FR 2604029 A1 19880318 FR 8712816 A 19870916 La présente invention concerne un dispositif à circuit intégré semiconducteur appelé une puce de circuit intégré et, plus spécialement, un dispositif à circuit intégré semiconducteur ou une puce de circuit intégré possédant des bornes de sortie amé- liorées. Classiquement, le type de bornes de sortie des puces de circuit intégré varie selon le mode de connexion électrique institué entre ellesmêmes et le substrat de support sur lequel elles sont montées. Avant de connecter électriquement les puces de circuit intégré et le substrat de support, en employant par exemple un soudage de câbles, on forme plusieurs plots ou bornes d'entrée- sortie sur la partie périphérique de la surface de chaque puce de circuit intégré. On peut connecter électriquement ces plots au substrat de support au moyen de câbles. Si l'aire superficielle de chaque puce de circuit intégré comportant des plots et l'aire super- ficielle de chaque plot sont toutes deux fixes, alors, plus le nombre des plots sur la puce est important, et plus la distance entre plots adjacents doit être petite. Si la distance entre les plots est petite au point d'être inférieure au diamètre d'un outil ou d'un capillaire, servant à manipuler les câbles, il n'est alors pas possible d'effectuer le soudage des câbles. Par conséquent, il n'est pas possible de produire un grand nombre de plots à la surface de chaque puce de circuit intégré. Dans le même temps, il existe un agencement bien connu dans lequel les puces de circuit intégré sont électriquement connec- tées au substrat de support par un soudage automatique par un ruban, et non par un soudage de câbles à l'aide d'un capillaire. Puisqu'il n'entraîne pas l'utilisation d'un capillaire, le procédé de soudage automatique par ruban ne fait pas l'objet des inconvénients ci- dessus mentionnés. Toutefois, selon ce procédé, les plots ne peuvent être disposés qu'autour de la partie périphérique de chaque puce de circuit intégré. Ainsi, plus le nombre des plots est important, et plus il faut que chacun d'eux soit d'une aire réduite. Toute augmentation du nombre des plots doit s'accompagner d'une augmenta- tion de la précision mécanique de la connexion entre les plots et les fils conducteurs. Dans le même temps, les fils conducteurs eux- mêmes doivent être formés avec une précision accrue. Par conséquent, on ne peut pas aisément augmenter le nombre des plots formés sur chaque puce de circuit intégré, même en employant Le procédé de soudage automatique par ruban. Au contraire des puces de circuit intégré classiques ci-dessus décrites, on peut utiliser des puces du type à assemblage inversé sans fils, dans lesquelles les plots sont disposés sur toute la surface. Toutefois, même dans ce cas, il faut que les régions o doivent être disposés les plots soient situées de manière à ne pas chevaucher les régions actives des puces à assemblage inversé sans fils elles-mêmes. Ceci est dû au fait que les puces à assemblage inversé sans fils pourraient sinon être altérées par des contraintes thermiques au moment o on les soude au substrat de support. Ainsi, en réalité, dans ce cas également, on ne peut pas aisément augmenter le nombre des bornes d'entrée-sortie, même si l'on utilise des puces du type à assemblage inversé sans fils. Un but de l'invention est de produire un dispositif à circuit intégré semiconducteur qui autorise une augmentation du nombre des bornes d'entrée-sortie et peut néanmoins améliorer la fiabilité de la connexion électrique avec les bornes d'entrée-sortie. Un autre but de l'invention est de produire un appareil électronique utilisant un certain nombre de dispositifs à circuit intégré semiconducteurs, qui peut faire une utilisation efficace des dispositifs à circuit intégré. On remplit le premier but de l'invention au moyen d'un dispositif à circuit intégré semiconducteur qui comprend un substrat de puce formé sur un semiconducteur et présentant une surface, le substrat de puce comportant un circuit intégré qui est formé à sa surface, et plusieurs bornes de puce disposées autour de la partie de bord périphérique de la surface, de manière à se trou- ver sur l'extérieur du circuit intégré, et électriquement connec- tées à celui-ci, afin de fournir des données audit circuit intégré et de délivrer des données depuis ledit circuit intégré; une couche d'isolation électrique couvrant toute la surface du substrat de puce; et des fils conducteurs en nombre égal à celui des bornes de puce et disposés sur la couche isolante, de manière à être électri- quement isolés vis-àvis du circuit intégré, chacun des fils conducteurs étant connecté, par l'une de ses extrémités, à une borne de puce correspondante, et chacun comportant, à son autre extrémité, une borne de connexion présentant une aire qui est plus grande que celle de chaque borne de puce, les bornes de connexion des fils conducteurs étant réparties sur toute la surface de la couche isolante. Puisque, dans le cas de l'invention, les bornes de connexion sont ainsi réparties, il est possible d'augmenter le nombre des bornes de puce, ainsi que celui des bornes de connexion. Puisque l'aire de chaque borne de connexion est supérieure à celle de chaque borne de puce, la connexion des éléments de fil conducteur aux bornes de connexion peut s'effectuer plus aisément que la con- nexion des éléments de fil conducteur aux bornes de puce. De plus, puisque le circuit intégré du substrat de puce est protégé par la couche isolante, le circuit intégré ne peut pas être altéré par les contraintes mécaniques et thermiques apparaissant pendant le processus de connexion visant à connecter les éléments de fil conducteur avec les bornes de connexion. On réalise le deuxième but de l'invention au moyen d'un appareil électronique qui comprend plusieurs modules électro- niquement connectés les uns aux autres. Chaque module comporte un substrat de support possédant plusieurs dispositifs à circuit intégré semiconducteurs qui lui sont électriquement connectés. On soumet les modules à un contr8le que l'on peut exécuter avant de les connecter électriquement les uns aux autres. Puisque l'appareil électronique selon l'invention est constitué de plusieurs semblables modules, on empêche d'incorporer à celui-ci par inadverdance un module défectueux. En résultat, on peut maintenir le rendement de production de l'appareil électronique à une valeur élevée. Ainsi, il est possible d'utiliser efficacement les modules ou les dispositifs à circuit intégré semi- conducteurs de chaque module. La description suivante, conçue à titre d'illustra- tion de l'invention, vise à donner une meilleure compréhension de ses caractéristiques et avantages; elle s'appuie sur les dessins annexés, parmi lesquels: - la figure 1 est une vue en coupe d'un dispositif à circuit intégré semiconducteur selon un mode de réalisation de l'invention, prise suivant la ligne I-I de la figure 2; - la figure 2 est une vue en plan découpée du dispositif représenté sur la figure 1; - la figure 3 est une vue en coupe montrant une variante d'une borne de connexion; - la figure 4 est une vue en perspective d'un module formé par combinaison de plusieurs dispositifs à circuit intégré du type de celui présenté sur la figure 1; - la figure 5 est une vue en plan du module repré- senté sur la figure 4; - la figure 6 est un diagramme montrant les con- nexions formées entre les bornes de sortie des puces de circuit intégré utilisées dans le module de la figure 4 et celles du module lui-même; et La figure 7 est une vue en plan montrant un appareil formé par combinaison de plusieurs modules du type de celui représenté sur la figure 4. On se reporte maintenant aux figures 1 et 2, qui représentent un dispositif à circuit intégré semiconducteur compre- nant un substrat de puce 10 formé d'un semiconducteur. Un circuit intégré (non représenté) est formé sur une surface 12 du substrat 10. En outre, un certain nombre de bornes de puce 14 sont disposées sur la surface 12 de façon à être situées de part et d'autre du circuit intégré. Les bornes 14 sont électriquement connectées au circuit intégré, afin de permettre l'entrée ou la sortie de signaux électroniques. Une première couche isolante 16 s'étend au-dessus de toute la surface 12 du substrat de puce 10, et est formée d'une résine synthétique, par exemple polyimide, époxy, résine acrylique, Téflon, que l'on peut faire durcir au moyen de rayons ultraviolets. Plusieurs fils conducteurs allongés 18, en nombre égal à celui des bornes de puce 14, sont formés sur la première couche isolante 16. Une extrémité de chaque fil conducteur 18 est connectée à sa borne de puce correspondante 14, une borne de con- nexion 20 étant formée à son autre extrémité. Comme on peut le voir sur la figure 2, chaque borne 20 a une forme circulaire. Dans ce mode de réalisation, les bornes 20 sont réparties sur toute la partie centrale de la couche 16. De plus, comme on peut le voir sur la figure 2, l'aire superficielle de chaque borne de connexion est supérieure à celle de chaque borne de puce 14, et la distance entre bornes 20 adjacentes est supérieure à celle existant entre bornes 14 adjacentes. Dans ce mode de réalisation, les bornes de connexion 20 sont faites d'une pâte contenant une poudre de métal électriquement fortement conducteur, par exemple cuivre ou argent. Une deuxième couche isolante 22 est formée sur la première couche isolante 16, ces deux couches étant faites de matériaux identiques. La couche 22 est formée de manière à présenter des ouvertures 24 par lesquelles les bornes de connexion 20 sont chacune distinctement exposées à l'extérieur. Selon le dispositif à circuit intégré semiconducteur ci-dessus décrit, les bornes de connexion 20 peuvent être réparties sur sensiblement toute l'aire de la première couche isolante 16 qui correspond à toute la surface 12 du substrat de puce 10. Ainsi, même si on augmente le nombre des bornes de puce 14, la distance entre les bornes de connexion 20 adjacentes ainsi que l'aire superficielle de chaque borne 20 resteront suffisantes. Par conséquent, selon le dispositif de l'invention, on peut augmenter le nombre des bornes de puce 14, c'est-à-dire le nombre des bornes de connexion 20, au-delà de ce que permettait la technique antérieure, mais sans les inconvénients qui s'y attachaient. La première couche isolante 16 sert non seulement à isoler électriquement les fils conducteurs 18 vis-à-vis du circuit intégré se trouvant sur le substrat de puce 10, mais également fait fonction de couche protectrice pour le circuit intégré lorsque les bornes de connexion 20 sont électriquement connectées à un circuit extérieur. L'invention n'est pas limitée au mode de réalisation ci-dessus décrit. Comme le montre la figure 3 par exemple, une couche de placage 26 de nickel ou de cuivre est formée sur la surface extérieure de chaque borne de connexion 20. Ainsi revêtue au moyen de La couche 26, La borne 20 peut être connectée par soudage. Si Les bornes de connexion 20 elles-mêmes du dispositif à circuit intégré semiconducteur ou si les fils conduc- teurs 18 sont formés à partir d'un matériau conducteur se ramoLLissant sous l'effet de la chaleur, il est en outre possible de connecter électriquement les bornes 20 et un substrat de support, sur lequel le dispositif à circuit intégré doit être monté, à une température d'environ 100 C, par exemple, ce qui est plus bas que la température nécessaire au soudage. Si l'on connecte les bornes de connexion 20 et le substrat de support de cette manière, il ne sera pas toujours nécessaire de former la première couche isolante 16 en résine synthé- tique, et on pourra aussi bien les réaliser à l'aide de SiOx ou SiNx. On se reporte maintenant à la figure 4, qui montre un module 102 constitué d'une combinaison de plusieurs dispositifs à circuit intégré semiconducteurs (ci-après appelés simplement des puces de circuit intégré 100) représentés sur la figure 1. Dans ce mode de réalisation, le module 102 comporte quatre puces de circuit intégré 100 et un substrat de support 104 portant les puces. Le nombre de puces de circuit intégré 100 montées sur chaque substrat de support 104 est déterminé de la manière suivante. Si le rendement d'une unique puce de circuit intégré 100 montée sur chaque substrat 104 vaut P, celui de la combinaison de puces de circuit intégré du module 102, à savoir le rendement du module, peut s'exprimer par P, o n est le nombre de puces 100 de chaque module 102. Si l'on a P = 98%, la valeur maximale de n satisfaisant pn > 90% est donnée par n = 4. Puisque le rendement Pn du module 102 est > 90%, comme ci-dessus mentionné, un module 102 produit sur dix peut être défectueux. Puisque le rendement P de la puce de circuit intégré 100 est lui-même 98%, le nombre Q de puces de circuit intégré non défec- tueuses de chaque module défectueux 102 est Q = 4 x 0,98 = 3,92. Le nombre total S de puces 100 utilisé pour la fabrication de dix modules 102 est S = 4 x 10 = 40, si bien que le pourcentage de puces de circuit intégré non défectueuses qui devraient être gaspillées devrait être (Q/S) x 100 = 9,8%. Dans Le même temps, si L'on monte sur un seul substrat de puces un nombre de puces de circuit intégré 100 attei- gnant celui (40 puces) utilisé dans dix modules 102, le rendement pm du produit résultant est P = 45%, o m vaut 40. Si l'on fabrique 100 semblables produits, le nombre des produits qui doit être rejeté comme étant défectueux est donc 55. Ainsi, environ 55% des puces de circuit intégré seront gaspillées bien qu'elles ne soient pas défectueuses. Toutefois, le rendement Pn d'un module 102 constitué de quatre puces de circuit intégré 100 est 90% (c'est-à-dire que chaque module 102 est déjà vérifié), comme décrit ci-dessus, si bien que le rendement d'un produit obtenu en combinant plusieurs modules 102 est aussi 90%. Ainsi, lorsqu'on fabrique des produits en utilisant un certain nombre de puces de circuit intégré 100, on peut sensiblement réduire le nombre des puces de circuit intégré non défectueuses mises au rebut en formant chaque nombre pré- déterminé de puces 100 en un module tel que susdit. Dans la fabrication de modules 102, il faut d'abord, comme ci-dessus décrit, effectuer une inspection de chaque module 102. Si le nombre total de puces de circuit intégré 100 utilisées dans le produit final est trop grand, on augmente inévitablement le nombre des modules 102 et, par conséquent, ceci entraîne une augmentation du coût de l'opération de contrôle. Ainsi, il faut que le nombre des puces de circuit intégré 100 incorporées dans chaque module 102 soit déterminé seulement en considération du rendement, mais également du coût du contrôle des modules. Si le nombre des puces de circuit intégré utilisées dans chaque module est quatre par exemple, on s'attend à ce que le produit final résultant selon l'invention contienne une combinaison de quatre à six modules 102, de préférence. De ce point de vue, ce que l'on appelle une carte de circuit intégré constitue un exemple approprié du produit final. Comme on peut le voir sur la figure 5, le substrat de support 104 représenté sur la figure 4 est doté de bornes de substrat 106 qui sont une à une connectées aux bornes de connexion 20 des puces de circuit intégré 100. La figure 6 montre la manière dont sont connectées les bornes 106 et 20. Sur la figure 6, les bornes de connexion 20 de chaque puce de circuit intégré 100 sont repré- sentées comme si elles n'étaient disposées qu'à la partie périphé- rique de la puce, dans le but de faciliter la représentation. Toutefois, en réalité, elles sont réparties sur toute la surface de chaque puce de circuit intégré 100, comme on peut le voir sur la figure 2. Dans ce mode de réalisation, chaque borne de connexion se présente sous la forme d'un carré dont le côté a une longueur d'environ 100 pim. Si chaque borne de connexion 20 est donc grande, on peut faciliter la connexion entre Les bornes de substrat 106 et les bornes de connexion 20 lors du montage de puces de circuit intégré 100 sur le substrat de support 104. Comme représenté sur la figure 7, six modules 102 par exemple sont combinés pour former le produit final 108. Les modules 102 sont électriquement connectés les uns aux autres au moyen d'une plaquette de câblage 110. La plaquette 110 peut être une plaquette souple sur laquelle un circuit de câblage a été imprimé. On notera que la couche isolante 16 ou 22 peut être formée d'une résine durcissable à la lumière. Bien entendu, l'homme de l'art sera en mesure d'imaginer, à partir du dispositif dont la description vient d'être donnée à titre simplement illustratif et nullement limitatif, diverses variantes et modifications ne sortant pas du cadre de l'invention. R E V E N D I CATIONS 1. Dispositif à circuit intégré semiconducteur, caractérisé en ce qu'il comprend: un substrat de puce (10) formé d'un semiconducteur et possédant une surface (12), ledit substrat de puce comportant un circuit intégré formé à la surface dudit substrat de puce, et plusieurs bornes de puce (14) disposées autour de la partie de bord périphérique de la surface, de façon à être situées sur l'extérieur du circuit intégré, et électriquement connectées à celui-ci, afin d'assurer l'entrée et la sortie de données relative- ment audit circuit intégré; une couche d'isolation électrique (16) couvrant toute la surface du substrat de puce; et des fils conducteurs (18) en nombre égal à celui des bornes de puce et disposés sur la couche isolante, de façon à être électriquement isolés par celle-ci du circuit intégré, chacun desdits fils conducteurs étant connecté, par l'une de ses extrémités, à une borne de puce correspondante (14) et possédant, à son autre extrémité, une borne de connexion (20) dont l'aire est supérieure à celle de chaque borne de puce, lesdites bornes de connexion des fils conducteurs étant réparties sur toute la surface de la couche isolante. 2. Dispositif selon la revendication 1, caractérisé en ce que lesdits fils conducteurs sont formés d'une pâte qui contient des particules de métal électriquement très conducteur. 3. Dispositif selon la revendication 2, caractérisé en ce qu'une couche de placage (26) en métal électriquement très conduc- teur est formée sur la borne de connexion de chacun desdits fils conducteurs. 4. Dispositif selon la revendication 2, caractérisé en ce que lesdites bornes de connexion desdits fils conducteurs sont formées d'une pâte que l'on prépare en mélangeant des particules de métal électriquement très conducteur et une résine se ramollissant à la chaleur. 5. Dispositif selon la revendication 1, caractérisé en ce que ladite couche isolante est formée d'une résine durcissant à la lumière. 6. Dispositif selon la revendication 5, comprenant en outre une deuxième couche isolante (22), qui couvre toute la région de ladite première couche isolante sauf en ce qui concerne les bornes de connexion des fils conducteurs. 7. Dispositif selon la revendication 6, caractérisé en ce que ladite deuxième couche isolante est formée d'une résine durcissant à la lumière. 8. Appareil électronique, caractérisé en ce qu'il comprend: une base; et plusieurs modules (102) montés sur la base, à la suite d'un contrôle approprié, chacun desdits modules comportant un substrat de support (104) possédant plusieurs dispositifs à circuit intégré semiconducteurs électriquement connectés à celui-ci, chaque dit dispositif à circuit intégré semiconducteur comportant un substrat de puce formé sur un semiconducteur et présentant une surface, ledit substrat de puce comportant un circuit intégré formé sur la surface dudit substrat de puce, et plusieurs bornes de puce disposées autour de la partie de bord périphérique de la surface, de manière à être situées sur l'extérieur du circuit intégré, et électriquement connectées à celui-ci pour assurer l'entrée et la sortie de données vis-à-vis du circuit intégré; une couche d'isolation électrique couvrant toute la surface du substrat de puce; et des fils conducteurs en nombre égal à celui des bornes de puce et disposés sur la couche isolante, de façon à être électriquement isolés par celle-ci vis-à-vis du circuit intégré, chacun desdits fils conducteurs étant connecté, par l'une de ses extrémités, à une borne de puce correspondante et possédant, à son autre extrémité, une borne de connexion dont l'aire est supérieure à celle de chaque borne de puce, lesdites bornes de connexion des fils conducteurs étant réparties sur toute la surface de la couche isolante.