FR 2541690 A1 19840831 FR 8402883 A 19840224 DISPOSITIF ET PROCEDE DE REVETEMENT DE SUBSTRATS PAR RECHARGE LUMINESCENTE ET EMPLOI DE CEUX-CI La présente invention concerne un dispositif de revêtement de substrats au moyen d'une décharge luminescente comme celui qui est utilisé par exemple pour le revêtement ou le revêtement partiel de différents éléments de machines avec un métal résistant à l'abrasion ou à la chaleur ou des composés de celui-ci. L'invention porte en outre sur un procédé de revêtement de substrats au moyen de ce dispositif ainsi que sur l'emploi de ce dispositif et de ce procédé pour la production de différents effets de revêtements appliqués sur des substrats. On sait qu'en cas de contact local des limites de lXespace de chute cathodique de deux surfaces conductrices, il se produit une décharge luminescente de très haute intensité (Demande de brevet allemand 976 529 de P. Berghaus). On sait en outre que dans ces conditions, on a une-hauee densité d'énergie du plasma et ainsi de grandes vitesses de pulvérisation sur les surfaces métalliques qui limitent le plasma (J.A. Thornton, Films and Coatings for Technology, Davos 1982). Ces connaissances sont déjà utilisées de différentes manières pour le revêtement métallique de substrats par pulvérisation de cathodes en métal approprié (matière source). Ainsi, la demande de brevet allemand 15 15 297 présente un procédé dans lequel un tel revêtement est fait au moyen d'une décharge de Penning, l'atention jasant portée en particulier sur la réalisation de certaines températures aussi bien des porte-objet que des surfaces qui entourent l'espace de décharge. La recharge de Penning peut se faire dans un gaz ou un mélange de gaz. Il peut cependant aussi être introduit tour à tour différents gaz ou mélanges de gaz dans l'espace de décharge, ce qui commande les propriétés physiques des couches produites ou leur constitution chirllique Il est utilisé pour cela un dispositif dont l'espace de décharge est délimité dans un récipient cylindrique par un cylindre creux refroidi à double paroi.Sur la paroi intérieure de ce cylindre creux est placée la cathode, qui est par conséquent également cylindrique. Les substrats sont montés au centre de l'espace de décharge sur un support monté en anode. Ils peuvent cependant aussi être entourés d'un filet jouant le rôle de cathode s'il s'agit de former une couche à partir de la phase gazeuse. Si par contre, l'opération est une pulvérisation cathodique, la disposition est inversée. Ce dispositif connu est de construction relativement coûteuse. il ne peut en outre être employé que pour le revêtement de substrats dans des supports refroidis etimontés en anode. Enfin, il ne convient pas au revêtement uniforme par exemple de surfaces intérieures de substrats ou de substrats de forme extérieure compliquée. La demande de brevet allemand 2 419 794 présente un procédé de réalisation sur un support d'une surface métallique mouillable par le mercure, dans lequel sur le support (substrat) est appliquée par pulvérisation cathodique une couche métallique à laquelle sont en même temps incorporés des atomes de mercure. Dans le dispositif utilisé pour la mise en oeuvre de ce procédé, les substrats, placés les uns à côté des autres axialement sur un support approprié, sont entourés par une cathode de pulvérisation cylindrique placée sensiblement coaxialement à ces derniers. Il est en outre prévu un récipient à mercure qui délivre les particules de mercure nécessaires par évaporation à lçespace de décharge.Ce procédé et le dispositif ne conviennent qu'à l'usage indiqué ; il ne peut pas être réalisé de revêtement sur des substrats de différentes formes ni de revêtement intérieur de substrats cylindriques. En outre, la décharge en cavité s'étend, dans la cathode creuse formée d'un tube plein, à tout le volume du tube. Il n'est donc pas possible de-limiter la décharge à des zones déterminées. La demande de brevet allemand 1 914 747 présente un dispositif de pulvérisation cathodique pour l'application de revêtements non conducteurs sur une matière en bande ou eh fil. La matière en bande est passée de façon continue dans une cathode creuse adaptée à sa section, de sorte que le substrat à revêtir est léché de façon sensiblement uniforme par la lumière négative de la décharge dans un gaz. Comme matières de cible sont prévus des oxydes et des nitrures qui ne peuvent être pulvérisés que dans le domaine des hautes fréquences. Dans ce dispositif connu, le support de substrat est posé directement sur la plaque de base reliée électriquement au générateur, de sorte que les substrats à revêtir prennent une charge positive ou négative suivant la tension de demi-onde du générateur HF. Il n'est pas possible de monter le substrat de façon qu'il soit isolé ou d'appliquer indépendamment de la tension de la cible une tension de polarisation pour obtenir les effets afférents à celle-ci. Enfin la demande de brevet des Etats-Unis d'Amérique 4 126 530 présente un dispositif de pulvérisation cathodique dans lequel, pour le nettoyage par pulvdrisa- tion et le revêtement sous tension de polarisation, les substrats sont placés dans l'enveloppe d'une cathode creuse de façon telle que les surfaces de substrat à revêtir soient~dirigées vers l'intérieur de la cavité. Les substrats sont portés au potentiel de la cathode, tandis que la matière source, sous la forme d'une deuxième cathode en forme de baton, est placée au centre à l'intérieur de la cathode creuse. pour le nettoyage des surfaces du substrat, la cathode creuse peut aussi être montée en anode, bien que pour le revêtement subséquent des surfaces du substrat, il lui soit appliqué une tension de polarisation. La matière à pulvériser ou matière source est placée au centre de l'espace de décharge, tandis que la pulvérisation se fait à partir de la surface latérale cylindrique extérieure. Ce dispositif ne permet pas une orientation concentrées des particules de pulvérisation, par exemple dans la direction d'une génératrice d'un substrat cylindrique situé à l'extérieur de la cible, ou l'application simultanée de différentes matières cibles sur le substrat. L'invention a pour but de fournir un dispositif du type indiqué ci-dessus qui permet de stabiliser la décharge luminescente de forte intensité (effet de cathode creuse) sur de grandes distances ou zones et de déposer de facon dirigée et concentrée les particules de matière source arrachées par le plasma à haute énergie sur la surface ou des parties de surface même de substrats de forme complexe. Ce dispositif doit être de construction simple et permettre éventuellement l'exécution de prétraitements et de post-traitements des surfaces à revêtir ou revêtues des substrats. Un but partiel de l'invention est de fournir un procédé qui permet une exécution souple de dépôts avec le dispositif. En particulier, il doit être possible de réaliser de façon dirigée des revêtements en métal, en alliages métalliques et/ou des composés métalliques sur des surfaces ou des parties de surface de substrats individuels ou de groupes de substrats. L'invention réalise le but ci-dessus avec un dispositif du type défini dans le préambule de la revendication 1 grace au fait qu'au moins un substrat ou un support de substrat est placé, isolé électriquement, à une certaine distance d'au moins une cible, la cible étant formée au moins en partie d'une grille en matière source. Dans le cadre de l'invention, on entend également par grille11 des formes de réalisation semblables à une grille, par exemple des grillages, des tôles perfores ou des matières perfores par étirage ou découpage. La matière source pulvérisée par le plasma a haute energie à l'intérieur du cylindre cible peut ainsi sortir latéralement, cgest-à-dire radialement, de la cible par les parties en grille de cette dernière. Du fait que le substrat est placé de façon que la surface à revêtir soit en face des parties en grille de la cible, les particules arrachées à l'intérieur de la cible peuvent, en sortant sensiblement radialement de la cible, tomber sur la surface du substrat à revêtir. Selon un développement de l'idée de l'invention, il est particulièrement avantageux que la grille soit en matière source étirée. La cible ou le cylindre-cible peut alors être formé en totalite de grille. La cible peut cependant aussi être formée par la combinaison de grille éventuellement étirée et de matière pleine.Cela permet de revêtir uniformément, suivant les besoins, par exemple toute la surface latérale ou seulement des parties du substrats à la manière de l'élément en grille (étirée) Selon un développement de leidee de l'invention, il est avantageux dans certains cas que la cible soit constituée dUun profil métallique dans la surface latérale duquel sont prévues des ouvertures qui sont revenues de grille (étirée). Ce profilé métallique peut être un demi-produit du commerce, par exemple un tube en UU ou un profilé en étoile. Les ouvertures de ces profilés sont revêtues de grille, de sorte qu'à l'appli- cation d'une tension négative, une décharge en cavité est stabilisée. La cible peut être constituée essentiellement d'un seul cylindre ou bien composée de deux parties cylin driques sensiblement coaxiales. Par la densité d'énergie du plasma qui s'établit, les cibles sont portées à incandescence. La chaleur rayonnante qui en résulte peut conduire à un échauffement excessif des substrats situés à proximité immédiate. Cet échauffement peut, selon l'invention, être commandé grâce au fait que les cibles et les substrats ou la surface de substrat à revêtir peuvent être placés à une distance optimale les uns des autres. Suivant la disposition géométrique de la cible et du substrat ou du support ou appui du substrat, il peut ainsi être réalisé des revêtements dans de grands intervalles de tempera- ture, en particulier de 2000C à la température d'incandescence du substrat. Les substrats en matières peu sensibles à la chaleur tels que la céramique, le verre, ou les métaux durs, qui réclament pour un revêtement optimal des températures plus élevées, peuvent être montés à 1 'inté- rieur d'une cible, isolés électriquement de cette dernière, et éventuellement, en plus, soumis à une tension de polarisation. Cela est avantageux en particulier pour les matières non conductrices, par exemple le verre ou la céramique. Avec ces matières, une charge positive de la surface, provoquée par bombardement ionique, est evitée, bien que le substrat soit dans le plasma. Les charges positives provoquent généralement l'arrêt de la croissance des couches et une baisse de la qualité de cellesaci. Les métaux pour lesquels, par exemple à cause d'un traitement thermique antérieur, une basse température de revêtement est indiquée, comme par exemple les alliages d'aluminium, les aciers, ainsi que les pièces chromées, peuvent être revêtus avantageusement à l'extérieur de la cible ou de la zone réactive du plasma. Selon une forme de réalisation de la présente invention, il est possible dans ce cas, de placer des cibles., par exemple constituées d'un cy-lindre pourvu d'évidements revêtus de grille en matière. étirée, autour des substrats, convenablement orientées. Les substrats peuvent aussi être à l'intérieur de cibles doubles constituées avantageusement de deux cylindres coaxiaux en matière étirée, car avec celles-ci, le plasma se forme entre les deux parties coaxiales, de sorte qu'il existe au milieu de ces cibles doubles un espace sans plasma.Les deux parties de la cible double peuvent etre en grille. La partie extérieure de la cible peut cependant aussi être un tube métallique plein pourvu d'évidements dans sa surface latérale, la partie intérieure de la cible étant en grille. Dans ce dernier cas, la partie intérieure de la cible peut être un cylindre-entièrement en matière étirée, ou bien être constituée de bandes de matière étirée, celles-ci étant appliquées espacées et coaxialement sur la paroi pleine de la partie extérieure de la cible. Avec le substrat ainsi placé à l'extérieur de la zone-de plasma réactive de la cible, il est aussi possible d'extraire du plasma des produits de réaction chargés positivement en appliquant une tension de polarisation négative (avantageusement de 10 V à la tension de la cible) au substrat isolé du dispositif de pulvérisation et d'accélérer ces produits en directement de la surface du substrat. I1 est particulièrement avantageux que les cibles puissent avoir une forme correspondante à la forme extérieure du substrat ou à la forme des surfaces à revêtir du substrat ou être placées d'après ces formes. Ainsi, la cible peut être droite, courbe, ou coudée suivant que la surface à revêtir du substrat est une surface droite, courbe ou coudée. Suivant la forme et la grandeur des substrats, une ou plusieurs cibles peuvent être placées verticalement, en arc ou horizontalement. Plusieurs cibles peuvent être placées autour d'un substrat. Inversement, plusieurs substrats peuvent être placés autour d'une cible, celle-ci ayant alors dans la direction de chaque substrat une ouverture appropriée garnie d'une grille. Les cibles peuvent être des cathodes fixes. Elles peuvent également, selon une forme de réalisation particulièrement préférée de l'invention, être placées de façon à être mobiles librement, par exemple au moyen de pieds appropriés, sur une plaque de base montée en cathode. Les cibles fixes peuvent également être tour- nantes autour de leur axe longitudinal pour permettre, par exemple quand elles n'ont qu'une seule fenêtre axiale dans leur surface latérale, un revêtement uniforme de la surface intérieure d'un cylindre. Dans le cas des cibles mobiles librement sur la plaque de base, il est possible de grouper celles-ci à volonté ou suivant les besoins autour d'un substrat et de faire varier la distance des différentes cibles à la surface du substrat ainsi que les distances des cibles entre elles pour réaliser différents types ou densités de revêtement. La libre mobilité des cibles offre des avantages particuliers pour le revêtement de grandes surfaces de substrats ainsi que pour le revêtement d'un grand nombre de petites pièces, car les cibles peuvent être placees de façon que les distances substrat-cible soient toujours les mêmes, ce qui est nécessaire pour obtenir des couches de qualité uniforme. La cathode ou la cible elle-même se trouve dans un récipient qui est en général monté en anode et dans lequel peuvent être introduits au choix des gaz inertes ou réactifs tels que llargon, l'azote ou l'hydrogène, le méthane, l'acétylène et l'oxygène. Cela donne, en association avec les matières sources de cible, en particulier le titane, le niobium, le tantale, les métaux précieux tels que le platine, le palladium, ainsi que le chrome 1 que les alliages et les composés r éventuellement en combinaison, une multitude de possibilités de revête ment dont on reparlera plus loin. En outre, la surface du récipient qui est grande comparativement à celle de la cible, joue le rôle de surface grille suffisante pour empecher l'encrassement de la cible par des opérations de décharge luminescente telles que le nettoyage ou la nitruration de la surface du substrat qui précèderaient le revêtement.Ainsi, des opérations telles que le nettoyage des substrats par pulvérisation ou la nitruration par lueur peuvent être combinées avec un revêtement sans que cela nécessite ltouverture du récipient Le but de l'invention est également atteint au moyen dgun procédé du type défini dans le préambule de la revendication 27 qui est caractérisé en ce qu'il utilise au moins une cible cylindrique qui est formée au moins en partie de matière en forme de grille (matière étirée) D un plasma à haute énergie étant formé dans la cible. La matière de la cible (matière source) est pulvérisée essentiellement sur la surface latérale intérieure et dépose sur le substrat placé de façon appropriée pour cela. Il est particulièrement avantageux que la matière source pulvérisée sorte sensiblement radialement par les parties en grille de la cible et puisse ainsi arri ver de façon dirigée sur des surfaces déterminées du substrat. La forme particulière des cibles utilisées donne la possibilité, avec une press-ion de gaz fixée de 0,01 à 5 mm de mercure et l'application d'une tension continue négative de 200 à 10 000 V, de stabiliser sur de grandes longueurs la décharge luminescente de forte intensité (cathode creuse), les métaux ou composés métalliques pulvérisés par le plasma à haute énergie pouvant partir latéralement, c'est-à-dire sensiblement radialement. Pour obtenir un effet de revêtement particulièrement bon, il peut suivant les cas être particulièrement avantageux, pendant l'opération de revêtement, soit de faire tourner la cible et maintenir le substrat immobile, soit de maintenir la cible immobile et faire tourner le substrat, soit enfin, ou bien de maintenir la cible et le substrat immobiles, ou bien de les faire tourner tous les deux. Selon un développement de l'idée de l'invention, toutes les cibles ou parties de cible peuvent être constituées de la même matière source, les cibles ou les parties de cible peuvent cependant aussi être en matières différentes. Cela permet de realiser soit un revêtement d'une matière uniqueS par exemple d'un seul métal, soit un revêtement formé d'une solution solide. Les cibles ou parties de cible contenant des matières sources différentes peuvent alors être placées de façon que soient déposés comme revêtement des alliages ou composés des différentes matières utilises. Les cibles ou parties de cible contenant des matières sources différentes peuvent aussi etre placées de façon que des matières différentes soient déposées sur le substrat à des endroits choisis de sa surface. En plaçant des cibles en différentes matières mobiles librement à différentes distances du substrat ou les unes des autres, il est possible de réaliser sur le substrat un revêtement de différentes épaisseurs et différentes compositions. Le dispositif et le procédé, selon l'invention, sont employés pour le revêtement ou le revêtement partiel d'une gamme étendue de substrats de couches par exemple résistantes à l'usure ou bien décoratives. L'emploi de cibles en titane est particulièrement préféré, de sorte qu'on peut réaliser, éventuellement avec un apport de gaz reactifs, des dépôts de titane ainsi que de TiN, TiC ou mélanges de ceux-ci. Cela est particulièrement préféré dans le cadre de l'invention pour des substrats métalliques, en particulier des outils tels que des outils coupants et des outils a fraiser et egalement des substrats non métalliques tels que des verres de montre, ou de saphir.Pour certaines applications, on peut aussi appliquer d'abord une couche de métal pur, par exemple de titane, puis par-dessus une couche de matière dure en TiN et/ou TiC. Celles ci sont utilisables comme couches de protection contre l'usure sur les forets, les lames de scie, les outils à fraiser, etc.. On peut aussi réaliser un revêtement intérieur de pièces creuses telles que des cylindres, des cubes, etc., avec des couches de protection contre l'usure. En outre, le dispositif et le procédé, selon la présente invention, sont employés pour le revêtement de substrats non métalliques par des métaux ou des composés de ceux-ci, des gaz réactifs étant en plus introduits dans le dernier cas. Ainsi peuvent être revêtus la céramique, le verre, les matières plastiques thermiquement stables métallisés, etc.. Souvent, dans le cadre de l'invention sont appliquées seulement des couches, par exemple de TiN ou TiC, sur des substrats tels que les verres de montre, les boîtiers de montre en acier spécial, les éléments de carrosserie en aluminium coulé, etc. à des fins décoratives ou de protection contre la corrosion. Un autre exemple est l'application de couches métalliques sur des substrats en céramique pour l'obtention de catalyseurs (par exemple couches de cuivre minces), etc. L'invention est décrite en détail ci-après à l'aide d'exemples de réalisation particulièrement préférés représentés sur les dessins, sur lesquels la figure 1 est une vue d'une première forme de réalisation d'une cible selon la présente invention, la figure 2 est une coupe suivant la ligne II-II de la figure 1, la figure 3 est une coupe semblable à celle de la figure 1 représentant une forme de demi-produit, la figure A représente une deuxième forme de réalisation d'une cible, la figure 5 est une coupe suivant la ligne V-V de la figure 4, la figure 6 est une coupe semblable à celle de la figure 5 représentant une autre forme de demi-produit, la figure 7 représente un montage de deux cibles courbes, la figure 8 représente un montage verticale de trois cibles sur une plaque de base, la figure 9 représente un montage horizontàl de deux cibles sur une plaque de base, la figure 10 représente une première forme de réalisation d'une cible double avec partie intérieure en forme de bandes, la figure 11 est une coupe radiale de la cible représentée sur la figure 10, la figure 12 représente une deuxième forme de réalisation dune cible double avec parties cylindriques en grille en matière étirée, la figure 13 est une vue en coupe radiale de la cible représentée sur la figure 12, la figure 14 représente une cible constituée d'un seul cylindre en grille en matière étirée, la figure 15 est une vue en coupe radiale de la cible représentee sur la figure 14, la figure 16 représente une troisième forme de réalisation d'une cible double avec cylindre intérieur en grille en matière étirée, la figure 17 est une coupe radiale de la cible représentée sur la figure 16, et la figure 18 est une vue d'un dispositif selon l'invention. La cible 1 représentée sur la figure 1 est une cible droite qui est constituée essentiellement d'un corps en demi-produit 2 en matière source et d'un socle 3 applique sur le dessous de celui-ci. La cible peut être posEe par ce socle 3 sur un support, par exemple sur une plaque de base. Le corps 2 présente dans sa surface latérale au moins un évidement débouchant 4 qui est revetu d'une grille (étirée) également en matière source de façon telle que le corps 2 et cette grille 5 forment en coupe un profil fermé. Comme le montre la figure 2, le corps 2 peut etre un profilé tubulaire 6 dans l'évidement 4 duquel est appliquée une grille 5 ayant un arrondi correspondant au tube 6 Le plasma qui s'établît à l'intérieur de la cible remplit a peu près tout l'intérieur cylindrique. Comme le montre la figure 3, le corps de la cible peut être un profilé en U 7, la grille 5 fermant le côté ouvert de ce profilé 7. Comme le montrent les figures 4 à 6, dans une deuxième forme de réalisation une cible 8 peut être constituée d'un socle dans l'ensemble cylindrique 3 sur lequel est placé un corps en étoile 9, 10, entouré d'une arille dans l'ensemble cylindrique 11 de façon telle que soient formées des chambres séparées 12 s'étendant dans la direction axiale. Dans l'exemple de réalisation représenté sur la figure 5, le corps 9 présente quatre extrémités saillant d'une âme, tandis -que dans la forme de réalisation représentée sur la figure 6, d'une âme saillent seulement trois extrémités en forme de rayons. Dans les deux formes de réalisation, le plasma est formé dans les quatre ou trois chambres 12 entre la grille 11 et le corps 9 ou 10. Les cibles représentées sur les figures 4 à 6 sont utilisées en particulier pour le revêtement intérieur d & substrats cylindriques 13 qui, dans ce cas, comme représenté sur la figure 4, entourent coaxialement la cible. Sur la figure 7 sont représentées des cibles courbes 14 qui sont adaptées à la forme d'un substrat non représenté. Ces ciblesssont placées dirigées l'une vers l'autre sur une plaque de base 15. La matière atomisée passant par les évidements 4 couverts d'une grille tombera ainsi uniformément sur le substrat. La figure 8 montre un montage vertical de cibles 1 sur une plaque de base 15. Les évidements 4 de ces cibles sont orientés sensiblfflment symétriquement vers un substrat non représenté. Sur la figure 9, deux cibles horizontales 16 sont placées sur la plaque de base 15 de façon telle qu'elles soient parallèles à celle-ci ainsi qu'entre elles. Cette forme de réalisation, comme on l'a déjà indiqué, est utilisée pour le revêtement de grands substrats plans ou de plusieurs petits substrats avec alternance cible-substrat-cible-substrat-cible. Les formes de réalisation de la cible représentées sur les figures 10 à 17 servent en particulier au revêtement de la surface extérieure de substrats. Su les figures 10 et 11 est représentée une cible double 17 dont le corps tubulaire 2 présente sur sa surface latérale des évidements axiaux 4 régulièrement répartis. A l'intérieur du corps 2 ont placees à une distance uniforme de celui-ci et en face de ses parties pleines, des bandes de grille 18 de façon qu'entre chacune de ces bandes de grille et la partie pleine du corps située en face d'elle soit formée une chambre de décharge 12 dans laquelle s'établira le plasma. Le substrat 13 à revêtir est placé sensiblement au milieu de la cible double 17, de sorte qu'il est à l'extdrieur des chambres à plasma 12, mais cependant revêtu par les particules métalliques atomisées qui sortent en traversant les bandes de grille 18. La cible double 19 représentée sur les figures 12 et 13 est constituée de deux cylindres placés coaxialement formés tous les deux entièrement de grille en matiere étirée. La chambre de décharge 12 est dans ce cas une chambre annulaire dans laquelle s'établit le plasma. Ce type de cible peut servir aussi bien au revêtement intérieur qu'au revêtement extérieur ou simultanément au revêtement intérieur d'un substrat et au revêtement extérieur d'un deuxième substrat. La cible 20 représentée sur les figures 14 et 15 est constituée d'un seul cylindre en matière étirée. Dans cette cible, la décharge s'étendra à tout l'intérieur, de sorte qu'un substrat placé à l'intérieur se trouvera entièrement dans le plasma. La cible 20 peut cependant aussi être utilisée pour le revêtement inté- rieur dsun substrat cylindrique ou le revêtement intérieur et extérieur de substrats. Enfin, les figures 16 et 17 montrent une cible double 21 dans le corps plein 2 de laquelle sont prévus quatre évidements 4. A l'intérieur de ce corps 2 est placé coaxialement un cylindre en matière étirée 22. Dans ce cas également, la décharge se fera en plusieurs parties entre chacune des parties de paroi pleines 23 du corps 2 et la partie du cylindre en matière étirée 22 située en face d'elle. I1 existe ainsi quatre chambres de décharge fermées. Dans cette forme de réalisation également, le plasma formé ne s'établit pas à l'intérieur du cylindre en matière étirée 22, de sorte que des substrats sensibles à la chaleur peuvent être introduits dans cette cible pour être revêtus. Sur la figure 18 est représenté un dispositif conforme à l'invention. Dans le récipient 31 se trouve une plaque de base 32 portant des cibles atomiseuses 35. Entre celles-ci se trouve le substrat 36 qui est isolé électriquement de la plaque de base 32. Les isolants 37 permettent éventuellement l'application d'une tension de polarisation au substrat 3-6. Les gaz de réaction et porteur peuvent être amenés et évacués par l'entrée de gaz 33 et la sortie de gaz 34. REVENDICATIONS l.Dispositif pour le revêtement de substrats par décharge luminescente, comportant un récipient pouvant être monté en anode, des conduites d'amenée et d'evacua- tion de gaz, des éléments électriques de connexion, des éléments de protection,--un support pour au moins un substrat (13) et au moins une cible en matière source (1, 8, 14, 16, 17, 19, 20,-21), qui est montée en cathode, caractérisé en ce qu'au moins un substrat (13) ou un support de substrat est placé, isolé électriquement, à une certaine distance d'au moins une cible (1, 8, 14, 16, 17, 19, 20, 21), la cible étant formée au moins en partie d'une grille (5) en matière source. 2. Dispositif selon la revendicatièn 1, caractérisé en ce que la grille (5) est en matière étirée. 3. Dispositif selon la revendication 1, caractérisé en ce que la cible (1, 8, 14, 16, 17, 19, 20, 21) est dans l'ensemble cylindrique. 4. Dispositif selon la revendication 1, caractérisé en ce que la cible (19, 20) ou le cylindre cible est formée en totalité de grille. 5. Dispositif selon la revendication 3, caractérisé en ce que la cible (1, 8, 17, 21) est formée par la combinaison de grille en matière étirée et de matière pleine. 6. D1SDQ51tif selon la revendication 1, caractérisé en ce que la cible (1, 8, 20) est constituée essentiellement un seul cylindre. 7. Dispositif selon la revendication 6, caractérisé en ce que la cible est constituée d'un profilé métallique (forme de demi-produit teille que profilé en U, tubulaire, en étoile) dans la surface latérale duquel sont prévus des évidements (4) qui sont revêtus de grille (5). 8. Dispositif selon la revendication 1 caractérisé en ce que la cible (île, 19, 21) est constituée de deux parties sensiblement coaxiales (cible double). 9. Dispositif selon la revendication 8, caractérisé en ce que les deux parties de la cible sont en grille. 10. Dispositif selon la revendication 8, caractérisé en ce que la partie extérieure de la cible est un tube métallique plein pourvu d'évidements (4) dans sa surface latérale et la partie intérieure de la cible est en grille. 11. Dispositif selon la revendication 10, caractérisé en ce que la partie intérieure de la cible est un cylindre en grille. 12. Dispositif selon la revendication 10, caractérisé en ce que la partie intérieure de la cible est constituée de bandes de grille (18) qui sont appliquées, espacées et coaxialement, sur la paroi pleine de la partie extérieure de la cible. 13. Dispositif selon la revendication 1, caractérisé en ce que les cibles ont une forme (droite, courbe, coudée) correspondant à la forme extérieure du substrat (13) ou à la forme des surfaces à revêtir du substrat ou sont placées d'après ces formes. 14. Dispositif selon la revendication 13 caractérisé en ce que pour le revêtement de grandes surfaces ou de plusieurs substrats placés les uns à côté des autres, les cibles (16' sont placées horizontalement. 15. Dispositif selon la revendication 13, caractérisé en ce que les cibles (1, 8 entre autres) sont placées sensiblement verticalement. 16. Dispositif selon la revendication 1, caractérisé en ce que la cible est fixée immobile sur une plaque de base (15). 17. Dispositif selon la revendication 1, caractérisé en ce que la cible est fixée sur une plaque de base (15) à un endroit fixe, mais de façon à pouvoir tourner autour de son axe longitudinal. 18 Dispositif selon la revendication 1, caractérisé en ce que la cible est placée de façon à être mobile librement au moyen de pieds appropriés sur une plaque de base (15) montée en cathode. 19. Dispositif selon la revendication 1, caractérisé en ce que le substrat est placé à l'intérieur de la cible et sensiblement coaxialement à celle-ci. 20. Dispositif selon la revendication 19, caractérise en ce que le substrat est placé dans la zone de plasma (12) de la cible. 21. Dispositif selon la revendication 19, caractérisé en ce que le substrat est placé à l'extérieur de la zone de plasma réactive (12) de la cible. 22. Dispositif selon la revendication 1, caractérisé en ce que le substrat est placé à l'extérieur de la cible. 23. Dispositif selon la revendication 22, caractérisé en ce que pour le revêtement des surfaces intérieures d'un substrat, la cible (8) est placée à l'intérieur du substrat (13) et sensiblement coaxialement à ce dernier. 24. Dispositif selon la revendication 22, caractérisé en ce que le substrat est placé en totalité à l'extérieur de la cible et espacé de celle-ci. 25. Dispositif selon la revendication 1, caractérisé en ce que le substrat est monté isolé électriquement à son support ou appui. 26. Dispositif selon la revendication 1, caractérisé en ce qu'au substrat est appliquée une tension de polarisation. 27. Procédé de revêtement de substrat au moyen d'une décharge luminescente, au moyen d'un dispositif selon l'une ou. plusieurs des revendications précédentes, caractérisé en ce qu'il est utilisé au moins une cible (1, 8, 14, 16, 17, 19, 20, 21) qui est formée au moins en partie de matière en forme de grille, un plasma à haute énergie étant formé dans la cible et la matière de la cible (matière source) étant atomisée essentiellement sur la surface latérale intérieure et déposée sur le substrat (13) placé de façon appropriée pour cela. 28. Procédé selon la revendication 27, caractérisé en ce que pour la formation du plasma à haute énergie dans la cible, dans cette dernière sont entretenues une pression de gaz de 0,01 à 5 mm de Hg et une tension continue négative de 200 à 10.000 V. 29. Procédé selon la revendication 27, caractérisé en ce que la matière source atomisée sort sensiblement radialement par les parties en grille (5) de la cible. 30. Procédé selon la revendication 27, caractérisé en ce que pendant l'opération de revêtement, la cible est soumise à une rotation tandis que le substrat est maintenu immobile. 31. Procédé selon la revendication 27, caractérisé en ce que pendant l'opération de revêtement, la cible est maintenue immobile tandis que le substrat est soumis à une rotation. 32. Procédé selon la revendication 27, caractérisé en ce que pendant l'opération de revêtement, la cible et le substrat sont tous les deux maintenus immobiles. 33. Procédé selon l'une des revendications précédentes, caractérisé en ce que toutes les cibles ou parties de cible sont constituées de la même matière source. 34. Procédé selon l'une des revendications précédentes, caractérisé en ce que les cibles ou les parties de cible sont en matières différentes. 35. Procédé selon la revendication 33, caractérisé en çe que les cibles ou parties de cible contenant des matières sources différentes sont placées de façon que soient produits comme revêtement des alliages ou composés des différentes matières. 36. Procédé selon la revendicaton 33, caractérisé en ce que les cibles ou parties de cible contenant des matières sources différentes sont placées de façon que des matières différentes soient déposées sur le substrat à des endroits déterminés de sa surface. 37. Emploi du dispositif et du procédé selon l'une ou plusieurs des revendications précédentes, pour la réalisation d'un revêtement particulièrement pur ou contact, en association avec des opérations connues de pré- traitement 38. Emploi du dispositif et du procédé selon l'une ou-plusieurs des revendications précédentes, pour le revêtement (partiel) d'outils. 39. Emploi du dispositif et du procédé selon l'une ou plusieurs des revendications précédentes, pour le revêtement (partiel) de substrats non métalliques (céramique, verre). 40. Emploi du dispositif et du procédé selon l'une ou plusieurs des revendications précédentes, pour le revêtement intérieur de pièces cylindriques (cylindres et tubes) de couches de matière dure ou métalliques.