FR 2617636 A1 19890106 FR 8709379 A 19870702 Procédé de fabrication d'un composant électronique de puis- sance et composants obtenus par ce procédé. L'invention concerne un procédé de mise en parallèle de com- -posants électroniques de puissance utilisant des pastilles, de silicium portant des transistors MOS canal N et formant un composant de puissance importante. Ce procédé permet d'obtenir des puissances dissipées plus élevées et/ou des caractéristiques plus performantes. A cet effet, le procédé selbn l'invention est caractérisé par le fait qu'on met en parallèle les grilleset les sources de transistors MOS dans une même bande conductrice, on effectue la mise en parallèle des drains par soudure ou col- lage des pastilles sur un même substrat conducteur en utili- sant la technique T.A.B. pour la mise en bande des pastilles de silicium, et on effectue un report global des transistors assemblés en bande sur le substrat, la bande étant utilisée et connectée aux sorties respectives, avant, pendant, ou après le report. Pour une application à un composant de puissance intelligent C.P.I., on met en parallèle de simples transistors MOS de puissance sur la partie puissance dudit composant de puis- sance intelligent C.P.I. possédant en outre une partie com- mande indépendante. L'invention sera bien comprise à la lecture de la descrip- tion suivante faite en se référant au dessin annexé dans lequel: - la figure 1 est une vue schématique en perspective éclatée d'un composant selon un exemple de réalisation de l'inven- tion, en cours de fabrication; - la figure 2 est un schéma électrique d'un composant selon l'invention; et - la figure 3 est un schéma électrique d'un composant selon l'invention utilisant un composant de puissance intelligent C.P.I. La figure 1 représente les pastilles de silicium 1 dont les grilles sont reliées entre elles par une partie de la bande conductrice fourche 2 alors que les sources sont reliées entre elles par une autre partie de la bande conductrice fourche 3. L'ensemble de la bande 4 est attelé aux parties reliant les liaisons entre transistors par quatre points d'attache 5, 6, 7 et 8 qui seront sectionnés lors du montage de ces composants de puissance associés en parallèle sur un substrat conducteur jouant également un rôle de refroi- disseur. La bande 4 portant les composants de puissance sous forme de pastilles de silicium 1 assemblés peut être positionnée à l'utilisation par des trous, échancrures, ou toute autre forme convenable 9. Pour réaliser le composant de puissance composé des transis- tors assemblés, on utilise, après découpe de la bande 4, un support métallique en cuivre traité sur lequel on vient coller ou souder les pastilles de silicium sur les zones A, B, C à travers les fenêtres 10 d'un isolant 11 préalable- ment positionné sur le support métallique 12. Ce support constitue le drain du transistor ainsi composé et peut comporter une languette de sortie 13. Les deux autres sorties, réalisées par des languettes de sortie 14, 15 sont reliées chacune à une partie de la bande associée respectivement auxgrilles et aux sources, à travers une fenêtre ou une échancrure 16 de l'isolant 11 par une liaison obtenue soit par une soudure électrique soit par ___ __. J __ -A...- Irl n1 A il noint D'. 17). Ce procédé permet de réaliser des composants de puissance pratiquement sans limitation de puissance. En effet, dans les procédés traditionnels, les limitations proviennent de la taille de la pastille de silicium qui, lorsque celleci augmente, conduit à des rendements de production peu éle- vés,' ce qui augmente considérablement le prix du composant. Dans le cadre de cette invention, un composant de puissance peut être réalisé à partir de plusieurs transistors ayant un coût raisonnable et permettre un assemblage dont le coût du composant global sera inférieur au coût d'un composant équivalent en technique monopuce. De plus, cette technique est automatisable, elle permet d'adapter la section de passage de la bande aux densités de courant désirées. Elle répartit la puissance dissipée par puce permettant d'obtenir globalement une meilleure résistance thermique jonction boitier. Enfin, la surface du substrat peut être choisie de façon à obtenir une bonne répartition des calories tout en prévoyant son adaptation et intégration dans l'utilisation envisagée. La figure 2 représente schématiquement l'association réali- sée par le procédé sur des transistors MOS o les drains sont reliés entre eux par le substrat 18 alors que les sources 20 et les grilles 19 sont reliées par la bande con- ductrice porteuse de pastilles. La figure 3 représente une autre application du procédé dans le cadre d'une utilisation d'un composant de puissance intelligent (CPI) pour lequel on désire augmenter la puissance commandée. Pour cela, de la même manière que précédemment, les tran- sistors sont reliés par les drains, ou substrat métallique 21, les grilles 23 ainsi que les sources 22 sont reliées entre elles par la bande conductrice porteuse des pastilles silicium. Dans cette application, il convient de prévoir également d'autres sorties uniques telles que l'entrée de commande 24, le fil d'état 25, la masse 26. La liaison sources 22 sera sortie sur une languette utili- sation 27 et la liaison drain 21 sera sortie sur une lan- guette 28. Au contraire, la liaison grille 23 sera uniquement interne au nouveau composant ainsi constitué. REVENDICATIONS 1.- Procédé de mise en parallèle de composants électroniques de puissance utilisant des pastilles de silicium portant des transistors MOS canal N et formant un composant de puis- sance importante, caractérisé par le fait qu'on met en paral- lèle les grilles et les sources de transistors MOS dans une même bande, conductrice (4), on effectue la mise en parallè- le des drains par soudure ou collage des pastilles sur un même substrat conducteur (12) en utilisant la technique T.A.B. pour la mise en bande des pastilles de silicium, et on effectue un report global des transistors assemblés en bande sur le substrat (12), la bande (4) étant utilisée et connectée aux sorties repsectives, avant, pendant, ou après le report. 2.- Procédé selon la revendication 1, pour un composant de puissance intelligent C.P.I., caractérisé par le fait qu'on met en parallèle de simples transistors MOS de puissance sur la partie puissance dudit composant de puissance intel- ligent C.P.I. possédant en outre une partie commande (24,25, 26) indépendante. 3.- Composant électronique de puissance, caractérisé par le fait qu'il est obtenu par le procédé selon l'une des re- vendications 1 et 2.