FR 2672759 A1 19920814 FR 9201572 A 19920212 CAPTEUR D'IMAGES A SEMICONDUCTEURS,. A STOCKAGE DE CHARGE La présente invention concerne des capteurs d'images à semlconduc- teurs, et elle porte plus particulièrement sur un capteur d'images à semiconducteurs de type MOS. Un capteur d'images à semiconducteurs convertit de la lumière visible ou de la lumière Invisible telle que de la lumière infrarouge, de la lumière ultrovlolette, ou des rayons X, en signaux électriques qui représentent une image d'un objet matériel, et ce capteur est largement utilisé dans divers domaines, tels que des caméras de télévision ou pour la lecture de données dans des appareils de télécopie.On appelle plus particulièrement capteur d'images à semiconducteurs de type MOS un capteur d'images à semiconducteurs dans lequel un élément de conversion de lumière en électricité, qui convertit des signaux lumineux en signaux électriques, et un élément de commutation qui lit sélectivement les signaux électriques issus de l'élément- de conversion de lumière en électricité, sont formés sur un substrat semiconducteur par l'utilisation de la technique de fabrication de circuits intégrés complexes MOS. La figure 5 est un schéma synoptique montrant un capteur d'images Infrarouge de type MOS de l'art antérieur, qui convertit de la lumière infrarouge en signaux électriques. Sur la figure 5, la référence 1 désigne une photodiode dont l'anode est connectée à la masse. La photodiode 1 est connectée à un transistor MOS de commutation vertical 2, par 1' intermédiaire d'une bosse d'indium 3. Un pixel 4 comprend la photodiode 1, le transistor MOS vertical 2 et la bosse d'indium 3. Un réseau de pixels 5 comprend un ensemble de pixels 4 disposés dans les directions des lignes et des colonnes, c'est-à-dlre en une matrice. La référence 6 désigne un transistor MOS de commutation horizontal.Un réseau de tran sistors MOS horizontaux 7 comprend un ensemble de transistors MOS horizontaux 6 disposés dans la direction des colonnes. Des conducteurs de signaux de grille 81 à 8m sont disposés dans les lignes correspondantes et sont connectés aux électrodes de grille des pixels 4. Des conducteurs de signaux 91 à 9n sont disposés dans les colonnes correspondantes et sont connectés aux régions de drain des pixels 4 et aux régions de source des transistors MOS horizontaux 6. Des conducteurs de signaux de grille 101 à 10n sont disposés dans les colonnes correspondantes et sont connectés aux électrodes de grille des transistors MOS horizontaux. Les régions de drain des transistors MOS horizontaux 6 sont connectées à une sortie d'image 11.Un registre à décalage vertical 12 applique des signaux aux électrodes de grille respectives des transistors MOS verticaux 2 par l'intermédiaire des conducteurs de signaux de grille 81 à 8m. Un registre à décalage horizontal 13 applique des signaux aux électrodes de grille respectives des transistors MOS horizontaux 6 par 1' intermé- diaire des conducteurs de signaux de grille 101 à 10n. La référence 20 désigne une puce de semiconducteur dans laquelle les composants décrits ci-dessus, allant de la photodiode 1 au registre à décalage horizontal 13, sont formés sur le même substrat semiconducteur. La figure 6 est une coupe montrant le pixel et le transistor MOS horizontal qui constituent le capteur d'images infrarouge de type MOS de la figure 5. Sur la figure 6, la référence 21 désigne un substrat semiconducteur en silicium de type p. Des couches d'oxyde de champ 22 sont disposées sur une surface principale du substrat en silicium de type p 21, pour diviser la surface du substrat 21 en un ensemble de régions consistant en îlots. Une région de source de type n 23 et une région de drain + de type n 24 sont disposées dans un îlot, tandis qu'une région de sour- ce de type n+ 25 et une région de drain de type n 26 sont disposées dans l'autre région d'îlot.Une couche d'oxyde de grille est formée entre la région de source 23 et la région de drain 24, et une électrode de grille 29 est formée sur la couche d'oxyde de grille 27. Une couche d'oxyde de grille 28 est formée entre la région de source 25 et la région de drain 26, et une électrode de grille 30 est formée sur la couche d'oxyde de grille 28. Un transistor MOS vertical 2 comprend les régions de source et de drain de type n+ 23 et 24, la couche d'oxyde de grille 27 et l'électrode de grille 29, tandis qu'un transistor MOS horizontal 6 comprend les régions de source et de drain de type n 25 et 26, la couche d'oxyde de grille 28 et l'électrode de grille 30. On va maintenant décrire le fonctionnement. Lorsque de la lumière infrarouge qui tombe sur la photodiode 1 est convertie en signaux électriques ayant une quantité de charges proportionnelle à la quantité de la lumière infrarouge, le registre à décalage vertical 12 sélectionne successivement les conducteurs de signaux de grille 81 à 8m. Par exemple, lorsque le conducteur de signal de grille 81 est sélectionné, une tension de 10 V est appliquée à l'électrode de grille 29 du transistor MOS vertical 2 qui est connecté au conducteur de signal de grille 81, et la valeur de seuil est basse, ce qui fait que le transistor MOS vertical 2 est débloqué. A ce moment, des charges provenant de la photodiode 1 entrent dans les conducteurs de signaux verticaux 91 à 9n par l'intermédiaire du transistor MOS vertical 2. Ensuite, le registre à décalage horizontal 13 sélectionne successivement les conducteurs de signaux verticaux 101 à IOn. Lorsque le conducteur de signal vertical 101 est sélectionné, une tension de 10 V est appliquée à l'électrode de grille 30 du transistor MOS horizontal 6 qui est connecté au conducteur de signal vertical 101 et la valeur de seuil est basse, ce qui fait que le transistor MOS horizontal 6 est débloqué. A ce moment, des charges emmagasinées dans le conducteur de signal vertical 91 sont transférées vers la sortie d'image 11 par l'intermédiaire du transistor MOS horizontal 6, et elles sont lues à titre de signaux de sortie. Ensuite, des charges correspondant aux conducteurs de signaux verticaux 102 à 10n, qui sont sélectionnés dans l'ordre, sont lues successivement à titre de signaux de sortie. De cette manière, les charges de la photodiode 1 sont lues et présentées en sortie par l'intermédiaire de tous les transistors MOS verticaux 2 qui sont connectés au conducteur de signal de grille 81. Ensuite, le registre à décalage vertical 12 sélectionne successivement les conducteurs de signaux de grille 82 à 8m, et des charges correspondant aux conducteurs de signaux verticaux 101 à 10n sont lues successivement à titre de signal de sortie. Ainsi, les signaux de l'ensemble des pixels 4 constituant le réseau de pixels 5 sont émis successivement pour chaque pixel. La figure 7 est un diagramme temporel dans le cas où le réseau de pixels 5 émet successivement des signaux. Sur la figure 7, une période de trame est une période au cours de laquelle tous les pixels 4 émettent une fois des signaux. Cette période est égale au temps nécessaire pour balayer de façon grossière des lignes horizontales alternées (une période de trame = 1/60 seconde) dans un système NTSC,quiestunsastème de transmission de signaux de chrominance en télévision, employé par exemple au Japon et aux E.U.A.. De plus, une période horizontale (H) correspond à la durée au cours de laquelle tous les pixels 4, qui sont connectés à l'un des conducteurs de signaux de grille 81 à 8m, émettent des signaux une fois. Cette durée est égale au temps nécessaire pour lire n pixels 4. Dans le capteur d'images infrarouge du type MOS décrit ci-dessus, du bruit apparaît pendant la conversion de la lumière infrarouge en signaux électriques, et pendant le transfert des signaux électriques en vue de leur lecture. Plus précisément, dans la conversion de lumière en électricité, du bruit de grenaille est occasionné par la fluctuation naturelle du courant qui est due à des mouvements indépendants et aléatoires de particules chargées, c'est-à-dire des électrons et des trous, dans une couche de désertion de la photodiode 1. Dans le transfert de signal, des électrons libres, qui sont présents dans des composantes résistives des conducteurs de signaux verticaux 91 à 9n, accomplissent des mouvements thermiques aléatoires sous la dépendance de la température et ils génèrent une tension alternative, ce qui fait qu'un courant alternatif circule entre les composantes résistives et les composantes capacitives parasites des conducteurs de signaux verticaux 91 à 9n, ce qui produit du bruit thermique. Le bruit de grenaille et le bruit thermique qui sont ainsi produits sont appliqués à la sortie d'image 11 en compagnie des signaux électriques, ce qui produit une scintillation des images lorsque cette sortie est connectée à un récepteur de télévision. Pour résoudre ce problème, on a développé un capteur d'images infrarouge de type MOS perfectionné, qui comporte un condensateur stockant des charges qui sont transférées à partir du pixel 4 vers les conducteurs de signaux verticaux 91 à 9n. La figure 8 est un schéma synoptique montrant la structure d'en semble du capteur d'images infrarouge de type MOS qui est décrit par exemple dans le document SPIE Vol. 819, Infrared Technology XIII (1987), page 224. Sur la figure 8, un condensateur de stockage de charge 14 est placé entre les conducteurs de signaux verticaux 91 à 9n et le réseau de transistors MOS horizontaux 7. Une entrée de tension de référence 37 applique une tension constante (4 V) au condensateur de stockage de charge 14. La figure 9 est une coupe du capteur d'images infrarouge de type MOS qui est représenté sur la figure 8. Sur la figure 9, des régions de diffusion de type n+ 31 et 32 sont formées dans une région d'îlot qui est isolée par les couches d'oxyde de champ 22. Une couche d'oxyde de grille 33 est formée entre les régions de diffusion de type n+ 31 et 32, et une électrode de grille 34 est formée sur la couche d'oxyde de grille 33. Le condensateur de stockage de charge 14 comprend le substrat semiconducteur en silicium de type p 21, la couche d'oxyde de grille 33 et l'électrode de grille 34. On va maintenant décrire le fonctionnement. Comme dans le cas du capteur d'images infrarouge de type MOS qui est représenté sur les figures 5 et 6, le conducteur de signal de grille 81 est sélectionné et des charges du pixel 4 qui est connecté au conducteur de signal de grille 81 circulent vers les conducteurs de signaux verticaux 91 à 9n. Du fait qu'une tension de 4 V est appliquée à l'entrée de tension de référence 37, une couche de désertion s'étend dans la région de surface du substrat en silicium de type p 21, au-dessous de l'électrode de grille 34 du condensateur de stockage de charge 14, et un puits de potentiel est formé. Dans ces conditions, les charges qui sont entrées dans les conducteurs de signaux verticaux 91 à 9n circulent vers le puits de potentiel et elles sont stockées dans le condensateur de stockage de charge 14. Dans cet état, lorsque les conducteurs de signaux verticaux 101 à 10n sont successivement sélectionnés, les charges qui sont stockées dans le condensateur de stockage de charge 14 sont transférées vers la sortie d'image 11 par l'intermédiaire des transistors MOS horizontaux respectifs 6, qui sont dans l'état conducteur, et ces charges sont lues sous la forme de signaux de sortie. Ensuite, les conducteurs de signaux de grille 82 à 8m sont successivement sélectionnés, et les charges qui correspondent aux conducteurs de signaux verticaux 101 à 10n sont lues sous la forme de signaux de sortie. La figure 10 est un diagramme temporel montrant la condition dans laquelle des signaux sont émis successivement par le réseau de pixels 5. Sur la figure 10, une période horizontale est égale à la somme d'une durée pour le stockage dans le condensateur de stockage de charge 14 des charges de tous les pixels 4 (au nombre de n), qui sont connectés à l'un des conducteurs de signaux de grille 81 à 8m, et d'une durée pour la lecture des charges stockées. La figure 11 est un diagramme montrant des impulsions d'horloge qui sont appliquées à ce moment aux électrodes respectives. On peut voir que des signaux des pixels sélectionnés par les registres à décalage respectifs au cours d'une période horizontale sont lus dans la même période horizontale. Dans ce capteur d'images infrarouge de type MOS, les charges qui sont entrées dans les conducteurs de signaux verticaux 91 à 9n sont stockées dans le condensateur de stockage de charge 14 avant d'être lues sous la forme de signaux de sortie. Alors que la quantité de charges stockées pour les signaux de sortie augmente proportionnellement à la durée de stockage, le bruit de grenaille et le bruit thermique augmentent proportionnellement à la racine carrée de la durée de stockage. Plus précisément, lorsque la durée de stockage augmente, la quantité de charges correspondant aux bruits diminue par rapport à la quantité de charges des signaux de sortie, ce qui fait que le rapport signal à bruit (rapport S/B) augmente. Par conséquent, le niveau du bruit de grenaille et du bruit thermique qui sont lus conjointement aux signaux de sortie est abaissé, ce qui améliore les caractéristiques de sortie. Cependant, dans le capteur d'images infrarouge de type MOS décrit ci-dessus, il est nécessaire d'effectuer séparément l'une de l'autre les opérations de stockage des charges et de lecture des charges, pendant une période horizontale. Par conséquent, dans le système NTSC dans lequel une période de trame est égale à 1/60 seconde, le temps nécessaire pour lire des charges dans une période horizontale augmente avec l'augmentation du nombre de pixels, et le temps disponible pour le stockage des charges diminue relativement. Ainsi, le temps de stockage des charges est restreint par le temps de lecture des charges, ce qui fait qu'il est difficile d'obtenir une quantité suffisante de charges stockées, ce qui conduit à de mauvaises caractéristiques de sortie.Lorsque ce capteur d'images infrarouge est connecté à un récepteur de télévision, on n'obtient pas des images distinctes. Un but de l'invention est de procurer un capteur d'images à semiconducteurs qui permette d'obtenir une quantité suffisante de charges stockées et qui ait des meilleures caractéristiques de sortie. Selon un aspect de l'invention, un capteur d'images à semiconducteurs comprend une partie de stockage de charge comportant un premier condensateur, pour stocker des charges de signal qui sont lues dans une partie de pixels, des moyens de commande qui sont destinés à commander le transfert de charges de signal stockées dans le premier condensateur, et qui se trouvent dans l'étage qui suit le premier condensateur, et un second condensateur qui est destiné à stocker les charges de signal transférées par les moyens de commande. Dans cette structure, des charges stockées par le premier condensateur pendant une période horizontale sont lues à partir du second condensateur au cours de la période horizontale suivante.Par conséquent, les opérations de stockage des charges et de lecture des charges sont accomplies simultanément et de façon mutuellement parallèle au cours d'une période horizontale, ce qui fait que le temps de stockage des charges n'est pas restreint par le temps de lecture des charges, ce qui permet d'obtenir une quantité suffisante de charges stockées. D'autres buts et avantages de l'invention ressortiront de la description détaillée qui suit, donnée à titre d'exemple non limitatif. La suite de la description se réfère aux dessins annexés dans lesquels la figure 1 est un schéma synoptique montrant un capteur d'images infrarouge de type MOS conforme à un mode de réalisation de la présente invention la figure 2 est une coupe du capteur d'images infrarouge de type MOS de la figure 1 la figure 3 est un diagramme montrant une transition de potentiel conforme au mode de réalisation de la présente invention la figure 4 est un diagramme temporel relatif à l'opération de sor tie conforme au mode de réalisation de la présente invention la figure 5 est un schéma synoptique montrant un capteur d'images infrarouge de type MOS de l'art antérieur la figure 6 est une coupe du capteur d'images infrarouge de type MOS de l'art antérieur qui est représenté sur la figure 5 la figure 7 est un diagramme temporel relatif à l'opération de sortie du capteur d'images infrarouge de type MOS de l'art antérieur qui est représenté sur la figure 5 la figure 8 est un schéma synoptique montrant un autre capteur d'images infrarouge de type MOS de l'art antérieur la figure 9 est une coupe du capteur d'images infrarouge de type MOS de l'art antérieur qui est représenté sur la figure 8 la figure 10 est un diagramme temporel relatif à l'opération de sortie du capteur d'images infrarouge de type MOS de l'art antérieur qui est représenté sur la figure 8 la figure 11 est un diagramme montrant des impulsions d'horloge dans le fonctionnement du capteur d'images infrarouge de type MOS de l'art antérieur, représenté sur la figure 8 ; et la figure 12 est un diagramme montrant des impulsions d'horloge dans le fonctionnement du capteur d'images infrarouge de type MOS conforme à la présente invention. La figure 1 est un schéma synoptique montrant la structure d'ensemble d'un capteur d'images infrarouge de type MOS conforme à un mode de réalisation de la présente invention. Sur la figure 1, un réseau de condensateurs de lecture de charge 15 est placé entre le réseau de condensateurs de stockage de charge 14 précité et le réseau de transistors MOS horizontaux 7. Un réseau de condensateurs de commande de transfert de charge 16, remplissant la fonction d'une porte de commande, est placé entre le réseau de condensateurs de stockage de charge 14 et le réseau de condensateurs de lecture de charge 15.Une entrée d'horloge XST1 17 applique une tension impulsionnelle à des électrodes du réseau de condensateurs de stockage de charge 14, une entrée d'horloge #ST2 18 applique une tension impulsionnelle à des électrodes du réseau de condensateurs de lecture de charge 15, et une entrée d'horloge #SC 19 applique une tension impulsionnelle à des électrodes du réseau de condensateurs de com mande de transfert de charge 16. La figure 2 est une coupe du capteur d'images infrarouge de type MOS qui est représenté sur la figure 1. Sur la figure 2, une électrode de grille 35, à laquelle est appliqué un signal de l'entrée d'horloge #ST2 est formée sur la couche d'oxyde de grille 33. La largeur de l'électrode de grille 35 est approximativement égale à celle de l'électrode de grille 34. Une électrode de grille 36, à laquelle est appliqué un signal de l'entrée d'horloge Xsc, est formée entre les électrodes de grille 34 et 35. La largeur de l'électrode de grille 36 est inférieure à celle de l'élec- trode de grille 35. Le condensateur de lecture de charge 15 comprend le substrat en silicium de type p 21, la couche d'oxyde de grille 33 et l'électrode de grille 35. Le condensateur de commande de transfert de charge 16 comprend le substrat en silicium de type p 21, la couche d'oxyde de grille 33 et l'électrode de grille 36. Plus précisément, le condensateur de stockage de charge 14, le condensateur de commande de transfert de charge 16 et le condensateur de lecture de charge 15 dans la même colonne sont formés dans la même région d'îlot entourée par la couche d'oxyde de champ 22. De plus, l'élec- trode de grille 34 du condensateur de stockage de charge 14, l'électrode de grille 36 du condensateur de commande de transfert de charge 16 et l'électrode de grille 35 du condensateur de lecture de charge 15, sont formées dans cet ordre à partir du côté de la région de diffusion de type n 31 qui est connectée à la région de drain 24 du transistor MOS vertical 2, en direction du côté de la région de diffusion de type n+ 32 qui est connectée à la région de source 25 du transistor MOS horizontal 6, sur la couche d'oxyde de grille 33 qui est formée sur la surface du substrat semiconducteur 21 entre les régions de diffusion n 31 et 32. Ces électrodes sont séparées électriquement les unes des autres. Cette structure réalise un circuit intégré ayant une structure simple, sans réduire notablement la densité d'intégration. Les parties (a)-(d) de la figure 3 sont des diagrammes qui montrent une transition des potentiels du condensateur de stockage de charge 14, du condensateur de lecture de charge 15 et du condensateur de commande de transfert de charge 16 à des instants tl à t4. On décrira le fonctionnement du capteur d'images infrarouge de la figure 1 en référant aux parties (a)-(d) de la figure 3. En premier lieu, comme dans le cas du capteur d'images infrarouge de type MOS qui est représenté sur les figures 5 et 6, le conducteur de signal de grille 81 est sélectionné, et des charges du pixel 4 connecté au conducteur de signal de grille 81 circulent vers les conducteurs de signaux verticaux 91 à 9n. Dans cet état, lorsqu'une tension de 4 V est appliquée à l'entrée d'horloge s6ST1 17, une couche de désertion s'étend dans la région de surface du substrat semiconducteur en silicium de type p 21, au-dessous de l'électrode de grille 34 du condensateur de stockage de charge 14, et un puits de potentiel est formé, comme représenté dans la partie (a) de la figure 3. Les charges qui entrent dans les conducteurs de signaux verticaux 91 à 9n sont transférées vers le puits de potentiel et elles sont stockées dans le condensateur de stockage de charge 14. Lorsqu'une tension de 4 V est appliquée à l'entrée d'horloge #ST2 18 et à l'entrée d'horloge BSC 19, une couche de désertion s'étend dans la région de surface du substrat semiconducteur en silicium de type p, au-dessous de l'électrode de grille 35 du condensateur de lecture de charge 15 et de l'électrode de grille 36 du condensateur de commande de transfert de charge 16, et un puits de potentiel est formé, comme représenté dans la partie (b) de la figure 3.A ce moment, aucune barrière de potentiel n'est formée entre le condensateur de stockage de charge 14 et le condensateur de commande de transfert de charge 16, ce qui fait qu'une partie des charges qui sont stockées dans le condensateur de stockage de charge 14 sont transférées vers le condensateur de commande de transfert de charge 16 et le condensateur de lecture de charge 15, et elles sont stockées dans ceux-ci. Les potentiels du condensateur de stockage de charge 14, du condensateur de commande de transfert de charge 16 et du condensateur de lecture de charge 15 sont dans le même état. Lorsqu'une tension de 0 V est appliquée à l'entrée d'horloge ~ST1 17 et à l'entrée d'horloge Xsc 19, la couche de désertion qui se trouve sous l'électrode de grille 34 du condensateur de stockage de charge 14 et l'électrode de grille 36 du condensateur de commande de transfert de charge 16 est réduite, et le puits de potentiel disparaît, comme le montre la partie (c) de la figure 3. A ce moment, une barrière de potentiel est formée entre le condensateur de lecture de charge 15 et le condensateur de commande de transfert de charge 16, et les charges qui sont stockées dans le condensateur de stockage de charge 14 et le condensateur de commande de transfert de charge 16 sont transférées vers le condensateur de lecture de charge 15 et sont stockées dans ce dernier. Lorsqu'une tension de 4 V est appliquée à l'entrée d'horloge XST1 17, une couche de désertion s'étend sous l'électrode de grille 34 du condensateur de stockage de charge 14 et un puits de potentiel est formé comme le montre la partie (d) de la figure 3. A ce moment, une barrière de potentiel est formée entre le condensateur de stockage de charge 14 et le condensateur de commande de transfert de charge 16, et le condensateur de stockage de charge 14 et le condensateur de lecture de charge 15 sont mutuellement séparés, avec le condensateur de commande de transfert de charge 16 entre eux. Dans cet état, les conducteurs de signaux verticaux 101 à 10n sont successivement sélectionnés. Lorsque le conducteur de signal vertical 101 est sélectionné, le transistor MOS horizontal 6 qui est connecté au conducteur de signal vertical 101 est débloqué. Par conséquent, les charges qui sont stockées dans le condensateur de lecture de charge 15 correspondant au transistor MOS horizontal 6, sont transférées vers la sortie d'image 11 par l'intermédiaire du transistor horizontal 6, et elles sont lues sous la forme de signaux de sortie. Lorsque les conducteurs de signaux verticaux 102 à 10n sont successivement sélectionnés, les charges stockées dans les condensateurs de lecture de charge 15 correspondant aux conducteurs de signaux verticaux 102 à 10n sont successivement lues à titre de signaux de sortie.De cette manière, des charges de tous les pixels connectés au conducteur de signal de grille 81 sont stockées dans le condensateur de stockage de charge 14, et elles sont ensuite lues à partir du condensateur de lecture de charge 15. De plus, lorsque le conducteur de signal de grille 82 est sélectionné simultanément à la lecture de charges dans le condensateur de lecture de charge 15, les charges du pixel 4 connecté au conducteur de signal de grille 82 sont transférées vers le condensateur de stockage de charge 14, par l'intermédiaire des conducteurs de signaux verticaux 91 à 9n, et elles sont stockées dans ce condensateur. La quantité des charges stockées augmente proportionnellement à la durée consacrée à la lecture, à titre de signaux de sortie, de toutes les charges qui sont stockées dans le condensateur de lecture de charge 15. Lorsqu'une tension de 4 V est appliquée à l'entrée d'horloge BSC 19, une couche de désertion s'étend dans la région de surface du substrat en silicium de type p 21, au-dessous de l'électrode de grille 34 du condensateur de stockage de charge 14, et un puits de potentiel est formé. A ce moment, une partie des charges qui sont stockées dans le condensateur de stockage de charge 14 est transférée vers le condensateur de commande de transfert de charge 16, et le condensateur de lecture de charge 15. Ensuite, les opérations qui sont représentées dans les parties (b) à (d) de la figure 3 sont répétées. De cette manière, les conducteurs de signaux de grille 83 à 8m sont successivement sélectionnés et les charges correspondant aux conducteurs de signaux verticaux 101 à 10n sont lues successivement à titre de signaux de sortie. La figure 4 est un diagramme temporel pour la condition dans laquelle des signaux sont émis successivement par le réseau de pixels 5. Sur la figure 4, une période horizontale est égale à la durée nécessaire pour stocker dans le condensateur de stockage de charge 14 les charges de l'ensemble des pixels 4 (au nombre de n) qui sont connectés à l'un des conducteurs de signaux de grille 81 à 8m. De plus, une période horizontale est aussi égale à la durée nécessaire pour lire successivement les charges qui sont stockées dans le condensateur de lecture de charge 15. La figure 12 représente des impulsions d'horloge qui sont appliquées aux électrodes respectives à ce moment. Pendant une période horizontale (1H), lorsque le signal d'attaque du registre à décalage vertical 12 et l'entrée d'horloge #STl sont au niveau haut, des charges sont stockées dans le condensateur de stockage de charge 14, et lorsque l'entrée d'horloge Xsc est au niveau bas, les charges sont transférées vers le condensateur de lecture de charge 16. Pendant la période horizontale suivante (2H), des charges sont stockées dans le condensateur de stockage de charge 14 d'une manière identique à celle décrite ci-dessus, et les charges qui sont stockées dans le condensateur de lecture de charge 15 jusqu'à ce que l'entrée d'horloge XST2 passe au niveau bas, sont lues successivement dans les conditions temporelles établies par le signal d'attaque du registre à décalage horizontal 13, dans l'ordre des pixels respectifs (81, 101), (81, 102), ... (81, 10n). Dans le capteur d'images infrarouge de type MOS ayant la structure décrite ci-dessus, le stockage de charges et la lecture de charges sont accomplis simultanément et en parallèle pendant une seule période horizontale, ce qui fait que la durée de stockage de charge n'est pas restreinte par la durée de lecture de charge. Il est donc possible d'étendre la durée de stockage de charge jusqu'à une période horizontale, en augmentant le nombre de pixels, et on peut ainsi obtenir une quantité suffisante de charges stockées, ce qui conduit à un capteur d'images infrarouge de type MOS ayant de meilleures caractéristiques de sortie, qui fournit des images nettes lorsqu'il est connecté à un récepteur de télévision. Bien que dans le mode de réalisation qui est décrit ci-dessus, le condensateur de stockage de charge 14 et le condensateur de lecture de charge 15 soient incorporés dans un capteur d'images infrarouge de type MOS qui convertit de la lumière infrarouge en signaux électriques, les condensateurs 14 et 15 peuvent être incorporés dans un capteur d'images à semiconducteurs qui convertit en signaux électriques de la lumière invisible, comme de la lumière ultraviolette, ou des rayons X, ou dans un capteur d'images à semiconducteurs qui convertit de la lumière visible en signaux électriques. On peut obtenir dans les deux cas des effets identiques à ceux décrits ci-dessus. Comme il ressort de façon évidente de la description précédente, et conformément à la présente invention, un capteur d'images à semiconducteurs comprend une partie de stockage de charge comportant un premier condensateur destiné à stocker des charges de signal qui sont lues dans une partie de pixels, des moyens de commande destinés à commander le transfert de charges de signal stockées dans le premier condensateur, et se trouvant dans ltétage qui fait suite au premier condensateur, et un second condensateur destiné à stocker les charges de signal qui sont transférées par les moyens de commande. Dans cette structure, des charges qui sont stockées par le premier condensateur pendant une période horizontale sont lues à partir du second condensateur pendant la période horizontale suivante. Par conséquent, le stockage de charge et la lecture de charge: sont accomplis simultanément et en parallèle pendant une période horizontale, ce qui fait la durée de stockage de charge n'est pas restreinte par la durée de lecture de charge, et on peut obtenir une durée de stockage de charge suffisante. Il en résulte qu'on peut réaliser un capteur d'images à semiconducteurs ayant de meilleures caractéristiques de sortie. Il va de soi que de nombreuses modifications peuvent être apportées au dispositif décrit et représenté, sans sortir du cadre de l'invention. REVENDICATIONS 1. Capteur d'images à semiconducteurs comprenant une partie de pixels (4) qui comporte une partie de conversion de lumière en électricité (1) et une partie de lecture de charge qui lit des charges d'origine optique provenant de la partie de conversion de lumière en électricité (1), une partie de stockage de charge (14, 15, 16) qui stocke des charges de signal qui sont lues dans la partie de pixels (4), et une partie de lecture de charge stockée (6, 13) qui lit les charges de signal dans la partie de stockage de charge (14, 15, 16), caractérisé en ce que la partie de stockage de charge comprend : des premiers moyens de stockage de charge (14) qui sont destinés à stocker les charges de signal qui sont lues dans la partie de pixels (4) ; des moyens de commande (16) destinés à commander le transfert de charge à partir des premiers moyens de stockage de charge (14), qui sont incorporés dans un étage placé à la suite des premiers moyens de stockage de charge (14) ; et des seconds moyens de stockage de charge (15) qui sont destinés à stocker les charges transférées par les moyens de commande (16). 2. Capteur d'images à semiconducteurs selon la revendication 1, caractérisé en ce que les constituants respectifs sont formés sur le même substrat (21) et la partie de stockage de charge (14, 15, 16) est formée de façon qu'un ensemble d'électrodes (34, 35, 36) soient placées sur la même couche isolante (33) formée sur le substrat (21) entre la partie de conversion de lumière en électricité (1) et la partie de lecture de charge (6) de la partie de pixels (4). 3. Capteur d'images à semiconducteurs selon la revendication 1, caractérisé en ce que les charges qui sont stockées pendant une période horizontale par les premiers moyens de stockage de charge (14) sont lues dans les seconds moyens de stockage de charge (15) pendant la période horizontale suivante.