FR 2692274 A1 19931217 FR 9207006 A 19920610 NOUVELLE LAQUE A BASE DE SILICIUM, SON EMPLOI EN TANT QUE REVETEMENT DE SUBSTRAT ET LES SUBSTRATS AINSI OBTENUS La présente invention a pour objet une nouvelle laque à base de silicium, son emploi en tant que revêtement de substrat, et les substrats ainsi obtenus. Jusqu'à présent, des études et des efforts ont été faits pour obtenir des laques doublées de propriétés techni- ques améliorées, destinées à être utilisées en tant que revê- tement pour des substrats qui sont classiquement utilisés dans des conditions d'environnement extrêmement drastiques. Des exemples de tels revêtements permettant aux substrats ainsi revêtus d'être utilisés dans des conditions d'environ- nement drastiques sont les revêtements avec des propriétés telles que: anti-contamination, anti-rayures, résistance à la chaleur, propriétés réfractaires, faible perméabilité à l'eau, résistance aux agents chimiques, propriétés d'isola- tion, barrière à l'oxygène, résistivité volumique élevée, faible coefficient de frottement, adhésion élevée aux sub- strats, et autres. Les domaines dans lesquels lesdits revêtements peuvent être utilisés sont divers et variés On peut citer, à titre illustratif, les domaines dans lesquels les revêtements sont protecteurs de composants électriques, électroniques et opti- ques-actifs et passifs, et de leurs assemblages contre les agressions extérieures. Durant les dernières années, les recherches dans les domaines de la micro-électronique ont été dirigées vers l'ob- tention d'une productivité plus élevée et vers la miniaturi- sation des composants Ainsi, l'emploi de composants montés en surface (CMS), qui rend possible le placement de compo- sants à vitesse élevée, a conduit à un gain significatif en productivité, la soudure de ces composants montés en surface (CMS) sur les circuits imprimés étant maintenant mise en oeuvre sur la ou les face(s) du circuit o les composants sont placés Les deux procédés de soudure actuellement utili- sés sont la soudure à la vague (en anglais "wave soldering") et la soudure par refusion (en anglais "reflow soldering"). Le premier de ces deux procédés, ainsi dénommé "soudure à la vague", comprend l'étape de passage du circuit imprimé por- tant les CMS qui adhérent à sa surface, au contact avec une onde stationnaire localisée dans un bain de soudure fondu, les paramètres de température et de durée étant respective- ment d'environ 2600 C et environ 10 secondes pour la soudure classique plomb/étain; étant entendu que les paramètres opé- ratoires varient en fonction de la composition de la soudure utilisée Le second procédé, ainsi dénommé "soudure par refu- sion", comprend l'étape d'application de soudure à l'état solide aux électrodes de contact du CMS adhérant au circuit imprimé, suivi par le chauffage, grâce à la radiation IR ou à une phase vapeur, de l'assemblage précédent à une température d'environ 220 'C pour une période de temps d'environ 30 se- condes, les paramètres opératoires correspondant aussi à une soudure classique plomb/étain Le composant et le substrat sont ainsi soumis à des conditions thermiques drastiques, mais ils doivent bien sûr conserver leurs propriétés, parti- culièrement leurs propriétés électroniques, c'est-à-dire que la dérive due au traitement thermique doit être inférieure à quelques %, typiquement inférieure à 3 %. Concurremment, des efforts ont été faits pour miniatu- riser les composants eux-mêmes et de nouveaux composants tels que de nouvelles capacités ont été développés Ces nouvelles capacités connues en tant que "capacités à film mince" (dé- nommées en anglais thin-film capacitors) sont obtenues par stratification de fines couches de métal, par exemple d'alu- minium, et de fines couches d'un matériau diélectrique en masse, les extrémités des électrodes (poles) de ce CMS étant obtenues par dépôt de métal, tel que par exemple d'aluminium. De bons et prometteurs résultats ont été obtenus avec de telles capacités, obtenues à partir de films de polyester par exemple de polyéthylènetérephtalate (PET) ou de polyéthylène- naphtalate (PEN) et qui ont été métallisés Un exemple d'un procédé de fabrication de ces nouvelles capacités est connu sous la dénomination Interleaf Les procédés de préparation de capacités à film mince sont décrits dans, par exemple, les brevets U S suivants: 4 741 876, 4 744 462, 4 533 813, 4 535 381, 4 531 268, 4 534 488 et 4 531 340. Cependant, ces nouveaux composants, tels que les capa- cités à film mince ci-dessus, souffrent de certains inconvé- nients L'un est que les feuils de polyester sont connus pour absorber l'eau Cette eau cause la corrosion et l'érosion des électrodes d'aluminium (feuils de métal), et aussi une dérive de la capacité (qui peut être dénommée capacitance et s'ex- prime en Farad) provenant du changement de la teneur en eau, c'est-à- dire que, durant les procédés de soudure mentionnés ci-dessus, l'évaporation rapide de l'eau tend à produire une délamination. Ces problèmes, liés à l'eau, sont cumulés avec le point de fusion bas du polyester Ainsi, l'emploi de capacités à film mince en tant que CMS dans le domaine de la micro- électronique, qui peuvent subir les procédés de soudure, nécessitent l'encapsulation de ces films minces La coque d'encapsulation doit aussi être pourvue de propriétés d'iso- lation afin de protéger le CMS Mais alors, le bénéfice réa- lisé grâce à la miniaturisation des capacités est perdu, à cause de l'encombrement stérique de la coque d'isolation. Une alternative a donc été proposée afin d'éviter l'em- ploi de cette coque d'isolation Cette alternative est basée sur le revêtement des composants CMS tels que la capacité, avec un matériau qui agit en tant que barrière et évite ainsi la dégradation du CMS Mais les propriétés requises sont multiples Les propriétés majeures, telles qu'entre autres, dans le cas des CMS ci-dessus pour des capacités à film mince: efficacité pour une faible épaisseur, adhésion élevée sur le substrat tel que l'aluminium et le polyester, faible perméabilité à l'eau, propriétés techniques suffisantes pour résister aux conditions drastiques de soudure, propriétés électriques telles qu'une résistance en surface et en masse élevées et un champ de claquage élevé, des propriétés chimi- ques telles que la résistance aux solvants et aux savons, une application aisée sur le substrat, l'absence de danger pour l'environnement et autres Divers matériaux ont été proposés, tels que polychlorure de vinyle (PCV), polyéthylène haute densité (PEHD) et autres, en tant que revêtement pour les CMS et similaires, mais les résultats ainsi obtenus ne sont pas satisfaisants Ces matériaux, connus comme étant des maté- riaux formant barrières à l'eau, ne sont pas adhérents aux substrats obtenus, par exemple, polyester, silicium, céra- mique, métal, polyamide et autres, et ne sont pas capables de résister à des températures élevées. D'autres problèmes similaires apparaissent avec une grande variété de CMS, tels que les composants optiques, les circuits imprimés et autres Des exemples de substrats envi- sagés dans la présente invention sont, à titre illustratif: les résistances, les circuits intégrés, les guides d'onde optiques et les commutateurs, les composants multi-puces (MCM), les plaquettes de silicium (dénommées en anglais "Si- wafers"), les plaquettes de circuit imprimé (PCB) tels que les PCB obtenus à partir de stratifiés FR-4, les plaquettes en céramique-A 1203 avec des conducteurs Cu et Au, et les circuits hybrides. Par ailleurs, une intégration plus poussée, une tran- sition du signal plus rapide, nécessitent de nouveaux maté- riaux, susceptibles d'être gravés, similairement à la réduc- tion de taille des CMS Le potentiel de nouvelles générations de puces RAM et ROM, en particulier les processeurs, ne peut pas être totalement utilisé sans une intégration plus poussée et l'emploi de la technologie multicouche Ainsi, la micro- électronique nécessite des matériaux sur mesure et de nou- velles techniques pour une interconnexion La technologie multicouche nécessite des matériaux diélectriques suscepti- bles d'être gravés et de présenter des propriétés spécifiques telles que: champ de claquage élevé, constante de permitti- vité faible, résistivité volumique élevée, résistance à la corrosion élevée, adhésion élevée sur divers types de sub- strats, et autres De tels matériaux, doués des propriétés mentionnés ci-dessus, appliqués comme revêtement puis ulté- rieurement traités, ouvriraient de nouveaux développements pour les techniques à très haute densité d'intégration (VLSI). Les exemples précédents montrent le besoin de disposer d'une variété de revêtements doués de propriétés améliorées. Mais, un revêtement unique destiné à être utilisé comme revê- *tement dans presque tous les cas serait plus avantageux Ceci permettrait, par exemple, le traitement en une fois des pla- quettes de circuit imprimé PCB avec tous les composants mon- tés en surface CMS disposés sur celles-ci Des efforts ont été faits pour obtenir un tel revêtement avec de nombreuses propriétés, mais les résultats obtenus jusqu'à présent ne sont pas prometteurs. EP-A-0036648 décrit un polycondensat destiné à être utilisé en tant qu'agent de scellement à chaud Ce poly- condensat est obtenu par polymérisation: a) un silane de formule Si X 4, b) un silane de formule R'm(R"Y)n Si X( 4-m-n) dans lequel Y est un groupe polymérisable, c) un silane de formule R"' Si X 4 p et d) un oxyde à faible volatilité Il n'y a aucune mention de l'emploi spécifique en tant que revête- ment pour des composants électroniques ou optiques. EP-A-0223067 décrit une composition adhésive comprenant le polycondensat tel que décrit dans EP-A-0036648, copolymé- risé avec un second monomère en présence d'un catalyseur de polymérisation A nouveau, il n'y a aucune mention de revête- ment pour substrat. Le but de l'invention est de fournir ledit revêtement "universel", grâce à l'application d'une nouvelle laque. La figure 1 montre l'effet de planarisation du revête- ment sur le substrat A 1203 avec des conducteurs Cu et Au. La figure 2 montre la dérive relative de capacité pour des capacités en PET 100 n F revêtues et non revêtues dans un test de durée de vie à 900 C et 100 % d'humidité relative (RH). Ainsi, la présente invention conduit à une laque obte- nue par le procédé comprenant les étapes de: (i) précondensation de: a) 1 à 10 % molaire d'au moins un composé de silicium de formule I: Si R 4 (I) dans laquelle: R est un halogène, un hydroxy, un groupe alkoxy, acyloxy, ou un ligand chélaté; b) 20 à 94 % molaire d'au moins un silane organique de formule II: R" m(R"'Y)nsi( 4-m-n) (II) m ( n R( 4-m-n) (l dans laquelle: R" est un groupe alkyle, alkényle, aryle, alkyl- aryle, arylalkyle, alkénylaryle, arylalkényle; R"' est un groupe alkylène, alkénylène, arylène, alkylarylène, arylalkylène, alkénylarylène, arylalkénylène, R" et R"' étant éventuellement interrompus par de l'oxygène, du soufre, ou -NH-; X est de l'hydrogène, un halogène, hydroxy, un groupe alkoxy, acyloxy, -NR 2 ' o R' est H ou alkyle; Y est un groupe polymérisable; m et N sont des entiers de O à 3 et la somme m + n est comprise entre 1 et 3, bornes incluses; et c) 5 à 30 % molaire d'au moins un silane organique de formule III: R" Si X 4 P (III) p 4-p dans laquelle: R" et X ont les significations ci-dessus; et p vaut 1, 2 ou 3; et éventuellement d) O à 10 % molaire d'au moins un oxyde métallique à faible volatilité, soluble dans le milieu réaction- nel, d'un élément des groupes principaux Ia à Va ou des sous-groupes I Vb à Vb, ou un composé de l'un de ces éléments, soluble dans le milieu réactionnel, formant un oxyde à faible volatilité; de préférence en absence d'eau, éventuellement en pré- sence d'un solvant organique à une température comprise entre O et 900 C pour une période de temps comprise entre 0,5 et 48 heures; et (ii) la condensation hydrolytique du précondensat de l'étape (i) avec substantiellement la quantité stoechiométrique d'eau, à une température comprise entre O et 1000 C pour une période de temps comprise entre 1 et 72 heures. De préférence, le composé a) de formule I représente de 2 à 6 % molaire, le composé b) de formule II représente de 69 à 80 % molaire, le composé c) de formule III représenté de 15 à 25 % molaire, et le composé d) est absent. Dans les formules I, II et III, les groupes R, R', R", X ou Y qui peuvent être présents plusieurs fois dans un ou plusieurs des composés, peuvent avoir des mêmes significa- tions ou des significations différentes Ainsi, par exemple, le groupe X dans les formules II et III peut être un groupe méthoxy dans les deux formules ou un groupe méthoxy dans la formule II et un groupe hydroxy dans la formule III De même, le groupe R dans la formule I peut avoir jusqu'à quatre si- gnifications distinctes depuis une signification unique. Le terme "alkyle", tel qu'utilisé ici, signifie, mais en aucune façon n'est limité à, des groupes saturés, linéai- res, ramifiés ou cycliques ayant de 1 à 20, et de préférence de 1 à 10, et plus avantageusement de 1 à 6 atomes de car- bone; les groupes-préférés sont les groupes alkyles infé- rieurs contenant de 1 à 4 atomes de carbone Des exemples de ces groupes sont, à titre d'illustration: méthyle, éthyle, n-propyle, isopropyle, n-butyle, sec-butyle, t-butyle, iso- butyle, n-pentyle, n-hexyle et cyclohexyle. Le terme "aryle", tel qu'utilisé ici, signifie des groupes aromatiques ayant de 6 à 25, de préférence de 6 à 14, et plus avantageusement de 6 à 10 atomes de carbone Des exemples sont les groupes phényle et naphtyle, le phényle étant le groupe aryle préféré. Le terme "alkényle", tel qu'utilisé ici, signifie des groupes mono ou poly-insaturés, linéaires, ramifiés ou cy- cliques ayant de 2 à 20, de préférence de 2 à 10, et plus avantageusement de 2 à 6 atomes de carbone Des exemples de ces groupes sont: allyle, 2-butényle et vinyle. Les groupes alkylaryle, arylalkyle, alkénylaryle, aryl- alkényle, alkylène, alkénylène, arylène, alkylarylène, aryl- alkylène, alkénylarylène, arylalkénylène, alkoxy, acyloxy, alkylamino, dialkylamino, amides, alkylcarbonyles, alkoxy- carbonyles et autres, sont dérivés des groupes alkyle, aryle et alkényle mentionnés ci-dessus, selon la nomenclature bien connue de l'homme de l'art Des exemples de tels groupes sont: méthoxy, époxy, n et i- propoxy, n-sec et t-butoxy, isobutoxy, p-méthoxyéthoxy, acétyloxy, propionyloxy, mono- méthylamino, monoéthylamino, diméthylamino, diéthylamino, éthylène, propylène, butylène, phénylène, toluylène, benzyle, styryle, méthylcarbonyle, éthylcarbonyle, méthoxycarbonyle et éthoxycarbonyle. Les groupes ci-dessus peuvent être substitués par un ou plusieurs substituants classiquement employés, tels que halo- gène, groupe alkyle inférieur, hydroxy, nitro, amino, et autres Le terme "halogène", utilisé ici, signifie fluor, chlore, brome, le chlore étant préféré. Le composé de silicium a) de formule I est: Si R 4 (I) dans laquelle: R est halogène, hydroxy, alkoxy, acyloxy ou un ligand chélaté; et est aussi dénommé précurseur du squelette inorganique. Des exemples de silanes précurseurs du squelette inor- ganique sont, à titre illustratif: Si C 14, H Si C 13, Si(OCH 3)4, Si(OOCCH 3)4 et Si(OC 2 H 5)4 Le groupe préféré est Si(OC 2 H 5)4, c'est-à-dire tétraéthoxysilane, dénommé ci-après TEOS ou T. Le silane b) de formule II est: R"m(R"'Y)n Si X( 4-m-n) (II) dans laquelle: R" est un groupe alkyle, alkényle, aryle, alkylaryle, arylalkyle, alkénylaryle, arylalkényle, de préférence méthyle; R"' est un groupe alkylène, alkénylène, arylène, alkyl- arylène, arylalkylène, alkénylarylène, arylalkénylène, de préférence un groupe alkylène en C 1 à C 4, R" et R"' étant éventuellement interrompu par de l'oxy- gène, du soufre ou -NH-, X est de l'hydrogène, de l'halogène, un groupe hydroxy, alkoxy, acyloxy, -NR 2 ' o R' est H or alkyle, de pré- férence un groupe alkoxy en C 1 à C 4; Y est un groupe polymérisable, de préférence méthacryl- oxy, acryloxy, époxy, vinyle, allyle; m et N sont des entiers de O à 3, de préférence de O et 1 respectivement; m + N est compris entre 1 et 3, bornes incluses, et est aussi dénommé dans la présente "précurseur du sque- lette organique". Le groupe de pontage R"' peut éventuellement être interrompu par des hétéroatomes, tels que l'oxygène, le soufre et l'azote, comme -NH-. Ainsi, de 2 à 10 unités récurrentes, tels que des polyéthers, peuvent être avantageusement obtenues. Des exemples de précurseurs de squelette organique fonctionnels sont: (CH 30) 3-Si-(CH 2) 3-0-C-C=CH 2 0 CH 3 (CH 30)3-Si-(CH 2)3-O-C-CH=CH 2 O (CH 30)3-Si-(CH 2)X-CH=CH 2 x= 1,2 / \ (CH 30) 3-Si-(CH 2)3-O-CH 2-CH-CH 2 (CH 30)3-Si-(CH 2)2 De préférence, le composé b) de formule II est (R"'Y)Si X 3, o R"' est un alkylène en C 1 à C 4, Y est acryloxy, méthacryloxy, glycidyloxy, vinyle, allyle, époxycyclohexyle, et X est un groupe alkoxy en C 1 à C 4. Les groupes particulièrement préférés sont: 3-glycidyloxypropyltriméthoxysilane et 3-méthacryloxypropyl- triméthoxysilane, abrégés respectivement en glymo (G) et memo (M) ci-après. Le silane c) de formula III est: Rp Si X 4 p p 4-p o R", X et p ont les significations ci-dessus, et est aussi dénommé ci-dessous "modificateur de squelette". Les exemples sont, à titre illustratif: CH 3-Si-C 13 CH 3-Si-(OC 2 H 5)3 C 2 H 5-Si-C 13 C 2 H 5-Si-(OC 2 H 5)3 CH 2 =CH-Si-(OC 2 H 5)3 CH 2 =CH-Si-(OC 2 H 4 OCH 3)3 CH 2 =CH-Si-(OOCCH 3)3 * (CH 3)2-Si-Cl 2 (CH 3)2-Si-(OC 2 H 5)2 (C 2 H 5)2 (Si-( O C 2 H 5)2 * (CH 3)(CH 2 =CH)- Si-C 12 * (CH 3)3-Si-Cl (C 2 H 5)3-Si-Cl (t-C 4 H 9)(CH 3)2-Si-Cl (CH 3)2 (CH 2 =CH-CH 2)-Si-Cl * (CH 3)2-Si(OCH 3)2 * (CH 3)2-Si-(OCH 3)2 À (C 6 H 5)2-Si-C 12 (C 6 H 5)2-Si-(OC 2 H 5)2 CH 2 =CH-Si-C 13 CH 2 =CH-CH 2-Si-(OC 2 H 5)3 CH 2 =CH-CH 2-Si-(CH 3 COO)3 * (i-C 3 H 7)3-Si- OH, et * (C 6 H 5)2-Si-(OH)2. De préférence, p est 2; R" est un groupe aryle et X est un groupe hydroxy ou alkoxy en C 1 à C 4. Le modificateur de squelette particulièrement préféré est (C 6 H 5)2-Si-(OH)2, diphénylsilanediol, abrégé ci-après en P 2. il Les composés de silane soit sont disponibles dans le commerce, soit sont facilement préparés selon des méthodes bien connues de l'homme de l'art; voir par exemple W Noll "Chemie und Technologie der Silicone", Verlag Chemie Gmb H, Weinheim, Bergstrasse ( 1968) Il faut prendre soin que les silanes de départ soient purs; des quantités à l'état de trace des électrolytes tels que Cl, B, Ca, Ti, et autres, affectent de manière négative les conditions de réaction et les propriétés de la laque ainsi obtenue. Au lieu des monomères de type silanes (a), (b) ou (c), peuvent aussi être utilisés leurs oligomères respectifs Ces oligomères sont solubles dans le milieu réactionnel et ils sont des précondensats partiels Ces précondensats partiels, ou les polyorganosiloxanes linéaires ou cycliques ont un poids moléculaire faible, le degré de condensation variant de 2 à 100. En tant que composé optionnel (d), on peut utiliser des oxydes à faible volatilité, solubles dans le milieu réaction- nel d'un élément des groupes principaux IA à Va ou des sous- groupes I Vb ou Vb de la Classification Périodique, ou alter- nativement un composé de l'un de ces éléments, soluble dans le milieu réactionnel, formant un oxyde de faible volatilité tel que précédemment décrit dans les conditions de réaction. De préférence, le composé (d) est obtenu à partir de l'un des éléments suivants: Na, K, Mg, Ca, B, Al, Sn, Pb, P, As, Sb et/ou V; les plus préférés sont Na, K, Ca, Mg, B, Al, Sn, As et P. Parmi les oxydes de faible volatilité, les oxydes pré- férés sont Na 20, K 20, Ca O, Sn O 2, As 203, P 205, B 203 B 203 est particulièrement préféré. Les composés solubles dans le milieu réactionnel et formant des oxydes à faible volatilité mentionnés ci-dessus sont nombreux Des acides minéraux sont appropriés, tels que l'acide phosphorique, l'acide borique, ainsi que leurs esters, halogénures et sels Sont aussi appropriés les hydroxydes tels que Na OH, KOH ou Ca(OH)2, les halogénures tels que Sn Cl 4 et P Cl, et les alcoolates tels que Na OR, KOR, Ca(OR)2 ou Al(OR)3, le groupe R étant dérivé d'un alcool inférieur tel que méthanol, éthanol, propanol et butanol Des composés de départ qui peuvent éventuellement être utilisés sont les sels correspondants avec des acides volatils, tels qu'acétates, acétates basiques, acétate de plomb basique et formiate. Afin d'obtenir la condensation conduisant à l'hétéro- polycondensat formant la laque, les composés de départ a), b), c) et éventuellement d), employés selon les quantités et rapports désirés, sont premièrement soumis à une étape de précondensation Cette étape est de préférence mise en oeuvre en l'absence d'eau, éventuellement en présence d'un solvant organique, qui peut être inerte dans les conditions de réac- tion Ce solvant organique est, par exemple, un alcool, tel que méthanol, éthanol, propanol, butanol, un éther, tel que diméthoxyéthane, un ester tels que diméthylglycolacétate, ou une cétone tels qu'acétone ou méthyléthylcétone De préfé- rence, l'étape de précondensation est mise en oeuvre sans solvant organique externe Cette étape est de préférence mise en oeuvre sans ajout extérieur d'eau, l'eau présente dans le milieu réactionnel résultant de la réaction de condensation des groupes -OH du diphénylsilanediol (composé c) et aussi des groupes -OH avec des groupes alkoxy L'eau peut engendrer une condensation subséquente des autres composants, mais dans une proportion minime. La précondensation peut être mise en oeuvre en présence d'un catalyseur, par exemple des composés générant des pro- tons H+ ou des ions hydroxy OH ainsi que des amines Des exemples de composés générant des H+ sont des acides organi- ques-et minéraux, tels que les acides chlorhydrique, sulfu- rique, phosphorique, acétique et formique Des exemples de composés générant des OH et des amines sont l'ammoniac, les hydroxydes de métaux alcalins ou alcalino-terreux, par exem- ple hydroxyde de sodium, de potassium et de calcium, et des amines qui sont solubles dans le milieu réactionnel, par exemple des amines d'alkyle inférieur et des amines d'alkanol inférieur Les catalyseurs préférés sont l'acide formique et l'ammoniac La quantité totale de catalyseur peut aller jus- qu'à 3 moles/l, par exemple. L'étape de précondensation est en général mise en oeuvre à une température variant de O à 90 C, de préférence de 10 à 700 C La période de temps nécessaire pour la mise en oeuvre de l'étape de condensation est comprise entre 0,5 et 48 h, de préférence entre 4 et 24 h Lorsque des solvants sont utili- sés, les mêmes intervalles s'appliquent, y compris pour la température d'ébullition du solvant Cependant, la réaction est de préférence mise en oeuvre à température ambiante Le solvant peut être retiré du milieu de condensation à l'issue de la réaction. Eventuellement, la précondensation peut être mise en oeuvre par une première précondensation de un ou plusieurs des composés de départ, ou une partie de un, plusieurs ou tous les composés de départ, et par addition subséquente du ou des composé(s) restant(s) ou partie de ceux-ci et par finalement mise en oeuvre du procédé de précondensation, ou alternativement du procédé de la condensation subséquente. La précondensation est mise en oeuvre jusqu'à un degré d'avancement tel que le précondensat montre toujours une consistance liquide. La condensation subséquente (ii) du précondensat, éven- tuellement sous forme d'une solution exempte de solvant, est mise en oeuvre avec substantiellement la quantité stoechiomé- trique requise pour l'hydrolyse des groupes hydrolysables. Le terme "substantiellement stoechiométrique" signifie la quantité stoechiométrique exacte d'eau, plus ou moins une variation qui n'excède 5 % La stoechiométrie, utilisée dans la présente description, est calculée sur la base des maté- riaux de départ initialement utilisés Selon un mode de réa- lisation préféré, l'eau est ajoutée par additions successives. La condensation (ii) est de préférence mise en oeuvre en présence d'un catalyseur, du type de ceux mentionnés ci- dessus Les catalyseurs préférés pour la condensation (ii) sont l'acide formique et l'ammoniac La quantité totale de catalyseur peut varier jusqu'à 5 moles/l, par exemple Pen- dant ladite condensation, un des solvants organiques men- * tionnés ci-avant peut soit être présent au début de ladite condensation (ii) s'il n'a pas été retiré à l'issue de la précondensation (i), soit être ajouté pendant ladite conden- sation Si un solvant est utilisé pendant l'étape de conden- sation, il peut être retiré par action du vide. La condensation (ii) est mise en oeuvre à une tempéra- ture comprise entre 0 et 100 'C, de préférence entre 20 et C, et pour une période de temps comprise entre 1 et 72 h, de préférence 4 et 16 h Les paramètres de réaction, en par- ticulier le temps de réaction, sont ajustés en fonction de la nature des matériaux de départ, des conditions de réaction de la précondensation, de la température de condensation, et de la viscosité recherché de la laque à obtenir Typiquement, la condensation est poursuivie jusqu'à ce que la viscosité inhé- rente recherchée pour la laque soit atteinte. De préférence, ladite viscosité inhérente est comprise entre 5 et 1 000 mm 2/s Cette viscosité est choisie de façon à permettre à la laque d'être facilement traitée, c'est-à-dire d'être facilement appliquée sur le substrat considéré La viscosité est mesurée selon des méthodes connues, telles que la viscosimétrie capillaire Cette viscosité est la viscosité cinématique et s'exprime en mm 2 S (L 2 T). La laque peut être utilisé telle quelle pour le revête- ment, ou elle peut contenir des additifs supplémentaires Ces additifs sont classiques, et incluent, sans que cela ne puisse constituer une liste limitative: des diluants organiques, des adjuvants anti-coulée, des pigments, des colorants, des sta- bilisants UV, des-régulateurs de viscosité, des anti-oxydants, des charges De préférence, la laque contient des charges, telles que: argile, argile calcinée, Aerosil , a-calcite, fibres de verre, éclats de verre, talc et autres La charge peut représenter jusqu'à 100 % en poids, par rapport au poids de la laque. Les charges préférées sont le talc de Luzenac et les fi- bres/éclats de verre, qui peuvent être incorporées dans la laque; les fibres ou éclats de verre peuvent être incorporés avant le revêtement ou saupoudrés sur celui-ci une fois qu'il a été appliqué. Il n'y a aucune contrainte spécifique relativement au moment o la laque doit être traitée, puisque la limite en temps est d'environ 15 ans après la fin de la réaction de condensation; de préférence, elle est appliquée dans les 250 jours suivant l'achèvement de la condensation Cette contrainte est due à la variation de viscosité Alternative- ment, la laque peut être obtenue par étape, c'est-à-dire en mettant en oeuvre la précondensation et la condensation à deux moments différents; dans ce cas, il faut prendre soin de stocker le précondensat dans un environnement exempt d'eau et à une faible température de sorte que la réaction de conden- sation ne puisse commencer. Un autre objet de la présente invention est un procédé pour l'obtention d'un revêtement sur un substrat qui comprend les étapes d'application d'une laque selon la présente inven- tion sur ledit substrat et durcissement de ladite laque. La laque est appliquée selon des méthodes connues Des exemples desdites méthodes habituelles pour appliquer une laque sont: le brossage, l'impression, l'impression au tamis, l'immersion suivie d'une centrifugation, le trempage, la pulvérisation et autres La méthode d'application de la laque est déterminée par la viscosité de la laque et du substrat qui doit être revêtu; alternativement, la viscosité de la laque peut être ajustée de façon à être traitée dans le pro- cédé spécifique utilisé dans l'unité de traitement Aussi, il peut ne pas être nécessaire de revêtir le composant sur tou- tes ses faces: par exemple, un substrat cubique qui doit être revêtu sur deux côtés seulement peut être revêtu sur ses côtés seulement en utilisant la méthode qui est la plus ap- propriée; ceci est le cas pour des CMS tels que des capacités à film mince qui présentent deux faces oxydables principales. La laque ainsi appliquée est ensuite durcie afin d'obtenir des propriétés remarquables. L'étape subséquente à la condensation est le durcisse- ment du condensat de l'étape (ii) Ce durcissement est la polymérisation des groupes Y polymérisables du précurseur de squelette organique b) Cette polymérisation peut être une photopolymérisation radical, une polymérisation thermique et/ou à l'aide d'un durcisseur. Le durcissement peut être initié soit par traitement thermique et/ou par des durcisseurs, c'est-à-dire des agents de durcissement Les durcisseurs peuvent être utilisés avec des catalyseurs Des durcisseurs appropriés sont ceux qui sont généralement utilisés à cette fin, par exemple des peroxydes organiques tels que diacylperoxydes, par exemple benzoyl et lauroyl-peroxyde; ces cétone-peroxydes tels que l'acétone et la cyclohexanone-peroxyde; les peroxydes hydro- carbonés tels que les peroxydes de t-butyle, cumyle et déca- hydronaphtyle; des peroxydes hydrocarbonés, par exemple les peroxydes de di-t-butyle et dicumyle; des percétals, par exemple le 1,1-di-tbutylperoxy-3,3,5-triméthylcyclohexane; des peresters, par exemple le t-butylperbenzoate, t-butyl- peroxyisopropyl-percarbonate, bis-( 4-t-butylcyclohexyl)- peroxydicarbonate, percarbonate de butyle et cyclohexyle, peroxydicarbonate de bicyclohexyle, perpivalate de t-butyle, peroctoate de t-butyle et permaléate de t-butyle; ainsi que le peroxyde d'acétylcyclohexanesulfonyle Des initiateurs azoïques habituels, tels que l'azobisisobutyronitrile, et des amines primaires et secondaires aliphatiques ou aromatiques conventionnelles, telles que la diéthylènetriamine, sont aussi appropriées Le complexe fluorure de bore/monoéthyl- amine peut aussi être utilisé comme durcisseur Des anhy- drides, tels que l'anhydride d'acide hexahydrophtalique, sont aussi appropriés; dans le cas de l'anhydride de l'acide hexa- hydrophtalique, la N-benzyldiméthylamine est avantageusement utilisée en tant que catalyseur De l'antimoine halogéné, tel que par exemple Sb F 6, peut aussi être utilisé Le type de durcisseurs dépend de la fonctionnalité à être polymérisée. Si la fonctionnalité est une double liaison C=C, le durcis- seur est habituellement un composé peroxy Si la fonctionna- lité est un époxy, le durcisseur est une amine, Sb F 6, l'anhy- dride de l'acide hexahydrophtalique/N-benzyldiméthylamine, ou le complexe trifluorure de bore-monoéthylamine Pour le dur- cissement de l'époxy, les durcisseurs préférés sont anhydri- de/amine et le trifluorure de bore La quantité de durcisseur peut largement varier; dans le cas du durcissement d'époxy, elle peut varier de 1 à 100 %, sur la base de la teneur en époxy, et de préférence de 5 à 50 % Lorsque des catalyseurs sont utilisés avec des durcisseurs, ils peuvent représenter de 0,01 à 100 % en poids, et de préférence environ 5 %, sur la base du poids du durcisseur. Le durcissement thermique, avec ou sans durcisseur, est mis en oeuvre à une température comprise entre 20 et 200 C, de préférence 50 et 150 C Le temps de durcissement peut varier grandement; il est habituellement compris entre 10 mi- nutes et 72 heures, de préférence entre 0,5 et 20 heures Le durcissement thermique peut être mis en oeuvre sous vide, éventuellement, ou sous atmosphère inerte telle qu'une at- mosphère d'azote. Le photodurcissement peut être un durcissement à l'in- frarouge, un durcissement à l'UV, ou n'importe quel photo- durcissement approprié, c'est-à-dire un durcissement sous rayonnement actinique, et autres De préférence, le photo- durcissement est un durcissement aux U V Dans ce dernier cas, les initiateurs activés par UV sont appropriés Des exemples de tels initiateurs sont: 1-hydroxy-cyclohexyl- phénylcétone, benzyldiméthylcétal, 2-hydroxy-2-méthyl-1- propanone, oxyde de butyle, oxyde de benzoïne, oxyde d'é- thyle, benzophénone, benzoïne, thioxanthones substitués et photoinitiateurs ioniques tels que les sels de triaryl- sulfonium-hexafluoro-phosphate et -antimonate (par exemple Cyracure UVI 6974 de Union Carbide) Un initiateur UV préféré est la 1-hydroxycyclohexylphénylcétone, pour le durcissement de fonctionnalités (methyl)acryloxy du type Y du composa b). La 1-hydroxy-cyclohexylphénylcétone est disponible dans le commerce sous la dénomination IRGACURE 184 (Ciba-Geigy Company). La quantité d'initiateur thermique ou de durcissement UV est comprise entre 0,01 et 5 % en poids, sur la base du poids de laque; elle peut aussi être calculée sur la base de la teneur en groupes polymérisables, tels que décrit ci- dessus Des accélérateurs peuvent aussi être ajoutés aux précédents composés Des exemples de tels accélérateurs sont les amines tertiaires, de préférence la N-méthyldiéthanol- amine La quantité d'accélérateur est comprise entre 10 et 300 % en poids, de préférence 50 et 200 % en poids, sur la base du poids de photoinitiateur. Selon un mode de réalisation de la présente invention, le durcissement est alternativement un durcissement thermique et un durcissement UV Différentes séquences peuvent être considérées comme efficaces Des exemples sont donnés ci- dessous, dans lesquels p signifie le photodurcissement avec Irgacure sous radiations UV; et t signifie le durcissement thermique à 120 'C avec anhydride/amine ou trifluorure de bore Le nombre entre parenthèses après t et p signifie le temps de durcissement, exprimé en heures et minutes, respec- tivement Ces exemples sont donnés à titre d'illustration de combinaison de durcissements t et p: p(l)-t( 16); t( 16)-p(l); t( 1)-p(l)-t( 16); et autres. Le revêtement obtenu par le présent procédé a une épais- seur comprise entre 0,1 et 200 pm, de préférence entre 1 et pm Avant application de la laque, le substrat peut être revêtu avec un agent d'encrage ou avec une couche primaire et sous-couche, bien que ce pré-revêtement ne soit pas néces- saire Le revêtement peut aussi être obtenu sous forme d'une couche dual, la première couche étant par exemple une laque avec une charge et la couche externe étant une laque pure ou vice versa. N'importe quel substrat peut être revêtu avec la pré- sente laque, et particulièrement des substrats tels que les CMS, PCB Des exemples sont: capacité à film mince, module multi-puce (MCM), résistance, circuit intégré, galette de silicium (Si-wafer en anglais), composant optique, composant hybride Les présentes laques montrent une adhésion élevée sur ces divers substrats; elles sont adhérentes aux métal, polyester, polyamides, céramiques, et autres. Ainsi, un autre objet de la présente invention est de fournir des substrats sur lesquels est appliqué un revêtement obtenu par le présent procédé Aussi, le présent procédé de revêtement peut alternativement être considéré comme l'emploi de la présente laque en tant que revêtement. La présente invention est maintenant décrite plus en détail dans les exemples suivants, qui doivent être considérés comme illustratifs de la portée de l'invention mais en aucun cas comme limitant ladite portée, définie par les revendica- tions. EXEMPLE 1 Synthèse de GMP 2 T La préparation du système GMP 2 T est décrite pour une formulation de 0,4 mole: 94,45 g ( 0,4 mol, 38,6 mol%) GLYMO ( 3-glycidyloxypropyltriméthoxy- silane de la Compagnie Union Carbide) 99,24 g ( 0,4 mol, 38,6 mol%) MEMO ( 3-méthacryloxypropyltriméthoxy- silane de la Compagnie Fluka) 41,97 g ( 0,2 mol, 18,92 mol%) diphénylsilanediol (de la Compagnie Fluka) 8,33 g ( 0,04 mol, 3,86 mol%) TEOS (tétraéthoxysilane de la Compagnie Fluka) 42,62 g ( 2,37 mol, stoechio) H 20 Dans un tricol de 500 ml équipé d'un condenseur multi- ple, d'un thermomètre et d'une ampoule à brome, les silanes sont pesés dans la séquence donnée ci-dessus Le mélange réactionnel laiteux est agité magnétiquement pendant 18 heu- res à température ambiante Ensuite, pendant environ 90 mi- nutes, la suspension est chauffée jusqu'à une température interne d'environ 70 C maximum en utilisant une jaquette chauffante La composition devient claire et un quart (envi- ron 10 ml) de la quantité stoechiométrique d'eau, pesée dans l'ampoule à brome, est ajouté en une seule fois sans retirer le chauffage externe La suspension résultante, la tempéra- ture décroissant d'environ 4 à 5 C, est agitée vigoureusement jusqu'à ce qu'une clarté ait lieu (environ 2 minutes) Ensui- te, à un rythme de 20 minutes, le quart (environ 10 ml) de la quantité stoechiométrique d'eau est ajouté au mélange, la température de ce mélange étant maintenue à environ 70 C. Lorsque la laque devient claire après la dernière addition d'eau (après 20 à 30 minutes), la composition est agitée tout en étant chauffée pendant une heure supplémentaire (environ 69 C) Après avoir retiré la jaquette chauffante, la laque claire est lentement refroidie jusqu'à température ambiante. Après un stockage de 14 jours à 20 C (chambre clima- tisée), la laque GMP 2 T est prête pour l'application A ce moment, la viscosité inhérente est d'environ 11 mm 2/s (déter- minée par un viscosimètre à capillaire Ubbelohde à 20 C). EXEMPLE 2 Dans 10 g de la laque GMP 2 T telle que préparée dans l'exemple 1 cidessus (teneur en solide 54 %), on dissout 0,2 g d'Irgacure 184 (CibaGeigy) Les capacités en PET à film mince sont immergés dans cette solution Un procédé de centrifugation ( 40 s, 600 tr/mn) suit Un durcissement est obtenu par illumination avec une lampe à pression moyenne de mercure de 1000 W (Loctite) pendant 30 secondes, suivie par chauffage à 120 C pendant 16 heures Le revêtement ainsi obtenu a une épaisseur d'environ 5 pm. EXEMPLE 3 Dans 10 g de la laque GMP 2 T telle que préparée dans l'exemple 1, on dissout 1,22 g d'anhydride d'acide hexa- hydrophtalique ( 50 % molaire sur la base de la teneur en époxy de la laque) et 0,061 g de n-benzyldiméthylamine ( 5 % en poids sur la base de l'anhydride d'acide) Des capacités en PET à film mince sont immergées dans cette solution Un procédé de centrifugation ( 40 s, 60 tr/mn) suit Le durcissement est obtenu par chauffage à 120 C pendant 16 heures Le substrat ainsi obtenu a une épaisseur d'environ 5 pm Après un cycle en température (-55 C pendant 30 mn/+ 125 C pendant 30 mn) pendant trois fois, on observe aucune formation de craquelure sur la couche du revêtement Le stockage des capacités dans des conditions humides ( 40 C, 100 % d'humidité relative) pro- voque un début de chute de la capacité pour les composants revêtus après 250 jours Au contraire, les composants non revêtus montrent une décroissance après 130 jours avec une vitesse de décroissance nettement supérieure. EXEMPLE 4 Le solvant de la laque GMP 2 T telle que préparée dans l'exemple 1 est retiré par évaporation sous pression réduite. 54 g de la laque exempte de solvant sont chauffés jusqu'à 40 C et 1, 22 g d'anhydride d'acide hexahydrophtalique et 0,061 g de nbenzyldiméthylamine sont dissous Les plaques de circuit imprimé PCB (PCB obtenu avec des stratifiés FR-4) avec des capacités, des résistances et des circuits intégrés encapsulés sont immergés dans la laque Les PCB sont extraits du bain de laque à une vitesse de 5 cm/mn Le durcissement est mis en oeuvre à 1200 C pendant 16 h La couche de revête- ment a une épaisseur d'environ 20 pm Tous les composants ainsi que le substrat sont parfaitement recouverts par le revêtement De plus, un nettoyage du substrat avant l'appli- cation du revêtement n'est pas nécessaire. Si le PCB contient des composants (tels que des capacités électrolytiques) qui ne peuvent pas supporter 1200 C, 3,3 g de diéthylènetriamine ( 20 % molaire sur la base de la teneur en époxy) sont utilisés à la place d'anhydride d'acide hexa- hydrophtalique et de N-benzyldiméthylamine Le durcissement est alors mis en oeuvre à 800 C pendant 1 heure De même, dans ce cas, un nettoyage des PCB n'est pas nécessaire. EXEMPLE 5 Dans 10 g de laque GMP 2 T exempte de solvant (comme dans l'exemple 3), 10 g de n-propylacétate et 1 g de Cyracure UVI 6974 (Union carbide) et 1 g de N-méthyldiéthanolamine sont ajoutés La solution est appliquée à des galettes de Si (Si-wafers) par immersion suivie d'une étape de centrifuga- tion ( 1600 tr/mn pendant 30 s) Le Si-wafer ainsi revêtu est ensuite maintenu à 1200 C pendant 1 h La couche de revêtement a une épaisseur d'environ 12 pm, et présente une surface très lisse; l'adhésion au silicium est très élevée. EXEMPLE 6 Dans 10 g de la laque GMP 2 T, 0,5 g de Darocur 4263 (Merck) et 0,5 g de N-méthyldiéthanolamine sont ajoutés Les plaques en céramique A 1203 avec des conducteurs Cu et Au ( 3 à 4 pm de hauteur) sont revêtues avec cette laque par immersion suivie d'une centrifugation ( 1600 tr/mn, 30 s) Le revêtement ainsi appliqué est durci par radiation UV ( 400 nm, 13 m W/cm 2) pendant 5 minutes, puis recuit à 120 C pendant 16 heures Les conducteurs en cuivre et en or sont presque totalement plana- risés comme on peut le voir sur la figure 1; la figure la correspond à des plaquettes non revêtues tandis que la figure lb correspond à des plaquettes revêtues. EXEMPLE 7 Dans 10 g de la laque GMP 2 T telle que préparée dans l'exemple 1 ci-dessus, 1,22 g d'anhydride d'acide hexahydro- phtalique ( 50 % molaire sur la base de la teneur en époxy de la laque) et 0,061 g de N-benzyldiméthylamine ( 5 % en poids sur la base de l'anhydride d'acide) sont dissous Des capa- cités à film mince PET ( 100 n F) sont immergées dans cette solution Une centrifugation suit Le durcissement est obtenu par chauffage à 120 C pendant 12 heures Le revêtement ainsi obtenu a une épaisseur d'environ 30 pm Le test dans des conditions humides ( 90 C/100 % RH; pas de voltage appliqué) montre un début de chute de capacité après 5 jours pour les capacités revêtues, tandis que pour les capacités non revê- tues, la chute commence après 1 journée On voit à la figure 2 une représentation de la dérive relative de capacité en fonction du temps Afin d'être acceptable, une capacité doit résister aux conditions humides telles qu'indiquées ci-dessus pendant 3 jours. EXEMPLE 8 On mélange 25, 50, 60, 70 % en poids de talc de Luzenac à la laque GMP 2 T telle que préparée ci-dessus et on s'appli- que selon la procédure ci-dessus Le durcissement est mis en oeuvre avec le complexe BF 3-éthylamine ( 50 % mol) selon la séquence: 1 h thermique ( 120 C) 1 mn U V 16 h thermique ( 120 C) On teste ce revêtement sur des capacités 450 n F dans une atmosphère humide ( 40 C/100 % RH) La variation de capa- cité n'est sensible qu'au bout de 130 jours. EXEMPLE 9 On applique deux couches de laque, la première conte- nant une charge, la seconde pouvant éventuellement contenir une seconde charge Le système est le système GMP 2 T La pre- mière couche est prédurcie à 120 C pendant 1 heure, puis on applique la seconde couche et on durcit à nouveau thermique- ment pendant 1 heure à 120 C, puis on photodurcit ( 1 mn/500 W) et on durcit thermiquement ( 120 C/16 h) On met en oeuvre un test sur des capacités 450 n F en atmosphère humide ( 40 C, % RH) pour différents systèmes, le taux de charge étant de 50 % On étudie les systèmes GMP 2 T + verre/GMP 2 T; GMP 2 T + talc/GMP 2 T; GMP 2 T + verre/GMP 2 T + talc Tous montrent qu'ils résistent au moins 150 jours aux conditions 40 C/100 %RH. PROPRIETES Certaines des propriétés de la nouvelle laque sont pourvues des propriétés indiquées ci-dessous. Bonne adhésion au substrat: Le présent revêtement montre une bonne adhésion sur divers substrats L'adhésion est mesurée à l'aide du test sur la coupe d'une bande dit "cross-cut tape test" pour des revé- tements de 10 pm selon la méthode DIN 53151. L'échelle varie de O à 5, O signifiant une adhésion élevée, une adhésion adhésion quasi-nulle Par exemple, l'adhésion sur les céramiques A 1203, sur les galettes de Si (Si-wafer), sur le verre, Cu, Al, acier inox, est comprise dans les in- tervalles respectifs de: 0-1; 1-2; 1-2; 0-1; 0-1; 0-1 De plus, le revêtement mouille PET et PEN, le polyester consti- tuant les capacités à film mince, avec des angles de mouil- lage inférieur à 20 . Stabilité thermique: Le revêtement a été appliqué sur de l'aluminium et chauffé par étapes d'une heure à 150 C, 180 C, 210 C, 240 C, 270 C et 300 C Aucune formation de craquelure ou de change- ment de couleur n'apparaît jusqu'à la température la plus élevée Une immersion particulaire pendant 30 S dans un bain de soudure fondue à 280 C n'affecte pas les propriétés du matériau. Propriétés électriques: La résistance de claquage est d'environ 400 V/pm, me- suré sur du cuivre; la constante diélectrique (E à 1 k Hz) est -3 d'environ 3,2, la tangente 6 ( 1 k Hz) est inférieure à 1 103 La résistivité volumique est supérieure à 10 Q c. Contaminants: Le présent revêtement a une teneur en alcali très fai- ble (aussi faible que 10 ppm) La présence de contaminants étant un facteur qui contribue à l'érosion et à la corrosion de l'électrode, le présent revêtement est moins susceptible de se corroder. Agents chimiques: Le présente revêtement résiste aux solvants et aux détergents habituellement utilisés dans l'industrie. Comportement en présence d'eau: L'absorption d'eau est inférieure à 0,5 % et la vitesse de perméation de vapeur d'eau (WVPR) est inférieure à 3 g/m 2 d, telle que mesurée pour un revêtement d'une épaisseur de 100 pm. L'eau est un important facteur de corrosion et une WVPR fai- ble du présent revêtement réduit ainsi la corrosion. Longue durée de vie: Des durées de vie de plus de 200 jours sont obtenues. Ceci est un avantage par comparaison avec les systèmes époxy classiques qui doivent être traités pendant une période de temps très courte après l'issue de la réaction. Viscosité: La miniaturisation des composants nécessite que les revêtements appliqués aux composants soient très fins, typi- quement inférieurs à 100 pm Les technologies d'application possible pour les capacités incluent le revêtement par immer- sion (éventuellement suivie par centrifugation pour éliminer les matériaux en excès), l'impression au tamis ou le revête- ment des bords par un procédé d'immersion similaire à celui utilisé pour appliquer la pâte conductrice à titre d'élec- trode sur les composants céramiques Différentes technologies nécessitent différentes viscosités des matériaux de départ. La viscosité de là présente laque peut facilement être adap- tée à ces conditions. REVENDICATIONS 1. Une laque obtenue par le procédé comprenant les étapes de: (i) précondensation de: a) 1 à 10 % molaire d'au moins un composé de silicium de formule I: Si R 4 (I) dans laquelle: R est un halogène, un hydroxy, un groupe alkoxy, acyloxy, ou un ligand chélaté; b) 20 à 94 % molaire d'au moins un silane organique de formule II: R"m (R"'Y)nsi X( 4-m-n) (II) dans laquelle: R" est un groupe alkyle, alkényle, aryle, alkyl- aryle, arylalkyle, alkénylaryle, arylalkényle; R"' est un groupe alkylène, alkénylène, arylène, alkylarylène, arylalkylène, alkénylarylène, arylalkénylène, R" et R"' étant éventuellement interrompus par de l'oxygène, du soufre, ou -NH-; X est de l'hydrogène, un halogène, hydroxy, un groupe alkoxy, acyloxy, -NR 2 ' o R' est H ou alkyle; Y est un groupe polymérisable; m et ni sont des entiers de O à 3, la somme m + n est comprise entre 1 et 3, bornes incluses; et c) 5 à 30 % molaire d'au moins un silane organique de formule III: R" p Si X 4 _p (III) Rp Si X 4-p dans laquelle: R" et X ont les significations ci-dessus; et p vaut 1, 2 ou 3; et éventuellement d) O à 10 % molaire d'au moins un oxyde métallique à faible volatilité, soluble dans le milieu réaction- nel, d'un élément des groupes principaux Ia à Va ou des sous-groupes I Vb à Vb, ou un composé de l'un de ces éléments, soluble dans le milieu réactionnel, formant un oxyde à faible volatilité; de préférence en absence d'eau, éventuellement en pré- sence d'un solvant organique à une température comprise entre O et 90 C pour une période de temps comprise entre 0,5 et 48 heures; et (ii) la condensation hydrolytique du précondensat de l'étape (i) avec substantiellement la quantité stoechiométrique d'eau, à une température comprise entre O et 100 C pour une période de temps comprise entre 1 et 72 heures. 2. La laque selon la revendication 1, dans laquelle le composé a) de formule I représente de 2 à 6 % molaire, le composé b) de formule II représente de 69 à 83 % molaire, le composé c) de formule III représente de 15 à 25 % molaire, et le composé d) est absent. 3. La laque selon l'une quelconque des revendica- tions 1 ou 2, dans laquelle le composé a) de formule I est Si(OC 2 H 5)4- 4 La laque selon l'une quelconque des revendications 1 à 3, dans laquelle le composé b) de formule II est ( R"'Y)Si X 3, dans laquelle R"' est un alkylène en C 1 à C 4, Y est acryloxy, méthacryloxy, glycydyloxy, allyle, vinyle, époxycyclohexyle, et X est un alkoxy en C 1 à C 4. 5 La laque selon la revendication 4, dans laquelle le composé b) de formule II est le 3-glycidyloxypropyltri- méthoxysilane (glymo) et/ou le 3-méthacryloxypropyltriméthoxy- silane (memo). 6. La laque selon l'une quelconque des revendications 1 à 5, dans laquelle le composé c) de formule III est R" 2 Si X 2, o R" est aryle et X est hydroxy ou alkoxy en C 1 à c 4. 7. La laque selon la revendication 6, dans lequel le composé c) est (C 6 H 5)2 Si(OH)2. 8 La laque selon l'une quelconque des revendications 1 à 7, dans laquelle l'étape de précondensation (i) est mise en oeuvre en l'absence de solvant externe. 9. La laque selon l'une quelconque des revendications 1 à 8, dans laquelle la précondensation (i) et/ou la conden- sation (ii) est mise en oeuvre catalytiquement. 10. La laque selon l'une quelconque des revendications 1 à 9, dans laquelle la précondensation est mise en oeuvre à une température comprise entre 10 et 700 C et pendant une période de temps comprise entre 4 et 24 heures. 11. La laque selon l'une quelconque des revendications 1 à 10, dans laquelle la condensation est mise en oeuvre à une température comprise entre 20 et 80 'C et pendant une période de temps comprise entre 4 et 16 heures. 12. La laque selon l'une quelconque des revendications 1 à 11, dans laquelle la quantité stoechiométrique d'eau est ajoutée par additions successives. 13 La laque selon l'une quelconque des revendications 1 à 12, dans laquelle la laque a une viscosité inhérente comprise entre 5 et 1000 mm 2/s. 14. La laque selon l'une quelconque des revendications 1 à 13, dans laquelle la laque contient des additifs supplé- mentaires. 15. La laque selon la revendications 14, dans laquelle la laquelle contient jusqu'à 100 % en poids de charges, par rapport au poids de la laque. 16. Un procédé d'obtention d'un revêtement sur un sub- strat qui comprend les étapes d'application sur le substrat d'une laque selon l'une quelconque des revendications 1 à 15 et le durcissement de ladite laque. 17. Le procédé selon la revendication 16, dans lequel le durcissement est un durcissement thermique, mis en oeuvre à une température comprise entre 20 et 2000 C, pour une pé- riode de temps comprise entre 10 minutes et 72 heures. 18. Le procédé selon la revendication 17, dans lequel le durcissement est mis en oeuvre en présence de durcisseurs. 19. Le procédé selon la revendication 16, dans lequel le durcissement est un photodurcissement, mis en oeuvre en présence d'un photoinitiateur pour une période de temps comprise entre 2 secondes et 10 minutes. 20. Le procédé selon l'une quelconque des revendica- tions 16 à 19, dans lequel le durcissement est un durcisse- ment thermique et un photodurcissement. 21. Le procédé selon l'une quelconque des revendica- tions 16 à 20, dans lequel la laque est appliquée selon la méthode consistant en immersion suivie d'une centrifugation. 22. Le procédé selon l'une quelconque des revendica- tions 16 à 21, dans lequel le revêtement ainsi obtenu a une épaisseur comprise entre 0,1 et 200 pm, de préférence entre 1 et 150 pm. 23. Substrat ayant appliqué sur lui-même un revêtement obtenu par le procédé selon l'une quelconque des revendica- tions 16 à 21. 24. Substrat selon la revendication 23, qui est un composant monté en surface. 25. Substrat selon la revendication 23 ou 24, qui est monté sur la plaquette de circuit imprimé. 26. Substrat selon la revendication 23, 24 ou 25, qui consiste en une capacité à film mince. 27 Substrat selon la revendication 23, 24 ou 25, qui consiste en un module à multiples puces. 28. Substrat selon la revendication 23, 24 ou 25, qui consiste en un composant optique. 29. Substrat selon la revendication 23, 24 ou 25, qui consiste en une résistance. 30. Substrat selon la revendication 23, 24 ou 25, qui consiste en un circuit intégré, éventuellement encapsulé. 31. Substrat selon la revendication 23, 24 ou 25, qui consiste en une galette Si. 32 Substrat selon la revendication 23, qui consiste en une plaquette de circuit imprimé. 33. Utilisation de la laque selon l'une quelconque des revendications 1 à 15 pour le revêtement de capacités à film mince.