FR 2690786 A1 19931105 FR 9205422 A 19920430 A DISPOSITIF DE PROTECTION D'UN CIRCUIT INTEGRE CONTRE LES DECHARGES ELECTROSTATIQUES L'invention concerne les circuits-intégrés, et plus précisément les dispositifs de protection d'un circuit contre les surtensions d'origine électrostatique pouvant apparaître sur les plots de connexion extérieure du circuit. Les surtensions peuvent provenir notamment de la manipulation des puces de circuit intégré soit au cours de la fabrication soit au cours de l'utilisation, et elles peuvent atteindre plusieurs dizaines de kilovolts. Elles sont donc susceptibles de détruire le circuit intégré. C'est pourquoi des dispositifs de protection sont prévus dans la puce, en général à proximité immédiate de chaque plot de connexion, interposés entre ce plot et les éléments de circuit qui pourraient être endommagés par la surtension. Les dispositifs de protection habituels utilisent principalement des résistances et des diodes ou des transistors, pour d'une part limiter le courant susceptible de circuler dans la puce en -cas de décharge, et d'autre part écrêter les tensions susceptibles d'être transmises aux éléments de circuit à protéger. Un dispositif de protection classique utilise par exemple un transistor bipolaire latéral interposé entre un plot de connexion et la masse Dans le cas habituel d'un substrat semiconducteur de type P-, le collecteur du transistor est une diffusion superficielle de type N+ raccordée au plot; l'émetteur est une autre région superficielle de type N+ diffusée dans le substrat et raccordée à la masse; la base est constituée par le substrat entre les deux diffusions N+; le substrat est en principe aussi à la masse. En cas de surtension positive importante apparaissant sur le plot (surtension mesurée par rapport à la masse), le transistor bipolaire latéral passe en avalanche (avalanche de la jonction collecteur-base) Le seuil de déclenchement de l'avalanche est d'environ 20 volts dans les technologies usuelles Aussitôt l'avalanche déclenchée, le transistor devient fortement conducteur et dissipe l'énergie de la décharge électrostatique apparue sur le plot Mais sa résistance interne dans l'état conducteur n'est pas nulle En pratique une chute de tension d'au moins 10 volts environ subsiste entre le collecteur et l'émetteur, c'est-à-dire entre le plot et la masse. Il y a alors production de chaleur importante du fait du courant élevé qui peut passer alors que la tension résiduelle est également forte Il y a risque de destruction thermique de la puce. On pourrait envisager d'utiliser un thyristor plutôt qu'un transistor pour accomplir la même fonction, car un thyristor présente la particularité d'avoir une très faible chute de tension résiduelle entre ses bornes une fois que sa conduction est déclenchée. L'inconvénient d'une telle structure est le risque de déclenchement intempestif du thyristor et donc sa mise en court-circuit dans des cas o ce ne serait pas strictement nécessaire compte-tenu de l'énergie limitée à dissiper Pour ces cas, une protection par transistor latéral suffirait et l'énergie dissipée même sous 10 volts ne détruirait pas le composant Mais avec un thyristor on aboutit à un autre risque: si on suppose par exemple que le plot à protéger est un plot d'alimentation à 5 volts, ce plot se retrouve en court-circuit avec la masse dès que le thyristor se déclenche, détruisant la connexion d'amenée de courant sur ce plot. Compte-tenu de ces problèmes, la présente invention propose un circuit intégré comportant au moins un plot de connexion protégé contre les surtensions susceptibles d'apparaître sur ce plot (notamment en raison de décharges électrostatiques), ce dispositif de protection ayant les particularités suivantes: il comprend une structure intégrée de thyristor connectée entre le plot de connexion et une masse électrique du circuit, ce thyristor comprenant quatre régions semiconductrices alternées successives PNPN parmi lesquelles une région extrême de l'alternance, et une région intermédiaire dite région de gâchette adjacente à la région extrême, ces deux régions étant reliées au plot, avec une résistance de faible valeur interposée entre la région de gâchette et le plot. Cette résistance de faible valeur (ordre de grandeur: quelques ohms) a pour rôle d'augmenter la valeur du courant de déclenchement du thyristor par rapport à ce que serait ce courant de déclenchement si la région de gâchette était flottante. On s'est aperçu en effet selon l'invention que les inconvénients liés à l'utilisation d'un thyristor résultaient surtout de ce que le thyristor avait tendance à se déclencher trop facilement; il se déclenche même lorsque la décharge électrostatique dont il faut se protéger conduit à des courants relativement modérés. L'idée de l'invention est de relever le courant de déclenchement d'une quantité importante Ainsi on peut faire en sorte par exemple que le courant de déclenchement ait une valeur se rapprochant du courant limite qui serait acceptable d'un point de vue thermique avec une chute de tension d'une dizaine de volts Le thyristor ne se déclenchera qu'au delà de ce courant. De préférence la valeur de la résistance est telle que le courant de déclenchement du thyristor soit d'au moins 100 milliampères et si possible d'environ 200 à 500 milliampères, voire même 1 ampère Ceci conduit à une résistance d'environ 1 ohm (pour 600 milliampères) à 6 ohms (pour 100 milliampères). La résistance est de préférence réalisée dans une couche métallique ou une couche de silicium polycristallin déposée sur le circuit intégré et gravée selon une forme et des dimensions correspondant à la valeur de résistance à réaliser. Le thyristor peut être constitué de la manière suivante: première région de type N+ diffusée superficiellement dans un substrat de type P et en contact avec un conducteur de masse du circuit; deuxième région constituée par une zone de substrat P située entre la première région et un caisson N diffusé dans le substrat; troisième région (région de gâchette) constituée par le caisson de type N-; quatrième région de type P+ diffusée superficiellement dans le caisson de type N et en contact direct avec le plot de connexion. La résistance de faible valeur est connectée entre le plot et le caisson N-. De préférence, une cinquième région diffusée de type N+ est formée au dessus de la jonction entre le caisson N et le substrat, cette région servant de contact ohmique pour la liaison entre le caisson N et la résistance Cette cinquième région s'étend de préférence également en dehors du caisson, à la surface du substrat P-; à son extrémité située hors du caisson, elle est reliée à une entrée proprement dite du circuit intégré Dans le caisson, cette cinquième région sert de contact avec la région de gâchette et c'est elle qui est reliée à la résistance de faible valeur. D'autres caractéristiques et avantages de l'invention apparattront à la lecture de la description détaillée qui suit et qui est faite en référence aux dessins annexés dans lesquels: la figure 1 représente un schéma équivalent de circuit de protection selon l'invention; la figure 2 représente, en coupe latérale selon la ligne II-II de la figure 3, la structure de protection selon un premier mode de réalisation préféré de l'invention; la figure 3 représente, en vue de dessus, la structure de protection selon le premier mode de réalisation, dans laquelle on a représenté les différentes zones diffusées mais pas les métallisations; la figure 4 représente en vue de dessus les métallisations recouvrant la structure de protection; la figure 5 représente une courbe courant-tension schématisant le comportement de la structure de protection; la figure 6 représente, en coupe latérale, un deuxième mode de réalisation de l'invention; la figure 7 représente une vue de dessus du deuxième mode de réalisation. Sur la figure 1, la référence PL désigne un plot de connexion extérieure d'une puce de circuit intégré Ce plot doit être protégé contre des surtensions d'origine électrostatique Ce plot sert de borne d'accès pour transmettre un courant ou une tension entre l'extérieur de la puce et les circuits internes (non représentés) de la puce; sur la figure 1, le noeud E représente un point de circuiterie interne ainsi relié au plot d'accès PL. Les éléments de circuit intermédiaires entre le plot PL et le noeud E font partie du circuit de protection selon l'invention. L'élément essentiel de ce circuit de protection est un thyristor placé entre le plot et une masse électrique Vss du circuit intégré Le thyristor est une succession de quatre régions semiconductrices de types de conductivité alternés PNPN, classiquement représenté par un transistor PNP Tl imbriqué avec un transistor NPN T 2, la base de chaque transistor étant reliée au collecteur de l'autre. L'émetteur du transistor NPN constitue une première borne extrême du thyristor et est reliée à la masse Vss. L'émetteur du transistor PNP constitue une deuxième borne extrême du thyristor et est reliée au plot PL La base du transistor PNP, c'està-dire aussi le collecteur du transistor NPN, constitue la région de gâchette du thyristor. La région de gâchette est ici reliée au plot PL, non pas directement mais à travers une résistance Rl de faible valeur Elle est aussi reliée à l'entrée E du circuit intégré par une résistance R 2 Cette résistance R 2 est en pratique, comme on le verra, réalisée sous forme d'une bande diffusée N+ dans un substrat P, ce qui constitue en même temps une jonction NP allongée s'étendant sur toute la longueur de la résistance; c'est pourquoi on a représenté sur la figure 1 une diode DI entre la résistance R 2 et la masse, cette diode étant répartie sur toute la résistance. La réalisation pratique de cette structure de protection peut se faire comme représenté à la figure 2 et à la figure 3 La figure 3 est une vue de dessus des régions diffusées, sans les métallisations; la figure 2 est une coupe transversale selon la ligne II-II de la figure 3 La figure 2 est à une échelle agrandie par rapport à la figure 3. Le substrat de la puce de circuit intégré est de préférence une couche épitaxiale 10 de silicium de type P- Ceci n'est cependant pas nécessaire En effet la plupart des circuits CMOS n'ont pas de couche épitaxiale, entre autres pour des raisons de coût Dans ce substrat est diffusé un caisson profond N 12 Des diffusions superficielles d'impuretés de type P+ et N+, moins profondes et plus dopées que le substrat et le caisson, sont formées à la surface de la puce, à la fois dans le caisson et dans le substrat et même éventuellement à cheval sur la frontière entre le caisson et le substrat Ces diffusions superficielles sont séparées les unes des autres par des régions isolantes 14, formées en principe par oxydation thermique profonde du silicium. Le thyristor comporte les régions successives suivantes: une première région 16 constituée par une zone superficielle dopée de type N+ dans le substrat P-, cette zone étant éloignée du caisson 12 Cette première région est en contact direct avec un conducteur 18 qui est une métallisation (aluminium en général) reliée à la masse Vss. Une deuxième région du thyristor est une zone superficielle du substrat P (c'est-à-dire non autrement dopée), située entre la région N+ 16 et le caisson 12. La troisième région du thyristor est le caisson N- 12 C'est la région de g&chette. La quatrième région est une zone superficielle 22 de type P+ diffusée dans le caisson 12 Elle est en contact direct avec un conducteur 24 qui est une métallisation (aluminium) reliée directement au plot PL non visible sur la figure 2. La résistance R 2 de la figure 1 est de préférence constituée par une bande superficielle 26 dopée de type N+ comportant à la fois une partie dans le caisson 12 et une partie dans le substrat 10 en dehors du caisson Sur la figure 2, on a représenté cette bande à un endroit o elle chevauche la bordure du caisson. On utilise la partie de bande 26 qui est dans le caisson comme contact ohmique d'accès au caisson Cette partie constitue une première extrémité de la résistance Rl de la figure 1; c'est l'extrémité qui est reliée à la gâchette, c'est-à-dire à la base du transistor PNP Tl. L'autre extrémité de la résistance Ri est le conducteur 24 relié au plot PL Entre les deux, sur la figure 2, la résistance Ri n'a été représentée que sous forme symbolique. La résistance Rt peut être réalisée par une métallisation gravée, faisant partie du même niveau de métallisation que le plot PL, le conducteur 24 et le conducteur 18 L'extrémité 28 de cette métallisation en contact avec la région N+ 26 est visible sur la figure 2. La résistance Rt peut aussi être réalisée par un niveau de métallisation différent du niveau du plot PL ou des autres conducteurs Elle peut également être réalisée par une couche gravée de silicium polycristallin en contact d'un côté avec le conducteur 24 et de l'autre avec la région 26. Pour terminer la description e la figure 2, il faut encore mentionner que le conducteur de masse à Vss (métallisation 18) est de préférence en contact direct avec le substrat par l'intermédiaire d'une zone dopée 30 de type P+ diffusée superficiellement dans le substrat. La région N+ 16 est située entre le caisson et la zone P+ 30. Sur la figure 3 on a désigné par la référence 120 le contour du caisson N-; 160 le contour de la région N+ 16; 220 le contour de la région P+ 22; 260 le contour de la région N+ 26 à la fois au dehors et en dedans du caisson 12; 300 le contour de la région P+ 30. Les emplacements des contacts entre une métallisation et une région diffusée sont représentés par des rectangles en traits tiretés; ce sont les contacts: 181 entre la métallisation de masse 18 et la région N+ 16; 182 entre la métallisation 18 et la région P+ 30; 240 entre la métallisation 24 et la région P+ 22; 280 entre la métallisation 28 et la région N+ 26; 320 entre un conducteur d'entrée E du circuit intégré et l'extrémité de résistance R 2 (région 260) la plus éloignée du caisson 12. Sur la figure 4 on a redessiné les mêmes éléments qu'à la figure 3 avec en outre, en traits épais, les contours des différentes métallisations, dans un mode de réalisation préféré o la résistance Ri est une formée par une métallisation de même niveau que les autres métallisations du schéma. Les différents conducteurs visibles sur la figure 4 sont: le conducteur de masse 18 en contact sur les emplacements 181 et 182 avec les régions 16 et 30 respectivement; le conducteur d'entrée E du circuit intégré, en contact avec la région 26 sur l'emplacement 320; le plot d'accès PL dont une région centrale peut recevoir un fil soudé non représenté; le conducteur 24 qui prolonge le plot PL et qui vient en contact avec avec la région P+ 22 sur l'emplacement 240; le conducteur 28 en contact sur l'emplacement 280 avec l'extrémité de région 26 située au dessus du caisson 12; et enfin le conducteur (de préférence étroit et allongé) constituant la résistance Ri, dont une extrémité est raccordée au plot PL et l'autre au conducteur 28. Le fonctionnement de cette structure peut se schématiser à partir de la courbe courant-tension représentée à -la figure 5 Cette courbe présente le courant absorbé dans le plot en fonction de la tension entre le plot et la masse. Lorsque la tension s'élève au dessus d'une vingtaine de volts environ, la jonction collecteur-base du transistor NPN T 2 (fig 1) passe en avalanche, le transistor NPN se met à conduire un courant, et la tension entre collecteur et émetteur tombe à environ une dizaine de volts; le courant croit; si la capacité de débit de courant de la source de décharge électrostatique est limitée, la situation reste celle-ci jusqu'à la fin de la décharge; seul le transistor NPN participe à l'évacuation de la décharge Mais si la capacité de fourniture de courant de la source de décharge est plus élevée et atteint une valeur telle que la chute de tension dans la résistance Ri dépasse 0,6 volts environ, le transistor PNP commence à conduire et la conduction du thyristor est déclenchée Le thyristor passe alors en régime de quasi-court-circuit avec une tension résiduelle ne dépassant guère 0,7 volts à ses bornes. On comprend donc que le déclenchement du thyristor ne se produit que si le courant de la source de décharge atteint une valeur de plusieurs centaines de milliampères dès lors qu'une résistance de quelques ohms est présente entre le plot et la gâchette Sinon, la protection ne se fait que par le transistor NPN et la tension résiduelle aux bornes reste d'une dizaine de volts, évitant ainsi de court-circuiter par exemple une source de tension appliquée au plot. il La valeur qu'il faut donner à la résistance Ri se déduit de ce qui précède, en fonction du courant qu'on tolère dans le transistor NPN lorsqu'il a une dizaine de volts à ses bornes Si le courant maximal accepté est I en ampères, la résistance Ri doit avoir une valeur sensiblement de 0,6/I ohms. Des valeurs acceptables pour I seront en général comprises entre 100 milliampères et un ampère, conduisant à des résistances de 6 ohms à 0,6 ohms environ Il s'agit donc bien de résistances de faibles valeurs. On peut prévoir des modifications à la structure ainsi décrite, comme par exemple l'adjonction d'une diode directement entre le plot PL et le conducteur de masse, pour éviter l'endommagement de la résistance Rt en cas de décharges négatives avec fort courant. En effet, en cas de décharge négative sur le plot, le courant tend à passer à travers le conducteur de masse 18, le substrat P-, le caisson N, la région N+ 26, le conducteur 28, la résistance Rt et le plot PL Si ce courant est trop important, la résistance RI est endommagée On prévoit donc une liaison directe entre le plot PL et le caisson 12, avec contact ohmique de type N+, qui court-circuite la résistance Rt dans ce cas. Pour réaliser cette liaison directe, on forme une région diffusée supplémentaire 34 N+ dans le caisson 12. Elle est placée à une distance suffisante de la région P+ 22 pour ne pas gêner le fonctionnement du thyristor en cas de décharge positive Elle est située sous le conducteur 24 ou sous le plot PL et est en contact avec l'un ou l'autre. Les figures 6 et 7 représentent respectivement en coupe et en vue de dessus la structure correspondant à cette modification Le contour de la diffusion 12 supplémentaire 34 est désigné par 340 et l'emplacement de contact avec le conducteur 24 est désigné par 241. L'ensemble de la structure selon l'invention a été décrit à propos d'un circuit intégré sur substrat P- avec caisson N- Il va de soi qu'une structure équivalente peut être formée en inversant tous les types de conductivité Seule la structure sur substrat P a été décrite pour ne pas alourdir inutilement la description et les revendications. REVENDICATIONS 1 Circuit intégré comportant au moins un plot de connexion extérieure (PL) et un dispositif de protection contre les surtensions susceptibles d'apparaître sur ce plot notamment en raison de décharges électrostatiques, ce dispositif de protection étant caractérisé en ce qu'il comporte une structure intégrée de thyristor connectée entre le plot et une masse électrique ( 18) du circuit, ce thyristor comprenant quatre régions semiconductrices alternées successives PNPN ( 22, 12, 20, 16) parmi lesquelles une région extrême de l'alternance ( 22) et une région intermédiaire ( 12) dite région de gâchette adjacente à la région extrême sont reliées au plot, avec une résistance de faible valeur (Ri) interposée entre la région de gâchette et le plot. 2 Circuit intégré selon la revendication 1, caractérisé en ce que la résistance a une valeur telle que le courant de déclenchement de la conduction du thyristor soit d'environ 100 milliampères à 1 ampère. 3 Circuit intégré selon la revendication 2, caractérisé en ce que la résistance a une valeur d'environ 0,6 à 6 ohms. 4 Circuit intégré selon l'une des revendications 1 à 3, caractérisé en ce que la résistance est en métal ou en silicium polycristallin. 5 Circuit intégré comportant un substrat semiconducteur de type P ( 10) et au moins un plot de connexion (PL), et un dispositif de protection de ce plot contre les surtensions susceptibles d'apparaître sur ce plot, caractérisé en ce que le dispositif de protection comprend: une région superficielle ( 16) dopée de type N+, formée dans le substrat et en contact avec un conducteur de masse ( 18) du circuit, cette région constituant une première région d'une succession de quatre régions-de types de conductivité alternés formant un thyristor, un caisson de type N ( 12) diffusé dans le substrat et séparé de la première région par une zone de substrat de type P-, cette zone constituant une deuxième région du thyristor et le caisson constituant une troisième région dite région de gâchette, une région ( 22) de type P+ formée superficiellement dans le caisson, cette région constituant la quatrième région du thyristor, en contact électrique direct avec le plot de connexion, et une résistance de faible valeur reliant le plot et la région de gâchette. 6 Circuit selon la revendication 5, caractérisé en ce qu'il comporte une cinquième région de type N+ ( 26) diffusée superficiellement au dessus du caisson, cette région formant un contact ohmique pour une liaison électrique entre une extrémité de la résistance et le caisson N-, l'autre extrémité de la résistance étant reliée directement au plot. 7 Circuit selon la revendication 6, caractérisé en ce que la cinquième région ( 26) s'étend à la fois au dessus du caisson et dans le substrat hors du caisson, et en ce qu'elle est reliée, à une extrémité située hors du caisson, à un conducteur (E) d'entrée du circuit intégré. 8 Circuit selon la revendication 7, caractérisé en ce que la résistance (Rl) est constituée par une couche de métal ou de silicium polycristallin en contact à une extrémité avec le plot et à une autre extrémité avec une partie de la cinquième région située au dessus du caisson N-. 9 Circuit selon l'une des revendications 5 à 8, caractérisé en ce qu'une sixième région ( 34) de type N+ est formée superficiellement dans le caisson, écartée de la quatrième région de type P+, cette région étant en contact électrique direct avec le plot. Circuit selon l'une des revendications 5 à 9, caractérisé en ce qu'il comprend une région ( 30) de type P+ formée superficiellement dans le substrat et reliée directement au conducteur de masse ( 18). 11 Circuit selon l'une des revendications 5 à 10, caractérisé en ce que les diverses régions superficielles dopées de type P+ et N+ sont séparées les unes des autres par des zones d'oxyde épais.