FR 2649535 A1 19910111 FR 9004662 A 19900411 PROCEDE DE FABRICATION D'UN DISPOSITIF A SEMICONDUCTEURS La présente invention concerne un procédé de fabrication d'un dispo- sitif à semiconducteurs, et plus particulièrement un procédé de fabrication d'une grille à motif fin et d'une grille décalée d'un transistor à effet de champ en GaAs à grille auto-alignée en métal réfractaire. Les figures 5(a) à 5(d) montrent les principales étapes de processus dans un procédé de fabrication d'un dispositif à semiconducteurs de l'art antérieur. Sur ces figures, la référence 1 désigne un substrat en GaAs semi- isolant. Une couche active 2 est formée dans le substrat en GaAs 1. Un métal réfractaire 4 est placé sur la couche active 2. Une électrode de grille 4' est formée avec le métal réfractaire 4. Une couche diffusée de type n+ 5 est formée de part et d'autre de l'électrode de grille 4'. Une électrode de source 6 et une électrode de drain 7 sont formées sur la cou- che diffusée de type n.5. La référence Il désigne une résine photosensible. On va maintenant décrire le processus de fabrication. En premier lieu, comme le montre la figure 5(a), on forme une couche active 2 dans une position désirée sur un substrat en GaAs semi-isolant 1, par implantation ionique. Ensuite, comme le montre la figure 5(b), on dépose un métal réfrac- taire tel que du sillciure de tungstène (qu'on appellera ci-après "WSi ") 4 x sur la totalité de la surface du substrat en GaAs semi-isolant 1, par pulvé- risation cathodique ou par dépôt en phase vapeur, et on forme un motif. dans la résine photosensible 11, dans une partie qui. deviendra une grille. Ensuite, comme le montre la figure 5(c), on traite le WSIx 4 par at- taque ionique réactive, en utilisant comme masque la résine photosensible 11, pour produire ainsi une électrode de grille 4'. Ensuite, comme le montre la figure 5(d), on.effectue une implantation ionique en utilisant le WSix 4' à titre de masque, et on produit une couche ayant une concentration de dopage élevée (qu'on appelle ci-après "couche n"), par une opération de recuit, et on forme sur cette couche une élec- trode de drain 6 et une électrode de source 7. Dans le procédé de fabrication d'un dispositif à semiconducteurs de l'art antérieur, une opération de définition de motif utilisant la résine pho- tosensible Il est nécessaire pour produire l'électrode de grille 4', et la précision de la grille à motif fin dépend de la précision de la technique d'alignement pour la photolithographie. En outre, du fait qu'on accomplit une implantation ionique en utilisant le WSix 4' comme masque, les couches n* 5 au-dessous de l'électrode de source 7 et de l'électrode de grille 4' sont situées à faible distance l'une de l'autre, ce qui fait que la résistance de source est diminuée. Ceci est avantageux en ce qui concerne des performan- ces telles que le gain du transistor à effet de champ. Cependant, du fait que les couches n au-dessous de l'électrode de drain 6 et -de l'électrode de grille 4' sont proches l'une de l'autre, la tension de claquage grilledrairi est diminuée. Ceci fait qu'il est difficile d'appliquer cette structure à des circuits intégrés analogiques de puissance élevée. Un but de l'invention est de procurer un procédé de fabrication d'un dispositif à semiconducteurs capable de produire une grille en métal réfrac- taire à motif fin sans exiger l'emploi d'une technique photolithographique, et capable en outre d'augmenter la tension de claquage grille-drain en conser- vant une valeur faible pour la résistance de source. Selon un premier procédé de fabrication d'un dispositif à semiconduc- teurs conforme à l'invention, on dépose une couche isolante sur une couche active et on la traite, on dépose un métal réfractaire sur la totalité de la surface du substrat semiconducteur et on traite le métal de façon qu'il reste sur la paroi latérale de la couche isolante, pour produire ainsi une électrode de grille, on forme une couche dopée avec une concentration éle- vée, en accomplissant une opération d'implantation ionique.en utilisant com- me masque la couche isolante et le métal réfractaire, on enlève la couche isolante, on forme une couche dopée avec une concentration intermédiaire en accomplissant une opération d'implantation ionique, en utilisant le métal réfractaire comme masque, on forme une électrode de source sur la couche dopée avec une concentration élevée, et on forme une électrode de drain sur la couche dopée avec une concentration élevée. Dans ce premier procédé de fabrication, du fait que le métal réfrac- taire qui reste sur la paroi latérale de la couche isolante est utilisé à titre d'électrode de grille, on peut produire une grille en métal réfractaire à motif fin sans qu'une restriction ne soit Imposée par la précision de la photolithographie. En outre, du fait qu'on forme une couche dopée avec une concentration élevée au-dessous de l'électrode de source et qu'on forme une couche dopée avec une concentration Intermédiaire au-dessous de l'élec- trode de drain, il est possible d'augmenter la tension de claquage grille- drain et de réduire la résistance de source. Selon un second procédé de fabrication d'un dispositif à semiconduc- teurs conforme à l'invention, après avoir traité le métal réfractaire de fa- çon qu'il reste sur la paroi latérale de la couche isolante, dans le premier procédé de fabrication décrit ci-dessus, on produit une couche dopée avec une concentration Intermédiaire, par Implantation ionique, en utilisant com- me masque la première couche isolante et le métal réfractaire, on dépose une seconde couche Isolante sur la totalité de la surface du substrat semi- conducteur, et on la traite de façon qu'elle reste sur la paroi latérale du métal réfractaire, on enlève la première couche isolante, on forme une cou- che dopée avec une concentration élevée, par implantatibn ionique, en uti- lisant comme masque le métal réfractaire et la seconde couche isolante res- tant sur la paroi latérale de ce dernier, et on forme une électrode de drain sur le côté o est formée la couche dopée avec une concentration intermé- diaire, tandis qu'on forme une électrode de source sur le côté opposé. Selon un troisième procédé de fabrication d'un dispositif à semicon- ducteurs conforme à l'invention, après avoir traité le métal réfractaire de façon qu'il reste sur la paroi latérale de la couche Isolante dans le pre- mier procédé de fabrication décrit cl-dessus, on enlève la couche Isolante, on forme une couche dopée avec une concentration Intermédiaire, par implan- tation ionique, en utilisant comme masque le métal réfractaire qui doit de- venir une électrode de grille, on dépose une seconde couche Isolante sur la totalité de la surface du substrat semiconducteur, et on forme des masques ayant des configurations asymétriques sur les deux parois latérales de l'élec- trode de grille, on forme une couche dopée avec une concentration élevée, 2649S35 par implantation ionique, en utilisant comme masque la couche isolante, et on forme une électrode de drain sur le côté o est formée une couche do- pée avec une concentration intermédiaire de grande largeur, tandis qu'on forme une électrode de source sur le côté opposé. Selon un quatrième procédé de fabrication d'un dispositif à semicon- ducteurs conforme à l'invention, après avoir déposé la seconde couche iso- lante sur la totalité de la surface du substrat semiconducteur dans le troi- sième procédé de fabrication décrit ci-dessus, on traite la seconde couche isolante de façon qu'elle reste sur les deux parois latérales du métal ré- fractaire, avec des configurations asymétriques à gauche et à droite, on forme une couche dopée avec une concentration élevée, par implantation io- nique, en utilisant comme masque la seconde couche isolante qui reste sur les deux parois latérales et le métal réfractaire, et on forme une électrode de drain sur le côté o est formée une couche dopée avec une concentration intermédiaire de plus grande largeur, tandis qu'on forme une électrode de source sur le côté opposé. Dans ces second, troisième et quatrième procédés de fabrication, de façon similaire au premier procédé de fabrication décrit ci-dessus, du fait que le métal réfractaire qui reste sur la paroi latérale de la couche iso- lante est utilisé à titre d'électrode de grille, on peut former une grille en métal réfractaire à motif fin sans restriction imposée par la précision de la photolithographie. En outre, la couche dopée avec une concentration éle- vée qui se trouve au-dessous de l'électrode de source est formée en posi- tion adjacente à l'électrode de grille, et la distance entre l'électrode de grille et la couche dopée avec une concentration élevée qui se trouve au- dessous de l'électrode de drain est allongée par la formation d'une couche dopée avec une concentration intermédiaire, entre l'électrode de grille et la couche de dopage à concentration élevée, ce qui permet d'augmenter la tension de claquage grille-drain tout en maintenant la résistance de source à une valeur faible. En outre, un intervalle fin est établi entre l'électro- de de grille et la couche dopée avec une concentration élevée au-dessous de l'électrode de source, en formant une couche dopée avec une concentration Intermédiaire qui a une largeur plus faible que la couche dopée avec une concentration intermédiaire qui est formée entre l'électrode de grille et la couche dopée avec une concentration élevée qui se trouve au-dessous de l'électrode de drain, ce qui permet d'empêcher l'apparition d'une fuite en- tre. l'électrode de grille et la couche dopée avec une concentration élevée, qui se trouve au-dessous de l'électrode de source. L'invention sera mieux comprise à la lecture de la description détail- lée qui va suivre de modes de réalisation, donnés à titre d'exemples non limitatifs. La suite de la description se réfère aux dessins annexés sur lesquels: les figures l(a)-l(g) sont des schémas qui montrent les principales étapes de processus d'un procédé de fabrication d'un dispositif à semiconducteurs conforme à un premier mode de réalisation de l'invention les figures 2(a)-2(e) sont des schémas qui montrent les principales étapes de processus d'un procédé de fabrication d'un dispositif à semiconducteurs conforme à un second mode de réalisation de l'invention les figures 3(a)-3(c) sont des- schémas qui montrent les principales étapes de processus d'un procédé de fabrication d'un dispositif à semiconducteurs conforme à un troisième mode de réalisation de la présente invention les figures 4(a)-4(c) sont des schémas qui montrent les principales étapes de processus d'un procédé de fabrication d'un dispositif à semiconducteurs conforme à un quatrième mode de réalisation de l'invention; et les figures 5(a)-5(b) sont des schémas qui montrent les principales étapes de processus d'un procédé de fabrication d'un dispositif à semiconducteurs de l'art antérieur. Les figures l(a)-l(g) montrent des représentations en élévation et en coupe des principales étapes de processus pour la fabrication d'un disposi- tif à semiconducteurs correspondant à un premier mode de réalisation de l'invention. Sur les figures l(a)-l(g), la référence I désigne un substrat en GaAs semi-isolant. Une couche active 2 est formée sur le substrat en GaAs 1. La référence 3 désigne une couche isolante consistant en SiO2. Un métal ré- fractaire 4, tel que du siliciure de tunstène, est formé sur la couche acti- ve 2. Une électrode de grille 4' est formée à partir de ce métal réfractai- re 4. La référence 5 désigne une couche dopée avec une concentration éle- vée (qu'on appelle ci-après "couche n"). Les références 6 et 7 désignent respectivement une électrode de source et une électrode de drain. La réfé- rence 8 désigne une couche dopée avec une concentration intermédiaire (qu'on appelle ci-après '"couche n"'). On va maintenant décrire le procédé de fabrication. En premier lieu, comme le montre la figure l(a), on implante des ions silicium dans le substrat en GaAs semi-isolant 1, dans les conditions de 50 kV et 1,5 x 1012/cm2, ce qui produit une couche active 2 de 60 nm d'épaisseur. On forme une couche de SiO2 3 sur la totalité de la surface du substrat, jusqu'à une épaisseur d'environ 300 nm, et ensuite, comme le mon- tre la figure 1(b), on forme un motif dans la couche de SiO2 3, par une opé- ration d'attaque ionique réactive utilisant un mélange de gaz qui consiste en CHF3 + 02. Ensuite, comme le montre la figure l(c), on dépose du WSix 4 sur la totalité de la surface du substrat en GaAs 1, jusqu'à une épaisseur d'envi- ron 300 nm, par un procédé de pulvérisation cathodique ou de dépôt chimi- que en phase vapeur (CVD), en utilisant un mélange de gaz consistant en WF6 et SiH4. En outre, comme le montre la figure l(d), on effectue une attaque ani- sotrope du WSix 4 par attaque ionique réactive en utilisant un mélange de gaz consistant en CF4 + 2' de façon à laisser le WSix 4 sur la paroi laté- rale de la couche de SiO2 3. Dans ce cas, la largeur du WSix 4', c'est-à- dire la longueur de grille, est sélectionnée de façon à avoir une limite su- périeure d'environ 0,2 micron. On peut fixer ici la longueur de grille par l'épaisseur du WSix 4, Ensuite, comme le montre la figure l(e), on implante des ions sili- cium avec une concentration de 3 x 10 13/cm2, en utilisant comme masque la couche de SiO2 3 et le WSix 4', ce qui produit une couche dopée avec une concentration élevée (couche nr) 5, de 100 nm d'épaisseur. En outre, comme le montre la figure l(f), on enlève la couche de SiO2 3 en utilisant une solution d'acide fluorhydrique ayant un rapport de I: 30 pour HF: H20, et on implante des ions silicium avec une concentra- tion de 7 x 10 12/cm2, en utilisant comme masque l'électrode de grille 4', ce qui produit une couche dopée avec une concentration intermédiaire (couche n') 8 de 80 nm d'épaisseur. Dans ce cas, des ions silicium sont également implantés dans la couche n* 5, mais la concentration de la couche n* 5 est très élevée par rapport à la concentration de la couche n' 8, ce qui fait qu'il n'y a aucun problème. Comme le montre -la figure 1(g), après avoir effectué une opération de recuit à 800 C pendant environ 45 minutes, on forme une couche en AuGe/ Ni/Au, par un procédé de dépôt et de décollement, ce qui produit une élec- trode de source 6 sur la couche n 5 et une électrode de drain 7 sur la cou- che n' 8. Un transistor à effet de champ ayant une grille à motif fin est ainsi entièrement fabriqué. Dans ce procédé de fabrication, du fait que le métal réfractaire qui reste sur la paroi latérale de la couche Isolante après la gravure est uti- lisé à titre d'électrode de grille, on peut former une grille en métal ré- fractaire à motif fin, sans restriction Imposée par la précision de la pho- tolithographie. En outre, du fait que la concentration en impureté du côté de l'électrode de drain 7 est Inférieure à celle du côté de l'électrode de source 6, et du fait que l'épaisseur de couche de la région de drain 7 est Inférieure à celle de la région de source 5, on peut augmenter la tension de i5 claquage grille-drain tout en maintenant une valeur faible pour la résistan- ce de source. Les figures 2(a)-2(e) montrent des représentations en élévation et en coupe des principales étapes de processus pour la fabrication d'un disposi- tif à semiconducteurs correspondant à un second mode de réalisation de l'invention. En premier lieu, sur la figure l(d), on implante des ions silicium avec une concentration de 7 x 1012/cm2, en utilisant comme masque la couche de SIO2 3 et le WSix 4', ce qui produit une couche n' 8, après quoi on dépose une couche de Si3N4 9 sur la totalité de la surface du substrat en GaAs semi-isolant 1, par le procédé de dépôt chimique en phase vapeur, ce qui don- ne l'état qui est représenté sur la figure 2(a). Ensuite, comme le montre la figure 2(b), on effectue une attaque ani- sotrope de la couche de S13N4 9, par attaque ionique réactive, de façon à laisser une partie de cette couche seulement du côté du WSix 4'. Ensuite, comme le montre la figure 2(c), on enlève la couche de SiO2 3 en utilisant une solution d'acide fluorhydrlque ayant un rapport de 1: 30 pour HF: H20. Dans ce cas, du fait que la vltesse.d'attaque de la couche de Si3N4 9 sous l'effet de la solution d'acide fluorhydrlque est faible, c'est- à-dire Inférieure au dixième de la vitesse d'attaque de la couche de SiO2 3, la couche de WSIx 4' sera très peu attaquée. En outre, comme le montre la figure 2(d), on implante des ions sili- cium avec une concentration d'impureté de 3 x 10 13/cm2, en utilisant comme masque le WSix 4' et la couche de Si3N4 9, ce qui produit une couche n* 5. Ensuite, comme le montre la figure 2(e), après avoir effectué une opération de recuit à 800 C pendant environ 45 minutes, on enlève la couche de Si3N4 9, et on forme une couche de AuGe/Ni/Au, par un procédé de dépôt et de décollement, ce qui a pour effet de produire une électrode de drain 7 sur la couche n* 5 du côté o est formée la couche n' 8 et une électrode de source 6 sur la couche n* 5 du côté opposé, ce qui achève la fabrication d'un transistor à effet de champ. Dans ce procédé de fabrication également, de façon similaire au pre- mier procédé de fabrication, du fait que le métal réfractaire 4' qui reste sur la paroi latérale de la couche isolante 3 est utilisé à titre d'électro- de de grille, on peut former une électrode de grille consistant en un métal réfractaire à motif fin, sans aucune restriction imposée par la précision de la technique de photolithographie. En outre, du fait que la couche n 5 située au-dessous de l'électrode de source 6, et l'électrode de grille 4' sont formées à faible distance l'une de l'autre, et du fait que la couche n*.5 au-dessous de l'électrode de drain et l'électrode de grille 4' sont formées à distance l'une de l'autre, par l'insertion d'une couche n' 8 entre la cou- che n* 5 et l'électrode de grille 4', on peut diminuer la résistance de sour- ce et on peut augmenter la tension de claquage grille-drain. Les figures 3(a) à 3(c) montrent des représentations en élévation et en coupe des principales étapes de processus pour la fabrication d'un dis- positif à semiconducteurs correspondant à un troisième mode de réalisation de l'invention. En premier lieu, sur la figure l(d), on enlève la couche de SiO2 3 en utilisant une solution d'acide fluorhydrique ayant un rapport de 1: 30 pour HF: H20, et on implante ensuite des ions silicium avec une concentra- tion d'impureté de 7 x 10 12/cm2, en utilisant comme masque le WSix 4', ce qui produit une couche n' 8, comme le montre la figure 3(a). En outre, comme le montre la figure 3(b), on forme une couche de SiO2 10 sur la totalité de la surface du substrat en GaAs semi-isolant 1, avec une épaisseur d'environ 200 nm. Dans ce cas, du fait que la configura- tion du WSix 4' est asymétrique du côté gauche et du côté droit, on obtient une épaisseur d'environ 100 nm pour la couche de SiO2 10 sur la paroi laté- rale verticale du WSix 4', et on obtient une épaisseur d'environ 200 rnm pour cette couche sur la paroi latérale courbe du WSix 4', ce qui fait que la couche de SiO2 10 présente une configuration asymétrique du côté gauche et du côté droit du WSix 4'. Par conséquent, lorsqu'on forme une couche n 5 par implantation ionique d'ions silicium avec une concentration d'impureté de 3 x 1013/cm2, en utilisant la couche de SiO2 à titre de masque, les dis- tances entre la couche n 5 et le WSix 4' sont également asymétriques à X gauche et à droite. En outre, les distances entre la couche n 5 et le WSix 4' sont déterminées par les épaisseurs de la couche de SiO2 10. Ensuite, après avoir effectué une opération de recuit, on enlève la couche de SIO2 10, et on forme une couche de AuGe/Ni/Au par un procédé de dépôt et de décollement, ce qui produit une électrode de drain 7 sur la couche n* 5 du côté o est formée une couche n 8 de grande largeur, et une électrode de source 6 sur la couche n 8 du côté opposé. Dans ce procédé de fabrication, de façon similaire aux premier et second procédés de fabrication, on peut définir un motif fin pour l'électro- de de grille, et on peut obtenir un transistor à effet de champ ayant une tension de claquage grille-drain élevée, tout en maintenant une valeur fai- ble pour la résistance de source. En outre, du fait qu'un intervalle correspondant à un motif fin est formé entre l'électrode de grille 4' et la couche n 5 au-dessous de l'élec- trode de source 6, par l'insertion de la couche n' 8, plus étroite que la couche n' 8 qui est formée entre l'électrode de grille 4' et la couche n 5 au-dessous de l'électrode de drain 7, on peut empêcher la fuite qui se pro- duit entre l'électrode de grille et la couche n* au-dessous de l'électrode de source, et on peut obtenir un transistor à effet de champ ayant un ren- dement encore plus élevé. Les figures 4(a) à 4(c) montrent des représentations en élévation et en coupe d'étapes de processus principales pour la fabrication d'un disposi- tif à semiconducteurs correspondant à un quatrième mode de réalisation de 1' invention. En premier lieu, sur la figure 3(a), on dépose une couche de SiO2 10 sur la totalité de la surface du substrat en GaAs semi-isolant 1, jusqu'à une épaisseur d'environ 200 nm, ce qui donne l'état de la figure 4(a). En outre, la couche de SiO2 10 est attaquée de façon anisotrope par une opération d'attaque ionique réactive utilisant un mélange de gaz con- sistant en CHF3 + 02, de façon que des parties de cette couche restent des deux côtés du WSix 4'. Dans ces conditions, du fait que le WSix 4' a une configuration asymétrique à gauche et à droite, les épaisseurs des couches de SiO2 10' qui restent des deux côtés du WSix 4' deviennent également asy- métriques à gauche et à droite, et une couche de SIO2 10' d'environ 100 nm est formée sur la paroi latérale verticale du WSix 4', tandis qu'une couche d'environ 200 nm est formée sur la paroi latérale courbe du WSix 4'. En outre, comme le montre la figure 4(b), on implante des ions sili- cium avec une concentration d'impureté de 3 x 10 13/cm2, en utilisant comme masque les couches de SiO2 10' qui sont formées des deux côtés du WSix 4', ce qui produit une couche n' 5. Dans ce cas, les distances entre les cou- ches n+ 5 et le WSix 4' sont établies de manière asymétrique à gauche et à droite. En outre, on peut donner des valeurs désirées aux distances entre les couches n 5 et le WSix 4', en jouant sur les épaisseurs de la couche de SiO2 10'. Après avoir effectué une opération de recuit, on retire la couche de SiO2 10', et on dépose une couche de AuGe/Ni/Au, par un procédé de dépôt et de décollement, ce qui forme une électrode de drain 7 sur la couche n+ 5 du côté o est formée une couche n' 8 de grande largeur, et une élec- trode de source 6 sur la couche n+ 5 du côté opposé. Dans un tel procédé de fabrication, de façon similaire aux premier à troisième procédés de fabrication, du fait qu'une technique photolithographi- que n'est pas nécessaire pour la fabrication de l'électrode de grille, on peut définir un motif de façon fine pour l'électrode de grille avec une pré- cision élevée. En outre, du fait qu'un intervalle fin est établi entre l'élec- trode de grille 4' et la couche n 5 au-dessous de l'électrode de source, on peut effectivement empêcher la fuite se produisant entre l'électrode de gril- le 4' et la couche n+ 5, en plus de l'effet qui consiste en ce que la ten- sion de claquage grille-drain est augmentée tout en maintenant la résistan- ce de source à une valeur faible. ' Bien que dans les premier à quatrième modes de réalisation décrits ci-dessus, on utilise WSix pour le métal réfractaire de l'électrode de gril- le 4', on peut utiliser WSiN ou WN avec des effets identiques à ceux dé- crits ci-dessus. il Bien que dans les second, troisième et quatrième modes de réalisation décrits cl-dessus, les couches Isolantes qui sont formées sur les parois la- térales de l'électrode de grille 4' soient enlevées après l'implantation io- nique, ces couches peuvent être laissées en l'état, avec des effets identi- ques à ceux décrits ci-dessus. Comme Il ressort de façon évidente de la description précédente, et conformément à l'invention, le métal réfractaire est déposé sur la totalité de la surface du substrat semiconducteur de façon à recouvrir une couche isolante qui est déposée sur la couche active formée sur le substrat semi- conducteur, après quoi le métal réfractaire est traité de façon à rester sur la paroi latérale de la couche isolante, ce qui forme une électrode de grille. * Une opération de définition de motif par photolithographle n'est donc pas nécessaire dans le processus de fabrication d'une électrode de grille, et la longueur de la grille n'est pas restreinte par la précision de la photolltho- graphie, grâce à quoi on peut fabriquer avec une précision élevée et une reproductibilité élevée un transistor à effet de champ qui comporte une gril- le à motif fin. En outre, une couche n* à concentration d'implantation élevée est for- mée au-dessous de l'électrode de source, et une couche n' ayant une plus fàlble concentration d'implantation est formée au-dessous de l'électrode de drain. Ou bien, pour obtenir une grille à structure décalée, la distance en- tre l'électrode de grille et la couche n* au-dessous de 'l'électrode de drain est allongée par l'insertion d'une couche n' entre l'électrode de grille et la couche n, tout en maintenant à une valeur faible la distance entre l'électrode de grille et la couche n au-dessous de l'électrode de source. Il en résulte qu'on peut réduire la résistance de source et qu'on peut augmen- ter la tension de claquage grille-drain. En outre, du fait qu'un intervalle fin est établi entre l'électrode de grlle et la couche n audessous de l'électrode de source, par l'insertion d'une couche n' ayant une largeur In- férieure à celle de la couche n' qui est formée entre l'électrode de grille et la couche n au-dessous de l'électrode dé drain, on peut empêcherune fuite qui se produit entre l'électrode de grille et la couche n* au-dessous de l'électrode de source, et on peut obtenir un transistor à effet de champ ayant un rendement encore plus élevé. Il va de soi que de nombreuses modifications peuvent être apportées au procédé décrit et représenté, sans sortir du cadre de l'invention. REVENDICATIONS 1. Procédé de fabrication d'un dispositif à semiconducteurs, carac- térisé en ce qu'il comprend: une première opération consistant à déposer une couche isolante (3) sur une couche active (2) qui est formée sur un substrat semiconducteur (1), et à traiter cette couche isolante (3); une seconde opération qui consiste à déposer un métal réfractaire (4) sur la totalité de la surface du substrat semiconducteur (1), et à appliquer un traitement au métal réfractaire, de façon à laisser une partie (4') de ce métal réfractaire sur la paroi latérale de la couche isolante (3), pour pro- duire ainsi une électrode de grille (4'); une troisième opération qui consis- te à produire une couche dopée avec une concentration élevée (5), en ef- fectuant une implantation ionique en utilisant comme masque la couche iso- lante (3) et le métal réfractaire (4'); une quatrième opération qui consis- te à enlever la couche isolante (3) et à former une couche dopée avec une concentration intermédiaire (8) par implantation ionique, en utilisant comme masque le métal réfractaire (4'); et une cinquième opération consistant à produire une électrode de source (6) sur la couche dopée avec une concen- tration élevée (5) et à produire une électrode de drain (7) sur la couche dopée avec une concentration intermédiaire (8). 2. Procédé de fabrication d'un dispositif à semiconducteurs selon la revendication 1, caractérisé en ce qu'on effectue le traitement du métal réfractaire (4) au cours de la seconde opération en définissant l'épaisseur de couche du métal réfractaire (4') qui reste sur la paroi latérale de la couche isolante (3), de façon qu'elle soit égale à une longueur de grille désirée. 3. Procédé de fabrication d'un dispositif à semiconducteurs selon la revendication 1, caractérisé en ce qu'on accomplit le traitement du métal réfractaire (4) au cours de la seconde opération par une attaque anisotrope. 4. Procédé de fabrication d'un dispositif à semiconducteurs selon la revendication 3, caractérisé en ce qu'on accomplit le traitement du métal réfractaire (4) par attaque ionique réactive, en utilisant un mélange de gaz consistant en CFH3 et 02. 5. Procédé de fabrication d'un dispositif à semiconducteurs selon la 2649'35 revendication 1, caractérisé en ce que l'épaisseur de la couche dopée avec une concentration élevée (5) est supérieure à celle de la couche dopée avec une concentration intermédiaire (8). 6. Procédé de fabrication d'un dispositif à semiconducteurs selon la revendication 1, caractérisé en ce que la concentration d'impureté de la couche dopée avec une concentration élevée (5) est de 3 x 1013/cm2, et celle de la couche dopée avec une concentration intermédiaire est de 7 x 1012/cm2. 7. Procédé de fabrication d'un dispositif à semiconducteurs selon la revendication 1, caractérisé en ce que le métal réfractaire consiste en WSlx, WN ou WSIN. 8. Procédé de fabrication d'un dispositif à semiconducteurs, caracté- risé en ce qu'il comprend: une première opération consistant à déposer une première couche isolante (3) sur une couche active (2) qui est formée sur un substrat semiconducteur (1), et à traiter cette première couche isolante (3); une seconde opération qui consiste à déposer un métal réfractaire (4) sur la totalité de la surface du substrat (1), et à appliquer un traitement à ce métal de façon à laisser une partie (4') du métal réfractaire sur la paroi latérale de la première couche isolante (3) , pour produire ainsi une électrode de grille (4'); une troisième opération qui consiste à produire une couche dopée avec une concentration Intermédiaire (8), par implantation ionique en utilisant comme masque la première couche isolante (3) et le mé- tal réfractaire (4');une quatrième opération qui consiste à déposer une seconde couche isolante (9) sur la totalité de la surface du substrat (1), et à appliquer un traitement à cette couche de façon à en laisser une partie sur la paroi latérale du métal réfractaire (4'); une cinquième opération qui consiste à enlever la première couche Isolante (3) et à former une cou- che dopée avec une concentration élevée (5), par implantation ionique en uti- lisant comme masque le métal réfractaire (4') et une partie de la seconde couche isolante (9) qui reste sur la paroi latérale du métal réfractaire (4'); et une sixième opération qui consiste à former une électrode de drain (7) sur la couche dopée avec une concentration élevée (5), du côté o est for- mée la couche dopée avec une concentration Intermédiaire (8), ainsi qu'à former une électrode de source (6) sur la couche dopée avec une concentra- tion élevée (5), du côté opposé. 9. Procédé de fabrication d'un dispositif à semiconducteurs selon la revendication 8, caractérisé en ce qu'on effectue le traitement du métal ré- fractaire (4) dans la seconde opération en définissant l'épaisseur de couche d'une partie (4') du métal réfractaire qui reste sur la paroi latérale de la couche isolante (3), de façon qu'elle soit égale à une longeur de grille désirée. I0. Procédé de fabrication d'un dispositif à semiconducteurs selon la revendication 8, caractérisé en ce qu'on effectue le traitement du métal ré- fractaire (4) au cours de la seconde opération par une attaque anisotrope. 11. Procédé de fabrication d'un dispositif à semiconducteurs selon la revendication 10, caractérisé en ce qu'on effectue le traitement du métal réfractaire (4) par attaque ioniqûe réactive en utilisant un mélange de gaz consistant en CFH3 et 02. 12. Procédé de fabrication d'un dispositif à semiconducteurs selon la revendication 8, caractérisé en ce qu'on effectue le traitement du métal réfractaire dans la seconde opération par une attaque anisotrope. 13. Procédé de fabrication d'un dispositif à semiconducteurs selon la revendication 8, caractérisé en ce que la concentration d'impureté de la couche dopée avec une concentration élevée (5) est de 3 x 1013/cm2 et celle de la couche dopée avec une concentration intermédiaire (8) est de 7 x 10 12/cm2. 14. Procédé de fabrication d'un dispositif à semiconducteurs selon la revendication 8, caractérisé en ce que le métal réfractaire (4) consiste en WSix, WN ou WSiN. 15. Procédé de fabrication d'un dispositif à semiconducteurs, carac- térisé en ce qu'il comprend: une première opération consistant à déposer une première couche isolante (3) sur une couche active (2) qui est formée sur un substrat semiconducteur (1), et à appliquer un traitement à la pre- mière couche isolante (3); une seconde opération qui consiste à déposer un métal réfractaire (4) sur la totalité de la surface du substrat (1), et à appliquer un traitement à ce métal de façon à en laisser une partie (4') sur la paroi latérale de la première couche isolante (3), pour former ainsi une électrode de grille (4'); une troisième opération qui consiste à enlever la première couche isolante (3) et à former une couche dopée avec une concen- tration intermédiaire (8), par une implantation Ionique, en utilisant comme masque le métal réfractaire (4'); une quatrième opération consistant à dé- poser une seconde couche isolante (10) sur la totalité de la surface du substrat (11); une cinquième opération consistant à former une couche do- pée avec une concentration élevée (5), par une implantation ionique, en utilisant comme masque la seconde couche isolante (10); et une sixième opé- ration consistant à former une électrode de drain (7) sur le côté o est formée une couche dopée avec une concentration Intermédiaire (8) de plus grande largeur, ainsi qu'à former une électrode de source (6) sur le côté opposé. 16. Procédé de fabrication d'un dispositif à semiconducteurs selon la revendication 15, caractérisé en ce qu'on accomplit le traitement du métal réfractaire (4) dans la seconde opération en définissant l'épaisseur de cou- che d'une partie (4') du métal réfractaire qui reste sur la paroi latérale de la couche isolante (3), de façon qu'elle soit égale à une longueur de grille désirée. 17. Procédé de fabrication d'un dispositif à semiconducteurs selon la revendication 15, caractérisé en ce qu'on accomplit le traitement du métal réfractaire (4) dans la seconde opération par une attaque anisotrope. 18. Procédé de fabrication d'un dispositif à semiconducteurs selon la revendication 17, caractérisé en ce qu'on accomplit le traitement du métal réfractaire (4) par attaque ionique réactive en utilisant un- mélange de gaz qui consiste en CFH et 2 3 2 19. Procédé de fabrication d'un dispositif à semiconducteurs selon la revendication 15, caractérisé en ce que la concentration d'impureté de la couche dopée avec une concentration élevée (5) est de 3 x 10 3/cm2 et la concentration d'impureté de la couche dopée avec une concentration intermé- dialre (8) est de 7 x 10 2/cm2. 20. Procédé de fabrication d'un dispositif à semiconducteurs selon la revendication 15, caractérisé en ce que le métal réfractaire consiste en WSix, WN ou WSIN. 21. Procédé de fabrication d'un dispositif à semiconducteurs selon la revendication 15, caractérisé en ce qu'on dépose la seconde couche isolan- te (10) sur la totalité de la surface du substrat (1) au cours de la quatriè- me opération, de façon que des parties restantes (10') de cette couche sur les deux côtés du métal réfractaire (4') présentent des configurations asy- métriques a gauche et a droite. 22. Procédé de fabrication d'un dispositif à semiconducteurs, caracté- risé en ce qu'il comprend: une première opération qui consiste à déposer une première couche isolante (3) sur une couche active (2) qui est formée sur un substrat semiconducteur (1), et à appliquer un traitement à cette première couche isolante (3); une seconde opération qui consiste à déposer un métal réfractaire (4) sur la totalité de la surface du substrat (1), et à lui appliquer un traitement de façon à en laisser une partie (4') sur la paroi latérale de la première couche isolante (3); une troisième opération qui consiste à enlever la première couche isolante (3) et à former une cou- che dopée avec une concentration intermédiaire (8), par une implantation ionique en utilisant comme masque le métal réfractaire (4'); une quatrième opération qui consiste à déposer une seconde couche isolante (10) sur la totalité de la surface du substrat (1), et à appliquer un traitement à cette couche de façon à en laisser des parties (10') sur les deux côtés du métal réfractaire (4'), avec des configurations asymétriques à gauche et à droite une cinquième opération qui consiste à former des couches dopées avec une concentration élevée (5), par implantation ionique en utilisant comme masque le métal réfractaire (4) et les secondes couches Isolantes (10') qui restent des deux côtés du métal réfractaire; et une sixième opération qui consiste à former une électrode de drain (7) sur le côté o est formée une couche dopée avec une concentration élevée (5) de plus grande largeur, ainsi qu'à former une électrode de source (6) sur le côté opposé. 23. Procédé de fabrication d'un dispositif à semiconducteurs selon la revendication 22, caractérisé en ce qu'on accomplit le traitement du métal réfractaire (4) au cours de la seconde opération en définissant l'épaisseur de couche du métal réfractaire (4') qui reste sur la paroi latérale de la couche isolante (3), de façon qu'elle soit égale à une longueur de grille désirée. 24. Procédé de fabrication d'un dispositif à semiconducteurs selon la revendication 22, caractérisé en ce qu'on accomplit le traitement du métal réfractaire (4') au cours de la seconde opération par attaque anisotrope. 25. Procédé de fabrication d'un dispositif à semiconducteurs selon la revendication 24, caractérisé en ce qu'on accomplit le traitement du métal réfractaire (4) par attaque Ionique réactive, en utilisant un mélange de gaz consistant en CFH3 et 02 26. Procédé de fabrication d'un dispositif à semiconducteurs, selon la revendication 22, caractérisé en ce que la concentration d'impureté de la couche dopée avec une concentration élevée (5) est de 3 x 10 13/cm2 et la concentration d'impureté de la couche dopée avec une concentration inter- médiaire (8) est de 7 x 1012/cm2. 27. Procédé de fabrication d'un dispositif à semiconducteurs selon la revendication 22, caractérisé en ce que le métal réfractaire consiste en WSix, WN ou WSiN.