FR 2558670 A1 19850726 FR 8400887 A 19840120 I PERFECTIONNEMENT AUX DISPOSITIFS PHOTOSENSIBLES A L'ETAT SOLIDE La présente invention concerne les dispositifs photosensibles à l'état solide utilisés aussi bien dans le domaine du visible que de l'infrarouge. En fait, la présente invention concerne plus particulièrement un perfectionnement aux dispositifs photosensibles à l'état solide décrits dans la demande de brevet francais n 83.09827 au nom de THOMSON-CSF, à savoir aux dispositifs photosensibles à l'état solide du type comportant au moins un détecteur relié à une zone d'intégration des charges ellemême reliée à un étage de lecture effectuant la conversion charge-tension, constitué par des moyens de lecture en tension reliés chacun à une zone d'intégration par l'intermédiaire d'une diode permettant de lire le potentiel corres- pondant à la quantité de charge dans la zone d'intégration,par au moins un moyen d'adressage pour adresser séquentiellement les moyens de lecture, et par des moyens de remise à zéro de la zone d'intégration précédemment lue. Toutefois, la présente invention peut aussi s'appliquer à l'étage de lecture des dispositifs photosen- sibles à l'état solide constitués principalement par des détecteurs reliés chacun à une zone d'intégration des charges et par un registre à décalage à transfert de charge recevant en parallèle les charges intégrées dans chaque zone d'intégration des charges et les délivrant en série vers un étage de lecture réalisant la conversion charge- tension. Dans les deux types de dispositifs photosensibles décrits ci- dessus, la quantité de charge Q qui va être lue par l'étage de lecture ou étage de conversion charge-tension est tout d'abord stockée dans une capacité C o elle donne une variation de tension A V = QC C' Toutefois, ces dispositifs sont en général limités par une valeur maximale de la variation de la tension AVmax admissible par le circuit. Or, la quantité de charge qui doit être intégrée est parfois difficile à prévoir, soit que la scène observée soit constituée par un éclairement moyen variable, soit que, notamment dans le cas des circuits hybrides utilisés plus particulièrement en infrarouge, les détecteurs à associer au dispositif de lecture soient de différente nature. En conséquence, le dimensionnement de la capacité doit être fait dans l'hypothèse de la charge maximale que l'on peut avoir à Q stocker. De ce fait, C = max. La capacité est donc surdimen. Amax sionnée dans la plupart des cas d'utilisation des dispositifs photo- sensibles à l'état solide o la charge Q est en général inférieure à Qmax* Cela se traduit donc, pour le dispositif photosensible, par un facteur de conversion photon-variation de la tension de sortie, à savoir par un gain en sortie relativement faible. La présente invention a donc pour but de supprimer cet inconvénient en permet- tant de sélectionner la valeur de la capacité C en fonction des conditions d'éclairement et de la nature des détecteurs. La présente invention a donc pour objet un dispositif photo- sensible à l'état solide du type comportant au moins un détecteur photosensible, chaque détecteur étant relié à une cellule d'inté- gration des charges elle-même reliée par l'intermédiaire d'un multi- plexeur à un étage de conversion charge-tension précédé d'un premier moyen de stockage relié à un moyen de remise à niveau caractérisé en ce qu'il comporte de plus au moins un moyen de stockage des charges supplémentaire adjacent au premier moyen de stockage, le ou lesdits moyens de stockage supplémentaires étant commandés par des tensions de polarisation variables permettant de modifier la capacité de l'ensemble des moyens de stockage en fonction de la quantité de charges intégrées. D'autres caractéristiques et avantages de la présente invention apparaîtront à la lecture de la description de divers modes de réalisation faite ci-après avec référence aux dessins ci-annexés dans lesquels: - la figure 1 est une vue de dessus d'un dispositif photosensible du type barrette utilisé notamment dans l'infrarouge dont les cellules d'intégration des charges ont été modifiées conformément à un premier mode de réalisation de la présente invention; - la figure 2 est une vue en coupe transversale schématique du dispositif de la figure 1, et des potentiels de surface correspondants dans le substrat dans lequel est intégré ledit dispositif; - les figures 3a à 3d représentent respectivement une vue en coupe transversale schématique d'un autre mode de réalisation de la partie détection et intégration d'un dispositif photosensible à l'état solide conforme à la présente invention et l'évolution des potentiels de surface correspondants dans le substrat en fonction des tensions de polarisation appliquées sur les moyens de stockage; - la figure 4 est une courbe donnant l'évolution de la tension en fonction des charges intégrées par le dispositif photosensible de la figure 3; - les figures 5a à 5e représentent respectivement une vue en coupe schématique d'un autre mode de réalisation de la présente invention et l'évolution des potentiels de surface correspondants dans le substrat en fonction des tensions appliquées sur les dif- férents moyens de stockage; - la figure 6 est une courbe donnant l'évolution de la tension en fonction des charges intégrées dans le cas du dispositif de la figure 5 - les figures 7a à 7c sont des vues de dessus de divers modes d'implantation des moyens de stockage supplémentaires confor- mément à la présente invention et; - les figures 8a et 8b représentent respectivement une vue en coupe schématique d'un mode de réalisation de la présente invention dans le cas o le multiplexeur est un registre à décalage et l'évolution des potentiels de surface correspondants dans le substrat en fonction des tensions de polarisation appliquées. Sur les différentes figures, les mêmes références désignent les mêmes éléments mais pour des raisons de clarté, les cotes et proportions des divers éléments ne sont pas respectées. La figure 1 représente un dispositif photosensible utilisé notamment dans le domaine de l'infrarouge. De manière connue, ce dispositif photosensible est constitué de cellules I de détection photonique et d'intégration des charges et d'un étage de lecture 2 donnant en sortie un signal électrique d'analyse d'images. A titre d'exemple, on a représenté sur la figure 1 un dispositif comportant quatre cellules. Il est bien entendu que le dispositif selon l'invention peut comporter un nombre plus élevé de cellules. De même la figure I concerne un dispositif photosensible du type barrette mais la présente invention peut aussi s'appliquer à un dispositif photo- sensible du type matriciel comme décrit dans la demande de brevet n 83.09827 au nom de la demanderesse. Dans le domaine de l'infrarouge et comme représenté sur la figure 1, chaque cellule 1 comporte un détecteur photosensible 3 intégré sur un substrat semiconducteur 4 différent du substrat 5 sur lequel sont intégrés les autres éléments du dispositif photosensible et une zone d'intégration réalisée sur le substrat 5. Le substrat 4 est, de préférence, réalisé en tellurure de cadmiun et de mercure, en tellurure d'étain et de plomb ou en antimoniure d'indium. De même, le substrat 5 est de préférence réalisé en silicium de type P, mais il pourrait être réalisé en silicium de type N dans le cas de diodes de détection à cathode commune, en arséniure de gallium ou en tout autre matériau semiconducteur équivalent. A titre d'exemple et comme représenté sur les figures 1 et 2, le détecteur photosensible 3 utilisé dans la présente invention est une photodiode. Toutefois, il est évident pour l'homme de l'art que l'invention s'applique quel que soit le détecteur utilisé. Ainsi, comme représenté sur les figures 1 et 2, l'anode A de la photodiode 3 reçoit une tension de polarisation VSD. Sa cathode K est reliée par une connexion 7 à la zone d'intégration des charges qui permet d'intégrer dans le substrat 5 les charges créées dans la photodiode 3 par le rayonnement à détecter symbolisé par des flèches ondulées sur la figure 2. D'autre part, chaque zone d'intégration des charges réalisées sur le substrat semiconducteur 5 qui est polarisé à une tension VSM, comporte une diode D constituée par une zone de type N réalisée dans le substrat semiconducteur 5 en silicium de type P. Cette zone est désignée par la référence N1+ sur la figure 2. Chaque diode est reliée par une connexion 7 à la cathode K de la photodiode correspondante. D'autre part, conformément à la présente invention, une grille GC reliée à la tension de polarisation VGC separe chaque diode D d'une première capacité de stockage des charges constituée par une grille GST21 une couche d'isolant et le substrat.Cette première capacité de stockage des charges est suivie d'une seconde capacité de stockage des charges constituée aussi par une grille GST1 une couche d'isolant et le substrat. Les capacités de stockage symbolisées par les grilles GST2 et GSTI1 sont polarisées, de la manière qui sera décrite ci-après, par deux tensions de polarisation différentes VGST2 et VGSTi De même, comme représenté sur les figures 1 et 2, l'étage de lecture 2 comporte quatre moyens de lecture en tension ou étages de conversion charge-tension constitués par des transistors MOS Mi1l montés en suiveur. La grille G1 de chaque transistor MOS Mil est reliée à une diode de lecture D' adjacente à la capacité de stockage GSTI de chaque cellule 1 de détection et d'intégration des charges. Cette diode D' est réalisée par une diffusion de type N désignée par la référence N2+ sur la figure 2. Le drain des transistors MOS Mii réalisé par la diffusion de type N référencée N3+ sur la figure 2 est relié à une tension de polarisation VDD. D'autre part, la source des transistors MOS Mi1 est connectée par l'intermédiaire des tran- sistors MOS Mi2 jouant le rôle d'interrupteurs à une charge MC. Cette charge MC est constituée par un transistor MOS à dépletion dont la grille G3 est connectée à la source réalisée par la diffusion de type N référencée N6+ sur la figure 2, cette source étant N6 polarisée par une tension continue VSS. D'autre part, chaque grille G2 des transistors MOS interrupteurs M12 est reliée à une des sorties d'un registre à décalage logique R à entrée série et sorties parallèles. Ce registre à décalage R permet d'adresser et de rendre passant un des transistors MOS Mi2, en conséquence d'effectuer le multiplexage des différents étages suiveurs. L'étage de lecture 2 comporte de plus des moyens de remise à zéro. Ces moyens de remise à zéro sont réalisés par des transistors MOS M13 dont la porte G4 est connectée à la sortie du registre à décalage logique R correspondant au prochain étage suiveur. La source induite des transistors MOS M13 est constituée par la capacité de stockage GST1 correspondante et le drain réalisé par une diffusion de type N référencée N7 est connecté à une tension continue VRAZ. Dans le mode de réalisation représenté, on utilise le même registre à décalage logique R pour commander les transistors MOS interrupteurs M12 et les transistors MOS Mi3 de remise à zéro, ce qui nécessite un étage de plus que le nombre de cellules ou l'utilisation d'un registre à décalage bouclé. On expliquera maintenant le fonctionnement du dispositif décrit ci-dessus avec référence en particulier à la partie inférieure de la figure 2. Cette partie représente le potentiel de surface dans le substrat 5 lors de la lecture d'un étage lorsqu'une charge Q de faible valeur a été stockée sous la grille de stockage GSTi, la grille de stockage GST2 n'étant pas utilisée. La partie gauche représente donc le potentiel sous la zone d'intégration d'une cellule 1 qui est réalisée de manière connue par la diode D, la grille GC et les deux capacités de stockage GST1 et GST2. Cette zone constitue un transistor MOS dont la diode D est la source et dont la capacité de stockage GSTI dans le mode de réalisation représenté, à savoir dans le cas d'un faible éclairement, est le drain induit. En effet, dans ce cas, la tension de polarisation VGST2 est portée à un niveau bas et la grille GST2 joue le rôle de grille de passage pour les électrons. Le transistor MOS d'entrée est donc polarisé en régime de saturation, car la tension VGST1 appliquée à la grille GSTI est supérieure aux tensions VGC et VGST2 appliquées sur les grilles GC et GST2. Le niveau des charges sur la diode D s'aligne sur le potentiel proche du potentiel constant existant sous la grille GC. L'anode A de la photodiode est polarisée par la tension continue VSD choisie pour être, par exemple, égale à zéro Volt. Les charges créées dans le détecteur par le rayonnement électromagnétique sont stockées dans la capacité créée sous la grille de stockage GST1 polarisée par VGSTi, comme cela est représenté symboliquement sur la figure 2 o les zones hachurées indiquent la présence de porteurs minoritaires par rapport au substrat 5. Les charges créées dans le détecteur sont donc tout d'abord stockées sous la grille de stockage GSTI. Toutefois, conformément à la présente invention, si la charge à stocker est supérieure à la capacité de stockage GSTI, la tension de polarisation VGST2 est commutée à un niveau haut tel que par exemple VGST2 égale VGSTI, ce qui permet alors de stocker les charges non plus uniquement sous GSTI mais aussi sous GST2 comme représenté en tiretés sur la figure 2. En ce qui concerne la lecture des charges intégrées dans la zone d'intégration, elle est réalisée de manière connue lorsque la sortie i correspondante du registre à décalage R est au niveau logique I de sorte que la grille du transistor MOS M12 reçoive une tension élevée rendant passant ledit transistor, toutes les grilles des autres transistors MOS jouant le rôle d'interrupteur recevant un niveau logique "O" bloquant lesdits transistors.Dans ce cas, ledit transistor MOS M12 se comporte comme une résistance, le tran- sistors MOS MCY à savoir la charge, se trouve connecté au transistor suiveur M1, et on obtient donc un étage suiveur classique, la tension de polarisation VDD étant choisie très supérieure à la tension de polarisation Vss comme représenté sur la figure 2. La diffusion N2+ réalisée à droite de la grille de stockage GST1 et connectée à la grille G1 du transistor MOS Mi, permet d'obtenir au niveau de la grille un potentiel représentatif du potentiel sous la grille de stockage GSTI dans le mode de réalisation représenté. De plus le potentiel au niveau de la diffusion N5+ s'aligne sur le potentiel au niveau de la diffusion N4, car le transistor M12 est équivalent à une résistance. Or le potentiel au niveau de la + diffusion N4 est fonction du potentiel sous la grille Gi, car dans un étage suiveur la différence de potentielsà ( est une constante.On obtient donc au niveau de la diffusion N5 une tension represen- tative de la tension sous la grille de stockage GST1. Cette tension est envoyée à travers un amplificateur A sur la borne de sortie S du dispositif photosensible. Après avoir lu l'information sur l'entrée i, on décale le niveau logique "1" du registre à décalage R d'un étage sous l'action de l'horloge H. On réalise alors la lecture de l'entrée i + 1. Le niveau logique "1" est alors appliqué sur la grille G4 du transistor MOS M13 de remise à zéro qui est rendu passant. Les charges qui se trouvent sous la grille de stockage GST1 sont alors évacuées vers la source de tension VRAZ qui peut être choisie égale à la tension VDD. On effectue ainsi la réinitialisation de la valeur de la capacité de stockage de l'entrée i pendant la lecture de l'entrée i + 1. En fait pendant cette remise à zéro de la capacité de stockage, les charges délivrées par la photodiode sont directement évacuées vers la source de tension VRAZ et donc inexploitées. Ainsi, conformément à la présente invention, lors de l'inté- gration des charges on utilise la capacité créée sous la grille GST1, lorsque la quantité de charge à intégrer est faible, ou bien si cette quantité est importante on commute la tension VGST2 à un niveau haut pour stocker alors les charges à la fois sous la grille GST1 et sous la grille GST2. Pour pouvoir réaliser ultérieurement la lecture des charges et la remise à niveau de la cellule d'intégration 1, il est nécessaire, conformément à la présente invention, que la premiere capacité GST1 soit adjacente à la diode de lecture D' et à la grille G4 du transistor MOS M13 de remise à niveau comme représenté sur la figure 2. La tension VGST2 peut être identique ou inférieure à la tension VGSTI. La figure 3a représente un autre mode de réalisation de la cellule d'intégration d'un dispositif photosensible à l'état solide dont les autres parties sont identiques aux dispositifs photosensibles des figures 1 et 2. Dans le mode de réalisation de la figure 3a, une seule grille de stockage VGST est prévue au niveau de la cellule d'intrégration, mais, comme représenté sur cette figure, la grille GST est adjacente à la diode de lecture D' réalisée par une diffusion de type N référencé N2+ qui est elle-même adjacente à la grille G4 suivie de la diffusion N7+, l'ensemble représentant le transistor Mi3 de remise à niveau. Avec cette configuration,les différents moyens de stockage des charges délivrées par les photodiodes 3 sont constitués par la diode D' reliée à la grille G1 du transistor MOS M13 et par la grille de stockage GST polarisée par la tension VGST qui peut être portée à un niveau haut ou à un niveau bas selon la quantité de charge à intégrer. En effet, la diode D' peut être utilisée comme capacité de stockage, car du fait de son adjacence avec la grille G4, les électrons stockés sur la diode D' et sur la grille G1 peuvent être évacués par l'intermédiaire de la grille G4 vers la tension de remise à niveau VRAZ sans passer sous la grille de stockage GST. On montrera maintenant avec référence aux figures 3b à 3d, les différentes possibilités de fonctionnement du mode de réalisation de la figure 3a. Lorsque la charge Q à stocker est importante, la tension de polarisation VGST est à un niveau haut supérieur à la tension de remise à niveau VRAZ qui constitue le niveau de précharge comme représenté sur la figure 3b. Dans ce cas, le fonctionnement est identique à celui décrit avec référence aux figures 1 et 2 et les électrons délivrés par les photodiodes 3 sont stockés à la fois sous la grille GST, dans la diode D' et sur la grille G1. Soit CST la capacité MOS sous GST et CO la somme de la capacité de la diode D' et sur la grille G1, la capacité de stockage totale CSTT vaut dans ce cas CSTT = CST + CO Lorsque la charge Q à stocker est particulièrement faible, on réduit alors la tension de polarisation VGST à une valeur proche de VGC de façon que le potentiel sous GST en l'absence de charge soit proche mais légèrement supérieur à celui sous GC comme repré- senté sur la figure 3c. Dans ce cas, les électrons délivrés par les photodiodes 3 passent alors sous la grille GST et viennent se stocker dans la diode D' et sur la grille Gi.Dans ce cas, la capacité de stockage totale CSTT vaut CSTT =CO Comme représenté sur la figure 3d, il est possible d'envisager un cas intermédiaire dans lequel la tension de polarisation VG5T est portée à un niveau intermédiaire compris entre la tension de remise à niveau VRAZ et la tension de polarisation de la grille VGC. Dans ce cas, les électrons délivrés par les photodiodes 3 sont tout d'abord stockés sous la diode D' et la grille G1 puis sous la grille de stockage GST. La figure 4 représente la variation de la tension de sortie du système en fonction de la charge Q intégrée. La droite lb corres- pondant au cas de la figure 3b a une pente proportionnelle à 1 C,la droite lc correspondant au cas de la figure 3c à une Ca + C ST/ pente proportionnelle a C D'autre part, la courbe ld correspond au cas de la figure 3d dansolequel la tension de polarisation de GST est une tension intermédiaire entre les deux valeurs précédentes. Lorsque la charge Q à stocker est faible, elle n'est stockée que sous CO et la pente de la courbe Id est dans ce cas proportionnelle à C- puis lorsque la charge Q est plus importante, elle est stockée O' en parallèle sur CO et CST et la pente de la courbe ld est dans ce cas proportionnelle à C + C. En examinant les différentes 00+ CST courbes de la figure 4, on voit que, dans le cas o la charge à intégrer est faible, il est préférable de fonctionner avec une capacité de stockage CO plus petite de manière à obtenir des variations de tension en sortie plus importantes à savoir un gain de sortie plus élevé. On décrira maintenant avec référence aux figures 5a à 5e un troisième mode de réalisation de la cellule d'intégration d'un dispo- il sitif photosensible du type de celui des figures 1 et 2. Dans ce cas, la grille GST a été remplacée par deux grilles GST1 et GST2 formant les capacités MOS CST1 et CST2 polarisées par deux tensions de polarisation différentes VGSTI et VGST2. On décrira maintenant les diverses possibilités de fonction- nement de cette cellule d'intégration avec référence aux figures 5b à 5e. Dans le cas d'une charge Q à intégrer importante, les tensions de polarisation VGST2 et VGSTI sont toutes deux portées à un niveau haut identique supérieur à la tension de remise à niveau VRAZ7 comme représenté sur la figure 5b. Dans ce cas la capacité de stockage totale CTT est égale: CTT = CO + CST1 + CST2 dans laquelle: CO correspond à la capacité de la diode D' et de la grille G1, CSTI a la capacité sous la grille GST1 et CST2 à la capacité sous la grille GST2. Dans le cas, o la charge Q est moins importante, la tension de polarisation VGST2 peut être aménée à un niveau bas légèrement supérieur au niveau de la tension de polarisation de la grille GC, comme représenté sur la figure 5c. Dans ce cas, la capacité totale de stockage des charges est égale à; CTT = CO + CST1 Dans le cas o la quantité de charges à stocker Q est très faible, il est possible, comme dans le mode de réalisation de la figure 3a, de ne stocker les charges que dans la diode D' et sur la grille G1 comme représenté sur la figure 5d. Dans ce cas la capacité de stockage totale CTT est égale à: = CTT = CO. Comme pour le mode de réalisation de la figure 3a, il est possible de polariser VGST2 et VGSTI à des tensions différentes telles que VGSTI soit inférieure à VRAZ et VGST2 soit inférieure VGSTI mais supérieure à VGC comme représenté sur la figure 5e. Dans ce cas, les charges Q sont tout d'abord intégrées dans la diode D' et sur la grille G1 puis sous la grille G5T1 puis ensuite sous la grille GST2. Les courbes donnant la variation de tension de sortie en fonction de la charge Q correspondant aux figures 5b à 5c ont été représentées sur la figure 6. Dans ce cas, la droite 2b présente une pente proportionnelle à la droite 2c une pente Co+ CST1 + CST2 proportionnelle CO 1 et la droite 2d une pente proportionnelle à 0+ +ST C De plus la courbe 2e est constituée par trois droites ayant respectivement une pente proportionnelle a - puis propor- ]0 tionnelle à C puis proportionnelle C O I e + CST1 a0 + + TCST2' Sur les figures 7a à 7c on a représenté à titre d'exemples, différentes dispositions possibles pour les grilles GST1 et GST2. Une des contraintes imposées lors du choix de la disposition des grilles GST1 et GST2 est que la diode de lecture D' ainsi que la grille G4 du transistor MOS M13 de remise à niveau doivent être adjacentes à la première grille de stockage que l'on souhaite pouvoir utiliser. Cette grille est référencée GSTI dans les différents modes de réalisation des figures 7a à 7c. Les autres conditions d'adjacence sont donc facultatives.Toutefois, comme représenté dans la figure 7a, la diode D' peut aussi être positionnée à cheval sur G. ST1 et GST2 et G4 n'être adjacente qu'à GSTl, ou bien, comme représenté sur les figures 7b et 7c, la diode D' peut n'être adjacente qu'à la grille GSTI et la grille G4 être positionnée à cheval sur GST1 et GST2. D'autre part dans le cas des figures 7a à 7c, les électrons en provenance du détecteur ne sont pas obligés de passer sous la capacité de stockage supplémentaire GST2 puisque la grille GST1 est adjacente à la grille de contrôle GC prévue entre la diode de lecture D du photo- détecteur et la première capacité de stockage GSTl. Il est évident pour l'homme de l'art que d'autres possibilités de dispositions pour les grilles GST1 et GST2 peuvent être envisagées sans sortir du cadre de la présente invention. On décrira maintenant, avec référence aux figures Sa et 8b, un mode de réalisation de la présente invention utilisé dans un dispo- sitif photosensible dans lequel le multiplexage est réalisé de manière tout à fait connue à l'aide d'un registre à décalage à transfert de charge R'. Dans ce cas, les cellules de détection et d'intégration des charges, qui n'ont pas été représentées, sont identiques au mode de réalisation de la figure 1, à l'exception du fait qu'elles ne comportent qu'un seul niveau de moyens de stockage. Dans ce cas, chaque moyen de stockage est connecté à un étage du registre à décalage R qui transportent les charges intégrées en agissant sur les phases de commande bl et 02 vers un étage de conversion charge-tension. Comme représenté sur la figure 8a, l'étage de conversion charge-tension qui est séparé du registre R' par une grille de passage G0 connectée par exemple à une tension fixe VGO' est constituée d'un premier moyen de stockage G'ST1 relié à une tension de polarisation portée à un niveau haut V'GSTI.Ce moyen de stockage est adjacent à une diode de lecture D'1 reliée à un amplificateur A' et à un transistor de remise à niveau constitué par la grille G'RAZ reliée à une tension óRAZ qui peut être portée à un niveau haut ou à un niveau bas pour précharger la diode de lecture et par la diode D'1 polarisée par la tension V'RAZ. Conformément à la présente invention, un moyen de stockage des charges supplémentaire constitué par la capacité G'ST2 est prévu entre la grille Go0 et la capacité G'STI. Cette capacité G'ST2 est connectée à une tension de polarisation V'GST2 qui peut être portée à un niveau haut ou à un niveau bas selon la quantité de charges à lire. Comme représenté en tiretés sur la figure 8b. Le fonctionnement des deux moyens de stockage G'ST1 et G'ST2 est identique au fonctionnement des moyens de stockage GSTI et GST2 de la figures 1. Dans ce mode de réalisation, l'utilisation de moyens de stockage supplémentaire ne permet pas de réduire les dimensions des cellules d'intégration et de stockage ainsi que du registre à décalage qui doivent être dimensionnés pour intégrer la charge maximale, mais elle permet d'accroître le gain du signal en sortie. Il est évident pour l'homme de l'art que le dispositif photo- sensible de la figure 8a peut être modifié de nombreuses manières sanssortir du cadre de la présente invention. Ainsi le registre R' peut être à 3 ou 4 phases de commande. La grille GO peut être connectée à une tension fixe comme représenté sur la figure 8a ou à laphase 01- De plus, dans les modes de réalisation présentés ci-dessus, on a utilisé un ou deux moyens de stockage supplémentaires; toutefois il est évident pour l'homme de l'art qu'un nombre plus important de moyens de stockage peut être utilisé sans sortir du cadre de l'invention. D'autre part en ce qui concerne la commande des tensions de polarisation VGST ou VGSTI et VGST2, soit ces tensions peuvent être positionnées en début d'utilisation en fonction de l'application ou du type de photodétecteurs utilisé, soit un asservissement peut être envisagé. Dans ce cas, l'asservissement prend en compte la tension de sortie, la compare à deux tensions de référence supé- rieure et inférieure et en fonction du résultat des comparaisons commute la tension de polarisation du moyen de stockage supplé- mentaire d'un niveau bas à un niveau haut ou vice-versa comme expliqué ci-dessus. D'autre part, la présente invention a été décrite en se référant à un type de dispositif photosensible à l'état solide. Toutefois il est évident que la présente invention peut s'appliquer à tous les types de dispositifs à l'état solide dans lesquels l'étage de conversion charge tension est précédé d'une capacité de stockage de manière à augmenter le gain en sortie. Toutefois, lorsque la présente invention est utilisée dans les dispositifs photosensibles à l'état solide compor- tant comme multiplexeur un registre à transfert de charge la présente invention ne peut être utilisée qu'au niveau de l'étage de lecture et ne permet pas de diminuer l'encombrement au niveau du registre à décalage qui doit dans tous les cas pouvoir transporter la charge maximale admissible. REVENDICATIONS 1. Un dispositif photosensible à l'état solide du type compor- tant au moins un détecteur photosensible (3), chaque détecteur étant relié à une cellule d'intégration des charges (1) elle-même reliée par l'intermédiaire d'un multiplexeur (R, M12, R') à un étage de conver- sion charge-tension (MI1, D1) précédé d'un premier moyen de stockage (D' et G1, GST1i G'STl) relié à un moyen de remise à niveau (MI3) caractérisé en ce qu'il comporte de plus au moins un moyen de stockage des charges supplémentaire (GST, GST2, G'ST2) adjacent au premier moyen de stockage (D' et G1, GSTi, G'ST1), le ou lesdits moyens de stockage supplémentaires étant commandés par des tensions de polarisation (VGsT, VGST1, VGST2'V'GST2) variables permettant de modifier la capacité de l'ensemble des moyens de stockage en fonction de la quantité de charge intégrée. 2. Un dispositif selon la revendication 1 caractérisé en ce que le premier moyen de stockage des charges est constitué par la diode de lecture (D') de l'étage de conversion charge-tension et le ou les moyens de stockage supplémentaires sont constitués par des capa- cités MOS (GST, GST1 ou GST2). 3. Un dispositif selon la revendication 1 caractérisé en ce que le premier moyen de stockage (GSTi, G'STI) et le ou les moyens de stockage supplémentaires (GST2, G'ST2) sont constitués par des capacités MOS. 4. Un dispositif selon l'une quelconque des revendications I à 3 caractérisé en ce que, pour augmenter la capacité de l'ensemble des moyens de stockage, les tensions de polarisation (VGsT, VGSTi, VGST2) des moyens de stockage supplémentaires sont portées suc- cessivement, en fonction de la quantité de charge intégrée à un niveau haut identique au niveau haut ou supérieur au niveau de précharge du premier moyen de stockage (D' et G1, GSTI). 5. Un dispositif selon l'une quelconque des revendications 1 à 3 caractérisé en ce que, pour augmenter la capacité de l'ensemble des moyens de stockage, les tensions de polarisation (VGST, VGSTi, 2S58670 VGST2) des moyens de stockage supplémentaires sont portées suc- cessivement en fonction de la quantité de charge intégrée à un niveau haut inférieur au niveau haut ou au niveau de précharge du premier moyen de stockage (D' et G1, GSTI), les différentes tensions de polarisation s'accroîssant ou étant identique du dernier moyen de stockage supplémentaire au premier moyen de stockage supplémentaire. 6. Un dispositif selon l'une quelconque des revendications 1 à 5 caractérisé en ce que la diode (D') de l'étage de conversion charge- tension (M12) et la grille (G4)du moyen de remise à niveau (Mi3) sont adjacentes au premier moyen de stockage utilisé (D', GST1). 7. Un dispositif selon l'une quelconque des revendications 1 à 6, caractérisé en ce que le multiplexeur est constitué par un registre à décalage logique (R) à entrée série et sorties parallèles dont chaque sortie est reliée par l'intermédiaire d'un interrupteur (MI2) à un des étages de conversion charge-tension. 8. Un dispositif selon l'une quelconque des revendications 1 à 6 caractérisé en ce que le multiplexeur est constitué par un registre (R') à décalage à transfert de charge à entrées parallèles et à sortie série dont chaque entrée est connectée à une cellule d'intégration et de stockage et dont la sortie est connectée à l'étage de conversion charge-tension par l'intermédiaire des moyens de stockage supplé- mentaires (G'sT2) et du premier moyen de stockage (G'STi).