FR 2676864 A1 19921127 FR 9109790 A 19910801 PROCEDE DE FABRICATION DE TRANSISTOR MOS A RECOUVREMENT GRILLE-DRAIN ET STRUCTURE CORRESPONDANTE La présente invention se rapporte à un dispositif à semiconducteurs, et particulièrement à un procédé de fabrication d'un transistor à semiconducteur à grille isolées par oxyde métallique (MOS) à recouvrement grille-drain et à une structure correspondante. Des structures de drain légèrement dopées (LDD) avec recouvrement complet entre une région de diffusion à faible concentration et une grille correspondante telles qu'une structure de drain légèrement dopée en T inversé (ITLDD) et une structure de drain à recouvrement de grille (GOLD) ont été proposées comme des moyens pour améliorer la fiabilité des porteurs à mobilité élevée et la performance des MOS submicroniques. Les structures ITLDD et GOLD sont divulguées dans International Electron Device Meeting (IEDM) Tech. Dig., 1989 pages 769 à 772, IEDM Tech. Dig., 1986, pages 742 à 745, IEDM tech. Dig., 1987, pages 38 à 41, et IEDM Tech. Dig., 1989, pages 617 à 620. La figure 1 est une vue en coupe transversale d'un transistor MOS classique de structure ITLDD. Des régions de diffusion 6 d'un second type de conductivité sont isolées l'une de l'autre par la région de canal qui est formée dans un substrat semiconducteur 1 d'un premier type de conductivité, et une couche d'isolation 7 est formée sur la surface du substrat 1. Une grille en forme de T inversé 9 est disposée au dessus de la région de canal et de la région de diffusion adjacente à la région de canal, et des régions séparatrices de couche d'isolation 11 sont formées sur les parois latérales externes de la grille 9. Dans ce cas, les régions de diffusion 6 comprennent des régions 3 de faible concentration et des régions 5 de concentration élevée, et la grille 9 et les régions de faible concentration 3 se chevauchent. Par une structure telle que présentée ci-dessus, un effet d'amélioration de la caractéristique de courant et de réduction du champ électrique entre la couche d'isolation et le substrat de silicium peut être obtenu. Cependant, il se trouve un problème dans le fait que la capacité de chevauchement grille-drain Cgdo augmente par le fait du chevauchement grille-drain de sorte que la transmission est retardée. C'est par conséquent un objectif de la présente invention que de créer une structure de transistor MOS dans laquelle la capacité grille-drain soit minimisée et un procédé de fabrication pour ce faire. Selon un aspect de la présente invention, un transistor MOS de l'invention possède une couche d'isolation plus épaisse formée dans la région où une grille et un drain se chevauchent, en formant une couche d'isolation d'oxyde au dessus d'un substrat après formation d'une couche conductrice d'un premier dessin sur le substrat. Les caractéristiques et avantages de l'invention ressortiront d'ailleurs de la description qui va suivre à titre d'exemple en référence aux dessins annexés, sur lesquels la figure 1 est une vue en coupe transversale d'une structure de transistor MOS classique; la figure 2 est une vue en coupe transversale d'une structure de transistor MOS selon la présente invention; et les figures 3A à 3F représentent le procédé de fabrication du transistor MOS selon la présente invention. En se reportant à la figure 2, des régions de diffusion 41 du second type de conductivité sont isolées l'une de l'autre par la région de canal formée dans un substrat semiconducteur 15 d'un premier type de conductivité, comprenant des régions 25 à faible concentration et des régions 39 à forte concentration, et une première couche isolante 17 d'une première épaisseur est formée sur la surface du substrat. Une première couche conductrice 23 d'un premier dessin est formée sur la première couche d'isolation de grille 17, elle comprend une couche à conductivité plus faible 19 faite de silicium polycrystallin et une couche à conductivité plus élevée 21 faite d'un siliciure de métal genre réfractaire.Des secondes couches conductrices 33 d'un second dessin sont isolées des parties inférieures des parois latérales externes de la première couche conductrice 23 au moyen de couches dtisolation de grille 27b d'une seconde épaisseur, et sont donc isolées du substrat 15 de la valeur d'une troisième épaisseur qui est égale à la somme de la première épaisseur de la première couche d'isolation de grille 17 et de la seconde épaisseur des couches d'isolation de grille 27b, qui est reliée aux parties supérieures des parois latérales externes de la première couche conductrice 23. La première couche conductrice 23 ci-dessus et les secondes couches conductrices 33 correspondent à la grille 35. Ici, des régions séparatrices de couche d'isolation 37 sont formées sur les deux parois latérales externes de la grille 35. Comme cela est montré à la figure 2, des secondes couches d'isolation de grille 43 qui sont constituées de la première couche d'isolation de grille 17 et des couches d'isolation de grille 27b, dans la région où la grille et un drain se chevauchent, sont plus épaisses que la couche d'isolation de grille formée sur la région de canal. Une telle structure est appelée une structure LDD à recouvrement de grille sur double couche d'oxyde (GOTO). A la figure 3A, une première couche d'oxyde de grille 17 d'environ 15 nm à 20 nm d'épaisseur est formée sur la surface d'un substrat semiconducteur de type p 15, et ensuite la couche conductrice 23 d'un premier dessin est formée sur la première couche d'oxyde de grille 17. Dans ce cas, la couche conductrice 23 est formée par empilement d'une couche de siliciure de tungstène 21 d'environ 150 nm d'epaisseur sur une première couche de silicium polycrystallin 19 d'environ 250 nm d'épaisseur, afin d'améliorer la caractéristique électrique. Puis, les régions de source et de drain à faible concentration 25 sont formées par implantation d'impuretés de type n à partir de la partie supérieure du substrat 15. Dans ce cas, la couche conductrice 23 d'un premier dessin sert de masque. A la figure 3B, une mince couche d'oxyde de recouvrement 27a d'environ 15 nm à 20 nm d'épaisseur est formée par oxydation thermique sur les surfaces de la couche conductrice 23 et de la première couche d'oxyde de grille 17, et ensuite, la première couche d'oxyde de grille 17 est recouverte d'un "photorésist" 28. A la figure 3C, le photorésist 28 est gravé jusqu'à une épaisseur prédéterminée par un processus de gravure en retrait, jusqu'à ce que la couche d'oxyde de recouvrement 27a formée sur la surface et sur la partie supérieure des parois latérales de la première couche conductrice 23 soit mise à nu. A la figure 3D, la couche d'oxyde de recouvrement mise à nu 27a est retirée par gravure humide ou sèche et ensuite le photorésist 28 restant sur le substrat 15 est retiré. Par le processus ci-dessus, les secondes couches d'oxyde de grille 43 de 22 nm à 30 nm d'épaisseur sont formées sur la surface des régions de source et de drain à faible concentration 25 par la formation des couches d'oxyde de recouvrement 27b sur la première couche d'oxyde de grille 17. Le photorésist 28 et la couche d'oxyde de recouvrement 27a sont gravées successivement aux figures 3C et 3D, mais le photorésist 28 et la couche d'oxyde de recouvrement 27a peuvent être gravés simultanément dans un autre mode de réalisation de la présente invention. C'est-à-dire, qu'un processus de gravure en retrait est exécuté à la condition que la vitesse de gravure de la couche d'oxyde de recouvrement soit plus élevée que celle du photorésist en utilisant du tétrafluorure de carbone CF4 ou de l1oxygène 02, pour retirer simultanément par ce moyen la couche d'oxyde de recouvrement formée sur la surface et sur les parois latérales de la couche de siliciure de tungstène 21. En outre, seule la couche d'oxyde de recouvrement formée sur les parois latérales de la première couche de silicium polycrystallin 19 est laissée en place dans le mode de réalisation décrit ci-dessus, mais la hauteur de la couche d'oxyde de recouvrement demeurant sur les parois latérales de la couche conductrice du premier dessin peut être modifiée dans un autre mode de réalisation de la présente invention. A la figure 3E, une seconde couche de silicium polycrystallin 29 de 50 nm à 200 nm d'épaisseur et une couche d'oxyde à basse température 31 de 100 nm à 200 nm d'épaisseur sont formées sur la première couche conductrice 23 et sur les secondes couches d'oxyde de grille 43. Ensuite, à la figure 3F, un processus de gravure ionique réactive (RIE) est effectué jusqu'à ce que la surface de la couche de siliciure de tungstène 21 soit mise à nu. Puis les régions séparatrices d'oxyde à basse température 37 sont formées sur les deux parois latérales extérieures de la seconde couche de silicium polycrystallin 29, là où les parois latérales s'étendent vers le haut. Dans ce cas, la couche d'oxyde à basse température 31 et la seconde couche de silicium polycrystallin 29 exceptée là où elle se trouve au dessous ou à l'intérieur des régions séparatrices d'oxyde à basse température 37 sont retirées, pour former par ce moyen les secondes couches conductrices 33. Ensuite, les régions de source et de drain à haute concentration 39 sont formées, par implantation d'impuretés de type n dans le substrat 15, en utilisant la grille 35 formée des couches conductrices du premier et du second dessins 23, 33 comme masque. La capacité C de la région dans laquelle la grille et A le drain se recouvrent peut être exprimée par C = e d d dans laquelle E est une constante diélectrique, A représente la surface de recouvrement de la grille et du drain, et d représente l'épaisseur de la couche d'isolation dans la région où la grille et le drain se chevauchent. Comme cela est indiqué par la formule ci-dessus, la capacité C est proportionnelle à la superficie A, et inversement proportionnelle à l'épaisseur d. Si l'épaisseur des couches d'isolation dans les régions où la grille et le drain se chevauchent est exprimée respectivement par dl dans la réalisation classique et par d2 dans la présente invention, l'épaisseur d2 est beaucoup plus grande que l'épaisseur dl, dans la même superficie A. Par conséquent, le transistor selon la présente invention possède une capacité grandement réduite. Comme cela a été mentionné précédemment, la présente invention ayant la structure d'un transistor MOS à recouvrement grille-drain forme la seconde couche d'oxyde de grille plus épaisse que la première couche d'oxyde de grille, sur la surface de la région de source et de drain, par l'exécution du processus qui forme la première couche d'oxyde de grille sur la surface du substrat, et forme la couche conductrice du premier dessin sur la couche d'oxyde de recouvrement, et le processus qui effectue la gravure en retrait jusqu'à ce que la surface et la partie supérieure des parois latérales de la couche conductrice du premier dessin soit mises à nu et recouvre la seconde couche de silicium polycrystallin par dessus cela. Par conséquent, la présente invention a pour effet de réduire la capacité grille-drain produite par le recouvrement de la grille et du drain. La présente invention a également pour effet d'améliorer la caractéristique de fonctionnement de l'élément en minimisant le retard de transmission du transistor MOS. Particulièrement, la présente invention présente l'avantage de proposer un processus de fabrication aisé en formant une seconde couche d'oxyde de grille sans utiliser un masque supplémentaire. Bien que l'invention ait été particulièrement montrée et décrite en se référant à un mode de réalisation préféré de celle-ci, il sera compris aisément par les personnes expérimentées dans cette technique que des modifications dans la forme et dans des détails peuvent être effectuées sans sortir de l'esprit et du domaine de l'invention. REVENDICATIONS 1. Transistor MOS (semiconducteur à grille isolée par oxyde métallique) à recouvrement grille-drain, caractérisé en ce qu'il comprend un substrat semiconducteur (15) d'un premier type de conductivité; une première et une seconde régions de diffusion (41) d'un second type de conductivité, chacune possédant une première et une seconde régions dopées avec des concentrations différentes (25, 39), lesdites régions de diffusion (41) étant isolées l'une de l'autre par une région de canal formée dans ledit substrat (15); et une grille (35) comportant une première couche conductrice (23) d'un premier dessin formée sur une première couche d'isolation de grille (17) formée sur la surface de ladite région de canal, et des secondes couches conductrices (33) d'un second dessin chacune isolée dudit substrat (15) par des secondes couches d'isolation de grille (43) et reliées aux parties supérieures des parois latérales externes de ladite première couche conductrice (23), lesdites secondes couches d'isolation de grille (43) étant formées au dessus desdites régions de diffusion (41). 2. Transistor MOS à recouvrement grille-drain selon la revendication 1, caractérisé en ce que lesdites secondes couches d'isolation de grille (43) sont plus épaisses que ladite première couche d'isolation de grille (17). 3. Transistor MOS à recouvrement grille-drain selon la revendication 2, caractérisé en ce que lesdites secondes couches conductrices (33) sont isolées par une épaisseur prédéterminée des deux parois latérales de ladite première couche conductrice (23), dans seulement les parties inférieures de celle-ci. 4. Transistor MOS à recouvrement grille-drain selon la revendication 1, caractérisé en ce que ladite première couche conductrice (23) est une couche unique de silicium polycrystallin, ou une couche formée par empilement d'une couche de siliciure d'un métal réfractaire (21) sur une couche de silicium polycrystallin (19). 5. Transistor MOS à recouvrement grille-drain selon la revendication 1, caractérisé en ce que ladite seconde couche conductrice (33) est faite d'une couche de silicium polycrystallin. 6. Transistor MOS à recouvrement grille-drain selon la revendication 1, caractérisé en ce que lesdites première et seconde couches d'isolation de grille (17, 43) sont des couches d'oxyde. 7. Procédé de fabrication d'un transistor MOS à recouvrement grille-drain comportant un substrat semiconducteur (15) d'un premier type de conductivité, des régions de diffusion (41) d'un second type de conductivité isolées l'une de l'autre par une région de canal formée dans ledit substrat (15), et une première couche conductrice (23) d'un premier dessin formé sur une première couche d'isolation de grille (17) formée sur la surface de ladite région de canal, ledit procédé comprenant les étapes de (a) formation dtune couche d'isolation (27a) sur ledit substrat (15) et formation d'un agent photorésistant (28) sur celle-ci;; (b) exécution d'un processus de gravure en retrait de manière à graver ladite couche d'isolation (27a) sur la partie de surface et les parties supérieures des deux parois latérales de ladite première couche conductrice (23) du premier dessin; (c) formation d'une couche conductrice (29) et d'une nouvelle couche d'isolation (31) sur le substrat; et (d) exécution d'un processus de gravure en retrait jusqu'à ce que la surface de ladite première couche conductrice (23) du premier dessin soit mise à nu, de manière à former des secondes régions de séparation d'oxyde (37) sur les deux parois latérales externes de ladite seconde couche conductrice (33), et enlèvement de ladite seconde couche d'oxyde et de ladite nouvelle couche (31) d'isolation excepté là où elle se trouve au dessous ou a l'intérieur desdites secondes régions de séparation d'oxyde (37), pour former par ce moyen des secondes couches conductrices (33) avec un second dessin disposées sur une seconde couche d'isolation de grille (43). 8. Procédé selon la revendication 7, caractérisé en ce que ladite seconde couche d'isolation de grille (43) est formée par empilement de ladite couche d'isolation (27a) sur ladite première couche d'isolation de grille (17). 9. Procédé selon la revendication 8, caractérisé en ce que ladite seconde couche d'isolation de grille (43) est de 22 nm à 30 nm d'épaisseur. 10. Procédé selon la revendication 7, caractérisé en ce que ladite couche d'isolation (27a) est une couche d'oxyde. 11. Procédé selon la revendication 7, caractérisé en ce que ladite étape (b) comprend les étapes de (e) exécution dudit processus de gravure en retrait pour retirer ledit photorésist (28) sur une épaisseur prédéterminée; (f) enlèvement de ladite couche d'isolation (27a) mise à nu pendant ladite étape (e); et (g) enlèvement du photorésist restant à l'issue de ladite étape (e). 12. Procédé selon la revendication 7, caractérisé en ce que la vitesse de gravure de ladite couche d'isolation (27a) est plus grande que celle du photorésist (28) pendant le processus de gravure en retrait de ladite étape (b). 13. Procédé selon la revendication 7, caractérisé en ce que ladite couche conductrice (29) formée pendant ladite étape (c) est une couche de silicium polycrystallin. 14. Procédé selon la revendication 7, caractérisé en ce que ladite nouvelle couche d'isolation (31) est une couche d'oxyde. 15. Procédé selon la revendication 7, caractérisé en ce que ladite première couche conductrice (23) du premier dessin est une couche unique de silicium polycrystallin, ou bien une couche formée par l'empilement d'une couche de siliciure de métal réfractaire (21) sur une couche de silicium polycrystallin (19).