FR 2664439 A1 19920110 FR 9008609 A 19900706 Laser semi-conducteur à réflecteur externe La présente invention concerne un laser semi-conducteur à réflecteur externe propre à constituer une source optique laser utilisable notamment dans le domaine des télécommunications. Les transmissions optiques longues distances à détection hétérodyne, la réflectométrie longue portée ainsi que la spectroscopie, nécessitent l'utilisation de sources optiques lasers émettant à des longueurs d'ondes autour de 1550 nm et présentant des caractéristiques spectrales très pures. Une largeur de mode inférieure à 1 MHz, une réjection des modes secondaires supérieure à 30 dB et une accordabilité en longueur d'onde, sont nécessaires pour les applications citées précédemment. D'autre part, les sources doivent également avoir un encombrement minime aussi bien pour les applications de télécommunication que de spectroscopie où l'utilisation de celles-ci, par exemple comme détecteur, exige la compacité.Les progrès réalisés sur la croissance des matériaux III-V et la gravure de réseaux sur substrat par holographie permettent l'obtention de lasers semi-conducteurs à résonateur distribué (Distributed FeedBack, DFB) dont le spectre d'émission est monomode. Cependant, actuellement, il est difficile d'obtenir avec de tels lasers simultanément une petite largeur spectrale et une accordabilité en longueur d'onde. Un moyen connu pour obtenir ces caractéristiques est de réaliser un laser à réflecteur externe. Le principe est le suivant Sur un cristal semi-conducteur de structure Fabry-Pérot, on réduit la réflectivité sur une des faces, qui sera appelée ci-après face arrière, à quelques 10- par traitemement antireflet. La cavité optique est alors ouverte et le seuil d'émission stimulée ne peut être atteint. L'émission spontanée émise est collimatée à l'aide d'une lentille sur un réflecteur extérieur qui réinjecte la lumière dans la zone active du cristal. La cavité optique est refermée et l'émission stimulée est générée. La largeur de mode étant, approximativement, inversement proportionnelle au carré de la longueur optique de la cavité résonante, elle est fortement réduite dans cette configuration. D'autre part, en utilisant un réseau de diffraction en montage de Littrow, en lieu et place du réflecteur externe, la réinjection optique dans la cavité devient sélective en longueur d'onde. Le spectre émis par le laser est alors monomode. La longueur d'onde sélectionnée est égale à 2 p cos A, p étant le pas du réseau et A le complément de l'angle d'incidence c'est-à-dire l'inclinaison du réseau, ceci étant vrai pour une utilisation du premier ordre de diffraction. L'accordabilité est simplement obtenue par modification de A, c'est-à-dire par rotation du réseau de diffraction. Beaucoup des lasers ainsi réalisées utilisent des optiques de volumes et présentent un encombrement global important (plusieurs dizaines de cm). A partir de ces ensembles, des largeurs de mode de l'ordre de la dizaine de kHz et des accordabilités continues sur plusieurs nanomètres ont été obtenues. Cependant, de par leur conception, ces lasers ont une stabilité de fonctionnement peu satisfaisante à long terme, des dérives en fréquence optique et des sauts de modes étant souvent observés. Ils sont donc peu utilisables pour les applications visées. Un gain important sur la stabilité peut être obtenu sur un ensemble fermé et court. Une source optique à cavité externe connue a été développée avec cet objectif et est décrite dans l'article de J. MELLIS, S.A. AL-CHALABI, K.CAAMERON, E. WYATT, J.C. REGNAULT, W.S. DEVLIN and M.C. BRAIN Electronics Letters, vol. 24, nO 16, p.988 (August 1988) Dans cette source le positionnement du réseau et l'accordabilité continue sont réalisés par trois translateurs piézoélectriques. Malgré tout, cette tête optique semble très sensible aux variations thermiques et acoustiques. La présente invention tend à la réalisation d'une cavité optique accordable permettant notamment de réaliser une source optique présentant les qualités suivantes - Faible largeur spectrale. - Stabilité de la fréquence notamment vis-à-vis des perturbations thermiques et acoustiques, et notamment absence de saut de mode. - Facilité de réalisation. - Compacité. Dans ce but elle a pour objet un laser semi-conducteur à réflecteur externe, caractérisé par le fait que la régulation thermique de son amplificateur de lumière est assurée par l'intermédiaire d'une semelle qui est constituée d'un matériau à faible dilatation thermique et qui porte non seulement cet amplificateur, mais aussi un réflecteur externe fermant la cavité optique du laser. A l'aide des figures schématiques ci-jointes, on va décrire ci-après comment la présente invention peut être mise en oeuvre, étant entendu que les éléments et dispositions mentionnés et représentés ne le sont qu'à titre d'exemples non limitatifs. Lorsqu'un même élément est représenté sur plusieurs figures il y est désigné par le même signe de référence. La figure 1 représente une vue de dessus d'un laser mettant la présente invention en oeuvre pour constituer une source optique. La figure 2 représente une vue de dessus à échelle agrandie pour montrer le cristal semi-conducteur de ce laser. La figure 3 représente une vue en coupe longitudinale de ce laser. La figure 4 représente des diagrammes de gain (g) de ce cristal, en ordonnées, et d'amplitudes (a) d'oscillations lumineuses potentielles dans la cavité optique de ce laser, également en ordonnées, en fonctions de la fréquence (f) de ces oscillations, en abscisses. La figure 5 représente la vue de dessus à échelle agrandie d'un ensemble de support arrière de ce laser. La cavité donnée en exemple étant utilisée pour constituer un laser on va d'abord décrire l'ensemble de ce laser. Selon une disposition générale connue ce laser comporte les éléments suivants -Un amplificateur de lumière constitué par un cristal semiconducteur 2 s'étendant selon une direction longitudinale X entre une face arrière 4 et une face avant 6. Ce laser amplifie une lumière cohérente qui se propage selon cette direction et qui présente une fréquence située dans un domaine spectral de gain G propre à ce cristal. - Un revêtement antireflet 8 formé sur cette face arrière 4 pour éviter une réflexion parasite et permettre la sortie d'un faisceau arrière 10 constitué par cette lumière. - Un réflecteur avant 6 et un réflecteur arrière externe 14 fermant vers l'avant et vers l'arrière, respectivement, une cavité optique 6, 14 qui est prévue pour cette lumière et qui inclue ce cristal. Cette cavité présente un ensemble de modes de résonance potentiels successifs et un ensemble associé de fréquences de résonance potentielles successives FI, FJ, FK à l'intérieur du domaine spectral de gain G, la fréquence de résonance potentielle associée à chacun de ces modes dépendant de la longueur optique L de cette cavité. - Un moyen de sortie de lumière qui sera précisé plus loin et qui est prévu pour permettre à une fraction de la lumière circulant dans cette cavité optique d'en sortir en constituant un faisceau de sortie 16. - Un ensemble support arrière 50 pour supporter le réflecteur arrière 14. - Une structure de cavité 20 pour maintenir l'ensemble support arrière 50 par rapport à un ensemble avant comportant le cristal amplificateur 2 et le réflecteur avant 6. Cette structure est constituée de matériaux à faible coefficient de dilatation thermique. - Enfin un organe de régulation thermique 22 pour réaliser une régulation thermique du cristal semiconducteur 2. On va maintement décrire diverses dispositions propres au laser donné en exemple - Ladite structure de cavité est une semelle de cavité 20 qui porte l'ensemble avant 2, 12, 6 et l'ensemble support arrière 50 et qui est disposée sur l'organe de régulation thermique 22 de manière à réaliser une régulation thermique de cette semelle. Ladite régulation thermique du cristal semiconducteur 2 est alors réalisée par l'intermédiaire de cette semelle. - Cette semelle de cavité 20 et cet organe de régulation thermique 22 s'étendent sensiblement sur toute la longueur de la cavité optique 6, 14. - La longueur optique de la cavité optique 6, 14 est comprise entre 10 et 25 mm et, de préférence, entre 15 et 25 mm, lorsque la longueur d'onde de ladite lumière est comprise entre 600 et 1800 nm. Ce choix permet d'obtenir plusieurs résultats à la fois. Un premier résultat est que la largeur de mode B du laser est inférieure à 500 KHz. Un deuxième résultat est que le risque de saut de mode est limité. Il l'est de deux manières D'une part l'intervalle intermodal M entre les modes de résonance potentiels successifs de la cavité est supérieur à 5 GHz. D'autre part la longueur de la semelle de cavité 20 est suffisamment petite pour limiter le risque qu'un tel saut résulte d'une variation résiduelle de cette longueur qui peut se produire malgré le choix des matériaux et la régulation thermique. - L'organe de régulation thermique 22 est muni d'un répartiteur thermique 22A qui est constitué d'un matériau de conduction thermique et qui est interposé en contact thermique entre une partie active 22B de cet organe et la semelle de cavité 20 sur sensiblement toute la longueur de la cavité optique. Cette partie active est constituée d'éléments semiconducteurs à effet Peltier alimentés à travers des connexions électriques non représentées. Le répartiteur thermique 22A est constitué d'une plaque céramique, de même qu'un autre répartiteur thermique 22C qui est interposé entre la partie active 22B et un plancher métallique 24 qui joue le rôle d'un radiateur. La semelle 20 est appuyée contre le plancher 24, avec interposition de l'organe 22, par des brides non représentées qui sont vissées dans ce plancher. Ce dernier est constitué par le fond d'un boîtier de laser 23. I1 conduit bien la chaleur et l'organe de régulation thermique 22 lui est fixé en bon contact thermique. Cet organe est alimenté électriquement par des moyens d'alimentation de régulation thermique 44 qui sont pilotés par une sonde thermique non représentée placée au contact de la semelle 20. La température est rendue plus facilement constante par le fait que le boîtier 23 est fermé en service par un couvercle non représenté. - L'ensemble avant comporte un bloc d'assemblage 26 de cristal fixé à la semelle de cavité 20 pour porter le cristal semiconducteur 2, et un bloc d'assemblage de lentille 28 également fixé à cette semelle pour porter une lentille collimatrice 12 interposée entre ce cristal et le réflecteur arrière 14. Ces blocs d'assemblage sont constituées de métaux à hautes températures de fusion et à faibles coefficients de dilatation thermique. Ils sont fixés directement l'un à l'autre par des points de soudure autogène tels que 30 et 32 réalisés par impacts d'impulsions du rayonnement d'un laser de puissance tel qu'un laser YA6. Un troisième bloc d'assemblage 34 porte une fibre optique 36 par l'intermédiaire d'un tube métallique 38. Ce bloc est soudé d'une part à ce tube 38 d'autre part au bloc 26 par des points de soudure analogues aux points 30 et 32.Le positionnement mutuel de ces trois blocs d'assemblage peut avantageusement être fait conformément au brevet français F-B-2 627 868 et à son correspondant américain US-A-4 887 882 (MOUSSEAUX, CHEVET, GRARD). Le cristal 2 est porté par le bloc 26 par l'intermédiaire d'une embase laser 40 constituée d'un matériau bon conducteur thermique. Ces blocs sont soudés à une plaque d'assemblage 27 qui est fixée par des vis non représentées à la semelle 20. - Ledit réflecteur avant est constitué par la face avant 6 du cristal semiconducteur 2. I1 est semi transparent pour constituer ledit moyen de sortie de lumière. La fibre optique 36 reçoit et guide le faisceau de sortie 16 qui sort à travers cette face avant. Des moyens d'alimentation d'amplificateur 42 fournissent un courant électrique éventuellement modulable au cristal semi-conducteur 2. Le faisceau de sortie peut être modulé, par exemple en phase, à l'extérieur de la cavité optique, ou modulé d'une autre manière. Le laser décrit constitue une tête optique émettrice utilisable dans un système de télécommunications à fibres optiques. On va maintenant décrire comment la cavité optique de ce laser peut être accordée par action sur son réflecteur arrière. Ce réflecteur arrière présente la forme d'un réseau de diffraction 14 constitué d'une succession de traits (tels que 14A) qui sont parallèles à une même direction de traits Z et qui se succèdent avec un pas de réseau p selon une direction de succession P. Ce réseau est gravé sur une face supérieure d'un substrat de réseau 15 constitué de verre. Cette direction de traits est perpendiculaire à la direction longitudinale X et à une direction de polarisation Y qui est imposée à la lumière par l'amplificateur 2. Cette direction de pas présente, par rapport à cette direction longitudinale, une inclinaison qui constitue une inclinaison de réseau A. Il en résulte que ce réflecteur arrière renvoie sélectivement selon la direction longitudinale la lumière qui présente une fréquence de renvoi définie par le pas p et par l'inclinaison de réseau A.La fréquence de résonance actuelle de la cavité optique est alors l'une desdites fréquences de résonance potentielles qui est sensiblement égale à cette fréquence de renvoi. Le mode de résonance actuel de cette cavité optique peut donc être sélectionné par le choix de cette inclinaison de réseau. L'ensemble de support arrière 50, qui porte le réseau 14, permet de commander la position angulaire de ce réseau autour d'un axe d'accord de cavité 52, qui est parallèle à la direction de traits Z et qui présente, par rapport à ce réseau, un décalage D. Pour permettre d'accorder la cavité optique 6, 14 sans sauts de modes, la direction de ce décalage doit être de préférence sensiblement perpendiculaire à la direction longitudinale X. Dans le même but sa grandeur doit être telle que la variation de la position longitudinale dL et la variation correspondante dA de l'inclinaison du réseau 14 résultant d'une même variation limitée de la position angulaire de ce réseau autour de cet axe se compensent mutuellement pour conserver le mode de résonance actuel de la cavité optique. Cette compensation résulte du fait que cette variation de position longitudinale entraîne une variation de la fréquence de résonance qui est associée à ce mode dans cette cavité, alors que cette variation d'inclinaison entraîne une variation équivalente de la fréquence de renvoi qui est associée à cette inclinaison. Plus précisément, p étant le pas du réseau, k le nombre de mode d'un mode de résonance de la cavité, L la longueur optique de celle-ci, A l'angle d'inclinaison, Ll et L2 deux valeurs de cette longueur et Al et A2 deux valeurs de cette inclinaison pour deux position du réseau 14, et dL et dA deux petites variations de cette longueur et de cette inclinaison, respectivement, l'égalité entre la fréquence de renvoi liée au réseau et une fréquence de résonance potentielle associée à ce mode de résonance s'exprime par l'égalité pk = L/cos A. I1 en résulte que le nombre de mode k sera le même dans les deux dites positions du réseau 14 si il y a l'égalité Ll/cos Al = L2/cos A2. On peut lire à ce sujet le brevet US-A- 3 810 042 (Chang et al). I1 en résulte aussi que, lors d'un petit déplacement de ce réseau, le nombre de mode k sera conservé, c'est-à-dire un saut de mode sera évité, si il y a l'égalité D = dL/dA = L tg A. Cette dernière égalité donne la grandeur du décalage D qui doit exister, perpendiculairement à la direction longitudinale, entre la partie utile du réseau 14 et l'axe d'accord de cavité 52. Pour permettre de réaliser aisément ces égalités à l'aide d'un ensemble de support compact, 1' ensemble de support arrière 50 portant le réseau 14 comporte les éléments suivants: - Un corps de support 54. - Une articulation de corps 55 pour lier le corps de support 54 à la semelle de cavité 20 en permettant à ce corps 54 de tourner autour d'un axe d'orientation de corps 56 parallèle à la direction de traits Z. - Des moyens d'orientation de corps 58, 60 pour permettre de régler et de bloquer la position angulaire du corps de support 54 autour de l'axe d'orientation de corps 56. - Un ensemble berceau 62 portant le réseau de diffraction 14. - Une pièce de liaison 64 flexible autour de l'axe d'accord de cavité 52. Cette pièce est fixée au corps de support 54 et à l'ensemble berceau 62 de part et d'autre de cet axe, respectivement. Sa flexion permet de faire varier la position angulaire du réseau de diffraction (14). - Un translateur d'accord piezoélectrique 66 comportant d'une part une partie d'appui 66A pour prendre appui sur le corps de support 54, d'autre part une partie de translation 66B entraînant l'ensemble berceau 62. Ce translateur est réalisé pour se déformer en réponse à un signal de commande de cavité. I1 fléchit alors la pièce de liaison flexible 64 de manière à commander la position angulaire de réseau dans les limites d'une plage de commande. - Et des moyens de déplacement de translateur 68 permettant de régler la position de la partie d'appui 66A du translateur d'accord 66 par rapport au corps de support 54. Ce réglage permet de déplacer la plage de commande jusqu'à une position souhaitée telle que le décalage D de l'axe d'accord de cavité 52 par rapport au réseau de diffraction 14 reste effectivement sensiblement perpendiculaire à la direction longitudinale X tant que la position angulaire de ce réseau reste dans cette plage de commande. Ces moyens de déplacement de translateur coopérent avec les moyens d'orientation de corps 58, 60 pour permettre d'obtenir finalement à la fois une valeur souhaitée de l'inclinaison de réseau A et la position souhaitée de la plage de commande. Plus précisément on agit alternativement sur une vis d'appui 68, qui constitue lesdits moyens de déplacements de translateur, et sur une came 58, qui constitue l'élément actif desdits moyens d'orientation de corps, pour s'approcher progressivement de la valeur d'inclinaison et de la position de plage souhaitées. Ces actions sont facilitées par un accès facile à cette vis et à cette came à partir de l'ouverture supérieure du boîtier 23 dont le couvercle est alors enlevé. Elles nécessitent seulement un tournevis. Elles sont arrêtés quand des valeurs satisfaisantes ont été obtenues. La pièce de liaison 64 est flexible élastiquement et tend à amener l'ensemble berceau 62 vers une position de butée. La partie de translation 66B du translateur 66 appuie sur cet ensemble berceau pour l'écarter de manière commandée de cette position de butée. Cette pièce de liaison flexible 64 est constituée par une lame métallique qui est creusée d'une rainure rectiligne 65 pour faciliter sa flexion et localiser l'axe d'accord de cavité 52 au voisinage du fond de cette rainure. On comprendra que la pièce de liaison flexible pourrait être cependant depourvue de toute élasticité et être constituée par exemple par une articulation à rotation libre. Le translateur 66 s'étend selon la direction longitudinale X entre une partie arrière 66A qui constitue sa partie d'appui et une partie avant 66B qui constitue sa partie de translation et qui est déplaçable longitudinalement en réponse au signal de commande de cavité. La vis 68 exerce un appui longitudinal vers l'avant sur cette partie arrière. Le corps de support 54 comporte un logement de translateur 66C pour recevoir et guider longitudinalement cette partie arrière. Le vis d'appui 68 présente un axe longitudinal et traverse un fond 66D de ce logement de translateur 66C. Le corps de support 54 et la semelle de cavité 20 présentent la forme générale de deux plaques en appui mutuel, ces plaques étant perpendiculaires à la direction de traits Z. Ce corps de support 54 comporte une partie arrière 54A comportant le logement de translateur 66C, l'articulation de corps 55 et les moyens d'orientation de corps 58, 60 et une partie avant 54B portant la pièce de liaison flexible 64 dans une zone avant de celle-ci qui est située en avant de l'axe d'accord de cavité 52. Ces moyens d'orientation de corps comportent la came excentrée 58 prenant appui dans ladite semelle 20 et dans ledit corps de support 54 et tournant autour d'un axe 59 parallèle à la direction de traits Z. Ils comportent en outre une vis de blocage 60 dont l'axe 61 est parallèle à cette même direction. L'ensemble berceau 62 comporte - une base de berceau 70 portée par la pièce de liaison flexible 64, - un berceau de réseau 72 portant le substrat de verre 15 sur lequel est gravé le le réseau de diffraction 14, - une articulation de berceau 72 liant le berceau de réseau 72 à la base de berceau 70 en permettant une rotation de ce berceau autour d'un axe de réglage transversal 75 parallèle à la direction de succession de traits Z, - et des moyens de réglage transversal 76, 78 permettant de régler et de bloquer la position angulaire du berceau de réseau 72 par rapport à la base de berceau 70 autour de l'axe de réglage transversal 75. Ces moyens de réglage transversal comportent - une vis de réglage 76 se vissant dans la base de berceau 70 pour pousser le berceau de réseau 72 selon une ligne perpendiculaire à l'axe de réglage transversal 75 et écartée de cet axe, - et au moins une vis de blocage 78 présentant un axe parallèle à cet axe de réglage et permettant d'appuyer l'une contre l'autre deux faces d'appui perpendiculaires à cet axe et appartenant l'une 71 à cette base de berceau, l'autre 73 à ce berceau de réseau. Des moyens d'asservissement de fréquence 80 fournissent le signal de commande de cavité au translateur 66. Ils permettent d'asservir la fréquence de résonance actuelle de la cavité à une fréquence de référence variable. Ceci permet de constituer une source optique laser à fréquence asservie qui peut par exemple être utilisée comme oscillateur local dans un système de détection optique héterodyne. REVENDICATIONS 1) Laser semi-conducteur à réflecteur externe, caractérisé par le fait que la régulation thermique de son amplificateur de lumière (2) est assurée par l'intermédiaire d'une semelle (20) qui est constituée d'un matériau à faible dilatation thermique et qui porte non seulement cet amplificateur, mais aussi un réflecteur externe (14) fermant la cavité optique (6, 14) du laser. 2) Laser selon la revendication 1, comportant - un amplificateur de lumière constitué par un cristal semiconducteur (2) s'étendant selon une direction longitudinale (X) entre une face arrière (4) et une face avant (6) pour amplifier une lumière cohérente qui se propage selon cette direction et qui présente une fréquence située dans un domaine spectral de gain (G) propre à ce cristal, - un revêtement antireflet (8) formé sur ladite face arrière (4) de ce cristal pour éviter une réflexion parasite et permettre la sortie d'un faisceau arrière (10) constitué par ladite lumière, - un réflecteur avant (6) et un réflecteur arrière externe (14) fermant vers l'avant et vers l'arrière, respectivement, une cavité optique (6, 14) qui est prévue pour ladite lumière et qui inclue ledit cristal, cette cavité présentant un ensemble de modes de résonance potentiels successifs et un ensemble associé de fréquences de résonance potentielles successives (FI, FJ, FK) à l'intérieur dudit domaine spectral de gain (G), la fréquence de résonance potentielle associée à chacun de ces modes dépendant d'une longueur optique de cette cavité, - un moyen de sortie (6) de lumière pour permettre à une fraction de la lumière circulant dans ladite cavité optique d'en sortir en constituant un faisceau de sortie (16), - un ensemble support arrière (50) pour supporter ledit réflecteur arrière (14), - une structure de cavité (20) pour maintenir ledit ensemble support arrière (50) par rapport à un ensemble avant comportant ledit cristal amplificateur (2) et ledit réflecteur avant (6), cette structure étant constituée de matériaux à faible coefficient de dilatation thermique, - et un organe de régulation thermique (22) pour réaliser une régulation thermique dudit cristal semiconducteur, - ledit laser étant caractérisé par le fait que ladite structure de cavité est une semelle de cavité (20) qui porte ledit ensemble avant (2, 12, 6) et ledit ensemble support arrière (50) et qui est disposée sur ledit organe de régulation thermique (22) de manière à réaliser une régulation thermique de cette semelle, ladite régulation thermique dudit cristal semiconducteur (2) étant réalisée par l'intermédiaire de cette semelle. 3) Laser selon la revendication 2 caractérisé par le fait que ladite semelle de cavité (20) et ledit organe de régulation thermique (22) s'étendent sensiblement sur toute la longueur de ladite cavité optique (6, 14). 4) Laser selon la revendication 3 caractérisé par le fait que la longueur optique de ladite cavité optique (6, 14) est comprise entre 10 et 25 mm et, de préférence, entre 15 et 25 mm lorsque la longueur d'onde de ladite lumière est comprise entre 600 et 1800 nm, de manière à la fois, à ce qu' une largeur de mode (B) dudit laser soit inférieure à 500 KHz, et à ce que le risque de saut de mode soit limitée d'une part par le fait qu'un intervalle intermodal (M) entre lesdits modes de résonance potentiels successifs de cette cavité est supérieur à 5 GHz, d'autre part par le fait que la longueur de ladite semelle de cavité (20) est suffisamment petite pour limiter le risque qu'un tel saut résulte d'une variation résiduelle de cette longueur. 5) Laser selon la revendication 2, caractérisé par le fait que ledit organe de régulation thermique (22) est muni d'un répartiteur thermique (22A) qui est constitué d'un matériau de conduction thermique et qui est interposé en contact thermique entre une partie active (22B) de cet organe et ladite semelle de cavité (20) sur sensiblement toute la longueur de ladite cavité optique (6, 14). 6) Laser selon la revendication 5, caractérisé par le fait qu'il comporte un boîtier de laser (23) dont un fond constitue un plancher de laser (24) qui conduit bien la chaleur et sur lequel ledit organe de régulation thermique (22) est fixé en bon contact thermique. 7) Laser selon la revendication 2 caractérisé par le fait qu'il comporte en outre un bloc d'assemblage (26) de cristal fixé à ladite semelle de cavité (20) pour porter ledit cristal semiconducteur (2), et un bloc d'assemblage de lentille (28) également fixé à cette semelle pour porter une lentille collimatrice (12) interposée entre ce cristal et ledit réflecteur arrière (14), ces blocs d'assemblage étant constituée de métaux à hautes températures de fusion et à faibles coefficients de dilatation thermique et étant fixée directement l'un à l'autre par des points de soudure autogène. 8) Laser selon l'une quelconque des revendications 2 à 7, dans lequel ledit réflecteur avant est constitué par ladite face avant (6) dudit cristal semiconducteur (2) et est semi transparent pour constituer ledit moyen de sortie de lumière. 9) Laser selon la revendication 8 comportant une fibre optique (36) qui reçoit et guide ledit faisceau de sortie (16) qui sort à travers ladite face avant (6).