FR 2633776 A1 19900105 FR 8908793 A 19890630 D1SPOSITF TRAiISTOER A EFFET DE CHAMP ET PROCDE DESI-r A SA PlODUoTON La présente invention concerne un dispositif transistor à effet de champ et un procédé destiné à sa production et en particulier un dispositif transistor & effet de champ de forte puissance comprenant des électrodes & trous métallisés. La Figure 4 représente un dispositif 1 transistor & effet de champ 1983 EE MTT-S Digest, pages 265 à 267. Le dispositif TEC I comprend un substrat 2 en arséniure de gallium (GaAs), une ré3ion active 3 disposée sur une surface avant du substrat 2 en GaAs et une électrode 5 de porte possédant quatre doigts de porte disposés sur la surface avant du substrat 2 en GaAs. Une électrode de drain 4 disposée sur la surface avant du substrat 2 comprend deux doigts de drain. L'électrode 6 de source comprend quatre éléments source. Chacuntm des doigts de porte est disposé entre l'un des éléments d'électrode source et l'un des doigts de drain. Dans la structure de la Figure 4, un doigt de drain unique d'électrode de drain 4 sert à deux éléments TEC puisqu'un doigt de porte et un élément d'électrode source reposent sur chacun des deux côtés opposés de chaque doigt de drain de l'électrode de drain 4. Des trous traversants 9 adjacents aux éléments d'électrode de source traversent le substrat 2 en GaAs depuis la surface avant vers la surface arrière. kUne électrode 10 de trou traversant est disposée dans chacun des trous traversants 9. Une électrode 7 disposée sur la surface arrière du substrat 2 est en liaison électrique avec l'électrode source 6 & travers les électrodes 10 de trous traversants. Le substrat 2 est monté sur un puits thermique métallisé (PTM) 8 qui est formé par métallisation électrolytique en utilisant l'électrode 7 de surface arrière comme électrode de métallisation, et le substrat est en communication électrique et thermique avec ce puits thermique métallisé. La Figure 9 représente une plaquette 100 sur laquelle sont formés plusieurs dispositifs TEC 1. La plaquette 100 constitue le substrat de chaque dispositif. Lorsque les dispositifs ont été terminés sur la plaquette 100, la plaquette 100 est divisée pour former les dispositifs individuels TEC 1 par séparation, rupture, gravure ou similaire. Les Figures 5(a) à 5(e) sont des vues en coupe transversale du dispositif TEC 1 faites le long de la ligne V-V de la Figure 4. Les Figures 5(a) à 5(e) illustrent les étapes d'un processus de fabrication du dispositif TEC 1 unique. Saito et colL n'ont pas entièrement décrit les étapes du processus qu'ils utilisent pour fabriquer leurs TEC multiples reliés entre eux. Par conséquent, les étapes du processus représenté dans les Figures 5(a) à 5(e) peuvent être différentes de celles employées par Saito et coll Les étapes représentées aux Figures (a) A 5(e) sont partiellement semblables & celles qui sont représentés dans la demande de brevet Japonais 62-122279. Habituellement, plusieurs dispositifs TEC 1 sont en fait fabriqués sur une plaquette unique 100. Cependant, un seul dispositif est représenté dans les Figures 5(a) & 5(e) pour des raisons de simplicité Les références au substrat 2 concernent la plaquette 100 dans le processus décrit plus loin Jusqu'& l'étape dans laquelle la plaquette 100 est divisée en dispositifs individuels TEC 1. Comme le représente la Figure 5(a), du silicium est implanté dans une partie de la surface avant de la plaquette 100 en GaAs du type P ou semiisolant. En général. ce substrat présente une épaisseur d'environ 600 microns et des ions sont implantés pour produire une concentration de dopant d'environ 3 x 1017/cam près de la surface avant de la plaquette. Avec le niveau habituel de dopage d'arrière plan de la plaquette 100, la zone active 3 de type n qui en résulte présente une profondeur d'environ 0,4 microns. L'électrode drain 4, l'électrode source 6 et l'électrode porte 5, y compris leurs doigts respectifs, sont déposées, définies et agencées sur la zone active 3 comme le représente la Figure 5(a). Les électrodes drain et source 4 et 6 forment des contacts ohmiques avec la plaquette 100. Ces contacts peuvent être en un alliage d'or et de germanium. De l'aluminium, du titane ou du platine est déposé en tant qu'électrode de porte 5 et constitue une barrière de Schottky avec la zone 3 de type n. La disposition des électrodes les unes par rapport aux autres est réalisée par des techniques classiques de dépôt métallique et de photolithographie. Un masque, par exemple un masque de résine photosensible, est appliqué sur la surface avant de la plaquette 100 et il est formé en une configuration apte & définir les zones de trous traversants 9 adjacents aux électrodes source 6. Les trous traversants 9, qui possè6dent typiquement une profondeur et une largeur d'environ 30 microns, sont créés par gravure. De l'or est métallisé sélectivement sur les parois intérieures des trous traversants 9 et au voisinage de la périphérie des trous traversants 9 sur une épaisseur d'environ 3 microns. L'or déposé produit des électrodes 10 de trous métallisés qui sont reliées électriquement aux éléments 6 d'électrode source comme le représente la Figure 5(b). La plaquette 100 qui forme le substrat 2 en GeAs de chacun des dispositifs 1 est monté sur sa surface avant sur une plaque de verre 22 à l'aide, par exemple, de cire 21 ou d'une autre matière adhésive. La plaquette 100 est rectifiée ou rodée sur sa surface arrière jusqu'à ce que son épaisseur soit réduite & environ 60 microns. Puis, l'épaisseur du subetrat est encore réduite par une combinaison de polissage mécanique et chimique. La surface arrière de la plaquette 100 peut être polie mécaniquement et chimiquement simultanément en la frottant sur une étoffe à laquelle est périodiquement appliquée une solution de gravure, par exemple, en laissant tomber goutte-&-goutte un liquide de gravure sur l'étoffe. Eventuellement, les électrodes traversantes 10 apparaissent à la surface arrière du substrat, comme le représente la Figure 5(c), lorsque l'épaisseur du substrat est réduite & environ 25 & 30 microns. De même, Salto et coll indiquent que, dans la préparation de leur dispositif comprenant cinq TEC Interconnectés, le substrat est gravé chimiquement à partir de la face arrière pour atteindre les pastilles source. De mbme, les substrats dans les processus représentés dans la demande de brevet Japonais 62-122 279 sont gravis & partir de leur surface arrière pour réduire leurs épaisseurs. Lorsque les électrodes 10 apparaissent, une électrode métallique 7 est déposés sur la surface arrière de la plaquette 100 en contact mécanique et électrique avec l'électrode 10. L'électrode 7 peut comporter trois couches métalliques déposées successivement, par exemple du titane, de l'or et du titane. Un masque 11 en résine photosensible est déposé sur l'électrode 7 et constitue une configuration définissant des parties de séperation sur l'électrode 7 en vue de la séparation ultérieure de la plaquette 100 en dispositifs individuels TEC. La résine est enlevée des zones correspondantes au dispositif TEC 1, ce qui fait apparaître l'électrode 7 dans les zones de ces dispositifs TEC. La couche extérieure en titane est enlevée sélectivement en exposant la couche d'or inférieure en vue d'une étape de métallisation ultérieure. Un métal, en général de l'or, est déposé per un processus de métallisation électrolytique sur les parties exposées de l'électrode 7 Jusqu'à une épaisseur d'environ 60 microns, formant ainsi le PTN 8 sur la surface arrière de la plaquette , comme le représente la Figure 5(d). Dans le dispositif de Saito et col., le fonds de la plaquette est métallisé pour former le PTN et les parois latérales de la plaquette sont métallisées simultanément. Saito et coll n'indiquent pas si plusieurs de leurs dispositifs sont fabriqués simultanément sur une plaquette unique ou si des dispositifs uniques sont préparés sur des microplaquettes discrètes. Le processus de Saito e' coL., quel qu'il soit, permet d'accéder à la fois à la paroi latérale de plaquette et à la zone de PTM de sorte qu'elles peuvent âtre métallisées simultanément. (Le processus de la Figure 5(d) ne permet pas ce double accis simultané). Donc, Saito et colL forment une couche métallique protectrice de paroi latérale par métallisation (or) autour de la paroi latérale du substrat 2 des Figures 4 et 5 qui n'est pas représentée dans ces figures. En revenant & la Figure 5, les parties restantes du masque il1 et les parties d'électrode 7 de surface arrière et de la plaquette 100 en G&As qui ne sont pas masquées par le PTN 8 sont successivement gravées et enlevées. Ces étapes de gravure et d'enlèvement divisent la plaquette 100 en plusieurs dispositifs TEC 1, chacun comportant son substrat 2, comme indiqué à la Figure 5 (e). Les dispositifs TEC séparés 1 sont enlevés de la plaque de verre 2 par dissolution de la cire ou autre résine 21. Puis, les dispositifs TEC sont essayés. Les dispositifs sont souvent destinés & des fréquences de microondes et fonctionnent de cette façon Les caractéristiques électriques de ces dispositifs TEC sont mesurées à l'aide d'une Jauge spéciale à haute fréquence, à faible rapport d'ondes stationnaires, dans laquelle le contact sur chaque électrode 7 est réalisé sur la surface arrière du substrat 2, et les contacts sur le drain 4 et la porte 5 sur la face avant. Les dispositifs qui fonctionnent de façon satisfaisante sont utilisés et les autres sont rejetés. Les manipulations du dispositif 1 destinées à effectuer des essais les exposent à des dommages mécaniques. 1l serait préférable d'essayer les dispositifs avant de les séparer de la plaquette 100 pour réduire les dommages, en augmentant les rendements et en économisant du temps. Dans les dispoitifs TEC décrits en se référant à la Figure 5, les surfaces latérales du substrat 2 en GaAs, c'est-à-dire les surfaces de parois latérales joignant les- surfaces avant et arrière du dispositif individuel, sont exposées. Au cours de l'emballage et des essais, les dispositifs sont manipulés de façon répétée. Le substrat peut se briser pendant ces manipulations lorsque l'on emploie des brucelles pour saisir les dispositifs 1. En outre, pendant la soudure de "puces utilisant un équipement automatisé de soudure, un mandrin & vide ou des brucelies destinées à venir en contact avec un dispositif peuvent venir en contact direct avec le substrat 2 en GaAs, et le détériorer de façon sévère. Le dommage provenant des manipulations réduit le rendement global et augmente le cot des dispositifs acceptables. Il serait donc souhaitable de protéger la surface latérale du substrat. Dans les dispositifs TEC décrit par Saito et coll., ces parois latérales sont protégées par une couce d'or plaquée. Pour obtenir des rendements de production élevés avec le processus de production de la technique antérieure décrit, le masque 11 en résine doit être aligné avec précision avec la configuration d'électrode. Après son utilisation, le masque 11 doit être complètement enlevé. Si les configurations du masque 11 en résine et les électrodes du substrat 2 sont mal alignées, le PTM 8 ne sera pas mis en position appropriée, ce qui affecte de façon défavorable les caractéristiques du dispositif TEC. En outre, cornmme l'indique la Figure 8, des défauts peuvent se produire dans le bord du masque 11 en résine. Comme l'indique la Figure 6, ces défauts de bord peuvent produire des parties C irrégulières de surface latérale dans le PTM 8, l'électrode de surface arrière 7 et le substrat en GaAs 2. Un dispositif TEC 1 comportant de telles variations de surface latérale ne peut être monté sur un support de dimensions contrôlées avec précision. Dans le traitement nécessaire A la préparation de TEC de puissance élevée possédant un PTH, une étape d'alignement de masque entre une configuration sur la surface avant et une configuration sur la surface arrière est généralement nécessaire. A la Figure 5 (d), par exemple, le masque 11 doit être aligné par rapport aux emplacements des trous traversants 9. Alors que les tolérances d'alignement nécessaires ne sont pas difficiles à atteindre au point de n'être pas raisonnables, l'alignement de masques situés sur des côtés opposés d'une plaquette présente des problèmes difficiles. Habituellement, l'alignement est exécuté à l'aide de lumière infrarouge qui est produite sur une face, traverse le substrat et les trous traversants et est détectée sur la face opposée. Cette étape d'alignement par lumière infrarouge doit être terminée avant que ne soient déposées sur la plaquette toute les métallisations qui peuvent bloquer la transmission de la lumière infrarouge. De cette façon, il serait souhaitable d'employer un processus de fabrication de TEC de puissance élevée similaire à ceux de la Figure 4 qui évite la nécessité de masques d'alignement sur des faces opposées d'une plaquette. La configuration extérieure, la dimension et les espacements du PTM 8 sont principalement déterminés par l'épaisseur de la couche d'or plaqué du PTM 8 et la planéité de ses parois latérales métallisées. Le substrat 2 en GaAs lui-même est défini par gravure en utilisant le PTM 8 conmme masque. Par conséquent, pour obtenir la précision dimensionnelle souhaitée du substrat, la configuration de la couche métallisée doit être réglée avec précision de façon qu'il ne se produise aucune irrégularité dans la configuration du masque Il en résine et dans la gravure de l'électrode 7 de surface arrière. De plus, il ne faut laisser en place après la gravure aucune des parties résiduelles non souhaitées du masque 11 et de l'électrode 7. Cependant, il est difficile d'enlever complètement le masque 11 en résine et d'obtenir une surface latérale lisse le long de l'électrode 7 de surface arrière. La manière de graver le masque 11 en résine est représentée aux Figures 7(a) et 7 (b) qui sont des vues à plus grande échelle de la zone comprise à l'intérieur du cercle D de la Figure 5(d). Lorsque le PTM 8 métallisé augmente d'épaisseur, il se prolonge sur le masque 11 en résine photosensible comme le représente la Figure 7(a). Dans l'exemple décrit, le PTM 8 dépasse d'environ 45 microns au-delà du masque 11 en résine photosensible de 3 microns d'épaisseur. Il est très difficile d'enlever complètement la résine 1i qui a été recouverte par le PTM 8, en particulier sur les parties intérieures en-dessous du PTM 8. Comme l'indique la Figure 7(b), une partie résiduelle de la résine photosensible 11 peut ne pas être enlevée. Lorsque l'électrode 7 de surface arrière et le substrat 2 en GaAs sont gravés pour séparer la plaquette en formant les dispositifs TEC 1, la résine résiduelle, indiquée en lla à la Figure 7(b), n'est pas gravée, ce qui entraine des variations des surfaces latérales du substrat 2 corne indiqué comme parties B à la Figure 6. Par conséquent, il est souhaitable d'éliminer les étapes successives de masquage, de métallisation et de gravure sur la surface arrière du dispositif TEC 1. Un but de la présente invention est de réaliser des dispositifs semi- conducteurs qui puissent être fabriqués en grands nombres sur une plaquette, qui puissent être séparés facilement les uns des autres et de la plaquette sans endommager les dispositifs, et qui puissent être essayés facilement depuis la surface avant avant d'6tre séparés. de la plaquette. Un but additionnel de l'invention est de réaliser un dispositif TEC qui puisse être manipulé directement sans dommage et qui possède des dimensions extérieures précises. Un autre but de la présente invention est de réaliser un procédé de production d'un tel dispositif TEC, en particulier un procédé qui évite toutes les étapes d'alignement de masque entre les surfaces avant et arrière. D'sutres buts et avantages de la présente invention ressortiront de la description détaillée qui suit. Il faut comprendre, cependant, que la description détaillée et le mode de réalisation spécifique ne sont donnés qu'à titre illustratif, puisque diverses modifications et additions situées dans l'esprit et le cadre de l'invention apparaîtront & l'homme de l'art. Selon un aspect de l'invention, un grand nombre de dispositifs TEC sont fabriqués sur une plaquette unique qui agit comme substrat commnun pour les dispositifs. Les dispositifs comprennent chacun au moins un trou traversant s'étendant dans la plaquette depuis la surface avent pour relier l'une des électrodes, en général l'électrode source, à une électrode disposée sur la surface arrière des substrats du dispositif. Au moins une rainure circonférentielle de séparation s'étendant dans la plaquette depuis la surface avant vers la surface arrière et située à l'extérieur d'un dispositif TEC est utilisée pour séparer la plaquette en plusieurs dispositifs. Une électrode métallique, de préférence en or, est disposée dans le trou traversant et dans la rainure de séparation de chaque dispositif. Lorsque la plaquette est formée en "puces le long des rainures de séparation, les électrodes métalliques réalisent une couche de protection de parois latérales sur la surface latérale de chacun des dispositifs TEC pour le protéger au cours des traitements ultérieurs. De préférence, les rainures de séparation sont plus larges et plus profondes que les trous traversants pour faciliter la séparation des dispositifs en partant de la plaquette par des moyens chimiques et/ou mécaniques. La couche de protection de parois latérales se prolonge de préférence sur la surface avant des dispositifs individuels pour permettre la mesure des caractéristiques électriques des dispositifs avant de séparer la plaquette en epucesa individuelles. Un puits thermique métallisé est disposé sur la surface arrière de la plaquette en contact avec les électrodes pour dissiper la chaleur et augmenter la capacité de traitement de puissance du dispositif. Chaque dispositif TEC individuel selon l'invention comprend un substrat possédant au moins un trou qui le traverse de part en part et une couche métallique disposée dans le trou traversant reliant une électrode source sur la face avant du substrat avec une électrode disposée sur la face arrière du substrat. Cette électrode de surface arrière comporte un puits thermique métallisé placé sur elle, pour dissiper la chaleur engendrée pendant le fonctionnement du dispositif. Les parois latérales du substrat situées entre les surfaces avant et arrière sont recouvertes d'une couche protectrice métallique, de préférence en or, qui a été déposée en commun avec la couche métallique dans les trous traversants. Les électrodes porte et drain sont dtsposées sur la surface avant du dispositif TEC en même temps que les électrodes de mesure qui se prolongent à partir de la couche protectrice de paroi latérale. Toutes les électrodes du dispositif TEC sont disponibles sur la surface avant pour permettre l'essai des caractéristiques électriques du dispositif avant de séparer la plaquette en dispositifs TEC individuels. Des dispositifs TEC selon l'invention sont formés dans un substrat dans une zone active du substrat. Des électrodes du dispositif sont déposées sur une surface avant du substrat dans une relation prédéterminée entre elles. Au moins un trou traversant est gravé & travers le substrat depuis la surface avant. Une rainure circonférentielle de séparation espacée de la zone active de chaque dispositif est gravée depuis la surface avant et elle est de préférence plus large et plus profonde que le trou traversant. Une couche métallique est déposée dans le trou traversant et la rainure de séparation depuis la surface avant du substrat. L'épaisseur du substrat est réduite depuis la surface arrière, de préférence par un processus chimique et mécanique combinél Une seconde couche métallique est déposée sur la surface arrière du substrat en contact avec la couche métallique du trou traversant. Un puits thermique est métallisé sur l'électrode de surface arrière et chaque dispositif est séparé de ses voisins sur une plaquette le long des rainures de séparation. La séparation peut 'être réalisée par gravure, séparation mécanique ou une combinaison de ces processus. La couche métallique déposée dans les rainures de sépararation protège les parois latérales du substrat pendant le traitement. Cette couche de protection peut se prolonger sur la surface avant du substrat pour réaliser des électrodes de mesure de telle façon que toutes les électrodes d'un dispositif TEC soient accessibles a partir de la surface avant du substrat pour essai avant de séparer les dispositifs de la plaquette. Les couches métalliques et le puits thermique métallisé sont de préférence en or déposé électrolytiquement. La Figure 1 est une vue en perspective de la structure d'un dispositif TEC selon un mode de réalisation de la présente invention. Les Figures 2(a) à 2(e) sont des schémas en coupe transversale représentant un processus de production du dispositif TEC de la Figure 1. La Figure 3 est un schéma représentant plusieurs dispositifs TEC sur une plaquette unique selon un mode de réalisation de l'invention. La Figure 4 est une vue en perspective représentant la structure d'un dispositif TEC de la technique antérieure. Les Figures 5(a) à 5(e) sont des schémas en coupe transversale représentant un processus de production du dispositif TEC de la Figure 4. La Figure 6 est une vue à plus grande échelle d'une partie de la Figure 4 représentant des problèmes résultant du procédé de production de la technique antérieure. Les Figures 7(a) et 7(b) sont des schémas en coupe transversale représentant l'enlèvement d'un masque en résine dans le procédé de production de la technique antérieure. La Figure 8 est un schéma représentant un défaut de bord dans un masque en résine photosensible. La Figure 9 est un schéma représentant plusieurs dispositifs TEC de la technique antérieure sur une plaquette unique. La Figure 1 est une vue en perspective d'un dispositif TEC 101 de haute puissance selon un mode de réalisation de l'invention. traversants 10. Cokme l'indique la Figure 1, le dispositif TEC 101 comprend une couche de protection en or 7(a) recouvrant les surfaces latérales du substrat 2 en GaAs entre les surfaces avant et arrière du substrat. Des électrodes de mesure 7(b) sont disposées sur la surface avant du substrat 2 en GaAs en communication électrique avec l'électrode de surface arrière 7 et des électrodes de source 6 à travers la couche de protection 7(a). Des électrodes de mesure 7(b), ainsi que des électrodes porte et drain 4 et 5 permettent l'essai des caractéristiques électriques du dispositif TEC 1 & partir de sa surface avant. Le dispositif TEC 101 peut être produit par les étapes de processus représentées aux Figures 2 (a) & 2(e). Dans les Figures 2(a) & 2(e), un dispositif TEC unique 101 est représenté en coupe transversale. En général, comme le représente la Figure 3, plusieurs dispositifs TEC 101 sont formés dans une disposition en matrice sur une plaquette 100'. De cette façon, le dispositif TEC 101 des Figures 2(a) & 2(d) comprend huit dispositifs TEC 101, attachés de façon contiguë, mais non représentés, possédant tous la plaquette 100' comme substrat commun des dispositifs déposés sur une surface avant de substrat dans une relation prédéterminée entre eux. Au moins un trou traversant est gravé & travers le substrat & partir de la surface avant. Une rainure circonférentielle de séparation est écartée de la région active qui est forme dans une partie de la surface frontale du substrat 2 par implantation ionique. Ine électrode drain 4 possédant deux doigts de drain, une électrode de porte 5 comportant quatre doigts de porte, et quatre électrodes sources 6 sont déposées et formées dans la disposition désirée sur la surface avant du substrat en GaAs de la mêae manière que décrit en rapport avec la Figure 5(a). Des trous traversants 9 sont formés dans la plaquette 100' à partir de la surface avant Jusqu'à une profondeur d'environ 30 microns par une technique de gravure. Les rainures circonférentielles de séparation 13 destinées à séparer les dispositifs TEC 101 de la plaquette 100' sont également formés dans la plaquette 100' en GaAs en s'étendant de la surface avant vers la surface arrière. Ces rainures de séparation 13 sont indiquées comme circonférentielles parce que chacune entoure un dispositif TEC 101I respectif. Chaque rainure 13, en vue en plan, peut avoir une forme quelconque qui soit espacée de la zone active et des électrodes du dispositif respectif TEC 101 entouré. Dans le mode de réalisation de la Figure 3, les rainures sont rectangulaires en vue en plan, de sorte que les dispositifs TEC résultants sont rectangulaires. Dans le mode de réalisation de la Figure 3, les rainures de séparation 13 de dispositifs 101 différents sont espacées les unes des autres, mais des dispositifs adjacents pourraient employer des rainures de séparation communes. Des rainures 13 peuvent être formées soit en môme temps que les trous traversants 9, ou au moins en partie, ultérieurement. Des rainures de séparation 13 sont de préférence plus larges et plus profondes que les trous traversants 9. La formation tant des trous traversants 9 que desrainures de séparation 13 peut être exécutée en même temps en utilisant une technique de gravure à sec, telle que la gravure ionique réactive. Dans ce cas, des rainures 13 sont gravées plus longuement que ne le sont les trous traversants 9. Si l'on utilise une technique de gravure humide, chimique, les trous traversants 9 et les rainures de séparation 13 peuvent être gravés simultanément. Puisque les rainures de séparation 13 sont plus larges que les trous traversants 9, les largeurs étant définies par un masque, comme un masque de résine photosensible, les rainures de séparation 13 sont gravées plus profondément que ne le sont les trous traversants 9 par une étape unique de gravure chimique. Si l'on souhaite une différence relativement Importante des profondeurs des trous traversants 9 et des rainures de séparation 13, il faut probablement employer un processus de gravure en deux étapes quelle que soit la technique de gravure utilisée. Un processus de gravure à sec peut produire des trous traversants et des rainures présentant des coins interne et externe presque carrés, c'est-à-dire A angle droit, comme le représente la Figure 2(b). La gravure chimique produit plutôt des coins arrondis dans les rainures au lieu de coins à angle marqué. Des coins arrondis sur les dispositifs TEC 101, en particulier aux bords du substrat 2, peuvent fournir une meilleure protection contre les fissures pendant la manipulation. Cependant, la gravure sèche est préférée à la gravure humide parce qu'elle permet un meilleur contrôle de la zone gravée et de la profondeur de la gravure. Après formation des trous traversants 9 et des rainures de séparation 13, les électrodes 10 des trous traversants sont déposées sur les surfaces internes des trous traversants 9 et des rainures 13 de séparation comme l'indique la Figure 2(b). Les électrodes 10 sont de préférence en or plaqué et présentent une épaisseur d'environ 3 microns. Les électrodes source, drain et porte et leurs éléments de doigts respectifs peuvent être protégés par un masque en résine photosensible pendant la métallisation des électrodes 10. Dans ce cas, l'enlèvement ultérieur du masque protecteur soulève tout placage métallique qui se crée sur des zones masquées sur la surface avant de la plaquette 100'. De façon générale, les zones adjacentes aux trous traversants et aux rainures sont métallisées comme le représente la Figure 2(b). La surface avant de la plaquette 100' en GaAs est montée sur une plaque de verre 22 à l'aide de cire ou d'une autre matière adhésive amovible comme dans le procédé de la technique antérieure. L'épaisseur de la plaquette 100' est réduite par polissage de la surface arrière du substrat Jusqu'à ce que les électrodes 10 soient exposées. On emploie de préférence une technique de polissage mécanique et chimique combinée, c'est-à-dire un frottement mécanique combiné avec l'application d'un agent de gravure relativement long pour produire la configuration d'une surface arrière de la Figure 2(c). Il se produit, en général, une surface arrière non plane sur la plaquette 100' lorsque les rainures de séparation 13 sont plus profondes que les trous traversants 9. La métallisation des électrodes 10 n'est pas attaquée par l'agent de gravure et la vitesse de gravure près des rainures de séparation 13 est réduit lorsque les électrodes 10 sont exposées. Cependant, la gravure se poursuit à la mème vitesse ailleurs. La configuration de plaquette qui en résulte comprend une partie de substrat plus épaisse adjacente aux rainures de séparation 13 que la partie adjacente aux trous traversants 9. Les électrodes 10 dans les trous traversants 9 sont exposées lorsque l'épaisseur du substrat 2 est réduite à environ 25 à 30 microns. Des couches de titane et d'or ou de nickel et d'or déposées successivement sont déposées sur la face arrière de la plaquette 100' d'épaisseur réduite par une technique de dépôt sous vide ou un procédé de métallisation chimique. Une troisi&me couche temporaire, par exemple, en titane, peut être employée pour protéger la couche d'or juste avant le début de la métallisation du PTl 8. La couche temporaire est enlevée avant le début de la métallisation PTK. Les couches métalliques déposées produisent l'électrode 7 de surface arrière. Un PTM en or est déposé, par exemple, par métallisation électrolytique, sur l'électrode 7 sur une épaisseur d'environ 60 microns comme le représente la Figure 2(d). La plaquette 100' est détachée de le plaque de verre 22 en dissolvant la matière adhésive 21. Le PTM 8 est cassé ou découpé, par exemple, par une machine à découper, le long des rainures de séparation 13 pour séparer les dispositifs TEC 101 d'une plaquette 100' comme l'indique la Figure 2(e). Puisque l'électrode 10 a été déposée dmans les rainures de séparation 13, les surfaces latérales du dispositif TEC 101 sont plaquées de métal, c'est-à-dire de l'électrode 10. Cette métallisation, de préférence à l'or, est la couche de protection 7a de la Figure 1. Des électrodes de mesure 7b sont formées dans la méme étape de métallisation qui produit la couche de protection 7a. Pendant le masquage de la couche d'électrode 10, comme le représente la Figure 2(b), d'autres parties sont réalisées sur la surface avant de la plaquette 100' pour former des électrodes de mesure 7b. Les électrodes de mesure 7b sont produites soit en masquant la métallisation en or pour la protéger pendant la gravure soit en masquant de façon approprié le substrat pendant la métallisation lorsque l'on emploie le procédé per décollage. Puisque les parois latérales de substrat 2 en GaAs sont recouvertes d'un film métallique de protection 7a, le fragile substrat 2 en GaeAs est protégé des dommages mécaniques. Mêne lorsque le substrat est pris avec des brucelles, les brucelles ne viennent pas directement en contact avec le substrat 2 en GaAs, ce qui augmente considérablement la capacité de manipuler le dispositif TEC 101 sans dommaages. La résistance aux dommages mécaniques est encore améliorée lorsque le film de protection 7a est concave, c'est-à-dire lorsque l'on emploie la gravure humide pour former les rainures 13 plutôt qu'une gravure sèche. La surface incurvée répartit les forces appliquées par les brucelles, ce qui réduit la pression appliquée sur le substrat fragile. Les électrodes de mesure 7b permettent l'accès à toutes les électrodes source, drain et porte à partir de la face avant de la plaquette 100'. Par conséquent, les caractéristiques électriques de chaque dispositif TEC 101 peuvent être mesurées à partir de la face avant de la plaquette 100' pendant le processus de production, c'est-à- dire, avant que la plaquette 100' ne soit divisée en dispositifs individuels. L'accès par la surface avant signifie qu'une jauge ou une liaison de haute fréquence peut être temporairement appliquée à la plaquette 100' pour évaluer chaque dispositif TEC 101. Cette disposition fournit une amélioration sensible par rapport aux dispositifs TEC 1 qui ne peuvent pas être évalués sans relier une jauge aux deux surfaces avant et arrière. De cette façon, des dispositifs TEC 1 ne pouvaient être essayés avant que la plaquette 100 n'ait été découpée en 'puces". De préférence, les dispositifs TEC 101 sont espacés les uns des autres sur la plaquette 100'. La division de la plaquette 100' en dispositifs TEC 101 est de préférence réalisée par gravure depuis la surface avant de la plaquette dans les zones comprises entre les dispositifs 101, c'est-àdire entre les rainures 13 de séparation distantes les unes des autres. Puis, le PTM 8 est découpé sur la face arrière. Les dispositifs TEC 101 sont finalement totalement séparés les uns des autres, par exemple, à l'aide d'un appareil de découpe classique. On préfère séparer le long des rainures 13 de séparation, ce qui donne le dispositif représenté à la Figure 2(e), comportant un placage métallique sur ses surfaces latérales. Le processus destiné à séparer la plaquette 100' en dispositifs individuels est uniquement basé sur la configuration de la surface avant du substrat 2. De cette façon, il n'y a pas lieu d'appliquer une configuration de séparation sur la face arrière du substrat. Dans certains processus connus précédemment, des configurations individuelles de séparation sont nécessaires pour les faces opposées du substrat. Pour obtenir la séparation souhaitée, ces configurations doivent être alignées ou les dispositifs qui en résultent peuvent comporter des défaillances. Commoe indiqué dans la partie concernant l'arrière plan, l'alignement des configurations individuelles sur les surfaces avant et arrière d'une plaquette est un processus encombrant exigeant l'utilisa tion de lumière infrarouge et l'ajustement de la séquence des étapes de processus de façon que des métallisations qui pourraient interférer avec la lumière infrarouge ne soient déposées qu'après l'achèvement de l'alignement. Cependant, dans l'invention, un alignement de masque de surface d'avant en arrière n'est pas nécessaire. Eviter une telle étape d'alignement de configuration signifie que la plaquette 100' peut être séparée en dispositifs TEC 101 avec un degré élevé de précision dimensionneL Puisque les trous traversants 9 et les rainures de séparation 13 du dispositif TEC 101 sont produits en mème temps à partir de la même configuration, il n'y a pas d'erreur d'alignement entre les trous et les rainures qui pourrait se produire lorsque ces motifs sont définis séparément dans des étapes différentes de configuration. La métallisation 10 des rainures de séparation 13, qui sont de préférence plus profondes que les trous traversants 9, peut être utilisée comme cible sur la surface arrière pour détecter la conclusion de la première partie du processus de polissage dans laquelle l'épaisseur de la plaquette 100' en. GaAs est réduite. Le polissage peut alors être temporairement arrêté lorsque l'électrode 10 dans le fond de la rainure de séparation est initialement détectée. Ensuite, le polissage peut recommencer Jusqu'à ce que l'électrode 10 soit exposée au socmet de ces trous traversants 9. La détection des électrodes exposées 10 dans les trous traversants 9 pour indiquer un point d'arrêt de gravure élimine tout besoin de surveiller l'épaisseur de la plaquette 100' pendant le processus de polissage. Bien que l'invention ait été décrite en relation avec certains modes de réalisation préférés, beaucoup de variantes sont possibles. Les rainures de séparation 13 peuvent être formées par un appareil de découpe ou par une étape de gravure séparée. Les profondeurs des trous traversants 9 et des rainures de séparation 13 peuvent être égales les unes aux autres. En outre, les trous traversants 9 et les rainures de séparation 13 peuvent être métallisés séparément. Bien que l'invention ait été décrite en se référant & un mode de réalisation d'un dispositif TEC présentant une structure d'électrode de trou métallisé, l'invention peut aussi être appliquée & d'autres éléments de circuit et à des cir- cuits intégrés incorporant des structures d'électrode & trou métallisé Revendications 1. Ensemble de dispositifs semi-conducteurs caractérisé en ce qu'il comprend une plaquette semi-conductrice (100') comportant des surfaces avant et arrière opposées, ladite plaquette étant un substrat comaun; plusieurs dispositifs semi-conducteurs (101) sensiblement identiques formés sur ladite plaquette, chaque dispositif comprenant au moins un trou traversant (9) s'étendant dans ladite plaquette depuis ladite surface avant vers ladite surface arrière; au moins une rainure circonférentielle de séparation (13) s'étendant dans ladite plaquette depuis la surface avant vers la surface arrière, disposée A l'extérieur d'un premier desdits dispositifs semi-conducteurs pour séparer le premier dispositif semi-conducteur de la plaquette; une première électrode métallique (10) disposée dans le trou traversant pour relier électriquement les dispositifs semi-conducteurs respectifs à la surface avant; et une couche métalli4que disposée dans la rainure de séparation pour former une couche métallique de protection sur les surfaces des dispositifs semi-conducteurs lorsqu'ils sont séparés de la plaquette. 2. Ensemble de dispositifs semi-conducteurs selon la revendication 1, caractérisé en ce que la couche métallique s'étend au-dessus de parties de la surface avant du premier dispositif semi-conducteur depuis la rainure de séparation (13) pour former une électrode de mesure (7b) pour mesurer des caractéristiques électriques du premier dispositif seai- conducteur (101) avant sa séparation de la plaquette (100'). 3. Ensemble de dispositifs semi-conducteurs selon la revendication 2, caractérisé en ce qu'il comprend une deuxième électrode métallique disposée sur la surface arrière dudit substrat en communication électrique avec ladite première électrode métallique (10) du trou traversant (9) et avec la couche métallique. 4. Ensemble de dispositifs semi-conducteurs selon la revendication 3, caractérisé en ce qu'il comprend un puits thermique métallisé (8) disposé sui la deuxième électrode métallique. 5. Transistor & effet de champ (101), caractérisé en ce qu'il comprend: un substrat semi-conducteur ladite surface avant sous forme d'électrode de mesure (7b). 6. Dispositif semi-conducteur, caractérisé en ce qu'il comprend: un substrat semi-conducteur (2) séparé d'une plaquette semi- conductrice (100') possédant des surfaces avant et arrière opposées, comprenant au moins un trou traversant (9) s'étendant & travers ledit substrat depuis la surface avant vers la surface arrière; une paroi latérale s'étendant entre lesdites surfaces avant et arrière formée par séparation dudit dispositif de ladite plaquette; une première électrode métallique (10) disposée dans le trou traversant (9) pour relier électriquement ledit dispositif semi- conducteur & ladite surface avant; et une couche métallique disposée sur ladite paroi latérale pour protéger ledit dispositif semi-conducteur pendant les manlpulationsk3. 7. Procédé de fabrication de dispositifs semi-conducteurs, caractérisé en ce qu'il comprend les étapes consistant à: former au moins une zone active sur la surface avant d'une plaquette semi-conductrice possédant des surfaces avant et arrière opposées; déposer au moins deux électrodes dans une relation mutuelle prédéterminée sur la surface avant de la plaquette dans la zone active; graver au moins un trou traversant dans la plaquette depuis la surface avant et s'étendant vers la surface arrière adjacent aux électrodes dans la zone active; graver au moins une rainure de séparation circonférentielle séparée de la zone active, vers l'extérieur, dans la plaquette depuis la surface avant et s'étendant vers la surface arrière pour séparer une partie de ladite plaquette sous forme d'un dispositif semi-conducteur; déposer une première couche métallique dans le trou traversant et dans la rainure de séparation et sur la surface avant adjacente au trou traversant en contact avec l'une des électrodes et adjacente & la rainure de séparation comme électrode de mesure; réduire l'épaisseur de la plaquette à la surface arrière pour exposer la première couche métallique; déposer une deuxième couche métallique sur la surface arrière en communication électrique avec la première couche métallique dans le trou traversant; former un puits thermique sur la deuxième couche métallique par métallisation; et diviser la plaquette A la rainure de séparation pour former un dispositif semi- conducteur individuel sur un puits thermique possédant une couche métallique de protection sur les parois latérales du substrat eantre les surfaces avant et arrière. 8. Procédé selon la revendication 7, caractérisé en ce qu'il comprend la gravure simultanée du trou traversant et de la rainure de séparation. 9. Procédé selon la revendication 7, caractérisé en ce qu'il comprend la réduction de l'épaisseur de la plaquette par un polissage mécanique et chimique combiné. 10. Procédé selon la revendication 7, caractérisé en ce qu'il comprend la division de ladite plaquette en séparant la plaquette & la rainure de séparation.