FR 2678648 A1 19930108 FR 9108395 A 19910704 CRISTAL DE GEHLENITE DOPEE AU NEODYME ET LASER UTILISANT CE CRISTAL DESCRIPTION La présente invention a pour objet des cristaux, et plus spécialement des monocristaux de gehlenite dopée au néodyme. Elle trouve une appLication, soit dans le domaine des microlasers pour l'optique intégrée, les télécommunications par fibres optiques, la médecine (microchirurgie, traitement de la peau) et pour L'étude des semi-conducteurs, soit dans le domaine des lasers de puissance permettant notamment d'effectuer des traitements de matériaux (soudures, perçages, marquages, traitements de surfaces), des réactions photochimiques, la fusion thermonucléaire contrôlée ou la polarisation des atomes d'un gaz tel que l'hélium. Ces lasers émettent dans l'infrarouge entre 870 et 1130nm. Plus particulièrement, L'invention s'applique à des lasers pompés optiquement par diode laser et susceptibles d'être accordables en longueur d'onde entre 1050 et 1100 nm. Les lasers solides de puissance commerciaux, les plus couramment utilisés, font appel au grenat d'yttrium et d'aluminium Y3AI5 012 (YAG), dopé par Nd . Cependant, ce matériau n'est pas sans inconvénients , en effet, il présente une cristallogénèse à température élevée de 1900-20000C, la rendant difficile et coûteuse, une ségrégation du dopant, des bandes d'absorption étroites, etc. D'où la recherche de nouvelles matrices, nécessitée d'autre part par les performances de plus en plus remarquables, exigées pour des nouveaux lasers : rendement très élevé, miniaturisation, émission à Longueurs d'onde variées. Aussi, de nombreuses matrices susceptibles 3+ d'être dopées par Nd ont été proposées dans la littérature. Parmi ces matrices on peut citer les composés du type mélilite AlaGa3O7, gehlenite AGa2 SiO7 et akermanite A MGe 07 dans lesquelles A représente les 2 2 ions Ca2+, S@2+2ou Ba2+ et M représent les ions Be2+ 2+ 2+ Mg ou Zn Ces composés présentent par rapport au grenat d'yttrium et d'aluminium dopé, le gros avantage de pouvoir être élaborés par la méthode Czochralski, la plus couramment utilisée dans l'industrie des Lasers, a des températures près de 5000C plus basses. En outre, il n'y a pas de ségrégation du dopant luminophore. Sous pompage optique par lampe flash, un certain nombre de ces composés présentent l'effet Laser. Le document A. Kaminskii et al. Phys. Stat. Sol. (a), 97, 1986, p. 279-290, "Crystal structure, absorption, luminescence, properties, and stimulated emission of Ga gehlenite" décrit l'émission stimulée dans un monocristal de Ca Ga SiO dopé aux ions 22 7 néodyme. L'article de W. Ryba-Romanowski et al., J. Phys. Chem. Solids, 50, 1989, p. 685-692, "Relaxation 3 of the F level of Nd in BaLa Nd Ga O " décrit 3/2 1-x x 3 7 L'émission laser d'un monocristal de BaLa Nd Ga O 1-x x 3 7 avec O L'article de D. J. Horowitz et al., J. Appl3+ Phys., Vol. 43, n 8, août 1972, "Laser action of Nd in a crystal Ba ZnGe O ", p. 3527-3529 décrit L'effet 2 27 Laser d'un cristal de Ba2 ZnGe2O7 dopé au néodyme à une quantité de 2X en mole. L'article de M. ALam et al., J. Appl. Phys. 39, 1968, "Optical spectra and laser action of neodynium in a crystal Ba2MgGe O ", p. 4728-4730 décrit 27 l'effet laser d'un cristal de Ba2MgGe O dopé au 27 néodyme à 2X en mole environ. Tous ces composés présentent l'avantage de posséder une structure quadratique uniaxe alors que le cristal de YAG est cubique ; ceci permet d'obtenir une émission polarisée. Malheureusement, tous ces composés présentent L'inconvénient de contenir une quantité importante de gallium, or cet élément est cher. De plus, il est instable à l'état d'oxydation 3 à haute température, selon les atmosphères de travail, avec possibilité de volatilisation. Par ailleurs, du fait de la volatilisation du gallium, les cristaux obtenus par croissance Czochralski présentent des qualités insuffisantes dès qu'il s'agit d'atteindre les grandes dimensions requises par l'industrie des lasers de puissance. De plus, ces composés présentent une conductivité thermique rendant difficile l'évacuation de la chaleur lors de leur utilisation comme émetteur laser dans un laser de puissance. Dans le domaine des microlasers, la miniaturisation des lasers solides passe par L'emploi de diodes lasers pour Le pompage optique présentant des dimensions beaucoup plus petites que celles des lampes flash. En outre, les diodes lasers sont d'une grande fiabilité et présentent des rendements lasers très supérieurs à ceux des lampes flash (10 fois plus élevés). Ce haut rendement laser nécessite une coincidence parfaite entre la raie d'émission de la diode et le maximum de la bande d'absorption relative au monocristal. Du fait de la dérive en longueur d'onde de l'émission de la diode, lors de la montée en puissance, résultant de l'échauffement de la diode, il est nécessaire d'utiliser un système de contrôle de la température de la diode de façon à compenser cette dérive en longueur d'onde. Le contrôle de la température de la diode est généralement assuré par un élément Peltier. Malheureusement, cet élément Peltier présente une consommation électrique élevée, ce qui ruine en partie l'intérêt du fort rendement de pompage par diode. Seul un cristal présentant des bandes d'absorption larges et intenses dans le domaine d'émission des diodes permettant de couvrir leur dérive en Longueur d'onde pourrait permettre de s'affranchir de cet élément Peltier. Aussi, très récemment, un composé du type mélilite SrGdGa O dopée à 2X en atome par des ions 3+ 3 7 Nd a été proposé pour le pompage par diode (voir à cet effet le document H.R. Verdun et al., Tunable Solid State Lasers IV, 1990, p. 405-407, "Growth and characterization of Nd doped aluminates and galates with the mililite structure"). Ce matériau présente L'avantage d'une raie large, de 10 nm environ vers 810 nm, correspondant à la longueur d'onde d'émission des diodes lasers généralement utilisées. Cependant, l'émission stimulée n'a pas encore été obtenue à ce jour avec ce composé. D'autre part, celui-ci contient, comme les précédents composés, du gallium en grande quantité. Aussi, l'invention a pour objet un nouveau matériau, exempt de gallium, susceptible d'être pompé optiquement par une diode laser sans utiliser d'élément Peltier pour le contrôle de La température de cette dernière. Comme matériau exempt de gallium pouvant remplacer le YAG et ne présentant pas ses inconvénients de cristallogénèse et de ségrégation du dopant activateur, on connaît les aluminates de lanthanenéodyme-magnésium, appelés LNA de formule chimique La Nd MgAl O avec O 1-x x Il 19 x=0,1. Ces aluminates ont fait l'objet des brevets FR-A-2 448 134 et EP-A-O 043 776 et de la publication de L.D. Schearer et ai., IEEE Journal of Quantum ELectronics, vol. QE-22, n05 de mai 1986, p. 713-717, "LNA : a new CW Nd Laser tunable around 1,05 and 1O8um11. Les monocristaux de ces aluminates présentent des propriétés optiques comparables à celles que possède Le YAG dopé au néodyme. Mais là encore la fabrication de ces aluminates sous forme de monocristaux de grandes dimensions par la méthode Czochralski selon l'axe optique qui serait optimum pour les propriétés lasers pose problème et conduit à des cristaux de qualité insuffisante dès qu'il s'agit d'atteindre les grandes dimensions requises pour les lasers de puissance. Dans le domaine des microlasers, le LNA peut être pompé optiquement par diode laser à condition d'utiliser un élément Peltier de contrôle en température de la diode, comme le YAG. L'invention a donc pour objet un cristal de gehlenite dopée au néodyme, utilisable comme émetteur laser permettant de remédier notamment aux différents inconvénients mentionnés ci-dessus. En particulier, ce composé peut être réalisé sous forme monocristalline de grandes dimensions, exempt de bulle et de défaut, par la méthode Czochralski. Ce monocristal de gehlenite peut donc être utilisé dans l'industrie des lasers de puissance. En outre, il peut être utilisé dans le domaine des microlasers avec un pompage par diode sans utiliser d'élément Peltier. Son rendement énergétique ainsi que son coût énergétique sont donc tres inférieurs à ceux des microlasers à cristal connus. De façon plus précise, l'invention a pour objet un cristal de gehlenite dopée au néodyme de formule Ca Nd Al Si O avec Ocx 2-x x 2+x 1-x 7 La cristallogénèse de ce cristal selon la méthode Czochralski est bien maStrisée et peut s'opérer sans risque du fait qu'il n'y a pas de volatilisation des constituants. Elle est réalisée à des températures inférieures à celles utilisées pour le YAG (aux environs de 16000C) et il n'y a pas de ségrégation du dopant néodyme. La fusion de ce composé est congruente, d'où la possibilité d'élaborer de gros cristaux pouvant être utilisés comme émetteur laser dans un laser de puissance. Par rapport à son homologue au gallium (Ca2Ga2SiO7 :Nd), le cristal de l'invention présente une meilleure inertie chimique ainsi qu'une dureté plus élevée lui conférant ainsi une meilleure tenue mécanique. Il contient de l'aluminium et non du gallium, élément de beaucoup moins cher. En outre, il doit présenter une conductivité thermique plus élevée que celte de l'homologue au gallium. En effet, dans l'expression de la conductivité thermique K=C.v.l, C qui est la capacité calorifique par unité de volume croît si la masse moléculaire décroît; v représente la vitesse des phonons dans le cristal et I le libre parcours moyen des phonons. Cristallographiquement, la maille de la gehlenite de L'invention est plus petite que celle des homologues au gallium, ce qui entrasse des modifications du champ cristallin et donc des propriétés optiques elles-mêmes. En particulier, la structure cristallographique est plus désordonnée que celle du BaLaGa O :Nd. En effet, si dans ce dernier le site de 3+ 3 7 3+ Nd n'est entouré que d'ions Ga , dans Ca Al Si07:Nd, 2 2 7 ce même site est environné à la fois d'ions Al3+ et 4+ d'ions Si Il est possible d'accentuer ce désordre en effectuant des substitutions sur les trois types de sites cationiques. Le composé de l'invention est destiné à être utilisé comme émetteur laser émettant dans l'infrarouge, aussi bien dans des lasers de puissance que dans des microlasers. Aussi, l'invention a pour objet un laser comportant une cavité laser renfermant comme émetteur de lumière un monocristal, des moyens d'amplification de la lumière issue du monocristal, des moyens d'extraction de la lumière hors de la cavité laser et des moyens de pompage, se caractérisant en ce que le monocristal est une gehlenite dopée au néodyme de formule Ca Nd Al Si O avec O 2-x x 2+x 1-x 7 De façon avantageuse, x est choisi de sorte que 0 Le désordre de la structure se traduit notamment par un élargissement des bandes d'émission. 4 4 La transition F -- > 111/21 qui est à l'origine de 3/2 L'émission laser principale, présente une contribution importante depuis 1,05m jusque vers 1Z101um, ce qui est remarquable si L'on considère que pour le YAG la longueur d'onde Laser est de 1,064ru. On peut en tirer parti pour accorder l'émission laser comme dans le LNA. La durée de vie de l'état excité est de l'ordre de 280ps pour x=0,02 ; pour x=0,1 elle est de L'ordre de 160pus. Pour x=0,2, le temps de vie est encore de 30 3, valeur élevée pour un tel taux de dopage Le gros intérêt du matériau de l'invention pour l'application laser envisagée, est qu'il est adapté au pompage par diode laser. En effet, le spectre 3+ d'absorption optique de Nd dans ce composé présente La même allure 3+ que ceux des autres matrices laser activées au Nd mais avec la particularité qu'ici, c'est la bande vers 800nm (4I9/2--# 4F5/2' 2H9/2) qui est la plus intense tandis que dans la plupart des autres cas, c'est la transition hypersensible (vers 580nm) qu'est la plus intense. Ce résultat est particulièrement remarquable car cette longueur d'onde (vers 800nm) correspond exactement au domaine d'émission des diodes lasers. De plus, cette bande d'absorption est très 2+ 3+ large par suite du désordre entre Ca et Nd et entre 3+ 4+ Al et Si , et recouvre totalement le domaine d'émission de la diode. Aussi, même s'il y a dérive en longueur d'onde de cette dernière, l'absorption sera suffisante. 3+ Les sites de Nd sont de très basse symétrie (Cs) ; ils favorisent donc une intensité élevée des bandes d'absorption. Les valeurs des forces d'oscillateur calculées pour un indice de réfraction n=1,77 sont particulièrement élevées ; la plus importante (7,35.10 4 4 2 correspond bien à la transition I -- > F , H 9/2 5/2 9/2 vers 800nm. D'autres caractéristiques et avantages de l'invention ressortiront mieux de la description qui va suivre, donnée à titre purement illustratif et non limitatif, en référence aux dessins annexés, dans lesquels : - les figures 1 et 2 représentent schématiquement le spectre de fluorescence à 300K d'un cristal de gehlenite conforme à l'invention, - la figure 3 donne une partie du spectre d'absorption d'un cristal selon l'invention, - la figure 4 donne, à titre de comparaison, une partie du spectre d'absorption d'un monocristal de LNA dopé au néodyme, et - la figure 5 représente schématiquement un laser de puissance conforme à l'invention, pompé optiquement par une diode Laser. Pour fabriquer un cristal de gehlenite dopée au néodyme, de formule (I) (I) Ca Nd Al Si O 2-x x 2+x 1-x 7 on utilise des poudres du commerce de haute pureté, du carbonate de calcium, des oxydes de néodyme et d'aluminium ainsi que de la silice que l'on pèse dans les proportions désirées. Ces poudres sont mélangées plusieurs heures à L'aide d'un agitateur mécanique puis comprimées sous forme de cylindre. Un frittage de 20 heures à 14500C est effectué pour obtenir l'aluminosilicate de calcium dopé destiné à former le bain fondu. Les produits de départ utilisés se présentent sous forme diune poudre de granulométrie de 1 à 10m et ont une pureté supérieure à 99,99X afin d'obtenir un rendement aussi élevé que possible pour l'émission Laser. Le mélange fritté est alors placé dans un creuset d'iridium et amené à une température de 16000C correspondant à la température de fusion du mélange. Le tirage s'effectue sous atmosphère d'argon ou d'azote à partir d'un germe ayant L'orientation voulue. Généralement le tirage se fait selon l'axe du cristal. La vitesse de tirage varie de 0,5 à 1 mm par heure et la vitesse de rotation varie autour de 40 tours/min. Bien entendu, toute autre méthode de cristallogénèse utilisant un bain fondu telle que la méthode de Bridgmann, de la zone flottante, de Kyropou los ou de l'auto-creuset peut être utilisée. Un échantillon parfaitement monocristallin peut être isolé du cristal obtenu selon la méthode Czochralski, par clivage ou par découpe et polissage, de manière à obtenir deux faces rigoureusement parallèles ; cet échantillon peut alors être placé dans une cavité laser telle que représenté sur la figure 5 et être pompé optiquement par une diode laser émettant à 800nm environ. Sur les figures 1 et 2, on a représenté schématiquement les variations de l'intensité de fluorescence If (en unité arbitraire) en fonction de la longueur d'onde exprimée en nanomètres, à 300K pour une gehlenite de L'invention. La figure 1 est relative à la 4 4 transition optique F -- > I11/z la plus intéressante 3/2 11/2 du point vue laser et la figure 2 correspond à la 4 4 transition F -- > I ; cette dernière transition 3/2 13/2 présente un intérêt pour la transmission d'information par fibres optiques. On constate d'après ces courbes que L'émission laser s'effectue sur une large bande, de 1050 à 1100nm pour la transition F -- > I et de 4 3/2 4 11/2 1300 à 1430nm pour la transition F -- > I 3/2 13/2 Ainsi, les cristaux de l'invention présentent une large accordabilité en longueur d'onde ainsi qu'une émission laser à plus grande longueur d'onde que celle de La plupart des autres cristaux lasers dopés au néodyme. En particulier, le LNA dopé au néodyme émet à 1054nm, 1083nm et 1320nm avec une accordabilité en longueur d'onde de quelques nm (inférieure à 10nm) et le YAG dopé au néodyme émet à 1064nm avec une accordabilité inférieure à 0,6 nm. Ces spectres de fluorescence ont été obtenus en utilisant une longueur d'onde d'excitation de 577 4 4 2 nm, correspondant à la transition I --# 6 . 6 9/2 5/2' 7/2 en absorption du cristal, et une composition x en néodyme de 0,02. Notons toutefois que l'allure générale de ce spectre est valable quelle que soit la quantité de néodyme ; seule l'intensité d'absorption peut être légèrement différente. Bien que cela n'apparaisse pas sur les courbes, le cristal de l'invention émet aussi entre 870 et 930nm, ce qui correspond à la transition 4 4 F -- > 1 3/2 9/2 Dans le tableau I ci-après, on donne la durée 4 de vie de l'état excité F3/2 en fonction de la 3+ quantité d'ions Nd pour quatre des cristaux de gehlenite selon L'invention. Dans ce tableau, x indique la quantité d'ions 3+ Nd , les deux colonnes du milieu donnent le temps de vie court et long de L'effet Laser et la dernière colonne donne L'intensité de fluorescence en unités arbitraires. Ces valeurs ont été établies pour un cristal de 1 mm d'épaisseur. D'après ce tableau I, on constate que la décroissance du temps de vie et de l'intensité de fluorescence pour x=0,20 est liée au phénomène d'autoextinction. Au-dessus de x=0,30, le temps de vie et l'intensité de fluorescence sont insuffisants pour utiliser ce composé comme émetteur laser. Le composé numéro 2 est celui qui présente les meilleurs propriétés lasers. Sur la figure 3, on a représenté le spectre d'absorption d'un cristal de gehlenite de l'invention et sur la figure 4, le spectre d'absorption d'un cristal de LNA dopé au néodyme. Ces courbes donnent les densités optiques (D.O.) en fonction de la longueur d'onde exprimée en nanomètres. Sur ces figures, on a fait apparaître les transitions d'absorption. D'après la figure 3, on constate que le 3+ spectre d'absorption de la gehlenite dopée Nd selon l'invention présente une bande d'absorption intense et large autour de- 800 nm. Les pics A et B correspondent respectivement à des longueurs d'onde d'absorption de 797,1 nm et 806,7 nm. C'est dans ce domaine de longueurs d'onde qu'émettent les diodes lasers. Les cristaux de L'invention présentent aussi une bande d'absorption vers 590 nm (domaine hypersensible), pic C de la courbe d'absorption, comme la plupart des autres matériaux dopés au néodyme, mais cette bande d'absorption, contrairement aux autres composés dopés au néodyme, est beaucoup moins intense que celle autour de 800nm. Ceci est en particulier illustré par la figure 4 où le maximum d'absorption se situe autour de 580 nm, pic D de la courbe d'absorption, alors que l'intensité d'absorption autour de 800 nm, pic E de la courbe 4, est beaucoup plus faible que celle à 580 nm. A titre indicatif, on donne ci-après dans le tableau II, les forces d'oscillateur des transitions d'absorption. Ces forces d'oscillateur sont parmi les plus élevées observées pour les composés connus dopés au néodyme. Du fait de la large bande d'absorption autour de 800 nm et de la forte intensité d'absorption, il n'est pas nécessaire d'utiliser un système de contrôle de la température de la diode du type composant à effet Peltier. En effet, le pompage optique peut être assuré entre 790 et 820nm. Aussi, les cristaux de l'invention se révèlent parfaitement bien adaptés pour un pompage optique par diode laser. Sur la figure 5, on a représenté schématiquement un laser de puissance fonctionnant en continu, utilisant comme émetteur laser un cristal de l'invention. Ce laser comprend une cavité laser 2 contenant un barreau 4 du composé numéro 2, disposé perpendiculairement à l'axe longitudinal 3 du Laser, l'axe c du barreau étant confondu avec l'axe 3 du Laser. L'émission laser se situe dans l'infrarouge (voir figure 3). Une source de lumière monochromatique 6, telle qu'une diode laser ou une barrette de diodes laser, permet d'irradier le barreau de gehlenite 4, via une lentille de convergence 7, afin d'assurer le pompage optique du barreau 4. Un dispositif 5 de circulation d'eau distillée autour du barreau 4 assure son refroidissement. En revanche, aucun contrôle en température de la diode n'est prévu. La cavité laser 2 se compose aussi d'une lentille convergente 8 transformant la Lumière émise par le barreau de gehlenite 4 en un faisceau de lumière parallèle qui est envoyé sur un miroir de sortie 10. Après réflexion sur ce miroir 10, le faisceau lumineux traverse à nouveau la lentille convergente 8 et le milieu amplificateur ou barreau 4. Le faisceau laser amplifié est alors réfléchi par un miroir d'entrée dichrojque 12 à proximité duquel est placé le barreau 4 ; ce miroir 12 est transparent à la lumière émise par la source monochromatique 6 et opaque à celle émise par le monocristal de gehlenite 4. Le faisceau laser suffisamment amplifié dans la cavité 2 est alors envoyé vers l'extérieur de la cavité laser, via le miroir 10, qui est partiellement transparent à la Lumière émise par le monocristal de gehlenite 4. L'accordabilité en longueur d'onde peut être obtenue à l'aide d'un système de sélection en longueur d'onde 14 intercalé entre la lentille convergente 8 et le miroir de sortie 10 de la cavité laser 2, du type prisme à angle de Brewster ou filtre de Lyot formé de plusieurs lames en matériau biréfringent. En outre, un étalon solide 15 du type lame à faces parallèles peut être intercalé entre la Lentille convergente 8 et le filtre de Lyot 14 pour fixer la longueur d'onde d'émission. La diode 6 a l'avantage d'être extrêmement petite, diminuant de façon considérable Les dimensions totales du laser à cristal ; elle émet à une Longueur d'onde autour de 800nm. Or, le spectre d'absorption de la figure 3 met en évidence une bande d'absorption large et intense autour de 800 nm. En outre, les diodes lasers ont un rendement excellent de l'ordre de 50X et la conversion laser est de L'ordre de 30 à 40X, ce qui correspond à un rendement de l'effet laser de 20X au moins à partir du courant électrique. Les monocristaux de L'invention peuvent être utilisés dans toutes les applications utilisant actuellement un émetteur laser du type YAG. En particulier, ces monocristaux peuvent être utilisés dans des lasers destinés à la découpe ou au marquage de matériaux ainsi que pour réaliser des soudures. En plus des applications du type YAG, ces oxydes présentent des applications qui leur sont propres. Ils sont particulièrement propices au pompage par diodes laser et donc à la réalisation de dispositifs miniaturisés (applications militaires, recherche scientifique, applications médicales). En outre, leurs longueurs d'onde d'émission particulières et l'accordabilité de ces dernières peuvent être mises à profit dans les télécommunications optiques ou pour la polarisation de certains atomes par pompage optique. T A B L E A U I EX. x TEMPS DE VIE TEMPS DE VIE INTENSITE COURT LONG FLUORESCENCE S S unités arbitraires 1 0,02 - 275 101 2 0,04 238 284 213 3 0,10 142 190 307 4 0,20 - 30 276 x représente la quantité d'ions néodyme. I A B L E A U II TRANSITION * FORCES LONGUEUR D'ONDE D'OSCILLATEUR (nm) 4 2 F5/2' H9/2 7,35x10-6 800 4 4 F7/2' S3/2 6,80x10-6 750 4 F9/2 0,47x10-6 700 2 4 G7/2' 5/2 6,29x10-6 590 (hypersensible) 4 2 G7/2' G9/2' 2 K13/2 4,31x10-6 530 G D 9/2 3/2 4 2 G11/2' K15/2 1,94x10-6 480 2 -6 1/2 0,2x10 @@@ 4 4 D5/2' D3/2 7,78x10-6 360 4 * Depuis le niveau de base I9/2 des ions Nd3+ REVENDICATIONS 1. Cristal de gehlenite dopée au néodyme de formule Ca Nd Al Si O avec 0 2-x x 2+x 1-x 7 2. Cristal selon la revendication 1, caractérisé en ce que x est choisi de sorte que 0 3. Cristal selon la revendication 1 ou 2, caractérisé en ce que x est choisi de sorte. que 0,02 4. Cristal selon la revendication 1, caractérisé en ce que x vaut 0,04. 5. Laser comportant essentiellement une cavité laser (2) renfermant comme émetteur de lumière un monocristal (4), des moyens d'amplification (10, 12) de la lumière issue du monocristal, des moyens d'extraction (10) de la lumière hors de la cavité laser et des moyens de pompage (6, 7), caractérisé en ce que Le monocristal est une gehlenite dopée au néodyme de formule Ca Nd Al Si O avec 0 2-x x 2+x 1-x 7 6. Laser selon la revendication 5, accordable en longueur d'onde dans l'infrarouge, caractérisé en ce qu'il comprend des moyens d'accordabilité (14). 7. Laser selon la revendication 5 ou 6, caractérisé en ce que les moyens de pompage consistent en au moins une diode laser. 8. Laser selon la revendication 7, caractérisé en ce que la diode laser est une diode émettant vers 800 nm. 9. Laser selon l'une quelconque des revendications 5 à 8, caractérisé en ce que x est choisi de sorte que 0 10. Laser selon l'une quelconque des revendications 5 à 9, caractérisé en ce que x est choisi de sorte que 0,02 11. Laser selon la revendication 5, caractérisé en ce que x vaut 0,04.