FR 2587864 A1 19870327 FR 8613138 A 19860919 1. "Dispositifs imageurs infrarouges" La présente invention concerne des dispo- sitifs imageurs infrarouges, en particulier, mais pas exclusivement, des dispositifs dits hybrides qui peuvent comprendre des éléments détecteurs in- 05 frarouges, par exemple en tellurure de mercure cadmium, couplés à des moyens capacitifs dans, par exemple, un corps de circuit en silicium. Ces dis- positifs peuvent être utilisés dans des caméras vidéo dites "à semi-conducteurs" opérant à des 10 longueurs d'ondes infrarouges, par exemple dans les bandes de 3 à 5 /um ou de 8 à 14 /um. La demande de brevet européen (EP-A) 0 128 828 décrit un dispositif imageur infrarouge comprenant (a) plusieurs éléments détecteurs infrarouges qui produisent un courant photo-électrique en réaction à un rayonnement infrarouge incident, (b) des moyens capacitifs couplés à chaque élément détecteur pour intégrer le courant au niveau de cet élément détecteur pendant une période d'intégration, 20 (c) des moyens de lecture de tension couplés entre les moyens capacitifs et une sortie de signal pour produire un signal de sortie, par la lecture du niveau du potentiel du moyen capacitif qui cor- respond au courant intégré au moyen capacitif, 25 (d) des moyens de retour à l'état initial couplés aux moyens capacitifs pour ramener les moyens ca- pacitifs à un niveau de tension de référence avant le début de chaque période d'intégration, et (e) un moyen d'adressage et de commutation permettant 30 aux signaux de sortie correspondant aux divers éléments détecteurs de se présenter séquentiellement au niveau de la sortie de signal et permettant aux moyens capacitifs de l'élément détecteur d'être 2 ramené séquentiellement dans l'état initial. Un tel dispositif imageur diffère par ses particularités (b) à (e) des dispositifs ima- geurs connus utilisant des dispositifs à couplage 05 de charge (CCD) pour traiter et lire les signaux des éléments détecteurs. En particulier, en inté- grant le courant des éléments détecteurs dans de tels moyens capacitifs pouvant être ramenés .... - ~~à l'état initial et en lisant le potentiel des 10 moyens capacitifs à l'aide d'un tel moyen de lec- ture de tension, il est possible d'éviter certains inconvénients des dispositifs à couplage de charge qui exigent des tensions de fonctionnement élevées, qui introduisent des bruits de transfert de charge 15 entre des étages successifs du dispositif CCD et qui limitent la capacité de traitement de signal à des valeurs qui sont parfois nettement infé- rieures à celles qui sont souhaitables, en parti- culier pour la production d'images infrarouges. 20 De plus, la technologie pour la fabrication de CCD est plus compliquée que la technologie des tran- sistors MOS (par exemple la technologie MOST à ca- nal n) au moyen de laquelle le circuit de traitement de signal de ce type de dispositif imageur 25 peut être fabriqué. Cependant, une particularité essentielle de tous les dispositifs imageurs décrits dans le document EP-A O 128 828 est que chaque cellule (formée par un moyen capacitif couplé à un élément 30 détecteur) est pourvue de son propre moyen de lecture de tension (par exemple un transistor MOS suiveur de source Mll, M21, M31, M41 sur la figure 1 du document EP-A O 128 828) qui est individuellement commuté séquentiellement (par 35 3 un transistor MOS d'adressage M12, M22, M32, M42 sur la Fig. 1 du document EP-A 0 128 828). Pour cette raison, la fabrication exige beaucoup de soins pour assurer une bonne uniformité des caractéristiques entre 5 les moyens de lecture de tension individuels des cellules à différents endroits de manière à éviter que des signaux de sortie différents ne soient produits par des moyens de lecture de tension différents pour la même valeur de signal provenant d'éléments détecteurs différents. Dans 10 la plupart des réalisations de dispositifs décrites dans le document EP-A 0 128 828, des courants provenant des transistors de lecture de tension individuels (par exem- ple Mll) sont commutés par des transistors d'adressage individuels (par exemple M12) sur une charge commune 15 MC du dispositif à la sortie de signal. Une non-uni- formité significative des caractéristiques et, par con- séquent,des signaux de sortie peut être due à des défauts d'homogénéitéde la fabrication du corps de circuit à des endroits éloignés de la charge commune. Cette non-uni- 20 formité peut entraîner un motif de bruit spatial fixe dans le dispositif imageur qui peut réduire le contraste détectable sur une partie de l'image. La figure 5 du document EP-A 0 128 828 décrit une variante qui peut réduire l'effet de tels défauts 25 d'uniformité en munissant chaque cellule d'une charge individuelle(MlC, M2C), le signal qui traverse cette charge étant commuté individuellement vers la sortie par les transistors d'adressage individuels (M12, M22). Cependant, cette variante multiplie la dissipation 30 d'énergie dans le dispositif par le nombre de cellules et rend ainsi plus difficile le refroidissement du dis- positif à des températures de fonctionnement cryogéni- ques. Le nombre d'éléments de circuit associés à chaque cellule et occupant ainsi de l'espace sur le corps de 35 circuit de traitement de signal est également accru. 4 Le document EP-A 0 128 828 décrit aussi l'uti- lisation de moyens individuels de retour à l'état ini- tial (par exemple des transistors MOS M13, M23, M33, M43 sur la Fig. 1) associés à chaque cellule et décrit 5 en particulier une interconnexion du moyen de commuta- tion de cellule individuel (par exemple M22) avec le moyen de retour à l'état initial individuel (par exemple M13) de la cellule précédente de sorte qu'à mesure que la tension provenant d'une cellule est lue, la 10 cellule précédente est ramenée à l'état initial. Ceci fournit un système automatique simple pour ramener à l'état initial la cellule précédente, mais la Demande- resse a remarqué que lorsque la tension de retour à l'état initial fournie subit une variation (due par exem- 15 ple au bruit ou aux interférences), une variante corres- pondante du signal de sortie peut se produire lorsque la cellule ramenée à l'état initial est ultérieurement lue. Ce signal de sortie est mesuré par rapport au potentiel terrestre auquel la charge MC est connectée dans 20 les dispositifs du document EP-A O 128 828. Etant donné que le temps d'intégration pour les dispositifs imageurs dans le document EP-A O 128 828 exclut le temps de retour à l'état initial, les signaux provenant d'éléments détecteurs différents sont intégrés 25 à des moments différents, de sorte que les éléments détec- teurs n'observent pas de manière coïncidente. Quoique la plupart du temps, des arrangements linéaires d'éléments détecteurs soient décrits, les moy- ens capacitifs, les moyens de lecture de tension et les 30 moyens de retour à l'état initial décrits dans le docu- ment EP-A 0 128 828 peuvent être utilisés avec un arran- gement bidimensionnel. Cependant, comme le montre la figure 3 du document EP-A 0 128 828, ceci aboutit à la présence d'un nombre correspondant de moyens de lecture 35 de tension et des moyens de retour à l'état initial in- 5 dividuels dans un réseau bidimensionnel qui peut occuper une surface importante du corps de circuit de traitement de signal. Suivant l'invention, il est prévu un dispositif 5 imageur infrarouge comprenant (a) plusieurs éléments détecteurs infrarouges qui produisent du courant photo- électrique en réaction au rayonnement infrarouge inci- dent, (b) des moyenscapacitifscouplésó chaqueélément dé- tecteur pour intégrer le courant produit au niveau de 10 cet élément détecteur pendant une période d'intégration, (c) un moyen de lecture de tension couplé entre le moyen capacitif et une sortie de signal pour produire un signal de sortie par lecture)au niveau du moyen capacitif, du potentiel qui correspond au courant intégré au niveau 15 du moyen capacitif, (d) un moyen de retour à l'état ini- tial couplé au moyen capacitif pour ramener le moyen capacitif à un niveau de tension de référence avant le début de chaque période d'intégration, et (e) un moyen d'adressage et de commutation permettant aux signaux de 20 sortie correspondant aux divers éléments détecteurs de se présenter séquentiellement à la sortie de signal et permettant au moyen capacitif des éléments détecteurs d'être ramené séquentiellement à l'état initial, le dispositif étant caractérisé en ce que le moyen de lec- 25 ture de tension et le moyen de retour à l'état initial sont chacun communs aux divers éléments d'étecteurs et le moyen capacitif de chaque élément détecteur est couplé de manière commutable à l'aide du moyen d'adressage et de commutation au moyen de lecture de tension commun et 30 au moyen de retour à l'état initial commun de manière à commuter chaque moyen capacitif séquentiellement sur le moyen de lecture de tension commun et àrétablirséquen- tiellement le niveau de tension de référence à chaque mpyen capacitifet au.niveau du moyen de lecture * 35 dq tpnsioncQimnun. 6 La présente invention est basée sur la recon- naissance par la Demanderesse du fait que dans un tel dispo- sitif imageur, un moyen de lecture de tension commun et un moyen de retour à l'état initial commun peuvent 5 être avantageusement adoptés pour éviter des difficultés de non-uniformité des moyens de lecture de tension indi- viduels, pour permettre au signal de sortie d'être lu par rapport au niveau de tension de référence du moyen de retour à l'état initial commun de manière à compenser 10 les variations de l'alimentation de tension de retour à l'état initial, et pour fournir une structure d'élément de circuit compacte pour lire et ramener à l'état initial tous les moyens capacitifs de telle sorte que le circuit de traitement de signal puisse occuper un corps de cir- 15 cuit semi-conducteur plus petit ou puisse avantageusement comprendre d'autres éléments de circuit pour amé- liorer ou étendre la performance du dispositif (par exem- ple, un dispositif de protection contre le flou d'image ou un dispositif capacitif expansé pour augmenter ou 20 modifier la capacité d'intégration et/ou pour fournir un moyen d'intégration alternativement commutable pour chaque élément détecteur). De plus, un tel circuit de traitement de signal comportant un moyen de lecture de tension commun et un moyen de retour à l'état initial 25 commun peut être connecté dans un système compact à un ensemble bidimensionnel commutable d'éléments détecteurs. De plus, il est possible d'accéder aux éléments détec- teurs individuels par l'intermédiaire du moyen de retour à l'état initial commun et des moyens d'adressage et de 30 commutation de telle sorte que les caractéristiques des éléments détecteurs individuels puissent être mesurées pendant le test du dispositif. Dans un tel dispositif conforme à l'invention, le moyen capacitif est commuté vers le moyen de lecture 35 de tension, ce qui diffère de la commutation du 7 moyen de lecture de tension vers la sortie comme dans le document EP-A 0 128 828. Les moyens capacitifs des éléments détecteurs peuvent être disposés en une rangée à côté d'une ligne 5 de signalisation commune et être couplés de façon com- mutable à cette ligneen un endroit le long duquel le moyen de lecture de tension commun et le moyen de retour à l'état initial commun sont connectés, et un-circuit- porte àinjection pour commander l'injection du courant 10 depuis l'élément détecteur vers le moyen capacitif peut être placé de l'autre côté de la rangée de moyen capa- citif et peut s'étendre parallèlement à la ligne de signalisation commune. Ceci donne un agencement parti- culièrement commode pour une structure de circuit compacte. 15 Le moyen de lecture de tension commun peut être formé simplement par un transistor à effet de champ à porte isolée suiveur de source,dont la porte isolée est connectée à la ligne de signalisation commune. Lorsque la ligne de signalisation commune est formée 20 au moins partiellement par une couche de métallisation déposée, une partie de cette couche de métallisation peut être prolongée par-dessus une mince couche isolante entre les zones de source et de drain pour former la porte isolée. Lorsque la ligne de signalisation commune 25 a la forme d'une zone semi-conductrice dopée, la porte isolée du transistor de lecture de tension peut être connectée à la zone dopée au niveau d'une fenêtre de contact convenablement disposée. En lieu et place d'un transistor à porte isolée, on peut utiliser un transis- 30 tor à effet de champ à porte de jonction pour le moyen de lecture de tension, mais ceci peut compliquer de ma- nière indésirable la fabrication du circuit. Le tran- sistor formant le moyen de lecture de tension commun peut être prévu au voisinage d'une extrémité de la ligne 35 de signalisation commune de manière à simplifier l'agen- 8 cernent. Ceci est particulièrement avantageux lorsque la ligne de signalisation commune est prise en sandwich entre le moyen capacitif et un autre circuit tel qu'un registre à décalage ou un décodeur utilisé pour adresser 5 le moyen de commutation. Le moyen de retour à l'état initial commun peut avantageusement comprendre un transistor à effet de champ a porte isolée dont la source et le drain sont connectés entre la ligne de signalisation commune et un moyen d'ali- 10 mentation de tension de référence. Lorsque la ligne de signalisation commune est formée au moins partiellement par une zone semi-conductrice dopée, la source et le drain peuvent être formés comme des parties interrompues de cette zone avec une porte isolée entre elles pour 15 former le transistor. La source et le drain du transis- tor formant le moyen de retour à l'état initial commun peuvent être connectés entre une extrémité de la ligne de signalisation commune et le moyen d'alimentation de tension de référence de manière à simplifier l'agence- 20 ment. Diverses formes connues de moyens d'adressage et de commutation peuvent être utilisées pour coupler de façon commutable chaque moyen capacitif au moyen de lecture de tension commun et au moyen de retour à 25 l'état initial commun. Dans une forme actuellement préférée, le moyen d'adressage et de commutation com- prend un registre à décalage comportant des sorties séquentielles qui sont connectées à plusieurs portes isolées disposées entre le moyen capacitif et une ligne 30 de signalisation commune, ces portes isolées, lors- qu'elles sont séquentiellement adressées à partir du registre à décalage, couplant de manière commutable le moyen capacitif des éléments détecteurs séquentiellement à la ligne de signalisation commune. Un circuit 35 décodeur peut être utilisé en lieu et place d'un regis- 9 tre à décalage. Un avantage de l'utilisation d'un re- gistre à décalage est qu'une source d'impulsions de ten- sion d'horloge peut être connectée à la fois à une porte du moyen de retour à l'état initial et à une en- 5 trée du registre à décalage, le front montant de chaque impulsion pouvant être utilisé pour déclencher la porte du moyen de retour à l'état initial et le front descen- dant de chaque impulsion pouvant être utilisé pour ryth- mer le registre à décalage de manière à faire déclencher 10 le couplage commutable du moyen capacitif de chaque élément détecteur séquentiellement vers le moyen de lecture de tension commun. On obtient ainsi un moyen particulièrement simple pour ramener rapidement et automatiquement le moyen capacitif à l'état initial pen- 15 dant un laps de temps bien défini déterminé par la durée de l'impulsion. Comme mentionné plus haut, la simplification du circuit due à la présence d'un moyen de lecture de tension commun et d'un moyen de retour à l'état initial 20 commun permet d'incorporer d'autres éléments de circuit pour améliorer ou étendre la performance du dispositif. Sous une telle forme, le moyen capacitif de chaque élément détecteur peut comprendre au moins deux condensateurs connectés en parallèle et au moins un des 25 condensateurs peut comporter un moyen permettant de le connecter à l'autre ou aux autres condensateurs ou de le déconnecter de ceux-ci, pour permettre d'obtenir ainsi une capacité de stockage totale plus grande ou plus petitelorsque cela s'avère souhaitable pour l'ap- 30 plication du dispositif. On obtient ainsi un circuit de traitement de signal plus souple et on peut augmenter la gamme dynamique du dispositif imageur. Ainsi, la capacité de stockage accrue obtenue par connexion de deux ou de plus de deux condensateurs en parallèle 35 peut être utilisée lors del'observationd'unsujetplus 10 chaud ou lors de l'observation (c'est-à-dire intégration) du même sujet pendant un laps de temps plus long, ce qui, dans les deux cas, a pour effet de produire un signal accru des éléments détecteurs. Une autre situation dans 5 laquelle cette possibilité peut être utile est celle de la fabrication de dispositifs imageurs fonctionnant à des longueurs d'ondes infrarouges différentes. Ainsi, par exemple, un signal important peut en général être obtenu à partir d'un sujet au moyen d'éléments détecteurs en 10 tellurure de mercure cadmium conçus pour fonctionner dans la bande de longueurs d'ondes de 8 à 14 um plut6t que dans la bande de longueurs d'ondes de 3 à 5/um. Cette possibilité de capacité variable permet de coupler n'im- porte quel type d'élément détecteur au moyen capacitif 15 dans un dispositif conforme à l'invention. Une autre forme d'autres éléments de circuits qui peuvent être incorporés avantageusement dans un dis- positif conforme à l'invention est celle d'un dispo- sitif de protection contre le flou d'image couplé à 20 chaque moyen capacitif pour empêcher une inversion du potentiel du moyen capacitif lorsque le courant produit au niveau de l'élément détecteur excède un niveau suf- fisant pour décharger complètement le moyen capacitif. Aucun dispositif anti-flou de ce genre n'était prévu 25 dans les dispositifs décrits dans le document EP-A 0 128 828. Le dispositif de protection contre le flou d'image peut comprendre une autre porte qui présente en substance la même tension de seuil qu'une porte d'injection entre l'élément détecteur et le moyen ca30 pacitif, et cette autre porte peut être connectée en substance au même potentiel de commande que la porte d'injection de manière à devenir activée lorsque le moyen capacitif est complètement déchargé par le courant excessif produit au niveau de l'élément détecteur. 35 Cette autre porte,lorsqu'elle est activée, peut coupler 11 le moyen capacitif à une source fournissant du courant compensateur au moyen capacitif pour stabiliser le potentiel du moyen capacitif et de son élément détec- teur en compensant le courant en excès produit par 5 l'élément détecteur. Les portes d'injection et les autres portes peuvent être formées simplement par d'autres parties d'une pièce d'une bande de porte commune qui s'étend d'un côté d'une rangée des moyens capacitifs. Dans une autre forme d'exécution, au lieu 10 d'utiliser un seul condensateur pour chaque élément détecteur comme dans les dispositifs imageurs du docu- ment EP-A 0 128 828, un premier et un second moyen capacitif peuvent être couplés de manière commutable dans des branches parallèles alternées entre chaque 15 élément détecteur et une ligne de signalisation abou- tissant au moyen de lecture de tension commun, le couplage commutable s'effectuant au moyen d'un système de commutation qui comporte des portes d'entrée partant de l'élément détecteur et des portes de sortie allant 20 à la ligne de signalisation. Ceci permet àl'undespremier et second moyen capacitif d'être couplé à l'élé- ment détecteur,mais deêtre isolé du moyen de lecture de tension,tandis que l'autre des premier et second moyen capacitif est couplé au moyen de lecture de tension,mais est isolé de l'élément détecteur. Chaque élément détecteur peut donc être actioniné tout le temps pour la détection de rayons infrarouges sans que son signal soit perdu (c'est-à-dire non intégré) lors de la lecture du signal de sortie précédent de cet élément 30 détecteur, et tous les éléments détecteurs peuvent ob- server le sujet en même temps. Il est particulièrement avantageux de dispo- ser les moyens capacitifs en une rangée dans un dispo- sitif conforme à l'invention. Ceci est aisément com35 patible avec le couplage des moyens capacitifs à un 12 ensemble linéaire d'éléments détecteurs. Cependant, comme mentionné plus haut, le circuit de traitement de signal d'un dispositif imageur conforme à l'inven- tion peut être connecté d'une manière interfaciale 5 à plusieurs éléments détecteurs disposés suivant un réseau bidimensionnel. Les éléments détecteurs peu- vent être connectés de manière commutable par l'inter- médiaire de commutateurs respectifs formant un réseaubidimensionnel de commutateurs, à des trajets de signaux 10 qui sont couplés au moyen capacitif au moins par l'in- termédiaire de portes d'entrée. Ces particularités ainsi que d'autres encore conformes à l'invention seront illustrées d'une manière plus spécifique dans des formes d'exécution de l'inven- 15 tion décrites ci-après, à titre d'exemples,avec référence aux dessins schématiques annexés dans lesquels: la Fig. 1 est un schéma de câblage d'un dis- positif imageur infrarouge conforme à l'invention; la Fig. 2 est un schéma du câblage d'une 20 modification du dispositif de la Fig. 1 qui comprend des condensateurs de stockage commutables en alternance pour chaque élément détecteur; la Fig. 3 est une vue en plan d'un agencement possible pour une partie du dispositif de la Fig. 1; 25 la Fig. 4 est une vue en coupe transversale suivant la ligne IV-IV de la Fig. 3 montrant une forme de technologie de circuits intégrés qui peut être utili- sée pour fabriquer la partie formant le circuit de traite- ment de signaux du dispositif de la Fig. 1; 30 la Fig. 5 est une vue en plan d'une partie de l'agencement de la Fig. 3 modifié pour produire des condensateurs de stockage commutables en alter- nance comme sur la Fig. 2; la Fig. 6 est une vue en coupe transversale 35 suivant la ligne VI-VI de la Fig. 5; 13 la Fig. 7 illustre une autre modification du moyen capacitif pour un élément détecteur du dispositif, et la Fig. 8 est un schéma de câblage d'un 5 réseau bidimensionnel d'éléments détecteurs et de com- mutateur qui peut être incorporé à titre de variante au moins dans le dispositif de la Fig. 2. Il convient de noter que toutes ces figures sont schématiques. Les vues en plan et en coupe des 10 figures 3, 4, 5 et 6 ne sont pas dessinées à l'échelle, mais les dimensions relatives et les proportions de parties de ces figures ont été représentées exagérées ou réduites par souci de clarté et pour la commodité des dessins. Les mêmes signes de référence que ceux 15 utilisés dans une forme d'exécution sont utilisés de manière générale lorsqu'on se réfère à des parties correspondantes ou semblables dans d'autres formes d'exécution. Le dispositif imageur infrarouge de la Fig. 1 20 comprend plusieurs éléments détecteurs infrarouges 1 qui produisent un courant photo-électrique en réaction au rayonnement infrarouge incident 20. Des moyens ca- pacitifs 2 sont couplés à chaque élément détecteur 1 pour intégrer le courant produit au niveau de cet élé- 25 ment détecteur 1 pendant une période d'intégration. Une porte d'injection 10 commande l'injection du cou- rant à partir de l'élément détecteur 1 vers le moyen capacitif 2. Des moyens de lecture de tension 3 sont couplés entre les moyens capacitifs 2 et une sortie 30 de signal 4 pour produire un signal de sortie S par lecture au niveau des moyens capacitifs 2, du potentiel correspondant à la quantité de courant intégré aux moyens capacitifs 2. Des moyens de retour à l'état initial 5 sont couplés aux moyens capacitifs 2 pour ramener les 35 moyens capacitifs 2 à un niveau de tension de référence 14 Vr avant le début de chaque période d'intégration. Des moyens d'adressage et de commutation 6,7 permettent aux signaux de sortie S correspondant aux divers éléments détecteurs 1 de se présenter séquentiellement à la sortie 5 de signal 4 et permettent aux moyens capacitifs 2 des élé- ments détecteurs 1 d'être ramenés séquentiellement à l'état initial. Suivant l'invention, les moyens de lecture de tension 3 et les moyens de retour à l'état initial 5 sont chacun communs pour plusieurs éléments 10 détecteurs 1 et le moyen capacitif 2 de chaque élément détecteur 1 est couplé de manière commutable à l'aide des moyens d'adressage et de commutation 6,7 au moyen de lecture de tension commun 3 et au moyen de retour à l'état initial commun 5 de manière à commuter chaque 15 moyen capacitif 2 séquentiellement vers le moyen de lecture de tension commun 3 et à ramener séquentiel- lement à l'état initial le niveau de tension de réfé- rence Vr au niveau de chaque moyen capacitif 2 et au niveau du moyen de lecture de tension commun 3. 20 Cette forme de dispositif illustrée sur la Fig. 1 et comportant des moyens de lecture de tension communs et des moyens de retour à l'état initial communs présente une amélioration significative de la performance par rapport aux dispositifs décrits dans le document 25 EP-A 0 128 828 comportant des moyens de lecture de ten- sion individuels et des moyens de retour à l'état ini- tial individuels pour chaque moyen capacitif. Etant donné que le dispositif de la Fig. 1 ne comporte pas ces éléments de circuit individuels associés à chaque 30 moyen capacitif, il est beaucoup plus aisé (en termes de disposition et de surface de corps) d'incorporer d'autres éléments de circuit conformes à l'invention dans la forme de dispositif de la Fig. 1 plutôt que dans ceux décrits dans le document EP-A 0 128 828. 35 Des exemples de tels autres éléments de circuits il- - - 4 15 lustrés aux dessins sont les moyens de protection contre le flou d'image 11 et 12, un premier et un second moyen capacitif 2a et 2b (Fig. 2) couplés de manière commutable dans des branches parallèles 5 alternées entre chaque élément détecteur 1 et le moyen de lecture de tension 3, et plusieurs conden- sateurs 2a', 2a'', 2a''' (voir Fig. 5) connectés de manière commutable en vue d'offrir une capacité de stockage totale plus grande ou plus petite. 10 Les dessins ne montrent, par souci de commodité, qu'un petit nombre d'éléments détecteurs 1 et leur traitement de signaux. Cependant, en pratique, ces dispositifs imageurs comportent un grand nombre de tels éléments détecteurs 1 et de circuits de traitement de signaux correspondants. Les dispositifs des Fig. 1 et 2 peuventainsi être utilisés dans des caméras vidéo infrarouges comportant, par exemple, des ensem- bles linéaires de 32 ou de 64 ou même de 128 éléments détecteurs 1 à travers lesquels lesujet qui est observé 20 en infrarouge est imagé et fait l'objet d'un balayage de trame d'une manière connue à l'aide de lentilles et de réflecteurs déplacés progressivement pas à pas. Suivant le type de caméra et de système imageur, la direction de balayage peut être la direction longitu- 25 dinale de l'ensemble linéaire ou une direction perpen- diculaire à celle-ci. Les éléments détecteurs 1 peuvent être des diodes photovoltaïques de type connu formées dans un corps commun 30 (Fig. 3) en tellurure de mercure cadmium 30 dont la composition peut être choisie pour fonctionner, par exemple dans la bande de longueurs d'ondes de 3 à 5 /un ou la bande de longueurs d'ondes de 8 à 14 /um. La masse du corps 30 peut être en matière de type E à la température de fonctionnement du détecteur, par exemple de 70'K pour la bande de longueurs 35 d'ondes de 8 à 14/um. Chaque élément détecteur peut com- 16 prendre une région de type n 31 formant une jonction de diode n-n avecla masse de type p. La masse de type p commune des éléments détecteurs 1 peut être connectée au potentiel terrestre et les signaux de 5 sortie individuels de chaque élément Photovoltaique 1 sont pris comme courants des régions de type n 31 par l'intermédiaire, par exemple, de fils de connexion 32 aux entrées A d'un corps de circuit en silicium 33 contenant le circuit de traitement de signal. Par souci 10 de commodité, la figure 3 ne montre pas les métallisa- tions d'électrodes pour les régions de type n 31 et pour la masse de type p du corps 30,mais ces métallisations peuvent être appliquées de diverses manières connues. Tout le circuit de traitement de signaux 15 illustré sur les Fig. 1 et 2 peut être formé dans un seul corps de circuit en silicium 33. Les moyens capacitifs 2 des éléments détecteurs 1 sont disposés en une rangée et sont couplés de manière commutable à une ligne de signalisation commune 13en un endroit le long 20 duquel sont connectés les moyens de lecture de tension communs 3 et les moyens de retour à l'état initial communs 5. La porte d'injection 10 de chaque élément détecteur 1 est située de l'autre côté de la rangée de moyenscapacitifs 2 et s'étend parallèlement à la 25 ligne 13. Comme le montrent les figures 3 et 4, les portes d'injection 10 peuvent être fabriquéessous formede transistors à effet de champ à porte isolée comportant des zones de source 35 séparées connectées à chaque entrée A par des connexions d'électrode 36, des portes 30 isolées 10 formées par une bande de porte commune 37 pour la rangée de moyens capacitifs 2 et des zones de drain 38 séparées pour chaque moyen capacitif 2. Ces transistors et, si on le désire, le reste du circuit de traitement de signaux dans le corps 33 peuvent être 35 formés,par exemple, par la technologie connue des cir- 17 cuits intégrés MOS à canal n. Ainsi, les zones de source et de drain 35 et 38 peuvent être des régions de type n dans une partie de type _ du corps en sili- cium 33, les transistors individuels sont isolés l'un 5 de l'autre d'une manière connue au niveau de zones ac- tives définies par une épaisse couche d'oxyde de champ 39 au niveau de la surface du-corps, tandis qu'une couche isolante beaucoup plus mince est présente au-dessous des zones actives des portes formées par des pistes, 10 par exemple en silicium polycristallin dopé ou en sili- ciure métallique. Dans la forme d'exécution représentée à titre d'exemple sur les figures 3 à 6, la ligne de signalisation commune 13 est une bande de type n dans-la partie de 15 type p du corps en silicium 33. Dans ce cas, la porte de retour à l'état initial 5 peut être un interrupteur à transistor formé par une porte isolée au-dessus de l'intervalle dans la bande de type n 13 dont les parties interrompues forment la source et le drain du transistor, 20 par exemple à une extrémité de la ligne 13. Dansles vues en plan des figures 3 et 5, les régions de type n sont hachurées, tandis que les zones de portesisoléesne sont pas hachurées. Le moyen de lecture de tension commun 3 est (comme indiqué sur les figures 1 et 2) un transis- 25 tor à effet de champ suiveur de source ayant une porte isolée 43 connectée à la ligne de signalisation commune 13, une zone de drain de type n 41 connectée à une ligne d'alimentation de tension Vdd (par exemple à environ 9 volts) et une zone de source de type n 42 connectée au 30 potentiel terrestre par l'intermédiaire d'un transis- tor de charge 44. Cette charge 44 peut être un tran- sistor à effet de champ à canal n dont la porte isolée et la source sont connectées ensemble d'une manière con- nue. Par souci de commodité, cette structure de tran- 35 sistor de charge n'estpas illustrée sur la figure 3. La 18 sortie de signal 4 des dispositifs des figures 1 et 2 est prélevée de la zone de source 42 du transistor de lecture de tension commun 3. Un amplificateur (qui peut également être formé dans le corps 33) peut 5 être connecté à cette sortie 4 pour amplifier le signal de sortie S. L'adressage et la commutation séquentielle des moyens capacitifs 2 sur la ligne de signalisation commune 13 sont effectués aumoyen d'un registre à déca- 10 lage à grande vitesse 6 comportant des sorties séquen- tielles 46 connectées à plusieurs portes isolées 7 dis- posées entre les moyens capacitifs 2 et la ligne de signa- lisation 13. Ces portes 7 peuvent être fabriquées sous la forme de structures de transistorsillustrées sur les figures 15 3 à 6 comportant des zones de source individuelles de type n 47 et une zone de drain commune formée par la ligne de signalisation de type n 13. La séquence de sorties 46 du registre à décalage 6 comprend une sortie initiale (ou finale) 45 qui fournit une im- 20 pulsion de synchronisation de ligne pour le signal S du dispositif lorsque l'impulsion de sortie décalée de manière séquentielle et provenant du registre 6 apparaît sur la sortie 45. Les moyens capacitifs 2 destinés à stocker 25 temporairement et à intégrer les signaux de charge pro- venant des éléments détecteurs 1 peuvent être construits de diverses manières. Ainsi,par exemple,si l'on utilise la technologie des circuits intégrés MOS à canal n, les plaques de stockage connectées séparément des condensateurs individuels peuvent être formées par des régions de type n (par exemple les régions 57 des figures 6 et 7) séparées, mais isolées d'une bande de porte isolée surjacente qui est commune pour tous les condensateurs et-qui est connectée au potentiel terrestre. Cependant, 35 la capacité du condensateur construit ainsi comprend 19 également celle de la jonction a-n entre la région de type n et la partie de corps 34 de type p et cette ca- pacité de jonction p-n varie avec la tension. Les fi- gures 3 et 4 illustrent une construction inversée dans 5 laquelle les plaques de stockage connectées séparément sont des zones de portes isolées connectées chacune entre des régions latérales de type n formées par une région de drain 38 d'un transistor à porte d'injection et une région de source de type n 47 d'un transistor d'adres10 sage 7. Dans ce cas,il existe une bande de type n52 com- mune qui forme la plaque de base des condensateurs 2 et qui est connectée au potentiel terrestre. Cette construction est plus compliquée et peut occuper davantage de place, mais sa capacité en fonction de la tension est bien 15 plus stable. Il est également possible de former le condensateur 2 entièrement déposé sur la surface du corps 33,par exemple sous la forme d'une plaque métal- lique déposée sur une couche diélectrique sur une couche de silicium polycristallin dans la couche isolante 39. 20 Grâce à sa conception avantageuse, le fonc- tionnement du dispositif et du circuit de la figure 1 est relativement simple. Une basse tension constante V1 (par exemple d'environ 1 volt) est appliquée aux portes d'injection 10 pour actionner les transistors 25 d'entrée 35-10-38 d'une manière connue dans l'état dans lequel le courant de canal du transistor est commandé par la tension de porte-vers-source de manière à égaler le courant photo-électrique de l'élément détecteur, maintenant ainsi les éléments détecteurs 1 dans leur 30 état de polarisation nulle.De cette façon, les portes d'injection 10 servent à stabiliser le fonctionnement des photodiodes 1 éclairées par le rayonnement 20. Le signal de courant injecté est intégré sur le condensateur 2. A cet effet, le condensateur 2 est 35 chargé avant le début de la période d'intégration par 20 le retour de son potentiel au niveau de référence Vr (par exemple environ 5 volts) après quoi il est isolé de la ligne 13 pendant la période d'intégration. Le condensateur 2 devient au moins partiel- lement déchargé pendant la période d'intégration par le signal de 5 courant provenant des éléments détecteurs. Le potentiel correspon- dant à 1'état de charge de chaque condensateur 2 à la fin de sa pé- riode d'intégration est lu par couplage de ce condensateur 2, par 1l'intermédiaire de sa porte d'adressage 7, à la porte du transistor suiveur de source 3. Les portes d'injection 10 protègent les éléments 10 détecteurs 1 des effets de la lecture et du retour à l'état initial de leurs moyens capacitifs 2. Les portes 7 sont adressées séuen- tiellement par une impulsion de sortie qui apparaît séquentiel- lement sur les sorties 46 du registre à décalage 6. Dans l'agencement illustré sur les figures 1 et 2, une 15 source d'impulsion de tension d'horloge 24 est connec- tée à la porte de retour à l'état initial 5 et à une entrée 54 du registre à décalage 6. Le potentiel d'un condensateur 2 est lu dans l'intervalle de temps sépa- rant les impulsions 24. 20 La tension de seuil de la porte de retour à l'état initial 5 est choisie telle que le front montant de chaque impulsion 24 déclenche la porte 5 de telle façon que la tension de référence Vr soit appliquée par l'intermédiaire de la porte d'adressage ouverte 7 25 au condensateur 2 qui a juste fait l'objet d'une lec- ture, ramenant ainsi sa tension à la valeur initiale pour sa période d'intégration suivante. En même temps (parce que le drain de transistor de la porte de retour à l'état initial 5 est connecté à la porte isolée du 30 transistor suiveur de source 3) le niveau de tension de référence Vr est aussi appliqué au transistor 3,de sorte que son signal de sortie S passe d'une valeur correspondant au signal provenant du dit condensateur à une valeur correspondant à Vr. De cette façon, le 35 signal de sortie provenant de chaque condensateur est 21 mesuré par rapport au niveau de la tension de retour à l'état initial Vr (et non du potentiel terrestre) ce qui tend à annuler toute variation se produisant dans le niveau fourni Vr et par exemple due au bruit. 5 L'entrée 54 du registre à décalage 6 est conçue de manière à amener le front descendant de chaque impulsion 24 à rythmer le registre à décalage 6 de telle façon que l'impulsion de sortie apparaisse à présent sur la sortie suivante 46 dans la séquence. 10 Ceci déclenche le couplage commutable du condensateur 2 suivant de la séquence à la ligne 13, de sorte que le po- tentiel correspondant à l'état de charge de ce condensateur suivant est lu par le transistor suiveur de source 3. 15 Si le dispositif de la figure 1 est utilisé pour observer un sujet présentant une zone très chaude, le courant produit par au moins un des éléments détec- teurs 1 peut excéder un niveau suffisant pour décharger complètement le condensateur 2 associé et ce courant 20 en excès pourrait inverser le potentiel du condensateur (au point qu'il devienne négatif) en l'absence de dis- positifs anti-flou d'image 11,12. L'excès de courant peut polariser en sens direct la jonction R-n de cet élément détecteur de telle sorte qu'elle injecte des 25 électrons dans la masse de type p du corps en tellurure de mercure cadmium 30 produisant ainsi un signal de charge excessif au moins au niveau des éléments détec- teurs 1 voisins et éventuellement le long de la majeure partie de la rangée d'éléments détecteurs. Cependant, 30 le dispositif de la figure 1 (et celui de la figure 2) est protégé contre un tel effet de flou d'image au moyen d'une autre porte 11 entre chaque condensateur 2 et une source 12 de courant de compensation pour stabiliser la tension du condensateur 2 et de son élément détecteur 1. 35 L'autre porte 11 a la même tension de seuil que 22 la porte d'injection 10 et est connectée au même potentiel de commande Vi. Ceci est réalisé d'une manière simple dans l'agencement de la figure 3 en faisant en sorte que les portes d'injection 10 et les portes de protection contre le flou d'image 11 aient la forme 5 de parties d'une seule pièce qui alternent dans la bande de porte isolée commune 37 et en formant la source, le drain et le canal des transistors qui forment la porte d'injection 10 et l'autre porte 11 par la même technologie et au cours des mêmes opérations de traite- ment. Les portes 11 font donc partie de transistors à effet de champ 10 à porte isolée comportant chacun une source et un drain formés par une région de type n 48 séparée et une région de type n 38 qui est commune aux portes d'injection 10. Le couplage direct entre les régions 35 et 48 est empêché de manière connue au moyen d'un arrêt de canal ou d'une autre forme d'isolation de circuit qui s'étend au-dessous des parties 15 de bande de porte 37 situées entre les parties de portes acti- ves 10 et 11. Toutes ces régions de type n 48 sont connectées par une piste de métallisation à une ligne d'alimentation à un potentiel positif (Vb) qui peut être en substance égal au niveau de tension de référence 20 ramené au niveau initial (Vr), par exemple 5 volts. Ainsi, lorsque le condensateur 2 associé est ramené à l'état initial, le transistor de protection contre le flou d'image 11 est dans un état non conducteur en rai- son du potentiel négatif effectif et significatif de 25 sa porte, c'est-à-dire (Vi - Vb), qui est par exemple d'environ moins 4 volts par rapport à la région 38. Au cas o un élément détecteur 1 est po- larisé en sens direct et que le potentiel du condensateur 2 associé commence à devenir négatif, la région as- 30 sociée 38 de la porte de protection contre le flou d'image 11 commence à devenir négative. Cela étant, le potentiel de porte effectif Vi est à présent positif par rapport à la région 38, de sorte que le transistor de protection contre le flou d'image qui est formé par 35 la porte 11 commence à être conducteur, couplant ainsi 23 le condensateur 2 à l'alimentation de courant 12. Dans cette situation, l'alimentation 12 fournit du courant compensateur au condensateur 2 pour stabiliser le potentiel du condensateur 2 et de son élément détec- 5 teur 1 à environ zéro volt en compensant l'excès de courant photo-électrique. De cette façon, on évite la tendance de permettre à un courant excessif au niveau d'un élément détecteur de polariser en sens direct la jonction p-n de cet élément. 10 Le fonctionnement de base du circuit du dis- positif décrit à propos de la figure 1 s'applique égale- ment au dispositif de la figure 2, en ce qui concerne ses éléments détecteurs 1, portes d'injection 10, moyens ca- pacitifs 2, portes de protection contre le flou d'image 15 11, portes d'adressage 7, transistor de lecture de ten- sion commun 3, porte de retour à l'état initial 5 et registre à décalage 6. Dans le dispositif de la figure 2,, cependant deux condensateurs 2a et 2b commutables alter- nativement sont associés à chaque élément détecteur 1, 20 de sorte que pendant qu'un condensateur (par exemple 2a) est couplé au transistor suiveur de source 3 pour la lecture de son potentiel après intégration, l'autre con- densateur (2b) est couplé à l'élément détecteur 1 pour l'intégration de son signal de courant. Le système de 25 commutation des portes d'entrée 8a et 8b et des portes de sortie 9a et 9b permet à chaque élément détecteur 1 d'être actionné pendant toute la durée pour la détection photo-électrique sans que son signal soit perdu (c'està-dire non intégré) pendant la lecture de la sortie pré- 30 cédente de cet élément 1. Cela étant, dans le dispositif de la Fig. 2, tous les éléments détecteurs 1 peuvent ob- server le sujet en même temps. Par souci de commodité, seul un élément 1 et l'entrée A correspondante sont il- lustrés sur la Fig. 2. 35 Chacun des premier et second condensateur 2a -2587864 - ~ 24 et 2b peut être formé de la même manière que le disposi- tif de la Fig. 1. Dans l'exemple illustré sur les fi- gures 5 et 6, chaque condensateur 2a ou 2b comprend une région de type n individuelle 57 dans la partie 5 de corps de type _ 34. Chaque région de condensateur 57 est isolée d'une bande métallique surjacente 52 (non représentée sur la figure 5) qui forme une plaque mise à la terre supérieure commune à tous les conden- sateurs 2a et 2b et qui s'étend parallèlement à la bande 10 de porte d'injection 10. Cependant, si on le souhaite, une structure de condensateur inverse comportant une bande de type n commune 52 (dans la partie 34 du corps) et des plaques de portes isolées séparées 51a et 51b connectées entre des régions latérales de type n peuvent 15 être prévues en variante pour chaque condensateur 2a et 2b, comme illustré sur les figures 3 et 4. Des portes isolées séparées 9a et 9b sont présentes entre les ré- gions de type n 57 et la région de type n 47 de chaque transistor d'adressage 7 pour former les portes de 20 sortie commutables en alternance. De même, au lieu que l'entrée A soit attribuée aux régions de type n 35 des transistors à porte d'injection 10, chaque entrée A est associée à une région de type n 58 qui est couplée aux régions individuelles 35 pour les condensateurs 25 2a et 2b par des portes isolées 8a et 8b formant les portes d'entrée commutables en alternance. Il est habi- tuellement préférable d'incorporer les portes d'entrée 8a et 8b entre l'entrée A de l'élément détecteur et la porte d'injection 10,comme illustré sur les figures 2, 30 5 et 6, plutôt qu'entre la porte d'injection 10 et les moyens capacitifs 2a et 2b parce qu'une bandede porte d'in- jection 37 commune dans cette dernière position peut introduire une confusion entre les signaux d'entrée provenant des éléments détecteurs 1 par suite de la 35 capacité importante de la bande de porte 37. Des régions 25 de connexion individuelles 48 pour le dispositif de protection contre le flou d'image peuvent être prévues pour chaque condensateur 2a ou 2b ou un agencement plus compact peut être obtenu en disposant des régions de 5 connexion d'électrode communes 48' entre les portes 11 de chaque paire de condensateurs 2a ou 2b. En pratique, des régions individuelles 48 ou des régions communes 48' sont normalement utilisées pour chaque paire 2a et 2b de condensateurs dans le dispositif; cependant, par souci 10 de commodité, les deux variantes sont illustrées pour des paires de condensateurs différentes sur la figure 5 au lieu d'être représentées sur deux dessins. Comme le montre la figure 2, le système de commutation 8a,8b,9a,9b est commandé par les sorties 15 inverses 16 et 17 d'un ou de plusieurs circuits à bas- cule 18. Un signal de sortie Q (de 16) est l'inverse de l'autre Q (de 17). La sortie 16 est connectée à la porte d'entrée 8a et à la porte de sortie 9b, tandis que la sortie 17 est connectée aux portes 8b et 9a. 20 Par conséquent, lorsque Q est tel qu'il fait passer sur conduction les transistors comportant les portes isolées auquel il est appliqué, le condensateur 2a est couplé à l'élément détecteur 1 pour intégrer sa sortie de courant,mais est isolé de la porte d'adressage 7 25 par l'état non conducteur du commutateur à transistor comportant la porte isolée 9a,et le condensateur 2b est couplé à la porte d'adressage 7,mais est isolé de l'élément détecteur 1 par l'état non conducteur du commutateur à transistor comportant la porte isolée 8b. 30 La figure 7 illustre une autre variante du moyen capacitif pour chaque entrée d'élément détecteur A. Dans cette forme d'exécution, chacun des premier et se- cond moyen capacitif 2a et 2b dans les branches paral- lèles alternées du circuit de la figure 2 comprend trois 35 condensateurs (à savoir 2a', 2a'', 2a''' et 2b', 2b'', 26 2b''') connectés en parallèle. Au moins les condensa- teurs 2a'', 2a''', 2b'' et 2b''' sont couplés aux bran- ches par l'intermédiaire de commutateurs à transistor 22 dont lesportes isolées sont connectées par paires pour 5 commander des sources de tension C'' et C''. Ceci permet de connecter chaque paire de condensateurs (soit 2a'' et 2b'' soit 2a''' et 2b''') à l'autre ouaux autres ou de l'en déconnecter de manière à permettre l'obtention d'une capacité de stockage totale plus 10 grande ou plus petite lorsqu'on le désire pour l'appli- cation du dispositif. Ce système fournit un circuit de traitement de signal plus souple et peut augmenter la gamme dynamique du dispositif imageur. La capacité de stockage accrue obtenue par connexion deux ou plus 15 de deux condensateurs (2a', 2a'', 2a''') en parallèle peut être utilisée lors de l'observation d'un sujet plus chaud ou même d'un sujet présentant un point chaud de sorte que cette capacité de stockage accrue peut même être utilisée en coopération avec le dispositif de pro- 20 tection contre le flou d'image 11,12 pour résister à un courant excessif provenant de l'élément détecteur 1. Une telle capacité de stockage accrue peut aussi être utilisée lors de il'observation (c'est-à-dire l'intégration) d'un sujet pendant un laps de temps plus long,car ceci 25 provoque également un signal accru des éléments détec- teurs. Une autre situation dans laquelle cette possibi- lité peut être utile est la fabrication de dispositifs imageurs fonctionnant à des longueursd'ondes infrarouges différentes. Ainsi,par exemple,un signal important (par 30 exemple jusqu'à 30 fois plus important) peut en général être obtenu à partir d'un sujet au moyen d'éléments détecteurs en tellurure de mercure cadmium 1 conçus pour fonctionner dans la bande de longueursd'ondesde 8 à 14/um plutôt que la bande de longueurs d'ondes de 3 35 à 5/um. Cette possibilité de capacité variable (2a', 2a'', 27 2a''', 2b', 2b'', 2b''', 22) permet de coupler l'un ou l'autre des deux types d'éléments détecteurs 1 au moyen capacitif 2 dans un dispositif conforme à l'in- vention. Quoique la figure 7 illustre trois paires 5 de condensateurs, des dispositifs semblables peuvent être conçus avec deux paires seulement (par exemple 2a', 2b' et 2a'' et 2b'') pour le dispositif de la figure 2 et dans le cas de la figure 1, le condensa- teur 2 doit simplement être remplacé par des condensa- 10 teurs 2a', 2a'' et si on le souhaite 2a''',mais sans association par paire. Dans les dispositifs décrits jusqu'ici avec référence aux figures 1 à 7, la rangée de moyens capacitifs 2 est couplée à un ensemble linéaire 15 d'éléments détecteurs 1. On comprendra que de nombreuses variantes d'arrangement des dispositifs des figures 1 à 6 sont possibles sans sortir du cadre de l'invention. Ainsi par exemple, les éléments détecteurs 1 peuvent être disposés en deux rangées ou,par exemple,en une 20 rangée alternant en quinconce et peuvent être placés entre deux corps de circuits de traitement de signaux 33 comportant chacun une rangée de moyens capacitifs 2 de telle sorte que les différentes rangées d'éléments détecteurs 1 ou les éléments détecteursplacés enalternance puissent 25 être connectés aux différents corps 33. Dans certains dispositifs, les éléments détecteurs 1 peuvent être prévus sur ou même dans le corps de circuit de traite- ment de signaux 33. De plus, le circuit de traitement de signaux des dispositifs imageurs conformes à l'inven- 30 tion peut être relié à un réseau bidimensionnel d'éléments détecteurs 1. La figure 8 illustre un réseau bidimen- sionnel d'éléments détecteurs à photodiodes 1 qui sont connectés de manière commutable par l'intermédiaire de 35 commutateurs 61 respectifs à des trajets de signaux 62. Quoique 28 seize éléments détecteurs 1 et commutateurs 61 seule- ment soient représentés sur la figure 8, ils sont ha- bituellement bien plus nombreux, par exemple dans un réseau d'au moins 64 x 64 ou 128 x 128. Les commu- 5 tateurs 61 peuvent être des transistors à effet de champ à portes isolées et sont disposés selon un réseau bidimensionnel correspondant à celui des éléments détecteurs 1. Les éléments détecteurs 1 peuvent à nou- veau être en tellurure de mercure cadmium et peuvent 10 être montés par diverses techniques connues sur un corps de circuit en silicium comprenant les commutateurs 61 et les trajets de signaux 62. Deux exemples de technologiesdemontage et d'interconnexion adéquates sont décrits dans la demande de brevet européen EP-A 061 803 15 (notre référence PHB 32767) qui décrit la formation et la connexion de régions d'éléments détecteurs de type n annulaires autour des parois latérales des ouvertures dans un corps de type p sur un substrat de circuit en silici-um,et dans I-.E.E-.E. 1978 International Electron 20 Devices Meeting, Washington D.C., pages 510 à 512 qui décrit des plages de connexion en indium entre des régions d'éléments détecteurs sur la surface inférieure d'un corps de type de conductivité opposée également sur un substrat de circuit en silicium. 25 Les transistors 61 dans chaque colonne (hori- zontale) sont amenés séquentiellement sur conduction par une impulsion apparaissant séquentiellement sur les sorties 63 d'un registre à décalage 64 qui peut être intégré dans le même corps de circuit en silicium 30 que les commutateurs 61. Grâce à cela, les éléments détecteurs 1 dans chaque colonne sont commutés séquen- tiellement sur la rangée de sorties-B des trajets 62 qui sont connectés aux entrées A d'un circuit de trai- tement de signaux tel que celui représenté sur la figure 35 2. Lorsque le réseau de la figure 8 est connecté au 29 circuit de la figure 2, les signaux d'une ligne (rangée verticale) d'éléments détecteurs 1 peuvent être lus, par exemple, à partir des condensateurs 2a par le transis- tor suiveur de source 3, tandis que les signaux provenant 5 de la ligne suivante (rangée verticale) d'éléments détecteurs 1 sont couplés aux condensateurs 2b et intégrés dans ceux-ci. Ce dispositif imageur présente donc une performance équivalente par ligne de chaque rangée du réseau bidimensionnel, avec le même temps d'observation 10 (et temps d'intégration) pour chaque élément détecteur 1 dans la ligne (rangée verticale). Etant donné que les transistors de commutation individuels 61 et leurs con- nexions peuvent être fabriqués avec une géométrie très compacte, il est possible de prévoir un grand nombre de 15 commutateurs 61 et d'éléments détecteurs 1 dans un réseau très compact, de sorte qu'on peut obtenir des réseaux beaucoup plus grands (dans de petites zones) et des réso- lutions spatiales plus élevées avec le dispositif imageur des figures 2 et 8 qu'avec les dispositifs imageurs CCD 20 et le dispositif de la figure 3 du document EP-A 0 128 828. Le réseau de la figure 8 peut être connecté au circuit de la figure 1 si une impulsion est appliquée à la porte d'injection 10 de manière à isoler le condensateur 2 de l'entrée A lorsque son potentiel est lu par le transis- 25 tor 3. Cependant, le temps d'observation/intégration serait alors diminué du temps nécessaire pour balayer la ligne. REVENDICATIONS 1. Dispositif imageur infrarouge comprenant (a) plusieurs éléments détecteurs infrarouges qui pro- duisent un courant photo-électrique en réaction au ra- 5 yonnement infrarouge incident, (b) des moyens capacitifs couples ' chaque élément détecteur pour intégrer le cou- rant produit au niveau de cet élément détecteur pendant une période d'intégration, (c) un moyen de lecture de tension couplé entre les moyens capacitifs et une sortie de 10 siqnal pour produire un sinal de sortie par lecture d potentiel des moyens capacitifs qui correspond au courant intégré au niveau de chaque moyen capacitif, (d) un moyen de retour à l'État initial couplé aux moyens capacitifs pour ramener les moyens capacitifs à un niveau de tension 15 de référence avant le début de chaque période d'intégra- tion, et (e) un moyen d'adressage et de commutation permettant aux signaux de sortie correspondant aux di- vers éléments détecteurs de se présenter séquentielle- ment à la sortie de signal et permettant le retour sé- 20 quentiel à l'état initial des moyenscapacitifs des élé- ments détecteurs, caractérisé en ce que le moyen de lec- ture de tension et le moyen de retour à l'état initial sont chacun communs aux divers éléments détecteurs et en ce que le moyen capacitif de chaque élément détecteur est cou- 25 plé de manière commutable à l'aide du moyen d'adressage et de commutation au moyen commun de lecture de tension et au moyen de retour àl'état initial commun de manière à commuter chaque moyen capacitif séquentiellement sur le moyen de lecture et de tension commun et à rétablir .- 30 séquentiellement le niveau de tension de référence à chaque moyen capacitif et au moyen de lecture de tension. 2. Dispositif suivant la revendication 1, caractérisé en ce que les moyens capacitifs des éléments détecteurs sont disposés en une rangée à côté d'une ligne de signalisation 35 commune et sont couplés de manière commutable à cette ligne, que le moyen de lecture de tension commun et le moyen de retour à l'état initial commun sont connectés à un endroit situé le long de la ligne de signalisation commune et qu'une porte d'injection pour commander l'injection du courant de l'élément détecteur dans le moyen capa- citif est disposée de l'autre côté de la rangée de moyens cepacitifs et s'étendparallèlementàla ligne de signal- lisation commune. 3. Dispositif suivant la revendication 2, caractérisé en ce que le moyen de lecture de tension commun est formé par un transistor à effet de champ à porte isolée suiveur de source, dont la porte isolée est connectée à la ligne de signalisation commune. 1 4. Dispositif suivant la revendication 3, caractérisé en ce que le transistor formant le moyen de lecture de tension commun est prévu au voisinage d'une extrémité de la ligne de signalisation commune. 5. Dispositif suivant l'une quelconque des reven- 5 dication 2 à 4, caractérisé en ce que le moyen de retour a l'état initial commun comprend un transistor à effet de champ à porte isolée dont la source et le drain sont connectés entre la ligne de signalisation commune et un moyen d'alimentation de tension de référence. 20 6. Dispositif suivant la revendication 5, caractérisé en ce que la source et le drain du transistor formant le moyen de retour à l'état initial commun sont connectés entre une extrémité de la ligne de signalisation commune et le moyen d'alimentation de tension de référence. 25 7. Dispositif suivant l'une quelconque des revendi- cations précédentes, caractérisé ence que le moyen d'adressage et de commutation comprend un registre à décalage comportant des sorties séquentielles qui sont connectées à plusieurs portes isolées disposées entre 30 les moyens capacitifs et une ligne de signalisation commune, les portes isolées, lorsqu'elles sont séquentiellement adressées à partir du registre à décalage, couplant les moyens capacitifs des éléments détecteurs de manière com- mutable séquentiellement à la ligne de signalisation commune. 35 8. Dispositif suivant la revendication 7, caractérisé en ce qu'une source d'impulsions de tension d'horloge est connectée à une porte du moyen de retour à l'état initial et à une entrée du registre à décalage, le front montant de chaque impulsion étant utilisé pour déclencher la porte du moyen de retour à l'état initial et le front descendant de chaque impulsion étant utilisé pour rythmer le registre à décalage de manière à déclencher le couplage 5 commutable du moyen capacitif de chaque élément détecteur séquentiellement vers le moyen de lecture de tension commun. 9. Dispositif suivant l'une quelconque des reven- dications précédentes, caractérisé en ce que le moyen capacitif de chaque élément détecteur comprend au moins 10 deux condensateurs connectés en parallèle et au moins un des condensateurs comporte un moyen permettant de le con- necter à l'autre ou aux autres ou de l'en déconnecter de manière à permettre l'obtention d'une capacité de stockage totale plus grande ou plus petite. 15 10. Dispositif suivant l'une quelconque des reven- dications précédentes, caractérisé en ce que les divers éléments détecteurs sont disposés en un réseau bidimen- sionnel, les éléments détecteurs étant connectés de manière commutable par l'intermédiaire de commutateurs respectifs 20 dans un réseau bidimensionnel de commutateurs à des trajets de signaux qui sont couplés aux moyens capacitifs au moins par l'intermédiaire de portes d'entrée. 11. Dispositif suivant l'une quelconquedes revendi- cations précédentes, caractérisé en ce que les éléments 25 détecteurs sont en tellurure de mercure cadmium et les moyens capacitifs, le moyen de lecture de tension, le moyen de retour à l'état initial et le moyen d'adressage et de commutation sont formés dans au moins un corps de circuit en silicium. 30 12. Dispositif suivant l'une quelconque des revendications précédentes, caractérisé en ce que les éléments détecteurs forment un imageur infrarouge . 13. Caméra comprenantun dispositif suivant l'une quelconque des revendications précédentes. 35