FR 2569049 A1 19860214 FR 8512221 A 19850809 La présente invention concerne un procédé de fabrication d'un composant électronique et plus particulièrement un procédé perfectionné en rapport avec le nettoyage de la surface lors du procédé de fabrication d'un composant électronique, qui possède la structure d'une couche mince. D'une manière générale, certains composants électroniques possédant une structure a couches minces forment une structure du type à contact bloquant, par exemple une hétérojonction ou jonction hétérogène, au niveau de l'interface entre les deux couches minces. En ce qui concerne la formation de cette interface entre les couches minces, le degré de propreté de l'interface détermine souvent les propriétés caractéristiques électriques de cette dernière et a une influence sur le rendement de fabrication. Cette qualité de propreté peut être subdivisée grossièrement en deux catégories : l'une de ces catégories concerne l'adsorption superficielle en termes de chimie physique et l'autre concerne l'adhérence locale de substances étrangères. La présente invention concerne ce dernier cas. I1 existe une probabilité générale pour que de très petites substances étrangères, comme par exemple de la poussière ou analogue, viennent adhérer aux couches minces pendant chaque phase opératoire de fabrication de ces dernières. Cependant les substances étrangères, qui affectent de la manière la plus nuisible les propriétés caractéristiques du composant sont celles qui existent au niveau de l'interface, certaines de ces substances crégnant par exemple une rupture locale de la structure du type à contact bloquant ou de blocage.Des tentatives visant à obtenir une fabrication, exempte de poussière, au niveau de toutes les phases opératoires ont été faites en vue d'éliminer l'adhérence de substances étrangères au niveau de l'interface, tandis que par ailleurs il peut également s'avérer efficace d'éliminer les substances étran- gères qui adhéraient déjà à l'interface. A cet effet, on met en oeuvre certains procédés de nettoyage de surface, lors desquels il ne se produit aucune contamination ou pollution de l'interface. Parmi les procédés de nettoyage de surface mentionnés ci-dessus, le nettoyage aux ultrasons et le nettoyage à la vapeur sont connus de façon universelle, ces procédés de nettoyage utilisant par exemple de l'eau distillée d'une très grande pureté, du fréon ou de l'alcool isopropylique, ou une combinaison de ces produits. Cependant, dans le cas de l'utilisation de ces procédés, le taux d'élimination diminue dans le cas de particules extrêmement petites de substances étrangères, qui possèdent un diamètre de l'ordre de un dixième de micron jusqu'à quelques microns. C'est pourquoi on prend maintenant certaines dispositions visant à améliorer cette situation et impliquant la pulvérisation puissante d'un détergent, le frottement à l'aide d'une brosse et le procédé de nettoyage ultrasonique, mais ces procédés se sont avérés être peu satisfaisants. En outre on connaît par ailleurs un autre procédé visant à éliminer des substances étrangères moyennant l'utilisation d'une bande adhésive, et selon lequel on applique la bande adhésive sur la surface devant être nettoyée, puis on l'écarte de cette surface en même temps que les substances étrangères.On peut aisément se procurer la bande adhésive, mais elle présente un défaut. De façon spécifique sa couche adhésive contient certains type d'additifs destinés à être appliqués sur le substrat d'une bande ou en vue de la conservation d'une bande elle-même et, lorsqu'ils sont placés contre la surface devant être nettoyée, de tels additifs sont malheureusement transférés à cette surface même si les substances étrangères sont éliminées, ce qui fournit une interface encore plus contaminée ou polluée. En outre un autre procédé d'élimination a été proposé (demande de brevet japonais publiée nO 13081/1977), selon lequel on forme sur la surface devant être nettoyée une pellicule organique constituée par un haut polymère et ensuite les substances étrangères sont éliminées en même temps que la pellicule organique. Mais, simplement sur la base d'un concept fondamental de la proposition indiquée précédemment, la pellicule organique de haut polymère est arrachée au moment de son enlèvement et on peut voir au niveau de la surface devant être nettoyée une contamination nouvellement produite, ce qui est indésirable, ce phénomène étant considéré comme étant dû à la séparation des composants de revêtement sur la pellicule.En outre un autre procédé a été décrit dans la demande de brevet japonais publié n" 80 471/1980, dans laquelle il est suggéré que la force d'adhérence du polymère du type a chlorure de vinyle soit réglée par rapport a son support au moyen d'un rayonnement ionisant. La technique décrite dans la demande de brevet japonais publiée n" 80 476/1980 est caractérisée par un agencement, selon lequel une composition de revêtement, dont le composant principal est un copolymère du typeàchlo- rure de vinyle est formé sur la surface, un tel polymère étant utilisé en tant qu'élément de remplacement d'une résine photosensible classique, et la force d'adhérence par rapport au support est affaiblie par irradiation avec une lumière ou un rayonnement ionisant, de sorte que seules les zones du copolymère, qui sont irradiées par la lumière ou par le rayonnement ionisant, peuvent être ais6- ment détachées moyennant l'application, sur ces zones, d'une bande adhésive ou analogue et l'enlèvement ultérieur de cette bande par "pelage" ou décollement.Ceci supprime les inconvénients liés a l'utilisation de la résine photosensible classique et qui concernent le maintien de la stabilité du liquide constituant la résine photosensible cui nécessite un stockage soigneux du liquide formé par la résine de photocomposition et concernent son traitement, et résoud le problème selon lequel, après l'exposition de structuration ou de configuration d'une couche de résine photosensible, la technique classique est limitée à un developpement par voie humide avec un révélateur ou développeur liquide spécifié. Par conséquent le but de la technique décrite ci-dessus n'est pas d'éliminer des substances étrangères, qui adhérent à la surface devant être nettoyée - cette élimination fait ltobjet de la présente invention -, mais de fournir une composition de revêtement qui n'est pas limitée à un traitement par voie humide spécifié lors de l'élimination sélective de la couche, une telle technique insistant sur la stabilité et les bonnes caractéristiques de stockage d'un liquide et d'une couche. Dans cette technique bien connue indiquée précédemment, l'irradiation par une lumière et par un rayonnement ionisant est mise en oeuvre de manière à réaliser une élimination sélective. A titre de variante de mise en oeuvre de cette technique, on indique le procédé utilisant le rayonnement ultraviolet et le procédé utilisant un faisceau d'electrons. Cependant une contamination, nouvellement produite, sur la surface d'un substrat devant être traité, subsiste encore sur ce substrat lorsque la couche de revêtement est éliminée de façon sélective, ce phénomène étant considéré comme tenant son origine de la nature des composants du revêtement. C'est pourquoi le procédé mentionné précédem- ment ne peut pas être appliqué à la présente invention. La technique bien connue décrite ci-dessus est applicable, à ce quril semble, dans le but de former un modèle ou une structure en utilisant un développement du type a sec. Cependant il est impossible d'éliminer des substances étrangères très petites de la surface d'un substrat recouvert, sans qu'il se produise une contamination ou une pol lution sur la surface du substrat, lors du décollement ou de l'enlèvement d'une couche de revêtement par pelage. C'est pourquoi un but essentiel de la présente invention est de fournir un procédé pour fabriquer un composant électronique, qui élimine les défauts décrits précédemment de l'art antérieur et soit apte a éliminer aisé- ment des substances étrangères très petites existant au niveau de la surface devant être nettoyée, lors du procédé de fabrication d'un composant électronique qui possède une structure à couches minces. A cet effet, conformément a un aspect de la présente invention, il est prévu un procédé de fabrication d'un composant électronique selon lequel une pellicule appliquée possédant une force d'adhérence appropriée et des propriétés de décollement favorables est formée sur la surface devant être nettoyée d'une manière tout à fait différente de l'une quelconque des techniques de l'art antérieur, les substances étrangères situées sur cette surface pouvant être aisément éliminées par décollement ou pelage de la pellicule précédente appliquée, sans entraînée aucune contamination de la surface. Afin d'atteindre les objectifs mentionnés plus haut, un procédé de fabrication d'un composant électronique conforme à l'invention met en oeuvre la phase opératoire consistent à appliquer une solution contenant une résine du type à chlorure de vinyle sur la surface devant être nettoyée, puis à sécher cette résine, ce qui a pour effet que les substances étrangères très petites, qui adhéraient à l'origine a la surface devant être nettoyée, sont noyées dans la pellicule appliquée et sont ainsi éliminées par décollement de cette dernière à partir de la surface. La surface décrite ci-desssus, qui doit être nettoyée, est définie comme étant une surface d'un substrat, sur laquelle une couche mince doit être déposée, et/ou une surface d'une couche mince qui est déjà formée sur un substrat. En outre des pellicules minces sont formées sur la surface après le nettoyage, ce qui entraîne la formation de pellicules superposées ou stratifiées qui incluent une pluralité de pellicules minces différentes les unes des autres du point de vue de leurs propriétés électriques. Un copolymère de chlorure de vinyle et d'acétate de vinyle est la substance la plus préférable à utiliser en tant que matériau en forme de résine mentionné ci-dessus du type à base de chlorure de vinyle. Dans ce cas la quantité du composant correspondant au chlorure de vinyle dans le copolymère est égale à 95-70 % en poids, tandis que la quantité du composant correspondant à l'acétate de vinyle dans le copolymère est comprise entre 5 et 30 % en poids, ces valeurs étant appropriées pour la présente invention. Si le composant correspondant au chlorure de vinyle est présent en une quantité dépassant la plage de valeurs indiquées, la couche formée est relativement dure et sa capacité de décollement est amoindrie, tandis quesilaquanti- té de ce même composant est inférieure à la gamme des valeurs indiquées ci-dessus, la couche possède une souplesse trop importante et par conséquent des fragments arrachés de la pellicule peuvent aisément subsister sur la surface devant être nettoyée, lorsque la pellicule est éliminée par décollement. C'est pourquoi aucun de ces extrêmes n'est souhaitable. Comme solvant pour la résine indiquée précédemment du type à base de chlorure de vinyle, on utilise de la méthyléthylcétone et de la méthylisobutylcétone, qui sont toutes deux des substances volatiles. Afin d'améliorer les propriétés de décollement ou de détachement, on peut mélanger des solvants mentionnés ci-dessus à un autre solvant tel que de la cyclohexanone, de la disobutylcétone et de l'acétate de méthylcellosolve, qui présente une vo latilité comparativement faible, ce mélange étant effectué avecunateneur de 1 à 20 % en poids des derniers solvants possédant une faible volatilité. En outre afin d'empêcher la rupture de la pellicule appliquée lorsqu'elle est détachée ou décollée, on peut mélanger a la solution mentionnée ci-dessus un plastifiant formé par un haut polymère, en une proportion de 5 a 40 % en poids par rapport à la masse solide de la résine. Une fois que la pellicule appliquée précédente a été éliminée par décollement, on peut identifier la présence de carbone résiduel au niveau de la surface devant être nettoyée. Dans un tel cas on peut éliminer tout le carbone résiduel, compte tenu d'une dispersion due à la volatilité, par la mise en oeuvre d'un traitement thermique et/ou d'un traitement sous vide. D'autres caractéristiques et avantages de la présente invention ressortiront de la description donnée ciaprès prise en référence aux dessins annexés, sur lesquels: - les figures 1 a 4 sont des vues en coupe, qui illustrent, dans leur ensemble, les phases opératoires d'élimination de substances étrangères présentes au niveau de la surface devant être nettoyée, selon un mode d'ex6- cution d'un procédé pour fabriquer un composant électronique conforme à la présente invention. On va décrire ci-aprbs la présente invention en référence aux dessins annexés, en indiquant à titre d'exemple un certain nombre de modes d'exécution du procédé. Les figures 1 à 4 sont des vues en coupe du subs trait, qui illustrent les phases opiratoires d1élimination de substances étrangères et servent également à expliquer un procédé de fabrication d'un composant électronique con formément aux modes d'execution. Initialement, comme cela est représenté sur la figure 1, une surface 2 devant être nettoyée représente la surface d'un substrat 1, sur laquelle on doit former une couche mince, et est constituée par exemple par une couche mince, un substrat en verre transparent ou analogue (dans le cas d'une couche mince, le substrat sur lequel la couche est formée, n'est pas représenté), et, à l'endroit où une particule de substance étrangère très petite 3 adhère à la surface 2 devant être nettoyée, on applique au niveau de la surface 2 du substrat, comme cela est repprésenté sur la figure 2, une solution de revêtement 4 qui est constituée essentiellement par un matériau formé d'une résine du type à base de chlorure de vinyle.Alors la solution de revêtement 4 s'écoule de manière à enrober la substance étrangère 3 en raison de sa grande fluidité, et la configuration obtenue est -telle que la substance étrangère 3 est noyée ou enrobée, comme cela est représente sur la figure 3, par une pellicule appliquée 5 qui est formée par séchage. Ensuite on replie par enroulement la pellicule appliquée 5 à partir de l'une de ses extrémités de manière la séparer du substrat 1 suivant la direction indiquée par une flèche A, comme illustré sur la figure 4. Lors de cette phase opératoire, la substance étrangère 3 peut être aisément retirée de la surface 2 devant être nettoyée, par décollement de la pellicule appliquée qui retient en l'enrobant la substance étrangère 3. Dans ce cas la force ou la caractéristique de liaison de la pellicule appliquée 5 par rapport à la surface 2 est rela tivement.faible. En outre il est essentiel qu'aucune contamination de la surface devant être nettoyée ne se produise, une telle contamination étant considérée comme étant probablement due à la séparation des phases (qui désigne le comportement selon lequel le plastifiant à bas point moléculaire contenu dans la solution se sépare de cette dernière et se dépose sur la surface du substrat lors du processus de séchage) des composants de la solution 4, oui se produit lors du processus de la formation de la pellicule appliquée 5, par séchage. En outre la pellicule appliquée 5 doit présenter une certaine plasticité eL une certaine résistance, avec une qualité telle qu'elle con vienne pour l'opération de décollement.Compte tenu de ces facteurs, il est extrêmement souhaitable d'utiliser un copolymère de chlorure de vinyle et d'acétate de vinyle en tant que résine, qui constitue la solution 4. En outre il est impossible d'introduire en mélange un plastifiant de bas poids moléculaire, utilisé en tant qu'additif, étant donné qu'un tel plastifiant se déposera en partie sur la surface 2 et qu'une partie de ce plastifiant subsisterait sur cette surface après le décollement de la pellicule. D'une manière générale, il est possible d'utiliser la solution 4 sans y faire aucune adjonction d'un plastifiant. Cependant, conformément a la nature de la surface 2 et des conditions relatives à cette surface, la force de liaison de la pellicule appliquée obtenue 5 par rapport à la surface 2 peut être accrue, ceci conduisant quelquefois à une rupture de la pellicule appliquée lorsqu'elle est décollée. Dans un tel cas, il est préférable d'utiliser un plastifiant formé par un haut polymère en une quantité comprise entre environ 5 et 40 % du contenu solide de résine devant être ajouté. Des exemples d'un tel plastifiant formé par un haut polymère inclut le type à base de polyester, le type à base de polyéthylèneglycol et le type à base d'oxyde de polyéthylène. La contamination mentionnée précédemment peut être provoquée par un additif tel qu'un agent stabilisant, un agent antimuse, un colorant ou analogue, et la nécessité d'une telle addition est comparativement limitée du point de vue des objectifs à atteindre lors de cette opération, ce qui rend l'introduction en mélange de ces éléments inutile. En ce qui concerne l'adoption d'un procédé pouvant agir à titre de remplacement de l'adjonction du plastifiant mentionné plus haut, il est possible de décoller la pellicule appliquée 5, sans aucun préjudice en ce qui concerne cette opération, avant que la pellicule 5 ait nécessairement atteint son état totalement sec. C'est pour quoi il est avantageux de mélanger des composants relativement faiblement volatils en tant que solvant. Compte tenu de cette disposition, le solvant de faible volatilité, qui subsiste sur la pellicule appliquée 5, agit, virtuellement en tant que plastifiant, et la pellicule appliquée 5, qui convient pour l'opération de décollement ou de pelage, peut être egalement obtenue. Par conséquent, on va expliquer de la manière indiquée ciaprès des exemples concernant la composition préférable de la solution 4 : il s'agit de préparations d'une solution 4 qui est constituée de telle manière qu'une substance solide formée d'un copolymère de chlorure de vinyle et d'acétate de vinyle de 10-25 w en poids - le rapport du chlorure de vinyle à l'acétate de vinyle étant égal à 9:1 en poids - est dissous dans la méthyléthylcétone ou dans une solution contenant de la méthyléthylcétone en tant que constituant principal une une solution 4, qui est cons- tituée de telle sorte que la substance solide ainsi composée soit dissoute dans de la méthylisobutylcétone ou une solution contenant de la méthylisobutylcétone en tant que composant-principal ;une solution 4, qui est un mélange de la première solution et de la dernière solution ; une solution 4 qui est constituée de telle manière que le solvant constituant 1:20 % en poids des solutions décrites précédemment ou la solution du mélange est remplacée par des composants possédant une faible pression de vapeur égale à environ quelques mm Hg à la température ambiante ordinaire, comme par exemple de la cyclohexanone, de la disobutylcétone et de l'acétate de methylcellosolve. La solution mentionnée ci-dessus contenant une cétone est réalisée de telle sorte que le plastifiant formé d'un haut polymère soit dissous. On va indiquer ci-après des exemples réels. Exemple 1 On applique les solutions décrites ci-dessus par exemple sur une plaque de verre transparente, qui est ne toyée au moyen du procédé de nettoyage ultrasonique et au moyen du procédé de nettoyage dans un bain de vapeur, à l'aide d'eau ordinaire ou d'un solvant, cet état subsistant pendant un intervalle de temps compris entre 1/2 et 24 heures, de manière a former une pellicule appliquée. Ensuite, lorsque la couche ainsi formée est décollée de la plaque, il est manifestement possible de réduire la quantité des substances étrangères que l'on peut identifier en tant que légers défauts, en utilisant un microscope présentant un grossissement égal a environ 400, dans le cas d'un éclairement à fond noir. Les solutions sont appliquées grâce à l'utilisation d'un dispositif centrifuge qui fait tourner le verre transparent a 30 t/mn (tours par minute) et sont injectées au moyen d"un dispositif distributeur.La pellicule appliquée possède dans ce cas une épaisseur égale à environ 0,1 mm On dégage la pellicule appliquée de la plaque de verre à la manière d'une opération de pelage ou de décollement0 en commençant par l'une de ces extrémités, dont chacune est définie sous la forme d'un élément de dégagement tel qu'un fil qui est fixé à la pellicule. Exemple 2 A titre d'exemple de fabrication d'un composant électronique, lors de l'application du procédé a la formation d'une couche photoconductrice d'un tube d'une caméra de télévision qui est équipée d'une couche photoconductrice du type a contact bloquant, comme cela est décrit dans le brevet US n" 3.890.525, il est possible de réduire fortement les défauts apparaissant sous la forme de taches blanches sur l'image fournie par le tube de la caméra, de tels défauts étant imputés à une imperfection locale de la structure du type à contact bloquant En outre, même lorsque l'on augmente l'intensité de champ électrique à l'intérieur de la couche photoconductrice en appliquant, à cette couche photoconductrice, une tension supérieure à celle appliquée dans un cas classique, il s'est avéré que l'apparition des défauts provoqués par l'imperfection de structures mentionnées ci-dessus, est réduite à un degré élevé. Dans ce cas, la structure du type a contact bloquant est formée entre une couche conductrice transparente bien connue et une couche multiple photoconductrice connue d'une manière générale, la première couche étant constituée par une couche d'oxyde d'indium et d'une couche d'oxyde d'étain ou une combinaison de ces deux composants, qui sont déposés sur le filtrat en verre transparent, tandis que les couches indiquées en second lieu sont constituées par du Se, du As, du Te ou analogue contenant du Se en tant que constituant principal et sont formez directement sur la couche conductrice transparente ou sont forméesmoyennant l'interposition d'une couche intermédiaire entre ces couches. Un procédé permettant d'éliminer des substances étrangères très petites conformément à la présente invention est efficace en vue d'éliminer les substances étrangères existant sur le substrat en verre transparent avant la formation d'une couche conductrice transparente et/ou les substances étrangères existant sur la couche conductrice transparente qui est formée sur ce même substrat. Un exemple, qui confirme ce résultat, est décrit ci-après.Lors de la fabrication d'un tube d'une caméra de télévision du type photoconducteur qui inclut les couches multiples photoconductrices de Se, As et Te sur les couches multiples conductrices transparentes mentionnées précédemment d'oxyde d'indium et d'oxyde d'étain, avec interposition d'une couche mince d'oxyde de cérium utilisée en tant que pellicule intermédiaire entre ces couches multiples, en vue d'établir une comparaison entre un groupe dans lequel on emploie un procédé de nettoyage utilisant des liquides ordinaires tels- que de l'eau de très grande pureté, du fréon et de l'alcool isopropylique, etun autre groupe , pour lequel l'élimination des substances étrangères est effectuée conformément à la présente invention, un taux d'apparition concernant les défauts observés sur l'appareil ou le moniteur de télévision se révèle être égal a environ 30 % dans le cas ou l'intensité de champ électrique dans la couche photoconductrice est égale à 1000 V/m dans le premier cas, tandis qu'il est possible de limiter le taux, pour lequel les défauts apparaissent, de manière qu'il ne dépasse pas le taux précédent, même dans le cas où une intensité de champ électrique de 150 V/m lui est appliquée, dans le second cas.En outre si l'on évalue le premier cas lorsque l'intensité de champ électrique est égale à 150 V/pm, le taux d'apparitions de défauts est égal a environ 45 %, et c'est pourquoi la présente invention contribue à accroître la sensibilité du tube de la caméra, ce qui peut être obtenu grâce au fonctionnement de la couche photoconductrice avec l'application d'un champ électrique intense, et contribue en outre à améliorer la fiabilité de ce tube. Dans les exemples décrits ci-dessus, la solution qui est appliquée à la surface devant être nettoyée est constituée par une résine d'un copolymère, comptant pour 17 % en poids, de 90 % en poids de chlorure de vinyle et de 10 % en poids d'acétate de vinyle ; un plastifiant polymère intervenant pour 10 % en poids ; et de la méthyéthyl- cétone intervenant pour 73% en poids.Dans ce cas la vis cousit8 de ce mélange est de 150 cP (centipoises) à une température de 25"C. A titre de comparaison, lorsque l'on prépare une solution qui est constituée grâce au fait que l'on ajoute un plastifiant à bas point moléculaire à la résine formée d'un copolymère de chlorure de vinyle et d'acétate de vinyle, un tel plastifiant à bas poids moléculaire incluant du phtalate de dibutyle, du phosphote de tricrésyle et du phtalate de dioctyle, qui sont souvent utilisés pour la résine considérée, la qualité de la pel licule est extrêmement superieure et l'on peut obtenir des conditions favorables pour le décollement de la pellicule.Cependant, une fois que la pellicule a été décollée, on peut identifier des substances résiduaires situées dans la couche. Dans le cas d'utilisation uniquement d'un solvant de l'acétate de méthylcellosolve possédant un bas point d'ebullition, sans aucune adjonction d'un plastifiant et dans le cas où la solution est constituée par de l'acétate de méthylcellosolve intervenant pour 8 % en poids, par une résine formée d'un copolymère de chlorure de vinyle et d'acétate de vinyle intervenant pour 16 W en poids, et d'une méthyléthylcétone intervenant pour 76 % en poids, après que la solution a été appliquée, on la laisse reposer pendant un intervalle de temps d'environ 10 jours, puis on effectue une opération appropriée de séchage et on enlève ensuite par décollement la pellicule, la pellicule obtenue étant arrachée compte tenu de la force de liaison excessive et de sa faiblesse. Par conséquent on ne peut pas obtenir de bonnes propriétés de dégagement ou d'enlèvement. Dans ces exemples conformes à la présente invention, les conditions présentes lors du séchage de la pellicule appliquée sont essentielles, mais une solution, qui met en oeuvre un solvant possédant un point d'ébullition relativement élevé et une faible volatilité, fournit une situation favorable pour le décollement de la pellicule appliquée et l'on ne remarque aucune pollution visible. Néanmoins, une fois que la pellicule a été détachée, on observe la surface devant être nettoyée, par exemple à l'aide d'un micro-analyseur ionique IMA ou avec un spectroscope Auger, et l'on remarque quelquefois que du carbone subsiste sur la surface. Le carbone résiduel, qui provient du résidu d'un solvant, est indésirable dans cet exemple étant donné qu'il affaiblit la structure de contact bloquant de la surface. Une fois que la pellicule appliquée a été décollée, on met en oeuvre un traitement thermique à une température de 50"C pendant un intervalle de 1030 minutes de manière a volatiliser le solvant, ce qui aboutit à ce que l'on ne note plus aucune présence de carbone résiduel.On utilise un traitement avec un vide de 3 x 10 6 tores, que l'on adopte à titre de remplacement du traitement thermique ou d'un procédé combiné, le traitement thermique dans un état de vide étant supposé fournir presque le même effet que dans le cas précédent. Un procédé de fabrication d'un composant électronique conforme a la présente invention est par conséquent extrêmement efficace pour l'6limination de substances étrangères existant au niveau de la surface sur laquelle une couche mince des composants électroniques est formée, le composant électronique formant une jonction du type bloquant entre les couches minces qui sont ainsi formées de manière à être déposées en superposition sur la jonction ; en outre ce même procédé contribue fortement à améliorer le rendement, le niveau de qualité, la fiabilité et les, propriétés du composant électronique. Comme cela a été décrit précédemment, conformément à la présente invention, il est possible d'éliminer de façon aisée et sûre des substances étrangères très petites adhérant à la surface d'un matériau devant être nettoyé c 'est pourquoi on est en présence d'un effet très supérieur permettant d'obtenir une structure à couches minces de haute qualité présentant une grande fiabilité, an combinaison avec une productivité souhaitable d'une telle structure. REVENDICATIONS 1. Procédé de fabrication d'un composant électronique qui- est réalisé par la formation d'une pluralité de couches minces possédant des propriétés électriques différentes les unes des autres de maniere à les disposer en superposition sur un support (1), caractérisé en ce qu'il inclut les phases opératoires consistant à - appliquer une solution d'une résine de copolymère de chlorure de vinyle et d'acétate de vinyle (4) sur la surface (2) d'un matériau devant être nettoyé, sur lequel lesdites couches minces doivent être déposées - décoller la pellicules ainsi appliquée (S) après la mise en oeuvre d'une opération de séchage ; et - enlever les substances étrangères (3) adhérant a ladite surface (2) dudit matériau devant être nettoyé, en même temps que la pellicule appliquée. 2. Procédé pour fabriquer un composant électronique selon la revendication 1, caractérisé en ce que le solvant de ladite solution inclut un solvant faiblement volatil. 3. Procédé pour fabriquer un composant électronique selon la revendication 1, caractérisé en ce qu'on ajoute un plastifiant du type haut polymère à ladite solution 4. Procédé pour fabriquer un composant électronique selon la revendication 2, caractérisé en ce que l'on ejoute un plastifiant du type haut polymère à ladite solution. 5. Procédé de fabrication d'un composant électronique selon la revendication 1, caractérisé en ce qu'il inclut en outre une phase opératoire constituant à appliquer un traitement thermique audit matériau devant être nettoyé, après que ladite pellicule appliquée (5) a été retirée. 6. Procédé pour fabriquer un composant électronique selon la revendication 2, caractérisé en ce qu'il in clut en outre une phase opératoire constituant à appliquer un traitement thermique audit matériau devant être nettoyé, après que ladite pellicule appliquée (5) a été retirée. 7. Procédé pour fabriquer un composant électronique selon la revendication 1, caractérisé en ce qu'il inclut en outre une phase opératoire consistant à appliquer un traitement sous vide audit matériau devant être nettoyé, après que ladite pellicule appliquée (5) a été retirée. 8. Procédé pour fabriquer un composant électronique suivant la revendication 2, caractérisé en ce qu'il inclut en outre une phase opératoire consistant à appliquer un traitement sous vide audit matériau devant être nettoyé après que ladite pellicule appliquée a été retirée. 9. Procédé pour fabriquer un composant électronique selon la revendication 1, caractérisé en ce qu'il inclut en outre une phase opératoire consistant à appliquer un traitement thermique dans un état de vide audit matériau devant être nettoyé, après que ladite pellicule appliquée (5) a été retirée. 10. Procédé pour fabriquer un composant électronique selon la revendication 1, caractérisé en ce que le solvant de ladite solut ion inclut un solvant faiblement volatil. 11. Procédé pour fabriquer un composant électronique selon la revendication 1, caractérisé en ce que ledit composant électronique est un tube pour caméra de télévision.