FR 2547692 A1 19841221 FR 8310116 A 19830615 La présente invention concerne le domaine de la production de plasma à partir de milieux gazeux de toute nature en vue d'une utilisation à des fins diverses. On connaît dejA un certain nombre de moyens pour produire des plasmas a partir de milieux gazeux quelconques. On connaît, par exemple, un procédé faisant intervenir une décharge continue ou un filament thermoemissif. Ces moyens ne permettent pas d'obtenir un plasma de grand volume homogène et dense. De surcroît, dans le cas de mise en oeuvre d'un filament thermoémissif, de tels moyens ne peuvent, généralement, pas être utilisés avec un milieu gazeux réactif par rapport a un tel filament. On connait, également la production de plasma par une décharge radiofréquence. Les mimes inconvénients que ceux cites ci- dessus doivent être mis au compte de tels moyens techniques, sauf la mise en oeuvre d'un milieu gazeux corrosif qui peut, dans ce cas, être envisagé. Cette méthode pressente, de surcroît, l'inconvénient de fournir un plasma de temperature electronique elevee. Par ailleurs, cette methode ne permet pas de disposer de paramètres independants pour la génération du plasma et son utilisation. On connaît encore la production de plasma au moyen d'ondes hyperfrequences. Les plasmas obtenus possedent une temperature electronique inferieure a celle des plasmas obtenus par excitation radio-fréquence, mais ne sont toujours pas homogenes et de grand volume. Cette methode presente, cependant, l'avantage de rendre indépendants les parametres de gene ration du plasma de ceux de son utilisation. On connaît, egalement, la production dtun plasma excite par un filament thermoemissif et maintenu spatialement par un confinement magnetique. Une telle méthode permet l'obtention d'un plasma de grand volume homogene, de forte densité, de faible tempe- rature électronique avec indépendance des parametres de génération du plasma de ceux de son utilisation. Cependant, une telle méthode connait des inconvénients importants tenant, notamment, à la fiabilité dans le temps du filament émissif et a la pollution du milieu ambiant dont il est responsable. Par ailleurs, le rayonnement thermique du filament est néfaste au déroulement stable du processus de formation du plasma et implique pour chaque phase de génération un temps de montée en température. En outre, il est exclu, compte tenu-de la présence du filament thermoémissif > de pouvoir utiliser une telle méthode dans le cas d'ionisation d'un milieu gazeux a caractère réactif par rapport a la matiere constitutive du filament On a proposé, aussi, de produire un plasma excité par un filament thermoémissif maintenu par un confinement électrostatique. En plus des inconvénients ci-dessus qui subsistent, il faut noter qu'une telle méthode ne permet pas ltobtention d'un plasma de grand volume homogène. Les moyens connus ci-dessus ne donnent donc pas satisfaction car, de plus en plus, la technique moderne ressent la néces- site de pouvoir disposer, dans des domaines d'application tres divers, de plasmas de grand volume homogène, denses, de faible température électronique, produits a partir d'un milieu gazeux réactif ou non et dont les parametres de génération sont indépendants de ceux de son utilisation. Ceci est le cas, notamment, dans les domaines où il est nécessaire de produire, a un coût relativement bas, des ions posi tifs ou négatif s ou, encore, lorsqu'il s'agit de réaliser une gravure, un dépôt ou une oxydation. Ceci est en particulier le cas, dans le cadre d'une application préférée de la présente invention, consistant a traiter en surface des substrats divers dans l'industrie de la microélec- tronique. Dansun tel domaine, il est en effet necessaire de pouvoir intervenir avec précision et en mettant en oeuvre des énergies les plus faibles possibles, sur-des couches de faibles épaisseurs dans lesquelles, par exemple, une action de gravure anisotrope doit être conduite avec précision. L'objet de l'invention est justement de remédier å la carence de la technique antérieure en proposant un nouveau procédé et un nouveau dispositif permettant de produire un plasma continu, de grand volume homogène, de grande densité et de faible température électronique, à partir d'un milieu gazeux réactif ou non. Un autre objet de l'invention est de proposer un nouveau procédé et un nouveau dispositif permettant l'obtention d'un plasma dont les paramètres régissant sa création ou génération sont indépendants totalement de ceux concernant l'interaction entre ce plasma et l'application qui en est faite. Pour atteindre les buts ci-dessus, l'invention est caractérisée en ce qu'on - procède, par ondes hyperfréquences7 a l'excita- tion d'un milieu gazeux dans une enceinte - - maintient ce plasma dans une enceinte au moins par confinement magnétique, - met en oeuvre des moyens propres à entretenir dans enceinte une pression absolue comprise entre 10 5 et 10 1 Torrs. L'invention vise, EgalementS un dispositif caractérisé en ce qu'il comprend - une enceinte étanche raccordée a un circuit de pompage et a un circuit d'apport d'un milieu gazeux9 ces circuits étant propres à maintenir une pression déterminée dans l'enceinte, - une enveloppe de confinement au moins magnétique interne a l'enceinte et isolée de cette dernière, - un générateur d'ondes hyperfréquences aboutis sant a un dispositif d'excitation du milieu gazeux, ce dispositif étant placé face å une fenêtre de l'enveloppe, et at des moyens d'analyse du plasma à l'intérieur de l'enveloppe de confinement. Diverses autres caractéristiques ressortent de la description faite ci-dessous en référence aux dessins annexés qui montrent, a titre d'exemples non limitatifs, des formes de réalisation de l'objet de l'invention. La fig. 1 est une vue schématique d'un dispositif conforme à l'invention pour la production d'un plasma de grand volume homogène. La fig. 2 est une perspective partielle illustrant la construction de l'un des éléments constitutifs du dispositif. Selon le procédé de lginvention, la production d'un plasma de grande volume homogène, de grande densité et de faible température électronique et dont les paramètres régissant sa crea- tion ou sa génération sont indépendants de ceux régissant son utilisation ultérieure, consiste à introduire dans une enceinte étanche un milieu gazeux de toute nature choisie en fonction de l'application ultérieure définie Ce milieu gazeux est maintenu dans llen- ceinte sous une pression absolue, par exemple comprise entre quelques 10-5 et quelques 10-1 Torrs (un Torr = 133 Pascals) Le milieu gazeux utilisé est introduit dans l'enceinte, de façon continue9 de maniera d remplir cette derrière, a partir de laquelle il peut entre extrait par des moyens de pompage appropriés. A l'intérieur de enceinte le milieu gazeux est ionisé par l'intermédiaire d'ondes hyperfréquences délivrées par un géné- rateur approprié. Les ondes hyperfréquences utilisées sont comprises dans la gamme de 1 a 10 gigahertz et sont, de préférence, voisines de 2,5 gigahertz. Le plasma produit dans l'enceinte par ondes hyperfré- quences est confiné au moins magnétiquement par une enveloppe formée à l'intérieur de l'enceinte pour autoriser toutefois une communication avec les moyens d'amenée et de pompage du fluide gazeux. De cette maniera > il devient possible de produire avec une une excellente fiabilité un plasma dense d'environ 10 cm , de température électronique peu différente de 1 électronvolt et occupant l'ensemble du volume de confinement délimité par l'enveloppe. Ce procédé permet, en outre, en raison de l'absence de filament thermoémissif, d'ioniser un milieu gazeux réactif au sens général du terme, c'est-à-dire présentant un caractere de réaction par rapport à une matière quelconque qui serait exposée à l'action de ce plasma. Ainsi, il devient possible d'utiliser de tels plasmas pour agir en surface sur des substrats divers, pouvant être exposés en faible ou grande surface propre à l'intérieur de l'enveloppe de confinement délimitée à l'intérieur de l'enceinte. Cet avantage est particulierement appréciable dans le cas d'application en microélectronique, car la grande densité, le volume important, l'homogénéité et l'indépendance des paramètres de création du plasma permettent d'effectuer des dépôts, oxydations ou, encore, des gravures de façon précise. Ces traitements peuvent être conduits sur des grandes surfaces en ne faisant intervenir qu'un faible niveau d'énergie, tout en permettant d'obtenir, dans le cas de gravure, une action anisotrope selon la direction du champ de déplacement imprimé par l'application d'un potentiel approprié aux substrats. Dans un autre domaine d'application, il peut être prévu de fermer l'enveloppe de confinement sur une partie au moins de sa périphérie par une grille d'extraction permettant de produire1 a partir du plasma créé, des ions positifs ou négatifs, en grande quantité, pouvant alors être concentrés et accélérés en fonction de l'application visée. Selon le procédé de l'invention, il peut être prévu de diviser lenveloppetde confinement par un filtre magnétique, de manière a disposer d'une partie de création du plasma, ainsi que d'une partie d'utilisation dans laquelle ledit plasma présente une température électronique inférieure encore. Le procédé de l'invention peut être complété, également, par l'adjonction1 l'enveloppe de confinement magnétique, de moyens de confinement électrostatique permettant de diminuer la température électronique d'un facteur de l'ordre de 2 ou, aux fortes pressions, d'augmenter la densité du plasma d'un facteur de l'ordre de 5. La fig. 1 montre, de façon schématique, une installation ou un dispositif permettant la production d'un plasma de grand volume homogène, de grande densité et de faible température électronique. Cette installation comprend une enceinte 1, de préférence en un matériau amagnétique, reliée par une tubulure 2 à des moyens 3 de distribution d'un fluide gazeux approprié délivré par une vanne 4 à partir d'un réservoir de stockage 5. L'enceinte 1 est également reliée par une tubulure 6 à des moyens 7 de pompage comprenant une pompe 8 et une vanne de réglage de débit 9. Pour créer un plasma a l'intérieur de l'enceinte 1, le fluide gazeux est entretenu à une pression absolue de l'ordre de à 10 1 Torrs. A cette fin, par exemple, les moyens de pompage sont mis en marche pour créer un vide relatif puis les moyens 3 sont réglés pour faire régner la pression absolue désirée. L'enceinte 1 est reliée d la masse 10 par tout moyen convenable. Le volume interne 11, délimité par l'enceinte 1, est accessible par une ouverture 129 par exemple ménagée dans la paroi de fond la. L'ouverture 12 est, dans le cas présenta fermée par un panneau 12a amovible supportant, par des pieds isolants 13, un portesubstrat 14 qui peut être polarisé de façon continue ou alternative par une source de tension 15 ainsi que thermostaté. Le volume interne 11 de l'enceinte 1 contient une enveloppe 16 de confinement magnétique constituée par une cage multipolaire qui est maintenue par des supports isolants 17. Cette cage multipolaire peut être mise à la masse ou polarisée par l'intermé- diaire d'une source de tension 18. Le porte-substrat 14 est monté de maniere a être dispose dans le volume interne 19 de l'enveloppe de confinement magnétique. L'enceinte 1 est associée à un générateur 20 d'ondes hyperfréquences qui excitent le milieu gazeux, par tout moyen approprié 21, pour produire le plasma qui diffuse à l'intérieur de l'enveloppe 16. Le moyen 21 est, à cet effet, placé en regard d'une fenêtre 21a ménagée dans l'enveloppe 16. Des moyens 22 d'analyse du plasma créé sont adaptés sur l'enceinte 1 qu'ils traversent, de même que l'en- veloppe 16. Ces moyens 22 sont, par exemple, constitués par des sondes de LANGMUIR. Dans l'exemple illustré, la cage multipolaire est cons tituée, comme illustré par la fig. 2. Cette cage comprend une armature 23 supportant des barreaux 24 à caractère magnétique permanent. L'armature 23 est conformée de manière à maintenir les barreaux 24 parallèlement entre eux > avec un faible écartement relatif, de façon, en outre, qu'ils présentent chacun, en direction du volume interne défini par la cage multipolaire, une face de polarité successive différente. Le champ magnétique, ainsi créé entre les barreaux 24 et schématisé par les flèches et les références à la fig. 2s possède un effet réflecteur pour les électrons du plasma qui est ainsi confiné à l'intérieur du volume 19. L'armature 23 peut être réalisée en toute matière amagnétique et, par exemple, en acier inoxydable. De façon à limiter la perte d'électrons dans la partie des cônes de perte correspondant aux intersections des lignes de force du champ au droit de chaque barreau 24-, il est avantageusement prévu de compléter l'enveloppe de confinement magnétique par des moyens de confinement électrostatique. Ces moyens comprennent, par exemples une couche de matière isolante recouvrant la face de chaque barreau dirigé vers le volume interne délimité par l'enveloppe 16. Dans le cadre d'application dans le domaine de la microélectronique, en vue, par exemple, de produire une gravure, une oxydation ou un dépôt sur des substrats, tels que S, ces derniers sont montés fixes, immobilisés de toute façon convenable sur le portesubstrat 14, de manière que la face à traiter soit exposée au plasma créé à l'intérieur du volume 19. Dans le cas d'application à la production d'ions positifs ou négatifs, l'ouverture 12 est garnie dune grille convenablement polarisée par la source 15 pour produire l'extraction puis l'accele- ration éventuelle des ions produits. La fig. 1 montre qu'il est possible, également, d'amé- liorer les caractéristiques du plasma produits notamment en abaissant sa température par l'intermédiaire d'un filtre magnétique 31 associé à l'enveloppe I6S de façon d diviser le volume 19 en une partie 19a de production du plasma et en une partie 19b d'utilisa- tion pour l'exposition, par exemple5 des substrats S. Le filtre magnétique 31 est réalisé d'une façon analogue a ce qui est décrit ci-dessus pour ce qui concerne l'enveloppe de confinement magnétique, sauf a ménager entre les barreaux 24 un intervalle plus grand, de manière à offrir une possibilité accrue de transmission du plasma. Le filtre magnétique peut comporter aussi des moyens de confinement électrostatique. L'invention ntest pas limitée aux exemples décrits et représentés, car diverses modifications peuvent y étre apportées sans sortir de son cadre. REVENDICATIONS : 1 - Procédé de production d'un plasma de grand volume homogène, de grande densité et de faible température électronique, caractérisé en ce qu'on - procède, par ondes hyperfréquences, à l'excita tion d'un milieu gazeux dans une enceinte, - - maintient ce plasma dans une enceinte au moins par confinement magnétique, - met en oeuvre des moyens propres à entretenir dans l'enceinte une pression absolue comprise entre 10 5 et 10 Torrs. 2 - Procédé selon la revendication 1, caractérisé en ce qu'on maintient, en outre, le plasma par un confinement électrostatique. 3 - Procédé selon la revendication 1, caractérisé en ce qu'on met en oeuvre un filtre magnétique séparant le volume occupé par le plasma en une partie de création dudit plasma et en une partie d'utilisation dudit plasma. 4 - Procédé selon la revendication 1, 2 ou 33 caractérisé en ce qu'on expose des substrats a l'action du plasma à l'intérieur de l'enceinte. 5 - Procédé selon la revendication 1, 2 ou 3, caractérisé en ce qu'on extrait des ions du plasma produit dans l'enceinte. 6 - Procédé selon l'une des revendications 1 à 5, caractérisé en ce qu'on excite un milieu gazeux réactif. 7 - Procédé selon la revendiction 1, caractérisé en ce qu'on excite le milieu gazeux au moyen d'ondes hyperfréquences comprises dans la gamme 1 à 10 gigahertz 8 - Procédé selon la revendication 79 caractérisé en ce qu'on excite le milieu gazeux au moyen d'ondes hyperfréquences voisines de 2,45 gigahertz. 9 - Dispositif pour la production d'un plasma de grand volume homogène, de grande densité et de faible température électronique, caractérisé en ce qu'il comprend - une enceinte étanche (1) raccordée à un circuit de pompage (7) et à un circuit (3) d'apport d'un milieu gazeux, ces circuits étant propres à maintenir une pression déterminée dans l'en- ceinte, - une enveloppe (16) de confinement au moins ma gnétique interne à l'enceinte et isolée de cette dernière, - un générateur (20) d'ondes hyperfréquences abou tissant à un dispositif (21) d'excitation du mi lieu gazeux9 ce dispositif étant placé face à une fenêtre (21a) de l'enveloppe, - et des moyens (22) d'analyse du plasma à l'in térieur de l'enveloppe de confinement. 10 - Dispositif selon la revendication 9, caractérisé en ce que l'enceinte comporte une ouverture (12) fermée par un panneau amovible (12a) supportant un porte substrat (14) s'étendant dans l'enveloppe et relié à une source de polarisation. 11 - Dispositif selon la revendication 9, caractérisé en ce que l'enceinte comporte une ouverture (12) occupée par une grille d'extraction d'ions reliée à une source de polarisation. 12 - Dispositif selon la revendication 9, caractérisé en ce que l'enveloppe de confinement magnétique est associée à des moyens de confinement électrostatique 13 - Dispositif selon la revendication 9 ou 12, caractérisé en ce que l'enveloppe de confinement est associée à un filtre magnétique (31) divisant l'enveloppe an deux parties. 14 - Dispositif selon la revendication 9, caractérisé en ce que l'enveloppe de confinement est constituée par une cage multipolaire formée par des barreaux (24), à caractère magnétique permanent, portés par une armature amagnétique (23) > s'étendant parallè- lement entre eux et offrant, en direction du volume que l'enveloppe délimite, une face de polarité successivement différente. 15 - Dispositif selon la revendication 11, 12 ou 14, caractérisé en ce que l'enveloppe de confinement comporte des moyens de confinement électrostatique comprenant des couches de matière isolante s'étendant devant les faces des barreaux dirigées vers l'intérieur de l'enveloppe. 16 - Dispositif selon la revendication 13, caractérisé en ce que la barrière magnétique est associée sur ses deux faces à des moyens de confinement électrostatique.