FR 2631487 A1 19891117 FR 8813483 A 19881013 PROCEDE DE FABRICATION POUR UN DISPOSITIF A SEMICONDUCTEUR La présente invention concerne un procédé de fa- brication pour un dispositif à semiconducteur, et elle porte plus particulièrement sur un procédé permettant de fabriquer des électrodes de source/drain et de grille sans variations des distances entre elles. es f4g!es 2(a)- 2 (e) montent un prcé de fabrication pour un dispositif à semiconducteur conforme à l'art antérieur. Br les f"ies 2(a)-2(e),une zéion d'un substrat semicon- ducteur la est activée par une opération telle qu'une im- plantation ionique, pour produire ainsi une couche active lb. On forme sur le substrat semiconducteur la comprenant la couche active lb, un motif de résine photosensible 4 qu'on utilisera en tant que masque pour produire des élec- trodes de source/drain. On forme des électrodes de source et de drain 5 sur la couche active lb. On forme sur la structure obtenue un motif de résine photosensible 6 qu'on utilisera en tant que masque pour la formation d'une élec- trode de grille. On forme une électrode de grille 7 dans une situation située entre les électrodes de source et de drain 5. On utilise pour l'électrode de grille 7, une électrode en aluminium, une électrode multicouche titane- or, une électrode multicouche titane-molybdène-or ou une structure analogue, et on utilise pour les électrodes de source/drain une électrode simple en nickel, un alliage or-germanium ou une structure analogue. Du fait que les ma- tériaux utilisés pour les électrodes de source/drain et ceux utilisés pour l'électrode de grille sont ainsi mutuel- lement différents, il est impossible de définir les motifs de ces électrodes au moyen d'un masque en une seule opéra- tion. La fabrication d'électrodes dans le procédé de l'art antérieur est donc effectuée par des opérations sépa- rées, en utilisant différents masques, comme décrit ci- après. Premièrement, on active une région du substrat semiconducteur la par une opération telle qu'une implanta- tion ionique, pour produire ainsi une couche active lb (figure 2(a)), et on forme sur cette couche un motif de résine photosensible 4 qui comporte des ouvertures dans les régions de formation des électrodes de source/drain (figure 2(b)). Ensuite, on évapore le métal des électrodes de sour- ce et de drain et on l'enlève partiellement par une opéra- tion de décollement, pour former les électrodes de source/ drain 5 (figure 2(c)). On forme ensuite sur la structure obtenue le motif de résine photosensible 6 pour former une électrode de grille, et on forme une ouverture à la position désirée par alignement de masques (figure 2(d)). Ensuite, on forme une cavité dans la partie de l'ouverture, et on évapore un mé- tal de grille sur la totalité de la surface du dispositif partiellement fabriqué, après quoi on décolle le métal de grille pour former l'électrode de grille 7 (figure 2(e)). Dans ce procédé de fabrication de l'art antérieur pour un dispositif à semiconducteur, du fait qu'on forme un motif dans la résine photosensible par alignement de mas- ques au moment de la fabrication d'une électrode de grille, les distances entre les électrodes de source/drain et l'électrode de grille varient dans un substrat donné, ou d'un substrat à un autre, à cause d'une erreur d'alignement de masques, ce qui entraîne des variations dans les caracté- ristiques des transistors à effet de champ. L'invention a pour but de procurer un procédé de fabrication d'un dispositif à semiconducteur capable de pro- duire des électrodes de source/drain et de grille sans va- riations des distances entre elles. Conformément à l'invention, on fabrique des motifs fictifs d'électrodes de source/drain et de grille en utili- sant un masque dans des régions qui correspondent respecti- vement aux électrodes de source/drain et de grille, et on les remplace ensuite par les électrodes de source/drain et de grille. Les positions d'électrodes respectives sont donc déterminées par un masque, et les écarts de position qui sont dûs à l'erreur d.'alignement de masques sont éliminés. On peut donc fabriquer des électrodes de source/drain et de grille sans introduire de variations dans les distances entre elles. Un aspect de l'invention porte sur un procédé de fabrication pour un dispositif à semiconducteur, comprenant une opération de formation de motifs en métal pour former un ensemble de motifs en métal sur un substrat semiconduc- teur ayant une couche active, caractérisé en ce que l'opé- ration de formation de motifs en métal comprend: une pre- mière opération consistant à former des motifs en métal fictifs dans un ensemble de régions de formation de motifs en métal sur le substrat semiconducteur, en utilisant un masque de résine photosensible prédéterminé; une seconde opération consistant à former un motif de résine photosen- sible sur la totalité de la surface du substrat, ce motif comportant des ouvertures dans des parties qui corrrespon- dent à des régions désirées parmi les régions de formation de motifs en métal, et ces ouvertures étant plus grandes que les régions désirées; une troisième opération consis- tant à remplir avec la résine photosensible des espaces entre les motifs en métal fictifs et le motif de résine photosensible; une quatrième opération consistant à enlever les motifs en métal fictifs dans les parties correspondant aux ouvertures, et à former ensuite une couche de métal sur la totalité de la surface du dispositif partiellement fa- briqué, et à décoller partiellement le métal pour produire ainsi un motif en métal; et les seconde à quatrième opéra- tions pour remplacer le motif en métal fictif par le motif en métal sont répétées au moins deux fois. L'invention sera mieux comprise à la lecture de la description détaillée qui va suivre d'un mode de réalisa- tion, donné à titre d'exemple non limitatif. La suite de la description se réfère aux dessins annexes sur lesquels: Les figures 1(a) - l(k) sont des schémas montrant chaque étape du processus de fabrication du dispositif à semiconducteur conforme à l'invention; et Les figures 2(a) - 2(e) sont des schémas montrant chaque étape du processus de fabrication du dispositif à semiconducteur conforme à l'art antérieur. On décrira un mode de réalisation de l'invention en se référant aux figures 1(a) - 1(k) qui sont des schémas illustrant un procédé de fabrication d'un dispositif à se- miconducteur conforme à un mode de réalisation de l'inven- tion. On voit sur ces figures qu'on forme une couche active lb sur la région de surface d'un substrat semiconducteur la. On forme au-dessus une couche mince 2 d'un matériau tel que Si3N4 ou SiO2. On forme un motif de résine photosensi- ble 3 sur la couche mince 2. On forme des motifs d'électro- des fictifs 2a et 2b sur la couche active lb, et ces motifs fictifs 2a et 2b déterminent respectivement les positions des électrodes de source/drain et de grille. On forme sur cette structure un motif de résine photosensible 4 qu'on utilisera en tant que masque pour remplacer les motifs fictifs d'électrodes de source/drain par du métal pour ces électrodes. On forme des électrodes de source/drain 5 sur la couche active lb. On forme sur cette structure un motif de résine photosensible 6 qu'on utilisera en tant que masque pour remplacer le motif fictif de grille par du métal d'électrode de grille. On forme une électrode de grille 7 dans la partie en retrait de la couche active lb. Les maté- riaux utilisés pour les électrodes respectives sont les mêmes que dans l'art antérieur. On va maintenant décrire de façon plus détaillée le processus de fabrication. On active une région du substrat semiconducteur la par une opération telle qu'une implantation ionique, pour produire ainsi une couche active lb d'une épaisseur d'envi- ron 500 nm (figure 1(a)). On dépose une couche mince 2 sur la totalité de la surface du substrat semiconducteur la, comprenant la couche active lb, jusqu'à une épaisseur d'environ 500 nm à 1 pm, par le procédé de dépôt chimique en phase vapeur (CVD). On forme ensuite un motif dans une couche de résine photosensible 3, de façon à laisser des parties dans lesquelles on doit former des électrodes de source/drain et des électrodes de grille (figure 1(b)). On grave la couche mince 2 en utilisant en tant que masque la résine photosensible 3, par exemple par le procédé d'atta- que ionique réactive (ou RIE), et on enlève ensuite la ré- sine photosensible 3, ce qui donne les motifs d'électrodes fictifs 2a et 2b consistant en couches minces (figure 1(c)). Ensuite, après avoir formé la couche de résine photosensible 4 sur cette structure, on définit un motif dans la résine photosensible 4 de façon à exposer seulement les motifs fictifs 2a qui se trouvent dans les régions de formation d'électrodes de source/drain, parmi les motifs fictifs à couches minces, en procédant par photolithogra- phie et gravure, ce qui donne un motif qui est représenté - sur la figure 1(d). On peut alors fixer l'espace entre la résine photosensible 4 et le motif à couche mince 2a à une distance suffisante pour qu'il n'apparaisse aucun problème à l'alignement des masques dans le processus de photolitho- graphie. On chauffe ensuite le substrat la pendant environ minutes à une température de 140 à 180 C pour transformer la résine photosensible 4 afin d'emplir les espaces entre la résine photosensible 4 et les motifs fictifs 2a (figure l(e)). On enlève ensuite les motifs fictifs 2a, ce qui donne le motif qui est représenté sur la figure 1(f). On évapore ensuite le métal de source/drain sur la totalité de la surface du dispositif partiellement fabriqué, et on en- lève partiellement le métal par décollement, ce qui forme les électrodes de source/drain 5 (figure 1(g)). On forme ensuite la couche de résine photosensible 6 en laissant à nu d'une manière similaire le motif fictif à couche mince 2b (figure 1(h)), et on chauffe à nouveau le substrat pour emplir les espaces entre la résine photosen- sible 6 et le motif fictif 2b, ce qui donne le motif qui est représenté sur la figure 1(i). On enlève ensuite le motif de grille fictif 2b, ce qui donne le motif qui est représenté sur la figure l(j). On effectue une opération de formation de cavité dans la région de l'électrode de grille jusqu'à une profondeur d'environ 100 nm, et on évapore et on décolle partiellement un métal de grille pour former l'électrode de grille 7, ce qui donne le motif qui est re- présenté sur la figure 1(k). Dans ce mode de réalisation, on forme les motifs d'électrodes fictifs 2a et 2b respectivement dans les ré- gions de formation d'électrodes de source/drain et dans la région de formation d'électrode de grille, en utilisant un masque 3, et on les remplace par les électrodes de source/ drain 5 et l'électrode de grille 7, en utilisant respecti- vement le masque de résine photosensible 4 qui comporte des ouvertures dans la région de formation d'électrodes de source/drain, et le masque de résine photosensible 6 qui comporte une ouverture dans la région de formation d'élec- trode de grille. Ceci permet d'éviter des écarts de position dûs à une erreur d'alignement de masques, et de former des électrodes de source/drain et une électrode de grille sans variation des distances entre elles. Il est ainsi possible de fabriquer un dispositif à semiconducteur de façon repro- ductible. -- Bien que dans le mode de réalisation considéré ci- dessus, on utilise le chauffage du substrat en tant que pro- cédé pour transformer les motifs de résine photosensible, on peut également utiliser un procédé consistant à appliquer une troisième couche de résine photosensible après avoir formé les couches de résine photosensible 4 et 6, et à met- tre à nu le motif fictif à couche mince, par exemple par une opération d'attaque. Comme il résulte de façon évidente de la descrip- tion qui précède, on forme conformément à l'invention un ensemble de motifs fictifs correspondant aux électrodes de source/drain et de grille, sur des régions de formation pour ces électrodes, en utilisant un masque, et on les remplace successivement par ces électrodes en utilisant un ensemble de motifs de résine photosensible qui présentent des ouver- tures dans les régions de formation d'électrodes désirées. Les positions des électrodes-de source/drain et de grille sont donc déterminées par un masque, et on peut former les électrodes dans des positions désirées, sans erreur d'ali- gnement de masques. Il va de soi que de nombreuses modifications peu- vent être apportées au procédé décrit et représenté, sans sortir du cadre de l'invention. REVENDICATION Procédé de fabrication pour un dispositif à semiconducteur, comprenant une opération de formation de motifs en métal pour former un ensemble de motifs en métal sur un substrat semiconducteur (la) ayant une couche acti- ve (lb), caractérisé en ce que l'opération de formation de motifs en métal comprend: une première opération consis- tant à former des motifs en métal fictifs (2a, 2b) dans un ensemble de régions de formation de motifs en métal sur le substrat semiconducteur (la, lb), en utilisant un masque de résine photosensible prédéterminé (3); une seconde opé- ration consistant à former un motif de résine photosensi- ble (4, 6) sur la totalité de la surface du substrat, ce motif comportant des ouvertures dans des parties qui cor- respondent à des régions désirées parmi les -régions de for- mation de motifs en métal, et ces ouvertures étant plus grandes que les régions désirées; une troisième opération consistant à remplir avec la résine photosensible des es- paces entre les motifs en métal fictifs (2a, 2b) et le mo- tif de résine photosensible (4, 6); une quatrième opération consistant à enlever les motifs en métal fictifs (2a, 2b) dans les parties correspondant aux ouvertures, et à former ensuite une couche de métal sur la totalité de la surface du dispositif partiellement fabriqué, et à décoller par- tiellement le métal pour produire ainsi un motif en métal (5, 7); et les seconde à quatrième opérations pour rempla- cer le motif en métal fictif (2a, 2b) par le motif en mé- tal (5, 7) sont répétées au moins deux fois.