FR 2581793 A1 19861114 FR 8506923 A 19850507 La présente invention concerne un procédé et un dispositif permettant de contrôler l'épaisseur de dépôts obtenus par évaporation sous vide, lors de la fabrication de composants électroniques ou optoélectroniques. La présente invention a pour but de permettre la réalisation de composants électroniques ou optoélectroniques de grandes dimensions (diagonale supérieure à 10 cm) composés d'un empilement de couches de matériaux différents obtenues par évaporation sous vide à partir de sources de structure classique telles que canons à électrons et/ou creusets thermiques. On sait déjà réaliser des dépôts par évaporation sous vide sur substrats pour la fabrication de composants électroniques ou optoélectroniques. Pour cela, les substrats sont placés dans une cloche où l'on a fait un vide poussé et où l'on chauffe le corps à évaporer. Le libre parcours moyen des molécules dans le vide est tel que celles-ci peuvent atteindre le substrat et s'y déposer. Dans la majorité des cas, l'évaporation se fait à travers un masque métallique appliqué étroitement sur le substrat. Il a également été proposé d'utiliser des dispositifs tournants permettant de disposer plusieurs substrats, de l'ordre de 10 à 20 par exemple, en regard des sources d'évaporation. La rotation tend à assurer une meilleure homogénéité du dépôt sur tous les substrats les uns par rapport aux autres. Les installations de dépôt par évaporation sous vide jusqu'ici proposées ne permettent pas cependant d'obtenir des épaisseurs de dépôt homogènes dans le cas de substrats de grande surface. La vitesse d'évaporation d'une source thermique (canons à électrons ou creusets) diminue en effet très sensiblement lorsqu'on s'écarte de l'axe de symétrie de cette source. Par ailleurs, la position des sources dans la cloche ou enceinte sous vide ne peut généralement pas être choisie librement mais est imposée par le nombre et l'encombrement des sources requises pour la fabrication. On a tenté de réaliser des dépôts homogènes sur de grandes surfaces à l'aide de systèmes planétaires. De tels systèmes comprennent une cloche montée à rotation en regard des sources d'évaporation et qui porte les substrats libres de pivotement ou de rotation sur la surface interne de la cloche. De tels dispositifs sont cependant à la fois complexes et fort coûteux. Par ailleurs, de tels systèmes ne permettent pas, en général, d'opérer un changement de masques sous vide. D'autres installations comprenant des bâtis multichambres de taille importante ont été proposées pour tenter de réaliser des composants de grande dimension. Ces installations sont cependant également très coûteuses et encombrantes. La présente invention vient maintenant améliorer la situation en proposant un procédé et un dispositif qui permettent de façon simple et économique de contrôler avec une bonne précision l'épaisseur des dépôts. La présente invention permet soit de réaliser des dépôts d'épaisseur homogène, soit des gradients d'épaisseur contrôlée. Enfin, la présente invention permet, sans la moindre complication, plusieurs niveaux de masquage dans le même vide, et permet par conséquent la réalisation de motifs différents pour le dépôt. La présente invention vient améliorer la situation en proposant un procédé de fabrication de composants électroniques ou optoélectroniques avec dépôt par évaporation sous vide, à l'aide d'undispositif comprenant une enceinte à vide qui loge au moins une source d'évaporation et un porte-substrat associé à des moyens d'entraînement aptes à déplacer le porte-substrat par rapport à la course d'évaporation, et en regard de celle-ci, caractérisé par le fait qu'il comprend l'étape consistant, avant mise en service de la source d'évaporation, à intercaler entre cette source et le porte-substrat, un écran fixe par rapport à la source et comportant au moins une fenêtre disposée en regard de la source d'évaporation et dont les dimensions de segments élémentaires considérés dans la direction de déplacement relatif du porte-substrat et de la source d'évaporation, balayés par un segment donné, de même géométrie,du substrat lors d'un déplacement relatif substrat-source et qui correspondent à des secteurs de cercle dans le cas d'un pivotement relatif et à des segments rectilignes dans le cas d'une translation relative, sont telles que le produit de la vitesse moyenne de dépôt au niveau d'un segment donné de la fenêtre par le temps de balayage de ce segment par un point du substrat, soit proportionnel à l'épaisseur du dépôt recherché sur le substrat au niveau d'un segment de ce dernier auquel appartient le point précité. Les inventeurs ont déterminé que le simple fait de disposer le masque précité entre le substrat et la source d'évaporation permettait de contrôler avec une bonne précision l'épaisseur des dépôts obtenus, même sur des substrats de grande surface (diagonale supérieure à 10 cm). Par ailleurs, cette disposition permet de chanaer aisément les masques appliqués sur le substrat, comme cela sera explicité ultérieurement. Selon une première variante de réalisation de la présente invention, le porte-substrat est entraîné en rotation à vitesse constante en regard de la source d'évaporation. Dans le cadre de cette première variante, pour obtenir un dépôt d'épaisseur constante, le produit du temps d'exposition du substrat au niveau de chaque secteur de cercle (segment élémentaire) de la fenêtre de l'écran ayant pour centre l'axe de rotation du portesubstrat (temps qui est déterminé par lalongueur de ce secteur) et de la vitesse moyenne du dépôt au niveau de même secteur de cercle de la fenêtre doit être égal à une constante. Par contre, dans le cadre de cette première variante, pour obtenir un gradient d'épaisseur de dépôt sur le substrat, les produits du temps d'exposition du substrat au niveau d'un secteur de cercle de la fenêtre et de la vitesse moyenne du dépôt au niveau du même segment de la fenêtre, produits considérés transversalement à la direction de déplacement relatif substrat-source d'évaporation doivent répondre à une fonction prédéterminée représentant le gradient recherché. Selon une seconde variante de réalisation de la présente invention, le porte-substrat est entraîné en translation à vitesse constante en regard de la source d'évaporation. Dans le cadre de cette seconde variante, pour obtenir un dépôt d'épaisseur constante, le produit de la longueur de chaque segment rectiligne de la fenêtre de l'écran, et de la vitesse moyenne de dépôt au niveau du même segment de la fenêtre doit être égal à une constante. Par contre, dans le cadre de la seconde variante, pour obtenir un gradient d'épaisseur de dépôt sur le substrat, les produits de la longueur de chaque segment rectiligne de la fenêtre et de la vitesse moyenne de dépôt au niveau du même segment rectiligne de la fenêtre, produits considérés transversalement à la direction de déplacement relatif substrat-source d'évaporation, répondent à une fonction prédéterminée correspondant au gradient d'épaisseur recherché sur le substrat. La présente invention concerne également un dispositif pour la mise en oeuvre du procédé précité, du type comprenant une enceinte à vide qui loge au moins une source d'évaporation et un porte-substrat associé à des moyens d'entraînement aptes à déplacer le portesubstrat en regard de la source d'évaporation, et qui comprend en outre, intercalé entre cette source et le porte-substrat, un écran fixe par rapport à la source et comportant au moins une fenêtre disposée en regard de la source d'évaporation et dont les dimensions de segments élémentaires considérés dans la direction de déplacement relatif du porte-substrat et de la source d'évaporation,balayés par un segment donné, de même géométrie du substrat,lors d'un déplacement relatif substratsource et qui correspondent à des secteurs de cercle dans le cas d'un pivotement relatif et à des segments rectilignes dans le cas d'une translation relative, sont telles que le produit de la vitesse moyenne de dépôt au niveau d'un segment donné de la fenêtre par le temps de balayage de ce segment par un point du substrat, soit proportionnel à l'épaisseur du dépôt recherché sur le substrat au niveau d'un segment de ce dernier auquel appartient le point précité. D'autres caractéristiques et avantages de la présente invention apparaîtront à la lecture de la description détaillée qui va suivre et en regard des-dessins annexés donnés à titre d'exemples non limitatifs et sur lesquels - la figure 1 représente une vue schématique en plan d'un écran conforme à une première variante de la présente invention, - la figure 2 représente une vue schématique en coupe axiale d'un dispositif conforme à la présente invention selon des plans de coupe non coplanaires référencés II-II sur la figure 1, et - les figures 3 et 4 représentent des vues schématiques en plan de deux écrans conformes à une seconde et troisième variantes de la présente invention. On aperçoit sur la figure 2 une enceinte 1 (schématiquement représentée) qui loge deux sources d'évaporation 10, 20 supportées par une embase commune 30, un porte-substrat 40 oscillant ou rotatif autour d'un axe o-O perpendiculaire à l'embase 30, un porte-masques 50 associé au porte-substrat 40, et enfin un écran 100 qui selon l'invention, est intercalé entre le porte-substrat 40 et les sources d'évaporation 10, 20. Sur la figure 2, le substrat est représenté schématiquement, en coupe, sous la référence S. Sur la figure 1, le substrat S est représenté respectivement en traits interrompus, en trait plein et en traits mixtes sous la référence S1, S2 et S3 dans trois positions relatives du substrat par rapport à l'écran, obtenues au cours de la rotation du porte-substrat. De façon classique en soi, l'enceinte 1 communique avec des moyens à dépression 2 (schématiquement représentés sur la figure 2) adaptés pour faire un vide poussé dans l'enceinte. De plus, l'une des parois de l'enceinte est munie d'un portillon 3, le cas échéant d'un sas, permettant l'introduction et le retrait des substrats après traitement et d'une façon générale, toute intervention néces- saire dans l'enceinte 1. On a représenté schématiquement sur la figure 2 une première source d'évaporation 10 comprenant un canon à électrons adapté pour opérer l'évaporation par évaporation locale, d'un corps i1 contenu dans un creuset 12. Ce processus d'évaporation empêche la dissociation des composants et donc la variation de composition des corps au cours de l'évaporation convient par exemple à l'éva- poration de nickel-chrome et de certains composés magnétiques tels que le fer-nickel. On a également représenté schématiquement sur la figure 2, une seconde source d'évaporation 20. Cette seconde source 20 comprend un creuset ou coupelle 21 chauffé par un fil de tungstène 22 ou équivalent et qui contient le produit 23 à évaporer, par exemple du monoxyde de silicium. Chacune des sources d'évaporation se caractérise par un diagramme d'évaporation spécifique. Les sources d'évaporation 10 et 20 sont placées dans l'enceinte 1 de telle sorte que les diagrammes d'évaporation des sources se développent symétriquement par rapport à un axe respectif, 14 pour la source 10, et 24 pour la source 20, qui s 'étend perpendiculairement à l'embase 30 et parallèlement à l'axe O-O de rotation du porte-substrat. Le cas échéant, les axes 14 et 24 peuvent être inclinés par rapport à l'axe O-O. Les diagrammes d'évaporation précités sont schématiquement illustrés sur la figure 2, sous forme de lobes référencés 15 pour la source 10, et 25 pour la source 20. La vitesse d'évaporation d'une source thermique 10 ou 20 diminue lorsqu'on s'écarte de l'axe de symétrie 14 ou 24, du diagramme. Ainsi, quand la source est très décalée par rapport au-substrat S, comme cela est le cas par exemple pour la source 10, la vitesse de dépôt sur la zone extérieure du substrat S est très inférieure à celle sur la zone intérieure (qui est plus proche de l'axe 14 de la source 10). La porte-substrat 40 est adapté pour supporter le substrat S parallèlement à l'embase 30. Le porte-substrat peut par exemple comprendre un mécanisme 41 apte à supporter le substrat S, solidaire d'un arbre 42 transversal à l'embase 30 et entraîné en rotation autour de l'axe 0-0. Le cas échéant, le porte-substrat 41 peut être muni d'une chaufferette. Le porte-masques 50 est adapté pour permettre l'interchangeabilité des masques disposés en regard du substrat sans remise à l'air. Pour cela, pendant le dépôt, le masque sélectionné est plaqué contre le substrat S. Ainsi, pendant le déplacement du porte-substrat, le porte-masques et le portesubstrat sont solidaires. On-aperçoit sur la figure 2 deux masques 51, 52 schématiquement représentes, le masque 52 étant appliqué contre le substrat S. La structure du porte-masques 50 ne sera pas décrite plus en détail par la suite. Ce porte-masques peut par exemple être identique à celui décrit dans la demande de brevet française publiée sous le nO 2 513 661. Le cas échéant, l'enceinte 1 peut loger également un écran 60 de protection des masques non utilisés. Cet écran 60 de protection, qui s 'étend généralement parallèlement au porte-masques 50 et à l'embase 30, entre le porte-masques 50 et les sources d'évaporation, est muni d'une seule fenêtre 61 qui est placée en regard du substrat. L'écran 60 de protection se déplace avec le portesubstrat pendant le fonctionnement. On và maintenant décrire la structure de l'écran 100 conforme à la présente invention représenté sur la figure 1. Cet écran 100 est disposé entre l'écran de protection 60 et les sources d'évaporation 10, 20. Il est fixe par rapport à l'enceinte 1 et aux sources d'évaporation 10-, 20 et s'étend parallèlement à l'embase 30. L'écran 100 comprend une fenêtre associée à chaque -source d'évaporation 10, 20 pour contrôler le dépôt résultant sur le substrat S. Ainsi, selon la représentation de la figure 1, l'écran 100 comprend une fenêtre 110 associée à la source 10 et une fenêtre 120 associée à la source 20. Au cours du déplacement en rotation du porte-substrat autour de l'axe 0-0, un point donné du substrat S parcourt un secteur de cercle de ces fenêtres 111, 112 par exemple pour la fenêtre 110, 121, 122 par exemple pour la fenêtre 120. La vitesse de rotation du porte-substrat étant constante, la durée d'exposition d'un point donné du substrat S au niveau des fenêtres 110, 120 est déterminée par rapport de la longueur de l'arc de cercle 111, 112, 121, 122 par exemple, parcouru par ce point de substrat en regard de la fenêtre, et de la vitesse circonférentielle du même point du substrat. Bien entendu, la vitesse circonférentielle d'un point donné du substrat est proportionnelle à la distance séparant ce point de l'axe de rotation (0-0). A un instant donné,des points différents du substrat situés sur un même rayon par rapport à l'axe de rotation O-O "voit" des vitesses d'évaporation différentes puisque situés à des distances différentes de l'axe de symétrie du diagramme des sources. Par ailleurs, la vitesse d'évaporation "vue" par un point du substrat S varie au cours d'un balayage de chaque secteur de cercle (111, 112, 121, 122) d'une fenêtre dès lors que l'axe 14, 24 de la source d'évaporation ne coincide pas avec l'axe de rotation (On) du porte-substrat. Néanmoins, la vitesse moyenne d'évaporation"vue" par un point du substrat parcourant un arc de cercle des fenêtres 110, 120, peut aisément être déterminée. On notera par ailleurs que tout point du substrat S situé sur un même arc de cercle centré sur l'axe de rotation O-O balaye le même arc de cercle d'une fenêtre, "voit" donc la même fonction de vitesse d'évaporation et est exposé pendant la même durée. Pour obtenir un dépôt homogène, c'est-à-dire d'épaisseur constante, sur le substrat, même si celui-ci possède une surface importante, le produit de la vitesse d'évaporation moyenne au niveau de chaque arc de cercle balayé, par la durée d'exposition au niveau de cet arc, doit être égal à une constante. Pour obtenir par contre un gradient d'épaisseur sur le substrat S, il con-ient de moduler le produit précité (vitesse d'évaporation moyenne x durée d'exposition) dans une direction radiale en regard de l'axe 0-0 de rotation du porte-substrat, soit transversalement à la direction de déplacement relatif provoqué entre le substrat et les sources d'évaporation. En d'autres termes, l'épaisseur de dépôt recherchée sur le substrat et la vitesse moyenne d'évaporation permettent de déduire la durée d'exposition requise au niveau de chaque arc de cercle des fenêtres 11D, 120. La durée d'exposition requise permet ensuite de déterminer la longueur de chaque arc de cercle d'une fenêtre, sachant que la vitesse circonférencielle au niveau d'un arc de cercle, à vitesse de rotation constante, est directement proportionnelle à la distance séparant cer arc, de l'axe de rotation O-O. Le porte-substrat 40 peut bien entendu être déplacé en regard des sources d'évaporation 10, 20 selon un mouve- ment différent de la rotation. La géométrie des fenêtres doit être adaptée en conséquence. Dans tous les cas, pour obtenir un dépôt homogène, c'est-à-dire d'épaisseur constante, sur le substrat, le produit de la vitesse d'évaporation moyenne au niveau de chaque segment élementaire de la fenêtre de l'écran balayé par le substrat, par la durée d'exposition au niveau de ce segment, doit être égal à une constante. Par contre, pour obtenir un gradient d'épaisseur sur le substrat S, il convient de moduler le produit précité dans une direction transversale à la direction de déplacement relatif substrat-source. On a représenté sur la figure 3 un autre écran 200 susceptible d'être utilisé dans une enceinte logeant un porte-substrat adapté pour déplacer un substrat en translation, comme illustré schématiquement par la flèche référencée T sur la figure 3, en regard des sources d'évaporation. De façon similaire à la figure 1, le substrat S est représenté respectivement en traits interrompus, en trait plein et en traits mixtes, sous la référence S1, S2 et S3 dans trois positions relatives du substrat par rapport à l'écran, obtenues au cours de la translation du porte-substrat. On aperçoit par ailleurs sur la figure 3, l'axe 14 d'une source d'évaporation (non représentée pour simplifier l'illustration) et une fenêtre 210 réalisée dans l'écran 200. Au cours du déplacement en translation (T) du portesubstrat, un point donné du substrat S parcourt un segment rectiligne de la fenêtre 210, tel que l'un des segments référencés 211 ou 212 sur la figure 3. La vitesse de translation du porte-substrat étant constante, la durée d'exposition d'un point donné du substrat S au niveau de la fenêtre 210 est déterminée directement par la longueur du segment rectiligne 211, 212 parcouru par ce point. La vitesse d'évaporation vue" par un point du substrat S varie au cours d'un balayage de l'un des segments rectilignes (211, 212) d'une fenêtre. Néanmoins, tout point du substrat situé sur un segment rectiligne du substrat parallèle à la direction de translation T balaye le même segment rectiligne 211 ou 212 par exemple, de la fenêtre 210, et voit donc la même fonction de vitesse d'évaporation et est exposé pendant la même durée. Pour obtenir un dépôt homogène, c'est-à-dire d'épaisseur constante, sur le substrat S, même si celui-ci possède une surface importante, le produit de la vitesse d'évaporation moyenne au niveau de chaque segment rectiligne balayé, par la longueur de ce segment, doit être égal à une constante. Pour obtenir par contre un gradient d'épaisseur sur le substrat S, il convient de moduler la longueur des segments rectilignes balayés par le substrat et donc le produit précité, dans une direction transversale à la direction de translation T. En l'espèce, la longueur des segments rectilignes 211, 212 est directement proportionnelle à la durée d'exposition recherchée. Les fenêtres (110, 120 ou 210) réalisées dans l'écran (100 ou 200) peuvent être découpées dans leurs formes définitives dans un écran rigide monobloc. En variante, comme cela est illustré sur la figure 4, les écrans 300 peuvent être équipés d'un ensemble de lamelles 330, 340 mobiles ou moyens équivalents formant un système à géométrie variable permettant d'optimiser la forme des fenêtres d'exposition 310. Ces lamelles 330, 340 sont de préférence mobiles dans la direction de déplacement relatif du porte-subtrat et des sources d'évaporation pour conformer de façon appropriée les bords 331, 341 de la fenêtre 310 qui s'étendent transversalement à la direction de déplacement relatif substrat-sources d'évaporation afin de régler la longueur des segments élémentaires balayés par le substrat au cours du déplacement. Les écrans 300 équipés de systèmes à géométrie variable peuvent être utilisés pour déterminer à l'origine la géométrie requise pour les fenêtres dans une application particulière (nombre et position des sources d'évaporation, dimensions du substrat et nature du déplacement relatif substrat-sources d'évaporation - translation, rotation...) avant de procéder à la réalisation définitive des écrans par découpe des fenêtres en vue d'une production série. Les écrans 300 équipés de systèmes à géométrie variable peuvent être également utilisés en production de série pour permettre d'adapter la forme des fenêtres en cas d'évolution des conditions de traitement (nombre et position des sources d'évaporation...). Des essais réalisés par les inventeurs sur des substrats de format 50 x 50 mm2ont permis d'obtenir une épaisseur uniforme de dépôt avec une précision de l'ordre de 4 % à l'aide d'un écran conforme à la présente invention. Dans les mêmes conditions d'exposition, sur un substrat de format 50 x 50 min?, mais sans écran, la précision n'était que de 16 %. La précision est ici définie par le rapport de la différence entre les épaisseurs maximale et minimale, sur l'épaisseur minimale ((emax - emin) /e min). Des essais réalisés par les inventeurs sur des substrats de format 100 x 100 m"2ont permis d'obtenir une épaisseur uniforme de dépôt avec une précision de l'ordre de 8 % à l'aide d'un écran conforme à la présente invention. Dans les mêmes conditions d'exposition sur un substrat de format 100 x 100 mm2, mais sans écran, la précision n'était que de 40 %. Par ailleurs, l'écran conforme à la présente invention a permis d'obtenir des gradients d'épaisseur avec une précision (rapport épaisseur maximale sur épaisseur minimale : emax /emin) de l'ordre de 6 pour des substrats de format 50 x 50 mm2et supérieurs à 10 pour des substrats de format 100 x 100 mm2 La présente invention permet par exemple, et non exclusivement, de réaliser des structures électroluminescentes de grandes dimensions comprenant un empilement de substrat en verre - ITO (Indium - Tin - Oxide) -couche diélectrique- couche de phosphore (par exemple ZnS:=4m) - couche diélectrique - couche Al. REVENDICATIONS 1. Procédé de fabrication de composants électroniques ou optoélectroniques avec dépôt par évaporation sous vide, à l'aide d'un dispositif comprenant une enceinte à vide (1) qui loge au moins une source dlé- vaporation (10, 20) et un porte-substrat 140) associé à des moyens d'entraînement aptes à déplacer le portesubstrat par rapport à la source d'évaporation, et en regard de celle-ci, caractérisé par Je fait qu;iicom prend l D étape consistant, avant mise en service de la source d'évaporation (10, 20), à intercaler entre cette source et le porte-substrat, un écran (100, 200, 300) fixe par rapport à la source (10, 20) et comportant au moins une fenêtre (110, 120 ; 210; 310) disposée en regard de la source d'évaporation et dont les dimensions de segments élémentaires (111, 112, 121, 122 ; Z11, 212) considérés dans la direction de déplacement relatif du porte-substrat (40) et de la source d'évaporation (10, 20) balayés par un segment donné, de même géométrie du substrat (S) lors d'un déplacement relatif substratsource et qui correspondent à des secteurs de cercle (111, 112, 121, 122) dans le cas d'un pivotement rela- tif et à des segments rectilignes (211, 212) dans le cas d'une translation relative, sont telles que le produit de la vitesse moyenne de dépôt au niveau d'un segment donné (111, 112, 211, 212) de la fenêtre par le temps de balayage de ce segment par un point du substrat (S) soit proportionnel à l'épaisseur du dépôt recherché sur le substrat au niveau d'un segment de ce dernier auquel appartient le point précité. 2. Procédé de fabrication de composants électroniques ou optoélectroniques selon la revendication 1, caractérisé par le fait que le porte-substrat (40) est entraîné en rotation à vitesse constante en regard de la source d'évaporation (10, 20). 3. Procédé de fabrication de composants électroniques ou optoélectroniques selon l'une des revendications 1 et 2, caractérisé par le fait que le porte-substrat (40) est monté oscillant pour déplacer le substrat selon un mouvement oscillant de part et d'autre de la fenêtre de l'écran fixe (100, 200, 300). 4 . Procédé de fabrication de composants électroniques ou optoélectroniques selon l'une ies revanicatioI 2 ou 3, caractérisé par le fait que le produit du temps d'exposition du substrat (S) au niveau de chaque secteur de cercle (111, 112; 121, 122) de la fenêtre (110, 120) de l'écran (100) ayant pour centre l'axe de rotation (0-0) du portesubstrat (40) et de la vitesse moyenne de dépôt au niveau du même segment (111, 112 t 121, 122) de la fenêtre est égal à une constante afin d'obtenir, sur le substrat (S), un dépôt d'épaisseur constante. 5. Procédé de fabrication de composants électroniques ou optoélectroniques selon l'une des revendications 2 ou 3, térisé par le fait que considérés transversalement à la direction de déplacement relative substrat (S)-source d'évaporation (10, 20), les produits du temps d'exposition du substrat (S) au niveau d'un secteur de cercle (111, 112 ; 121, 122) de la fenêtre (110, 120) de l'écran ayant pour centre l'axe de rotation (O-O) du porte-substrat (40) et de la vitesse moyenne de dépôt au niveau du même secteur (111, 112 ; 121, 122) de la fenêtre, répondent à une fonction prédéterminée correspondant à un gradient d'épaisseur de dépôt recherché sur le substrat (S). 6. Procédé de fabrication de composants électroniques ou optoélectroniques selon l'une des revemLications 1 et 3, caractérisé par le fait que le porte-substrat est entraîné en translation à vitesse constante en regard de la source d'évaporation (10, 20). 7. Procédé de fabrication de composants électroniques ou optoélectroniques selon la revendication 6, caractérisé par le fait que le produit de la longueur de chaque segment rectiligne (211, 212) de la fenêtre (210) de l'écran (200) et de la vitesse moyenne de dépôt au niveau du même segment (211, 212) de la fenêtre est égal à une constante afin d'obtenir sur le substrat (S),un dépôt d'épaisseur constante. 8. Procédé de fabrication de composants électroniques ou optoélectroniques selon la revendication 6, caractérisé par le fait que, considérés transversalement à la direction de déplacement relatif (T) substrat (S)source d'évaporation (10, 20), les produits de la longueur de chaque segment rectiligne (211, 212) de la fenêtre et de la vitesse moyenne de dépôt au niveau du même segment rectiligne (211, 212) de la fenêtre répondent à une fonction prédéterminée correspondant à un gradient d'épaisseur de dépôt recherchéesur le substrat (S). 9. Dispositif pour la mise en oeuvre du procédé de fabrication de composants électroniques ou optoélectroniques selon l'une des revendications 1 à 8, du type comprenant une enceinte à vide (1) qui loge au moins une source d'évaporation (10, 20) et un porte- substrat (40) associé à des moyens d'entraînement aptes à déplacer le porte-substrat par rapport à la source d'évaporation (10, 20), et en regard de celle-ci, caractérisé par le fait qu'il comprend en outre, intercalé entre cette source (10, 20) et le porte-substrat (40), un écran (100, 20oye, 300) fixe par rapport à la source (10, 20) et comportant au moins une fenêtre (110, 120 ; 210, 310) disposée en regard de la source d'évaporation et dont les dimensions de segments élémentaires (111, 112 ; 121, 122 ; 211, 212) considérés dans la direction de déplacement relatif du porte-substrat (40) et de la source d'évaporation (10, 20),balayés par un segment donné, de même géométrie du substrat (S) lors d'un déplacement relatif substrat (S)-source (10, 20) et qui correspondent à des secteurs de cercle (111, 112 ; 121, 122) dans le cas d'un pivotement relatif et à des segments rectilignes (211, 212) dans le cas d'une translation relative, sont telles que le produit de la vitesse moyenne de dépôt au niveau d'un segment donné (111, 112 ; 121, 122 ; 211, 212) de la fenêtre (110, 120 ; 210, 310) par le temps de balayage de ce segment par un point du substrat (S) soit proportionnel à l'épaisseur du dépôt recherché sur le substrat au niveau d'un segment de ce dernier auquel appartient le point précité. 10. Dispositif selon la revendication 9, caractérisé par le fait qu'il comprend en outre entre l'écran (100, 200, 300) et le porte-substrat (40), un portemasques (50) adapté pour permettre l'interchangeabilité de masques (51, 52) au niveau du substrat (S). 11 . Dispositif selon la revendication10 caractérisé par le fait qu'il comprend en outre un élément de protection (60) solidaire du porte-substrat (40) et intercalé entre le porte-substrat (40) et l'écran (100), pour protéger lesmasques (51, 52) et qui comporte une fenêtre (61) placée en regard du substrat (S). 12 . Dispositif selon l'une des revendications9 à 10, caractérisé par le fait que l'écran (100, 200) est formé d'un élément plan rigide dans lequel sont ménagées les fenêtres (110, 120 ; 210). 13 . Dispositif selon l'une des revendications 9 à 10, caractérisé par le fait que l'écran (300) est formé d'un élément plan comportant un système à géométrie variable à lamelles v330, 340) permettant la définition du contour des fenêtres.