figure 30 est une vue en plan d'un appareil semiconducteur portatif conventionnel; et - la figure 31 est une vue coupe transversale latérale de l'appareil semiconducteur portatif conventionnel. Des modes de réalisation de la présente invention seront décrits cidessous en se référant aux dessins joints où des chiffres identiques de référence représentent des éléments similaires ou identiques. Les figures 1 et 2 sont respectivement des vues en plan et en élévation de côté d'un premier mode de réalisation d'un appareil semiconducteur portatif par exemple, une carte à circuit intégré selon la présente invention. La figure 3 est une vue en coupe transversale agrandie faite suivant la ligne I-I de la figure 1. Sur ces figures, un conteneur externe 7, servant de peau externe d'une carte à circuit intégré 1A, reçoit un substrat de circuit 2 avec des pièces électroniques comme un circuit intégré 3, une bobine 6 et autres parties 5 qui y sont montées. Des exemples appropriés des parties ou pièces électroniques comprennent les pièces fonctionnelles comme les modules 3, une cellule électrique 10 servant de source d'énergie et un circuit d'interconnexion (non représenté). Une résine 9 pouvant mousser est introduite dans le conteneur externe 7 autour des pièces électroniques de façon à enfermer les pièces électroniques. Dans ce mode de réalisation, une résine époxy durcissant à température intermédiaire du type à trois liquides est utilisée pour la résine 9 pouvant mousser. La carte à circuit intégré 1A, agence à la manière décrite ci-dessus, est fabriquée par les processus montrés aux figures 4 à 7. En effet, on monte d'abord le module 3, la partie 5, la bobine 6 et la cellule électrique 10 sur le substrat 2 du circuit, comme le montre la figure 4. De même, le conteneur externe 7, par exemple, en résine de polyester, est préparé, par exemple, en soufflant comme le montre la figure 5. Le conteneur externe 7 se compose d'une portion de corps 7a et d'une portion de couvercle 7b qui sont combinées l'une à l'autre à l'état adapté. La portion de couvercle 7b présente un certain nombre de petits trous 8. Ensuite, un composé de résine liquide pouvant mousser est injecté dans la portion de corps 7a du conteneur externe 7 à l'état solide en une quantité qui lui permettra de remplir l'espace dans le conteneur externe 7 après avoir moussé. Comme le montre la figure 6, le substrat 2 du circuit avec les pièces électroniques qui y sont montées est inséré dans la portion de corps 7a. Ensuite, la portion de couvercle 7b est adaptée sur la portion de corps 7a du conteneur externe 7 puis la résine solide injectée 9 est forcée à mousser et à prendre à environ 50"C. La figure 7 montre la résine 9 après qu'elle ait moussé Quand la résine 9 mousse à partir du bas de la portion de corps 7a comme le montre la figure 7, l'air dans le conteneur externe 7 est évacué par les petits trous 8 qui sont formés dans la portion de couvercle 7b tandis que l'espace dans le conteneur 7 est rempli de la résine 9 qui mousse. La résine 9 en excès déborde par les petits trous. La portion de la résine 9 qui mousse et qui déborde est enlevée, par exemple, en coupant quand la résine a pris, ce qui permet de terminer la fabrication de la carte à circuit intégré 1A. Les figures 8 et 9 sont respectivement des vues en plan et en élévation de côté d'un deuxième mode de réalisation de l'appareil semiconducteur portatif, par exemple, une carte à circuit intégré selon la présente invention. La figure 10 est une vue en coupe transversale agrandie faite suivant la ligne II-II de la figure 8 illustrant l'état dans lequel le substrat du circuit avec les pièces électroniques qui y sont montées est reçu dans le conteneur externe 7 et où la résine devant mousser remplit l'espace dans le conteneur externe 7. Sur ces figures, le conteneur externe 7 se compose de portions 7c et 7d de conteneur externe en forme de coupe en deux parties qui s'adaptent l'une à l'autre sur la surface latérale d'une carte à circuit intégré 1B. Une portion de côté de chacune des portions de conteneur externe en coupe 7c et 7d, correspondant à la surface latérale de la carte à circuit intégré 1B, présente un petit trou 8a. La carte 1B est fabriquée d'une manière similaire au premier mode de réalisation. En effet, la résine 9 pouvant mousser est injectée dans la portion de conteneur externe 7d en forme de coupe à l'état solide et le substrat de circuit 2, avec les pièces électroniques qui y sont montées, est reçu dans la portion de conteneur externe en forme de coupe 7d. Quand les portions 7c et 7d sont combinées Rune à l'autre, la résine 9 mousse et prend pour permettre la fabrication de la carte à circuit intégré 1B. Les figures 11 et 12 sont, respectivement, des vues en coupe transversale illustrant les processus pour noyer le substrat de circuit 2 avec les pièces électroniques qui y sont montées selon un troisième mode de réalisation du procédé de fabrication de l'appareil semiconducteur portatif, par exemple, la carte à circuit intégré selon la présente invention. Sur ces figures, d'abord, le substrat 2 du circuit avec les pièces électroniques qui y sont montées est reçu dans le conteneur externe 7 et la portion de corps 7a et la portion de couvercle 7b du conteneur externe 7 sont adaptées l'une à l'autre. Ensuite, des tuyères 20 d'injection de résine sont insérées dans le conteneur externe 7 par les petits trous 8b qui sont formés dans la portion de couvercle 7b et la résine pouvant mousser est injectée dans le conteneur externe 7 à l'état solide à partir de l'extrémité distale de chacune des tuyères 20 d'injection de résine pour remplir le conteneur externe 7 par la résine 9. Dans le troisième mode de réalisation, une résine uréthane dure haute densité est utilisée comme résine 9 pouvant mousser. Comme la dureté de la résine uréthane dure est légèrement plus faible que celle de la résine époxy ci-dessus mentionnée, il est souhaitable que le conteneur externe 7 soit légèrement épais. La résine 9 pouvant mousser en excès déborde par les petits trous 8b. La portion de la résine 9 pouvant mousser qui déborde est enlevée, par exemple, en coupant après sa prise, pour ainsi terminer la fabrication de la carte à circuit intégré 1B. Les figures 13 et 14 sont, respectivement, des vues en plan et en élévation de côté d'un quatrième mode de réalisation de l'appareil semiconducteur portatif, par exemple, une carte à circuit intégré selon la présente invention La figure 15 est une vue en coupe transversale agrandie faite suivant la ligne III-III de la figure 13. Sur ces figures, le conteneur externe 7 se compose d'une portion de conteneur 7e à surface en forme de coupe ayant une protubérance 7g et d'une portion de conteneur 7f à surface en forme de coupe ayant une protubérance 7h. Les protubérances 7g et 7h servent de portions de jonction et le conteneur externe est par exemple fait en résine de polypropylène. Le conteneur externe 7 reçoit le substrat 2 du circuit avec les pièces électroniques qui y sont montées et il est rempli de la résine 9 pouvant mousser. De même, des tubes creux et minces, fermés aux deux extrémités et faits en polyéthylènes sont contenus dans le conteneur externe 7. Une carte à circuit intégré 1C est fabriquée par les processus montrés aux figures 16 à 19. En effet, le conteneur externe 7 montré sur la figure 16 est préparé et le substrat 2 du circuit où sont montées les pièces électroniques, que l'on peut voir à la figure 17, est reçu à la manière montrée à la figure 18. Ensuite, on introduit environ un tiers de la quantité requise de la résine 9 pouvant mousser dans la portion 7e de conteneur, ayant la surface en forme de coupe, qui se trouve en direction horizontale et le substrat 2 du circuit montré sur la figure 17 est alors mis en place. Les tubes minces et creux 11, fermés à leurs deux extrémités, sont placés entre les pièces montées sur le substrat 2 du circuit et ensuite la résine restante pouvant mousser 9 est injectée sur le substrat 2. La portion de conteneur à surface en coupe 7f du conteneur externe 7 est placée au dessus de la portion de conteneur 7e de manière que les protubérances 7g et 7h soient l'une au dessus de l'autre et les protubérances 7g et 7h sont jointes l'une à l'autre sur tout le pourtour du conteneur externe 7, Les protubérances 7g et 7h sont jointes l'une à l'autre par soudage par ultrasons. Ensuite, la totalité du conteneur externe 7 est dressée, comme le montre la figure 19 puis on fait mousser la résine 9 pour remplir l'intérieur du conteneur externe 7 par la résine ayant moussé. Les protubérances 7g et 7h du conteneur externe 7 sont traversées de petits trous (non représentés) qui sont placés au sommet du conteneur externe lorsque la totalité du conteneur externe 7 est érigée pour faire mousser la résine 9. I1 est ainsi possible d'évacuer l'air qui se trouve dans le conteneur externe 7 ainsi que la résine en excès par les petits trous, quand la résine 9 mousse. On utilise une résine époxy pouvant mousser du type prenant à température intermédiaire et à trois liquides en tant que résine 9 pouvant mousser injectée dans le conteneur externe 7 à l'état solide ce qui garanti qu'elle rempliera le conteneur 7 après sa prise. On fait mousser la résine à 50"C après jonction du conteneur 7 pour le remplir de la résine 9. Après sa prise, la résine époxy ayant moussée forme une éponge fine ayant moussé ayant environ 30% de vides. Quand on a fait mousser la résine 9 pour qu'elle remplisse le conteneur externe 7, tout le conteneur externe 7 est retourné et la résine 9 en excès est évacuée par les petits trous (non représentés). Après prise de la résine 9, la résine 9 en excès qui est évacuée par les petits trous est enlevée, pour ainsi terminer la fabrication de la carte à circuit intégré 1C. La figure 20 est une vue en coupe transversale d'un cinquième mode de réalisation de l'appareil semiconducteur portatif, tel qu'une carte à circuit intégré, selon la présente invention. Une carte à circuit intégré 1D montrée à la figure 20 emploie des charges sphériques creuses 12 (ayant une densité apparente de 0,55), dont le diamètre est compris entre 100 microns et 250 microns,à la place des tubes creux et minces 11 utilisés dans le quatrième mode de réalisation. La carte 1D est fabriquée par les mêmes processus que ceux du quatrième mode de réalisation. Les cartes à circuit 1C et 1D des quatrième et cinquième modes de réalisation résistent bien aux divers efforts qui leurs sont appliqués de l'extérieur et elles présentent d'excellentes propriétés sous divers environnements, parce qu'elles noyées dans la résine 9 pouvant mousser. Par ailleurs, grâce aux tubes minces et creux 11 ou aux charges sphériques creuses 12, la résistance de la carte à circuit intégré est encore augmentée et cela permet à la carte de flotter sur l'eau. I1 est ainsi possible de produire une carte à circuit intégré portative dont les fonctions sont améliorées et dont l'assemblage est simplifié. Tandis que les tubes creux et minces 1 1 sont contenus dans la carte à circuit intégré 1C (figure 15) alors que les charges sphériques creuses 12 sont contenues dans la carte à circuit intégré 1D (figure 20), aussi bien les tubes minces et creux 1 1 que les charges sphériques creuses 12 peuvent être contenus dans une carte à circuit intégré 1E telle que montrée à la figure 21. Tandis que des tubes minces faits en résine de polyéthylène sont utilisés pour les tubes minces et creux 11, on peut par exemple utiliser des tubes minces et creux ayant une grande élasticité, par exemple faits en verre. Dans ce cas, le renforcement de la totalité de la carte s'effectue. La figure 22 est une vue en plan d'un sixième mode de réalisation de l'appareil semiconducteur portatif tel qu'une carte à circuit intégré 1F selon la présente invention. Sur la figure 22, l'intérieur de la carte F est schématiquement montré avec une partie de sa surface enlevée. Dans la carte 1F de ce sixième mode de réalisation, des tubes minces creux et longs 1 1 a, par exemple fait en polyéthylène et fermés à leurs deux extrémités, sont disposés parmi les pièces électroniques sur le substrat 2 du circuit, en les cintrant. Les tubes minces et creux 1 la servent de pièces d'espacement et par conséquent empêchent un déplacement de la résine 9 pouvant mousser. La carte 1F est fabriquée par le même procédé que les cartes des quatrième et cinquième modes de réalisation. Les figures 23 et 24 sont, respectivement, des vues en plan et en élévation de côté d'un septième mode de réalisation de l'appareil semiconducteur portatif tel que la carte à circuit intégré selon la présente invention. La figure 25 est une vue en coupe transversale agrandie faite suivant la ligne IV-IV de la figure 23. Sur ces figures, le conteneur externe 7 d'une carte à circuit intégré 1G se compose d'une portion 7i de conteneur à surface A et d'une portion 7j de conteneur à surface B qui sont formées en une feuille de chlorure de polyvinyle dur. Le substrat 2 avec les pièces électroniques qui y sont montées est reçu dans le conteneur externe 7 et la résine 9 est introduite dans le conteneur 7. Dans cette carte 1G, la portion de conteneur 7i et la portion de conteneur 7j sont jointes l'une à l'autre par un évidement 13 en forme de gorge qui est formé sur la portion de jonction entre la portion 7i et la portion 7j. Comme la carte à circuit intégré 1G est fabriquée par les mêmes processus que ceux montrés aux figures 16 à 19, sa description sera omise. La figure 26 montre schématiquement la façon dont la résine 9 remplit le conteneur externe 7 de la carte à circuit intégré le. Sur la figure 26, le substrat de circuit noyé n'est pas montré. Des portions droites et ouvertes de jonctions 7k et 7m de la portion 7i du conteneur ayant la surface A et de la portion 7j du conteneur ayant la surface B pour le conteneur externe 7 s'adaptent l'une à l'autre à un état de recouvrement. A cet état, un rouleau chauffant 14, dont la portion extrême distale chauffée à environ 140"C a une section transversale semi-circulaire, est pressé contre les portions de jonction 7k et 7m pour les déformer là où la résine 9 et le conteneur externe 7 sont placés l'un au dessus de l'autre et pour ainsi faire adhérer thermiquement les portions de jonction l'une à l'autre. La portion de la résine 9 pouvant mousser qui est pressée par le rouleau 14 est amollie et ainsi déformée. En même temps, le rouleau chaud fait fondre cette portion de la résine 9. Après jonction, une carte à circuit intégré 1G ayant une gorge semi-circulaire sur tout son pourtour sur sa surface latérale, que l'on peut voir à la figure 27, est obtenue. Une telle adhérence par la chaleur simplifie le procédé de fabrication et donne une propriété de très bonne j onction. A la place du rouleau chaud 14 ayant une section transversale semicirculaire, on peut employer un rouleau chaud 15 ayant une section transversale trapézoïdale que l'on peut voir à la figure 28. Dans ce cas, une carte à circuit intégré 1H ayant une gorge trapézoïdale 16, que l'on peut voir à la figure 29, est obtenue. Pour faciliter la jonction de conteneur externe, un matériau en feuille qui est, par exemple, une feuille de résine de polyester avec une résine de polyoléfine présentant une excellente adhérence qui lui est feuilletée, peut être utilisée en tant que matériau du conteneur externe. Dans ce cas, on obtient un conteneur externe dont la surface de résine adhésive est tournée vers l'intérieur. Dans les modes de réalisation ci-dessus, on utilise un conteneur externe fait en une résine de polyester ou en un chlorure de polyvinyle dur. Cependant, on peut également employer un conteneur externe en polycarbonate, polypropylène ou autres résines thermoplastiques selon l'environnement dans lequel la carte à circuit intégré sera utilisée ainsi que l'objectif de son utilisation. De même, on peut utiliser une feuille de résine composite où est laminée une résine fonctionnelle. Par ailleurs, comme le conteneur externe est complètement rempli de la résine pouvant mousser, on peut obtenir une résistance suffisante même si le conteneur externe est mince. De plus, le conteneur externe a une forme en coupe qui est ouverte à une surface. Cela permet de choisir le procédé employé de mise en forme parmi divers procédés comme soufflage, moulage par injection et formation de feuille selon la forme et la taille de l'appareil semiconducteur portatif. Par ailleurs, tandis qu'une jonction par ultrasons est utilisée dans le modes de réalisation ci-dessus pour accomplir la jonction sur le conteneur externe, diverses autres méthodes de jonction comme une jonction haute fréquence et une jonction par adhérence, peuvent également être adoptées. Ainsi, la portion jointe a une grande surface, on peut la perforer sous la forme d'une carte après que la résine a moussé et a pris. La densité de moussage et l'élasticité de la résine pouvant mousser peuvent être ajustées en choisissant le type de résine. Si la carte à circuit intégré a une grande résistance à la chaleur, on peut entreprendre une prise et une formation de mousse à haute température. Une impression peut être entreprise sur la surface externe de la carte à circuit intégré afin de permettre à la carte de présenter un graphisme souhaitable. Dans les modes de réalisation ci-dessus décrits, la formation de mousse et la prise de la résine sont accomplies à une relativement basse température. Cependant, si les pièces fonctionnelles de la carte à circuit intégré ont une grande résistance à la chaleur, une formation de mousse et une prise à haute température sont possibles et cela étend encore la plage de sélection du type de résine. La température du rouleau chaud pour déformer et joindre le conteneur externe est variable selon le matériau du conteneur externe. Un appareil pour déformer et faire adhérer, en forme de barre qui est chauffée par sa périphérie peut être utilisé à la place du rouleau chaud. Une jonction par ultrasons peut également être adoptée. I1 est également possible de déformer partiellement et de faire adhérer la surface latérale de la carte à circuit intégré selon l'objectif *utilisation ou la taille de la carte. Dans la carte à circuit intégré ci-dessus qui flotte sur l'eau, comme la résine introduite dans le conteneur externe qui reçoit les parties fonctionnelles prend après avoir évacué l'excès de résine, sensiblement a REVENDICATIONS 1. Appareil semiconducteur portatif caractérisé en ce qu'il comprend: un conteneur externe (7), un substrat de circuit (2) sur lequel sont placées des pièces électroniques, ledit substrat étant reçu dans ledit conteneur externe; et une résine (9) pouvant mousser introduite dans un espace entre ledit conteneur externe et lesdites pièces électroniques et ledit substrat du circuit, ladite résine moussant pour former un composant d'une résistance prédéterminée. 2. Appareil selon la revendication 1, caractérisé en ce que le conteneur externe comporte une portion de corps (7a) qui reçoit sensiblement le substrat de circuit et une portion de couvercle (7b), ladite portion de corps et ladite portion de couvercle étant jointes l'une à l'autre à une section transversale prise perpendiculairement à une direction longitudinale dudit appareil semiconducteur portatif. 3. Appareil selon la revendication 1, caractérisé en ce que le conteneur externe (7) comprend deux portions en coupe de conteneur externe (7c et 7d) qui sont jointes l'une à l'autre à une portion latérale dudit appareil semiconducteur portatif. 4. Appareil selon la revendication 3, caractérisé en ce que les portions jointes (7g, 7h) des deux portions en coupe du conteneur externe sont placées l'une sur l'autre, la portion en recouvrement formant un évidement du fait de l'adhérence à la chaleur, où la portion en recouvrement est jointe à la résine qui mousse qui est contenue dans ledit conteneur externe. 5. Appareil selon la revendication 1, caractérisé en ce que le conteneur externe précité présente des petits trous (8a, 8b) à une portion extrême. 6. Appareil selon la revendication 1, caractérisé en ce qu'on fait mousser la résine (9) à une grande densité afin de permettre audit appareil semiconducteur portatif de flotter sur l'eau. 7. Appareil selon la revendication 1, caractérisé en ce qu'il comprend de plus des charges creuses qui sont noyées dans la résine (9). 8. Appareil selon la revendication 7, caractérisé en ce que les charges creuses comprennent des tubes creux et minces (11). 9. Appareil selon la revendication 7, caractérisé en ce que les charges creuses comprennent des charges sphériques creuses (12). 10. Procédé de fabrication d'un appareil semiconducteur portatif caractérisé en ce qu'il comprend les étapes de: introduire une quantité prédéterminée d'un composé brut de résine pouvant mousser dans un conteneur externe; recevoir un substrat de circuit sur lequel sont montées des pièces électroniques dans ledit conteneur externe; et faire mousser ledit composé de résine dans ledit conteneur externe pour remplir un espace dans ledit conteneur externe par la résine pouvant mousser et pour former un composant de la résine pouvant mousser d'une résistance prédéterminée. 11. Procédé de fabrication d'un appareil semiconducteur portatif caractérisé en ce qu'il comprend les étapes de: placer un substrat de circuit sur lequel sont montées les pièces électroniques dans un conteneur externe introduire une quantité prédéterminée d'un composé brut de résine pouvant mousser dans ledit conteneur externe; et faire mousser ledit composé de résine dans ledit conteneur externe pour remplir un espace dans ledit conteneur externe par la résine et produire un composant de la résine pouvant mousser d'une résistance prédéterminée.