FR 2581270 A1 19861031 FR 8506409 A 19850426 "CIRCUIT D'AIGUILLAGE D'UN COURANT" La présente invention se rapporte à un circuit d'ai- guillage d'un courant vers l'une ou l'autre de deux sorties et comprenant un étage différentiel d'aiguillage comportant un premier et un deuxième transistors couplés par les émetteurs, ceux-ci étant relies à une première source de tension d'alimentation au moins à travers une première résistance dans laquelle circule ledit courant à aiguiller, la base de l'un d'entre eux au moins recevant une tension de référence, et leurs collecteurs constituant lesdites sorties. Dans les circuits d'aiguillage de l'art antérieur, généralement mis en oeuvre dans des multiplexeurs, le courant à aiguiller est défini par une source de courant d'aiguillage comprenant un transistor dont le collecteur est relié aux émetteurs des premier et deuxième transistors, dont la base reçoit une tension de commande bien définie et dont l'émetteur est connecté à ladite première resistance. Dans un tel circuit d'aiguillage la valeur de la tension de référence doit différer d'au moins deux tensions base-émetteur VBE d'un transistor, à savoir environ 1,5 V, de la valeur de la première tension d'alimentation et il faut en outre disposer d'une tension de commande pour le transistor de la source de courant. Dans un certain nombre de circuits intégrés, on dispose d'une tension de référence dont l'écart en tension avec la première source de tension d'alimentation, par exemple la masse, est sensiblement supérieur à une tension base-émetteur VBE d'un transistor tout en 4tant inférieure à deux tensions VBE. L'invention propose alors un circuit permettant d'utiliser, quoique non exclusivement, une telle tension de réfé- rence pour alimenter l'étage différentiel d'aiguillage.L'idde de base de l'invention est que, tout en conservant une valeur donnée au courant aiguillé, ledit transistor de la source de courant d'aiguillage peut entre supprimé ainsi que la source de tension de commande en réalisant une alimentation des deux transistors de l'étage différentiel d'aiguillage à partir de ladite tension de référence à travers des résistances série. Un des deux transistors de l'étage différentiel d'aiguillage est à l'état passant mais non saturé et reçoit sur sa base la tension de référence, et forme avec la première résistance une source de courant, dont le courant, par symétrie, aura la meme valeur, que ce soit le premier ou le deuxième transistor qui conduise. La commande symétrique de étage différentiel d'aiguillage est réalisée à l'aide d'un étage différentiel d'entrée fonctionnant de manière asymétrique. Selon l'invention donc, les émetteurs des premier et deuxième transistors sont reliés à ladite première source de tension d'alimentation uniquement à travers ladite première résistance, et le circuit d'aiguillage comporte les éléments suivants a) un étage différentiel d'entrée fonctionnant de manière asymétrique et comprenant un troisième et un quatrième transistors couplés par les émet teurs, ceux-ci étant reliés à la première source de tension d'alimentation à travers une deuxième résistance, dont les collecteurs sont connectés à la base respectivement du premier et du deuxième transistor, la base du troisième transistor rece vant une tension d'actionnement obtenue directe ment à partir de la tension de référence, et cel le du quatrième transistor l'une ou l'autre de deux tensions de sélection produites par un cir cuit de sélection, les deux tensions de sélection étant choisies, la première inférieure et la deuxième supérieure à ladite tension d'action nement et de telle manière que l'un des troisième et quatrième transistors étant bloqué et l'autre à l'état passant, le courant traversant la deuxième résistance ait une première ou une deuxième valeur déterminée respectivement par la tension d'actionnement ou la deuxième tension de sélection, ce qui caractérise l'asymétrie de son fonctionnement. b) un troisième et une quatrième résistances reliant la base respectivement des premier et deuxième transistors à ladite tension de référence, le rapport entre les valeurs des troisième et qua trième résistances étant de préférence le même que le rapport entre la deuxième et la première valeur du courant traversant la deuxième résis tance de telle sorte que l'étage différentiel d'aiguillage soit attaqué de manière symétrique. Une commande de l'étage différentiel d'entrée est réalisée à partir de la tension de référence. Pour ce faire, un étage de commande reçoit la tension de référence et alimente à partir d'une seconde source de tension d'alimentation une source de courant dont l'intensité est fonction de la tension de référence, et la première et la deuxième tension de sélection ont une valeur qui est fonction de l'intensité de ladite source de courant, ce qui fait que, lorsque l'étage différentiel d'aiguillage est attaqué de manière symétrique, cette symétrie est conservée même si la tension de référence fluctue. Selon un mode de réalisation, l'étage de commande est constitué par un étage différentiel suiveur à charge active comprenant un cinquième et un sixième transistors montés en différentiel, dont les émetteurs, couplés entre eux, sont reliés à la première source de tension d'alimentation à travers une cinquième résistance et dont les collecteurs sont couplés à ceux respectivement d'un septième et d'un huitième transistors couplés par la base, les émetteurs des septième et huitième transistors étant reliés à la deuxième source de tension d'alimentation respectivement à travers une sixième et une septième résistance d'égale valeur, un neuvième transistor formant avec les septième et huitième transistors une charge active et ayant son émetteur connecté à la base de ces derniers, sa base au collecteur des cinquième et septième transistors et son collecteur à la première source de tension d'alimentation, et un transistor suiveur ayant sa base connectée au collecteur des sixième et huitième transistors, son émetteur à la base du sixième transistor et son collecteur étant relié à la deuxième source de tension d'alimentation, à travers une huitième résistance de telle sorte que, d'une part le courant traversant la cinquième résistance se partage éga- lement entre les sixième et septième résistances et d'autre part la tension de base du sixième transistor est égale à celle de la base du cinquième transistor, à savoir ladite tension de référence. La tension présente sur la base des septième et huitième transistors et qui est générée à partir de la tension de référence, peut être avantageusement mise à profit en tant que tension de commande de la source de courant. Dans ce but, la source de courant comporte une huitième résistance connectée entre la deuxième source d'alimentation et l'émetteur d'un neuvième transistor dont la base est connectée à celle des septième et huitième transistors, et le collecteur à la première source de tension d'alimentation à travers un circuit de sélection de manière à produire lesdites deux tensions de sélection. Le circuit de sélection peut comporter deux branches dont l'une ou l'autre est traversée par le courant de la source de courant, à savoir une première branche comprenant en sé- rie au moins une première diode et une neuvième résistance et une deuxième branche, disposée entre le collecteur du neuvième transistor et une borne de commande, et comportant au moins une dixième résistance de telle sortie qu'on obtienne sur le collecteur du neuvième transistor deux valeurs de tension selon que la borne de commande est ou non connectée à la première source de tension d'alimentation, de telle sorte que le quatrième transistor reçoive sur sa base l'une ou l'autre des desdites tensions de sélection. Le produit des valeurs des septième et neuvième résistances peut être égal à deux fois celui des cinquième et huitième résistances de telle sorte que la deuxième tension de sélection soit égale à la tension de référence. Le collecteur du neuvième transistor peut être relié à la base du quatrième transistor par l'intermédiaire d'un dixième transistor monté en émetteur suiveur et dont le collecteur est connecté à la deuxième source de tension d'alimentation. La première branche peut alors- comporter en série ladite neuvième résistance ainsi qu'une première et une deuxième diode, et la deuxième branche peut comporter en série une troisième diode et ladite dixième résistance. L'émetteur du dixième transistor peut être relié à la première source de tension d'alimentation par l'intermédiaire d'au moins une onzième résistance en série avec une quatrième diode, la onzième résistance ayant la meme valeur que la neuvième résistance de telle sorte que le courant circulant dans l'émétteur du dixième transistor soit le meme que le courant circulant dans la première branche. L'invention sera mieux comprise à l'aide de la des cription qui va suivre en liaison avec la figure 1 qui représente à titre d'exemple non limitatif un mode de réalisation préféré de l'invention mis en oeuvre pour lacommutation d'un courant donné vers les émetteurs couplés des transistors de deux étages différentiels d'un multiplexeur et avec la figure 2 qui est une variante simplifiée de la figure 1. Les deux étages différentiels du multiplexeur proprement dit comportent pour le premier deux transistors T1 et T'1 couplés par les émetteurs et qui reçoivent sur leur base respectivement des signaux d'entrée el et e'l, et pour le deuxième deux transistors T2 et T'2 couplés par les émetteurs et qui reçoivent sur leur base respectivement des signaux d'entrée e2 et e'2. Les collecteurs des transistors T1 et T2 sont connectés entre eux et forment une sortie s du multiplexeur, laquelle est reliée à une source de tension d'alimen tation V' à travers une résistance R1. De mena, les collecteurs des transistors T'1 et T'2 sont connectés entre eux et forment l'autre sortie s' du multiplexeur, laquelle est reliée à la source de tension d'alimentation V' à travers une résistance R'i de valeur égale à R1. Le circuit d'aiguillage a pour fonction dans l'exemple choisi de diriger un courant I de valeur bien déterminée vers les émetteurs couplés de l'un ou l'autre des étages différentiels du multiplexeur de manière à le rendre apte à transmettre aux sorties s, s' les signaux, selon le cas el, e'l ou e2, e'2. Le circuit d'aiguillage comporte un étage différentiel d'entrée et un étage différentiel d'aiguillage et ce dernier est traversé par le courant I à aiguiller. L'étage différentiel d'entrée comporte deux transistors T20 et T21 couplés par les émetteurs, lesquels sont reliés à une source de tension d'alimentation, ici la masse, à travers une résistance R25 parcourue par un courant 12. L'étage différentiel d'aiguillage comporte deux transistors T10 et T11 couplés par les émetteurs, lesquels sont reliés à la masse à travers une résistance R12 parcourue par le courant I à aiguiller. Les collecteurs du transistors T20 et T21 sont connectés à la base respectivement des transistors T10 et Tell, lesquelles sont alimentées à une tension V41 à travers des résistances respectivement R10 et Roll. Ainsi qu'il sera montré dans la suite de la description, cette tension V41 est égale à la tension de référence VREF disponible par ailleurs dans le circuit et dont la valeur est susceptible d'être comprise entre une et deux fois la tension émetteur-base VBE (environ 750 mV) d'un transistor. La tension de base V20 du transistor T20 est obtenue par division de la tension V41 par un pont diviseur résistif R19, R20. Pour assurer que la tension V20 soit supérieure à une tension base-émetteur V8E, on dispose avantageusement une diode D20 constituée par un transistor dont la base et le collecteur sont court-circuités, en série avec la résistance R20 et dans le sens direct dans la branche du pont diviseur située entre la base du transistor T20 et la masse. La tension de sélection V21 sur la base du transistor T21 est obtenue en utilisant un courant I1 obtenu lui-meme à partir de la tension de référence VREF et alimentant un circuit de sélection. Ainsi qu'on va le montrer dans la suite de la description, ceci a pour avantage que dans le cas où l'attaque de l'étage différentiel de sortie est symétrique, cette symétrie reste acquise quelque soit la valeur de VREF, et est de ce fait indépendante de ses fluctuations éventuelles. On va maintenant décrire une manière de produire le courant I mettant en oeuvre un étage de commande du type suiveur qui permet de recopier la tension VREF sous forme d'une tension découplée V41. L'étage de commande comporte un étage différentiel suiveur comprenant deux transistors T40 et T41 couplés par les émetteurs, ces derniers étant reliés à la masse par ltintermd- diaire d'une résistance R45 traversée par un courant 2 1o qui se répartit également entre T40 et T41, et sont les collecteurs sont chargés par une charge active comprenant trois transistors T30, T31 et T32. La base du transistor T40 reçoit la tension VREF. Le courant Io a pour valeur : VREF - VBE Io = (1) 2 R45 La charge active est réalisée de la manière suivante. Les transistors T30 et T31 ont leur émetteur relié à une source de tension d'alimentation V chacun par l'intermédiaire d'une résistance respectivement R30 et R31, et leur collecteur est connecté à celui respectivement du transistor T40 et du transistor T41. Les bases des transistors T30 et T31 sont connectees entre elles. L'émetteur du transistor T32 est connecté à la base des transistors T30 et T31, sa base au collecteur des transistors T30 et T40 et son collecteur, à la masse. Un transistor T33 a son collecteur relié à la source de tension d'alimentation V par l'intermédiaire d'une résistance R33, sa base au collecteur des transistors T31 et T41, et son émetteur à la base du transistor T41. En outre, un condensateur C de faible valeur est connecté entre le collecteur et la base du transistor T33 et a pour fonction, de même que la résistance R33 d'éviter les oscillations. Une source de courant I1 est formée par un transistor T34 dont l'émetteur est relié à la source de tension d'alimentation V à travers une résistance R34, et la base à celle des transistors T30 et T31.Ce courant I1 circulant dans le collecteur du transistor T34 a pour valeur : I1 = R31/R34 x I0 = VREF - VBE/2 R45 R31/R34 (2) Le courant I1 traverse une des deux branches d'un circuit de sélection. La première branche comporte en série entre le collecteur du transistor T34 et la masse, deux diodes D22 et D23, constituées par la jonction émetteur-base de transistors dont le collecteur et la base sont court-circuités, et une résistance R22. La deuxième branche comporte en série entre le collecteur du transistor T34 et une borne de commande B une diode D21, constituée par la jonction émetteur base d'un transistor dont le collecteur et la base sont courtcircuités, et une résistance R21.Lorsque la borne de commande B n'est pas raccordée, la tension V22 disponible sur le collecteur du transistor T34 vaut R22I1 + 2VBE, VBE représentant une tension base-émetteur d'un transistor. Si la borne de commande B est mise à la masse, le courant I1 traverse alors la deuxième branche et la tension V22 vaut alors R21I1 + VBE. Pour R22 = R21, les deux valeurs de la tension V22 sont décalées d'une tension base-émetteur VBE, soit environ 750mV. On utilise les deux valeurs de la tension V22 pour générer la tension de sélection V21 après découplage par un transistor T22 monté en émetteur suiveur, dont la base reçoit la tension V22, dont le collecteur est connecté à la source de tension V et l'émetteur à la base du transistor T21. Pour assurer que l'émetteur du transistor T21 est parcouru par le courant I1 et donc que sa tension émetteur-base a exactement la même valeur que précédemment, on réalise un miroir de courant en disposant entre l'émetteur du transistor T22 et la masse une branche série comportant une diode D24, constituée par la jonction émetteur-base d'un transistor dont le collecteur et la base sont court-circuités, et une résistance R24. Pour R24 = R22, un courant de valeur égale à I1 traversa l'é- metteur de T22 lorsque la borne de commande B n'est pas raccordée. Dans ce cas, V21 = R22I1 + VBE Dans l'autre cas (B à la masse), très peu de courant traversa l'émetteur de T22 et sa jonction base-émetteur forme avec la diode D24 pratiquement un diviseur de tension. On a alors : R21 I1 + VBE V21 = 2 On choisit en général R21 = R22. D'autre part, on a : R20 V20 = (VREF-VBE) +VBE R19+R20 V20 a don@ une valeur comprise entre VBE et VREF. On pose V20 = VREF- A V d'où R19 # V = (VREF-VBE) (3) R19 + R20 On notera qu'il est avantageux de ' choisir R19 + R20 = R22 auquel cas le courant dans D20 est le même que dans D22, D23 et dans l'émetteur de T22, et les tensions base-émetteur ont exactement la même valeur. Le fonctionnement de l'étage différentiel d'entrée est le suivant. Lorsque la borne de commande B n'est pas raccordée, la tension de sélection V21 est supérieure à V20, le transistor T21 est à l'état passant,, mais non saturé, et le transistor T20 est bloqué. Le courant I2 a alors une valeur @21 - @BE @21@ i21 = (4) R25 VBE(i21) désignant la tension base-émetteur du transistor T21 parcouru par le courant i21. La tension de base V11 du transistor T11 a pour valeur VREF-Rll i21 et la tension de base V10 du transistor T10 a pour valeur VREF, ce qui assure que le transistor T10 est à l'état passant, mais non saturé, et que le transistor T11 est bloqué Le courant I dans la résistance R12 est aiguillé vers l'étage différentiel (T1, T'1) du multiplexeur et a pour valeur @REF @BE@ R12 VgE(I) désignant la tension base-émetteur du transistor T10 parcouru par le courant I. Lorsque la borne de commande B est mise à la masse, V20 est alors qupérieur à V21, le transistor T20 est à l'état passant, mais non saturé, et le transistor T21 est bloqué. Le courant I2 a alors une valeur V20 - VBE(i20) i20 = (5) VBE(i20) désignant la tension base émetteur du transistor T21 parcouru par le courant i20. Cette différence entre les courants i20 et i21 caractérise le fonctionnement asymétrique de l'étage différentiel d'entrée. La tension de base V10 du transistor T10 a pour valeur VREF- R10 i20 et la tension de base V11 du transistor T11 a pour valeur VREF, ce qui assure que le transistor T11 est à l'état passant, mais- non saturé, et que le transistor T10 est bloqué. Le courant I qui traversa la résistance R12 est alors aiguillé vers l'étage différentiel (T2, T'2) du multiplexeur. Ce courant I a la même valeur que précédemment du fait que les transistors T10 et T11 sont identiques, et ont la même tension base-émetteur VgE(I) pour le courant I. Cette valeur constante du courant I caractérise le caractère symétrique du fonctionnement de l'étage différentiel d'aiguillage (T10, T11). Une athque symétrique de l'entrée de l'étage différentiel d'aiguillage (T10, T11) peut être égale ment obtenue à condition que la tension de base V10 du transistor T10 lorsqu'il est bloqué soit égale à celle V11 du transistor Tll lorsqutil est bloqué. Pour cela, il suffit que la relation suivante soit satisfaisante. R10 i20 = R11 i21 = # V1 (6) c'est-à-dire que le rapport entre les valeurs des résistances R10 et R11 soit égal au rapport entre les courants i21 et i20. La relation (6) reste vérifiée quelque soient les variations de VREF, c'est-à-dire que la symétrie de l'attaque de l'étage différentiel d'aiguillage reste acquise même si la tension de référence fluctue. AV1 représente l'immunité de blocage de l'étage différentiel de sortie et sa valeur doit être supérieure à une valeur donnée, par exemple 125 mV. En d'autres termes, l'étage différentiel d'entrée reçoit la tension de sélection (V21) d'un seul côté, et produit nécessairement dans la résistance R25 deux courants I2 de valeurs différentes i20 ou i21 selon que c'est le transistor T20 ou T21 qui est passant : son fonctionnement est asymétrique. Par contre, le fonctionnement de l'étage différentiel d'aiguillage commandé par les collecteurs des transistors T20 et T21, et par la tension VREF est symétrique, que son attaque soit ou non symétrique, car le courant I qui circule dans la résistance R12 est le même quel que soit celui des transistors T10 et T11 qui est passant. En dynamique, la symétrie de l'attaque avec la même immunité # V1 dans les deux cas assure que le passage d'un état à l'autre s'effectue avec la même rapidité. On va maintenant indiquer à titre d'exemple un mode de calcul préféré des éléments du circuit. Lorsque la borne de commande B n'est pas raccordée, on a : R22R31 V21 = R22I1 + VBE = (VREF-VBE) + VBE 2R34R45 En choisissant R22R31 = 1, on obtient 2R34R45 V21 = VREF. La différence entre les tensions sur les bases des transistors T20 et T21 vaut alors en utilisant la formule (3) #V2 = V21-V20 = (VREF-VBE) x R19 = #V (7) R19 + R20 Pour un amplificateur différentiel classique, il faut que cette valeur A V2 soit au moins égale à 125mV environ pour que le transistor T20 soit bloqué (immunité de blocage). La relation (4) donne la valeur de la tension de sé- lection V21 = VREF = R25 i21 + VBE(i21) La sélection (5) donne la valeur de la tension d'actionnement V20 = VREF - A v = R25 i20 + VBE(i20). D'où : R25 i21 + VBE(i21) = ss V + VBE(i20) + R25 i20 D'où on tire la valeur de A V. A V = R25 i21 + VBE(i21) - R25 i20 - VBE(i20) Cette relation peut également s'exprimer sous la forme VBE(i21) - VBE(i20) = #V + R25(i20-i21) i21 or VBE(i21) = VT Log i@ or VBE(i21) = VT Log i20 VBE(i20) = VT Log is avec VT = 26mV et is = courant de saturation des transistors T20 et T21. On fixe a priori la valeur A V1 de l'immunité de blocage de l'étage différentiel d'aiguillage. En utilisant la relation (6), il vient alors : i21 R10 #V #V1 R25 R10 Log = Log = - (- 1) (8) i20 R11 VT VT R10 R11 Si on choisit a priori A v, V1, R10 et Rllt cette relation permet d'obtenir la valeur de R25. La relation ne peut être. satisfaite- que pour Rîo > R11 du fait que A V et #V1 sont positifs et supérieurs à VT. R25 R10 Par conséquent, le terme (-1) doit R10 R11 être inférieur à, ce qui donne des valeurs de R25 infé #V1 rieures à R10, et on a de préférence #V1 > #V. 121 On cherche en pratique à obtenir un rapport 120 de l'ordre de 3. On peut prendre par exemple # #V = 170 mV et i21 #V1 = 220mV ce qui permet d'obtenir un rapport de 2,5 i20 avec R25 = 0,44 R10. La figure 2 illustre une version simplifiée de la figure 1 en ce que d'une part, la tension de référence VREF est utilisée directement sans être répétée par un montage suiveur produisant la tension V41, de même valeur, et en ce que d'autre part on a supprimé le transistor T22 de découplage. On notera que ces deux simplifications sont utilisables ensemble ou séparément. La tension de référence VREF est appliquée à la base d'un transistor T50 dont l'émetteur est relié à la masse à travers une résistance R50 et dont le collecteur est relié à la source de tension d'alimentation V à travers une résistance R51. Un transistor T44 a sa base connectée au collecteur du transistor T50, son émetteur relié à la source de tension V directement ou à travers une résistance R44, et son collecteur connecté à la base du transistor T21. Le collecteur du transistor T44 est parcouru par le courant I1 précité et il se trouve au potentiel V21 du fait de la suppression du transistor T22. De ce fait, la branche située entre le collecteur du transistor T44 et la borne de commande B ne comporte que la résistance R21, et celle située entre le collecteur de T44 et la masse que la diode D22 et la résistance R22. Le courant circulant dans la résistance R50 vaut : VREF - VBE I'o = R50 Le courant I1 a pour valeur : R51 I'o - VBE I1 = R44 Lorsque la borne B n'est pas raccordée, on a alors V21 = VBE + R22 I1 Lorsque la borne B est mise à la masse on a V21 = R21 I1 R21 est choisi de manière que le transistor T21 soit bloqué, L'invention ne se limite pas aux modes de réalisation décrits. Bien au contraire, le circuit d'aiguillage selon l'invention peut être utilisé dans tous les cas où un aiguillage de courant doit être mis en oeuvre, notamment dans les montages à plusieurs étages d'aiguillage en cascade tels que ceux utilisés dans les multiplexeurs à n voies. REVENDICATIONS 1. Circuit d'aiguillage d'un courant vers l'une ou l'autre de deux sorties et comprenant un étage différentiel d'aiguillage comportant un premier et un deuxième transistors couplés par les émetteurs, ceux-ci étant reliés à une première source de tension d'alimentation au moins à travers une première résistance dans laquelle circule ledit courant à aiguiller, la base de l'un d'entre eux au moins recevant une tension de référence, et leurs collecteurs constituant lesdites sorties caractérisé en ce que les émetteurs des premiers et deuxième transistors sont reliés à ladite première source de tension d'alimentation uniquement à travers ladite première résistance et en ce qu'il comporte les éléments suivants :: a) un étage différentiel d'entrée fonctionnant de manière asymétrique et comprenant un troisième (T20) et un quatrième (T21) transistors couplés par les émetteurs, ceux-ci étant reliés à la pre mière source de tension d'alimentation à travers une deuxième résistance (R25), dont les collec teurs sont connectés à la base respectivement du premier (T10) et du deuxième (T11) transistor, la base du troisième transistor recevant une tension d'actionnement obtenue à partir de la tension de référence (VREF) et celle du quatrième transis tor (T21) l'une ou l'autre de deux tensions de sélection (V21) produite par un circuit de sélec tion, les deux tensions de sélection (V21) étant choisies la première inférieure et la deuxième supérieure à ladite tension d'actionnement et de telle manière que l'un des troisième (T20) et quatrième (T21) transistors étant bloqués et l'autre à l'état passant mais non saturé, le cou rant (I2) traversant la deuxième résistance (R25) ait une première ou une deuxième valeur détermi née respectivement par la tension d'actionnement ou la deuxième tension de sélection. b) une troisième (R10) et une quatrième (R11) résis tances reliant la base respectivement des premier (T10) et deuxième (T11) transistors à ladite ten sion de référence (VREF)- 2. Circuit d'aiguillage selon la revendication 1, caractérisé en ce que le rapport entre les valeurs des troisième (R10) et quatrième (R11) résistances est le même que le rapport entre la deuxième et la première valeur du courant (I2) traversant la deuxième résistance (R25) de telle sorte que l'étage différentiel d'aiguillage est attaqué de manière symétrique. 3. Circuit d'aiguillage selon la revendication 2 caractérisé en ce qu'il comporte un étage de commande recevant ladite tension de référence et alimentant à partir d'une seconde source de tension d'alimentation une source de courant (R34, T34) dont l'intensité (I1) est fonction de la tension de référence, et en ce que les première et deuxième tensions de sélection ont une valeur qui est fonction de l'intensité de ladite source de courant (Il). 4. Circuit d'aiguillage selon la revendication 3 caractérisé en ce que ledit étage de commande est constituE par un étage différentiel suiveur à charge active comprenant un cinquième (T40) et un sixième (T41) transistors montés en différentiel, dont les émetteurs, couplés entre eux, sont reliés à la première source de tension d'alimentation à travers une cinquième résistance (R45), et dont les collecteurs sont couplés à ceux respectivement d'un septième (T30) et d'un huitième (T31) transistors couplés par la base, les émetteurs des septième (T30) et huitième (T31) transistors étant reliés à la deuxième source de tension d'alimentation (V) respectivement à travers une sixième (R30) et une septième (R31) résistance d'égale valeur, un neuvième (T32) transistor formant avec les septième (T30) et huitième (T31) transistors une charge active et ayant sur émetteur connecté à la base de ces derniers, sa base au collecteur des cinquième (T40) et septième (T30) transistors et son collecteur à la première source de tension d'a limentation, et un transistor suiveur (T33) ayant à sa base connectée au collecteur des sixième (T41) et huitième (T31) transistors, son émetteur à la base du sixième (T41) transistor et son collecteur étant relié à la deuxième source de tension d'alimentation (V) à travers une huitième résistance (R33) de telle sorte que, d'une part le courant traversant la cinquième résistance (R45) se partage également entre les sixième (R30) et septième (R31) résistances et d'autre part la tension de base du sixième transistor (T41) est égale à celle de la base du cinquième transistor (T40), à savoir ladite tension de référence (VREF). 5. Circuit d'aiguillage selon la revendication 4, caractérisé en ce que la source de courant comporte une huitième résistance (R34) connectée entre la deuxième source d'alimentation (V) et l'émetteur d'un neuvième transistor (T34) dont la base est connectée à celle des septième (T30) et huitième (T31) transistors, et le collecteur à la première source de tension d'alimentation à travers ledit circuit de sélection de manière à produire lesdites deux tensions de sélection(V21). 6. Circuit d'aiguillage selon une des revendications précédentes caractérisé en ce que la différence entre ladite tension de référence et ladite première tension d'alimentation est comprise en valeur absolue entre une et deux fois une tension base-émetteur (vue) d'un transistor. 7. Circuit d'aiguillage selon une des revendications précédentes caractérisé en ce que la tension d'actionnement est obtenue par division de la tension de référence par un réseau (Rlg, R20) comprenant également une diode (D20) en série et dans le sens passant entre la base du troisième transistor (T20) et la première source de tension d'alimentation de telle sorte que la base du troisième transistor (T20) soit toujours espacée de la première source de tension d'alimentation au moins d'une tension base-émetteur (VBE) d'un transistor. 8. Circuit d'aiguillage selon- une des revendications précédentes caractérisé en ce que le circuit de sélection comporte deux branches dont l'une ou l'autre est traversé par le courant de ladite source de courant, à savoir une première branche comprenant en série au moins une première diode (D22, D23) et une neuvième résistance (R22) et une deuxième branche disposée entre le collecteur du neuvième transistor (té4) et une borne de commande et comportant au moins une dixième résistance (R2l)r de telle sorte qu'on obtienne sur le collecteur du neuvième transistor (T34) deux valeurs de tension selon que la borne de commande est ou non connectée à la première source de tension d'alimentation, ce qui fait que le quatrième transistor (T21) reçoit sur sa base l'une ou l'autre desdites tensions de sélection. 9. Circuit d'aiguillage selon la revendication 8 caractérisé en ce que le produit des valeurs des septième (R31) et neuvième (R22) résistances est égale à deux fois celui des cinquième (R45) et huitième (R34) résistances de telle sorte que la deuxième tension de sélection soit égale à la tension de référence. 10. Circuit d'aiguillage selon une des-revendications 8 ou 9 caractérisé en ce que le collecteur du neuvième transistor (T34) est relié à la base du quatrième transistor (T21) par l'intermédiaire d'un dixième transistor (T22) monté en émetteur suiveur et dont le collecteur est connecté à la deuxième source de tension d'alimentation (V). 11. Circuit d'aiguillage selon la revendication 10, caractérisé en ce que la première branche comporte en série ladite neuvième résistance (R22), ainsi qu'une première (D22) et une deuxième (D23) diode, en ce que la deuxième branche comporte en série une troisième diode (D24) et ladite dixième résistance (R24). 12. Circuit d'aiguillage selon la revendication 11 caractérisé en ce que l'émetteur du dixième transistor (T22) est relié à la première source de tension d'alimentation par l'intermédiaire d'au moins une onzième résistance (R24, R25) en série avec une quatrième diode (D24), la onzième résistance (R24, R25) ayant la mena valeur que la neuvième résistance (R22) de telle sorte que le courant circulant dans l'émetteur du dixième transistor (T22) soit le même que le courant (t1) circulant dans la première branche (022, D23, R22). 13. Circuit d'aiguillage selon une des revendications 8 à 12, caractérisé en ce que la somme des valeurs des résistances (R19, R20) du réseau résistif divisant la tension de référence (VREF) pour produire la tension d'actionnement (V20) est égale à la valeur de la neuvième résistance (R22) de ladite première branche du circuit de sélection.