FR 2676142 A1 19921106 FR 9105471 A 19910503 TUBE HYPERFREQUENCE A CAVITE RESONANTE ACCORDABLE EN FREQUENCE. La présente invention concerne les tubes hyperfréquences à cavité résonante accordable en fréquence. Ces tubes sont notamment des magnétrons classiques ou bien coaxiaux ou des klystrons. Une cavité résonnante est limitée par des parois conductrices. Elle se comporte de façon analogue à un circuit résonant composé de selfs et capacités. Elle s?en distingue par le fait quelle peut résonner sur une multiplicité de fréquences différentes. La répartition de ces fréquences est fixée par ltéquation d'Helmholtz résolue en tenant compte des conditions aux limites, imposées par les caractéristiques physiques et géométriques de la cavité. Les solutions définissent les modes de résonance de la cavité et à chaque mode correspond une fréquence. Pour chaque mode, la fréquence de résonance est inversement proportionnelle aux dimensions de la cavité. Un magnétron classique comporte généralement - une cathode centrale source d'électrons, - une anode en forme de couronne entourant la cathode, - une cavité coaxiale entourant l'anode. Deux flasques transversaux ferment le magnétron et assurent son étanchéité. Chaque cavité élémentaire forme un circuit résonant. r,es cavités élémentaires sont mises en relation par le couplage entre cavités et espace d'interaction. La fréquence d'oscillation du magnétron est fonction de la fréquence de resonance de chaque cavité élémentaire. Cette fréquence peut être accordée grâce à un dispositif d'accord. Un magnétron coaxial comporte généralement: - une cathode centrale source d'électrons, - une anode en forme de couronne entourant la cathode, - une cavité coaxiale entourant l'anode. L'anode comporte une pluralité de cavités élémentaires et la cavité coaxiale est couplée aux cavités élémentaires par des fentes situées dans le fond d'une cavité élémentaire sur deux. La fréquence d'oscillation du magnétron correspond sensiblement à la fréquence de résonance de sa cavité coaxiale. Cette fréquence peut être accordée grâce à un dispositif d'accord. Les dispositifs d'accord, utilisés dans les magnétrons, sont généralement mécaniques. Ils consistent à introduire un élément de type plongeur ou plateau dans les cavités élémentaires (pour les magnétrons classiques) ou dans la cavité coaxiale (pour les magnétrons coaxiaux). Cet élément modifie soit la self, soit la capacité équivalente de la cavité. Le déplacement de cet élément est soit manuel, soit motorisé. Dans tous les cas, la vitesse d'excursion en fréquence est assez faible et le dispositif d'accord est lourd et encombrant. Lorsque le dispositif d'accord est motorisé, le moteur consomme une puissance qui peut être importante et il doit être refroidi. D'autres dispositifs d'accords sont électroniques. Ils utilisent des varactors travaillant en régime bloqué, placés dans une cavité. Ce sont des capacités variables électroniquement. Ils modifient la réactance du circuit équivalent de la cavité. L'inconvénient des varactors est leur fragilité. Ils sont placés dans un champ électrique hyperfréquence superposé à un champ continu. Puisqu'ils travaillent en régime bloqué, la tension appliquée à leurs bornes doit être inférieure à leur tension d'avalanche. Cette limitation est gênante car on ne peut leur appliquer une puissance élevée. La présente invention vise à remédier à ces inconvénients. Elle propose un tube hyperfréquence à au moins une cavité résonante accordable en fréquence électroniquement. de construction simple et peu coûteuse. Ce tube peut fonctionner à puissance élevée. Son encombrement est réduit par rapport aux tubes accordables en fréquence mécaniquement. L'invention consiste à introduire dans la cavité, limitée par au moins une paroi conductrice, au moins un élément conducteur pourvu d'au moins un élément interrupteur commandé de l'extérieur du tube. Lorsque l'élément interrupteur est ouvert, la cavité résonne sur une première fréquence; lorsque élément interrupteur est fermé, la cavité résonne sur une seconde fréquence. La paroi conductrice est parcourue par du courant hyperfréquence. De préférence, l'élément conducteur a une forme allongée et s'étant sensiblement selon une ligne de courant qui s'établirait dans la paroi conductrice en l'absence d'élément conducteur. L'élément conducteur peut être sans contact avec la paroi conductrice. De préférence, l'élément conducteur est une piste conductrice portée par un support diélectrique placé à proximité de la paroi conductrice. L'élément interrupteur peut être une diode semiconductrice. Dans une première réalisation, la diode est commandée par une tension de polarisation continue. La tension de polarisation peut commander simultanément plusieurs diodes disposées sur des éléments conducteurs distincts. L'élément conducteur peut avoir deux extrémités qui présentent une capacité par rapport à la paroi conductrice. Dans une variante, la diode est photosensible et est commandée par un rayonnement provenant d'une source d'éclairement. L'élément conducteur peut avoir deux extrémités reliées électriquement à la paroi conductrice. On peut envisager que la cavité soit une cavité auxiliaire couplée à une cavité principale. Le tube selon l'invention peut être par exemple de la famille des magnétrons ou des klystrons mais ceci n'est pas limitatif. On va maintenant décrire en détail l'invention, en référence à des modes de réalisations illustrés par les figures parmi lesquelles: - la figure 1 représente une vue éclatée d'un magnétron coaxial selon l'invention; - la figure 2 représente une coupe transversale d'une variante d'un magnétron coaxial selon l'invention; - la figure 3 représente une vue éclatée d'une seconde variante d'un magnétron coaxial selon l'invention; - la figure 4 représente une vue éclatée d'une troisième variante d'un magnétron coaxial selon l'invention; - la figure 5 représente une vue éclatée d'une cavité d'un klystron selon l'invention. La figure 1 représente une vue éclatée d'un magnétron coaxial selon l'invention. I1 est construit autour d'un axe XX'. Dans un but de simplification la cathode n'est pas dessinée et l'anode 1 a été représentée partiellement: on ne voit que sa paroi externe 2 pourvue de fentes 7 de couplage. Une cavité coaxiale 3 entoure l'anode 1. Elle est limitée par une paroi 10 conductrice formée de l'anode 1, d'une paroi latérale externe 4 conductrice et transversalement de deux flasques 5 conducteurs. La paroi latérale externe 4 est cylindrique et coaxiale avec l'anode 1. La cavité coaxiale 3 est accordable en fréquence. La cavité coaxiale 3 d'un magnétron coaxial fonctionne de préférence dans un mode TE011. Les lignes de champ électrique sont circulaires à l'intérieur de la cavité. A proximité de la paroi latérale externe 4 et de l'anode 1, le champ électrique est minimum et le champ magnétique est maximum. Du courant hyperfréquence circule dans la paroi latérale externe 4. Les lignes de courant induites dans la paroi latérale externe 4, par le mode TE, sont circulaires. La cavité coaxiale 3 contient au moins un élément conducteur 8, disposé de préférence, suivant les lignes de courant induites dans la paroi latérale externe 4, par le mode TE011 présent dans la cavité coaxiale 3, en l'absence de l'élément conducteur.Sur la figure 1, on a représenté deux éléments conducteurs 8, ce sont des pistes conductrices annulaires et concentriques à la paroi latérale externe 4. Chaque piste est interrompue en un point et les deux extrémités de la piste sont reliées aux bornes d'une source S de tension de polarisation continue. Les deux éléments conducteurs 8 sont portés par un support diélectrique 6 qui est cylindrique et coaxial avec la paroi latérale externe 4. Chaque élément conducteur 8 est pourvu d'au moins un élément interrupteur 9 commandé de l'extérieur du tube hyperfréquence. Lorsque l'élément interrupteur 9 est ouvert, l'élément conducteur 8 se comporte comme un circuit ouvert, aucun courant hyperfréquence ne le parcourt. Du courant hyperfréquence circule dans la paroi latérale externe 4. La cavité résonne sur une première fréquence. Lorsque l'élément interrupteur 9 est fermé, l'élément conducteur 8, connecté à la source S de tension de polarisation, se comporte comme un court-circuit. Il y a modification du courant hyperfréquence circulant dans la paroi latérale externe 4 et apparition de courant hyperfréquence dans l'élément conducteur 8. Cette modification de courant simule un déplacement de la paroi latérale 4 vers l'élément conducteur 8.L'élément conducteur 8 transporte alors une partie de l'énergie présente dans la cavité, cette énergie restant sensiblement constante. La cavité résonne sur une seconde fréquence. Sur la figure 1, on a représenté plusieurs éléments interrupteurs 9 sur chaque élément conducteur 8. Les éléments interrupteurs 9 sont régulièrement répartis le long des éléments conducteurs 8 et sont montés en série. Ce n'est qu'un exemple, d'autres dispositions sont tout à fait possibles. Les éléments conducteurs 8 sont sans contact avec la paroi conductrice 10. Les éléments interrupteurs 9 sont ici des diodes semiconductrices commandées électriquement par la tension de polarisation. Elles sont soit dans un état bloqué, soit dans un état conducteur. La source S de tension de polarisation sert à commander l'état des diodes de l'extérieur du magnétron. Avec une tension de polarisation V b de sens convenable, les diodes sont bloquées, les éléments conducteurs 8 se comportent comme des circuits ouverts. La cavité résonne sur la première fréquence. Deux conducteurs traversent de façon étanche la paroi latérale externe 4 et relient la source S de tension de polarisation à un élément conducteur 8. En appliquant une tension de polarisation de sens opposé à la tension Vb, les diodes 9 deviennent conductrices et il y a modification du courant hyperfréquence circulant dans la paroi latérale externe 4. Cette modification de courant simule un déplacement de la paroi latérale 4 externe vers l'élément conducteur 8 et donc vers le support diélectrique 6. Cette simulation de déplacement entraîne une variation de la fréquence de résonance de la cavité coaxiale 3. La seconde fréquence de résonance, pour un même mode, correspond à celle qu'aurait une cavité coaxiale classique de diamètre inférieur. Les diodes peuvent fonctionner en régime d'avalanche pour présenter une conductivité maximale lorsqu'elles conduisent. On n'est plus limité en puissance comme on l'était avec les varactors. Sur la figure 1, le support diélectrique 6 est disposé, dans un souci de clarté, assez éloigné de la paroi latérale externe 4. Dans la pratique, on le disposera de préférence à proximité de ladite paroi, de façon qu'il soit dans une zone à champ électrique aussi faible que possible et à champ magnétique aussi fort que possible. Le nombre cie diodes, en série sur un élément conducteur 8, est déterminé par le niveau de puissance présent dans la cavité 3 ; on s'arrange pour qu'elles soient soumises à une différence de potentiel haute fréquence compatible avec leurs caractéristiques. ()n les choisira avec une impédance aussi faible que possible pour que les éléments conducteurs 8 soient parcourus par des courants hyperfréquences aussi forts que possible de façon à maximiser le changement de fréquence, Sur la figure 1, on a utilisé une source S de tension de polarisation pour commander toutes les diodes d'un même élément conducteur 8. Avec plusieurs sources S de tension de polarisation et plusieurs éléments conducteurs, on peut ainsi moduler la fréquence d'oscillation du magnétron, selon l'état des diodes 9 de chaque élément conducteur 8. Plusieurs fréquences sont alors disponibles.Le magnétron ainsi réalisé est agile électroniquement. Au lieu de disposer comme on l'a représenté, plusieurs éléments conducteurs 8 sur le même support diélectrique 6, on pourrait envisager de placer un seul élément conducteur par support et de disposer plusieurs supports, concentriquement par exemple. On pourrait aussi placer plusieurs éléments conducteurs par support et disposer plusieurs supports concentriquement, pour multiplier encore le nombre de fréquences disponibles. La limitation du nombre de fréquences provient essentiellement de la difficulté à réaliser des passages étanches pour relier l'élément conducteur à la source S, car l'intérieur de la cavité est soumis au vide. On pourrait envisager que les diodes 9 de tous les éléments conducteurs 8 du même support 6, soient commandées par une unique source S de tension de polarisation. Cela limite le nombre de passages étanches, à aménager dans la paroi latérale externe 4, mais cela réduit aussi le nombre de fréquences disponibles. Dans ce cas, les éléments conducteurs 8 sont reliés entre eux et à la même source S de tension de polarisation. Cette variante est représentée sur la figure 2. Pour réduire encore le nombre de passages étanches à travers la paroi latérale externe, une autre variante consiste à relier une extrémité d'un élément conducteur à un point de masse de la cavité et l' autre extrémités à une première borne de la source S de tension de polarisation, une seconde borne tfe la source S de tension de polarisation étant portée à la masse. Au lieu de simuler le déplacement de la paroi latérale externe de la cavité coaxiale 3, il est possible de simuler le déplacement d'un flasque de la cavité coaxiale 3. La figure 2 représente, en coupe transversale, une variante d' un magnétron coaxial selon l'invention. La différence avec le magnétron de la figure 1 se situe au niveau de la cavité coaxiale 20 et il n'y a pas de changement au niveau de l'anode 21 et de la cathode 22. La cavité coaxiale 20 est fermée par deux flasques en vis-à-vis, sensiblement transversaux à l'axe du tube. Sur la figure 2, les flasques ne sont pas visibles. Les lignes de courants induites dans les flasques, par le mode TEo1l présent dans la cavité, sont dirigées selon des cercles concentriques. Maintenant la cavité coaxiale 20 contient au moins un élément conducteur 23, disposé sensiblement selon une ligne de courant induite dans un des flasques transversal à l'axe du tube. Sur la figure 2, on a représenté deux eléments conducteurs 23, ce sont des pistes conductrices concentriques portées par un support diélectrique 24 en forme de disque. Le support diélectrique 24 est placé à proximité d'un flasque et est sensiblement parallèle au dit flasque. Le disque peut recevoir un ou plusieurs éléments conducteurs 23 sur l'une de ses faces principales ou même sur les deux, il suffit de ne pas établir de contact électrique entre les éléments conducteurs 23 et le flasque. Chaque élément conducteur 23 est pourvu d'au moins un élément interrupteur 25. Il s'agit comme sur la figure 1, de diodes commandées électriquement. Les deux éléments conducteurs 23 sont coupés en un point et leurs extrémités sont reliées deux à deux. Une source S de tension de polarisation continue, commune, est branchée au niveau de la coupure. On s'arrange pour que la coupure possède une capacité suffisante pour ne pas constituer une impédance élevée à la fréquence de fonctionnement du tube. L'état de toutes les diodes est commandable de l'extérieur du tube grâce à la source S de tension de polarisation. Lorsque les diodes sont bloquées, la cavité résonne sur une première fréquence. Lorsque toutes les diodes sont conductrices, il y a simulation du déplacement du flasque vers le support diélectrique 24 et donc réduction de la hauteur de la cavite coaxiale 20. La cavité résonne sur une seconde fréquence. Le support diélectrique 24 est réalisé, de préférence, dans un matériau ayant des pertes diélectriques aussi faibles que possible et un bon comportement en température. De l'alumine peut être utilisée. Au lieu d'utiliser une diode commandée électriquement comme élément interrupteur, on peut utiliser une diode photosensible commandée par une source d'éclairement. Cette construction est représentée à la figure 3. La principale différence entre cette figure 3 et la figure 1 se situe au niveau des éléments conducteurs et des éléments interrupteurs. Les autres éléments constitutifs du magnétron portent les mêmes références qu'à la figure 1. Sur cette figure, on a représenté deux eléments conducteurs 38; ce sont des pistes annulaires portées par le support diélectrique 6. Les éléments conducteurs 38 sont face à la paroi latérale externe 4 de la cavité coaxiale 3. Ils sont sans contact avec la paroi latérale 4. Chaque élément conducteur 38 comporte au moins un élément interrupteur 39. L'élément interrupteur 39 est dans ce cas une diode photosensible commandée par un rayonnement 32 provenant d'une source d'éclairement extérieure (non représentée). On a représenté un seul élément interrupteur 39 par élément conducteur, mais ce n'est qu'un exemple non limitatif, il peut y en avoir plusieurs. Pour commander chaque diode 39, on place dans la paroi latérale externe 4, en vis-à-vis avec la diode 39, une fenêtre étanche 31 transparente au rayonnement utilisé. Elle peut être en saphir, en silicium, en nitrure de bore ou en germanium, par exemple. Le rayonnement 32, de longueur d'onde et d'intensité adaptées à la nature de la diode 39, peut provenir d'un laser modulé en amplitude par une cellule de Pockells ou par un modulateur de Schwartz, par exemple. Ces exemples ne sont pas limitatifs. Le laser est extérieur au magnétron. I1 illumine la diode 39 à travers la fenêtre 31. Le rayonnement 32 pourrait être transmis à proximité de la fenêtre 31 par une fibre optique. En absence de rayonnement, la diode est bloquée. La cavité resonne sur une première fréquence.La paroi latérale externe 4 est parcourue par du courant hyperfréquence mais pas l'élément conducteur 38. En présence du rayonnement 32, la diode 39 devient conductrice et il y a modification du courant hyperfréquence circulant dans la paroi latérale externe 4 et apparition de courant hyperfréquence dans l'élément conducteur 38. La cavité résonne sur une seconde fréquence. La modification de courant simule le déplacement de la paroi latérale externe 4 vers l'élément conducteur 38. Les diodes peuvent être rendues conductrices par un rayonnement infra rouge ayant une longueur d'onde sensiblement de 1,6 micron par exemple. Il serait tout à fait possible de disposer les éléments conducteurs 38 et les diodes 39 sur l'autre face principale du support diélectrique 6 cylindrique. Il suffirait de réaliser le support dielectrique dans un materiau laissant passer le rayonnement de commande des diodes; de l'alumine et un rayonnement infrarouge seraient compatibles, mais cet exemple n'est pas limitatif. Les diodes 39 et les éléments conducteurs 38 feraient face à l'anode 1. Un autre mode de construction d'un tube selon l'invention est représenté sur la figure 4. Il s'agit d'un magnétron coaxial. Sa cavité coaxiale 3 est couplée à au moins une cavité auxiliaire 44. Sur la figure 4, il n'y en a qu'une mais on pourrait en placer plusieurs tout autour de la cavite coaxiale 3. La cavite auxiliaire 44 représentée est un tronçon de guide d'ondes rectangulaire métallique fermé par deux parois transversales 49. La cavité auxiliaire est limitée par une paroi 40 formée des côtés du guide d'ondes et des parois transversales. Le couplage entre la cavité coaxiale 3 et la cavité auxiliaire 44 se fait par un orifice 43 traversant la paroi latérale externe 4 de la cavité coaxiale 3 et une des parois transversales 49 de la cavité auxiliaire 44. La cavité auxiliaire 44 -contient au moins un élément conducteur 48 pourvu d'un élément interrupteur 45. Le fonctionnement est le même que ce qui a été décrit aux figures 1 et 2. Sur la figure 4, on a représenté un ensemble de pistes conductrices 48 pourvues chacune d'une diode 45; ces pistes 48 sont montées en pont, leurs deux extrémités sont connectées aux bornes d'une source S de tension de polarisation continue destinée à commander l'état des diodes 45 par l'intermédiaire de deux pistes 46,47 distinctes. Les pistes 46,47,48 sont portées par un support diélectrique 42 disposé à proximité d'un petit côté du guide d'ondes rectangulaire sensiblement parallèlement à ce petit côté. Elles sont sans contact avec le petit côtés du guide. Les pistes 48 pourvues de diodes 45 sont transversales à l'axe principal du guide d'ondes rectangulaire. Elles s'étendent sensiblement selon les lignes de courant induites dans le petit côté du guide par le mode présent dans la cavité auxiliaire 44, en l'absence d'élément conducteur. Les pistes 46, 47 sont isolées, sur le plan continu, des grand côtés du guide d'ondes. Par contre, une capacité suffisante est prévue les deux extrémités des pistes 48 et les grands côtés du guide d'ondes et donc entre les pistes 46, 47 et les grands cotés du guide d'ondes. En conséquence le courant hyperfréquence qui s'établira dans les éléments conducteurs 48, lorsque les diodes seront conductrices, pourra se refermer à travers les pistes conducteurs et les côtés du guide. Le mode présent dans la cavité auxiliaire 44 est excité par le mode présent dans la cavité coaxiale 3. Le mode présent dans la cavité auxiliaire 44 peut être, par exemple le mode TEoll. Lorsque les diodes 45 sont bloquées, la cavité auxiliaire 44 résonne sur une première fréquence. Lorsque les diodes 45 sont conductrices, la cavité auxiliaire fonctionne sur une seconde fréquence. Il y a simulation du déplacement du petit côté du guide vers le support diélectrique 42. La cavité auxiliaire 44 fonctionne comme si ses grands côtés étaient réduits et donc comme si sa longueur électrique était augmentée. La fréquence de résonance de la cavité auxiliaire 44 est modifiée et cela entraîne une variation de la réactance au niveau de l'ouverture 43. Il y a alors modification de la fréquence de résonance de la cavité coaxiale 3. Toutes les variantes de montage décrites aux figures 1,2,3 peuvent aussi s'appliquer au magnétron de la figure 4. Au lieu de commander toutes les diodes ensemble à l'aide d'une seule source S de tension, on pourrait utiliser plusieurs sources de tension de polarisation commandant chacune une ou plusieurs diodes. On pourrait aussi envisager de placer plusieurs supports diélectriques 48 dans la cavité auxiliaire 44, chacun supportant un ou plusieurs éléments conducteurs, pourvus d'un ou plusieurs éléments interrupteurs commandés tous ensemble ou indépendamment. Les diodes à commutation électrique pourraient être remplacées par des diodes à commutation optique. Dans ce cas, les pistes seraient en contact électrique avec les grands cotés du guide d'ondes, en raison de l'absence de tension de polarisation continue. Au lieu d'être dirigés sensiblement selon les lignes de courant d'un petit côté du guide, les éléments conducteurs pourraient être dirigés sensiblement selon les lignes de courant des parois transversales 49 de la cavité auxiliaire. Le tube hyperfréquence selon l'invention peut aussi être un Klystron. La figure 5 représente ainsi une cavité conductrice d'un klystron conforme à l'invention. I1 s'agit d'une cavité cylindrique 50, d'axe XX', traversée par un faisceau d'électrons (non représenté) dirigé selon l'axe XX'. Le faisceau est contenu respectivement dans un tube de glissement 51 à son entrée dans la cavité et dans un autre tube de glissement 51 à sa sortie. Les deux tubes 51 se font face dans la cavité et sont séparés par un espace. La cavité 50 est limitée par une paroi 59 formée d'une paroi latérale externe 52 cylindrique et de deux flasques 53 transversaux. La cavité contient au moins un élément conducteur 54 pourvu d'au moins un élément interrupteur 55 commandé de l'extérieur du klystron. Sur la figure 5, on a représenté une pluralité d'éléments conducteurs 54 pourvus chacun d'un seul élément interrupteur 55. Ces éléments conducteurs sont des pistes conductrices portées par un support diélectrique 56. Le support 56 diélectrique est coaxial à la paroi latérale externe 52 de la cavité 50. Les éléments conducteurs 54 sont disposés sensiblement selon les lignes de courant induites dans la paroi latérale externe 52, par le mode présent dans la cavité 50, en l'absence élément conducteur. Les lignes de courant suivent les génératrices de la paroi 52 cylindrique. En effet, les cavités des klystrons fonctionnent genéralement sur le mode TMo1l. Le champ électrique est dirigé selon l'axe XX', il est maximal près de l'axe XX' et plus particulièrement entre les extrémités des tubes de glissement 51. Les lignes de courant correspondant à ce mode suivent les tubes de glissement 51, les flasques 53 et la paroi latérale externe 52 en formant une sorte de tore ouvert au niveau des extrêmités des tubes de glissement 51. Lorsque les éléments interrupteurs 55 sont ouverts, il y a circulation de courant hyperfréquence dans la paroi latérale externe 52 et pas dans les éléments conducteurs 54. La cavité résonne sur une première fréquence. Lorsque les éléments interrupteurs 55 sont fermés, il y a modification du courant hyperfréquence circulant dans la paroi latérale externe 52 et circulation de courant hyperfréquence dans les éléments conducteurs 54. Cela entraîne une simulation du déplacement de la paroi latérale externe 52 vers le support diélectrique 56 et par conséquent une modification de la fréquence de résonance de la cavité 50 du klystron. La cavité résonne sur une seconde fréquence. Les éléments interrupteurs 55 représentés sont des diodes photosensibles commandées par un rayonnement 57 de longueur d'onde et d'intensité appropriées. Ce rayonnement 57 provient d'une source d'éclairement qui peut être un laser. On n?a représenté que deux rayonnements mais il y en a un pour chaque élément interrupteur. Le dispositif de commande des diodes photosensibles 55 est identique à celui décrit à la figure 3. La paroi latérale externe 52 comporte des fenêtres étanches 58. Chaque rayonnement 57 traverse une fenêtre et vient éclairer une des diodes 55. Sur la figure 5, les éléments conducteurs 54 et les diodes 55 sont disposés vers l'intérieur de la cavité 50. Chaque rayonnement 57, traverse une fenêtre 58 puis le support diélectrique 56 et éclaire une diode 55. Le matériau de le support diélectrique 56 est choisi de manière à être transparent au rayonnement. Chaque extrémité d'élément conducteur 54 est en contact électrique avec un flasque 53 pour que les courants hyperfréquences qui circulent dans les éléments conducteurs lorsque les diodes 55 conduisent puissent se refermer sur eux-même. Si l'on avait utilisé dans cet exemple, des diodes polarisables par une tension de polarisation, les éléments conducteurs auraient été isolés du point de vue continu des flasques. Une capacité suffisante aurait été aménagée entre ltextrémité des éléments conducteurs et les flasques pour que les courants hyperfréquences puissent se refermer sur eux-même. Les pistes conductrices 54 peuvent être réalisées par tout moyen connu, notamment par dépôt d'une peinture métallique sur la paroi diélectrique. Les éléments conducteurs ne sont pas forcément des pistes, ils peuvent être réalisés sous forme de fils conducteurs, de bandes conductrices ou tout autre moyen équivalent. Les diodes, qu'elles soient commandées par application d'une polarisation ou d'un rayonnement peuvent travailler en régime d'avalanche. La température a une action moindre qu'en régime bloqué. La stabilité de la fréquence lorsque la température varie est meilleure que dans les tubes utilisant des varactors. Dans les exemples décrits, on a simulé le déplacement d'une partie de la paroi de la cavité (paroi latérale ou flasque) mais on peut bien sur combiner les exemples décrits pour déplacer à la fois la paroi latérale et les flasques. REVENDICATIONS 1 - Tube hyperfréquence à au moins une cavité (3) résonante accordable en fréquence limitée par une paroi (10) conductrice, caractérisé en ce que la cavité (3) contient au moins un élément conducteur (8) pourvu d'au moins un élément interrupteur (9) commandable de ltextérieur du tube, la cavité (3) résonnant sur une première fréquence lorsque l'élément interrupteur (9) est ouvert et sur une seconde fréquence lorsque l'élément interrupteur (9) est fermé. 2 - Tube hyperfréquence selon la revendication 1, caractérisé en ce que, la paroi conductrice (3) étant parcourue par du courant hyperfréquence, l'élément conducteur (8) a une forme allongée et est dirigé selon une ligne de courant qui s'établirait dans la paroi conductrice (10) en l'absence d'élément conducteur (8). 3 - Tube hyperfréquence selon l'une des revendications 1 ou 2, caractérisé en ce que l'élément conducteur (8) est porté par un support diélectrique (6) placé à proximité de la paroi conductrice (10). 4 - Tube hyperfréquence selon l'une des revendications 1 à 3, caractérisé en ce que l'élément conducteur (8) est une piste conductrice, 5 - Tube hyperfréquence selon l'une des revendications 1 à 4, caractérisé en ce que l'élément conducteur (8) est sans aucun contact avec la paroi conductrice (10). 6 - Tube hyperfréquence selon l'une des revendications 1 à 5, caractérisé en ce que l'élément interrupteur (9) est une diode semiconductrice polarisée, commandée par une source (S) de tension continue. 7 - Tube hyperfréquence selon la revendication 6, caractérisé en ce que la source (S) de tension commande simultanément plusieurs diodes placées sur des éléments conducteurs distinct. 8 - Tube hyperfréquence selon l'une des revendications 6 ou 7, caractérisé en ce que l'élément conducteur (48) a deux extrémités qui présentent chacune une capacité par rapport à la paroi conductrice (40). 9 - Tube hyperfréquence selon l'une des revendication 1 à 5, caractérisé en ce que élément interrupteur (39) est une diode photosensible commandée par un rayonnement (32) provenant dune source d'éclairement. 10 - Tube hyperfréquence selon la revendication 9, caractérisé en ce que l'élément conducteur (54) a deux extrémités qui sont reliées électriquement à la paroi (59) conductrice. 11 - Tube hyperfréquence selon l'une des revendications 1 à 10, caractérisé en ce que la cavité est une cavité auxiliaire couplée à une cavité principale. 12 - Tube hyperfréquence selon l'une des revendications I à 11, caractérisé en ce qutil appartient à la famille des magnétrons ou à celle des klystrons.