FR 2636473 A1 19900316 FR 8912052 A 19890914 TRANSISTOR A EFFET DE CHAMP POUR MONTAGE MICRO-BANDE ET STRUCTURE A TRANSISTORS DE TYPE MICRO-BANDE La présente invention concerne un transistor à effet de champ (ou FET) qui se prate au montage en confi- guration micro-bande; et elle porte plus particulièrement sur une structure d'électrodes perfectionnée pour le mon- tage micro-bande d'un transistor à effet de champ prévu pour l'utilisation à des fréquences de la gamme des micro- ondes, en particulier dans la bande des ondes millimétri- ques. La présente invention porte en outre sur un perfec- tionnement d'une structure comprenant une ligne de trans- mission micro-bande et un transistor à effet de champ monté sur cette ligne. Les figures 3(a) et 3(b) sont des vues en plan des structures de deux transistors à effet de champ à l'arséniure de gallium (GaAs) qui ont été largement uti- lisées. Chacun des transistors & effet de champ qui est représenté est formé sur un substrat semiconducteur 1, habituellement en GaAs. On appelle ici puce" ce substrat semiconducteur discret qui porte un ou plusieurs transis- tors à effet de champ. Chacune des puces 100 des figures 3(a) et 3(b) comprend deux transistors à effet de champ. Des électrodes de source 2, des électrodes de grille 3 et des électrodes de drain 4 sont formées sur une surface du substrat en GaAs 1. Les électrodes de source et de drain 2 et 4 sont respectivement connectées électriquement à la source et au drain du transistor à effet de champ. La sour- ce et le drain sont formés dans le substrat semiconducteur 1, dans une couche conductrice qui se trouve à la surface du substrat semiconducteur 1. La couche conductrice de l'électricité peut-être formée par n'importe quelle opéra- tion classique, comme l'implantation ionique, la diffusion, etc. Une grille linéaire mince 3a est placée entre la sour- ce et le drain de chaque transistor et elle est connectée à l'électrode de grille 3. Dans la structure de la figure 3(a), la direction longitudinale de la grille lindaire 3a est orientée perpen- diculairement à la direction de circulation du signal qui est appliqué à l'électrode de grille 3 et qui sort par l'électrode de drain 4. Dans la structure de la figure 3(b) quatre grilles linéaires 3a s'étendent parallèlement à la direction de circulation du signal de l'électrode de grille - 3a vers l'électrode de drain 4. La figure 4 montre la puce de transistors à effet de champ 100 de la figure 3(a) connectée à une ligne de transmission micro-bande 20. La ligne de transmission 20 comprend des conducteurs linéaires relativement étroits, 7 et 8, qui sont disposés sur des substrats diélectriques respectifs 9 et 10. L'électrode de source de la puce de transistors à effet de champ 100 est connectée à la masse par un fil 12. La ligne de transmission 20 peut comprendre un plan de masse disposé du côté opposé des substrats diélectriques 9 et 10, par rapport aux conducteurs 7 et 8, auquel le fil 12 est connecté. L'électrode de grille 3 et l'électrode de drain 4 de la puce 100 sont connectées-aux conducteurs micro-bandes 7 et 8 par des fils respectifs 13 et 14. Les fils 12, 13 et 14 peuvent être des fils d'or relativement fins. Une tension de polarisation à courant continu est appliquée à l'électrode de grille 3 et à l'électrode de drain 4 par l'intermédiaire des conducteurs 7 et 8 de la ligne de transmission micro-bande. Le signal micro-onde & amplifier est applique à l'électrode de gril- le 3 par l'intermédiaire du conducteur micro-bande 7 et des fils 13. Le signal amplifié est émis vers le conducteur 8 de la ligne de transmission micro-bande par l'intermédiaire de l'électrode de drain 4 et des fils 14. Les caractéristiques de structures comprenant des puces de transistors à effet de champ 100 connectées selon une configuration de ligne de transmission micro-bande peu- vent varier considérablement d'une structure à une autre. Ces variations de performances peuvent résulter de varia- tions des longueurs et des positions des fils de connexion 12, 13 et 14, du fait que ces fils sont courbés et sont sujets à des variations de leurs positions de fixation re- latives sur les électrodes respectives, lorsqu'on monte des puces dans des lignes de transmission. Ces variations modi- fient les valeurs des éléments de circuit réactifs parasi- tes qui sont toujours présents dans la structure, en parti- culier 'inductance parasite. Les éléments parasites limi- tent le gain, la fréquence, la réponse et d'autres caracté- ristiques de performances de la structure. Dans des transistors à effet de champ monolithi- - ques, des électrodes sont directement connectées à d'autres éléments de circuit. Un exemple d'un transistor à effet de champ monolithique employant une connexion de grille à pont d'air est décrit par Bastidaset col. dans IEEE Transactions on Electron Devices, volume ED-32, décembre 1985, pages 2754-2759. Les figures lb et 6 de cet article montrent une structure de transistor à effet de champ qui comprend une connexion de grille en or entre la grille et une électrode de grille. La connexion en or est séparée par un espace d'air d'une électrode de source sous-jacente. La source est reliée à la masse par un élément en métal qui traverse le substrat semiconducteur depuis l'électrode de source sur la face avant jusqu'à un contact de source sur la face arrière. Dans un mode de réalisation de la structure qui est décrite, la connexion de grille à pont d'air comprend un ensemble de doigts conducteurs dans une partie en forme de peigne de la structure de pont d'air. Bien que la configuration d'élec- trode à pont d'air procure une meilleure-réponse en fré- quence pour un amplificateur, à cause d'une réduction des effets des éléments parasites, la structure décrite ne con- vient pas pour le montage dans une ligne de transmission micro-bande. A la place, la structure décrite est directe- ment connectée à d'autres éléments amplificateurs sur la même structure, par l'utilisation d'interconnexions métal- liques classiques de circuits intégrés. Il serait donc souhaitable de procurer une confi- guration de transistor à effet de champ qui convienne pour la connexion dans une ligne de transmission micro-bande et qui soit exempte de variations des valeurs d'éléments pa- rasites d'une structure à transistors à une autre. Un but de l'invention est de procurer un transis- tor à effet de champ prévu pour la connexion dans une ligne de transmission micro-bande, et une structure formée par l'assemblage d'une ligne de transmission et d'un transistor à effet de champ, qui ne présente pas de variations de per- formances d'une structure à une autre, résultant d'une -in- terconnexion non uniforme entre le transistor à effet de champ et la ligne micro-bande. Un autre but de l'invention est de procurer une ligne de transmission micro-bande qui ne présente également pas de variations de performances résultant d'un défaut d'uniformité dans les interconnexions entre la ligne de transmission et des transistors à effet de champ. Une puce de transistor à effet de champ prévue pour la connexion à une ligne de transmission micro-bande conforme à l'invention, comprend un substrat semiconducteur, un transistor à effet de champ qui comprend une grille, une source et un drain formés sur une surface du substrat et accessibles par cette surface, une électrode de source for- mée sur la surface du substrat et en contact électrique avec la source, des électrodes de grille et de drain for- mées au moins partiellement sur la surface du substrat, les électrodes de grille et de source formant un pont d'air de façon & se croiser à des niveaux différents et & être élec- triquement isolées l'une de l'autre, et un conducteur pou- tre de grille et un conducteur poutre de drain qui s'éten- dent respectivement & partir des électrodes de grille et de drain, au-delà du substrat, pour la connexion à des conduc- teurs de ligne de transmission micro-bande. Il est préféra- ble que les électrodes de grille et de drain et les conduc- teurs poutres de grille et de drain aient tous la même lar- geur, c'est-à-dire une largeur pratiquement égale à celle des conducteurs de la ligne de transmission micro-bande auxquels ils doivent être connectés. Le pont d'air peut être formé par une partie de l'électrode de grille espacée du substrat et qui passe au- dessus de l'électrode de source. Selon une variante, le pont d'air peut comprendre une partie de l'électrode de source espacée par rapport à l'électrode de grille et pas- sant au-dessus de cette dernière. Une structure conforme à l'invention, formée par l'assemblage d'une puce de transistor à effet de champ et d'une ligne de transmission micro-bande comprend une ligne de transmission micro-bande comportant des substrats diélectriques sur lesquels se trouvent des conducteurs électriques ayant une largeur pratiquement uniforme et ces substrats sont mutuellement espacés par un espace intermé- diaire dans lequel est-disposée une puce de transistor à effet de champ. La puce de transistor à effet de champ comprend un substrat semiconducteur, un transistor à effet de champ comportant une grille, une source et un drain formés dans une surface du substrat et accessibles par cette surface, une électrode de source disposée sur la surface du substrat, et en contact électrique avec la source, des électrodes de grille et de drain disposées au moins partiellement sur la surface du substrat, les élec- trodes de grille et de source formant un pont d'air de fa- çon à se croiser à des niveaux différents, en étant élec- triquement isolées l'une par rapport à l'autre, et un con- ducteur poutre de grille et un conducteur poutre de drain qui s'étendent au-delà du substrat, entre les électrodes de grille et de drain et les conducteurs respectifs de la ligne de transmission micro-bande, en connectant électri- quement ces électrodes aux conducteurs de la ligne. Il est préférable que les électrodes de grille et de drain et les conducteurs poutres de grille et de drain aient tous la même largeur, à savoir une largeur pratiquement égale à celle des conducteurs de la ligne de transmission micro-bande auxquels ils sont connectés. Les conducteurs poutres peuvent être formes d'un seul tenant avec les électrodes de grille et de drain de la puce de transistor à effet de champ, ou bien ils peuvent étre for- més d'un seul tenant avec les conducteurs de la ligne de transmission micro-bande. D'autres caractéristiques et avantages de l'in- vention seront mieux compris à la lecture de la descrip- tion détaillée qui va suivre de modes de réalisation, don- nés à titre d'exemples non limitatifs. La suite de la des- cription se réfère aux dessins annexés dans lesquels: La figure 1 est une vue en perspective d'un transistor à effet de champ conforme à un mode de réalisa- tion de l'invention. La figure 2 est une vue en perspective d'une structure comprenant la puce de transistor à effet de champ de la figure 1, connectée à une ligne de transmis- sion micro-bande, conformément à l'invention. Les figures 3(a) et 3(b) sont des vues en plan des structures de deux transistors à effet de champ de l'art antérieur. Z636473 La figure 4 est une vue en perspective d'une structure comprenant la puce de transistor à effet de champ de l'art antérieur de la figure 3(a), et une ligne de transmission micro-bande. Les figures 5(a) & 5(l1 sont des coupes qui il- lustrent les étapes d'un processus de fabrication d'un mode de réalisation d'une puce de transistor & effet de champ conforme l'invention. Les figures 6(a) et 6(b) sont respectivement des représentations en plan et en coupe latérale d'une puce de transistor à effet de champ conforme à un mode de rtalisa- tion de l'invention. La figure 7 est une vue en perspective d'une par- tie d'une ligne de transmission micro-bande comprenant un conducteur poutre conforme à l'invention. La figure 8 est une vue en perspective d'une structure qui comprend une puce de transistor à effet de champ connectée à la ligne de transmission micro-bande de la figure 7, conformément à l'invention. Les figures 9(a) à 9(e) sont des coupes qui il- lustrent les étapes d'un processus de fabrication de la ligne de transmission micro-bande de la figure 7. Les figures 1 et 2 sont des vues en perspective qui montrent respectivement une puce de transistor à effet de champ 200, se prêtant au montage sur une ligne micro- bande, et une structure formée par l'assemblage de la puce et d'une ligne de transmission micro-bande 20, qui sont toutes conformes à des modes de réalisation de l'in- vention. Dans toutes les figures, les éléments identiques ou correspondants sont désignés par les mêmes références numériques. Dans l'invention, les fils d'interconnexion 12, 13 et 14 de la figure 4 sont éliminés. Les fils 13 et 14 sont remplacés respectivement par des conducteurs pou- tres 5 et 6, et le fil 12 est remplacé par une structure d'électrode qui comprend des traversées qui passent à tra- vers le substrat semiconducteur 1. Comme le montrent les figures 1 et 2, l'électrode de grille 3 comprend un conduc- teur poutre 5 et l'électrode de drain 4 comprend un conduc- teur poutre 6. Les conducteurs poutres 5 et 6 sont directe- ment connectés aux conducteurs micro-bandes respectifs 7 et 8, de largeur pratiquement uniforme. Dans l'invention, les électrodes de grille et de drain du transistor à effet de champ de la figure 4 sont remplacées par une structure à pont d'air. On utilise ici le terme "conducteur poutre' pour désigner des rubans conducteurs de l'électricité, ayant habituellement une section transversale rectangulaire, qui s'étendent jusqu'au bord d'un substrat et au-delà de ce- lui-ci, d'une manière très semblable à de poutres en por- te-à-faux. La technologie des conducteurs poutres a été employée depuis quelques années dans le montage en bottier des dispositifs à semiconducteurs, et le terme "conducteur poutre" est bien connu dans la technique pour désigner une électrode qui fait saillie au-delà de la limite d'une sur- face et dans une orientation générale parallèle à la sur- face, pour établir une connexion électrique avec un élément électrique qui s'étend de l'autre côté de la surface. Sur les figures 1 et 2, le conducteur poutre de grille 5 et le conducteur poutre de drain 6 sont respecti- vement formés d'un seul tenant avec-l'électrode de grille 3 et l'électrode de drain 4, et sont des prolongements de ces électrodes. Il est préférable que les largeurs des conducteurs poutres soient pratiquement égales aux largeurs des électrodes respectives et des conducteurs micro-bandes 7 et 8. Comme le montrent les figures 1 et 2, les conduc- teurs poutres sont alignés avec les conducteurs micro- bandes respectifs, et ils sont effectivement réunis à ces derniers, sous la forme d'un prolongement de ces conduc- teurs. L'électrode de source 2 de la puce de transistor à effet de champ 200 des figures 1 et 2 a une forme en H sur la surface du substrat 1. La partie centrale du H qui relie les deux branches passe au-dessous d'une partie de pont d'air de l'électrode de grille 3, qui est connectée à S la grille 3a. Deux trous de traversée 30 traversent le substrat semiconducteur 1 au-dessous des branches de l'élec- trode de source en forme de H, 2. Ces trous de traversée sont remplis ou revêtus avec un métal et ils forment des connexions électriques qui s'étendent de l'électrode de source 2 sur la surface avant de la puce de semiconducteur 1, jusqu'à une électrode 26 reliée à la masse qui est formée sur la surface arrière du substrat 1. Dans une puce de tran- sistor à effet de champ employant un substrat carré d'envi- ron 500 microns de côté, les trous de traversée 30 mesurent de façon caractéristique environ 100 microns de diamètre. La structure de pont d'air de l'électrode de gril- le 3 croise l'électrode de source 2 et elle est séparée et électriquement isolée de cette dernière par un espace d'air. Une partie de l'électrode de grille 3 est disposée directe- ment sur la surface du substrat semiconducteur 1. Juste en face de la grille linéaire 3a, une partie de l'électrode de grille 3 est espacée par rapport au substrat et passe au- dessus de l'électrode de source 2. Le pont d'air comprend un coude pratiquement à angle droit et une partie de l'élec- trode de grille 3 qui est presque perpendiculaire à la sur- face du substrat semiconducteur 1. Cette partie perpendicu- laire réalise la connexion avec la grille linéaire 3a. Pour améliorer les performances en haute fréquence du transistor à effet de champ, et pour réduire les effets des éléments de circuit parasites, il est préférable que les connexions perpendiculaires au substrat, de la partie espacée de - l'électrode de grille 3 jusqu'à la grille lindaire 3a, soient constituées par des doigts conducteurs de l'dlectri- cité mutuellement espacés 3b. Ces doigts 3b renforcent la structure tridimensionnelle, en plus du fait qu'ils rédui- sent les éléments parasites du circuit. Les figures 5(a) à 5(1) illustrent des étapes de la fabrication de la puce de transistor à effet de champ de la figure 1. Initialement, on forme une couche con- ductrice de l'électricité dans un substrat isolant ou semi- isolant 1. Cette couche active est le canal entre la source et le drain du transistor à effet de champ qui est fabriqué. En utilisant des techniques classique de photolithographie par l'emploi d'une résine photosensible, on enlève sélecti- vement par gravure une région du substrat proche de la sur- face, pour former la mésa qui est représentée sur la figure (a). La couche active est confinée à la mésa, et elle est ainsi électriquement isolée du reste du substrat 1. Ensuite, comme le montre la figure 5(b), on dé- pose des électrodes de source et de drain 2a et 4a sur la surface du substrat 1, de part et d'autre de la mésa, et de façon à recouvrir partiellement cette dernière. Les élec- trodes et le substrat 1 sont allies au cours d'une étape de traitement thermique. On dépose du métal pour la grille linéaire 3a entre les électrodes de source et de drain 2a et 4a, comme le montre la figure 5(c). On définit la grille linéaire 3a et on la positionne correctement en employant des techniques photolithographiques classiques. La grille linéaire 3a forme de façon caractéristique une barrière de Schottky avec le substrat 1, c'est-à-dire que le transistor à effet de champ terminé est un MESFET. L'électrode de source en forme de H 2 est déposée et conformée au motif désiré par l'utilisation de techni- ques classiques de dépôt de métal et de photolithographie, comme le traitement de décollement. La figure 5(d) repré- sente l'électrode de source déposée. On forme ensuite la structure d'électrode à pont d'air. On dépose tout d'abord une couche de résine photosensible de base 20 et on définit un motif dans cette couche, pour supporter temporairement la partie espacée du pont d'air, comme le montre la figure 26364.Z3 (e). On dépose sur la surface avant du substrat 1, c'est- à-dire la surface qui contient les autres éléments déjà décrits (voir la figure 5(f) ), une électrode de revêtement temporaire 21, destinée à conduire l'électricité pour le dépôt du pont d'air et des électrodes de drain. Avant de déposer l'électrode de pont d'air en or, on dépose une seconde région de résine photosensible 23, à titre de masque de dépôt, sur l'électrode de revête- ment 21, face à une zone située entre l'électrode linéaire 3a et l'électrode de drain 4a. On donne la forme désirée à la région de résine photosensible 23, à la position dési- rée, en utilisant les techniques photolithographiques ha- bituelles. La figure 5(g) montre l'emplacement et la forme de la seconde région de résine photosensible 23. On dépose ensuite un métal, de préférence de l'or, sur la totalité de la surface supérieure du substrat de masquage, par un traitement électrolytique. On utilise l'électrode de revê- tement 21 pour l'une des électrodes nécessaires au traite- ment de dépôt. Aucun dépôt ne se produit sur la région 23, du fait qu'elle est électriquement isolée de l'élec- trode de revêtement 21. Le dépôt produit les couches d'or qui deviendront l'électrode de pont d'air, ainsi que les conducteurs poutres. La figure 5(h) montre la structure ainsi revêtue. Après le dépôt de métal, on enlève avec des solvants appropriés les régions de résine photosensi- ble de support et de protection 20 et 23, et l'électrode temporaire 21, aux endroits auxquels elles sont à nu, pour produire la structure de la figure 5(i). Une fois que les étapes précédentes sont termi- nées, on fixe sur une monture la surface avant du substrat, c'est-à-dire la surface qui contient la couche active. On polit ensuite la surface arrière du substrat pour réduire son épaisseur. On dépose un motif de résine photosensible sur la surface arrière du substrat 1, en laissant des parties à nu qui sont situées face aux extrémités du revê- tement d'or des conducteurs de drain et de source. On laisse également à nu des parties du substrat 1 dans lesquelles on doit former des trous de traversée 30 à l'intérieur du substrat 1. La figure 5(j) montre cet état de la puce de transistor à effet de champ partiellement formée; On grave le substrat 1 à partir de la surface arrière, en utilisant comme masque la résine photosensible 25. On poursuit la gravure jusqu'à l'enlèvement de l'épais- seur totale de la partie non masquée du substrat. Si on forme sur la même tranche plusieurs des puces de transistor à effet de champ qui sont décrites, cette étape de gravure sépare les puces les unes des autres. De plus, l'étape de gravure forme les trous de traversée et laisse le revêtement de métal qui s'étend sur les bords du substrat 1, pour cons- tituer les conducteurs poutres 5 et 6, comme le montre la figure 5(k). Enfin, on dépose un métal sur la surface ar- rière du substrat semiconducteur 1, pour constituer une électrode 26, et dans les trous de traversée 30, pour con- necter à l'électrode 26 l'électrode de source 2 qui se trouve sur la face avant du substrat. Avec cette intercon- nexion, on peut relier aisément l'électrode de source 2 à la masse, et en particulier à un plan de masse d'une ligne de transmission micro-bande. L'étape de revêtement finale achève la puce de transistor à effet de champ 200, comme le montrent les figures 1, 2 et 5(1). La connexion de la puce de transistor à effet de champ 200 aux conducteurs 7 et 8 de la ligne de transmission micro-bande 20 est effectuée aisément, avec des résultats uniformes d'une puce à une autre. On place la puce 200 dans l'espace entre les substrats diélectriques micro-bandes 9 et 10, avec les conducteurs poutres de grille et de drain et 6 alignés respectivement avec les conducteurs micro- bandes 7 et 8. Les conducteurs poutres sont soudés par com- pression aux conducteurs micro-bandes, pour former la structure qui est représentée sur la figure 2. On achève de réaliser l'interconnexion en reliant & la masse l'électrode de source 2, par exemple en connectant l'électrode de sur- face arrière 26 au plan de masse de la ligne de transmis- sion micro-bande. Avec des conducteurs poutres 5 et 6 de taille et d'orientation uniformes, la puce de transistor à effet de champ 200 et les conducteurs micro-bandes peuvent être con- nectés ensemble de façon aisée et uniforme. Contrairement aux connexions par fils du dispositif de l'art antérieur qui est représenté sur la figure 4, il n'y a pas de varia- tions de la position ou de la taille des conducteurs sus- ceptibles de produire des variations dans les caractéris- tiques des transistors à effet de champ. Les pertes de transmission sensibles à la fréquence qui apparaissent lorsque de petits fils sont fixés aux conducteurs micro- * bandes beaucoup plus larges, sont réduites du fait que les largeurs des conducteurs poutres sont pratiquement égales aux largeurs des conducteurs micro-bandes. Comme le mon- trent les figures 1 et 2, la largeur de l'électrode de grille 3 est de préférence uniforme depuis le pont d'air jusqu'au conducteur poutre de grille 5. De façon similaire, il est préférable que l'électrode de drain 4 ait pratique- ment la même largeur que le conducteur poutre de drain 6 et que le conducteur micro-bande 8 auxquels elle est fixée, pour réduire les pertes de transmission en haute fréquence. Dans le mode de réalisation de l'invention qui est décrit en relation avec les figures 1 et 2, on utilise une structure à pont d'air de façon qu'une partie de l'électrode de grille 3 soit séparée par un espace d'air de la surface avant du substrat semiconducteur 1 et passe au-dessus de l'électrode de source 2. On peut cependant former le pont d'air en espaçant l'électrode de source par rapport à la surface avant du substrat semiconducteur 1, et en faisant passer l'électrode de source au-dessus de l'électrode de grille 3. La figure 6(a) est une vue en plan d'un mode de réalisation de l'invention qui utilise une structure de pont d'air pour l'électrode de source. Le mode de réalisation de la figure 6(a) est représenté sur la fi- gure 6(b) par une coupe agrandie selon la ligne VIb-VIb de la figure 6(a). Dans ce mode de réalisation, l'électrode de grille 3 utilise un ensemble de doigts de connexion de grille 3b qui sont disposés directement sur la surface avant du substrat semiconducteur 1. Dans le mode de réali- sation décrit précédemment, ces doigts de grille étaient disposés perpendiculairement à cette surface. Les doigts 3b connectent l'électrode de grille 3, relativement large, à la grille linéaire 3a en un ensemble de positions, dans le but de réduire les effets d'éléments de circuits parasites. L'électrode de source 2 passe au-dessus des doigts de con- nexion de grille 3b, et elle est partiellement espacée par rapport à la surface du substrat semiconducteur 1. Dans le mode de réalisation des figures 6(a) et 6(b), l'électrode de source est séparée par un espace d'air de chacun des doigts de connexion de grille 3b, mais elle vient en con- tact avec la surface avant du substrat semiconducteur 1 entre chacun des doigts de connexion de grille 3b. Les modes de réalisation de l'invention qui sont décrits portent de façon générale sur une puce de transis- tor à effet de champ au GaAs de haute fréquence. On peut également appliquer l'invention à divers types spécifiques de transistors à effet de champ, comme par exemple un transistor à mobilité d'électrons élevée (HEMT), c'est-à- dire un transistor à effet de champ employant un substrat semi-isolant, une couche de GaAs non dopée sur le substrat et une couche active mince en AlGaAs de type n sur laquelle sont disposées les électrodes du transistor à effet de champ. On peut appliquer l'invention à des transistors à effet de champ employant du phosphure d'indium (InP) ou de l'arséniure d'indium-gallium (InGaAs), ou à un HEMT utilisant du InGaAs dans la couche active. Dans les modes de réalisation qui sont décrits, les largeurs des électrodes de grille et de drain et de leurs conducteurs poutres respectifs sont uniformes et pra- tiquement égales aux largeurs uniformes des conducteurs micro-rubans. Cependant, lorsque la longueur de la grille linéaire 3a est notablement différente de la largeur de la ligne micro-bande, seuls les conducteurs poutres ont des largeurs égales à celles des conducteurs micro-bandes. Dans cette configuration, il est préférable de faire varier pro- gressivement les largeurs des électrodes de grille et de drain, plutôt que de les changer de façon abrupte, entre la longueur de grille et la largeur du conducteur micro-bande, de façon à ne pas réduire les performances en haute fré- quence de la puce. Dans encore d'autres modes de réalisa- tion, les conducteurs poutres peuvent être plus larges ou plus étroits que les conducteurs micro-bandes. Dans les modes de réalisation qui sont décrits, les conducteurs poutres 5 et 6 sont fabriqués d'un seul tenant avec les électrodes de la puce de transistor à effet de champ 200. Cependant, les conducteurs poutres peuvent faire partie des conducteurs de la ligne de transmission micro-bande et être formés d'un seul tenant avec ces der- niers. Les figures 7 et 8 sont des vues en perspective d'une ligne de transmission micro-bande et d'une structure comprenant une puce de transistor à effet de champ conforme à un autre mode de réalisation de l'invention. Dans ce mode de réalisation, les conducteurs poutres 17 et 18 sont for- més d'un seul tenant avec les conducteurs micro-bandes res- pectifs 7 et 8. Les conducteurs poutres 17 et 18 s'étendent vers l'extérieur à partir et au-delà des extrémités des substrats diélectriques 9 et 10. - -Sur la figure 8, une puce de transistor à effet de champ 203 est similaire à la puce 200 de la figure 1, à l'exception du fait que ni l'électrode de grille 3, ni l'électrode de drain 4 ne comprend des conducteurs poutres. Dans ce mode de réalisation, les conducteurs poutres 17 et 18 sont fixés aux électrodes directement sur le substrat semiconducteur 1, au lieu que la fixation soit effectuée sur les conducteurs 7 et 8 de la ligne de transmission micro-bande. Les figures 9(a) à 9(e) illustrent un procédé de fabrication des conducteurs poutres des figures 7 et 8. Le processus part d'un bloc diélectrique 101, qui peut itre en alumine, sur la surface avant duquel on dépose une pre- mière couche de résine photosensible 102, dans une région sélectionnée, comme le montre la figure 9(a). On dépose une métallisation 103, telle qu'un alliage nickel/or, sur la totalité de la surface avant du bloc diélectrique, com- me le montre la figure 9(b). On dépose une seconde couche de résine photosen- sible 104 sur la métallisation 103, et on forme un motif correspondant aux conducteurs micro-bandes. De plus, on enlève la résine photosensible dans une partie de la mé- tallisation 103 qui se trouve face à la couche 102, avec un motif orienté transversalement à celui des conducteurs micro-bandes. En utilisant comme masque la couche de ré- sine photosensible 104, on enlève par gravure le métal à nu, ce qui laisse les conducteurs micro-bandes 7 et 8 disposés directement sur le bloc 101, avec des parties d'extrémités espacées par rapport au bloc 101 et recou- vrant la couche de résine photosensible 102. Cette struc- ture est représentée sur la figure 9(c). On enlève la couche de résine photosensible 104 et on enlève une partie du bloc 101 face à la couche de résine photosensible 102, par sciage ou découpage par la surface arrière du substrat. L'opération de sciage sépare le bloc en une seule pièce 101 pour donner des parties 201 et 202, c'est-à-dire des substrats 9 et 10, comme le montre la figure 9(d). Enfin, on enlève la première couche de résine photosensible 102, et on achève la ligne de transmission micro-bande comprenant les substrats 9 et 10 sur lesquels sont disposés les conducteurs respectifs 7 et 8, au moyen de conducteurs poutres 17 et 18 qui font res- pectivement saillie à partir des bords des substrats 9 et 10 et s'étendent sur ces bords. La figure 9(e) montre cette structure terminée. La ligne de transmission micro-bande comprenant les conducteurs poutres 17 et 18 et la puce de transistor & effet de champ 203 sont assemblées comme le montre la figure 8. On dispose la puce de transistor à effet de champ 203 dans l'espace compris entre les substrats 9 et 10, c'est-à-dire les parties 201 et 202, avec l'électrode de grille 3 et l'électrode de drain 4 respectivement alignées avec les conducteurs poutres 17 et 18. Ensuite, on soude par compression les conducteurs poutres 17 et 18 sur les électrodes respectives de grille et de drain, 3 et 4. L'électrode de source 2 est reliée à la masse par l'inter- médiaire des trous de traversée 30 et de l'électrode ar- rière 26 du substrat semiconducteur 1. Le mode de réalisation de l'invention qui est représenté sur les figures 7 et 8 n'exige pas de former.. des conducteurs poutres sur la puce de transistor à effet de champ 203. Par conséquent, dans ce mode de réalisation, le processus de fabrication de la puce 203 est simplifié, ce qui augmente son rendement. Bien qu'on ait décrit le mode de réalisation de l'invention qui est représenté sur les figures 7, 8 et 9(e) en indiquant l'utilisation d'alumine pour le substrat diélectrique de la ligne de transmission micro-bande, on peut également utiliser d'autres matériaux diélectriques, comme le saphir. Cepen- dant, du fait que le saphir est un matériau très dur, des techniques de sciage ou de découpage spéciales sont né- cessaires pour accomplir l'opération qui est représentée sur la figure 9(d), lorsqu'on utilise un substrat en sa- phir. Il va de soi que de nombreuses modifications peu- vent être apportées au dispositif décrit et représenté, sans sortir du cadre de l'invention. REVENDICATIONS 1. Puce de transistor à effet de champ (200) prévue pour la connexion à une ligne micro-bande (20), ca- ractérisée en ce qu'elle comprend: un substrat semiconduc- teur (1) ayant des première et seconde surfaces qui sont de façon générale opposées; un transistor à effet de champ (200) formé dans le substrat semiconducteur (1) et compre- nant une grille, une source et un drain, tous accessibles par la première surface; une électrode de source (2) con- nectée électriquement à la source et disposée sur la pre- mière surface; une électrode de grille (3) et une électrode de drain (4) qui sont respectivement connectées électrique- ment à la grille (3a) et au drain, et qui sont disposées au moins partiellement sur la première surface, les élec- trodes de grille et de source (3, 2) formant un pont d'air de façon que les électrodes de grille et de source (3, 2) se croisent à des niveaux différents et soient électrique- ment isolées l'une par rapport à l'autre; et un conducteur poutre de grille (5) et un conducteur poutre de drain (6) qui s'étendent au-delà du substrat (1), respectivement à partir des électrodes de grille et de drain (3, 4), pour être connectés à des conducteurs de ligne de transmission micro-bande (7, 8). 2. Puce de transistor à effet de champ selon la revendication 1, caractérisée en ce que la grille est une grille linéaire (3a) qui est disposée entre la source et le drain. 3. Puce de transistor à effet de champ selon la revendication 1, caractérisée en ce que les électrodes de source et de drain (2, 4) et les conducteurs poutres de * grille et de drain (5, 6) ont une largeur orientée trans- versalement à la direction dans laquelle les conducteurs poutres de grille et de drain s'étendent au-delà du subs- trat (1), et les largeurs de l'électrode de grille (3) et du conducteur poutre de grille (5), et de l'électrode de drain (4) et du conducteur poutre de drain (6) sont respec- tivement pratiquement égales. 4. Puce de transistor à effet de champ selon la revendication 1, caractérisée en ce que le pont d'air com- prend une partie de l'électrode de grille (3) qui est sépa- rée par un espace d'air de la première surface et de l'électrode de source (2), cette électrode de source (2) étant disposée sur la première surface. 5. Puce de transistor à effet de champ selon la revendication 1, caractérisée en ce que le pont d'air com- prend une partie de l'électrode de source (2) qui est sé- parée par un espace d'air de la première surface et de l'électrode de grille (3), cette électrode de grille (3) se trouvant sur la première surface. 6. Puce de transistor à effet de champ selon la revendication 1, caractérisée en ce que l'électrode de source (2) est en contact électrique avec la seconde sur- face par l'intermédiaire d'une traversée métallisée (30) qui traverse le substrat (1) de la première surface jus- qu'à la seconde surface. 7. Structure formée par l'assemblage d'une ligne de transmission micro-bande et d'une puce de tran- sistor à effet de champ, caractérisée en ce qu'elle com- prend: une ligne de transmission micro-bande (20) qui com- prend des premier et second substrats diélectrique (9, 10) sur lesquels sont respectivelent disposés des premier et second conducteurs électriques (7, 8), chacun d'eux ayant une largeur pratiquement uniforme, les premier et second substrats (9, 10) étant mutuellement séparés par un espace intercalé; un substrat semiconducteur (1) comportant des première et seconde surfaces qui sont de façon générale opposées, ce substrat semiconducteur (1) étant placé dans l'espace entre les premier et second substrats diélectri- ques (9, 10); un transistor à effet de champ (200) formé dans le substrat semiconducteur (1) et comprenant une grille, une source et un drain, tous accessibles par la première surface; une électrode de source (2) connectée électriquement à la source et disposée sur la première surface; une électrode de grille (3) et une électrode de drain (4) qui sont respectivement connectées électriquement à la grille (3a) et au drain, et sont disposées au moins partiellement sur la première surface, les électrodes de grille et de source (3, 2) formant un pont d'air, de façon que les électrodes de grille et de source (3, 2) se croi- sent & des niveaux différents et soient électriquement iso- lées l'une par rapport à l'autre; et-un conducteur poutre de grille (5) et un conducteur poutre de drain (6) qui s'étendent au-delà du substrat (1), respectivement entre les électrodes de grille et de drain (3, 4) et les premier et second conducteurs (7, 8), et qui connectent électrique- ment les électrodes de grille et de drain (3, 4) aux pre- mier et second conducteurs (7, 8). 8. Puce de transistor à effet de champ prévue pour la connexion à une ligne de transmission micro-bande, caractérisée en ce qu'elle comprend: un substrat semicon- ducteur (1) présentant des première et seconde surfaces qui sont de façon générale opposées, un transistor à effet de champ (200) qui est formé dans le substrat semiconduc- teur (1) et qui comprend une grille, une source et un drain, tous accessibles par la première surface; une élec- trode de source (2) en contact électrique avec la source et disposée sur la première surface; et une électrode de grille (3) et une électrode de drain (4) disposées au moins partiellement sur la première surface, les électrodes de grille et de source (3, 2) formant un pont d'air de fa- çon que les électrodes de grille et de source (3, 2) se croisent à des niveaux différents et soient respectivement isolées l'une par rapport à l'autre, les électrodes de grille et de drain (3, 4) ayant des largeurs pratiquement constantes transversalement à la direction de la propaga- 2E36473 tion du signal entre les électrodes de grille et de drain (3, 4), en vue de la connexion à des conducteurs poutres (5, 6) qui s'étendent à partir des conducteurs (7, 8) d'une ligne de transmission micro-bande (20). 9. Puce de transistor à effet de champ prévue pour la connexion à une ligne de transmission micro-bande, caractérisée en ce qu'elle comprend: un substrat semicon- ducteur (1) comportant des première et seconde surfaces - - qui sont de façon générale opposées; un transistor à effet de champ (200) qui est formé dans le substrat semiconduc- teur (1) et qui comprend une grille, une source et un drain, tous accessibles par la première surface; une électrode de source (2) connectée électriquement à la source et disposée sigr la première surface; et une élec- trode de grille (3) disposée sur la première surface et une électrode de drain (4) disposée partiellement sur la première surface, l'électrode de grille formant un pont d'air au niveau duquel elle croise l'électrode de source (2) en étant électriquement isolée de cette dernière par un espace d'air.