FR 2643745 A1 19900831 FR 9000050 A 19900104 La présente Invention concerne un procédé de fa- brication d'un dispositif à semiconducteurs qui permet d'aplanir une marche sur un substrat semiconducteur. Les figures 4(a) à 4(d) montrent des coupes cor- respondant à des étapes de fabrication d'un procédé de fa- brication de l'art antérieur, destiné à la fabrication d'un circuit intégré hyperfréquence monolithique, dans lequel la séparation entre des éléments est obtenue par l'exécution d'une opération de gravure de la couche active.-Sur les fi- gures 4(a) à (4(d), la référence 1 désigne un substrat en GaAs. Les références 2a et 2b désignent des marches d'une structure mésa qui sont formées sur le substrat en GaAs i. La référence 3 désigne une couche de résine photosensible. La référence 5 désigne une couche active qui est formée sur la structure mésa associée aux marches 2a, 2b sur le subs- trat en GaAs 1. Les références 6a à 6c désignent des élec- trodes de source et les références 7a et 7b désignent des électrodes de drain. La référence 8 désigne une résine pho- tosensible. La référence 9 désigne une électrode de grille et la référence 10 désigne une ouverture donnant accès à une cavité. On va maintenant décrire le processus de fabrica- tion du dispositif à semiconducteurs en GaAs du type mésa. En premier lieu, comme le montre la figure 4a, on forme une couche active 5 par croissance épitaxiale sur un 2643745' substrat en GaAs 1, ou on effectue une opération d'implan- tation ionique dans le substrat en GaAs 1, et on forme un motif dans une couche de résine photosensible 3, dans une partie dans laquelle un élément doit être formé. Ensuite, comme le montre la figure 4(b), on enlève par attaque une région inutile, autre qu'une région de formation d'un tran- sistor & effet de champ, en utilisant à titre de masque la résine photosensible 3, pour réaliser la séparation des éléments. Ceci s'accompagne de la formation des marches de structure mésa 2a et 2b. Ensuite, comme lemontre la figure 4(c), on enlè- ve la résine photosensible 3, et on forme des électrodes de source 6a à 6c et des électrodes de drain 7a et 7b, sous la forme d'électrodes ohmiques, sur la région de formation d'élément. On dépose ensuite une résine photosensible 8 sur la totalité de la surface du substrat. On forme ensuite un motif de résine photosensible pour la formation d'un ensemble de grilles de taille infé- rieure au micron, dans des parties comprises entre les électrodes de source 6a à 6c et les électrodes de drain 7a et 7b et, comme le montre la figure 4(d),on effectue une opération d'attaque de formation de cavité, par attaque par voie humide, en utilisant un agent tel que l'acide tartri- que, pour former ainsi des ouvertures 10 donnant accès à des cavités. Ensuite, comme le montre la figure 4(e), on dépo- se un métal de grille, en phase vapeur, sur la totalité de la surface du substrat, et on forme des électrodes de gril- le 9 dans les ouvertures 10 donnant accès à des cavités, en utilisant un procédé de décollement. Cependant, dans le procédé de fabrication qui est décrit ci-dessus, il apparaît une inégalité dans l'épais- seur de la couche de résine photosensible 8 sur la marche de la structure mésa, à cause de la différence de hauteur due à la marche. Dans ces conditions, lorsque la résine photosensible 8 est irradiée avec une énergie d'exposition uniforme pour être développée, il existe une relation entre la largeur de l'ouverture 1 du motif qui est découpé dans la résine photosensible, et l'épaisseur de couche h de la résine photosensible, comme le montrent les figures 5(a) et (b), et la largeur de l'ouverture 1 est influencée dans une large mesure par l'épaisseur h de la couche de résine photosensible. Les variations de l'épaisseur h de la couche de résine photosensible entraînent des variations de la taille du motif de grille qui est formé après l'exposition et le développement. Par conséquent, la longueur de grille réelle de l'électrode de grille 9 du type à cavité, qui est obtenue en accomplissant les opérations d'attaque pour la formation d'une cavité, de dépôt de métal de grille en pha- se vapeur et de décollement, ne satisfait pas les règles imposées, ce qui conduit à l'incapacité d'obtenir des ca- ractéristiques désirées pour un transistor à effet de champ avec une reproductibilité élevée. Les figures 6(a) à 6(g) montrent un procédé de fabrication de l'art antérieur pour un dispositif à semi- conducteurs, qui est décrit dans la publication du brevet du Japon n Sho 58-53842. Dans ce procédé de fabrication, on tente d'aplanir la région de formation d'élément, dans le but d'éliminer les problèmes décrits cidessus. Sur les figures 6(a) à 6(g), la référence 31 désigne un substrat en silicium et les références 32, 35, 36 et 37 désignent des couches d'oxyde de silicium. La référence 33 désigne une couche de résine photosensible et la référence 34 désigne une couche de bore formée par implantation ionique. La ré- férence 38 désigne une partie de surface concave et la ré- férence 39 désigne une couche qui peut être aplanie. On va maintenant décrire le processus de fabrica- tion. En premier lieu, comme le montre la figure 6(a), on forme une couche d'oxyde thermique 32 sur un substrat en silicium 31, et on recouvre la région de formation d'élé- ment par une couche de résine photosensible 33, en utili- sant la technique de photolithographie habituelle. Ensuite, on attaque la couche d'oxyde thermique 32 et le substrat en silicium 31, en utilisant comme masque la couche de résine photosensible 33, comme le montre la figure 6(b), et on ef- fectue une implantation ionique de bore dans le substrat en silicium, dans la région de champ, dans le but d'empêcher l'inversion par effet de champ, en utilisant comme masque la couche de résine photosensible 33, ce qui produit une couche d'implantation ionique 34. Ensuite, comme le montre la figure 6(c), on dépose une couche de dioxyde de silicium sur la totalité de la surface, par le procédé de dépôt chimique en phase vapeur par plasma, à une température in- férieure à 350 C. Ensuite, comme le montre la figure 6(d), on enlève sélectivement la couche d'oxyde de silicium 37 de part et d'autre des marches et, comme le montre la figure 6(e), on enlève par décollement la résine photosensible 33 et la couche d'oxyde de silicium 36 qui est formée sur elle. Ensuite, comme le montre la figure 6(f), on enterre unifor- mément le sillon 38a au moyen de la couche d'oxyde de sili- cium 37. Pour enterrer encore davantage le sillon 38b qui se forme dans ces conditions, on forme une couche 39 capa- ble d'aplanir la surface et ayant la même vitesse d'attaque que la couche d'oxyde de silicium 37. Ensuite, comme le montre la figure 6(g), on attaque la couche d'aplanissement 39 et la couche d'oxyde de silicium 37 pour mettre à nu le silicium au niveau de la région de formation d'élément, pour aplanir ainsi la région de séparation entre éléments, et on forme ensuite un élément désiré dans cette région de formation d'élément. Avec ce procédé de fabrication, du fait qu'on peut empêcher une dénivellation de la région de formation d'élément, il est possible d'améliorer la précision de la photolithographie, tout en produisant un élément désiré -5 dans la région de formation d'élément dans un processus ul- térieur, ce qui permet de réduire l'erreur de dimension de- l'élément. Comme indiqué ci-dessus, dans le procédé de fa- brication d'un dispositif à semiconducteurs de l'art anté- rieur qui est représenté sur les figures 4(a) à 4(e), l'uniformité de la dimension du motif de résine photosensi- ble 8 pour la formation d'une électrode de grille est dé- gradée, et il en résulte l'apparition de variations dans la longueur de grille réelle d'une grille du type à cavité, ce qui fait qu'il est impossible de fabriquer avec une repro- ductibilité élevée une grille ayant une longueur de grille désirée. En outre, dans le procédé de fabrication de l'art antérieur qui est représenté sur les figures 6(a) à 6(g), dans lequel on tente d'aplanir la région de formation d'élément dans le but de résoudre le problème décrit ci- dessus, il est nécessaire de déposer la couche d'oxyde de silicium 35 par un procédé de dépôt chimique en phase va- peur par plasma à haute température, au-dessous de 3500, dans le but de former une couche ayant une bonne couverture sur la totalité de la surface du substrat, et ceci entraîne une dégradation thermique de la résine photosensible 33 au- dessous de la couche d'oxyde 35, ce qui fait que l'opéra- tion de décollement devient très difficile. En outre, la couche d'oxyde de silicium 35 qui est formée sur la totali- té de la surface du substrat doit être enlevée seulement dans les parties de paroi latérale de la région de forma- tion d'élément, pour permettre le processus de décollement ultérieur, et ceci s'accompagne de la nécessité d'une opé- ration telle que l'aplanissement du sillon 38, ce qui a pour effet d'augmenter le nombre d'opérations et de compli- quer le processus de fabrication. L'invention vise à résoudre les problèmes décrits ci-dessus, et son but principal est de procurer un procédé de fabrication d'un dispositif à semiconducteurs capable de réduire considérablement re nombre d'opérations, ayant une excellente reproductibilité, capable d'améliorer, par l'aplanissement, l'uniformité de l'épaisseur de la couche de résine photosensible déposée, et capable d'améliorer la précision dimensionnelle du motif de résine photosensible. Conformément à l'invention, un procédé de fabri- cation d'un dispositif à semiconducteurs comprend les éta- pes suivantes: on forme une couche de résine photosensible sur une marche correspondant à une structure mésa formée par une opération d'attaque, ou sur une marche due à un mé- tal d'interconnexion, les deux parties d'extrémités de cet- te couche de résine photosensible se trouvant à l'extérieur des deux extrémités de la marche, on dépose une couche iso- lante ayant une hauteur approximativement égale à celle de la marche, sur la totalité de la surface, par un procédé de dépôt chimique en phase vapeur à basse température, pour produire ainsi une couche isolante présentant une disconti- nuité au niveau de la marche, et on enlève ensuite la cou- che isolante et la résine photosensible restant sur la mar- che, par un procédé de décollement, pour aplanir ainsi la marche. On peut donc aplanir la marche par un processus simplifié comportant un plus petit nombre d'opérations, et on peut améliorer la précision dimensionnelle de la défini- tion du motif au cours d'opérations ultérieures. En outre, du fait qu'on utilise un procédé de dépôt chimique en phase vapeur à basse température pour le dépôt de la couche iso- lante, on peut former dans des conditions bien définies la couche isolante présentant une discontinuité au niveau de la marche, et on peut également éviter une dégradation thermique de la résine photosensible, ce qui facilite le décollement. L'invention sera mieux comprise à la lecture de la description qui va suivre de modes de réalisation, don- nés à titre d'exemples non limitatifs. La suite de la des- cription se réfère aux dessins annexés sur lesquels: Les figures 1(a) à l(g) sont des coupes qui il- lustrent des étapes de processus respectives d'un procédé de fabrication d'un dispositif à semiconducteurs conforme à un premier mode de réalisation de l'invention; Les figures 2(a) à 2(e) sont des coupes qui il- lustrent des étapes de processus respectives d'un procédé de fabrication d'un dispositif à semiconducteurs conforme à un secbnd mode de réalisation de l'invention; Les figures 3(a) à 3(d) sont des coupes qui il- lustrent des étapes de processus respectives d'un procédé de fabrication d'un dispositif à semiconducteurs conforme à un troisième mode de réalisation de l'invention; Les figures 4(a) à 4(e) sont des coupes qui il- lustrent des étapes de processus respectives d'un procédé de fabrication d'un dispositif à semiconducteurs conforme à l'art antérieur; Les figures 5(a) et 5(b) sont des représentations graphiques qui illustrent la relation entre la largeur d'une ouverture 1 formée dans la résine photosensible et l'épaisseur de couche h de la résine photosensible; Les figures 6(a) à 6(g) sont des coupes qui il- lustrent les étapes de processus respectives d'un procédé de fabrication d'un dispositif à semiconducteurs conforme à une autre technique de l'art antérieur; et Les figures 7(a) à 7(c) sont des coupes qui il- lustrent des étapes de processus respectives d'un procédé de fabrication d'un dispositif à semiconducteurs conforme à l'art antérieur correspondant aux figures 3(a) à 3(d). Les figures l(a) à l(g) montrent les principales étapes de processus d'un procédé de fabrication d'un cir- cuit intégré hyperfréquence monolithique dans lequel la sé- paration des éléments est obtenue en effectuant une opéra- tion d'attaque de la couche active, conformément à un pre- mier mode de réalisation de l'invention.Sur les figures 1(a)-l(g), la référence 1 désigne un substrat en GaAs. Les références 2a et 2b désignent des marches correspondant à une dénivel- lation d'une structure mésa, la référence 3 désigne une couche de résine photosensible, et les références 4a, 4b et 4c désignent des couches isolantes. La référence 5 désigne une couche active. Les références 6a et 6b désignent des électrodes de source et les références 7a et 7b désignent des électrodes de drain. La référence 8 désigne une couche de résine photosensible, la référence 9 désigne une élec-- trode de grille et la référence 10 désigne une ouverture donnant accès à une cavité. La référence A désigne un in- tervalle entre les couches isolantes 4a, 4b et la résine photosensible 3. On va maintenant décrire le processus de fabrica- tion. En premier lieu, comme le montre la figure la, on forme une couche active 5 par croissance épitaxiale sur un substrat en GaAs 1, ou par implantation ionique dans le substrat 1, après quoi on dépose une couche de résine pho- tosensible sur la totalité de la surface du substrat, avec une épaisseur d'environ 1 micron, et on forme un motif dans cette couche, pour produire ainsi un motif de résine photo- sensible 3 dans une région de formation d'élément. Ensuite, comme le montre la figure l(b), on atta- que la couche active 5 et le substrat 1, par une opération d'attaque par voie humide, en utilisant un agent tel que l'acide tartrique, et en utilisant comme masque le motif de résine photosensible 3, pour former ainsi des marches de structure mésa désirées 2a et 2b. Les configurations des marches de structure mésa 2a et 2b varient en fonction de l'adhérence de la solution d'attaque sur la couche de ré- sine 3 et, à titre d'exemple, on forme une mésa ayant un angle e = 35 et une hauteur de 1 micron. Ensuite, comme le montre la figure lc, on dépose une couche isolante 4, par un procédé de dépôt chimique en phase vapeur qui peut être mis en oeuvre à basse températu- re (0 C à 150 C, de préférence à la température ambiante), comme par exemple un procédé de dépôt chimique en phase va- peur par résonance cyclotron d'électrons. On dépose de fa- çon caractéristique la couche isolante 4 dans les condi- tions suivantes: - débit de gaz: rapport SiH4: 02 d'environ 3:5 Pression de gaz: environ 0,13 Pa - Puissance micro-onde: environ 600 W Lorsque la couche isolante 4 est déposée sur la totalité de la surface du substrat en GaAs 1 avec une épaisseur égale à la dénivellation entre les marches de structure mésa 2a et 2b, dans les conditions décrites ci- dessus, bien que les couches isolantes 4a et 4b soient éga- lement formées au-dessous de la résine photosensible 3, les couches isolantes ne recouvrent pas complètement la résine photosensible 3, et l'espace A entre les couches isolantes 4a et 4b et la résine photosensible 3, dans la partie si- tuée au-dessous de cette dernière, aura une valeur très bien définie, inférieure à 100 nm. On a donc un état dans lequel le décollement de la couche isolante 4c avec la ré- sine photosensible 3 peut être obtenu, et en effectuant un décollement au cours de l'opération suivante, on peut apla- nir les marches de structure mésa 2a et 2b, comme le montre la figure 1(d). Ensuite, comme le montre la figure l(e), on forme des électrodes de source 6a et 6b et une électrode de drain 7 d'environ 70 nanomètres d'épaisseur, dans la région de formation d'élément, après quoi on dépose la résine photo- sensible 8 sur la totalité de la surface du substrat, avec une épaisseur d'environ 0,6 micron, pour former un motif pour l'électrode de grille. Ensuite, on attaque la résine photosensible 8, en procédant par attaque par voie humide en utilisant par exemple de l'acide tartrique, et, comme le montre la figure l(f), on effectue une attaque de formation de cavité, pour produire des parties 10 donnant accès à des cavités. Ensuite, on dépose un métal de grille sur la tota- lité de la surface du substrat et on effectue une opération de décollement pour former les électrodes de grille 9 dans les ouvertures 10 donnant accès à des cavités, ce qui achè- ve la fabrication d'un transistor à effet de champ désiré. Le dépôt à basse température de la couche isolan- te 4 empêche ici une déformation thermique de la résine photosensible 3, ce qui permet d'effectuer le décollement. Dans le mode de réalisation décrit ci-dessus, on attaque une partie désirée du substrat pour former des mar- ches de structure mésa, et on dépose une-couche isolante sur la partie enlevée par attaque, dans le but de l'aplanir. La dénivellation correspondant aux marches de la structure mêsa est donc éliminée, et la précision dimensionnelle de la définition du motif pour Ia formation d'un élément au cours d'une opération ultérieure peut être considérablement améliorée. En outre, du fait qu'on adopte un procédé de dé- pôt chimique en phase vapeur par résonance cyclotron d'électrons pour le dépôt de la couche isolante, on forme une couche isolante présentant une discontinuité au niveau des marches de structure mésa, ce qui permet d'accomplir aisément l'opération de décollement ultérieure. De plus, la commande de la température à basse température est simpli- fiée par l'utilisation du procédé de dépôt chimique en pha- se vapeur par résonance cyclotron d'électrons, et il est possible d'éviter la déformation thermique de la résine photosensible 3 au moment du dépôt en phase vapeur de la couche isolante 4, ce qui permet d'accomplir aisément l'opération de décollement. Bien que dans le mode de réalisation qui est dé- crit ci-dessus, on utilise un substrat en GaAs, il est pos- sible d'utiliser un autre substrat semiconducteur. En outre, en ce qui concerne la-matière de réserve, on peut utiliser non seulement une résine photosensible mais par exemple une ll matière de réserve sensible à un faisceau d'électrons, une matière de réserve sensible à un faisceau d'ions focalisé, une matière de réserve sensible à des rayons X ou un po- lyimide photosensible. Bien que dans le mode de réalisation envisagé ci- dessus, on ait décrit l'aplanissement d'une structure mésa visant à la séparation des éléments, les marches de struc- ture mésa 2a et 2b peuvent correspondre à un sillon, un trou ou une couche isolante présentant une marche, et l'in- vention peut donc être appliquée à d'autres structures, comme dans le cas de l'aplanissement de la marche due à une métallisation d'interconnexion, ou de l'aplanissement de la marche due à une métallisation de trou de contact. Les figures 2(a) à 2(e) montrent des coupes qui illustrent les étapes de processus respectives d'un procédé de fabrication d'une interconnexion d'électrode multicou- che, dans lequel on tente d'aplanir une marche d'une élec- trode dans une partie de trou de contact, conformément à un second mode de réalisation de l'invention. Sur les figures 2(a) à 2(e), la référence 11 désigne un substrat, la réfé- rence 12 désigne une première métallisation qui est une mé- tallisation de couche inférieure, les références 13a, 13a' et 13b désignent une seconde métallisation qui est une mé- tallisation de couche supérieure, la référence 14 désigne une couche de résine photosensible et les références 15a, b et 15c désignent des couches isolantes. On va maintenant décrire le procédé de fabrica- tion. En premier lieu, comme le montre la figure 2(a), on dépose successivement une première métallisation 12 et une seconde métallisation 13a sur le substrat l1, et on forme à une position désirée un motif d'une couche de rési- ne photosensible 14 en surplomb. Ensuite, comme le montre la figure 2(b), on atta- que la seconde métallisation 13a en utilisant comme masque la résine photosensible 14. Ensuite, comme le montre la figure 2(c), on dépo- se une couche isolante 15 en utilisant un procédé de dépôt chimique en phase vapeur à basse température (O0C à 150 C, et de préférence à la température ambiante), tel qu'un pro- cédé de dépôt chimique en phase vapeur par résonance cyclo- tron d'électrons. Dans ces conditions, lorsqu'on dépose-une couche isolante jusqu'à une hauteur approximativement égale à l'épaisseur de la seconde métallisation 13a', la couche isolante ne recouvre pas complètement la résine photosensi- ble 14, et la couche isolante est séparée de façon à donner deux couches isolantes 15a et 15b sur la première métalli- sation 12, et une couche isolante 15c sur la-résine photo- sensible 14. Ensuite, comme le montre la figure 2(d), on enlè- ve la résine photosensible 14 sur la seconde métallisation 13a' et la couche isolante 15c sur elle, par un procédé de décollement, et on aplanit la seconde'métallisation 13a' de façon qu'elle soit au même niveau que les couches isolantes 15a et 15b. Ensuite, comme le montre la figure 2(e), on dépo- se une seconde métallisation 13b sur la totalité de la sur- face du substrat, pour compléter ainsi une structure d'in- terconnexion à deux couches. Les figures 7(a) à 7(c) représentent un procédé de fabrication de l'art antérieur pour une interconnexion multicouche. Dans ce procédé, on forme sur.le substrat 11 une première métallisation 12 constituant une interconne- xion de couche inférieure et une couche isolante 15, et on forme un motif de résine photosensible 16, après quoi on attaque la couche isolante 15 en utilisant comme masque le motif de résine photosensible 16. Apres avoir enlevé la ré- sine photosensible 16, on dépose une seconde métallisation 13, à titre d'interconnexion de couche supérieure, sur la totalité de la surface du substrat, pour produire ainsi une structure d'interconnexion d'électrode à deux couches. Ce- pendant, dans ce procédé, la couverture de l'interconnexion d'électrode qui est due à la seconde métallisation 13 sur la partie d'ouverture est mauvaise, et l'interconnexion est susceptible de se rompre. Dans le but d'améliorer la cou- verture, il est nécessaire de donner une grande taille à la partie d'ouverture, ce qui dégrade encore la planéité de *l'interconnexion multicouche. Au contraire, dans le procédé de fabrication de ce mode de réalisation, on forme tout d'abord dans la par- tie de trou de contact une électrode constituée par la se- conde métallisation, et on l'aplanit au moyen d'une couche isolante, après quoi on dépose la seconde métallisation sur la totalité de la surface, pour produire une interconnexion d'électrode à deux couches. On peut donc aplanir l'inter- connexion multicouche, et un dispositif de haute précision, ne présentant aucun risque de rupture d'interconnexion, peut être fabriqué dans des conditions bien définies et avec une reproductibilité élevée. Les figures 3(a) à 3(d) montrent des coupes d'un troisième mode de réalisation de l'invention, dans lequel l'aplanissement est effectué après la formation de l'inter- connexion d'électrode. Sur les figures 3(a) à 3(d), la ré- férence 21 désigne un substrat, les références 22 et 22' désignent une métallisation, la référence 23 désigne une résine photosensible et les références 24a, 24b et 24c dé- signent des couches isolantes. On va maintenant décrire le procédé de fabrica- tion. Tout d'abord, comme le montre la figure 3(a), on dépose sur la totalité de la surface du substrat 21 un mé- tal qui se prête au traitement par attaque ionique réactive et on dépose sur une partie désirée de ce métal un motif de résine photosensible 23 ayant une configuration en surplomb. Ensuite, comme le montre la figure 3(b), on atta- que le métal 22 en utilisant comme masque le motif de rési- ne photosensible 23, et on dépose une couche isolante 24, avec une hauteur approximativement égale à l'épaisseur du métal 22', par un procédé de dépôt chimique en phase vapeur à basse température (0 C à 150 C, et de préférence à la température ambiante), comme par exemple un procédé de dé- pôt chimique en phase vapeur par résonance cyclotron d'électrons, et on forme séparément des couches isolantes 24c et 24a, 24b, respectivement sur la résine photosensible 23 et sur le substrat 21. Ensuite, comme le montre la figure 3(d), on enlè- ve par un procédé de décollement la résine photosensible 23 et la couche isolante 24c sur le métal 22', pour aplanir ainsi le métal d'électrode 22' par rapport aux couches iso- lantes 24a et 24b. Dans les second et troisième modes de réalisation décrits ci-dessus, on peut utiliser à la place de la résine photosensible une matière de réserve sensible à un faisceau d'électrons, une matière de réserve sensible à un faisceau d'ions focalisé, une matière de réserve sensible aux rayons X ou un polyimide photosensible. Bien que dans les premier, second et troisième modes de réalisation décrits ci-dessus, on dépose une cou- che isolante à une température basse comprise entre 0 C et 150 C, il est possible d'élargir la plage de température si une opération de décollement peut être effectuée même dans le cas o la matière de réserve est déformée thermi- quement au moment du dépôt de la couche isolante. Comme il ressort de façon évidente de la descrip- tion précédente et conformément à l'invention, on forme un motif de résine photosensible ayant une configuration en surplomb sur les marches d'une structure mésa qui résultent d'une attaque de la surface principale du substrat, ou sur des marches qui résultent de la formation d'une métallisa- tion d'interconnexion, et on dépose une couche isolante d'une hauteur approximativement égale à celle des marches, par un procédé de dépôt chimique en phase vapeur à basse température, pour former une couche isolante présentant une discontinuité de part et d'autre des marches, après quoi on enlève par un procédé de décollement la résine photosensible et la couche isolante au niveau des marches, de façon à aplanir les marches. On peut donc améliorer l'uniformité de l'épaisseur de la couche de résine photosensible déposée dans la région de formation d'élément au cours d'une opéra- tion ultérieure, et on peut en outre améliorer la précision dimensionnelle du motif de résine photosensible, ce qui permet de former un élément désiré avec une reproductibili- té élevée. En outre, du fait qu'on utilise un procédé de dépôt chimique en phase vapeur à basse température pour le dépôt d'une couche isolante, on peut former une couche iso- lante présentant une discontinuité au niveau des marches, ce qui permet d'accomplir aisément l'opération de décolle- ment suivante. En outre, on peut éviter la déformation thermique de la résine photosensible au moment du dépôt de la couche isolante, et on peut effectuer aisément l'opéra- tion de décollement, ce qui permet d'aplanir les marches par un processus simple comportant un plus petit nombre d'opérations, et avec une reproductibilité élevée. Il va de soi que de nombreuses modifications peu- vent être apportées au procédé décrit et représenté, sans sortir du cadre de l'invention. REVENDICATIONS 1. Procédé de fabrication d'un dispositif à semi- conducteurs caractérisé en ce qu'il comprend les étapes suivantes: on forme un motif de résine photosensible (3) sur une marche (2a, 2b) qui est formée sur une surface d'un substrat semiconducteur (1), cette résine photosensible comportant deux parties d'extrémités à l'extérieur des deux extrémités de la marche (2a, 2b); on dépose une couche iso- lante (4a, 4b, 4c) jusqu'à une hauteur approximativement égale à celle de la marche, sur la totalité de la surface, par dépôt chimique en phase vapeur à basse température, pour former ainsi une-couche isolante présentant une dis- continuité au niveau de la marche; et on aplanit la marche en enlevant la couche isolante (4c) et la résine photosen- sible (3) qui restent sur la marche, par un procédé de dé- collement. 2. Procédé de fabrication d'un dispositif à semi- conducteurs selon la revendication 1, caractérisé en ce qu'on accomplit l'opération de dépôt chimique en phase va- peur à basse température à une température inférieure à C. 3. Procédé de fabrication d'un dispositif à semi- conducteurs selon la revendication 1, caractérisé en ce qu'on accomplit l'opération de dépôt chimique en phase va- peur à basse température à la température ambiante. 4. Procédé de fabrication d'un dispositif à semi- conducteurs selon la revendication 1, caractérisé en ce que l'opération de dépôt chimique en phase vapeur à basse tem- pérature est du type utilisant la résonance cyclotron d'électrons. 5. Procédé de fabrication d'un dispositif à semi- conducteurs selon la revendication 1, caractérisé en ce que la résine photosensible est une matière de réserve sensible à la lumière, une matière de réserve sensible à un faisceau d'électrons, une matière de réserve sensible à un faisceau d'ions focalisé, une matière de réserve sensible aux rayons X ou un polyimide photosensible. 6. Procédé de fabrication d'un dispositif à semi- conducteurs selon la revendication 1, caractérisé en ce que la marche est formée par un sillon ou un trou qui a été formé à la surface du substrat semiconducteur (1). 7. Procédé de fabrication d'un dispositif à semi- conducteurs selon la revendication 1, caractérisé en ce que la marche est formée par une couche isolante présentant une dénivellation en forme de marche. 8. Procédé de fabrication d'un dispositif à semi- conducteurs selon la revendication 1, caractérisé en ce que la marche est une marche du type mésa (2a, 2b) qui est for- mée pour la séparation- d'éléments sur la surface principale du substrat semiconducteur (1). 9. Procédé de fabrication d'un dispositif à semi- conducteurs selon la revendication 1, caractérisé en ce que la marche est une marche consistant en une métallisation d'interconnexion (22') qui est formée sur un substrat semi- conducteur (21). 10. Procédé de fabrication-d'un dispositif à semi- conducteurs selon la revendication 1, caractérisé en ce que la marche est une marche consistant en une métallisation qui est formée dans une partie de trou de contact. 11. Procédé de fabrication d'un dispositif à semi- conducteurs, caractérisé en ce qu'il comprend les étapes suivantes: on forme sélectivement un motif de résine pho- tosensible (3) sur une surface principale d'un substrat se- miconducteur (I); on attaque sélectivement le cristal de substrat semiconducteur (1), en utilisant comme masque le motif de résine photosensible (3), pour produire une marche de structure mésa; on dépose une couche isolante (4a, 4b, 4c) avec une hauteur approximativement égale à celle de la marche de structure mésa, sur la totalité de la surface du substrat (1), et sur la résine photosensible restante, en procédant par dépôt chimique en-phase vapeur à basse tempé- rature, pour former ainsi une couche isolante (4a, 4b, 4c) présentant une discontinuité au niveau de la marche; et on enlève la résine photosensible (3) et la couche isolante (4c) qui restent sur la marche de structure mésa, par un procédé de décollement, pour aplanir ainsi la marche de structure mésa. 12. Procédé de fabrication d'un dispositif à se- miconducteurs comportant une structure d'interconnexion d'électrode multicouche, caractérisé en ce qu'il comprend les étapes suivantes: on dépose une première métallisation (12) et une seconde métallisation (13a) sur un substrat se- miconducteur (11), et on forme une marche (13.'a) constituée par la seconde métallisation, sur la première métallisation (12), par attaque de la seconde métallisation (13a); on forme un motif de résine photosensible (14) ayant une con- figuration en surplomb, sur la marche (13'a) constituée par la seconde métallisation (13ra); on dépose une couche iso- lante (15a, 15b, 15c) jusqu'à une hauteur approximativement égale à celle de la marche (13a'), sur la totalité de la surface du substrat (11), par dépôt chimique en phase va- peur à basse température, pour produire ainsi une couche isolante (15a, 15b, 15c) présentant une discontinuité au niveau de la marche (13'a); on enlève la résine photosensi- ble (14) et la couche isolante (15c) qui restent sur la marche (13'a), par un procédé de décollement, pour aplanir ainsi la marche; et on dépose une seconde métallisation (13b) sur la totalité de la surface du substrat (11). 13. Procédé de fabrication d'un dispositif à se- miconducteurs, caractérisé en ce qu'il comprend les étapes suivantes: on forme un motif de résine photosensible (23) ayant une configuration en surplomb sur une marche (22') consistant en une électrode d'interconnexion formée sur un substrat semiconducteur (21); on dépose une couche isolante (24a, 24b, 24c) jusqu'à une hauteur approximativement égale à celle de la marche (22'), sur la totalité de la surface du substrat (21), par dépôt chimique en phase vapeur à bas- se température, pour former ainsi une couche isolante (24a, 24b, 24c) présentant une discontinuité au niveau de la mar- che (22'); et on enlève la résine photosensible (23) et la couche isolante déposée (24c) qui restent sur la marche (22'), par un procédé de décollement, pour aplanir ainsi la marche (22') qui constitue l'électrode d'interconnexion.