FR 2676594 A1 19921120 FR 9106347 A 19910517 PROCEDE DE PRISE DE CONTACT SUR UN COMPOSANT SEMICONDUCTEUR La présente invention concerne la prise de contact sur des composants semiconducteurs et plus particulièrement sur des composants semiconducteurs discrets telles que des diodes ou des doubles diodes de type planar. La figure 1 représente une structure classique de diode planar Cette diode comprend un substrat constitué d'une couche inférieure 1 du type N+ et d'une couche supérieure 2 de type N La diode est constituée par la jonction entre une région 3 de type P et la région 2 Cette diode est de type planar, c'est-à-dire que la région de type P est formée à travers une ouverture dans une couche d'oxyde de silicium 4 formée au-dessus de la région 2 de type N Une métallisation 5 permet de prendre un contact sur la face supérieure et une métallisation 6 de prendre un contact sur la face inférieure La métallisation 615 s'étend classiquement sur toute la face inférieure Par contre, la métallisation 5 doit être délimitée et ne pas s'étendre jus- qu'aux limites de la diode En effet, la diode représentée fait partie lors de sa fabrication d'une plaquette comprenant un grand nombre de puces de diodes identiques Si la métallisation 5 s'étendait jusqu'au bord de la puce individuelle, il y aurait un risque, lors du sciage, pour que des particules de la métal- lisation entraînent un court-circuit latéral entre la métallisa- tion 5 et le bord de la couche 2 de type N De plus, dans une diode de type planar, il faut que les lignes de champ puissent remonter vers la surface recouverte de la couche de Si O 2 Si la métallisation s'étendait jusqu'au bord, elle aurait un effet de plaque de champ et les lignes de champ se termineraient sur les bords latéraux de la diode et l'on retrouverait les problèmes de passivation latérale qui se posent avec les diodes de type mésa. Classiquement, les métallisations 5 et 6 sont obtenues par évaporation ou pulvérisation cathodique de métaux succes- sifs, par exemple aluminium/nickel/or Ensuite, cette métallisa- tion est soudée par des préformes de soudure non représentées à des cosses de liaison non représentées Ainsi, on procède à une pulvérisation sur toute la plaquette de silicium d'un système tricouche aluminium/nickel/or puis on élimine une partie de la couche supérieure 5 par photolithogravure Un inconvénient de cette technique est qu'une partie importante, typiquement de 40 à 50 % de la surface de la couche supérieure, doit être élimi- née Cette couche comprenant un matériau noble tel que de l'or, ce gaspillage d'or représente un coût non négligeable, d'autant plus qu'on ne sait généralement pas récupérer l'or dissous dans les produits de gravure On notera que, dans un sandwich aluminium/nickel/or, la couche essentielle pour la brasure est la couche de nickel La couche d'aluminium est prévue pour servir de barrière à l'encontre de la diffusion éventuelle du nickel dans la couche 3 de type P, ce qui pourrait conduire à un perçage de la diode En outre, l'aluminium permet un bon contact sur le silicium La couche d'or est destinée à éviter l'oxyda- tion de la couche de nickel dans 1 'attente de la phase de brasure. Un objet de la présente invention est de prévoir une métallisation de composants semiconducteurs de type planar permettant d'éviter le gaspillage de métal susmentionné. Une première approche pour atteindre ce résultat pour- rait être oelle illustrée en figure 2 selon laquelle on procède à un dépôt localisé de la métallisation supérieure 5 et de la métallisation inférieure 6 Il est connu dans la technique que de tels dépôts localisés peuvent être réalisés dans des bains chimiques de dépôt par déplacement (ci-après, bains chimiques), dans lesquels un métal ne se dépose que sur les parties conduc- trices du corps immergé dans le bain Néanmoins, une telle approche présente de nombreux inconvénients.10 D'une part, on ne connaît pas de bons bains de dépôt chimique d'aluminium à l'échelle industrielle Ainsi, on est amené à déposer directement une couche de nickel suivie d'une couche d'or Il en résulte l'inconvénient du risque de perçage susmentionné.15 D'autre part, les bains de dépôt de nickel, typique- ment une saumure à base de chlorure de nickel et d'hyposulfite de sodium entraînent un risque important de pollution de la cou- che d'oxyde de silicium 4, notamment en raison de la présence des ions sodium Etant donné que ètte pollution a lieu notam-20 ment au niveau des faces latérales internes de la couche d'oxyde 4, il faudrait pour y remédier supprimer toute la couche d'oxyde pour la remplacer par une autre, oe qui est en pratique impossi- ble à faire sans ajouter un niveau de masque supplémentaire. Enfin, avec la technique illustrée en figure 2, on n'a pas de recouvrement partiel de la périphérie interne de la couche d'oxyde 4 par la métallisation 5, ce qui est regrettable car ce recouvrement à un effet de plaque de champ qui favorise l'étalement des lignes de champ. Ainsi, pour remédier aux inconvénients des diverses techniques connues de métallisation, la présente invention pro- pose un procédé de prise de contact sur une face d'une puce semiconductrioe comprenant une région diffusée délimitée par une couche de masquage isolante, ètte puce faisant partie d'une plaquette semiconductrice, comprenant les étapes suivantes: a) former une couche de silicium polycristallin dopé selon le même type de conductivité que la région diffusée et délimiter cette couche pour qu'elle recouvre la région diffusée et déborde au-dessus de la périphérie intérieure dudit masque; b) immerger la plaquette dans au moins un bain de dépôt chimique d'un métal de sorte que du métal se dépose sur les surfaces conductrices de la plaquette; c) immerger la plaquette dans au moins un bain de gravure sélective du masque isolant pour décaper une partie de ce masque; et d) procéder à un recuit des métallisations. Selon un mode de réalisation de la présente invention, l'étape b) comprend une immersion dans un bain de dépôt chimique de nickel suivie d'une immersion dans un bain de dépôt chimique d'or. Selon un mode de réalisation de la présente invention, la couche de silicium polycristallin dopé sert de source de diffusion pour la formation de ladite région diffusée. Selon une application de la présente invention, la puce constitue une diode. Selon une application de la présente invention, la puce constitue une double diode. Grâce au procédé selon la présente invention, on évite toute regravure d'une métallisation et donc toute perte d'un métal éventuellement coûteux tel que de l'or. Ces objets, caractéristiques et avantages ainsi que d'autres de la présente invention seront exposés en détail dans la description suivante de modes de réalisation particuliers faite en relation avec les figures jointes parmi lesquelles: la figure 1 illustre une structure de diode de l'art antérieur; la figure 2 illustre une structure possible de métal- lisation de diode conduisant à des inconvénients rédhibitoires; et la figure 3 illustre une structure de prise de contact sur une diode selon la présente invention. On notera que dans ces diverses figures, comme cela est usuel dans le domaine de la représentation des composants semiconducteurs, les diverses couches et régions ne sont pas tracées à l'échelle pour faciliter la lisibilité des figures. Les dimensions seront déterminées classiquement par l'homme de l'art sauf indications particulières dans la description ci- apres. La figure 1 représente à nouveau une structure de diode comprenant un substrat N+N 1,2 et une région 3 de type P formée à l'intérieur d'un masque d'oxyde 4 Selon la présente invention, la métallisation de faoe supérieure est formée en déposant d'abord une couche de silicium polycristallin 11, dopée de type P pour présenter un bon contact ohmique avec la région 3 Cette couche 11 de silicium polycristallin est gravée selon un contour choisi, correspondant sensiblement à celui de la métallisation 5 de la figure 1 On trempe ensuite la plaquette dans un bain chimique de dépôt métallique pour former une métal- lisation de face inférieure 12 et une métallisation de face supérieure 13 Comme cela est connu, lors de ce dépôt en bain chimique, le métal se dépose seulement sur les régions conduc- trioes à savoir sur la face inférieure de la puce et sur la région de silicium polycristallin 11. La description qui précède et les figures traitent d'une seule puce En pratique, lors des étapes décrites ici, cette puce fait partie d'une plaquette sur laquelle sont simul- tanément réalisées de nombreuses puces identiques qui sont sépa- rées seulement lors d'une étape finale de fabrication. De préférence, les métallisations 12 et 13 sont constituées par des dépôts successifs de nickel et d'or, le nickel étant déposé à partir d'un bain constitué d'une saumure de chlorure de nickel et d'hypophosphite de sodium tandis que l'or est déposé à partir d'un bain d'aurocyanure de potassium. Après passage dans le bain de nickel, on procèdera de préférence à un décapage de la partie supérieure 15 de la couche d'oxyde apparente pour éliminer les régions polluées par les ions sodium Cette opération est utile car on procède, après dépôt, à 5 un recuit à une température élevée, par exemple 6000 C, pour assurer une meilleure adhérence du dépôt En l'absence de ètte opération de décapage, les ions alcalins déposés sur l'oxyde lors du passage dans le bain de nickel pénétreraient dans la couche d'oxyde et y introduiraient des charges positives qui rendraient les caractéristiques de la jonction sous-jacente instables et évolutives On pourra aussi procéder à un tel déca- page après le passage au bain d'or si celui-ci est également de nature polluante pour le futur composant. La structure selon la présente invention permet d'évi- ter tous les inconvénients décrits en relation avec la figure 2. On retrouve bien comme dans le cas de la figure 1 un débordement de la structrure de contact au-dessus de la péri- phérie interne du masque d'oxyde 4 pour assurer une fonction de plaque de champ. La couche de silicium polycristallin éloigne lors du recuit le front de diffusion du nickel de la surface du substrat et évite la pénétration du nickel dans la région 3 On évite ainsi les risques de perçage susmentionnés L'épaisseur de la couche de silicium polycristallin peut être ajustée pour éviter cette pénétration. Il est facile en utilisant le masque formé par la couche 11 de silicium polycristallin et le métal qui la recouvre de graver sélectivement la surface apparente de la région de silice 4 pour éviter toute pollution.30 Enfin, l'avantage fondamental de la présente invention est, comme on l'a indiqué précédemment, d'éviter tout dépôt d'or inutile devant ensuite être éliminé. A titre d'exemple de valeurs numériques, on notera qu'une diode telle que celle de la figure 3 peut être une puce carrée ayant des dimensions de 1 à 3 mm de côté Si cette puce a un côté de 1,6 mm, la région P pourra être un carré de 1,3 mm de 5 côté La couche d'oxyde 4 pourra avoir une épaisseur de 2 micro- mètres, la couche de silicium polycristallin une épaisseur de 250 nm, et la métallisation nickel/or une épaisseur de l'ordre de 600 nm. D'autre part, la présente invention a été décrite uni- quement dans le cadre de la réalisation d'une diode L'homme de l'art notera qu'elle pourra s'appliquer à d'autres composants, par exemple une structure symétrique de double diode o le même dépôt polycristallin est répété sur les deux faces De même, les types de conductivité décrits pourraient être inversés.15 De plus, on pourra envisager d'autres types de métal- lisations que ceux qui ont été spécifiquement décrits ici et des bains de dépôt chimique appropriés. Par ailleurs, on a indiqué précédemment que la région 3 de type P était formée avant le dépôt de la couche de silicium polycristallin 11 L'homme de l'art notera que cette diffusion P pourrait être obtenue par recuit à partir d'atomes dopants contenus dans le silicium polycristallin dopé 11. REVENDICATIONS 1 Procédé de prise de contact sur une faoe d'une puce semiconductrioe comprenant une région diffusée ( 3) délimitée par une couche isolante formant masque ( 4), cette puce faisant partie d'une plaquette semiconductrice, caractérisé en ce qu'il comprend les étapes suivantes: a) former une couche ( 11) de silicium polycristallin dopé selon le même type de conductivité que la région diffusée et délimiter ètte couche pour qu'elle recouvre la région dif- fusée et déborde au-dessus de la périphérie intérieure dudit10 masque; b) immerger la plaquette dans au moins un bain de dépôt chimique d'un métal de sorte que du métal ( 12, 13) se dépose sur les surfaces conductrioes de la plaquette; c) immerger la plaquette dans au moins un bain de gravure sélective du masque isolant pour décaper une partie de ce masque; et d) procéder à un recuit des métallisations. 2 Procédé selon la revendication 1, caractérisé en ce que l'étape b) comprend une immersion dans un bain de dépôt chimique de nickel suivie d'une immersion dans un bain de dépôt chimique d'or. 3 Procédé selon la revendication 1, caractérisé en ce que ladite couche de silicium polycristallin dopé sert de source de diffusion pour la formation de ladite région diffusée.25 4 Procédé selon la revendication 1, caractérisé en ce que ladite puce constitue une diode. Procédé selon la revendication 1, caractérisé en ce que ladite puoe constitue une double diode.