FR 2675633 A1 19921023 FR 9104927 A 19910422 L'invention se rapporte tout d'abord à un dispositif photovoltaïque en couches minces pour lequel on a cherché à résoudre les problèmes d'isolation électrique entre les couches, afin d'éviter les risques de courtcircuits. Actuellement, de nombreux dispostifs photovoltaïques ou solaires en couches minces sont réalisés de manière à comprendre - un substrat, - une première couche formant électrode formée sur ledit substrat, - une couche semi-conductrice de conversion photovoltaïque formée sur ladite première couche électrode, - et une seconde couche formant également électrode formée sur ladite couche de conversion photovoltaïque. Sur un certain nombre de ces dispositifs, il est connu de ménager des coupures à travers la seconde couche électrode et, sensiblement dans le prolongement, à travers la couche de conversion photovoltaïque, ces coupures interrompant ainsi la continuité des couches concernées. De telles coupures se rencontrent en particulier sur les cellules ou dispositifs photovoltaïques "semi-transparents", c'est-à-dire à transparence partielle combinant les fonctions traditionnelles d'une structure solaire générant un courant électrique avec celle d'un panneau laissant passer la lumière en la filtrant. Un exemple d'une telle structure peut être trouvé au brevet US-A-4 795 500. Ce brevet décrit un module solaire comprenant un substrat isolant transparent, une couche formant électrode avant transparente déposée sur le substrat, une couche semi-conductrice de conversion photovoltaïque déposée sur ladite électrode frontale, et une couche formant électrode arrière métallique déposée sur la couche semi-conductrice, au moins cette électrode arrière présentant une pluralité de trous ménagés à travers elle pour assurer donc un passage pour la lumière. La réalisation de tels trous, orifices ou passages posent toutefois un certain nombre de problèmes, tout particulièrement lorsque les coupures en question doivent être formées à travers la couche de conversion photovoltaïque afin d'apporter à la personne qui regarde à travers le module un certain confort visuel assuré par une neutralité des couleurs (ce qui n'est pas le cas lorsque la couche de conversion photovoltaïque, par exemple réalisée à base de silicium amorphe, est conservée, la lumière qui traverse le module présentant alors une couleur rouge orangé dont la vision peut être difficile à supporter). Un autre exemple de réalisation d'une telle cellule à transparence partielle peut être trouvé dans la demande de brevet français FR-A-91 02075 déposée par la demanderesse et dans laquelle pour rendre homogène une semi-transparence neutre visuellement, on réalise des tranchées continues à travers, de préférence, l'électrode arrière et la couche de conversion photovoltaïque. Toutefois, à chaque fois que les coupures, trous ou tranchées sont formés à travers cette couche de conversion photovoltaïque, il est clair que des risques de court-circuits peuvent apparaître entre les électrodes à l'occasion d'un défaut de bord, ce risque étant bien entendu proportionnel à la dimension ou à la longueur des coupures ainsi réalisées. Indépendamment de ces problèmes propres aux modules à transparence partielle, de tels risques de courtcircuits peuvent exister d'une façon générale aux endroits où l'on doit réaliser l'isolation électrique de la partie active du module vis-à-vis de sa bordure extérieure périphérique. L'invention a donc pour objet de proposer une solution satisfaisante tant techniquement qu'industriellement à l'ensemble de ces problèmes. En l'espèce, cette solution consiste, selon une caractéristique importante de l'invention, à réaliser la couche de conversion photovoltaïque pour qu'elle présente, à l'endroit desdites coupures, un rebord d'isolation électrique entre lesdites première et seconde couches électrodes. Selon une caractéristique complémentaire de l'invention, ce rebord, qui forme donc une avancée de matière de la couche de conversion photovoltaïque vers l'intérieur de la coupure considérée, s'étendra de préférence continûment le long de toute la bordure desdites coupures. Ainsi, avec la présence d'une telle barrière de matière va-t-on pouvoir éviter systématiquement la formation de court-circuits entre les électrodes en bordure des coupures, que celles-ci soient ménagées sur l'essentiel de la surface du dispositif pour former des passages par lesquels une lumière incidente peut traverser le dispositif photovoltaïque sur toute son épaisseur, ou bien que ces mêmes coupures se présentent sous la forme de tranchées ménagées au moins pour certaines d'entre-elles à proximité de la périphérie du dispositif pour former alors une tranchée périphérique continue à travers non seulement la seconde couche électrode et la couche semi-conductrice mais également, sensiblement dans le prolongement, à travers la première couche électrode, la coupure ménagée à travers cette première couche électrode présentant alors elle-même de préférence un rebord formant également une avancée vers l'intérieur de la coupure. Outre le dispositif qui vient d'être présenté, l'invention a également pour objet un procédé pour réaliser de telles interruptions de matière à travers une couche de conversion photovoltaïque. En effet, la réalisation de telles coupures pose un réel problème dans la mesure où il est bien connu de l'homme de l'art qu'une gravure chimique à travers un masque provoque régulièrement une attaque sous-jacente conduisant à la formation d'une bordure de masque surplombante (phénomène souvent dénommé "undercutting"). Or, l'existence d'une telle bordure surplombante augmente nécessairement les risques de courtscircuits entre les électrodes, si le masque est constitué par l'électrode arrière (ou seconde couche électrode). Et d'une façon générale, il n'a jamais encore été proposé, à la connaissance de la demanderesse, de procédé permettant de réaliser, à l'endroit de telles coupures, des barrières à court-circuits, ceci avec toute la fiabilité nécessaire et pour des coûts industriellement supportables. Le procédé de l'invention a bien entendu pour but de proposer une solution à ces problèmes. Plus précisément, dans le cadre de ce procédé, il est proposé a) de réaliser la seconde couche électrode, pour qu'elle présente localement, au contact de la couche de conversion photovoltaïque, des interruptions de matière formant les coupures précitées, b) puis, sensiblement dans le prolongement de cesdites coupures, d'enlever sélectivement ladite couche de conversion photovoltaïque par une gravure chimique pour qu'en ces endroits cette couche présente elle-même des coupures limitées latéralement par un rebord isolant électriquement lesdites couches électrodes. On notera que,notamment si l'on choisit la seconde couche électrode de l'étape a) ci-dessus pour qu'elle comprenne un métal inoxydable résistant à la soude (c'est-à-dire non dissous par elle) et la couche de conversion photovoltaïque pour qu'elle soit constituée à base de silicium amorphe, on pourra alors éroder chimiquement cette dernière couche par projection d'une lessive de soude. D'autres caractéristiques et avantages de l'invention apparaîtront encore de la description qui va suivre faite en référence aux dessins annexés donnés uniquement à titre d'exemples non limitatifs et dans lesquels - la figure 1 illustre schématiquement et en vue partielle une coupe transversale d'un dispositif photovoltaïque conforme à l'invention selon la ligne I-I des figures 2 ou 3, - les figures 2 et 3 montrent chacune schématiquement, suivant une vue locale en plan, un exemple de réalisation d'une zone appartenant à la surface photoélectriquement active d'un dispositif photovoltaïque à transparence partielle, - les figures 4A, 4B, 4C et 4D illustrent schématiquement, en coupe locale transversale, les principales étapes pouvant être suivies pour réaliser la stucture de la figure 1, - la figure 5 illustre, suivant une vue schématique en plan, un dispositif photovoltaïque présentant sur toute sa périphérie une tranchée d'isolation conforme à l'invention, - la figure 6 montre en coupe schématique transversale la tranchée d'isolation de la figure 5, à l'endroit du détail repérée VI sur cette même figure 5, - les figures 7A, 7B, 7C, 7D et 7E montrent également suivant une coupe schématique transversale les principales étapes d'un procédé de réalisation pouvant être suivi pour réaliser la tranché périmétrique d'isolation des figures 5 et 6, - et la figure 8 montre, en coupe transversale, une couche de conversion photovoltaïque en train d'être gravée chimiquement. Sur la figure 1, on voit donc tout d'abord illustré un détail d'un dispositif photovoltaïque 1, réalisé suivant la technique dite "des couches minces". De façon classique, le dispositif en question comprend, empilées sur un substrat support 3, une série de couches minces 5, 7, 9. Le substrat 3 peut être réalisé par exemple en verre ou en polymère pouvant être transparent (notamment dans le cas de la réalisation d'un module semitransparent). Les couches minces qui le surmontent comprennent successivement une couche 5 servant d'électrode avant (par exemple réalisée en oxyde transparent conducteur, TCO) de quelques centaines de nm d'épaisseur disposée sur le substrat 3, une couche semi-conductrice 7 assurant la conversion photovoltaïque et, surmontant cette dernière, une couche 9 servant d'électrode arrière. L'électrode "arrière" 9 pourra notamment être réalisée en métal et sera alors opaque. Mais on peut également envisager de la réaliser avec des matériaux électriquement conducteurs et transparents, du même type que ceux utilisés pour la réalisation de l'électrode avant 5, à savoir en TCO (tel par exemple que du SnO2, In202, ZnO...) ou avec des empilements de couches métalliques très fines et de couches d'oxyde métallique TCO. On notera que de tels empilements sont décrits par exemple dans la publication EP-A-0 204 562. En ce qui concerne la couche de conversion photovoltaïque 7, elle pourra, selon une technique classique, être par exemple réalisée par stratification successive de trois sous-couches p-i-n, chacune de ces sous-couches étant constituée à partir d'un matériau semiconducteur approprié tel par exemple que le silicium amorphe hydrogéné. Comme mentionné ci-avant, des difficultés se présentent sur de tels dispositifs lorsque l'on désire réaliser des coupures, trous, tranchées, passages. ... formant des interruptions de matière à travers certaines au moins des couches minces, le risque étant que lors de la réalisation de ces "coupures" (on utilisera souvent ce terme générique dans ce qui suit), des courtcircuits risquent de se produire entre les couches électrode 5 et 9. De telles coupures se rencontrent en particulier lorsque l'on veut réaliser un dispositif photovoltaïque à transparence partielle. Des exemples de réalisation peuvent être trouvés au brevet US-A-4 795 500 ou dans la demande de brevet français FR-A-91 02075 où il est indiqué que la "semi-transparence" peut être obtenue notamment par des trous 11 (figure 2) ou des tranchées 13 (figure 3) ménagés à travers l'électrode arrière 9 et de préférence, dans le prolongement, à travers la couche de conversion photovoltaïque 7 (voir figure 1), voire à travers en outre l'électrode avant 5 (voir figure 6), ces coupures étant alors, quelle que soit leur forme, formées sur la surface photoélectriquement active de la cellule, surface repérée 15 sur la figure 5. Ainsi, la lumière L peut-elle traverser, à l'endroit de ces coupures, l'ensemble du dispositif photovoltaïque comme indiqué par les flèches à double sens sur la figure 1. On notera que la technique des coupures de la couche électrode 5 pourrait éventuellement être intéressante notamment dans le cadre de la réalisation d'un module solaire à structure inversée et à transparence partielle, tel que décrit par exemple dans la demande de brevet français FR-A-91 02074. Outre dans le cadre de la réalisation de dispositifs photovoltaïques à transparence partielle, on comprendra aisément que ces problèmes de court-circuits peuvent également survenir aux endroits où l'on doit assurer l'isolation électrique de la surface active (telle que 15) des cellules, c'est-à-dire en pratique à proximité de leur bordure périmétrique, comme illustrée en traits mixtes 17 sur la figure 5. Conformément à l'invention, pour éviter tous ces risques de court-circuits, que ce soit sur des dispositifs photovoltaïques classiques ou à transparence partielle, la solution proposée en l'espèce consiste à ménager, à l'endroit de la coupure 19 faite à travers la couche de conversion photovoltaïque 7, une avancée de matière 21 débordant vers l'intérieur de la coupure considérée et formant ainsi un rebord d'isolation électrique entre les première et seconde couches électrode 5 et 9. Ainsi, la coupure 19 formée dans la couche photovoltaïque 7 présentera-t-elle une dimension transversale d1 inférieure à la dimension transversale d2 de la coupure 23 sous-jacente précédemment formée à travers la couche électrode supérieure 9. Pour accroître la fiabilité des résultats, on conseillera de réaliser le rebord 21 de manière qu'il s'étende continûment le long de toute la bordure des coupures 19 considérées. A partir des essais qui ont été menés, il a été remarqué que des résultats favorables étaient obtenus lorsque le(s) rebord(s) 21 présentai(en)t une largeur 1 comprise entre environ 5 et 50 iim (microns). De telles caractéristiques se retrouveront bien entendu dans le cadre de la réalisation de la tranchée périmétrique continue illustrée sur les figure 5 et 6 et qui est donc destinée à assurer l'isolation électrique de la partie active de la cellule par rapport à sa bordure extérieure. On notera toutefois que, dans ce cas, la rayure ou coupure 25 qui aura été formée à travers la première couche électrode 5 présentera de préférence une dimension transversale d3 inférieure à la dimension transversale d1 de la coupure 19 faite à travers la couche de conversion photovoltaïque 7 qui la surmonte. Ainsi, on obtiendra alors une tranchée d'isolement triple à bords en marches d'escalier. La structure des dispositifs à obtenir conformément à l'invention ayant été décrite, on va maintenant s'intéresser plus particulièrement à la présentation de leur procédé de réalisation. D'une façon générale, ce procédé qui vise donc à réaliser des interruptions de matière formant des coupures à travers une couche de conversion photovoltaïque intercalée entre une première et une seconde couches formant électrodes se caractérise en ce qu'on va réaliser la seconde couche formant électrode (telle que la couche 9 dans les exemples illustrés) pour qu'elle présente localement des interruptions de matière (telles que 23) formant ainsi des coupures à travers l'épaisseur de cette seconde couche. Puis, sensiblement dans le prolongement de ces coupures, on viendra enlever sélectivement, en 19, la couche de conversion photovoltaïque 7 par une gravure chimique pour qu'à cet endroit, cette couche présente le rebord d'isolation 21. Si l'on doit réaliser une tranchée continue d'isolation périphérique (telle que 17) sur la figure 5, on aura en outre pris soin d'avoir réalisé à travers l'électrode avant 5 la coupure en tranchée continue 25. Sur les figures 7A à 7E, on a d'ailleurs représenté les principales étapes d'une technique utilisable pour obtenir les résultats escomptés. Sur la figure 8A tout d'abord, on voit que l'on peut venir en premier lieu déposer (par exemple par pulvérisation cathodique sous vide partiel) la première couche électrode 5 sur la surface du substrat 3. On peut ensuite procéder à la réalisation de la tranchée continue à travers l'électrode 5 (figure 7B). Pour cela, on peut notamment recourir à une ablation par laser, tel qu'un laser de type "YAG" avec une longueur d'ondes de faisceau de l'ordre de 1,06 Clm pour une couche de SnO2 d'environ 600 nm d'épaisseur, la tranchée 25 pouvant avoir une largeur d3 de quelques dizaines à quelques centaines de microns. Après cela, on va pouvoir déposer sur cette couche à tranchée périphérique la couche de conversion photovoltaïque 7, telle qu'une couche de silicium amorphe hydrogéné à structure p-i-n d'une épaisseur de l'ordre de 200 à 400 nm (figure 7C). Après quoi, le dépôt de la couche métallique formant seconde électrode 9 pourra être effectué par dessus la couche 7. Pour obtenir les coupures souhaitées à travers cette électrode 9, et ceci bien entendu dans le prolongement vertical de la tranchée 25, il est conseillé d'abord de venir déposer continûment la couche (ou les sous-couches) de matière, puis de graver sélectivement l'électrode au regard de ladite tranchée 25, par exemple par une technique laser (envisageable notamment avec un laser ayant une largeur d'impulsion inférieure ou égale à la picoseconde). Mais on pourrait également recourir à une technique dite de révélation (ou de "patterning by lift off") mentionnée notamment dans les publications US-A-4 443 651 ou JP-A-6ll 098 686. On pourrait même prévoir de ne pas déposer la couche électrode 9 aux endroits situés dans le prolongement vertical de ladite tranchée 25, notamment en recourant alors à une technique de métallisation par évaporation ou par pulvérisation cathodique à travers un masque métallique adapté. Quoi qu'il en soit, on aura pris soin de réaliser à travers cette couche supérieure 9 une tranchée d'une largeur d 2 supérieure à la largeur d3 de la tranchée de la couche 5 (figure 7D). Parvenu à cette étape il restera à retirer sélectivement la couche de conversion 5 entre les deux tranchées 23 et 25, ceci de manière donc à y créer la (les) tranchée(s) de communication 19 à rebord(s) d'isolement 21. Pour cela, on utilisera avantageusement une technique de gravure chimique de manière à éroder sélectivement la couche 7. Plus précisément, et notamment dans le cas d'une telle couche à base de silicium amorphe , en présence d'une électrode arrière 9 à base d'un métal inoxydable résistant à la soude, on recourra avantageusement à l'utilisation d'une lessive de soude que l'on pourra notamment pulvériser ou projeter en phase liquide sur la couche semi-conductrice, aux endroits des coupures, ceci à partir par exemple de buses de pulvérisation telles que 27 (figure 8). On pourra en particulier utiliser une lessive de soude concentrée entre environ 5 et 40 % (et de préférence de l'ordre de 10 %) portée à une température de 45 à 65 C et prévoir une durée d'attaque de quelques minutes. Il est à noter que cette opération ne nécessite aucun masquage particulier de la face arrière du module (c'est-à-dire du côté de l'électrode 9) opération qui serait très délicate compte tenu des dimensions de gravure à réaliser. Au contraire, la réalisation de cette bordure de protection 21 est "naturellement" obtenue grâce à la fonction de masquage qu'exerce le seul métal 9 vis-à-vis de la gravure de la couche 7, ce qui rend le procédé particulièrement facile à mettre en oeuvre industriellement. On obtient ainsi la structure de la figure 7E (identique à celle de la figure 6). Hormis la réalisation initiale de la coupure 25 à travers la première couche électrode 5, la technique qui vient d'être présentée est tout à fait applicable à la réalisation de la structure de la figure 1, c'est-à-dire à la réalisation d'un dispositif photovoltaïque à transparence partielle présentant des passages pour la lumière. Pour plus de clarté, on a d'ailleurs représenté sur les figures 4A à 4D les principales étapes de réalisation d'une telle structure. Sur ces figures, on remarquera uniquement, en ce qui concerne les figures 4A et 4B, que l'on a illustré le cas (parmi d'autres) où l'ablation locale de la couche métallique 9 est réalisée par "lift off" (révélation), c'est-à-dire en l'espèce par dépôt d'une pâte 29 adhérante mais pelable, ceci sur la couche de conversion photovoltaïque 7 préalablement déposée et uniquement aux endroits où l'on désire réaliser les passages 11 ou 13 utiles à la semi-transparence, ces motifs de pâte de révélation étant ensuite, comme illustres sur la figure 4B, recouverts, tout comme l'ensemble de la couche 7, par la couche formant l'électrode arrière 9, la technique précitée du "lift off" permettant par révélation le retrait de la pâte 29 et du métal qui la surmonte là où la pâte a été déposée, permettant ainsi d'obtenir les motifs de coupure 23 illustrés sur la figure 4C. Il ne reste plus alors qu'à conduire la gravure chimique à la lessive de soude de la couche de conversion photovoltaïque sous-jacente 7 pour obtenir les motifs de semi-transparence désirés avec leur bordure 21 d'isolement électrique. Même si la nature de la couche semi-conductrice 7 est relativement importante, il doit être clair que l'on pourrait, en ce qui la concerne, la réaliser avec une structure n-i-p, voire avec une jonction p/n ou autres et à partir d'autres semi-conducteurs tels que CuInSe2, CdS, CdTe, ou GaAs, la nature de la solution utilisée pour sa gravure chimique étant alors adaptée en conséquence. Il pourrait également n'être pas inintéressant de réaliser conformément à l'invention une structure du type "tandem", c'est-à-dire une structure aujourd'hui classique comprenant un double empilement de couches minces, séparées ou non par une couche électriquement isolante transparente de liaison. REVENDICATIONS 1. - Dispositif photovoltaïque en couches minces comprenant - un substrat (3), - une première couche formant électrode (5) formée sur ledit substrat, - une couche semi-conductrice de conversion photovoltaïque (7) formée sur ladite première couche, - une seconde couche formant électrode (9) formée sur ladite couche de conversion photovoltaïque, des coupures (19, 23) étant formées à travers cette seconde couche (9) formant électrode et, sensiblement dans le prolongement, à travers la couche de conversion photovoltaïque, ces coupures interrompant la continuité des couches concernées, caractérisé en ce qu'à l'endroit desdites coupures (19, 23), la couche de conversion photovoltaïque (7) présente un rebord (21) d'isolation électrique entre lesdites première et seconde couches (5, 9) formant électrode. 2. - Dispositif selon la revendication 1 caractérisé en ce que ledit rebord (21) qui forme une avancée vers l'intérieur de la coupure considérée s'étend continûment le long de toute la bordure de cette coupure 3. - Dispositif selon la revendication 1 ou la revendication 2 caractérisé en ce que le rebord (21) présente une largeur (l) comprise entre 5 et 50 microns environ. 4. - Dispositif selon l'une quelconque des revendications 1 à 3 caractérisé en ce que ladite couche (7) de conversion photovoltaïque est réalisée à base de silicium amorphe (aSi : 3fi et ladite seconde couche (9) formant électrode comprend un métal inoxydable résistant à la soude. 5. - Dispositif selon l'une quelconque des revendications précédentes caractérisé en ce que le substrat (3) et ladite première couche formant électrode (5) sont transparents à la lumière naturelle et lesdites coupures (19, 23, 25) sont ménagées sur l'essentiel de la surface (15) du dispositif pour former des passages (11, 13) par lesquels une lumière incidente (L) peut traverser le dispositif sur toute son épaisseur. 6. - Dispositif selon l'une quelconque des revendications précédentes caractérisé en ce que les coupures (19, 23, 25) se présentent sous la forme de tranchées ménagées au moins pour certaines d'entre-elles à proximité de la périphérie du dispositif où elles s'étendent pour former une tranchée périphérique (17) continue formée à travers non seulement la seconde couche électrode (9) et la couche de conversion photovoltaïque (7) mais également, sensiblement dans le prolongement, à travers la première couche électrode (5), la coupure (25) ménagée à travers cette première couche électrode présentant elle-même un rebord formant une avancee vers l'intérieur de la coupure par rapport au rebord (21) de la couche de conversion photovoltaïque. 7. - Procédé pour réaliser des interruptions de matière formant des coupures (19, 23, 25) à travers une couche semi-conductrice de conversion photovoltaïque (7) intercalée entre une première couche et une seconde couche formant électrodes (5, 9) d'un dispositif photovoltaïque en couches minces, caractérisé en ce que a) on réalise ladite seconde couche formant électrode (9) au contact de la couche de conversion photovoltaïque (7) pour qu'elle présente localement des interruptions (23) de matière formant des coupures à travers l'épaisseur de cette dite seconde couche, b) et, sensiblement dans le prolongement de ces coupures (23), on enlève sélectivement la couche de conversion photovoltaïque (7) par une gravure chimique pour qu'à cet endroit cette couche présente elle-même lesdites coupures (19) lesquelles comportent un rebord (21) d'isolation électrique entre lesdites première et seconde couches formant électrode. 8. - Procédé selon la revendication 7 caractérisé en ce que - avant l'étape a) de la revendication 7 et sur toute la périphérie du dispositif à proximité de sa bordure extérieure (18), on réalise ladite première couche (5) formant électrode avec une tranchée continue (25) formée sur l'épaisseur de cette couche, et - après avoir déposé sur cette dite première couche (5) la couche de conversion photovoltaïque (7), elle-même surmontée de ladite seconde couche formant électrode (9), on conduit les étapes a) et b) de la revendication 7 en ménageant les coupures (23) de la seconde couche (9) lors de l'étape a) pour qu'elles présentent pour partie au moins la forme de tranchée s'étendant au-dessus, sensiblement dans le prolongement, de la tranchée (25) de la première couche (5) avec une largeur de tranchée supérieure. 9. - Procédé selon la revendication 7 ou la revendication 8 caractérisé en ce que lors de l'étape b) de la revendication 7 on érode chimiquement la couche de conversion photovoltaïque (7) avec une lessive de soude. 10. - Procédé selon l'une quelconque des revendications 7 à 9 caractérisé en ce que ladite seconde couche (9) formant électrode de l'étape a) de la revendication 7 comprenant un métal inoxydable résistant à la soude et ladite couche de conversion photovoltaïque (7) étant constituée à base de silicium amorphe, on érode chimiquement cette couche de conversion photovoltaïque (7) par une lessive de soude. 11. - Procédé selon la revendication 9 ou la revendication 10 caractérisé en ce que ladite lessive de soude est concentrée entre environ 5 et 40 % et l'érosion chimique de la couche de conversion photovoltaïque (7) s'effectue par projection à une température comprise entre environ 45 et 65 C. 12. - Procédé selon l'une quelconque des revendications 7 à 11 caractérisé en ce que pour conduire l'étape a) de la revendication 7, on dépose tout d'abord de façon sensiblement uniforme ladite seconde couche formant électrode (9) sur la couche de conversion photoélectrique (7) puis on retire sélectivement des zones de matière pour former à travers cette seconde couche (9) lesdites coupures (23). 13. - Procédé selon l'une quelconque des revendications 8 à 12 caractérisé en ce que pour réaliser ladite première couche (5) formant électrode avec sa tranchée (25), on dépose tout d'abord de façon sensiblement uniforme cette première couche sur un substrat (3) puis on retire sélectivement cette première couche (5) pour former à travers elle ladite tranchée continue (25).