FR 2610450 A1 19880805 FR 8701072 A 19870129 La présente invention concerne un dispositif de traitement thermique de plaquettes semi-conductrices. La présente invention a en particulier pour objet le traitement thermique des semi-conducteurs, tel que le recuit des plaquettes semi-conductrices utilisées pour la fabrication de circuits intégrés, ou la recristallisation de couches amorphes ou polycristallines de matériaux déposés sur des substrats. Le traitement thermique des matériaux inclut dans le domaine de la micro-électronique, des applications aussi diverses que la recristallisation de couches amorphisées, par implantation ionique de dopants,par exemple, l'activation des dopants, la guérison des défauts, la formation d'alliages, tels que les siliciures par exemple. Pour toutes ces opérations, le domaine de température utile, dans le cas du silicium va de 500 à 1200 OC. En ce qui concerne la recristallisation de couches amorphes ou polycristallines, des températures supérieures peuvent encore être nécessaire comme c'est le cas pour la recristallisation par fusion de zone Les dispositifs jusqu'ici utilisés pour assurer le recuit des plaquettes semi-conductrices sont les suivants : fours utilisant des sources de rayonnement à infrarouge, dispositifs lasers, dispositifs utilisant des sources de faisceaux d'électrons, feuilles de graphite ou de carbure de silicium chauffées par effet Joule, systèmes à plasma et lampes formant sources lumineuses incohérentes. Les dispositifs ~i-dessus désignés, jusqu'ici utilisés, présentent cependant différents inconvénients. Les techniques de recuit par four, sans doute les plus utilisées actuellement dans l'industrie des semiconducteurs imposent une durée de traitement importante, de l'ordre de 15 à 30 mn,entre 5000C et 12000C qui conduit par le phénomène de diffusion a une redistribution des impuretés introduites localement dans les semi-conducteurs. Par ailleurs, cette technique de recuit par four est très mal adaptée aux nouvelles conceptions de circuit intégré où l'objectif est d'une part la réduction de la dimension des motifs, et d'autre part l'augmentation des dimensions des plaquettes. Pour cette raison, le recuit par four est progressivement supplanté par les autres techniques précédemment évoquées qui ont l'avantage de présenter les possibilités de recuit rapide global (dans le cas de feuilles de graphite, lampes ou plasma par exemple) ou par balayage de la plaquette (lasers, faisceaux d'électrons). Cependant, ces autres techniques, bien qu'autorisant des traitements plus rapides, sont néanmoins coûteuses et/ou présentent le plus souvent un manque d'homogénéité au niveau du traitement thermique. Ce dernier point prend une importance toute particulière avec la tendance actuelle vers l'auonentation des diniensions de substrats. Le but de la présente invention est de proposer un dispositif permettant un traitement thermique global de la plaquette aussi court que possible et surtout homogène, et ce, au moindre coût. Un autre but de la présente invention est de permettre de facon fiable et contrôlée avec précison, une recristallisation par fusion de zone Pour ce faire, la présente invention propose un dispositif de traitement thermique de plaquettes semiconductrices comprenant une chambre de traitement logeant un caloduc apte à assurer le chauffage des plaquettes. Les inventeurs ont en effet constaté que l'obtenu tion d'un traitement thermique homogène sur de grandes surfaces n'est pas un problème de choix énergétique de mode de chauffage, mais un problème de technique de transfert thermique, résolu selon la présente invention grâce à l'utilisation d'un caloduc. De préférence, le dispositif de traitement thermique conforme à la présente invention comprend de plus un manipulateur apte à supporter les plaquettes à traiter et à assurer un mouvement de translation le long de l'axe du caloduc afin de contrôler les phases de montée et descente en température d'un cycle de traitement. Un système d'écran thermique entoure de préférence le caloduc pour minimiser les pertes thermiques par rayonnement. Selon un mode de réalisation avantageux de la présente invention, le système d'écran thermique comprend au moins une feuille métallique réfractaire entourant le caloduc. Le dispositif de traitement conforme à la présente invention comprend avantageusement une chambre de transfert associée à la chambre de traitement. Selon une autre caractéristique avantageuse de la présente invention, le dispositif de traitement thermique comprend une vanne principale ménagée dans la paroi de la chambre de transfert et autorisant l'insertion des plaquettes dans la chambre de transfert, ainsi qu'une vanne auxiliaire réalisée au niveau de la paroi commune à la chambre de transfert et à la chambre de traitement, en regard du caloduc, la section de la vanne auxiliaire étant supérieure aux dimensions des plaquettes afin d'autoriser l'insertion de celles-ci dans la chambre de traitement. De façon avantageuse, le dispositif de traitement comprend de plus au moins un support intermédiaire réalisé dans la chambre de transfert à proximité de la vanne principale, pour recevoir provisoirement les plaquettes, d'une part, lors de leur insertion dans la chambre de transfert avant d'être dirigées dans la chambre de traitement, d'autre part, en retour, après traitement, avant l'évacuation hors de la chambre de transfert. De façon avantageuse, le manipulateur est disposé dans la chambre de transfert et susceptible d'un double mouvement, d'une part de rotation autour d'un axe perpendiculaire de la vanne auxiliaire pour autoriser le déplacement des plaquettes du support intermédiaire en regard de la vanne auxiliaire, d'autre part d'un mouvement de translation le long de l'axe précité perpendiculaire à la vanne auxiliaire pour déplacer les plaquettes à traiter de la chambre de transfert dans la chambre de traitement. Pour réaliser un processus de recristallisation par zone fondue , le dispositif de traitement thermique conforme à la présente invention comprend en outre un organe d'irradiation associé à des moyens d'entrainement apte à assurer une irradiation thermique contrôlée par balayage de la surface des plaquettes opposées au caloduc. L'organe d'irradiation peut être formé lui-même d'un caloduc,ou encore d'un laser, d'une lampe ou d'une source d'électrons. Dans le cas où l'organe d'irradiation est formé d'un laser ou d'une lampe, les moyens d'entraipement peuvent comprendre des moyens de déflection galvanométriques associés à des miroirs tournants. Dans le cas où l'organe d'irradiation est une source d'électrons, les moyens d'entrainement comprennent avantageusement des moyens formant lentille électro-statique ou magnétique. L'organe d'irradiation, selon la présente invention, lorsqu'il n'est pas électronique peut être disposé à l'extérieur de la chambre de traitement et le raywufnent d'irradiation traverse alors un hublot prévu dans la paroi de la chambre. La surface du caloduc, selon l'invention, fait de préférence l'objet d'un traitement de passivation. On peut aussi disposer, entre le caloduc et la plaquette à traiter, une plaque étanche en matériau transparent au rayonnement du caloduc, constituant ainsi une barrière absolue aux agents contaminants provenant du caloduc. Selon une autre caractéristique avantageuse de la présente invention, le caloduc possède un corps central prolongé vers le bas par une jupe périphérique saillante apte à entourer la plaquette à traiter de telle sorte que la plaquette soit chauffée par la surface inférieure du corps central et la partie supérieure de la jupe périphérique qui sont en contact avec un milieu interne au caloduc en phase vapeur. D'autres caractéristiques et avantages de la présente invention apparaîtront à la lecture de la description détaillée qui va suivre et en regard des dessins annexés donnés à titre d'exemple non limitatif et sur lesquels - la figure 1 représente une vue schématique en coupe verticale d'un dispositif de traitement thermique de plaquettes semi-c#nductrices,conforme à un premier mode de réalisation, -les figures 2 et 3 illustrent deux variantes de réalisation des moyens aptes à supporter les plaquettes à traiter en regard du caloduc, - les figures 4 et 5 représentent selon deux vues respectivement orthogonales un mode de réalisation de moyens d'irradiation prévus sur la présente invention pour réaliser un processus de recristallisation par zones fondues, - la figure 6 illustre une autre variante de réalisation de l'organe d'irradiation, - la figure 7 représente une vue schématique en coupe verticale d'un dispositif de traitement thermique conforme à un second mode de réalisation de la présente invention, - la figure 8 illustre une vue schématique en plan du déplacement d'un manipulateur intégré à un dis positif de traitement conforme b la présente invention, - les figures 9 et 10 représentent deux vues en coupe verticale respectivement orthogonales d'un dispo sitif de traitement thermique conforme à un troisième mode de réalisation de la présente invention, - la figure 11 illustre une vue en coupe verti cale d'un dispositif de traitement thermique conforme à un quatrième mode de réalisation de la présente invention. On va dans un premier temps décrire le mode de réalisation illustré sur la figure 1. On aperçoit sur cette figure une enceinte étanche 10 réalisée de préférence en acier inoxydable et refroi dieprésentant un sas 20 séparé de l'enceinte 10 et de l'atmosphère par une vanne 25 permettant l'introduc tion des plaquettes. L'enceinte 10 comprend un dispositif d'introduc tion de gaz 30 et des moyens de pompage ou d'évacuation des gaz 35. La plaquette illustrée schématiquement sous la référence P peut être posée directement sur la face supérieure plane et généralement horizontale 41 du calo duc 40. Pour ce faire, on peut utiliser un dispositif de chargement et de déchargement automatique non représenté sur la figure 1. Le caloduc 40 est chauffé dans sa partie infe rieure par des moyens propres 45 de chauffage du calo duc, des écrans thermiques 50 sont disposés concentri quement au caloduc, sur la périphérie et en partie supé rieure de celui-ci. Un hublot 60 permet d'effectuer une mesure optique de la température atteinte par la plaquette P, et éventuellement de contrôler et piloter le processus thermique grâce à des moyens référencés'schématiquement 61 sur la figure 1. Comme cela est représenté schématiquement sur la figure 2, lors du traitement, la plaquette P peut être positionnée sur la surface supérieure 41 du caloduc 40 par l'intermédiaire de picots 42 qui font ou non partie intégrante de la face supérieure du caloduc. Comme cela est illustré sur la figure 3, on peut également envisager de disposer la plaquette P au-dessus de la face supérieure 41 du caloduc 40 par l'intermédiaire d'un support 46 indépendant comportant des moyens de retenue 47 de la plaquette P. Bien entendu, d'autres systèmes de support de la plaquette P peuvent être utilisés dans le cadre de la présente invention. On a représenté schématiquement sur les figures 4, 5 et 6 différents systèmes permettant de réaliser un processus de recristallisation par zones fondues. Dans ce contexte, la présente invention trouve notamment application dans la technologie silicium sur isolant qui nécessite la recristallisation de semi-conducteurs par exemple du silicium amorphe ou poly-cristallin déposé sur un substrat isolant (oxydes ou nitrures) par recristallisation selon la technique connue de la zone fondue. Cette technique suppose un préchauffage global du substrat dont la qualité essentielle doit être l'homogénéité. La fusion de zone est obtenue par un apport d'énergie sur l'une des faces, localisé, le déplacement de la zone de fusion étant obtenu par déplacement de cette source d'énergie localisée. Cet apport d'énergie supplémentaire peut être fourni par divers procédés (telsque lasers, lampes, faisceaux d'électrons, micro-ondes etc...). Un dispositif de recristallisation par zones fondues suivant l'invention consiste en un chauffage global homogène de l'une des faces de la plaquette (la face inférieure selon l'illustration des figures 4 à 6, à l'aide du caloduc, à une température légèrement inférieure à la température de fusion, et en un apport d'énergie, localisé, suffisant pour obtenir la fusion de zones, sur la face opposée de la plaquette, soit la face supérieure selon l'illustration des figures 4 à 6. Le déplacement de la zone fondue est obtenu par déplacement de la source d'énergie à vitesse contrôlée. Généralement, cette fusion de zone se fait suivant une ligne étroite balayant la surface à recristalliser. Selon une première variante de réalisation conforme à la présente invention, illustrée sur les figures 4 et 5, l'organe d'irradiation constituant la source d'énergie localisée est formé d'une lampe allongée et rectiligne 70 associée à un réflecteur 71 de longueurs supérieures à la largeur de la plaquette P. Le déplacement de la zone de fusion est obtenu par le déplacement contrôlé de la lampe tel qu'illustré par la flèche référencée D sur les figures 4 et 5. La largeur de la zone fondue peut être réglée à l'aide du réflecteur 71. Selon une autre variante de réalisation conforme b la présente invention, illustrée sur la figure 6, la lampe peut être remplacée par un tube caloduc haute température 72 entourée d'un concentrateur 73. Le déplacement contrôlé du caloduc 72 constituant la source d'énergie localisée par rapport à la plaquette P est illustré par la flèche D sur la figure 6. On va maintenant donnerun exemple numérique non limitatif illustrant la présente invention. La majorité des applications des recuits, sur des plaquettes de silicium, sont effectuées entre 8000C et 1200 C. Afin de fixer les ordres de grandeur des puissances 2 mises en jeu, la puissance rayonnée par cm2 a ces deux températures pour le corps noir (émissivité = 1) sont 2 2 respectivement 7,5 Watts/cm et 27 Watts/cm .. Les puis- sances nécessaire au chauffage d'un caloduc de 20 cm de diamètre pour le traitement de plaquettes de 15 cm de diamètre sont de l'ordre de 4 à 15 kWatts. Dans le cas de la recristallisation par zone fondue , la température globale de la plaquette, ici 10 cm de diamètre, doit être proche de la température de fusion. Dans le cas de silicium, pour une émissivité de l'ordre de 0,5, la puissance rayonnée est de l'ordre de 25 Watts/cm . Pour une plaquette entière, cela correspond à une puissance de l'ordre de 2 kW. La puissance à fournir pour chauffer le caloduc de diamètre 15 cm est alors de l'ordre de 8 à 10 kW. Suivant le domaine de température à atteindre, différents caloducs doivent être utilisés. En effet, seuls certains couples enveloppe de caloduc-fluide caloporteur sont adaptés à une gamme donnée de température. Par exemple, pour la gamme 450-1200 C, il est possible d'utiliser les caloducs dont l'enveloppe est en acier inoxydable et remplie en sodium. Pour des températures plus élevées, il faut envisager des enveloppes en matériau réfractaire avec remplissage au lithium ou & l'argent. Le mode de chauffage du caloduc 10 peut faire l'objet de nombreux modes de réalisation. Le chauffage du caloduc 10 peut par exemple être un chauffage direct (chauffage par bombardement électronique, chauffage à induction radio-fréquences, etc...) ou encore un chauf fage indirect (résistance, rayonnement, etc...). Dans une première version simplifiée du dispositif, les plaquettes sont introduites une à une et le traitement thermique comporte une montée en température, un palier et une descente en température du caloduc. Ce traitement peut être effectué sous vide, sous atmosphère oxydante, réductrice ou neutre, suivant la qualité du traitement thermique & effectuer. Sous vide, il faut associer à une enceinte étanche un dispositif de pompage. Sous atmosphère contrôlée, il faut associer à une enceinte étanche un dispositif d'introduction de gaz et un dispositif d'évacuation de gaz. Dans une seconde version du dispositif, les plaquettes sont posées directement ou par l'intermédiaire de supports sur la caloduc maintenu à température constante. Si le traitement est effectué sous vide ou sous atmosphère contrôlée, les plaquettes sont introduites et évacuées par un sas lui-même maintenu, pendant le transfert, sous vide ou sous atmosphère contrôlée. Dans un dispositif industriel, les plaques sont transférées d'une position de chargement sur le caloduc, puis du caloduc sur une position de déchargement par un dispositif automatique type cassette à cassette largement répandu dans l'industrie de la micro-électronique. L'in térêt de cette version réside dans la possibilité de recuit plus rapide (une fraction de seconde b quelques secondes) que dans la première version où les montées et descentes en température sont tributaires de l'inertie thermique du caloduc. La présente invention présente de nombreux avantages par rapport aux techniques de traitement thermique antérieurement proposées. Pour les recuits, l'avantage principal apporté par l'invention, est l'homogénéité en température sur toute la surface de la plaquette. Cet avantage s'avère, avec la tendance actuelle vers l'augmentation des dimensions de substrat ,de plus en plus décisives dans les opérations de traitement thermique. On peut de plus citer les autres avantages suivants : contrôle et régulation de la température aisés, fiabilité et simplicité de mise en oeuvre, étendue des applications vastes (traitement toutes températures sous vide ou sous atmosphère contrôlée) pour la source de chauffage des caloducs, grand choix de possibilités (bombardements électroniques, résistances, chauffage par induction radio-fréquences, etc...). Pour la recristallisation par zone fondue ou pour un chauffage par les deux faces dont l'une par caloduc, outre les avantages déjà cités, on peut noter : l'atténuation, grâce aux qualités inhérentes au caloduc permettant le chauffage global de la plaquette, des gradients thermiques induits par le chauffage d'appoint, localisés ou non sur l'une des faces de la plaquette, ainsi que l'homogénité, sur toute la largeur de la plaquette, de la zone de fusion obtenue dans le cas de l'utilisation d'un tube caloduc comme source de chauffage localisée. On va maintenant décrire le second mode de réalisation représenté sur les figures 7 et 8. On aperçoit sur la figure 7 un dispositif de traitement comprenant une chambre étanche 110 dans la quelle un vide pur poussé est maintenu en permanence par un pompage 135. La chambre 110 contient un caloduc 140 de forme cylindrique, d'axe 142 vertical. La surface plane supérieure et horizontale 141 du caloduc a un diamètre sensiblement égal ou supérieur b celui de la plaquette semi-conductrice à traiter. L'extrémité infé rieure 143 du caloduc est de forme cylindrique de faible diamètre entourée par un moyen de chauffage 144. La chambre 110 est délimitée à sa partie supérieure par une paroi rigide 111 comportant une vanne 125 refroidie permettant une ouverture située au-dessus du caloduc 140. Cette ouverture est de diamètre sensiblement égal à celui de la face supérieure 141 du caloduc 140. La machine comporte également une chambre supérieure de transfert 180 reliée à un moyen de pompage par l'intermédiaire d'un conduit 181. La chambre de transfert 180 sert de salle d'introduction et d'évacuation des plaquettes à traiter. L'entrée et la sortie des plaquettes P s'effectuent latéralement par une vanne 182. La plaquette introduite individuellement est posée à plat sur un support intermédiaire 183 placé à côté de l'ouverture 182. La plaquette est ensuite reprise par un manipulateur 184 d'axe vertical 185 décalé par rapport à l'ouverture définie par la vanne 125. La plaquette est ultérieurement déposée sur des supports radiaux référencés 145 sur la figure 8, associée au caloduc 140. Selon l'illustration schématique de la figure 8, trois supports radiaux 145 disposés respectivement à 1200 sont utilisés. Cette disposition ne doit cependant pas être considérée comme limitative. Pendant l'opération de transfert de la plaquette dans la chambre 180, la vanne 182 est fermée puis le vide est fait dans la chambre 180 grâce au conduit 181. La vanne 125 est ensuite ouverte. Pendant tout le cycle, le caloduc 140 reste & température constante et régulée. Le manipulateur agit d'une part rotation de son bras autour de son axe vertical 185 comme cela est schématisé sur la figure 8 par la flèche référencée R, pour amener la plaquette P depuisle support intermédiaire 183 jusqu'au-dessus de l'ouverture de la vanne 125, et par déplacement axial, soit le long de l'axe 185, pour faire descendre la plaquette P sur les supports 145 précités en regard de la surface supérieure 141 du caloduc 140. L'homme de l'art comprendra aisément que l'uti- lisation d'un tel manipulateur permet de créer un cycle thermique adapté à chaque application et parfaitement répétitif, en jouant sur la vitesse de descente de la plaquette P au-dessus de la vanne 125 (qui correspond à une rampe de montée entempérature) puis sur le laps de temps durant lequel la plaquette P reste sur ses supports 145 au-dessus du caloduc 140,(correspondant à un palier thermique)et enfin sur la vitesse de remontée de la plaquette P et son dégagement (correspondant à une rampe de descente en température). Sur la figure 7, on a schématisé sous la référence générale 190 un système robot de chargement et déchargement des plaquettes P dans des paniers 191. Par ailleurs, on a représenté sous la référence 192 une entrée débouchant dans la chambre de transfert 180 et sous la référence 112 une entrée débouchant dans la chambre de traitement 110 pour permettre d'introduire un gaz neutre dans les chambres précitées afin de traiter les plaquettes sous atmosphère contrôlée. On B par ailleurs représenté sous la référence 113 un système de connexion traversant la paroi de l'enceinte 110 et permettant d'alimenter les moyens 144 de chauffage du caloduc. Les plots 145 support de plaquettes P peuvent être réalisés par exemple en alumine. Sur la figure 8, on a représenté schématiquement la surface supérieure 184 du support intermédiaire 183 et la surface 141 du caloduc 140. Le cas échéant, divers supports intermédiaires 183 peuvent être prévus dans la chambre de transfert 180 en position adjacente à la vanne 182. De préférence, un tel dispositif comprend de plus des moyens d'entralnement disposés dans la chambre de transfert 180 en regard de-la vanne auxiliaire 125 pour assurer le déplacement en balayage d'un organe d'irradiation, en regard du caloduc 140, dans le cadre d'un processus de recristallisation par zones fondues On va maintenant décrire le troisième mode de réalisation illustré sur les figures 9 et 10. Pour l'essentiel, le mode de réalisation illustré sur ces figures est similaire à celui représenté sur les figures 7 et 8 et précédemment décrit. D'une façon générale, on retrouve en effet sur les figures 9 et 10 une enceinte de traitement 110 logeant un caloduc 140 et associée à des moyens de pompage 135, ainsi qu'une chambre de transfert 180 équipée d'une vanne principale 182, d'une vanne auxiliaire 125 et logeant un support intermédiaire 183 ainsi qu'un manipulateur 184 apte å opérer un double mouvement, de rotation R autour de son axe d'une part et de translation T le long de cet axe d'autre part. Néanmoins, sur les figures 9 et 10, on a représenté en détail un dispositif de balayage permettant la recristallisation par zone fondue avec préchauffage par caloduc. Selon l'illustration des figures 9 et 10, l'apport thermique complémentaire du préchauffage homogène du substrat obtenu par caloduc est réalisé b l'aide d'un faisceau de lumière incohérente ou mieux cohérente (laser). Pour l'essentiel, un tel dispositif comprend une source 200, un système de focalisation 201, 202 (lentilles) qui permet d'obtenir le point de focalisation sur la plaque P et un système de balayage 210 permettant d'une part la création de la zone fondue et d'autre part son déplacement. De façon avantageuse, le balayage est réalisé par faisceaux lasers. L'intérêt du laser utilisé en tant que source d'énergie réside dans le fait qu'il délivre un faisceau parallèle à une longueur d'ondes bien définie. Le choix de la longueur d'ondes est effectué de telle sorte que son absorption dans le matériau à fondre, le silicium par exemple, soit importante à la température de travail. Pour cela, le faisceau lumineux 203 issu de la source 200 subit une déviation vers les systèmes de foca lisation 201, 202 à l'aide d'un miroir 204, puis subit une déflexion périodique de fréquence élevée suivant une direction (parallèle au plan de la figure 9 et perpendi culaire au plan de la figure 10) de façon à générer sur la plaquette une zone fondue linéaire suivant x'x, puis une seconde déflexion continue plus lente de façon à ob tenir le déplacement de la zone fondue suivant une direc tion orthogonale å celle précitée référencée y'y sur les figures. Ces deux dé flexions sont obtenues par déflexion galvanométrique 211 et par utilisation de miroirs tournants 212. On rappelle que les moyens de focalisation 201, 202 formés de miroirs ou de lentilles permettent de con trôner les dimensions de spots ou de taches générées sur la plaque P, et par conséquent de contrôler la largeur de la zone fondue. Le cas échéant, l'équipage qui vient d'être décrit peut être placé b l'intérieur de la chambre de traitement 110. Néanmoins, de façon avantageuse, comme cela est représenté sur les figures, la source lumineuse 200, les moyens de focalisation 201, 202 et les moyens de déflexion 211, 212 sont placés à l'extérieur de la chambre de traitement, et celle-ci ou la chambre de transfert 180 possède un hublot 186 permettant un rayonnement issu de la source 100 de pénétrer dans l'enceinte et d'atteindre la plaquette P, le cas échéant, par l'intermédiaire de la vanne auxiliaire 125. Bien entendu, on peut envisager de remplacer la source laser précédemment évoqué par une source lumineuse incohérente et de spectre plus large à condition qu'une partie au moins du spectre soit absorbée par le matériau à fondre. Selon l'illustration donnée sur les figures, les moyens de déflexion comprennent deux miroirs 212 sensiblement verticaux et d'orientation générale relative orthogonale. L'un des premiers miroirs 212 récupère le faisceau en sortie des moyens de focalisation 201 et dirige le faisceau vers le second miroir tournant 212. Ce dernier dévie le faisceau dans la chambre de traitement par l'interm6- diaire du hublot 186. Selon une autre caractéristique avantageuse de la présente invention, la source lumineuse peut être remplacée par une source d'électrons. Dans un tel cas, l'ensemble des moyens participant b la génération et au contrôle du faisceau-d'électrons sont placés sous vide (sous pression résiduelle au moins inférieure à 10+2Pascal). Le faisceau d'électrons émis par le canon à électrons est extrait et accéléré à une tension V de l'ordre de quelques volts. Le réglage de l'énergie des électrons permet en fait de régler la profondeur à laquelle on désire déposer l'énergie dans la zone à fondre. Le faisceau est alors focalisé sur la surface à fondre à l'aide de lentilles électrostatiques ou magnétiques et le balayage suivant les directions x'x et y'y définies précédemment, est réalisé par des bobines électromagnétiques ou par des plaques de déflexion électrostatiques. L'intérêt de l'utilisation d'un faisceau d'électrons par rapport au système utilisant des sources lumineuses réside dans les points suivants : contrôle de l'énergie des électrons et donc de leur profondeur de leur pénétration, contrôle indépendant de l'énergie totale déposée par variation de l'intensité du faisceau, vitesse de balayage très rapide, possibilités de balayage très diverses, voire complexes et enfin, possibilités de modulation du balayage suivant x'x et y'y. On notera en revanche que le dispositif à faisceau d'électrons impose un retour & la masse du courant électronique de bombardement. Les travaux des inventeurs ont montré que l'utilisation de caloducs pour le traitement thermique de circuit intégré, sans précaution particulière, peut poser deux types de problèmes. L'un concerne la contamination soit du caloduc lui-même, soit dessubstratsà traiter par le caloduc. Le second problème est lié aux dimensions des substrats à traiter. Les caloducs haute température sont réalisés en matériaux réfractaires particulièrement sensibles b la contamination et eux-mêmes source de contamination. En Particulier, les métaux réfractaires sont très faciles à oxyder ce qui est d'autant plus grave que ces oxydes sont, dans la plupart des cas, très volatils. Afin d'éviter ces incovénients, il est indispensable de procéder à une passivation des surfaces par exemple par chopage de silicium, de silice (Si02), d'alumine (Al203) par torches à plasma. Une autre solution est de procéder à un traitement thermochimique (nitruration, boruration, carburation, etc...) ou à des dépôts sur la surface du caloduc (diborure de tita ne...). Ces traitements rendent les pièces portées à haute température moins sensibles à la contamination et surtout à l'oxydation, ce qui permet de travailler ensuite en vide primaire. Il est à noter que ces traitements peuvent être réalisés in situ. Par exemple, une carburation est obtenue en élevant la température du caloduc en introduisant un gaz carboné (méthane CH4 éthane C2H6, etc...). Une boruration sera obtenue en introduisant du diborane, une nitruration de l'ammoniac ou de l'azote et de l'hydrogène. Un dépôt de silicium suivi ou. non de la formation de siliciures peut être obtenu de la même manière par l'introduction de silane (SiH4). Un dépôt de diborure de titane est obtenu par réduction du tétrachlorure de titane (TiCL4) par le diborane (B2H6), etc...). Plus qénéralement, plusieurs couches peuvent être superposées, la première faisant par exemple office de barrière de diffusion pour la suivante. Le traitement de surface des caloducs permet ainsi non seulement de réduire la contamination propre des caloducs mais aussi d'éviter la répercussion de cette contamination sur les échantillons à traiter. On peut aussi disposer, entre le caloduc et les échantillons à traiter, un écran transparent au rayonnement, par exemple en quartz, qui évite absolument toute contamination. Un autre point relatif à la technologie des caloducs est lié b l'évolution des dimensions des substrats à traiter (150 mm voire 200 mm). La surface externe de la face active du caloduc, en regard direct du substrat à traiter, doit présenter une température Parfaitement homogène. Cela signifie que le gradient de température entre la face interne et la face externe doit être constant sur toute la surface Pour cela, la paroi du caloduc doit donc être d'épaisseur aussi constante que possible sur toute sa surface active. Or, avec l'augmentation des dimensions de substrats et en fonction de la tenue mécanique des matériaux à haute température, il est nécessaire d'augmenter l'épaisseur de la paroi de la face active pour éviter sa déformation. On augmente alors le gradient entre la face interne et le face externe du caloduc. Afin d'éviter cet inconvénient, on peut alors adopter les structures mécaniques plus minces mais plus élaborées (rainures, etc...) mais conférant au matériau, pour une même épaisseur des caractéristiques mécaniques renforcées à haute température. Cette structure doit être telle qu'elle ne perturbe pas le fonctionnement du caloduc. On a évoqué précédemment l'utilisation d'écrans thermiques 50 sur la périphérie du caloduc. Ces écrans thermiques sont utilisés pour diminuer les pertes thermiques par rayonnement, ce qui permet de minimiser la puissance de chauffage. Si de plus, la plaque P, par exemple de silicium est introduite en sandwich entre la face active du caloduc et le système d'écran thermique 50 schématiquement représenté sur les figures, on atteint une meilleure homogénéité et un meilleur rendement thermique. D'une façon générale, les écrans thermiques 50 peuvent astre réalisés de façon simple en enveloppant le caloduc d'un certain nombre (jusqu'à quelques dizaines de feuilles métalliques réfractaires très minces isolées les unes des autres et réfléchissantes). On va maintenant décrire le quatrième mode de réalisation illustré sur la figure 11. Pour l'essentiel, ce mode de réalisation comprend un caloduc 240 possédant un corps central cylindrique supérieur 241 prolongé vers le bas par une jupe périphétique saillante 242 apte à entourer la plaquette P à traiter. Un écran 247 en matériau étanche et transparent au rayonnement du caloduc 240 est disposé dans l'espace séparant le caloduc 240 et la plaquette P, afin d'éviter toute contamination de la plaquette (P) ou de son support par le caloduc. Cet écran 247 peut être complété par une enveloppe 248 en matériau identique, ce matériau pouvant être, par exemple, du QUARTZ. Ainsi, la plaquette est chauffée par la surface inférieure 243 du corps central 241 et la partie supérieure 244 de la jupe périphérique 242. Il en résulte que la plaquette P est chauffée par des zones du caloduc qui sont en contact avec un milieu 245 interne au caloduc en phase vapeur. Une telle disposition associe les avantages du four (température uniforme) et les avantages des lampes (chauffage et refroidissement rapides, pas de contamination). Le milieu interne du caloduc en phase liquide est en effet recueilli au niveau du fond 246 de la jupe périphérique saillante vers le bas. On peut utiliser par exemple un caloduc 240 loqeant un aqent de transfert thermique formé de lithium. Par ailleurs, comme cela est également représenté sur la figure 11, dans un tel cas, la plaquette P est avantageusement placée sur un support de plaquettes 280 porté mobile verticalement sur un chariot 281 luimême mobile, de préférence horizontalement entre une zone de chargement, une zone de chauffage définie en regard du caloduc 240 et une zone de décharqement. De façon avantageuse, selon le mode de réalisation illustré sur la figure 11, la plaquette P n'est pas suspendue mais repose par gravité sur son support 280 mobile. Les moyens assurant le déplacement de la plaquette P (système d'élévation associé au support 280 et moyens d'entrainement associé au chariot 281) ont l'avantage de présenter une excellente fiabilité. D'autre part, le renfoncement concave du caloduc et défini par la jupe périphérique saillante 242 permet simultanément de ménager un récipient de recueil du lithium en phase liquide (qui correspond à une partie non utilisable en tant que surface homogène en température) et une zone de chauffage sur le caloduc (243, 244) adaptée pour traiter thermiquement et de façon homogène la plaquette (la zone de chauffaqe étant en contact avec du lithium en phase vapeur). Bien entendu,la présente invention n'est aucunement limitée aux modes de réalisation qui viennent d'être décrits mais s'étend à toute variante conforme à son esprit. REVENDICATIONS 1. Dispositif de traitement thermique de plaquettes semi-conductrices (P), caractérisé par le fait outil comprend une chambre de traitement (10, 110) logeant un caloduc (40, 140, 240) apte b assurer le chauffage des plaquettes (P). 2. Dispositif de traitement thermique selon la revendication 1, caractérisé par le fait qu'il comprend un manipulateur (184, 281, 280) apte à supporter les plaquettes (P) d traiter et d assurer un mouvement de translation le long de l'axe du caloduc (40, 140, 240) afin de contrôler les phases de montée et descente en température d'un cycle de traitement. 3. Dispositif de traitement selon l'une des revendications 1 ou 2, caractérisé par le fait qu'un système d'écran thermique (50) entoure le caloduc (40, 140, 240) pour minimiser les pertes thermiques par rayonnement. 4. Dispositif selon la revendication 3, caractérisé par le fait que le système d'écran thermique (50) comprend au moins une feuille métallique réfractaire entourant le caloduc. 5. Dispositif selon l'une des revendications 1 à 4, caractérisé par le fait qu'il comprend une chambre de transfert (180) associée b la chambre de traitement (100). 6. Dispositif selon la revendication 5, caractérisé par le fait qu'il comprend une vanne principale (182) ménagée dans la paroi de la chambre de transfert et autorisant l'insertion des plaquettes dans la chambre de transfert ainsi qu'une vanne auxiliaire (125) réalisée au niveau de la paroi commune à la chambre de transert (180) et à la chambre de traitement (110), en regard du caloduc (140), la section de la vanne auxiliaire (125) étant supérieure aux dimensions des plaquettes (P) afin d'autoriser l'insertion de celles-ci dans la chambre de traitement (110). 7. Dispositif selon la revendication 6, caractérisé par le fait qu'il comprend au moins un support intermédiaire (183) réalisé dans la chambre de transfert (180), à proximité de la vanne principale (182), pour recevoir provisoirement les plaquettes (P) d'une part, lors de leur insertion dans la chambre de transfert (180) avant d'être dirigées dans la chambre de traitement (110), d'autre part, en retour, après traitement, avant l'évacuation hors de la chambre de transfert (180). 8. Dispositif selon l'une des revendications 1 à 7, prise en combinaison avec les revendications 2 et 7, caractérisé par le fait que le manipulateur (184) est disposé dans la chambre de transfert (180) et susceptible d'un double mouvement, d'une part de rotation autour d'un axe (185) perpendiculaire à la vanne auxiliaire (125), pour autoriser le déplacement des plaquettes (P) du support intermédiaire, en regard de la vanne auxiliaire (125), d'autre part d'un mouvement de translation le long de l'axe (185)précité perpendiculaire à la vanne auxiliaire, pour déplacer les plaquettes (P) à traiter de la chambre de transfert (180) dans la chambre de traitement (110). 9. Dispositif selon l'une des revendications 1 à 8, caractérisé par le fait qu'il comprend de plus un organe d'irradiation (70, 72, 200) associé à des moyens d'entraînement (211, 212) aptes à assurer une irradiation thermique contrôlée par balayage de la surface des plaquettes (P) opposées au caloduc (40, 140, 240), pour réaliser un processus de recristallisation par zone fondue 10. Dispositif selon la revendication 9, caractérisé par le fait que l'organe d'irradiation est un caloduc. 11. Dispositif selon la revendication 9, caractérisé par le fait que l'organe d'irradiation est un laser. 12. Dispositif selon la revendication 9, caractérisé par le fait que l'organe d'irradiation est une lampe. 13. Dispositif selon la revendication 9, caractérisé par le fait que l'organe d'irradiation est une source d'électrons. 14. Dispositif selon l'une des revendications 11 et 12, caractérisé par le fait que les moyens d'entraînement 211, 212 comprennent des moyens de déflexion galvanométrique (211) associés à des miroirs tournants (212). 15. Dispositif selon l'une des revendications 9 et 13, caractérisé par le fait que les moyens d'entraine- ment comprennent des lentilles électrostatiques ou magnétiques. 16. Dispositif selon l'une des revendications 9 à 15, caractérisé par le fait que l'organe d'irradiation 200) est disposé à l'extérieur de la chambre de traitement (110) et le rayonnement d'irradiation (203) traverse un hublot (186) prévu dans la paroi de la chambre. 17. Dispositif selon l'une des revendications 11 à 16, caractérisé par le fait que la surface du caloduc (40, 140, 240) fait l'objet d'un traitement de passivation. 18. Dispositif selon l'une des revendications 1 à 17, caractérisé par le fait que le caloduc (240) possède un corps central (241) prolongé vers le bas par une jupe périphérique (242) saillante apte à entourer la plaquette (P) à traiter de telle sorte que la plaquette (P) soit chauffée par la surface inférieure (243) du corps central et la partie supérieure (244) de la jupe périphérique (242) qui sont en contact avec un milieu interne au caloduc en phase vapeur. 19. Dispositif selon l'une des revendications 1 à 18, caractérisé par le fait qu'un écran (247) transparent au rayonnement du caloduc est disposé entre le caloduc et la plaquette (P), afin d'éviter toute contamination de la plaquette par le caloduc. 20. Dispositif selon la revendication 19, caractérisé par le fait qu'une enveloppe (248) entoure la caloduc (240), cette enveloppe étant en même matériau que l'écran (247). 21. Dispositif selon l'un des revendications 18 à 20, caractérisé par le fait que la plaquette (P), au cours du traitement est disposée sur un support (280) susceptible de déplacement vertical en-dessous du caloduc (240), et porté par un chariot (281) mobile entre un poste de chargement, le poste de chauffage et un poste de déchargement.