FR 2560437 A1 19850830 FR 8403485 A 19840228 c.de de ariatio n de/3rcuits électroniques de puissance miniaturisês La présente invention concerne un procédé de fabrication de. circuits électroniques de puissance miniaturisés réalisés par le processus technologique dit SoM.I. (Substrat Métallique Isolé) et les circuits miniaturisés obtenus par ce procédé. Il est important, dans la fabrication des circuits électro- niques de puissance miniaturisés, de permettre une bonne dissipa- tion de la chaleur du module et, notamment, des éléments de puis- sance du module lorsqu'ils sont reportés à plat. L'expérience a montré que les procédés de fabrication connus jusqu'à présent de circuits comportant des éléments de puissance reportés à plat sur le réseau conducteur ne permettent pas d'ame- ner de la soudure sous les composants, donc le report à plat de mini-bottiers de puissance d'une façon satisfaisante. La présente invention a pour objet un procédé de fabrication qui remédie à ces inconvénients et permet la réalisation de cir- cuits de puissance miniaturisés, comportant des mini-gléments de puissance reportés à plat sur le réseau conducteur et en contact avec ce dernier par apport de soudure sous le composant, ce qui améliore les échaages thermiques par intégration du radiateur dans le substrat d'interconnexion et assure la dissipation de chaleur du module, ces circuits de puissance étant ensuite montés sans ra- diateur intermédiaire directement sur le chassis. Le procédé selon l'invention dans lequel les mini-éléments de puissance sont brasés sur un réseau conducteur reporté avec inter- position d'un isolant sur une plaque en métal bon conducteur de la chaleur, est caractérisé en ce qu'on réalise un substrat en dépo- sant sur la plaque métallique une couche isolante composée d'un film plastique recouvert extérieurement d'une couche de métal bon conducteur, qu'on forme le réseau de conducteurs à partir de la couche de métal, qu'on dépose de la p&te à braser sur les endroits des connexions devant être soudés à des composants, ainsi que sur les endroits de la couche de métal o les composants doivent être brasés sur cette couche, qu'on place les composants sur le subs- trat de façon que leurs éléments de connexion soient au contact de la pâte à braser, et qu'on procède au brasage des connexions en phase vapeur, le circuit obtenu étant ensuite mis dans un boîtier étanche. Dans un mode de réalisation avantageux de l'invention, on réa- - 2 - 2560437 lise un substrat dont la surface est un multiple de celle du cir- cuit à réaliser, on réalise une série de circuits identiques sur le substrat, et on découpe ensuite l'ensemble pour obtenir les circuits unitaires. Le procédé selon l'invention, outre les avantages déjà si- gnalés, permet d'obtenir une importante miniaturisation et une meilleure conductibilité thermique, et améliore la fiabilité par une meilleure reproductivité du processus, l'utilisation de com- posants modernes et l'introduction en fabrication de phases de contrôle automatiques. Enfin, il permet un abaissement des coûts unitaires par trai- tement collectif du produit. On a décrit ci-après, à titre d'exemple non limitatif, un mo- de de mise en oeuvre du procédé selon l'invention, avec référence au dessin annexé dans lequel: La Figure 1 montre une partie d'un substrat après gravure du réseau conducteur; La Figure 2 montre, à plus grande échelle, une partie du substrat de la Figure 1; La Figure 3 est une vue semblable à la Figure 2, après mise en place et brasage des composants; La Figure 4 est une vue en coupe du substrat selon IV-IV de la Figure 3. Selon l'invention, pour réaliser un circuit de puissance mi- niaturisé, on part d'un substrat constitué par une plaque 1 en un métal bon conducteur, par exemple en aluminium, sur laquelle est collée une feuille stratifiée composée d'un film plastique 2 re- couverte extérieurement d'une couche de métal bon conducteur 3. La plaque 1 a une épaisseur de l'ordre de 2 à 3mm. Le film plas- tique a une faible épaisseur de l'ordre de 25 à 30 microns et est réalisé par exemple en une résine polyimide résistant à haute tem- pérature, telle que celle connue dans le commerce sous le nom de Kapton. De son côté, la couche de cuivre déposée sur le film plas- tique a une épaisseur de l'ordre de 35 à 70 microns. La feuille stratifiée est fixée sur la plaque 1 par collage à chaud. Une série de circuits est formée simultanément sur le subs- trat. On réalise les divers réseaux de conducteurs tels que 4 à l'aide de la couche 3 en ne laissant subsister que les parties né- cessaires de cette couche. On peut par exemple recouvrir la couchE - 3. - 2560437 d'un film photosensible, insoler à travers un masque représentant les réseaux de conducteurs à former, laver de façon à éliminer les parties non insolées, et attaquer le cuivre mis à nu; il ne reste plus qu'à éliminer les parties insolées qui recouvrent les connexions 4. On procède ensuite au dépôt par sérigraphie de pâte.à braser aux endroits tels que 5 des connexions 4 qui doivent être brasés à des connexions des composants ainsi qu'aux endroits tels que 5' o un élément de puissance doit être brasé sur le substrat de fa- çon à assurer un transfert des calories dégagées à la plaque 1 formant radiateur. On dépose les composants à plat sur le substrat de façon que leurs pattes ou fils de connexion tels que 6 et 7 soient au con- tact de la pRte à braser. Ces composants peuvent, par exemple, être des transistors de puissance tels que 8, des résistances ou des diodes telles que 9 et 10, ou des circuits intégrés tels que 11. Leur dépôt est réalisé de façon automatique par exemple par une machine du type "Pick andplace'" propre à permettre le dépôt unitaire de 5.000 à 10.000 composants à l'heure ou par une machi- ne du type '"multiplace" qui permet le dépôt collectif et automa- tique de 30.000 à 50.000 composants à l'heure. On procède alors au brasage en phase vapeur des éléments de connexion 6 et 7 des composants sur les connexions 4 et au net- toyage. Pour cela, on immerge le substrat avec les composants dans un fluide à l'état de vapeur, par exemple dans un composé organique fluoré, tel que le (CSFU) 3N. La température de vapori- sation du fluide détermine le type de soudure et doit être supé- rieure de 20 C à la température de fusion de la soudure pour que cette dernière ait de bonnes caractéristiques de fluidité et de mouillabilité. La vapeur évite l'exposition à l'air des brasures et limite les risques d'oxydation pendant cette phase tout en permettant d'utiliser des alliages de 60% d'étain et 40% de plomb à une tem- pérature de fusion de 185 . Cette opération permet aussi de réaliser un brasage sous les composants, c'est-à-dire dans le cas de composants de puissance, de réaliser un brasage entre le radiateur situé sous le composant et le substrat. On effectue ensuite des tests électriques de chaque fonction du circuit à l'aide d'une machine automatique. Il ne reste plus qu'à procéder au découpage des différents - 4 - 2560437 circuits suivant les lignes telles que X-X et Y-Y à la Figure 1, ce découpage pouvant être effectué à l'aide d'une presse à décou- per ou par laser, etc... à mettre chacun des circuits séparés dans un bottier plastique obtenu par injection de matière plasti- que dans un moule comprenant le connecteur de sortie et les points de fixation du bottier, et à braser les connexions de sortie. Il va de soi que la présente invention ne doit pas être con- sidérée comme limitée au mode de mise en oeuvre décrit et représen- té, mais en couvre, au contraire, toutes les variantes. s-2560437 REVENDICATIOINS 1. Procédé de fabrication de circuits électroniques de puis- sance miniaturisés comportant des éléments de puissance soudés sur un réseau conducteur reportés avec i terposition d'un isolant sur une plaque en métal bon conducteur de la chaleur, caractérisé en ce qu'on réalise un substrat en déposant sur la plaque métal- lique 1 une couche isolante 2 recouverte extérieurement d'une couche 3 de métal bon conducteur, qu'on forme les réseaux conduc- teurs 4 à partir de la couche 3 de métal, qu'on dépose de la pâte à braser 5 sur les endroits des connexions 4 devant 'être brasés à des composants ainsi que sur les endroits 5' o les composants doivent être brasés sur la couche 3, qu'on place les composants sur le substrat de façon que leurs éléments de connexion 6 et 7 soient au contact de la pâte à braser, et qu'on procède au brasa- ge des connexions en phase vapeur, le circuit obtenu étant ensuite mis dans un bottier étanche. 2. Procédé selon la revendication 1, caractérisé en ce qu'on réalise un substrat dont la surface est un multiple de delle du circuit à réaliser, qu'on réalise une série de circuits identiques sur le substrat, et qu'on découpe ensuite l'ensemble pour obtenir les circuits unitaires. 3. Procédé selon la revendication 1 ou 2, caractérisé en ce que la couche isolante est constituée d'une résine haute tempéra- ture résistant à une température de l'ordre de 150 o 4. Procédé selon l'une des revendications 1 à 3, caractérisé en ce que l'épaisseur du film est de 25 à 50 microns et que la couche de métal est une couche de cuivre de 35 à 70 microns. 5. Procédé selon l'une quelconque des revendications précé- dentes, caractérisé en ce que la formation des connexions 4 est réalisée par attaque chimique. 6. Procédé selon l'une quelconque des revendications précé- dentes, caractérisé en ce que le brasage en phase vapeur se fait par immersion de la plaque supportant les composants dans une va- peur d'un composé organique fluoré dont la température est.supé- rieure d'environ 200 C à celle de fusion de la soudure. 7. Procédé selon l'une quelconque des revendications précé- dentes, caractérisé en ce que les circuits sont testés par une machine automatique avant l'opération de découpage.