FR 2589578 A1 19870507 FR 8516385 A 19851105 La présente invention est relative à un procédé et à un dispositif de contrôle optique d'un matériau ou composant semi-transparent par réflexion. Le contrôle optique de matériaux ou composants, en particulier la détermination des paramètres physiques de ceux-ci, tels que leur épaisseur, leur état de surface, et même leur structure physicochimique liée à leur composition, a déjà fait l'objet de nombreux travaux. Cependant, ces contrôles non destructifs visant à des applications industrielles dans des unités de production automatiséesn'ont le plus souvent, jusqu'à ce jour, pu être mis en oeuvre que par la mesure de la transmissivité optique de ces matériaux ou composants laquelle,dans des conditions déterminées d'expérimentation telles que longueur d'onde d'illumination, température de mise en oeuvre des contrôles, est susceptible de donner une mesure de l'épaisseur du matériau ou,celle-ci étant connue, des paramètres d'absorption de celui-ci et en définitive de ses caractéristiques de structure physicochimique. Cependant, le recours à de telles méthodes n'apparaît satisfaisant que dans le cas d'objets de forme simple constitués par exemple en bandes et formant sensiblement des éléments optiques pouvant être assimilés à des lames à faces parallèles et dont les états de surface correspondent à des surfaces planes et lisses. Ces conditions proches de conditions de mesure quasi idéales sont cependant rarement remplies en milieu industriel et l'utilisation de tels procédés de contrôle par transmission optique peut présenter des difficultés importantes, qui, bien que ne mettant pas en cause le principe même de ces procédés, ont pour conséquence une quasi impossibilité de mise en oeuvre correcte de ceux-ci. Parmi ces difficultés, on peut citer la forme de l'objet ou composant à contrôler, le revêtement sur support opaque, l'adaptation spéciale d'un poste de contrôle sur une chaîne de production encontinu afin de permettre l'illumination des objets ou composants et la réception du rayonnement émergeant dans des conditions de mesure satisfaisantes. La présente invention a pour objet de remé dier-aux--i-nconvénients précités par la mise en oeuvre d'un procédé et d'un dispositif dans lesquels le contrôle optique de matériau ou composants semitransparent est effectué par réflexion. Un autre objet de la présente invention est la mise en oeuvre d'un procédé et d'un dispositif de contrôle de matériau ou composant semi-transparent, susceptible d'être mis en oeuvre indépen aamment-dearorme oude la structure de celui-ci. Un autre objet de la présente invention est la mise en oeuvre d'un procédé et d'un dispositif de contrôle de matériau ou composant semitransparent susceptible d'être mis en oeuvre à tout stade de production en continu de ce type de matériau ou composant semi-transparent. Un autre objet de la présente invention est la mise en oeuvre d'un procédé et d'un dispositif de contrôle de matériau ou composant semitransparent pour la mise en oeuvre desquels, sur une chaîne de production industrielle en continu, l'adaptation nécessaire est minimale. Le procédé optique par réflexion pour la détermination des paramètres physiques d'un composant ou d'un matériau semi-transparent constituant celui-ci tels que épaisseur, état de surface, structure physico-chimique selon l'invention, est remarquable en ce qu'il consiste à illuminer un échantillon du composant ou matériau sous un rayonnement comportant au moins trois composantes spectrales différentes, de longueur d'onde centrale Xi, 1 dans lesquelles Ri représente la réflectivité de l'échantillon pour la composante spectrale d'ordre i, P1i et P2i sont respectivement les coefficients de réflectivité milieu/matériau du dioptre avant et matériau/milieu du dioptre arrière de l'échan tillon, g1 et g2 sont des facteurs géométriques, compris entre 0 et 1, sensiblement indépendants de i et caractéristiques de l'état de surface avant respectivement arrière du matériau ou échantillon, li est la transmissivité du matériau constitutif de l'échantillon à la composante spectrale d'ordre i considérée, Ti = e Kid, où Ki est le coefficient d'absorption du matériau à cette composante spectrale d'ordre i et d la longueur du trajet du rayonnement dans le matériau entre dioptresavant et arrière du composant ou matériau. Le dispositif de contrôle optique par réflexion d'un matériau ou composant semi-transparent objet de l'invention est remarquable en ce qu'il comprend des moyens d'illumination d'un échantillon dudit composant sous un rayonnement compor- tant au moins trois composantes spectrales différentes de longueur d'onde centrale ki, 1 dans lesquelles les quantités ou paramètres Ri, P1i, p21,g1, g2 et Ti sont définis conformément à la définition donnée en relation avec le procédé objet de l'invention. Le procédé et le dispositif de la présente invention trouvent application dans l'industrie et les techniques du verre et en particulier dans la fabrication d'objets ou composants semi-transparents en continu, de revêtements en matériau semi-transparent et analogues. L'invention sera mieux comprise à la lecture de la description et à l'observation des dessins ciaprès dans lesquels - la figure la et la figure lb sont relatives à un schéma de principe illustratif du procédé et du dispositif objet de l'invention, - la figure 2 représente un mode de réalisation particulier du dispositif objet de l'invention. Dans les figures précitées, les cotes et dimensions relatives des éléments constitutifs et les angles réels des faisceaux lumineux n'ont pas été respectéesafin de ne pas nuire à la clarté de l'ensemble. Le procédé objet de l'invention sera tout d'abord décrit en relation avec les figures la et lb. Selon la figure la, le procédé optique par réflexion permet la détermination des paramètres physi- ques d'un composant ou d'un matériau semi-transparent constituant celui-ci, paramètres tels que épaisseur, état de surface et structure physico-chimique. La semitransparence du matériau ou composant dont on veut, conformément au procédé et au dispositif de l'invention, déterminer les paramètres physiques est définie en fait par la capacité de moyens de détection mis en oeuvre par le procédé et le dispositif de l'invention à mesurer ou détecter le rayonnement réfléchi, après réflexion, sur le dioptre arrière du matériau ou composant soumis à l'illumination d'un rayonnement incident déterminé ainsi qu'il sera exposé ci-après dans la description. Conformément au procédé objet de l'invention tel qu'illustré en figure la, un échantillon E du composant ou matériau semi-transparent constituant celui-ci est illuminé au moyen d'une source S de rayonnement électromagnétique. Le rayonnement électromagnétique émis peut, par exemple, être émis par la source S dans le domaine du spectre visible et dans le domaine du proche infrarouge, mais il comporte au moins trois composantes spectrales différentes de longueur d'onde centrale notée Ri, où i représente l'ordre de la composante spectrale considérée.Bien entendu, le rayonnement émis peut comporter un nombre de composantes spectrales différentes supérieur à 3, ce nombre permettant d'améliorer les conditions de mesure des paramètres physiques du matériau ou composant, ainsi qu'il sera décrit plus en détail ultérieurement dans la description, et n'étant en fait limité que par les exigences matérielles de réalisation du dispositif de l'invention. Sur l'ensemble des figures représentées, on notera que l'échantillon E est représenté symboliquement sous forme d'une lame à faces parallèles. Ce mode de réalisation n'est bien entendu pas limitatif, le matériau ou composant en matériau semitransparent pouvant au point de mesure, c'est-d-dire au point d'impact du rayonnement électromagnétique auquel il est soumis, être sensiblement assimilé à une lame à faces parallèles. Les rayonnements réfléchis par le composant ou matériau ou échantillon E sont détectés en D pour déterminer les intensités correspondantes des composantes spectrales d'ordre i réfléchies par 1 'échantillon. Les paramètres physiques de l'échantillon E ou du composant au point de mesure sont alors déterminés à partir d'au moins trois mesures des intensités émises par la source S et réfléchies par l'échantillon E par résolution du système d'équations Ainsi qu'il sera decrit en détail en relation avec la figure lb, l'ensemble des composantes spectrales d'ordre i vérifie la relation (I) formant pour l'ensemble de ces composantes le système d'équations précité. Pour une composante spectrale d'ordre i de longueur Ai illuminant l'échantillon E sous une intensité de rayonnement Ii, ce rayonnement donne lieu à un premier rayonnement réfléchi par le dioptre avant, noté A, de la lame à faces parallèles au point d'impact de l'échantillon E. Ce premier rayonnement réfléchi a une intensité notée S'i = Iip1ig1 où pli est le coefficient de réflectivité milieu/matériau du dioptre avant A au point d'impact à la composante spectrale d'ordre i considérée et g1 un facteur géométrique, compris entre 0 et 1, caractéristique de l'état de surface avant du matériau ou échantillon au point d'impact. Un deuxième rayonnement réfléchi d'intensité S"i est engendré par le rayonnement résiduel transmis par le dioptre avant A vers le dioptre arrière a de l'échantillon E, réfléchi par ce dernier puis transmis par le dioptre avant matériau/milieu A. L'intensité de ce deuxième rayonnement réfléchi est égale 22 à :S"i = Iip2ig2 (1 - P1i) Ti , dans laquelle p2i est le coefficient de réflectivité matériau/milieu du dioptre arrière a au point d'impact à la composante spectrale d'ordre i considéré, compte tenu de l'indice du rayonnement, g2 un facteur géométrique compris entre 0 et 1, caractéristique de l'état de surface arrière du matériau ou échantillon au point d'impact sur le dioptre arrière, Ti est la transmissivité du matériau constitutif de l'échantillon à la composante spectrale d'ordre i considérée, Ti = .-Ki.d où Ki est le coefficient d'absorption du matériau à cette composante spectrale et d la longueur du trajet du rayonnement dans le matériau entre dioptres avant A et arrière a de l'échantillon E. La contribution au rayonnement réfléchi total pour la composante spectrale d'ordre i des rayonnements résiduels provoqués par réflexion d'or- dre supérieur à 1 sur le dioptre arrière a matériau/ air de l'échantillon et les phénomènes d'interférence pouvant être négligés, l'erreur correspondante étant au maximum une erreur au deuxième ordre, l'intensité de la composante spectrale d'ordre i réfléchie par l'échantillon E est la somme des intensités des premier et deuxième rayonnements réfléchis d'intensité S'i et S"i et la réflectivité Ri globale de l'échantillon E pour la composante spectrale d'ordre i, Ri = S'i + Si Ii vérifie ainsi la relation (I) pour l'ensemble des composantes spectrales émises puis réfléchies par l'échantillon E. Dans le système d'équations constitué par l'ensemble des relations (I) relatives à chaque composante spectrale d'ordre i, on notera que les facteurs gl et g2 permettent de tenir compte des réflexions imparfaites sur les dioptres avant A et arrière a au point d'impact. Le facteur g1 correspond à l'état de surface du dioptre avant A au point d'impact et éventuellement à un défaut de mise au point. Le facteur g2 correspond à l'état de surface du dioptre arrière au point d'impact, mais aussi aux effets dus à la transmission du dioptre avant, à la traversée aller et retour du matériau et aux déperditions qui en découlent. Conformément au procédé objet de l'invention, les facteurs gl et g2 sont considérés indépendants sensiblement de l'ordre i des composantes spectrales d'illumination, ceci revient en fait à considérer ces coefficients comme indépendants des longueurs d'onde Ri correspondantes. Cette hypothèse apparaît parfaitement justifiée en ce qui concerne les défocalisations et les irrégularités de surface macrogéométriques. La diffusion par des défauts de dimension de l'ordre de grandeur ou inférieure à la longueur d'onde Ri ne doit être prise en compte que lorsqu'elle devient importante par la dépendance de g1 et g2 avec cette longueur d'onde.Dans le cas des verres, cette hypothèse pourra être retenue pour l'ensemble des longueurs d'ondes déjà citées pour des défauts dont l'ordre de grandeur reste supérieur à 10 ssm et le procédé objet de la présente invention permet de mettre en évidence sur l'un ou l'autre dioptre avant A ou arrière a de l'échantillon, toute variation de courbure ou défaut supérieur à 10 am avec un degré de précision satisfaisant. On notera en outre sur la figure lb un décalage entre premier S'i et deuxième S"i rayonnement réfléchi. Ce décalage est dû en fait à la valeur de l'incidence e du rayonnement d'illumination sur l'échantillon E,laquelle bien entendu peut être choisie due manière arbitraire de faible valeur ou nulle, une incidence parfaitement normale étant toutefois à rejeter dans le cas de composants creux en raison des réflexions sur la paroi arrière. La résolution du système d'équations satisfaisant la relation (I) peut être effectuée à partir d'une phase d'étalonnage par exemple permettant, pour chaque composante spectrale d'ordre i de déterminer les coefficient P1i et P2i de réflectivité milieu/ matériau du dioptre avant et matériau/milieu du dioptre arrière de l'échantillon ou composant. Dans ce but, l'échantillon pour la détermination du coefficient de réflectivité du dioptre avant A, peut être constitué par une lame à faces parallèles de grande épaisseur, constituée en un matériau constitutif du matériau dont on veut déterminer les paramètres physiques. Par lame à faces parallèles de grande épaisseur, il faut comprendre une lame à faces parallèles étalon, présentant au moins un dioptre avant de très grande qualité d'état de surface, soit pour lequel gll # 1 où gll représente le facteur géométrique de la lame étalon, et dont l'épaisseur est suffisante pour, la lame étant illuminée par la composante spectrale d'ordre i de longueur d'onde Ri, provoquer une atténuation quasi totale du rayonnement émergent S"i dû à la réflexion sur le dioptre arrière de la lame.Dans ces conditions, la mesure de l'intensité du rayonnement d'illumination li et de l'intenstié du rayonnement réfléchi S'i, dû au seul dioptre avant A, permet la détermination de Pli' lequel satisfait la relation La détermination du coefficient de réflectivité du dioptre arrière a peut être effectuée par illumination d'une lame à faces parallèles étalon d'épaisseur moyenne x rigoureusement connue constituée en un matériau constitutif du composant dont on veut mesurer les paramètres physiques, et dont le coefficient d'absorption Ki à la longueur d'onde Ri de la composante spectrale d'ordre i n'est pas connue. La lame étalon bien entendu présente sur ses deux faces un excellent état de surface de sorte que g2l= 1 où g21 représente le facteur géométrique du dioptre arrière a de la lame étalon. Dans ces conditions d'illumination précitées, une lame étalon Et d'épaisseur x connue satisfait la relation ù @@Et = e-Ki@X et RiEt est la réflec@ivité de la lame étalon. @@ satisfait la relation (III) Dans le cas où le coefficient d'absorption K@ est connu, la mesure de @2i est donnée par la re ton (III) alors que dans le cas contraire, il peut etre fait appel aux phases opératoires ci-après Deux lames étalon d'épaisseur différente @@ et x2 r tcureusement connues et d'état de surface p fait, soit pour lesquelles g| = g2 : 1 peuvent être utilisées aux longueurs d'onde ou composantes spectrales A d'ordre i Pour la première lame étalon, la réflectivi RiEt, s'écrit Pour la deuxième lame étalon, la réflectivi Flet2 s'écrit 2 P1i 2i (1 - 21i) 2 2Kix2 li 2i li La combinaison des deux expressions de la réflectivité des deux lames étalon RiEt1 et RiEt2 permet d'écrire la relation IV Le coefficient d'absorption Ki à la loncueur d'onde ou composante spectrale d'ordre i vérifie la relation (V) La résolution du système d'équations vérifiant le système d'équations (I) peut alors être effectuée po'ir diter- miner g1, g2, d au point de mesure@sans difficulté. Bien entendu, la résolution peut également être opérée de façon différente sans sortir du cadre de la présente invention, la longueur d'onde Ai des composantes spectrales d'ordre i étant ~ priori quelconque. On remarquera qu'en tout état de cause. le choix du nombre de longueurs d'ondes ou de composante5 peut, bien sur être pris supérieur à 3, un tel nombre dtant-de nature, en raison de la redondance d'information relative à la mesure des paramètres, à @méliorer de m@ntère @vantageuse le rapport signal; bruit relatif à ces mesures. Une l'ne variante part@@ul@èrement @vanta- geuse du procédé selon L'invention sera maintenant décrite, dans laquelle les longueurs d'ondes Ai des composantes spectrales d'ordrc L ont, pour le matériau constitutif de l'échantillon ou composant, des valeurs remarquables. Selon cette variante avantageuse, le nombre de longueurs d'ondes est choisi égal à trots et les longueurs d'ondes ;l sont telles que les composantes spectrales correspondantes correspondent à l'opacité de l'échantillon @@ - 1 s à la transparence de l'échantillon : 1 : @T, et à la semi-transparence de l'échantillon : 1 + 1 @ @, la semi-transpareace etant définie telle que précédemment. Les intensités d'illumination correspondantes du composant sont notées IS, 1T, I ct les Intensités du rayonnement refléch@ des composantes spectrales corres@ondantes SS. ST, S.Conformément ou procédé de l'invention, les intensites des rayonnements d'illumination et des rayonnements réfléchis au point d'impact du composant sont detectées, Pour les trois longueurs d'ondes S, T, des composant@s spectrales préc@- tees, le composant ou échantillon assimilé à une lame limitée par deux dioptres milieu/matériau, matériau/milieu vérifie les trois relations : Dans la région spectrale correspondant à l'opacité où seule la surface avant A ou dioptre avant de la lame équivalente contribue à la réflectivité #S = O. RS # g@ @S soit où RS @t @S représentent respectivement la réflectivité de la lame équivalente du composant et oS le coefficient de réflectivité du dioptre avant a la longueur d'onde AS. Dans la région spectrale de bonne transparence, la relation devient : cette illumination permettant d'évaluer le facteur g2 correspondant à l'état do surface du dioptre arrière a, aux effets dûs à la transmission du dioptre avant AIl la traversée aller et retour du matériau constitutif du composant ou échantillon et oux défocalisations :: L'introduction de l'expression des paranètres @@ et g2 dans l'expression de la réflectivité R de la lane équivalente à l'échantillon ou compossant pour la composante spectrale correspondant à la région do semi-transparence permet d'établir la relation La mesure des intensités d'illumination IS, IT, I et des intensités réfléchies SS, ST, S et la définition de la réflectivité correspondante du composant aux longueurs d'ondes correspondantes permettent d'écrire Les rapports IS et IS ne dépendent que du dispos i- I IT tif expérimental ou de mesure et peuvent faire l'objet d'un étalonnage simplifié, du fait du choix des longueurs d'onde précitées, le processus d'étalonnage faisant l'objet d'une description ultérieure. La mesure des diverses intensités réfléchies et incidentes sur le composant permet de définir les rapports remarquables suivants BM = I/IS où BM représente le rapport des intensités d'illumination de l'échantillon ou composant aux rayonnements correspondant à la semi-transparence et à l'opacité de celui-ci, 1T C M = IT où C M représente le rapport des intensités S d'illumination de l'échantillon ou composant aux rayonnements correspondant à la transparence et à l'opacité de celui-ci, B = S/SS où B représente le lapport des intensités réfléchies par l'échantillon ou composant lors de l'illumination sous rayonnement correspondant à la semi-transparence et à l'opacité de celui-ci, C = ST/SS où C représente le rapport des intensités réfléchies par l'échantillon sous rayonnement correspondant à la transparence et à l'opacité de celui-ci. La relation précédente devient la relation remarquable VI dans laquelle K représente le coefficient d'absorption d'un échantillon du matériau constitutif du composant au rayonnement de composantes spectrales correspondant à la semi-transparence de celui-ci, KT représente le coefficient d'absorption de l'échantillon du matériau aux rayonnements de composantes spectrales correspondant à la transparence sensiblement de celui-ci, P' PT et Ps représentent respectivement le coefficient de réflectivité du dioptre milieu/matériau de l'échantillon, soit du dioptre avant A, au rayonnement correspondant à la semi-transparence, à la transparence et à l'opacité de celui-ci.L'ensemble des paramètres de la relation VI autresqueB,C pouvant être effectuée au préalable, la mesure in situ des paramètres relatifs à l'intensité réfléchie par l'échantillon ou composant B et C permet la détermination des paramètres physiques de l'échantillon ou composant. Ainsi, pour un composant ou échantillon de composition ou structure physico-chimique donnée, connue, K - KT est connu et d longueur du trajet du rayonnement dans le matériau entre dioptres avant et arrière peut être déterminée. L'étalonnage du dispositif et système de mesure apparaît simplifié du fait du choix des composantes spectrales précitées : la mesure de Ps, p et peut être effectuée par réflexion sur un échantillon de matériau suffisamment épais pour ne plus présenter de réflexion provenant de la face arrière. Cet échantillon épais peut bien entendu être constitué par une lame à faces parallèles constituée en un matériau constitutif du composant dont on veut déterminer les paramètres physiques ou par une partie particulièrement épaisse de ce composant. L'illumination d'un miroir en lieu et place de l'échantillon permet de déterminer I, et IT et donc BM et CM. L'utilisation d'un échantillon épais précité peut dispenser de l'utilisation d'un miroir. Pour cet échantillon épais, la mesure donne la relation VI se transforme en relation VII Le système de mesure selon le procédé de l'invention est alors capable de réaliser un autoétalonnage sur une partie épaisse du composant dont on veut déterminer les paramètres physiques. Bien entendu le paramètre K - K T étant connu pour le matériau considéré, les paramètres K et KT pouvant être mesurés par les techniques habituelles, il est possible de déterminer d et/ou les facteurs géométriques g1, g2 au point d'impact. Le paramètre d étant connu, il est au contraire possible de déterminer K-K T et en conséquence la composition ou structure physico-chimique du matériau semitransparent. Conformément au procédé objet de l'invention, pour un même point de mesure de l'échantillon ou composant, les illuminations sous rayonnement de composantes spectrales différentes peuvent-être réalisées successivement dans un ordre quelconque. De manière avantageuse cependant, pour un même point de l'échantillon du composant, les illuminations sous rayonnement de composantes spectrales différentes sont réalisées simultanément ainsi que les mesures correspondantes. La mesure simultanée des intensités d'illumination et des intensités réfléchies permet avantageusement de s'affranchir d'éventuelles fluctuations des paramètres d'émission de la source de rayonnement utilisée. En outre, dans le but de déterminer l'épaisseur d du composant, d - d cosy; ou e représente l'angle d'incidence du rayonnement sur l'échantillon, l'illumination du composant ou échantillon est de préférence effectuée sous incidence sensiblement normale. Le procédé selon l'invention permet alors une détermination directe de l'épaisseur. L'épaisseur et/ou les paramètres gl, g2 étant déterminés, le paramètre Ki ou toute fonction d'absorption caractéristique du matériau aux différentes composantes spectrales utilisées ou (K - KT) représentatifs de la structure physico-chimique du matériau constitutif de l'échantillon peut alors être déterminé. Un mode de réalisation d'un dispositif de contrôle optique par réflexion d'un matériau ou composant semi-transparent, permettant la mise en oeuvre du procédé objet de 11 invention, dans ses diverses variantes de réalisation sera maintenant décrit en liaison avec la figure 2. Selon la figure précitée, le dispositif objet de l'invention comprend des moyens, notés 1 d'illumination d'un échantillon E du composant ou échantillon de celui-ci sous un rayonnement comportant au moins trois composantes spectrales différentes. Les composantes spectrales ont une longueur d'onde -centrale notée Ri, où i représentant l'ordre de la composante spectrale considérée est supérieur ou égal à 1 et au plus égal à N, M étant un entier supérieur ou égal à 3. Sur la figure 2, les moyens d'illumination 1 sont représentés de façon à comporter une source lumineuse S et un modulateur de lumière 10 permettant la transmission du rayonnement émis par la source S vers l'échantillon E.Le modulateur 10 peut être constitué soit par un système polariseur, analyseur, permettant par exemple de façon connue la modulation de l'intensité lumineuse émise par la source S selon une loi sensiblement sinusoldale, soit par une cellule de Kerr ou tout dispositif analogue permettant une modulation d'intensité lumineuse émise par la source S. La source S peut être constituée par une source de lumière composite émettant par exemple dans le spectre visible et dans le proche infrarouge. La source S peut également être constituée par une source ou plusieurs sources de lumière cohérente susceptibles d'émettre des impulsions de lumière en synchronisme sur déclenchement extérieur. Dans ce dernier cas, les sources de lumière cohérente peuvent être constituées par des sources laser à impulsions, le modulateur 10 pouvant être supprimé. Le dispositif tel que représenté en figure 2 comprend en outre des moyens de détection des rayonnements réfléchis par l'échantillon E du composant et/ou matériau et des moyens de mesure des valeurs des intensités des rayonnements de composante spectrale émis, notés Ii et réfléchis par l'échantillon du composant et/ou matériau. Sur la figure 2, les moyens de détection et de mesure des rayonnements précités sont notés 2. De manière avantageuse, ils peuvent comprendre des moyens dispersifs 20 permettant d'assurer la transmission et la séparation du faisceau en ses différentes composantes spectrales. Les moyens dispersifs 20 peuvent être constitués de manière avantageuse par un prisme ou un réseau ou analogue. On comprendra que lors de l'émission d'une impulsion d'intensité lumineuse par la source S en lumière composite notamment, le rayonnement réfléchi sur l'échantillon E est transmis par les moyens de dispersion 20 séparant ce rayonnement réfléchi en ses différentes composantes spectrales. Les moyens de détection et de mesure 2 comportent en outre une pluralité d'éléments 21 sensibles aux différentes composantes spectrales précitées, ces éléments étant capables, pour chacune des composantes spectrales émises, réfléchies, et transmises, de délivrer un signal électrique proportionnel à l'intensité de celles-ci.Bien entendu, les éléments 21 peuvent être choisis de façon à présenter une sensibilité maximale aux longueurs d'ondes émises par les différentes sources cohérentes constituant la source S ou à certaines longueurs d'ondes centrales de composantes spectrales particulières pré férentielles de la lumière composite émise par la source S. En conséquence, ces éléments sensibles peuvent être constitués par des photo-multiplicateurs, des cellules photoélectriques, des photo-diodes disposés convenablement par rapport aux moyens dispersifs précités, afin de recueillir le rayonnement réfléchi transmis par les moyens dispersifs 20correspondants. A titre d'exemple non limitatif, l'ensemble des composantes spectrales transmis par les moyens dispersifs peut être focalisé par une optique non représentée selon une ligne focale sur laquelle les différentes composantes spectrales sont étalées.Dans ces conditions, les éléments 21 sensibles aux différentes composantes spectrales peuvent être organisés sous forme d'une barrette de photodiodesdisposée en coincidence sensiblement avec la ligne focale précitée. Les moyens de détection et de mesure 2 comportent également des moyens amplificateurs 22 recevant les signaux délivrés par les éléments sensibles et délivrant les signaux amplifiés. Les moyens amplificateurs 22 sont bien entendu constitués par un amplificateur multivoie, une voie étant affectée au signal correspondant à une composante spectrale considérée. En outre, les moyens amplificateurs 22 peuvent être constitués par un amplificateur synchrone multivoie, l'amplificateur synchrone multivoie précité et le modulateur, lorsqu'une source de lumière composite est utilisée ou les électrodes de déclenchement de sources cohérentes à impulsions lorsque celles-ci sont utilisées, recevant un signal de synchronisation noté SY ainsi qu'il sera décrit ci-après. On comprendra bien entendu que le signal de synchronisation SY étant délivré au modulateur 10 ou aux sources cohérentes à impulsions et à l'amplificateur synchrone 22, les retards nécessaires à la synchronisation parfaite de l'émission et de la réception sont en outre apportés. Le dispositif représenté en figure 2 comporte également des moyens 3 de mémorisation des valeurs d'intensités précitées et de calcul des paramètres physiques du composant tels que l'épaisseur, l'état de surface et la structure physico-chimique du composant ou matériau à partir d'au moins trois mesures des intensités émises et réfléchies par résolution du système d'équations vérifiant la relation I ou VI précédemment décrites dans la description. Selon cette figure, les moyens de mesure 3 comportent des moyens convertisseursanalogiques-numériques notés 30 recevant les signaux délivrés par les moyens amplificateurs 22. Des moyens de mémorisation auxiliaires notés 300 peuvent en outre être prévus de façon à permettre la mémorisation des signaux numériques délivrés par les moyens convertisseurs analogiques-numériques 30. Selon le mode de réalisation de la figure 2, les moyens de mémorisation et de calcul des paramètres physiques du matériau ou composant peuvent avantageusement comporter un micro-ordinateur 31 et ses périphériques, le micro-ordinateur 31 étant par exemple interconnecté au moyen de mémorisation auxiliaire 300, par l'intermédiaire d'une liaison du type BUS par exemple. Le microordinateur reçoit ainsi sur séquence de lecture appropriée, les valeurs numériques représentatives des intensités précitées et/ou des paramètres mesurés préalablement à la détermination de ces intensités. On notera en outre que le système microordinateur 31 permet de manière avantageuse d'engendrer le signal de synchronisation SY délivré à la fois aux moyens amplificateurs synchrones 22 et au modulateur 10.Bien entendu, le microordinateur peut être muni de tout programme ou sous-programme de type "menu" capable, par incitation de l'utilisateur,d'amener celui-ci à déclencher les différentes phases ou étapes du procédé de l'invention. Ainsi qu'il apparait en outre en figure 2, le dispositif objet de l'invention peut être muni avantageusement d'un système ou jeu de miroirs mobiles notés 100, 200, 300. La représentation de ce jeu de miroirs mobiles n'est en aucun cas limitative, toute autre configuration pouvant d'ailleurs être utilisée en vue notamment de définir, au cours de la phase d'étalonnage, un chemin optique sensiblement analogue ou identique à celui qui sera utilisé au cours de la mesure. Les miroirs mobiles peuvent, l'échantillon E étant enlevé, être mis en position ainsi que représenté en trait mixte sur la figure 2, afin de permettre la réflexion du rayonnement illuminant l'échantillon vers le dispositif de mesure et ainsi procéder à l'étalonnage par mesure des intensités Ii précitées. En outre, et de manière non limitative, le dispositif de 1' invention peut également être muni d'un dispositif porte-lames non représenté, capable de permettre l'illumination d'une ou plusieurs lames étalon, afin de permettre si nécessaire l'étalonnage convenable du dispositif pour des longueurs d'ondes d'émission quelconque, c'està-dire non préférentielles, pour la détermination directe-des coefficients d'absorption du matériau constitutif des composants dont on veut déterminer les autres paramètres physiques par exemple. On comprendra que le dispositif objet de l'invention est particulièrement bien adapté à la mesure des paramètres physiques d'objets ou composants en matériau semi-transparent dans le cas de la production en continu de ces derniers. En effet, le dispositif tel que précédemment décrit peut être dans ce but pointé de façon à illuminer l'objet considéré disposé sur une chalne de transfert enoentinu. La mise au point et la visée de l'objet au point de mesure considérée peuvent être effectuées au moyen de tout dispositif télémètre et collimateur de type classique non représenté au dessin. En particulier, le dispositif et le procédé objet de l'invention apparaissent particulièrement bien adaptés pour la mesure des paramètres physiques de bandes de revêtement de matériau semi-transparent, disposées sur un substrat opaque puisque la mesure des paramètres physiques correspondants est effectuée par la seule réflexion. Ils permettent également la mesure de ces paramètres physiques pour des échantillons constitués par des objets semi-transparents pour lesquels toute mesure par transmission est pratiquement exclue. REVENDICATIONS 1. Procédé optique par réflexion pour la détermination des paramètres physiques d'un composant ou d'un matériau semi transparent constituant celui-ci tels que épaisseur, état de surface et structure physico-chimique, caractérisé en ce qu'il consiste - à illuminer un échantillon du composant ou matériau sous un rayonnement comportant au moins trois composantes spectrales différentes de longueur d'onde centrale Ai, 1 i i - à détecter les rayonnements réfléchis par le composant ou échantillon pour déterminer les intensités correspondantes desdites composantes spectrales réfléchies, à à déterminer l'un et/ou l'autre desdits paramètres à partir d'au moins trois mesures des intensités émises et réfléchies par résolution du système d'équations dans lesquelles: Ri représente la réflectivité de l'échantillon pour la composante spectrale d'ordre i P1i et P2i sont respectivement les coefficients de réflectivité milieu/matériau du dioptre avant et matériau/milieu du dioptre arrière de l'échantil lon, gl et g2 sont des facteurs géométriques, compris entre O et 1, sensiblement indépendants de i et caractéristiques de l'état de surface avant respectivement arrière du matériau ou échantil lon, Ti est la transmissivité du matériau constitutif de l'échantillon à la composante spectrale d'ordre i considérée, Ti = e Kid où Ki est le coefficient d'absorption du matériau à cette composante spectrale d'ordre i et d la longueur du trajet du rayonnement dans le matériau entre dioptresavant et arrière du composant. 2. Procédé selon la revendication 1, caractérisé en ce que ledit échantillon étant illuminé sous un rayonnement comportant trois composantes spectrales correspondant à l'opacité de l'échantillon d'intensité Is déterminée, à la transparence de l'échantillon d'intensité IT déterminée, à la semi-transparence de l'échantillon d'intensité I déterminée, et les rayonnements réfléchis correspondants ayant des intensités respectives Ss, ST, S déterminées, lesdits paramètres sont déterminés à partir du système d'équations se réduisant à la relation implicite dans laquelle :: K représente le coefficient d'absorption d'un échantillon du matériau constitutif du composant au rayonnement de composantes spectrales correspondant à la semi-transparence de celui-ci, K T représente le coefficient d'absorption dudit échantillon du matériau aux rayonnements de composantes spectrales correspondant à la trans parence sensiblement de celui-ci, Pt #T, pS représentent respectivement le coeffi- cient de réflectivité du dioptre milieu/matériau de l'échantillon considéré au rayonnement corres pondant à la semi-transparence, à la transparence et à l'opacité de celui-ci, BM et CM représentent respectivement le rapport des intensités d'illumination de l'échantillon du composant aux rayonnements correspondant à la semi-transparence et à l'opacité de celui-ci, BM = I/IS, et aux rayonnements correspondant à la transparence et à l'opacité de celui-ci, CM B et C représentent respectivement le rapport S des intensités réfléchies par l'échantillon du composant lors de l'illumination sous rayonnement correspondant à la semi-transparence et à l'opacité S de celui-ci, B = ss , et sous rayonnement correspon- dant à la transparence et à l'opacité de celui-ci, C = ST/SS, l'échantillon étant constitué par une lame à faces sensiblement parallèles de matériau. 3. Procédé selon l'une des revendications précédentes, caractérisé en ce que, pour un même point de l'échantillon du composant, les illuminations sous rayonnement de composantes spectrales différentes sont réalisées successivement dans un ordre quelconque. 4. Procédé selon l'une des revendications précédentes, caractérisé en ce que pour un même point de l'échantillon du composant les illuminations sous rayonnement de composantes spectrales différentes sont réalisées simultanément. 5. Procédé selon l'une des revendications précédentes, caractérisé en ce que ledit échantillon de matériau est constitué par une zone à faces sensiblement parallèles du composant. 6. Procédé selon l'une des revendications 1 à 4 précédentes, caractérisé en ce que ledit échantillon de matériau est constitué par une lame à'faces parallèles en matériau constitutif dudit composant. 7. Procédé selon l'une des revendications précédentes, caractérisé en ce que dans le but de déterminer l'épaisseur d du composant, l'illumination est effectuée sous incidence sensiblement normale. 8. Procédé selon l'une des revendications 1 à 6 et 7, dans lequel l'épaisseur d et/ou les coefficients g1, g2 de l'échantillon sont tout d'abord déterminés. 9. Procédé selon la revendication 8, caractérisé en ce que l'épaisseur de l'échantillon d étant obtenue le paramètre Ki ou toute fonction d'absorption du matériau ou (K-KT) représentatifs de la structure physicochimique du matériau constitutif de l'échantillon est déterminé. 10. Dispositif de contrôle optique par réflexion d'un matériau ou composant semi-transparent constitué par celui-ci, caractérisé en ce qu'il comprend - des moyens d'illumination d'un échantillon dudit composant sous un rayonnement comportant au moins trois composantes spectrales différentes de longueur d'onde centrale Ri, 1 # i i - des moyens de détection des rayonnements réfléchis par ledit échantillon du composant et/ou matériau, - des moyens de mesure des valeurs des intensités des rayonnements de composantes spectrales précitées émis Ii et réfléchis Si par l' échantillon du composant et/ou matériau, - des moyens de mémorisation des valeurs d'intensité précitées et de calcul des paramètres physiques du composant tels que épaisseur, état de surface et structure physico-chimique du composant ou matériau à partir d'au moins trois mesures des intensités émises et réfléchies par résolution du système d'équations dans lesquelles Ri représente la réflectivité de l'échantillon pour la composante spectrale d'ordre i, P1i et P2i sont respectivement les coefficients de réflectivité milieu/matériau du dioptre avant et matériau/milieu du dioptre arrière de l'dchantil- lon, g1 et g2 sont des facteurs géométriques, compris entre O et 1, sensiblement indépendants de i et caracté ristiques de l'état de surface avant respectivement arrière du matériau ou échantillon, Ti est la transmissivité du matériau constitutif de l'échantillon à la composante spectrale d'ordre i considérée, Ti = e Kid où Ki est le coefficient -d'absorption-du-matériau-à cette composante spec trale d'ordre i et d la longueur du trajet du rayonnement dans le matériau entre dioptresavant et arrière du composant. 11. Dispositif selon la revendication 10, caractérisé en ce qu1 il comprend en outre des moyens de détection et de mesure de l'intensité du rayonnement transmis par l'échantillon dudit composant et/ou matériau, lesdits moyens de détection étant susceptibles, sur déclenchement extérieur, de donner une mesure de l'intensité du rayonnement transmis par l'échantillon du composant ou matériau en au moins un point d'illumination de ce dernier. 12. Dispositif selon l'une des revendications 10 ou 11, caractérisé en ce que les moyens d'illumination comportent une source de lumière composite. 13. Dispositif selon la revendication 12, caractérisé en ce que ladite source permet l'illumination d'un échantillon du composant et/ou matériau sous un rayonnement de composantes spectrales correspondant à l'opacité, à la transparence et à la semi-transparence sensiblement sous des intensités correspondantes de valeur déterminée Is, IT, I. 14. Dispositif selon l'une des revendications 10 à 13, caractérisé en ce que lesdits moyens de détection des rayonnements réfléchis par l'échantillon comportent - des moyens dispersifs permettant d'assurer la transmission et la séparation du faisceau en ses différentes composantes spectrales, - une pluralité d'éléments sensibles aux différentes composantes spectrales capables pour chacune des composantes spectrales émises réfléchies et transmises de délivrer un signal proportionnel à l'intensité de celles-ci - des moyens amplificateurs recevant les signaux délivrés par les éléments sensibles et délivrant des signaux amplifiés. 15. Dispositif selon la revendication 14, caractérisé en ce que le rayonnement émis par la source est transmis par l'intermédiaire d'un modulateur, les moyens amplificateurs étant constitués par un amplificateur synchrone multivoie. 16. Dispositif selon l'une des revendications 10 à 15, caractérisé en ce que les moyens de mesure des valeurs des intensités des rayonnements de composantes spectrales différentes comportent - des moyens convertisseurs analogiquesnumériques recevant lesdits signaux délivrés par lesdits moyens amplificateurs, - des moyens de mémorisation auxiliaires capables de mémoriser les signaux numériques délivrés par les moyens convertisseurs analogiques-numériques précités. 17. Dispositif selon l'une des revendications 10 à 16, caractérisé en ce que les moyens de mémorisation et de calcul des paramètres physiques du matériau ou composant comportent un microordinateur et ses périphériques, le microordinateur étant interconnecté aux moyens de mémorisation auxiliaires et recevant les valeurs numériques représentatives des intensités précitées.