FR 2674989 A1 19921009 FR 9203947 A 19920401 La présente invention concerne un dispositif de refroidissement pour un élément semiconducteur et concerne en particulier un dispositif de refroidissement servant à refroidir une pluralité d'éléments semiconducteurs au moyen d'un milieu de refroidissement introduit dans un élément de refroidissement disposé entre la pluralité d'éléments semi- conducteurs par l'intermédiaire d'un conducteur de raccor- dement pour les éléments semiconducteurs. Des exemples de dispositifs classiques de refroi- dissement pour un élément semiconducteur sont décrits dans JP-A-58-37482 ( 1983), et sont représentés sur les figures Il et 12 du dessin de la présente demande. Dans le dispositif de refroidissement pour un élément semiconducteur représenté sur la figure 11, un élé- ment métallique de refroidissement 2 est disposé entre des éléments semiconducteurs respectifs 1, un élément 4 rayon- nant de la chaleur est couplé à l'élément de refroidisse- ment 2 par l'intermédiaire de tubes isolants 26, et un mi- lieu de refroidissement possédant une bonne capacité d'évaporation remplit l'élément de refroidissement 2 et l'élément 4 rayonnant de la chaleur. Dans le dispositif de refroidissement pour un élément semiconducteur représenté sur la figure 12, un élé- ment de refroidissement 2 est disposé entre des éléments semiconducteurs respectifs par l'intermédiaire d'un conduc- teur de raccordement 6, qui sert de borne de raccordement, une plaque isolante 5 est disposée entre le conducteur de raccordement 6 et l'élément de refroidissement 2, et ce dernier est agencé de manière à communiquer avec l'élément 4 rayonnant de la chaleur par l'intermédiaire d'un tube de passage 7. Dans ces dispositifs de refroidissement pour des éléments semiconducteurs, lorsqu'une chaleur est produite par les éléments semiconducteurs 1 sous l'effet d'un cou- rant pénétrant dans ces éléments, la chaleur est transférée au milieu de refroidissement contenu dans l'élément de re- froidissement 2, le milieu de refroidissement s'évapore à l'intérieur de cet élément et les bulles produites par éva- poration pénètrent dans l'élément 4 rayonnant de la chaleur et sont refroidies en cet endroit de sorte qu'elles se li- quéfient, et le milieu de refroidissement liquéfié revient à nouveau à l'intérieur de l'élément de refroidissement 2 pour refroidir les éléments semiconducteurs 1 Dans ces structures, l'élément commun 4 rayonnant de la chaleur ne court-circuite jamais les éléments semiconducteurs respec- tifs 1, étant donné que l'élément commun 4 rayonnant de la chaleur est isolé électriquement vis-à-vis des éléments se- miconducteurs respectifs 1 par les tubes isolants 26 ou la plaque isolante 5. Dans les dispositifs de refroidissementclassiques décrits précédemment pour des éléments semiconducteurs, on a utilisé très largement du trichloro-trifluoroéthane (Freon 113) en tant que milieu de refroidissement, mais le chlore contenu dans le milieu de refroidissement entraîne une dégradation de la couche d'ozone dans la stratosphère de sorte que la production d'un tel milieu de refroidisse- ment a été arrêtée, à grande échelle, dans le monde, et que l'on a procédé rapidement au remplacement d'un tel milieu de refroidissement par des milieux de refroidissement ne contenant pas de chlore Il est envisagé d'utiliser l'eau comme l'un des milieux de refroidissement ne contenant pas de chlore, mais l'eau habituellement disponible est élec- triquement conductrice de sorte que, s'il est nécessaire de traiter au préalable l'eau pour la rendre électriquement isolante, le dispositif de refroidissement possède des di- mensions importantes, ce qui ne convient pas pour le dispo- sitif de refroidissement tel que celui utilisé pour un élé- ment semiconducteur, dont il est requis notamment qu'il possède de faibles dimensions. C'est pourquoi, il est également envisagé d'utiliser l'eau électriquement conductrice telle quelle comme milieu de refroidissement, mais lorsqu'on utilise une telle eau pour le dispositif de refroidissement par des éléments semiconducteurs tels que représentés sur la figure 11, l'élément de refroidissement 2 est raccordé électrique- ment à l'élément 4 rayonnant de la chaleur, par l'intermédiaire de l'eau située dans le tube isolant 26, et les éléments électriques sont électriquement court-circui- tés En outre, lorsqu'on utilise une telle eau pour le dis- positif de refroidissement pour des éléments semiconduc- teurs tels que représentés sur la figure 12, l'isolation électrique entre les éléments semiconducteurs respectifs 1 est maintenue par la distance de cheminement requise par la plaque isolante 5 disposée entre un couple de conducteurs de raccordement 6 et l'élément de refroidissement 2 Cepen- dant selon JEM-1103 (Norme industrielle japonaise concer- nant les machines électriques pour ce qui concerne la dis- tance d'isolement pour des dispositifs de commande), on doit avoir une distance supérieure à 30 mm pour un circuit possédant une tension nominale de 1500 V et une distance d'isolement 1,5 fois supérieure, c'est-à-dire supérieure à mm, pour le même circuit dans un environnement pollué. Lorsqu'on incorpore une plaque isolante qui satisfait à la condition mentionnée précédemment, la taille du dispositif de refroidissement utilisant le milieu de refroidissement électriquement conducteur devient supérieure à celle du dispositif de refroidissement classique qui utilise le mi- lieu de refroidissement électriquement isolant. Un but de la présente invention est de réaliser un dispositif de refroidissement de faibles dimensions pour un élément semiconducteur utilisant un milieu de refroidis- sement électriquement conducteur. Pour atteindre l'objectif indiqué précédemment, il est prévu, selon un premier mode de réalisation de l'in- vention,undispositif derefroidissementpour un élément se- miconducteur, dans lequel un élément de refroidissement est disposé entre une pluralité d'éléments semiconducteurs ré- unis par un conducteur de raccordement, un élément rayon- nant de la chaleur est raccordé à la partie de raccordement de l'élément de refroidissement, et un milieu de refroidis- sement est introduit dans l'élément de refroidissement, dans la partie de raccordement et dans l'élément rayonnant de la chaleur, caractérisé en ce qu'on utilise comme milieu de refroidissement un milieu de refroidissement électrique- ment conducteur, que la partie dudit élément de refroidissement, tournée vers ledit conducteur de raccorde- ment comporte un isolant possédant une bonne conductibilité thermique ou la circonférence extérieure dudit élément de refroidissement situé entre un couple desdits conducteurs de raccordement est recouverte par un isolant. Selon un second mode de réalisation de l'invention, il est prévu un dispositif de refroidissement pour un élé- ment semiconducteur, dans lequel un élément de refroidisse- ment est disposé entre une pluralité d'éléments semiconduc- teurs réunis par un conducteur de raccordement, un élément rayonnant de la chaleur est raccordé à la partie de raccor- dement de l'élément de refroidissement, et un milieu de re- froidissement est introduit dans l'élément de refroidisse- ment, dans la partie de raccordement et dans l'élément rayonnant de la chaleur, caractérisé en ce qu'on utilise comme milieu de refroidissement un milieu de refroidisse- ment électriquement conducteur et que ledit élément de re- froidissement est constitué par un isolant possédant une bonne conductibilité thermique. Dans un dispositif de refroidissement pour un élément semiconducteur selon le premier mode de réalisation de l'invention, un isolant est prévu sur les parties, qui se font face, du conducteur de raccordement et de l'élément de refroidissement et sur la surface extérieure de l'élément de refroidissement si- tuée entre un couple des conducteurs de raccordement, l'isolant électrique entre la partie avant du conducteur de raccordement et l'élément de refroidissement n'est pas dé- terminé par la distance de cheminement comme dans les dis- positifs classiques, mais par l'épaisseur, c'est-à-dire la rigidité diélectrique au claquage, de l'isolant, qui re- couvre la partie correspondante de l'élément de refroidis- sement, de manière à obtenir un dispositif de refroidisse- ment ayant de faibles dimensions En outre, les éléments semiconducteurs sont isolés électriquement par rapport à l'élément de refroidissement, à l'aide du même isolant, de manière à empêcher un court-circuit électrique entre les bornes des éléments semiconducteurs même si on utilise pour le dispositif de refroidissement un milieu de refroidisse- ment électriquement conducteur incluant l'eau, qui est ai- sément disponible et n'entraîne aucun risque de dégradation de l' environnement. Dans un dispositif de refroidissement pour un élément semiconducteur selon le second mode de réalisation de la présente invention, l'élément de re- froidissement est réalisé en un matériau isolant, aucun circuit court-circuitant les bornes des éléments semicon- ducteurs par l'intermédiaire de l'élément de refroidisse- ment n'est formé, même lorsque l'ensemble du dispositif de refroidissement est réalisé avec de faibles dimensions En outre, grâce à la mise en oeuvre de cette caractéris- tique, on peut utiliser un milieu de refroidissement élec- triquement conducteur, tel que de l'eau, qui est aisément disponible et n'entraîne aucun risque de dégradation de l' environnement. D'autres caractéristiques et avantages de la pré- sente invention ressortiront de la description donnée ci- après prise en référence au dessin annexé, sur le- quel: la figure 1 représente une vue en coupe trans- versale d'une forme de réalisation de dispositif de re- froidissement pour un élément semiconducteur conforme à la présente invention; la figure 2 représente une coupe transversale d'une autre forme de réalisation du dispositif de refroi- dissement pour un élément semiconducteur selon la présente invention; la figure 3 est une coupe transversale verti- cale d'une autre forme de réalisation du dispositif de re- froidissement pour un élément semiconducteur conforme à la présente invention; la figure 4 est une coupe transversale verti- cale d'une autre forme de réalisation de dispositif de refroidissement pour un élément semiconducteur conforme à la présente invention; la figure 5 est une vue en perspective dévelop- pée d'une partie principale de la forme de réalisation re- présentée sur la figure 1; la figure 6 est une coupe transversale à plus grande échelle d'une partie principale d'une autre forme de réalisation de dispositif de refroidissement pour un élé- ment semiconducteur conforme à l'invention; la figure 7 représente une coupe transversale à plus grande échelle d'une partie principale d'une autre forme de réalisation de dispositif de refroidissement pour un élément semiconducteur conforme à la présente in- vention; la figure 8 est une coupe transversale à plus grande échelle d'une partie principale d'une autre forme de réalisation de dispositif de refroidissement pour un élé- ment semiconducteur conforme à la présente invention; la figure 9 est une coupe transversale à plus grande échelle d'une partie principale d'une autre forme de réalisation de dispositif de refroidissement pour un élé- ment semiconducteur conforme à la présente invention; la figure 10 est une coupe transversale à plus grande échelle d'une partie principale d'une autre forme de réalisation du dispositif de refroidissement pour un élé- ment semiconducteur conforme à la présente invention; la figure 11, dont il a déjà été fait mention, est une vue en perspective d'un dispositif de refroidisse- ment classique pour un élément semiconducteur; et la figure 12, dont il a déjà été fait mention, est une coupe transversale verticale d'un autre dispositif de refroidissement classique pour un élément semiconduc- teur. Ci-après, on va expliquer des formes de réalisa- tion de la présente invention en référence au dessin. La figure 1 représente une coupe transversale verticale montrant une forme de réalisation de dispositif de refroidissement pour un élément semiconducteur conforme à la présente invention, et dans laquelle une pluralité d'éléments semiconducteurs 1 comprennent, à leurs deux ex- trémités, respectivement des conducteurs de raccordement 6, et, entre ces derniers, un élément de refroidissement 2, dont l'intérieur est rempli par un milieu de refroidisse- ment électriquement conducteur La surface extérieure de l'élément de refroidissement 2 est recouverte par un iso- lant 8 possédant une bonne conductibilité thermique, hormis en ce qui concerne la partie 2 a de raccordement à un pas- sage 7 En outre, l'élément de refroidissement 2 est rac- cordé à un élément 4 de rayonnement de chaleur par l'intermédiaire du passage 7 Pour l'isolant 8, on peut utiliser par exemple du nitrure de bore, du nitrure d'aluminium, de l'alumine, de l'oxyde de béryllium et du carbure de silicium. Dans cette structure, l'isolation élec- trique entre le conducteur de raccordement 6 et l'élément de refroidissement 2 est maintenue par la rigidité diélectrique au claquage de l'isolant 8 de sorte que le dispositif de refroidissement conforme à la présente forme de réalisation possède de faibles dimensions par rapport au dispositif classique de refroidissement tel que représenté sur la figure 12 et dont la rigidité diélec- trique dépend de la distance de cheminement de la plaque isolante 5. On va maintenant expliquer une structure spéci- fique de l'isolant 8 recouvrant l'élément de refroidisse- ment 2 en référence à la figure 5, qui est une vue en pers- pective développée d'une partie principale du dispositif de refroidissement pour un élément semiconducteur conforme à la présente forme de réalisation. L'élément de refroidissement 2 possède une confi- guration cylindrique possédant une courte longueur axiale dans la direction d'empilage parallèle des éléments semi- conducteurs, les deux extrémités axiales du corps cylin- drique sont fermées et, au niveau de la partie supérieure de l'élément de refroidissement 2, il est prévu une partie de raccordement cylindrique 2 a qui s'étend dans une direc- tion radiale et est adaptée de manière à être raccordée au passage 7, comme représenté sur la figure 1 L'isolant 8 est formé d'isolants 9 en forme de disques, disposés sur les deux extrémités axiales de l'élément de refroidissement 2 et possédant un diamètre légèrement supérieur à celui de l'élément de refroidissement cylindrique 2, un isolant en- veloppant 11 recouvrant la circonférence extérieure de l'élément de refroidissement 2 entre deux isolants 9 en forme de disques en regard, et un autre isolant enveloppant 10 recouvrant la partie de raccordement 2 a Les isolants 9 en forme de disques et l'isolant enveloppant 11 sont réunis par un adhésif isolant 12, et lorsque cela est nécessaire, l'autre isolant enve- loppant 10 et l'isolant enveloppant 11 peuvent être égale- ment réunis par un adhésif isolant. L'isolant en forme de disque 9 est réalisé en un matériau possédant une bonne conductibilité thermique, comme par exemple du nitrure de bore, du nitrure d'aluminium, de l'alumine, de l'oxyde de béryllium et du carbure de silicium, comme expliqué précédemment, mais les isolants enveloppants 10 et 11 ne sont pas nécessaires dans le cas d'une telle bonne conductibilité, étant donné que la chaleur produite par les éléments semiconducteurs est transférée au milieu de refroidissement 3 par l'intermédiaire du conducteur de raccordement 6, de l'isolant en forme de disque 9 et de l'élément de refroi- dissement 2 Par conséquent, on peut utiliser, pour consti- tuer les isolants enveloppants 10 et 11, un tube silicone thermorétractable Dans ce cas, les isolants enveloppants et 11 peuvent être réalisés d'un seul tenant ou après mise en place d'un isolant enveloppant cylindrique 11, qui est évidé dans la partie correspondant à la partie de rac- cordement 2 a et possède une longueur axiale légèrement su- périeure à celle de l'élément de refroidissement 2, et mise en place d'un isolant cylindrique enveloppant 10 entourant la partie de raccordement 2 a, les deux isolants pouvant être réalisés d'un seul tenant tout en étant ajustés étroi- tement sur l'élément de refroidissement 2, par contraction sous l'effet de l'application d'une chaleur En outre, on découpe de préférence les extrémités axiales de l'isolant enveloppant 11 après l'opération de contraction de manière à les aligner avec les faces terminales de l'élément de re- froidissement 2 pour les réunir à l'isolant en forme de disque 9. Étant donné que presque la totalité de la surface extérieure de l'élément de refroidissement 2 est recouverte par l'isolant 8, la rigidité diélectrique entre l'élément métallique de refroidissement 2 et le conducteur de raccordement 6 est déterminée par la rigidité diélec- trique au claquage de l'isolant 8, ce qui permet d'obtenir un dispositif de refroidissement possédant de faibles di- mensions. Cependant, le conducteur de raccordement 6 pos- sède la forme d'une plaque qui a une largeur prédéterminée relativement faible comme représenté sur la figure 5, dif- férente des faces terminales de forme circulaire de l'élément de refroidissement 2 et ressort dans une direc- tion perpendiculaire à la direction de sortie de la partie de raccordement 2 a de l'élément de refroidissement 2 ou, dans une autre forme de réalisation, ressort dans la direc- tion opposée à la direction de sortie de la partie de rac- cordement 2 a Par conséquent, lorsque l'on considère l'isolation électrique entre le conducteur de raccordement 6 et l'élément de refroidissement 2, l'isolation électrique le long de la direction sortante du conducteur de raccorde- ment 6 est importante En effet, le conducteur de raccorde- ment 6 forme une borne qui ressort au-delà des surfaces, en vis-à-vis, de l'élément de refroidissement 2 et de l'isolant en forme de disque 9, ce qui a pour effet qu'au niveau de cette partie sortante, il se pose le problème concernant l'isolation, comme mentionné en référence à la figure 12. C'est pourquoi, à proprement parler, il est sa- tisfaisant que l'isolant 8 entourant l'élément de ref roi- dissement 2 soit appliqué de manière à recouvrir une partie de l'élément de refroidissement 2 au moins à proximité de la partie ressortie du conducteur de raccordement 6 Dans un tel cas, on dispose un isolant possédant une bonne conductibilité thermique, par exemple l'isolant en forme de disque 9, sur les parties, situées en vis-à-vis, du conduc- teur de raccordement 6 et de l'élément de refroidissement 2 et, en ce qui concerne la circonférence extérieure de l'élément de refroidissement 2, qui est situé entre les isolants en forme de disques 9, il est satisfaisant de pré- voir un isolant enveloppant qui recouvre au moins la partie ressortie du conducteur de raccordement 6. La figure 6 est une coupe transversale à plus grande échelle d'une partie principale d'une autre forme de réalisation du dispositif de refroidissement pour un élé- ment semiconducteur conformément à la présente invention. Dans la présente forme de réalisation, la direction de sor- tie du conducteur de raccordement 6 est choisie de manière à s'étendre en sens opposé de celle de la partie de raccor- dement 2 a De même, dans la présente forme de réalisation, on obtient un avantage semblable en prévoyant un isolant enveloppant 11 autour de la circonférence extérieure de l'élément de refroidissement 2, qui est situé entre les deux conducteurs de raccordement 6, mais la rigidité di- électrique entre les deux conducteurs de raccordement 6 est maintenue principalement par la distance de cheminement de l'isolant enveloppant 11, et par conséquent l'isolant enve- loppant 11 est pourvu d'une surface extérieure non unie de manière à accroître sa rigidité diélectrique. La figure 7 représente une coupe transversale à plus grande échelle d'une partie principale d'une autre forme de réalisation du dispositif de refroidissement pour l'élément semiconducteur conforme à la présente invention, dans laquelle l'isolant 8 disposé entre le conducteur de raccordement 6 et l'élément de refroidissement 2 est constitué par un couple d'isolants du type en forme de boîtes 22 et 23 possédant une bonne conductibilité ther- mique Si deux isolants du type en forme de boîtes 22 et 23 sont montés de manière à constituer une partie en chevau- chement 24 au niveau de la partie correspondant à la partie ressortie du conducteur de raccordement 6 Conformément à la présente forme de réalisation, la distance de chemine- ment est accrue par la partie en chevauchement 24 de l'isolant 8. La figure 8 montre une variante de la forme de réalisation représentée sur la figure 7, dans laquelle la partie, qui requiert une rigidité diélectrique élevée, c'est-à-dire la partie en chevauchement 24 du couple des isolants en forme de boîtes 22 et 23 qui recouvrent l'élément de refroidissement 2 situé entre les conducteurs de raccordement 6, est formé par une pluralité d'éléments en chevauchement de manière à accroître plus encore la dis- tance de cheminement. La figure 9 représente une coupe transversale à plus grande échelle d'une partie principale d'une autre forme de réalisation d'un dispositif de refroidissement pour un élément semiconducteur conforme à la présente in- vention La structure de base de la présente forme de réa- lisation est sensiblement identique à celle représentée sur la figure 6, mais en outre, l'élément de refroidissement 2 et l'isolant 8, et l'isolant 8 et le conducteur de raccor- dement 6 sont réunis à force comme par exemple par un adhé- sif possédant une bonne conductibilité thermique Par conséquent, les résistances de contact thermique entre ces éléments sont réduites de sorte que l'élément semiconduc- teur 1 est refroidi d'une manière efficace par le milieu de refroidissement 3. La figure 2 représente une coupe transversale verticale d'une autre forme de réalisation du dispositif de refroidissement pour un élément semiconducteur conforme à *la présente invention. Dans la forme de réalisation précédente, l'élément de refroidissement 2 était formé d'un métal et l'isolant 8 était disposé entre le conducteur de raccorde- ment 6 et l'élément de refroidissement 2 pour réaliser l'isolation entre ces éléments, mais dans la présente forme de réalisation, l'élément de refroidissement 2 est consti- tué par un matériau isolant possédant une bonne conductibi- lité thermique Par conséquent, l'isolant 8 recouvrant l'élément de refroidissement 2 est supprimé et en outre, même lorsque de l'eau électriquement conductrice est utili- sée comme milieu de refroidissement 3, les bornes des élé- ments semiconducteurs ne sont jamais court-circuitées de sorte qu'on obtient un dispositif de refroidissement sans risque de dégradation de l'environnement Dans la structure de la présente forme de réalisation, comme dans celle re- présentée sur la figure 6, l'élément de refroidissement 2 comporte une surface non unie au niveau de sa circonférence extérieure située entre les deux conducteurs de raccorde- ment 6, ce qui accroît la résistance diélectrique de chemi- nement de l'élément de refroidissement 2 entre les deux conducteurs de raccordement 6 En outre, comme représenté sur la figure 10, lorsque le conducteur de raccordement 6 et l'élément de refroidissement 2 réalisés en un matériau isolant possédant une bonne conductibilité thermique sont réunis par un adhésif 25 présentant une bonne conductibi- lité thermique, la résistance de contact thermique entre ces éléments est réduite et l'élément semiconducteur 1 est efficacement refroidi par le milieu de refroidissement 3. La figure 3 représente une coupe transversale verticale montrant une autre forme de réalisation de dis- positif de refroidissement pour un élément semiconducteur, conforme à la présente invention La structure de la pré- sente forme de réalisation en liaison avec l'élément de re- froidissement 2 et d'autres éléments qui y sont associés est la même que celle de la forme de réalisation représen- tée sur la figure 2, les mêmes chiffres de référence sont affectés aux mêmes éléments, et on n'en donnera aucune ex- plication On va expliquer ci-après uniquement les éléments qui diffèrent de ceux de la forme de réalisation représen- tée sur la figure 2. Un tube d'entrée 16 utilisé comme entrée pour le milieu de refroidissement 3 et un tube de sortie 17 utilisé comme sortie pour les moyens de refroidissement 3 sont rac- cordés respectivement à la partie de raccordement 2 a de l'élément de refroidissement 2 L'autre extrémité du tube de sortie 17 est raccordée à l'élément 4 rayonnant de la chaleur et l'autre extrémité du tube d'entrée 16 est rac- cordée à l'élément 4 rayonnant la chaleur par l'intermédiaire d'une pompe 14 Par conséquent, le milieu de refroidissement 3 situé dans l'élément de refroidisse- ment 2 chauffé par la chaleur délivrée par les éléments se- miconducteurs 1 est envoyé à l'élément 4 rayonnant de la chaleur par l'intermédiaire du tube de sortie 17, et le mi- lieu de refroidissement chauffé est refroidi en cet endroit et le milieu de refroidissement refroidi est renvoyé à l'élément de refroidissement 2 par l'intermédiaire du tube d'entrée 16 de manière à refroidir les éléments semiconduc- teurs 1. Lorsqu'on réalise le circuit de circulation for- cée utilisant la pompe 14 pour le milieu de refroidisse- ment, la liberté de conception est accrue, en particulier en ce qui concerne la position de l'élément 4 rayonnant de la chaleur En effet, dans des dispositifs de refroidisse- ment tels que représentés sur les figures 1 et 2, qui uti- lisent l'évaporation du milieu de refroidissement 3, l'emplacement de l'élément 4 rayonnant de la chaleur est limité à une gamme de circulation du milieu de refroidisse- ment, déterminée par la différence de température entre ces éléments et d'autre part, dans le cas de la circulation forcée, l'emplacement de l'élément 4 rayonnant de la cha- leur est déterminé en fonction de la capacité de la pompe 14 En outre, la structure en liaison avec l'élément de re- froidissement 2 et les éléments qui y sont associés de la présente forme de réalisation peuvent être remplacés par ceux représentés sur la figure 1 et sur les figures 6 à 10, sensiblement avec les mêmes avantages. La figure 4 est une coupe transversale verticale montrant une autre forme de réalisation de dispositif de refroidissement pour un élément semiconducteur conforme à la présente invention La structure de la présente forme de réalisation en liaison avec l'élément de refroidissement 2 et d'autres éléments qui y sont associés est la même que celle des formes de réalisation représentées sur les fi- gures 2 et 3, les mêmes chiffres de référence désignent les mêmes éléments et on n'en donnera aucune explication On va expliquer ci-après uniquement les éléments qui diffèrent de ceux des formes de réalisation représentées sur les figures 2 et 3. Des parties 18 a de réception de la chaleur des tubes respectifs 18 véhiculant la chaleur sont insérées dans les éléments de refroidissement respectifs 2 et y sont raccordées, et des parties 18 b de rayonnement de chaleur de ces éléments de refroidissement, qui sont équipées d'ailettes de rayonnement thermique 19, font saillie à l'extérieur de ces éléments. Conformément à la présente forme de réalisation, étant donné que les tubes respectifs 18 véhiculant de la chaleur sont isolés par rapport aux éléments semiconduc- teurs 1 et au conducteur de raccordement 6 par l'intermédiaire de l'élément de refroidissement 2 réalisé en un matériau isolant possédant une bonne conductibilité thermique, aucun court- circuit n'apparaît entre les bornes des éléments semiconducteurs 1, même lorsque les ailettes de rayonnement thermique 19 des tubes 18 véhiculant la cha- leur sont en contact réciproque En outre, les tubes 18 vé- hiculant de la chaleur peuvent être raccordés à la masse après chacun de leurs raccordements réciproques et, dans un tel cas, tout choc électrique est empêché même si une per- sonne touche les tubes 18 véhiculant la chaleur En outre, la structure en liaison avec l'élément de refroidissement 2 et les éléments qui y sont associés de la présente forme de réalisation peut être également remplacée par celle repré- sentée sur la figure 1 et les figures 6 à 10, et ce essen- tiellement avec les mêmes avantages. Comme cela a été expliqué précédemment, dans un premier mode de réalisation de l'invention, un isolant est prévu sur les parties, situées en vis-à-vis, du conducteur de raccordement et de l' élément de refroidissement et sur la circonférence de l'élément de refroidissement situé entre les deux conducteurs de raccordement, un matériau isolant possédant une bonne conductibilité thermique est utilisé pour l'isolant au niveau des parties, qui se font face, du conducteur de raccordement et de l'élément de re- froidissement, et un milieu de refroidissement électrique- ment conducteur remplit l'élément de refroidissement, ce qui a pour effet que le large dimensionnement du dispositif de refroidissement est réduit, que le court-circuit élec- trique entre les bornes des éléments semiconducteurs par exemple par le milieu de refroidissement et l'élément de refroidissement est empêché et que l'on obtient un disposi- tif de refroidissement sûr pour un élément semiconducteur ne posant aucun problème d'environnement En outre, confor- mément à un second mode de réalisation de i' invention, l'élément de refroidissement est réalisé en un matériau isolant possédant une bonne conductibilité thermique, le conducteur de raccordement est isolé électriquement par rapport à l'élément de refroidissement sans nécessiter un tube isolant particulier, et en outre on utilise un milieu de refroidissement électriquement conducteur, ce qui permet d'obtenir un dispositif de refroidissement simple et de pe- tite taille pour un élément semiconducteur, sans aucun pro- blême d'environnement. REVENDICATIONS 1 Dispositif de refroidissement pour un élément semiconducteur ( 1), dans lequel un élément de refroidisse- ment ( 2) est disposé entre une pluralité d'éléments semi- conducteurs réunis par un conducteur de raccordement ( 6), un élément ( 4) rayonnant de la chaleur est raccordé à la partie de raccordement de l'élément de refroidissement, et un milieu de refroidissement ( 3) est introduit dans l'élément de refroidissement, dans la partie de raccorde- ment et dans l'élément rayonnant ( 4) de la chaleur, carac- térisé en ce qu'on utilise comme milieu de refroidissement ( 3) un milieu de refroidissement électriquement conducteur, que la partie dudit élément de refroidissement ( 2), tournée vers ledit conducteur de raccordement, ou bien la circonfé- rence extérieure dudit élément de refroidissement ( 2) situé entre un couple desdits conducteurs de raccordement ( 6) est recouverte par un isolant ( 9,11) et qu'au moins l'isolant ( 9) situé sur la partie dudit élément de refroidisse- ment, qui est tournée vers ledit conducteur de raccorde- ment, est constitué par un isolant possédant une bonne conductibilité thermique. 2 Dispositif de refroidissement pour un élément semiconducteur selon la revendication 1, caractérisé en ce que ledit isolant est constitué par un isolant en forme de plaque ( 9) disposé entre ledit conducteur de rac- cordement ( 6) et ledit élément de refroidissement ( 2) et par un isolant enveloppant ( 11), qui recouvre la circon- férence extérieure dudit élément de refroidissement. 3 Dispositif de refroidissement selon la reven- dication 2, caractérisé en ce qu'il est prévu un autre iso- lant enveloppant ( 10), qui recouvre la partie de raccor- dement dudit élément de refroidissement. 4 Dispositif de refroidissement pour un élément semiconducteur selon la revendication 2, caractérisé en ce que ledit isolant enveloppant ( 11) et ledit isolant en forme de plaque ( 9) sont réunis par un adhésif isolant( 12)au niveau de leurs parties se faisant face. Dispositif de refroidissement pour un élément semiconducteur selon la revendication 4, caractérisé en ce que ledit isolant en forme de plaque ( 9) possède une taille sensiblement identique à celle de la partie dudit élément de refroidissement, qui est située en vis-à-vis de l'isolant, et est mis en place avec cette partie. 6 Dispositif de refroidissement pour un élément semiconducteur ( 1), dans lequel un élément de refroidisse- ment ( 2) est disposé entre une pluralité d'éléments semi- conducteurs réunis par un conducteur de raccordement ( 6), un élément rayonnant de la chaleur est raccordé à la partie de raccordement de l'élément de refroidissement, et un mi- lieu de refroidissement ( 3) est introduit dans l'élément de refroidissement, dans la partie de raccordement et dans l'élément rayonnant de la chaleur, caractérisé en ce qu'on utilise comme milieu de refroidissement un milieu de refroidissement ( 3) électriquement conducteur et que ledit élément de refroidissement( 2)est constitué parunisolant( 22,23) possédant une bonne conductibilité thermique. 7 Dispositif de refroidissement pour un élément semiconducteur selon l'une quelconque des revendications 1 à 6, caractérisé en ce que ledit isolant ( 9,22,23), qui possède une bonne conductibilité thermique, est constitué par au moins l'un des composants suivants nitrure de bore, nitrure d'aluminium, alumine et oxyde de béryllium et carbure de silicium. 8 Dispositif de refroidissement pour un élément semiconducteur selon l'une quelconque des revendications 1 à 7, caractérisé en ce qu'on utilise de l'eau comme milieu de refroidissement électriquement conducteur ( 3). 9 Dispositif de refroidissement pour un élément semiconducteur selon l'une quelconque des revendications 1 à 8, caractérisé en ce qu'une pompe ( 14) est prévue entre la partie de raccordement dudit élément de refroidissement ( 2) et ledit élément rayonnant ( 4) de la chaleur pour for- mer un passage à circulation forcée. Dispositif de refroidissement pour un élément semiconducteur selon l'une quelconque des revendications 1 à 8, caractérisé en ce que la partie ( 18 a) de réception de chaleur d'un tube ( 18) véhiculant la chaleur est raccordée audit élément de refroidissement ( 2), et la partie ( 18 b) de rayonnement de chaleur dudit tube véhiculant la chaleur constitue ledit élément ( 4) rayonnant de la chaleur.