FR 2636775 A1 19900323 FR 8906556 A 19890519 -1- Procede -our réaliser le contact minirmal sur un dispositif semiconducteur. Cette invention concerne un processus de lithographie, une etape parmi les processus de fabrication de semi- ccnducteurs. en particulier un procédé pour réaliser un contact minimal sur un dispositif semiconducteur en utilisant "l'effet de proximité" d'une manière qui permette de réaliser un contact plus petit que la valeur lir.mite du contact classique connue jusqu'à présent. Lors de la réalisation d'un contact sur la couche supérieure, la configuration de masque utilisée de facon générale est carrée et le contact est de type circulaire s'il est petit. Jusqu'à présent, la dimension du contact est déterminée par la possibilité du processus de photolithographie lorsqu'on utilise une résine photosensible de sorte que la dimension minimale du contact est limitée. En d'autres termes, si D1 est une dimension de la configuration de masque qui permet de réaliser le contact minimal en fonction de la limite de résolution de la résine photosensible, comme représenté aux Fig. 1(A) & (C), la configuration de masque de contact d'une dimension D2 inférieure à la limite de résolution de la résine photosensible 1 ne peut réaliser le contact souhaité. C'està-dire que le contact n'est pas créé avec le substrat, la couche conductrice ou la couche isolante 2. La présente invention est basée sur cette constatation et a pour but de fournir un procédé pour réaliser un contact de dimension inférieure à la dimension limite classique du contact minimal du dispositif semi- conducteur. Selon la présente invention, on fournit un procédé pour réaliser le contact minimal du dispositif semiconducteur, dans lequel la résolution est améliorée lorsque le contact est formé en utilisant un type de raecue rectangulaire en vue du contact minimal, dans le Drzssius de lithographie, une Étape parmi les processus de fabrication du dispositif semiconducteur. On va maintenant décrire l'invention à l'aide des dessins annexés dans lesquels: la Fig. 1(A) est une vue en plan du contact présentant a dimension limite Dl du processus de lithographie classique, la Fig. I(B) est une vue en coupe le long de la ligne 01 ii-II de la Fig. I(A), la Fig. I(C) est une vue en coupe le long de la ligne I-I de la Fig. l(A), la Fig. 2(A) est une vue en plan du contact présentant une dirrension D2 inférieure à la dimension limite Dl du Drocessus de lithographie, la Fig. 2(B) est une vue en coupe le long de la ligne II-II de la Fig. 2(A), la Fig. 2(C) est une vue en coupe le long de la ligne I-I de la Fig. 2(A>, la Fig. 3(A) est une vue en plan du contact selon le mode de réalisation de la présente invention, la Fig. 3(B) est une vue en coupe le long de la ligne II-II de la Fig. 3(A), la Fig. 3(C) est une vue en coupe le long de la ligne I-I de la Fig. 3(A), la Fig. 4(A) est une vue en plan du contact selon un autre mode de réalisation de la présente invention, la Fig. 4(B) est une vue en coupe le long de la ligne II-II de la Fig. 4(A), la Fig. 4(C) est une vue en coupe le long de la ligne I-I de la Fig. 4(A). Après avoir déposé la résine photosensible sur le substrat 2, (c'est-àdire sur la couche supérieure, conductrice ou isolante, de la microplaquette) comme représenté à la Fig. 3, la configuration de masque du contact est réalisée sous la forme d'un rectangle dont ï:-e dimension D3 est supérieure à la dimernsi:n limite :,ale e résolution D1 et l'autre dimension D2 est nr.t &ieure à D1. En développant la résine chotosensicle sur la configuration de contact, la dimension D3 aide au déve1ooDement de la dimension D2 inférieure à D1, c'est à dire aue l'on observe "l'effet de proximité", qui permet de réaliser de la dimension D2 inférieure à la dimension limite minimale D1 de résolution. De plus, la izngueur de la dimension plus faible D2 du contact peut varier selon la longueur de la dimension D3, de sorte que la longueur du contact peut varier en ajustant ladite longueur D3. La Fig. 4 représente par ailleurs un procédé pour réaliser un contact plus petit que dans le cas d'utilisation d'un masque rectangulaire. Celui- ci utilise le type de masque en croix, dans lequel une Aimension D5 est inférieure à la dimension limite minimale D1 de résolution et la dimension D4 est supérieure à D1, et la dimension D4 supérieure à D1 influence la résolution de ladite dimension D5, ce qui permet de réaliser un contact plus petit que le contact classique. En particulier, dans ce cas, l'utilisation d'une résine photosensible à rapport de gravure plus élevé par rapport au substrat 2 est plus efficace. Comme mentionné ci-dessus, la présente invention a pour unique effet de permettre la réduction de dimension de microplaquette du dispositif semiconducteur à haute densité en réduisant la partie de contact. L'invention n'est en aucun cas limitée au mode de réalisation décrit cidessus. Diverses variantes du mode de réalisation décrit ainsi que d'autres modes de réalisation de l'invention apparaîtront aux spécialistes en se référant à la description de l'invention. Les revendications annexées doivent donc couvrir tout variante ou mode de réalisation qui peuvent se trouver a l'intérieur du véritable domaine de l'invention. -4 -.evendications !. Procede Bour réaliser le contact minimal du dispositif semiconducteur, dans lequel la résolution est améliorée lorsque le contact est réalisé en utilisant un type rectangulaire de masque (D2, D3) pour le contact minimal, dans le processus de lithographie du processus de fabri-cation du dispositif semiconducteur. 2. Frocèdé selon la revendication 1, dans lequel la cni {icur-ation masque du contact est réalisée avec un type en croix (D4, D5). 3. Procédé selon la revendication 1, dans lequel la petite dimension (D2, D5) de la configuration de masque pour le contact minimal est inférieure à ladite dimension limite de résolution (D1) et la grande dimension (D3, D4) est supérieure à ladite dimension limite de résolution (D1). 4. Procédé selon la revendication 1 dans lequel la dimension du contact est commandée en ajustant la grande dimension (D3, D4) de la configuration du masque du contact.