FR 2637752 A1 19900413 FR 8813190 A 19881007 Dispositif de limitation de courant de ligne pour terminal téléphonique11. La présente invention concerne un dispositif de limitation de courant de ligne pour un terminal téléphonique, qui est connecté én série avec un circuit intégré de communication dans une première diagonale d'un pont redresseur alors que sur l'autre diagonale de ce pont est branchée une ligne téléphonique, dispositif de limitation comprenant un premier transistor, du genre à effet de champ ou similaire7 dont le trajet drain-source est situé, en série avec une résistance de mesure de courant, entre une borne de référence du circuit intégré et une borne de référence de la première diagonale du pont redresseur, tandis qu'à l'autre borne de cette première diagonale du pont redresseur est connectée une borne de modulation du circuit intégré, dispositif de limitation qui comprend encore un deuxième transistor de type bipolaire dont la jonction émetteur-base est montée en parallèle sur la résistance de mesure de courant et dont le collecteur est relié à la grille du premier transistor, cette grille étant par ailleurs polarisée à partir de ladite autre borne de la première diagonale du pont à travers au moins une résistance de polarisation. Par transistor du genre similaire à un transistor a effet de champ, on entend désigner tout dispositif amplificateur de courant à très grand gain comme par exemple un dispositif Darlington. L'invention concerne également une application du dispositif de limitation à un terminal téléphonique. Un tel dispositif de limitation est connu du document EP-A-O 146 183 où, associé à quelques autres composants, il forme un dispositif d'interface pour les circuits intégrés de communication, entre autres TEA t046 et TEA 1060, commercialises par la société Philips. Comme l'alimentation des lignes d'abonnés est effectuée au niveau de l'autocommutateur a partir d'une source de tension normalisée, lorsque le poste téléphonique est décroché, et en l'absence de dispositif de limitation de courant, le courant de ligne qui s'établit peut prendre des valeurs très différentes selon la longueur effective de la ligne de raccordement vers l'abonné. C'est pourquoi certaines normes, comme en France par exemple7 requièrent une limitation du courant de ligne pour que celui-ci ne dépasse-pas une valeur de 60 mA en cas de raccordement à une ligne courte, de manière à réduire la consommation de la source de tension de l'autocommutateur. Le dispositif d'interface décrit dans le document cité plus haut assure diverses fonctions de protection du poste téléphonique avec l'avantage de ne nécessiter qu'un nombre réduit de composants élémentaires. Toutefois le transistor à effet de champ, appelé premier transistor, qui constitue l'un des éléments principaux du limiteur de courant, est appelé dans le cas extrême à dissiper une puissance non négligeable, de l'ordre de 1,5 Watt, c'est pourquoi il est nécessaire d'utiliser un transistor d'une catégorie à forte dissipation et d'y associer un radiateur. Pour un dispositif destine à équiper de nombreux appareils dont le prix devrait être aussi réduit que possible, la solution proposée présente donc l'inconvénient de requérir un transistor relativement onéreux du fait de sa catégorie, à quoi il faut également ajouter le prix de revient du radiateur et de sa fixation. La présente invention a pour but de fournir un dispositif de limitation de courant de ligne dont le prix de revient global soit plus faible. Elle repose sur l'idée de reporter au moins une fraction de la dissipation de chaleur qui se produit nécessairement au sein du limiteur de courant, sur un ou plusieurs autres composants additionnels qui soient d'un faible prix. En effet, selon l'invention, un dispositif de limi tation de courant qui est connecté en série avec un circuit intégré de communication dans une premiere diagonale d'un pont redresseur alors que sur l'autre diagonale de ce pont est branchée une ligne téléphonique, dispositif de limitation comprenant un premier transistor, du genre à effet de champ ou similaire, dont le trajet drain-source est situé, en série avec une résistance de mesure de courant, entre une borne de référence du circuit intégré et une borne de référence de la première diagonale du pont redresseur, tandis qu'à l'autre borne de cette première diagonale du pont redresseur est connectée une borne de modulation du circuit intégré, dispositif de limitation qui comprend encore un deuxième transistor de type bipolaire dont la jonction émetteur-base est montée en parallèle avec la résistance de mesure de courant et dont le collecteur est relié à la grille du premier transistor, cette grille étant par ailleurs polarisée à partir de ladite autre borne de la première diagonale du pont à travers au moins une résistance de polarisation ect notamment remarquable en ce que, en parallèle sur le trajet drain-source du premier transistor, est connecté le montage en série d'une résistance de dissipation et d'un élément de commande de courant débitant en fonction du courant drain-source du premier transistor. En premier lieu, il est aisé de déterminer une valeur de résistance de dissipation telle que la dissipation maximale du premier transistor soit réduite au quart de la dissipation maximale que ce transistor devait subir lorsqu'il était placé dans le dispositif de l'art antérieur. Le prix de la résistance de dissipation, meme pour une résistance devant dissiper environ 1 Watt, reste modique. Selon un mode de mise en oeuvre très simple de l'invention, le dispositif de limitation est caractérisé en ce que l'élément de commande de courant est constitué par un interrupteur commandé à la fermeture par le dépassement d'un seuil de courant traversant le premier transistor. Il est facile de prévolr une valeur de la résistance de dissipation telle que la presque totalité de la puissance à dissiper soit reportée sur cette résistance dans le cas d'un raccordement à une ligne de longueur pratiquement nulle. Ce choix est unique pour tous les postes destinés à une étendue géographique où les spécifications imposent la valeur de la tension d'alimentation des lignes du réseau. Si le seuil de courant mentionné est7 par exemple7 un courant voisin de quelques milliampères, il est facile de vérifier que pour une ligne d'une longueur (moyenne telle que la puissance à dissiper soit partagée également entre la résistance de dissipation et le premier transistor, chacun de ces éléments dissipe alors le quart de la puissance maximale. Si on admet, comme c'est le cas en pratique, que cette puissance maximale dépasse à peine 1 Watt, il est suffisant d'utiliser un premier transistor capable de dissiper entre 1/4 et 1/2 Watt ce qui permet de choisir ce transistor dans une catégorie très bon marché, et l'emploi d'un radiateur peut être évité. Selon un mode de mise en oeuvre préféré du dispositif de l'invention, l'élément de commande de courant est cons titué par un troisième transistor, du genre bipolaire, dont le trajet émetteur-basse est alimenté par le courant traversant le premier transistor et dont le collecteur est connecté à la résistance de dissipation. Au moins dans la majorité des situations vis-à-vis de la longueur de ligne, le troisième transistor est en saturation et fonctionne sous la commande du premier transistor à la manière d'un interrupteur commandé. Tant qu'il est en régime de saturation, ce troisième transistor ne dissipe qu'une puissance très faible. On peut sans inconvénient réduire quelque peu la valeur de la résistance de dissipation de sorte qu'à son tour le troisième transistor soit appelé à dissiper une puissance modérée dans le cas particulier d'une ligne de longueur nulle, ce troisième transistor quittant alors le régime de la saturation. Dans cette hypothèse7 le troisième transistor peut néanmoins être choisi dans une catégorie bon marché et le premier transistor est alors amené à dissiper moins du quart de la puissance maximale. Lorsqu'on prévoit la possibilité de faire travail ler le troisième transistor hors du régime de saturation, il y a alors lieu de choisir un troisième transistor à gain faible permettant de maintenir un courant de quelques milliampères (par exemple 5 mA) dans le premier transistor afin d'assurer une transmission convenable du signal de conversation. Comme il sera exposé plus en détail par la suite, le troisième transistor, selon son type de conduction, peut etre disposé de deux manières au sein du dispositif de limitation de courant. En ce qui concerne la résistance de dissipation, celle-ci est avantageusement constituée par une association d'éléments résistifs en série, en parallèle, ou en série-parallèle. On peut selon les cas, aboutir à un abaissement du prix global du système malgré la multiplication du nombre de résistances du fait que celles-ci peuvent être d'un modèle à faible dissipation. Un autre avantage de ce mode particulier de mise en oeuvre est obtenu~par le fait que l'on peut répartir judicieusement la chaleur à la surface du circuit imprimé sur lequel est réalisé le dispositif. Enfin, un avantage sup-. plémentaire est obtenu du fait de partager la résistance de dissipation en plusieurs éléments à faible dissipation individuelle, car ces éléments peuvent alors être choisis dans lacatégorie à montage en surface dont le prix de revient à l'emploi est très intéressant. D'autres particularités détails et avantages seront mis en évidence par la description qui va suivre en regard des dessins annexés dans lesquels la figure I est un schéma de principe du dispositif de limitation de courant de ligne, pour poste téléphonique-, selon l'invention, la figure 2 est un schéma d'une portion du dispositif de la figure 1, montrant l'application d'un interrupteur commandé, la figure 3 est un schéma montrant un premier exemple de réalisation de l'invention utilisant un troisième transistor de type PNP et la figure 4, un schéma d'un autre exemple de réalisation utilisant un troisième transistor de type-NPN. La figure 1 montre une portion d'un poste ou terminal téléphonique utilisant un dispositif de limitation t de courant de ligne connecté en série avec un circuit intégré de communication 2 dans une première diagonale d'un pont redresseur 3 alors que sur l'autre diagonale de ce pont 3 sont reliés les fils de ligne 4 et 5. Le dispositif de limitation 1 comporte un premier transistor T1 du genre à effet de champ ou d'un genre similaire, dont le trajet drain-source est situé en série avec une résistance de mesure de courant 10 entre une borne de référence Il du circuit intégré 2 et une borne de ré férence 12 de la première diagonale du pont redresseur 3. L'autre borne 13 de cette première diagonale du pont redresseur 3 est connectée à une borne de modulation 14 du circuit intégré 2. Le dispositif de limitation 1 comprend encore un deuxième transistor T2 de type bipolaire dont la jonction émetteur-base est montée en parallèle avec la résistance de mesure de courant 10 via une résistance S en série dans la connexion de base et dont le collecteur est relié à la grille du premier transistor T1 cette grille étant par ailleurs polarisée à partir de la borne 13 du pont redresseur 3 à travers les résistances 15 et 16. Entre la connexion reliant la résistance 9 à la base du deuxième transistor, et la borne de référence 12 est connecté un condensateur C1 de forte valeur qui filtre du point de vue alternatif la tension appliquée à la base du deuxième transistor T2.Au point de jonction entre les résistances 15 et 16 est connecté également un condensateur C2 de forte valeur dont l'autre extrémité est reliée à la borne de référence 11 du circuit intégré 2. Ce condensateur C2 introduit une contre-réaction totale sur le premier transistor T1 de sorte que le dispositif de limitation 1 se comporte comme une impédance faible vis-à-vis de l'impédance normale de ligne et du circuit de communication 2. Le dispositif de limitation 1 fournit un courant dont la valeur limite est essentiellement déterminée par la résistance de mesure de courant 10, par comparaison avec la tension émetteur-base du deuxième transistor T2. Selon l'invention7 en parallèle sur le trajet drain-source du premier transistor T1 est connecté le montage en série d'une résistance de dissipation 18 et d'un élément de commande de courant 20 débitant en fonction du courant drainsource du premier transistor Tj sous le contrôle d'un organe de commande 21. D'une manière générale, l'élément de commande de courant 20 associé à son organe de commande 21 fonctionne d'une manière telle qu'un courant est autorisé par l'élément de commande de courant 20 dès lors que le courant drain-source du premier transistor T1 dépasse un seuil déterminé. Une partie substantielle du courant traversant le premier transistor T1 peut donc être dérivée dans la résistance de dissipation 18 reportant la puissance dissipée correspondante sur cette ré résistance La partie 25 du dispositif de limitation 1, qui a été représentée entourée d'un cadre en trait interrompu, et raccordée à ce dispositif par les bornes A, B, C, peut être réalisée de différentes manières. La figure 2 représente un mode de réalisation de principe de la même partie 25 du dispositif de limitation de courant. Les éléments dessinés à la figure 2 ayant la même fonction qu'à la figure 1 sont affectés des mêmes signes de référence. L'élément de commande de courant 20 est un interrupteur commandé à la fermeture par le dépassement d'un seuil de courant observé dans l'organe de commande 21. Dans un mode de réalisation préféré le dit seuil de courant est un courant de faible valeur de sorte que l'interrupteur 20 est-fermé lorsque le courant drain-source du premier transistor T1 n'est pas nul et ouvert lorsque ce courant est nul. De cette manière, une interruption du courant de ligne au moyen du premier transistor T1 est réalisable, par exemple pour effectuer une commande de numérotation ou en cas de surtension exagérée sur la ligne, et ainsi toutes les fonctions annexes décrites dans le document EP-A-O 146 183, déjà cité, peuvent être mises en oeuvre au moyen du dispositif de limitation de courant de la présente invention. il est aisé de calculer la valeur de la résistance de dissipation 18 de manière que celle-ci dérive la presque totalité du courant de ligne dans le cas d'une ligne de longueur nulle ne laissant circuler dans le premier transistor T1 que le courant nécessaire à assurer la transmission sans atténuation ou écrêtage du signal de conversation. Dans le même cas le premier transistor T1 dissipe alors une très faible puissance.Pour une même tension d'alimentation de ligne du côté de l'autocommutateur, lorsqu'on est raccordé par une ligne de longueur "moyenne" telle que le courant de ligne soit réparti également entre le premier transistor T1 et la résistance de dissipation 18, on peut vérifier que ces deux éléments précités dissipent chacun le quart de la puissance maximale observée dans le cas de la ligne de longueur nulle. La valeur de puissance qui est dissipée par le premier transistor T1, dans ce cas particulier d'une ligne de longueur "moyenne", n'est pas dépassée dans les autres cas soit pour des lignes plus longues soit pour des lignes plus courtes. Le principe exposé à la figure 2 peut être réalisé très simplement comme il sera décrit ci-après au regard des figures 3 et 4. La figure 3 montre un schéma de dispositif de limitation dans un mode préféré de réalisation de l'invention. Sur cette figure les éléments ayant la même fonction que ceux de la figure 1 portent les mêmes signes de référence. L'élément de commande de courant 20 associé à son organe de commande 21 illustré aux figures t et 2 est réalisé au moyen d'un troisième transistor T3 du genre bipolaire et de type PNP. La diode émetteur-base de ce troisième transistor T3 joue le rôle d'organe de commande mesurant le courant circulant dans le trajet drain-source du premier transistor T1 tandis que le trajet émetteur-collecteur de ce troisième transistor T3 fonctionne à la manière d'un interrupteur en série avec la résistance de dissipation 18. On suppose pour l'instant que la résistance repérée par 28 est omise dans le montage. On peut choisir la valeur de la résistance de dissipation 18 de la même manière que celle indiquée à propos de la figure 2 et en tenant compte toutefois du faible décalage de tension apporté par la jonction émetteur-base de ce troisième transistor T3. Ainsi, le troisième transistor 3 fonctionne dans tous les cas de longueur ligne depuis la ligne de longueur nulle jusqu'à la ligne de longueur maximale, en régime de saturation. Ce n'est que lorsque le premier transistor T1 est commandé à l'ouverture (en vue d'une suppression du courant de ligne) que le troisième transistor T3 est également commandé à l'ouverture et par conséquent, la résistance de dissipation 18 n'est plus alimentée.Le troisième transistor T3 fonctionne donc de manière très comparable à un interrupteur commandé. Le troisième transistor T3 fonctionnant, d'après ce que l'on vient de dire, en régime de saturation ou à l'ouverture ; il ne dissipe aucune puissance appréciable. On peut cependant avantageusement tirer parti du fait que ce troisième transistor T3 peut également contribuer à la dissipation nécessaire du dispositif de limitation de courant. Pour cela il suffit de choisir une valeur de résistance de dissipation 18 telle que dans le cas d'une ligne de longueur nulle le troisième transistor T3 ne soit plus en régime de saturation, et telle que la puissance que ce transistor dissipe alors ne dépasse pas une valeur déterminée. La nouvelle valeur de la résistance de dissipation 18 est alors légèrement inférieure à celle du cas discuté précédemment. Dans la gamme des lignes très courtes pour lesquelles le troisième transistor T3 n'est pas en saturation il est clair que le premier transistor T1 n'a à fournir qu'un courant minime, juste nécessaire pour une transmission correcte du signal de conversation, soit par exemple de 3 à 5 mA. Le gain du troisième transistor est sélectionné en conséquence. Dans cette gamme de longueur de ligne le premier transistor T1 ne dissipe donc qu'une puissance très réduite. En examinant à nouveau le cas d'une ligne de longueur moyenne dont la résistance soit telle que d'une part le troisième transistor T3 soit en saturation et d'autre part que la puissance dissipée dans la résistance de dissipation 18 soit égale à celle dissipée par le premier transistor T1 il est facile d'établir que la puissance dissipée par chacun de ces deux éléments est plus faible que celle évaluée dans le cas précédent où le troisième transistor T3 travaillait toujours en régime de saturation. Pour une puissance maximale à dissiper inférieure à 2 Watts on aboutit alors au fait que les transistors T1 et T3 peuvent choisis dans une catégorie de dissipation inférieure. à 1/2 Watt. C'est précisément une catégorie très courante de transistors dont le prix est minime. La résistance de dissipation 18 est appelée à dissiper une puissance voisine de 1,5 Watt dans le cas extrême. Outre le fait qu'une résistance de ce genre n'est pas d'un prix très élevé on verra à propos de la figure 4 qu'elle peut être avantageusement remplacée par plusieurs éléments en série en parallèle ou en combinaison série-parallèle de manière à également aboutir, bien qu'en multipliant leur nombre, à des éléments de résistance d'un très faible prix de revient. Conformément au schéma de la figure 3, une résistance annexe de dérivation 28 a été représentée, connectée entre le collecteur du troisième transistor T3 et la ligne de référence négative en sortie du pont redresseur 3. La présence de cette résistance 28 est optionnelle. Elle permet, quand on l'utilise, de modifier la réponse en courant du limiteur de courant en fonction de la tension de ligne (longueur de ligne).On obtient alors une valeur de courant de ligne qui varie linéairement avec la tension disponible aux bornes du terminal béléphonique. A titre d'exemple, on peut déterminer par un calcul élémentaire, les valeurs des résistances 18 et 28 de sorte que, pour un courant nominal de 30 mA régulé à partir de la résistance de mesure de courant 10, un courant additionnel dérivé par la résistance annexe 28 varie depuis quelques dixièmes de mA pour une ligne longue jusqu'à une valeur maximale de 25 mA pour une ligne courte ou très courte. Un tel courant variable de ligne peut être exploité par le circuit intégré 2 en tant qu'indication de la longueur de ligne, entre autres, pour modifier le gain des amplificateurs du signal de parole. Avantageusement la résistance annexe 28 peut être constituée par une association d'éléments résistifs en parallèle, en série, ou en serie-parallèle, pour abaisser la dissipation de chaque élément et répartir judicieusement la température sur le circuit imprimé recevant le montage. La figure 4 indique le schéma d'une variante du montage décrit avec la figure 3. La fonction de l'élément de commande pour le courant de la résistance de dissipation est également un transistor du genre bipolaire mais il est ici du type NPN et branche différemment. Le troisième transistor T30 à son émetteur et sa base respectivement connectés à la résistance de mesure de courant 10 et à la source du premier transistor T1 alors que dans le montage de la figure 3, le troisième transistor T3 avait son émetteur et sa base respectivement connectés à la borne de référence tl du circuit intégré 2 et au drain du premier transistor Tt. Dans les deux cas le collecteur du troisième transistor est connecté à une extrémité de la résistance de dissipation l'autre extrémité de cette résistance étant connectée à la borne de référence Il du circuit intégré 2, dans le cas de la figure 4, et à la résistance de mesure de courant 10 dans le cas de la figure 3. Par ailleurs le fonctionnement du montage de la figure 4 est semblable à celui du montage de la figure 3, (dans lequel on aura omis la résistance 28). A la figure 4 on a représentée la résistance de dissipation décomposée en 4 éléments de résistance 180 montés en parallèle. Comme on a vue que la dissipation maximale à prevoir pour la résistance de dissipation est voisine de 1,5 Watt on aboutit à 4 éléments 180 n'ayant à dissiper chacun qu'environ 0,38 Watt. Là encore on aboutit, bien qu'en augmentant le nombre d'éléments, à une catégorie de résistance dont le prix est très faible. Un autre avantage obtenu du fait du partage de la résistance de dissipation en plusieurs éléments, provient de ce que l'on peut répartir ces éléments de résistance 180 en des points judicieux du circuit imprimé sur lequel est implanté le dispositif, de sorte que la chaleur engendrée soit dissipée dans des conditions favorables.Une autre possibilité est encore offerte du fait du partage de la résistance de dissipation en plusieurs éléments 180 car ces éléments de résistance peuvent être alors choisis dans la catégorie à montage en surface, ce qui offre des possibilités de réalisation très économiques. Bien entendu la résistance de dissipation peut également etre constituée par une association d'éléments résistifs en série ou encore toute autre association du type sérieparallèle. Dans les exemples décrits au regard des figures I à 4 on indique que le premier transistor Tt est du genre à effet de champ, par exemple, un transistor MOS. Cependant un autre type de transistor peut être utilisé des lors qu'il présente un gain en courant très élevé, permettant la polarisation de son électrode de commande sous haute impédance (résistances 15 et 16 de tordre de 1MQ par exemple). Un dispositif Darlington notamment peut convenir en tant que premier transistor T1. Ainsi, la description qui a été donnée sur un exemple incorporant un transistor à effet de champ, s'applique tout aussi bien au cas d'un autre dispositif amplificateur pour lequel, par "source" il faut alors entendre : électrode principale de référence (émetteur), par 1grille", il faut entendre : électrode de commande (base), et par "drain", il faut entendre : électrode principale de sortie (collecteur). ExemPle de réalisation Un dispositif de limitation conforme à celui décrit à la figure 3 a été réalisé avec les composants suivants Résistance 10 = 20 Q Résistance 18 = 1,2 Kû Résistance 28 = 1,0 KQ Pour une tension (maximale d'alimentation de ligne de 54V à vide à l'autocommutateur et compte-tenu de la somme des chutes de tension du reste du système qui est voisine de 6 Volts, le dispositif de limitation décrit, délivre un courant qui varie de 30 à 55 mA selon la longueur de ligne. La puissance maximale dissipée par le premier transistor TI est de 0,27 Watt, celle de la résistance de dissipation 18 est de 0,7 Watt, et celle de la résistance annexe 28, de 0,9 Watt. Les puissances indiquées dans cet exemple peuvent encore être abaissées, de 12% environ en ce qui concerne la résistance 18, de 28% environ pour la résistance 28 et de 158 environ pour le premier transistor T1, si, en choisissant un troisième transistor Ta à gain ss de 6, ou tout autre dispositif tel qu'un miroir de courant présentant un tel gain, on modifie légèrement les valeurs respectives des résistances 18 et 28 de sorte que le troisième transistor quitte le régime de saturation dans le cas extrême d'une ligne de longueur nulle, et qu'il dissipe alors une puissance de 0,3 Watt. REVENDICATIONS 1. Dispositif de limitation de courant de ligne, pour terminal téléphonique, dispositif qui est connecté en série avec un circuit intégré de communication dans une première diagonale d'un pont redresseur alors que sur l'autre diagonale de ce pont est branchée une ligne téléphonique, dispositif de limitation comprenant un premier transistor, du genre à effet de champ ou similaire , dont le trajet drain-source est situé, en série avec une résistance de mesure de courant, entre une borne de référence du circuit intégré et une borne de référent ce de la première diagonale du pont redresseur, tandis qu'à l'autre borne de cette première diagonale du pont redresseur est connectée une borne de modulation du circuit intégré, dis pcsitif de limitation qui comprend encore un deuxième transistor de type bipolaire dont la jonction émetteur-base est montée en parallèle sur la résistance de mesure de courant et dont le collecteur est relié à la grille du premier transistor cette grille étant par ailleurs polarisée à partir de ladite autre borne de la première diagonale du pont redresseur à travers au moins une résistance de polarisation, caractérisé en ce que, en parallèle sur le trajet drain-source du premier transistor, est connecté le montage en série d'une résistance de dissipation et d'un élément de commande de courant débitant en fonction du courant drain-source du premier transistor. 2. Dispositif de limitation selon la revendication 1, caractérisé en ce que l'élément de commande de courant est constitué par un interrupteur, commandé à la fermeture par le dépassement d'un seuil de courant traversant le premier transistor. 3. Dispositif de limitation selon la revendication 1, caractérisé en ce que l'élément de commande de courant est constitué par un troisième transistor, du genre bipolaire, dont le trajet émetteur-base est alimenté par le courant traversant le premier transistor et dont le collecteur est connecte à la résistance de dissipation. 4. Dispositif de limitation selon la revendication 3 caractérisé en ce que le troisième transistor étant du type de conduction opposé à celui du deuxième transistor, son émetteur est connecté à la borne de référence du circuit intégré, sa base connectée au drain du premier transistor et son collecteur connecté à une extrémité de la résistance de dissipation, tandis que l'autre extrémité de cette résistance est connectée à la source du premier transistor. 5. Dispositif de limitation selon-la revendication 4, caractérisé en ce qu'une résistance annexe de dérivation est en outre connectée entre le collecteur du troisième transistor et la borne de référence de la première diagonale du pont redresseur. 6. Dispositif de limitation selon la revendication 3, caractérisé en ce que le troisième transistor étant du meme type de conduction que le deuxième transistor, son émetteur est connecté à la résistance de mesure de courant, sa base connectée au drain du premier transistor et son collecteur connecté à une extrémité de la résistance de dissipation, tandis que l'autre extrémité de cette résistance est connectée au drain du premier transistor. 7. Dispositif de limitation selon l'une des revendications t à 6, caractérisé en ce que ladite résistance de dissipation est constituée par une association d'éléments résistifs en série, en parallèle, ou en série-parallèle. 8. Dispositif de limitation selon la revendication 7, caractérisé en ce que lesdits éléments résistifs sont du type pour montage en surface. 9. Application du dispositif de limitation de courant de ligne selon l'une des revendications 1 à 8, à un terminal téléphonique.