FR 2538200 A1 19840622 FR 8221396 A 19821221 PROCEDE D'ANALYSE D'UN DISPOSITIF PHOTOSENSIBLE A TRANSFERT DE LIGNE ET DISPOSITIF DE MISE EN OEUVRE D'UN TEL PROCEDE La présente invention concerne un procédé d'analyse d'un dispositif photosensible à transfert de ligne. Elle concerne également un dispositif de mise en oeuvre d'un tel procédé. On connait dans l'art antérieur, notamment par les demandes de brevet français NO 80.09112 et NO 81.07672, déposéés au nom de THOMSON-CSF, des dispositifs photosensibles dont l'analyse stef- fectue par transfert de ligne. Le problème que notre invention cherche à résoudre est, par rapport aux solutions connues qui seront exposées dans la description détaillée des figures, d'améliorer l'efficacité du transfert des charges-signal depuis les colonnes conductrices adressant les points photosensibles jusqu'au registre de lecture. En fait, le problème est d'améliorer l'efficacité du transfert sans dégrader les caractéristiques suivantes du dispositif photosensible à transfert de ligne : - le bruit ajouté au signal lu; - la quantité de charges que doit véhiculer le registre de lecture. Si cette quantité de charges est importante cela impose un registre de grande taille, donc une puissance de phases de commande élevée et des couplages entre phases de commande importants; - la résolution verticale à bas niveau de lumière. Le problème que notre invention cherche à résoudre est aussi d'assurer un transfert efficace des charges parasites depuis les colonnes jusqu'au drain d'évacuation, sans perturber le transfert des charges-signal et sans utiliser de drains au niveau de la zone photosensible. La présente invention permet de résoudre les problèmes énoncés précédemment. La présente invention concerne un procédé d'analyse d'un dispositif photosensible à transfert de ligne, ce dispositif compo tant une zone photosensible de M lignes de N points photosensibles, les points photosensibles des différentes lignes étant reliés en parallèle par des colonnes conductrices à une mémoire qui assure le transfert vers un registre de lecture des charges-signal d'une même ligne et qui assure le transfert vers un drain d'évacuation des charges-parasites se trouvant sur les colonnes avant l'arrivée des charges-signal. Selon l'invention, l'analyse de chaque ligne de la zone photosensible comporte les étapes suivantes: 10) transfert des charges-signal de la ligne sur les colonnes, puis -des colonnes vers la mémoire, en superposant aux chargessignal une première charge d'entraînement au moins suffisante pour permettre de passer en forte inversion au début du transfert des colonnes vers la mémoire, cette première charge d'entraînement étant stockée en mémoire et transférées sur les colonnes avant l'arrivée des charges-signal; 20) transfert des charges-signal de la mémoire vers le registre de lecture en leur superposant une deuxième charge d'entraînement, au moins suffisante pour permettre de passer en forte inversion au début du transfert, cette deuxième charge d'entraînement étant lue avec les charges-signal. Selon un mode de réalisation de l'invention, l'évacuation des charges-parasites se trouvant sur les colonnes avant l'arrivée des charges-signal comporte aussi les étapes suivantes: 1 ) transfert des charges-parasites des colonnes vers la memoire en leur superposant la même première charge d'entraînement que pour les charges-signal, le transfert ayant la même durée que le transfert des charges-signal des colonnes vers la - mémoire et la première charge d'entraînement étant toujours stockée en mémoire et transférée périodiquement sur les colonnes;; 20) transfert des charges-parasites de la mémoire vers le drain en leur superposant une troisième charge d'entraînement au moins suffisante pour permettre de passer en forte inversion au début du transfert, ce transfert ayant la même durée que le transfert des charges-signal de la mémoire vers le registre de lecture, et cette troisième charge d'entraînement étant évacuée avec les chargesparasites vers le drain. D'autres objets, caractéristiques et résultats de l'invention ressortiront de la description suivante donnée à titre d'exemple non limitatif et illustrée par les figures annexées qui représentent - les figures I et 2, des schémas illustrant deux procédés d'analyse selon l'art antérieur d'un dispositif photosensible à transfert de ligne; - la figure 3, une courbe montrant comment s'effectue dans le procédé de la figure 2, le transfert des charges-signal des capacités intermédiaires de la mémoire vers le registre de lecture - la figure 4, un schéma illustrant le procédé d'analyse selon l'invention; - les figures 5 et 6, des courbes montrant comment s'effettuent, dans le procédé selon l'invention, les transferts des charges des colonnes vers les capacités intermédiaires et des capacités intermédiaires vers le registre de lecture;; - la figure 7, un schéma d'un dispositif de mise en oeuvre du procédé selon l'invention; - les figures 8a à k, une vue en coupe transversale du dispositif de la figure 7 et des schémas expliquant son fonctionnement. Sur les différentes figures, les mêmes repères désignent les mêmes éléments, mais pour des raisons de clarté, les cotes et proportions des divers éléments ne sont pas respectées. La figure 1 est un schéma illustrant un procédé d'analyse d'un dispositif photosensible à transfert de ligne selon l'art antérieur. Ce procédé est décrit dans l'article paru dans la revue I.E.E.E. Journal of Solid State Circuits, volume SC 15, N 2, Avril 1980, page 2Q6, Sur la figure 1 on a représenté schématiquement une zone photosensible 1, constituée d'une matrice de M lignes comportant chacune N points photosensibles P. Cette zone reçoit l'image lumineuse à analyser et la transforme en charges électriques, dites charges-signal. Les points photosensibles d'une même ligne sont reliés entre eux et reliés à un registre d'adressage 2 qui permet de sélectionner une ligne de la matrice. Les points photosensibles d'une même colonne sont reliés à une même colonne conductrice. Les charges-signal créées dans chacun des points photosensibles d'une même ligne sont transférées en parallèle vers un registre de lecture 3 qui fournit l'information reçue en parallèle, en mode série. Cette information constitue le signal vidéo d'analyse de l'image optique reçue sur la zone photosensible 1. Le registre est de préférence à transfert de charge, de type C.C.D. Dans l'art antérieur constitué par exemple par les deux demandes de brevet citées, on a montré que l'on améliore l'éfficacité du transfert en superposant une charge d'entraînement QO à chaque charge-signal Q5 ; cette amélioration est surtout sensible lorsque la charge-signal est de faible amplitude. Dans l'article d'l.E.E.E. déjà cité, la charge d'entraînement est fournie par le registre de lecture lui-même. Dans ce cas, il y a en permanence injection d'une quantité de charges QO dans le registre. La charge d'entraînement QO est transférée sur chacune des colonnes avant l'arrivée de la charge-signal sur la colonne, comme cela est symbolisé sur la figure 1 par une-flèche allant du registre vers chaque colonne. Puis l'ensemble QS + QO, charge-signal plus charge d'entraînement, est transféré depuis chaque colonne jusqu'au registre de lecture et de là en série vers la sortie. Le transfert de Q5 + QO des colonnes vers le registré est symbolisé par une double flèche sur la figure. Les inconvénients de ce procédé d'analyse d'une dispositif photosensible à transfert de ligne sont les suivants. Compte-tenu de la capacité relativement importante des colonnes lorsque le nombre de lignes est grand, la charge d'entraînement QO doit être importante devant la charge-signal maximum. Par exemple, la capacité des colonnes est d'environ 3pf pour 625 lignes, ce qui conduit à utiliser une charge d'entraînement QO d'environ lpc pour une charge-signal maximum de 0,2 pc. Ceci a deux conséquences néfastes: - en sortie du registre de lecture, on obtient Q5 + QO et non QS seulement. Le bruit temporel est alors dominé par le bruit, du à la charge QO. Il n'est pas possible d'injecter une charge élevée dans un registre à transfert de charge sans lui superposer un bruit lié à la capacité d'entrée du registre et à la méthode d'injection.La capacité d'entrée du registre, et donc le bruit associé, sont d'autant plus importants que QO est élevée. La charge d'entraînement QO étant importante, on perd l'un des avantages du transfert de ligne qui est de permettre une lecture à faible bruit, - de plus, il faut véhiculer dans le registre de lecture non pas QS mais Q5 + QO. Il faut donc un registre de taille plus importante, ainsi qu'une puissance de phase de commande plus élevée et des couplages entre phases de commande plus importantes. Un autre inconvénient du procédé illustré par la figure 1 est que l'évacuation des charges parasites dues à la diaphotie (ou "smearing") ou à l'éblouissement (ou "blooming") ne peut être réalisée que par des drains situés près des points photosensibles. La Demanderesse considère qu'il est préférable que la lecture des charges parasites, comme celle des charges-signal, s'effectue à l'aide d'une charge d'entraînement QO. Or l'on ne dispose que d'une seule quantité de charge QO pour chaque colonne ; puisque QO est transférée vers la sortie avec les charges-signal, il n'est pas possible de disposer d'une charge d'entraînement QO pour lire les charges parasites. Il faudrait donc utiliser des drains situés au niveau de chaque point photosensible. La figure 2 est un schéma illustrant un autre procédé d'analyse d'un dispositif photosensible à transfert de ligne selon l'art antérieur. Ce procédé est décrit dans la demande de brevet français N 81.07672. L'examen de la figure 2 montre, par rapport à la figure 1, la présence entre la zone photosensible I et le registre de lecture 3 d'une mémoire de ligne 4. Cette mémoire comporte une série de capacités intermédiaires Cl, chaque capacité étant reliée d'une part à une colonne et d'autre part à des moyens de commutation symbolisés par des interrupteurs I et conduisant le contenu des capacités intermédiaires soit vers un drain d'évacuation, soit vers le registre de lecture. Selon ce procédé, une quantité de charge d'entraînement QO est stockée dans chaque capacité intermédiaire. Cette quantité de charge d'entraînement est transférée sur les colonnes avant l'arrivée des charges-signal QS, ensuite la quantité de charge QS + Qo est transférée dans chaque capacité intermédiaire. Ces deux séries de transferts sont représentés symboliquement par des flèches sur la figure 2. I1 est possible de transférer les quantités de charge Qo + QS dans le registre de lecture mais on préfére généralement n'y transférer que les quantités de charge QS ce qui permet d'éliminer le bruit dit spatial existant sur QO d'une colonne à l'autre et ce qui permet de ne pas surcharger le registre de lecture. Le transfert depuis chaque capacité intermédiaire jusqu'au registre de lecture doit donc s'effectuer de façon à laisser en arrière la quantité de charge QO. Ceci est réalisé par une barrière de potentiel qui laisse passer seulement les charges-signal QS en excès par rapport à QO. La figure 3 montre comment s'effectue au cours du temps t le transfert des charges depuis chaque capacité intermédiaire vers le registre de lecture. La caractéristique Q (t) de la figure 3 montre donc la décharge en fonction du temps t des capacités intermé diaires. Cette caractéristique comporte une partie sensiblement verticale, un coude, puis une partie sensiblement horizontale. Le transfert s'effectue d'abord en forte inversion puis en faible inversion. Soit une quantité de charge-signal Q51, telle qu'une capacité intermédiaire contienne une quantité de charge Qo + Q51 portant son point de fonctionnement au point A de la caractéristique Q (t) de la figure 3, c'est-à-dire sur la partie sensiblement verticale de cette caractéristique. Après le temps de lecture tl, la charge QS1 a été transférée dans le registre de lecture. Le point de fonction nement de la capacité est au point B de la caractéristique, c'est-à dire dans. la coude de la caractéristique et cette capacité ne renferme plus qu'une charge Q01 peu différente de QO. Le transfert de QS1 a été efficace car il s'est effectué en forte inversion. La Demanderesse a mis en évidence que le procédé de la figure 3 présente l'inconvénient suivant. Lorsque les quantités de charge-signal qui sont lues ont des valeurs sensiblement égales à Q51, le point de fonctionnement, sur la caractéristique de la figure 3 se déplace entre deux points proches du point A et du point B. Le transfert de QS1 est efficace car il s'effectue en forte inversion. En fait, la valeur des capacités intermédiaires étant faible, cela se traduit par une caractéristique Q (t) présentant une partie sensiblement verticale. Il suffit donc d'une charge-signal QS de faible valeur -de l'ordre de 0,05 pc, par exemple- pour que le point A se trouve sur la partie verticale de la caractéristique et que le transfert soit efficace et s'effectue en forte inversion. Par contre le procédé de la figure 3 devient très peu performant lorqu'il faut traiter des lignes qui sont très peu ou pas éclairées. En l'absence d'éclairement, le transfert vers le registre de lecture s'effectue, toujours pendant un temps tl, mais à partir du point B jusqu'au point C où la charge d'entraînement se trouve réduite à la valeur Q02 telle que : Qo2C Q01. Si plusieurs lignes successives sont dépourvues de signal, le point de fonctionnement va successivement passer de C en D, .,. puis en N. La charge d'entraînement est peu à peu réduite et passe de Q01 à Q02 puis à QON Le transfert à faible inversion qui se produit à chaque lecture de lignes non éclairées finit par creuser une "poche" importante dans la charge d'entraînement QO. La prochaine charge-signal qui suivra les lignes noires devra combler cette poche avant de pouvoir être transférée. Le transfert de- cette charge-signal s'effectuera donc en faible inversion avec une efficacité de transfert très détériorée. Supposons en effet une charge-signal QS2 qui fasse passer le point de fonctionnement de N en S. Le transfert pendant le temps t conduit du point S au point T. La charge transférée dans le registre en passant du point S au point T s'écrit Q(tS) s'écrit -Q(tT) =QS2 + QOn - Q(tT) Posons: Q(tT) = QON + #QO,+ l'inéfficacité de transfert s'exprime: Sur la figure 3, on voit graphiquement que 8 peut être supérieur à 50%. Le procédé de l'art antérieur illustré par la figure 3 produit donc une dégradation importante de la résolution verticale d'autant plus sensible qu'on se trouve à plus bas niveau de lumière. Un autre inconvénient du procédé illustré par la figure 2 est que, comme pour le procédé de la figure 1, l'évacuation des charges parasites dues à la diaphotie ou à l'éblouissement ne peut être réalisée que par des drains situés près des points photosensibles. Dans le procédé de la figure 2, la charge d'entraînement QO qui est stockée dans les capacités intermédiaires pour#rait a priori être utilisée pour transférer les charges parasites QB puis les charges-signal-Qs des colonnes dans les capacités intermédiaires. La conservation de QO dans les capacités intermédiaires se fait en utilisant une barrière de potentiel qui laisse passer seulement les charges en excès par rapport à QO. La Demanderesse a constaté que la conservation de QO dans les capacités intermédiaires lors des transferts des charges-signal et des charges parasites des capacités intermédiaires vers le registre de lecture pose les deux problèmes suivants: - il faut deux barrières de potentiels pour retenir QO dans les capacités intermédiaires, alors que des charges sont transférées soit vers le drain, soit vers le registre de lecture. Il est pratiquement impossible d'obtenir l'égalité rigoureuse de ces deux barrières.La solution de ce problème consiste à utiliser une mémoire de ligne à double étage telle que celle qui est décrite dans la demande de brevet n0 81.07672 et qui est représentée sur les figures 8 et 9 de cette demande, - la figure 3 et son commentaire ont montré les problèmes qui se posaient lors du transfert des charges-signal des capacités intermédiaires vers le registre de lecture, en retenant QO dans les capacités intermédiaires et ceci lorsque l'on traite des lignes qui sont très peu ou pas éclairées. Lorsque les charges-parasites sont transférées des capacités intermédiaires vers le registre de lecture, QO étant retenue dans les capacités intermédiaire, on a alors le problème suivant.On a vu que l'absence d'éclairement, le transfert s'effectue toujours vers le registre de lecture,pendant un temps tl et que la charge d'entraînement est alors réduite L'arrivée des charges parasites ne permet pas forcément de repasser en forte inversion, mais permet de redonner à la charge d'entraînement une valeur plus ou moins proche de QO selon la quantité de charges parasites qui est transférée. Si la prochaine quantité de charges-signal à transférer est sensiblement nulle, on lit quand même une quantité de charge qui est pratiquement proportionnelle à la quantité de charges parasites lue précédemment et qui a plus ou moins restauré QO. On a donc une très mauvaise efficacité pour l'élimination des charges parasites. La figure 4 est un schéma illustrant le procédé d'analyse d'un dispositif photosensible à transfert de ligne selon l'invention. Comme dans le procédé de la figure 2, une quantité de charge d'entraînement QO est stockée en mémoire dans chaque capacité intermédiaire et transférée sur les colonnes avant l'arrivée des charges-signal QS. Ensuite la quantité de charge Qo + Q5 est transférée dans chaque capacité intermédiaire, et ainsi de suite à chaque lecture. La figure 5 montre comment s'effectue au cours du temps le transfert des charges depuis les colonnes jusqu'aux capacités intermédiaires. Cette caractéritique Q (t) présente un coude beaucoup moins prononcé que la caractéristique de la figure 3 car la capacité des colonnes est beaucoup plus importante -environ dix fois plus importante - que celle des capacités intermédiaires. Supposons qu'il n'y ait pas de charges-signal à transférer des colonnes vers la mémoire, le point de fonctionnement se trouve alors au point A de la courbe de la figure 5. La charge à transférer égale: po + QrY avec QO la charge d'entraînement stockée dans les capacités intermédiaires et Qr une charge résiduelle. Après un temps de lecture TL , le point de fonctionnement passe au point B.--La charge QO a été transférée dans une capacité intermédiaire. La charge de la colonne n'est plus que Qr. Le retour de QO sur la colonne préalable à une nouvelle lecture des chargessignal ramène le point de fonctionnement au point A. En l'absence de charges-signal à transférer, la charge des colonnes évolue à chaque lecture entre deux positions d'équilibre qui sont le point A, où la charge égale QO + Qr et le point B, où la charge égale Qr. Lorsqu'une charge-signal QS non nulle est transférée de la zone photosensible sur une colonne, le point de fonctionnement passe en S où la charge égale: QO + Q + QS. Après le temps de lecture tL, le point de fonctionnement passe en un point B' très proche de B, où la charge égale Q'r. Le point B' est très proche du point B car la pente de la caractéristique Q(t) est très élevée au point A et faible au point B. Le fait que le point B' soit distinct du point B signifie qu'une quantité de charge Qr n'a pas été transférée. La charge transférée sur une capacité intermédiaire alors que le point de fonctionnement passe de S en B' s'écrit: charge en S charge en B' Qr+QO+QS-Qr=Q O+QS-#Qr, avec #Qr=Q'r-Qr. Or bQr Q r peut aussi s'exprimer en fonction de Q'(tB), qui est la pente de la caractéristique au point B: #Qr = #t. Q'(tB) (1) où, # t est la projection du segment BB' sur l'axe des temps. La projection du segment SA sur l'axe des temps égale aussi a t, d'où la relation suivante faisant intervenir A t: QS = At- Q'(tA) (2) où, Q'(tA) est la pente de la caractéristique au point#A. L'efficacité de transfert s'exprime donc à l'aide des relations (1) et (2) en fonction du rapport des pentes de la caractéristique aux points B et A: Pour obtenir une bonne efficacité de transfert, il faut que le point A soit dans une zone à forte pente, donc de forte inversion, et que le point B soit dans une zone à faible pente, donc de faible inversion. Selon l'invention, l'amplitude minimum de la charge d'entraînement QO doit être telle qu'elle permette de passer en forte inversion au début du transfert des colonnes vers la mémoire, même s'il n'y a pas de charges-signal à transférer. C'est la condition pour avoir une bonne efficacité de transfert des charges des colonnes vers la mémoire de ligne. Cette quantité de charge QO est d'autant plus grande que la capacité des colonnes est élevée. En effet la pente de la partie gauche de la courbe de la figure 5 qui correspond à un fonctionnement en forte inversion décroît comme le carré de la capacité des colonnes. Enfin, pour une technologie donnée la capacité des colonnes croît avec le nombre de lignes à analyser. Ceci explique donc la nécessité d'une charge d'entraînement QO importante devant la valeur maximale des charges-signal~si l'on veut obtenir une bonne efficacité de transfert lors de la lecture d'un dispositif photosensible comportant un nombre de ligne élevé, 625 lignes par exemple. Par exemple, pour C colonne ~ 3,5 pf, il faut choisir une charge d'entraînement de l'ordre de 1 pc, alors que QS est de l'ordre de 0,2 pC, pour un temps de lecture TL de l'ordre de 2,us. On obtient alors une efficacité de transfert de l'ordre de 3%. Selon l'invention, le transfert des charges-signal de la mémoire dans le registre de lecture se fait en superposant aux charges-signal une charge d'entraînement Q1. Cette charge Q1 doit être choisie pour permettre de passer en forte inversion au début de chaque transfert des charges, de la mémoire vers le registre, même lorqu'il n'y a pas de charges-signal à transférer et en tenant compte du fait que Q1 se superpose à QO stockée en mémoire. Ainsi est évitée la perte de résolution verticale qui se produit dans le procédé illustré par la figure 2 lorsqu'il n'y a pas de charges-signal à transférer. La figure 6 représente la caractéristique Q (t) pour le transfert de la mémoire dans le registre de lecture. La charge d'entraînement Q1 permet de passer du point B (où la charge égale QO) au point A (où la charge égale Qo + Q1) ou au point A' (où la charge égale Qo + Q1 + QS) lorsqu'il y a une charge-signal à transférer. Les points A et A' sont situés dans une zone de forte inversion. Ainsi après le temps de lecture tl, le point de fonctionnement se retrouve sensiblement en B sans descendre au-delà en l'absence de signal, La charge d'entraînement Q1 doit être fournie à chaque lecture puisqu'elle se trouve lue avec les charges-signal. Les charges d'entraînement Q1 peuvent être fournies de différentes façons. Ces charges peuvent être fournies par le registre de lecture. Dans ce cas, il y a en permanence injection d'une quantité de charges Q1 dans le registre. Une charge d'entraînement Q1 est alors transférée sur chaque capacité intermédiaire avant l'arrivée des charges-signal. Ainsi fournies, les quantités de chages Q1 sont identiques et n'introduisent pas de bruit spatial supplémentaire. Les charges d'entraînement Q1 peuvent aussi être injectées sur chaque capacité intermédiaire à partie d'une diode associée à une grille d'injection. Dans ce cas, on peut craindre d'introduire un bruit spatial sur les quantité de charges Q1. Les capacités intermédiaires ayant une valeur assez faible, il suffit d'une charge Q1 relativement faible pour revenir en forte inversion à chaque lecture à partir par exemple du point B de la caractéristique Q (t) de la figure 6. Typiquement, la charge d'entraînement Q1 peut être de Tordre de Q5 max /10, où QS max représente la valeur la plus élevée de la charge-signal. On a intérêt à choisir la charge d'entraînement Q1 minimum qui permet de revenir en forte inversion à chaque lecture à partir du point B.Ainsi le bruit d'injection temporel associé à Q1 est bien plus faible que celui qu'on trouve associé à la charge QO transférée dans le registre de lecture dans le cas du procédé de la figure 1.On ne retrouve pas non plus l'inconvenient du Procédé de la figure 1 en ce qui concerne la quantité de charge totale que doit véhiculer le registre de lecture car la charge d'entraînement Q1 n'accroît que de 1/10e environ la dynamique du signal à transporter dans le registre de lecture Les charges parasites QBB introduites sur les colonnes par diaphotie ou suréclairement doivent être évacuées vers le drain avant l'arrivé des charges-signal. La demanderesse considère qu'il est préférable que le transfert des charges parasites QB comme celui des charges-signal se fasse avec double charge d'entrâînement. En ce qui concerne le transfert des colonnes vers la mémoire, la même charge d'entraînement QO, qui est stockée dans la mémoire, est utilisée pour transférer les charges-signal et les charges-parasites. Ainsi on en perturbe pas le potentiel d'équilibre des colonnes, c'est-à-dire le point B des caractéristiques des figures 5 et 6. De plus il faut que le temps de transfert T L soit le même pour les charges-signal et les charges-parasites. En ce qui concerne le transfert des charges de la mémoire vers le drain ou vers le registre de lecture, on utilise une charge d'entraînement Q1 pour transférer les charges-signal QS et une charge d'entraînement Q2 pour transférer les charges parasites Qg. Lorsque les transferts de la mémoire vers le drain-ou vers le registre de lecture sont terminés, on doit se retrouver sensiblement au point B de la caractéristique de la figure 6 où la charge égale QO- On a vu que la charge Q1 était choisie pour permettre de passer en forte inversion au début de chaque transfert de charges de la mémoire vers le registre, même lorsqu'il n'y a pas de chargessignal à transférer. L'arrivée de Q1 sur une capacité intermédiaire C. amène le point de fonctionnement au point A. Le transfert de Q5 + Q1 pendant le temps tl ramène le point de fonctionnement au voisinage du point B. La charge d'entraînement Q2 est choisie, comme QI, pour permettre de passer en-forte inversion au début de chaque transfert de charges, même s'il n'y a pas de charges-parasites à transférer. L'arrivée de Q2 porte le point de fonctionnement au point C, puis l'arrivée de QB le porte au point C'. Le transfert de QB + pendant le même temps tl que celui qui est utilisé pour transférer QS + Q1 porte le point de fonctionnement au voisinage du point B. Par contre la charge Q2 étant évacuée on n'a pas particulièrement intérêt à choisir, comme pour Q1, la charge minimum permettant de revenir en forte inversion à chaque lecture à partir du point B. Le point de fonctionnement obtenu à la suite du transfert des charges-signal et des charges parasites de la mémoire vers le drain ou le registre n'est pas rigoureusement le point B car les quantités QS + ~21 et QB + Q2 ne sont pas nécessairement les mêmes et car la pente de Q (t) aux points A' et C' n'est pas infinie. Cependant les capacités intermédiaires ayant des valeurs assez faibles les pentes aux points A' et C' et les rapports Q' sont élevés et on se trouve donc ramené à proximité du point B donc avec une charge sur les colonnes qui est proche de QO. il résulte de ce qui précède que les charges d'entraînement Q1 et Q2 ne sont pas nécessairement égales. Les charges Q2 étant évacuées dans le drain, alors que les charges Q1 sont lues avec le signal, les charges Q2 peuvent être introduites de toutes les façons possibles, même avec du bruit spatial, du moment que leur amplitude est suffisante pour repasser en forte inversion à chaque transfert à partir du point B. La charge d'entraînement Q2 peut être introduite dans la mémoire à partir du drain d'évacuation. La figure 7 est un schéma d'un dispositif de mise en oeuvre du procédé selon l'invention. En haut de la figure 7, on a représenté la zone photosensible 1. Les points photosensibles sont disposés en matrice. Une grille G sépare chaque point photosensible des connexions de colonne. Cette grille permet d'isoler les points photosensibles du reste du dispositif durant l'intégration des charges. Les colonnes conductrices aboutissent à une mémoire de ligne à double étage telle que celle qui est décrite dans le demande de brevet NO 81.07672 et qui est représentée sur les figures 8 et 9 de cette demande. Cette mémoire comporte une série de capacités intermédiaires C1 où se trouvent stockées les charges d'entraînement QO. Une grille Gp contrôle le passage entre chaque colonne et une capacité intermédiaire. Le potentiel de cette grille fixe celui des colonnes. Ces capacités intermédiaires sont suivies par des moyens de commutation qui conduisent le contenu des capacités intermédiaires soit vers un drain d'évacuation, soit vers le registre de lecture. Sur la figure 7, on voit que les capacités intermédiaires C1 sont suivies de grilles Go permettant de retenir les charges d'entraînement QO dans les capacités intermédiaires et qui fixent leur amplitude. Les grilles Go sont suivies de capacités C2 qui servent de plaques tournantes et permettent d'envoyer les charges venant de C1 soit vers le drain d'évacuation, après passage d'une grille R, -soit vers le registre de lecture 3, après passage d'une grille C. L'accès à chaque capacité C2 est commandé par 3 grilles. Une grille Go qui permet l'arrivée des charges et deux grilles R et C qui permettent leur départ soit vers le drain, soit vers le registre de lecture. Cette mémoire de ligne à double étage permet de retenir la charge d'entraînement QO par une barrière de potentiel indépendante des organes d'aiguillage soit vers le drain, soit vers le registre de lecture. La figure 8a est une vue en coupe transversale du dispositif de la figure 7. Elle est suivie de schémas montrant l'évolution du potentiel de surface js dans le substrat semi-conducteur 5 sur lequel le dispositif photosensible est intégré, à divers instants, pris au cours d'une séquence de lecture ligne faite selon le procédé de l'invention. Les zones hachurées indiquent la présence de porteurs minoritaires. sur les figures 8b à k, on n'a représenté que l'interface 6 du substrat et de la couche isolante qui le recouvre. Sur la figure 8 b, on voit que les points photosensibles sont en trait d'intégrer des charges et contiennent une quantité de chargessignal QS. Sur les colonnes, on trouve la charge d'entraînement QO et les charges parasites QB. Le drain impose un certain niveau des charges dans les capacités C2. Sur la figure 8c, la charge d'entraînement Q2 se trouve isolée sous les capacités C2 par le retour de la grille R au niveau bas. Sur la fig#ure 8d , s'opère le transfert des colonnes vers les capacités intermédiaires des charges parasites QB et de la charge d'entraînement QO grâce à l'augmentation du potentiel de la grille Gp. Ce transfert s'effectue pendant le temps TL. Simultanément, les capacités C2 passent au niveau bas et les charges d'entraînement Q2 sont transférés sur les colonnes. Sur la figure 8e, s'opère le transfert de QB + Q2 de C1 vers C2 puis vers le drain pendant le temps tl. La capacité C2 et la grille R sont alors au niveau haut. La charge d'entraînement QO est retenue sous C1 par O Sur la figure 8f, C1 et C2 passent au niveau bas. La charge QO retourne sur les colonnes et la charge QB + Q2 est complètement évacuée vers le drain. Sur la figure 8g, C1 et C2 reviennent au niveau haut. Sur la figure 8h, il y a transfert des charges-signal Q5 des points photosensibles sur les colonnes où elles s'ajoutent aux charges QO. Simultanément, il y a transfert des charges d'entraînement Q1 dans les capacités C2. Ces charges proviennent du registre de lectures où elles ont été injectées en permanence pendant le temps ligne précédent. C'est le passage au niveau haut de la grille C qui permet leur transfert dans C2. Sur la figure 8i, le passage de la grille Gp au niveau haut permet le passage de QO + QS dans C1 pendant un temps TL D'autre part, le passage de C2 au niveau bas provoque le transfert de Q1 sous C1. Sur la figure 8j, le passage de C2 et de la grille C au niveau haut permet le passage de QS + Q1 de C2 vers le registre pendant le temps t. La charge QO est retenue sous C1 par la grille Goo Sur la figure 8k, le passage de C1 et C2 au niveau bas provoque le retour de QO sur les colonnes et le transfert de QS + Q1 dans le registre pendant le temps tl. Sur les colonnes, à la charge QO vont venir s'ajouter les charges parasites Qe, et l'on se retrouve alors dans la situation de la figure 8b. Les étapes représentées sur les figures 8b à k ont lieu de préférence pendant le temps de retour ligne. Il est bien entendu que le procédé selon l'invention peut être mis en oeuvre à l'aide d'un dipositif différent de celui de la figure 7. On constate donc que le procédé selon l'invention permet d'assurer un transfert efficace des charges parasites depuis les colonnes jusqu'au drain d'évacuation, sans perturber le transfert des charges-signal et sans utiliser de drains au niveau de la zone photosensible. REVENDICATIONS 1. Procédé d'analyse d'un dispositif photosensible à transfert de ligne, ce dispositif comportant une zone photosensible (1) de M lignes de N points photosensibles, les points photosensibles (P) des différentes lignes étant reliés en parallèle par des colonnes conductrices à une mémoire (4) qui assure le transfert vers un registre de lecture (3) des charges-signal (QS) d'une même ligne et qui assure le transfert vers un drain d'évacuation des charges-parasites (QB) se trouvant sur les colonnes avant l'arrivée des charges-signal, caractérisé en ce que l'analyse de chaque ligné de la zone photosensible comporte les étapes suivantes:: 10) transfert des charges-signal (QS) de la ligne sur les colonnes, puis des colonnes vers la mémoire (4), en superposant aux charges-signal une première charge d'entraînement (QO) au moins suffisante pour permettre de passer en forte inversion au début du transfert des colonnes vers la mémoire, cette première charge d'entraînement (QO) étant stockée en mémoire et transférée sur les colonnes avant l'arrivée des charges-signal; 2 ) transfert des charges-signal (QS) de la mémoire (4) vers le registre de lecture en leur superposant une deuxième charge d'entraînement (Q1), au moins suffisante pour permettre de passer en forte inversion au début du transfert, cette deuxième charge d'entraînement (Q1) étant lue avec les charges-signal (QS) 2.Procédé selon la revendication I, caractérisé en ce que l'évacuation des charges-parasites (QB) se trouvant sur les colonnes avant l'arrivée des charges-signal comporte les étapes suivantes: 10) transfert des charges-parasites (QB) des colonnes vers la mémoire (4) en leur superposant la même première charge d'entraînement (QO) que pour les charges-signal, le transfert ayant la même durée (TL) que le transiert des charges-signal des colonnes vers la mémoire et la première charge d'entraînement (QO) étant toujours stockée en mémoire (4) et transférée périodiquement sur les colonnes;; 20) transfert des charges-parasites (QB) de la mémoire (4) vers le drain en leur superposant une troisième charge d'entraînement (Q2) au moins suffisante pour permettre de passer en forte inversion au début du transfert, ce transfert ayant la même durée (t1) que le transfert des charges-signal (QS) de la mémoire (4) vers le registre de lecture (3) et cette troisième charge d'entraînement étant évacuée avec les charges parasites vers le drain. 3. P rocédé selon l'une des revendications 1 ou 2, caractérisé en ce que la première charge d'entraînement (QO) est importante devant la valeur maximale des charges-signal (Qsmax), et de l'ordre de plusieurs fois supérieure à cette valeur maximale 4. Procédé selon l'une des revendications 1 à 3, caractérisé en ce que la deuxième charge #d'entraînement (Q1) est faible devant la valeur maximale des charges-signal (Q5max), et de l'ordre de plusieurs fois inférieure à cette valeur maximale. 5. Procédé selon l'une des revendications 1 à 4, caractérisé en ce que la deuxième charge d'entraînement (Q1) est obtenue en injectant en permanence cette quantité de charge dans le registre de lecture (3) et en la transférant dans la mémoire (4) avant l'arrivée des charges-signal (QS) 6. Procédé selon l'une des revendications 1 à 4, caractérisé en ce que la deuxième charge d'entraînement (Q1) est obtenue par injection au niveau des capacités intermédiaires (C1) que comporte la mémoire (4). 7. Procédé selon l'une des revendications 1 à 6, caractérisé en ce que la troisième charge d'entraînement (Q2) est introduite dans la mémoire (4) à partir du drain d'évacuation. 8. Dispositif de mise en oeuvre d'un procédé selon l'une des revendications 1 à 7, caractérisé en ce que la mémoire de ligne (4) comporte une série de capacités intermédiaires (C1) chaque capacité étant reliée d'une part à une colonne et d'autre part à des moyens de commutation conduisant le contenu des capacités intermédiaires soit vers le drain d'évacuation, soit vers le registre de lecture (3). 9. Dispositif selon la revendication 8, caractérisé en ce que la mémoire de ligne (4) est une mémoire à double étage dont les moyens de commutation sont constitués par une série de capacités (C2), l'accès à chaque capacité étant commandé par trois grilles, une grille (Go) qui permet l'arrivée des charges en provenance des capacités intermédiaires et qui retient la première charge d'entraînement (QO) et deux grilles (R et C) qui permettent le transfert des charges vers le drain ou vers le registre de lecture.