FR 2647547 A1 19901130 FR 8906874 A 19890525 La présente invention est relative à un procédé et un dispositif de mesure de la résistance thermique de contact de matériaux en couches par radiométrie photothermique. Le principe de la radiométrie photothermique consiste à observer les variations du rayonnement émis par la surface d'un échantillon à analyser soumis à un flux lumineux modulé. L'émission infrarouge de la surface libre illuminée de l'échantillon est analysée au moyen d'une chaîne de détection, détecteur infrarouge, amplificateur synchrone et système de traitement. Un procédé et un dispositif d'analyse et de mesure des paramètres physiques d'un matériau en couches par radiométrie thermique ont été décrits dans la demande de brevet français n" 86 01613 déposée le 06 février 1986 au nom d'UNIVERSITE DE REIMS CHAMPAGNE ARDENNE. Le procédé et le dispositif décrits dans la demande de brevet précitée ont pour objet la détermination et la mesure des paramètres physiques d'un matériau en couches. Un échantillon de référence est excité au moyen d'un flux lumineux modulé pour constituer un étalonnage préalable de la chaine de détection. Deux mesures d'amplitude ou de phase du rayonnement infrarouge émis par un échantillon à analyser, suite à illumination sous un flux modulé à deux fréquences différentes données, fréquence haute et fréquence basse, permettent par comparaison avec le modèle théorique de déterminer un paramètre inconnu du matériau bi-couches tel que l'épaisseur du revêtement, l'absorptivité du revêtement pour le rayonnement excitateur, la diffusivité du revêtement, la résistance thermique de contact revêtement-substrat. Toutefois, le procédé et le dispositif précités sont de préférence mis en oeuvre pour des couches superficielles ou revêtements semi-transparents au rayonnement d'excitation. Bien que l'application du procédé et du dispositif précités puisse être envisagée dans le domaine technique des semi-conducteurs, dans le cas de couches métalliques superficielles de très faible épaisseur? ces derniers ne peuvent être valablement mis en oeuvre dans le cas de matériaux métalliques présentant un fort coefficient de réflectivité et un faible coefficient d'émissivité spectrale, donc une faible réémission en rayonnement infrarouge, pour la longueur d'onde du signal d'excitation considéré. La présente invention a pour but de remédier à l'inconvénient précité par la mise en oeuvre d'un procédé et d'un système de mesure par radiométrie photothermique de la résistance thermique de contact de matériaux en couches opaques à un rayonnement électromagnétique d'excitation et au rayonnement infrarouge. Un autre objet de la présente invention est la mise en oeuvre d'un procédé et d'un système de contrôle par radiométrie photothermique de la qualité d'assemblage de pièces par sertissage ou par dudgeonnage, notamment de pièces métalliques. Un autre objet de la présente invention est enfin la mise en oeuvre d'un procédé et d'un système de contrôle par radiométrie photothermique totalement automatique de la qualité d'assemblage de pièces par sertissage ou dudgeonnage en vue de leur application sur site industriel au contrôle de fabrication et de montage des échangeurs de chaleur. Le procédé de mesure par radiométrie photothermique de la résistance thermique de contact de matériaux en couches opaques à un rayonnement électromagnétique de longueur d'onde déterminée et au rayonnement infrarouge, objet de l'invention, ce matériau comportant au moins une première et une deuxième couche séparée par une résistance de contact, est remarquable en ce qu'il consiste à focaliser sur la surface libre du matériau un faisceau modulé de rayonnement électromagnétique, à ladite longueur d'onde déterminée, de manière à soumettre cette surface libre du matériau à un flux incident de rayonnement électromagnétique sur une zone de rayon déterminé. La composante continue et la composante alternative de la distribution de température de la surface libre du matériau sont déterminées à partir des bilans de transfert de chaleur et des conditions aux limites relatives à la distribution d'énergie du faisceau et des dimensions géométriques des couches. La détection de la composante alternative du rayonnement infrarouge émis par un élément de surface concentrique à la zone d'excitation de la surface libre est effectuée et la composante alternative du signal photothermique dW émis par l'élément de surface est déterminée à partir du flux de la composante alternative du rayonnement infrarouge et des composantes alternatives et continues des distributions de température de la surface libre. Une comparaison de la composante alternative du signal photothermique à une pluralité de valeurs étalon caractéristiques de la résistance de contact d'échantillons connus du matériau permet de déterminer la valeur de la résistance thermique de contact pour le matériau considéré. Le dispositif de mesure par radiométrie photothermique de la résistance thermique de contact de matériaux en couches opaques à un rayonnement électromagnétique de longueur d'onde déterminée et au rayonnement infrarouge, objet de la présente invention, ce matériau comportant au moins une première et une deuxième couche séparée par une résistance de contact, est remarquable en ce qu'il comporte des moyens d'émission d'un faisceau de rayonnement électromagnétique à la longueur d'onde déterminée, et des moyens de focalisation du faisceau de rayonnement électromagnétique sur une zone d'excitation de rayon déterminé de la surface libre du matériau. Des moyens de commande et de calcul sont prévus, afin de permettre, d'une part, la commande des moyens d'émission et de focalisation et, d'autre part, la détermination par le calcul, à partir des bilans de transfert de chaleur, des conditions aux limites relatives à la distribution d'énergie du faisceau et des dimensions géométriques des couches dans une direction orthogonale à la surface libre, la composante continue et la composante alternative de la distribution de température de la surface libre du matériau. Des moyens détecteurs de la composante alternative du rayonnement infrarouge émis par un élément de surface concentrique à la zone d'excitation de la surface libre sont prévus, ces moyens détecteurs étant interconnectés aux moyens de calcul et de commande. Les moyens de commande et de calcul assurent, d'une part, la commande des moyens détecteurs et, d'autre part, la numérisation et la mémorisation des valeurs numériques représentatives de la composante alternative du rayonnement infrarouge. Les moyens de commande et de calcul permettent en outre d'assurer la détermination par calcul de la composante alternative du signal photothermique émis par l'élément de surface à partir du flux de la composante alternative du rayonnement infrarouge et des composantes alternatives et continues des distributions de température de la surface libre ainsi que la comparaison de ia composante alternative du signal thermique à une pluralité de valeurs étalon caractéristiques de la résistance de contact d'échantillons connus du matériau pour déterminer la valeur de la résistance de contact pour le matériau considéré. Le procédé et le dispositif, objets de l'invention, trouvent application dans le domaine de l'industrie mécanique, notamment la chaudronnerie, I'assemblage d'éléments échangeurs de chaleurs ou radiateurs. L'invention sera mieux comprise à la lecture de la description et à l'observation des dessins ci-après dans lesquels : les figures la et lb représentent, de manière schématique, des étapes préférentielles de mise en oeuvre du procédé objet de l'invention, la figure 2 représente une vue générale d'un dispositif objet de l'invention, ce dispositif étant plus particulièrement destiné au contrôle de qualité d'assemblage de pièces mécaniques assemblées par sertissage ou dudgeonnage, les figures 3a, 3b, 3c représentent une vue de face, une vue de gauche d'un détail de réalisation du dispositif selon l'invention représenté en figure 2, et une vue en coupe d'un assemblage par sertissage d'une ailette d'échangeur de chaleur, la figure 4a représente un schéma synoptique des moyens de commande et de calcul permettant la conduite du procédé et la mise en oeuvre du dispositif selon l'invention de manière automatique, la figure 4b représente un organigramme général du programme de calcul de la résistance thermique de contact pour un matériau donné, la figure 4c représente un organigramme général d'un programme de type "menu" permettant à un utilisateur d'assurer une conduite automatique du processus de mesure. Une description plus détaillée du procédé de mesure par radiométrie photothermique de la résistance thermique de contact de matériaux métalliques, objet de l'invention, sera décrit en liaison avec les figures la et lb Ainsi qu'on l'a représenté en premier lieu sur la figure la, le matériau considéré comporte au moins une première et une deuxième couche, respectivement notées I et 2, séparées par une résistance de contact R. A titre d'exemple non limitatif, les première I et deuxième couches 2 sont réputées constituer sensiblement des lames à face parallèle dont l'ordonnée, selon la direction Oz, c'est-à-dire la profondeur ou épaisseur de chaque couche est repérée par rapport à la surface libre S de la première couche I. Pour les besoins de l'exposé, les première couche I et deuxième couche 2 sont réputées présenter une symétrie de révolution par rapport à l'axe Oz précité. Leur abscisse radiale est notée sur la surface libre S par rapport à l'origine 0 par la désignation r quelle que soit l'orientation du rayon considéré par rapport à une direction arbitraire Or sur la figure la représentée sur la surface libre S précitée. Ainsi qu'on l'a représenté en figure la, le procédé, objet de l'invention, consiste à focaliser sur la surface libre S du matériau constitué par les première et deuxième couches 1 et 2 un faisceau modulé de rayonnement électromagnétique. Le rayonnement électromagnétique présente au moins une longueur d'onde A, longueur d'onde à laquelle la première couche 1 au moins est réputée opaque, cette première couche 1 étant, d'autre, part, opaque au rayonnement infrarouge IR. Les matériaux les plus usuels, tels que le cuivre notamment, présentent une telle propriété, d'une part, à l'ensemble des longueurs d'onde du spectre visible de rayonnement électromagnétique et, d'autre part, au rayonnement infrarouge. Ainsi qu'on l'a représenté sur la figure la, le faisceau modulé de rayonnement électromagnétique est focalisé de manière à soumettre la surface libre S du matériau à un flux incident de rayonnement électromagnétique 9 (r,t) sur une zone d'excitation de la surface libre S de rayon rg déterminé. Ainsi qu'on le comprendra, de manière non limitative, le faisceau de rayonnement électromagnétique est sensiblement de révolution et présente, du fait de la focalisation, une section longitudinale sensiblement cylindrique ou conique. De préférence, le faisceau de rayonnement électromagnétique engendrant le flux incident i(r,t) est modulé périodiquement, par exemple une modulation sinusoldale d'amplitude. Selon un autre aspect particulièrement avantageux non limitatif du procédé objet de l'invention, celui-ci consiste a déterminer, à partir des bilans de transfert de chaleur, des conditions aux limites relatives à la distribution d'énergie du faisceau (r), cette distribution d'énergie du faisceau étant, bien entendu, la distribution d'énergie spatiale du faisceau considéré à un instant donné sur la zone d'excitation de rayon rg précité et des dimensions géométriques des couches dans une direction z orthogonale à la surface libre S, la composante continue T l(r,O) et la composante alternative T t(r,O) de la distribution de température de la surface libre S du matériau. Ainsi que représenté en outre en figure la, le procédé, objet de l'invention, consiste également à détecter, la détection étant représentée symboliquement par la lettre D sur cette figure, la composante alternative du rayonnement infrarouge IR émis par un élément de surface concentrique à la zone d'excitation de la surface libre S. De manière non limitative, sur la figure la, on a représenté la détection D dans une direction faisant un angle ad par rapport à la direction d'incidencé du faisceau de rayonnement électromagnétique d'excitation. Par convention et de manière non limitative, le faisceau électromagnétique d'excitation engendrant le flux d'excitation fi(r) sera réputé sous incidence normale par rapport à la surface libre S du matériau, I'angle de détection 9d pouvant être a priori quelconque. Suite à la détection D précitée, le procédé, objet de l'invention, consiste ensuite à déterminer la composante alternative du signal photothermique dW émis par l'élément de surface précité à partir du flux de la composante alternative du rayonnement infrarouge IR et des composantes alternatives et continues des distributions de température de la surface libre S. Ainsi qu'on l'a représenté en outre en figure la, le procédé, objet de l'invention, consiste ensuite à comparer la composante alternative du signal photothermique dW à une pluralité de valeurs étalon notées respectivement dW1, dU'2, .... dWn, ces valeurs étalon étant bien entendu caractéristiques de la résistance de contact thermique Ri d'échantillons connus du matériau pour déterminer la valeur de la résistance pour le matériau à analyser considéré. Sur la figure la, on a représenté les étapes successives a, b, c, d, e du procédé objet de l'invention, ces étapes étant représentées de manière symbolique, une description plus détaillée de ces étapes étant donnée ultérieurement dans la description. De manière non limitative, I'excitation au moyen d'un faisceau de rayonnement électromagnétique peut être réaliste'à partir d'une lumière cohérente ou non cohérente. Ainsi, et de manière non limitative, le faisceau de rayonnement électromagnétique peut être constitué par un faisceau laser engendré par un laser à argon par exemple, ce faisceau étant focalisé selon une zone d'excitation de rayon rg égal à environ 0,5 à 0,6 mm. De manière pratique, le rayon rg de la zone d'excitation pourra être pris égal à une valeur n'excédant pas les 115e du rayon rl ou abscisse radiale des couches constituant le matériau considéré. Au point d de la figure la, on a représenté de manière symbolique la détermination de la composante alternative du signal photothermique dU à partir du flux de la composante alternative du rayonnement infrarouge IR et des composantes alternatives et continues des distributions de température de la surface libre S, ces distributions de température étant notées Tl(r,O) pour la composante continue et T (r,O) pour la composante alternative de la distribution de température de la surface libre S du matériau. De même, en ce qui concerne l'étape e du procédé, objet de l'invention, la comparaison précitée a été représentée de manière symbolique par un losange de test dans lequel un test d'égalité ou tout au moins de tri de la valeur mesurée par rapport aux valeurs ou à la valeur étalon la plus proche est effectué. Selon une autre caractéristique avantageuse du procédé, objet de l'invention, les valeurs étalon caractéristiques de la résistance de contact Rid'échantillons connus d'un matériau donné sont obtenues par la mise en oeuvre des étapes a à d précédentes sur une pluralité d'échantillons connus du matériau considéré. Bien entendu, il n'est pas nécessaire de recommencer une telle opération pour chaque mesure pour un type de matériau donné, et la mesure de la résistance de contact thermique Rid'échantillons connus d'un matériau donné étant effectuée pour un type de matériau consi déré, il suffit ensuite, ces valeurs ayant été mémorisées, d'effectuer un chargement des valeurs précitées pour effectuer une ou plusieurs mesures pour différents types d'un même matériau. Selon une autre caractéristiques avantageuses non limitative du procédé objet de l'invention, ainsi que représenté en figure lb, pour un matériau comportant une première I et une deuxième couche 2 constituant sensiblement des lames à face parallèle d'ordonnée z 1 et z = - R 2' et de dimension radiale rl très supérieure au rayon rg du faisceau d'excitation, le faisceau d'excitation de section sensiblement cylindrique présente, de préférence, une distribution d'énergie gaussienne de façon à soumettre la zone d'excitation à un flux incident de rayonnement électromagnétique $i(r,t) de la forme Dans cette relation 1, fibre désigne la distribution radiale d'énergie d'excitation sur la surface libre S, cette distribution étant de la forme Dans les relations précitées I et 2, r désigne l'abscisse radiale d'un point de la zone d'excitation et rg désigne le rayon du faisceau d'excitation. Dans les conditions d'excitation précitées, les conditions aux limites relativement à l'abscisse r sont données par : - température finie en r = O, c'est-à-dire à l'origine du repère d'abscisse radiale O r et d'ordonnée Oz - absence de pertes thermiques en r = rl, en raison des dimensions relatives et de la focalisation extrême du faisceau d'excitation électromagnétique et de la dimension radiale des couches constituant le matériau considéré. La compoosante alternative de température de surface Tl(G,r) est déterminée à partir de l'expression de la composante alternative de température générale ci-après Dans la relation 3 précitée,ain désigne des coefficients liés au type de matériau étudié et aux conditions aux limites sur r : avec où ai désigne la diffusivité pour la couche d'ordre i considérée, c'est-à-dire soit la première couche I, soit la deuxième couche 2 constituant le matériau. La composante alternative de température de surface précitée Tl(O,r) est en outre déterminée à partir des conditions aux limites relativement à l'ordonnée z du matériau considéré, ces conditions aux limites étant flux imposé et pertes sur la surface libre S du matériau à l'ordonnée z = 0 déterminé par Dans la relation 4 précitée, X 1 représente la conductivité thermique de la première couche I et h1 représente le coefficient de perte thermique de la face avant pour l'ordonnée z - O du matériau en couche, c'est-à-dire la surface libre S du matériau. Egalité des flux thermiques à l'interface de contact entre la première et la deuxième couche, soit pour l'ordonnee z = - selon la relation Dans la relation 5 précitée, X 2 représente la conductivité thermique de la couche 2. . résistance thermique à l'interface de contact entre la première et la deuxième couche, soit pour l'ordonnée z = - t l selon la relation: Dans la relation 6 précitée, TI(r,-l) et T2(r,-t1) représentent les composantes alternatives respectivement des distributions de température sur les faces constituant interface de contact des première (I) et deuxième (2) couches constituant le matériau. pertes en face arrière du matériau, c'est-à-dire à l'ordonnée z = - #2 selon la relation Dans cette relation, h2 représente le coefficient de perte thermique de la face arrière à l'ordonnée z = - t2 du matériau en couche. 2 L'ensemble des conditions aux limites précitées permet de déterminer les coefficients Ain et 8. de la relation 3 précédemment in in mentionnée. Dans cette relation, on ajoute que JO représente la fonction de Bessel d'ordre 0, le terme indiquant une sommation de la série correspondante de n = O jusqu'à un terme d'ordre déterminé pour lequel la convergence de la série est assurée. En outre, le termes n indique le O de la foectjandrd'ordre 1. On comprendra, bien sur, que les termes A. et Ln Bin sont les coefficients d'amplitude recherchés, I'indice n dans la relation 3 désignant l'ordre du terme de la série convergente considérée. Le procédé, objet de l'invention, plus particulièrement destiné à une mise cn oeuvre dans le cas où la couche superficielle I est constituée par un matériau métallique peut être mis en oeuvre dans le cadre d'une approximation en raison du fait que la composante continue de la température de surface du matériau en couche considéré varie assez peu en fonction de l'abscisse radiale r. Dans ce cas, le signal photothermique dW peut être mis sous la forme dW = Wr + j W1. Cette forme permet de rendre compte de la composante réelle et imaginaire du signal photothermique, c'est-à-dire du déphasage de celui-ci par rapport au signal de modulation d'amplitude du rayonnement électromagnétique d'excitation. L'expression précitée du signal photothermique peut être obtenue par la relation Dans la relation précitée T j(0,r) est la température de surface de l'échantillon considérée et K une constante liée à l'échantillon et à la chaîne de détection utilisée. On comprendra, bien entendu, que les valeurs d'amplitude et de phase du signal photothermique dW permettent alors de remonter par comparaison des résultats expérimentaux à des fichiers précalculés ou abaques à un certain nombre de paramètres liés aux matériaux étudiés. On peut, en particulier, déterminer ainsi le décollement éventuel des deux couches, première et deuxième couche 1 et 2, par la mesure de la résistance thermique de contact R entre les couches. Pour effectuer le calcul de la distribution de température de surface sur la surface libre S du matériau considéré, on impose un flux d'excitation de rayonnement électromagnétique à modulation d'amplitude sensiblement sinusoidale et à distribution spatiale ou gaussienne, ainsi que décrit précédemment sur la surface libre de l'échantillon, c'est-à-dire pour l'ordonnée z = 0. On résout ensuite l'équation de transfert de chaleur en r et z sans second membre pour les milieux matériels constitués par les première et deuxième couches I et 2. Les conditions aux limites sur r précédemment définies permettent la décomposition des températures alternatives T"(r,z) de ces deux milieux considérés, conformément à la relation 3 précédemment mentionnee. Les conditions aux limites précédemment mentionnées sur l'ordonnée z permettent alors de calculer les 4 x n inconnues complexes A. et B. et donc de déduire la température de surface alternative et in in . continue notée respectivement Tl(0,r) et Tl(O,r). Dans les conditions d'illumination précitées, par le rayonnement électromagnétique d'excitation, pour un flux incident ti(r,t), tel que mentionné par les relations I et 2 précédentes, où # représente la pulsation angulaire de modulation d'amplitude du faisceau lumineux avec ,= = t représente le temps et f la fréquence de modulation le flux d'énergie électromagnétique absorbé par la première couche I vaut (r,t) = Dans l'expression précitée, (r) = (I-Ref) f j e(##)2 relation dans laquelle Ref représente la réflectivité de la première couche 1 du matériau. Le calcul du signal photothermique peut alors etre réalisé de la façon ci-après. Dans les relations qui seront exprimées dans la suite de la description, les notations utilisées sont les suivantes Cl, c 2 : constantes de la loi de Planck 2 Ain, Bin, A. , B : constantes calculées à partir des conditions aux limites J I : fonction de Bessel d'ordre I o n : "zéro" de la fonction de Bessel d'ordre 0 A : la longueur d'onde du rayonnement électromagnétique d'excitation #(#) : émîssivité spectrale de l'échantillon R( # ) : la réponse de la chaine de détection (transmittivité spectrale de l'optique, réponse spectrale du détecteur, amplification de l'électronique) R(#) si #min # #max # 0 ailleurs e d : angle de détection rd : rayon du détecteur infrarouge. Pour une détection de la composante alternative de rayonnement infrarouge IR émis par un élément de surface concentrique à la zone d'excitation par l'intermédiaire d'une chaîne de détection de fonction de transfert R( # A), la fonction de transfert R(A ) étant a priori fonction de la longueur d'onde du signal d'excitation électromagnétique de longueur d'onde A par l'intermédiaire du coefficient d'émissivité en rayonnement infrarouge du matériau constitutif de la première couche 1 considérée, la composante alternative du signal photothermique dW est déterminée par la relation dW = 2c1c2 # d (Wr + jw1) ej#t Les composantes Wr, composante réelle et Wj, composante imaginaire du signal photothermique ou plus précisément de la composante alternative de ce dernier, sont alors données par la relation Dans la relation 9 précitée, - # max et #min désignent les bornes de la bande spectrale d'émission du rayonnement électromagnétique d'excitation, - #(#)désigne l'émissivité spectrale de la première couche du matériau soumise au flux d'excitation du rayonnement électromagnétique, - Fr(#) et et Fj(#) désignent les coefficients de contribution réelle et imaginaire de la zone détectée au signal photothermique. Les coefficients de contribution réelle et imaginaire de la zone détectée au signal photothermique désignés par Fr(#), Fj(#) peuvent alors être exprimés par la relation ci-après : Dans la relation 10 précitée, - rd désigne le rayon du détecteur infrarouge considéré, ce détecteur assurant la détection D dans le procédé, objet de l'invention, tel que représenté en figure la, - T r (r,0) et tu I (r,0) désignent respectivement les contributions dues à l'excitation électromagnétique à la partie réelle et imaginaire de la distribution de température de surface, ~ - T(r) = Tamb+TI(r,0)+Tl(r,0), où Tamb désigne la température ambiante de l'atmosphère dans laquelle le procédé, objet de l'invention, est mis en oeuvre. Dans le cas où la première couche 1 est constituée par un métal et où le rayon rd de la zone détectée est très inférieur au rayon rg du faisceau d'excitation, les coefficients de contribution réelle Fr A ) et imaginaire Fi( A ) sont déterminés par les relations Il qui seront explicitées ci-après. Dans le cas particulier de métaux, la composante continue de la température de surface varie radialement de façon beaucoup moins importante que la composante alternative de cette même température de surface. De plus, si la zone détectée concentrique à la zone d'excitation de rayon rg est beaucoup plus faible que la zone soumise au flux de rayonnement électromagnétique, rd très inférieur à rg, alors l'approximation suivante peut être effectuée T1(r,0) peu différent de T1(0,0) = T0, ce qui implique . T(r) peu différent de Tamb + Tl(r,0), soit T(r) peu différent de Tamb + T0. Cette température désignée Teq est indépendante de l'abscisse radiale r du point considéré de la surface libre S. Compte tenu des hypothèses précédentes et de l'approximation précitée, on montre alors que les coefficients de contribution réelle et imaginaire au signal photothermique Fr(l) et Au cours d'essais pratiques sur des matériaux bicouches métalliques de 200 pm d'aluminium sur I mm de cuivre de mise en oeuvre du procédé, objet de l'invention, il a été constaté que la fréquence de modulation f en amplitude du faisceau d'excitation d'onde électromagnétique de longueur d'onde A pouvait être choisie à une valeur comprise entre 10 à 40 Hz en fonction de la nature du matériau constitutif de la première couche 1 du matériau en couche considéré. Ainsi, pour un matériau métallique, tel que le cuivre, il a été possible de mettre en évidence des résistances de contact thermique correspondant à des intervalles de sertissage ou de dudgeonnage de pièces métalliques compris entre 0,1 um et 10 pm, cet intervalle étant bien entendu normalement rempli d'air. Il est ainsi possible, conformément au procédé, objet de l'invention, de déterminer l'existence d'un décollement entre les deux pièces serties ou dudgeonnées un intervalle de plusieurs dixièmes de millimètres correspondant à un décollement pouvant ainsi être largement mis en évidence. Une description plus détaillée d'un dispositif de mesure par radiométrie photothermique de la résistance thermique de contact de matériaux en couches conformément à l'objet de la présente invention sera maintenant décrite en liaison avec la figure 2. Bien entendu, le matériau en couche, ainsi que précédemment décrit, comporte une première et une deuxième couche I, 2, séparée par une résistance de contact R. Ainsi qu'on l'a représenté de manière schématique en figure 2, le dispositif selon l'invention comprend des moyens 3 d'émission d'un faisceau de rayonnement électromagnétique à la longueur d'onde X considérée, longueur d'onde pour laquelle la première couche I est opaque. Ainsi que précédemment mentionné, les moyens d'émission de rayonnement électromagnétique peuvent être non cohérents ou, de préférence, cohérents. Dans ce dernier cas, ils peuvent être constitués par un laser émettant de préférence dans une bande spectrale, par exemple du spectre visible, ou voire du spectre invisible éloigné du domaine de rayonnement infrarouge. De préférence, le laser d'émission pourra être constitué par un laser à argon par exemple à émission continue. La puissance d'émission du laser en continu peut être par exemple de 2 à 3 W. Le dispositif objet de l'invention, tel que représenté en figure 2, comporte également des moyens 4 de focalisation du faisceau de rayonnement électromagnétique sur une zone d'excitation de rayon rg déterminé de la surface libre S du matériau, ainsi que décrit précédemment en relation avec le procédé objet de l'invention. Les moyens 4 de focalisation peuvent être constitués par une optique à focale variable permettant d'assurer une focalisation du faisceau laser selon une tache focale n'excédant pas un rayon de 0,5 à 0,6 mm. En outre, ainsi que représenté en figure 2, des moyens 5 de commande et de calcul sont prévus. Les moyens 3 d'émission et de focalisation sont interconnectés aux moyens 5 de commande et de calcul, lesquels permettent, d'une part, la commande des moyens d'émission et de focalisation et, d'autre part, la détermination par le calcul à partir des bilans de transfert de chaleur des conditions aux limites relatives à la distribution d'énergie du faisceau et des dimensions géométriques des couches dans la direction z orthogonale à la surface libre du matériau, ainsi que décrit en relation avec la mise en oeuvre du procédé objet de l'invention, la composante continue Tl(r,0) et la composante alternative ~ Tl(r,0) de la distribution de température de la surface (S) libre du matériau. En outre, le dispositif objet de l'invention comprend des moyens 6 détecteurs de la composante alternative du rayonnement infrarouge émis par un élément de surface concentrique à la zone d'excitation de la surface libre S du matériau. Bien entendu, les moyens détecteurs 6 sont interconnectés aux moyens 5 de calcul et de commande, lesquels assurent, d'une part, la commande des moyens 6 détecteurs et, d'autre part, la numérisation et la mémorisation des valeurs numér.iques représentatives de la composante alternative du rayonnement infrarouge IR. A titre d'exemple non limitatif, les moyens 6 détecteurs peuvent être constitués par un détecteur refroidi comportant une cellule de détection Hg, Cd, Te, dite cellule au tellurure de cadmium mercure. A titre d'exemple non limitatif, le détecteur utilisé pour la mise en oeuvre du dispositif, objet de l'invention, était un détecteur référencé HCT-IOOA, M-11588 et commercialisé par la Société INFRARED ASSOCIATES en Europe et aux Etats-Unis. En outre, les moyens de commande et de calcul 5 permettent d'assurer la détermination par calcul de la composante alternative du signal v photothermique dW émis par l'élément de surface à partir du flux de la composante alternative du rayonnement infrarouge et des composantes alternative et continue des distributions de température de la surface libre S. Les moyens 5 de commande et de calcul permettent également la comparaison de la composante alternative du signal photothermique dU à une pluralité de valeurs étalon caractéristiques de la résistance de contact R. d'échantillons connus du matériau pour déterminer la valeur de la résistance précitée pour le matériau considéré. Une description plus détaillée du dispositif, objet de l'invention, dans le cas où celui-ci est plus particulièrement destiné au contrôle de qualité d'assemblage de pièces métalliques par sertissage ou dudgeonnage pour la réalisation d'échangeur de chaleur par exemple et en particulier de l'assemblage des ailettes de refroidissement au tube dans lesquelles circule le fluide caloporteur sera donnée en liaison avec les figures 2, d'une part, et respectivement 3a, 3b et 3c, d'autre part. Ainsi qu'on l'a représenté sur la figure 3a selon une vue de face, les moyens 3 d'émission comportent outre un laser 30 à émission continue permettant d'engendrer le faisceau sensiblement cylindrique de rayonnement électromagnétique de densité d'énergie sensiblement gaussienne, des moyens 31 de modulation d'amplitude du faisceau précité permettant une modulation d'amplitude de type sinusoldal. Les moyens de modulation d'amplitude sont couplés au laser 30 à émission continue. En raison de la faible fréquence de modulation d'amplitude du faisceau laser continu émis, les moyens 31 de modulation d'amplitude peuvent être constitués par exemple soit par un dispositif électromagnétique de type classique tel qu'une cellule de Pockels ou un prisme de Wollaston tournant, soit par un disque obturateur tournant, ces éléments étant commandés par un signal de modulation à la fréquence choisie. En outre, les moyens 4 de focalisation comprennent avantageusement une optique de focalisation ajustable 40 à focale ajustable, ainsi que mentionné précédemment, et un conducteur à fibre optique XI reliant le moyen 31 de modulation en amplitude à l'optique de focalisation 40. Ainsi, le conducteur à fibre optique 41 permet d'acheminer directement le faisceau laser modulé en amplitude vers les moyens de focalisation. L'ensemble constitué par le laser d'émission 30, le système de modulation d'amplitude 31, le conducteur à fibre optique 41 et i'optique de focalisation ajustable 40 ne sera pas décrit en détail car il correspond à des éléments techniques classiques puisque, d'une part, la fréquence de modulation d'amplitude du faisceau d'onde électromagnétique d'excitation est faible et, d'autre part, le niveau de puissance du laser considéré est également relativement faible. Ainsi qu'on l'a représenté en outre en figure 3a, les moyens 6 détecteurs de la composante alternative du rayonnement infrarouge comportent avantageusement un prisme de renvoi 60 du rayonnement infrarouge IR permettant, en outre, la transmission vers le matériau en couche à étudier symbolisé sur la figure 3a par l'échangeur de chaleur EC comportant une ailette de refroidissement et des tubes caloporteurs. Sur la figure 3a, on a représenté le prisme de renvoi 60 comme permettant la transmission par réflexion du rayonnement électromagnétique focalisé. En outre, une lentille en germanium 61 est prévue, la lentille 61, en raison de sa constitution, le germanium étant opaque aux longueurs d'onde du rayonnement électromagnétique d'excitation, sert donc à la fois pour collecter le rayonnement infrarouge sur le détecteur 62 et protège ce dernier contre le rayonnement d'excitation. Le détecteur infrarouge 62 reçoit ainsi le signal infrarouge collecté par la lentille au germanium 61 et délivre un signal infrarouge détecté. Le détecteur infrarouge 62 est, bien entendu, interconnecté aux moyens de commande et de calcul 5. Selon une variante de réalisation non limitative, le détecteur infrarouge 62 peut être un détecteur synchrone commandé en synchronisme avec le moyen de modulation par le moyen de commande et de calcul 5. Ainsi, pour une émission continue du laser d'émission 30, la détection par le détecteur infrarouge 62 peut être commandée par une impulsion de déclenchement synchrone du déclenchement de la modulation et donc de la transmission du faisceau d'onde électromagnétique d'excitation modulé, cette détection pouvant être commandée et rendue effective pendant un nombre correspondant de période de modulation d'amplitude du faisceau d'émission, afin d'assurer une détection synchrone de celui-ci. En vue d'assurer le contrôle en continu de sertissage de pièces ou de dudgeonnage de tubes, tel que les échangeurs de chaleur précités, I'optique de focalisation 40, le prisme de renvoi 60 et le détecteur infrarouge 62 sont montés sur une table mobile 7, ainsi que représenté en figure 2, cette table étant mobile selon trois directions de référence notées x, y et z. Les mêmes directions mobiles x, y et z ont été reportées sur la vue de face de la figure 3a et sur la vue de gauche représentée en figure 3b. La table 7 est disposée au voisinage d'une chaîne ou bande transporteuse assurant le transport séquentiel des pièces ou objets à contrôler. La bande transporteuse est représentée et notée BT sur la figure 2. Ainsi qu'on le comprendra à l'observation des figures 3a et 3c, grâce à l'utilisation d'un prisme de renvoi, I'excitation de la première couche 1 ou plus exactement de la surface libre S de celle-ci et la détection du rayonnement infrarouge IR peut être effectuée sous même incidence et de préférence sous incidence normale. On comprendra ainsi à l'observation de la figure 2 que l'axe en trait mixte de la figure 3a, représentant la direction d'incidence du rayonnement électromagnétique d'excitation, celui-ci ayant été placé de façon à viser le sertissage ou dudgeonnage, tel que. représenté en figure 3c, pour une lame supérieure par exemple, I'ensemble de la table 7 et de l'appareillage fixé sur celle-ci, tel que représenté en figure 3a, peut alors être déplacé dans la direction z, ainsi que représenté en figure 2, pour assurer le contrôle de l'ensemble des ailettes ou lames constituant l'échangeur de chaleur EC. Bien entendu, les moyens mis en oeuvre, afin d'assurer la mobilité de la table 7 dans les trois directions x, y z, ne seront pas décrits car ils correspondent à des éléments mécaniques de type classique normalement utilisés pour la réalisation de tables mobiles selon trois directions par exemple. Ainsi qu'on l'a représenté en outre en figure 2, les moyens 5 de commande et de calcul sont constitués par un microordinateur 52 muni de ses éléments périphériques. Les moyens de commande et de calcul 5 sont interconnectés au détecteur infrarouge 62 par l'intermédiaire d'un amplificateur synchrone 50 jouant le rôle de détecteur synchrone et d'un phasemètre 51 permettant de délivrer les valeurs d'amplitude et de phase du signal infrarouge détecté par rapport au rayonnement électromagnétique modulé en amplitude assurant l'excitation de la surface libre S du matériau. L'amplificateur synchrone 50 et le phasemètre 51 sont des appareils normalement disponibles dans le commerce et commercialisés par la Société ECG Instruments. Un mode de réalisation particulièrement avantageux du dispositif, objet de l'invention, sera décrit en liaison avec les figures 4a, 4b, 4c. Selon les figures précitées, les moyens 5 de commande et de calcul sont constitués par un microordinateur 52 muni de ses éIéments périphériques. Ainsi qu'on l'a en outre représenté en figure 2, les moyens 5 de commande et de calcul, le microordinateur 52, sont interconnectés au détecteur infrarouge 62 par l'intermédiaire d'un amplificateur synchrone 50 jouant le rôle de détecteur synchrone et d'un phasemètre 51 permettant de délivrer des valeurs d'amplitude et de phase du signal infrarouge IR détecté par rapport au rayonnement électromagnétique modulé d'excitation. Ainsi qu'on l'a représenté en figure 4a, le microordinateur 52, outre ces éléments périphériques constitués de manière classique par un clavier et par un écran d'affichage, comporte une unité centrale 52G de traitement et de calcul et une unité de mémoire 521 couplée à l'unité centrale précitée et destinée à mémoriser en fonctionnement les valeurs. d'amplitude et de phase du signal infrarouge IR, un programme de calcul de la composante continue Tl(r,O) et de la composante alternative Tl(r,O) de la distribution de température de la surface libre du matériau. En outre, I'unité de mémoire 521 permet de mémoriser un programme de calcul de la composante alternative du signal photo ~ thermique dW émis par l'élément de surface à partir du flux de la composante alternative du rayonnement infrarouge et des composantes alternative et continue des distributions de température de la surface libre S. Enfin, I'unité de mémoire S21 permet également de mémoriser un programme de comparaison de la composante alternative du signal photothermique dW à une pluralité de valeurs étalon caractéristiques de la résistance de contact Ri d'échantillons connus du matériau pour déterminer par interpolation la valeur de la résistance R pour le matériau considéré. A titre d'exemple non limitatif, le microordinateur 52 peut etre constitué par un microordinateur commercialisé par la Société IBM sous la marque commerciale PC ou AT, ce microordinateur étant de préférence équipé d'une unité centrale constituée par un microprocesseur 16 bits. Ainsi qu'on l'a représenté sur la figure 4a, I'unité centrale 520 est interconnectée, d'une part, par une liaison de type bus à l'unité de mémoire 521. Elle est, d'autre part, interconnectée par une liaison de type bus à une pluralité de circuits d'interface d'entrée/sortie, ces circuits d'interface 522, 523, 524 et 525 constituant respectivement, d'une part, les interfaces d'échantillonnage des signaux délivrés par le phasemètre 51 par exemple en ce qui concerne l'interface S22 et les interfaces 523, 524 et 525 constituant les circuits d'interface de commande permettant la commande du laser d'émission 30 du modulateur 31, des moyens de focalisation 4, ainsi que, bien entendu, la commande de déplacement en x, y, z du support ou de la table sur laquelle sont montés l'ensemble des éléments représentés en figures 3a et 3b. Le circuit d'interface S22 constitué par un circuit d'échantillonnage rapide par exemple, et 523, 524 et 525 constitués par des convertisseurs numériques analogiques par exemple ne seront pas décrits car ils correspondent à des circuits normalement disponibles dans le commerce. Sur la figure 4a, on a représenté I'unité de mémoire 521 subdivisée en, d'une part, une unité de mémoire vive 5210 et une unité de mémoire morte 5211. De préférence, et de manière classique, I'unité de mémoire vive S210 est destinée à recevoir, au cours du fonctionnement, les valeurs d'amplitude et de phase du signal infrarouge IR mesuré, ainsi que par exemple les valeurs calculées de la composante alternative du signal photothermique dW. De préférence, I'unité de mémoire morte 5211 comporte l'ensemble des programmes de calcul, tels que programme de calcul de la composante continue T1(r,O) et de la composante alternative Tl(r,O) de la distribution de température de la surface libre du matériau, programme de calcul de la composante alternative du signal photo ~ thermique dW et programme de comparaison de la composante alternative du signal photothermique dW à la pluralité de valeurs étalon caractéris tiques de la résistance de contact R. d'échantillons connus du matériau pour déterminer par interpolation la valeur de la résistance R pour le matériau considéré. Une description plus détaillée du programme de comparaison précité sera donnée en liaison avec la figure 4a. Selon la figure précitée, le programme de comparaison comporte une première étape 1000 de mémorisation des valeurs ou composantes réelles et imaginaires d'amplitude du signal photothermique, cette étape 1000 étant suivie d'une étape 1001 d'appel des valeurs étalon Wir, Wii et résistance thermique de contact R. correspondantes. L'étape 1001 précitée est suivie d'un sous-programme noté 1002 permettant d'effectuer un tri des composantes réelle et imaginaire W et wj. Le sous-programme 1002 peut consister par exemple, les valeurs étalon Wri-1 et wjr étant i-I i classées par ordre croissant ou décroissant, à comparer la valeur mémorisée mesurée wr, respectivement U i, aux valeurs étalon correspondantes. Le sous-programme 1002 est un sous-programme de tri de type classique permettant de déterminer les valeurs supérieure Wr et inférieure Wri-l à la valeur Wr mesurées Il en est de même pour la composante i-1 valeur mesuree. imaginaire W1 du signal photothermique. Bien entendu, aux valeurs étalon corr correspondantes précitées, W#-t, W1r et Wi Wij correspondent des valeurs de résistance de contact thermique Ri-l et Ri déterminées. Le sousprogramme de tri 1002 est alors suivi d'un sous-programme de calcul 1003 permettant de déterminer la valeur de la résistance de contact thermique R du matériau considéré par interpolation à partir des valeurs R. et R 1 précitées obtenues au moyen du sous-programme de tri 1002. A titre d'exemple non limitatif, la résistance de contact thermique R peut être calculée à partir de la relation R = Ri # (Ri-R. * k (12) La relation 12 correspond par exemple au cas où les valeurs R 1. R. étant classées par ordre croissant, une interpolation linéaire est alors effectuée entre les valeurs R i-I et Ri, le coefficient k étant compris entre O et 1. Le sous-programme de calcul 1003 est alors suivi d'une étape de fin de mesure 1004. En outre, I'unité de mémoire 521 et, de préférence, I'unité de mémoire morte 5211, peut comporter un programme de conduite d'essai de type menu permettant d'assurer un fonctionnement du dispositif et une conduite du procédé, objet de l'invention, de manière interactive pour l'utilisateur. Un exemple d'un tel programme de type menu est donné en liaison avec la figure 4c. Ainsi qu'on l'a représenté sur la figure précitée, ce programme peut comporter une phase d'autocalibrage 2000 du dispositif sur un échantillon de matériaux connus, cette phase d'autocalibrage permettant, d'une part, à partir d'un échantillon préférentiel de matériaux, de vérifier et d'ajuster les valeurs de mesure affichées du signal photothermique r dans une plage d'incertitude déterminée. Suite à la phase d'autocalibrage, le programme de type menu précité peut comporter une phase d'apprentissage 2001. La phase d'apprentissage précitée, ainsi que déjà mentionné dans la description, peut alors consister soit en une suite d'essais de matériaux étalon permettant de mesurer les composantes réelle wrj et imaginaire Wii, composantes d'amplitude du signal photothermique. Ces valeurs, bien entendu, peuvent également être appelées et chargées à partir d'un fichier de valeurs préconstitué, ce fichier de valeurs pouvant être par exemple chargé en mémoire vive 5220 de l'unité de mémoire S21 à partir d'une mémoire de masse telle que mémoire à disque par exemple. La phase d'apprentissage 2001 est alors suivie de la phase de mesure proprement dite 2002 permettant d'effectuer une ou plusieurs mesures des composantes réelle et imaginaire Wr et Wi pour le matériau considéré. La phase de mesure proprement dite 2002 est ensuite suivie d'un programme de comparaison 2003, ce programme 2003 correspondant bien entendu au programme précédemment décrit en liaison avec la figure 4a par exemple. Le programme 2003 est alors lui-même suivi d'une étape de fin de mesure 2004. On a ainsi décrit un procédé et un dispositif particulièrement performants permettant de déterminer et de mesurer la valeur de résistance de contact R thermique entre les couches d'un matériau métallique en couche. Bien entendu, la détermination des composantes réelle Wr et imaginaire Wj du signal photothermique permet de déterminer par exemple l'amplitude A et la phase du signal photothermique par rapport au signal d'excitation à l'aide des relations classiques Outre une application immédiate du procédé et du dispositif, objets de l'invention pour la détermination de la résistance thermique de contact entre matériaux métalliques en couches, un interstice e compris entre l/lOe de um à 10 pm entre deux couches pouvant être mises en évidence, le procédé et le dispositif, objets. de l'invention, permettent d'assurer un contrôle de qualité très efficace de l'assemblage de pièces métalliques par sertissage ou par dudgeonnage. Une application à échelle industrielle du procédé et du dispositif, objets de l'invention, a été réalisée pour le contrôle de l'assemblage des ailettes d'échangeur de chaleur. REVENDICATIONS 1. Procédé de mesure par radiométrie photothermique de la résistance thermique de contact de matériaux en couches opaques à un rayonnement électromagnétique de longueur d'onde déterminée ( X ) et au rayonnement infrarouge, ledit matériau comportant au moins une première de rayonnement électromagnétique, à ladite longueur d'onde ( X ) de manière à soumettre ladite surface libre (S) du matériau à un flux incident (r,t) de rayonnement électromagnétique sur une zone d'excitation de rayon (rg) déterminé, b > - à déterminer, à partir des bilans de transfert de chaleur, des conditions aux limites relatives à la distribution d'énergie du faisceau .(r) et des dimensions géométriques desdites couches dans une direction (z) orthogonale à ladite surface libre (S) la composante continue Tl(r,O) et la composante alternative T(r,O) de la distribution de température de ladite surface libre du matériau, c) - à détecter la composante alternative du rayonnement infrarouge émis par un élément de surface concentrique à la zone d'excitation de ladite surface libre, d) - à déterminer la composante alternative du signal photothermique dW émis par ledit élément de surface à partir du flux de la composante alternative dudit rayonnement infrarouge et des composantes alternatives et continues des distributions de température de ladite surface libre (S), e > - à comparer ladite composante alternative du signal photothermique dW à une pluralité de valeurs étalon caractéristiques de la résistance de contact (R) d'échantillons connus dudit matériau pour déterminer la valeur de ladite résistance pour le matériau considéré. 2. Procédé selon la revendication 1, caractérisé en ce que les valeurs étalon caractéristiques de la résistance de contact (Ri) d'échantillons connus d'un matériau donné sont obtenues par la mise en oeuvre des étapes a) à d) précédentes sur une pluralité d'échantillons connus. 3. Procédé selon l'une des revendications I ou 2, caractérisé en ce que pour un matériau comportant une première (I) et une deuxième couche (2) constituant sensiblement des lames à faces parallèles, d'ordonnée z = - Q I et z = - 2' zet de dimension radiale r1 très supérieure au rayon rg du faisceau d'excitation, ledit faisceau d'excitation présente une distribution d'énergie gaussienne de façon à soumettre ladite zone d'excitation à un flux incident 9 .(r,t) de la forme où r désigne l'abscisse radiale d'un point de la zone d'excitation, rg désigne le rayon du faisceau d'excitation, les conditions aux limites relativement à l'abscisse r étant données par - température finie en r = 0 - absence de pertes en r = rl, la composante alternative de température de surface Tl(O,r) étant déterminée à partir de l'expression de la composante alternative de température générale dans laquelle a in désigne des coefficients liés au type de matériau étudié et aux conditions aux limites sur r avec i a; ou OY ai désigne la diffusivité pour la couche d'ordre i ai considérée, et des conditions aux limites relativement à l'ordonnée (Z) telles que flux imposé et pertes sur la surface libre (S) du matériau ( z = O) où A I représente la conductivité thermique de la première couche (I) et hl représente le coefficient de perte thermique de la face avant (z = 0) du matériau en couche, égalité des flux thermiques à l'interface de contact (z - Z où A 2 représente la conductivité thermique de la couche (2), résistance thermique à interface de contact (z = - l où Tl(r,- l1) et T2(r,- Q I) représentent les composantes alternatives respectivement des distributions de température sur les faces constituant interface de contact des première (1) et deuxième (2) couches, pertes en face arrière (z = - Z 2) du matériau, où h2 représente le coefficient de perte thermique de la face arrière (z = l2) du matériau en couche, lesdites conditions aux limites permettant de déterminer les coefficients A. et B. et la composante alternative de in in distribution de température de surface Tl(O,r). 4. Procédé selon l'une des revendications I à 3, caractérisé en ce que pour une détection de la composante alternative de rayonnement infrarouge émis par un élément de surface concentrique à la zone d'excitation par l'intermédiaire d'une chaine de détection de fonction de transfert R( X ), ladite composante alternative du signal photothermique dW est déterminée par la relation = - 2c1c2 # d (Ar + jWj) ) w t relation dans laquelle cl, c2 désignent les constantes de la loi de Planck wd Sin e d où e d désigne l'angle de détection, et désignant les composantes réelles et imaginaires d'amplitude du signal photothermique, - A max et X min désignant les bornes de la bande spectrale d'émission du rayonnement électromagnétique d'excitation, - E. ( A) désignant I'émissivité spectrale de la première couche du matériau soumise au flux d'excitation, - Fr( A ) et Fj( # ) désignent les coefficients de contribution réelles et imaginaires de la zone détectée au signal photothermique. 5. Procédé selon la revendication 4, caractérisé en ce que lesdits coefficients de contribution réelle et imaginaire au signal photothermique Fr( A ), Fj( # > sont déterminées par les relations oU rd désigne le rayon du détecteur infrarouge Tl(r,O) et Tjl(r,O) désignent respectivement les contributions dues à l'excitation électromagnétique à la partie relle et imaginaire de la distribution de température de surface, T(r) = Tamb+T1(r,O)+TN1(r,O) Tamb désignant la température ambiante. 6. Procédé selon la revendication 5, caractérisé en ce que dans le cas où ladite première couche (I) est constituée par un métal et où le rayon rd de la zone détectée est très inférieur au rayon rg du faisceau d'excitation, lesdits coefficients de contribution réelle Fr(X) et et imaginaire Fj(# # ) sont déterminés par les relations dans lesquelles . T = Tamb + TO avec TO = T(O,O), A r B r j j désignent les composantes réelles et imaginaires In' In n' n des coefficients Ain, B. déterminés au moyen des conditions aux limites, in .J1 je désigne la fonction de Bessel d'ordre I o n désigne le zéro de la fonction de Bessel d'ordre 0. 7. Dispositif de mesure par radiométrie photothermique de la résistance thermique de contact de matériaux en couches opaques à un rayonnement électromagnétique de longueur d'onde déterminée ( À > et au rayonnement infrarouge, ledit matériau comportant au moins une première (I) et une deuxième (2) couche séparée par une résistance de contact (R), caractérisé en ce que ledit dispositif comporte : - des moyens (3) d'émission d'un faisceau de rayonnement électroma magnétique à ladite longueur d'onde ( X - des moyens (4) de focalisation dudit faisceau de rayonnement électro magnétique sur une zone d'excitation de rayon (rg) déterminé de la surface libre dudit matériau, - des moyens (5) de commande et de calcul, lesdits moyens (3) d'émission et de focalisation (4) étant interconnectés auxdits moyens (5) de commande et de calcul, lesdits moyens (5) de commande et de calcul permettant, d'une part, la commande desdits moyens d'émission et de focalisation et, d'autre part, la détermination par le calcul, à partir des bilans de transfert de chaleur, des conditions aux limites relatives à la distribution d'énergie du faisceau i(r) et des dimensions géométriques desdites couches dans une direction (z) orthogonale à ladite surface libre, de la composante Continue Tl(r,O) et de la composante alternative Tl(r,O) de la distribution de température de ladite surface libre (S) du matériau, - des moyens (6) détecteurs de la composante alternative du rayonnement infrarouge émis par un élément de surface concentrique à la zone d'excitation de ladite surface libre (S), lesdits moyens détecteurs (6) étant interconnectés auxdits moyens (5) de calcul et de commande, lesdits moyens (5) de calcul et de commande assurant, d'une part, la commande desdits moyens (6) détecteurs et, d'autre part, la numérisation et la mémorisation des valeurs numériques représentatives de la composante alternative dudit rayonnement infrarouge, lesdits moyens (5) de commande et de calcul permettant en outre d'assurer - la détermination par calcul de la composante alternative dudit signal photothermique dW émis par ledit élément de surface à partir du flux de la composante alternative dudit rayonnement infrarouge et des compo santes alternatives et continues des distributions de température de ladite surface libre, - la comparaison de ladite composante alternative du signal thermique dW à une pluralité de valeurs étalon caractéristiques de la résistance de contact (Ri) d'échantillons connus dudit matériau pour déterminer la valeur de ladite résistance pour le matériau considéré. 8. Dispositif selon la revendication 7, caractérisé en ce que lesdits moyens (3) d'émission comportent - un laser (30) à émission continue permettant d'engendrer un faisceau Xi(r) sensiblement cylindrique de densité d'énergie sensiblement gaussienne, - des moyens (31) de modulation en amplitude dudit faisceau i(r) permettant une modulation d'amplitude de type sinusoldal, lesdits moyens de modulation en amplitude étant couplés audit laser (30) à émission continue. 9. Dispositif selon l'une des revendications 7 ou 8, caractérisé en ce que lesdits moyens (4) de focalisation comprennent - une optique de focalisation ajustable (40), - un conducteur à fibre optique (41) reliant ledit moyen (31) de modulation en amplitude à ladite optique de focalisation (40). 10. Dispositif selon l'une des revendications 7 à 9, caractérisé en ce que lesdits moyens (6) détecteurs de la composante alternative du rayonnement infrarouge comportent - un prisme de renvoi (60) permettant la transmission vers le matériau en couche à étudier du rayonnement électromagnétique d'excitation, - un détecteur infrarouge (62) recevant le signal infrarouge et délivrant un signal infrarouge détecté, ledit détecteur infrarouge étant interconnecté audit moyen de commande et de calcul. II. Dispositif selon la revendication 10, caractérisé en ce que ledit détecteur infrarouge est un détecteur synchrone commandé en synchronisme avec le moyen de modulation par le moyen de commande et de calcul. 12. Dispositif selon l'une des revendications 7 à 11, caractérisé en ce que, en vue d'assurer le contrôle en continu de sertissage de pièces ou de dudgeonnage de tubes, l'optique de focalisation (40), le prisme de renvoi (60) et le détecteur infrarouge (62 > sont montées sur une table mobile (7) selon trois directions de référence (x,y,z), ladite table (7) étant disposée au voisinage d'une chaîne ou bande transporteuse assurant le transfert séquentiel desdites pièces ou objets à contrôler. 13. Dispositif selon l'une des revendications 7 à 12, caractérisé en ce que lesdits moyens (5) de commande et de calcul sont constitués par un microordinateur muni de ses éléments périphériques. 14. Dispositif selon la revendication 13, caractérisé en ce que lesdits moyens (5) de commande et de calcul sont interconnectés audit détecteur infrarouge (62) par l'intermédiaire d'un amplificateur synchrone (30), jouant le rôle de détecteur synchrone, et d'un phasemètre (51) permettant de délivrer des valeurs d'amplitude et de phase dudit signal infrarouge détecté par rapport au rayonnement électromagnétique modulé d'excitation 15. Dispositif selon l'une des revendications 13 ou 14, caractérisé en ce que ledit microordinateur (5) comporte - une unité centrale de traitement et de calcul, - une unité de mémoire couplée à ladite unité centrale et destinée à mémoriser en fonctionnement . lesdites valeurs d'amplitude et de phase du signal infrarouge, . un programme de calcul de la composante continue Tl(r,O) et de la composante alternative Tl(r,0) de la distribution de température de ladite surface libre du matériau, un un programme de calcul de la composante alternative du signal photothermique dW émis par ledit élément de surface à partir du flux de la composante alternative dudit rayonnement infrarouge et des composantes alternative et continue des distributions de température de ladite surface libre, un programme de comparaison de ladite composante alternative du r', signal photothermique dW à une pluralité de valeurs étalons caractéristiques de la résistance de contact (Ri) d'échantillons connus du matériau pour déterminer par interpolation la valeur de ladite résistance pour le matériau considéré. 16. Dispositif selon .I'une des revendications 13 à 15, caractérisé en ce que ladite unité de mémoire comporte en outre un programme de conduite d'essais de type menu permettant la mise en oeuvre d' - une phase d'autocalibrage dudit dispositif sur un échantillon de matériau connu, - une phase d'apprentissage pouvant consister soit à déterminer et mémoriser les valeurs d'amplitude et de phase du signal photothermique à la fréquence de modulation choisie pour une pluralité de valeurs étalon différentes de résistance thermique de contact, lesdites valeurs étalon étant constituées en un fichier, soit à effectuer le chargement en mémoire d'un fichier correspondant, - une phase de mesure proprement dite pour le matériau considéré, de façon à établir les valeurs de mesure correspondante, - une phase de comparaison desdites valeurs de mesure aux valeurs étalon constituées en fichier pour déterminer par interpolation la valeur de résistance thermique de contact correspondante.