FR 2659780 A1 19910920 FR 9003380 A 19900316 MOIRE A BASE DE MATéRIAU FERRO#EL#CTRIQUE ET A LECTURE OPTIQUE La présente invention concerne des mémoires à base de matériau ferroélectrique et à lecture optique. Elle concerne plus particulièrement des mémoires programmables. On connaît différentes manières de réaliser des mémoires à partir de matériaux ferroélectriques, par exemple grâce aux documents US 2 922 986, US 3 710 353, US 3 264 618, EP 166 938, US 3 872 318, GB 890 780, FR 2 604 283 et "A Ferroelectric Nonvolatile Memory" (S. EATON, D. BUTLER, M. PARRIS, D. WILSON, H. McNEILLIE, 1988, IEEE, International Solid-State Circuits Conference). Tous ces documents concernent des mémoires à base de matériaux ferroélectriques comme le titanate de baryum BaTiO3, les céramiques PZT (oxyde de plomb, de zirconium et de titane) et PLZT (oxyde de plomb, de lanthane, de zirconium et de titane), le polymère PVDF (polyfluorure de vinyldène) ou le copolymère P(VDF-TrFE) (fluorure de vinylidène/trifluoroéthylène). Ces documents concernent également des procédés de lecture de ces mémoires, par effet pyroélectrique, optique ou capacitif. La lecture optique par génération de seconde harmonique se heurte à une difficulté majeure : les états ferroélectriques -P et + PO (représentatifs des états de o polarisation rémanente) ne peuvent pas être dissociés l'un de l'autre sur une même couche ferroélectrique du fait qu'ils génèrent la même intensité de seconde harmonique. Il n'existe donc qu'un contraste de lecture entre des états de polarisation P = O et P = + P ou -P0, ce qui nécessite un système o d'effacement ou de remise à zéro (P = 0) pour une utilisation en mémoire type WRM (Write Read Many). Pour pallier ces inconvénients, la présente invention porte sur une mémoire à base de matériau ferroélectrique et formée de couches superposées de ce matériau, un élément de mémoire étant formé de zones superposées de ces couches. La lecture des informations se fera à partir de la modulation de l'intensité de génération de seconde harmonique issue de ces couches en fonction du rapport de leur épaisseur à la longueur de cohérence, et de l'orientation de la polarisation induite par rapport à l'onde optique incidente. Un avantage important de l'invention réside dans le fait qu'elle permet d'accroître la densité d'information qui peut être stockée dans ce type de mémoire du fait de l'utilisation d'un système multicouche. Chaque élément de mémoire est programmable, effaçable et possède un nombre de niveaux ajustables en fonction du nombre de couches (raisonnablement de 2 à 6), du nombre de valeurs de polarisation utilisées (raisonnablement de 2 à 12) et de l'arrangement des directions de polarisation entre elles (parallèles ou antiparallèles). De plus, le principe de lecture optique permet d'accroître la vitesse de lecture de la mémoire en utilisant le parallélisme de l'optique (toute la mémoire peut être lue simultanément). Chaque zone d'élément d'image (quelques ,umZ de surface) peut être reprogrammée par une remise à zéro (polarisation parallèle) ou mise au niveau 1 par application d'une tension inverse permettant d'obtenir la polarisation antiparallèle. Cette opération peut être faite en 1 ,us à température ambiante pour des champs électriques maxima de 106 V/cm soit 100 volts pour 1 um. L'invention a donc pour objet une mémoire à base de matériau ferroélectrique à inscription électrique et à lecture optique, caractérisée en ce qu'elle comprend au moins deux couches superposées en matériau ferroélectrique, chaque élément de mémoire étant formé de zones superposées desdites couches, les zones d'un même élément de mémoire étant disposées de façon qu'un faisceau lumineux de lecture puisse les traverser, la mémoire comprenant également des moyens d'application de champs électriques permettant de mettre les zones de chaque élément de mémoire dans des états de polarisation déterminés, le faisceau lumineux de lecture générant, en traversant un élément de mémoire, une onde de seconde harmonique dont l'amplitude est fonction des états de polarisation desdites zones. L'invention sera mieux comprise et d'autres avantages apparaîtront grâce à la description qui va suivre, donnée à titre non limitatif, accompagnée des dessins annexés parmi lesquels - la figure 1 est un diagramme donnant l'intensité d'un signal de seconde harmonique généré dans un matériau électrooptique en fonction de la longueur d'interaction, - les figures 2 et 3 représentent de manière schématique des éléments de matériau électrooptique, - la figure 4 représente en coupe une portion de mémoire selon l'invention, - la figure 5 est un diagramme représentant un cycle d'hystérésis, - la figure 6 représente un dispositif de lecture d'une mémoire selon l'invention, - la figure 7 représente une variante de mémoire selon l'invention, - la figure 8 est un diagramme représentant un cycle d'hystérésis, - la figure 9 représente une mémoire selon l'invention, en forme de disque. Les matériaux à structure non-centrosymétrique peuvent générer une onde de seconde harmonique en réponse à a w une onde électromagnétique incidente. L'intensité I de cette onde de seconde harmonique est fonction du carré de la longueur d'interaction 1, donc de l'épaisseur de matériau électrooptique traversée par l'onde, selon la relation 1 étant appelée longueur de cohérence. La longueur de c cohérence correspond à la relation avec ## : longueur d'onde de l'onde électromagnétique a w w incidente, n indice du matériau à la pulsation 2 # et n# indice du matériau à la pulsation w (pulsation de l'onde incidente).Cette relation est due au désaccord de phase entre l'onde de pulsation w et l'onde de pulsation 2z qui se propagent dans le matériau, l'indice à la pulsation Lt > ) n'étant pas égal à l'indice à la pulsation 2 w (n ). Dans le cas du copolymère P (VDF-TrPE) de proportions molaires 70/30 (70 % de VDF pour 30 % de TrFE) et pour une longueur d'onde A = 1,06 m, la différence w d'indice n - n vaut 0,007 et la longueur de cohérence 1 c vaut environ 30 ,um. La figure 1 est un diagramme donnant l'intensité 2 tex I du signal de seconde harmonique généré dans un matériau électrooptique en fonction de la longueur d'interaction 1. La courbe Cl a été tracée pour # k = 0 et la courbe C2 pour # k # 0 (~k=k kw, ku; k# et k2# étant les vecteurs d'onde respectivement pour les pulsations W et 2#). La courbe Cl a une allure parabolique tandis que la courbe C2 a une allure sinusoïdale. La courbe C2 possède des valeurs maximales pour des longueurs d'interaction égales à la longueur de cohérence Ic ou multiples impaires de lc. Elle possède des valeurs nulles pour des multiples paires de Ic. c Une explication simple de la courbe C2 consiste à dire que l'élément de matériau ferroélectrique et électrooptique, dans lequel se propage l'onde de seconde harmonique, peut être subdivisé en tranches d'épaisseur 1. c Les figures 2 et 3 représentent de manière schématique des éléments de matériau électrooptique d'épaisseur 2 lc. Une onde c électromagnétique d'intensité I @ incidente à ces éléments génère une onde de seconde harmonique et d'intensité I2#. Si les deux tranches sont polarisées dans le même sens ( SPO et + PO) comme le montre la figure 2, le signal de seconde harmonique produit par la deuxième tranche est en opposition de phase avec celui produit par la première tranche et l'onde de seconde harmonique à la sortie de la deuxième tranche a une amplitude nulle.Si les deux tranches sont polarisées en sens inverse (+ PO et - PO) comme le montre la figure 3, les signaux produits par ces tranches sont en phase et il y a émission d'un signal de seconde harmonique I2 w K (in') K étant un coefficient de proportionnalité. Dans le cas d'un matériau ferroélectrique tel que P(VDF-TrEE) de proportions molaires 70/30, la longueur de cohérence mesurée est sensiblement égale à 30 Cun. Cette longueur peut être réduite à quelques Cun par dopage du polymère avec 1 à 10 % de colorants connus de l'homme de l'art. Ce dopage modifie la bande d'absorption du polymère dans le domaine du visible qui peut être ajustée en longueur d'onde par le choix du colorant. On peut ainsi obtenir un système à mémoire selon les états de polarisation des différentes tranches. Le principe de fonctionnement d'une telle mémoire est identique quelle que soit l'épaisseur des couches de polymère pourvu que toutes les couches aient la même épaisseur et que cette épaisseur soit inférieure ou égale à la longueur de cohérence 1 c En pratique, si les longueurs de cohérence sont de l'ordre de quelques dizaines de pin, il est tout à fait possible d'utiliser des couches de 1 Cun d'épaisseur. La figure 4 représente en coupe une portion de mémoire selon l'invention, formée de deux couches de matériau ferroélectrique. On envisagera le cas où la mémoire est lue en transmission et dans ce cas tous ses composants sont transparents au faisceau de lecture. La mémoire comprend un substrat statique 1 en verre par exemple sur lequel on a déposé des électrodes colonnes 2 en oxyde mixte d'étain et d'indium (ITO). On a ensuite déposé, pour obtenir une première couche 3 de matériau ferroélectrique un film de polymère ferroélectrique. Ce peut être du P(VDF-TrFE) 70/30 déposé à la tournette. Cette couche 3 est ensuite recouverte d'un réseau d'électrodes lignes 4 en ITO puis d'une seconde couche 5 du même polymère ferroélectrique. La couche 5 est alors recouverte d'une électrode uniforme 6 en ITO. Les intersections des lignes et des colonnes définissent les éléments de mémoire selon un système matriciel. Les deux couches ferroélectriques 3 et 5 sont d'épaisseur égale à la longueur de cohérence lc. La couche 5 c est tout d'abord polarisée uniformément et une fois pour toutes entre les électrodes 4 et 6 en lui appliquant un champ électrique coercitif environ égal à 80 V/,um. Cet état de polarisation, par exemple Po, est représenté sur la figure 4 par des flèches. Toutes les zones de la couche 5 sont polarisées dans le même sens. Pour chaque élément d'image, les états O et 1 s'obtiennent en appliquant + ou - la tension coercitive Vcoerc entre les électrodes lignes 4 et les électrodes colonnes 2. Pour l'inscription de la couche 3, on peut utiliser le type d'adressage suivant en relation avec la figure 5 qui représente un cycle d'hystérésispour un matériau ferroélectrique. D'abord, l'ensemble de la couche 3 peut être mis dans l'état de polarisation -P en appliquant une tension o Vl sur les électrodes lignes 4 et une tension + Vc sur les électrodes colonnes 2. La couche 3 est alors soumise à une tension Vl - Vc, ce qui correspond au point A sur le cycle d'hystérésis de la figure 5, soit pratiquement l'état de polarisation -P . De cette façon l'ensemble de la mémoire est o mise dans l'état mémoire 0. Pour mettre certains éléments de mémoire dans l'état 1, l'inscription se fait ligne par ligne. On applique +V1 sur la ligne à inscrire, -V c sur les colonnes correspondant aux éléments de mémoire à mettre dans l'état mémoire 1, + V sur c les colonnes correspondant aux éléments de mémoire à garder dans l'état mémoire 0. Ainsi, pour la ligne à inscrire, les zones de la couche 3 soumises à une tension V + V sont c dans l'état de polarisation + P (point B du cycle o d'hystérésis) et l'élément mémoire correspondant sera dans l'état mémoire 1.Toujours pour cette ligne à inscrire, les zones de la couche 3 soumises à une tension V1 - V sont c dans l'état de polarisation -P (point A du cycle o d'hystérésis) et l'élément mémoire correspondant sera dans l'état mémoire 0. Pendant ce temps, les autres électrodes lignes sont mises au potentiel 0 de sorte que les zones de la couche 3 correspondantes sont soumises à + ou - V c (points C et D du cycle d'hystérésis) ce qui ne change pas leur état de polarisation (environ -PO) Sur la figure 4, on a représenté trois éléments de mémoire à l'état mémoire 1 et quatre éléments de mémoire à l'état mémoire 0. En réponse à un signal optique de lecture I#, les éléments à l'état mémoire 1 génèrent un signal I2# et les éléments à l'état mémoire 0 ne génèrent aucun signal 12w La figure 6 représente un dispositif de lecture d'une mémoire selon l'invention à une seule rangée d'éléments mémoire. Ce dispositif comprend une barrette 10 de lasers pouvant émettre des faisceaux lumineux à la pulsation w et une barrette li de détecteurs de signaux lumineux de pulsation 2 w . La mémoire, que l'on a désignée sous la référence 12, est placée entre les barrettes 10 et 11. De la mémoire 12 on n'a représenté que le substrat 1 et les couches ferroélectriques 3 et 5. La mémoire est inclinée d'un angle 0 par rapport à la normale aux faisceaux de lecture. Cet angle 9 est avantageusement fixé entre 500 et 600 pour obtenir un signal I u) détecté maximum. Un réseau de fibres optiques 13 distribue les signaux optiques de lecture aux éléments de mémoire. Un réseau de fibres optiques 14 recueille, par l'intermédiaire de microlentilles 15, les signaux optiques générés par les éléments de mémoire vers la barrette de détecteurs 11. Un système de lecture plus élaboré consiste à utiliser une barrette à une seule rangée de lasers et se déplaçant ligne par ligne (ou colonne par colonne) de façon à lire une mémoire 2 dimensions. La barrette à une seule rangée de détecteurs correspondante se déplace de façon synchrone au déplacement de la barrette de lasers. Un autre système consiste à utiliser une matrice de lasers N x M et une matrice de détecteurs N x M afin de lire sans déplacement une mémoire deux dimensions. En associant n couches de polymère ferroélectriques avec un nombre approprié de réseaux d'électrodes croisés et isolés, on peut réaliser une mémoire ferroélectrique où chaque élément de mémoire possède un nombre de niveaux programmables fonction du nombre de couches et des valeurs de polarisation utilisées. Les couches de polymère utilisées peuvent avoir de 1 à 2 Xum d'épaisseur. La mémoire de la figure 4 comprenait des couches ferroélectriques d'épaisseur égale à la longueur de cohérence. Le choix de cette épaisseur se justifiait par la raison qu'on peut ainsi simplement faire la distinction entre un signal d'une amplitude maximum pour 1 = le (voir la figure 1) et un signal d'amplitude nulle. Par contre, si les couches ferroélectriques ont des épaisseurs inférieures à la longueur de cohérence, on peut obtenir par superposition de couches toute une série de valeurs pour l'amplitude I2 du faisceau généré allant de la valeur 0 à la valeur correspondant à l = 1 c La figure 7 représente une mémoire selon l'invention vue en coupe et comprenant 4 films ferroélectriques.Elle comprend un substrat 20 transparent au faisceau optique de lecture sur lequel sont déposées quatre couches de polymère ferroélectrique référencées 21, 22, 23 et 24. Chaque couche ferroélectrique est comprise entre des réseaux d'électrodes lignes et colonnes transparentes au faisceau optique de lecture. Ainsi la couche 21 est encadrée par des réseaux d'électrodes lignes 25 et d'électrodes colonnes 26 ; la couche 22 est encadrée par des réseaux d'électrodes lignes 27 et d'électrodes colonnes 28 ; la couche 23 est encadrée par des réseaux d'électrodes lignes 29 et d'électrodes colonnes 30 ; la couche 24 est encadrée par des réseaux d'électrodes lignes 31 et d'électrodes colonnes 32. Des couches diélectriques 33, 34 et 35 transparentes au faisceau de lecture sont interposées entre les électrodes colonnes d'une couche de polymère ferroélectrique et les électrodes lignes de la couche ferroélectrique suivante afin d'éviter les courts-circuits entre ces électrodes. Un laser 40 délivre un faisceau lumineux de lecture 41 rendu parallèle grâce à la lentille 42. Le faisceau 41 est incliné d'un angle & par rapport à la normale aux couches, cet angle S étant choisi de façon à obtenir un signal généré d'amplitude maximale. La figure 7 montre le faisceau lumineux 42 traversant un élément de mémoire. Les électrodes lignes correspondant à un même élément de mémoire sont donc décalées les unes des autres en relation avec l'angle e L'épaisseur des couches de polymère ferroélectrique peut être comprise entre 1 et 5 ,um donc suffisamment faible par rapport à la longueur de cohérence. Ces épaisseurs correspondent à la progression parabolique du début du diagramme de la figure 1. L'épaisseur totale des couches ferroélectriques est au plus égale à la longueur de cohérence. L'épaisseur des couches diélectriques 33, 34 et 35 peut être comprise entre 0,1 et 0,2 iim. L'invention permet aussi de prendre compte d'états de polarisation intermédiaires, par exemple +Po/2 et -Po/2. On peut ainsi obtenir quatre états de polarisation à partir de deux couches de polymère ferroélectrique, soit les états de polarisation +P0, -POJ + P /2 et -P0/2. Si o I est l'amplitude du faisceau lumineux susceptible d'être généré dans une couche polarisée à Po, il sera possible de recueillir des faisceaux générés d'amplitudes proportionnelles à 0, 1/4 12w, 9/4 I2 > 7 et 4 î2W. C'est ce que résume le tableau 1 placé en fin de description. On obtient ainsi quatre niveaux de codage. L'inscription peut être effectuée de la manière suivante en relation avec la figure 8 qui représente un cycle d'hystérésis.L'une des deux couches peut être placée dans l'état de polarisation +P et toutes les zones de cette o couche resteront dans cet état. C'est la polarisation de la deuxième couche qui déterminera les états mémoire finaux. L'inscription de la deuxième couche peut être effectuée comme suit. D'abord l'ensemble de la deuxième couche peut être mis dans l'état de polarisation -P en appliquant une tension + o V sur les électrodes lignes et une tension + V sur les 1 c électrodes colonnes correspondant à la deuxième couche. Celle-ci est alors soumise à une tension Vl-Vc, ce qui correspond au point A sur le cycle d'hystérésis de la figure 8, soit pratiquement l'état de polarisation -P . De cette façon o l'ensemble de la mémoire est mise dans l'état mémoire 0. D'un point de vue macroscopique, la polarisation de la mémoire est nulle. On procède ensuite ligne par ligne. Supposons que l'on veuille inscrire sur la ligne i les états de polarisation suivants : SPOJ -POJ + Po/2 et -Po/2. Il faut alors appliquer + V sur la ligne i, -V sur les colonnes 1 c correspondant aux zones de la deuxième couche à mettre dans l'état de polarisation + P (point B du diagramme), + V sur o c les colonnes correspondant aux zones de la deuxième couche à laisser dans l'état de polarisation Po, -V' sur les colonnes correspondant aux zones de la deuxième couche à mettre dans l'état de polarisation + Po/2 (point E du diagramme), + V' sur les colonnes correspondant aux zones de la deuxième couche à mettre dans l'état de polarisation -P0/2 (point F du diagramme). Pendant ce temps, on peut soumettre les autres électrodes lignes au potentiel 0 de sorte que les zones correspondantes de la deuxième couche soient soumises à + ou Ve (points C et D du diagramme) ou à + ou - V' (points G et H du diagramme) ce qui ne change pas leur état de polarisation (environ -PO) . On peut aussi obtenir cinq états de polarisation à partir de deux couches de polymère ferroélectrique, soit les états de polarisation + Po, -P0, + Po/2, - Po/2 et 0. Si I2 rg est l'amplitude du faisceau lumineux susceptible d'être généré dans une couche polarisée à P, il sera possible de recueillir des faisceaux générés d'amplitudes proportionnelles à 0 1/4 I2n > , î2w, 9/4 12w et 4 I2#. C'est ce que résume le tableau 2 placé en fin de description. On obtient ainsi cinq niveaux de codages.L'inscription peut se faire comme pour le cas précédent comprenant quatre niveaux de codage, sauf à prévoir d'appliquer une tension nulle sur la colonne correspondant aux zones de la deuxième couche à mettre dans l'état de polarisation 0. On peut encore obtenir cinq états de polarisation à partir de trois couches de polymère ferroélectrique, soit les états de polarisation + Po, + Po/2, -Po/2, Po et 0. Si I2# est l'amplitude du faisceau lumineux susceptible d'être généré dans une couche polarisée à Po, il sera possible de recueillir des faisceaux générés d'amplitudes proportionnelles à 0, 1/4 I2#, I2#, 9/4 I2#, 4 I20, 25/4 I2# et 9 I2W. C'est ce que résume le tableau 3 placé en fin de description. On obtient ainsi sept niveaux de codage. Les exemples précédents donnent toutes les indications pour obtenir les cinq états de polarisation nécessaires. Il entre dans le cadre de la présente invention de réaliser un nombre plus important de couches ferroélectriques. On peut ainsi obtenir un codage sur 4 bits (16 niveaux) avec un système à 8 couches. La figure 9 illustre une autre variante de l'invention. Il s'agit d'une mémoire ferroélectrique sur un support disque mobile. La mémoire comprend un disque 50 en matériau isolant et transparent au faisceau de lecture. Il supporte une électrode transparente 51 sur laquelle a été formée la couche 52 en polymère ferroélectrique. La couche 52 est elle-même recouverte d'une électrode uniforme et transparente 53 sur laquelle a été formée la couche 54 en polymère ferroélectrique. La couche 52 est polarisée uniformément et une fois pour toutes à la fabrication du disque par application d'un champ électrique supérieur au champ électrique coercitif. Lors de la fabrication, on a fait en sorte que l'électrode 51 ne puisse être mise en contact avec l'axe métallique 55 de centrage du disque sur son dispositif d'inscription.Par contre, l'électrode 53 est réalisée de façon qu'elle soit en contact électrique avec l'axe 55. Ainsi l'électrode 53 pourra être mise au potentiel de la masse, lors de l'inscription, grâce à l'axe 55. Cette inscription pourra être réalisée par polarisation de zones de la couche 54 grâce à un dispositif à pointe Corona 56. Les couches 52 et 54 sont d'épaisseur égale à la longueur de cohérence 1c Si la polarisation d'une zone de la couche 54 a lieu dans le même sens que celui de la polarisation de la couche 52, l'élément mémoire correspondant se trouve dans l'état mémoire 0 (cas de la figure 2). Dans le cas inverse, l'élément mémoire est dans l'état mémoire 1 (cas de la figure 3). La lecture de la mémoire se fait grâce au laser 57 émettant un faisceau lumineux de lecture faisant un angle 8 avec la normale au disque. Le faisceau de seconde harmonique généré par la mémoire est détecté par le photodétecteur 58 après passage au travers du filtre 59. L'état de la mémoire est révélé par l'intensité à 2w générée au point considéré. L'invention peut s'appliquer également à un réseau neuronal à polymère ferroélectrique codable sur plusieurs niveaux par adressage électrique et pouvant être lu par un procédé optique à génération de seconde harmonique. 2W Couche 1 2 I Etat de + Po + Po 4 I2# polarisation Etat de + P - P o o o polarisation Etat de + Po + Po/2 9/4 I2# polarisation Etat de + PO -Po/2 1/4 I2# polarisation TABLEAU I Couche 1 2 I Etat de + P ≈ P 4 12w o o polarisation Etat de + p - PO O o o polarisation Etat de + Po + Po/2 9/4 I2# polarisation Etat de + Po Po/2 1/4 I2# polarisation Etat de + Po 0 I2# polarisation TABLEAU II Couche 1 2 3 I2# Etat de + PO Po + P 9 I2w o o o polarisation Etat de + Po + Po 0 4 I2# polarisation Etat de + Po + Po - Po I2Q polarisation Etat de + Po P + Po/2 25/4 I2# polarisation Etat de + Po + Po -Po/2 9/4 I2# polarisation Etat de + P /2 0 0 1/4 I2@ polarisation Etat de o 0 0 0 polarisation TABLEAU III REVENDICATIONS 1 - Mémoire à base de matériau ferroélectrique à inscription électrique et à lecture optique, caractérisée en ce qu'elle comprend au moins deux couches superposées en matériau ferroélectrique, chaque élément de mémoire étant formé de zones superposées desdites couches, les zones d'un même élément de mémoire étant disposées de façon qu'un faisceau lumineux de lecture puisse les traverser, la mémoire comprenant également des moyens d'application de champs électriques permettant de mettre les zones de chaque élément de mémoire dans des états de polarisation déterminés, le faisceau lumineux de lecture générant, en traversant un élément de mémoire, une onde de seconde harmonique dont l'amplitude est fonction des états de polarisation desdites zones. 2 - Mémoire selon la revendication 1, caractérisée en ce que ledit matériau ferroélectrique est un matériau polymère. 3 - Mémoire selon l'une des revendications 1 ou 2, caractérisée en ce que le faisceau lumineux de lecture est incident selon un angle déterminé par rapport à la normale auxdites couches en matériau ferroélectrique, cet angle ( 0 ) correspondant à une onde de seconde harmonique d'amplitude maximale. 4 - Mémoire selon l'une quelconque des revendications 1 à 3, caractérisée en ce que l'épaisseur desdites couches ferroélectriques est égale à leur longueur de cohérence pour la longueur d'onde dudit faisceau lumineux de lecture. 5 - Mémoire selon la revendication 4, caractérisée en ce qu'elle comprend deux couches ferroélectriques (3, 5), l'une de ces couches (5) étant uniformément polarisée dans un premier état de polarisation, les zones de l'autre couche (3) pouvant être polarisées grâce à un système matriciel d'électrodes lignes (4) et colonnes (2) à des états de polarisation identiques audit premier état ou à des états de polarisation de valeur égale mais de signe opposé audit premier état. 6 - Mémoire selon la revendication 4, caractérisée en ce qu'elle comprend deux couches ferroélectriques (52, 54) placées sur un support (50) en forme de disque, l'une de ces couches (52) étant uniformément polarisée dans un premier état de polarisation, les zones de l'autre couche (54) pouvant être polarisées grâce à un dispositif à pointe Corona (56) à des états de polarisation identiques audit premier état ou à des états de polarisation de valeur égale mais de signe opposé audit premier état. 7 - Mémoire selon l'une quelconque des revendications 1 à 3, caractérisée en ce que l'épaisseur totale des couches ferroélectriques (21, 22, 23, 24) est inférieure ou égale à la longueur de cohérence pour la longueur d'onde dudit faisceau lumineux de lecture, la mémoire comprenant au moins un système matriciel d'électrodes lignes (25, 27, 29, 31) et colonnes (26, 28, 30, 32) permettant de mettre les zones de chaque élément de mémoire dans des états de polarisation déterminés.