FR 2643508 A1 19900824 FR 9000690 A 19900122 La présente invention concerne un procédé de fabrication d'un dispositif semiconducteur et, en particulier, une technique d'abaissement de la.resistance electrique de porte dans un procédé de fabrication d'un transistor å effet de champ en GaAs à pprte auto-alignée en métal réfractaire. Les figures 7a å 7i montrent des vues en coupe transversale d'un dispositif semiconducteur aux stades principaux de sa fabrication par un procédé selon la technique antérieure. Tout d'abord, comme représenté sur la figure 7a, une couche active 2 est produite en un endroit voulu sur un substrat semi-isolant 1 en GaAs par implantation d'ions, puis, comme représenté sur la figure 7b, une couche de siliciure de métal réfractaire, comme par exemple la couche 3 en WSi , est appliquée sur toute la surface du substrat semi-isolant 1 en GaAs par pulvérisation sous vide ou déposition et un élément formant porte comprenant une pellicule photorésistance 6 est produit sur une partie de la couche 3 où il s'agit de former une porte. Ensuite, comme représenté sur la figure 7c, la couche 3 de WSi est sélectivement réduite par décapage aux ions réactifs (appelé ci-après '~DIR# > en utilisant un mélange gazeux CF4 + 2 ou du SF6 gazeux et en se servant de la pellicule photorésistante 6 comme masque.Alors, une implantation d'ions est effectuée en utilisant la couche 3 de WSix décapée sélectivement, c'est-à-dire une porte en métal réfractaire, en tant que masque et en procédant à un recuit pour former une couche 4 à forte concentration d'impuretés (figure 7d). hyrès cela, comme représenté sur la figure 7e, une pellicule isolante 5 (en Sirs) est appliquée sur toute la surface du substrat semi-isolant 1 en GaAs au moyen d'un appareil CVD au plasma et ensuite, comme repré senté sur la figure 7f, une pellicule photorésistante 9 est dosée sur cette pellicule isolante, de façon à égaliser la surface, par un appareil à déposer de la matière photorésistante. Ensuite on procède à un décapage jusqu'à ce que la couche 3 de WSi se trouve mise à nu, dans des conditions où la vitesse de décapage de la pellicule photorésistante 9 et celle de la pellicule isolante 5 sont rendues égales l'une à l'autre, par un appareil de décaage (figure 7g), après quoi, comme représenté sur la figure 7h, il est procédé à la mise en place de la pellicule photorésistante 7 sous une forme bien définie, et un revêtement 8 à plusieurs couches de métaux à faible résistance, tels que Ti/Mo/Au, est déposé sur l'ensemble, puis enlevé en partie. Enfin, comme rep résenté sur la figure 7i, des électrodes source et drain 10 sont réalisées. Toutefois, dans le procédé de fabrication d'un dispositif semiconducteur selon la technique antérieure il est nécessaire de découvrir la surface de la pellicule de WSi dans des conditions de planéité uniforme sur toute la surface de la plaquette au cours de la mise à nu du dessus de l'électrode formant porte 3 en métal réfractaire (pelli- cule de WSix) et, pour ce faire, un haut degré d'uniformité en ce qui concerne par exemple l'épaisseur de la pelli- cule isolante et la planéité de la surface de la pellicule photorésistante, après application de celles-ci, est requis, ce qui se traduit par une diminution du rendement. De plus, la croissance de la pellicule isolante, l'application de la pellicule phôtorésistante ou la réduction de la pellicule photorésistante par décapage doivent etre effectuées par des appareils séparés, ce qui pose des problèmes de rendement du travail. La présente invention a pour objet de créer un procédé de fabrication d'un dispositif semiconducteur, capable de mettre à nu la surface d'une couche formant porte en métal réfractaire pour un haut degré de d'uniformité de la surface de la plaquette, et permettant ainsi, par un processus de fabrication simplifié, d'obtenir un dispositif semiconducteur présentant une porte à faible résistance. D'autres obJets et avantages de la présente inven- tion appara#tront à la lecture de la description détaillée qui va suivre t il est toutefois à noter que la description détaillée et les modes de réalisation particuliers ne sont donnés qu'à titre d'illustratif car divers changements et modifications pourront y être apportés, sans sortir du cadre de l'invention, par ceux spécialisés dans ce domaine. Dans un procédé selon l'invention pour la fabrication d'un dispositif semiconducteur une électrode formant porte en métal réfractaire est produite sélectivement sur un substrat, puis des régions de la surface du substrat, autres que la région de l'électrode porte, sont recouvertes de pellicules isolantes produites par le procédé CVD au plasma à absorption d'énergie par des électrons à partir d'un champ électrique alternatif de fréquence égale à celle de résonance d'un cyclotron, ou procédé "electron cyclotron resonance (ECR) plasma CVD~, avec application d'une polarisation à haute fréquence au substrat et, en outre, l'électrode porte en métal réfractaire présente une structure d'électrode comprenant une couche de siliciure de métal réfractaire et une couche de métal réfractaire déposée sur cette dernière.En conséquence, la déposition d'une pellicule isolante, l'égalisation de la pellicule isolante et la mise à nu du dessus de l'électrode porte en métal réfractaire peuvent s'effectuer simultanément et la mise à nu du dessus de l'électrode porte en métal réfractaire peut se réaliser uniformément dans la surface de la plaquette. En outre, la couche de métal réfractaire est rendue suffisamment mince pour permettre de façonner la double couche verticalement lors du décapage aux ions réactifs (DIR) pour la fabrication de l'électrode, et la couche de métal réfrac taire est rendue suffisamment épaisse pour obtenir une sélectivité suffisante durant le décapage par pulvérisation sous vide.En conséquence, la mise à nu de l'électrode porte en métal réfractaire peut être conduite de façon sûre sans donner lieu à une suppression de matière constitutive de l'électrode. L'invention est expliquée plus en détail ci-dessous à l'aide des dessins annexés sur lesquels les figures la à ld représentent, en coupe transversale, les principaux stades d'un procédé de fabrication d'un dispositif semiconducteur selon un premier mode de réalisation de la présente invention ; les figures 2a à 2d sont des vues, en coupe transversale, de la structure du dispositif, destinées à élucider des ?roblèmes posés par le procédé de fabrication de la figure 1 les figures 3a à 3d sont des vues, en coupe transversale, servant à expliquer le principe de la manière de résoudre les problèmes posés par le mode de réalisation précité du procédé de fabrication selon l'invention les figures 4a à 4i sont des vues, en coupe transversale, des principaux stades d'un procédé de fabrication d'un dispositif semiconducteur selon un deuxième mode de réalisation de l'invention ; les figures Sa à 5e sont des vues, en coupe transversale, des principaux stades d'un procédé de fabrication d'un dispositif semiconducteur selon un troisième mode de réalisation de l'invention ; les figures 6a à 6d sont des vues, en coupe transversale, servant à expliquer des problèmes pour le cas où le métal réfractaire est trop épais dans le procédé représenté sur la figure 3 ; et les figures 7a à 7i sont des vues, en coupe transversale, des principaux stades d'un procédé de fabrication d'un dispositif semiconducteur complet selon la technique antérieure. Plusieurs exemples de réalisation de la présente invention sont décrits ci-après en détail en se référant aux dessins annexés. Sur les figures la à ld, représentant en coupe transversale les principaux stades d'un procédé de fabrication d'un dispositif semiconducteur selon un premier mode de réalisation de l'invçntion, sont utilisés les mêmes chiffres de référence que ceux des figures 7a à 7d dXsi- gnant les mêmes éléments constitutifs.La référence 5a-désigne une pellicule d'oxyde de silicium de 1000 angströms d'épaisseur produite par le procédé CVD au plasma à absorp- tion d'énergie par des électrons à partir d'un champ électrique alternatif de fréquence égale à celle de résonance d'un cyclotron, ou procédé "electron cyclotron resonance (ECR) plasma CVD", sans soumettre le substrat à une polarisation, les débits de silane et d'oxygène étant dans le rapport 5 : 3 et la pression gazeuse étant de 1,0 x torrs.Une pellicule d'oxyde de silicium 5b présentant une surface plane est produite par un procédé CVD au plasma ECR en soumettant le substrat 1 à une polarisation à haute fréquence de 80 W, les débits d'argon, de silane et d'oxygène étant dans le rapport 6 : 1 : 5 et la pression gazeuse étant de 7 x î0-4 torrs. Une pellicule d'oxyde de silicium 5c est obtenue en mettant en oeuvre un procédé au plasma ECR utilisant un mélange gazeux de N2 et Ar, le substrat 1 étant soumis à une polarisation à haute fréquence de 80 W, et en faisant subir à la pellicule d'oxyde de silicium 5b une pulvérisation cathodique sous vide jusqu'à ce que la pellicule de WSix 3 se trouve mise à nu. Le procédé de fabrication est décrit ci-dessous. Les processus de fabrication jusqu'à la figure la inclusivement sont les mêmes que ceux des figures 7a à 7d du procédé de la technique antérieure. Cependant l'épais- seur de la pellicule de WSix 3 est de 3000 angströms. Lorsqu'une électrode porte 3 en métal réfractaire (pellicule de WSix) a été réalisée, comme représenté sur la figure 7d, une pellicule d'oxyde de silicium 5a est-déposée, comme représenté sur la figure la, jusqu'à obtention d'une épaisseur de 1000 angstroms, les débits de silane et d'oxygène étant dans le rapport 5 : 3 et la pression gazeuse étant de 1,0 x 10-3 torrs, par un procédé CVD au plasma ECR sans soumettre le substrat à une polarisation. Dans ce cas, à la différence du procédé CVD au plasma généralement utilisé, la pellicule d'oxyde de silicium 5a n'est pas appliquée sur la paroi latérale de la pellicule 3 de WSix. Puis une pellicule d'oxyde de silicium 5b est déposée en soumettant le substrat l à une polarisation à haute fréquence de 80 W. Dans ce cas le rapport de la vitesse de décapage de la pellicule à la vitesse de croissance de la pellicule est plus élevé dans une partie au voisinage de la pellicule 3 de WSix que dans la région située au-dessus d'une partie du substrat autre que celle au voisinage de la pellicule 3. De ce fait la pellicule d'oxyde de silicium est déposée plus rapidement dans toute région au-dessus du substrat 1, autre que celle voisine de la pellicule 3, que dans cette portion avoisinante, et finalement une pellicule d'oxyde de silicium 5b, comme celle représentée sur la figure lb, est obtenue.Puis, une polarisation à haute fréquence de 80 W est appliquée au plasma ECR comprenant un mélange gazeux d'azote et d'argon par le même appareil, et une pellicule isolante 5c est obtenue en soumettant la pellicule d'oxyde de silicium 5b à une pulvérisation cathodique sous vide jusqu'à ce que la pellicule 3 de WSix soit mise à nu (figure lc). Ensuite, comme représenté sur la figure Id, il est procédé à une mise en forme d'une pellicule photorésistante 7 et un revêtement métallique 8 à plusieurs couches de métaux à faible résistance électrique, comme par exemple Ti(200 angstroms)/Mo(500 angstroms)/Au(5000 angstroms), est appliqué sur la pellicule 3 de WSix par la méthode de d6?o- sition et d'enlèvement partiel. Enfin, une électrode source et une électrode drain sont produites de façon à parachever un transistor à effet de champ å porte auto-alignée en métal réfractaire et présentant une porte à faible résistance électrique (figure 7i). Dans ce mode de réalisation une électrode porte 3 en métal réfractaire comprenant une pellicule de WSix d'une épaisseur de 3000 angströms est produite sur un substrat 1, et une pellicule d'oxyde de silicium 5a est déposée sur cette dernière jusqu'à une épaisseur de 1000 angstroms par un procédé CVD au plasma ECR sans soumettre le substrat à une polarisation, après quoi une polarisation à haute fréquence de 80 W est appliquée au substrat 1 de façon à dépo- ser une pellicule plane 5b d'oxyde de silicium, et une polarisation à haute fréquence de 80 W est appliquée au ?las- ma ECR comprenant un mélange gazeux d'azote et d'argon et la pellicule 5b d'oxyde de silicium est soumise à une pul- vérisation cathodique sous vide jusqu'à ce que la pellicule 3 de WSix se trouve mise à nu. Par conséquent, la mise à nu du dessus de la pellicule 3 de WSix est réalisée avec une bonne uniformité sur la surface de la plaquette et, en outre, la réalisation et le décapage de la pellicule isolante peuvent etre effectuées par un seul appareil de pulvérisa- tion cathodique sous vide. Ainsi la réalisation de la pellicule isolante se trouve simplifiée, permettant ainsi de fabriquer, par un processus de production simple et avec un haut rendement, un dispositif semiconducteur présentant une ortie à faible résistance électrique. Toutefois, dans le premier mode de réalisation décrit ci-dessus, durant le décapage par pulverisation cathodique sous vide utilisant un plasma d'un mélange gazeux de N#2 et d'argon pour mettre à nu le dessus de l'électrode 3 en métal réfractaire comprenant le siliciure de métal réfractaire (figures lb et lc), la sélectivité de la pellicu le isolante et du siliciure de métal réfractaire n'est pas suffisante pour éviter qu'une partie supérieure du siliciure de métal réfractaire ne se trouve désavantageusement supprimée. C'est-à-dire que, comme représenté sur la figure 2, si la mise à nu du dessus de l'électrode en siliciure de métal réfractaire est effectuée en décapant la pellicule isolante égalisante 5b par la technique de pulvérisation cathodique sous vide en utilisant du plasma d'un mélange gazeux de N2 et d'argon après avoir successivement déposé la pellicule 3 en siliciure de métal réfractaire sur le substrat 1 par la méthode de pulvérisation cathodique sous vide (figure 2a), mis en forme le siliciure de métal réfractaire 3 par décapage aux ions réactifs (DIR), comme représenté sur la figure 2b, et réalisé la pellicule isolante et égalisante 5b recouvrant l'électrode 3 en siliciure de métal réfractaire, en utilisant un procédé CVD ECR à pola- risation ou le procédé de pulvérisation cathodique sous vide à polarisation (figure 2c), la partie supérieure du siliciure de métal réfractaire se trouve supprimée puisque la sélectivité de la pellicule isolante et du siliciure de métal réfractaire est insuffisante dans le décapage par pulvérisation cathodique sous vide. Par conséquent, afin d'obtenir une mise à nu complète la quantité à décaper doit être choisie largement, ce qui réduit défavorablement la marge et rend le procédé incertain. En outre, du fait que le siliciure de métal réfractaire supprimé rentre dans la pellicule isolante, il risque d'être porté préjudice aux propriétés du dispositif. Afin de remédier à ce problème dans le processus de mise à nu du dessus il est proposé selon l'invention de déposer un métal réfractaire, présentant une vitesse de décapage par pulvérisation cathodique inférieure à celle du siliciure de métal réfractaire, sur la couche 3 de siliciure de métal réfractaire et de procéder au décapage dans ces conditions. Le principe de ce mode de mise à nu du dessus de l'électrode est décrit ci-après en se référant a la figure 3. D'abord, une pellicule 3 de siliciure de métal réfractaire est produite sur le substrat 1 par pulvérisation cathodique sous vide de siliciure de métal réfractaire, puis une mince pellicule 3a en métal réfractaire est dépo- sée sur la pellicule 3 par pulvérisation de métal réfractaire sous vide (figure 3a) . Ensuite une opération de mise en forme de ces pellicules est effectuée par décapage aux ions réactifs, produisant ainsi une électrode (figure 3b). Puis une pellicule isolante et égalisante 5b est produite sur toute la surface (figure 3c), après quoi la pellicule isolante 5b est décapée par pulvérisation cathodique sous vide au moyen d'un plasma de mélange gazeux de N2 et d'argon, et la partie supérieure de l'électrode de type à double couche comprenant la pellicule de siliciure de métal réfractaire et la pellicule de métal réfractaire est amenée à faire saillie hors de la pellicule isolante 5c (figure 3d). Dans ce procédé, du fait que le métal réfractaire présente une vitesse de décapage par pulvérisation cathodique sous vide inférieure à celle du siliciure de métal réfractaire, la sélectivité entre la partie formant électrode et la pellicule isolante durant le décapage peut être accrue par le métal réfractaire déposé sur le siliciure de métal réfractaire, de sorte que la mise à nu du dessus de l'électrode peut être réalisée sans qu'il y ait perte de matière formant électrode. Toutefois, étant donné que dans le procédé de décapage aux ions réactifs (DIR) la vitesse de décapage du métal réfractaire est généralement inférieure à celle du siliciure de métal réfractaire, le métal réfractaire ne peut pas être façonné verticalement par rapport au siliciu re de métal réfractaire lorsque la pellicule de métal réfractaire est trop épaisse. C'est-à-dire que, comme repré- senté sur la figure 6a, si la pellicule 3a de métal réfractaire sur la pellicule 3 de siliciure de métal réfractaire est épaisse et que ces pellicules soient soumises à une opération de mise en forme, la pellicule 3 de siliciure de métal réfractaire est décapée latéralement plus profondé- ment que la pellicule 3a de métal réfractaire, et la pellicule 3a de métal réfractaire se trouve mise en forme de chapeau, comme représenté sur la figure 6b. Si la pellicule isolante et égalisante 5b est formée par un procédé CVD ECR à polarisation ou par un procédé de pulvérisation cathodique sous vide à polarisation dans ces conditions, il se produit un espace A, comme indiqué sur la figure 6c. Lorsque cet espace est ensuite soumis à un décapage par pulvé- risation cathodique sous vide la pellicule isolante se trouve, des deux côtés de l'électrode, décapée d'une manière anormalement profonde, comme représenté sur la figure 6d, produisant ainsi une portion concave B. En conséquence, la pellicule de métal réfractaire doit être rendue, d'une part, suffisamment épaisse pour que la sélectivité de l'élément formant électrode et de la pellicule isolante durant le décapage par pulvérisation cathodique sous vide puisse être suffisante et, d'autre part, assez mince pour qu'elle puisse être façonnée verticalement lors de l'opération de décapage aux ions réactifs (DIR), et l'épaisseur de la pellicule de métal réfractaire doit être cn timisée.. La figure 4 montre une coupe transversale servant à expliquer les stades d'un procédé de fabrication d'un dispositif semiconducteur selon un deuxième mode de réalisation de la présente invention. Dans ce mode de réalisation la méthode décrite ci-dessus de mise à nu du dessus est appliquée à l'électrode porte d'un transistor à effet de champ (appelé ci-après "T.E.C."), et une électrode en or est produite à la partie supérieure de l'électrode porte qui fait saillie hors de la pellicule isolante. Tout d'abord des ions silicium sont implantés dans le substrat 1 en GaAs dans des conditions d'énergie d'implantation d'ions de 50 keV et de quantité dosée de 4 x 1012/cl2 de manière à produire une couche active 2 de plusieurs milliers d'angstroms, et il est procédé successivevement à une pulvérisation cathodique de WSi pour produire une couche 3 de siliciure de métal réfractaire (pellicule de WSi) d'une épaisseur de 3000 à 5000 angströms et à une pulvérisation cathodique de W pour produire une couche 3a en métal réfractaire (couche de W) de 180 angströms d'épaisseur (figure 4a). Puis il s'effectue un décapage aux ions réactifs (DIR) durant environ 10 minutes en utilisant un mélange gazeux de CF4 + 2 en tant que gaz décapant de façon à produire une électrode porte, après quoi il est procédé à l'imalantation de silicium à forte concentration d'ions pour produire une source et un drain en utilisant cette électrode porte en tant que masque (figure 4b). Dans cette opération l'énergie d'implantation et la quantité dosée sont respectivement de 150 keV et 3 x l013/cm2. Après un recuit effectué à environ 8000C il est produit une couche résistante et égalisante (pellicule de SiO) 5b d'une épaisseur d'environ 5000 à 5500 angstroms, en utilisant un mélange SiH4 + 2 + Ar en tant que gaz réactif, par un procédé CVD-ECR à polarisation ou par une technique de pulvérisation cathodique à polarisation (figure 4c). Ensuite la pellicule isolante et égalisante 5b est décapée par pulvérisation cathodique sous vide durant 10 à 30 minutes au moyen d'un plasma de mélange gazeux N2 et Ar, permettant ainsi de mettre à nu le dessus de l'électrode porte (figure 4d). Puis la pellicule isolante 5c est mise en forme par décapage en utilisant la pellicule photorésis tante 7a comme masque (figure 4e), et une couche de métal 10 est déposée (figure 4f) et des électrodes source et drain 10 sont produites des deux côtés de la porte (figure 4g) par déposition et enlèvement partiel. Subséquemment, un masque photorésistant ayant été produit par photolithographie, il est produit, par une technique d'enlèvement (figure 4h), une électrode 8 en or qui chevauche le dessus de porte faisant saillie hors de la pellicule isolante, et enfin une pellicule de passivation (pellicule de SiN) 101 est produite sur toute la surface de façon à parachever un élément (figure 4i). Grâce au procédé décrit ci-dessus il peut être obtenu un T.E.C. fonctionnant à vitesse élevée du fait de la diminution de la résistance de porte. De plus, le facteur de bruit Fo du T.E.C. est défini expérimentalement par la formule suivante où kf est un paramètre d'ajustage f est la fréquence de fonctionnement Cgs est la capacitance porte-source Rg est la résistance de la porte Rs est la résistance de la source et gm est la conductance mutuelle. Dans ce procédé une diminution de bruit peut être obtenue par la réduction de la résistance de porte Rg. Dans le deuxième mode de réalisation de l'invention l'électrode porte présente une structure d'électrode comprenant du siliciure de métal réfractaire et une couche de métal réfractaire appliquée sur ce dernier, et l'épais- seur du métal réfractaire est optimisée de telle manière qu'elle soit, d'une part, inférieure à une épaisseur limite apte à être façonnée verticalement par la technique de dé captage aux ions réactifs (DIR) pour la production d'électrodes et, d'autre part, supérieure à une épaisseur limite minimale permettant d'obtenir une sélectivité suffisante dans le décapage par pulvérisation cathodique sous vide. Par conséquent, outre les effets du premier mode de réalisation, la sélectivité de la pellicule isolante et de l'élément formant électrode dans le décapage par pulvérisation cathodique sous vide, utilisant le plasma d'un mélange gazeux de h et Ar, est accrue et l'opération consistant à permettre à une électrode de faire saillie hors de la pellicule isolante peut s'effectuer de manière sure. La figure 5 montre un troisième mode de réalisation de la présente invention. Cette figure montre un procédé de fabrication d'une partie formant contact d'un cablage multicouche, utilisant la technique décrite ci-dessus de mise å nu de dessus d'électrode. Sur la figure 5 les mêmes chiffres de réfé-rence que ceux de la figure 4 représentent les mêmes éléments constitutifs. La référence Il désigne une couche de câblage inférieure d'une épaisseur de 2000 à 3000 angstroms produite sur le substrat 1. La référence 12 désigne une couche de câblage supérieure d'une épaisseur d'environ 5000 angströms connectée à la couche de câblage inférieure 11. Les contacts des deux couches de câblage sont réalisés de la façon suivante. Tout d'abord une couche de câblage inférieure Il est oroduite- sur un substrat semiconducteur 1 (figure 5a), après quoi il est procédé à une déposition de WSi et de W par pulvérisation cathodique sous vide de façon à produire une couche 3 de siliciure de métal réfractaire (couche de WSi) et une couche 3a de métal réfractaire (couche W), comme représenté sur la figure 5b. Puis, de manière analogue au premier mode de réalisation, il est procédé à une mise en forme de l'électrode en WSi/W par décapage aux ions réactifs (DIR), une pellicule isolante et égalisante 5b est produite par un procédé CVD-ECR à polarisation (figure 5c), une mise à nu du dessus de l'électrode est effectuée par décapage par pulvérisation cathodique sous vide (figure 5d) et ensuite la couche de câblage supérieure 12 est produite (figure 5e). Dans ce mode de réalisation un-plan sur lequel il s'agit de produire la couche de câblage supérieure 12 peut être rendu approximativement plat, permettant ainsi- d'éviter effectivement des défauts tels que la rupture de fils de la couche de câblage supérieure. Ainsi qu'il ressort de la description donnée cidessus, selon la présente invention une électrode porte en métal réfractaire est produite sélectivement sur un substrat, puis une pellicule isolante est produite sur une région du substrat, autre que celle de l'élément formant électrode porte, en recouvrant cette région par une technique de déposition chimique à l'état de vapeur au plasma à absorption d'énergie par des électrons dans un champ électrique alternatif de fréquence égale à celle de résonance d'un cyclotron (ECR), une polarisation à haute fréquence étant appliquée au substrat. Par conséquent, la surface de la couche formant porte en métal réfractaire peut être mise à nu avec une bonne uniformité de la surface de la plaquette et, en outre, la pellicule isolante peut etre réalisée de manière simple, permettant ainsi de fabriquer un transistor à effet de champ aux propriétés très satisfaisantes qui présente une porte à faible résistance électrique et offre un rendement élevé. De plus, l'électrode porte en métal réfractaire présente une structure d'électrode comprenant une couche de siliciure de métal réfractaire et une couche de métal réfractaire appliquée sur cette dernière, l'épaisseur de la couche de métal réfractaire étant, d'une part, inférieure à une épaisseur limite encore apte à etre façonnée verticalement par la technique DIR pour la production d'électrodes et, d'autre part, supérieure à une épaisseur limite minimale permettant d'obtenir une sélectivité suffisante dans le décapage par pulvérisation cathodique sous vide. Par consé quint, la sélectivité de la pellicule isolante et de l'élément formant électrode peut etre accrue durant le décapage par pulvérisation cathodique sous vide effectué en utilisant le plasma d'un mélange gazeux de N2et Ar, et un procédé de mise à nu de la partie supérieure de l'électrode peut etre mis en oeuvre de façon sure. REVENDICATIONS 1. Procédé de fabrication d'un dispositif semiconducteur, comprenant le processus de production d'une électrode (3,3a) sur un substrat semi-isolant (t), caractérisé en ce que ce processus de production d'électrode comprend les phases consistant à : - produire successivement une couche (3) en siliciure de métal réfractaire et une couche (3a) en métal réfractaire sur le substrat semi-isolant (1) - produire une électrode de type à double couche formée de siliciure de métal réfractaire (3) et de métal réfractaire (3a) par décapage des deux couches; - produire une pellicule isolante égalisante (5b) sur toute la surface ; et - dégager le dessus de l'électrode (3,3a) de la pellicule isolante (5b) en décapant la pellicule isolante par la technique de décapage par pulvérisation cathodique sous vide. 2. Procédé de fabrication d'un dispositif semiconducteur selon la revendication i, caractérisé en ce que la couche (3a) en métal réfractaire produite dans ladite première phase présente une épaisseur telle que les deux couches (3 et 3a) respectivement en siliciure de métal réfractaire et en métal réfractaire puissent être façonnées verticalement lors du décapage de la deuxième phase du processus et en ce qu'une sélectivité suffisante peut être obtenue en ce qui concerne le décapage par pulvérisation cathodique sous vide lors de la quatrième phase du processus. 3. Procédé de fabrication a d'un dispositif semi- conducteur selon la revendication 1, caractérisé en ce que la couche (3) de siliciure de métal réfractaire est produite sous une épaisseur de 300 à 500 nm en déposant du siliciure de tungstène par pulvérisation cathodique sous vide, après quoi la couche (3a) en métal réfractaire est produite sous une épaisseur de 18 nm en déposant du tungstène par pulvérisation cathodique de tungstène sous vide, dans la première phase du processus, en ce que la pellicule isolante (5b) est produitesous une forme plate et sous une épaisseur d'environ 500 à 550 nm par le procédé CVD-ECR à polarisation utilisant du silane et de l'oxygène en tant que gaz réactif, dans la troisième phase du processus, et en ce que la pellicule isolante (5b) est décapée par pulvérisation cathodique sous vide au moyen du plasma d'un mélange gazeux d'azote et d'argon. 4. Procédé de fabrication d'un dispositif semiconducteur selon la revendication 1, caractérisé en ce qu'une couche de câblage inférieure (11) est produite sur le substrat (i) et ensuite une couche (3) en siliciure de métal réfractaire et une couche (3a) en métal réfractaire sont produites, dans la première phase dudit processus, puis le dessus de l'électrode (3,3a) est mis à nu et ensuite une couche de câblage supérieure (12) est produite pour établir un contact entre les couches de câblage inférieure (11) et supérieure (12).