FR 2646963 A1 19901116 FR 9005819 A 19900510 I TRANSISTOR A BASE PERMEABLE La présente invention concerne un transistor à base perméable (qu'on appellera ci-après "TBP"), et elle porte plus particulièrement sur un tran- sistor de ce type ayant une structure dans laquelle un courant de canal circule dans une direction perpendiculaire à la direction de l'épaisseur du substrat. La figure 2(a) montre une coupe verticale d'un transistor à base per- méable du type enterré de l'art antérieur. Sur la figure 2(a), la référence 3 désigne une couche de source (ou d'émetteur) en semiconducteur de type n. On utilise pour cette couche de source 3 un substrat de type n ou une cou- che formée par croissance épitaxiale. Une couche de canal 1 est formée par croissance épitaxiale sur la couche de source en semiconducteur de type n. + Une couche de drain (ou de collecteur) en semiconducteur de type n, 4, est formée sur la couche de canal 1. Des grilles (bases) 2 consistant en couches minces de métal de type Schottky, formant un réseau, sont disposées dans la partie centrale de la couche de canal 1. Des couches de désertion de grille sont élargies dans une région voisine des grilles 2 pendant le fonc- tionnement du transistor. Les figures 2(b) et 2(c) montrent respectivement des coupes d'un transistor à base perméable du type à parois latérales creusées de l'art an- térieur et d'un transistor à base perméable du type à bords creusés de l'art antérieur. Dans le TBP du type à parois latérales creusées de la figure 2(b), on forme des sillons atteignant la partie centrale de la couche de canal 1 à partir de la surface de la couche de drain 4, et on forme des grilles 2 dans les sillons. Dans le TBP du type à bords creusés de la figure 2(c), on forme des grilles 2 dans les sillons, et on traite les bords des grilles 2 de façon à donner aux grilles une configuration de section transversale tra- pézoidale. Bien que les structures, en coupe, des TBP décrits ci-dessus soient mutuellement différentes, dans tous les TBP la région de base est constituée par des grilles en métal de type Schottky à couches minces formant un ré- seau, et par une partie de canal perméable au courant, et le courant de fonctionnement (courant de canal) circule dans la direction verticale, c'est- à-dire dans la direction de l'épaisseur du substrat. Le fonctionnement de base de ces transistors est le suivant. Lorsqu'un signal de commande d'entrée est appliqué à la grille métallique de type Schottky, qui remplit la fonction d'une base, la couche de désertion de gril- le est modulée, ce qui a pour effet de moduler le courant de grille dans le canal. Ces TBP ont les caractéristiques de fonctionnement suivantes. 1) Du fait que la région de base a une structure de type longitudinal dans laquelle le courant de canal circule dans la direction de l'épaisseur du substrat, l'épaisseur de la grille métallique correspond à la longueur de grille, ce qui fait qu'on peut aisément obtenir une longueur de grille très faible d'environ 0,1 micron. On a espéré obtenir un fonctionnement à une fréquence extrêmement élevée avec un dispositif ayant une telle structure longitudinale. 2) Du fait que la couche active entre les couches de drain et de source est formée par un procédé de croissance épitaxiale, l'épaisseur de couche peut être faible, c'est-à- dire qu'elle peut avoir une valeur allant jusqu'à environ 0,2 à 0,5 micron. Dans un semiconducteur composé ayant une faible masse effective, tel que GaAs, il se produit une conduction électroni- que balistique dans une telle couche active mince, ce qui permet de réduire le retard de propagation de grille. Ceci conduit à un fonctionnement à une vitesse extrêmement élevée. 3) Du fait que le signal de commande d'entrée est appliqué à la capa- cité de la couche de désertion de grille à travers le métal de grille, les pertes dues aux résistances parasites sont moindres que dans le cas de tran- sistors bipolaires dans lesquels le signal de commande d'entrée est appliqué à travers la couche de semiconducteur de base. (4) Dans une structure dans laquelle on utilise le substrat n pour la couche n* de source, on peut obtenir une inductance faible pour la connexion à la masse, ce qui conduit à un transistor convenant pour un fonctionnement à fréquence élevée et à puissance élevée. Cependant, dans la structure de TBP de l'art antérieur correspondant à un dispositif de type longitudinal, du fait que l'électrode de grille 2 se trouve dans la partie centrale de la couche de canal 1 qui est une couche formée par croissance épitaxiale, comme le montre la figure 2(a), la qualité du cristal semiconducteur est dégradée dans la moitié supérieure de la cou- che de canal 1, ce qui fait que l'on rencontre des difficultés pour augmen- ter la tension de claquage. En outre, dans les structures de TBP qui sont représentées sur la figure 2(b) et 2(c), bien que la dégradation de la qua- lité du cristal ne soit pas un problème important du fait qu'il n'existe pas de couche de semiconducteur sur l'électrode de grille 2, il apparaît un pro- blême qui consiste en ce que la séparation entre l'électrode de grille 2 et l'électrode de drain 4 est structurellement-difficile à réaliser. Un but de l'invention est de procurer un transistor à base perméable capable d'éviter la dégradation de la qualité du cristal semiconducteur au voisinage de l'électrode de grille (base), et qui convienne en outre pour fabriquer une structure de transistor dans des conditions bien définies et avec une reproductibilité élevée. Selon un aspect de l'invention, un transistor à base perméable com- porte une couche de source n et une couche de drain n qui sont disposées dans une couche de semiconducteur semi-isolant, dans une direction perpen- diculaire à la direction de l'épaisseur de cette dernière, et une électrode de grille en forme de réseau est formée entre les couches de source et de drain n., pour permettre ainsi la circulation d'un courant de fonctionnement dans la direction transversale, c'est-à-dire dans la direction perpendicu- laire à l'épaisseur du substrat. On peut donc former une couche de canal sans former une couche épitaxiale sur l'électrode de grille, comme dans la structure de TBP de type longitudinal de l'art antérieur, et on peut éviter la dégradation de la qualité du cristal de la couche de canal formée par croissance épitaxiale, au voisinage de l'électrode de grille. En outre, du fait que la couche de drain et l'électrode de grille sont disposées dans une direction horizontale, avec une distance prédéterminée entre elles, il n'est pas nécessaire de séparer l'électrode de grille et l'électrode de drain dans la direction verticale, ce qui permet d'éliminer un problème consistant en ce que la séparation entre l'électrode de grille et l'électrode de drain ne peut pas être entièrement réalisée. Ceci conduit à une amélioration des performances du transistor et du rendement de fa- brication. L'invention sera mieux comprise à la lecture de la description qui va suivre de modes de réalisation, donnés à titre d'exemples non limitatifs. La suite de la description se réfère aux dessins annexes dans lesquels: Les figures l(a) à l(c) sont des schémas montrant respectivement une représentation en plan et une représentation en coupe d'un TBP conforme à un premier mode de réalisation de l'invention; Les figures 2(a).à 2(c) sont des schémas montrant respectivement des représentations en coupe de structures de TBP de l'art antérieur; Les figures 3(a) à 3(i) sont respectivement des représentations en cou- pe et en plan d'étapes d'un processus de fabrication d'un TBP de la fi- gure 1; et La figure 4 est un schéma montrant une représentation en plan d'un TBP conforme à un second mode de réalisation de l'invention. Les figures l(a)-l(c) montrent un TBP conforme à un premier mode de réalisation de l'invention. La figure 1(a) montre une représentation en plan de la structure d'un TBP, la figure l(b) montre une coupe selon ta li- gne Ib-Ib' parallèle à la direction de canal du TBP de la figure l(a). et la figure l(c) montre une coupe selon la ligne Ic-lc', perpendiculaire a la direction de canal de la figure l(a). Sur les figures I(a)-l(c), la référence désigne un substrat semi-isolant en GaAs ayant une concentration en im- 14 16 -3 puretés de 10 à 10 cm, au plus. Une région de source n 3 et une région de drain n* 4 sont formées face à face dans le substrat 100. Lne électrode de grille (base) enterrée 2 ayant une configuration en forme de doigts disposés en ligne droite avec des intervalles predétermlnes en- tre eux et consistant en une couche de métal ou de semiconducteur a faible réslstance, est formée dans une région comprise entre les ré- + glons n de source et de drain, 3 et 4, lesquel les sont des réglons à concentration élevée ayant une configuration plane rectangulaire Une électrode de source 5 et une électrode de drain 6 sont respectivPment + 4 formées sur la région n de source 3 et sur la région n de dra;r 4 Une électrode de connexion de grille 7 est formée sur le substrat 0 et est connectée à l'ensemble d'électrodes de grille enterrees 2 Des es- paces 8 sont formés dans des parties comprises entre des électrodes de gril- le enterrées 2 adjacentes, de façon que les électrodes 2 ne soient pas en contact avec le substrat 1. Ces espaces 8 ne sont pas obligatoires. Les électrodes de grille enterrées 2 sont disposées de façon à s'éten- dre sur une longueur de plusieurs centaines de microns, avec des intervalles d'environ 0,1 à 10 microns entre des électrodes adjacentes, dans la direc- tion longitudinale des régions de source et de drain. La longueur de grille est inférieureà 0,5 micron (500 rnm). La profondeur des couches n+ de source et de drain 3 et 4 est supérieure à plusieurs microns, de façon que le cou- rant d'attaque soit l'équivalent de celui de la structure de TBP de type longitudinal de l'art antérieur. Dans la structure TBP de ce mode de réalisation, bien que le fonc- tionnement de base soit le même que celui du TBP de l'art antérieur, le courant de canal circule entre la couche n de source 3 et la couche n de drain 4 dans la direction perpendiculaire à la direction de l'épaisseur du substrat. On va maintenant décrire le procédé de fabrication du TBP de ce mo- de de réalisation en se référant aux figures 3(a)-3(i). En premier lieu, comme le montre la figure 3(a), on forme une pre- mière couche isolante sur la totalité de la surface d'un substrat 100 en GaAs semi-isolant, et on forme un motif dans cette couche au moyen d'une première couche de résine photosensible 9, pour produire ainsi un motif iso- lant 10, dans le but de former des couches n: de source et de drain. On fixe la largeur du motif 10 de façon que l'intervalle entre les couches n de source et de drain 3 et 4 soit inférieur à environ 0,5 micron. Ensuite, comme le montre la figure 3(b), on grave sélectivement le substrat 100 en GaAs, jusqu'à une profondeur supérieure à quelques microns, en utilisant comme masque le motif de couche isolante 10. Ensuite, comme le montre la figure 3(c), on fait croître par épitaxie les couches n* de source et de drain 3 et 4 dans la partie gravée la. Ensuite, comme le mon- tre la figure 3(d), on forme sur la totalité de la surface une seconde cou- che isolante 12 d'un type différent du motif de couche isolante 10. On en- lève ensuite le motif 10 en même temps que la seconde couche isolante 12 qui est formée sur lui, ce qui a pour effet de laisser sélectivement et de façon auto-alignée, la seconde couche isolante 12 sur les couches épitaxiales n 3 et 4. Ensuite, comme le montre la figure 3(e), on forme sur la totalité de la surface une troisième couche isolante 20 du même type que le motif de couche isolante 10. Ensuite, comme le montre la figure 3(f), on grave la couche isolante 20 de façon qu'il reste des parois latérales 20a de la cou- che isolante 12 sur les couches épitaxiales 3 et 4, et de façon que des par- ties de surface de GaAs à nu, lb, d'une largeur inférieure à 0,5 micron (et de façon caractéristique inférieure à 0,1 micron) soient formées de maniè- re auto-alignée entre les parois latérales 20a. On forme ensuite la seconde couche de résine photosensible 13 sur la totalité de la surface, et on dé- finit un motif dans cette couche pour produire une ouverture 13a ayant une largeur supérieure à celle des parties à nu lb. Ce motif de résine photo- sensible 13 comprend des parties de motif 13b qui sont destinées à former des espaces 8, comme le montre la figure 3(i). Ensuite, comme le montre la figure 3(g), on grave sur une profondeur de plusieurs microns les parties à nu en GaAs lb, qui sont des régions pré- vues pour enterrer le matériau d'électrode de grille, pour former ainsi des puits profonds lc, et en cd'se séletivaTent nm rétal de grille dans les p:lts lc par des techniques telles que la croissance épitaxiale, la pulvérisation ca- thodique ou le dépôt en phase vapeur. On forme ensuite une métallisation d'électrode de connexion de grille 7, par pulvérisation cathodique ou dépôt en phase vapeur, en utilisant comme masque la couche de résine photosensi- ble 13. Enfin, comme le montre la figure 3(h), on enlève la seconde couche isolante 12 et les parois latérales 20a, et on forme une électrode de sour- ce 5 et une électrode de drain 6, de façon auto-alignée, en utilisant un procédé d'évaporation. Le TBP de ce mode de réalisation est notablement différent du TBP de l'art antérieur dans la mesure o la région de source 3, la région de drain 4 et les électrodes de grille enterrées 2 sont disposées de façon que le courant de canal circule dans une direction perpendiculaire à la direction de l'épaisseur du substrat. En adoptant une telle disposition, on peut for- mer les électrodes de grille enterrées 2 dans les puits lc du substrat 100, et une couche de canal peut être constituée non pas par une couche épita- xiale formée sur l'électrode de grille enterrée, mais par un substrat cris- tallin massif semi-isolant. Par conséquent, du fait qu'il n'est pas néces- saire de former une couche de canal par croissance épitaxiale sur une grille, Il n'y a plus de dégradation de la qualité du cristal au voisinage de la grille, c'est-à-dire de dégradation des caractéristiques à cause de la crois- sance épitaxlale. Ceci permet d'obtenir un TBP plus performant, ayant une tension de claquage plus élevée et pouvant donner lieu à une conduction balistique. En outre, du fait que la couche de drain et l'électrode de grille sont disposées dans une direction horizontale avec une distance prédéterminée entre elles, on peut éviter une séparation incorrecte entre l'électrode de grille et l'électrode de drain, ce qui permet d'améliorer la maîtrise de divers paramètres dans la fabrication du TBP. En outre, du fait que ce TBP a une structure de type transversal, le processus de fabrication est compatible avec celui de transistors à ef- fet de champ. On peut donc réaliser aisément un circuit intégré contenant de tels transistors à base perméable et des transistors à effet de champ. Bien que dans le mode de réalisation qui est décrit ci-dessus l'élec- trode de connexion de grille soit formée après la formation du métal enter- ré pour la grille, il est possible de former simultanément par croissance épitaxiale l'électrode de connexion de grille et le métal enterré pour la grille. En outre, le substrat pour la formation d'un transistor n'est pas li- mité à GaAs, et on peut utiliser d'autres composés du groupe Ill1-V, tels que InP ou InGaAs, ayant une mobilité élevée, ou Si. En ce qui concerne la couche de semiconducteur pour former un transistor, on peut utiliser à la place du substrat décrit ci-dessus une couche formée par croissance épita- 14 -3 xiale ayant une concentration d'impuretés inférieure à 1014 cm 3, qui est formée sur le substrat. La disposition plane des couches de source/drain et de l'électrode de grille n'est pas limltée à celle qui est représentée sur la figure 1(a), et ces couches peuvent être disposées comme le montre la figure 4. Sur la fi- gure 4, la référence 3 désigne une région de source n de forme annulaire à concentration élevée qui est formée dans un substrat sem-- conducteur semi-isolant 100. Des électrodes de grille en- terrées 2 sont disposées le long de la périphérie intérieure + de la région de source n 3 avec des intervalles prédé- + terminés entre elles. Une région de drain n 4 de forme car- culaire à concentration élevée est disposée dans une réglon située du côté intérieur des électrodes de grille enterrées 2. Les références 5 et 6 désignent respectivement une électrode de source et une électrode de drain. Ce second mode de réalisa- tion procure des effets identiques à ceux du premier mode de réalisation décrit ci-dessus. Comme il ressort de façon évidente de la description précédente, et conformément à l'invention, du fait qu'une couche de source, une couche de drain et une électrode de grille sont disposées de façon que le courant de canal circule dans la direction perpendiculaire à la direction de l'épais- seur du substrat, il n'est pas nécessaire d'effectuer une opération de crois- sance épitaxiale pour former une couche de canal sur l'électrode de grille (base) enterrée, ce qui permet d'éviter la dégradation de la qualité cris- talline de la couche de canal. Ceci conduit à un transistor à base perméa- ble ayant des performances plus élevées, avec une tension de claquage éle- vée et une excellente conductivité balistique. REVENDICATIONS 1. Transistor à base perméable, caractérisé en ce qu'il comprend une région de source (3) et une région de drain (4) formées face à face dans une couche de semiconducteur semi-isolant (100); et une électrode de grille (2) comportant une ouverture perméable au courant à travers laquelle circule un courant de canal, disposée entre la région de source (3) et la région de drain (4); et en ce que les régions de source et de drain (3, 4) et l'électrode de grille (2) sont disposées de façon que le courant de ca- nal circule dans une direction perpendiculaire à la direction de l'épais- seur de la couche de semiconducteur semi-isolant (100). 2. Transistor à base perméable selon la revendication 1, caractérisé en ce que la couche de semiconducteur semi-isolant est un substrat cristal- lin massif semi-isolant (100) dans lequel on a formé sélectivement un en- semble de puits gravés profonds (lc), et l'électrode de grille (2) est cons- tituée par un métal ou un semiconducteur à faible résistance enterré dans les puits gravés (lc). 3. Transistor à base perméable selon la revendication 2, caractérisé en ce que l'électrode de grille est constituée par un ensemble d'électrodes de grille enterrées (2) qui sont enterrées dans le cristal massif semi- isolant (100) et qui sont disposées en une ligne droite avec des intervalles prédéterminés entre elles; et les régions de source et de drain (3, 4) sont constituées par des réglons à concentration élevée, ayant une configuration plane rectangulaire, qui sont disposées en ligne droite de part et d'autre des électrodes de grille (2). 4. Transistor à base perméable selon la revendication 2, caractérisé en ce que l'électrode de grille est constituée par un ensemble d'électrodes de grille enterrées (2) qui sont disposées en une configuration annulaire dans le substrat cristallin massif semi-isolant (100), avec des intervalles prédéterminés entre elles, et l'une des régions de drain ou de source (4, 3) consiste en une région de forme circulaire à concentration élevée qui est disposée à l'intérieur des électrodes de grille enterrées (2), tandis que l'autre région parmi les régions de drain ou de source consiste en une ré- gion de forme annulaire à concentration élevée qui est disposée à l'exté- rieur des électrodes de grille enterrées (2), de façon à entourer ces élec- trodes de grille. 5. Un transistor à base perméable selon la revendication 3, carac- térisé en ce que l'électrode de grille est constituée par l'ensemble d'élec- trodes de grille enterrées (2) disposées sur une longueur de plusieurs cen- taines de microns, avec un intervalle d'environ 0,1 à 10 microns entre des électrodes adjacentes, et en ce que la longueur de grille est inférieure à 0,5 micron. 6. Un transistor à base perméable selon la revendication 4, carac- térisé en ce que l'électrode de grille est constituée par l'ensemble d'élec- trodes de grille enterrées (2) disposées sur une longueur de plusieurs cen- taines de microns, avec un intervalle d'environ 0,1 à 10 microns entre des électrodes adjacentes, et en ce que la longueur de grille est Inférieure à 0,5 micron. 7. Un transistor à base perméable selon la revendication 3, carac- térisé en ce qu'une électrode de connexion de grille (7) qui est connectée à l'ensemble d'électrodes de grille enterrées (2) est formée sur le substrat cristallin massif semi-isolant (100). 8. Un transistor à base perméable selon la revendication 4, carac- térisé en ce qu'une électrode de connexion de grille (7) qui est connectée à l'ensemble d'électrodes de grille enterrées (2) est formée par le substrat cristallin massif semi-isolant (100). 9. Un transistor à base perméable selon la revendication 7, carac- térisé en ce que des espaces (8) sont formés dans des parties du substrat (100) entre les électrodes de grille enterrées (2), de façon que l'électro- de de connexion de grille (7) ne soit pas en contact avec le substrat (100). 10. Un transistor à base perméable selon la revendication 8, carac- térisé en ce que des espaces (8) sont formés dans des parties du substrat (100) entre les électrodes de grille enterrées (2), de façon que l'électro- de connexion de grille (7) ne soit pas en contact avec le substrat (100). Il. Un transistor à base perméable selon la revendication 7, carac- térisé en ce que l'électrode de connexion de grille (7) et l'électrode de grille enterrée (2) sont formées simultanément par croissance épitaxiale. 12. Un transistor à base perméable selon la revendication 8, carac- térisé en ce que l'électrode de connexion de grille (7) et l'électrode de grille enterrée (2) sont formées simultanément par croissance épitaxiale. 13. Un transistor à base perméable selon la revendication 2, carac- * Il térisé en ce que le substrat cristallin massif semi-isolant (100) est un substrat en GaAs semi-isolant. 14. Transistor à base perméable selon le revendication 2, caracté- risé en ce que le substrat cristallin massif semi-isolant (100) est constitué par d'autres semiconducteurs, en particulier d'autres composés III-V ou Si. 15. Transistor à base perméable selon la revendication 1, caracté- risé en ce que la couche de semiconducteur semi-isolant consiste en une couche épitaxiale ayant une concentration en impuretés inférieure à 1014 cm-3 qui est formée sur un substrat en GaAs semi-isolant.