FR 2550013 A1 19850201 FR 8411874 A 19840726 255 C 013 I La présente invention se rapporte aux dispositifs à semi-conducteurs, et elle concerne, plus particulièrement, un dispositif à deux bornes à structure à trois jonctions, ayant pour fonction de supprimer les surtensions. Les dispositifs pour supprimer les surtensions sont des composants électriques qu'on utilise surtout lorsqu'on veut éviter de détériorer un circuit susceptible d'être soumis à des surtensions élevées, tant transitoires que permanentes De façon idéale, il se comporte comme un circuit ouvert dans des condi10 tions de fonctionnement normales et comme un court-circuit lorsque la tension appliquée à ses bornes dépasse une valeur prédéterminée (tension d'amorçage). Un dispositif à trois jonctions connu est représenté en coupe sur la figure 1 du dessin annexé Il est formé sur un substrat de silicium monocristallin de type P, désigné par la référence 1, sur lequel on a formé par épitaxie une couche épitaxiale 2 de silicium dopé par des impuretés de type N dans laquelle on a formé, par une opération de diffusion par les procédés courants de la technologie planaire, une région circulaire de 20 conductivité P, désignée par la référence 3 sur la figure. A l'intérieur de la région 3 de la structure de la figure 1, on forme ensuite, par diffusion d'impuretés de type N, une région également circulaire, désignée par la référence 4, de façon à obtenir ainsi une structure PNPN Une couche métallique 25 5, en contact ohmique avec les parties superficielles des régions 3 et 4, constitue l'électrode "d'émetteur" du dispositif et une couche métallique 6, en contact ohraque avec le substrat 1, f> 13 constitue l'électrode de "collecteur" La surface du dispositif, à l'exception des zones des contacts métalliques, est recouverte par une couche 7 de silice. On peut facilement comprendre le fonctionnement du dis5 positif dont la structure est représentée sur la figure 1 en examinant le circuit électrique équivalent représenté sur la figure 3, o l'émetteur 10 du transistor NPN désigné par TR 2 correspond à la région 4 de la structure, la base 11 du transistor TR 2 et le collecteur 15 du transistor PNP désigné par TRI corres10 pondent à la région 3 de la structure, la résistance R entre la base 11 et l'émetteur 10 du transistor représente la résistance répartie entre la jonction définie par les régions 3 et 4 et le contact d'émetteur 5, le collecteur 12 du transistor TR 2 et la base 14 du transistor TRI correspondent à la région 2 de la struc15 ture et l'émetteur 13 du transistor TRI correspond à la région 1 de la structure. Si l'on applique entre les deux électrodes 5 et 6 de la structure décrite ci-dessus une différence de potentiel dont le potentiel positif, désigné par +V, est appliqué à la borne 6, à la jonction entre la région 2 et la région 3, indiquée par la référence 8, il s'établit un champ électrique E qui provoque l'appauvrissement de porteurs majoritaires dans les régions voisines de la jonction (couche d'appauvrissement) et, en consequence, la création d'une charge d'espace au voisinage de ladite jonction Si la tension +V a une valeur telle que le champ électrique E dépasse une valeur critique, déterminée par les caractéristiques physiques et géométriques des régions qui forment la jonction, il se produit à l'intérieur de la zone d'appauvrissement une réaction en chaine, dite claquage ou rupture par avalanche (avalanche breakdown), qui provoque un passage subit de courant à travers la jonction Pour représenter fonctionnellement cet effet, on a inséré, sur la figure 3, une diode Zener entre la base 11 du transistor TR 2, région 3 de la structure, et le collecteur 12 du transistor TR 2, région 2 de la structure. 35 Dans ces conditions, il se produit un passage de cou" rant entre les deux électrodes 5 et 6 du dispositif, du fait que les deux transistors TR 1 et TR 2 sont en conduction Il est connu r C 013 que le claquage par avalanche dans une jonction planaire protégée en surface par une couche isolante de silice, comme la couche 7 de la figure 1, se produit en surface à cause de la présence de charges perturbatrices dans la couche isolante Elles ont 5 pour effet de réduire superficiellement la couche d'appauvrissement et, par suite, de réduire la tension de rupture, ou claquage de la jonction Il est également connu que la répétition de ce phénomène a tendance à modifier les caractéristiques de la jonction polarisée en sens inverse et à en modifier la tension de 10 rupture. Pour rendre moins sensible le phénomène qui vient d'être décrit, on peut étendre la couche métallique 5 en contact ohmique avec les parties superficielles des régions 3 et 4 au-dessus de la couche isolante 7, jusqu'à ce qu'elle surplombe la région 2. 15 Cette couche métallique ainsi étendue, qu'on a coutume d'appeler "plaque de champ" (field plate), lorsque la tension appliquée entre les électrodes 5 et 6 a la polarité indiquée dans le circuit électrique de la figure 3, sert, en pratique, à supprimer des accumulations éventuelles de charges par la surface de l'oxy20 de 7 et permet de rendre équipotentielles la surface de l'oxyde et la surface de silicium sous-jacente, de sorte que la rupture ne se produit plus à la surface, mais dans la partie intérieure de la jonction 8 et à une tension plus élevée En particulier, sauf si des phénomènes d'autre nature interviennent, elle se pro25 duit au niveau de la surface de courbure maximale de la jonction et à une tension qui reste stable pendant toute la durée de vie du dispositif Cependant, on ne peut définir cette tension avec exactitude au cours de l'étude, à cause de la variabilité des paramètres de fabrication. Il est également connu que, pour provoquer la conduction entre les régions 1 et 3 d'une structure du type représenté sur la figure 1, ce qui est nécessaire pour amorcer la conduction entre les deux électrodes 5 et 6 du dispositif, on peut agir sur les paramètres de fabrication, en particulier sur la résistivité 35 et sur l'épaisseur de la couche épitaxiale 2, de façon que la conduction à travers la jonction 8 due au "claquage par avalanche" ne puisse démarrer, parce qu'elle est précédée par un autre phénomène qui modifie les conditions de fonctionnement de la structure Ce phénomène, connu sous le nom de "punch-through", (percement, tension disruptive), a lieu lorsque la zone d'appauvrissement de la jonction qui se forme entre les régions 1 et 2 5 s'étend sur toute la couche épitaxiale délimitée par la région 3, au point de provoquer un court-circuit entre les régions 1 et 3 Même dans ce cas, cependant, il n'est pas possible de définir avec exactitude la tension d'amorçage en cours d'étude, à cause de la variabilité des paramètres de fabrication. La présente invention a pour but de réaliser un dispositif à semiconducteurs à deux bornes, susceptible de fonctionner en suppression de surtensions, présentant une tension d'amorçage définie exactement en cours d'étude. Pour atteindre cet objectif, la présente invention a pour objet un dispositif à semi-conducteurs à deux bornes à structure à trois jonctions, formé sur une plaquette de matière semiconductrice comprenant: un substrat d'un premier type de conductivité P délimité par une première surface principale de la plaquette; une couche d'un second type de conductivité N disposée 20 sur le substrat et délimitée par une seconde surface principale de la plaquette; une couche de matière isolante, qui s'étend sur la seconde surface principale; une première région du premier type de conductivité P s'étendant dans la couche du second type de conductivité à partir de la seconde surface, une seconde struc25 ture du second type de conductivité N s'étendant dans la premiere région à partir de la seconde surface; une première couche métallique en contact ohmique avec le substrat sur la première surface principale; et une seconde couche métallique s'étendant sur une partie de la seconde surface principale à travers 30 une ouverture de la couche isolante, de façon à être en contact ohmique avec la première région et la seconde région, et sur la couche isolante, de façon à surplomber une partie de la couche du second type de conductivité, suivant le contour de la première région, caractérisé en ce que la couche du second type de con35 ductivité N comprend au moins une zone, contiguë à la première région, ayant une concentration en impuretés supérieure au reste de la couche, cette zone étant localisée dans une partie du voisinage de la première région ne se trouvant pas en face de la seconde région. 255 DO 13 L'invention a aussi pour objet un procédé de fabrication du dispositif décrit ci-dessus, dans lequel on forme la couche du second type de conductivité N par épitaxie sur le substrat et l'on forme la première région et la seconde région par diffusion, caractérisé en ce qu'avant la diffusion de la premiere région, on effectue une opération d'implantation ionique (dopage) d'impuretés du second type N dans une partie de la seconde surface principale à travers laquelle on effectuera la diffusion ultérieure de la première région, mais non la diffu10 sion ultérieure de la seconde région, en choisissant les paramètres opératoires de façon que la région dopée soit plus profonde que la première région diffusée et conserve le second type de conductivité N uniquement à l'extérieur de ladite première région L'invention sera mieux comprise par la description détaillée qui va suivre d'un exemple d'exécution préféré de celleci donné uniquement à titre d'exemple non limitatif, en regard du dessin annexé dont: la figure 1, décrite précédemment, est une coupe agran20 die d'un dispositif à deux bornes à structure à trois jonctions selon la technique connue. La figure 2 est une coupe à échelle agrandie d'un dispositif à deux bornes à structure à trois jonctions selon l'invention. La figure 3 représente le circuit équivalent du dispositif, à la fois selon la technique connue et selon l'invention, dans des conditions de polarisation particulières. On va se référer à présent à la figure 2, o les parties analogues à celles de la figure 1 sont indiquées par les mêmes références numériques On remarque que l'électrode d'émetteur, désignée par la référence 5 ', a été étendue au-dessus d'une partie de la région 2, de façon à obtenir une "plaque de champ" du type déjà décrit, mais non représenté, en liaison avec la figure 1 En outre, avant de diffuser la région 3 de conductivité 35 P, on réalise une implantation (un dopage) d'impuretés de type N, par exemple de phosphore, à travers une zone en forme de couron= ne circulaire, de façon à obtenir un enrichissement localisé de 255 C O 13 la région 2 de type N La concentration en impuretés P, au cours de la formation ultérieure de la région 3, est très élevée, de sorte que le type de conductivité de la zone dopée d'impuretés qui se trouve à l'intérieur de la région diffusée 3 est inver5 sée. On choisit les paramètres au niveau de l'étude de façon qu'il reste une zone N, désignée par la référence 9 sur la figure 2, présentant une conductivité plus élevée que la région 2, qui s'étend un peu dans cette dernière région En particulier, on calcule la dose et l'énergie de dopage, de façon que la rupture de la jonction 8 ait lieu au niveau de la zone 9 à une tension inférieure à celle qui existerait dans le cas de rupture par effet de courbure, mais pouvant être définie exactement en cours d'étude. Il y a lieu de noter que la zone enrichie 9 se trouve dans une partie de la jonction 8 latérale par rapport à la région "d'émetteur" 4, c'est-à-dire en dehors du trajet de passage du courant principal du dispositif. Le fonctionnement du dispositif dont la structure est conforme à l'invention décrite précédemment peut être représenté encore par le circuit électrique de la figure 3, o la diode Zener correspond encore à la région 3, en ce qui concerne l'anode 16, mais à la zone enrichie 8, en ce oui concerne la cathode 17. Il va de soi que l'on peut apporter à la description précédente et au dessin annexé de nombreuses modifications de détail sans, pour cela, sortir du cadre de l'invention Par exemple, la zone enrichie 9 peut présenter une forme et des dimensions différentes de celles représentées sur la figure 2, et 30 elle peut également être constituée par une multiplicité de zones séparées entre elles. 255 C O 13 REVENDICATIONS 1. Dispositif à semi-conducteurs à deux bornes à structure à trois jonctions, formé sur une plaquette de matière semiconductrice comprenant: un substrat ( 1) d'un premier type de conductivité (P) 5 délimité par une première surface principale de la plaquette; une couche ( 2) d'un second type de conductivité (N) disposée sur le substrat ( 1) et délimitée par une seconde surface principale de la plaquette; une couche ( 7) de matière isolante, qui s'étend sur la 10 seconde surface principale; une première région ( 3) du premier type de conductivité (P) s'étendant dans la couche ( 2) du second type de conductivité à partir de la seconde surface, une seconde structure ( 4) du second type de conductivité 15 (N) s'étendant dans la première région ( 3) à partir de la seconde surface; une première couche métallique ( 6) en contact ohmique avec le substrat ( 1) sur la première surface principale; et une seconde couche métallique ( 5, 5 ') s'étendant sur une 20 partie de la seconde surface principale à travers une ouverture de la couche isolante ( 7), de façon à être en contact ohmicue avec la première région ( 3) et la seconde région ( 4), et sur la couche isolante ( 7) de façon à surplomber une partie de la couche ( 2) du second type de conductivité, suivant le contour de 25 la première région ( 3); caractérisé en ce que la couche ( 2) du second type de conductivité (N) comprend au moins une zone ( 9), contiguë à la première région ( 3), ayant une concentration en impuretés supérieure au reste de la couche, cette zone ( 9) étant localisée dans une par- 255 e 013 tie du voisinage de la première région ( 3) ne se trouvant pas en face de la seconde région ( 4). 2. Procédé de fabrication d'un dispositif selon la revendication 1, dans lequel on forme la couche ( 2) du second type de conductiviyté (N) par ép Vtaze *ux le puhtrat ( 1 i) et l'on forme la première région ( 3) et la seconde région ( 4) par diffusion, caractérisé en ce qu'avant la diffusion de la première région ( 3), on effectue une opération d'implantation ionique (dopage) d'impuretés du second type (N) dans une partie de la 10 seconde surface principale à travers laquelle on effectuera la diffusion ultérieure de la première région ( 3), mais non la diffusion ultérieure de la seconde région ( 4), en choisissant les paramètres opératoires de façon que la région dopée soit plus profonde que la première région diffusée ( 3) et conserve le second type de conductivité (N) uniquement à l'extérieur de ladite première région ( 3) -