FR 2613134 A1 19880930 FR 8704072 A 19870324 DISPOSITIF SEMICONDUCTEUR DU TYPE TRANSISTOR A EFFET DE CHAMP L'invention concerne un dispositif semiconducteur du type transistor à effet de champ comprenant, formée en sur- face d'un substrat semiconducteur une couche d'un premier type de conductivité d'un premier niveau de résistivité dite couche active sur laquelle est réalisée une électrode de grille de type Schottky, présentant dans sa partie inférieure la forme générale d'un trapézoïde dont la petite base est en contact avec la couche active, comprenant ensuite de part et d'autre de la couche active deux régions du même type de conductivité d'un second niveau de résistivité constituant les régions de source et de drain, régions dont les bords adjacents à la cou- che active sont autoalignés avec les arêtes de la grande base ou base supérieure du trapézoïde, et comprenant en outre des électrodes de source et de drain du type contact ohmique réa- lisées en surface des régions du premier type de conductivité d'un second niveau de résistivité. L'invention concerne également un procédé de réa- lisation d'un tel transistor. L'invention trouve son application dans la réali- sation de circuits intégrés aussi bien numériques qu'analo- giques travaillant à des fréquences très élevées, ou montrant des fréquences de coupure très élevées, de l'ordre de plu- sieurs dizaines de GHz, à forte densité d'intégration, et fort rendement de fabrication. Un transistor à effet de champ, tel que décrit précédemment est connu de la demande de brevet européen 0 196 087. Le transistor décrit dans ce document présente un certain nombre d'inconvénients. Tout d'abord, l'électrode de grille est réalisée -2- en un métal réfractaire tel que VSi, donc très résistif. En effet, dans le procédé décrit, le contact de grille est réa- lisé dans une étape antérieure & la réalisation des régions de source et drain et sert de masque pour l'implantation d'ions aptes & former ces régions. Le métal qui constitue ce contact de grille doit donc être suffisamment réfractaire pour suppor- ter le recuit d'implantation qui est de l'ordre de 800C pen- dant 20 mn. La forte résistivité de ce métal réfractaire dimi- nue les performances de bruit du transistor & effet de champ, le rendant non compatible à la réalisation de circuits bas- bruit ou de circuit intégrés analogiques. Pour la réalisation de tels circuits l'obtention de transistors dont la grille présente une faible résistivité est donc primordiale. De plus, bien que réfractaire, le métal choisi ne l'est cependant pas suffisamment pour éviter une certaine instabilité de l'interface métal-semiconducteur durant le re- cuit d'implantation. Le procédé connu du document cité a pour objectif de permettre la réalisation d'un transistor à grille submicro- nique. Cette dimension de la grille est obtenue du fait que cette dernière présente la forme d'un trapézoïde dont la petite base est en contact avec la couche active, alors que la grande base sert de masque pour l'autoalignement des régions implantées de source et de drain. Mais cette forme trapé- zoïdale est obtenue par une gravure par faisceau d'ions sous un angle très petit donné, procédé qui présente l'inconvénient de ne pas être répétitif. En effet, d'une part la vitesse d'érosion dépend de l'angle d'attaque, lequel varie obliga- toirement au fur et à mesure de la gravure, et d'autre part il se forme lors de la gravure un redépôt au pied du trapézo de qui fait que la forme trapézoïdale attendue ne peut être ob- tenue. L'obtention du dispositif décrit est donc théorique et non pas réaliste. Or, des variations même faibles de la longueur de grille, lorsque cette longueur atteint des dimensions submi- croniques, provoquent des variations importantes de la tension -3- de seuil d'un transistor à l'autre qui sont particulièrement néfastes à la réalisation de circuits intégrés ultra-rapides. En outre, selon le procédé connu du document cité, la grande base du trapézoïde inversé sert également de masque pour l'autoalignement des contacts ohmiques de source et drain. Mais un tel alignement est extrêmement délicat, et il arrive fréquemment, vu les distances extrêmement réduites entre la grille et les contacts de source et drain, que des courts-circuits apparaissent entre ces électrodes, ce qui ré- duit le rendement de fabrication. Il faut être bien conscient qu'en fabrication de circuits intégrés, si un seul transistor d'un circuit sur une plaquette ne fonctionne pas, alors que ce dernier en comprend plusieurs centaines ou plusieurs milliers, c'est l'ensemble du circuit de la plaquette qui doit être re- jeté. Le procédé de fabrication doit donc être aussi fiable que possible. La présente invention vise à fournir un dispositif semiconducteur et un procédé de réalisation qui est exempt de ces inconvénients. Selon l'invention, ce but est atteint au moyen d'un dispositif tel que décrit dans le préambule et caracté- risé en ce que l'électrode de grille comporte une partie supé- rieure surmontant la grande base du trapézoïde, cette partie supérieure présentant une région centrale métallique et une zone périphérique en une première sorte de diélectrique, en ce que la zone périphérique diélectrique déborde la surface de la grande base du trapézoïde, en ce que les bords des électrodes de source et drain les plus près de la grille sont autoalignés avec les bords externes de la zone périphérique de la grille, et en ce que cette zone périphérique de grille surplombe une couche d'une seconde sorte de diélectrique disposée dans l'in- tervalle entre les contacts de grille et source d'une part et les contacts de grille et drain d'autre part. Le dispositif selon l'invention présente alors, entre autres, les avantages suivants: -4- - Le transistor conforme à l'invention peut pré- senter un contact de grille dont la longueur est très infé- rieure au pm; et cette longueur de grille peut être diminuée autant qu'il est approprié, car elle est définie d'une façon très répétitive par une ouverture entre deux portions de cou- che diélectrique et non pas par gravure d'un plot métallique. - La grille peut être constituée d'un métal peu résistif car elle n'a pas, au cours du procédé de réalisation & supporter des températures aussi élevées que celle d'un re- cuit d'implantation et n'a donc pas besoin d'être constituée d'un métal réfractaire. En fait, le choix des matériaux pour réaliser le dispositif n'est lié à aucune condition technolo- gique contraignante. - La résistance de la grille est encore diminuée du fait que la surface de la section de la grille est grande, bien que la longueur de grille soit petite. La surface supé- rieure de la grille sur laquelle est pris le contact est éga- lement grande. - L'épaisseur de grille peut être très grande ce qui supprime l'étape de réépaississement de grille incluse dans les procédés selon l'art antérieur. - La longueur de grille des transistors est très répétitive d'un transistor à l'autre. Les transistors obtenus peuvent être utilisés aussi bien dans les circuits numériques que dans les circuits analogiques. - Les court-circuits entre la grille et les autres contacts sont impossibles du fait qu'il sont isolés par des zones diélectriques. - Tous les éléments du transistor -régions de drain, de source, de grille, les électrodes de source et de drain- sont autoalignés les uns par rapport aux autres, ce qui permet d'obtenir un transistor particulièrement compact, et donc une grande densité d'intégration. - Les bords des électrodes de source et de drain ne sont pas alignés sur le bord des régions implantées de - 5 - source et drain, mais sont légèrement plus éloignés de la grille du fait qu'ils sont autoalignés sur le bord de la ré- gion périphérique diélectrique de grille, ce qui augmente le rendement de fabrication en diminuant les risques de court- circuit, sans diminuer cependant la compacité du dispositif. Un procédé particulièrement avantageux pour ob- tenir ce dispositif semiconducteur est caractérisé en ce qu'il comprend les étapes suivantes: a/ Formation d'un substrat W d'un matériau se- miconducteur monocristallin présentant une face orientée pa- rallèlement à un plan cristallographique; b/ Réalisation en surface de ce substrat d'une couche en un matériau diélectrique d'une première sorte; c/ Réalisation en surface de la couche précé- dente, d'un masque M2 délimitant la grande base du trapézoïde constituant la partie inférieure de l'électrode de grille; d/ Gravure autour du masque M2, de la couche diélectrique de la première sorte, par gravure ionique réac- tive, pour obtenir un plot M1 en diélectrique de la première sorte surmonté du masque M2; e/ Implantation autour du plot M1 servant de masque, et dans l'ouverture d'un masque Mo délimitant la péri- phérie du transistor, d'ions aptes à former les régions de source et de drain du premier type de conductivité du second niveau de résistivité, puis élimination des masques Mo et M2 f/ Dépôt en surface du dispositif seulement munie du plot M1 d'une couche d'épaisseur uniforme au moins égale à celle du plot M1, en matériau diélectrique d'une se- conde sorte; g/ Planarisation par une méthode connue en soi, du dispositif au niveau de la surface supérieure du plot M1; h/ Elimination par gravure ionique réactive sélective du plot M1, de façon à former une ouverture de même surface dans la couche diélectrique de la seconde sorte, mettant à nu le substrat; - 6 - i/ Implantation dans cette ouverture, en outre délimitée par le masque Mo, d'ions aptes à former la couche active du premier type de conductivité du premier niveau de résistivité, recuit d'implantation, et élimination du masque Mo; j/ Réalisation par une méthode connue en soi d'espaceurs appuyés sur les flancs de l'ouverture pratiquée dans la couche du diélectrique de la seconde sorte, pour ré- duire les dimensions de cette ouverture aux dimensions voulues pour la longueur de grille du transistor, ces espaceurs étant du diélectrique de la seconde sorte; k/ Dépôt d'une couche du métal de grille d'épaisseur supérieure à celle de la couche du diélectrique de la seconde sorte, puis d'une couche choisie parmi le diélec- trique de la première sorte ou le titane (Ti), ces couches étant d'épaisseur uniforme; 1/ Planarisation par une méthode connue en soi du dispositif jusqu'au niveau de la couche du métal de grille, de telle sorte que subsiste aussi, en surface de la dépression dans la couche métallique de grille correspondant à l'ouver- ture dans la couche diélectrique de la seconde sorte, une cou- che du diélectrique de la première sorte ou de titane formant un masque M3; m/ Gravure autour d'un masque M3 de la couche métallique de grille par une méthode choisie parmi la gravure ionique réactive sélective ou la gravure par faisceau d'ions de gaz neutre, cette méthode étant choisie selon le métal constituant cette couche, jusqu'au niveau supérieur de la cou- che du matériau diélectrique de la seconde sorte; n/ Réalisation par une technique connue en soi, d'espaceurs appuyés sur les flancs de la couche métal- lique de grille, pour former la région périphérique de la par- tie supérieure de la grille, surplombant la couche diélec- trique de la première sorte; o/ Gravure de la couche du diélectrique de la - 7 - seconde sorte par gravure ionique réactive sélective, autour du plot formé par le métal de grille couvert du masque M3 et des espaceurs en diélectrique de la première sorte, jusqu'au niveau supérieur du substrat, cette gravure pouvant éventuel- lement être légèrement prolongée latéralement sous les espa- ceurs. Ce procédé présente, entre autres, les avantages suivants: - le nombre de masques nécessaires à la définition du transistor est réduit à deux, Mo et M2, ce qui est bien in- férieur au nombre de masques généralement nécessaires à la dé- finition d'un transistor, typiquement 5 à 7; - le procédé est très fiable. Le rendement de fa- brication très élevé. Les transistors sont très répétitifs et leurs performances montrent une très faible dispersion d'un transistor à l'autre; - aucune sous-gravure, considérée comme une mé- thode peu reproductible, n'est utilisée dans ce procédé; - tous les éléments sont autoalignés et non pas simplement alignés; - aucune gravure chimique n'est utilisée mais au contraire des gravures ioniques réactives; - toutes les étapes de fabrication peuvent être pratiquement faites dans la même enceinte; - toutes les gravures ioniques réactives néces- saires peuvent être réalisées, du fait du choix des matériaux constituant le transistor, au moyen de deux gaz ou associa- tions de gaz seulement. L'invention sera mieux comprise au moyen de la description suivante illustrée par les figures annexées dont: - la figure la qui représente schématiquement le dispositif semiconducteur selon l'invention, en coupe selon l'axe I-I de la figure lb, - les figures lb, lc et ld qui représentent sché- matiquement le dispositif semiconducteur selon l'invention, vu du dessus, - 8 - - les figures 2a à 2n qui représentent le disposi- tif selon l'invention dans les différentes étapes du procédé de réalisation, en coupe schématique, - les figures 3a et 3b qui représentent les étapes de formation d'un espaceur, en coupe schématique, - les figures 4a et 4b qui représentent les étapes du procédé de réalisation d'un transistor bi-grille, - les figures 5a et 5b qui représentent les étapes du procédé de réalisation d'un transistor à régions de source et drain d'épaisseur variable. Dans la description qui suit, par lautoalignement' il faut entendre un procédé de réalisation qui utilise un élément du transistor comme référence, par exemple comme mas- que, pour former un autre élément du transistor. Il est clair que la réalisation d'éléments au moyen d'un procédé d'auto- alignement est plus précise, plus répétitive, présente une meilleure définition, et diminue le nombre d'étapes néces- saires, comparée à la réalisation de ces éléments au moyen d'un procédé d'alignement simple, c'est-à-dire à l'aide de masques. Par 'sous-gravure" il faut entendre, dans un pro- cédé incluant la gravure d'une couche protégée par un masque, la gravure latérale du matériau de la couche qui intervient sous le masque, gravure latérale qui est d'une dimension équi- valente à celle de la gravure qui intervient en même temps dans la direction perpendiculaire. Une telle sous-gravure est en général obtenue par voie humide, c'est-à-dire par l'action de composés chimiques liquides. Or dans la mise en oeuvre d'une fabrication de circuits intégrés, ce n'est pas un seul transistor qui est réalisé mais plusieurs centaines répartis sur toute la surface d'une plaquette pour former un circuit. La gravure chimique des éléments situés au bord de la pla- quette n'est jamais équivalente à la gravure chimique des élé- ments situés au centre de la plaquette. Une telle sous-gravure est également possible par gravure ionique réactive. Mais elle -9 est difficile à maîtriser et non uniforme sur l'ensemble d'une plaquette. C'est pourquoi ces procédés sont particulièrement évités dans le procédé de réalisation du dispositif selon l'invention. Un procédé de réalisation permettant d'obtenir des transistors à faible résistance de grille est connu de la pu- blication intitulée "GaAs LSI-Directed MESFET'S with Self-Aligned Implantation for n±layer Technology (SAINT)" dans IEEE Vol.ED-29, N"11, Nov.82, par KIMIYOSHI YAMASAKI et alii. Mais les transistors réalisés par la méthode décrite dans ce document montrent justement une grille définie par une sous-gravure, ce qui doit avant tout être évité pour les rai- sons citées plus haut. Le procédé décrit comprend l'élabora- tion d'une grille fictive qui occupe l'emplacement de la grille définitive durant l'implantation des régions de source et drain. Cette grille fictive est donc réalisée au moyen d'une sous-gravure. Elle est éliminée dans une étape ulté- rieure du procédé et remplacée par la grille définitive. La présente invention propose aussi un transistor à faible résistance de grille, grille submicronique et struc- ture compacte mais dont le procédé de réalisation est plus ré- pétitif et plus simple. Tel que représenté vue du dessus sur la figure lc dans le plan III-III de la figure la, le dispositif selon l'invention constitue un transistor à effet de champ du type MESFET (de l'anglais: MEtal-Semiconductor Field Effect Tran- sistor) comprenant une électrode de grille G, une électrode de source S, une électrode de drain D réalisées en surface d'un substrat semiconducteur W. Tel que représenté sur la figure la, en coupe se- lon l'axe I-I de la figure lc ce dispositif comprend un subs- trat semiconducteur monocristallin orienté W, présentant une face orientée parallèlement à un plan cristallographique sur laquelle sont réalisés les différents éléments du transistor. Ce substrat W est de préférence en un composé du - 10 - groupe III-V tel que par exemple l'arséniure de gallium (GaAs) qui est particulièrement favorable à la réalisation de dispo- sitifs hyperfréquences ou à grande vitesse de fonctionnement. Le substrat W est choisi par exemple semi-isolant. Le transistor selon l'invention est formé en sur- face de ce substrat W. Il comprend une couche active 102 d'un premier type de conductivité et d'un premier niveau de résis- tivité et deux régions de source et de drain 101 et 101' du même type de conductivité et d'un second niveau de résistivité disposées de part et d'autre de la région 102 du premier ni- veau de résistivité. Accessoirement, ce transistor peut com- porter une région 11 d'un second type de conductivité disposée sous la couche active. Favorablement la couche active sera de type n, les régions de source et de drain seront de type n+ et la couche 11, disposée sous la couche active 102, sera de type p. Ce transistor comprend ensuite, en surface de la couche active 102, l'électrode de grille G constituée d'une couche métallique 105 propre à réaliser un contact de type Schottky avec le matériau semiconducteur. En ce qui concerne sa forme, la grille G présente une partie inférieure 15 et une partie supérieure 51 délimitées par l'axe II-II. La partie inférieure 15 montre une forme à peu près trapézoïdale dont les faces latérales 16 sont cependant légèrement incurvées. La petite base du trapézoïde ou base inférieure est en contact avec la couche active 102 du maté- riau semiconducteur, et ses arêtes définissent les dimensions de l'électrode de grille: - sa longueur L, qu'il est recherché d'obtenir in- férieure au pu, et qui est dans le plan de la figure la; - sa largeur 2, supérieure au pm et perpendicu- laire au plan de la figure la (voir figure lc). Les arêtes de la grande base du trapézoïde, ou base supérieure, qui sont perpendiculaire au plan de la figure la et parallèles à la largeur 2 de la grille G, sont autoali- gnées avec les bords des régions 101 et 101' de source et - 11 - drain adjacentes à la couche active 102. La partie supérieure 51 de la grille G comporte une région centrale constituée de la couche métallique 105 et une région périphérique 106 en un matériau diélectrique d'une première sorte. La région périphérique 106 déborde autour de la surface supérieure ou grande base du trapézoïde et surplombe une couche diélectrique formée des parties 103 et 104. Les électrodes de source S et de drain D formées de la couche mé- tallique 107 sont autoalignées avec le bord extérieur de la région périphérique 106. La couche 103 et 104 est en une se- conde sorte de matériau diélectrique et la couche 107 est en un alliage propre à former un contact de type ohmique avec le matériau semiconducteur. Avantageusement la couche métallique 105 formant le contact de grille est une multicouche comprenant superpo- sées soit: - une couche de tungstène (W) d'épaisseur environ nm, une couche de tantale (Ta) d'épaisseur environ 100 nm et une couche supérieure d'or (Au) d'épaisseur supérieure à 500 nm, ou bien: - une couche de nitrure de tungstène (WN), d'épaisseur environ 200 nm, une couche de nitrure de tantale (TaN) d'épaisseur environ 100 nm, et une couche supérieure d'or (Au) d'épaisseur supérieure à 500 nm, ou bien - une couche de tungstène (W) d'épaisseur environ nm, et une couche supérieure d'or (Au) d'épaisseur supé- rieure à 500 nm. Selon cette disposition avantageuse d'une multi- couche pour former la métallisation de grille de type Schottky, une couche de tungstène de faible épaisseur par rapport à l'ensemble de l'épaisseur de la multicouche est uti- lisée et disposée en contact avec la couche active du matériau semiconducteur. L'utilisation de ce matériau réfractaire en - 12 - faible épaisseur est prévue pour obtenir une bonne stabilité en température de l'interface métal-semiconducteur sans toute- fois rendre la grille résistive. En effet, si le procédé de réalisation décrit plus loin est axé sur le fait que les re- cuits d'implantation réalisés à forte température sont termi- nés avant la réalisation de la métallisation de grille, néan- moins cette métallisation est déjà en place lorsque le dispo- sitif est porté à la température d'alliage des métaux de con- tact ohmique. Si la stabilité du tungstène était à sa limite pour supporter le recuit d'implantation (800 C), elle est alors au contraire parfaite, même lorsque le tungstène est en couche mince, lors de la formation de l'alliage de contact ohmique (environ 450 C). D'autre part, dans cette réalisation préféren- tielle du dispositif selon l'invention, la première sorte de diélectrique formant la région périphérique supérieure de la grille est choisie en silice (SiO2) et la seconde sorte de diélectrique formant la couche isolant la grille des autres électrodes est choisie en nitrure de silicium (Si3N4). Le choix de ces diélectriques différents va per- mettre de réaliser des gravures sélectives de l'un par rapport à l'autre, alors que le choix des métaux formant la grille, outre les avantages précités va permettre une gravure du métal de grille par la même méthode que celle qui permet de graver le nitrure de silicium et dans une suite d'opérations ininter- rompues. Dans cette réalisation préférentielle du disposi- tif selon l'invention, les électrodes de source et drain sont constituées d'un alliage or-germanium-nickel (Au-Ge-Ni) for- mant une couche d'épaisseur 0,5 à 1 Pm réalisant avec le maté- riau semiconducteur, un contact ohmique. Différentes variantes du dispositif selon l'inven- tion sont possibles. Selon une première variante, la partie supérieure de la grille peut être converte d'une couche M3 de titane (Ti) - 13 - * d'épaisseur environ 100 nm (ce qui est le cas du dispositif représenté fig. la et fig. 5b). Selon une seconde variante, avec ou sans la couche M3 de titane précédente, la grille peut être couverte d'une couche du métal (107) de contact ohmique, ce qui est le cas du dispositif représenté fig. la et fig. 5b. Dans une troisième variante, la région périphé- rique 106 peut être éliminée, entraînant avec elle les couches métalliques qui la recouvre éventuellement (procédé connu sous le nom de LIFT-OFF) (voir fig.5b et fig.4b). Dans cette dernière variante (voir figure 4b), le dispositif selon l'invention peut être un transistor bi- grilles (ou multi-grilles). En effet ce dispositif peut com- prendre deux ou plusieurs électrodes G1, G2... de grille dis- posées entre les électrodes de source et de drain, ces élec- trodes de grille étant éloignées les unes des autres d'une distance double de la dimension transversale de la région pé- riphérique diélectrique (voir figure 4a). Ainsi avant l'éli- mination des régions périphériques 106, les régions périphé- riques de deux grilles contig es sont en contact. Les régions périphériques sont éliminées en fin de procédé de réalisation pour éliminer par LIFT-OFF les couches métalliques qui les re- couvrent et éviter ainsi les court-circuits entre les diverses métallisations de grille. Si la couche M3 est en silice, l'en- semble de la métallisation 107 déposée sur les grilles est éliminé (fig.4b). Dans un tel dispositif bi ou multi-grilles, chaque grille est réalisée en surface d'une couche active 102, et chaque couche active du premier type de conductivité du pre- mier niveau de résistivité est séparée d'une autre par une région du même type de conductivité du second niveau de résis- tivité 101". En outre chaque grille est séparée de la grille contigUe par une couche de matériau diélectrique de la seconde sorte 103, 104. Des dimensions de transistors particulièrement - 14 - aptes à former des circuits intégrés numériques ou analogiques sont les suivantes: Longueur de grille L: inférieure au pm. Distance entre régions du second type de conductivité mesurée dans le plan de la figure la: de 1 à 2 pum. Distance entre contact ohmique et grille mesurée dans le plan de la figure la: de 0,5 à 2 pm. Profondeur d'implantation de la couche active du premier type de conductivité: 50 à 300 nm. Profondeur d'implantation des régions de drain et source du premier type de conductivité du second niveau de résistivité: 100 à 500 nm. Dans une autre variante du dispositif (voir fig.5b) selon l'invention les régions 101 et 101' de source et drain sont prévues de profondeur progressive à partir de celle de la couche active 102. Cette technique permet entre autres de diminuer les résistances d'accès du transistor et également d'améliorer les effets défavorables dûs à l'étroitesse du canal. Ces derniers effets sont en outre atténués par l'implantation de la région 11 du second type de conductivité. Selon la présente invention est proposé en outre un procédé de réalisation de ce dispositif. Ce procédé comprend les étages suivantes: a/ Formation d'un substrat W d'un matériau semiconducteur monocristallin, présentant une face orientéeparallèlement à un plan cristallographique. Favorablement ce substrat sera en arséniure de gallium (GaAs) et la face sera orientée parallèlement au plan cristallographique (100). b/ Réalisation d'une couche 1 en un matériau diélectrique d'une première sorte. Cette couche pourra avoir à 500 nm d'épaisseur et être constituée de silice (SiO2) (voir fig.2a). c/ Réalisation en surface de la couche 1 d'un masque M2, par exemple en laque photosensible d'épaisseur 500 à 1000 nm. La dimension de ce masque le long de l'axe I-I de la figure lb étant de l'ordre de 1 à 2 pum, sa réalisation - 15 - est peu critique. Cette dimension définit la distance séparant les régions 101 et 101' de source et drain. Ce masque M2 déli- mite en outre le plot P de prise de contact de grille comme montré vu du dessus figures lb et ld. D'une façon générale, ce masque M2 a la forme et les dimensions de la grande base du trapézoïde formant la région inférieure de la grille. d/ Gravure, autour du masque M2, de la couche diélectrique 1 de la première sorte, pour obtenir un plot M1. Lorsque le diélectrique choisi pour la couche 1 est la silice, cette gravure est effectuée par gravure ionique réactive (RIE) à l'aide de gaz CHF3 ou CF4 purs (voir fig.2b). Dans cette réalisation les régions de source et drain 101 et 101' seront d'épaisseur constante. Par RIE le plot M1 a les mêmes dimen- sions que le masque M2. d'/ Cette étape est une alternative à l'étape d/ précédente et permet d'obtenir des régions de source et drain 101 et 101' d'épaisseur croissante à partir de la couche active 102 comme montré figure 5a et suivante. A cet effet, la gravure de la couche diélectrique 1 est réalisée sous des con- ditions différentes, par exemple au moyen de gaz différents de façon à obtenir d'une part une légère gravure latérale du mas- que M2, et ensuite un plot M1 présentant des faces latérales qui font avec la surface du semiconducteur un angle e de l'or- dre de 40 à 80 . Lorsque la couche diélectrique 1 est en si- lice (SiO2), cette disposition est obtenue par une gravure ionique réactive (RIE) au moyen de gaz par exemple SF6 ou 02, en mélange avec CHF3 ou CF4. e/ Implantation autour du plot M1 servant de masque, et dans l'ouverture d'un masque Mo délimitant la péri- phérie du transistor, d'ions aptes à former les régions 101 et 101' de source et drain du premier type de conductivité du se- cond niveau de résistivité (voir figures 5a et 2c). Le masque Mo peut être en laque photosensible ou en diélectrique de la seconde sorte. Dans ce dernier cas, il restera en place durant tout le procédé de réalisation. Pour obtenir des régions de - 16 - type n+ dans l'arséniure de gallium, il peut être implanté des ions silicium (Si) à une concentration de l'ordre de 1017 à 1018 au cm3. Si les flancs du plot M1 sont en pente, la pro- fondeur de pénétration des ions diminue à partir du pied de la pente pour devenir faible dans la région correspondant au haut de la pente, ce qui permet d'obtenir la variation d'épaisseur des régions 101 et 101' souhaitée (voir fig.5a). Les masques en laque photosensible M2 et éventuellement Mo s'il est en laque sont ensuite éliminés. f/ Dépôt en surface du dispositif seulement muni du plot M1 (voir fig.la et 2d) d'une couche 103 d'épaisseur uniforme d'un diélectrique d'une seconde sorte. Ce diélectrique d'une seconde sorte sera favorablement le nitrure de silicium (Si3N4) sous une épaisseur au moins égale à celle du plot M1, c'est-à-dire 200 à 600 nm. g/ Cette étape consiste à obtenir la planari- sation du dispositif au niveau de la surface supérieure du plot M1 (fig. 2e). A cet effet peut être utilisée une technique connue par exemple de la publication "Two-Layer Planarization Process" par A. Schitz et M. Pons dans J. Electrochem.Soc, Vol.133 N'1, Jan.1986. On peut aussi utiliser une méthode plus simple en une couche. Cette technique consiste essentiellement à appliquer en surface d'un dispositif qui présente des irré- gularités de surface telles que le plot M1 une couche 2 épaisse d'un matériau tel qu'une laque photosensible (voir fig.2d). Cette couche 2 est soumise alors à une insolation à une énergie environ 3 fois supérieure à l'énergie d'insolation dans les conditions habituelles d'utilisation puis à une température de l'ordre de 150 à 200 qui permet de faire fluer la résine et donc d'obtenir pour la couche 2 une surface supérieure sensiblement plane. Cette couche est ensuite sou- mise à une gravure ionique réactive à l'aide de gaz SF6 + CHF3. h/ Elimination du plot M1 de façon à laisser une ouverture de même surface dans la couche 103 de la - 17 - seconde sorte de diélectrique. Dans le cas o le plot M1 est en silice (SiO2) et la couche 103 est en nitrure de silicium (Si3N4), cette élimination est obtenue par gravure ionique réactive sélective au moyen de gaz CHF3 pur à pression éle- vée. Si le plot M1 présente des flancs en pente, alors un meilleur résultat sera obtenu pour les mêmes matériaux avec un mélange de gaz CHF3, SF6 (voir fig.2f). i/ Implantation dans l'ouveture ainsi prati- quée dans la couche 103 de la seconde sorte de diélectrique, d'ions pour former la couche active 102 du premier type de conductivité (voir fig. 2g) . Pour obtenir une couche active de type n dans l'arséniure de gallium, il peut être implanté des ions silicium (Si) à une concentration de l'ordre de 5.1016 à 5.1017 au cm3. i'/ Une alternative à l'étape précédente con- siste à l'implantation, avant de réaliser la couche active du premier type de conductivité du premier niveau de résistivité, d'une couche profonde 11 d'un second type de conductivité par exemple de type p. Pour obtenir une couche profonde de type p dans l'arséniure de gallium, il peut être implanté, avec une forte énergie, des ions béryllium (Be) ou magnésium (Mg) à une concentration de l'ordre de 1016 à 1017 au cm3. Puis la couche active de type n est implantée comme décrit dans l'étape i/ et un recuit d'implantation est effectué (environ 800 C pendant environ 20 mn). j/ Réalisation dans l'ouverture de la couche de la seconde sorte de diélectrique 103, d'espaceurs 104 du même matériau diélectrique (voir fig. 2h). Ces espaceurs 104 sont réalisés selon une technique décrite dans la publication intitulée 'Edge-Defined Patterning of Hyperfine Refractory Metal Silicide MOS Structure* par SHINIJI OKAZAKI dans IEEE Transactions on Electron Devices, Vol.ED-28, N011, Nov.81, pp. 1364-1368. L'application de cette technique à la réalisa- tion du présent dispositif est illustrée figures 3a et 3b. Une couche 104 du même matériau diélectrique que la couche 103, - 18 - c'est-à-dire du diélectrique de la seconde sorte, est déposée de façon uniforme sur le dispositif et d'une épaisseur très précise h1 choisie pour la dimension des espaceurs. L'épais- seur de la couche 104 est donc h1, l'épaisseur totale des couches 103 et 104 est h2. Il est ensuite pratiqué sur le dis- positif une gravure ionique réactive telle qu'une épaisseur identique du matériau 104 est enlevée en chaque point. L'épaisseur de matériau 104 étant pratiquement égale à h2 le long des flancs de l'ouverture dans le couche 103 (voir figure 3a) après cette gravure il reste le long de ces flancs une portion de la couche 104 qui y est appuyée et qui a pour di- mension latérale hl obtenue avec une précision a 1 % (voir figure 3b). Cette portion de couche 104 restante prend le nom "d'espaceurm. L'espaceur a pour fonction de modifier la limite d'un masque par exemple. Ici les espaceurs 104 modifient l'ou- verture pratiquée dans la couche 103, (voir fig.2h) et sont prévus de manière à laisser subsister une ouverture égale à la longueur de grille souhaitée pour le transistor. Typiquement une dimension de l'ordre de 0,5 pm. Cette méthode est extrê- mement précise et répétitive contrairement à l'art antérieur. Si la couche 103 est en nitrure de silicium (Si3N4) la couche 104 est aussi en nitrure de silicium (Si3N4). k/ dépôt sur le dispositif ainsi constitué d'une couche 105 du métal de grille, de l'ordre de 700 à 1200 nm puis d'une couche o08 d'un matériau choisi parmi le dié- lectrique de la première sorte ou un métal tel que le titane (Ti) d'épaisseur 200 à 500 nm, puis d'une couche 3 par exemple de laque photosensible ou tout matériau utilisable dans une technique de planarisation telle que précédemment décrite (voir fig.2i). Le métal de grille est avantageusement une mul- ticouche de tungstène (W), tantale (Ta), Or (Au) respecti- vement d'épaisseur environ 200 nm, 100 nm, supérieure à 500 nm ou bien une multicouche de nitrure de tungstène (WN), nitrure de tantale (TaN), Or (Au) respectivement d'épaisseur environ 200 nm, 100 nm, supérieure à 500 nm, ou bien une multicouche 2 6 1 3 1 34 - 19 - de tungstène (W) et d'or (Au) d'épaisseur respectivement en- viron 200 nm, 100 nm, et supérieure à 500 nm. 1/ Planarisation du dispositif jusqu'au niveau supérieur de la couche métallique 105. Pour les matériaux in- diqués précédemment la planarisation peut être effectuée par gravure RIE à l'aide de gaz CHF3 + SFS6, ces gaz étant utilisés aussi bien si la couche 108 est en silice (SiO2) que si elle est en titane (Ti) (voir fig.2j). A l'issue de cette planari- sation, il reste en surface de la partie supérieure de la grille une région M3 du matériau diélectrique de la première sorte (SiO2) ou bien constituée de titane (Ti). Cette région M3 va servir de masque pour l'étape suivante. m/ Gravure de la couche métallique de grille autour du masque M3. Si la couche métallique 105 est l'une des multicouches décrites précédemment, la couche supérieure est l'or (Au). La gravure de l'or est faite par faisceau d'ions de gaz neutre, qui produit une action purement méca- nique. Les couches sous-jacentes, tantale (Ta) et tungstène (W) ou leur nitrure sont gravées par gravure ionique réactive à l'aide de gaz CHF3 + SF6. La gravure est poursuivie jusqu'au niveau supérieur de la couche du matériau diélectrique de la seconde sorte 103. La grille présente alors deux parties: une partie inférieure 15, sous le niveau de la couche 103, partie inférieure qui présente grossièrement la forme d'un trapézoïde dont la petite base est en contact avec la couche active 102; et une partie supérieure 51 qui forme un plot couvert par le masque M3. A ce stade si le masque M3 est en silice (Si02) il peut être éliminé. n/ Réalisation par la technique précédemment décrite d'espaceurs 106 en matériau diélectrique de la pre- mière sorte (SiO2). Ces espaceurs 106 forment une région pé- riphérique débordant la partie supérieure du métal 105 et sur- plombant une partie de la couche 103 du matériau diélectrique de la seconde sorte (Si3N4). Le bord extérieur de ces espa- ceurs 106 est prévu pour définir le bord des contacts de - 20 - source et drain (voir figure 2f). C'est parce que le procédé décrit permet d'obtenir une grille épaisse, que l'on tire l'avantage de réaliser les espaceurs 106 qui eux-mêmes vont permettre l'autoalignement des contacts ohmiques. o/ Gravure de la couche 103 du diélectrique de la seconde sorte par RIE. Si la couche 103 est en nitrure de silicium cette gravure est pratiquée à l'aide de gaz CHF3 + SFG (voir fig.2m). A l'issue de cette opération, la grille est constituée de la partie métallique 105 dont la surface en con- tact avec le semiconducteur est la petite base du trapézoïde, de la partie périphérique 106 qui surplombe les parties res- tantes des couches 103, 104 en diélectrique de la seconde sorte et éventuellement du masque M3. La partie périphérique 106 est en diélectrique de la premère sorte, mais le masque M3 peut être soit du même diélectrique soit en titane (Ti). La couche 103 peut être légèrement sous-gravée par rapport aux bords extérieurs de la région périphérique 106. Ces bords ex- térieurs vont servir à délimiter les couches métalliques de contact de grille et drain. Cependant si le masque M3 est en silice et qu'il n'a pas encore été éliminé, il est conservé pour l'étape suivante. p/ Réalisation des contacts ohmiques 107 de source et drain dans l'ouverture laissée entre le masque Mo et le masque constitué par la grille dans l'état de l'étape o). Le métal de la couche 107 sera constitué favorablement par l'évaporation sous vide ou par pulvérisation cathodique d'un alliage or-germanium puis l'évaporation ou pulvérisation d'une couche de Nickel. Puis formation de l'alliage or-germanium- Nickel à environ 450 C. L'épaisseur des couches de contact ohmique sera favorablement de 0,5 à 1 pm. La grille telle que constituée à cette étape supporte très bien une telle tempéra- ture. Puis si les régions M3 et 106 sont constituées de si- lice, elles sont éliminées par exemple par voie humide au moyen de solutions tamponnées à base d'acide fluorhydrique. Par cette méthode le masque M3 est éliminé entraînant la cou- che supérieure de métal 107 déposé sur la grille en mème temps - 21 - que sur la source et le drain, et la région périphérique de grille est également éliminée. Cette méthode est favorable à la réalisation des transistors bi ou multigrilles (voir fig.4b). La méthode décrite plus haut permet donc d'obtenir par le même procédé les transistors mono, bi ou multigrilles. Les opérations peuvent se succéder sans sortir la plaquette du bâti. Si le masque M3 est en titane, il peut être conservé et le métal de contact ohbique peut être évaporé en surface. Si le masque M3 est en silice, il peut être éli- miné avant la formation de la région périphérique 106 ou bien servir dans un procédé de LIFT-OFF du métal de contact ohmique sur la grille. D'une façon générale les matériaux ont été choisis pour permettre l'enchainement continu des opérations. Ainsi la silice (SiO2) subit la gravure RIE avec le gaz CHF3 ou CF4 pur à pression élevée, et tous les autres matériaux, sauf l'or qui subit une gravure mécanique, peuvent être gravés par RIE avec le mélange des gaz CHF3 + SF6. Enfin entre l'étape h/ et l'étape i/ ou i'/ peut être introduite une étape: h'/ Formation d'une dépression dans la couche active 102 pour délimiter une région dans laquelle l'épaisseur du canal est moindre. Cette dépression est obtenue par exemple par gravure chimique de la couche active 102 dans la région délimitée par les espaceurs 104 ou moins favorablement dans l'état actuel de la technique par RIE. Si le substrat est en arséniure de gallium la gravure est faite de préférence à l'aide de solutions comprenant l'acide citrique, eau oxygénée et eau par exemple. - 22 - REVENDICATIONS 1. Dispositif semiconducteur du type transistor à effet de champ comprenant formée en surface d'un substrat se- miconducteur une couche d'un premier type de conductivité d'un premier niveau de résistivité dite couche active sur laquelle est réalisée une électrode de grille de type Schottky présen- tant dans sa partie inférieure la forme générale d'un trapé- zoïde dont la petite base est en contact avec la couche ac- tive, comprenant ensuite de part et d'autre de la couche ac- tive deux régions du premier type de conductivité d'un second niveau de résistivité constituant les régions de source et de drain, régions dont les bords adjacents à la couche active sont autoalignés avec les arêtes de la grande base ou base su- périeure du trapézoïde, et comprenant en outre des électrodes de source et de drain du type contact ohmique réalisées en surface des régions du premier type de conductivité d'un se- cond niveau de résistivité, caractérisé en ce que l'électrode de grille comporte une partie supérieure surmontant la grande base du trapézoïde, cette partie supérieure présentant une ré- gion centrale métallique et une zone périphérique en une pre- mière de sorte de diélectrique, en ce que la zone périphérique déborde la surface de la grande base du trapézoïde, en ce que les bords des électrodes de source et de drain les plus près de la grille sont autoalignés avec les bords externes de la zone périphérique de la grille, et en ce que cette zone péri- phérique de grille surplombe une couche d'une seconde sorte de diélectrique disposée dans l'intervalle entre les contacts de grille et de source d'une part et les contacts de grille et de drain d'autre part. 2. Dispositif selon la revendication 1, caractérisé en ce que la surface supérieure de la grille est couverte d'une couche métallique identique à celle qui constitue les électrodes de source et drain. 3. Dispositif selon l'une des revendications 1 ou 2, caractérisé en ce qu'il est dépourvu de régions périphériques de grille en diélectrique de la première sorte. - 23 - 4. Dispositif selon la revendication 3, caractérisé en ce que le transistor comporte 2 ou plusieurs électrodes de grille disposées entre les électrodes de source et drain, sé- parées entre elles par une distance double de la dimension d'une région périphérique de grille conforme à celle d'un transistor selon la revendication 1 réalisées chacune en sur- face d'un couche active, chaque couche active étant séparée de la suivante par une région du premier type de conductivité du second niveau de résistivité et chaque grille étant séparée de la suivante par une couche de la seconde sorte de diélec- trique. 5. Dispositif selon l'une des revendications 1 à 4, caractérisé en ce que chaque couche active comporte en surface une dépression formant une zone centrale dans laquelle son épaisseur est réduite, en ce que chaque électrode de grille est réalisée dans cette zone, la petite base du trapézoïde en contact avec le fond de la dépression, pour former un transis- tor dit à canal creusé. 6. Dispositif selon l'une des revendications 1 à 5, caractérisé en ce que l'épaisseur des régions de source et drain du premier type de conductivité du second niveau de ré- sistivité est croissante à mesure que l'on s'éloigne de la couche active pour atteindre le maximum d'épaisseur sous les électrodes de source et drain. 7. Dispositif selon l'une des revendications 1 à 6, caractérisé en ce que sous la couche active (les couches ac- tives) s'étend une région d'un second type de conductivité. 8. Dispositif selon l'une des revendications 1 à 7, caractérisé en ce que le substrat est en arséniure de gallium (GaAs) semiisolant, la région du premier type de conductivité du premier niveau de résistivité est en arséniure de gallium de type n, les régions du premier type de conductivité du se- cond niveau de résistivité sont en arséniure de gallium de type n+, et lorsqu'elle existe la région du second type de conductivité est en arséniure de gallium de type p. - 24 - 9. Dispositif selon l'une des revendications 1 à 8, caractérisé en ce que le métal formant l'électrode de grille est une superposition de couches métalliques choisie parmi: - une superposition de tungstène (W), tantale (Ta) et Or (Au) d'épaisseurs respectives environ 200 nm, environ nm, supérieure à 500 nm; - une superposition de nitrure de tungstène (WN), nitrure de tantale (TaN) et Or (Au) d'épaisseurs respectives environ 200 nm, environ 100 nm et supérieure à 500 nm; - une superposition de tungstène (W) et d'Or (Au) d'épaisseurs respectives environ 200 nm et supérieure à 500 nm. 10. Dispositif selon l'une des revendications 1 à 9, caractérisé en ce que le métal formant les électrodes de sour- ce et drain est un alliage d'or-germanium-Nickel (Au-Ge-Ni). 11. Dispositif selon l'une des revendications précé- dentes, caractérisé en ce que la première sorte de diélec- trique est la silice (SiO2), et la seconde sorte est le ni- trure de silicium (Si3N4). 12. Procédé de réalisation d'un dispositif selon la revendication 1, caractérisé en ce qu'il comprend au moins les étapes de: a/ formation d'un substrat W d'un matériau semi- conducteur monocristallin, présentant une face orientée paral- lèlement à un plan cristallographique; b/ réalisation en surface de ce substrat d'une couche en un matériau diélectrique d'une première sorte; c/ réalisation en surface de la couche précédente d'un masque M2 délimitant la grande base du trapézoïde consti- tuant la partie inférieure de l'électrode de grille; d/ gravure autour du masque M2, de la couche dié- lectrique de la première sorte, par gravure ionique réactive, pour obtenir un plot M1 en diélectrique de la première sorte surmonté du masque M2; e/ implantation autour du plot Mi servant de - 25 - masque et dans l'ouverture d'un masque Mo délimitant la péri- phérie du transistor, d'ions aptes à former les régions de source et de drain du premier type de conductivité du second niveau de résistivité, puis élimination des masques Mo et M2 f/ dépôt en surface du dispositif seulement muni du plot M1 d'une couche d'épaisseur uniforme au moins égale à celle du plot M1, en matériau diélectrique d'une seconde sorte; g/ planarisation par une méthode connue en soi, du dispositif au niveau de la surface supérieure du plot M1; h/ élimination par gravure ionique réactive sélec- tive du plot M1, de façon à former une ouverture de même sur- face dans la couche diélectrique de la seconde sorte, mettant à nu le substrat; i/ implantation dans cette ouverture en outre délimitée par le masque Mo, d'ions aptes à former la couche active du premier type de conductivité du premier niveau de résistivité, recuit d'implantation, et élimination du masque Mo; j/ réalisation par une méthode connue en soi d'es- paceurs appuyés sur les flancs de l'ouverture pratiquée dans la couche du diélectrique de la seconde sorte, pour réduire les dimensions de cetteouverture aux dimensions voulues pour la longueur de grille du transistor, ces espaceurs étant du diélectrique de la seconde sorte; k/ dépôt d'une couche du métal de grille d'épais- seur supérieure à celle de la couche du diélectrique de la se- conde sorte, puis d'une couche choisie parmi le diélectrique de la première sorte ou le titane (Ti), ces couches étant d'épaisseur uniforme; 1/ planarisation par une méthode connue en soi du dispositif jusqu'au niveau de la couche du métal de grille, de telle sorte que subsiste aussi, en surface de la dépression dans la couche métallique de grille correspondant à l'ouver- ture dans la couche diélectrique de la seconde sorte, une - 26 - couche du diélectrique de la première sorte ou de titane for- mant un masque M3; m/ gravure autour du masque M3 de la couche pétal- lique de grille par une méthode choisie parmi la gravure ionique réactive sélective ou la gravure par faisceau d'ions de gaz neutre, cette méthode étant choisie selon le métal constituant cette couche, jusqu'au niveau supérieur de la cou- che du matériau diélectrique de la seconde sorte; n/ réalisation par une technique connue en soi, d'espaceurs appuyés sur les flancs de la couche métallique de grille, pour former la région périphérique de la partie supé- rieure de la grille, surplombant la couche diélectrique de la seconde sorte, ces espaceurs étant en diélectrique de la pre- mière sorte; o/ gravure de la couche du diélectrique de la se- conde sorte par gravure ionique réactive sélective, autour du plot formé par le métal de grille couvert du masque M3 et des espaceurs en diélectrique de la première sorte, jusqu'au ni- veau supérieur du substrat, cette gravure pouvant éventuelle- ment être légèrement prolongée latéralement sous les espa- ceurs. 13. Procédé de réalisation selon la revendication 12, d'un dispositif selon la revendication 2, caractérisé en ce qu'il comprend en outre l'étape: p/ dépôt en surface du dispositif précédent, le masque M3 étant en titane (Ti), dans l'ouverture du masque oM0 d'une couche d'un métal apte à former un contact ohmique défi- nissant la périphérie du transistor avec le matériau semicon- ducteur et élimination du masque Mo. 14. Procédé de réalisation selon la revendication 12, d'un dispositif selon la revendication 3, caractérisé en ce qu'il comprend en outre l'étape: p'/ dépôt en surface du dispositif précédent, le masque M3 étant en titane (Ti) ou bien en diélectrique da la première sorte, dans l'ouverture du masque Mo définissant la - 27 - périphérie du transistor, d'une couche d'un métal apte à for- mer un contact ohmique avec le matériau semiconducteur et éli- mination du masque Mo et des régions diélectriques de la pre- mière sorte, entraînant par un procédé connu en soi de LIFT- OFF les couches métalliques déposées sur ces couches diélec- triques. 15. Procédé de réalisation selon la revendication 14 d'un dispositif selon la revendication 4, caractérisé en ce -que les distances entre deux grilles contig es sont prévues telles que dans l'étape n) du procédé les bords extérieurs des régions phériphériques de deux telles grilles sont en contact. 16. Procédé de réalisation selon l'une des revendica- tions 12 à 15, d'un dispositif selon la revendication 5, ca- ractérisé en ce qu'entre l'étape j) et l'étape k) est mis en oeuvre une étape supplémentaire: j'/ formation par une méthode choisie entre la gravure ionique réactive sélective et la gravure chimique d'une dépression dans la couche active pour diminuer locale- ment son épaisseur. 17. Procédé de réalisation selon l'une des revendica- tions 12 à 16, d'un dispositif selon la revendication 6, ca- ractérisé en ce que les conditions de la gravure ionique sé- lective sont choisies de telle sorte que le plot M1 constitue un trapézoïde dont la grande base est en contact avec le maté- riau semiconducteur. 18. Procédé de réalisation selon l'une des revendica- tions 12 à 17, d'un dispositif selon la revendication 7, ca- ractérisé en ce qu'entre l'étape h) et l'étape i) est mise en oeuvre une étape supplémentaire: h'/ implantation dans cette ouverture en outre dé- limitée par le masque M0, et avec une grande énergie pour for- mer une couche profonde, d'ions aptes à former la couche du second type de conductivité. 19. Procédé de réalisation selon l'une des revendica- tions 12 à 18 d'un dispositif selon la revendication 8, carac- térisé en ce que le substrat étant en arséniure de gallium - 28 - (GaAs) semi-isolant, les ions pour obtenir les régions de type n+ sont du silicium à une concentration de environ 1017 à 1018 au cm3 les ions pour obtenir la couche active de type n sont du silicium à la concentration d'environ 5.1016 à 5.1017 au cm3, et les ions pour obtenir la couche de type p lorsqu'elle existe sont le magnésium (Mg) ou le béryllium (Be) à une con- centration de 1016 à 1017 au cm3, et en ce que le recuit d'im- plantation est d'environ 800'C pendant 20 mn. 20. Procédé de réalisation selon l'une des revendica- tions 12 à 19 d'un dispositif selon la revendication 9, carac- térisé en ce que la couche multiple de grille est réalisée par une méthode choisie entre l'évaporation sous vide et la pulvérisation cathodique. 21. Procédé de réalisation selon l'une des revendica- tions 12 à 20 d'un dispositif selon la revendication 10, ca- ractérisé en ce que pour former les contacts ohmiques une couche d'alliage or-germanium (Au-Ge) est d'abord déposée par une méthode choisie entre l'évaporation sous vide et la pulvé- risation cathodique, puis en ce qu'une couche de nickel (Ni) est déposée par la même méthode, et en ce que le dispositif est porté à une température de l'ordre de 450 C pour former l'alliage or-germanium-nickel (Au-Ge-Ni), la couche d'alliage obtenue présentant une épaisseur d'environ 0,5 à 1 pm. 22. Procédé de réalisation selon l'une des revendica- tions 12 à 21 d'un dispositif selon la revendication 11, ca- ractérisé en ce que la mise en oeuvre des gravures de toutes couches nécessaires au procédé, à l'exception des couche d'or et de silice est faite par gravure ionique réactive à l'aide de gaz CHF3 + SF6, en ce que la mise en oeuvre de la gravure des couches de silice est faite par gravure ionique réactive à l'aide de ces mêmes gaz pour obtenir des flancs de gravure in- clinés par rapport au substrat, et par gravure ionique réac- tive à l'aide de gaz CH3 ou CF4 purs à pression élevée pour obtenir des flancs de gravure perpendiculaires au substrat, et en ce que la gravure de la couche d'or est faite par gravure par faisceau d'ions de gaz neutre.