FR 2601450 A1 19880115 FR 8610214 A 19860711 ?60 1450 La présente invention concerne un procédé et un dispositif de détermination du coefficient de frottement interne d'un échantillon de forme allongée et de matériau ferromagnétique, notamment pour la déter5 mination de la teneur en éléments interstitiels de celuici. A l'échelle macroscopique, le frottement interne se manifeste par un retard à l'apparition d'une déformation d'un échantillon lorsqu'une contrainte est 10 appliquée sur celui-ci. Ce phénomène de retard est encore appelé relaxation. Dans le cas o l'on applique une contrainte sinusoïdale sur 'l'échantillon, la déformation de celui-ci est également sinusoïdale et le frottement interne se manifeste alors par un déphasagey 15 entre la contrainte et la déformation. Le coefficient -1 de frottement interne Q est alors défini par la relation suivante: Q1 =tg. En cas d'absence de frottement interne, ce -1 coefficient Q est nul et la déformation est en phase avec la contrainte. Dans la pratique, ce coefficient de frotte-1 ment interne Q 1 est déterminé à partir de la mesure du décrément logarithmique des vibrations d'un échan25 tillon oscillant librement, par la relation -1 Q = d n/iT ln Il est à noter que le décrément logarithmique d[n est le logarithme naturel du rapport de deux amplitudes de vibrations successives. Lorsque l'on fait varier la température de l'échantillon ou sa fréquence de vibration, le coefficient de frottement interne Q1 passe par un ou plusieurs maxima, appelés pics de Snoek, correspondant chacun à un type d'éléments interstitiels. 260 1 450 La hauteur de ce ou de ces pics étant proportionnelle à la teneur de l'échantillon en éléments interstitiels correspondants, il est donc possible à partir de ces mesures de déterminer la teneur en éléments interstitiels de l'échantillon considéré. A l'échelle atomique, le frottement interne s'explique par un mouvement des atomes interstitiels. Sous l'effet d'une contrainte instantanée, une partie de ces éléments diffuse vers d'autres interstices 10 orientés différemment. Le temps nécessaire au réarrangement des éléments interstitiels est appelé le temps de relaxation. Sous l'action d'une contrainte sinusoidale. les éléments intertitiels sautent alternativement d'un 15 site à l'autre. Ce mouvement entre en résonance à la température du pic de Snoek qui est d'autant plus élevée que la fréquence de vibration est grande. L'amortissement des oscillations est alors maximal. Il existe dans l'état de la technique, un 20 certain nombre d'appareils permettant de mesurer ce frottement interne dû aux éléments interstitiels dans l'acier. Dans tous ces dispositifs connus, l'échantillon est mis en régime d'oscillation sous l'effet 25 d'une excitation. Cette excitation est ensuite supprimée de manière que l'échantillon oscille librement et que l'on puisse mesurer l'amortissement des oscillations. Le mode de déformation et la géométrie de 30 l'échantillon conditionnent la fréquence des oscillations et donc la gamme de températures de l'essai. On connait par exemple dans l'état de la technique, l'oscillateur dit Chevenard ou pendule de Kê, qui est un pendule de torsion comportant un volant 2 601450 d'inertie suspendu par l'échantillon qui se présente sous la forme d'un fil. Le pic de Snoek est obtenu par mesure de l'amortissement des oscillations pour différentes températures. De nombreux perfectionnements ont été apportés i ce montage de base et ont permis d'obtenir par exemple le pendule inversé, le pendule double de Boulanger et le pendule double de Collette. Parmi ces trois pendules cités, le pendule double de Collette 10 présente l'avantage de permettre des mesures sur des échantillons en forme de lame. On connait également dans l'état de la technique des systèmes oscillant en flexion. Cependant, tous ces dispositifs présentent 15 un certain nombre d'inconvénients. En effet, ces dispositifs sont relativement fastidieux à mettre en oeuvre. Ils requièrent généralement un matériel relativement important et un personnel très qualifié. Par ailleurs, ces dispositifs ne 20 donnent aucune indication sur la cinétique de précipitation des éléments interstitiels, sauf dans le cas o on effectue des traitements supplémentaires de vieillissement artificiel. Le but de l'invention est donc de résoudre 25 les problèmes évoqués cidessus en proposant un procédé et un dispositif de détermination du coefficient de frottement interne, qui permettent d'effectuer des mesures sur des échantillons simples, qui soient d'une mise en oeuvre très rapide et très simple avec une 30 bonne fidélité des résultats. Par ailleurs, ce procédé et ce dispositif présentent également une grande sélectivité des causes de frottement interne en minimisant le frottement interne engendré par des phénomènes autres que ceux liés aux éléments inters- titiels. Un autre but de l'invention est de proposer un procédé et un dispositif qui permettent d'obtenir des informations complémentaires sur la cinétique de 5 précipitation du carbone ou de l'azote dans l'acier et qui puissent être intégrés dans le cadre d'un contrôle de fabrication d'une unité plus importante. A cet effet, l'invention a pour objet un procédé de détermination du coefficient de frottement 10 interne d'un échantillon de forme allongée et de matériau ferromagnétique, notamment pour la détermination de la teneur en éléments interstitiels de celui-ci. caractérisé en ce qu'on excite l'échantillon pour le mettre en régime d'oscillations longitudinales, on 15 coupe l'excitation, on mesure l'atténuation de ces oscillations en comptant le nombre N d'oscillations amorties dont l'amplitude est supérieure ou égale à l'amplitude initiale de ces oscillations, multipliée par un coefficient i, et en ce qu'on détermine le 20 coefficient de frottement interne de l'échantillon à partir de ce nombre d'oscillations. Selon un autre aspect, l'invention a également pour objet un dispositif de détermination du coefficient de frottement interne d'un échantillon de 25 forme allongée et de matériau ferromagnétique, notamment pour la détermination de la teneur en éléments interstitiels de celui-ci, caractérisé en ce qu'il comporte des moyens d'excitation pour mettre ledit élément en régime d'oscillations longitudinales, des 30- moyens de coupure des moyens d'excitation, des moyens de détection et de comptage des oscillations amorties après coupure de ladite excitation, dont l'amplitude est supérieure ou égale a l'amplitude initiale des oscillations, multipliée par un coefficient ", pour 260 1 450 permettre la détermination du coefficient de frottement interne. Selon un autre aspect, l'invention a également pour objet une application du procédé tel que 5 défini précédemment, à l'étude de la cinétique de précipitation d'un élément interstitiel dans l'acier. caractérisée par le fait que la température de l'échantillon est maintenue constante à une valeur déterminée correspondant au pic de Snoek pour l'élément 10 interstitiel considéré, on mesure la variation de la hauteur du pic de Snoek en fonction du temps et on en déduit la cinétique de precipitation à partir de la cinétique d'affaissement du pic. L'invention sera mieux comprise à l'aide de 15 la description qui va suivre, donnée uniquement à titre d'exemple et faite en se référant aux dessins annexés, sur lesquels: - la Fig.1 représente un graphique illustrant l'évolution d'une contrainte au cours d'une 20 mesure de coefficient de frottement interne; - la Fig.2 représente un graphique illustrant l'évolution du coefficient de frottement interne avec le temps et la température; - la Fig. 3'représente une enceinte de me25 sure entrant dans la constitution d'un dispositif selon l'invention; - la Fig.4 représente un schéma synoptique de différents organes entrant dans la constitution d'un dispositif selon l'invention; - la Fig.5 représente un schéma d'un générateur de courant entrant dans la constitution d'un dispositif selon l'invention; - la Fig.6 représente un schéma d'un régu- 260 1 450 lateur de tension entrant dans la constitution d'un dispositif selon l'invention; - la Fig.7 représente un schéma de moyens d'amplification et de filtrage entrant dans la cons5 titution d'un dispositif selon l'invention; - la Fig.8 représente un schéma d'un amplificateur de puissance entrant dans la constitution d'un dispositif selon l'invention; - la Fig.9 représente un schéma d'un cir10 cuit de commande entrant dans la constitution d'un dispositif selon l'invention; - la Fig.10 représente un schéma d'un circuit logique de commande de l'amplificateur de puissance et de remise a zéro d'un compteur d'amor15 tissement entrant dans la constitution d'un dispositif selon l'invention; - la Fig.11 représente un schéma de moyens de coupure de l'alimentation de l'amplificateur de puissance, entrant dans la constitution d'un disposi20 tif selon l'invention; - la Fig.12 représente un schéma de moyens de comptage et d'affichage des oscillations, entrant dans la constitution d'un dispositif selon l'invention; et - la Fig.13 représente un schéma de moyens de régulation de température de l'enceinte de mesure, entrant dans la constitution d'un dispositif selon l'invention. Le procédé de détermination du coefficient 30 de frottement interne selon l'invention consiste à exciter un échantillon de forme allongée et de matériau ferromagnétique, pour le mettre en régime d'oscillations longitudinales, à couper cette excitation, à mesurer l'atténuation de ces oscillations en comp- tant le nombre N d'oscillations amorties dont l'amplitude est supérieure ou égale à l'amplitude initiale de ces oscillations, multipliée par un coefficienti et a déterminer le coefficient de frottement interne 5 de l'échantillon, a partir de ce nombre d'oscillations. En effet, l'utilisation de vibrations longitudinales permet d'augmenter la fréquence de vibration de l'échantillon entrainant une réduction du temps de 10 mesure et une amélioration de la précision de celleci. La fréquence propre des vibrations de l' échantillon peut être calculée par la relation suivante: 4d 12 dans laquelle E désigne le module d'élasticité du matériau utilisé, 1 la longueur de l'échantillon, d la densité du matériau et f la fréquence fondamentale des 20 vibrations longitudinales de l'échantillon a la résonance. Ainsi par exemple, dans le cas d'un échantillon d'acier doux d'une longueur de 100 mm, la fréquence propre des vibrations est voisine de 25 KHz. L'échantillon est maintenu en oscillation par magnétostriction, comme cela sera décrit par la suite. Ainsi qu il est représenté sur la Fig.1, un échantillon est soumis a un régime d'oscillations en30 tretenues jusqu'au temps tl correspondant à la coupure de l'excitation de celui-ci. Apres tl, et donc coupure de l'excitation, l'échantillon est soumis à un régime d'oscillations amorties qui permet de déterminer le coefficient de frottement interne de cet échantillon, en comptant le nombre N d'oscillations amorties 2 6 0 1 4 5 0 dont l'amplitude est supérieure ou égale à l'amplitude initiale A de ces oscillations, multipliée par un coefficient.. Ainsi, dans l'exemple représenté sur la 5 Fig.1, ce nombre N est égal a 5. A partir de ce nombre d'oscillations amorties, on détermine le coefficient -1 Q1 de frottement par la relation suivante -1 Q - = ( L ---) /tN n e Dans le cas de cette Fig.1, le coefficient" est égal à 0,54, ce qui permet de déterminer le coef-1 ficient de frottement interne Q de l'échantillon testé par la relation mentionnée précédemment et -1 -4 d'obtenir Q = 392 x 10 Il est à noter que durant cette mesure, l'échantillon est porté à la température du pic de Snoek qui dans ces conditions opératoires, est voislne de 185'C pour le carbone et 165'C pour l'azote. On peut donc fixer la température de l'é20 chantillon au pic de Snoek et suivre l'évolution isotherme du coefficient de frottement interne Q avec le temps, on obtient alors avec une bonne fidélité, la hauteur du pic de Snoek initiale, ainsi que la cinétique d'affaissement du pic, c'est-adire la 25 cinétique de précipitation de l'élément interstitiel considéré. Une application du procédé tel qu'il vient d'être décrit consiste donc dans l'étude de la cinétique de précipitation d'un élément interstitiel dans 30 l'acier, dans laquelle la température de l'échantillon est maintenue constante à une valeur déterminée correspondant au pic de Snoek pour l'élément interstitiel considéré, à mesurer la variation de la hauteur du pic de Snoek en fonction du temps et à en déduire la ciné- tique de précipitation à partir de la cinétique d'affaissement du pic. Cependant, on peut également faire varier la température de l'échantillon de manière à faire appa5 raitre le pic de Snoek représentant le coefficient de -1 frottement interne Q en fonction de la température, et dont la hauteur est une fonction linéaire de la concentration en éléments interstitiels du matériau, par exemple en carbone ou en azote. Cependant, il est 10 difficile de balayer de manière suffisamment rapide une gamme de températures des échantillons pour éviter une précipitation par vieillissement artificiel. Un exemple de variation du coefficient de frottement interne Q1 avec le temps, correspondant à 15 la cinétique de précipitation, et avec la température, correspondant au pic de Snoek, est représenté sur la Fig.2. Les mesures sont effectuées dans une cellule représentée schématiquement sur la Fig.3. Un échantil20 lon 1 de forme allongée et de matériau ferromagnétique repose sur des pièces de support 2 et 3 en matière isolante, constituées par exemple par des couteaux en Téflon, et disposées à l'intérieur d'une cellule de mesure chauffée 4. A l'intérieur de cette cellule chauffée 4 sont disposés trois enroulements cylindriques, coaxiaux et entourant ledit échantillon 1. Ces trois enroulements comportent un enroulement primaire 5 disposé autour de l'une des extrémités de l'échantil30 lon et qui, comme on le verra par la suite, est relié à une première source d'alimentation pour faire osciller l'échantillon 1 par magnétostriction, dans le sens longitudinal. Un enroulement de polarisation 6 est disposé autour de la partie centrale de l'échan- 2 6 0t45 tillon et est relié à des seconds moyens d'alimentation pour assurer une polarisation magnétique de celui-ci. Un enroulement secondaire 7 est disposé autour de l'autre extrémité de l'échantillon et est relié à des moyens de détection et de comptage des oscillations amorties. La cellule comporte une première ouverture 8 pour le passage de l'échantillon dans la cellule et des entrées d'air 9 et 10 reliées à des moyens de 10 soufflage d'air chaud, constituant des moyens de chauffage de ladite cellule. Des ouvertures 11 et 12 sont également prévues dans les parois de la cellule 4 pour la sortie d'air. Les deux entrées d'air chaud 9 et 10 de la 15 cellule, sont reliées aux moyens de chauffage par des conduits 13 et 14 dont l'un, 13, débouche en regard de l'échantillon, de manière à chauffer celui-ci directement par convection. Des moyens de contrôle de la température, constitués par exemple par des thermo20 couples Chromel/Alumel 15 et 16, disposés dans les conduits de soufflage d'air chaud, permettent de commander la température de l'air soufflé dans l'enceinte, afin de réguler celle-ci de manière relativement précise. Les moyens de chauffage de l'air sont constitués par des résistances chauffantes 17 et 18 disposées autour des conduits d'admission d'air, de manière à chauffer l'air circulant dans ces conduits et sont elles-mêmes entourées par des tubes isolants 30 19 et 20. Ainsi qu'on peut le voir sur la Fig.4, l'enroulement primaire 5 est relié à la sortie d'un amplificateur de puissance 21 dont l'entrée est reliée à des moyens d'alimentation 22 eux-mêmes reliés à une 1 1 sortie d'un transformateur 23 branché sur le réseau d'alimentation. Un fréquencemètre 24 est également connecté à la sortie de l'amplificateur de puissance 21 de manière à contrôler la fréquence des oscilla-. tions imprimées à l'échantillon 1. L'enroulement de polarisation 6 est relié i la sortie d'un générateur de courant 25 dont les deux entrées sont reliées i des moyens d'alimentation 26 et 27. Les entrées de ces moyens d'alimentation sont re10 liées à des sorties du transformateur 23. L'enroulement secondaire 7 est quant à lui relié à l'entrée de moyens de régulation de tension 28 dont les sorties sont reliées aux entrées de moyens de pré-amplification et de filtrage 29. La sortie de ces 15 moyens de pré-amplification et de filtrage 29 est reliée ai l'entrée de moyens 30 d'amplification et de remise à zéro d'un compteur d'amortissement, dont une sortie est reliée à l'amplificateur de puissance 21 d'alimentation de l'enroulement primaire. Ces moyens 20 30 sont également reliés aux moyens d'alimentation 26 et i des moyens d'alimentation 31. Une sortie de ces moyens 30 est reliée à des moyens de comptage et de visualisation 32 dont une entrée est reliée à des moyens d'alimentation 32A et dont une autre entrée est 25 reliée à des moyens de mise en forme 33. L'entrée de ces moyens de mise en forme 33 est reliée à des moyens de commande et de visualisation 34 dont l'entrée est commandée par un bouton-poussoir de test d'amortissement 35. Un certain nombre de voyants 36 permet de connaître l'état du dispositif en indiquant le mode de fonctionnement dans lequel se trouve le dispositif. Un curseur 37 est également disposé sur les moyens de commande 34 de manière à permettre un réglage de l'am- plitude de la tension provenant de l'enroulement secondaire. Un autre curseur 38 est également relié aux moyens de mise en forme 33 de manière à permettre un réglage de l'amplitude de la tension de comptage. A la mise sous tension du dispositif, les moyens de soufflage d'air chaud, sont alimentés pour amener l'échantillon à la température voulue. Par ailleurs,l'échantillon est également mis en oscilla10 tion. A cet égard, on a décrit dans le brevet US. 3 706 026, un appareil pour déterminer les fréquences de résonance d'un échantillon de matériau magnétostrictif, dans lequel ledit échantillon est placé à l'intérieur de trois enroulements analogues à ceux 15 utilisés pour mettre en vibration l'échantillon dans le dispositif selon l'invention. L'enroulement de polarisation est donc traversé par un courant continu de manière à soumettre l'échantillon à un champ magnétique uniforme qui aug20 mente sa perméabilité. Le coefficient de couplage entre les enroulements primaire et secondaire augmente donc, ce qui provoque l'amorçage des oscillations à la fréquence propre de chaque échantillon, sous l'effet de l'excitation de celui-ci par l'enroulement primaire 25 5 alimenté en conséquence, de manière à faire vibrer l'échantillon par effet de magnétostriction. Par ailleurs, les parois de Block se trouvent ainsi fixées, ce qui supprime toute cause de frottement interne d'origine magnétique. L'excitation 30 de l'échantillon et sa polarisation magnétique engendrent alors une force électromotrice induite fonction de l'échantillon, dans l'enroulement secondaire. Il y a lieu de noter que cette tension induite provient d'une variation de flux magnétique et que celle-ci procède d'une variation de perméabilité (effet Vilari) et non d'une variation de longueur. En effet, la déformation de l'échantillon reste inférieure à 104Z et peut donc être négligée. La-température 5 i l'intérieur de la cellule est portée par exemple à 185' 1'C par l'intermédiaire des moyens de soufflage et cette température est maintenue constante, par l'intermédiaire de moyens de régulation de température 39. A la suite de l'actionnement du bouton-poussoir 35 de test d'amortissement, l'alimentation de l'enroulement primaire est coupée, par l'arrêt de l'amplificateur de puissance 21. L'échantillon est alors soumis à un régime d'oscillations amorties qui 15 se traduit à la sortie de l'enroulement secondaire 7 par un signal dont l'amplitude des oscillations est également amortie. Ce signal est alors traité par les moyens de régulation de tension 28, les moyens de préamplification et de filtrage 29 et les moyens de mise 20 en forme 33 de manière que les moyens de comptage 32 puissent compter le nombre d'oscillations dont l'amplitude est supérieure à l'amplitude initiale des oscillations multipliée par un coefficient C, égal par exemple à 0,54, et affiche le résultat de manière 25 à permettre le calcul du coefficient de frottement interne par la relation mentionnée précédemment. L'enroulement de polarisation 6 reçoit donc un courant continu du générateur de courant 25 qui est par exemple constitué par le circuit représenté sur la 30 Fig.5. Le signal de déclenchement qui peut être soit automatique, soit manuel, est appliqué à une borne E d'une résistance 40 dont l'autre borne est reliée à la masse à travers une résistance 41, et à la base d'un transistor NPN 42. L'émetteur du transistor 42 est 2 6 0 1 4 50 relié -à la masse et son collecteur est relié à une borne d'une résistance 43 dont l'autre borne est reliée à une borne d'une alimentation + 15 V par l'intermédiaire d'une diode 44 et d'une diode Zener 45 montées en inverse. Un potentiomètre 46 et une résistance 47 en série, sont branchés en parallèle aux bornes de ces diodes 44 et 45. Le curseur du potentiomètre 46 est relié à la base d'un transistor PNP 48 dont l'émetteur est relié au + 15 V par l'intermédiai10 re d'une résistance 49. Le collecteur de ce transistor 48 est relié à la masse à travers un potentiomètre 50. Le curseur de ce potentiomètre est relié à la masse à travers un condensateur 51 et à la base d'un transistor NPN 52. L'émetteur de ce transistor 52 est relié à 15 la masse à travers une résistance 53, et son collecteur est relié à une borne d'un potentiomètre 54 à travers une résistance 55. L'autre borne de ce potentiomètre 54 est reliée à une borne d'alimentation + 13 V par l'intermédiaire d'une résistance 56. Le curseur 20 de ce potentiomètre 54 est relié au + 13 V par l'intermédiaire d'une résistance 57, à la base d'un transistor PNP 58 et à la masse à travers un condensateur 59. Le collecteur de ce transistor PNP 58 est relié à la masse à travers une résistance 60. L'émetteur de ce 25 transistor est relié au + 13 V par l'intermédiaire d'une résistance 61. Cet émetteur est également relié à la base d'un transistor PNP 62 dont l'émetteur est relié au + 13 V, par l'intermédiaire d'une résistance 63 et dont le collecteur est relié à la masse à tra30 vers une résistance 64. Un dispositif de commande de marche-arrêt 65 en série avec une résistance 66 est connecté en parallèle aux bornes de la résistance 63. Le collecteur du transistor 62 est relié à l'une des bornes de l'enrou- lement de polarisation 6 de manière a lui fournir un courant de polarisation magnétique de l'échantillon. Les transistors 52 et 58 constituent un premier générateur de courant qui fixe la tension sur la base des 5 transistors 58 et 62 ce qui permet de fixer le courant envoyé à l'enroulement de polarisation 6. L'autorisation d'application de ce courant à l'enroulement de polarisation 6 est commandée par l'application d'une tension, par exemple de + 5V, sur 10 la base du transistor 42 par l'intermédiaire de l'entrée du signal de déclenchement mentionné précédemment. Ainsi qu'il a été précisé, cette entrée peut être soit manuelle soit automatique. Le potentiomètre 54 peut être disposé sur la 15 face avant d'un panneau de commande et permet de faire varier le courant de polarisation par exemple de 0 à 3 Ampères. Par ailleurs, un ampéremétre disposé sur la face avant du tableau de commande permet également de contrôler cette valeur du courant. Lorsque ce courant de polarisation est appliqué à l'enroulement 6, et que l'enroulement primaire 5 est également alimenté, il apparait aux bornes de l'enroulement secondaire 7, une tension sinusoïdale induite fonction de l'échantillon 1 disposé au centre 25 de ces enroulements. La fréquence de ce signal est par exemple comprise entre 24,5 et 26,5 KHz et son amplitude entre 0,1 et 1,2 V pour l'échantillon décrit précédemment. Le signal recueilli sur cet enroulement secondaire est appliqué aux moyens 28 de régulation de 30 tension. Ces moyens de régulation sont représentés en détail sur la Fig.6. Le signal de sortie de l'enroulement secondaire est appliqué à une borne E d'un condensateur 70 dont l'autre borne est reliée au + 15 V par l'intermédiaire d'une résistance 71 et à une ligne de référence A par l'intermédiaire d'une résistance 72. Cette borne du condensateur 70 est également reliée à la base d'un transistor NPN 73 dont le collecteur est relié au + 15 V et l'émetteur, à la ligne 5 de référence A par l'intermédiaire d'un potentiométre 74. Le curseur de ce potentiométre est relié i la base d'un transistor NPN 75 par l'intermédiaire d'un condensateur 76 et cette base du transistor 75 est reliée au + 15 V par l'intermédiaire d'une résistance 77 et à 10 la ligne A par l'intermédiaire d'une résistance 78. Le collecteur de ce transistor 75 est relié au + 15 V et son émetteur est relié à la ligne A par l'intermédiaire d'une résistance 79. L'émetteur de ce transistor 75 est également relié au drain d'un transistor à effet de champ 80 par l'intermédiaire d'une résistance 81. La grille de ce transistor 80 est reliée à la ligne A par l'intermédiaire d'un condensateur 82. Le drain de ce transistor 80 est également relié à la base d'un transistor 20 NPN 83 par l'intermédiaire d'un condensateur 84. Le collecteur du transistor 83-est relié directement au + 15V. La base du transistor 83 est également reliée au + 15 V par l'intermédiaire d'une résistance 85 et à la ligne A par l'intermédiaire d'une résistance 85. La 25 source du transistor 80 est reliée à la ligne A. L'émetteur du transistor 83 est relié à la ligne A par l'intermédiaire d'une résistance 87 et au drain d'un transistor à effet de champ 88 par l'intermédiaire d'une résistance 89. La grille de ce transistor 88 est 30 reliée à la ligne A par l'intermédiaire d'un condensateur 90 et sa source est reliée directement à la ligne A. Le drain de ce transistor 88 est également relié à la base d'un transistor NPN 91 par l'intermédiaire d'un condensateur 92. Cette base du transistor 260 1 450 91 est également reliée au + 15 V par l'intermédiaire d'une résistance 93 et i la-ligne A par l'intermédiaire d'une résistance 94. L'émetteur du transistor 91 est relié à la ligne A par une résistance 95 et son collecteur est relié au + 15 V par l'intermédiaire d'une résistance 96 et à la base d'un transistor NPN 97 par un condensateur 98. La base de ce transistor 97 est reliée au + 15 V par l'intermédiaire d'une résistance 99 et à la ligne A par l'intermédiaire 10 d'une résistance 100. L'émetteur de ce transistor 97 est relié i la ligne A par l'intermédiaire d'une résistance 101. Le collecteur de ce transistor 97 est relié au + 15 V par l'intermédiaire d'une résistance 102 et a la base d'un transistor NPN 103 dont le 15 collecteur est relié directement au + 15 V. L'émetteur de ce transistor 103 est relié i la ligne A par l'intermédiaire d'unpotentiomètre 104 dont le curseur constitue la sortie S des moyens de régulation 28. L'émetteur du transistor 103 est également relié à la 20 base d'un transistor PNP 105 par l'intermédiaire d'un condensateur 106 en série avec une résistance 107. Cette base est également reliée au + 15 V par une résistance 108 et à la ligne A par une résistance 109 en parallèle avec un condensateur 110. Le collecteur 25 de ce transistor 105 est relié directement à la ligne A. Son émetteur est relié au + 15V par l'intermédiaire d'une résistance 111. Cet émetteur est également relié à la base d'un transistor PNP 112 par l'intermédiaire d'un con30 densateur 113. La base de ce transistor est reliée au + 15 V par l'intermédiaire d'une résistance 114. L'émetteur de ce transistor 112 est relié au + 15 V par une résistance 115 et son collecteur est relié à la ligne A à travers une résistance 116 en parallèle avec un condensateur 117. Ce collecteur est également relié à l'entrée inverseuse d'un amplificateur opérationnel 118 à travers une résistance 119. La sortie de cet amplifica5 teur opérationnel 118 est rebouclée sur son entrée inverseuse à travers une résistance 120. Cette entrée inverseuse est également reliée à une borne d'une résistance 121 dont l'autre borne est reliée au curseur d'un potentiomètre 122 connecté entre la masse et le 10 collecteur d'un transistor NPN 123. L'entrée non inverseuse de l'amplificateur opérationnel 118 est reliée à la masse à travers une résistance 124. L'émetteur du transistor 123 est relié à une source d'alimentation - 15 V par l'intermédiaire d'une ré15 sistance réglable 125 en série avec une résistance 126. La base de ce transistor 123 est reliée au - 15 V à travers une diode Zener 127 en série avec une diode 128. montées en inverse. Cette base est également reliée à la masse à travers une résistance 129. Le 20 collecteur du transistor 123 est également relié à la masse à travers un potentiométre 130 dont le curseur est relié par l'intermédiaire d'une résistance 131 à l'entrée inverseuse d un amplificateur opérationnel 132. Cette entrée est également reliée à la sortie de 25 l'amplificateur opérationnel 118 à travers une résistance 133. L'entrée non inverseuse de l'amplificateur opérationnel 132 est reliée à la masse à travers une résistance 134. La sortie de cet amplificateur opérationnel 132 est rebouclée sur son entrée inverseuse à 30 travers une résistance réglable 135. La sortie de cet amplificateur opérationnel 132 est également reliée au collecteur d'un transistor NPN 136 à travers une résistance 137. L'émetteur de ce transistor 136 est relié directement à la masse. Le collecteur de ce 260 1 450 transistor est également relié a travers une résistance 138 en série avec une diode 139,- à la grille du transistor à effet de champ 88 mentionné précédemment. Cette grille est également reliée au + 15 V à travers 5 une diode 140, une résistance 141 et une résistance 142 en série. Le collecteur du transistor 136 est également relié à travers une résistance 143 et une diode 144, à la grille du transistor à effet de champ 80 mentionné précédemment. Cette grille est également 10 reliée par l'intermédiaire d'une diode 145 et d'une résistance 146 au collecteur d'un transistor NPN 147, auquel est relié la résistance 142 reliée au + 15 V, mentionnée précédemment. L'émetteur de ce transistor 147 est relié à la ligne de référence A. La base de 15 celui-ci est également reliée à cette ligne de référence A par l'intermédiaire d'une résistance 148 et par l'intermédiaire d'une résistance 149 à une entrée d'une porte NAND 150 et à la sortie d'une porte NAND 151. La base du transistor NPN 136 est reliée à la 20 masse à travers une résistance 152, à l'entrée de la porte NAND 151 et a la sortie de la porte NAND 150 à travers une résistance 153. L'une des entrées de la porte NAND 150 est reliée à la sortie d'une porte NAND 154 dont les entrées sont reliées au collecteur d'un 25 transistor NPN 155 relié a la ligne d'alimentation + 5 V à travers une résistance 156 et à l'une des entrées de la porte NAND 151. L'émetteur de ce transistor 155 est relié directement à la masse. La base de ce transistor est reliée à la masse a travers une résistance 30 156 et à-une borne d'une résistance 157 dont l'autre borne est reliée à une résistance 158 connectée à la ligne d'alimentation + 5 V, à un condensateur 159 connecté à la masse et à une résistance 160 recevant un signal ORDRE 2 qui sera décrit plus en détail par la 260 1 450 suite. Le circuit qui vient d'être décrit constitue donc les moyens de régulation du signal de sortie provenant de l'enroulement secondaire 7. Ce signal est régulé par les transistors 80 et 88 montés en cascade. Un signal de référence est fourni par le générateur de courant constitué par le transistor 123 et les éléments associés, les amplificateurs opérationnels 118 et 132 amplifiant la tension d'erreur entre ce signal 10 de référence et le signal de sortie de l'enroulement secondaire 7 et appliquant sur les grilles des transistors 80 et 88, le résultat de cette amplification. Ce signal de sortie des moyens de régulation est ensuite appliqué aux moyens de pré-amplification et de filtrage 29 qui peuvent être constitués par exemple par un circuit tel que représenté sur la Fig.7. Le signal de sortie des moyens de régulation de tension 28 est appliqué à une borne d'un condensateur 161 dont l'autre borne est reliée à la base d'un 20 transistor NPN 162 dont le collecteur est relié à la ligne d'alimentation + 15 V. Cette base est également reliée au + 15 V par l'intermédiaire d'une diode 163 et d'une résistance 164 montées en parallèle. Cette base est également reliée à la masse par l'intermé25 diaire d'une diode 165 et d'une résistance 166 montées en parallèle. L'émetteur du transistor 162 est relié à la base d'un transistor NPN 167 et à la masse par l'intermédiaire d'une résistance 168. Le collecteur du transistor 167 est relié à la ligne d'alimentation + 30 15 V par l'intermédiaire d'une résistance 169 et à la base d'un transistor NPN 170 par un condensateur 171. L'émetteur du transistor 167 est relié à la masse par une résistance 172 et à la base du transistor 170 par 260 1 450 l'intermédiaire d'une résistance réglable 173. L'émetteur du transistor 170 est relié à la masse par une résistance 174. Son collecteur est relié au + 15 V par une résistance 175 et A la base d'un transistor NPN 176 par un condensateur 177. Cette base est également reliée au * 15 V par une résistance 178 et à la masse par une résistance 179. Le collecteur du transistor 176 est relié au + 15 V par une résistance 180 et à une borne d'un condensateur 181 par un condensateur 10 182. L'émetteur du transistor 176 est relié à la masse par une résistance 183 et à la borne du condensateur 181 mentionnée précédemment par une résistance réglable 184. L'autre borne du condensateur 181 est reliée à la base d'un transistor NPN 185 qui est également reliée au + 15 V par l'intermédiaire d'une résistance 186 et à la masse par une résistance 187. L'émetteur de ce transistor 185 est relié-à la masse par une résistance 188. Son collecteur est relié d'une part au + 15 V par une résistance 189 et d'autre part à la 20 base d'un transistor NPN 190 dont le collecteur est relié directement au + 15 V. L'émetteur de ce transistor 190 est relié à. la masse à travers une résistance 191 et à une borne d'un condensateur 192. L'autre borne de ce condensateur 192 est 25 reliée à l'entrée noninverseuse d'un amplificateur opérationnel 193 à travers un condensateur 194 et cette entrée non-inverseuse de l'amplificateur opérationnel est également reliée à la masse à travers une résistance 195. La borne commune des condensateurs 30 192 et 194 est également reliée a la sortie de l'amplificateur opérationnel 193 à travers une résistance 196. La sortie de cet amplificateur opérationnel 193 est rebouclée sur son entrée inverseuse par une résistance 197. Cette sortie de l'amplificateur 2 6 0 1 4 5 0 opérationnel 193 est également reliée à la base d'un transistor NPN 198 par un condensateur 199. Cette base est également reliée au + 15 V par une résistance 200 et à la masse par une résistance 201. Le collecteur du 5 transistor 198 est directement relié au + 15 V. Son émetteur est relié à la masse par une résistance 202. Cet émetteur est également relié à une borne d'un condensateur 203 dont l'autre borne est reliée d'une part à la masse par une résistance 204 et d'autre 10 part, à une borne d'une résistance 205. L'autre borne de cette résistance 205 est reliée à l'entrée non-inverseuse d'un amplificateur opérationnel 206 par une résistance 207, cette entrée non-inverseuse de l'amplificateur opérationnel 206 étant reliée à la 15 masse par un condensateur 208. La borne commune des résistances 205 et 207 est également reliée à la sortie de l'amplificateur opérationnel 206 par un condensateur 209. Cette sortie de l'amplificateur opérationnel 206 est également rebouclée sur son 20 entrée inverseuse par une résistance 210. La sortie de l'amplificateur opérationnel 206 est reliée à la base d'un transistor NPN 211 à travers un condensateur 212. Cette base est également reliée au + 15 V par l'intermédiaire d'une résistance 213 et à la masse par une 25 résistance 214. L'émetteur du transistor 211 est relié à la masse par une résistance 215. Son collecteur est relié au + 15 V par une résistance 216 et à la base d'un transistor NPN 217 à travers un condensateur 218. Cette base du transistor 217 est également reliée à la 30 masse par une résistance 219 et au + 15 V par une résistance 220. L'émetteur du transistor 217 est relié à la masse par une résistance 221 et son collecteur est relié au + 15 V par un potentiomètre 222 dont le curseur est relié à la base d'un transistor NPN 223 2 6 0 1 4 5 0 par un condensateur 224.La base de ce transistor 223 est également reliée au + 15 V par une résistance 225 et à la masse par une résistance 226. Le collecteur de ce transistor 223 est directement relié au + 15 V. 5 L'émetteur de ce transistor est relié à la masse par une résistance 227 et à une borne d'une résistance 228 dont l'autre borne est reliée à la masse par une résistance 229 et constitue la sortie des moyens de préamplification et de filtrage mentionnés précédemment. Le signal de sortie de l'enroulement secondaire aprés passage dans les moyens de régulation de tension est alors filtré, mis en phase et amplifié. Ce filtrage est réalisé par l'intermédiaire d'un filtre 15 passe-bas constitué par l'amplificateur opérationnel 193 et les éléments associés et par un filtre passehaut constitué par l'amplificateur opérationnel 206 et les éléments associés. La mise en phase du signal est réalisée par l'intermédiaire de deux circuits RC mon20 tés autour des transistors 167 et 176. L'amplification du signal est obtenue par les transistors 211, 217 et 223 permettant d'obtenir un signal de sortie suffisant pour pouvoir attaquer correctement l'amplificateur de puissance 21 à travers les moyens 30 mentionnés précé25 demment. Cet amplificateur de puissance 21 est par exemple constitué par un circuit tel que représenté sur la Fig.8. Le signal de sortie des moyens de préamplification et de filtrage est appliqué à une borne 30 d'un condensateur 230 dont l'autre borne est reliée à la base d'un transistor PNP 231 et au curseur d'un potentiométre 232 relié d'une part à une source d'alimentation + 40 V par une résistance 233 et d'autre part à la masse, par une résistance 234. L'émetteur du transistor 231 est relié à une borne d'une résistance 235 dont l'autre borne est reliée à la masse à travers une résistance 236 en série avec un condensateur 237 et une résistance 238 en parallèle sur cette résistan5 ce et ce condensateur. Cette résistance 235 est également reliée à une borne d'une résistance 239 dont l'autre borne délivre un niveau de référence B. Le collecteur du transistor 231 est relié à la masse à travers une résistance 240 et à la base 10 d'un transistor NPN 241 dont l'émetteur est relié à la masse à travers une résistance 242. Le collecteur de ce collecteur 241 est relié au + 40 V par une résistance 243 et à la base d'un transistor PNP 244. Cette base est également reliée à la cathode d'une diode 245 15 par un condensateur 246 en parallèle avec une résistance 247. L'anode de cette diode 245 est connectée à la base d'un transistor NPN 248 dont le collecteur est relié directement au + 40 V. Cette base est également reliée à une borne d'une résistance 249 dont l'autre 20 borne est reliée d'une part au + 40 V par une résistance 250 et d'autre part à la ligne-de référence B par un condensateur 251. L'émetteur du transistor 248 est relié à la ligne de référence B par une résistance 251 et l'émetteur du transistor 244 est relié à cette 25 ligne B par une résistance 252. L'émetteur du transistor 248 est également relié à la base d'un transistor NPN 253 dont le collecteur est relié au + 40 V. L'émetteur de ce transistor est relié par une résistance 254 à la ligne'B. Cette ligne 8 est également reliée 30 au collecteur d'un transistor NPN 255 dont la base est reliée au collecteur du transistor 244. La base de ce transistor 255 est également reliée à la masse à travers une résistance 256. L'émetteur de ce transistor est relié à la masse à travers une résistance 257. 260 1 450 Cette ligne de référence B est également reliée à une borne d'un condensateur 258 dont l'autre borne constitue la sortie de l'amplificateur de puissance destinée à alimenter l'enroulement primaire. 5 Cette ligne de référence 8 est également reliée i la base d'un transistor PNP 259 à travers un condensateur 260 et une résistance 261 montés en série. La base de ce transistor 259 est également reliée au + 40 V par une diode 262 et une résistance 263 en parallèle. 10 L'émetteur de ce transistor 259 est relié au + 40 V par un condensateur 264 en parallèle avec une résistance 265. Le collecteur du transistor 259 est relié à la masse par une résistance 266 et à la base d'un transistor 268 par une diode 267. Cette base du tran15 sistor 268 est également reliée i la masse par une résistance 269. Le collecteur de ce transistor est relié directement au + 40 V et son émetteur est relié à la masse par une résistance 270. Cet émetteur est également relié à une borne d'un condensateur 271 dont 20 l'autre borne est reliée à une borne d'une résistance 272 dont l'autre borne est reliée à la masse à travers une résistance 273 et constitue la sortie de l'amplificateur de puissance délivrant le signal destiné au fréquencemètre 24 mentionné précédemment. Cet exemple d'amplificateur qui vient d'être décrit fonctionne en classe AB. Le circuit constitué par les transistors 259 et 268 constituent des moyens de mise en forme du signal de l'amplificateur de puissance pour pouvoir l'appliquer au fréquencemètre. Il est à noter que dans une variante de réalisation du dispositif, la tension induite dans l'enroulement secondaire 7 peut être maintenue constante, par action sur le taux d'amplification du signal envoyé à l'enroulement primaire par cet amplificateur, ceci dans le but de minimiser et de contrôler à un niveau constant la dissipation d'énergie par effet Vilari qui est proportionnelle au flux magnétique et donc à la tension induite. La commande des différents organes qui viennent d'être décrits se fait par l'intermédiaire des moyens de commande et de visualisation 34 mentionnés précédemment. Ces moyens sont constitués par exemple par un circuit tel que représenté sur la Fig.9. On teconnait sur cette Fig.9, le bouton-poussoir de test 35 dont l'une des bornes est reliée à la masse et dont l'autre borne est reliée à la base d'un transistor NPN 275 par une résistance 276. Cette base du transistor 275 est également reliée à la masse à 15 travers une résistance 277. L'émetteur de ce transistor est relié directement à la masse. Le collecteur de ce transistor est relié à la tension d'alimentation + 15 V par l'intermédiaire d'une résistance 278. Ce collecteur est également relié à la base d'un transis20 tor NPN 279 par une résistance 280. Cette base est également reliée à la masse par une résistance 281. L'émetteur du transistor 279 est relié directement à la masse. Le collecteur de ce transistor 279 est relié à un relais 282 par une résistance 283. Une diode de 25 protection 284 est connectée aux bornes de ce relais qui est également relié à la tension d'alimentation + 15 V. Le collecteur du transistor 275 est également relié à la base d'un transistor NPN 285 par une résistance 286 et cette base est également reliée à la 30 masse par une résistance 287. L'émetteur de ce transistor 285 est relié à la masse et son collecteur est relié au + 15 V par une résistance 288. Ce collecteur est également relié à une borne d'une résistance 289 dont l'autre borne constitue, avec la borne + 15V de 260 1 450 la tension d'alimentation, des bornes d'alimentation par exemple d'un voyant 290 indiquant à un utilisateur que le dispositif est en mode de test. Le relais 282 commande un contact à deux positions 291 qui, dans 5 l'une de ses positions, délivre un signal ORDRE 1 dont la fonction sera définie plus en détail par la suite, et dans l'autre position, un signal ORDRE 2 qui comme il a été mentionné précédemment, est appliqué aux moyens de régulation de tension par l'intermédiaire de 10 la résistance 160, comme il est représenté sur la Fig.6. Ces moyens de commande et de visualisation comportent également un circuit séparé permettant d'appliquer sur un voltmètre 292, un signal d'indica15 tion de l'amplitude de la tension aux bornes de l'enroulement secondaire. Le signal provenant de l'enroulement secondaire est appliqué à la base d'un transistor NPN 293 par un condensateur 294. La base de ce transistor 293 20 est reliée à la tension d'alimentation + 15 V par une résistance 295 et à la masse par une résistance 296. Le collecteur de ce transistor 293 est relié au + 15 V. L'émetteur de ce transistor est relié à la masse par une résistance 297 et à la base d'un transistor 25 NPN 298 par un condensateur 299a. Cette base du transistor 298 est reliée au + 15 V par une résistance 299b et à la masse par une résistance 300. L'émetteur du transistor 298 est relié à la masse par une résistance 301. Son collecteur est relié d'une part au 30 + 15 V par une résistance 302 et à d'autre part la base d'un transistor NPN 303, dont le collecteur est relié au + 15 V. L'émetteur de ce transistor 303 est relié à la masse à travers une résistance 304 et à la base d'un transistor NPN 305 à travers un condensateur 306. La base de ce transistor 305 est reliée au + 15 V par une résistance 307 et à la masse par une résistance 308. L'émetteur du transistor 305 est relié à la masse par une résistance 309 et son collecteur est relié au + 15 V par une résistance 310. Le collecteur du transistor 305 est également relié à la base d'un transistor PNP 311 par un condensateur 312. La base du transistor 311 est également reliée au + 15 V par une résistance 313. L'émetteur du transistor 311 10 est relié au + 15 V par une résistance 314 et son collecteur est relié à la masse par une résistance 315. Un condensateur 316 est connecté en parallèle sur cette résistance 315 de manière à constituer deux bornes d'alimentation du voltmètre 292 mentionné pré15 cédemment. Ainsi qu'il a été mentionné précédemment, le déclenchement de la mesure de l'amortissement des oscillations s'effectue par l'intermédiaire du bouton poussoir 35 qui peut être par exemple disposé sur la 20 face avant d'un coffret de commande. Une masse est appliquée sur la base du transistor 275 permettant d'alimenter le relais 282. Le commutateur 291 commandé par ce relais 282, passe alors dans sa seconde position de manière à envoyer le signal ORDRE 2 vers 25 plusieurs circuits du dispositif de manière à assurer le déclenchement de la mesure de l'amortissement. Le signal ORDRE 1 délivré par le commutateur 291 dans sa position de repos est destiné à la remise à zéro d'un compteur d'amortissement qui sera 30 décrit plus en détail par la suite. A cet effet, ces différents signaux délivrés par ce circuit de commande sont appliqués aux moyens logiques 30 de commande de l'amplificateur de puissance et de remise à zéro du compteur d'amortissement. Ces moyens 30 peuvent par exemple être constitués comme il est représenté sur la Fig.10. Ce circuit reçoit la sortie des moyens de pré-amplification et de filtrage 29 qui est appliquée 5 sur une borne d'une résistance 320 dont l'autre borne est reliée à la base d'un transistor NPN 321. La base de ce transistor 321 est également reliée à la masse par une résistance 322 et son'collecteur est relié au + 15 V. L'émetteur de ce transistor 321 est relié à la 10 masse par une résistance 323 et à une borne d'une résistance 324- dont l'autre borne est reliée à la masse par une résistance 325 et un condensateur 326 en parallèle. Cette borne de la résistance 324 est destinée à appliquer un signal de sortie S sur l'amplifica15 teur de puissance 21 d'alimentation de l'enroulement primaire. Le signal de sortie des moyens de pré-amplification et de filtrage 29 est également appliqué à une borne d'un condensateur 327 dont l'autre borne est reliée à la base d'un transistor NPN 328 par l'inter20 médiaire d'une résistance 329. La base de ce transistor 328 est également reliée au + 5 V par une résistance 330 et à la masse par une résistance 331. Le collecteur de ce transistor 328 est relié au + 5 V. Son émetteur est relié à la masse par une résistance 25 332 et à la base d'un transistor NPN 333. L'émetteur de ce transistor 333 est relié à la masse par une résistance 334 et son collecteur est relié au + 5 V par une résistance 335. Le collecteur du transistor 333 est également relié a la base d'un transistor NPN 30 336 par une résistance 337A. La base de ce transistor 336 est également reliée à la masse par une résistane 338a. L'émetteur du transistor 336 est relié à la masse. Son collecteur est relié d'une part au + 5 V par une résistance 337b et à une borne d'entrée d'une 260 1 450 porte ET 338b. La sortie de cette porte ET 338b est reliée à une entrée d'une porte ET 339 dont la sortie est reliée à une borne d'entrée d'une porte ET 340. La sortie de la porte ET 340 est rebouclée sur une entrée de la porte ET 339. La sortie de la porte ET 339 est également reliée à la cathode d'une diode 341 dont l'anode est connectée au + 5 V par l'intermédiaire d'une résistance 342. Cette résistance 342 est également connectée à deux diodes 343 et 344 montées en 10 série et reliées à la base d'un transistor NPN 345. La base de ce transistor 345 est également reliée à la masse par une résistance 346. L'émetteur de ce transistor 345 est relié à la masse et son collecteur est relié d'une part par l'intermédiaire d'un condensateur 15 347, à la sortie S du circuit destinée à l'amplificateur de puissance 21 mentionné précédemment, et constituée par la borne commune des résistances 324 et 325 et du condensateur 326. et d'autre part, à la masse par une résistance 348. Ce circuit logique reçoit également les signaux ORDRE 1 et ORDRE 2 délivrés par le circuit de commande décrit précédemment. Le- signal ORDRE 2 est appliqué à une borne d'une résistance 349 dont l'autre borne est reliée au + 5 V par une résistance 350 et à 25 la masse par un condensateur 351. Cette résistance est également connectée et à la base d'un transistor NPN 352 par une résistance 353. La base de ce transistor 352 est reliée à la masse par une résistance 354. L'émetteur de ce transistor est également relié à la 30 masse. Son collecteur est relié au + 5 V par une résistance 355. Ce collecteur est également relié aux deux entrées d'une porte ET 356 dont la sortie est reliée à une entrée d'une porte ET 357. Le collecteur du transistor 352 est également relié à une entrée 260 1 450 d'une porte ET 358 dont la sortie est rebouchée sur une entrée de la porte ET 357. La sortie de cette porte ET 357 est rebouclée sur une entrée de la porte ET 358. Cette sortie de la porte ET 357 est également reliée à une entrée de la porte ET 338k et de la porte ET 340 mentionnées précédemment. Le signal ORDRE 1 est appliquée à une résistance 359 reliée au + 5 V, à une résistance 360 reliée à la masse et à une borne d'un condensateur 361 dont 10 l'autre borne est reliée à la base d'un transistor NPN 362. Cette base du transistor 362 est également reliée au + 5 V par une résistance 363 et à la masse par une résistance 364. L'émetteur de ce transistor 362 est relié à la masse. Son collecteur est relié au + 5 V 15 par une résistance 365 et constitue la sortie délivrant un signal de remise à zéro du compteur d'amortissement. Le circuit qui vient d'&être décrit en référence à cette Fig.10 permet de couper l'alimentation 20 de l'enroulement primaire en coupant les moyens d'amplification de puissance 21 décrits en référence à la Fig.4. Le transistor 345 est utilisé à cet effet comme coupe-circuit. Ce transistor met à la masse la tension qui est appliquée à l'amplificateur de puissance lors25 que le signal ORDRE 2 est reçu du circuit de commande en réponse à l'actionnement du bouton-poussoir de test 35. La coupure de cette alimentation se fait lorsque la tension appliquée passe à zéro, grâce à un circuit formé par les bistables constitués par les portes ET 30 356, 357, 358, 338., 339, 340, et les transistors 328, 333, 336. Ce circuit reçoit également le signal ORDRE 1 qui permet d'engendrer par l'intermédiaire du transistor 362 un signal de remise à zéro du compteur d'a- 260 1 450 mortissement. Les moyens de mise en forme 33 du signal de sortie de l'enroulement secondaire pour le comptage peuvent se présenter sous la forme du circuit repré5 senté sur la Figure 11. Le signal provenant des différents moyens de régulation de tension, de pré-amplification et de filtrage tels que décrits précédemment, est appliqué à une borne d'un condensateur 370 dont -l'autre borne est reliée à la base d'un 10 transistor NPN 371. La base de ce transistor 371 est également reliée au + 15 V par une résistance 372 et à la masse par une résistance 373. Le collecteur de ce transistor est relié au + 15 V et son émetteur est relié à la masse par une résistance 374 et un poten15 tiomètre 375 dont le curseur est relié à la base d'un transistor PNP 376 par un condensateur 377. La base de ce transistor 376 est également reliée au + 15 V par une résistance 378 et à la masse par une résistance 379. L'émetteur de ce transistor 376 est reliée au + 20 15 V par une résistance 380 et le collecteur de ce transistor est relié à la masse par une résistance 381. Ce collecteur est également relié à la base d'un transistor NPN 382 dont le collecteur est relié au + 15 V. L'émetteur de ce transistor est relié à la masse 25 par une résistance 383 et à la base d'un transistor PNP 384 par un condensateur 385. La base de ce transistor 384 est également reliée au + 15 V par une résistance 386 et à la masse par une résistance 387. L'émetteur de ce transistor 384 est relié au + 15 V 30 par une résistance388 et son collecteur est relié à la masse par une résistance 389. Ce collecteur est également relié à la base d'un transistor NPN 390 par un condensateur 391. Cette base est également reliée au + 15 V par une résistance 392 et à la masse par une 260 1 450 résistance 393. Le collecteur du transistor 390 est relié au + 15 V par une résistance 394 et à la base d'un transistor NPN 395 par un condensateur 396. L'émetteur du transistor 390 est relié à la masse par 5 une résistance 396 et à la base d'un transistor NPN 397 par un condensateur 398. La base de ce transistor 397 est reliée au + 15 V par une résistance 399 et à la masse par une résistance 400. Le collecteur du transistor 397 est relié au + 15 V et son émetteur est 10 relié à la masse par l'intermédiaire d'un potentiomètre 401. Le curseur de ce potentiomètre est relié à une borne d'un condensateur 402 dont l'autre borne est reliée à la masse par une résistance 403 et à une diode 404 reliée à l'entrée non-inverseuse d'un ampli15 ficateur opérationnel 405 par l'intermédiaire d'une résistance 406. Cette entrée non-inverseuse est également reliée à la masse par une résistance 407. La base du transistor 395 est reliée au + 15 V par une résistance 408 et à la masse par une résîs20 tance 409. Le collecteur de ce transistor est relié au + 15 V et son émetteur est relié à la masse par un potentiomètre 410. Le curseur de ce potentiomètre est relié à une borne d'un condensateur 411 dont l'autre borne est reliée à la masse par une résistance 412 et 25 i une diode 413. Cette diode est également reliée à l'entrée inverseuse de l'amplificateur opérationnel 405 par une résistance 414. Cette entrée inverseuse est également reliée à la masse par un condensateur 415. La sortie de cet amplificateur opérationnel est 30 reliée à la base d'un transistor NPN 416 par une résistance 417. La base de ce transistor 416 est reliée à la masse par une résistance 418 aux bornes de laquelle- est branchée une diode 419. Le collecteur du transistor 416 est relié au + 15 V par l'intermédiaire Z60 1 450 d'une résistance 420. Ce collecteur est également relié à une entrée d'une porte NAND 421. L'émetteur du transistor 416 est relié à la masse. Ce circuit reçoit également le signal ORDRE 5 2 qui est appliqué à une borne d'une résistance 422. L'autre borne de cette résistance 422 est reliée au + 5 V par une résistance 423, à la masse par un condensateur 424 et à la base d'un transistor NPN 425 par une résistance 426. Cette base du transistor 425 est 10 également reliée à la masse par une résistance 427. L'émetteur de ce transistor est relié à la masse. Son collecteur est relié au + 5 V par une résistance 428 et aux entrées d'une porte NAND 429 dont la sortie est reliée à une entrée d'une autre porte NAND 430. Le 15 collecteur du transistor 425 est également relié à une entrée d'une porte NAND 431. La sortie de la porte NAND 430 est rebouclée sur l'une des entrées de la porte NAND 431 et la sortie de celle-ci est rebouclée sur l'autre entrée de la porte NAND 430. Cette sortie 20 de la porte 431 est également reliée à une borne d'une résistance 432 dont l'autre borne est reliée à la base d'un transistor NPN 433 et à la masse par une résistance 434. L'émetteur du transistor 433 est relié à la masse. Son collecteur est relié au + 5 V par une 25 résistance 435 et à une borne d'une résistance réglable 436 par l'intermédiaire d'une diode 437 montée en inverse. L'autre borne de la résistance réglable 436 est reliée au point commun entre la diode 413, le condensateur 415 et la résistance 414 connectée à l'en30 trée inverseuse de l'amplificateur opérationnel 405. Le collecteur du transistor 433 est également relié à la cathode d'une diode 438 dont l'anode est reliée au + 5 V par une résistance 439 et à la base d'un transistor NPN 440 par deux diodes 441 et 260 1 450 442 montées en série avec celle-ci. La base du transistor 440 est également reliée à la masse par une résistance 443. L'émetteur de celuici est relié à la masse. Son collecteur est relié à travers un conden5 sateur 444 à la base du transistor 395 et à travers une résistance 445 à la masse. L'autre entrée de la porte NAND 421 est reliée à la sortie de la porte NAND 430. La sortie S de cette porte NAND 421 consti10 tue la sortie destinée à délivrer le signal qui est appliqué aux moyens de comptage et de visualisation 32. L'émetteur du transistor 382 est également relié à une borne d'un condensateur 446 dont l'autre 15 borne est reliée à la base d'un transistor NPN 447. Cette base est reliée au + 15 V par une résistance 448 et à la masse par une résistance 449. Le collecteur du transistor 447 est relié au + 15 V et son émetteur est relié à la masse par un potentiométre 450. Le curseur 20 de ce potentiométre est relié à la base d'un transistor NPN 451 dont le collecteur est relié au + 15 V. L'émetteur de ce transistor est relié à la masse par une résistance 452 et à la base d'un transistor NPN 453 par un condensateur 454. La base de ce transistor 25 est également reliée au + 15 V par une résistance 455 et à la masse par une résistance 456. L'émetteur du transistor 453 est relié la masse par une résistance 457 et son collecteur est relié au + 15 V par une résistance 458. Ce collecteur est également relié à la 30 base d'un transistor PNP 459 par un condensateur 460. Cette base est également reliée au + 15 V par une résistance 461 et à la masse par une résistance 462. L'émetteur du transistor 459 est relié au + 15 V par une résistance 463 et son collecteur est relié à la 260 1 450 masse par une résistance 464. Un condensateur 465 est relié en parallèle aux bornes de cette résistance 464 et un dispositif 467 de contrôle de la tension de comptage est connecté en parallèle aux bornes de ce condensateur. Lorsque l'ordre de test d'amortissement est donné, l'enroulement primaire 5 n'est plus alimenté comme il a été mentionné précédemment. L'oscillation de l'échantillon passe alors d'un régime d'oscilla10 tions auto-entretenues par magnétostriction à un régime d'oscillations amorties. La tension de sortie de l'enroulement secondaire décroit alors de sa valeur initiale Vo. pour tendre vers zero. Le comptage des impulsions qui sert à déterminer le frottement interne 15 de l'échantillon se fait alors pendant un temps t = tl - to, c'est-à-dire pendant l'intervalle de temps o l'amplitude de la tension aux bornes de l'enroulement secondaire, passe de sa valeur initiale Vo à OVo avec par exemple Z60 1 450 RC > 60t, C étant constitué par la valeur du condensateur 415, par exemple 1 y F et R étant constitué par la valeur de la résistance 414 reliée à l'entrée inverseuse de l'amplificateur opérationnel 405 et ayant par exemple une valeur de 240 KiJ,. 2) Vers le transistor 397 pour une détection par l'intermédiaire de la diode 404. Le signal délivré représente alors V (t), c'est-à-dire l'image de la tension provenant de l'enroulement secondaire dans le 10 temps. Les signaux V (t) et Vo sont ensuite envoyés vers les moyens de comparaison constitués par l'amplificateur opérationnel 405 qui délivre des impulsions tant que la valeur V (t) est supérieure à Vo. Ces impulsions sont ensuite mises à niveau 15 par le transistor 416, puis sont envoyées vers le circuit de comptage par l'intermédiaire de la porte NAND 421. Le signal délivré par le bistable constitué par les portes NAND 429, 430 et 431 et le transistor 20 433 a deux fonctions 1) courtcircuiter l'entrée du transistor 395 pour que la valeur cVo ne soit pas perturbée par un parasite quelconque pendant le temps t. 2) modifier la valeur de la résistance en 25 parallèle avec le condensateur 415. En effet, en régime d'oscillations entretenues, l'amplitude de la tension V(t) présente un certain nombre de variations que la valeur Q Vo doit suivre. La constante de temps doit en effet être faible en régime auto-entretenu 30 pour suivre les évolutions de V(t) et grande en régime libre par rapport à t. Les impulsions délivrées par ce circuit sont ensuite comptées par l'intermédiaire des moyens 32 de comptage et de visualisation qui peuvent être cons- * titués par exemple par un circuit tel que représenté sur la Fig.12. Les impulsions sont par exemple appliquées à une série de trois compteurs décimaux 470,471 et 472 du type par exemple 2N 7490. Le compteur 470 reçoit sur sa borne d'entrée 14 le signal provenant des moyens de mise en forme 33 et sa borne de sortie 11 est reliée à la borne d'entrée 14 du compteur 471. La sortie 11 de ce compteur 471 est également reliée à l'entrée 14 du compteur 472. Les bornes 2 et 3 des 10 compteurs 470,471 et 472 reçoivent le signal de remise à zéro délivré par les moyens logiques 30. Les bornes 6 et 7 de chaque compteur sont reliées à la masse, les bornes 5 sont reliées à la tension d'alimentation + 5 V,les bornes 10 sont reliées à la masse 15 et les bornes 8,9, 12 et 11 des compteurs 470, 471 et 472 sont reliées respectivement à des décodeurs 473, 474 et 475. Ces décodeurs sont par exemple du type N 7448A et les bornes de sortie des compteurs sont re20 liées aux bornes 1, 2, 6, 7 de ces décodeurs. La borne 16 de chacun des décodeurs est reliée au + 5 V et la borne 8 est reliée à la masse. Les bornes de sortie 9, 10, 11, 12, 13, 14, 15 de ces décodeurs sont reliées chacune à la base d'un transistor NPN, par exemple 25 476a, dont l'émetteur est relié à la masse et le collecteur à une entrée d'afficheur à sept segments 476b, 477 et 478 permettant d'afficher le nombre d'oscillations amorties en unité, dizaine et centaine, respectivement. Le dispositif comporte également des moyens 39 de régulation de la température de la cellule dans laquelle se trouve l'échantillon. Ces moyens sont constitués par deux indicateurs de température du type PEN fabriqués par la société CHAUVIN-ARNOUX, des deux thermocouples 15 et 16 mentionnés en référence à la Z60 1 450 Fig.3, d'une alimentation de puissance et des moyens 39 de régulation de température maintenant la température de la cellule par exemple a 185' + 1'C. Ces moyens de régulation sont constitués par exemple par un circuit tel que représenté sur la Fig.13. Une température de consigne réglable est délivrée par un générateur de courant comportant une résistance réglable 480 dont une borne est reliée au + 15 V par l'intermédiaire d'une résistance 481 et dont l'autre 10 borne est reliée à l'émetteur d'un transistor PNP 482. La base de ce transistor 482 est reliée au + 15 V par l'intermédiaire d'une diode 483 et d'une diode Zener 484 montées en série. Cette base est également reliée à la masse par une résistance 485. Le collecteur du 15 transistor 482 est relié à la masse par une résistance 486 et une résistance réglable 487. Ce collecteur est également relié à une borne d'un potentiomètre 488 dont l'autre borne est reliée à la masse et dont le curseur est relié à l'un des indicateurs de tempéra20 ture de manière à afficher la température de consigne. Le collecteur du transistor 482 est également relié à une entrée inverseuse d'un amplificateur opérationnel 489 par l'intermédiaire d'une résistance 490. La sortie de cet amplificateur opérationnel 489 est re25 bouclée sur son entrée inverseuse par l'intermédiaire d'une diode Zener 491 et d'une résistance réglable 492. L'entrée non-inverseuse de cet amplificateur opérationnel 489 est reliée à la masse par l'intermédiaire d'une résistance 493. Le collecteur du transis30 tor 482 est également relié à la sortie d'un amplificateur opérationnel 494 par l'intermédiaire d'une résistance 495. Cette sortie de l'amplificateur opérationnel 494 est également rebouchée sur son en- 260 1 450 trée inverseuse par l'intermédiaire d'une résistance réglable 496. Cette entrée inverseuse est également reliée à une borne d'une résistance 497 dont l'autre borne reçoit une information provenant de l'autre indicateur de température et recevant un signal représentatif de la température réelle à l'intérieur de la cellule. L'entrée.non-inverseuse de l'amplificateur opérationnel 494 est reliée à la masse par l'intermé10 diaire d'une résistance 498. La sortie de l'amplificateur opérationnel 494 est reliée à l'entrée inverseuse d'un amplificateur opérationnel 499 par l'intermédiaire d'une résistance 500. La sortie de l'amplificateur opérationnel 489 est également reliée à 15 cette entrée inverseuse de l'amplificateur opérationnel 49-9 par l'intermédiaire d'une résistance 501. L'entrée non inverseuse de cet amplificateur opérationnel 499 est reliée à la masse par l'intermédiaire d'une résistance 502. La sortie de l'amplifica20 teur opérationnel 499 est reliée à la masse par l'intermédiaire d'une résistance 503 et à l'anode d'une diode 504 dont la cathode est reliée à la base d'un transistor NPN 505 par l'intermédiaire d'une résistance 506. La base de ce transistor 505 est reliée à la masse par une résistance 507 et son collecteur est relié au + 15 V. L'émetteur de ce transistor 505 est relié à la masse par une résistance 508 et à la base d'un transistor NPN 509 dont le collecteur est égale30 ment relié au + 15 V. L'émetteur de ce transistor 509 est relié à la masse par une résistance 510 et à l'entrée inverseuse de l'amplificateur opérationnel 499 par une résistance réglable 511 et une résistance 512. L'émetteur du transistor 509 est également relié à la base d'un transistor de puissance NPN 513 par l'intermédiaire d'une résistance 514 et d'une diode 515. La base de ce transistor 513 est reliée à la tension d'alimentation + 30 V par une résistance 516 et à la masse par une résistance 517. L'émetteur de ce transistor 513 est. relié à la masse et son collecteur est relié aux résistances chauffantes 17, 18 des moyens de chauffage décrits en référence à la Fig.3. La température à l'intérieur de la cellule est donc comparée à une températue de consigne délivrée par le générateur de courant constitué par le transistor 482 et les composants associés et le résultat de cette comparaison pilote le transistor de puissance 513 qui sert à alimenter les résistances chauffantes des moyens de chauffage pour maintenir la température à la valeur affichée. Les différents moyens d'alimentation des organes qui viennent d'être décrits étant constitués 20 par des alimentations stabilisées connues, on ne les décrira pas plus en détail. Enfin, il va de soi que des moyens de calcul peuvent être reliés aux moyens de comptage afin de calculer directement le coefficient de frottement in25 terne et par exemple la teneur en éléments interstitiels, à partir du nombre N d'oscillations amorties. 260 1 450 REVENDICATIONS 1. Procédé de détermination du coefficient de frottement interne d'un échantillon de forme allongée et de matériau ferromagnétique, notamment pour 5 la détermination de la teneur en éléments interstitiels de celuici, caractérisé en ce qu'on excite l'échantillon pour le mettre en régime d'oscillations longitudinales, on coupe l'excitation, on mesure l'atténuation de ces oscillations en comptant le 10 nombre N d'oscillations amorties dont l'amplitude est supérieure ou égale à l'amplitude initiale de ces oscillations multipliée par un coefficient c, et on détermine le coefficient de frottement interne de l'échantillon à partir de ce nombre d'oscillations. 2. Procédé selon la revendication 1, caractérisé en ce qu'on détermine le coefficient Q -1 de frottement interne de l'échantillon à partir de la relation: Q = ( L 1/e)/IN 3. Procédé selon la revendication 1 ou 2, caractérisé en ce que i est égal à 0,54. 4. Procédé selon l'une quelconque des revendications précédentes, caractérisé en ce qu'on fait varier la température de l'échantillon. 5. Procédé selon l'une quelconque des revendications 1 à 3, caractérisé en ce qu'on maintient l'échantillon à une température fixe. 6. Procédé selon l'une quelconque des revendications précédentes, caractérisé en ce qu'on déter30 mine la fréquence f des oscillations longitudinales auxquelles est soumis l'échantillon à partir de la relation: f = dans laquelle E désigne le module d'élasticité du matériau ferromagnétique testé, 1 la longueur de l'échantillon, d la densité du matériau testé. 7. Dispositif de détermination du coefficient de frottement interne d'un échantillon de forme allongée et de matériau ferromagnétique, notamment pour la détermination de la teneur en éléments interstitiels de celui-ci, caractérisé en ce qu'il comporte des moyens d'excitation (5,6,7) pour mettre ledit échantillon (1) en régime d'oscillations longitudina10 les, des moyens de coupure (30) des moyens d'excitation, des moyens de détection et de comptage (28,29, 30, 32, 33) des oscillations amorties, aprés coupure de ladite excitation, dont l'amplitude est supérieure ou égale à l'amplitude initiale des oscillations multipliée par un coefficient 0 pour permettre la détermination dudit coefficient de frottement interne. 8. Dispositif selon la revendication 7, caractérisé en ce que les moyens d'excitation comportent trois enroulements cylindriques (5,6,7), coaxiaux et 20 entourant ledit échantillon (1), dont un enroulement primaire (5) disposé autour de l'une des extrémités de l'échantillon et relié à des premiers moyens d'alimentation (21,22) pour faire osciller ledit échantillon par magnétostriction, dans le sens longitudinal, un 25 enroulement de polarisation (6) disposé autour de la partie centrale de l'échantillon et relié à des seconds moyens d'alimentation (25,26, 27) pour assurer une polarisation magnétique de celui-ci, et un enroulement secondaire (7) disposé autour de l'autre ex30 trémité de l'échantillon et relié aux moyens de détection et de comptage des oscillations amorties. 9. Dispositif selon la revendication 7 ou 8, caractérisé en ce que les moyens de coupure de l'excitation sont constitués par des moyens-de coupure des moyens d'alimentation de l'enroulement primaire. 10. Dispositif selon l'une quelconque des revendications 7 à 9, caractérisé en ce que les moyens de détection des oscillations amorties sont consti5 tuées par des moyens de comparaison (405) dont l'une des entrées est reliée à la sortie de l'enroulement secondaire (7) par des moyens de traitement de signaux et dont l'autre entrée est reliée à des moyens délivrant un signal de référence. 11. Dispositif selon la revendication 10, caractérisé en ce que les moyens de comparaison sont constitués par un amplificateur opérationnel (405). 12. Dispositif selon la revendication 10 ou 11, caractérisé en ce que les moyens délivrant un si15 gnal de référence sont constitués par une résistance (414) et un condensateur (415) connectés à ladite entrée des moyens de comparaison pour appliquer sur celle-ci une tension égale à la valeur initiale de l'amplitude des oscillations multipliée par le coef20 ficient. 13. Dispositif selon l'une-quelconque des revendications 10 à 12, caractérisé en ce que les moyens de traitement sont constitués par des moyens de régulation (28), des moyens de filtrage et d'amplifi25 cation (29) et des moyens de mise en forme (33) des signaux de sortie de l'enroulement secondaire. 14. Dispositif selon l'une quelconque des revendications 7 à 13, caractérisé en ce qu'il comporte des moyens d'affichage (32) du nombre N d'oscilla30 tions amorties. 15. Dispositif selon l'une quelconque des revendications 7 à 14, caractérisé en ce que lesdits enroulements (5',6,7) et ledit échantillon (1) sont disposés dans une cellule de mesure (4) reliée à des 260 1 450 moyens de chauffage et en ce qu'il est prévu des moyens de contrôle et de régulation (15,16,39) de la température dans ladite cellule. 16. Dispositif selon la revendication 15, caractérisé en ce que les moyens de chauffage sont constitués par des moyens de soufflage d'air chaud dans ladite enceinte dont au moins l'un est relié à la cellule (4) par un conduit (13) débouchant en regard de l'une des extrémités dudit échantillon. 17. Dispositif selon la revendication 16, caractérisé en ce que les moyens de chauffage comporte des résistances chauffantes (17,18) reliées aux moyens de régulation (39) de manière à réguler la température à l'intérieur de ladite cellule. 18. Dispositif selon la revendication 17, caractérisé en ce que les moyens de régulation (39) comportent un transistor de puissance (513) relié aux résistances chauffantes (17,18) de manière a commander leur alimentation pour réguler la température dans 20 ladite cellule. 19. Dispositif selon l'une quelconque des revendications 7 à 18, caractérisé en ce que ledit échantillon est posé sur des supports isolants (2,3) dans lesdits enroulements (5,6,7). 20. Dispositif selon la revendication 19, caractérisé en ce que lesdits supports sont en Téflon. 21. Application du procédé selon la revendication 5, à l'étude de-la cinétique de précipitation d'un élément interstitiel dans l'acier. caractérisee 30 par le fait que la température de l'échantillon est maintenue à une valeur déterminée correspondant au pic de Snoek pour l'élément interstitiel considéré, on mesure la variation de la hauteur du pic de Snoek en fonction du temps et on en déduit la cinétique de précipitation à partir de la cinétique d'affaissement 260 1 450 du pic. 22. Application du procédé selon la revendication 21. caractérisé en ce que l'élément interstitiel est du carbone. 23. Application du procédé selon la revendication 21, caractérisé en ce que l'élément interstitiel est de l'azote.