FR 2537778 A1 19840615 FR 8319680 A 19831208 La présente invention se rapporte aux composants semi-conducteurs et concerne plus particu- lièrement un nouveau procédé de fabrication de plusieurs composants semiconducteurs à partir d&une plaquette commune. Les phases initiales de la fabrication des composants semi-conducteurs de puissance comme les redres- seurs commandés ou similaires, se déroulent normalement dans une installation de fabrication de plaquettes dans laquelle des jonctions sont formées dans une plaquette de très grand diamètre pour plusieurs composants iden- tiques Après la formation des jonctions dans la grande plaquette, les composants individuels sont séparés de la plaquette et sont ensuite traités séparément, généralement dans une installation d'assemblage Dans le traitement ultérieur, un contact de plaques de dilatation est d'abord allié au-dessous des éléments individuels d'une plaquette. Ensuite, des métaux de contact sont appliqués sur la surface supérieure des éléments individuels Ce processus de métallisation de contact nécessite normalement un masquage et une gravure-oxydation pour chaque élément individuel d'une plaquette. Cette séquence consistant à allier d'abord le contact de dilatation et à appliquer ensuite des contacts métalliques était nécessaire car les contacts métalliques utilisés dans les composants de puissance sont généralement d'aluminium Le métal de contact daliuminium. peut diffuser dans la surface de la plaquette aux températures d'alliage uiilisées pour appliquer le contact de dilatation au-dessous de la plaquette, ce qui pourrait perturber la configuration des jonctions; diffusées. Après la métallisation, la surface extérieure des éléments individuels est rendue conique pour augmenter la tension d'amorçage du composant Ce processus met en oeuvre une attaque par un acide ou un meulage suivi par une attaque acide pour éliminer les dommages provoqués par le meulage Cependant, le contact d'aluminium peut être attaqué par l'acide utilisé dans l'opération de cham- freinage De plus, il est nécessaire de protéger la métallisation en la recouvrant par exemple par un placage d'or ou par de la cire avant l'opération d'attaque par un acide. Toutes ces opérations étaient exécutées dans une installation d'assemblage sur des éléments indivi- duels de plaquette qui devaient être manipulés séparément. Ainsi, les phases supplémentaires et les manipulations séparées augmentent considérablement le prix des composants et réduit le rendement de fabrication. Selon l'invention, une métallisation est appliquée sur la plaquette dans l'installation de fabrication des plaquettes avant que cette dernière ne soit coupée en ces composants individuels La métallisation utilise du nickel et de l'argent Cette métallisation forme un contact ohmique sur les surfaces sous-jacentes de silicium mises à-nu et elles peuvent subsister après les températures d'alliage, utilisées pour le contact de dilatation sur un élément individuel d'une plaquette Après que la métal- lisation a été appliquée à la plaquette, cette dernière est coupée en éléments individuels Ces éléments sont ensuite alliés aux contacts de dilatation inférieurs dans une opération d'alliages sous vide mettant en oeuvre des températures aussi élevées que 650 'C pendant 30 minutes. Etant donné que la métallisation comporte une couche extérieure d'argent, un produit d'attaque caustique chaud peut être appliqué à la surface extérieure des éléments de la plaquette après l'opération de chamfrei- nage, sans qu'il soit nécessaire de protéger la métalli- sation contre le produit d'attaque caustique De préférence, de la potasse caustique est utilisée pour l'opération d'attaque et de l'acide citrique est utilisé pour le rinçage final De la soude caustique peut également être utilisée comme produit d'attaque Etant donné qu'aucune protection de la métallisation n'est nécessaire pendant l'attaque de la surface extérieure du composant, plusieurs 2537778; opérations sont économisées, comparativement à l'opération antérieure de chamfreinage utilisant un acide et un contact d'aluminium plaqué de nickel. Le procédé permet de fabriquer des composants semi-conducteurs à grande puissance qui peuvent être par exemple des redresseurs commandés au silicium ayant des tensions inverses allant jusqu'à 5000 Volts et des courants directs supérieurs à 50 Ampères environ Mais l'invention peut aussi s'appliquer à tout composant à grande puissance comprenant un contact de plaques de dilatation et/ou une surface extérieure conique. Egalement selon l'invention, lorsque du silicium poli doit recevoir un contact, l'opération d'attaque est utilisée pour éliminer de 1 à 3 gm de la surface de silicium avant l'application d'un premier revêtement de nickel Si l'attaque est inférieure à 1 gm, un décollement-des couches de nickel argent est observé. Au-dessus de 3 Am, les caractéristiques de tension et de courant de grille d'un redresseur commandé sont per- turbées Une manière de traiter la surface du silicium consiste à utiliser un produit d'attaque comprenant deux parties d'acide fluorhydrique, neuf parties d'acide nitrique et quatre parties d'acide acétique La solution d'attaque est appliquée sur la surface de silicium pendant environ 15 secondes Cela élimine environ 2 Nom d'une surface de silicium poli. Immédiatement après l'opération d'attaquen une couche de nickel est évaporée sur la surface de sili- cium traitée jusqu'à une épaisseur de 125 à 1000 Angstroms. La couche de nickel forme un siliciure dans la chambre sous vide si le substrat est modérément chauffé ('O Oo C est plus que suffisant) et s'il existe une surface de silicium très propre Pendant l'évaporation de la couche de nickel, la chaleur rayonnée par la surface du nickel bouillant délivre une énergie considérable vers les surfaces de la plaquette De même, l'évaporation des atomes de nickel eux-mêmes produit des impacts avec une énergie cinétique considérable Des résultats excellents 2537778, ont été obtenus à une température d'évaporation aussi basse que 60 c A 1200 C, la métallisation à quatre couches adhère fortement sur l'oxyde sous-jacent et il commence à devenir difficile de la séparer de l'oxyde L'épaisseur de nickel est critique -Si elle est trop grande, au-dessus d'environ 300 Angstroms, un décollement se produit Si elle est trop faible, au-dessous d'environ 100 Angstroms, la métallisation ne se détache pas de l'oxyde. Il s'est avéré que si les couches de métal- lisation recouvrent une couche d'oxyde au-dessus de la surface de silicium, la métallisation se décolle facile- ment de la couche d'oxyde mais adhère très bien à la surface de silicium mise à nue et traitée. En plus d'adhérer fortement au silicium sous-jacent, mais non au silicium oxydé, la métallisation ci-dessus présente également les caractéristiques sui- vantes ( 1) La métallisation résiste aux tempéra- tures d'alliage au cours des opérations suivantes de fabrication d'un composant semi-conducteur, comme des températures de 6500 C qui se rencontrent dans une opération d'alliage sous vide. type N et de diverses résistivités. ( 3) Là nouvelle métallisation a une faible impédance latérale. ( 4) La métallisation est couverte par une couche d'argent et résiste donc aux produits chimiques utilisés dans de nombreuses opérations suivantes de traitement de fabrication d'un composant semi-conducteur. ( 5) La métallisation résiste à la fatigue thermique qui peut apparaître pendant le fonctionnement du composant semi-conducteur auquel elle est associée. ( 6) La métallisation est soudable et ne nécessite l'utilisation d'aucun revêtement de soudage pour connecter des fils sur la métallisation. 2537778, D'autres-caractéristiques et avantages de l'invention apparaîtront au cours de la description qui va suivre. Aux dessins annexés, donnés uniquement à titre d'exemples nullement limitatifs: La figure 1 est une vue en plan d'une plaquette semiconductrice qui contient un grand nombre de composants individuels qui sont simultanément traités dans une installation de fabrication de plaquettes, La figure 2 est une coupe suivant la ligne 2 -2 de la figure 1, La figure 3 représente l'un des éléments de plaquette des figures 1 et 2 après avoir été séparés par laser de la plaquette dans une opération antérieure, La figure 4 montre l'élément de la figure 3 après avoir été allié avec un contact molybdeme selon une technique antérieure, La figure 5 montre la plaquette de la figure 4 après une opération de masquage et d'attaque d'oxyde, en préparation à la formation d'un contact de type antérieur, La figure 6 montre la plaquette de la figure après l'évaporation d'un contact d'aluminium sur la surface supérieure du composant, selon un procédé anté- rieur, La figure 7 montre la plaquette de lafigure 6 après que le contact d'aluminium a été plaqué de nickel plaqué d'or et décollé de l'oxyde, avec les bords du dispositif meulé et de la cire pulvérisée sur la surface supérieure, La figure 8 montre le dispositif de la figure 7 après les opérations antérieures de chamfreinage, de gravures, d'enlèvement de cire et d'application d'un vernis sur la surface extérieure, La figure 9 montre la plaquette de la figure 2 après une opération de masquage photographique et de gravures d'oxydation de la plaquette non séparée, et après la nouvelle opération de gravure de silicium pour préparer la surface de métallisation, La figure 10 est une figure à très grande échelle d'une partie de la plaquette de la figure 9 après la métallisation avec quatre couches métalliques successives qui adhèrent fortement sur la surface de silicium traitée, La figure 11 montre la structure de la figure 10 après une opération de frittage et décollement dans laquelle la métallisation est séparée du revêtement d'oxyde sur la plaquette de silicium, La figure 12 représente un élément séparé de la plaquette de la figure 2, 9, 10 et 11 par une opé- ration de séparation par laser et montre un contact molybdème qui est ensuite allié à l'élément et La figure 13 représente Le dispositif de la figure 12 après le chamfreinage et le traitement avec un produitd'attaque caustique chaud et l'application d'un revêtement de passivation sur la surface extérieure du composant. Tout d'abord, les figures 1 et 2 représentent une plaquette 20 de silicium de type courant qui peut avoir toute configuration voulue et dont l'épaisseur est considérablement exagérée pour clarifier En général, la plaquette 20 peut avoir un diamètre de 100-mmn et une épais- seur de 0,25 à 1 mm, généralement 0,375 mm -La plaquette est traitée dans une installation appropriée de fabrication de plaquette qui assure des conditions de propreté extrême pour le traitement d'une plaquette de la manière voulue. A titre d'exeraple; la plaquette des figures 1 et 2 a été traitée pour former des jonctions pour plusieurs redres- seurs commandés ou thyristors Ainsi, l'ensemble de la plaquette 20 reçoit une couche 21 de type B suivie par une couche 22 de type N, suivie à son tour par une couche 23 de type P Les redresseurs commandés qui doivent être formés comportent une configuration de grille centrale et comprennent tous une région de cathode annulaire 24 de type N La couche sous-jacente 23 de type P, qui est la région de grille de chaque composant est exposée au centre de chaque région annulaire 24. La phase finale de la fabrication de la plaquette dans la technique antérieure pour la plaquette d'ensemble 20 est la formation des régions de cathode 24. Pendant cette opération, qui est généralement une opération de diffusion, une couche d'oxyde 26 est produite par croissance sur la surface de la plaquette 20 Cette couche d'oxyde 26 peut avoir par exemple une épaisseur de 1,25 gm et elle est utilisée au cours du traitement suivant du composant. Il peut être souhaitable de continuer avec les phases de traitement pour terminer les composants formés dans la plaquette des figures 1 et 2 dans l'ins- tallation de fabrication des plaquettes qui est mieux adaptée pour exécuter des opérations telles que masquage, attaque d'oxyde et autres En outre, il pourrait être souhaitable de métalliser les diverses régions P et N W la surface de la plaquette de la figure 2, qui doivent recevoir des contacts ou des électrodes pendant que la plaquette se trouve dans l'installation de fabrication des plaquettes Mais cela ne peut se faire avec les systèmes de contacts existents, comme d'aluminium, risquant-de diffuser dans le silicium pendant les phases d'alliage suivantes qui sont nécessaires pour fixer des contacts de type de plaques de dilatation sur la surface inférieure des éléments de plaquette Par conséquent, dans les opérations antérieures, les plaquettes 20 à la phase de fabrication des figures 1 et 2 étaient sorties de l'ins- tallation de fabrication des plaquettes. Les éléments de plaquette, comme les éléments 25 de la figure 3, étaient ensuite séparés de la plaquette , par exemple par laser Dans l'exemple des figuires 1, 2 et 3, sept éléments de plaquettes circulaires indivi- duels 25, ayant chacun un diamètre par exemple de 18 mm sont séparés de la plaquette 20 Quand leur traitement est terminé,-les éléments 25 doivent être utilisés dans des redresseur commandés qui peuvent avoir des tensions inverses nominales allant jusqu'à 5000 Volts et-des courants directs nominaux supérieurs à 50 Ampères Des nombres différents d'éléments peuvent être découpés dans la plaquette 20, en-fonction de la valeur nominale des com- posants formés Il faut également noter que la descrip- tion de l'invention qui va suivre est orientée sur l'exemple d'un redresseur commandé Cependant, l'inven- tion peut d'appliquer à tout composant formé dans une plaquette de silicium indépendamment du nombre des jonctions ou de leur configuration, et pourrait également s'appliquer à la fabrication d'un composant unique dans une seule plaquette. Toutes les phases qui suivent les opérations de découpage au laser de la figure 3 sont généralement exécutées dans une installation d'assemblage qui n'est pas aussi propre ou aussi bien contrôlée que l'installation de fabrication des plaquettes Mais les-conditions dans l'installation d'assemblage sont d'une qualité normalement suffisante pour permettre d'exécuter les opérations sui- vantes qui sont décrites en regard des figures 4 à 8 se rapportant à la technique antérieure. Dans la première opération exécutée, et comme le montre la figure 4 pour l'élément individuel 25, plusieurs éléments individuels 25 sont alliés avec des contacts de plaques de dilatation comme le contact 30, qui peuvent être en molybdème ou en tungstène ou similaire. En général, le contact 30 est un contact de molybdème avec le même diamètre que la plaquette 25 et une épaisseur de 0,75 à 3 mm, généralement 1,5 mm Il faut noter que les dimensions relatives de la plaquette et des contacts sont changées sur les figures 4 à 8 pour plus de clarté L'al- liage du contact 30 avec la plaquette 25 se fait à une température relativement élevée O Par conséquent, l'opé- ration d'alliage antérieure était effectuée avant l'appli- cation des contacts d'aluminium aux régions 23 et 24 de la plaquette 25 car un contact d'aluminium peut diffuser dans ces régions aux températures d'alliage et former une région de type P dans la région de type N 24. Ensuite, et comme le montre la figure 5, la surface supérieure des éléments individuels 25 est 2537778 'T masquée photographiquement et la couche d'oxyde 26 est attaquée pour couvrir une fenêtre annulaire 31 sur la région annulaire 24 de type N et pour ouvrir une fenêtre centrale 32 au centre de chaque élément de pastille 25. La fenêtre 31 peut ensuite recevoir un contact de cathode pour le redresseur commandé tandis que la fenêtre centrale 32 peut recevoir un contact de grille. Comme le montre la figure 6, une couche de contact d'aluminium 33 est ensuite évaporée ou appliquée par tout autre moyen sur la surface supérieure de l'élé- ment de plaquette 25,-avec la substance photosensible restant en place sur l'oxyde La couche 33 pénètre dans les fenêtres 31 et 32 pour faire contact avec les régions de cathode et de grille des éléments de pastille 25 La couche d'aluminium 33 peut avoir une épaisseur de 0,125 mnm. L'élément de plaquette 25 de la figure-6 est ensuite placé dans un four et exposé à une température élevée dans une atmosphère neutre ou réductrice afin de fritter la couche d'aluminium dans la surface de silicium et de décomposer la couche photosensible L'aluminium n'adhère pas à la couche d'oxyde 33 sous-jacente mais adhère à la couche photosensible décomposée Ensuite, après l'opération de frittage, l'aluminium qui recouvre l'oxyde 33 est facilement décollé et l'aluminium ne reste que dans les fenêtres 31 et 32, adhérant sur la surface de silicium de l'élément de plaquette 25. Ensuite, et comme le montre la figure 7, la surface supérieure de la plaquette est plaquée de nickel, le placage de nickel adhérant sur la surface supérieure du contact d'aluminium 33 Le placage de nickel a une épaisseur d'environ 0,75 um et il est soudable pour des conducteurs qui sont ensuite appliqués Après l'opération de placage de nickel de la figure 7, de l'or est plaqué sur le nickel jusqu'à une épaisseur de 3000 Angstroms Les couches de nickel et d'or sont représentées collectivement par la référence 35 Le placage d'or est utilisé pour protéger le nickel et l'aluminium sous-jacents contre l'attaque acide-qui va suivre La surface supérieure de l'élément de plaquette 25 est ensuite recouvert d'un revêtement de cire 36 qui protège les surfaces revêtues contre l'attaque par un acide utilisé ensuite. Ensuite, et comme le montre la figure 8, la surface extérieure de la plaque de 25 est chamfreinée, par exemple par meulage Le chamfrein représenté sur la figure 8 comporte une première surface conique 40 qui fait un premier angle d'interception de la limite de la plaquette d'environ 35 à la jonction inverse entre les régions 21 et 22 Une seconde surface conique 41 est également meulée, faisant un second angle d'interception entre la surface extérieure de l'élément de plaquette et la jonction directe entre les régions 22 et 23, de 20 à 100, par exemple de 4 Il faut noter que ces angles ne sont pas représentés à l'échelle, car les dimensions du composant ont été considérablement exagérées pour des raisons de clarté. Le composant est ensuite soumisà une attaque acide sur la surface extérieure Cette attaque acide ne peut attaquer ce qui reste du contact d'aluminium plaqué de nickel car il est protégé par la couche d'or et la couche de cire qui la recouvre Comme le montre la figure 8, la couche de cire 36 est ensuite décollée et le composant est soumis à une légère attaque de polis- sage Une couche de vernis 50-est ensuite appliquée sur la surface extérieure de l'élément 25 pour passiver les bords de la jonction attaquée Un produit approprié à base de silice peut aussi être appliqué à l'élément de plaquette. L'ensemble du composant de la figure 8 peut ensuite-être monté dans un boitier Des contacts élec- triques peuvent, être établis avec les couches de contact de cathode et de grille qui sont exposées par les fenêtres 31 et 32 -: - Le nouveau procédé selon l'invention, qui remplace le procédé décrit en regard des figures 3 à 8 sera maintenant décrit en regard des figures 9 à 13. Comme le montre la figure 9, il se trouve sur la même page que les figures 1 et 2, la plaquette de la figure 2 est soumise avant l'opération de découpage au laser, à un simple masquage photographique et à une attaque qui ouvre des fenêtres dans la couche d'oxyde 26 pour exposer les régions de cathode et de grille de chacun des éléments individuels 5 avant qu'ils soient séparés de la plaquette 20 Ainsi, comme le montre la figure 9, des fenêtres 60 et 61 qui sont respectivement une fenêtre annulaire et une fenêtre centrale sont situées sur les régions respectives de cathode annulaire 24 et de grille centrale de chacun des éléments 23 définis dans la pla- quette 20 A titre d'exemple, le procédé d'attaque d'oxyde pour ouvrir les fenêtres 60 et 61 peut utiliser une attaque courante d'oxyde à tampons Ces opérations sont exécutées dans l'installation de fabrication des plaquettes qui est conçué à cet effet Il faut noter que le processus équivalent de masquage et de gravure a été effectué dans la technique antérieure au cours de la phase de la figure 5 pour chacun des éléments 25 séparés dans une installation d'assemblage de plaquettes - Après l'ouverture des fenêtres 60 et 61, la surface exposée de la plaquette de siliciym 20 est traitée d'une nouvelle manière qui permet que les métaux de contact voulus adhèrent fortement sur le silicium traité mais non sur l'oxyde environnant Il est donc souhaitable d'utiliser une métallisation de contact de nickel, de chrome, de nickel et d'argent pour des compo- sants au silicium à grande puissance (ceux ayant un courant direct nominal supérieur à environ 50 ampères) si les métaux de contact adhèrent de façon sûre sur la surface de silicium sous-jacente après les opérations de traitement à haute température telles que celles utilisées pour allier des plaques de dilatation aux composants individuels Mais jusqu'ici, l'adhérence des métaux dans cette disposition n'était pas sûre car la couche d'argent supérieure se détachait fréquemment du nickel sous- jacent de façon non-contr 8 lée et apparamment arbitraire. En plus, la couche de nickel inférieure formait quelquefois des bulles à partir de la surface de silicium sous- jacente. Selon l'invention, et pour assurer que la métallisation adhère de façon sûre au silicium sous- jacent, le traitement préalable suivant de la surface de silicium exposée par les fenêtres 60 et 61 est utilisé. Après que les fenêtres 60 et 61 ont été ouvertes par l'é- limination de l'oxyde selon la figure 9, il est supposé que la surface mise à nu du silicium est exempte d'oxyde. En fait, il existe une couche de silicium saturée d'oxygène au-dessous de la surface de contact entre le silicium et le bioxyde de silicium Ainsi, une-quantité suffisante d'oxygène est libérée par les couches de surface supérieures du substrat de silicium pour entraîner un manque d'adhérence et un décollement des couches métallisées pendant une opération suivante de frittage. Selon l'invention, un nouveau produit d'attaque est utilisé pour éliminer une épaisseur suffisante de la surface de silicium mise à nu pour assurer que la surface. exposée soit complètement exempted'oxygène Il s'est avééré suffisant d'éliminer environ 1 à 3 gm de la surface polie exposée par les fenêtres 60 et 61 De préférence, deux microns doivent,;'être éliminés. Il s'est avéré que les problèmes de décolle- -25 ment sont présents si un micron ou moins est éliminé de la surface Si plus de trois microns environ sont éli- minés, les caractéristiques de tension et de courant de grille sont modifiées de façon inacceptable. L'attaque du silicium se fait de préférence en utilisant une solution d'attaque consistant en 2 parties d'acide fluorhydrique, 9 parties d'acide nitrique et 4 parties d'acide acétique, cette solution étant appliquée par les fenêtres 60 et 61 sur la surface de silicium exposée de la plaquette 20 pendant environ 15 secondes. Ensuite, la plaquette 20 est placée dans une cuvette de rinçage pendant environ 5 minutes pour éliminer l'acide. 2537778; Après le rinçage, la plaquette 20 est exposée à une légère attaque par 50 parties d'eau démi- néralisée et une partie d'acide fluorhydrique pendant environ 30 secondes Cette opération élimine 'oxyde chimique qui subsiste après l'attaque initiale utilisant l'acide nitrique comme un constituant La plaquette 20 est ensuite rincée dans une cuvette pendant environ 5 minutes et elle est séchée à la tournette de la manière habituelle. Les couches métalliques 70 à 73 de la figure 10 sont ensuite appliquées sur la surface traitée par des techniques d'évaporation sous vide Par exemple, après pompage d'un vide pendant 15 minutes envi-on, le substrat est chauffé à environ 1250 C Quand la pression a diminué jusqu'à environ 5 x 10 6 torr, une première couche de nickel 70 est évaporée sur la surface jusqu'à une épaisseur de 125 à 1000 Angstroms, de préférence 200 Angstroms La couche de nickel 70 doit avoir une épaisseur suffisante pour permettre sa conversion en siliciure de nickel pendant l'opération de dépôt Le substrat doit être à une température de 100 'C ou supérieure, pendant le dépôt du nickel pour faciliter sa conversion en siliciure. Le but de l'opération d'attaque du silicium est d'éliminer toute source d'oxygène de la surface traitée. Il semble qu'il existe normalement une couche de silicium saturée d'oxygène immédiatement au-dessous de la surface Si O 2/Si Si-cette couche est laissée non perturbée pendant la formation de siliciure, il semble que des atomes d'oxygène de la région considérée deviennent extrêmement mobiles et diffusent vers le haut pour être piégés à la surface de contact entre le nickel et l'argent Le résultat final est une pellicule oxydée qui détruit la surface de contact entre le nickel et l'argent, ce dont il résulte des décollements - De plus, la couche de nickel 60 produit des bulles à partir du substrat si de l'oxygène est présent dans ce dernier au-dessous du nickel après la fin de la métallisation Cependant, l'attaque du silicium élimine toute trace d'oxygène de la surface exposée de la plaquette desilicium monocristallin et résoud le problème de décollement à la surface de contact entre le nickel et L'argent ainsi que le problème de séparation entre le nickel et le silicium. Les couches 71, 72 et-73 respectivement de chrome, de-nickel et d'argent sont ensuite évaporées séparément sur la couche 70 comme le montre la figure La plaquette est ensuite laissée à refroidir jusqu'à la température ambiante. La couche de chrome 71 a une épaisseur suffisante pour agir comme barrière de diffusion et elle peut avoir par exemple une épaisseur de 500 à 3000 Angstroms, de préférence 1500 Angstroms La couche de nickel 72 a une épaisseur suffisante pour éviter l'érlission d'argent de la couche 73 vers la couche 71 et peut avoir par exemple une épaisseur de 1000 à 6000 Angstroms, de préférence 4000 Angstroms La couche d'argent 73 est suffisamment épaisse pour recevoir des connexions soudées et elle doit être supérieure à 1 Nom environ, par exemple 6 gm. Après l'opération de dépôt de métal, une opération de décollement a lieudans laquelle la couche de nickel et les couches métalliques 71, 72 et 73 se trouvant au-dessus de'la couche d'oxyde sous-jacente 26 sont décollées de l'oxyde comme le montre la figure 11. Pour effectuer cette opération de décol- lement, la plaquette 20 est plongée dans de l'eau démi- néralisée contenant un détergent et elle est exposée à de l'énergie ultrasonore pendant environ 15 minutes pour libérer le métal de la couche isolante 26 Les plaquettes sont alors exposées à un jet d'eau déminéralisée qui élimine tout le métal décollé se trouvant sur la couche 26 de bioxyde de silicium La plaquette est ensuite rincée et séchée sur tournette, puis inspectée à la recherche d'un métal résiduel Un métal résiduel doit être soufflé avec un jet d'azote. La plaquette 20 a maintenant l'apparence générale de la figure 11, selon laquelle les couches 70, 71, 72 et 73 adhèrent fermement sur les régions exposées dans les fenêtres 60 et 61 La métallisation résiste à des températures qui sont ensuite appliquées aux com- posants pendant l'alliage ou d'autres opérations de traitement. En outre, la métallisation résiste à certains produits d'attaque chimique qui sont ensuite appliqués sur les éléments de plaquette 25 En outre, la métallisation réduit la résistance des connexions du silicium de type P ou de type N et les contacts sont soudables, ayant une faible impédance latérale et résistance à la fatigue thermique. La métallisation permet également d'appliquer un nouveau procédé pour compléter la structure de la plaque 25 comme le montrent les figures 12 et 13 Plus particulièrement, cette nouvelle métallisation permet un alliage sous vide des éléments individuels de plaquettes sur des plaques de dilatation après-la métallisation Il en est ainsi car il n'y a aucune diffusion de métal de contact ou aucun dommage pendant l'alliage et grâce au fait que le bord de la jonction peut être attaqué par un produit d'attaque caustique qui n'attaque pas l'argent sous-jacent de la métallisation. Ainsi, pendant la phase suivante de l'ensemble du processus, les éléments individuels 25 métallisés de la figure 1 sont coupés par exemple au laser, à partir de la plaquette 20 des figures 9, 10 et 11 Chaque élément individuel 25 est ensuite lié avec une plaque de dilata- tion comme la plaque 80 représentée sur la figure 12 La plaque de dilatation -80 peut être par exemple un disque de molybdème ayant une épaisseur de 1,5 mm L'opération d'alliage sous vide se fait dans l'azote à une pression d'environ 4 x 10 5 torr à une température d'environ 650 'C, pendant environ 30 minutes Un grand nombre d'éléments 25 sont traités simultanément Etant donné que l'opération d'alliage sous vide de la figure 12 se fait après que 25377781- les métaux de contact ont été appliqués, les différentes phases du procédé antérieur des figures 5, 6 et 7, sont éliminées. Après l'opération d'alliage, les surfaces extérieures des éléments individuels 25 sont meulés sur une meule de diamant, par exemple, pour former une première surface conique 90 représentée sur la figure 13 La surface 90 peut former un angle d'environ 35 avec la jonction entre les régions 21 et 22 Ensuite, une seconde surface conique 91 est meulée, faisant un angle d'environ avec la jonction entre les régions 22 et 23 Ces angles ne sont pas représentés à l'échelle sur la figure 13 Les éléments de plaquettes 25 sont ensuite rincés avec de l'ea déminéralisée et sont nettoyés dans un bain de nettoyage aux ultrasons. Ensuite, la surface extérieure meulée de la plaquette 25 est soumise à une nouvelle attaque caustique qui élimine les dommages provoqués à la surface extérieure par l'opération de meulage Cette nouvelle opération d'attaque caustique peut être effectuée sans qu'il soit nécessaire d'utiliser un placage d'or ou une cire de protection, ou autre, sur la couche de métallisation car la couche d'argent 73 résiste à l'attaque caustique Le fluide d'attaque caustique est de préférence de la potasse caustique. Plus particulièrement, et selon l'invention, une solution d'environ 80 g de potasse caustique dans environ 1 litre d'eau déminéralisée est chauffée jusqu'à environ 95 à 1000 C Une solution de 80 g d'acide citrique dans environ 1 litre d'eau déminéralisée à la température ambiante est également préparée Les éléments 25 sont d'abord placés dans l'eau déminéralisée coulant à chaud pendant environ 1 minute Ils sont ensuite placés dans la solution de petasse caustique pendant environ 3 minutes, le support qui contient les éléments 25 étant agité constamment Les éléments sont ensuite sortis de la solu- tion de potasse caustique et placés dans de l'eau chaude déminéralisée en circulation pendant environ 3 minutes. 2537778; Ensuite, les éléments sont placés dans la solution d'acide citrique dans environ 30 secondes tout en étant agités constamment Les éléments sont ensuite p Longés dans de l'eau désionisée chaude en circulation pendant environ 2 minutes et sont ensuite séchés, par exemple par rayonnement sous une lampe à infrarouge. Les éléments de plaquettes 25 sont ensuite chargés dans un plateau de revêtement et leurs surfaces sont revêtues d'un revêtement 100 de passivation comme le montre la figure 13 Le revêtement 100 tru de tout type voulu De préférence, il consiste en une silicone telle que Q 1-4935 fabriquée par Dow Corning Company Après le revêtement avec ce produit, les éléments 25 sont placés dans une chambre à vide pendant environ 10 minutes et sont ensuite chauffés à environ 325 'C pendant environ 20 minutes Les éléments terminés peuvent alors être montés dans un boitier ou être traités par tout autre moyen. Bien entendu, diverses modifications peuvent être apportées par l'homme de l'art au procédé décrit et illustré à titre d'exemple nullement limitatif sans sortir du cadre de l'invention. 2537778 i REVENDICATIONS 1 Procédé de métallisation d'une partie de surface d'une plaquette ( 20) de silicium monocristallin, caractérisé en ce qu'il consiste initialement à éliminer une épaisseur-d'au moins un micron de ladite-partie de surface pour assurer l'élimination d'une contamination d'oxygène intempestive dans ladite partie de surface, puis à déposer une mince couche de nickel ( 70) sur ladite partie de surface ( 60,61) et à convertir au moins une partie de l'épaisseur de Jadite couche de nickel en siliciure de nickel, puis à déposer au moins une couche ( 71, 72, 73) d'un métal de contact au- dessus de ladite couche de nickel, ladite couche de métal de contact étant fixée de façon tenace sur ladite partie de surface. 2 Procédé de métallisation de plusieurs parties de surfaces exposées d'une plaquette de silicium ( 20), lesdites parties de surface étant pour des éléments identiques de plaquettes qui doivent ensuite être séparées les uns des autres, la surface de métallisation pouvant résister à des températures de traitement supérieures à environ 650 'C et faisant contact ohmique avec du silicium de type N ou P, et résistant à toute une variété de produits d'attaque chimique, et pouvant être facilement soudés, ce procédé consistant à appliquer un revêtement isolant sur une surface de ladite plaquette de silicium, à effectuer un masquage photographique et une gravure a travers ledit masque pour exposer au moins une partie de surface prédéterminée de ladite surface à travers ledit revêtement isolant, procédé caractérisé en ce qu'il consiste ensuite à éliminer une épaisseur d'au moins un micron de ladite partie de surface ( 60, 61) tout en laissant ledit revêtement isolant intact pour assurer l'élimination d'une contamination d'oxygène intempestive dans ladite partie de surface, à déposer une mince couche continue ( 70) d'un métal formant un siliciure au-dessus de ladite partie de surface et au-dessus des surfaces voisines du revêtement isolant et à convertir au moins une partie de 19 2537778 1 l'épaisseur dudit métal forma-nt un siliciure en un siliciure métallique, à déposer au moins une couche d'un métal faisant contact ( 71, 72, 73) audessus de ladite couche d'un métal formant un siliciure, à appliquer une contrainte de décollement auxdites couches métalliques pour éliminer ladite couche de formation de siliciure et ladite couche de métal de contact au-dessus dudit revêtement isolant, avec la couche de formation de siliciure et ladite couche de contact adhérant fortement sur ladite partie de surface de ladite plaquette de silicium, à découper ladite plaquette de silicium en plusieurs éléments ( 25) qui contiennent tous au moins l'une desdites parties de surface exposée et à traiter ensuite chacun desdits plusieurs éléments pour compléter des composants semi- conducteurs respectifs. 3 Procédé selon la revendication 1-ou 2, caractérisé en ce que ladite épaisseur d'au moins 1 gm est éliminée de ladite surface par un produit d'attaque acide. 4 Procédé selon la revendication 1 ou 2, caractérisé en ce que l'épaisseur de la matière éliminée de ladite partie de surface est de 1 à 3 Dam. Procédé selon-la revendication 3,Ou 4, caractérisé en ce que ledit produit d'attaque acide consiste en un mélange d'acide fluorhydrique, d'acide nitrique, et d'acide acétique qui est appliqué sur ladite partie de surface pendant environ 15 secondes. 6 Procédé selon l'une quelconque des revendications 1 à 5, caractérisé en ce que ladite couche de nickel a une épaisseur dans la plage de 125 Angstroms à environ 1000 Angstroms. 7 Procédé selon l'une quelconque des revendications 1 à 6, caractérisé en ce que ladite couche de métal de contact est faite d'une matière qui résiste à un produit d'attaque, caustique. 8 Procédé selon l'une quelconque des re- vendications 1 à 7,-caractérisé en ce que ladite couche de métal de contact est en argent. 2537778 i 9 Procédé de réalisation de plusieurs composants semiconducteurs indentiques ( 25) qui sont traités simultanément et métallisés simultanément avec plusieurs couches de métallisation pendant qu'ils font partie d'une mince pastille plane commune ( 20) de silicium comprenant une première et une seconde surface parallèles, ladite métallisation adhérant de façon intime en contact ohmigue avec plusieurs parties espacées de ladite première surface et pouvant résister à des températures qui appa- raissent au cours d'opérations ultérieures de traitement, ladite métallisation comprenant un métal ( 70) ne formant pas de jonction en contact avec ladite première surface de ladite pastille et une couche extérieure de métal soudable qui ne réagit pas avec un produit d'attaque caus- tique, procédé caractérisé en ce qu'il consiste essentiel- lement à séparer plusieurs éléments de pastille ( 25) de ladite pastille ( 20) avec chacun desdits éléments de pastille comprenant au moins une région respective de métallisation sur au moins une partie de sa première surface, à fixer un contact respectf ( 30) de plaques de dilatation sur la seconde surface de chacun desdits éléments de plaquettes, et à attaquer la surface extérieure de chacun desdits éléments de plaquettes avec un produit d'attaque caustique. 10 Procédé selon la revendication 9, carac- térisé en ce qu'il consiste en outre à laver ledit produit d'attaque caustique avec de l'acide faible. 11 Procédé selon la revendication 9, carac- térisé en ce que ledit produit d'attaque caustique consiste en de la potasse caustique, le procédé comportant en outre une opération de lavage avec de l'acide citrique après que ladite potasse caustique a été mise en contact avec ladite surface extérieure de chacun desdits éléments de plaquette pendant un temps donné, 12 Procédé selon l'une quelconque des revendications 9, 10 et 11, caractérisé en ce que chacune desdites plaques de dilatation est fixée sur l'un respectif des,éléments de plaquettes par alliage sous vide à des températures de l'ordre de 650 'C.