FR 2569052 A1 19860214 FR 8412676 A 19840810 PROCEDE D'INTERCONNEXION DE CIRCUITS INTEGRES La présente invention concerne un procédé d'interconnexion de circuits intégrés, plus particulièrement un procédé permettant de relier les plots de contact de deux circuits intégrés montés cbte à côte sur un support ou les plots de contact d'un circuit intégré aux plots du boitier le contenant. Il existe actuellement de nombreuses techniques pour réaliser cette interconnexion. Parmi ces techniques, la plus simple et la plus utilisée encore actuellement en microélectronique consiste à relier les plots de contact par des fils d'or ou d'aluminium qui sont soudés aux plots par thermocompression ou par ultrasons. Avec cette technique les connexions sont réalisées individuellement, ce qui est long et couteux. D'autre part, la fiabilité diminue avec le nombre de soudures à réaliser. En conséquence, on a cherché à développer de nouvelles techniques permettant de réaliser une interconnexion sélective sur plusieurs plots de contact en même temps. Parmi ces techniques, on peut citer notamment, les techniques décrites dans la demande de brevet européen publiée sous le n0 78.194 au nom de THOMSON-CSF. Dans oe cas, les connexions sont réalisées par dépôt sous vide d'une couche métallique à travers un masque ou par dépôt d'une couche métallique suivi d'une photogravure. Dans les deux cas, la couche métallique est déposée sur les parois latérales des circuits intégrés. Cette couche présente donc un certain nombre de décrochements qui rendent difficile l'utilisation de la photogravure ou la fabrication du masque nécessaires à la réalisation des connexions. Une autre technique décrite dans un article d'lEEE Transactions on Electron Devices, vol ED-25, n0 i0 d'Octobre 1978 intitulé "A Hybrid Mass-Interconnection Method by electroplating" consiste à réaliser des ponts électrodéposés entre les deux circuits à inter connecter. Toutefois, les connexions obtenues par cette technique sont peu fiables. D'autre part, les techniques décrites ci-dessus ne permettent pas d'obtenir un pas d'interconnexion inférieur à 100 pm. La présente invention a pour but de remédier aux incon vénients des techniques de l'art antérieur en proposant un procédé d'interconnexion qui permet de réaliser simplement et rapidement l'interconnexion collective de l'ensemble des plots à interconnecter. La présente invention a pour objet un procédé d'interconnexion permettant de relier les plots de contact de deux circuits intégrés montes côte à côte sur un support ou les plots de contact d'un circuit intégré et les plots du boitier contenant ledit circuit caractérisé en ce qu'il comporte les étapes suivantes: - on réalise un circuit de connexion comportant sur un substrat passif au moins un réseau de connexions avec des plots de contact correspondant aux plots de contact à interconnecter; - on munit d'aiguilles en un métal ou un alliage métallique à bas point de fusion au moins une série de plots de contact, et - on presse le circuit de connexion sur les plots de contact à interconnecter, l'interconnexion étant réalisée par les aiguilles.Le métal à bas point de fusion est choisi parmi les métaux tels que l'indium, l'étain, le plomb ou le gallium et l'alliage métallique est à base d'un de ces métaux. De préférence, les aiguilles sont réalisées sur les plots de contact~ du circuit de connexion et sur les plots de contact à interconnecter. Ainsi, pour consolider les liaisons entre aiguilles et permettre au contact entre le matériau des plots et le matériau des aiguilles de se stabiliser, l'ensemble des circuits est soumis, après l'interconnexion, à un recuit dans une atmosphère neutre. Avec le procédé de la présente invention, on réalise une interconnexion collective de l'ensemble des plots présentant une très bonne tenue mécanique. D'autre part, il est possible d'obtenir un pas d'interconnexion très petit, car le circuit de connexion peut comporter plusieurs réseaux de connexions séparés par des couches de passivation. D'autres caractéristiques et avantages de la présente invention apparaîtront à la lecture de la description de divers modes de réalisation faite avec référence aux dessins ci-annexés dans lesquels: - la figure I est une vue en élévation latérale de circuits intégrés interconnectés selon le procédé de la présente invention - la figure 2 est une vue en plan de dessus des circuits de la figure I et, - les figures 3a et 3b sont respectivement une vue en plan schématique et une vue en coupe par A-A de figure 3a d'un autre mode de réalisation du circuit de connexion utilisé dans la présente invention. Sur les différentes figures les rnêrnes repères désignent les mêmes éléments, mais pour des raisons de clarté, les cotes et proportions des divers éléments ne sont pas respectées. Le procédé d'interconnexion de la présen#invention sera décrit en se référant à l'interconnexion d'un détecteur infra-rouge, par exemple, une barrette de photodiodes en téllurure de cadnium et de mercure, et d'un circuit de lecture en silicium. Toutefois, il est évident pour l'homme de l'art que le procédé d'interconnexion de la présente invention peut être utilisé pour interconnecter entre eux tous types de circuits intégrés ou un circuit intégré et les plots du boitier contenant ledit circuit, sous réserve que les plots de contact à interconnecter se trouvent sensiblement dans un même plan. Comme représenté sur les figures J et 2, pour interconnecter, conformément au procédé de la présente invention, une barrette de détecteurs 1 et un circuit de lecture 2, on colle ces deux circuits sur un même substrat 3, par lqntermédiaire d'une colle 4 ou d'une résine. Le substrat 3 peut être réalisé en silicium, par exemple, et la colle peut être une colle époxy. Le positionnement des circuits B et 2 est réalisé avec precision pour que les contacts 5 et 6 respectivement de la barrette et du circuit de lecture soient disposés sensiblement dans le mEme plan et selon une géométrie déterminée à quelques microns près après collage. En conséquence, pour réaliser le collage avec précision, on utilise une machine du type "alignement de masque", bien connue de l'homme de l'art. De préférence, les contacts 5 et 6 prévus sur la barrette I et le circuit de lecture 2 sont réalisés par une double couche de chrome o et d'or présentant respectivement une épaisseur de ZOO A et 2000 A. D'autre part, sur la figure I on a représenté schématiquement les photodiodes réalisées dans la barrette de détecteurs 1. Les photodiodes 7 sont réalisées par implantation d'un dopant n dans un substrat de type p. Le substrat 1 est de plus recouvert d'une couche de passivation 8 en sulfure de zinc sur une épaisseur de I pm. Concernant le circuit de lecture 2, on a représenté uniquement le plot de contact 6 et une diffusion d'entrée 9. Pour réaliser l'interconnexion entre les plots 5 et 6 conformément au procédée la présente invention, on réalise un circuit de connexion supplémentaire. Ce circuit de connexion comporte sur un substrat il , en silicium par exemple, passivé par une couche 12 en silice, un réseau de connexions 10. Le réseau de connexions 10 comporte des conducteurs qui se terminent par des plots de contact correspondant exactement aux plots de contact à interconnecter. Les conducteurs et les plots de contact sont réalisés, par exemple, par une double couche de chrome et d'or en utilisant une technique de photolithogravure ou une technique d'impression bien connues de l'homme de l'art. Une fois le circuit de connexion réalisé, on munit les plots de ce circuit d'aiguilles en un métal ou un alliage métallique à bas point de fusion. Le métal à bas point de fusion est choisi parmi les métaux tels que l'indium, l'étain, le plomb ou le gallium et l'alliage métallique est à base d'un de ces métaux. De préférence, les aiguilles seront réalisées en indium du fait de sa simplicité d'emploi et de ses propriétés mécaniques. Pour munir les plots du circuit de connexion d'aiguilles d'indium, les aiguilles d'indium 13 sont déposées par évaporation sous vide à travers un masque métallique ne laissant apparaître que les plots de contact.D'autre part, comme représenté sur la figure 1, des aiguilles d'indium 14 ont aussi été déposées, par évaporation sous vide à travers un masque métallique, sur les plots de contact 4 et 6 de la barrette 1 et du circuit de lecture 2. En effet, on a remarqué que la tenue mécanique était meilleure lorsque les aiguilles d'indium 13, 14 étaient déposées des deux côtés. D'autre part, les aiguilles d'indium présentent, de manière typique, une hauteur de 20 pm et un diamètre compris entre 30 et 40 lum. Ensuite le circuit de connexion Il est positionné sur les circuits 1 et 2 de telle sorte que les aiguilles d'indium 13 soient au contact des aiguilles d'indium 14. Ce positionnement est réalisé soit à l'aide d'un microscope infra-rouge permettant de voir les circuits I et 2 à travers le substrat Il soit à l'aide de repères mécaniques. Une fois le positionnement réalisé, l'interconnexion des circuits se fait par pression en appliquant sur le substrat 11 une force d'environ 1 gramme par aiguilles. L'ensemble des circuits 1, 2, 11 est alors soumis à un recuit dans une atmosphère neutre pour consolider les liaisons entre les aiguilles d'indium 14 et 13 et permettre au contact or-indium de se stabiliser. Le procédé d'interconnexion décrit ci-dessus présente un certain nombre d'avantages. En effet, avec le procédé ci-dessus on réalise une interconnexion collective de l'ensemble des plots du circuit 1 avec les plots du circuit 2. D'autre part, la tenue mécanique et la fiabilité du dispositif obtenu avec le procédé de la présente invention sont excellentes. Ainsi, à titre indicatif, lorsque l'on soumet une structure du type décrit ci-dessus à des tests d'arrachement, on obtient les résultats suivants Pour une struture comprenant 260 aiguilles, la force d'arrachement est typiquement de 80 à 100 grammes. De plus, le même type de structure a été soumis à des vibrations sinusoidales en cisaillement jusqu'à 40 g sans dégradation. D'autre part, le dispositif ainsi obtenu présente une bonne résistance aux chocs thermiques et aux cycles thermiques entre 770K et 3000 K. Dans le cas où l'on utilise des matériaux présentant un coefficient de dilatation éloigné de celui du silicium pour les divers circuits à interconnecter, les aiguilles d'indium sont réalisées avec une hauteur plus importante pour absorber l'écart de dilatation. De plus le contact électrique est excellent et n'apporte pas de bruit basse fréquence supplémentaire, ce qui est particulièrement important dans le cas du couplage d'un détecteur infra-rouge à un circuit de lecture. D'autre part, il est possible d'obtenir un pas d'interconnexion très faible avec une excellente fiabilité. Ainsi comme représenté sur les figures 3a et 3b, le circuit de connexion peut être un circuit multicouches, ce qui permet de diminuer de manière très importante le pas d'interconnexion. Ainsi, le circuit de connexion peut comporter plusieurs niveaux de métallisation, à savoir trois niveaux 10, 10', 10" dans le mode de réalisation représenté, séparés par des couches de passivation 15, 15'. Lorsque les différents niveaux sont réalisés, on ouvre des fenêtres dans les couches de passivation à l'endroit des contacts 16, 16', 16n, et l'on dépose alors les aiguilles d'indium sur ces contacts de la manière décrite ci-dessus. Les aiguilles sont alors réparties en trois rangs de chaque c & é du circuit d'interconnexion. Cela permet la réalisation d'une interconnexion au pas de 20 pm, la largeur des conducteurs 10, 10', 10" étant de 10 Xum. Diverses modifications peuvent être apportées à la présente invention sans sortir du cadre des revendications. Par exemple, concernant la réalisation des aiguilles, il est évident pour l'homme de l'art que d'autres procédés de dépôt peuvent être utilisés dans le cadre de la présente invention. En particulier on peut réaliser un dépôt par voie électrolytique à la place d'un dépôt par évaporation sous vide. REVENDICATIONS 1. Procédé d'interconnexion permettant de relier les plots de contact (5, 6) de deux circuits intégrés ( 1, 2) montés côte à cate sur un support (3) ou les plots de contact d'un circuit intégré et ceux du boitier le contenant, caractérisé en ce qu'il comporte les étapes suivantes: - on réalise un circuit de connexion comportant sur un substrat passif (11) au moins un réseau de connexions (10) avec des plots de contact correspondant aux plots de contact à interconnecter, - on munit d'aiguilles en un métal ou un alliage métallique à bas point de fusion (13, 14) au moins une série de plots de contact, et on presse le circuit de connexion sur les plots de contact à interconnecter, Pinterconnexion étant réalisée par les aiguilles. 2. Procédé selon la revendication 1, caractérisé en ce que, une fois l'interconnexion réalisée, on soumet l'ensemble à un recuit dans une atmosphère neutre. 3. Procédé selon la revendication B, caractérisé en ce que les aiguilles (13, 14) sont formées sur les plots de contact du circuit de connexion (11) et sur les plots de contact (5, 6) à interconnecter. 4. Procédé selon la revendication 1, caractérisé en ce que les aiguilles sont formées uniquement sur les plots de contact du circuit de connexion. 5. Procédé selon l'une quelconque des revendications I à 4, caractérisé en ce que le métal à bas point de fusion est choisi parmi les métaux tels que l'indium, l'étain, le plomb ou le gallium. 6. Procédé selon l'une quelconque des revendications J à 4, c2ractérise en ce que l'alliage métallique est un alliage à base d'indium d##étain, de plomb ou de gallium. 7. Procédé selon l'une quelconque des revendications I à 6, caractérisé en ce que les aiguilles sont réalisées par évaporation sous vide à travers un masque 3. Procédé selon l'une quelconque des revendications 1 à 7 caractérisé en ce que la hauteur des aiguilles (1X, 14) est choisie en fonction des coefficients de dilatation des substrats des circuits à interconnecter. 9. Procédé selon l'une quelconque des revendications I à 8, caractérisé en ce que le réseau de connexions (10) est réalisé par photolithogravure. 10. Procédé selon lune quelconque des revendications I à 9, caractérisé en ce que plusieurs réseaux de connexions (10, lOi, 1E') séparés les uns des autres par, une couche de passivation (15, 15') sont réalisés sur le substrat (11) du circuit de connexion, des fenêtres étant ouvertes dans la couche de passivation au niveau des plots de contact (16, 16', I 6").