FR 2596921 A1 19871009 FR 8618365 A 19861230 Procédé de formation d'un dessin conducteur sur la surface d'un semi- conducteur tel que notamment du silicium, germanium et l'arsénium de gallium." L'invention concerne un procédé de formation d'un dessin conducteur sur une surface semiconductrice. Les cellules solaires sont actuellement fabriquées suivant un procédé mettant en oeuvre la photolithographie. Dans ce procédé, des revêtements tout 10 d'abord de titane, puis de palladium et enfin d'argent, sont appliqués par un procédé d'évaporation sur la surface d'une pastille de silicium dopée. La pastille est ensuite recouverte d'une photo-résistance, puis un msque de verre est placé sur la photo-résistance et cette 15 photo-résistance est exposée à de la lumière ultraviolette. Les parties de la photo-résistance qui ont été soit exposées, soit non exposées à la lumière, sont ensuite retirées, généralement par dissolution dans un solvant, et les couches métalliques exposées sont attaquées 20 à l'acide. La photo-résistance restante est décapée et le dessin en couche mince est ensuite plaqué à l'argent pour lui donner l'épaisseur requise. Bien qu'il permette d'obtenir des dessins de circuits conducteurs satisfaisants sur ie silicium, ce procédé est cher et prend beaucoup de temps, car il met en oeuvre de nombreuses étapes. Le coût des cellules solaires serait réduit de beaucoup et l'on f augmenterait leur utilisé en trouvant un procédé permettant de former des dessins conducteurs sur du silicium dopé sans avoir à mettre en oeuvre toutes les étapes nécessitées par le procédé de photolithographie. Pour atteindre ce but, l'invention concerne un procédé de formation d'un dessin conducteur sur la surface d'un semi-conducteur, procédé caractérisé en ce qu'il consiste à exposer des parties de la surface à la lumière d'un laser de densité de puissance prédé10 terminée, et à immerger cette surface dans une solution de placage d'un métal de placage, ce qui permet ainsi de plaquer un métal de placage sur les parties de la surface du semi-conducteur qui ont été exposées à la lumière laser. Il a ainsi été découvert un processus de formation de dessins conducteurs sur du silicium dopé pour la fabrication de cellules solaires, qui ne nécessite pas de mettre en oeuvre la photolithographie, ni même de déposer nécessairement des couches de titane 20 et de palladium sur le silicium. C'est-à-dire qu'il a été découvert, tout à fait par accident, qu'une lumière laser de densité de puissance particulière et de longueur d'onde particulière pouvait activer une surface de silicium de telle manière qu'un dessin conducteur d'argent pouvait être appliqué directement sur la surface de silicium. Précédemment, l'application directe d'argent sur la surface de silicium n'était pas possible du fait que l'argent n'adhère pas bien au silicium. Cependant, l'exposition de la surface de silicium à la 30 lumière laser de densité de puissance particulière et de longueur d'onde particulière, active d'une certaine façon la surface exposée, de sorte que l'argent adhère à celle-ci. Il est donc possible de supprimer l'application d'une photorésistance sur la surface, ainsi que 35 le dépôt des couches de titane et de palladium. Ceoendant, il a également été constaté que des lumières laser de densités de puissance différentes activaient de la même façon les couches de titane et de palladium, de sorte que l'argent n'adhérait seulement qu'aux parties de titane ou de palladium qui avaient été exposées à la lumière laser. Ainsi, il est également possible de former un circuit conducteur sur une couche de titane ayant été appliquée sur le silicium, ou d'appliquer une couche conductrice sur une couche de 10 palladium placée sur le dessus d'une couche de titane formée sur la plaquette de silicium. En supprimant l'étape de photolithographie ainsi que l'application des couches de titane et de palladium, il est possible de former une cellule solaire par un procédé beaucoup plus rapide et beauicoup moins cher que le procédé photolithographique antérieur. Même en utilisant les couches de titane et de palladiun, le procédé selon l'invention reste toujours moins cher et moins long que le procédé photolithographique, car 20 les étapes d'application et d'extraction de la photorésistance sont supprimes. L'invention sera décrite en détiis en se référant aux dessins joints dans lesquels: - les figures 1, 2 et 3 sont des vues en perspective, partiellement en coupe, illustrant trois formes de realisation de cellules solaires; et - la figure 4 est un graphique representant la relation entre le courant et la tension dans une cellule solaire réalisée par le procédé selon l'invention. Dans la forme de réalisation de la figure 1, une plaquette de silicium 1 comporte une partie 2 dopée négativement (ou positivement) et une autre partie 3 dopée dans la polarité opposée. Un métal 4 siuscep tîble d'être plaqué tel que de l'argent, est appliqué directement sur les parties 5 de la plaquette de silicium I qui ont été exposées à la lumière laser, pour former le dessin de circuit 6 sur la surface de la plaquette de silicium 1; un revêtement anti-réfléchissant 7 est appliqué sur la surface restante. La forme de réalisation de la figure 2 est identique à celle de la figure 1 sauf qu'une couche très mince 8 d'un métal réfractaire ou d'un métal noble est appliquée sur la surface de la plaquette de silicium 1, et qu'une couche 9 d'un métal pouvant être plaqué, est appliquée sur les parties 10 de la couche 8 de métal réfractaire ou de métal noble qui ont été exposées à la lumière laser, pour former ainsi le dessin de circuit 11; un revêtement anti-réfléchissant 12 est appliqué entre les dessins de circuit 11. La forme de réalisation de la figure 3 est identique à celle de la figure 2 sauf qu'une couche 13 de métal noble est appliquée sur la couche de métal réfractaire 8. Sur les parties 14 de la couche de métal noble '13 qui ont été exposées à la lumière laser, est appliqué un métal pouvant se plaquer 15, pour former le dessin de circuit 16; un revêtement antiréfléchissant 17 remplit les espaces du dessin de circuit. Le procédé selon l'invention peut être appliqué à n'importe quel matériau semi-conducteur 25 tel que, par exemple, du silicium, du germanium, et l'arséniure de gallium. Le silicium est le matériau semi-conducteur préféré, car on a constaté que le procédé selon l'invention s'appliquait parfaitement bien au silicium. Le silicium doit être du silicium monocris30 tallin, mais peut être formé par une grande variété de procédés comprenant le procédé Czochralski, le procédé à zone flottante, ou le procédé à couche dendritique. Le silicium peut être dopé par différents dopants de types p et n comprenant le bore, le phosphore, l'azote, 35 Le matériau semi-conducteur peut présenter prati- quement n'importe quelle configuration de surface comprenant les configurations plates ou courbes, ainsi que n'importe quelle taille ou n'importe quelle forme, dans la mesure ou les zones sur lesquelles le dessin conduc5 teur doit être formé, peuvent être exposées à la lumière laser. Dans le procédé préféré selon l'invention, le dessin conducteur du métal pouvant être piaqué, est formé directement sur le silicium. Cependant, 10 dans certaines circonstances, il peut être souhaitable de former une couche d'un métal réfractaire, une eouehe d'un métal noble, ou une couche d'un métal réfractaire suivie d'une couche d'un métal noble, sur le matériau semi-conducteur avant de former le dessin conducteur par le métal pouvant être plaqué, ce qui augmente l'adhérence du métal de placage sur le matériau semi-condueteur. Ces couches de métal réfractaire ou de métal réfractaire et de métal noble sont, de préférence, absentes, car elles augmentent le coût de fabrication 20 de la cellule solaire et il n'apparaît pas, à l'heure actuelle, d'avantages importants à les utiliser. La couche de métal réfractaire a cependant pour but de servir de barrière de diffusion et peut être souhaitable lorsque la cellule solaire doit 25 être exposée à des températures pouvant produire la diffusion du métal de placage dans le matériau semiconducteur. Bien que n'importe quel métal réfractaire comprenant le titane, le tantale et le tungstène puisse être utilisé pour former la barrière de diffusion, le titane est préférable, car il présente une forte affinité pour l'oxygène et forme donc une très bonne liaison avec une surface de silicium même si cette surface de silicium est recouverte d'une couche de dioxyde de silicium. La couche de métal réfractaire est, de préférence, 35 formée par évaporation du métal réfractaire et condensa- tion ultérieure de celui-ci sur le matériau semi-conducteur, mais cette couche pourrait également être formée par projection ou par tout autre procédé. Une épaisseur d'environ 300 à 1500 angstrbms est préférable, car des couches plus minces pourraient conduire à une couverture non uniforme, et des couches plus épaisses ne sont pas nécessaires. Bien que le métal de placage puisse être appliqué directement sur le métal réfractaire après 10 que des parties de celui-ci aient été exposées au laser, il peut être souhaitable, dans certains cas, de former un écran galvanique entre la barrière de diffusion et le métal de placage pour empêcher la corrosion entre les couches de métal du fait de leurs différences de poten15 tiels dans l'échelle des forces électromotrices. L'écran galvanique peut être constitué par un métal noble, tel que de l'or, du platine, du palladium, du ruthénium ou du rhodium, mais il est, de préférence, constitué par du palladium, car les métaux de placage, tels que l'ar20 gent, adhèrent très bien au palladium. La couche de métal noble qui forme l'écran galvanique est, de préférence, formé par évaporation, mais cette couche peut également être formée par d'autres techniques telles que la projection. L'épaisseur de la couche de métal noble est, de préférence, comprise entre 300 x 1-10m et 1500 x 1-10m car des couches plus minces pourraient ne pas couvrir uniformément la couche de métal réfractaire, et des couches plus épaisses ne sont pas nécessaires, ne présentent pas d'avantages supplémentaires, et augmentent le 30 coût du produit. Dans l'étape suivante du procédé selon l'invention, différentes parties de la surface du matériau semi-conducteur (ou du métal réfractaire, si ce métal réfractaire constitue la couche supérieure, 35 ou du métal noble, si ce métal noble constitue la couche supérieure) sont exposées à la lumière laser. Le métal de placage n'adhère, de préférence, qu'aux seules parties de la surface du métal qui ont été exposées à la lumière laser. Du fait qu'on utilise un laser, aucun masque n'est nécessaire, et le dessin du circuit peut être formé soit en déplaçant la lumière laser sur la surface, soit en déplaçant la surface sous la lumière laser. Il est préférable de déplacer la lumière laser, car cela est plus rapide et peut être commandé électrC10 niquement plus facilement et avec une plus grande précision. Si aucune couche de métal réfractaire ou de métal noble n 'est présente, la lumière laser doit avoir une densité de puissance compri'se en15 tre 3, 9 x 105 et 6,4 x 105 Joules/cm2 et une longueur d'onde d'environ 5000 x!10 m. Il a été constaté experimentalement que l'utilisation de puissance de densités plus faibles ne permettait pas d'activer suffisamiment la surface du matériau semi-conducteur pour que le metal 20 de placage adhère convenablement a celui-ci. En utisant des puissances de densités supérieures à 6,4 x 105 Watts/cm2, la résolution devient Faible et la qualité de la cellule solaire peut être dégradée par des détériorations induites par le laser dans le maté25 riau semiconducteur. Il est appliqué un métal réfractaire au matériau semi-conducteur, ou s'il est appliqua à ce matériau semi-conducteur à la fois un métal réfractaire et un métal noble plaqué sur le dessus du métal réfractaire, ou encore si l'on applique le métal noble directement sur le matériau semi-conducteur, la lumière laser doit avoir une longueur d'onde d'environ 5'00 x 1-10 m et une densité de puissance comprise entre 4,3 x 105 et 7,6 x 10 Watts/cm2 En utilisant des Ion35 gueurs d'onde à l'extérieur de cette plage ou des denai- tés de puissance plus importantes, le métal de placage peut adhérer aussi bien aux parties non exposées qu'aux parties exposées de la surface et la résolution devient faible. En utilisant des densités de puissance plus faibles, le métal de placage peut ne pas adherer aux parties exposées. Dans l'étape suivante du procédé selon l'invention, la couche supérieure formee sur la cellule solaire, qui peut être constituée par le maté10 riau semi-conducteur lui-même, le métal réfractaire ou le métal noble, est plaquée par un métal de placage tel que, par exemple, de l'argent, du cuivre ou de l'or. Le métal de placage préféré est l'argent, car il présente une excellente conductibilité et une excellente adheren15 ce. Le placage peut être réalisé de manière classique en utilisant un placage sans électrodes ou un électroplacage. L'électroplacage est préféré, car il s'est avéré très pratique à mettre en oeuvre. Le placage doit être poursuivi jusqu'à ce que l'épaisseur de la couche 20 de métal de placage soit comprise entre deux et dix microns. Si la couche de métal de placage est plus mince, cette couche peut ne pas être capable de conduire convenablement le courant, ce qui conduit à une grande chute de tension aux bornes de la cellule solaire; d'autre 25 part, des épaisseurs supérieures à 10 microns ne sont généralement pas nécessaires. Dans l'étape suivante du procédé selon l'invention, on retire les couches de métal réfractaire et/ou de métal noble comprises dans les interval30 les du dessin de circuit de métal de placage. Ce résultat peut être obtenu de façon bien connue par attaque à l'acide, en utilisant par exemple de l'eau régale. Si plusieurs cellules solaires ont été formées sur une même plaquette, il est nécessaire 35 d'effectuer une attaque "mesa" qui consiste à séparer les cellules solaires de la plaquette en attaquant une partie de la couche de matériau semi-conducteur de façon qu'on puisse mesurer séparément les propriétés de ehaque cellule. Les cellules sont ensuite essayées et si cela est souhaitable, un revêtement anti-réfléchissant constitué, par exemple, par du séléniure de zinc ou du fluorure de magnésium, est projeté sur la surface pour augmenter le rendement de la cellule solaire; cela est un procédé bien connu de l'art antérieur. Les cellules sont, de préférence, agglomérées pour augmenter l'adhérence des métaux au matériau semi-conducteur placé au-dessous. L'agglomrition est typiquement effectuée entre 300 et 450 0C des températures plus basses semblent être inefficaces 15 et des températures plus élevées peuvent diffuser les métaux dans le matériau semi-conducteur. Outre la production des eelluiLes solaires, le procédé selon l'invention peut également être utilisé pour former les parties de liaison de cir20 cuits intégrés à petite échelle, ainsi que d'autres produits. L'invention sera maintenant illustrée en se référant à l'exemple ci-après. EXEMPLE Des plaquettes de silicium monocristallin de 50,8 mm de diamètre et 0,3 mm d'épaisseur réalisées par le procédé de zone flottante, ont été divisées en 12 zones pour former des cellules solaires de un centimètre par un centimètre dans chaque zone. Dans ces experiences, un laser à l'argon présentant une longueur d'onde de sortie crête de 5145 x 1-10 m et une puissance maximum de 18 watts, a été utilisé pour exposer les plaquettes aux dessins d'essais. Dans des expériences préliminaires, 35 1500 x 1 10m de titane suivis de 500x 1 -10 m de palladium ont été évaporés sur certaines des plaquettes de silicium. Douze dessins de métallisation de cellules solaires en forme de peignes ont été dessinées au laser sur la plaquette en utilisant un laser continu à l'argon focalisé à environ 50 microns, et des miroirs de balayage X-Y pour effectuer le balayage de trame du faisceau. Chaque dessin de peigne était constitué par cinq dents horizontales de 9 mm de longueur, séparées de 2 mm et reliées par une ligne verticale de 9 mm de longueur, avec une 10 patte de contact de 2 mm par 1 mm centrée sur la ligne verticale. Chaque ligne était dessinée en utilisant un balayage unique avec une puissance laser de 7,7 W et - une vitesse de balayage de 20 cm/s. La patte de contact était dessinée à la même puissance avec une vitesse de 15 balayage de 0,2 cm/s et un recouvrement de balayage de %. Aucune marque correspondant au balayage laser n'était visible sur la surface recouverte de palladium même lorsque celle-ci était examinée sous un microscope à grande puissance de Nomarski. Cependant, lorsque la 20 plaquette était immergée dans un bain de placage de cyanure d'argent en appliquant un courant de placage de 10 mA, les pattes de contact invisibles Jusqu'ici étaient plaquées instantanément. Les lignes dessinées à plus grande vitesse prenaient plus de temps à être 25 plaquées. Une étude de l'épaisseur de placage en fonction de la puissance laser a été effectuée sur la même plaquette. Les lignes étaient dessinées à des puissances laser se situant entre environ 8,5 W et 1-2,5 W, puis plaquées ensuite pendant deux heures en utilisant un courant de placage de 10 mA. Les épaisseurs de placage se situaient entre 7 et 9 microns sans dépendre plus de la puissance laser. L'utilisation de vitesses de balayage plus faibles conduisait à des vitesses de 35 placage plus grandes. il Il a également été essayé le placage de cuivre.sur du silicium recouvert de titanepalladium dessiné au laser. Les pattes de contact étaient dessinées en utilisant des puissances laser se situant entre 7,7 W et 12,5 W. A des puissances plus élevées, des détériorations visibles étaient observées. La plaquette dessinée au laser était placée dans une solution de placage de sulfate de cuivre, L'utilisation d'un courant de placage de 1 mA permettait d'obtenir 10 le placage sélectif du cuivre sur les zones dessinées au laser. Les zones de détérioration visibles etai'e' plaquées plus rapidement. La sélectivité du placage de cuivre sur le silicium recouvert de titane-pa!ladiunr dessiné au laser, était donc également démontrée. Des dessins dessinés au laser sur du silicium recouvert de titane et sur du silicium nu étaient également plaqués selectivemernt dans un bain de placage de cyanure d'argent. Dans le cas du silicium rau, l'argent de placage n'adhérait pas convenaablement. Au contraire, l'argent plaqué sur la surface recouverte de titane adhérait parfaitement bien. Ce résultat est tres prometteur pour l'application aux cellules solaires, car il peut conduire à la suppression de la couche de paladium évaporée, ce qui correspond à une réduction impor25 tante des coûts de production. Pour démontrer la faisabilité des dispositifs de métallisation utilisant cette technique de placage sélectif, des dessins de peignes de cellules solaires ont été dessinés au laser sur des plaquettes 30 recouvertes de 1500 x 1-10m de titane et 500 x - 10 de palladium. Une puissance laser de 7,7 W et une vitesse de balayage de 0,2 cm/s ont été utilisées à la fois pour les lignes et pour les pattes de contact de manière à obtenir des vitesses de placage uniformes. Après un pl135 cage d'argent effectué pendant trois heures en utilisant un courant de placage de 10 mA, le palladium et le titane se trouvant sur le reste de la plaquette ont été attaqués à l'acide. La surface du dessin d'argent a été oxydée dans l'eau régale utilisée pour attaquer le paila5 dium. Cet oxyde a été retiré par immersion dans la solution de placage de cyanure d'argent, suivie d'un placage de 30 minutes pour reconstituer l'épaisseur. L'épaisseur de placage finale a été mesurée à la valeur de 25 microns. Une seconde plaquette n'a été plaquée que pendant 15 minu-10 tes seulement à 10 mA, et a montré une épaisseur de placage de 4,6 microns. Des "mesas" ont ensuite été définis photolithographiquement autour des dessins pour isoler les cellules les unes des autres. Des mesures de courant-tension ont 15 été effectuées en présence de lumière et dans le noir pour caractériser les cellules. Les données I-V (couranttension) en présence,de lumière sont représentées dans le Tableau I, et les données I-V (courant-tension) dans le noir sont représentées dans le Tableau II, avant et 20 après agglomération dans l'hydrogène à 450 C pendant minutes. I1 a été constaté que les rendements des cellules non recouvertes d'un revêtement anti-réfléchissant atteignaient 11,15 %, ce qui se compare favorablement aux meilleures des cellules de base métallisées par évaporation et photolithographie classiques. L'agglomération améliore la résistance série et, par conséquent, le rendement des cellules. Le rendement le plus élevé obtenu après agglomération est de 11,63 %, ce qui est supérieur de 0,5 % à n'importe lequel des rendements de 30 cellules de base. Le rendement de cette cellule a été porté à 16,5 % en évaporant un revêtement anti-réfléchissant double couche. La figure 4 est un graphique représentant le courant en fonction de la tension pour la 35 cellule éclairée. La figure 4 montre que la cellule fonctionne aussi bien ou mieux que les cellules réalisées par les procédés photolithographiques, avec un rendement de 16,5 % après application d'un revêtement anti-réfléchissant. w CD rv Un r o o TABLEAU I Données I-V en présence de lumière pour des cellules solaires plaquées sélectivement. Cellules I.D Courant de courtcircuit 3 sc(MA) Métal laser # 3-4(après agglomération) 27,42 Métal laser # 3-5(après agglomération) 27,40 Laser # 5-14 (après agglomération) 25,17 Laser # 5-15 (après agglomération) 25,76 ___________________________________________- --__-___-______-___-Tension en circuit ouvert Voc (V) ________ _ _______ Facteur de Rendement remplissage __--- - - - ___--_---___ ______ 0,528 0,538 0,572 0,577 0,583 0,768 8,35 8,58 11,05 11,63 ______________. 0,576 0,784 _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ -__ _ _ _ _ _ _ r->. tn LI J do 0% %o ra w rKj %in r'J kr O TABLEAU II Données I-V dans le noir pour des cellules solaires plaquées sélectivement à +à Cellule I.D. Résistance série Résistance parallèle 301 (A/ cm2) normalisée (Y-cm2) normalisée (KA-cm2) 02 Métal (après Métal (après Laser (après Laser (après laser 3-4 agglomération) laser * 3-5 agglomération) - 14 agglomération j -15 agglomeration) 2,34 138,9 1,70 3, 3 1,4 x 10-11 1, 7 x!0', 1 >:,O 17 1,5 x 10- 6 1,2 x 10 5 3,3 x 10-6 6,7 x 10- 1 0, 3 13,7 3,6 12 3,6x i0 0,48 *j représente le courant e f'd.te,DnS la masse +J représertte le courant de fuite dtans a zone de s3paration. 0% \0 N) R E V ENDICATIONS 1 ) Procédé de formation d'un dessin conducteur sur la surface d'un semiconducteur, procédé caractérisé en ce qu'il consiste à exposer des par5 ties de la surface à la lumière d'un laser de densité de puissance prédéterminée, et à immerger cette surface dans une solution de placage d'un métal (4) de plaquage, ce qui permet ainsi de plaquer un métal de placage sur les parties de la surface du semi-conducteur qui ont été 10 exposées à la lumière laser. 2 ) Procédé selon la revendication 1, caractérisé en ce que la lumière du laser présente une densité de puissance de 4,3 x 105 a 6,6 x 105watts/ cm. 30) Procédé selon l'une quelconque des revendications 1 et 2, caractérisé en ce que la sirface est exposée à la lumière laser lorsqu'elle se trouve dans la solution de placage. 4 ) Procédé selon la revendication 20 1, caractérisé en ce qu'avant l'exposition à la lumière d'un laser de densité de puissance 3,9 x 105 à 6,4 x 105 watts/cm2, la surface du semi-conducteur est recouverte par une couche de métal réfractaire (8) ou de métal noble; en ce que la surface recouverte du revête25 ment est placée dans un bain d'un metal de placage de façon que le métal de placage se plaque sur les parties du revêtement qui ont été exposées à la lumière laser; et en ce que les parties du revêtement qui n'ont pas été recouvertes du métal de placage, sont attaquées à l'acide. 30 5 ) Procédé selon la revendication 4, caractérisé en ce que l'épaisseur du métal réfractaire est comprise entre 300 x 1-10 m et 1500 x 1-10 m, et en ce que l'épaisseur du métal de placage est comprise entre 12 et microns. 6 ) Procédé selon l'une quelconque revendications 1 à 5, caractérisé en ce que, comme dernière étape, un revêtement anti-réfléchissant 17 est appliqué sur la surface, et une agglomération est effectuée entre 300 et 4500C. 7 ) Procédé selon la revendication 1, caractérisé en ce qu'avant l'exposition à la lumière d'un laser de densité de puissance 3,9 x 105 à 6,4 x 105 watts/cm2, une barrière de diffusion est formée sur la surface en recouvrant cette dernière d'un métal réfractaire, et un écran galvanique est formé en recouvrant la surface de ce métal réfractaire par un métal noble; en ce que la surface est placée dans un bain de métal de placage, de façon que ce métal de placage se plaque sur les parties de la surface de métal 15 noble qui ont été exposées à la lumière laser; et en ce que les parties du métal noble et du métal réfractaire qui ne sont pas recouvertes par le métal de placage, sont attaquées à l'acide. 8 ) Procédé selon la revendication 20 7, caractérisé en ce que l'épaisseur du revêtement de métal réfractaire est de 300 x -1'mo à 1500 x 1-10m en ee que l'épaisseur du revêtement de métal noble est de 300x 1- à 1500 x 1-10 m, et en ce que l'épaisseur du placage de métal de placage est de 2 à 10 microns. 9 ) Procédé selon l'une quelconque des revendications 7 et 8, caractérisé en ce que le métal réfractaire est du titane et en ce que le métal noble est du palladium. ) Procédé selon l'une queleonque 30 des revendications 4 à 9, caractérisé en ce que le métal réfractaire est du titane. 11 ) Procédé selon l'une quelconque des revendications 1 à 10, caractérisé en ce que le métal de placage est électroplaqué sur la surface. 12 ) Procédé selon l'une quelconque des revendications I à 11, caractérisé en ce que le semi-conducteur est du silicium mono-cristallin. ) Procédé selon l'une quelconque des revendications 1 à 12, caractérisé en ce que le métal de placage est de l'argent. 14 ) Procédé selon l'une quelconque des revendications 1 à 13, caractérisé en ce que la lumière laser présente une longueur d'onde d'environ 5000 x 1-10 m.