FR 2652200 A1 19910322 FR 8912405 A 19890921 L'invention concerne un procédé de réalisation d'un circuit semiconducteur intégré incluant un transistor bipolai- re à hétérojonction, ce procédé comprenant la réalisation sur un substrat semiconducteur dedites première, seconde et troi- sième couches semiconductrices de types de conductivité alter- nés formant des jonctions p-n dont au moins une est une hété- rojonction. L'invention concerne également la réalisation des résistances enterrées de faibles valeurs souvent nécessaires dans les circuits intégrés. L'invention trouve son application dans la réalisa- tion de circuits intégrés à grande vitesse et faible consomma- tion par exemple réalisés au moyen de couches de matériau III-V sur substrat de matériau III-V ou sur substrat de sili- cium. Un procédé de réalisation d'un transistor HBT non planaire est déjà connu du brevet US 4 731 340. Selon ce pro- cédé connu, des techniques de lift-off sont utilisées pour réaliser l'auto-alignement des contacts de base sur l'émet- teur. Un masque en photoresist qui définit un émetteur adja- cent au contact de base est formé sur un support approprié à constituer une hétérojonction bipolaire de matériaux semicon- ducteurs. Un contact de base est formé par gravure à travers la couche semiconductrice supérieure jusqu'à l'hétérojonction et un métal est déposé sur la couche semiconductrice infé- rieure de ladite hétérojonction. Un diélectrique est alors déposé sur les contacts de base formés précédemment, puis le masque en photorésist est éliminé ce qui constitue la techni- que de lift-off du diélectrique et du métal dans les régions o ils sont indésirables. Le contact d'émetteur peut à ce moment être réalisé du fait que le contact de base est encore couvert par le diélectrique. Le procédé se termine par la formation d'une ouverture jusqu'à la couche la plus profonde et la réalisation du contact de collecteur sur cette couche. Ce procédé comprend l'avantage de réaliser l'auto- alignement de la base sur la région d'émetteur, puis de réali- ser le contact d'émetteur par une méthode peu critique. De plus les flancs de l'émetteur sont protégés par un diélectri- que. Mais ce procédé présente l'inconvénient de ne pas réaliser les contacts de collecteur de manière suffisamment rapprochée des contacts de base ce qui augmente les éléments parasites intrinsèques associés au transistor et notamment les capacités base-collecteur. Or les éléments parasites diminuent considérable- ment la vitesse des transistors HBT. D'autre part, il est im- portant de diminuer les dimensions des transistors HBT pour réduire leur consommation, laquelle influe aussi sur la vites- se. C'est pourquoi un objet de la présente invention est de proposer un procédé de réalisation d'un transistor HBT dont non seulement la base et l'émetteur sont autoalignés, mais dont la distance base-collecteur est réduite, sans faire appel à des procédés de masquage sophistiqués, qui seraient coûteux ou non reproductibles. Un autre objet de l'invention est de fournir un procédé de réalisation d'un transistor HBT dont les performan- ces sont améliorées. Un autre objet de l'invention est de proposer un procédé de réalisation de résistances enterrées, qui sont for- mées au cours des mêmes étapes de fabrication que le transis- tor HBT. Ce procédé mis en oeuvre conjointement à celui de la réalisation du transistor HBT permet un gain de temps dans la réalisation d'un circuit intégré incluant à la fois un tel transistor et des résistances de faibles valeurs. Les buts de l'invention sont atteints au moyen d'un procédé tel que décrit dans le préambule et en outre caractérisé en ce que qu'il comprend: a) formation de l'émetteur par gravure autour d'un premier masque de la troisième couche semiconductrice juqu'à la seconde, résultant en un relief de hauteur Y,; b) réalisation d'une première couche diélectrique D1 uni- forme, présentant une ouverture en surface de l'émetteur; c) gravure, dans l'ouverture d'un dit second masque M3, délimitant le collecteur, de cette première couche diélectrique D1 et de la seconde couche semiconductrice jusqu'à la première, formant pour le collecteur une cavité de dimension transversale xl, répondant à la condition y1 d) dépôt d'une dite première couche métallique C1, de con- tact d'émetteur et de collecteur; e) dépôt uniforme d'une dite troisième couche diélectrique D3 choisie parmi les matériaux pouvant être gravés avec la même vitesse que la première couche diélectrique D1l et d'épaisseur Y2 répondant à la condition yl métallique C2 de contact de base. L'invention sera mieux comprise au moyen de la des- cription suivante illustrée schématiquement par les figures annexées dont: - la figure la qui montre en coupe une configuration de cou- ches propres à réaliser un transistor HBT, réalisées sur un substrat semiconducteur; - la figure lb qui montre en coupe le transistor HBT obtenu au moyen du procédé selon l'invention; - les figures 2a à 2j qui illustrent en coupe les différentes étapes du procédé selon l'invention dans un exemple de mise en oeuvre; - les figures 2k et 22 qui illustrent en coupe une méthode pour réaliser des interconnexions avec les électrodes du tran- sistor HBT de la figure lb; - les figures 3a à 3e qui illustrent en coupe un procédé de réalisation de résistances R de faibles valeurs pouvant être mis en oeuvre d'une manière concomitante avec le procédé de réalisation du transistor HBT réalisé dans les étapes des fi- gures 2a à 2j; - la figure 4a qui montre vu du dessus le transistor HBT de la figure lb, en outre muni des interconnexions de la figure 22; - la figure 4b qui montre vu du dessus la résistance R réali- sée au cours des étapes illustrées par les figures 3a à 3e. Dans un exemple de réalisation, le procédé de réa- lisation d'un transistor bipolaire à hétérojonction comprend les étapes suivantes, illustrées par les figures 2a à 2j qui sont des coupes selon l'axe BB' de la figure 4a, laquelle mon- tre le transistor HBT terminé vu de dessus: a) formation, illustrée par la figure la, d'un substrat en un matériau semiconducteur, favorablement l'arséniure du gal- lium semi-isolant ou le silicium muni d'une couche d'adap- tation de maille cristalline. b) formation, comme montré sur ladite figure la, par une mé- thode d'épitaxie usuelle, d'un empilement de couches de ty- pes de conductivité différents, par exemple une première G couche 11 de type n, une seconde couche 12 de type p, et une troisième couche 13 de type n. La première couche 11 de type n peut être formée de deux couches superposées 11a et 11b, respectivement de type n+ dopée à 5.1018 atomes par cm3 environ, et d'épaisseur 0,5pm pour la couche 11a, et de type ndopée à 5.1016 atomes par cm3 et d'épaisseur 0,5pm environ pour la couche 11b. Ces cou- ches seront de préférence en arséniure de gallium (GaAs). La seconde couche 12 de type p peut être formée de deux couches 12a et 12b; la couche 12a sera de préférence en arséniure de gallium p+ dopée à 1019 atomes par cm3 et d'é- paisseur 0,1pm; la couche 12b sera de préférence en arséniure de gallium (GaAs) non dopée intentionnellement et d'épaisseur 0,01pm. La troisième couche 13 de type n, peut être formée de deux couches 13a et 13b, respectivement de type n pour la couche 13a dopée à 5.1017 atomes par cm3 et d'épaisseur 0,2pm, et de type n+ pour la couche 13b dopée à 5.1018 atomes par cm3 et d'épaisseur 0,2pm, qui sera de préférence en arséniure de gallium (GaAs). Les épaisseurs et dopages sont donnés à titre d'exemple. La figure 2a montre une coupe du système de couches 11, 12 et 13. Pour former en outre une hétérostructure, la couche 13a sera de préférence en arséniure de gallium et d'aluminium (GaAlAs). A cet effet, elle peut aussi être constituée de deux couches superposées: une première couche 13al contenant une concentration d'aluminium progressive de 0 à 25% et d'épais- seur 0,03pm environ, et une seconde couche 13a2 contenant 25% d'aluminium et d'épaisseur environ 0,2pm. Les couches 11, 12 et 13 peuvent être réalisées par exemple par des méthodes d'épitaxie, telles que l'épitaxie par jet moléculaire ou l'épitaxie aux organo-métalliques ou toute autre méthode connue de l'homme du métier. c) Dépôt, illustré par la figure 2b, sur le dispositif montré sur la figure 2a, d'une couche de diélectrique Do, suivi du dépôt d'une couche de laque photosensible 19, pour réaliser un masque M1. Le diélectrique Do sera favorablement de la silice Si02, d'une épaisseur supérieure à Ipm. La couche de laque 20 aura favorablement une épaisseur d'environ 1,5pm. Le masque M1, formé au moyen de la couche 20 par une méthode usuelle connue de l'homme du métier est prévu pour protéger la future région active du transistor pendant la for- mation des régions d'isolation comme illustré par la figure 2c, le diélectrique Do est alors gravé jusqu'à la surface supérieure de la couche 13 (par exemple 13b) de matériau semiconducteur, de préférence par gravure sèche, par exemple à l'aide des gaz CHF3 et SF8. Le diélectrique Do restant constitue alors un mas- que Do1 et est surmonté du masque M1. Le dispositif ainsi constitué est ensuite soumis à l'étape suivante: d) implantation profonde comme montré sur la figure 2c de pro- tons ou de bore par exemple, pour constituer des régions d'isolation IS autour de la région protégée par Dol et Ml, région qui constituera la zone active du transistor; puis, à ce stade, le masque M1 est éliminé. e) formation comme montré sur la figure 2c d'un masque M2 en surface de la couche diélectrique Do1, par exemple au moyen d'une laque photosensible 20 d'épaisseur environ 1pm. Le masque M2 est destiné à délimiter l'émetteur 21 du transistor HBT. Les dimensions du masque M2 seront favorablement de 0,5pm à quelques pm dans le plan de la coupe de la figure 2c (coupe selon l'axe BB' de la figure 4a), et dans la direction perpendiculaire de Ipm à plusieurs dizaines de pm. Comme montré sur la figure 2d, le dispositif est alors soumis à une gravure autour du masque M2. La couche Dol est d'abord gravée par voie sèche ou humide. Puis la couche 13b en GaAs et la couche 13a en GaAlAs sont gravées par voie sèche ou humide, la gravure par voie sèche pouvant être effec- tuée par exemple au moyen de gaz chlorés tels que C C12F2, SiCl4, Cl2, BC13 et leurs dérivés en mélange avec CH4H2. L'arrêt de la gravure se fera sur la couche 12 de type p, en GaAs, ou éventuellement à l'intérieur de cette cou- che (voir la figure 2d). A l'issue de cette étape, si le diélectrique Do1 est la silice, il est éliminé par exemple à l'aide d'un bain chimique HF faiblement dilué. Si le diélectrique Dol est le nitrure de silicium, il peut éventuellement être conservé. Le plot d'émetteur 21, surmonté de Dol a alors une hauteur yl de l'ordre de 1,5pm. f) dépôt d'une couche de diélectrique D1, comme montré sur la figure 2e, en un matériau d'un type qui se dépose en couche uniforme, par exemple la silice SiO2. L'épaisseur de couche D1 est donc aussi importante en surface des plots d'émet- teur 21 qu'en surface de la couche 12. Cette couche doit montrer une épaisseur el supé- rieure à la hauteur Yl du plot d'émetteur 21 formé à l'étape e) surmonté éventuellement du masque M2 restant, ce qui con- duit à une épaisseur minimale d'environ 600nm. Cette épaisseur el est particulièrement importante du fait qu'elle définira ultérieurement la distance entre la base 23 du transistor HBT et son émetteur 21. L'épaisseur el la plus favorable pour la couche D1 est environ égale à 2 fois la hauteur Yl du plot d'émetteur éventuellement couvert de M2. el22Y1. g) dépôt comme montré sur la figure 2e, d'une couche diélec- trique D2 d'un type qui s'étend sous forme fluide, par exemple une résine époxy ou une laque photosensible. Cette dernière ne sera pas utilisée pour ses propriétés photosen- sibles mais comme couche présentant des propriétés d'une part de planarisation et d'autre part de gravure différen- tes de celle de la couche D1. De plus, elle s'étend en épaisseur plus faible sur les émetteurs qui présentent au moins une faible dimension comme on l'a dit, que sur d'au- tres motifs du dispositif, situés au même niveau que l'é- metteur et de plus grandes dimensions. Pour servir le but du procédé, cette laque sera soumise à une insolation au moins 4 fois supérieure à l'énergie d'insolation dans les conditions normales d'utilisation connues de l'homme du mé- tier pour l'utilisation en tant que masque usuel. Puis elle subira des recuits successifs de 90 à 180 C environ. h) Gravure uniforme de la couche D2 comme montré sur la figure 2e jusqu'à l'apparition de la surface de la couche D1 au dessus des motifs d'émetteur, par exemple par gravure RIE au moyen des gaz SF6 et CHF3. Puis gravure sélective des couches D1 et D2 simultanément avec une vitesse de gravure de la couche D1 supérieure à celle de la couche D2 jusqu'à l'apparition de la surface supérieure des plots d'émetteur (par exemple la surface supérieure de M2 s'il subsiste). Cette méthode permet d'ouvrir la couche D1 comme montré sur la figure 2f exclusivement sur les motifs présentant une de leur dimension faible devant les autres motifs du circuit intégré située au même niveau. Parmi les motifs présentant une faible dimension on trouve les plots d'émetteur 21 sur lesquels s'ouvre donc la couche D1. On notera qu'à l'issue de cette étape h) l'ensemble du dispositif est protégé par une couche de diélectrique D1 montrant des ouvertures 27a en forme de cuvettes de faible profondeur au-dessus des motifs tels que les émetteurs, comme montré sur la figure 2f. i) Réalisation, comme montré sur la figure 2f, d'un masque M3 présentant une ou des ouverture(s) 28 délimitant le(s) col- lecteur(s) 22 du transistor HBT et éventuellement des ré- sistances pour le circuit intégré (voir les figures 3). j) Gravure sèche dans l'ouverture 28 du masque M3 comme montré sur la figure 2g, du diélectrique D1 au moyen par exemple des gaz SF6 et CHF3 Si D1 est la silice (SiO2) jusqu'à la surface du matériau semiconducteur, c'est-à-dire de la cou- che 12 de type de conductivité p dans l'exemple décrit. Puis gravure, comme montré sur la figure 2g, des couches 12 de type p et 11 (lib) de type n et arrêt de la gravure en surface de la couche 11a de type n+, ou à l'intérieur de cette couche (au plus de quelques 10nm). La gravure des ma- tériaux semiconducteur 12 et 11 peut être effectuée par gravure sèche au moyen de gaz chlorés comme il a été dit précédemment, ou par gravure humide par exemple au moyen d'acide citrique en mélange avec H202. On notera que par la méthode selon l'invention, on peut réaliser, simultanément au transistor HBT, des résistan- ces R de faibles valeurs, dites résistances enterrées. Le pro- cédé de réalisation des résistances R est illustré par les fi- gures 3a à 3c en coupe selon l'axe AA' de la figure 4b et par les figures 3d, 3e en coupe selon l'axe BB' de cette figure. Ces résistances montrées vu du dessus sur la figure 4b sont formées au moyen de la couche 11a de type n+ en GaAs comme montré sur les figures 3c et 3e. Ces résistances présentent des valeurs dépendant du dopoge de la couche 11a de type n+. On obtient typiquement par ce procédé des résistances de l'ordre 20Q/7. Pour réaliser de telles résistances comme montré sur la figure 4b vu du dessus au cours des étapes de formation du transistor HBT, comme montré sur les figure 3a à 3d, le masque M3 sera judicieusement destiné (voir les figures 4b, 3a et 3d) notamment il n'excédera pas une dimension x2 entreprendre l'étape suivante de la réalisation du HBT. L'épaisseur de M31 doit être importante de l'ordre de 2 à 2,Spm. k) Elimination éventuelle du diélectrique restant D01 sur les plots d'émetteurs formant les ouvertures 27b, puis dépôt d'une couche C1, comme montré sur la figure 2g, pour réali- ser les contacts ohmiques de type n du transistor HBT sur la couche collecteur 11a et l'émetteur 21. Si le diélectrique Dol est le SiN, il sera éliminé par gravure sèche relativement douce pour ne pas perturber la couche n+ (13b) qui apparaîtra en surface du plot d'émetteur 21. Le gaz CF4 sera préféré. Les contacts ohmiques C1 sont donc déposés dans les ouvertures suivantes: - ouvertures 29 définissant les collecteurs, - ouvertures en surface de la couche 11a de part et d'autre du masque M31 (ou des ouvertures pour résistances). Ce dernier dépôt est destiné à former les extrémités 32 ou prises de con- tact desdites résistances R (voir les figures 3d et 3e), - ouvertures 27b dans la couche D1 au-dessus des plots d'émet- teur. Le métal pour réaliser la couche C1 sera favorable- ment déposé par évaporation sous vide ou par pulvérisation ca- thodique d'un alliage Au-Ge, suivie de l'évaporation ou pulvé- risation d'une couche de nickel, à la suite de quoi on formera l'alliage AuGeNi à environ 400 C à 450 C. L'épaisseur de la couche C1 sera favorablement de 0,1 à 0,5pm. 2) Dépôt, comme montré sur la figure 2h, d'une couche de dié- lectrique D3. Cette couche sera déposée aussi sur les ré- sistances R (voir la figure 3b). A cet effet le masque M31 sera préalablement éliminé effectuant le lift-off de C1. Cette couche sera de préférence en silice (SiO2) déposée par une méthode connue de l'homme du métier sous le nom de PECVD ou CVD. Cette couche a alors une épaisseur uniforme Y2 3pm est la dimension transversale des ouvertures 29 ayant permis la réalisation des collecteurs 22 lorsque l'on désire réaliser un contact C3 pour interconnexion du collec- teur, et o xl Le dépôt de la couche diélectrique D3 est suivi comme montré sur la figure 2h, du dépôt d'une couche diélec- trique D4 qui sera favorablement une laque photosensible trai- tée comme lors de l'étape g). Cette couche sera aussi déposée sur les résistances R (voir la figure 3b). m) Gravure, comme montré sur la figure 2i, des couches D3 et D4 par voie sèche à l'aide de gaz fluorés, et de façon uni- forme. Les vitesses de gravure des deux diélectriques sont donc choisies identiques. La gravure est pratiquée jusqu'au niveau supérieur de la couche métallique C1. n) Usinage ionique de la couche métallique C1 (voir la figure 2i). L'usinage ionique est une gravure mécanique. La couche métallique C1 est retirée par cette méthode sur l'ensemble de la couche diélectrique D1 à l'exception de la région d'émetteur o la couche C1 est protégée par le diélectrique D3 restant de l'étape précédente. On procède de même sur les résistances R. o) Gravure des diélectriques D1, D2, D4 par voie sèche, comme montré sur la figure 2j, on procède de même sur les résis- tances R. Les diélectriques D1 et D3 qui sont comme il a été dit du même matériau, de préférence la silice (SiO2), doivent être gravés avec des vitesses identiques. La vitesse de gravure du diélectrique D4 devra être plus élevée que celle de D1 et D3, dans le but d'obtenir une ouverture 24 sur les contacts de collecteur et éventuellement une ouverture 31 sur les plots de prise de contact des résis- tances R (voir les figures 2j, 3c et 3e). A l'issue de cette étape, il reste une protection de diélectrique D1 le long des flancs du plot d'émetteur 21. Cette protection facilitera l'autoalignement des contacts de base 23 du HBT dans l'étape suivante (voir la figure 2j et lb). p) réalisation, comme montré sur la figure 2j, d'un masque M4 laissant des ouvertures 25 définissant les bases 23 du HBT. Ces contacts de bases 23 sont de type p dans l'exemple décrit. Les contacts de base seront constitués, comme montré sur la figure lb, par une couche métallique C2 qui se dépose sur l'ensemble du dispositif et en parti- culier dans les ouvertures 25 et sur les plots d'émetteurs 21. Le métal de la couche C2 sera déposé par évapora- tion sous vide ou pulvérisation cathodique d'une multi-couche comprenant par exemple Ti puis Au, ou bien Ti, Pt, Au. Les épaisseurs des différents métaux n'excèdent pas 100 nm pour Ti et Pt, et environ 200nm pour Au. Un recuit permet ensuite de former le contact ohmique C2. La température sera de préfé- rence de l'ordre de 350 C, dépendant du dopage de la couche 12 de type p. Il peut encore se poser le problème de réaliser des interconnexions avec les plots de contacts d'émetteur, de ba- se, de collecteur ou d'extrémité de résistance R, du fait que ces éléments ne sont pas planaires. Les figures 2k et 22 illustrent un exemple de pro- cédé de réalisation de telles lignes d'interconnexion sur le collecteur et sur l'émetteur du HBT. La figure 3e illustre un même exemple de procédé appliqué aux extrémités de la résis- tance R. On réalisera d'abord des lignes C3 en remontant leur niveau, le reste du dispositif étant protégé. Puis, après éli- mination de la couche de protection, on déposera en premier une couche D5 identique à D3 décrite précédemment et de même une couche D6 identique à D4 et l'on procédera à la gravure de ces couches de manière identique; la seconde phase de gravure (gravure de D5 avec une vitesse supérieure à celle de DG) étant arrêtée dès l'apparition de la surface supérieure des couches d'émetteurs C2 et de l'extrémité de la ligne C3. Pour obtenir ce résultat, l'extrémité de la ligne C3 dont le niveau est supérieur au contact (22 pour le collec- teur ou 32 pour l'extrémité de la résistance R) avec lequel elle assure la liaison électrique, est retrécie ou munie d'un appendice de dimension transversale équivalente à celle de l'émetteur. On pourra par exemple adopter la forme montrée sur la figure 4a vu du dessus, qui montre le rétrécissement 35 de C3. On réalise ensuite des lignes conductrices C4 qui prennent contact avec C3 ou avec les couches C2 des émetteur par le moyen de ces ouvertures. Les lignes C3 et C4 sont réalisées par les méthodes de masquage et de dépôt de couches métalliques usuelles con- nues de l'homme du métier. Le relèvement du niveau de l'extrémité des lignes C3 est fait en formant des marches ou des pentes dans le maté- riau semiconducteur 10, comme montré notamment sur les figures 22 et 3e. La connexion des contacts de base 23 peut être fai- te d'une manière tout à fait analogue. REVENDICATIONS: 1. Procédé de réalisation d'un circuit semiconducteur intégré incluant un transistor bipolaire à hétérojonction et une résistance enterrée, ce procédé comprenant au moins la réalisation sur un substrat semiconducteur de dites première, seconde et troisième couches semiconductrices de types de conductivité alternés formant des jonctions p-n dont une au moins est une hétérojonction, caractérisé en ce qu'il-comprend en outre: a) formation de l'émetteur par gravure autour d'un premier masque de la troisième couche semiconductrice juqu'à la se- conde, résultant en un relief de hauteur Yl; b) réalisation d'une première couche diélectrique D1 uniforme, présentant une ouverture en surface de l'émetteur; c) gravure, dans l'ouverture d'un dit second masque M3, déli- mitant le collecteur, de cette première couche diélectrique D1 et de la seconde couche semiconductrice jusqu'à la pre- mière, formant pour le collecteur une cavité de dimension transversale xl, répondant à la condition yl autoalignées sur l'émetteur, d'une dite seconde couche mé- tallique C2 de contact de base. 2. Procédé selon la revendication 1, caractérisé en ce que pour pratiquer une ouverture dans la première couche dié- lectrique D1 en surface de l'émetteur lors de l'étape b), cet- te couche diélectrique D1 est d'abord déposé en une épaisseur uniforme el sur le matériau semiconducteur et sur l'émetteur, puis couverte d'une couche de planarisation D2, en ce-que la couche de planarisation D2 est soumise à une première phase de gravure sèche uniforme jusqu'à l'apparition de la surface de la couche du premier diélectrique D1, au-dessus des plots d'é- metteur, puis les deux couches diélectriques D1 et D2 sont soumises à une seconde phase de gravure sèche, anisotrope, du- rant laquelle le premier diélectrique D1 est gravé avec une vitesse supérieure à celle de la couche de planarisation D2, jusqu'à ce que la surface supérieure du plot d'émetteur appa- raisse. 3. Procédé selon l'une des revendications 1 ou 2, ca- ractérisé en ce que pour planariser le dispositif lors de l'é- tape f) la couche diélectrique D3 et la couche de planarisa- tion D4 sont gravées de manière uniforme, puis la couche mé- tallique de contact C1 est soumise à un usinage ionique, la partie de cette couche de contact C1 disposée en surface du plot d'émetteur étant épargnée par cet usinage du fait que la précédente gravure uniforme des couches D3 et D4 préserve une partie de couche diélectrique D3 en surface de la couche mé- tallique C3 sur ce plot d'émetteur. 4. Procédé de réalisation d'un circuit semiconducteur intégré selon l'une des revendications 1 à 3, ce procédé com- prenant pour la réalisation de la résistance enterrée au moins la réalisation sur le substrat semiconducteur d'une couche résistive semiconductrice, éventuellement couverte d'un empi- lement d'autres couches semiconductrices, caractérisé en ce qu'il comprend les étapes de: b') réalisation d'une première couche diélectrique D1. c') gravure, dans l'ouverture d'un dit second masque M3, de cette première couche diélectrique Dl, des couches semiconduc- trices éventuelles jusqu'à la couche semiconductrice résisti- ve; c") dépôt d'un masque M31 protégeant la région effective de la résistance en surface de la couche semiconductrice résistive; d') dépôt d'une dite première couche métallique C1 de contact d'extrémité de résistance autour du masque M31 de protection de la couche résistive et dans l'ouverture dudit second masque M3 5. Procédé de réalisation d'un circuit intégré in- cluant à la fois un transistor à hétérojonction et une résis- tance, caractérisé en ce que pour réaliser ces éléments de ma- nière concomitante, la dimension transversale x2 du masque M3 délimitant l'ouverture de la première couche diélectrique D1 dans l'étape c' est prévue telle que x2 mension transversale de l'ouverture de la couche D1 délimitant le collecteur du transistor HBT. 6. Procédé de réalisation selon la revendication 5, caractérisé en ce que sont menées respectivement de façon con- comitante: - les étapes b) et b'), - les étapes c) et c') suivie de c", - les étapes d et d'. 7. Procédé selon l'une des revendications précédentes - 25 caractérisé en ce que les diélectriques D1 et D3 lorsqu'ils existent sont choisis parmi la silice SiO2 et le nitrure de silicium Si3N4, et en ce que les couches de planarisation D2 et D4 lorsqu'elles existent sont choisies parmi les laques photosensibles et les résines polymérisables. 8. Procédé de réalisation selon l'une des revendica- tions 1 à 7, caractérisé en ce que le transistor bipolaire à hétérojonction est du type n-p-n, l'hétérojonction se situant au niveau de la jonction p-n supérieure, et en ce que les contacts sont du type ohmique respectif des couches sur lesquelles ils sont réalisés. 9. Procédé de réalisation selon l'une des revendica- tions précédentes, caractérisé en ce qu'il comprend une étape pour réaliser pour chaque dispositif, transistor HBT ou résis- tance respectivement une délimitation de sa zone active ou OS utile par des régions isolantes, formées par une méthode choi- sie parmi l'implantation de bore ou l'implantation de protons. 10. Procédé selon l'une des revendications précédentes caractérisé en ce que le substrat est choisi parmi l'arséniure de gallium semi-isolant ou le silicium muni d'une couche d'ar- séniure de gallium semi-isolant, et en ce qu'il est surmonté des couches successives suivantes: - une couche de type n+ dopée à environ 5.1018 atomes par cm3 d'épaisseur environ 0,5pm, en arséniure de gallium, - une couche de type n- dopée à environ 5.1016 atomes par cm3 d'épaisseur environ O,5pm, en arséniure de gallium, - une couche de type p+ dopée à environ 1019 atomes par cm3 d'épaisseur environ 0,lpm, en arséniure de gallium, - une couche non dopée intentionnellement d'épaisseur environ 0, 01pm, en arséniure de gallium, - une couche de type n dopée à environ 5. 1017 atomes par cm3 et d'épaisseur environ O,03pm, en arséniure de gallium et d'a- luminium, dont la concentration en aluminium est progressive de 0 à 25%. - une couche de type n dopée à environ 5.1017 atomes par cm3, d'épaisseur environ O,2pm, en arséniure de gallium et d'alumi- nium dont la concentration en aluminium est de l'ordre de 25%. - une couche de type n+ dopée à environ 5.1018 atomes par cm3 et d'épaisseur environ 0,2pm, en arséniure de gallium.