FR 2603421 A1 19880304 FR 8612296 A 19860826 PROCEDE DE GRAVURE LOCALISEE D'UNE COUCHE D'OXYDE DE SILICIUM La présente invention concerne le domaine de la fabrication des composants semiconducteurs, par exemple des circuits intégrés. Dans le domaine de la fabrication des circuits intégrés, 5 on cherche souvent à réaliser des ouvertures localisées de petites dimensions dans une couche de silice (SiO2), par exemple quand on effectue des opérations de test sous pointes et que l'on souhaite mettre une pointe en contact avec une zone particulière d'une couche sous-jacente. On cherche alors à réaliser des ouvertures 10 aussi petites que possible sans affecter le reste de la tranche. Jusqu'à présent, les procédés pour réaliser de telles ouvertures sont les procédés classiques de photolithogravure qui consistent à déposer une résine, insoler cette résine, révéler cette résine, graver par exemple par plasma, et enlever la résine. 15 Cette succession d'étapes est relativement longue et entraîne des risques de dégradation de parties non souhaitée de la tranche, par exemple si la résine présente des défauts. Ainsi, la présente invention vise un procédé de gravure localisée d'une couche de silicium éventuellement épaisse qui 20 n'entraîne aucun risque de dégradation d'autres zones d'une tranche semiconductrice et qui permet de faire des ouvertures bien localisées et de petites dimensions. Pour atteindre ces objets ainsi que d'autres, la présente invention prévoit un procédé de gravure localisée d'une 25 couche d'oxyde de silicium (SiO2) comprenant les étapes consistant à placer un substrat portant la couche dans une enceinte à une pression inférieure à environ 10-5 Pascal en présence de silane (SiH4), et à chauffer ponctuellement la zone à graver, par exemple par irradiation au moyen d'un faisceau laser. On notera que -des techniques de traitement de semiconducteur par irradiation par des faisceaux laser en présence de silane sont connues, par exemple à partir des documents "Ar+ laser induced chemical vapor deposition of Si from SiH4" de D. B uerle 5 et al. - Appl. Phys. Lett. 40(9), premier mai 1982, et "Laser microreaction for deposition of doped silicon films" de D.J. Ehrlich et al., Appl. Phys. Lett. 39(12), 15 décembre 1981. Dans le premier document, on étudie un phénomène se produisant à 133 millibars soit 1,33 104 Pa. Dans le deuxième document, on mentionne des pressions de silane allant de 1 à 200 torrs, c'est-à-dire de 133 à 2,66 104 Pa et tous les exemples sont donnés pour des pressions de 100 à 200 torr (1,33 à 2,66 104 Pa). Dans les deux documents, on enseigne qu'en présence de 15 silane, il se produit des dépôts de silicium dans des zones irradiées par un faisceau laser. Il est tout particulièrement intéressant de noter dans le deuxième document que ces dépôts de silicium se produisent au-dessus de couches de SiO2 qui, apparemment, ne sont pas affectées par l'irradiation laser. Au contraire, selon la présente invention, il a été découvert que pour une pression très faible, inférieure à environ 100 Pa il se produit une attaque du SiO2 dans des emplacements irradiés par un faisceau laser au lieu d'un dépôt de silicium sur le SiO2. La présente invention va être illustrée plus particulièrement en relation avec des exemples. EXEMPLE I. Etant donné une couche de silicium revêtue d'une couche 30 de SiO2 d'une épaisseur comprise entre 1 et 10000 nm, et en effectuant une irradiation par un laser à argon fonctionnant en continu à une longueur d'onde de 500 nm, on a obtenu des trous localisés d'un diamètre de l'ordre de 1000 nm, la tache de focalisation ayant une dimension de l'ordre de 500 nm. EXEMPLE 2. Dans le cas de couches de SiO2 d'une épaisseur du dixième de millimètre à 2 mm, on a obtenu avec un laser à C02 à une longueur d'onde de lO1m fonctionnant en continu des ouver5 tures d'un diamètre régulier de l'ordre de 50.Im. On notera en particulier dans ce deuxième exemple la régularité des trous obtenus. Ceci est dû au phénomène de canal optique que produit le trou en cours de formation dans la silice. Bien entendu, à condition de disposer d'une énergie suf10 fisante, on peut utiliser un laser en impulsion. Pour des trous de plus grande dimension, au lieu de focaliser fortement le laser en un point, on peut utiliser un laser plus puissant défocalisé, la tache de focalisation ayant un diamètre allant jusqu'à 20 um; et, pour augmenter encore la dimension des ouvertures, on peut 15 procéder à un balayage du faisceau laser sur la surface à traiter. Dans le cas des deux exemples ci-dessus, la puissance du laser était choisie selon la nature du substrat dans une gamme de 1 à 20 watts. La vitesse de gravure varie avec les conditions de 20 fonctionnement dans une plage de 1 a 10 Pm/minute. REVENDICATIONS 1. Procédé de gravure localisée d'une couche d'oxyde de - silicium (Si02), caractérisé en ce qu'il comprend les étapes suivantes - placer un substrat portant la couche d'oxyde dans une 5 enceinte à une pression inférieure à environ 102 Pa en présence de silane (SiH4), - chauffer ponctuellement la zone à graver. 2. Procédé de gravure localisée d'une couche d'oxyde de silicium selon la revendication 1, caractérisé en ce que le chauf10 fage ponctuel est réalisé au moyen d'un faisceau laser. 3. Procédé de gravure localisée d'une couche d'oxyde de silicium selon la revendication 2, caractérisé en ce que le laser est un laser à C02 fonctionnant à une longueur d'onde de 10 micromètres. 4. Procédé de gravure localisée d'une couche d'oxyde de silicium selon la revendication 2, caractérisé en ce que le laser est un laser à argon fonctionnant à une longueur d'onde de 0,5 micromètres. 5. Procédé de gravure localisée d'une couche d'oxyde de 20 silicium selon l'une quelconque des revendications 2 à 4, caractérisé en ce qu'il consiste en outre à effectuer un balayage du faisceau laser sur la surface du substrat portant la couche.